/
Text
о
В. И. Галкин
А.Л. Булычев
В. А. Прохоренко
ПРОВОДНИКОВЫЕ
П РИ БОРЫ
Djvu version (с) Andrey М. Subtelnik
E-Mail: HomeStation@tut.by, FidoNet: 2:454/5.69
ББК 32.852я2
Г15
УДК 621 382(035 5)
Рецензент
II. И. ОВСЯННИКОВ,
кандидат технических наук
2403000000—338
Г---------------— 71-87
М 301(03)—87
© Издательство
«Беларусь», 1979
ф Издательство
«Беларусь», 1987,
с изменениями
1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ диоды
1Л< Система обозначений
полупроводниковых диодов
В соответствии с ГОСТ 15133—77 полупроводнико-
вым диодом называют электропреобразовательпый полупровод-
никовый прибор с одним электрическим переходом и двумя
выводами.
Полупроводниковые диоды классифицируются по исходному
материалу, технологии изготовления, площади р-п-перехода,
назначению или области применения.
Кроме одиночных диодов промышленностью выпускаются
диодные сборки, столбы и блоки, которые состоят из специально
подобранных диодов, помещенных в один корпус.
Для полупроводниковых диодов используются системы обо-
значений в соответствии с ГОСТ 5461—59, 10862—64, 10862—72,
OCT 11 336.038—77.
Согласно ГОСТ 5461—59 система обозначений включала
три элемента.
Первый элемент обозначения — буква Д, второй — число,
указывающее на материал, конструктивные особенности или
область применения;
Точечные германиевые —
1...100
Точечные кремниевые —
101...200
Плоскостные кремниевые —
201...300
Плоскостные германие-
вые 301...400
Смесительные СВЧ детек-
торы — 401 ...500
Умножительные — 501. .600
Видеодетекторы — 601...700
Параметрические германие-
вые — 701...749
Пар аметрические крем мие-
вые — 750...800
Стабилитроны — 801...900
Варикапы - 901...950
Туннельные — 951... 1000
Выпрямительные столбы —
1001..1100
Третий элемент — буква, обозначающая разновидность при-
бора.
В 1964 г. была утверждена новая система обозначений
полупроводниковых диодов (ГОСТ 10862—64), в соответствии
с которой маркировка вновь разрабатываемых полупроводни-
ковых диодов включает четыре элемента.
Первый из них — буква или цифра, указывающие на исход-
ный материал (Г или I — германий; К или 2 — кремний; Л или
3 — арсенид галлия либо другие соединения галлия).
3
Буква употребляется при обозначении диодов, предназна-
ченных для аппаратуры широкого применения, а цифра — для
диодов, используемых в аппаратуре специального назначения.
Второй элемент — буква, обозначающая класс или группу
диодов.
Третий — трсхзначпое число, определяющее назначение или
электрические свойства диодов (табл. 1).
Четвертый элемент — буква, указывающая на разновидность
типа из данной группы полупроводниковых диодов.
Начиная с 1973 г. вновь разрабатываемые полупроводни-
ковые диоды маркируются согласно ГОСТ 10862—72. Их обо-
значение состоит из шести элементов.
Первый из них — буква (Г, К, А) или цифра (1,2, 3), обо-
значающие исходный материал.
Второй — буква, указывающая на класс днода (табл. 2).
Третий элемент — цифра — назначение диода (табл. 2).
Четвертый и пятый элементы обозначения полупроводни-
ковых диодов (кроме стабилитронов и стабисторов) — это по-
рядковый помер разработки технологического типа (от 01 до 99).
В обозначениях стабилитронов и стабисторов третий элемент
является показателем мощности, четвертый и пятый — номи-
нального напряжения стабилизации (табл. 3).
Шестой элемент обозначения диодов, дииисторов и трнни-
сторов определяет деление технологического типа на парамет-
рические группы, а стабилитронов и стабисторов— последова-
тельность разработки и маркируется буквами русского алфа-
вита от А до я.
С 1977 г. разрабатываемые полупроводниковые диоды, ти-
ристоры и оптоэлектронные приборы обозначаются согласно
отраслевому стандарту ОСТ 11 336.038—77. Маркировка вклю-
чает семь элементов.
Первый элемент — буква или цифра, указывающие на мате-
риал: Г или 1 — для германия и его соединений; К нлн 2 —
кремния и его соединений; А или 3 — соединений галлия; И или
4 соединений индия.
Второй — буква, означающая подкласс прибора (табл. 4).
Третий — цифра (или буква для оптопар), характеризую-
щая один из основных признаков прибора (табл. 4).
Четвертый, пятый и тестой элементы — порядковые номера
разработки технологического типа прибора.
Седьмой - - буква, условно соответствующая классификации
по параметрам приборов одного технологического типа.
Прн необходимости указать отдельные конструктивно-тех-
нологические особенности прибора предусматривается введение
в обозначение дополнительных символов:
буквы С после второго элемента — для наборов в общем
корпусе однотипных приборов, не соединенных электрически
или соединенных одноименными выводами;
цифр, написанных через дефис, после седьмого элемента —
для бескорпусных приборов;
4
буквы Р после последнего элемента —для СВЧ приборов
с парным подбором;
буквы И после второго элемента — для импульсных тири-
сторов.
Условные графические изображения полупроводниковых
диодов и тиристоров представлены на рис. 1.1.
Рис. 1.1. Условные графические обозначения полупровод-
НИКОВЫХ диодов и iiipuciupuB'
а выпрямите,-ьный диод (ciuiO, блик), нмгулъспыи и универсальным
диод. 6 -туннельной диод, в — обращенный лнод. г - односторонний
с [ аби/ итрон, о — двухсторонний (двуханоднын) с-аб,[литрон, е ~ вз-
рпкап, ж варнкЕпиая патрица, а — светоизлучающий дюд, д — диод-
ный тристоэ (дииистор), к — диодный симметричный тиристор, л — не-
запираемом трннистор. управляемый по катоду, л -- незапнрявмый
трииистор хправлпемый по а юду; н— запираемый грннистор, упраэ-
тясмый по ьатодх с. запираемый тринистор, управляемый по аноду
1. Второй и третий элементы обоз манен ян
полупроводниковых диодов по ГОСТ 10862 — 64
Тип ленда
В. орой
и '.емент
Третий
элемент
Низкой и высокий частоты:
выпрямительные
универсальные
импульсные
Сверхвысокочастотные;
смесительные
видеодстскторы
101...399
401,. 499
50!.. 599
101...199
201. 299
5
Продолжение табл. 1
Тип диода В 1 орои i JVML4! Г 1 Третий элемент
модуляторные 301 399
параметрические 401 499
переключающие 5(11. 599
умножительные 601 699
Варикапы В 101. .999
«Фотодиоды ф 101...199
Динисторы (диодные тиристоры) мощности: н
м ал ой 101...199
средней 201.. 299
большой 301...399
Туннельные диоды: и
усилительные 101...199
генераторные 201 .299
переключающие 301...399
обращенные 401...499
Стабилитроны малой мощности (Р 0,3 Вт) с напряжением стабилизации, В: с
0,1...9,9 101...199
10...99 201...299
100...199 301...399
Стабилитроны средней мощности (0,3 <' Р ьС 5Вт) с напряжением стабилизации, В: с
0,1...9,9 401..499
10...99 501...599
100...199 601...699
Стабилитроны большой мощности (Р 5 Вт) с напряжением стабилизации, В: с
0,1...9,9 701...799
10...99 801...899
100...999 901...999
Выпрямительные столбы мощности: ц
малой (/ 0,ЗА) 101...199
средней (/пр ср > 0,ЗА) 201...299
Выпрямительные блоки мощности: малой (/ ^0,ЗА) 4 пр ср ’ ' средней (0,ЗА < /пр ср < 10А) Ц 301,.399 401..499
большой (/ >> ЮЛ) ' пр ср 7 501...599
2. Второй и третий элементы обозначения полупроводниковых диодов
по ГОСТ 10862—72
Тип диода
Выпрямительные диоды мощности:
малой (/ Ср 0.3 А)
средней (0,3 А < /пр ср < 10А)
Универсальные 1000 МГц)
6
Продолжение табл. 2
Тип диода Второй Т ретий
элемент элемент
Импульсные: д
(впс >• 150 нс 5
30 нс < /В0(, 150 пс 6
5 нс < /ипр 30 нс 7
1 НС < < 5 НС 8
Сое НС 9
Сверхвысок оч а стсл’пыс’ А
смесительные 1
детекторные 2
параметрически? 4
регулирующие (переключательные, огра-
ничительные и модуляторные) 5
умнэжительные 6
генераторные 7
Варикапы: В
подстроечные , 1
умиож ител иные (пи рак горы) 2
Туннельные и обращенные: И
усилительные 1
генераторные 2
псрсключательн ые 3
обращенные 4
Излучающие: , л
инфракрасного диапазона 1
светодиоды с яркостью до 500 нт 3
светодиоды с яркостью более 500 нт 4
Динистиры (диодные тир и с горы) мощности: н
малой (/ 0,3А) 1
средней (0,ЗА</ ^10А) 2
Выпрямительные столбы мощности: ц
малой (/ир ср< О,ЗА) 1
средней (О.ЗА < /пр ср < ] ОА) 2
Выпрямительные блоки мощности: ц
малой (/Пр ср <0,ЗА) 3
средней (О.ЗА < /пр ср < 1 ОА) 4
Диоды Ганна Б —
Генераторы шума Г —
Стабилизаторы тока К —
Стабилитроны и стабисторы С •
3. Третий, четвертый и пятый элементы обозначения стабилитронов
и стабисторов
Стабилитроны и стабисторы Третий элемент Четвертый и пятый элементы
Мощностью не более 0,3 Вт с напряжением стабилизации, В:
7
Продолжение табл. 3
Стас5»^'1итр1>ны । стабисторы Третий Четвертый и
элемент пятый элементы
м снес 10 1 01 99
1С.. 99 2 10 99
100 .199 3 00 ..99
Мощностью от G.3 л» 5 Вт с напряжением
стабилиэЕщи и, В ’
менее L0 4 01...99
IO...99 5 10...99
1OD...1 Э9 6 00...99
Мощностью от 5 д,о 25 Вт с напряжением
ставЗилизаци и, В:
менее 1 0 7 01...99
10.99 8 10.. 99
IOD.199 9 00...99
4. В порой и третий элементы обозначения полупроводниковых диодов
и тиристоров по ОСТ 11 336.038—77
Тни диода Второй элемент (подкласс} Третий элемент
Выпряммтельные диоды д
р ер < О,ЗА 1
О,-ЗА< ТИр.ср < ЮА 2
Маг иитодиоды л тергчодиоды д 3
Импульсные дисды: д
^ВСЗ" НС 4
150 нс 500 нс 5
30 нс <С 150 нс б
5 нс < Л,,,. 30 нс 7
I UCC 4ОС- с: О нс 8
^вс: 1 Вып уямительны е столбы: и 9
pi ср 0,3 а 1
0,ЗА</прф 10 А 2
Выпрямительные блоки: ^пр ср 0аЗ А. 0,3 А < /пр ср i о А ц 3
4
Вар ыкапы: в
подстр □ еч пые I
ум нож ит’ел ьньде Туннельные диоды: и 2
Усилительные 1
генераторные 2
пс“реклкэчател ыше 3
Обращенные диады И 4
Сверквысокочастотн ые диоды; А
смесител ьныс 1
8
Продолжение табл 4
Тип диода Егором a it мент (поде, часе) Трети й элемент
детекторные 2
усилительные 3
параметрические 4
переключательные и ограничительные 5
умножительные и наораенные 6
генераторные 7
прочие 8
Стабилитроны. мощностью ле более 0,3 Вт с напряжением стабилизации, В: С
менее 10 1
от 10 до 100 2
более 100 мощностью от 0,3 до 5 Вт с напряжением стабилизации, В: 3
менее 10 4
от 10 до 100 5
более 100 мощностью от 5 до 10 В г с напряжением стабилизации, В: 6
менее 10 7
от 10 до 100 8
более 100 9
Генераторы шума: г
низкочастотные 1
высокочастотные 2
Излучающие оптические приборы информа- ционного излучения: л
диоды 1
модули Визуального представления информации: 2
светоизлучающие диоды 3
знаковые индикаторы 4
знаковое табло 5
шкалы 6
экраны 7
Триодные тиристоры: ^отнр ср та< 0»3 А ИЛИ 7откр и тах 1 а А У
незапираемые 1
запираемые 3
симметричные при 0,3 А /ОТКр Ср щах 10 А ИЛ н 1 5 А < /,)ТЮ и max 1 ®0 5
незапираемые 2
запираемые 4
симметричные при /и1Кр Ср тах > 10 А или /0ТКр lt 100 А б
незапираемые 7
запираемые 8
симметричные 9
9
1.2. Электрические параметры
полупроводниковых диодов
Термины, определения и буквенные обозначения
электрических параметров полупроводниковых приборов уста-
навливаются ГОСТами
Обозначения некоторых основных параметров приведены r
табл 5, а специальных — в разделах, где описаны соответст-
вующие приборы,
5. Общие электрические параметры
Термины Буквенные обозначения Опрсде тения
Постоянное прямое ^пр Постоянное значение прямого на-
напряжение диода пряжения, обусловленное постоян-
Импульсное прямое Упри пым прямым током диода Для тун- нельного диода постоянное прямое напряжение и постоянный прямой ток определяются на Второй восхо- дящей ветви вольт-амперной харак- теристики Наибольшее мгновенное значение
напряжение диода прямого [[а пряжен ня, обусловлен-
Постоянное обратное Дбр ное импульсным прямым током дио- да заданной величины
напряжение диода Импульсное обратное и w обр и Мгновенное значение обратного на-
напряжение диода пряжения диода
Среднее прямое на- Пр ср Среднее за период значение прямо-
пряжение диода го напряжения диода при заданном
Пробивное напряже- ^проб среднем прямом токе Значение обратного напряжения,
ние днода вызывающее пробой перехода дно-
Постоянный прямой /пр да, при котором обратный ток до- стигает заданной величины
ток диода Импульсный прямой ^пр и Наибольшее мгновенное значение
ток днода прямого тока днода, исключая по-
Средний прямой ток Л1р ср Вторяющиеся н неповторяющнсся переходные токн Среднее за период значение пря-
диода мото тока днода
Постоянный обратный Л1бр *—-
ток диода
Импульсный обрат- об р и Наибольшее мгновенное значение
иый ток диода обратного тока диода, обусловлен-
Прямая рассеиваемая ^пр ного импульсным обратным напря- жением Значение мощности, рассеиваемой
мощность днода диодом при протекании прямого
ч ока
10
Продолжение табл 5
Термины Буквенные обоз начения Определения
Средняя рассеивае- мая мощность диода Рср Среднее за период значение мощ- ности, рассеиваемой диодом при протекании прямого и обратного ГОКОВ
Общая емкость диода Значение емкости между выводами диода при заданном режиме
Емкость перехода ди- ода ^'пер Общая емкость диода без емкости корпуса Если диод имеет p-i-ti структуру, допускается использо- вать термин «емкость структуры» и буквенное обозначение ССТр
Дифференциальное сопротивление диода Гднф Отношение малого приращения на- пряжения диода к малому прира- щению тока в нем при заданном
Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда ди- ода тэф реж нму Величина, характеризующая ско- рость убывания концентрации не- равновесных носителей заряда дио- да вследствие рекомбинации как в объеме, так и на поверхности полупроводника Эффективное время жизии опре- деляется по соотношению l/^эф */^об Н- 1/^ПОВ’ где т^ф — эффективное время жиз- ни, тоб — объемное время жизни, тпоВ — поверхностное время жизни
Заряд восстановления диода Фвос Накопленный заряд диода, вытека- ющий во внешнюю цепь при пе- реключении днода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение Заряд восстановления включает накопленный заряд и заряд емкости обедненного слоя Заряд восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада
Время обратного вос- становления диода ^вос обр Время переключения диода с за- данного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождений тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданной вели- чины
Примечании 1 К буквенному инден у мякгимяльно допустимых значений
параметров добавляются «шах» или v mtn»
2 Кроме параметров указанных в табл 5 (соответствующих ГОСТ 25529—82),
индексом А/ обозначается диапазон рабочих частот диода
11
1.3. Выпрямительные и универсальные диоды
Элек! ричес кие параметры выпрями гепьных диодов
и сборок приведены в табл 6— 1 1, а их вш пиши гид и размеры —
на рис 1 2—1 10 Электрические параметры универса |ьных дио-
дов указаны в табл 12, а их внешний вид и рашсры <м на
рис 1 11
6. Выпрямительные диоды малой мощности
Тип дисда ^пр ср Л111 i < * 1 р Ц> ' rip при 1 t) Л ср ср Ообр) при ё0£р i;i. мкЛ Преде 1 ьпые режимы б Мапри КрНС 1 11 I 3 l |омер pнсу и кa
^обр max of р н та ) В Р ср 1(1 0вп ср 'ип ) мА iU 1 мА
в мА
1 2 3 4 5 6 7 а *3 10
Д7А 0,5 300 100 50 300 — 2 Gc 1 2, a
Д7Б 0,5 300 100 100 300 — 2 Ge To же
Д7В 0,5 300 100 150 300 2 Ge »
Д7Г 0,5 300 100 100 200 — 2 Gc »
Д7Д 0,5 300 100 300 300 — 2 Ge
Д7Е 0,5 300 100 350 300 2 Ge »
Д7Ж 0,5 300 100 400 300 — 2 Ge
Д206 1 100 100 100 100 1 Si
Д207 1 100 100 200 100 — 1 Si »
Д208 1 100 100 300 100 — 1 Si
Д209 1 100 100 400 100 — 1 Si »
Д210 1 100 100 500 100 — 1 Si »
Д2И 1 100 100 600 100 — 1 Si »
МД217 1 100 75 800 100 — 1 Si »
МД218 1 100 75 1000 100 1 Si »
МД218А 1 100 50 1200 100 — 1 Si »
Д226 1 300 50 400 300 — 1 Si 1 2, 6
Д226А 1 300 50 300 300 — 1 Si To же
Д226Б 1 300 100 400 300 1 Si »
Д226В 1 300 100 300 300 — 1 Si »
Д226Г 1 300 100 200 300 — 1 Si »
Д226Д 1 300 100 100 300 1 Si »
КД102А 1 (50) (0,1) 250 (100) 500 4 Si 1 2, в
КДЮ2Б (1) (50) (1) 300 (100) 500 4 Si To же
КД ЮЗА (1) (50) (0,5) 50 (100) 2000 — Si
КДЮЗБ (1.2) (50) (0,5) 50 (100) 2000 — Si »
КД Ю4 А (1) (10) (3) 300 (10) 10 Sl »
КД105Б 1 300 100 (400) 300 15 1 Si 1 2, e
КД Ю5В 1 300 100 (600) 300 15 1 Sl To же
КДЮ5Г 1 300 100 (800) 300 15 1 Si »
2Д106А (1) (300) (10) 100 (300) 3000 10 Sl 1 2, г
2 Д108А (1,5) (100) 150 (800) 100 — 1 Si 1 2, a
2Д108Б (1.5) (100) 150 (1000) 100 ** I-- 1 Si To же
КДЮ9А1 1 300 100 (100) 300 — 10 Si 1 2, d
КДЮ9Б1 1 300 100 (300) 300 10 Si To же
12
Продолжение табл 6
1 о 3 4 о 6 7 8 9 10
КД 109В1 1 300 100 (600) 300 10 Si
КДС1ИА2 1,2 100 (3) 300 (200) 20 Si 1 2, яс, з
КДС111Б3 1,2 100 (3) 300 (200) — 20 Si 1 2, ж, и
КДС111В1 1,2 100 (3) 300 (200) — 20 Si 1 2, ж, к.
’ Положительный вывод маркируется цветной точкой
г Маркируется красной точкой у первого вывода
3 Маркируется 1еленон точкой у первого вывода
4 Маркируется желтой точкой у первого вывода
2ДШ
в
Рис 12 Внешний вид и основные размеры выпрямительных диодов
малой мощности
13
7. Выпрямительные диоды средней мощности
Предельные —
- режимы
||р f, Cl св
hip ср 45 к
Тип диода Ри Л.р) ю" 5 г- *3 Номер
с 2 р сч 1 рисунка
v О е = Е « х
В А °- т* о cl сх Ок о CL. kJ t ° ri а. £ £
с —
1 2 3 1 4 5 6 г У a
Д229А 1 0,4 0,05 200 0,4 1 Si 1.3, a To же
Д229Б 1 0,4 0,05 400 0,4 1 Si
Д229В 1 0,4 0,2 100 0,4 1 Si
Д229Г 1 0,4 0.2 200 0,4 1 Si »
Д229Д 1 0,4 0.2 300 0,4 1 Si
Д229Е 1 0,4 0,2 400 0,4 1 Si
Д229Ж 1 0,7 0,2 100 0,7 1 Si
Д229И I 0,7 0,2 200 0,7 1 Si
Д229К 1 0,7 0,2 300 0,7 1 Si
Д229Л 1 0,7 0.2 400 0.7 1 Si X
Д231 1 10 3 300 10 1,1 Si 1.3, 6
Д231 А 1 10 3 300 10 и Si To же
Д231Б 1,5 5 3 300 5 и Si »
Д232 1 10 3 400 10 1.1 Si
Д232А 1 10 3 400 10 1,1 Si
Д232Б 1,5 5 3 400 5 1,1 Si »
Д233 1 10 3 500 10 1,1 Si »
Д233Б 1,5 5 3 500 5 1,1 Si »
Д234Б 1,5 5 3 600 5 1,1 Si »
Д242(Д214) 1,2 10 3 100 10 1.2 Si »
Д242А(Д214А) 1 10 3 100 10 1,2 SI
Д242Б(Д214Б) 1.5 5 3 100 5 1,2 Si »
Д243(Д215) 1,2 10 3 200 10 1,2 Si »
Д243А(Д215А) 1 10 3 200 10 1,2 Si »
Д243Б(Д215Б) 1,5 1,2 5 3 200 5 1.2 Si »
Д245(Д231) 10 3 300 10 1,2 Si
Д245А(Д231А) 1 10 3 300 10 1,2 Si >:
Д245(Д231Б) 1,5 5 3 300 5 1,2 Si *
Д246(Д232) 1,9 10 3 400 10 1,2 Si
Д246А(Д232А) 1 10 3 400 10 1,2 Si
Д246Б(Д232Г>) 1,5 5 3 400 5 1,2 Si »
Д247(Д233) 1,2 10 3 500 10 1,2 Si
Д247Б(Д233Б) 1,5 5 3 500 5 1,2 Si »
Д248Б(Д234Б) 1,5 0,25 5 3 600 5 1,2 Si ft
ДЗО2 1 0,8 200 1 5 Ge 1.3, ж
ДЗОЗ , 0,3 3 1 150 3 5 Ge To же
ДЗО4 0,25 5 2 100 5 5 Ge »
ДЗО5 о,з 10 2,5 50 10 5 Ge »
КД202 А 0,9 5 0,8 35(50) 5 1,2 Si 1.3, a
КД202Б 0,9 3,5 5 0,8 35(50) 3,5 1,2 Si To же
КД202В 0,9 0,8 70(100) 5 1,2 Si »
КД202Г 0,9 3,5 0,8 70(100) 3,5 1.2 Si »
КД202Д 0,9 5 0,8 140(200) 5 1,2 Si »
КД202Е 0,9 3,5 0,8 140(200) 3,5 1.2 Si »
КД202Ж 0,9 5 0 8 210(300) 5 1,2 Si »
КД202И 0,9 3,5 0,8 210(300) 3,5 1,2 Si »
14
Продолжение таСл. 7
1 2 3 4 5 6 7 QO 9
КД202К 0,9 5 0,8 (280(400) 5 1,2 Si »
КД202Л 0,9 3,5 0,8 280(400) 3,5 1,2 Si »
КД202М 0,9 5 0,8 350(5,00) 5 1,2 Si 3
КД 202 Н 0,9 3,5 0,8 350(54)0) 3,5 1,2 Si 3
КД202Р 0,9 5 0,8 420(500) 5 1,2 Si
КД202С 0,9 3,5 0,8 420(500) 3,5 1,2 Si »
КД 20 ЗА 1 10 1Д 420(600) 10 1 Si 1 .3,6
КД2ОЗБ I 10 1,5 5&)(800) 10 1 Si To же
КД203В 1 10 1,5 560(800) 10 1 Si 3
КД 203 Г 1 10 1,5 700(1000) 10 1 Si »
КД203Д 1 10 1,5 700(1000) 10 1 Si »
КД204А 1,4 0,6 0,15 400(400) 0,3 50 Si 1 3, a
КД 204 Б 1.4 0,6 0,1 200(200) 0,35 50 Si Тоже
КД 204 В 1,4 0,6 0,05 50(50) 0,6 50 Si
КД205А 1 0,5 0,1 500 0,5 5 Si 1 .3,2
КД205Б 1 0,5 0,1 400 0,5 5 Si T о же
КД205В 1 0,5 0,1 300 0,5 5 Si »
КД205Г 1 0,5 0,1 * 200 0,5 5 Si »
КД205Д 1 0,5 0,1 100 0,5 5 Si 3
КД205Е 1 0,3 0,1 500 0,3 5 Si 3
КД205Ж 1 0.3 0,1 600 0,5 5 Si »
КД205И 1 0,3 0,1 700 0,3 5 Si »
КД205К 1 0,3 0,1 100 0,7 5 Si 3
КД205Л 1 0,3 0,1 200 0,7 5 Si »
КД206А (1,2) (10) (0,7) 400(400) 10 ( 1 ГЙ 1 Si 1-3, d
КД206Б (1,2) (10) (0,7) 500(500) ( 1U) 10 (Ю) 1 Si To же
КД206В (1,2) (10) (0,7) 600(500) 10 (10) 1 Si »
КД208А (1) (10) (0,1) 100(100) (1,5) 1,5 1 Si 1_3, e
КД209А1 (») (0,7) (0,1) 400(400) 0,7 (0,7) 1 Si Тс же
КД209Б1 (О (0,7) (0,1) 600(600) 0,7 (0,7) 1 Si 3
КД209В’ (») (0,5) (0,1) 800(800) 0,5 (0,5) 1 Si »
КД210А 1 10 1,5 (8003 (Ю) 1 Si 1.3, и
КД210Б 1 10 1,5 (800) (10) Г Si To же
КД210В 1 10 1,5 (1000) (10) 1 Si »
КД210Г 1 10 1,5 (1000) (10) 1 Si »
КД212А2 1 1 0,5 200 (1) 100 Si 1. zc
КД212Б2 1,2 1 0,1 200 (1) 100 Si To же
КД213А2 1 10 0,2 200 10 100 Si 1.3, Д
КД213Б2 1,2 10 0,2 200 10 100 Si To же
КД213В2 1,2 10 0,2 200 10 100 Si
КД215А* 1,2 1 0,05 400 1 1 Si 1.3, ж
КД215Б3 1,2 1 0,05 600 1 1 Si To же
КД215В3 Ы 1 0,05 200 1 1 Si
1 Положительный вывод обозначен красной полосой на торце
2 Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса,
3 'Горец корпуса у положительного вывода маркируется красной точкой. На диод 2Д215В
дополнительно наносится красная точка, на 2Д215В— буква В.
15
дщгзг, 233,234,
242,243,245'249,
КД 293
е ад 208, 209
плвскость
КДЖ
Рис. 1.3. Внешний вид и основные размеры выпрямительных диодов
средней мощности
КД2Ю
МЛ
16
8. Выпрямительные кремниевые н германиевые столбы малой и сред-
ней МОЩНОСТИ
Тил выпрямитель- ного столба "пр бз и max Ъ обр тах)> 0 Г' /пр си тол (/вп ср тд1')> мА / при обр г U обр тал. мкА Л/, кГц, не более Номер рисунка
в при / . мА пр
1 2 3 4 5 6 7 8
Д1004 6 100 2000 100 100 1 1.4, а
Д1005А 6 50 4000 50 100 1 То же
Д1005Б 11 100 4000 100 100 1
Д1006 11 100 6000 100 100 1
Д1007 И 75 8000 75 100 1 »
Д1008 11 50 10 000 50 100 1
Д1009 3,5 100 2000 (100) 100 1 • 1.4, б
Д1009А 1,75 100 1000 (100) 100 1 То же
Д1010 6 300 2000 (300) 100 1 »
Д1010А 3 100 1000 (300) 100 1
ДЮНА 1,5 300 500 (300) 100 1 »
2Ц101А 8,3 50 700 10 10 20 1.4, г
2Ц102А 1,5 100 800 — 50 1 1.4, д
2Ц102Б 1,5 100 1000 —- 50 1 То же
2Ц102В 1,6 100 1200 50 1
2Ц103А 10 50 2000 10(1000) 10 50 1.4, г
1Ц104АИ1 5,8 50 2000 10 150 10 1.4, е
КЦЮ5А 3,5 100 2000 100 100 1 1.4, ж
КЦЮ5Б 3,5 100 4000 100 100 1 То же
КЦЮ5В 7 100 6000 100 100 1 »
КЦЮ5Г 7 75 7000 75 100 1 »
КНЮ5Д 7 50 8500 50 100 1 »
КЦЮ6А 25 10 (4000) (Ю) 10 20 1.4, г
КЦЮ6Б 25 10 (6000) (Ю) 10 20 То же
КШ 06В 25 10 (8000) (Ю) 10 20 »
КЦЮ6Г 25 10 (10 000) (Ю) 10 20 »
КЦЮ6Д 25 10 (2000) (Ю) 10 20 »
2Ц106А 25 10 10(1000) 10 — 20
2Ц106Б 25 10 10(1000) 10 — 20 »
2Ц106В 25 10 10(1000) 10 — 20 »
2Ц106Г 25 10 10(1000) 10 — 20 »
2Ц108А 6 180 2000 100 150 50 1.4, а
2Ц108Б 6 180 4000 100 150 50 То же
2Ц108В ' 10 180 6000 100 150 50 1.4, и
2Ц109А1 7 300 6000 3002 10 — 1.4, к
2Ц110А 10 100 10 000 100 100 1 1.4, з
2Ц110Б 10 100 15 000 100 500 1 То же
2Ц112А1 10 10 2000 10 10 — 1.4, л
КЦ201А 3 500 2000 100 — 1 1.4, в
КЦ201Б 3 500 4000 100 — 1 То же
КЦ201В 6 500 6000 500 100 1
КЦ201Г 6 500 8000 500 100 1 »
КЦ201Д 6 500 10 000 500 100 1 »
KU201E 10 500 15 000 500 100 1
17
/1родслжение табл 8
1 2 j 4 5 ь 7 8
2Ц202А 3 500 2000 500 100 1 »
2Ц202Б 3 500 4000 500 100 1
2Ц2О20 6 500 6000 500 100 1 »
2Ц202Г 6 500 8000 500 100 1
2Ц202Д 6 500 1000 500 100 1 »
2Ц202Е 10 500 15 000 500 100 1 »
2Ц203А 8 1000 6000 1000 100 1 1 4, л
1 Положительный вывод шмсчсн точкой на торце прибора
Имг^льсный прямой ток при среднем значении прямого тока не более предельною
т(1 55 мкс не <wiee L А
М5
28 22 28
1 > -м---
2цт,шг7дб,кц^б
18
Рис 14 Внешний вид и основные размеры выпрямительных столбов
малой и средней мощности
9. Выпрямительные высоковольтные селеновые столбы
Тип столба' l/обр max, кВ /^п ср max, мА Длина стозба мм
ЗГЕ 130 А Ф 3 0,06 —
ЗГЕ220ЛФ 5 0,06 135
5ГЕ40АФ 1 1,2 100
5ГЕ60АФ 1,5 1,2 106
5ГЕ80АФ 2 1,2 112
5ГЕ100ЛФ 2,5 1 2 120
5ГЕ140АФ 3,5 1,2 130
5ГЕ200АФ 5 1,2 150
5ГЕ600АФ 15 1,2 180
Первая цифра и обозначении указывает диаметр сюлба в мм
а В однополупериодиом выпрямителе с активней нагрузкой
10. Выпрямительные блоки средней мощности
Тил блока Схема соединения И , „„ на ОДНО Обр mrtr течи В ! ^вн ср 1 (/ ) на ' пр ср max-1 одно плечо А Ток холостого 1 хода при ) МкА । обр и max1 и Напряжение ко ротного замыка |1!ИЯ при'вн ср max В У кГц Момер рисунка
1 2 3 4 5 6 7 8
КЦ401Л Удвоитель напря-
жения 500 0,4’ — 1 1 5
КЦ401Б Однофазный мост Удвоитель напря- 0,25 — 1 1 6
жения 500 0,2 — 1 То же
КЦ401В Однофазный мост Удвоитель напря- 500 0,2 —— 1 1 7
жения 500 0,2 — 1 То же
КЦ401Г Однофазный мост Удвоитель напря- 500 0,5 - - 1 1 8
жения 500 0,5 1 То же
19
Продолжение табл. 10
1 2 3 3 5 6 7 8
КЦ401Д Однофазный мост 500 0,4 1 1,9
Удвоитель напри
жен и я 500 0,4 То же
KU402A Однофазный мост 600 1 125 4 5... 15
КЦ402Б 500 1 125 4 5.., 15
КЦ402В 400 1 125 4 5...15
КЦ402Г 300 1 125 4 5...15 1,10, а
КЦ402Д 200 1 125 4 5...15 То же
КЦ402Е 100 1 125 4 5...15
КЦ402Ж 600 0,6 125 4 5.. 15
КЦ402И 500 0,6 125 4 5...15
КЦ403А Два однофазных 600 1 125 4 5.15
КЦ403Б моста для навес- 500 1 125 4 5.15
KU403B ного монтажа, 400 1 125 4 5... 15
КЦ403Г электрически не 300 1 125 4 5... 15 1.10, б
КД403Д соединенных меж- 200 1 125 4 5...15
КЦ403Е ду собой 100 1 125 4 5...15
КЦ403Ж 600 0,6 125 4 5.15
КЦ403И 500 0,6 125 4 5...15
КЦ404А Два однофазных 600 1 125 4 5,,.15
КЦ404Б моста для навес- 500 1 125 4 5.15
КЦ404В ного монтажа с 400 1 125 4 5.,.15
КЦ404Г держателями пре- 300 1 125 4 5 .15 1.10, в
КЦ404Д дохраннтелей ти- 200 1 125 4 5.15
КЦ404Е па ПМ, электри- 100 1 125 4 5..15
КЦ404Ж чески не соединен- 600 0,6 125 4 5...15
КЦ404Й ных между собой 500 0,6 125 4 5... 15
КЦ405А Однофазный мост 600 1 125 4 5...15
КЦ405Б для монтажа на 500 1 125 4 5...15
КЦ4О5В печатную плату 400 1 125 4 5,.,15
КЦ405Г 300 1 125 4 5,., 15 1,10, г
КЦ405Д 200 1 125 4 5...15
КЦ405Е 100 1 125 4 5... 15
КЦ405Ж 600 0,6 125 4 5...15
КЦ405И 500 0,6 125 4 5...15
КЦ407А Мост 300 0,5 5 2,5 20
Включение выво- 500 0,3 — — — 1,10, 0
дами 1(6) н 3(4)
Выводы 2 и 5 нзо-
лнрованы
KU409A Трехфазиый мост 600 3 3 2.5 15
КЦ409Б 500 3 3 2,5 15
КЦ409В 400 3 3 2,5 15 1.10, е
KU409Г 300 3 3 2,5 15
КЦ409Д 200 3 3 2,5 15
20
Продолжение табл. 10
1 2 3 4 5 6 7 8
КЦ409Е 100 3 3 2,5 15
КЦ409Ж 200 0,6 3 2,5 15
КЦ409И 100 0,6 3 2,5 15
КЦ410А Од н оф аз н ы й м ост 50 3 50 1.2
KLH1 ОБ 100 3 50 1,2 1,10, Ж
KI44I0B 200 3 50 1,2
КЦ412Л Однофазный мост 50 1 50 1,2
КЦ412Б 100 1 50 1,2 1.10, з
КЦ412В 200 1 50 1,2
1 Дтя первого плеча У второю птеча /пп j;ji =300
Рис. 1.5. Внешний вид н электрическая
схема выпрямительного блока КЦ401Л
Схема блоков Схема соединении
для моста для удбоителя
Ре плечо^ 2-е плечо- З-еплечо^ Ч-е плечо— ^2 Нагрузка дф—Е питание нагрузка Средняя точка vU и 5
Рис. 1.6. Внешний вид и электрические схемы выпрямительного
блока КЦ401Б
Исполнение 1
Исполнение?.
Схема блоков
Схемы соединений
для моста
' бля удбои/пеля напряжения
i-e плечо г
7еплечо -
3-еплечо~-
4-е плечо—
й
&
Рас. 1.7. В нешнин вид и электрические схемы выпрямительного
блока КЦ401В
ЛЦ‘НИГ
Схема
1-е плеча—
2-е плгчо-£
J-E Ш'О-р
о
¥- в пл *ча —
Схема соединении
Для места
Для ддВмтёля
напряжения
Средняя спзчщ
Рис. 1.8 Внешний вид и электрические схемы выпрямительного
блока К11Л01Г
кцчеид
1-е плейер
2 в плеча—
3-е плечи—
Ч е плечо—
Схеми йюпоб
Схемы соединений
для моста
для удЬоителя
напряжения
Питание
Средняя точка
>
Ч*
Рис. 1.9. Внешний внд и электрические схемы выирямшельного
блока КЦ401Д
22
КЦЦОЗА-КЦЧШИ
Рис. 1.10. Внешний вид и электрические схемы выпрямительных блоков
средней мощности
кцчка-кцщгв
23
Li 11, Универсальные диоды и диодные сборки
Тип диода 1 / пр / Л ибр с д
в при I , мА пр’ мкА при °обр’ В пФ при и В обр
1 2 3 4 5 6 7
Д2Б 1 5 100 ——
Д2В 1 9 250 — — —
Д2Г 1 2 250 — — —
Д2Д 1 4,5 250 — — —
Д2Е 1 4,5 250 — — —
Д2Ж 1 2 250 — — —
Д2И 1 2 250 — —, —
Д9Б 1 90 250 —
ДЭВ 1 10 250 — — —
дог 1 30 250 — — —
дзд 1 60 250 — — —
ДЭЕ 1 30 250 — — —
Д9Ж 1 10 250 — — —
Д9И 1 30 120 — —
Д9К 1 60 60 — — —
Д9А 1 30 250 — — —
Д18 1 20 50 20 0,5 3
Д20 1 20 100 10 0,5 3
ДЮ4 2 2 5 75 0,7 1
Д104А 1 2 5 75 0,7 1
Д105 2 2 5 50 0,7 1
Д105А 1 1 5 50 0,7 1
Д106 2 2 5 30 0,7 1
r it ) диф' вое' Предельные режимы при 0окр =. 25 ’С Материал кристалла Номер рисунка
Ом (нс> При ^ПР’ мА Опр MdXp в \р max, мА \р и мА max при гн, мкс ....
8 9 10 И 12 13 14 15
(3000) 10 30 1 50 Ge 1 11,a
(3000) 10 40 78 - Ge To же
(3000) 10 75 — 50 Ge »
(3000) 10 75 — 50 — Ge »
(3000) 10 100 - 50 — Gc »
(3000) 10 150 — 25 Ge »
(3000) 10 100 50 — Gc »
— — —- 125 Ge 1,11,6
——- — — 62 —— Ge To же
— — — 98 — Ge »
— — — 98 Ge
— — * 1 — 62 Ge »
— — —— 1 48 — Ge »
— — 48 — Gc
— — — 1 98 Ge
— — 48 —J—— Ge
(100) 50 20 16 50 10 Gc 1.11, e
(100) 50 20 16 — - - Gc To же
— 75 30 — Si »
— — 75 30 *< Si »
— — 50 30 — - Si
— —— 50 30 —— -> Sl »
— — 30 30 —— — Si »
Продолжение табл. 11
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 и 12 13 14 15
Д106А 1 1 5 30 0,7 1 — 30 30 — Si
Д219А 1 50 1 70 15 5 50 50 70 50 500 10 Si »
Д220 1.5 50 1 50 15 5 75 50 50 50 500 10 Si »
Д220А 1,5 50 1 70 15 5 75 50 70 50 500 10 Si »
Д220Б 1,5 50 1 100 15 5 75 50 100 50 500 10 Si »
Д223 1 50 50 50 — — — — — — — Si
Д223А 1 50 50 100 1 — — — — — Si »
Д223Б 1 50 50 150 — — — — — ’— Si
ДЗН 0,4 10 100 30 1,5 5 50 50 30 40 500 10 Ge »
ДЗПА 0,4 10 100 30 3 5 50 50 30 80 600 10 Ge »
Д311Б 0,5 10 100 30 2 5 50 50 30 20 250 10 Ge »
Д312 0,5 10 100 100 3 5 (500) 50 100 50 500 10 Ge »
Д312А 0,5 10 100 75 3 5 (500) 50 75 50 500 10 Ge »
Д312Б 0,5 10 — — 3 5 (700) 50 100 50 500 10 Ge »
КД401А 1 10 5 75 1 5 (2000) 10 75 30 92 Si »
КД401Б 1 10 5 75 1,5 5 (2000) 10 75 30 92 — Si »
ГД402А Г — 100 10 0,8 5 4,5 15 15 30 100 10 Ge 1.1 l,e
ГД402Б — 100 10 0,5 5 6 15 15 30 100 10 Ge To же
ГД403А, Б, В 0,5 5 — — — —— -— 5 5 .—— Ge 1.11, в
ГД404АР 0,4 1...10 —- — — — — - -— 11 3 20 —• Ge 1.11, д
КД407А 1 50 0,5 24 1 5 д 10 24 50 500 10 Si 1.11,г
КД409А 1 50 0,5 24 2 15 1 10 24 50 500 10 Si 1.11, е
КД410А' 2 — 3000 1000 — (3000) 1000 1000 50 — — Si 1.11, ж
КД410Б2 2 —* 3000 600 — (3000) 1000 600 50 1— Si То же
КД411А 1,4 1000 700 700 — — (1100) 1000 700 800 8000 25 Si 1.1 1,3
КД411Б 1,4 1000 700 600 — — (1100) 1000 600 800 8000 25 Si То же
КД411В to 1,4 1000 700 500 — — (1100) 1000 500 800 8000 25 Si »
to
о
Продолжение табл. П
1 2 3 4 5 6 7
КД411Г 2 1000 700 400 ' —
КД412А 2 10 000 100 1800 — —
КД412Б 2 10 000 100 800 —‘ —
КД 412В 2 10 000 100 600 — —
КД412Г 2 10 000 100 400 1 —
КД416А (3) (1,5) 500 400 — —
КД416Б (3) (L5) 500 200 — —
2ДС408А 0,5... 0,73 0,01 0,01 10 1,3 0,5
0.73 . 0,83 1 “— —- - —
2ДС408 Б 0,5 0,73 0,01 0,01 10 1,3 0,5
0,73... 0,83 1 —— — — —
1 Маркируются красной точкой со стороны положительного вывода
2 Маркируются синей точкой со сюрины отрицательного вывода
3 При ти - 55 ± 5 чкс. f - 50 200 Гц
8 9 10 11 12 13 14 15
(1100)- 1000 400 800 8000 25 Si
(1500)3 (1000) 800 —— 10 000 —— Si 1.11, К
(1500)3 (1000) 800 — 10 000 — Si To же
(1500)3 (1000) 600 — 10 000 — Si »
(1500)3 (1000) 400 — 10 000 — Si
— '—- 400 — 15 000 1 Si 1 2, 6
— — "" 200 — 15 000 1 Si To же
(40 5 12 10 100 10 Si 1 11, и
— — — — — — Si To же
(40) 5 12 10 100 10 Si »
Мсат маркщМки Вйшаченм
мшЬогв
Д35-ДЗЛ
5*
в Д10Ч-106, R2Z3, ГДМЗ
MWJM,A20№0.MU,№Z
к ДЮЗ
г
Рис. 1J1, Внешний вид и основные размеры универсаль-
ных диодов и диодных сборок
UJtemhw точка
КД W. ^17
27
12. Регулируемые резистивные высокочастотные р-н«-диоды
Тип д-юдя <7 Г >1<ф 0 Alp .па и Л Обр ! В X Bl Ним рр Г» 1 нкз
В и рн < , м X пФ ПР^1 в 1 Ом при /(1р мА пК т при
ТР «4 ofp В
КД413А, Б3 1 20 07 0 30- 601 2 2 2 10 20 24 20 1 11 2
КД417 А 1 20 0,4 1 25 2 — 20 24 20 То АС
1 Ч1Я КДИЗЬ rll(f 1b Ы) (ы
По > яр шхт ь и тип тнох 1 обо ; нт! потея па [го коргл се КД41 ЗА — бетон том кон КД41 ЗБ — бе тот и красной точками
1.4. Импульсные диоды
Электрические параметры импульсных диодов приведены в табл
размеры — на рис 1 12—1 19
13 и 14, а их внешний вид и
13. Импульсные диоды
Тип днода Ообр /пат 1 и тс с 1 В f 1Э ^пр ''IIT I Ар и та е I 4 / f„ пря (_ Р
в при /, м \ гФ [ -^1 < j В iil IjtKtj П 1 ' r 1
ГД507А 20 0.5 5 16(100) 50 0,8 5 100 20)1 и) 1 12 г
ГД508А 8 0.7 10 10(30) 60 0,73 0 5 20 10 । 51 1 12, с
ГД508Б 8 0,65 10 10(30) 100 0,75 0 5 20 i (' i 51 То ж г
ГД5НА 12 0,6 5 15(50)' 50 1 5 100 КО 10) 112 0
ГД511Б 12 0,6 5 15(50)1 100 1 5 (10) KJI 10) То же
Продолжение табл 13
Тип диода ^обр max { ^обр в max} В ^Пр ^пр max (^пр и max} ^А об р при (^обр та ж) , мкА Сд fBOC [QI Номер рисунка
В при мА пФ при ^обр, В нс (пКл} При/пр мА (Qofip В)
ГД511В 12 0,6 5 15(50)' 200 1 5 (100) 10(10) »
КД503А 30 1 10 20(200) 10 5 0,05 10 10(10) 1 12, г
КД503Б 30 1,2 10 20(200) 10 2,5 0,05 10 10(10) То же
КД503В 10 1,3 10 10(200) 1 6 0,05 50 10(10) »
КД504А 40 1,2 100 240(240) 2 25 5 (15) 300(30) 1 12, б
КД509А 50(70) и 100 100(1500) 5 4 0,05 (400) 50(10) 1 12, г
КД510А 50(70) 1,1 200 200(1500) 5 4 0,05 (400) 50(10) 1 12, а
КД512А 15 1 10 20(200) 5 1 5 1 10(10) 1 12, г
КД513А 50(70) 1,1 100 100(1500) 5 4 0 (400) 50(10) 1 12,з
КД514А 10 1 10 10(50) 5 0,9 0 — — 1 12, г
КД518А 0,57 1 100(1500) — — — — 1.12,з
КД519А2 30(40) 1,1 100 30(300) 5 4 0 (40) 50 1 12, г
КД519Б3 30(40) 2,1 100 30(300) 5 2,5 0 (40) 50 То же
КД520А 15 1 20 20(50) 1 3 5 4 10(10) 1 12, и
КД521А 75(80) 1 50 50(500) 1 10 0 4 10(10) 1 12, к
КД521Б 60(65) 1 50 50(500) 1 10 0 4 10(10) То же
КД521В 50(55) 1 50 50(500) 1 10 0 4 10(10) »
КД521Г 30 (40) 1 50 50(500) 1 10 0 4 10(10)
КД521Д 12 1 50 50(500) 1 10 0 4 10(10)
КД522Д4 30(40) 1,1 100 100(1500) 2 4 0,05 (400) 50(10)
КД522Б5 50(60) 1,1 100 100(1500) 5 4 0,05 (400) 50(10)
' Л,р и max Даны при тн — I мкс 11я чиидов остальных типов при ти — 10 мкс
‘ Маркируется белой точкои со стороны положительного вывода
Маркируется красной точкой со стороны положительного вывода
4 Маркируется двумя кольцами на корпусе
s Маркируется гремя кольцами на корпусе
г
КД 513
ffircd* -I
КД5ПЧА
ГД J07, ЛД 553, 558,512,514,51? ГД5‘1
Мирлимйвчная mo‘is.a. f*)
ПШ
3 КД 513, 518 А
ж
75 25
& /вы8оЗ „*“&
^Черная точка
ц КД 525
Рис 1 12. Внешний вид и ос-
новные ра шеры импульсных
диодов
КДС523В,Г
Рис. 1.13. Импульсные диодные сборки:
а — КДС523А, Б, б — КДС523В, Г
30
14. Импульсные диодные сборки и матрицы
Тип прибора ^обр max ( б обр и яел^ В Г пр TZfl V Опр и т а г О 4 4 ^обр Сд ‘ IS
в при ^пр '•'А чкА при ^обр В пФ при в НС (пКл) при 'пг м \ (<70бр в>
КЛС523А1 50(70)2 1 20 20(200)3 5 50 2 0,2 (150) 20(10) 1 13
КДС523Б' 50(70)2 1 20 20i200)3 5 50 2 0,2 (150) 20(10) То же
КДС523В1 50(70)2 1 20 201200)5 5 50 2 0,2 (150) 20(1()| 1 13, б
КДС523Г1 50(70)2 1 20 201200)3 5 50 2 0,2 (150) 20(10) То же
КДС525А-Д 15(20)4 0.9 2 201200)4 1 10 8 5 5 10(10) 1 14
КДС525Е-Л 25(40)4 0,9 5 20(200)1 1 20 8 5 5 10(10) То же
КДС526А-В (15) 1.1 5 20150)3 — — 5 0 5 10(10) 1 15
КДС627А 50(60)6 1.3 200 200|1500)5 2 50 5 0 40 200(20) 1 16
КДС628А 50(60)ь 1,3 300 — 5 50 32 0 50 300(30) 1 18
КД903А-Б7 20 1.2 75 75' 0,5 20 10 5 150 300(10) 1 17, а
КД906А 75(100) 1 50 20012000)J 2 75 20 59 2 103 50(20) 1 17, б
КД906Б 50(75) 1 50 20012000)3 2 50 20 59 2 103 50(20) То же
КД906В 30(75) 1 50 200(2000)3 2 30 20 59 2 103 50(20)
КД906 Г 75(75) 1 50 20012000)3 2 75 40 59 2 103 50(20) »
КД906Д 50(75) 1 50 200(2000)3 2 50 40 5Э 2 103 50(20) »
КД906Е 30(75) 1 50 200(2000)3 2 30 40 59 2 101 50(20)
КД908А 40 1,2 200 200i1500)3 5 50 5а 0 30 200(10) 1.19, а
КД909А 40 1,2 200 20011500)2 10 40 5а 0 70 500(10) 1 19,6
КД914А-В 20 1 5 20 1 20 — — -— 1 19.в
КД917А 40(60) 1,2 200 100 (] 500)10 5 50 6 0,05 50 10(10) 1 17, в
КД919А 40 0,85 100 100 1 40 — 1 100 100(10) 1.19, г
1 Разность прямых напряжений между диодами при одшаковом постоянном токе о диапазоне значений от 0,05 до 2 мА, не более, для КДС523А
—5 мВ, КДС523В—10 мВ, КДС523В и КДС523Г —20 мВ
2 При длительности импульса ти 3 мкс
‘ При длительности импульса ти IG мкс
к 4 При ДЛИ1СЛЫЮСТН импульса тн 10 мкс и скважности не менее 100
5 Через любое число диодов
9 При ти 2 мкс и скважности не менее 10
9^ 7 У КД903Б отсутствуют выводы 12 и 13
8 Одного диода при ] = 1 10 МГн
9 При f = ] 10 МГц
,а Через все диоды
I pi ri Hi pi ri rh
/о к-д Ф* o/V
Z e-40—---ofj
J О-Ю-* N -o/Z
V O. KJ -t —- o//
уо м-*-а о/?
r-M-oJ
7 o-RJ—I--о 8
КДС525А
/О 10 tx o/V
2o-t0~ *13
4° <0-1 o/Z
5~O К} I Ся o/fl
7o L——о g
КДС5255
7 о -?0 л П
2O-40-4 to ;j
Jo L-fc-o/Z
V&’ K] । - o//
50
fio гФК'1
7^-H-4---
ЛДС52УЯ
КДС525
7 о KF-, fr -o/V
2 °-KJ- I'-—о 77
Jo L-Ы—oZZ
V о ।----o/7
5 о и 1-й—o?J
7o—M—1----° 8
КДС525Г
7 о t—0t—o/v
2 oH0—------0/3
3o KJ- -* Ы o/Z
VoH0—1----о//
5 о L-bf -o/g
Ь'о-КЭ—1 eg
7o-kj—1---1>8
КДБ525Д
7оф1 К o/V
2 МИ—------o?3
J о W' -W o/2
V О-Й—1----0/7
5 о CM I M о 7Д
Б ° r-M-09
7 о Ы i-—ofj
КДБ515Е
;c-H—W-o/V
---------o;j
30 tx 1 «К o/4
V<Hm—t °T1
fo t> * kJ o/tf
go Й-. K-oy
7o 1-----off
;o oi г и o/v
2<нж4----c/3
30 L-W-otf
¥o-&t-i—0/7
у о 1-kFo jg
ffo г-И-0,9
?o-H—* °B
КДС525И
1 о-й г M о /V
2 о-Й—4 o/3
Jo I—Kj-o/Z
Vo 1--------0/7
5 o-Ot * W o/g
S о .-Й-oJ
7 o-bt ----off
Jo F-I0-O7V
2o-&h4-----o/3
3 о bf-*-K' о /2
Vo-И—f o/7
go L КЗ-0/7
ffo-M—I og
7o CH *----off
«ДС52УЛ
Рис. 1.14. Импульсные диодные сборки КДС525
4* jrt|j
1 I 3
КДС526А
J °—k3-i
J °—ие-
у------
КДС526Б
/(ДС526В
Puc. Li5. Импульсные диодные сборки КДС526
32
1 2. J ¥ 5 6 7 ff
1b 15 14 13 1Z 11 10 9
999999 99
57 V 57 57 57 3? S7 52
oooooo 00
1 2 J 4 $ G 7 8
кдсвпА
Рис. i.16. Импульсная диодная
матрица КДС627А
n 1 2 у ч- У 5 7 в 3
OnailDDDODO
iF
/25 ¥ 5 6 7 d
о с о 9 V V
12 11 10 3
t 2з<7 m s
КД8{!Б(Г,Д,Е)
КД 371A
Рис 1. 17. Импульсные диодные матрицы КД903, КД906 и КД917А
2 I .1 ткни В И и др
33
Рис 1 18 Импупъсная диодная матрица КДС628А
Рис. 119 Импульсные диодные магрицы КД908А, КД909, КД914 и
КД91Э
54
1.5. Варикапы
Обозначения специальных параметров варикапов
приведены в табл 15, электрических параметров в табл. 16,
внешний вид и размеры см. на рис. I 20.
15. Специальные параметры варикапов
TipM Г Г hbt эбозиачсиня Он род? '?! ня
Добротность н ар ик ri- ri а <?» Отношение реа^т явное о сопротив лення варикапа на заданной часто- те к сопротивлению потерь при заданном значении емкости или обратного напряжения
Температурный коэф- фициент емкости в а рнкапа в Отношение относительного измене- ния емкости варикапа к вызвав шему его абсолютному изменению температуры окружающей среды
Коэффициент перс крытия по емкости ва- рикапа а; Отношение общих емкое (ей вари- капа при двух заданных значениях обратного напряжения
Общая емкость вари- капа Со Емкость варикапа при заданном обратном напряжении
S*
т
Рис 1 20 Конструкция и основные размеры варикапов
35
w
сл
16. Варикапы
Тип диода С при /= 1 10 МГц Лс Q
пФ ПР« ^обр В на f — 50 МГц при У л В обр
1 2 3 4 5 6
Д901А 22 32 4 3,6 4,4 25 4
Д901Б 22 .32 4 2,7, 3,3 30 4
Д901В 28 38 4 3,6 4 4 25 4
Д901Г 28 38 4 2,7 3,3 30 4
Д901Д 34 44 4 36 4 4 25 4
Д901Е 34 44 4 2 7 3,3 30 4
Д902 6 121 4 25 30 4
КВ101А 160 240 0,8 1,1 1,2 12 0,8
КВ 102 А 14 23 4 2 5 40 4
КВ102Б 19 30 4 2,5 40 4
КВ 102В 25 40 4 2,5 40 4
КВ102Г 19 30 4 2,5 100 4
КВ 102 Д 19 30 4 3,5 40 4
КВ ЮЗА 18 32 4 — 50 4
КВЮЗБ 28 48 4 — 40 4
КВ104А 90 120 4 25 100 4
КВ 104 Б 106 144 4 2 5 100 4
КВ 104В 128 192 4 2 5 100 4
КВ104Г 95 143 4 35 100 4
КВ104Д 128 192 4 35 100 4
КВ104Е 95 143 4 2 5 150 4
КВ105А 400 6003 4 3,8 500 4
КВ105Б 400 600J 4 3,0 500 4
КВ106А 20...50 4 — 40 4
/ 'обр мкА ^обр max В p max a 10 fi fl/град Номер рисунка
мВт Г|РИ flOKp (%)
7 s 0 10 11 12
1 80 250 25 500 1 20 a
1 45 250 25 500 To же
I 80 250 25 500 »
1 45 250 25 500 »
1 80 250 25 500 »
I 45 250 25 500 1 20, 6
10 25 1 — 500 1 20, d
1 40 — — 1 20, ж
I 45 90 50 — To же
I 45 90 50 — »
I 45 90 50 - 1 20 м
1 45 90 50 To же
1 80 90 50 — »
10 80 5000 (50) — 1 20 i
10 80 5000 (50) To же
5 45 100 50 — 1 20 5
5 45 100 50 — To же
5 45 100 50 — »
5 80 100 50 — »
5 80 100 50
5 45 100 50 —
50 90 150 50 — 1 20 a
50 50 150 50 500 To же
20 120 7000 (75) 1 20, л
1 2 r! i s
КВ106Б 15 35 4 — 60
KB 107 A 10 40 2 9 1 5 20
КВ107Б 10 40 6 18 1 5 20
KB107B 30 65 2 9 1 5 20
КВ107Г 30 65 6 18 1 5 20
KB109A4 2 3 2,8 25 4 55 300
КВ109Б5 2 2,3 25 4 5 6 5 300
KB109B6 8 16 3 4 6 160
1,9 3,1 25 — —
КВ1О9Г7 8 17 3 4 160
KB1 10A 12 18 4 2 5 300
KB1 10Б 14,4 21 6 4 25 300
KB110B 17,6 26,4 4 2 5 300
КВ110Г 12 18 4 2 5 150
КВ110Д 14,4 21,6 4 25 150
KB1 IOE 17,6 26,4 4 25 150
KB115A 1000 700 0 — —
КВ115Б 100 700 0 — —
KB115B 100 700 0 - —
KBC111A 26,4 4 9,1 200
КВС111Б 26.4 39 63 4 2 1 150
KB117A 26 39 3 5 7 180
KB1 17Б 26 39 3 4 7 150
2BC118A 54,4 81,6 4 3 6 4,4 2002
2ВС118Б 54,4 81 8 4 2,7 3,3 2502
KB119A 168 252 1 8.4 12,6 LOO3
KB120A8 230 320 1 2 100s
KB120A9 230 320 1 2 1003
У KB121A10 4,3 6 25 7,6 200
ь - 8 4 о
4 20 90 5000 (75) [ 1 zK 1
2 9 100 5 5 16 100 50 — 1 20 t
6 18 100 13 31 100 50 — То At
2 9 100 5 5 16 100 50 — »
6 18 100 13 31 100 50 —
3 0 5 25 5 50 500+300 1 20 з
3 0 5 25 5 50 500 + 300 То же
3 0 5 25 5 50 500 + 300 »
— — — »
3 0 5 25 5 50 —
4 1 45 100 50 — 1 20, к
4 1 45 100 50 — То же
4 1 45 100 50 —
4 1 45 100 50 — »
4 1 45 100 50 »
4 1 45 100 50 — »
— ю-4 0 1 — — 1 20 и
— 10“4 0 1 — — — То же
— 10 4 0 1 — — »
1 1 30 —— — 120 к
4 1 30 — — — То же
3 1 2.5 100 — 600 »
3 1 25 100 — 600 »
4 1 115 — — — 1 20, о
4 1 60 — — — То же
1 12 •— -— — 1 20 д
1 0.5 32 — — — 1 20 п
1 0,5 32 — — — То же
— 0,5 30 - — — 1 20 з
Продолжение табл. 16
Тип диода С при /= 1 ... 10 МГц Кс Q ^обр. мкА ^обр me С В р ma v а - I0’1 2 3 4 5 6 * £/град Номер рисунка
пФ ПРИ %ГВ * не f = 50 МГц при и л , В сбр мВт при 0 г окр (0 ) k(ip'
1 2 3 4 5 b 7 8 9 10 11 12
КВ121Б10 11 4.3...6 25 7,6 150 — 0,5 .30 — -— —- То же
КВ123А12 13 2,6...3,8 25 6,8'3 200 — 0,05 28 — — 500±300 1.20, р
1 При f = 50 МГц.
