К М Брежнева и др ТРАНЗИСТОРЫ для аппаратуры широкого применения (справочник) 1982

Tags: полупроводниковые устройства
Similar
Отечественные полупроводниковые приборы
Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник
Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Справочник
Транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры. Справочное пособие. Серия "Ремонт", выпуск 90
Text
                    r
ТРАНЗИСТОРЫ
для аппаратуры
широкого
применения
СПРАВОЧНИК
под редакцией Б~ Л. Лерел-.мана
Моснва «PaiJuo и связь» 1982

ььк 32.852.3
П27
~·дк 621.382.3
АВТОРЫ: к. м. БРЕЖНЕВА. Е. и. ГАНТМАН, Т. И. ДАВЫДОВА, r. r. КОРО
вин, Б. Л. ПЕРЕЛЬМАН
Транзисторы для аппаратуры широкого примене•
П27 ния: Справочник / К. М. Брежнева, Е. И. Гантман,
Т. И. Давыдова и др. Под ред. Б. Л. Перельмана. -
М.: Радио и связь, 198 2. , _ 656 с., ил.
Впер.:2р.50к.
Приведены справочные данные на 200 биполярных 11 21 полевых
тиnоt.;~;~-1;;1~;~~~:~я для широкого ~,руга читате.пей, занимающихся Г
разработко~ и эксплуатацией электронной аппаратуры. Может быть
полезе1I студентам вузов и радиолюбн.теллм.
30407-124
Т 046(01 )-81 27 -Bl(C. р.) 2403000000
ББК 32.852.3
6ФО. 32
Ре цен ::1-е н ты: В. Ф. Пышинский, В. В. Павлов, Л. М. Гришина
и канд . фиэ.-мат. наук Н. Н. Горюнов.
Редакция литературы по электронной технике
\
Калерия Михайловна Брежнева, Евгения ИtJсuфовна Гантмrт, •
Тамара Ильинична Давыдова, Геннадий Григорьевич Коровин,
Вениамин Лазаревич Перельман
r/РАНЗИСТОРЫ ДЛЯ АППАРАТУРЫ ШИРОК.ОГО ПРИМЕНЕНИЯ
СПРАВОЧНИК
под редакцией Б. Л. ПЕРЕЛЬМАНА
ИБNo297
Редактор В. М. Ларионова Художественнь.А редактор Н. А. Иr11 атьев
Технический редактор Г. Э. Кузнецова Корректор 3. Г. Галушкина
Сдано в набор 30 .06 .80
Подписано в печать 29. 06•. 82.
Т-25475 Формат (0Х90'/,е
Бумага книжно-журнальная Гарнитура л~тературная Печать высокая Усл. п . л. 41,0
Уч.•изд. л. 45,57 Усл. кр.-отт . 41 ,0 Тираж · .25000 экз. (Допечатка) Изд. No 19595 Зак. 503
Московская
Цена2р_50к.
Издательство « Радио и свя зь•, Москва, Главпочтамт, а/я 693
типография No 4 Союзполиrрафпрома при Государственном комитете СССР 00
делам издательств, полиграфии и книжной торговли .
129041, Москва, Б. Переяславская. 46
© Издательство «Радио и связь~. 198 lг

ВВЕДЕНИЕ
Полупроводниковые приборы (диоды и транзисторы) благодаря мал ым га 
бар и там и массе, незначительному потреблению электроэнергии, высокой надеж-
• ности и долговечности широко применяются в различной радиоэлектронной ап 
паратуре. В настоящее время почти вся бытовая радиоэлектронная техник а ,
включая телевизоры, приемники, магнитофоны и др., работает на полупровод
никовых приборах и микросхемах . Применение полупроводниковых приборо в
в электронных вычислительных машинах позволило решить проблему достиже
ния высоких эксплуатационных параметров ЭВМ nри обеспечении требуемой
н адежности. Лля конструирования надежных схем на транзисторах, т. е. для
пр а вильного выбора типа транзистора, грамотного расчета схем , выбора опт и 
_маJJьного - теплового и электрического режимов , необходимо располагать подро б 
ными сведениями, характеризующими эксплуатационные свойства транзистор а ,
Настоящий справочник содержит общие указания и реком ендации по при
менению, сведения об условиях эксплуатации, а также данные по электрически м
парам~трам биполярных - И' полевых транзисторо_в более 200 типов . Проведен а
унификация габаритных чертежей (см. приложение 1) и водьт-амперных хара к 
теристик (представлено по одному семейству на каждый тип с указанием раз 
ных ступеней тока базы Л/в для 1<аждой группы); обобщены и сведены в таб·
лицы (см. приложение 2) данные по предельным условиям эксплуатации при во з
действии - разлиiшых внеuтих 'фа1поро -в (влажность, давление, механич ,ескне на-
грузки).
_
,
В первой части справочниI<а кратко · изложены првнципы классификаци и
транз11сторов. Лаются обшие указания по эксплуатаuнн и м е ры з ащиты от стати
ческого электриче_с1 оа.
Во второй часпi приведены справочные данные по транзисторам. Здесь ис
п ол ьзовались материалы 1·ехнических условий и результаты э1( с nериментальны х
ис сл ед о ваний . Параметры, не нормированные изготовителем, даются полужи р 
ны ~1 шрифтом . Сnраоочные данные включают в себя характерные для данного
тип а транзистора элек т рические парам е тры, предельно допустимые режимы ,
в ол ы-амперные хара1<теристики и зави с им о сти осно1J1-1ых параметров от режима,
те м пературы, частоты. Все параметры . их зависимости и ВАХ приведены для
темпе ратуры 01(ружающей среды 25 ± 10° С, если не оговорено другое знач е н ие
темп ературr,1 .
.
Типовые значения соответствуют медианным, а минимальные и максимал ь
ны е - 95% -ному разбросу данного параметра д л я всей совокупности приборо в .
Н а графиках медианные значения показаны сплошными линиями, а rраниu ы
95% -н о rо разброса - штриховымп.
Л л я удобства п ользования матерпал сrруппировэн по класса м , соответст
вую щим принятому в ГОСТе делению транзисторов, по мощности и частоте , а
внутр и классов - no возрастанию номеров . В отличие от ГОСТа, выделен кла сс
при бо ров для СВЧ диапазона, что представляетс я 11елесообразным в силу сп е
uи ф ики приборов 'этого класса (склонность к самовозбуждению, нецелесообраз
ност ь использрвания в статичеСI(ОМ режиме и на низ1(ОЙ часготе, понижен н ая
у стойчивость к воздействию статического электричества, определенные тр ебо
ван и я по условиям согласования и т. п.) .
Отзывы и з а мечания по справочнику следует направлять в из дагел ьс1 00
«Радио и связь » (101000, Москва, Главпоч1амт, а/ я 693) ,

ЧАСТЬ /
ПАРАМЕТРЫ И УКАЗАНИЯ ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ
1.1. КЛАССИФИКАЦИЯ ТРАНЗИСТОРОВ
В 11астоящее время отечественной промышленностью выпускается большое
количество биполярных и полевых транзисторов различных типов и назначения,
Разработчику радиоэлектронной аппаратуры приходится выбирать нужные ему
по электрическим параметрам и эксплуатационным режимам транзисторы из
большой номенклатуры.
Транзисторы выпускаю·Iся на мощно сти 20 м Вт ·" 250 Вт с граничными ча·
стотами О, 1 МГц '" 8 ГГц, с максимально допустимыми напряжениями на пере·
т6
1 ходах0,3 '"1500Витоками5мА...
а лица
,"
50 А , с уровнем собственных
Первый элемент обозначения
шумов 3 "' 20 дБ. Они могут быть в
транзистора
корпусах, обладающих тепловым
Материал
оолуnроводника
Германий
Кремний
Арсенид галлия
Для устройств
широкоr0 1 специаль-
примене-
ноrо
нин
наэняченил
г
к
А
1
2
3
сопротивлением 1,0 '" 200 °С/Вт, а
также без корпусов в виде отдельных
кристаллов с тонкими выводами .и.ли
в виде кристаллов, смонтированцых
на плате и герметизированные пласт
массой.
Классификация транзисторов
отражена в их условном обозначен ии
(маркировке) и содержит определен
ную информацию об их свойствах
[1-3]. В зависимости от назначения
и используемого при изготовлении транзистора полупроводникового материала
в его обозначении уI(азывается соответствующая буква или цифра - первый
элемент (табJI. ]).
Третий элемент обозначения транзистора
Транзистор
Малой мощности (до 0.:1 Вт) о граничной сrастотой коэффициента
передачи тока:
не более 3 МГц (низкой частоты)
3 ... 30 МГц (средней частоты)
более 30 МГц (высокой и сверхвысокой частоты)
Средней мощности (0,3 . .. 1 ,5 Вт) с граничной частотой коэффиuи
ента передачи то~<а:
не более З МГц (низкой частоты)
Э ... 30 МГu (средней частоты)
более 30 МГц (высокой и сверхвысокой частоты)
Большой мощности (более 1.6 Вт) с граничной частотой коэффици
ента передачи тока:
не более 3 МГц (низкой частоты)
3... 30 МГц (средней частоты)
более ЗО МГц (высокой и сверхвысокой частоты)
Таблица 2
Обоэначе•
ние
2
3
4
5
6
1
8
9

Второй элемент обозначения
(буква Т или П) определяет при
надлежность транзистора соот
ветственно к биполярным или по 
левым прибора м. Третий элемент
обо знач е ния определяет назначе
ние транзистора с точки зрения
частотных и мощностных свойств
(табл. 2) .
Таблица 3
Четвертый и пятый элемент
обозначения указывают на поряд
ковый номер разработки данного
типа транзистора и обозначаются
цифрами от 01 до 99 .
Шестой элемент обозначения
Третий элемент обозначения транзистора
Мощность,
Граничная частота коэффициента
передачи тока, МГц
рассеиваемая
транзистором,
1
1
Вт
до 30
30" 300 свыше 300
До1
1
2
4
Свыше 1
7
8
9
(буквы от А до Я) показывает разделение транзисторов данного типа на группы
(подтипы) по классификационным параметрам. Например, транзистор КТ903А
кремниевый, биполярный, мощный , высокочастотный, номер разработки 03,
групп-а А с классификационным параметром h 21 э от 15 до 70.
Следует иметь в виду, что в обозначения транзисторов иногда вкрадываются
ошибки из-за неправильного определения их частотных или мощностных свойств.
Так случилось, например, с приборами типа К:Т104А-КТ104Г или ГТ906А ,
ГТ906М и др . В данном справочнике такие приборы размещены по принятому
принципу, т. , е. по фактическому значению рабочей частоты и мощности рассеи
вания или отдаваемой мощности .
В настоящее время вводится новое, семиэлементное обозначение транзисто
ров, отличающееся от существ у ющего трехзначным номером разработки. Не
сколько иная будет зависимость третьего элемента обозначения транзисторов от
мощности и граничной частоты (табл. 3). Например, КП7235Г означает: кремние
вый полевой транзистор с граничной частотой до 30 МГц и рассеиваемой мощ
ностью больше 1 Вт, предназначенный для устройств широкого применения,
номер разработки 235, группа Г,
1.2. КОНСТРУКЦИЯ ТРАНЗИСТОРОВ
Корпус полупроводникового прибора предназначен для изоляции кристал
л а с переходами от воздействий внешней среды, обеспечения механической проч 
ности прибора и отвода тепла, выделяющегося на переходах при работе прибора .
Кроме того, корпус создает удобства при монтаже прибора в электронную аппа 
ратуру.
Кристалл полупроводникового прибора с переходами особенно чувстви 
тел е н к воздействию влаги, поэтому для подавляющего большинства полупровод•
н иковых приборов требуется их полная герметизация . Существующие способы
з а щиты поверхности полупроводника лаковым покрытием или окисными плен
ками оказываются недостаточными, чтобы оградить его от механического повреж 
д ения и проникновения вредных примесей из окружающей среды. Проникновение
в нутрь корпуса даже ничтожного количества влаги вызывает изм е нение харак
т е ристик полупроводниковых приборов. Наружная часть всех применяемых для
п олупровод никовых приборов корпусов состоит из двух частей : ножки и колпач
ка (баллона) , соединяемых между собой различными способами, обеспечиваю 
щ ими полную герметизацию внутренней области прибора,
Полупроводниковые приборы выпускаются главным образом в металлостек 
л янных и металлокерамических корпусах. Но существуют и пластмассовые кор
пу са, которые получаются запрессованием криста л ла прибора в пластмассов ую
обол очку. Основное их преимущество - малая стоимость и про стота техноло•
rи ческого процесса запрессовки .
.
Применяемые в промышленности корпуса получают, как правило, спаива
ни ем м еталлических деталей со стеклянными или керамически.ми изоляторами ,
Кач ество этого спая должно быть очень высоким, так как его, разрушение при•
водит к разгерметизации приборов . Если применяемые в корпусе металлы и изо•
5

"'
4
5
1
1
Рис. 1. 1(онс1·оукI1nя мало:м(нnноrо тоан1и" Рис, 2, Kopn)lc транзистора ,реднеi! аuщ•
UOCТII
с1ора:
J - }{ристалл; 2 - колпачок: J - виутренние
выводы; 4 - кристаллодержатель; 5 - стекло•
изолятор; б --- фланен : 7
-
внешние выводы
З
4
PJ!c. З. Крепление крист_апла к ножке при
помощи кристаллодержа1·еля:
1 - 1южка: 2 - электрод эмиттера; 3 - ·кри•
:тм1лодержатель; 4 - кристалл; 6 - элек•
трод кол1Iекто-ра; 6 - вывод
Рис. 4. Кре.11ленне кристалла непосредствепио
к фла,щу ножки:
1 - ножка ; 2 - электрод колJ1ектора; 3 - кри
сталлодержатель; 4 - электрод эмиттера~
5 - вывод эмиттера: 6 - кj исталл
.ляторы значительно различаются по тепловым коэффициентам расширения, по
являются большие напряжения в конструкции корпуса и изоляторы растрески
Еаются. Чтобы исключить появление больших напряжен ·ий в корпусах, создаю1'
1а1ше конструкции, которые допускали бы небольшие деформации элементов,
(j

а также подбирают материалы с коэффициентами теплового расширения, бли~-
1<ими к стеклу (1<ерамике). В качестве металла наибольшее применение нашли
ковар, молибден и стали марок Н 47 Х 6 и Н 47д5.
.
Все типы транзисторов отличаются большим многообразием конструкции.
Это связано с их различным назначением и соотвеrственно с большим разнооб·
разием используемой аппаратуры. На конструкцию корпуса и его~ совер~енст•
вование большое влияние оказывало постоянное повышение треоовании к их
надежности и удобству эксплуатации, а также требования по их унификации.
На рис. 1 приведена наиболее распространенная конструкция маломощного
транзистора, корпус которого состоит из медного колпачка (баллона) и коваро·
вой металлостеклянной ножки. Толщина ков.аровоrо флан11а и стеклянного изо·
лятора составляет 1,5 мм, что
обеспечивает достаточно прочный
спай металла со стеклом и хоро
шую герметичность. Соединение
медного колпачка с коваровым
фланцем осуществляется методом
холодной сварки. Форма ножки
I<орпуса прибора у'добна для мон·
тажа кристаллодержателя и по•
следующих технолоп,чески х опе
раций.
Фланцы в ко р пусах · некото
рых транзисторов (р ис. 2) ,сдела
ны из меди. Это увеличивает, их;
теплопроводность и п'сжволнет
рассеивать большую мощноtть.
для герметизации пр11менена
конденсаторная свар ,ка, не . тре
бующая болъших площадей в ме
стах сварки, что по::rволило умень•
шить габариты колпачка и нож
ки.. ~лектроди1:>1е ВЬ1воды в, этом .
корпусе проходят сравнительно
на большом расстоянии от ме
таллической части ножки. Такое
удаление выводов от менлла кор
пуса снижает межэлепродные
емкости и повышает рабочие ча
стоты вплоть до 700 МГц. В при
борах, предназначенных для рабо
ты в диапазоне частот выше
700 МГц и встроенных : В в'0лно
водную линию, иногда использу
ют коаксиальные конструкцщ1
корпуса. В таком приборе длs'I
уменьшения взаимного влияния
коллекторных и эмиттерных це
пей выводы электродов направле
ны в противоположные стор·оны.
Кристалл транзистора можно
!lзопятор
нерамический
Фланец
;:::
А-А
крепить к ножке либо с помощью
Рис. 5. Металлокерамический корпус ти•
кристаллодержателя (рис. 3), ЛИ·
па ТО-60 для мощных RЧ II св<i тран•
бо н епосредственно путем припай•
зисторов
ки его к фланцу ножки {рис. 4). При креплении кристалла с помощью кри
сталлодержателя появляется возможность присоединить к корпусу прибора
любой из эле1продов, в том числе и базу, что бывает необходимо для об~спечения
максимального удобства монтажа приборов в схему. Однако такой способ : креп·
ления кристалла повышает тепловое сопротивление и соотвеr,;:гвенно снижае1
допустимую мощность рассеяния, увеличивает габариты форочноrо узj1а и
iУМеньшает механичес1<ую прочность конструкции прибора.
7

В случае непборедспзенноrо крепления кристалла на нож1<у на корпусе при
бора оказывается коллектор, что вносит определенные неудобства при монтаже
прибора в схему, но в то же время снижает тепловое сопротивление и повыша
ет механическую прочность прибора . Такая конструкция, как правило, исполь
зуется в мощных транзисторах.
• Развитие схем электронных устройств с применением мощных генераторных
СВЧ транзисторов потребовало создания специальных металлокерамических
1<орпусов. На рис. 5 показан наиболее распространенный унифицированный кор
пус, предназначенный не только для биполярных, но и для полевых транзисто
ров.
С целью уменьшения габаритов, упрощения конструкции и удешевления
транзисторов были разработаны и нашли широкое применение транзисторы с бес
корпусной герметизацией и в пластмассовых корпусах. В бескорпусных транзи
сторах !<ристалл полупроводника с контактными площадками в местах присоеди
нения проволочки внешних выводов покрывается несколькими защитными слоями,
В качестве защитных слоев от влияния внешней среды и механических повреж
дений применяются различные лаки и эпоксидные смолы. В транзисторах с пласт
массовым корпусом кристалл полупроводника и другие элементы конструкции
(подложка, концы внешних выводов и др.) заливаются в формах или опрессо
вываются специальной пластмассой, которая обеспечивает защиту от внешних
Dоздействий и не оказывает влияния на физические свойства полупроводника,
1.3 . ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
Работа транзистора характеризуется параметрами, определяющими ;усили
тельные и частотные свойства в режимах ;усиления, переключения и отсечки,
а также максимально допустимыми режимами эксплуатации.
.
Обратные (начальные) токи переходов. Обратные токи коллектора / кво и
эмиттера 'эво проходят через обратносмещенные переходы при отключенном
третьем выводе транзистора. Оба ;указанных тока обладают сильной температур·
ной зависимостью, причем для германиевых приборов токи увеличиваются на
6 ... 9% на каждый градус Цельсия, а для кремниевых - на 8 ... 12%. У мощ
ных транзисторов эта зависимость выражается не так сильно и даже может от
сутствовать, если токи ;утечки превышают токи неосновных носителей.
Обратный то1< колле1<Тор-эмиттер / кэо зависит от условий на входе
транзистора, и в общем случае его можно определить по формуле 1КЭR -
= I квоS, где S - коэффициент нестабильности схемы, зависящий от внеш
них сопротивлений в целях базы, эмиттера и коллектора, а также коэффициента
r1ередачи тока транзистора.
Параметры малого сигнала. В общем случае транзистор может рассматри
ваться как четырехполюсник, поэтому параметры его можно описать шестью раз
личными системами. На практике наибольшее распространение получила систе
ма полных сопротивлений [z-параметры (рис. б)J, система полных проводимостей
[у-параметры (рис. 7)] и гибридная система [h-параметры (рис. 8)], ;i, /1, h -napa-
Рис. 6. Эквивалентная схема
четырсхпол~осника с исnоль•
зованисм 2-параме1ров
8
V11
Yzz
Рис. 7. Эквивалентная схема
четырехполюсника с испол1t•
воnан11ем 11-параметроа
Рнс. 8. Эквивалентна.• е..-ем•
четырехnОJJЮСНИКЗ с -~DG.JIЬ•
зован11ем h-парам~тро■

метры описываются 'уравнениями, где в качестве независимых переменных выби
раются токи i1 и i2, напряжения щ и и2 и i1 и и2:
U1= i1Z11+i1Z12 }
U2=i1Z21+i2Z22 ,
i_1=U1Y11+U2Y12 }·
t,= U1 Y21+U2Y2?
U1=i 1 h11+u,h12. }
i2=i 1 h21+и2h22 '
где hн = и/i1 - входное сопротивление транзистора при коротком замыкании
(к. з.) на выходе; h12 = и/и 2 - коэффициент обратной связи по напряжению
при холостом ходе (х. х.) на входе; h21 = i2/i1 - коэффициент передачи тока
при к. з. на выходе; h22 = izlu2 - выходная проводимость при х, х. на входе.
Наиболее удобна для осуществления измерения система h-параметров,
где требуется осуществить х. х. на входе и к. з. на выходе.
Высоко•1астотные параметры биполярных транзисторов. К основным пара
метрам, характеризующим работу транзистора на высокой частоте, относятся:
модуль коэффициента передачи тока l /i 218 1; емкости коллекторного и эмиттер-
ного переходов Сн и Св; постоянная времени цепи обратной связи 't'н; сопротивле
ние базы r6; максимальная частота генерации f max; предельная частота коэффи
~иента передачи тока fh21 ; коэффициент шума Кш; выходная мощность Рвых; ко
эффициент полезного действия коллектора 'l']н; коэффициент усиления по мощ
ности Кур'
Максимальная частота генерации транзистора может быть использована для
оценки коэффициента усиления по мощности для нужной частоты. Коэффициент
усиления по мощности приближенно может быть определен из выражения
Кур "'= ' (fmaxlf). Конкретное значение fmax транзистора можно определить непо-
средственно при работе в схеме автогенератора путем настройки его на макси
мальную частоту,
Параметр транзистора r6 представляет собой распределенное омическое со
противление базы. Его необходимо знать при определении входного сопротив
ления каскадов. Наиболее часто сопротивление базы транзистора определяют
с помощью измерения постоянной времени цепи обратной связи, поскольку
't'и = ,;,,сн,
Значение 't'к характеризует частотные и усилительные свойства транзистора,
определяет устойчивость усилительного каскада к самовозбуждению. Данный
параметр является важнейшим для высокочастотных тр.анзисторов, по нему про
изводится классификация приборов по группам. Значение постоянной времени
цепи обратной связи может колебаться от десятков до тысяч пикосекунд в за•
висимос ти от типа транзистора - его конструкции, технологии изготовления,
структуры и других факторов.
Емкость р-п-перехода (Си или Св) обусловлена в первую очередь геометри
ческими размерами областей структуры и технологическими особенностями из 
готовления транзистора и зависит от количества зарядов, накопленных в раз
личных областях структуры.
Шумы в транзисторах вызываются хаотическими флуктуациями подвиж
ных носителей заряда и подразделяются на тепловые, дробовые и избыточные.
На высоких частотах, где избыточного шума нет, шумовые параметры можно рас•
считать через параметры эквивалентной схемы замещения транзистора.
Для теплового шума значения шумовых ЭДС и тока на известном сопротив
лении R (проводимости G) рассчитывают по формулам
ё'fii=4kTRЛf , lJ,=1kTGЛJ,
где k - постоянная Больцмана, равная 1,38 • 10- 23 дж/град; Т - 'абсолют
ная температура, К; Лf - полоса частот, Гц.
Мощность тепловых шумов Рш = kTЛf.
Дробовой шум, вызванный флуктуациями потока заряженных частиц,
количественно оценивается по фор муле l1i = 2q [ i / 0] Лf, fде q - заряд э11ектро
на (1,6. 10-1u Кл); 'f.1 0 - суммарный ток носителей заряда,
•
9

В настоящее вре~fя широ,юе применение Ei _различной электронной аппара•
туре находят полевые транз!lсторы, которые по своим параметрам и характери•
стикам более схожи с электровакуумными приборами. В частности, это сходство
проявляется в том , что полевые транзисторы обладают большим входным со•
противлением, малыми токами уrеч 1<и, сравнительно слабой зависимостью пара•
метров от температуры ,
1.4 . ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
ОТ РЕЖИМА И ТЕМПЕРАТУРЫ
Типовая зависимость электрических параметров от температуры маломощ
ного германиевого транзистора представлена на рис. 9, из кот9роrо следует, что
с повышением температуры окружающей среды происходит изменение электри
ческих параметров. Температурная зависимость электрических параметров ока
зьшает значительное влияние на работу схемы электронного устройства. Осо•
бенно эта зависимость проявляется при включении транзисторов по схеме с об
щим эмиттером, Так, статический коэффициент передачи тока h 21 э может из-
меня1'ься в 2-3 раза в интервале рабочих температур. Насколько сильна темпе
рпурная зависимость обратных токов эмиттерного и коллекторного p-n-riepe-
xoдa, видно нз рис. 10.
h11э
80
6"0
1,0
za
а
l11zз, ю·З; ''п,.10·'•с~
---о.в -~
l1zz,
--~ Q6
""'1,z,
,,..
-
-
---оц
-....
h11,
~
--
-o,z
hn,
11
1
11
- za о+го,40 т,0с
11 11 ,,0tt
800
600
1100
гоо
о
Рис . 9. Типовая зависимость h-пара
метров германиевого транзистора от
температуры окружающей среды
1- - fкбо.lзьа,А
1
![К&О
ID-6
\ ,___
1_...'.~
_).--
ID-7
---
---
---
11з&о
~
-
-
--
---
... ..
~1
1
-
----
~70·8
ii
~
1
1
1
1
-40-гоО+го
+40 +60
Т, 0С
Рис. 10. Типовая зависимость обратных токов
коллектора и эмиттера кремниевоrо маломощ•
ного транзистора
•
Следует иметь в виду, что у большинства транзисторов наблюдается умень•
шение допустимого напрнжения на коллекторе и ~ит1ере со-ответственно на
l ... 2 н О, 1 ... 0,2 В при увеличении температуры на ' каждые 5° С. Для кремние
вых трqнзнсторов уменьшение напряжений может наблюдаться и в области от
риц;~телы1ых температур. Характер относительных зависимостей электрическиJ1
параметров германиевого маломощного транзистора от тока эмиттера и вапрl'I·
жения на коллекторе представлен на рис. 11. Зависимость статического 1{0::!ффи
циента передачи тока от тока эмиттера имеет ярко выраженный участок с мак•
симумом в средней части рабочего режима (рис. 12).
1.5 . ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАР Аl<ТЕРИСТИКИ
Вольт-амперные характеристики полупроводниковых приборов содержа''!'
большую информацию о свойствах и качестве прибора. По этим характеристиК;t\\-1
можно определить ряд параметров и зависимость их от режима, часть из которы'ХI •
не приводится в технических условиях или справочных материалах. Вольт
амперные характеристики снимаются по точкам л"ибо с помощью характериогр~-
фа осциллографическим методом.
.
·;,_
По .выходным характеристикам транзисторов (рис. 13) определяют максц
мально допустимые и рабочие режимы прибора, а также качество структуры тра-н
энстора, наличие дефектов, загрязнений и влаги · на поверхности структуры [6].
Оценка качества структур на стадии их проверки еще на пластине оказывается
весьма эффективной и дает существенную экономическую вьirоду, поскольку
исключает из производственного цикла дефектные структуры,
1О
J

l
h
hпри !3=7нА
5
4
.3
2
!'....
r;?
,
D
1
Ик6=5В
/
V
IL-
..........
r--- ~
/
,r
1,и
,vlizu
/
1,ч
/
1,Z
ilZ1б ~
1,U
/iIIБ
U,8
З "'" 4 Jэ/lА
D
h
Iк= 1нА
\
\
hz,б 1,
\
1/
'
,,-:-1
1,
~i..,,
h116 -
,_
........_
-
hzzб ,__
1
51D
15
20 Укь, В
Рис. 11. Типовая аависимость h•парамеr·ров маломощиоrо германиевоrо 1ран311с1ора 01 тома
эмиттера и налряження на коллекторе
/)
О~
·---5~--~
70~---1"-:i_f_э_,_м__.А
Рис. 12. Типовая зависимость статического
коэффициента передач 11 тока маломощ1iоrо
1tремн иево rо тра.нзистора от тока змнттера
.RБ=л
1
1
1
1 R5>0
1
1
'О
'О
о
о
Q
.,.
с
с
.~
J -;;'
=
jИк
О•
.,.
с
"
~
м
~
:;'
"'
::,
'
Область
,,.,, насыщени ~
о
Область отсечки
Рис. 13. т,шовые выходные вольт-ампер•
ные характеристики транзистора
'
Рис. 14. Вид выход11оi1 характеристик11
транз истора в предельном режиме
]1

Из воль{-амперноii характеристики транзистора можно определить пробив
ное напряжение, обратный ток р-п-перехода и другие параметры. Так, на рис. · 14
показана зависимость fк = f (Ик) при разных условиях на входе. Если базо
вый вывод транзистора отключить и приложить напряжение между коллектором
и эмиттером (при R6 = оо), то пробой перехода наступает при напряжении меж-
ду электродами значительно меньшем, чем при R6 = О:
Икэо проб=Икво проб!V1 +1121э = Икво пробfv'h21э'
-1
где И кво проб - напряжение пробоя между коллектором и базой при от·
ключенном эмиттере; т - коэффициент, равный для кремниевых приборов
2 ... 4 и германиевых 3 ••• 6.
Как видно из рис, 14, Икэо проб< Икэк проб< Иквопроб' Напряже
ния Икэо проб и Икэк проб соответствуют крайним значениям внешнего со
противления между базой и эмиттером 01 R6 = О до R 6 = оо. для всех
промежуточных значений R6 пробивные напряжения ИкэR проб также будут
иметь промежуточные значения,
1.6 . РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРИМЕНЕНИЮ ТРАНЗИСТОРОВ
Зависимость параметров транзисторов от температуры, электрического ре
жима и •~астаты, наличие технологического разброса параметров накладывают
специфические требования на расчет и принципы построения схем на транзисто
рах. Эти требования направлены на повышение надежности работы схемы и сво
дятся к следующему.
1. Расчет схем должен производиться на основании минимального и мак
симального значений того или иного параметра, указанных в справочнике. Долж
но быть учтено наихудшее значение параметра (например, наименьшее значение
коэффициента передачи тока при минимальной рабочей температуре) в пределах
имеющегося разброса в используемом диапазоне электрических режимов.
2. Не рекомендуется искусственное сужение разброса параметров против
указанного в ТУ, поскольку работа с11мы будет более критичной при замене
транзисторов.
3. Необходимо применять схемы, обладающие повышенной стабильностью
при работе во всем диапазоне температур, используя различные способы вклю
чения транзисторов по переменному и постояfнюму току в одном и том же каскаде.
Повышенной сrабильностью обладаю1 схемы с элементами температурной ста
билизации и отрицательными обратными связями по току и напряжению, а так
же схемы. имеющие в колле1порной цепи ограничивающие ток сопротивления,
Выбор типа транзистора. При выборе транзистора исходят из характера
радиоэлектронной схемы, а также требований к ее выходным электрическим пара
метрам и эксплуатационным режимам. Особое значение имеет диапазон рабо
чих температур конструируемого устройства в целом. Необходимо иметь в виду,
что кремниевые транзисторы по сравнению с германиевыми лучше работают при
повышенной температуре (вплоть до 125° С), но их коэффициент передачи по току
сильно уменьшается при низких температурах. Э10 обстоятельство заставляет
использовать при низких температурах б6льшее количество транзисторов для
получения заданного усиления. Кроме того, кремниевые транзисторы в области
малых токов имеют более резкую зависимость параметров (hziэ и др.) от тока
эмиттера.
Не рекомендуется применять мощные транзисторы в 1ех случаях, когда
можно использовать маломощные, поскольку при работе мощных транзисторов
в маломощных схемах (при малых токах, которые могут быть соизмеримы с об•
ратным током коллектора) коэффициент передачи по току сильно зависит как от
тока, так и от температуры окружающей среды, и кроме того, мал по абсолютной
величине. Использование мощных транзисторов без теплоотводо11 приводит
к температурной неустойчивости работы транзистора.
Частотный предел усиления и генерирования транзисторов должен строго
соответствовать схемным требованиям. Не следует применять высокочастотные
12

транзисторы в низкочастотных каскадах, поскольку они склонны к самовоз•
буждению и к развитию вторичного пробоя.
Выбор схемы включения. При выборе схемы ВI<лючения транзистора по
цеременному току следует учитывать особенности различных схем. Схема вклю
че1:1ия с общей базой (ОБ) обладает сравнительно малым входным и большим вы
ходным сопротивлением, однако сравнительно небольшая зависи м ость парамет
ров от температуры и более равномерная частотная характеристика выгодно
отличает ее от других схем включения. В схеме с ОБ достигаются максималь•
вые значения коллекторного напряжения, что важно для использования в ней
мощных транзисторов.
• Схема включения с общим эмиттером (ОЭ) обладает наибольшим усилением
по мощности, что уменьшает количество каскадов в схеме, но неравномерная
частотная характеристика, большая зависимость параметров от температуры и
меньшее максимально допустимое коллекторное напряжение снижают преиму
щества этой схемы включения. Входные и выходные сопротивления усилителя
.на
транзисторах, включенных в схему с ОЭ, отличаются меньше, чем в схеме
с ОБ, что облегчает построение многокаскадных усилителей.
Cxe1via включения с общим коллектором (эмиттерный повторитель) обладает
большим входным и малым выходным сопротивлением . Это свойство находит
широкое применение в согласующих каскадах. Частотная характеристика схе•
мы сходна со схемой включения транзистора с ОЭ.
Порядок выбора схемы включения для транзисторов, работающих в режиме
переключения, практически не отличается от случая работы их в усилительном
режиме, но при этом следует особенно обращать внимание на снижение допусти
мого коллекторного напряжения и!(э до·~ в схеме с ОЭ по сравнению со схемой
в~tлючения с ОБ. При наличии индуктивности в нагрузке необходимо принять
меры по уменьшению или устранению всплесков коллекторного напряжения,
превышающих допустимое значение. Всплески перенапряжения можно подавить
включением шунтирующих диодов и стабилитронов.
Выбор режима работы транзистора. При выборе режима работы транзистора
не допускается превышение максимально допустимых значений напряжений,
токов, температуры, мощности рассеяния, указанных в предельно допустимых
режимах. Как правило, транзистор работает более устойчиво при неполном ис
пользовании его по напряжению и полном использовании по току, чем наоборот.
Не допускается работа транзистора при совмещенных максимально допустимых
режимах, например, по напряжению и току и т. п.
Область рабочего тока коллектора / к ограничена, с одной стороны, значе
нием обратного тока коллектора / !(БО при максимальной рабочей температуре,
и для устойчивой работы принимается /к ;;а, 10/КБО max· G другой стороны, fк
ограничен максимально допустимым значением lк max; При выборе значения тока
коллектора следует учитывать сильную аависимость коэффициента передачи по
току при малых значениях тока коллеК1ора, ухудшающиеся при этом частот•
ные свойства и снижающийся уровень шумов. При больших значениях тока про•
исходит уменьшение коэффициента передачи по току.
При выборе напряжения коллектора следует иметь в виду:
.
-
минимальное значение напряжения коллектора должно превышать па•
дение напряжения полностью открытого транзистора, В этой области снижается
коэффициент передачи тока, что Пf)Иводит к увеличению нелинейных искажений,
увеличивается емкость коллект@рного перехода, ухудшающая частотные свой
ства транзистора, но ·одновременно уменьшается и уровень шумов, что бывает
важно в каскадах предварительного усиления;
•
-
максимальное напряжение коллектора ограничено его максимально до-
пустимым значеiшем, указанным в ТУ . Опыт показывает, что для повышения на
дежности и стабильности работы транзистора следует выбирать рабочее напря
жение на коллекторе примерно 0,7 от максимально допустимого значения для
соответствуюшей схемы включения, с учетом зависимости от температуры и тока
коллектора .
При выборе источника питания необходимо руководствоваться тем, чтобы
максимальное напряжение на коллекторе не превышало' допусти~юrо значения
для да иной схемы включения,
13

Выбор эмнттерноrо напряженин при прямом смещении перехода определя
ется значением необходн~юrо рабочего тока эмиттера. Значение эмиттерного на
пряжения пр.и .об,ратном смещении перехода не должно превышать максимально
допусп1маго. ·
При определении мощности, рассеиваемой транзнстором, следует иметь в
виду, что суммарная мощность no входу и 1,ыходу во всем р· абочем диапазоне
температур не должна быть выше максимально допустимого значения, указан·
наго в ТУ. П_ ри этом следует различать установившиеся (стационарные) и неуста
новившиеся (динаминеские) во времени тепловые режимы работы. Режим можно
считать стационарным, если время, в течение которого на транзисторе выделяет
св наибольшая мощность, значительно превышает время, необходимое для рас
пространенин тепла от мест.а выделения (nе!}ехода) до корпуса транз и стора. В не
установившемся тenлoвolli р.ежиме, · когда длитель.ность воздействующего импульса
мощности меньше в,ремен,и расnростр-анения тепла от перехода до корпуса тран
зистора, а час:гот.а nовторени.я н,иэка, могут наблюдатьс,я местные перегревы
структур.ы. В установившемся ;rепловом , р.ежиме для транзистора без rеnлоот
вода и известном тепло.в0м .сопротивлении м.ежду переходом и окружающей
<;р.едой (Rт, IJC- с) мощность рассчит,ы,вает.ся - по , формуле
'
,Р-к.=(Тп-·Тс)!Rт, п-с•
В неустановившемся т.еnло в ом , режиме мо щ но.ст ь расс ч итывается no тем жо
формулам, но вместо R.т, п-с _ и .-Rт, п-н подставля,ются соответствующие значе>
ния для не_установившеrося теплового режима, заданной длител ь ности имrrуль•
са и частоты повтор .ения. Чтобы быть уверенным, -что выбранн -ая мощность nри
данной температуре не превышает допустимую,, .необходимо (для мощных транзис-
торов) контролиров.ать температуру корпуса.
•
Отвод тепла. Повышение температур. ы окружающей среды или корпуса
транзнстора вызывает существенное изменение основных параметров и экспл уа-•
тацнонных характеристик приборов. Снижают.ся значения допустимой , рассеи
ваемой мощности и напряжений на электродах, возрастают обра тные токи и ко
эффициент передачи тока и т. п. Поэтому на условия охлаждения транзистороо
(особенно большой мощности) должно быть обращено особое внимание. Важную
роль . играет способ I<репления транзис.тор.ов к теплоотводу, ма т ериал теплоот
вода и его конструкция.
Крепление транзистора к теплоотводу должно обеспечивать надежный тепs
ЛОЕIОЙ контакт. Недопустимы перекосы, плохо притертая поверхность, заусен•'
цы, царапины и грязь в месте контактирования транзистора с теплоотводом. Не•·
достаточно плотное соединение транзистора с теплоотводом увеличивает тепло•
вое с.опротивление участка корпус транзистора - теплоотвод и влияет на пере•
пад температуры, который может меняться в широких пределах (1 . • : 5О? · С),
Хорошее соединение корпуса транзистора с теплоотводом достигается шлифов•·
кой поверхностей, смазкой места соединения специальной мастикой или транс-,.
форматорным (невысыхающим) маслом. Полезным оказывается и использование
тошшх . проI<ладок нз фольги и мягких металлов. С'верление больших отверстий·
в радиаторе для внешних выводов приборов уменьшает эффективность отвода '
тепла.
При необходимости изолировать гранзастор от rеплоо~:вода или корnу·са
аппаратуры применяются прокладки из слюды, полихлорвиниловой пленки, ба
I,елнтовоrо ла1<а, оксидированного алюминия и др. Прокладки ухудшают теп•
лоотвод и увеличивают тепловое сопротивление, необходимо учитывать это
при расчете рассеиваемой мощности транзистора. В качестве материала теплоот
вода на практике чаще используется медь и алюминий, обладающие наибольшей·
теnлопроводностью. Конструктивно теплоотводы в.ы1юлняются, как правило, ли• ·
бо в виде пластин из меди толщиной 3. .. 5 мм или алюминия толщиной 4... 8 мм,
либо в'виде ребристых радиаторов различной конфигурации из тех же материалов. '
Площадь теплоотвода прибли.женно можно вычислить по формуле S[см2] =
1OOO/(Rт, п-сGт), где Rт , п - с - требуемое тепловое сопротивление переход-'-'
окружающая среда, 0С/мl3т; ат' - коэффициент теплоизлучения от теплоотвоfа
в окружающую среду, мВт/(см2 - 0С). Коэффици,ент a.-r равен~1,5мВт//(см2. С)'
и зависит от количесгва тепла, отводимого от теплоотвода за счет теп:ло-·
14

провощ10ст11, конве.1щии и излучения. Т е плопроводность растет с увеличением
п ✓1о щади S теплоотвода . Отвод тепла за счет конве1шии растет с ростом разн ости
тем ператур теплоотвода и окружающей среды. Конв е кция улучшается при верти•
I{а льном положении плоскости . 11еплоотвода ·.
Максимальный отвод тепла за счет излуч е ния составляет 0,6 мВт/(см2 • "С).
Рекомендуется покрывать теплоотвод (радиатор) черной матовой краской или
вачернят,ь его. каким - либо., другим спо.собом для увеличения эффективности отвода
тепла за счет излу,чен ·шя... В ряде случаев в качестве теплоотвода • выгодно исполь•
вовать металличесшие шасси и · стен ,ки бл.о:шв аппаратуры. Принудительный об•
ду. в тепл.оотвода, . помещени .е · еrо в проточную жидкость (вода, масло) значитель н о
'
~лучшает охлаждение транзисто.ров и позволяет енимать с них бб:льшие мощно•
сти, для, улучшения, u•иркуляции воздуха внутри аппаратуры в шасси следуе1
делать отверстия, а. в стенка · х б~r1оков жалюзи .
1.7; УКАЗАНИЯ ПО МОНТАЖУ И ЭКСПЛУАТАЦИИ
Надежная р.абоы полупроводниковых приборов в условия ·х эксплуатации за .
висит не - только от качества сами ,х изделий, но и от правильного применения их
в аппаратуре, а также от соблюдения всех мер предосторожиости при наладке и
эксплуатации аппар ·атуры на полуп .роводниковых приборах. Рекоменд:ации по
правильному применению полупроводниковых · приборов, как правило, содержат
некош~ые общие указания для всех кла :ссов приборов . Од,на1<0 наи·более важно
вх соблюдать для В:Ч и СВЧ травз~tс-юров, которые имеют специфичес1vие осо-
бенности .
•
Высоко ч астотные тр ·анзисторы, . в отличие от н·и-з·кочастотных (НЧ), облада
ют, меньшим запасом по п.реде:11 ,ьвым реж и мам и бол·ее- критичны к электрическим
перегрузкам; они обладают большей · скло11ностью . к самовозбуждению и · подвер;
жены в большей степ ени влиянию электромагнитных полей и раз- ряда С'F атичес
кого электричества . Кроме того, ВЧ транзисторы по сравнению с НЧ менее ус
тойчивы к воздействию меха,нически·х и кли ·матических факторов.
При испол ьзо.вании транзист.оров необходимо применять меры д'Л·Я' устране
ния самовозбужщш11я ПRибор.ов. К этим мерам, . в п0ервую очередь ., следует от
нести правильное выполне,1ие · монтажа схемы, . испол ·ьзование . схемных решений
по обеспечению работы каскадов с отрицательной обратной связью, а также ис
поль .зование в схеме развязывающих элементов. При всех работах с транзисто
ром, находящимся под электрической нагрузкой, включая и измерения парамет
ров, его корпус должен быт ь заземлен При включении транзисторов в электри
ческую це п ь базовый контакт должен присоединяться первым и отключаться
послед н им.
При работе аппаратуры в условиях изменения температуры окружающей
среды должны быть предусмотрены меры по стабилизации температурного режи•
ма .· Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих токах, соизме
римых с неу п равляемыми обратными токами во всем диапазоне температур.
При измерении и испытании тра н зисторов необходимо применять следую •
щие меры предосторожности для защиты от воздействия статического электри•
чества:
-
вся измерительная и испытательная аппаратура, а rа1,же металлические
части столов и стульев должны быть заземлены;
-
оператор перед началом работы с транзистором должен надевать браслет,
электрически соединенный с заземленным контуром через сопротивление I МОм;
-
при рас·пайке транзисторов необходимо пользоваться паяльником, вклю·
ченным через понижающий трансформатор с эле~простатическим экраном меж
ду обмотками и с заземленной вторичной обмоткой . Напряжение питания паяль
ника не должно превышать 36' В.
При эксплуатации транзисторов в условиях механических воздействий их
необходимо крепить за корпус.
При пайке выводов необходимо защищать корпус транзистора - от попадания
флюса и передачи тепла от места пайки к корпусу.
Для повышения надежности транзистора в условиях эксплуатации рекомен
дуется электрические режимы выбирать ниже максимально допустимых на 20..,
.. . зо%.
•
15

При эксплуатаци ,~ должны быть приняты меры, предотвращающие неконт
ролируемое превышение предельно допустимых электрических режимов при
переходных процессах с емкостными и индуктивными элементами. При заливке
транзисторов в аппаратуре различными защитными компаундами должна быть
обеспечена температура, не превышающая допустимую.
При настройке схем на транзисторах рекомендуется придерживаться следую
щих правил, ограничивающих выход их из строя из-за случайных перегрузок:
-
ис1<лючить возможность подачи на электроды транзисторов напряжений
с обратной полярностью, что может приводить к пробою р - п-перехода;
-
монтаж схемы, замена транзисторов и других элементов должны произ
водиться при отключенных источниках питания;
-
настройку схем и проверку режимов работы следует производить лампо
вым вольтметром или другими приборами с достаточно высоким входным сопро
тивлением;
-
пр_и наладке схем на транзисторах с использованием измерительных при 
боров и m;:точников ' питания , включаемых в сеть переменного тока, общий про
вод схеыы и корпуса измерительных приборов должны иметь надежный контакт;
-·
не допускается производить измерение сопротивления резисторов, не от
КЛ!ОIJНВ их ОТ схемы,
В аппаратуре, подвергаемой воздействию внешних механических и клима
тических факторов, следует принять меры по исключению возможности появле
ния резких пер,ща:дов температуры, поскольку это может привести к механиче
ским перенапрЯ:ж,ениям элементов конструкции. При повышенной влажности · и
температуре (условия близки к тропическому климату) необходимо принять ме 
ры по защите поверхности приборов от коррозии (покрытие лаком и различными
компаундами). При значительном понижении давления ок·ружающей среды
ухудшаIОт~я у~лов1:1я теплоотдачи. Поэтому необходимо в этих случаях принять
меры по снижению рассеиваемой мощности транзистора и улучшению теплоот
вода,
При размещении электронной аппаратуры на различных транспортных сред
ствах следуе использовать амортизаторы, исключающие возникновение резо
нансных колбаний элементов конструкции транзисторов и отдельных блокев
при -воздейсттии ударных и вибрационных нагрузок,

ЧАСТЬ 11
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ
•БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ.
2.1. ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОЙ МОЩНОСТИ
11111р1!'11. 11 111111111111111111111 iji 111111 11
1!1'
20 •21
22
23
,r.•
Диапазон низних частот
МП20А,
МП20Д,
МП21Е
МП20Б,
МП2IВ,
МП20В,
МП21Г,
МП2011 -
МП21Д;,.
Общие сведения. Германиевые сплавные р-п-р-транзисторы предназначе0 -
ны для · работы в усилитеJiьных и перекJJючающих схемах.
•
К:орпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. Пl . 1·,· «)-, ' • •
Масса транзистора не бoJJee 2 г.
•
Условия экспJiуатацни - в соответствии с табл. П2 . 1.
Э:лектрические · параметры. Классификационные параметры,
.,
.
.
И
'.,
h•
U[(ЭОгр, fh21б• КЭнас• 213 '
Зн а чения
Режимы измерения
Обозна-
""
"'
<l)
Наименование
о
о
,о
со
щ
<«:
<
qение
'"'
"'
"'"'
:s
:s
:s
:s:.,,
о
< ).,,
~О)
:,: "
"
"'"
~~
"'"
:,:
""'
_&
""
,-
:s:,
::::,
::::,
-
Обратный тоr< коллекто-
1Рво
ра , мкА:
МП20А-МП20Д
0,5105030
МП2IВ
0,5105040
МП21Г
0,5105060
МП21Д
0,5105050
МП21Е
0,5105070
Обратный ток эмиттера,
м кА:
NШ20А-МП20Д
1эво 0,5
50
30
МП21В-МП21 Е
0,5
50
40
Граничное напряжение, ИКЭОРр
В:
МП20А-МП20Д
20
100
МП21В, МП21Д
30
100
МП21Г, МП21Е
35
100
::t
'-,
...:
-
17

_
,
Наю.,н•новаwие
.
Напряжение
насыще-
ния
коллектор - эмнт -
тер, в
Вх одное сопротивление
транзистора в режиме
малого сигна ла, Ом:
МП20А
МП20Б, МП21 В -
МП21ё
Вьrходная - проводимосп,
в режиме ма.~оrо сиrна-
ла при х.х., мкСм:
МП20А
МП2@.Б, МП2·1 В - -
МП21Е
Предельная частота КО·
sффициента
передачи
то1<а, МГц:
МП20А
МП20Б, МП21В
МП20В, МП2QД,
МП21'Г, МП2Ш
МП21Е
J(о эффициент пер·едачи
тока в ре}киме м ало го
CIIГН'8 Jl8 в схеме с ОЭ:
МП20А
МП205
МЛ20В
л,rп 2ог
МП20Д
,\,\\П 21В
мп21r
Мi П21Д
мп2·1·Е
Время рассасывания, мкс 1
Время
мкс
Ем,о:·ость
перехода,
переключения, 1
коллекторного 1
пФ
1
i
Обо,110-
8
чевие
'., .
"~
::,_,;,
""'
~"'
Ик- нас
h1111
• 400
300
h22 а
30
15.
t11 2-16
2,0
1,5
1,О
0,7
fi~111:
50
80
20
50
130
20
20
60
30
lpac
Зн· 1 чения
Ре :ж им1,1 r~ iмe fН" ННЯ
8; .~
cQ
cQ
<
<
<
..
"
11
"
<f
о
~~- ~ ii)
..
с.
~ t.2,
f.,
1'!
"' "'
:s:,
::,
::,
-
-
. .:.
~
О.15 0,3
300 60
1200 3000 5
5
270
800 1500 5
5
270
100 200 5
5
270
'
30
605
5
, 270
'
3,0 4,0 5
5
2,5 4,0
ь
5
2,0 4,0 5
5
2,04О5
5
105 150 5
25 270
125 200 5
25 270
60805
25 270
105 150 5
25 270
125 200 5
25 270
601005
25 270
60805
25 270
125 200 5
25 270
105 150 5
25 270
IIIOO,
, \()1
11 для iранз111:торо11. ,wторы" присвоен fQоударотвенuыil Зна" качео11ва, / l(БО < 4U •МLА,

Максима.1ьно допустимые параметры. Гарантируются при температуре or<•
ружающой сред ы Тс =- 60... +70° С.
/к, ц ma - импульсный ТО[( КОЛ·
лектора в _режиме переr<лю 11е
ния (fпер = 50 Гu, fпер=
10 мк~, Q= 2), мА
.... 300
Иэв max - постоянное
напря-
жение эмиттер - база, В:
МП20А - М П20Д
30
МП218-МП21Е , ,
.
.
40
И кв max - постоянное
напря•
жение коллектор - база, В:
МП20А- МЛ20Г, МП20Д , 30
МП21В
40
МП21Г
60
МП21Д
50
МП21Е
70
U кэ max - постояное
напр я-
жешrе коллектор - эмиттер,
В:
МП20А - МП20Д
.
.
.
.
20
МП21В, МП21Д .... 30
МП21Г,МП21Е ....35
·Pk' max - постоянная -рассе11вае-
мая мощность колле1<тора,
мВт .........150
Т u max - температура
перехода,
о с .......... 85
Rт п - с - тепловое сопротивле-
, ние
переход - среда
O С/Вт 0,33
Допустимая температура окру-
жающей среды, 0 С .
. -60
...
+70
i> При Те>35°G Ркшах(мВт]= (85°G - Те)!Rт, п
-
с•
г,а
1,з
1,U
0,5
о
40
за
za
1U
о
1
1
Икэ=а j -
I
J
/
)
/ 561'
J~/
~
/J~
-
~
,,
./
',/
0,1
,:/
,.
9.,,..
... v
~,.,,
tl ~.,
~,,,,,,
~.,,.
,:;.';,"
'1,,
-
у,,,.- ~~ ;1.,,,-'
-
~, ,:;
r~
,,,.
-
.....
-
, f 1...-
~ .,.
_..ь..,
"""'-
,
'.) ,. ..
l-
-
-· -r
-
/ -::_] _J
-
,,.
----
r
.,,
-
,,,,,
,,,
.-
-
hz1;
110
90
70
50
30
10
./
1мь
......
1•
....
1
1
~--
~~-~,?
.. ..~?, <" ,76'
,+,
о-? ' -'о/-?
,.
-
~?0,-
,,:1,--J ?о
~::,,,""~,о/,~:?о
<'o~"1.~_ ,'f'1lг;·
..S1t11г18 'llг1E 4
о
50
,/
/
~
-
. - ....:: ,lt17llr- .
-.... _
~
--
-
11
1:
--
11
1
1
100
150
20_0 Iэ,ttA
НПZОА)1П,ZОГ, MПZI Е -ЛI 6 = •
5OнкА; t1ПZОБ,NПZОД, МПZ1д -·
-.11 6=чОNкА; NП zов,rшzог,
ППШ; MПZJД-!JI 5 = IООпкА
---
~- для
zpyпn с
ИКЭ rnax = Z06
---
дт, груn~ с
ИКЭ max"' 30 В
,
10 za ЗО 40 ..5V 6.0 Икэ,В
19

МП25, МП25Л, МП25Б, МЛ26, МП26Л,
МП26Г,
.
Общие с11едеиия. Германиевые cnJ1aв111,1e высоr<овольтные р-п-р-тран зис то•
ры предназначены для работы в усилителях, генераторах и пере!(лючающих
схемах.
Корпус металличеС!(ИЙ, герметичный, с гвбкими выводами (pflc. Пl.1, а),
Масса транзистора не более 2 r.
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационные параметры~ h21 э, fhztб•
Наименование
Обратный ТО\( ((ОЛлектора,
MJ(A:
МП 25, МП25А, МП25Б
МП 26, МП26А, МП26Б
Обратный ТО!( эмиттера,
м1,А:
МП25, ~Ш25А, МП25Б
МП26, МП26А, МП26Б
Напряжение
i(ОЛЛеКТОр
Напр:яжение
насыщения
эмиттер, В
насыщения
база - эмиттер, В:
МП25, МП26
МП25А, МП25Б, МП26А,
МП26Б
Входное
сопротивление
тра11зистора в режиме
лога; сигнала, Ом:
ма-
Входное
сопротивление
транзистора в режиме ма-
лога. сигнала, Ом:
МП25, МП25А, МП26
МП25Б, МП26Б
МП26А
Коэффициент обратной свя-
зи по напряжению 1ранзис-
тора в режиме малого сиг•
наJ1а
Коэффициент
обратной
связи по н апряжению тран-
зистора в режиме малого
сигнала
20
Обозна·
чение
1 кво
1 эво
Ив"' нас
11 116
f~нэ
h12б
h12э
Значения
Режимы измерени я
.,
.,
о
,о
~
~
-<
-<
-<
'"'
="'
::s
:а
:а
о: .Q
u"
,: <:
"' ,,:
~
-
(1) i:::
(1)
~':tl
"'"'
tD
""
""
:::,
:::,
5
75 40
5
75 70
2
75
40
2
75
70
1о'251 1 1100150 1 1
l,2
100 50
l,O
100 50
25
35 20
2.5
500 1000 20
2,5
600 1600 20
2,5
500 1200 20
2,5
О,8Х4- 10-~
20
2,5
х10-3
1,5Х Юх 20
2,5
х10-з :,,; 10- 3
"
"-
"'
-
1
1
1
r
1
1

Значение
Режимы измереRИЯ
Наименование
Обоз на-
"'
.,
о
,о
00
00
-,:
-,:
-,:
;:f
чение
·=
:,::,:
"'
"'
:.
~
:,: .,,
и.,,
0:0:
,: о:
~ О) :,,:
tci
m·
:,: "'
"'"'
":;
:; "'
::::,
::::,
..:.
Коэффициент передачи то-
ка в режиме малого сигиа-
лавсхемесОЭ~
h21s
МП25
10
25 20
2,5 1
МП25А
20
50 20
2,5 1
МП25Б
30
80 20
2,5 1
МП26
10
25 35
1,5 1
МП26А
20
50 35
1,5 1
МП26Б
30
80 35
1,5 1
Выходная
проводимость
в режиме малого сигнала
при х.х., мкСм:
h22б
МП25, МП25А, МП25Б
0,7 1,5 20
2,5 1
МП26, МП26А, МП26Б
135
1,5
'
Предельная IJaCTOTa коэф-
фициента передачи тока,
~<Гц:
fh215
МП25, МП25А
200
600 20
2,5
М25Б
500 1000 20
2,5
МП26, МП26А
200
600 35
1,5
МП26Б
500 2000 35
1.5
Граничная частота коэффи-
циента передачи тока в схе-
мес ОЭ, МГц:
f~p
МП25, МП25А, МП26,
МП26А
О, 166 0,5 20
2,5
МП25Б, МП26Б
0,42 0,84 20
2,5
Время переключения, мкс
Емкость коллекторного пе-
рехода, пФ:
Си
МП25, МП25А, МП25Б
20
20
500
МП26, МП26А, МП26Б
15
35
500
'
Сопротивление базы, Ом:
r~
' 500
МП25, МП25А, МП25Б
160
20
2,5
МП26, МП26А, МП26Б
160
35
1.5 500
'
21

,
Максимальнр допустимые параметры. Гарантируются при темпер атуре ок
ружаюшей среды Т с= -60.'.. +70° С.
/ к max - постоянный ток коллек-
' тора
в режи.ме насыщения,
мА:
МП25,МП26. ....300
МП2 5А, МЛ2513, МП26А,
МП26Б
.... 400
/ э max - постоян н ый ток эмитте-
ра в режиме насыщения, мА
МП25,.МП26......300
МП 25А, МП25Б, МП26А.
МП 26Б ........ 400
Иэв rnax - постоян11ое
напряже-
ние эмнттср - базn, В:
МП25, .МП25А, МП25Б . . 40
МП26, МП26А, МЛ26Б "
.
70
UКБ та,- постоянное напряже
ние -1юлле1пор - база, В:
МП25, МП25А, МП25Б . . 40
пр и Тс~50°С и Рк~
~ l:00 мВт .••.•..
60
МП26, МП26А, МП26Б • , 70
при Тс~50°С и Рк~
100мВт........100
Икэ R rnax - постоянное
напря-
жение
коллектор -зюптер
(R 5 ~200 Ом), В:
МП25, МП25А, МП25Б .. -,О
при
Тс~50° С,
Р.~
~ 100 мВт
60
МП26 , МП26А, МП26Б .
70
при
Тс~50° С,
Р,.~
~100 мВт .
100
Pt)
1( max - IЮСТОЯ1Н!аЯ рассеивае
коллектора,
....
200
перехода ,
мая
мВт
мощность
Тп ша. - температура
ос......
.
;..75
Rт,n-c
-
те п ловое сопротивле-
ние переход - среда O С/ м Вт 0,2
Допустимая тем п ература окру
жающей среды, 0 С •
,-60•
, +70
JJ Иуи 7с>35°С Ркmax [мВт]= (Т0max - 1c)IRт, п _с•
JА
//
J
J,
II
1,U
J
,
.
f.1
Инэ=а 1-1-
_
zав _-
U,5
1//
1' Jr/
.//
- ~;,
1'
.....
,,,,.
о
U,1
Иьэ,В ,
22

Iк ,мА
18
16
14
ll
1U
8
6
4
z
..
.,.-
~-- -~
1,,,-
--- -
.,.
1
_. ..
..- 1
....
--
-
..-
1
1
..
,
....
..-
~-
~-
1
'- ""
11
11
1
-rг- -г-
1
1i•
1
1
111
~-.
1
i
11
1
1
1
•1
i
11
1
'
1
1
1
1
1
1
/][6
1
1
1
1
11
1
1
О
5
10
.15
ZD •25
30
35
40 lfкз,В -
Г1ПZ5, t1ПZ6-L11 6 = D, 1мА; НП Z5A, NПZ6 А-ЛI 6=О,{]5мд; Г1Лl5б, НП26 Б -,1J6:U,OZ511A •
,,
, h (,Iэ= 1,5нд для Г1ПZ6 , МПZБА, НПZББ)
I 3 = Z,5нA для МПZ5, МПZ5А, НП25Б
4-
i
з
1
11
1
1
2
1
1
!1
\ 1\.
у
1
1\.
YI
\.
'
l/11
1\.
r-... V
'-
_,,,,,,,
""'i...
,..,
/ ..........
.....
-. ..
1,,,, ~ ......
_, ,,
.J"'<"'
. ,....
1
hzz5 V
z
/
V
1i
,_,,,
НПZ6, НПZ6А, -1 --
1
V ----
1
r,;, МПZ6Б
_, __
i,Y ,
/
х:
/
11
/ ~,,,,.
h ZZб
1 1/l,~
_, __
i 1.#1' 1
l)MПZ5, NПZ5A,
!,-
/
МПZ5Б Г
/
/
h175 __1
а
2
з
4
5
в J.3,нА
Uк 6= З5 В -NП2Б_ , НПZБА, NПZББ; lfк 5 = ZОВ-НП 25, 11П25А, . НП2 5Б
2J

П27, П27А, П28
'
.
,,.. _
~ ,,~ii.,.,ll "'"j llml l,тli mlil"'ll ,тli lmll"'II Т'Т"ljirml 1\
19•20
21
22
23
О бщие с в едения . Германиевые сплавные р-п-р-транзисторы предназначены
для работы в схемах усиления с низким уровнем шумов.
Корпус м еталлический, гер м етичный, с гибки м и вывода м и (рис. Пl.1,а) ,
М асса т ранзистора не более 2 г.
Условия эксплуатации - в соответствии с табл . П2.2.
Эле ктр и чески е пар аметры. Классификационные параметры h21э, fh 216 , Кш,
Значения
Режимы измерения
Наименование
Обозначение
~
"
.,:
<
<
,о
щ
::r
':,::
""=
"'
"'
"'.
с:.
"'.о
<) .о
:,:: <;
"'<;
~
"'
~"'
"'"'
"' "'
~
"'"'
"'"'
:::>
.,_
..:
О братный ток коллекто-
j
ра, мкА
1 кво
1
3
5
при Те= +60°С
150 5
Обратвый ток эмиттера 1
( Иэ=5 В), мкА
1
3
1
1
1
1
1
Н апряжение нас ыщения
коллекор - эмиттер
(n=2),В
Икэ нас 0,001 0.1
1
На п ряжение насыще н ия
1
Ивэнас 1 1
1
!11
база- эмиттер (п=2) В
1
1
1
То же для инверсного 1
1
включения (n = oo) , мВ Ивэ нас(ина) 0,7
.,.
Входное соп р от и вление
транзистора в режиме
малого сигнала, Ом
h115
50
5
0,5 1
Входное соп р отивл ение
тр а нзистора в режиме
м а лого сигнала, Ом
h11э
2700 8000 5
0,5 1
Коэффицие 1п п ередачи
TOl<a В режиме малого
си гнала :
h21э
П27
20
100 5
0,5 1
П27А
20
170 5
0,5 1
П28
20
200 5
0,5 1
при Тс=+60°С:
П27
20
180 5
0,5 1
П27А
20
300 5
0,5 I
П28
20
360 5
0,5 l
при Тс =-60°С:
П27
8
100 5
0,5 1
П27А
81705
0,5 l
П28
82005
0,5 1
24

1,
\
Зшзчення
Ре жю,,ы измерения
Обозначение
"
"
.,:
Наименование
о
,о
"°
<
<
::1
':i:
" :i:
:,;
::.
:,;
L.
"'.D
u.D
:i: <а
"<а
~ :,;
ti:,
"'
:,: "'
~"'
8)
:; :;
:; :;
::,
-
-
..:
Коэффициент передачи
тока в режиме ма.~ого
сигнала в схеме с ОЭ
для инверсного включе-
ния
h21~ ,п111
5
35
5
1
0.27
Полная
проводимость
прямой передачи тран-
sистора в режиме мало-
ro сигнала для инверс-
наго включения, мА/В
у~1А 1'f!'1!
33
5
1
0,27
Выходная проводимость
в режиме малого сигна-
ла при х. х., м1,См
lr22б
О,1 2,0 5
0,5 1
Преде,1ьная частота КО·
sфф11uиенrа
передачи
то:<а, МГu:
fh,,11J
П27, П27А
1
5
0,5
П28
5
5
0,5
Коэффиuиент шума, дБ:
Кш
П27
10
5
0,5 1
п21л; п2s
,
5
5
0,5 1
Ем1<0сть коллек-rор но rо
перехода, пФ
Си
20
5
465
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре
окружающей среды Т.- - 60. . . +60° С
/ к max - постоянный ток коллек•
тора, мА
6
UКБ max - постоянное
напря -
жение коллектор - база, В 5
U}k max - постоянное напряже-
ние коллектор - ;эмиттер, В 5
Рк max - постоянная
рассеивае-
мая мощность коллектора,
мВт...
30
Т" max - температура
перехода,
0С
.
75
Допустимая температура окру
жающей среды, ~С. . -60•.
, j-_60
,
! 1 При Тс> 30° С сопротивление R5 должно быть не более 500 Ом, .
25

1
QOB
О,ОБ
O,OZ
~~-
~
~V
h21э
1
)
I
:/
1
о--·-
j
li
/
./
;,
,,,
-
hztэ прц I 3=0,511A
Ик5=5В
j
1,Z
1,1
1,0
0,9
0,8
0,7
О,б
-
-
·
,,,,,,
/
"v
1/
/;1
1
!i
1
1
1
Uкэ=1В
.
,
J
I
I
/
lL
0, 7 0,20, З 0,5 1 -~ 2__3Iэ/lA
о
I к,пА
5
4
з
z
о
Кш
.,,,..
/
,,,. ,,,,..,, .
-
--
,,,
~,......
--
1
1
1
1
1
1/•
_
...
-
--
1
1
1
при I3=0,5мА - Ик5=5В
1
F=1кГц,
1
-
' ф L1I5-0,01мA
1
3
,/
V
//
i
__,,,,,,,/
-
1
1
1
1
0,1 0,2 0,3 0,5
Z Iэ,МА
МП35, МП36А, МП37, МП37А, МП37q,
МП38; МП38А
Общие сведения. Германиевые сплавные п-р-п-транзисторы предназначены
дл я усиJiения и генериронания низкочастотных колебаний, а также для работы
в других схем ах.
Корпус металJiический, герметичный, с гибкими выводами (рис. Пl.l,a),
Масса транзистора не бoJiee 2 г.
Условия эксплуата11ии - в соответствии с табл. П2.2.
Э;1ектр11ческиt параметры. l<лассифш,ацнон н ьн: ш,раметрш h21э, Икв m•ax•
26

Наимепо n а ние
Обратный ток коллектора, мкА
при r.= +70° с
Обратный ток эмиттера, мкА
Коэффициент передачи тока в режиме
малого сигнала в схеме с ОЭ;
МП35
МП36А
МПЗ7, МП37А
МП37Б
1'v\Л38
МПЗ8А
при Те= +10 ·0с1
МПЗ5
МПЗ6А
МПЗ7, МП37А
МП37Б
/1-IП38
МПЗ8А
при Тс=-45°С,
МП35
МПЗ6А
МП37. МП37А
МП37Б
МП38
МП38А
Предельная частота коэффиц11ента
дачи -TOI<a, МГц:
МП35
МП36А, МП37, МП37 А, МП37Б
МП38, МП38А
Выходная проводимость в режиме
лого сигнала при х.х, мкСм
Коэффициент шума, дБ
МП36А
пере•
Емкость коллекторного перехода, пФ
Сопротивление базы, Ом
h21~
fhнf5
1
115\ 151 1
131255
11
15455
11
15305
11
25505
11
25555
11
451005
11
132805
11
151305
11
1585·5
1!
251405
1t
251505
1t
t52505
1l
51255
11
6455
11
6305
11
8505
1t
8555
11
171005
11
0,5
5
1
1,0
5
1
2,0
5
1
1
16015/ 11
465
465
МаксимаJtьно допустимые параметры. Гарантируются при температ у ре
окружающей среды т.~-60 ... +10°с.
/ к max - постоянный ток коллек-
тора, мА .
,
•
.
.
.
.
.
20.
/к вас шах, Jl)нac max - ПОСТОЯН·
ный ток коллектора (эмитте•
ра) в режиме насыщения,
мА••,,•.
,
.
,
.
150
Икэ.R max - постоянное
напря•
ж ение коллектор -, - эмиттер
(Н6 ~200 Ом), В
при Т.--60...+40° С:
М 1135, , М П36А, МП37,
МП38, МПЗВА , • •
•
•_,
15
27

МП37А, МП37Б .'
30
при Тс>+40°С: •
МП35, . МПЗ6А, МП37,
МП38, МП38А .
10
1
МП~7А, МП37Б .
20J
, Икв max- постоянное напряже-
ние коллектор - база, В
при Тс=-60...+40° С:
МПЗ5, МП36А, МПЗ7,
МП38,МП38А.....15
МП37А,МП37Б.....30
п ри Тс>+40°С:
МП35, МП36А, МП37,
МП38, МП38А .
10
МП37 А, МП37Б .
20
P:\nax - постоянна и
рассеивае
мая мощность коллектора,
мВт
при Т0=-60...+55°С
...
150
Допустимая тем п ература окру
-кающей среды, 0 С .
.-
60 ... +70
t) Среднее значение тока эмиттера за I с не должно превышать 30 мА, Зна•
чение h 219 не нормируется.
2> При
Т~>+55°СРкmах=(Тп - Tc)IRт,п-с, где Rт,и
-
с=
= 0,2° С/мВт, Т п = 85°С. При давлении окружающей среды 50 мм рт. ст.
(6650 Па) Rт, п _ с = 0,3° С/мВт,
1,4 J--,,,- --+ -- --t-- --1'+--+l'--I
1,Zt-----+----+-----,...-+-_,,_------<
1, О f---+---т-#--+--t-+-'---1
0,8 f---+ -- --t -1 --+-#-+-'- -I
О, 6 г--+-----1~--t1----+-'--1
а, 4 t-----+----+-t------,IЧ---+-------<
O,Z 1-----+ -r-+ -1 --+ --+ -------<
а 0,1 U,Z 0,3 И5э,В "
11
h при Iк=1нА
5,0
ч,О
-
Uкr, = 58
З,О
z,o
hzZб
1,0 Г\. /
7 ........
V
V
/
V
---
V
Iк,НА ......
,,
40
I
за 1/
,,
--
za
V
__,
10 /'
+.
t.1I6
с- .....
r
О
5
10
15 Икз, 8
НП35/tПЗБА, НПЗ7Б, НПЗ8-дl6=ZDOннА ;
NПЗ7, НПЗ7А-~I6 =ЗООнкА; НПЗ8А - tЗJ5=50нкА
х
_, 'l'h115
hz1б _
huэ
hz,э при Iн= 1нА
z,o
1,8
1,6
1,4
1,Z
1,0
0,8
-
/
I
/,
-
,,~
/
l!нэ= 58 -
1,0 2.0 з,а ч,О lэ,НА
о 5 10 15.20 I3,мА
28

p11111111111J!j 1!iljiilllliiijiil!\iili!liil
19
20
21
22
23
МПЗ9, МП39Б, МП40, МП40А, МП41,
МП41А
Общие сведения. Германиевые сплавные низ~<очастотные р-п--р-транзисто
ры предназначены для работы в усилительных и импульсных (кроме МПЗ9Б)
схемах.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П!.1,а),
Ма.сса транзистора не более 2,0 r.
Условия э~<сплуатации - в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационные параметры~ /1218 , fi, б'
Н а нменова11ие
Обратный ТО!( коллектора;
MJ(A
Обратный ТО!(
эмиттера,
М](А
Входное
сопротивление
транзистор<1 в режиме
лога сигнала, Ом
Коэффициент обратной
зи по напряжению
ма-
СВЯ· 1
Коэффициент передачи то-
ка 'В режиме малого снгна-
лавсхемесОЭ:
МПЗ9
МПЗ9Б
МП40
МП40А
МП41
МП4\А
Выходнэя
проводимость
D режиме малого · сигнала
при х .х., мкСм
Предельная qастота коэф-
фишiента передачи тока,
МГц:
МП39, МП39Г
МП40, МП40А, МП41 и
МП41А
Емкость коллекторного пе-
рехода, пФ
Коэффициент шума, :дБ
Сопротивление базы, Ом
Обозна-
qение
1 кво
1 эво
hнб
h21э
h22б
fh21б
Сн
К",
r'б
21
Значения
Режимы из мерен11я
Q)
Q)
о
,о
,:ц
,:ц
.,:
.,:
.,:
'а:
"'"'
>i
>i
::s
:,:J1
u.,,
а: е:
s:e;
~(J)~
"'"'
"'"'
со~
;: :,;
:е ::s
:::,
:::,
-
\0,51151511111
25
35
5
i
1
12
5
l
20
605
1
20
405
1
20
405
1
30
605
1
501005
1
0,5 3,3 5
1
1
0,5 t,5 5
1
1,0 3,0 5
1
20
50
1511
j.)
1
;j
12
1 ()1,'
1 1 10,51
100 20U15j 11·j
.
1
::1
~
. .::
1
1
1
1
1
1
1
1
465
465
29

Ма1,с11ма.r.ьио допустимые параметры. Гарантируюкя при температуре
О[( ружаю щей среды Т~=-60 ... + 70° С.
/ к max - ПОСТОЯННЫЙ
ТОК КОЛ·
ле[(тора, мА . . .
.
.
20
/1)
•
•
к. и max- импульснь111 ТО1{ юм-
ле[(тора,мА.......150
И ЭБ ma х - постоянное напря•
жение эмиттер - база, В
.
.
5
ИкБ max - постоянное на пряже•
.
ние коллектор - база, В
при Тс=-60 ... +40°С:
МП39, МП39Б, МП40,
МП41, МП41А
15
при Тс>40°С:
10
М[140А
•30
при Те>40°С . .
20
и 2)кэ п,ах - постоянное
напря-
жение, В
при Тс=-60 ... +40°С:
МП39, МП39Б, МП40,
МП41, МП41А
15
пр11 Тс>40°С:
10
МП40А
30
при Тс>40°С .
20
ИКБпр -
· пробивное
напряже-
ние колJiеюор - база:
МП39, МП39Б, МП40 . . . 15
МП41, МП41А
МП40А ....
15
30
и2)
кэ и max- импульсное
напр я-
жение коллектор - эмиттер,
в
при Тс=-60 ... +40°С:
МП39, МП39Б, МП40,
МП41, МЛ41А
20
при Т 0 >40°С
15
МПWА
W
при Тс>40° С .
20
Икв и max - импульсное \Jапря•
жение коллектор - база, В
при Тс=-60 ... +40° С:
МП39, МП39Б, МП40,
МП41, МП41д
20
при Тс>40° С
10
МП40А
30
при Т0>40°С ....-
.
20
: Pf<)mai - постоянная рассеива-е :
мая мощность коллектора; •
мвт ·
при Тс=-60...+55°С . . . 150
прн Т0=70°С ..... .. 75
До-riустимая температура cii,py, ... ,
1кающей среды, 0 _С : . ; -60
. ;•.+~~
1 • Значение 1<оэффициента передачи тока не нормируется. Средн<'е значение
тока эмиттера за I с не д.олжно превышать 40 мА .
21 При отсутствии запирающего смещения сопротивление~ цепи база~эмит-
тер не должно превышать 10 Ом.
.
3 ' При поu1.,1шении гемпературы от 55 до 70" С допустимая мощность свижа•
е1ся до 75 МВт по линейному закону,
?
L
и
30
г;-т--
lь,нА Ин~=о
,
/
_.}-'
_,, ,,.v
0.1
U,Z
58
/
/
/
/
~
/00
80
БО
40
za
h21э 11l
•111
!_~
1
1
i\_ МП41А
-1'11
N
~МПЗ9Б,МП1+0, ... _
r-. ...
.
МП40А, МП41
МПЗ9-..........._ ,
г-т-_11'{.,..,
1 1т--
го40БО
1
1
Икэ=SВ 1-- -
""1"-,..
..... ......
. ;::
-
.
-~ ~,--
во 1оа 1zo

г
,._
lк,r-iA
~--
-1---
..-
40
/,,,..
-
),,..
30
,
i,,"""
,,
1
,
20
,
i..- -" '
/
--
,,,,,,.
10 IF
tL1I&
,/
1
i
-
.
о
z4
Б
в 10f 1Z Инэ,В
·1,$
=
ji il!/lllliiil1l 1l1 l1illi\lllijlliljJl!i\l·!ll 1
19
20
21
22_2з
МП42, МП42А, МП42Б
/1ПЗ9-ЛI &=чООмкА; ,
/1П396, МПчО, МП4DА,
МП41-L1 I 6 =20DннА;
MП41A-LJJ Б=IООннА
Общие _сведения, Германиевые сплавные р-п- р-транзисторы предназначены
для работы в схемах усиления и генерирования колебаний в диапазоне частот
до I МГц, в схемах перек,1ючсния и других схемах.
Корпус металличешнй, герметичный, с гибкими выводами (рис. Пl.1,а),
Масса транзистора не более 2 r.
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.
Элекrрические параметры. Классификационные параметры: h21э, /1121 э.
Значения
Режимы измерения
Наименование
Обознаqение
"
<
<
,о
i:Q
<
~ ""'
i:Q
"
"
:,;
".а
i:::
=
,:<;
т~
......А
"' "'
1д
"
""
:::>
::)
-
Обратный ТО!{ коллектор -
эмиттер при запирающем
! к.эх
25
15 0,5
смещении, мА
Напряжение нэ.сыщенияl
:коллеrпор - эмиттер, В
Икэ нас
0,2
Напряжение насыщения\
база - эмиттер, В
И~,э нас
0,4 1
1
1!Оf1
.
Статический коэффициент
передачи тока в схеме с
ОЭ:
h21э
МП42
20
35
1
10
МП42А
30
50 1,
10
МП24Б
451001
·10
'
31
L__

Знэчения
Режимы измерения
06озиа чеиие
"'
"
<,:
,а;
..:
1-Iаименов,иие
о
,о
сЦ
сЦ
'"'
"'"'
:8
>J
:8
.
"'"'
""'
~ro
"'"
"'"
~сё,()
н "'"'
::,
:1 :1
::,
-
Грани,rная частота коэффи-
циента передачи тоI<а в схе-
месОЭ,МГц
fh21э
1,0
5
'
Время переключен ин, МКС!
МП42
fuep
2,0 15
10
МП42А
1,5 15
10
МП42Б
1,0 15
10
Максимально допустимые параметры. Гарантируются nри температуре
окружающей среды Т. - - 60. .. + 70° С.
/к max - импу;1ьсный tок коллек
тора,мА....
,
.
.
.
150
I z max - ток эмиттера ( среднее
значение),мА......30
U l(Б max - постоянное
напря-
жение коллектор - база, В. 15
Vk~ R max - постоянное напря
жение коллектор - эмиттер, В 15
р 2)к глах - постоянная рассеивае•
мая мощность коллектора,
мВт
при Т0=45°С .• ,
.
,
, 200
при rо= 70° с
.
'....75
1Допустим,ая температура окrу
жающей среды, 0 С •
.
-60•.,+70
1 ' При отсутствии запирающего смещения Rв ,< 3 кОм,
i При повышении rемпературь~ от 45 до 70°G мощность ~меньшается
11инейно.
~-п-гт
,-58,
1,5
1,0
U,5
V
j
J
!.,,'
J
j
/
/
О 0,1 D,Z ИБэ,В
: Iк,мА
40
30
ZD
10
L i---
V-
V
r
_,,
/'
;--
-
1-" "
1
~, ..
i ЛIБ
_,
,,
и
4
В
12 Uк,,В
12
МП42, 11П4ZА-Л fБ,• 15ОмхА
!1П'+Z б - мб= IDDNXA,
hщ nт111.11•10
,.,
OJ
4Z
т
мА
-
~
"
wo
'
1
Uкэс/8
~
i",..
t,,,,, .
100 Iк,НА ,

'1).: *: - -·-==
l!(j II l(jlH Ч 11 щ11, t!..j
\.
ГТ108А, ГТ!О8$,' Г:Т1~8В , , ГТ108Г
.
:,
:
•i1
'
'
~
,., .
18
__ 19
Общие сведения. · Герма!f!!евые сплавны~ р-'-n-:-Р•'iранзист1орJ П~дНЗЗНа~•~~ЬI
• .... работы в схемах усиления it генери·рова;~шя. 1 1 _
;
_
_ Корпус
металли<:1еский, , герметичный (рис. Пl.2,а и : ПI.З). Marca
1
: \\··;.:.
~ paJ:iиc}·o,p_a
•
более0,5г. • •
_
__
-
-
-
i'--
,•:
'
'
-
- Условия
эксплуатации - в соответствии с табл, ' П2J.
,
'
\ ·,.:
\\'''
Электрические па·рамеtры. Классификационный параметр li210- :
Наимен0в ан ие
Обозна,
qевие
Коэффициент цередiiчн тока , -
·п
,
IW
в режиме малого си г нала~
ГТ108А
ГТ108Б
ГТ108В
rпosr .
Выходная ·прово.цнмость -- ~а 
режиме : малого' сиrн'ала -при -
х.1.., :икСм , •
--
,~
Прещ~ная ~асrота _козф•
-
фициенн цередачи тока,
м=rц, .
•fь11~ -'
-
ГТ\08А
ГПОВБ - ГТ108Г
Емкость коллекторного
рехода,_ пФ
пе- 1
Постоянная времени цепи
обратной связи на высокой
частоте, пс .
Мцl(с.им.адьн.о ·11,щ1усти_м1>1е napaмeтpi,i.
i1r. max --: -: -• · дос_тqящ-1ый TQK коллек•
тора, мА ,-
при. ro.:....5~•-O ,
•
,,.,•.
50
U КБ max - iJ:остоянное - н а пряже•
ние. коллектор - база, В
.-
.-1О,
U~в. -. , max- импу;;ьс~,qе • напри'- :•
женио коллек:~:ор - база; • В llt
2 Зак 5()3
?начення'
-
1'20,
;35
!60
110
Q.~
1,0
50
80
130
2~0
50
5000
5
.
••i
"')!•11:_ '·\l;i._
,~1::• ~·f ,:, ! 1;i,
.(;
-
p l ) 1 :~...,_ :ПОСТОЯННаЯ-'
1
p''accei111ae/ ,. '
-
К max
,
, , ___:,..
,_,_ -.,, -;
; !-f ,а,я , -,,;ощнос'Р•1:, к,р:11~~~~ра1
•
__ ,- ~~т ~~~,2ooq'\',, -' ~',,/';;.,\ :'' ,,, ,,, 1-5 ·
-f:u. in·ax- '- - температура, ;, пер ехо да, '· -
.i•""
0,О_ ,,\ •
•
•
:,•
•
•·•
• ,+80
31

Rт, -~·-'-. Ь -'-- ' теплов·ое i . сопрqтивле:•• •
, ние
переход· - окруж-ающая
Допустимая температура 0!(ру-
жающе(1 среды, 0 С .
.
-45 .
+55
· среда, .? С/мВт
0,8
150
100
50
о
за
zo
10
D
Икэ=О 5В
j
J
~ .,,,v
160
1 > При Те> 55°С Ркmах [мВт] =(Тп- Тс)7
I Rт, n-c·
При давлении окружающей среды менее 50 мм
рт. ст. зн:аченнеРКmах рассчитывают по этой ж·е
формуле при Rт, п _ е = 1,0° С/мВт. для вы•
ходноrо каскада приемника временно допуска
ется Ркmax = 70 мВт при Те,<40°С.
--·
• hz1э
-
ГТ108Г, ГТ!08В-дl5 =50мl(А.
ПIОВА, П108Б -LН5-!ОО /1/(А
140 /
/
/
......
Ик=1В-'-
.....
.....
ГТ108Г -
~
N',
•
_
..
I
~,,
,,,
---
-
,,.
!
-
,.:
Мь
'-
2
6
120
100
80
liO
20
о
,,-
/
I
1-
,,.---
/
.. ..
/
Z5
......
1'.
~
"
...
.... .._
ГТ1U8В f-
"!,(
-f-
.....
~
. ·/-,.._
~f-
ГТIОВБ
, ГТ108А
~
>- '-
50 73 10D 13,нА .
$J:::C - ==
111 11111 1111111 11 11111 11
ГТ109А, ГТJО9Б, ГТJО9В, ГТ109Г,
ГТ109Д, ГПО9Е, ГТ109Ж, ГТ109И
17
18
19
Общие сведения. Германиевые сплав-ные маломощные низкочастотные ми
ниатюрные р-п -р-транзисторы предназначены для работы в малогабаритных
радиовещательных приемниках (ГТ109Д и ГТ109Е - в медицине; ГТ\09Ж
-
только для пр:именения в часовых механизмах).
Корпус металличес1шй, герметичный, с rиб1шми выводами (рис. Пl.4). Мас
са транзистора не более 0,1 г.
Условия э1<сплуатации - в соответствии с табл. П2.1.
Электрические · параметры. Классификационные параметры: h21э, h919 , Кш,
34

•знач:ения
J:-:ежим ь1 ttJмер с ню1
-
Обо зна-
t'"
~
Наименов ани е
о
""
:Q
«:
«:
«:
=1
чение
."'
"'
"'
:s
:s
:а
';J
".о
о
.о
'""
с
"
~т~
".,
"
.,
'°
т
:; :;
....
:s
:::,
:::,
-
-=-
Обратны й ток ко лле[ПО·
ра , мкА:
1 кво
5
П109А, ГТ109Б
О,1 1,5
5
П109В, ГТ109Г
0,2
2 1,2
ГТ109Д,
ГТ109Е,
П109Ж, ГТ109И
О,1
1 1.5
Обратный ток коллек-
тор -
эмиттер (RБ=
= 0), мкА,
1 кэк 0,6
75
ГТ109А - П109Е
ГТI09Ж
0,3
5 1.5
-
Напряжение насышения
коллекrор - 9миттер , В: Икэ вао
ГТ109А - ГТ 109Е,
ГТ109И ,
0 ,02
0,08
101
Напряжение насыш ения
база - эмиттер, В,
Ивэ наG
ГТ109А - ГТ109Е,
ПI09И
0,24
0,5
101
Выходная пров одимость
11 режиме малого сш·на -
ла при х.х., м·кСю
h~2б
П109А-П 109Г,
ПI09И
0,5
3,3 5
11
ПI09д
0,8
2,5 1,2
0,1 1
'
:
Предельная частота ко-
эффнциента п ереда чи то-
ка, МГц:
fh21б
П 1 09А - ГТ!О9Г,
ПI09 И
1
5
1
ГТ109Д
3
5
1
ПI09Е
5
5
1
К о эффициент шума, дБ:
Кш
ГТ 109А-ГТ 109Е
4
25 1,5
0,5 1
ГТ109И
4
12 1,5
0,5 1
Е м кость эмвттерноrо пе-
р е хода, пФ,
Сз
П109А - ГТ109Г,
ПI09И
6
20
4
465
П\09Д, ГТ109Е
16
40
1,2
465
'
Е мк ость коллекторного
пе рехода , пФ:,
Ск
ГТ109А - ГТ109Г,
П109И
1025305
,н:s
ГТ109Д, ГТ109Е
16
40 1,2
465
2*
35

,
Значения
Режимы и змерения
ОСiоз'н~-
'
.,
Наи м_енов а ние
'! ..~
w
<Ц
-,;
-,;
о;
;:j
чение
.,
:&
:&
:li
~
:х:
;~-
~,;~а);;,,tDli)
"'
"'"'
"
,-
"::,
::J
::J
-
..:
.
Пос~;оянн а я , времени це-
:
пи обратной связи, пс:
'и
ГТ-109А -
~
ПJО9Е,
КТJО9И '
:
2
35 5000 5
1 465
'
:
Входное
i
сопротивление
:
транз и стора в режиме
:
малого сигнала, Ом:
' 11 11()
П109А - П109Е,
:
'
П109И
27
305
11
Коэффiщиент _ обратной
связи по
напряжению
.,
м-
транзистора в режиме
1
1
-,
маJюrо сигнала :
h11б ~
ф
-
ГПО9А-,П109Е,
tN
,-
11) '
'
ГТ :109И
с:,
ф
5
1t
,,
1-
...
. ;.,
Коэфil>ициент передачи
тока i в~ , р.ежиме М1\ЛОГО
сиrна.!i'а :·: ~ ,
.
1-,
h21i;
ГТ109А ·. - •
,-
20
505
J
1
ГТ ;JО9'Б
-,,
-
-
35
805
·., -
1
1
ГТ109В
,
--
60
130 5
1
1
'
'
ГТ109Г :
:
110
'
250 5
:
_
J
1
ГТ!О9Д
'\
20
70 1,2
0,1 1
П)О9Е
,,
50
100 1,2
о,1 1
ГТJО9уl !
'
\"1 '
20
805
1
1
'-
:.
:
_,
'
Статичес1шй коэффици-
ент передачи тока в схе -
мес ОЭ:
h21
ГТ109Ж
100
250 1,5
0,01
Макснм;~.льно ' допустимые q~раметры. Га-рантируются при температуре
{IКружающей среды Тс =-20... +55° С.
/к mnx - постоянный ток коллек-
p"I >
-
постоянная - рассеивае-
тора,мА••
.
.
.
-
·
,•
.
20
К~ам_ха'я о -·
о·
и
•
,
м W\1 _ сть коллек_тора,
КБ max - .постоянное напряже-
мВт
_,
,
ние коллектор - база, В •
.
10 ··
приТс= - 25...+20°С .
.
30
Uкэ R max - пос-тоянное напр я-
Тn max - температура - перех ода,
жение коллектор-, _эмитtер,
,_
0.С-. .
·-..
.
,
.
.
.
.
.
80
-'
1в'-'''••
'
Rт, п-,-~ ;_ тепл ов_ое
.сопротивле •
R --20·0· О
',
•
·в
_ ние • пёр.еход-окружающая
__
при Б , :::::::
~ , ,м__.
•
.
.
Икв и max - импульсное
напря-
среда, ,0 С/мВт
.
.
,
.
.,
. 1,8
Допуртимая __ ·температура • окру
жающей среды, 0 С ,. . с--45
...
+55
жение коллектор - база, В 18
11 При Те> 25°С Рк шах [мВт]= (89 - Тс)!Rт, ~ . с•
36

[6 ,нА
0,7
0,6
0,5
0,4
Икэ=О zв
~
о,з
o,z
0,1
JJ
'1
j/
о
0,1
hzrз
h·:111 при. Iз=1 мА
1,З
1,Z
j
/,
1,1
/
,.а /
i1
U~ 3; ZII
h
.. .,,,, -
/.
,
;
:
[Tf09A -,Нб =40нкА; •
ГТ109Б -tJ l5":f5./1KA ;,,, . ·
..
ГПО98, П109f-L1l5 iIO~if.,4;,
ГТf09(-tJI5 =·4 HffA; , , , i 1
ГТ109Д, ГТ109 И -LII 6 ;: 20 мкА
\(! ::i-
:•11
1
{,1~1
•
l,
'·.;•(':~:1
~~~~-"r-~~
1, Z .___ ,____,,~ _, ____,.
1,D 1--~+-+,,~~r-1
0,8
Ц61--4~'-1---,-+-.;.+,.Н
0,lf ~~~~--' --' --' -"
,О 6.IZ 18 [3,н_А
:-60 -1/0-lO U +za Тс·, 0 С
11111111111111111111111111111111111111111111{
19
20
21
22
.23
~/
!,;:J,
·,1,' • '.
МП!!l, MП!ll'A, МГ11),1Б,, ,, мш12·.
МПI 13, МШ !ЗА
,;
1
:1,:
·!
Общие сведения. Кремниевые сплавные низr<0частотные rп',,;_р-п-:У.ра11з~tt,Ьры
предназначены для работы ' в · уси,литёльных и импульсных схемах .
••
Корпус металлическiiй, герметичный, с гибкими выводами (рис. · П'l:1',а),
Масса транзистора не более 2,5 r.
··.
,
Условия эксплуатаuии '- : в со.ответствии с табJt . П2.2,.
,,.
Электри•1еские параметры. Классификационные параметр~;\ .
h:11э • / 1\60, fh21б •
~.
37

,
} 1~лч .e~J ~lfl
Р..ежнмы изме·1Jення
,..
1·: :r•.
,.
:,. ,
...
.
.
"Iia1iмe нon3 lt~:e •
,.
J бозна•
<r:
: ('J.
·'
.Д
.,,
"
чени е
· , мини-
ма~< с и~
~
"-
· мально f'
мальное
ci)
"'
с,::
(~
::)
::)
-
..:
<
Обратный ток
колле к тора ,
мкА :
1 кво
3
10
MП'll l . MПIIIБ
M ПIIIA
1
Б
М 11112 , · МП1'13, МПIJЗА
3
5
Об ра·гный ток' эмиттера, •мкА
/~БО 1 () ,01
Входное сопротивление тран·
з истора в режиме M8JIOГO СИГ·
нала, Ом
Коэффиuиенi обратной СВЯЗ !-!
по напряжещIю транзистора В .
р е жиме ма л ого сигнала
,,,
!(оэффиuиент передачи тока в
р ежиме маJЮГО сI1гнала t! сх е-,
м~сОЭ:
•.
-.
MП IIJ
.
.
M ПIIIA
fl\ПI IIБ, МГПГ2, ·мп113
МПI!ЗА
-,-··
.,,
,,.
Выходна я _прСJ_вод_и м ость . ~ ре-
жиме малого с·игнаJ1а•при к.х.;
м1,См
•. .,
.
'
П реде,•1.ь'r-1 а я , частота ко эффиuи-
ент~ перtрдачн·,. ток а, МГц:
MПII!, MПIIIA, ,ЧП!JIБ,
М ПI12
МПl13
М Пl!ЗА
; _.,
I(оэффицие1и шума, дБ:
M/l lil,1 МП l!!Б, МП!l2 ,
Л\П 113-, МЛ i I<3Л
мп 111 1-1
Ем"ост1, .коJ1ле1о·орноrо пере.
хода, 11Ф
,,
hнб
40
100
Б
1
'
h1'"
2.10,.;•• 3. 10- ''
5
J1
h21э
10.
25
5
1
1
10
30
5
l1
:15
45
Б
1\
,ЗБ
105
5
1
'
h2 2б
о, _;:; .
2,0
s·
1
1
11i210
0,5
1,6
5
1
1,0
3,0
5
1
1.~
:1 .0
fi
1
..
·,
<
Кш
iO
25
1,5
0,5 l
19
2,'i
1,5
0,5 1
30
150
Ма1\ц1маJ1ыю допустимыt п а~ аметры . Гаран 1·ируюн:я п ри темп~ра1ур е
01-: ружающсi'1 среды Тс =- 60 ... + 100 <..: ,
/ J( шах - ПОСТОЯНl!ЫЙ To'Ji K OЛJJeJ(·
тор'а,'мА.....
'.
.
.
2lJ
/ 1(, 1J rпах I) - HM.fljJ!bCHЫЙ [01( КОЛ·
лск~ора,\мА•. ... . . . 100
Иэь m,,x .::.. п остояI1ное
напря-
жение эмIн1'"р - б,1за1 13 • • 5
зз
Ию, та,:-;постоянное .,1апря-
жение 1\ОJJл ек тор - баз а , 13:
MПIII, МПl!!Б , ,
.
..
20
МПIIIA, М11112, /IШJ13,
N11 J11JЛ , ,
•,
,
,
,
•
1О

Uf<и mак - постоянное напр я же•
ние коллектор - эмиттер, В:
МПШ,МПI116.....20
МШ IIA, МПI 12, МПl 13,
МПI !ЗА .
,
,
.
.
,
.
.
10
Р°{( так - постоянна я рассеивае•·
мая мощность колл~ктора,
мВт .........[5()
при Те=+ 100° С ..... 60
Допустимая температура акру•
жающей среды, 0 С ...
-60
...
+ 100
1 1 Значение коэффициента передачи тока не нормируется. Среднее значение
<rока эмиттера за 1 с не должно превышать 20 мА.
2 ' При отсутствии з апирающего смещения сопротивление в цепи база с--
sмиттер не должно пр евышать 2 к0м.
.
а, При повыш .ении температуры 01· 70 до 100° С мощность снижаеrся линейн_о.
t+OO
зоо
zoo
100
о
./..
..
1
J
/
V
1
Uю=О - ~! L..
'
I
,.
/
,
I
j
/
/
J
1/
гоr чоо . Боа
11
h при Tc=Z0°C
~~~~~~ ~
1,'3 1--1- --1 -- -' --+- -- --'--' -~
Uкэ= 5В
1,7
Iэ= lмА
1---4-
~-1
1,5 <--<-1-- --+--<
1,З 1--1--1-
-1---+--I-.II--.II-.I
1,1
0,9
1----,, ,;t= ...~
о, 1 1"-+с#'--1~-4---+--<
Ц5 1'<..-- '- -1. .... ... .J- .J. -- '--J. .- -'- -'
-
40 О +чО Т0,0С
'
lк,нА
16
11/-
12
10
8
6
4
2
11'
-
,,.
~ ,, ,,,.
1/--
,~
i,,
...
i,,,,
,,_.
--
....
....
.... .. .
t,1IБ с--
-
О
ZI+БИкэ,В
нrr11, МП111А -МБ=О,1Sнд ;· .
НП111Б,НЛ11Z,МП113- ЛI 6=0,fн,4:
MПIIЗA-JI 6=~0Z5нA . '
hZtэ •
IJш при 13=1нА
1,1
1,6
1,5
1,4
1,З
~
J'
"
/
1,Z
1,1
jr1
·1,0
'
•
1
10•
-
V'
5
1'
-
Uкэ= 1/J
---
~
~
0,9
о510Iэ,НА
ЗD

_ -, p1r111 1, 11111111r11 (1111111111 1111111111 111r
·.· 19
20
21
22
23
МП114. МП115, МП116
Общие сведения. Кремниевые p-n -p сплавные мало шу м ящие транэис-мры
предназначены для работы в усилительных и генераторных схемах.
.
Корпус мета_ллическнй, герметичный, с гиб1шми . выводами (р~с. ,(11 . 1,а),
Масса транзистора не более 2,5 г.
•
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2..2.
Электри ческие параметры. Классификационные параметры: h 21э , U КЭmах• fh2115•
:
Значення
Режимы
'
нзмереню
'
'
Нанмено--ы11ще
'
.Обоз11ач·е1-1ие
.,
.,
!
о
,о
"'
.,:
.,:
,,;
"'
•о:
:,:О:
CQ
:,;
:,;
:11
~
j
'
:,;.о
u.о
о:,;
"' ..
;:;; (1) ~
"'
n)
'""'
"'"'
..
'
~-~
"'"'
:::,
:::,
.,,
-
-
·-
:
Обра11-1ый ТОК -KOJJJJeKTO·
ра, мкА:
1 kво
МП114
;
10 30
11ри тс=100°Е:;
20
400 30
МП115
10 15
МП! 16 .,
·... 10 10
прн Те= 100° С
'
15400щ
,. ...
'
:i~: ;
.,.
,..
)
.,
.
Обр11п1 ый ток эмиттера,
мкА
'
1эво
]0
10
при· Тс= 100° С
0 .005 200
10
1
..
Напряжение насыщения
!
коллектор - эмипер в
инверсном
вк.~ючеiши_ '
.
.
.
/!
(1(11ас= · оо), в
Uk~ ""~ · :,iв 2. 10-з
.3
-
.
-·-\._
.'7----
.
.
'
.-
..
--
.
.
Входное сопротивление
д р,ав~rс1;ора ' в,,. режщ..1е ...
:1i,
,.
.,
малого сигнала, Ом;
1111б
·,,.
МП114
353005
][
М,IJJJ5 ~·: t.)
.
·.
,..
..
,•:
300 5
1 -1-
МПJ16
'·
353005
]1
оэ, 01.1)
..
'
;
hщ
-
~
схеме с
•'
'
МП114, МП1 15
100.0 2000 5
1'1
.,
Mlll16
1000 2500 5
]1
,f•
;
'
'!
•Коэффициент, .·· передачи
:.тока в режиме · мaJ\bi'o
'
;
сигнала: - • '
.
'.
, h21э
MTTJJ4 . "
;
,..
9,
-
;5
11
МП115
,,
-
9455,
11
,.
,:'.i ~:1п116
..
,,
lp1005
11
,.
'
. Коэффициент
'Передачи':
.
;
·,
J ;-ока В ' инверсном' вкJJю~ i
.,.
i
чении:
h21 0 ИRВ
,,_ , МПl.14, МП11 5 .,
'·
..
•,0,1, 2;5 5
1
l
МПJ16
2
.4'
5,
1
1

З.наченил
Ре _жимы иьмереЦНя :
.
!.-~
'
:-..,-
Наименование
Обоsначенl!е
"'
~-~
1'
О.'
cQ
cQ
' ,,:
,,:
•'::/
·=
:>:
:>:
: с..
,: ,,
u"
="
,."
~ (1)
'i; (1)
.,.
"'"'
.. "'
:,:
'
'
:, :,;
,:>: :,
. :::J,
:::J
:-.
..:
'
'' '.
Выходная проводимость •
в режиме малого сигца-
,.
.'
ла при х.х. в схеме с
''
'
оэ, мкСм,
h220
~-•.,
МП114, МП115
10
4D
5
11
МП116
15
бО
5
11
в схеме с ОБ, мкС~t1
h220
МП114, МП115
.0,7 3;,3 5
•
•
111,,•!',j11
МП116
.,
0,7
2
5
11
ПредеJiьная
частота
,,
,.,
'··
.,
коэффициента переда-
\,,-~-
..
чи тока, кГщ
fh21б
,,
МПI14, МПl15 ·.1 ..
100 1100. 5
,,
''
:'(
МП116
500 2000; 5
-~, ,
:
:
ПредеJ1ьная частота КО·
''
'
•'
.
.
эффициента
передачи
..
тока в инверсном ВКЛЮ·
:
'
J
чении, кГц:
fh21б инв
МП114, МП11Б
300 5
1
.
'
'
: :.,
Граничная частота КО·
'
'
i•·
.
!
эффициента
передачи
fт
..
!
тока в схеме с ОЭ, МГц:
'.
МП114, МП115
,О,083 0,92, 5
•,
1
МП116
•0,5•2,0 5
1
Максимально допустимые параметры,
окружающей среды Т с=-60... + 100° С, .
Гарантируются , при температуре
·:)
11
Jк max ..;_, постоянный
ток коллек-
тора,мА....••.
.
10
lx и max - ток коллектора в ре•
жиме переключения, мА . . 50
И ЭБ max - , постоянное напряже-
ние эмиттер - база, В "•
.
.
10
Икв max - постоянное напряже-
ние коллектор - база, В
МПI14: при Тс~70°С .
60
• при То>70°С .
50
МПI15: при То~70°С .
,
30
при То>70°С .
15
МПI16: при Тс~70°С .
15
при Те>70°С ,
1О
Икэ max - постоянное напряже·~.
_ние коллектор _ , эм~п;е'р, ;~
МП114: при Т.,~.70 . С . .• 60
при То>10°·С •• ., • ,
50
МП115: при Тс~70°С ~ _,
..• 30
приТ~>7О0 с · .. , 15
МПI16: при Тс~70°С,..• ;,, ,•15
.
•
при То>~О0,С ,. :• .. ,10
1).
'
'
•
•
Ркmах -; постоянная рассеивае~ .
мая ' мощность коллектора,'
• мВт
при Тс~70°С. , , ~
,
• 150
при То=100°С ,
•
;·: ·,
60
'Допустимая температура. . окру• .
жающейсреды;0С ,,,,-:-:60.,, +100
1 ' При повышении температуры окружающей среды 01 Jb до 100" С· допусти•
мая мощность NМеньшается л11.~еiiно1
.,1.!:

,
16,нА
1 н,нА
1,8
20
-
,
,_ ~-
-
А
---
_[..-
-
~
-
,_
-
[..-
-
-
1,4
15-
-
_[..-
--
-
1--
--
·--
1,0
•10
,
~-
J[Б
-
D,б
5
L.:
о
5!U15ZDZ5ЗО
Инэ,II.
о
0,11
0,8 1,2 1!БЭ, II
f1П114,НП115-!Jl 6 ~D, ЗнА; МП11Б-Лl в=U,lмА
/·,
60
/
"
[7
'·
r-..
Икэ= l,58
40
\
ь,, МП11б
~-
1----:::
:1~
'~'7',
~
,,,v /
" , мп31ч, мп115
-~
1/ 1/
/
za
,,.
'
/
--
У,12
[7 -- r-:-
/~
.
/'!
........
1/
'
к_
...... . .._
,/1
.......
-
L 1',-
-~
-
lL'
...,..
~
--
-~
--
--
i:::::'
-
- 1-l
о
1D
го
40
50 60
70 lэ JtA
[ 11111111111111111111, 1[
П115А, ГТ115Б, ГТ115В, ГТ115Г,
П!!5Д
11
1в
,а
Общие сведения. Германиевые сплавные р-п-р-транзисторы предназн ачены
для усш1ения и генерирования низкочастотных колебаний, а т акж е для работы
в других схемах..
К:орпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П!,2,а),
Масса транзистора не более 0,6 r.
У•словия :жсплуата ции - в соответствии с 1Г абл. П2.2.
Э,1ектрические параметры. Классификационные параметрьо
4.2 !

t
Наи мена вв нИе
Обратный ТО!{
колле1пора,
MI{A:
ГТI 15А, ГТ115В, . ГТ115Д
П!15Б, ГТ115Г
Обратны.й то1< эмиттера, мкА
Статический коэффициент пере-
дачи, тока в схеме с ОЭ,,
ГТJ 15А, ГТJ !5Б
ГТ! 15В, ГТ115Г
П115Д
Предельна~ частота коэффиuи-1
еита переда,1и тока, · мru
З1~а ~J~н11r11
i
<J,
"
Обозв'а чение
о
,О
"'
;s:;::r: .::
" ',,
u"
о:.;
"' -:
:S: ro
ro -~
~~
:а"
1 кво
40
4()
,,
1 эво
4'0
'
h21э
20' ·во
.,
60 150
125 250
Р ~ ж1:1_мы :иэм~ р ен~,1н
,'
:
_;
cci ',
'
<(
<(
:,
~ a::i 1·
:,; .
:Е
L.
~(~:_ro
"'
::,
;::,
-
.:
"
,.
20
'
зо
_) ;..~.;~_.
i
1
,.'
25 270
1
25 270
1
25 270
Макси~1ально доп ус н,мые параметры. Гарантнрую1тя ·при tемrн!р:атуре 01,ру-
жаюшей среды Тс=-20 ... + 45°С .
.
lк шах - постоянный то1, колле1,
тора,мА.......
,
30
Иэв max --'- - постоянное
напряже-
ние эм1птер - база, В
.
.
.
20
И кв ,nax - постоянное напряже-
ние 1,оллепор_ - база , В:
ПJ15А Пl15В,ГТI15д. , 20
.
ГТ115Б, ГТ115Г .... •
30
Рк шаi - --- постояина ·я ···;· р·ассеивае-
мая мощность' коллектора,
мВт .........50
Допустимая температура OI<PY·
:х,,нощей срер.ы, 0 С : . •
-20 ••• _+45
l(Т]J7A, кт117в:, КТ117В, КТ117Г
Общие сосдения . Кремниевые планарные одноnереходные транзисторы пред
назначены для работы в схемах преобразователей и реле времени,
Корпус металлич.ескиii, rерметичныiJ, с rиб1,ими ныводами {рис. Пl.5). Масса
транзистора не более 0,9 г.
~•словия энсплуаташн1 - в соответствии с табл, П2.4.
Электричеоше параметры. Классификационные параметры,
11, Rв, в,.
НаименоБание
Обозначение
ЗmJ чение
т,ж УТl"'!КИ эмиттера, мкА
1 эво
Ост ~ точное напряжен ве, в
(}5Э ,,а,•
5
К о эффициен·1 передачщ
~
КТ117А, KTI17B
, 0,5...0,7 '
КТ! 17Б, КТ! 17Г,
о,65 ... o,!J
Режимы и з ме ренш-1
Ив,62, вj 135, мА
3Q
1
10
1
50

Режимы измерения
,
..
.,
Обозначение
Значение
Наименование
1эв, мА
Ив,6,В
:
\
Меж базовое сопрот11вление, кОм: Rв, Б,
KТiil7А, К:Т1J7Б
• 4...9
20
К:ТJ :/7В , I<TJJ7Г
8... ]2
25
:
.
То1< вык~ючени·я, мА '
lвыКJ,
20
!.'
~.
lвнл
М:аксимально .допустимые параметры
и~:· 64} . - постоянное - ~•ежба-
зовое напряжение, В .
30
ИМ,, о max - обратное
напря•
20
10
~).4)
'
'
•
lэ, и mак- импульсным ток ЭМИТ•
тера, А:
приt.~10мкс·..... •
...
2), 3)
·
·
-
••
••
,
Р рас mак - постоянная
..
рассеива-.
жение эмиттер - база, В
.
.
30
/ 2 ), 4 > - постоянный то1< эмитте
Э mах
емая мощность, мВт .
.
300
ра, мА . . ....•::.... •:,·' 50 '
Допустимая температура акру- .:
• ;ка·ющей среды, •0 С .. ;
-60 ... + Т-25
r Прv.7с=- 60...+125°С,
" , .:: _Пр~ Те ""',.;-:-jq., ...0+_35°С, , . .
.,
..
..,,·
·,
,
,
.,. ,. ·· ;рсrt/рив. rp;';'. 35 . ; - ~1 25 , .с ,, Ppaomax [м.Вт]с=а(130-,ТtУRт. 'П-'С· где R" п-·с""'
==113 м т.
.
. •. . Прμ Те~ 35°,Q уменьшен,и .е данной. вели11ины рассqитывается, исходя из
'•.'
.
.
•
•
2
вна!!ения Ррас max, определяемой по формуле Рр·ас ~а 'х = (Ив1 в/R 6162 )Х
Х (] + k) + / 9 И6энаi: . где ·. k ~ коэфф~u.и~~\ заполнения, Рв,в. - межбазо
nо'е сопротивление пр· и заданном И 6161 . • _
'3
z
:1
44
-
-- --
-
-
-
-
··-
-
-
J
~ ---f--', , --j -', f-. -, f-. -, ---l ----!
.
-- --1
._
----1- ---1--1---1 ---1---1---1---1---1--, . I 3=50 мА -
-
·-~- ·-
-
-
.•-
.~
-
·
-Gfl
-зо
а
за•
60
90
зо--
20 -~
Те, 0С
1'

. ,,--
' Iвнл,МНА ,lвыкл, мА
-'~•:,,' .
.-~ :
,.....
15
~
I 6ыкл
..
r--.. ~
...... ..._
/ '/ r-,..~
1[)
---
1'-
---
......
"'---
1/ r-,..~
r-
-.. ... .
/
---
.;.__
--
...__
-k.3a-
г-
--
.......,
-
- ....... _
za
Ю,
-
-
--
-
-
-..:....:
f----
Иь1 Ьz~ 10В
~
1..., ,'
\.
---
.....
за,,
-
1,...-
-
.....,. 1 Окл
т---
и~
-
,j1
•,·
...
-60
-зо
+ЗU
;'t-1
,:
, ,· ..,'
;.'
-
.
·r ••
.
Pl"'!l,'IJll""!IJll/iilljlill!'llij~ i '
•
•',,,.
i!• l ~II,
.
а1,_аа 21,,( ,.'кп\sА, КТ)18В,КТI18В
1,(
Общие сведения. Кремниевые . ,цвухэмиrгерi4ые
.
,~;~лki~арно;эпнтаксиал~ные
р-п-с-р-транзисторы , iiредназначенъ~ ·д;1я работы 1 в ключевых · схемах ,и модуля•_
,·
'
торах.
..
.
..
..
..Ко рп ус
:металлический, герметичный, с тибкими · вьiво'дамн •'· (рис; tЦ.6) '. Масса
транзистора : не • более. Р,7 .r .
.,
.
'".,,,··;.,••
",
,.,.
•-'•'
Услови я эксnлуаfiiμ,ии •в со.ответствии с;, табл. П2.3,
,...
_
..••.,
-.
•• -,
. ..,
' Эjiектрические napar.ieтpьi; Класёифик'iнiионны_е, щi~ ~.етр~; ц;,; ,flЭr, ;,.~·а~• , A):r:,
Нщ1ме~юва11ие :
• ОбФзва ~ея ве
Обратный iток коллек· \
тор - база, мкА :
-,
•,
Обратный iток коллек-' ., .
тор - база, мкА ·,
,'
Ток закрытого ключа,
мкА:.
КТ118А •
КТ118Б, КТ118В
при То~+ 125° Ci
КТ118А: , :
:
КТI 18Б, ! КТI 18В
при Тс=-6О0 С1 ·
КТ118А
КТ118Б, КТI\8В
·, /((Б,О
J.
•.
.э.э.х
'
•.
О, 1..
0"1
,5
5
'~
о,1
О,1
'
"i
щ ·:.-; ~
.
~
' ., (1)i
::,
::, l
'
'30
-·
15·
;
~
;
15'
30
30
Режимы измеренlli1
'
''
;
1.i
i!
..
i
10
..
L;
i
10
,
'
ii
'
i
10
'·
10
\·, ...
.
10-
,
10
.
45

.
~
Режим[:,] · измерения
"
:,;
.D
;Q
:,;
""
15,+IБ,,
о
о
,,.,
«:
"'
Нr1нменов ~: uне
06оз11аqевие ":2·
;Q
,л
"'
~5
:,;
cQ
., "'
~dj
мА
(Т) "" "'
:,:
".,
.
О'):,;
:::,
:::,
О::
Cr
Сопротивление откры-
того кJiюча, Ом:
r()
КТ! 18А, КТl 186
l00
2
2
КТ118В
120
2
2
КТ! 18А, КТ! 186
20
40
20
КТ! 18В
40
40
20
при Тс=+125°С:
40
40
20
КТ! IBA, КТ! 186
КТ! 18В
80
40
20
при Те =-60° С:
40
КТ! !8А, КТ! 186
50
20
КТ118В
80
40
20
Падение напряжения
на открытом KJIIOЧe,
мВ: '
И З.)
\\
КТ! l8A, КТ! 186
о·
0,2
0,5
'
КТ118В
о, 15
0,5
ripи Те =+ 125° С:
0,6
0,5
"
Напряжение 11а уп-
раRЛЯЮЩИХ
перехо-
И~пр
'1
дах, В
l,3
20
1
Относит ельная асим-
метрия сопротивления
открытого t(J1юча, %
т'о
20
40
20
:
Время выключения, 1
f\C
fвы1ш 500 5
101
l) r0 - соnротивленпе, измсреf:ное между эмиттер~ми при рабочих токах 13 и
IБ, rо = (Иизм ± И о)/!э• где Иизм - ПЭ,!!<:ние н~пJJяжения м\:жду эмиттерами / и 2.
2 ' Rн-соnротивление нагрузки.
з1Тожепри161+16,. =1,5мА.
4&
1
1j
1
1
j

,: ',·
,',,:
1
1
lfкэ= О
.
1
z
30
~
1
1-!Jля одной
'- структуры
z- при парил-
ZO пельнсN
L-
-
Включении
обеих
' - структур
10
о
r;
i
~
i
иJ
U,6
r0,0t1 :с=-----т
,_
1
L
1"\.
102
'
"'
I 3=1511A
,
1\. _
t:
1'
'-
!"",;. . _
~
r-,,.. ._
1
101
10
zo
за
Б,О
5 --- при макси -\
мальна.й щ:имметрии_
_
;_4
,·. '
.'•.1·•
•
= :::J___l~
-LI_L-
-
·1 --L --'-'-4-
-.J-~
·~
;-;~
',
D
10
20
Зf1':.. аJэ1 з}:, ii\ •
,;- -,
1
U0,11кВ 1-+ -1- --+--+-
15 О 1---i--1--4--1----+-",.._μ._,___.__.,_-__с.,.~'-'--Ч
1
\1
r:e.
~:j
: 70 О 1--+--\+---+---+-+-+---+-,..-Ч---,,++--с,
i
·, ·v"' -
'-~
50 1---1-----1----="--1---L---l-----+---+----I----,
i
а
0,5
КТ120А. КТ120Б, КТ120В
Обti1ие сведе11ия. · Кремниевые эпитакснально-планарны~ р~п-р-тр анзисторы
предназначе111:,1 длн использqвания _в герметичных гибридных интегральных мик•
росхемах для I<алы<уляторов· типа «Электроник:а 24-70».
.
Оформление бескорпусное (рис . П 1,7). М<1сса транзистора не более 20· мг.
Условия э ксплуатаци1-1 _; _ в соответстви и с : табл. П2.3. :
Э11ектри•1еск11е · параметры. Классиф iшационные параметры~
/121э' И кв ~а-х·
З 1ычен·10 1
Режимы
Jбозн а-
~
Наимс 1 1ов а 1111е
:Q
:Q
-<
чение
;,
=:,:
:;
"',J)
:t
"'t;
:,,;
(1) :,,;
,:
"'"'
'.
~.
~~
:;;)
::,, ,
',...,;,)
Обратн ый ток KOJIJlt:>KTO-'
·•.· ,,
ра, мкА :
1 кБо
60"
::'
•;
'
КТ 120А, КТ120В
d,5
',
'
КТ120Б
,o-::fi '30
1,"
--
~
-
измерения
-<
-<
:;
::;
;:1
<D
а-, '
с.,
,,
.:.
;
··,,,
.
.
-

Н аименоцание
Обратный ток эмиттера,
мкА: •··
..
КТ120А, КТ120В
Коэффициент передачи
тока в режиме малого
сигнала •В · схеме с ОЭ:- .. -
К,Т!20А, - К:Г120В
Напряжение
на,;ыще
ния коллектор - эмит
тер, В:
КТ120А
КТ120В
Предельная частота ко
эффициента передачи то-
Обозна
qение
lэво
Икэ нао
ка, МГц: ,
_
fh
.
К.Н20А:, ~ КТ120В . - -
•,
-
ttб
:
Емкос'ть • I(оллектоj)Ного
перехQда, лФ:
КТ120А, КТ120В
:\1
Знаqення
20
0,5
2
200
50
5
5
5
Режим~,, измерен11я
10
.,:
:а
О)
.. ...
50.,.
1 1000
10 0,6
.170,5
3. 10°
Максима,1ъно допустимые параметры. Гарантируются при температуре 01сру-~ ·;
жающей среды Тс=-10 ... +65°С. •
-
Икэ R miiii .: ..!. i:ю'стояйное
. ' напря-
••
же,йiе' • кdлле'ктЬр !..: эмиттер .
. ,(R8 ~10кОм),В:
КТ120А, КТ\20В . .
60
ИКБ max - постоянно 'е'· ' н~пряже- •
ние коллектор:- ба::~а, В:
К.Т120А, КТ120В .
60
К.Т12QБ.. . ", ~
.
.
30
Иэв mа~}-· пост\>Я'нное иапряже- •.
ние эмиттер:._ база, В:
К.Т12qА, К.Т120В . .' ..
.
.
10
/к max - tlОСТОЯННЫЙ ТОК ,КОЛЛеК
ТО!Jа, •мд~ , • •
•
•
_.
•
..
~1О
48
fк.; и max ;_;_ -имnулъсный ток кол> •
• лектора ({и,i;;;40 · мкс; Q;;;,,,9) ; •
мА ......... • .• 20 '·
·.
,
/
! р к ~ах - постоянная рассеивае
-
м:а'я ' мощность. Ю)лJiектора;
. мВт
.........
10
• Р н maJli:- импульсная рассеивае-
мая мощность транзистора
, •(t,..~40 мкс, Q,;;;,,,9), мВт:
КТ120А, К.Тl20Б . . . . 15
КТ120В
....
35
Тп max -.температура .. пере.хода,.
•
0С
....
85
, . Допустимая · · температура
. .акру,
·
жающей .среды, 0 С ...
-10
..,
,+65

