/
Text
Рис, 4 3. Биполярные транзисторы малой мощности высокой н сверх-
высокой ЧЗСТО1Ы
КТ301, КТ301А, КТ301Б, КТ301В.
КТ301Г, КТ301Д, КТ301Е, КТ301Ж
Кремниевые диффузионные универсальные транзи-
сторы п-р-п, Предназначены для усиления и генерирования
колебаний в каскадах радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.3, а).
! Ыраме "ры Режим л !мерепил КТ301 К1301Б КТ301Г KT301E КТ301Ж
КТ301А КТ301В КТ301Д
'' L/K[> = 10 В; Л = 3 мА; 20 60 10 32 10 32 40 . 120
/ 1 кI п, 0 =20 < 0 120 20 60 20 60 80 300
0 кг»г с (Jk р > 180 >96 >96 >360
>360 >180 > 180 >900
о _ — 53ГС окр >7 >4 >4 > 14
>14 >7 >7 s20
1 ''mJ 7=3 мА; f = 20 МГц Э ’ > 1 >1 > 1,5 И .5
МГц <7„ ч = 10 В; 7^ = 3 мА 30 30 60 60
/ м кЛ 77 = 7/
к во Ф Ф Ф 1 s а о _ ч ж х тг ’ СП II II II 1 $ о • сл с о оГ О q n S о о V/V о о о V/ V/ о о V/ V/ : ю : юо
<10 < 10 < 10 : ю
^ЭБО’ мкА Ц,Б = 3 В <10 < 10 < 10 : ю
h мкСм 2 26 77 — 10 В; /э = 3 мА; кь <3 <3 <3 ;з
f— 1 кГц
Р' КЭ нас > в /,. = 10 мА; /г = 1 мА, К — ь f = 50 Гц <3 <3 <3 :з
ЬЭ нас , В 7„ = 10 мА; F = 1 мА; f = 50 Гц Ь <2,5 <2.5 <2,5 12,5
С , пФ ^КБ = ЮВ; f = 1 МГЦ < 10 <10 < 10 ДО
(?, пФ */эб = 0,5 В; f = 2 МГц <80 <80 <80 :80
э т , НС U = 10 В; /э = 2 мА; <2 <4.5 <2 :2
к F--2 МГц
101
/7 родолжение
Птрамстри Рса 1М измерения Ь Т 4111 К ! 401 Ь К 1 lot i К I 30 ’ L
KI ЮН KT3UIB knot л К Т 30 i Ж
Предельно допустимые SKciLiuidniwibic данные
/уКЭК мах в 0 д/ 83 °C 20 30 20 20
+ 50 тгд, Г Kb<J "itit в . в V/ W 1, a. CL i Ж о е О Ф 85 °C 85 °C 3 20 3 30 3 20 20
I, х max Д п а х ’ мА мА о < охр 0 < 85 "С 85 °C 10 10 10 10 10 10 10 10
Л Б т а х А. К 771 ЯЛ мА мВт CD О О С > “ > "Q ’а АЛ 85 °C G0 сС 10 1501 10 1501 10 1501 10 150
9 ^пер max <РШ' °C — 120 0,6 120 0,6 120 0,6 120 0,6
0 , с окр - — 55 4-85
1 При температуре сч оС’ до 85 С допустимая модность (мВт) оппсдстяетея по фортеле
< = 2 5 (120 ~ 0 ).
К 41J t ' Okir
ГТ305А, ГТ305Б, ГТ305В
Германиевые диффузионные транзисторы р~п-р.
Предназначены для работы в малогабаритных электронных
схемах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.3, б).
П араметр Режим измерения ГТ305А ГТ305Б ГТ305В
^2 J Е £/кб = - 1 В; /э = 10 мА;
% =+20’С 25 ..80 60 . 180 -
0о,р = 6О”С 20 . 270 40.550 —
0<,ьр= —60 °C — d В; /у — 5 мА; 15 .80 30 ..180 —
0о«р = 25 °C — — 40. 120
0окр = 6О°С — — 30.400
QoKp = -60°C — 1 20 . 120
U2J икБ = —5 В; /э = 10 мА; f =20 МГц 7 >8 8
h226, мкСм t>KE = —5 В, /э = 5 мА — 5
Л<БО’ мкА 1/кб=-15В — <4
Лок? МКА 'Ла- 0,5 В; 4/кэ= 15 В; Й0<р < 20 °C <6
9 =60 °C <70 <70 <70
Аэбо1 мкА УЭБ= 1,5 В <30 <30 <30*
^КЭ нас1 В / = Ю мА; /г = 1 мА 1\ о -0,5 -0,5 -
^БЭ нас’ В == 10 мА; /Е = 1 мА — 0,7 — 0,7 —
^КЭОгр’ В /э = 10 мА - 12 - 12 — 12
102
П родолжсни?
111рамелр Режим измерения ГТ 36 5 А ГТ 305Б ГТ305В
С , пФ ^К5 = ~5 В’ /=5 МГц <7 <5.5
С , пФ аэБ = 0,5 В, /=5 МГц <50 <50 <50
Г , ПС акБ = —5 В, /а = 5мА; 500 500 300
/ - 5МГ ц
Пщ' МКГ и _ — 10 В, < = 10 мА 3 3
А ( . ДБ икь - — 10 В, = 5 мА, — — 6
f - 1,6 МГц
Предельно допустимые эксплуатационные данные
К Ь max ’ в -60 '-'С < 0ОКр < 60 °C -15 -15 -15
К.Э max' в ^БЭ = 0,5 В -15 - 15 - 15
U я Б max1 в — 60 ЭС < 0 < окр " 60 °C - 1.5 — КЗ -0,5
А „ мА [\ Г/ <7 Г’ °окр * ^35СС 402 40а 402
К. и т п г ’ мА тн = 10 мкс, <- р . К мак 100 100 100
р К Г! О Э ’ мВт %* 20 °C 753 753 753
0 ft е р гп a f °C — - 85 85 85
/?П'-Р-ОКр, — 0,8 0,8 0,8
° С/мВт —
О . °C Окр’ - -60...+ 60
' При /'ЭБ « 0.5 В
- При температуре свыше J5 аС ^мяксимальяае знамение тока коплекторл (мА) определя-
лся из формуле /к t7iax — 5.2Л85 9окр
! При темпернт) ре икрл ж а ю щеп среды от 20 до 60 аС максимальная мощное! ь (мВт)
рнсчитывается пи формчле
тпх~ (358 0окр) /0 8
КГ306А, КТ306Б,
КГ306В, КТ306Г, КЧЗОбД
Кремниевые планарные транзисторы п-р-п. Пред-
назначены для работы в переключающих (КТ306А, КТ306Б) и
усилительных (КТЗО6В, КТ306Г, КТ306Д) устройствах.
Выпускаются в мсталлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.3, в).
Па рзметры Режим измер елия к тык, А КТЧ06Б ктзаьь. к i 306Г ЦТ306Д
^aiE С'кв =1 В. Ц «окр = 20 °C = 10 мА, 20 60 40...120 20, 100 40.200 30 150
«окр = 100 °C 120 240 200 400 > 100
^513 16’ % = - 55 °C UKB=5 В, /э f = 100 МГц ^КБ = В’ J = 1 кГц = 10 мА; 8 16 >3 8 16 >3 гм " СЧ А\ А\
Ом — 5 мА; /А VI гс ел! о 1 A V QJ УЗ О <30
103
П родолжение
Параметры Режим измерения КТ306А юзоьь -КТ306В КЧ’ЗОбГ КТ306Д
^КБО' МКА ^Э5О’ МК^ "ю пас’ В БЭ нас’ В С пФ С>, пФ V пс ^КЭО гр’ в fpac , НС Пре ^КБ max' В ^R3R тах> В ^35 max' В mav МА пае max' max' МА нас max' М max ’ 41 Вт ер max' °C %КР> °С ОКБ = 15 В; 9 = 20 "С %> = 10° -с УЭБ = 4 В /к = Ю мА; /Б = 1 мА /к = 10 мА; /Б = 1 мА С7кб =5 В; f = 10 МГц С7бэ = 0; f = 10 МГц 17КБ — 5 В; /э = 5 тА\ f= 10 МГц /э — 1 мА; тк = 50 мкс, Q 50 7И = 10 мА, /. — 1 мА дельно допver имые эксплуа %.р<100°С Л>„п < 3 кОм % < 100 °C «окр < 100 °C 0 <100°С 0 < 100°С 9 < 100 °C «окр < 90 °С 0окр=10°ГС <0,5 < 10 < 1 <0,3 < 1 5 4,5 > 10 ^7 30 тационньп 15 10 4 30 50 30 50 150' 125 150 <0.5 =<10 < 1 5 4,5 500 10 ^7 а данные 15 10 4 30 50 30 50 1501 125 150 55 -1-100 <0,5 < 10 < 1 5 4,5 500 ^10 15 10 4 30 50 30 50 1501 125 150
1 При увеличении температуры от 90 до 100 "С наибольшая рассеиваемая коллекто
ром мощность снижается по линейному закону
104
ГТ308А, ГТ308Б, ГТ308В
Германиевые сплавно-диффузионные транзисторы
р-п-р. Предназначены для усиления, генерирования и преобра-
зования электрических колебаний высокой частоты и для работы
в импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.3, г).
Параметры Режим измерения ГТЗО8А ГТ308Б ГТЗО8В
Л211 "м, -1 в. с =10 мА, 20 75 50 120 80 200
1 - "»<> 1'н. % 25 °C
20 200 50 360 80 GD0
%= ~60°С > 15 >30 >45
/КБ0, мкА -60‘С<0 <25°С,
С7кб=-5В <2 <2 <2
^КЬ- -15 В <5 <5 <5
% = 7ГС, С/КБ— — 10 В <90 <90 <00
/ мкА ^эб = -2 В <50 <50 <50
-3 В < 1000 < 1000 < 1000
1А21э[ ^кб ~“5 В, /э — 5 мА, >4,5 >6 >6
/ 20 МГц
нас В = 50 мА, < = 3 мА -1,5 -1,2 — 1,2
В — 10 мА; — 1 мА — 0,5 — 0.5 -0,5
Ск. пФ икБ- -5 В, f = 5 МГц <8 <8 <8
с,, пФ (/ЭБ= -1 В, / — 5 МГц <25 <25 <25
Т, , ПС (/КБ = —5 В, < = 5 мА; 400 400 500
f — 5 МГц
(рае- мкс < —50 мА; /в —4 мА; <1 <1 < 1
ти — 5 мкс; f = 1 . 10 кГц
Л’ш, дБ ^КБ = “5 В; /3 = 5 мА;
J - 1,6 МГц <8
105
X
6^
ГТ309А, ГТ309Б,
ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е
Германиевые диффузионно-сплавные транзисторы
р-п-р. Предназначены для работы в усилительных и генератор-
ных миниатюрных радиоэлектронных устройствах
Выпускаются в металлостекляином корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.3, д).