2 При f = 10 МГц.
3 При f = I МГц.
4 Маркируется белой точкой,
5 Маркируется красной точкой.
ъ Маркируется зеленой точкой.
1 Без маокировкн.
* Сборка из трех варикапов.
* Сборка из двух варикапов.
10 Маркируется у положительного вывода цветными точками, синен - КВ121А. желтой — КВ121Б
11 При изменении от 1,5 до 25 В.
12 Маркируется белой полосой у положительного вывода
13 При изменении ^Обр Д° 25 В.
1.6. Стабилитроны и стабисторы
Электрические параметры полупроводниковых ста-
ihi.'ihгронов и стабисторов приведены в табл. 17—20, а их
внешний вид и размеры см. па рис. 1.21 и 1.22.
17. Основные параметры стабилитронов и стабисторов
Термины
квеи
и ы е
обозна-
чения
Опре тел -'Я
1 кщряженис стабилиза-
ции стабилитрона
Ток стабилизации стаби-
л итрона
Дифференциальное со-
противление стабилитро-
на
Температурный коэффи-
циенг напряжения стаби-
лизации стабилитрона
Допускаемый разброс
значения напряжения ста-
билизации от номиналь-
ного значения
Значение напряжения стабилитрона
при протекании тока стабилизации
Значение постоянного тока, проте-
кающего через стабилитрон в режиме
стабилизации
Дифференциальное сопротивление при
заданном значении тока стабилиза-
ции стабилитрона
Отношение относительного изменения
напряжения стабилизации стабили-
трона к абсолютному изменению тем-
пературы окружающей среды при
постоянном значении тока стабили-
зации
Максимально допустимое отклонение
напряжения стабилизации от номи-
нального значения для стабилитро-
нов данного типа
ZCUJ7A,113Af119A
Г 7Г£М-С, 7ГЕ24-С
Рис.
1.21. Конструкция и основные размеры стабисторов
18. Стабисторы
Тип стабистора (/ ст г ст / ст.мда; мА 1 ст.min. мА аиСТ’ 10 2, %/°с Номер рисунка
В Д (/ст, В Ирм Iст, мА Ом при /ст, мА
КС107А 0,7 0,07 10 7 10 100 1 2 1.21, а
КСПЗА 1,3 0,13 10 12 10 120 1 — (3...4) То же
КСП9А 1,9 0,19 10 15 10 100 1 — (5...6) »
Д219С 1 — 50 — -— — — 1.21, в
Д220С 1,5 — 50 — — 1 — —— — То же
Д223С 1 — 50 — — — ~ »
7ГЕ1А-С 0,7 0,1 I 50 — 10 0,5 —2,5 1.21,в
7ГЕ2Л-С 1,45 0,15 1 100 —- 10 I —5 То же
7ГЕЗА-С 2,25 0,15 150 — 10 1 —7.5
39
о
19. Стабилитроны малой мощности
Тип стабилитрона игт ГС1
в ДУСТ. в при /ст, мА Ом
1 2 3 4 5
Д808 7,75 0,75 5 6
Д809 8,75 0,75 5 10
Д810 9,75 0,75 5 12
Д811 11 1 5 15
Д813 12,75 1,25 5 18
Д814А 7,75 0,75 5 6
Д814Б 8,75 0,75 5 10
Д814В 9,75 0,75 5 12
Д814Г 11 1 5 15
Д814Д 12,75 1,25 5 18
КС133А 3,35 0,35 10 65
2CI33B 3,3 0,3 5 65
КС133Г 3,3 0,35 5 150
КС139А 3,9 0,39 10 60
КС 139 Г 3,9 0,4 10 150
КС147А 4,7 0,5 10 56
КС147Г 4,7 0,5 10 150
KCI56A 5,6 0,6 10 46
КС156Г 5,6 0,6 10 100
КС 162 А 6,2 0,4 10 35
КС168А 6,8 0,7 5 28
КС 168В 6,5 0,5 10 28
7 мА 'ст men* мл ^ст ftl£LX> мА «сст-10“2, %/°с р r mai' мВт Помер рисунка
при /ст, мА
6 7 8 9 10 11
5 3 33 7 280 1 22, а
5 3 29 8 280 То же
5 3 26 9 280 »
5 6 23 9,5 280 »
5 5 20 9,5 280 »
5 3 40 7 340 »
5 3 36 8 340 »
5 3 32 9 340
5 3 29 9,5 340 »
5 3 24 9,5 340 »
10 3 81 -11 300
10 1 37,5 —— 300
5 1 37,5 — 300
10 3 70 -10 300 »
5 1 32 — 10 300 »
10 3 58 — 9 -|-17 300 300 »
5 1 26,5 — 9 300 300 »
10 3 55 5 130 1 22, з
5 1 22.4 ± 5 300 1 22, а
10 3 22 — 6 150 1 22, в
10 3 45 150 То же
10 3 20 ±5 125 »
1 2 3 4 ...... 5 6
КС 170 А 7 0,35 10 20 10
КС175Ж 7,5 0,4 4 40 4
КС182Л 8,2 0,6 10 14 5
КС182Ж 8,2 0,8 4 40 4
КС191А 9,1 0,6 5 18 5
КС 191 М-Р 9,1 0,5 10 18 10
КС191С-Ф 9,1 0,5 10 18 10
КС191Ж 9,1 0,5 4 40 4
КС210Б 10 ±0,7 5 22 5
КС2ЮЖ 10 1 4 40 4
КС213Б 13 0,9 5 25 5
КС213Ж 13 0,7 4 40 4
КС215Ж 15 1,5 2 70 2
КС218Ж 18 1,8 2 70 2
КС220Ж 20 1 2 70 2
КС222Ж 22 2,2 2 70 2
КС224Ж 24 2,4 2 70 2
20. Стабилитроны средней и большой мощности
Тип стабилитрона и СТ Г СТ
в (мВ.АС) Ом при /ст, мА
1 2 3 4 5
Д815А 5,6 15 0,9 1000
Д815Б 6,8 15 1,2 1000
Д815В 8,2 15 1.2 1000
7 8 9 1.. 13 1
3 20 —|— 1 150 »
0,5 17 7 125 »
3 17 5 150 »
0,5 15 8 150
3 15 150 »
3 15 125 »
3 20 150 »
0,5 14 9 125 •»
3 14 7 125 1 22, a
0,5 13 9
3 10 5 *' 1
0,5 10 ± 9,5 125 To же
0,5 8,3 10 125 »
0,5 6,9 10 125 122, в
0,5 6,2 10 125 To же
0,5 5,7 10 125
0,5 5.2 10 125 »
ПРИ 4тт«’ мА I , мА ст а£/ст* 10"2 % /°C р it ах Вт Номер рисунка
6 7 8 9 10
1400 50 +6 8 1 22, б
1150 50 -1-6 8 То же
950 50 -1-9 8 »
ьа
1 2 3 4 5
Д815Г 10 15 2.7 500
Д815Д 12 15 3 500
Д815Е 15 15 3,5 500
Д815Ж 18 15 4,5 500
Д816А 22 15 10 150
Д816Б 27 15 12 150
Д816В 33 15 15 150
Д816Г 39 15 18 150
Д816Д 47 15 22 150
Д817А 56 (5,5) 35 50
Д817Б 68 (7) 40 50
Д817В 82 (8) 45 50
Д817Г 100 (Ю) 50 50
КС433А 3,3 10 25 30
КС439А 3,9 10 25 30
КС447А 4.7 10 18 30
КС456А 5,6 Ю 10 30
КС468А 6,8 10 5 30
КС482А 8,2 10 25 5
КС510А 10 10 25 5
КС512А 12 10 25 5
КС515А 15 10 25 5
КС518А 18 10 25 5
КС520В 20 5 120 5
КС522А 22 10 25 5
КС527А 27 10 40 5
КС531В 31 5 50 10
КС533А 33 10 40 10
Продолжение табл 20
6 7 8 9 10
80 25 ±10 8 »
650 25 11 8
550 25 13 8 »
450 25 14 8 »
230 25 15 5 »
180 10 15 5
150 10 15 5 »
130 10 15 5 »
НО 10 15 5 »
90 5 14 5 »
75 5 14 5 »
60 5 14 5 »
50 5 14 5 »
191 3 — 10 1 1 22, а
176 3 —10 1 То же
—8 1 »
159 3 ±3 1
139 3 5 1
119 3 6,5 1
96 1 8 1
79 1 10 1 »
67 1 10 ]
53 1 10 1
45 1 10 0,5 1 22, г
22 3 1 1 1 22, а
37 1 10 ] То же
30 1 10 0,5 1 22, г
15 3 0,5 0.64 1 22, а
17 3 10 0,5 1 22, г
1 2 3 4
КС547В 47 5 280
КС551А 51 (3) 20
КС568В 68 5 400
КС591А 91 5 400
КС596В 96 5 560
КС600А 100 (5) 450
КС620А 120 15 150
КС630А 130 15 180
КС650А 150 15 270
КС680А 180 15 330
15
Й
1,5
20
55
Размеры 5 мм
д к С 2. ..
КС 52Вв КС 5318 КС 547 в // 1.5 5 5
КС558 в КС 5368 14 10 8 8
Мест маркируй
г
it реп
5 6 7 8 ч 1
5 10 3 1 1 1 22, а
1,5 14,6 1 12 0,72 1 22, г
5 10 3 1 1 1 22, а
1,5 8,8 1 12 0,72 1 22, г
5 7 3 1 1 1 22, а
1.5 8,1 1 12 5 1 22. б
50 42 5 20 5 То же
50 38 5 20 5 »
30 33 2,5 20 5
30 28 2,5 20
Рис 1.22. Конструкция и основные размеры кремне-
вых стабилитронов.
а — Д808 Д814, KC13J, КС139, КС147, КС156, КС168. КС433А,
КС439А КС447А, КС456А. КС468А. КС482А КС5ЮА КС512А
КС51дА, КС518А КС522А, КС551А, КС591А, КС600А б-Д8’5
KG630, КС650, КС680 в— КС162А, КС168В KCI70A КС175Ж,
КС1Я2Л, КС182Ж KCI9I. KC2iO, КС213, КС5ПА, г - КСи20В,
КС531В, КС547В, КС568В, КС596В
1.7. Туннельные и обращенные диоды
Специальные электрические параметры туннельных
диодов приведены в табл 21—23, а их внешний вид и ос-
новные размеры см па рис 1.3.
21. Термины н определения основных параметров
Термины Буквенные обилии Ч(Ч1ИЧ Опр t 1CJIC И ИЯ
Пиковый ток туннели иого диода / IT Значение прямо! о тока в точке мак- симума попьт амперной характерн стики туннельного диода, при кото- ром значение дифференциальной активной проводимости равно нулю
Ток впадины туннель- ного диода / в Значение прямого тока в точке минимума вольт-амперной характе- ристики туннельного диода, при котором значение дифференциаль- ной активной нроводнмостн равно нулю
Отношение токов i ун нельного диода / // п' в Отношен ио пиково! о я ока к току впадинЫ туннельного днода
Напряжение пика тун- нельного диода и п Значение прямого напряжения, со- ответствующее пиковому току тун- нельного диода
Напряжение раствора туннельного диода и рр Значение прямого напряжения на второй восходящей ветви вольт-ам- перной характеристики туннельного диода, при котором ток равен пиковому
Сопротивление потерь туннельного диода г п Суммарное активное сопротивление кристалла, контактных присоедине- ний И ВЫВОДОВ
Емкость диода Емкость между выводами диода при заданном напряжении смеще- ния
Инду ктнвность диода L т. Полная последовательная эквива- лентная индуктивность диода при заданных условиях
Макс им ал ыю доп уст н- мая рассеиваемаи им- пульсная СВЧ мощ- ность диода р СВЧ И 1T2Q Г Максимальная импульсная СВЧ мощность, рассеиваемая диодом, при которой обеспечивается заданная надежность
Предельная резистнв- Значение частоты, на которой а к-
пая частота туннельного диода тнвная составляющая полного со- iipoiявления туннельного диода на его выводах обращается в нуль
44
22. Числовые значения параметров туннельных диодов
Тип диода /м Л ПФ, не более с (/[-[. мВ. не более "рр К не менее I'v нГ ая, ггц)
1 2 3 4 5 6 7
АИЮ1А 1 4’ 5 160 —.— 1
АИ101Б 1 2.. 81 5 160 1- 1
АИ101В 2 5' 6 160 — 1
АИ101Д 2 2.51 6 160 — 1
АИ101Е 5 8J 6 180 1
АИЮ1И 5 4,5..131 6 180 — 1
АИ201А 10 8’ 10 180 —~ 1
АИ201В 10 5...151 10 180 — 1
АИ201Г 20 10L 10 200 — 1
АИ201Е 20 6...201 10 200 —- 1
АИ201Ж 50 15’ 10 260 —- 1
АИ201И 50 10...30' 10 260 1
АИ201К 100 201 10 330 —’—*- 1
АИ201Л 100 10.. .50’ 10 330 — I
АИ301А 2 12s 8 180 0,65 L5
АИ301Б 5 25* 8 180 0,85.,1.15 1,5
АИ301В 5 251 8 180 1 ..1,3 1,5
АИ301Г X СП —’ J 10 503 8 180 0,8 1,5
ГД OlO Предельные режимы три ()0Кр - 2j (. - 110MlР рнс\ н KJ
Ом, не более при Н МА ^'гр max’ В <3 о с 6ip на Л’ мА
w (JMIM |0 = и du лш и КЗD(j)
8 9 10 11 12 13 14 15
24г 30 0,5..Д6 — — — —
223 30 0,5,0,6 ~' 1 — —
163 40 0,5..Д6 — — — — 1.23, а
142 40 0,5 0,6 — —- —
73 80 0,5..Д6 —- — —
72 80 0,5. .Д6 — — — —
82 100 0,5...0,6 — — — ——
82 100 0,5. .0,6 — —- —
52 100 0,5. .0,6 — -—- — —
42 100 0,5...0,6 — — —
2,б2 220 0,5. ..0,6 —- — — — 1.23,0
2,52 220 0,5 0,6 — — —
2,2s 220 0,5...0,6 — — —
2,22 220 0,5...0,6 — — — —
— — — — 1 2,5 2,5 5 — — 1 23, а
— — — — —
Продолжение табл. 22
Тип Диода Сд. пФ, не более ей С U р j м не более ^рр. Ь. не менее Д Н1 ГГц)
1 2 3 4 5 Ь /
ГИ103А,! 1,5 1.. 2,14 4 90 — 8 14
ГИ103Б1' 1,5 0,8... 1,64 4 90 — 9.. 17
ГИ103В" 1,5 0,7.. 1,34 4 90 — —,
ГИ103Г11 1.7 1...3.2' 4 90 — 5,5..13
1И104А 1,3.. 1,6 0,8.. 1,9 4 9012 — 0,1 0,13 (11..25)
1И104Б 1,3. .1,6 0,8.. 1,9 4 9012 — 0 1 0,13 (15 27)
1И104В 1,3.. 1.6 ОД. 1,1 4 9012 — 0,1...0,13 (17 31)
1И104Г 1,3..1,6 0,45...! 4 10012 0,1..0,13 (19. .37)
1И104Д 1,3...1,6 0,4.. 0,9 4 10012 —- 0,1.. 0.13 (21 45)
1И104Е 1.3,..1,6 0,4...0,8 4 10012 — 0,1...0,13 (25. 60)
ГИ304А 4,8 20ь 5 75 0,44 —
ГИ304Б 5,2 20ь э 75 0,44 —
ГИ305А 9,6 30а 5 85 0.457
) Предельные режимы при 0г,кр = Помер pnci, н.
Ом, не более пРИ обр и* А О lip ;па-1 R 1 ^обр о У Л р m а о М А < У г: ’О Q р ‘ Ц CI 1 ('’СВЧ и гс< при 1 = 0,1 мкс) мКг
8 9 10 1 1 12 13 14 1 )
(6)5 100 0,4 0,02 1,5 ~ 1 Сп | 5(200)
(6Г 100 0,4 0.02 1 5 1,5 4(150) 1 23. г
(7)5 100 0,4 0.02 1.5 1,5 3(100)
(6)5 100 0,4 0.02 1,5 1,5 6(250)
(6)5 но 0,4 0.02 1,3 1,7 1,5 (200)
(6>5 110 он 0.02 1,3 .1,7 1,5 1150)
(7)5 110 0,4 0 02 1,3 1,7 1,5 ( 100)
(7)5 но 0,4 0,02 1,3 1,7 1,5 150) 1 23, б
(7) = 110 0,4 0,02 0,65 0,85 1,5 (401
(8)5 но 0,4 0,02 0,65. 0,83 1 5 130)
— — — 10 10 10 10 .
— — — — 20 20 —
flpouc г
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 13
ГИ305Б 10,4 30’ 5 85 0,457 — — — — — 20 20 — 1 23, г
ГИ307А 2 20 7 70 400й — — — — — 4'° 4!0 —
1 На частоте 5 30 МГц
2 При ти = 15 мкс и скважности Q 2з= 100
1 Емкость корпуса Скор -в 0.8 пФ
+ При UlJf) < 1 мВ, f = 10 МГц
!> При ти 0,1 мкс
* На частоте 10. ,20 МГц
7 При 1тах 10 мА.
8 На частоте 20 МГц,
’ При /„р = 2 мА.
10 1 ] — 1П мА
'пр и max 7 обр и «гпх * 1 L ["л1
1' Диоды маркируются двумя цветными ""очками на корпусе прибора
ГИ103А — голубыми, ГИ103Б - красными, ГИ1033 - черными, ГИ103Г — зелеными
12 Емкость корпуса Скор = 0,25 1.9 пФ.
s
ЗМкшЗа
точки ГИ103
Рис. 1.23. Конструкция и основные размеры
туннельных и обращенных диодов
ГИЗМ,Зй5,М7,Щ1ИЧПЗ
точки (+)
ГИЩ 1ИЧ31
23. Туннельные обращенные диоды
Тп диода 1 [], мА, i l более СА пФ. не болео г|( пр и / = 100 мА, Ом t , 1’ с ,t,p IJ редел। цис ptжимы при 1 luuep рИС. VHKct
л р т „ л г ( пр 1 Г Ifl. Л мА \ * ф 1 Cl . 1 dyt>y J iTr ipu dgi^
В, не j/chcc при / мА в при / ,бр, мА
ГИ40! А' — 2,5 — 0,33 0,1 0,09 1 0,3 4
ГИ401Б1 5 — 0,33 0,1 0,09 1 0,5 5,6 1 OQ Л
1И401А’ — 2,5 0,33 0,1 0,09 1 0,3 4 1.23, 0
1И401Б1 — 5 — 0,33 0,1 0.09 1 0,5 5,6
АИ402Б 0,1 4 — 0,6 0,1 0,25 1 0,05 1
АИ402Г 0,1 8 — — 0 6 0,1 0.25 1 0.05 1
А И 402 Е 0,2 8 — 0,6 0,2 0,25 2 0,05 2
АИ402И 0,4 10 —— 0,6 0,4 0,25 4 0,05 4
ЗИ402А 0.1 2 18 0,6 0,1 0,25 1 0,05 2
ЗИ402Б 0,1 1,5. 3,5 16 0,6 о,1 0,25 1 0,05 2
ЗИ402В 0.1 2,7. .5 14 0,6 0,1 0,25 1 0,1 2 1.23, a
ЗИ402Г 0,1 6 — 0,6 0,1 0.25 1 0,05 2
ЗИ402Д 0,2 3,5 — 0,6 0,2 0,25 2 0,05 4
ЗИ402Е 0,2 2. 6 —- 0,6 0,2 0,25 2 0,1 4
ЗИ402И од 6 — 0,6 0,4 0,25 4 0,05 8
ГИ403А2 0,1 8 — 0,35 0,1 0,12 3 (Ю) 1 (10)1
1И403А2 о,1 8 — 0,35 0,1 0,12 3 (14)3 (I0)3 I. J
1 luti диода и положительные вывод обозначаются красной (ГИ4Н1А, LH40JA) или
синен |1И401Ь. 1И4Н1Б) точкой в уы^блснни вывода
2 Маркируется зеленой точкой *о стороны попожитстыюго вывода
' При длительности импульсов 10 мкс
1.8. Светоизлучающие полупроводниковые
приборы
Электрические параметры светоизлучающих полу-
проводниковых приборов приведены в табл. 24 — 26, а их внеш-
ний вид и размеры см. на рис. 1.24—1.26.
24. Специальные электрические параметры светоизлучающих приборов
Тс руины Буквенные обозначения Орредс енич
Сила света /с Световой поток, излучаемый свето- диодом, приходящийся на единицу телесного угла в направлении, перпендикулярном к плоскости из- лучающего кристалла
Яркость L Величина, равная отношению силы света светодиода к площади светя- щейся поверхности
Максимум спектраль- ного распределении X Длина волны светового излучения, соответствующая максимуму спек- тральной характеристики диода
48
f,2. Цбетныр тпчки ААЗО7А-Л
ЛЛ307АМ,БМ
53 <5.5 ЗЛЗЧ4
<пр через р-п переход зеьенмо
цбета сбечения (мЛ)
i ‘in
/ 24. Конструкция и основные размеры светодиодов
49
25- Электрические параметры светодиодов
1 пи прибор а С г-П и / Обо ли *iti; не ЦВ1‘1 .1 < веченин > ч ь v \(. юнные (>Г>| Г1 .и 1 и н и На K<’pli>LL Номер рисунка
мккд (К1 /м-') при ...
1/ , в пр’ / , мА пр ._
1 2 3 1 5 5 7 R
КЛ101А (Ю) 5,5 10 10 Ж 1 24, к
КЛ 101Б (15) 5,5 20 20 Ж Го же
КЛ101В (20) 5,5 40 40
2Л101А (Ю) 5 10 10 ж
2Л L01Б (15) 5 20 20 — »
АЛ102А 40 2,8 5 10 К (0,69) Краевая точка 1.24, б
АЛ102Б 100 2,8 10 20 К (0,69) Две красные I очки То же
АЛ 102В 200 2,8 20 22 3(0,53) Зеленая точка
АЛ 102Г 250 2,8 10 20 К(0 69) Три красные 7 ОЧКИ
АЛ 102 Д 400 2,8 20 22 В (0,53) Две золение точки
ЗЛ102А 20 3 5 20 К(0.69) Черная точка
ЗЛ102Б 100 3 10 20 К (0,69) Две черные точки
ЗЛ 102В 250 2,8 20 22 3(0,53) Белая точка »
ЗЛ 102Г 60 3 10 20 К (0,69) Три черные точки
ЗЛ 102Д 200 3 10 22 К(0,69) Две белые точ- ки »
АЛ112А (1000) 2 10 12 К (0,68) Красная по л оса 1.24, г
АЛ112Б (600) 2 10 12 К (0,68) Зеленая полоса То же
АЛ 112В (250) 2 10 12 К(0,68) Сними полоса >
АЛ112Г (350) 2 10 12 К (0,68) Красная по- лоса 1.24, е
АЛ 112Д (150) 2 10 12 К (0,68) Зеленая полоса То же
АЛ 112 Е (1000) 2 10 12 К (0,68) Красная точка >
АЛ112Ж (600) 2 10 12 К (0,68) Зеленая точка 5>
АЛ 112И (250) 2 10 12 К (0,68) Синяя точка »
АЛ112К (1000) 2 10 12 К (0,68) Красная точка 1 24, ж
АЛ112Л (600) 2 10 12 К (0,68) Зеленая точка
АЛ 1 12М (250) 2 10 12 К (0,68) Синяя точка
АЛ307А 150 2 10 20 К(0,666) Черная точка 1 24, в
АЛ307АМ 150 2 10 20 К(0,666) Черная точка 1.24, д
АЛ307Б 900 2 10 20 К (0,666) Две черные точки 1.24, в
АЛ307БМ 900 2 10 2 К (0,666) Две черные точки 1 24, д
АЛ 307В 400 2,8 20 22 3(0,566) Черная точка 1.24, в
А Л307 Г 1500 2,8 20 22 3(0,566) Две черные точки То же
АЛ307Д 400 2,5 10 22 Ж Две черные точки
АЛ307И 400 2,5 10 22 ОР Белая точка
АЛ 307Л 1500 2,5 10 22 ОР Две белые точ- ки »
50
Продолжение табл. 25
1 2 3 4 5 6 1 7 8
л о.пол 600 2 10 12 к — 1.24, а
л -43ЮБ 250 2 10 12 к — То же
А ’1 116 800 2 10 20 к Краемаи по- 1 24, о
л оса
VI И6Б 300 2 10 20 к Синяя полоса То же
V1C331 600 4 20 20 к з2 1 24. л
1,4341 Л 150 2,8 10 - к — 1.24, и
С1341Б 50 2,8 10 — к »
1,4341 В 150 2,8 10 — 3 У>
3.4341 Г 50 2,8 10 — 3 — »
ЗЛ341Д 1 50 2,8 10 — ж т-** - »
ЗД341Е 50 2.8 10 — ж —
' Цвет свечения обтнячается следующими битами К — красный, ОР оранжевый,
Ж - жептый "4 — зеленый
1 Цвет свеченшг изменяется в зависимости от соотношения токов через р п переходы
в соответствии с рис 1 1?4, м
26, Электрические параметры линейных шкал и знаковых индикаторов
Т ип прибора иля / 1 . мА 1 р /пил (// ) в ; нр лх z Обтнячс Hire ппетя спеченн п“ (К. мкм) Схема сасдинс ния эле ктрптон1 Номер рисунка
мккц ( m/mj) при
и , R пр / мА ср
1 2 3 4 5 6 7 Я
Линейные шкалы
АЛ317А 160 2 10 12 К ок 1 26
АЛ317Б 350 2 10 12 К ок То же
АЛ317В 80 3 10 12 3 ОА
АЛ317Г 160 3 10 12 3 ОА »
АЛ317Д 320 3 10 12 3 ОА »
Знаковые индикаторы
Л Л 304 А (140) 2 5 11 К ок 1.25. а
АЛ 304 Б (80) 320 2 5 и К ок То же
А Л304 В (60) 3 10 11 3 ок
АЛ 304 Г (350) 3 5 5,5 к ОА
АЛ 305 А (350) 4 20 22 к ОА 1.25, в
АЛ305Б (200) 4 20 22 к ОА То же
АЛ305В (120) 6 20 22 к ОА »
АЛ 305 Г (60) 6 20 22 к ОА »
А Л305Д (120) 6 20 22 3 ОА »
АЛ305Е (60) 6 20 22 3 ОА й>
АЛ305Ж (350) 6 20 22 к ок »
АЛ305И (200) 6 20 22 к ОК У»
АЛ305К (120) 6 20 22 к ОК »
АЛ 305Л (60) 6 20 22 к ОК »
АЛС314А (350) 2 5 8 к ок 1 25. а
51
Продолжение табл 26
1 2 J 4 5 ь 7 8
АЛС320А 400 2 10 12 К ол 1.25, б
АЛС320Б 150 3 J0 12 3 ок То же
АЛС320В 250 3 10 12 3 ок
АЛС320Г 600 2 10 12 к ол Л
АЛС321А 120 3,6 20 25 жз ок 1 25, г
АЛС321Б 120 3,6 20 25 жз ОА То же
АЛС324А 150 2,5 20 25 к ок »
АЛС324Б 150 2,5 20 25 к ОА
1 ОК — общий катод, ОА — общим анод
Е В I Н В Л В F
AAWtA-B AAEJffA
Ш.&Ш.
Е В Е Н В A S F
рзчц
Рис. 1.25. Конструкция и основные размеры знаковых индикаторов
52
АЛС317А ~АЛС317Д
А В С Д Е
Рис 1 26. Конструкция и основные размеры линейных шкал
2. ТИРИСТОРЫ
Элек грические параметры тиристоров представлены
в 1абл 27—30, а внешний вид и основные размеры см на
рис 2 1 2 4.
27. Электрические параметры тиристоров
Термины bv Mien ные обозна чини я Опрсдс 1СЧНЯ
1 9 1
Максимально допу- ciимое постоинное обратное напряжение обр 1 Предельное допустимое обратное напряжение на тиристоре
Максимально допу стимое постоянное прямое напряжение и пр ркр тал Максимальное постоянное прямое напряжение, при котором тиристор находится в закрытом состоянии
Ток в закрытом со- стоянии 1 1 Кр Основной юк при некоюром напря- жении в закрытом состоянии для определенного режима в цепи управ- ляющего электрода [иристора
Обратный ток 1 , обр Анодный ток при определенном обратном напряжении на тиристоре
Напряжение включе- ния и вкл Прямое напряжение в точке вклю- чения диодного тиристора
Постоянный отпираю- I V ог Минимальный постоянный ток уп-
щий ток управляюще- го электрода равляющею электрода, который обеспечив ас 1 переключение тири- стора из запертого состояния в От- крытое
Напряжение в откры- том состоянии и □ткр Основное напряжение на тиристоре при определенном токе в открытом сост ОЯЯИИ
Удерживающий ток / уд Минимальный основной ток, кото- рый необходим для поддержания тиристора в открытом состоянии
Время включения i ин.1 Время, в течение которого тиристор переходят из запертого состояния в открытое
Время выключения t иыкл Время, в течение которого тиристор переходит из открытого состояния в закрытое
Максим альио допус- тимый средний (им- пульсный) ТОК В 01 крытом СОСТОЯНИИ / сп кр ср та ч (1 ) ' откр и max Предельный допустимый ток аиодз
54
*ч Диодные тиристоры (динисторы)
1 nil л lint г г> ра ^OTh 1 ср ГЛ1И мкА nt, бо,1с< э кр (при и. — 10 В ' г Обр ^2% К Г 373 X /1б , А, не более 1 при Ю В) Ъ , В (при FihT ' ' R < 500 Ом) 0 В, не более иТГ р (при / —200 ' ыкр ср Vi А} г 3 — _ pow <Jhс du Я /7 / мА I'npH 7 = -ВЗ К) 1 VKC нг ботес _ 40 j
/ (пр [>] К|1 И П1Л Г 4 1 / -- 200 огкр ср 0 МС 1 'Г" - . 3 о о 1
1 2 5 4 5 6 7 8 9 10 11
ЧП02А К1П02Л 200 80 150 0,5 20 1,5 2 10 5 од 40 10
Ч1102Б КН102Б 200 80 150 0,5 28 1,5 2 10 7 0,1 40 10
2 Н102В КН 102В 200 80 150 0,5 40 1.5 2 10 10 0,1 40 10
2Н102Г КН102Г 200 80 150 0,5 56 1,5 2 10 14 0,1 40 10
2Н102Д КН102Д 200 80 150 0,5 80 1,5 2 10 20 0,1 40 10
2Н102Е КН102Е 200 80 150 0,5 20 1,5 2 10 30 0,1 40 10
2Н102Ж КН102Ж 200 80 150 0,5 120 1,5 2 10 30 0,1 40 10
2Н102И КН 102 И 200 80 150 0,5 150 1,5 2 10 50 0,1 40 10
Примечание Емкость монтажа по отношению к выводам тиристора'при отключен-
ных тиристоре и генераторе импульсов не должна быть более 15 пФ,
э его индуктивность, пкчючсннаи последовательно с тиристором,
о мкГц
2нт , КН102.
<3
Вывод 1 +
- Вывод 2
Рис, 2.1. Внешний вид н ос-
новные размеры динисторов
55
о 29. Триодные тиристоры малой мощности
Тип тиристора ^откр с? max' А ^О<кр‘ не более (при ^откр tp л a i) ч CJ £ С СС / , мА у от 1 ОТ Н' А, не более
яег; asirop уи ld 00 го
J; g н
1 2 3 4 5 6
2У101А КУЮ1А 0,075 1,3 50 0,15 О.э 0,15 0,5 0,15 0,5 7,5
2У101Б КУ 101Б 0,075 1,3 50 7,5
2У101Г КУЮ1Г 0,075 1,3 80 7,5
2У101Д 0,075 1,3 150 0,15 0,5 7,5
2У101Е КУЮ1Е 0,075 1,3 150 0,15 0,5 7,5
2У101Ж 0,075 1,3 50 0,15 0,5 7,5
2У101И 0,075 1,3 50 0,15 0,5 7,5
2У102А1 КУ Ю2 А 0,05 2,5 50 0,1 0,5 —
2У102Б КУЮ2Б 0.05 2,5 100 0,1 0,5 0,1 0,5 Г» 1 —
2У102В КУ 102В 0,05 2,5 150 —
2У102Г КУЮ2Г 0,05 2,5 200 0,1 оЗ —
^откр и тйл> А CQ а Е а. “О а fHKJ] мкс. не белее ! (при Г — 298 К) 1 ^НЫКЛ’ МКС’ не более (при 7=298 К) Тип корпуса Номер рисунка
7 8 9 10 11 12
0,3 10 2 о- Зэ МТ 2.2, а
0,3 50 2 35 мт То же
0,3 80 2 35 мт »
0,3 150 2 35 мт »
0,3 150 2 35 мт »
0,3 10 2 35 мт »
0,3 50 2 35 мт
5 5 5 20 мт 2 2, б
5 5 5 20 мт То же
5 5 5 20 мт »
5 5 5 20 мт »
1 2 3 4 5
КУ ЮЗА 0,001 3 150 0,2
0,45
2У103В КУ103В 0,001 3 300 ' 0.2 0,3
2У104А од 9 is 0,12
КУ104А 1 м 0,5
2У104Б 0,1 9 0,12
КУ104Б ои 0,5
2У104В 0,1 9 0,12
КУ КИВ vU 0,12
2У104Г КУ104Г 0,1 2 100 0,12 0,5
2У105А КУ 105 А 0,05 1,35 30 0,001 0,02
2У105Б КУ 105 Б 0,05 1,35 15 0,001 0,02
2У105В КУЮ5В 0,05 1,35 30 0,001 0,02
2У105Г КУЮ5Г 0,05 1,35 15 0,001 0,02
2У105Д 0,05 1,35 30 0,001
КУЮ5Д 0,02
2У105Е КУ105Е 0,05 1,35 15 0,001 0,02
2У106А 0,1 2 50 0,01
КУ 106 А од
2У106Б ОД 9 50 0,01
СП КУ 106 Б £ 0,1
Продолжение табл 29
6 7 8 9 10 и 12
10 1 150 — — МТ 2 2, а
10 1 300 —— и— МТ То же
15 3 6 0,29 2,5 мт 2.2,6
15 3 6 0,29 2,5 мт То же
15 3 6 0,29 2,5 мт »
15 3 6 0,29 2,5 мт
4 2 30 0,1 1,5 бек 2 2, в
4 2 15 0,1 1,5 бек То же
4 2 5 0,1 1,5 бек »
4 2 5 0,1 1,5 бек »
4 2 — 0,1 1,5 бек »
4 2 — 0,1 1,5 бек »
10 1 10 1 25 МТС 2.2, е
10 1 10 1 25 МТС То же
8
Тип тиристора ^откр ср А ^сгкр’ В’ белее (при Л>ткр ср тал) ^fnp s*p max, В ZW M«k. не белее * 398 К ’ f чА Д01 4 Mjoth не более
1 2 3 4 5 G
2У106В КУ106В 2У106Г КУ106Г 2У107А 2У107Б 2У107В 2У107Г 2У107Д 2У107Е КУ 108В2 КУ 108 Ж КУ108И КУ108Л КУЮ8М КУ108Н 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 5 5 5 5 5 5 2 2 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1.5 4 4 4 4 4 4 100 100 250 250 150 150 60 60 1000 1000 1000 800 800 800 0,01 0,1 0,01 0,1 0,02 0,03 0,02 0,03 0,02 0,03 0,02 0,03 0,015 0,03 0,02 0,08 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 10 10 0,02 0,02 0,02 0.02 0,02 0,02 (4,5) (4,5) (4,5) (4,5) (4,5) (4,5)
Продолжение табл. 29
Сткр И А g vnj/dpo^ (зкл МКС. РУ более (при Т ==- 298 К) /6ЫКЯ мкс ее бстес (при Т =- 298 К ) Тип корпуса Номер рисунка
7 - 8 9 10 12
1 10 1 25 МТС 2 2, г
1 10 1 25 МТС »
0.6 10 -— 40 МТС 2 2, д
0,6 10 40 МТС То же
0,6 10 — 40 МТС »
0,6 10 — -10 МТС
0,6 10 — 40 МТС
0,6 10 — 40 МТС »
150 500 35 — мтк 2 2, е
150 500 100 — МТ к То же
150 500 100 мтк »
150 400 35 — мтк »
150 400 35 — мтк »
150 400 35 — мтк 2 2, е
1 2 3 4 5 ь 7 8 4 п
КУ108Р КУ108С КУ108Т КУ 1 ОЗУ КУ108Ф КУ108Х куюзц КУ109А3 КУ 109 Б КУ109В КУ 109 Г 2УИ0А 5 5 5 5 5 5 5 1 1 1 1 0,3 4 4 4 4 4 4 4 1 1 1 1 2 800 800 800 600 600 600 600 700 750 700 50 300 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 0,3 0,3 0,3 0,3 0,1 (4.5) (4.5) (4,5) (4,5) (4,5) (4,5) (4,5) 100 100 100 100 0,5 150 150 150 150 150 150 150 12 12 12 12 0,6 400 400 400 300 300 300 300 50 50 50 50 10 Л 1 Г4 , 1 1 Г 1 1 ^*'О^02оо | j [ j ( 10 15 50 50 8 МТК мтк МТК МТК МТК МТК МТК мгс М ГС МТС МТС МТ То ж< » » » 2 2, ж То же » » 2 2,3
КУ110А 2У110Б КУНОБ 0,3 2 200 0,2 0,1 0,2 0,5 0,6 10 — 8 МТ То же
2У110В 0,3 0,3 2 100 0,1 0,5 0,6 10 8 мт »
КУНОВ 2У111А 2 400 0,2 0,5 (0,1) 15 100 — 20 МТС 2 2, и
2У111Б 0,3 2 400 1,0 0,5 (ОД) 15 100 — 20 МТС То же
2У111В 0,3 2 400 1,0 0.5 (0,1) 15 100 — 100 МТС »
2У111Г 0,3 2 400 1,0 0,5 (0,1) 15 100 — 100 МТС з>
и* 1.0
1 Диапазон рабочих температур для тиристоров КУ 102 составляет —15 4-Ь5сС для других 5Э -J-110 4
2 Тир пс торы серин 108 относятся к тиристор ам большой мощности, хотя по маркировке могут кл асе щЬ «пиров атьс я как т иристоры м а чои мощи ост и
g а То же можно сказать и о тиристорах серии 109 по значению /этьр ср majc — это тиристоры вредней мощности а по маркировке — малой мощности
g 30. Триодные тиристоры средней мощности
Tim тирис. глрп Арад da dHio^ 1 A н? 6u.it? (Кри /ir,|, р j j , j 1 ) / \ он 1 Г? 1 и в пр ,кр IT. / j А нс йоi Т От (/ , \ in. О и 1 /г ' 1т 1 J
1 J 3 4 Г1 6
2^201Л КУ201А 2 2.5 30 30 100
2У201Б КУ201Б 2 2.5 30 30 100 |
2У201 В КУ201В 2 2,5 30 60 100
2У201Г КУ 201Г 2 2,5 30 60 100
2У201Д КУ 201Д 2 2,5 30 120 юо 1
2У201Е КУ201Е 2 2,5 30 120 100
2У201Ж КУ201Ж 2 2,5 30 240 100
2V20HI КУ201И 2 2 5 30 24(> 1 on 1
2 У 201К КУ201 К 2 2.5 30 360 100 1
2У201Л КУ 201Л э 2.5 30 360 100
К.У202А 10 2 50 25 200
КУ202Б 10 о 50 25 200
I 09
d4i
□ L 4 5 6
КУ202В 10 2 к. 50 50 200
КУ202Г 10 2 50 50 200
2У202Д КУ2О2Д 10 9 50 120 200
2У202Е КУ202Е 10 2 50 120 200
2У202Ж КУ202Ж 10 2 50 240 200
2У202И КУ202И 10 2 50 240 200
2У202К КУ202 К 10 2 50 360 200
2У202Л КУ202Л 10 2 50 360 200
2У202М КУ202М 10 2 50 480 200
2У202Н КУ202Н 10 2 50 480 200
2У203А КУ203А 5 2,5 100 50 (1)
2У202Б КУ203Б 5 2,5 100 100 (1)
2У203В КУ203В 5 2,5 100 150 (1)
2У203Г КУ203Г 5 2,5 100 200 (1)
2У203Д КУ203Д 5 2,5 100 50 (D
2У203Е 2 КУ203Е 5 2,5 100 100 (1)
10 — 10 150 МТК
10 60 10 150 МТК
10 — 10 150 мтк »
10 120 10 150 мтк
10 — 10 150 мтк
10 240 10 150 мтк
10 — 10 150 мтк »
10 360 10 150 мтк »
10 — 10 150 МТК
10 480 10 150 мтк 2 3, а
20 — 3 7 М! 2 3, б
20 — 3 7 мт То же
20 3 7 мт »
20 — 3 1 мт »
20 60 3 1 мт ъ
20 100 3 1 мт 3>
39
к го Ю Ю to ГО ГС to 5; to «< "< "< г< '< ‘Ж. '< ’< << <J =< ю ю ю ю to to to ю to ,0 to ОФФ О О —' :— t~i О ‘-Й О Ю to x T> to X to < 7C w tS 25 —] X
N4 7 ОС-O'. Ci Ci 01 p Qi Cl>^30Ul>’~)CcCrl>>> tc 23 0 CT >> s — Тип рист'
TP tJ
01 I от Го , го 0 0,1 o.i to to t - ГС- tc Cl Cl KP Мткр i P ntJJO
Ю T^ Чтм r- A ho
Qi jl 4~ »b t- 4^ 1 1 ! J-* l-f^ Cl Cl боиее (11 pil !OTp p 1 p Jf Ц 1 )
20 20 100 100 05 03 001 О О Ф О О О 1 1 I 100 1 1 001 H-* / . A 0Тл| U
'— _ _ C’C О СЛ Ф Ф c Ф — Oc Ф <£ Ф О О X CD О Ф О rc 0 001 0 200 1 150 СЛ ъ . В i r Jhp ne k
— — О О p p 'o 0. СЛ ui Cl U1 Ч» .Г' ‘ *. PP to О Ф Go d С О 250 250 250 k> (0 0) p Kj м И 4 м И (it ! , мА не бппее v от <fy от и А’ н 60 нее)
. - - — / A ric :к j
ui Cl Oi (Cl Zji O1 C'l Ci Cl Cl ча-' "J более
100 9 0 001 100 100 , 100 1 1 t’C 150 JO г В иир /пах
f . , МКГ, ИС
Cl ci 0 0.2 7 7 Ф -P ф rc p UI 1 1 CO GJ Г> ол ее
0 Ct Ъ i cr ф cc О О Ci 1 1 | -J 1 мкс, не ВПК 1 (5 от се
MT К MT К МТС МТС MT мт к мтк Ml МГ MT МГ Ml MT 1W — Тил корпуса
» 2 3, 0 To же » 2 3 г Io ?ке 2 3, a । To же To же я T S V to 1 омej. [>и< \ нка
Продолжение табл 30
2 г 1 J и * ч, 1
2\2Э7В 2J-207 Г 2У207Д 2У207Е 2У208А КУ208А ю 3,5 100 200 (0,5) 10 15 0,9 MH
ю 3,5 100 200 (0,5) 10 200 15 (55 MTC.
ю 3,5 100 300 10,5) 10 13 05 MH
ю 3,5 100 300 10.5) 10 300 15 0,5 MIC
5 9 15 100 250 5 '00 130 6) MT 2 3, и
2У208Б КУ 208 Ь 5 5 2 15 200 250 5 200 300 400 150 10 M'l То же
2У208В КУ2О8В 2 15 300 250 3 150 10 M 1
2У208Г КУ208Г 5 0 -Akf 15 400 250 5 150 10 Ml
КУ211А КУ 21 I Б !0 Ю 3 3 200 200 800 800 GOO GOO 2 2 800 806 ЬО 120 — мт к мтк 2 3, г То же
К.У 21 IВ КУ2ПГ КУ2ПД Ю 3 200 700 600 9 70( GO — M'l к
ю 3 200 700 600 2 700 120 — MIK
ю 3 200 600 600 2 600 60 мтк
КУ211 Е КУ2ИЖ КУ2НИ ю 3 200 600 600 2 600 120 — мтк
!0 10 3 3 200 200 500 500 600 600 2 2 500 500 GO 120 — мтк мтк *
ку MS
2.Xi01, Knieit 2а;эз, кыпз
2УЮ2 KVK2
2УЯЧ КМОЧ
2У10Б
2У1Р7
лу СО
е /
Au 7f?
Рис. 2 2. Трнннсторы малой мощности
2У2ШЛ Г, KV2OBA Г
2‘J2'J5
2ШЗ
Упра&.яющии <3
Аноды \ЭАект^с1д £;
Рис. 2 3 Трнннсторы средней мощности
64
3. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
3.1. Система обозначений биполярных
транзисторов
Биполярные транзисторы, разработанные до 1964 г.,
к оссифицировались по мощности (малой — Р ^7 0,25 Вт и боль-
шой — Р 0,25 Вт) и по частоте (низкой — f 5МГц и высо-
той — ) > 5 МГц). Условные обозначения плоскостных тран-
ок торов по ГОСТ 5461—59 состоят из двух или трех элементов.
Первый — буквы П или МП. Буква М обозначает, что гер-
‘нчизация корпуса транзистора осуществлена методом холод-
ной сварки, меньше влияющей на структуру и свойства полу-
проводниковых переходов транзистора. По параметрам эти
фанзисторы соответствуют таким же транзисторам без буквы М
н обозначении.
Второй элемент — число, указывающее на область приме-
нения и исходный полупроводниковый материал:
маломощные низкоча-
Маломощные высокоча-
1 1 Oi пые. стотные:
[ерманиевыи 1 100 I ерман иевы? 401. .500
кремниевые 101. .200 кремниевые 501 600
мощные низкочастотные, мощные высокочастот-
i(рманневые 201 300 ные германиевые 601 .700
кремниевые 301 .400 кремниевые 701 .800
Третий элемент — буква, обозначающая разновидность
1 рибора или модернизацию.
В 1964 г ГОСТ 10862—64 была установлена новая система
ииозначений полупроводниковых приборов В нее в 1972 г.
I-н< сены уточнения В соответствии с этими стандартами си-
лема обозначений биполярных транзисторов включает шесть
• шментов.
Первый —буквы Г, К, А нли цифры 1, 2, 3, обозначающие
щ ходный материал — соответственно германий, кремний или
коединения галлия (цифры используются для маркировки при-
♦ оров, предназначенных для применения в аппаратуре специ-
ального назначения).
Второй элемент обозначения — буква Т.
Третий — цифра, указывающая на основное назначение и
1 ачсственмые свойства транзистора (см. таблицу).
I । мт В |1 11 ,ф
65
Максимально допустимая мощность
Вс П X н Я * ridlH ||ПЯ ЧкТ Ч J до 0,3 Вт (чалои мощности) от 0,3 да 1,5 Вт (сроднен мО111.нсет1) Свыше 1 3 Вт (большей мощности)
До 3 МГц (низкой частоты) 1 4 7
От 3 до 30 МГц (средней частоты) 2 5 8
Свыше 30 МГц (высокой частоты) 3 6 9
Четвертый и пятый элементы —- двухзначное число, опре-
деляющее порядковый номер разработки техноло!ичсского типа
транзистора.
Шестой элемент, обозначаемый буквами от А до Я (за
исключением букв 3, О, Ч, сходных по начертанию с цифрами),
отражает деление в технологическом типе на параметрические
группы.
Условные графические обозначения биполярных транзисто-
ров приведены на рис 3.1
Рас. 3 L Условные графические обозначения биполярных тран-
зисторов:
а — транзистор типа рпр б — транзистор типа л/м; в — лавншгын тран-
зистор тина п р л, г—однопереходный транзистор с л-базой, д — однопереход-
ный транзистор с р базой, е—транзистор типа р-п-р с дауия базовыми вы-
водами, ж.— транзистор типа p-n-i-p, и — транзистор пнм pnip с выводом
«л 2-области
Система обозначений современных транзисторов установлена
отраслевым стандартом ОСТ 11 336.038—77 и состоит из семи
элементов.
Первый и второй — такие же, как у транзисторов, приве-
денных в ГОСТ 10862—72.
Третий — цифра, определяющая основное назначение и ка-
чественные свойства транзистора (см таблицу).
66
M j кс i” а т uric» ;on\i'i!\nn м ш.н c i =
1 [' 11.1 я гр а । ичнзя < 1 tr- J ю ] Вт Свыше 1 Вг
Ю МГц 7
Ю то 300 МГц 2 8
ише 300 .MI ц 4 9
Четвертый, пятый и шестой элементы—трехзначное число
>. 101 до 999, обозначающее порядковый номер разработки
Седьмой элемент — параметрическая группа в технологи-
1 ском типе транзистора — обозначается буквами от А до Я
1 .а исключением букв 3, О, Ч).
3.2. Электрические параметры
биполярных транзисторов
Электрические параметры биполярных, однопере
\ од пых и двухэмиттерных транзисторов, используемые в настоя
тем справочнике, приведены в табл. 3.1—3 2.
:и. Биполярные транзисторы
Термины Буквенные обозначения Определения
Обратный ток коллск- । (tpа ^КБО Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряже-
(Щратиый ток эмит- 11 ра ^ЭБО ним коллектор — база и разомкну- том выводе эмиттера Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении
< шрцтиый гои коллек- । <>j> — эмиттер эмиттер — база и разомкнутом вы- воде коллекюра Ток в цепи колл ек юр — эмиттер при заданном обратном напряже-
1 п>ратный ток базы 11 шряженне насыще- нии коллсктоэ— эмит- ^БЭХ ^КЭ нас нии коллекюр — эмнттер Ток в цепи базового вывода при заданном обратном напряжении коллектор — эмиттер и заданном обратном напряжении эмипер— база Напряжение между выводами кол- лектора и эмиттера в режиме пасы-
11 Р 11 111 р нжон не насыще- ии i 6.IHI эмиттер БО нас щения при заданных токах базы и коллектора Напряжение между выводами базы и эмипера в режиме насыщения при заданных токах базы и коллек- тора
67
Продолжение табл 31
TtpMii ни Буквенные обозначения Огц еде.!ОН НЯ
Входное сопротивле- ние биполярного трал зистора в режиме мн Пи Отношение изменения напряжения па входе к впивавшему его измене- нию входного тока в режиме ко-
лого сигнала Коэффициент oGpai - ной связи по напря- жению биполярного Л?2 роткого замыкания по переменному юку на выходе транзистора Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его измене нию напряжения на выходе в рс-
транзистора в режиме малого сигнала Коэффициент переда- чи тока биполярного транзистора в режиме hl, жиме холостого хода во входной цепи по переменному току Отношение изменения выходного тока к ввивавшему его изменению вхоцюю юка в режиме короткого
малого сигналя Модуль коэффициен- та передачи тока би- полярного транзисто- замыкания выходили цепи но пере- менном v I оку Модуль коэффициента передачи то- ка в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой
ра па высокой частоте Выходная полная про- водимость биполярно- го транзистора в ре- Л И частоте Отношение изменения выходно! о тока к вы шавшему его изменению выходного напряжения в режиме
жиме малого сигнала при холостом ходе Входное сопротивпе- нис биполярного тран- зистора в схеме с об- холостого хода входной непи пл переменному току Отношение напряжения па входе транзистора к входному току при заданном посюянном напряжении
щим эмиттером в ре- жиме большого сигна- ла Статический коэффи- циент передачи тока биполярного транзн- /lyn(/l2iE коллектор — эмиттер в схеме с об- щим эмиттером Оз ношение постоянного тока кол- лектора к постоянному току базы прн заданных постоянном обраг-
стора в схеме с об- щим эмиттером Входная полная про- водимость биполярно- ном напряжении коллектор — эмит- тер и токе эмиттера в схеме с об- щим эмиттером Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванно-
го транзистора в ре- жиме малого сигнала Полная проводимость обратной передачи би- Y-4 му им изменению напряжения на входе при коротком замыкании ио переменному току на выходе Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызвавше
полярного транзисто ра в режиме малого сигнала Полная проводимость прямой передачи би- Я, му его изменению напряжения на выходе при коротком замыкании по переменному току на входе Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвав-
полярного транзисто- ра в режиме малого сигнал я шему его изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе
68
Продолжение таб i 31
[ I 1Н||/ Букпошгые оботпачсния Определен»я
1 к 1Ь полнойпрово- । кт и прямой nepe- in биполярного г г», и гора Модуль полной проводимости пря- мой передачи в схеме с общим эм ит- тером
!\<иная полная про шмость биполярно- 1 ранзистора в ре- ме малого сигнала и коротком замы- ши Отношение измене шй комтекснь к величин выходною тока к вызван- ному нм изменению выходною на- пряжения При коротком замыкании по переменному току на входе
< а гпческая крутизна 'ямой передачи в * чес общим эмнтте- А| Отношение постоянного тока кол- лектора к постоянному напряже- нию база — эмиттер при заданном напряжении коллектор — эмиттер
.одная емкость би- > ।npnoi о транзисто- 1 I с?, Емкость, измеренная на входетран- зистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малою сигнала
ыходцая емкость би- тярного трапзисто- । С|? Емкость, измеренная на выходе транзистора прн разомкнутом входе по переменному току в режиме ма- лого сигнала
ределытая частота >ффициента пере- рш тока биполярно- > траизнс!ора ^2 [б Частота, на которой модуль коэф- фициент передачи тока в схеме с общей базой падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением
роде1ьиая частота bi „. _ Частота, на которой модхль коэф-
> >ффнциснта пере (чи тока базы би- »। ирного трапзисто- 1 J i J фициента передачи тока в схеме с общим эмиттером падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением
р,шинная частота ко- [.фицпента передачи .ка в схеме с общим пит ером *М> Частота, на которой модуль коэф- фициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполирует- ся к единице
юффиннепт шума щотярного (рапзи- р а Кш Отношение мощности шхмов на вы- ходе транзистора к той се час hi, которая создана тепловыми шума- ми с ойрот ивления источника сиг- нала
«оффициент насы- t Щ1Я биполярного । шзистора Х„ае Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения
< > >ффицнент уенле- .1,1 но мощности би- > ирного траизигто- Ki'p Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подава- емой на его вход, при определен- ной частоте и схеме включения
। j рфидиент полез- Пк Отношение выходной мощности
69
Продолжение табл 31
। l;уины Б\квелпы? ov <j j н аче л и я - — О [ 1 НЦ11Я
ного действия кол лектора транзистора к мпниил । и потреб ЛЯРМОЙ Of ИСТОЧНИКИ КО 1 ККГОрЧОГО питания
Время задержки для бичол ирного транзи стора Интерват времени мел*.дх момюта ми па рас[ан ня фронтов входного импульса до значения, соответст вующего 10 % его амплитуды, н выходно! о импульса до значения, соответствующею 10 % его амп ш туды
Время нарастания для биполярного транзи crop а Р Ипгсрпп вргмепи между момента ми нар нт щия фрочга выходною нули ил a of наченпч cootbcici вукидсю 10 % сю ампиисды до значении соответствующего 90 % его амплитуды
Время рассасывания для биполярпоготран знстора ^рас Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего нм пульса и моментом, когда напряже ине на колликюре транзистора до- стигает заданною хровня
Время г и * bi д in би пол ирного трап тисто ра 'сп Инте рвал времени меж iy момен- тами спада срсча ныхо uioi о им- пульса от значения, соответствую- щего 90 % его амплитуды, до зна- чения, соответствующего 10 % его амплитуды
Время включения би ПОЛЯрНО!о транзисто ра вча Интервал времени, являющийся суммой времени задержки н на- pat танин
Время выключения бн полярного транзисто ра ли К.1 Интервал времени между моментом подачи па базу запирающего им пульса и моментом, йен та напряже- ние на коллекторе транзисюра достигает значения, соответствую- щего 10 % его амплитудного зна- чения
Сопротивление базы биполярного транзн стора г6' Conpoi ивленис между выводом ба зы и переходом база—эмиттер
Емкость эмиттериого перехода С3 Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмитюр — база и режиме коллекторной цепи
Емкость коллектор- ного перехода С* Емкость между выводами базы транзистора и коллектора при за- данных обратном напряжении кол лектор — база и режиме эмиттер- нои цепи
70
Продолжение табл 31
1.р м Н“Ы Б V'r.BCb Н1J С обгона юаня О'реде тения
<>i i о !иная времени I обратной сини! i высокой частоте । । лярнО1 о транзи Г -р 1 Тк Произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторно го герехо id
Ирит (веский ток би п ияр юго транзнсто I1 J Значение юкя коллектора при до стяжении которого значение f |/*21г*1 па^ает на 3 дБ по одно шепию к его максимальному зна чению при заданном напряжении коллектор — эмиттер
Г раиичное напряжс i <е биполярного тран шетора ^КЭО гр Напряжение между выводами кол лектора и эмиттера при гоке базы равном нулю, и заданном токе эмит- тера
Плавающее иапряжс иие эмиттер — база 11 4 *1111 । Напряжение между выводами jmhi гера и базы при заданном обратном напряжении коллектор — база и токе эмиттера, равном нулю
11 апряжение смыка пия биполярного тран актора ^ечк Обратное напряжение коллектор — база, при котором начинается ли- нейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор — база
11 робщщос нанряже пне коллектор — база ЦБО проб Пробивное напряжение, измеряе мое между выводами коллектора и базы, при заданном в техниче ской документации токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю
1 (робивное напряже нне коллектор — эмит- ир L’3 КЭ проб Пробивное напряжение, измеряе мое между выводами коллектора и эмиттера, при заданном в техни ческой документации токе коллек тора
Термины, относящиеся к режимам эксплуатации
(измерений)
Постоянный ток кол- Постоянный (ок, протекающий че
юктора рез коллекторный переход
Постоянный ток эмнт- Постоянный ток, протекающий че
11 ра рез эмимерный переход
Постоянный ток базы Постоянный ток, притекающий че
рез базовый вывод
1 1о(_ТОЯННЫЙ ток КОЛ iК наг —
1 Kiора в режиме на
< 1 1Г Lt НИЯ
Продолжение табл. 31
Tt рмнпы Буквенные обозначения Спреде 11 НИЯ
Постоянный ток ба ты Б н зс -
в режиме насыщения Импульсный ток кол- \ II Импульсное значение тска коллеп,-
лектора тора при заданных скважное!и и
Импульсный ток эмит- И длительное]и импульса Импульсное значение тока эмнтте-
тора ра при заданных скважности и дли-
Постоянное напряже- crl оь тельности импульса Постоянное напряжение между вы-
нис эмиттер — база , ,5 водами эмиттера н базы
Постоянное напряже- ПКБ Постоянное напряжение между
ние коллектор база выводами коллек юра и ба in
Постоянное напряже- Поп ояипое напряжение между
ние коллектор — эмнт- выводами коллектора и эмиттера
тер Выходная мощность ^вых Мощность, которую О1даег трал-
биполярного транзи- знстор в типовой схеме генератора
стора (усилителя) иа заданной частоте
Постоянная рассенва- р Суммарное значение постоянной
емая мощность бипо- ИОЩНОС1И, рассеиваемой в транзи-
лярно!о [рапзистора сторе
Средняя рассеивае- ^Ср Усредненное за период значение
мая мощность бино- мощности, рассеиваемой в тран-
ляркого транзистора знсторс
Импульсная рассенва- Пиковое значение мощности, рас-
емая мощность бипо- сенваемой в транзисторе, при ра-
лярного транзистора боте в импульсном режиме
Постоянная рассенва- рк Постоянное значение мощности,
емая мощность кол- рассеиваемой на коллекторе трлн-
лектора висгора
Средняя рассеивае ер Усредненное за период значение
мая мощность коллек- мощности, рассеиваемой на кол-
тора лекторе транзш юра
[ При разомкнутом выводе базы — /[<ЭО> СЕО' 1 Ри короткоимнпутых выпотах эмцт
тс ра и базы /}<ДК CES' ПРИ заданном с овраги в лен и и в цепи б i1 i - эчл г <р
^CER* 1!РИ заданном обратном напряжении эмиттербаза ^эх- hix
Е В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б>
и «э> для отечественных буквенных обозначений н пли «е» — для межтународных
обозначений
г При токе базы, равном нулю, проб' ^\вЛ?)С'ЬО’ ^Р11 заданном сопротивлении в цели
база — эмиттер Бгкэц проб’ ЩвЦХСЕЦ.' ПРИ КОР01 ком замыкании в цена база — а миг
гер С'кэк проб> ^(eff)CCS- ПР” заданном обратном напряжении база — эмиттер С^кЭХ проб"
ЩвЯуССХ
4 При заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю, 6*350,
^ГВО
При заданном токе котлектора и токе эм1 ттерл, равном нулю, 6rf
5 При заданном токе коллектора н токе базы, равном нулю, U c£q, при заданном
токе коллектора и сопротивлении в цепи база — эмиттер ПРИ заданном
токе коллектора и коротком замыкании в цепи база — эмиттер ^КЭК- ^CFS> ПРИ за*
данном токе коллектора и заданном обратном напряжении эм нттер — база б\эх.