Iь,мА
1,а
а,в
0,6
a,z
а
·,mzaA. к1Ш.1в
1
!
~Uкэ=О- 4,58 f--
J
1
/
)j
V~V
0,6
КТ1ZОА, KT1ZOB
r-- - ---
--
--
20
16
IZ
8
о
100>-'--+--+-----<~ +-"--+-----<--+-----1
1-г____,
---...;
50 - --------
•
о
z
З Iэ,мА
,mzaA, ктав
-
-
/
Iv-
'/
Н/
i1
;
"
{,1'
'
м · ~оzмд
ь
.
Б, 'i
,
1
'.
0,7
a,r+
а.в 1,0 Икэ,В
:кrtZUA,KT1ZDB
Uкэнас,В
О, Z5~~ -- 1---+- --' -+ -- --+ --- -- -+- --- -I-,_ _,_ _1 --+-1- -,\
0,15
',..
1--_,__'-_·~~-,____,_~~-.........-"---'-+--_.___..
,,,1 ч .,
........ _ ...... '"':"-._.;_
--
o,q51--l- '-+- -l - ---l--l- -- -l- --l.- -. \-- -l ,.- -- .j
--
---:-
-~-
-
--
---
-
0,4
11
)'
!
.=;
•о,1 -0,-S·16,t(д' ., . ,,
.
•
=
l'.'''l'lliji111/!111!1111jiil1/i·1!1,jiil111П( •. ГТ122А,· ГТ122Б-, ГТ122В, ГТ12217 •
t9- \ "2~; :·
.~! , . , .l~ .с...:·-·zзн/.
Общие сведения. -Германиевые сплавные низкоqастот,Ные -n-p--n-'l',,i,.'1:и31fe:r~ -
ры пред\1/IЗНа',\ены ; д.(lя "ус,;иления и ,,rенерирования Нf!~~о,ч,астQ 1,н;ь!i5 , ~щдеQани_i\-, , , ,
Корпус металлщщски,й, гер\;!е:пр1ный (рис. Пl.,I, 11),, ,Macs~ чi~f/~Ие'!\е,ра ,-,- ~е
.·
бо;ще,2 г.
.
i
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.3.
,
"·'
,.'
i••
Эле:ктрические параме:rры. Кла~,сификационные параметры,
h21э;'fh215,ИК.Эmах· ., ., ,
·"
,,
" Наименование
• Обозначеиие
Обратный ток коллектора, мкА 1· ·
. /к.во
Обратный ТОК · эмиттера,· мкА· . ••
·/ ·:-.-, f::~во
Значения
.:МИНИ· /макс.И·
мал~-:;- ,. f\!Ц;~ь,-
ное
ное
,1
1
20
J 1,15
!?~ jКИМЫ ·:из_ ~е;J>еКИ . ., : .. .
.~ ',в,.,~Э•,м~1 ti ,кr~ ,

.
~;н.1.ч.ениSJ
{:g,жим~1 .измер_еяш1
,
',
+Э· мА,. /,
Наименоi~ание ' ..
Обозначение мини-
1
~а-кси- Ик,
МаЛЬ· маль-
кf'а
'-· .
вое
ное
,,
.
Статический коэффициент .uереда 0
чи то1(а в схеме с ОЭ;
...
·-·
h2l S
ГТ122А, П\225.
--
15
45
б
1
1
П122В
-.
-·
.,,
,_
-·
30
60
5
1
1
1 т122r
,_
. ,....
40
100
5
1
1
-
......
--
.
- ..•
---
-
.
-· ----~.
-....~ -··--·
•· ··
..
'
Предеjl~.н.ал ·чi!C;ti).t}I .: кqэффйц·иеil '
та itер~дачи , ;rока , . м.rщ .
-
fh21a
Пl22А, П\225
1
Б
1
ГТ!22В; гт122r
2
5
1
'
.,
Сопротивление базы, Ом
rб
200
Б
1
500
'
..
...
,.
,.. ., ., ·-·
Максимально допустимые параметры
Икэ max - постоянное напряже-
ние
коллектор - эмиттер
(Rв =0 и Тс=.-60
+40° С), В:
П122А
35
ГТ122Б-П\22Г ;
20
при Те> +40° С
10
Ию; ,n.,x - п ·остоянное напряже
ние коллеkго1; - - база
!'
1'.
'\
П122А...
35
П122Б - ГТ\22Г
20
при Тс>+40°С
10
f К m ах - ПОСТОЯННЫЙ ТО!< KOJIJI'eK•
тора, мА
[0
::J' /к, и max - импульсный ТОК КОЛ·
лектора в режиме переклю
чени~, мА
при Тс=-60 ... +70°С
150
р1)
• 1( max - постоянная
рассеивае-
мая мощность колле1<·1ора,
мВт
при Тс=~бО ... +55° С. 150
Т п m ах - температура перехода,
0
С
85
R,, п-с - тепловое сопротивление
п_ереход - окружающая сре-
да, 0 С/мВт .
0,2
Допустимая температура 01<ру
жающей среды, 0 С .. ,
-60
.,.+70

0.4
а.з
о,z
а,1
~/
а
1
а
J
//
/I
J/
/
п,1 a,z
hzrэ
1,5
1,4
1,3
1,Z
1,1
1,0
G,9
0,8
111111111 1111 1111111111 \
17
•
18
l9
Iк,мА
----
v.
r
1,.,---'
-----
/
16
r
-
-
-
-
1,...-
--
/ Икэ=IВ
/-
IZ
1., .. .--
/'-
в
r
....
r
,r
4
1.:IIБ
О
ц
8
IZ
16 Uк3,б
ГТ1 ZZ А, ГТI ZZБ -IБ =О,05нА
. ГТIZZB,ГТ1ZZГ-I6=0,0ZнA •
1
Икэ=5В -
V ---
/
1/"'
I\'
I
'
J
',-l
/
оz45810IZ1416lэ,МА
• ПI 24Л., ГТI 245, ГТI 248, ГТ124 ~
Общие саедения. Германиевые сплавные р-п-р-транзисторы предназначены
для усиления и пере1<люqения электрических сигналов в диапазоне 11астот до
5 МГц.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис, Пl .2, а),
Масса транзистора не · боJ1ее 0,5 г.
Условия э1<сплуа т ац1щ - в соответствии с табл. П2.1.
Электр11ческие парам~:тры. Классификационные параметры~ •
~21:J' ИКБ max.• ИЭБ шах.•
'
5t

ЗJ:iачения - •
Н~именование
Обозначение
t
,~
c!J ·
(Q
..·,о:
:а
Обратный ·rок коллектора, мкА . 1 1 кво
Обратный ток эмиттера, мкА • \ 1эво
1..•'~•
"
··: ,
Напряжение насыщения коллек- И КЭ нао
rор-;эм_иттер, В
;
'
Пред~льная ·частота коэффициен-
та пе. редачи тока в схеме, с ОБ,
МГц •
fhщ5
1
:
Статиче<:кий коэффициент переда-
4И тока в схеме··с ОЭ:
h2(э
ГТJ24А .
,..
ГТ124Б 1
П124В -
-..
,..
ГТ124(
при Те= +60° С:
ГТ124А !
•
ГТ124Б i ,
1
;с
ПJ24B i с:
ГТ124Г ; ,'
'
,,,
при Т:,,, ,;;,_: _60° Ci '
'\
1
ГТ124А: ' •
•'
\'}:·
·':
ГТ124Б 1
Гl':J24B ·-
ГТ124Г J
i
1·
,.
Максимал~но допустимые nара:метры
1
.
,, .~
1•1·'
,
::
fк; n ma·x _;_ИМПУЛЬСНЫЙ . ТОК КОЛ·
'
лектора, ·- мА .
-.
.•
.
.1
•
f00
И эв max - постоянное напряже-
ние э~иттер - база, В
.
.
10
U кв max !... ,-:-1 пqстоянное напряже-
~ие К:ОЛ-'\еl{тор - база, В
.
,
25
])
.
.
Рк max --, пос11оянщн1
рассеивае_-
-
52
мая , мощ1юсть коллектора,
мВт
.""
5~
"',О
~
сЪ
;j~ "'"
~
>Et
в :::,
:::,
15
15
15
5
0,5
о
100
1
5
1
1
..
28
56 О,б
100
4б
90 0,5
100
71
162 0,5
юо
120 200 , О,б
,~
28 110· .
0,5
1
100
45 180 0,5
100
71
320 0,5
100
1,20 400 О,5
1/)0
20
56 0,5
l00
.35
90 0.,5
100
55 162 0,5
100
80· 200 '·' о•,5·
1()0·
',•,•
.
'.
75
Rт, п-с ~ тепловое сопротивление
переход - окружающая ере:
.·
да,0С/мВт • •. •
,
•
,
.
0,8
'Допустимая • температура окру-
i!{а1ощей среды, 0 С , , • -25
_+60
1

j111 ~ jlll lj 111111111/11 ! ij lt Ilj 1!1ij111ljl111
19
20
21
22
23
ГТ125А, ГТ!25Б, ·
ГТ125Д, ГТ125Е,
ГТ125К, ГТ\25Л
ГТ\25В,
ГТ125Ж,
ГТ125Г,
ГТI2~ИI,
Общие сведения. Германиевые сплавные р-п-р-транзисторы прели:~зн:~че
ны для работы в импульсных и других схемах.
Корпус металлический, герметичный (рис. · П 1.1, а) .. ~<!~с~ fP<!;HNlCio~a ..,
1н"е ,
более 2 r.
,
•
•
•
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.1.
Электрические параметры. Классификационные параметры~
';,.1
Пакменовение
Обратный ток коJIJIt:ктора,
мкА:
ГТ125А-ГТ125Л
ГТI25А-ГТ125Ж
ГТ 125И-ГТ 125Л
Обр~тный ток эмиттера, мкА
Коэффициен1 передачи тока в
реж11ме малого сигнала в схе
ме.с, ОЭ (f=1 кГц)
ГР25А
П125Б
ГТ125В
ПI25Г
Ст~тический коэффициент пе
реда'lи тока в схеме с ОЭ:
ГТ125Д, ГП25И
ГТ125Е, ГТ125К
ГТ125Ж, ГТ125Л
Напряжение насыщения
лектор - эмиттер, В
кол-I
Граничное напря~е~и~ транзи-
стара, В:
ПI25А-ГТ\25В, гт1 ·25д:
; Г1125Е,~ ГТ125И, ГТ125К •
П125Г, ПI25Ж,ГТ\25Л
Предельная частота коэффиuи-
ента передачи тока в схеме с
ОБ, МГц
Обозначение
1кв6 .
1 эво
h21З
. Ики нас
'
'Ul(ЭOvp
''"
fh21ri ·
1 Знаqения
28
45
!71
t20
28
f5
71
1;,
20
15
1
15
;,=
и"'
,. ,:
..~
:2'"
15
50
50
56
90
140
200
56
90
140
!
'·•
'
•'
Режимы измерения
''
::Q
~:::,
15
35
70
s
5
5
5
0,5
0,5
0,5
::Q
&:::,
•·.' '.
'
;
!
,
5-!
,
~'
,~;
jJ :;;
..
\''
·,
100 .,
100
100
..
,,
'
'
1'СА
• .,_: ..,,'
,,
>
,.
ioo ;
·'•; ·,
'НЮ'' ',. ,
-:}r·
"
! :J.
5

Манс·кмально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окру•
>1,ающеi1 · сред.ы,. .Т,;,=>25'' С.
/ J(, ., : max-;- - - - - .\1мпульtный · ТО!( кол
лектора, А •
Pi( ·.;.~, :-постоянн ая.. , рас сеи вае-
мая мощность колле1пора,
мВт
прIJ / 11 ~!0 _ мкс и Q:;;,,2
.
0,3
И 3'5 шах - постоянное напряже-
при Тс~35°С .
150
1 111е -эми1·тер
-
база, В .
20
Ию, тах - постоянное напряже
IIIIе I,олJ1ектор - база, В:
R,. u-c
-
тепловое сопротивление
переход - окружающая сре-
да, 0 С/мВт
•
.
. 0,33
ГТ125А - П125Ж
35
ПI2.SИ - П12.SЛ
70
Допустимая температура окру
J1,ающе11 среды, 0 С ...
-60
.,.+70
Диапазон сред1!их цастот
П29, П29А, ПЗО
Общие спедения. Германиевые сп.hа1Зные р-п-р-транзисторы предназ!jа 'i.е:пы
для работы в схемах усиления и переключения.
•
J<орпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. Пl\ б).
Мгсц1 тра11.з11с.тора не более 2 .г ...
Условия эксплуата I1н,1 - в соответствии с табл. П2.2 .
Зле1причес1ше параметры. Классификаци онные п араметры:
Ilаимс1101н11111е
Обратныr1
м1,А
ТО!< KOJ\JIC l<ТOp il ,
Обрат1Jь: i:r
Mi<A
Напряже11 J1 е
l(UЛ.IICI,TOp -
П29
П29А
·пзо
f-1 апряже111'е
тоI< эмиттера,
насt,1шен11я
эм,пIер, В;
насышення ба -
ЗJ - эмнтт~р, , 13;
П29
П29А
пзо
;
;
11 21Э; lh21G·
З 11пчс1111 1 1
Режимы 11змеренн~ 1
U(.011-1a-
с:,
с:,
'кво
4
1l12I111
-·
Икэ ""с
0,2
202
0,2
201
0,2
20 0,5
ИБЭ пас
0,5
20 :2
0,4
201
0,35
20 0,5
;:!
L
... ::

Знаqення
Режимы измерения
Обозна-
~
"
Наименование
<t;
о
•<Э
<%1
:ц
<t;
:а
-,;
1.1е ние-
."'
., .,
:а
'"
::1
".а
u"
r.a
=s:
"'s:
~ ii)
-- -~
"'
,: "'
"'"'
~
":,;
~:;
:::i
:::i
.. ..
.,:
Напряжение
насыщения
келлектор - эмиттер В ИН·
версном
включении
при
Икэ нас,
Каао-оо, мВ
0,5
о 0.5
инв
Статический коэффициент h21э
1
передачи тока в схеме с ОЭ,
П29
20
50 0,5
20
П29А
40 100 0,5
20
ПЗО
80
180, 0 ,5
20
при Тс=+6О 0 С1
П29
20
100 0,5
20
П29А
40 200 0,5
20
: '·,
i.'
пзо
80 360 0,5
20
1
при r.=-во·с,,
П29
7
5{) 0,5
20
П29А
13 100 0,5
20
..
'
ПЗG
26
180 0,5
20
"
Статический кеэффициент
передачи тока в инверсном
вклюqении
h21э, инв 14
28
5
1 270
Стати,1еская крутизна пря-
мой передачи в инверсно м
включении, мА/В
У21э, инв
35
5
1 270
Предельная частота коэф-
фициента переда'IИ тока,
МГц:
fh21 б
П29, П29А
5
6
1
ПЗО
10
6
1
Предельная частота коэф-
фициента передачи тока в
инверсном включении, МГц fh21б, инв 3
5
1
Емкость коллекторного пе-
Сн
,,
о
рехода, пФ
20
6
. ...
.
-
.
Постоянная времени цепи
обратно й связи на высокой
частоте , пс
't"н
'6
6
1"о
. ...
~
t!)
__.,_____ _.., - ·
-
55
L___

-
Максимально д..опустимые параметры, Гарантируются при температуре окру•.
Ж_ЗЮUfеЙ _ средь~ Тс=~бо... +60° С:
/.к n maxUэ n max) -ток ._ коллек-
т9ра . (эмиттера) в • режиме
переключения, мА_ . - .
.
.
.
100
Напряжение в режиме переклю-
' ч ения:
U КБ n max - коллектор
-
база,
В .... •·
.
.
.
.
12
Иэвпmax ~эмит1ер - база, В 12
Икь n max - колле_ктор
-
ЭМИТ•
тер Uв =0), В"
15,МА
-и,4
i'.1 !!
i'
!, 1J
-,
0,3
,
,,
/,
I/
;
/Jl
Инэ= О
1В
O,Z
iI
J/
·,
/
1j/
//
./,,
0,1
/, /·I
,
1/
'
J7
,1/'/
.L
~,,
/~[/
о
0,1
o,z
1Б
12
8
4
и
при r.=20°C · ,
•,
,
приТо=б0°С,,,,
,
•
10
6
Рк max - постоянная рассеивае
мая мощность на коллекторе,
мВт ......... ; 30
Тп m ах - температура перехода,
0С
.
.
.
.
.
.
...
75
Допустимая температура окру-
жающей среды, 0 С
-60
...
_+60
//"
/ _,,,/ V
1/V
--
1/"" j ......
... ... .
·,
)/
--
1,..,,,-''"'
,,_-
~
,
V
,,,,
,....
1-----"
...
[...., ,-
~
--
~...... --
..
,__
, jJI
1Б
2
4
8
70 Uнэ, В
ПZЭ-АI 6 =0,075мА; ПZВА ::AI 6=0,0Z5мA
ПЗО-,:JJб = О,ОZнА
111\111\\1111\1111\1111\ . КТ104А, КТ104Б, КТ1048, KT104l'
17
18
19
• Общие сведения. Кремниевые
ш1анарно - эшiтаксиальные р-п-р-транзисто
ры предназначены для работы- в _схемах радиовещательных приемников и в дРУ·
rой аппаратуре. ,
•
; Корпус металличеекий, герметичный, с гибкими выводами (рис. Пl.8). Мас-
са транзистора не более 0,5 .r. •
•
,
,
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.
Электрк•1еские параьiетры. Классификационные параметрщ
h21э, Икэ шах•
56

,, ,,:
"
Значения
Режимы ) и~~е.n~):щя ~
Обозна-
"'
"'
Наименование
о
':k~ щ
,е:
,е:
·
1
чение
•а:
щ,_
:,; .
· :t'
"'"'
u.,,
а:<:
"'<:
~
-
() ' ;:;:;
и•roro
'iЬ ё-,
:, :s
:::,
:::, :·
.-.
)'-:-- i"
:
м.кА;
iкво
Обратный ток коллектора,
•.
1'•
КТ104А, КТ104Г
130
КТ104Б, КТ104В
115
'•
при т.= + 100°с,
;
КТ104А, КТ104Г
15 20
КТ104Б, КТ104В
··15 ro
.
·.
при т.=-60° с,
·,,..
,..
..
КТ104А, КТ104Г
130
'·
.,
КТ104Б, KTJ04B
!15
'
\_:
]а~
Обратный ток эмиттера, мкА
1 эБО
]
10
Те=+ 100° С
'10
,.
51
nри
'
.,\
при т. =-60° с
!
;>1
;10
!
1;
•'
Граничное напряжение транзисто-
ра (Тс=-60... +100°С), в,
Икэоrр ,
КТ104А, КТ104Г
30
5
КТ:JО4Б, КТ104В
!15
10
!
-
Напряжение насыщения коллек-
'
1
тор - эмиттер, В ,
1
Икэ нзс
.,
КТ104А
'
0,5
102
КТ104Б, КТ104В, КТJО4Г
'
0,5 •
!О, \I
'
Напряжение насыщения база
'
..'
'•
-
'
;.
'. -.. ...
-~
эмиттер, В:
Ивэ нас •.
.'J
\!
1
,1
'· .~'
КТ104А
КТ104Т
1
102
КТ104Б, КТ104В,
1
101
•'
Входное сопротивление транэисто•
ра в режиме малого сигнала, Ом:-
hнб
КТ104А, КТJО4Г
120
30.
,., .- ,,-t,,, 1
КТ104Б, KTJ04B
120
15
.:
.:; 1
•·
·'·\' ,·
'
. .-~
..
..
''
-.
~,-.',
'!!
Коэффициент передачи тоиа в ре-
:
'
1
жиме малого сигнала в схеме с
,,
ОЭ:
h21э
• КТ104А
9 '36! 5·
,.· ·
:
..
_;
1
КТ104Б
20805
,.
.,
1
КТ104В
4.0 160 5
'·1
КТJО4Г
1'5 60 5' 1·,
1.
1
Тс= +J00° С:-
I•
:,_
;
.
при
..
-
КТ104А
980•5
1
КТ104Б
..
20240р
,.
1
KTJ04B
303805
.,
1
КТ104Г
15 180 j3
1
57

.
---
,
Значения
Режимы измерения
Обозна-
"'
.,
Наиме. нооа.ние
о
,О
:1)
cQ
<(
<(
1
чение
' а: "'"'
:,;
:!!
:,: ..
<J"
~ ci)
:,; с: "с:
~
"'
n
:,: .,
., .,
""
""
==>
::)
при Тс=-60° С:
365
t
КТ104А
6
КТ104Б
12805
[
КТ104В
251605
l
КТ104Г
10605
1
Предельная частота коэффициен-
та передачи тока, МГц
• fh21б
5
5
'[
Емкость коллерорноrо пе.рехода
(при f=465 кТ1~); пФ
Си
505
Емкость эмиттерного перехода
(при f=465 кГц), пФ
сэ
10
0,5
Постоянная
:
обрат-
вреt,,ени цепи
ной СВЯЗИ на., ,. высокой частоте
(при f=З NiГu), нс
Тн
3
5
[
Максимально допустимые параметры, Гаранти р уются при :rем п ературе окру•
ж2 юшей. среды Т с~ -60... + 75° С.
/~)тех - ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛ·
лектора, мА . .
50
1)
""".
Ик 6 rnax . ~ · постоянное напря-
жение коллектор - - база, В:
КТ104А, КТ104Г . . .
30
КТ104Б, КТ104В . . .
15
И k~ max - постоянное
напря-
жение
коллектор - эмиттер
(при запирающем напряже
нии VЭБ =0,5В ИJIИ при
R6 ,::;;!О кОм), В:
КТ 1 04А, КТ104Г .
30
КТ!04Б, КТ!04В .
15
И1~ ma,.
-
постоянное на:пряже•
ние эмиттер - ба.за, В , ..
.
lО
Pf/ max - постоянная
рассеивае-
мая мо щ ност ь колл~ктора,
мВт .... •.
....
..
150
Rт, о-с - тепловое .сопР,о r ивпе.ние
переход - окружающая сре-
да,0С/мВт.......0,4
Допустимая тем п ература окру
жающей среды, 0 С · ...
-6'0 ..- .
+1СО
L> При повышении температуры от 75° до 10U 0 С ток коллектора уменьшается
полинейномузаконудоЗОмА, ИкБmахи Икэшах - до20Вдля КТ104А, КТ104Г
и до 10 В для КТ104Б, КТ104В; Иэв max уменьшается до 5 В для всех rрупп.
2 \В диапазоне температур - 60 .. . + 60° С. При · повышении темпе р ;, 1·ур ы 110
+ 100° С мощность уменьшается до 50 мВт в соответств и и с формулой Р~ шн
[мВт] = (120-Т c)I0,4,
58

1,0
0,8
0,6
V,4
o,z
о
г
НА
>-
0,2
>-
>-!"
L..-
0,4
D,18
D, 7 0,16
D,14
0,6 0,IZ
0,10
D,5 EJ,08
0,4 !:
D,06
0,04
''
0,02
0,3
о
'
.
J
I
/
,'и:о
/кэ
,
J
J
I
/
J
/
/
--
- -1,'
1
1
/
7
-/
58
7О t----t--;; ,,<-t --71" --t ---t ------t
60 h4-71"'"-t--!-,:;;;гl--+--
0,6
0,8 Иьэ, В
КП04А -ЛIБ= 1,5мА
HT104Б,l<T1D4Г-ЛI 5=0,f/ мА
'КТ104В ~ЛТ' 'd,°[Ц}iА • • • ,( .)'
'·.
.
Бi•,,, ..,,•. ,.
С•8 1
1
1
L.-.-
1
_. -,-
D t,::""
i
и·.
;
.
ЪЭ HQC
.
,
-
,,.,
i....., -- r
. ,,,
~~ д.~.~ КТ1U4А , Кt104 Г
,,,, ·~
~-
1
.,,1/
_,,,"
... ...
1~/
v'
./., ,
1 ,1,
/_
.
~
,,,
1/
\..-
~ .;r
,
L,·
/
-
-
~1'V·,
;;
Uкэ нас
для NТJ04А,КТ104Г
/~
С,,
/
l7 ,"
/
)'
j
V"
/
1,'
/
./ 1/F-- ...
/
,
1
1/
771
--. ._
у
1,,
)'/
'/. ,..с. ::::----
11
·~'
,/~
~r
,
,' I./Г/
~1:,;
lf~э нас •
для ХТ1Очб,l!Т1Сч8
1,'
и,
i... ,,
,,
I/
.,
,/.;1,
..,
,,,,,
/
~·
-
. ,.r,i1
.,, ,,,.
,,
/,!
-~
,,,, .
/~.,,,.
,,,
Rн=2 -
,1,-
,,,,.
1'
,,,
10
15
59

11p1111i111111111111111111111,111111 -
20
.
21
'22
~3
• КТ201А,
КТ201Б, КТ201В, КТ201Г,
1\Т201Д
Обаμие сведения : Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п транзисто,_
ры предназначены для использования в усилительных схемах.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. 111.9), Mdc-,
са транзистора не более 0,6 г ;
•
. Условия
эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.
' Эле ктрические параметры. Классификационные параметры:
• (' :Наименование
'!
Обратный ток коллекто-
ра, ,r мкА:
КТ201А, КТ201Б
КТ2_01В _
-
КТ201Д
npii° Т~ = ,+ 125~ С:
,
. кт201л,
:ю2оtв"• '
', ,КТ201В - К:Т201Д ·
Обраti1ый ток эмиттера,
мкА: •
·:· КТ201А, КТ201Б •
' КТ201В - КТ201Д
h21э, Кш , Икэ та,с
Обозна
чение
• 1k)во •
.... .
i:
.,
Значения
макси-- .
мальное
1
1
10
10
3.
3
1\:01эффициент обратной
связи по напряженщо . _ в
Р~:~'!м'~ ма~1ргЬ сиrндла _
. ,,h~J(i_
3'-I0-8
Модуль коэффициента
передачи· тqка на высо
ко;f ,~астоте l
С-чатиqеский I коэффици,
ент передачи тока в схе
месОЭ,; •
•
!l(T20IA
61)
КТ201Б)
КТ201В.
КТ2р!Д
КТ20IГ '
! пр~ Тс=+125°С:
I020IA 1
•
1П20 IБ,:
КТ20 Щ
J<Т201д:
КТ201Г i
:
:, Пр!~ Тс=-6О0 С ,
1(T201A t •.
'
'
КТ2й\J>,; • . .
КТ20 !В;
KT2()J Г
·,
·.,
кт2r,1д · ·
20
30
iO
20
30
70
8
16
20
10
;
60
90
210
100
150
315
60
90
210
90
"
cQ
:;;:
~
-
20
10
20
10
5.
5
1'
1
1
1
1
1
1
1
i
1
Режимы измерения
cQ
(rJ
~
-
20
10
<:я
:.:
-
-
.,5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
<
а
:я
~
(<')
"
-
...:
10'104
,,
_,

Знач.ею1я
~~~Ж!f.МЬt 11ЗМ.ерен.~w ·::~·~- )-Т
Наименование
Выходная проводимость
в режиме малого сигна
ла при х.х., мкСм
Коэффициент шума, дБ 1
КТ201д. . ,
.
'
.•
Емкость колJiекторноrо J
перехода; пФ
.
'
Jбовна,
qениr
• h22б
Кш1
С11 1
.',, .
ма1-<.си-
,;,
gj
мально,
"
-
2
115
1
120
1
~;
.,,.:'''"!11
са
Щ.
<,
Е.
;:;;
:,;· •
::::
&
:t
~-
с.\'·,
.
::, ,
::,
-
·-·
.:
5
1
1
1
0,2
1
5
1
1
,.
/.
1
10'
;
'' Длi,
приборов, к&11орв1м присвоен vесуцаротвеявыn Энnн ка,чевт~щ. 'KRO~ .0 ,!i мi<j\
i,;
;, ,"iit:-r1;_i
Ма~rсимально допуt;_тимые параметры. ГаранпJруют<tя ори тем11ературечжру"
жающей среды Тс='-60.. ,+125°С,
'i:''.
1кi mnx - постоянный ток · коллек;
тора,мА;,,
.
,..
20
/К, и max - ИМПУJJЬСНЫЙ _ ТОК КОЛ• •
лектора, мА
,
ори t.~ 100 мкс и Q~10
100
U КБ м~:о - постоянное напряже-
ние коллектор - база, В:
КТ20IА, КТ201Б . . . .
,· 20
КТ20Щ КТ201f, КТ201Д .. 10
U кэ н. max - постоянное напря-
жение коллектор - эмиттер
(Rь ~2 1<Ом}. В:
КТ201А, КТ201Б ... .• . , , 20
КТ20IВ, КТ20IГ, КТ20IД. 10 ·
Иэв тих - оостьяkн9~ ' , r1aпdяli(~_- ·,:'
.
ние эмиттер..:.:(\аза,· : в: . i ,''.· ;:.
КТ201А, КТ201!i> :\, . : ; ~i ~. /,20
КТ20IВ, КТ201Г, КТ20Jд; • ' 10
р2)
.
•
к mJx -: пос1.9.Я\'J, 1:Н,1 .Я, ,,, р,111;:сеи . в,ае:, •:- .,
,
ма'я моuiность коллектора, мВт ,\:-,
.
при Tc=-6Q·· · ,,;• :. +90'\ _C,1i ,so
i при rc:::+12s~ . c. ;
.·: , t;\;1 :60
.
Т.~ max _;
_темлера : rу ра
ос . ..i:•-·,; .,. :•;:
перехода,
•1 _i' '• i· -~~i-! 1_i ~~J_~9-
1) Для приборов. КО1'орым лрисв0ен: Г@· IБэ,НА
,.,,
·1
·
'f.1,~~--:
сударственнь1й Знак качества, максимально :·· '' o --. . . . . . . . .- - J '- -
Uкэ;О
_
58
допустимый постоянный ток коллекjора
•
·J
lкmax~~0 мА" При эrGiм значение статиче- ; U,4
••,.
'•,·I,•••
ского коэффициента передачи тока в схеме 1
'~••
';-/'•••
·,•
с ОЭ не нормируется.
1·..
2) При повыu.i 21Iии температуры от 90 i [) З
••
1'·
до I25°С допустимая мощность уменьшается '
/·•
линейно,
•
•
:о,z1--+~1--+--1...:
''J-J:._
' -1:....:......t.:.:.:....J.
·,J
!',
0,1
,/.
/
0,2
0,4 O,f
,
0,8 ·~
v;~~ ,:и ·
61

-·
-
- ---
·---• -•-
-
нА
~
'
за
/'
~--
zo
~
-
,., ~
--
10
~-
ЛI6
r
а
4
8
1Z.
16 Uкэ,в
!
1,8
1,6
1,4
1,Z
1,0
а,в
0,6
hz1 з
V
при Iк= 5мА
/
/;'
/
/
/~,
L--
/
~-
/ ~,,,,,,,.
11/"
---
--
-
J.-
-
-
[....- '
,
/2
1
Uкэ= tB -
'!
/
1
К TZOI А, IПZ01 б, l<TZUIB, l<TZU1Д - дIБ = 0,1 нА
ктzаt г~ ЛI 6 =о,а5нk
z468.1а121416Iн,мд
К:Т202А, КТ202Б, КТ202В, кт202r,
КТ202д
Общие сведения. Кремниевые . эпитаксиалыю-планарные р -п - р- т р а нзисто•
ры предна 0.на •Iены для рабоп,, в импульсны х и других г ибри д ных схемах с об•
щей герметизацией.
•
Оформление бескорпусное (рис. П 1. 10). Масса транзистора не более 0,012 r,
Ус1ю1н1я экспJiуа тации - в соответствии с табл. П2 .3.
ЭлектриL1еск11е параметры. Клас с ифи1< ационные параметры:
li,i,, ' ИКЭтах·
Знi:1 ченш1
Реж и мы и ~мерения
Обоз11а ·
1:1
.iJ
Наимено панне
1:1
(Д
:!)
-,;
-,;
"'
=t
че11ие
'"'
"'
"
:е ':s
"'
"'JJ
о
"JJ
~
"
"'о;
t::
,: о;
(1) ~
:s::;;;
~
., "'
"'
..:
~:;
~:;.
:::,
:::,
-
-
-
""'
Обратный
коллекто- 1 кБо
Е
ток
"'
ра, мкА
0,002
1
:,.::
~
Обратный ток эмиттера,
мкА
1эво 0,001
1
10
1
Грани'lное напряжение
и'>
транзистора, В:
кэо r,p
КТ202А,
КТ202Б.
15
5
КТ202д
КТ202В, КТ202Г
за
2,5
62

Обозна•
НаименоIЗанис
Напряжение насыщения!
-коллектор - эмиттер, В Икэ нас
Напояжение насыщения/
база - эмиттер, В
ИБЭ нас
Входное сопротивление
транзистора в режиме
малого сигнала, Ом
Коэффициент п·ередачи
тока в режиме малого
сигнала в схеме с ОЭ :
КТ202А ,
КТ202В,
КТ202Б, КТ202Г
f111 б
l121a
32 •38. 100
1540705
1
1
40801605
1
1
КТ202Д
100 160 300 5
1
1
.
'
-
Граничная частота J{O-
эффициента передачи то ·
ка в. схеме с ОЭ, МГц
fгр
5''
'
'.5,
1.
''
'
'·
lpac
Емкость эмиттерного'
перехода, пФ
•
Емкость 1юллекгорного)
перехода, пФ
•
МаксимаJ1ьно допустимые параметры. Гарантируются при температуре 01<ру
жающей среды Тс =-60 ...85° С.
1 к max - ПОСТОЯННЫЙ ТО!< 1,оллек
тора,мА........10
lк, и max - ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ ·
лектора, мА
при lи,;;;;10 мкс и Q;;,,10 .. 25
Ul}
ЭБ шах - постоянное напряже-
ние эмиттер - база, В
.
.
.
10
Vkk шах - постоянное напряже-
ние коллектор - эмиттер; В:
КТ202А, КТ202Б, КТ202Д . . 15
КТ202В,КТ202Г.....30
Иk)в, и шах - импульсное напря
жение коллектор - база, В:
КТ202А, КТ202Б, КТ202Д .
,
J5
КТ202В, КТ202Г • • ,
•,
30
Р 2 ) - постоянная
,
К max
мая моliщость
мВт ...
_
..
рассеивае-
1<оллектора,
.
.
.
.
.
15
'Ри шах - импульсна_ я рассеИ)зае
мая мощность тра1iзистора
Uи,;;;;10 м кс, tФ,;;;;0,1 мкс,
Q;;,,1О п Тс=+25±10°С,
мВт..:
.
.
.
.
25
Tn шах-температура
ос
....
перехо)!.а,
.
.
.. +125
Допустимая температура окру
жающей среды, ,0·с ·,.,
-60 ,,.
_+85
•63

16 ,нкА
1аа
БОU
5аа·
1
lfк•U
r
~-:.
54
J
/
1
·} ) ~ д11апааоне - wемпера:,ур ·~во...
+5IS а. При 80ВЬ1Шеник ТеЩJ,р11тур81
д19 so•c Uкэо ·r,p• Uкэ m•x•· Uэв ~••.
Ui<'~ \1)8Х уменьmаютс•
П\t . пинейномr
закону на 1,s · в при п6выwении тeм-
nef811JPlil на 10-С.
.
.
•~·0 0
зоа ,
200
100
о
v-
,,
a,z
i.....: .....
.,
./
0,4
_J......
J
/
/
JJ
1'.,,.,'
О,Б
1
•
)
/
, ·:_ __ _....;,
.
•,
.•)
~ диапм~не t'\if,{Пe ра1ур . ТO -
.
"' !". :-60 ... + 55 С. ПР,.!{ пов~шениа
температуры до + ss·c
. "10ЩЩ)С'А
fl\leньшae\liCJI линеАн~, ДО 10 ьiB.ii.
'
,',·
'
.
.
.
hzfl
1zo1-
. .....t--.....-+--.....-+-~.....+-
zsoi--:!.=;3.....1--+---1 ~-1-. . ;. . _ :i~. . . i.;;. -- 1
Z'Н/l---+--,μ1~-+-----1-- Ul(a•ZI
ld,
-
~
.:..
ю.Г"":""-r-...,._F=!=~~~~~а
1
о..\lf:8
rz 1 15 t1к5;В Di
HTZ()2A,D-~[5 ==tS(?мнA; ~TZOZ!i,Гt
-Дllf==·50м1A; КТ204Д,Мр j==<25мкД , .
.!
.
'
-
!
! •..'
i1Jlliljllll/\111jllll ll l\1Pll i j liil,.·
ЮГ20ЗА. ! КТ2035, КТ2038
•
lti
U•
23'
J_
'
•
i••
!.i
0-бщи~ с~вед~ния. Кремниrвь!'е эпитакс~ально-планарньrе р-п-р - транзисто•
ры предназначены . для ' работы в схемах • -ус11ления . и - генерирования ~rол.ебанш't ·
в диапазоне до 5 • МГц, в· стабилизаторах юшряж~ния,' в · схем·ах перек;iючения
• • дру rиJ ,, с,х,е.щ1 х.
..,
,,,,·.,.,
...
.••
•
•
•
Корпус м:щалличес!(ИЦ, rермети_i~fiый, с rибкимн выводами (рис. п1 .111 .
Масса трliнзнсто'iiа не более 0,5 r. / , ,:
::.•
.,.
.
.
Условия эксплуатациq г- в ,соqт,~етствии с табл; П2.2 .
Элек ,:р 1р1еск11е· параметры, Клас'сификациощ1ые параметры:~ -
64.

Значения
. . Режимы
из мере ни я-
-
ОбозНа·
.,
Наименование
"
'"
,,:
,,:
о
,о
щ
щ
:,:
"
ченне
'о: :s: :s:
:,:
~
"'. Q
".,,
i: :m
"'
о:" "'"
~ _rrS
..
:s:.,
"'"'
:,: "
":,:
::,
::,
-
.
·-
·-
Обр_ащый ток коЛ:ле~:~;ора, мкА,
1 кБо
•,1
.
КТ203А
0,005 1 60
·'
КТ203Б
0,015 1 30
КТ203В
115
при Тс=+125°С:
КТ203А
0,02 15
,. 30
КТ203Б
0,05 15 15
КТ203В
:•
:.'
.
..
1· ·•
••
15 1().
при Тс=-60°С,
0;001
КТ203А
160
KT203q
0,008 1. -
30
КТ203В
115
'
. ·,·
Обратный ТОК: эмнттера, мкА,
l·эБо
м'.
•.
·'
((Т203А
1
КТ203Б-
1
15
КТ2~3В
1
10
'
;
'
'
Напряжение насыщения колlriек- '
'
,·1
·,1
.,\ :\··
,,
··!i;•','.
•i
тор - эмиттер, (/в= ; 4 м)}.), в;~
/Икэ ~а~ 1:
КТ203Б
1
20
КТ203В
0,5
20
:
'
·.: ·,
Входн.ое сопротивление транзис- . .
!
.
'.
'
,·
.,
тора в режиме малого сигнала,
Ом:
'
/~нб
'
КТ203А
'
;300 50
1.. ..1.
КТ203Б
:
;300 30
1.
•. ,i
КТ203В
i300 15
1.1
Коэффициент передачи тока в ре-
жиме малого сиrн :ала в схеме
с ОЭ:
h21э
КТ203А
9
5
11
КТ203Б
301505
1.
'1'
КТ203В
·-
302005
11·
при Те=+ 125° С:
K'f203A
9
5
11
КТ203Б
30 ;230 5
11
КТ203В
30 :400 5
1•'1
при Тс=-60° С;
КТ203А
7
5
11
КТ203Б
101505
11
КТ203В
152005
1,.1
_ ~льная частота коэффициен- j
-·~а передачи тока, МГц
'
Емкость коллекторного. перехода,
'
пФ
Cr:
10 5·
101
,
.
'
3 Зак, 503
65

Максимально допустимые параметр~.~ ! Гарантируются при температуре окру.
жающей среды Тс=-60... +125°С,
/к ma:r - постоянный ток коллек
тора,мА...
,
.
.
•
.
10
lк, в ma:r - импульснь1й ток КОЛ·
лектора (t.=10 мкс, Q~
~ 10), мА
.
.
..
.
.
50
. lэ,
и ер - среднее знаqение то-
ка эмиттера в импуJ1ьсном
режиме (fи= 10 :МКС,, Q~
-
~10), мА
.•..
10
: иэв max - постоянное
напряже
ние эмиттер - ,база, В:
КТ203А
КТ20ЗБ
КТ203В
••••
....
,
•30
,
,
•
15
..
....
..
10
VЗ)
кв max - пост.оянпое
напря-
жение коллектор - 'база, В
при Tc=-60. .. +75°Ci
КПОЗА,,,
_
,
••,
,
60
КТ20ЗБ
КТ203В
•,
,
30
,
,
..
,
15
nри Тс=+125°С:
КТ203А
•••• ,
,
30
КТ20ЭБ
.... ,
•,
15
Iь,нА
'
11,
1
58-
L---'-----'- Uнэ~о '
0,8
0,61----1---1----l----1-1-....\-~----!----,-1
0,4
j
j
/
0,2 l----l- -- -+ -- --l-- -- -- --,7~--
)-+ -~
D
~7./"
D,Z
0,4
0,6
66
КТ203В
....,
,
•
10
и 2,З)
·юJ max - постоянное
нзпря•
жение коллектор - эмиттер,
в
при Тс=-60... +75° Cs
КТ203А
•,
,
,
•,
60
КТ203Б
...
.
30
1П203В
.
•,
,
,
.
15
при Тс=+125" ·С:
КТ203А
,
,
•••• 30
КТ20ЗБ
1П203В
...
Pk' max - постоянная
рассеи
ваемая моLLW1ость коллекто-
;р_а, мВт
'
15
10
·пр-и Tc=-60. .. - :t-7'5°C
150
при Tc=+l25°C ... ,
60
Т'п ma:r -- температура
перехо-
да,0С
,
•.
,
,
.
.
.
150
ДопJ,ст,им.ая темпера;r,ура окруж2ю
щейсреды,0С , !
, -бО...+125 •
1 ) Знаqение h21a не нормируется.
2 ) При отсутствии за·пирающего
смещения еопротивление в цепи базы
не должно превышать 2 кОм.
3 ) При· повышении темверату ры вы
ше 75ес энаqения Рк max• Икв max и
Икэ шах уменьшс1ются линейно.

zo
п
Iк,нА
4
з
z
-~
-
/"--
-
..
-~
--
v-
..
·
-
~-
!
11'
-~
~-
--~
i. --
"
_....
--
__,
"""""·
-
.--
-
-
:..- -
1--
-
;
_i .--
...--
.
М5 20мкА
u
1U
zo
Z5
за нкэ, в
1
..
11
ктz азв
~·
''.
Uкэ=SВ
1->- --
,.
-'
~
,
1~~
..
.__
,_. КТZОЗ_А, К.ТZQЗ б
'
i'N.
.
'
'
..... ...
r--.....
............
"""--
. .. ......
~
~i"'--
r--
~
-
~-
'
5
10
КТ206А. КТ206Б
'
'
;,,
..
,
;
',
.
;
Общие сведения. Кремниевые эпитаr,сиально -планарные п-р-n-транзисrо
ры предназначены для работы в схемах усиления и генерирования сигнаJJов 11
диапазоне до 10 МГц, в импульсных веремонтируемых гибридных схемах, мик·
ромодулях, узлах и блоках, имеющих герметичную защиту.
•
Оформление tiескорпусное ( Рис. П 1.12). Масса транзистора не б_ол.ее Q,Q(J2 r,
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.3.
Электрические параметры. Классификационные параметры,
h:!IЭ· Иэв max• Икэ maJ!i•
•
Gi

-
,
Значения
Режимы ооачения
Обозна-
8-~
<
Наименова11ие
·'°
~
<,:
"'
чение
·,:,:
:,: :,:
:,:
:,;
i..
:,:.о
().,,
:.:
~
~
'
:,:<;
"' ,:
~
,тj
:,: .,
"'.,
.
:,; :,;
:,; :,:
::,
::,
..:
Обратный ТО[{ коллекто-
• Икв max
ра, мкА
1 кво
1
То же при Тс=+85°С
10 Икв max
Обратный ТОК эмиттера,
Й.эв: mах
мкА
1эво
1
МодуJiь крэффициента
;
передачи тока на ВЫСО·
;
кой частоте
1h21в 1
1
2
\:
510
Статический коэффици-
ент передачи тока в схе-
.
месОЭ:
h21э
КТ206А
30 90
1
5
КТ206Б
70 210
1
5
, при т~=+вs~с,
;
1
'
:
KT206Ai i
30 220
1
'
5
КТ2Ь6Б: '
.70 450
1;
.'
5.!
:при Тс=-:-60°С1
КТ206А
10
90
1•
5
КТ206Б
25 210
1
5:
:
•
:
f
;
j,
Емкость . коллекторного
перехо!да, пФ •
Си
20
5
10
,
:
i
..
М~кс;и.мально допустимые параметры. Гарантируются при ·температуре окру•
жающ~й среды Т• = -,-60...+85°С.
/к max - ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛЛiК·
тора,мА..
20
/к, и max - импульсный ТОК КОЛ·
JJектора, мА •
при t",s;;; 10 мкс, Q;:;;,: 10 • , 50
• Иэв max - постоянное напряже-
ние эмиттер - база, Bi
КТ206А
20
КТ206Б
12
Икв max - постоянное
напря -
жение коллектор
база, В:
КТ206А
20
КТ206Б
,
,
•
12
68
Икэ R max - постоянное
напря-
_жение коллектор - эмиттер
(R8<3кОм),81
КТ206А
КТ206Б
12
PI)
к max - постоянная
рассеи-
ваемая мощность коллекто-
ра, . мВт
15
Тn - температура перехода, 0 С 100
••допустимая
температура окру
жающей среды, 0 С ,
,-60.. ,+85

l&,MA
1,l
1
lк,НА
16
1Z
8
о
-
Uкэ=О
1,0
0,8
U,б
~v
U,Z 0,4
111
,_,Рн=Рк тах -
\,,,,
1';
--
_ ..\,'- --
---
--
k•.....
,-
-
-
~ - ]~I_б_
i,
- ..1.
48
5В
J
_/
111
f--- ЛI 6 =0,0ZнА-
-
1-- -
-
,_
~- ::-
IZ
1 ) При ТO до +55°С. При повышении
(Гемпературы окружающей среды от 55ФС до
85°С допустимая мощность уменьшае11ся пв
линейному закону д!i 5 мВ11.
hZt3 1
1.
hz1э пpu I3 =5нА
1,Z
-
-
--
1--
V
... ...
0,8
,,r
-
/
Uнэ':=1В _ •--с-
,
)
11
о,ч
{]
4
8
IZ 16 Iэ,мА
КТ207 А, КТ207Б, КТ207В
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные р-п,-р-транзисто
ры предназначены для работы в ·схемах усиления и генерирования электрически х
колебаний, в импульсных неремонтируемых схемах, микромодулях, узлах и бло
ках, имеющих герметичную защиту. ,
Оформление бескорпусное с гибкими (рис. П 1. 13) и столбиковыми вьщодами
(рис. ПI.14). Масса транзистора не более 10 мг.
Условия эксплуатаuии - в соответствии с табл. П2.3,
Электрические параметры, Классификаuио_нные параметры_;

.
Значения
Режимы и J ме;1ения
Обозна-
"
Навменом11ие
о
l:Q
<
<
<
:f
начение
"'
::s
::s
::s
"-
J
=
о
~
"'
.
.,
§
СТ) :;;: . tд
""::s
..
::,
-
-~
Обратный ток коJ1лекто-
ра, мкА:
1 кво 11)-6 10-0 0,05 60,
КТ207А
КТ207Б
10-6 10-~
0,05 30
КТ207В
10- 6 10-~
0,05 15
Обратный ток эмит'i'ера,
мкА:
'эво
КТ207А
130
КТ207Б
115
КТ207В
110
Входное сопротивление
транзистора в режиме
малого сигнала, Ом
hщ;
300в1
1
l(оэффициент передачи
TOI{a в режиме малого
сигнала в схеме с ОЭ;
h21э
1
КТ207А
9
5010051
-КТ207Б
3i
5015051
1
КЧО7В
·-зо- 150 200 5 1
1
П~едельная частота КО·
э фициента
передачи,
5
51
тока, МГц
fh21б
Емкость коллекторно-
го перехода, пФ
Напряже11ие насыще-
.
ния коллектор - 9МИТ·
тер, В:
Икэ нис
КТ207А, КТ207В
1
101
КТ207В
0,5
101
Максимально допустимые параметры. Гарантируется при температуре окру•
жающей среды Т с =-45.. . +85° €.
/ к max - постоянный ток коллек•
тора, мА
10
1k' и max
-
импульсный ТОК
коллектора, мА
при t, .~100 мкс, Q;;;;,:5
50
··uэБ max - постоянное
напря
жение эмиттер - база, В;
КТ207А
30
J(Т207Б
16
КТ207В •
,
•
,
,
•,
,
10
70
Икв max -
постоянные напря-
жения коллектор - база и
коллентор - эмиттер, В:
IП207А
•,
60
КТ207Б
,
,
•••• 30
КТ207В
,
,
•,
15
р2)
к max - rюстоянная
рассеи-
ваемая мощность коллеr.:тора,
мВт1•• ,
•
,
••
15

3)
Ри max - импульсная рассеи-
Rт. н-н - тепловое сопропшлс-
ваемая мощность транзисто-
ра,мВт... ....50
Тп max - температура
перехода,
ние от кристалла тр'анзисто•
ра де корпуса микросхемы,
0
С/мВт......
,
.
3
Допустимая температура oi<py•
ж~щей среды, 0 С ,
.- 45,.. +85
0С
.
,
,
•
100
1• При непревышении средней максимально допустимой мощности,
21 При монтаже в микросхему Рк шах опреде.11яется по формул.е:
,
Рк max = (Т п max - Т к)l(О,7 + Rт, к-н), где Тк - температура корпуса мик
росхемы, а Rт; н-'н - тепловое сопротивление от кристалла · транэистора до
корпуса микросхемы.
•
•
•
3 1 Усредненное значение импульсной мощности с · ;учетом мощности, рассеи
ваемой на фронтах,
D,015
Q,D10
~0 05
о
hz1 э
200
160
120
1/0
I
.о
J/
/
~ _./
0,4 D,6
-
/
/-
r--
/'
,"'
-
·-
,,
1,0
----
--····
/'
Iк,нА
V
V
I
1.1
V
◄v
.-
Икэ=5в ·
. 1,5
v
--
V
1,, -" '"
_v
"
-
'
_
... ...
• r-- ...
~, ........
т---..
,- ..;.
.. ...
г- т- ......
,
-
·-
V
·"-
1-
Z,O 3,0
/
-
,,
1,0
0,5
v,
v-
/
---
v--
1-,,- -
,,-
-
_:. ..,-
1:Jf Б•
:-----
,_~
,
.
,1
1
о
5
10
15
zo
KTZ07A, l<ТZD7Б-л! 5 .=511кА
_
wf'za7 B-LII Б = 211кА
1
11
Ик-э=5В ~
. 'h--
I\
.......
~ )i<TZD7B -
1
t-- .
~-l
~..._
\ КТ207А
/КТ20~б
, ...::
-
Рк, и'mа,, ,мВт
4D
~z -\ 5\i'a\а=1do
3D
ZD
10
а
\
1
''\
1
\\
''\
!'\1\.'
"'
.._
Г'-.. ~r--.
4,0 5,0 Iэ,МА т·5 •10·4 1o·J 10·2
г--,-
,
,
';
,..
l'
:
i
,'
1
1
r,,
.
-
'

llj111111111jllllj1111jl
17
18
19
Ю208А, КТ208Б, КТ208В,
КТ2t)8Д, КТ208Е, КТ208Ж,
КТ208К, !\Т208Л, КТ208М
КТ208Г,
КТ208И, •
' Общие сведения. Кремние~ые эпитаксиально-планарные р-п-р-транэисто
ры предназначены для использования в импульсных, усилительных .и других
схемах.
-
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П!.15}. Мае•
са транзистора не более 0,7 r.
'
•
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2,2.
Электрические параметры. Классификационные параметры:
li21a• И-кэR max•
Значения
Р е лi:имы измерениfl
Ооозна-
~
.~
<~
Наименован не
~
"'
::t
чение
·=
"'
":с
Uк,В "
:,
о.
., .,,
о
u.,,
"
=,;
с
" ',;
~ tlJ
:,:ro
~""
:, :,
:, :,
-
-
Обратный ток коллектора,
мкА
1 кво
1 Икв max
Обратный
мкА
ток эмиттера,
(nри Иэ= ИЕ.в max)
1эво
1
Напряжение насыщения 1 1· 1 1
,.
коллектор - эмиттер, В
Икэ нас
О,4
1зоо/бо/
Напряжение насыщения 1 1 1 1 1
база - эмиттер, В
Ивэ нас
1,5
Коэффициент передачи тока
в режиме малого сигнала
в схеме с ОЭ:
hn";J
КТ208А, КТ208Г,
КТ208Ж, KT208JI
204060
1
30
0,27
КТ208Б, КТ208Д,
,
КТ208И, КТ208М
40 80 120
1
30
0,27
КТ208В, КТ208Е, КТ208К
80 140 240
1
30
0,27
при Тс=+125°С1
КТ208А, КТ208Г,
КТ208Ж, КТ208Л
20
120
1
30
0,27
КТ208Б, КТ208Д.
КТ208И, КТ208М
40
240
1
30
0,27
КТ208В, КТ208Е,
КТ208К
80
480
1
30
0,27
при Тс=-{Ю0 С 1
КТ208А, КТ208Г,
КТ208Ж, КТ208Л
10
60
1
30
0,27
КТ208Б, КТ208Д,
К.Т208И, КТ208М
20
120
1
30
0,27
КТ208В, КТ208Е,
КТ208К -
40
240
1
30
0,27
72

r
'.
Н аименованне
Отношение
статического
коэффиnиента передачи то-
ка в прямом и инверсном
включении
Входное сопротивление в
режиме малого сигнала в
схеме с ОЭ, Ом (при е=
=5 мА)
Выходная проводимость в
режиме малого сигнала при
х.х., 1О-4 См (при· Iэ=
=1 мА)
Емкость коллекторного пе
рехода, пФ
Емкость эмиттерного пере
хода, пФ (при Иэ =0,5 В)
Граничная частота коэффи-
циента передачи то1<а в схе-
мес ОЭ,-МГu
Коэффициент шума (Rr=
==3 кОм), дБ:
КТ208В, КТ208Е,
КТ208К
Обозна-
чение
h21Э
h 21э инв
hнэ
h22Э
fгр
Кт
• Значения
Ре,юшы измере1шя-
QJ
<С
<С
о
"
:Ь
"'
Ик, В
:,g
:,g
1-,
о
"'
"'
с
~
:,:
:,:
~
...:.
"
,..
2,0 4,5 12,0
1
30
0,27
130 800 2500
5
0,27
О, 15 0,3 0,55
5
0,270
10
111500
111
500
5
5
10
2
4
3
• 0,2
1
-
Максимально· допустимые параметр~• · Гарантируются _ при температуре окру
жающей среды Т с= 25 ... 125° С.
/к max - постоянный ток КОJ1лек-
тора, А
.
.
.
.
.
.
ti(>, и max - импульсный TOI< КОЛ· •
лектора,А...
lв max - постоянный ток ба-
аы,А,
...
,
U~k max
-
постоянное но,_пря-
жение ~олл6ктор - база, Bi
0,3
0,5
0,1
КТ208А-КТ208В
КТ208Г-КТ208Е - •
КТ208Ж-КТ208К
КТ208Л, КТ208М .
15
30
,
45
,
60
И~э R max - постоянное нnnря-
жение коллектор - эмиттер
(R6 -~
10 кОм), В:-
КТ208А-КТ208В
15
КТ208Г-КТ208Е
.30
КТ208Ж-КТ208К
45
КТ208Л, КТ208М
60
Иэf3 шах - постоянное
.
напря-
жение эмиттер - база, В:
КТ208А-КТ2-08Е •
10
КТ208Ж-Кt208М , . •
•
,
20
' .73

р3>
-
постоянная ра ссеи• •
__
К 111ах
Тп max - температура
перехода,
0
С.
,
.. ....
.
.
150
ваемая мощность коллекто-
ра, ·мBi:
,
,
•,
.
.
,
.
200 '
Допустимая тем.1ература ок~у
жающей cpe.l'-,r,
0
С ,-60... + l25
1 > 'Г аран.т.и;ует.с.f!l!2iэ>-6, Икэ-иас<О,78, / 5 )>0,1 А, .
·
'
2> При понижении Тсот +15•д~-60°С значения ИкБmах• ИкэRmах умень
шаются по лин-ейному закону до 1е В )(ля групп А-В; до 25 В для групп·•r·-Е ;
д о 40 В дл1я гру_гп Ж-К; ·до 55 В для групп Л, М, U95 ma.x уменьшается линейно
до15ВдлягруппЖ- М.
.
ЗJ В ди,~пазоне - 60 . ,, + 60° С. При Те~ 60° С;., 125° С мощность линей
но ум еньшается до 50· м-Вт ,
г-
МА
,а f--
0,11/
.,
0,10
'
.
0,06
O,OZ
,}
,Ь
а,з
llz1·э
,
1ZO
~
-
--
80
40
-
--
о
а,1
74
.
1
Ию=5В
KTZUBA, КТZU8{,КТ!f08Ж,КТ2.08Л,
t-,-----+-+---+--.~-+-,..+KTZOЗA,ПZ09Г,KTZU!ЩIIT2U!JЛ-
..•
14 г---t:;~t--t-:::7"'f'--+--::!,,,-/JГБ= Z5ОнкА ;ктzввэ,ХТl(J8Д,
ктzави,ктzов,н,~к.тzа:1 б,
10
1
....
.•
L'
~
i.. ,
__ ,.,.
...
-
-
7,0
• К,ТZ09Д; KTZ[No.Й, KTZ09H·\
-
, [5,=150 мхд1 ;
О
10
za
за 40~кзВ
тавв, KTZV8Е, Н TZ08 N, ктzаg в,нтzоg E,liТ-l09К-t'J Г{IООнкА
llк3=18 --
---
,.....
• r-..
;,
...
'
\
KTZ088, КТ208Е, КТ208К,,...
~-
к.
;
KTZU98, КТ209Е, КТ209К
г-,;·
111
...
И"rll
1
11-n-r - -
~ , КТZОВБ, ктzавд, KTZ08И,!,TZD8H,';:-;:
КТZО9Б, КТ209Д,ХТ209И,НТZО9/1
r--: .. ..
~
JJ..-J--
1
1 1 11·1111
r:--....
-
,...
KTZDBA,KTZ08Г, ктzовж, кповл,✓ 1--:" ....
KTZ09A, XT2D9Г,HTZD9Ж, КТZО9Л
1
111
10
100
Iк,мА ,

r
t
Uiз н11t, м'fJ
10
5
о
V:ьэ на·с, -llнэ нас ,.В
1110
lJB
:ф
iО,Б
'7,5
V,4
о,э
O,Z
,0;1
D,0 .8
0,07
tl,06
0,05
0,04
о, оэ
O,OZ
П,01
,
' ,,- --.-
~~ 1а
1·
. .J.~-"""""1-
Икэ-:[lс
---,
I,ь
• U,вз нn~
"
i
-
'
illк-з нас'\,
1"~
Iк= 5UrfнA
"
.•·
1-1
·'•
-
~
/ !J!. =10
/.I.ь,
'!'(з_ НО!С
r--
~щ11·
'
v· Iк=ЗUOмlr
"'
.,
,,,..,,
/
·-
,,
/
~
.J.
.
... ••
Iк=IOU нА
'
'i
~.... -
1'
/.
., .,. ,.
ИБ'Э нас
i
.
..
,А
11
11
10°
ктzавА , г,ж,л; ктzа,д, r,ж, л
КТZ08б, Д, И, 'М; ~ТZОЭБ,Д, И, 11
КТZО8В, Е,К; КТZ 09В.,Е, К
1,0
1,5

j1111_11111 ·111 1·1 /1l11J 1
17
18
19.
'..,..
КТ209А, КТ209Б, К:Т209В,
КТ209Д, КТ209Е, КТ209Ж,
КТ209К:. КТ209Л, КТ209М
КТ209Г,
КТ209И,
Общие сведения. Кремниrевые эпитаксиально-планарные р-п-р-транзисто•
ры предназначены для применения в импульсных, усилительных и других схемах.
Корпус пластмассовый - (рис. П 1.16). Масса транзистора не более 0,2 r,
Оформление бескорпусное (рис. П\.14). Масса 10 мг.
Условия эксплуатации - в соответствии с табл . П2.3.
Электрические параметры. Классификационные параметры ~
Обоэна•
Наименование
чение
Обратный ток эмиттера, м~А
(при Иэ=Иэв mак)
1эво
Напряжение насыщения коллектор-\
эмиттер, В
•
Uкэ нас
Напряжение насыщения база - эмит-\
тер, В
Иэв нас
Входное сопротивление в · режиме'
большого сигнала в схеме с ОЭ, Ом h 11 э
Статический коэффициент передачи
тока в схеме с ОЭ:
h21э
КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л
КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М .
КТ209В, КТ209Е,
.
КТ209К
при Tc=+l00°Ci
1•
КТ209А, Г, Ж, Л
КТ209Б, Д, И, М
КТ209В, Е
КТ209К
Выходная проводимость в режиме
малого сигнала при х.х. , 109 См
h22Э
Отношение h21э max/h219m1n
1
К1
Емкость коллекторного перехода, пФ' .
(при f=500 кГц)
С11
76
Знаqения
а,
8
а,
о
•о
..,
..
.,.,
.,.,,
о
CJ.tl
., ,;
с
:,: ,;
"'"'
.,
., ..
:,; ::Е
..
::Е ::Е
1
204560
40 80 120
80 150 240
80
160
20
120
40
240
80
480
80
320
153055
l2 ,о 4,51 12
Режимы измерения
CQ
<
<
:s
:s
~Jса
::,
130
130
130
130
130
130
130
130
1
3
1
1
1
301
j

111
1
1
Наименование
:~.;
'
''
Емкость эмиттерного перехода, пФ
. (при U3 -=0,5 В и f.=500 кГц)
,
.
Граничная частота · коэффициента пе-
редачи тока в схем~.с Щ\ _МГц , .
Коэффициент шума (Rг = 3 кОм), дБ: •
.
КТ209В, КТ209Е, КТ209К
при.f=1кГц•
:, •'
Значения
Обозна-
'"
о..
чение
,:,
"'
о.
"'
t::
"'
"'
:а
...
1
1
1
fгр
5
к~
2,5
Режимы Изме~р{'вия
-
<
1
~
· :11
~
/
~~
:::,
-
100
1-1
5
10
.'
"
5
3 0,2
П р и м е , ч а н и е: Во~ьт-ампе рные ; характ~рис.;,и,ш и зависимости •основных• па ра·метров au.
цля транаис1юров тип.а , КТ2(}8. •
~аксиi.~альнс;> допустимь1е параметры, ('арантируются при т~мператур~. О~РУ.·
жающей СJDеды 'fc=-~5.. . + ;100°C.
,,
••,,
•
/к mlix - постоянный ток коллек
тора,мА........300
/в: max -: постоя,нный ток ба-
зы,.мА....
.
.
100
,1)
•
К, и m,tx - ИМПУЛЬСНЬ!И ТОК КОЛ•
лектора, мА . . .
.
.
500
u2>JБ max - ПОСТОЯIJНОе
напря-
жение эмнтте·р· - база, В1
КТ209А - К'Г209Е
КТ209Ж-КТ209М . .
-
2)
,
Uкв max - постоянное
напря-
же11ие коллектор - база,, В:
10
20
15
КТ209А-КТ209В .
КТ209Г-КТ209Е
,•
•30
КТ209Ж- КТ209К
45
КТ209Л, КТ209М • • • • 60
UКЭ Rmax - постоянное
н апря•
жение ко.лл,ек,тор - эмиттер
(RБ ,;;;; 10 кОм), В ,
КТ209А- КТ209В
15
КТ209Г-КТ209Е
КТ209Ж-КТ209К
КТ209Л, КТ209М
РЗ)
к max
-
постоянная рассеи-
ваемая мощность коллектора
30
45
,60
(Тс =-45.. . +35° С)' ;',\ВТ . . 200
Т п mas -температура
перехо-
да,•С .
.
.
.
..
.
.
..
.
125
Rт. п-с - тепловое сопротивле-
ние переход - окружающая
среда,0С/мВт . . . . . :0,45
Допустимая температур а окру•
жающей среды, 0 С , •
-4 5.••
+100
L> Гарантируются значения h210 ~ 6, Uкэ нас <. 0 ,7 В при / 5 ~ 100 мА,
а, В диапазоне температур +25" " + 100° G, При понижении те м пературы
Теот+25°G до- 45°С UкэRmax и Uкв max уменьшаются линейно: до10В
для групп А-В;до 25В- длягруппГ-Д,Е;до 40В~длягруппЖ,И
К; до 55 В - для групп Л, М,; U95 max уменьшается .линейно до 15 В в диапазо-
не температур + 24 .. , --
45° С,
~
1 При Тс> 35°G Рк_шах [мВтJ = (Тnшах - Тc)IRт~п-о•

КТ2!0А, КТ2!0Б, КТ2ЮВ
Общие СJJедсния. Кремниевые эпита1<.-1:::лы10-планарные р-п-р-транаисто•
ры предназначены для применения в импульсных и •друrих гибридных схемах
с обше'й, герметизацией , .
•
Оформление бес[(орпусное со столбюювыми выводами (рис, П!.14), Масса
транзистора не бс,лее !О мг.
••
Условия эксплуатац~1и - в соЬтветствии с табл. П2.3.
Электрические параметры. Классификационнь1•е· параметры:- - -
-
~21~•• ИкэR max:
Наименование
Обратный ток эмиттера
(Тс=-60... +85° С);· М1& lэво
•
.
O~at'iiый ток коллек
·тор .: ..: . эмиттер (Те=·
=-60...+85°С, R8 ='
= 10 кОм), мкА
Напрю/ение насышения· 1_- • •
коллектор - эмиттер, В И к,э нас
Напряжение насьшiе·н'ия 1·
-
1
база -эмиттер, В
Иэs нас
Статический ' коэффицt~-
ент пер~дачи ТО[(а в схе -
месОЭ:
h21э
КТ210А, КТ210Б
КТ210В
при Тс=+85°С1.
КТ210А, КТ210Б
КТ210В
при Тс=-60° С;-
КТ2 fOA, КТ2!0Б
К:Т210В
Врсм'я
рассасы~ания, 1
1
мкс i
~
.
tp~i
Емкость· эмиттерного пе-
рехода пр:и f=5 МГц
пФ
'
Сэ
Е м кость коллекторного
перехода прн f-=3- МГц,
пФ
Сн
Гр аничная частота КО·
эффициента передачи то-
кавсхемесОЭ,МГц
fгр
78
,
~
·=
"',а .
=с:
в
1
80
40
80
40
40
_
25f
1
10
Режимы изме-рения
2'
'iJ
"'=
Uк, в
о
() .а
!ii ~:~ ·.
..
· :,i _:,;
«:
.,
"'
«:
:!!
:,;
ci)
~~
:::,
-
1
5
\
1IO1.•,
... _
.
,
,,
1- -/1°/:ij
160 240
5
''
100 120
5
,1
480
5
240
5
"
240
5
120
5
1
11J
'
1·
1,о
!
:
10
0,5
1
·i
25
5
5
.,:
1:>i
:
~-
1
!
1
1
1
1
1

Максимально допустимr.1е параметры
1к ma:r - постоянный ток кол,1ек-
тора, мА •.
.
,
,
.
.
.
.
20
lк, ~ ma:r - импульсный ток кол-
лектЕJра (Q ;;:,2 , f = 1 кГц), мА 40
UI)
1(5 max .
-
постощ1ное напря-
тение коллектор - база, в,
КТ2I0А
КТ2I0Б
КТ2I0В
..
,
,
15
,
,
30
,
•..• 60
UI<ЭR max - п о стоянное
напря-
жение колJJектор - эм.иттер
(RБ ~10 кОм), В:
КТ2I0А
,
,
15
КТ2I0Б
КТ2I0В
,
30
..
60
Иэв max - постоянное
на-пря-
жение эмиттер - баз.а, В
,
10
P'f( max
-
постоянная рассеи•
,.
ваемая мощность коллектора,
м:Вт ,,
.
,
.
,
,
.
,
25
Рк, и ma:r - импульсная
рассеи-
ваемая мощность транэ,исто•
f)a (f= 1 кГц, Q;;:,2), мВт
,
40
Тп ma:r - тем•ература
перехода,
0С
,
.
,
,
,
..
, 125
Rт, п-• - тепJJовое сопротивле•
н.ие переход - окружающая
среда, 0 С/мВт .
.
.
.
.
.
3
Докустимая температура окру
N{ающей среды, 0 С • -60... +85
1·'
В диапазоне температур + 15 . .,
-
60° С значения Икэ R max· Икв rna:r
~м-шаются линейно до 55 В для · группы В.
21 В · .д11ал-азоне • температур
-
·6 0 .;; + 35° С i ·в диапазоне rемпера1ур
35... ,85° С , Рк max [мВт] - (125 - Tc)IRт, п-с•
D,5
~-
Ц4
D,3
[J,l
0,1
D,ч
Икэ=5В
Jу
~
L.,.., -'
,,,
-
I к,МА
20
18
16
14
1Z
10
8
6
4
z
а
~
V-
~1-"'"
/
-
1"
1-- 1,..-
--
1--
./
-
1--
' JV-:
1--
-
1--~
J--
...-
~--
_.;..
-
.. ...- :
-
V
_:..-
-
.,
у,~
-
-
-
i.1[ Б
v ...
.,~
'1
1
z
4
6
8 Икз,В
KТZIOA, KTZ/{)5- дl 6= D,D2 мА
КТZIОб- А! 6 = O,D3 NA

-
... .
-
-
--
1ZU
~
ва
~
L,,
1.,,""'
1-
1., ,
_,,,.
~
...... 1.,,,
... ~
1-
,/
-
4U
-
U,UI z, З :45
Укэ нас, VБэ нас, 8 -
-
1,0
'
'
1
:
i
а,в :
1
U,6
0,4-
:
--
L-'---
a,z
' ,.,
а
и,аз
.,..,-
1
-
~ ~ТZIUA,.6
Uкз=58
~
L--"°' '
1/
_,,,.
~,
1/
V
1'\
~~
-
--
........
r-- ...
KTZIUB
1'\.
----
r-....
~"
r\
~
-
"'~' --
'
а,1 ZЗ45 1,0 ZЗ45 10 Iк,мА
,.
т-
5
10
1 t11
zo
Iк=4Dм А
'
'
-
_1\\1_
10
-
-
u\
-
'
J 1БЭJнlсJ 1
"
Икэ нас
~r:;;, --
L-- L -'-
\-
L----' --
,_' -
\ -·-
\--
L-------1'
\
'
\
\
" ...
--
\
'\. _
'-
1' ,_
"-.
-...,.___
""j,,,. __
г---;_
---
а,1
a,z
-
1,0
z
16,мА
КТ214 А-1, КТ214 Б-1, КТ214 В-1, КТ214 Г-1,
КТ214 Д-1, КТ214 Е-1
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р-транзисто
ры предназначены для использования в ключевых, линейных и других неремон•
тируемых гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках аппаратуры.
80
1
1
:1

Оформление бесi<0рпусное в спутнике-таре (рис. П 1.17). Масса тращшотора .
без тары не бо·лее 0,01 г.
Услов~я эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2 ,
Электрические параметры. Класс_ификационные парам_етры,
h21э, Икэо РР' ul<ЭR max• Иэвоmах·
Знаqения
Режимы измерения
Обозна•
"
"'
Наименооание
"
<(
<(
о
о
,о l:Q
,l:Q ,
чение
·=
"''
"'=
. :i!
:,;
l3. 11А
/
"'.,,
о
<)., ,
:::::
:,:,,:
"
:<,,:
(1)
~щ
:s:"'
., .,
i':
:!! :!! :::i
:::i
:!! "'
Обратный ток коллек-
тор-эмиттер (Rв =
-
,
.,
=::z 10 кОм, То =
=+8~0 С), нА
1 I<ЭR
100 30
'. f; _;,
Напряжение насыще-
ния колл~ктор-э~ит-
,·
'·
''
тер, В ;,[.
.
.
.• ИI<э нас '
KT214B-l-:- • •
0,7 1,0 2,5
1
о
КТ214Е - 1
''
То же пр.~ ,других ре,-
жимах·
0,5
30 0,6
'
'
Напряжени·е насыще-
ния база.:...эмиттер, В: Ивэ нас
'
'
КТ214В-1-
КТ2!4Е-1
1,о
30 0,6
Входное · сопротивле-
,
ние транзистора · в
'
режиме малого . сиг-
нала, кО~
hнэ 1,22,510 5
2·
-
Граничное . напряже-
ИI<эО ~Р
ние транзиетора, В:
КТ214А-1, КТ214Б-1
80
5
КТ214В-1
60
5
КТ214Г-1
40
5
КТ214Д-1
30
5
КТ214Е-1
20
·5 ··
'
Статический коэффи -
циент передачи тока
в схеме с ОЭ:
h21э
КТ2!4А-1
20
-
1
1
0,04
КТ214Б-1
30
901
,
0,04
"'r;
.
-
0,8
.
1
81

.,
Значения
Режимы· измерения
Обозна-
~
Наименование
:g ;,
<11
00
с,:
с,:
;:1
qение
~:а "'
:,;
:,;
lэ, мА
4
о
u
~
,,
.
="
,С
,,< .
т :,,:
ф
"'"'
"'
"'
:::,
:::,
,.: _
:,; :,;
..
:,;
-
-
кт214в .-~. кт214r:1
40
120 1
0,04
КТ214Д-1
80
.240"1
0,04
КТ214Е-1
40
-
1
0,04
при Тс=+85°С:
КТ214А-1
20
-
1
0,04
КТ214Б-1
30
150 1
0,04
КТ2 ·14В- •1, КТ2НГ-'1
40
20(} l
0,04
КТ214Д-1
80
360 1
0,04 .
КТ214Е-1
40
-
1
0,04
при Тс=-40°С:
"
КТ214А-1
7
-
КТ214Б-1
10
90I
0,04
КТ214)3-1. КТ214Г-1
15
),20,1
0,04
.
КТ214Д-1
25
240 1
o,o,i
КТ214Е-1
15
-
-
Отношение
h21э max/h21э mln:
К;
КТ214Б-1-
КТ214Д-1
4·
0,05, .. 50
Граничная частота
коэффициента переда-
.
чи тока в схеме с ·ОЭ,
МГц
fгр
5
5
1
Коэффициент шумз
(Rг =I0 кОм), дБ
КТ214Б-1~
Кш
• КТ214Д-1
0,755
0,04
1
1
Дифференциальное
сопротивление элект-
ронноrо ключа, Ом:
,rщ,
'э,=0
КТ214В-1-
КТ214Е-1
2,5 4,0 12
1, О lэ,=0,2
-·
Емкость эмиттерноrо
перехода, пФ
Са
9,6 9,8 15
0,5
465
Емкость коллекторно-
Сн
9,5
го пер~хода, пФ
12205
465
82

Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окру-
жающей cpeдt.J Та=-40... +85° С.
.
/1)
•
'
, к max - постоянны и ТОК КОЛ•
лектора, мА . .
40
/к_, и ma 11 - импульсный ТОК КОЛ· .
лектора (t~~IO мс,·Q~!ОУ,
·мА........
,
, 100
/ Б m ах - ПOCTOЯ!lflr.JЙ ТОК базы,
мА •",
.
.
.
,·,
.
.
20
Икэ.о max -
постоян,ное напря•
женне коллектор - эмиттер,
В:
КТ214А-1, КТ214Б-1 , • , 80
КТ214В-1
.•. ,
60
КТ214Г-1 .
,
.
,
,
•,
40
КТ214Д-1 .
,
.
,
,
30
КТ21'4Е-1 . . . .
.20
UI«IR max - постоянное
напря•
жение коллектор - эмиттер
при R,;, < 10 кОм, Bi
.КТ214А-1 • ,
.
,
,
,
, 120
КТО14Б!J ,,•,,,•100
KT214B-J
К'Г214Г-1
КП14Д-1
.•....:•.
80
КТ214Е-1 •..
Иэв max ..... постояiiное
напря•
жение эмиттер - : база, Bi
60
ЗG
30
КТ.2!;1А-1 . . . .
,
,
30
КТ214Б-J, КТ214В-1,
КТ.214Г-1, Ю214Д-1 , • • 7
КТ214Е-1 ....•• . 20
р2)к щах - постоянная рассеи-
ваемая мощ1iость· коллекто-;
ра,мВт_...
,
,
.
.
,
25
Тп·max - температура
п.ерехода,
0С
.
.
.
,
,
,
.
,..
, 125
Rт, п-1tР - тепловое • сопротивле-
•
ние переход ' ' - кристалл;
0 С/мВт
, .... ;_,
,'·О,!
-'Допустимая температура окру
жающей среды, 0 С .
,-40... + 85
.;
•
!
.1 J Допускаете~ превышение lк max до 300 мА (J1)И условии непревышени я
мощности,
'\
21 В диапазоне температур - 4,0, 11 + 35° (3, .В диа;пазоне темп.ер~тур .· 3!5 ,::
85°G Рк m;x уменьшается линейно до 10 мВт, При налиi~ии теплоотвода в диапа -
зоне температур 25..,,85° G Рк max [мВт]""" (125 - 'Гт)/(0,1 + Rт, к-т) , где
Rт, к-т - тепловое ссщротивление кристалл
. .,;_ теплоотвод, ..
1
а-
6
z
)
/:,
.
./~V
0,4
0,5
1
~
u, 3=58
,
J
/
D,б Иr.,В
Iк'
нА
1,6
7,2
а.в
о,4
D
-
v--
-
-1
~
~
1--
1,..-...-
~
1~
1--
~
-
1--
1
--
V 1--
....-
i.--
-
1.,..-
-~
!/ i.--
....-
.
-
1--
- i---
lr J-- i.--
rr
.-
f/ -.
,·
t,1]Б
1/"_
•
1
.
r
Z
I;-
6
8 Ук3,В
НТZ14А-1 , б- 1, Г-1, Е-1- L1I 6 =ZнкА
Ш/ 1/Д-1- LI I Б= .JнкА
!1
83

84
15~
5
о ...
v
.
-,
..
10
160
140
120
100
80
60
чО
.....
а,01
X~ft4б - 1, KT2t4i-1
UкБ=5В
Rг=IОном
f=lкГц
'
~
~
1/
V
1.,,- '
L,.
]3,мА
-
-
_/
.. ~v
J.........
_ , ,..,,.
КТZ1 4Б- 1, l<ТZ14 B-t, }(Т2l4 Д,-:-1
' нш,
дБ
4
3
2
1
о
,,
11.
~
: Икsd5В
•: Iэ =.1/ОмкА
f= lкrц
1 1r1111
1 111 r11
о;з 1 zJ4 ш20за·яг,ном
КТ214Б-1, НТ214В- 1, КТ214Д-1
Нш,
дБ
2,0
; 1,0
'
о
Ц20,З
КТ214Д - 1
'
v,,.
Ик5=58
Iэ = 40НКА
'\
Rг=100кОм
1,/
j
-
~
"---
1
t....,.,,
'
l
zJ45 10 2030 f,кrц
1
/ -'""'~i'-.
7-
--
'
1\:
• "'.
V
_ ,,..
------..
l<Т214А-1,б-7,Г-1,Е-7, 8-1
....~7
j.. ,--""
--
---
Ик5=58
•
1111111
о,1
1,0
13 ,мА
ЩiцВ- 1, КТ214 Е- 1
-
ас, В
_1,.,,,-
._
-
i..---
U5энас..., ~
1,,-. _.
1.....:-- '
1-,,,-
~v
]...,,, - k:'
/
V
Икэ нас -
... ...
/'"
v
,,,.
//~
l,,,"
~
Iк
-=10 -
I5
1-
G,76 0,JZ
0,7!/ О, 10
0,12 a,as
О, 70 0,06
0,68 0,04
а,Бб o,oz
о
1Uzo30405060708090lк,НА

КТ215 А-1, КТ215 Б-1, КТ2\5 В-1,
КТ215 Г-1, КТ215 Д-1, КТ215 Е-1
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п-транзисто•
ры предназначены для использования в ключевых и линейных неремонтируемых
схемах, микромодулях, узлах и блоках аппаратуры, имеющих герметичные кор•
• пуса или иную защиту от действия влаги и света.
.
Оформление бескорпусное (рис. Пl.17). Масса транзистора без тары 0,01 Р,
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.
~лектрические параметры. Классификационные параметрю
Наименованнв
Обратный ток коллек•
тор - эмиттер
(RR ~\О кОм, То=
=85° С), нА
Граничное напряже-
ние транзистора, В:
КТ215А-1, КТ215Б-1
KT215B-l
КТ215Г-l
I(Т215Д-1
КТ215Е-1
Напряжение · насыще-
ния коллектор-эмит-
тер, В
То же при других ре•
:щимах
Напряжение насыще
н_ия база - эмиттер, В
Входное сопротивле-
ние транзистора в ре-
жиме · малого .сигнала,
кОм
Статический коэффи-
циент передачи тока в
схеме с ОЭ:
КТ215А-1
h21э_l Икоо vpl ИкэR max·
Значения
Обозна-
i
.8
8
Q:I
чение
·=
..
==
а~"
<) .о
~
1::
.:,:
ii "'
.,.,
,.
:2 :s :::i
1кэ R
100 30
UI<ЭOvp 80
60
,
·
40
30
20
'
Ик,э нас
0,5
0,3 1,0 2,5
httf)
1,22,510 5
h21э 20
-
1
Режимы измерения
Q:I
<t;
-
~
. :,;
.,9•мА
(Т) ~ r.a
:::i
5
5
5
!
5
5
30 0,6
l
о
2
,
10
О1
Са,
,=
..:
'
0,8
85

-
Значени1'
Режимы .иЗмерення
Обозна-
.
"'
Наименование
о
'
CQ
CQ
<(
<(
:f
чение
'""
"'
:а
,: ,;
lэ, мА
""
:,: "'
,_,
~
"'
"'о;
:<
т
'
:,: .,
.,
:,:
~
.
t:s"'
"'
:::,
:::,
-
КТ215Б-1
30
901
10
КТ215В-1, КТ215Г-1
40
120 1
1
),()
КТ215Д-1
80
24_0·1
0.,04
КТ215Е-1
40
-
1
0,04
Тс=+85"С: '
10
при
1
IH215A-l
20
-
1i
10
КТ215'Б-1
\
30
J50, 1
10
1
КТ215В-1, КТ215Г-1
-
40
200 1
0,04
КТ215Д - 1
,во .
•350·11
0;04
KT215E~l
40
-
l
при Тс=-40° С: ,
10
КТ215А-1
7
-
'J
10
КТ215Б-1
1.0 ,
901
10
КТ215В-1, КТ215Г-1
15
120 ,1,,
0,04
-
КТ2J.5Д-1
25
240 1
'
Ю,• 04
КТ2'15Е-1
15
-
1
-
Отношение
h21э max/h21э mln!
•К1
КТ215Б-1, КТ215В - 1,
'
КТ215Г-1, КТ215Д-1
511
0,05 ... 50
Граничная частота ко-
эффициента передачи
'
'JOKa в схеме с •ОЭ,
'
МГц
fгр
5
'
5
1,о
(
Коэффициент шума
(Rг= IO кОм~. дБ
~Кш
КТ215Б-1, КТ215В-1,
1
КТ215Г-1, КТ215д-'1
1,5 5
,5
0,04
1
Дифференциальное
сопротивление элект-
'э,=0;
ронного ключа, Ом
Гнп
1,,8 5,0 12
'10
13, = 0,2
1
'
Емкость эмиттерного
'
перехода, пФ
Сэ
9,6 40 50
0,5
465
1
Емкость коллекторно-
1
го перехода, пФ
CR
9,,51220 5
465
86

Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окру-
жающей среды Тс= -40.. :+§5° С,
•
/1)
•
1( max - ПОСТОЯШl ЫИ ток КОЛ·
лектора, мА
.
.
.
.
40
lв max
-
постоянный ток ба-
зы,мА...
•
.
.
.
•.
.
20
[«_,
• шах - ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ·
лектора (tи~10 мс, Q;;,,10),
мА ......... 100
U кэ max - постоянное
на.пря-
жение коллектор - э~ттер,
В:
КТ215А-1, КТ215Б-1
КТ215В--l
,
80
КТ215Г-1
•КТ215Д-l
КТ215Е-1
UKЭR max - постоянное
напря-
жение коллектор - эмиттер
' (Rв ~10кОм), В.1
60
40
30
20
K"Fl15A-1
КТ2!5Б-1
\ КТ215В-1
КТ215Г-1
КП15Д-1, КТ215Е-1
·,
.
Иэв inax
-
поосоянное напря~
120
100
80
60
30
жение эiv1иттер - база, В
.
,
5
2)
•
Рк шах 7 постоя_нная рассеи-
ваемая мошность коллекто-
ра,мВт.......,
.
25
·тп max - температура
ос :,
...•
перехода,
125
Rт, п-ир - тепловое · сопротив-
. ~ени~
переход - крис:галл,
С/мВт........0,1
Допустимая температура qкру
жаюшей среды, 0 С, . -4.0 .. . +85
•
1> ДопУ,скает.ся lк max до 300 мА при уело!"" непревышения мощно~ти.
2.J В диапазонетемпера:J:Ур ..... 40., .- f -:35°C, В диапазо1tетемператур 35 .. ,85° 0
·значение Рк mar уменьшаеl'ся по линеиному закону до 10 мВт. При .иаличии
теилоотвода IJ диапазоне температур 25 .. ,85° С Рк max [мВт]= (125 - Тт)/ (0, 1 +
+Rт,к_т},где.R-т,к-_11> -
· тепловое
сопротиIJление кристалл - теплоотвод,
!
I1
1
а
8
Uкэ=5В
6
..
.
•
4
1
2
J/·
-
/
о
~
../
O,Z О,З 0,4 U,5 0,6 lfбэ,В
Iк,МА
1,6
1,Z
0,8
0,4
/'"'
V
V
V
r
_1-с--
1-1---l...--
,._
i-
с-.,.
tмБ
-
1--
-
~
.,, .
i-' -
-'-
-
..
.
а
-z
'+
6
всrк;,в
ХТ215А-1, J<TZ15 Б -1-.tJ! 6 = ЗнкА
KTZ15B·1, -J<TZ/5 Г-1, KTZl5E-t -"лr Б= 2мкА
IШ15д+ЛI.= lнкА
87

h21э
'
~v
~:/ i,,
/,,,:"/"
e:;'"i,
,\ ~~ ,;:-.
J
~ ,,~/
,~у<..
\'\.
. 300
250
zoo
150
100 ~ 1 ..---- '"""
V
1 ')i-"1⁄4
Б-1
'i-
,;.; .,-1.\ .,,
1 i 1,,, , кт~1s .,,.,,,.
7.15А-' _.
V"
\1,\
'--
«:,
1... ....
-
--
•50
о
i... -
-
i--
б
5
2
1
о
0,01
0,1
\
'i\
~~
-
l!TZ/58-1, KTZ15 Е-1
l<щ
~ f-----+---+---1-,----,~~,_ дБ
=
::,; f-----+- -+ - - --- -:!~H --/ - ~
0,07 f-------Ь-,::__+---+-+-----1-/-------, .10
ЦОб
0,6
Ц05f-----+---::.l-""'=----t-t--+------1
Iн
а,оч ь--==+---t-----+--+---1 _ ,, 1а
J
15
0,5 ЦОЗ'------'--~-'-----'--L..J.--
-'
О
'
.. i--- .. ..
~
1
...... r'\.--.."-
'"- ~
'""~
1'~
~ 1\.
f---
~
~
\.\ t'-.
\1\.\.
Uк&" 1В
'\
10
100 lэ, 11А
.,," '
1/11
/!/
V
./ Iэ"чамА ~~
./
Uк5=58
L-~
f=с1кГu, - ~~
111
Rr,HOH
/1/
1,
j
!
/
/
Ик5=5В -
f= 1нГи, -
--
Rr=10 КОм
5
1U
Z,J 45Iк,11А
10-Z
10° Iэ,11А
88

~
1""1.' ' "l "IIJ1111Jlliiji,IIJ1111!1111Jiill
П307В, П308, П309
19,20
21
22
23,
Общие ·сведения. Кремниевые ПJ1анарные п-р-п-транзисторы предназначе
ны для работы в схемах радиовещательных приемников, телевизоров, стабилиза-
торов напряжения и в др. схемах.
.
Корпус металлический, герметичный, с гиб1шми выводами (рис. Пl,1, б),
Масса транзистора не более 2 г.
.
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.4.
Электрические параметры. Классификационные па раметрщ
h21a, 'кэ наа• Икэmах•
Значения
Режимы изме ?ения
Обозна-
1J
.,
.,
Наименование
.,:
.,:
.,:
о
."'
а:,
а:,
чение
'"'
"'
"'=
:э
:э
:s
"'"'
о
()J:I
~&
"""
i::
"'"
iJ,
.i>
в :,;:
.,
.,
,.
::; ::;
:)
:)
Обратный ток колJJекто-
ра, м1<А1
1 кБо
ПЗО7В
0,005 0,25 20 80
ПЗО8, ПЗО9
0,02 0,5 20 120
при Ти=+85°Сt
ПЗО7В
2
100 80
ПЗО8, ПЗО9
2
100 120
Обратный ток эмиттера,
м~А
/ЭБО 0,005
10
3
Обратный ток коллек-
тор - эмиттер
(R5 <
~
-
10 I<Ом), мкА~
1к.эR
I1307B
0,0]
.50 80
ПЗО8, ПЗО9
0,02
50 120
i;ipи Tc=+120°Ci
П307В
200 80
П308, ПЗО9
200 120
-
при Тс=-40° Ct
f1307B
50 80
П308, ПЗО9,
50 120
Сопротивление насыще-
ния в режиме малого
сигнала, Ом~
11 ~<э вае
ПЗО7В
250
153
П308
200
153
П309 "
150
153
Входное сопротивление
транзистора в режиме
~алого сигнала, Ом
hнб 6
70 20
10
::1
1а,
~
..:
10-3
10-з
10-з
10-з
89

~
Значения
1
Режимы измереню[
Обозна-
Нанмен,.оваппе
"'j
"
\; «:
;,:
«:
::f
о
0
,cQ
t1сние
~:а "'
:,:
:,:
:,:
""
о
.
:;;
~. ~-
t::
ciJ
~~СТ)
"
.
:,::,:
...
:::J
...
..:
!хюэффициент Щ!редачи
тока в режиме малого
сигнала в схеме с ОЭ,
li21э
П307В
1
50
150 20
10 ·I0- 3
П308
. 30.
90 .20
10 10-3
IJ3Q9
·16
60 20
10 10-3
при Т,,= ·+85° С;:
П307В
.,.
50",
-450\О
10, 10- 3
П308
..
30.,
_270, . 10.
10 1.0-з
П309
1·6
150 10
10 10-3
при Т,.=-40° С: .
!
.
1
10
.
'
П3:О7В
20
150 20 ·-
!Ь-:;,З
П308
12
90 20
10 :1'0-3
П309
li
50 ,20
10: 10-3
:
!
:
.:
.Моду,11ь . коэффициента·
'
передачи тока на ВЫСО·
кой частоте
111210,\ .
2,
520
410
Ма~~им~лыне :д~>пустимые параметрш. ГаР.аН<r.ируются при температур·е· · акру•
жающеи среды ~ Тс"" '"-40:.. + 85°~ .
/к max - постоя.нный ток коллек
тора,мА........30
lэ max - постоянный ток э.мит
тера,мА.........30
/ К, и max - ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ·
лектора, мА . .
-
.
.
.
.
.
120
Икв· mа,к - постоянное . напря
жение коллекто:р - база;
П307В ... ,
..• ,
80
П308, П309 . .
•.
.
.
.
12G
UI)
'J<ЭR max - поатоянное напряже-
ние коллектор
эми-тте(!
('Rв ~ 10 кО'м), В1
П307В ..
,
.
,
П308, П309 .....
:.
-~
80
120
&эБ max - ПОСТОЯ'I-IНОе
найря-
жение эмиттер - ·база, В :. . 3
pi) max
-
постоянн·ая расс_е_и.,.
ваемая мощность коллекто-
ра, мВт
•
при Тс= +.2oiiС.
,
250
при· То=+85°С . .
,
,• 1,68,75
Допустимая те'>lпература окру
жающей! среды, 0 С
. -40... +85°
1 >' Допускается включение сопротивления в цепи базы _ R.8
- < ЮО. кОl\1 до· 7'ё=-,·
= +6.0°С,еслиRэ=Rв;
2 >· Значение Рк maxo в интервале температур :Ю \ ;,85~ С уменьшается линейно
со скоростью · 1,25· мВ-т/ G;
90

2,8
Z, -6
1;4
z,z
zp
1,8
1,6
1,ч
1,Z
' 1,0
:
1
'
1
'
7)
1
1
J
j
1
1
• ·ик ,э• ·5в
,i1
J?I
:
'
'
1
;
I нJ1А
• ,4z
'39
361
ЗJ
ЗD
Z7
24
21
18
'15
112
э
,,,,,:
/:
,,/ /
,... ,,
·,,
/
/.
/
1,/
/
, /:/
./.
1,
/
•·
/,,, .
;
/'У '/
,:
·'/V'
'V
~
-
-
1
-...-
,,.: -
/
V.
-
/
ЛIБ 1
......
D,B
Oili
U,4
цz
I
./.
!
Б
з
.'/
,,
в
___ ,,,
...........
j
D,Z О,З 0,4 0,5 U,6 0,7 U5,,B
1huэl
10
✓
V
/
8
',
/
6
/~
V
4
о
z
4
'
..:.
о51И1520zsза35чо411/ZУкэ.'В
П.307, ПJ17Г, пзаэ- JJ,, = З5DнкА
_
пЭО7д, пзав -JI 6=zao нкд
ПЗО ТБ,ЮО7ТJ - J I 6='ГОО м#i4
-
·
---
-
~ ---
'
1
'
Г•IОМГц
j
Лн-э=ZОВ
1
,.
Б
8
,.
91

Диапазон •высоних частот
11 11 1111 1 1111 11111 1 11111
КТ301, КТЗО!А, -- КТ301В, КТЗО!В,
КТЗОlГ, КТЗОlд, КТЗОIЕ, КТ301Ж
17
18
19
Общие сведения . Кремниев'?rе планарные п-р-п-транзисторы предназнач:е•
ны для усиления и генерирования колебаний . на частотах до 60 МГц.
.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. Пl.2, б},
Масса транзистора не более 0,5 r.
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2,
Электрические параметр&\, Классификационные параметры~
h21э, lh21эl, ~:к,
Значения
Режимы измерения
Обозна-
8"
Наименование · .
11
<=Q
<=Q
<
<
,,;
чение
·=
:,;
:2
;,;
11~
~(Т)~~(Т)
,~
:::.
:::.
-
wl
Обратный ток коллектора, 1 к:во
10
мкА
Обратный ток sмиттера,
1эво
10
3
мкА
. Напряжение
насыщения Ик:э нао
3
101
коллектор - 9МИfтер, В
Напряжение насыщения I Uf>'::> на, 1
12,51 •
·1. /1oj_11
база - эмиттер
-в·
·
'
Модуль коэффициента пе-
редачи тока на вь,сокой ча-
стоте:
1hile l
КТЗО!, КТ301А-КТ301В
110
3
ктзо1 r-кtэо1ж
1,5 10
1,5
Статический козффиц~,евт
передачи тока в схеме с
1
ОЭ:
h21э
КТЗО\, КТЗОIВ, КТЗОIД
206010
3
КТЗОIА, КТЗОfЕ
40.
_120
10
3
КТЗОIБ, КТЗОlГ
ig3210
3
КТЗОIЖ
зоб ib
3
Выходная
провод11мость
в режиме малого сигнала
в схеме с ОБ, мкСм
h2'J()
КТЗОIГ
310
3
92
::1
"-
::g
..:
10-2
20
20
10--•

Знаsения.
Режимы измерения
Наименование
Обо эва-
~
.,
,о
"'
<1;
<1;
<1;
~
чение
."'
"':,,
"'
:,;
:,;
:,;
"'
"',,
",,
:а;
" '<;
,,, <;
~(7)~
"'"
""'
се (7)
":,;
:,; :,;
:::,
.:::,
..:.
Емкость эмиттерного пере-
хода, пФ
Св
КТЗОJВ
' 8Ь'
0,5
2
1
Емкость
коллектор.ноrо
"
перехода, пФ
CR
КТЗОIВ
1
10 20
2
;
..
.,.
1
ПьстояRная времени цепи
обратной ;связи на ; высокой ,,
частоте, пс •
't"}f, .
.
.
.
-
-
-
·-
.
.
f<ТЭОt, КТЗОIА,.
2,<>: 10
22
КТЗО·IГ-I(ТЗО!Ж
'
: ,.,
.
.
'.
.,
:i: (
КТЗОIБ, КТЗОIВ ;
4,5 10
22
!
Максимальная
;
...
частота re•
'
..
нерации, МГщ
lmax
КТЗОI, ктзо1д:...ктзош
30
10
3
КТЗОIГ-КТЗОIЖ
60
10
3
.
•.,
'.
'
.
,·., ..
.
Максимально допустимые . параметры. Гарантир_уются при температуре окру•
жающей среды Т с =-55;.. +85° С.
1
•
/и ma:r - постоянньi,й ток коллек•
•
тора,мА.......•.
'э max - ПОСТОЯННЫЙ ток ЭМИТ•
тера,мА ....
,
.
.
Иэв ,mах - постоянное напря-
жение эмиттер - база, В
,
Окв max - постоянное
напря•
жение коллектор - база, В:
КТЗОI , КТЗОIА, КТЗОIГ-
10
10
3
КТЗОIЖ
20
КТЗО IБ, КТЗО IВ ,
.
,
•
30
Икэк max - постоянное напря-
жение коллектор - эмиттер
прик.з.междуЭиБ,Вэ
КТЗОI, КТЗОIА, КТЗОIГ-
КТЗОIЖ
КТЗОIБ, КТЗОIВ
р\.
K 0ma1< - • постоянная рассеи-
ваемая мощность· коллектора
при Тк=-55... +60° С, мВт .
Тп ma:r - температура
·с...•
.
R,,, п-к - тепловое
ние
переход
0 С/мВт
перехода,
••
•
t
•
•
сопротивле
корпус,
20
30
150
120
0,6
Допустимая - те_мпература окру
жа~qщей среды, 0 С ;-55 . . . +85
.,
1 1 При Т н=60., ,85"С Рк max [мВт]= (120- Т R)7,0,6.
93.

94
1/.
з
.z
/r
f;,-
~v.
)У1
[5,Мд
О, 7 1------+ --
О,Бt-----+---+---+--+--+---+#------J
а, 5 1---+ ---+ ---+ ---++ --+ --- ---.1 1---J
О,1/ t----t--t--- -+--+-+- --+ --F-+---J
fl,З 1----1 --1-- - -+ --1-+-- ~- +- - -J
а, z 1----1--'--1-----н'--++-t--1-----,
0,1 1----t--+---..Н--.,;C-----+-----+--+---J
аl-~=::::...!-...L..___L_..1..__J______J
0,3 D,4 0;5 D,Б • 0,7 D,8 U63,B
-
••
•·'
;i
-
-·-
...
l( TJO f, !('ГJ0/8,KTJOtД -Jir, = :
= 25 мкА ; KTJO!A,f(TJO!E-
- t1[5 ;= 12, 5.мкА;/fТJО!б,
ктJ{]fГ- д'[5 =5dмкА ;
~TiOJЖ -ЛI,i = 7мlflt
Л11r,, ( .
1
-
.
О
'+
Б81D1214161fкэ,В
-
-··
j
hтпри! 3 °ЗнА
:.:IIJE 11 ffLJ
О
34J-6i8l,,нА

г
r
КТЗ02 А
Общие rnедени11. Кремниевый .планарный п-р-п-транэ,истор предназначен
для уси;nителя кассетного магнитофона типа «Во~онеж->..
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (,рис, ГН.2, 61).,
Масса транзистора не боJ1ее 0,5 J.
.
Условия эксплуатации - в соответствии с таб.1СП2.4,
Электрические па·раметры
значения
Режимы измерения
Обозна-
8"1· -~ 8
· Наиме·нов·а,ше
~
~
..:
<
чение
1 te.
:S: :Z:
:,;
::s
.=. .о
t) .о
~
·:r: t;.
~~
.ro
·~
(Т)
:s: (С1
t'tl а,
:::,
:,; :,;
""·
:::,
'1
.-
Обратный ток коллектора, мкА
1 ю,о
1 1-5
t
при Тс=+85°С
315
Пр\f Тс=-45° С
115
-· Обратный ток • эмиттера, мкА
Статический коэффициент . пере-
j ...
дачи тока в схеме с ОЭ в режиме
'
,;.
..
.
.
'
малоrо сигнала
h21э 110 250 1
{). 11
при То= +!Б5° С
110 400 1
1
о, 11
при Ic =-45° С
80200I
О, 11
Коэффициент шума, дБ
,.
при f= 1000 Гц
Кш
7
J
О.1
Максимально допус:rимые па'J)·а·метры, Гарант·и·ру-кн:ся flfHI т-ем-11ер,атуре окру•
жаюшей среды Тс=-45... +85°С.
/к max -111остоянный ток ко:ллек•
тора, мА .
•
.
..
.
.
.
.
10
ИэF, шах - ·постоянное напр.JJ·
жение эмиттер - база, В
4
U~., max -' - ПОС"I:ОЯННОе
напря-
жение коллект0р - база, В
.
15
ИКЭR max - постоянное
напря-
жение коллектор - эмиттер
(.R6 ~100 ОМ1), В ...
,
15
P JI)
к max - постоянная
·рассеи•
ваемая мощность коллеI<ТО•
ра, при Тс~50°С, мВт
100
Тпmax -
т.емпература пере-
хода, о с
.
.
+85
Допустнмая температура окр,у
жающеii среды, 0 С , ,-45.,.+85
l) В интервале Те 50u ·C m 85 '' 0 . МОЩНОСТЬ линеЙНО' fМеНь[1;1ае:rСЯ НЭ
0,5 мВт/' С, .
95

11111 ,111j111111111111111·
ГТЗО5А, ГТЗО5Б, ГТЗО5В
17
18
19
Общие сведения . Германиевые диффузионные р-п-р-транзисторы предназ
начены для усиления и генерирования колебаний, ' а также для работы в импульс
ных схемах малогабаритной · радиоаппаратуры.
Корпус металлический, герметичный, с · гибкими выводами (рис. П 1.2, б)~
Ма,сса tранзистора не более 0,5 r. ,
Vсловия эксплуатации...;. в соответствии с табл. П2.2.
8ле1<трические параметры. 'Классификаци?нные параметрю
hs'iэ, h21э, lh~1эl,
'
Зщ1чения
Режимh1 измере~:И}i_
Наиме.новаиие
t
'·'
:
обi>аТНЬ1Й , ток коJшектора,
мА
Обратный ток эмиттера, мА~
ГТЗОSА, ГТ305Б
tтзоs:в . :
Обратный ток коллектор -
эмиттер, мА ,
при Тс=+6О0 <:;
цри Тс =-60° t
Граничное
напряжение
транзистор,а, в
Напряжение
насыщения
КОЛf!ектор - эмц:rтер,
ГТ305А, ГТ305Б
В,
Напряжение
насыщения
база - эмиттер, В:
ГТ305А, ГТЗО5Б
Коэффициент передачи то-
ка в режиме малого сигна-
лавсхемесОЭ
ГТ305В
при Тс=+60°С
при Тс=-60°С
Коэффициент шума, дБ
ГТ305В
96
'
i
'
Обозна-
че'~ие · ,
..
/I<БО
iэво
1!1;.эх
1UI<ЭOгр 1
UI<Э нас
Ивэ нас
h21э
.,
"'
1~
о,,О
, c:Q
.,:
.,:
.,:
':с
:с:с.
:11 ·
·:S· . :;
!:i"
,,, ..
:с~ ~-~ .
~
~ сЪ ·ci)
:; :,;
:,; :,;
:::,
-
-·
!
'.
.i
'
4
15
30
1,5
30
0,5
6150,5
70 15 ·9,б
6150,5
12I
1... - \.
1 l1°1
0,5
101
0,7
101
401205
5
403605
5
201205
5
"'
~
:g
.::
,.
10-3
10-в
10-3

i
!
Наим1~иоваиие 1
!
!
Выходная полная цроводи
мостъ в режиме ' малого
си~нала, См:
Модуль коэффициента
редачи тока на ·высокой
стоте:
ГТ305А
ГТ305Б , ГТ305В
'
,,
пе
ча-
Статический коэффициент
передачи тока в схеме с
ОЭ:
'
ГТ305А
ГТ305Б
при Tc.i: ,+60°Ct ,,
ГТ305А
ГТ305Б
при Тс=-60°С,
i
' Ооозва .
чевие
,/
1h21э 1
:
h21э
.
.
';
Значения
7
8
.
.
25
60
25
60
!
1
5•!10-6 5 '
1
"
80
. -...
J.80
', 1'
240
500
5
5
1
1.,
1
1
Режимы измерения
.: ,:
<,: ,
. :,:
::1
::.
::.
::. '
'-,
~-~
-
~-
:s
~
5
; 0,001
·'\
10
10
10
10
щ
\•lQ ,. ,
-Т1..:1:
20
20
15
80
ГТ305А
1
-:нi' '
30 180
Ем:::::Б коллекторного _п,_,е..,·--
· •.,..
.-
......----'--------,--l
__
, ;,..:_•_
··....
·
1...·_
· ·......_·
_
·-_
···. ..·_
-
I...? _i••j...··+:i:·__ _
J·_
:-
рехода, 11Ф:, '
С11
ГТ305А, ГТЗО55 - ·· · · •
... ~
.'
' •5;. ;•,7,:•.с
•5
,
,
·;
,
5
гтзо5в ··. · ·
,
· ,.·
·,•
.,.
;5,5 ., -5
,..... ..5.,,
Расqетное зпачение.
{>,,:.: .:,; • '
1
МаксимаilънD доnустимые параметры, Гаранr.ируются при температуре окру.
жающей среды Тс= -60.. . +60 °С,
/\)
'
•
к max - постоянный ток кол~
лектора, . мА
.
,
.
.
.
~40
2)
'
.
.
'
'к и· max - импулъсны-и ток кол.-
~ектора (t,., .;;; 10 мкс) , мА • 100
·4 Зак. 503
Иэв max - поето ~ нное напр~: ·
iение эмиттер - база, B_i
ГТ305А; ГТЗО5Б
l.~
ГТ305В •
,.•
,
•
• -.•,0,5
;, ..~.

Uкв ma1- - постоя'Нное напря•
жение коллектор - база, В 15
Икэх n:,~~
.-
постоянное напря
жение коллектор - эмиттер
(Ивэ=О,5В),в....15
Р}) maJ!i - постоянная рассеи-
ваемая мощность коллекто-
·ра,мВт..
,
.
,-,
;•75
Тп max - температура
перехода,
0С
,
.-..•
,
.. ..+85
R.. , п-с - тепловое сопротивле-
ние: пере~од - окружающая
среда,0С/мВт . . . . . .0,8
Допустимая температура окружа
ющей среды, 0 С ,
,
,-60 .. ,+60
11 При Те> 35°С lк max [мА)""" 5,2-V85 - Те:
2 1 Критерием соответствия lк, в шах треб0.ванию ТУ является h 21э ~ 5,
измеряемы~ при lк, и шах = 100 мА в диапазоне температу, р - 60,,.+60" G,
-_Ю
При Те> 20°С Рк шах [мВт}=(85 - Tc)IRт, п
_
С•
_ I 6,11A
1,0 1----1-------11-----1-------l~---I
h21э,
hz,э
200
16D
1ZD
во
1/0
о
98
0,1 O,Z О,З
h11э- Икь=1В
L...- ......
· h21э-Ик5=5В ,,,"hz,э
'
•
1/ ).,-r-..._
1\
/
/
\.
,,
,v
'\
,
,/
/\
~_1_З , _
/
'
ГТЗО5Б
/)/
't--:..тзq5в
/
~т 'N
;'
~rз~5А
~ .....
1,.-
17
J.~
--
1-
"
.
-
1--- .
!,
,,,.
-
"
,__
i
,
;
15зrи60
1 11zrэl
11/
12
10
8
6
.о
lк,нА
501--------Z---Ь,.~+---+-----1
D
2 '-1
6
Икэ, В
~~~-
.,....,.
1/
V'
1~,v
z
ГТ'3 05А -ЛIБ=100 нкА; ГТ305б 
-Лiь=60нкА; П3058-Л1 6= 1/0:тА
ГТЗО5А
'
ИкБ=5В;f=2DМГц -
·-
~-
-
-
_L
~ 1--
-
_,,,,,
1--,..
1.---
r--i -- ...
,~
r-...
,~
1
J,,
, ....
1
Г-,
1
1
46810
,

КТ307 А, КТ307Б, КТ307В, КТЗО7l'
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р-п-транзисто
ры предназначены для использования в быстродействующих переключающих
микросхемах, в микромодульных узлах и блоках, имеющих герметичную защиту.
Оформление бескорпусное (рис. Пl.18). Масса транзистора не более 0,002 r.
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.3.
Электрическ11е параметры. Классификацио,нные параметры;
h21э: tpao•
Значения
Реж:нмы нз·мереннн
"
Обоэва,
"'
"
Напменовани~
о
,о
щ
щ
«:
<,:
«:
а
чение
.:,::
"':,::
:&
:&
:&
'"'
·= .о
u.о
~
:,:: ,;
,: ,;
;;; ci)
"'
m
"' ·"'
'Н
:,,:
""
:::,
:::i
..:.
Обратный ток коллектора, мкА 1 / кво
/О51IO1
при r~ = +85°с
,
io •10
Обратный ток : эм~ттера, мкА I lэ§.О
1•
,•
141,11l
Напряжение ~асыщения
лектор - эмиттер, В
кол,J• Икэ наа
Напряжение н~сыщения база.:_ 1
эмиттер, В .
:
Ивэ нас
Модуль коэффициента лере-1
дачи тока на высокой частоте • J /121э 1
•
'
СтатИ<[еский : к.о.эффицнент пе-
редачи тока в схеме с ОЭ1
h2iэ
КТ307А
КТЗО?Б, КТ307В ' •.
''
КТЗО7Г
!!
!
при То -1 +:85" С:
:
КТЗО7А
,
:
'
i11i1
К:ТЗО7Б, КТЗ07В
'
КТ307Г
:
при · Тс .=-60° Ci
'
К:ТЗО?А
КТЗО7Б, КТЗО7В
КТЗО7Г .
Время рассасывания,
КТ307 А, КТ307Б
нс:
lpao
КТЗО7В'
!
перехо-1
Емкость эмиттерного
да, пФ
Сэ
Емкость : коллекторного · пере-/
хода, пФ
Ск
4•
l2.5I
12I•1 1 1511100
20
о
10
40
о
10
•80
,о'l'
10
:
1
20
о
iO
40
'
о
10
80
о.
10
!
!
10
О·
10
'
20
о
10
40
о
10
30
101
50
101
1
3,01
1
1
1
1
, ~!О
1
Jв.о/11
1,.
[110
.
99

Максимально допустимые пара111етры, Гарантируются при температуре окру•
жающей среды Тс= • -р0..,.+85°С . .
/к m ia·x
-
постоян'ный ток . кол;н~к:·
тора,мА. . ... ...•
.
.
20
lэ п,·., ~ ~постqянный ток эмит-
тера,мА........20
/к,• шах - импульсный ТОК КОЛ·
лектора (/и~ JО мкс и Q;,;
;:;:,а,10), мА .. :
.,.
.
.
50
UэБ max
-
постоянное · · на;:~ря-
жен~е эмиттер - база, В·
4•
UкБ m ,,x
-
ПO.CTQf!HHOe наl'jрЯ-
же~ие, коллектор - база, В ,
·10
;1
.· ,-
!
>---+--+-+--+---+ Икз=а ~zВ 1
1
U,07
!
0,061---1--+ --+--+ --+-+-+ --+-f --+ --I
0,0 5 1----+--+ ---+--+--+--ii-+--+,- -+- --or
ЦО41---1--1--+-~+--+➔1-+· ~--+-Ч
,Jl,U3 <--+-_
-
1.- .+-
.,-. -+- -
.- l:+-, -,
-
,;-+-+- -+- -
..
-<--
..__ .
,.
UкэR· max - пост<:>янное .
, жение
коллектор -
•(Rв ~3кОм),В
напря
эмиттер
р~>max - постоянная - рассеи-
ваемая мощность
ра,мВт...
,
коллекто-
rп max - температура . перехода,
10
15
0С
.
•
..+100
Допустимая температура окру
жающей среды, 0 С ,
,-60.. .+85
1) При Т0 =-60.. .+ББеС. При пс,
выiпении температуры кружающей
среды от 55° до · 85°С допустимая · мо
d{ность линейно уме·ньшается до 5 мBir,
OOZ
,_1 j_r.
·
rrr,r
'" '·
·J•
.
dи11--1-. ," - '!
,
--"--'+--+--+'1~
. ~--+-
-
, ,._,
:11+-
_:~
·:·,+
._
.
- =-1
~·-
· :·:.•
_1../ _,.,V,: '.·,'. "i.
100
о а,1 a,z и,з и,ч 015.D,f._а,], и&1,в.,. ,. i ...
~-~t·:
- :,··· ;:-• .:~ · -,
,.,...-. ..
r,, -
. _,,,.~ _,:»·~..,,-: :~ "-'"
-: ~-.:
·"
1.0
О
Z
ч
6
8 Икэ, S•
,
/ITJU7A, /IТЗU7б, КТЗО7В -tН 6= 5пкА
l{T307[-L1 I Б=1~!!_~~
1•
~Б~-, -+--+--<-+-~--+--+--+--+--<
0,5 ~~~~~-~-~~~~
о
8IZ
16 Iк,мА

1huэl
---
lhшl npuI3 ~5нA~ -
.,.
✓,r. ,
'f
0,9
,С
и •;,,;zв ' •
КБ'.Т-
, , f=IOUH!U.
а, в 1-'-11--1--+---1-+--+с"-г--,-----.г--1
а, 1 1-'-11 -- - -1- -+- - -11- -+--+c-+----,,+---11--"'t
(},6 .___.. __._ __._ _,~..___._~~ __,..........
а
8 IZ 16 13,мА
jli(l/1111/lliijllli/lllijllli/lilljlltililtl
19
20
21
27
23
. ,,.,,
о. 8 1-c--.1 -:&i.-,!,"t'.<f-:
_.
-+-+c-!--,--1---'--J__
-c :I
.._
~~'+--+--1-+-с+ ,, Ннас'ё1U ·, -;
- а, JJ 1-'.+--1--+---1~+--+с-т---,......,.,-..-е1
-.;-""
О · 10 20 ЗО 1/0 fк',н,А.
гtзоsл. tтзовв. гтзовв
Общие сведения. Германиевые импульсные сriлавно ,диффузнонные p-A.l. .p.
транзисторы предназначены для генерирования, у<;ил~ния, преобразования · ко {! е•
баний высокой частоты и для работы в импульсных схемах.
-· .,
•
Корпус металлостеклянный с гибкими , выводами (рис. Пl.19} , Масса • тра11•
зистора не более 2,2 r.
:•
'.
•
•
•'
Условия эксп11уатации - в соответствии с табл. .П2.3.
'
.
\1.
,.
,1\
Электрические параметры. Классификационные' параметры ·~
Икэ нао• h21э• lh21el •
-~- ~
Зна~ения-
;Режимы нз1V1е11еНия ' .. ~.
:,'.,
.
'
'
Обозна-
,.
1
:-1
Наимен1>вание
8
.:~
·
[:~-
•.
:1
о:,
о:,
•. -,;
'
...
чеиие
..,
~
.,
•·
2..
··t
i--
~.
'
...
S:IS
:.:' а-,
[!)•\,
.
,.,
.,.,
,.(Т)
•
.,
:3\'l
.:al~
. ::J
::J
·-
-
::· -
'
Обратный
.
ток кол.1ектора,
;
.
мкА
lкво
2
5,
.-
при Те= +70° С
90 10
•.
при Тс=-60°С
~15
.
эмиттера, 1
1
12/
I,
'
Обратный ток
;
50
мкА
1 эво
1
Граничное
напряжение\ •
1·
транзистора, в •
UK::JOpp 12,5
·11
,.
• \10
.
Напряжение
насыщения
коллектор - эмиттер, 8)
Ик.э нас
ГТ308А
l,q
<503
ГТ308Б, ГТ308В
1,2
503
.
101

Значени~ •
Режимы измерения
Обозна•
~-~
Н аи~енованяе
~
.. ;Q
~1~
<t;
"
ч:ение
'.,
., "'
.:,;
с..
"'.,
н ;;:.(Т)
::.
"',;;
т
н .о>!.;
~-~
:;; :Е
:::>
:::>
..:
!
Напря·)~енне насыщения 1
база --, эмиттер, В
И-вэ нас 1
1
0,5 :j_
1
10111
Модуль коэффициента -пе-
редачи тока на · высокой ча•
стоте:·
1h111э l
ГТ308А
4,5
5
520
ПЗО8Б; ГТ308В
6,0
5
520
Коэффициент шума, дБ
·, Кш
1
1
;.1
-
1 -151
ГТ308В
8
1,6
(,:~'1
:
'
..
.-
Стрт11ческии . , коэффициент
передачи тока в схеме С .
ОЭ:
h21э
ГТ308А
2,0
751
1
10
ГТ308Б
5о1201
10
ГТ308В
;
80
200 1
10
при т с""'+ 10° -с,
ГТЗО8А
.20 2q,{) 1
10,
ГТ308Б "
503601
10
ГТ308В :
806001
10
при, Tc=-60°C-i
ГТ308А
15
1
10
гтзоsв ·.·
-·
. ...
30
1
10
ГТ308В
45
1
10
'
...
·-
Время'.. рассасывания, мкс,
!рас
ГТ3f)8А -- - •
-
-
1
5
504
10-3
ГТЗQ,SБ , -- - ---- •
1
5
502
10-з
гтз0вв·
-
-·
-
..
·--
'
15
50 1,25
10-»
·-
пере-,
1 ·25
f111
]1
Емкост,~, э1,1иттерного
·Cs
хода, riФ' ·
1
'
Емкость коллектор.ног.о пе-1 •
1511111
рехода, пФ
Си
8
5
.,
Постоянная i времени цепи
обратной св~зи »а высокой
частоте, пс:
"tн
ГТЗО8А, П308Б
400 5
55
ГТ308В
500 5
55
Максимал~,110 допустимые п,араыетры; Гарантируются при температуре акру,
жающей среды: Т;с =-55. .. + 70° С.
,
/ к m ах - ПО()Т,ОЯНIIЫИ ТОК КОЛЛеJ{•
тора, :МА . •
.
•
.
.
.
.
.
50
'1)
•
Iк, 1i max - имп:ушь.сныи ток !КОЛ·
лектора при rи~5 м1,с, мА • 120
102 '
·u1>,
эв max - постоянное
напря-
жение эмиттер
база
,U.::>во.~2 мА),Б , • •, 3