Па рамстры 1 1 h II М II J М 1 I'.'Ci J| А S Т309А I Г309В Г 1 309Д ! П|>‘)Г
ГТЗОУЬ ГТЗР.'Г
^21Е 7 К Б О ’ 4 К А |/<. ! 21 * ^226» ^кСм "115' °М С . пФ К Т , ПС к /< , л В ' hi 7Л 7'д Т’Д 7,Л Дл =с оФ ? д ’г- II 2 II II ° II ° II ® II 1! II II II II II S 1 Р 1 1 5 “ з 1 £ 1 а 1 1 О О 1 -р GT СЛ СЛ о Си о СП _ СЛ Д’ СП *2 ч и СП " о о р о Д Q П сз СЙ W О О Р? Л СО ~ н * Ф _ 'Х> II “ 'Х> Х> ? Ц? II г || \ II СП Сд ?Г ол СП ' ' СИ s Ss S 3 ° > > ? > > о > 20 70 20 70 20 70
60. 180 20 140 60 .180 20. 140 60 180 20 140
60 380 16 .70 60 380 16 .70 60 380 16 . 70
30. .180 ^5 < 120 ^6 5 <38 <10 500 30 .180 < 5 < 120 5^4 < 5 <38 <10 1000 30 . 180 < э < 120 > 2 < 5 <38 < 10 1000
<6 <6
107
Продолжение
Параметры Режим измерения ГТ309А ТТЖБ~ ГТ309В TTW ГТ309Д ГТ309Е
Пр fl П КЭ? max1 м II П КТ> max' м , мА К max Р , мВт К max 0 » сс пер, окр’ сдельно допустимые эксплуа = 10 кОм 0 < 55 °C еокр < 55 °C еокр < 20 °с окр тацисшньн — 10 — 10 10 501 70 i данные — 10 -10 10 501 70 —10 4- -10 — 10 10 501 70 55
При температуре от 20 до 55’С значение доручимои мощности уменршастся на 5 мВт
на каждые 10 LC
ГТ310А, ГТ310Б,
ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е
Германиевые диффузионно-сплавные транзисторы
р n-р с нормированным коэффициентом шума. Предназначены
для работы в усилителях высокой частоты малогабаритной
радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4 3» е).
Параметры Режим измерения ГТ310А ГГ310Б гтзгов гтзюд ГТ31УЕ
ГТ31О1‘
0 = -5 В; f = 50 ..1000 Гц, 0 - = 55 сс окр 1э 0 = окр 1 мА; 20...70 20...70 20.. 70
-250 С 60 ..180 20 ..140 60 . 180 20.. 140 60. 180 20.. 140
60 ..360 60 ..360 60...360
9 — —20 °C 16.70 16.70 16 70
ОКр 30.180 30 . 180 30 . 180
|Л21,| <4Б=~5 В’ f = 20 МГц ^9 = 5 мА; >8 >6 >4
Л11б’ Ом "кь = ~5 В’ ! / = 50 ..100 Гц . = 1 мА; <38 <38 <38
э
й99 , мкСм В; f = 50 Г 000 1 ц 7э = 1 мА, * <3
'КВО- МКА с ч п 11 1 СЛ 9 ;20°с <5 <5 <5
0 = 55 °C окр < 120 < 120 < 120
С , пФ к <= - 5 В; /_ = 5 мА f —5 МГц; <4 С5
Т , ПС к = —5 В; f 5 МГц S = 5 мА; <300 <300 <500
*ш- & Гкв = -5 В; f = 1,6 МГц Гэ = 1 мА; <3 <4 <4
108
П родолжение
11аоаметры Реж.им измерения ГТ310А ГТ310Б ГТ310В ГТзЮГ ГТ31ОД ГТ310Е
Предельно допустимые эксплуатационные данные
бгк.эй max, В R„_ = 10 кОм С7 Ь — 10 -10 -10
Г* = 200 кОм —6 —6 —6
< г .В 0 <55 “С — 12 — 12 -12
КБ n<ai 1,, , мА Okt> 0 < 55 " С 10 10 10
К max rv , мВт пкр ' 0 <35 °C 201 20[ 201
К mav 0 , °C окр 75 75 75
нер mar /Rnep-окр, — 2 2 2
С/мВт
0 , °C < -40 .4-55
ок р
1 При температуре at 33 до 33 С до цстимая мощность (мВт) определяется по формуле
р =0,5(75—0 ).
г. -лат '
ГТ31 IE, ГТ31 1Ж, ГТ311И
Германиевые планарные транзисторы п-р-п Пред-
назначены для использования в радиовещательных приемниках,
приемно-усилительной и другой аппаратуре широкого приме-
нен ИЯ.
Вынускаю1ся в mcj адлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис 4 3, и).
1 1 J р ,1 М L I |' 1,1 Pi лим измерения I ГЯ1Г Г Til 1Ж ГТ31 | и
1 7l ’IE 1 и„=3 В, /„ = 15 мА; 9 КБ = 25 °C Э 15.,.80 50...200 100.300
0™р -- 55 °C 15 ..150 50 .350 100.500
0окр = -40 °C 10 ..80 25...200 50.300
1 h ul №. = 5 В, L = 5 мА, f = 100 МГц >2,5 3 >4,5
/к 1,0, мкА и -- и КЬ КЬ таг ЭБ ~ ^ЭБ г'рг 7^ = 15 мА; /R = 1,5 мА <10 < 10 < 10
! И)О, мкА ('к ) нас, В <15 <0,3 < 15 <0.3 /Л /Л S -1
( I,-» нас, В 7 = 15 мА, 7ь = 1,5 мА <0,6 <0,6 <0,6
1 ''к ю гр, В К = 10 мА 8 8 8
1 1 . нФ UКБ -5 В, f = 10 МГц <2,5 <2,5 <2,5
1 , пФ 77^ = 0,25 В; f==10 МГц 5 <5
|| 11С (| к , НС 1/„г = 5 В; 1. = 5 мА; > = 5 МГц Э 7 — 20 мА, /_ — 2 мА; к, ь = 0,2 мкс. 75 100 100
пс — —4 В, в схеме ОЭ -Б. н 50 50 50
109
Продолжение
II ара ас 1 ры Режим ж. м-q ення ГТЗ1 1 [ г тз11Ж ГТ311И
Предельно допустимые эксплуатационные тайные
(J КБ max’ В 0 с 45 °C 121 12' 101
U г- ЗБ па»’ В 0™Р < 45 °C 2’ 21 1.5‘
^КЭИ ЛД1 , в /£*р = 110 кОм, 0 < ЭБ _ „ окр < 45 °C Р 12' 12' 101
Л. К /71 Ci X мА О < 55 ° С 50 50 50
Л. К мВт Ок о 0 Р < 25 °C 1502 1502 1502
о пер мят °C ОЬр 70 70 70
0 t °C окр — —40 4-5
В диапазоне температур от 45 до 6(1 "'С происхишт снижение U кб max и U кэк max
на I В ня каждые 5 < a U г -на 0'2 В на к(ждые 5 С
При температуре or 25 до GO “’С допустимая иищп) тг (мВтг ппре [сляетгя по формуле
P,t = 150 - 100 (0 - 25> /55
К а тл акр
110
КТ312А. КТ312Б, К.Т312В
Кремниевые эпитаксиально-планарные универсаль-
ные транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в переклю-
чателях, генераторах, радиовещательных приемниках и приемно-
усилительной аппаратуре широкого применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.3, ж).
Пирамегры IiH 1 изморе ГИЯ КТИ2Д КТ312Ъ К 1 312В
h2\F 7^ ’ СП II II ь? to II = 20 мА, 10. 100 25. .100 50 280
0 = 85 UC 10...200 25 .200 60 560
0 = —40 °C 8...100 15 100 25 280
№ = 10 В; / f = 20 МГц — 5 мА; <4 6 ^6
^КБО’ МК^ L/ =(L/ „ КБ < КБ max 6 < 20 С —5) В; <10 10 < 10
^ПБО' > * Vo нас’ В и в КЭО гр’ г: , пФ г— • с- Ф * •.<; 5 ” !| 11 II 07 'О II К II II „ ° - » Os- S S 3 to о ГЙ > > > О II = 2 = 2 = 2 мА мА МГц /А V /А /А /л /л V1 £5 - -с — w “ 'X с о V/ V/ V V/ А\ V/ 30 10 0,8 М 35 5 /Л V Л /Л А /Л СЛ to “ О — W о „ со о о
1 , ПС к <= 1° В: 1э f = 2 МГц — ,) мА, 500 500 500
f?j, пФ 7Мь = 1В,[ = 2 МГц <20 20 <20
П ридолжение
Параметрь Режим измерения КТ312Л КТ312Б KT312R
Предельно допустимые эксплуатационные данные
UKR ’ в КБ та v ’ В КЭР дшл U~R , В 0 С85СС 20 35 20
Г™ф ^ЭБ 0 = 100 Ом < 85 °C 20 4 35 4 20 4
u_rJ* U Г Г | , мА 9"Кр С85СС 30 30 30
и тах> мА Р^тах, мВт И »h*H> мВт Опер ma\i С /?пер скр, °С/мВт 0™Р- э»г ОК[ Т + и С 85 °C < 20 °с 1 мкс 60 2251 450 150 0,4 60 2251 450 150 0,4 60 2251 450 150 0,4
А °C DOKpt -40 .+85
ТТпи температуре от 20 дс ) 85 С допустимая мелисс гь (mBi) ииретеляетея по формуле
р =7^ + 23(85-0 )
A V|«t ОКр'
ГТ313А, ГТ313Б, КГ313В
Германиевые сплавно-диффузионные мезатранзи-
сторы р-н-р. Предназначены для использования в радиоприем-
ных и телевизионных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами (рис. 4.3, и).
Л Параметры Режим измерения ГТ313А ГТ31ЭБ ГТ313В
Й21Е ^кб=“5 В; = 5 мА; f = 50... Ю00 МГц 0 = 20 °C 0окр = 55 “С окр 20...250 20.. 500 20...250 20. 500 30.,. 170
112
Продолжение
Парас стры Режим измерения ГТ313А ГТ313Б ГТ313В
0 =—40 °C 15.250 15. .250 —
(Р’ = -5 В; /. =5 мА; 3 ..10 4,5...10
/ = 100 МГц
Гз С ClT'x"'1 й т: Я в, ш о о .А.Я — W&3 и *?* 7 ". ". я 1 сз сз 51 > "кб=-|2В ПЭБ = -0.25 В /к — 15 мА, = 1,5 мА <5 5
<50 <50 <50
-0,7 -0,7 — 0,7
/„ = 15 мА; 1_ = 1,5 мА U = —5 В; f = 10 МГц Б= —0,25 В; / = 10 МГц ZD Ю CD 1 V/ -0,6 <2,5 1Л CD СЧ 1 V/
С , пФ <14 <14 < 18
Т , ПС Uь, = -5 В; Л =5 мА: / — 5 МГц 75 40 75
Кш. ДБ / =5 мА; f= 180 МГц с? • — <7 —
Предельно допустимые эксплуатационные данные
> в КБО тал „ Оокр < 55 °C — 15 — 15 -15
6’ 3 S Э Б max _ <•,„ , В КЭН л, пт eOhp<55=c —0,2 —0,2 —0,2
/?эб = 300 Ом -12 — 12 — 12
/?эб = 2 кОм —15 — 15 —15
, мА k max Л . мВт К max 0окр < 55 °C 9окр - 20 '^с 0Окр =55 °C 30 100’ 501 30 1001 50l 30 I001 501
R пер окр 3С/мВт 0,9 0,9 0,9
о , °с окр —— —20...+55
1 В инпрпа ie i ,-мнерат,р От до 55
С допустимая мощность
снижается по липеиЕОму
.TuhOlEJ
113
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,
КТ315Д, КТ315Е. КТ315Ж, КТ315И
Кремниевые планарно-эпитаксиальные усилительные
транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в усилителях
высокой, низкой и промежуточной частоты радиоэлектронной
аппаратуры широкого применения
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
(рис. 4,3, к).