U СЕХ
72
11 p и м с ч а и н я 1 Помимо указанных терминов определений и бхквенпьх обозначо
пни 1локтр„чсскр х параметров биполярных транзисторов, рскомс-гт,опанных
1 <)| I J0003 - 74, в справочнике для биполярных транзисторов приводятся и другие
11 11 ' ^пер вор тепловое сопротивление переход — корпус, окр— те~ловое сспротив
i и и I. переход — окружающая среда ^?згЛ^вэ) — сопротивление в цепи эм нттср база
[I bi зм нттср), Ипср —- температура перехода, 9кпр температура корпуса, 0Сн. —
1 мщ натура окружающей среды, !и—длительность импульса, Q- скважность импуль
11 ^пк ” время переключения биполярного транзистора, i — средний ток эмиттера
К буквенном у индексу макси мал ыю допустимых значении' параметров 1 сбавляют с >
: I С j ИЛИ «ПИП »
32. Однопереходные транзисторы
Термины Буквенные обочцачеиш1 Определении
Обратный ток учетам ^ЭБО Обратный ток эмиттерного пере
хода, смещенного в направлении, обратном базе 2
Ток модуляции L Б^мрн Минимальный ток цепи базы 2 при заданном напряжении между ба-
замн и эмиттерном токе
Ток включения / вкл Значение эмиттерного тока, при котором происходит переход тран- зистора из закрытого состояния в открытое
Ток выключения I выкл Наименьшее значение эмиттерного 1 ока, при котором сохраняется открытое состояние
Остаточное напряже- ^БЭ нас Прямое напряжение на эмиттере
ние при заданном токе эмиттера и меж- базовом напряжении
Коэффициент переда- К и Отношение максимально возмож-
чи иого эмиттерного напряжения на
р-п-переходе к приложенному меж- базовому напряжению
Межбазовое сопротив- /?R Г Ь1 Ь j Сопротивление между базами тран-
леиие зистора при заданном межбазовом напряжении
Максимально допусти- мое межбазовое иа- ББ^чакс ——
пряжение Максимально допусти- мое обратное напря- жение между эмитте- ром и базой 2 (/_ о Б2Э макс —
33. Двухэмнттерные транзисторы
Термины Буквенные обозначения Определения
1 ок закрытого ключа К Э эакр Ток через эмиттеры транзистора при закрытых переходах коллек- тор — база / и Коллектор — ба- за 2
11 |доиие напряжения и i открытом ключе и отк Напряжение между двумя эмитте- рами транзистора прн открытых
73
Продолжение табл 33
Термины Буквенные обозначения Опр Picven и я
переходах коллектор — база 1 н коллектор ба hi 7 при токе эмит- iepa, равном нулю
Напряжение на управ ь У Падение напряжения на управ
ляющих переходах ляющих переходах коллектор — база 1 и коллектор — база 2
Максимально допусти мое запирающее на- пряжение управления между коллектором и базой / или коллекто- ром н базой 2 В L j «л..
^Максимально допусти- мое напряжение на за Критом ключе между эмиттером 1 и эмит- тером 2 и 3j } Mdhi. Сопротивление, измеряемое между
Сопротивление откры- ^ОТК
того ключа эмиттерами транзистора при рабо- чих токах эмиттера н базы.
4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
МАЛОЙ МОЩНОСТИ
4.1. Биполярные транзисторы малой мощности
низкой частоты
Назначение выводов* внешний вид и основные раз-
меры корпусов биполярных 1ранзисюров малой мощности
низкой частоты приведены на рис. 4 I.
МП 20, МЛ21, МП25} МП2Ь,МП35-чг
Zrri5t KTW
Рас. 4 1. Биполярные
транзисторы малой
мощности низкой час-
тоты
75
МП20, МП20Л, МП20Б,
МП21, МП21А, МП21Б, МП21В, МП21Г
Германиевые сплавные транзисторы р-п-р Пред-
назначены для работы в различных устройствах радиоэлектрон-
ной аппаратуры в режимах усиления и переключения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.1, а).
Г1 арамстры Режим измерения МП 20 MI 121 МП20Л МП20Ь МП21 4 МПЯ1 в MI 121 Г
МП21Б
/? . 21 э Дбо’ мкА Л мкА ^КБ = ~5 В; /э = = 25 мА; / = 50. .1000 Гц, 0оьр-203С 0 = 70 °C окр о =-60 °C окр ^КБ К.Ь та\1 Оокр = 20 °C %кР = 70 “С 6Л = -30 в Jb 50 ..150 20 GO 50 200 20 .75 25. 150 15...60 <50 <250 <50 50 . 150 80 200 50 2001 80 2501 30 1502 3 60 .2002 <50 <300* <50 50. 150 20 80 50. 200 20.. НО 25... 150 15...80 < 50 <250 <50 20.. 100 20 80 20 1501 20 1201 15. . 1002 15. .802 <50 <300* <50
/ , МГц и кь = -5 В; /д = 5 мА /к — 300 мА; /_ = 60 мА Ь > 1 >2 > 1 >1.5
1/^ - R К Э нас <0.3 Л\ V/ >0,465 <0,3 on Л\ V
С/ , В Л. = 100 мА >30 >35 —
КЭ пр’ П[ ^КП mu' В э сдельно допустимые — 60 °C < О < ОКр >35 зкенлу а — 50 >40 ।анионные — 70 ? данные -30 -40
t/.. , в у /О С — 60 сС < 0 < СЛ, окр — 70 -30 -35 — 20 -60 -30
и ’ в JЬ max С /О С -со’с<-о < <70лС °кр — 35 -50 — 40 -50 — 30 — 35 -300
I. , мА К и ячп То же, при т < <С 10 мкс; Q — 2 ЗОО3 ЗОО3 ЗОО3 ЗОО3
Р1 , мВл Н < 35 °C 150 150 150 150
К та х Н = 70 =С 45 45 45 45
— 0,33 0,33 0,33 0,33
0 , °C — 85 85 85 85
пер „ 0 °C охр —* —60... + 70
1 При температуре 60 °C
2 При температуре —55 °C,
3 При температуре окружающей среды более 35 С мощность (мВт)
рассчитывается по формуле Р„ =(85 — 0 \/0,33.
г т г-' К т l г Jhp
76
В -0,1 -0,4 иБЭ,В О -Ц2 -0,4 УБЭ,Й О -7 -2 -з uK3,s
МЛ21А
/
г5
\3
5
-7
K3i
77
МП25, МП25А, МП25Б,
МП26, МП26А, МП26Б
Германисвыс сплавные i ранзисторы р-п-р. Пред-
назначены для работы в переключающих и усилительных кас-
кадах радисылскт ровной аппаратуры широко! о tip нмсцення.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с |ибкими выво-
дами (рис 4.1, а).
П ip.i .1 j )U P.moiv и лпеинч М [125 MH2SA МП 26 ЧП2С X
МП25Б МП26Б
_’** О С -С’’1 й- Я - 2 с ш о 5 * ' es г * “ rj _J — . J-* з: s у 03 03 > > /' =2,5 мА; О' f=l кГц, 0 =70' С П Ь I > 0” = 50 С А''р = и КБ р<Б та t ,ЭБ "7^ -Щ пки /' =2,5 мА, С' = -20 В / = 100 мА; / Г= 100 мА; /_ И =-20 В;/ =-20В; = 2.5 мА; / = ^КБ= -з° В, —- 25 мА, [ = 1 -- -20В; = 20 С -р = 30 мА = 30 мА = 500 кГц ^00 кГц к1 ц 10 25 10.65 6 25 тг / О С 75 > 200 <0,3 С 1.2 <70 < 160 < 1,5 /А /А /А /А/А W /л Z' ।— — S — q У1 М’, >' 1 и1 О С ND С § g 10 25 10. 65 6 25 С 75 < 75 >200 <0,3 С 1.2 <503 < 160 < 1,5 О о * ты р lft ’А ; о о 2?. о CD В. I -. (> О.| Ю Q — Ю —' — V/ V/ А Л V/ V/ V V/ V
^КБ max' ЭБ max'1 ^КЭР r-«r К н<1с та f <с т,с'’ К max 0 ^пер max „ пср-охгР С/мВт 0 , ’С оьр 111 в в , в мА мА мВт °C хедельно допустимые эксп — 60 °C С о с 70 °C - 60 °C < 0°кр < 70 °C , . „окр — 60 °C со С 70 °C л окп — 60 °C С 0ок с 70 °C — 60 °C с 0ОКР С 70 °C -60°СС0'1КРС35°С окр луатацш —404 —40 - 40‘ 300 300 2006 75 0,2 знные д! —404 — 40 —404 400 400 2006 75 0,2 1ниые - 7 О5 —70 -705 300 300 200б 75 0,2 — 705 —70 — 705 400 400 200б 75 0,2
-60 . +70
1 При / — 1,5 мА; U — — 35 В для М.П26, 2 Пря Г — 20 мА для МП25А, МП26А и I МП26Й Ь 3 При Uv^ = -35 В. 4 Пря (Г < 50 °C и Р < 100 мВт УКБ max 5 При 0°КР < 50 °C и Р*<Г100 мВт Uv_ При 0 >35С мощность (мВт) рассч Рк ^5(75-0 ). К ' Okp МП26А и МП26Б = 15 мА — для МП25Б, max——60 В- = maj= 'ОПВ ш ывается по формуле
78
Z? 0 -10 -ZO tfK3,5 0 -10 -20 U^3iB
0 -10 -ZO -30UK3,B -80-40 0 40Q°C-Z0 0 20 40 £Цкр,Т
МП35, МП36А, МП37, МП37А, МП37Б, МП38,
МП38А
Германиевые с плавные транзисторы n-p-n. Пред-
н.пначены для использования в каскадах усиления напряжения
промежуточной и низкой частоты, импульсных и других устрой'
* шах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
79
Выпускаются в металлостсклянном корпусе с гибкими выво-
дами (рис. 4.1, а)
Параметры Режим измерения МП35 MI137 МП 37 А МПЗ 8
МП 36 А М1137Б МП 38 А
h 2 1э =5 В, / = 1 мА; „ КЬ _ J = 1 кГц, 0 = 20 ПС окр 13 . 125 15 45 15 30 15 30 25 50 25 .55 45 . 100
^КБО’ Ч|э’ Ом 0 h 22Э’ С , пФ , дБ ш мкА МГц мкСм 0 = 70 °C окр f) = — 60 °C окр U -5Н, (’ =20 °C КБ икр _ _ 0 - 70 °C 5 В, °7\ = 1 мА О' =5 В, / = 1 мА; , r\ b J f = 500 кГц А = I мА; U =5 В; 1 КБ f = 1 к1 ц U= 5 В; / = 465 кГц = 1,5 В; / =0,5 мА; _ Kb f = 1 кГц Д1./Л/Л /Л vkv /Л /Л + ф w г- — о W д „ ® VI о V J ° Си КЗ V Сю СП о о . Л/Л /Л V /Л/Л .О р о гэ — j* oj : О О О Со Q0 -л О с О VI 15 85 25 ..140 6 30 8 .50 <30 < 400 <200 <2,5 <60 I /Л Л А V /Л/л g.“ g W gg СП 5 Э ° О VI VI ° © о
Предельно допустимые эксплуатационные данные
В /<„=200 Ом; 0 = 40°C 15 15 30 15
K3R тал БЭ окр
Оокр — 40 °C 10 10 20 10
и VK Ь Б тт в -60 °C < 0 11 If n £40 °C 15 15 30 15
0 >40 Un P °C 10 10 20 10
^К тал ^К нас таг нас max' мА мА мА 1 1 |о g ggs О л О п ° о /А /Л /А :e e 0Kp£ OKP 7 Оокр <70 °C £70 °C <70 CC 20 150 150 20 150 150 20 150 150 20 150 150
мВт — 50сС ' 6 < 55 °C 1501 1501 1501 150'
К tz. a v 0 СС OKp 85 85 85 85
11 ер mgx
9 , С окр — -60 + 70
1 При температуре более 55 °C мощность (мВт) рассчитывается по
формуле Р = 5(85 — 6 )
т Г J К тах к 0Кр/
МП39, МП39Б, МП40, МП40А, МП41, МП41А
Германиевые сплавные транзисторы р-п-р. Пред-
назначены для работы в усилителях напряжения низкой частоты
с ненормированным (кроме МП39Б) и нормированным (МП39Б)
коэффицисшом шума.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими
выводами (рис. 4.1, а).
80
И 1 > а м с т р ы Режим изменения МП39 МП40 МП41
МЛ39Б MTI4(R МП41 A
t "кБ=~5 f=l кГц, B, 0 скр 0 'э = 20 : I °C mA; 12 20.. 40 30. 60
= 70 °C 20 60 12 20.. 140 50 . 100 30.. 220
0 or n = — 60 ° C 20.220 5 8 10 50.. 350 12.. 60
\ьо’ мк^ ^ЭБО’ МК^ МГц <iJ6> мкСм г,, Ом О с пф /\Л „ дБ ш П1 ^кь лт’ В И. , В Kb it max Р! , . в с’ , в Ь » к max >' В И) !, . мА 1* т и ' /. , мА h 1! V/ПЛ Г, mBi 1 ' a i /С nip Щ,р (. / ы В । И 1ч |> тих II , °C 1 Ч' Р "КЬ=~5В> СЭБ=~5 В’ trKb=-5 В; = —5 В, Z — Г кГц U г = -5 В, / = 500 кГц П = -5 В, %,= -1Ж / = 1 кГц ^сдельно допу ст — 60 СС < 0 окр 0 окр — 6ОСС<0 ОК|1 0 окр — со с < о окр 0 Lb. 1 — 60 °C <0 Ohp 0 <jhp — ЬО °C 0 ChJ — 60 °C <9 Ohp — 60 °C <0 -GO CC 0M₽ exp 0 = 20‘:C 0°Kp = 70 CC iTP = 20 °C ?;p= I mA = 1 mA; f = = 1 mA; f = f = 465 кГц }_y =0.5 mA, имые эксплуа < 40 °C > 40 °C < 40 °C •> 40 °C <40 °C > 40 °C < 40 °C > 40 °C < 70 °C < 70 °C < 70 °C < 55 °C 8. 60 < 15 <300 <30 >0,5 <2,5 <200 <50 <12 тационпьк — 15 — 10 — 20 -15 -15 — 10 — 20 —15 —5 20 150 I503 0,2 85 -60 <15 <300 <30 >1 <2,5 <200 <50 j данные — 15 -30 — 10 -20 -20 —30 — 15 —20 -15 -30 -10 —20 —20 -30 — Io -20 —5 20 150 1503 0,2 85 I... + 70 20.. 100 < 15 <300 <30 > 1 <2.5 <200 <50 — 15 — 10 —20 -15 — 15 — 10 —20 — 15 - 5 20 150 15O3 0,2 85
При отсутствии запирающего смещения сопротивление в цепи база —
эмиттер не должно превышать 10 кОм.
Среднее значение тока эмиттера за I с не должно превышать 40 мА.
’ I 1|1и кмпсратуре окружающей среды от 55 до 70 °C мощность сни-
жаемая по линейному закону до 75 мВт
81
МП42, МП42А, МП42Б
Германиевые сплавные транзисторы р-п-р Пред-
назначены для работы в переключающих н импульсных устрой-
ствах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.1, а).
Параметры Регким измерения МП42 МП42А МП 42 Б
МКА ! , мкс л ’ в нас и , В ЬЭ нас = - 1 В; / - 10 мА, кэ 0 Лох (ГР _ 70 °C о°кр = —60 °C 1/к = —15&К,|>УЧ =—0,5В, 0 = 20 °C окр Л 0 ~ 70 С (УКБ= -5 В; 1 мА fy'b,.4- —15 В; 1 = 10 мА /к = 10 мА; / = Г мА / _ Ю мА; / ’ = 1 мА l\ h /Л X W /Л /Л °° ? ? О р Ю ~ W — р 4^ ЬЭ р Сл °* 30 .50 30 180 12. 50 <25 <300‘ > 1 < 1,5 <0,2 <0 4 45 100 45. 350 20 100 <25 <300' > 1 < 1 <0,2 <0,4
82
1
р ' ll'l Illi 1 1 1 II 1 МЦ 12 Ml 112Д MI 1 ыь
I
II ^сдельно допу ст им ьы -жа; iy атационньк ? данные
1 В -60 “С < 0 < 70 43 — 15 —15 1 5
1 1 t' 1 В -60 сс с 0 ' < 70 4 —152 —152 - I52
1 1 r'i J ь f 1 и j ’ м А -60 °C Ич. „ < 1) ' < 70 X 1503 150ч 1503
F мА -60 чз ] " С 0 с 70 С 30’ 3D5 ЗО5
4 Г' мВ7 — 60 °C С O‘"P С 45 X 2(ЮЬ 200'3 200°
1 I Lil 0 г2 р
/<>
j1 Tt-P1 1 < мВт 0,2 0,2 0,2
0 [If bl J >1 П V * сс — 85 83 85
IlClr i J. C s' A o , cc —
ukp -6С + 70
1 Для приборов со знаком качества = 250 мкА
. . К Э X
' при отсутствии запирающего смещения сопротивление в цепи база —
- эмиттер не должно превышать 3 кОм
‘ Для приборов со знаком качества С — 200 мА
г 1 К и rtlut
1 Среднее значение тока эмиттера за 1 с
й Для приборов со знаком качества /эср mi,c — 40 мА.
° При увеличении температуры ог 45 до 70 43 мощность снижается
по линейному закону до 75 мВт.
КТ104А, КТ104Б, RT104B, КТ104Г
Кремниевые эпитакснально-илаиарные транзисто-
ры р-п-р Предназначены для использования в радиоэлектронной
аппаратуре широкого применения.
Выпускаются в мсталлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.1, б).
Параметры Режим j ^мерення КТ 104 А КТ1О4Б КТ 104 В КТЮ4Г
Sh 21 С (>'кь= —5 В; I - 1 УКБ = -1 в./ = 10 мА мА О 20 80 15. 80 40. 160 10 160 15 ..60 10. .60
kJlf. Ml ц 17кб = — 5 В. < — 1 мА >5 >5 >5 > 5
/<* Ом ,1 6 к гн1 С7кб = 5 В, /э = 1 мА 120 120 120 120
В 1 =5 мА >30 > 15’ > 15' >30
^КБО’ МК А и " = t/„K С 1 4 1 < 1 < 1
(э Б О ’ М h А уэъ = _ ю в С 1 < I < 1 < 1
С , пФ б'КЕ — 5 В. f = з МГц с 50 <50 <50 <50
Cv пФ 3/эь=-о,5 В/= 10 МГц СЮ <10 < 10 <10
КЭ нас’ В С' , В Б Э нас / = 10 мА; к = 2 мА <0,5 <0,5 <0,5 <0,5
Г =10 мА; / =2 к ь мА <1 < 1 < 1 < 1
I Тредельна допустимые эксплуатационные данные
С' Kl> i^av ВО С 75 °C „окр - —3D2 -152 -15’ —зо2
0 - 100 43 окь —20 -10 — 10 —20
U,^ КЭ1? ггал В Я С Ю кОм; 0 < 75 °C -302 -15’ —152 —ЗО2
0ОЕр = ЮО 43 икр —20 — 10 — 10 -20
83
Продолжение
1 ЫрамСтры Р чПМ измерения КТ1 04 \ КТ ItJtB к 1 1 01 в КП04Г
4/,... , в (1 < 75 СС 1(Г 10“ 10- 10“
b J га л v , мА Й0Кр = 100 с окр 0 75 °C 5 50“ 5 .>0 5 50 ’ 5 50J
ОкП 0 100 сс 30 30 30 30
Р, , мВт'0 ^6О°С К inCi1 2 пкг 1503 150! 1501 150 ‘
/? — 0,4 0,4 0,4 0,4
’<Г/Ж
0 , °C и К |? -55 РЮ0
1 При = 10 мА
г э ii
2 В интервале температур пт 75 до 100 иС иапря 1 ецич
f/кэя тал и тик Л, умснь нлкш'Я цп i 11 к й т! о я у * ikuhv
К PirJ' J
d При повышении температуры от 00 ю 100 ( /юнм uimjh мощи к'гь
(мВт) опрсте..т5'(’т1 я но формуле /JK = 2 5i | 20 0oi р I,
ГТ108А, ГТ108Б, ГТ108В, ГТ108Г
Германиевые сплавные транзисторы рпр Пред-
назначены для работы в усилительных и генераторных ycjpofi-
ствах малогабаритной радиоаппаратуры.
84
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы*
। '» । 1ми (рис 4 1, с).
1 1 I 1 1 Ы Режим mjчср<пия ГТ1И8 5 ГТ 108Б ГТ1Э8В ГТЮ8Г
1 ! . МГц / , мкСм 2 J d 5 Г,О' Оьо- мкА (' , пФ 1 । , нс J ГЦ - В < „ , В КВ и /, мА 1’ /П U V „ мВт k /ли * II , г. ч !1 < 7 < R' / = [ мА, f = 50 ..100 1 ц 0 — 20 < икр 0 г =55 °C г>кр 0..^ —30 ас — — 5 В; / = 1 мА 6\э=-5 в; 6 = = Т мА, / 100 Гц 1/.к 5 В, 0 К =20-С 0°“р = 55 «С С = “5 В Укг> = ~5 В’ f = 465 кГц "кб=-5В' f = 465 кГц сдельна допустимые экс 0 <55 "С 0°hp < 55 QC 0°hp < 55 °C flUhp < 20 < [ >Нч P 20 50 20 100 15 50 ^0,5 <3,3 <10 <250 < 15 <50 < 5 шлуатац — 10 — 18 50 751 0,8 35 80 35. 160 20 80 <3 3 <10 <250 <15 <50 <5 и онпыс -10 — 18 50 751 0,8 - 30. 60 130 60 260 40 1 30 < 1 <3,3 <10 <250 <15 <50 <5 данные — 10 — 18 50 751 0,8 -)-5л 110 250 НО <500 70 250 < 1 <3,3 <10 <250 < 15 <50 < 5 — 10 — 18 50 751 0,8
II] । тгмпгрттvpc CEhFiiic 55 °C п^п^стимая ра'есиваггая тр.’кзпетором мтцногть (мВт)
,i । н : ни а ('тс я по фор\ % ic = {80 — 0 ),'0,8
ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г,
ГТ109Д, ГТ109Е, ГТ109Ж, ГТ109И
Германиевые сплавные транзисторы р-я-р. Пред-
назначены для использования в миниатюрных радиовещатель-
ных приемниках, электронных часах, медицинской и другой
шпаратуре промышленного и бытового применения
Выпускаются в метал л остекляй ном корпусе с гибкими вы-
|"| [ами (рис. 4.1, г).
11 । > iveipb’ Режим измерения ГТ109А ГТ109Б ГИ09В ГТГ09Г ГТ109Д ГТЮ9С ГТЮОЖ ГТЮ9И
1 = ' $ В; / ?- 1 мА. 0 = 25 °C Ot р 20 50 35...90 60 .130 20 701 1002
ПО...250 50 100’ 20 80
85
Продолжение
Параметры Plaj'm измерения ГТ109А ГТ109Б Г Т1 09В ГТ 109 Г ГТ109Д Г Г109Е ГТ 1 09 Ж ГТ 109 и
9 = 55 °C >20 >60 <20’ > 100г
окр 0 = -45 °C окр < — 5 В, >35 15., 50 >110 40...130 > 501 16 601 >20 >70“
f , МГц Гр 20.80 >1 70 250 >1 30 100‘ 15 ..80
^КБО’ МК^ = 1 мА О'кб = — 5 В; 0 -20 °C окр 0 =55 < <5 /Л СП >5 хГ' | 2
< 100 < 100 < I003 <5 <25?
7 мкА ОК р 6’КБ = - 5 В, <5 < 5 <50- <з! <’100 < 5
С , пФ к’ 6' = 5 В; , КБ ’ < 50 < 30 <40! <30
Т , ПС / = 465 кГц / = 465 кГц < 5000 <5000 <5000 <5000
, ДБ LL t/ =-],5 В, = 0,5 мА; f = 1 кГц
<12
Предельно допустимые эм |]'1\,ццщионныс данные
(Л.к КЬ та< пах’ ~ КБ (' па Б 0. < 55 '’С 10 - 10 10 - Ю
Б OR У) е < 55 ”С —6 - 0 - -Ь -6
п В мА 0окр е-р < 55 < 55 °C °C — 18 20 — 18 20 -18 20 — 18 20
К r?i и х /> мВт еок₽ < 20 °C зо4 ЗО4 ЗО4 ЗО4
К та\ R , окр — 1.8 1,8 1,8 1.8
-да?
0 *С — 80 80 80 80
0 е Р i О Q — _ 15 ^-55
окр’
’ При (>_ = — 1,2 В, >- 0.1 мА
< 1 МКЬ э
" При = 1 /г В
3 При Уэб - - 1.2 Б
4 При температуре свыше 20 ’С допустимая ра!чеираем?я коллектором moi нос’Ь (мВт)
оирсдетястся по формуле ( = {ФО — 0„ )/l 8
fl fl?2 Z/g3)5
86
ГТ115А, ГТ115Б, ГТ115В, ГТ115Г, ГГ115Д
Германиевые сплавные транзисторы р-п-р Пред-
<• а значены для работы в радиолюбительской аппаратуре в ка-
из тве усилительных элементов.
Выпускаются r металлостсклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис 4 1, д).
II фЛЧИ'ТрЬГ Рех, им ит/ср, и 11 я ГТ1 15А ГТЦ5Б ГЬ 15В ГТ1!5Г ГТ1 15Ц
''ль Г'кь = -1 В, А = 23 мА 20..80 20.80 GO 4 30 G0 .150 125 . 250
; мгц 1 р Ают5 в- 1=5 мА > 1 >1 > 1 Ю 1 >1
^КБО’ МК^ g -и КБ КБ tnax <40 <40 <40 <40 <40
О Б О ’ м к А nf (7бэ — 20 В >едельна допустим <40 БЕС ЭКС1 <40 плуатац <40 ионные <40 данные <40
L' - В Kb mm _ В ЬЭ /лах 0 < 45 ПС окр -20 -30 -20 — 30 -20
0 <45 г,с око 20 20 20 20 20
/ . м А h tn ах _ Н <45'43 окп 30 30 30 30 30
.мВт К tnax^ (1 °C h,p’ 0 < 45 СС ОКр 50 50 50 —20 . 50 + 45 50
КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТН7Г,
2TII7A, 2ТП7Б, 2Т117В, 2Т117Г
Кремниевые планарные однопереходные транзи-
i юры «-типа Предназначены для использования в генераторах
колебаний, преобразователях напряжения, устройствах вре-
менной задержки, в устройствах управления тиристорами и в дру-
I их устройствах с релейными характеристиками.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис, 4.1, е).
11 фимегры Режим измерения КТ| |7А 2Т117А КТ1Е7Б КТ 1 17В КТ| Е7Г
2Т117Б 2TI17В 2Т117Г
К II U . = 10 В; h Г) 0 - 23 СС ок р 0,5..0,7 0,65 .0,9 0,65 0 85 0,5 0,7 0,65. 0,9 0,65. 0,85
87
Продолжение
П apavc-тры Редим 1ьмср^ция к и L7A 2TI1 ТА KI II 7Ь KTH7R КТ117Г
2TI । 7Б 2Т1173 2T1I7!
В = 70 эс 0,45 0,6. 0,9 0,15 0,6 . 0.9
окр 0,7 0,6. 0,85 0 7 0.6.. 0,8
0 = -60 °C 0,5. ,0,8 0,65. .0,95 0,5 0 8 0,65. 0.95
мкА окр иг = 30 В; <1 0,65 0,9 < 1 1 0,65 0,9 < 1
ЭВО Б Б>
0 = 25 ЭС 0°Кр = 125 °C < 10 < 10 <10 <10
/ „ мкА вкл ^F.= 10 В G Б2 <20 <20 <20 <20
I , мА пыкл „ иг г = 20 В D D } < 1 > 1 Ад 1 1
, в Б 9 нас Lff г = 10 В; , ь ь _ — оО мА, (f = 25'-С <5 5 > А в
ЭСЧР = 70 ’С <4 ^4 < 1 < 4
Я , кОм D j Ьт 0(Жр 25 ч: 1 9 4 9 8 . 12 8.. 12
4 ..7.5 4 .7,5 6.9 3.8,5
0 =70 °C — 6 ..18 6...18
окр 0 - —60°С 6 ..’15 4 12 6.15 4...12
t , мкс вкп / , кГц Окр 3 3 3 . 8,5 3 3 8,5 3
яшг — 200 200 200 200
Л , мА Бп пип 10 10 < Ю > 10
Предельно допустимые эксилуа! ациопные данные
U R > В 0 < 35 °C 30 30 30 30
, L>iD2 mat ut , в 9-р < 125 °C 30 30 30 30
, Ь2Э. та v’ , мА 3. таг окр в открытом 50 50 50 50
L , мА —4 rl /j v* ' состоянии г <10 мкс 1000 1000 1000 1000
Ц ГТ l U Л Р , мВт 0 < 35 СС зоо2 зоо2 300 ‘ 3001
max Р окр 0,33 0,33 0,33 0 33
9 , °C окр — —6( ) ..+125
। Црн Г/ = 20 В vn КТ 117Л, КТ117Б и < v = 25 В для КТ 117В. КТН7Г
r n i nj DI bo
и Пре температуре окружаю де й средь ог 35 до 125 °C допустимая мощность (мВт) опре
детяетсч по формуле Р — 3 (И5 — 0 I
Т ' J ГгГПХ ' ОКр'
88
КТ118А, КТ118Б,
КТИ8В, 2Т118А, 2Т118Б, 2Т118В
Кремниевые двухэмиттерные плаиарно-эпитаксиаль-
! ые транзисторы р-н-р Предназначены для использования в
ключевых устройствах на низких частотах и в модуляторах.
Применяются, как правило, в инверсном включении.
Выпускаются в металл остекляй ном корпусе с iнекими вы-
водами (рис. 4.1, к).
Параметры |\ ж им и г с р< п ill КТ11» \ 2Т118 V _КП_18Ь 2Т1 18Ь КТ II8B 2'1 1 18В
/„ , мкА Э зскр / мкА И , В ИТ А , в У г , Ом ( t к / , НС ги гкл С' t7 ; Я = тс^ кь = Ю кОм 1ъ — 40 мА; I — 20 мА = 0,5 мА; / = 1, 5 мА D <7 /к = 20 мА /г> = 2 мА, / . ^ 2 мА 40 мА; 7 =20 мА “ =4« § с § V/ ° V/V/V/V/O <0,1 0,1 <0,2 <1,3 < 1 < 100 <20 < 500 _ _ '3 о-, О о ~ < м о о V/ °V/VV/VVV/
Предельно допустимые эксплуатационные данные
и в /?„к < 10 кОм; 0 < 125 °C 15 15 15
КБ у та.с’ Г' , J , в f/ = 0;9 <123 Kfc 30 15 15
ДсЬ гпах 11 „ ,, В е У < 125Ч'с 31 16 16
/£J 1 /, , мА к / X rt окр 50 50 50
Р г 4 1* v / , мА 1 тал S, мА Одного при 0 < г окр Одной при 0 < 125 125 ° °C С 25 25 25 25 2з 25
/L , мВт К /алы 9 < 110°(5 р ОТ* 0 1001 1001 100
R ' , ’С/мВт Un J 0,4 0,4 0,4
оср;1^, 11»
— 60 -+125
1 И|П| ивышенип температуры от ] | 0 io [25 'С юпуетнчап мощность (мВт) определяете <•
н , формуле Р — 2,5 (250 — 0 )
Нижняя и верхняя границы выходных харакюрнстик ot-
ic 1ьных структур показаны на двух верхних рисунках, а вход-
ные характеристики при малых и больших токах базы — на
IIII/Кп их.
89
мА
б
ё,ля вёний с Tpu^vyei
рои пшлдрьжм '
Муаче(Ш Ssyxcrpi^c,
Лри малых таках
мзы и £A»=D
ХША,5,8
¥
2
-О,В -ZJ7
КТ119А, КТ1195
Кремниевые планарные однопсрсходныс транзисто-
ры n-типа. Предназначены для использования в низкочастот-
ных генераторах, преобразователях напряжения и других
устройствах с релейными характеристиками.
Бескорпусные с гибкими выводами (рис. 4.1, а).
П d Р <1 м ст Р _J Режим измерения КТ119А КТ 119Ь
к ис с - 10 А; Э <85 °C 0,5. 0,65 0,65.0,75
I - мкА . = иг Г 9 —25 °C 1
ОБО Б г Ь> bib» /rkiJt Г] ко
0 = 85 °C “ 3
Ь’ , в Л = 10 мА, 4/, u -= 10 В; 2,7 2,7
Е ) и яс А* „Д ь,ь2
0 <85 °C
/?_ . , кОм iT = 1 в 1 .12 4 . 12
ь ь_> f , мкА ' и 10 В, 0 <85 "С 0,5 ..5 0,5 ..5
а к.т f , мА АБ'Г - ю в ™р 1...6 1 ..6
В Ь|К Г f , К Г ц г /т Б, ГЕ <200 >200
90
Пра<1о iULJHiie
141 1 ры j Режим р~Mcpi 1 ня К I 1 1 Э V KII 1 9Ь
Предельно допустимые эксплуатационные данные
1 , , В I > f} /71 1 1 20 20
' , , + в 0 85 с 20 20
В открытом состоянии 10 10
/ , м А г 14 М <7 t 1 /_ — 10 мА, Т S£C 10 мкс 1 р- П 1 т ' 50 50
Р , мВт L Т-) Р В корпусе VHKpOCXFMLi 60 60
В свободной атмосфере 25 25
Л? , сС/мВт I1 (J !Ьр В корпусе микросхемы 1 2 1,2
В свободной атмосфере 3 3
(1 V 1 р — -45.,.+ 85
91
4.2. Биполярные транзисторы малой мощности
средней частоты
Назначение выводов, внешний вид и основные раз-
меры корпусов биполярных транзисторов малой мощное) и сред-
ней частоты приведены на рис. 4 2. BspuSHfnI
КТ201А, КТ201Б,
КТ201В, КТ201Г, КТ201Д
Кремниевые эпи) аксиально-пл а парные транзис) сэ-
ры п-р-п. Предназначены для работы в устройствах широкого
применения.
Выпускаются в мет алл ост екл янном корпусе с гиб-
кими выводами (рис. 4 2, а)
П if л мС1ры Рр-ким и Mi [ с ним К1Д11А К 1 ЛИ Б К£2ШШ_ К12П11 ь 2''1Д
ll2\E J=> С7 z" СП 11 '1 II 1-- IC _ Ю СП СП о д л Р Л Z4 1 — 1 мА, 20 60 30,90 30 90 30 ..150
30 90 20 ..100 70 210 30. 150
30 150 70 315
%--60°C В, Л> = 8 .60 16., 90 10 ..90
IT,J - 10 мА; 16, .90 20 , 210
/ = ю МГц > 1 >1 >1
Лево- м кА кв = ^КВ 1 ’ = 23 С бокр = С 1 < 1 < 1
<цр = >25 °с < 10 < Ю < 10
Л)ЬО' мкА и.. <3 сз
б? пФ к ’ 71 Си со II 10 МГц <20 <20 <20
л;.- - [f} иКБ=1 в, к = / — 1 кГц = 0,2 мА, — — <15
^226’ мкСм В, 1^ = 1 мА 2 <2 <2
92
У
Продолжение
1------1-------
1 1<|р мс~ры 1 Гс-им H iMvpviHH | KT^IA | iTJUD КТ2и1Д
_ — i 1 1 I
Предельно допустимые эксплуатационные данные
KJRfwe = 2 кОм; 0 < 20 10 10
< 125 С
( . , k, В 1 Ь та ' 0 125 С окр 20 10 10
£ Эо уд», В 0 12,3 С >h р 20 10 10
> , мЛ ti п <г 125 (. 20 20 20
г т ах окр
/к max мА Н п 5.<. 125 "С Ohp '• 100 100 100
. mBi Г Шей 0 < У Г) °C 150 1 1501 150
0 =125 °C 60 60 60
') . °C ।y та *. * ОВр 150 150 130
<> °с J !Ч . Г — — э<5
4-55
Hr';i \ вк 71. it I. ил [ 1’м нс р я;, р f 1 ЧП i,j {Jj С дог ,тп'П1 чп цч , ь ип-а.гся о in
ценному закону до 60 мВт
93
КТ203А, КТ203Б, КТ203В
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы
р-п-р Предназначены для использования в усилительных и
импульсных устройствах радиоэлектронной аппаратуры широ-
кого применения.
Выпускаются в металлостсклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис, 4.2, а).
ГК р метрл Р-J,-. НМ И *МСр<? ни Я КТ203А KT21BL К 1 Jii 5В
Л2| С /,Р. «Гц —» ей ' — ?'; с - 11 s _ । 1 1 и л । II .Д г_ L-! = 1 мА, — 1 мА V V V W Ll Ч © 30 150 30 230 10 100 1 30 200 30 400 15 200 Л>5
\1б’ Ом К ’ Ki inn х j = 1 м X < ООО с 300 < 300
^КБСг мкА / - Р L hl. € кн w.j . 0 = да ^<1 1 <1 <1
^бо> >1кА = 25 ’ С Оо.р == 125 <С ^ЭЬ — ^ЭБ .71И-Г V/V/ V/V/ < 15 < 1
^КЭ нас’ В /к = 20 мА; 7б = 4 мА 1 <0,5
С., пФ еЬБ= -5 вд = 10 МЛ ц <4 ю сю < 10
Предельно допустимые экспаулгсщионныс данные
ГД, В -00' - Ю1 - 15'
% = 125 ~'с -30 — 15 -10
-)R та х' В КЭЕ < 2 кОм -60' — 30' -15'
0 = !25°С -30 — 15 -10
в БЭ тал' e0hp<125T 30 15 10
^К м 125 °C, 10 10 10
и тих’ %, «i 125 °C 50 50 50
max’ vBT 0okp < 75 "С 1501 1501 150'
Vpmax- mRt 150 150 150
6окп* СС —— -60, .
икр + 125
125 СС наибои->1лее напряжение и мощчость
1 При увеличении температуры от 75 до
снижаются по линейномм чакону
94
КТ208А, КТ208Б, КТ208В,
КТ208Г, К.Т208Д, КТ208Е, КТ208Ж,
КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы р-п-р.
Предназначены для работы в усилительных и генераторных
устройствах радиоэлектронной аппаратуры широкого приме-
нения.
Выпускаются в металлостеклянпом корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.2. б).
Параметры Рс-.+и м измерения ктеом, КТ2У8Г КТ 20 8^, КТ208Л КТ2О8Б КТ208Д КТ208И, KT208M К1208В KT208F КТ 2 08 К
< г ВГК| = — 1 В; /(< 30 мА; 6 '-25 "С 20.60 40 120 80 210
20.120 40 240 80 480
%= -ьи°С 10 .60 20 .120 40.240
\.во> мкА 6’КБ = LZk5 та1 <1 < 1 < 1
^ЭБО’ ^ЭБ=-20 В <1 <1 < 1
К.-.,,,с в /к “300 мА, 7^ = 60 мА =со,з <0,3 <0,3
f <Э КЗС’ В /к — 300 мА; = 60 мА гС1,5 <1,5 <1,5
U МГц {/КБ = —5 В, /к = 10 мА >5 ^5 5
С , пФ С>КБ = — ю В^=500МГц <50 <50 <50
, пФ = — 0.5 В, / = 500 кГц < 100 < 100 < 100
Предельно допустимые эксплуатационные данные
И max ПРИ Ч, - ’ 25. . 125 <, В’
КТ208А, KT208D. КТ208В .... . . . 13
КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е . . . - 3()J
КТ208Ж, К.Т208И, КТ208К............................— 454
КТ208Л, КТ208М . . . . -605
ПР” »U = 25..125°C. В . -10
< тяг при РР^ ,-пак> ®окр < 125 С, мА . . 300
\ и ПРИ ти °,5 > 2> еокр 125 °С> м'л 500
ПРИ °окр<125ОС( МА ... . . .100
run JP1! “60 < < 0окр < 60 Х, мВт . . ... 200"
95
Продолжение
^nep wa i’
0 С
икр ’
150
— 60. .+ 123
Ир , /?ь^ с 1"> ьОм
При ч ем пер ат ; ре от 25 до — 60 "С
-10 В
При температуре от 25 то — 60 'С
— 25 В
При температуре от 25 чо —60 гС
40 В
При температуре от 25 qo —60 С
- 55 В
напряжение iuiia^tui по
напряжение снижаегся
напряжение снижается
напряжение сниж^сг^я
Ill’ll ПО (У j IkOlIX
rro Hint । нону акои v
го । j' нс апо iy „акопi
по лине 1 д>'[\ 1 oitj
При повышении т е м п е р л т у р ij gt 60
лилейному здьопу до 55 мВт.
до 125 °C маьсима’-ьнзя мощнос1Ь снижается
до
ТО
дэ
qn
по
96
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г, КТ209Д,
КТ209Е, КТ209Ж, КТ209И, КТ209К. КТ209Л,
КТ209М
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы
р я-р Предназначены для работы в усилительных и импульсных
микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в двух вариантах пластмассового корпуса с гиб-
кими выводами (рис. 4.2, в).
Парамс-ры Режим измереная КД о
А, Г, Ж, Л б, Д, и, м в. Е к
ft2 IE 6' — 1 В; /к =30 мА; »«.₽ = 20 »окр = >°о °с 20...60 40... 120 80. .240 80... 160
20 120 40.240 80 480 80 320
% —«°с /к = 300 мА; /в — 30 мА = J00 мА; 7r = 30 мА 10 60 20.. 120 40 240 40. 160
нас’ В ^БЭ пас’ В -0,4 -1,5 -0,4 - 15 -0,4 — 1.5 -0,4 -1,5
МГ1' (]„ г = — ЗВ, /,, = 10 мА >5 <5 <5 <5
Ск,'пФ укв=-ю В, / = 500 МГц <50 < 50 <50 <50
Сэ, пФ и = —0,5 В; / = 500 МГц < 100 < 100 < 100 < 100
Предельно допустимые эксплуатационные данные
KT209
I lap,iML г 11 у Р< ЖНМ [1 IMi-рецИЯ
л и, в г. д г ж и, к л, м
U К Б щ a t * В % = 25 ЮО °С -151 -ЗО2 -45ч -604
^K3R max' В Тоже, при /?БЭ — 10 кОм -151 — ЗО2 — 451 -604
^ЭБ max' В %кр ~ 25 ..100 °C — 10 -10 — 205 — 20’
fKmax’ мА -45°С<Эикр< 100°С 300 300 300 300
и max’ МА max 500 500 500 500
}Г> max’ мА -45°С<0 < 100-С 100 100 100 100
Рк ,п«г» мВт -45°C<0JM,C35 °C 2006 2006 2006 200й
0 ПС nepfliav’ 125 125 125 125
0 , °C — 45.,.
окр’ + 100
1 При понижении 1 смпературы
ЗЕКОНу ДО — I О В
2 При понижении температуры
закону до —25 В
1 При понижении температмры
закону до —40 В
1 При понижении температуру
закону до 55 В
5 При понижении температуру
закону до —15 В
5 При температуре более 35 ‘С
— (125—еокг)/олз
от 25 до —45 °C
от 25 до -15 °C
от 25 до —45 °C
от 25 до - 45
от 25 до - 45 °C
мощность (мВт)
напряжение
напряжение
напряжение
напряжение
напряжение
снижается
снижается
снижается
снижается
снижается
го линейному
го линейному
го линейному
го линейному
по линейному
рассчитывается по форм; ле та
1 Галкин В И н др
97
4.3. Биполярные транзисторы малой мощности
высокой частоты
Назначение выводов, внешний вид и основные раз-
меры корпусов биполярных транзисторов малой мощности вы-
сокой частоты приведены на рис 4 J
. ГС .
98
ГТ 311, ГТ313
ЛГ357
К73Ч5
КТ350А
КТ351
К 7352
К73Ю7
КТ 363 AM
ПТ363БМ
9^
к
КТ 325
КТ368
КТ326, КТЗЧ2,КТЗЧЗ, КТЗЧ7, КТ349,
КТ363, КТЗЮ2гКТ31177 KT3tQ8lKT314?h
Ц У 5,3
ГТЗЧ6Л КТ3^27А7 КТ3128А
КТ371А, KT31Z0A
100
Рис, 4 3. Биполярные транзисторы малой мощности высокой н сверх-
высокой ЧЗСТО1Ы
КТ301, КТ301А, КТ301Б, КТ301В.
КТ301Г, КТ301Д, КТ301Е, КТ301Ж
Кремниевые диффузионные универсальные транзи-
сторы п-р-п, Предназначены для усиления и генерирования
колебаний в каскадах радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.3, а).
! Ыраме "ры Режим л !мерепил КТ301 К1301Б КТ301Г KT301E КТ301Ж
КТ301А КТ301В КТ301Д
'' L/K[> = 10 В; Л = 3 мА; 20 60 10 32 10 32 40 . 120
/ 1 кI п, 0 =20 < 0 120 20 60 20 60 80 300
0 кг»г с (Jk р > 180 >96 >96 >360
>360 >180 > 180 >900
о _ — 53ГС окр >7 >4 >4 > 14
>14 >7 >7 s20
1 ''mJ 7=3 мА; f = 20 МГц Э ’ > 1 >1 > 1,5 И .5
МГц <7„ ч = 10 В; 7^ = 3 мА 30 30 60 60
/ м кЛ 77 = 7/
к во Ф Ф Ф 1 s а о _ ч ж х тг ’ СП II II II 1 $ о • сл с о оГ О q n S о о V/V о о о V/ V/ о о V/ V/ : ю : юо
<10 < 10 < 10 : ю
^ЭБО’ мкА Ц,Б = 3 В <10 < 10 < 10 : ю
h мкСм 2 26 77 — 10 В; /э = 3 мА; кь <3 <3 <3 ;з
f— 1 кГц
Р' КЭ нас > в /,. = 10 мА; /г = 1 мА, К — ь f = 50 Гц <3 <3 <3 :з
ЬЭ нас , В 7„ = 10 мА; F = 1 мА; f = 50 Гц Ь <2,5 <2.5 <2,5 12,5
С , пФ ^КБ = ЮВ; f = 1 МГЦ < 10 <10 < 10 ДО
(?, пФ */эб = 0,5 В; f = 2 МГц <80 <80 <80 :80
э т , НС U = 10 В; /э = 2 мА; <2 <4.5 <2 :2
к F--2 МГц
101
/7 родолжение
Птрамстри Рса 1М измерения Ь Т 4111 К ! 401 Ь К 1 lot i К I 30 ’ L
KI ЮН KT3UIB knot л К Т 30 i Ж
Предельно допустимые SKciLiuidniwibic данные
Г'Юд мах в 0 д/ 83 °C 20 30 20 20
+ 50 тгд, Г Kb<J "itit в . в V/ W 1, a. CL i Ж о е О Ф 85 °C 85 °C 3 20 3 30 3 20 20
I, х max Д п а х ’ мА мА о < окр 0 < 85 "С 85 °C 10 10 10 10 10 10 10 10
Л Б т а х А. К 771 ЯЛ мА мВт CD О О С > “ > "Q ’а АЛ 85 °C G0 сС 10 1501 10 1501 10 1501 10 150
9 ^пер max <РШ' °C — 120 0,6 120 0,6 120 0,6 120 0,6
0 , с окр - — 55 4-85
1 При температуре сч оС’ до 85 С допустимая модность (мВт) оппсдстяетея по фортеле
< = 2 5 (120 ~ 0 ).
К 41J t ' Okir
ГТ305А, ГТ305Б, ГТ305В
Германиевые диффузионные транзисторы р~п-р.
Предназначены для работы в малогабаритных электронных
схемах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.3, б).
П араметр Режим измерения ГТ305А ГТ305Б ГТ305В
^2 J Е £/кб = - 1 В; /э = 10 мА;
% =+20’С 25 ..80 60 . 180 -
0о,р = 6О”С 20 . 270 40.550 —
0<,ьр= —60 °C — d В; /у — 5 мА; 15 .80 30 ..180 —
0о«р = 25 °C — — 40. 120
0окр = 6О°С — — 30.400
QoKp = -60°C — 1 20 . 120
U2J икБ = —5 В; /э = 10 мА; f =20 МГц 7 >8 8
h226, мкСм t>KE = —5 В, /э = 5 мА — 5
Л<БО’ мкА 1/кб=-15В — <4
Лок? МКА 'Ла- 0,5 В; 4/кэ= 15 В; Й0<р < 20 °C <6
9 =60 °C <70 <70 <70
Аэбо1 мкА УЭБ= 1,5 В <30 <30 <30*
^КЭ нас1 В / = Ю мА; /г = 1 мА 1\ о -0,5 -0,5 -
^БЭ нас’ В == 10 мА; /Е = 1 мА — 0,7 — 0,7 —
^КЭОгр’ В /э = 10 мА - 12 - 12 — 12
102
П родолжсни?
111рамелр Режим измерения ГТ 36 5 А ГТ 305Б ГТ305В
С , пФ ^К5 = ~5 В’ /=5 МГц <7 <5.5
С , пФ аэБ = 0,5 В, /=5 МГц <50 <50 <50
Г , ПС акБ = —5 В, /а = 5мА; 500 500 300
/ - 5МГ ц
Пщ' МКГ и _ — 10 В, < = 10 мА 3 3
А ( . ДБ икь - — 10 В, = 5 мА, — — 6
f - 1,6 МГц
Предельно допустимые эксплуатационные данные
К Ь max ’ в -60 '-'С < 0ОКр < 60 °C -15 -15 -15
К.Э max' в ^БЭ = 0,5 В -15 - 15 - 15
U я Б max1 в — 60 ЭС < 0 < окр " 60 °C - 1.5 — КЗ -0,5
А „ мА [\ Г/ <7 Г’ °окр * ^35СС 402 40а 402
К. и т п г ’ мА тн = 10 мкс, <- р . К мак 100 100 100
р К Г! О Э ’ мВт %* 20 °C 753 753 753
0 ft е р гп a f °C — - 85 85 85
/?П'-Р-ОКр, — 0,8 0,8 0,8
° С/мВт —
О . °C Окр’ - -60...+ 60
' При /'ЭБ « 0.5 В
- При температуре свыше J5 аС ^мяксимальяае знамение тока коплекторл (мА) определя-
лся из формуле /к t7iax — 5.2Л85 9окр
! При темпернт) ре икрл ж а ю щеп среды от 20 до 60 аС максимальная мощное! ь (мВт)
рнсчитывается пи формчле
тпх~ (358 0окр) /0 8
КГ306А, КТ306Б,
КГ306В, КТ306Г, КЧЗОбД
Кремниевые планарные транзисторы п-р-п. Пред-
назначены для работы в переключающих (КТ306А, КТ306Б) и
усилительных (КТЗО6В, КТ306Г, КТ306Д) устройствах.
Выпускаются в мсталлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.3, в).
Па рзметры Режим измер елия к тык, А КТЧ06Б ктзаьь. к i 306Г ЦТ306Д
^aiE С'кв =1 В. Ц «окр = 20 °C = 10 мА, 20 60 40...120 20, 100 40.200 30 150
«окр = 100 °C 120 240 200 400 > 100
^513 16’ % = - 55 °C UKB=5 В, /э f = 100 МГц ^КБ = В’ J = 1 кГц = 10 мА; 8 16 >3 8 16 >3 гм " СЧ А\ А\
Ом — 5 мА; /А VI гс ел! о 1 A V QJ УЗ О <30
103
П родолжение
Параметры Режим измерения КТ306А юзоьь -КТ306В КЧ’ЗОбГ КТ306Д
^КБО' МКА ^Э5О’ МК^ "ю пас’ В БЭ нас’ В С пФ С>, пФ V пс ^КЭО гр’ в fpac , НС Пре ^КБ max' В ^R3R тах> В ^35 max' В mav МА пае max' max' МА нас max' М max ’ 41 Вт ер max' °C %КР> °С ОКБ = 15 В; 9 = 20 "С %> = 10° -с УЭБ = 4 В /к = Ю мА; /Б = 1 мА /к = 10 мА; /Б = 1 мА С7кб =5 В; f = 10 МГц С7бэ = 0; f = 10 МГц 17КБ — 5 В; /э = 5 тА\ f= 10 МГц /э — 1 мА; тк = 50 мкс, Q 50 7И = 10 мА, /. — 1 мА дельно допver имые эксплуа %.р<100°С Л>„п < 3 кОм % < 100 °C «окр < 100 °C 0 <100°С 0 < 100°С 9 < 100 °C «окр < 90 °С 0окр=10°ГС <0,5 < 10 < 1 <0,3 < 1 5 4,5 > 10 ^7 30 тационньп 15 10 4 30 50 30 50 150' 125 150 <0.5 =<10 < 1 5 4,5 500 10 ^7 а данные 15 10 4 30 50 30 50 1501 125 150 55 -1-100 <0,5 < 10 < 1 5 4,5 500 ^10 15 10 4 30 50 30 50 1501 125 150
1 При увеличении температуры от 90 до 100 "С наибольшая рассеиваемая коллекто
ром мощность снижается по линейному закону
104
ГТ308А, ГТ308Б, ГТ308В
Германиевые сплавно-диффузионные транзисторы
р-п-р. Предназначены для усиления, генерирования и преобра-
зования электрических колебаний высокой частоты и для работы
в импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.3, г).
Параметры Режим измерения ГТЗО8А ГТ308Б ГТЗО8В
Л211 "м, -1 в. с =10 мА, 20 75 50 120 80 200
1 - "»<> 1'н. % 25 °C
20 200 50 360 80 GD0
%= ~60°С > 15 >30 >45
/КБ0, мкА -60‘С<0 <25°С,
С7кб=-5В <2 <2 <2
^КЬ- -15 В <5 <5 <5
% = 7ГС, С/КБ— — 10 В <90 <90 <00
/ мкА ^эб = -2 В <50 <50 <50
-3 В < 1000 < 1000 < 1000
1А21э[ ^кб ~“5 В, /э — 5 мА, >4,5 >6 >6
/ 20 МГц
нас В = 50 мА, < = 3 мА -1,5 -1,2 — 1,2
В — 10 мА; — 1 мА — 0,5 — 0.5 -0,5
Ск. пФ икБ- -5 В, f = 5 МГц <8 <8 <8
с,, пФ (/ЭБ= -1 В, / — 5 МГц <25 <25 <25
Т, , ПС (/КБ = —5 В, < = 5 мА; 400 400 500
f — 5 МГц
(рае- мкс < —50 мА; /в —4 мА; <1 <1 < 1
ти — 5 мкс; f = 1 . 10 кГц
Л’ш, дБ ^КБ = “5 В; /3 = 5 мА;
J - 1,6 МГц <8
105
X
6^
ГТ309А, ГТ309Б,
ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е
Германиевые диффузионно-сплавные транзисторы
р-п-р. Предназначены для работы в усилительных и генератор-
ных миниатюрных радиоэлектронных устройствах
Выпускаются в металлостекляином корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.3, д).
Па рамстры 1 1 h II М II J М 1 I'.'Ci J| А S Т309А I Г309В Г 1 309Д ! П|>‘)Г
ГТЗОУЬ ГТЗР.'Г
^21Е 7 К Б О ’ 4 К А |/<. ! 21 * ^226» ^кСм "115' °М С . пФ К Т , ПС к /< , л В ' hi 7Л 7'д Т’Д 7,Л Дл =с оФ ? д ’г- II 2 II II ° II ° II ® II 1! II II II II II S 1 Р 1 1 5 “ з 1 £ 1 а 1 1 О О 1 -р GT СЛ СЛ о Си о СП _ СЛ Д’ СП *2 ч и СП " о о р о Д Q П сз СЙ W О О Р? Л СО ~ н * Ф _ 'Х> II “ 'Х> Х> ? Ц? II г || \ II СП Сд ?Г ол СП ' ' СИ s Ss S 3 ° > > ? > > о > 20 70 20 70 20 70
60. 180 20 140 60 .180 20. 140 60 180 20 140
60 380 16 .70 60 380 16 .70 60 380 16 . 70
30. .180 ^5 < 120 ^6 5 <38 <10 500 30 .180 < 5 < 120 5^4 < 5 <38 <10 1000 30 . 180 < э < 120 > 2 < 5 <38 < 10 1000
<6 <6
107
Продолжение
Параметры Режим измерения ГТ309А ТТЖБ~ ГТ309В TTW ГТ309Д ГТ309Е
Пр fl П КЭ? max1 м II П КТ> max' м , мА К max Р , мВт К max 0 » сс пер, окр’ сдельно допустимые эксплуа = 10 кОм 0 < 55 °C еокр < 55 °C еокр < 20 °с окр тацисшньн — 10 — 10 10 501 70 i данные — 10 -10 10 501 70 —10 4- -10 — 10 10 501 70 55
При температуре от 20 до 55’С значение доручимои мощности уменршастся на 5 мВт
на каждые 10 LC
ГТ310А, ГТ310Б,
ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е
Германиевые диффузионно-сплавные транзисторы
р n-р с нормированным коэффициентом шума. Предназначены
для работы в усилителях высокой частоты малогабаритной
радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4 3» е).
Параметры Режим измерения ГТ310А ГГ310Б гтзгов гтзюд ГТ31УЕ
ГТ31О1‘
0 = -5 В; f = 50 ..1000 Гц, 0 - = 55 сс окр 1э 0 = окр 1 мА; 20...70 20...70 20.. 70
-250 С 60 ..180 20 ..140 60 . 180 20.. 140 60. 180 20.. 140
60 ..360 60 ..360 60...360
9 — —20 °C 16.70 16.70 16 70
ОКр 30.180 30 . 180 30 . 180
|Л21,| <4Б=~5 В’ f = 20 МГц ^9 = 5 мА; >8 >6 >4
Л11б’ Ом "кь = ~5 В’ ! / = 50 ..100 Гц . = 1 мА; <38 <38 <38
э
й99 , мкСм В; f = 50 Г 000 1 ц 7э = 1 мА, * <3
'КВО- МКА с ч п 11 1 СЛ 9 ;20°с <5 <5 <5
0 = 55 °C окр < 120 < 120 < 120
С , пФ к <= - 5 В; /_ = 5 мА f —5 МГц; <4 <5
Т , ПС к = —5 В; f 5 МГц S = 5 мА; <300 <300 <500
*ш- & Гкв = -5 В; f = 1,6 МГц Гэ = 1 мА; <3 <4 <4
108
П родолжение
11аоаметры Реж.им измерения ГТ310А ГТ310Б ГТ310В ГТзЮГ ГТ31ОД ГТ310Е
Предельно допустимые эксплуатационные данные
бгк.эй max, В R„_ = 10 кОм С7 Ь — 10 -10 -10
Г* = 200 кОм —6 —6 —6
< г .В 0 <55 “С — 12 — 12 -12
КБ n<ai 1,, , мА Okt> 0 < 55 " С 10 10 10
К max rv , мВт пкр ' 0 <35 °C 201 20[ 201
К mav 0 , °C окр 75 75 75
нер mar /Rnep-окр, — 2 2 2
С/мВт
0 , °C < -40 .4-55
ок р
1 При температуре at 33 до 33 С до цстимая мощность (мВт) определяется по формуле
р =0,5(75—0 ).