'
1
Ик1о max - постоянное
напря•
.
жение коллектор ·_
база при
отключ:енном эми-~;1iер.е, В .
20
иk>э R max - постоянное
напря-
жение коллектор - эмиттер
(R~1кОм),,В.....12
и\)
кэх max - напряжение между
коллектором и эмиттером
при запертом эмйттере , В . 20
!)
,
U КБ, и max - импульсное - напря-
жение коллектор - база при
tи ,;;;;;,1 -мкс и.• обратном сме•
шении на эмиттере, В .
30
2)
Рк шах - постоянна~ рассеи-
ваемая мощность колJiектора
(Тс,;;;;;+45°С), мВт.
150
• Рк . и ш ах - импульсная рассен-
ваемая мощность транзисте> .
ра • (t'и,;;;;;5 мкс), мВт
.
.
.
360
Та m~r - температура
перехода,
0(3
.•.. .
.
·.
..•
85
Допустимая температура окру
жающей среды, 0 С •
- 60...+70
r> При Те=.:_ 60., .+45° С, В темrnературном интервале 45.;;70° G · мак
симал&но допустимые значения уменьшаются.; . Икв inax• Икв ·· max на 1,0 В/0 G;-
VкэR max - на 0,4В/5°G1Икэ,хmaxна 1,0В/5°G\Иэвпiа~~на 0,2 В/5Я С/
lк
на •4 мА/5° С;~ Рк i,;· ах
-
на 10 мВт/5 G,
·
·'
~ 1mfitи пониженном ·давлеiшfо, 7 ; 102 Н/м2 мощность уi,еньшается на 30%,
При Т,с = 45 ... 70° С. максимально допустимая мощность умен _ьшается 'в '€ООТ•
ветствии с формулой: Рк шах [мВт]= (85 - Т с)/0125 , •
16,мА,
lfкэ =О
O,IT
0,8
. а,ч
1
·.L,V
а
0,1
h113 при I3 =10нА·
1,Z5
1,00
а, 75
_
а,.50
1
'
1/
V'
O(l
i/
/1
,,
о5
2,58 1
J/
J
J
а,з И~э. в. .J
l
V'
1/
/
гт.,ОВА -ЛГ5=15ОнкА;ПJОfJ5• :;'
-м6=fООмкА; ГТJОВВ-J5· =50мКА ;
;
,\
~ /.,·
1~,нА
V
--
•
r
зz
i
/
7Б
r
V'
1
а
•·
... .
_
......
_,.
..
,_
)!
,
11,
~ ....
~ .....
Uк6=18 -
ю15zaz5за.154013,мА•

.,,~..
1-111 .1
.11 1 J п 1111111 j! 1111
ГТ309А, ГТ309Б,
ГТ309Д, . ГТ309Е •
ГТ309В, ГТ309Г,
lZ
18
19,
' : . О, бщ1:1е сведе·ния :. Г;ерманиеВ!>lе сплавно-диффузиоiпiьiе р~п-р-транзисторы
J\ пред.назначены для ра .боты в. •схемах малогабаритных ради.овещательных прием
ников, телевизоров, магнитофонов ,
• ·':Корпус ..: металлический ; ' герметичный, со стеклянными . изоляторами · и гибки•
ми в'ьffзодами (риt. ГЦ .2, б). ; Масса транзистора не более •0,5' r. •
~·слови я э1,сплуатации - в соответствии с табл. П2.2 .
.,. • Электр11чсские параметры. Классиф!:{кационнЬJе п~р·аметры: /_h2шl, h2 1 эi 'tи,
.'
,.
..,
;,.
Значения
Реж1щы измерения
.,
'
Обозна-
"'
"'
Наименование
о
"'
о
<r;
"
о
о:,
чение
·=
"'
5:Б
:s
1;.
="'
о
~
~
=t;
"
,: t;
(Т)
~~ "'
СО·· с:3 .
..
:s :s
:::,
-
-.
'
..
0брат1{ый ток колJ1ектора, мкА
1кво· 0,5 2
55'
приТе=+55°С·
5191205
при Т с=_:40° С
5
5
Входное соiфотивление тра;1зистора 1,
.
11111·1
.в режиме .мал.оrо с.игнала, Ом ..
:h115,
..
385•l10-3
~ -.... .. ,.. ... ....
'.
,.
,
..
'Мод}[Л!J. _JSОЭффициент"iГ передачи то-
-
.,.
.~~
ка на высокои частоте: ,.,
-
·ГТ309А,
ГТ309Б .
..
.
ГТ309В..:_ГТ309Е... __
-
•··
..
,,
Ста;ический коэффициент передачи
тока:·в схеме,с.ОЭ:.. , ..•
f. П~О9А, П309В; ГГ-ЗО9Д
ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е
при Тс=+55°С:
ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д
; ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е
щrи Тс==-40° С:
ГТ309А, .ГТ309В,-ГТ309Д
П309Б , ГТ309Г, П309Е
Вь1ходная· У1роводим·ость в режиме 1
.малоI'о
сигнала пр,( х.х., мкСм. .
Коэффициент шума, дБ:
J:Т309Б, ГТ309Г • •
Емкость коллекторного · перехода, пФ /
Постоянная времени цепи обратной
- связи
на высокой частоте, пс;
ГТ309А, ГТ309Б, ГТ309В
ГТ309Г, ГТ309д, ГГ309Е
1 Расчетное значение.
104
'
; lh21al
6
14
4
.,
.,
h21э
20 55
60 150
20 90
60 200
'
16
30
Kl)
ш
225
5
705
180 5
140 5
360 5
705
180 5
5Ор 5
1000 5
5
5
l
l
l
1
l
1
5
5
20
20
5
5

Максимально. доnустимые параметры, Гарантируются при темпера:rуре~ окру•
жающей среды . То =-40... +55° С.
lk> max
-
ПОСТОЯНН1!JЙ ·. 'l 'OK •
коллектора, мА . .
10
Иэв rnax - постоянное
напря•
.жение эмиттер.;:_:.база,' в·: \:i ;5
ИкэR max - посtоянйое
наriря- •
жение коллектор . -: - эмиттер
(R~
~10 кОм), В .... ,
10
pi> max --"-постоянная· • μассеи~:
ваемая ' мощность
ра,мВт....
Т;, mo"x - ·температура
.
·'с
KOJJJJeKTO·
75
перехода,
..
·"· 70
До11усi-имая температура Ol<P !I ·
жающей среды, 0 С .
- 40... +55
L) При Т0 - -40,::25°0, Лри Т0 > '+25° С lкma·x lмAJ~ 'I,7V70-Tc.
•
_
2> При Те= ·-
40 .: .+25a.G, При Т0 = 25,;;55°С мощность уменьшается на
15 мВт на ка·ждые 10° С;
•
0,8
0,6
11·17
/
1'
.,
1/;
i
1--1-- Uкэ=О 4- ! IC
\587
r-t 1!
-
,
!/•J /
lк,МА
60 t--ct--+~+- -l =-4 --J
50 t---Jf-'-;; ,,-" 'f---+ ----h _.. ,~: __ _J
0,4
0,2
1,'/ 1/
1
1//17/
/7J/,/
1/,' lj /
Z.D
~ :/ /_,, . /,,,,
-
•О•••U,1
• D,Z
D .z,4..~ 8,Икэ,В.
гтзаэА, гтзаэв,гтзаgд - L1I 6=5DмкА
\ лзоэб, rтзоg~ гrза!JЁ-м 6=25, Nнд
hz1з
GкБ= 58 .
Iэ= 1мА
Z50
.z11 _
....
zao
ZD
- :---
.
-l,.,·
16
с--
150
-
-
1....... .....
1Z . ,,,,.,,.
100
8
1,.-
-
--1--
,~·
.r-
50
ГТЗОЗА, ГТЗО98, ГТЗ09Д
,,
,,
ИкБ =58
4
f= Z.D11Гu, ~ -
/
1
о
1
zo
30
40
50 Тс,оС
о
2 ,'-1
,
6.8
.
, lэ,мА
.
JOIS
---- -

П310;\. ГТ310Б, ГТЗlОВ. ГТЗIОГ,
ГТЗ!ОД, ПЗ!ОЕ
0бщ41е о!fедения. Германиевые• сплавно-диффузионные р-п-р-транзисторы
предназначены для работы в малогабаритных всеволновых радиовещательных
пр и ем1щках, телевизорах, магнитофонах, а также и в другой аппаратуре.
•
Корпус металлический, герметичный, со стеклянными изоляторами и гибкими •
вы водами (рис. П 1.20). Масса транзистора не более О,2· .г.
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2,
Электрическ и е параметры. Классификационные параметры~
lh210I, h21э·
Значения
Режимы измерения
· Обозна :
1::
"
"
«:
Наимен о вание
о
,О
"1
"1
«:
«:
чение
'"'
..
~:]]
2
2
:;
"'-"
о
~
"'"
t:: ·
"'"
(Т) '
<д i>.
:,: .,.
"'
. ,.,
~
:Е:Е.
....
:Е -2
~
:::,
-
Обратный ток коллекто-
ра, мкА
/КБО
0,5
55
при' Тс=+55°С
101205
при, тс= -40°·С
0,005 5 5
Н а пряжение
насыщ~-
н и я коллектор - эмит-
тер, в
Икэ нас
2
503
Н ,1пряжение насыще-J
,.
ния база - эмиттер, В ИБЭ нас
В х одное
сопротивле -
н ие транзистора в режи-
ме малого сигнала, Ом
h115
385
1
,,
Моду!ль коэффициента
'
п е редачи тока на _ высо-
кой . частоте:
1h;1з \
ГТЗlОА, ГТЗ!ОБ
8
5
5
ГТЗ!ОВ, ГТЗ!ОГ
6
5
·5
<r,tз1од, ТТЗ)ОЕ
1•~
:·:· ,,
4
5
5
Вы х одная проводимость
в режиме малого сиrна·-
ла
~:, '
при х.х., мкСм
h22б
3
5
1
Статический коэффици-
ент пер-едачи тока в сх-е -
мес ОЭ:
.
h21э
ГТЗ!ОА,
ГТ310В·,
. ГТЗi' ОД
2050705
1
ГТЗIОБ,
ПЗIОГ,
ГТЗIОЕ
601251805
1
106
::,
1-..
:Е.
-
;
10~ 3
20
20
20.
10-з

Наименование
при r. -+55° 'C1
ГТ310А, ГTJI0B,
ГТ310Д
ПЗ'!ОБ, ПЗIОГ,
ГТЗJОЕ
при r.=-40°C1
гтзаоА, ГТЗIОВ.,
ГТЗJОД
ГТ310Б, ГТЗIОГ,
ГТЗiОЕ
Коэффициент шума, дБ,
ГТ31 ОА, ГТЗ 1ОБ
ГТ310В-ГТ310Е
Емкость эмиттерного!
перехода, пФ .
.
Емкость коллекторного!
перехода, пФ:
ГТЗ!ОА, ГТЗIОБ
ГТЗ.JОВ-ПЗ!ОЕ
Постоянная -времени це-
пи О:братной ,СВЯЗИ на
высокой qастоте, пс:
ГТЗ!ОА-ГТЗJОГ
ГТЗIОД, ГТЗ\ОЕ
Обозна•
, qев -11е
Кш
Св
'tв
Значения
201101405
60653605
16
705
30
180, 5~
3
4
5
5
Режимы намерения
. ..:
1 1,6
1 .1,6
111401111115
,,
\
5
:i
4
5
15
.5
5
.111
,.
300 -
·5'
•55
500 5.
55;
Ма1<симал.ь110 допустимые ,n·араметры. Гарантируются при температуре окру•
жаюшей среды Т с = _..40... +55° С,
Jк max - постоянный ток КОJ1,1ек
тора,мА...
,
.
.
.
.
10
Икв max - постоянное
напря
женlfе коллектор - база, В
.
12
ИкэR max - постоянное
напря- ,
жевие колле1<тор - эмиттер, В
при R6 =.10 кОм ..
,
•
при R6 =200 кОм,
10
6
Р]/ max - постоянная
рассеи•
ваемая мощность• коллектора
(Тс=-40... +35° С), мВт .
.
20
Т и m ах - температура перехода,
ос....~'...'75
Rт, n-c
-
тепловое сопротивле-
ние перех•од - •окружающая
среда, 0 С/мВ!Г
.
.
.
.
.
2
Допустимая температура окру•
,ж.аюшей ,средш, 0 •С • ,-40.,._ _+_55
io1
l, _. ...,

!~.,1• .•;·._!
_.
.'
•:.:
,.
с~·-
•
; '...';'•,:1
·~ :'
,.';.с:
о
0,1
o,z, о,з [J БЭ, В
hz1э'
160
•. 140
--
, 1za
,•100\
80
~
:..
60
:
t+O
'i
za
о
1:
111111111111111111111111111111111
•20.21
22,
z
- 6 l-f -~""-==i--i - -~ -+ - -+- -+~+-=+--1=-+- -. - - - -f
,·,. ;:'
'r,.
2
о
"'
/"
V
1'
V"
,Нб -
V
i
Z
4
6
8 Икэ,В :
ГТЗIОБ, ПЗIОГ, ГТЗIОЕ-L1!6 =10111<А
ГТЗIDА, ГТ~106, ГГЗIОД-д 16= ZONIIA
!!З10А, ГТ!108, ГТЗIОД
Uкэ= 58
з
I3, нд..
tl'
КТ312А, КТ312Б , КТ312В
Общие сведен_ия. Кремниевые эпитаксиально-планарные п-.о-п-транзисто•
ры предназначены для ' усиления : и генерирования колебаний высокой частоты,
для работы в • быстродействующих импульсных схемах.
108 ~
J

Корпус металличестшй, герметичный, со стеклянными изоляторами и гибкими
выводами (рис. Пl.21, а). Масса транзистора не более I г•
. Условrя
:;~ксп,луатации ~ в соответствии с табл. П2.3.
Э~ектрич~ские параметрь1. Классификационные параметрщ
Икэ !JaG' Uвэ наа• h21э• lh210I •
,
Значения
Режимы и.змере.ни~
-
..
.•
;
Наименование
._......
'
~ ,.,
~.
Обратный ток коллекто-
ра, : мкА:
J\T3 l 2A,. КТЗ 12В
КТ312Б •
Iipи т.;,.+85°С1
..
,._-
КТ3!2А, ·КТ312В
КТ31 ,2Б
'.
при Тс=....:40° С1
КТ312А, КТ312В
КТ312Б
'
Моду~ь коэффициеtrта
передачи •тока • на вьrсо
кой частоте:
ктз12А
КТЗ12Б, КТ312В
Статический коэффици
ент передачи тока в схе
месОЭ~
КТЗ12А
КТЗ12Б
KI31213
Обоава.
s~
чеm1е .
'"'
!~
0
~
~
....
:,; :,;
...
'
•1кв6~ ·,
0,2
, 0,2
5
•1
.'
5
0,01
0,01
i1
!.
Jh21ЭP
48
6
9
h21э 10 30
25
30
50
''
,.
,~
CQ
CQ
"'"'
и.о
;:;:,
"'"
(ТJ
"'"'
:,; "
.
·:::,
.
:::,
;
10 20
;
10.}5
•.
30 20
30 35
10 20
10 35
\~~
1()
10
100 (),,
100 2
~~о 2
-
:,·
!,
,
~: <:,;
;:;: сЬ
-
;.. •
i
!
<>1
(Т)
! ., 7',5
:J ,,5
!
,1·
1
1
Q
5
"'
'""
::;:
...:
'.
~
.J;.1"•,
,,
•~
-(
20
20
20
1{)8

''t
Зна -~ения_ \
Режимы измерекня
Обозка•
:;, .
.,
~.~
<
::1
Наименование
о
p:i
,,:
,1
qение
':с
":с
Р4
Jil
Jil
""
".о
.о
.
(.) .о
-~
(Т)
::ао
"'о;
§~~
i"'
}·
:,: "
:::,
:::,
.
.
:. :,
...
""
-
-
при Те= +ss0 c1
2
•20
К,Т3!2А
10 35. 200
ЮЗI2Б
25352002
20
J(ТЗ!2В
50
560 2
20
при Тс=-40° Ct
18
20
К:Т312А
8
100 2
КТ312Б
15181002
20
I(T312B
25
280 2
20
-•
Ем~о~ть : • эм~ттерногоl
,\
пере~ощ~, , пФ
.
1
,Сэ
20
1
2
1
1
-
Емкость коллекторно-
-
го перехода, пФ
Си
3,5, 5 td
2
1
'
i
·,
Постоянная времени це- - i
i
'
пи обратной связи на
'
высокой частоте, пс
i. 't"н i
!
500101
52
";\
,._\,\
,,'
·,
~а~сима11ьно допучим,,е 0~араме~ры. Таранrируют~я n;ри :температуре окру.
жающеи среды Тс=-40... +185 1 С, ! :
...
~l1!;i'•
i
! ·•' ,i•r•'"-.о.-i"-""1 ;"
!!1
i
j!
Iк max - посtоянный ток колл~к- i
i<тз12Аj 'ктз11в
тора, мА! ·, •.
;.:.i•
i30 ,
J,(T3~2Б j -! . i.
1
1
,,
;
'1
•
'
!
1
. Iк, иmax- и~пуf(ьсный,то* крл-i ,
Pk)ma ~
- f поро~нная рассеи-
лектора,мА...• .
.
;.60
.''
20
35
1..
,.\
,ваемая мощность коллектора
Иавmах -постоянное напря-
(Тс:е:;;;25°С), мВт
.
,
.
225
жение эмиттер - база, В , 4
':"
;,
.
,
::!1l.
,;
u:f~ max ' - , постоянное : 'каrфя•
, ; : сН<ение коллектор - база ; f3i
:
'
1'
; · КТ312А, КТ312В ,
,•1;. ,,,
20,
\ктз12в .
•.
,
,
,~.•35
ИкэR max -,." постоянное
нап~я-
; , жение коллектор -
' (R 6 :е:;;;100 Ом), В;
эм!Jтт~р
Ри mн 1- 1-1мпу1льс1;1ая
рассе_и.•. .
ва~ма!\ мощность транзисто-
ра • (tи:е:;;;1 мкс), мВт . j, . 451)
,Rт, п - /- rепловое сопротriвле:
ние перех0д - окружающая
среда,,0С/мВт . . .
.
.•.0,4
Допустимая температура окр.у,
жающей среды, 0 С .
- ,.60...+120
!,
i!
l) При Тi=,-4О ... +25~ 'С, ' ' При Тс = 25 ... 85°С Ркr11ах (мВт] = 75-!-(85-
-Т.с)/R,~ ' П- h:~
1
\1
110
..
-'1

I6,мА
0,9
0,8
О,?
О,Б
0,5
0,4
О,З
0,Z
0,1
-
~
J
/
Uк,=О •
5В
1
i1/
Iх,мА
45
1/0
35
30
2.5
za
15
10
5
........
/
V
J...-
.... .
(/"' /
...-
/
V
l----j
__,
" i,..- ,-
-
/
'
--
i--
!~~ --
-
/.,,,.
--
-
! _,,,/
1/
tJI.Б
1/
I
1/
J
а
0,4 0,6
• И35,В
V~
D
5
10'•15•Икэ,В
ХТ31ZА,КТЗ/ZБ-Лlь=D,1мА; ктз1zв-i1 Б=~D5.~А ' .
' hz1э
251---+-+---+----f""--..d:--+---t-~--+----,J
20 1--1'-1--+--4---+---+--+----+.::::,о,.,~--+----,..-,
20
{;0
50
80 Iэ, м_ll
Инэ нас, Ur,э Н.=ас~•-+---+----+---+----t----:-т----г---t--, 1< щ
'в'
в ~1--P,.,.d
0,23 0,85~=1=~=::::::~:=t=::~~~ 16
o,zz -о,во
,дБ
.~
Rг~ 100 Ом
'1'\
1\
0,71 0,75 l---+- -+- -+- --+ --t- --t= -~ -- + -1 1Z
~
•0,20 0,70
0,19 0,65 :=:=:=::::::;::::::----г--+----1--, 8
0,18 U,БО
0,17 - 0,551--+-+-~ -+ -1-"1
1/
0,16 0,50 ,-
· --+~
~
'н,он
~
~
>r,,
'
10к0н i
1,
-
Икэ=ZВ
f=1кГц i..
11
i/
/
......
с-~
.~
~V
0,15 0,45
.
,,
О
-60
-40 -zo о +20 +11,О +БО +во Jc 1°Е
10'20
/00_ !00 Iэ, 11А 1
•
ш

11111 11 .
11111111 111
~17
.
18.
19.
КТ315А,
КТ315Д,
КТ315В, КТЗ•l58,
КТ315Е, КТ3!5Ж,
КТ315Г,
КТЗ15И
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р-п-транзисто
ры предназю,чены для работы в схемах усиления и генерирования колебаний
высо1<ой частоты, а также · в различных импущ,сных • схемах. Могут работать
в паре с транзисторами КТ361А, .. КТ361И.
•
•
•
Корпус пластмассовый, герметичный; с жесткими выводами (рис. Пl.22),
Маоса транзистора не более 0,18 r.
Условия эксплуатации -с- в соответствии с табл. П2.2 . .
Электрические параметры. Классифик,щионные на раметры,
· ..fкэ R;-Икэо гр; Икэ нас; .иБЭ нас·; · h21э1 Тн-
Наименование
'Обратный ток коллекто
ра, мкА :
КТЗ15А--:-КТ315Г •
КТ315Д - КТ315И ;
при То=+100°С:
КТ315А-КТ315Г '.
КТ315Д; .. КТ315Е
при Тс=--;60°O:
KT3l5A- KT3l5t
КТЗI5д, KT315tr:
(.,. '
i!-i
~..'
!
i
i
Обратный '!'04 - эм~,гтер 'а,
мкА:
:
:
1
КТ315А-КТ315~К j
КТ315И ,
:
i
!]!
i
1
:
Обратный. • тф к;оллеl{-
тор - эмиттер, мА i
npr1 Rg~10 кGм: !
КТ3!5А : !
'
КТ315Б
1
1
КТ315В
'
КТ315Г \
i
КТ315Д
i.
КТ3!5Ж
КТ315И
приRБk:0:,
КТ315Е . !
1
при Тс=+100°С,
КТ315Ж !
КТ315И . .
при Тс =:-бо0 с,
КТ315Ж '
КТ315И )
112 .
Обозн.а-
чение
1 кБо
1
Зна.чення
макси~
мальное
0,5
. о,в:
10
10
,
ilQ
10
--·"
-
· ···-
.- .........15' ... -
.,о
!1эБОI
ji
!гj
~j
1{_..~
1к.iщ'
;·,~}~
:\.'
1
i
!
0,5;
,
0,6 j
!
1
301
50]
1
1,0
100 :
.200
10·
100
10
)0
25
20
40
35
40
20
60
35
20
60
20
60
<1;
:i;
;.а
.J t-;_,'
'
<1;
:i;
~
::,
t...
::;;
.:

'
Значения
Режимы измерQfШЯ •
Об0зна •
.
Наи;,енование
макси"
а:,
а:,
4;
-,;
<
"
ч:ение
;,
:а
>i
>i
· с;.
. :,:
: мальвое
:,: а, ::,:
~
.,
<д (7)
"'
::,
:::,
-
.
..
i
Грани•шое
напряже- . .
ние транзистора, В,
"'Икэо гр
КТЗ\5А, КТЗ15Б; .
КТ315Ж
..
15
:)
КТЗ\5В, КТ315Д,
''
КТ315И
30
5
КТЗ15Г, КТ3!5И
..
2]?
5
;.
Напряжение нас.ыщения
,.
коллектор - эмиттер, В: Ик,энао
КТЗ15А-КТЗ!5Г
0,3
0,4
.'
·'
202
КТ315д, КТ3!5Е
0,3 0,6
20•·2
;•·
.,
КТ3!5Ж
0,3
. 0.,5
,,
20 ·2
КТ315И
0,3
0,9
202
·.-с
Напряжение насыщения
,.
'.
'
база - эмиттер, В:
Ивэ uao
i
КТ315А-КТ315Г
0,63 1,0
202
КТ315Д, КТ315Е
,,
,Q.,63 11'
20· 2'
.•
_,
-,}'
"
КТ315Ж
0,63 0:9
! 20·.·,.2
..
КТ315И
; .о ,63 1,Зр
20;·2
·'.
•·-
~'
;
-·
.•
.-.
'·
,· ..
Модуль коэффициента
'
,.
'
.
i
передачи тока на ВЫСО·
i
l.,
1
1
кой частоте,
lh21эl
1
,~;··;
~-
:.,1
'
-
КТ315А-КТ315Г . - -
-•
. ----- ·-
••
1:i-
.:__ "••· ! ·~ 10 __... ___
__ ..,,,_
-
.,.
5 .·•=
100 -
КТ315д-КТ3!5И
~то·· 1
5 100
;
,---... ..
..,•-~r
1
!
j ;.·
Статический коэффици:.
--;i 1 f;:
i
i'') ,
,l
'
ент передачи .тока в схе'_
j
,1J, {:'с )
·-.~
мес ОЭ:
•'
h21э: 1j?
.
.
.(
i
.,
КТ3!5А, КТ315В
.,
..... ' ~
--',,_,.
;.,,..,.
~
- J. .JJQ:, - ,..J 0 ,__J___
-~--- ·
_ ......_ _ ..,
_j~
КТ315Б, КТЗ\5Г~
i
1
,;
КТ3!5Е
50
350; 10
;
J;1·1
;
,
: Z•.:\:1,,-
.,
А:; i:'. ~,(.....
КТ315Д
'
20 1 90; ,JQ.,
1,
.i
"~1
!
'•
•,t•
-
~(
КТ315Ж
30 250 ! ·10,
· ;,.
, -.~
!,
-..,.,.1 .
,,
,•1":,~
·,
.,
~-
'
КТ315И
•.
..:w
_
,
10!
1 f.,
•ii
при Те=+ 100° С1
'
;
;
'
\
КТ315А, KT3J5B
ЗЬ 250
10
1,,
i·-
...
КТ315Б, КТ315Г,
!
-
'
'
.,
КТ315Е
50
700' 10
1:,
'
КТ315д
20
250
10
1
КТ3!5Ж
30
400' 10
1
КТ315И
30
-
10;
1.
_,., ..
при тс =-60° ci
!
КТ315А, КТ315В
5
120
10
1'~
КТ315Б, КТ315Г,
350 '
'K'f315E
15
10
1
'
КТ315Д
5
90
10i
l
'
КТ315Ж
5
250
10
(
:'
,
:
КТ315И
5
-
·
10
.1
'
·-
. 113'
!
L-

.
,
..
Значения
Режимы измерений
Обоэна-
J
~
<t:
:;1
Наименование
1(61(СН·
cQ
щ
<t:
:1
...
чение
:1
~
;~
мальное
~(1)~
,;,
.
. t?:,
,,,;.
:1! :2
::> . ::>
-
....
.,,
Входное сопротивление
транзистора в режиме
малого сиrнаJ1а, Ом2
hно
.
КТ315А-КТ315Е
40
10
1
1-10-3
Выходная проводимость
в режиме малого сиrна-
ла при х.х., См
h220
о,з.,о- 0 10
1 1-10- 8
Емкость ~wллекторного
пере~ода, пФ:
Сн
КТ315А-КТ315Е
7,0
10
5
КТ315Ж, КТ315И
10
10
5
Постоянная времени це-
пи обр.атной связи . на
высокой частоте, пс~
•в
КТ315А
70
300
КТ315Б, КТ315В,
10
55
10
5
КТ3!5Г
105
500
5
КЦ15Д, КТ315Е
1000
10
5
5
ктзщж
800
10
5
5
.КТ315И
950
10
5
5
Время
рассасывания,
нс
1 рас
КТ315Ж
250
31
-
Максимально допустимые параметры, Гарантируются при температуре окру.
ж ающей среды Тс= -g0... + 100° С.
/к шах - ПОСТО.ЯННЫЙ ток КОЛ·
•лектора, мА:
КТ315А-КТЗ15Е
100
КТ315Ж, КТ315И
50
И КБ n,ax
-
постоянное напря-
жение коллектор - база, В1
КТ315А
25
КТ315Б...
,
•
20
,КТ315В
·40
КПl~
.
~
И 5э шах - постоянное напря-
жение база - эмиттер, В:
,
• КТЗ0 15А, КТ315Б, КТ315В,
КТ315Г, КТ315д, КТ315Е
6
Икэ max - постоянное
напря
жение колле1пор - эмиттер,
в
114
приR6=10кОм~
КТ315А
КТ315Б
КТ315В, ГГ3!5Д
КТ315Г
КТ315Е
при Rг, =0:
КТ315Ж ,
.
,
КТ315И
.'
.
,
,
25
20
40
35
35
20
60
Р;<) max
-
постоянная рассеи
ваемая мощность 2<олле1<тора
при Тс=-60...+25° С, мВт:
КТ315А-КТЗ15Е ,
..• 150
КТ315Ж, КТ315И . . . . 100
Тп шах -температура
ос..... '
перехода,
120

Rт, а-о - тепловое сопротивление
переход - окружающая ере·
да,0С/мВт,,,,,
•• . 0,67
Допусти м ая температура or<PY·
жающей среды, • С
,-6'0... + 100
11 допускается эксплуатаuия приборов в предельно допустимом режиме Рк=
""' 250 мВт (Ик = 12,5 В, lк = 20 мА), Г1{jи Т0= 25,,,100° О Рк r:nax [мВт]=
= (120- Тс)/Rт,в-с•
ИБЭнас,В '
5,Нд 1
1
1
1
l
+юо•с
с'-
+25°
- Бо•с
а,оов
llкэ" О
1,0
O,IJ06
0;9
а;ао ч
J
0,8
•a,ooz
•1
/7J0,7
I/ _Г/ [7 0,6
а
a,z
0,4 -
/1z1э
·-
гт-
111
. ' --=i:-
·-
Ик5•1UВ ' -
..... ,._
·-
200
· 1'.
~k
i
160
КТЗ15 б, КТЗЩ .!,,v 1--.
~
КТ3 15 f,КТЗ15Ж ·
1ZO
~
... .
.....
.....
. ..... ....
\
80
1./0
о
.ь,. 1oc.=::t:::1- . -
'.
rs: --
,-... .
t-,...
,.
КТЗ15А, ·-
..,
...
,_ ,_
КТ3158,КТЗ15Д
.-
,_
i--..i--..J\
1=
.
-S
'-
--
--
,_ __
·-
zoзаL+O506070Iэ,МА
Икэнас, В
U,9
U,б
0,3
а
ZL+O
210
150
IZD
за
60
30
t6°О,11к
/
/
30 45• 60 75Тк,нА
11.. 1
н11
·.1
1
··-'--
NMГu, =
,.
i
1
ик6-~1ав: L i
i- .... ,
!
!
1
·-т-1
,_
'-'-'--
:,.
т1\<
;~-
. ,,:
.( ,,
..
;.,
•\j
;
\•:·:
1
1I\
1,,
'' t•
·;
f
1\
,•.,
1
NТЗ15Б,НТЗ15Г ~
r- ....
1
i/.
•
,
....
1- •-
171/
Тl
1
КТ315А ~ ~
........
1/
/
-----
·-~-1.--......_:____,.-
·-
~:- -
1
•~
2-6 10 11/.18 Zl26r3,мА
115

\llljl ! I IJ111 Jjl illlllillii i! !lil l ll l l !! i11 i (Г!f\ '
,
20
21
22
23
24\
КТЗ17, КТ317А. КТ317Б КТ3178
Общие сведен и я. Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п-транзнсто
ры предназначены для работы в устройствах дискретного счета с обшей герме
тизацией, транзистор КТЗ17 - для работы в микросхемах для ЭКВМ.
Оформление бескорпусное (рис. ПJ.23). Масса транзистора не бОJ1ее 0,01 r,
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.
•
Электрические параметры. Классификационный параметр h21a.
З начени я
,
Обозна-
Наиме1-1о ва пие
1s
'1s
15
с~ение
'""
..
;ci,:
Vк,
:ао
.ia
Обратный ток коллек
тора, : мкА:
КТЗ17А
КТ317В
пр\.t Тс=+85°С 1 .
КТ317А-
КТ317В :
1
при Тс=~60°С 1
КЦ17А- ~
КТ317В
1
••
. 1,._~ --- ·
Обраtный ток эмит
тер_а ,.l мкl\_: .
КТЗ17А
КТ317В :·
~.
1
'
'кво
~fэво"
с
~~ "'
., .,
...
:i; 2
(J .1 0,5 1,0
l510
1,0 ,
1• ·.
.
10
O8,р•атиы~--, , ток-· ...•кол ,,· • ·:с-, с:.-. .
•:1.- •.1,
"
1
5
5
5
лектор;.. эм'иттер ~,,.
1кэ'..RL·;
''}·'"~- ·-;; ••
при Rв ~3 кОм
3
5
'напряжение насыще-·
ния .базf!-.,эмитtер, В: · , 1l6э·н с
• КТЗ17, КТ317А
•
.
11.
КТ317Б
КТЗ17В
Модуль коэффициента
передачи тока на ; в. ы-
сокой частоте
•1h210 1
116
5
0,85
0,85 ,.,
0,85
_,Р ежимы измерения
щ
.,:
.,:
в
:11
2
,' 1)
:.:::
(О
::)
1.
зis.
10 1,7
10 1,0
10. 0,7
10 1;О·
10 0,6.
1,0 0;4
3
::1
·" '-
:g
..:
:ю

Наименование
Статиqес_киii-_ коэффи,
циент передач-и · - :rока
в схеме с. ОЭ1
КТ317
КТ317А
КТ317Б
КТ317В
'' _,,,
--
Плавающее напряже
ние э~иттер-база, В
Прямой ток базы,
мкА:
КТ317 •
КТ317А-КТ317В
Время рассасывания,
нс:
КТ317
КТЗ 17 А-КТЗl 7В,
,.
,
Емкость эмиттерного
перехода, пФ
1
1
Ооозва,
. qение
Значения
,h.,·
,
•
21Э -25с:'350
Иэвпл
1в. пр
tpao
Сэ
25 :, 45: 75,
,, 35,70120
.80
•140 250 :
117
130
460
200
130
1
,,
122 I
Емкость коллекторно~ 1
го перехода, пФ :
Сн 1 1lнl
_ 2,5
t;'
0,8
;
,,
0,8
;
.·l
Ен=ЗВ
3 1в1=='
Ен=ЗВ
=/в2
111--1
1
5
,,,,\
Максимально • допус;тимые параметры. •Г ара:нтируются при ·температ;,ре :окр,у"
жающей среды Тс=а!-10.... +85°С-для КТ3!7.- и : То~-60 .• ;+85GС-д ля
КТ317А-КТ317В.
-·
,.•
lк m~x - постоянный
ток КОЛ•
лектора, мА . .
15;
Iк, и max - импульсный ток КОЛ •
лектора (tи~ 10 мкс, Q~
~ 10, iФ=l00 нс), мА ... 45
- И ЭВ max - ПОСТОЯННОе
напря•
жение эмиттер -' - база, · в· .
.
3,5
Икв шах - постоянное напря-
жение коллектор - база, В
.
5
Икэ R - постоянное напря-
жение коллектор - эмиттер
(R5~3кОм),В,. ,
•
•
,
5
pl)к max - ~остоянн~я
., _ pac~~ff; .
ваемая мощность КО,!1-,Jlектора,
м.Вт •
.
.
•
•••
,
•
,
.15
2)
,·
•
•
Рк,. и шах - ИМ[Iульсная рассеп•
•
ваемая мощность транзисто-
·ра, -мВт -.
,
•
,
,
.
.
• 100
Ти шах --температура - перехода,
0С
•
.
,
.
.
.
.
,
,
• 100
Допустимая температура · окру
жающей ·среды, 0 С ,-60... + 100
i, При Те=+ 40°G, При Та свыше +40°G Рк.ша:х: [мВт}- (Тп - Тс)/4,
z, ПриTQ~+25°С1
~
117

О,ООБ
. D,DOIJ
D,D02.
.о
hm
790
170
150
130
110
90
70
50
30
10
118
+85°С +Z0°C -Fooc
1
Uнэ =а
1
J))
/
/
/.,/
D,Z 0,4
1,,.,-
--:-- •
1
,
.......
-1:
/
//
......._
-. ...:; КТЗ178
~
---
/
Uкэ=1В
•·
•'
,..
.,
НТЗ17 Б
/
/
1
.,, НТЗ17 А
.-,,,,
--- - -----
.
/ ,,,-
/
/
0,40
.
/'.
'0,30
1
/
o,.za
/
о,щ
/
о
,,
ос,
<,::,
L>
~
~
~~
~
.
~
0,90 0,18
0,85 0,76.
О,ВО 0,14
0,75 D,1Z
0,70 0,10
0,55 0,08
0,60 0,06
0,55 0,04
,_
-
.
'
'
1
--
ЛIБ
1.
1,0
Z,D З,П •4,0 llнэ, В
"
КТ:З17А -ДI 6 = ZнкА
КТЗ17Б - ЛI 6=1нкА
l<TJП8- Л f 6=0,'5 мкА
,1
~БЭ нас
'
!
"
i,,,,.,.~
х-
-~
'
_,
,
'
"
><"'
,--
·---
-
Uк, нас
----
------
'1
-
·
--
--
-~
~'""-
1
,-~
--
~
·
--
З.·7 11 15 19Iэ,НА
-ба ·-40 -20 О lO J/D т,,0С
!<ТЗ17А-11,=1,ОмА; КТЗ17Б-I6 =0,БнА;
КТЗ17В-J6 =0,ч_нл; iк=ЮнА • •

ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В
Общие сведения. Германиевые быстродействующие импульсные сплавно
диффуз•ионные р-п-р-транзисторы предна ·значены для генерирования, усиленш,,
преобразования колебаний высокой частоты и для, раб0Jъ1 в, импульсных быстро•
действующих схемах.
•
Корпус металлический, герметичный, со стеклянными изоляторами и ,rибки•
ми выводами (w1c. П 1.19). М·асса транзистора не более 2,2 г.
УСJ)овия эюl~луат;щии - в соответствии с табл. I12.1 .
•-
Электрические параметры. Классификационные параметрщ
h21э, 1 11 21эl, Икэо гр·
Значения
i · Режимы иэм~:рения
Обозна-
!
1
"'
'-.;
1
"'
Наименование
1Э
о
макси"
сц
..;
чение
:с
"'
_сц
:в
15, мА
:а
С1
""'
о
мальное
.
'
'
!а.
:с,:
е:
~ci)~!
_т:
:,: "'
"
:s:s
,..
::::,
::::,
-
...:
Обратный ток
!
\
кол·лектора, .мкА 1кво
4,0
7,0
20
при Те=
\"i
35
70
12
=+10°с
\·\ ~\
. при
Те=
1
5
20
=-55°с
---------Обратный ток 1 1 1 1
эмиттера, мкА fэБО
i2i
,,
1
Гра .ничное
i
-
·,
на-
1
пряжение тран-
зистора (Q=
'
= 10... 100), В: Икэо vp
!
.,
~
ГТ320А
:
13
.10 5()
ГТ320Б
11'
1:0 50
ГТ320В
9
1О' 50
!"'
Напряжение на-
-,
1·:·•
сыщения
кол-
_1
лектор-эмит-
1
'
\\~ ·
тер (Q=l0. ..
'
100}, в
Икэ нас
0,45 1,7
.-200120
50
-
,..
Напряжение на-
1
,,,
сыщения база-
эмиттер, в
Ивэ нас
0,45
•10
1:
'
1
;
\
!
!
'
Модуль коэф-
;
'
;
!'
!
i
фиuиента пере-
,,
',
1,
дачи тока на
.
высокой часто-
\
·, 1,'.1'
re:
1h21э /
',,
'
ГТ320А
4
5
·10 2,10~
ГТ320Б
6
5
10 2, !07.
ГТ320В
8
5
10 2-10<
,
Н9

Наименование
-06езнn,
ч_еНИf'
Стати.ческий .. , .
коэф. переда•JИ
тока в' .схеме
соэ
.с
(Q==l0... 100): ,
П320А
ГТ320Б 0
ГТ320В
при То=с' .. •
= +-zo·c:
П320А •.
ГТ320Б
,_,
ГТ320В
jipи Те=
·_: ·~55•- с: •
ТТ320А
. ГТ320Б
ГТ320В
Время р_ ассасы- .
вания U■ =
.zo .
5(j
во
80
15
35
50
';=5 ...10.мкс), . ,
.,,
•
нс:
. !рас
.
''
ГТ920А . .
,
,.,
1
7Б
··rтз2ов ' ·,.
·· пз2ов i
Емкость эмит
терного перехо
да, пФ
Емкость кол
лекторного пе
рехода, пФ
Постоянная
времени цепи
обратной СВЯЗИ
на высокой ча
стоте, пс:
П320А,
П320Б
ГТ320В
( r1:_,
. .;,-;
•.•:..,
·., ,
.,,"i7.5
1,
1С)'•:, :
't'н
j)'
-
·
.'
1·,
Значения
60
1()0
170
150
150
макси·.,
м'аль·н•е
80.
160
250
1 ,5h21э
при 25° С
1'i5h21.Э
при 25° С
но не
более
250
2h21э
при 25° С
i
320
350
400
',
25
8
500
600
1
1
.·1 '
Б
5
5
10
10
10
'1
·' Режимы измерения
/5,мА·
lв1=2мА
Ув2~1 мА
lв1=2мА'
lвo=I мА
lв 1 =2мА
!Б2=1 мА
10
10
10
10
10
50
50
50
50
50
50
IU 50
10 50
10 50
5. 106
5. [06
5 5.106
5 Б·106

Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окру•
ж-аюшей среды· Тс7'":--60.. ;+70° С.
/1)
•
.
к max - П ОСТОЯННЫИ ТОК КОЛ•
лектора,мА....• .
150_
/1)
.
.
,.·
'
к. и max - импульсныn
ток
коллектора -(t.. ~ 5 мкс, Q-;;г,
ггз2dв•• ••
11
Г1320,В . •,.
.
',
,
.
9
Ик-э,\ - напряжение между
коллектором и эмиттером за-
~2), мА
.
.
.
.
.
•. 300
1)
•
'
Ивэ ,па, - постоянное напря•
• пёртоrо
транзисто-ра, -В ·
20
И}k,и та; -: импул_ьсное . нan'P.lil;
жение база -+ эмиттер, В . . 3
.••
•.
f:
жение коллеIпор -,- эмнтт~J>
- •(/и~1МКС,Q~10),В .
.
..
25
1)
'
Ию, max - пострянное
напря•
жение коллектор - ба:;~а
2'
.
·~
'
Рк'rnax - постоянная , ра·ссеи- •
•. . ваемая мошность колле~трра_,
((., =0), В ~
..
,
..,.
20
'
1)'
:
Икэк max - пост9янное
напря•
жение коллек:У.ор - эмитт~р
(Rь ... о), в
-'
.
.
.
.
.,.,15
Ukk R .max - пострянное
напря-
_
• мВт
.
.
.
.
.
.
._.
.
.
200
р ;\)
и max - импульсная - рассеи-
. ваема я
МОЩНОСТЬ траАЗJJСТо- ·
- ра ' (/и~5 мкс, Q;;;;,,5, И кс1;;;;.
g;;;.U кэо rp), Вт ,
.
-
~.
жение коллектор - эмитт~р
(R6 ~1 кОм), В,·.
ГТ320А
,
.
•
,
,
,
12
Допустимая температура окру•
жаюшей среды, 0. С ,
.-60...+70
энас,В
~
,,,,,. -
--
,,,..,,....
,,,..,,....
-
!J=!..
,,,..,,....
1н,101
0,4
о,з
080-60
-40 -20 О +20 +чD +60
Пz1Б• • п,!д,~п~~_2=--;б1~~---~-.;.,....-~-~--
l~/О·3 dм - мнr:
Ин5=ДВ
9,011--+---t-----.--11----t--
- + -- -+t--!
1/-,0
8,0 1----11 -- --1- -+- -+ -- -t-- ~-
---I
,,
1) При повышении q,емпера-
1'уры ОТ 45 ДО 70°С предельные
значения параметров снижаются
на каждые 5°С, а 1 _ · .именно,
U.ки R mах-на 0, 4 В, И1<.эКmах
·на_О,6 В, Икэ, иmax --+lia I,0В,
Ик~m~х-на 1,6 В,_t!эБmах
на 0,2 В, fкmах-на .\О мА,
1к,иmax -на2ОмА,риmax-
на О 06 В'!'.
2),При Тс=45.. :10°С . мощ
ность определяется по формуле
г РК! max [мВт)=(90-:- Т сJ/0,225.
При · повиж ен'ном давлении 2,7Х
-!Х \04 Па значение Р к max. )'Мень•
шается на 30%,
7,0 1--=1 -sr--1 --+--+ ---t -, '-+--- -!'--· . _.
-
.
3,0 6,0 l----'. -1\-..-J --+--+-~"+-- + - - .,,,,,'f----l
-5,0 >------1~-+-........--+-____,..,_ ____...,
z,o
1/,0 l---1-'- , -- -....~ -t , ,' ---~ '-- -t-~
---
k--- ,,-- .j
J,0f---t - -~A.--,1~'--1:1~-! -- -::>t~-"=t------t
1,0 ?,О 1--...-,,,.1- -- ~ !"7'""-.j .-- -,,;,,O:..,+-+ --+ - -- -t
D
о
510
zo
30 Iэ,НА

...,
,·
'•
/
14
'
12
/
/'
ra
Икэ=D
18
•J
/
/
'
J
6
/
/'
i/
2
'
j
i/
1/
l/ "✓
/'
~
,.,,.. ~-
1/
,,,,.
120
r1•
17
~
1 ---
.,,,,,,
, .,,i ,,, ""
80
;'
1/
·~
L.,..,,-
i-.
-
.-
-
,.,,
,н6
40
__,V
/
i
.,_
_.,,
О
Z
4
б;8
10 Икэ,В
ГТЗZОА - tJ l ь=О,ЗttА; ПJ;ZОБ-д! 5 =O,Z НА
гrзzoB-tJI6=О,75нА
!
1
-
Икэ н
;;д ~-i-~~.J;:;::::~~:t:i~~:fЦ 1 1,0
•ас :81
1/
50
100
150
100 300 I3,нА 1 •
122
0,8
0,6
0,4
a,z
о
,............
~
100 150
)
1/
I
V
~v
'
!Б1
-=-
-
f--
fк 10
Z00 • 25:И• Iк,мА ,

ГТ321А, ГТ32!Б, ГТ3218, ПЗ21Г,
ГТ32( Д, 'ГТ321Е
Оfiщие сведения. Германиевые конверсионные р-п-р:транзи.стDры вре)l.1111-
начены для работы в высокочастоrных и импульсных радиотехнических схекц
Корнус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис, Пl,lg}, Мас
са Т~ранзистора не более 2,2 г.
Условия эксплуатации - в соот·ветствии с табл. П2.2 .
Электрические · параметры. Классификационные параметры! h 2 1э, Uкв 111ц.
1
Зн а чения
Режимы из•ре11u
1
О6оз:на,
'
'"
Наименование
1
"'
,,
<
о
,о
l:Q
11
чение
,.
:,: а:
:11
минимальное
о
u.а
~
"
:,: ·,;
~~
'
=
"'"'
::>
...
:s :s
-
...
Обратный ток коллекто:
,.
ра, мА:
1 кБо
0,01
0,03 0,1 30
ГТ321А-ГТ321В
0,02
0,5
'66
ГТ321 Г- ГТЗ21 Е
'
--
,_.
0,5 45
-,
при То= +6О0С
tO,I
0,5 1,2 30
Обратный ток коллек-
тор - эмитте р (R5..;
~10 Ом), мА:
1кэ я
ГТ32IА-ГТЗ21В
0,8 5(!)
ГТЗ21Г,-ГТ321Е
0,8 4(!)
Граничное напряжение
- Икэоrр
транзист@ ра, в~
go
700
JТ321А-ГТ32J.В
П321Г-ГТ321Е
30
~~ --
:.
700
.
.
:
при Тс=60°С:
..
ГТЗ21 А- ГТ32 IВ
35
1
700
ГТ321 Г- ГТ321 Е
25
4
700
•.
Напряжение насыщения
-·
-
1.
'
,
коллектор --- ,э·миттер, В : Икэ ,нас
!
1,40 ',
ГТ321А, ГШ21Г
1,4
, 2,5
JOO
ГТЗ2Щ . ГТ321Д
1,4
l2.,5 ...
700 74)
ГТ321В, ГТ321Е
1,4
2,5
700 З5
1
Напряжение насыщения
_,
'
база - эмиттер, Bi
И5э нас
ГТ321Д, П'32JГ
'
1,05 ·i
1,3
700 14Q '
ГТ321Б, П321Д
1,05 '
1 l,,3
700 'lO
гтз2ш. ГТЗ.21Е
1
1 ,05
1,3
-
7-00
,35
Прямое
1
11а-ri ряж,ение
м.ежду эмиттер.ом :И -ба-
зой, В:
Ивэцр 1
1
:
П321А-ГТ321В
4
0,5
ГТ3'21Т-ТТЗ2Ш
2,5
:
0,,5
.

Обо?';'" "'
Наименование · ·1 ~•
_
·, qени~ ~ , · , мкн-вма.львое
Модуль коэффициента
передачи . тока на высо -
кой . . -частоте при '· f=-
,,
-= 20MГri, •
••
•
•••
1h~1e 1
• статический
• коэФ!J>ици -
1 е1ч riepeдaчli TQKa В CJ\e: ;
мес·оэ:· . ..
. •.=..
•' h:нэ
,.
3,
20
40
80
2
-
2
10
15
1()0 .60
3. IOO
100 120
3 БОО
100 200
3 1500
ГТ321А, Г)'321 Г
ГТ321Б, ГТ321Д
ГТ321В, ГТ321Е '
при Те=-60°С·
0, 4h21Эf,i!3°C)
3 500
при Та=-+60°С
2h21 Э(25°С)
3 500
Время
рассасывания
(Еи=20 В), !\{КС
ГТ321А, ГТ321Г
ГТ321Б, ГТ321д
гтз2 щ гtз·2 ш
'
.................
-. .,_ ,:,.
Посто~НН&Я-·:;-ре;;~И~_~б:~: ;:_:::: ~_: =: _:
-~~:·:.; !
ратно (связи на высокой ' . .
частоте· при f=5 МГц, пс
'fк
·Ем~s:_ость - -- КОлл~кто·рно•,
-ro перехода :. при I :=
~=5 МГц,·пФ -
,
..
1
•·
--··
1.
70С 70
1
700 35
11
700 17·, 5
IИэ= 1
600 =0,,5В
11
600 10
15
80 '10
•
Максимально допустимы.~ J..lраметры! Гарантируются при температуре окру.
жающей среды Тс~-60... +4() С.
,
.
•.lк, max - постоянный . ток коллек•
тора в режиме , переклю
чения,.мА.....
•..
.
200
Ik:·иmax •-
импульсный · ТОК
•
коллектора при t.~зо ·МКС, А 2
.lвmax
- , - постоянный · ток
ба•
зы в режиме переключения,
мА~
•!• •!!!!-,
!~30
124
lв, и max - импульсный ток ба-
зы(tв:~30мкс),А....0,5
ии, ·max
-
постоянное напря-
жение коллектор - база, В1
ГТ321А- ГТ321В • .
.
,
60
ГТ321Г- ГТ321Е ,
.
.
.
.45
ИкэR max - постоян~ое
напря
жение коллектор - эмиттер
(Rв •0,,!100 Ом), · В1 ,

ГТ321А - ГТ321В
.,
,
•
,
50
ГТ321Г- ГТ321Е .... 40
Vэв m ,,x
-
постоянное напря-
жение эмиттер - ' база при ·
То<45°С, В:
ГТ321А - ГТ321В
,
,
,
,
4
ГТ321Г-ГТ321Е ··
,·,2,5
при То ... 45 ...60° с,.
ГТ321А-ГТ321В • , , , 3
гтз21r- гтз21Е .
2
P~i·; ~J!'. ~ сре~няя
рf!ссеиваемая ·
мощность транзистора, мВт , · 160
- PJ{·R .,;~~
.: _ импул'ьсная
рассеи-
ваемая мощность на коллек-
торе (tи~ЗОмкс),Вт... . 20
. Тп ma:r -температура
перехода,
ос..........85
Rт. п-о - :Г~ПЛОJ!Ое СОПJJ.ОТИ_влен,ие .
•
• переход · -:- окружающая сре-
да,0С/мВт . .•
.
.
.
.
. 0,25
Допустимая • температура 0Iфу• '
'
жающей среды, 0 С .
,-60:, .+60
')1
1) При Т 0 =45 •• ·.бО•СJк. вmах v11eнi,: :
шается на 0,02 А/1°С.
160 1
IZO
'
80
I
40
о
!6 ,нА
4,5 ,-.-,--
-,-
ч,а t-----г--t--t-"'+-· --:-r-т--1
5~
з, 5 t---;-~ -; --. --+ -:-1 -r ---i
~а t---t---нt--+----1r----i . : . , • .,
.
.
V
_,_
2 ) При Т0 =45 ...6О0С Икв max умень- ·
шается для FТ321А-ГТ32IВ на !,~ В/1°С;
nля РТЗ21I7-ГТЭ21Е_:. ~а О\~ В/: \ С .. ~ ,
0
8)В
диапазоне Тс=45 . . .oq О.
Рар max [·мВт) =(85- Т-с)/ R1 ,-
11_ 0
''
4) В диапазоне 45 ... 6О0С•Рк_; ~ ma~
уменfiшаетая на 0,32 811/I ~<З. · .
·
, .·,, ~) Рер ma::< с=Рк +.Рэ. <
0,9 1,0 L,. .
, ,--
, ...J....,.-.J,-~I,---'----'-~-~
zoa 400 saa . во.а 1000 1100 I к,.11А
•ZD
,3,0
, .:1/,Q " 50 Тс,0С
' ГТЗ21А,ГТЗZ 1Г- I 6 =140нА
• гтзz ~ 6;'rтз27д-1 6 =1qнА
•. пп1 _р, ~Tllf ['-] 5= ЗJf!A
125

;;;;
, 1, , 111 11111111111 11 1.! 111 ,
17
18
,· '"" 19
ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В
Общие сведения. Кремниевые ' высокочастотные сплавно-диффузионные
р-п-р-транэисторы предназначены для генерирования, усиления, преобразова•
ния колебаний высокой час-.тоты. ,
•
Корпус металлическцй, ·герметичный, с гибкими •выводами (рис, Пl.24, а),
Ма сса транзистора не более 0,5 r.
У tл овия ЭJ(сп:Л уатацин -
.в
соответствии с табл. Г12;2. --
Электрические параме~ры. К:~ассцфикационные параметры, !121э, I кво•
.
~
'
Наименование
.•
,.
.
Обратный ток ко4лектора, мкА
при Тс=+55°С '
при rс =-40° с
Входное сопротивление транзисто-
Ом
ра в режиме малого сигнала,
Модуль коэффициента передачи
то к а на высокой частоте
Статический коэффициент переда•
чи тока в схеме с ОЭ1
ГТ322А
ГТ322Б
ГТ322В
Выходная проводимость в режи•
ме малого 1си1на!а fP~ х.~., мк~м . •
11
'
'
'
Коэффициеkт !шу1ма,' дБ
1
перехода, '
1
1
11
~ф~ость коллгктрр~ого
ГТ322А, ГТ~22Б
ГТ322В: ' :
1
!
i
По.стоянна~ ~perlleни. цёпи обр :ат- :
нон связи \!З iВЫ\:ОКРИ ,чаототе , пс: ,
ГТ322А:11,1
'
:
ГТ322Б
1
ГТ322В
126
Обоэна-
,i
qение
il
1к.во
'
I
h11б
'
1h21э 1 4
1
h21э 30
50
20
h22б 1
Значения
.
Режимы измерения
.~
~
i:a
"i
::1
~..
'--
о
~
:t
.,
11
.$
:,:
""
:::i
.:.
4~5
100 !О
,4
25
34i5 110-3
'
i
'
.'
'
5120
''
'i
i
,i
'
;
;
1
'\
!
'\
'
~в'-· :100 i 5 1,
65;120'5 1
4s112015 1
r',
!'•
1
J5J1l10-з
'
!
1
1
1,8; 5
10
2,5 5
10
i
:';
:
:
!1!;50'
р
15
100515
200515

Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре акру
жающей среды Т с= -40. .. +55° С,
lв. max - постоянный ток коллек•
тора,мА........10
U К.Б max - постоянное
напря-
при Тс=-40... +25° С
,
,
50
при Тс=+55°С ~ , ,. ,
10
жение ко11лектор - база, В
.
25·
UI)
.
р2)
к rnax - постоянная
рассеи-
к::1R шах - постоянное напря-
жение коллектор -
. э~иттер
(Rь=10кОм),В
ваемая мощность коллектор:
при Тс=55°С, S,;;;;2, мВт
.
25•
при Тс=--40... +40°С,
•,
25
Rт, п-о - тепловое сопротивление
переход - окружающая сре-
да,0С/мВт......
, 0,7
при Тс=55°-С .
,
,
.
,
20
Рк max - постоянная
рассеи
ваемая мощность колл.екто•
. ра,
мВт
200
150
100
50
а
' lк,мА
12
о--- -а-
/
'
//
/
160
··'
i.,,
....
/'
/
..
f-- Uкз=5в f--
..
/
/./
l!63 ,нв
150
1D
в
Б
-
...
1UO
~1-"'
.1- 50
-
,,.
Допустимая температура окру-
11<ающей среды, 0 С .
,-40... +55
1 ) В интервалеТс=40 .. ;55°С уменьша
ется линейн0.
2 ) При коэффициен11е нестабильности
S.=2 .• . 10 и в интервале . Тс=,,25 . ., .55~С
Рк шах [мВ-v] = 23lg (1250LS)-0,7 Т с, где
S=l+RвLRэ·
.-, .
i!
hm,
IZO
100
+--t -
во
4
2
IБ =2DнкА ~ 60
,,.
'1'
40
о
2468
о
z
127

1
za t-----~
--- -t -- -- --- -- -=J___, __
___,
;;
1
70
q
[
1
1--------+ - -+-+ -- -+ f=ZOГu, .:. 1ildкru,, _1
70
UнБ=58, I н=О,5нА,
Rr=600 Он .
таз
1
ш
f=IOOкru, ... юнги.,
r= 10 ... гао мги.,
Uи5=58, lн~1нА, • 1. Uк5=SB, Iн~lнА,
Rr=7501t • • 1• • fl.;=750н
• 1011 f,Ги,
11j111_lj1111/II)lj1111j1
17j
i18;
19.
- - КТ326А;- сl(Г~26Б
)i
•
'
'
-
;
. · Общие
сведения : Кремниевые п:ланарио-эпитаксиа,11ьные р"7'п-р-т:ранзи,сто
ры предназkачены для . рiJ.боты . в. ВЧ и СВЧ усилителях и в ·· пJреклю,щощих
схемах'-·· - ·
'"·-· •
•
•
'
-
.
'
Корпус ; мет~ллический (рис. ПЧ5). Масса iрацз~с;~ра не более 0,5 r.
Ус~овия эксплуатаци1-1 - в ~оотве,тствий с табл. Ц2,3>-
·,,••.
·,
i(;
!
1
j•
\,•
i
1
! ;,; :.;_' ,,,!;. j- 1
Эл.е_к:~:ричеС!{~е парамет.ры... Кла'сс~фика~ионный п~раме'Гр h213
!
·;-"'·-' ~
~
"<." ~
••, ••__ ........,___
...___.,. _.......
-
...
i1
'
'
; Знач~ния j 1;. ' с, Режнм :ь, Измерен ·ия
i
1
!:. _
1
'
''
;'
,
---ОбоJна-- .' .. -1;+.: ·~--:
'.
,_-•
·-
.с ,~
......
""'--~,
,.
Н~именJвание·
'-
""
,.~.
< .,;
.,;
=
·:
,
1
чение
. (,. ,;11 ,,:
....
~
:
1
1., :!!·' . 5;:= :
...
1
i;iIi
(t)
1
>'
~ta
i,,
::)
::;)
-
-
.:
.-
мкА!
1
.,,
"1
11
Обратный ток коллектора,
1 кво
0,5 20
...
--
·1
.
_,._
,_
--
..::-.
111
Обратный ток эмиттера, мкА 1 эво
о,1
4
,.
.,.
.,
'·
,._
,
'.
r.,
Напряжение насыщения КОЛ·
лектор - эмиттер, в
Икэ нас
0,3
101
f, 11: f·:
...
;,11
· r.,
.,.
,, ·~
..
·1
;
1,i(
..
<,.
.
11 :-:
,·.! ('
М.адуль коэффищ1ента пер~д;,~,
'
·•
чи тока на высокой · частоте
lh21Эi 4.
5
'
i.o 100
'(·
••-~ Ф
..
128

'
•
Наименование
Обозна;
чен)1е
Статйческий коэффициент пе-
ред1iчи тока В схеме С ОЭ:
h21;Э ,
КТ326А
КТ326Б ..
'
1
ПостЬянна~ времени :цепи ! об
ратной . связи нd выс6кой ч~с-
т-0те. ! пс;· :1
'
!
1
Напр:Яженце
эмиттер, в :
!
1
1
Е~КОFТЬ
хода 1 пФ
1
;
насышенJя ба~а
!.<
.1:1
1
пере-
'
!
Емк&ть эмиттерного ~ер,ех~да,
пФ!
2р 70
45 160.
450
-"" (.
1,2
,5
'2
,2
1,
;
'
!
15
5
Режимы измерения
о
10
10
.
,
,.
,,
Мак.си. мально ·, доnустимые ~ар•а,метры. Гilрантируются при температуре· .окру •
жаюw~ц среды Tct~- - : -60 . .. +!25~ С.
,
I
,
,
,
•·l
·"
.,
,·/.,'
,
,:
/к max - ПОСТОЯННЫЙ ток КОЛ•
лектора, •мА ;. ' ;
,",•,
50
:,,,-
-
.
'
Uэs max - постоянное
напри•
ж,ение, эмиттер -:- р.аза, В
.
..
4
Икв ma; - постоянное напря•
жение кощ1ектор - база, В. 20
1)•
•
.
ИкэR max - постоянное наriря•
жение коллектор - эмиттер
(R5~100~Ом),В,,~ 15
r,
•Pi)m~x . -
постоянная рассеи•
ваемая мощность коллектора
(N,s;;;;30°C), мвт · . "... ' . 200
rr п щах - температура перехода,
0С......
150
R·т, п-с - тепловое сопротивление
переход - окружаюшая сре-
да, 0 С/.мВт ,
.
.
.
•.
.
.
0,6
Допустимая температура окру
жающей средq1, 0 С
, -60...f 125
lJ Сумма постоянного и переменного напряже~'~ия не :должна превышать
20 В,
,.•
..,
.
.,
.
.
,,
.
'.
•·
•
ЯJ При Т0 > + ЗО"С РК.шах [мBтJ=J15(i) ~ . То)!Rт, о- о•
:129

КТЗЗlА, КТЗЗ!Б, КТЗЗ!В, КТ331Г
Общие · t11едения. Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п-транзисто
ры предназначены для работы в усилительных интегрально-гибридных МИI{росхе
мах в -блоках аппаратуры, обеспечивающих герме~изацию.
Оформление бескорпусное (рис. Пl.25). Масса транзистора не более 0,003 r,
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.3.
Электрические параметры. Классификационные па.раметры~
Наименование
Обратный ток коллектора, мкА
при То=+ 125° С
при Тс=-6O° С
Обратный ток эмиттера мкА
,
Модуль коэффициента переда-
чи тока на высокой частоте~
КТЗЗlА, КТЗЗlБ, КТЗЗ!В
КТЗЗlГ
Статический коэффициент пе-
редачи тока в схеме с оэ
(fи =2 мс):
. КТЗЗIА
КТЗЗ !Б, ГТЗЗ 1Г
КТЗЗ!В
при Тс=+125°С:
КТ331А
КТЗЗ 1Б, КТЗЗ 1Г
КТЗЗ!В
при Тс=-6O° С:
КТЗЗlА
КТЗЗ 1Б, КТЗЗ 1Г
КТЗЗ!В
Коэффициент шума, дБ
Емкость эмиттерного перехода,
пФ
Емкость коллекторного перехо
да, пФ
Постоянная времени цепи об-
ратной связи на высокой час-
тате, пс ·
Прямое напряжение
эмиттер - база, В
130
h21э, lh21эl •
Значения
Режимы измерен ия
Обозна-
QJ
QJ
о
:g
,О
"°
-,:
"
чение
' :,:
"'
"""
"°
"
L..
=,о
о
""'
~
:о
"'"
,::
"'"
а)
"'"'
"'
"'"'
(,)
""
"
""
:::,
:::,
...:.
1 кво 0,001 0,005 0,2 15
о,1
11015
0,2 15
1 1эво
1о51 131
lh21э\
2,5 3,5
5
3 100
4,0 5,5
5
3 100
h21э204060,5
1 5.16 -0
40601205
1 5.10-0
801002205
1 5.10-0
20551205
1 5.10-2
40
802405
1 5-10 -!
801304405
1 5.10- ~
1020605
1 5.10-5
16401205
1 5.10-0
32752205
1 5.1O-в
Кш
14,5151
1
1
100
10
1
1
1515111
10
- 'tи
120 5
1
5
'
1°,551
1°,751з1 1 1

Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окру
жающей среды Тc ='-'60"l +l?- 00 ~
/к ша,_.:. 'постоянный ток кол-
• лектора, мА .
.
20
15 max - постоянный ток ба-
зы,мА.......
5.
lк, ■ шах - импульсный ТОК КОЛ·
лектора, (tи~I0 · мкс, Q-;;,:,
;;:, 10), мА
.
.
.
.
.
50
Иэв max - постоянное напря-
•• жение
эмиттер - база, В ; 3
UКБ max - п остоянное напря-
жение коллектор ~ база, В. 15
ТКЭR max - ПОСТОЯННОе напря.'
жение коллектор - эмиттер
(R 5 ,,;;;10 кОм), В .... 15
Pl)
к max - постоянная рассеи-
ваемая мощность · коллекто-
ра (Гс=-60 ... +75°С), мВт. · 15
Та шах - температура перехода,
0С
.
.
.
.
.
.
.
.
.+135
Rт, п - с - тепловое сопротивление
переход - среда, 0 С/мВт . . 4
Допустимая темлераrура окру
жающей среды, 0 С .
-
60...+ 125
l > При Т~= -- 60,;.+75°С ,
·в диапазоне температур 75° с,;, -(25°С
Ркшах (мВт]= (135 - Tc)IRт; rr.:. С• :
КТ332А,. КТ332Б, ~ кtзз2s., • КТ332Г,
Кl'З32Д
Общие сведе11ия, Кремниевые . эпитаксиально - планарные п- р-п-транзисто
ры предназна ч е н ы для работы в усилительных ннте~;:_р11льно - гцбридных микро·
схемах в блоках аппаратуры, обеспечивающей герметизацию .. . ..'
.
.
Оформление бескорпусное с гибкими выводами (рис. П!.25),. Мае.са тран-
зистора не более 0,003 r . .
••
Усло11ия эксплуатации - е, , соот[jетствии с табл. П2.3.
Электрические паj)амстрь1. Классификационные параметры: h 21 э, 1h~1э 1-1
Значении
Режимы из·Мерения
На именование
Обоз на•
.,
.,
.,
о
о
,О
cQ
cQ
<,:
:1
чение
, :,:
"'
:s::,:
"
с.
:
:s: ,а
о
u.о
~
:;,,
~@
"
"'=:
(Т) (Т)
:s:
"'"'
""
.,
""
:::,
:::,
...:
Обратный ток коллекторс1, мкА
' кво 0,001 8,005 0,2 15
при Те=+ 125° С
0,1 1
10
15
при Тс=-60°С
0,2 15
Обратный ток эмиттера, мкА
Модуль коэффициента переда•
чи тока на высокой частоте:
1h210 I
КТ332А, КТ332Б, КТ332В
2,5 3,2
5
3 100
КТЗ32Г, КТЗ32д
5,0 5,3
·5
,3 100
,.
5•
131

,·
1
'
[На~мейование •
:
''
!
:
'
·-
-
Статический .. коэффициент пе- ·
редачи :гака в ·· схеме . с •.
оэ
(tи ,:==20 мкс):,
КТ332А
КТ3~2Б, КТ332Г
..,,,. .
ктзз2~, хrзз2р._ -~ - . . .
...
1·
.
Емкость коллекторного перехо
да, пФ
0бозна•·
чение •
.,
=
"':,;
h21э . 20
'
40
80·
-
.~.
.-
Значения
РежиМы измерения
.,
1
"о
~1
.! '<
~
-,: ,
.: :r
·"'
:11 '
""
ф
,;·
:ё
с
.о
~di-11
=
.,, -
,.,
:,;
:::,
:::,
..:
'
t
;
1
,.
АО605
1 5, J0-!!
.
90 120 .;5
1.
1
-.
1
~
. , 1О-!!
130 iuo: 5
1 5, 10-!!
;
;
'
.
'
.·
:1\
100
8;1
10
1
55
10
,-- --
,.
(
i
·,
-
1-,
·1.
1•(.
'
.·\
П,о~т9!1нн_~я .: _времени L\~П~ О?·
ратнqи связи на высокой час-
тоте, ,'пс ,
,t'н,,
Прямое. напря.ilt~ние эмит.гер-
база, в ·,... _
• ···--, ..
·~ -,..
.~:
,-····· : .., _ 7_,_
~•,- ,
....
1·
,.
Максимально --допус'i-и\\f~е. параметры.
ж-ающей среды Тс=:-60.. :+1~5~:С;
•
i_
.
•
'
.
:
1
;'
.
:-
/к ma:i - постоянный ток \!{Оллек~ \
тора, мА ...
/ в max - ПОСТОЯННЫЙ
мА
'JOK базы,
lк,,. шах - импульсный ТОК кол
лектора (fи~ 10 мкс, Q;;;a,
2U
5
~ 10), мА
,
.
;.: .- _.
-50·•
Иэв max :__ постоянное • нiшря-
жение эмиттер - база, В
.
•
3
Ик,в max ·• ~ постоянное· -
· напря-
,•.
ж~ние ·ко.лл~ктор .:_ _: . база, В
.
15
,' ''
.
5
0,55
r\
Гаранти~уkт:я.' п~и температуре' окруs
'
i
!'!
,
Икэkmах ..;_ _ по'ётоянное на' пря
жение коллектор - эмиттер
(R5 ~10кOм),В , ... 15
PI)
к max - постоянна_я
рассеи-
ваемая мощность коллекто-
ра,мВт...
,
.
.
.
.
15
Тп шах - температура перехода,
0С
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
135
Rт, п-о - тепловое сопротивление
переход - окружающая сре-
да,0С/мВт;.•.•... ,
4
Допустимая -температура окру
жающей среды, 0 С
,-60... + 125
l) При Те= - 66,;,+75Q С, ,,; в диапазоне температур 75° , С.:,125° а
Ркща:х'[мВт]= (13?-Jc)IRт,n~ 1ci .
•
Рисункисм.нас:·133• • - -
,
132

r мiл
Б, !'
1,11
"--
0,8
0,6
0,4
а
lnш/,
s:
5
i
~
J
z
1
о
11
>-- Uн;j• О t,--
58
1
1
1
1
\
J
1
1
1
j
;iу,)
!
ч 8ll,16
0,8
0,6
0,4
D,Z
:
I/
/
l/
v
-
/
.,,, ,,,.,
.,, ...
1/
!/
1/
,__
1----
.
:--
-
1--
.... ..
. ..... .
._
.... .,..
,'
,.
','<!,.;1
-
~~-
1---
-
-
..-
~ ......
-
:-1- -1- -
1--
-
1
,
Л[Б-
1
О•
4
6• 8 10 IZ 1lfИкэд
tN ЗЗIА,1ТЗЗZА - ЛI~· Z, 5 мкА, КТЗЗIБ, H_rJJZб,KTЗJf Г,, .
KTЗJZГ"ЛI 6 ·1,511!i'l1; KTЗJIB, КТJ3l8,КТЗЗ?Д- -
.· _,
AIБ=lt!!i~
,
hz,з
1ZO
80
40
о
[3 11А
ю·• ш-з
rэ,н.• ,
к:тзззл. к:тзззв, рзззв, .ктзззr,
КТ333Д К:ТЗЗЗЕ
Общие сведения . . К:ремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п-тран,щсто •
ры предназначены для испОJlЬЗОIН!НИя в импульсных неремонтируемых . ~~,брид•
ных схемах, микромодулях, . узлах и блоках герметичной аппаратуры, • •
Оформление бескорпусное (рис. Пl . 14). Масса транзистора не более 0;01 r ,
.
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.4.
•.
.
;.
'
,,,.;.
·.,
'\,
.!
'
.
•
Электрические r1аращ:тры, КJ1ассификациощJ.ьй: п'~раметрщ '
Ивэ наа•
-•
.,

.
Значения
Режимы измерен ня·
Обозна-
.,
Q)
Наименование
о
о
:Q
:Q
,,;
,,;
,,;
r:f
чени:,:,
"'
.,
=
:а
:а
:,;
""
о
.Q
:.: (Т)
:а::
=
"'
<:
·~
,ё
СТ)
.
=
..
"'
.
:,;
..
:а :::,
:::,
-
Обратный ток коллек-
0,4 10
тора, мкА
1кво 1
·. при Те= +85° С
'
5,0 10
1
Обратный . ток эмитте-
1?·10-I•o-2l1.o1 14t .1
11
ра, мкА
/'ЭБ0
Модуль коэффициента
передачи тока на вы-
сокой частоте:
1h21э 1
КТЗЗЗА, КТЗЗЗБ,
ктзззв
4,5
2
5 100
КТЗЗЗ· Г, ктзззд,
КТЗЗЗЕ
,-..
5,5
2
5 100
Напряжение насыще-
ния • коллектор -
эмиттер, В:
Икэ нас·
КТЗЗЗА, • КТЗЗЗБ,
ктзззв
О, 14 О, 1·85 0127
10
1
КТЗЗЗГ; ктзззд,
КТЗЗЗЕ
О, 12 0.15 о ..зз
10
1
Статический коэффи-
uиент передачи тока в
схеме с ОЭ:
h-21э.
КТЗЗЗА, IНЗЗЗГ
3062!:JOt
10
КТЗЗЗБ, ктззз~
50 815' 150 1
10
КТЗЗЗВ, КТЗЗ •Е
70 141) •280 1
10
при Тс=-+85° С:
КТЗЗЗА, ктзззг,
30
180 1
10
КТЗЗЗБ, КТЗЗЗД
бО
,3001
10
КТЗЗЗВ, КТЗЗЗЕ
10
56011
10
при Тс=-60°С
КТЗЗЗА, КТЗЗЗГ
15
901
ю
КТЗЗЗБ, КТЗЗЗД
26
150 1
10
ктзззв, КПЗЗЕ
33
280 1
10
Время рассасывkния,
1 в1=
НС, (Иоор=5 В, r-=
=2 кОм):
lpac
=/52=
КТЗЗЗА-КТЗЗЗВ
2
4
15
10 =!мА
/Вl =
КТЗЗЗГ-КТЗЗЗЕ
6
9
25
10 =lв2=
=!мА
Емкость эмиттерного
перехода, пФ:
Се
КТЗЗЗА-КТЗЗЗВ
4,0
о
5
КТЗЗЗГ-КТЗЗЗЕ
5,0
о
5
Емкость коллекторно-
го лере~ода , пФ:
Сн
КТЗЗЗА-КТЗЗЗВ
3,5 5
5
КТЗЗЗГ -КТЗЗЗЕ
4,5 5
5
134

-·
Значения
Режимы .измерения
.,,
Обозна•
"
"
Наименование
g,О
cQ
::Q
~
~
~
::f
чение
"'
'""'
21
21
21
~
о
о.а
,_
'
,,
=
"
"'"
~(1)~
"
т
=
.,
н
::Q
"
,.
::)
::)
-
-
·~
Напряжение насыще-
ния база-эмиттер; В: Ивэ нас •
1
КТЗЗЗА-КТЗЗЗВ
0,75 0,8 @,9
10
КТЗЗЗГ-КТЗЗЗЕ
О,& 0,85 1,0
10
J
"
'
Прямое напряжение
,-
эмиттер - база-, В:
ИэБо
,!
КТЗЗЗА-КТЗ33В ,'
·-
0,57 •
0,05 .
КТЗЗЗГ-КТЗЗЗЕ :·
0,55
0,05
"
,
'.
Максимально допустимые параметры, (арантируются пр:и температуре '\:ЖРУ·
жаюшей среды То -
-,,60° С ... +85° С.
i.•.,,
.'~
,
,:
/к в•о mах .-,, .постоя.нны.й 1тьк кол•
·__
(R5·-3кО,м'),В ••• , .•. ·
.: 10
лектора в режиме насwще~-
- ••()
••
•• --
-·
•
•
А
:2а
PK ,max - ПОСТО~Щ:Н.З;Я .-Р,~С::~\!И•;_
ния, м
.,
.
.,
.
'
.
.
.
'
/к, ■, аао max - импульсный
'ТОК
ваемая мощность :!,Юллектора, .: ,
коллекторов в~р·еж1ще насы-
мВ,r '
'
,,, .,• ,_..
щения (t.~ 2G мкс, Q;;:;,: 10,
при То=~60.,.+55° С .-,,:: . ,15
tнр<IООнс)•.11 А
.
. ...
;.45
приТо=+85°С .•.·.>i..5
И35 ma,
...,.. постоянное
напря-
. Т11 ma.x .- темпер. атура • •переходаl
жение эмиттер - база, В·
.
•. 35
•• •.. ·: ~<::_
·
·
.·
•
•
•
·
•• ·-· ·' .·IOO
и
'
Rт, п-с - теr1ловое~сопро~~ление
КБ max
-
постоянное н~пря•
переход - ок,11ужаJQща.я ере,- .
жение коллектор - база, В
.
10
да, 0 С/мВт
,
.-
.
.
,.
.
~: .,,3,
ИкэR rn d x - постоянное
напря-
Допустимая темперапра окру•
жение коллек·г0р ,- . эмиттер ·
жаюшей среды, -0 С . • 7 60 .. ,~+:85
LJ При температуре среды в~j~е 55~ С Р~ max (мВт] =(Т п ~а,__:_ !a)if~:u .-_ a,
/]6 ,нА
5,0
3,0
1,0
0,5
· o,J
0,1
0,05
D,OJ
0,01
Тс=+85 ~с +Z5°C -БО 0 С
'
I
/
'
/
/
~ Ик5=D
/1
/
/
/
V/1
J
0,4 0,5 0,6 0,1 0,8 И53 ,В
Iк,мА
r
0,8
r
,,.
0,6
,,,. -
0,4
O,Z
1Г
о
--
-
-
-
1
--
1
1
1
1
1
j Лf6
Z
4
6
8 Икэ,В
КТЗЗЗА, КТЗЗ3Г-,:JJ 6 ~z.5мкА
КТЗЗЗБ, J<ЩЗД-Л I 6 =1,5мкА
ктзв, NТ.JЗЗЕ-ЛI Б:I,омкА
'
133

110
180
100
60
20
э
lfк0=1B-~
-
~
1,. -
1,.-
,_
1.,
li;
'hz1 э
-
У:11к6=1в:н ·
r,,-- -rij 10нА
~
160 V
.. ~кrзJ;з в, ~
,,~о
"'
КТЗЗЗБ
1/
/
11'
-
КТЗЗЗВ,КТЗЗЗЕ
1..-
ктззiб, хтзззд
,, ,,
v
,_
.... i......
КТЗЗЗА,КТЗЗЗГ-
V
k--
,,...1 -.+-1 --1 -, .,.
,_
с."
i/
V
~,.
7ZO /
НТЗ:fЗб, ~~
_,,,,"
ктзззд .5
1......
V /00
)/ ),.
~
·I/"
L,, 1.,
1,,"
80
iv
\. ,,' ""
1.. -
--
1,,'
\.,,' К' 1...... V
J.
....
1/
1-- КТЗЗЗА,
v
',.
-
1 .,1--'
ктзз,зг1 -~
.,.
о
6 70 14 18fк,НА
-
'\
•Uбэнnс,~
lfкэ нqс, _В
'
/,;
_
1,2
-
/;/
.,
...
.,
..
·· .,~!,,
1,D
0,ZZ
),--?'
КТЗЗЗА,
..,
..
f БЭ нас для КТЗЗЗА - КТЗЗЗ Е
~,.,
,
КТЗЗЗБ, КТЗЗЗВ
v.,.✓А
.,,,,
~t:-_
-,._
7
/" 1/
V
._,,,.,,
1/
,
~
---
--
~i----,t:_
LV -. ...
D,8 0,18
,'
,.,;,;
1,, __
h.<:~ к::~
f- .._
·
·,
..
:,
~t\~,'
.•
~
: -----
..
i,
J,,;/
t/1.,,,,,,,..,- '~-J
-<......_
~
-
D,6 -
•'
0,14
.
"\
• •'//
•••
·,
··· ;7
V'
'. ••.,_ •• ~ • кfзззr,:
•.,
•
t--..
.
'•
_
_
,
··.
'\
_,,;!r·.
~КТЗЗЗД, КТЗЗЗ;лЕ
:-~-
L/7 '
'
.
-
-
./'~~ · l,ь
•· ' "/-, ..;,"
·-'
--:;-:
_,
/rС1
lТ~энаа • J,,-
•
•
;,;; . ..
..,
'--
О,ц·
/ '__; ~_;;~
'
.,.
,··
t..,- ·
--
-~
-
-
--
0,10
0,Z
-
Iк=10мА; I~= I MA
'
..
'.•
•.
о , о,_р6
i
"
'
-60
. '740
-za
о
+ZO

r
.-
:
:;;)1Р,j.
,
1
!
1
'
•,,
' ·. 1а,•I,1~1мА j.
i
L---
-~t
'(-:
. ,,v
1
:_,.;,,
'
1
:v
/
,,.,
,,,
1
v~
/
'
--
-·1
'
/
J
/.
lfJJJГ- /ПJJJE(._
V ,,,..
,,, ..
,,,.
,__
('. _
,
J,•/
/
•
-
~ _,,..
:,,' •
1/ТЗЗЗА, IIT33SS
~
,,,1'
.).
'-
~ ,,_
-
.... .
·-
1-
-
-- --
•-- ,
~ ...
l.
-~
i
1......
-:-· -·
--
....
--
1
• _:L--- -
·
.,;.... -
i
1
·-·
!,О-
~
1....
-
п
-
-· --
1
:
!
.l
/j
•8
·q·
..··=
lll'if:ijillijllll/lllll'llljlilljiШ . КТ340А,, •~Кt340Б: I<:ТЗ4РВ, КТ340Д
,
20, 21
· 22 ·_,,2, ,·
...
·,. ·
.
,
·'.
,
•
,,.
.
•..
\
(>бщие сведения. Кремниевые зпи.таксиально0 планарные п-рLп-транэисто
ры предназначены_ для работы в ЭКВМ-70, ЭКВМ-70/70М и других модифика~
циях ЭКВМ. КТ340А..и КТ340Д предназначены для работ1,1 •в cxe!,iax уси.11ения.
КТЗ40В - в ·схемах перекточення.
•
~орпус металлнческий, - с гибкиМ'И выводами ·(ри~ 1)1.11}. Мас_са тра11эисто-
ра не более 0,6 .г.
•
·
•
,.
Условия зксп.тiуатации - в соотве,:сrвин с табл. 112.1,
;Электри11еские параметры. Клзссификационн.ьiе параметры, '12 1 э, 't'и, tnaa•
Зliаqения
Режимы ,измерени ~t
.,
Обез11••
,i
"1
.
,1
lfаимеиомвие '
~
"i'"'1
;f
!
чение
щ
>1
~
'
а~i~(Т)i:;:.rЬi,
н С'-~ =:
.
'
5::,
::,
;::i
-
Обратный ток коллек.тора, мкА: lкоо
',
:
:
,
115
'
КТ;340А, КТ340В, ! КТ340д i
.>
'
1
1(ТЗ40Б ·
..
.
1
•
;
120
i
,
~'и Тг-+858 С1 [
:
'
!
К 340А, КТЗ40В, 1J(Т340д '
10 !15
,,._, i j
КТЗ40Б., · '
,,, •.
i'
'
10 ', ''20 ,tjJ
1t·1
••
,,
'
137

,
Значення
Режимы изме : 1ения
Обоз на-
"'
"'
На• иыенованпе
о
,о
ОС\
ОС\
<t
<t
--:
~
чение
'=
="'
:а
:а
:а·
~
=..
<),О
~ cfJ
=,;
:,с;
~
"'
СТ)
"'"'
"'"'
.
.
~-:а :а :а :::,
:::,
-
-
-
~
Обратный ток эмиттера, . мкА
1эБU 1
1100 1
Напряжение насышеннн КОЛ·
-лектор - эмиттер, _ В;
V К:"1 нас
КТ340Б
0,3
505
КТ340В
0,4
200 20
-.-
.
, ...
•
1
•..
Модуль -коэф_фициен-та переда•!· . , . •
1
чи тока •. на высокой частоте
Ih21a 1 •
Статический коэффициент пе-
редачи тока в схеме с ОЭ1
h21э
·1
КТ340А
100 300 1
10
КТ340Б
...
100 •.
1 .\_,.,
·_ 10
..
.'
.-,
,
...
1
КТ340В
..
35-2
200
КТ340Д
40
1
10
'·
-
Время j:нiссасывания ;· ' нс :·
. l~ag ••
:,,
•1_
~1
1 J~--11,-
1
• - К:13405, КТ340В
<~;- '"
.·.~
..
-
,.
1•51-111
Емкость эмитtерiiбго · перехода,
пФ
_Сэ
7
10
Емкость коллекторнщо пере-,
1
/•• _5-/ 1
"1
'
,-
1
хода; пФ
Си
3,7
10
Постоянная__ вр_~мени , пепи • об-
,
.
,-, .
ратной связи - на высо1щй час-
тате, пс:
.
't"н
,-:
КТ340А
605
5
10
Ю340Д
150 5
5
10
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при · температуре окру•
жаюшей среды То=-10.,.+85°С.
/к max - ПОСТОЯННЫЙ
ток КОЛ•
лектора, мА . .
,..
,
.
,
50
/к, 11 ma:r - импул11сный ток кол•
лектора (!и~5о мкс, /к ер~
,;;;.!к max), мА1
КТ340Б , •
,
,
••,
.
75
КТ340В ,
.
,
•,
200
Uэ5 Пlах - постоянное напря-
жение эмиттер - база, В
.
.
f)
·и КБ ma х - постоянное напря,
138
жение 1<0ллектор - база, В1
КТ340А, КТ340В, КТ340Д . 15
КТ340Б , 1
,
1,,1
,
20
U.к.э max - постоянное
напря•
жение коллектор - эмиттер,
В1
КТ340А, КТ340В, КТ340Д
15
КТ340Б....... 20
'Рк ma:i: - постоянная рассеивае-
мая мощность коллектора,
мВт ,
.
.
,
.
.
•..150
Т п шах - температура перехода,
0G
.
,
•....
.+ 130
Допустимая температура окру
жающей сред.ы, 0 С • ,-1О... + 85
1

lь,мА
а, ча
1
Ик,=D 58
~
0,35
а.за
0,25
1••
D,ZO
0,15
0,10
V,05
j
/
t/
/1·
~
01
0,3 0;4 0,5 0,6 u63 ,B
--
' 1111111р1111111111111111111111111111
20•
21
22
23
Iк,11д
l40
35
30
Z5
zo
15
70
5
о
t/'
,,,,,.. -
/З l5=0,05мА
( 1,.,,--'
-
-
~
,,
·,
/
1JJ6·
,
z:З.4567Ик,В
К+З42•А, IПЗ4-2·Б, l<T34-2B
Общие сведении. Крем-ниевы:е 9ПНТ31{Сиалъно , планарные n-р-n-тра11зисто
ры предназначены , для ислощ,зова-ния в ЭВМ «Эле[{Троника 70,, в радиов:еша
тельных приемниках и в другой а111паратуре.
Корпус металлический с гибкими· выводами (рис. П 1. 11). Масса транзистора
нf· более 0,5 r.
Услов~ эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.
Эле1<,трическ11е: параметры. Классиф11каuионные шфаметры,
Икэо ,•μ, / Ki:)R UБ::J нас· 1К b<.J ·
Значения
Режимh1 · изм~о~н-ия
Нанменоваепе
Обратный
Ml{A:
КТЗ42А
КТЗ42Б
КТ342В
Обратный
мкА
Обратный
эмиттер
мкА:
КТЗ42А
КТ342Б
КТЗ42В
ТО!{ КФЛJl<:ШIОра,
ток коллектор -
(Rь .;;; .10 кОм),
Обозна-
"'
о
leHИf
':с
:CJJ
· ,:,;
:,: "'
~ :;:·
1 кБо
5. 10-6
5-I0-0
5-J0-6
/КЭR
,о·,:,
-"
<1,
<r;
<r;
;s:::C
:,
:,
:,
<) J)
:::i:: : t:;:
:.с
'1)
~
"'
+
"'"'
~ ::!'"'
. :::r .::r
-
-
'
0,05 25
0,05 20
0,05 10
.
30 ;{О
30 25
зо 10
,
"
с..
~
-
1
1
1
1
139

.
1
,.
Значения
j . Режимы · из~ерения
:
на'именование
Обозна-
.,
.8
~
о
(Ц
(Ц
,,:
.«:
,,:
r..
чение
•а:
"а:
:,; :
:,;
:,;
:,: .о
.U .О
~ (Т)
:!о
:,: ,,;
,<,,,;
~ф(Т)-
.
""'
"'"'
'
:,; :,;
:Е:,; :::>
:::>
-
.:
Граничное .
Bi
напряжение
.Uкэо rp
транзистора,
КТ342А
25
5
КТ342Б
2()
5-
КТ342В
10
5
Напряжение
насыщения
ко1лектор - эмиттер, В
Напряжение
насыщения
база ...:. .. эмиттер, В
\ивэн~аl О,6 ,О,91 1 l:1ol '; 1 I : 1
Вх6дное сопротивление . в
1
1
1·2001
1 1 1: /10-:1
, режиме м11-лого сигнала, Ом · •
hнб
5
1
;
1
М.о~уль -~о;ффицисйта ., пе-
'
,.
1
'
•• редачif тока на высокой ча-
'
i
'
'
,
1 е,тоте:
·--
1h21в 1
!
КТ342А.
..
.,.
2,5
10
;5 100
"
КТ342Б
··-
3
10
;5 100
:
'<
1\Т342В
3
10
:
5 100
'.,
;
:;-
..
статический коэффициент
.,
,,
переда;01и. · :гака . в схеме . а
ОЭ:
, h21э
I<Т342А
100 250 5
1
КТ342Б
200 500 5
1
КТ~42В --- -
,·-
..
-
400 1000 •; -5
...
r·· -,
1
[,.,••
.,.. ·'·
,'
Емкость коллекторного пе- 1
реfода, пФ i
•.
Си:
:''
:
,,
,,
Постоянн~я'
·,
'
времени цепи
;
обратной связи ,iia высокой "'
'
'
частоте, пс:
.,,
<tн
КТ342А
200 .5
1
5
К::Т342Б '
·,
300 5
1
5
,,
~Т342В
.
700,'.
5
1
5
'
! Мак:симальнр •допустимые па~а.метры. Гарантируются при тем·пературе окру•
жщошей среды Тс=- -60. .. + 125° С;
l к m ах -- постоянный ток кол-лек-
тора, мА ..•
......
50
fк, •11. шах - ИМПУЛЬСНЫЙ ТО!< КОЛ·
: ·лектора (t,, ~40 мкс, ·Q~
[;:,,:500), мА
.
.
.
'.
.
,,, , ,. ·300
и\)
.
.
.
КЭR max ~ постоянно~ : напря-
жение коллектор ...: .. . ~миттер
(RБ~10 кОм, lн~ЗФ'мкА),
В:_·.,'.
о,-
1:о
•. · Иэв max -постоянное аапря-
nри Тс=-60 C...,+J00 С:
I<Т342А
.
;i ..
,
•
30
.,,
жение эмиттер - база, В
•
5
КТ342Б
•,
,
•••,
25
140

'1
1.
КТ342В .• .. .•.• .,.
!О
КТ342Б,,,,, .••• 30
при,Тс•·=•+ Ji25° С: •.
, "''
1
1 КТЗ42В
.
•
.
.,
•
•
•
,
25
ЮЗ42А,,,,:; ,
•2$
,Рк
.'2)шах - постоянная рассеи-
КТЗ42В ~ .
'•
.
2(?
.
КТ342В;...
.
..•1Q
t ваемая мощност~, •. коллектора
iUKБ •rnax -:ПОСТОЯ·,ННО_ е· НilП, РЯ:
: При Tcda-60. .. +25oC, мВт • 250
Тп inax - температура
перехода, .
жение колдектор •.: _ база, Bi
,0с.
.
.
.
.
...
.
.
. 150
К:ГЗ42;,\ , , '• • ·,
•
~•3~
Дорусти~ая , :rемператур,сJ, .О\<РУ·
1
,
1
1
,
.,._'
i жаюшей среды, .0 С , , .,-;6Q,.. +125
1
:
!
'
1
,
i ,·'
i-.
!
.
,:.._,_..- . ,·
· : 1 >! При температуре : выше : 1~0: d напряже~ие уменьшается ЛИ1iейно1 >
i ' 2>, При те~шературе бол~е 25 q Ркmах ! [мВт]= (150- T0)1Rr;'п·.,.i:J, где
·R.т, п.;.с = , 0,5° , С/мВт, •
'
••••
1
•
i-
"' .. ,,.,.,,
;
-
. -,-------~
-
~
!1-
.
- ,-~
.
~.!.,.:.---~r--......._~'-'--',-.,..jj,-..'-,
--/
0NД
~.,. fн,МА ~-+-+--+-+- -+-+ --+ -+--+---1
:п.ц '
,
6U
•l','
·, .,
.•
/·
'и,зL.......~'--........J'-'---"__.____,~......,,_
··1.....,
··
5tJУ..
!'i
! 'hziэ
11
•
L-
UJi 6=58
600
JOO
k
"D
1.
IJOO t.,, ,
JOO
~L.-""
'200
L.. -
1-.---
· 1..:.
-
, IOQ
L....- ,-
-
D
'' .700 ·
06;
''
Uбэ, 'li о
!1
,
i
1,
,;
,l,
:,
/
V: 1'
li
, ,ктзчzв
177 ~
I.
J.,,,i:;;
k lf'
1,!..
-
1.,., •
--
..
,_~
~~~
~
,~.-
__ ....__
,10 1
'
..
,·
.,-(
1
,., ,_.
•'
,-,(.. .,.,.,,~
7'
'
1
,
1 1 Z;'''"•.• ::.,J,,:....,, 4 ., :: ,1, J{~э,В
/iТЗ4lА-Л fБ = ,О, 1нA .i::fUЗчZ Б,~дI O~ U,ЩJ1,4.'i: :
, . , ' КТр4ZВ -ЛIБ=О,ОЗмА
,\\ ,', !'): .r
L.,I,
!
н:· t-:_ (:~~
,v
1
j..,
1_--1....+-.......Ш!I
·.
r:
i411TЗ4ZA

fi p/Ct; >---+-+-i-н-нж-
,..
-
_.
·;,}
/
1,,,-"'
~
100
,,,
/
.,'
Икь=58
~
///
..
,
(10
,,/
/✓
.-
'/1
'У 1"
;
1
/
!./i
1
.
j.~
.•
10-б
10·3
ю-.~
ш·з
10·1
lэ)(
:·•.·:•1iJ\
·:.,,
1: :i\.
I
..
,,,
2 =10
~,,,,,.
L&
1,,, -
-
,,..
-
:_·,,,.-
-
-
D,1
·-
--
,,_
---
~... -.
-
f,, I
·
--
--
--
-
.:.,.-,
-
-
:f
--
~ ...-
-
--
а
10
20
зо
40 lк,МА
=
'
:
·
1111111111111111111111111111111111111
20
21
22
23
КТ343А. КТ34ЗБ, .КТЗ43В
Общие сnедения. Кремниевые планарно-эпитакснальные р-п-,р-транзисто
ры предназначены для использования в импульсных схемах в вычислительных
устройствах и приборах автоматики.
Корпус металлический, . герметичный,-с гибкими выводами (рис. Пl,11). Мае•
са трац~истора не более 0,5 г.
Условия эксплуатаций - в соответс.твии с табл. П2.2 ,
Электрические параметры, К.11ассификационные параметры~ h21э• lpac ' ИкэR •
142
!
~

·-1
,
,,
•,
••-t- -
-
"·· ··
....,::
1
Обозна-
Наименование
чение
1
Обратный ток коллектора, мкА: 1 кво
КТ343А, КТ343Б
КТ343В
П']')И Тс = .+85°С:
КТ343А, КТ343Б
КТ343В
при Тс =~ 40° С~,
КТ343А, КТ343Б -
КТЗ43В
Обра!Гн ы й ток
-
,;
колJiе~тор
эмиттер, мкА:
/к,эR '
!<Т;З,4:ЗА; КТ343Б
ктз·4зв
;..
Н.зпряжение насыщения кол- , •
лек1ю р-эмиттер, В
Икэ!Нас
На пряжение насыщения база-_ 1
эмиттер, В
Ивэ нас
Модуль коэффищrен:г-а 11ереда-
чи тока на высокой ч;ас:готе
при f= 100_ МГц
l. 'h21э 1
Статический • коэффи циент пе -
редачи тока в СJ<еме :с ОЭ:
h21э
КТ343А, КТ343В
КТ343Б
при· Тс = +85" с~
КТ343А, КТ343В
КТ343Б
при Тс =-40° С,
КТ343А, КТ343В
КТЗ43Б
Время р-ассасьша-ния,
КТ343А, КТ343'В
· нс:,
!рас
КТ343Б
Емкьсть коллекто.рноrо пере -
хода при f= 10 МГц, пФ
Сн
Е м кость эмиттерного
приf=10МГц,пФ•
перех ода
Сэ
''
,,
Знаненп:я
·Режимы щ~мере ния
~ l'Q
<<<
,;,
;а
;а
;а
"'
:::::
~f1д
"'
~
:,;
~:::>
. ...
110
17
10 10
10
7
110
,,
17
100 17
-
100· 9
1о.1в/o,sJo,яsJ 1 1101 1J
'
3
5
10
-
.
3055700,3
1О
5065900,3
10
30
0,3
10
50
0,3
10
15
0,3
10
25
0,3
10
10
101
20
101
1
6
5
,
8
jо
143

J\'\аксимЗ:льно д!1~У<;Т1fМЬtе, параметры.. Гарантируются при температуре окру•
жающей среды rc·..;:.....:40,:.+85°C.
'
' ·-~·
.' с.-
•,\
•'
.
-·'
'
lк mа:,;, т постош1ны~ ток .коллек-
тора,мА .....
50
/к, 11 ща':~:-:;: щ,1,пуJ1ЬСНЫЙ ТО!, КОЛ·
лектора (t~,;;;10 мкс; Q~
~500), мА ....... 150
Uэв max - постоянное
напря• .
. ?!{ен ,ие
эмиттер .:.. .. база, В
.
•
4
UKЭR max -постоянное
напря
жение коллектор - эмиттер
(R 5 ~10 кОм, lкэ R= lООмкА),
в.:
.•
!
цз4зА, к,тз4з~i . .
11
К:Т343В .. ... ,
.
.
g·
\)•
•
Рк max - постоянная . рассеи• ,
ваемая мощность коллекто-
ра,мВт........
~50
Т n шах - температура· •перехода,
0.С-•
..
,
...... 150
Rт, п-с - те11ловое сопротивление
переход 1- окружающая сре-
да, 0 С/мВт ..
,,....0,5
Допустимая : температура окру
жаюшей i среды, 0 С • . -40... +85
!
1 В : диапазоне температур -40;.,+75° С, При Т0 :;> 75° q ,fl< ша~ [мет]= ,
(150 t- Т~)!Rт, п~с:
··[5,М~ t-+ --+- _ ,1 . U~3=i,58
Ц~>--..+--+-~1,.., _ ,~ ·
..,_.,\.·__,
-
D, .·
-
/.
i
оiб 1---i1--t ---+t-c<1--t --t
1i
/
о..~ i="· -ч--...-+-1"'":·J--1
i
1
OiZ1---+ - -+- -fl-., .. .-,J-1+---1
'J'J
1
11
1
hz1э
120
!,:
Uк5•О,ЗВ-;:
'
1
1
1
,.-1 - ..,..~
КТЗL+Зб
1
---;;i
//
-
/
·~
/
,r
-
--..
~-
100
80
БО
40 /_~
-~ l~
,._ ,1
,
С?-.
--
r-.,.i. ::--
-
zo
КТЗчЗА
-- ·-:-,,
-
-
КТЗ4З 8
,о
ZD
144
-
=-
,__.
~-
-
Z
!4
6 Uм3,'и·
l<T'J4JArA (&';U,ltЙ .-.-· ••
l<ТЗ43В ;-АI5• 0,Z~A
RT3'4'J БгА I 6= O,ISf1A
1
;
, 11 1---1--..:.....i--~-1--'-J'μ..__,..._--1--'-1
1,2 -
' f--+---+--A--!-/-.jj-+.::.-1--'!'=-I
•ад f--+-,::,-!4-1---н~=+---,.,,t~
1,1 -
1,0
U;9
0,8
0,7
Ц7~. ~F_:__-1,oq~.1,,,:,ц._~-I-~~
1/0
во
i!
1

1
[__
Общие сведения. Кр~м1щ~~ые эпитаксиально-планарные п-р-п-транзисто
ры предназначены для · ис-пользов :ания в устройствах · дискретного счета · с общей
герметизацией и микроклиматом. · 1
.
'
•
•
•
"
Оформление ,_, бескорпусное ,(рис, 'Пl .14). Масса ' · транзистора не более 0,01 r.
Усл,овμя эксплуатации - в ·соответствии с т~.~л. П2.2.
Элек,тр11ческие , цар.ц~•етры,· Кл<)сс.ификационный 'tiараметр: h 21 э,
,.
,_
'
'
.Значения
Режим@ ·измерения
.ооозна, 8 Q) 1 i' · 11,:
Наименование
,О
p:j
.,,ч~~~i:
1=: ~
:с:,:
и"
о:,;
,. ,,;
;,:.
,, :_a··r· .
:с"' "'"'
:s :s
:s :s
~
Обратн'ь'1й ' 'ток• · •колле~то-'
!1~·..
ра, мкА
при Те= +73° С
!:
Обратный rok , коллек
тор - Эмиm'еjr ' (R 6:_: ~
-
,s:;;з кОм), JкА
!к.во 0,01 1
0,02 10
'-
,,·1
·1'
'
·
,
'
;r'f'-J
Напряжение , . ·насыше-
i1,'1'
ния коллек:Гор :..::. эми11« • . И~э: ка~ , i ~ ·.! ,
тер, В: .
,;
,Т',
,
1•--.,
,
I(T348A '
1''
1i
'
i•" 3
''i
1'
'
'
1 "''
I(Т348Б ,
__
!-i.--~_.,,;;e !, 1 .1-
_
0~.~
КТ348В • ,.··,
,
i"
'
.s
\
Прямое : ~~~Pft~e~~~ Т
',\ ::
эмнттер _,,. .. . ,баз~, В
,. Иэв
,О ,:5
0,85
0,85
0,85
5
5
5
2,5
p:j
ti)
:::)
<·
:s
:;;
10
10
10
Прямой ток: базы (R°в ,< 1 ·:
16
,s:;;600 Ом), мк~
:,/1з.о\ 460 1 l.o,8/ • -1
Модуль коэффициента
передачи тока : на высо-
'
...
1
кой частоте ,
1
1h2~э 1 5
1
3
•1
коэффици- 1
'
..
'
Статический
!
','
,)
··:
'
'
ент передачи тока ' В схе-.
1·'
--
'
'.
мес ОЭ:
1i'
h21э
'·
'
1, 1.',
I<Т348А
25751
,
;\
. ;.:
:s
~
1
0,6
0,4
-О: ·
:s
ti)
....
0,05
-
"
1
i:f
'-< ·
:а
...:.
1
. 20,
'
-
. 145

Знаqения
Режимы измерения
Обоз на-
'"
Нз именоnание
о
ченklе
':,:
""'
.
:i:e:
:s:"'
:! :!
КТЗ48Б
35
J<Т3•18В
80
при Тс=+70° С:
25
:КТ348А
1
КТЗ48Б
,35
КТЗ48В
80
пμи Т е=-60° С:
КТЗ48А
9
КТЗ4:8Б
15
ЮЗ48Б
25
Время
рассас1,шания,
нс
t рас
Емкость
э,111тте рного
перехода, пФ
Сэ
Емкость • 1<оллекторного
--
\
перехода, пФ
Сн
Максимально допустимые параметi1.
жающейсреды Те=-60 .. .+ 70°С. /
lк max - постоянный то" колле1<-
тора,мА......
.15
/к,иmах -и м пульсный TOI< кол-
леюора (tи,;;;; 1О мкс, Q;;;,,
;;;,, 10 , fнар,;;;; 100 нс}, мА
45
ИэБ max - постоянное
напря-
жение эмиттер - база, В
.
3,5
ИкБ max - постоянное
на. rтря-
жение колле1пор - база, В
.
5
И КЭR max - постоянное наnря
жение коллектор - эм и ттер
(R5,;;;;3кОм),В..... 5
Р!{ тах - постоянная рассеи
ваемая мощность коллекто-
ра (Тс =-60 ... + 40°С), мВт, 15
'
'"
,о
""
<
<
<
::f
:s::,:
""
:!
~
:!
:!
<Jд -
~
:!о
"е:
(7)~~
"'"'
~
··
:!:!
:::,
:::,
-
..:.
120 1
11
250 1
1
~1
1
V,
~
1
1
~1
1
""
~С()
751
1
1201-
1
Z50 1
1
.
1 Б1=
130 Ен=
3
=3В ·,
,(
' ==/Б2= \•
=1
22
1
5... 10
1
11
1
1
5... 10
Гарантнр~отся при температуре акру•
Ри max - импульс11ая
рассеи-
ваемая мо щность тран зисто-
ра (iи,;;;;10 мкс, Q;;;,, 10,
f,. ,_ p,s;; 100 нс}, м1Вт ..
_
. 100
Тп max - темпе ратура
ос ....
перехода,
100
R,,, п-с - тепловое сопр.отивление
переход . -
окружающая сре-
да~ 0 С/мВт
,
•
,
.
4
Допустимая температура окру
жающей среды, 0 С , ,-60 . . ,+70
1 ' При увеличени и
температуры окружающей среды выше 40° С
Ркmах [мВт]= (Tnmax - Tc)IRт, n-c•
146

а,аав
0,006
•P,OOZ
о
Икэ=О 58
.,,
'
Jк,МА
_,
1,Б /
1/
1,Z V
/
а,в
V
V'""
-
J
/
lj
r
V
~V
o.z
.. 0,lf •f/65,8 ·' '
·о
'
lт213
Z50
200
150
I
,
.
,-
.
',,
/
/
•i"
,/
-
-··•,- -т
--
---
---
ИкБ= 18
1: .,
!
-
--
'
,·
i.d1Б ,
-
•
.
.
1,0
2;0
3,0
1/,0 ffк,11.
КТ348А, t< Т348 б -Л I 6 =O,OOZ мА
_
КТЗ'18 В ~Л I 5 =0,00111А
,
\,;
,11
-
,,
--
·,
--
~ 1 КТЗ4ВВ-
,;••·,
/.,
..
V
//
г
~
1._
_,,,
~
--
_,__
z-
1аа
-
/,
,,
1--
~ """"' -
/~
,,...-
)кiЗ48Б
,/
-~
;,_--
,--
so
~,::::;- -
LL-:
)ктЗ4ВА
--
------
-
,-
,,
'
а
5
70
15
20
.
.
,
{47

1ч1 l llj.l 1111n11.1 lll 11!1 11] 1111 11111
, . : I(T349A, КТ349Б, 1(t3498 ., '" •••,
.
:';
20
21
22
,2~
Общие сведения. Кремниевые планарно.-эпитаксиальные р-п,_:_р-транзпсто
рьг : rtредназначень~ для усиления ' и генерирования электрических колебаний,
•,
· Корпус металлический'· (рис, Пl.11) (масса транзистора 0,5 r) и пластмассо•
вый (рис, П!.26) (масса транзистора не более 0,3 r).
.
.
Условия эксплу.атации - в соот.ветствии с. та~л. r;L2.2 ..
Электрические параметры. Классификационщ,1i1 ~арамётр, · h 21 э, :
Значення
Режнмы измерения
НаиМенование
Обозна-
.,
.,
о
о
cQ
<<<
::(
ч.енне
.""
,;, "'
cQ
::!!
::s
::!!
~
:s: .Q
<J .Q
::е
"'"
:< <;
~ 'ci) ::;:
:,: "'
"'"'
[[J j
!
i'
· :Е:;;
:s:,;
:::,
'
~
, - ..,;. -......
':·---·1
...:,
,.
Ьб~атн~1й то.к• к~лле1⁄2_то'fщ, мкА 1 1 кво lo,ooj • 1
1
!О
1::, 1-
·: ,.
1
0,001 6 10
: _qри,То. +_85_С., , .><··-
_
--
,
'
l·1
.
_
..
'"';:,..... ·-. .
·.·; ~- ..~_..... ~ \\-
1•
_
··1
·.1
1
-
4_1'.,
--
1
-~- :,;
1
рбр!атный ток э~!:!ттера, ·•. м_кА:-- :,
ЭБО
l
'
1
~
---= ~ .... «.'1.-, .
--~----
_;..
-
..j
}-·
-
1
·;
..
.
-~
1:
1\в: /
•1
1.1
Обрiатный •'ток. -. !коллектор ~ ._,. ..
.
,, ..
1;, ~
эмиrгер (,R 9 ~ 10!кqм) i • ,,..
<~1кэR
1,5
'
1
.
•
,. __.,,,_
. ..,. ..
\,
.-
,
,,.
Нацряжедие . на.с~:i~-;де~ня •··.ко~~ ·1,· ,;
~ектор :_ эмиттер '
.- _.
-
•• ·Икэ нао
•
1
..
·• •",,
.
.,.
'
,
.... ,_
..
l;Iап;;~Zениё нрсы'щен:ия, база.-:,:;-_.,. •f
эмиу_те_Р, в - .
-·
,, ,,
.
и~э нас
,,
il1:,2 ·1:... ,1. '
. 10\: 1:/_
•,
.'-,.:\. 1
Мо,;rt-уль"·· коэффициента переда-, ,.
1
:_,
_; ,\\
·
1~.\
1/\
1~;,
1
,1,
101
чи тока на , B!>!COKQ~ чаетоте
1h2101
3
100
t•'l1•,\\•,t~'.-~ • ••'
Статичесю1.~. ,_ 11~рэффиμ,и,е_н:г1 пе-
редачи тока в · сх·еме с ОЭ,
h21э
КТ349А
208Q1
10
К:ТЗ49Б
401601
10
КТ349В
120 300 1
10
Емкость эмиттерного перехо-
1
111
1
да, пФ
/
Сэ
8
о
10
Емкость коллекторного пере-
51111,-1
хода, пФ
Си
6
10
.
Максимально допустимые параметры.: f арантируют~~-' при температур'е окру•
жающей среды Тс=-40... +85° С.
.'k. ~ :Пах
-
нмпульсньiй .•.
_
.. ток
. коллектор~ (t.1
~1,P мкс, Q~
;';;,,10), мА
..
.'
....
40
·Иэ·Б max > - 'постоянное
напря-
жение эмиттер ._. . б ~з а,
._·в •,•4
148
llкв щах •-
постоянное напря
жение коллектор - база, В.
.
20
UKЭR max - постоянное
напря-
жение коллектор - эмиттер
•,(RБ~10кОм),В.,
,.,
,
15

Pk) rnax - постояННljЯ
· .рассеи•
.
ваемая мощность коллекто•
ра (То=-40 ... +30° С), мВт . 200
То ma:r - температура ··_ перехода,
0С
,
..
-
·
•
,:,
•
•
•
.
150
Rт, п-о - тепловое сопротивление ·
переход - окружающая ' ере•
,
да,0С/мВт . . .
,
,
,·.
0,6
Допустимая температура окру
жающей среды, 0 С .~ 40... +85
11 При rсловии непревышения Рк
.
21
0
!]max
При Т0 > 30 G Ркmах мВт= (150 - T0)/R~, п-с•
,,
~
-
---
.
-
1.
Uкэ•D
8
6
J
4
/
/
z
)
,.
/:
)
о
·
v
_/
·/
0,4
• 0,8' 1,Z
,, 1111!11р11111111 11 1 11 1 11 11 11 1111111:
•
20
21
22·'·•·2з
1sв1 _
j
/
/
,
I к,Мд
40
за
zo
•10
а
I(ТЗ50А
:11
J_,
..
В.1,12.,
. 16 Uк,В,.
:КТJij,fJA-Лlб•rJ,11f/A •
-
КТЗ49 Б ~-Л I ••О,115нА·
КТЗч9_iJ-ЛI r,·O,OZнA •
Общие свещщиц. Кремниевые планарно-эпитаксиальные р-п-р-транзисто
. РЫ предназначены ДJIЯ работы в схемах переключения: импульсных быстродейст•
вующих схемах, а также в схемах усиления и генерирования - ко'лебан'йй высокой
частоты.
•
'
•
· Три варианта корnусов: · металлический, r~рметнчнJ.!1. й , с:; _гн,бкими_ .. вывода
ми (1), см . рис., ПI .11; пластмассовые (2,3) с , гибкими. выв~а_ми, см , ;; ~и~. Пl.26
н ПJ.27. Масса транзистора не более 0,5 r (l); 0,2 r (2); 0,3 · r (3) , ✓•
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2,
•
149

Электрические ~;~1рамстры. ,
Значения
Р '- жимы Измерения
Обозна -
"
liаименование
.:а
<,;
<,;
""'
мини-
макси-
cQ
"'
,.
t:.
qzниf
·: :,;
::€
мальноr
маЛЬНОf>
~~~
(1)
..
::::,
::::,
tO
.
-
'
l
Обратный ток коллек-
0,001
1
10
тора, мкА
1 кво
• при Те=+85°С
0,05
15
10
Обратный ток эмитте-
'эво
ра, мкА
10
4
• Нап ·ряжени е ' насыще-
ния коллектор-эмит-
тер, В
и'>
(iв~\4 мкс; Q-;;э, 100)
.
КЭ нас
.1 ,0
500 50
Н апряжение наtыще-
1-1ия • .
база - эмиттер
'
(tв.;:::;;14 МКС, Q-;;э,100),
Ивэ
1,25
500 50
в
нас
Модуль коэфф.ициента
передачи тока на ВЫ·
сокой частоте
1h21эl
Q
5
10 20
Статический коэффи-
uиент передачи тока в
200
1
500
схеме с ОЭ
h21э
20
при Тс=+85°С
О,9Х
2,ОХ
1
500
h2!Э(25°, h21Э(25°С)
при Тс=-40° С
О,5Х
1
500
h21Э(25°С)
Ем1<0сть эмиттерного
перехода, пФ
Сэ
100
1
10
Sмкость коллектор но•
-
го перехода, пФ
Св
70
с
10
V
11 Для ЭВМ .Электроника-70• транзисторю КТЗ50А поставпяютая с параме:rром
Vкэ нао"' 0.5 В с nополнительноl! мэркиоовкей n · виле цветней _ точки на корпусе "'ранзиа
тора
150

Максимально допустимые параметры, Гарантируются при температуре акру•
жающей среды Тс=-40 ... +85°С.
\)
•
!К., я ma1t - ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ•
.пектора (t■ ,;;; 1 мс), мА . . 600
UэБ пiах - постоянно~ напря•
жение эмиттер -
•база, В ,
.
4
Uкв max - постоянное напря•
жение коллектор - база, В
.
20
UкэRmax - постоянное напря•
жение кол.пектор •.. ;; .. змиттер
(R5~10кОм),В~, 1
,
15
lJ При Ри<Ри ,
р2)
к max - постоянная рассеи•
ваемая мощность коллектора
(Тс=-40... +30°С), мВт
.. 200
Тп max - температура
перехода,
0 с .......... 150
Rт, п-о -тепловое сопротивление
переход - окружающая ере•
да, 0 .С/мВт:
•
.
для корпусов 1 и 2. ,
•
,,,0,6
для корпуса 3 .
•
,
•
• •0,4
Допустимая температура окру-
жающей среды, • С
.- 40... +85
;'"1 · .•
"
"· max
.,, При
Тс > 30° G значение мощности рассчитывается по формуле:
PKmax [мВт]= (150 - Т0)/О,6 для . корпусов 1 и 21 ,, ~\<mas . (ыВт)
....
= (150 - Т0)/0,4 для корпуса'В,
( '•'
Икэ=iJ . 1
•
5В ,_
J
''
4U
400
,:1,1 i;,i!
;'~ .
,.
,.
..
':
'
30
300
v .....
·vv vc:.
ZO,
1
гоо
~v17 1..,.,-"
_.,,,,,
~
-
~1,,'"
:_. .. . ;, .....
'
.,,
'
'
.,·
~
1~ 1,....,--'
10
о
/
)-~
1/
JI,V
100
V 1,...., --'
--
(.. -
-
r,;., --
1--1 -
-
i,.,-
'
..
1,....- 1
фЛiii=O,ZмA
1,'
-
1
а,2 0,4 О,6 о,в И63 ,В
о
z461В101z1416Uкэ,В,
=
}lltl1111111jl 11 ljll l 1111111111ifi111
20
21
22
23
КТЗ51А. КТ351Б
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальilые р-п-р-транзисто•
ры предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах, в схе•
мах переключения, а также для усиления и генерирования сигналов высокой ча•
стмы.
'
Три варианта корпусов: металлический, герметичный, с гибкими выводJ•
ми (/), см. рис. Пl.11; пластмассовые (2, З) см. рис. Пl.26, Пl.27. Масса транзи
стора не более 0,5 r (1); 0,2 r (2); 0,3 r (3).
Условия эксплуатацiш - в ·соответствии с табл. П2.2,
ЭJ1ектрические 11арамеl'ры, Классификационный параметр: h 213,
151

!'<!·\ ;j,.·,·,;..:·: : ,1· :,~•-;
..('
'
/ .,·,;.
,..
Значения
•r;
Ре>.1<им~1!. , ~з~ереция..
Обоsна-
"
Наименонание
макси-
:::,
-с
1-1
• Чение
"' ,·
•
~
минима.fl},RСf'
~JtЬнor,
.
~
(Т) ~ .!''J
:::::i
::, _
-
.:.
Обратны!\
ток
коллектора, мкА
1 кво
(t,(::JI
110
-
при Тс=+85°С
0,0!\
11§
10
Обратный
ТОК
1·
1
1
1,14i11
эмиттера, мкА
lэво
10
Напряжение на:
сышения . коллек-
тор -
эмиттер
(tи,::;; 14 мкс, Q;;,.
~1 00), В:
Ик,э нас
КТ351А
0,6
400 .50
К13_51Б
.,
,
..
0,9 •
400 10
'
,,
с
'(j
...
с·
-..,
.,-
Напряжение на -
сыщения база -
эмиттер
(tи,::;;
,::;;14i MJ(C, ., Q'~ '•.
..
---
-
....
·--
,·
:-
t•;
~1 00), В:
Ивэ на,
!
КТ351А
.
-
--·
1,2
400 40
КТ351Б
1,1
'400
1:0
j
-
'
Модуjlь коэффи-
·,
1
циентi) : передачи -
',
.
--
'
.
:
,,
тока ' на высокоА ·
'
;
:
частоtе i
/ .heiв .1
2
'.
5
10 100
"
,.
., ,.
i
Стати~ескиil
•.
i·-
:
коэф·
:·· -
-
1
•,.
фициент переда- .
.
чи тока в_ схеме· с
h21::,
,
,
1
ОЭ:
'
КТ351А 1
•• 20·
,
80
..
1
1
300
КТ351Б .
50
200
1
300
при Те=-
i
-= +85°С:
О . 911⁄2iЭ(2оос)
КТ351А; КТ35!Б
2h,18(2l"C)
1,
'
300
при Т~=
1
=_:40° С:
-
'~\
:
КТ351А, КТЗ51Б
0 • 41t2 !Э(25"€)
1
1
300
Емкость эмиттер-
1
1
.,
1111
ного перехода, пФ
Са
;:!()
1
10
1
..
'
..
.,
Емкость коллек-
торного
перехо-
"
'.
да, пФ
с1,
..
20··
ъ
10
и
·--
,_,
1 }._ , .дJJ ·Я qBM <ЭJJек~р~ИИКа•79• . WJ)tllle~ ~ 3 &1fl, · 1ИМ! 'Р8~Я -Я < с ..n81'8111!91)811 8 8 4
, ;:;J,5 пф , с - допо.r.нитеJJ,ьн.Qй маркпро~_еl! ~в ,.в!Jдe.- uвl!WII•• TQЧR'f! ,118 _. ~p~ce_ TIJ811811G"'8pa .
152