Параметры Режим измерения КТ315А КТ315Б КТ315В КТ315Г КТ315Д КТ315Е' КТ315Ж ктагыг
hl\E =“ 10 В; 20...90 20. ..90 20 ..90 30... 250
5(Г..35О 50...350 50 „350 30
/э = 1 мА; 6<жР = 25 °C finRn = loo °C 20... 250 20.. 250 20...250 30.250
50...700 50...700 50...700 50„ 700
0nrn — —60 °C 5...90 5.. 90 5...90 >5
Т57..350 15 „350 15.350 > 15
1^2131 t/кэ = 10 В; /э == 5 мА; >2,5 >2,5 >2,5 >2,5 > 1,5
Лз2э> мкСм f = 100 МГц ^кэ = 10 В; <0,3 <0,3 <0,3 <0,3
ЙцЭ1 Ом /э — 5 мА ^кб = Ю В; <40 <40 <40 <40
^КБО< мкА /к — 1 мА б = Ю В; (Up С 25 °C <1 < 1 <1 < 1
0окр= 100'С <15 < 15 <15 <15
114
Продолжение
Параметры Режим измерения КТЗ15А ттгатг КТ315В ‘КТ315Г КТ315Д KT3I5E К Г315Ж КТ315И
/эво, мкА и ж = 5 В <30 <30 <30 о о сс ю V/V
пщ i в — 20 мА, <0,4 <0,4 <1 1 /л. о сл
^БЭ нас, В 11 II го ю ° й 2 > > <М <1,5 <0,9
^КЭО гр, В /5=2 мА /3 = 5 мА >15 >30 >25 >30 >25 W , 1
ск> пФ С\ь = 10 В 7 7 7 10
тк, ПС ^кб - Ю В; /э - 5 мА 500 50 1000 —
Пре дельно допустимы е эксплуа тацилнные i данные
max, В 0ОК?< 100 °C 25 40 40 15
^БЭ /пал, В Оэкр < юо аС 20 6 35 6 35 6 60 6
mao В Ojkp < 100 *с 25 40 40 15‘
таг, мА 0экр< 100 °C 20 100 35 100 35 100 60* 50
тал, мВт %кр < 20 °C 1502 1502 1502 100
П °C ^пер гггпх» %кр < 20 “С 120 120 120 120
R гс р — акр — 0,67 0,67 0,67 0,67
°С/мВг Ц>кр t —— -60 .. -I 100
1 При /?эБ = О
2 При температуре от 20 100 “С допустимая мощность (мВт) определяется пи фор-
му IP Ру. таг = (120 - Яокр;/0,67.
115
КТ316А, КТ316Б,
КТ316В, КТ316Г. КТ316Д
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы
п-р-п. Предназначены для работы в быстродействующих пе-
реключающих (КТ316А, КТ316Б, К.Т316В) и усилительных
(КТ316Г, КТ316Д) устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4 3, р).
Параметры Режим намерения КТ316А КТ316Б КТ316В КТ315Г ктзкш
1^21 J Й22б, мкСм hii6j Ом /кбо, мкА /эбо, мкА UКЗ н я г1 В U БЭ ндс, В ^КЭО гр, В Ск, пФ Тк> ПС С\, пФ *р<и, нс £?кь = I В; /j —- 10 мА; еокр = 20°с еокр = юо °с 0о<р = -60 °C ПКБ = 5 В, /э = 10 мА, f = 100 МГц (7кб = 10 В; /э — 1 мА = 10 В; /э — 1 мА ^кб = 10 В; 0ОКр = 20 °C еокр = 100°с С^эб = 4 В /к = Ю мА; /б — 1 мА /к = Ю мА; /б = 1 МА /э = I мА £Укб = 5 В; / = 10 МГц (7^б = 5 В, /~) = 10 мА, / = 10 МГц Убэ = 0; f = 10 МГц /к. = Ю мА; 7 г, = 1 мА 20...60 40... 120 20. 120 40...240 10 60 20 .120 >6 40. 120 40 240 20 120 ^8 <4 <40 <0,5 <5 <1 <0,4 <1,1 ^5 <3 <2,5 15 /Л ЛV/Л/Л/Л/Л/Л/Л/Л W&sSp 1 ю »— сссл—о — сло^4^ х ai . ; : 1 ск! — л сл о w - о- ю w - с: “ * о о о с: о с? о о а о do F
/Л /Л V/Л/Л/Л/Л/Л/Л/Л V — ГО 1 w сл — о — сл О 4^ А ЭС ° СП 1 ~ Ът ®
116
Продолжение
Параметры Режис измерения КТ316А ктзтсг КТ316В КТ316Г ктзид
Предельно допустимые эксплуатационные данные
^КЭЙ max, в Яэб 3 кОм 10 10 10
П[<Б тих* В % к р 125 °C 10 10 10
Пбэ щах, В %кр 125 °C 4 4 4
7К тих, мА % к р 125 пс 30 30 30
7К нас та о мА (К чр 125 сс 50 50 50
7э max* мА ^иьр 1'-С- 12 J "С 30 30 30
нас та V, мА Оокр ^7- 125 °C 50 50 50
тал, мВ Г Оокр 75 ° с 150’ 150’ 150’
П °C «пор max* 7?пер окр! °С/мВт Й °Р пОЕр- 1 При температур е свы не 75 С — 120 — 0,67 допустимая мощность сип ж ае 120 0,67 -60 +12 тся на 2 м 120 0,67 □ Вт на I ГС
1 17
ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В
Германиевые сплавно-диффузионные транзисторы
р-п-р Предназначены для работы в генераторах, усилителях,
преобразователях колебаний высокой частоты и в импульсных
быстродействующих устройствах
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис, 4.3, л)
Рчжим измерения ГТ320А ГТ320Б ГТ320В
Л21Е С\Б = - 1 В, /э = 10 мА,
0 = 20 °C 20 80 50 160 80 250
0О ‘ =70 °C 20. 120 50 280 80 500
О = -55 °C >15 >35 > 50
1 Е С\Б = - 3 В,/э = 200 мЛ >20 >50 >80
1^21 J f7kB — —5 В, 7Э = 10 мА; >4 >6 >8
/ =20 МГц
AcFjO’ мкА (?КБ=-20В,0 =20°С <10 <10 <10
(7КЬ=-2ОВ,О =70=С <00 <90 <00
Укб=-20 В, 0 = < 0 < 6 <6
= —55 °C
^ЭЕО* ЫКА ^ЭБ= “2 В < 100 < 100 < 100
нас’ В 7К = 200 мА; /Б = 20 мА. — 17 — 17 - 17
^БЭ нал В 7^ = 10 мА; /Б = 1 мА -0,5 -0,5 -0,5
^КЭОгр’ в /э = 10 мА -13 — И — 9
ск, пФ 77кь= -5 В, / - 5 МГц <8 <8 <8
С3, пФ В; / = 5 МГц <25 <25 <25
тк, пс 77кб -- — 5 В, /э = 5 мА, 500 500 600
f = 5 МГц
Предельно допустимые эксплуатационные данные
^ЭБО тех’ % < 45 “С -3 -3 -3
кэк тал* В 0„кр < 45 °C -15 - 15 -15
^КЭКи/лах’ В ти < 1 мкс; Q > 10 -25 -25 -25
^кэо max’ В Ткр с 45 °C — 20 -20 -20
^K3R /исх’ В /?эь < 1 кОм -12 -11 — 9
118
Продолжение
Параметры Росим измерения ГТ320А ГТ320Б Г Г320В
U KGO та * ’ В %, <45 °C -2D — 20 -20
max’ Оокр < 45 °C 150 150 150
К и max ’ А т„ 5 мкс. О 2.
0„„ < 45 °C 300 300 300
мВт 6ОКР 45 °C 2001 2001 2001
1 При темпер it у ре ст 45 цо 70 5 С дон^ч тичая мощность (мВ1) определяется по фор
мУле /’к „-at = М5 (90 — 0Окр)
ГТ321А, ГТ321Б,
ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е
Германиевые конверсионные быстродействующие
транзисторы р-п-р. Предназначены для работы в высокочастот-
ных и импульсных радиотехнических устройствах широкого
применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис, 4.3, л).
119
II р IV 1 1 pi 1 1Чжнм измерения ГТ.331А ГТ321Б ГД321В Г 1321 г ГТ321П ГТ321Г
^21 L = ЗВ, /^ = 500 мА, 20 60 40 120 80 200 20 60 40 120 80 200
9гар = 20 °C
1*21,1 0КБ = — 10 В, /э = 15 мА, >3 > * <3
; ==2о МГц
7КБО МКА ^кБ ^КБО лиг <500 <500 <500
7КЭЙ’ мкА ^КБ = ^КБ max' ^ЭБ = <800 <800 <800
= 100 Ом
Uu~ , В КЭ нас’ /к = 700 мА, /Б « 4 — 2,5 -2,5 -2,5
^БЭ нас’ В /к = 700 мА, /Б = -1.3 - 1,3 -1,3
^КЭО гр* В /э « = 700 МА, Q > 300 -40 — 40 -30 -30
С„, пФ - 10 RJ = 5 МГц <80 <80 <80
со, пФ <:,Б — —0,5 В, / = 5 Ml ц <600 <600 <600
Тк, ПС - -10 В, /-- 5 МГц, 600 600 600
Г,= 15 мА
'рас- мкс /ра = 700 мА, /Б = /Б> 1 1 1
ти = 5 10 мкс, / = 5 кГц
Пре дельно допустимые эксплуа тационньи 2 данные
^КЭР mor’ В дЭБ<юо Ом. е < — 50 -50 — 40 — 40
< 45 °C
^КБО пах* В % < « °C -60 -60 — 45 — 45
^БЭ max, В % < <5 °C 4 4 2,5 2.5
^К, max* ккр < 45 °C 200 200 200
7К н таг А ги = 30 мкс, 0 <45 °C 2 2 2
7Б гнйс’ мА % 45 “С 30 30 30
^Б и таг* МА т„ = 30 мкс 500 500 500
^*[< max' мВт % <45 °C 16O3 160J 160'
и max* < 45 °C 20 20 20
Q Ср пер max' — 85 85 85
^пср оир’°С/мВт — 0,25 0,25 0,25
0(-|Нр, С — - 60 70
1 При 7б = 140 мА для ГТ321А, FT321J\ /ь = 70 мА дтя ГТ321Б, ГТ321Д, /ь =
2 При ;Б = 17 3 лМ для ГТ321В, ГТ321Г, /Б = 35 мА для ГТ321Б. ГТ321Д, /Б = 70 мА
для ГТ321А, ГТ321Г
3 При температуре от 45 до 60 °C допустимая мощность (мВт) определяется по фор
м>ле тал. = (85 8аКр)/0 25
120
ГТ323А, ГТ323Б, ГТ323В
Германиевые меза-планарныс транзисторы п-р-п.