г. -лат '
ГТ31 IE, ГТ31 1Ж, ГТ311И
Германиевые планарные транзисторы п-р-п Пред-
назначены для использования в радиовещательных приемниках,
приемно-усилительной и другой аппаратуре широкого приме-
нен ИЯ.
Вынускаю1ся в mcj адлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис 4 3, и).
1 1 J р ,1 М L I |' 1,1 Pi лим измерения I ГЯ1Г Г Til 1Ж ГТ31 | и
1 7l ’IE 1 и„=3 В, /„ = 15 мА; 9 КБ = 25 °C Э 15.,.80 50...200 100.300
0™р -- 55 °C 15 ..150 50 .350 100.500
0окр = -40 °C 10 ..80 25...200 50.300
1 h ul №. = 5 В, L = 5 мА, f = 100 МГц >2,5 3 >4,5
/к 1,0, мкА и -- и КЬ КЬ таг ЭБ ~ ^ЭБ г'рг 7^ = 15 мА; /R = 1,5 мА <10 < 10 < 10
! И)О, мкА ('к ) нас, В <15 <0,3 < 15 <0.3 /Л /Л S -1
( I,-» нас, В 7 = 15 мА, 7ь = 1,5 мА <0,6 <0,6 <0,6
1 ''к ю гр, В К = 10 мА 8 8 8
1 1 . нФ UКБ -5 В, f = 10 МГц <2,5 <2,5 <2,5
1 , пФ 77^ = 0,25 В; f==10 МГц 5 <5
|| 11С (| к , НС 1/„г = 5 В; 1. = 5 мА; > = 5 МГц Э 7 — 20 мА, /_ — 2 мА; к, ь = 0,2 мкс. 75 100 100
пс — —4 В, в схеме ОЭ -Б. н 50 50 50
109
Продолжение
II ара ас 1 ры Режим ж. м-q ення ГТЗ1 1 [ г тз11Ж ГТ311И
Предельно допустимые эксплуатационные тайные
(J КБ max’ В 0 с 45 °C 121 12' 101
U г- ЗБ па»’ В 0™Р < 45 °C 2’ 21 1.5‘
^КЭИ ЛД1 , в /£*р = 110 кОм, 0 < ЭБ _ „ окр < 45 °C Р 12' 12' 101
Л. К /71 Ci X мА О < 55 ° С 50 50 50
Л. К мВт Ок о 0 Р < 25 °C 1502 1502 1502
о пер мят °C ОЬр 70 70 70
0 t °C окр — —40 4-5
В диапазоне температур от 45 до 6(1 "'С происхишт снижение U кб max и U кэк max
на I В ня каждые 5 < a U г -на 0'2 В на к(ждые 5 С
При температуре or 25 до GO “’С допустимая иищп) тг (мВтг ппре [сляетгя по формуле
P,t = 150 - 100 (0 - 25> /55
К а тл акр
110
КТ312А. КТ312Б, К.Т312В
Кремниевые эпитаксиально-планарные универсаль-
ные транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в переклю-
чателях, генераторах, радиовещательных приемниках и приемно-
усилительной аппаратуре широкого применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.3, ж).
Пирамегры IiH 1 изморе ГИЯ КТИ2Д КТ312Ъ К 1 312В
h2\F 7^ ’ СП II II ь? to II = 20 мА, 10. 100 25. .100 50 280
0 = 85 UC 10...200 25 .200 60 560
0 = —40 °C 8...100 15 100 25 280
№ = 10 В; / f = 20 МГц — 5 мА; <4 6 ^6
^КБО’ МК^ L/ =(L/ „ КБ < КБ max 6 < 20 С —5) В; <10 10 < 10
^ПБО' > * Vo нас’ В и в КЭО гр’ г: , пФ г— • с- Ф * •.<; 5 ” !| 11 II 07 'О II К II II „ ° - » Os- S S 3 to о ГЙ > > > О II = 2 = 2 = 2 мА мА МГц /А V /А /А /л /л V1 £5 - -с — w “ 'X с о V/ V/ V V/ А\ V/ 30 10 0,8 М 35 5 /Л V Л /Л А /Л СЛ to “ О — W о „ со о о
1 , ПС к <= 1° В: 1э f = 2 МГц — ,) мА, 500 500 500
f?j, пФ 7Мь = 1В,[ = 2 МГц <20 20 <20
П ридолжение
Параметрь Режим измерения КТ312Л КТ312Б KT312R
Предельно допустимые эксплуатационные данные
UKR ’ в КБ та v ’ В КЭР дшл U~R , В 0 С85СС 20 35 20
Г™ф ^ЭБ 0 = 100 Ом < 85 °C 20 4 35 4 20 4
u_rJ* U Г Г | , мА 9"Кр С85СС 30 30 30
и тах> мА Р^тах, мВт И »h*H> мВт Опер ma\i С /?пер скр, °С/мВт 0™Р- э»г ОК[ Т + и С 85 °C < 20 °с 1 мкс 60 2251 450 150 0,4 60 2251 450 150 0,4 60 2251 450 150 0,4
А °C DOKpt -40 .+85
ТТпи температуре от 20 дс ) 85 С допустимая мелисс гь (mBi) ииретеляетея по формуле
р =7^ + 23(85-0 )
A V|«t ОКр'
ГТ313А, ГТ313Б, КГ313В
Германиевые сплавно-диффузионные мезатранзи-
сторы р-н-р. Предназначены для использования в радиоприем-
ных и телевизионных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами (рис. 4.3, и).
Л Параметры Режим измерения ГТ313А ГТ31ЭБ ГТ313В
Й21Е ^кб=“5 В; = 5 мА; f = 50... Ю00 МГц 0 = 20 °C 0окр = 55 “С окр 20...250 20.. 500 20...250 20. 500 30.,. 170
112
Продолжение
Парас стры Режим измерения ГТ313А ГТ313Б ГТ313В
0 =—40 °C 15.250 15. .250 —
(Р’ = -5 В; /. =5 мА; 3 ..10 4,5...10
/== 100 МГц
Гз С ClT'x"'1 й т: Я в, ш о о .А.Я — W&3 и *?* 7 ". ". я 1 сз сз 51 > "кб=-|2В ПЭБ = -0.25 В /к — 15 мА, = 1,5 мА <5 5
<50 <50 <50
-0,7 -0,7 — 0,7
/„ = 15 мА; 1_ = 1,5 мА U = —5 В; f = 10 МГц Б= —0,25 В; / = 10 МГц ZD Ю CD 1 V/ -0,6 <2,5 1Л CD СЧ 1 V/
С , пФ <14 <14 < 18
Т , ПС Uь, = -5 В; Л =5 мА: / — 5 МГц 75 40 75
Кш. ДБ / =5 мА; f= 180 МГц с? • — <7 —
Предельно допустимые эксплуатационные данные
> в КБО тал „ Оокр < 55 °C — 15 — 15 -15
6’ 3 S Э Б max _ <•,„ , В КЭН л, пт eOhp<55=c —0,2 —0,2 —0,2
/?эб = 300 Ом -12 — 12 — 12
/?эб = 2 кОм —15 — 15 —15
, мА k max Л . мВт К max 0окр < 55 °C Оокр - 20 '^с Оокр =55 °C 30 100’ 501 30 1001 50l 30 I001 501
R пер окр 3С/мВт 0,9 0,9 0,9
о , °с окр —— —20...+55
1 В инпрпа ie i ,-мнерат,р От до 55
С допустимая мощность
снижается по липеиЕОму
.TuhOlEJ
113
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,
КТ315Д, КТ315Е. КТ315Ж, КТ315И
Кремниевые планарно-эпитаксиальные усилительные
транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в усилителях
высокой, низкой и промежуточной частоты радиоэлектронной
аппаратуры широкого применения
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
(рис. 4,3, к).
Параметры Режим измерения КТ315А КТ315Б КТ315В КТ315Г КТ315Д КТ315Е' КТ315Ж ктагыг
hl\E =“ 10 В; 20...90 20. ..90 20 ..90 30... 250
5(Г..35О 50...350 50 „350 30
/э = 1 мА; 6<жР = 25 °C finRn = loo °C 20... 250 20.. 250 20...250 30.250
50...700 50...700 50...700 50„ 700
0nrn — —60 °C 5...90 5.. 90 5...90 >5
Т57..350 15 „350 15.350 > 15
1^2131 t/кэ = 10 В; /э == 5 мА; >2,5 >2,5 >2,5 >2,5 > 1,5
Лз2э> мкСм f = 100 МГц ^кэ = 10 В; <0,3 <0,3 <0,3 <0,3
ЙцЭ1 Ом /э — 5 мА ^кб = Ю В; <40 <40 <40 <40
^КБО< мкА /к — 1 мА б = Ю В; (Up С 25 °C <1 < 1 <1 < 1
0окр= 100'С <15 < 15 <15 <15
114
Продолжение
Параметры Режим измерения КТЗ15А ттгатг КТ315В ‘КТ315Г КТ315Д KT3I5E К Г315Ж КТ315И
/эво, мкА и ж = 5 В <30 <30 <30 о о сс ю V/V
пщ i в — 20 мА, <0,4 <0,4 <1 1 /л. о сл
^БЭ нас, В 11 II го ю ° й 2 > > <М <1,5 <0,9
^КЭО гр, В /5=2 мА /3 = 5 мА >15 >30 >25 >30 >25 W , 1
ск> пФ С\ь = 10 В 7 7 7 10
тк, ПС ^кб - Ю В; /э - 5 мА 500 50 1000 —
Пре дельно допустимы е эксплуа тацилнные i данные
max, В 0ОК?< 100 °C 25 40 40 15
^БЭ /пал, В Оэкр < юо аС 20 6 35 6 35 6 60 6
mao В Ojkp < 100 *с 25 40 40 15‘
таг, мА 0экр< 100 °C 20 100 35 100 35 100 60* 50
тал, мВт %кр < 20 °C 1502 1502 1502 100
П °C ^пер гггпх» %кр < 20 “С 120 120 120 120
R гс р — окр — 0,67 0,67 0,67 0,67
°С/мВг Ц>кр t —— -60 .. -I 100
1 При /?эБ = О
2 При температуре от 20 100 “С допустимая мощность (мВт) определяется пи фир-
му IP Ру. таг = (120 - Яокр;/0,67.
115
КТ316А, КТ316Б,
КТ316В, КТ316Г. КТ316Д
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы
п-р-п. Предназначены для работы в быстродействующих пе-
реключающих (КТ316А, КТ316Б, К.Т316В) и усилительных
(КТ316Г, КТ316Д) устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4 3, р).
Параметры Режим намерения КТ316А КТ316Б КТ316В КТ315Г ктзшд
1^21 J Й22б, мкСм hii6j Ом /кбо, мкА /эбо, мкА UКЗ н я г1 В U БЭ ндс, В ^КЭО гр, В Ск, пФ Тк> ПС С\, пФ *р<и, нс £?кь = I В; /j —- 10 мА; еокр = 20°с еокр = юо °с 0о<р = -60 °C ПКБ = 5 В, /э = 10 мА, f = 100 МГц (7кб = 10 В; /э — 1 мА = 10 В; /э — 1 мА ^кб = 10 В; 0ОКр “ 20 °C Оокр = 100 °с С^эб = 4 В /к = 10 мА; /б — 1 мА /к = Ю мА; /б = 1 МА /э = I мА £Укб = 5 В; / = 10 МГц (7^б = 5 В, /3= 10 мА, / = 10 МГц Убэ =0; f = 10 МГц /к. = Ю мА; 7 г, = 1 мА 20...60 40... 120 20. 120 40...240 10 60 20 .120 >6 40. 120 40 240 20 120 >8 <4 <40 <0,5 <5 <1 <0,4 <1,1 ^5 <3 <2,5 15 /Л ЛV/Л/Л/Л/Л/Л/Л/Л W&sSp 1 ю сс си — с? — сл о 4^ х ci . ; : 1 ск! — л сл о сс— ст- ю w — с: “ * о о о с: о с? о о а о С|о F
/Л /Л V/Л/Л/Л/Л/Л/Л/Л V — ГО 1 СС СП — о — сл О 4^ А ЭС ° СП 1 ~ Ът ®
116
Продолжение
Параметры Режис измерения КТ316А ктзтсг КТ316В КТ316Г ктзид
Предельно допустимые эксплуатационные данные
^КЭЙ max, в Яэб 3 кОм 10 10 10
П[<Б тих* В % к р 125 °C 10 10 10
Пбэ щах, В %кр 125 °C 4 4 4
7К тих, мА % к р 125 пс 30 30 30
7К нас та о мА (К чр 125 сс 50 50 50
7э max* мА ^иьр 1'-С- 12 J "С 30 30 30
нас та V, мА Оокр ^7- 125 °C 50 50 50
тал, мВ Г Оокр 75 ° с 150’ 150’ 150’
П °C «пор max* 7?пер окр! °С/мВт Й °Р пОЕр- 1 При температур е свы не 75 С — 120 — 0,67 допустимая мощность сип ж ае 120 0,67 -60 +12 тся на 2 м 120 0,67 □ Вт на I ГС
1 17
ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В
Германиевые сплавно-диффузионные транзисторы
р-п-р Предназначены для работы в генераторах, усилителях,
преобразователях колебаний высокой частоты и в импульсных
быстродействующих устройствах
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис, 4.3, л)
Рчжим измерения ГТ320А ГТ320Б ГТ320В
Л21Е С\Б = - 1 В, /э = 10 мА,
0 = 20 °C 20 80 50 160 80 250
0О ‘ =70 °C 20. 120 50 280 80 500
О = -55 °C >15 >35 > 50
1 Е С\Б = - 3 В,/э = 200 мЛ >20 >50 >80
1^21 J f7kB — —5 В, 7Э = 10 мА; >4 >6 >8
/ =20 МГц
AcFjO’ мкА (?КБ=-20В,0 =20°С <10 <10 <10
(7КЬ=-2ОВ,О =70=С <00 <90 <00
Укб=-20 В, 0 = < 0 < 6 <6
= —55 °C
^ЭЕО* ЫКА ^ЭБ= “2 В < 100 < 100 < 100
нас’ В 7К = 200 мА; /Б = 20 мА. — 17 — 17 - 17
^БЭ нал В 7^ = 10 мА; /Б = 1 мА -0,5 -0,5 -0,5
^КЭОгр’ в /э = 10 мА -13 — И — 9
ск, пФ 77кь= -5 В, / - 5 МГц <8 <8 <8
С3, пФ В; / = 5 МГц <25 <25 <25
тк, пс 77кб -- — 5 В, /э = 5 мА, 500 500 600
f = 5 МГц
Предельно допустимые эксплуатационные данные
^ЭБО тех’ % < 45 “С -3 -3 -3
кэк тал* В 0„кр < 45 °C -15 - 15 -15
^КЭКи/лах’ В ти < 1 мкс; Q > 10 -25 -25 -25
^кэо max’ В Ткр с 45 °C — 20 -20 -20
^K3R /исх’ В /?эь < 1 кОм -12 -11 — 9
118
Продолжение
Параметры Росим измерения ГТ320А ГТ320Б Г Г320В
U KGO та * ’ В %, <45 °C -2D — 20 -20
max’ Оокр < 45 °C 150 150 150
К и max ’ А т„ 5 мкс. О 2.
0„„ < 45 °C 300 300 300
мВт 6ОКР 45 °C 2001 2001 2001
1 При темпер it у ре ст 45 цо 70 5 С дон^ч тичая мощность (мВ1) определяется по фор
мУле /’к „-at = М5 (90 — 0Окр)
ГТ321А, ГТ321Б,
ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е
Германиевые конверсионные быстродействующие
транзисторы р-п-р. Предназначены для работы в высокочастот-
ных и импульсных радиотехнических устройствах широкого
применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис, 4.3, л).
119
II р IV 1 1 pi 1 1Чжнм измерения ГТ.331А ГТ321Б ГД321В Г 1321 г ГТ321П ГТ321Г
^21 L = ЗВ, /^ = 500 мА, 20 60 40 120 80 200 20 60 40 120 80 200
9гар = 20 °C
1*21,1 0КБ = — 10 В, /э = 15 мА, >3 > * <3
; ==2о МГц
7КБО МКА ^кБ ^КБО лиг <500 <500 <500
7КЭЙ’ мкА ^КБ = ^КБ max' ^ЭБ = <800 <800 <800
= 100 Ом
Uu~ , В КЭ нас’ /к = 700 мА, /Б « 4 — 2,5 -2,5 -2,5
^БЭ нас’ В /к = 700 мА, /Б = -1.3 - 1,3 -1,3
^КЭО гр* В /э « = 700 МА, Q > 300 -40 — 40 -30 -30
С„, пФ - 10 RJ = 5 МГц <80 <80 <80
со, пФ <:,Б — —0,5 В, / = 5 Ml ц <600 <600 <600
Тк, ПС - -10 В, /-- 5 МГц, 600 600 600
Г,= 15 мА
'рас- мкс = 700 мА, /Б = /Б> 1 1 1
ти = 5 10 мкс, / = 5 кГц
Пре дельно допустимые эксплуа тационньи 2 данные
^КЭР mor’ В дЭБ<юо Ом. е < — 50 -50 — 40 — 40
< 45 °C
^КБО пах* В % < « °C -60 -60 — 45 — 45
^БЭ max, В eo„P < 45 °C 4 4 2,5 2.5
^К, max* ккр < 45 °C 200 200 200
7К н таг А ги = 30 мкс, 0 <45 °C 2 2 2
7Б гнйс’ мА % 45 “С 30 30 30
^Б и таг* МА т„ = 30 мкс 500 500 500
^*[< max' мВт % <45 °C 16O3 160J 160'
и max* кар < 45 °C 20 20 20
Q Ср пер max' — 85 85 85
^пср оир’°С/мВт — 0,25 0,25 0,25
0(-|Нр, С — - 60 70
1 При 7б = 140 мА для ГТ321А, FT321J\ /ь = 70 мА дтя ГТ321Б, ГТ321Д, /ь =
2 При ;Б = 17 3 лМ для ГТ321В, ГТ321Г, /Б = 35 мА для ГТ321Б. ГТ321Д, /Б = 70 мА
для ГТ321А, ГТ321Г
3 При температуре от 45 до 60 °C допустимая мощность (мВт) определяется по фор
м>ле тал. = (85 8аКр)/0 25
120
ГТ323А, ГТ323Б, ГТ323В
Германиевые меза-планарныс транзисторы п-р-п.
Предназначены для работы в высокочастотных импульсных и
j операторных каскадах радиоэлектронной аппаратуры
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4 3, л<)
Парачеч ры 4 Режим измерения ГТ323А ГТ323Б ГТ323В
^‘21 С 1/кэ = 5 В, /к=0,5 А, 20 60 40 120 80 200
ти — 10 мкс, f — 1 кГц
1УКЭ = 5 В, /к= I А, >15 >25 >55
ти = 10 мкс, f — 1 кГц
/гр* МГц L/KK = 5 В. /^ = 200 мА >200 >200 >300
/КБ0. мкА L/„_ = 20 В Г\Ь <30 <30 <30
/Jb0- мкА />’ = 2 В J о < 100 < 100 < 100
121
Продолжение
Парад, с три Р. Я, НМ ИЗМС. 01. НИЯ ГТ323А ГТ323Б ГТ323В
До „ В „«• в /к - 1 А, /Б = 100 мА, ти = 10 мкс, f — 1 кГц 7К = 1 А, /Б =• 100 мА, ти = 10 мкс, f — 1 кГц <2,5 <з <2,5 <3 <2,5 <3
k'kooip’ В /э = 100 мА :> 10 > 10 ;> ю
Ск. пФ йКБ== 15 В, f=5 МГц <30 <30 <30
С\. пФ иэБ = 0,25 В, f — 5 МГц < юо < 100 < 100
Тк* ПС СКБ = 10 В; /э = 10 мА; f = 10 МГц 300 300 300
(рас- "с П| /к = 1 А. /г> = ф, сдельна допустимые эксплу 100 атационнь 100 ie данные 150
^КБ max' ® 0окр < 60 “С 20 20 20
fj/K3R max' /?ЭБ = 1 кОм, 0 < 60 °C 10 10 10
fl R ь ЭБ тих' ° % < 60 «с 2 2 2
^КЭХ max' б'ьэ = °’25 2 В- 0™Р < 60 »С 20 20 20
/ А К И 77WA* 0 < 60 ”С 1 1 1
max' Rt «кор < 50 °C О,52 0,52 0.52
₽К „ША> Вт 9»кр < 25 "С 0,25 * 0.251 0.251
н та Г’ 1 0 окр т = 0,5 мкс 5 5 -53 -Г6С 5 )
' /R( =- ЮС мА дтя ГТ323Л, /Б -50 мА для ГТ323Б. ?Б =25 мА дли ГТ323В
2 При 0кор > 53 °C допустимая мощность (мВт) определяемой ио формуле Р^такт —
~ Ю(1ОО-0кор)
3 При температуре свыше 25 JC допустимая мошгскть (мВт) определяется ио форму те
Ъ’ та г ~ 250 3 78 (8окр 25)
КТ325А, КТ325Б, КТ325В
Кремниевые эпитаксиально-плапарные усилитель-
ные СВЧ транзисторы п-р-п. Предназначены для использования
в усилителях высокой частоты радиоэлектронной аппарaiуры
широкого применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.3, с).
Параметры 1 Режим измерения КТ325А КТ323Б KT325B
^21? (7кб = 5 В; /э = 10 мА; f= 1 кГц 30...90 70.. 210 160.400
|Л21,| (7ггК = 5 В; < — 10 мА; f= 100 МГц >8 >8 > 10
^КБО’ МКА ^ЭБО’ = 15 В: % = 25 °с C,r-4 В /Л/Л — о СП /Л/Л — р СП in o’ — V V/
122
Продолм. ение
II р .1 lOTObl Рс К гм I' 1 П [ i II И -р К 132"з X К Г 525 Ь k 1 325В
''юогР. В /-j = 1 мА > 1о >15 > 15
си пФ Сгкп —3 В. f =10 МГц ^2,3 ^2,5 <2,5
пФ 6\ь-0; [ = 10 МГц _ J , <2 5 < 2,5
Г, пс <-’> В. Д = 10 мА, 123 125 125
/ = 10 МГ ц
Предельно допустимые эксплуатационные данные
К ЬО । р зб’ 15 15 15
^ОБОпроб' %,< 125"€ 4 4 4
mav В /?ЭБ < 3 кОм 10 10 10
Л , мА 0 „„ < 125 ПС Ph 30 30 30
'\ ч т П у • М %< 125 -С 60 60 60
МА «окР 125-С 30 30 30
/ , , , мА и >Н d Л ’ 0)кр«125'С 60 60 60
Л. Л , мВт 2251 225! 225'
% = 125УС 851 851 85‘
0 , °C псп тиА’ 150 150 150
R — 0,3 0,3 0,3
пер окр’
С/мВт
0 „ сс - - 55 -1-125
окр'
При изм( нении температуры от 85 до
। пк и 11< 1vу ля ко ьу
мЛ
0,4
0,3
0,2
0,1
Ofi 0,7U53,0
123
КТ326А, КТ326Б
Кремниевые эпитаксиально планарные усилительные
СВЧ транзисторы р-п-р. Предназначены для работы в усили-
телях высокой и сверхвысокой частоты аппаратуры широкого
применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.3, у).
ndDJMt‘1 |>hl Релчим измерения KT326 V K7325G
Л21Е ! /l2h 1 ^эьо* мкА В ^ЭБ нДс’ В С . пб С“ пФ Т , ПС к Предс 6ГГП ’ В КБО мт 3<3R max' 6^ ’ В ЭБО max* /„ , мА К та \ Р., , м Вт К Л 9 , °C /ГР tua\ иС/Вт й'« икр -2 В, 10 мА; йкб=25°С Э 9°кр = 125 °C чокр 0 " = —60 °C 5 В; /о = Ю мА; f = =KFoO МГц Э = ^КБ max'. Оокр = 20 0окр= 125 °C Б “ Б т и у /^ = 10 мА, /б = 1 мА /к = Ю мА, /5 = 1 мА С/кь - Б В; f == 10 МГц Г>ЭБ = 0, f - 10 МГц U — —5 В. /., = 10 мА, f = 5M.rц К_г> ст Tibiio допустимые экепм атлцнонньи 0)к) < 125 °C А*КР < 100 кОм Jd 0 <125 °C окр 0окр< 125 °C 9 <30аС икр 20.70 10..140 6,..70 >4 <0,5 < 10 <0,1 -03 - 1,2 <5 <4 450 ? данные -20 — 15 —4 50 2001 150 0.6 -60 45. 160 22. 320 13,5. 160 >4 <0,5 <10 <0.1 -0,3 -1.2 < 5 <4 450 —20 — 15 —4 50 2001 150 0.6 <125
1 При температуре от 30 до 125 °C допустимая viomtiucib IimBi) о^речеияетьЯ по формате
Pv - {I 50 — 0 ) /О.Ь
ГТ329А, ГТ329Б, t
ГТ329В, ГТ329Г, ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ,
ГТЗЗОИ, ГТ341А, ГТ341Б, ГТ341В
Германиевые планарно-эпитаксиальные транзисто-
ры п-р-п, Предназначены для работы в селекторах телевизион-
ных каналов метрового диапазона волн, в УКВ блоках радио-
вещательных приемников и других высокочастотных устрой-
ствах широкого применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими поло-
сковыми выводами (рис. 4.3, н, tu).
124
Параметры Рслим намерения ГТ329Л ГТБ29В гтззод гтззои П И 1 ь
ТТ329Ь 1TJ29T ггззож 1'1’341 А ГП41Й
^2 IE О'кб ~ 5 В; 15...300 15 300 30. 400 30 400 15. 300
/э = 5 мА; О04р =25 °C 15. .300
Оокр = 60 С 12. .750 12 .750 15 1000 15 1000 12. .840
12. 840
%кр= -60 °C 5 .360 5 360 12 .600 12 600 3 360
5 . 360
1 Л2 |Э 1 ^КБ " 5 В, /э = 5 мА; f = 300 МГц >1 > 3,3
>5,6 > (ООО
f = 100 МГц — — j> 5 —
> 10 —
^КБО. мкА П'кь = Ю В; 0окр = 20 °C <5 < 5 < 5
0окр = 60 °C <50 <50 <50 <50 <50
/ЭБО> мк^ k'cD = 0,3 В — — — —
<50 <50
(Л>э = 0,5 В < 100 — —
< 100 — <50
^БЭ — 1 Б — 100 — — -
(7бэ = 1,5 В <100 < 100
Ск, пФ i/кь — 5 Вт ^2 <3 з < 1
! 30 МГц <3 <2 < 1
11*1* I't.i 0,7 В, ^3,5 <3,5 <5 <55_
| - 30 МГц
(/ьэ " 0,3 В, f = 30 МГц — — — ^^2 ^2 2
1, , ПС (?кэ = 5 В; 15 20 30 30 10
_ 5 мА; f - 30 МГц 50 10
КЭ нас > Б /к " 20 мА; — — <0,3 <Р,з —
/;, 2 мА —
^БЭ пае, В = 20 мА; — — <0,7 <0,7
/[, — 2 мА
/<т, ДБ t’Kj = 5 В; <6 — — —
= 3 мА;
f = 400 МГц Бгкэ = 5 В, /к = 5 м А
1 = 400 МГц — — 8 <8
СЪ-5 В; — — — <5,5
< = 2 мА; / = 1 П ц <4,5
125
Продолжение
Параметры Режим измерения [ Т329А ГТ329Б [ Т329В ГТ329Г ГТЗЗОД ГТЗЗОЖ гтззои ГТ341А ГТ341Б ITMIB
^КЭО гр, U K3R тал в о Предельно допустим + 1 кОм, + 5 ые эксп >5 луа]аци <6 энные д >6_ чнные —
в и (Г „ БЭ < ьо ис = 10 в, 5 10 5 10 —™ 5 5
КЭХ max (у , В КБ пах 1? л ’ В D9 max Л . мА 9 еоьр окр 0ЭБОИ Окр ' е С 60 °C С 60 °C = 100 мкА, С 60° С <60 VC 10 0,5 20 80 0,8 50 25 10 0,5 20 80 0,8 50 25 10 1,5 20 60 1 50 35 5 10 1,5 0,3 20 5 10 0,3 0,5 10 85 0,8
К max 0 й окр 10 G0
пер max R 85 1
Р , м К /мат Р,, , М К /пял* 0 °C vOKpt Прим Rt 0 с 45 °C 0,8 50
Вт е ч окр 9 = = 55 °C — 35
окр d Н И я I Обозначения 60 +6 транзисто 0 job типа : — 40 + ГТ329 и Г 35 55 — Т341 прав 10 +60 одягся на
крышке корпуса
2 Для транзисторов ГТЗЗО применяется буквенная и цветная маркировка ГТЗЗОД—
буква Д и полоска красного цвета, ГТЗЗОЖ— буква Ж и полоска зеленого цвета
ГТЗЗОИ — буква И и полоска белого цвета Цветная полоска наносится на фланец ножки
между выводами коллектора и корпуса
126
КТ337Б, КТ337В
Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисторы
р-п-р, Предназначены для работы в радиотехнической н элект-
ронной малогабаритной аппаратуре широкого применения
Маркируются двумя цветными точками на корпусе КТ337А—
красного и розового цвета; КТ337Б — красного и желтого цвета,
КТ337В — красного и синего цвета.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4 3, о)
Параметры Редким измерения КТ337А КТ337Б КТ337В
tl2l Е аиг = -0.3 в 9 =25 “С ’ 1э" = 10 мА, >30 >50 >70
0°кр = 85 °C 24 60 40 100 56 140
0°Кр = - 40 °C >9 >15 >21
1"л,1 = - б в. / ’100 МГц i> = 10 мА, >5 >6 CD А
Л , , мкА /;К1. “° 11 /Л - 10 кОм, ~4 В / == 10 мА, К * ,ь 1и = 10 мА, / Ав=-5 ВБ <1 < 1 < 1
мкЛ / , , м к Л ir в Юнн. „ и. . .в Ь 1 ILЛL < пФ "м, — - -6 В <5 ^5 ^'5
<5 >5 ^5
«= 1 = 1 f= мА мА 10 МГц -0,2 — 1 <5 /Л 1 ( ел - Я Ь5 еч О — 1-О 1 1 V/
( нФ / НС 1 ' =0, f = 10 МГц 1,, — 10 мА, /, = 1 мА К ь <5 25 <5 28 <5 28
П1 сдельно допустимые эксплуа тационньп г данные
> В КЗ R та х в Ю кОм —6 —6 —6
0 85 °C —4 —4 —4
СЛ-- » в Kb max* /, , мА К max' п , мВт 0°Нр < 85 °C —6 — 6 —6
0ПКр <: 85 °C 0ОКр<60°С 30 1501 30 1501 30 1501
F \ f f t U -4 Fl O(" 150 150 150
'Oiep maxi A> °C »xпер окр> С/мВт — 06 0,6 0,6
-40 4 85
Оокр, °C
1 При температуре от 60 до 85 °C допустимая мощность (мВт) определяется по формуле
Pv — (150—0 >/0 6
К riu* сир'
127
КТ339А, КТ339Б,
КТ339В, КТ339Г, КТ339Д
Кремниевые планарно эпитаксиальные транзисторы
п-р-п Предназначены для работы в выходных каскадах УПЧ
цветных и черно-белых телевизоров 1-го и 2 го классов
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис 4 3, ф)
Параметры Режим измерения КТ339А КТ339В КТ339Г КТ339Д
К1339Б
/1 . = 10 В, Д = 7 мА >25 >25 > 15
21Е кь 3 > 15 > 15
* ^21э । /= 100 МГц ю А\А\ ljT 1Л сч л л >2,5
^кбо’ мкА %ь = 40 в <: 1’ < 1 <1
(У пФ к (Г =5 В, Н 10 МГц КЬ <2 <2 <2
тк, вс f = 5 МГц <25 /л/л — у о с < 150
П{ эедельно допустимые эксплуа 1 ациолньн ? данные
6^ , К ft С 85 аС 25 25 25
КЭ тал окр 12
, В 9 < 85 °C 40 40 40
КБ тал окр 25
LLK В о <: 85 °C 4 4 4
ЭБ max L, , мА 0ОКр < 70 °C 25 25 25
мВт 0ОКр < 55 °C 2502 2502 2502
екта\ «с окр _ f 120 120 120
flnep - -- —40 -85
окр
1 Для КТ339Б С/КБ 25 В
Е При повышении температуры от 55 до 70 °C допустимая мощность уменьшается до
160 мВ1
КТ340А, КТ340Б.
КТ340В, КТ340Г, КТ340Д
Кремниевые эпитаксиально-планарные универсаль-
ные транзисторы п-р-п Предназначены для использования в
128
усыпительных (КТ340А, КТ340Д) и переключающих (КТ340Б, КТ310В) устройствах Выпускаются в металлостекляином корпусе с гибкими вы водам и (рис 4 3, р)
П i| ач итрц Режим измерения К7340А ктноз KT31CI к ннл
К Т340Б
Й21Е = 1 В / = 10 к м А 100 150 160 351 16- >40
! = 5 В, / = 10 мА >3 >3 >3
f = 100 МГц
/ мкА = с/,гт. 1 1
КБО' 4 КБ ^Б max 1 ' = 1 < 1
' ,Б0, мкА эь < 100 < 100 < 100
, В I = = 50 мА, /с = 5 мА —
КЭ нас к ’ Б <0 3
7 к = = 200 мА, < =20 ь мА 1 — <0 4_ —
Г , пФ К ^КБ = 5 В, f = 10 ? АГ ц <3 7 <3,7 <6
( , пФ э "Ь> = 5 В f — 10 ? 4Гц <7 <7 7
1 , ПС h ^кь LT 11 CQ LT II мА <45 <85 150
г = 10 МГц <40
/ ПС 1 'к = -5 мА / — 1 ь мА < 10 < 15 <75
< 15
Предельно допустимые эксплуатационные данные
< , -В 0 (1 р < 85ПС 15 15 15
1 Ь п м 20
"., . 11 (I 1 Я5 ( 15 20 15 15
1,. 11 II 1 S । ( 5 50 5 5
1 м А 1 1 II 1 ч , ( 50 75 50
м; 1 ?0 Х1 к 200
\.. 75 500
1 ( мВт 150 150 150
о — 130 130 130
1) 1 ( । — — 10 4 85
1) । < к > В /к 200 нА
Н( п 1 J > — ?В /к = 500 мА
КГ342А, КТ342Б, КТ342В, КТ342Г
Кремниевые эпитаксиально планарные транзисторы
п р п Предназначены для использования в радиоприемных
и других рлдноллсктроииых устройствах широкого применения
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис 4 3, у)
П ЛЗМОТрЫ Режим измерения КТ?42 \ KT312G КТ342В КТ >42Г
Z,2lE 04д = 5 В, < = 1 мА кн э 100 250 200 500 400 1000 50 125
5 Гатти В II и др
129
Продолжение
11 1 р i ’ 1 р ы Pt, л и х1 измерения КТ342 X КТ312Б КТТ12В КТ342Г
0 =25 °C OKU 0 =125 °C > 1 00 ^200 > 400 > 50
61 1 — (10 °C 25 250 30 500 100 > 125
/V = 10 В, / =5 мА. К 4 Э f = 100 МГц >2,5 >3 1000 >3 >3
\во’ мкЛ С = 25 В. 0 = 20 °C ЛГ> р И =125 °C С 0,05 СО,05' < I2 0,05
С 10 С 10' > ю2 СЮ
Ср - -fin °C CI <!' < I3 С1
/обо. мкА Un, = 5 В С 30 С 30 С 30 с 30
/кэр> мкА ^КЭ = ^КЭ met, /?Бэ = 10 кОм С 30 С 30 С зо С 100
б'лЭ ptlc, В /\ = 10 мА, /Б = 1 мА С 0,1 СО 1 СО,] СО,2
j-.j. • В 10 мА, /в — 1 мА ^0,4 со У с 0,9 си
t'kJO р, В С 5 мА > 25 >20 >10 >25
С,., пФ L'kg — 5 В, f = 10 ?41 и <8 СЯ СЗ С8
Предельно допустимые эксплуатационные данные
б КЭР ти х» В Кбэ С Ю кОм, «о.р С 100 сс Яьэ < 10 кОм, 30 1Л CS1 10 60
0|>н।» 125 С 25 20 10 45
/К лаг< мА О.и-рС 125 С 50 50 50 50
/К и тах> М ти = 40 мкс, Q = 500 300 330 300 300
(Чйх. мВт 0ь1..РС25сС 250л 250} 300' 250*
А °Г u,ltp /лсш — 150 150 150 150
^«tep оьр> °С/мВт '— 0,5 0,5 0,5 0,5
0 °C ’Ажр, v- — — 60 + 125
’ При — 2") В
“ При 1/цб - Ю В
3 При -ьмгсратурс л ди 123 ПС допустимая мощ* исть (vRt) о тред,, imudi ни фюр
м> х* wot - 2 ^0 - <W
КТ343Л, КТ343Б, КТ343В, КТ343Г
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы
р-п-р Предназначены для использования в логических схемах,
токовых ключах, входных каскадах формирователей импульсов,
каскадах стробирования, генераторах, усилителях считывания
и других устройствах радиоэлектронной аппаратуры широкого
применения
Выпускаются в металлостсклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.3, у).
130
'1 I J м трь Режим измерения KT343A t\T 34 ЗЪ ЦТ 343В ктзнг
/ 11 L\b " —0'3 В, /э = 10 мА, e<lhp= 25 - 85 °C 30 50 30 1501
\h 1 0th1 -40 =>С £3кь = —5 В, /о — 10 мА, >15 >23 > 15 —
1 ! () мкА f = 100 MI ц Ькб — — Ю В, >3 >3 3 >3
0L) р < 25 °C <1 < 1 < I2 < 1
Оокр " За > 10 -< 10 < 10
/1 и;, мкА -17 В < 100 < 100 < 1003 с 100
С К Э fггс > 13 /(у = 10 мА, /р, — 1 мА — 0,3 - 0,3 — 0,3 —
/к — 150 мА, /ь — 15 мА — — — — 1
( । , пФ Л;рь = -5 В 10 МГц 6 >6 << ь •>п
( , пФ Ьбэ = 0, f — 10 МГи <8 <8 <8
/ , , НС 7^ = 10 мА, /б - 1 мА 10 20 1 10 15
Предельно допустимые эксплуатационные данные
С \ 4k max' В /?9Б = 10 г.Ом — 17 -17 — 17 -17
1 ЬЭ тихз В Оокр < 85 °C 4 4 4 4
б*. тал> ™А 0<ж[) < 8>С 50 50 50 50
( пи ¥> Р,1А «шц, <83°С — — 1 50
Г к ,И|И мВт Оокр < 85 150 150 150 150
0ц| р ' — 150 150 150 150
Мн р (я С/мВт — 0,5 0,5 0,5 0,5
О„кр> Ь 10 >85
1 11|>и «и IP / 1 л ' Hp -7 В 3 При 1 - - -9 в
К1 И5Л, KI ЯЗЬ, К 1345В
К ре мп новые >пн1 аксиально планарные транзисторы
р н р 11 рсдна шатены д|Я использования в радиоприемниках,
(и,к । рпдоиствуюгцих электронных переключателях, в импульсных
и др\-1их радиоэлектронных устройствах широкого применения.
Маркируются двумя цветными точками на корпусе:
Г 1 И5А — белого п розового цвета, КТ345Б — белого и сине-
11* цвет а
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
(put 4 3, п)
1 1 11. 1 М i | > ! PtzKl M [IJMLpt ГНнЯ КТ345А КТ345Б КТЗГВ
h a UbJ = — 1 В, /) - 100 мА >20 >50 >70
IXJ С>э = -5 В, h = 10 мА, >3,5 >3,5 >3.5
f = 100 МГц
h по. мкА 0>ь- -20 В >1 <1 1
/ 11,(i, мкА СЪэ-4 В >1 <1 < 1
C к t и it, В — 100 мА, /б = 10 мА -0,3 -0,3 -0,3
С'ь i H н' в /к = [00 мА, /ь — Ю мА — 1,1 — 1.1 -1,1
< , пФ С\е — — 5 В ,/ = 5 10 МГ ц < 15 <15 <15
131
Продолжение
Параметры Режим измерения КТ315А КТ345Б К i345В
Сэ, пФ £/вэ — 0; f — 5, 10 МГц <30 <30 <30
^pic> ЯС /к = ЮО мА; /б — Ю мА 70 70 70
Предельно допустимые эксплуатационные данные
яш, В Ябэ < 10 кОм; 0оКр < 85 °C -20. —20 -20
^КБ шах, Б Оокр 85 °C —20 —20 —20
^БЭ max, В О о л Л оо Li Q п 4 4 4
Л< тах> мА 0окр < 85 °C 200 200 200
тал-, мВт еохр < 40 °с 100' ЮО1 ЮО1
О v(ц vnep /пал> —. 150 150 150
/?пер окр» С/мВт •«——и 1,1 1,1 М
Оо\р, 0- — -40. .4-85
1 При теwр» от 4П чо Я5 "С прп^стимая мощность (мВ-) определяется по формате
mat = (1 — Арар V । J -
ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В
Германиевые эпитаксиально планарные СВЧ тран-
зисторы р-п-р. Предназначены для использовании в приемно-
ус илиIельной annapaiype широкого применения, в том числе
в селекторах каналов дециметрового диапазона волн.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.3, х). Один из выводов соединен с корпусом
транзистора.
] I яр d че гры Piz, |ч измерения ГТ34СА ГТ346Б ГТ346В
Адь 6'дь — 10 В, Л) 2 мА; 0окр = 25 иС 10.. 150 10...150 15 „150
Оокр - 55 °C 10,450 10 .450 15..450
0„р - -45 “С 3,5 . 150 3,5 150 5 .150
1 /12Ы 1 О’кв= —ЮВ; 13 — 2 мА; f = 100 МГц >7 >5.5 —
А[]б, Ом f>KB — 5 В; /э = 0,5 м 4; f = 1 кГц <30 <30 —
132
Продолжение
11 р iMi*Tp[> Режим измерения Г1316А ГТ346Ь ГТЗ16 В
/р |,о, мкА L/ku = —20 В, 9Jhl, = 25°C С. 10 СЮ < 10
Оокр - 55 °C U 100 < 100 < 100
/н о, мкА =0,3 В -о 100 ^100 -С 100
( К -) иэг В /к = Ю мА, /б 1 мА -0,3 — 0,3
1 1. » 1ИН. Ь /к — 10 мА, /ь — 1 м — 1 -1
U пФ 6'КГ) = — 5 В; / = 10 МГц < 1,3 1 >3
1, , ПС [?КБ = - 10 В, /э = 2 мА; / = 100 МГц 3 5,5 6
Л'ш, дВ икь- -10В;/э = 2мА; f = 800 МГц С 7 <8 С71
. дБ [/кэ = - ЮВ; /j — 2 мА; f W0 МГц -О 10.5 U 10,5 > 10,5
Предельно допустимые эксплуатационные данные
...и В 0ОкР < 55 °C -20 -20 —20
„г В Оокр С 5о ~ С 0,3 0,3 0,3
maxi В кОм, 0пкр U55 °C - 15 -15 - 15
/к П1ДА> МА 0с,<? -С 55 °C 10 10 10
(1 сС v 'р maxi — 85 85 85
rjjao мВт — 50 50 50
(Up, °с — -45 . +55
О 1 2 3 Ч мА и -г -ч S -8 30 -12 3^8
133
КТ347А, КТ317Б, КТ347В
Кремнисвые планарно-эпитаксиальные СВЧ тран-
зисторы р-п-р Предназначены для усиления и генерирования
сигналов высокой частоты, работы в импульсных и других устрой-
ствах радиоэлектронной annapaiypbi широкою применения,
Выпускаются в ме1 аллостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4 3, у).
] I ф 1 'll 1 1 I Р< >4.if-1 hjmuреиm KI Л 1 \ КТ317Б КТ347В
h'2] L С/кь= —0,3 В; 1э = Ю мА, 30. .400 30. 400 50...400
(Ьф -25 °C
0пчр = 85 °C 15 .1000 15. 1000 25. Л000
0(}ф —40 XJ 9 600. 0 000 15. .600
Пуп j I 1 [, -= — 5 В, / ) = 10 м А, <5 <5 >5
/ = 100 Mt ц
/КБО, мк [> — бjs5 f)IUK, ] <1 < 1
(Up - 25 °C
(UP = 85CC < 10 < 10 < 10
/jbO, мкА i/в i = 4 В < 10 <10 <10
ЯК А 7?jb, 10 кОм 5 5 5
ч,1,, В /к = 10 мА; < — 1 мА — 03 — о,3 -0,3
НС /к = К) мА; /е = 1 мА <23 <25 <40
С„ нФ О’ьэ 0 [ =-= 10 МГц <8 <8 8
<<> пФ Ккь = —5 В, / := 10 МГц < о < 6 <6
Предельно допустимые' эксплуатационные данные
Оуьр - 10 =2 85 °C, А<ь -- кОм — 15 —9 —6
бКБО и-г, В (-Акр ' rj с ОС V/ — 15 „9 —6
1J R ^ЬО тс\' п 0(нф > с 85 ГС — 4 —4 —4
\ „.п’ мА Оцкр - 85 СС 50 30 50
Z-< п п.е 0п,. г- О 85 °C 1 10 1 10 НО
7\ ’ мВг оиь . 53 СС 1 30' 150’ 156
Z\ В — 150' 1501 150
0-,ер -i?1, б 150 150 150
'’С/мВт — 0,5 0,5 0,5
134
J'fMf т<. iipaiype окружаглуеи спгды свы>ис 55’Г пппустиг/ая мнимость (мВт) Diipe-
к 1Ж ня ПО формуле flfax — 150 — (9ОКЗ—55)/0,5.
КТ349А, КТ349Б, КТ349В
Кремниевые эпитаксиально-планарные универсаль-
ные СВЧ транзисторы р-п-р. Предназначены дтя работы в уси-
лителях и переключателях сигналов высокой частоты
Выпускаются в мегаллостсклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.3. р)
i 1 ipa j i р Л Рг?ь mi IU4£ pt'П1я КТ Я-4 К Г345Б KT34JH
/дне и&э = ~ 1 В, /э = 10 мА,
0Окр — 25СС 20 80 40 160 120 300
%кР= —40 °C > 10 4 20 60
/гы-). Г/КЬ = - 10В,0окр = 25°С < 1 4 1 ^1
0^=85 °C ^6 6 ь
/р оч, мкА U[уЭ = — 15В; Rse 1 ОкОм < 1,5 1,5 1,5
/до- мкА С/зь - — 4 В ^1 1
1 А-л, | ] — — 5 В, /д = 10 мА;
= 1 эо МГц з :>з з
4]<J иао В /к — 10 мА, /к = 1 мА — 0,3 — 0,3 — 0,3
f-Aj [ В -- 10 мА, /|з = 1 мА -1,2 — 1.2 — 1,2
пФ Ukb= — 5 В;/= 5 10 МГн 4 6 <6 ^6
пФ [7эб = 0, f == 5 . 10 МГц ^8 ^8
Предельно допустимые экеплую анионные данные
"к В 40 4'.- -'85 (’С 20 - 20 20
//, 11? 15 1 ]< fflri 1 /Сь г НМ>м. 0 и, ' ^5 '<' 15 (5 — 15
б J j> 1 , В -10 0„р 85 С 1 1 - 4
A\ a ^А Т; <5 I МКС, frfli 40 40 40
/ К мВт — 4<ГС^0>кр<ЗСГС 2001 2001 200’
К1< JI t fl' i б — 150 150 1 50
" 1(, °C — — 40 ,-85
1 1!l>i. J. jkp’маптеи г|!?\ы G > се 30 СС •lOianutTb (иЬт> ртгсч ^тынясгея го
ir G * — (I 50 - 0&hpj /ОД
135
в -4 -8 -Z2
КТ350А,
КТ351А, КТ351Б,
КТ352Л, КТ352Б
Кремниевые эпитаксиально планарные универсаль-
ные транзисторы р п р Предназначены для использования в
устройствах магнитной записи, усилителях считывания постоян-
ных и опсратгвных запоминающих усi реши в малых ЭВМ и
других высокочастотных усилительных и переключающих устрой-
ствах
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
(рис 4 3, п) Маркируются двумя цветными точками на кор-
пусе КТ350А — серого и розового цвета, КТ351А — желтого
и розового-цвета, КТ351Б — обе желтого цвета, КТ.352А
зеленого и розовою uaeia, КТ352Б — зеленого и желтого цвета
Pcz-aiv и 1 меренйя КТ350Д. KT35I4 ктззПГ КТ352А KT352D
Пчрьпстр л
/121L = ~1 В> %кр ~ 25 “С 20 200 20 80 50 200 25 120 70 300
0шр = 85 7С 18 40(1 18 160 15 10О 22 5 240 (Н 600
Оочр - “40 М2 10 ?<8 < 20 ^-7 5 гг
/кьо М1М б к ь “Ю В, Оэьр — 25 С < 1 С1 <1
оокр = 35 д: —” < 15 < 10
/оно мкА 1 ^2 Тэ 1 б'эв — —4 В £/[<Б --- —5 В, /э — 10 мА, < 10 <10 <10
f = 100 MI ц — >2 >2
иь В } = 20 MI ц <5 —- -—
/к 500 мЛ, /ь _ 5о мА — 1 -0 6 — 0,9 —06
Б'ьэ (11С. В /к 3= 500 мА, /Б - 50 мА - 1 25 1 2 1 । -11
Ск, пФ £/кп — — 5 В, f — 5 10МГц <70 -.20 <J5
С’Э1 пФ _ — 1 В, 1 = 5 10 МГц < 100 <30 <30
/рчс, нс /к ~ 100 мА, /в = 10 мА — — «:15о
136
Продолжение
II рямстры Режим измерения КТ350 А КТ351А К '] ЫБ КТЗ 52 А КТ352В
Предельно допустимые эксплуатационные данные
** 5 1 иа\-, В -40 °C С Оокр <85 °C — 20 -20 -20
1 [ И? rnax- S /?БЭ = 10кОм,0О11Р- 85 °C — 15 — 15 — 15
1 'h r*iaxi -40 °С<() <85СС С п,1 —5 —4 1
+ 1! мА ss 1 «С, Q > 10 600 400 200
/\ мВт 0оьр < 30 "С 3001 300' 300
0 р, °C —
—40 +85
' При токе эмиттера 500 мА дтя КТ350А 300 мА — для КЗ 351 А и К Г 351Ь 200чА — дтя
КТ^24 и КТ352Б
' 1\ * м измерения 5 иязап ч hi КТЗ }0Л Д ш КТ351Л /к — 100 мА + — 550 м \ КДЗД Б
/и=|00мЛ /б=40мА КТ352А и КТ352Б —/к= 200 мА /ь=20мА
3 Режим измерения указан для КД350 А Для КТЗ51А и КТ351Б /к — 400 мА Г5 — 40 мА,
К I 352А и КТ352Б - /к - vA /Б - 2и iA
4 При температуре окружающей среды бо iec 30 °C мощность (мВт) рассчитывается по
формуле Рк max — (150 — ОокрЗ/О 4
137
КТ355А
Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисторы
п-р-п Предназначены для работы в усилителях и генераторах
электрических сигналов ВЧ и СВЧ диапазонов в аппаратуре
широкого применения.
Выпускаются в металлсстекляипом корпусе с гибкими вы-
водами (рис 4.3,^). Один из выводов соединен с корпусом
транзистора.
П.paneiры Релями 11 1м< рении КТ355
^21 Г / j; < = 5 В, / ь;—- 10 мА; Оокр = 25 ”С 80 300
9окр = 125 °C 80.600
ow = -60 °C >32
1^21J б’к-) =5 В; /ц ~ 10 мА. f ~ _ 300 МГц >5
/? и. Ом L\> -5 В, /к 10 мА, / - = ! к! ц 10
мкА ВкЬ = 15 В, 0О(ф = 25 ПС; гС0,5
Нокр = 123 СС £^5
/?во- МКА С/эв А В < 1
пФ (;КБ =5 В; f = 10 МГц =С2
С„ пФ В’зб =4 В; / - 1 () МГц <2
7М ПС В КБ — 5 В; /к — 10 мА; f -= _= 30 МГн 60
^кэо гр’ р) — К) мА; ти — 10 мкс; Q > 40 >15
Предельно допустимые эксплуатационные данные
Ь'кБОтас» В 10окр< 125 СС 15
б7КЭ1?лта*. В = 3 кОм, 0окр < 125 °C 15
б’эБС) глох, В е0(.р с 125 °с 4
ср шаг? мА 0Окр 125 X 30
К [ г,чах, мА 0окр < 125 ’С 60
^0 ср таи мА 9жр< 125 °C 30
138
Продолжение
Игра чет ры Режим намерения КТ355
/. „.цх, мА А к мВт <<п °C О О Ф G С G г л F "С II /ДА — со — kJ сл гс СП 0 от 1 60 2251 85’ — 55. .-Ь 125
lljm юмчер 1турс от до
123 йС максим глию допустимая мощность Р|< 1р(31 ьшжа
к । г по динеиному закону
О V д 72 UK3lB
КТ358А, КТ358Б, КТ358В
Кремниевые планарно эпитаксиальные высокоча-
cioniMc у< нлнтсльпые транше юры п-р п Предназначены для
шпиль шва пин в у сил и i елытых и генераторных устройствах
радио-элем ровной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
< рас, 4.3, а).
1! рамётры1 Режим na'-'f'pi. Lili я КIJ58A КТ358Б КТ358В
А [, [7кэ = 5,5 В, /э — 20 МА 10 .100 25. .100 50...280
/ . МГц [?K5=10 В, /э — 5 мА >80 > 120 >120
Дью мкА = Г'КБ гипх <10 < 10 <10
/ ,i,o, мкА 8Д>б = 4 В <10 <10 <10
' 'К > нас, В /К — 20 мА; /б = 2 мА <0.8 <0,8 <0,8
1'\, ) ННт В Пред( 7К = 20 мА; /ь = 2 мА ?льно допустимые эксплуа <1.1 тационньп < 1.1 ; данные <1,1
’ 1- 1» ,т>х, В 10 °C < 0окр < 83 СС 15 30 15
1 1’ Щ П1йк> В То же, при 7?бэ С 100 Ом 15 30 15
»1 > 'jra'Ct В 40 °С< еокр С 85 °C 4 4 4
А к ) i,ix t м А — 40 °C сС йокр 8а СС 30 30 30
и nfafi мА -40°С<еОКр<85 °C 60 60 60
/'| мВт — 40 °С< 0окр < 85 °C 100 100 100
139
Продолжение
П ргчетры1 Режим [змсрепия КТ 35 ЗА КТдГЙЬ кт^чв
1 о же, при /и < 1 мкс 200 200 200
0ц р ?лл> — 120 120 120
Ягнроьи °С/Вг 0.7 0.7 0,7
1 При i \ mri;i г у ре i)i ру липсли й с. [и да. 25 Д 1 0 °C KT36IA, КТ361Б, KT36IB, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы
р-п-р. Предназначены для усиления и генерирования колеба-
ний высокой частоты, а также для раисиы в выч пел и юльной
технике и в дручнч быстродсиствующих импульсных устрой-
ствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
(рис 4.3, к). Обозначение типа приводится на этикетке.
1ттр,1'. стры Pt л ну ш мер е ни я KT36I А К ГЗьГБ" KT36LB КТЗЕПД ТТЗБТЕ"
h?\ г (7к,ь = — 10 В; /-> = 1 мА; 20.. 90 40 160 20 90
0пхл=25°( 50.. 350 51Т 50 350
(’окр - 100 ’С 20 230 50.500 20 300 50.. 50() 20 250 50.500
<UP = ьо °C 10 90 15 . ЗэО 10...160 15.. 350 10.. 90 15.. 350
UJ21 J L'KJ — — 10 В; /э = 5 мА > 2,5 V кэ Сл >2,5
Ubo, / = 100 МГц 77кь--10 В, Оокр = "С Л 1 < 1 < 1
(Up 100 С . 25 U 23 с. 25
Лод- чк-4 7? бэ = 10 кОм < 1 U 1 < 1
/^30, М(Л Пчр = -5 В U 0,1 ^0,1 U0.1
6 КЭ [;ас, 3 и = 20 мА, U = 2 мА - 0,2 -0.2 — 0.25
О'ьЭ nite, В U — 20 мА, 7 5 — 2 мА - 0,85 — 0,85 — 0,85
(-U еФ £7Кь - — 10 В J - 10 МГц 9 7 7
ТК1 ПС LUb — — Ю В; 7 j — 5 мА / = 5 Ml ц U500 U юоо <250
1 > Пре дельно допустимые ькеплуа тационньн U500 ? данные < 1000
Г КЭ па тс, В 0,,К[1 < 35 СС to CJ1 — 40 — 40
^КЬО таи В 0 35 С(3 -20 -25 — 35 -40 — 35 — 40
НэБО гтгйл, В OjKp U 100 Сс -20 — 4 — 35 „4 — 35 — 4
РА maxi мВт 0окр < 35 °C 1501 1501 1501
Оокр = 100 СС 30 30 30
140
Продолжение
111ра’Ю”ры Режим измерения кт 361 4 K'lJblB КТ361В KT3G1Г КТ361Д ЮС1Е
о °C — 126 120 120
Л II р ,Ь[Ъ С/мВт — 0,67 0,67 0,67
сс — — 60.. -j-100
lipn TCMiti pdTjpe окружающей среды более 35 “С мощность (мВ")
Формуле: ГкЛШ<.= (120 — 6mnj)/0,67.
расс-1итывгет'я по
ГТ362Д, ГТ362Б
0 -1U ~2д -зои^в
|\“Р
Германиевые планарные СВЧ усилительные транзи-
i юры п-р п с нормированным коэффициентом шума. Предназна-
чены для работы во входных и последующих каскадах усили-
телен СВЧ.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими по-
лосковыми выводами (рис. 4.3, н), Помимо обозначения, на-
несенного на крышку корпуса, допускается условная марки-
ровка- для транзисторов ГТ362А - две красные полоски и буква
\ для ГТ362Б — две полоски белого цвета и буква Б.
1 [ 1Рdметры Режим измерения I 1362Л [ [ JG2B
и б'кз = 3 В, /э = 5 мА; 0 — 26 °C иакр — С- 10. .200 10. .250
Ill
Продолжение
lT i[l J MCI ры Режим нз-, в рения Г 1352 3 ГТ362Б
Оокр = 55 °C 5 500 5 625
Оок. = -40°С 3 300 3 375
6'к) = 3 В, /о = 5 мА. / = 300 МГц ^8 ^8
/цьо« МКА ^?кб ~5 В, 0Окр < 25 <5
6\ь=5 В, 0ол1, = 55эС <30 <30
/э 50, м кА 6'эб = 0,2 В < 100 < 100
Ск, пФ 6гКб=5 В, f = 30 МГц <1 < 1
Сэ, пФ 6?эб = 0,2 В, f = 30 МГц С 1 < 1
ТЕ, ПС — 5 В, < = 5 мА, f — 100 МГц < 10 <20
Кш, дЬ =3 В, = 2 мА, / - 2 25 Ml ц < 1,5 <5 5
Предельно допустимые эксплуатационные данные
^КБ maxi %кр < 70 °C Яэб 1 0Окр < 70 °C 5 5
^КЭ1? max г ft 5 5
^ЭБ глад’ ft 0ОКр 70 °C 0,2 0,2
JК mart мА еикр /о 10 10
atari мВт Оокп 25 °C 40‘ 40’
A L1С иокр» — 60 4-70
1 При температуре окружающей среды свыше 25 СС наибольшая рассеиваемая мощность
(мВт; определяется по формуле = 40 — G 5 <E»otCp — 25)
142
КТ363А, КТ363Б, КТ363АМ, КТ363БМ
Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисторы
р п-р Предназначены для усиления и генерирования колебаний
в СВЧ диапазоне, для работы в быстродействующих импульсных
устройствах в аппаратуре широкого применения,
Транзисторы КТ363Л и КТ363Б выпускаются в металло-
стеклянном корпусе, а КГ363АМ, КТ363БМ— в пластмассовом
с некими выводами (рис 4 3, у, /?) TpaiUHCinpH КТ363ЛМ и
K33bJbM гыркиру юн я цнешыми точками Кд 5С1АМ — двумя
розового цвета, К Г363БМ — розового и желто о цвета
11 т р ч кетр i,i Ре а 11 м изл-к рения К JC X КГЗЬШ
К 1 3uj л КТЗЬЗЬЧ
[/ — —5 В < — 5 мА 20 70 40 120
(<р = 25< 0( кр == 35 °C 1' 175 30 500
= 40 "С 1 1 35 23 150
\1< 1 > Б’к ) — — 5 В /к = 5 мА, f = 100 МГц > 12 > 15
о, мкА t/KD = -15 В <05 <0,5
( Н о, мкА Бг2б ~ — 4 В <05 <0,5
Ы с, В /х, — Ю мА, /Б — 1 мА — 0 35 - 0,35
' JC> В /к = 10мА>/Б=1 мА -’J — 1,1
( нФ £/кб = -5 В, / = 10 МГц <2 <2
i пФ Lэб 0, f — 10 МГц < 2 <2
t НС (/ць _ —5 В, = 5 мА, / = 30 МГц <50 <75
НС /к; = 10 мА, /Б = 1 мА < 10
143
Продолжение
[ 1араме1ры Режим измерения КТЗЬ 1А КТ363АМ. КТ363Б
К Г 163 Б М
Предельно д<и(ус1имье эксилуатлционныс данные
max > В /?эГ1 < 10 кОм, ()Окр <85 °C „10 -10
/?jb < 1 кОм; С,кр < 85 °C — 15 -12
max i В 0оьр < 85 — 15 — 15
СэБО max* В Оокр -ч 85 С „4 — 4
/д и max, М-А ти < 1 мкс, Q > 2 %кр < 85 °C 50 50
А\ Г’1И> МА Оокр < 85 ПС 30 30
Рк majc* мВт Оокр < 45 °C 1501 1501
^?пер окр> — 0,7 0,7
"C/mBi
(1 °C vnep max > — 150 150
0 иикр1 -40 . 85
1 При температуре окружающей стсды сты по 45 еС догустнмая мощность (мВт) опреде-
лнетсн по формуле /’Knat = 150— (fiOJ 45j/0,7.