Максимально допустимые . параметры. Гарантируются при температуре окру
жающей среды r~ ·= -40... +85° с.
/К, • m в.ж - ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ•·
лектора (t. ~4 мс), мА ... 400
Иэв max - постоянное
напря-
жение эмиттер - база, В
.
.
11,
ИI<Б max - · постоянное ·
напря
жение КОJ!Лектор - база, В
.
20•
,
ИкэR ma x - постоянное
напря-
жение коллектор - зми.ттер
(Rh~10кОм).В.. •.
,.15
Р k) max ~ постоянная рассе}!вае-
мая мощность · коллектора
{t...:....;ш .. . +30°0); мВт ,
длякi,рпусов1li2 • • •200
для корпуса З • ,
,
,
•
• 300
Тпm1:,. -
температура перехода, . .
Q.
,
.
.
.
.
.
•.
~ ••/ 160
Rт, п-о - тепловое сопротивление
переход - окружающая ере•
да, 0 С/мВт
•
длякорпусов1и2• , '•
,,. 0,6
·длякорпуса8.• .
,
,
,
, 0,4
Допусi'имая
жающей
1
'
температура окру,
срмы, 0 С ' ,--40,;,t85
'
При Те > 30° С! 1!,начение мrнпноотп : рассчиты11ается по .::фQрмуле!
Рк max fмВт]= (150- Тс)/0,о дл~ корП)'СОВ 1 и 2j Рк maXi !мВтl= (150:-Т с)/0,4
для корпуса 8,
•
58
0,4 0,6 0,8 И63,В
ОZ.1/,6810IZ,14·,ИкЭ,В.
• кm1A-MБ=o,5NA;ffTJ{[_o -м~•o,:tнA .·
1.ll 1111 l1111 l1111 P111 !1111 11111 11111
20
21
22
23
:КТ352А КТ352Б
Общие сведения. Кремниевые план·арно-эпитаксиальные , i;-п- ·v-тр!Jнз'пстn
(!Ы nредназна•1ены д;1я работы " в быстродействующих импулъсно1х ·'схемах, 'в с:Хе•
~..
-,· ,
•
--•- ' ·'-f53

мах переключе1-н1s,,1 а также в схемах усиле_ния и генерирования колебаний вы•.
сокой часто1ы.
Три варианта корпусов: металлический, герметичный, с rибrшми вывода•
ми (1),см. рис. Пl.11: пластм·ассовые (2,3), см. рис. Пl.26, Пl.2f. Масса . тран•
зистора не более 0,5 r (1); 0,2 r' (2) ;· 0;3 г (3). .
••
•
-Условия эксплуатации. - в соответствии с табл, П2.2.
Электрические параметры. Классификационный параметр~ ·ri' 213•
'-
Обозна• l Значения Режнмы измерснИя
.i Наимен9в~ние
Обратf!ый - • , .ток
:коллек:rора, , м,кД ,
i/;-, _;п,ри_ тс= ,
.•
=.+8_5°С
чение
минимальное
'
'
0,001
0,01
,.·,,., ! ;.\~[1 '.,
:;;.
~~- ,
Напря'Жение насы• : ·. · .. ,
.;
__
макси-
мальное
,
,
1
10
1:,
~. ,~
10.
,;, <
'
(!а
~
~·'
10
.
10
щ
· 11)
:::,
..,;
...
...
- :,i
:li
:li
~tЪci)
=t
о.
::;:/
-
.щещ1я ,
,
l(О,nлек,- . .,
_
...
,,.._ ,, _
,.~
•,:ор , -
эмиттер, Bi,.
Цщэ нас
КТ352А _"
.
·
_
•
__.
-
__\
, < КТ352Б
·-
,, :, .,::_,,
. ~·-
0,6
200 20
-1
1
Напряжение насы-
_щениs , ~1ща
-
'эм:ттзей/: . •
.,, ,u~:эi~.~-
КТ352Б
Модуль коэффи-
циента
передачи
тока на ВЬ!.СОКОЙ
част.оте
Ста~ический коэф
фициент переда
чи тока в схеме с
оэ (t.:;;;;2 мс, f-
=50 •rц),
КТ352А
КТ352Б
при Те=
= +85°с
при Те=
=-40°G
Время рассасыва
ния, НС
КТ352Б
154
2
25
70
О,р
120
300
О• 9h21Э(25°0) 2h21Э(25°С)
О, Зh21Э(25°С)
150
5
, ?.ОО 3.
,,,
,,
!
•
,
2~0 20 v,;
200 3
,10 100
, 200
200
100 10'1
200
200

~-Значения
,Режнмы иэме nения
Обозна.
Нз именование
макои-
cQ
cQ
1 <!;
<,;
::,
qенне
минимальное
:,;
:а
""
-
мальное
:::::
СТ)
:;:
::,
::,
~щ(Т)
..:
Емкость
ЭМИТ·
1
1.
1
11
111
терного
пере.хо-
да, пФ
Сэ
30
1
10
Емкость коллек-
1
1
·1
151
.11I10
торного
перехо-
да, пФ
Си
15
Максима;1ьно допустимые параметры. Гаранти-руются при те-мпер·атуре ·окру•
жаюшей ере~ т.--40... +85°С.
1~, n max - импульсный
·ток
келлектора (/ ~ ~ 1 мс), мА . 200
ИэR ma,
-
постоянное н,апря-
жение эмиттер - база, В
.
..
4
Vю; max - - постоянное
-нanpsi•
жение коллектор - база, В -.
20
UK::3Rmar.
-
постоянное напря••
жение коллектор - эмиттер
(R ~ ~.10 кОм), В .... 15
pi)max - постоянная
рассеи~
вае.м ая мощность KOЛJleKTO•
ра (Те=-40... +30°С), мВт
,для корупсов 1 и 2-- ,
,
,
, 200
,для корщrса 8 .
,-.
,
,
, 300
rr п m • х - температура перехода,
_
·с.._
.
.
.
.
.
...
. 150
- Rr, п-о - теnлов.ое сопроr.ивление
--
переход - окружаю·щая сре-
да, 0 С/мВт
для корпусов / ;и ·2 ••
,
,••0,6
длякорпусаЗ...;
,
.•
, _0,4
illопустимая темпервз-,у,р_а окру
жающей среды, 0 :С ,
.-4'0... +85
11 При Рк,<Ркmax· . -
21 При Те> ЗОсС Ркmах ! !мВт]= (150 - Тс)/0,6 для корпусов J и _2i
Ри
[мВт] - (150 - Тс)/0,4 для корпуса 3-
" шах
I0,мА
Iк,мА
18
180
16
160
14
140
12
120
10
100
8
80
Б
60
4
40
'
•
zo
D
D,4
0,6
- 6,8
·оZ468101Z14И~3,8\
_J<TЗ5ZA-,:JI 6 =0,ZnA; КТЗ5] БсtН 6= 0,1 ,мА
.1 55

i!111 [1111 jll1;1[11) 111
1т
,а
19
.
i
- КТ357А,
l<Т357Б, КТ357В, КТ357~
1'
1
'
'
Общие сведения. Кремниевые эпитаkсиально-планарные р--,-n-р:транзисто-
ры предназначены для работы в схемах усиления и генерирования колебаний
высокой частоты и. в · быстродействующих импульсных схемах.
Корпус пластмщ:совый, герметичный; с гибкими выводами (рис, Пl.28).
Масса транзистdра н~ более 0,2 r.
.
•
•
Условия эксплуатации - в: соответствии с табл. ' П2.2.
Электрические параметры. . Классификационные параметры,· Икв max• h21:1:
Наимено.вание!
Обратный ток • коллектора,
мкА,
i!
,
~Т357А, КТ35,7В i
•.• ~Т357Б, KT3q7P : [
при· То= +85° (:.3 ;.
-,
КТ357А, КТ357В
КТ357Б, КТ357Г
1 qение ·
1кво'i
Обратный
мкА
ток . , эмиттера,
''··,
,·.,\ ' :;·,~во
1 1:Iапр'яжение 00 ЙасыщеНl{Я °' '
коллектор -
•эмиттер, В
Ок_э наэ
Напряжение нас_ыщення, · .'. , ••
•база - эмиттер, В
•
.U вэ нас
, Модуль
коэффициента пе
редачи тока на высокой ча-
стоте
Ih21э \•
Статический коэффициент
.пер~едачи -то1~а в схем~· с · ,_- , t., ··•·
1
ОУ(Т357А, КТ357~ • • 1 1
• ·h21э
КТ357Б, КТ357Г
при Тс= +85° Cs
КТ357 А, . Ц357~
..
КТ357Б. КT351li ' 1 •• 1 '
Значения
Режимы из мепен ия
3
3
3
5
5
40
40
-,
, о,_з
6
20
5
20 100 0,5
60 300 0,5
3,5
10
10.
'10
10
20 250· , 0,5
10
''60 7$0•Q,5с' ..
IQ
.~
'\'
18. мА
,,'
100

Наименование
ПР,И Тс =-40° Са •
КТЗ57А; ' К:ТЗ57В • •
• • ' I(ТЗ57Б, КТ357Г .
Время рассасывания, . нс:
К:ТЗ,?7А, К:Т357В
К:Т357Б, К:Т357Г!
Емкость коллекторнсго пе-
рехода, пФ
:
Обозна-
чение
·•tpac
Значения
"'о
'"'
"'.о
"',;
"'"'
:,; :,;
в
20
QJ
о
., "'
<) .о
:<,;
"''"
":,;
100 •
· .зоо
•'150'
250- -
10
~
~
~ (!)
:::,
::)
0,5
0,5 •
l;'ежимы измерения
.,:
, :,;
•lв,мА
~
10
10
IO /51 ~//Б2 ~
· ·•·~1.·мА••
10 lы =!62 ...
=1 мА
О!
!:i
i..:
5
.
_Максима,1_1ьuо .доliусти~ы.е. пар_аметры. fаранти1>_~ют_ся ~.Р.!1 . _!е:'1~ературЕ: окру-
жа19щей среды Тс=-:-40..,+85°С,
•
J)
'
,
lк. max
-
постояю.\'ый ток'
:_коллектора , '- .мА- . . •• . ••
1)
,
•
,,
~
••
40• -- • • · - • Р})~~~- - постоянн·ая рассеи-
fк, и max - ИМПУЛЬСf;!ЫИ ток кол-
ле1<тора,мА.: .:_.
•
•
•'.
80
U ЭБ ~ах - ПОСТО~нноё напря-
жение эмиттер - база, В
.
, 3;5
Икв·mах _:_ постоянное
напря-
)l<ение коллектор - база, В:
К:Т357А;К:Т357В•,,,• 6
КТ357Б, КТЗ57Г , , ·•
•
•
20
И кэ max - постоянное
напря•
жение коллектор
В:
КТ357А, КТЗ57В
эмиттер,
•
!
!!
6
ваемая . мощность коллекто-
..
ра,'мВт>.
,
,
.
~~>.100
'
'
.
'
-·
,
.
. ..~:'·;:
• · Р. mах-импульсная
рассеивае.
мая мощность транзистора ,
(/и~1мкс),мВт.. ... . ..200
тп max - температура перехода,
0С....,.
·• . ·..•
..
.
.
',..120
Rт, п-с - тепловое сопротивление•· .
· - переход
_; _ ·окружающая ере-
.
да, 0 С/мВт
.
,
.
.
.
.
0,7
Допустимая температура окру-_ .
.
жающей сред~~,. 0 С • • -40., ..+,85
'
,
i~ При Рк
-< Рк ·mах'
2) При Те= ;- 40...
- +;50° С, ·. При -. повышении темнер_~,туры • - до 85Q С
.Ркmax[мВт]=50+(85- Тс)/0,7,
)5,7

1/0
za
io
и
158
А
·'
0,6
• ~ZfЭ
1
)чО
130
1ZO
110
100
90
80
10
60
50
~о
30
.
,
...-:
0,7
,
а
)
1т
,
--
J
Uк3=О
/
11
11
1В
20
~~~
!.
1
///
.1
1
1
/I1/
1
/
15.
,,,V
V-
1
1-,I
;
.,
i1//'/
'! '/1J.
1/
·/
"1·
v'/.1/ '/ 1/
10
5
✓~
,,,,,,,,,. ...
/._ ;
Л!5
>--'
.'1
-
·
V
~ :,,·
L,,j r7·
..
-
·-
.,
.,,
0,8 0,9
1,0 Ибэ,В . D
.4
•8
1Z
Ик3,В
.--
.,,, ,,,
1/-/
~/
/,,
--
~
---
5
10
-
..
.
/ ,,,.
--·
--
-·
-
--
...
_:_
_
KT 3576 .-fJlь=D,1N A ; - -- KT3578' -
-iJJ6 = 0,1мA; --- КТЗ57Б-,Н 6 = ·О,05мА;
•
--, liTJ57H1f 0 = 0,05нA
·-·-
-
.
-
,
:
,....... _
;
.
.. .... ...
........ '
1,
>.....
.
1
V
---:_тз57Б, к тщг·~
~\
-......:........_
,.., __
~~
........ .._
\ ...........
~
........ ,
Ик 0 =_0,5В
~,
~-\_
---
'
'_>,<у.
КТ357А,КТ3578
.,/7 /
1
- :.... ._
,,.__
--
l/1
- г---
,._ __
15
ZD
Z5
10
35
40 Iк,нА

• 111 1111111 111 1111111 11
17
18
19
КТЗ58А, КТ358Б, КТ358В
Общие сведения. Кремниевые эпнтаксиалъио-планарные п-р-п - т~нэисто
ры· предназначен11I для работы в схемах усиления и генерирования колебанlfи·
высокой частоты и в быстродействующих импульсных схемах.
Корпус пластмассовый, герметичный, с гибкими выводами (рис, Пl.28).
Масса транзистора не бOJJee 0,2 г.
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.4.
Электрические параметры. Классификационные параметрю Икв max • h21э,
h21эl •
Обоз на-
Наименование
чение
Обратный ток 1tОллекто-
ра•, мкА:
/КБО
КТ358А, КТ358В
КТ358Б
при Тс=+85°С,
КТЗ58А, • КТ358В
КТ358Б
Обjатный ток эмиттер.а,
мк
1эво
Граничное напряжение
транзистора, В:
Икэо vp
КТ358А, КТ358В
КТ358Б
Напряжение насыщения 1
коллеI<тор - эмиттер, В Икэ 83 _
Напряжение насыщения 1
база - эмиттер, В
Ивэ нас
Статический коэффици-
ент передачи тока в схе -
ме с ОЭ (Q;;,. 100);
h21э
КТ358А
КТ358 Б
КТ358В
>
при Те= +85°С;
КТ358А
КТ358Б
КТ358В
Значения
.~
.,
==
u"'
.,
s: t;
=
"'ro
::!
:;; ::!
10
10
30
30
10
15
30
10 100
25 100
50 280
10 200
25 200
50 560
1 Режимы иэ.мерения
""
<
<
<
:1
щ
::!
::!
::!
.....
:;:
~
m~"1
,.; .,
::,
::,
-
..
15.
30
15
30
1
4
7,5
7,5
5',5
20 0:001
5,5 .
20 0.001
5,5
20 0,001
5,5
,
2f) 0,001
5,5
20 1),001
5.5
20 О .00:1
159

• На именование
при Тс =-40° С1
l(T358A
I<Т358Б
1\Т358В
1 Qбозна
<1ение
Модуль , коэффициецта
передач» тока на высо-
кой частоте: ·,
1h21~ 1
КТ3'58А
КТ358Б, КТ358В
i'
-·
.,,....---с..·.-;::.._:...._-,,
'
1
Постоянная врем,ени це
пи ' обра:т~ ой с свnзи на
высокой часто1Jе, :пс
Ем~ость i коллек!rорног_о
переход~. пФ
:
Ем~ость : 'эмитrгерного
перfход*, пФ ,, , .
'
! С8.'
Значения
Режимы измерения
8 100 5,5
1s •100 o,s
25 280 5,5
4
6
20
10 "i;,,,
10
"~ ••-•:·
~
..:
20 0,001
20 ; 0,001
20 0,001
5' 20
520
, __1,2. :
j
i
!
,!
.Jма~има~ьи~ доriусtимые_паi~ам..1::rр_ь1, ..UР1!Нt!iРУ!9Тс;,!J,_JIРJ1. .'!'~М.!l~Р~ТУ.Ре~91<ру
жающей среды То=-40... +85°С.
/ } 1rnax - постоян~ый ток кол-
• ,, , 1 ;,r_лe_ii-PM1, _м)\. .. .,
. , .•., •,;:,. ,,, ,_q0
/2)
•
К, иmах - импульсный
ток
коллектора, мА
,
.
.
.
60
ч, ~'
_,
'-_;, -
.
'-~< .-,..
Иэв щах --:- постоянное ,. напря·, -
, ,,, 'жение
эм~fттер _,, база, ,>tB :f.\ 4
.,
.'.
,
•.;
~
Икэμ_ rna /C - постоянное напря-
ж'ейие • коллектор ~ -эмиттер
(R 5 :::::;;100- Ом),В,
•
Kbl58A, КТ358В
•.
,
,
-
~
-
15
КТ358Б -·
..
.
.
. ..•
••
30
•'
Uкв rnax - постоянное
напря
же~'ие коллектор - база, В;
КТ358А, КТ358В·
,
•
15
1> При Рк -<Ркшах'
КТ358Б••1i1,,
•
30
,, p~J,, "' ,,;;,.;;·цосrоянная , ~асt:ёи:
~
~ ~ :Jak м'dщнос;ь • кол:Лекtо'-
ра,мВт.....
,
.
.
100
' .;'\..:'.,
'-: ,') i
:•.'•·(~(\•
··
·
•r
..,f. '°ах - и~пул~сйая :, ра_с'сеивае-
мая мощность транзистора
H~-
~.lм~_с)"t.i,Bт. . . . .,200
' перехода,
120
•Rт, п·-е - тепловое· соnроти-вленне
переход - окружающая сре-
да;0С/мВт·-. . . • .
.
.
,' 0,7
,,
Допустимая темцература окру-
•
жающей среды; 0 С .
,-40. .. +85
•• • JH,При Ркер:<;:Ркmax' ''
••
·
~ > При Те= - 40;;.+50,0 G, (lри првышении температуры от 50 до 85° (3
Рк max [мВт] = 50 + (85 -- Тс)/Rт; u-o•
160

КТ359А, КТ359Б, КТ359В
'·
-
1
Общие сведения. Кремниевые планарные п~р-п-транзи·сторы предназначе
ны для применения в линейных гибридных интегральных микросхемах с общей
ге:рм~тизацией.
..
Оформление бескорпусное с балочными выводами_ (рис. Пl.14) . Масса тран-
зистора не более 10 мг. •
•
•
• Условия эксплуатации в соответствии с табл. П2.2.
Эле~трические параметры. Классификац~онн_ый . па!)аме!р: h11э
. Значения
·
· Режиt\iЬJ Измерения
Обозна•
.,
.,
Наименование
о
,О
ai
(Q
"
"
"
ot
чение
·•=
==
:,
:,
::е
с.
=.,,
и.,,
~
~
о,,;
" ',;
СТ)~сЪ(Т)
="'
"'"'
::е ::е
:, ::е
:::,
:::,
-
-
Обратный ток коллектора, мкА:I '~<во I О,о5! О,5 , 15 \ 1 .. 1 1 1
Обратный ток эмиттера, мкА ,. Jэво 1 , J. 1 .o 1
.
_
, 3;А I'.
_./.1
Нацряжение насыщения кол-, ..
\1·; ·
·1.·1··. ·1···
,_.
r .,,_ ,.
·1
··
j;-
лек;гор -;,= · ;миттер, .В .
., ll_~э \!~f 0,2?., О,!·'.,_-· :, JO . ' 1О, · .:
·r
модуль коэФФициента - переда-,· . •-··
-
.._,-·._•
1.'
.
-
1: •1- .... -1
··' '
.,: :
:,··::{ 1( '
чи тока на высокой частоте
Ih;181 •3 • .
•·
-2·•••
••• •••'51100
..
коэффициент
Статический
пе-
редачи тока в схеме с оэ~ ·
h:21э
~и~~~
''
',
,.
КТ359В
,
:· ,,
Коэффициент шума, дБ
Кш
,.
1'
;:
Емкость эмиттерного nepixoдa; • / ··
пФ
с~·
Е!.!КОСТЬ коллекторного ,пере: ,,
хода, пФ
-
.'Си
Постоянная времени цепи об;
ратной , связи на - высокой · час
тате, пс
':, .
.;: ..·r,"
',
'
30901-
·~ ;:..::.
.
......__
,.
.10_ ,
50i501
,1О
70. 280 1
1О
-.
.
·-
•,
~
,,
1
2,5
1
!,6
1
2.0\
1.
,1
1,0/ 20
~-
,.-+··;е-+~- 1 о~ 1I
'.1
1.
10
"
',.,; ·, ·,
•.
-···
70 100- 2
2
!30
•.. '
.
' ·!_i_'~
Максимально допустимые параметры. Гарант~руютс~ ' При .tеипературе> окру
жающей среды Т с =-50... +85° с.
/к max - постоянный .iок ко.11:леюi ,
·тора, .мА •.
·•
.
.
.
.
.
.
20
Иэв max - : ,10ст9.11нное
11апря7
6 Заt<. 56'3 '
жение· '9мiптер : :.:.;:: база, В- :, ;' 3,5
i.
•
:••
.
.f ,....
U !<&' max - постоянное . напр я~
· жение коллектор - база, В , , 15
,
·:,,, ~- 161

,
ИкэRmа, - пос:rоян.ное н.алря.-
жение коллеIпор
эмиттер
(Rв. .,,:;;3 , кОм), В
.
15
PI) •
к max - постоянная
рассеи-
ваем а я мощность I<олJiекто·-
ра,мВт••••,
.
.
,
15
1' При
Те= - 50.:: +55°'С,
(100 - Те) IRт, n-e•
/
Klll.,дБ
/
D,4
8.
D,З •
о
D,Z
4
D;I
7:
I6= 1мА
о
1D
l'к ,мА о
.
,·\
\
ив
\1
.\
1,
\1\
-~
·,
\
80
\,.
\\
'
,....
t--.
' "-.... ___
'
·--
-=
'
4.D
'
1
'
i
о
.з
162
Т п шах - температура перехода,
0С
.
.
.-
.
.
.
100
Rж, . ir-c - - · ·ne.rыювoe, (ИiНi!1р.@шв.о.е1,ше
пер:е:,.од-. - окру·жаюшая ере,
да,0С/мВт . . . .
3,
Допустимая reмnep:ally;pa ~жру
ж:аюше:й е.р.ед,ы;,, 0 С .. .-:Ю .. . +85
При-
,,,,,
--
-
Ю, ZIO за, 4111 501 БОJ f.,MEu,
1
r
'
1,
!1
i
11
'
'
i!1
'
-
'
..-
.,... -
-~
'
1..---
-
:..-r
,
,_
1-- i
;_.-
-
·1
'
-
--
1
1
'
'
l f'a?,DMFil;
1
•'
lfкБ= Z'B'
5
6

11111111111111111111111111
17
1В
119
КГ.361 А, • КТ361 Б,
КТ361 Д, КТ361 Е,
KT36JK
КТ361В,
КТ36IЖ,
КТ361Г,
КТЗ_61И,
Общие сведения. -Кремниевые планарно-эпитаксиальные р-п-р-транзисто
ры предназначены ;для iРа.боты в вы1<ислительных и других быс,rродействующих
импульсных схем ах:, а также для усиления и генерирования колебаний высокой
частоты. Moгyll' работать в паре с, транзисторами КТ3!5А-КТЗ!SИ.
Корпус пластмассовый, г.ерметичный, с гибкими вывода мн (рис. П 1.22),
Масса траизисп-ора не более 0,3 г.
,
.Условия ,акснv1,уатации ~11 соответствии с табл. П2.2.
Электрические шара,метры. Классификащионные параметры.:-. h213 ; t'и, Си,
Икв max, :Икэ max·
значения
Режимы измерения
Обоз на-
8~
.,
Ы:аименовdнИе
,о
щ
·оо
«:
«:
«:
::(
,1
чение
..,
"
"':i:
;,;
;,;
;,;
'-
"' ..
о
u"
::;;
:с t;
с:
"'t;
~miG'.сЪ
""'·
:,:
i~
(Т)
- :;;,;
,..
::::,
::::,
...:
1
Обратный ток коллек-
1 к.во 0,002 0,5
110
тора, мкА
при Те= +100°С
о,1 3
25 10
при т;,--60° с
0,000,1 0,005 1 10
~
~~р~:1~й ток эмитте-1· 'эво 10,00110,1 1 ЗО 1 . 1 51 1 1 1
'
><
"'
Обратный . ток коллек-
Е
Q:;
тор - эмиттер
(1)
(R5 =10 кОм~, , мкА 1кэ R
1 :,;'
:::,
\
Граничное напряже- Икэогр
15
1
5
ние транзистора, В:
30
5
КТ361А, КТ361Б
25
5
КТ361В, КТ361Д
КТ361С КТ361Е
:
,•
Напряжение насыще-
ния коллектор-эмит-
1
тер, В:
Икэ нас
i
КТ361А-КТ361Г
'
о,11 0,2 ; 0,4
202
КТ361д-КТ361Ж,
1
1
'
-
КТ361И, КТ361К
0,15 0,45 1
202
1
Напряжение насыще-1 1·
\1
ния база- эмиттер,·в U163нас •О,8.. О ,85
,
Входное сопр@тивле-
1
ние транзистора в ре-
жиме малого сигнала,
'
1
Ом
·
'hаб
1
40 10
1
l.Q-3
1
1
-
1
1
1
,
6*
163

Наимен0Ва1111е
Выходная полная п·ро
водимость транзисто
р.а в режиме малого
Обозна
чение
сигнала при х. х., См h22rJ
Модуль коэффициента
передачи тока на вы-
Значения
4.10-7 10
;:~окой • частоте
lh21a 1 2,5 6
8
1О
Стати•1еский коэффи
циент · переда.чи· тока
в схеме с ОЭ:
h21э
, КТЗ61А, КТ361Д
• · КТЗ61Б,
КТЗ61Г,
К13611;:, .. КЦ61Ж,
,. . КТЗ6!К
•
•• КТЗ61В
•
КТЗ61И.•,..,,, "
20
50
40
250
ПРI!:, тс,..;..:ф юо~ С: .. •
"
'
KT36JA, КТ361Д
••
'·
20
К1)6\Б, i' ,КТЗ6\~.
.
•.
.
(·' -~иii~- ·, ·- .--: --- -. -
·: .: -~·;: -- ,,~
КТ361Ж, КТЗ61К
5_О
КТ361И
,,~, ,,·;:
1-
•
250
при Тс=-60°С:
КТЗ61А, КТ361Д
КТ361Б, КТЗ61Г,
КТЗбJЕ ·-
•
KT36lj3 .
.
КТЗ6!Ж, ' КТЗбlК
КТЗ61И' :
Емкость. коллец:-тоwно-
rо перехода, пФ: .
КТЗ&!А,- КТЗ61Б,
КТЗ6!?1(, ·. КТЗб!И. ..
КТ361 B-•l<T36 lE,
КТ36\К . ...• •
'
·,·,
•. -...
Постоянная .. вр~~е~И_
-~..~
цепи обратной связи
на выс·оr<0'й частоте, пс:
·· .,
10
15
10
25
100
.,
-
50 90
10
110 350
10
50 160
10
10
250
10
500
.10 .
300
10
700
10
~.j
,·.
•: 10
90
: 350
160
350
9
7
10
10
..10,
10
'10
:10 :
10
KT36IA;, · • l<ТЗ61Б,
KT361,f, КТ36'! К
KTЗ(JJB, : КТЗ61Е,
КТ361Ж, КТ36Ш ,
·во · •120 ·500
l000
250
10
10
1О
КТЗ61Д
•
-
164
i•.
.
100
•80
150
120
.Режимы измерения
J0-3
5 100
...
(•
1'·
1
1
l
5
5
5
10
10
5
5
5

Максимально допу сти~1ые · парамет:ры; [арантируются при rемпературе окру•
жающей среды То=--60... +100°С,
;• ,:.
/к ш' ах - постоянный ; ток коллек~
тора,мА...• .
..
.
.
\50
Иэв max - постоянное . напря; · ·
жение эмиттер - база, В
.
.
4
Икв ma"
-
постоянное напря•
жение коллектор ~ база, В
при То=-60 ... +35°С:
КТ361А
.
,
,
••25
КТ361Б
,
,
,
,
.
20
КТ361В, КТ36lд ,:· ,
,
,
, •40
КТ361Г, КТ36 1Е ,, •
,
,
,
35
КТ361Ж,,,
•.;
,
,
,
10
КТ36lИ ,
••.,
,
,
,
,
15
КТ361К , ,
.
,,,
,
,
,
60
.при
То=+100°С1:
КТ361А...
,:·,
,
,
,
20
КТ361Б
,,
,
.
,
,
15
· КТ361В ,
КТ361Д, .•
.
,
,
35:
КТ361Г, КТ361Е . ~ ,
,
,
•30
КТ361Ж
,
,
,
•
,
8
КТ361И .
,
,
,:.
,
,
•. 12
КТ361К,,,,.,
.
•
50
и кэ max - постоянно~
напря•
)!(,еиие коллектор - эмиттер,
в
:.
при Тс=-60... +3$0 С1
КТ361А,,,,,,
•,.25
1, f/.
1,0
U,б
а, 2.
а
-
rrxэ" о
11
11
~ Тс=100°С
.
J
./,
U,7 0,4
Z5°C· с--
-qa
J)
./ ./
КТ361 Б ·,
.
,
,
,
•,
,•20
КТ36IВ, КТ36lд .
,
,
•,
40
КТ361Г,КГ361Е,,,,..., -·3·5
КТ361)1( ,· .,.. •<·•·,,
., . ,,.1
.i ,.,J 0
КТЗ61И , .·.•
.•· ·,
..
.,. ,.·i•.• ,;,,, )15
КТ361К ,:··,·
..,
. .,.,
.,
t·•
..qO
· при To=+I0Q°Ci
·'"""''''
КТ361А...
,
,
,
,
,
20
кт3ыв=-: .··. .
·,
-. •15
КТ361В, КТ36)Д,.,,.., ., ,
,,,. ,
., ,35
КТ361 Г, КГЗ(3 !Е ·.~ \ ": ~ ;~_; ;\ :,30
КТ36IЖ : _' ::~., ..;,;:~~.,:,в
КТ36\И .
•_,.,
~\'.•
._·...
12
КТ361К , ,
.
,
,
.
.
.
50
'
pl)
.
К· max - ПОСТОЯ· ННJJЯ
,:·, Р;а _ССе!;! ., ,, с ;
в а емая мощность . колJ1екто ,, 1N , ,
ра, мВт:
,·, ., _..,·н: , -г
. при То =-60... +35° С .',: ~,,:'. :: >:150
при To=+J 0.0°C ,
.
,/:t'~r.,:30
. Тп mах-темп~раtура' . ; пер~хо1⁄4'J.::
,·с
..
,, ....
-
::;:-;:: :.;) 20
R~.•п-о - тепловое сопротивiление;;
переход - окружающ1;1 я ере, ·
да, • С/мВт . .•..· • ... ,. ,\ •,,а0:·;:о,67
Допустимая тe,мriep~typa 'окр;с <
жающеА среды, 0 С
.~QO'. ,;,tJ00
-
..-
~--- -- -
с,r_,
~
,~!.,
r' "\;
~; ;:~~: : ··~
·,
\:}ф! ~i~
',
~- ';:
.•и~..
-··
--
-~
-
--~
-.. '
О 5 10 15 ?О l5 30 35 1/(]_ U~3:б_.~;'·'.
- . , -- КТ361Б - JI 6=0,05нА ;КТ361А-iJ[Б= О,-1!1А; ,
-
·-
КТЗ61Г, КТЗБIЕ-tН6 =,О,05нА; KTJ618 ; ;· "'
КТЗ61Д-4!6= D, l11A; --- КТЗ61Ж ~JI0=0,a~ ~~; .
.-
.. -f(TJб1K - ,:JI5=0,05мA •
•,.;

hz1э 1.,,--
-
.-
-·-
fгр,М
1--- ____ _
rц
280 L---1 --- -+ -- _,__-- +- -- ---<
,,.
-
1200
.... -
,,,,
t---
ZOO --е----+--+--+----1
'[к' пс
380
!
. ...
JOO ~~
'--- -
-ZZO ~
,1
1
140 . Гf--
.,.,.__
. ...
800
400
V
.....
КТ361А, ... Б, . . . Г Ик5•IОВ
f,7.ОМГ'ц .
КТЗБIД
11
+--
>--
КТЭ618,КТJ61Е,
/ КТЭбlЖ, К Т361 И
1
/
,,
)"'/V
-
t-.
-
/,
V
'-
·-
Икь"10В
~/ V ,,.'
·-·1--
-
t-
.
(_У,, v·
1
i
:,,
1
1
z6-JO1418Z2
Икэ наа,В
}{Т.361 А - !ЮБIГ
~-~ --,---- ,-.--~ ~~ ~-~
ИБзнас,В
0,8 1, 41-_-+-- --1--t--+ --+ --+ ~ '--- L--' !-+ --J
•о,7 О, В ~~h.;l!:~1- - --1- -- -1-- - -~ ~e- - -Je------1
...,.1.-L--+--
---
.._
БО
О О,Б'----'- -- .L... ...- "- --"- --'-- -' -- -'- -- -' -- ----'- -- --"-- --'
'1
1
О-Z46В101Z11;16Iэ,МА
.!] 10 ZG зп ч{]50 iБ.V 70 80 90 Iк,и-i11 .
,КТ364А, КТЗ64Б, 1(ТЗ64.В
Общие с.ведения. Кре.мнлевые JJланарно -эп итаксиальные р-п-р-транзисто
ры предна&н ·ачены для vаботВJ ·в неремонтируемых гибридных импульсных схе•
мах , узлах ,и 'блохах.
1€6 •
Оформление бескор·пусное {:ри<:. П.11.29) . Масса транзистора не бо.'1ее 0,006 r,
Условия эксплуат-~ции - в ·соотве:rстви,и с табл. П2.3.
ЭJ1ектрические параметры, :Классифш,ационные параметры~ h21 e, t рас,

::Sн:~чения
i-J~жи.мы и з м..:μени~
06озна -
'"
"
НаИIМенование
~ШНН•
о
о
"'
CQ
"'
,,:
:::f
чение
"'
:с
:а
/5, мА
:а
о..
мальное
о
-"
~
1.
:;;
"
"
СТ)
~
"
~
l (Т)
...
::) .
::::>
--
с.; ,
.:.
1
!
Обратный
ток
,.
коллектора, мкА 1 к:во 0,001 0,007 1 25
!
оря 'Fc= ,
=+85°С
0,01 0,1
10 25
i\i
"
'\\,1
Обратный
·rок
:
эмиттера, мкА
1эва 0,001 0,002 1
5
при То=
,,
1
... +ss0 с
0,008 0,01 10
5
Напряжение на~ы-
;
щения
коллек-
тор - эмиттер, в (JКЭ нас о,12 О,155 0,3
100
10
-
'
г
;
Напряжение насы-
,,
щения ·
база -
1
эмиттер, в
Ивэ пас 0,92 0,95 1,1
100
10;
i
Модуль коэффи-
1
'
'
'•
циента
передачи
;
тока на высокой
1
частоте
!hщ1
2,5
2
'· 110 100
,
'
'
1 1\.':
Статический коэф- '
!]
фициент переда-
читока всхеме с'
ОЭ1
h21э
KT3q4A
2('
701
100
КТ364Б
40
801201
100
КТЗ64В
80
240 1
100
при Те=
@
= +85° Сэ
КТЗ64А
20
~1 100
КТЗ64Б
40
~1
100
КТЗ64В
80-
.д' 1
100
при Те=
lt:)
'
=-40°с1
с,;-
'
КТЗ64А
О,Зh21э
701
100
КТ364Б
при 25° С
120 1
100
О,Зh21э
,
при 25°С
~;1
КТ364В
О,Зh21э
240 1
100
,·
,·
'
'
при _ 25°С
,', :f', '
,:; ,
,.'
.
'
1
...
167

,
Значения
Режимы измерения
..
Обоsна-
",
Q
~
<
4;_
::1
,·
· Nавменовзние
"'
щ
: чение
мини-
"'
., . ;ga:
,.
1Б~ мА
"
о.
-1!:~~
"
'
·- 1 М:аль:нее :
о
u.,,
~ а,,
:;:
,)'.
с
:<t;
~
С1)
,·
·'
'
,.
"
в :::,
:::, ·
.
,.
-
-
-
-
, ',\t
·,·
'.
"_;,
...
,
.'
.. ,.
"
Время рассасыва-
',,
1 в,=l Б,
ния, нс:
1 рас
КТЗ64А
150
100 15,=
=fв, =10
КТЗ64Б
. 1,80
100 - .lв,=
=fв, == 10
КТЗ64В ·
2:30
100 Iв,=
=lr;,=10
\;
'
Емкость
эмит-
терноrо
пе])ехо-
Се
:➔о !
о
5
да, пФ
..
,.
"
,.'
Емкость коллек-
торного
перехо-
-
да, пФ
Сн
155
5
,,
ПостоJ11Jная вре-
мени . цепи 9_брат~
!
ной связи на : вы-
"
·~о-кой -частоТ;е, : пс- •н
-
500 2
ь
5
'
r-- '
'..:··
..
~·, ;....
)
-,; ...Макси,ма;,i~.\10 .допустцмь1е параметры. · Гарантируются при температуре окр:,с•
i?,l_{~.юil,lef с'рф,; : Тс,= -:'"4.0 .~ +85° С . ..
~-:" -t
•
~1,..;. -.
:..i__
.~.
••
1/ к, max-; -- f!ОСТО!!,_ННЫЙ ТОК KOЛJieK-
-, :.торj, _мА •.:
..'
_
: 200
~:К:~ a·: ma:x ·-4- имцульсный ток кол- · ·
\...•, лек-тора,
- (tи~
10 мкс, Q-;;,, -
-
~
10), мА
400;
Иэв ma,
-
постоянное напря-
жение эмиттер - база, В
5
UКБmax •-
постоянное напря-
жение коллектор - база, В
.
25
Ик с R max ~ постоянное
напря-
жение колле,пор
эмиттер
(R,
~10 кОм), В ,
•
,
,
20
168
Pk' ma~ '
-
постоянная рассеи-
ваемая мощность коллекто-
.ра;'
мВт• .
•
:•,
,·,
t,30
rrп ma"x - температура
ос ....
перехода,
'.
125
Rт, п-с - тепловое сопротивлевие
переход - окружающая сре•
да.0С/мВт , , , ,
•
,
, 3,3
Допустимая температура окру
жающей среды, 0 С , i-40.,.+85

JК,
мА
11,НА
f
'.,
о
~о
za
70
а
1
U~3=0 - 1--1-- 58
1,
j
I1
!
1
J
1
I
/
J
.1/
!/
1)
,/
~
'
.
!.,;
~
0,4 0,5 0,6 8;7 0;8' Uьэ, В
4
8
12 16 Llкэ,В
' ) При пр1L~е'i,ешi_и 11ра1;1:эис1юра без
Фепл0011в0да нПри i~емпературе @кру• ,
·жающей среды . б0лее 25°С
Рк -mах (мВ1'] =-(ТIl max =IcJL-Rт, tl'- (:"'
liuэ
200
160
1•ZIJ'
80
40
RT364q
.... ,.._
'<
' 1'..:.
.. ... ..
''
• Uк5"1В-
---
.i.:.
:::',•,
,., ~_.
"<'
1-•
,_, ._
-
,...;. ...., r,,- .
..,.
:.Чi tf':'• r1
l~.; ....,⇒J::t fi
" {:f1t<~ ·, ]'
< •-11
1~~/ "
......
.,.
ча во 1zo 160 •zaa .1к,нА•
169

КТ369А, КТЗ69Б, КТ369В, . КТЗ69Г,
КТ369А-1, КТ369Б-1, КТ369В-1, КТ369Г-1
Общие сведения. Импульсные кремниевые планарно-эпитаксиальные n-p-n•
транзисторы предназначены для· рgботы в rибридно-плен очных схемах, микро•
модулях, узлах и блоках специальной аппара11уры, имеюшей герметичные корпу•
са или иную зашиту от действия внешней средр1.
ОфорМJ1ение бескорпусное (рис. Пl.30 и Пl.31). Масса транзистора · не более
0,02 г.
~'словия эксплуатации - в соответствии с 'J'абл. П2 .3.
Электрические параметры. Классификационные параметры~ n2 ,э• Икэ наа,
lкБо\ Ci< Се ИкБ max• Икэя max· •
з·наче н ня
Режим ы измерения
Обозна•
.,,
о,
Напмен ованпе
о
,о
CQ
<1;
<1;
:::
qенне
."'
.,:i:
CQ
11·
>!
с..
"'"
u"'
~
:a: i:::;
.
~~ :;,:;
(Т)~<д
"''"'
~ :,;
>!~
:)
:)
.. :.
~
Обратный ток коллекто◊а, мкА
, при Тс=-60 ... +25° 1
/ К.БО
КТ369А, К'ГЗ69А-1, КТ369Б,
j
;
КТ369Б-: 1
0 ,015
i45
КТ369В, КТ369В - 1, КТ369Г,
КТ369Г-1
0,0015 10 65
ПРИ Те= +85° <;;:
КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б,
КТ369Б-1
0,1
100 45
КТ369В, КТ3'69В'- t, IП369,F,
' I0369Г-I
OI,1
: liOO' 65,
[
Обрат1;11,1i!'_ ток зми"Fт.ера, мкА
\· 1эю1
Нащ'lяжение. на~Р,LШеll!ия. коллек.-
тi;>,р. 1~ эм1иттер; Ц;;;
Икэ нас
КТ369А, К:ТЗ69Б, К.Т369А-1,
КТ369Б-1 ·.
•
0,8
200 20
КТ369В, Kf369В-t, КТ369f',
КТ369Г-1
0,5
200 20
1
Нап'ряжение
э1,1,и,!тер, В на.сыщения. база -
·1
1
,j.11~,11••
Ивэ нас
1,6
J25050
Статический коэффициент переда-
1~~
чи . тока:
КТ369А, КТ369А- 1
100 2
150
КТ369Б, КТ369Б-1
402002
150
КТ369В, КТ369В - 1
201003
10
КТ369Г, КТ369Г-1
402003
10
при Тс=+85°С:,
КТ369А, · юз69А - 1
102002
150
КТ369Б, КТ369Б-1
204002
150
КТ369В, КТ369В - 1
'
102003
10
!<Т369Г, КТ369Г - 1
''
204003
10
170

Знаqен ия
Режимы ii.З- ме р ени~
Обозна•
.,
~'
Наименован,ие
о
<,;
<,;
::1'
'
\.{енне
'""
!.,"'
ед
:а
"
...
.,,д•
u,д
:,;
:,:,;
:,,; ·1 ;; 1 ·,ii
L,Q
:s: ro
ro ro
~
""
"~
. ::,
. ::,
-
.:
при Тс =-60° С:
1
1
'
15d
КТЗ69А, КТЗ69А- '1
\
815@.2
КТЗ69Б, КТ369Б- '1 _
;ш250.
,2'
!50
'
КТ369В, КТЗ59В-1 \
81103
lO
1\ТЗ69Г, КТ369Г-1
15 220• :13'
то
'
·~
:1
:1
1
100 :1
:1
11
1501 ;[51
\
Бремя рассасыв·а•юrn,
1,ра,,·
Емкость коллектора, nФ:
c/J
;1
'
1
КТЗ69А, КТ.369А-1, 'КТ369Б,
'
'
1
КТЗ69Б-1
5
15 !О
10
КТЗ69В, КТ369В-1, КТЗ69Г,
КТЗ69Г-1
5
10 10.
1
10
Емкость эмиттера, пФ:
Са
-
.
.,-
КТЗ69А, КТЗ .69А- ·1, КТЗ69Б,
j
'
..
КТ369Б-J
1
1•!\•О:50
о
10
КТЗ69В" КТЗ69В-1. КТ369.Г., .
'
КТЗ69Г-1
10
40
()
·10
Граничная частота коэффиuиента 1
передачитокавсхемесОЭ,МГц fгр J200\215\ю1 1ю\ •\100
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре акру•.
жаюшей среды Тс~-60 ... +85°С.
1к шах - ПОСТОЯН,НЫЙ ток коллек
,ора,мА........250
lк. • шах - импульсный ТОК !(ОЛ·
лектора (/и~IО мкс, Q;;;,,
~5), мА .
.
.
.
.
.
.
.
400
ИкБ m,ix - постоянное
напря-
жение коллектор - баз·а, 'В,
КТЗ69А, КТ369А-1, КТЗ69Б,
КТЗ69Б-1
.
.
.
..
·f5
КТЗ69В, КТЗ69В-1, КТЗ69Г,
КТЗ69Г- 1
•
.
.
.
.
65
ИкэR шах - постоянное ·напря
жение коллектор - эмиттер
(R1~1кОм},В:
КТЗ69А, КТЗ69А-1, КТ369Б,
КТЗ69Б-1
.
.
.
.
45
КТЗ69В, КТ369В-1, КТЗ69Г,
КТ369Г-1
....
65
Иэв max - постояююе
напря-
жение эмиттер - база, В
,
4
P ·I)
•
,к max - пост0яы;н.а,я
рассеи-
·ваем ая м'0щнос·рь тратвисто-
,ра,, Вт
.
.
цри Тс=_:-60... -ff--25°С ,
,
. 0,05
цр·и r с= 4--'85°С . .
•
.
0,026 -
'2)
Рк. •n · ~па-х -.и . м . nу.n •ЬС!Н8-!1
рассеи-
ва:емая мощно.сть т_р.анзисто•
,р·а •~tm ~J О ,мкс, Q;;:,, !.i), !Зт
'При r'C= --60... +is"" ·C
...
1,6
пр.и J.c=+'85° С .
.
.
.
.
0,8
'Т п шах - темпера,rур,а перехода ,
0:С..........150
°R.т, 'П- с - тепл·е>·вое .с0про~mвление
переход - 01<ру,жающая сре-
да,0С/.мВ:r . . . . ... .2,5
Rт. п-н - теплово.е .сопротивле•
ние переход - корпус O С/Вт 80
Допустимая температура окру
жаюшей среды, 0 С , ,-60,.,_+85
1 ' В диапазоне Те= 25...85°0 Рк max [мВт]= (150 - Тс)/Rт, п -с•
iJ В диапазоне температур Т11 =25. , .85° С Рк, и max [Вт1=(150-Т_11)/ Rт, п-н•
· 171

,,J'fJ:-~,_.~~
,:,; 1~\1;1 .IJ ..
f·
."r
172
I/
о /,/
U,4-
'v
-
1
40~
/1
,Н. Б
za
1
,/
~
.·
,
1
j
О
1
Z
З
4- Ик3,В
КТЗ69А, КТЗ69 А-1- LJ I 6=О, 5мА; КТЗБ9Б, KTЗ695°f ~LJ!6"
=O,Z5 мА; НТЗ69В, f<ТЗ69 В-1-М 6=O, ZмА; КТjБ9Г;
, ... ,, ,, : : , 1,ТЗБ,9Г:11-АI6=,D115мА
hz1э
zao
i<T3696
1
,,
6-1,;, ~,~ ~ .; .,-~
1--- .
~:.,.
с·-
11
ll'н6=ZB
~1~
'
:;
-- ......... .
-~;. ;
1
..
160
/
~~~: "'-: ··'
~ -....
-'
...... _
,,_
·;,/
--
-
КТЗб9Г,Г-1
............
.....
''
'~
/Z(J
/
-
-
НТЗ69В,В-1
"'
"'· .......
~
.,
'
-~~-..... -
-
---
-
"-- ..
80
"925, 1 --=---.
~-
-
.........
~
-
НТЗ_6ЭА,А_-1
,
-✓ ..
~ij
~ --- ~ .....
----
40
rл".:f-" --
--
::--,...._
-
\ ) КТЭБ~бб-1
..__ "
,.,, ' j__:;_
-
--
. .... .....__ ___
__. .._-+ -
-
-
с
,,
г-~-- -~ -1--
-
--1
а
50
100
zoa

700
600
500
400
300
100
100
,.
/
17
(:;.
/.
,,,..- ":"-• t-_
..........
:----
-
-~
··-
'
--
........
,:
, ....
Икэ·10В// , ,
!
-- 1==::
--
\-~
о 50 100 150 ZO0 •l50 300 Iк,мА
'·■ЕЕ~~
Uнз нас, В
ИБэ нас,В
1,4
1,Z
,,о
о.в
о;Б
D,lf
a,z
о
100
.,, ·, '..
) 11111111111111'] '1111 ·11 · К.Т373А, КТ373В, КТ373В. КТ373Г
17
18
19
zqa\,мA
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р-п-транзисто•
ры предназначены для работы в схемах усиления и генерирования колеба ш1й
высокой частоты в быстродействующих импульсных, а также в других схемах.
Корпус пластмассовый, герметичный, с гибкими выводами (рис, Пl.28},
Масса ,раизистора не , более 0,2 :Г. • , i
•...•,
,
·: ·,-·
Услоuия экспJ1уатаuии.:.... в соответствifи• с табл.;-П2.4' ,·, 1:;· , 1 1,-
Эл~,ктрические п~р~ме,;ры. .~л асс ~фи к~ц ~о нны е
пa;;~,i;p~I
ih ,1эl . 'кэя , ИF,э ;,аС' UKЭ(:J' rp
0
•
•. И кв inax · ИкэR '"mа:<. ,
'
•
Наименоnание
Обратный ток . коJiлекто:·
ра, мкА: .
..
••
КТ373А, КТ373,Г .,
::
КТ373Б
••
Ю373В . .
при Т_с = +85? С1
КТ373А, КТ373Г
КТ373Б
КТЗ73В
Обратный ток эми:rтера,
мкА при И-=э6 =5 R
1 кБо-·....
..
•
•
•.1
~-.
1 эво
•.-~.
t:·• ·.1.~
+~-
\·r.
_J
\.\ ~~
. Зн.ачения
0,5,)0-:: ~
· o;s.10- 5
0,5• 10-~
0, .05 ·2&·
о,щ; ·20
о.о~ . ю:
10'• 25
10 20
!О 10
1зоJ111

,
Значения
Режимы изме .;_)ения
Обозна-
.~
-
..
,
..
1..
Е-Jаименованпе
Mj!Hjj·
CL
;:/
чеНИF
а~
"
,а"~
vtaЛbHOf
:.: с:
~
.
.
.
н:::;•"'
"'
"'
...:.
.
-
-
-
-
Обратный ТОК коллек-
тор -
· эмиттер, мкА:
{КЭ R
· КТ373А
30 30
·.
КТ373Б
30 25
'
30110
1
1
КТ373В
i<Т373Г
100 60
Граниююе ~апряжение·
Икэо rp
транзистора, . :
Кi373А, Кf373Г
~5
5
КТ373)3
20
5
КТ37ЗВ
!о
5
Напряжение
насыще-
ния коллектор - эмит-
· тер, В:
ИКЭнас
о,1
КП7~Л-КТ373В
0,03
101
КТ$73Г
0,05
0,2
101
Напряжение насыщ~ -
Ивэ нао
ния база '-'- эщ1[tер,
В:
0,7
0,9
КТ373А-КТ37 В
101
Ц373Г
0,7
1,1
101
М.оду.i~ь коэффициента
'ri~редачи • тока на высо-
ко~ ч;11;:тоте:
2,5
·'
Т373А, КЦПГ
10
5 10)
КТ373Б, КТ373В
3,0
10
5 100
Ста'тическиl\ коэффицн-
ент, щ:редачи тока в Cl\e•
\
\
ме ;с QЭ:, ..
• h21э
КТЗ73А
100 .
25051
ктз:1зв
200 '
60051
l(ТЗ.73В -
у1000 5 1
ктз:1зг
12551
Пр!j Tc=+85°Ci
5;
КТ373А
100. .
750
1
КТ3;7ЗБ
200
180051
ктз,зв
500
300051
КТ37ЗГ
,50 :
37591
при Тс =-40° С1
КТЗ7ЗА
1
25
25051.
\
КТ373Б
'50
60051.
К:ТЗ:73В
125
1000 5 1'
К:ТЗ73Г
12 \\
1255l,
Емкость ко\lJлекторного
1·
115/111
-
перехода, qФ
Ск
•• :1
8
!О
--
·'=·:·,.. -: · ••.,,.
.,, ••.,.,
174

1-
1!
Значения
Режимы измерения
Наименова'Fпrе
Обоз.н_аче-
"'1
<
<
.,:
:cf
ние
минимальное
:,;
:,;
:,;
.. ..
~
Постояш,ая
врем~:н.и
1
цепи обратной СВЯЭ-И Н-а
выс6ко:и частоте, пс,
tн
КТЗ73А, КТЗ73f
КТ373Б
(
КТ373В
Ма~симально д~стимые Oпарамеrры.
жающеи среды Т,,= 40 ... +85· С.
1к m ах -1юстоя.нньгй то чолv~ек-
тора,мА..
,
.
.
,
50
1к,•ma~ -
импульСН'>lЙ ток кол
лектора (tu~50 мкс, Q;,,
~500), мА ....... 200
lк вас . mах--' ПОСТОЯННЫЙ ТОК кол
лектора в режиме насыще-
ния,мА....
,
.
.
.
100
Иэ5 шах - постоянное напря-
жение эмиттер - база, В
.
•
5
Ию; m ax - постоянное
напря-
жение коллектор база, В;
КТ373А
,
30
КТ373Б
ктз1зв·
КТ37Зf
,
,
,
,
25
1•
•
•
10
•
•
1•
:,,:
ф (Т)
;:,:;
:::,
-.
-.
-.
.. .::
.'
20051
5
3.0051
5
7005·1
5
Гарантируются при температуре окру• .
Икэп 111ах_ - постоянное напря-
жение коллектор - эмиттер ·
(Rв ~10 кОм), В:
КТ37ЗА
КТ373Б
КТ373В
КТ37Зf
..'••
.
'.·,зu
,
25
••••
1
...
pl)
.
к max - постоянная рассеива е-
мая мощность коллектора
10
60
(Тс=-40... +55°С), мВт
150
Тп max - температура
перехода,
0С
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
150
Rт, n - с - телловое сопротивление
переход - окружающая сре-
да,0С/мВт.......0,61
Допусти.мая температура окру
жающей среды, 0 С
,-40,,,+85
1 При Те> +55° С Рк max [мВт]= (150 - Т0)1Rж, п-с•
16,мА
0,2D
0,15
0,10
0,05
о
11
1
llкэ=О 58
jj
J/'
0,4 0,6 Ис,э,В
.,......
.,......
,,,,,..,-
~ .....
-
.,......
5
4
з
2
~ ......
--
-•·.
~
.,......
-
--
/
~-
-
-
~ --·--
--
""""
....-
V
--
1.
----
-t:116
!
-
.....
1
1
1
'
1
О
5
10
Uкэ,В
ЮЗ7ЗА -дIБ=О,011-tА; Х ТЗ.7JБ -ЛJ6.= .О-,004н.А;
НТ37ЗВ-М 6 =l],fJ,OZt1A1; ;щ,7зг- 11 !r,=.D,D(Щ пА
'
1
175

500
400
зоо
zoa
100
50
о
'
-
/
V
~
~v
v/
1,
.,,.v
,
~~
1,/
1,~
V
11
V Uк6~5В
'1
/
~
1,
'
'/
,,. ...
,;
1/
~
.,,,,,.
~ К ТЗ73В,
у
/
"
"'.,,,,
~--
.-J
~
1,," '
~КТ373Б_ .
/ 1тз7зА
-·
,,,,,,
L,,- .. ..
.... ~
J,
V
~
~
!,,,,,,....
I/ t,....-
.....
., ,,,
,,,,,,.,,
,_ ...
1,,1,,
....~ 1--
i. --
.--
,....
-
........
.... ..
---
.-
k'-
t-1,o, ..
---
i.-
-
:
......
. ,___
-
"--
-
..
rs:=
r;::;, 1 -· ·'" "
_
.. ..
·-
...1-
........ ,.,.... ,- • -+ -
...
..,_,_
--....КТЗ7З Г
111
101
l<ТЗ7ЗА ,- ' нт:J7з Г
i_i- ..
r__. .. ,..
a,tf---+ - -+ _ --+
__
-. +~~,.:Ь-1'-~+--+---t--ij+_--+_-::±..,j,-"'1';=t=1---+-t_~-J
i с-,.__,.-
1111) 1~НJ 111 :1,l_l il 1111 :КТ375А, I<T375p
18
19
,
~,(:',••r
,. г·
•·,
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные n-р-n.-1ранз11сто
rы . предназна,чецы д.?,!\ ,; Р~,QqТЬ!. , в имμулqсньlх и других Qхема~ радhОIJ\Хl!ических
устройств.
, .,.,
, t,,,....•.
•
176 '

Корпус пластм11ссовый, с гибкими _.выводами (рис. Пl.32). Масса . т.р,анзисто- _·
ранеболееО,t~ ; r:
,·
•
·
,,.•:··;:
•;
••
·:
Условия э1ч::плуатации.;.. в соответствии 1: •табл. П2А.
Электриче!;кil~ параметры. Классификационные параметры, hntэ• И •
,.
KБ .rna,.,
Ик:эо гр• Икэпrnах-
Наименова няе
Обратный ток коллектора,
мкА~
КТ375А
КТ375Б .
при Тс= + '85° С2
КТ375А ,..
КТ375Б
;
при Тс~ ,.:..,45° Ci
I<T375A ,i'
КТ375Б ! :
Граничное
напряжение
транзистора, Bi
I<Т375А
.КТ375Б
Статический коэФФr~циент
передачи тока в схеме с ОЭ .
(при Q=I0... 100)1
КТ375А
КТ375Б
при Тс=+85°С-1
I<Т375А
КТ375Б
при Тс =-45° С)
КТ375А
КТ375Б
Напряжение
насыщения
коллектор -, эмиттер_, в·
Напряжение насыщения
база - эмиттер, В •
Постоянная времени цепи
обратной связи .на высокой
частоте. пс
Модуль коэффициента пе
редачи тока на высокой ча
стоте
Обоэна
•енне
'кво
Икэо Рр
fi.21э _.
Значения
Режимы измеренЙя
"'о
""g
;"'
0,1 0,3
о,1 0,3
0,3 1,0
О,3 1,0
О,05 lЭ,3
0,05 0;3
60
•за ·
160
130
10 60
10•.30
160
1 -30
5
-5
•. •,;:;i., ;,'i ~
~t' ;:, ,,/1 '
i
;
·10- 40 1-00 ·· , \~2
•!1·,
_
,
50 •но" -2во: 2 ~
1
-
'
..,
.~, ,·.,
-т -1
10-·--
0 "200' - --2 . "::-,.:
,_ 50.
560 2-• "
,-&
.
25
-.·
-
·-i-
_,;.~~
••
··1оа~ ·- !&
-~- ..~:
__
-_
280,,,,,?
,; ..~
300 10
20
20
! 11"
50
50
50
50
50
50
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при темиерат-уре~iру• ··· ~
жающей среды То =-' - -45... +85° С.
., ,.
.,
.... ,·.-•.
1-.,,.1•,•,,н,.
lк mн _; , fJОСТОЯННЬiЙ ' ТОК-~◊~;;~~~· ; ;: :," ' ,, ,, :l~/ . ~' ~ .~~ : -~ ,~~;~:f~~~~~J;·•.• , -~
~\ ~ • :~;.~_'J\,: 1':,
'Iopa, мА ,
,
,
•
•
,
•
•
1QQ
коллектора t. ~l -мкс, мА:,· ";"2-О'о'· :.i''·· '· • ••
l•H
177

,
Иэв П:,х - пост-оянное на1rря-
мая мощность коллектора,
мВт . ......... 200
жение эмиттер - база, В
5
Иквmax• -
постоянное напря-
р2)к, и mцх - импульсная рассеи•
жение коллеюор - база, В:
'КТ375А.....
60
КТ375Б ........ 30
ИкэR(mах - постоянное напря-
ваемая мощность коллектора
(tи~1мкс),мВт.. . ..400
Тп шах -температура перехода,
0 С ......... +125
жение коллектор - э:.~иттер ,
(Rв ~ 100 Ом), В:
•
КТ375А
.. ...
60
КТ375Б... ....30
Rт, п-с - тепловое сопротивление
переход - окружающая сре•
Pl)
к max - постоянная
рассеивае-
да, 0 С/мВт
.
.
.
.
.
.
.
0,5
Допустимая тем п ература окру•
жающей среды, 0 С . .- 45... +85
11 При Те= •-45.+25° С При Те= 25°Са:85° С Рк max [мВт]=
(i25 - Тс)!Rт, п-с•
2 1 При этом средняя мощность за период не должна п р евышать Рк max'
D,8
0,6
0,4
O,Z
IJ,
1
1
lfкз=О 108 '
1
/
/
I
j
/
:.,/ 1/
и,в 1,0 Иьэ,В
40
30
ZD
10
,/
..
-
/
.,, ,,
L..,.,
..
✓
!/
1-1 ,,,
L1I5
1
~--
1
1
1
О 24·б81012141618ZDZZ lfкэ.В
j<JЗ79A-!J l 6 =0, ZмА; КТЗ75 Б-LН 6 =0,06 нА
hz1э
UБЭ нас, Икэ
г-г-
нас, В ··т
140
в
11
1
-
-
-
J6=JмA
zoo
1,4 1,0
1
160
1,Z -0,8
1ZO
1,0 -0,б
Uбэнас
....-
~-/
,-
-
\:--._
_
,
_.. i-
/
-
.- .-
\
1/
во
0,8 0,4
.40
0,6 0,2
0,4 L
I/
=
,.. _
·-
·-·-
k' 1..... 1,,'
1
_.v
_)Vv·i
~-
-
'-
,_
V • ~1,.,"
1.,, -~
~
)'.: -
l~~-
i--
lfкэ нас
i1111
()
ш 40 БtJ 13.~А
о
178

f1f-
КТЗ79А, КТ379Б, КТ379В, КТЗ79Г
Общие сведения. Кремниевые эттнтаксиально-планарные п--р-п-транзисто
ры предназначены для использования в неремонтируемых гибридных импульс
ных и других схемахr микромодулях_
Оформление бескорпусное, со столбикоаыми выводами (рис. Пl.14), Масса
транзистора не более IО мг.
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.З.
Электрические параметры. Классификационные пара метрьо /1 21 э, ,/ !z~ 1э /.
Икэоrр 1 кэR· Икэнао Иэвнаа• ИкэR max·
Значения
Режимы иэмереliИЯ
Об0зна-
"
Наименова·ние
мини~
,О
CQ
:д
'<(
<(
<(
чение
;s;:::
:,;
:,;
:,;
мальное
типово е
<.)"'
"е;
;:;- m :,,:
._ i) (1)
"'"'
""
:::,
:::,
..
Обратный ток коллек-
1 кво
.тора, мкА:
6, 10-•
.О, 5
КТ379А, КТЗ79Г
4, 10-•
25
I(Т379Б
4. 10-4
6-10- 4
0,5 20
I(ТЗ79В
4,(О-4 6-10-4
0,5 10
при Тс=+85° С:
5.10-~
1'10-2
1
КТЗ79А, КТЗ79Г
:25
КТЗ79Б
5, 10-3
1, 10-2
1 120
КТЗ79В
5-10 -3
1-10- 2
1
10
при Tc=-4q°C:
0,1.10- 3 0,2· 10-3 0,05 :25
КТЗ79А, КТЗ79Г
КТЗ79Б
0,1-10- 3 0,2 ..10- 3 0,05 :20
КТЗ79В
0,1-10-3 0,2-10-3 0,05 :10
!
Обратный ток эмитте-1
ра, мкА
/ ЭБО
Обратный то1< коллек-
тор-эмиттер
(Rв~l0 кОм), мкА 1 кэR
-·
КТ379А
30 30
КТЗ79Б
1
30 25
КТ379В
30 .10
'
;
КТ379Г
!00 :60
-
Гран(!чное напряже-
'
ние транзистора, В: Икэо гр
i
КТ379А, КТЗ79Г
25
i
5
КТ379Б
20
$
КТ379В
10
5
;
Напряжение насыще-
'
ния колле1пор-эмит -
'
тер, В:
Икэ нас
КТ379А -КТ379В
О,1
101
'
КТ379Г
0,2
10, 1
,
'.
Напряжение насыще-
ния база -э миттер, В. Ивэ нас
1
КТ379А -КТЗ79В
0,9
.'
101
I(Т379Г
J'1
'·
,,
10 1•1
.
179

,
~',
·,
..
-Оооана.
НаимеНОDЗНИt'
чениf'
МИНИ•
мальное
.
'
Модуль коэффициента
..
передачи - TQK.a на вы-
сокой частоте
1h2101
nри f= ·100 МГп
КТ379А, КТ379Г
2,5
КТ379Б, КТ379В
я
-
·--·-
...
·1
Статj,!че.ский коэфф и-
;
'
пиенr передачи тока
в ·сх~ме'с ОЭ:
11 21э
100
, К1;379А
КТ379Б
200
K'F379B
400
КТ379Г
50
.
при Тс=+85°С: ...
,.
К1'379А
•
100
·К1_~79Б •
100
КТ379В·
.
400
К1З79Г •
-"
:50
• при ·'Тс=-45"С:
IПЗ.7-9.А - .·
.....,,,.
..
•.. .•
..
.:25
4ЧВ79Б
'
5Р
,.. K;I:J ➔ ~B
': 'У;
'
.,-
·,
,'
IO:J
•кrзgr'·
•.
•i2 .,
[\_\>!\ '1)\\\\:,-, ..... ,-, "\ ! .,
'
,.~' \ ·~
..
;
.'~.
Емкость коллектор но-
ГО п ерехода при f=
=10 МГц, пФ
С11
-
.--
......
..
1
"
r-
--1
-·
1.
,.,
..
-.
:_ ~а~с11малi,н о доnусти ,щ,1~ nарам~тj>ы.
>Jiаюшеи С:реды Тс=-45... +85° С.
••
1
1
'
'
)
1
/j< ~~1-: _ QОСТОЯЯ:~1'ый ТОК КОЛЛеК-
•
•
1~-
\Ро, r,iA г' ._
;"i .•. ё•..
•,: •
•
...qQ
lк, u max-'-- импульсныи
ток кол-
i· л~ктора (tli.;:; 100 MI{C, • Q;;,.
,
~5), . мА.
•..
.,
..
,
r·i
•·
·
100
-Иэв ' mах - ,постоянное напря-
: • >~ение эм.и-ттер ~ - база,.
В:. 5
1
,,
•
,
'
u;.КЭR!m8х f',Т, п·острян1>ое · НаПр~-
,
;;)~н'ir!Г-i<оллек:тор :- э~iитт~р
,
(R Б k;; 1О! l{Olii), В; \~ ;
180
. JП371М.
,, ~'
' \,'
КТ379Б
КТЗ79В
КТ379Г ••
30
25
10
60
Значения
Режимы измеренил
·i
<t.
.Д
<t
<t
щ
"
:,;
:,;
tиnовое
f!.11
,. ..
~ СТ)
т
11
:,::
;.D
::,
:::,
·,
2
5
2
!3
;
150
250' 5
1
310
500' 5
!
500
1000 5
L
90
1?5 5
L
..
(50 -
L
.
I50С 5
l
1000 :5
l
175 -~
1
'
L506,.._
'
1
500 ,5
:-.
L
\ООО 5
1
125 5
1
8
q
Г аранitфуiотся при температуре окр у•
•'
,,-.,
f?}> max _: . · постоянная рассеивае
мая мощность коллеl{тора,
мВт
при Тс=25°С
,
,
,
25
; при· Тс=85°С, •
,
;·,
,
!О·
2)
'
Рк ,1max -
. импул ьсная ·
рассеи-
,
ваеМ:ая мощность транзисто
ра . (lи~ 100 мкс, Q;;,,5),
мВт_ ,'•i ,
,
•,· ,
,
,
,
75
Tn max - температура
ос•...••
перехода,
100

Rт: п-~ - теriло~ое сопро'Гивле'k~iе· • -
переход - окружающая сре-
да, 0С/мВт , ,_ ,
•.•._.
_
-
3 с... ,,._
Допустимая: температура окру
жающе~ среды, 0 С
,-45... +85
'.,. ·,;~~'Yf•:•.,J ":'
'
'
.
l) 8 ИНТер·вале температур 25,.,85° С ~ОЩН9с;ть ~-J'!!еНЬШа_еТСЯ_ JIИ,Н_еЙН_О__, JJpи
монтаже в микросхему Ркmах опредЕ:Ляется по : формуле Ркmах [мВт]= (Тu max: -
-
Тк)I(0,7 + Rт, Кр-'к), где Тк - температура корпуса · мик-росх_емы;i~f,'Jр' ~н
тепловое сопротивление участка по\!ер хн ость : кристалла <-"· кdрпу·с 'ми•кр6схемы.
2 ) Усредненное значение импульсной мощности· · о. f:Четом мо[iй1ооt и, ' 'Р'а'с'сеи-
ваемой на фронтаJji,
•
'
• ._,
·
,-,,
QОЗ
a,oz
о
hz1э
350
ЗОQ
150
zoo
15(}
100
ю
о
Uкз·В
,5В.
]/L,I
\,;•·· 1. :: > \\ :•\·:;; "{-
:· rк,НА
,v~·,
.,, ,;у_ _._ .,.
'
lc---+-
_1---VA--lг--+
,[I -:.с; ':1, _- ' :
_+ -: '+_
-
, ,:'i
,_ :-:
, "'-
. .,f:,' -t,,4. , , ,_ .'
4~-1-.,~~· 1--+-+-'l-----t-7'-+--o-т,~, ~- :-:- ~, n;ntt.•·п.,_,
,; ./
v---
,;, ,.'->', :·· .~
v--- il
':, •::: 1
1 1i---1-v -1, ...,.
. ~-+--;+
ч --11-t-+_----t,\:-:; r:,,=--,__t-;тJ,,
... ..
..-1-~:' .:-
,
АIБ
'
--~
-1--""
~i
~
1rl
rl
.ВОQ=1 •5,а100
701\---',\---\Н---t-~t---т---i
. . 60. ·1--,-\-1--\----1\-\--i--Ь---tт-1
50 f--~ ~ l-\ -~ ---t- -+ ---1
--
40f--~. --~ ~---t,.......,. .; ---,
г-t=!:::;;:!---,-т.~=:-;:-;;t---т-11 · - ЗОг---+----'"""".:-...f'~<~~~~~-,;;..r_--;
lOL--1-----"-__._,..___,_.......____,
1аи
101
Iк,МКА
ш-~
181

КТЗ80А, КТ380Б, КТЗ80В
Общие сведения. Кремни·евые эмитаксиально-планарные р-п-р-транзисто•
ры предназначены для использования в различного рода импульсных неремон•
т 11руемых гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках.
Оформление бескорпусное со столбиковыми выводами (рис. Gl.14), Мс1сса
т ранзистора не более 10 мг.
УсJювия эI{сплуатации - в соответствии с табл. П2.3.
ЭJ1ектрические параметры: Классификационные параметры~ h 21 э, fpao,
Икэ R max'
Значения
Режимы измерения
Обозва,
"
$
.,
Наимевов в ниf
'
о
-~
"'
а:,
<,;
<,;
<,;
"'
чениr
':,:
"
~~
::!i
::!i
::!i
""
:,: ,д
о
:ё
:,:,;
с
~ii):::::(Ьm
., .,
=
., .,
::!i:;;
,_
,а:,,
✓✓
-
Обратный ток коллек-
тора, мкА:
• .!кво
КТЗ80А, КТЗ80Б
0,004 0,01
110
КТ380В
0,004 0.01
1
7
при Те= +85° Ci
КТ380А, КТЗ.806
· 0,2 8,0
10 JO
кtзsов •
0,2 8,0
!О7
при Тс=-45° С,
'
КТЗ80А, КТЗ80Б
0,001 0 ,002
110
ктзsов
0,001 0.002 1 7
Обратный ТОК J<.oЛJJeK-
тор - эмиттер (R в<
,;;:;; 10 кОм), мкА
1 кэR
КТЗ8dА, КТ380Б
100 17
КТЗ80В
100 9
Напряжение н.асыщения
коллектор - эмиттер, В Икэ нас 0,09 0,2 0,3
101
Модуль коэффициента
передачи тока на ·высо-
кой частоте
1huв /
J
2
5юо
Статический коэффици-
ент передачи тока в схе-
мес ОЭ:
h21э
КТ380А, КТ380В
3055УО0,3
lU
КТ380Б
50 85 ]50 0,3
10
при Те= +-85° С!
-
КТЗSОА, КТЗSОВ
30
180 0,3
10
IП380Б
50
300 0,3
10
при Тс=;-45° С;
КТ380А, КТЗ80В
15
90 0,3
10
кт3sщ;
25
150 0,3
!О
182

.iнdченин
~->ежи.мы '1::iМереню1
Обозва-
"
Наименование
о
~
.д
<,;
<,;
<,;
=!
qение
.,
"'
:,;
:,;
:,;
'-
о
~
;;;:
;"'
d')~са(1)
=
,..
::)
::)
~
~
Время рассасывания, нс:
tpac
КТ380А, КТ380В
10
.
101
КТ380Б
20
101
Емкость
эмиттерного
1
о
перехода, пФ
Сэ
1
8
10
Емкость колл ект орн ого
10
перехода, пФ
Сн
65
Максимально допустимые параметры, Гарантируются при температуре акру•
жающей среды Тс= -45 ... +85°С,
/ ~) max - ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛ•
лектора, мА
при Т,=+25°O •• ,
1,lu
при Tc=+85°G
••
5
/к, ■ шах - ИМПУЛЬСНЫЙ· ТОК КОЛ•
лектора (t и~ 100 мкс; Q;;;;,
;;;:,,5), мА .
.
.
.
25
VЭБ max - постоянное
напря•
жение эмиттер - база, В
4
Икэяmах - постоянное
жение коллектор -
(R 6 ~10 кОм,
= 100 мкА), В:
КТ380А, КТЗ80Б , ,
КТЗ80В
напря
эмиттер
1кэ я=
17
9
PI)
к max - постоянная
ра~сеивае• .
мая мощность коллектора,
мВт
при То=-45 ... +25°С
.•
.
при To=+85°G, ! /.. •
р2)
к. иmaJ!! - импульсная . рассеи•
ваемая мощность транзисто•
ра _ (tи~l00 мкс,· Q;;;:,,5)! мВт
Тп шах - температура
ос......
перехода, .
..'
.
Rт, п-с - тепловое - сопротивление
переход - окружающая ере•
да,0С/мВт . .
•
,
,
,
,
15
5
50
100
з
допустимая температура окру•
жающей среды, 0 С
,-45.. ,+85 .
L> В интервале температур Те= 25°::,85° G мощность и постоянный тою
уменьшаются линейно. При монтаже в микросхему Рк mar определяется ' пе
формуле Ркmах [мВт]= (Tnmax - Т11)/(О,7 + Rт, нр-н), где Т11 -. темпера•
тура корпуса микросхемы, Rт, нр-н - тепловое сопротивление поверхность
кристалла - корпус микросхемы.
,
'
•
21 Усредненное значение импульсной мощности С учетом мощности, рассеи'-
ваемой на фронтах,
•
.183

11 ,нА
75_1---+--
.l---l,17.,.
·"-
· 1',-, -1--i-:--4-4-~--1-~~
v
. - ~l::•::;:: ·:~·~ -~ ~•ll;
~: 1~,ц,; iО\
iJ- ;
·~
.
'
-•
51U
tpac /tpa~ rпаж
, , ; L--i .;....-
а
15 za I,,HA
о, .5 ._ ___ .__ _,__ ..__ _._ ___ ,__. ___ .__ ___ ,___J
2
lt
б
164
j ·''
,Z
J
.'+
,.5, U~3,8 1
ктзuоА, ктзвов - ~н5•а,а5мА
liТЗВОБ - Л I Б=О,03 нА
Рк,и mnx,
нвт Q•2!10100
i....-
1\'
\\
\\\\
'
1
\
\
./J O
30
zo
1D
.,.
\\
1'-
1\...
"
Укэ нас,В -
-
с
.
'>
0,3
-- ----
- ---
0,2
..
0,1
1\
"'1'.
r-...
-..;;
...... .
·--
.... --
-
1,
, .1•
'--•
L..-
-
'
1,,,=tомА; l5=1мА,
о +20 +'tO +50 Тс,0С

КТ384А, КТ384АМ
.
•
'
•
•
'
•
.,•
''.
·:.
,'.
'
1•''••
Общие •сведения. Кремниевые эпита15сиальио-плщ1арные . ' ti ~р- -fп -.тр; ;~нз и .с то 
ры оредназначены для ис·пользован11я" в нере"Jрнтнруемых • rибрид~ых : схемах,
микромодулях, узлах и блоках.
.
..
'·
1
•
Оформление бескорпусное в · двух 1Jарн·антах (рис. Пl.30, П1 1.31).. Масса
транзистора КТ384А на керамическом : крl)сталлодержа ;rе.тiе не · бо:лее • 0;015 r.
Масс11 транзистора КТЗ84АМ на метал.hическом кристаJI:лодержате;ле ; не более
0,004 r.
•
'
•
•
Условия эксплуатации --- в соответствии с табл. П2.3,
Электрические 11араметры. К,пассификаuионные параметрьi1 • ~21 э, · /Икэ """'
lpar
.1
Наименование
Обратный ток коллектора~ м о.А
при То-+85°С
при Т• -=-45° С
Обратный · ток sмиттера, мкА
!
Напряжение , насыщения KOJIJleK -
тор - эмиттер, В
•
Напряжение насыщения базз -
•
эмиттер, в
'.
'
Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте
Статический .~оэффициент пере-
дачи тока в схеме с ОЭ (1.,;;;;;
,;;;;;зо мкс, Q~50)
Время рассасывания, но
Емкость эмиттернс~rо перехода,
11Ф
..
Емкость коллекторного перехода,
пФ
чение
Икэ нас
И5э нас
·,
1h21э 1 4,5
h21э 30
ltiac
...
Са
Си
l..
10
100
10
-·
0,u
1,2
180
--
25
5
..
-.: '
j.
'
150
·,
t~0
'\ .:,.
10
100
•_.
l
150
0,5
io
,
.,'
~
.
,.
i',.~.(~·
..... ,....
·,·
.
1
j
,.,!
·. -\
'0•!5i
\
'.
.
: ·\.
; :,.
11-~ .
-.
100
.,
•,
..
,;\•,
'
'
10
·•
.,.
'
•10.
,
185

Максимально, допустимые параметры 11, Гарантируются при температуре окру•
жаюшей среды r с -
-45...+85° С.
/Кmax •-
ПОСТОЯННьlЙ ТОК КОЛ•
лектора, А
0,3
lк', • шах - импульсный ток КОЛ•
лектора (t.. ~ 5 мкс, Q;;;;, 10),
А
'
0,5
Иэв max - постоянное
напря-
жение эмиттер - база, В
.
4
Икв ma x - постоянное
напря-
жение коллектор - база, В
.
30
ИкэR max -
постоянное· напря-
жение коллектор - эмиттер
(R,~окОм),В .
30
р2)
к max - постоянная
рассеивае•
мая мощность коллектора, Вт
при То.--45... +70° .
•
, 0,3
при Тс- +85"G
.
0,2
Т п шах - температура перехода,
0С
IW
Допустимая температура окру
жающей среды, 0 С ,
,-45... +85
1 1 В составе микросхемы.
'--
2 ' В диапазоне температур 70;::85° С мощность уменьшается лн·нейно,
...
Рисунки см. на с. 187, 188
КТЗ85А, КТ385АМ
_.
Общие с-ведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р-п-транзисто•
•ры
предназначены для использования в неремонтируемых гибридных схемах,
микромодулях, узлах и бJюках.
Оформление бескорпусное (рис. П 1.30, П 1.31). Масса
на керамическом крш:талJiодеР,жателе не более 0,015 r.
f\ТЗ85АМ на металли~еском КР,!!Сталлодер,и<ателе не более
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.З.
транзистора КТЗ85А
Масса транзистора
0,004 г,
Электрические параметры. Классификационные параметры~ h 2 1э• Икэ нас,
рас-
'
Значения
Режимы измерения
,--
Наименовани~
'
Обоз.на-
~1i"
-,;
,о
Сц
са
-,:
::1
чение
==
2!
>!
""
<J.0
~
::а
~~
,:,;
01~ii,
=
"'"'
\•
,'
..
:; >!
:::,
:::,
~
..:
Обратный ток_ коллектора
(То=-45... +85°С), мкА
1 1кво
JO1601
1
Обратный ток эмиттера,
1
1
141
1
мкА
1 эво
1О
Напряжение
насыщения
коллектор - эмиттер, В
0,8
1 l15°1,5I
Напряжение
насыщения
база - эмиттер, В
1Ивэ нас 1
1,2
Модуль козффициента пе-
1
'
\ 100
редачи тока ! на высокой ча-
'
;
стоте
1h21э / 2,о 1
!О
50
186

~на ч.ени.1-1
Реж1,н,1., 1 1 ,jмерени>:1
Обозна-
"
~
Наименование
о
D
.,
;!1
<1,
«:
::
чение
'"'
,.
щ
>,
>,
<=а
:S:,o
о
'-'
~
""~
"
"'
~{!)~
"'"'
"
"'
t.O
:а>,
f-
"'
:::,
:::,
-
-
...:
- Статиqескиi! коэффициент
передачи тока в схеме с ОЭ
h21э 20
200
{t. =. ; ;30 мкс, Q~50)
1
15{)
Время _р.ассасывА!iИя.. нс
tcao
1
1
!60-j 1 1150115(
Емкост,ь эмиттерного пере-
i)2,5 _
1.-
ioJ11
хода, пФ
Сз
10
Емкость м,оллекторного пе-
11l1lO11j1
рехода, пФ
Сн
4
10
М·аксимально · :цопустим-ые -пара~е1·ры. Гарантируются при температуре окру
жаюшей среды · тс-=-45... +85°С.
/])
К max - ПОСТОЯННЫЙ
ТОК КОЛ·
лектора, А . .
,
0,3
/к, а max - импульсный ТОК КОЛ•
лектора (tи..;; 5 мкс, Q ;;;а,
~ 100), А
.
.
.
.
.
0,5
Иэв та, - постоянное напря-
жение эмиттер - база, В
.
.
4
Икв тах - постоянное напря-
жение коллектор - база, В
.
60
ИкэR шах - постоянное напри•
жение коллектор - эмиттер
(Rr,=s;;5кOм),B, ... . 40
Pk) ~lx - постоянная рассеивае-
мая мошность коллектора, Вт ,
при Тс=-45 ... +70°С
..
, 0,3
при Тс=+85°С .. , - .
, 0,2
"Гn шах - температура перехода,
0С
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
120
Допустимая температура окру
жающей среды, 0 С
,-45,.,+85
L> В составе микросхемы,
2 > В диапазоне температур окружающей средь~ 70,.,85Q G мощность jМеиь•
шается линейно.
J6 ,мА
12
9
Б
з
D
/!Т384А, КТЗ84АН
!Ш85А, НТ385АН
11
-
Uкз=D -- 58
)V
~
V~V
D,6 D,8 Иы,В
I к,мА
45D
350
250
150
.50
D
-
-
-
1
I 24-
20
~
16
~Jt,8
НТЗ84А, l<Т381/АН -
.J<ТЗ8эА, НТ385А11
~10
,6
1/.,5 1{
~vv"'_з
-_,,~ / i--
.... 2
/'[/ ...
----
-
....1
0,5
~v
--
~-
~..--
6
J6=О,~нА-
10 Икэ,В
187

lit384A ,-i<TЗ85A,liT38чAl1;~TЗ85дH
.-
;., Икэ iiac
'/1,v_
.
-
'-
-· ··
-····•
•
---·- ,
.
•,·
i, 1/.
Uкз нас при Iк=150 HAt--,1 -A--J 'l --l-+-, -j
,
•
,_/ I/
.·. zoo
•
У//
/ ''//
1,Ч f-+-1 - - -1-+ -W,J-A - ·.μ . . . .-1--1 --1-1---1
.
.
/4 Iк : >-с>-
1) 1--1
-+
- !--' -+
, i?d,:ill-'i Тб=1О , >-> - '
f
;J1
.. . . 1,а ,-+-1-с..сс1. , _
_
-1=-+-1-+-+ -+ -+ --+ - -1
-
~
',
!
и.~ ~
,,
1-
_ _ -'I ,"'J:ч--+-+--1-+,,·-.+-.J--,1-+-+-!
(;•' ..0,6 J.--,f--+-+ --4 ---+ -+-,+ -..-;; ......+-+ --<
150
.. 100
50
/
:/
,,,.,
. !{ТJ8чА, liT38чAH, !ITЗ95A,i<TJ85AH
'
v
·-.,
,., .
..
,.,
.,
'
Uхэ=1В '·
··:---,
'·"
г .......... ~
,,:
. ...
,.~
·
,... _. _
-t-
r- ..
'1-, ,
--
,:~
... .
,.
.
-
- :.;
-
а
V 100 'lOO 300 400 Iк,нА .'
.5 0 100 1:Ю 200 250 300 350 400 Iк,нА.,
КТЗ91А-2, КТЗ9\Б-2. КТЗ91В-2
j./
.
Общие сведения: Кр.емниевые эпитаксиапьно-ппанарные п-р-n-траиэисто
р.ы .пр.едн.азначены _ для nримене_uня в СВЧ малошумящих усилителях н составе
гибридных интегральных микросхем, блоков.
•.
Оформление, бескорпусное -на керамическом кристаллодержателе с аоJ1оско
liы_м_и -~~во_дам_и {рис, Щ.33). - ~~~~а транзистора не более 0,2 r,
Конструктиsнь,е параметрь1 транзистора
·-
с кристаллодержателем: .
входная емкрсть
выходная емкость_ •
проходная емкость
инду~тнв~ость вывода б'а:~ы .
индуктивность вывода эмиттера
индуктивность . вывода коллектора
п_ого.нная индуктивность вывода ,
•.
~словия эксплуатации - в соответствии с табл. Л2.З.
.
,.
.
O,IR пФ
0,26 пФ
0,04 пФ
0,87 нГ
0,43 нГ
0,87 нГ
нГ
o,uY -мм ~
':
Электри•1еские параметры, Классификационные параметры~ / ЭБО• К:ш, К:ур,
lh ~101 •;
-
-
•
•
•
\188

Наиме1юван_не
Обратный ток коллектора,
мкА
Обратный ток 9митте·ра,
мкА;
КТЗ91А-2; КТЗ91Б-2
КТЗ91В-2
МодуJJь коэффициента пе
редачи тока на высЬкой ча
стоте:
КТЗ91А - 2, КТЗ91В-2
КТЗ91В-2
Статичес1<ий коэффиuиент
передачи тока в схеме с ОЭ:
КТЗ91А - 2, КТ391Б-2 .
КТЗ91В-2
КоэффициеН1· шума, дБ~
КТ391А-2
КТЗ9\Б-2
КТЗ91В-2
Еrvнюсть .эмиттерноrо ,пере-
хода, пФ
•
Емкость 1<ОJ1J1екторноrо пе
рехода, пФ
Постоянная времени цепи
обратной,., связи ' на высокой
Обознв•
•qенне •
частоте, ,IJC
tн
Входное • сопротивление в ·
_
.,
режиме малоr9 _сигнала, Ом
hнэ
Выходная мощность при
уменьшении усиJJения на
1 дБ, мВт
Коэффициент усилен~я по
мощности при настронке · на ·
минимум_ коэффициента шу
ма, дБ, ..
Рвых
Значенш-1
0,001 0,005 20
20
5
4
20 40
15
6 7,1
90 150
2;5 3,5 4,5
4,3 5,2 5,5
6
2
3
7
7
7
7
Режимы иэмерениs
2.
1
~..
-
~.
~ .(Т)
..:
5•100
5: 100
5
5
36~JJ
36!.!U
Зб()J
!т

Максимально д9пустимые параметры. Гарантируются при температуре окру
жающей среды Тс =,,-60 ... + 125° С.
!J)rnax - ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛ·
лектора,мА.......Ю
Иэв та х - постоянное напря-
жение эм,ип,ер •-{>аза, В :
KTЗQIA-2, КТ391Б-2 . . . . i
КТ391В-2 ...... ,
.
l
·uкв max - постоянвое
, 1.1алря
жение коллектор - база, В:
190
KT39JA-2 , КП91Б-2
il5
КТЗ91В-2 .....
J,(i)
6D
za
! ~МА
10
8
6
ч
г
D
[J,4
"v
f
1/....
V
/~-
!
,,,,,.
i.--
-
о
4
ifкэ=·О t-t -
1,58
,-
'.
1
1
1
1
1
'
/
1/
.... v
1/
0.6
0,8 Иьэ,8 ·
1---"
--
,,
_,;
.,....
-
i.. ,; ..
,.....
*
Аf6=0,02мА - ,__
~
1
8
IZ 16 lfнэ_,_8 ,
,U'КЭR rnax - постоянное
напря•
жение коллектор - эмиттер
(R5~10 кОм), В ,
.
.
,
10
pl~. 2)
к max - постоянная
рассеи•
ваемая мощность коллекто-
ра,мВт........70
Допустимая
жаюшей
температура окру
среды, 0С .-60.,.+1_25
1) В составе микросхемы.
2) S диапазоне температур Тс=
=- 6 0 . .. +85°С. При повышении тем
пературы от 85 до 125•с мощность
уменьшается линейно до 50 -мВт,
140
120
100
80
60
4о
1/
/
1
.,,~.,,
оz
...-1--Г - ·-
,
-
1
!
ИкБ =78
./
... ... ..
!
---
--
1--1--,__
--:
46

Jh11эl
10
в
Б
4
1Z
8
4
D
:.J к ,р;, шt
,_ 1Z
,•"
v·
/
10
/•/
~ ......
---. J:
7 I к----;р
._,, ..... -
~
f:/ГГи,
Jihzral•
· в:·
IПJ:9/iЛ-Z HTJЗIБ -Z
,
,
1
1_,-
--- --
,.._
'./ ,
,-и-
r-- ...
' .• v_.,, !'"1
--
,._
~
U,RБ =],8
1'/
-
:_
·-
4
z
~ Г=IГГц
8
-
:_6
-
,
;
и
ц
6
1-R.=Rг~5o Ом
Z- Kyp=K ~pma.x-:-
З-К щ mLn
_Uк&=78
I3=5мА .
z
1,~
·
,.,_
·-
-\ \,,~
~
-
-:l'I ~
-
-
/hzt, /
;!!11
-
-
~~
,
,.
з
111
1.
1
о
/(~Р•
/-Rн=Rr=500м
iJБ
Z· Kyp тах--+-+--+--1
1Z ~;,i,,,11'-Nd+~З-Kyp при К_щ=Кш min
Uк= 78
I3=5нА
. 1,0
z,o з,о ~о f, rru,
1б
'1
z,o 3,0 4,0 f, ГГц,
'(к' пс
20
16
IZ
4
а
11
1,
UкБ =78 -
1
f= 1д0М.6U;,.
(
КТЗ91А-Z, КТЗ91 Б - Z
;_,,
'
'
it
1
'
i
~\
'
-~ \.
'
'
~--- ·
1
..... ,
-
-
;
'--- f-
--
.
z4Б.'
8 Iэ.,,мА
191

1/
z
о
,дБ
11ТЗ91А- Z, /!ТЗ91 б-Z
·1
l<yp
,, 1,
-
""''
-- -~
--
-
~~>-- -
/'
I3 =5мА
liщ_
,_
·
f= З,БЛи, __ /4_"
1
21/
Б
'
.НТЗ91А-Z, НТЗ91 б-Z
}{!lp'}{ш'дБ-i--i--t--+-+--+--+---1
в l-t-+--Ь-"!"::a.l--,--+--1'-.!ic--!
6
оzlf"Б
КТС394А, КТС394Е
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально:планарные парные р....:.п~-
тра·нзисторь1 . предназ·начены для использования в неремонтируемых гибридных
схrмах, микромодулях, узлах и блокаi(.-
·,..,
.
...
1 Оформление · бескорпусное на металлической подложке с.. rирк_ими . выводам'П
(р'ис. · Пl.3'4). -Приборы поставляют . в . наборах .из 2-х отдельных транзисторов, у -
ко,торых коллектор электрически соединен с подложкой. Масса не более 0,5 -r.
1 ;· Условия эксплуатации - в соо:iветстрии с tабл. Л2.4.
'
•
•
--
--
Э:пектр~.;~с;и; парам'етрьi: Классiiфикационkьiе nар;аметры~
i••
h21эi. ИБэ;....::uБ~,· ~и;;ог/ • ••••
. Значения
Режимы измерiни:я
Обоз11а- · •
~..ение
НапрJженiн;' .. нась;щения ·1
···
•'1
,,•1
1•11
,-
1
·коллектор -.с · эмиттер ; В • Икэ. нас
•
0,3
10
Модул1>1.' коэффициента
пес
редачи тока на высокой чa-
c1'6rte :.
·,,,,., .,,.r
.
10
..:
100

f-Iанме,RоRанпе ·
О'бо:iЙ~
qеНи'е
Значениfl
.,
'€)
"'"'
о.о
" ',;
"'"'
,а :s
40 --i20
100 300
5.
5
., ,-:·;·:' '' ""·""40··'
··'-•5'--
_
..,
-_,-,_~,- --100 ~ ~'-" ~-&= ,_,,
р~ ЖИМБ1 И:3 ме peFJ ия
,-~•••;°l'
~1
~[Q
-
10
'
·r
r
•:,
,;
•
!
\ r.·н.,/
.
' Макс'има11ь~о допустимые па·ра:метры 1>, ,Гараiнтир'уются пμи те~пературе ок•
' ру~а1ощей среды Т о--45 ... 4-8~0 С,
;__, :,_
:
--
!
'll),. 2)
.
.
1:,,
•
I< 2) ,..
'
:
1<; rnax - n._остоянный ток ко~•
. ~~ r nax Г сумма_ рная ; 1J9стоян•
лектора,·мА. . ~
.:, ,:,;-: .100
нэя рассеиваеtая iмошнос:rь
tk\nax ~ пос;~яiйtЫ-Й - ,J:OK: ба~
двух ,тrанзистороа 1(Ттш ~
А
,s;,;;+60 С), мВт . , .... 300
1зы,м.
•
•
•
•
!·:
--~
•
ЗО ~p2J ' ах~ суммарная !им-пульс-
U>
п·ьсто нное ап
•-и '!!
'-
·
,
',·,
ЭБ rnax· _
-:::
• ~':•
...
н , Р._я-
'
11ая рассеиваемая ' мощность
жение эмиттер
. база
двух , транзисторов (1., ~
((:JБО-10мкА),В,., ,' ,
4'
i :is:;I0 : мкс, Q;;;,.2, : Ттепл~
1>
,•
0°с· •
500
Uквта -постоянное цаnря- ·,
~+6 ), мВт
•
.,,•
.
х
•
.
•
I"
,
'
жение коллектор-база(! КБо=
Т O mа:.- .температура . перехода,
-10 мкА), В .
,
,
,
,
.
45
.
":С..
150
.
1)
•
.
Rт, п-u - тепловое сопротивление
Ul(ЭR max - постоянное · напря•
переход
·подложка,
жение коллектор - ~Щfтtер
O С/Вт --
100
(R1, ~10 кОм, _lк.эR=
Допустим11я температура окру-
_
_
10мкА),В,,;' ,'.__-.
45
жающей среды; ·с-. ,-45. ,. +85
1) д.тiя одиночного транзистора,
2> В составе микросхемы, '
Рисунки см. на с. 195, 196
'l ·8аи, 503
193

КТС395А, КТС395Б
Общие сведения. Кремниевые зпитаксиально-планарные сдвоенные n-p-n•
транзисторы предназначены ·.для использования в неремонтируемых гибридных
схемах, микромодулях, узлах и блоках.
Оформление бескорпусное. Прибор.ы поставляют в наборах из двух отдет.•
ных электрически не связанных транзисторов. Каждый транзистор на металличе•
екай подложке (рис. Пl.35). Масса транзистора не более 0,5 · Г,
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.4.
Электрические параметры. Классифика·циоюiые пар~метры~
11 21э ·• 'Иi::,, -'ИБэ,·
Наиме'воваuие •
..
Обратный ток• коляектора, мкА
при тт.-+85°С
..
..
Обратны А , ток . зм -и:r11ера, , мкА
. Напряжение·
насышени~ коллек
тор - эмиттер, В
. Напр.яжение
насышения .база -
эмиттер, В
Модуль коэффиu_иента передачи
тока на высокой частоте (при
f= 100 МГц)
Статичес1шй коэффициент пере-
дачи тоI<а в схеме с ОЭ;
КТС395А
КТС395Б
при Тс=+85°С1
КТС395А
КТС395Б
при Тс=-45°С1
..
.'
КТС395А
КТС395Б
Емкость кол.iiекторноrо пережода
(при f= 10 МГц), пФ
Граничное напряжение травзисто-
ра, В
КТС\95А
КТС395Б
19-1
Зна,че н·и-я
Обоsна-
8.8
i
а,
9.f!:UИe..
."'
"'"'
_
., ..
u"'
"'с; :,: "
. 5,,
•j!i~~
.,
(1.
1.0,51 45
1 кво
•.1
·,
45
1
1эво
1 10,51
1h21э 1 :о
5
11,.ш 40 120 5
IOO 300 5
40
5
100
5
LO1205
503005
Uкэо FP
45
30
Р.е-~<имы и зме реНRя
""
•-<
<
1
:1
:Е
-~
~
-
rЪ ifl
-
-
-
111
4
111
10
!
1
1
1
1
1
5
5

значения
Режимы 11змериния
Обоsеа•
"
.,
<
<
<
Наимееовавие
о
=~
cQ.
1ееие
..,
,щ
::2
::2
:s
'
•
'·
..
,
"JI
о-"
~
,:,;
,., ,;
·m
.:,;;: · <С (f)
н "'.,
::,
::,
:!! ::,
. П11раметры
сдвоенного, транзистора
( ~.i
.: •с
~.
•
-.
•
'
.,
•
•.
.
•
'
·,
•_;
'
Разность
•'
Ивэ,-
10
J.
входных напряжений,
5
·-·
мВ.
Иf>э~
-
'
•':
,
Отношение ,. статич·ееких ко~ффи-
-
циентов передачи тока д_вух тран-
. ·,,.
•'!
зисторо8
.!:
.J<,1.·.,
o;s
5·
...
,..
Максимально допустимые параметры:- Гар_аетируются при температуре окру•
жаюшей среды Тс=-45... +85°С.-
·- ··
,;,{. ':
,.
'
lk)ma,. ~ро~ тоянны й : ток
кол• ·.с,, ... ,
•• лектора'; м/(' ..: ' .
: ,.,
..
, . ,100"' ,,,·,
Р~ • шах - постоянвая
рассеи•
ваемая м.ощио.а,rь , . :_каждого
транзистора с дополнитель-
· _ ! ~) rdax '-·,JJOCT'qяoo~ й : iтlн~ l Ъi- ,,
• зы,
•мА ,;
..
.
"i"
-
.
.,
.
•. ;30
'
ным теплоотводом, мВт • • 250
°ЕР 12<> ·· - -· суммарн-ая · • ·пестонн,
-
max
~
.
ut}
-r· _
,i
,
·,
t
•
КБ max - \10CTOЯ!i~Ot
. Н~ПрЯ·
_
жение коллектор' -+ база1 В . 45 '' ·i •
ИкэRmах ..: . . п·оётояооо~ •-
н;iпря• !'
.
и~я '' мо111АЬёtь::·',!i,а·с~еивР,емая ! 1· •)1
:
прибором, мВт : . ·:%--s
. ·,;' .,,- ,;,300
·жение коллектор .;_ -.
змi1ттер !
(R., ~\ОкОм),Вt . ' . ·· 45
и\)
'
.
-~
Рк. · i mа1- · СУ~"'марная· - ·-··-•ИМ• •
пулъсная , мощность, __ р9ссеи: ,. ..
ваемая' пр'и-бором ((и'~ \'(}~КС,' • '
Q;,,,2-), -мВт , . . .
_
..
,. • 50_0
ЭR max - постоянное.
напря-
'жение . эм·иттер - база .- ~
4..,;
Pк~ ' ~' rri'a'~ · - 11мnу;1J"ьёна'i! '· рассеи w'
ваемая машность:.н каждоrо i , ,
-·-· транзистора ·r: · дополнитель
··ным : теплоотводом- •' , .
·-.
,·
8
1
,,/
Uю=О-
58•
;
i/
:
/'
-
6
}'
4
/
/
z
)I
IJ1
а
-~
V
;
U,4
а.в l!БЭ, в
(LРк " max=500 мВт, t,,;Q_ ,
~ 10 м1<с, Q;;,.2), мВт ..
.
400
Т" та х - тем r1epa1·ypa . перехода,
0С ;._. .
,.
lзО
.
R. ,, , а-а - тепловое сопротивление
переход - подложка,
-
0 С/мВ1· _-
.
.
.
.
.
100
Допустимая темпераrура • окру
жаюшей среды, 0 С
. -15... + 85
' ) Для один : чноrо гранэистора 2> .
2 )При ыонтаж~ в микросхем у -м ощность
опр~деляется по _ фор~1уле Рк ·, ;18 , =
=JT~-T ·c)!Rт . п-с, где Rт,п-с=
=Rт. п-;п+ Rт, п-т +-Rт,т-с,
(R'I!, п-п- тепло вое . соnроти влен не
переход - подложка: Rт, п-т
-
теп
ловое сопротивJiен ие nод л ожk а - т~п
лоrrгвод; Rт, •г-с- rеnл оное сопроп11.1-
ление тепло-.,тоод - ,среда),
l!)j

:30
i
1
ОZ'4Б_8Uкэ,В
КТСЗ94Б, t< те З95Б -AI 6= 5Dмк.А
КТС39ч1J; КЩ95Аi-д Iб= 700ннА
•: ;. 1 .·i'·
':
.
;
..
•~21~
Z5D >---+ -
о ~-+-'-----'--+---'--ё------'
10- 3 io-z ш·-1 i 10°13,мА
! ;-,; ;. ,.-
Ц416, ' П416А, П416Б
1
.
.
;
19 •·
-20 ~·-
2,1-~ ·- -~l - .-
-723 °- ;
_
_
''
'!r~·
-
~;-,••
'
;
1
О~щие ;свед~~ия.; Гер~ани;евые диффу:ионные р-пLр-транзи~то_рь\ \тред~~-~~
наченыf для ! rене'риро~анир, у,::иления, преобразования к!олебаний :высокой чаёtо~ •·•
ты и д!'Jя работЬ! в и1,тущ,сных схемах. .
j-
1
.,'•
Корпус , ме'l!аллический, 1rерметичный,i: с rибl(ими ·. выв_о~ами : (рис. П!.l~}.
Масёа' транзистора не боле~ 2, ~ r .
.
•f1
./·
;'•
!
r •У с1авия экс~луа-rации в соответствии с табл. Л2.3.
'
(··· -[~-
;;
;
~
;
:~
'
~
./
\
1~;
•'
•
Электр11ческ11е параме;rры. 1 Классификационные параметры~
!•
:I•
:
h21э, lh_2,1эl._ ·/кво· -
..
'
'•~\'
.,
-
Знач~ния
РежимЬ1
•
'
'
'
'
измерен и-я ~
,,
'
.,
Обозна•
..
.-_. :;...
1
-
J·! а н t-.:1енрван ие
мак~нМ'э"~ь·н~ . '°
.,:
'
.,:
.,:
а.
чение
мИнимальн0е
'
"'
::Еi ::Е ':е,
~
..
·-----
.--
.-
:,;: ._
·- G)
.ь-
:€
--
•
.
-·
~
т·
:::,
:::,
;
-
...:
Обратцый ток
коллеl(тора,
мкА:
'кво
П416, П416А,
,.
П416Б
'
3
IQ
П4'16, Ш!бА,
Ш16Б
5
15
при Те=
=~70°С
· ·'"
-
"
...
90
10
,..
при Те=
=-60°С
3
10
06,РЭТНЫЙ ТОК
эмиттера', мкА
lэво
l00
2
,·

г
Гранич;ное на-
пряжеf!ие тран-
зистора (Q,,,,;,
=10-j!00), В
На~ря>i<ение ~а-
сыщения кол-
лектор-,.эм ит-
тер, В:
П4!6
П416А,
П416Б
Напр.яжение на-
сыщения база-
эмиттер, в
Коэффициент
пер~,1tа!!и , ток!l в
реж,им~ ' м aлqro : ,
сигнала в схеме · ..
с ОЭ:
П416
П416А
П416Б
при Те=·
-+70°С:
П4!6
fi41·вл
П416Б
Модуль коэф
фициента пере
дачи тока на
высокой часто
те:
П416
П416А
П416Б
Выходная про•
ВОЩfМОСТЬ В ре
жиме малого
сигнала при
х. х., мкСм
Икэоvр
'
!"
ИI<э нас
Ивэ нао
1~210 j
'
Значения -i
мини~альное
'14
0,32
25
·, :60
90
'
щ
М!!Ксимз11ьное
•
1
~
:::>
i2 • 11.'.
!с. '-',. ', '/:1.·•
1,7
__\1,,1\:
0,5
'
,} ':'~··:,~ 1 1j_-.
80 .,
-: 5'
' ;:1125::>),., , _, 5
250
5
,_,, -,
'
.
- ---
25 .:.. • : 2.51i 2;,;;5~~>
.
9
.00 ___ 2,5h2iэ(2Б0С) .,, 5
90
]h21э(25°G} 5
0.~f1⁄2Iэ(25° С} l fh2!э(2p?C) 5
2.,
.,
3
4 (',
5
б
$
f5
Режимы
щ
<:а
(f) ~
:::>
11змере1ния,
;
<
.:а
t.C1
i
1<:
,:1
1"
• (1)
,_,
1
i
:10
:
i
·,1
:f
....
::€
\~
.•· ...
50. •·· з'
1·1.:
l
,),,:!'~
!() ~.•
'
, ,..5,, .10-•
5 10-1
510-!.
5 10-:1
5 10-3
,-1 5 • f'0'-3
5,,2()
5 •2()
5; ,2()

,
Зн ачени.я
'
Режимы измерения
...
-
Обозна-
Наименоnание
1:11
<t;
<t;
.,:
=
1:11
:,;
:S·
:,;
"'-
чение
минимальное максимальное
~
.
::,:, ci\ ~
"'
(1)
ь . .::::,
-
-
-
Время рассасы-
вания, мкс:
lpac
'
50
10-2
П416
l
4
П416А
..
l
502
10-2
П4I6Б
l
'
50 1,25
10-2
Емкость эмит-
терного перехо- •-.
40
l
5
да, пФ
Сэ
•·
·-
'
Емкость КОЛ·
-
лекторного ile-
..
5'
'5
рехода, пФ
_,и
8
Постоянная
времени цепи
обр~тной связи
на высокой Уа•
5
стоте, пс
'"
500.5
5
'.~~..
.
.............
.,.
,.
-
,
'
,-
-Максимально допустимые параметры. Гарантируются при _ темп ератур е OI<PY·
жающей средь~ Тс=-60... +70° С.
/к- шах - постоянный ток коллек
тора,мА. :
.
.
,';
ik),иmax' -
импульсный ТОК
коллектора •при iи:,;;;;; 5 мкс,
Рк шах ,о;;;;; 100 мВт, мА .
V1~ max - постоя,нное
напря-
жение эмиттер - база, В
при 1эво< 2. мА.
.
.
.
,
.
при ~ЭБО :,;;;;;О,1 мА
и))
кэ max - постоянное
напря-
жение коллектор
эмиттер,
в
приRв=0
......
приRв:,;;;;;1кОм . .•. -
.
25
120
3
2
15
12
при запирающем смешении . 20
р2)
к max - постоянная
ваемая мощность
ра,м~Вт....
p~)max - импульсная
рассеи•
коллеIпо-
рассеи-
ваемая мощность тра11знсто-
100
ра (/и:,;;;;;5 мкс), м~т ,
.
360
Тu шах· - температура перехода,
се
85
Rт, о-с - тепловое сопротивление
переход - . окружающая сре-
да,0С/мВт . . . .
0,4
Допустимая температура окру
жаюшеii среды, 0 С ,
,-60. .. +70
l) В интервале температур 45,.,70 °G предельно допустимые значения ре
жимов при изменении температуры на каждые 5° G уменьшаются: Ик.э шах -
наIВприR6=Оина0,4ВприR6- 1кОм;U86 -на0,2В;/к
-
max
,ишах
на4мА;Риmax- на10мВт,
2) При Тс > 45° С Рк max [мВт] "" (85 - Тс) /Rт п-с• При понижеtшом
давлении (6.7, 102 Н/м 2) мощность уменьшается на 30 %,
198

Iк,
Is,
нА
'
мкА
ео
zoo
60
150
,,,,,,,, V
'
,.
V
L,..,-
V
'
....-
,,,
40
100
ZD
ta
r
....-
V
V
-
....-
-
r
-
....-
,.....,.
V
_...-
-·-
../
,,,
-
_v'
1
,,..
'
•
/
'
.,
ЖЛIБ
~~ .•,
·-
;:,
:
'
1-
_.,......
'
.о
D
Z
41Б
8 .,; /О Yxэ,ff..:\:
П4-16-М6=D,lнA; Пч 16А-LН6= О,0511А;Лi/tбб-д!:8~П,{}J11А п
-
"
[
,;.,,~-;
.:~.r1-~,oi Ч
,,· ['1i:!
'
,
1'8а"·' ' 10
ZD
:ю ' ,,., .. ·,.;(]
'1-
:i 50 " : ;;,[3,.-rA•
,.
·.,
1 .1'
.,
-1
1/lflbA
..
•.'
I'
'
·u~6=5B
~
(=20!1Гц
·.•
~
- --...
'.' 1
-/
r---
з
,
--
r---,... .
/
,.
'-
'·
J
.,
z
1
а,JБЭ1Z1518ZIZffIэ,нА
• 199

.,,.,
П422, П423
Общие сведения. Германиевые сплавно-диффузионные р-п-р-транзисторы
предна з начены для генерирования, усиJ1еНия, преобразования колебаний · высо
кой частоты в радиотехнической аппаратуре- широкого применения, в том чиСJJе
в радиовешательных при ем никах промышленного изготовления.
'
Корпус метал л ичесю~й, герметичный, с гиб1шми выводами (рис. ПI.19),
Масса транзистора не более 2,2 г.
• Условия эI< сплуатаuии в соответствии с табл . П2.2.
Электрические- параметры. Классификаuионные параметры,
• h210, lli21el.tи.
Значения Режим ы измерен11я
Наимен9вание
;·
Обратный- ток коллектор1l, мкА'
'· .При ·]·i,=55°.С "-С· ... ·, . .
::).
1•3! при .Т с =.. ...;40'' С ;, .
.. ~..
г
Входное сопротивление . транзистора в
режиме малого сигнала, Ом
1
i
Коэффиuиент передачи
малого сигнала в схеме
при Тс=55°С
тока в режимJ
Соэ
I
1
при·Тс=-40°С
Модуль коэффициента
высокой частоте:
П422
П423
,.
i
i
передачи тока нз
1
Обозна•
Чение
1 кво
-
.(
••j ••
!
ftщj
,_;,
--t--
:h21e
'
t
'
i1
1/liн~ 1
,,
:.1
!}ы.ходнзя проводимость -. в ,Ре?Iшме . ма-
)!<JГО сигнал~,~ при х.х1 , 14кСм~ .i ' ' ·"
, h;~б
'
,
Коэфф1щиент шума, -дБ·
'<
Ем.кость коллекторного ~ер~хода, п:Ф
'
1
Постоянн-ая .времени :д~пи : об:ратной свя·-
зи на !!.ЫСОКОЙ частоте, -пс:
i
П422
П423
200
' tJ<
,,.,
..
=~
о
со
"'
..,
::;
1, кf'u
~~~~~ci)
"" "'
"'"'
::;::;
.::Е::;
:::,
55
70
5
55
3851
24 1;00 5
242505
•1~
': JOO
5
',
·,
2,5
5. :5. 2,10•
5
5 5 ,2•10•
55
1,6 , 10"
5,103
...
1000 5 5 5,lQB
500 q 5 5,108

L
Максимально допустимые параметры. Гарантируются ripil темriера-турЕ: •Оkр.у;
ж ающей среды Т• = -40..,55° С,
1&,
111
мА
1,4
'/,
1,Z
1
I
1/
1,0
''
'
0,8
'
0,6
1
1кma• -
постошшый ток к6ллек•
тора, мА .
,
.
.
.
.
_
.
20
И КЭR max - постоянное
наnря•
жение коллектор -
· эмиттер
(Rь~1кОм),В,•,,,10
р\)
кma11, -
постоянная
рассеи•
ваемая мощность колJ1ектора,
мВт ....
,
,•.
.
.
l00
Тп max· -
температура перехода,
•· с .......... 10
Допустимая температура акру•
жающей среды, 0 С 1 ,-40,,,+55
1) i{' диапаэ0~е темпера'тур , .20 ... '
55°G Рк max у меньшается - на 15 мВ,
на каждые · 10°С,
0,4
1--+-+-+c-+-- -i -.
,-
_. Jf-1/1f-гт-т----~--:-; _
~
_., ,,
'~ц ·1 1,;.~•1
,·,
;..
}i
0,2
'·. о
0,1
hz1
•hш nрц
0,8
0,6
о,ч
э
J3•§нА
/
j
11
,
оz
,
'
)/
O,Z
0,3 Uьэ,В
,/
1'
.,
/
v-
V
Икь·5В -
V
..
:
Б 8 '10!3,нА
' L'11 ,nc
600
400
ioo
.-
о
,.
\
П 423
.,
.
'
1
!., :
Iк=5(>1А
.\.
f =SМГц
,......
~
'
:.z
46
201

Q;
:;-,
1111111p11, 111 111 t tli ~i!l l lllll l llii КТЗ102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТЗГО2Г,
20
21
•22_
23.
1<:.ТЗ102Д,КТЗ!О2Е
Общие сведения. Кремннещ,1е эпитаксиально -планарны~ п-р-n-транзисто•
ры предназначены для усиления элен;трических колебаний. •
Корпус металлический, -герметичный, с г.ибкими •вывода ми (рис, Пl,1 i).; - Мае•
са транзистора не более 0,5 г. • •
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.3.
Электрические параметры. Классификационные I1,ара метрю
h2 ;э, Кш 'кю, lh21эl
1
Обратнь1й ток эмиттера, ~кА ;
[
Граничное 1\а·пряжею1е траюI~сто
ра, В: ,.
КТЗ102А, КТЗ102Б
КТЗ\02В, кrз 102Д
Обоэна - '
._
' \. qенне
'
!
1
1
'эв9l
i
)
'
i
ИкэЬгр
i
Значения
О,003О,05 50
0,003 0,015 30
0,003 0,015 ,20
30
.
·-
20
..
КТ3102Г, КТЗ!О2Е
!
15
, .....
.
.,.
Модулр коэффиuиента передачи
тока на вы.сокой частоте: ' '
КТЗ!О2А-КТЗ102В, КТ3102Д
КJ3102Г, КТЗ102Е \
Ста-ооческий коэффИLщент переда -
чи тока в 'схеме с ОЭ:
КТ3102А
КТЗ102А-КТ3102В, КТ3102д
КТ3102Г, КТЗ!О2Е
Коэффиuиент шума, дБ~
КТ3102А - КТ3102Г
КТ3102Г, КТ3!02Е
Емкость коллекторного перехода, 1
пФ
По_стоянная времени . цепи о_брат- /
нои связи на высокои частоте, нс•
'
202
1
h21э
Кш.
с1<
1
tн
1
...
..
'
...
..
1,5
5.
3
5
IOlJ 250 5
200 500 5
400 ]000 5
1О5
45
1
6
151
1!00151
..
--
1
•.
!О
10
..
10!
.,
llJ IO~
10 :J05
~
2
2
0,2
.t
0,2 l
1
1
1
104
1
l10 \з. 104

Максимально допустимые параметры . . Гарантируются при температуре окру•
жающей среды Tc=,4Q.. ,j-85°C.
.
/к mвх - постоянный ток коллек
тора,мА........100
/к, ■ mвх - ·импульсный ток кол-
леrпора
(Q~500, t.. ~
~40мкс),мА.....200
ИЭn max - постоянное
напря-
жение 9миттер - база, В
.
5
Икв msx - постоянное
напря•
жение коллектор - база, В:
КТЗ102А, КТЗ102Б .
50
КТЗ102В, КТЗ102Д , • , . ••
30
КТЗ102Г, КТЗ102Е . . . . 20
Икэ max -: постоянное
напря-
жение коллек'!'ор - эмиттер,
В:
KTЗIQ2A,
КТЗ102В,
r
КТЗ102Г,
р1)
КТЗ102Б . •
КТЗ102Д ,
•
•
КТЗ102Е .
,
50
,
30
._ 20
к max - постоянная
ваемая . мощность
ра,•мВт ...·,
рассеи
коллекто•
•.,
, 250
Т п max - температура
перехода,
0С
.
.
•
.
.
.
.
•..
.
t25
Rт, о-• - тепловое сопротшмение
переход - окружающа11 сре-
да,0С/мВт . . . .
0,4
Допустимая температура окру•
жаюшей среды, 0 С · . .- 40... +85
1 Flpи повышении температуры болев +25° О Ркшах [мВт]-=- (125 -
-
Тс)!Rт, п-с•
1/
[.,..-
....
40
цв
~V
~~ i.-
11"
~-
•
зо
0,6
J...-
11"
~~~
--
V
20
Q4
1,""'"
,,,--
.
10
O,Z
V"
lt,1/Б
r
О
10
ZD
30 Икэ,В
HTЗIOZA -ЛI ь = 25нкА; KTJIDZБ,KT3102B, КТЗ102Д
-Ы6= 15нкА; КТJ/0,2 Е, IIT3102 Г- ЛI ь =10нкА
о
10
ZD
а
1
I
1.,1
о Uw 3=5B f---
J
I
I
/
.
,)L./
D,Z
0,1 ./
D,Б Иьэ, в
40' . 13,мА
203

.в
6
z
о
,•·
KTJ102A- 1
Rr=1нUм
-хтз1а7()-
f=lкГи.
/
Uк5 =5в
jll
~/v
~~
~,,, jV
:;::
-
-~
KTJIUZE
KTJIOZ.l.
1
1
'
О,З
0,2
ф
-
'
1
'·
lк=IUнA '---
-
1
-
\
\',,
\..
'~ ',
~~-
--
----
·-
--
,_
3 10 JO 100 300 !3,мнА
о
z
з 4Кнас
•
ljlllljlllljl
.•
.•
18
.
19
КТЗ 107 А, КТЗ 1076,. I(ТЗ 107В,
КТЗ 107Г,
l(ТЗ107Д, КТЗ107Е, . КТЗ107Ж, КТ3107И,
КТ3107ККТЗ107Л
-
•
,.
.
Общие ..св~iения . . Кр емн ие вые
. планарно-эпитаI(сиальные
р-п--р-транзисто
ры Предназначены ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВаНИ!i' 8 'ycи .iJiiTeлbJ{liX, rеиераТОi)НЫХ и· rief)eKЛЮ·
чающих схемах.
.
·
'
•'
•.'
•
,,
•"'
'
••• Корпус в двух вариантах (~нс. Пl.26, Ш.36). Масса
транзистора ile более
0,3 ·г.
••
•
--
••••·
-
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.3.
· · , · Электрические параметры : ~ Кпассификационн .ы~ .параметры~ .
h21, . Кш
.
.., ,,,
Наимено·ван11Q
Обратный ток коллектоr,а ,
·ил ,r.
Обоза ,.,
qение
8
=
~~-
~1!!'
~
8•'
~· ~.,., .
:s:,
cQ·
~.
::,
<(
"
<1.
·::,: •. ; :s
~'°f.
Обратный ток эмиттера, нft;
1l1°01·1;5I11т.
Напря'же~и~ нась1·iu~н'и•я
!(ОЛЛектор - эмиттер, в
..
Напрюкение .. насыщениR
.•
1 0,781
1
1·
1 \o:s\' li
база - эмиттер, в
ЦБЭ нас
0,8
IU
;.
Моду.ль . \(ОЭффициента пере- .
.
~. ',
..
'
да·чи тока на высокой час-
тоте
1h21в1 2 4,5 5
10
.,
,.
.''
.
;,
:, .-
,
.,
_,..j
.:
100
j

1•
~,:•,, •
_Знач:еНиЯ ~-':·u~,-, 1,· РежJмы измерения •·'·"- · ·"'
,--~
·~
-
_
_,_ _
,,,1;,1'\,.
~1
•
Статический . хоэффици~нт
о~~дачи . тока в ~еме; ·с
КТ3107А, КТ3107В -
,
КТ3107Б;· КТЗ107Г.
К;Т3'107<Е: . ·,
-•
•·
-~
КТЗi07Д, КТ3107Ж,
КТЗ, 107И :.
,
' КТ3107К, КТЗ107Л .
'
О~,;1на-
чевпе
70
120
180
380
Кш
'
140,
- 220'
''460 .
806 ~'
4
'.'5 ,
rii
5;,'
5•
5
5
.,~
~1_,1
·1 ·1:1: 012 ,П
'
'
ЦJ 0,2
10-•
Е~~~~iь'' кол~~~1;рfЬг~· ~е~-,' ,·;::·. т,~1-;: ~, .;. ,: · 1 ( l•с;[-1Г ' ;, : , ,,, 1·• 1!\ 1, т ·, ',,\ 11- ':l:{i~1;,:i
Р~ХQДа, ._,\1<1\- .. :•·.-,,·,, с • ,!
" ,,, ,, -~t -J;_R!J ,cJ,., ,, ~ "1 ?,,,
, tlA,-[,,,:; :,''--
,-,:;:f·.
,
" --, ,.,1' <
,,
~,_.1)
~.. ~.'С:
-~i~[:J -;:, :!-,:,1~·1 /:':0't' ')Jj•!()G;, :.·; · · ·~ H'~".) .Ji~1·J-~['i:•1'1:~ ':: t :::•· ::(~,.
')
Максимально до-пуtт.имые ' nараметры.: , ~'а р{,1,Нrr)iр;,~юя::ею,;при , тем,цера,;ур~ч, Ф<РУ·
жающей среды Тс=-60... +125°С,
,,
•
1:__J}t ,, - 1 ...: ··
/к ш"a:x,.~. riocт9я1_1,tj\,il))roк коллёц;-, ,:.:".:i•" '";
тора, мА--.-·;· -,- ,.... - .
:.
-. -- 100... •
/к,• mar - импульсi~ый ток ~QЛ•
.
_лектора :(Qg;;, .2, t. ~ 10 мк~)-~ • ;; . _
мА, .
.
.
,;
.
•.
.
·:
.:;200,-~
Uэв max . ,.;. постоянное . наnря. ,
'
жение эмиттер ~ база, В
б
UI<Б max - постоянное • на,пря•
жение коллектор ·-
база, Bi
КТ3107А, КТЗ·IО7Б,
Кi3107И ...• ,
,
,
50
КТЗ 107В-КТЗ 107 д,
КТ3107К ....
,
•,
30
КТ3107Е, КТЗIОГЖ.
КТ3107Л . . .
,
,
•• 25
UI<э max - постоянное _ · • напря•
жение коллектор - эмит1-ер,
В:
КТ-ЗТО7А;-!\ТЗТ07В,
КТЗ107И
,
•,
,
45
КТЗ107В-КТЗ~07д, ~. .
'ктз107К . - : ;·
. ,,••-,
,
25
КТ3107Е, КТ3107Ж,
КIЗ 107-Л
• •-·•
•20
Pi<,max .
_ ;_· 11~~-т;я J;/;я
рас~еи• • ,. ,,1
ваемая мощность коллекто-
ра, мВr ..
_
..
.
.~
.
-.
.
, 300,
'fD .,;~~ .:_ ТеМ~ература_ Пере~ОДа, , 1,5
,;
0С.
-~
...:,,.:··
.
.
..
.
.
.
u
,•):
R~. п-с- - тепловое сопротивление
переход ,·_ окружающая ере- ·, 1
да,,0С/мВт . .
•,
,•.
. 0;42
Допустимая температура окру• .
жающей i:реды; • С , ~60... + 125
1
·
,
i При температуре выше ,t-25-Q О - ' Рк. maJ! lмВтl =-- (150 - TJ ! R'1), п:;.Ф (•;
205

!5,НА
/
'--__,___,__'-----._. Uкэ"'U- ~
Iк,нд
_v
'
'
206
30 l------+ --'-+ - -'-+l--f- - -4-f-+,--,
za 1----+- -+. - ~
.4-
1
- - - ! -a- - -it-,-, -J+----,
,о<--l---'---+--4-4-1--t--'-/--+----<
,
.
j.V
180 l----h--l-----l=.-,q-+cc...-1-+--+--+-l----f
/~ v,..
.,
--
-
JV _1,..-t_;....~
1а,; 1---v+----. ~=i ---+-+ ----+-+1--+--+ ---1
,v
-
--
zav
:,
О1)ZЗ\!1;5678Икэ,В
KTЗ107A,KT310713 -LJI Б = О,ZмА; К'ТЗ/075,
КТ3107 Г, КТЗ107Д, КТЗ107Е, /<,TJ/07 ж:кТ'J107И
-ЛI6=0,1мА; !iТJ107K, 1{ ТЗ/O7Л-д l,,/'"'O,Olf NA
•
,с.-
~-:·-· ~~••
1
jOO f---..c_-f-',,---h--11-++-++ж'"'-_- '- i
, ..- . _+_ --. !а ..- .j ,- ;,J ,l+l-- '- - -' +---l -+-' -1 '-f-H-l-l --' -'- -1---1-+--I --
_+
l ж-1
..
,_
1
,-
0 L__j____J_J__j_j_LJ.ilL._.a-1-..L.l.-'-l.l.LLL---L-L..L.L-lJ.JШ-_..L-LJ_..J....C..LJ.LJ
10
юа
1000
IOOOQ

t
г
'-
,,.
4
z
,:
М'
о
•·
,,
нас, 8
I6 =a,osiк
-
.~..~
D,9 0,3
,,,. ,.,.
1,
.,.1,
1.,,,
- l!Бэ
нас
..,.1.......
v ,_ i:..-
L-L-
~ _.,,,
I/
-
i.,. o~
-'-•
..... '-· ' -
~~
0,8 0,2
\х
:.,..,
--:- ~
-
'7
-1
1/\~...~~
1.....
-
у~~
,,
_v
_ 1,.,,,-
"' 'L;'
.,,
......
,.,,.
-~
... .
~
0,,7 D,1
/_,
~
_..,.V"':1·
_ 1,.,,,- ....
,_1-
.:,,- .
-'~
~n
i.-
1,,,-
-
i-
-
t..
.-
i
....... .
-
.
Икэ нас·
,О,-6- .:()
10
'
U~fi' 58
f=100МГи,
-
L.--·
--
•--- ·
l,.,, .,.
/ 1.., .,-
-
~
-
1-- +- --•
.,
..
-
30
50
Wш,дБ
1Z
.10
8
·•
КТЗ107Е, КТЗ107Ж,КТЗ107Л
l,ljl l
1 1111
Rr=100;1011
lfн•Б=58
1,
/
:/
1онам
-
,,
v.,,, j::,
~
1к0м VJ
1/
'
8
16
ЗZ Iк,мА
4
2
о
,.!)"'
0,07
Диапазон СВЧ
.
\,1
l/v
/
·-
1-
-
1
D,1 0,Z 0,3
111111111111111111 1111111111111 11
КТЗО6А, КТЗОGБ. КТЗО6В, КТЗОGГ,
КТЗОбд
20
21
22
Общие сведения . Кремниевые эriитаксиально-планарн~1е п-р-п-транзисто
ры предназначены для работы в усилительных устройстоах.
207

.
К-◊РПУС~-. rерме·т. ич.1{Ь1 -ri , ,
МетЭ.лiОт<ер~З~нiчеСКи-А~ - с-ос. Гйб~ЙМ-ii_. выводами (рис;
П!.21,б).Масса· транзистора не более -0;65г. :,
Условия ЭJ{сш1уатации - в соответствии с, табл : ·П2.2.
Элек.rрические параметры, Классификационные параметры,
h21э, lh21el .:
-
Значения
Режимы изм ереm1я
~iачмевование
O.братный • ток коллектора,
мкА
Обрат11,ый :: ток змиттера,
мкА•,,
:
r
j
,1
Обозна 
чение
Граничное [ • нап:ряжение
транзистор;а, в ~ ' '
•икэоr,,p
ктзо6А·· ~ктзо6в•}-к-тзов11~-,-- . '- " -~
-- -~.. 1
_; •пr·· -
•
•
.
\
1
КТЗОбБ, ' КТЗОбГ '
'
7
;~i 1:
;. -~-;
•
~ ···; .:~;
Напряжение
насьi-щения
коллек'tор :- эмиттер; B i
Икэ' ;ас
ктзовл, -ктзовв- ·L - ~-~-··- < •~-
---·•·~ ·--а:..
·~ J.. --о·;з- ,- •.
t·Y1
.
'!-
•;.\i
~--
., ,....... ,.
Входное
' СОl!РО.'ЩВf!~НИ~
.
'
'
:
транзистора в tежиме ма- •
лого сигнал~-. _ м:
-_
,•·
_
КТ306В-:-~Т306Д
h11ri
30
fi
-~ .._r
.,
Коэффиц11ент передач)! ,ока
в режиме малоrо~ сиrнала в
схеме- с .ОЭ;
••
'hue
КТЗО6А
20
60о
КТЗО6Б
40120о
КТЗО6В
20100о
КТЗО6Г
40200о
·'' ·
КТЗО6Д
30150о
_,. '_.
;''
208 ·~\~
5
10
10
10
10
10
. 1п-~

На именование J
Модул_ь . коэффициента пе
редачи тока ,. ,- на
•ВЫСОКОЙ
частоте,
КТ306А, КТ306В
КТ306Б, КТ306Г
КТЗО6Д 1 .
•
·•
Время рассасывания, нс~
КТ306А. . КТ306Б '
Емкость ~миттериоrо пере•
хода. пФ
•
,
:
1
•• ,._ :· ··~ •-' .,. i"'- ~· =•с:.,•_ ·--
ЕМ f(ОСТЬ коллек;rорнфго пере-
хода пФ
:
,
!
•
.
1;
;
i
f
t
Постоянная • времени ~епи
обрат.ной. - ~r;щзи ' на.. ·1;1.ь~_сокой . ,
частоте, пс~ • , •• ••
•
• ---
КТ306В, . КТ3~6[)
КТ306д · i
·Знаq'енпя ·.
.,
1
30
1
10
10
10
100
"100 .
100
:
1
:•
i
J
Niаксималь1,; •цопу~,-~~~/е пар\iметр.,;,'r;р·антируются·~аi:i1у,е~i9~ратур~_'"(!~Р,,У~ . : . ,
жающей среды :rа ...-,60...+ 125° C.i ;, . ,
,
, ,-,. :·
• ~-,
1)
JI)
·
':·~--~- -•·
lкma,' Эmа, , -пqстоянны!! ток
коллеr<тора •и эмиттера , мА . : 30
lк aaii tna:r :_ по~тоянный iток ~ОЛ• : . '
лектора в · режиме . нас~ще•
ния, мА· .
,
.
•
.·,
50
Икв max - постоянное
напря•
жение коллектор - база, В
.'15.
UKЭRmax - постоянное напря- .
жение коллектор - эмиттер
(Rв~3кОм),В,,, 1
,
10·
'
Uэв ma"'
. .. ; . постоянное
иапря•
: жение э~нтте~ · ..:L' база ; В .
,
4'-' '· -~
Pk) max -:- пост~я- ~ная .
• pacceir•
·• ::,;_-
,
ваемая ' мощность ' -F!оАлекто~ •
i_ , ра, мВт_~
.
, ...·
.·•
... ,-.
при Те=-,60... +90°С ,
•
, 150
ори т.-+125°С, . ,
-
~
,·,
-60 -'
Та max 7" те~шература ' пере~i>да :
0с·
. 150
Допустимая температура окру•
жающей среды, 0 С
,-60... +.125
tl для приб0ров, которым • присвоен 3на~ качества 1'< max
~50мА,
lэ шах"" 50 мА.
•
•
•
11 _В_ диапааон_е _<reм~epa·r.yp _ 90t" 125" Я мощ_н(?еть
,
8}•~611~[lla"UI~Я _ll~H~ ~f!c_>i
209

· о.в
0,6
0,4
D,Z
D
!
,
i
~ Икэ=5В
J
J/
D,l/ 0,6
z1з/
',
lп
lпz1 э/при !3 ~/ОнА
1
1., ,
UJJ
0,8
0,7
0,6
0,5
j
о
*'
/1
.'/
5
--
·-
~
.....................
,.. _
,.. _
.........
!'- .....
..........
f=ШOMГIJ,
llкБ=5В
'
1
10 1.5 20 25 13,нА
1111111111 .11111111111111:11
17
18
!9
ПЗ11Е. ГТЗ11Ж, ГТЗ11И
Общие сведения. Германиевые · ПJJана рные п-р-п :транзис,торы . предназнач.е•
пы для исnоJJьзования в схемах радио-вешатеJJьных приемников, телевизоров
в другой аппаратуре. ,
• К, ор пус rерм. ети ,ч1 1ый , мета JJлич еский ,
с гибк ими . выводами (рис. Пl "37) 1
Масса транзис,ора не более 2 r.
Условия э1<с·пJ1уатаци11 в соответстви11 с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификаuионньiе параметры: h 21 :), lh2 1 эl
Зн~ чения
Режимы · нзмерf'вия
-
-
Обозна•
На11мг>нование
"
.,
<i:
о
'о
а:)
а:)
<,:
<,:
::1
чение
':с
о::с
"
".
"
.. ..
·= ..
<J ./J
:.1
:с ·,;
:<,;
~m;:
""'
"'"'
[!) (f)
""
""
:::,
:::,
-
-=
Обратный ток
KOJJJJeктopa,
MJ(A;
1 кво
ПЗ\ !Е, ГТЗI IЖ
512
ПЗ\\И
510
при Тс=55°С
607
при Тс =-40° с,
ГТЗ!!Е, ГТЗIIЖ
512
ГТЗ\\И
510
~fi;:,ч8oe наnряж~ние транзи-1 Икэоrp 1 8 1 1 1 1 1 1 10 1
~е~<~~;жени:ми:;ес;:~ния к·ол-. , Икэна- 1 1 о.з ( • , l 1s / 1,5I 1
21,0.