Предназначены для работы в высокочастотных импульсных и
1 операторных каскадах радиоэлектронной аппаратуры
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4 3, л<)
Парачеч ры 4 Режим измерения ГТ323А ГТ323Б ГТ323В
^‘21 С 1/кэ = 5 В, /к=0,5 А, 20 60 40 120 80 200
ти — 10 мкс, f — 1 кГц
1УКЭ = 5 В, /к= I А, >15 >25 >55
ти = 10 мкс, f — 1 кГц
/гр* МГц L/KK = 5 В. /^ = 200 мА >200 >200 >300
/КБ0. мкА L/„_ = 20 В Г\Ь <30 <30 <30
/Jb0- мкА />’ = 2 В J о < 100 < 100 < 100
121
Продолжение
Парад, с три Р. Я, НМ ИЗМС. 01. НИЯ ГТ323А ГТ323Б ГТ323В
До „ В „«• в /к - 1 А, /Б = 100 мА, ти = 10 мкс, f — 1 кГц 7К = 1 А, /Б =• 100 мА, ти = 10 мкс, f — 1 кГц <2,5 <з <2,5 <3 <2,5 <3
k'kooip’ В /э = 100 мА :> 10 > 10 ;> ю
Ск. пФ йКБ== 15 В, f=5 МГц <30 <30 <30
С\. пФ иэБ = 0,25 В, f — 5 МГц < юо < 100 < 100
Тк* ПС СКБ = 10 В; /э = 10 мА; f = 10 МГц 300 300 300
(рас- "с П| /к = 1 А. /г> = ф, сдельна допустимые эксплу 100 атационнь 100 ie данные 150
^КБ max' ® 0окр < 60 “С 20 20 20
fj/K3R max' /?ЭБ = 1 кОм, 0 < 60 °C 10 10 10
fl R ь ЭБ тих' ° % < 60 «с 2 2 2
^КЭХ max' б'ьэ = °’25 2 В- вокр < 60 »С 20 20 20
/ А К И 77WA* 0 < 60 ”С 1 1 1
max' Rt «кор < 50 °C О,52 0,52 0.52
₽К „ША> Вт 9»кр < 25 "С 0,25 * 0.251 0.251
н та Г’ 1 0 окр т = 0,5 мкс 5 5 -53 -Г6С 5 )
' /R( =- ЮС мА дтя ГТ323Л, /Б -50 мА для ГТ323Б. ?Б =25 мА дли ГТ323В
2 При 0кор > 53 °C допустимая мощность (мВт) определяемой ио формуле Р^такт —
~ Ю(1ОО-0кор)
3 При температуре свыше 25 JC допустимая мошгскть (мВт) определяется ио форму те
Ъ’ та г ~ 250 3 78 (8окр 25)
КТ325А, КТ325Б, КТ325В
Кремниевые эпитаксиально-плапарные усилитель-
ные СВЧ транзисторы п-р-п. Предназначены для использования
в усилителях высокой частоты радиоэлектронной аппарaiуры
широкого применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.3, с).
Параметры 1 Режим измерения КТ325А КТ323Б KT325B
^21? (7кб = 5 В; /э = 10 мА; f= 1 кГц 30...90 70.. 210 160.400
|Л21,| (7ггК = 5 В; < — 10 мА; f= 100 МГц >8 >8 > 10
^КБО’ МКА ^ЭБО’ = 15 В: % = 25 °с C,r-4 В /Л/Л — о СП /Л/Л — р СП in o’ — V V/
122
Продолм. ение
II р .1 lOTObl Рс К гм I' 1 П [ i II И -р К 132"з X К Г 525 Ь k 1 325В
''юогР. В /-j = 1 мА > 1о >15 > 15
си пФ Сгкп —3 В. f =10 МГц ^2,3 ^2,5 <2,5
пФ 6\ь-0; [ = 10 МГц _ J , <2 5 < 2,5
Г, пс <-’> В. Д = 10 мА, 123 125 125
/ = 10 МГ ц
Предельно допустимые эксплуатационные данные
К ЬО । р зб’ 15 15 15
^ОБОпроб' %,< 125"€ 4 4 4
mav В /?ЭБ < 3 кОм 10 10 10
Л , мА 0 „„ < 125 ПС Ph 30 30 30
'\ ч т П у • М %< 125 -С 60 60 60
МА «окР 125-С 30 30 30
/ , , , мА и >Н d Л ’ 0)кр«125'С 60 60 60
Л. Л , мВт 2251 225! 225'
% = 125УС 851 851 85‘
0 , °C псп тиА’ 150 150 150
R — 0,3 0,3 0,3
пер окр’
С/мВт
0 „ сс - - 55 -1-125
окр'
При изм( нении температуры от 85 до
। пк и 11< 1vу ля ко ьу
мЛ
0,4
0,3
0,2
0,1
Ofi 0,7U53,0
123
КТ326А, КТ326Б
Кремниевые эпитаксиально планарные усилительные
СВЧ транзисторы р-п-р. Предназначены для работы в усили-
телях высокой и сверхвысокой частоты аппаратуры широкого
применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.3, у).
ndDJMt‘1 |>hl Релчим измерения KT326 V K7325G
Л21Е ! /l2h 1 ^эьо* мкА В ^ЭБ нДс’ В С . пб С“ пФ Т , ПС к Предс 6ГГП ’ В КБО мт 3<3R max' 6^ ’ В ЭБО max* /„ , мА К та \ Р., , м Вт К Л 9 , °C /ГР tua\ иС/Вт й'« окр -2 В, 10 мА; йкб=25°С Э 9°кр = 125 °C чокр 0 " = —60 °C 5 В; /о = Ю мА; f = =KFoO МГц Э = ^КБ max'. Оокр = 20 °C 0окр= 125 °C Б “ Б т и у /^ = 10 мА, /б = 1 мА /к = Ю мА, /5 = 1 мА С/кь - Б В; f == 10 МГц Г>ЭБ = 0, f - 10 МГц U — —5 В. /., = 10 мА, f = 5M.rц К_г> ст Tibiio допустимые экепм атлцнонньи 0)к) < 125 °C А*КР < 100 кОм Jd 0 <125 °C окр Оокр< 125 °C 9 <30аС икр 20.70 10..140 6,..70 >4 <0,5 < 10 <0,1 -03 - 1,2 <5 <4 450 ? данные -20 — 15 —4 50 2001 150 0.6 -60 45. 160 22. 320 13,5. 160 >4 <0,5 <10 <0.1 -0,3 -1.2 < 5 <4 450 —20 — 15 —4 50 2001 150 0.6 <125
1 При температуре от 30 до 125 °C допустимая viomtiucib IimBi) о^речеияетьЯ по формате
Pv - {I 50 — 0 ) /О.Ь
ГТ329А, ГТ329Б, t
ГТ329В, ГТ329Г, ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ,
ГТЗЗОИ, ГТ341А, ГТ341Б, ГТ341В
Германиевые планарно-эпитаксиальные транзисто-
ры п-р-п, Предназначены для работы в селекторах телевизион-
ных каналов метрового диапазона волн, в УКВ блоках радио-
вещательных приемников и других высокочастотных устрой-
ствах широкого применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими поло-
сковыми выводами (рис. 4.3, н, tu).
124
Параметры Рслим намерения ГТ329Л ГТБ29В гтззод гтззои П И 1 ь
ТТ329Ь 1TJ29T ггззож 1'1’341 А ГП41Й
^2 IE О'кб ~ 5 В; 15...300 15 300 30. 400 30 400 15. 300
/э = 5 мА; О04р =25 °C 15. .300
Оокр = 60 С 12. .750 12 .750 15 1000 15 1000 12. .840
12. 840
%кр= -60 °C 5 .360 5 360 12 .600 12 600 3 360
5 . 360
1 Л2 |Э 1 ^КБ " 5 В, /э = 5 мА; f = 300 МГц >1 > 3,3
>5,6 > (ООО
f = 100 МГц — — j> 5 —
> 10 —
^КБО. мкА П'кь = Ю В; 0окр = 20 °C <5 < 5 < 5
0окр = 60 °C <50 <50 <50 <50 <50
/ЭБО> мк^ k'cD = 0,3 В — — — —
<50 <50
(Л>э = 0,5 В < 100 — —
< 100 — <50
^БЭ — 1 Б — 100 — — -
(7бэ = 1,5 В <100 < 100
Ск, пФ i/кь — 5 Вт ^2 <3 з < 1
! 30 МГц <3 <2 < 1
11*1* I't.i 0,7 В, ^3,5 <3,5 <5 <55_
| - 30 МГц
(/ьэ " 0,3 В, f = 30 МГц — — — ^^2 ^2 2
1, , ПС (?кэ = 5 В; 15 20 30 30 10
_ 5 мА; f - 30 МГц 50 10
КЭ нас > Б /к " 20 мА; — — <0,3 <Р,з —
/;, 2 мА —
^БЭ пае, В = 20 мА; — — <0,7 <0,7
/[, — 2 мА
/<т, ДБ t’Kj = 5 В; <6 — — —
= 3 мА;
f = 400 МГц Бгкэ = 5 В, /к = 5 м А
1 = 400 МГц — — 8 <8
СЪ-5 В; — — — <5,5
< = 2 мА; / = 1 П ц <4,5
125
Продолжение
Параметры Режим измерения [ Т329А ГТ329Б [ Т329В ГТ329Г ГТЗЗОД ГТЗЗОЖ гтззои ГТ341А ГТ341Б ITMIB
^КЭО гр, U K3R тал в о Предельно допустим + 1 кОм, + 5 ые эксп >5 луа]аци <6 энные д >6_ чнные —
в и (Г „ БЭ < ьо ис = 10 в, 5 10 5 10 —™ 5 5
КЭХ max (у , В КБ пах 1? л ’ В D9 max Л . мА 9 еоьр окр 0ЭБОИ Окр ' е С 60 °C С 60 °C = 100 мкА, С 60° С <60 VC 10 0,5 20 80 0,8 50 25 10 0,5 20 80 0,8 50 25 10 1,5 20 60 1 50 35 5 10 1,5 0,3 20 5 10 0,3 0,5 10 85 0,8
К max 0 й окр 10 G0
пер max R 85 1
Р , м К /мат Р,, , М К /пял* 0 °C vOKpt Прим Rt 0 с 45 °C 0,8 50
Вт е ч окр 9 = = 55 °C — 35
окр d Н И я I Обозначения 60 +6 транзисто 0 job типа : — 40 + ГТ329 и Г 35 55 — Т341 прав 10 +60 одягся на
крышке корпуса
2 Для транзисторов ГТЗЗО применяется буквенная и цветная маркировка ГТЗЗОД—
буква Д и полоска красного цвета, ГТЗЗОЖ— буква Ж и полоска зеленого цвета
ГТЗЗОИ — буква И и полоска белого цвета Цветная полоска наносится на фланец ножки
между выводами коллектора и корпуса
126
КТ337Б, КТ337В
Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисторы
р-п-р, Предназначены для работы в радиотехнической н элект-
ронной малогабаритной аппаратуре широкого применения
Маркируются двумя цветными точками на корпусе КТ337А—
красного и розового цвета; КТ337Б — красного и желтого цвета,
КТ337В — красного и синего цвета.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4 3, о)
Параметры Редким измерения КТ337А КТ337Б КТ337В
tl2l Е аиг = -0.3 в 9 =25 “С ’ 1э" = 10 мА, >30 >50 >70
0°кр = 85 °C 24 60 40 100 56 140
0°Кр = - 40 °C >9 >15 >21
1"л,1 = - б в. / ’100 МГц i> = 10 мА, >5 >6 CD А
Л , , мкА /;К1. “° 11 /Л - 10 кОм, ~4 В / == 10 мА, К * ,ь 1и = 10 мА, / Ав=-5 ВБ <1 < 1 < 1
мкЛ / , , м к Л ir в Юнн. „ и. . .в Ь 1 ILЛL < пФ "м, — - -6 В <5 ^5 ^'5
<5 >5 ^5
«= 1 = 1 f= мА мА 10 МГц -0,2 — 1 <5 /Л 1 ( ел - Я Ь5 еч О — 1-О 1 1 V/
( нФ / НС 1 ' =0, f = 10 МГц 1,, — 10 мА, /, = 1 мА К ь <5 25 <5 28 <5 28
П1 сдельно допустимые эксплуа тационньп г данные
> В КЗ R та х в Ю кОм —6 —6 —6
0 85 °C —4 —4 —4
СЛ-- » в Kb max* /, , мА К max' п , мВт 0°Нр < 85 °C —6 — 6 —6
0ПКр <: 85 °C 0ОКр<60°С 30 1501 30 1501 30 1501
F \ f f t U -4 Fl O(" 150 150 150
'Oiep maxi A> °C »xпер окр> С/мВт — 06 0,6 0,6
-40 4 85
Оокр, °C
1 При температуре от 60 до 85 °C допустимая мощность (мВт) определяется по формуле
Pv — (150—0 >/0 6
К riu* сир'
127
КТ339А, КТ339Б,
КТ339В, КТ339Г, КТ339Д
Кремниевые планарно эпитаксиальные транзисторы
п-р-п Предназначены для работы в выходных каскадах УПЧ
цветных и черно-белых телевизоров 1-го и 2 го классов
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис 4 3, ф)
Параметры Режим измерения КТ339А КТ339В КТ339Г КТ339Д
К1339Б
/1 . = 10 В, Д = 7 мА >25 >25 > 15
21Е КБ 3 > 15 > 15
* ^21э । /= 100 МГц ю А\А\ ljT 1Л сч л л >2,5
^кбо’ мкА %ь = 40 в <: 1’ < 1 <1
(У пФ к (Г =5 В, Н 10 МГц кь <2 <2 <2
тк, вс f = 5 МГц <25 /л/л — у о с < 150
П{ эедельно допустимые эксплуа 1 ациолньн ? данные
6^ , К ft С 85 аС 25 25 25
КЭ тал окр 12
, В 9 < 85 °C 40 40 40
КБ тал окр 25
LLK В о <: 85 °C 4 4 4
ЭБ max L, , мА 0ОКр < 70 °C 25 25 25
мВт 0ОКр < 55 °C 2502 2502 2502
екта\ «с окр _ f 120 120 120
flnep - -- —40 -85
окр
1 Для КТ339Б С/КБ 25 В
Е При повышении температуры от 55 до 70 °C допустимая мощность уменьшается до
160 мВ1
КТ340А, КТ340Б.