КТ368А, КТ368Б
Кремниевые планарно-эпитаксиальные у силнтель-
ныс СВЧ транзисторы ri-p-n. Предназначены для использования
во входных и последующих каскадах усилителей высокой час-
тоты
Выпускаются в мсталлосгеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 4.3, т)
Параметры Режим измерения KT36SA КТ368Б
^21Е ^кб — 1 В, /у = 10 мА 50 300 50 300
Ар, мГц С7кб = 5 В, /э — 10 мА >900 >900
/къо, мкА (7Кб = 15 В <0,5 <0,5
Сдо, мкА 0/ПБ = 4 В < 1 < 1
^КЭОгр, В /э — 10 мА > 15 > 15
144
Продолжение
11 4 1 -lei । >1 Режим измерения КТ368А КТ368Б
Л [f], Ом t/KB “ 5 В; < — 10 мА; f — <6 <6
= 1 кГц
f , пФ Ь'кь = 5 В < 1,7 <1,7
„ пФ <)Б=4 В <3 <з
ПС 1\> -о В; !э= Ю и4; / = < 15 <15
- 30 МГц
III, дЬ = 5 В, /«=10 мА; f = <3,3 —
= 60 МГц, = 75 Ом
Предельно допустимые эксплуатационные данные
1 КБ г ах, В - бо°с<е<)ХП£ ; 125 °C 15 15
1 K.3R tv ix, В То же, при /?эв < 3 кОм 15 15
1 ‘ тих, В -6o°c<eCKp* 125 °C 4 4
( КБ и max, В То же, при /и < 0,5 мс; Q 2 20 20
1 ‘ ДЭ Д и max, В То же, при 7?эб < 3 кОм 20 20
< max, мА -60°С<0окр^ С 125 °C 30 30
< и max, мА То же, при /и < 0,5 мс, Q < 2 60 60
Скулах, мВт - 60 с С < Оокр ^65°С 225 225
0 к ti окр, °С/Вт —- 364 364
КТ371А
Кремниевый планарно-эпитаксиальный СВЧ усилн-
[единый транзистор n-р п, Предназначен для использования
в усилительных устройствах СВЧ.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с гибкими по-
юсковымн выводами (рис. 4.3, э). Маркируется двумя синими
। очками, которые наносятся на крышку корпуса.
Пл pi метры1 Режим измерения К 1371 А
!' II /7ць — 1 В; /к — Ю мА 30. 240
1 ,ь ГГц СКБ = 5 В, /э = 10 мА >3
/и,О, мкА. Г/кБ = 10 В <0,5
! л,о, мкА Г>эв - - 3 В < 1
1 кэо I р» В /э — 10 мА 10
М 10, Ом £/кб - 0 В; < -= 10 мА;/= 1 кГц <10
< , пФ £/кб = 5 В <1,2
1 „ нФ Сэб = 1 В <1,5
Предельно допустимые эксплуатационные данные
f,‘,]tl„ax, В ! 1 ’!< max, В -60°С<0и1ф То же, при /?эб < 125 °C < 3 кОм 10 10
1 И > ги а х, В -60 °C < 0окр < 125 °C 3
' i( v, мА -60”С<Оаьр < 125 °C 20
. । /' lii, мА То же, при s С 10 мкс; Q^2 40
145
Продолжение
Параметры1 Режим измерения КТ371А
/>Кт-г. МВт — 60cC<0Okp<65°C 100
0окр = 125 °C 30
^?пер окрг С/мВт — 0,833
0 °C vnep max., Vj — 159
1 При температуре окружающей среды 25±10:‘С
КТ372А, КТ372Б, КТ372В
Кремниевые планарно эпитаксиальные транзисторы
п-р-п с нормированным коэффициентом шума. Предназначены
для работы в усилителях и генераторах колебаний в диапазоне
частот 1...3 ГГц в аппаратуре широкого применения.
Выпускаются с керамическом корпусе с гибкими полоско-
выми выводами (рис 4.3, я). Маркируются двумя цветными
точками, которые наносятся между базовым и эмиттерным вы-
водами: КТ372А — зеленого цвета, КТ372Б -— белого цвета.
Параметры Режим измерения КТ372^ KTJ72B КТ372В
^21 Г 6'кь =_ 5 В; < — 5 мА 10 Ч] 10 90 10. 90
1 ^21 _> 6'кб = 5 В; /э=5 мА; / = 300 МГц <8 > 10 >8
Лево- мкА Ь’кб = 15 В; 6окр = 25°С < 0,5 <0,5 <0,5
0^= 125“С <10 < 10 < 10
/дно, мкА О’бэ — 3 В <0,03 <0,03 <0,03
Ск, пФ Окь = 5 В, f — 30 МГц < 0,65 < 0,65 < 0,65
G, пФ Тк, ПС Г'ь ) -- 0 / — 30 МГц ^кб э В, / j 1 м [ = зо МГц " 1,2 , 1 < 1 2 , 4 < 1 2 1
А<, тБ £/кб = 5 В, /р — 2 м \, f 1 ГГц 2,3 3,5 Оп СП 3,2 .5,5
Я.., ДБ Пре (‘кэ = и В, = 5 мА; / = 1 ГГц дельно допустимые эксплуа <12 тапионпьк < 12 ? данные <12
О1 КЭН паг, в 7?эь_ 100 Ом; 0икр< < 125 °C 15 15 15
и max, В /?эб — 100 Ом; тн — = 10 мкс; / =50 Гц 15 15 15
^КЪО чшх, В 0окр< 125 °C 15 15 15
шт»’> В / К т о у > мА 0оьр< 125” С е0,,,< 125 °C 3 10 3 10 3 10
7*К щах, мВт ^?1П’р окр> °С/мВт 0акр < 100 °C 50* 1 501 1 501 1
146
Продолжение
1 Ырз .,етры РСЖИ'.' ИЗМСре ПИЯ КТЗ~2\ КТо72Б КТ372В
к ц р кор, С/мВт — 0,3 0,3 OJ
п °C J < Р 7 1 * — 150 150 150
Ik}, СС — -60.., 4-12 5
При темперптерс п" 100 тл 125 °C мощность (мВг) pjct'iii ыг.зется по фор'л>.те /\ J(Ii —
= IоО — Ооьр
КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В,
КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е
Крем пневые эпитаксиально-планарные усилительные
транзисторы n-p н с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для использования в усилительных и генера-
торных каскадах высокой частоты.
Выпускаются в металлостекляшюм корпусе с гибкими вы
водами (рис, 4 3,1/),
ПарЕ1метры Режим измерения KT31D2A КТ 3102 Б КП102В кгз:о2Г Ki 3102Д KT31U2C
I'.1 1 Г ^КБ = 5 В, /о = 2 мА, 100 250 200 500 200 500
0окр -25 °C 200 .500 400 1000 400 .1000
еОКр=85‘С 25. .250 50.. 500 50 .500
50. .500 100. .1000 100..,1000
Оокр — —40 °C 100 >200 >200
>’200 >400 >400
t/КБ — 5 В; /д = 10 мА, 1,5 > 1,5 >1,5
f = 100 МГц >3 >3
/[ [,о, мкА ^КБ = maxi 60Кр — <0,05 <0,015 <0,015
-25 °C
еОкр = 85°с <5 <5 <5
/ и.о, мкА 4 = 5 В < 10 <10 < 10
/} । {j э м кА ^КЭ = ^кэ max ^0,1 < 0,05 <0,05
147
П родолжение
Пл р чме тры Режим нзчсрсния КТЗ 02А КТТГ02Б KT3I02B КТЗТ02Г КТЗ102Д К 1'310212
Кш, дБ ^кэо ip. Б Ск, пФ Б'кэ = 5 В /к = о,2 мА; 1=- 1 кГц, /?г = 2 кОм /.j = 10 мА Гкь=5 В; f = 10 МГц < 10 > 30 <6 о о «о —। —। to V ДА W Til—' V/ Л|Л V/
Предельно допупимыс -эксплуатационные данные
& КБ па г Б — 40 °C 'С о )hp с 85 °C 50 30 20 30 50
пах, Б — 45 °C Д" Осжр 85 °C 50 30 20 30 50
^ЭЬ maV — 45 СС ^3: 0!)hp С 85 °C 5 5 5
та^> - 45 °C ^окр < 85 °C 100 100 100
/к П »7ЛГ> То же, Q > 500 При Т(, 40 мкс; 200 200 200
Рк там мВт Риер окр. °С/мВт 0 °C vl'TCp-KOp ПП' , v— 0 °C иокр> — 40 СС <т" А иокр sC 25 °C 2501 0,4 125 2501 0,4 125 -40 ..+& 250 0,4 125 j
1 Прл температуре окружающей среды от 25 до 85 °C мощность (мВт)
по формуле Рктал=- С [ 25—'Эокр)/(J 4-
рассчнтывается
О 2 Ч 6 8 10 12 zw я 1 2 3 Ч ЯН(1С О Ю 2030 М5813,мЬ
148
КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ31О7Д,
КТ3107Е, КТ3107Ж, КТ3107И, KT3J07K, КТ3107Л
Кремниевые эпитаксияльна планарные усилитель-
ные транзисторы р-п-р с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для усиления, генерирования и переключения
tin налов высокой и низкой часисиы
Выпускаются в пластмассовом Kopi усе с гибкими выводами
(рас* 4 3, п}. Маркирую!ся обычным способом: надписью па
, орпусе пли цветными точками. Первая точка —светло-голу-
юя— указывает на серию транзистора KT3I07, цвет шорой
.очки определяет группу внутри серии- А — розовый* Б — жел-
ый; В - темно-голубой; Г -- бежевый, Д оранжевый; Г.—
(ниолетпвый, Ж — светло-зеленый, И — зеленый, К — красный;
.'1 —серый
П<| р.1 ,|СТ [1Ъ Режим игм1 ри -in я Группы транзисторов ЗначеI ня
21 Е U КБ = “3 В; /э—2 мд: КТ3107А.В 70 * 140
КТ3107Б,Г,Е 120 -.200
КТ3107Д.Ж.И 180.460
КТ3107К.Л 380.. 800
/э 0,01 мА КТ3107АД ^20
КТ31О7Б,Г,Е >30
КТ3107Д,Ж,И >40
KT3I07K Д > 100
/ ? |(»0 мА К13107А.В >30
КТ3107Б,Г Д,Г,Ж,И > 50
КТ3107К.Л >90
( (1 мкА (7КЬ= -20 В КТ31О7А. .КТ3107Л > 0,1
, о, мкА = -5 В КТ3107А КГ3107Л ^0,1
ААГп. "кв= -3 В 10 мА KT.3I07A. КГ3107Л >200
Ш </КБ= -5 В, КГ3107А,Б,В,Г,Д,И,К >10
/v — 0,2 мА; f — 1 кГц; R j 2 кОм КТ3107Е,Ж,Л >4
। 1 । 1С> в СТ X II и > ° > > КТ3107А. .КТ3107Л -0,2
t 1 ст В /(< — 100 мА; = 5 мА КТ3107А ЖТ3107Л — 0,5
< и К, В ст -к II II а — ел ® *>> КТ3107А ЖТ3107Л -0,8
. ,1( в СТ 74 II II СП — о s а > S > КТ31О7А. .КТ3107Л — 1
ПО
П родолжение.
Пара исгры Режим iзчеренин Г р ул11 ы TpdluHLT'ipOD .Значения
Ск, пФ 1ДБ 20 В; КТ3107А. KT3107J! Д7
1 = 10 МГц
Предельно дпнчттимые эксплуатационные данные
КБ г,ах’ Б 0 окр = 25 »С КТ3107А,Б,И — 50
КТ3107В,Г,Д,К -30
КТЗЮ7Е.ЖЛ -25
В 90„р = 25 "С КТ3107А.Б.И -45
КТ3107В,Г,Д,К -25
КТ3107Е,Ж,Л -20
U3D -нал, В (Щ„ = 25°С К13107Л . KT3107J1 5
К /7МА> 9 тр = 25 “С КГ3107А ЖТ3107Д 100
Д н гоп М А т и = 1 0 мкс; КТ3107А...КТ3107Л 200
Q^2
Б мЛ 90кр = 25 =С КТ3107А!Б,В,Г,Д,Е]Ж!И 50
КТЗ 107 К, Л 5
РК тап мВт 0„„ = 25’С КТ3107А...КТ3107Л 300*
Rпер-OKpi — КТЗ 107 А КТЗ 107Л 420
сС/Вт
fi °C ° вер frltLV KI3107A К13107Л 150
п исхр’ — КТ31О7А...КТ31О7Л — 60... +125
При температуре сгружающей среды бсмее 25 °C чсщность (мВт) рассчитывается
по формуле ^Кягад = (ЬЯ- еичр)/(),42
150
КТ3108Л, КТ3108Б, КТ3108В
Кремниевые планарно-эпитаксиапьные транзисторы
р-п-р Предназначены для использования в усилителях высокой
частоты и логарифмических видеоусилителях.
Выпускаются в ме^аллостсклянном корпусе с гибкими вы-
годами (рис 4 3, у)
ГЫ] Э '.14 1 ры Реиаги и (Mf’pfi ит КТ И (It5 г ГППТчТ, К ГИС8В
-
! .’11 Окь -- -Ю В, /3 ^=0,1 мА >40 >40
~ — 1 В; /э = 10 мА 50 150 100.300
6'КБ = —20 В, /к ~ 10 мА; f = >2,5 3
= 100 МГц
/| 1,0 мкА t^= тал <^0,2 <0.2
/ > мкА (7вЭ = 5 В <0,1 <0,1
' 1 ) н<1 о В /к. - Ю мА; /б = 1 мА 0,25 <0,25
'5 НИ.. В /к = 10 мА; / ь — 1 ^А 1 <1
5 , дБ — —5 В, /к = 1 мА, / —
= ЮО МГц
151
Продолж ение
ШрамеТрЫ Режим измерения ктзюед ктзтв КТЗ 108В
7рас> нс /ц = 10 мА; < - 1 мА <175 —
Ск, пФ L/kd = -10 в <5 <5
С3, пФ f/E9 = l В <6 <6
Гк, пФ t/кк — — ЮВ; /ц = 10 мА; f ~ <250 <250
= 30 МГц
Предельно допустимые эксплуатационные данные
6 КБ max, В — 40сС <0окр^ 85 °C 60/45 45
6ГКЭЕ? тал, В То же, при 7?эь == 10 кОм 60/45 45
max* В -45 ’ССОокр^ S:85QC о 5
7к max, мА — 45 °C <0окр 1 £ 85 ПС 200 200
Рд -наг» мВт Оокр * $ 25 сС 300 300
Оокр “ -85 °C 100 100
Т’к и mcix> мВт То же, при £1{ < 10 мкс, Q > 2 3G0 360
КТ3117А, КТ3117Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы
п-р-п. Предназначены для работы в качестве переключающих
элементов в быстродействующих оперативных и постоянных
запоминающих устройствах и другой радиоэлектронной аппара-
туре широкого применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами (рис. 4.3, у).
Пар£че"ры Режим измерения КТЗ11 7Л КТЗН7Б
Й21Е £/КЭ “б В; Ь —200 мА 20 200 100...300
|Й21э1 Uh3 = 10 В, /к —30 мА, /-- >2,5 > 2,5
= 100 МГц
/кбо» мкА <4б ~ £7}\Бтих < 10 <10
17КЭ нас. В /д = 500 мА; /б = 50 мА <0,6 <0,6
^БЭ нас» В /к — 500 мА; /б = 50 мА < 1,2 <1,2
с\, пФ £/дб = Ю В; | — 10 МГц <10 <10
C-lt пФ 77ВЭ = 0; f = 10 МГц <80 <80
^вк.ь НС /к = 150 мА, /п — 15 мА <35 <35
НС /к = 150 мА, /ь — 15 мА <285 <285
Предельно допустмые эксплуатационные данные
6\в так, В — 45°С<0(жр <85 еС 60 75
f/дэ так, В То же, при 7?ьэ = 0 60 75
UOR max, В То же, при АТ я — 1 кОм 50 —
б^БЭ max, В Сп □ О /Л ф о ж: "О /Л □о о 4 4
б^БЭ и max, В То же, при ти = 10 мкс, Q = 2 5 5
7К я max, мА То же, при д, = 10 мкс; Q — 2 800 800
/к паь мА -45 oC<0UKP<85zC 400 400
152
Продолжение
Параметры Режим измерения КГЗИ7А КТЗН7Б
meet, чВг -45 °С<0окр<4ОоС 3001 3001
/'К и мВ Г —45 °С<0окр<4о°С 800 800
е„кр = 85 "С 400 400
0 °C —. 150 150
(| °C ' -'И — — 45 , . 4~ 85
Ери увеличении температуры окружающей среды от 10 до 85 °C мощность (нВ') изме-
няется по линейному закону и может быть рж считала по формуле Рк — (i 50 —
— Оо^р) /0,35
КТ3120А
Кремниевые эпитаксиально-планарные СВЧ усили-
н явные транзисторы п-р-п с нормированным коэффициент игл
шума. Предназначены для работы во входных и последующих
к и кадах усилителей СВЧ.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими по-
нн-ковыми выводами (рис 4,3, э). Обозначение типа транзистора
!i|11 [вочнтся на этикетке. На крышку корпуса нанесены две
1О.ЦЧ1 белого цвета.
153
П ip । м ры ГОТ ,1'1 Измерен !Я К~Л£04
Л?н L/bh = l В, /к-5 NjA,0ркр = 25 °C >40
(Up = 125 °C >40
0OIO -GO-С > 20
Л'БО, С7кБ = 15 В, О,.,-, =25 <. < 0,5
%м, = 125 °C + 5
=5 В, >=- 10 мА f = 300 МГц >6
G, пФ -5 В, f — 10 МГц <2
пФ Ub =_ 1 В, / 10 МГц < 3,2
К.г, ДЬ = 5 В / > 5 мА. / = 400 МГц >10
Кщ, дБ (/кь = 5 В Г, = 5 м V / = 400 МГц <2
Т ПС к (Др, =5 В, /, = 10 мМ f = 30 МГц >8
Предельно допчпмыс л<лп ъатациочпые данные
та \ , В -GO °C < 11 125 °C 15
L KT R пат Б «оир < 125 °C )C 10 кОм 15
Zb пи г, МА 0,1, p > 125 °C 20
Umax, мА 0QK1 125 °C 20
+ и пах. мА Ofihp > 125 °C, c- < 10 мкс, C > 2 40
Оитуг: МА O.ikp < 125 °C Gi C 10 мкс, C > 2 40
Гц max, мВт -60°C < Ouxp >> 65 °C 100*
А °C vnep так, Vj 150
еокр1 °с — — 60 +125
М IKLH’I < чьпия мощ-
1 Прд хве-тиченнн тс^пеоатхры окрх ж чч цри срелы <н 63 чч 123'С
ьостъ П1ижаст(.я но и-шийном j закону до 30 мВт
КТ3123АМ, КТ3123БМ, KT3I23BM
Кремниевые СВЧ транзисторы p-ti-p с нормирован-
ным коэффициентом шума Предназначены для работы в уси-
лителях высокой и сверхвысокой частоты аппаратуры широкого
применения
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими по-
лосковыми выводами (рис 4 3, щ) Маркируются цветной точ-
кой, которая наносится на корпус КТ3123АМ. — розового цвета,
КТ3123БМ— желтого, КТ3123ВМ — синего цвета.
154
[ f 1 p 14 t 1 P 4 РслПЧ ЗЧсрСЦ|1Я КI 3 123Л М КГ КТ3123Б М
+ i 1/Кь=-ЮВ, /)= 10 мА,
*Up = 25 °C >20 >20 >20
%кр = 8’5 пс > 15 > 15 >15
и„кр = >7 7 > 7
+ .Л), MhA Бкб , .U" 0ш..р = < 25 <25 <23
= 25 °C
О^кр = ЙД В < 100 < 100 < 100
/И,(П мкА С'об = — 5 В <25 <25 <25
^2] j Гц б ~ — 10 В, /Бч — 0 мА,
/ = 300 МГц >13 3 > 1.3,3 > 10
C„ пФ йКБ= — 10В4 = 30МГи <1.2 <1.2 < 1 2
A l r, дБ О'кд— —10 В, Л — 3 мА,
/ _ 300 МГц <3 <4 <3
Предельно допустимые эксплуатационные данные
0 КЕ r:ui'i В - 4 5 ЭС < еич, °C — Io —13 — 10
1 5\ Н? inavi В То же, при /?бэ= 10 кОм -12 -12 -10
}В пап Б -45<<А>р<85 °C -3 — 1 3
А «1171. мА - 45 ’С < 0„хр < 85 °C 30 30
и мА То же, при iH < 10 мкс, 50 50 50
Q> 2
мВт -45°C<9Okp<25°C 1501 150’ 150
>р, °C — — 45 >85
1 llpn \(i tn iuhih цм[| р 11 \ pi г <'! 2, bi ЯЗ <. пл'бочьшая допустимая моцность спи
Ж 11 Ь. И II > [II III Lili ) V 1 hi I * [(I I 111? I / (
155
KT3I26A, KT312GB
Крсмнисзыс планарно-эпитаксиальные транзисторы
р-п р. Предназначены дли усиления, генерирования и преобра-
зования высокочастотных и сверхвысокочастотных сигналов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
(рнс. 4.3, ю). Транзисторы КТ3126А маркируются ромбом,
КТ31265 — ромбом п точкой.
П р 1 игры Pf Л 114 И Л'• рСР ;1Я КТ . л, \ К1 И 2Gb
^2 IF £/кь = —5 В, /j — 3 мА 25 150 60 180
1Л-21Й иКБ = - 10 В; h = 2 мА; / = = 100 МГн ‘>5 >6
J’kBO. MhA - —15 В 1 1
^279
80
SO
W
20
156
Продолжен; if.
Параметры Режим измерения КГЗ:264 КТЗ[2ЬЬ
А Э пае, В 7к 10 мА; / б — 1 мА — 1,2 -1,2
С,. пФ 6гьб = -10 В; f = 10 МГц <2,5 < 2,5
г",, пФ С'эв -- - 2 В, f = 10 МГц <2,5 < 2,5
|н пс бгкв — — 5 В, Л) — 5 мА, [ = < 15 <15
— 100 МГц
Анб, Ом 6гьь — —5 В; /э — 1 мА; / = >34 >34
= 50 1000 Гц
/1226. МКСМ СгкБ = “5 В; /э = 1 мА; f = < 1 1
= 50. .1000 Гц
Предельно допустимые эксплуатационные данные
Б\б тах> В
ГНб та I’ В
Б'кЭКтаг, В
/К maxi МА
!\тах, мВт
7?ik р окр,
*‘С / мВт
П йС
ищ”) '4(7 Г* v“*
Corp. сс
— 45 °C < Н{)кр < 85 °C
-45 °C < Вокр < 85 °C
То же, при /?бт = Ю кОм
- 45 °C < 0окр < 85 °C
-45 °C < ()ОКр < 30 ПС
— 20 -20
-3 — 3
— 20 -20
20 20
150[ 1501
0,78 0,78
150 150
— 45 . + 85
1 При TCKiiLpdixpc от 30 то 85 "С мощность (мВт) расслаивается по формуле Рк ,и<з.-. =
= (150— U,,h[,)/0 78
КТ3127Л, КТ312НЛ
Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисторы
р п р. Предпа шачепы для усиления, генерирования, преобразо-
вания колебаний высокой частоты, а также дтя рабены в
каскадах с автоматической peiулировкой усиления в селекторах
каналов и блоке радиоканала телевизионных приемников
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами (рис, 4 3, х).
Ilapai г,тры Режим тмерс ц,т КТ И27\ К I j 2 «4 \
А 1 1 бЛхБ = — 5 В; 7 > -- 3 мА 10 . 150 10 150
/, МГц Г/КБ = — 10 В; /э = 4 мА 800
/[ । и, мкА б+в = - 15 В 1 1
1 । ,, мА Uкэ = — 12 В / = 200 МГц — 3 5
/’ дБ /э 4 мА, f - 200 МГц ——- 14
, дБ 7Э =4. .9 мА; /200 МГц — 20
/, , , Ом УКб=-5 В; /э=1 мА; / = = 50. 1000 Гц 34 34
дБ б+в= -5 В, 7Э = 5 мА, / = = 200 МГц < 5 5
157
Продолжение
П фаме-'-ры Рои- ПГ [ и (мере ( И я КТЗД74 К Н1 _’8 \
С\, пФ С,, ПФ Чм ПС Г\з = — Ю В, f 10 Ml Ц пэь - — 2 В, / — 10 МГц U^> = — io В, b — 4 мА, f = 100 МГц < 1 < 1,5 10 .Д 5
Предельно допустимее эксплуатационные данные
^КЬ ‘.'И-’., В -45 °C 0ОКр 85 СС — 20 -20
^k3R,ra>, В То же, при /?Ьэ — 10 кОм — 20 — 20
^ЭБ т, В -45 °C<0Ohp <85ЬС — Л — 5
^К. ma i 45 "С. 01)!х? 85 "С 20 20
г/hi »> мВт - 15 X С %, <5 35 "С j 001 1001
Rпер сн р! cC/v.Bi 1,15 1,15
' В шгтрвзте температур от 33 до 83" С мищщдль (мВт) рассчитывает», я па »[>ip-iy те
тсу = (150 9олр)/1>!5
Л ЯГз Г Ш127А
^(1^3мА) КТ3125А
158
KT3I42A
Кремниевый плана рно-эпитаксиальный высокочастотный
(ранзистор п-р-п. Применяется для генерирования, усиления
и преобразования колебаний высокой частоты.
Выпускается в металлосюклянном корпусе с гибкими вы-
। одами (рис. 4 3, у).
159
Параметры Режим измсрения КТ31424
/1-2 IE С'кд = 1 В^к = 10 мА; f = 50 Гц 40 120
fip, MI ц = 10 В, = 10 мЛ > 500
/КБО- МКА ^КБ = 20 В <0,4
Г>ЭО гр* В /э — 10 мА >15
В — 10 мА; /ь — 1 мА <0,25
Г'бЭ н,1С1 В /к = 10 мА; А, = 1 мЛ < 0,85
/к = 100 мЛ; =10 мА <12
Л(ЫкЛ) НС /< — 100 мА, /ь = Ю мА < 18
^рао НС — 100 мА, /б ~ /б2 — 10 мА <13
ск, 11Ф 1/кь — 10 В; / —10 МГц 4
Предельно допустимые эксплуатационные данные
TrflV, В - 15 °C < 0<1кр < 85 °C 40
Г>Э птах- В — 45 °C < 11(1 нп < 85 °C 40
^ЭБ т.и> В -45 °С< OiJKp < 85 сС 4.5
mao -45°С< < 85 °C 2001
/К и infix. мА То же, при А < 10 мкс; 0 > 50 5001
trrx, мВт - 45 °C < %кр < 25 °C 3602
^пер OKpi С/мВт — 0,35
П °C unep max. 150
1 При утопии, что -р < Рк max Д1Я чаппай т мисратуры
э Б интервале температур от 25 до 85 с С максимально допустимая мощность (мВт)
рассчнть^ается по формуле nill(IM - 0Uh|,)/0,35
5. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ
5.1. Биполярные транзисторы
средней мощности низкой частоты
Назначение выводов, внешний вид и основные раз-
меры корпусов биполярных транзисторов средней мощности
низкой частоты приведены на рис, 5 1.
I Sap^utun корпуса П Sapaaam корпуса
Рис. 5.1. Биполярные транзисторы сред-
ней мощноеiи низкой частоты
ГТ402А, ГТ402Б, ГТ402В, ГТ402Г,
ГТ402Д, ГТ402Е, ГТ402Ж, ГТ402И
Германиевые сплавные транзисторы р-п-р. Пред-
। । и 1'1сны для применения в выходных каскадах усилителей
и 'I <>и частоты. Могут использоваться в парном включении
। р а шеторами ГТ404.
1'1 .пускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
> । 1мп в двух вариантах (рис. 5.1, а).
। । и к 11 it и цр
161
Параметры Рса1=м тмерення ГП02А ГТ102В ГТ102В ГТ402Д ГТ402Е
ГТ102Г ГРЙЙЖ ГТ402И
h?\ Г Ггр, МГц /КБО, мкА Л?п-(Л» = 3 м А) ^КБ — — 1 В, 7э = ЗмА, 0о<р =25°С «окр = 55 °C 0О1Ч, = -40 °C t/кв — — 10 В Г\э = -1 В 30 80 30 .160 10 .80 >1 <20 0,7 ..1,4 60. I50 60...300 20 150 > I <20 0,7...1,4 30.80 30. .160 10. .80 > 1 <25 0,7 ..1,4 О М О) ст> S/AVFPF • to — — СО 1— , СЛ Qi Q U1 «U ООО
^21е(^Э = 300 мА) Пре ^ЭВ. max» В ^КЭЕ max г В дельно допустимые Язв - 200 Ом эксп иуагаци< —0,35 —25 энные д< —0,35 —25 энные —0,35 —40 —0,35 —25
JК. тах> А 7>К. maxi мВт 7?пср-окр» °С/мВт ©пер rtsajci °C ®окр, °C Оокр С 25 °C; 1-й ва- риант корпуса Оокр С 25 °C; 2-й ва- риант корпуса 1-й вариант корпуса 2 й вариант корпуса —40 0,5 6001 0,1 85 0,5 600’ 0,1 85 — 4 0,5 600' 300* 0,1 0,15 85 0... 4-55 0,5 6001 3001 0,1 0,15 85
1 При температуре свыше 25 °C допустимая мощность (мВт], рассеиваемая на коллекто-
ре. определяется по формуле Рк шал = (85 — О^/Я^р окр
162
ГТ403А, ГТ403Б,
ГТ403В, ГТ403Г, ГТ403Д,
ГТ403Е, ГТ403Ж. ГТ403И, ГТ403Ю
Германиевые сплавные транзисторы р п р. Предна-
значены для работы в переключателях, выходных каскадах низ-
кочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах
постоянного тока.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими ныво-
Л.1МН (рис. 5.1, б).
1 i l|> Ml 1 ( 1. Pt ,кпм ii рг и им 1 |КИ\ 1 I Hi П> Г 1 ивв [ Г-К) и г гнид 1 1 1'1 и 1 тюзж ТТ4ОЗН ГТ403Ю
1 1( ГА ] — — зВ./ь — 20 60 20 60 50 150 20 50 30 .61
= 100мА, f — 50 50 . 150 50 150 20 60
300 Гц
/ г кГц б' ю = 5В,Л)^= <8 <8 >6 ^8 ^8
= 100 мА <6 ^8
1 1 = 450 мА — — — — —
^30 30
11 1 । м X б;кь — Г'кв таг Д0.05 <0.05 <0,05 <0 07 <0,03
.1 0<Б == < кг' - < 0,05 СО.О.) <0,05 <0 07 <0,0а
= 20 fic
tUP = 70 °C < 0,08 <0,08 <0,08 <0,08 <0,08
ц>. мА — mm <5 Л СП <5 <6 <5
' , мкСм L\b = -60 В, <50 <50 <50* <502 <50
Л» =0
fl ^КЭ = < 250 <250 <250 <250 <250
’ , ц» В = 500 мА, == — 0,5 —0,5 -0,5 -0,5 -0,5
= 50 мА
' , в < = 450 мА; /б = —0,8 — 0,8 — 0,8 — 0,8 — 0,8
= 50 мА
в ^К.Б = ^Kb max 0,3 0,3 0.3 0.3 0,3
163
Продолжение
Параметры Pdkp и измерс I in ГТ ЮЗА ГТ403Б ГТ103В ПЧ’ОЗГ ГТ4ПЗД ГТ403Е ГТ403Ж ГТ4МИ ГТ403Ю
Предельно допустимье эксплуатационные данные
G* К Б 'п a v В < 70 »С - 45 —60 -G0 —80 —45
^КЭ гпач> В !)(>кр < 70 °C —30 —45 —45 —60 —30
^ЭБ пае В 0окр 70 °C —20 —20 —30 —20 —20
—20
+ max* А 0окр С 70 °C 1,25 1,25 1,25 1,25 1,25
fБ max > А 0окр < 70 °C 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4
max, МБт еокр < 25 °C 6003 6003 6003 6003 600э
^пер окр. — 100 100 100 100 100
°С/Вт
^пср кор, — 15 15 15 15 15
°С/Вт
6 О К р t °C —55 г >. +70
0 °C vnep max, 85 85 85 85 85
' 11 р d L'ke - -- 80 В
1 При 1/кп = - 100 В
3 При температуре окрути а отек среды свыше 25 вС допустимая мощность (Вт) опре-
деляется оо формуем
а) без теп поотвода — Рк = 0 01 (85 — ,
б) с теплоотводом — Рк, т = (85 — бОКр) / [5
ГТ404А, ГТ404Б, ГТ404В, ГТ404Г
Германиевые сплавные транзисторы п-р-п. Приме-
няются в выходных каскадах усилителей звуковой частоты.
Могут использоваться в парном включении с транзисторами
ГТ402, ГТ405.
164
Вишускаюгся в мегаллостсклянном корпусе с гибкими вы
। I. i\i t в двух вариантах (рве 5 1, а)
! 1 | Li Pl л* им II шер* 11114 Г Ш1 \ ГТ 10 1 Б 1 101В — [ 1 1011
(<£ — 1 В 1)=3 мX, о„,р -2(гс 30 80 G0 150 30 80 ЬО 150
G0I р = 55 °C 30 120 60 225 30 120 ВО 225
(),,,,р -- - 40 * С 6 80 12 150 6 80 12 150
и = | В, /К =: 3 мА ] 1 ! >1
> i । (), м кА — 10 В < 25 <25 <25 <25
> и О, мкА 10В <25 <25 <25 <25
। < нА) р'к.т — 1 В, /э == 3 мА 0J 1,4 07 1,4 0,7 1,1 0,7 1,4
1 (J > - 300 м XI ’ . в = 0, /ь = 2 мА 0,3 0,3 0,3 0J
Предельно допустимые эксплуатационные данные
f 1 >R inn v, В А?.,;, — 200 Ом, «окр < г’г‘ °C 25 25 40 40
0 г rtr- А — 0,5 0,5 0.5 0,5
> [ ,>,и мВт 1 и парианг корпуса ООО1 600' 6001 ООО1
2 и варили корпуса 300! 300[ ЗОО1 300’
1 । I (>> р> < /мВт Лс пни ~ 300 мВт 0,15 0,15 0,15 0,15
’’ [ U|Lp, Рк шах ~ 600 мВт 0,1 0,1 0,1 0J
( /мВт
1 [ 1 (гр — 0,015 0,015 0,015 0 015
। / мВт н °C 1 85 85 85 85
>1 ‘С — - 10 4-55
НЕ т< irimT^pc ок-\Ччаюикл iре ц,г lubinie 25 "С ц нгГа н и tn щи}гтим 1Я мопикн п,
। ! ) rr nt ытывас ся ни (|>орм\ме — 0окр)//?,>, р кр
ГТ405А, ГТ405Б, ГТ405В, ГТ405Г
Германиевые сплавные транзисторы типа р-п-р.
Предназначены для рабшы в выходных каскадах УНЧ.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
(рис 5 1, я).
] 1 эра метры Режим измерения Г Г1 (J5Л J 1 10.) ь 1 Г'ЮйВ 1 1403Г
Й21С Гм, -IB,/) ЗмЛ 50 80 60 150 50 80 60 150
tUp-2i)°C
0икр=55°С 30 160 60 300 30 160 60 300
0<кр= -43 V 15 80 10 150 15 80 30 150
Гр, МГц — 1 <1 1
/кы), мкА Гкь- — 10 В <25 <25 <25 <25
t/ЭВ, В = 2 мА, /к = 0 0,55 0,35 0,35 0,35
Предельно допустимые эксплуатационные данные
6<Б В 6с кр < 55 °C —0,35 —0,35 -0,35 -0.35
UK3R гнил, В #ЭБ < 200 Ом —25 —25 —40 —40
/к тих> А 6а к р < 55 °C 0,5 0,5 0,5 0,5
МВТ 0(JK[ < 25 °C 6001 600* 6001 600*
Япер окр, °С/ВГ — 100 100 100 100
0 Д' V] ер /нио — 85 85 85 85
о -40 + 55
1 При рат\ре окружающей среды свыше .25'С иаибидишая допустимая чишнипь
рассчитывается по формуле „Ш1 = <85 — 0цярЪ 0,1
160
0^6-15 -10 -5 О Я™,В-15 -10 ~5 О
± ' L/ 7 I' О J
5.2. Биполярные транзисторы
средней мощности средней частоты
Назначение выводов, внешний вид и основные раз-
v д корпз сов биполярных 1ранзисторов средней мощности
«1‘ 11 'нкго1ы приведены па рис 5 2
167
KT50Z, KT503
S'
KTSSf
a
Рас. 5 2 Биполярные транзисторы средней
мощности средней частоты
КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д,
КТ5О1Е, КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л,
КТ501М
Кремниевые эпитаксиально-планарные усилитель-
ные транзисторы р-п-р. Предназначены для применения в уси-
лителях низкой частоты с нормированным коэффициентом шума,
преобразователях, дифференциальных усилителях, импульсных
и других устройствах радиоэлектронной аппаратуры широкого
применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими
выводами (рис. 5.2, а).
Парагстры PCzkllM 114MCJX ПпЯ Tpv гги ь> Т Р III ИН 1 3 ia юиня
Й21Е j = — 1 В; Tji — 30 мА’ 0окр = 25 "С КТ501Л,Г,Ж,Л 20 .,60
6'кэ = — 1 В; /« = 30 мА; КТ5(НЬ,Д,И,М 40 120
^окр = 25 °C ~ 1 В; /ц = 30 м А; KT50IB.E.K 80 ..240
бокр = 25 °C еокр = 125°С КТ501А,Г,Ж,Л 20.. 120
епкр = 125 °C КТ501Б,Д,И,М 40.240
%нр ~ * 25 °C КТ501В Е,К 80 480
60кр == 50 °C КТ501А,Г,Ж,Л 10 60
-- ~ 60 КТ501Б.Д,И,М 20. 120
/гр, МГц £/кэ = ~5 В; /к— 10 мА КТ501В,Е,К К1501А 40..240 >5
<Л<Энаг. В /ц---300 мА; /б = 60 мА КТ501М КТ501А... — 0,4
КТ501М
168
Продолжение
Параметры Реж (М I13X Греция Г ру п " ы транзисторов Значения
ЬЭ пас, В /к = 300 мА; /б = 60 мА КТ501Л . КТ501М -1,5
G, пФ Г/Кб — — 10 В, /~500 кГц КТ501А... КТ501М <50
С, пФ t/эс ~ —0,5 В; '[= 500 кГц КТ501А.. КТ501М <100
Л(П, дБ ^КБ — — 3 В; /к = 0,2 мА, f = 1 кГц; /?г — 3 кОм КТ501 А,Б.Г,Д, ж,и,л,м <2
i/кБ — —3 В; /^ — 0,2 мА, f = 1 кГц, = 3 кОм КТ501В,Е,К <4
Предельно допустимые эксплуатационные данные
Ябэ-Ю кОм: ейкп== КТ501А.. —151
/ ‘ В >Г, обр "кл* и и и и и о и о и о k _О □ С С ОСО о S Ю Е Ю s Ю Ю tr- Ю u“ iO 1Л IJ1qC4qC4q^]C4 счсмсч сч D w “ х “ ~~ “ “ ~ ” ю : (N О Щ С 1Л О LO 1Л L* Л if; Ю — —‘ (М -|<М—,счсч СЧ СЧСЧСЧ СЧ J II II II II II II II 1 II II II 1 СЧ (ft С- П С- п С- СП ~ (Z. cl. С1. су .. ГД И ИЗ * т * м л: К? О К? ° К7 0 о г Q О с ИйСфйСфйСОФ С: О О CD С5 КТ501В КТ501Г... KT50JE КТ501Ж,И,К КТ501ДМ КТ501А... КТ501В К1501Г.. кт 501 г: КТ501Ж.И,К КТ501Я.М КТ501А.. КТ501Е КТ501Ж,И,К, л,м f 1 1 1 1 1 f 1 ! to — Ст> CaJ н- СП О ООСД О ел о сл о -> Сл5 rj — & W I-J
Л , мА ~60’С<0О [1< |25’С КТ501А . КТ501М 300
Л , п>лк' мА — Г)0°с<0окр< 125 “С КТ501А.. №01М 500
' a.U’ ыА -60°С<0окр< 125 °C КТ 501А №>0]М 100
г , Вт < 1 Г " , °C 1 fl 1 < ’ -60 «С<0окр<35”С %, = 125‘С КТ501А... КТ501М KT50JA,, КТ501М КТ501 4... КТ501М 0,35 0,06 150
" , '0 I I КТ501А... КТ501М -60. .+ 125
169
Продолжение
1 11 ри 11 [ it ii <r” 25 ;□
nи 1 . h [<)V\ jkoiiJ 70 1 tt В
2 ! 1 ри । iepa । ь, pr or 25 "O
rnKri.MM закогг} до 25 Б
И[iи i ?ми< р;:;тv pi: от 25 до
i it nt iii, эму Зимин до 40 Б
4 ! ’ pii т ем нс p<iT i. pt er 25 до
тит iiiiovTu takonv до 55 В
При температуре от 25 до
"рко И lf.tr I > В
— 60 "С напряжения I к ?р п,а> п
— СО °C нэиргжения [\ ir й, и
— СС °C на ip 1Ж( ни Ср и; !г и
— bU С на ирнла рнн С г дч „ ,7 и
С'КЬпск сняжиптся по
U КЬ t'7 с 1 С Я IIЖ 3 юте Я ПО
t КБ ’ п' жаются го
t Hi ;т ci нжаютиЯ по
— liii С Н1гряяенне t j|: (,r р m,. t
нпжоется по швейному
КТ502А, КТ502Б, КТ302В, КТ5О2Г, KT502JL КТ502Е
Кремниевые Спитаке и ал ьло-пла парные универсаль-
ные транзисторы р-н р Предназначены для работы в ключевых
каскадах усилителей низкой частоты, операционных. и дифферен-
циальных усичителях и других узлах радиоэлектронной аппара-
туры широкого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
(рис. 5 2, б).
IL'PuMtTpu [Д',к р М И Чисрсиич I р\ и пы ьн торт Значения
/12 IE । И - U СС , . C-i , , 0 С С о = о 1 - о п о о О ! ю I ю о с | СМ 1 О) — — 1 II II II 1 II II II Й И X. S. С. =L дГ' Л ± Доп j с г- з р О О С S о КТ502А,ВД,Е КТ502БТ К1502ДгВ,Д,Ь к1Г)02Г> Г КГ502УВ,Д Е 40 . 120 80.210 40.240 80 480 15 ..120
170
Продолжение
Параметры Режим измерения Г р\ ппы J'piLHlCTOpOD Знач1 ни ।
Оокр- -40 °C КТ502Б Г 30 210
^'(OOip, В /э — 10 мА, ти = 30 мкс; Q < 100 7 ч 10 мА, тн = 30 мкс, Q 100 7э = Ю мА, тн = 30 мкс; Q = 100 КТ502Л.Б КТ502В.Г КТ502Д K.T502F 25 — 10 -60 -80
мгц (У^в — — 5 В, 7$ — 3 мА КТ502Л... КТ502Е 5
В /к = Ю мА; /[. _ 1 мА КТ502А КТ502Е — 0.6
Г'БЭ нао В /к = 10 мА, < — 1 мА К.Т502А КТ502Е -1,2
КБ г риб* В 7к, — 1 мкА 7^ — 1 мкА /к = 1 мкА 1ft = 1 мкА KT5(f2A,B КТ502В.Г КТ502Д KT502F 40 60 80 90
ск, пФ (7К5= — 10 В,/ = 500 кГц К.Т502А КТ502Е <50
Сэ> пФ ^ЭБ= —0,5 В;/= 500 кГц КТ502А... КТ502Е < 100
Предельно допустимые эксплуатационные данные
UiOt’ift’', в — 40 °C 0<)h[) 100 °C К1502А.Б -25
- 10 "С < 0()kp 100 11 с КТ502В,Г - 40
— 40 "С 0()hp 100 эс КТ502Д -60
— 40 °C 0Ghp 100 °C КТ502Е — 80
Гкь .7!Пг, В — 40 °C Оокр 100 "С КТ502А.Б — 40
— 40 °C Оокр 100 °C КТ502В.Г -60
— 40 °C Д Остр 100 °C К1502Д — 80
— 10 °C 'А 0О1(р 100 пс KT502F 90
11»// п, в — 40 °C < О» к [• 100 °C КТ502А.. КТ502Е — 5
5 и, мА — 40 °C < О^пр 100 °C К.Т502Л . КТ302Е 150
5 п ш-.о, мА То же, при т 4 : ю мс; К1502А 300
Q> 10 KI 502г
о. <! (1>. мА —40 °C 100 СС КТ502А.. КТ502Е 100
1 । ,, , мВт 0Ohn<35°C КТ502А. . 3501
КТ502Е
И °C КТ502А . КТ502Е 150
П , С " КТ502А .. — 40... + 100
КТ502Е
1J, , , к .и гении темпера гуры III гч Б । от 35 до 100 СС мощность снижается по линейному аакору
171
КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е
Кремниевые эпитаксиально-планарные универсаль-
ные транзисторы п-р-р. Предназначены для работы в ключе-
вых каскадах усилителей низкой частоты, операционных и диф-
ференциальных усилителях и других узлах радиоэлектронной
аппаратуры широкого применения
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
(рис 5.2, б).
П ipd мет;!ill F’l ЯЧ1Ч l| !М( | < 1|ИЯ I ]И 1 ны 3 рн Ни Н||КЯ1 3lld чсния
fto 1Г ^КЭОгр, В X? >Z? М нГ н* Н и и ои ® ’ $ ? < < < < 1Г* >ЛСО1 Is Е ? 35 см сч — 1 1 .— S’ — 5 г ° о о И II I.1 - ~ 2 7 - 7 2 Й s- Й ? « ; 5-11 Л '1 л » л 11 Л\ —> <о -Э о ф с- о ф < СУ -- СУ < СУ - СУ Л Л Л Л II II со z: сз — — О О Ф О ФО мА; мЛ, мкс, М КС, мкс, мкс; КТ503А,В,Д,Е КТ503Б.Г КТ503Л,В,Д,Е К’1 503Ь,1 КТ503А,В,Д,В К Г503Б, Г КТ503А,Б КТ503В.Г КТ503Д КТ503Е 40 120 80 ..240 40 ..240 80.480 15 120 30 . 240 ^25 ^40 ^60 >80
172
Продолжение
Параметры Режим измерения Группи транзисторов Значения
/1р, МГц l/кь — 5 В; /э — 3 мА КТ503А... КТ503Е >5
(7Ю пас, В /к = 10 мА; /б = 1 мА КТ503А. . КТ5ОЗЕ <0,6
UБЭ нас. г В /к = 10 мА; /б = 1 мА КТ5ОЗЛ.. КТ503Е <1,2
U К. Ь п роб, В /j< — 1 мкА КТ503А,Б 40
_ 1 мкА К1503В, Г 60
/к = 1 мкА КТ503Д 80
/д — 1 мкА КТ503Е 100
Ск» пФ (7кб = Ю В; / 500 кГц КТ503А... КТ503Е <50
Сэ, пФ 1Л»к r_-0,5 в; f = 500 кГц КТ503Л .. КТ503Е <100
Предельно допустимые эксплуатационные данные
(7]<Э max* В -40°С<0ОК[1< 100 °C КТ503А.Б 25
— 40 °C < %кР< ЮО °C КТ503В.Г 40
— 40 °C < %кр < ЮО °C КТ503Д 60
— 40°С^9окр< 100 °C КТ503Е 80
(7кб/лее» В — 40 °C < 0окр< ЮО °C КТ503А.Б 40
-4ОаС<0окр< ЮО °C КТ503В,Г 60
— 40 °C < 0окр < ЮО СС КТ503Д 80
— 40 °C < 0()1<1, ЮО сс КТ503Е 100
( Э О т ti\ > В -40 °C < 0пкр < 100 °C КТ503Л .. 5
КТ503Е
(к" пах* мА -40°С<0окр С 100 °C КТ503А... 150
КТ503Е
< п , ах, мА То ясе, при тп < 10 мс; КТ503А . 300
10 КТ503Е
f 1 , Л' 1 X 1 МА -40°С<09кр< 100 °C КТ503А .. 100
КТ503Е
171Л¥, мВт -40 °C < 0О1.Р < 35 °C КТ503А... 3501
КТ503Е
• tuep max, °C — КТ503А 150
КТ503Е
<<Р’ °С *—* КТ503А... 40...+ 100
КТ5ОЗЕ
При температуре от 35 до 100 °C
мощность снижается
по линейному закону до 150 мВт.
173
5.3. Биполярные транзисторы
средней мощности высокой частоты
Назначение выводов, внешний вид и основные раз-
меры корпусов биполярных транзисторов средней мощности
высокой частоты приведены на рис. 5.3.
ktsss
Xhft
174
KT6W
и
КТЫМАМ, КГЬМБЧ, КТЫб*
K£$t КТ
Рис 5-3 Биполярные транзисторы средней мощ-
ности высокой и сверхвысокой частоты
КТ601А, KT60LAM
Кремниевые диффузионные транзисторы п-р-ц, вы-
полненные по планарной технологии. Предназначены для ра-
боты в радиовещательных приемниках и телевизорах.
Выпускаются в металлостеклянном (K.TGO1 А) и пластмас-
совом (КТ601 AM) корпусах с гибкими выводами (рис. 5 3, а„ ?),
1 1)’ 1 41 1 1'1 1 l\ ,i.r м и <\ i н .ilia) КТ601А. КТ601ЛЧ
h '11. £/кь 20 В,/, = 10 мЛ? 0О| р < fSo °C < 16
0окр= —40 °C ^10
1 !>2l d 1 С/КБ = 20 В; /э — Ю мА; / = 20 МГц >2
/к )Р, мкА Кэб = Ю Ом; б’Кэ=50 В; 9О1,Р = = 25 + 10 йС <50
ЛЧБ = 10 Ом; UKJ = 100 В, 0ОЬ„, = = 25 ± 10 °C <500
f .[, j, мкА ^бэ = 2 В < 50
( , нФ 7/КЬ = 50 В, /э = 6 мА, f = 2 МГц < 1 5
1 | , НС — 50 В, 1э = 6 мА; / = 2 .МГц <600
Предельно допустимые эксплуатационные данные
i + llln'Ct В Оокр < 85 °C 100
i >R max> В Язь - - 100 кОм; 0окр < 85 °C 100
I !> > max* В бокр < 85 °C 2
1 о мА Оокр < 85 °C 30
6 [ГХ, mA Оцк J <85 °C 30
up. , мВ Г < 55 °C 250
i ’ • tinf т• мВт 6(JKp < 75 сс 500
1) . И, ’С — 150
II С — — 40 <85
175
КТ602А, КТ602Б, КТ602В, КТ602Г
Кремниевые меза диффузионные транзисторы п-р-п>
выполненные по планарной технологии. Предназначены для
работы в схемах генерирования и усиления сигналов.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 5.3, б).
Параметры Режим измерения КТ602Л КТ602Б КТО 02В КТ602Г
^21 Е -= 10В, ! у= ЮмЛ,
0оКр “20 °C 20 80 50 15 . 80 >50
Оокр = 85 °C 16 210 40 10. .240 >40
Оокр = —40 °C 5.. 80 >12 — >12
|Л21Э1 б'кз — Ю В; /к — -25 мА; f = 100 МГц > гз > 1,5 W СП >1,5
7кбо- мкА ^КБ — б^КБ max <70 <70 <70 <70
/ЭБО, мкА <Ъб = 5 В <50 <50 <50 <50
Ск , пФ икь = 50 В J- ..- 2 МГц <4 <4 < 4 ^4
>, пФ {/ЭБ = 0, / = 2 МГц <25 <25 <25 <25
Тк, ПС Г'КБ=Ю В. 1э = = 10 мА. 1 = 2 МГц <300 <300 <300 <300
нас В /к — 50 мА, /б — 5 мА <3 <3 <3 <3
£7К^„Я., В БО нас1 /к = 50 мА; /в = 5 мА С 3 <3 <3 <3
^кэо, В ?Э = 50 мА; Ти — = 5 мкс, / — 1 кГц 70 70 40 40
мкА /?эв — 100 Ом 100 100 100 100
176
Продолжение
1 ’ 1 р |МСТр11 Pi./И IM Измерения КТ 002 А К1602Б КТ602И КТ602Г
Пре /к rrat> мА дельно допустимые эксп. гтуатациоипые данные 75
——_ 75 75 75
' К ’Д тин В /?эв = 1 кОм; Опер сД с 70 °C 100 100 70 70
Опер = 120 °C 50 50 35 35
( К Ь п а с * В Одер '7. /0 °C 120 120 80 80
И G in а л 1 В ^40сСсГ01[е1< < 120 °C 5 5 5 5
^JK maxi Вт Оокр — 20 °C 0,85’ 0.85’ 0,85’ 0,85
max т> Вт екор = го °с 2,82 2.82 2,83 2,82
^пср окр> ' С/мВт 150 150 150 150
^пср-кор< °С/Вт 45 45 45 45
(1 °C ' iep тах> 0ечр> °C — 120 120 —40 120 85 120
' При тем нратурс окружающей среды свыше 20 5С допустимая мощность (Вт) опре*
делнетсн по формуле /?К 50 ~ E)osj>)/150
' При температуре корпуса свыше 20 °C допустимая мощность (Вт) определяется по
формуле тдлт = (150 - 0кОр)/15.
177
КТ603Л, КТбОЗБ,
КГ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТбОЗЕ
Кремниевые эпитаксиально планарные транзисторы
ч-р-п. Предназначены для работы в усилителях, высокочастот-
ных генераторах и переключающи> устройствах радиоэлект-
ронной аппаратуры.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 5,3, а).
Параметры Г’сжи’1 измерения К Г603Л КТбОЗБ К!ЫЛГ. К1GU31 КДЫЧД KTh(UF
^2 IE ^КБ ” 2 В, мА; I0...80 10-80 20. .80
0 — 25 °C 60 60 60 .200
окр () = 85 °C 10 .240 10.240 20...240
(70 6(). 180 60. .600
60ip = —40 °C 4...КО 4 ..80 8. .80
20 20 20...200
IW 10 В; /э=30 мА; ^2 <2 7^2
[ = 100 МГц
^КБО' ПКБ = £?К5 /;шс; 0 — <10 <5 <1
= 25 °C
0окр = 85°С < 100 <50 < 10
/ЭБО, мкА ^ЭБ = 3 В <3 <3 <з
^КЭ нас’ В — 150 мА; /Б = 15 мА < 1 < 1 < 1
, в БЭ иле’ < = 150 мА; /к = 15 мА К h <1,5 <1,5 <1,5
ск, пФ L7 КБ =10 В; f = 2 МГц < 15 < 15 < 15
пФ б'эв = 0; f = 2 МГц <40 <40 <40
Тк, ПС -- 10 В, /э—30 мА; <400 <400 <400
t = 2 МГц
<рВс. нс /к = 150 мА; 1 v> — 15 мА 100 100 100
Предельно допустимые эксплуатационные ли иные
^К.Б mar’ В — 40 '"С < О.р < 70 °C 30 15 10
12frc 15’ 7,51 51
^КЭЯ г ах* В -40 °C < 0, н11 < 70 °C, 30 15 10
/?Jb — 1 кОм,
% =120 °C; Д)Б = 153 7,51 5'
= 1 кОм
^ЭБ max’ В —40°С<0пер< 120 °C 3 3 3
\. max’ — 300 300 300
< « мА 1\, И, fflCwP -— 600 600 600
^К. wax’ Вт 20 °C < 6окр 50 °C 0,5 0,5 0,5
°окР^35°С 0,122 0,122 0.122
^пер-окр» °С/Вт 200 200 200
д °C игтер max’ — 120 120 120
%. °C — -40...+ 85
' В диапазоне тсмтератур от 70 до 120 °C напряжения mjv и Уцзр тлг снижаются
на 10% на каждые li)LIC
г В диапазоне температур 07 50 до S5 СС мощность снижается на 0,1 Вт на каждые 10 ®С,
178
KTG04A, КТ604Б, КТ604АМ, КТ604БМ,
КТ605Л, КТ605Б, КТ605АМ, КГ605БМ
Кремниевые меза-планарныс транзисторы п-р-п.