..
Наименование
Обозна
чениf'
Значенвя 1 ~!
Режимы иа,мереfJН'я
.,
,О
":,:
uJI
"~
"'"'
:s"
~:~~тяе;~вие насыщения база~~ Ивэнас 1
10,6, \ '·.
1 1511,51 1
Обратн'ый ток эмиттера, мкА: __ / эво
П311Е, ГТЗl IЖ •
П311И
i,
.
Модуль коэффициента ·переда•
15
15
2
1,.5
ЧИ i тока на высокой : частоtе~ •
:ГТ311~ . _
•
ГТ311Ж
ГТЗIIИ
1
.' 1· 2,5
3,0
4,5
10()
10()
10()
Статический коэффиц-иент пе
редачи ·тока в схеме _ с ОЭ~
ГТЗ!IЕ
ГТ311Ж
ГТЗIIИ
при Тс=55°С1
Г:Г311Е
ГТЗIIЖ
Гf311И
при Тс-::--40°{;1
'TT31JE· •
'. •,.
ГТ311Ж
·'
,.••',,,
ГТ311И
Время рассасывания, нс
lpac
Емкость коллекторного перех?· ~ ·
д~ пФ
Сн
Постоян11ая времени цели об-
ратной связи на высокой час -
тоте, пс~
·-
ГТЗl!Е
rтз 11ж. гт31 1и
') Типовое з начение .
Максимально допустимые параметры.
жающей среды. Тс=-40... +55°С.
/к ma:i: -
постоянный ток коллек•
ropa, мА .
•
.
•
•
.
.
.
50
и\)
КЭ R max, Икв max- постоянно'! ва•
пряжение коллектор - эмит-
тер (R 6 tR:cJ ~ 10), и коллектор -
база В1
t~ i~~" ~J!t
20 80
50 200
100 300
20 150 :з>•r,15 r .·:,:. ·,
1
5,0.. 350 3
[5
100 500 З
15'
·, 110'' <'80 · •:3-'
·"'
15~', ' $•,!,·~,
,', 25 '200· 3
, ,,_,] 15' '
.
5() з.qо .з_..
•.. : )5 ::·,•-. -:.! '\ 1
.
i
755
55
100 5
55
Гарантируются пр и те м пеJ')атуре окру-
ГТЗ!IЕ, ГТЗI IЖ .
,
,
,
,, 12
гтз11И , ,
.
,
,
.
.
,
1О
·
uti ma x - постоянное
напря-
жение эмиттер - база, В;
ПЗ 11Е, П311 /К
ГТЗl!И
!••••••
2
,
1,5
211

Икв и 111ах - импуЛьсное напря•
жение коллектор - база
(t.~.Iмкс),В....
,
20
2)
-
Рк max - постоянная
рассеи•
'Ваемая · мощность коллекто-
r6 180
•-
ра (Тс""-с-40... +25° С), мВт. 150
тп m ах - темri ер-атура . переход~. '" " '\
0С
• "'••· ·
···· ' 70
Допустимая тем'iiература о~ру• .
жающей ер.еды; 0 -с , ,--40,.. +65
'i ,._
.
.,,
r
,11 - fEO
tl 140
/V
,-
(r
)О rto
'
100
.► ,~
r
Е10
4ЕО
,
- ...
/hzrэ/ iJля ГТЗJJЕ
2•о
zo
о
'5
10
15
ZD
25 Ia,HA
l_;r_ _
'---ик,дб длп _l!ш; U11=5B, f~JOOtl[u. дл~__f Ь шl
212

ci.. •
11111''''1" 1111111111111'
ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В
17
18
19
Общие сведения. Германиевые сплавно-диффуэионные р-п-р-транзисторы
предназначены для . использования в телевизионной, приемной, усилительной
и другой аппаратуре;
.
К:орrтус металлический . (рис. Пl.37). Масса транзистора ие более - 2 г,
Услооия 9ксплуатации -- в С?ответствии с табл. П2.2.
,
.
Электрические параметры. Кла~сификационные пар_аметрыs : ,
Обратный
мкА
Напряжени~ насыщени·я
коллектор ..;.. -зм и.тт,ер, В •
.
• ·-~
~
..
.
!
1
Напряжение
насыщения
база -' зм~ттер; В
'
'
Модуль • коэффициента 11е-
редачи тока на высокоА ча-
стоте:
ГТ3!3А, ГТ3!3В
1
'
ГТЗIЗБ
'
Коэффициент передачи тока
в режиме малого - сигнала~
ГТ313А, ГТ313Б
ГТЗIЗВ
·•·-
..
при Tc=+55°Ct
ГТ31ЗА, ГТ313Б
ГТЗIЗВ
'
при То==-40°С1
ГТ313А, ГТ313Б '
'
ГТ313В
.
1
h21з, -Ти
ЗваченИя '
·oб6;iia,
·
.{
..
qевие
..,_ _,. ~ "!
·.:
lh21el
...--
..
h2Iв
,
,
!
,, ,,,,
•1'
,,
3,5
4,5
20
"
30
: 20"
30
'
20
30,
512
50 12
512
,
,
'
•'
105
105
•·•
-
200 ~5,
lZ.0
-~
400 5
350 5
,
.
200 -5
170 5
,,
. Rежимы
и_змерениs
··-1
·.
.
,
·'
'"i
.'
-
,.
\.'
..5
5
'
·•
·,.
'
·.•
5
5
.,
...
.
5
..
5
'
,j
5
;·
5
,,,
,
100
100
10- 3
10-~
10-2
10- 3
10- 3
10-~

,
f-Jaнм('11oiJ.-111иe
.
..
Емкость эмиттерного пере-
хода, пФ:
ПЗIЗА, ГТЗ\ЗБ
ГТЗIЗВ
Емкость коллекторною пе
рехода, пФ
Постоянная времени uепи
о~ратной связи на высокой
частоте, пс:
ПЗIЗА, ГТЗIЗВ
ГТЗIЗБ
1
Зва чения
<Jбозна-
"
'.,
чение
=: ,:
,;,
<).,,
:с
~@
-:С
"
::; "
Са
14
18
2,5
'
'tl< .
75
40
• Режимы измерения
"1
<
<
<
'°
~
:z
"
:s
t.
-:.
.:;;:т~(!J
т.:
:::,
:::,
-
·-
-
10
0,25
0,25
10
111l
10
5
.
55
5
55
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окру•
жающей среды r.=+25±\0°C.
.J.к.- ma:r--c ПD.СТО!ШНЫЙ. .ТОК . .КОЛЛ~К
тора,мА....
•
.
.
.
30
ИэБ max · - -постоянное
жение
эмиттер
UзБО=1,5 мА)',.В
напря
база
и])
КБ max - постоянное
напря-
0,7
жен1;1е коллектор - база, В
.
15
ИкэRmах - постоянное
• на,п.ря- .
жение коJ1 лектор - эмиттер
(R::, ~ 5 00 ·ом,
R1- ,<
~2кОм),В,
.
.
15
ilкэ R max - · постоянное
на~nря-
жени е колJ1ектор - эм. иттер
(R6~500Ом),В....12
P~\nax
-
постоянная рассеи-
·ваемая мощн о сть коллек т о- ·
ра, мВт .\
.
.
.
.
.
.
.
100
Тп max - темпер,тура
перехода,
··с
......
.
..
.+10
Доп-уетимая . тщnер!тура окру•
жаюшей среЬ.ы , С . .- 40... +55
1) При Тс > 45° С1уменьшается на \ В/5с С. ·
2J При Те= - 40.•. +20° С; При Те= 20...55°С Рк ma:x lмВт] = J00-
-
1,45 (Тс- 20)
1
1
о ~нэ=ЗВ -
120
80
.J
J/
/
40
//
V.:.. /
о
QZ
а
.z
J+
6 Uхэ,В
214

1hz1эl
6
5
4
3
z
а
/;//
,
/
,v/
l,,-71,,-
.. .--
'
/
•
1.-.,,,-
ГТЗ1Зб
..... -
., ,,, ,.
... ..
4
5
: .:,'_
6
~~.J!,Nf;'. ;-, ~-\:-! ':_;; '~ ~.);\~
'1
,;;·\·
,.;..1.j;. ,·,~:
.:l:;\Н/~
::"1; : ;":'l-,.,'
·:,.·(·"
;~:.1~:_ .;~J.!{ •• t{)~j, ···•• {_;.. , ,
_>! \
/. ~-.{
~: ·1,~
;J
11111111111111 111 111,1111 1111 111 111 11,
20
'21·
22
23'
' КТЗIЗА , КТЗ!ЗБ
Общие ' tве~енllя'. Кремниевые ' ~питаксиriльна':планарнь1i{-'р::2,1...,,:,S.fр'а1iзисто
ры предf!азначены для· усиJ1ения и генерирования 1щ11ебаниЯ вы_сокой частоты. .
Корпус металлический, r'ерметичный (рис. П 1. '11 )'. Mat"c:a ' т'ранз·исiор~t •не - бо•
лееО5r
·
·
·
·•·•·'
·,.
'.. ':·: :,. ''
,.
• ,...
• •••
Услdвия эксплуатаuии - в соответствии с табл. П2.3
,,
·' '',
.,
Электрiр1еские параметры. i,ласtнфикаuионнь;й •пара·~етр, fi2 1q•
3начения'
Режимы и~мерения
Обозна•
Нанменmвание
чениР
'
Обратный ток коллекто-1
ра, мкА
.
1 кво
Обратный ток эмиттера,
мкА
Напряжение
насыще-
ния коллектор - 9МИТ·
тер, в
1 эво
UКЭнас
'
о"
"
о
о
:Q
--~
«:
,,:
,,:
•о:
.,
.,"
:s
:а
.:s
., .,,
о
u.,,
:,:,;
<=
:<О:
~j\~[Оt
""'
~
"'"'
::;; ::;
...
:s::;
::,
::,
-
...
1°.004\0•02\0.51501• 1 •1 •11
'
0,5
150 15
,
-
::t
~
...:
215'

.,
с
Значения
Р.ежимы нэм~ре,н.ия
; Н;имен.ование
Обоэна•
.,
~
,.. ~
щ
Щ·<
<
<
"'
чение
:i;
:i;
:i;
..
.,.,,
~ т··
:а;
.
.,,,
::::: j
.~
t= t'O "\..
:
:S":2
::,
::,
-
.
...
..
1
-
'
'
Напряжение
..
насыш~ния
150 i5
база - э~шттер, в
Ивэ~ас -- · -
1,3 ,
·-
---
-
·-~
-·
•,,
1,
М,одуль коэффициента •
'.
r-· ..
:
:
передачи тока ·на ·выс·о-· ·---'-·--·
кой •1астоте
1h2tэ 1 ..
·-
-~,
220
50
100
Статический коэффиц~-
,.
ент щ~редачи тока (! схе-
мес ОЭ-: •
' ilz°J'э
КТ313А
306512010
1
КТ313Б
80 160 300 10
1
Емкость коллек:торно-
r1 пе,рехода, пФ
100
ПЬстоянная
.
:
~
:
времени
:
ц~пи • обратной связи на
·'
вьlсокой . частоте,. пс.
:
..
tн[
80. 100. 120 5
130
!
....
..
.
.
.
:
\
;fl' ·- ·
Максимально., дqлус.тимые nаР.аметры. Гарантир.уюtся lipil •температуре . окр у•
ж~ю~ей ер.еды т~,,,..-=10,.,785°С. . ·..< ~
•
----•····
.....
,, .'
.,,. ;,... .. -~ -
i к: -m ах ~ nосtбянны й ток коллек•
•·тора, мА •. •.
,
,
••
-
, :-,
.
350
/ Б max - постоянный ' ток базы, ,
'мА-..•• ;
.
•
.
.
,' 150
/к, ■ max -ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ•
лектора ,(t.~ 10 мкс, , Q~ .
~ 10), мА
;.•,,700
'
;
'
Иэв mhx - постояннее
напря• ' .
же~ие эмиттер _: . баз~, В
.i5
,
1
·\)'·
...
--
•.
--
.
..
• • • · рк ma:11 - постоянная paeceli•
ваемая мощность коллекто•
ра,мВт..
•
•-.
,
.
.
300
Р. шах - импульсная рассеивае
мая мощность транзистора
,(Q;a, 1!}, t.. ~t мкс), Вт
.
,
J
Тп ·шах -температура ' перехода,
0С
.
,
...
, ,•·,•...125
иi
'
••
•
•
,
R.,, u-o
-
тепловое сопротивление
КБrnax - постоянное , ~аnря- i 60· - .; --- -
- -: пер-еход
-
·окружающая ере•
жение коллектор · ....; баз~. В , ,
да, • С/мВт
,
.
.
.
,
,
, 0,33
i
Икэk rn~x
_ :.. пост9.яН:ное
напри• :
>Кение .коллектор
эмиттер ,
(Rв~l кОм), В .. ;
..•50
Доцустимая • температура ' окру•
жающей среды, 0 G: , ,-40... +85
1 При температуре окр:,жающ~й '' Среды боле11
~ (125 - То)/ Rw. п-о•
25"GР '.
LмВтj .,..
1'max
216

. lБ,нА
..
~
8
·7
6
5
4
з
z
1
о
-
l1
lfкэ" О
//
0,6
/
т
56~
·'- '--
,_
11
1
/
!
Iк,нА
-
-
-
..
..
80
1
60~
7
,.
'/'
40/
1
/'
20
r: tМ5
1
о
2•4
в· -.
в_. ю икэ,в
. КТ З 1 З А:ЛI.6 ~D,1мА, КТЗ1ЗБ-Л1 6;0,05мА .
'
.
;·' 1~
"--
5q, ~~-
-
. 1 -~ -Е➔Т31ЗА .-
.~~~
j__...j.__j__j_
·...J
·-
1--
· ....
·· а--1·., ик·Б~ 10В ~
.•
'
о
100 '100 300 400
IК,иmnx, А
0,6
a,z
о L__J__
___i_
_
..J__
_. l._
_ _,J
10· ~.
10· ~

~~
" 1" "1 "" 1''1111111111111 111 11111 1 КТЗ16А, • КТЗ16Б, КТЗ16В, КТЗ16Г~ .
20
.. 21
22
2з
КТЗ16Д
Общие· сведения. КремниевЪ1е эпитаксиально-планарные п-,о-п-транэисто~
рыпредназнзчены для рабо_ты в быстродействующих переклIочаюших и усили-
Т~JIь11ых устройствах.
.
Корпус металлический, герметичный, с rнбкими выводами {рис, П!.11 ),
Масса транзистора не более 0,6 · г.
·
Условия эксплуатации ...: в соответствии с табл. П.2.2,
Электрические , nар·~метры. Класоофикаu·ионные параметры: h2iэ. lh21;J, fpac, •
~11а~ен.ия
Режимы измереНИS\
Обрпарт:ы:1 ~gfС1шл1ектора, ·мкА:/ ~1кво 1 ·· 1· · - · / \ 5 j-"tg j· •. , 1· ,. 1• 1·
.,
о~'а'тн·J~'·ть~ ~·J~т~~~/·~~1(т 'Г ,J~ ~·'•11. , • •· ,, 1::' :i ,/{ .':·•: т/·,? 1 . ~:·т ' ·1• :...,,,, .,
;~;;~i:1(~~~5~~~~~:eQ~;l6)3,~;""j~u~э~rp 1 5 1 1 ·· 1 :, · 1
11·.1
1
Напряже11ие н:аСЬJЩ.~н-ия· кол-I 1 ,,, ·• 1·
111·t1
J/.ектор ·-
эмитт_ер, .\3 . .
-.,·: /Икэнас
О,4
.
•
110,1
· :·,
··,
/'
.
•
..
Модуль коэффиц:~е:1r:· а . ·переда:
, }h21el
..
.
"
чн тока . н11 _ высокои частоте: .
б·
5
·10 \00
; КТЗ16А, КТЗ16Г , •
•
··
КТЗI6Б, КТЗ 168, . КТ3I6Д .
8
5
10 10о
Статический коэффиц!'Jент пе-
редачи тока в схеме с ОЭ~
h21э •
о
КТ316А
20 60
10
КТЗI6Б, КТ316В
40120о
10
КТЗ!бГ
20 100, о
10
КТЗ!бд
60300о
10
при Тс=+125° . С;
КТЗ!бд
•
20120о
10
КТ3!6Б, КТЗ16В
40240о
10-
КТЗiбГ
20200о
10
КТ3I6Д
60600о
10
при To=-6 0°Ct
1060о
10
КТЗ16А
КТЗ16Б, КТ3I6В
20120о
10
КТ316Г
1() 100 о
10
К.ТЗ!бД
30300о
. 1()
218

Значения
Режимы изм·ерения
Обозна-
"'
"'
Наименован.не
о
,о
а:,
а:,
<,:
<,:
<,:
::1
qение
·=
"'"'
::!
::!
"
.. ..
"' -"
u,D
:;;
"'"
""
::<:
(7)~~Ь
"'"'
"'"'
,{ё
""
:s"
:::,
:::,
..:
Время ра-ссасывания, нс,
lpac
1
КТЗlбА, КТ316Б
10
101
КТ316В
15
101
Емкость коллекторного пере - I ·
:хода, пФ
Сн
.
-
Емкость эм нттерноrо перехода,
пФ
Се
2,5
о
10
'
,,
IOi
Постоянная вр,еменн цепи ос
на высокой qастоте · пс
tи
150 5
10
КТ3I6Г, КТЗlбд'
Ма~сималыю 1Юnустимые па:ра~1етры: та·рант.ируются ори температуре окру-
жающеи среды r.--60...+ 125° С,
.
11)
К max - постоянный ток •КОЛ•
1) лектора, мА . .
,
.
.
.
.
30
/э max - ПОСТОЯННЫЙ ТОК 9MIIТ•
тера.мА....
•
,
,
.
30
lк вас mаж - ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛ·
лек,ора в режиме насыше-
ния, мА •
.
.
.
,
.
.
.
50
lэ вас max - ПОСТОЯННЫЙ
ток
эмиттера в режиме насыше•
ния,мА...
,
,
.
.
.
50
ИKR max - постоянное
напря-
жение колле~пор - база, В , 1О
ГJ,75
ГJ,50
O,l5
ГJ
111
1
Uнз=О -
-J
5В- .,,
1,
/
J
/
/
~/
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 U61 ,8
Икэ.R max -- постоянное
напря
жение коллектор ·-
эмиттер
(R~3кОм),В...;10
Иэв -mах - ·постоянное напря
жение эмиттер .а.. база, В ·,
4
•
2)
f к aia.J< - пост9янная
рассеи-
ваемая мошность коллекто
ра, мВт
при Т~=-60 ... +90°С
,
,
.
150
при Т,;=+125°С .
.
.
,
•
60
То max - температура
перехода,
0с ..... ,
.... 150
Допустимая температура акру- •
жаюшей среды, 0 С
,-60.. .+ 125
1) Для приборов,- которым присво
ен rосударствс1нный Знак качества
/к ma.x и fэ max равны 50 мА.
2) При Тс=90 . .. 125~С Pкma:s
уменьшается ао линейному закону.

/
А.
~,,,,:.•
,·
,40
35
30
7 _,, ,., ,,·
v,,,,
L, ·-·
17,,,,, -
--•
_.
._.
...
ih21 з
hziэ при I
1,4
1,Z
к= IDнA
-
;
,"р
'
-
_, ......
--
_ 1,,---
-
J; ./"'
i_.-.·
L,,'
l!кБ=18 ~
25
-~
t- ---
1,0
-·-
/
--~
....
t--,......_....._
-
!"-- ,. .
za
-·
~~
/
...
'
.. .... .
·-
15
--
. ,.,-·
!
. .,,
........
'-
10 1/
Iм6
J...:~ .. ,,
'
1
'
9
_.:--
.. ..
.
I./, ✓
.,
-
Ь,Z46816Uкэ,i
кт З16А, КТЗ16Б)ТЗ168, l<ТЗ16Г-L1 [б= IOOtt11A;
; • liTЗIБД-iJI5=50 '1111A '
•
•
•
•'
-
.1
,'
•
0,6
Q,1/
..
о
ta·
'
1',
za
зо
'
КТ324А,
!\Т324Д,
КТЗ24Б,
'КТЗ24Е
[(Т324В·, , IП324 Р,
Общие сведе~~~- КР~емнJ~вы~ •плiнчрно-эпитаКС!fаJIЬНЫе n;P-::"_n}P.a:!IЭИ~T?:
ры предназначены . для исцол!!,зования в Gыстродеиствующих • ·. переклюqающих
микросхемах, микромодулях, узлах и :рло'~ах.
::
.
.
• •..
·,
••
.,
--- -
Ве~11пусное : оформление (рис. l;IJ.18). Масса ;транзистора не бо~ее ~. 00°2 ~.
----Условия эксплуатации-:--- в соответ.СТ!\ИИ с табл . П2 .3.
'··'
.
'
'
3;1!ектрические~n·а1)а·метры,' "l(лю::сифи·к~ционные· ,пара·метрщ ·
'
.
-
'
'12\э, lh21эl, tp~c··
-·
·'-
Значения
Режи.~,ы- измерения
..
..,
-
.•.· ·, -.
Обоз11а-
~
"
Наиме110вание
оа.
';; ·
-,: ··
1 ::1
~ qениР
."'
~~
а.
>1
""
-~
.,. ,,
~
'
" ,;·
""
:::::
:Т\~J,(Т)
""'
"'"'
>1 >1
>1 >!
:::i
:::i
-
-
. ..:
,.
.-
-
-.
'
Обр,11.т1Jый ток коллектора, мкА _ /!~БО :
0,5 10
iфи Тс=+85°С
'
10 10
'
-·
..
..
,.
Обратный ток эмиттера, мкА: 1 1~t,o 1
1',,
14-1111
ГраJичное :напряжен·ие транзц- 1 ·; •
1
1111'11•1
·1
стара (t. ~5 0 мкс, Q~~O)_, ~
Ик'эо vp
5
220.

В~нменовiJRие
Odteнe~ :
•eilвe
Напряжение насыщения кол-
лектор·- эмиттер, В :- •
Uкз 888
Модуль ко~ффиuиента переда~·
чи тока· на ' высо1юй частоте~
КТЗ24А-КТ324В '
КТ324Г-КТ324Е
i
r
-
Статйчес1iиi' коэффици~нт пе
редачи тока в схеме с ОЭ1
. КТЗ24А
КТ324Б , КТ324Г,
КТ324В
КТЗ24Д
КТ324Е
при Тс=+85°С:
КТЗ24А
КТ324Б, КТ32417. •
КТЗ24В
КТ324Д
~Т324):; , , ·..
0
кfз\Гi=кт~g4:й1 ••_, •
кт;Щ41,3 , КТ324Г
КТЗ2~В •
КТ324Е •
Время рассасывания , нс1
КТ324А-КТ324В
КТ324Г
Емкос;ь эмиттерного перехода,
пФ
-
Емкость коллекторноrо . перехо
да, пФ
Постоянная времени цепи об·
ратной связи на высокой час•
тоте, пс
КТ324д, КТ324Е
lpac
Знач~ния
· .Режимы 11эмерении
<i:~
~1·.,:
щ
.,:
02
".о'~~
'4
*
•••
-
~
111 i;:
.'=:;;~J~iг.Ъ.'т
....
:,, :,,
.
:,, :,, .
:::J ·
· ,::-,
\
.....
-~
J ~\: <,1,-~.
\ ~·..
-~ ·:\.1',\ .1' .;у·1\\ f\r';/,~ :! J •.1!,
.·\~~
20 60 10.,,\ .·. ,,\ }o i ,,,\\: 1•1
40120О
10
80250О
10
2080О
10
60250О
10
:Ю
40
80
20
' ,~9;.
в''16-·
.3~
24
120 о
240 о
500 о
160 о
&~9..9:
10
t•~- -
-
•
2,5
2,5. 5
180 2
. -,-
10
10
10
10
. 10..
''
1
--
.:8 i
о
.'
,
-~.:;1
10'
Б.Щ

,
Макси.ма,1ьно допустимые параметры. Гарантируются при те:,,~пературе сtкру•,
жающей среды Тс = -60... +85° С
I К max• / э max - постоннный
ток
•
коллектора и эмиттера, мА . 20
l К, и max, Zэ. "max - импульсный
ток коллектора и эмиттера
(t.:e:;;:10 мкс, Q;;;;,,10), мА
.
50
,__ ,.
,.,
;·
Иэв max - оостоянпdе ' н·а·пря•
жение ЭМИТТЕiр • '- база; В · 4
Икв max - П ОСТОЯ11НОе : • н·аiiря~ :' с: •
жение коллектор - база, В
.
10
i-J•!·I 1\;j"' t
,·.
ИкэR max - постоянное
напря•
жение коллектор - эмиттер
.
.
(R 6 :о:;;;;з ·ком), в ...
,!10
.
р1)
.
к max - постоянная
рассек•
ваемая мощность коллекто•
ра, .мВт: .
.
.
при· Тс==-~◊... +50"<;: .., , ,'
15
.
.
при То=.85.С
.
.
.
.
,•.
'5
Т;; m0aх ..:.... темhера_tу~а •·. перехо~а,
,,.
С.. ..... • ..
,
...+
.100
j Допустимая • температура '• ' окру·
жающей среды; 0 С .
,-60... +85
J'li,нA
1
\.,
· {J,U 7·' I-_
-+
, -.. ,.-,. +--
., -1-а -
•. +-,-1_ h-·'lf-hкэ-- ~.Lгi----1.,
-·
D,Uб t---+ -- -+--1+--- 1
--- f-
-
-1
·
--...
•_
.._
• ......ц
•
"' • • . ; ;1) При повышении ,температуры ок•
..
,,!)УЖ~юще~ _s_реды ,ОТ 55 ДО 85°С допу•
стимая · ~1ощность умеiй,шается· линей•
но.
а
222
:0,05 Н-t--+-+t'--'-+03⁄4.;, . .
• +-,.+ --' --!
l~aчг=-+-rt-++-,--f-h--!---+---1
а,аа 1-
. , +--+ -lf-+- -'- -111- -+ -+- -1
j
a,oz t--+- -+ -#/ .. .,, .,
.·
-)-
,_
.,..-+--+--4
U,01 г,• ..,.+
.
~.-
·1ccl-
·
=; . ---+l.,.... J
.
ч"---4---4---"-1., ..
17 '---'.С...../-'+, - =-
~
.,......cL...-......J.._L_<....J:
о,4. о,6~ .. о,в Ррэ,В_
.
-:-
•1
ih21~I
lhml при Iк=5нА 1/
Z468101ZIIJUкэ,В
0,9
U,8
а,7
0,6
0,5
1
и
//.
,,
i
5
1
--:...
·~
.
' 1'\
\.
'
\.
-
f= ЮUНГи. -
UкБ=ZВ
111-
10 •1,,; za

гjlliljllil/lili //Ji
.
20
21
22·
23
КТ325А, КТ325Б,
КТЗ25В
Общие сведения. Кремниевые nланарно-эпитаксиальные п-р-n-транзисто
ры предназнач ены для ·работы в усилительных устройствах .
.Корпус
металлический, герметичный, с гибкими .вы•водами (рис, Пl.38).
Масса транзистора не более 1,2 r.
•
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2
Электри•1еские · параметры. Классификационные параметры, ·
:- . Эн:ачения j
Режи ,мы . из··мер·ения
.
~
Ооозна,
~
·
i
i
'"
Наименоаавие
;О
,..,
cQ
«:
«:
li
•1 ение
.,
.,.,.
cQ
::,:
::,:
'"'"'
""'
~
"'"
,: ,;
(Т) :1)
.~
\
1
.,., 1
·"" ""
! ::,:::,: l• ~ ~ ::::,
::::,
-
....
1
'
I,;
Обратный тек коллектора, мкА
1 кво
0,5 15
1
при Те=+ 125° С
'
515
1
Обратный то1< эмиттера, мкА , - 11 ~ о
-1
.,. ,..
11
1.'
14jj1
Граничное напряжение транзисто- 1 1 15 1 \ 1 1 1 1
ра (tи.;;;;50 мс, Q~50), В
Икэо rp
10
Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте:
КТЗ25А , КТЗ25Б
КТЗ25В
Статический коэффициент переда-
чи тока в схеме с ОЭ;
КТ325А
КТ325Б
КТЗ25В •
при Тс = 125°С
КТЗ25А
КТЗ25Б
КТ325В
при Тс=-60° С
КТЗ25А
КТЗ25Б
КТ325В
Емкость эмиттерного
пФ
перехода, 1
h21э
8
10
h21э
30
70
160
30
70
160
12
28
64
5
10
5
10
905
10
210 5
10
400 5-
10
180 5
10
420 5
10
80.0 5
10
905
10
.
210 5
.
.
10
400 5
10
-
10')
100
.

.
•-.
_,
·-
-
--
---
Режимы измерен и я
.•J,.
·,
'' ~:·'
Значения
'
Обозна, ,; .,
.~
«:
_
Наимеяован1tе
'
е
·•о:1••1,'щ ,!(
'1
qение -
."'
.. "'
,:,з
"'
Са.
,., ..
u"
:;;
="
:,: с:
~(1)(1)~
.
.. .,
"'"'
.
:, :2
:,з"' ::,
::,
-
-
-.·
-
-
.
1-_-,-~.-~+•51111
Емкость кол .1екторноrо перехода,
10
пФ
'
Сн
'
Пос;оянная времени цепи· обр~т~ : 1 •
·'
-1-1111с11
ной связи н~ высокой ~acrqт~. r~ ..: : ~R
125 _5
10
(О
___
,__
J
!
i
.{:· ',,.~~"~
:
!•'
~
••
,1
,~::
':> Для при_боров, которБIМ fРисв<>Е\п : ~о~уfарствеяпБIII ' Знак r<ачества, fэво 1 :·· ~, 5 . l .!i<A,
'
'
1·1; ,1
.,
•
.1
1
'
,.
'
Максимально допустиМьiё, п~раметры, Гарантируются при темпер•~~уре окру•
жающ~й·среды Тоа-60;;,+125~(;/ {' J·
i~. m: ·~ : ·,;·:;, :х •:.:;пост;~~~11~й : ·. ~к ---- - -- · _ ([~ ~; ~~з ~ ~{)м),,, А~-:; . 1•:• • ·•.
t15
:i,
: коллектор.а и : эмиттера!, мА } 30 :!
,, pk)max - постоянная ,;, · _ , p;a~ceii~_-
. • 1(' - иmJ".j э, иmак0h и,м.цу:nьсkы.й-=:• .ток-,-l"--
~аемJя ··.мош.ность • тран~!ij:ТО•
коллектора и ·. эмиi-тера\ Uи~
ра;~,м;в,-·1 •:'1,'' ,ii
.
0·_:': , ','•• ;
.
~lO мc,i Q;;;..;2),. '-iA : j •• f .60
,:;•,t/;:'• ' 9р н
То=--60;,.+8$ , ~ .•., i
,
225
VэвnJax -nост~ян.нqе • ,11ап ряf ,,";;
.
~рн Та-125°С. : ; ~:·; . •
, ·85.
\ :же~ие эмиттер _ ;база, В· • о;:.4
,
••'
•
Uкв max - постоянноё наrI_ря •
,,~~,:~:~_;;е~п~ратура перехода:. 150
женне коллектсфri~''°б·азit;~'В ,~ч, •t5•';; ,i;:;, .: ·
UJ(ЭR max - ,:IОСТОЯННОе
:напря; , .. ,.
,.Ц<_>!J};CТJ:l'if!i!l rtмлepa:ryp,a, :,;р.кру,
же~ие кфл~еiтоj) \ - эмиттер j. ,у,\':,. жающей среды, 'О С
.,-: -,'-60•••+ 125
.
.
;
; ~:_ ..,...,..1_•.~.-,,. -- j~·~~ -- -.l~'l..,....,.J-;_.,,-
---~-
. ,_., ,,_
-··-.с. ~ --- ·, ·
·
-
·
-~
••,
.,. ,
.,,• •
_. .,-
-
- -- -: • (i - Jlpи ц0в.ышен-и~ · тмпсерв~уры окружаюШ:ей, • <.:рёды. Qт. - 8.5 -: дФ,- l25o-G · дoПiv•
~ти_м\я ~~~~~~сть ' уме:ьс!П~f~сR ~ине~но• • ,:
:+\.,-,, '_'·'·~ _
'-','~' _'
~ .;;
- ---- '·' .:
·:,s_
-_,
-
!&,,., ,.1~:, .. •;,:- . . l;e:.ci\.- 1::,:.,-.:::. ··,·
• ,, . ; ,... ,_J к.}f ~ . ,__._.-.---+--......,..._-+-,--t,--'-~,._.____._..........,_........,
[!кБ=s-в --
Zц "!,:.. -
r,::
. [..-
.,.,,..
,,,,
za
·,·,
,,,,
v-
- :,...,,,,.,,,.
_,
.J>
~~- ~
,;,;"'
---~
16
1,,,- '
-
'
•
~1
/
- '-"""
;1
.'/
-
:,..., - .. .
1Z
-
.;
/
,-- .
,/
~
___,
~-
/
,,
8 'I:
/
~
j
4
__,,,.-
ф• ЛI 6 -ZON~A___,V
,
.. ..
о
11'"
1/
О,З U,1./ U,5
и
4,8
1l 16 U~э, 8-

1hz,эl
-' -.·}![1.э
lhшl при I 3~1онА ' ·71 213, ·при- I/=IО_нА :
Пjf 111/l _l l
_
lj Iil 11111111
17
.
_ 16·
]9
1,1
:---~ '
:0,8 >-+-/_./_+---+--+---+-+--~. U-к·-Б=~О-· ~- I _·-· _. '+ - --+ ---1
J
r'= 1ав· ги. •
->-::-- 1 '
ц 7 J--j,l-l--- -+--' -+- -+---+ -f--~-
=1=
·~.-'-,1~
--
-+--+ ---+-1
Ц6 ~~•-'--;,-,----.,-+--'-т-.-'--~·-' ~-· -- ~1" _-·---..±-._,+; ~· 7;~ 0
·D
'__5 ~,--~ clD: -./, 1.5;,- j. Щ X5.f6>1.~
.:.
.
.
..•.:· .
·lI(
. ·'·);:f: '.1~7:jj\
.· ._ : rтз?sд.t.ГЧisв .,, .JJ:(l.2~~ ,_ : ~; ::
j
! : _,~.--'- i ~\~..-~.
!
Общие ~ведения. Ге~маниевые высокочаk<tЪтi~ые t'пл~наdно =эпитаксиальные .
p-n-p-тpjl_l;IЭИ,~TOPl:i! пр,е.q_наэначены ДЛЯ Jе6риро~ан~я, rсилtн11,,я,- преобразова-
ния коле_баний ._ высокой . частотt;,1. ~-
, __ -"-i
•1
'r ·_
---,"
,---1'••
Ко.рпус металлический, герметичный; <: tибкичи . ~!J\1}6да1.(и (vис. Пl.24; а),
Масса ,тр,щзистора не бi;шее 2 .r .
--
''
,•.\
---
1, -,~.,,.с;:;:,:., Т ,;· -: · ·
Условия ~к~пл~ат,а_!{,ИИ -в:coorв~~Bt!f ~"f--~1 ;л1:~Г~(., !11,
Электриче~кне парамет:ры. 1кл~~~и!:!{h,-~ц~?,~ы~L-~-а-~~71Р91!\
1,.
-,.;.,--Г-г~, 21э· ,' J , 1 •
;
Статический коэффициент
кавсхемесОЭ~
ГТ328А
ГТ328Б
ГТ328В
8 Зак, 503
••• •,.-1
-
:••
:
.:·~.с·Jk~-· 1 1,,;L1 _:
~
;
1j-
μередачи i то• 1•
h2э
20: 200
'1,40 ,200
10•id
5
5
5
\0,25
3
3
3

Значения
Режимы измерения
<Х>оаиа,
'"
1
"
--
oi
С)
:s: g J;j,
с(
Наименование
wuиe
':i:
00
:,
~
:i:,,
.. ,,,
2't;
"'"
i (Т)' (Т)
""'
.. "'
.
":,
:е"
.:,
-
.:_
,.
'
llp!j Гс= +55° С1
206005
3
ГТЗ28А
ГТЗ28Б
406005
3
rтз2вв
10 210 '5
3
при Тс=~45°.. С: ·
,'
200
3
. ПЗ28А
•
,
'
, ·-...
·'
5
5
П328Б
102005
3
ГТ328В
3705
3
..
,
...
"
,'
Граничная частота коэjФцfj!иента пе-
редачи.тока в схеме-с О•, М щ
frv
.
П328А
..
400
10
2
ГТ3286, ГТ328В . ..
збо
10
2
с
пФ,
Емкость э,миттерноrо перехода,
Сэ
. • ГТЗ28А...
,,_
2,5
0,15 ,
10
ГТЗ28Б, П328В
2
0,15
10
-
1
1
1:
11
Емкость коллекторного _перехода, пФ
Си
1,5 51,
10
,,'
i,
-
--
Постоянная времени цепи обратной СВЯ·
'
ви на высокой частоте, пс:
, t1,
1
ГТ328А .
5, 10,
2 100
ГТ328Б,- . ГТ328В
10 10
2 100
'
-
••
~--
.
--~
-.с-
, ...
-
..
..
Коэффициент шума, дБ
-
К\)
1
7
1
18Q
ш
-
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре Ol(PY·
жающей среды Те =-45. .. +55° С.
Jк max - постоянный ток коллеr:
ТОt?а,_мА.... •
.
.
..,
..
~-
10
Иэв max - пост0янное
напря-
жение эмиттеw - oa;ja, 1В
. 0,25
Икв max - постоянн0е • наиря•
жение КО\lJлектор - ба·эа, В , 15
•И КЭR max - постоя .нное
напря•
жение коллектор - эмиттер
(Rв~5кОм), В
15
Рк шах - постоянная
рассеи-
ваемая мощность коллекто-
ра,мВт........50•
Допустимая температура O1,ру-
жающей среды, 0 С
,--,J-5... +55

ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329В
Общие сведения. Германиевые планарные п-р-п-транзисторы преit'н.азнаr~е•
вы ДJIЯ работы в усилителях Е,3Ч и СВЧ диапазона.
..
•"•'
'
1. Корпус металлический, с полосковыми выводами (рис. П 1.40); -~iacca
транзистора не более 1 r. 2: Керамический корпус (рис. ПJ.39)., масса тра'i1~исто
ра не более 0,5 г.
'
•
. Условия эксплуатации - в соответствии с 1·абл. П2.2
Э;1ею рические -параметры .- К111ассифи11а11ионные параметры,
Нз именоnа ·ние
Обратный ток коллекто-
ра, мкА: •
_
:
при T,=+60°G -
при rс= -'60°·С, _
Обратный ток !IМИТТера,
мкА,
ГТ329А, ГТ329Б
ТТ329В
Модуль ко;Эффи ·циента
передачи тока на высо-
кой частоте~
ГТ329А
- ГТ329Б
ГТ329В
Статический
коэффи
циент передачи тока в
схеме с ОЭ
ори Тс=+60°С
при Тс=~6О0 С
Коэффициент шума, дБ
ГТ329А
Емкос~ь эмиттернаго · 1
перехода, пФ
__
.,
Емкость коллектор но.го
перехода, пФ .~ • .
ГТ329А,
''.
ГТ329Б, П329В
-
lh21al.Kш Ск,l_ к• _.
Обозна-
чение
/к"о
/ЭБО
/h21э1
·•.
С11
.,.
мин ·нмальнОt-
U,04
0,3 ·
0,1
0,025
н
4
5;6
3,3
5
,· 50 ,,.,.
5
8,2
·11
--
6,5
·~ •. '11,·,
10
'-:,- -5,- .,. ,. :.;,
10
5
5
5
!., ~~~
15
300
5,0
О,8h21Э(25"С} 2,_5h21Э(2,5~С) ~ ..
•,r.
1/Зh21Э(25°Сj 1 ,2-h2!Э(25°С)
0,75
2
,
5'
.,·
0,75
3
5
5 300
5 зоо·
-- 5-- зоо·
5
-5
5"
•-•
30
..зо
227

Значения
· Режимы 1:1змерения
.
.
Об·оена• --:
..,_..,.
·•·
. ...
..
• ~~-
.
..
Н8имен0вание
'°
<(
=
р:,
;s
(;..
чение
мини~льное ма ко имапьное
:t
'
;
'~&
-11
'
'
::,
::,
..:
,.
1
'
.
,.
1
Постоянная времени це-
пи обр.-а-гной . свяад,~на
-
•·· -
высокой частоте, пс.:
·'tи
15
5
530
ГТ329А
,
i
ГТ329Б
30
5
530
ГТ329В.::::t:- -:: .
~;.
..
.. ~-
•· ..-
-~--
..:.. 5 . .,....
20
5'530
•-'
·~
..
<.
..
'
г· ~-~ 1~·-
маJсимально , допустимые параметры, Гарантируются при температуре акру•
жающей. ер.еды n =-60. .. +,60° С ,
•
,.•
f~-
.',
;~
~
-;·
/к max - постоянный ток коллек•
Икэх rnax - постоянно"е
наn ря-
тора,мА....
20•
жение коллектор - эмиттер
Иэв max - постоянное
напря·
. ....
при запирающем напряже•
жение эмиттер
база
нии,В.... '.;,_.
.- .. -:·;·
10
(/эво = 100 мкА), В1
Р}) max - постоянная
\,.ла·Fреи-
ГТ329Л, ГТ329Б
0,5
ваемая мощность к·с~~е~то-
ГТ329В
.
1
ра (Тс~40°С) , мВ,т"''· ,~ : " .
50
иКБ rnax - постоя иное
напр.я-
тD ma:r - температ.ур,а. . .i.цереходц'; . '., . ,
жение коллектор - база, :Бt(~-'Il'O
·~:
• 1i "t 0:1(;.,;.: ,' , .
.
'.'•_;•.•.
.
:'·.••80'
Uк1 >ЭR - постоянное напря-
Rт, п::_~ ~ тепловое сопротив--:nение
rnax
.
.
.
переход - окружающая сре-
0 ,жеми~:- ~ллекrор ,,.. .,. !. ~M<JfTTe.p • • : " .
,::,' •:i:,'',:да;·~'€/МВТ':.
,:·:,..;,;:: ..
_
_
;.0,8
(R ~ . ~ 1 кОм) ,.:-l}s;·,:.to\).U• -· .
· ·,с:··.:•~ ri ;., .:допу'стiiм''ая ё , -темnератур2 Ol<PY· .·
,~,}!' н!,_, ~,,,ц ,r·.,,,~';, i:•,.i/i;,,,_. :,. ,,;,,~: ~;:
•'
,:. ,о•;" жающе_й ,(ф~,!!Ы, 0 С · · , -60.::+ '60
l) допускается мгнове1Ьlое S!li!'ii'eй·иe ' Шнfp!fжёi-i:~я" и;ь,~ н~~о'лее 5 ,5' в . nри
f = 21°п~~Ц;Тс = 40.,;эoь't:·c'1'1"lJ:~ 1Y1Iв·fJ'~';:ft;;'->i T;j)1Rт, ~2/"•
•
•
•
•;'~~
. ~~l:.J: '~:: 1~_
'l,t\
г-с-,-'--,--,--.---.-=:.:;;;;-,
Iк::~J:;:~:-;fP •'·~~ ~~
-~
::;;7,: :,~~ ! ~: ~lj••••
1·~ ;, :Ji,?-
_.. :~
''•.""
,,,,0
:- ,щ ~~j ..:. .::; ;r_μ --.: 1--- :;;, k~~= iг-- J
з:S , ;l~
-. ,:. .,
-~-
,.. ,, ~ ·-,•>и:,,
}~'
•.i -
,~,
-; ~ =-~1,ak-"- -5"9~~=. ..t;; ~:F-=~~
10
~
i,
-~---
~~11 :,.
фЛI6-1S:мNА: _.. _~.,,.
- -r~_,
, ~ ~1~~;::1~~:j;;:t:~ь,-~- tf. :t1-:-!1-:•--!;:-1:1~~~
о
zз
6

о
1
f=jaнru.' :...:::_li1
з
5
(i I3,нА
1. ';(.): .•
---
r., -: .: . .'ti; ;\!.\
' .!i:,,,,
• ,•.-
j.l•);
,,~:.•,
":-,_ ~~: ,',('• .:,•
• Об ~и е с~ ед ~~ ия . •:.Г~Р~!З•н~:~~в'ы~:, планарные п-:р....п,-транзисторы • • пр~дназ11а•
чеяы для работы в пряемной,,· .У~l!Л!{Т~NJОЙ и другой ап11ардтуtiе. : •• J:,.
• :се.
,,ч
· ; Koprryc металличе~ю1i1, rер~е:r~чный, с полосковыми вы~одами (111 ,40).
Масса транзистора не более 2 r.
·- .. ·---~
_.,,
· Wсловия
экспл"уатаμ.и11, ,- 8 АQЩ!;\~rс.J$ИИ ~ С; ,,Щ~~; Qi;~,i{.;;т;.1\J, U.}Г.') ';Я:;.-,,иГ~ ~,
Электрические napa~~тg!J!~ ~л~i:;,c,ифlJ~i!J~~p1н~~~. 11~a.~ atiPl:~i J):- -~ , :."'
1;;~'пОf~ ,,,,, '.
1t21э , lh21вl, 'tи, ~ ·' •
r,
·•
..
Нilиме11ованиё·-
Обратнь1й ток эмйтте-
ра, м~А ;
Граничное я·апряже- 1• l
,_ :_
-
1
ние транзистора; В • И кэо ,р
6

. ,...,
·-·
~
,..,
.
..
...
.
-
.
Значенил
Режимы измерения
·-
..
'
Ооозна•
Наименование
МИНИ•
мако11• · .:О
:ц
"'
"'
.,:
=
;ениr
:.
:.
:о
""
-
-
мальное
мальвее
~
:;:
-
.
.--
ci)~r111
:::,
:::,
..:
Наnряжение насыще-
ния коллектор-эмит -
тер, В:
Икэ нас.
ГТ330Д, П330И
0,3
202
:
нагiряжение
...
насыще-
IIИЯ база-эмиттер, В: Ивэ uao
' ГТ330Д,: П330И ..
'
0,7
202
Модуль: kоэффици'ен~а
'
'i.
..
. передачи
то1<а .:на · вы,
..
.'
сокой частоте: ·1
..
•.
l_h~a:: 1.
Гf330Д'; ГТ330И
,.r
5
5
5 100
'·
-·
,.,
ГТ330Ж
10
'
5
5 100
..
'
..
'
"
.
.'
"
.
•-.
.•
Статический коэффи- .
циент- передачи ' тока в •
.
.
схеме с ОЭ:
h21'::J
ГТ330Д; Л330Ж .,
30•
400
5
5
ПЗ30И
10
400
5
5
при Тс = +55°С
О,5h21э • 2,5h21э
5
при 25°с11ри25°С
при Тс=-45°С
О,4/1 21 э l ,5hi1э
5
!
nри 25"Спри2°С
--··-
j
li
Коэффициент шума,
дБ: -
Кш
ПЗ30Д, ГТ330И
8
5
5 400
-
Время рассасывания,
НС
tpac
50
202
.
Емкость эмиттерного
nерехода, пФ
Са
5
0,5
30
..
•-, .
'·•
1
'
Емкость ..коллектор но-
:
го щ~рех-ода, □ Ф
Сн
3
5;0
30
~30

ЭначсН\IЯ
r'-~~HMЬi И3мерени~
Обоэьа•
Нанменова нile
мнна -
М а'КSИ.·
::о
.д
<!;
<!;
<!;
"
чени е
::е
:,;
:,;
о..
мальное
м альног
~ (Т\
:;;
~ед(!)
:::>
:::>
-
.:.
Посrоянная в р емени
цепи обратно!! связи
.,
,,
на высокой . частоте,
,
'
..,
ПСI
<rи
;
rтззод, rтззо и
305
l.,5_(зо
rтззож
50
5
.
...
530
-
~•r
-
Максималы10 допустимые параметры, rарантируются при тe ~1iI epa;i:ype ; 01<ру•
жающей среды То ... - 45... + 55° С.
/к mн - посто янный ток KOЛJleK•
тора, мА, ,
.
.
.
:-
.
.
,
20
ИЭБ max - постоянное
напря-
-
женяе эмиттер - база, В 1,5
Икв maa - постоян ное
напря-
жение колле к тор -:- база, В
.
10
Икв , иmаа - имnулъсное . напря•
жение коллект о р
база .
(t.=s:;; 1 мкс, Q;;:,;, 10), В .•
,
20
\)
•
.
Рк ,nн - постщнтая. pacce1r• __
•
•
'.
,·'
!
ваемая ·мощ н ос•rь , r< одлеr{ТО• , ,
ра (l'o=-45...+45~9,. м{?т : ., ' 50
То mа,, -тем.перат.ура -, иере х ода, ,
0С
'.. •.
-:.,,-..
60
Rт, n-c - тепловое сопрот11.вление
пер~ход .;_ окру -жаюшая сре-
да, 0 С/мВт
.
.
.
.
.
.
1,0
Допусти м ая темпер[lтур)I акру- .
•
.
жаюшей · средь,~-,_"0 ,G, . ,-,-.,45, -', +&_5
~J При повыш~нии Та 01 45 ,цо 55uО Рк.·шах. [мВт! = l50 - ' (Т0- 45)]/R11, .а-
0,08
О,Об
0.04
o, oz
•
1 ·1'
'
о
~нэ=581-
,
/
/
/
/
/
.//
/
I
V/
,,.
.
;
zo
16
1Z
8
lj
ГА-
-·
'
•
;
.,.
'
',, ft·_ ·:
.
.
,·
..
'
/
~
,,,,,...,, ..
.,,/
'
--
,,,.,,...
~//
,.
_..
//,
-
-
.
,.
-
,,,,,,.
.1//
1"
~
.,,,,,.,
/ГI
/
-..;./ ) '1
-·
1,'"
~" ./
,.
i .d lБ=Jl,Ot~A .
.J
а
IJ,2
0/i
а
-23 1

,
Общие сведени~. I<ремниевы~ планарно-эпитакс~а,р'!!JР',е·,;J'.~r.-р,'f:р~яэисто•
OJ l)Ы предназначены ~ля ~ереключе~ия, усиле~ия ~,· генерирования кgл,e,~1a,i!I,~ J~Ч и
-=СКЧ,.,ци1ш.1I?ш1а. адакже-для,.исЛQJJl!Эо»а1:1и11 , 11. др~rпх
__ схемах.
.
.
_
_
_
'
'11ри варианта корпусов! металлически~ (/), см. 'рщ:. Пl.11, • рла_<,тмассовые
,
1, (2, 3},, см., рис. Пl.~(:\, Пl.27. ~ Масса транзистора _ не более Q,5 r (1); _О,~ 11 (2)i
~:J!&__r;~~t,:riгэlёплу~~~iiiи~;=со~ветст=вни/"та~л.' П2.2: .. "• · - -_- - · - -· :
•-_.·•
Злектрическ~е параметры. Класс~фи~11:цион11ые параметры:
1
•i
,:;: f1 1,щ_,, j hщ l [ ,liac~
•
'_-
•
'
8А-:1ч~н·т~·r.
~·
. ---
~ _,..,•• .,,,. ..-_ "',........
✓---- ·-~~
•.
.
•
.,
..
•
,;,: CJ:11} i~ .~~~r~~~~.a_внJ.;,-; се, , ••~::::: ,,,, • м~.::..~:: 1·,. м_ ~ка_ н_ · :,
-,:,-
.!l
-
'
1
•• м8J11iнФf ' !; -·· :.~~лр~Q,~-~~
•
t ':g1 :i<;
"'
а::
б~J ~:!а~;~% i~iкt1~~:~;~т ;~i0 j
l),JJ Об·~~;~~-й т~~ э:ит~~~ ,, 6"/' '- 1
1);~~,м-~_1,,:,',J,-,;;, 'i •:;,;::,, . ;·:s ,·. •
.
/~,i?Q ,.. ; ·
8llaiiit1i '}6~ii6;J\;~ / ','"?\}:
-' 1 " rr(Rор-эм!Ои~О,ер ,,) - -- - .. д ··
-
!кi;я
l-'11~
в~
к.-м#, •~мк ..r:{•,),;·
•:~r .;•._
i]. 1(1 "
.,
~
,..
::...:.•,::-::f.. ~ ~-
t;r· . i-.
5
Нf!'(].рю1~енне ,; ,насыще- ,, ,,,н,--,·,,, ~:::
-:,','i•c • :·-1 ,·
(;ii ·-J::: ~к:ллеК'tсrр ,.....-з:цит•l ~ •:J·;; : нао
,- б;·2
_,.-.
,,
~и8япр;~:ни:ми~~~~t~~ t ~:се,г -м,., ! r • - '1j ~ '~ \ : :: ·, 1
•Мод;~ь~"I tо'эjф;ц~·~'!-- _
i: Ta • перед~ч~j тока , н:а •
· в·вн::окоli"частоте: ' - " -
'-' I<ТЗ37А ,,,, ;.;
-',
i<.Т337Б, КТ337В
232
1h21ii 1
,-, .
..
'
30 ·..
•125 ·о,з.
50
125 -- --0,3
70 - '140. 0,3 •-
О,8h21э 2h2 IЭ • (},З -
, при 25•Спри.25Q:С
-, О,Зh21э
при · 25~-с
б
б
10
,10-
10
- 10,
-10
10
10
100
100

1
ldaимelionaaue
Время · расс3;сыванин,
нс:
КТ337А
ктзз1в, .ктзз1в
3вачения
. Макснма-льно · дon ycт itм i;i' ti' ' Qa pa м ~т'pJ;,\
Гаравтнруются op'i(Y~ii!JiёpiN,ype окру-
жающей среды Те--.:40... +85"(;, • • ·' • •
;
/к ••s - оосто'янныА то'к ко.iiлёк:-· --
-
·,-
., -для корiiуСС>в--1; -з~ . ~
---;-- ; - ,- 150
тора,мА......
80
для корdу'са';.2 ,"""-; },ii ,, , - ;:1 ; 100
' Uэв max - постоянное
иа'пря• •
'·'-' ; '
•
-
А.:,,,,. . ,.у,:'
.
жеиие sми'ттер ___~-'база,' В ·- ;·" ·4• - ·--~--тв о{ах~·тем ·пература~--11ерехода,
Uкь ma,
-
посrоянное· карря-
•.
0С
." ,"f'f,;:~·--: ., ;с. ,., i1,-,,·_, ;"',, :i_ <, 150
·женне !(ОJJ.Лектор·- - б_!\38, в . 6 _
. ~ ---~. 1:{~ ~епловое сопротi~\;}Iен~е
Ик;,R ~,: ·.; .;: постоян·н·ое _ - на оря• '
--
•
'niфехбд~.:: okpYiк._~юJ!i~!-:cJe:_·
жение коллектор - ,миnер.
да, 0 С/мВt: '·" - ;,а, '.с.,-., .. ., _,, ...
(Rn~10кОм),В.•. ,.
6
1 дл'~ к:i>pn_y~0JJ ;1,й/\'~ " ; -_; ,:: ; 0,6
р~>max - ПОС'l'ОЯННЗЯ
рассеи- -с
-'- -• ,- для К~р11у_са 2_ ,
,
,,_,,_;:_;0,9
ваемая мощность коллекто• •
Допустим~я •-,;:темлера:rура.;:~:01<:р,у;.1
ра (Т.--4о... +60°С), М~Т i
i
жающей t среды, ,_1!10-;:;;;.~40. . .~+85
"
Пр• То> .~ 60"(1 p.:~:;~.;·(t '!: : ~~•ii';:';~:ii~!:~J
15
ta
!~1~1;:~
_
__:Е-~__,~~
·-;:,.-· h+~~:::t=~,Ja~, '.',~
_;....-
1/
О1З:,5
7 1lкз8'i, D
11ТЗЗ7А -,:Н6 =iJ,Ь5нИ; l<ТЗЗ7Б- '
-А! б=D,O'J5t1A; ХТЗПВ-ШБ--=О,0~~~~ --
1т-
--~Т-ЗЗ 7k >--
-..
'
за чо :, •-5fJ rэ,нА
'}·~~ ?. \
.:•:· ._._ ,:r,:"' -- ·
233

1
1
(1
1"·-:~
~
-
))!
'
.'
.
.
,
•,
..
•
111111111111111111ч1:11,1 ,
',()17
18-
.. 19 rтззsА, ГТ338Б, ГТЗЗ8В
:,, , ., . dбщ~е св~д~н-,нi . . Германиевые •лавинные эпитаксиальные сnлавно-диффузи•
онные р-п-р - транзисторы предназначены для формирования импульсов с фрон•
том наносекундной длительности.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими вывода:.1в (рис. Пl,37),
Масса транзистора не более 1,2 r.
Условия эксплуатаuии - в соответствии с табл. П2.2.
-.J
"' ' -:··- ·.·-'
<;, ,Электри'чески,е п:ара-'метры:' Классифи1<ационный параметр. Икэл
~:-!" 1
Значения
Реж-имы иэ·мерения
,:
.-
·_Н;,
Наименование
, ")'):'-
.'
·
,
"
.'·
.
).(
',
Обратный ток коллектора, мкА
при Тс=55° С
при Тс=-40°С
.
Обратный ТО!{ коллектор - эмиттер, мА
(R в =2000 Ом)
Напряжение в лавинном режиме, В
(Rв = 75 Ом. UА;~0=! В, Сп=40...60 пФ):
ГТЗЗ8А
ГТЗЗ8Б
г
ГТЗЗ8В .
,;
•r·
.
.
1) •'
,,,
Время нарастания (Rн=75 .Ом,, _И А зап':"
=1В),нс 1
-- ·-
-•
.
.
Емкость коллt:r,торно1·0 не.рt:хdда, -- пФ
') Напра,1/еняе - запуе«а;
!
:
.
234
Обозна•
ч: ение
/КБО
l'к_э R
t.
lfP
"'
"'
•а:
:,; ,.
""
:,: ro
":s
Q,04
,,' 0,2
0,001
.~
:,; "'
".,, .
~i,;·
., ..,
" :,;
30
500
5
1
.1
CQ
~:::,
12
12
12
20
х
"'8 ,
1 (f):
-
-
~
: ::::i
·2
'
5
«:
CQ
:i;
(1) ~
:::,
..,
::(
""SI
.. ::
15
15
[5
15

Максимально nопустимые па•раметры 11,
окружающей среды Т.=-40... +25°С,
Гарантируюrся при температуре
_
__
t;
2)
-
'кл max - ПОСТОЯННt>) А ТОК - КОЛ•
лектора в лавинном режи -
ме, А ...
,
.
.
И11..э прос; mах - пробивное на-
пряжение коллектор - ~мит•
тер (Rв=2 кОм, /э=
=1 мА), В
20
1'11 m'•• -
температура пе рехода ..
•С
,
.
,
,
,
,
,
•
·•
·85
1
1
1
1
1
..
ГТJJ,ВА при Rн = 500м
ГТЭЗВб
Q9
,,"
~~
J
~
........
.... ......
11\
О.В
.......
\:~
'1
P}J л max - посто;явная
р~ссеи• J
ваемая мошность коллекто- .
ра в 11ав11нном режиме, мВ_t _ · 100
R,, о-с - т~шювое сопротивление
п.е;р.еход , - окру,ж,аюшая ере•
щ1, 0 С/мВт, ,
.
•.. .
.
• 0:,6·
До.nу~тимая температура окру.,
жающей с.редьi, ~с· - ;l4.o :.. +??
1 ) ,',1инимальное заря лное ~оп ротив
.r~ение , R ~a -p = .2 1{0М, .,·,· 111 а~~с.и м а~1)ЬНЭЯ
форм.ирующая e_lv!_l{OCIЬ : (:'ф ':"'68OO_~ !J.Ф,
2 ) Пр и повышении температуры вы
ше 25°С ток необходимо уменьш а 1Ъ
на 5% 0т начального через каждые
1о~с.
3) в диапазоне тс=25 . ..55°С
lРк, л max _[мВт) =(Тп-Тс)/Rт, u- C•
-·
i11
1~1.. -- '
J,...,-'"'
.J'25 /
1-- 40
-
-
].....,, -' R~-500м -
~
\
t--
~
r>.....
_.,,.
-
1--
,_
а,7
0,6
-40
ГТЗЗВ 6 при
-zo
Rн=5'0 ан/
D
+ZD
Ик=ZОВ
'
Иэ=1В ~,
.
1-
.
1
.
,
+41}
235

5J. (~; r. :' '::·.: .., \ •.~ ·' ;:~.;_i
,:,_·1;
~-;",. ;·,д-4~.;
11 /11 ~:~~цu: IJ,I ilJJ}:)~(Ф/"!';~y~~.,;~~ ,\
11
•
1s
19 ··H,.s J{f339A
•':(-' .
,.-,
1)ё;~ а· :,, ·'_)·•r~.,;.,., ., . . _.)~)--• -"'~~;,, :·
,;~:)
& -~··.::"·..;.
. ~ ,,.··•
~. -.:~,., ,.
:06 ..
;,
:~·-iY/~•~:.,,; ,\
'~~ :)\;
~--.
-~-
..
-
_t~
<;}Ji.Щ~!, •~i,l!ед1щ;'lя о,;; J~:Р!;JМ·ИИСВ.ь1_е, . планарно,-эпит,аксиальные ·п.:..;,.:...п-тр·а11зисто•
w. 1предназн~ч:ны для. примен:ения _ в выходны_~ ~аскада,х УПЧ телевизо'ров и
в др)П;И;Хt уст.ррисув~?,..:;, ~с; :,·,· :, • .·.<
•
•
1J.d 1 ~QP -~·YC-. -
МеJ аЛJJ;!J.!lе~нi\, :,.l'~lн.~етичн'ый, с ги~кими . -::, выводами ,,; (рис. п 1.21 . б).
Масса транзистора не более 0,4 r .
. ,,.
,
··
-
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.
t---;,с:~' --""'~· ...,,.,.: :
:-~ : --;
•
-
:
-
-·
Обр ~тны,й ток колле1<торi;. ·м:д--
1"· -...._. • -,.- •,~..-• •
•.
•"
~•
••j•-•u,
•:.•
'
Стат~чесkий· '~козффиц~~нt: ;' ;~;;~:-1
-···\; ..
rоТка 1_~ _<j_!l.! e'~:0 .~- :. -- +:.: ~':; •\-:: -- ··- ' -
--
_
_Н- с21 ,э
о:же'
;,
1
:
,
1
- ,{.
в ,РJГр-м··режи~е- ·:-· - - - .;..- - - ,
-
--~--
-- -~
.
'
.
Граничная частота _ коэффициента
передачи тока в схеме с ОЭ, МГц
I~..-~~·~ -~ -
_._.,,, , ,
Прямое :нadpя>i<-eнiie -на claзel В :
235
1-
'
1
Uв'd'
3на.чения
!S
;1 ;~
..,
",JJ
111,JJ
;; ;i::'1
.~ ,;
1~ '\ ~-~
jo,001!o i oo~10 ,Q~41
25 1;;0 .100_
15
.550
,9
Режим цзм"ереН _ня
.Д
~
::i
40
1
10
2-
.
10
о
"'-
:Е
&
7
20
5-
5
7
..\
'-'
""'~
.:.
:f
'
•
35
100
5

\_
Максимально допустимые парамётры., ,Г,арантируются '!РИ~_,:еу_п9.ат}(Р,:l окру~
жающей среды То=-60°."+15O°С. •
_
,,r. -. . ·, ,:>;:, ,_.,._,,!;е/
-
1-. aa:r - постоянный ток коллек•
<ropa, мА
._.
.
.
•25
U·эв · mах - постоянное напря•
жение эмиттер - база, В
4
Uк.5 max - постоянное
напр~- _
.• ж1щ·11~ - - !{~ллектор ~ ~З;iа; Bi:::::·19 ,,:, ·
UK'::! max - постоянное
напря-
жение коллецор. ....,..,._;~миттер, ,·-" • _
В
.
.
.
•
.
•
•
•
•-25
1~.мА
0,08
(07
0,06'
0,05
О,Оц
о,оз:
ooz:
.'
Рк ma:r - пострянвая' - ' • раёсеli~-;-ТП
ваемая мощность iоллекто• !
-~-,' рА, мВт
'
~-
при Тс=-6O... +5O°С.,
. 260
при Т•= +150°С
.
.
.
•
60
, f;, п1:~i '-"" темnература •: Ч1ерехода :
•
0,с·- --·•.-J;, .··- ~
-
.•
-
/':·, .-,. 'iJ'/111S;i
Допуст_имая тeмilep"ii'rypa- ' iжру~ ·-;,,. в
•'·,-_
·· жа1?~е,~· 0сре~ы, -: ~.с ·:: . .c~ ~~~;;r!~?,
'
·- .·.
' .._,
'
.
,.,-,,' ,_
,_,_ .,, r,
~,.
1 ,.,,.,~ ~
1~ ~;.; 1" ·11\(t~l · 00
!.,.,а_~ ,_ +--10 - ·-·-,-w
у -31}--- --- u~~-.--fl--
---
jii Ji~$. ,!bl_';Jj~J1i~}:;~0.»1
i.'. il'IQ'Jl·;)[~RЧ
~Шti}:JP,~ ~п ~rq (1 i
J.
~1 . i'C1 ":/60 !. !!il ~i .i~Zt ~-
fi. t~Q '"if t•tt-'t.~t«:цSЧ![
·f'к,лс:- - J--hzrэ 1---
·<"P!l!J.! 'i, ,-,i Uк:r.F; 10 q,;,1 ~s,M;/5~ 1j•щщ ~ \,<:i:r.:t!II
,що; .ю h!....
, -1---I---J--1---1--':~ t+,,~-,-.l
- f,-
' --1--
-i ,,~
i ,"--, -
для Ih2/э 1; UкБ=10В; f=IOO нrц дJ. ,;RT:1
_
},
,1!0; 8 1
7'
60! 6
5
чо: ч
з
zdz
1
о
6
.;....
..-- ~ -·~. ..
~-..--
--=~.,,..,---- -;,=""-"~
-~
~-
V
~r--.....
• {1t j;;·{{l·~ :]~~ -
:t.!J:r2'f.Jl;.~·J , i~ ~· - f",,/
,,.. L \ ' J;ir-;:]:i~
• ~.н..·i {
...._r---.
.,.......-(.~ J~·;it;;_ ~,; ,,x:k~·:,J. ~- gi a-Jt
,:::;;;·.:.:.::.:_ ,, ,.,- --~~- -~ .:::. ·;;; ....:::: :,;,_~--~-✓--J;~ ...- - - · · · - .-
--- -=
10i
1Z
1_4
.:,
.,.._, ,·. ,
·~,
16 18 Iэ,~
137..

ГТ341А, ГТ341Б, ГТ341В
' ·' Общие · · сведения.
Германиевые планарные п-р-п-транзисторы предназюf•
•ены. для усилеция. СВЧ . сигналов. .
Корпус металлический, герметичный, с полосковыми выводами (рщ:_\ Ьl~_О),
Масса транзистора не более 1 r.
f<:онструктивн1J1е _даннь1е1
емкость между выводом эмиттера и корпусом •
емкость между выводом коллектора и корпусом
емкость между ·выводом базы и корпусом .
• Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.
,
0,5 пФ
,
Q,6 пФ
,
.0,5 пф
Электрические параметры, . Классифика ц ионные па раметры1
lh-2,вl, Кш, Иэв max ·
Режимы измерения
На.имено в ание . .,
Обратный то.к коллекто 
ра, мкА~
при r.--60...+25°C
при rс=+60°с
'' .i
-
• • чение
1 кБо
•·:
Моду·льс; • •. коэффициента
пееедаЧI) , ТОКа Н; а, , ВЫСО· ,
1юи частоте:
'
:•'-•'
..1Н2iэ·1
ГТ341 А, ГТ34 Ш
rт3'4'1Б
•
Статич ес.кий : . .коэФФиtiи 
ент переда ,~и - ;rща 11.. , cxe-
u,eсОЭ•
••
при 1с=+60° Q,
при rс~~606с.
Коэффициент шума, дБ~
Кш
ГТ341А
ГТ34'1Б, Г:ГЗНВ
,,,
"
238
минимал~ное
0,03
0,3
96,6
3,3
з,,з ~ ,·
макси
мальное
5
50
4,5
5,5
cQ
:;;
::) .
10
10
5
5
5
5
·:>Q
(Т)
:::>
0,3
0,5
<t;
"'
m
•-
5
5
5
5
5
~
""
. :;;
..:
300
300
2 !03
.2
103
-i
1
J

Значени s
_.Р ежимы .!(~мерени: ;
Наимев0вание
Ооозна
qекие
мииима:льное максимальа0е ' .:с. ) с:о ._
~ (7)
Емкость эмиттерного пе- :-.1.·_
рехода, пФ
.j С0
Емкость коллекторного
перех·ода_, пФ
Постоянна~ времени це
пи обратн'ой связи на
высо1юй частоте, пс
Входное сопротивление
транзистора • в режиме
малого сигнала, Ом
Граничное нап·ряжение
транзистора, В • • • И кэо rp
2
1,0
10
20
5
:::,
:::,
.:
30
5
30
5
530
. /~,,.
5
5 10-3
[,
5
Максимально допустимые .параметры. Гар31нтируют~я при темперачре окру
жающей сред1;1 Тс=-60 ... +60° с: ••• •
/к шах - постоянный ток коллек•
тора,мА...
Иэв max - постоянное
напря•
жение эмиттер - база, В;
ГТ341 А, ГТ341 Б 1 ••••
ГТ341В • •
11••
1•
И кв max - постоянное
напря-
жение коллектор - база, В
.
Икэк max - постоянное
жение коллектор
•(Rо=0)., В
,
•
наnря
эм иттер
10
0,3
0,5
10
10
1 J Допускается мгновенное эва.че111iе
нt бо,!Jее 5,5 В пμи / ;> 20 .1(! .ц.
Икэхmа·х - постоянн.qе, напря ~ .. - \ 1';_ ,,
жение коллектор - ' э мriттер .
(при эаnирающем напря ж е-
нии),В....
-10
1)
'
Икэ R max -- постоянное
напря-
жение коллектор - эмиттер-
.
(R6 ~1кОм),В,...• .
5
Рк ша, - постоянная
• рассеи -
ваемая мощность коллектора,
мВт
.
.
.
.
35
Rт, о-с - тепловое сопротивлениё
переход _;_ о к ружаiощая сре-
да, •0 С/мВт
:,'0;8
Допустимая температура окру'
жающей среды,· 0 С ,-т- 50; ;,+60
напряжения • коллектор .· -· 9мi!ттер
,
239 -

,'
.J . ..++-
~-
/.r Uк5;5В
•
··· ,/
f= 1ГГи, -
~ '·-:--
--
.-- .
J
'
Кш
~
,,
<..
',,
К111 -- -
....
i
з4
z3
К:Г345А. КТ345Б. КТ345$
i
;.... -..
Общие' све:цен11я,._ Кремниевые ,; 1Jланарно -зпитаксиальныС',• р~п-р-тр,ц:нзистоf
ры предназначены для усиления и генерирования колебаний, а также для работы
в других схемах, , .
:
,
_
,-
.
,1 __
_ -·--
_
.
.
1
-
Корпуспластмассьщй~ (рис:- m.~7)--:-Масса _т_р_ан-зистора не более" а,3 к ·.·
Услов~я зк~плу~тащ~1• - в соответствци с табл. П2.~ .
:
1
•
"!
'
'
Электр~чесiие ~apaJe,:rpьi. Клас,сифик~ционный параметR_~
1
•
1: 1!.
},: ~:
j
.lf
Напряжение-'-'fЙIСЪi'Ще- ..' i'Z-' - ,,,:, , i •:-•" ·с,,,,,, , ,·,
ния коллектор ....змит,
'
,-, ''
'''-
тер, В
Икэвас
0,14
'К•'?l''-1 1"",, 11- ,,-
..
~,
,,.. ~-
--
,'+-"'

ОбGзuа, .
Наименовани_е
Статический коэ,ффи
циент передачи тока в
схемесОЭ1• '
h21э
КТ345А
КТ345Б
КТ345В
при Tc=+85°Q
при Тс=-40°O
~ Время рассасывания,
нс
.
Емкость эмиттерного
переход~ Ц~..-.. , _ ..,
= 10 д\Гц),_;;п<р_ ,
Значееия
макоимальвое
~·
~-
,-""·: ... .r
. ...,
-
:1i
1-~4 (~•
20
110
''1
.• (0()
50
110 '
.1
.
, iOG
70,
-
.110.1
•
•.
'-<' 100
о ,8h2!Э(~50(,) :2 .p~•2l~t:t5!C) -г~.:: ;,~: - -~ -· - -;:~ :7,:;. _ i 100
о,зh21 эс2&~~н .
1
100
70
100 10
.".iV,~"~:~ -~~: J ~
,
.
_
,
(•
..
:,~
,
_
~.
_
__
_
,
1.
-
•
}
:~1.~H~M1◊!/~:'4~-~iy
Ма~~и~1ально . 11.опусти~.!>!d' iiapl!Mertf~ jгa,a'il:i'ifpyюфя ·•&pit -r~1rпepasrype .окру, :
жающеи . среды тa-~-
~ 0°..:,-ss0 с.
I
i
,
.
•
:
-.-
1_. .
.1,--·--·-~•-·-
• . ,,..,,. ..-
...,
-,.--.... ~ -- --~У""'->:-·.-- --,..,., t_,..,...,...
-
-.~ -
~ ·•·-::с· - ·-
•
_,-=-=-
/1)
•
' р•2}
1
'
I< max- постоянный ток коллек-
; к max ' - - ростояннаr,;,,~,r,!\ R~С<;~~+· !01.<1\!'I ii{j~
тора,~А,: • ;
• ·~;:.·,
.
2o<J
1;
1\,1ва~мая } мо~!ЧJ.t:~~,: кол;~е_ктор.а .fu:1>.11 :"'~ifJШ
ц1> :_ имп льсный
-
·· ток
~:
; rr.(~ -:!4°•.. +зo ~>. ~В·:н:,·;· =31,Щ ~!Q,IO;
• -К, иmax
.
У..
_.. -· -,
.. - ....
_е·,--..
·-·
.
~~--- , ..,,,.-~.-
..
,. •«=·=• --.. -~··--------·-"~--
·-=- =
коллектора , (t~ ~
-
10 ~кс, Qji;;, -- -
---
-- i ·Рк: ■ ma:,: - -импульснiн,1 ,,_ ,рассе,н.- ~,, ;,.. , ., ,( ,fJ(!
~ l!)),., мА
.
;.-,
••
,
.
.
~00
:
ваемая :мощнqсть; коллектора ~
-•:·i 'ii~
•
••
___ _ .''
-~- - --~
--~- LL•~_
JO: мк(:i,•' Q;;,;,IОk мВт ,,._ ,6 _~ . -~- -· -
Uэв max - поётоя·нное ·
--
н·апря-
•
,Т
жение эмиттер - база, в : •
.
5 :: r 11 ' ma:,: - те~пература i t :дe.p_e]!jOД'I.;· ,1,;; :,· 1 , ,.,:,ac,'.'if
,
0С
, :;.
•
•
• :~,,~. ,i•·:i; •·-~ . (ti ,·тJ150~~ н-..rtu~i
::
~--
;:;~- -
:'\
.,t.•,,.i. J \< -~
J;,i
,~1$'J,
Uкв max ~ постоянное ': напря• ~ . '-'
жение коллектор --- база;: В
.--20•
- ' д.,, п-о.-.сс'J'еПЛОВОе -,соiiр.о_-rивлеиие-
---·
~·-- ·, <
nepe;roд: - окру>«~~~~!\ , ере, ,,,.• ., . 11 ~1;,t "·[
Uкэ R max ...: поЬтоя'!иое
напри•:, '
_
~~
1::, :'f~! •; _l,~: ~.. /'_ ! .: ·:1:_2·: ·_:·".::~~~·е1~ _ ~:,,,
жение 'коллектор -~
' змитrtф •--"
: 'Допуотимая, -' темпера:~-ура окру• >
(Rь~10~Ом)~В••.'• ,
20
;
жающе~ срщ,.ы. ~,Q" i, f ~0 .'.!±85, •У r.r .
i. 1,/;
.
; .. 1-·1···,
~·- ,. .i,,1C1~!~
-- --- --
·--
,
,
',
.
1
i:
• !·-с.':,\, -
._.,,-,•.f) ~..-11<'-,-
:~; ~~: .~r1;~e:;п~~?1~:н_:::&~~x.:,.c~~o~=.~J:~1.,::~~~l~=- -... '
_ : !/;~····
·a4t

fк,НА
j
]5,IIA
9
.в
7
6
5·
4
·З
z
Икэ=О
58/
50 f---+ --+ -1-- --J--+-f---+ --+ --+ -- --I
45l-----l-----1--!---J--+-l---+--+---+----I
40f---+--+-1----J--+-f---+--+---+----I
С-
J
J
/
//
Jj
о
'·
1,
VV
:. ,,
~
0,'I
0,5
0,6 .
110
100
90
во
70
60
50
40
за
zo
10
'
1,, -
---
t--.- ....
1...1,,;
.;..,_
r-,.;
1',..,
'
1,'
~ ...
,);'
~},..
,_
·-
1/
,
510 30 50
~ .....
..........
-
·-
"'/
".
'
. ..... ..... · -
1
_ _,,~
35l----l----l--+--_j..:_.__,.=-1---1---1-----1-----1
1 ~"""'
1,.,- -'
~--
L--'
30
"""'
~ L.---
zs/
L..---;
_! ,.. ..-
v -L-t'""
__;J. -- -1- --- -
20 i-1. ~= -+ -- -1:~~+ ---+ --+ -+:=-i ~
~--r-r ,~i--1--i----
.15•i---
1
·Ю VV
5-
V
О
4
8
IZ
IБ Икэ, В
/1.ТЗч5А -,1[ 5= О, 07511А ;НТ345Б -дlь = О,D5нА
i<.T345B- fJJ Б= 0,02 мА
·-"-
~-
---
...........
-
. .... ...
r--,.... .
\'
1'- -,. ._
........ , ....
.. .......
r--,.... k:КТЗ458 -r--- ......
~ .....
...._ _
--
г--
-....
r--,....
h
--
,.._ _
\
-
1--.
. :""'-,..
КТ345Б
1--.
1--.~
'
1\1
-
-
~ КТ345А
-
t--
.... _
t-. .
-- --
lfкь = 1В
--
-
,__
100
zoo
Iк,мА

1111111р11111111р111 1 111 1 р1 11111 11,
20
21
22
23
ГТ346А, ГТ346Б; ГТ346В
Общие. cвeдeilИIL, _ ·rерманиев~1е планарно-эпитаксиальные :о-п-р-траt!ЗИСТО•
ры предназначен1;>1 для · и_спользовани н в приемно-уi::илителыюй аппаратуре и
в селектора,х телевизионных кан11лов дециметрового диапазона.
Корпус металла-стеклянный, герметичный, с гибкими выводами, элеiприче
ски изолированными от корпуса (рис. Пl.11). Масса транзистора не более 1,0 r.
Ус.i!овия эксплуатации ~ в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Класс~фикационные парамет ры~ ·
tк. /рр, Krn, h21э·
Значения · , .J Ре}kИмы нзt-'fеμ е н ия
Наименование
Обратный ток коллектора, мкА
ори r...+55°с
Обратный ток эмиттера, мкА
(при U .:J =0,3 В)
!
Стати<1сский коэффици_ент i нер~дач,\
тока в ,хеме с ОЭ:
i
:!
ГТ346А, ГТ346Б
П346В
'
То=+55°С1
;
при
ГТ346А; ГТ346Б
ГТ346В
'1
015oзtia•
ч:еиие-
1 1кво
11 21:::J
-·
Тс, =-45°С)
при
1
i
,,:
П346Б
!
П346А,
__., :
: ,..
ГТ346В
•'
1
i
:
'
,
Граничная частота коэффицйента,_' _/ ne-r,_
·1
,
редачи тока в схеме с ' ОЭ, /v\.Г,щ , f Pf!
ГТ346А
•
'
•••
;
ГТ346Б, ГТ346В
:
:
1
,
..
Коэффициент
~rощн1ости_,.1 ,
усиления . по
дБ
Кур
'
,
1
;
Коэффициент обратноrq усцлен~iя пq
мощпости, дБ:.
'
1
Кур• обр
!
ГТ346А
'
!
П346В
:
Коэффициент.. шума, дБ~
ГТ346А ,
ii -,
Кш
ГТ346Б
ГТ346В
--
·-
1
i
'1,
:r
i;
!
r
,
\
!
1
i.! t
1
10'
;150) ,10. 2
15
1i-f:О1 ilo 2
'i•1
1:
,,,
.
'i;
10:
110 ,
?·. ,
15
1•~!
'
1
110 :2.
ii
'
i
\о: '
3;5
:150(
' ;2·,:,1
-
~- ·-
"'! ,..
~150°"iю-.1.
,
l
,-
i
1
'•.' 1
1,.
!
,
(1
i1'
!
;j
':1
'
::
:!
'1'
700
;~1i
,1◊ i 300
550
i1!!10:.2300
'
10:;51
Ji
'
JI
ij,,
1
1'
i2
i :tф
800
!
'
11!
'
1
1
1
-20
1
·;
'ld
1
:~
800
!
- 1:2
'1!10 2 800
.,
,,.
, ;,,
7102800
8102800
7, 10
2 800