КТ340В, КТ340Г, КТ340Д
Кремниевые эпитаксиально-планарные универсаль-
ные транзисторы п-р-п Предназначены для использования в
128
усыпительных (КТ340А, КТ340Д) и переключающих (КТ340Б, КТ310В) устройствах Выпускаются в металлостекляином корпусе с гибкими вы водам и (рис 4 3, р)
П i| ач итрц Режим измерения К7340А ктноз KT31CI к ннл
К Т340Б
Й21Е = 1 В / = 10 к м А 100 150 160 351 16- >40
! = 5 В, / = 10 мА >3 >3 >3
f = 100 МГц
/ мкА = с/,гт. 1 1
КБО' 4 КБ ^Б max 1 ' = 1 < 1
' ,Б0, мкА эь < 100 < 100 < 100
, В I = = 50 мА, /с = 5 мА —
КЭ нас к ’ Б <0 3
7 к = = 200 мА, < =20 ь мА 1 — <0 4_ —
Г , пФ К ^КБ = 5 В, f = 10 ? АГ ц <3 7 <3,7 <6
( , пФ э "Ь> = 5 В f — 10 ? 4Гц <7 <7 7
1 , ПС h ^кь LT 11 CQ LT II мА <45 <85 150
г = 10 МГц <40
/ ПС 1 'к = -5 мА / — 1 ь мА < 10 < 15 <75
< 15
Предельно допустимые эксплуатационные данные
< , -В 0 (1 р < 85ПС 15 15 15
1 Ь п м 20
"., . 11 (I 1 Я5 ( 15 20 15 15
1,. 11 II 1 S । ( 5 50 5 5
1 м А 1 1 II 1 ч , ( 50 75 50
м; 1 ?0 Х1 к 200
\.. 75 500
1 ( мВт 150 150 150
о — 130 130 130
1) 1 ( । — — 10 4 85
1) । < к > В /к 200 нА
Н( п 1 J > — ?В /к = 500 мА
КГ342А, КТ342Б, КТ342В, КТ342Г
Кремниевые эпитаксиально планарные транзисторы
п р п Предназначены для использования в радиоприемных
и других рлдноллсктроииых устройствах широкого применения
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис 4 3, у)
П ЛЗМОТрЫ Режим измерения КТ?42 \ KT312G КТ342В КТ >42Г
Z,2lE 04д = 5 В, < = 1 мА кн э 100 250 200 500 400 1000 50 125
5 Гатти В II и др
129
Продолжение
11 1 р i ’ 1 р ы Pt, л и х1 измерения КТ342 X КТ312Б КТТ12В КТ342Г
0 =25 °C OKU 0 =125 °C > 1 00 ^200 > 400 > 50
61 1 — (10 °C 25 250 30 500 100 > 125
/V = 10 В, / =5 мА. К 4 Э f = 100 МГц >2,5 >3 1000 >3 >3
\во’ мкЛ С = 25 В. 0 = 20 °C ЛГ> р И =125 °C С 0,05 СО,05' < I2 0,05
С 10 С 10' > ю2 СЮ
Ср - -fin °C CI <!' < I3 С1
/обо. мкА Un, = 5 В С 30 С 30 С 30 с 30
/кэр> мкА ^КЭ = ^КЭ met, /?Бэ = 10 кОм С 30 С 30 С зо С 100
б'лЭ ptlc, В /\ = 10 мА, /Б = 1 мА С 0,1 СО 1 СО,] СО,2
j-.j. • В 10 мА, /в — 1 мА ^0,4 со У с 0,9 си
t'kJO р, В С 5 мА > 25 >20 >10 >25
С,., пФ L'kg — 5 В, f = 10 ?41 и <8 СЯ СЗ С8
Предельно допустимые эксплуатационные данные
б КЭР ти х» В Кбэ С Ю кОм, «о.р С 100 сс Яьэ < 10 кОм, 30 1Л CS1 10 60
0|>н।» 125 С 25 20 10 45
/К лаг< мА О.и-рС 125 С 50 50 50 50
/К и тах> М ти = 40 мкс, Q = 500 300 330 300 300
(Чйх. мВт 0ь1..РС25сС 250л 250} 300' 250*
А °Г u,ltp /лсш — 150 150 150 150
^«tep оьр> °С/мВт '— 0,5 0,5 0,5 0,5
0 °C ’Ажр, v- — — 60 + 125
’ При — 2") В
“ При 1/цб - Ю В
3 При -ьмгсратурс л ди 123 ПС допустимая мощ* исть (vRt) о тред,, imudi ни фюр
м> х* wot - 2 ^0 - <W
КТ343Л, КТ343Б, КТ343В, КТ343Г
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы
р-п-р Предназначены для использования в логических схемах,
токовых ключах, входных каскадах формирователей импульсов,
каскадах стробирования, генераторах, усилителях считывания
и других устройствах радиоэлектронной аппаратуры широкого
применения
Выпускаются в металлостсклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.3, у).
130
'1 I J м трь Режим измерения KT343A t\T 34 ЗЪ ЦТ 343В ктзнг
/ 11 L\b " —0'3 В, /э = 10 мА, e<lhp= 25 - 85 °C 30 50 30 1501
\h 1 0th1 -40 =>С £3кь = —5 В, /о — 10 мА, >15 >23 > 15 —
1 ! () мкА f = 100 MI ц Ькб — — Ю В, >3 >3 3 >3
0L) р < 25 °C <1 < 1 < I2 < 1
0(>кр " За < ю > 10 -< 10 < 10
/1 и;, мкА -17 В < 100 < 100 < 1003 с 100
С К Э fггс > 13 /(у = 10 мА, /ь — 1 мА — 0,3 - 0,3 — 0,3 —
/к — 150 мА, /ь — 15 мА — — — — 1
( । , пФ = -5 В 10 МГц ^2 6 >6 << ь >с,
( , пФ Ьбэ = 0, f — 10 МГи <8 <8 <8
/ , , НС 7^ = 10 мА, /б - 1 мА 10 20 1 10 15
Предельно допустимые эксплуатационные данные
С \ 4k max' В /?9Б = 10 г.Ом — 17 -17 — 17 -17
1 ЬЭ тихз В Оокр < 83 °C 4 4 4 4
> тал> МА < 8>С 50 50 50 50
С}* ( пи ¥> мА Ошц, <83 °C — — 1 50
Г к ,И|И мВт 0Uk[, < 85 150 150 150 150
0щ р ' — 150 150 150 150
Мн р (я С/мВт — 0,5 0,5 0,5 0,5
О„кр> К 10 >85
1 11|>и «и IP / 1 л ' Iтр -ТВ 3 При 1 - - -9 в
К1 И5Л, KI ЯЗЬ, К 1345В
К ре мп новые >пн1 аксиально планарные транзисторы
р н р 11 рсдна шатены д|Я использования в радиоприемниках,
(и,к । рпдоиствуюгцих электронных переключателях, в импульсных
и др\-1их радиоэлектронных устройствах широкого применения.
Маркируются двумя цветными точками на корпусе:
Г 1 И5А — белого п розового цвета, КТ345Б — белого и сине-
11* цвет а
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
(put 4 3, п)
1 1 11. 1 М i | > ! 1Чл1 М [IJMLpt ГНнЯ КТ345А КТ345Б КТЗГВ
h a UbJ = — 1 В, /) - 100 мА >20 >50 >70
С>э = -5 В, h = 10 мА, >3,5 >3,5 >3.5
f = 100 МГц
h по. мкА 0>ь- -20 В >1 <1 1
/ 11,(1, мкА t/БЭ - 4 В >1 <1 < 1
С к * и ц., В — 100 мА, /б = 10 мА -0,3 -0,3 -0,3
С ч, 1 и н' в /к = [00 мА, /ь — Ю мА — 1,1 — 1.1 -1,1
< , пФ С\е — — 5 В ,/ = 5 10 МГ ц < 15 <15 <15
131
Продолжение
Параметры Режим измерения КТ315А КТ345Б К i345В
Сэ, пФ £/вэ — 0; f — 5, 10 МГц <30 <30 <30
^pic> ЯС /к = ЮО мА; /б — Ю мА 70 70 70
Предельно допустимые эксплуатационные данные
яш, В Ябэ < 10 кОм; 0оКр < 85 °C -20. —20 -20
^КБ шах, Б Оокр 85 °C —20 —20 —20
^БЭ max, В О о л Л оо Li Q п 4 4 4
Л< тах> мА 0окр < 85 °C 200 200 200
тал-, мВт еохр < 40 °с 100' ЮО1 ЮО1
О v(ц vnep /пал> —. 150 150 150
/?пер окр, С/мВт —-X 1,1 1,1 М
Оо\р, 0- — -40. .4-85
1 При теwр» от 4П чо Я5 "С прп^стимая мощность (мВ-) определяется по формате
mat = (1 — Арар V । J -
ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В
Германиевые эпитаксиально планарные СВЧ тран-
зисторы р-п-р. Предназначены для использовании в приемно-
ус илиIельной annapaiype широкого применения, в том числе
в селекторах каналов дециметрового диапазона волн.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.3, х). Один из выводов соединен с корпусом
транзистора.