11ргдна шанены для нспочьзования в операционных усилителях,
нпдсщ силите ;ях, i енсра i op,-ix разверток устройств индикации,
прсобра тона ic. ihx и шряжеиия, выхсшпых каскадах усилится
и друитх \с1роис[на\ широкого применения
Выпускаются в металлостеклянном (КТ604А, Б и КТ605А, Б)
и пластмассовом (КТ604АМ, СМ и КТ605АМ, БМ) корпусах
(рис. 5 3, а, г, к),
Г1ара\ стой КТиО4Д I KIGO45 । КТ605А КТ6О5Б
KTGQ1AM КТК04БМ К ТС 05 \М ЧТ605Б.М
!' ’ 1 Ьм=40В,/э=20мА? 10 ..40 30 120 10. 40 30 .120
0О1н = 25 С 0ОКп -100 °C 10 ..80 30 .240 10. .80 30 ..240
eOhp = --io °с 5.. 40 15. 120 5 .АО 15 ..120
А 6'jO=40B,/j=2()mA; / = 20 МГц >4 4 '<4 4
/, Ki мкА = 250 В <20 <20 <20 <20
/ , ,о, мкА. -5 В <50 <50 <50 < 50
< нФ L\b — 40, f — 2 МГц 7 7 <7
< п Ф LHc = 0, f = 2 МГц <50 <50 <50 <50
' 1 ) 1 |С* В /к 2() мЛ, /ь = 2 мА <8 <8 <8 <8
179
Продолжение
КТ604 А КТ604Б КТ605А КТ6С15Б
IJdptlMCTpil г с ж.мм измерения КТЬ04ЛМ КТЬ04БМ КТ605АМ КТЬОБЬМ
Предельно допустимые эксплуатационные данные
та'" В /?_1Б — 1 кОм, 0^,Кр 250 250 250 250
< 100 °C
/?эС = 1 кОм, 0^кр = 125 125 125 125
= 150 °C
^КБ niax> В 0окр < 100 >С 300 300 300 300
0окр = 150 "С 150 150 150 150
НДБ тал* В 0окр< юо°с 5 5 5 5
0„кр = 150 ”С 2,5 2,5 2,5 2,5
тс мА Оокр < 100 °C 200 200 2ОО3 2ОО3
тах> Вт Оакр = 25 °C 0.81 0,8‘ 0,4* 0,4*
max т» Вт 0окр - 2т С З2 З2 — -
^иер окр? С/Вт 150 150 300 300
^?пср кор? CC/Bl 40 40 - —-
Опер ггпг? — 150 150 150 150
9„кр. °C — -2Е >-4-100
1 При температуре окружающей среды от 25 до 100 °C допустимая мощность (Вт) опрс
дслястся но формуле Рк max ~ (150—Вокр)/]50
2 При температуре корпуса свыше 25 ЦС допустимая мощность (Вт) определятся по
фор те Гц тех г = (150 — вокг) /40
а Импульсный ток коллектора
180
KT60GA, КТ606Б
Кремниевые эпитаксиально планарные транзисторы
прп Предназначены для работы в мощных автогенераторах,
Iоператорах с внешним возбуждением, умножителях частоты
СВЧ диапазона и других устройствах широкого применения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с изолиро-
ванными ог корпуса жесткими выводами с монтажным винтом
(]>ис 5 5, г))
И 1 | 1 М1 | р | 1 Pl J Г- |11М| 1 ИИ ЬДЪОЬЛ MbOGD
Мыо! 1,\3 = 10 В, /к = 100 мА, >3,5 >3
/к )R, мА f = 100 МГц U к, ) — 60 В, /? э б — 100 Ом, ^1,5 <5 1,5
/ и>о, мкА 01Кр = 25 ± 10 °C и -40±2 °C 0;1)р = 85 4- 2 "С, ^ЭБ = 4 В А /А > w w ^3 ^300
/, р, мА £/кэ = 10 В, /= 100 МГц > 100 > 100
' пФ t/КБ = 28 В, f = 5 МГц < 10 сю
I к, ПС Г>КБ -= 10 В, h - 30 мА, СЮ 12
/’них- В? / = 5 МГц f = 400 МГц >0,8 >0,6
Предел ill Ах |R maxi В то допустимые эксплуатацмониы ЯЭБ< 100 Ом, 0окр< 120°С е данные 601 601
А\[> Й’СГ, В <Мкр < 120 °C 60' 60'
/ u r R 01Яф С 120 °C 4 4
А a ах, 0Ukp< 120 °C 400 400
Л t слр.- мА 0,ч, < 120 °C 800 800
Л а;си, мА (Up 120 °C 100 100
181
Продолжение
П ip тмяры Режим намерения КТЬОгЛ КТ6О6Б
Вг 0(|ф< 10 °C 2,5“ 2,52
tfnep пор, °С/ВТ О„„Р < 120 “С 44 44
Окр шс. °C — 120 120
0Лор <па (. — 85 85
Ожр, °C — —40 + 85
1 Д| пхскагтся пиковое значение н а и р я jk t1 i1 и и 70 В
2 В 1ин □ viir4iCKOM режиме При температуре корпуса от 40 до 85 ПС наибольшая до-
пустимая мощность । В ।) рассчитывается по форму тс F]< (150 — 9кор}/44
о 20 1/м,В
КТ608Л, КТ608Б
гоиминподииюжл
Zj 20 мА
ЧИН/П/ТШт^
Кремниевые эпитаксиально планарные переключа-
тельные транзисторы п р п Предназначены для работы в
быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах.
Выпускаются в металлостекляппом корпусе с гибкими вы-
водами (рис 5 3, а)
Пара мет ры Рели и измерения КТЫ18А КТ608Б
/121 Е б^кэ — 5 В, Лу — 0, 2 А, +Jhp = 25 “С 20 80 40 .160
182
Продолжение
П i[u 1етры Ре ж f л измерения Ь Го08Л КТ608Б
9окр — 85 СС 20 200 40 350
*Up= —45 "С 7 80 И 160
I / 1 = 10 В; + = 30 м А, V C-v 7> 2
f = 100 МГц
^КБО» мкА <<ь 60 в <10 <10
/ )БСЬ = 4 В <10 <10
( t, пФ Ь’кь = 10 В, f = 2 МГц < 15 < 15
<, пФ ПЭБ=0, f = 2 МГц <50 <50
^рзС' НС /б — 15 мА, — 150 мА 120 120
1 (КЭ нас- В /к - -400 мА, /ь — 80 мА < 1 «
нас, В /к =400 мА. /Б =80 мА <2 <2
Предельно допустимые эксплуатационные данные
6|\Б там В 0 пер < 70 °C 60 60
С’ШЛ- В 0|Ц р < 70 °C 60 60
1 Аэ та t, В 0|Н р < 120 °C 4 4
f/КБ и maf, В 0|П р < 70 "С, тн 10 мкс, <<2 80 80
(/К^ и mar, В 0)4 Р < 70 °C ти < 10 мкс, Q<2 80 80
А такг МА Оокр <85 °C 400 400
/К и mat, мА Ти 5: Z 20 мкс, Q = Ю 800 800
В[< mut, Вт Оокр <25 °C 0 51 0,5'
i ’l< mo V- В Г Оокр = 85 °C 0,12' 0.121
0< । р, °с —40 +85
1 1 ] [> Il 1 1 .1 И ( р 1 1 /|К Г J1 ру и Ш । 1 1 । < .1 1 И 1 ' > Дп 8Г| I. м | м н М 1 I f II О' ДО|1\ V | им ей мощность
(I -1 ) 1 lt[’< 1 1 Я( 1 с Ч Ci) jiopsn к /\ ( ( - п 1 2 1 (8 > - И и ) /2iJ()
КТ610А, КТ610Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные сверхвысоко-
частотные усилительные транзисюры п-р-п. Предназначены для
работы в усилителях напряжения и мощности.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими по-
лосковыми выводами (рис. 5 3, #).
Параметры Режим измерения К.Т610А КТ610Б
Й21Е (7кб = 16 В; /э — 150 мА 50. .300 20... 300
frP, МГц 1/КЭ = Ю В; /к= 150 мА >1000 >700
/кьо, мА г/КБ = 26 В <0,5 <0,5
/эбо, мА Kb “ I В <0,1 <0.1
^21 э та к 6'Кэ=10 В; /к—30...270 мА 2,3 —
^2 1 э min
Б КЭО гр, В /э = 50 мА >20 >20
Ск, пФ С/КБ = 10 В, /== 10 МГц <4,1 <4,1
Сэ, пФ /7эб — 0; [ = 10 МГц <21 <21
ТК, ПС [7кб = 10 В; /э = 30 мА; / = <55 <55
= 30 МГц
184
Продолжение
Параметры Режим измерения KTG10 А КТ610Б
Предельно допустимые эксплуатационные данные
0 к ь >пах> В — 45сС<еокр 85 ГС 26 26
К JI? та v> В То же. при 7?бэ — 100 Ом 26 26
Хьлкзг, В - 45 * С X ео<р < 85 СС 4 4
+ тах> мА- — 4,хс< u_, + 85Х 300 300
^*К тах> Вт -45 °C X +кГ, С 50 °C 1,5’ 1,5'
0 °C ипср /наг» —'— 150 150
(1 °C иик р 5 -45. + 85
1 При увсчичелни температуры от 50 до 85 еС мощность снижается по Линейному за-
KOHj до 1 Вт
185
КТ611А, КТ611Б, КТ611В, КТ611Г
Кремниевые планарные грапзисторы п-р-п Предна-
значены для усиления и генерирования электрических колебаний
в диапазоне высоких частот радиоэлектронной аппаратуры
широкого применения
Выпускаются r метанноеiекляпном корпусе с гибкими выво-
дами (рис. 5.3, б).
Г ЖИМ 11 1 , Г рО -1ИЯ КТО 1 1 > КТ olIE ИИ 1 и К т л il"
/'2 IE В; /?} = 20 мА, 1 0.40 10 ..40
9ОЬ|, = 25 °C 30 120 30 120
в„м, = 100'С 10.80 10 80
30 240 30.. 240
0о , = 25 5 ..40 5.40
15 120 15 . 120
С\ь — 40 В; by = 20 мА, f = 20 МГц >3 из
Асээ» мкА б^кэ ~ niai", 0Окр <5 25 С < 200 <200
Лэбо- мк4 U-эъ - 3 В <100 < 100
Сю пФ иКБ =40 В; / = 2 МГц ю V/ 5
Тк, ПС С/КБ = 20 В, / = 2 МГц, /э = 20 мА ^200 <200
^КЗЛ)С. В < — 20 мА; /ь — 2 мА <8 <8
Предельно допустимые эксплуатационные данные
^КЬ г ч1Л, В Опер < ЮО °C 200 180
б1 1\ЭК i-na к 1 В ASb < 1 кОм 180 150
бБЭ max, В 0псп С ЮО °C 3 3
U та\> мА — 25 nC < 0Ohp < 100 °C 100 100
тс х, Вт 0(,кр<25°С 0,8 0,8
()(.Ч1 100 °C 0.33 03
е п’ Т5 Вт 0(|р ' 25 С i 3
’Up - ЮО °C 1 25 1,25
^пср г [>, гС/Вт — 150 150
Uiep кор. С/В Г — 40 40
1) °C ’пер и'1 \ — 150 150
0 °C Д)Ьр. - 25. + 100
186
К Гб IВА, КТ616Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы
п-р-п Предназначены для работы в переключающих устройст-
вах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Выпускаются в металлосгсклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 5,3, 'W’)
1 [< ранег):>1 Plim з" pi. „лг К Ы>А KTt.lfiB
. Т U чл, — 1 В, /э “ 0,5 А > ю >25
1 7z2I J L-’кч - 10 В; /д = 30 мА, / = у. 2 > 2
100 МГц
/ибо. мкА — 10 В <12 <12
Аэк. мкА СЧ) =20 В: 7? ,ь = 10 кОм <15 < 15
/дво, мкА НэБО=4 В < 15 <15
/рас, ВС /к = 50 мА, /р = 15 мА < 50 <15
С\, пФ L/KS = Ю В, f =2 МГц < 15 <15
(?э, пФ U-n, =0, /^2 МГц <50 <50
Э нас? В /к = 500 мА. 7Ь _ 50 мА <0.6 <0,6
^ЕЭ нас, Б /к = 500 мА, /ь = 50 мА 2 2
Предельно допустимые эксплуатационные чанные
Ь та\ > В -40°С<8окр<85 С 20 20
U DJ ci а у > В - 45 СС <; 0(?к;. < 85 чу 4 4
б'кЭЯ/пвх, В То же, при Л<), = 10 кОм 20 20
/к ” иг, мА -40 °C < (Up <85 °C 400 400
Л\ Il rri|М ' м То же, при тИ -- 80 пс, Q > 10 600 600
/\ НЧ1 и В [ 40 ’С (Up 25 С 0,3! 0,3
/?щр,кр, °С/В| 260 260
OiiepNiiJA, С — 150 150
°C — — 40 .-85
При увеличении iгидлатуры от 25 до 85 "С мощность снижается по линейному закону
до <5 14
Параметры Pe>KHv измерения KT6I7A КТ618А
г бгкэ 2 В; /к -- 400 мА > 30 > 30*
1 <' .> 1 э [ бгкв = 10 В. /э = 30 мА > 1,5 > 22
/кьо, мкА <;кь = 30 В —
/i- io, мкА 6гкэ = 250 В — 50
/ >ьп. мкА Сэб — 4 В < 15 < 1003
( । . пФ (7кв =10 В, / — 2 МГц < 15 < 74
187
Продолжение
[Ilf метры PtWH4 измерения K.T617A FTP 1 НА
Cj, пФ Р9Б = 0, / = 2 МП < 50 <50
Тк, ПС б'кБ = 5 В, j = 5 ЛАГц < 120
t7[<O in с, В /к -- 150 nA. /е -= 15 мА <07 —
Предельно допсстимыс эксплуатационные даиные
U К Б wor, В Оп.р < 85 DC 30 300
l+?)R , В Оокр < 85 °C Яэб = 10 кОм 20 25(У
ПэБ fftar, В Оокр т.- 85 0 С 4 5
/к /нлг, М А бок р < 85 0 С 400 100
/К и max, мА ти = 80 пс, Q = 10 600 — —
Рк тих, Вт (Up < 25 °C 0,3 0,5
/?иер окр, °С/ВГ 215 200
Опер, °C — 150 150
0окр, °C — 40 + 85
1 При !> кБ — 40 в /э = 1 м'
2 При 0 КБ — 40 В, 1 j = 20 мА
J Пои Сгчь— 5 В 4 При U кь = 4(1 В
5 При /? }[-,— 1 кОм
КТ633Б
Крем пневый эпитаксиально-пл а парный переключа-
тельный транзистор п р п Предназначен для работы в высоко-
частотных и импульсных устройствах радиоэлектронной аппа-
ратуры
Выпускается в металлост склч ином корпусе с гибкими выво-
дами (рис 5 3, с)
Г ipiMcrpi Р 1 IIМ II '.1 < II 1| я ii । < ния
Л 21Е (+□ — 1 В, / ) —= 10 мА 20 160
/,Р, МГц = 10 В, + = 10 лАг / = = 100 МГц > 300
Лево, мкА б\п = 30 В <10
АэбО. мкА 6гэб = 4,5 В < 10
^КЭнас, В /к = 1 00 мА, /ь — 10 мА <0,6
Ск, нФ 1/кь — 10В /1-0,/ = 10МГц < 5,5
Сэ, пФ OJb=O,5B /к = (),/ = 10 МГц <30
НС + =10 мА, /ji — /ь2 = 10 мА <30
Предотьно допустимые эксплуатационные данные
r^KEwai- в -15 °C < 0( >|Ч J < 85 СС 30
65) Б В —45 °: < Оцьр < 85 ° С 4,5
+ та к । мА -45 °В < Ощ. | 1 н \ QO 200
/К ,| г; а ,, мА То же, при ‘II HI МКС , Q 5-; 50 500
та и М Вт -45 "У < +ьр < 25 °C 360
188
Продолжение
Л 1 р а 11 l т । ы Режим илмеэеп। я Значеппч
и щд щ мВт 0 . °C '-'дер ЛГЫЛЯ 0 °C V’oi pi То же, при тн < 10 мкс, Q >50 720 150 -45 +85
1 В интервале температур о~ 25 до 85 °C мощность (Вт) рассчитывается по форму ie
и^= (I50-OiJM,)/347
КТ635Б
Кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор
п-р-п. Предназначен для работы в импульсных и высокочастот-
ных узлах электронной аппаратуры широкого применения.
Выпускается в металлостекляином корпусе с гибкими выво-
дами (рис. 5 3, е).
Параметра Pl Ж|1М и 14 - рения Значения
!.' IE бгкэ = 1 В, < ~ 500 мА 20 150
/КБО, МКА Г7кб = 60 В <30
+ эк> мкА Г/кб — 60 В, /?эБ = 0 <30
/эво, мкА <Лг>-5 В <20
Лр, МГц - Ю В. /к - 50 мА, >200
^КЭ нас» В /к — 500 мА, /ь — 50 мА <0,9
О+чогр. В Ь= ю мА, /Б = 0 >35
1Ъ>ЫС< В /к = 500 мА. /в — 50 мА <1,4
< к, пФ [%>= 10В,/Э = 0,/- 10 МГц <15
( пФ [7эб = 0, < — 0, / = 10 МГц < 100
НС /к = 500 мА, /б = 50 мА <50
Предельно допусти мыс эксплуагаиионныс данные
1 кБгШ, В -45 °C < 0окр < 85 ;С 60
t ЭВ max, В — 45 °C < 0окр < 85 С 5
6 КЭ max? В То же, при /?бэ = 0 60
/К max, А -45 °C < 0„кр < 85 °C 1
и max, А, То же, при < 10 мкс, Q 50 1.2
mao Вт -45 °C < 0окр < 25 °C 0,5’
т max, Вт -45 °C <-екОр < 25 °C 1,52
л гг '1 । р max» — 120
0 °C — —45 +85
В интервале температур окружающей среды от 25 до 85 °C мощность (Вт) рассчиты
НКТСЯ по формуле Лк тал = (1 20 — Bokjx}/ЮО
В пнтервате температур корпуса от 25 до 85 аС мощность (Вт) рассчитывается по
'|>>pvy te ₽к mat = (120 — 8кср1 /63
189
КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ039Д
Кремниевые высоковольтные эпитаксиально планар-
ные транзисторы p-ц р Предназначены для работы в выходных
каскадах КВ и УКВ аппараiуры, в выходных каскадах усили-
телей низкой частоты, мощных электронных ключах, преобра-
зователях напряжения и других узлах радиоэлектронной аппа-
ратуры
Выпускаются в пластмассовом корпусе с шбкнми выводами
(рис 5 3, к).
190
П t ри ж 1 pi । Режим измерения К1639Л КТ639Б КТ639В КТбЗУГ КТЬз9Д
/'211 — —2 В, /э — 150 мА 40 100 100 250 63 120
03 120 40 100
1 /'21 $ 1 = —5 В, /ц = ЗП мА,
/ = 20 МГц > 1 >4
/к во. мА t'KB = — 30 В <0,1 <0,1 <0,1
/ДБО. Гбэ -- 5 В <0,1 <0,1 <0,1
6‘КЭ нас? В 7а — 0,5 А, /ь = 50 мА — 0,5 — 0,5 -0,5
^БЭ нас* В /к = 0,5 А, /б =50 мА — 1,25 — 1,25 — 1,25
Ск, пФ £/КБ = -ЮВ, f= 10МГц <50 <50 <50
Сэ, пФ иэъ = 0 В, / = 10 МГц <50 <50 <50
^pdk> нс /к — 150 мА, — 15 мА <180 <180 <180
Предельно допустимые эксплуатационные данные
U К Э tn а х > В %кр < 20 °C -45 СП К О СП 60
ЭВ /« ах » 8 Оокр <20 °C —5 —5 —5
/К tnax > А Оокр < 20 °C 1.5 1.5 1,5
< н тах> А 9икр <20 °C 2 2 2
^Б maxi А Оокр <20 °C 0,2 0,2 0,2
Рк max* Вт Оокр <20 °C 1 1 1
Опер t^axi С — 150 150 150
КТ644А, КТ644Б, КТ644В, КТ644Г
Кремниевые высоковольтные эпитаксиально-пла-
нарные транзисторы р-п-р. Предназначены для работы в выход-
ных каскадах КВ и УКВ аппаратуры, в выходных каскадах
усилителен низкой частоты, мощных электронных ключах, преоб-
разователях напряжения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
(рис. 5 3, к).
11 зраметры Режим измерения КТ644А КТ644В
КТ644Б КТ6441
/' 4L £/кд = — ЮВ, /э = 150 мА 40 120 40 120
100 300 100 ..зоб
1 /'21 j 1 — —5 В; /к — 30 мА; f = 100 МГц >2 >2
6 i.d, мА Гцб = — 50 В <0,1 <0,1
/ н.п. мА £/эб = -5 В <0.1 <0,1
Рh । кас> В /ц = 150 мА; /Б = 15 мА -0,4 — 0,4
* ч к. В < — 150 мА; /Б = 15 мА -1,3 -1,3
/ I. нФ УКБ = - Ю В; / = 10МГц <8 <8
< нФ иэь = 0 В; /= 10 МГц <50 <50
< ||( /ц = 150 мА; /б — 15 мА <180 <180
191
Продолжение
Г1 ip п етры Режим измерения КТ644Л КТС44Б КТб44В КТР44Г
Пред'" т ыю допустимые эксплуатационные данные
В О„кр 20 °C - 60 - 60
б Э D та х > В Эокр < 20 °C —5 —5
/К man А Оокр < 20 ’С 0,6 0,6
Ji та*' А Я()кр < 20 °C 1 1
^Б max, А бокр < 20 сС 0,2 0,2
Р& так, Вт 0ОЕр < 20 °C 1 1
Опер max, С 1 1 150 150
КТ645А, КТ645Б
Кремниевые эпитаксияльно-планарные транзисторы
n-p-п. Предназначены для работы в быстродействующих им-
пульсных устройствах, преобразователях электрических колеба-
ний высокой частоты, генераторах, различных усилителях и
стабилизаторах напряжения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
(рнс. 5 3, л}.
1 Id раметры Режим измерения КТ645А КТС15Ь
Л21Е О'клз —2 в, /э = 150 мА 20 200 —
t/кв - 10 В, /э = 2 мА — >80
1 ^21э1 (71^9 —10 В; Л; = 50 мА, >2 >2
/ — юо МГн
/кво, мкА О'к.Б = ОМ. тчк < 10 <10
нас» В /к — 150 мА, /[, = 15 мА <0,5 <0,5
^БЭ нас* В /ц = 150 мА, /б — 15 мА <1.2 <1,2
Сю пФ t/KE= 10 В, f = 10 МГц <5
тк, НС _ 5 В, /э = 5 мА, f = 5 МГц < 120 <120
/рас- НС /к = 150 мА, /в =- 15 мА <50
Предельно допустимые эксплуатационные данные
^КБ так, В -15 °C < 0О!<р < 85 °C 60 40
max* В То же, при /?бэ ~ I кОм 50 40
жаХ’ В —45 °C < 0окр < 85 °C 4 4
max, мА — 45 °C < Оокр < 85 °C 300 300
/к и таг. МА То же, при ти < Ю мкс, Q > 5 600 ьоо
max, Вт -45 °C < 0окр < 25 °C 0.51 0,5’
Опер тих, С 150 150
Оикр* С —_ —4 5 +85
1 В иптерза те тегперат) р от 25 до 85 °C мощность (Bi) рассчи (ыи.кллл но формой
РК = 1150 - (Up)/250
192
КТ646Л, KTG46B
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы
л р п Предназначены для работы в быстродействующих импульс-
ных \<1роиствах переключения токов до 1,2 А (КТ646А), гене-
раторах, различных усилителях и стабилизаторах напряжения
(КТМЬБ)
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
(рис 5 3, к)
П рамстрм Режим из «ерскли K7G1GX К1Ы6П
/01L //с Б =5 В, Л» = 200 мА 10 200 >150
1^21 / /к ВО мкА б\э — '0 В, /к = 30 мА, t = 100 МГц >2 >2
б^кь — 6fкд ffld.i. < Ю <10
/Чьо, мкА Иэь = 4 в < 10 —
пас» В /к == 500 мА, /б -- 50 мА -ж 0,85 ——
=200 мА, /б =20 мА — <0,25
Нбэ iac> В < = 500 мА, fб = 50 мА ^1,2 <1,2
G пФ С\Б = ю В, h -0 В, / = 10 МГц <10 < 10
С, нФ С/)Б 0 В ; - 10 МГц <80 —
Г, ИС б<ь = Ю В, h = 30 мА, / = 5 Ml ц < 120
/ | , НС — 150 мА, /^1 — /б2 - - 13 мА <60
Предел ьно допустимые эксплуатационные данные
б'кв г/ см. В - 45 ПС < 0()кр < 85 °C 60 40
Н К > н a х. В 45 С < 0(11 р < 85 Ч: 60 40
б К -Hi er, а х > В 1 о же при _ 1 кОм 50 40
5 >П гг ,1 ( , В -45 X < Ос кР < 85 °C 4 4
1 ' "В и , в То же, при тн < 10 мкс, Q 6 5 5
1' ! t , , А —45 "С < 0fll4p < 85 °C 1 1
'i । ,г^\, А То же, три т|Г = 10 мкс, Q 0 1,2 1.2
/*1 ,и,. Вт -45 f,C < (UD 25 “С 11 I1
f ’• It W ОЛ 1 В | 45 °C йС 55 "С, ।и 10 мкс, Q Дэ 5 1,2 —
" , GC 150 150
* р 1 с - -45 < 85
При температуре ел
I - еУ,Р)/125
25 до У5 °C мощность
(Вт)
рассчитывается по формат? , !ЛЛ
193
О 9^П h 7 О
я‘™л7‘/ 91о tOO 9
В'3'1Л В 3 Л Z р р ’“<? pti С 9 '^0 s !n- JI
1 j 1 -/п'^£/-4—! .. ЛЛ7 f- J P7 0 ООО
. • —- JUV /
пне ппе, /_/ / /
1Н(Г* G09 Ш Ш pV lV -I l 6 6 or Ob 09 J/W I J r V'Jn 009 ООО 0091 C'W '7
ииь
Г/ я Cfi
UUL
09/ _____ tr 4 tdU
Ы114 1— плс/ J± V = IL
ММ1У иик / L№
6. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ
6.1. Биполярные транзисторы
большой мощности низкой частоты
Назначение выводов, внешний вид и основные раз-
меры корпусов биполярных транзисторов большой мощное I и
шиком частоты приведены на рис. 6 1
13 , 60
ч—*4-ч-----
0Z7
39
ГТ 103, ГТ705
КТ 704
I'm 6 ! Виппл ирные транзисторы большой мощности низ-
I'.'ll! U.K I (И Ы
195
ГТ701А
Германиевый сплавной транзит op р-п-р Предна-
значен для работы в системах зажи|апия двигателей внутрсн
него сгорания, а также для использования в однотактныч и
двухтактных преобразователях напряжения. Особенностью
транзистора является возможность работы в условиях импульс-
ных перегрузок по напряжению и мощности.
Выпускастся в металлостекляйном корпусе с i ибкими вы
водами (рис. 6 I, а)
I Li; лче ры Режим измерения Зв a i ins
^2 111 £/кэ = —2 В;/к й=5 А, т„ —0,2 мкс; /= 100 Гц >10
кГи /э - ЮО мА: —20 В >50
/|<Е-^ ^А С\Б = —60 В; (U, —20 °C <6
еокр = 70 °с <30
Ооьр =— — 35 °C < 30
/к,эх. мА [7кэ — — 100 В; £7ьэ = — 1,5 В, Оокр — = 70 °C <50
Г\ЭО гр’ В /Э и = 2,5 А, т„ — 1 (1 мс, f — 1 Гц; О.,кр = 20 °C — 160
Ъ и — 2.5 А; Тц — 0,5 мс; f — 10 Гц; „90
0<>кр = 70 С А) „ — 2,5 А; ти = 10 мс, / = 1 Гц, 0о.р= —55 °C - 9п
Предельно допустимые эксплуатационные данные
6бЭ max* В %кр 70 °C 15
^КЭ <гап< 0 Оохр < 70 °C — 55
£-/КЭ н.що-т, В Л< та*> А еОкрС70“С, Убэ^ОД В; т„<1 мс. Q > 10 --1С0
0. кр <С 25 ' С 12
Б rnaxi М А В режиме расеасынання при 0о1.р ьу 70 ' С 1 50
т’ Онор _ 2 j °C 50‘
Ящркор, сС/Вт 1,2
0|ч р ти х j С — 85
0Окр, °C — — 53 „ + 70
1 При гемпературс корпуса свыше 25'С допустимая мощность £Вт)
.кнгором, определяется по формуле Лк мал = (85 — Окор)/1,2.
-60-20 20 WSK(Jp,°C D 20 00 60 Bwf°t
рассс|1Еаем;|Я ьоя
196
ГТ703Л, ГТ7ОЗБ,
ГТ703В, ГТ7ОЗГ, ГТ7ОЗД
Германиевые сплавные транзисторы р-п-р. Прсд-
на пинены для работы в выходных каскадах усилителен низкой
частоты радиоаппаратуры (приемников, телевизоров, магнито-
фонов и т. П ) .
Выпускаются в мсталлостеклянном корпусе с жесткими вы-
водами (рис 6 1, б)
Пирометры Рсжнм изме;»ел,|я ГТ7ОЗА ГТ7ОЗВ ГТ703Л
ГТ703Б ГТ703Г
1 бкэ = — 1 В, /к = 30 .70 30. 70 20 45
= 50 мА. еокр = 20 °C 50 100 50 100
0^ = 55 °C 30 ..100 30.. 100 20 .70
50 ..150 50.. 150
0[)кр^ -40 15 ..70 15.70 15 .45
25 ..100 25 . 100
i'pu, кГц бфч — —2 В, /.. -0,5А > 10 > 10 < 10
Дво. мА Б'кб - -30 В <0.5! <0.5 о" , и V/
^Б0> мА б'Э5 = -10 в .с 0,5 <0.5 <0,5
h j । р (7\ — 50 мА) 1 в 0,7 1 4 0,7 1,4 0 7 1,4
/'21 L ( = Г5 Л)
/'к. н.. В /к — 3 А, /б — }'ь —0,6 —0,6 0,6
f фо л и В /к —3 Л, /Б = /£ -1,0 -1,0 — 1,0
197
Продолжение
И 1 1 MlТр- I Pi к м и vc puim I Т70ЯЛ ! ГТ703В ' 1 т ?озд
ГТ703Б I Г7ОЗГ
11 редел ьно допустимые экептуа тгциопные данные
и mcr, В А1 тб = 590 Ом, 0хор = 25 - 25 50
d > \// У- гГ CJ in сч
Q > И)
U\ЭЦ та с, В Л.1Б 50 Ом, 0юР < -20 — 30 40
< 55 ""С
Л* /нах, Онор < о5 С 3,5 3,5 3,5
шах, Вт 0,.,,Р < 35 “С 1,6 1,6 1,6
^К та> г, Вт 9кор Ю л С 151 151 153
R к □ кор- С/Вт 3 3 i
/?1(.р<щр, °С/Вт — 30 30 30
fl сс — 85 85 85
Оокр, - —40 .---55
1 При UK1> — 20 В атя трантторов 1 V ДУЛА н I »703В
2 При JD= 150 мА для ГТ7ПЗА, ГТ703Б. /ь=90 мА для ГТ703Ь. [ [7031 , /Б= 225 мА
для I 1703Д
3 При температуре корпуса более 40 ' С допустимая мощность (Вт) рассеиваемая ид кол
лекторе, определяется по формуле «аг т — 1— ® кор)/3-
КТ704А, КТ704Б, KT704R
Кремниевые высоковольтные меза-планарные тран-
зисторы п р-n Предназначены для использования в схемах
строчной развертки цветных телевизоров.
Выпускаются в мет аллостскляшюм корпусе с жеечкими вы-
водами (рис. 6.1, я)
11 i рлмет ры Pi жим измерения К1704А КТ /045 КТ 7 04 В
A?!F 6’Кэ = 15 в, _х 1 А, 10.. 100 10 100 > 10
%кр = 25 г С
0йКр =85 °C 6...300 6. .300 >6
0и«р = -45 °C 6. 100 6 100 >6
/кон, мА /?бэ = 10 Ом, 0КОр = 25 СС <2 5 ^5 ^5
Онор = 85 °C ю ^10 <10
1 Л2]э | L/кэ = 15 В; /к = 0,1 А; >3 >3 >з
/ = 1 МГц
/эво, мА Е7эб = 4 В 100 ТТ ЮО < 100
^кэн- МА Е^КЭ = Е?кЭ и так* =
= 10 Ом <5 ^5 <5
^КЭ вас г В / К — 2 А; / р, =; 1 ,,5 Д <5 '2-5 <5
6Ъэ !|Л1, В 7к = 2 А; /б = 1 5 А сз <3 <3
198
Продолжение
1 1 1]’ 141 1 pH; Pi/M М 1!Мер'111И1 KT-’OIA КТ7СЧБ ЕТ701В
Предельно допустимы! эксплуатационные данные
1 И, 4ia 1 Б -45 :'С + 0h;,P +85,:С 4 4 4
Г iR и /1|Ло В /?чь Ю Ом, Тц — 10 мс, Q = 50 10001 7201 5001
1 К ЭЕ /чаш В С Ю Ои 200 200 200
/ К т л 1 • А 01ор^50'С 2,5 2 5 2.5
/ h [ uta i . А 10 мс. Q — 2 4 4 4
/Ь /чаш А — 45 'С 85 °C 2 2 2
/ЛК ria 11 Вт 0КО|1 с 50 °C 15? 15‘2 153
^пер кэр, °С/Вт 5 5 5
() °C "iiер гг ал kj — 125 125 125
0 'V 1 кор ?7 с? i > — 100 100 100
в °C u<Jkp« — — 45 . - + 83
При ткиженцн т<_ мпсра i у pi i окружающей среды от - 40 до — 60 аС и повышении от
-|- 80 до -( 1 00 “С значение напряжения коллектор — эмиттер снижается по ..'инейному за-
кону дпн КТ?()4А до 7D0 В для КТ704Б до 500 В
Ирм температуре корпуса m SO до ИЗО < '.оиуетн .той noiuwntni (Вт) раш, ih-
-иЯается по фортуне n<i, = П.2 (125 — Uh(yjl).
ГТ705А, ГТ705Б,
ГТ705В, ГТ705Г, ГТ705Д
Германиевые транзисторы п-р-п. Предназначены
। in работы в радиоэлектронных устройствах широкого при-
и. IU НИН
Выпускаются в металл осте кл янном корпусе с жесткими вы-
!< 1 iMii (рис. 6 1, б).
с PeAiiw цЗ’.-срсцИ'| ГТ7В5Л I Г705В ГГ705Б I 1705Г ГТ7ОДД
^КБ — 1 В, /э ~ 50 мА, 0,и, =25+ Ю °C 30 70 50 .100 90 .250
199
Продолжение
Hap.ru r| i Pt + HM 11 Mt pt ПНЯ 1 1.0)4 Г ПСГ5 ГТ 7B5I ГТ705Д
П705В
(Up 35 -+- 2 c(. 30 100 50 Г>0 90 J50
0lhp= —40 ±2 °C 15 70 2 5 НЮ 15 250
Л. но мкА ^КЬ = £•'< Э j.iTt B,|hj, — ^0,5 ^0,3 -5.0,5
= 2.5 °C
(Up = 55 °C из U 3 U з
JL^3 = tO mA) "—"• 0,0 1,5 0,6 1,3 0,о 1,5
«2;L ' 3 A)
Ьбо> mA L’sj = 10 В >0,3 U О.з U03
^кэо, мА Щэ = 25 В U 1,5 U 1,5 U 1.5
hi2i„ кГц УКЭ = 2В. /к. = 0.5 А >10 > 10 >10
t7IO В /к 1,5 д. /Б =0,1 Л <1 <1 1
1 В T и;; t -> В /к = 1,5 а>, /ь _ ОД А <2 U 2 <3 2
Предельно допустимые эксплуатационные данные
n.Gf В /?эь = 30 Ом; 0квр С £ 55 СС 20 20 30 20
кэ/г и rnnt, В ^?ЭБ = 50 Ом; ти U м<, 25 — 25
Q > 10 Зэ 35
1к тих? В 0кор U 55 °C 3,5 3,5 3,5
ГК /кйх т, ВТ Окор 40 °C I51 15’ 1.51
Гк wfljc, Вт Окор > За с 1,62 1,6’ 1,6
Опер maxi — 85 85 85
^?nep kopi С/Вт 3 3 3
^?пер окр* С/Вт 30 30 30
лону < i иmj ’ мощность (Вт) опредетяьт^г
КО! у ] И \1 |1 М(11Ц1!<)< I I (Bl) OU PC ‘I .1 11, »(
1 При температуре от "10 дп 55 f С паи боль лая
ПО формуле Рк ,1 ах т = (Й'Ь — 0ИСр)/3
' При температуре от 35 до 55 °C ниибо ii и ot
по формуле l\ flli. = (85 — (J,-, р) / М)
200
6.2. Биполярные транзисторы
большой мощности средней частоты
Назначение выводов, внешний вид и основные раз-
меры корпусов биполярных транзисторов большой мощности
средней частоты приведены на рис 6 2.
35
5^
KTS2P
г
Э к Б
/ГТ 816
3,3
1Z
*T80ZA, 87803, K7805TT80G
V780BA, КТ309А
J1L
За__
зэ
5
Л
КТВО1
К Т523А М- кт308ГМ, КТ812, КТ 818 AМ-KTffi ГН
57813АМ-КТЗЯГМ, КТ825, 5ТШ, КТ821 ’
А/ 8Z8 ’
,gj,75
! п л
1М - ктзпгам,\Т8^А-*73?ЭГ} КТйЗГ
201
Рис. 6 2
мощности средней
Бшюляриыс трап шеторы большой
частоты
КТ801А. КТ801Б
Кремниевые диффузионно-сплавные транзисторы
п-р-п. Предназначены для работы в устройствах кадровой и
строчной разверток, источниках питания и других узлах радио-
электронной аппаратуры
Выпускаются в металлостокляппом корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 6.2, а).
Плзамстрл Режим It МСр С][ !Я К TBCL А KTSOJ Ь
^2 i F 1/КЭ = 5 В; /к = 1 А 15 30 20 100
П121 э ! UK3 = Ю В; /к = 0,3 А, > 1 ^1
f= 10 МГц
/к.-!а;. мА ^КЭ = б'кЭ fftci’. Г й. 25 °C. с 10 < К)
R »г> 100 Ом
/.ЭБСЬ мА {; и - 2,5 в 'Д' 2
^кэ luu. В /к-1 А, /ь—0,2 А с:; <;2
Предельно допустимые эьсплу a iсщпннпые данные
Б’эв ПАА. В 0(И. р 55 °C 2,5 2.5
Г/дЭ/? В ЯЭБ < 100 Ом, е^р < 55 °C 80 80
^КБ тал, В Оокр < 55 ЦС 80 80
/д тах> & Оокр 55 °C 2 2
/Б /мак» А Оокр < 55 °C 0,4 0.4
/*К тй гт, В г Окор - 55 °C 5* б1
/?пср кор» С/Вт 0<жр С 55 СС 20 20
Опер max, °C — 150 150
0 uOhpi — —40 + 85
1 При увеличении температурь! от 55 до 86 ’С мош, ость спгжаеня но ni ценному заколу
до 2 Вт
202
КТ802А, К1803А
Кремниевые мсза-планарные универсальные тран-
нкторы п-р-п Предназначены для работы в усилителях постоян-
ного тока, генераторах строчной развертки и усилителях мощ
11 (>С I и
Выпускаются в металлостекляппом корпусе с жесткими вы-
водами (рис. 6.2, в).
Иарам<.тры РсАим изм< рения К Г802А KT803A
<11 Укв-10 В; /к -2 А 15 .35 10 ..70‘
МГц t/КБ = 10 В, /к =0,5 А > 10 >20
/}. ь(), мА ^КБ = 150 В; 9окр < 25 °C <60
викр - 100 °C <200
>/?, мА икэ= 130 В; /?эб < ЮО Ом .— <5
/ н,о, мА ^эб = 4 В — <50
^|‘ ) II IC В 7ц- = 5 А, 7Ь = 0,5 А <5
< = 5 А, 7б = ,1 А — <2,5
Предельно допустимые эксплуатационные данные
1 ') ь л,, * . в Опер 1 00 С 150
И. »i,n, В 0liq>< ЮО °C З2 4
203
Продолжение
И лря метры Режим измерения КТ802Л KT80U
Б к j t? i, В То же, при /?^Б 100 Ом — 601
klOR k гг ал В То же, при СЛ>ь = 2 В, 1301 80
-С 10 мкс, Q 2
\ А ЮО °C 5 10
Б А Опер С 100 °C 1 —
К г । и i ' В Т и,»р<в°иС 50 60
0кпр = 100 “С 20 30
Опер тах.1 С — Ч* 150 130
Окор т° С — 25 100 —40 100
КТ805А, КТ805Б, КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ
Кремниевые меза-планарные переключательные
транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в выходных
каскадах строчной развертки телевизоров, систем зажигания
двигателей внутреннего ci орания и других устройствах радио-
электронной аппаратуры.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими вы-
водами (КТ805А, Б) и пластмассовом корпусе с гибкими выво-
дами (КТ805АМ, БМ, ВМ) — рис. 6.2, в, е.
204
l ] ,р kN 1 Тр1,[ РгЖим и ’мсрения КТ805А КТ805АМ К1805Б, КТ805БМ КГЙОаВМ
h II икэ- 10 BJ.-2A >15 15
1\>ь1 ^кэ = Ю В, /!х — ] А, / = 10 МГц >2 >2
/кьо ,, мА ^КЭ = <<Э н та>.> ^63= Ю Ом <60 <60
/ <ьо, мА О'зб = 5 В < 1(10 <10(1
KJ [Ии В /ic = 5 А, /ь 0,5 А <2,5^ г < 5
('ЪЭ нас /н = 5 А /Б = 0,5 А /А // bl <5
/к }]? h мА О^КЭ = f>K3 и таг <5
/?ьз = Ю Ом, еокр = 20 ч: <60 <60
0окр = 100 °C <70 <70
Предельно допустимые эксплуатационные данные
•1 11 -1 F> п,«о Опер < 100 сс 51 5'
КЭ к та i» То же, при Тд <' 50'.) мкс, 1602 3
/?бз = 10 Ом 135J 1353
+ та । > А Онер ЮО °C 5 5
On п тикг То же, при тн 20(1 мкс, Q= 1,5 8 8
и, а е, А Опер < 100 °C 2 2
Л А 'В н /т1 То же, при ти < 20 мкс 2,5 2,5
/>К та г. Онор С 50 *С ЗО4 ЗО4
П 1 П1 Р 'h U V 1 150 150
[If Р К 1>Р, * /В I — 3,3 3,3
1) °C икОр- -55 +100
И ( х< ме строчной pasBtpiMi itimiuopi дор, li at т.п сбра гног .импульсное напряжение
пгтгер — база 8 В npi* т„ < HJ мкс
I bi КТ805А п К Г805ЛМ D схеме строчной развертки телевизора доиуекаекя Оцэ »г mui =
180 В при т„ < )5 мкс и температуре корпуса до 70 °C
11рн з'нели >енин температуру перехода ст IO0 до 150°С напряжение снижается на
о у на каждые 10 °C
11 р г те v перату ре кирпу е а и । Pj до 100 °C мо цностъ (Вт i г ассч итывается по rtoowy ic
1 I t О 3 (! 50 — 0 к()р)
0 У 8 10
205
ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ800Д
Германиевые диффузионно-сплавные переключа-
тельные транзисторы рп р. Предназначены для работы в мощ-
ных импульсных усилителях, преобразователях и стабилизато-
рах тока и напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы
водами (рис. 6.2, г).
1 Lapa метры Рсжим и 11 ере и । я Г|SObA ГГьОЬВ Г Г806Д
ГТ806Б ГТ806Г
/121Е /< — 10 A. 0Ohp = 55 °C 10 . 100 10 100 10 100
0(>кр = 65 С 10 150 10 .150 10...150
/. „ МГц 6кб = б В, /^ — 1 А > 10 > 10 >10
\эо, мА Гвэ = 1 В; = = ^КЭ глл г < 15 <15 < 15
Лэ DO. мА 65 ь = 1 5 В < 8 <8
нас? В /к = 15 А. /Б =24 <0 6 <0.6 <0.6
ГЪэ нас. В /к = 15 А; /в = 2 А < 1 ,о <1.0 <1,0
/ П14 kJl 7 М КС 6'кэ = -45 В; /к-5 А. /в 0,25 А <30 <30 <30
Предельно допустимые эксплуатационные данные
^ВЭ г uXi В впер < 55 “С 2 2 2
6ГКЭХ >гах, Б То же, при <>3 = 1 В - 75 — 120 — 140
— 100 -50
/к iiac max, А Опер < 55 °C 20 20 20
/К и нас max* А То же, при тн -= 1 мг; Q ?> 2 25 25 25
/в. max* А О^ер < 55 °C 3 3 3
та *с х Б Г Опер = 25 С 2 2
/’к max т? Бт Опер < 25 °C 30 30 30
/?пер кор? °С/Вт — 2 2 2
Опер г?аг> С — £5 85 85
0 °C — - 55 4-5а
vOKpi V-J
206
КТ807А, КТ807Б
Кремниевые меза планарные транзисторы п-р-п.
Предназначены для работы в стабилизаторах напряжения, кас-
кадах строчной развертки телевизоров и других устройствах
электронной аппаратуры.
Выпускаются в металлостекляниом корпусе с гибкими выво-
дя ми (рис 6 2, w),
Параш т Ш1 Рс -ки м измерения КТ8(ГА КТ807Б
Il >t 1 (7К^ = 5 В, /к— 0,5 A; 0|>ир < 15 45 30 100
U 25 °C
р 85 ‘ С 20 60 45. 150
(Up - - 10 + 10 30 20 67
/ н.п, мА ^bJ = 4 В и 15 <’ 15
11> 11,‘, М Ь'к-» = ЮС) В, R — 10 Ом. из U-5
Оокр + 25
0Ohp = 85 °C С 15 С15
f В 7К = 0,5 Л, 75 = 0,1 А U 1.0 U1.0
0 _ । j, М Г11 ‘—- < 5 U 5
Предельно допустимые эксплуатационные данные
1 Ь , В Оокр U 85 СС 0,5 0,5
t h I? (1,(7 Г, В Я^п 10 Ом; 6?зб — 0,5 В 100 100
t 1. 1К и .т ! а г 1 В O[JK р < 85 °C 120 120
К м|« i , А Оокр 85 °C 0,5 0,5
Д ' 1’ И 14 IK I ™ Оокр ^85 °C 1,5 1,5
f Л * 1 4fti 1 , * 1 Оокр < 85 °C 0,2 0,2
/ >iih i т, Вт Окор < 70 °C 101 101
>1 р кор. Оокр < 85 °C 8 8
( /11г
о t lflll 1. сс — 150 150
о,Ч1 а: — — 40. . + 85
11рч 11 мщ. р.п уре корпуса свыше 70 °C допустимая мощность (Вт) рассчитывается
' 1 I ‘4 moiv = O.J25 (150 — 0нор)
207
КТ808А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ
Кремниевые меза-планарные транзисторы п-р-п
Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, преоб-
разователях напряжения, стабилизаторах, импульсных н пере-
ключательных ус тройствах, устройствах электронного привода
электродвигателей Транзисторы КТ 808А и КТ808АМ могут
использоваться также в выходных узлах строчной развертки
телевизоров и блоках электронного зажигания автомобилей
Выпускаются в мсталлостсклянном корпусе с жеечкими
выводами (рис. 6 2, б, е).
Параметр ы1 Рея-ч1 1 измерения KT808A. KT 808 УЛ KIWBM К 7 >)>, Б Ч
К"8381 Ч
? 11 t/KJ -3 В, /к -2 А 10 30 20 123 20 125
/\5O, /Зкь — //[<00 я;гт с •д 3 < 2 <2
1 )ьо, мА 0>б = 4 В <50 < 15 < 1 j
Лр, МГц бкд = 10 В, — 0,6 А, > 8.4 >10 > И)
^КЭО гр, В /к = ЮО мА — ;>1зо -$80
> 100 >70
t/КЭ нас, В /к =6 А, /ь --= 0,6 А — <2 <- о
UЬЭ на. ' 8 /к —6 А, /Б — 0,6 А <2,5 < 2,5 <2,5
/ВкД. МКС То же, при t/кэ == 30 В — :.<2 <2
/рас, МКС /К — 6 А; /б = 0,6 А <2 <2 <2
/г п ? мкс /к = 6 А, /ь = 0,6 А —— <2 <2
Предельно допустимые эксплуатационные данные
У КЭО тал, В -60°С<0кор< 125 °C 120 130 80
100 70
УкЭНигмх, В 1о же, при /?вэ < 10 Ом 250 250 135
0, < 500 мкс 160 80
0/ЭБ max, В — 60 °C < 0КОр < 125 °C 4 5 5
^К max, А - -60 °C < 0кор < 125 иС 10 10 10
208
Hpoflo ик?нш’
1 [ [ [ Е V 1 М 1 Я К1Х«‘Х ЕТ8С18Л.М КТВОЯВМ KTS-'iarV.
f щ. А То же, при /а 500 мкс, Q > 6 — 12 12
0> / in. А -60 °C < 0knp < 125 °C 4 4 4
/W Вт 0кор<50°С, (УкэС 16 В 50J 602 60г
Опер ,ц, LC 150 150 150
^пер гьпр» — 2 1,67 1,67
'С/Вт
1 При температуре окружающем среды 25 10 °C
При температуре кпрпуи пт 50 до )25 “С максимально допустимая мощность (мВт>
рассинтынается по форму!? Рк== (150 -0К(1р)/Яцер кии
КТ809А
Кремниевый меза планарный транзистор п-р-п
11 ргдпазначен для использования в переключателях, импульсных
\< гроиствах, электронных регуляторах и стабнлнза горах на-
н ряжения
Выпускается в металлос1еклянном корпусе с жесткими вы-
nn-blMII (рНС. 6 2, б).
209
1 I 1 p 1 Ml I p ul
Pc *iim tiTvit fi ruin
КТ509Л
/‘211 L/jo = 5 В, /Л=2 А, 0О1 , = 25 °C 15 100
Оокр = 125 С 15 1 Ю
D)hn = 60 гС. ю ion
1/121 J l/h > — 5 В, /ц — 0,5 А, > 1 5
1 = 3,5 МГц
/ЭБО, мА Gjb -1В < 5(1
/КЭ1Л й'кэ = 400 В, /? 1Ь = Ю Ом 3
^КЭ 1 ас, В /к = 2 А, /ь = 0,4 А 1 5
UЬЭ пас 1 В /к-2 А, /и = 0,4 А <2,3
Предельно допустимые эксплуатационные данные
6'БЭ /лсл> В 0<жр =- — GO +125 "С 4
UK3R тах> В /?ЭБ < 10 Ом 400’
/К r»’aic, А Онор -1)0 I 125 °C 3
/к и тлу, А Ти < 400 мкс; Q 100 5
/б mti.fi А Одор = 60 + 125 °C 1,5
РК тих, Вт — 1>5
хпеч । ) В Г Око р < 50 °C 401 2
/?цер кор, С/ВТ — 2,5
Опер ппн > С — 150
бои], °C — 60 + 125
1 При температуре перехода до 100 °C При гем г с рат у ре перехода о г 100 до 150 ‘С
напряжение снижаетея по линейному <акопу на 1 0 % щ кажцс 10 °C
2 При температуре норпуея гйпшс 50 сС мешноль (Вт) ра1считьгва( тея по формате
Z’k /ча г -' 0 4 (150—0кар)
210
сплавпо диффузионный транзистор
работы в устройствах широкого прн-
ГТ810А
Германиевый
р п-р Предназначен для
менения
Выпускается в мсталлостекл явном корпусе с жесткими
выводами (рис 6 2, л)
Парамеч ры Pl ЖИМ II ML ] 1 (1151 ГТ8ЫЛ
А 1! L’kj = — 10 В, /э “ 5 Л >15
/1 мГц О'ц'э = — 10 В, /> =5 Л > 15
h по t/Kb= 200 В <20
Г 1 || Ц » В /к -- 10 А — 0 7
f 1 ( В /к = 10 А -08
Предельно допу( гнмые эксплуатационные данные
f 1 , В (Up < 25 °C -200
waxi В Н1;кр < 25 "С -200
Г 1 'К к шах* В То же, при тн = 20 мкс 250
f D 1 н а (. 1 D Оркр ^5: 25 °C М
1 , Л (Up < 25 СС 10
г . А (Up < 25 °C 1,5
f , Вт еокр < 25 °C 0,75
1 , Вт fUp £С25°С 15
1 , °С/Вт 50
! , t °С/Вт — 2,5
1 ( ‘ — -55 +55
211
КТ812А, КТ812Б, КТ812В
Кремниевые меза-пл а парные импульсные высоко-
вольтные транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в вы-
ходных каскадах строчной развертки телевизоров.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими
выводами (рис. 6 2,6).
Параметры Режим н -.'is ренин КД12 У КТ812Б К 18 2В
^21С СКв =2,5 В, 1к =8 А; Ичор = 30 °C ,Д 4 ^4
/гр. МГц икь = 20 В; /к — 2 А > 10 > Ю 5? 10
Jk3R, мА с/кэ — 17 КЭ Wins- #БЭ = 5 < 5 С5
- 10 Ом, 0КОр =25 °C (\.р = 85лС С 10 < 10 <10
^нсгр ~ 45 < < 10 < 10 <10
/обо, мА Г7эв = 7 В < 150 < 150 < 150
Г^БЭ н<К1 Б /‘U]1 МКС /к, = 8 А, /б — 2 А ь2 сТ V <2,5 <2.5
/к = 5 А, Г7КЭ = ЮО В, /б> = = 2,5 А 1,8 1,8 1,8
Предельно допустимые эксплуатационные данные
Г7 ЦЭ л.□ т, Б 45 С < 0Кор < 85 °C 400 300 200
и rcaii В То же, при тн < > 10 1 мс, Q ?5г 700 500 300
щ_ , в ЗБ так' 45 °C < 9кОр < 85 °C 7 7 7
I А К ггах* -45“C<t<)p < 85 °C 8 8 8
< и mar, А - 45 °C < 0кор < 85 °C 12 12 12
7 Б та Vi А - 45°C<0KQp < 85 °C 3 3 3
и mux, А -45°С<екор < 85 "С 4 4 4
mar, Вт — 45 СС < Онор < 50 4С 502 502 5 О2
Т*К и mt'x, Вт —45 °C < 0 кор < 85 г С 500’ 5001 5003
1 Время спала импульса копеюирного гок.т
2 При температуре Hopiiytd более 50 °C моиноиь 11ц|Ж«к'гея гм линепноч\ -икон' ia
0 5 Вт на 1 °C
В cxiMi стрем ой paiH'jpiTi при >д 0 чке
212
KT8I4A, КТ814Б, КТ8ИВ, КТ811Г,
КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г
Кремниевые меза планарно-эпитаксиальные транзи
i юры р п р (КТ814) н п-р-п (KT8I5) Предназначены для ра-
(н) гы в выходных каскадах усилителей низкой частоты,
к'почевых каскадах я других узлах радиоэлектронной аппара-
цры широкого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
( рис 6 2, ж, >и)
11 jpaMfi ры Режим иjMt’pri ия КТ8 ЕЛ КГ814И ктвыв 'КТ81 4Г КТ 81 ТА КТЙ1’Е К Г81 г>13 КТЙ15Г
Але К" К ЕЗ 1 = 2 В. /j — 1 50 м А U40 >40 >40 > 10
>30 >30 >30
/г* МГн 1 с/кэ* =5 В, /к = 0,03 А >3 з з з
<ьо. мкА 10» = 40 В <50 <50 <50 <50
А > ь, Ом 1 Uh л! ~ 5 В, / -} — 5 мА, f= 800 Гц <800 <800 <800 <800
1 *. ) IldCi Б /к = 500 мА, /в - 50 мА -0,6 -0,6 0,6 0,6
нм, В /к = 500 мА, /Б = 50 мА — 1,2 1,2 1,2 1,2
( п >0 гр* Б /и = 50 мА -25 - 60 J 25 60
-4(1 — 80 40 80
( , пФ 1 1 =s 5 В, f = 465 кГц <60 <60 <60 <60
f , нФ |С'эв =0, / = 465 кГц <75 <75 <75 <75
П[ >С Т.С Г11, Н [) допустимые 3KUI луаташЕоппыс цаппые
f t Ч’ гц^ >., 13 /?Н> = 100 Ом, 0,„г< < 100 ’С. 40 70 40 70
-50 100 50 100
1 !>(),.В 0ОКэ < 100 °C 5 — 5 5 5
!\ jm А (Up < 100 °C 1,5 1,5 1 5 L3
/ un А 011Кр SC 100 °C ) 3 3 3
h < А е0|.р < юо-с 0,5 0,5 0 5 0,5
И ,а, Вт (Up U 100 ’С 10’ 10' 10' 10'
'*1 р ип, "С (Up U 25 °C 125 125 12,5 125
с -40 + 100
(Ни \прлн iPiKtH темпсоат) ру корпуса от 25 £0 Юз mouk'.jlt < н ,ж г и по ш-
г ггнму закон} до 2 5 Bi
213
КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г,
КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г
Кремниевые меза-планарно-эпитаксиа льные транзи-
сторы р-п-р (КТ816) и п-р-п (КТ817), Предназначены для
работы в выходных каскадах усилителен низкой частоты,
ключевых каскадах и дрм их ) злах pa4hoj .ем рои ной аппа-
ратуры широкого применения
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
(рис. 6 2, г, и).
К i tila \ КТЮоВ R I 8 1 7 Л 1 К 1Н 17В
КТ 81 ОБ КГй101 К Г81 7С KT8FI
/221 Е 1 б1 к б 1 = 2 В, / j — 1 А,
0hljp = 25cC и 123 сС >23 ^>25 >25 >25
*>Р = ьо С > 15 >15 > 1 > > 13
^кьо, mrA 1 б-кь1 =25 В1,
0кор = 25 G < 100 <100 < 100 < 100
0кор = 150°С <3000 <3000 <3000 <3000
/гр, МГц 1 £/Кь1 = 10 В, < - 250 мА 3 >3 >з з
нас, В /к = 1 А; /ь = 0,1 А -0,6 — 0,6 0,6 0,6
Г'бэ н.н , В /к = 1 А; /ь = 0,1 А - 1,5 — 1,5 1,5 1,5
^кэо гр Б /Э = 0,1 А -25 -60 25 60
— 45 — 80 45 80
Ск, пФ 16'кь1 - Ю в, 1 МГц <60 <60 <60 <60
С3> пФ 1£/эь[ =0,5 В; f = 1 МГц <115 <115 <115 < 115
Предельно допустимые эксплуатационные данные
б?КЭ maxi В — 60пС<0м,р< 100 °C — 23 — 25 25 25
так. То же, при /?ьэ < 1 кОм — 40 — 60 40 60
В — 45 — 100 45 100
6>Б гш г, В -60гС<0Иг>р< юоэс 5 — 5 5 5
/К тик, А Pl Г К "tax т, — ЬО С < 0, ,р < 100 с 1 3 3 3
Вт Онор < 25 < 2Г>2 25“’ 252 25?
Г*К max Вт 0Окр '-7 25 °C р 1J Н 1J
0 °C v/nep — 150 150 150 150
0 °C — -60. + 150
1 При 1 1\d 1 — 43 В для КТ816Б, КТЫ7Ь, 1 С’н.Ь 1 =60 В д IH КТ816В, КТ817В,
Д'КБ! = 100 В Д7Я КТ816Г, КТ817Г.
т При увеличении температуры корпуса о г 25 до 125 °C мощность снижается по л л
нейному закону до 3 В i
11 При температуре более 25 °C мощ юеть еннжается по пипейному закону па 0,01 Вт/град
214
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г,
КТ818АМ, КТ818БМ, KT8I8BM, КТ818ГМ,
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г,
КТ819ЛМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ
Кремниевые мсза-планарно-эпитаксиальпые универ
к ильные трап шеторы р-п-р (КТ818) и п-р-п (К.Т819). Пред
ни шпионы для рабо!ы в выходных каскадах усилителей низ
кин частоты, прсобра юнаicnvix ключевых и других устройст-
п ix радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
ТраизисюрЬЕ К1818А КТ818Г и КТ819А. КТ819Г вынуека-
|'>н я в пластмассовом корпусе с гибкими выводами (рис
О ". С, к), а КТ818АМ КТ818ГМ и КТ819АМ.. КТ819ГМ—
। mi 1 лллостсклянном корпусе с жесткими выводами (рис 6 2, б)
215
915
w
Я '1<иог>1Л1 я 'ГВ“МЛ| Я ; HJW ' ] уи 104:4 / 314/ Параметры
*^-ч *^"ч -**- г~2р ф С1 .X X fi’: Г4— ? С4 || || || х - -§ X о ОН cn^L II 11 II “ > > II S II 1 II 2* Од о Qi о О о Г”) °; w о _, о w 11 К А Я п = 5-1 с—4 ® сА ** > О II п сл сл 11 .... ьд > >► Сл о О Рсжйм измерения
V /л /л У /Л А V V W uj t>J ’— 1— ‘ L О1 О О ОЛ КТ8<8А КТ819А
V /Л /Л V /Л Л V W К Ш ГС — — — >—> сл о о <л KT8IB4 YL К1819АМ
V /Л. Л V /л /Л V V -> W t'C с- —L 1—L 1— ьэ О О (Л о КТ8 1«Ь КТ819Б
V /л /Л У /Л /Л V V * CJ « — “1— ьэ со о ci о 1< TSIbEM КТ819БМ
V /Л /Л V /А Л V V 7 с- tv W о О< KT8J8B КТ819В
У /Л /А V А /Л V V Ю ^ —• ‘— — hT8I8BM, К । 8 19 В М
V /Л /л v /Л А V V Ос Cv Ю — — VJ .— О -О 1-С К [ 81 Ч Ь’И|'*Г
V А Л V А А V V ас. tvj . — — - j — С с: U КI s | и I ч К : 8 1 Ч [ ч
КТ825Г. КТ825Д, КТ825Е
Кремниевые меза планарные составные универсаль-
। (в транзисторы р-п-р Предназначены для работы в усилите
н низкой частоты, импульсных усилителях мощности, стаби-
п i । горах тока и напряжения, электронных системах управ
и пня, устройствах автоматики и защиты, в других устройствах
р । июэлектронной аппаратуры
Выпускаются в металлостеклянном норпусс с жесткими вы
И< I I мы (рис 6 2, б).