.,
Зиачеиил
Режимы измер енu
'
Наименование
Qбеэиfl.• ,
•I1t
'
,.
· чевие
.,
СС1
~i
~.
=
:;.{
~
.
... ..,,._
,~
.,
~
·" " -:··'
..
::i
-
..:
~·
.,
~·
Постоянная : времени цепи · обратной
.,
связи H;i .. ВЫСОКОЙ чаСТО'l'е, JJCI
~
1-
ГТЗ46А :
~.,,- .
3,0102100
ГТЗ46Б;- ; ....--
'
5,5102100
ГТ346В ., ..
6,0102100
, ..,,:.,; ., , ~--
'
.
(
;
Оптимальный ток эмиттера, мА,
1эопт
ГТ346А, ГТЗ46В
1,6
3,2
800
Максимально допустимые параметры, Гарантируются при температуре охру.
жающей среды Тс--45... +55°С.
•;
,,,
,,;; ,,.
_.-
1
,..... r
•"
,,•r••
.,. ._
r~~~- .
-
'
/к 111.:Ji ·- пqс'!'Оя_И,!JЫЙ _ t o~ - 5о~ л :~ : I j.
иэв ~:-~~-1\s>~~i;я~й~~- : Vа\рЯ:; ,•°f:
пр~·1R~•~5~Ом,'' ,•, · , , ,
15
i.-;
•·,:\~' .
': ..
,·,
.·'
Ж~J!ие ·tми'!'т~р .- : - 'баэа~ : . 8-
_
..
,.• О.Зj
Uкв mh,,,-
постоянное наnря-
ж~ни·е'1ом~tар..;;.,Оаэ~i, в •.• 2d
Рк ша~ - посrо~нная; . ' paJceiв~e:
м11я : моЦJ.-нqст~ } кoJJ-71eкjo~a,
м~т,•,.1•:·,•:•i.,
.;
.
;50
тп m ai -,- тем!Jературl! :пфехо.11.а,
Uкэ ~ m1!;,.7.:;': постьянное· :, наnря- ;
•
ж~ни_е;~~л~iкТ:01>~~ :-:- э~йtj iP/ в ~ ..: . :
...-
о<;;i.J.•.:·;'.:";..,
.i
.';85
Доnусtгимая · ·темriература· окру•
жаюiцей среды, q С . · ,-40.. ,+55
D~l,i, .,!~ -~
,:,•• \
,- _•
_
• ::::~ 20i J
C~l,<:\:\. ..
__ ~\\..,'
·-;
.\,_ !. :
-- -. _..
1,
.
...
'
\
,._
;
•
\
'
!.~
j
.i!
IJн -
•'... ~н''hА ~--г'f=-+,'-1~----'-;..i~~--.--'-r-·cr- .;..
u•.
""-'...ц........а"-'...,._-'-'
-+'...,,__+..с.......-1 ~ -- ., ~ i
'
•
:1~
~~- : :~1
__. ~
t
...,
•i
,,, -
:
L,; ь;;.q,,,~1.,,-...р.,.,?1-~-,f-.::ц.,....:...+-- ·i 4,D 1- '-- +r--; -c -±!-
._
++:-+
: .i-\
_
J..::
:,.+~ё:А_k_~:т...,-";-=±.--.~--~~
1- ~_.~, !
: ~, ~v гt-·· ~ -::IS.: .L -7
' :i:::;8;::~v, , ,, ,, _
••_9:..,.-=
1
:::t· ::;::;;j;;;;;;j;~
~~~ 1--
.;\:,.
1
•
,
,
1
~
.•.
1·
.,,
4
-:.:-1:-! ··.\:
'
,'~~::-. -
1- ~1~.-1 :1:t·
~ -: •"\,•.- :,!'
~,
"1-н__'!_ ~:;,, , :чr ~-t: -. ·
·
?.1"7" '~- , -
.ii ;·1;":·:/;(.
'r-{r·

.,.,,,t,.,,,";:·-~· - --- -·-- -~--~-----г·· .,.. ·---~--- ·
------
'
-~./\; ·1
\.
~ -:: ''"-:тt•. :Yi·t: ;tr_: _; ,J tl. ~ l~k~f;,;:c;. ~ :fit!',•J{)
d-а1~-?;r1ГЯ ~:<t?:1 - ~: ·.r · ~
1,:•~-~ -У ·. :1:~·~-r•·:_1 ~. . ~ .~ :·· ··
,,);;;J~· - :•~f;:.
!к, пс
,оз
ц
\
'\
-16 1--1--l--+---1---1-..........
~.+--'---+-I--I
-l4.
r:---,.....
\·
-
1.
,.
,; :.. ..
1---, -1---1--1--- 'f<Яii обμ
-
•
,
-зz
.,·,__.
..
lэ; ;-,,4
а:
.·::
zз
•
1
11111111i11111 i11] 11111111111111i1,11 '
20
21
22•2)••
КТ347А, КТ347В,)П347В __ ,:
•J·;:::.:. ,i .ci~,t ,:l ~-~~1 _:;_~;;;:~у
::\ '::.li.- .1 ;):1:q,, .:':1._,_:
.•
-
jf',i '
., ,, ...,
=~ (~\)
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпи~-аксиальные р.....:п-р-транзисто•
ры предназначены для рабоrы в приемно-усилительной и друга~ аппаратуре.

.
_
~рР,_riус "м'еr·;,hлич~ский, rерметичныА, с rибRИМИ выводами fрис. Пl.11). Мас
са транзистора не более 0,5 r.
Усло,13ия " эксплуатаuии - в соотве~ствии с табл. П.2.2.
• Эле-ктрические парамеrl)ы. Классификационные параметрщ
Значения"
Режим"! · измер е ння
Обозна - -
НаименоnаниР
~ВВИ•
макс .и-
"'
"'
,,;
С1
..
..~ение
Uк, В CIJ
::а
"
:.
~
ма.п ьнt> е
мальное
(1)~(D
~
::, .
-
.
Обратный ток
\икm" 1
коллектора ; ·
мкА
1 кБО
1
при Те=
= +ss0c
20
.,
.
..
Обратный ток
'
эмиттера. мкА :
1 эво
:
10
4'
_,
- ---
-
..
---•.
Обратный ток
коллектор -
_эмиттер.
.
,.
(R u~IO кОм)
мкА
'кэ п
5
Ик ma,
-
··· ~-.
..
Напря_жен~е !ia•
·•
..
1
сыщеняя ·,. • · кол• -
лектор -эмит-
тер, в
Икэ 11яс.
(1).:~
i
ю1
i
'
..
Моду,ль- коэф -
фиuиента пере-
дачй тока на
'
высокой часто-
.
те
• 1.h21э 1
5
5
10 100
-
Статический ко-
эффициен'r пе•
редачи тока в
\
схеме с 0Э;
h21э
КТ347А,
КТ347Б
30
400-
0,3
10
КТ347В
50
400
0,3
10
'2 46

.'З начения
;
Режимы измерена-J}1
Обсt зна•
Наиме ·иование
-мини -,
. мак.о..:И.•
-
"
<!,
<!,
<!,
:::1
r:tение
:
Uк, В
:,;
>!
:,;
~
мальноР
·мальв0е
(Г)~J,а-,
::,
.::
• niи
То=,
сJ,бh21э 2,5h:i°~-э - .
0,3
=-85°С
10
при2s•Спри2s•c
.,_
.
пр11 То=-
·=-40°С
О,Зh21э l ,Бh2-1э о;з 1:,
10
'
при 25•Спри25•С, ,,,
,,
,,
,.
,_
...
;..
' ;-~
Емкость 9МИТ•
-.,
-.
'
терноrо перехо•
да, пФ
Св
8
l)
10
/ ,_;;·
,,
,·
Емкость КОЛ•
·,1,' \
,.
.
;
лекторноrо пе•
рехода, пФ
Св
б
5
lO
Время рассасы-
вания, нс:
tpac
КТЗНА,
'
••;.
-КТ347Б
25
10· 1
КТ347В
40
.-
}_(' 1
.
Время включе-
1
1
1
1
'/ ''
·1··· </;'
ния, нс
{~KJ1
22 тип
10•:1•
Время выкmо•
чения, нс
35 тип
· -(:~
·-.'.1-·, ...
-..
-,, i"
Максимально допустимые параметры. Гарантируются ори re111ne,paтy,pe, okpy•.
жаюшей среды То--40... +85°С.
,
~" .,.
-•
••
1к m ах - постоянны А ток коллек• •
тора,мА.·• •
;
60
1к., • mн - импульсныА ток кол
лектора, мА ,
.
,
•
.
.
, 110
Иэв max - пq_стоя•шое напряже-
ние эмиттер - база, В
4
· Ию, п~•х - постоянное напряже•
ние колл~ктор' база, В,
КТ347А , ,' ,
•
,
,
,
15
КТ347Б • ;
,
,
,
,
•
•
9
КТ347В , ,:
,
,
;•6
Икэ Rmax - постоянное напряже•
ние колJJектор
эмипер
(R r, Е;; 10 кОм), В1
КТ347А••,,•,•,15
\•
КТ347Б;_: -~-: i .' i
•
-.
,
/ ••~--
.g
КТ347В •• - ,
•
,
,•
.
•
6
PI)
-
.
-
к max
-
постоянная ·· ;рассеи- ---
ваемая мощность кол·лектора •
(Tc--4o... +75°Cl, М:В·r'.
.
15?
Рк, ■ mai-:- импульсная • ' • мсiщ;
ност!> коллектора (То=
-=- 40... +75°.G), мВт ...• 150
Т • max - температура
перехода,
0С
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
150
R-,, п-о - тепловое сопротив11е• : •
ние переход - окружающая
среда. 0 СZмНт ,
.
.
.
:,0,5
Допустимая температура ~жру- ,'
. жающей
среды, • С
.-40.,.+_85
i При Т0 > +75° G Рк шах [мВт]""' (150 - T0)tRт, и-а• ,
2Н

~:,'],~")i~!.~\0;8 ~
.',,_\"~"--'( _=,~
.r·: >:1!:4;
:'. .:О
·ii:).,>:з-:•;~ i:-,:\ ·:.
~61.•. iJ-r1_,- ·
:, ·-,-~
:,, .,
_
,,.
_.,
•.•
.
.
<>fl.i; ),:o! /<7.:• .J l~J..J :.- :;;: { i ? ~г , ·: , 113r·
i!~'I ' ") l i\.'_.,
:s1.tt
~ ~i :·\1 ..... ч~+---+-'--'-+-,i::aai,. ..'4
''
'--, -+ ---+' -' -+---t
:1 t~•i:,:0,G, !.c-',--fj---,,,,!c-s--. lт·,4":; -1_ =:-!,,.,,-
:.\+._; -+: т,_.,,,,,н-,-_+_ ""'.:с11;1,1-, __-'·:-,-1~-[:·.,?~::11-~..,,::+;,,--:::;,1,о"·:~~-- t~,-,-+....----,'-=-+--'-+~+--+-;
1
---
' 0,Ц 1---1 -- -+- -'1
, ;,.,
"' -'f -!0-
,_
;.,
__,..
_
_.~
--
.·; ,4
·-,
"-
. ....J-.....11,a...,..-1-1-,.1-,~
;'.. ,, :,8._ F_
- /-1,;,,--
- _,....~=:..
.,;_',',7
о
4
6
:: ._
-
•---,-'---:---'--
~ ,._
f_
. _'_._
}_: _ ,,-J- -
·-; -;-_
-, L;;;.._
-
·--
-·· ....L_
__
- ....L_
__
-
L ___
-.. ..L~..,,1-
'L" .= -~~ ::J- ==:,;- =! '
а
:i oo
150
·,
zoo
Z5U Iэ,НА
:.,
--,-.
_
;, ·•
248

~
,~
,
гч11111:11·1111111111111111111111111111111•111 •
20 .21
22
23
24
··1
-
\
•
'
.
;
}(ТЗ54А,' ЧЗ54В
'--. ,,
Общие сведения. Креr;йiиевые nJfaнapi1~i.9I1и1aкcliaлi:iH'ЬJГ n-"f}=li"tp'ЦF.IЗИCTO•
' ры; предназначены . для работ в;: составе гибр~!!дНЬjх 11ер~монт.и,ру~мЫ:х QХем, мик-
i ромодулей, у з лов li бдо){ов, аппар;зтуры. ;
.
,
•
,
'·
• Оформление бескорпуснре (рис. П 1.4,0 . Масса транзистора не ~олееi_l),003 r,
Услов,11я эксплуатации - в соответс·щии с. табл. П.2.2.
.
,
.
[.а
•
'.
'}
\1
.
: •••
ЭJtектрические ·параметры. Классифик~uиоkные параметры,.. , •
•
'
·-
\
l:lаимевовение
Обратный ток коллекто_ра, мкА
при То--60... +25°С
приТо- +85°С
i
Обратный ток эмиfгтерщ мкА
1121 э, lh2,el··, _'t ' ~
Обозна.
. , qеви4t
,
:~.1
1 кво
-,,
- , Знс1чениЯ
~·~
.
0,5 10
5,0 \О
Граничное на·пряжение 'тр1Jнзисто- , \ :
1
1:1•1'·1·:111
ра, В
•
'.Икэо{р;,•.IQ
:\;,.
5
Статический коэффициент
чи fuкa-в схеме с 0Эа
КТЗ54А
КТЗ54Б .. ,_ .
.
!
при r- ..- +85°Ci •
КТЗ54А "
КТЗ54Б
при То --60° С~
КТ354А
КТ3545
.j(r
Емкость
пФ
эмиттерного перехода, 1
.
......
...11,._ --
'j·i 40 ,360· 2
5
90 650 2·
5
202002
5
453602
5
100
100
10
249

,
Зна!-lf'ННЯ
Режимы шsмерения
Обозна,
"
=~
Наименовt.1ние
с
"'
"'
~ .,:
"
qени•
.
а:
:&
'"'
""'
Q"'
:;:
"'"'
""'
:,';:m~m
., .,
"'"'
,., :&
:,; :&
:::,
:::,
-
~
.
Емкость коллекторного перехода ,
1
1
1
151 1
110
пФ
'
Ск
1jз
Постоянная времени цепи обрат•
ной связи на высокой частоте, пс:
't1 1
530
КТЗ54А
252
КТЗ54Б
302
530
Максимально ,а:опустиыые параметры ~1 , Гарантируются при температуре ОК•
ружающей среды То=- -'60... + 85° С.
/к max - п·остоянный ток коллек-
тора,мА........10
'
1)
К, и max - ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ·
лект_ора (t. ~10 мс, Q~
~2), мА
.
.
.
.
.
.
.
.
20
UэБ max - постоянное напряже-
ние эмиттер - база, В.
4
UКБ max - постоянное напряже-
ние коллектор - база, В
.
.
10
Икэ_R:mах - постоянное на пряже,~
ние
коллектор - эмипер
(R1:, ~3кОм),В,
•
•
•
,
10
•'
с
р~)max - постоянная рассеинае•
мая мощность колJ1ектора,
мВт
при r.=-60...+so·c , , , 30
при Тс=85°С .
-,
.
..
...
16
Тu max - температура- перехода,
0С
.
.
.
.
.
.
.
.
. +125
Rт, о-с - тепловое
.
сопротивле•
ние nerexoд ' _ , окружа юшая
среда,С/мВт....
_
.
2,5
Допустим а я тем nература окр у•
жающей среды, 0 С
,-60... +85
\' ' t ') При нerip~I!Ьtuieнии cpeii'~eй мощности 311 ~1в-i i1 Те ;а:,· ~ 60;11 +so0 о,
при увеличении температур,ы .до_ 85~ С и нелревышении средней мощности, умень•
шающейся ПО линейном~· закон ·у до ' 16 мВт. '-
--
•' ,,
•••, •
~J При Те= [jQ, :- ~5 . С дonyc:r;f\1')i!Я , ~,tощность умень\lfае-~:ся . линейно,
~J В составе микрuсхемы;
•
- I Б',11!:А ,_
·-1' 1
,____,_ -- -1 -_ Ir~э =а
f-
ri
80
70·
БО i'
50
40
30
za
10
J
)/
а
~,z
-о
2З_4-5678Укэ,~•
'250

7,2
Jh21эl
!'
1,0
.,
,,,:
0,8
D,б
Ик5=2в
. 0,4
о7'2J
•'4
,_;,.
5 ,.Б...
__
7 iJ IJ,,MA
:'
,,.,, _ .
,.. ,..,
~,~•'~.~,;
..
,,
1111111111111111111111111111111111111@
19
20
21
2,
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р-п-транзисто
ры предназначены для работы в усилительных устройствах.
Корпус металли ческий; герметичный, с rибк _ими выводами (рис. 111 ,42).
Масса транзщ:тора не_ боJ1ее 1,2 r.
•
,
'
'·,
.•
.'
•
'
Условия эксплуатаuии - в соотв~~ствии с та~л. П.2.2;
Электр11•1есю1е параметры. К.ласс'ификаJ.iионные1 пара~етры 1
h21э, lh21el ; i11.
' зн_аq~ния ·r
Реж,rмь• нзмере'н. ия
Ооозна•
f:JаименФnание
~
~1
,,;
,,;
r::
qевие
1 а: iLtD- gJ
, i:Q
:а
:а
i:..
~.с
и.д
:;.
а,,;
.,, ;
::::
т~f,
1
"
~~.
·~~
~- 1::)
-
..:
Обратный ток кол1I ектора,
при Тс= +125° С
мкА 1 'кво
1 1 0,5115: 1
5.15
l1
Обратный 1ок !iмиттера, мкА /, . ,iio
Граничное папряжеине транзи-I
стора, В
. Икэо vp
Входное сопроти влен r1 e тран-
''
,j
зистора в режиме малого CltГ·
вала, Ом
11116
10
·1
10 10-3
-
251

/эmах - постоянный ток ЗМИТ•
тера, .мА
мая
мВт~
\.i
•.
1':
'
----'·\!· ,, - j
мощность
i) При Тс..,. · 85, .. 125 Рк max fМенъшается линейно, .
252 ,;, .
'tO
10
;10
: 1oj ,1300
1О

1,1
'
i---+-i--Uнэ=a --·
5В
V,8 l-+- -1- -1- -1+-+ -- -l+-I
'
цz,.__,____.___ _ . _
_
)., __. __.
.),___.__,
,о i.-., _...: :;.....,/
, ~~ _lv__J- -"-' -L.: ...J
fJ,З (JJi ·D;7
5
[..... ,- -
.•
.i
•·т
.. -~- .~-,.. ---~- ..
-~.
...,,, , . 'fifi1ffoнi1l:ы,Ф~•
:~~ ,,••-•~'r+~~:,;;::;~~ ··;1:t: ;c::_::,;ж::э::f°?~1;,~1~i
'
·:~.~
1
l:,'l\ Ft 1};; ,~:
'•
-"""""·._--
--
.--у:·---·-...
"•·"""""•-= ---•"r.-.=:r=-~..,
JU -щащМ ~:щ i ~~ ы;fJJiJt?- -- ,мr ,:J
fit
!,;; · , . blj'Q)F
,;'f'!f-Нi~~ 21(YJ: (Н/Ыi}j~~kOt:,on = --•
.N t1.~ t:\
д~Ч] .;it~:q~
>i ,..,, ..
-fi:;-1. 1•.чi~ t~1 :,.:r,s~· F<l·'!·z,<.- ~ -: : / ~ ,т.,;-;:L \~tE.\ ~
,2
~;~f.,t;~~
=
,ц;, J'\•~.!,[ ,:')J_!r_
\~
4 L...:-.:l......J....L..lc..J..JЩL:.c-"'-.L_L.:.LI..J..lW__,1.....,J...,Ц,!.,I..L.Ll..:.:.._J.....~..J..~tJ-~-,.,J._,,,.J'-'-'-~......_.,. ,.:!
D,U1

I(Т360А, КТ360Б, КТ360В
Общие· _сведения. Кремниевые ПJ)анарно-эпитаксиальные р-п-р-транзисто•
ры' предназначены для работы в неремонтируемых гибридных схемах, м·икромо•
дулях, узлах и бщDках.
.
Оформле~ие бескорпусное (рис. Пl.18). Масса транзисто ра не бол ее 0,005 r,
Условия эксплуатаuии - в соответс~вии с табл. П.2.2.
Э.iiектрические параметры. Классификаuионные параметры~
h:2J э, lh210I, tμac•
Зн~чения
- t-1а1--1менование
- бозиа 0
1
ч~нче
Обратный ток ; коллек-
тора, мкА:
1квu
КТ360А
КТ360Б, КТ3608_ r
при Тс = +85°С:
КТ360А .
КТ360Б, КТЗ'бОВ
Обратный тоК: эмитте
р•~·: мкА:·
КТЗ60А f ·. ·
КТЗ601;>, КТ360!3
'.1 ! при Те= -f'85° С:
КТЗ60А
КТ360Б, К1'360В
1
!
'
1
,,
'-~
1'
r ..._'
•~·
Н·апря:жение ' насьtще- -- ·
-
,,
мини
мальное
0,02
0;0_2
0,05
0,05
HJHI ,,КОJ)ЛеКF.\J,р~э,~,1;1,т-,, " ., ., ,,, . . ··,, - - ;
"
тер,В .
'
' Икэн~с O 1(1''\
0,7
Модуль коэффиu,ие:нт.а - . ,
.,1,.
передачи тока . на a·l?I : • ,,
,.•
..
.фк ой
·частоте:
1h216i/.·
КТ360А , .. , ,•,,.
,,.
3
КТ360Б, К,Т,360!3 !
4
Статический коэффи
циент передачи :rока в '
схеме с ОЭ (1.~
•h213 . •
,~2 мс):
КТ360А •
· ,,,,,
,.
.,.
· КТ360Б
, .,,.,
КТ360В
254
•.. 20
40 ,·
80
макси~
мальное
1
1
10
10
. 0,5
0,5
10
io
1-, 1,2
•70
120
240
О)
25
20
25
20
Реж и мы и змерения
О)
~
5
4
5
4
<t;
:&
iЪ
1,0
1
<t;
:&
::1
с...
~
..:
11l1°1•11
2
2
5 100
5. 100
10
10
10

'
Значения
РRт:имы измерения
Обозна-
Ва им е·н ов·а ппе
..
МИНИ•
МЭК<!И·
щ
,«:
"'
._·
"
ченис _
щ
:е.
:;
:,:
~,;
малъное
1 м:ально <f
~(Т)i<Ь(Т)
,,
::::, ,
::::,
-
..
,·
'
при: Т• = +"85° С;.
20
2~5hz-\•Э, 2.
:10 :.
ЮЗ60А
,.
40
пgи 25°С,
КТ-ЗбОБ -
- 2,.5h21э·, 2
10
при: 259·- с
--
КТЗ60В
..
80"
- 2-,5h·21э 2
:
10
при .25~ <С '
,,.
С<
nри Тс=-40°С,
'
КТ360А
О,Зh21э
70
2
!О
при25°С.
,..
..
... :
.-
..
КТЗбОБ
О,Зh21э 120
2
10
2s0с·
,
' ,, :-('.
при
КТЗбОВ
О,Зh21э- 240 - •
2
10
j'
·при- 2'50<;: '
,,
;
!
Время рассасывания-,
нс:
КТЗбОА
КТЗбОБ, КТЗбОВ
Емкость эмиттерного
перехода, пФ
Емкость коллекторно
го перехода, пФ
•
Постоянная времени
uепи обратной связи
на высокой частот~ пс
lpac
,
1
Са1
1-
·1\вd=1•·.'~2 ;
"
1-00
200
.101.
1~J
--"- \·''
·,'_ 1
-·
.·
1
,,,
7-
о'
tO,
5
450
Максимально допустимые параметры 2), Гарантируются ·-при · температуре · ок•
ружаюшей среды Те =-40... +85° С.
•
lк max - постоянный · ток колле1<·
тора, .мА
.
.
.
.
.
.
.
,
20
lк, • шах - импульсный TOI< КОЛ·
лектора (lи~ 1 мкс, Q~ 10),
мА........
75
И ЭБ тах - постоянное напряже
ние эмиттер - база, В;
КТЗбОА ....• ,
,
•
5
КТЗбОБ,КТЗбОВ..... 4
Ию3 тах - постошшое· напряже
ние коллектор - база, В:
КТЗбОА .....
,
,
.
25
ЮЗбОБ, КТЗбОВ . . . . 20.
Ик ::; я тах - постоянное напряже-
· ние коллектор
эм, иттер
(R1, ~10 кОм},13:
. КТЗ бОА
..
.
.
.,
.
•,
,
20
КТЗбОБ, КТ360В . . .
,
15
Рк'· ) - rюс_ тоянная рассеивае•
rnax
мая мощность коллектора,
мВт ...... . ..
·10
Rт, п-с -тепловое сопротивление
пе-р·еход ;__ 01сружающая ере•
да1°C/мBtr.......7
Тп max - температура
перехода,
0С
.
.
.
.
.
.
, 120
Допусl'има,я· темлература окрУ,·
жающей среды, 0 С ,
.- 40... +85
l) В диапазове температур - 40\.,+55° с. При rемпературе· +85° ()
1-'к max = 5 мВт. В диапазоне температур 50.,,85Q G мощ1i0сть _ уменьшает<,я ли•
ней во.
2> В составе м.и1(росхемы,
255

1к,МА l-t--! -3⁄4 - --'+-f -1 -- -"f-HHHH
за 1---1--+-++:.ia1--"'-l---+-+---'f-i--1н
___
.......
1.,,-
.
...
/JV
1
/', ./
fl
l
...
,[·.
-
~~-- i
1258
6
if
iм6=а,аzн~ -
.1, 1
8
Uкэ, в
'
30
_
20
о
/ 1/:'
l/1 '/Uкз=10В
//)
IJ/
/~/
·vi,
1
lд '/
0,8 1,6
''" :.J.~
. . '. . Р,Э i- .._.Jjl:;_.: ._,A--'--4-'""' -+ -,, ."""1-,,_- + .-= .- t -- - -1
{.
. (<''
Iк=IDIБ
, -п·
, .o;vL....._L-_;;1.:__;~-'--.....L--'--'---'--'---J
О5Ю•15lOZ5заIкIN/1
-

(,f
Uизнас, 8
0,18
U,16
0,8
U,1 '-1
0,7
0,12
О,Б
•а,1tJ
0,5
D,08
О,ч-
"'
1'
-
110
-20
а
+га
+40
+60 Т dC'
С,
ГТ362А, ГТ362Б
: ;;; ',1
Общие сведения . Германиевые планарные п-р-п-транзисторы прелназначены
лля работы в п риемной, усилительной и другой аппаратуре.
К:орпус метаюшческий, герметичный, с полосковыми выводами (РИG~ t!Ji.'40).
Масса транзистора не более 2 r.
Условия эксплуатации - в соответствии с табл . П2.3,
Электрические параметры. К:лассификационные параметры~
h21э,<rн, Кш,
i (1'
'.
Значения
Режим;ы измерения
Обозна .
;,1\;;
Наименование
"1
"1
' ,О:
=r
qение
минимальное максимальное
: :ii
""
:,';:-
(Т) &
~
::::J
::::J
-
..:.
.,
Обратный ток KOJIЛCKTO·
·,: .
ра, мкА
1 кво
0,01
5
5
:
при Тс = +55°С
о,1
30
5
Обратный ТОК эмиттера,
мкА
1эво
100
0,2
.
Модуль коэффициента
...
.,,
,i;,;
передачи тока на высо-
кой частоте
1h21э 1
8
,
3
5·
. 300
9 Зак, 503

,
ЗначеНил
Режимы измерений
.!
Обоз11а•
'
;
Наименов.а1111е
~а1~с щ1,1Зль)1ос ro
ro
<i:
' ::r
че11~1е· -· - МинимальнОе
:а
t.
•с·-~
~~;,<n
~
.
,'
:
'
-
;::J
....
.. :'.
'
·,
!
,.
...
•-·
-
Стати,1еский
ксэффн-
,,
циент передачи тока Б
'.
схеме с ОЭ: •
11 21э
1
200i· '
5
П362А .
10
;
3 •·-
ГТ362Б
10:.:
.250;, : 3
,5
при Тс=+55° С
О• БhzIЭ( 2'5°С) 2;,sh21Э( 2~tci,) з ,;
'5
l-
при Тсу_:_45°С
•,
:
\ О,Зh21Э(25~С) 1.~ 5hil3( 2Б~С) 3
<5
'<
'
'
!..\!
;
!
!
,:
'
'
\• ,;
.i
I<оэффициент шума, дБ
Кш
3
2 2250
ГТ362А
4,5
ГТ362Б
5,5
3
2 2250
• ,•.
•• -• ,,L
i
;
:
,:
Постоянная времени це- ·
!
,,
:
пи обратной связи на
:1
высокой частоте, пс:
'tн
1
ГТ362А
2
10
;'3
1., 5 100
ГТ362Б
2
;
20
3
5 100
'
!
1
'
1'
'
i
i
1
Емкост ь коллекторного •
!
1
,5'
перехода, пФ
Сн
0,4 •
30
!
\.
..
:
!
'
,-._:
i
~
'
1'
'
Емкость эмиттерного · пе-
'
;
;
рехода, пФ
\.;,
,.
Са ,,
•1
/
0,2
30
Ма~<симально допустимые параметры, _ Г арантиру1отся при температуре окру•.
>нающей среды _ Тс=-~5 ... +55°__С.
•
--
••~-,·.
lк шах - постоянный тсjк коллек•
тора,мА..
'.. ;
.
.
10
И ЭБ max _;_ постоянное ' ваnрнже-
ние эмиттер - база, В
.
.
0,2
Икв ma,i, -
постоянное напршке•
ние коллектор - база, В
.
,
5
Икэя max - постоянное на пряже•
ние коллектор
• эмиттер
(R 5 ,;:;;r t(Ом), В •. .
,
5
Pk>max : --- постоянная · рассеивае•
i мая
, мВт
мощность,.· КОJIлекто.ра,
40
Rт, п..:.,....:. тепловое сопротивление
пере/од - ок~у>1(аюшая сре•
да, С/мВт .
,
.
.
.
.
•
2
'Допустимая ' температура окру•
жающей среды,·0 С . •
. .- 45... +55
l) При Те= - 45,;;+25°С. При повышении температуры от 25° с ДО 55° а
Ркmах [мВт] = 40 - (ТO - 25)/Rт, n-c•
258

'1
1.'
•';'
.
,.,.,. • ·
·'
j__ ~
..
11
---' -
U~ 3=0 >-- sв
Iн,WA
1.0
O,J
'
'16
tt
~
о,1
1
1
'
j
••
,О
~V1
'
0,1
о,з
Q
z45
Uкэ,В
ihш !huэl
, 1hztэl при f•ЗflОМГи.
18
5
3
11
6U
16.
и~6= гв
3U
14
40
tZ
JO
'
то
га
8
(]
2
4
6
8
10 13 ,нА
..
-
Кш,~6
К9р,д6 '
Iэ =Z11д
'
ч
8
lfx 0 =ЗB
53
,6
4l
·ч
31
z
а
l
3 4 [3,нА
1 1,5 г,о f, ГГи,
{
9*
i .;9

8D
60
L.--
-
k-.,,
~/
,,
1..,,-- -
/
za
_,;.;; .
-
i--1 ---
о
111111111111111111111111111.1111111 111
20
21
22
23
-
6
'- ---
.,
··1
,j
lfк 6 =-ЗВ- '
'
~-
.-
'
8 Iэlt1A ,
в
I
КТ363А, КТ363Б
--
1\.
11.1
'
f=1D0f1Гu, -
. .. .....
t--. .. .
1,;, ,_ _
,·-
.~
·-
'1\..
-
UнБ =1В
_1~ ... ....
.... ~t:-
l
J
""•i-...
7
-
-
__,
-
l
4
6
О бщ ие сnедс11 'ия. Кремниевые ш1анарно - эпитаксиа .п ьн ые р-11-р-транэпсто•
ры предназначены для μа·боты в импульсных схемах ,
Корпус металлический , герметичный, с гибкими выво дам и (р ис, Пl.11) ., Мае•.
сз транзистора не более 0,5 г. .
Условия ЭJ{сплуатаuии - в соответствии с табл. П2 . 2.
Электрические параметры. Классификащюн ные парамет ры ;
h21 э, lh210I, !рас, <tк-
З н ачения
Режимы измерения
Обозна-
Ваименованн~
~
<(
<(
1·
чениf>
мини-
макси -
~
::1
:,;
мальное
м альное
~ (Т) :,:
"'
j1
:;,
:::,
Обратный ток коллек -
тора, мкА
-1 КБО
0,01
0,5
15
при Тс=+85°С
0,1
10
15
-
Обра т ный ток эм11тте -
ра, мкА
/ЭБО
0,01
0,5
4
при Тс= + 85°С
о,1
10
4
J-lап'ряжеиие насыше-
1·111Я коллектор-эм 1п-
тер, В
Икэ нас
0,35
1()
1
::t
~
-

'
'
:зна1чения
и~мер~{111я
Режнмы
..
,J\•_,l '
,-1
;
~
--н~~~еновзн не .
Обоз на
'
""
<t:
"
<t: .
::f
•.•
,.
чение 1
мини-
макси-
щ
::;;
::;;
::;;
~
:
мальное
мальное
~
~:
, .. -.,1· .,
(;)
''°
(;)
1
:::,
:::,
-
-
-
...:
!
i1
;_.:i ·-•·· i
1
Напряжение насыще-
ни·я , база-эмиттер, в Ивэ наi
'
1,1
101
1.•.1
•
•~1
'
.-- 1;
•
'
·-
i'
-
Моду~ь : коэффициен-
-
i
та - пер~дачи тока на
.. -1'
1
1hJ1э 1
1
ВЬ!СОКОИ ' часто~:е:
'
'
КТ36ЗА
,,
12
'<'
5
5 100
КТ36'ЗБ
15
5
5 100
-
Статический коэфф и-
циент передачи тока
в схеме с оэ (t.=
- =2 мкс)
h21э
КТ363А
20
70
5
5
КТЗ63Б
1
40
120
5
..
5
Тс=+85°С:
-~
-
при
-
КТЗ63А
15 2,5h21э 5
,.
5
,·
пр,ц 25" С
КТ363Б
30
2,5h21э 5
5
прц 25" С
при ·Те=;, ~40° С: ,
'.
КТ363А
О,3h2·1э
85
5
5
1
..
'
при25•С·
КТ363Б
О,3~щ1 150
q
5
при 25° С
.,
· -1:·
·· ··:
'.;..,.;,,,.
.;
.,
,.
'
Постоянная времени
цепи обратной связи
на высокой чiictoтe ,
пс:
<tн
КТ363А
'
50
5
5 ,,;
30
КТ363Б
75
5
5
30
·,.
Время р.ассаt:ЫВi:tНИЯ,
нс:
!рас
КТЗ63А
'
10
101
!
,..
КТЗ63Б
5
10 0,5
'.,
-.
,,
Емкость колле1<торно-
го перехода, пФ
Сн
О·,9 -
2
5
. .!О
.
...
.,
..
Емкость эмиттеrноrо
'-,. ~t :-
перехода, пФ
Сз
o',s
2
о
10,
...
~~ , ---1
---·
.
..
-
···-- ----
,; ·,
2JI

Максимально доt'Jустимые параметры, Гарантируются при температуре 01<ру-
' :жающей среды Тс=-40 ... +85°С.
•
lк max - постоянный ток I<оллек-
; I(T363A (Rв :;::;;;1 кОм)
15
тора,мА........30.
КТ363Б (R 6 :,::;;; 10 кОм)
12
JК, и max - импульсный ТОК КОЛ•
лектора {lи:;::;;; 1 мкс, Q;;;,. 2),
мА .......... 50
r
1)
, Рк max - постоянная ра, ссеива~-
мая мощность коллектора
{Тс=-40 ... +45°С), мВт
..
150
Иэв max - постоянное напряже•
та moax - темпераrура
перехода,
ние эмит,тер -, - база, В
4
Икв m ax - пост.оянное напряже·
С .......... 150
Rт, п-с - тепловое сопротивление '
переход - окружающая ере•
·
ние коллектор - база, В
.
.
15
Икэп шах-постоянное напряже•
да, 0 С/мВт .
.'
.
.
.
.
.
0,7
Допустимая температура OJ<py: '
жающей ср'еды, 0 С , ,-40... +_85
ние коллектор -
эмиттер
{Тс=-40 ... +45°С), В:
..
0,
10.
..,
JJ (Jри Те> 45° С Рк max [мВт] = (150 ,- Те)/ Rт, п-с•
16 ,нА
1,6
С- '- - Uк э : 0 5В- Iк, нА t-t- -t,- - -t --t- -t-+:.1o1...L+--+-+-+- --''' fl. '-
' 4-c·
·· +:.. -1-+:---1- -1-. LJ
40 t-+--+-+-+--:,.,,..
...
~,,,,,,.
......~,...~~--,,1--1--1--1--1---1----1----1----1----1--L-l
1,," .. ... -
_.,
262
t,4
1,Z
1,0
0,8
0,6
0,4
o,z
о
i
7
j
7,
-;
'
j
'
J
,
О,Б 0,8 U63 ,в
v'1
70
50-
зо
-
10
10
r-_
--
1--
--
1U zo
i;r..,...-:,,...,,,
... ,
35 ггг.~~~сt,,,,~,.JО"-t:.,,,.=--+""'+---f_,,,,-+-++++-1-+--1--цц
j~
...,
~""
,.J O
зо H--J.111"'7*+,,,,,,.-Ь~f--~-+.,-::!,,.~:J-.--+--+----1-н---1---1---i.-l
r,..,,,
.,,,.. .-
,,,..-
25 t--tt7',,1'<-_+,,,,..., . ., .""F--l -,,, . . -1 -. , . . ~~-1 - -,
---1-_-1--_---1----1----1--1--1----1----1-_J
,~-
.........
ZO hf:v...t"e:::_1-:~-+:-:;1.,,--1--"'l=+++--+1...+_-::::Ь...l-..+--l--l--l--i-l
15
1,,"
1
о
1,Q . z,o 3,0 4,0 5,0 Б,О 7,0 8,0 Икэ,в,
11
ifкБ~5В
-~
--
---
-
1-- ___
---
-
-
--
---
-
-
-
-~
---
-
r-- _
-
--
.. __
-
,___
,..:.
-
i--
---
-
-
,__
-
i--
t-- ~-
аО
бО БО 70 во BU Ia,M_/1

'•1 ''
КТ367А '
Общие сведения. " Кремниевый п-р-п-плаиарно-i!питаксиальный транзистор
прещ1азначен .riщ1 р,а,боты в схемах высокоqастотиых и сверхвысо[(очастот.ных
усилителей. . •
•
,
' .• Корпус керами•1ески11', ·'с ' полосковыми выводами (рис. П!.43). Масса транзи-
стора fie более 0,3 г. . .
,
-
,_
rсл_ОIJИЯ iжсплуат;щии - , В соответствии С табл. П2.2.
Электрические параметры.j
Наиме,lован~iе'
Обратf!ЫЙ ток [(Оллектора, ·мкА
Граци~ное напряжени.е . транз·истора_;
в:i
ОбР,ат~ый тоr< эм_иттера, мкА.
1
Входное сопротивление транзистора
в реж ,име малого _ .сигнала, Ом
Модуль коэффиuиента передаqи то·
[(З на высокой qастоте
Статический коэффиuиент передаqи
тока в схеме с ОЭ
Коэффициент шума, дБ
Емкость эмиттерного перехода, пФ
Емкость коллекторного перехода, пФ
Постоянная времени uепи обратной
связи на высокой частоте, пс
~•'
ЗНачен ия
Обqзна•
_
.,
'"
. че:ние
са
•о
•=
==
=.о и.,,
=о:. ,: '1
=.,
. ,.,
~~
"~
:1
i ,;'_,..,. '
jo.001j
· '~вс
О,р
•
!
.
Икэо РР !О
.
hнб
10
'tн
15
Ре Жимы измерения
щ; :Q·
-
-,; ,,
::t ·
~
~
~ • (Т)',
-.,
(!)
::н _ ::)
_,
-=-
1
10111
10
5
10 I0-3
5
\О 30
.
- 263

• Ма~,симально допустимые параметры, Гарантируются
при температуре ОКРУ.1
жающей среды Тс=·-40... +85°С.
1к m ах - по'стоянны й то~< кол.~ек•
""
тора,мА........20•
19 max - посjоюi,ный : ток эмит•
тера,мА...
,
.
•
.
,
20
lк, и max - импульсный ТОК КОЛ•
лектора (/и~ 10 мкс, Q=2) ,
мА ..... •. ..... 40
lэ, и max - импульсный ток ЭМИТ·
тера (tи~ 10 мкс, Q=2), мА , 40
Иэв max - постоянное на пряже•
' ние эмип:ер Iбаза,В •, 4
lfкэ= о 58
(JU!i:
-
~,,1!!i; . .. i~
i +--+'---'- --1- -- -l-- - -- --l- -+ - -li -~
1Jj..; !
r·U11i
~1⁄2 !li-1+, +---+--+-+----+-1~1-НН
,J,1111! :
J!/J"i 11--'
,
,-+-+--+--f--+---+---Н-Н
~~i\;---
!
,--+---+---+--+--+----+--,J'-Н---1
l!H!1 r
! ,j / j !+, -4, -1--+-+-! -+ -aHI--I
l~QI1-+-
:+-
,
-+--+--+-----J-+-alJi-.-----J
1ii11 .iJ --+- -,+1' ---+--+-~А--1
ШI11,-
~V '. ... .,V
0,4 0,6 И63,б,
....
,,
0,9
.D
1Z
Икв ma>1 - постоянное напряже•
ние колле'ктор '"- ба з а, В
.
•
10
. Икэя max - постоянное напряже•
ние коллек,тор
эмиттер
(R6~3кОм),В.
,
..,
•
10
'Рк ·m ах - - постоянная рассеивае•
мая мощность коллектора,
мВт
'
,
при То=-60... +65°С
•
,
• 100
при Тс=125°С .
,
.•
30
Допустимая температура акру•
жающей срr,ды •
,-40,... + _85° G
Iк,нА
16
14
12
10
8
16
4
2
о
-
-
..
~-
,
-
.:-1,..-
,_
·
,
.,....
V
,,,,,,..
--
,,,,...-
..... -
tл.r 6 =2ОмкА
-
11
1
Iэ=1DмА
f = эоомгц
'--
с-
,"
·-
с- .... -
1'
J456

. ,hщ
lhz1зl
hmnpuI 3~1DмA lh 213 1 при I3=10мА
7,2
1,0
Uк 6=58
--.~.-F-----i--+ f=ЗООМГи, для lhztэ1
..о,4l----+--1----t--+---+-+---+--+---l'---...J
0,2 '---'--' ---'--"----' ---'-- --'-- -'---' ---'
ОZ468107214__16_1э,МА
'!
;l<щ,
11 11
Нш при '/', 4001'1Ги. t--,
-1
.
--+-,-++Н++----+++++ж+---t-f+++ж+--+-++++-llf+.jl+-1 -1--+-++~'-4-1-+-1-1,Шi
11 11
: . lf н\н-1с-++жt+---+++НЖ+--t-Н-+Ж++- ' ' ИК 6= 58
- Iэ=5мА
,-
-3
Rг= 75 Ом ~f-+++!1+1--1--1--1-1-1-ШI
-• :,~-г~'-'~'"""""""--..._.__._......,___._.._._.++Ш---+->-+-и.1-1,,__+--<-++++=--"-'-'-"'=
•. , 1, h _,c4. -d-i-+Шli::~--""'-+-...-~l--l-!-..,j,Шl+--;.j,..j....u.i.W..-1-.....,..Ш~.....,Rm
'·
о_ "'-'--"-'-U..U'"--'-'-,J.,,J,J.Щ'--1-'U-LШJ,L,-.J.,='-'-UШ~C--'-,,LLLLщ_-'-'-+u,....
,,i
: D,UU1 • D,DJ
0;1
10
100 f, 1'1(ц
r"
,.,·,с.
:
'
:
•
'
".
1
1-rJ\ при Uн6=58; С, ~JlU Uк6= 5В
;j!-i
.1
;:,,
1,6 1,1⁄2--j'-4- -+- -+- -'- -+-+- - -t - - -+ --t
з
Сн при f=IO~MГU, 1--41- -4- -1- -1
'
i1';1
z
\
Ин6=58
\
f = чООМГц
\
Rг=75Ом
'
\..
1,0
до.__._,__._,__.._--'-__.__,__._~
:
Оl468Uн6,б~D•
l
3
k
.

1r111 .1111111111111111111
17
18
19
.... .
'
КТЗ68А, КТЗ68Б
Общие сnедения. Кремниевые планарно-эдитаксиальные 11.-р-11.-тр,анзи'сто•
Pf" предназначены для работы в усилительных . устройствах .
.
Корпус металлический, герметичный, с rибк_ими выводами (рис. Пl.24,а),
Масса транзистора не более 1,2 г.
KoHCTf).tJli.Ttl8HЫe данные:
емкость между выводом эмиттера и корпусом ,.
емкость между выводо м коллектора и корпусом
емкость между выводом базы и корпусом .
емкость между выводами- коллектора и эмиттера:
емIюсть между вывqдом коллектора и базы •.
Условия эксплуатации - в соответ.ствии с тцбл. П2.2.
Ci=0,45 пФ;
С2=О,6 пФ;
С3 =0,4 пФ;
'C":i=0,08· iIФi ·
С11б=0, 15 пФ' : •.
{i• i Электрические параметры. Кл3ссификационные параметры,
h21э Jh2 1эl• Кш, -
Значения
. Pe)1{fi~1ьj
измерения
Обозна-
;,;
1-Jаиh1снов ание
'
"'
с,;
чение
МИНИ•
макси•
"'
"'
"'
мальное
мальное
~ cii
~
~
:::,
:::,
-
Обратный ток коллек-
тора, мкА
/КБО
0,5
15
при·Тс= + 125°С
5
15
Обратный ток эмитте-
ра, мкА
fэво
Граничное напряже- J
1
ние транзистора, В
Икэо гр
15
Модуль коэффиuиен-
та переда 1Iи тока на
высокой частоте
1h21э 1
9
14
9
10
Входное сопротивле-
liиe транзистора в ре-
жиме малоrо сигнала,
Ом
hнб
6
5
10
Статический коэффи-
циент передачи тока в
схеме с ОЭ
h21э
50
300
5
10
при Тс=+125°O
50
2h21э 5
10
при 25G С
266
::i
~.
-
100
10-а
•

Значения
Режимы из.мер ения ..
Обозна -
Наименован пе
МИНИ·
,;fЭK CHJ•
са
.:Q
«:
«:
~
ченнс
::Е
:!
~·
мально
маль ное
:,:
с1)
~
::,
::,
с1)
...:.
при _ Тс=-?0°С
О,бh21э 300
5
10
при 25° с
-
,
Коэффициент шума,
'
дБ
Кш
при Rr=75 Ом
КТ368А
1,s ·
3,3
5
10 60
•i
"
,,
"
..
Емкость , эмнтifер~юrо ' '
перехода; пФ
Са
-,
,,
3
4
10
<
Емкость коллекторно-
го перехода, пФ
Си
1,7
5,
10
Постоянная времени
цепи обратной связи
на высокой частоте,
пс
't"н
4,5
15
5
10 30
МаксимаJ1ьно допустимые параметры, Гарантируются при температуре акру•
жающей среды Тс=-60... +125°С,
/к шах - постоянный ток коллек-
тора,мА..
30
'э max - постоянный ТОК ЭМИТ•
тера, мА ,
30
/к, и шах - импульсный ТОК КОЛ·
лектора (tи~О,5 мс, Q~2),
мА ....
iэ, и max - импульсный ток эмит-
60
тера (fи~О,5 мс, Q;;;.,2), мА 60
Uэв max - постоянное напряже-
ние эмиттер - база, В
.
4
Икв max - постоянное напряже-
ние коллектор - база, В
15
Uкэ.R max - постоянное на пряже•
ние коллектор
эмиттер
(Rь~3кО:.1),В , • !
,
15
Икэ R, и max - импульсное напря•
жение коллектор - эмиттер ·
(tи~О,5 мс, Q~2, .
Rв<
~3 кОм), В
20
Ию,, и max - импульсное
жение кол11ек·rор
(t. ~ 0.5 мс, Q;;;.,2), В
напри
.база
р\)
к max - постоянная рассеивае• ,
мая мощность коллектора,
мВт;
20
при Тс=-60... +65° С , ,
, 225
при То=+125°С, , , , , 6()
То шах - температура перехода,
0С
,
.
· .+150
Допустимая температура акру· ,
жающей среды, 0 С
·,-60...+ 125
,
Н При Те= 65.,;125° С мощность i)'Меньшае-rся по линейному · закону;
2~(

.во
• 7-О
60
50
цQ
30
го
ta
о
't
··,
1
1
1
-
Uкэ=О -5в -
1
j
I
~~/
0,4
Кш при I 3=10NA
'.
ry
5
Iк,МА
16
14
12
10
8
Б
4
2
''
/
r
/~
/,,,,, . ,
),,... .
,
V
/
.....
1/~
1/
.,,..,..
---
1--- "'
~
-
~
-
-
,--
.,
-
-
-
~ .:--
-
·
:---
-
-
с-
--
-
-
-
,--
-
-
t4 r6= zоннА
о z 4 6в•io-1z11116Uнэ,В;•
.
"
'
!
\
Ик0=58
f' = 60MГu,
Rr= 75 О,~
,..
1
'
10
15
U,Б '-----'-----'--
-'----'--"--~-~
-~-~~
о
1U
zo
JO

КТ370А, КТ37@
Обiцие сведе'!ия. Кремниевые эпитат<сиально-планарны~ рLп-р -транзисто•
ры предназначены · для работы в . импульсных и других нереr.,онтируемых гибрид-
ных схемах, микромодулях, узлах и блоках.
••
'r•
-'
.
'
1
•
Оформление бескорпусное (рис. Пl.44). Масса транзистора I не ! бОJ)(!е 0,005 r,
Условия эксплуатаuии ·-
в <;еответствии с табл , П2.3. ' •
i:
.
Электрические параа1етры. Классификационные параметры, ;
h21э, lh21эl , "11 -
:-,\
'1
Значения
РежИм1)1: из,fdр.ения
Обозна•
'
1
i\
·,
•'
i
Ваименооанпе
1
"
<,;
'1i
~МИНИ•
о
,\18КGИ•
CQ
:D'
\ <,;
.,
qение
111
1;!
:,;
~
мальнее
о
ма.пьное
-
~
.
;.сЬ:
§1
(!) -~
с!)
..
.-
..
:::,
:::, '
..:
,..
-
-
-
\l
Обратнпrй ток
коллеI<тора,
MI<A
'кво 0,001 0,002 0,5
15
притс~
10
=+85°С
0,02 о, 1
15
Обратный ток
-
,
н'•1
эмиттера, ,.,кА
1 эво
0,05 0,15 0,5
4
при Те=
=+85°С
.
0,2
0,7
1()
4
.'
Напряжение на-
сыщения KOJJ•
лектор -
.эмит•
Икэ наа
тер, В
0,2 0,23 0,35
10t
..
1
Напряжен· ие на-
сыщення база-
эмиттер, в
Ивэ наа 0,90 0,93 1. 1
1О1
Модуль коэф-
фиuиента • пере-
дачи тока на
высокой ~ЗСТО•
!fe,
1h21э/
КТ370Л
10
5
3
КТ370Б
12
5
з
L_
Статический ко-
эффицие11т пе-
редачи тока 11
схеме с о'э
(1.=2 ~,c)i ' 1
fl21э
\
КТЗ70А
20
'70
5
3
КТЗ70Б
40
120
5
-
3
при Те ",
2,5h21э
з
= +85°0
-
при 2s0 -c
'j
,
.
26\Ь

·-значе:н ия-
; р~~{ИМ:~1 И~il·IfRe~ ·ИЯ
На имено~аНИЕj,,
при Т,; ::
=-40°С :
КТЗ70А - •
КТЗ70~
Время расс'асы- .• ·.)
вания, нс •
Емкость эмит
терного _:_пе_ре-
6боэна•
~енне
ход~..i•пФ· .1 j
''Сэ
Т1 ·-
:,
1!
1r,-:
Еммqсть кол- J .i - •!
лекtорного пе- ,
рехфда,пФ : • ! Си
ij
j.j
Пос~Ьянная ' 1 :
времени цеп!I ; ;
обррrной связ~ J '
на Вq1СОК0Й '111· '
стк~~з7Ъл
КТ370Б
МИНИ•
мальное
О,Зh21э
. пр:и
25°-С
О,Зh21э
'при 25° С
1
.,
о
"'
.о
с.. ,
...
МЩ{СИ·
маЛьное
'75
. 130
10
·:2
2
50
75
l:Q 1
1
~
i
:::, 1
5
5
5
5
(\
.J:Q
<
::.
' СТ):;:,
-~
'
ф
!
<:,;
lё
, ..,\
'
'1
<
'
1
:
3
•3
::!
(Т)
3
3
"'
.~
..:
10
1О
30
30
Макс,пм ально допустимые параме:rры ?.), Гаранiируются при температуре ОК•
ружаюшей среды Т с =-40... +85° с,
11)
i
.
к max ,-- пqстоянныи
ТШ{ кол•
лект6_ра, мА .
1'5
lк, и шах - импульсный ток КОЛ•
лектора (tи~ 1 мкс, Q~20),
мА .• ...•
....
.
.
30
ИэБ ma; - постоянное напряже-
ние 'эмиттер - база, А
.
4
ИкБ max - постоянное напряже•
ние 1<юллектор - база/ В
.
15
Икэ R ,ma; - постоянное напряже
ние коллектор - эмиттер, В
при .R. 6 ,,::;10 кОм
,
,
1О
при RБ~l кОм
КС370А ,
.
.
,.
•.
•,
15
ктз1ов,, . . .
12
Pk) max - постоянная .
рас_сеи•
ваемая мощность коллекто,
ра, .мВт
15
Рк, и ma:r - импульсная
рассеи,
ваемая мощность транзисто-
ра (tи~l мкс, Q;;;,,20),
мВт .
,
,
,
,
2Рк ша>~
·тп шах - температура перехода,
0С
1~
Rт, п-с - тепловое' сопротивление
переход - окружа1ощая ере•
да,0С7мВт . . .
•
.
•
,
5
Допустимая температура окру
жающей среды, 0 С . -40... +85
1 > В диапазоне температур -'40::,+50°G, При температуре 85dG / .
-
08
10 мА, Рк шах cai 8 мВта В диапазоне температур 50,..85° G эти в~~~tны
!iМеньшаются линейно,
2> В составе микросхемы,
21()

(_
16 ,НА
1,Б
1,4
1,2
1,0
0,8
0,6
ll,4
0,2
·о
'
·,
·; ·,· ··
lfкэ= О
)
...1?1•··
2в
'
•. 0,Ц iJ,6 lJБЭ, В
hz1 э
i
,70~
60
50 ,-
ц()
---
~
зо-
zo
Iк,НА
40
35
за
25
l20
15
10
5
11'
~~~
z
f/.
6
8 Иu,.В
'
1
1
~----
i
'""' ...
1-" "
-
-
...-
....... +-1" ~
.\
.
i
Ик6=58
.
,~.
,,,.,. . ц
-
,•
...... .
.-
_,_
;_.
--- ----
--
10r
о
;.--
1--.. -,.. --
1-----
.---
1Р
zo
5[l
;,ас,· В
1,1
1,0
0,9
1,0
ll,9
и.в
а,1
0,6
а,5
U,ц
ll,З
и.в a,z
0,7 •
1 ,,~
No'"
•1
l1~
1 .,.,.:::
-
r
10[}
ИБз нас
""
.
)~·>-
··-
~1--::::;: i--
1-
,
.~
, , ,,..,
л"' /
/
~.. -
,, ...
.,. ........
Uкэ нас
·-
Zf)(]
500,
.
JOOU lqi нА
г
1/
F0=U,1l к /
!/
/
......~ -
/
-
--
~с-:-- ,..-
~ -,,,. .
~~
./
/,
v
v~
,,,, ,,
_/
l/1" V
.. ,.,,,,
...-:..
-
-
1
1
ll,1
о
5
10
15
zo
..
,.

.,
КТ371А
Общие сведения. Кремниевый планарно-эпитаксиальный п-р-п - транзистС1р
предназначен для работы в ~силительных и генераторных СВЧ устройствах.
Корпус керамический, 'с полосковыми выводами (рис. Пl,43),, Масса транзи•
стара не более 0,32 r.
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационные параметры~
h21э, lh21el, 't'н,
Значения·
Реж~r.rы •измерениs:~
;,
Обозна•
"'
"'
,.8
Наименование
о
о
щ
щ
1"'
·:,
чение
'"'
..
"'"'
::s
"'
,..
.,,.
о
u"
~
:;;
О,,;
с:
,<t;
(!)
i ([)
"'""
:,:
"'"'
:,; :;
,..
~:;;
:::>
:::>
..
..:
-
Обратный ,ТОК коллектора,
.,; .
С>
мкА
.'к_во С> 0,001 0,5 10
притс•+125°с
q
о,1510
С>
Граничное
наnряжение·
1Ик,эоРР1101
1
1
1.
\10[
транзистора, в
.
Обратный ток -эмиттера,
1
1
1
11.31
1•.
1
мкА
1 эво
1
.
Модуль коэффициента пе-
редачи тока на высокой ча-
стоте
1h21э 1
10
165
10 300
1
Статический коэффициент
1·
передачи тока в схеме с
оэ
h21э 30
2401;
10!
приТо=+125°С
30
400 1
10
при То=-60°С
15
240 1'
10
Коэффициент шума (R,=
j 3,4
1
1. 1 15.1
=75 Ом), дБ
Кш
4,2 4,7 5
400
Емкость эмиттерного пере-
1
j0,8 j
/1,бl 111
,j
хода, пФ
Св
1,1
10
Емкость
1
1
1.51'1't 1 1
коллекторного пе-
рехода, пФ
Си
0,6 0,76 1,2
10
Постоянная времени цепg
1
1
обратной связи на высоко
частоте, пс
•н
67,6155
10 30
Входное сопротивление в
1
1
1
151 1
1
3,
режиме малого сигнала, Ом
hpr>
1О
1О
IQ-3
272

Типовые значен и я S - параметров в схеме с ОЭ, измеренные с помошью век
торного вольтметра ФК2·12 в 50-омном тракте при Vк=5 В, lэ=I0 мА (спра
вочные данные):
при f=400 МГц
/S 11 !=0,32
JS 12J=0,09
IS21!=4,2
(S22I ~О,64
(J)1, = -ббQ
(J)12= 71 .
(/)21 =90Q
\Р22= -2~
при f= 1000 МГц
/S 1I J=0,14
fS12J = 0 ,l8
!S21l=l,9
IS22I = 0,5
, Q)i,: = .....:ll2Q,
(J)12=600
(/)21 =57"
(J)22= -52Q.
Максимально допустимые параметры, Гарантируются при т.емпературе окру•
жающей среды То =-60. .. +125° С,
•
lк тож - постоян11ыr1 ток кол•
лектора, мА
.
.
,
20
/3 max - ПОСТОНННl,JЙ ТОК ЭМИТ•
тера, мА .
.
_
.
.
.
20
lк, ■ mas - импу.пьсн,~й тоI, кол
лектора (1. ~ 10 м I<с, Q:;;э:2),
мА..•..
.
.
.
....
40
L'эв max - постоянное напряже- -
ние эмиттер - база, В
3
Uкв max - п остоянное напряже•
ние коллектор - база, В , ! 10
!:'кэR ma" -
постоянное на пряже•
ние коллектор
эмиттер
(Rr, ~3 кО~). В ,>.•• . .
,
10
Pk) ~ах - постоянная рассеи•
ваемая мошность ко11лекто•
• ра, мВт,
при т. =-60...+65°-с ... i
•'
100
при Те= 125° С
..
•
•
30
То mн - тем 11ература пepexozta,
0С
150
Допустимая rемпе·ратура акру•
жаюiuей среды, 0 С ,
, -60...+125
1' В диапазоне температур 65,,.125° G Рк max уменьшается линейно; · при
снижении давлени-я от 6,7 • 103 до 6,7 , 102 Н/м2 мощность уменьшается таюkе
линейно и при давлении 6,7 , 10 2 Н/м2 не должна превышать 65 мВт,
IJ,8
IJ,6
O,lt-
O,l
о
'
'--'-- Uкэ=а
'
J
,'J
~~
О,4 а,6
58
1
"1--
l к,НА
zч
zo
IБ
ll
8
4
./
1/
11,.,........
' 1....-
.i--
~~
1/
li~
О
1
--
--
-
J...- ~
-
__ ..
-
--
i-
-
1
i.--
'
,_
.-
-
~
-
.
-tЛI6=20нкд
1
zз
567
273

274
'rк
lhz1эl
•
'
'
-rкприИк 6=5,В lhz 13 1при Ик 6 =58
1,8
~--~~-~-~~-~-~-~
1,в -1,0 i-:--t---t---J::;;---t:::=i'ii....,.,~::±::a~c-т-:----j
ц
1,0
D,B
lhz1э 1
"fн при Iк=10мА
5,0
4,0
З,О
Z,O
1,0
о
0,9
о
"-
/hztэ \ при Iэ=10мA,f=ЗDOM('i__
1---+- --~ -++- -.+- ---t
,, при f=ЗDНГи,
Г
'1~к 1
z
4
0,8 t----+--,,;Ч.,,,~--+--1-----'--+--~--1----+'--1-----1
~6 l--cGl'~--J--+--+-__jl--_J_----4
О,4 t--'-r+--+ -- -+ --+ -- --,1---+ - -- -+
lfк,=58
f=ЗООНГи,
.
o,z '---'----'-----'---'-__jl__J __..L....:___:___J __
_L____.::J
•ОZ4681012141613·,мА
h213 при Iк=ЮмА
1,1
1,0 (-"C"".1,.....-,c.+=-,:=--+=--=;;;J;.~~!!""F-.;:::;,;~==---=j..__._
_,
0,9
0,8 1---.~.--4--+--+--+--t---+----+---t--+-'----"-I
~7 :--/A-~1--+=,i,,----1- -~-- -1 --""""'=i::__ -,1
~6 L------'-----+----'--'---'----'----'---'-''----'-------'
оzчБв1012141Б__Iк,11А-,

lr ~при f=чОО/1Гt1, '
"rmr
-
rfкБ=58
[э =_ 5нд
Кщ прr.L,[э=5нА
1,7,
1,5 '\1
-
.
..
11
11
1,З
1,Z
1,1
1,0
0,9
• 1,3
1,1
~9
Uк6=58
·_"
f=I/OOHГu,~
-
O,QI -0,1 1;0
Сн
Тк
i rк при rrн.=5B rкпрu ·икб=58
. ..,_
--~.
1,~
: 1,Z
1,0
0,8
0,6
оz,lj
~----
11
10 -100f,НГи.
6
,о1.0
-r~ при 13=/ОнА
, 4;U
3,0
2,D
1,0
о
\,
\
"
......._
КТЗ72А. КТЗ72Б, КТ372В
11
z,a 3,0
,·
·
llк 6 ~sв
f=ЗОНГu,
·10
za lэ, нА
Общие . сведения. Кремниевые пл.анарно-эпитаксиальные п-р-п-транзисто
ры предназначены для работы в схемах усиления и генерирования колебаний в
диапазоне частот 1... 3 ГГц.
Корпус металло[(ерамический, герметичный, с полосковыми выводам11
(рис. Пl.46). Масса транзистора не более 0,2 r.
Условия э1<сплуатации - в соответствии с табл. П2.3.
Электрические параметры. Классификационные параметры~·
.
,
27j

'
Наиме11 9 ва1шс
Обратный ТО!{ коллектора,
мкА
при Те=+ 125° С
при Тс=-60°· С
Об_ра,ный ток эмиттера,
мкА
при.rс.:._ + 125°с
'
при . Тс=-60° С
Моду.hь . коэффициента пе-
редачи тока на высокой
чаете-те: '
КJ372А
КТ372_Б
--
.
КТ3'72В
'
Статический коэффициент
передачи тока в схеме с
оэ
Коэффициент усИJ1е11ия по
мощности, дБ
Коэффициент шума, дБ,
КТ372А
КТ372Б
КТ372В
Емкость эмиттерно го пере
хода , пФ
Емкость колJ1 екто.рного пе
ре.хода, пФ
i
Постоянная времени цепи
обратной ' связи на высокой
. частоте,
пс
Обозна•
ченне
;
• 1кво
'эво
1ь,1э 1
,-
•h21э
Кур
Кш
Тн
Зн~чения
/J е :жи r.1ы измерения
'
.,
.,
1
:;~8G""""
,,;i:
'"
::1
r,,.·
:::~
m
а~ml~:t,
i:1;
:е ::1
::1
::,; 1
::,
... ..
-
0,006 0,01 0,5 15
0,1 1,0 10 15
0,002 0,01 0,5 15
!
Q,OJ 0,06 20
3
~.1
0,6 200 .
3
0,001 ·0,01 20
3
\ \.'
8•13185
5'
300
1015'205
5'
300
81618.··5
5'
300
"·.
1035905
5'
12 I 14,51
1
1
j.
10
5
5, 1000
!
'
,.
2,3 2,9 3,5 5
2
'
1000
2,5 3,5 5,5 5
2
1000
3
3,8 5,5 5
2
1000
1
4,57,5125
1
30
~аксимально •допустимые параметры; Гарантируются при температу_р~ о~ру~
жающей ,среды Т 0 =-60 .. . +125°С,
1к m~x--' по6оянный
ток кол-
ле1тор~, мА .
·•
.
'.
.
.
10
Иэi ma;- qqсто~нное на·пряже•
ние Э;IИТТ~р ' ба:щ в
•!
в
Икв m ~x - постоянное напряж~.'
•
Ние колJ1Е!ктор - ба#, В ' .' J!)
ИкэR max - постоянное напряже-·
I нйе i коллектор '
эмиттёр
(Rь:а:;;10 кОм), В . ,! 1 , 15
276

lfl\Э "(?,. и rna·x = ~~1 пульсное ~ап ряже• •••
-ние . коЛJ1еt< тор
эмиттер
•
(fи;= 10 Mf(C, f=50 Гц, Rв ~1
~10 кОм); В .•
,
..
,
15
1)
•
.
Рк. max - постоянцая
. рассеи-
ваем а я мощность коллектора
(Т• .:..-60...+100°С), мВт • 50
Тп mnх· --=•температура • перехода,
0С
.
.
.
.
.,
,
.
.
.
.
150
Rт , п.:..о - тепловое сопротивление
• переход - ок:руж·ающая сре-
да,0С/мВт. . . .
,
.
• 1,0
'допустимая температура окру•
жающей среды, 0 С. -60.. . +125
11 В диапазоне температур -60,11+ IOOQ С, При повышении температуры
Рк. max (мВт] = (150 .-
Tc)IR'I!, п-а•
-
500
4DO
zaa
1
/.,
,
]
~ик~=4..sв
/!
1
1
/ ,ll_
/
i/
/ ~.,,/
- -- = 1:? с..---
Б
z
,~
--
~-
200
'/
-
-
I
i;....., ,-
,,.. 150
-
~--
--·--
/
~100- ,
✓-
'.
IБ=JOttK/ ~
/
i
ttJ
-о: •О,Z•• • 0,4
D
ч
8~-IZ
,~/
-r-'-
э
--
..
-
/
т---
-~
70 1---,__
16
Ик5=58
~~'
.
'
'
/1
. 1..
.,...г- -- t----
-
,__
~-
ч L.....1... .-- -'- --'- -. . .. . L ---' --
- '---' ----- '-~ -' ---'
D
z
6
8 .13,мА ·
ч
6
813,мА· •
16 i~:t~~f~~J~~~;;f~
•14 t-
1Z U~L~$~t::::l:::=I
.·ш
•. 8 l--т-r+-7~-71""-t-f-
1в l--+-~hA--f~-1---c+-,--+~
.,-,- - -,
ч L.......Ц....-',---"-"--'--'-'---'---'--'---'---,--'...........
•ll.
.Z
4
Б 8 U:кз,!1
-ск-, Сн,
nc - пФ 1--1 .t --=~=:t==Je=-=j=:='l==t==!
6 D,8
5
ч о, 6 l---1-\-...::::t,=,,,,Ь......._-4-~----Ь.1
3
l
1
Цl L..---'--.....L--'-----!----'--.....L--'---"
D Z•if'6•'8'ф"Jtifu~,if
"!1
::,.... 'f .1,
. ..,
~- "•'
.
. ,,.
-2 77.

,
'Ск:,пс к~~ :
т
11
д6
1
'
99
-
_
1!к5=58
Iк=UrA
КТЗ7ZВ
7
"--
~ Rг=R □nm
.,,,,,,
к~~Щ .
'
-
J
8
5
9
8
7
6
5
lf
--'--- ---
1,...-
КТЗ7ZА
...........
~
1--
~.;.,,
;,,,
3
7
6
о
l
J
-=:
i 111111111111111_111111111
17
.,
,18·_
.
19
if Iз,НА
ГТ376А
3
2
о
-'--
- .....-
__j. ---
с.-
I;
z
3 f, ГГи,
Общие сведения. Германиевые планарно-эпитаксиальные р--n-р-транзисто•
ры предназначены - для использования в высокочастотных рар,иотех,шческих
устройства-х.
.
•
,.
Корпус металJ1ичесю1й; гер_метичный, с гибкими выводами (рис; П i .:н, а),
Масса транзистора не боJ1ее 0,5 г.
У.словия эксплуатащш - в соответствии с табл. П2.2.
~лек'fри_ческие параметры. Классификационн~е liарамет.ры~ '
li21э, Кш, /гр-
Значения
Обозна•
.
• Наименование ·,
qенме
l\(ИНВМЗ.ЛЬНОе мак.симальное
Обратный ток коллекто-
ра, мкА
1 кво
~
5
при Тс=+85°С
300
Обратный ток эмиттера,
1
1
1
мкА
1эво
100
Граничное напряжение
1Икэо FP 1
1
транзистора, в
7
Статический коэффици-
ент передачи тока в схе-
мес ОЭ
h21э
10
150
при Те= +85_
0С
О,Вh21Э(25°С) Зh21Э( 25°CJ
при Тс= - 60°С
О ;Зh21Э( 25°с) ' h21э(2s 0c)
278
Режимы измеренш-1
""
""
,,:
""
:ii ,.
i:...
~'d) j
~
::J
::J
...:
7
7
l0.2sl •.
1
1\-2 I
·- ··
5
:г
2
5
2

'
Значения
Ре:>ЕИМЫ l·!ЗМерени~1
.
,.
Обознп-
..
;
!
На 11'.1енованИе
;
'«:
~
"1·
О)
'
t.tенне,
' :,;
с..
чннимальное максимальное
.~
i,·
i\', .
г~аю,чная частсiта коэф-
фициента передачи тока
в1схеме с ОЭ, ~Гu
'
:
I(рэффиuиент шума, д~
Ем'кЬсть коллекторного
перехода, nФ •
Постоянная времени це
пи обратной связи на
высо1<ой частоте, . пс
fГf)
!ООО
'
1
'
::4
а-, '
:::>
:::>·
' ([)
..:
i.-
-
1
5
2
3,5
1,2
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при тем ·пературе окру•
жающей среды Тс= ,,-60 ... +85° С.
1к'' mах.;... iто'стЬянный ' • ТО!( · КОЛ•
лектора, мА ,
.
.
.
.
,
:IU
Иэв max - пост~янное . напряже-
ние эмиттер - база. В
.
. Д25
Икв max - постоянн ,ое напряже• .
ние коллеиор •-
· база;
·в, .
7
180
160
1'10
IZO
100
80
БО
1/0
га
1-
/
V
/
v·1
Uнз=О
/
/
V·
1_,, ....
./
58
J
/
/
/
.
.
.
'
,,'.,r.'
ИкэR max - постоянное напр,цке
ние коллектор -
эмиттер
(R6 ~3 кОм), В
7
Рк ma:r - постоянная
рассеивае-
мая мощность коллектора,
мf5т ....
35
Допустимая те~тература окру
жающей среды, 0 С .
-60...+85
ч,5
4,0
З,5
З,О
Z,5
2,0
1,5
1,0
0,5
./
/-,,
'/
7
~
:,,,-::
,,,., ..
l r_,,,.,
-
t-
-
v-
VV
•.
~
/
/
/
/'
/
,,,,,,...
,,,.,,,
_ ,,....
,,,,,,,.
,.,
-
·
,,-
-
-
-
-
--
-
-
1LJ[s=ZOнwA
о o,az а,а4 0,06 _о,ов а,1 a,1z о,1ч О,76 U6з.U..
о
Z/ч,56Икэ,8

1,2
1,1
1,о
0/1
/(щ1. 1
и uк6=5fJ
,_
D
.
]
--
I3•1нА
1,
,
f=18DMГU, _/
V
' 1111111111111111111 1(Т382А, КТ382В
2,0
11•1мА
-~
/ f=(BDMГtl, _
V
1,6
/
1,Z
/
,.V
i о,в
о
2
б
,
Общие сведения. Кремниевые •планарно:эпит~ксиа.пьн-ые ii-0-11-тpaнз,ii-cтi,.;
ры предназначены для работы в усилительных устройствах.
Корпус металлокерамический, с ПОЛОСl{ОВЫМИ выводами (рис, Пl,43) : Масса
транзистора не более· О,3 г.
•
·-
•-
,.:· •·•
••
•
•·•
Условия эксплуатации- в соответствии с табл. П2.2.
' ·;.
~.
' : • Электрич~ские :шiрам_ет~:1ы, :•I(-.ласси0фи~ационные параметры1 -
<rк, Кш.
Значения
Наименование
Обоsва•
"
.,
0
о a:i
чение
•о:
. ,.,
=.,,
и..,
.. ,;
:,:,;
. ;.:
"' ·"'
t"З, ~
-;-
• ;:::
~"
-
~
-.,
a:i
m
~-
Обр:{i1'~ы.1{ ток коллектора, мкА ' •
/ кsо
О,·5' 15' _,
·•
•
, : при Тс=+125°С '
5 ·_15
Обратщ,1й ток эмиттера, мкА •1 lэ~о
Граничное на □ ряжение транзисто-
1Икэо гр 1
1
11
ра (Q;;;::,,:40, t. ~100 Ml<C), в
.10
. ~;1\,,•.• 1
~ i..i
Б~рдное СОПР(,JТИВЛеНf!е транзис-
::--
:
1ора - в режиме МЭJIОГО сигнала,
Ом'
:.'i
'...--1 --~~
~_,"/·.•:-.-;
ltнб
10 5- '·'
"
1-
i-
'.
:., ·,
')·
--
о
21:Ю
-,;
;,;
-~
1
.. --
'
"
'
-
-,;
"'
;,;
~
d')
~
''
5,1
,,
5 , 10--•
'

Значения
Режи~ы измерения
Обозна•
..
"'
'"
Наименование
чение
МодуJiь коэффициента передачи 1
TOI{a lia высокой частоте
rh21э 1
Статический коэффициент переда-
чнтокавсхемесОЭ
пр-и ro::.+ 125°С
при r., =-60° с
'
Коэффициент шума, дБ~
КТ382А
КТ382Б
Емкость эмиттерного перехода,
пФ
Емкость коллекторного перехода,
пФ
Постоянная времеflи непи обрат-
ной связи на высокой част~!е, ПС·3
·· ктзв2л
КТ3826
..
-
.
.
..
,.
fz21э
Кш
:rн
'
о
.""
:,: .о
:,: ~
"'"'
~~
:40
40
30
<
•о
(Q
.<·
~
"':,:
(Q
"
:,:
~
".о
:,: ~
~СТ)~СТ)
"'"'
:, :; :::>
:::>
.. :.
300
330 1
5
450 1
5
330 1
5
35
5 400
4,5 5
5 400
155
5, 30
105
530
Типовое значение · индуктивности каждого вывода транзистора 4 нГ.
Типовые значен.ия $,параметррв .. . траIщисторов. в схеме •С , ОЭ, . . ,изм.е_ренные
с помощью веIпорноrо воJIы.метра ФК2-12 в 50-омном тракте при Ик=5 В,
ld =5 мА, {=400 мГщ
IS, 11=0,26
IS 121 =О. 102
Q)11 = -133" 1s211=4.15
Q)l2= +66° /S22J =0,54
Q)21 = +RR;
(1)22 = -35(,,) .
. , Макс11мi~льно допустимые параметры. Гарантируются при температуре окру•
жаюшей. среды Т.,=....:...бо ... +125° С,
/ К шах - ПОСТОЯНIIЫЙ ТОК КОЛ•
лектора, мА . .
,
.
'20
I э rnax - постоянный ТОК !!МИТ'fе•
ра.мА..
.
.
.
.
20
/к. i, ' max - импульсный ТОК КОЛ•
JIектора (t.. :;;; 10 мкс. Q;;;,,,2),
мА
.
.
.
.
.
40-
'э. и rnax - пмпульсн,~й тоI1 змнт•
тера (tn:;;; 10 Ml{C, Q;;;,,,2),
мА
,
..
.
.
40
Uэв ,max -
постоянное напряже-
н11е эмиттер -- база. В :
3
Uк-,.- 11 ,,, .,
-
пnстоянное на пряже-
"···· -\iие ,KOJ1!1t:1oup .~ : база, В • , 15
Икэ Rma" -
по<;rоянное напряже-
ние
коЛJIек-тор -
. sм иттер
(Rв ,;;;3 кОм), В ,
10
1)
•
Рк rnax - постоянная
рассеи-
ваемая мощность r,о лJIеIпо•
ра, мВт;
при Тс=-60...+65 , ,
• ,• 1()0
при Те=+ 125° С
,
,
,
,
30
to max - тем11ература
о~рехода,
0-'G ·".·
.
,·
:'· .
.
••
•.· \50
ДоriуСТИМаЯ . 1'C"1i:tepaтyp3 о'к ру
Ж8.°ЮЩеЙ., Средw, 0 С, .. ,=....во .. . +J 25 .
21,-1 :

16
-
_ ,,.
I ~1--
~
12 ,,,~
8
/
-
4
~
о
•
--
1--
---
1--
-
-
ti!J Б~ 20 м~А
.9
·,,
у·
' ) П ри Тс=65 ~\:1;.~&:•с Рк n,a ~
\~:'';~.'~/
уменьшается п о ЛI-1/Jetiнq,~y закону.
При давлении меtJ_ёе 6, т, . \0 3 Н/м 2
этот параметр таюке уменьшает.си по
, линейному закону
и ·при, давлении
6 7. 10 2 Н/м 2 не должен превышать
70 мВт.
••
'1
111_
1
-
Uкэ•О - -,- sв
1
- ~, hz1,
lhz1,l npuI3
h11э
'
/hz1з/ прц f=Jooмr.
80
60
za
о
'
--
J
//
а,з о,5 0,1 и63 .в
_
_
__.
_1,Z
0,8
0,4
--
--' ---- ----
~'к при Ик6= 58 Ск при lfн6= 5В ,-~'------"' ------"
о
-
1
1,6 1+-- <- ~~
1-+-~-+--+--+--+-----<
о,в ~~..,___..,___--'-----'----'-------'----'--'-_,
о
24
6
КТЗВZА
1
\
Ик6=5В
\.. _
f =1/-00 МГu, -
1
'
•5нА h213 при. J~ 0 5нА
\ 1,. ,:!'
1
,.,
~-
__,.
..
,,,,,.-
.
"
;_..-
\
/
/
о_ .,
4,0
3,0
Z,O
1,0
о
-1,0
L.
/2"
..
1
4
8.
\
\
~
i'-....
0,001 0,01 0,1
2,Z
1,8
1,4
1,0
0,6
и J3 =5мА
1
\
\
'\
..........
huэ -
.,_,
Uк5°l8 ,_
1
IZ
КТЗВZА
--
Ик5=5В, I 3 •5мА
Rr=750H
.~,
~
1П 100 f,НГи,
l<T382A
1
U~5=JB -
f= зо11г1.1,
о
з
4Iэ,НА _
О
4
в
12
282

ГТ383А, ГТ383Б, ГТ383В
Общие сведения . Германиевые планарные малошумящие п-р-п-транsисто•
ры предназначены для работы в усилитель1ных и других неремсштируемых гиб•
r-идIIых схемах, микромодулях, узлах и блоках.
•
Корпус керамический, негерметизированный (рис. Пl.45). Масса -транзистора
не болееО,1г.
УсJювия экспJiуатации - в· соответствии ~ с табл; П2.3.
Электр11ческие параметры. Классификаци_Оf!Нь~°е парам·етры~
Кш, //121Э/, <tи, С,1, h21э·
Р~жнмы изм,ереви _я
:на11меневанис
Обра,rный ТОК КОJIЛеК-
Обозна•
• чение
тора, мкА
.
/ I<БО
при Tt=+55°C
Обра:гныи ток эмитте-
ра,мкА.•
·•
'эво
при rc·=+55°C
Модуль! коэффиuиента
передjчи тока на в~-
сокой частоте:
1h21э 1
ГТ383А
ГТ383Б
ГТ383В
Стати'!еский коэффи
циент передачи _ тока . в
схеме с ОЭ:
h21э
ГТ383А, ГТ383В
ГТ383Б
при Тс=+55°С
при rс =;=-40° с
Коэффициен11
дБ:
ГТ383А ,
Г'Г383Б 1
ГЦ83В ,
шума,
мини"
мапьное
'8
5
12
15
10
О,5h21э
при 25° С
О,3h21э
при25"С·
lfИПОВОе
.50
100
5
5
3,2
3,2
3,2
250
3,2
250
3,2
3h 213
3,2
при 25° С
l,5h 21 ::J 3,2
при 25° С
4,1:>
4,0
5,5,
3,2
3,2
3,2
5 300
5 300
5 300
5
5
5
5
2 2250
2 1000
2 2830
,283

·,
,.
~
·-.
1
Обозна-
Наименование
чение
,
.
Постоянная времени
цепи обратной связи
на высокой частоте,
пс:
<t11
ГТ383А, ГТ383Б
ГТЗ8qВ .
Емкdсть эмиттерного
перехода, пФ:
,
С3
ГТ383д: .,
ГТ383Б, ГТ383В
Емкость коллекторно-1
го перехода, пФ
-Си
Коэффициент отраже-
l ·IИЯ
входной цепи S11
Коэффициент обрат-
IIOЙ fiередачи . напря-
·s12
же_ния
..
Коэффициент прямой' .
передачи напряжения S~ 1
Коэффициент отраже -
ния выходной цепи
S22
,
1
, МИНИ·
мальное
:
1
1
.
,.
! ~"-
Значения ~
'
~ежимы измеt>ения
1
'
i
i
'
,,
(:Q
< ::t
типовфе
макоц-
'
~ :,;:
~
марьное.
~-
'
ci)
.11
.j
'
_::::,
:;:i
...:
'
;
JO ' 3:,2
530
i
15
q,,2
530
'
..
1,0
0,3
30
1,2
0,3
30
1
1,0
--'1 з,2/.. ,j 1
30
1
~•..'1
"'
,,
'.'
:·.: -
,.,
''
'
!
0,017е-11040
,,.,.,
2250
!
О, 195е168°
..
'
2250
-··
О.655е- 1350
2250
• Маl(симадьно допустимые параметры. Гарантируются п р и температуре окру•
жающей среды Т с = -40... + 55° С,
lк шах - ПОСТОЯННЫЙ
леI<тора, мА
ТОК КОЛ•
..
Иэв шах - постоянное напряже
ние эмиттер - база, В
.
_Икв max - постоянное напряже-
10
0,5
•
ние ·-коллектор :..... база, В
.
5
Икэп max - посто51нное напряже•
ние коллектор • эмиттер
-~ :' (Rь<I
кОм), в· .
-
.
:.,
5
2s1 ··
рассеивае
коллектора,
Рк maz - постоянная
мая мощность
мВт •..
•
...
25
Тп шах - температура
- ~С .....
90
перехода,
Rт, п-с - тепловое сопротив.Jение_
переход -
.
окружающая.. сре-
да. 0С/мВт . ,....-
.. 1!25
. До п устимая
. темnер _атура
акру- _
:Жающей среды, 0 С .
,-40... +55

Uкэ;О
jзв
10
J,/
V
/
O,Z
0,1 ,
/
/
j
/,
//
~v
С1
O,Z
8
6
ц
z
~V
V'
-
1/
~/
-
.. ...
--
r
:,,
_ i.,,-"
'
11'"
L1I Б; 0,05мА_
~
1--
о
'1j
6
КТ392А
Общие сведения . Кремниевые планарно-эпитакс11альные • v-п -р-транэ исто•
ры предназначены для работы в усилитеJIьных и · других неремонтируемых гиб
ридных схемах.
ОформJ1е~ие бескорпусное, поставляется в корпусе-таре ·(р11с. П 1.47), Масса
транзистора не более 0,02 г.
. УСJJовия
эксплуатации - в соответствии с табл. П2.4.
Электрические параметры. Классификационные параметры~
h21э• lli21эl тн.
Зt1ачения
t"ежимы · измерения
Обоэна•
"'
<1)
<!)
Наименование
о
о
.
о
:Q
:о
-,:
:1
чение
.,:
"'
" ',:
:,;
i:..
-
:s: .а
о
u.a
~
~
,: ,,:
с
"',,:
ci) ~
:s:"'
Е "'"'
"': ,;
~ ~ ::::,
::::,
-
.. ::
Обратный ток коллектора, мкА lкво
ОGμатный ток эмиттера, мкА
/ эво / io,ooзio,51 141 /
Модуль коэффициента передаqи
тока на высокой частоте
Ih21э 1
Статический коэффициент переда• _,
читокавсхемесОЭ
h21:::, 1 401 78 l1вoJ sl ·12,5/
285

,
Значения
Режимы измерения
О~озна• f
---
-
Hr111мei1onaiщc '.
;
!
..,
"
.,
<
,,g .
о
*
1~
о:1
:1
!'
!
tlение
"'
о:1
:,1
""
"'"'
о.
о.<>
~
1
" ',;
r::
.:,;~ro
J
.
-
"'"'
"'
"'"'
1!
..
""
,..
'1 :,1
~~
,.:
Емкость эмит~ер~оi'о ' перехода, I
11'20\••. 451 3'5I 1
1
пФ
1)'
Оэ
о
10
!;'
Емкость ((ОЛлеrнорноrо перехода, 1
10,8~, 1,00/ 2,51 5 1
1
пФ
'
Сн
10
Постоянная врбме:Юi цепи .обрат• /
НОЙСВЯЗНrf'a вфс9к9й ЧЗСТОЧ!, ПС, .'tн 120/зs/801,5 , _
/ 2,5/ зо
Максимально допустимые параметры 2>, Гарантируются при температуре ок•
ружающеи ср~ды Тс=-40... +85° С.
/ К m ах - ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛ·
10
лектора,мА.....
/к, ll шах - импульсный ток КОЛ•
лектора,м4,!i;,· ,. i .1
.
1•:~О,
ИэБmах - пос,то~нrое ._напрi}ще<
_i
••
ние эмиттер ~ , база, В -
.
.
4
ИКБ max - по9то~щюе н ·апряже•
ние ((ОЛлек1ор + база, В . . 40.
И КЭR max - поqтоян!f!о ;е напряже•
ние . коллеi(Т(\р f .; .. .. эмиТ1:ер
(R 6:;;;; 10 j<Oiм):, В •
.
.
40
1;i
Р} Jmax - постоянная
рассеи• •
ваемая мощность коллектора,
. мВт.
:
.
.'
о·,
,
при Тс=-40... +65 С , •
, 120
при Тс·= +85° С.'
.
,
,
,
88
Т~~~" -
температура перехода,
,••,
0С
.
,'.•.
:.
+ 125
Допустимая ' ~е-мriер'атура окру-
.
жающей . сре,!lы, 0 С ; . - 40... +85
1 > в диапазоАе температур 65. , , 85° о мощность уменьшается линейно,
2 > В составе микросхемы.
286
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
О,З
o,z
0,1
о
11
Uкэ•О 58
(
J
/J
l...,.,,'
,,,.
.,/
О,З 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 U~~• ~-
Iк,Нд
8
7
6
J
ч
3
2
1
о
70
20
30 и~~.в

/lщ,дб
5,6
,-
1--
~
~
1--
1--
/
Iэ=ZмА
f=10011Ги,
Rr=750м
1,, -
.-
-·
1,.,·
- ..,.,
-i.---
,_
.....
.. ..
,_
'- ....
,_ ,i.-
1
··-
l.-
....
--
-1
·:
~
-
...
1,-1 .,,
.L-
.-·-
5,Z
l+,8
4,4
~ .....
--
1--
4,0
З,б
о
l<щ,дб _
5,Z
4,0
3:Б
ь
.
а
].,,'
,
].,,,'
~
z
i-
0,8
0,7
0,6
0,5
-
1,.,-
,.-
68
1
-
,;;
......
~ ....
-
1-
1--
-
....
Z,5
/
а
5
·-
,.
101Z141618ИкБ,в
t': ..
"1
'
1-1-
,_ ,:,.,, '
,~i.,.,--
.,
L-
с.,,·
_i.,.,
-
~1 ...... ,,,,,._
,,
1~
-
_J....,.'I '(""' ;
:
Икk:= 5В
,~ 1.....
'
1
1--,_ ~
'-'
,. п.10011 ги,
,.
1--1--i--'
Rr=7.5'0M
1-- _.:_ 1--
1111
..,
5
.
r-....
r--- . ... ..
"
Ик6=58
~
"'"
10
,15
13 ,мА
287

ЮС393А-1, КТС393Б-1
Общие с в!!дени я . Кремниевые планарные р-п-р-транзисторные пары пред•
назначены дJ1~ применения в составе усилительных . и других гибридных интег
ральных микросх ем, блоков и аппаратуры, обеспечи!3ающих герметизацию ·и за•
щиту приборов от :воздействия влаги, .солщюго тумаl,(а, плесневых грнqков, инея,
росы, пониже1щого и повышенного давлени}:[. :
'
•
Оформлен;ие • . бескорпусное, без 1~ристаллодержателя , с гибr<Ими выводами
(рис. П 1.48, а}. Ма ,сса транзистора не более 0,005 г; '
:1•
Условия Э!(Сn,1уатацин - в соответстви~ с та1бл. f!2.4 .
ЭJ1 ек т рическ и е' параметры. Классифи'кациошtые парам'етрьо ', ·
Lfкэ• h?.IЭ• 1121э/l121э,, 1кбо, 1эво, 1Иэв, -Иэв, !, Ик~ нас' 1о•
Значения
Режимы измерения
Наиме 1-1ов~нве
Обозначение •
миниа
макси-
CQ
CQ
·\~ lj ::r
t...
мальное
мальное
~ ci) /_.
: \·1
~
:::,
:::,
~ '-"7
..::
J
'
'(А~:\
Обратный. ток коллек-
';
..'
''
:;т
тора, мкА:
1 кво
КТС393А-l
О,1
!О
КТС39ЗБ-!
0,2
15
при Те·= +85°С:
;
![
КТС39ЗА-1
5,0
10
КТС39ЗБ-!
5,0
15
'
''
;1!,
Обратный ток ЭМИТ ·
тер а, мкА:
1эво
•t'
КТС393А-1
0,1
4
КТС393Б-!
0,2
4
при Тс=+85°С:
КТС39ЗА-1
5
4
КТС39ЗБ-l
5
4
Ток утечки между
транзисторами, мкА:
.lo
КТС393А-1
0,1
10
КТС39ЗБ - l
0,2
15
при Тс=+85°С:
КТС393А-!
5
10
КТС39ЗБ-1
5
15
Модуль разности пря-
IИэв,-
мых
напряжений
эмиттер-база, мВ:
-Иэв. 1
I(TC393A -1
.
1
3
1
1
I(TC3936-I
3
5
1
1'
288

Наименован не
насыще-
Напряжение
ния коллектор- 'эмит-
тер, В
Модуль коэффициента
передачи тока на вы-
сокой частоте
Статический коэффи-
циент передачи тока в
схеме с ОЭ (t.~
=s:;;2 мс):
КТС393А-1
КТС393Б-1
'
при Тс=+85°С
при Те= -60°С
Отн~шение статиче-
ских коэффициентов
передачи тока в схеме
с ОЭ в режиме боль-
шого сигнала (tи,;;;;
=s:;;2 мс):
КТС393А-1
КТС393Б - 1
при Тс=45 и 85°С:
КТС393А-1
КТС393Б - 1
Емкость эмиттерного
перехода, пФ
Емкость коллекторно
го перехода, пФ
Значения
Обозначен не МИНИ• макси•
мапьное
мальнэе
Икэ нас
0,35
0,6
fh21э1
5
h2.1э1, 2
40
180
30
140
2h21э1, 2
0,4hz1э1,2
при 25° С
при 25° С
1
h21эJh21э, 0,9
0,8
о.~
0,7
2
1
2
Режимы измере~1ия
а:,
а:,
"'
"'
cf
:!i
:!i
с..
:,;: m
'
::;:
.ъm
:::J
:::J
~
·-
1 _10
1
1
1
1()0
1
1
1 5.10-•
1
1 5-/О-~
1
1 5,10-~
1
1 5.10 -~
'
''
.
1
1 5.10-~
1
1 5,10-.!i
1
1 5-10 -~
1
1 5-10-' 3
"\
'!: i
Максимально допустимые параметры 2>, _Гарантируются при температуре ОК•
ружающей среды Т с =-45... +85° С,
/к max - постоянный ток KOJI•
КТС393А-1
.
.
.10
лектора, мА .
.
10
КТС393Б-1
.
.15
/к, и max - импульсный ТОК KOJI·
UKЭR max- постоянное
лектора (tи=s:;;10 мкс, Q~.
на пряже,
~2), мА .....• .
20
.
ние коJJлектор - »миттер .
Uэв max- постоянное · . напряже-
(Rв =s:;;5 кОм), Bi
ние эмиттер - база, В
.
4.
Uкв max- постоянное напряже,
КТСЗ93А-1 . · •,
.
.
•
.10
ние коллектор - база;
К:ТС393Б-1 . , .
15
10 Зак. 503
2S9

PI)
,,
к m~x
-
ПОСТОЯННдЯ
рассеи•
ваеман мощность комIеI<тора
в
составе
микросхемы
(Rт, н- ~ =4° С/мВт), мВт
при Тс=-45,..+45° С , , , 20
4,0
З,О
.
С-
'
-
~
Uк5=5В, l
Iэ=lмА, r
Rr=Z50 Ом
]J....- 1- ' 1
1l11
,__
L.-
,_
-
-~
304050 бО70ва_f,МГц
16,нА
0,о7
0,06
0,05
0,04
О,ОЗ
0,0l
0, 01
[]
j
J
I.J
(},4
hz13 при I3=1НА
т
о
U~з=ZB
I
_l/
1
1
11
О,Б
~1~~~-~~~--сс..-~~~~
•
при Тс=85°С , , -
,
,
,
10
То max - темпе-ратура
перехода,
0С
.
.
.
.
.
.
.
.
.
125
Допустимая температура акру·
жающей среды, 0 С ,
-45... +85
1) В диапазоне
температур
45 •.. 85° Рк_ max уменьшается ли
J-Jейно. (Мощ,юсть дана в сумме на 2
, транзистора,)
•
'
2) В составе микросхемLI,
О
4
8
IZ lfкэ,В
НТСЗ9ЗА -1- JI 6 = 10 нкА
хт~зgз~ -1~!11 6 =zc'1 '1 t<A
~ltэl при I3=1мА
1,2
11111
_
1_.,.-
11111
I
11111
Uкli =1В
-
'
U,8
.--
f=100МГЦ -
.
,
111•1
О,7l-l....1..J....1...1...1.-L..J....-1-1....L...L...1-J'--1...1...1...J...L..J
• {J,б
"'IА
О
4,8
_
12 _{'t____[3 1 /J!, 0
,
О-(
,2
..3
,lf-Jэ,М
290

Кщ,дб
6,0
5,0
ч,О ~~_,__ _,__~ .,__' --' ~--' --' --'
а о,5 1,0 1,5 z,a
КТ396А
«щ,дб
6,0
5,0
ч,а
1
>- Яг~z50 Он,
V
I 3 =1нА,
~'
>- f=60 нги,
1,,-'
1 1 1J.,.,,
:
.j.--1"" 1 1
аz4-68
О(iщие сведения. Кремниевые планарно-зпитаксиальные п-р-п-транзисто•
ры предназцачены для работы в составе неремонтируемых гибридных схем мик•
ромодулей, узлов и блоков, используемых в усилительных устройствах.
Оформление бескорпусное (рис. Пl.41). Масса транзистора не более 0,003 1' ~
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационные параметры~
h21. ,
Jh21el• 'Н·
-
--·
Зuачения
.-,~"
Режи.-.~ы измерения
Обозка-
~
QI
Наим~иомr·ше
iн:ц~1-,;
::f
qение
..;
11!
~
::::-
m~.
,~
.. "'
,i)
..
~ :,;:.
:::,
:::J
.:.
Обратный ток коллектора,
мкА
\
1кво
Q,5 15
при То= +85° С
5,0 15
..
Обратный ток ~миттера,
мкА
1 эво
1,О
3
Граничное
иanf яжение .
zанзистора (t.~
00 мкс,
10
;;;;i,40), В
Икэо rp
5
'
Входное
сопротивление
\
транзистора в режиме мало-
го сигнала, Ом
· hнб
112
5 10--•
:
Модуль коэффициента пе-
j
редачи тока на высокой
частоте
/h21a1
1
2
5 300
.
,..
291

3наче1 ·1_ иJ.t •
..,L:жимь, измерения
,
Uбоз на--
i
<
or
1Наиме1101н11.нс
;,
'1,
ед
::;
-,:;
r~
че:ние
':,;
::;
::;;
m~
~ :,,:·
(Т) ~ cf)
"'"
"
:::,
:::,
..:
~i!
~
'
Статиqеский ко;,ффи11иент
передачи тока в C>.t:M" с
оэ
li21э 40
250 2
5
п ри Тс=+85°С
40
500 2
5
при Тс=-60° С
20
250 2
5
'
Емкость эмиттерного пере-
1
1r
J2.01
1
1
1
1
10
хода, пФ
Gэ
Емкость коллекторного IIе-
1
11
1
1
1
r
10
рехода, irФ
с"
1,5 5
'
'
Постоянная врем::нн U!СПИ
обратной связи на. высокой
30
частоте, пс
'tн
152
5
Время нарастанин, IIC
1
lпр 1
10:81 :15
11
1
Время вклюqения, нс
1 /UKJJ
1
1
O,G
1
1
5
11
1
1
J/!l#!Н.П: 1 1
0,9
1
1
5
111
Время ВЫКJIЮЧе~,ия; нс
Время спада, нс
Максимально допустv.мые nара~1етры 3J, Гарантируютсп прi1 температуре окру,
жающей среды Тс=-60 ... +85° С.
•,
.
.
:
•
lк шах - ПОСТ,ОЯННЫЙ
лектора, мА .
кол-
lэ шах - посi•оянный тоr< Э)11НТ·
тера, 1.•А .
1к, и шах - импульсный ТОК КОJl-
40
40
лектора, мА .
40
l Э, и max - импульсный ток 3MIIТ·
тера, мА .
40
V ЭБ max - постоянное напряже-
ние эмиттер - база, В
3
'J1,Б inax - постоянное .напряже•
ние коллектор - база, В
15
!'
Икэ R max - постоюrное напряже•
ние I<ол;1ек тор
' (R, :,с;;;З кОм), В .
_Р}\,;1 - постоянная
эмиттер
рассеи-
ваемая мощность колле.кто
ра, мВт:
10
при T,=-60 ... +50°G ,
,
,
30
при 1'с=+85°С ...
·;
•
!о
(Г п шах - тем пера·1• ура
• перехода,
·с
.
+1~
R~. п-с
-
тепловое сопротивле-
ние переход - окружающая
среда, 0 С/мВт
2,5
Допустимая температура окру
жающей среды, 0 С .
- 60,.,+1!5
l) При Ть = 50 ... 85° с максимально-допустимая мощность уменьшается по
• линейному закону.
.
•
,
2 > При Rт n-c; о тличаю щемся от 2,5° С/мВт, Рк
- не должна превышать
'
тах
.
8С• мВт и Рк max [мВт]= (Тп - Тo)IO, 15 + Rт, Rp~c,· где RJ', i<[J ~С ·тепловое _CO!l•.
ротивление кристаллодержател .ь - • окр;у:т;.аюшая среда,
•
?~ В составе микросхемы,
-
292

I5;HKA
100
90
BQ
70
60
50
40
за
20
10
Q
1
1
)в
Uкэ=О
1-
,__
/
1
1
1
J/
~~"
i
. Iк,мА
35
за
Z5
.za
15
10
5
. а,з о,4
о,5 а,6 0,1 о,в и63,в
о
lh113 1при Ик6=ZВ
1,Z
1,1
Тк·при Ик6=ZB
з,а
z,a
'
'
"г
1
гт1·~-~- -1
r
•
'
'
1 --,
-
1 I 6 =440мнА
11,--~
'
1;
'
210 -f- -
·.
--
-- --
.-, -
-<-
-
... 1"'1
\
I
'
Рнтах
'
:55
...
>- >-
-
--
....
--
н-·-•-
.... ..
'
,_
2'+ г--
V
т-·- -
ZЗ456ИВ
к,э '·
111
I3=5мА .-
--
111
11Ll_'
~-
hztэ при f' =ЗОО НГи,
1111111--
1,U
1,0
'
,,,,.-
111
1hz1э1
t hz1эIпри_I
1,Z
1,0
0,8
0,6
0,4
o,z
э=5мА
\
\ ...
\J
',
J\
,\
,
'
,
,г
0,9
и
--
,г
,
/
Uк5=ZB
'-
1111
-
f--
-rк при f=JDNГu,
1111111~
--
111
!i
1fJ. Uк6,В
1
•к при Iэ•5нА
1 hшl при
,__
З,3
f=ЗООNГи,
,__
z,a
Тк при-= -
r0~зо мrи. - 1,0
1
1
.
а
s1015zoZ530354013,мА
293
'
'

КТ397А
п-р-п-транэисто
гибридных схем,
аппаратуры широ·
Общие сведения. Кремниевые плацарно - эпитаксиальные
ры предназначены для работы в составе неремонт11руемых
узлов , микромодулей и блоков в усилительных устройствах
кого применения.
Оформление бескорпусное (рис. Пl.47). Масса транзист0ра
Условия эксплуатации - в с.оответствии с табл. П2.2.
не более 0,02 r,
Электрические параметры. Классификационные параметры)
11·21> \h21э /, 'Iн.
Н8именование
Обратный ток коллектор,1, мкА
при Те=+85°С:
Обратный ток эмиттера, мкА
Граничное н<111ряже1iие транзисто ·
ра (t. , ,; ; ;; 100 мкс, Q;;;:,,40), В
Входное сопротивление т.ранзисто·
ра в режиме малого сигнала, Ом
Модуль коэффнцнента пер<:щачи
тока на высокой частоте ,
Статичес1шй коэффициент переда-
чи тока в схем,е с ОЭ
при Те= +85° С:
ври Тс =-60°С '
"'\
Емкость эмиттерного перехода,
пФ
Ем1{ость коллекторного • перехода,
пФ
;
Постоянная времени цепи обрат-
ной связи на высокой частоте, пс
291
-.iнс1ч~·н ия
Обозна•
~,бсц
чение
• :t:
:,: :,:
~~ <)~
~
"<;
"'.,,
"'"'
",.
:, :;
:::,
1 кво
140
10 .40
1h21э 1
1
5
1
1
;,
h21э· 40 300 5
406005
2(] 300 5
Тн
405
Р~жн ,. ,1,, измерения
сц
-,;
-,;
::1
:,;
"
r...
::,::
(Т) ~ (Т)
:::>
-
...:
1
1 12\100
2
2
2
230

Максимально допустимые параметры 2), Гарантируются при температуре акр у,
жающей среды Тс=-60 ... +85°С.
'
/к ma:r - постоянный ток кол•
лек1ора, мА .•
.
10
lэ max - постоянный ток 9МИТ•
тера.мА...
10
/к, и шах - ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ•
лектора,мА.....
20
fэ, 11 max - ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК 9МИТ•
тера,мА..
,
.
.
.
.
.
20
Иэ Б max - постоянное на пряже•
ние эмиттер - база. В ,
,
,
4
Икв max - постоянное на пряже•
ние коллектор - база, В
.
40
ИкэR max - постоянное
напряже-
ние коллектор
эмиттер
(R5~10 кОм), В ,
...
40
'
1)
Рк ma x - постоянная
рассеи•
ваемая мощность кошIекто-
ра (То=-60... +65°С), мВт 120
То m::r - температура перехода,
С ...... . .. +125
Допустимая температура акру•
жаюшей среды, 0 С , -бО ... +85
1' При Rт , п-с<О , 5°С/м8т, При Tc=65 ,, ,85Q G Рк max уменьшается лнне й,
но до 80 мВт, При тепловом сопротивлении потребител,~ (Rт , ~-с нижняя по •
верхность держателя - окружающая среда), пр~,вышающем 0,4 С/м Вт,
Рк max (мВт]= (125 - Тс)/0,\ + R'l! , и-с• .
2 ) В составе микросхемы ,
Iн,мА
7 i--t''t-71'----t -:: .. . ---+ --+- ---1 - --1
6 J-fi~--= - --if-'-:: ..... ...,,1--1 - -f- - - -J
5 ~+--:::a..t""'----t- -+- -+- -+- - - -!- - -1
4 t-J<--+--:a. . .. , =+--+-- --+-1--+--I
з t-fL-+- -:::!,,,-""'F'--+ - -+ - - -+ - -- -,f------ct
г IIA~ --d.-1--+ -t:+::J
1 Vi-±:;;;;i;;-1,--г-гt-"'1
о
/Ьт/ при I3=Z11A
., .i,,-
~
"""
,
70
60
50
40
30
zo
10
(J
Uкэ=О
/
1
·-/l,/
О/1- 0,6
11111.11
/h 213 / при f=IUUMГu,
'
:- ,,,.
'
,,,
.....
;,,,
0,6
о,ч
o,z
\.
't'к при f=ЗОНГц,
.... 1<:.
,,
....
....
1 1~i,,-
-
1,.
·IJКБ"58
1
111
о
z345S1
58
j
I
'
J
V
'Ск при l a= ZttA
з,о
l,fJ.
1,0

Сн
1hm 1.
·~-н
.
.
, --~-
--,
•
•
.Ск
щщ UкБ=5В~ /hziэ I при Uн&= 58 :rн при Uк 6= 5В
•
1,З
/hz 13 / при f=1D0НГИ.
1,2
1,1
1,D
о,э
0,8
0,7
'\
/,
~
"
---
~"
,.: --,_
с-
-
'--
--
t-
-
'Сн при f =ЗОНГи.
....._
Ск пр и f=10МГи.
-~
-
-
-
'-
/
-
-
.о481Z16ZDZ4ZBЗZИк~,В
КТС398А - 1, КТС398Б-I
Общие сведения. Кремниевые плана рно-э пита1<с11алы1n1е интегральные п ары
п-р-п-транзисторов, электрически изолированные дру,· от друга, предназна,1е•
ны для работы в составе неремонтируемых гибридн1,1х схем , микромо ду лей, узлов
и бло1шв, ис по льзуемых в усилитеJ1ьных устройствах .
,Оформление бескорпусное (рис. ПI.4~. 6). Масса транзис·1ора не более
0,005 г.
Условия эксплуатации - в соответствии с табл . П2.2.
Электрические параметры. Классификационные парам етры ~
1И- ь -Иео5J· h2ео/h21
~;1
u
2,
1...,,,
Э2•
Значенtн1 Р е;.-1,:и м ы иsмеμ . nия
Наимено ван не
Обозначение
"'
"'
,g
,о
<:Q
~
а:а
<:Q
:,
я~~~1⁄4(fJ
(Т)
:s:.,
:, :,
~"
::,
~
Обратный ток кол;1ектора, мкА
[ /КБО
1
·10551
10
1
при То=+85°С
10
Обратный ток эмиттера, мкА
·1 /ЭБО..
1
1
1
1
4
1
Статический коэtфициснт передачи
h21э
токавсхемесU.
••
402501
а
при rс=+85°с
40500I
1
при Т, =-60° С
20250I
l
296

,.
Значени·я Реж_1;щы - μэмереиия
..
Наименование
Обозна ченн е
"
"
.,:
•о
<.Q
."'
:i:.:::
щ
:&
"'.,,
".,,
.
З:·t;
,,: с;
~
1tt
·"'"'
"'"'
"~
>'-:;;-
::,
-
Постоянная : времени цепи обратной
-
связи на ; высокой частоте (f aa
-зо МГц), пс
Ти
501
(
-
Отношени. е .статических коэффиuиен•
тов передачи тока в схеме с ОЭ;
h21;:),/h21э,
КТСЗ98А - 1
·,.
0,8 1,2Б 1
[
КТС398Б-1
0,9 1.1 1
i
при Т,= +85° С1.
.,
КТС398А-1
0,7 1,4 1
i
КТС398Б-1
0,8 1,25 1
t
при Те =-60° С:
КТС398А-1
0,7 1,4:J 1
[
КТС398Б-1
0,8 1,25 1
(
Разность прямых падений на пряже•
ний эмиттер - база, мВ,
1Иэв, -
КТС398А - 1
-Иэв, 1
1,5 5
(
КТС398Б-1
з
5
!
при Тс =-60... +85° С, J
КТС398А-1
2,5 5
1
КТС398Б-1
.
4
5
t
Модуль коэффициента передачи тока
на высокой частоте при f=- 100 МГц
lh21э 1
10
1
2
Емкость коллекторного перехода при
f~IO МГц, пФ
Си
1,5 5
Емкость эмиттерного перехода при
1
1
1
1
1
f=I0 МГц, пФ
Са
2
l
"'
Максимально допустимые параметры 2>, Гарантируются прн температуре ок•
ружающей среды Т с= -60. . . + 85° С,
/к шах-ПОСТОЯННЫЙ ток КОЛ•
J1ектора, мА . .
10
/9 max - ПОСТОЯtНiЫЙ ТОК ЭМИТ•
тера,мА.....
•
.
,
10
/к,аmах-импульсный ток кол•
лектора (lи~I0 мкс, Q;:,,
~2), мА ........ 20
lэ, и max - импульсный · ток эмит•
_ тера
_
(tи~ 10 мкс, Q;:,,,
·;;;:,: 2), мА .
,
,
,
,
••.,
20
. Иэв max - постоянное на пряже•
ние эмиттер - база, В
4
Икв max - постоянное
напряже•
ние коллектор :- база, В ,
.•10
ИкэRmах - постоянное напряже-
ние коллектор
эмиттер
(Rь<IOкОм),В·•
!•10
297

P I)к max - постоянна'Я рассеивае•
при T,,=+R5°C ·,
•,
.
,
15
Тп max - тем пера тура
перехода ,
мая мошность коллектора,
мВт
при Тс'=-60 .. ;+70° С ,
,
,
30
0С
.
.
.
.
100
Допустимая температура окру·
жаюшей среды, 0 С ,
. -60.. . +85
' 1 На два транзистора интегральной пары Rт = 1° С/мВт (в корпусе ус•
ловной микросхемы). В диапазоне температур 70;;,85° С максимально допусти•
мая мощность уменьшается линейно,
2) В составе микросхемы;
'L"x
Ihz1эl
Тх при Iэ=ZнА lh 113 1 при Iэ=ZнА
1,8
1,Б
1,4
1,l
1,[}
0,8
D,Б
0,4
'1
-~
\
UхБ~1В
/
/
,.._·/
✓ ........
)
,
--
......
·,.
,., .....
"'
/
lhziэJnpu NODHГu,
✓
i-.
при f=30f1Гu,
/
-
-::...
,,,
-
-
а
zЗ45Б78Iэ,нА
lhmjnpu ИкБ=IВ
1,08
1,fJJt.
,,а
цв
298
>--
о
1\ 111 r-r-,
,..
"к при f= замrи.
.._, 1{
1,
......
.,, ,,,.. ...-
>--
/ .....
11"
Г"~
,
Iэ= iмА 1
✓
45
11
~ -,~
LJ...-r'1
-Сн при U~б= 11/
~ ·1h113 1при f=taaнru, -
0,1/
-
0,1
'1
0,8
...., :..-..
OJ
в

2.2, ТРАНЗИСТОРЫ СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ
. Диапа3он
нu3нuх уастот
~
~:11111 1 11111)1111jl111fШlj1111 t11 lfll, 1)1, J!lf 1, 1(
li
20
21
!
23
ГТ402А, П402В, ГТ402В, ГТ402Г,
ГТ402Д, ГТ402Е, ГТ402И
Общие сведения, Германиевые сплавные р-п-р-транэисторы предназначены
для работы в выходных каскадах усилитеJiей звуковой частоты радиовещате,1ь
ных приемников и в другой аппаратуре.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзи
стора не более 5 r для корпуса 1 (рис. Пl.49, а) и не более 2 r для корпуса 2
( рис. П1 .49, 6).
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.
Электри•1еск11е параметры. Классификационные параметрыJ
11 2IЭ• ИКЭR max,
Значения
Обозов•
5
"'
Наименование
;:;
qеиие
.:,:
,, ..
:,: ,;
:,: "'
:,: ,;
" '"'
:,: :,:
:,: :,:
Обратный ток коллектора, мкА
1юю
Постоянное напряжение эмиттер - база, В
1 0,351
Статический коэффициент передачи тока в
h21э
схеме с ОЭ:
'
ГТ402А, ГТ402В, ГТ402Д, ГТ402Ж
30 80
ГТ402Б, ГТ402Г, ГТ402Е, П402И
60 150
при Тс=+55°С:
ГТ402А, ГТ402В, ГТ402Д, ГТ402Ж
30 160
ГТ402Б, ГТ402Г, ГТ402Е, ГТ402И
60 300
при Тс=-40°С:
ГТ402А, ГТ402В, ГТ402Д, ГТ4Ь2Ж
10 80
ГТ402Б, ГТ402Г, ГТ402Е, ГТ402И
20 150
Режимь1
нзмерения
а:)
11 /;
~
:::i
!
3
1
3
!
3
1
3
Предельная частота коэффициента переда- !.
чи то1,а, МГц • •
fh215•111113
Линейность h 21 э для ГТ4U2А - ГТ402Г
К.i
h21э (при / э =ЗмА)
ll~ 1Э (при / э =30мА)
о-,71,41'
h21э (при / э =30мА)
11 !21э (при / э =300мА)"
1,7
1
,
_,:_.....~
-·-
--·-
...... _
-
- 299

· Максимально допустимые параметры, Гарантируются ори температуре акру•
жающей среды Т с ....;. ,40... +55° С.
1к max - постоянный ток КОЛ·
лектора, А
.
0,5
Икэ Rmaix, постоянное на пряже•
н·це ; 1<рллектор - эмипер
(~в! ~200 Ом), В:
ГТ402А, ГТ402Б, ГТ-IОЩ,
Гf4◊2Е
....
25
ГНО2~, ГТ402Г, ГТ402Ж.,
Г1f402И . . ....... 40
1)
'
•
f'к m;x r постоянная рассеивае-
мая : мощность коJ1J1ектора,
В!т .
.,
!
j.:
i1
J5,M ~
:в
17
1
jб
!5
4
3
z
а
о/ Uкэ=zвj
//
I
IJ
,
//
/
,
,
/
/ ./,
~~,,,,,,,,,,
0,1
а, 2 О,З , lfкэ,В
для корпуса J .
,
дJ1я корпуса 2 . .
....
. ....
,
T •n m'ax - температура
перехода,
0,6
0,3
~С • ....... ·... , 85
Rт, n-c
-
тепловое сопротивле-
ние nереход - окружающая
• среда, 0 С/мВт
•
длякорnуса1•,,,••,О,1
длякорпуса2... •. ;
. 0,15
Допустимая температура о r<ру
жающей среды, 0 С , ,-40., . +55
)к,'МА
4-001-t::Jt::::l::::J:~=t111
r
zao Lk-:t:=Jd::::t::-r --t:--r
ЛI6
1аа 11---+ --+ --+ --+ -f--+ --+ --+ ----1
D12З4567Uкэ,8
П40ZД,ГТ4ОZЕ - tJ I 6=Z мА
ГТ 40Z Ж,ГТ40Z И-ЛI 6= 1НА
ГТ4-02Е,ГТ4-02И .
hz1э •
iо
100
zoo
JOO Iк/tA
-БНО -zo 0 ZO '+О 60 Т,;,°С
300

. Rт,n-c, 0С/мВт
1
0,15
0,14
0,13
О, 12
0,11
О, 10
D,D9
• D,08
D,07
· О,06
0,05
0,04
0,03.
0,02
а,01
\
\
\
\
~
\
,,
,_
-
1
О' 10 20304050507080s,сн2'
• 111111111111i111111111111111111111111 1111111111
19:fo
21
22
2з
ГТ403А,
ГТ40ЗД,
ГТ40ЗЮ
'
Вт
15-
V
.,,
~
/
25
з
.1
.У
/
/1
I
. .,v
Э5
-
,
.. ,,
/~1•
z
7 ..,,
/7.1
I,,
,,,
/V ..,
/'/ .1
"""'
-rJ,"/
rJ/ V
r//
'/
о
50
ГТ403В ,
П40JЕ,
П403В,
ГТ403Ж,
.,,,,. ....
,,
•45
.А'
~,.
Т~ 5,5ОС
-
1--"~
. ГТ40З Г,
ГТ40ЗИ,
;1
Общие ·сведения. Германиевые сплавные р-n-р-трапзисторы . предназначе.
ны для работы в выходных каскадах низкочастотных усилителей в схемах пере•
ключения, в преобразователях в стабилизаторах постоннноrо напряжения 11
в других схемах. . .
.
.
Корпус металлицеск.ий, герметичный,. со сте1<лянными изоляторами и' rибки,
.ми вьiводами (рис. П 1.50). Масса транзистора не более 4 г.
.
Услови.я 9КСП~уатачии ~ ~ соответствии с табл. П2.2.
Эдек 1ричt(кие парс1метры. Классификационные параметры~
Ик.в max• h21~ • l121э,
801

,
Наименование
.
Обратный ток коJiлектора,
мкА:
ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403Ю
ГТ403В-ГТ403Д; ГТ403Е
ГТ403Ж, ГТ403И
при Тс=70°С
Обратный ток эмиттера, мкА:•
. ГТ403А-ГТ403В,
ГТ403Е,
ГТ403Ю
;
ГТ403Д
ГТ403Ж, ГТ403И
ПРИ тс=70°С:
ГТ403А-ГТ403Г, ГТ403Е,
ГТ403Ж, ГТ403И, ГТ403Ю
ГТ403Д
Обратный тоr< коJiлектор -
эмиттер, мА:
П 403А~ ГТ403Е, ГТ403Ю
ГТ403.Ж, ГТ403И
Напряжение •насыщения кол-
. лектор: - эмиттер, В
Напряжение насыщения база
эм u1·тер, В
ПJiавающее напряжение эмит
тер - база (Тс =70° С), В
Коэффициент передачи тока в
схеме с ОЭ в режиме MaJIOГO
сиrщ1ла (/=300 Гц);
ГТ403А, ГТ403В, ГТ403Ж
ГТ403Б, ГТ403Г, ГТ403Д
ГТ403Ю
Изменение коэффициента пере-
дачи тока в схеме с ОЭ, в ре-
жиме м,аJIОГО сигнала относи-
тельно
температуры
(f=ЗОО Гц), %
при. Т с=+ 70° С;
20°с
ГТ403А-ГТ403Д, ГТ403Ж,
П403Ю
при Тс=-55° С,
ГТ403А-ГТ403Д, гно.зж;
1
ГТ403Ю
Обозначение
1кво; •
J"1Б0
1кэо
1 Икэ нас
Ивэ нао
Иэвпл
h21э
Лh21з /!1 21з
-,·-·-
'
- ---
---
802
Значения
"
"
о
,о
'"'
;s:,:
:,: .,,
u.O
""
,:,;
., "'
"'"'
;а:,
;::.
50
-
50
70
800
50
50
70
800
800
·-
5
6
1-
0,5
20 60
45 150
30 60
-50 +100
-50 +50
Режимы нзысрс1t11я
~
~
-11
Ик, В
(Т)itЪ
:::,
-
45
60
80
Икв max
20
30
20
20
зu
Икэ ma' ,,
Икэ max
) 1 o,5/o,os
5'
О,1
_
5
0,1
5
О,1
1
5
О,1
5
0,1
j
J

1
k
Зна.чс~шя
Р~.жимы изм ерения
Наим енованпе
Обозначени е
,,
"
о
,о
:sl]
щ
<1;
., о:
ик, в
<,;
u"
"'"
,.,.
g,~,!-
., "'
"'"'
::1:;;
~~
-
-
>
Статический коэффициент пе•
редачи тока в схеме ·С ОЭ,
h21э
ГТ403Е, ГТ403И
30 50
5
0,45
Изменение статического коэф-
f
фициента передачи тока в схе·
Лh21э
ме с ОЭ относительно темпера-
--
туры 20° С, %:
h21э
при То=+70°С1
ГТ403Е, ГТ403И
-40 +50
5
0.45
при То=-55° С1
ГТ403Е, П403И
-40 +50
5
0,41:i
Предельная qастота коэффиuи -
fh21~
ента передачи тока, кГц:
ГТ403А-ГТ403В, ГТ403Ж,
ГТ403Е, ГТ403И, ГТ40ЗЮ
8
5
о,J•
ГТ40ЗГ, ГТ403Д
6
5
0,1
Крутизна вольт-амперной ха-
рактеристики обратного .TOl<a
коллектора, мкСм:
У кво
60
ГТ403А, ГТ40ЗБ, ГТ403Ю
50
ГТ403В, ГТ403Г, ГТ403Д,
ГТ403Е
50
80
ГТ40ЗЖ, ГТ403И
50
100
Крутизна вольт-амперной ха-
Икэ=
рактеристики 06рат11оrо тока
коллектор - эмиттер, мкСм
Укэо
250 =Икэmах
Максимально допустимые параметры, Гарантируются при температуре окру•,
жающей среды То= -55,.. + 70° С,
/к max - постоянный
ток КОЛ•
лектора, А
.
. 1,25
/5 max - постоянный ток базы,
А •......... 0,4
Иэв 1110,.
-
постоянное на пряже•
ние эмиттер - база, В:
ГТ403А - ГТ403Г, ГТ403Е,
ГТ40ЗЖ, ГТ403И, ГТ403Ю , 20
ГТ403Д .. ... ..
,
30
Икв rnax - постоянное напряже•
ние коллектор - база, В1
ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403!0 . 45
ГТ403В-ГТ403Е.
60
ГТ403Ж,ГТ403vl,,,,,80
Икэ rn:ix - постоянное на пряже•
ние коллектор - эм<~ттер, Bi
ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403!0 , 30
ГТ403В-П40ЗЕ . .
,
,
45
ГТ40ЗЖ, ГТ403И . . .
,
,
60
PI)
к rnax - постоянная рассенвае•
мая мощность коллектора
(без теплоотвода} , Вт . . . 0,6
ТII max - температура
перехода
при давлении не ню'ке
1,105• Н/м2, 0С , , ,
...
85.
Rт, п-к - тепловое сопротивле-
ние переход -: корпус, 0 С/Вт~
ГТ403А, [J403Б, ГТ403Г,
_
30)

ГТ403Д, ГТ403Ж, П403И,
среда (без теплоотвода).
ГТ403Ю . . •.
.
.
15
0 С/Вт
100
ГТ403В. ГТ403Е
12
Rт, n-o
-
тепловое сопроти вле-
ние переход - окружающая
Допустимая температура , , о.кру :
жающей среды, 0 С , . -55.,,+70
1 При Т с > 25° G мощноGть рассчитывается по формулам: с теплоотводом -
Рк max [Вт] = (85 - Тн)I Rт, п-иi без теплоотвода
-
Ркrnax [Вт1 = (85-
-Т с)! Rт, п-с•
48
i;lf--+ -+ -+ --+ -1-+ -R --+ -- -t
36 t---+--+--+--+<- -1 -r-+-- -+-. .. .. .
за t--+ --+- -+--+ _ _,,-+--,,._ _ _ ,
zч t---+---+---r--t-t.fл"J---Jl<---t----1
18 1--+ --+ --+,'--'\----1 -# -+- -+ -- --1
IZ 1----о+--+-.,....,.........., .... ... ... _+ -- -+ - -
6 t----t--;1'!7'':71"'--т
0 0,1 0,Z0,J0,40,5 ifБЭ,В j
71ztэ
zoo
750 '" -<
.
1
Ик=58
0,8
0,7
0,6
·0,5
о,ц
о,з
U,Z
о,1
/ ....
_
,...- ::::
,,. -
V-
,,,,.
-
--
-
-
1,. .-
-
1,. .-
-
.. .....
-
-
....-
..
--
-
1--
-
-
--
-
....-
1-- -~
-
--
....-
! ,!)[Б
-
о
5 10 15 zo Z5ifкэ,В
н
ГТ40ЗА, ГТцОЗВ, П4DЗЖ, ГТ40З Ю -Л I 6 =8 мА;'
ГТ4DЗБ,ГТ40ЗГ, ГТ40ЗД - !JI 6 =JмА;
ГТ40ЗЕ/Т40ЗИ-М 6 =5мА •
Рк ер max, Вт
0,7
Ц6 t---t--t--tн-+>'f-+--V--17''-+
.. ....
1"--,
гтчозБ,гrlfазг,
и, 5l---!- ---1/#- -,- ~' -!. ,L --! -..4- ~
и. ц l---+--#Н--1+,,-,.--i,,<-t-,F-+---+-
700 ~ ГТ4GЗА,ГТ40ЗВ, -
ГТl/GЭД -
r--
~
ГТ40ЗЖ,ГТ40ЗЮ
/ Г-•
--
o, з f----+N.'Н,f,Н'-J.L--,,l!C--+~v=-1-
50
...
':::.. -
:i. _
/
-~
/
-
1-L
--
,-
-
·-,- ..
1--
·-
--
~ zt--.No-~~~""---1-=~=+,;---,-J
0,1
о
а
304
j1

-
~
.
·
~
-
'
'
~11р1111111111111!'1!111((11111111!1~1111ij11!1111 1 1~
1~
20
21
21
2]
ГТ404А, • ГТ404Б,
.
ГТ404Д, ГТ404Е,
ГТ404В,
ГТ404Ж,
ГТ404f',
ГТ404И
Общие сведения. Германиевые сплавные а-р.--:п.транзисторы предназначе
ны для работы в выходных каскадах усилителей звуковой частоты радиовеша•
тельных приемников и в другой аппаратуре широкого применения.
К:орпус металлический, герметичный, с гибкими выводами · (рис. П\.49 а, 6),
Масса транзистора не более 5 г для кориуса I и 2 r для корпуса 2,
Условия эксплуатации....: в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационные параметры~
1121.,,
Ul(&J rnax -
Зн[!чени я
Режи м ы из.,.тере·ния
Обозна-
"
!
На и:-.1е нова 1-1не
о,оа:;
"'
<,;
o::i:. :
чеаи Р
;.~
",:
~
,
u.о
~
"' ..
"'"
5'~
1),
чrow
':;: ~
::,
::,
-
-
Обратный ток коЛJ1ектора, мкА
1
1 кво
,,
25
1
10
1
1
1
Обратный ток !lмиттера, мкА
Статический коэффициент переда-
чи тока в схеме с ОЭ~
h21e
ГТ404А, ГТ404В, ГТ404д,
ГТ404Ж
30801
3
• ГТ404Б,
ГТ404Г, ГТ404Е,
ГТ404И
(30 150 .
,[
3
~
,;·
'
;
Предельная '!астата коэффициен ~
-
та передачи тока в схеме , с ОБ ·,
'·
МГц
F,i~lб !
1
,3
.
'
Коэффициент · линейности
:
h21э Uэ=т 3 мАJ :
1•
h 219 (!:,~ЗОО м,4\ )' ·
к,
:
ГТ404А-ГТ404Г ., .
0,6 1,5 1'
,,'
Прямое напряжение _ 3МИТТер -
база, В
Иэв пр
0,3
о2
,.