] I яр d че гры Piz, |ч измерения ГТ34СА ГТ346Б ГТ346В
Адь 6'дь — 10 В, Л) 2 мА; 0окр = 25 иС 10.. 150 10...150 15 „150
Оокр - 55 °C 10,450 10 .450 15..450
0„р - -45 “С 3,5 . 150 3,5 150 5 .150
1 /12Ы 1 О’кв= —ЮВ; 13 — 2 мА; f = 100 МГц >7 >5.5 —
А[]б, Ом f>KB — 5 В; /э = 0,5 м 4; f = 1 кГц <30 <30 —
132
Продолжение
11 р iMi*Tp[> Режим измерения Г1316А ГТ346Ь ГТЗ16 В
/р |,о, мкА L/ku = —20 В, 9Jhl, = 25°C С. 10 СЮ < 10
Оокр - 55 °C U 100 < 100 < 100
/н о, мкА =0,3 В -о 100 ^100 -С 100
( К -) иэг В /к = Ю мА, /б 1 мА -0,3 — 0,3
1 1. » 1ИН. Ь /к — 10 мА, /ь — 1 м — 1 -1
U пФ 6'КГ) = — 5 В; / = 10 МГц < 1,3 1 >3
1, , ПС [?КБ = - 10 В, /э = 2 мА; / = 100 МГц 3 5,5 6
Л'ш, дВ икь- -10В;/э = 2мА; f = 800 МГц С 7 <8 С71
. дБ [/кэ = - ЮВ; /j — 2 мА; f W0 МГц -О 10.5 U 10,5 > 10,5
Предельно допустимые эксплуатационные данные
...и В 0ОкР < 55 °C -20 -20 —20
„г В Оокр С 5о ~ С 0,3 0,3 0,3
maxi В кОм, 0пкр U55 °C - 15 -15 - 15
/к П1ДА> МА 0с,<? -С 55 °C 10 10 10
(1 сС v 'р maxi — 85 85 85
rjjao мВт — 50 50 50
(Up, °с — -45 . +55
О 1 2 3 Ч мА и -г -ч S -8 30 -12 3^8
133
КТ347А, КТ317Б, КТ347В
Кремнисвые планарно-эпитаксиальные СВЧ тран-
зисторы р-п-р Предназначены для усиления и генерирования
сигналов высокой частоты, работы в импульсных и других устрой-
ствах радиоэлектронной annapaiypbi широкою применения,
Выпускаются в ме1 аллостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4 3, у).
] I ф 1 'll 1 1 I Р< >4.if-1 hjmuреиm KI Л 1 \ КТЗГ/Б КТ347В
h'2] L С/кь= —0,3 В; 1э = Ю мА, 30. .400 30. 400 50...400
(Ьф -25 °C
0пчр = 85 °C 15 .1000 15. 1000 25. Л000
0(}ф —40 XJ 9 600. 0 000 15. .600
Пуп j I 1 [, -= — 5 В, / ) = 10 м А, <5 <5 >5
/ = 100 Mt ц
/КБО, мк [> — бjs5 f)IUK, ] <1 < 1
(Up - 25 °C
(UP = 85CC < 10 < 10 < 10
/jbO, мкА i/в i = 4 В < 10 <10 <10
ЯК А 7?jb, 10 кОм 5 5 5
ч,1,, В /к = 10 мА; < — 1 мА — 03 — о,3 -0,3
НС /к = Ц) мА; /е = 1 мА <23 <25 <40
С„ нФ О’ьэ 0 [ =-= 10 МГц <8 <8 8
<<> пФ f/Kb = —5 В, / := 10 МГц < о < 6 <6
Предельно допустимые' эксплуатационные данные
Оуьр - 10 =2 85 °C, А<ь -- кОм — 15 —9 —6
бКБО и-г, В (-Акр ' rj с ОС V/ — 15 „9 —6
1J R ^ЬО тс\' п 0(нф > с 85 ГС — 4 —4 —4
\ „.п’ мА Оцкр - 85 СС 50 30 50
Z-< п п.е 0п,. г- О 85 °C 1 10 1 10 НО
7\ ’ мВг оиь . 53 СС 1 30' 150’ 156
Z\ В — 150' 1501 150
0-,ер -i?1, б 150 150 150
'’С/мВт — 0,5 0,5 0,5
134
J'fMf т<. iipaiype окружаглуеи спгды свы>ис 55’Г пппустиг/ая мнимость (мВт) Diipe-
к 1Ж ня ПО формуле flfax — 150 — (9ОКЗ—55)/0,5.
КТ349А, КТ349Б, КТ349В
Кремниевые эпитаксиально-планарные универсаль-
ные СВЧ транзисторы р-п-р. Предназначены дтя работы в уси-
лителях и переключателях сигналов высокой частоты
Выпускаются в мегаллостсклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.3. р)
i I ipa j i р Л Рг?ь mi IU4£ pt'П1я КТ Я-4 К Г345Б KT34JH
/дне и&э = ~ 1 В, /э = 10 мА,
0Окр — 25СС 20 80 40 160 120 300
%кР= —40 °C > 10 4 20 60
/гы-). Г/КЬ = - 10В,0окр = 25°С < 1 4 1 ^1
0^=85 °C ^6 6 ь
/р оч, мкА U[уЭ = — 15В; Rse 1 ОкОм < 1,5 1,5 1,5
/до- мкА С/зь - — 4 В ^1 1
1 А-л, | ] — — 5 В, /д = 10 мА;
= 1 эо МГц з :>з з
4]<J иао В /к — 10 мА, /к = 1 мА — 0,3 — 0,3 — 0,3
f-Aj [ В -- 10 мА, /|з = 1 мА -1,2 — 1.2 — 1,2
пФ Ukb= — 5 В;/= 5 10 МГн 4 6 <6 ^6
пФ [7эб = 0, f == 5 . 10 МГц ^8 ^8
Предельно допустимые экеплую анионные данные
"к В 40 4'.- -'85 (’С 20 - 20 20
//, 11? 15 1 ]< fflri 1 /Сь г НМ>м. 0 и, ' ^5 '<' 15 (5 — 15
б J j> 1 , В -10 0„р 85 С 1 1 - 4
A\ a ^А Т; <5 I МКС, frfli 40 40 40
/ К мВт — 4<ГС^0>кр<ЗСГС 2001 2001 200’
К1< JI t fl' i б — 150 150 1 50
" 1(, °C — — 40 ,-85
1 1!l>i. J. jkp’маптеи г|!?\ы G > се 30 СС •lOianutTb (иЬт> ртгсч ^тынясгея го
ir G * — (I 50 - 0&hpj /ОД
135
в -4 -8 -Z2
КТ350А,
КТ351А, КТ351Б,
КТ352Л, КТ352Б
Кремниевые эпитаксиально планарные универсаль-
ные транзисторы р п р Предназначены для использования в
устройствах магнитной записи, усилителях считывания постоян-
ных и опсратгвных запоминающих усi реши в малых ЭВМ и
других высокочастотных усилительных и переключающих устрой-
ствах
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
(рис 4 3, п) Маркируются двумя цветными точками на кор-
пусе КТ350А — серого и розового цвета, КТ351А — желтого
и розового-цвета, КТ351Б — обе желтого цвета, КТ.352А
зеленого и розовою uaeia, КТ352Б — зеленого и желтого цвета
Pcz-aiv и 1 меренйя КТ350Д. KT35I4 ктззПГ КТ352А KT352D
Пчрьпстр л
/121L = ~1 В> %кр ~ 25 “С 20 200 20 80 50 200 25 120 70 300
0шр = 85 7С 18 40(1 18 160 15 10О 22 5 240 (Н 600
Оочр - “40 М2 10 ?<8 < 20 ^-7 5 гг
/кьо М1М б к ь “Ю В, Оэьр — 25 С < 1 С1 <1
оокр = 35 д: —” < 15 < 10
/оно мкА 1 ^2 Тэ 1 б'эв — —4 В £/[<Б --- —5 В, /э — 10 мА, < 10 <10 <10
f = 100 MI ц — >2 >2
иь В } = 20 MI ц <5 —- -—
/к 500 мЛ, /ь _ 5о мА — 1 -0 6 — 0,9 —06
Б'ьэ (11С. В /к 3= 500 мА, /Б - 50 мА - 1 25 1 2 1 । -11
Ск, пФ £/кп — — 5 В, f — 5 10МГц <70 -.20 <J5
С’Э1 пФ _ — 1 В, 1 = 5 10 МГц < 100 <30 <30
/рчс, нс /к ~ 100 мА, /в = 10 мА — — «:15о
136
Продолжение
II рямстры Режим измерения КТ350 А КТ351А К '] ЫБ КТЗ 52 А КТ352В
Предельно допустимые эксплуатационные данные
** 5 1 * 3 4 иа\-, В -40°CC0Ohp <85 °C — 20 -20 -20
1 [ И? rnax- S /?БЭ = 10кОм,0О11Р- 85 °C — 15 — 15 — 15
1 'h r*iaxi —4G °С<() <Г85сС С п,1 —5 —4 1
+ 1! мА ss 1 «С, Q > 10 600 40G 200
/\ мВт 0оьр < 30 "С 3001 300' 300
0 р, °C —
—40 +85
' При токе эмиттера 500 мА дтя КТ350А 300 мА — для КЗ 351 А и К Г 351Ь 200чА — дтя
КТ^24 и КТ352Б
' 1\ * м измерения 5 иязап ч hi КТЗ }0Л Д ш КТ351Л /к — 100 мА + — 550 м \ КДЗД Б
/и=|00мЛ /б=40мА КТ352А и КТ352Б —/к= 200 мА /ь=20мА
3 Режим измерения указан для КД350 А Для КТЗ51А и КТ351Б /к — 400 мА Г5 — 40 мА,
К I 352А и КТ352Б - /к - vA /Б - 2и iA
4 При температуре окружающей среды бо iec 30 °C мощность (мВт) рассчитывается по
формуле Рк max — (150 — ОокрЗ/О 4
137
КТ355А
Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисторы
п-р-п Предназначены для работы в усилителях и генераторах
электрических сигналов ВЧ и СВЧ диапазонов в аппаратуре
широкого применения.
Выпускаются в металлсстекляипом корпусе с гибкими вы-
водами (рис 4.3,^). Один из выводов соединен с корпусом
транзистора.