?ь| РсЖ|,\) JlSMCptHHH КТ625Г КТЗ'ЗЗД КТэ2Л
Ui, Б = -10 В, /э = 10 А, 0Э!р =25 4: 750 18 С00 750 18 000 750 18 000
217
Продолжение
Пя рямгтрм Ре*,иь hv ня к ГН23Г КТ825Д КТ82ГЛ
1^21jl б'кь — — 3 В; /э — 10 А,
/ _ 1 МГц >4 >4 >4
^КЭ нас । В /к - - 10 А, /ь = 43 мА — 2 — 9 — 2
С'БЭ„аС. В /к = Ю А, /в = 40 мА --3 -3 — 3
£?К90гр. R / К = 100 м А, Тц < 300 м кс, О 100 — 70 -45 — 25
/вкл. МКС /к — 10 А, /ь - 40 мА < 1 < 1 < I
вы кл > МКС /к, — 10 А, — 40 мА <4,5 <4,5 <4,5
б КЗ проб> В 1^0 1,5 В, /к = 1 мА >00 >50 >30
Ск, нФ Пкь = 10 В, / = 100 кГц < 500 <600 <600
Сэ, пФ Рьз = з В, f = 100 кГц < 600 <600 < 600
Предельно допустимые эксплуатационные данные
U К Э К т а * • В — 40 ! С < < юо°с — 90 — 50 -30
^КЭХ та В То же, при 4'бэ = 1 5 В -90 — 60 — 30
таь । 6 -40 °C <ftKop < 100 СС 5 5 5
лл а 1, А. — 4ОоС<0кор< 100 °C 20 20 20
К и т a < ► А -40°С<0кор< 100 °C 30 30 30
п> <ix.. А — 40°С<0кор< 100 "С 0,5 0,5 0.5
П\\ 6т 0„яр = 25 ”С 3 3 3
^К /чглс т, В Г - 40 ’С < 0ьор < 25 °C 125 125 125
0 V ’-'nep тах, — 150 150 150
П °C икор та Xi <— 100 100 100
0 ио к р > — -40 +КЮ
КТ826А, КТ826Б. КТ826В
Кремниевые меза планарные переключательные вы-
соковольтные транзисторы п-р-п. Предназначены дтя работы
в преобразователях постоянно]□ напряжения, высоковольтных
стабнлизаюрах и ключевых устройствах.
Выпускаются в металлостекляииом корпусе с жесткими
выводами (рис. 6 2,6).
218
[\ ( и м и
,!s НИ 1
! ] .iji.iv t ui
:! И ) К И I
hj । г Ч - Ю В, 7К - 0,1 Л; 0 кР^25сС 10 120
Ч-т: 5 300
О[(кр -= - Ь0 “С 5 120
иг мА А'кэ = 700 В, /?ьэ = 10 Ом*
0[1[? = 25 ч: <2
и\э зоо в, /?ьэ — ю ом;
Чр= 125 °C
Uкэ = 500 В, = Ю Ом;
0<>кр = — 50 С ^4
/ л/), мА Абэ = 5 В <3
1^21 J Ак ) — 15 В, /к = 0,1 А,[ = 1 МГц о
Г'кЭ.ьи. В /к_ 0,5 А; /ь — 0,2 А <2,5
О'бЗм^, В /к =0,5 А; /Б = 0,2 А < 2
А к ЗО гр> В /к = 0,1 А, 1„ = 160 мкс, Q >- 10 ЗОО1
Ch, пФ (УКБ = 100 В, f = 1 МГц < 25
С3, пФ иБу =5 В J = 1 МГц < 250
Предельно допустимые эксплуатационные данные
Ацчр та\- В ~60 4:<0hlW<75cCf /?DJ 700
= 10 Ом
А к. э1? и iit*h В То же, при т? гС 20 мс, Q 50, 700
тф 0.2 мкс
То же, при Гф 1,5 мкс 1000
К 0 Д1! Л -60 'С Г 0кор^ 125 °C 1
К и >иа 1, А -оот 0м,р< 125 ч: 1
<.в, А -ООП <: <v,p125 ч; 0 75
Ч Н "><7 А 60 т<(11([)1,^ 125 -С 0,73
219
Продо we наг
Il 1 J5 1 Mi ( 1 I i 1\ ,'KitV it U f L Ш.Я 3 | 1 t'tt t ‘ ri
'F1Li УТ, ft ! - 60 V О^р < 50 Г 15’
брер >ita , <j — ГЮ
р у , С 125
fi °C VU Ч р J -60. .4-125
* Д.ля К I А и h I р2гаВ Дгя К Т82и Б L к ->□ , р = БОС Б
' Пр । г; iv’iifja rYpe ьорпууа О" 50 до |2оиС мощиэль O’mi р кl,hi i jfi.iг о Jinp
му iu | 125---(Дор ЮЛ
КТ827А, КТ827Б, КТ827В
Кремниевые мсза-планариые составные универсаль-
ные транзисторы n~p-ti. Предназначены для работы в усили-
телях низкой частоты, импульсных усилителях мощности, ста-
билизаторах тока н напряжения, электронных системах управ-
ления, повторителях напряжения, переключателях, устройствах
автоматики и защиты.
Выпускаются в металлостскляниом корпусе с жесткими
выводами (рис 6 2, б).
Лл ра метры Режим |им;рсния RT827A КТЯ27Б КТ»2"В
^2 Л j = 3 В 1 j = 10 Л, 0(, , --25 "Г 730 770 750 .
lb 01)11 IS 1)00 18 000
-125 С "ЗО 7. И) 7 5( 1
18 000 18 000 18 000
о кр = -сю ю 100 ЮГ) 100 .
3500 3500 3500
^2 iL L’M -- 3 В, /к = 20 А, 0экр = 25°С > 100 > 100 > 100
бою мА -b0^:ctup<25'DC ^3 <3 ^3
е О >: О Л о ш со Н 1! 1| !Т Д <Т U3 из Q2 о аг 5 5 ^5
/э|»о. мА Г/ы-5В <2 ^2 <2
U*2l J L/K3 = 3 В, /к = 10 А / = 10 МГц >од >0,4 >0,4
^7ю.пас> Б /к = 10 А, /б — 40 мА ^2 <* 2 ко
Б*ьэ HdL. В /к = Ю А, /ь = 40 мА <3 <3 ^3
U К 30 гр, В /к =0,1 А; з„ = 300 яке. Q > 100 j >110 >90 >70
220
Продолжение
11 ipa метры Рс мнч и Smc реп и я К1827А К1827 Б KTS27B
' , МКС /к — 10 А, /Б = 40 мЛ <0,5 <0,5 <0 5
бчк МКС /к = Ю А, 7Ь = 40 мА 4 <4 < 1
мкс /к = 10 А, /в = 40 мА <3 3 з
с пФ ПКБ = Ю В <260 <260 <260
( ,, пФ С/бэ = 5 В < 1S0 < 180 <180
Предельно допустимые эксплуатационные данные
К Б та\, В -60 °С<0Кпр< 125 °C 100 80 60
КЭГ? max, В Tq же, при /?бэ = 1 кОм 100 80 60
К ЭК it та е» В То же, при Тф — 0,2 мкс 100 80 60
^ЬЭтах, В -60 °С‘< 9кор < 125 °C 5 5 5
/к А ‘Ь так, гл- -60 °C < 0КОр < 125 °C 0,5 0,5 0,5
/к -лат) А -60 °C < 6hOp < 125 °C 20 20 20
/. А -60оС<6кор< 125 СС 40 40 40
и пан А -6О°С<0кир< 125 °C 0,8 0,8 0,8
*!< та f т, Вт -60 °(X0h )р < 25 °C 1251 1251 125
^п< р нор. С /Вт 1 >4 1,4 1.4
О °C ’Hieр max Vj — 200 200 200
в °C 1'окр v-' — -60 ,4-125
1 При Iемнературе корпуса белее 25 ЙС мощность (Нт) рассчитывается [.о фи| чулс
7’h „Н1 = (2CO-0Kllll)/l J
221
КТ828А, КТ828Б
Кремниевые меза планарные импульсные высоко-
вольтные транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в источ-
никах питания, высоковольтных ключевых и друтих устройствах
радиоэлектронной аппаратуры
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими вы-
водами (рис, 6 2, б)
Пар з метры 14 a tм и ’ mi ремич к[82а3 КГ828Ь
/?^|F С'КЭ = г> В, /к = 4.5 В ^2,25 <>2,25
1^2Ь 1 Г/Кэ = 20 В, /к = 0,1 A J = 1 МГц Л f >4
/Кэк> Ум = 500 В, 60hp == —60 °C <5 <5*
в„„Р = 125 "С <10 < 10'
Лхьо- мА £7Кь = 1400 В; 25 °C < 5 < 52
/ЭБО. мА U},) - 5 В 10 -^10
наг В /к = 4,5 A, /ь - 2 Л < 1 J 1
^БЭ luu В /к = 4-5 А, /ь - 2 Л <1 < 1
ip. В /к^0,1 А. тн — 300 мкс, Q>5Cl ^706 <>600
/икл. МКС L/K > = 500 В; /к 4.5 А Ль = 1,8 А < 0,55 <0,55
/р^с, мкс = 500 В; \ = 4.5 Л. Zr> — 1,8 Л <10 < 10
/сп, МКС = 500 В; /к = 4,5 А, /ь = М А < 1.2 < 1.2
Предельна допустимые эксплуатационные данные
Ьгкэк В -6o°c<ewp< ~85 °C, /?ьэ — 100м 8ОО3 6003
БгКЭГ? н /гчм. В То же, при ти — 40 мкс; Q > 10; I4OO4 12004
Тф -С 3 м кс
£7ьэ /паи В -60 °C < 0,op < 125 °C 5 5
7к пао А -60 'С < 0кор < 125 °C 5 5
7К i та^< А Ти асе, при тн s ='. 10 мс Q <5 2 7.5 7,5
гчк т. Вт 00 С < Окор <50 °C 50 50
п °C vnep — 150 150
0uj4p, С — -60 1 125
222
Продолжение
।
I»
11
* и
KI828A Д^я КТ828Б БКэ - 400 В
' = 1200 В
т vtk pan ре кор in я от 85 io 125 СС напрягспю= <лиж »стся по i цкиному hobv
। В л 1 я К1828Х п ч,1» 400 В — д.ля КТ928Б
т<п< p;i ।\ |и>1 корю, । я от 40 до —СО СС и от 83 дс 123 С из .ряленме
1 >; до ыиетяо'-iv 3.ihony ю JOL'O В лян КТ828Л и чо 800 В — пя КГ828В
КТ829А, КТ829Б, КТ829В
Кремниевые меза-планарные составные универсаль-
ные транзисторы п-p-n Предназначены для работы в усилителях
низкой частоты, переключающих и других устройствах радио-
-ivMровной аппаратуры широкого применения^
Выпускакнея в пластмассовом корпусе с жесткими выводами
( pHi 0 2, <i)
11 и1г;111 ]\ +,1 М И ! М<‘Р< 1111*1 КТ829А КТ829Б КТ829В
1 11 <'кэ = 3 В, /к = 3 Л,
(Up = 25 °C >750 >750 >750
0окр= 85 Т >750 > 750 > 750
«Ср = —40 °C > 100 > 100 >100
б,ио = 3 В, /«. = 3 А, >0.1 >0,4 >0,4
/= 10 МГц
0 ij., мA ^кэ = Пкъ та1; /?бэ =
— 1 кОм;
0онр=25сС и — 40 СС > 1,5 <1.5 < 1,5
(Up^85°C ^3 3 3
> > мЛ Г/бэ = 5 В 2
। • пл» В U — 3,5 А; /б = 14 мА ^2 <2 <2
’ В /к = 3,5 А; /в — 14 мА >2.5 <2,5 <2,5
F 1 H J 1 |1, В lK -0J А >100 >80 >60
Предельно допустимые эксплуатационные данные
i И - ах» В —40°СС0кор<85°С; 100 80 60
Ябэ = 1 кОм
223
Продолжение
П ip । ж. i] ы Рсжи 1 гимср 1 1!Я КТ 829 Л КГ529Б КТ829В
б^ Ь Э wax. Б -4О'С<ОкРГ, < 83 °C 5 5 5
/ К ' «Н А -40 ‘С 0|1Ор < S3 3С 8 8 8
и ’(at 1о же, при ти <: Q > 10 5 500 мкс, 12 12 12
Ь /? L! V, А -4(ГС<вь0. < 85 ’С 02 0 2 0 2
Р\< i"ai т> Вт Ок.р 25 > 60' 60* 60
Янер кор. °С/Вт — 2,08 2,08 2,08
^пер да, °C — 150 150 150
Н °C vKl>p /ГШГ* А °Г пи к р 1 1 85 85 -40 +$ 85 J5
При и м перату ре от 25 до С vdqh i. ।1, Ji'i росс ihti?i> htui no pop муле Рд
= 1 >0 - Окор)/2 08
КТ835А, КТ835Б
Кремниевые транзисторы р-п-р. Предназначены для
работы в радиоэлектронной аппаратуре широкого применения
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
(рис 6 2, е).
П 1[ымегры Режим измерения КГ8^5А КТ835Б
Г L/KB^-l В, /э = 1 Л, %кР - 25 °C >25 10 ЮО
0(>кр “ 8^ °C ^>25 10 300
« 0„кР = -60 -с - 10 5 10
Н*21э 1 / = 1 МГц 1
/кьо, мкА б'кБ = “30 В, > 1
0О( р — 25 °C и —40 ’’С 100 < 150
С'кь = - 15 В, 9окр = 85эС < 3(10 < 300
Л<,ЭО- уА = -30 в ^10 <10
/эвсь мА = -4 В С 1,5 < 1,5
бгкэ наг. В / ^ = 1 Л, /б = 0,1 А — 0,35 -2,5
бгЬЭ нас» В /к — 1 А, /б = 0,1 А — 1,3 — 5
См пФ [)Кб — — Ю В, / = 465 к Гн >800 < 800
С9, пФ (7дЬ = 0, / = 465 кГц <1500 < 1500
Предельно допустимые эксплуатационные данные
^КБ /пск. В io °с < еокр < юо °с 30 —45
б^кЭ max. В - 40 °C Оокр 100 °C 30 , 30
б^ЭБ тах> В —4о °с с еокр < юо °с —4 -4
/К 'nux. А — 40 QC С 0оКр < ЮО °C 3 7.5
/члл- Вт —40 °с< еокр < юо °с 1 1
224
Продолжение
i i tp гметры Режим и 1 мсрспин КТ833А KI 835 b
i 1 щ\ т> * 1 -40 'С < 0м>р < 25 "< 25’ 251
“ ,> >><ю ЪС 125 125
юр, °С/Вт 1 4 4
1 11 И !Ч \IIIt pm 1 р( квр ц\ - <п Т.Т ЮО С МП (II: <OL Т[ I Ет) ОПП, ДСТЯет < Я II Г* форм \ Т‘
М ,, = (125 - 0h>(>) ~
11 I и м с ч я и и е У 1 ран ин1юра К ГЧ35Б >и раметры *!_> । р /рьо I к? цн a f 'г,") tl L г i\i,
I । и при сл’СД) глцгх ррЖ| м I у It•>[ г при UЦЭ — — } В /h — 2 ^КБО при Z м, = — 45 В
' ю >, ? при >к = 3 А /ь _ 0 17 Л Z1 Б2> ||(К при /^ = 2 \ /р> = О 5 Л
I4zKhm измерения оста ri ных параметров совпадает с режимом измерения с;кпн\ t
1 । пи; :х па р а метров трапа не гора КТН35 А
-0.5 07 -0,3 U&В
225
6.3. Биполярные транзисторы
большой мощности высокой частоты
Назначение выводов, внешний вид и основные раз-
меры корпусов биполярных транзисторов большой мощности
высокой частоты приведены на рис 6 3.
№ да
ШН
КТЗ<?2, KTS73
Рис 6 3 Биполярные транзисторы большой мощности высокой н
сверхвысокой частот
226
\ I\i ’ X х 1 И ;Ь
Кремниевые диффузионные мы ~ Разные тр^ншсюры н р п Предназначены д я ясно 1ьзо
вания в высокочастотных усилиншях, icnt-d’ l\ и друних учтройстах аппаратуры широкого применения
Выпускаются в Meia+iocieK ihfh - корпусе с жесткими выводами (рис 6 3, й>
Паоаметръ Pi ЖИМ И IMt*]1’ КТМС24 Режим Н!М( реппа К.Т903А КТМОЗЬ
^21 Е К’ю 16 В. /к -2 Л 4/кд^Ю В, /к~=2 А, 7
Оокр= ”60°С У* 6 tUp= — 40 "С К- 15
«окр-25+ 10 0окр“25± 10 =С 15 70
40 1S0
КжР = 85 °C 4 5 210
120 110
1^2; И 6К4 = 10 В, М - I 5 / - 10 41 ц 4 з 6/]^ = 10 В, /ч -0,5 А ) - 40 МГц ';?4
Л<ьо, мА 1,к-, = /0 В 0[)tp = 25 1 1 ) ( < 10 1 —
бою мА — КК) = 70 В, /Ьв = 100 Ом < 10
j\3R и, мА = ПО В, /?9Ь 30 Ом < 60 — —
Тн 15 мкс / — 50 Гц
/эбо, мА / )Б “ 5 В < 100 / <> - 4 В <50
К'кэ наи. В /к =- 2 А, /ь = 0,4 А ^2 /к 2 Л, /ь - 0,4 Л ы:::2 5
Ск, пФ — — U к б — М В, / = 3 М Гц < 180
^БЭ, В Ь'к-> ’ 10 в, /к = 2 Л <2 О'к > -- К) В, 7г 2 А <3
Предельно допустимые эксплуатационные данные
К'кс w, В %кР < 125 °C 651 0,н р < 70 J<' 604
Ккв и тих, В — Опер 70 “С 801
lUax, В е„кр- iso°с 51 2 — 4
6^К31? zflflr, В — ЮО Ом или 7ь = 0 60
Продолжение
tQ
tQ
OO
Пазаметры Режим измерения КТ902Л Режим измерения КТ9034 КT903 Б
и дгол> В ~ 50 Ом, тн + 15 мкс 110 — 80
/К тс?У’ А (Up< 125 °C 5 — 3
/К и /лат- А — — iH + 1 мкс, Q 100 10
— — 1н Ю МКс Q _> Ю 5
так> А 0окр < 125 °C 2 — —
max т> В Окор < 50 °C 30" 6<ор = 25± 10 °C 30’
Рк и max т> Вт — елОр < 25 °C, гн < 10 мкс, {/кэ 30 В 60ъ
^?пер окр- Вт — 3,3 — 3,33
Опер та?> — 150 — 1 15
0 °C иочэ> — -60. — 40 +85
+125
При -’емиер.яуре перехода выше 120 °C допустимее значение напряжении с ин ж де ня по ди никому ъь,он\ и уменьшается в 2 раш при нГ|<п .= 130 °C
' При длительности синусоидального имгпльса пени 40 мкс допускается О аь и mai = 8 В
3 При температуре корпуса от Б0 до 120 *’С доим гнман мощность (Вт) рассчитывается по форму те А*к , , — 0 1(150 — 0t;; J
4 При температуре перехода выше 70 "С напряже и ие «. н 1 жает< н । о динеином с закону та 10% на каждые IО “С
’ При тсмпспатурс корпуса от 25 до КБ ИС тон у< пп 1 я мощность (Вт) ра. считывается по формуле А\ d -=03(115 — 0hC р i
ь При температуре кор iyca выше 25 “С допустимая импульсная мощность (Bij рассчитывается по формуле Рц и „и1 =-00(115 - Пн,ф)
A
2,5
2
V
1
В, 5
о га ^,8
/7
Ч,
н/
У
''7
// 82 ОЛ OfUrJ 8 5 18 15 20 12,^8
f < f QJr ГЛ1
229
230
КТ904А, КТ904Б, КТ907А, КТ907Б
Кремниевые эпитаксиально планарные транзисторы п р-п Предназначены для работы в усили-
телях мощности, умножителях частоты в диапазоне 100 .400 МГц в режимах с отсечкой коллекторною тока,
автогенераторах, импульсных и других устройствах.
Выпускаюкя в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами (рис 6 3, б)
Параметры РсЖНМ ИЧМг'рГЧИЯ KT904A КТ904Ь Режим iijMf рения KT907A КТ907Г
1 э | с'ю = 28 В, /к - 0,2 A, f = 100 МГц Ю СО 'О ЛА (7КЭ = 28 В, /к = 0,4 А, [ = 100 Ml ц >3 5 >3
О^кзо ip, В < = 0,2 А >40 /э = 0,2 \ >40
/эбо, мА £<Б — 4 В 0,3 = 4 В 0,3
мА L/K3 60 В, /? )L 100 Ом <1,5 ) = 60 В, /?-ж=- Ю0 Ом <3
Ск. пФ t/кь = 28 В. / = 5 МГц <12 i7K3 = 30 В, / = 5 Ml ц <20
Тк, ПС иКэ = 10 В, /к = 30 мА, f = 5 МГц < 15 <20 t/M- 10 13, /к=30 мА, [ = 5 .МГц <15 < 25
Лр- мА Г7КЭ 10 В, / =- 100 МГц < 400 <300 —
Р вых. Вт и^э = 28 В /’ = 400 МГц >2,5 Рсх = 4 Вт, Окэ = 28 В, / = 100 МГц <8 "<6
5, Гкэ = 28 В, / = 400 МГц V V to СП “—- —
нас, В /к == 0,25 А , /Б - о 05 А Предетьно допустимые <0,6 эксплуатант юнные данные —
О^КБ tnai< В Опер < 120 ’С 60 — —
О^КБ нлгас» В 0пер< 120 °C 70 —
ОГКЭ1? max, В /?эь = 100 Ом 60 ~ 100 Ом 60
П/Ч) >0 Ч С. пЛ t"
Параметры Рс я- им и ,мерения КГ9Э4А КТ1046 — Режим измерения КТ9СГА
К НЮ J
OpAJ? и -t’fli, Б /?ЭБ “ 1 00 Ом 70 /?ЭБ ~ 190 Ом 70
О' -3 Ь та,, Б еп-р< 120 °с 4 Опер < 120 ,;,С 4
Ас та,, А е||Р[, < гл- "с 08 0пср<7 120 °C J
и max- А В„,р < 120 ’С 1 5 0пер< 120 “С 3
пп> А ellf|, s-, 120 т. 0'2 120 °C 0 4
таг, Вт 0,<„р < 40 С 5’ ^кор '--с 2i> С 13,5-
/?пер кор, С/Вт — 16 7,5
П °C ипср тах^ Vj — 120 - 120
п °C иокр, — -10 -85 — — 10 4-85
1 В динамическом [кли\с При температуре корпч- т от И1 тч ч"> Ч наибопыиая допустимая мощность (Вт) опредетяется го формуте Рктих—
= (120-0кпр)/16
2 При температуре -opnvca от 2 5 то &о°С наибо'ыпая доги- тнмая \ ощность оиредетястсч по ф&р'д> тс < к тах — (120 — (1кэр>/7 5
Приведенные на с 229 входные и выходные характеристики транзисторов КТ904А и КТ904Б соответствуют
нижним и верхним границам 95 %-ю разброса
ГТ905А, ГТ905Б
Германиевые диффузионно-сплавные i ранзмсторы
р-п-р. Предназначены для работы в усилителях, генераторах
и импульсных устройствах.
Выпускаются в металлопласi массовом корпусе с жесткими
выводами (рис. 6 3, и).
П ipu три Pi ЖИ’| i: i ml pi щ;я ГТ905Л Г T^OSБ
^2 1Е к= — 10 В, / i и = 3 А, тн --- = 0,2 мс, [ = 100 Гц 35 100 35 160
1 + l э 1 икз = — ю В, /э = 0,5 А; f = 20 МГц — >3
7кбо- мА ^КБ = Г'кв тих <2 <(2
Ъбо, МА Оэв = — 0,4 В >> 5 >5
Ск, пФ Оке = 30 В, / — 10 МГц — < 200
Гк, ПС 6'КБ = -30 В, /э = 0,03 А, /—10 МГц — с 300
Гр, В /э и -- 3 А; ти - 60 мкс, / = = 1 2Гц >65 >65
/ряс, мкс if, и = 0,5 А; /Б = 0,5 Л; /?к = 10 Ом <1
6'КД нас, В /к = 3 А; /Б = 0,5 А -0,5 - 0,5
Г'КЭ и max, В Q > 3; ти > 20 мкс; 0нор С 70 ПС — 130 —
Пбэ нас, В /к 3 А, /в — 6,5 А — 0,7 — 07
Предельно допустимые эксплуатационные данные
67КВ mto В elsop 70 °с —75 —60
Г^КЭ max, В С/бэ=0,4 В, Окор < 70 иС — 75 — 60
+ max, В 6кор 70 СС 3 3
+ И тле, А ти С 20 мкс, 0нг>р 70 °C 7 7
^Б mat, А Онор /0 ( о,с> 0.6
^Б и 'пах< А Окор < 70 ч: 1,0 1.0
7* К max, Вт Оокр >25 С 1,2‘ 1 2‘
7+ mat т, Вт О^р > 30 сс 62 62
А>р[1Кр, °С/Вт — 50 50
Ящт-.ор, °С/Вт — 9 9
0 °C Сиер тих, Vj — 85 83
%кр, °C — —60 . >70
При температуре окружающей среды от 25 до 70 °C наибольшая допустимая млисноеть
(Вт) определяется ни формуле Рк тах (85— 6ihp)/5O
" При температуре корпуся oi 30 до 70 °C на и fie л ьп । я я т щуетичая мощность (Вт] рас
считывается тт формуле Г\ т ас-= (83 — f)h,jpI/0
232
КТ908Л, КТ90ВБ
Кремниевые меча-пл а парные транзисторы п-р-п
I!р< ^назначены для работы в ключевых стабилизаторах и пре-
• '>ра ювателях напряжения, импульсных модуляторах.
Выпускаются в мсiаллостсклянном корпусе с жесткими вы
। нами (рис 6 3, и)
1 1 гры Г\ Ай ff V/ epi II ||Я К Т908 4 КТ-.'^Е
В; /к== 10 А, 8(:.к? -=23 °C 8 60 >20
/к =5 Л; П,,к, =: 12|>'С > 300 >300
/к = 10 А, 0О1,р-= -G0 °C 6 60 >10
.1 [7КЭ = 10 В; /к — 1 А, / = 10 МГц >3 >3
М Л А*эь “ Ю Ом, UK3 — [7КЭ1? <25 С 50
6. .р < 23 СС
6'ю=80 В, (Up = 125=C < 75 к 1501
м \ /Лб=5 В < 300 < 250
,, в /^ = 10 А, = 2 Л < 1,5 С1,0
В — 10 А, = 2 А Ч-' •> т —
233
Продолжение
Партметры Режим изморе пня КТ908Л К 1408D
Предельно допустимые эксплуатационные данные
^КЭР п ИА 1 В /?эь = 10 Ом (для КТ908А); /?эб =С ЮО2 603
< 250Ом (для КТ908Б);011В1,<100’С
-)Ь л а о В е„„р< 125 "С 3 5
+ тах< Л. 0„кр т 125 °C 10 10
+ та 11 0о1(|1 < 125 °C 5 5
и ах т> Вт 0шр < 50 °C 5(Р 505
д °C ’’Т'Р РММ» — 150 150
fi °C o0hpi — —60 + 125
' При Uкэ "= ЬО В
2 При rc-Mi-.i ратхре перехода выпи 100 ’’С лону < имос 1 лфимшк,' < ииж^е и'я ио nine иному
закону на 10% на каждые 10 °C
J При темпера 1 \ рг корпи-а выше 30 г С дону <л и мая м лцпош, (Вт) риссчитывисгея но
формуле Рк «гм т — (• 5 (150 —
234
КТ909А, КТ909Б, КТ909В, КТ909Г
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы
и р п Предназначены для раисиы в умножителях частоты,
паогенераторах УКВ и ДЦВ диапазонов, в усилителях мощ-
1нн гн и других высокочастотных радиотехнических устройствах
ннрокого применения.
Выпускаются в герметичном металлокерамическом корпусе
L полосковыми выводами (рис 6 3, г) Вывод эмиттера электри-
ч(ч ки соединен с фланцем корпуса
11।раметры Pi жим и 1 wept пня К T9 014 Д КТЭД9Б КТ909В КТЧС9Г
1 1 иКЭ = Ю В. /К = 1,Г> А, f 100 МГц >3,3 > 5‘ >3 >4,5’
1 ь ю jp- В /э =0,1 А >30 >362 >30 >30?
1 к м А = 60 В, =10 Ом <зо >30 > 30 <60
/ ,ьо, мА //эв=3 5 В < 6 <10 >6 < 10
( пФ ^КБ — 28 В, / = 5 Ml ц <30 >60 >35 <60
1, , пс ^КБ = Ю В; < = 0,15 А <20 <20* >30 < 30;'
'м. а UK3 .= Ю В; / = 100 МГц >3 >6 >2,5 >5
ч, Вт РВ< = П) Вт, С/кэ = 28 В. 0кгр==40°С;/ = 5О0МГц >20 >40’ >15 > 30’
Предельно допустимые эксплуатационные данные
1 ( Н > /ц a i, К н; max, В В 9цср ЯЭБ < 120 n С < 10 Ом 3,5 60 3.5 60 3,5 60 3,5 60
t К >i? и >'1о \, в я < 10 Ом 60 60 60 60
IК ти 1, А 6|Ц р < 120 °C 2 4 2 4
1* и и, и > А о„ р < 120 "С 4 8 4 8
0. ипь А 6щ р 120'4’ 1 2 1 2
/ 8 '«ОТ» Вт < [ mac, °C и । „ °C ’>,р Окор 1 1 ' /Л 1 1 СО CG Ш С> о п О О 275 7 120 54' 14 120 -40...- 27Г; 120 Р85 54’ 14 120
' При /к=з а
При Ц — 0,2 А
н । и /и, — ОД А
11| |1 Дьч = 20 Вт
l|iii температуре корпуса от 25 до 80 ' С допустимая чощнпгп снижается по лпней-
Viv „икону
235
КТ9ИА, КТ911Б. КТ911В, КТ911Г
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы
п-р-п. Предназначены для работы в ум ножи гелях частоты, уси-
лителях мощное in, автогенераторах УКВ и ДЦВ диапазонов,
в других высокочастотных радисиемшчеч кич >ciponciBax широ-
кого применения
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с четырьмя
гибкими выводами и монтажным винтом (рис 63, <9).
Параметры Рсжи м и. j \i< ре ни я кгэ i 1 л КI 9 И Ь КТЧНВ К 1911Г
1 ^2Ь 1 СгКэ = 10 В, /к = 0,1 А, /_ 400 МГц >2,5 >2 >2,5 >2
ДР, мА (7Ю = 10 В, / = 400 МГц > 170 — — —
/цБО, мА ^КБ = 1-^КБ i>ax <5 <5 «151 <10
/эко, мА [/вэ = з в <2 <2 5^2 <2
Ск. пФ L'ke — 28 В, / = 3 МГц < 10 < 10 <10 < 10
Th, ИС /7кб = 10 В, /э = 30 мА; f = 5 МГц <25 д' 25 <50 < 100
Лшх, Вт 1/кэ = 28 В, / = 1800 МГц 1 I2 >0,8 > н
Г/кэ = 28 В, / = 1800 МГц >2,5 ^2,5“ >2 >2^
236
Продолжение
II I]» 1 it 111 It — Plaiim i'зм11 ei 1151 КТО 14 КТО 1 1 ь кТЧ JB К ГО 1 I
Прсдглыю ди|]\сп1мые эксплуатационные данные
''ll /го В 0„<р< 120 °C 55 40 55 40
' 1. . , В 0|1(р^ 120^С 3 5 3 3
! 1 И) ; II. В 0„[р < 120 "С 40 30 40 30
'1 <г< 03tp< 120 °C 0,4 0,4 0,4 0,4
Ч , Вт (кор < 2Г> °C 3’ З3 З1 3
! ohp, dC/Bt 33 33 33 33
п иС — 120 120 120 120
11 . °C — * — 40 4-85
11; и I 'к Б = 40 В
II: п , = [00 41 ц
|]ри тем п с л т s р< ьори.чии от 25 д.0 85 "С lutivt г,ызя мищпосто (El) оиредо пи-1 ся to
.| >рч\ ie /J< niIl — J20 — 0h()p)/J3
1 1
Л/ 20 U^B
237
КТ913А, КТ913Б, KT9I3B
Кремниевые эпитаксиально-планарные генератор-
ные СВЧ транзисторы п-р-п Предназначены для работы в усили-
телях мощности, генераторах, умножителях частоты в диапазоне
200 1000 МГц в режимах с отсечкой коллекторного юка
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами (рис 6 3, к)
Пачач.!оы IXжим шмерення КТО! ЗА КЩВБ Ь I <) 1 в
<9R. МА Г'кэ — 35 В, /?Э5 = 10 Ом <25 <50 <50
/эБО- мА ^ЭБ = 315 В <1.5 <1,5 <1.5
Ар» А Г'кэ = 10 В Л = 100 МГц > 0,4 >0.8 > 1,6
Гр —28 В, [ = 1 ГГц >2’ >22 >23
11, % 4/ы =28 В, / = 1 Г Гц >40' >402 >50ч
/гр. МГц С/кз = 10 В > 900" >900° >9005
нас, В = 250 мА /р = 30 мА <0,28 <0,28 <0.28
^7ЬЭ пас В /« — 250 мА, /о — 30 мА <0,86 <0,86 < 0.86
Г’к, пФ (/[(б = 28 В, / = 10 МГц < 12 < 14
С,, пФ Г'эь — 0 <40 <80 <80
гэ. Ом — 0 15 0J 0,05
гс, Ом 3 1.5 1,1
Предетьно иоп^стимые эксплуатационные данные
/’1 lM , S 25сС<0, Oj) < 85 °C 55' ' 55f> 7 55^ 7
6ZK3R та \. Б То же, при /?эб = 10 Ом 556 55е 55й
Г^ЭБ та \ > Б — 45 С < 0кор < 85 °C 3,57 3.57 3,5
< /и а х > А — 45 ПС < 0кор < 85 °C 0,57 I7 1'
Т^К Б1 -45 < < 0кор < 55 СС 4,7 8 12
Окор — 8э IJC 3.2 6,5 6
Т^пер кор, 61/ ВI — 20 10 10
Опер та >. > С 1 50 150 150
Л °C ^'КОрЛША1 -15 4 12 5
1 При /JLll, - } Bi П р 1 /’вы с = 5 Вт d При г [d . - 10 Вг 4 При /ц = 200 мА
4 п э fl f к — 100 м \
В AdanaJO ie tcmi ера*'.р от 23 °C до — 4а °C 11 OoRmn снижаются по ди-
псином) IrOhCJlt) ТО 41 Б
7 При vc iGJHfi что рассеивае мал мощность ле г ре в ьш ас максимально донд стгмрй
238
Поимечанис В электрических схемах зхч тт?рцые выводы должны быть соеди
1 между сибои
КТ914А
Кремниевый эпитаксиально-плаиарпын СВЧ транзи-
<iop р п р. Предназначен для работы в широкополосных
авухтактныч усилителях мощности на частотах до 400 МГц
в паре с транзистором КТ904А,
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими
выводами (рис 6 3, б)
П я р' у । г р 11 Pt л>1 Ч 11 зм< р( ИЛЯ Значеииi
, МГц Ь\э= -28 В, /к = 0,2 A, f = >350
= 100 МГц
. Вт -28 В, PDX = 1 Вт, / = >7,2
= 100 МГн
f = 400 МГц >2,5
1\э=-28 В, Рвых = 2,5 Вт, >30
/ - 400 МГц
мА -10 В, f = 100 МГц >250
пФ 6'КЕ= -28 В, f = 5 МГц < 12
ПС б кд = — 10 В; М = 30 мМ f — <20
— 5 МГц
Предельно допустимые эксплуатационные данные
В -60 °с< Опер 1 с 150 °C -65
Ul, В -60 °с< Опер 150 °C — 65
£ V. В — 60 °с< Опер <150 °C — 4
, А -60 °с< Оце] С 150 °C 0,8
п. л -60 0«ер <150 °C 1,5
А -60 °C < Оцер < 150 °C 0,2
239
Продолжение
КТ916А
Кремниевый планарно-эпитаксиальный генератор-
ный СВЧ транзистор п-p-n. Предназначен для использования в
усилителях мощности, генераторах и умножителях частоты
в диапазоне 200... 1000 МГц в режимах с отсечкой коллекторно-
го тока.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами (рис. 63, к).
Параметры
Режим измерения
К19КА
Й2 !Е
/гр. ГГц
Кур
Uиз — 5 В; /к = 0,25 А
£7Кэ= Ю В, /к = 1,5 А
t = 1 ГГц. Рвых = 20 Вт, 6\э =
= 28 В
240
Продолжение
Параметры PiiAitM [|<МС|КШП к 10-10 X
! % /—! ГГц, = 23 Вт, Сю = = 28 В > 4 5
/ р А (< — И) в 2 8
5 h । к il । В /ь = 0 25 А, /, 0 оз А 0 2
био к 1Г, В /Е = 0 25 А, /, _ 0,03 А 0Э8
гр, Ом 0,7
г„ Ом — 0,05
Си, пФ t/hD = 30 в >20
Т„ ПС £>ь = Ю В, /4 = 100 мА, / — = 30 МГц < Ю
Предельно допустимые эксплуатационные дачные
б кь гни к' В — 45 °C <0кор < 85 °C 55
B’kjR г Id L В То же, при 10 Ом 55
б’-»Б та I, В -45 QC < 9кор < 85 °C 3,5
Л< ullii . А 15 "С < 0„)р < 85 °C 2
J. А ГК и пйп То же, при /ц — 5 нс, Q — 10 4
та*-- А — 45 СС < 0кор С 85 °C 1
ftuik Вт -45 °C <()„<,,,< 25 °C 30
01ур — 85 16,7
R пер чор' О/ Вт — 4,5
КТ928А, КТ928Б
Кремниевые шита коп ал нно планарные f ра из нс юры
п р-п Предназначены для работы в быстродействующих им-
пульсных устройст в ах, генератора-х электрических колебаний
и узлах ЭВМ.
Выпускаются в мсгаллостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис 6 3, 4?)
Пгр^четры Г\ и им г:зpt и и \T028X [\TO2S3
/121Е (/к5 = 3 В, /д•= 1 50 м.А 20 100 50 200
/кьо. МКА -= оо в «-» <5
Г.ьо, мкА £?Э{, 5 В С5 <5
/гр. МГц = Ю В, /к 50 мА >250 >250
£/дЭ нас. В /к = 300 мА, /Б = 30 мА 1
/7[>Э нас. В /к = ЗО0 мА, /Б = 30 мА < 1,5 < 1,5
Ск, пФ !7кб = 10 В, [= 10 МГц < 12 < 12
Сэ, пФ Т?БЭ — о, ^ = 10 МГц < 100 < 100
Гк, ПС — Ю В, /к — 50 мА, / = > 100 > 100
= 10 МГц
бпе, НС /к = 300 мА, /ь -30 мА <250 <250
241
Продолжение
Параметры Режим номере шя КГ928А KT42SB
Предельно допустимые эксплуатационные данные
^КЬ /нот» В 45 С -С 0Ohp < 85 °C 60 60
5 КЭ max, В -45°C^flJlip <85 °C 60 60
ПэБлйх» В 45 С 0ОКр < 85 °C 5 5
^К та\i А — 45 °C < <85 °C 0,8! 0,8’
л тахг А - 45°C<0ohp < 85 °C 1,2' 1,2’
₽К тах> Вт -45°С< 0Окр < 25 °C 0,52 0,52
/’к. и »icu Вт То же, при ти 5 10 мкс, Q 3.62 3.62
> 50
А °C u[tep та О 150 150
и„«?, °C — 15 + 85
1 При устовви чю средняя мощность не превышает прилеплю jioiijt имую для данной
температуры окружающем среды
2 В диапазоне температур окружающей среды от 25 до 55 С мощность снижается по
линейному наколу на 4 мВг/К
О t s и гви^в о o,z м z# вриюр
242
КТ939А, КТ939Б
Кремниевые эпитаксиально планарные усилитель-
ные СВЧ трапзисюры ч р-п Предназначены для работы в уси-
лителях класса А с повышенными требованиями к линейности.
Выпускаются в мет галлокерамическом корпусе с гибкими
полосковыми выводами (рис 6 3, к].
[1 нра-tc i pi i 1 ’l I- им 1 1 Ч( pi I1I1S КТ93Г^ К П>ЗЧЬ
h>lL Скб = 12 В, /э = 200 мА 40 200 20 200
А-p, МГц £'КЭ = 12 в, /& 200 мА 2500 3300 1500 2300
^KBOi MKA б\Б = 30 в 0 1 1000 0,01 2000
/кЭРЬ мкА 0/Кэ = зо в 0,01 2000 0,01 2000
Ъьо, мкА LCb -3.5 В 0,5 500 0,5 1000
1 1 ft! LI X t/кэ- 12 в, fK-40 400 мА 1,04 1,5 1,04 1,5
^21 j m'fi
U КЭО rp । В /э = 30 мА, /р = 0 18 34 18 34
Ск, пФ Л/КБ = 12 В,f — И) МГн 3,5 5,5 3,5 6
Сэ, пФ (Ль = 0, / - 10 МГц 15 23 15 23
Th, ПС СКь - Ю В, fj -= 50 мА, f = 4 9 4 10
_ 30 МГц
Преде i ыю допу{тимые эксплуатационные мнньн
К В г 25°СС 0hOp С ЮО °C ЗО1 30’
б'кЭЦтйк, В То же, при /?ьэ = Ю Ом ЗО1 30’
^ЭБл1«л. В -00 °C 0|(]р ИЮ =С З,53 3,52
/Кини. МА “ 00 с( 0И)| л, 100 X 4002 4002
С 1< /Н(п • 31 о. р 25 ( 43 43
0|U [1 пил ( 150 150
0()Ь|Ъ ( — 00 + 125
1 В диапазоне тсчпер 1г\р кирт^а oi 25 т,о —60 С ,7t и Cr-ir t Л С11 И Н\ 1Ю КЧ ЩЗ
чиненному та пну то 25 В
При уеИОВНг' 410 Ply 1ИП in llpl'IltdtU.K Т Л ИКСЦ-.1И II,НО 13 Т у С TI1 М \ <1 t ри дан щи импс
ратуре
J При из чепе ни и темпер ч \ ры ко ;и[\ с а от 29 то 100 JC мошни^ть ~ j th
ирйничу закону на .32 mLJi/K
243
КТ945Л
Кремниевый эпитаксиальный высокочастотный уси-
лительный транзистор п р п Предназначен для работы в им-
пульсных модуляторах.
Выпускается в 'металлостеклянном корпусе с жесткими
выводами (рис. 6 3, ж).
Iljp.l tTpil РоЛчПМ 11 1мср< |,ИЯ КТ943Д
/Ь)Г 1'ю = 7 В. /Е = 15 А > 10
t/кэ =- 16 В, /к = 1 А, / — 30 МГц >17
/кэя мА О’рю 150 В, Рпэ = 10 Ом <25
/ )БО, мА — 5 В < 300
Б’кэ пно 6 /к = 15 Л, /h = i \ < 2.5
нас, 3 /к = 15 А, /ь = з А <2,5
Пне ю ты ю жиимыс jmii i\.i инн чип,те итшыс
пчн, В -45 С _J) ч — 1 О О м 100 ( , Л'ь । 15(1
1 КЗ к т \ ’ В То /ке, при Гц < 20 мкс Q 50 100
^ЬЭ та i. Б -4.5 JCCIIk,p < 100 С 5
/к та.\ ’ А - 15’С^(1мр < 100 °C 15
II rj.ct t > Го же, при 0 < 500 мкс, Q > 20 25
inn i > А -45°C<(U[f < 100 QC 7
/в и таг, й То же. при /п - £1500 мкс, Q > 20 12
Т’к Вт -45’С<01ч,р < 50 JC 50
^ntр кор. О/ Вт - 2
Опер Б - - 150
1 Пр Т(_м iijpri । \ pt uipu.ta tin ik 50’С .пмз1м и о дспх стц-.ия 4i)iKiio< "Ь (ВО р.1<
СЧН1 ыкасте я по qr’р\i\ u Т-'р „ п — (I 30 Uht)•,I > >
КТ972А, КТ972Б, КТ973А, КТ973Б
Кремниевые высокочастотные составные транзи
сюры д-р /з (КТ972) и р-п-р (КТ973) Предназначены для
244
усиления си!налов в широком диапазоне частот и работы в ста-
билизаторах, инверторах, узлах строчной и кадровой разверток
телевизоров, электронном зажщ ации автомобилсй и дру гих
устройствах управлении и автоматики.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
(рис 6,3, и). Маркируются знаками: |ДИ_ для КТ972А, НМ
и —для КТ972Б, И - для КТ973А ТИД — для КТ973Б
KT972V КТЧ72Б
Параметры' [Ч + [ 1 Н < Ш [V HJJ >1 К1Ч73Х к 14, Jb
lt2 IL С/м = 3 в, /к = 1 Л. 1 = ^750 X 750
= 50 Г ц
MA бм бю 1Ш, /?ЬЭ = 1 (
I^2|J — Ш В, /к = 1 A, 9 >2 4
= 100 МГ ц
б'кэ пас, В 7^ = 500 мА, /в — 50 мА < 1,5 Д' [ .5
^БЭнло И 7к — 500 м/\, /б =г 50 мА ^2,5 С 2.5
^рас, нс /к — 500 мА,/б =/ь2 = 50 мА Х200 ^200
Продел ыш допустимые эксплуатационные данные
max. В /?Ь) кОм, -45°С^
ьо 45
^7КБ таV» В -45DC£C0kop^85JC 60 45
б ЭВ таг, В - 45 °C < 0кор с 85 °C 5 5
fК тахт А -45 Х <5 0K[t[> 85 °C 42 42
^Ктах« Вт -45 ТС (Хр<85сС 83 8’
^нер пор, С/Вт — 15,6 (5,6
0 °C — 150 150
11ри тем[к [ы 1 \ pt 11кр, rh ijttiii.’ n . |н lt>. 2~> -l- 1(, i
I I [Hl vriotilll! IK [4 llbl lilt IIIIH C[v i)(l, IlJh ,1,.|||Ц)|| I I M|1L p 1 1 , ,.t
При температуре Ki.ipuKci LBhiim. 23 C Mukciimj iliio вдптши mxiluiit><тЬ (Вт) русичи
[WOJCTCH I о форму Tc /-h жг., ( I 5(j_0K(lI,| /15 5
245
7. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
7.1. Система обозначений
полевых транзисторов
Сисчсма обозначений нолевых транзисторов впервые
была упорядочена с введением в действие в январе 1973 г,
государственного стандарта (ГОСТ 10862—72). Согласно этому
ГОСТу, система обозначений полевых транзисторов аналогична
системе обозначений биполярных транзисторов, Отличие состоит
лишь в обозначении второго элемента, которым у полевых
транзисторов является буква П. Классификация полевых тран-
зисторов по частотным свойствам отражается третьим элементом
обозначения. Она осуществляется по максимальной частоте в
соответствии с приведенной ниже таблицей.
Частота транзистора Мощность i ран me top а
м.|/1С|Я Л пах -С 0 3Вт с ре чиня (1 3 Вт < Pm;ix < <; 1,5 Вт бо it t! а я f’max > 1 5 Вт
.Низкая: />па v 3 МГц 1 4 7
Средняя: 3 М[ Ц < fmav 30 МГц 2 5 8
Высокая Lax > 30 МГц 3 (> 9
Согласно ОСТ И 336 038—77, вторым элементом обозначе-
ния полевых транзисторов также является буква П. Остальные
элементы обозначения такие же, как у биполярных транзи-
сторов. Классификация полевых транзисторов по частотным
свойствам аналогична предусмотренной ГОСТ 10862—73, т. е.
осуществляется по максимальной частоте.
Условные графические обозначения полевых транзисторов
приведены па рис. 7 I.
Рис 7 1. Условные графические обозначения полевых транзисторов:
246
а—полевой транзистор с р п затвором и каналом р типа, б — пслепой тран-
зистор с р п затвором н каналом п типа, в — 'ЦДП транзистор с нндуинри-
/ваиным каналом р типа, г — МДП транзисч ор е индицированным каналом п ти-
па, I? — МДП транзистор со встроенным каналом р типа, е—,ЧДП-транзнстор
со встроенным каналом п тина, м — МДП транзистор с индуцированным кана-
лом л типа и внутренним соединением подложки и стока, и— МДП транзистор
со встроенным каналом п типа и двумя изолированными затворами
7.2. Электрические параметры
полевых транзисторов
Термины, определения и буквенные обозначения
электрических параметров полевых транзисторов определены
ГОСТ 19095 -73.
Термины Букве иные обозначения Определения
Начальный ток стока 'с пач Ток стока при напряжении меж- ду затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на сто- ке, равном или превышающем напряжение насыщения
Остаточный ток стока Л. <К1 Ток сюка при напряжении меж- ду затворам и истоком, превы- шающем напряжение отсечки
Ток уники зтаора I iyi Ток затвора при заданном на- пряжении между затвором и остальными выводами, замкну тыми между собой
Отношение начальных IС (пач1 1 Отношение меньшего значения
гокоп стока сдвоенного полевого транзистора Разность токов утеч- ки затвора сдвоенно- го полового транзи стора Обрат[[ый ток перехода A_.(iia>iJ 2 ^З(ут) [ — — У3(ут)2 F начального тока стока к боль- шему значению начального тока стока сдвоенного полевого тран- зистора Ток, протекающий в цепи за
затвор — сгок при ра- зомкнутом выводе Обратный ток перехода Ъсо твор — сток, при заданном об- ратном напряжении между за- твором и стоком и разомкнуты- ми остальными выводами Ток, протекающий в цепи за-
затвор — исток при ра- зомкнутом выводе /зио твпр —- исток, при заданном об- ратном напряжении между за- твором и истоком и разомкну- тыми остальными выводами
247
II родолже^ир
Терм! mil Ь\кв»нные обизн i4t н 1я Опредепеи in
Напряжение отсечки Напряжение между здыюром н
ножвого транзистора 1 (ороговое на пряжение Ь'ЗИсг Ьд]. ] пор S истоком транзистора с р п-пе- рсхозом или МД11 транзистора со встроенным каналом, при ко- тором юк стока достш ает за- данного низкого значения Напряжение между затвором и
полевого транзистора Круги зня характери стики полевого транзи его fa истоком МДП-транзистора с ин- дуцированным каналом, при ко тором ток стока достшает за- данного низкого Значения Отношение изменения тока сто- ка к изменению напряжения на затворе при коротком замыка- нии ио переменному току на вы- ходе транзистора в схеме с об- щим истоком
Сопротивление сток — ИСТОК В oi крытом состо- яние транзисюра Яси отк Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном на- пряжении сток — исток, мень гьем напряжения насыщения
Емкость сток — исток при разомкнутом вы- воде Ссио Рмкоггь между стоком и исто- ком прн разомкнутых по пере- метному току остальных выво да<
Емюсть затвор сток при разомкнутом вы- вода Язсо Емкость между затвором и ис током при разомкнутых по лере- мо пюму току остальных выво- да*
Ем гость затвор исток при разомкнутом вы воде С juo Fvkorib между ьпвором и ис- т.пом при р«] сомкнутых по пере MCIпюму юьу ОСТ Ж1Ы1ЫХ ВЫВО дач
Входная емкость поле bod транзистора С] 1 и Ехжость между затвором и исто- ком при коротком замыкании по пеземепиому току на выходе в схеме с общим истоком
Выходная емкость поле- вого транзистора ^221 Емкость между стоком и исто ком при коротком замыкании по переменному току па входе в схеме с общим истоком
Проходная емкость по- ле того транзистора С12и Емкость между затвором и сто- ком прн коротким замыкании по переменному току па входе в схеме с общим истоком
Шумовое напряжение полевого транзистора Эквивалентное шумовое напря- жение, приведенное ко входу, в голосе частот при определенном годном сопротивлении генера- тора в схеме с общим истоком
248
Продолжение
Ъ рм uni j Ел кз е I, Hi.i е OCl) i U1HC НИЯ Ол ptje jenwi
у [еьтротвюьх[и<ы < к ]<i 'и Спеиральиая плотной ь жни
Л МН |1О ICBC О 1 [V !! И| BdKlITtlCHO ]||\М1В<1ГО напряже-
. -ра пня, [ривелеиного ко входу, при коротким зах-ыканни на входе с общим истоком
]\Оэффи он нт nix м t но Ли Отношение потной мощности
ювого !ран sue 1 ор,| тих мсв на выходе тюлевого граи зистора к тон ее части, которая вызвана тепловыми шумами со- противления источника сигнала
Коэффициент \ силен и я Отисе [снис млцносги га выходе
и > мощное ги поленом) полевого транзистора к мош
Iрацзнсгора Мости на входе при определен- ной частоте и <хеме включения
Рлмюстъ напряжений 1 1 ’ ЯП — Абсолют нос тачание разности
затвор — исток сдвоен- Л' JH2 1 напряжений между затвором и
hoi о полово! о тран hi- истоком едчоенного полевого
< гора транзистора три заданном токе пока
Разность активных вы- £22<ii । ( Абсолютное значение разности
\о щых проводимостей - £?2(и)2 активных вы»одных проводимо-
I [.военного полевого пей сдвоенного полевою трап-
1ранзистора зистора
[емпсра।урнын уход \Н'{||! Отношение изменения разности
рл мюсги напряжении X/ напряжении между [атвором и
.а । вор in юк ( гноен /Л ы1 нс Юком t щоен лого поле вся о
Hoi о ц< । к ено । <> ipaum Л г к 4 [ран oivropa к вь шившему его
>. юра и вменению температуры окру- жающей среды
К 6} KLJCiii ому индексу максимально допустимых значений
параметров добавляю! сн «дчгл» или «лтпъ.
Назначение выводов, внешний вид и основные размеры нор-
ихсов полевых транзисторов приведены ла рис 7 2
‘ЛКТ, «i№’>A' ЧПЛЗИ,
t “7 71? 7
i ' ''раизиорра L MM Htwпадение ЗыЗодоб
2 J ¥
W W'Sl 30 c - Й 3
М№,2МЗЗ ‘JS л - c 3 F
Kiuei, z.w US Л 3 £ K-n
Knm,znjoz c 3 *
КП302АМ-КП5Ш1 Д5 rt £ 3
xnwj, ^303 Цл И c 3 к
J и c n
KUil^ZtlJPS c 3 If л-дП
^j(f73O6i ZHJlft £ Jz 31 И л
КП387Г2ЛЗ{17 Ц5- c 3 к
33 if c 3 п
it c 3 —
2Г/ЗП 23 C h 3f И п
г.б
кп%5? КП9О7
и
a
249
/fan
AfSprttpC&KJ
КП UM
В icy вии вид, огненные размеры и
Puc 7 2
P fl С Я fUl о ж C H11 с в ы в од о в
палевых транзит! орав
7.3. Полевые транзисторы малой мощности
КП102Е, КП102Ж,
КП102И, КП1С2К, КП102Л, 2П102А,
2П102Б, 2П102В, 2П102Г, 2П102Д
Диффузионно-илапарные полевые транзисторы с
р-п-затвором и каналом p-типа Предназначены для работы во
входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного
тока.
Выпускаются в металл ^стеклянном и пластмассовом корпу-
сах с гибкими выводами (рис. 7.2, а, л).
250
ridpdMirrai Plwhm HJ4Eрения 2)1)023 КГ11и2Е 2J1I025 ЮТ1Т)7Ж 2П10РБ КП102И 2 П102 Г КП102К 2П 1П?Н КГТТШЛ
0.2 . 0.5 0,45...0.9 0,8. 1.0 1,4 . 2,8 -
/с НЗ’Ь мА Г'си ~ — Ю В, (Узи — 0 0,18.. 0,55 04 1,0 0,7 1,8 1 3 3,0 2,1 6.0
0.3 0,35 0,4 0,5 0,7
5, мА/В t/си = —10 В, <7ЗИ = О 0.25 .0,7 0,3 0,9 0.35 1,0 0.45 .1,2 0,55 1,3
2,5 4 5,5 7,5 10
<73 И ото В г/си — —10 В; /с =- 10 мкА 2,8
fn,ax, МГц —- То То То То То
9 <1 9 9 9
h, нА t/ди = 10 В, Uc\\ ~ 0 1,5 1.5 1,5 1,5 1,5
С/ш, мкВ t/си — - 10 В, ГЛи — 0, /?с ~ Ь5 кОм 10 10 10 10 10
С[]и, пФ 6/€И= -10 В; £73и = 0 10 10 10 10 10
С|2И, ПФ [/си _ — 10 в, г/зи = 0 5 5 5 5 5
Предельно допустимые эксплуатационные данные
Гц } лийц-, В Оохр ^00 С -20 - 15 — 20 - 15 20 — 15 — 20 - 15 — 20 - 15
с аз * * а е F £ = S е, 25 ГТ и 0 = 0 —15 10 -15 10 - 15 10 -15 10 - 15 10
КЗ
СЛ
КП103Е. кпюзж, кпюзи, кшозк, КП103Л,
КП 103М, 2П ЮЗА, 2П1СЗБ, 2П ЮЗВ, 2П1ОЗГ, 2П ЮЗД
Диффузионно-планарные полевые транзисторы с
р-п-затвором и каналом p-типа. Предназначены для работы во
входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного
тока, низкочастотных генераторах, ключевых устройствах, мало*
мощных стабилиза юрах тока и в качестве переменных резисто*
ров, управляемых напряжением. Диапазон рабочих температур
транзисторов типа 2П103 лежит з пределах —60 + 85 °C, а
транзисторов типа КП103 — в пределах — 55 85 °C.
Выпускаются в металлостеклянном и пластмассовом корпу-
сах с гибкими выводами (рис. 7.2, а, л).
252
I и 1 И Т|М 1 1\ п!(М I JMi. ренлч К1ШВ1 кпюзж KIf ЮЗИ кнюзк кпюзи КГ1! । 3 4
2П103 4 2ПК'ЗБ 2П103В 2П1ОЗГ 2П1ОЗ1
нлч» МА €/си = — Ю В, и in = 0 0,3 2,5 0,33 3.8 0.8 1.8 1.0 5,5 18 6 о 30 12
0,55 1.2 1,0 2 1 1.7 3,8 3.0 6 6 ;> 4 12
5. мЛ/В Сти = — Ю В, LGn — ° 0.4 2.4 0.5 2 8 0,8 2,6 1.0 3.0 18 >8 ММ
0 7 2 1 0,8 2,6 1,4 3,5 2 (j 11
t/Д! о^, В (Л;И= -10 В. /г== Ю МК\ 0 4 1,5 0.5 2 2 0,8 3,0 1.4 4.0 2 0 6 b 2 8 7 0
/ j vr, пА ^си — 0, 0 in = 10 В <20 <20 <20 <20 <20 <20
^?СИ си к» Ом 350 2500 480 1450 390 1250 285 720 26 5 560 2 >{| 500
/?си in, МОм 100 100 100 100 100 100
truu<., Ml Ц >3 <3 < 3 3 > 3 7> J
Л<, дБ САи- В. 1 ш 0. <3 < 3 <3 < 3
f — 1000 1ц < - 1 МОм
С । ] и, пФ иГА= -10 В. (Ои = о <20 <20 <20 <20 < 20 - 20
С|2ц. пФ иС[]= -10 В, СОи=О <8 < 8 <8 <8 ^8
IIреде 1ьно донке (имые ькимуаlamioiiiiue данные
J max, В - 15 — 15 -15 15 17 1
6*гИ шах, В ^зи = 0 10 10 10 10 10 1 о
Р/пах,мВт 120 120 120 120 120 12D
Полевые транзисторы 211103 и Kill03, имеющие в конце
обозначения букву Р (например, 2П103АР, КП103ЕР), пред-
ставляют собой подобранные пары с близкими параметрами
и предназначены для работы во входных каскадах усилителей
низкой частоты, усилителей постоянного тока и во входных
каскадах дифференциальных схем постоянною тока и низкой
частоты устройств специального и широкого применения.