Максимал1,но допуст11мые параметры, Гарантируются при температуре окру~
жа ющей среды Те _· L.40 , .. +55°C,
f К max - ПОСТОЯННЫЙ
лектора, А
И::JБ т;,, - постоnнное напряже•
0,5
ние эмиттер - база, В
.
.
•. 20
Ик::J max - постоянное на пряже•
ние коллеIпор -
эмитIер
(Rt, ~200 Ом), В:
ГТ404А, ГТ4046, ГТ404Д,
ГТ404Е....
25
ГТ4 04В,
ГТ404И
ГТ404Г, ГТ404Ж,
....
40
Pl)
к шах - постоянная рассеIшае•
м ая мощность KOJI Jlt:KTO[J~,
мВт
для корпуса 1 • ,
для корпуса 2 .
,
.. •.
, 1:iUO
. ·300
Ти max - температура
перех.ода,
0G
.
,
.
...
.....
85
• R т, п-о - тепловое сопротивле•
ние переход - окружающая
среда, 0 С/мВт
для корпуса / •
,
,
,
,
, О,1
длякорпуса2•,,,,,0,15
Rт, а-1< - тепловое сопроти·вле-
ние переход - корпус
,
.
0,015
Допустимая температура 01<ру
жающей среды, 0 С ,
,-40.,.+55
'> При Те <. 25° С ,' В слуцае Те> 25°0 мощность
формуле Рк max [мВт] = (ТD шах - Т0)/R,r, D-c
или
рассчитывается по
р!\ max [мВт] =
= (Tnmax - Тн)IRт, п-и•
мА
/ /ик·о,
~
/._
1
/I
1
I
//
12
11
10
9
8
7
Б
5
4
3
1
/!
J 1,58
//.
,'
//
:/·. ,
/," /
{
///
'
,
/J/ /1v··
//!///
I /,'
/V/
,' •/1//1/
//, IV"7
/,(' '//
1.?л~
а 100 zoo эоо ltOO ~00 ~аа 700 ll~}/1B
Iк,
мА
400
•zoa
AI6
а
20
1;0 Инэ,В
Г Т404А,ГТ404В, ГТ404Д, ГТ404 Ж-АI6= ZмА
ГТ'+01f р,{ТLfQ4Г, П404f, П4Р1t11 -дl 'р= 1t1A
,
_,,
.
.

hm ~+:;~r+~~~=i;;:;;~::1-;+::;=):=+::+=1=!=::J::::jj
80 Нf'т-'"~"-,---':-~~Ьf-'F"'i--.1.c-f--+-+-+-+---1
60
4o~t~+~~:i:=;:::$tt:;t:
О 50. 100 zoo 300 400 Iк,f'IA
-
hm
UкБ= 18
hziэ при Tc=Z0°C
1
Iэ=ЗНА ,,,,,,, .
1,Z
,/
vr-
L~~
Rr,n-c,"C(NBm
U,09
0,08
0,07
0,06
0,05
О,Оц. 1
1
1
\
1
\
1\
\
\
~
-
~_,,,,
'
.,,
ЗООнА ~
о,оз
a,oz
а,01
\ ' S-плащадь paoua/ii6fia
-
·
-
/
/
.,. а,в
..,,,
0,6
V
~
1,
'\,...
--
-
.... ,,_
~1--,_
,~
~r- ....
а,ц.
50
IUO
-6[! -40 -ZO О +ZO +40, Тс,"С
ГТ405А, ГТ405Б, ГТ405В, ГТ405~
,
Общие сведения. Германиевые сплавные р-п-р-транзисторы предназначе•
f!Ы для работы в выходных каскадах усилителей звуковой частоты радиовеща•.
телыiых приемников и другой аппаратуры.
Корпус пластмассовый, герметичный, с жестки·ми выводами (рис. Пl.51),
l'v1acca транзистора не более I г.
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.
Электрич~ские параметры. Классификационные параметры,
h21э, Икэ max•
Значения
Обозна-
Наименование
~
qение
..
"'<i)
"'
t:
"
"'
:;;
...
Обратный ток коллектора, мкА
Режимы
измерения
.~
'°. • 1-0:
"""
•
:1!
u.а
~~~'"
з ..2)
:, :е

.,
'iн i!чени~
Режим'"
'.
'
1
измере 11 ия
Обовна•
1,
Q)
Наиме н ование
о
6
о
(Q
<
чени,
."'
..
i:i
::!!
"'JJ
о
"' ,;
"'
,;
~-
i>
"'.,
:,: _.
.,
.
:5 ,-::
~
,:
::э ,
Статический коэффици1:н1 передачи rока:
h21э
ГТ405А, ГТ405В
30408013
ГТ405Б, ГТ405Г
6015150l3
при Тс=+55°С
:ю
6013
приТс= - 40°С
80
150
•
3
Линейность 1,оэффициента передачи 1·окаI
Kt
l121э (f э=З мА)
0,7
1,4
1
h21эUэ=ЗОО мА)
h 21 1ц(lэ=ЗО мА)
1,7
-
1
h:k (/э=ЗОО мА)
h21э(lэ=ЗО мА)
1,7
1
мА.)
-
:h21 (1-=, = :i
-
1
1
1 Q,35
Прямое напряжение эм ит· , ер - база, в
Иэво
2
Предельна11 частота коэффициента
чи тока в схеме с ОБ. МГц
переда -
f'h21r,
l
1.з
Максималы~о допустJIМЫе ж~араметры, Гарантируются при температуре окру,
жающей ср~дЬI Тс= -40... +55 С,
lк max - постоя н ныi1
ток KOJJ•
лектора , А
0,5
ИкэRmах-;-Напряжение междr
коJJлектором
и эмипером
(R г, ~200 Ом), Bi
ГТ405А, ГТ405Б •
ГТ405В, ГТ41\5Г,
.
,
•
25
, .40
Иэв max- постоянное на п ряже
ние эмиттер - база, В
.
110
pl)
к ma:.
-
постоянная рассеивае•
ма я мощность коллектора,
мВт ...
,
,
.
.
.
.
бОО
rfп max - темпера т ура
.· перехода,
0
С
.
•
.•
85
, R,., п-с - тепловое сопротивле-
ние п ереход - окру~ающая
среда.0С/мВт . .. ,
,
,
.
0,J
'Допустимая температура
жаiощей среды , 0 С •
окру
- 40.. ,+55
1) При Те= - 40,.,,+25° О, -Вf случае f/'0 > 25u С Рк ma:11 (мВт]=
(Тn шах Тс)!Rт, п~с•
308

l!1
ч,а
3,5
з,а
Z,5
z,a
< 1,5
, 1,0
! 0,5
~
>--·
>--
-
-
-
-
-
-
-1)
Икэ=а
J
/
/
/
)
/
1V,
1
J
//
J
V
1
1
л-
/58
/1
1
1
"
1
16 О 1-н'f-~~---+-:::а~=---+-+'-""""'~------1
14 а J---W:.+-~,::__-,.---+-=---1"'=--+--+--+------Ь--i
1za I-Нt7e~~-+--+=,J...4=--+-+------1
10 О 'I-Y---J!----Ь.....,i,,=:c--+--+---+--1..-el"~---1
80 ttF-+- -+-::a;l. - " "F--+ -- -+-+- -+- -+- -- - --1
60 ttF-+- -+- --+- -'---+ -=l---1""=!--+--+-- ----1
чо ~:cJ:!~t;tэ~1~1=1::J
20 1-
а,1 0,Z О,'З 0,4 D,5 О,Б U53 ,B
О Z4Б8•10121416Икэ,В
hm
iaa
75
51)
Z5
J
/
,i
IJ
о
1,;-'
-
~
/
..........
1,,...
J"o,,
,_-
100
'1р111р1111111111111111111111111111111,11111111
19
20
21
22
-·2з
~i--,.
~ ......
-
г- J"o,,-
... ..
zoo
ГТ406А
,_
ГТ405А,ГТ405В- ЛI5= О,чнА
Пч-05 БJТ405 Г-!JI 5=0, ZнА
ГТ4U5 б
lfкб =18
ГТ405Г
-
.....
--
~
~
~
...
ГТ405А
ГТ405 8
u .,_
........
-
,_L
ЗО(]
400
Обшие сведения. Германиевые сплавные р-п-р-транзисторы Щ]едиазначе
ны для усиле11ия и генерирования низкочастотных _ колес;а11ий .
Корпус металJJический, герметичный, Q rибкими выводами (рис. Пl,50),
Масса тра11зистора не более 4 r.
,

~слови-я эксплуатации,....,.. в соответствии с табл. П2.2.
·f
•
Электрические параметры. Классификационные парам~тры1
Икв max• Ик э max• h21э·
Значения
Р~ жимы измерен .,ия
.
Наименование
Обозна•
о,
<!)
"'
о
о
.о
cQ
чение
',:
~ .,.,
cQ
"'
<
<
~~
<)J]
""'
=
i~~
:::,m
t.:
~
'
!:
"~
,.
~ i'1
::::,
-
Обратный ток коллектора,
1
1
1 501
1
1
мкА
1 кво
25
ОбратНI?IЙ ток эмиттера,
1
\20
1
мкА
1эво -
50
Обратный ток коллектор-
эмиттер при разомкнутой
базе, мА
1кэо
525
Напряжение
насыщени!I
1
1
1
1 0,5,0,051
коллектор - эмиттер, В
Икэ нас
0,5
Напряжение
насыщения
1 Ивэ нас
0,8
1 ! \о,4510, 05(
база - эмиттер, В
Статический коэффициент
-
передачи тока в схеме с
оэ
h21э 50
150 5
О,1
Граничная частота коэффи.
циента передачи тока в схе-
мес ОЭ, кГц
fh21э 6
5
0,1
Плавающее
напряжение
1 Иэвп,,
1о.з\25I 1 1 1
эмитте р - база, В
-
Максимально допустимые параметры, Гарантируются при температуре окру
жаю щей среды То =-60... + 70° С,
/к max - ПОСТОЯННЫЙ
ТОК
лектора, А
/ Б ma х - ПОСТОЯННЫЙ ток
зы,А....
кол-
. 1,25
ба-
0,4
Иэв шах - постоянное напряже
ние эмиттер - база, В
.
.
.
20
Икв max - постоянное напряже
ние коллектор - база, В
.
Р{<:Т,~~ - постоянная рассеинае•
мая мощность коллектора, Вт
с теплоотводом при Т11 ~
25
.;;;25°
•
без теплоотвода при
.;;;25° с
Rт, n-н - тепловое
ние переход
0 С/Вт
сопротивле
корпус,
....
Rт, n-c
-
тепловое сопротивле-
ние переход - оr{ружающая
0,6
15
среда, 0 С/Вт
lOO
Допустимая температура
жающей среды, 0 С •
OI<py-
-60,.. +_70
11: Рк max [Вт] = (85 - Тн)I Rт, п-н с теплоотводом при Т11 >25° С.
2), Рк шах [Вт] " = {85 -: -:: Тс)! Rтt п-с без тепдоотвода __пр~ Тс> 25° С,
810

Диапазон средних частот
ll} ·
· 1/1
11
1а
19
КТ501А, КТ501В, КТ501В,
КТ501Д, КТ501Е, КТ501Ж,
КТ501К, КТ501Л, КТ501М
КТ501Г,
КТ501И,
Общие сnедения. Кремниевые 91тпта1<сиально-планарные р-п--р-транзистор ы
предназначены для использования в различного рода схемах аппаратуры.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. Пl.15). Мас
са транзистора не более 0,6 r,
}'словия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параr.тетры. Классификационные параметры~
h21э, ИкэR max• Икв max·
Значе r, ия
Режимь,
Обозна-
OJ
"'
"'
Нпнменование
о
о
•о
со
со
.,:
чение
"
"'
:s:"
:,:
".,,
о
<). ,,
"'"
е:
"'"
~ ci)
:,,:
""'
:s:
"'"
:. :,:
"'
""
::,
::,
-
н з меv~ния
.,:
.,:
:.
:,: •
<.D
(Т)
-
Напряжение насыщения 1 1 1 • !
111111
коллектор - эмиттер, В Икэ нас
-
0,15 0,4
300 60
•
Напряжение насыщения
база - эмиттер, В
Вiодное сопротивление
транзистора в режиме
малого сигнала, Ом
Статический коэффици-
ент , передачи тока в схе-
мес ОЭ:
КТ501А,
КТ50JГ,
КТ501Ж, КТ501Л
КТ501Б,
КТ501Д,
КТ50!И, КТ501М
КТ501В,
КТ501Е,
КТ501К
при Тн= 125° С:
КТ501А,
КТ501 r,
КТ501Ж, КТ501Л
КТ501Б,
КТ501Д,
КТ501И, КТ501М
КТ501В,
КТ50!Е.
. КТ501К
при Ти=-60° С:
КТ501А,
КТ501 Г,
КТ501Ж, КТ501Л
h11э
h21э
130 800 2500 5
.5.
204060'!
30
40
851201
30
801602401
30
20
120 1
30
40
240 1
30
'
.•, •
80
480 1
30
10
60 !,
30
,.
=1
'-,
"'
-:
.0 ,27

.
.,·,
·f
Значения
t>ежимы измерения
Обозна•
<11
i"'
,.;
<
• Наим1;11ование
j
gcQ
<:Q
<
et
чение
:s
:,:
:,:
~
о
.о
~ф
,;;
с:
t;
:::-
сЪ (Т)
.,
l"
"'
.. :.
~
~ .::,
:::)
.
.
КТ501Б,
КТ501Д,
-
КТ501И, КТ501М
20
120 1
30
КТ501В,
КТБОIВ,
240 1
~о
К_Т501К
40
'
Отношение коэффици-
ента передачи тока в
прямом
и инверсном
ВКЛЮЧуНИИ h21э/h21э ""' К1
2,04,5121
30
Выходнац провод11мость
в
малого сигна•
ре)l~ ИМЕ!
ла ПРI!!' Х-~- 1.0 -• См
h2~э о, 15 0,3 0,55 5
1
0.27
;
,
'
Граниhна~ частота ко-
эффи!.(иента • передачи
тока 1схеме с ОЭ, МГц fгр
5
5
10
Коэф~ициент
шума,
14
(Rr= • кОм), дБ:
Кш
КТ501В,
КТ501Е,
КТ501К
2
3
0,2
.
r
Емкость эмитте;>ноrо 1·
перехода, пФ
1500
Емкость коллекторного 1
перехода, пФ
\ soo
Максимально допустимые парамеrры, Гарантируются при тем1,ературе окру~
жающей: среды Тс=25... 125° С.
.
.
lк шах..:.. ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛ·
лектора, мА . .
.
.
300
/к,иma~ -
импульсный ток кол
лект.ора,мА......
, 500
1Б max ·_
постоянный ток базы,
мА; ..... ,
... 100
и\)
КБmax,-
постоянное напряже-
312
ние :коллектор - база, В :
КТ591А-КТ501В .
КТ501Г-КТ501Е
КТ501)!S-КТ501К
15
30
••'45
КТ501Л. КТ501М .
'
:1)
,
,
60
, UKЭR max - постоян н ое
ние коллектор
(R5 ~10 кОм) , В:
напряже
эмиттер
КТ50 IA-KT50 J В
КТ501Г-КТ50!Е
КТ501Ж-КТ501К ' .
КТ501Д КТ501М ..
•
,
•
15
,
30
;,,45
60
1)
••.
Vэв max -:- посто"нное напря_ же-
ние эмиттер - база, В!
'
КТ501А-КТ501Е
•,
,
10
КТ501Ж-КТ501М
,
!20

2)
•
•
· то ,nas - тем· пература nrrн~xona.
Рк mai' -
n.nrт()ЯRRЯI! PЯCCf'ИRRe•
'С
150
мая MUЩIJ\)i.:П> KOJlll\:KTЩJa,
мВт ,,,,,,,•,350
Допустимая температура оиру- .
жаюшей среды, • С .
-60...+125
tJ В диа п азоне температур 25 .. , 125° G, При понижении температуры от
+25 ДО -60° G Ик.эR шах' Uк_в шах JlliHeйнo уменьшаются до 10 в для rрупп
КТ501А - КТ50IВ, до 25 В для групп КТБО!Г - КТ50IЕ, до 40 В для групп
КТ501Ж - КТ501 К и до 55 R для rрупп КТ501Л, КТ501 М, Значение И 95 шах
уменьшается для rpyпn КТ501Ж - КТБО\М до 15 R
•
21 В диапазоне температур - 60 . . . +35° С. При повышении темнературы от
+35 до + 125° С мошность линейно ~меньшаеrся до 60 м13r,
16,мА-
• 1,8
1,Б
1,ч
1,Z
1,0
0,8
0,6
0,4
O,Z
о
f-- Икэ=О . ..'
-
'- -58
-
1
I
J
J/
/
'
J
/
lj' 1/
11' 1...1
IJ,5 0,6 0,7 0,8 l!&Э ,В
КТ:5018, КТ501 Е, КТ501 К
1~,
мА
16
14
IZ
1D
8
6
4
z
"v
/V
.,
r/ 17
/
.
17
.,,,
~
v
.,
. ....
Vi-
V
./ /"
//·V
,,,
V/
V
V
V./
V
./V
V ....v
...... .
V v 1,,-""
v
~1,...,--'
1,...,- -'-
i-.- -
,1/ Б
.
-
1
!
О 5101520Z5303540Икэ,В
НТ5П1А,КТ501Г ,КТ501Ж,КТ5ОJЛ- L! I5= 5D мыА
J<Т501б,КТ501Д, HTJ0IИ, КТ501М-Л1 6 = 25 мкА
l(J501B, КТ5 01Е,КТ501К-Л1 6 = 10 нк А
140 t----f - -~ - - -+- - - -:::;.,,,,,,.,.q..--+ - - -- -+ - -=~-='+----+-1
' 120 t----+--~.-c-t-~----t----+-------+---+------"'--------J-.1
10D i--= -"F---+- - - -+ - -~4---+- - -+- - -X- -1
80
60 1-----+-- -----,f----;;;;;""-,:::___f------ --+-- ----+ ---+~ _, _-+ -1
40 t::::::;~ -- -t -=-+--- --t -- -::::±;;. --'F""'--+- --- --=:-t -1
20 c:::::::::::Ф=--t--"=:::::::r
lJ '-----''-----'--I..-J...U..Ш....--L---1---L..u..JCl-'L---'---L.:.l.....LJ...LLLL.....--L-...l.-J
''0;1
о.з
10
зо
100 lк,МА
,,
8).3

UБэнас,
Икэнас,В
0,7
0,6
,
0,5
D,4
0,3
O,Z
0,7
0,07
0,06
~05
и,04
0,03
0,02
U,01
.,
U51нас
-
--
.....
-икэна с
Икз нас""
. ... ... ...
..... ~
- ·,,
_U 5 3нас
~
-
________
...
Икэнас = ,Iк=Ю
'\.
'-
'!5 ·--
. !.. '!.=10
.. ..
......
IБ
............
-
,_.
_,
-~~
I к= 500мА
-
., ,,,
Iн-ЗООнА
.,
-··
-
I к-ЮанА
1
2. З 4 5678910 13 20 З040~Об~Iь,НА
1111111111111
Т
18'
19
. КТ502А,
КТ502Б,
КТ502Д, КТ502Е
,,
КТ502В, КТ502Г,
;
1
Общие сведения. Кремниевые эпита[{сиально -планарные р--п-р-транзисто•
ры предназначены дJJя применения в 1<лючевых и линейных схемах, узлах и бло•
t(ax аппаратуры.
.
•
Корпус пластмассовый (рис. П _l.36), Масса транзистора не более 0,3 · r,
Условия з[{сплуатаuии - в соответствии с табл. П2.2.
Электричес1ше параметры. Классифика ционные параметры;
.
h219, И КЭОvр• Ик-Б max• Икэ ma11:
Знс1чення
~ Р~жимы нзмс1,J~11ин
Обоэна•
Q)
t
g
f!анменованиQ
о
CQ
a:i
<i;
<i;
,.;
чение
'"'
..
::1
,. ..
g..
2
2
:i:,;
,;
:;: (Т) ~
"""'
:с
.,
"'
!>
:а2
...
~
::)
1::1
-'
Граничное напряжение
транзистора
(t., .;;
~300 мкс, Q;,.100), в Икэо rp
КТ502А, КТ502Б
25
10
КТ502В, КТ502171 ,
40
10
КТ502Д
60
\О
КТ502Е
80
1О
314
=1
'-,
"
...::.

Значения
Р""жимы измерения
Обоэна.
~"
f:Jiшмен6J,Jание
о
.~
щ
щ
"'
<t;
'§
::!
ченне
,=
"'
:,;
:,;
=J>
о
~
;!~
=
:.:
~di
i(Q
:,:
.,
!1
~~
..
:а
::,
::,
...:
Напряжение насыщения \
коллектор - эмиттер, В Ик.э нао 1 1о.151о'6 1 1 1 100\
Напряжение насыщения 1
база - эмиттер, В
Иэв нас
Входное сопротивление
транзистора в режиме
малого сигнала, кОм
hнв 0,32 0,9 4,0 5
2 0,8
Статический
коэффи-
циент передачи - тока в
схеме с ОЭ:
Ь21э
КТ502А,
КТ502В,
КТ502Д, КТ502Е
40
751205
10
КТ502Б, КТ502Г
801352405
10
при Tc=+l00°C:
КТ502А,
КТ502В,
КТ502Д, КТ502Е
40
240 5
10
КТ502Б, КТ502Г .
80
480 5
10
при Тс=-40°С:
КТ502А,
КТ502В,
'
КТ502Д, КТ502Е
15
120 5
10
КТ502Б, КТ502Г
30
240 5
10
Граничная частота КО·
эффициента
передачи
5,
тока в схеме с ОЭ, МГц frn
510505
3 ·103
'
Емкость эмиттерного 1
перехода, пФ
Сэ
Емкость J(ОЛ-лекторноrо !·
нерехода, пФ
Сн
Максимально · допустимые параметры" Гарантируются при температуре окру
жающей сред1,1 То=-40... + 100° С,
lк max - ПОСТОЯННЫЙ
ток КОЛ·
лектора, мА . .
.
.
300
lв max - постоянный ток базы,
мА .......... 100
/к, и max - импульсный ток КОЛ·
лектора (/и~IО мс, Q;;.,10),
мА
......... 600
Иэв max - постоянное · на пряже•
ние эмиттер - база, В
.
.
5
Икв max - постоянное . на пряже•
\ ние KOЛJJeKJOP ..,,. баз<J, в.
КТ502А,
КТ502В
КТ502д·
КТ502Е
КТ502Б
КТ502Г
40
60
80
90
Икэ max - постоянное напряже
ние колле1пор - эмиттер, В:
КТ502А, КТ502Б
25
КТ502В,
КТ502Д
_!\Т502Е
КТ502Г
1•
,
40
60
.
.
во
315

/~) mя 11 - П()СТОЯННЭJ!
-
рассеивае
маr ! (МОЩ~ОСТ!:1 - КОЛJ1ектора, •
мВ:т '
.
.
•
.
•
,
•
• 500
'1!
!
16,мк~
11:
,:
1,
!
i
0;4
'
!
/
/
'1
J
/
/
'
l!кз = 58
•.
0,6
Т п max - температура
перехода,
0
С
,
,
150
Допустимая температура окру
жающей . сред•,1, 0 С ,
- 40.. ,+ 100
') В диапазоне температур
-
40 ••. +З5°С.
При повышении Те
' ОТ 35 до 100°С МОЩН<DСТЬ линейно
~ уменьшается п.о 220 мВт,
Iк,мд
8
6
4
z
;
"JO
.,
.,..
V'
1,' .....
....
-
.... ....
--
--
--
t,:11& ~ ~с-,
1
О1ZЗ45G7Икэ;В
-
l<Т.50 ZA,
KT50Z8,
кт:тzд'
КПОZЕ -
Лiь = чОмкА;
KT5DZ5,
КТ5DZГ
Лiь=ZDмкА
.....
... ,..
i/
120
100
80
60
1;0
316 .
1,,,
V
-
' 1.'
-.,..'1,~ ,,~
\)'\.\>;,,,,,
-. . .. t,,,-
~~
\\'\,'(,
j,,i,,
i'I~,;,,,,,
,~i\\;,
i-<.
-
i1':l()'l .~:,.,
1(,501>, .. .. .
t--r1
11
1'
'\
"
'~
i,,i , ,~
r--, . ._
1'"" r..
,,
~~~ !\.
1~
~'
Uкэ=эв
i"
11
702
l

r
ас,
0,4
I
/
0,9
0,3
//
,,
I
ИБэнас/ )
O,Z
0,8
0,1
0,7
-
7/
1~" '
""'
/
, 6'v""' [,-<'
.,,,
i.-
"""
И~э нас
1
1.., .. .,, -"
~ i..-
. !.!!.= -10
г.;::::-"'
IБ
1
101
Iк,мА
[1/ 11 11111111111,'
18
19
.1
КТБОЗА, КТБОЗБ, К:Т50З[3, . КТБОЗГ,
КТБОЗД, КТБОЗЕ,
Обшие с1н•д:ения. Кремниевые эпитаксilально- _nлана' р11ые п-р -n- транзисто•
ры предназначены дJIЯ применения в ключевых и линей11ых схемах, узлах и бло•
l\iiX аппаратуры.
Корпус ПJ1астмассовый (рис. Пl.36). Масса транзистора не бqт::е 0,3 r,
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.
ЭJ1еlфiическ11е параметры. Классификационные параметры~ :
::;!!!::
': 11 J1J, ИкэОгр• Икв max• Uкэ max•
•
Обо:Зна•
чение
Значения
(Т)
::,
Наr1ряж'ен~J ; насышенljЯ ·1
)1\111
коллектор , ":! эмиттер, В · Икэнас
0,05 0 ,6
,
Напряжен~е; ; Аасышен~я ·1
·
1·1
·
11l1
база - э~иттер, В
•:,; И59 нас •
.
0,78 1,2 .
.
Входное ' ; сопрютивле~ие ;
транзистора в режиме
малого сигнала, кОм · -
h118
0,58 1,4
'4,0 5
"'"
~
·"'
lQ( ,j
100/ .
'1
"'
<! ;:i
"
:; J ,';!
(Ь
&;'
. :'_
-
r
5
11
51i./
2 0,8

·f
Значения
Режимы ИЗ!\tерений
Обозив•
"
"
.~
На именование
Q
о
щ
"'
<!;
<!;
<
,s
чение
'"
~
н
:,;
:.
:,;
<-.
:,: ..
о
~
"
;,:· ~
"
m~J,j'
~"
"',.
~; ,;;
::::,
::::,
-
-
·-
.
Граничное напряжевие
транзистора
•(t.~
Ик-эо РР
~300 мкс, Q~ 100), Н:
•
КТ503А, КТБОЗБ
25
10
КТ503В, КТБОЗГ,
40
10
КТБОЗД
бЬ
10
КТ503Е --
80
10
Статический коэффици-
евт передачи тока в схе-
h21э
мес ОЭ:
КТ503А,
КТБОЗВ,
КТБОЗД, КТ503Е
40
751205
10
КТБОЗБ, КТ503Г
00 135 .240 5
10
при Тс=+100°С: _
КТ503А,
.
КТ503В,
40
240 5
10
КТБОЗД, ЮБОЗЕ .
КТ503Б, КТБОЗГ
80
480 5
10
при То=-40° С 1
КТ503А,
КТБОЗВ,
КТБОЗД, КТБОЗЕ
15
120 5
10
КТ503Б, КТ503Г
30'
240 5
10
Граничная частота коэф-
фициента передачи · тока
в схеме с ОЭ, МГц
/гр
5
15505
3
Емкость коллекторного 1
Си1
,o:sl 201 5r
1
1465
перехода, пФ
Емкость : эмиттерного 1
перехода, пФ
Максимально допустимые па9аметры, Гарантируются при темnератур.е кар•.
пуса Ти=-40... +100°С.
iк шах - постоянный ток КОЛ·
лектора,мА....
,
.
.
300
'в max - ПОСТОЯIJНЫЙ ток базы,
мА
•.
t
•••••••
/к, и шах - ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ·
лектора (t.~ 10 мс, Q~IO),
100
мА,
.
,
....... 600
И кв max - постоянное на пряже•
ние коллектор - база, 81
КТБОЗА, КТБОЗБ , ,- ,
•
•
40
• КТ503В, КТБОЗГ
,
,
,
КТБОЗД
,_.
,
КТ503Е. • • !
,
,
,
318
60
80
100
Икэ max - постоянное напряже-
ние коллектор - эмиттер, 81
КТ503А,.КТ503В • , , • , 25
КТБОЗ.1;3, КТБОЗГ ; , , , 40
КТ503Д . .
,
,
,,
,
•
60
.
КТБОЗЕ.........80
l.!эв rnax _,. ;. постоянное напря)1<е,-
ние эмиттер .....: . база; В
5
P}>max - , постоянная рассеивае•
мая ~ощность • КQJJЛектора,
мВт• .
•
.
1•;.
•
.
• 500
Та max - ~емпература
~ерехода,
0С•
.
.
; " ;.... 150
Допустимая температура акру-
' жаю_1:Цей
среды, 0 С ; ,-40... +100

rr
·-
1
101
/
j
Uнз= SВ
10- 1
0,2 0,4 ~Б U63 ,B
,100
во
60
20~
-
'~энg~,в
0,9
о,в
!.,,....
lfнЭН!).С,8
[J,lf
о,з
' o,z
-
/
~
1) При Т с<. 35°С, При повыш~нии Т O 01 35 цс
1nn•c мощность J1инейно уменьша.:тся до 220 ыЬ1,
Iн,мА
8
Б
4
2
,
,_
1,,,-
~
....
-
_ .,..-
-- --
bl5
~~ ~-
КТ50ЗА,
!<Т50З В,
l<Т50ЗД,
i<Т50ЗЕ
Лk40мнА;
КТ50ЗБ,
КТ50ЭГ
ЛJь=10нкА
ZЗ4567И~э,В.
V
.... ~
1," '
~
t::;") '/
ll
1\
~1/
\
~'<:,/
~o"J{;,~.,..
1
~~
~
i'\ /
Г\.. :\
1,;
~°,)J'
' 1\.
'
1/
{:,')/
'
1
"Ji,•~
'\~'u ,/
'
· "Jp,.,i
"~")О
Uнэ=SB
1~
✓
V
UБ.Энас-::.,V
~
L,,'
lL'
--
i..,..,,-""
Uнэнас1/
1 ~1.о
1-
-
~
V['
1
0,1
~~
~.,,,,,,
0,1
о,~
--
--~
!1{= ш
_.,.
It, J
-
-
1oz

Диапазон высоних частот
{ 11 \1 !11 11 111111111~)1111!1111111 ii 1111111111i1111i11111! 111 }
11
Ю
21
22
2]
24
КТ601А
Общие сведения. Кремниевые планарные п-р-п-транзисторы предназначе
ны для р а боты в радиовещательных и телевизионных приемниках, в приемно •
усилительной а ппаратуре и других · устройствах.
Корпус герметичный' , металлический, с гибкими выводами (рис. ПJ.1 1_,6) и
пластмас совый (рис . П 1.53) . Масса транзистора не более 2 г.
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.4.
Электрические параметры. Классификационные параметры~
h21э, \h21э\ • Иквmах-
Значения
Режимы измерения ••
Наименование
-·
Обратный TOI( K0ЛJJel(TOp - ЭМИТ·
тер (R в :с;;; 100 кОм), мкА
при тс =-40... +25° с
при Те= +85° С
G0ратный ток эмиттера, мкА
Модуль коэффициента передачи
тока на · ВЫС01(0Й частоте
'.
Коэффициент передачи TOl(a в ре-
жиме малого сигнала в схеме
соэ
при Те= +85° С
при Тс =-40°С :
Емкость КОЛЛеl(ТОрного перехода,
пФ
Постоянная времени цепи о.брат.- •
ной связи на высокой частоте, ,ic
1 ) Тиl)овое значение.
320
Обозна-
"
"
о
,о
р.
р.
~ .,:
::i
чение
."'
"'"'
:,;
:,;
...
:,: .о
u.,,
::;:
:i: о:
:<о:
~ciJj~
"'"'
"'"'
:,; :,;
:,; :,;
::::,
::::,
-
...:
1кэ R
500 100
50 50
200 50
..
J fl21э J
2 11,51) 20
!О
20
11 21э
16 300 20
10
16
20
10
10
20
10
Сп
15 20
2
'

Максимально допуст11мые парамет1,ы. Га ран1:.ии,:1от<;д , при _тем11е_ра:г_ур,е _о~_f,--
жаr~щей среды Те_:,: ~ -40.,, +85° С, ~ • • :
i
/к ma-x
-
ПОСТОЯ НН ЫЙ ТОК- КОЛ·
лектора, мА ;
._.
.
.
30
lэ max -.IJОСТОЯ fЩЫЙ ТО.!{ эмит
тера,мА,;
.
.
..
,
.
•
30
•Uэв max - постоянное на пр.я.же•__
ние эмиттер -
•база, В•,
•
Uкв rn ax- -:-. п ос тоящюе 1:1апрi1;1{е•_
2
ние коллектор - база, В
.
100
Uк.э Rmax - iю с ;оян ·н~~ нап~яж~- '·
,,
н ие коллектор - эмиттер,
(~8 <I00 кОм):'в\ , • • 100
'Рк. та~ - постоянная рассенвае-
:-,••
-
м·а·я • мощность к'ол:Лект'ора;··-- · -
мВт:
'
•'
·с • те·плоотв-одом·
=-;--40.:;+551> C.t
при
без теплоотвода при - То=
= -40 ... +55°С и Тк~75°С. 250_
,r,,;,
~•
.
.
,
•, : ••,,, ·:·-r
.
''i·~
···~
-,
.
-~ •·
•\.
До п уriтимая темпераtур'а •о'кру- '
жающей среды, 0 С • ,с:-:-40,;,+85
Iь ,нА 1-------1.:: .. .·
--1-+-
·' _ ,'J1-
• ➔---'--
~+' -+ -+ -'·+
-
1_
': -. ' t-1---- -1
1-
1, 0;
rJ,5
J,.
:J'
1.. •
L:.: .l=-_
-1 --,4_,
1:..+ -+-+- --+1 ' 1
'-'-;
· ....:
-~
ч---;....:---, -- ~ ,
11
'.: ,17 ..
о -- ~с;;,
.,,v .·
0,Z
U,4
CJ,li
lh21зJ 't'к
tZ
;IJC
.,, .- ·-:t-,
-~4-L
·150
10
В 100
\ /'.·
1'\ '
·,1
i_. ;
7....
"
V
f'>ihzтэ.l при
11
/, Т~ при·)
• f=ZОНГи.
✓ f=5НГцj
~[i
,
--
6 1\/ ,.',..
-·
1\
IJ"'·
t-,
-
/
.
а
5 1а. 15' ZO 13,нА
11 Зак. 503
'(
20 _!.,io _
,,.
/,-
10 .....
(}
,,fc
.Cw1nФ 'tк
16 300
1Z
11
\
zoo )\
1
za
~
8
""- .
100
·4
,.
\
·-
t..,.'
""-
.. ..
_:,.-ч
;·
· -,н 6=75мкд
,,,.
1
1-1
... '
.,,
40
60
Uкз.:в
а
.
-
. Iэ=6'1А
...
··~· -
· r-= 5HГU.
.-
..
"
1
----
АС•
.
-- W-
,.
:-
. .:. --r:, •• с:
V
~-=г-- --
.., _
-
.... .,__ ... _
,__
,.
о 10ZO304050БО7080Uкь,В
-32)

,-
-
L.. -
1,, ~
-,_,~
,,. ..
/
Ux5 =2D 11
',!
>-
-
zoo
1
.
..
,,,,.
--
....
100
.....
-
-
'
•
о
8
1Z
16
20
1111 "
1111111111111~1111'1111'111111 11ji1111
'
19- 20
21
22 •23,
Ю602А, I<Т602Б
Общие сведения. Кремниевые планарные п - р-п - транз,исторы предназн~че-
11-ы для генерирования и усиления _ элек~:ричес 1шх колебаний в радиовещате J1ьных
и телевизионных приемниках, приемно-усилительной и другой радиоаппаратуре.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. Пl.5 4 , а) ,
М асса транзистора не более 4,5 r .
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.4 .
.Эле ктрические параметры. Класеифик'ационный параметр , h21 э·
Наименование
Обратный ток КОЛJJектора, r
мк А:
при Тс = -40~.. +25°С
при Тс =+85 С
О б ратный
мкА
322
ток эм иттера, 1
Обоэна•
чение
/!(БО
70 120
1000 100
Режимы изм ере нн я

Зннчен 11 я
Режимы измерения
Обозна-
"
"
f--Iа.и ·.1 е ноnаш1е
о
,О
cQ'
cQ
<,:
<,:
,i:
"'
qение
'"'
:s:"'
::.
::.
::.
~
"'.о <) .о
:s: <:
;:;~ ~
~~iiciJ
:s:"'
:,"
:s:;
::::,
-
-
..:
Обратный ТО!{ коллектор- 1
эмиттер (Rr; - 10 Ом), мкА: 1 кэ R
при То =-40.. '.+25° С
100 100
при То=-+85° С
1000 80
Граничное
напjiяжение
транзистора (lи= ·5 мкс) в Икэо rp 70
50 0,1
.
_
,
•.
,.
.
.
'
.
Напряже1ч1е
НаС1!JЩеНИЯ
"
!(Оллектор - эмиттер,. в ·икэ н-;,с .
3
50 '5
.,
,.
.
Напряжение
насыщения
база - эмиттер, в
Ивэ нас
3
505
Ст ат н ч ес1ш й коэффициент
-
'·
..
передачи тока 1) схеме с
h21э '
-.
-
•
·-·
•,·
ОЭ:
,
·-
'
КТ602А
~о8010
.
t(:):_
_,
,
КТ602Б
50 220 10
..
.
10·
Т.=·+85° С1
/
.,..,~
-
•
···гГ ,--·-:
при
'
КТ602А
-16' ,•240 10
•10
КТ602Б
40
10
10
. при
Т,о =-40° ~i
5 .-.
80 10
10
КТ602А _
-
КТ602Б
12
10
10
'.
'
'•
Модуль коэффици~нта пе-
реда_чи тока на высокой
частоте
1h21э ,I . lJ'> -
10
25
100
Емкость эмиттерного пере-
151) 25
хода, пФ
Оэ
о
2
Емкость колле1(торного пе-
рехода, пФ
Он 3,51) 4
50
2
ПостоJtнная времени цепи
.
обратной связи на высокой
частоте, пс
t'в
• 300
10
10
2
.
1\ iнповое зваоенпе.
11*
323

Максимально tдuпустимые параметры, Гарантируются при температуре окру
жающей среды Т~=-40 ... +120° С,
/ к .m ах - посtоянный ток . кол-
, ле1<тора,
мА•
.
,•
,
,75
/ !{, и m ах - импульсный ТО!{ КОЛ•
лектора (Q;;,,,7), мА
,
•• 590
,·
lэ max -:-- постоянный ток "эмит•
тера,МА"•,••-~
,.
.
~о·
...-
:,. .,
_
..;,'
· •·--
-,--- ....... .,._::,,
'1)..
',
.
И кэ Rmax - постоянное на пряже- !
юlе коллектор
(Rв ~1 кОм),В
.... ·;, ......
---
---
-..
..·
эмиттер
i
1ii.
·1
,-
• ИэБ ~ах ..J . постоянАое напJя'же~ ~
'ние э~иттер· - еа·за., В' ,,
•
5
.
,
1
~Кq.иmах.:.... импульсное напр~же•
ние коллектор - база (Tn =
.
=..,;,.40... +~0° С), В ,
.:,
, 160
р2)
.
е
Kmax -:- постоянная расс1тва •
мая мощ·ность ·KOJIЛeiЧQDЗ
с теплоотводом, Вт
,•
;~-- ~- -
-,
,.
~
при т·~-.;,;25±ТО0· с •. •
.•
,i •• 2.8
_цр.и" т ,;== =40::;•r-19° с . i
•
100.•,.,.
-·
,0,65
'··· nри,т~·=•+120° с -.
:.
50
без теплоотвода 8>
-- - P IJ.l!:·••1:~ -~2.5.::J;:JQ•..c .. , •., - !
•
,0,85
1у ,.,
-
..
,
.
'
Икв maJr,. -
rщстоя1;1ное нц_пряже•
t1ие коллектор - база, В
при Тп=-40... +70°С
,
, 120
при Тп=+120°С •. . • •
,
60
\.
rtpит~=+вs0с...i • 0,2
i.
<jn 'm •x - темпер~;ура
ос
.....
перехода,
.
,
.
.
120
Допустимая температура окру•
жающей среды, 0 С •.- J0., .+85
/
·•,,.-__
11•-•
-
• -{~.'-
,-.-
~•·!Li.' с•':1;[0 :; i ' r
{'. '
cl·;,~ ;· ,: .
'-с +-,,-,..• ,- ,.._.,_.,_- "'
. -~]
, u..a.
•: -"-,-1"-
•-'
,-.."°
. -,, ....
.
•
> .,,.
;:~;.: ,1;:
.\~ ,; ;.>
•·.·~··-
~:: -~
.. ·J'~-~~ ·;
::: t:.
r:. : ·r: ,f -:. ~ ~ - : "i ;. ~ ·j.....j.:.,...j_:,j...,.j_.j_~-l-;.;11..'-'l;;.'4'-,Ц.....,
~:· i~)::-.: :iJ 1 .-
·. tfJ,
il,8
1,0 ; Uьэ,В •
i) При по~ышении Тп от 70 до · 120 °0 напряжение линейно уменьшается.
2 ) В диапазоне температур 25 ... 85°С. , При Тн > 85°С Рк max !Вт]=
=(115-Тн)/Rт, п-н, где Rт, п-н = 45°С/Вт.
3 ) В диапазоне температур 25 ...stec. При Т С. > 8о,0С Рк max [Втj=
= ( 115-Тс)/Rт, п-с, где Rт, u-c= 150°СLВт.
324:

Iн,н_д
60
50
40
30
zo
10
/
J.,,,/
1;v
'
.,,v
/,,.
-
1--
,,.
1
-
.J
,...... 1""'""
.... .
•
iAf&
О
10 ZO ЗО 40 50Uк3,В
l<T6DZA-ЛI6 =О,Z5нА; KT6DZБ-ЛI 6=0,10tJ.A_
.
т•~ .."IJ '• .'' •~/1
~,J\,
;1;•. ••~ ._::,_➔,, n·)~·,],,:
·с;,. -··
;,\ ___ -·.
,.
•r-;:•, J ;'
,'! ;J!
'
~ Uк5=·1ав .
''\
.,'·
Г-::7 \ -
-...,
zoo
_
\
"
-~
\
160
\ КТБОZБ' - ·
~-'1-
•
1ZO
~
/ i-1-.
/
80
1/
КJБUZA
-
--
,..L
--
,_, '(/. _
/
-
/
zo 40
'
.~
--~----
11, 111111, ,, , ,, 1,11•11, 11 111 1,111 ,1 ,1, .. 111,; -, • ·-"' - К-Т603А, • 'КГ603Б;, КТ603В, КТбОЗГ,
19
20
21
22
23 :,~- ,:
v - К'Д60ЗД.,, КТбОЗЕ, КТбОЗИ
:
~....,!. ;
-~t
"i
;,. .
I
-~
~" .f
Общие с.ведения. Кр~мнн·е'lэ'Ь1е • э(Iита1{си·алЪШН'lланарные· п-р-п-транзис·rо•
ры предназначены для работы :в ·бы;с'rродействующих импульсных схемах вычис
J1ительных машин, в сх~мах •rенерироваilия электрических колебаний радиовеща
тельных и телевизионны:х -- приемникоц, в приемно-усилительной и другой аппара -
туре .
:___ :
.•
.,..~--,.-~
-
·
.:,
Корпус метаJ1личес!<'иf!,, . .r~р ~.i_'r-ти~н,ый, . с rиб1щми выводами (рис. Пl.1, 6) .
Масса транзистора не более 2 r: ' ·
•• ;,.
Условия эксплуатащi"i(:....··в ёоЪ·т.ветётВи\i с табл. П2.2.
:-
·;-
-
-
1 -1>-
·:· ........ -:·
-'·?--
•
·,
Электрические пара~е tрм. ·КJ!асс·ифик·ационные :параметры,
i.;
_..,._
• _:,
-
:•••~-Ао"•
О
''
.i ..
.
.
. /-12\Э• ,,UКБ ina.x•
••
•
.
....:
Наимен0ванriе
чение
:.1· .
j\.
.
,,
Обратный ТОК коллектора, мк'А
при Тс=-;--40,.. +21>0 С,1 ,
'кво
•КТ6ОЗА, kтвозв, КТ6ози -
КТ603В , КТ603Г
КТбОЗД, КТ603Е
iи
'о
==
u"'
=с;
"'"'
:s, ::e
10 30
515
110
Режимы и1ме1)1"ння
,.
325

З:начения
Режимы изч Е' рення
Обозна-
"
Наименование
чен'ие
,о
cQ
cQ
<:
<:
<:
"
"':,:
~
"
"
t...
:,:
<J"1
~
"'
"'-:
~(Т)~tD(Т)
.
"'
"' "'
""
~
~
-
.:
при Те= +85° Ci
КТ603А, КТ603Б, КТ603И
\00 24
КТ603В, КТ603Г
50 12
КТ603Д, КТ603Е .
108
Обр.а,тныii то1< эмиттера, мкА: 1 эво
I
КТ603А-КТ603Е
3
3
КТ603И
3
4'
Напряжение насышения ltOЛ·
лектор - эмиттер, В:
Икэ нас
15
КТ603А--КТ603Е
0,25 1
150
КТ603И
О, 15 1,2
350 50
"
,.
Напряжею1е насыщения база~
эмиттер, В:
Ивэ нас
КТ603А-КТ603Е
0,3 1,5
150 15
КТ603И
0,5 1,Э
150 50
Модуль коэффициента переда-
чи тока на высо1<ой частоте
1h21э 1
2
10
30
100
Статический . коэффициент пе-
редачи тока в схеме с ОЭ:
h21э
КТ603А, КТ603В
1€1
802
150
КТ603Б, КТ603Г
60 2()0 2
150
IП603Д
20
802
150
КТ603Е
602002
150
КТ603И
20
2
350
при То=+85°С:,
КТ60ЗА, 1\Т603В
10
2
150.
КТ603Б,' КТ603Г
60
2
150
КТ603Д
20
2
150
КТ603Е
60
2
150
КТ603И
30
2
350
при Тс =-45° С:
IП603А, КТ603В
4
802
150'
КТ603Б, КТ603Г,
20
2
150
КТ603Д
n
802
150
u
КТ603Е
20 •200 2
i5o
КТ6QЗИ
8
2
350
326

l
Обозна:
Наименовани~
чение
Емкость коллекторного перехо.:.J
да, пФ
"
С11
Емкость эмиттерного перехода, 1
пФ'
Сэ
Время рассасывания, нс I tpac
Посто~нная времени 1rе~и. 0.6-1
ратнои связи на высQкои час-
тоте, нс
't"н
' Типовое зиачение.
Значеь::ия
Режимы измерения
"
о,
о
,о
щ
щ
<t:
<t:
<t:
~
'"'
:s::t
::!!
::!!
::!!
t...
:s:"'
u"'
:;:
"'"
""
~СТ)~iaСТ)
:s:"'
;;•
::!! ::!!
,:::>
:::>
-
..::.
1
1400l10J_ I
301
,
1
1/:
"
.
.,,
~•~
•''
;;.
.,
•,
•·,• ,,,'.)
'1!i
Максимально допустимые параметры. r_аР.антируются п:ри __fe:'1 ~-~ patype ,.9 ~,l)X~
жающей среды Тс= -45... + 85° С
.,
,
•,:.,,1
/к шах - постоянный тоr< ·1<0л•
лектора (Тп =-45:..+ 120::. С),
мА.
,.•
,
.
.
.
.
.
.
300
/к, и max - импульснььй TCI( КОЛ·
лектора (Q>I0, fн= • I0 нс,
,
Tп=_:_4!ii, .. +120°C), мА
..
.
600,
\)
'
И,кэ R шах 1, -:- постоян.ное на прюI\е• . -
.
ние коллектор -
эмиттер
(R 5 .:::;; 1 кО\1), В
при Tn=~45... +70°C;
КТ603А, КТ603Б, КТ60ЗИ • 30
КТ603В, КТ603Г • , ,
15
Кf603Д, КТ603Е .
•
.
,
•
10
при Tn=+l20~C:
КТ603А, КТ60ЗБ, КТ603И •. 15
КТ603В, КТ603Г ..
КТ603Д, КТ60ЗЕ • , • •
И1~~ шах - постоянное па,~ряже-
ние коллектор - база, В
при Тп=-45 ... +70° С:
7,5
5
КТ603А, КТ603Б, КТ60ЗИ • 30
КТ603В,_КТбОЗГ•,•,, 15
КТ603Д, КТ603Е • • а" : ••~ :. 10
•- iipи Тп~+120°С:
КТ603А; КТ603Б, КТ60~И- , i5
.
'..
.
КТ603В, КТ60_3Г , _ · , ,
--1,._
,t,:,7,5
КТ603д, КТ603Е .
,
,
'}·П/ 5
-~- Иэь ·rriах ·
~ постоянно·е • нЗ'Пряже
ние эмиттер - база, В
при Tii~- 45•.:·;+l20°C; ,,", ' '
··,
КТ603А~КТ603Е •
при Тп=-45 ... +70° С О;
КТ603И...
•
..4
при'Тп=+120°С:
·. ,:)
КТ603И •.
,
3
2)
.:
Рк 111ах - постоянная рассеинае--.. •
мая мощность коллектора ·.
(Тс=+25 ... +50°С), Вт
·0,5
Тп mа~-температура _ перехода,
0С
...•..... 120
Rт, п-с - тепловое сопротивле-
ние переход - окружаюшая
среда, 0 С/Вт
.
.
.
.
.
,.200
Допустимая температура 01<ру
жаюшей среды, 0 С .
-45... +85
t) •При повь1шении температуры перехода от 70 до 120° С нэп. ряжение линейно
~меньшается.
•;-
2> В диапазоне Ie~пepa,i-yp 5U ... tl5° С Рк roox уменьшается до О, 12 Вт,
327

8,0
6,0
ч,О
z,o
о
.
/
,
1
1
а
'1
.,
,,,.
111
,.; .
1·
-~
Икэ=~j =
·16D•.-+-ы""'.,...f-+-+-+-+-1--++-+-+-+++-+-+-+-++-t
-
.
.,
'j
/
'
/
80 Н29,..-t--+-t-+-+-+-+..,-t:::_Ы+t-+-Н--t-+-t-t-l
J
/
11
D,ч 0,б •. 0,8
а
'-1
8
IZ
16 Икэ,В
КТБОJА, КТБDJВ,,КТБОЗД -,Н 6=0,5 нА;НТБОJБ.
1ZD
8D
40
о
КТбОЗГ, /(ТБОJЕ,КТБDЗУ[-М6 = O,Z нА
,,., __
1
1
1' -..._
'[[кБ=/8 -
!
~--
.
·г
;-
.. .. ...
.
.
..,
'
1КТ6UЗБ, КТ603Г, НТБVЗ1/'- --
~
.. ..
i ...... ---
'
'\
..._
,
0,8 ..
,,.
N- '\ 1(, !,'
-
1/
~г-:---.:.
/1'"\'
1-.1 -;-
:,
а
"
.- r::::::
;
'
'
..
~ КТ60З,4,КТ60ЗВ,КТ60Зд'-
;
...,. . '
- --т--,--,.-+ ._;._
....., -1~·,
1/__ -
o,z .
100
200'Iэ,~дО ,i; 1
100 !
ZDO I6,мА
•• J<ТБОЗА;Н-ТБОЗБ,КТ6·ОJВ;J<ТВОЗГ,-КТБDЗД-,·ктБDЗЕ- .
- J ~=750~A; J<Т60ЗИ -Iк=З5011А .
••
)
J
,,i
:_. .·,1,
):. :
, , КТ604А, КТ604Б •
uб·щ,ие сведения · Кремниевые tjлан~рные 11:-ср_-п-транзисторы предназначе- .
ны для р·аботы в схемах · переклю9"ения, релаксационных . генераторах, _ усилителях
напря,кения, стабилизаторах _ напрr,жения и других , схемах промышле1;1ной аппа- _,
ратуры широкого применения.
.
•
.
Корпус металлический, rерметиqный, с гибкими • вывода_ми (рис. П-1.54, а).
Масса транзистора не более 5 г; •
323
j

Условия Эl{сплvатаuии - в соответст,Ш!И с табл. П2.2.
.
1-
1r
: ;·1
Э~ектрические па_раметры.' Кла<:сифи!{ационные qараметрьи
1
h2_1;_
, Икэ mах•
j!
-
..
'!
•·
'•
..
Обоз на·
1
Наиме11ова1-iие
_qенне
1
. ...
Обратi1ый ТО!<· KOJ1J1C!{T0p -
эмиттер (Rв .:;;;1 кОм), мкА
•1кэп
при То=-40 ... +25° С
при То=,+ I00° _C
__
Обратный то1< эмит,тера, м1<А 1 'эво
Напряжение. насышения KOJI· I
лектор - эмиттер, В
Икэ нас
Модуль коэффицие_нта· переда-,
q и тока на высокои частоте • .
1h21э 1
Ем!{ость эмиттерного перехода, 1
пФ
С8
Максимально допустимые параметры
/к mв, - ПОСТОЯННЫЙ ток КОЛ•
лектора (То= -40... + J00°C),
мА.
•
.
.
.
.
""·ioo·
Иkkя ,;,,ах - постоянное !1апря1riе- 1 : • •
ние коJ1лектор
эмиттер
(R5.:;;;l кОм), В
при то =-'--40...+ 100°,с . • • ·250
при Та=+150°·С; .: • .
' 125
Иkl~ax -тiостоянное напр\1>1{е•
ние коллектор , .. ба;1а·, . В
..
, ПРИ Тс=-40.,,+100°С. • . ! 300
Значения
Режимы ИЗ.\1ере11 ия
.,.
,О
'"
"':,:
С) .а
"
,: <;
"'
"'"'
. :,;
~~
20
\00
~
"1
·«:
:;
~ (Т) ::<:
:::J
:::J
-
250
250
· -,:
:;
.ъ
-
·.
'
«:
"
"
L,
~
.j
..:.
>
·20·.
20'
..._- __ . ~- -._ ...____
;~·--J
при rс=+150°с . . . .'
. .150
и\)
,> ..'
ЭБ rnax - постоянное на пряже•
••ние эмиri·ер с,... бiiза, В , ;••~ •• •
••
при Тс=-40... +100°С : .,
,
5
при r.= +150°C ..
,
..
-2·,5
р2)
к max - постоянная
рассеивае_- •
.м.ая мощность колJ1ектора,
Вт·
без теплоотвода
при . То ·=-40... +25° С
, ,0,8
при Tc=+I00o-e;, ;
,
, . ,0.33
329 '

·f
с теплоотводом
при Тс=-40.. , +•25° С
,
•.,
3
при . Тr.=+IОО"' С .
.1 ,25
Т u max - температура
перехода,
0С
150
Rт .' n-к - тепловое сопротИ1JJiе•
ние п~реход - кор_пус, "С7Вт 4t
Rт, п-о - тепловое сопротивле-
ние пер·еход- - окружающая
среда, 0 С/Вт • •
.
•
•
• 150
Доп::,стимая температура or(py,
жающей среды, 0 С .
- 25...+ПЮ
• ' •При пов ыше нии · те . мп ер а ту ры перехода от · 100 до 150?(t напряжение yмeнliJ,
• шается на ГО% на каждые ГО" G,
э
2 > В . интервале температур окружающей среды ~5.a100°G Ркmах (Вт] 9'
= (150· -
Тс) / Rт, 0 - с ~ в интервале темпер·атур корпуса 25т- 1- 00° G
Рк max [Вт]= (!50'; - T1J/R'т, ri _ ,11 ,
•
/ i 11!] 1111) 11l1_f111~11111) 1J_I ~ r~ 11/11 IJ 1111
19
20
21
•22
•
23:
КТ605А,: КТ60513
'
1'1 ', .:•;
.J
•
'
'
'
1
Общие сведеии-я. Кре,мниевые пл-а-н-арные li-:р.-•n-тр-анзист.о.ры п.р.е.дн .аз.н.аче-
ны для использования· в схемах ·переi<лючения, релак~аuионных ген~аторов. усн,
лителей напряжения, стабилизаторов напряжения и : в других. схем ·ах . ашrа:р-а•
турь1.
'
Корпус металличесI(I1Й, герметичный, с гибк,ими вьrводiвми (~ис~ , П•С,1, . 6' ,
Масса транзистора не более 2 'т:
;-'
•
•
Условия эксплуатаuии - в соответствии· с табл. П2.4 .
...
ЭлекТР.!fЧесiше параметры. Кл,ас_ч1фик_аJЦ\ОННЫf=_ парамет·r;ы,
, h21 - э, Ик•.;; max·
З!Н1Ч€НИ>J
...
Реж'им1.~1
Об'озна ·
.,
Наименова;,ие '
;
о
"
щ' ,.
. ,,,.
О,
QeHИf
d:]·•,
-~
ж
;:о
>!
""'
~
/!j -
;~
,,"
(Т)
ro• fl:I•
~-
,i:,;
<>!
::).
::)
-
1
.Обратныij ток
'
коллектор - эмиттер, -
мкА
--
при Тс=-25 ... +25° С
1 кэ1<
50 250
при То=+ 100° С
200 250
Обратный ток эмиттер. а,
мкА
lэво
Напряжение· насыщения 1
коллектор - эмиттер, В Икэнаа
Модуль коэффиuиента
1
передачи тока на высо-
кой частоте
ih21э 1
2
4()
33()
изr.1ерt>нш1
..,
'
"'
о,:
;j
>!
>F
с..
~
"'
m
-
... :
20 20

J
Значения
Режимы и з черен 11я
Обозна-
"
\~
}
.fiаимен.ование
о
=
се,
-0:
-0:
;:f
qенне
..,
се,
:,;
:.
i
., .,,
u
.;: &
:~~
~
~
:ii
"'
J
"-
"
·::::,
:::,
...:
'
,1
€татически1i коэффищ1 -
ент .nе:11ед.ачи IDК.a JЭ :сх.е-
'Ме ,с -ОЭ:
-'1⁄2тэ
KTJI05A
10
40 40
20
КТ605Б
30
120 ifO .
20
при 1c=-d -100°;C,
К'J;6О5А
10
80 40
20
КТ605Б
30 240 40
20
при Тс=-25°С,
КТ605А
5
40 40
20
КТ605Б
15
120 40
20
·j
Емкость
'Эо1иттерн оrо
'
!
перехода, пФ
.Сэ
,\8: 35 1')
50•
-о
2
'
'
'
Емкость колле1<'юrнюго
пере:Х-о;ца, ,пф
1Си •27·4211
1''
1
7 40•.
2
1
1
,j
.
• П OC1'EJ!tltH а-я
:в р. ем--е:яп -
1
u.епи ,обратной св:язи на
1
'250 :1
ВЫСОКQ.Й ч.асто:rе, .щ:
'tк
1
20
202
!
МаксимаJ1ьно оопустимые · nара~1етры. 1 с1р,штируются при температуре окру·
·жаюшей•среды Те =-25.; .+ 100° С.
°Iк,аmах-импульсный то.1< КОЛ•
лектора (Та =-25... 1- 150° С),
мА·•,
.
.
.
.
,
200
u}}в max - постоянное напряже
ние коллектор - база, В
при Tn=-25... + 100° r;
.
, 300
при Tu=+l50°C
.
,
..
150
1)
•
Икэ R max - постоянное напряже-
ние коллектор
э- rтер
(R в ~lкОм),В
при Tu=-25... +100°C
.. 250
при Tu=+l50°C.
.
.
125
,uJi max - по.стояшюе .н.алряже•
ние эм,и,тт.ер - -база, В
при Т п=-25... + 100° С ,
•
5
при Тп=+l50°С
2,S
2)
Рк max - постоянная
рассеивае-
мая мощность .колJiектора,
Вт
при Т,=-25 ... +25?С ' . .. ОА
при Tc=+I00°C ... ,
. 0,17
Та шах -температура
ос......
п.е-рехода,
150
Rт, а-с - тепJiовое сопротив J1е-
ние .пе~,,еход - окружаю!.l!ая
среда , 0 С/Вт
.
.
.-
..
.
.
300
Д0.пустим а я ·lfeм перату·ра окру
.ж:аюшей c~e:aw , 0 С ;-25... + J 00
11 При повышении температур@ перехоnа о~ 100 no !50° С напряж-е ни~ ли 
нейно уменьшается.
21 В интервале температур ок,ружающ~й среды 25 ,. ;
.100" G
Ркшах [Вт]=(150 - Тс)/Rт, n _ с•
,
331

·-
16 ,IIA
. )!кэ, =Q
б"'
.-
~
2
о
0,5 ;1,0 Uбэ,/J
5
4
3
2
'~
/
'
.
...
V
~ Uкб- =108
F = 21Jl1Гu,
'
'
1
510
i'"
~ !t--, ... _
'
'\·,
15"
\
111111 1t jii Hji l l!jl!I Jj!ii jJlll!jlii _i.jlllij !ill!j1lllj1iil
"
1'\,.
\
\
'
i
'\
1\.\
Iк;7,~. ;
-.·-60
1,5
50
--
--
1..... 1 ,0
40
,,,.
~
0,75
.i
.....
--
30 7 ,,,.
--
~!/
-
20
(/
-
----
....
--•
1U
_
.....
о
ZO4060BD100
'
ПбО5, Пбоdл, пбов: ПбО!\А
!
1
.
-
u,5- .
I Б=D, 25мl! i
1 U,1
,.
,
Общие с.nедениk. tермание~ые кфнверс~онные р~п-р-транзистqры _ предназ
н •ачены для работы в высокочаетотньiх и импульсных радиотехнических схем~- х.
,
Kopqyc -ме:талличесiшй, герм1етичщ,1й, со •стеклянными· изоляторами,. с жестки
ми и гибr<ими в1,~водамμ (рис. П!Ь5), Масса транзистора не более 12 г, ..
Условия эксплуатации-:- в соответс1:вl!и с табл.. П2.3.
•
332
Эщ:1прические параметры. Классификационные параметрю •
1121:::J, Икь шах• 1up, lpllO; Рк max• Иэь Ш~Х•

1 •• ';,1'
·•
.
.
.
,,
'
З·11а~~~~!i;;1·
• .i,_: ' \ \. Р1жи4~1 fвМерення
• .Обо~на•
i., '
j'
:
: на~менование
"
.,
н~нНt
о
,о1,
о
~-~
' ..:
'«:
=1
.,,
,.,
а:
1
< с...
а: ..
10,
..
!'
::а
а: о:
:§'
о:
i\ф'.~
:i3 1'
., "'
~
.. .:
:а~
-
:f-
.!
~
Qбратный
-
1',\'
'
ток
'
''·
коллектора,
.i "'
!
...... ,
мiд: .
1к.-во
1
...
, r1605; П605.А
3\10~2. :q,2
2
45'i_
\
L_.
' ,П6Q9, Ш}ОбА
1,5-10' - 2 о.\~
2
3~ 1 · i'.,'1
,,
' при•· т.~ \
'. 1\
••..•!
.,,,
=60°С:
П605, П605А
6.10-2 0,3 8
40
П606, П606А
6·10-2
1
8
эо
Обратный ток
..
·;1
э~иtтера, 'мА:
!эБо
.
..
_,,.... ~---·
-~
~-·
. .._•1'-:
П605, П605А
_
2,iQ'-3 2iш-2 1
1·-
..
-
П606, П606А
· 2_,10-:- 3 2,Jo-2 1
✓
О 5 ,.,.--.·-
'-,} •
•.
lipи, т~••
,
li\
~/
_
,,...-
~
t
·,.
,;.
...
.·1
.Ь60°С: ····- •,
7·~
П605, П605А
5•10-:-" 2, 10-2 2
, !~,.
1.
__.. .
с-..- •.;!'"- ···•~.о;
П606;Н606i,\
2,-10..:.2 !'О,4 2
,,·
.о, 5
~
i
'
·1
.,
Qбр,ат.н.~1й ток
.... ~
.)(
,j
. :f,
)'
/,,
i
1<_ол.i)_ектор-
i:+/..
~
_
,..
эм итте.р .. .. ··-
•...
1
fR 6 ' ,s;;I0OOм),
,,.
;,
,,
мА:·..
.
{.
..
···КЭR
3
:4о:
' П605, П605А
:i
: П69qА, Пбрб
31,·
. ,25:::
1-\
..,
\~
•
1:~·}
·-,..: •
~-
, .,,!
у
Граничное на-
оряжение, В:
Икэо vp
П605, П605А
-35
О,Э
П606, П606А
20
0,3
·;-'·'.,.. -
·-·
Напряжение на-
. __;.\
сыщения кол-
"
..
лектор-эмит-
1r>.1·
-·
.,,
·'
тер, В:
Икэ'н~е(:·',
'j
l
, ·· ·"6,5
П605, П605А
2
6,Ю-~
П606, П606А
2
0,5 3.10- 2
Напряжение на-
·сыщения · база--
эмиттер, В:
Ивэ' нас
П605, IJ605A
1,2
0,5 6,Ю- 2
П606А, П606А
1,2
0,5 3;10- 2
Модуль коэф-
фициенtа пере-
дачи тока на
высокой часто-
,.
1re
1ft21e l
3
10
10-2 10
333

Наш,1а1юы111 ие
Статич:еский ко
эффициент пе
редачи то1<а в
схеме с ОЭ:
П60$, П606
Л605А, П606А •••
Время • нарас"tа•
ння, мкс:
Л605, П606
Обозна
qение
20
40
Э11аченая
40
85
60
120
.35
• 20_
0,3 Е~=
=20В
'
Режимы измерения
0,5
0,5
П605А, П606А
--
·О,35 -Ек=20~
1!'
0,5
. 0,5
Время рассасы- .
вания, м~,с:
П605, П606 .
П605А, П606А
Емкость _iJMИ']:-:.• •
терноrо перехр-..
да, пФ
' ••· ,.... G~
••
Емкость " RОЛ· ..
лекторноrо пе
рех.ода, пФ
Постоянная
времени uепи
обратной связи,
пс
Время включе-
ния, мкс:
lвнл
11605, П606
П605А, П606А
•.} !<.:;
·~ ..
3 Ек='
=20 В
4·Ек=2(Ш.
_
..
•2000
"
0,5
130
20 --
500
20
0,06
0,03
5
.,.
0,01j 5
Ма ,1<сима,1ьно допус11имые , параметры, Гарантируются при тем,пе.р.а;rуре акру•.
жаюше~"1 с р еды Тс=-50 ... +60°С.
fк, и max - импульсный T0I< КОЛ·
J1ектора, А
.
.
.
.
.
1,5
1Б, 11 ma,
-
ИМ пульсный ТОК ба·
зы,А,. !
!!,
1,
•
! OJ5
334
&КБ max - постоянное напряже•
ние коллектор - база., В;
П605, IП605А
••
45
П606, •П606А
,
••,
,
35

Иэв max - постоянное шшря,1<е- ,
11ие эми,тер - база, В,
П605, ТТ605А • • ,' ,
,
, 1,0
П606, П606А ,
•.
,
,
.
0,5
ИкэR rria х - постоянное напряже-
ние ROJJIJle~тop - эмиттер, В
при R6,,;;; 100 Ом, Тс =25°С1
П605,П605А,,,,,
.
40'
·
. П606,
П606А......25
при R. 6 , ,,;;;10 Ом, Тс=60°С:
· П@.05.,
П60.5.А. •
,
,
~~,..20.
П606, l1606A . .
,
.
•,
. •tS:
Икэх max· -
на,щ;шжени.е.: кoJU1eK,
тор - эмиттер . . иμИJ з,а,шJраю,•
. шем
напряжении, ' В;
ШЮ5, П605А
•,..
,
4-5
П6Q6, П606А . ,
,
~
.
•
,
•35
JБН-А ТJ=О··,_ 58
f-.
'
•
1•кэ
-
7,0
.
60~1+-+-+ -!-t -,+-+ - -t;++-1,
'
[~О ""' +-1 -+ -+ -1 -++ -11 -.+•""
1), 0 l-+ -1 -~ -+-+-lf -
, -1--1
~D1-+ -+-+-ff+-+-t1-
' l+-+-1
,
Z,O
,.
l-+ -+ -fL-.+ -t --+,,~f.-+ -1
lк,А
1,4
1,2
1,,0.
о:в
-
О,б·
{У,4
D,Z ·
Рк max - постоянная рассеиnае
мая мощность 1<ош1.ектора,
Вт
без теплоотвода: 1 , , •
;.
П605, П605А
,
,
,
• 0.5
П606, П606А
0,3
с
теплоотводом
=-50,.. +~5° С),:
П605, j1605A
,
,
,
~ 3,0
П606, П606А .
,
,
.
.
. 0,75
Тп. mа1.-темпераt~ра перехода,
0с,
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.+ 85
Rт, m-o, -
1,е.плов.о,е.. СGnротивле-
н.ие. пеr,~еХ:од, - ок11ужакiщая
с.р,еда, "С/Вт ,
.
.
.
.
,
50
R.- . . ■ , -к - теп.п.ово.е. сопр.оти.вле-
ние переход - корпус, 0 С/Вт 15
Щопуетим•а'я 11емпе~;,атура 01<ру
жающей среды, 0 С ,
- 50:.. +60
~
~,,
,_
,.
~; ,,
•
,,
.,,
..
,.
;,,
~
v-1:..,,
,.. .
·...-: ·
,.
,,,.
:-~ 1
.
.'
:;,~,,,.
...
'
#i., .
-
'}С,(,,,
с,,
.,,
---
•
•
!•4 I•
"
а 0,1 о,2 . о,зu5э_,в·
О Z4Б8101'l1lf16llкэJ'
ПБО5А, ПБОБА-М 6= 1нА; П605,П7Юi-J f{lHA
tOO
!10
во
70
60
50
40
3D
Jf.O
'10
о
!
., ,,~
,,,.-
--т-;- .: .. .,
t/ll"fJ, =,:i.В.
1
......
i
-.....
......
1·
- ~ Пftfl5A, ПбОБА
'i
//............ _
..
/
,,.
,_~,.(/
........
.........
/
/ ........
.....
.
'--
,
..j
~ ....... .- -
,--
--~
П605-..............~
.._
/,
•
-. ...
:., -< ~П606
-
/
...-
-Г7'
,.......
F--- ..
1,..,,-"
r-:--
--
-
-
1'- -
,.._
11/
-
,
--
---
·•
~/
~,.-
-
t-- _
-
t---
-
1
0,1 O,Z О,З 0,4 0,5 .0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1 1,Z 1,,3 1,4 1~,А
335

!
. ~ 1q11щ111 1p1111,uip1uu11, 11,11p11i,p11Qi11ч111~1 · -
:
;1i,,
20.
21;2Z,
:21 ,
" !lft
П6071- П607 А, П608, П6_Q8А,: п609, П609А
;',
•
·:
;
Обiци~ сведения. Конверс~онные германиевые р-п-р-транзисторы предназ
начены для работы В ' радиоте*нических : устройствах на часто.т·ах КВ и УКВ
диапазонов и в и·мпульсщ,rх схф~ах аппаратуры.
.
Корпус металлический, герметичны~, со стеклянными · !.пзолятораl,1111 и жест•
кими выводами (рис. Пl . 55)'. ""1асса т р ан~истора не более 12 г.
•, .,:
,
Ус?овия экс~лу.~тации -:-в 1соответст~ин с табл. П2.3. •
.,
,_, ,
. >'1
•
ЭJiектрические параметрь1. 'Классифшtационные параметры~,: : ' ..· •. ; , . : ,
,
,
.,.
·j
!
,•:-,l, ~ 1 ;;;
,
,
J,,,
•
._1
___ h21E)• /fh21э_l.
0браiный 'ток iюллtiктдра, мА.
rприrс,:=+60°с •
r
(
·'
,
,
(?бра-i;ный ;ток эмИ:ттера, мА
• при Тс>=+6,О0 С
.'
i
Обратный :ток iюллек:Тор
тер (R 5 ='100 Ом), мА
при Тс = +60°С
1
,,._ _ .',
\
Обозн~-
Значения
')11,/,
0,5 25
3
20
Напряжение нас~rщения I<о~лек-, ••
·1
,1
1111
т:ор ,-
эмиттер (n = 2.. .8), _в
Икэ нас, 111 2
.
,·
200
. Напр_яж~ние
.насьiщ'ени.si' ·база 1 • j - 1
·
1[
эмиттер• '(n=2 .. :8), ·в • r-.'
-
Ивэ ,нас ,
0,6. ,
..
Модупь . ко:эффицirента передачи
тока на вьiсокdй 'частоте:
П607; П607А •
.·, ·
П608, П608А
П609, П609А
' Статический коэффициент пере
дачи тока в схеме с' ОЭ (tи=
:
1h21в \
=5 мкс):
h21э
П607
П607А
П608, П609
П608А, П609А
336
3,0
~- ·,
10
4,5 ••
·10
6,0
10
20 во· ·з
602003
40120~
80 240 3•
50
50
50
250
250
250
250
..
20
20
20
1.10-3
1-10-з
1,10-з
1-10- 8

1
!
.
·\
Наименование
при То=60° С:
П607
П697А ;,, ::,, .
П608, П609 с
,
•
П608А, П609А .
·., ·П j> и 1: Тс''="--,6Q0 .с, ,'.,,.
П607
П607А
:,··
П608, П609,.. ,.....1
...
П608А, ПбО!JА ,. '-'
Емкость
пФ·
Обозна•
чение
Е·мкость
д\а, пФ
коллекторного :с перехо~
.
,
,.
:
,:(.. Gн ·.
1
Постоянная времени • це~и обрат-j
HtJЙ СВЯЗИ на . ВЫ~_~ко~. Ч_астоте, ПС
.
.
/;
....
·,
Значения
240 3
.600
3
,360; ·:3
· ·. ,72Q...3
5QP
Режимы измерения
.г-··, ':'(•i1_
250
250
. 250
250
,:;,,
..:
l •10-3
l •10-з
l •10-3
1· 10-3
. l •10-•
l •I0-1
\. 10-•
[ .10-s
15
Максимально. допуетимые . параметры, Гарантируются при темпер1111у-ре
щ<ружающей среды Т.=-60 ... +60°С
.
,l·
/i mах-- постоянный TQK _ кqл• .
__
лектора, . мА .
,
•
•
•
.
:•300
iБ. и ~ах - импульсн;ый ток базы; - •
мА,,,:;•: ,-,
, -,.,,
·150
lк, и max - импульсный ток КОЛ•
лектора в режиме перек_лю•
чения, мА .•
,
,
600
ИэБ max - постоянное на пряже•
ние эмиттер - база, В
1,5
Ик,Б max - постоянное напряже-
ние коллектор - база, В
.
:. 30
,··
UKЭR max;..... постоянное на пряже•
ние коллектор. - э.миттер, В
iii>0 . r.,,,.-:бо . .. +40°с, R~<
, : :s;;;;IQ0 _Ом_ .
.
,
.,
•
•.:• 25
при Т•-::- +,JI0° С, R6 <.10 ,Рм 20
• • РJ~~~- -~средня11 , pacceμвae,-iafl
-
.
МОЩНОСТЬ !<ОЛЛеКТОR,а
(Тн=~6О.:.+40°С), Вт ,
при ИкэR :s:;;20 В .
.
•
..
при ИкэR :s:;;25 )3 1 .
•
.
•
.
приИкэR:s:;;30в.. •...
То max - температура
. перехода,
1,5
1,0
0,5
0С
.
.
.
•
.
,
.
85
Допустимая . те:11пература оrфу•
жа1ощей сред·.>1, 0 С.
.--60...+60
337

,
hnэ
180
170
160
150
140
1ЗО
1l0
110
100
90
80
70
БО
50
чО
зо
zo
10
о
-
,- ...
I6,мА
9,0
8,0
7,0
6,0
5,0
4,0
з,о
Z,O
1,IJ
,r,
f
.
\
[\_
Uк6=ЗВ
\
г-:-
\
·,
.11'
I 1\.
\
'
\
'
\
1\
г,т \
~
1\
\
\
\
\
Г,
1\
'
1\
·\
,_
-к
"
:--,-...-
~, ·-1 -11°",;;.
• 1'-
"-··
.... ~
."-
r-.
-
,....
·-- -·
--
r-,:..-
,-... ~
1'-
-
100 ZOU 300 400 500 I к,НА
ifнэ= а •
J8/
/
~
1
)
/I
7/
J
/
V ./,,
О 0,7 O,Z а,з 0,4 !!53,В
338
Iк,А
U,9
0,8
0,7
0;6
~
0,4
о,з
в,z
0,1
1) При увеличении температуры до
60°С Рк max линейно уменьшается •до
0,85 Вт ПfiИ Икэ-<20В, до · 0,55 Вт
при. Икэ-<25В и до 0,25 Вт при
Икэ<ЗО В.
Uкэ мае
4
з
2
о
·.В
~
./
.,,...-
..... -
0,7
./
;
./
v'.,,
,.,,. ...
V'
_1,.- -
-
0,3
./
;./
.,.,,,,...
/
v
.-
i,,,"'
V
-
-- --t
-
П=Z ... 8
\,.
1
П607 А, П608А, П60DА
/.~
~V· V
с.,..,-
-
~ t:::-
v-V
--
v ~ ,....
t::, V: ,,,.,. .....
-
.....
•
~
~ ~ ,,,.,.
.,,,,..
-
i--- -,
")~v
.-
-
115=0,5мА
-
..-
е,- -;
~
·
1
-
ОZ4li8101Z/lf16Икэ,В

JIФJlШ(llii!iШjillilf iilji !iljl 11lj111$
18
2Q
21
22
23
КТ6O8А, .КТ608Б .
Общие сведения. Кремн11евые эпитаксиалъно - планарпые п-р-11-транзисто
ры предназначены дл_я · рабрты в быстродействуюших импульсных схемах, а _ так
же в цепях вычислительных машин, в схемах гене;ирования электрических r{оле
баннй, радиовещательных в телевизионных приемников, в прнемно-уснлитеАьно11
и другой р_адиотехнической аппаратур_е.
J<орпус м~таллическии, герметичный, с гибкими . выводами (рис. П i.1, б). _
Масса транзистора не более 2 г.
_
__
: Условия эксплуатации - в соответствии с табл. IJ2.2 ,
Электрические парамет.ры. Классификационньiй парам~тр: h2_1ч•
. •.·~
-
Зна~еНИя ,, .- ~
РеЖirмы
,,
'
измер ,-- нн я
!
~06Gзна•
•'
i Наименование
.,
~-
=f
о
а:\ . а:\
,,:
...
,,;
'
•
qение
•:с
;, :с
..~--
~
:s--·
с..
,,
".а <) .а
•··, f
~-
$~
:,: <;
,(!) .1~ ф ,'&
!..«J «J
'~~
:;~ ~
::э -
-=.
Обратный ток коллектора, мкА " 1 кво
10 60
при 'Тс=...;..45 ...+25° С -
.•
'
при Тс=+85° С
160 60
'
-,
,,
'
i
-
Обр;тныйтокэмиттера,мкА•1'эво•1 1 !О1• . 1 41, -1
1 '1;'
1
Напряжение насыщения . !(0Л-
лект6р - эмиттер, '•в·
Икэ нас 0,451) 1
400 80
Напряжение · насыще1шя · б·аза::..:
эмиттер,'В
..
..
-
Ивэнао 1.2 1 '
2
400•80
J\\одуль коэффициент~ перед;: \ •
1
1
·1
1-1111•
чи тока на высокой частоте ,
_1h 21э\
2
10
30
100
Статический коэффициент пе- ·
редачи тока в схеме с ОЭ;
• h21э
КТ608 А
20
805
200
КТ608Б
40[605
200
при То=+85°С;
.
КТ608А
20 ·200 5
200
КТ608Б
403505
200
при То =-45° С;
КТ608А
7805
200
КТ608Б
[51605,.
200
339

.
,
1·,;1
Зн-а~_ен.~я ; . ; ~ 1 ,-' р :: . жнмы _ из ~1е·реЮ-1я
i-!
·,
'
•:.
i\
,,
'! :._·f
•
! _i'
,' Наим~рювание :· c;r_\ ·j
"'-', . •
.J\
;~·1!
'
Обозна,
чение
j·i,\!1
с:5~·\-f~
~-!
~:а;, ·•т,: i;Q•• -а:!
~ @'.
~~! l~
•
т•
:е.::;; 1'; ::. 1,
::::,
':j
1
'
•-~!1
Ерем я , расс·асы·вания, нс ~ч: -' il lpac
5
- '.,__~·'
1,
...
,
;1,,11
Емкость эмиттерного п~р11(О·
~~,;~~;-~ ~ -~
-L
-- ~•.:.;~ ~- -----~-; :.~:J
5
\i., ,Ма.kri:;;~Jль:но,--;оП:у~;..еrи.мые -парам\:трr,,. ~ • • ' i
; !;\,,•
'
\J~:L_~••:<>~~-~·~•••-j,_·:--'·j·:·••--
,1
/к mаJ1-·;-~.'!lg.стоянныи <rv~.. . . ю; ш r
:-_
иki ....._;мпуль~~~е- 1н11пряже•
леkтqра >,-,(Т-о==~45 ... +~,5°С)1, _.~ .
_1
·,
,и__mах
-
-
-·
-
б:(Q~2
мА :;.'<·•• _..;:': '<.. ' ~· • . 1 /~;' •с:: 40:01· :-::~.: :~~1_gл~~1);:в':7 _ а,а, ,_, ,_,.. '
/к, и щах ,~_ 'импулвс111,rй , ') '01{ : кол: : [ !
·.,
..
_
.
.
_,
.!
лектq_ра . (Tc=.-; -15 i.,:+85°~), : ;· 1
,
:
,при Ти=-=4~... +75;С_ ,
•,
80
1мА /:'··: :,,:.
_
·
: - : ; · :.,,+-<Тf.?Р ·:·:~.).____⇒ ....:при Тп=+120° С 1, , • , 40
Икkк ma_x·-
ПО.СТ051ННОе напрю1,<еr ; .! -
•
1 '.:
'~;:; '
•.••
••
.
,.,''.
flИe : колJtектор : ;__:,;_>\эми'nер r ; ·«,:> · Vэв · 1;riiax ·-=- ·нмпул}!сное ! 11апряже-
(R' ,;, :--:"о)~В -с--: .~;.. ·:
:-,.>
.
• • ;---,, ·ниеэм'и:r:rер~бd з а (Q;;;.,2,
nрй ' (п=;::-45...+700, с:;·· • : • • •- 60- ' .
.. lii~!_0 МКС; _·;; lэв, и о~.Р ~
nр·и Тпа;=+120°С
30 ·--
-~2·мА),~В·,,•• •,• • ·'
В
'•·
'
•
•
Р~ina.. : ~ ~- iiocт~S\HHaя • lр~ссеивае-
Иk)в max i _; ~Q~тоянное на1фЯЖ\'!:
' , \: мая ,'r/~щноёfr,:коллекr~ра, Вт
ние КЬллектЬр - беааfв
,.,
• ' при 'То-=-45...+25°С • ,
, 0,5
при Tu=- 45... +70°C •• • 60
при Тс=+85\~ :,,, ,, •
,
•
.0,12
при Tn=+l20°C
,
,
•
30
i",
·
•
Иэв max - постоянное на пряже•
ние эмиттер - база, В
.
,
1)
.
.
.
.,
Икэ , и max .- - ,- импульсное щшряже-·,
ние коллектор - э"!иттер, В
4
при Тс=-45,..+70°С • ~
,.80
. _при
т_,,~+120°с .•
,
!140·
Тп mаж - темперцт.у'р'а .. . перехода,
0С'
•
1 ..._ ••
•,..-•
••
.
~••120
R.,, п-с,..,; тепловое
coпpotiiilЛe,:
иие переход - окружающая
среда, 0 С/Вт
.
•
,
•;,.•200
Допустимая температура окру
жающей среды, 0 С 1 !"""'45..,+.85
1) В диапазоне температур 70.:: i20° С напряжение уменьшается линейно ,
2, В диапазоне температур 25 ... 85°G Рк max (Вт] - О, 12+(85- Тc)I Rж, ll-c:
340

lJ,
50 t--+-,--+-tt-+--JН---+--V----,1-----J
!J7
40 t-+-+--!НI-Н-_ ---Н-
!+1-1-
, 1--1-7- -1- --1
!
30 l--+-t---'-Н---f--Jf--,Ч-Jl,----l+---/-i-------1
:/~
zo 1---1- - -- -- - -l --lff-l -ll -- -l#----,f---'- -~
i'fП , / Инэ·108
iШ V.
10 f-t- -t .!~M[/.~ l7A----+-+-I -~
и :а ~:. ....--' --- '- -.. ... .1.. ... ... -' ---' --- -1.: - ---. .I
U,5
},0 ?бз, 1J
0,6
0,5
U,1/ ;
о,з
о,г
0,1
IJ
/
/
--
--
- ---
/
J~
1/ 11' /~--
,.
j 1,,
,
//
"v
/[/
V
. ,,.,,,.
/
1..........
~[;7
/
,~ ~...
J..,,,
-
"15
•'---
.....
[.,,
.-
-
-
-
.
О
2
4 G ВUнэ,IJ
RТ608А-Ы 6=60нА ;Ш608Б~Аls=30,'1А
0,6
,,,,
,_ ,, __ ~...
- ,1,~ _;
· 1-L-
1,, '
.... ..
.,
.,,,,,
'
-О,5•- ~ •· ' -·--
+-ьt----Jr++--:Ы~-·~.....=-+++-И1..,,4+H-++hl4+'+-1 l,З ••_,
о,,; 1-- ,:_ к·I Uкэ 'нас +-ы'..-' .,.
· ',;.
'-""";,,-
-t-t>"'f-1,,---г'' +·-t-,•--t'., -~-- г-+---+.-'1'~"'+"'-'--1· , __
," + --1-+ -'-- I
'
1Z•
~
'---
1; ИБЭнас ~
1,.,
;_;•••' •
т:\:,~..,-~
~'-_.,</ ·:/Ai" ~ L--:'~
]., .,
,~ :-:
~ -"'·. •
- ~ '~ 1,i;'/
; ,,_
,_,У _ """
..,.
L.. •
. ....
' 'i =вЬмА _-,_ · 1,[J,,
'и,( . -"',~ ~~: • -- ,:.-с:... ,
/Б.•'1 1
•
0,'(J •'
•
1:
~~-""! 1-J.....
1
1
si/a ·
, ·6PQ,,1 _ ·
10g· Iк',нА_ _
,.,.,~ ,_,
,;
-
'·•,.
.
400
,,•
,,
)ijlliljillljlri)jill.111,liljiiir/ililjli])iiТ,Тjli .-
20
21
22
}З _~4
ГТСG09А, ПС6O9В-, ГТС6O98
Обuiие · сведения : ' -Германиевые сплавнq-диффузионные р-п~р:~-ранзистор·
вые матриuы . предназначень1 _ для 11спользования в импульсных, ·перекл-юча·ющи У
и других устро1k'rвах . аппаратуры широкого применения .
Корпус м·еталл\1ческий ; 1·ерметичны11, с жесткими выводами {рис. П! .56, а)
Масса транзисторной матрицы не более 4 г. В матриuе 4 эJJектрически изолиро
ванных транзи стор ных структуры.
Услоuи.я эксш1уатаци11 - в соответствии с _табл. П2.2.,.
341

Элсктрическ11е пар,а_метры. Класс1;фи1<аuнонный параме;rр: - , z,1 3 ,
~ва ч е11ия
Рё"Ую~мы ·~измере 1 111 я
1
f
j
Dбозна -
Лвпме~rоnаппс
мини-
макси -
щ
itD
<t
а
.
qе1~ие
-..;
,,:
...
мальное-
\-fЗЛЬНО f'
;: ·1
roi
~
i
tD
1'
.: :,
,.:::,
-
.
--
~
1.
Обратный
ток
ко л лектора, -мкА
1 к,в0
40
ао1
1,.
при Т-с=6О0IС
600
30
1
i
,
. Обратный
'·
1
rroк
·1
.·,
'
~ 2wi
эмит:гер.а, . мкА
. '1350
200
-при Те=б0° lС
f
l:JG0 [
'2."Б
,.
L
1
:
-
Граничнае н·апря-
'
'
жение · транзисто-
r!
ра,- В
Uкэо vp ·
30
0,5
Напряжение насы-
щения
коллек-
1
'
Bi •·URэнас"
,
'
'
тор - ЭМ,И'N~Р.
i
ПС809А
•0;1I5
11,16
·о,:~ o;oi
ПС609Б,
1
1
ПС609В
0,65
' \,,16
'
'
о..~ о~оп1
,·
'
..
l
!
'
Напряжение н·асы-
\
1
.
щения
база -
эмиттер, В:
Чвэ.нас •
'
ПС609А
1 :t:I
,0 ,5 О_.0'7
ПС609Б,
'
'
ПС6Л9В
.
,!.,!!
.
-0 .,5 0 ,011
(
"
:
•
Статнчесю,й коэф-
фициент переда-
чи тока в схеме с
ОЭ:
.:h2'!Э
ГТС609А
30
100
3
0,5 1- 10-э
ПС609Б
50
160
3
0,5 1- 10-8
ПС609В
80
240
3
0.5 'i. IQ-3
при Те= :
О,Sh21Эисх
=+60°С
2h21 Эисх 3
0,5 l•IQ-3
при Те= .
О,5h21Эисх 2 h21Эr;cx
=-4() 0 С
3
0,5 ·1.10-3
Время
В KJIIO '!е-
IJИЯ, мкс:
lюю1
ЛС609А
,0,.J
0,5 0., 07
'
ПС609Б,
10,5
гтсеngв
о,1
0,04
i
342

/
Значения
Р.€ жимы изме ре1-ш:я
'
Обозна ,-.
Наименава1ше.,
мини~
макси• ,
~ 1~'
::,
чение-
<
< .:.:
<..,
1
мальн ое
мал!)нQе
~
:.:
(1)
~1i
'
:::r, :::).,
•-
..:
Время рассасыва,
·,
ния (/ 6 1_=.f Б1)1 '
мкс~
-
fP.aC:
'
ПС609А
1
0,25
0.,,7
0,.5 р· ,от
!
ГТС609Б, .
:
;
"
ГТС609В
i
0,3
01. 7,
0,5 (J,04
!..
\
1
Граничная час•
тота
коэффици-
ента передачи тока
в схеме с ОЭ, МГц
fpo
30
3
0;5
..,
tf
;-,
.
,_
•··
..,
Емкость коллек•
торного
перехо-
'
...
''
да, пФ
Сн
50
ю
·5_
,.
.
~j
i
.,
,.:-
Емкость
ЭМИТ•
1
'"
:·.,.,:
..
:
тер ноrо1
пеl).еха- ·
.
·J ;."( :
j
:, -;
,',; ·250,
5.
да, пФ
\.·
.
Сэ,
0,5
'
..
.
-..
..
...
Максимально до'пустимые : параметрь1. Гаранти.руются при reм.11e.pu;r)hpe ,щ,gп
жающей среды Тс=-40.~+60° С.
..,.,. ,,,,
1~ . и r,;•ax - импульсный ток · кол• ,
лектора (/._ ~ 10 _м1<с), А
..0,7
11)
••
бы
в, и max - импульсныи то1r.
аз
(/и~;JQ.'J мкс}, А , , ,
0;1
Иэв ma~
-
постоянное 1-~'ап!)яже-
ние эмиттер - оаза; В'
2;5
Иэв, иmа» - импулы:,ное наПJряже-,
H!Je; эмиттер . - .5аза, (/,и:.Q. ·
<.1о ~шс); , В
3,0
Икв max - постоянное напряА,е•
ние коллектор - базса ; . В
...
50·
Икэх шах - постоянное напряже -
ние- ко':l!лек-тор-
эмиттер
(Иэа=О,р.;.0,7 В), В • , , 50
ip~J та." ·'· ~_:\'остоянная рассе·,: ~ ;,~~
мая мошность все;; струкr/Р. ' .
м:атриuы, мВт , • , • ;··', 500
·P;/ma, -
импульсная рассенвае•
••~
•
,
~•1 ·r
мая мощность тра!iЗИСТQРА ,, !:'
(/и~10 мкс), Вт.•·.','._. •. •
.
.- ,,
,'
,.,
f
R., ., а-о - тепловое СОП_)ОТИ!J.hе-
ние _ переход - оr<ружающая
среда, 0С/мВт , , • • ; 0,084
Допустимая темперзтура 01<ру-
жающей среды, 0 С ,
.-10.,.+60
r, ОПiреде:r~яется из расqета непревыrnЕ.-ния максимально допусти~юй мощ
ности.
21 В диапазоне тем:ператур -40 .,, . + 43uc. В диапазоне темп.ератур +43 ...
...
+60" G:· зна!чение мощности. рассеива1::мой транзисторной матриuей . рассчиты-
вается 110 формуле ~PKmax, [мВ 1J]= (85 - Т.c)/Ql,084
.
3 ' На каждый транзист.ор rранзисторной м,нриuы ·пt,и л,uбо~ 1<омби1iаuпи
включения транзисторов,
343

.,
--·
-
..
fiнэ liПС~ в...
·•:·:1••
1,5 \j
0;7
'
lн=О,5А \
\
I61 =70MiHftб'o9A
.~
'\,
• J61 ='t0мА -ГТС5096,В
1,0
0,5
,1\.
. ......
.-
·,
.
~
i"--..
'
'\
1--.-
0,5
0, .3
"
-
1-... _
,,
1'-- - ..
-
..... _
-
-
t-..._
--
D,1
о
200 ff.00 бОО ООО !,,.,мА
о
20
ili/llllj (li l/lllljil l l/lllljlill/lllljilll /
19;20
21'
2,2
23
I<Т61 IA. КТ61IБ · -,
'Общие сведения. Кр~мi~'~ев~;~ : планарные ·п-р,п-транзисторы предназ11а•!е~
ны для работы в усилителях . напряжения, релаКС!!UИОННЬ)Х генераторах, ключе-
вых · сх·емах· и ·;друr'ой "" аппаратуре: · ...
•••-
J Корпус металлический, герметичный, с гибкими вы в одами (рис. Пi . 54, а),
Масса транзистора не более 5 r ..
Условия sксплуатации - в соответст13ии с табл. П2.4.
Электрические , параметр'ы·;r К'Jiас'сификащ1онны:i\ ..';□ ~·р~мё1ф~:: h21 3 ; ••
",
:1 (/бозна,
qение
Обра rный ток эмитт~ра, -~ ~ ~· - ": · , ,. {;эво
Об ~~Т-ный той ко'Jl;1екТо·р
эмиттер (R ь =0), мкА
при .Тс ~-:-2$.;:'+ 25°·<:; . •
i)РГ ·Т-,; -
· +100° с
,~~\"
J-lanpяжeнiJe насыщения . · кол-
J1е1<'rор --- эмиттер, В
•
U~э нас
Модуль коэффициента пере-
дачи тока на высокой qастоте I h 21 ~ 1.
344
•
~.'~.,'i. ....~
-.-·'"
.'
'
,.•
Зн(lчения
3
200 , 180
800 180
8
40
Режимы нзмер еt~и i-i
2
20 20

·;,у.,, •\,, ;: ,J:.(· -
i '"!
, r .Qбозна-
.qение
СтатичJский коэфф ~щиент пе-
редачи ' тока в схеме с ОЭ,
!h21э
KTбlJA
КТ611Б
при·Те· +100°С,
KT61JA ,
КТ611Б
при Тс ."'7-25° С,
11,
\\
КТ611А-
КТ6115
Емкость коллекторного перехо
да, пФ
Постоянная времени цепи _ : об- :: 'i
ратной связи на высокой час
тоте, пс
104040
1
~0 120 40
io
,80 40
30- 240 40
54040
15 120 40
540
...
_
.. :·' ··-~
}
20
20
20
20
20
20
с.) ,<,•~:: _;:.' :,-
..' ;~: #,·.~·,•;.: ?·~· .·:, ~ ;:
•• i ..:: <'"~··:-• •;};•
'i
МаксимаJ1ьно дq11устf!~ые, -11а-р~м.етрь_I1 )~11:ран,тируют.ся , nр_и температуне ок.ру-
жаюшей среды Tc=-25. 1
._
j-100°(;, _
•
/ к m ах - постоянный : TOJ< кЬл-
,
ле,пора,, мА . ;;
,
•,.
.
с. :1О:О ':
,. ')
ull
ЭБ. mа J<
-
~:!'
ние
при
.:._ , пo~cт_\Hi;i'ioe - нап_р~~-ж~:.: , ..
эмиттер •~ база, В , 1_ 3
Тс=+150 С, ,: • ~ ,;.,J,5
1)i.
.--•<-j'
.
.
:..
Икв max -:постоянное напряже-
ние· коллектор - 'база, В .•
200
приТе.'+150°С,.,,~,•:, ,100
Ul)
KЭRmax - постоянн.ое напряже-
ние коллектор
(R;, ~1кОм), В,.
эми·rтер
..
180
при То=+150°С" • ,
.,
,
90
Ркma~ -
постоянная
мая , мощность
Вт
рассеивае
Iюлл:ектора,
без 'fеп.~юотвода :!) - ·
-
-
пр/т.=+25°±!0°С .
•
0,8
..
-,~ ·-~-,
" .н:•1:;!·1.
;:Те=+ 100° С ,
1: теплоотводом .!J ·-
, О,33
' ~ пъи : -Т/ '1+25"±10°С"1 / :''"з·
'·
\·-
•
.'.'\.
.~,,' .·.:.._,\ ·:;
Rт..;_.
-
тепловое- сопротнвле- , , ,
ние пеrеход _ ._ OKP,Y~\i!91Ji,aя : .;;ь·
сред11, С/Вт , ,·
,
,
,
.
.
15
Rт, а-и - тепловое
.
с0.против.11е-
ни~ переход - КОРПУ.С, о С/Вт ;/о'.
То ш:;_....:... температу_ра
с,... ...
перехода,
,
,
..
150
Допустимая тем.nература окру
жающей . среды, · 0 С . .:..:.2s ... + .100
345

JБ,мА 1----!-+-"-1--'--1-,--1-1-т1-i1--+-i
1
t.) При повьцnе оои те1,1riературы перехода· 011
100 до 150°С напряжение уменьшается линейно.
•
2 ) ' В интервале температур окружающей ере•
'
8 l~ -- ! - -!- -1 --+--+J--+- -f+--+- -- ' !
l\ЬI ';No ... 100°С Рк max [Вт] =(150-Тс)/Rт, II-C•
3) .В Iштервале температур на корпусе 25 •• ,
100°С Рк max =( 150-Т 11)LRт, II-11•
j
,
о 1Iкэ= 108
j1
//
'•
j1/
.• ..)'"· [.,,'
rJ
Q,§ ' ll,t. ~~-
.
-
Iк,мА t-H:--c+--4+--+ -+- -+ -d--k --l .:..,,l....:J
fO.
-
"'
', 50 ·tг, -+ -+--i-+ --t,--+-1- ---+ -.. .4 -+-+~
•.
чOH-t-t---t*~~~=-+---f~:::l:.~н
.~
....... ~
__:_,,,.,~-
10, t,,'
1/
.о
zo ·40 во 80 100 Ик,,в
КТ Б71А-t1I 6=tJ,211А; КТБ~_Б-,:JI 6=О,1нА
.... hш
1ZO
100
·-
80
60
40
ZD
а
1
1,(
.
1/
r
r
,.,.
,~
1, 1.
1/ ·t I'\
l\.~кБ = 408
_,
r\
1\~
r- ..
·,
''
/
КТ6_11 t; .
\
........
,
-,7
'
NТ611А -
,_
'-·'-·
/ 1>,,.
1
-~-- ·-~-
--
..
"'"
......
.. .;:1..1
_
... '-
-·
.... и~
~
-
10/J
Iэ,мА
КТС613А, КТС61ЗБ, КТС613В, КТС61ЗГ,
Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарыые п-р-п-транзистор•
!lf,Ie матрицы предназначены для работы в быстродействующи х импульскых схе
мах, блоках вычислительных машин и другой аппаратуре.
Z46

Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. Пl.56, а).
Масса матрицы не более 4 г. В матрице 4 электрически изолированных 1iранзис-
1орных структур.
,
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационные nараметры, '
.
h21э, Икв mai<•
Значения
р е>КИ1\1Ы ИЗ
Обозна-
""
Наименование
,о
;Q
сц
"'
чениР
"'
="
,:,;
u.. ,
::::-
:r
""
(Т) ~
=
"'"'
,.
~: :;
~~
-
Обратный ток коллектора, мкА;
1 кво
КТС613А, КТС613Б
10 60.
КТС613В, КТС6!3Г
!J 40
при Тс=+85°С:
КТС613А, КТС613Б
100 50
КТС613В, l(ТC6!3f
100 34
Обратный тои эмиттера, м.кА ) /ЭRО
J!апряжt?ние насыщения KOJIJleK·
тор - эмиттер, В
-Икэ нас f),51,
1.2
400
Напряжение насыщения база -
эмиттер, В
Ивэна \,)L)
2,
400
Модуль J(Оэффициента передачи
2 2,81) 10
30
TOl<a на выСОJ(ОЙ часто·rе
1h21э1
Статический коэффициент переда-
чи тока в схеме с ОЭ;,
h21э
25
100
5
200
КТС613А
КТС613Б
40
200
5
200
КТС613В
20
120
5
200
КТС6!3Г
50 300
5
200
при Тс=+85°С:
KJC613A
20
200
5
200
КТС613Б
30
300
5
2QO
КТС613В
rs 250
5
20С
КТС613Г
4(:
450
'i
20(i
,.
t=рения
"'
::1
:а
<..,
:ё
tD .:.
80
80
10()
.
341

..,
fr
,·
. . .. .. . ~,:<Q(.i~;•: r;~~ ·r
1'\r-(:\') i
' ,~ J' .~(i:;
,:., ;;\1,анен11я '.'"
';'J>е-жимы измере_иия
'),'·.:.,, ~ ,,r,
__ Ha~ -1 ~;~i;~•e"h;;e н: : 1 , у< г,L_,·1 \ О~озна t r ·,.
·
·..t, 1
' \,,
qение
"
"
·'
'~
"1
о
,О
'°·
"?
.,:
.., , ,:z:
:s:: :;::,
,:е.
<- ..
Время рассасывания, ис
~;кость коллеК1:орноrо: ,перехода,, .·, С11
i Макс11мально доnустимые,.ilараметры.
1•
••
-
,..,..
--.
!-
.
.
.
lк \nа:и: :.._ по ст оя нн ый
.
ТОК ' кол~··:: '
!Jl~Kтop'a (Та;,,. -45:.. - t 85° С),' ; .
f, мА
.
.
·•·" .
,
...
.
_
:·.. ·, 400
.
'
..
•
"':·
/к, ! и ina;:и: - имnульснi:.i'й' · то.к кол• , s
j лект°-ра (/и.;;;;12 мкс, Q~,2,
•
1 Т: с=-"'45 ... _
_+85С),мА,_
..300
-
!)[: •'
;·.... .
:.:·' '
-
• '•i'
Икэк · m·ах · -постоя.иное · на-11-р,яже-..
r· ние коллектор ,_; • эмиi:iер ·.;
i ~~--~01г8.-;: ; -;-·
·',.., ..• :•
;
! п·ри Tc=~45... +70°·ci ·
-
·.
•
1',
-
•
•
'
j КТСu_I_ЗА::-:_КТС61}Б , -- .
·,-,·--60
-К-ТG6-13В, КсJ'Сб! 3'1~ "; '~'. ''7•и ;, · - 40
'11 ри; Тс-=+'!20°С~ ··,
•
.
..
J<ТС613А, КТСбIЗБ. ·. ; , _, '•' --3 @·
КТС613В,"l(ТС613 !~ . ••
. • .'':.(.20
Икэ Rmax - постоянное напряже•
ние коллектор -
эмиттер
(R1; .;;;; 1 кОм) , В
при Тс=-45... +70° С:
К.-ТС613А, К-ТСбiЗ'Б .
КТС613В, кrС613Г ,
,
,,50t
•30
"
при [с=~+ 1!20° С:
К:ТС613А, КТС613Б - . • •
,
25
К,ТС613В , КТС6!Зf: • .
15
"'"'
•
C:J ..а
~
'""'
"'"'
~ ci)
::<:
"'"'
"'"'
~
;а~
":s
:::,
:::,
..:
100 1
1
••-1150/15/
2011 1 50
110111
10
1
'.
1·,15.1щ/J11
81)
lu
Икэя,:;,а,-, импульсное папря-
жение KOJ1JIeкrop -:- эмиттер
(Q:;;.2, t • .;;;; 10 мкс, R ь~
.;;;; ·1 ~Ьм),.В: 1
•
КТ.С613А; КТ€613Б •••• 70
КТС613В, КТС6,13Г .
50
и~>,.-
_
_.
КБ. иinax - . импуль_сное напрнже-
ние КОЛЛЕ:,КТОр ~
- ба за (.Q:;;, 2,
t._ :,;;;; 10 м'•J(С), ,8 .: _
..
,
при Т~~\_45_., -t>io0 С:
КГС613А, КТС6)~Б . ~
•
,
8\J
КТС613В ,· КТС61-3Г , , .•
,
60
1i'p~·т_с
• • +!'2о~'ё:,... • - . .
'\\
к.'tс'6!ЗА,0 КТС613Б ,
•
,
,
40
-
КТС613В, КТС613Г . . .
30
Иэв max - постоянное на пряже•
, ; ;~!'!~
'\ !!ми·:~Р.=~ -~~за, f , ./ 4
~Рк niax. -,,. постоянная •. рассеф1ае
мая ·· мощность .всех струк·rур
~ранзиеторной матрицьr, ~т ,, •
при Тс=-45 .. . +50°С
.
:,0,8
приr.= +85°с ::.,
.
.'0,2
,_
,
(;/Н max - ~о с то я н ;rое напря~(е•
ние ·колJ)еkтор - .ба:,!а, В
· - ьР~\~ ~1)/ · :.:... ,·имriульсная " рассеи-
при Tc=-:--45... +70°Ci
КТС61 3А, i<ТС613Б • . •
,
60
. КТС613В,
КТС613Г ,
.
40
при Те=+ 120° Ci
КТС613А, КТС613Б , , , , 30
КТС613В, КТС613 Г , , ,
•
20
• в'аемая МОU};НО~ТЬ транзи'стор -.,
ной матр)iцы (t.:,;;;; 10 мкс,
Q:;;.2) i 'Вт
при Tc=~45.. . +50°G , ,
·,
· ПРИ Тс=+85°С . ..• .
3,2
0,8
·'Тю max - тем □ ера тура
перехода,
ос.1
•
1•·
•
•
•
•
•
120

Rт. п~,, - тепловое сопротивле•
ние переход -
корпус~ -,
~С/Вт •
..
•
..••
..
.
.
60
R,. а-о .- тепловое ·
сопротиlj:Ле• i
ние переход - окружающая
,i среда, 0 С)Вт.
.
.
.
.
.
.
125
• допустимая
_температуР,а oI<PY·
1
жающей срёды, 0' С :.
- 45... +85
1 При повь;шении темп , ературы переход~ от 7..0 ДО. 1.20~ С, напряжение у1,1ень-
шается линейно,
..
.
21 IЗ ' диапазоне 'температур 50,,.85° (]·-
"'' ,,., .. ,·: • -'·
',\
};Р,К max IВт]""'!О,2+(85 ~Д'0)/Rт, п _ 0 , __
..
Ю Ркmах: одной транзисторной · структур~т . не дq,л~на ,:пр,~~191щать 0,5 8;r,. . --
41 При условии, что · средiiяя мощность ,не превышает ~начения Рк, max для
данной · температурьг . окружйюЩей ·средьr, • ·с - -
•
.... .
-
•
•
•·••
-·
•-
.. ••
0> Рк, • одно~ транзист_орной струю'у,:ръ1 н-е должна рревышать . 2 В11.'•;: \
.
6
, иmax...
..
.
,,.
0"
1
•'
В ди~пазqн\i' цмпераrур 50 /.,85 ,· G Р~. и max уменьшается линейно, • . ,,
lБ,нА 1--<1--+--+--+-.U ..._ J__-1 -...L J J[I._ J
,
40 l--l--+--+---Ц-l--1---1-J..l-,..J........I
6 L-...LJ .. .
._
,· _ i.,1' :.,е:.·· •.L -.L -J.-J.- J._ 1 -..J
O,lf О,Б ,0,IJ' ' 11D ·, U63',:(
.
1,~
;,~
zoo
• 150
100
50.
D
100
200 ~00
Iк,мА 1,
. i., воо .,. ,j~✓-~....
v-,r.,, r:.,,
,,,..,.
700 enr~~
--~~. .,;- .(._ ::....Ь
."'.""
-,-c: . .
,,+.-+ -,"!l'-d
. ...
, __-i-,
-
.: :+._.-
., н-+~
-.н,._
-1
"
;\
vv ,-:..', o.:
. ,.\ ..-·,
60,Q , ? .)7_
;.,
500 1,, .:~',
'"'
1. .:·
~
....,.,
~ОО( 1) ....
,•..il
;i_;•:\)i~~.
300 11---14
.
1~4,.,.; .i..
·'4':
·
.,
_
__.1°·~• "-"Н
'4 ---.
.F..-
. , -- !-H..., +_, .+
,.)'·1
200 "l.,,__,_'_• .J_
· --"
··
_. .,__ __,_
1001-Ai,,"---1--1---.+--+-1---+-1--
· J' ·--'-
.•;+
----+--+--+--,г' с+, ·'-'4
,
;)LL.JL-1---1---1---+--..!-
, _--'
, .,_
1•~• : с.
:-.,1;, ·:....:;.,_μ:с,...·....с, ,+ ,. ,"-
..4-+~
. :J..
.
J;.J...,j,,,,Ь,ЬЦ:::t::::,l=:t=~:±:±~
400 Iэ,МА
О. •5 10 ~ 15 ,·10 /zбi·-:_,a_;\ll'нэ)
Кте51ЗА-АI6=?,5мА ;: КТ-СБIJБ, KTC613EГ-l11t,=
_ = 1,~нА j КТСБ1ЗГ-:.J1ь=МмА .
-"
hz_1э
180
140
100
60
20
.о_
,.
34!1

350
5
4
·З
z
1
'
•
.
1
-
.
,,,.--
'
'
.
).,,.....
,_
.
_ _ _ L-1.--,
-
-
,.._.
Iз=ЗОмА -
!,,-
f=1UOMГ,i,
510
15
;_
'-~
r
f
V
1,0
1,9
V
,-
-~
,.. -
'
_
И. i-
·- 1,7
-·-
I
с
~
-
/
И БЭ нас•~ ...... ~
-
1,5 ~о,в
.
с
..'
i
1;з
1\•
1,1 0,6
'.
.....
-
~ .....
\
1,0 ...
-
--
-
о, 7- 0,4
-БО
-40
о
.-
1hz1э \
5
....
\
4
з
:·z
1
[J,
-
1\
\
-' --,,
,__ 1
rn~
,...1,;<1-
--' -~
,
-!-..-
·--- 1...
--
' -'- ~е-
,..
~
I
1~ --:!-.
i-...._11
~; .._
1 ....
',
"-' f-
Ик5-=ЮВ
,~
-'-
t::
-'-
Г= 1001:JГа,
•'
1111
100
zoo зао Iн,мд
i,1•,·,,'•1•.,
1 1 i:;: .....-
·т
1.1
,:-~
1к = 400нА
1\
I 6 =80нА
ll
\
11
1\
111
1,7 Икэ нас
,,
1=
11
zo
40
б(}

К:Тб16А, 1\16166
Общие сведения. Кремниевые, эпитаксиально-лланарные .п-р -n-транзясто
ры пр:едназначены ~я испо.%sования в ЭКВМ «Электроники-70», «Электрон.и•
ка-7~0М» и в других модификациях этих машин. 1
Корпус металлический, герметичный, с г:иб1шми выводами (рис. П 1.11).
Масса транзистора не более 0,6 г"
Усл~вия· эксплуатации - в соо1<Ветствии с табл. П2.4.
Электричесю1е параметры. Классификаuионщ,1е параметры:,
h2 1э, ИКБ max, tpac•
Знаqения
Режимы
Обозна•
Наименовав нс , ;
qени1.:
Обратный ток колле1<тора, мкА 1 1кво
при То=+85°,С
.,
:,:
"':,;
"'о
~ :r.:
u.,,
,."
:,:] ' t'l;j
~ :;:
cQ
<(
ёQ
:,;
~(rJ~
:::,
~-
И'!мерения
,,:
-,;
:,;
:,;
"'
j
Обратный -ток эмиттера, мкА. 1 / ЭБО.
Обратный то: ·- -~оллек~ор -\
1
1151j41.1
11
эми.ттер (R 5 <1-0 кОм), мкА
/КЭR1 j1512011111
Напряжение насыщения кол-1
лектор - эмиттер, В
j Икз нас
Напряжение насыщения база-1
эмиттер, В
И59 нас
Модуль коэффиuие~та переда-\
чи тока на высокои частоте
Ih21э1
Ст_атический коэффициент пе-
редачи тока в схеме с ОЭ;
h21э
КТ616А
40.В51
500
КТ616Б
25701
500
при Те= +85° С:,
40
1
500
КТ616А
КТ616Б
25
1
500
при Тс=-40°С:,
,
КТ616А
20
1
500
КТ616Б
8
1
500
'
'
Время рассасывания, нс,
lpac
КТбlбА
50
150 15
КТ616Б
15
150 15
,.
::f
~
-=
lOO
• 351