П.paneiры Релями 11 1м< рении КТ355
^21 Г / j; < = 5 В, / ь;—- 10 мА; Оокр = 25 ”С 80 300
9окр = 125 °C 80.600
ow = -60 °C >32
1^21J б’к-) =5 В; /ц ~ 10 мА. f ~ _ 300 МГц >5
/? и. Ом L\> -5 В, /к 10 мА, / - = ! к! ц 10
мкА ВкЬ = 15 В, 0О(ф = 25 ПС; гС0,5
Нокр = 123 СС £^5
/?во- МКА С/эв А В < 1
пФ (;КБ =5 В; f = 10 МГц =С2
С„ пФ В’зб =4 В; / - 1 () МГц <2
7М ПС В КБ — 5 В; /к — 10 мА; f -= _= 30 МГн 60
^кэо гр’ р) — К) мА; ти — 10 мкс; Q > 40 >15
Предельно допустимые эксплуатационные данные
Ь'кБОтас» В 10окр< 125 СС 15
б7КЭ1?лта*. В = 3 кОм, 0окр < 125 °C 15
б’эБС) глох, В е0(.р с 125 °с 4
ср шаг? мА 0Окр 125 X 30
К [ г,чах, мА 0окр < 125 ’С 60
^0 ср таи мА 9жр< 125 °C 30
138
Продолжение
Игра чет ры Режим намерения КТ355
/. „.цх, мА А к мВт <<п °C О О Ф G С G г л F "С II /ДА — со — kJ сл гс СП 0 от 1 60 2251 85’ — 55. .-Ь 125
lljm юмчер 1турс от до
к । г по динеиному закону
123 йС максим глию допустимая мощность Р|< 1р(31 ьшжа
О V д 72 UK3lB
КТ358А, КТ358Б, КТ358В
Кремниевые планарно эпитаксиальные высокоча-
cioniMc у< нлнтсльпые транше юры п-р п Предназначены для
шпиль шва пин в у сил и i елытых и генераторных устройствах
радио-элем ровной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
< рас, 4.3, а).
1! рамётры1 Режим na'-'f'pi. Lili я КIJ58A КТ358Б КТ358В
А [, [7кэ = 5,5 В, /э — 20 МА 10 .100 25. .100 50...280
/ . МГц [?K5=10 В, /э — 5 мА >80 > 120 >120
Дью мкА = Г'КБ гипх <10 < 10 <10
/ ,i,o, мкА 8Д>б = 4 В <10 <10 <10
' 'К > нас, В /К — 20 мА; /б = 2 мА <0.8 <0,8 <0,8
1'\, ) ННт В Пред( 7К = 20 мА; /ь = 2 мА ?льно допустимые эксплуа <1.1 тационньп < 1.1 ; данные <1,1
’ 1- 1» ,т>х, В 10 °C < 0окр < 83 СС 15 30 15
1 1’ Щ П1йк> В То же, при 7?бэ С 100 Ом 15 30 15
»1 > 'jra'Ct В 40 °С< еокр С 85 °C 4 4 4
А к ) i,ix t м А — 40 °C сС йокр 8а СС 30 30 30
и nfafi мА -40°С<еОКр<85 °C 60 60 60
/'| мВт — 40 °С< 0окр < 85 °C 100 100 100
139
Продолжение
П ргчетры1 Режим [змсрепия КТ 35 ЗА КТдГЙЬ кт^чв
1 о же, при /и < 1 мкс 200 200 200
0ц р ?лл> — 120 120 120
Ягнроьи °С/Вг 0.7 0.7 0,7
1 При i \ mri;i г у ре i)i ру липсли й с. [и да. 25 Д 1 0 °C KT36IA, КТ361Б, KT36IB, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы
р-п-р. Предназначены для усиления и генерирования колеба-
ний высокой частоты, а также для раисиы в выч пел и юльной
технике и в дручнч быстродсиствующих импульсных устрой-
ствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
(рис 4.3, к). Обозначение типа приводится на этикетке.
1ттр,1'. стры Pt л ну ш мер е ни я KT36I А К ГЗьГБ" KT36LB КТЗЕПД ТТЗБТЕ"
h?\ г (7к,ь = — 10 В; /-> = 1 мА; 20.. 90 40 160 20 90
0пхл=25°( 50.. 350 51Т 50 350
(’окр - 100 ’С 20 230 50.500 20 300 50.. 5Й0 20 250 50.500
<UP = ьо °C 10 90 15 . ЗэО 10...160 15.. 350 10.. 90 15.. 350
UJ21 J L'KJ — — 10 В; /э = 5 мА > 2,5 V КЗ Сл >2,5
Ubo, / = 100 МГц 77кь--10 В, 0(Иф -- 27; "С Л 1 < 1 < 1
(Up 100 С . 25 U 23 с. 25
Лод- чк-4 7? бэ = 10 кОм U 1 U 1 < 1
/^30, М(Л Пчр = -5 В U 0,1 ^0,1 U0.1
7' КЭ [;ас, 3 и = 20 мА, U = 2 мА - 0,2 -0.2 — 0.25
О'ьЭ nite, В U — 20 мА, 7 5 — 2 мА - 0,85 — 0,85 — 0,85
(-U еФ £7Кь - — 10 В J - 10 МГц 9 7 7
ТК1 ПС LUb — — Ю В; 7 j — 5 мА / = 5 Ml ц U500 U юоо <250
1 > Пре дельно допустимые ькеплуа тационньн U500 ? данные < 1000
Г КЭ па тс, В 0,,К[1 < 35 СС to CJ1 — 40 — 40
^КЬО таи В °ОКР 35 С(3 -20 -25 — 35 -40 — 35 — 40
НэБО гтгйл, В OjKp U 100 Сс -20 — 4 — 35 „4 — 35 — 4
РА maxi мВт 0окр < 35 °C 1501 1501 1501
6окр = 100 СС 30 30 30
140
Продолжение
111ра’Ю”ры Режим измерения кт 361 4 K'lJblB КТ361В KT3G1Г КТ361Д ЮС1Е
о °C — 126 120 120
Л II р ,Ь[Ъ С/мВт — 0,67 0,67 0,67
сс — — 60.. 4" 100
lipn TCMiti pdTjpe окружающей среды более 35 “С мощность (мВ")
Формуле: ГкЛШ<.= (120 — 6mnj)/0,67.
расс-1итывгет'я по
ГТ362Д, ГТ362Б
0 -1U ~2д -зои^в
|\“Р
Германиевые планарные СВЧ усилительные транзи-
i юры п-р п с нормированным коэффициентом шума. Предназна-
чены для работы во входных и последующих каскадах усили-
телен СВЧ.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими по-
лосковыми выводами (рис. 4.3, н), Помимо обозначения, на-
несенного на крышку корпуса, допускается условная марки-
ровка- для транзисторов ГТ362А - две красные полоски и буква
\ для ГТ362Б — две полоски белого цвета и буква Б.
1 [ 1Рdметры Режим измерения I 1362Л [ [ JG2B
и б'кз = 3 В, /э = 5 мА; 0 — 26 °C иакр — С- 10. .200 10. .250
Ill
Продолжение
lT i[l J MCI ры Режим нз-, в рения Г 1352 3 ГТ362Б
Оокр = 55 °C 5 500 5 625
Оок. = -40°С 3 300 3 375
6'к) = 3 В, /о = 5 мА. / = 300 МГц ^8 ^8
/цьо« МКА ^?кб ~5 В, 0Окр < 25 <5
6\ь=5 В, 0ол1, = 55эС <30 <30
/э 50, м кА 6'эб = 0,2 В < 100 < 100
Ск, пФ 6гКб=5 В, f = 30 МГц <1 < 1
Сэ, пФ 6?эб = 0,2 В, f = 30 МГц С 1 < 1
ТЕ, ПС — 5 В, < = 5 мА, f — 100 МГц < 10 <20
Кш, дЬ =3 В, = 2 мА, / - 2 25 Ml ц < 1,5 <5 5
Предельно допустимые эксплуатационные данные
^КБ maxi %кр < 70 °C Яэб 1 0Окр < 70 °C 5 5
^КЭ1? max г ft 5 5
^ЭБ глад’ ft 0ОКр 70 °C 0,2 0,2
JК mart мА еикр /о 10 10
atari мВт Оокп 25 °C 40‘ 40’
A L1С иокр» — 60 4-70
1 При температуре окружающей среды свыше 25 СС наибольшая рассеиваемая мощность
(мВт; определяется по формуле = 40 — G 5 <E»otCp — 25)
142
КТ363А, КТ363Б, КТ363АМ, КТ363БМ
Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисторы
р п-р Предназначены для усиления и генерирования колебаний
в СВЧ диапазоне, для работы в быстродействующих импульсных
устройствах в аппаратуре широкого применения,
Транзисторы КТ363Л и КТ363Б выпускаются в металло-
стеклянном корпусе, а КГ363АМ, КТ363БМ— в пластмассовом
с некими выводами (рис 4 3, у, /?) TpaiUHCinpH КТ363ЛМ и
K33bJbM гыркиру юн я цнешыми точками Кд 5С1АМ — двумя
розового цвета, К Г363БМ — розового и желто о цвета
11 т р ч кетр i,i Ре а 11 м изл-к рения К JC X КГЗЬШ
К 1 3uj л КТЗЬЗЬЧ
[/ — —5 В < — 5 мА 20 70 40 120
(<р = 25< 0( кр == 35 °C 1' 175 30 500
= 40 "С 1 1 35 23 150
\1< 1 > Б’к ) — — 5 В /к = 5 мА, f = 100 МГц > 12 > 15
о, мкА t/KD = -15 В <05 <0,5
( Н о, мкА Бг2б ~ — 4 В <05 <0,5
Ы с, В /х, — Ю мА, /Б — 1 мА — 0 35 - 0,35
' JC> В /к = 10мА>/Б=1 мА -’J — 1,1
( нФ £/кб = -5 В, / = 10 МГц <2 <2
i пФ Lэб 0, f — 10 МГц < 2 <2
t НС (/ць _ —5 В, = 5 мА, / = 30 МГц <50 <75
НС /к; = 10 мА, /Б = 1 мА < 10
143
Продолжение
[ 1араме1ры Режим измерения КТЗЬ 1А КТ363АМ. КТ363Б
К Г 163 Б М
Предельно д<и(ус1имье эксилуатлционныс данные
max > В /?эГ1 < 10 кОм, ()Окр <85 °C „10 -10
/?jb < 1 кОм; С,кр < 85 °C — 15 -12
max i В 0оьр < 85 — 15 — 15
СэБО max* В Оокр -ч 85 С „4 — 4
/д и max, М-А ти < 1 мкс, Q > 2 %кр < 85 °C 50 50
А\ Г’1И> МА Оакр < 85 ПС 30 30
Рк majc* мВт Оокр < 45 °C 1501 1501
^?пер окр> — 0,7 0,7
"C/mBi
(1 °C vnep max > — 150 150
0 иикр1 -40 . 85
1 При температуре окружающей стсды сты по 45 еС догустнмая мощность (мВт) опреде-
лнетсн по формуле /’Knat = 150— (fiOJ 45j/0,7.
КТ368А, КТ368Б
Кремниевые планарно-эпитаксиальные у силнтель-
ныс СВЧ транзисторы ri-p-n. Предназначены для использования
во входных и последующих каскадах усилителей высокой час-
тоты
Выпускаются в мсталлосгеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.3, т)
Параметры Режим измерения KT36SA КТ368Б
^21Е ^кб — 1 В, /у = 10 мА 50 300 50 300
Ар, мГц С7кб = 5 В, /э — 10 мА >900 >900
/къо, мкА (7Кб = 15 В <0,5 <0,5
Сдо, мкА 0/ПБ = 4 В < 1 < 1
^КЭОгр, В /э — 10 мА > 15 > 15
144
Продолжение
11 4 1 -lei । >1 Режим измерения КТ368А КТ368Б
Л [f], Ом t/KB “ 5 В; < — 10 мА; f — <6 <6
= 1 кГц
f , пФ Ь'кь = 5 В < 1,7 <1,7
„ пФ <)Б=4 В <3 <з
ПС 1\> -о В; !э= Ю и4; / = < 15 <15
- 30 МГц
III, дЬ = 5 В, /«=10 мА; f = <3,3 —
= 60 МГц, = 75 Ом
Предельно допустимые эксплуатационные данные
1 КБ г ах, В - бо°с<е<)ХП£ ; 125 °C 15 15
1 K.3R tv ix, В То же, при /?эв < 3 кОм 15 15
1 ‘ тих, В -6o°c<eCKp* 125 °C 4 4
( КБ и max, В То же, при /и < 0,5 мс; Q 2 20 20
1 ‘ ДЭ Д и max, В То же, при 7?эб < 3 кОм 20 20
< max, мА -60°С<0окр^ С 125 °C 30 30
< и max, мА То же, при /и < 0,5 мс, Q < 2 60 60
Скулах, мВт - 60 с С < Оокр ^65°С 225 225
0 к ti огр, °С/Вт —- 364 364
КТ371А
Кремниевый планарно-эпитаксиальный СВЧ усилн-
[единый транзистор n-р п, Предназначен для использования
в усилительных устройствах СВЧ.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с гибкими по-
юсковымн выводами (рис. 4.3, э). Маркируется двумя синими
। очками, которые наносятся на крышку корпуса.