Пара приборов изготовляется путем подбора по основным
электрическим параметрам ("оку стока, крутизне и напряжению
отсечки) из готовых одиночных транзисторов 2ГН 03 А --2П1ОЗД
и КП103Е.. КНЮЗМ.
Транзисторы подбираются в пары по результатам оценки
относительной разности (в процентах) значений основных па-
раметров пары при температурах 25 ± 5 °C и 85 ±5 °C (см.
ниже).
Параметры парных транзисторен Тиг лрнбора [ очиость ппгДтрг (относительная раз писть) % Режим испытания
0 я группа 1 -я труп па 2-я группа
Относительная разность тока стока Для всех типов 5 10 20 (/си ~ — 10В
Относительная разность Кру[ИЗНЫ LOKci стока То же 5 10 20 О'зи — 0
Относительная разность напряжения отсечки 2П103АР 2111 ОЗД Р 5 10 10 UCM = -10 В
КПЮЗЬР.. КП103ЧР 5 5 10 1с,= 10 мкА
Подобранные в пары транзисторы имеют па корпусе метки,
обозначающие точное 1ь подбора пары* для i рупп 0 и 1-й--
черного цвета, для 2-й грунты- синею u.Beia.
254
КПС104А, КПС104Б, КПС104В, КПС104Г, КПС104П
Эпитаксиалыю-планарные сдвоенные малошумящие
полевые транзисторы с р-п-затвором и каналом /глина с близ-
кими значениями электрических параметров Предназначены
для использования во входных каскадах дифференциальных
усилителей постоянного тока, высокочувствительных усилите-
лях и повторителях напряжений постоянного тока, низких и
пнфранизких частот, работающих от датчиков с высоким внут-
ренним сопротивлением, и в других устройствах широкою при-
менения. Подбираются из отдельных кристаллов, изолированных
друг от друга, и поэтому не критичны к величине напряжения
между затворами. Транзисторы типа КПС104 работоспособны
в диапазоне температур окружающей среды —40... + 85 °C.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 7.2, б).
Параметры Режим И JVK |"Н1Я КПС104А КПС104Б КПС104В КПС104Г КПС104Д
Л ньч, мА В; £73и -0 0,1.. 0,8 0,35. 1,5 1,1 3,0
S. м.Л/В ?/си = ю В; бгзи = 0 >0,35 >0,65 > 1,0
{ Ы отс1 В С+п = П) = 10 мкА В, /с- 0,2 . 1,0 0,4...2,0 1,0 ..3,0
\т> нА t/си == 0- бзи = — 10 В <0,3 < ];0 < 1,0
255
Продолжение
Il.ip.iMei [ ! । Pl Ж |М И t мер-.: Я л КПГ 104Л К ГСГоТь КПЗ 1 041? КПС104Г КГ1С104Д
5 (' 411. — U .1И 1 , С'си = 10 В, = 30 ПО 100
56 + /. 117) 150
мкВ
°C
и>и, мкВ L'ch = Ю В, ICi <0 4 < 5,0 < 1.0
+ А = < 1,0 < 5,0
1 <Ли — £Аи. 1, ^си = Ю В, Н + < ю И 50 ^50
мВ + /c.==S^
Cih«, пФ t/р.и = 10 В, £/jh =0 А 4,5 ^4.5 ^4,5
С12и, пФ L/cu = 10 В, Ачи = 0 1,5 ^1,5 ^1,5
'С чаи nipt t;cn — 10 В, f/jt[ — 0 ^0.9 >09 >0,9
If ИЯЧ СИНД
^3 И.тс.гигл Uси Ю В, JAii = о ^О.<) > 0,9 >0,9
^3 И от с та с
Предельно допустимые эксплуатационные данные
^СН 'ИОЛ. в Оокр < 85 СС 25 25 25
^3 Г та i. В 0Пкр ST 85 °C 30 30 30
1 /ТС! t ’ мА При закороченных вы- 5 5 5
водах «СТОК — 1СТОК»
и 0Ohp ^85 °C
Р>и tixi ы Вт 0[(|,р А 35 °C 453 453 453
О.кр - 85 ГС 253 25d 251 2
1 S /[ — суммарный ызк tioKd обеих iio.hjbhh сдвоенно'О транзистора Для КПС104А
Б 1 /с =0,18 мА для КПС104В 2/с =0,5 мА, для К1К104Г, Д Z /L = 1,5 мА
2 Среднеквадратичное напряжение nivwa, измеренное о схеме балансного каскада в ио-
пасе частот Л, = 0.1 10 1 и при < жротчнтениях п цеди затворов к W кОм
R ин тор к я ж те м псп i г у р сп 15 'io ft) '’С m.imiim i н |iti дои v i н м ,>ч mi> цфн 1t, i ин/Кнстс я
ПС линейному Закона
256
КП301Б, КП301В, кпзон;
2П301А, 2ПЗО1Б
Планарные МДП-транзнсгоры с индуцированным
каналом р типа. Предназначены для работы в у сил и геля к низкой,
иромежу i зчной и высокой частсны, электрических детекторах
и преобразователях, многоканальных коммутаторах и преры-
вателях Диапазон рабочих температур транзисторов типа
К11301 лежит в пределах —45. .70 °C, а транзисторов 2П301 —
в пределах —60. .85 °C.
Выпускаются в меiаллостекляпном корпусе с гибкими вы-
водами (рис 7 2, а)
Параметры IIIMCf”' [ИЯ кпзль кпзгнв КП301Г 21IJ0IA 2П301Б
fc, мА «и = ’Г) в, РЗМ = 10 в —- — 1 . 13,3
/С на. , мкА ГДи — 15 R, Оокр :У. <0,5 <0,5 <0,5
< 25 °C
S, м'\/В l‘i 1 [ - — 15В, р- — 5 мА: > 1 2 ]
/ = 50 1500 Гн ^0,5
7д \ т * нА с1И _,ш в с о,з <0,13 <3.3
< 0,5
£_Д;|, МкСм lO II сс 1 f II < 150 < 250 <150
/ = 50 .1500 Гц ID0
*311 !!Ор’ В и{ и =- -15 В, /с = 2,7 5,4 2,2..5,4 2,7 .,5,4
= 0,3 мА
/с пэр> мкА „ -^-6,5 В 10 10 10
А пн дБ (0 и = — 1 з В, д =5 мА, 2,2 0 5 <<\5 < 5
/ - 100 41 н —
U- МГН К)(- 100 100
С] ' ( И б22ц. пФ L\ и — — 1 э В, Л --5 м А < 3 5 <3,5 /А // ~ 1
1 = 10 MI н
* [ .1 iKiHi В И и др
257
Продолжение
Параметры Режим измерения КПЗО 1 Б КП301В КЛ301Г 2П301А 2П301Б
С:2и, пФ [7-и - — 15В; А 5 мА; / = 10 МГц < 1 <1 V/V
Предельно допустимые эксплуатационные данные
гах, В 8 сир <70 ЭС 30 30 30
^СИ. тахг В 9 сир <70 °C 20 20 20
7Z maxi мА 9[jKp <70 °C 15 15 15
Рлсх» мВт <кр <25 °C 2001 2001 200
1 Б ин ервале темпгэьтур ог 25 дэ 70 °C Ртах (мВт) рассчитывается по срор^ле P,7jex =
= 200 1,5 (&охр 25>.
КГТ302А, КГ302Б, КП302В, КПЗО2Г,
2П302А 2П302Б, 211302В, 211302Г,
КП302АМ, КПЗО2БМ, КП302ВМ, КП302ГМ
Планарные полевые транзисторы с раз ат вором
и каналом я-гипа. Предназначены для работы в широкополос-
ных усилителя* в диапазоне частот до 150 МГц, переключаю-
щих и коммутирующих устройствах. Диапазон рабочих темпе-
ратур транзисторов типа КП302 лежит в пределах —60...
<100 °C, а транзисторов 2П302 — в предо пах - - 60...< 125 °C.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис. 7.2, а).
Параметры Рсжпу измерения КП302А КП 3025 2П302Б КГ302В 2П302В КП302Г 2П302Г
2П302 \
А. на и мА Гел = ? в, Гзи =0 3 21 18 43 33 15 . 65
5, мА/В Геи ~ 7 В; U Hi =0; < 5 ^7 >5 7
Г = 50 151И J I и
Гзи огс. В Ген = ( В, = К) МК'\ 5 <7 <10 7
Г jt нА Геи = X Ггзи =10 В <10 <10 <10 10
7сз обр. мкА (-'сн = г t'o = -го в <Д 1 < 1 1
Аг.1» 'К- — <4 <4 <4 4
/цикл НС — < 5 <5 <5 5
АсИ. стк! Ом Геи = 3,2 Е; _ 0 — < 150 <100 150
А ш< дВ Геи —8 В; £/зи =0; <3 <3 1— —
/ — КН <2,75 <2,75
С11н > пФ Геи = 10 В; 7^ — 3 мА, <20 <14 <16 20
/ = 0 МГц <20 <20
Сгзи» пФ Геи = 10 В; /( =3 мА; <7,1 < 10,5 <14 —
/ = 0 МГц < 10
Ci9]t, ПФ Геи = Ю В; 7с = 2 мА; <8 <3,9 <4.2 8
J — 0 МГц <8 <8
Предельно допустимые эксплуатационные данные
Гзи max, В ^оьр < Авр, мах — 10 — 10 — 12 — 10
UСЗ max, В AhR < %Lp nji; 20 20 20 20
258
Продолжение
Параметры Редким измерения КП302А 2П302А КПЗО^Б 2ПЗОУЬ КГ302В 2П302В КП302Г 2Г13О2Г
maxt В Оцкр Оцкр пах 20 20 20 20
fС maxi мА бокр бокр пах 24 43 43 —
^3 пр пах, МА бакр бОКр пах 6 6 6 6
Ртах, мВт бокр 25 °C 300' 300' ЗОО1 300'
Прн температуре свыше 25 °C максимально допустимая мощнсиь (ыЕт) определяется
по формуле Ртак = Ж) — 2(0окр ~
Примечания- I. Электрические параметры транзисторов <113Г)2Д.VI КПЗО2БМ,
КП302ВМ КП302ГМ такие же, как у транзисторов соответственно KH3D2A КП3025.
КП302В, КП302Г.
2. Конструктивное отличие транзисторов КПЗО2АМ. КПЗЛ2ГИ от КП302А КП302Г
состоит в отсутствии вывода от корпуса {имеют не четыре, а три вывода, соответствую
щне стоку, затвору и истоку).
259
260
КПЗОЗА, КП303Б, кпзозв. кпзозг. кпзозл, КПЗОЗЕ,
КПЗОЗЖ, КПЗОЗИ, 2П303А, 2П303Б, 211303В, 2П303Г,
2П303Д, 2П303Е, 2П303И
Эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с р-п-затвором и каналом п типа Предназна-
чены для работы в приемно-усилительной annapaiype во входных каскадах высокой (2П302Д, F, И и
КПЗОЗА, Е) и низкой (2II303A, Б, В и КПЗОЗА, Б, В, Ж, И) частот с высоким входным сопротивлением
Транзисторы 2П303Г и КПЗОЗГ предназначены в основном для работы в зарядово-чувстни тельных усилителях
Диапазон рабочих температур транзисторов типа КПЗОЗ лежит в пределах —40. + 85°С,а транзисторов
211303 — в пределах —60 4-123 °C
Выпускаются в металлостекляииом корпусе с гибкими выводами (рис 7 2, а)
Пар iMtiпы Pl жпч и \ ПНЯ кпзом ь 2НКВЛ Ь мнозв 31 ВО 711 К11 >011 дТлВГ '1 KFHi'jJ 2! ISO1Ц КН >0И 2П “ - КПЗОЗЖ КПЗОЗИ
A j а.[. мА Оси---10 в, 0 3 2,5 1,5 5 3 12 3 9 5 20 0,3 1
1,5 5
А, чА/В 6\и- ю в, (;П] _ (1 } 13000 Гц 1 ! 2 5 3 7 > 2,н >1 1 4
2 (>
О и1 ин Б (ц 1 - 10 в, /( Ю мк\ 0 5 i 1 1 с 3 -^8 Г 8 0 1 3
0,5 2
П1! И- нА tA и 0 f'ni Bi В ] < 1 - 0,1 Г 1 । Г|
Г нВ/ \/1 ц U{ и - 10 В, С щ 0 / — 20 Гц < К) — - — —
/ — 1 КТ 1L <20 <20 — - — 100
A in лБ и (। ] — 1ов i / j 11 । / - 11 к) м г [ 1 — — . 1 ——
Срсднсквачраi и пши U( и - 10 В, 1 Я! - 1 — 0G- 1СГ1и — -
шумовой заря к Кл
Ощ> пФ ( (/, 10 В, - о <6 <G < ь в J) <5 0
С]2и, пФ 1 / - 10 Ml ц <2 <2 <2 < 1) < 2 <' ‘2
Аьан кор’ МО'Л /г 20 >20' 20‘ /Д' 201 20 ^20’
11 pi ru i mid 7i i!у c i нмы1 Jkv ii i\ a i 11цчнн1Е re да иные
ЗИ п>а i ’ В — —30 - 30 30 n И)
^СЗ max' В 30 30 30 30 Д)
^СИ пас В 25 2.5 25 25 25 25
Д' pt7fi мА — 20 20 20 20 20 20
Н пр r?trtr^ мА 5 5 5 5 .5 5
Ртих, мВт 0r]h-, + 25°C 200° 2()()J 200J 200' 200 200’
1 1 опратнн Юинг и -.и шши hill 1 КОрЛ\ i
? При ivMnepa i уос скышг -i 2 С u 1 K<K Md И HO VWUHKIH X 1Щ f J Ivtir) onpc’(Г 7> Я I) J ijjrjpx X 1 ; JUi - i и, и f — ця тратало,™
типа КП JH3 и но порт пс Р к, — ЭТО I И D j — 2 н i i i j I т >|)ов тип j 2113(1 J
Прими f i н и п ЗДС im на и < чс| и in j л if i с r< т I r । i тс я i i .i i:ni и t ipun к [ । 40 i A и P П 103 А X ih тр i и и < гороп К l НО 4 Б н 21НОЗБ
Г „ ~~ 20 ч В! \ Гн и и 1мь‘ряе1ся и л час । ore I i I i
КП304Л. 2П304А
Диффузионно и iiiнapныр МДП транзиеюры с инициированным каналом p-типа Предназначены
для работы в переключающих и усилительных каскадах с высоким входным сопротивлением Диапазон рабочих
температур транзисторов типа КП304 лежит в пределах —45 + 85 °C, а транзисторов 2П304 — в пределах
— 50 ,+ 125 °C
Выпускаются в мсталлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис 7 2, а)
1 1 ip.l Mi 1 |>E 1 | Р и и ‘it |)<чшя К1 Н01У 2IB0M
A ini, мкА Ь([] ~ -25 в 1 5И = 0 + 0,2 + 0,2
S, мА/B -10 В Д = 10 мА. / 1 кГц > 1 1
iici • В и™ = - ю В л - 10 мкА — 5 — 1
Л XT, нА О’с и — 0, U 5И — — 30 В <20 <20
^ClI DTK’ Ом и - -20 В, 7( — 1 мА < 100 < 100
С11И. пФ ouj=. -15 R Д = 0 1 МГц
б22и, пФ + и = ~ 15 В Д — (), / = 1 МГц <0
2 (7[oIH пФ беи = — 13 В, Д =0, / = 1 МГц + 2 2
Продолжение
Парас етры Режим измерения КП301 \ 2I13D4A
Предельно допустимые параметры
^СИ та v * В
ыал ’ в
^ЗС в
J71 U V в
>С птах»
и max’ мА
мВт
При соединении выводов
подложки и истока
То же
»
гщ" мВт
О °C
иокр’
vnkp 1}Кр ГЙЙХ
ти^ 10 мкс, 10
-45=СС0окр<55°С
-60°С<6окр^ 85 °C
—45<?С<60кр^55оС
-60 °с<0окр^85 °C
25
30
30
20
30
60
200*
ЗОО3
-45 . + 85
25
30
30
20
30
ео
2001 2
4004
--60.„+125
1 При у вели чеки и те Vi । re ра t л ры окружающей средь1 or 55 до 85 °C допустимая мощность
снижается по линейному закона до ЮО мВ-
‘ При \ветнчении температуры окружающей греды от 85 до 125 °C допустимая мгид-
пост I, с|.ил<а<тся по ihi-.сппому закону до 75 мВт
5 При \ ветченнн теvn< p.i гч г-ы <жрл ж тюшеи греты от s5 40 СС импульсная допу
стнмая мощность снижается по ипц uiKoiiy ю 1511 mBi
4 При у ви iHCLi-.iiii tn1; nt pi j 1 \ p ы «жру ж j липе и l pt in in 85 щ 125 °C им пулы и 14 допу
Стимли i о ин ость с 1 п л а с г i я пн 111 н 1.11 । о м с закону до 1 11> мВт
262
ШШ2ША)
№
я/
|Амт.к1 lo
\и {ГкЦ ~
fCKp~^
1Г~1м 4,
ZOB
-м о w so а -с
игр
^СИ DTK
^СИ птк^/jh-
-‘с,
мА
20
263
КП305Д, КП305Г, КП305Ж, КПЗО5И.
2П305А, 2П305Б, 2П305В, 2П305Г
Диффузионно-планарные /МДП-транзисторы со встроенным каналом /ьтипа. Предназначены
для работы в усилительных каскадах высокой и низкой частоты с высоким входным сопротивлением. Диапазон
рабочих температур транзисторов типа КП305 и 2Г1305 лежит в пределах —60 „4-125 °C.
Выпускаются в металлостеклящюм. корпусе с [ибкими выводами (рис 7 2, п)
КГВЭ5Д К [ I3O5E КГ305/К К1Н05И
I Idpdметры Р Л 1 М sn ’ll ппч 2! 1,5054 2 ИЛЬЕ" 2TI30jF 21130’Д
5, мА/В £Ди = 10 В, /( — 5 М\ / = 1 кГц 3,2 10 5 4 8 5,2 10.5 1 10,5
Ь 10 6 10 6 10
(/.HI пи> В СДи = 10 В, л = К мк V -6 — (> — 6 — 6
Д м, нА (Ди-О, Гш- 50 В <1 <.5-10 J < 1 < 1
<1-10 3
(<ь В (Д и - 10 В, /( -5 мА 0,2 2 -0 5 4-0.5 — 0,5 <0,5 -2 5 -0,2
0,2 1,3 0,2 2 1 5 -0,2
дБ C/t И = ]5 В, /< - 5 м \ / - 230 Ml [I > 1 з 4- 11 > 1 1
Д и -= 10 В, =’» м\ 130 150 130 130
Л 1Р дБ и =. 15 В, /( — 5 [ — 250 МГц <75 <7,5
<Д> > < 0 5 ^(>,3
СНИ< пФ U{ н = ю в, /, _ о v \ > - 10 МГц Л 5 < * < 5
CIJ(I пФ U( и = W В, Л а м \ ’ =- 10 МГц <0,8 <0.8 <0,8 <0,8
11рсдс 1ь ю юн}< гчмыс ладц j 1 анионные данные
б'и та - В % ц? < < ’ ( ч-1 5 Ч 1 ) ±1.5 4_ 15
ч м + Я) + 311 ±.)0
(Ли в —Ь ) 1 15 t- 15 - !5
J 51» -В. >о О JU 30
Продолжение
Пзрдме е in 1 Ре <М(М и IML реомя К [ 1 М)5,Ц /и Го5Т — КП305Г 2112051, К1ВС5Ж 2ПЗО51Г КН305И 2ИЗ(йГ
^ГИ М, ()<„,, < 125 С "1 15 15 1 5
l-д и i.im, В %1ф С 125 ‘ < 1 > 15 15 15
/( 1ILCI X • М А р< 125 -< 1 1 15 15 15
Р„..ио мВ1 1^>1.р 2 i ( j 15П1 150L 1501 1501
Р,Л,Я1, мВт ^дьр = 125 (. 5') 50 50 50
о рои т пн г 24 105 При говыпп мни п мт p.iTj ры до - 125 °C
1 1 [pH темпе р 1~\)И 01 — GO ди + 24 I 1 Я ipair ,pi 1 upon К11 И мн ► ди — 4G С дтя гр ш и
А ^И1 нмг Ifih'O отеГИМЗЯ ЧОЩНОДЬ СИМИ НЯ I’O HlHUlilM П Jdrj4\
ел
о»
266
KI1306A, КП306Б, КП306В,
2П306А, 2П306Б, 2П306В
Диффузисишо-планарныс МДП-транзисторы с двумя изолированными затворами и встроенным
каналом n-типа Предназначены для работы в усилителях и преобразователях высокой и низкой частоты
с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур транзисторов типа ДП306 и 2П306 лежит
в пределах температур — 60... + 125 °C.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 7.2, а)
Паря мгтры Реж кт измерения КГ106\ КП306Б КП 306 в
Lji-oA С’ПЗОЪБ 2П306В
Электрические параметры но первому затвору
S, мА/В иСц = 15 В*, th и = Ю В; — 5 мА; / - I кГц 3 8 3 8 3. .8
Оз, И ото Б О^сп — 15 В, б 1 и = 10 В; /г — 10 мкА --4 — 4 -6
/з1У1, нА ОДн = ОА И = 0, 0 itn = 20 В <3 < 5 <5
< 1 < 1 <1
«,И. В (7с.и 1,5 в, О3 и = 10 В; 1с = 5 мА -0.3 0,5 0 2,0 -3,5 0
/'flu. дБ О<:11 — 20 В, О’з и - 10 В; Л =5 мА, / = 2U0 МГц <7 < 7 <7
<Ь <6 < 6
/?вч, кОм ОСц = 15 В, О. и = Ю В /;,=< мА, / - 60 МГц Л: 12 > 12 > 12
/- 100 Ml и > > ,> 5
С’Ми. пФ ( (Дп - 20 В, < - 5 мА, ГД,и = 10 В, <_ Л < 7> <5
CjOjb пФ 1 <- 10 МГц <0,07 <0,07 <0,07
Элек1 рические параметры по второму затвору
S, мА/В беи = 15 В. б'ти = 10 В; /с — 5 мА 9 >2
Д ST нА беи = 15 В, (Лл1- 10 В; Iq — 5 мА < 5 <5 <5
ЛД дБ и = 15 В, (73)11 10 В; lQ = 5 мА, f = 200 М1ц <10 <10 < 10
К в адр ат и11н ы и \ ч. 1 с in к по затвору 2, В — S^l > 1 > 1
Продолжение
Параметры Релем измерения КПЗОЬА J[i30f)A КП USE 2П М)6 Ь К1В06В 2П306В
Cl 1 и> пФ f £7си = 15 В, Узр! — Ю В; /ц — 5 мА, ^'1 <4 <4
С[2и. ПФ | / = 10 МГц /Л 7' \ U 1
СЗ1З2, пФ <: 0,01 U0.C1 <0,01
Предельно до густимые эксплуатационные данные
fmax, МГц <UP < 125 СС 800 800 800
Sill max, В 0окр< 125 "С 20 20 20
d fflUAi В (Up < 12>°С 20 20 29
mao Ь (Up < 125 °C 20 20 20
(-5. С. rrwv В 0окр < 125 °C 20 20 20
^313^ max, В Оокр < 125 °C 25 25 25
U И пил. В 0OhpU 125 °C 20 20 20
/ц max, мЛ Оокр U 53 С 20 20 20
Ртах, мВт 0окр = 125аС 1501 1501 1501
501 50’ 50‘
1 При уве гниении т(МП(грат}ры от
267
12з С максиматью лочтетлчая Моиностт снн~,1гт я по линейному закону
ю
о
00
КП307А, КП307Б, КП307В, КП307Г, КП307Д, КП307Е,
КП307Ж, 2П307А, 2Н307Б, 2Г1307В, 2П307Г, 2П307Д
Эпитаксиально-планарные полевые гранзисторы с р ^-затвором и каналом /г-типа. Предна-
значены для работы во входных каскадах УВЧ и УНЧ с высоким входным сопротивлением Траизисюры
КП307Ж предназначены я основном иля работы в зарядово-чувствительных усилителях и других устройст-
вах ялерной спектроскопии.
Выпускаются в мегаллостеклянпом корпусе с [ибкими выводами (рис 7 2( а)
ГЫртметры Рс я ч измерения Гр\ПП|1 тр 1 нзист оро II Ti 11чеки ч
Д h ач, иСц= 10 В. Пи! =0 КП307А, 2II307A 3 0
(Ди = 10 В, U'W = 0 КП307Б.В, 2П307Б.В 5 15
(7СИ- 10 В, /Ди-о КП307ГД, 211307Г.Д 8 24
= 10 В, ТДи -0 KI 1307В I 5 5
СДи - К) В, и-ш -0 КГ1307Ж 3 25
/Зх-, нА (Ди — 0, I1 — — 10 В о(14) 25 1 С 0 — 0 р — uor । ’ а \ КП307А Ж, 2ПЗО7А Д КП307А Ж, 2ПЗО7А Д 1 100)
S, мА/В (Ли = 10 В, 1/,п= •' КП307А, 211307А 4 9
СДи — 10 В, У>н — 0 КПЗО7Б.В, 2113С7Б.В 5 10
(Дц=10В ГДи = Е КП307Г Д, 2НЮ7ГД 6 12
Ди- И) В, Ь1-|| КП307Е 3 Я
СДи- 10 в, Г,и -0 КП 307 Ж >4
С/(Ио„. В и{ [1 - 10 в, /( - 10 мкА КП307Л, 2П307Л ОД 5
Д и = 10 В, /( 10 мк\ КПЗС7Б В. 2П307В В 1 5
ЕДП = 10 в ц = Г) мкА КП3071 Д, 2П307Г Д Е5 b
Ди = 10 В, Д — 10 мкХ KH307F Д 2.5
Н родолжсчие
Пар метры Г\ Ain и ;ме[ннич 1 pvimi.1 -р imuLiopci’ 31ичс| ия
и „ 10 В, /( = 10 Мк\ КИ307Ж i
L^, нВ/ \'I Ц U{ и = 10 В, ГДИ = 0, 1 - 1 кГц KII3U7A 2ПЗО7А <20
U{ и = 10 В Гчп = 0, J =- 1 к1 ц КИЗОГБ Г, 2П307БД <2,5
Лиг. ДВ г\ и = 10 В < - 5 мА / --= ИЮ МГц К11307ВД 2П307ВД < 0
СР1| нФ (О и - 10 В 1 ж - 0 г HI МГц КП.Ю7А Ж, 2П307А Д < 5
C]2l|, пФ Кц - 10 В, £'д[ = 0, ! - 10 МГц КП307А Ж. 2П307А Д < 1,5
Предельно ^.тимые эксплуатационные данные
О И J П!и к ’ ГС о г 0, От 0ОА;> Ю OijK]> v ДО 0 > p 1ш < КП307А 2IB07A КП ЗО7Ж 2П307Д 27 30
^Cj шиш В 01 0( р tHi I до U>kp КШ07Х КИ307Ж 27
О г (< ir ДО 0 Ikp lii \ 2П.ЗО7А 2П307Д .30
^Д И к ia х > В о । 0|.|Кр h ' C'J Ot»hp ।. KI I Ш7Х КГ1307Ж 27
От 0,,ч, ! t Ю 0t кр f a ’ 2I1307A 2П307Д 25
Л мА От 0о| j If U J Ook i /.tу L КП307А К П 307 Ж 25
От 0,th[, ДО Oilh t> <ш 2Г1307А 2Н307Д 30
Or 0oip j ДО 0< Vt ' и. К Г 407 A Ж. 2П307Л Д 5
Р,пг,ш мВ| 0(3 к р Д ?5 L с K[I3(t7A Ж 2П307А Д 2501
Опер fTGli °C — КП 307 A Ж, 2П307А Д 140
%лр, °C — KI BOTA КП307Ж — 40 +85
— 2 J1307A 2ПЗО7Д — 01) + 125
1 При । Lviiepa 1 у ре белее 25 °C мощность (мВт) ppi cainii)?,ветел чу фор'.”, е Р 11м =256
2 । О.„,
ю Примечание Яичче ння ь рх тит гь гр ие ллы и
§ хvcpьнмктft я лрii*iL?pfю :i 2 pajf
г \ i p it.ре „>
При к. л inrxrn рамки’ мтыиппнп ion\cimn ипчеш тр.ти пн
КП310А, КПЗ I ОБ
Диффузионно-планарные МДП транзисторы с ин-
дуцированным каналам л-типа. Предназначены для работы в
приемно-передающей аппаратуре в диапазоне СВЧ.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис 7 2, а) Маркируются красной точкой на торцовой
поверхности корпуса. ____________________________________
Парапет пы Режим лчуррення КП310А КПД0Б
нач> МА бгси = 5 В; изи ~0;
Оокр =25 °C 0.03. 5 0,03.. .5
0Ohp= 125 =С <8 <8
= -6(ГС <15 < 15
Аз остт мкА Г'сп = 5 В. I1 {ц = - 5 В 1 100 1 . 100
/3 ут, нА Г'зи = -ю в < 1 < 1
S, мА/В Сси - 5 В, /( -- 3 мА,
е„кр = 25 “С 3 ..6 3 6
0с<р = 125 СС 1,5...4,7 1,5 4,7
6.w= — 60иС 1,5 6 1,5,. 6
дБ 0гСП = 5 В; /с = 5 мА, / —
= 1 ГГц 5...7 5 7
Xш, дБ Г\ и = 5 В, /<_ = 5 мА; j —
----- 1 ГГц <0 5 7
пФ Гси-5 В. <7ш=0; / =
= 10 МГц 1,4 2,5 1,4 2,5
С12и, пФ С си = 5 В, 4/311 = 0, / =
- - 10 МГц 0.2.. 0,5 0,2 0,5
С?2н’ пФ Г\'и = 5 В, б'зи — — 1 В; / —
= 10 МГц 1.2 2 1,2 2
Предельно допустимые эксплуатационные данные
В — 60 д: 0£1( р ' ' 125 ('. 8 8
Г'зи /илх, В -60 м: - 0иьр 125 ~С 10 10
U~3C max, В -60 сс Оокр -I'l 125 С 10 10
/С max, мА -60 °C Оокр < 125 гС 20 20
А*таг< мВт — 60 гс ’"'А 0пкр < 25 °C 80’ 80
1) °C иокр, —- — 60.. .+ 125
' В интервале температур от 25 до 125 °C мощносто (мВт) рассчитывается по фор
муле Pmov = 80 — 0,55 (1\,— 25i
КП312А, КП312Б, 2П312А, 2П312Б
Эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с
р-п-затвором и каналом д-типа. Предназначены для работы
во входных усилительных н преобразовательных каскадах в
диапазоне СВЧ,
Выпускаются в мсчаллосюкляпном корпусе с гибкими по-
лосковыми выводами (рис. 7 2, а). Транзисторы КП312 марки-
руются двумя цретными точками желтого (JCH312A) |тлн синего
(КП312Б) цвета.
270
Параметры Режим измерении КП312А 2П3124 К11И2В 2П.И2Б
нач> мА <7СИ = 15 В; t/ди = 0 <8 1,5
/ 3 у т ? М ^СИ "’ 0: Z/.чи = — Ю В; < 10 < 10
Н(>кр = 25иС Оокр = 0ОКр тал 1000 < 1000
%кр ~ %кр тиг < 100 100
S, мЛ/B t/си = 15 В; Сгзи = 0, 4 >2
О.,<, = 25 °C ®акр — ®окр так 1,5 ]
* ^1,5
Л'ш, дБ t/си = 10 в, /с- 5 мА; f = = 400 МГц <4
£22, МкСм (/<и —15 В; / = 1 кГц < 130 < 130
С12И1 ПФ С/сИ = 15 В; / = 10 МГц 1 < 1
С22и» ПФ £/си = 15 В; f = 10 МГц С 4 -<4
Предельно допустимые экеллулицлинные данные
Г^зи тих’ в
Use max* В
^СИ mat I в
/ц тах'} мА
Ртах? мВт
А °C
иокр>
60 °C < 0(1 к р ^5 0()Кр fj а с
- 60 °C с 0(1 к |) Ol)hjj lrta t
-60 °с <: 0<jhp 0ОКр (
-60 °с^: Оонр 5С 0(}Кр мае
^окр ? i 40 ° с
25 25
25 25
20 20
25 25
ЮО1 100’
— 60 4" 100 - ВО 4 100
60 +125 -60 4 125
1 При температуре билее 40 °C мощности (мВт) рлссчн гыпл rt и ио (| орм \ Чс J [1Н — f 40—
о о,о о,в 1,1 vlv,b о 5 ю 15 в
271
КП313Л. КП313Б, KII313B, 211313А, 2П313Б,
211313В
Диффузиоино-планарные МДГ1 транзисторы со
встроенным каналом гс-типа. Предназначены для работы в уси-
лительных каскадах высокой и низкой частоты с высоким
входным сопротивлением
Выпускаются в пластмас< овом корпусе с гибкими вывода-
ми (рис. 7.2, сМ.
ГТ । р i ч с । [ни Во А II \1 |П> грс tills! КП31 1А СП 31 14 К[ 131ib 211 Я Б КПЗ 13В 2ГН1 1В
/3 \т> нА. UyA = 10 В; С'си =0 < 10 <' 10 <10
S, мА/В — НУ В, Ц —,} мА '1.5 10,5 4.5 10,5 4,5...10 5
3 10 5 10 5. .10
Ази, В L'U[ = Ю В. Д 3 мА 0.3 .1,8 -0.5 0,3 -2 -0 3
0,4 1,5 — 0.0 0,6 — 1,5 -04
(7 ?И отс • В Г+.и = 10 В, /с = 10 мкА 7-6 о Л 6
дБ Аси = 15 В, /с = 3 мА,
/ = 250 МГн > 10 + 10 > ю
А<. дБ Аси — 15 В, /< — 3 мА, с.- 7,5 < 7,5 < 7.5
/ - 250 МГц < 0,5 < 6,;> < 6,5
Сцц, пФ Аги = Ю В, _ 5 м\ < 7 .7 <+ 7
<(>,8 С 6,8 < 6,8
C’2V, ПФ Аси — 10 В, /с — 5 ч А <0,9 <0,9 <0,9
< 0,8 <0,8 < 0,8
Предельно допустимые эксплуатационные данные
Б;ЗС .-i;u i, Б -45 С < ().)М, < 85 ( С 15 15 15
Аси ч. Б — 45 (_ < ()ое<р < За С 15 15 15
Бзи та и. Б - 15 47 < 0„кр < 85 'С 10 1(1 10
7с„_а^ мА -45°C<0(lh[1^85 С, 15 15 13
Р,,ал. мВт lUp С 25 '-'С 75 75 75
320 120 120
6нкр < 35 С 40 40 40
80 80 80
П °C 1 нц>, — -40 +85
272
КП314А
Планарный полевой транзистор с рп-затвором и
каналом /i-типа Предназначен для работы в охлаждаемых
каскадах прсдусили юлей устройств ядерпой спектрометрии
Выпускается в мс[аллостекляшюм корпусе с гибкими вы
волами (рис 7 2, а}
П j р^ ле । р л 1-Czr [pl л V< | Ц’ЯЯ Дел' t. :i;i 1
С ![<!•{ Т (ц ,1 - 10 В [Ли =0 2.5 2J
5. мА/В t ( и 10 В, U ц । =0,/ =0,5 > 1
1 ”) к Г ц
Грк, ||Ф С( и = 10 В, / = 10 MI ц ^0
Г12((, пФ беи — Ю В, / = 10 МГц <9
Среднеквадратичн ыи i; —1 Л ii _о со" L.0 II Л < 1 32 - КГ1'
шумовой заряд, Кд - 5 мкс
Предельно допусти мы? эксплуатационные данные
б1 (_И 1 (Д' • В DOhn < 35 °C 25
U~ll] так, В бокр < 35 ~С 30
б'зС т(ь, В Оонр За б 30
мЛ % к Р 35 G 20
/3 пр.mах, мА 60hp < 35 С‘С 5
Рта^ мВт 0()h]1 < 35 °C 200
®окр та v? С -—1 85
273
КПС315А, КПС315Б
Эпитаксиально-планарные сдвоенные полевые тран
зисторы с р-п-затвором и каналом я-типа Предназначены
для работы во входных каскадах дифференциальных усили-
телей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным
сопротивлением
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (рис 7 2,а).
1 idpa’Mcrpw Режим из мере ч ия KIIC315A КПС315Б
/С j ач> ^А Пси = (0 В, Изи = 0 1 , 20 1 20
/3 уг, нА S, мЛ/В t/си = 0, (Ди — —5 В, 0Ohp = 25 e0hp = io(j"c t/си -= 3 В, Дзп = и <0,25 < 100 >2,8 < 1 < 100 1 5
[та\, МГц — 60 60
1 t/jni — 6'зц2 1. мВ t/си = 5 В /с = 0,3 мА, Оокэ = 25 ПС <30 <30
At-’in/ \0kp %Кр — J00 °C Олкр — — 60 °C t/си = 5 В /< = 0,3 мА < 32,25 < 32,55 <30 Л /А /Л Л: W сс О К5 КЗ Сл То СП Си
м к В / К ^ЗИоти В t/си = 5 В, — 10 мкА 1 5 0,4 2
па I 1 t/си = Ю В, (7зи ~ 0 > 0,9 >0,9
Л u j i 2 Sl t/си =Ю В, (Ди = 0 >0,9 >0,9
s> С] 1 „ пФ t/ни = Ю В, t/ni — 0 <8 <8
Предел ыю допустимые эксплуатационные данные
б'т 11 Ц, L X , В -60 ( < 0 । < 100 с 25 25
Ук.к.аг, Б ЬО "Г ()>кр < 100 г С 30 30
^311 >na\> Б -G0°C<fiOKp< 100 °C 30 30
t/c^ll лйл» В То же, при U311 — 0 30 30
/j пр Г- мА -60 °C <0окр < 100 °C 1 1
Ргпек, мВт -60 "С<0очр < 25 °C зоо2 зоо2
0 °C ипкр, — — G0 + 100
1 Темпераtурлыи уход рязнлеги напряжении затвор —исток
а В интервале температур от 2S до 100 °C мощность (мВт) рассчитывается пи фор
муле = 300 — 2 6 [Оскр - ^5)
КП350А, КП350Б, КП350В, 2П350А, 2П350Б
Планарные МДП транзисторы с двумя изолиро-
ванными затворами и встроенным каналом «-типа Предназна-
чены для работы в высокочастотных каскадах радиоэлектронной
аппаратуры Управление током едока осуществляется напряже-
нием, подаваемым на первый затвор На второй затвор подается
постоянное напряжение При необходимости второй затвор мо-
274
жет использоваться в качестве второго управляющего электрода.
Диапазон рабочих температур транзисторов типа КП350 лежит
в пределах —45 + 85 °C, а [раизисторов 2П350 — в пределах
— 60 +85 °C,
Выпускаются в металлостеклянпом корпусе с гибкими вы-
водами (рис 72, а).
Параметра Режим лтмерс гия КП350А 2П350А КП350Б 2П350Б КПотОВ
/Снач, мА С'си — 15 В, LF3 it = 0 А W От €S3t5 <6
S, мА/В i/си ~ Ю В, /с -= 10 мА, ^з.и — 6 В, f = 50 . 1500 Гц >6 >б >6
о । с » В ^си = 15 В, 1 /32и -6 В, /с = 0,1 мА <£> V/ + г> <6
Aiyrn* нА ГА и — - — 15 D А СП + 5 <5
Анн ДБ б'си = Ю Б, £+?ц = 6 В, /с = Ю мА, 1 =400 МГц <+ <6 < 6
tor мкСм ^сп = Ю В, ^з и = 6 В, /с — ю мА <250 250 < 250
С|]ц, пФ ( Гз и = — 0, <0 <6 < 6
пФ 1 £/си = 10 В, <6 <6 <6
Cl2n, пФ f - 10 МГц <0,07 <0 07 <0 07
Предельно допустимые эксплуатационные данные
^АЗ|Ил1йа» Б Оокр 'Г 85 °C 15 15 15
тал * В 0икр <85°С 15 15 15
тах> Б Оокр < 85 °C 15 15 15
6^3, С та В Оокр + 85 ' 0 20 20 20
^ЗаС так, В Оокр + 85 “С 15 15 1 5
+ тих* мА Оокр + 85 °C 30 30 30
^птис» мВт 9„кр < 25 “С 2Э0! 200‘ 2001
P„iar, мВт Оокр — 85 °C 100 100 100
1 IIрн температуре or 25 ди 8и °C м и итм i и ни л >iijсi гм 1я к jmnuti ь нижте <я по
ли nt иному з гкону
275
КП350А,Б,3
2Л350А,Б
7.4. Полевые транзисторы
большой мощности
КП901Л, КП901Б
Планарные МД11 транзисторы с и планированным
каналом и типа Предназначены для работы в усилтслях и ге-
нераторах колебаний коротких и ультракоротких волн
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими
выводами (рис 7 2, о]
т
II ip j 11,тры Р. I IM 1 ч [ II КГП(Н х KliOijIE
7с ни и Ч’Х I, — 20 В, J П1 — А (ир = 25‘’С ^200 < 200
0гм, _ 125 °C < 400 <400
0(Чф= -60 С С 500 С 500
5 мХ/В и и I - 20 В Л — 0.5 Л. i)(J р — 25 QC >30 А
Ооьр = 125 СС >20 >30
о,.ч> = Ь0 J (J > 50 > 40
fc о,.-, мкХ (3 п =85 В, (; 3,1 — •— 15 В > 50 < 50
T’biix. Вт (Л и ^50 В, Ь и; =0 / = 100 МГц > 10 >6 7
(Л.и = 50 В, О'/и^О, /Ч.-10 Вт,
/ = 100 Ml ц >7
/ = 60 МГц > 10
п, % Оги = 50 В, = 0, РВ11.-10 Вц
* ) = 60 МГи
(?Я1, пФ III — — зо В. / = 1 10 МГц < 100 5- 100
б’црлх. пФ (/'и =-- 25 В, в [ — — 15 В,
) = 10 MI ц <10 < 10
276
Продолжение
Параметры Рсжи/ пзчеренил
КП ШН КПУ01Б
Предельно допусшмыс экстус тациощп ю данные
0СИ гшх> В Ог Ооь Т — - -60 °C ДО Й икор = 100 °C’ 70 70
L'C3 та»г в От = ” -60 JC ДО tycOp = юо ч: 85 85
^ЗИ та 1> в От Джи — - -60 °C до Онор - 100 °C + 30 + 30
f С гн ах- А То же, при Ти = 1 мс 4 4
t/сИ и max , в 1 0 же, пр и T.I < 1 мс 85 85
^СЗ и щах в То же, при ти С 1 мс 100 100
Pmai. ВТ Ог O|crp — _ - 60 с до Окср -25 °C 20* 201
е„р, °с - 60 ) 100
1 При тем ср -пчре Ю р'| \ 1 । По тс е 2 > СС мош нит т ь (Bl) рЪ V ! НТЫГ! < ТС Я ИО фор', < те
=ill — 0 lfj«lk ,
КГ1902А. КПО02Б, КП902В, 21I902A, 2П902Б
Пл а I, а р 11 ые МД 11 i рапаиi t иры с и яду цирова Иным
каналом п типа Предна лишены ля работы в праемно пере
дающей аппаратуре в диашзоне частот до 400 МГц
Выцусканлся в меiаллоксрамичсском корпусе с желкикш
выводами (рис 7 2, а)
М19О2Б
Парзиетрь I\ А 11 1 ТМС рс. НИЯ - Г7.7 д 7П?1>д7 К[|Ч(12В
1С иди > мА ц=о0 В, L'jh =0,
0О| р — 25 -С i0 '<10 < 10
%К|1 60 С И 0(}Кр .;,;д CZ1 5 <15 <15
iС ост . мА ц - 60 В, *г/зц - — 10 В <0 5 <0 5 <0.5
h j-, 11Л С'зи _ — 30 В ^3 < 3 <3
5, мА/В 7/гИ =20 В /( =50 мА,
^р=25и: 10 Ю > ю
— _ 0(>k|, ll[L к Г? 8 30
К дй С\_.и =50 В, /г =50 мА,
/ = 250 МГц <6 <6
А'ш Г*си 50 В. /ц — 50 мА,
) = 250 МГц. >6,6 >6,6 >6 6
277
Продолжение
Парамстры Режим измерения КП ЯС 2 А КП902Б КП902В
2ПЯ02 X 2П902Б
£22н. МКСМ Срх> пФ Спрцх» пФ 6*вых, нФ Г+и =50 В, А - 50 мА <+и =25 В, <7ЗИ =0, f = 10 МГн Аси — 25 В, О’зи — 0, / = Ю МГц Оси = 2.1 В, (7ЗИ = 0, /—10 МГц #\ //\ //\ Л “ '<7= “ о <190 <11 <0,6 < 11 /Л /Л Л /д - Я - 5 о
Предельно допустимые эксплуатационные данные
АСИ max, В От 0ОКр min ДО 9К0р тах 501 50’ 501
*ЛИ4 max, В От 0ОКр г/шг ДО 9КОр тах 30 30 30
б^ЗИ тт, В От Оокр тт ДО ®кир тих -15 -15 — 15
АсИ и max, В То же, при ти < I мс,
Q = 1СЮ 70 70 70
/С max, ЫА Скор <- 25 °C 2002 2002 2002
Птах, ВТ 0кср < 25 °C З,53 З,53 З,53
Ппых max, Вт То же, ня частоте 60 МГц 1,8 1,8 1,8
0 °C 'Дор max, — + 85 + 85 +85
Т125 +125 + 125
Оокр тт, С — —45 -45 —45
-60 —60 —60
1 При С-Гзи — 0 ианбо хьшее напряжение ^.гок — ичик равно 60 В
J При увеличении температуры корпуса от 25 до 85 ПС ток стона транзисторов КП9О2Л
КП902В снижается ио линейному закону до 130 мА
1 При увеличении температуры корпуса от 25 сС до 9K:)p If)£LC мощность снижается по ли
нсиному закону до 2 5 Вт у транзисторов КП9О2 и до 1 Вт - у транзисторов 2П9О2
278
КП903А, КП903Б, КП903В, 2П903А, 2П903Б,
2II903B
Эпи г аксиально-планарные полевые транзисторы с
р-п-затвором и каналом п-типа. Предназначены для работы
в усилителях, генераторах, различных импульсных устройствах
в диапазоне частот до 30 МГц,
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими
выводами (рис 7 2, с)
Параметры Режим измерения КП 903^ 2П901Л" КП903Б 2П903Б КП 903 В 211903 В”
^Сна'ь м'4 Б’си = Ю В, Бгзи == 0 <700 <480 <600
+ ут, мкА О’си = 0, (Ли ~ — 15 В <0,1 <0,1 <0.1
7С ост 1 н А = 5 В, t-^зи — — 15В — — <50
S, мА/В f=l ю кГц, 0ОКр — 25 °C >85 >50 >60
Окор — 0Кор так >50 >30 >40
Бзи отс> Б О'цИ =5 В, — Ю мкА <12 <6,5 <10
^?СИ ОТ Ki Г)М U( и = 0 2 В, Г'зи = 0 <9 8 <21 < 10
Рвых. мВт Бгси = Ю В, U ш — 0, / _ 30 МГц >600 >600 >600
дБ Оси - ю В, VSVl =0, i = 30 МГц 7 6 16 7,6 16 7,6 16
Еш/^/БиВ/Vfu 0/ци = Ю В, /с = 10 мА, 05 5 0 5 5 0 5 5
f = 100 кГц 0 5 I 2.5 4 b
пФ 6<с = -20RJ=0 1 10МГц <15 < 15 < 15
Сзи, пФ Г’зп— — 15 R, [ — 0,1 10М1ц <18 <18 <18
Предельно допустимые эксплуатационные данные
так, В От 0ОЬр mmi ДО 0hop , !Сц 20 20 20
^ЗС тих, В От Оокр ci/ч ДО 0hOp tSft, 20 20 20
max, В От 0ОЬр ДО (1; OJ, ,,;ил 15 15 15
Л” max, А Пт Опкр ),ип ДО Ок0р..|дг 0.7 0.7 0.7
^3 пр та МА (9т 9оьр до 0|.ор г 15 15 15
Ртах, Вт Он >р<25°С 61 61 61
0 сг Jnep та к, — 150 150 150
А °C <Кр min, — —60 -60 —60
йокр(кор) max, °C — 1 100 + 100 + 100
>125 + 125 + 125
1 При температуре корпуса ботее 25 °C мощность
елиг — ( I — Опор) /25
(ВтJ рассчитывается по формуле
279
КП904А, КП904Б, 2П904Л, 2П904Б
Планарные МДП транзисторы с индуцированным
каналом гг-типа Предназначены для работы в усилителях, пре-
образова гелях и инсраюрах электрических колебаний в диапа-
зоне коротких и ультракоротких ноли.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими
выводами (рис 7 2, ж)
КГ1904 > КП904Б
[[ 'К |>|1|
ШУП-! У 211'Jlllb
Л. я и. м \ б{И=20В, б'зи-0, =25 4 350 <350
То жи, при 0окр — 60 (’ и 0„ р ,.,f; < 500 < 500
/< , Л Gui _20 В, 1-ш = 20 В >3 > .5
Л о,!, мА Ми- ЮО В, б'м1 -20 В 4 200 > 200
5, мА/В б{И^20В,Л - 1 =25 С >250 > 250
о(11]1 = -60 с >150 > 1 50
к| — В)| [ г 1\ > 100 100
U Вт Lt и - 55 В, 1 И1 _0 ; _ ь() 41 и 50 7,5 30 40
9. % L\и - 55 В, С ш -0 / = ь0 MI и )9 5 3 49 5 3
1(1 То же, в режиме класс я В [1 И 1 [ H
Ся!, нФ Сгзц = - 30 В, f — I МГи (ери
разомкнутом выводе cioaj) > 300 C 300
Прел* лыю допустимые jk< илу-j i ационпые данные
б;ЗИ iin. В — 60 °C 'Т Эокр '+ 0О| р „г„ц 30 30
б( и та , В 60 С -4 НпКр ‘Д Оичр ,'т \ 70 70
беи и тап В - 60 С 4; %кр + О0цр 1001 1D01
б'зс пах, В —60 °C 0uhp <- 0(;.4p ,,,ut 90 90
б 3C 1 max-, В 60 %кр р[йх I201 120’
Ртах, Вт 0hnp < 25 CC 75- 752
— -60 +100
tr c “1 rd Cn1
1 11 'и г,, < I нс > 2
IЕц Ti чигр 11; [ч ьоргчi j кк 2'j с чоппси.-'ъ (Un чнтывается по фарщ ц>
/> ifl = ' > _ j t), р - 251 1
280
К11905А, КП905Б, 2П9О5А, 2П905Б
Непарные МДП транзисторы с индуцированным
каналом n-тнпа Предназначены для работы в усилителях и
генераторах электрических колебаний СВЧ диапазона воли.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами (рис 7 2, и)
I [арач,тры IX А >Ч HIM1 pi. HI Я КПФУЛ S2T19O5A КП905Ь 211Ч(>5Ь
Л р । и М \ l'{ и = 20 В, t/чи =9 о„|чр = = 25 X <20 < 30 <20 < 30
Л-(хг, мА t/< и = bo и, L- чи — — Ю В < 1 < 1
/с, мА ц — 20 В, U >и — 20 В <225 > 150
S, мА/В (/’си = 20 В. /(=50 м\, Эо.р-25 5С к р = 0lu;j j(jl <18 < 12 > 18 < 12
Р,. .Вт b'( и = 50 В, /7эИ=0, / = 1 ГГц 1 > 1
Л., ь\ и = 5Г> В, А = 30 мА, ) -= = 1 11ц <8 ^6
Л'и , дБ (< и = 50 В, /<’ = 30мА,/ = - 1 ГГц « <0.5
/пкт. нс =50 В, /?с = 100 Ом С 1 1
Cl.l.S'l. НС Г< = 50 В. /?г = ЮО Ом < 1 < 1
Ciim пФ Сен = 25 В, Ojh =0, f -= - 10 МГц <7 <11
(?12[Н пФ Б'си=25 В. С'зи-0, / = = 10 МГц <0,6 <0,ь
С22и, ПФ б'си — 25 В, (7^ = —5 В, f = 10 МГц <4 <4
Предельно допустимые ^кступ i анионные данные
Ct и В -60=С<0ОК. '< А --> ”щ)р max 60 60
Ur3t4^, В -60 С < oinv < 0П1 р mai 70 70
281
Продолжение
Параметры Режим измерения КП905А TZIl^bA КП905Б итюзн'
rraxi В 60 С + Оокр + Онор МГ + 30 + 30
Ртахг Вт Окор 25 °C 41 41
fi ° Г1 °кор тег Vi -—. 100 100
125 125
Оокр пип, °C — — 60 - 60
1 При температуре корпуса более 25 °C мощность (Вт) рассчитывается по формуле
^ = 4 -0 032 (0кор - 25)
мА
SOD
200
100
КП907Л, КП907Б, 2П907А, 2П907Б
Планарные МДП (ранзисторы со встроенным кана-
лом п-типа Предназначены для работы в быстродействующих
переключающих устройствах наносекундного диапазона, усили-
телях и генераторах электрических колебаний СВЧ диапазона
волн
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковы-
ми выводами (рис 7 2, и)
282
Параметры Режим измерении KII007 \ 211907А’ КП9О7Б 2II007E
А' нач» мА ^си = 20 В, t/зи = 0, 0окр = < 100 <100
— 25 °C Оокр = йкор тах <150 <150
/С ост» мА Оси -60 В, изи= -10 В <10 <10
/с, А {/си = 20 В, {7зи=20В > 1 7 >1 3
S, мА/В {/си = 20 В, /с == 0,5 А, ^110 >110
0охр = 25 °C Оокр = 0Кор max 80 >80
Рвых» &СИ = 40 В, t73H — 0, PD4 = = 2 Вт. f - 1 ГГц ^4 >3
Акл» МС {/си = 30 В, /?и — 10 Ом <2 /л
^ВЫКЛ» МС {/Си = 30 В, Ян = 10 Ом <2 <2
Cj2H, пФ {/си —25 В, (/зи = -10 В, <3 <3
Предел J = 10 МГц ъио допустимые эксплуатации! ные дагвеп
^СИ тле» В 60 С Оокр Опар ffiar 60 60
&СЗ тал» В 60 С '<3 0ОХр < 0КОп 7!И^ 70 70
ДзИ апо В — 60 С '< 0окр 'С- 0ИОр таt Д~ 30 + 30
Ртал» Вт Окор 25 °C 11.51 11,5'
(1 °C икор max* — 100 100
%кр mni, С —— 125 -60 125 -60
i< <_ 1 и нваетеп ну фарч j те
1 При температура корпуса ба iec 23 ГС гощнтт! (Нг)
Fта\ — II а 0 08 ^Окор 2.Ц
2П909А, 2П909Б, 2П909В
МДП-транзнсторы с каналом я-типа Предназначены
для работы в усилителях и генераторах электрических колебаний
СВЧ диапазона волн
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами (рис 7 2, к)
283
J1 т pa метре,; Режим ПТ ICpCHl'fi 2f7Qi>*A 2! 1;и'1 )Б 211Ч»9В
Am . M A {7С11 = 20 В Сзи — 0,
СсЧ,-25°С < 200 СТ 200 -с 200
ПО1ф = 125"С < 800 < 800
Л ост. mA U( и -50 В (/ш = -- И) В 1 оо <100 < 100
A. A (/СИ = 20 В; (/Я! - 20 В ^6,5 ^4 > 5
.*?, мА/В (А~и =- 20 В, 1с = 0,9 А >350 > 350 -> З.?о
^ВЬ!о Bl t/си = 40 В. Р,, 25 Вт. / = 400 WI'n в режиме класса В > 50 >30’ >30'
Предельно доиушимьк1 зкечпуатационные данное
Л! гиг \ • В -60 °C С О^р 125 °C 25 25 25
f^CH та\ В -60 °C 6. < 125 °C 50 50 50
^3( man В -60 °C С 0uv> s; 125 °C 60 60 60
Рти\> В г 0,,.Р<40°С 60ч 60' 404
(1 °C - — 60 -60 -60
ft °C ’-'h ^р нм г • 125 125 123
* 11 рИ — 1 ‘т Вт
Il pi; Г! Rr
При \ih nt’rvsiHH темяераттpr« ho""nа от 10 то 125 Д' mqihupi t. Ln iа ктся in n
HCinirnn tuhoi'j до 14 Br
11 При \hi iимении темпер । \ pi к Tin । <n В in 12' c \|(i[ii[ioc"i< питаете я in и
f I'l'HUM} JdKO!!V ДГ1 0 Вт
ОГЛАВЛЕНИЕ
1, Полупроводниковые диоды.................................. <
I 1 Система обозначений полупроводниковых лпо/юи
1 2 Электрические параметры полупроводниковых 'пн> нф | п
1 3 Выпрямительные и универсальные диоды . i 1
1 4 Импульсные диоды.......................
1 5. Варикапы .................... ....
1 6. Стабилитроны и стабисторы ... 1
1 7. Туннельные и обращенные диоды . s1
1.8 Светоизлучающие полупроводниковые приборы f
2. Тиристоры ... М
3. Биполярные транзисторы ............ t Нд
3 1 Система обозначений биполярных транзисторов hi
3 2. Электрические параметры биполярных, транзисторен! hr
4. Биполярные тратисгоры малой мощности . . . /5
4 1 Биполярные гран згеторы мл.юй мо.тюык ииинлз чагппи щ
4 2 Биполярные трап пкторы ма юн хинидин i и ере щеп ч.и i <чi i б *
4 3 Биполярные трап ин торы m.i ion чопыт hi him очои ч.и ниj i |,я
5. Биполярные транзисторы средней мощности . |о|
5 ! Биполярные транзисторы средней moikhoc ги и ими час!о и । Hi I
3*2 Биполярные транзисторы средней мощности средней чти пин 16/
5 3 Биполярные транзис горы средней хиппи ости вы с окоп часппи I I
6. Биполярные транзисторы большой мощности . I‘i >
6 I Биполярные транзисторы большом мощное ги пл шоп ч.ц н.ч ы НЗ
б 2 Биполярные транзисторы большой мощносгн средней чдекны ‘ЛЯ
6 3 Биполярные транзисторы большой moi lhociп высокой u<i> ioi ы 22b
7. Полевые транзисторы ...... 41»
7 1 Система обозначений полевых транзисторов . . . 216
7 2 Электрические параметры полевых транзисторов . . " I /
7 3 Полевые тран акторы малой мощности . . . 23U
7 4 Полевые транзисторы большой мощности . ... 2/h
Виталии Иванович Галкин
Анатолии Леони^ови t Fujititiex
Владимир Александрова t Прохоренко
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Заведующий редакции Д В Васиченко Редактор Т С Каикам Художник С В Ьалснок
Художественный редактор Л И Инкин Технические р еда к юры В В Хоревскин И И Kd
стецкая Корректоры Г К Пискунова Л Ф Лихадиевскзя Г Б Красовская
ИБ К® 2624
Сдано в набор 24 03 87 Подп в печ 26 1 I 87 А| 08853 Формат 84/108 /а; Бумага
тип N* I Гарнитура литературная Высокая печать с ФПФ Уел печ । !5 (2 Ус i кр on
1.5 3.3 Уч над л 10 74 Тираж ЮООООэкз Зак 252 Пена 80 к
Ордена Дружбы паролоп целительство < Бел ару с,» Гос; дарственного комитета БССР по
делам издательств полю рафии и книжнои торговли 220600 Минск проспект Мтшероаа Н
Минским ордена Трудового Красною Знамени п<1 и i ра [жочбпнат МППО им Я Котса
220005 Мщцк Краснтя 23
Галкин В. И. и др
I 15 Полупроводниковые приборы ( пр ИИ 'I
ник /ВИГ алкин, А Л Булычев, В Л 11 р> •
ренко —2 е изд , перераб и доп - Ми 1н i ।
русь, 1987.—285 с
Приведены основные сое (сния по ютмгровидинкивым дн i <'•
сторам почсвым и бш» я| пым транзисторам по [учившим и <
р к ирос ip лк’иие к з к в про льни -еннои радиомектроинои ititii; ii>|
рикого применения гак и нобитечьских конструкциях
По сравнению с предыдущим изданием (1979 Г) спрапонгиг н|
работам и дополнен новыми чатсриатамц
Для специалистов занимающихся разработкой, эксплуз! irLHt i н
ремонтом радио э тент рентой аппаратуры
2403000000—338
г —-------------71 —87
М 301(03)—87
ББК32 852я2