Пл pi метры1 Режим измерения К 1371 А
!' II /7ць — 1 В; /к — Ю мА 30. 240
1 ,ь ГГц СКБ = 5 В, /э = 10 мА >3
/и,О, мкА. Г/кБ = 10 В <0,5
! л,о, мкА Г>эв - - 3 В < 1
1 кэо I р» В /э — 10 мА 10
М 10, Ом £/кб - 0 В; < -= 10 мА;/= 1 кГц <10
< , пФ £/кб = 5 В <1,2
1 „ нФ Сэб = 1 В <1,5
Предельно допустимые эксплуатационные данные
f,‘,]tl„ax, В ! 1 ’!< max, В -60°С<0и1ф То же, при /?эб < 125 °C < 3 кОм 10 10
1 И > ги а х, В -60 °C < 0окр < 125 °C 3
' i( v, мА -60”С<Оаьр < 125 °C 20
. । /' lii, мА То же, при s С 10 мкс; Q^2 40
145
Продолжение
Параметры1 Режим измерения КТ371А
/>Кт-г. МВт — 60cC<0Okp<65°C 100
0окр = 125 °C 30
^?пер окрг С/мВт — 0,833
0 °C vnep max., Vj — 159
1 При температуре окружающей среды 25±10:‘С
КТ372А, КТ372Б, КТ372В
Кремниевые планарно эпитаксиальные транзисторы
п-р-п с нормированным коэффициентом шума. Предназначены
для работы в усилителях и генераторах колебаний в диапазоне
частот 1...3 ГГц в аппаратуре широкого применения.
Выпускаются с керамическом корпусе с гибкими полоско-
выми выводами (рис 4.3, я). Маркируются двумя цветными
точками, которые наносятся между базовым и эмиттерным вы-
водами: КТ372А — зеленого цвета, КТ372Б -— белого цвета.
Параметры Режим измерения КТ372^ KTJ72B КТ372В
^21 Г (7КЬ =_ 5 В; < — 5 мА 10 Ч] 10 90 10. 90
1 ^21 _> 6'кб = 5 В; /э=5 мА; / = 300 МГц <8 > 10 >8
Лево- мкА Ь’кб = 15 В; 6окр = 25°С < 0,5 <0,5 <0,5
0^= 125“С <10 < 10 < 10
/дно, мкА О’бэ — 3 В <0,03 <0,03 <0,03
Ск, пФ Окь = 5 В, f — 30 МГц < 0,65 < 0,65 < 0,65
G, пФ Тк, ПС Г'ь ) -- 0 / — 30 МГц ^кб э В, / j 1 м [ = зо МГц " 1,2 , 1 < 1 2 , 4 < 1 2 1
А<, тБ £/кб = 5 В, /р — 2 м \, f 1 ГГц 2,3 3,5 Оп СП 3,2 .5,5
Я.., ДБ Пре (‘кэ = и В, = 5 мА; / = 1 ГГц дельно допустимые эксплуа <12 тапионпьк < 12 ? данные <12
О1 КЭН паг, в 7?эь_ 100 Ом; 0икр< < 125 °C 15 15 15
и max, В /?эб — 100 Ом; тн — = 10 мкс; / =50 Гц 15 15 15
^КЪО чшх, В 0окр< 125 °C 15 15 15
шт»’> В / К т о у > мА 0оьр< 125” С е0,,,< 125 °C 3 10 3 10 3 10
7*К щах, мВт ^?1П’р окр> °С/мВт 0акр < 100 °C 50* 1 501 1 501 1
146
Продолжение
1 Ырз .,етры РСЖИ'.' ИЗМСре ПИЯ КТЗ~2\ КТо72Б КТ372В
к ц р кор, С/мВт — 0,3 0,3 OJ
п °C J < Р 7 1 * — 150 150 150
Ik}, СС — -60.., 4-12 5
При темперптерс п" 100 тл 125 °C мощность (мВг) pjct'iii ыг.зется по фор'л>.те /\ J(Ii —
= IоО — Ооьр
КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В,
КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е
Крем пневые эпитаксиально-планарные усилительные
транзисторы n-p н с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для использования в усилительных и генера-
торных каскадах высокой частоты.
Выпускаются в металлостекляшюм корпусе с гибкими вы
водами (рис, 4 3,1/),
ПарЕ1метры Режим измерения KT31D2A КТ 3102 Б КП102В кгз:о2Г Ki 3102Д KT31U2C
I'.1 1 Г ^КБ = 5 В, /о = 2 мА, 100 250 200 500 200 500
0окр -25 °C 200 .500 400 1000 400 .1000
еОКр=85‘С 25. .250 50.. 500 50 .500
50. .500 100. .1000 100..,1000
Осчр — —40 °C 100 >200 >200
>’200 >400 >400
t/КБ — 5 В; /д = 10 мА, 1,5 > 1,5 >1,5
f = 100 МГц >3 >3
/[ [,о, мкА ^КБ = maxi 60Кр — <0,05 <0,015 <0,015
-25 °C
еОкр = 85°с <5 <5 <5
/ и.о, мкА 4 = 5 В < 10 <10 < 10
/} । {j э м кА ^КЭ = ^кэ max ^0,1 < 0,05 <0,05
147
П родолжение
Пл р чме тры Режим нзчсрсния КТЗ 02А КТТГ02Б KT3I02B КТЗТ02Г КТЗ102Д К 1'310212
Кш, дБ ^кэо ip. Б Ск, пФ Б'кэ = 5 В /к = о,2 мА; 1=- 1 кГц, /?г = 2 кОм /.j = 10 мА Гкь=5 В; f = 10 МГц < 10 > 30 <6 о о «о —। —। to V ДА W Til—' V/ Л|Л V/
Предельно допупимыс -эксплуатационные данные
& КБ па г Б — 40 °C 'С о )hp с 85 °C 50 30 20 30 50
пах, Б — 45 °C Д" Осжр 85 °C 50 30 20 30 50
^ЭЬ maV — 45 СС ^3: 0!)hp С 85 °C 5 5 5
та^> - 45 °C ^окр < 85 °C 100 100 100
/к П »7ЛГ> То же, Q > 500 При Т(, 40 мкс; 200 200 200
Рк там мВт Риер окр. °С/мВт 0 °C vl'TCp-KOp ПП' , v— 0 °C иокр> — 40 СС <т" А иокр sC 25 °C 2501 0,4 125 2501 0,4 125 -40 ..+& 250 0,4 125 j
1 Прл температуре окружающей среды от 25 до 85 °C мощность (мВт)
по формуле Рктал=- С [ 25—'Эокр)/(J 4-
рассчнтывается
О 2 Ч 6 8 10 12 zw я 1 2 3 Ч ЯН(1С О Ю 2030 М5813,мЬ
148
КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ31О7Д,
КТ3107Е, КТ3107Ж, КТ3107И, KT3J07K, КТ3107Л
Кремниевые эпитаксияльна планарные усилитель-
ные транзисторы р-п-р с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для усиления, генерирования и переключения
tin налов высокой и низкой часисиы
Выпускаются в пластмассовом Kopi усе с гибкими выводами
(рас* 4 3, п}. Маркирую!ся обычным способом: надписью па
, орпусе пли цветными точками. Первая точка —светло-голу-
юя— указывает на серию транзистора KT3I07, цвет шорой
.очки определяет группу внутри серии- А — розовый* Б — жел-
ый; В - темно-голубой; Г -- бежевый, Д оранжевый; Г.—
(ниолетпвый, Ж — светло-зеленый, И — зеленый, К — красный;
.'1 —серый
П<| р.1 ,|СТ [1Ъ Режим игм1 ри -in я Группы транзисторов ЗначеI ня
21 Е U КБ = “3 В; /э—2 мд: КТ3107А.В 70 * 140
КТ3107Б,Г,Е 120 -.200
КТ3107Д.Ж.И 180.460
КТ3107К.Л 380.. 800
/э 0,01 мА КТ3107АД ^20
КТ31О7Б,Г,Е >30
КТ3107Д,Ж,И >40
KT3I07K Д > 100
/ ? |(»0 мА К13107А.В >30
КТ3107Б,Г Д,Г,Ж,И > 50
КТ3107К.Л >90
( (1 мкА (7КЬ= -20 В КТ31О7А. .КТ3107Л > 0,1
, о, мкА = -5 В КТ3107А КГ3107Л ^0,1
ААГп. "кв= -3 В 10 мА KT.3I07A. КГ3107Л >200
Ш </КБ= -5 В, КГ3107А,Б,В,Г,Д,И,К >10
/v — 0,2 мА; f — 1 кГц; R j 2 кОм КТ3107Е,Ж,Л >4
। 1 । 1С> в СТ X II и > ° > > КТ3107А. .КТ3107Л -0,2
t 1 ст В /(< — 100 мА; = 5 мА КТ3107А ЖТ3107Л — 0,5
< и К, В ст -к II II а — ел ® *>> КТ3107А ЖТ3107Л -0,8
. ,1( в СТ 74 II II СП — о s а > S > КТ31О7А. .КТ3107Л — 1
ПО
П родолжение.
Пара исгры Режим iзчеренин Г р ул11 ы TpdluHLT'ipOD .Значения
Ск, пФ 1ДБ 20 В; КТ3107А. KT3107J! Д7
1 = 10 МГц
Предельно дпнчттимые эксплуатационные данные
КБ г,ах’ Б 0 окр = 25 »С КТ3107А,Б,И — 50
КТ3107В,Г,Д,К -30
КТЗЮ7Е.ЖЛ -25
В 90„р = 25 "С КТ3107А.Б.И -45
КТ3107В,Г,Д,К -25
КТ3107Е,Ж,Л -20
U3D -нал, В (Щ„ = 25°С К13107Л . KT3107J1 5
К /7МА> 9 тр = 25 “С КГ3107А ЖТ3107Д 100
Д н гоп М А т и = 1 0 мкс; КТ3107А...КТ3107Л 200
Q^2
Б мЛ 90кр = 25 =С КТ3107А!Б,В,Г,Д,Е]Ж!И 50
КТЗ 107 К, Л 5
РК тап мВт 0„„ = 25’С КТ3107А...КТ3107Л 300*
Rпер-OKpi — КТЗ 107 А КТЗ 107Л 420
сС/Вт
fi °C ° вер frltLV KI3107A К13107Л 150
п исхр’ — КТ31О7А...КТ31О7Л — 60... +125
При температуре сгружающей среды бсмее 25 °C чсщность (мВт) рассчитывается
по формуле ^Кягад = (ЬЯ- еичр)/(),42
150