''ii:1
'1;.,,','
НаиМейованне . ·' . -
Обозна
-.
:· tiен ие
Значения- ;
- : ; Режимьt измерения · •
Емкост: "~м иттерноrо п~рехода, 1 / . .
пФ
....,Сэ
,r·,_
~. ,С}
-
l•
••
,~;-:~!..~
Гарантируются при температуре or<py•
Максимально допустимые параметры.
жающец <'с'редь1 · Т с =~40., . + 815f ·Gi ·,
-
:,1,
....•
,
~~(~--
•
· _;;•,,.~.J~')
·i.;-~,.~ .~-- , ,
,~·i
•
,
1··
,
1 ;· ·(-:·
-.•·
•·.-1
;-- )•_,-· .
!6 ,мА
I
l
901---+- --+ -- -+ - -- -r- -+ - --!- --!
80>-+- --+-- -+ -- -+- -++,--..........
70.. ,-
__- --, t-- --+ ---+ --+ --- ,.. -t ---- ,-- --- ;
/к max - поСТоянны ·й
тоК · к6л• :- . .:.,,
J1ектора, мА .... .400
lк, u max - импульсный ТОК КОЛ·
лектоiра ; (t.~ 8 0 · 111:; ·Q;=J0),
-
.
мА (·1
.
;-:•.
.'
.
,
:
.
.
600
Иэв maX;--. .. ::; постоянное· н'апряже•
.
ние ~м~т'i·ер 7 бма ;( В ·
t • :,:'J
,·
~ VКБ ma /:-1-= hосiоянное
на пряже• -
/~----</ -,
ние 1~6JiJ1ekrop- : ..: . · баз,.; · в
.
20
501---+ ~+ ---1- --
_
tc_/ -1
_..-,:+· ,
-. - -+~_
~_
-,
_
,.....'"
•_;
И кэ R ' ';""постоянное н~_ пря же-
''O
-
-
;,
ние " кnлJiектqр - " --
-
эмиттер
.,
>---+-+--+а - и
·=
·58
--":-
"
•
-j
~э -'·J.....
,- 11
(R6·~•юкОм},·В·. ·,".- • .· •
20
Jo
-,
1'
-
1 Рк.mа~-п·о~с•то ·я· н·н'·а··я " рас'с·· е•=ае- --:. ·
~-- :t·1J,~ •
··--
/
•-;•
ма&я мO'uitraCTЬ' КОЛ;rJеКтЬр;:· Вт . :
"
2'00
__
::_·..
_:.~:....· ,
·- J _.·.•·_- -~- ·
·.~
-
..
··~.. -
\;·,
при Тё==.25°-С • ·'.
•
•• 0,3
..
..
..
.
)..
"
при :Тс=85~ С .-
.
.
0,2 ,5
1--+~-~i -;- --+,--+ --rt--+-'c -1 ' , Т
uер_ехода, . '
о l/·
'~: "..,/"~· · ·-e·:___"i) ; пmо•с-:~~~п:.:а~у~а :
:.
150
0,6 _ О,7 , Q,8 U63 ,B · ,.: Rт,п-с-~ецловqе
сопропшле-
:.- t,~ .
•'•'
~·
ние ' переход -
• окруж·аюшая
•· -~
·
- - ::,:·.:
..
среДа, 0 С/мВт : -.
.-
. 0,26
•.I мА--
'•
ДопустиМJ!'я " темп~ратура О1'РУ·
,
к, .--
,-_. --
_
,,- _
-
__-
-; г_-.---,--~-~- 1
жа~ч!fl:й :средьr;"·~С . -
. .: ..40 ... +85
100
., ,.... , --
·~ ·-·.а.',_• .(;
;·
80
60·
~~
):.:- ,
чD
____....
о
5
10
15 Икэ,В
11ТБ16А-,Н Б=О,lнА; КТ61Бб-L1 I5=0,15нА
352
100
во
6D
40
zo
,,.
-·
,
L
il~--7
',·')..;
//.
г----.
-✓'
-
J ......
,, .., ;...
,.
~1"'--
r,
'~
Ик5=1В -
i--, ,_ _
,_
-~
..; .
'
"
-
.,
~~~
-
'·
"·.
· кт6tБА
>,,. 1
-
КТБ1Бб....L
~
-·-
--
- '":""~ ....... ts:
\~
-- ...
,.'
1

КТ617А
Общие сведения. Кремниевые эnитаксиальио -n.панариые '. n-р-п:-тр,анз_исто•
ры предназначены для испол·ьзования в ЭКВМ «Электроника-70» , «Электрони -
ка-70М:о и · в других модификациях этих машин.
:
_
_
__._
•_.
Корпус металлический, герметичный, о гибкими выводами (рис. ПI .38J , · Mac-
ca _транзистора не более 0,84 г.
-
...__ , :
Условия эксплуатации - в соответствии с та~л : п2.4;, ·
Э11ектрические параметры. Кла_ссификационные параметры , •
h21э, . l.!кв m~ ~-
• Наимеuов·ание ;
O6ратны11 ток - коллектора ; икА
при r.= - 40...+25"С.
ори r. -+85~ С
060,зиа•
чение
Напряжение насыщения кол-
,-,: >лектор - эммtтер,. В .
Uю~ .нас
_Модуль
ко~ффиц-иен'tа ·: переда-1 •
- чи тока на высокой чзстоте • 1h21e l
•
'
.
.
~
'.-
Стат.ический коэффициент пе- .
редачн тока в схеме с общим
эмиттером в _ режиме бодьшого
сигнала •
h~lr§
при То=25..,85°С
при т.- ---40° :С .
Емкость кодлекториоr6__пере_· хо, _1·.
~а, пФ
Си
. 11qс,:ояиная вре~ени -цепи об·
ратной связи на высоiщА .час-
тоте, нс
-~'к
12 3ак, 503
'
'/
Зн~: ченш1
:1
j·r-;•·1:-•1
4
,: '_; ;_,1)!
•
с-••,.
,
_,,_,
--- ,_
-~
~.. -
30 140 2'
•8
2
120
5

Максим·ально до9устимые параметры, Гарантируются при температуре акру<
жающеi\ среды Т с = .- 40... + 85° С,
/ К max - ПОСТОЯННЫЙ
ТОК КОЛ•
лектора, мА . .
.
400
/к, и m,ax - импульсный . ток КОЛ·
лектора (Q=l0, t.~ 80 нс),
мА......
600
ИкэR max - постоянное напряже•
ние коллектор
эми·ттер
(R 6 ~10 кО:>1}, В
20
Икв max - постоянное напряже•
ние коллектор - база, В
.
.
•30
Иэв шах - постоянное напряже-
ние эмиттер - база, В
,
,
4
1
J'
о - L-~ llкэ=5В
-
60_
/
,
'
40
/
.J
/
ZD
/
,
I
,
V
11
о
,,,
1,1
о;ч 0,6
о,_в
,,,...
·-1- ...
1
,,,
г,.
,.
1,
'
"-
"'r-.
200
--
/
1"-,. 1
.
11~
r--...
, ...
1,. .._
.J' ',, ,..
i',
100
!',... _
,,
о
та
zao
354
Рк max - постоянная рассеивае
мая мощность коллектора,
Вт
при Тс=-40... +25°С ,. ,
, 0,5
при Тс= +85° С
.
.
.
.
0,3
Тп max - температура
перехода,
0С
,
...
,
..... 150
Rт, п-с - тепловое сопротивле-
ние переход - окружающая
среда, 0 С/мВт
.
.
.
.
. 0,215
Допустимая температура • окр~•
жающей среды, 0 С ,
-4(:J:.+85
Iк,МА J
/
140 J ,,,
,,
,,,
[;
100'
~"
~1,,"
~
,
-
-
60
,,,
LJIБ=01 1HA ~-~
'
·,
.
---
zo
;
оZч6810Икэ,В
'
llкБ=28
'
1'-.
·-.
-,
r-, .
-, '"
..... ~
'
..........
r-,...,_
,..
..... ,.__
-
1'-
-
-~
t---
300
400
500 I~ 111A

КТб18А
- Общие
сведения. Кре·мниевые планарные п-р-п-транзисторы • предназначе
ны ,д:пя ,использо.вани.я .в .схемах ЭКВМ «Электроника-70~, -«Электроника-70М» и
в друг.их модификациях этих ·машин;
Карпу.с металлический, гер,метичный, с ги.бки·ми выводами (рис, П 1,38).. Мас
са транзистора не · более ·ОД4 г.
Условия эксплуат-ац.ии - в соответствии с табл. П2,4,
Электрические параметры. Классификацнонные параметры~
И.кэR max• h21э·
Jнс:1ч :1-ш"
Обозна-
.,
"
Наименова11не
о
,О
ч:ение
•:с
:s:,:
"'"
'-'"
,: о;
.,:о;
:с"'
"' "'
;:.; ~
~ :::-
сц
сц
<1;
>!
~ :Т) ::::
::,
::,
Обратный ток эмитте.ра, мкА .
,эв~1j100/j51j
Обратный ток кол11ектор - :~миттер
1кэR
•50
(R fi=I кОм·), мкА
1
.!50
при rо=+85°'С
200 250
при r.-~40° а
50 '?50
Модуль коэффициента передачи тока на 1
высокой частоте
/h21al
Статический коэффициент передачи тока
h21э 30
всхемесОЭ
310 40
1
при r.=- 40°C
14
40
1
Емкость 2миттерного перехода, пФ
Емкость ко11лекторного перехода, пФ
~
~
..:
Максимально допустимые параметры. Гарантируются с:ри температуре акру~
жающей среды То= -40... + 85° С.
/кm.. -
постоянный ток коллек•
тора,мА..
,.,
•
•
100
Иэв max - постоянное на пряже•
ние эмиттер - база, В
5
ИКJ3 max - постоянное на пряже•
ние ко1111ектор - база, В , ; 300
И кэ R max - постоянное нanp5i~<e•
ние коллектор
эмиттер
(Rв =1 кОм), В,
250
Ркm.. -
постоянная рассеивае
мая мощность кол11ектора, Вт
при Т,=:..::..АО ... +25°С
.
0,5
r,риТе=+85°С,,'•. ,
,0,325
355

rr. шах
-
темлератуР.а' - п~реход,а.
·с
100
R-,. n-c
-
тe[J JIOBOe с9nротив;1е-
-
ние 11ереход - окружаюшая
11
ч
1
j
.6D
40
20
D
-,-
-
о.с:
iJi
17_
/i
"
r7
j1
,__
/)
,'//1/
""и
1/ -~
}-1./
~,1
-
••
,,,,, V~ ,,,,,-~
,,,,,
U0 •10В
'
-,
1
о,в .
1,Z
U5э,.В
'
.•
":.,.:,.
>~~/•
"~·
1.·~~~-~~- -
f\i'нj1111p111p11111111p !,!i]illi\llil!iНI ' '-
1
•:-. '•
~.
_,э _ _2~ •; ·-1;: 21 u/f~"'· 2\
_.
К'!;о20Б
,,:t~r .~.r· ·~t::,.
,, ~-J ~·
· · ;,"-'~ ,·:1 ·•i\;" " ' i:1•'
zo
,;.
cpeJ1.a, • С/~.,_ Вт , •• ,
·, •-
• ••0,2
IДопустимая тем11ература oi<py:
жашщей среды, 0 С ,
-40,.. +85
О10lO
~._ ,1'_
80 Iк,нА
O,Z i--_,.o----4
_
l~=·О,(нА_
25
зо
Общие сведения. .Кремниевые планарно-зпитаксиальные р-п-р-транзисто
ры ~-R~~H~ЩЧJ;!_~ljl~ ' д,ля •р1,1б_ОТ\>) : 1\ . эв~м_' ,~:ЭJ1 ектроника. 1O,Q»..-
и ; --Э,1\ВМ «Электро•
НИК'а»-.'{- ''""· • ••
-
_
1\<:>рлус мета.ллический, .. rrрм~ТИ'JН!/1~1 .,
с , rибюн,щ _ ,вы!jодам/1 - (рис. ПI·, 1, б),
Маёса тр'а'на11.а'i:0'р~ 2' r, ·- • '
..._.- ,
•
''
'

Условия 9Ксплуi~ ;а~ии·-· в ёоответствии с :табл. n2.i '
Электрические параметры. КJ1ассификационны е ' пара·~~_ТРЫ I
h21:,, Ик:вmах ·
J1
Наименование
Обратны'!! ток коллектора, · мкА
Напряжение насыщения кол,1\екtор - эмит •
тер, В
Напряжение насыщения база - эмиттер, В
Моду11ь коэффициента переда•~и тока на
высокой частоте (f- 100· МГц)
Статический коэффициент передачи· - чжа в
CXt<Mt С QЭ
Время рассасывания. нс
Обозна• .
чение
-~ .....~"\.:....
измер~н ,~я
Максимал'ьно допустимые параметры.
жаюшеii 'сред'ы . то - -45... +70° с.
•
г_арантируютс~" п~и, те~-п-ti1атуре окру•
..
,,
.
·'
.
:' ~-'·
_-,~i j
Иэв · mах - постоянное на пряже•
иие змиттер - база, В
.
4
UI)
,
кв max - постоянное 1;1апряже•
ние коллектор - б·аэа, В
.
50
при Tu-85°C , ,
,
,
,
,
40
при т.-12о•а· .
,
,
,
,
25
Ик::1 R max - постоянное на пряже-
НИI' коллектор
эмиттер
!(R ~100 Ом), в
40
при т.. - 120°O
...20
Ul>
напря-
кэ.и_ max - импульсное
жение коллектор-эмиттер, в 40
при т..-8s0с .
•
..
•
.30
'•-"\:t. \
при Т•• \20~С
•
■,~,,•20
2·
Рк'mах
мая
мВт
при
-
ПОСТОЯН!JЗЯ ~ .. ~i.~ ссеивае
мощность ко_лJ1еiпора ,
Т0 = .25±10°С
':,
500
•••
.
при Т о-=85±2° С
..
100
То max -температура перехода,
·с
120
Rт, а-·• - тепловое · · соnротивлеs •
ние переход"' ;.;. · окружающая · :·
cpeдJJ, • С/м1;3'т .· . , .- .
1,
.,
1.•
,.,.
1.-. .0 ,15 •
'
;
\!
ДопустимаJ температура окр у'.
жающей среды, 0 С ,
-55,.. +85
t) При повышении температуры перехода от 85 до 120° ·С напр;жi~~~ - умё~ ь- •
шается линейно.
•·
.
.
.
-
0:,
·,.·
•"·
2 ) В интервале температур · окружающей среды 25,.,85 , G ,Рl<.ш-<1х. ' lмВтJ ~ -
= 100+ (85- Т0) /0,15.
•

_
,
111111111
.
111111
20
21
22
23
КТС622А, КТС622Б
Общие сведени11. Кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р-транзистор
ные - матрицы предназначены для работы в быстродействующих импульсных
и других схемах.
•
Корпус металлокерамический, герметичный, с гибкими выводами (рис. Пl.57),
- Масса
транзистора не более 0,6 г.
•
-
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. _ П2.4.
Электрические параметры. Классификационные парамет ры:
ИкБmax• 1121.- , ·
З н а.че;~ ня
Реж"имы измерен ия
06озна-
<11
<11
fJаименоваиис
о
,О
:D
СХ)
<,:
<,:
<,:
"
1:
чение
' :1'
:t :r.
:,
"
"
t...
"'.(J
<.)
.()
:,; <;
"'<;
~ ,;-,
::<.'
(Т) ~
~~
"' "'
"'
::;; -;:
,; ?.
:::,
:::,
-
.:
Обра :гный ток коллекто р1:1 ,мкА 1 КБО
при Тс= -45... +25° С:
КТС622А
G,01 10 45
КТС622Б
(),01 20 35
при Те=+85°Ci
КТС622А ·
100 30
КТС622Б
200 20
Обратный то1< эм~ттера, мкА
Напряжение насыщения KOJJ·
лектор - эмиттер, В:
И1,э нас
КТС622А
0,5 1,3
400 80
КТС622Б
О,Б 2,0
400 80
Нщ1ряжение насыщения база -
эмиттер, В:
ИБЭ нас
КТС622А
0,95 2,2
400 80
КТС622Б
0,95 2,5
'100
80
Модуль I(Оэффициента переда -
чи тока на высокои частоте:
1h21э \
КТС622А
2
10
30
100
КТС622Б
1.5
1О
•30
roo
Статический коэффициент пере-
дачи тш<а в схеме с ОЭ:
h21э
КТС622А
251505
200
КТС622Б
10
5
200
358

Н а именование ~
1
Время рассасывания, нс~
·ктС622А.
КТС622Б
1
Емкость 'lмиттерного перехода, 1
пФ
.
Емкость коллекторного пе·ре-1
хода, пФ
Значения
Обоэна-
"
"
о
•о
щ
чение
•:с
"":с
"'.о
u-"
"t;
" 't;
~
""'
"'"'
":s
""
:::з
lpac
120
200
Режимы измерения
щ
·~
<t;
<t;
cj
:s .,
L.
:s
;;;:
(Т) ~ tд. (Т)
:::з
-
.-
.
,. :.
!
,.
200 20
.200 20
;
Максималыю допустнмъ~е параметры. Гарантируются при те м пературе окр у 
жающей среды Тс=-45 ... +85°С.
/к max - постоянный ТОК !{ОЛЛек
тора,А........0,4
fк,иmax -
ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ·
Ле!(ТОра (t.:;;;; 10 М!(С, Q~
~10), А ...
,
....
0,6
1)
•
ИКБ max - постоянное напряже-
ние .,.колле!(тор - база, В
при Tc = -45... + .70°Ci
КТС622А • ,
,
,•45
КТС622Б
•,
35
при Тс=+120°С:
КТС622А ,,,,,,,30
КТС622Б
20
UI)
кэ R max - постоянное напряже-
ние l(OJJJJeктop -
эмиттер
(RБ :;;;;1 кОм), В
при Тс = -45 ... +70°С,
КТС622А ,,,,,,,45
КТС622Б
при Тс=+120°С:
КТС622А
КТС622Б
..,
,
35
,
30
..
.
,
20
ИэБ max - постоянное , напряже-
ние эм иттер - база, В
,
,
4
ИкБ, вmах - импу~ьс~ое . ,(fаттrя-
женые 1,оллеюор
база
(1.,;;;;10 мкс, Q~IO), В :
КТС622А
КТС622Б
t
•
•
•
,
,
•60
11_:!'
-
1
·со ,, ,,, 50
.....
Икэu,иmах -импульсное наriря~
женве коллектор .-
эмиттер ,,,
(Rr- ,;::;; 1 кОм, 111:;;;; 10 мкс, ;;,
Q~10), В ,
1
•
1•
1
8
60
· КТС622А
КТС622Б ,,,,,,,,'!5'0'
ИэБ, и max - импульсное
напря- .
жение эмиттер - база (/и~ , ·,. :
:;;;:10 М!(С, Q~lO), В
.
•• ·'.,:6·
:r,pJ>max - постоянная
1
j1~!
рассс1шае-
мая суммарная мощность ра
бочих элементов матриць1 . ,
(Тс=-45 ... +25°С), Вт _ : , ,' о.:4_ ·.
:r,p иmах - импульсная pacce _lI·
вае м ая суммарная мощнос т ь
рабочих элементов матрицы
(tи,;::;; 10 М!(С, Q~ 10, То=
=25±10° С), Вт
.
.
10
Допустим ая тем•пература окр у
жающей среды, 0 С ,
-45... +85
1J В интервале температур 70 ... 85° С напряжение уменьшается линейно,
2 > в интервале т~мператур
Та= 25 . .. 85° с 'iPкmjlX [Вт]= 0,2 4 "+
+ (85 - Т0)1Rт,п-а, гд·е Rт, п _с= 218° С/Вт; 0,24 Вт- ,:- мощность, р а ссеи 
ваемая матрицей при Те= 85° С и нормальном атмосферном давлении,

16,мА
во
70
60
30
.чQ
30
zo
10
о
100
50
о
.,
11-11
о - Uкэ•1DВ
~
J
'/
/
.. --
~,...~
J
/
-,
j
J/
L,.., [/
U) 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 UзБ,8
/
~
1fкэ
" F-..
'·
1,0
.,
.
''
'· 1',
'/
"'-
'·
/
-~
r, 0,5
---'-
.....
' - 1.,.,
.. ,.__
llн5=5B ~
'''
100 •ZOO•300 ·400 500 lк,НА 0
lн,
вео
:600
400
zao
о
мА
1211 1
-
~
[Д-10 I
Vv_fI,
jf1⁄4'/ в 7
f/✓
•vv
,,.,,-
---
.. ...
L.-
V
za
нас, В
·'.
"
·'
/
-
-6
J
-
1;
,__
-I Б=ЗмА,_.,,
'+0
.•
,,,,
11
г.;
llкз насЬ
/
,\/
/ .1,,'
/
~
,J
•1,, \
/
.✓-":::'
,,,.
. ,-'
~
· --~
-
1/ ,,. .,,
_ 1,,,,-
_
L,...
--
, ;,·
~--
-~
--
-
//
Кн•5 ~
~""
l!Бэ нас-
--
lOO
400 lк,мА
f11•111rrj1111) 1п1р111!tIJ1 1 11,11111.11О1111. 111.\ _
20
21..22"23
24
;
КТ624А :
1.1
1,7
1,6
1,5
1,lf
1,3
1,Z
1,1
1;0
0,9
0,8
0,7
0,6
1
Общие сведения. Кремнневые эпитаксиа.льно-планарные п-р-п-транэистп
ры предназначены для ис'польэования в неремонтируемых гибридных схемах,
микромодулях, узлах и б,1оках, имеющих герметичную защиту от действия coJ1-
нe1Jнoro света, влаги, соляного тумана, · плесневых грибков, агрессивных сред,
повышенного и пониженного атмосферного давления, используемых в быстродей•
ствующих импульсных устройствах. -
360
Оформление бескорпусное (рис. Пl . 30). Масса транзистора не более 0,015 r, .
Условия _ эксплуатации _:._ в соответствии с табл. П2 .3.
Элект!}ические параметры. Классификаu_ион·ные параметры,
h_21'-', Икэ нас, lpac•

Значен11я
Режимы Н:-J'\lе~шя
06оэна•
~
1
Наименование
о
1di~'
Р'1
iQ <t
~ !,q;·
qение
."'
"'"'
1С).о
~
,. ·.
О:,;
iH
m;,; t.1, т
• t...
,,
"'"'
":,
. :::,
:::,
-
-
•.-
'
.!
Обратный ток коллектоР,а
(То=-45... +85°С), мкА
1 кво
l00 30
-
Обратный ток эмиттера, мкА
1360 1• I,оо1 1:4\.1 1 1:~~
Напряжение насыще,111я кол-
лектор - эмиттер, В
Икэ нао
0,9
Напряжение . насыщения база-
эмиттер,. В
Ир,э нас
l.,7
O.J
Модуль коэффициента переда.- ,
чи тока на высокой частоте I h .210. I
Статический коэффициент пе- ·
• редачи
тока в схеме ·с. ОЭ
u.~зо мкс, Q::;;.50)
· '12_1 э
30180.•1
J),3
-
Время рассасываl)ИЯ, нс
ti:,~ci
Емкость ко;1J1е~торноrо •перехо-I
да, nФ
Си
Емкость эмиттерного перехода_, 1
пФ
Сэ
~~-·
:-,,г;~,'~~
Максимально допусrнмые параметры 11, Гар,штируются
корпуса Тн=-45... +85°С.
при -т~rin«фйJ'rypc
, ..:j
/к mаж-'- постоянный ток коJ1JIек-
тора, А ,
.
1,0
/к, и max - импульсный ТОК КОЛ•
лектора (t. ~5 мкс, Q;;;;,,
~10), А
1,3
И .:1в ma~
-
постоянное напряже-
ние. эмиттер - база, В
,
,
4
Икв max - постоянное напряже-
ние коллектор - база, В
30
!1 В составе микросхемы,
Икэя mox - постоянное · наriряже-"
••,.,
ние коллектор • • эмиттер •
(R6=5кОм},В.
30
Рк ma.x - постоянная рассеивае
мая мощность коллектора, Вт
при Тк=-45...+70°С , , • , 1.о·•
при Тн=+85°С .
,
,.•О.'(.
Тп max - темп.ера тура
перехода,
·с
~о
Допустимая температура акру:
жающей ,среды, ·с -45,.. +85
3Gi .

40
30
10
а
1,1
1,0
0,9
CJ,8
0,1
0,6
0,5
0,4
0,3
o,z
0,1
,/,,
0,4
1. r-S:i
,,
'/
,
Икэ=а ~58-
-
1
j
,
/
Jj
//
/
I
J
1/
,
)
l..; '
0,6 0,8 ИбЭ,В
'~
\,\
Uк,=1В
-,
-~
~
~
.
"~
--- ~,
~r--
1'-~
~
О 100 300 500 700 900 lк,мА
Iк,НА
1200
1000
800
500
400
zoo
о
"/.
fл,
~v
,v~
V/ ..
V/
,,,,,,,
V ,,,,,,,,
~/
., ,,.
,,,,,. ....
-
-
.. ...
-
--
,..
-
4
Инэ нас
.......
'811
-
... ,
-
ЛI 6 =Zl1A
•
'
68
Uкэ нас при Iн=1А
~ ~+ --+-+- -+ --+- ./1
о,7 1-
_
-+--+--+--+--.,.+=-+-/.А
о, Б 1--1!--f-.,t<-f----ь.-чf_.J.-+-+-1
а, 5 1--1r"" -1- -t -- .,!1⁄2'-f -- --+
о,ч ,__,__,..._.,....,....+--+--+-~+-+----i
0,3 1---V-+--+--+ --+ --+ --+- -+- -J
O,Z ~~/~~~~~~~
о zoa чоо soo Iк,мА
. КТ625А, КТ625АМ
Общне сведения; КремнJJевые эпитаксиально-планарные п-р...:.п - транзисто•
ры предназначены для использоцания в веремонтируемых гибридных схема:<,
микромодулях1 - узJ1 ах и бJю1,ах, имею!!_\ИХ rерметичную за!J-1.иту приборов от ВJЗ•
362

действия влаги, соляного тумана, инея, росы, пониже_нного и повышен_ного давле•
ния, используемых в быстродействующих импульсных и других устройствах ап•
паратуры .
•••
Оформление бескорпусное (рис. 111.30, П 1.31). КТ625А на керамическом
1,9Х 1,9 мм, а КТ625АМ на металлическом Зх I мм кристаллодержателях. Масса
транзистора не более 0,015 r - КТ625А. Масса транзистора КТ625АМ не более
0,004 г.
Условия эксплуатаuии - в соответствии с табл. П2.3.
ЭJ1ектрические параметры. Классификационные параметры~
h21::J, Ик:::J нас, lpac·
Знач~tН:1) •
Р ~ жим 1-,1 нэмере,~ия,
Нанменооавие
Обратный ток коллектора, (То=
= - 45... +85° С), мкА
<Jбратный ток эмиттера, мкА
Напряжение насыщения коллек
тор - эмиттер, В
Напряжение насыщения база -
эмиттер, В
Модуль коэффициента передачи
1·01<а на высокой частоте
Статичес1шй коэффициент переда•
чи тока 8 схеме с оэ (t.~
~ 30 мкс, Q;;,,50)
Время рассасывания, нс
Емкость эмиттерного перехода,
пФ
Емкость коллекторного перехода,
пФ
Обоэва-
qение
1 кво
Икэ нас 1
1И1,э ,,ас
11 h21в 1
h21э
lpac
1
Св1
Си
1
..
""
, -о;
-о: ·
':,:
: ::)
'"
"'JJ
:;
:;
"'
~"
~ :i)
'°
,:
""
:
:;
-~
:.:,
:::,
202001
500
160j'1 15001501
19011°111
1
9
110111
1
;j
""~
.:.
10
10
Максимально допустимые параметры 1>, Гарантируются при температуре ок•
ружаюшей среды Те = -45... +85° С.
/к max - постоннный ТО!< коллек-
тора, А
1,0
llэв max - ~остоянное • на пряже- •
ние эмиттер - база, В
4
/к,иmах-импульсный TQK кол-
лектора (la~5 мкс, _ Q>
~10),А
,
••,
,
,
,
,
1,3
Икв max - постоянн<:>е напряже-
11ие кол_лектор ~ - ба,еа,
В,•• 60
363·

ПРИ Тс=+85°С ; • ,
,
, 0,7
Икэп mqx - постоянное напряже
ние коллектер -
эмиттер
(R5=5кОм),В. . .
40
То m ах -температура перехода,
0С
,·,
.
.
•·-
,
.
,
,
.
120
Рк max - постоянная
рассе11вае-
мая • мощность коллектора, В1 ,
ЩJИ Тс=_:_45 ... +70°С
,
,
, ·1,О·
Допустимая температура · окру
жающей среды, . 0 С ,·
. --45... + 85
11 В составе микросхемы,
1.,
-
••
/
\ f:: .'.\ 1--t-+-+--11--+-+l--+--I
·<п,·.
/IQ t--,1-,-t-+,.--,t-.,-t--!1⁄4-+---J
zo 1--1
- +.+ --+ --+l-rl---+ - -I
1• -·
i•. .:
1
!~
t-.+--<l-+-1+_
_,_. ....,__. ..,
.~-
:.10 t---1--c+-+-, . ..+ --+ --I- ~
.0,4 0,6 0,8 U&э, В .
1
. ;--"hш
,о,·
Iк,МА
1300
1200
:_р
1100
1000
900
800
•• •700
600
. 500
4.00
,:100
200
100
о
j
[,,'
1,., -
,_
'/
hz 1з при Iк~О,5.~.
КТБZ5А, КТБZ5АМ
1,0
:-'
·
08
,,_, .j
•.
,
361
0,6
О,ч
.О
/ г~r....
,...._
/ Г✓°"
~t-....
//
~
-/ .•
.
•'
UК9 =1В
11
~........ 1 -..
~!\.
'
---~~
,_.
'
~ ...
'
-
1,0
0,6
О,ц
ZOO 400 600 800 Iк,мА О
v
/,,
//
,
/
'//
'//
,,,,,.-
/ .,,/
-
/"' v~
/,,,
~--
J,...., --
~
-
-
~
--
-
1,..-
. ., .,,,.
-
f LIIь=ZмA
w
г
Б
Икэ нас
,..
,
.... 1~"'
l,,::;: ~
,...,,, '%/
//~/
Iк-=Ю -
//j
IБ,
100 zoo ·заа

,·
.
,\.
~1 1 11 11 1 1lj.1111 !1111/ 1111/111111111 j1111j111 ijll 1~
20
21
22
23
24
КТ629А
Общие сведения. Кремниевый эпитаксиально-планарный р-п-р-транзистор
предназначен для использования •в быстродействующих импульсных и других
неремонтируемых rибридиых схемах, .микромодулях, узлах 'и блоках, имеюшнх
rерметичную защиту от действия солнечноrо света, влаги, соляного тумана, ' пJJес
невых rрибков, аrрессивных сред, повышенного и пониже11ного • атмосферного •
давления, для аппаратуры широкого , применения.
Оформление бескорпусное, на диэлектрической подJ1ожке (рис. Пl.30),
.Масса транзистора не более 0,02 r.
'
Условия эксплуатации - в соответст1;1ии с табл. П2.3.
Э.11ектрическ11е параметры. Классифи\{ационные параме11ры ~
Икэнао, Ивэнасi 1кво, h21.э, Си, Сэ, /h2н f-,
1
Наименован не
Обозна,
ченне
Обрkтнi,~й ток коллект,<>.·, 1_
ра, мкА
I fкво
Напряжение насышения 1
коллектор - эмиттер, В И кэ нао
Значени я
-
Напрцж,еиие насыщения
1
...
'
·1
'· 1 1·."·
.1
J_i0o!:эо 1·· • • !:~
база ~ . эмиттер, в
Ивэ;ао
1,·2
'
Моду,11ь
..
. коэффициента
передачи тока на ВЫСО·
кой частоте
lhнsl
...
Статический
коэффи-
uиент передачи тока в
схеме.с оэ
fi2i:э
Емкость эмиттерно'rо
перехода, пФ
Св
Емкость коллекторно-I
го перехода, пФ
Си
Постоянная времени ue-I·
пи обратной связи на
высокой частоте, пс
'tи
•.·;· ~....~_
.'~
,...;.
~ \-. ..__
-
..
,
,,
2,5
5
~
.,
5Q 100
'
,
··•
..
25·
150 5
200
.~,
..
365

МаксимаJ1~нq, допустимые параметры 2>, Гарантируются при температуре кор,
пуса { • =-G0..,+·125° С.
_
lк ;,, •• ~ постоянный ток коллек-
, тора, А
.
.
.
.
.
.
.
.
Liэв max - постоянное на пряже•
!JИе эмиттер - • база, В
.
.
4,5
Икв max - постоянное напряже-
р1)
Krnax - постоянная
рассеивае•
мая мощность коллектора
(Т11~8О0С)_,Вт , , , , ,
Т п шах -температура nерехода,
0С -,
!.
•,
,
••.
• IЗ-5
н~е коллеюор - база, В
.
.
50
UK:JR max - постоянное .Еапряже-
Нf'lе колле.кт,ор
эмиттер
'(R,Б~lкОм),В• •
,
,
,
50
'Допустимая температура окру•
жающей среды, "'С, -60.. ,_+ 125 .
1>' При Тн =. 125° С Рк шах уменьшается до О, 18 Вт,
..,
2i В сос;гаве ми .кр0схемы.
;
,.
1111111i11111111111111i1 ,1p11111111111111111{
19 ;20
21_22~
23
К:ТбЗОА, КТffiЗОБ, . КТ630В,
-;
КТбЗОГ, .
КТ630Д, КТбЗОЕ
dбщие сведения. Кремниевые план,арные п-р-n-1Гранзисторы используются
в бы<:;тродействующих импульсных и других схемах.
~орпус металлический., ге_рметичный, с 1rибкими выводами (в двух варим~ •
тах: ! - см. р1с1с. ПJ.1,.6 и 2- см. рис. ПJ.38). Масса транзистора не более 2 r
(для , обоих :вариантов). Тр11нзисторы в · корпусе (рис. Пi.1, 6) маркируются
с бук_вой «М», КТбЗОАМ, КТ630БМ н т. д.
Условия эксплуатации - в ·со0тветстви-и с · ,а·бл. Л2.3.
- ~леюrряческие , параметры. Классиф:икационные параметры,
1''
И.
hU
•И
И
••
КЭО гр• . 21Э, КЭR шах• ЭБО max•
КБО max•
Зttачен_ ия
Р~жн м ы изr-.1ере1·tИ>1 · ,
Обозна-
.,,
Наименование
D
=
00
00
<t;
<t;
"-
"
чей.не
."
:а
:а
:,
с..
., "'
u
"",;
~ ·:,:-
(!) ~
'°
СТ) "
""'
":2
'
"
:::,
:::,
-
-
Обратный · ток 1<0ЛJ1ею10-
ра, мкА:
'кво
1
КТ630А-ЮГ630 В
J90
КТ630 Г-КТ,63QЕ
1
140
'
fран -ич-н0е -н-ащ,1яж-ение .
транзистора (15 =0), В: Икэоlf'р
ЮГбЗОА
i
...-90
100
:-КТ630Б, КТ630В
1
80
100
КТбЗОГ
60
100
ЮГбЗОД, КТбЗОЕ
4:0
100
366

_
_
,
3. r1аченш1
μе:жи.мы из:1,1сμени}1
'
[;
•..)бозна-
"
Наименование
о
;Q
;Q
-,;
-,;
-,;
•ени.е
;,
..
'
:1!
:!! .
:1!
"'
о
:;;: &
i:.
~ t!J _§)
:,:
:,:
"
,..
1
:::>
:::>
Входное сопротивление
транзистора в схеме· с
общей базой в режиме
мал ого сигнала, Ом
hн1156
п
10
5 ).27
Входное сопротивление
транзистора в схеме с
оэ в режиме малого
'
сигнала, Ом
fi 118
200 500 1200 . 1()
5
0,27
Статический коэффици-
1
.
ент пеfi)едач-и тока в схе-
мес ОЭ:
h21э
КТ630А, КТuЗО·В,
КТ630Т
40 80 L20. IJ,
150
КТ6ЗОБ, КТ630.д
80 150 240 10
1-SO
КТ6ЗОЕ
ню 290 480•tO
150
при Те=+ 125° Ci
КТбЗОА, КТGЗОВ,
КТ6ЗОГ
40
240 10
150
КТ6ЗОБ, КТбЗОД
80
480. 10
150
КТ630Е
, 120
1000 10
150
Граничная частота КО·
эффиuиента
передачи
тока в схеме с ОЭ, МГц
fгт,
50
10
50 20
Время включения U ■ -
-= 10 мкс), мкс
f'вкл
Dремя выключения (1.., =
= 10 мкс), мкс
l·выкл 1o,os/:0,2 jО,5,1 1 •2ool 4o 1 /
Емкость
эмиттернаrо
11ерехода, пФ
Са
Емl(ость коллекторного ·1
11ерехода, пФ
I
Ск
Максималыю допустимые пар-аметры. Гарантируюlfся при температуре окру•
жающей среды r.= - 40... +l25°C,
·
,
.
•
•
/ 1( шах - ПОСТОЯН'НЫЙ
'IOI( к0,1лек-
тора,А, .
.
,
.
.
,
.
,
/ Б max - постоянный ток базы,
Аw. ,
~!•!~••••0,2
lк, и шах - импульсный то к КОЛ•
леIпора,.д......
•.
.
2
ИэБо m ax - п0стоян119е напряже
ние эмиттер ~ · о-аза, B i
367 -

KT630A-KTS30B ,
•••
7
КТ6ЗОГ-КТ630Е . . . . 5
И кво max - постоянное напряже-
ние "коллектор - база~ _в,
•
КТ630А, КТ630Б
,
, i20
. • КТ630В
.
.
.
••,
,
, 150
'КТ6ЗОГ . . .
,
•,
•,100.
, S КТ630Д. КТ6ЗОЕ
.
,
.
60
Uк.эя max - ri9стоянное напряже•
ние коллектор -
эмиттер
(R5 ~3 кОм)._В:
КТ630А, КТ630Б ,
•,
, 120
КТ630В
,
•,
,
, 150
КТ630Г
,
•,
,
, 100
КТ630Д, КТ630Е
•,
60
P})max - посто~нная
рассеивае-
м·ая мощность коллектора
(Тк=+25°С), Вт ..... 0,8
Тп max - температура
перехода,
0С
,
......... 150
Допустимая температура окру
жающей среды. • ~ .
-40... + 125
1 > При првьшrении тем пературь( 25;;, 150° G мощность .уманьшается линей•
НО на 6,4 мВт на IG~c
8
j1.
•
, :l6
. :1}
4
36S
a,z
д,,.. ~ .
ва
v ...
.,
'
v .,;,--
60
V
i.,.:.- 1,,
-
1-
v ....
-L ---
4U/-
V
-
··
za
,.
V
i
~ ~1Б
i
V1
~
0,4 •-- о,~ И6э,В~ О
10
ZU.,_Ш . 4UИкэ,б
г
НТ6ЗUА, iiTБJUB,HTБJOД-,11 ь=IZVнхд;нтБJUБ,
НТБЗUГ-:Ьl 6 =65нхА ; НТБЗОЕ-J 1r,= З5нхА
I ·мА
к,'

!1
~t
1
.Uкэнас,В
0,6
0,5
·D,ч-
а,з
o,z
0,1
о
UбЭ
1,Z
1,1
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
нас,В
'1-!--
~J..
....
--
~ ...-
-
__ ....
~
-Б0°С1, ,_
~., ..-
j+Z5°C ;:;;...
-
--
+1'Z5°C >-- -
1~
1 ,,_
.10
L,~
1,
lJБЭ нас L,;"i,,'
•. v'
1~
.J,1,
~ \f2~
1,
......
.. ~~
v
1/~ ·,•1),1
/
--
VV
./
~~ ~~
/
,/ Икэнас
V
1
/
Iк"5ГБ
....-
•·
i
10D
Iк,нА
•• ;.. ' l--le-+ -- -+-1 -1 -- - - --lf- - - -if - --+-+-+-+-+-+41'\.._,._.,--+- -+- - -+--+-+-+-t
~
\·/ ·,1 :;_ ,
"
501-1---1--1--1-4-----1----+-+-1--+4+++-~
_
~"'-+-
· -+ -+ -t-t-1
"'
1~ ,,
r\.
i<t630Г : '> _
[\
Т>
11,ТfiЗОА-,Б,(!
j
11'
:;:P,J
5
1D•
ZD за 40 Uкз,8
:_ :~
~~---... :·•~
..
:
.......,.
!
''
'
•l,,•\
•'~' :
.. 369

КТС631А, КТС631Б, КТС631В, КТС6З1{'1
Общие сведения. Кремниевые зпитаксиально-пла нарные п-р-п-транзистор•
ные матрицы предназначены для работы в быс:rродействующих импульсных схе•
"4ах, в uепях вычислительных машин и другой аппаратуре.
I<:орпус металлический, герметичный, с жест1шми выводами (рис. П!.56, 6),
Масса матрицы не более 4 r. В матрице 4 здектрически изолированных транзис•
торных структуры.
~· словия эксплуатаuии - в соотве1ствии с табл. П2.4,
Электрические параметры. Классификационные параметры~
h21~, 1 кво, 1 эво.
Эначен11>1
J.J c жи ,.,1 t., н1\l! ер ени: 1
Обозна -
15
"
Наименование
'·О
~
. с,;
с,; .
qение
':а "':с
"°
:,;
:;
;, ..
u"
:с" "'1
~
(1) ~ и:,
:s:"'
"' "'
::: :,:
"'"'
:::,
:::,
-
-
Обратный ток /{ОЛЛеКТО·
ра, мкА:
• 'кво
Икв max
КТС631 А, КТС631 Г
0,3 200
КТС631Б, КТС631В
0,3
50
при Тс=+85°С;
КТС631А
1000
20
КТС631Б
-
500
20
КТС631В
500
10
КТС631Г •
1000
10
при Тс=-45° С,
КТС631А, КТС63\Г
200 Ию; max
КТС631Б, КТС631В
50
'
Обратный ток эмиттера,
мкА:
fэво
100
4
при Те= +85° С
500
4
при Тс=-45° С,
100
4
Напряжение насыщения
коллектор - эмиттер, В: Ик.э н~с
КТС631А, КТС631Г
0,3 1,2
450 45
КТС631Б, КТС631В
0,21 1,2
100 10
Напряжение насыщения
база - - эмиттер, В:
Ивэ нас
КТС631А, КТС631Г
0,9 2
45С 45
КТС63Щ КТС631В
0,8 2
!ОС 10
370
<
::r
:,;
""~
:1)
.. :.

Знач('11ия
t)" ЖИМI, J-l.;ir,,Jeμ . :11 11я
Обозна•
"'
"'
Наи~·tенованпе
о
,О
l:Q
"'
"'
11 =r
qение
·=
:s: =
l:Q
:s: .о
"'"'
:.
:.
~
:,: "'
>::с:
~
(Т) ~
:s:"'
"'"'
i' -Й1
",.
:1 '2
::::,
::::,
-
..:
Статический коэффици-
ент передачи тока в схе-
ыесОЭ:
h21э
'
КТС631А, КТС631Г
20 115
1
300
КТС631Б, КТС631В
20 125
1
150
Граничная частота КО•
эффициента передачи то-
\
ка -0 схеме с ОЭ, МГщ
fгр
--
КТС631А, КТС631Б
350
10
50
100
КТС631В, КТС631Г
200
10
50
. 100
Время рассасывания, нс,
lpao
КТС631А, КТС631Б
7,5 30
150 15
'
КТС631В, КТС631Г
20'60
Емкость
эмиттерногd
перехода, пФ
Емкость l(ОЛЛе!(ТОРНОГО
перехода, пФ
1
1151
10
Плаваюшее напряж е11ие
.
эм нттер - база, В:
Иэв пл
''
КТС631А. КТС631Б
0,05
15
О·
КТС631В, КТС631Г
0.05
3:)
о.,
.
;
Постоянная времени це-
t
пи обрат11ой связи на
высокой частоте, пс
•н
4()
10
эо5
Максимально допустимые параметры. Гара11т11руются п.ри. температуре or<~ r ,
жающей среды Т с= -45... + 85° С,
/к шах - постоянный тоr\ кo.1JleK•
тора, А:
КТС631А, КТС631Г , , , , 1
КТС631Б, КТС631В ,
.
,
, 0,3
/к, и шах - ИМПУЛЬСНЫЙ TOi( КОЛ•
лектора (t.,;:;;;10 м1<с , Q-;?;
~50), А:
КТС631А, КТС631Г , , , , 1,3
КТСбЗ1Б, КТС631В , , , , 0,5
Икв max - постоянное иапряже
ние коллектор - база, В
при Тс=-45 ... +7O~С;
КТС631А, КТС631Б .
,
,
30
КТС631В, ~ТС631Г ~ , , 60
"·
при Тс ==ё +85° с,
КТС631А; КТС631Б
КТС631 В, КТС631 Г
'
•
1 1'24
Икэк max - постоянное напряже- .
ние коллектор - эмиттер, В
при Тс=-45... +7O° С;
50
КТС631 А, КТС63 1Б , ,
•30
КТС631В, КТСбЗIГ , , , , 60
при ·rс~ +85° С:
КТС631А, КТС631Б , ,
КТС631 В, КТС631 Г · ,
•
1124
50•
Иэв max - · пос.тоя11ное яапряже- ' •'
внеэмн1·с~,~- база,В1•, 4
.
371

IРк-m ~" L .постоянна~ . ' - рассеи•
. '· ваемая
мощно сть :На тра:нзнс•
при r. -~45... +55°C 4J·
•
1 •i9
.при То,.. +85qC '>· •1,
торной 'мат.рице, Вт
•·
, при
; Т.=~45..,+55• с 11 , , 1
КТС631А, КТС63 1Г , , ,
• 1,5
КТС63I Б. КТС631В . .
0,9
приrl'=+85°с2>,З)••••0,5
IP~ max - импульсная
рассеи-
То max - температура
перехода,
0С
.
.
.
.
.
.
120
ваемая мощность _ на транзи •
сторной мат рице, - Вт
Допустимая темпера тур а акру.
_
жающей среды, "С ,
- 45... +85
f/Ql--f-,-HHhc-i"hг.-rt,
ЗDl--1--1--1--t-t-t--HH~
Za, 1-+~' t=-'-t-4-t-t-тjt-tтJ т-t~
/J'
1
.
') Рк. max одной :Р_анзисторной структуры не
должна превышать _Ч~.1_ Вт (для 11рупп А,Г) и
0,3 Вт (для групп 8,tl)
•
2) Рк max одной транзи сторной структуры не
должна превышать 0,2 Вт (для групп А,Г) и
О, 15 Вт (для групп Б,8).
,
8) В днапазрне Тс= 55.. . 85°С мощн ость
уменьшается линейно. •
4) Р и niax о дной транзисторной структуры не
должна nрf'вышпь 2, 1· Вт (для rрупп А,Г) и
0,9 Вт (для I·рупп Б,В).
.
~) Р н max одной транзисторной - структуры не
ДОJ_IЖНа превыщать 0,6 Вт (для групп л;г) и ;
0,45 Вт (для rрупп Б,В).
.:..
, ....
l<ТС6З16, l<ТС6З18
lн,НА
1100
·.r,
·~
~1,;
iк;ц.4 г-t-r-r-r-r-+-+-+-+-+--1--1
6001--- , - -<l--+-+-+- -+- -+-+-+- --i - -+- -I
1000
800
600
чОО
200
о
,;
.,
~ ~....
/"v
,.,,
~~ ...
,,, ~ ,...
-
V~-
1,'
-
... .
-
-
-
4
t1'';':11fii1'' 11 ~· ,
372
1-""~
..
,
~
АIБ=ZнА -
i
6в
.- 1;,!1,
:.,:.1:·;:·
,
1
_; ,.;
.
500,_ ,_ ~i+-.
-+ -+-+-+-+-+ -+-t --i
~ао =- ~~\1-,1--t--t---i--t--г-t---i-,
~17;в-+-+-+--t--t--t-+-+-1
300 'l"Б5 1-t--t--t--H--i--t--t
/V _ч
•i·
о
zlt68

,•
,~ , , :Uj{ ·,с;../,# }Т
1,U
100f---1,--,j,4---+'~~-' - -~
·--1--..-;..,-.,.-'
':+
'~
. ..,;
,,,-1
.-
·:~ ,,,.'
а,в 1----+'1-+ -- -+ - --1 -- --+- -+- -+'<----1-- -- --1 во 1----1 -~:,..._c_1 -- -- -"r-f - -' --"..-i't,..:..U.-' -- -- -l -~-, -1'\:~
0,6
БО 1----+-.....c:.,~=-----'-'-1---.,..--f,,<C\li.-~ц:μ~1
0,4 1-4 -+-~,,,,____,e;..... - !"='=i-+-+- - - -4 40 f--~'F---+~~+---""'~~...,P,..,- - -- -!
'
: а,z-'J,,f---+-' -~- - -+- -f- - - -+-~ 20 1----':'c::~·.....cl+-----''\----;- -+ --+-,;-----+ -- -,,,;~,
/.
U 100 200 300 400 500 Iк,МА О
КТСБЗ1А, /<ТСБЗI Г-JБ;ч5мА
ХТС6З)Б, ХТС6З1 В- I &=10 нА
.
'
•
U5э нас,В + ,1 "',,/0,,,,r
i"-1/~: 1 -:11(• •
, z,z
,__
-~\'о:1 +'-\\1(.§_ ,. .
.
:\'-,;,/' • sз~~,-....
'·
-~
\\~~ -
,,
:,·;
_\, ...-,,-""
~
"
"~
-
·.'
~"1', ..
}.;, :
'{ :, ' ..'~.
100
·-
,,.= -·
·,,
,' '-•
чOfl_ .. 500 fк;Н~
•,'
'i
i,
r-.
1
... .;.
·!·
т !111:
'i
Z,O
1,8
1,6
1,4
1,Z
1,0
0,8
0,6
\\
1,... -,>'r,::::
~"'-: [',,__
~
t:,. .;_ .
1'<::'"
ЗОf----+~+-'----+-.:.,.~..;;:ь.;с---г
. 0,4
0,2
о
--
-
-~
-
zo 1----.<---+--+-~-+-~!-,-...+--'--'Ч
10
-
ZOO · 400 600 800 1к,МА О
КТС6З1А,КТСБЗ1Г- Iб=ч5нА
КТС6З1Б, КТСБЗ1В- I~=IOMA.
Диапазон СВЧ
1
К:Т606А. КТ606·6
Общие сведения. Кремниевые nланарно-эпитаксиальньrе п-р.,-п-транзисто 
ры предназначены для приме11ен11я в мошных автоrенераторах с внешним воз•
буждением, умножителях частоты (выше 100 МГц),
.
373

Корпус металлокер-а~иqеский, с монтажным винтом и жесткими В'>!·водами
[ (рис. П 1.58). Масса транзистора не более 6 r.
•
Условия эксплуатаuии - в соответствии с табл. П2.4.
Электрические параметры. Классифик·ационные параметры,
i H;JЧf' J, И~1 _
РР. ж11мq1 ИЗ \H"J) '" " I-I,
Обоэна-
"'
"'
Наимен ование
~
о
а:,
"
"
::f
чение
:с
"':с Ик, в
:s
:,;
~
"'.о ".п
:с" "'"
(Т) :;: (Т)
,:
"
""'
:,, ,
-::' ';;:
:::,
..:.
~Аитический ток транзистора,~
,о
111l10°
Обратный тоI< эмиттера, мкА 1 1 эво
Обратный ток коллектор -
эмиттер (R Б ~ 100 Ом), мА
1кэR
1,5
60
лри Тс=+85°С
3,0
60
при Тс=-40°С
1,5
60
МодуJ1ь коэффициента переда-
чи тока на высокой qастоте:
/h21э1
КТ606А
3,5 7
!О
100
100
КТ606Б
3,0 7
10
100
100
• Ем1< ость
коллекторного пере-,
хода, пФ
Си
1•115
Постоянная времени uепи об-
ратной связи на высокой qac-
тате, пс:
'tн
КТ606А
10
10
305
КТ606Б
12
10
305
Выходная мощность, Вл
Рвых
КТ606А
0,8 1,3 Ек=28 В
400
КТ606Б
0,6 1'~
Ек=:28 Н
400,
Емкость эмиттерного оерехода,I •
лФ
~
Максимально допустимые параметры. Гарантирую,ся при температуре окру
жающей среды Тс=-40... +85°С.
1к m ах - постоянный ток коллек-
тора,мА....
.
.
400
15 max - постоянный TOJ< базы,
мА
•
.
.
.
.
.
, 100
/к, и шах - импульсный ТОК КОЛ·
леитора, мА • •
!!•,800
374
Иэв max - постоянное напряже-
ние эмиттер - база, В
,
,
4
Икв max - постоянное напряже
ние коJJл~ктор - база, В • ! 60

ИкэRmя 11 - постоянное напряже-
ние коллектор -
• эмиттер
(R i;~IOO Ом), В ,
...
60
Икэ. иm ах - импульсное напря•
жение коллеIпор - эмитте1),,
В,,
.
.
,
.
,
.
,
.
70
Икв. и max - импульсное
напря•
жение коллектор - база, В
.
70
pl)к ер m ax -средняя
рассеивае•
мая мощность · коллектора в
динамическом режиме (Т" =
-=40° С), Вт ,
•
,
,
,
•
, 2,5
fш10 - минимальная рабоч.ая •1ас-
тота транзистора, М Гu
100
То тах - температура
ос ....•
.
Та mн - температура
ос •.
;.
□ ерехода,
120
кор1Jуса,
,
...
85
Rт, о-к - теплоRое сопротивле-
ние nереход~корr.ус, 0 С/мВт 44
Допустимая температура окру
жаюшей среды. 0 С ,
-10,,,+ 85
l~ При r11 = 40...85° ·а р[< ер max [Вт] = :120 - ти)/Rт, о-н•
J6 ,мА
Iк,нА
14 l----+--+ --t --i ---, -; ---1
12
10
в
6
4-
2
зоо
200
10[]
о ......'1.. ... ._L . _---1 . .- --'-
..L.---'
0,6
1h11эl
6
4-
I
0,7
_,,
'--
г-- ......
V
-
V
---
1--
1/'
о
Uк&= 108 -
f=IDOHГu,
...
......
,._
·,
•
... ..._
......
r-,. ....
~
'"
. ..... .... ..
r--... .
....-;;
/
V ~:, ...,,
--
J
//'
1-- '
-" ':
-
~
ф М 6 =2,ОнА_
~
5101520Z5
~V'
--
'""i--L
.,,
,
t--
за
,,"
1 ,.....,
Ик6=10В h -
'·<.
-
'.
r-- ...
20
/
r-
~
,
.. ...~
""-
-
- :-:-· r--,
,
,
... .....
10
/
,,.
-
t--
r--
~
.\
а
50 100 150 200 [к,НА 0 100 гао зоа
375

~
1--,
l-
:...--
-- г-- "-
11
•1'в •ы'х ,Вт
4-
1
.
1,0 ,
~
-
1
·'
,.~
.~.в.
1
1
1/.. -,
,
. 0,6,
0,4
..
"'
f]
•zo
)fвых,Вm
;
J
0,8
.
0,6
0,4
,,
'1 '·
0,2
V
1:---1--....
..
,......
КТБОБА ,.... ...,
1 т-, ....
•l
КТБОББ ~
/
1
P5,=1:onst I -т---..
°EJ!. = ZB B, f~t+ОПГи, -
z
Рвх=ЗЗО мВ т
Ек= ZВВ
1
оL--~---'----'---1-....l.....-'--L.,.:,~
40 •60 Тк,В
100
zoo
ЗОО 400 f,НГц
.
L"i .-
.v
... .....
-··
..
·-
1,,'
..
,,,,
КТБОбА
,.
/.
-
_,
~
',,;'
/
1
..... .
i/
V
,1
/.,,
,
/
КТ60~
V
/
V
~
,,,,.
./
V
L., ,
',/
V
;,,,
,.
V
1./
1/
~v
~
1/ 1/
Рв,=33011 В т
~
I
... v
r=ч-оомгu.
1-
V I./
]О
15
zo
11111_; 1 1 . 111111 _11
·_:1.1'
КТ607А-4, КТ607В 4
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиалъные п-р-п -транзисто-
ры предназначены для использования в нерем о нтируемых гибридных схемах ге- -
нериро~,ания и усиления мошности СВЧ диапазова, ~икромодулях, узлах и бло•
ках, иt,iеющих rерметиqную защиту от действия света, влаги, агрессивных сред,
соляного тумана, 1Jлесневых rрнб1{ов, ,
•
3.76

Оформление бескорпусное, на , в,еr:ерметичном керами:чесrsq~: основании
{рис. Пl.59). Масса ~ра~~~стор~ не более 0,17 !',
·
•••.
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2,2.
Электрические параметры. Классификационные · пара метры ;
,,....
"'·~
Значения
РсжимБ1 измерен ия
Обоэна•
"'
"'
~"
--~- ·-·
"
. ,.,.
~-6
Н,аим ·,нование
о
0,
•о
:о
'а)
<!; •.
qенис
."'
..
"'""
:;'
'-~
,., ..,
о
и..,
:Е
,
"'t; -
"
·:,:,;
~(Т)-~
,
"'"'
.
:: ""'
,.
":,
•:,"
.::: :,
::::, .
-,•
-•
'.
!_,
'.
.,
,,
Обратный ток коллектор 11, мА~
1 кво
КТ607А-4 •
l40
КТ607Б-4
130
при Тс=+85°С~
- КТ607А-4
,--~.
5 " 40 ··--;:
-·
,,,,,(
КТ607Б-4
.
5 30 .;;:
ори Т.,--45° С:
КТ607А-4
140
КТ607Б-4
!30
"
Обратный ток эми:щера, мкА
1 эво 0,001 0,02 0,5
•'4
при То=+85°С
3
4
при То=-45°С
0.5
.
;4
Модуль коэффициента передачи 1
то1<а на высокой частоте
Ih2181
100
'
Постоянная времени цепи обрат-
·•
ной связи на высокой частоте,. пс:,
'&11
i
КТ607А-4
18 10
305
КТ607Б-4
25, !О
105
..
-
'
'•
Выход1-1ая мошность (медианное
-
значение), Вт:
Рвых
'
1,0
;\
КТб07А-4 (Рв,=0,4 • Вт)
0,6
·.\,2 20,
.,
l10 IQЗ
КТ607Б-4 (Рвх=О,5 Вт)
.,
0,6,, 1,0 t:;2 20 i 110 IQЗ
Коэффициент усиления по МОЩ·
ности (медианное значение);
КуР
КТ607А-4 (Рвх=О,4 Вт)
2,5
20
l10 !О
КТ607Б-4 (Рвх=О,5 Вт)
2,0
20 ·"'·:
; (J{) io·•
:,." "
Коэффициент полезного действия
.,
• .--.
1
коллектора (медианное значение),
' .:- ,,,
%:
1111
.
'
..~..
.
.~.~..
'
io:i
КТ607 А-4 (Рвх=О,4 Вт)
45
'lO
l10
КТ607Б-4 (Рвх=О,5 Вт)
45
20
lJO ' i03
.j...
Емкость коллеrпорного перехода,
..•.
-
пФ,
С11
КТ6ФА-4
,-
.4
·10
10
КТ607Б-4
4.5~ 10 -
.
10
377 .

Максимально д~лустимые параметры. Гарантируются при темпе~эатуре акру•.
' жающей среды Тс--45 ... +85° С.
/ r< m ах - nостоянный тоI< t<одлек-
,
то,ра,мА........150
L'к~ max -постоянное нзпряже-
ние коллектор база, В:
КТ607 А-4 .
•
,
.
.
•
,
40
, КТ687Б, 4
.
.
.
.
.
.
.
30
Икim,mi1x - постоянное н апряже
Iн1,е коллеюор -
Э,\1нттер
U<1, = 10 Ом), В:
-
КТ607А-4
КТ607Б-4 .
....
35
30
Иэв max - постоянное напряже
н11е эмиттер - б_аза, В
.
.
.
4,0
PIJ
' к шах - [ЮС'ЮЯННая
ра<:сеи•
ваемая мощность коллеI<тора,
Вт
при Тllодл=-45... +40°С,
,
1,5
при Тnодл=+85°С ....0 ,89
Tn шах -температура перехода,
0
С .....• .
.
.. ']50
Rт, □ -подл - тепловое сопротив
ление переход - подложка,
0
С/Вт......
73
Допустимая температура окру
жающей среды, 0 С ,
.-45... +85
1В
интерDале Тподл = 40 ... 85° С Рк ер шах [мВт] = (150 -
Т подд)I Rт, п-подл'
~~~ 1
-
1--
--
Ин3=58 -
-
,,,,,,,
V/
,1
V~
l,0
-
-
-
-
-
-
~
ZDO
J
~~
/'
_
_...,
--
'/,,,.,. -
-
v,...
1
~, ,,, .,-
-
__,,.
-
1,0
100
--
~
,,,,-
1
-
-
г--
г--1 j
!//
v-
V.
,: "'
1
rt~IБ~0,5~•
1
/V
,,,,
,,
0,2
о
5
10
15
zo Z5 Икэ,В
111111111111111111111111111111111111
• КТ610А, КТб!ОБ'
20
21
22•
23
Общие сDедения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р-п-транзисто•
ры СВЧ предназначены ДJIЯ работы в аппаратуре связи и в радиотехнической ап•
паратур~
•
Корпус керамический, с полоскоDыми выводами и монтажным винтом
:(рис. Пl.60). Масса тра1iзистора не более 2 r.
У словня эксплуатации = в соответствии с табл. П2,2, _
378

~л е ктрtl'lес кие пар аметры. Классиф и1< ационн ы е параметры~
/!21➔ ПJАХ
-
Наименование
Обратный IOK коллектора , мА
при То=85°С
при То=-45° С
Обратный ток эмиттера, мкА
Граничное напряжение транзисто
ра, В
Статичес1<ий коэффициент пере•
дачи тока в схеме с ОЭ
КТ610А
КТ610Б
Емкость э м иттерного перехода ,
пФ
Ем~юсть колле1порноrо перехода,
пФ-
Постоянная времени цепи обрат-
ной · связи на высокой qастоте, пс;
КТGIОА
КТGIОБ
Н е равномерность коэффициента
передачи тока в режим е малого
СИГflЗЛа в диапазоне -~-оков КОЛ·
лектора,
КТ610А
Обрапшй т ок коллектор - эмнr •
тер, мА
при Те=+85°С
при То =-45° С
Граничная частота коэффициента
nереда11и ТОI<З в схеме с ОЭ,
1-'lГu,
КТб!ОА
КТб!ОБ
1121-➔ шlо
Значения
Обоэна -
~([s·~
чени с
.:,:
="
" 'J)
uJ)
:,:,;
" ',;
~
="'
"'"'
:,; :,;
:,; :,;
:::,
/КБО ё5 0,5 26
с,
с_
5
26
с,
0,5 26
1- 1эво
1Икэо ,·р
1
h21э
50 300 10
20 300 10
tн
215510
82210
h21эmax
hl\-, rпlп
2,3 10
1 кэк
120
]О 20
120
А
frp
]000
700
l-lt=жимы 113i\.-tер~ни~
<,;
-,;
:1
:Q
:,;
:,;
Са
~
(Т) :;:
i1.
:::,
-
-
-
1
150
150
30 30
30 30
о
r--
~
о- cv:,
.
150
.
150
379

·f
Максимально -д:оп·устимые параметры.
жающей среды т. =-45... +85°С.
]
\
1
,;
'
1
икэmax' ,;._. постоян~ое •~апряже- •
\1/Ие ,KbЛJiel(10p _·
!IМИТТер .26 :
((R f~ .100~Ом), _.в
Иэв т:\х --:-· постоянное
н;апряже-
lние ' эмиттер - база, В .
•
4
/к Jax .;:__ ПQСТО1ЯИНЫЙ i ТОК KOJI·
лекr6р1( мА : •
'.
•
'
зоо
1)• ;
:_ _~
:
•
;
i
Р к ПlЮХ 7 црсТОЯ!-\\!аЯ _ рассеи ~ .
~s
·~\
1_. ,
'i.
\.
\!
ваемая мощность коллекто- ·
ра, Вт
Гарантируются . при температуре окру ~
при Т.=-45 ... +50°O
•,1,5
при Ти= +85° С ..
,
,
,
1,0
Икr, тах - постоянное , иапряже-
ние коллектор - база. В • ,
.
26
Тn шах - темлtер<1тура перехода,
0С
100
Допустимая температура окру-
жающей среды, 0 С
- 45... +85
1 В диапазоне · температур 50 . .. 85° С мощность ~меньшается линейно,
1
lь,r-1A ~ifкэ=D 108 '--с
380
40
',: :~:
о
.JV
0,4 О,Б 0,8 1,0 l136,В
250
zdO
150
100
50
.
-~,,, /
,,,.,,,,, .
.,.1---"
:..-
..-с
-
·
1--
с.--
;
·-~
----
,.
_j. ... -
...-
-
-
-
--
>--
-
150
,.. ... 1,,,-..-
100
,~
;,.,1 -"' "
v~
о
·-
--+ -+-
11-
Uк0=ШВ
1
11
KT61DA
i
1
НТБIОб
1
-
~+-+-
200
5
IZOO
1000
800
600
400
zao
10
15
'
11Ги,
V
ХТБIОА
-
/
V
/~
..
/
11 Т670б
.
1/
/-·
Икэ = 1D8
О чО 80 120 160 ZOO ZчО fк/:А

t;.р,НГи,
IZOO
1000
800
600
.,
I
I )./
f
"
1 ,''
~
..---
1_
liT610A
1
КТБIОБ -~
Z5 1--+--'..+-~~--.------А
го ~- !---h- ~~ =--+-- --- -1- --- --t --- -1
15 t----t-".+--,t---+---+---'----J"------i--.J.,I
Iн•15анА
1
П612А
..
•-.....
Обш11е сведения. Герман-иевые планарные-_ '{1-р-п•-транэис;Ьры : ,- п ре дн аэ' на
чены для усиления и rеllериро~иния колебаний' :в неремонтируемых с:хемах, · узJIах
и блоках устро"йств широкого nрименени_ я, имеющих rерметн'jные ·_к_орl)уса. : ,. ,
Офррмление _ бескорпусное (ри.с. П 1.59), ._на - ~керамическом ос~ов:а· вии. Ma't:ca
тμанз·ис·т,ора не._ более 0,2 .r.
.
• '"·
•
-
•'
·\1
МСJ1ов.ия • эксnлvатаuни в сост8ве- r11брiiдных • схем
-: --
.11 .соо:1в1::11:·1:uии с
3·абл. 1 112.з: --,--- _
'
'-\\
_
J~~iричеfкие nараьiетj)ь1. Классификаu.ионныJ' nараметрбil , > .t- -. . , ~ с _:
';
j\ с '.-'
,
'
f',
''
,
,
1~•
1)·l 213 J, Рвых, 't~
~·' :· ,·
'З ;-1ачения
JJе;-кимы ; 1зм~;Jе 11ия
Обозна•
"
"
Нанменовавне
Q
5,оiCQ
<1;
<1;
'
,
чение
'"
..
~~" iCQ
::,
::,
=.о.
g,
-
·-
•-
~~-
:,: .
.,"·
-
~-
--m :;,: (Т)\'
-.
,i
,_
,i"
:::i з·
-
..:
;
-
':•
Обратный ток KOJIJ1t:K'1 '01,18,
мкА 1
/КБО 0,05 0,25 10 12
'
при т~~+16°с
100' 12
при То=-55° С
10 12
.,
·~·-.'
·-...
-
·-
Обратный ток 3ми·пер11,
,,
мкА
1 эво 0,05 0,025 ]О
0,,2
'
при То= +70° С
150 _
0,2
--
npil То=-55°С
10
,О",2 -
.
~
..
."'
·,
,,
,,
.
'
Модуль коэффициента пе-
редачи ТО!<8 на высокой ча-
,-
стоте
/hml
5
5
.50 300

Наим енова.1:ш2
1
.
Выходная мощность .(.ср~д- - ,,,
нее значение ) , Вт
Емкость коллекторного де•
рехода, • п Ф
•
Постоянная времени uепи
обратной связи на ВЫСQКОЙ
частоте, пс
.
3наче~-шя
Обозн.а.
:!, ;
~
чен -ие
.,
•О
~2 1:1
1;:
~ :;_
Ти
Режимы измере 1. Ис:1
"о
СС1
СС1
«;
·1
:,
5~
:.
'--
.
~
,:,;
~
~·~
а,
"'"'
"5
::::,
!-
-
1 ..:.
7.0 5
50 30
Максимально допус111мые [lарам~тры. Гарантируются при температуре окру1
жающей среды То = -55.. .+70° С.
/ К m ах - ПОСТОЯННЫЙ ТО!< KOЛJIE!(•
тора, мА ,
.
.
.
..
.
.
120
U эв max - постоянное напряже-
ние эмиттер - база, В
.
0,2
Икв ma x - постоянное напряt1<е•
ние коллектор - база, [3
12
Рк rnax - постоянная
рассеивае-
мая мошность • на , кЬлле1сг0-
ре (Тс=25°С), м _Вт
.' 360
Рк , ер max :- средняя
рассеи-
ваемая мощность коллек1 °ора
в динамическом режиме (в
схеме уси v штеJ1я · мощности
'· J6 ,мА
90
80
70
•60
50
,8 82
чо
за
20
10
а
j
1......... ~
0,1
а Инэ •108
'
..
)'
ji
./
1
~
з,о ,_
Z,8
Z,Б
Z,I+
Z,2
чо
при Т]к~Б5%, f:,;.;;1 ГГц и
в схеме автогенератора при
ТJк~27%, f=2 ГГц), мВт . 570
Т п max - температура перехода,
•о
.
'
100 •
Тк шах-температура держате•
ля, •с
•
70
Rт. u-к - тепл:овое сопротивле-
'
• ние
переход
корпус,
0 С/мВт
, 132
Допvстим ;•,1
температура
окру-
жаюшей среды. 0 С
-5 5,.. + _70
1
.'
~
,__
Икэ•9В
1/ 1/
,__
f=2ГГи,
V
1
/
.
----
·-
/ r/1,/
--...,
vJ/
1/jV/
/
/V1
1'/,I
/j'/
V/
50 60 70 80 90!3,мд

З,Z
з,а
Z,8
Z,6
2,4
2,2
z,a
1,8
1,Б
lfкэ=9В
!
\
Iэ=80мА
"-
\.\ .
f=игц
1
j_
,." 1\.\ •
.
'\
1\.'\
'/,'\
~
'\. '\
'
'\.,
1
'.:--.
'\.
-,~ ...,
,~,
1
1
1
1
1
1
1
1за 150 170 190 z10 zзо zso Р6 ~,нвт
f,p,MГu,
1800
1500
1200
900
600
300
о
/ ,.... _
['-....
,V-
--~~'-
1'..
""
Г"-
!
-~
......
~8
~.... 5
....
'
lfкэ= 38
1
1
1
'
'
.1' .
1
10 за 5д 7090110130 !,,мА
Ю640А-2, КТ640Б 2, КТ640В 2
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р-п-транзисто
ры предназначены для работы в схеме с ОБ в· усилительных и генераторных
устройств-ах в диапазоне 1...7 ,2 ГГц в, составе гибридных интегральных ми1'ро'
схем, блоков и узлов аппаратуры широкого применения, обеспечиаающих герме
тизацию и защиту приборов от воздействия влаги,. соляного тумана, инея, росы,
пониженного и повышенного давления.
Бес1юрпусные, на кристаллодержате.1е с полосковыми выводами {рис,
Ill.33). Масса транзистора не более 0,2 r.
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.3,
Электрическ11е параметры. Классификационные па·раметры~
arg h215, 1S126 \,/кво, fэво, Рвых·
Значения
Ре·жимы из,1· ерения
-
i Обоэна-
Наим.еновавве
1
мини-
макси-
щ
щ
.,:
а'
чение
типовое
:,;
~
мальное
мальное
~ ci)
~~:х:
.. .:
-
'
ОбратнЫ'й ток коллек-
тора, мА
/КБО 0,001
J
при Т~=-60: ..
0,01
1
f~5
... +25°с
'
при Тс=+125°С
'
5 -25
..
. -··- ~-.. -
~·- -
-
.
383

·f
Значени ,,
!Jежимы из ме рения
1
>
Обозна•
'1
Наименование
,о;
чевие
мини"
макси•
cQ
cQ
:s
~
типов0е
мапьное
мальное
~m~
:::,
:::,
Обратный ТОК эмитте-
ра, мА:
.,
1 ~во
- При .Те =----60 . ..
,,
.. . +2Б0'С
0,01
0,06
Q,1
3
пр1:1 r с.=+ 125° с
5
.3
'
Фаза коэффициента
•~r' i;hk't 6'
передачи тока, град.:
10
13,5
27
5
50 103
КТ640А-2
КТ640Б-2,
КТ640В-2
5
13
25
5
50 103
Модуль _ коэфф1шн_еJ!- _
та с ебратной - передачи
•• ·1г~'f!ряЖеliия · в · ёхеме с
_О:._ .
,
.1 sf~~ 1
o,s.i10-з 1,5.'t{)-8
- t>..
· Kf 640A-2
,
р,4,10.-::"-
. Ю640,р-2,
:
0
0"4. 1
_
0-s
, КТ640В-.2 -·
Миннм.альный _ коэф-, ..
фиц~,:ент шума ,
i'' I", .
.,• к·
--
•
(/( ур ~8 дБ), дБ~ ... Ш'liltn'
·'кт6~м-·2 - ·-·'· --~~- --
· k..
·d
-·-
\ КТ640А-2 -
•!
!
;_ ,,-
1
!
К~эфф'иuие\i'r • усиле-
·ния по J,!OЦlHQCTИ
k~P .
(Rвых~tОО' ' мВт), дБ
,
:
'.
,
., .Е~~~~~;~ ---,ЭМ ·И~~Р,НО;О·1·: .,
Н. П~P.IIXO;l!a ;. пф • •• ••
,
С8
:!
J
1
:
:
•--- -
• '.,
'.
Ск:
-80.
55
1,2;·)~-:- 8
··1 ·5
·:о
· 100
', 80
,1• J0- 3
:~ ,·:
: •;t'
.
.
,, ;-
\.-~--
•~.::,
'15
15
15
' IQ,•.,
·•~i"
15
·ч, .
30 JОЗ
30 ]00
10 4.1()3
15 6,10 3
45 7-10 1
45 7. 103
4
--' -'f ··;· •т iж>~за коэфф"шШ~нтц riеред·ачи тока iГс;кеме· оёОВ 11а iщсокQй. .!!астоте . овязана о rранич
и6й час!отой : 1,O.эффиццентр. реред,ачи тока . ооотношением 'f. ~p _[М~ц] = ?f, 3f/~.rg h21 б, •
,
где f-; часто:rа, на котороj! ,11зме_ряется arg_h 216 , •
.-
,
'·
.
•
.
~ - ,- ;) .. :,1.о_ду~1;, . !{О:i,Ф.Ф_ицие_н.тч обратной nер'едачн иапряжен,и.я ;в , С!(еме 0:общей: б_азой • 1 S 12 б \ -
от~оше11ие нщ1р~)!{ения qтраженной волны на входе транзио11ора : к н~nряжен.ию nадающеА вол-
. н~.-
Н~ . !!/>1,"Од_е.:.,Т\?81:1:эио;rояа, _!3j<Л!Q~енн.ого В ~,СО!'t,IJI\СОВВН.Нщ!'.~ С,f;\8?•;:-тр)!К1'-..,-О_l!,ЯЗВН . о- ТЮСТОЯННОЙ
. "в!}!)менй] .ц~п11 tобр~~н1)й ~язн
соотнщuеннем tк=I S 126 1({!4.ПJ),_ • ~де f,-,9а911ота, и.а , ко-~:орой нз-
;, ме,ряетс~ 1 s126 J... ,
•
•
j.
1
••
'\

Максимально допусти_мые параме:rры. Га():а1пируrотся ,прm ,.температуре окру•.
ж а rрщей среды ,т. :~60,., -1: 125° С. .
1к . in.:x:. . ., . . riо .сто~нн .ьiiГток коллек- •
' .iropa, мА
,•,•.....
.
.
·,
.
60'
Иэ!;\,.mа·х - постоянное на пряже-
• ние эмиттер - база, В
,
,
3
ИкБ mак - постоянное напрян{е-
.• , ние .колJ I~к;гqр - база, В ,
25
Р}1 так -- п6стоянная рассеи•
ваемая •мощность колле1по-
ра, мВт •..
,
•••• : 600
То mн - температура перехода,
0с
.
,,...,
.. 150·
Rт. u~тепл - тепловое сопротив -
ление. 0 С/мВт
,
.
: . .0,15
Допустимая температура 1жру
жающей cpeдf>I, 0 С .
-60...+125
I;j ,мA 1--1--!--! --1--,f -;
1 ) В диапазоне темпе!}атур теттлоотвода ,
-6 0 . •• +60°С. При повышении температу•
ры 011 60 Д@ 125G G' Рк max (Вт] =(150°С-
4J f-t-t-t-t-HH--t--t- -t-1
-Т тепл)/ 150, где Т тепл -темпер-аl'ура :vеп
лuuтвода.
за
13 l--t---+-t---+-+-f1c-t--t---t--г-l
(J L...д---1,---'--'!"'-l./::...J.._,__,_,__.__,_...;i
; U,17: 0,8: 1,0
arg -hz16.,
гpait
16 i----1- ~- + --
!-.,<--+- - -!1---,'/
14 f-----j.=- - +- -+-+
~fu"'r--1
12
1а 1---+ - -1'"'1,--+-""'- -t-: -r1-r;
8 f----+.6,2:.ё::.i---4--''t---t-t-т-
6
4 1--+ ---="1'
z L...JL..J --1 --1 -l._ !. _- '- - '-~~
~~
о 10 zoза 4050[),Мд-
13 Зак. 503
argh216,
град
г--+--+--+--t
15
10
5
о
7.
1;
Б
I к=ЗОмА
l'=I ГГи,
[[НБ, /!
•,,
' К.ТБ4 0Б ·l,
KT6lf.O B-Z
KT6lf OA-l
385

·f
\s1нl 1а• з.
1к= 3D мА
/s12ъ~
,4
'
f" 100МГи, ,
J,Z
з
Z,4
2
1,Б
·о,в
D
5
10
15 Икб,В
о 10zo30405Dj3,мА
Рвы,, f=7ГГu,
Р5;,,,,· fyp
'
1Инь=i5 В
мВт r 6,= 2511 8m
мВт
I н=-1/SмА
I к= 45мА
40
.в
\,1
~v Г= 7ГГи,
100 -
.,
.J,,,,,,
Рвых
~7·-r
.
..
•80 •
301506
е-'-
\/
-
'!.
,,,,.
1( 1.
60
/.,
. J,,,,. ;
1
zo-100-4
'/
.
...
,, ..
40
/,
.........
' fyj,: 1:.:+-
г-
10-50
-
2
20
1
1•
D
5
10 Ик6,В
d
зь
60
--р6~ ,мВт,
Экв11вам11тная сх. ема транзистора
Lri=0,5 нГн -!'lндукпшность эмиттера; Lб=О,3 нГн - .ивдук~:ивн6сть бЭЗЬi.
. /н=О ,5 нГн-индуi{т,ив1юсть • .коллеrпораi • Снэ· =.0, 12 - пФ-емкосr.ь ·сКо.~л.ектяр-
386

- - <t м ит т е р: • CL = ·0 -, 16 пФ-констр-уктнвиая емкость эмиттер"7,'база,;. С2 =0 ,28 пФ-
-констру_к-rивная _еr.1.кость коллектор-база: С 111 =0, 15 пФ-активная емкость
~ол~ектора (Uк:""' 15'8): С112 ~0,35 пФ-п~ссщ1ная емк~ть коллектора . (Uк: == -15B)J
•
kT
•
~б ==-4 Ом-соnр'отивление базьi1 r~ = --~опротивление эмиттерного перехода
Ыэ
•
( ~ ::::: 26 мВ).i С3-зарядная емкость э,шттерноrо перехода (в рабочем режи
ме составляет ""' 3 -4 пФ) ()(=([,5-2) Ом-эквнвал~нтное последовательное
7опр()тивление к~ллектора (f = 7 ГГц, Uк: = 1О В), Wrp = 2n/rр-Рраничная частота ;
2.3. ТРАНЗИСТОРЫ БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ
Диапазон низних частот
П2 1 0Б, П210В
: Общие сведения; Германиевые сплавные v-п.....:.р-,, ранзнсторы nредназна • Iе
Нhl для работы в выходных каскадах приемной, ·уси.1ительной и другой ашIара-
тур'ii.'
•••
·•
Корпус металлический, герметичный, с жес1кими выводами ("рнс. П 1.6 ! ) .
Масса транзистора не более 37 г. Масса ф11анuа д11я креп11ешш транзистора -
8 r. Условия эксплуатац~н ~ ~ - J~о~в·е-т ст ви i ~' с -- та б. тi. tf2.2 .
Электр11ческ~е параметры. К11ассификаuнонные параметрш
' '21::J,ИКБшах·
·'
'.
)
Зн а ченн~
1
Обозна-
<,
'"
·,,
на·имес-fовilние
о
,О
чение
' :z:
., :z:
"'"'
u.а
" 1<;
"'с;
., "'
""'
.
:,:,
~~
'
Обра~ный ток коллектора,, мА;
Л2lОБ
/ К,IЮ
0,5 15
П210В
0,5 15
п~и Т к=- +10° С1
П2~0Б
3
90
П210В
3
90
при Т,.-~6О0 С1
.:·
П210Б
О,1 15
р21ов
О,1 15
;,
13*
Режимы измерrнн~ ,
сЦ
«:
«:
«:
;: :,::
'°
Ji
::i
-
;
45
35
45
'
35
45
35
387

На~менован не
06оэна'
ченне:
Значений , Режнмы 1-1змерения
Гра:нцчиое напряжение транзистора, В . Ик.эо ;р 40
2,5
Наnр~жение ' насыщения
эми<tт.ер; В ,
коллектор .с..
Напряжение насыщения база - эмит-
0,6
:'
2,'5
5 '0,5
тер, В
Ивэ нас 0,5 2,0
Статический 1шэффициент передачи тока
в .схеме с ОЭ·
(отапtчесиая крутизна прямой ·. пе· р. ед ач .и J
в,схеме с ОЭ, А/В
j
Прёде'льная часiота иоэффи•u.иента,. пере-1
дf1ЧИ тока, кГu
1010025
Максимально допустимые параметры. J'арантируются ' При температуре акру-.
жа1ощей· среды Тс= -60 ... + 70° С.
lк max - постоянный ток КОJ!Лек-
тора, А
12
Икв 111ах -;:-. постоянное
на пряже- ,
• ние кол~ектор - база·, В;
П210Б
П210В
Икэ max - постоннное напряже
ние коллектор - эмиттер, В:
fJ2IОБ
П21013
65
45
50
40
ИэБ . mах - постоянное напряже-
н11е эмиттер -: база, В
25
рассев·
ваемая мощность i(ОЛле1пора
(Тн=25°С), Вт
Тп max - температура
ос
Rт, n-к - :rепловое
ние
переход
0
С/Вт ..
перехода,
сопротивле
корμу~, ..
45
80
Допустимая температура
жающей среды, 0 С
акру-'
,-·бО :.;+70
lJ При Ти>25°СРкmax [Вт]= · (Тп шах
-
Т н)I Rт,п-к•
388

1'
L.._ с...:.
а,'+
1,
L..-.
'I
-
Uкз=U g58
40
зо
-
-. . .....
L,- .....
.. -, .. ....
1
U,2
7
r/
j
10 ...
а 1..,. :,,
и
N
'\J
lfкБ= 28
'
i'...
:-....
•
'~
1-,;.
i'...
'·
--~-
I~,A
10
8
Б
4
l
а
'.- 1
•.•:;.;
; _,,,.
~
-
,....-
;-
... -
1,"
lr
МБ = 50НА
6
П213-П213Б, П214-П214Г,· ·11215,
П213М-П213БМ,
П2 1 4М -П214ГМ,
П2\5М.
·общие сведения. Германиевые сплавные р~п.:.._р~транзисторы предназначе
иы :для работы в схе мах переключения, выходных каскадах низкочастотных усI1.
J1ИТ~лей, преобразователях II стабилизаторах пост.011нноrр напряженпя ИI! дР.У.r;@й
:Рад!f ОЭле1,трышой , апш~ратуре.
.
.
,,
,
..
.
, Корпус металличесl\ИЙ, rер~iети 11ный, с жесткими выводами: П213-П215
(рис. Пl .62, а), П2\ЗМ.- П2!5М. (рис. Пl.62, б). Масса транзисторов П213 -
П215 17 г, П213М-П21 5М. 12 г.
., Усло!'lия эксплуа,тацпи ~в . соответствии с тμбл. Л2.3 .,
Электрические параметры. Клжсифнкационные параметрю
И
hУ
l(Б max• 21Э,
21Э·
зН ачсн ~н,
Ре}i..:нмы 'i-1 "З мё-;-it' t1 и ~1
..
'
"
·обозна-
"
.,
Наименование
о
,О
о:1
о:1
,.:
,.:
чение
.,
:,: :,:
•'
о
и"'
~
1;
t::
;@
(1) ;;:. щ
~~"
:::,
:)
-
-
Обратный ток коллектора, мА,
/l(БО
П213
0,15 45
'
П213А, П213Б
145
! П214 , П214А
0,3 60
П2!4Б
О,15 60
П214В, П214Г
1,.5 60
П215
-о,з 80
3S9

,..
•.
Значе-ниЯ
Режимь1 из ....-1ерен и я
..
Наиме:110ван ие
Обо;~а- 15
• : :a:i·
"
;,·'
.,
о
о
cQ
cQ
qен. ие
•:с
"'
::: :с
1< ·<
..
::: .,,
о
".,,
~
::: ,;
r::
"',;
ciJ .
.
::: "'
:,: .
"'"'
.
~-~ t.Q
·-
""
'
...
""
' :::,
:::,
'
'
11
!!
при Тс-=70° С:
,
П213
1
2,01 · 45,
П213А, П213Б .
4,5451
'
П214, Л214А
1
2,560!
1
П2J4Б
!
2,0601
П2l4В, П214f
5,0' 60 '
r
!
П215
2,580'
i
-Обратный
t.\A,
1 эБО
t
'
ток э~шттера,
П2]3
0,3
15
П213А, П213Б
0,4
,!О
П2'14, П214А, П214Б
0.,3
15
П2 1 4В, П2J4Г
0,4
]0
П215
0,3
15
при Тс=70°С: .
'
П2J3 •
2,0
15
Л213А, П213Б
4,5
;
·ю
П214, П214А
2,5
Js
П214Б
2,8
li{g '
П2 14В, П2НТ
5,0
П215
2,5
•15
''
!,
~1,
· Обратный тек IIOЛJlelпup - змит-
тер, мА
/кэ11
!
·,./
!
1
'
,.;
. при R6 ~50 'Ом:
.
;(
.
:,!
П213А, П2l~Б
1
'
iO• ; 30'
,1
,
'10'55
1
П21ЗВ
i;
!
:
1
,. n:pii; R,,. = оо:
(;
i
i 55,
:
·20 ,
П213
1
'
;'
30 ,45
j.''
П2J4, П2!4А, П214Б
;
;щ 60''
'
,·
Л2!5
_1:
'
,,
:,
:
''
1lапрямение нас ы ше н ия .KOJIJleK -
тор ···-
э м иттер, В:
' Икэна~'
•'
П213
!
0,5'
·3),37
П213Б" П214В, П214Г
!'
2,5
2 0,37
П214, П214А, ТТ21~Б.
0,9
:
3 0,27
ll215
'
',
''1
'1,
1
,
'
Наnwяжение насыщеии.я база -
'
1
·ё>митте р, В:
ИБЭ нас
. 2,5 0,30
ll213
'
0,.75
..
'
·1,
П214 , П214А
1,2
П214Б
: 0,6 0,9
.:.
П215
1;:
1,2
'"
'
i
{~
11
3!JO

Обозна
qение
Коэффициент передачи тока в ре
жиме малого сигнала в схеме с
ОЭ, (f =300 Гц). :
rшз .
.
O21ЗА, П214В
П213Б
Ц214
IJ2l4A
П214Б, П2!5
;
;
Ст~тичеtкая крутизна прямой пе
ред;~чи в схе;Iе С ! ОЭ •(Ra=75 Ом,
f=]00Гц),Л/В,! .•
П214Г
•
1
''
Пр~дельная част<iта • коэффиц·иен
та tiepeдaчr1 тока , кru:
у 2tЭ
Максима:Лыю\,доп_устимые параметры
i
•
1
•
!
'
•
/к ~н ..:_ пос~оsш~ый ток коллек.
;тора,А.; ,,.
.
.
.
.
5
/ Б max - ПОС!fОЯ!IНЫЙ ТОК ; ба•
:зы,А,
... .
,
,
..
;0,5
И кэ R и •mак -:-. нмnу::11 ьоное : нa-npft•
: жен •ие кЬл..hектор
-; - змипер,
'в
'
i
'
'
•
i
•при R5 .,;:; I5q Ом:
: П213
•
1
.
·40
•
•
•
•
•
11
•
-.,
t
П21ЗА, П21ЗВ ..:
....
:30
; П214, П214А; П214Б, П214В,
'., н~:54Г ! •
,
.
.
,
.
.
.
.55
·j •~
•:•\'
••
70
• при16:-о;,
П2JЗ
,
,
.
П214, П2НА; П2 '14Б
Н215 ~ ......
.
30
45
60
Икв, и max ...: _ имrJульсное
напря•
жение коллек:rор -
.база,
В:·
•
'
.
П2J3, П21.3А, fJ.UЗБ
,
45
П214, П214А-П214Г , •
, '60
П215~••• ,
•••
.
•80
Режимы измерения
20
20
40
20
50
20
1,4
30
30
100
30
100
100
50
150
60
150
150
5
5
5
5
5
5
2,1 28
1
~i
l
0,2 i"
0,2
0,2
0,2
0,2
•--:J
Иэв max~
-
постоянное напряж~~ 
жение эмиттер - база, В:
.,
П213, П214, П214А, П214Б,
П215
••
15
П21ЗА-П214Г ,
.•.. 10
1)
:
,:'
',
Рк max - постоянная
раr.сеи~ ;
ваемая мощность колJiектора
.(Тк: max-45° С), Вт:
П213,П214.......11,5
П213А П213Б Л214 · П214А: •.•
П214В: П214Г.' П215 '... . :, 10
Та m• х - тем пера·тура перехода·, :
0С
... .
85
Ri, а-к - тепловое сопротивле-
ние
переход
корпус,
0 С/Вт;
П2!3, П21.4Б
...
3,5
П213А, П213Б, П214, П214А,
П214Г, П215
•
.
;,. 4,0
Допус..имая _ температура акру• .
,
жаI0щей -tреды, 0 С, ,
-60....+79
391

lь,А
0,60
D,48
О,JБ
а,zч
0,1Z
а
15D
I
"
1UD
50
•:
.
·f
.
·,
пzIз,п21зА- пz11,в;пш
;
/!
lfкз=О
JБВ-
I
J
I
J
•
/
1lj
//
/
J~
. .,[,;'
U,5
1,0
11
\
11
·,
1fкб= 58 .
'·
-
-~. '.
ПZiчА,П?14 Б,
'
.........
ПШ, ПZ!ЗБ
'
...... ../
.. .... ... .
/1 1·~
ПZIЗ,
-
-
-
~
,ПZIЗА, ПZ14,ПZ148
1'...
--
~-+ -1
.
11
11
...
'\
1) При .. темn,ератур е корпуса. , (;Выше
45°С Рк J113X [Вт)=(Тп mах-Тн)!Rт , D,-H '
2 ) Тепловое со противление для П2,1JМ , __;_
П215М составляет 6°С/Вт,
Iк,А
~а t--t-
,,,_--+ -. -=-- -----i,-=+_-+-
. -+---+--+-+-c+-+-,--f--j
··зц ~-1--...... -
_.;...
_:---
---~-
о
0,2 0,4 0,б 0,8 , lк,А
.О
51015ZD
lfкэ,В ,
П ZIЗБ, ПZ14А, ПZ14 Б, П215 -дlь=10 нА
•. П ltJ, Пl!ЗА, П'141 ПllчQ- IЗI 1/(ZU'l1A
Л216, П216А, П216Б, П216В, П216Г,
П216Д, П21 7, П217А, П217Б, П217В,
П217Г
Обuще сведения. Германиевые сп"1авные р-п-р • тргнзисторы nреднаэваче
пы дJ1я работы в схемах переключения, выходных кас1<адах низкочастотных уси- .
;штелсй , nреобразовзтеJ1ях и ста{1ил11ззторах nостоянно:_.о наnряжения и в другой
радиозле1прошюй аrшаратурс.
392

Корпус металличес1,ий, герметич}шй, с жестки-ми ВЫ'ВО1tl!М·И (рис, Пl,62) _,
Масса транзистора с накндным фланцем не более 17 г.
Ус:ловия эксплуата '!Jiи'1i-'---'- в •состветстви и с табл . П2.3.
Эл·еитрические параметр"''• , Классификационные napai1eтpыi
• 621Э, h21э, U~Б max·
Зн ачсния
Обо.зна-
~-~
Наименование
чение
"о:
о: о:
:,: -"
<.).,,
:,; t;
,., "'
:,: "'
"'"'
:;: :,;:
~~
Обратный ток коJ1лектора, мА;
1 КБ~
П216
0,5
П216А
:
0,5
П216Б .
1,5
П216В
2
П216Г
2,5
П2!6Д
2
П217, П217А, П217Б
0,5
П217В, П217Г
.з
1'
Обрат~ы& ток эмиттер.а, мА:
1 ::;ьu
·
П21., ;216А •
а°,4
· П21&Б,·
П216В, П216Г, - П216Д-
О, 75
П217!А, П217Б
0,4
П211: В, i П217Г
О ,75
'
!'
•
Обратнiы~. ;ок ко;nле1пор .--'·. ЭМИТ·
тер, мА .
1 кэо
r:;
.
•
при! Rв =oo i.
..
Щ.Jб( fJ216A
40
Л217( Г/217 А, П217Б -
:
50
nри\Rв=0:
1кэк
П216Б, П216В
20
Il2Jбl" '·
50
Il216Д
..
20
П2f7В', П2J 7Г . .
'.
..
, ;•.
\,.
....
20
Коэффициент передачи !'ОКЗ в ре-
жиме малого сигнала в схеме с
оэ (!=30 Гu)1
h21э
П216А
20 80
П216Б
10
ll2!6B.
30
П216Г
5
ll216Д
15 30
П217А
20 60
П2!7Б
20
п2nв ·
15 40
Статический коэффициент прямой
передачи тока в схеме с ОЭ1
h21э
П216 . ••
18 351
П217
...
15 .251
,,
1.
'',.,
Режи м ы и.Змерсния
l'Q
l'Q
<
~
~(1)~,.а
:::,
:::,
-
-
40
40
35
35
50
50
60
6U
15
15
15
15
30
45·
.
-
.35
50
50
60
5
1
..
3
2
3
2·
3
2
3
2
..
5
1
5
1
3
2
'
0,75 4,0
1,0 4,0
1
,.
393

.,.
----- ·-.с--
,
!-•
3на'чени. ~ , 1' ·р:'~~~~ы :_•~~.~ер.- '.е~ца
Обозна-
'
.'
·
i·
.,
,
QJ
-=g~\Щij-i(I•: ;<
На1iмен.о.аание·
о
чение
•t :Х: .1
:,: .а
~~~ro.~··са
.
""'
,,.,
:,; :,;
:,; :,; _ ::::>
.
::::>
,~,
-
Плавающее напряжение эм-иттер -
.
база, в
Иэв пл
при fc = +70°C:
0,3 40
П216. П2:16А
П216Б, П216В
0,5 35
П216Г, П216Д
0,5 50
П217; П217А , П217Б
0,3 60
i
П217В, П217f
0.,5
60
;
.
Предельная частота коэффициента
оt 1:
.
_
·
передачи тока, кГц
fl1"llб ,100
10
·•
.
1
1
!lапр,яжение насыщена-я кол .1ектор -
!'
эмиттер, В:
Икэ нао
П2 ,16, П216А
;
0,15 ;
140,5
П216Б, П2 1 6В; П21(Щ , П217В
'
0,5
'
2 0,3
П217, Гl2J7A, П217'Б, П21.7Г
1,0
i .i4:_D,5
.,
,,
1
1!апр,яжение насыщеш1я база -ЭМИТ ·
тер, В:
Ивэ нас
П216, !1217.
0,6 1,5
3,,5 0,5
П2!7Б
О,6 о.~
.3,:5 _,0,5
П2ПГ
_ 0,6 0,8
3,15 , 0.,5
1> Типовое значе1-11~е
Максимальiю д;опусrимьiе ~арам~тры. Гарантиру1ощие при температу~е к0р•
пуса fit=25±l0°C.
'
/к mн - ПОСТОЯШIЬIЙ ТОК КОЛJ!СК•
т0ра,А........7,5
/ Б шак - ПОСТОЯШIЫil ток базы,
А .......
-
_
.
. 0,75
Иэвmах - постоишюе нап1)яже -
н11е э&штте.р - база,· В
.
.
15
Ик.э, и rnax - :импульсное _нащэя 
теоое коллектор - зм-нпер,
394
в
приt6=@:
П216, 11216Д
П217, П217А, П2l7Б
i!!ри R 6 =0:
30
45
П216,. П216А ,
.
.
4(}
П216Б, П216В . . .
35
П216Г,П216Д......50
П2.1.7 . П217А, rI2lJБ, П2l.7.В, _
П2J.7Г ,, !
•••
,
,
60
и КБ, и max - импульсн ·ое напр*•
жение коллектор - база, В:
П216, П2l6А . .
•
•
4@
П216Б, П216 В ...
,
35
П2,16Г, П2l6Д . . .
50
П217, П2 1 7А-П217 Г
60
Иэв. ,, max -и м п ул ьсн<?Jе нап'р,1_1-
жение эмиттер - база•, В ', .
. •15
pl)
к max - постоянная
расс.еи-
ваемая ~ощн ость коллект9ра
(r н ~ 25 С, с теплоотво-
дом), Вт:
.
П21.fi,. П216А, П217, П2НА, '
П217Б . ..... . .. i()
П216Б - П216Д,
П217В.
П217Г ...... . . 24
Tu max .:_ температура, перехсда1
•
0с•....·.~
.
.
.
.
ss~
'·

R11:, ;;,. ,-.., . :r~IFЛO~Ф'e:
WЩ)QТ1<1В.'1е- • .•
ни е переход -корпус, 0 С/Вт:
П21 6, П216А, 112 17, . IJ217:A.
, П2!7Б1 '
••.••••
2
-- • .Ы2L6Б'-"И2:1Щ -
·· -·-"I12-1,1:В-;
П21ёГ
2.5
, Долу~ти мая
тем,1rер,атур;а .о.и ру -
жающей среды,,. ~.С ,, - -60 ...+70
1>При Т11>25°СРктах[Вт]=(85•С -
'F и)/ Rт, n-к,
50;
40
30
zo
1U
1
~ин~~(}}
'
,J
IJ/
,11'7'
7
J,
1/
58-
7
'·'
,71
✓
'
:
О,З ЦБ (),9 Уr,э,В
hш"---...J.-_,__-l--_,___,_--1-<------'
П'l17
г111;11 1 1111 р111 1 111,р, 1, 1 111 ,1,111
,
·-
17
18
19
lн.А
50
40
-
зо
l[!
ф .:1.l Б
.,,
UJ
О
10
Щ
1fкэ.В
'П Z16, П217,П Z16A;ПZ168-;jf 6 =ZОмА; ПZIБВ,Пl1БД,
• П Z17A,fТ'l17б-/J1 6 = ЗDнА; пz-ttБ,П?l/iГ- 11lь =fOt1A
l,r
lf1<5=SB
~ П21оА,Л21БВ
~ , П217А,ПЩБ
120
во
Tr
'-/
........
"-
JI21бД,П2178
lr"
. ......
t---..
/ ........
1'--,..~
r--.. k
--
1--.
.
......
•· ~ ;....__
·
П21бБ, П217Г
о
()/1- 0,8 1, 2 1,б Iн,А
П502 , ПЗОЗ, П-ЗОЗА, 1130.1:, ПЗ~6, , П3UGA
_
о~щ11е ~-с-весдения : ·,кре-мниевьi~' сплавные ,----n-'- р-'l"•ранэнст6ры ,предназн а-чены
для· работы в- ра-диетехииче1.ко'й i1 связ~юй ат:1.•аратуре,
. 3\15
l

•• Корпус метал~~чес[(ий", Fер1iетичш,1й, с жесткими
выводами
Масса транзистора не :более IO'r. .
.
.
.
Услов1:1я Э[(сплуатации - в. соответствии с табл. П2.4,
~лектрические ·параметры. Классификац~юнi1ые параметры·,
И КЭ шах• h21э, Ивх-
Наименование
Обратный ток коллектора, мкА
при Тс=25°С
при Тс=85° С ,
ОбрэТНЫf! ТО[( коллектор - ЭМИТ•
тер. , мА
приR5~1[(Ом~
П302
П303, ПЗОЗА
П304
приR ~100ОмJ
ПЗОб
ПЗО6А
'Напряжени е НЗСЫШСIIИЯ KOЛJICK·
тор '"-'- • эм нттер, В:
ПЗО2, П304, ПЗОб, ПЗОбА
ПЗОЗ , ПЗОЗА
Статн,1ес1шй коэффициент переда·
чи тока в схеме с ОЭ;
•·
П302
ПЗОЗ, ПЗОЗЛ
П304
ПЗО6
П306А
при Tc = - f-8:'>°C1
ПЭОб
ПЗОбА
при Тс=-55°С:
ПЗО2
пзоз, ПЗО3Л
ПЗО4 •'
П.ЗОб
П306А
Сопротнвление насышения, Ом
при Тс=25°С:
ПЗО3, П303А, ПЗОб
при Тс=-55 и +85°С
П303, ПЗОЗА
Обозllа•
'кво
И ((Э нас
rк::1 нас'
3(-{ачения
(о
6
5
7
5
7
5
6
3,5
3
,4.
3,5
IOO Икв mах ·
1500 Икв max
1
1
1
•··1·
1
3
4,5
30
50
70
100
20
30
40
70
IOO
70
!00
!О
!О
10
10
1О
10
!О
10
10
ю
1О
1О
(рис. Пl.63J.,
..-i.11!
~i
'·~
','
·
~:t
. )··
·
'
1·
'
;J'
150 ':30
150 50
[00
50'
100
50
\00
50
150 50
150 50,
' 120
120
60
120
120
60

.i}1 i
:
':/i.J. : /·· :·
.·.·.•
., .,
Наименование
..
...
Q.бозна•
ч~ние
.,'
,'
.,
.
,
"
..
Пре.це.пьная .. ча.стота КО'1фtр1щ11е11'Га .
передачи тока, кГщ
fh21б
П302
,
• ПЗОЗ, •ПЗОЗА
П304
ПЗdб
П306А
:
Вхо,цное напр~жен.иt:, В; .
Ив~
П302
ПЗОЗ " ПЗ04
ПЗОЗА ''
11306 ,
ПЗОбА
/.·
.
.
.
: : Максимально . допуримые пар~метры;
/к inн - постоянный ток , коллек- -;
: тора, А:
•.
!·.
'
, ЛЗО2, ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304 . 0.5
. П306,
ПЗО6А . •
.
.
.
.
.
0;4
'
•
'
lэ max - riостоянный ток эмит-
.
, rep~, .A:i
•
•
ГJ.306, ПЗО6А
•
• '0,5
1
li, max' -
постоянный rок ба• '
• эы, :А:
.
:пзо2, пзоз. тозА. пзо,~ . . ,0,2
l1
.
.
:
11-fкr, ma.,
-
пост?~нное нanpЯ>lfl::· :
••
1,
' ние ' кол.t:е1,тор - база, :В ,с
•
пр~ То==2~ ... 85° <;::-
,
!
• ПЗО_2.:
.
.:,
.
.
:, ,; ,, ,;35
1 ПЗОЗ, ПЗО3/< 11306
,.,
60
, П304, Ш306А
.
.
,
•
•
80.
, np11 ,J:o'=-q5° Ci
: п30~. .
,
.,
.
.
.
.•
•..,•,30
: П3оз : П:303Л: П306А
50
ll304 . ;
.
•
.
.•
•
•
•
•. 65
1,•
' П306А
.
;,
.
,
.,
•70
))
.
1 .Ик;:=тmвх - постоянное напря:же~
ние koJIJ1e1<top ~ ~м~гrер ~
(R:i ::i,;;100 Ом), В
npi1 r.=25... 85° с,
П3Q2 ,
. ...
,
• ПЗОЗ, ПЗО3А, П306 •
• ПЗО4, ПЗО6А
.
:. ,:.
•.,
,
35
•.,
,
60.
.-
•
,
80
-3.uа~ени~:.: ·,· . ·
..Р,е1"и ,, .изм~р~11ия
;
,.
,· :.
'.
...
1
'
"•
.,,
':.
<. .·,.;:
<
о
,о
:е
."'
"'=
Ик, в
"
:>!
"'.Q
u.Q
~@
~-@
:,:: ,
tЬ:• j
""
""'
-
....
200
20
120
100
..
ад.О .
120
50
20
120
50
20
100
50
20
50
6
10·зоо..,
10
10
300
2,5. 4,
•·· •·
10
.3 00
6
15 ·зоо
'
4
J5
200 ..
\ ПРИ rО =~55° с,
ПЗО2
.
.1
30
ПЗОЗ, ПЗОЗА, П306А
50
П304 •
.
.
.
•.
65
П306А .....
.70
•2)
.
Рк mзх - постоянная рассеи•,
.
•
••
ваемая·: ~10ЩНОСТЬ КОЛЛектор·а
с дополнительным теплоотво
дом, Вт
. при Т к=е::;;50° С1
0302
,
,
r
7
ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304, . П306,
ПЗОбА.....
•
10
при Ти=85°С:
ПЗО2, ПЗОЗ, ПЗОЗА, _П304, .
П306. П306А
.
.
.
3
без дополнительного теп.ло•
отвода при r. ..;;25±10°C . . •
Т• та х - темпера rypa перех_ор,а,
0С
•
,
.
•· .. 120
~т, о-и - тепловое
иие
переход
0 С/Вт
.
.
.
сопропшле
коμпус,
,
.
,
.
..••
10
Rт, о-о - тепловое соnрот1ш,ле-
•
1ше переход - окружающая
среда, 0 С/Вт
100
Допустимая .. температура
. ощ:t1у• ,
•
жаюшей · среды, 0 С .
-55...+85
.
1 ' qри :температуре п~рехода оыше 85°С предельное н ·апр.яжение следует
;уменьш~ть на 10% на каждые 10° С .
.
• aJ Лри температуре корпуса от 50 до t!5" С Рк.шах [Втt=: 0,1 (l_
.!U - Тн),
· 397

.,
ГТ701А
Общие сведения. Германиевые сплавные р-п-р-транзисторы предна:значе-
11ы для · работы в . с11с1емах зажиr.аиия двигателей внутреннего сгорания, а также
в,,.схема:х преобразователей· напряжения. Допускается применение н условиях им
пульсных перегрузок по напряжению и мощности.
Корпус меташшческий, герметичный, с гибкими выводами (рис. П 1.64}. Мас
са транзистора не более 25 r. Масса крепежного фJ1анца не более 7,5 r,
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.
Электрические л_араметры. Классификационные лараметры1
h21э, И кэо rp•
i
: На 11ме11ован иа
Обратный го:< коллектора, мА
при r.- 70 и То---55°С
Обратный TOI( коллектор - эмнт-
тер, мА
(UЭ.Б=1,5 В, t.=2 мс, Ти-
=25... 70° С)
Гра н йч11ое 11апряжение траизисто-
06озиа•
1s
чение
."
"'.о
., о:
:i:"'
,i ,i
1 кэх
Значения
.:5
.,
i ::.!il:z:
о
u"
t::
:,: о:
"'
"'"'
...
~ ::i:
50
Режимы
а:3
-~
:::,
60
60
100
из~терен ин
: ..;
~
'
: ~.5
ра.(1.= 10 мс), В
Икэоvр 100
Т.=+70
Тс=.-55° С,
.·,
;
при
и
..
t.=!Омс ·
90
.
2,б
Статнческнй коэффициент
1
переда-
1
ци тока в схеме с ОЭ (1.=0,2 мс,
f= 100 Гц)
lt?IЭ 10 15
"
2
5
Прсдедьная •~астата коэффициента/
nсре1tачи т.ока, кГц
fh 218
• . Максимально допус:rн111ые {11!Р.ам1:1ры.- Гарантир_уюrся при т-емпер:атуре кСJСр\
пуса Т"=-60 ... +85° С.
/кш.. -
постоянны!! ток коллек-
тора,А...
.
.
.
12
1в рао ~ ток базы в реfк1tме рас•
1'; сасывания, мА ._
.,
_.
•
,
,• 158
И1, ma,
-
постоянное rraпpяжe-
li ие 1юлл.ектор - -.эм.нттер, В r ·'
55,., . .
.Икэх, и n, 311 -ямпульсrюе нan.PR•
'-•
жение коллектор - -змнпе!)
,
{И;.•• ;;;,,'0,5 В, '/и~ 10 - 1 с, '
.•·
Q~IO), В .
.-
..•.\01}
Иэв max ~ постоянное •наriряже•
ние ЭМ_ ИТТ!}р , ~
6μ:.(!,,В·. t 15
398

lн,А
8
7
Б
• ',j
4·
',J
D
БО
'20
i.,, ---
....
i;' ... .,
,,,,.
ЛI~=100мд
,
· Ри. ..m и. -., .,. посrоя .н.н.ая ".. .р.ас сеивае -
м а я мощ1i'ость коллецт_ор_а, l}'t. ' ,
при r~~2~0 с
• ,{'i°!,.:;5о
приТн=55С,,, .,..( .~
!' i25
при r.=75°C.
.
.~
.... т·· в.з
тп m:s - температура
rie:iэёi<ojii; :
С,
...
,
...
,
85
Rт. п-и - тепловое соnротив.1 е-
ние
переход
корпус,
0С/Вт ... ,
.·.
_
1,2
Допустимая температура · окру, ,
жающеit среды, 0 С ,
-55,.. +70
8
12 16 Ик.э,В
.. l)f :lpи
коэффиuuеlitе нссtабиль:но
сти схемы Si<:2,0.
И'кэ=О
158 '
1
/
/
'
J
11
)
,.
~v
1,,,;
1..... 1!"
L-,. ,.. .
D,1 O,Z О,З 0,4 Иь,,8 •
h213 ,
r--t -~~--t --+--+--+-+-+-+ -+-+-+-+-J
28 г-t-+-+--+-+-t---11-+-+--+--+-+-+-,l-+--i.
• 1•'
24 t-+-~-Н\Н-+-+-+-+-+-+-'-+-,1-+-f--+-+-f
20 t--l --f- -t ~- -- +-l- -l --+-+-+- -1 -- -1 --+ -+- -~
'
~'
16
~
1Z 1-t--t--t--~--t,...._,пr-...--t--t--t--+--t--t-+-+-
ч '--' --'--t--L--'- -'- -l --' --+ --"-'-'--L...-1 --j_ _J-.J
Z,5
5
7,5
10 I3,A
ГТ70ЗА, ГТ70ЗБ, •• П703f3, П 7 0ЗГ,
ГТ70Зд
Общие. сведе.ния. Герм'аиl!евые сплавные р-п-р-транзисторы предназначе
ны ддя рабо-ты , в выходных ка,скадах усилителей щ1зк9.i\ частоты рад1!ове.щатель-
1аых приемников и в др.угш1, ап.пцратуре. ,.,,
.
..
•
Kopn.yc . мета.ллическнй, rерметнчныl!, с жест·ки мн вывод~ми (. рис. Пl .65, б),
~\13сса тр~нзвст ора не ~oJJe~ 15' r .'
•
.
•..'
•,
•
•
~1 сJювия ЭI{сплуатации.,;.; в соответствии с табл. П2.2.

• Электрические , ~ар~,.м~rры . Длассификационные параметры~
h21э, Икэ ~ах•
.
Наименование
Обратный ток ко J1лектора, мА,
ГТ703А, ГТ703Б
1
ГТ703В, П703Г, ГТ703д
Обратный ток эмиттера, мА
Напряжение насыщения коллек
тор-эмиттер. В
Напряжение насыщения база -
эмиттер, В
Стап1 <1еский коэффициент переда-
чи тока в схеме с ОЭ:
ГТ703А, ГТ703В
ГТ70ЗБ, ГТ703Г
ГТ703Д
'
;;_-
.Л ине11ность статического . кuо>ффи-
uнента передачи тqка
h 213 (0,05 А)
h 213 (1,5 А)
Предельная частота коэффиulfента 1
пr:редачи тока кГц
Обозна•
чеиие
1 кво
1 Икэ нас
h2\:)
f(t
Значеr-1ия
Ре-жимы :1:1з~1ефiния
ii
.,
-~
'
о
cn
cn
<t: ! i,:
"'
'"'
"':,:
:,: .а
u.а
~
:,: "'
., о:
а,
~
: !td.
t
., "'
"'"'
~~
"':,
:::,
:::,
~
.
т-
'
:
0,05 0,5 20 .
i
0,05 o;s 30
i
;
30
701
'
0,05
50\001
0,05
20
451
1
0.05
..
0,6 !,5
1
0,05
:
'
Максимал·ыю доnусп1мые параметры. ;, .•
1к m ах - постоянный ток коллек
тора (Тн=-40 ... +55°С), А. 3,5
(JKЭRmax - ПОСТОЯ !ШОе напряже-
ние коллектор
эмиттер
(R в =50 Ом, Т11=-40 ... +
+55° С),В:
ГТ703А, П703Б
20
ГТ703В, П703Г .
•30
ГТ703Д
40
И[(э, и max
·_
11мпуJ11,сное нанря•
40()
жение коллектор - э ~шттер
(Rв =50 Ом, lи~l - мс, Q"?,
~!О, Тн=20±5°С), В:
ГТ703А, ГТ703Б ••
ГТ703В, ГТ703Г
,
25
•35
ГТ703Д
...
50
Ркm.. -
постоянная рассеивае
мая мощность колJ1ектора,
Вт:
с теплоотводом при Т ~ =
=-40.. . +40° с .
15
без теплоотвода при . ·Т-·.{=
=-40 ... +35°с · ••
...
.
1,6
т D Шах - ТеМПература ПереХОДЭ,
0С
'" ,,.,••' :,--,,,,•• ' ·
.
..
.
.
'85
Rт, п-к -·те~л~вЬе • ~оriротйвле~
ние
переход
корпус,
0 С/Вт
.
.
,
.
.
.
.•
.
3
дт' п.,-е - теПЛОВОI) СQП!)ОТИ!l;'!~·
.ние переход -:-. о кр уж ающ э, я,
среда, 0 С/Вт .
.
.
.
.
;:..30
_IДопустlfмая , • тем:иер,а;~\у,р.а . .,,окру-
.
.жающей среды, 0 С'• . ,..,.,..40 ..;+55

hz1э
,Щ} 'j'
,, ""~
111
-·
... _
1\ r-.i,..
'\.
r-. ,_·
1\
\
'
'
\ ГП DJБ,
-
Ик~ =18 -
\~1--...
\
r---,_
\
7а
1/ 1 ГТ?DЗГ
;; ГТ7DЗА_,
1...,
hl,_
-
Г Т?UЗВ
50
за
10
; O(J
,
70
60
50
'~о
за
20
10
--
-
/
j
-
1
/
'
+
1-
1/
, ,,J.'
...
i-
/
V
-,_
.. ..
--
гп;;r-
О,З
0,6
/
.,
,,
!,,
I
1/J
7
//
/11/)/
.'
11
,/ 1/.1/ ,
,,
'
Uкэ= а
/7,/ 58
/
// i/
[IJ' о ~1
~ l,.,,I"'' i
1
fJ 0,1 0,2 0,З 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 И6э,В
~ ij!! !lj .ii!I\IOIJ-lfllflllil!! iij l!11f1111\11\lj111111! 11! ' '
,.
'!'
!1
22
!J
2•
-
,_
Г-•,-.~
t-
r-t-.....
r~, А 1-++-1. . . . .+-+ -++ -+-++-+-++- '- 1-++
' --+
" ,,,
·• ,.,.• -н
1,6
о
5
10
15 'Иiсэ ,1J
ГТ70ЗА,ГТ70ЗБ, ГТ7UЗВ,ГТ70ЗГ-i1[ 0=
= 5NA; ГТ70ЗД -tJI 6= 15Nд
КТ704А, КТ704&, КТ704В. -
Общие сведения. Кремниевые мезапланарнь~е ВЫ{:Оковольтны_е.- 11...,..,/l~д\11- •
sисторы · предназиа'!lеНЫ<· д-.n.я · ра-боты, в-, схе:ма~с:- .стр-ечной -раз·в~ртки:,:цвет,кц~е-·
визоров и в другой аппаратуре.
_.
_
Корпус металлокерамический, rерметИЧf11!11i, с монтажньtм -винтом. ·и ,sc;.жec-r,- ,
кимн выводами (рис. Пl,66) -,•Масса транзистора не более 20 -r,

• • • · •· -' :••·- ~с:~;ови·я- ·-э1<c:nl!J,y'з'~1i-n-н ---в ;ооотв~r-ст-вич се '1'.а-бл -.
п2.з.
Электричес~-ие -nара:метры. Классификационные шэр2м~тры,
,.'
.
·,
,.
·· ,,J:. ,
Режимы измереяйя
1., '
<, ·,
:
НЭИМf:'1iое..!'НИе
Обратный ток эмиттера, мА
рбра·т~ый ток_ коллектор ,; _
эмиттер (R Б ~ 10 Ом ·), -мА~
ктzо,1А
КТ704Б
КТ704В
''
при Ти=+85°С:
КТ704А
КТ704Б
,
'0КТ7:04В
при Ти=--'--45°С:
КТ704А
КТ704Б
КТ704В
' Н;~прiJжение
·насыщения
rюллектор - эмитт-ер, В
'·.
•
:наnряженщ~
насыщения
.б2эа --' эмиттер, В
•
-Модуль 1шэффициента -nep.e-
·_
дачи тока на высокой час
тоте
Статический коэффициент
перtщачи тока в схеме с
ОЭ:·
J<i704A, КТ704Б
КТ704В -
,
,
• при Ти= +85° С:
КТ704А,Б
КТ704В
при Тн=-45° Ci
КТ704А,Б
1П704В
'
-1КЫR
l h-2\8\
h21э
'.
i·
'
-
О .10,0,5 0,-05
-
5
О,ЮО6 '0 ,5 5
5
,!
10
10
10
10
10
.10
3
10 13
·'
10 50 ·JOO
10
640300
6
635JOO
б
Емкость эмиттерн-оrо пере- 1- Сз __ - 1 1 • ;1• j
хода, пФ
· 450 650,
.800
10j
,._
EMJ(OCTb коллекторного пе-
рехода. пФ
Сн
20 30
t:o
<'L
<--
(1)
~~
::,
' -•1
~.. \
.
.,
•
'!'',
1000
,700
. 500
• ''·
700
350
300
-,.
--
700
500
300
\
15
о,1'
15
1
15
1-
15
1
15
1
15
1.
15
1
юоl "
::1
...
::;;
~
1
'
1

Максима.1ьно допустимые параметры, Гараи,тируютс_~ лр_и - :1:~(l·Цiepa;r,y,p~_ - •,кор-
пуса Т к =-45... +85° с.
--
/ к mн - постоян,')[~ft ;~~, к~~'лек: '
тора,А.......
2-. 5
l 6 m!:.i
-
постоянный ток базы,
-··-:л: \.-. .·
.- ·,· .,
.. ••..
..
~.-
2,0
/rr.:, к ma:r - ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ·
_ ,11ектора (t.-10 мс,._ Q...
- '2=2), А
,
,
.
,:.
.
4,0
Иэв ma~
-
постоянное напряже-
ние эмиттер - база, В
.
•
•
4
1,'
,,
И[(э R max - пост9янное на пряже~
иие коллектор
эмиттер
(Rs :i::;;; 10, Ом), в
цри Т;,=-,45... +85° С:
р704А ,
...., •
,
, 500
. при Т«=;-10 : .. +60° С1
{(Т704Б, 1\Т704В
•
, 100
iZ
t
о
I&\A
i
(5
117i.
1
oig
О;Б
0,3
(/
;'
"""'
.-
с-
1./ .... . _,,,,,,.г
/v,,.
_1 ,... -
--
j,,
L.;
.-
L.-
1---
--
i
с.,.--- 1-
.. ..
.
'
/ __,
.....
... ....
V
'-
. ..-~
/;~
......
-i--
-
j.,,.
_,_.
......
1/ ---~
,
Ji,,"
11'
l
3
r--г- -- !
•lfкэ=D
1
i
1•IDв
/
//
/'1
j
J' 11
J,J
/
//,
~
1
v__,
D,3 0,6 a,g 1,Z ffr,э,B
:
2) •.
••
f-;-- ,,
~,1__.. .-
:-;:•
U!(Э, и m.1x - импульсное
напря•
жение К<>ллектор - эмиттер
(/и=l-10 мс, Q;;,,50), В
при Т"=-45... +60° С:
КТ704А ......1000
КТ704Б
,
..
,.
.
700
КТ704В ..
,
,
,
,
.. 500
приf«=85°С,
КТ704А.••
.
.
700
КТ704Б ,
.
.
.
.
500
КТ704В, . , -•
.•
• 350
Рк) max - пос:гоянная
ра@Сеивае-
~.--
м.ая моtI.иость кол:1екп?~а_. ,1d
Вт•
.
.
.
.
.•.
.
.
;э
Rт, п-к - тепловое сопротивле-
ние переход - корпус, ;;
0 С!Вт
5
Допустимая температура окруi. ;:
ж~ющей среды, 0 G: •
-45,,: +85
...-
с- ..-
---
·-
1
.. ..
t-" -
.
) .·:
1> При повышении .Т к
ВЫШе 60~Q ИЛИ, [!рИ , ,[IQНИ·
женин ниже , -· 10°С
Икэmах для КТ7,04Б и
КТ704В не.. доткно
- пре
вышать 350 В
L!I&=ZOOнA •
-
t;;;;
_
21 , (lр_и повышеt1ии _r~м
пературы корпуса 01' 60°С
до 85°С ИК . и. max умень
шается ли ней.но.
.
4
о
100
з, При Тк= -45...+
+so•c. При повышении
Ти ДО +в5•с Рк max=
==( '100---T 11 )•/Rt 0 _ ,; _ ,;
.:'''
'
•
'
~ .:•::·..
1
~11J
.
j 11f'I'
1• ·1r,·1 1,'
zoa заа . 400 И1,1,В
403

'
80
60
40
za
D
.
l
/
·f
111
_,_
ИкБ = 158 "С--
/'_
1'\
tи=Z1'1С ~
'
r =sагц
~-
1\
--
,__
'
/
""'
"\
"~
--
--
--
-
i'~J
--
а,5 1,D 1,5 2,а 2,5 Iк/
!hL·1эl ,
/
11
10
9
8
7
6
5
4
3
/
1.'
7
.
1.(" . ..
./
,,,,..
:--r,,...
.... _
... __
---- .....
--
1
.......
'
'
'
•:~).'
.
tfн'Б '= 10В -
',
F= 1МГи,
'-,
---
-
'
--r--..:: , ....
!
"""'-_
' -.._[
'
l --:-..L _
'
~--
!
i'
-....
а
100 ZПD • •300
- 400 Iк·,нА
••
1<';
ГТ705А, ГIJО5Б, _ _ГТ705 В , , rт1qбr,
П705Д
Общ11е сведения. Германиевы е сплавные п - р-п ~1ранэисторы предназначе•
ны для примЕнения в выходН!?!Х _кас!{адах усилите.пей низкой: частоты радиове-
щатеJ1ыIых приемников и д'руrой' аппа·р'атуры, •
-
•
'
Корпус металлический , герметичный, с жесткими выводами (рис, П 1.65 , б),
Масс;;; тр3Нзистора не бо.1ее 15 г.
•
Усдовия эксплуаташIи -- в соот вет ствии с табл. П2.2. •
Эл~l(ТрИ'IСОШе параметры. к~~ссифi1кац11~нные параметр_~; _- -
hИ
21Э , КЭR Ш!1⁄4Х"
•'
;
'
",
• - Эна•ения
Режимы/ измерен Ю ,
О~зна-
с.,
''
.8
1'
--
l:l:эим1;uоьь.ние
о
.;
r:o
-,;
:.,,; ;.,:
ченис
..,
;; -_
, r:o
2
:,: '
:,;
=.о
:i:,;
а::
::::-
~~.,.
5)
., "'
:,:
/lJ
'
:,; :,;
...
:; ::f:
:::>
:::,
-
-
-
-
.
Обратный ТО !{ коллектора,
i
мА:
•1кво
ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705д
0,5 20
ГТ705В, П705Г
0,5 30
-
.
Обрапшii ТО !( эмиттера,
мА·
''
/ЭБО
0,3
10
.,
.' 404

-
..
Зriа ц , ,r-1ня
Р f' жимь, и'Jм~оения
•. . Наиме ·!lование
Обоз.на -
8
'
о :,,
°'3
: ..;·
"§. <С
qе~ие
•а,
.,
°'3
.
:s
:&
"'"'
gи
1
-·
!:J~
s:
:,;; 1Т) ~ !: (Т\
.,
·"'
'
:,:,, .
,.,
-~
:)
::)
..
....
.,
О{jраtный ТОК коллектор _ -
9МИТТер при зада. иной
(R 6 ,;;;;;50 Ом, t.-1 мс,
Q~l0)1
1кэп
0,5 25
: ГТ7;05А. ГТ705Б, ГТ705Д
; ГТ705В, ГТ705Г
0,5 36
Стат11ческий коэффициент
передачи тока 8 схеме с
ОЭ:
hНэ
-
ГТ705А, ГТ705В
3050701
50
ГТ705Б, П705Г,
50801001
50
ГТ705д
901052501
50
Напряженwе
насыщения
lикэнас1 1 11
'!
1 1?0~/ . . 1(}01
коллектор - змиттер, в
1
'
1Ивэпас 1
1 ..2 ..J•:1· : J.t;?O/. _
1о.{
Напряжение
насыщения
база - эмиттер, в
1 ',!
.
'
1,
;
:ко1эф-
',
:.. i,
,·
'·
1·
-Предельная частота
1
фиuиента передачи
,;.
тока 8
схеме с ОЭ, кГц
fм1э 10
2
500
:"!'
,,_
Максимально Аопустимые параметры. Гарантируются при температуре кор.
nyca Т" = -40... + 55° 'С;"
'
/к m.-.
-
постоянный ток коллек•
тора, А
,.,
.
..
.
3,5
И,кэ R max - постоянн6е напряже
ние коллектор - эмиттер
(R в :s;;;50 Ом), в,
П705А, ГТ705Б, гроsд , . 20
ГТ705В, ГТ705Г •
.
,
.
,
30
Икэ, ,, max -импульсное
напря-
жение КОJ1лектор - эмиттер
(R c =50 Oм, tи:s;;;I мс, Те=.
=20±5°С, Q;;;:,,:10), В:
ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705д
25
П705В, ГТ705Г • •
35
Ptl
.
к max - постоянная
рассе1н1ае•
мая мощность кол;1ектора
, (Тк=--40... +40°С). Вт
15
без теплоотвода • пр.и , То=
=-4О... +з5°С
1,б
Таmаr. -
температура перехода,
•с.
.
.·•,
85
Rт, •-"
-
тепловое сопротивJ1е•
нне переход. - , корлус, • С/~т • 3,0
Rт, п-о - тепловое сопротивле-
-ние переход - окружающая
среда, 0 С/Вт
•
.
•
30
Допустимая тё:(fпера_тура, окру• ,
жающей среды, С ,
-40... .+55
, μ)5

;с,В
!Тнэ »
в
7
Б
5
-~
3
2
1~
16
14
IZ
· 1.()
в
6
1./
2
lн•IA -
,~
;
/
'
/
/
,;
1.,-'
/
1
(/
.,,,,,.,.
,::_
'~-
~
,,,, .,
--
t2::.
-
i..- :,.. -
,_-
-
1-
'
'/
I
а-
, [!t'э=18 - ,
)
1'/
/)
)V
~V
1
J~/
.,
a,z О;ч U,6 lJ63,B
ГJбласт ь безопа сной работы
lн ,А
з,z
Z,8
Z,4
2,0
1,Б
7,2
в,в
0,4
о
'
1
а
\
'
\
'
'
\ Режи.н усuленt1я ·
;,,
•'
масса: в·
'
(ампп11туо,- -
\
1
1;'- ..::_ае з начение)
\
'-
'
:--. .
1". '
\
r"',
' i'\ Статический ~~f --
'- режим
N
'' -,....i,
-~
!
lj В 12 16 •20 Zч•Инэ,В:
1} С тепло отводо.м:,. [11И . t .,.=40 ...
55QC Рк max [ Вт}=(85:- Тн) /Rт, п-к;
без теплоотвода' при т·с=35.;'.55°С
Рк max rвт,i_,~{85~'ТiJlRт, rt-'"e; ·, ,;,:
З, Z t--t- -t--t- -t--t--t--t- -r::::::fa;a--1,
,.., . ..1:--: - -
•О
0,4 0,8 1,Z 1,б Инэ,-В
ГПО5А,Г-Т7058-z1I 6= 5м,А; fЛ 05 Б,ГТ705Г~
,-Аiь = З'нА; ГТ '/ 05Д-,Н r, = Zi1A
~ш
140 f---J,,>IC-~-::--:-t~t--t--t---f-т---т--'1
1ZO

[П'Н;r11 ,.
..
.
.
tГр tr1J
4t
~а
21
22_
21
ГТ906А, ГТ906АМ
Общие сведения. f'ерманиевые диффузаонно-сплавные р-11-р-транзистор:ь~
предназначены для работы в импульсных схемах, в схема х переключе1шя !1
в дру:rих ·схемах аппар·атуры широкого пр11~енения.
.
l(орпус металлопласт.массовый, с .. ж~спшми выводами (рис. П!.67 )
-
ГТ906АМ; корпус .метал,1ическнй с жесткиыи выводами (рис. Пl.70) -- , Г Т90 6А,
Масса трапзнстора - не более 7 г (ГТ906АМ) и не более 4,5 г (ГI906А).
• У с ло ви я эк сплуатации - в соответствии с табл. Л2.2 .
.
Электрические параметры. Классификационные параметры;
И КБ max• 11нэ,
Знач.ен .ия
Режиr11ы изм е рения
Наименован не
Обр~тный то[с эмиттера, мА
'
'
'
Обр~тны·й ТОК кЬлдектор - эми:r-
тер i при запир:ающем смещении,
мА'
nри Тс= +70° С
,.
Граничное напряжение транзисто-
ра, в
Напряжен•не насыщения f.оллек-
тор - эмиттер, В
Напряжение н.а.сышения база -
э11иттер_, в
;
1
С~\атическнй коэффициент переда- 1
чи тока, в схеме с ОЭ
11 Типовое ·иiаt1ение .
Обозна•
чение
1 кэх
Икэогр
Икэ нас
Ивэнас
~':с
:с"
=t;
:с"
:,; "
75
о,151>
,1
8
30
1
:,
0,5 ,
0,7 •
--: ·
.
.о::
2,
::;
,..;,,
''°
...
75 0,5
75 0,5
j 5000
5000 50()
: 5000 500
i
Максимально допусlf,имые па-рамет-r,ы. Гарантируются при _темпt;Раrу~е кор·
пуса Т" = -6D.. . +70° С.
•
1
J1). 2)
•
·-
К,'нm0к.-
1п0ст0янны,и ток кол•:
лектора в режи.ме- иасыще- ..
ния,А~~! !
•
!!
10
/2)
•
К , п rrtax - !IО<сТОЯЩН,111
• лектора . 11 режиме
чення,А,,•,
ток ·, кол-
n.cpeкJllu•

при Uк~25 ~ -
sa1J,epтoro
транзистора
/к, ин шах~ импульсны_ й ток кол
лектора в режиме нас1:,1ще
ния, А .....
7
10
и•> ,.,
• - импульсное
КЭХ и max
напря-
ние коллектор
эмиттер
( Uвэ =0,4... 1,4 В, tи~20 MJSC, ,
Q;;,3),В
1:\.!·30
/2)
•
.
•
К, ипmах - импульсныи ток КОЛ·
лектора в режиме переключе-
·r
ния, А
1i\, ~1
-
постоянный TOI{ базы,
А
6
1,5
P~ ·m ~~ fi ) _ постоянная раа~1фа_~-
мая мощность колле~тора , Е\'1' 15 •
р~), и max - импульсная ·• рассек- . ··
ваемая мощность транзисто-
ра (lи~I0 MKC)i, В''т ' ; ·:~'· '''i' ~'75''i
при lи~200 мкс, Uк ~60 В,·
1t\;0d - обратный ток ба.зь1 в
режиме пробоя (tи=2 мс,
Q;;:;,,3), А .. ..
U ЭБ m~x ·~постоянное
напря-
f=5Гu . . .....300
Т n max - температура
перехода,
ос
75
Rт, n-н - теплов'ое ~опрЬtи~лё: • ••
жение эмиттер - база, В
UКБ max.
-
постоянное , на11ря
ние коллектор :_ база, В
1,5
1,4
iше . переход
•'корпус,
0 С/Вт
.
2,5' '
Uкэх 111 ах - пост оянное напря-
жение кол_;1екто р - эмиттер
(UБэ =0,4... J,4 В), В
75
75
Rт, п- с - тепловое сопротивле-
ние переход - О[(ружающая
среда, " С/Вт .
•
•••50
Допустимая температура окру· . .
жаюшей среды, 0 С
• • -60...+70
1 ) Выключение транзистора производить при коллекторнuм токе не более 6 А,
2 > При ' работе тр. анзистора в режиме переключения вольт-амперн~я 'Карак•
_
теристика не должна выходить за пределы, / к [А] = 6 - V к/ 12,5.
З) Постоянное ИЛ!\, среднее эначеiJие за период не более 2 мё.' • '• ' '"·.
4' (Iри этом .допускается превышать нап ·ряжени€ U 63 шах до значения, при
котором, обратный ток 1 5 проб ~ах-< 1,5 А.
•
б) При температуре корпуса - 60
... +37,5° С;
При температуре корпуса бoJJee 37,5° С Рк тах [Вт]= ·(75 = Ti{)/2,50, •
6 ) Суммарная мощное,,т,ь,, . рассеиваемая на эмиттерн,<1М и КОJJJJекторном nepe•
~ходах не д_олжна превышать пределыw-доnу.стимую при данной температур_е.
408
1,Z
1,0
0,8
fl,6
0,4
o,z
о
/
l
1!
1i
1
1
/
/
!
/
//1
~/
L_ 1Jкэ=513
1
0;4 0,3 Uьз,В
в
Q,7
0,6
0;5
0,3
O,Z
0,1
lJ
1
' \..
0,2
,.
Iк=М -
...... _
0,4 0,6 0,8 Iь,А
. ;:;

ДШ1.п114он. cpeiJ.н.ux ч~тот
!'""'"~111р~11111111111111111111 J
1.
,
18
19·
П701, П701А, П701Б
Общие спедения. Крем,ниевые п-р-п-транзисторы предназначены для уси
ления и генерирования электричес1<их колебаний,, а также для работы в сх~мах
перс1<лючения.
..
.
Корпус металлический, герметичный, . со стеклянными изоJJяторами а жестки
ми вывода111и (рис. Пl.63). Масса транзистора не 60,1ее i2 г.
Условия эксплуатации-:-- в соответстви~1 с табл. П2.3.
Эл~ктр,ические параметры.. К,1ассификационные параметры:,
h21э, Икэmа,·
Режимы измеРени,.-:
Ваименовt~н И .с
Обратный , ток коллектора, мкА
'.
'.
"
..
.,
Обратный· ток · коллектор - ;;м· ит-
1ер (Rв ~ 100 Ом), миА
при Т,=-60 ... +25° С
при Т•= +'100°С:
П701
П701А
П701Б
,,
i
Обратный 1ои : эмиттера, мА
Напряжение насыщевия коллеи-
• тор - эмиттер, В
Модуль коэффициента переда 'чи
тои а на высокой частоте при f =
=5 мr;,u
Статичесиий 1<оэффициент пере-
дачи тоиа в схеме с ОЭ:
П701
П701А
,
П701Б
1 кэн
1 Икэ нас
1h21э 1
h21э
'
1
500 Ик1 ,tщх !
1
'
5000
35, :
-5000
50
5000
30
'
!
1з:1 1
1: ~1~.-sl
'
.2,5
~о
О,1
j
10· 40
10
0,5
15 60
10
0,2
30 100
10, .
0,2
О,1
.
409°

·,.
\1,·
'Значения
:. , · Режимы измерения .. ,
Наименован и~
пр и Тс=-60° С,
П70 1
П701А
П701Б ..
при Тс=;а + 125° С,
П701
П701А
Входное напряжение, В
.
:1
Обозна
чеиие ,
ИэБ .вх
6
9
15
10 90
15 120
'
,j
.-
14J
'•
',
,,
10
0,.5;,;
l!J
6,2
10
@~2
10
0,2
10
0,2
'1
,'
Время вклю че !·IИЯ, ·мкс
j t,ш,1
1 1 о.зjо.оз
Врем~ выкmоче1нi'я,. мкс
1
'вынл 1·о .351 о' 751
Вре м я рассасывання, мкс
'1
lpa.c
Е.м1,о<iть колл~кторного перехь;а • 1
(f= 10 МГц), пФ
Ск 15011501 20 1!11
:JJ
i
! :;"s·',1 t
Постоянная времеп·н цепи о•брат-
: 0,J
ной связи на высокой - частоте
"
([=10 МГц), пс
Tr<
800 8600,
10
'
;
'
Крути з,1а ха'ра1,·1·ерис~·нки мА/В
TrJ ж е при iк~:0.1 'А•
·У21э1
1
1,251
0,5 1.о .
Максимал1,r10 допустимые параметры. Гарантируютсн при температуре '(ЖРУ·
жаюшей среды Тс= -60...+ЮО0С.
/кm., -
пdстояi1ный тоI< ·коллек.
тора,мАi.,
.
•.•.
.
/к, и' mа~ - ·имriульtный· ток КОЛ·
.i~ектора, А •
.
.
..
.
.
/ э tщix - ПОСТОЯННЫЙ ток эмитте·
ра_, А·. ,
.
.
.••.....•.
И кэ Rmax - постоянное
на:пря•
ние колл~ктор
~миттер
(R1<100Ом),В:
0,5
0,7.
П701
'
,
40
Л701А
П701Б
ИКБ max --' посюянное
напря-
ние коллектор база, В:
60
.
35
П701!•,,,,,.•
,
40- ·
410
П701А
П701Б ......i
.
V кэ., и max - импульснре,, напря
жение коллекто,р '- -
эмит
тер, В:
• П701
•
.
.
.
,.,.
П701А .....,.
. ИэБmак
-ПОСТОЯНiНОе - , н .ап, ря•
ние эмиттер - бitз!j, 0 В
при Т-с= -
60...+SQ ,.С
при т.-+sо ... +120°с
...
Рк max - пос;rоянная : 1)!,ассеи,вае-
мая мощность коллек ·rор:а ,
· Вт:
'·
1
с теплоот в одом 1) •
бе_з теплоотв<rд.а• 21 • • • •
2
1,8
10
l

X.,,,rn•~• ~ тeм,nerэ a>1yp·a nерехода, •
·1°·с ,
...
..
.,
.
.
..
150
• R т, п -' е - тепло1юе сопротивле-
R,,!п-м - тепловое coripoп1uлe-
•• : нне переход - J{Орпус
.
10
ние п е ре ход - окружающ.~-я
среда, 0 СЩт. .
,
~-...,
.
.
.
85
До п устимая те ~н1 ерату\lа, м р.у
жающей среды, с,с .-61)..,+100
,,1
t 6,л,
t1ь.'~л '
o,g
:Оi,ч.
D,l i 1 l'--''-+ - - -,c-"' -t::--_-
...т"f--_--t-+--_'-ff-~---t-+-_---1-+-.,......-1
:о, '
200
100
D10ZO30'4050БО708016,_мд
~l!
=о
' кз.
:-- 58 ~.
!
'
11
11 J'
IJ
1) 1.1
_..,.
~
0;5 0,8 1,0 Ии,В
16
12
в
41
·-
;
-
!
;
;
i
i
1
, -..
..... ..
r-.. .
~
'
i
Uк6= гав
(
1
' 1\.
(J.
1DIJ ZIIO ЗОШ •,~00
i f),
1,
.
'\
f\.
i
'
10
1/J, JJJ
4[1 Икэ,В
U,1
О,? о,з Рв,,Вт
.,.
411

П702, П702А
Общие сведения. Кремниевые мезап.ланарные n,--р-n-транзисторы · предндЗ•
· наqены для работы в с!lемах переключения; в выходных каскадах УНЧ, : в пре•
образователях и стабилизаторах постоянноrо напряжения и в друrих схема ·х.
Корпус металлнческ'нй, герметичный с жесткими выводами • (рис, П!.68).
,Масса транзистора не более 24 г.
Усл'овия эксплуатации - в 'соответствии .с табл. П2.4.
Эл~ктри •1еские параметры. Классификационные параметры~
h21э, Икэ нас·
·значен~я
РежнМы нзМеf)е"Еii~я·
Обозна-
.,
,-,: ,..1 , ~
'
Наиме1-юоа{-1 Ие
,О
(:Q
щ,.' <(,'
чение
~
"' ·"'
·u.а
~-
:,:
,: е;
'СТ\ ~-
,ili:
.
j-.
м'
:,:
"'"'
"
~~
:::,
:::,
-
-
1
,,.,
..,,·!
Об ра тный ток коллектора, мА:
/ КБО
П702
5
70
П702А
'"
2,5 70
при Т к=-55~ С:
,
'
,..: 1:
•J. ,
П702 '
5
70
'; ;•
П702А
;
2,5 70
'
'
1
мА
'
Обратн ый ТО!( эмкттера,
1эво
5
3
при Тк= +85°С:
[5
3
,·
1,;
''
,:
,
!
''
Обратный ТО[( ко,1леIстор - ЭМН'Г·
тер (Rв = 100 Ом). мА:
1кэ R
.
П702
lO 70
''
,
П702А
570
при Тк= +85° С:
П702
15 70
'
П702А
7.5 70
·,
:•'
пр11 Тк=-5.5°С)
П702
1О 70
П702А
570
Напряжение насыщен ин коJ11Iек- 1
и~; нас
тор - эмиттер, В:
П702
2,5
1 ,0,2
П702А
.4,0
1 0,2
;
.
,''
412

Модуль
тока на
=1МГц)
Наименование
коэффициента передачи
высокой частоте (/ =
Статический коэффициент переда 
ч11 ,щ)JН\ в ,.сх,еме , с ОЭ;
· ;Д702
,
Пv'О2А
,
•
;:•, hри· Тн~ +8ЫС:
П702
П702А
ПPJi Тк = -55°СJ
П702
,
П702А
Ста,тдческая крутизна прямо.й пе- 1
редачи в схеме с ОЭ, .А/В
Пре,р,ельная частота коэффиuиен
т,а rтередачи тока, МГц
Входное напряже1;1ие, В
1
Обозна•
11Jение
h21э
у 21Э
fh21э '
Иuх
1
1
1
Зва\1ения
430
25 170 10
10 17{) 1О
25
10
10
10
10
10
5
10
10,251 1О 1
3
1
13~1
1
1101
1
..:
,;,;, ,;<
§,:\§;~
0,3
1,1
••·1;1
1;1
• 1,1
1,1
1,1
111
1· о,зj
1
1l1,,
Максимально допустимые параметры.
j2)
,'
Рк maJ1 - постоянная
/к max _; ПОСТОЯННЫЙ ток КОЛ· '
лектора (Тн = ...:.._55 ... +120°С),
,
.А,
.
.
.
.
.
.
.
.
.
2
15 ,;лях - постоянный ток базы
.(Тн = -55...+120°С), А .
· О,5
])
'
:
-
ИкБ' mах :- постоянное наnряже- ·
: ние коллек~ор - база, В
при Tn=85°С
60
при Тп = 120°С
30
1)
'
'
Икэ max - постоянное
напря-
жение l{OЛJJeKTOp
ЭМИТ· '
тер·, В
приТn=ё85°С ,,,,
..60
при Тп=120°С .
30
Иэв;mах - постоянное напряже•
ние эмиттер - база (Тн=
=- 55.. . +120°С),В
•
,
•
•
3
рассеипае-
мая мощность ком1ектора,
Вт
при TJ{= 20°С
.
.
.
.
40
,
при .Тк=85° С , .
.
.
.
..
.12
f}1max ...:.._постоянная .
рассеивае-
мая мошность коJ1.•1е1пора б~з
радиатора, Вт
при Т,;=20° С
.
при Тс==85°С .
,
.
.,
.
,
:тn max - температура
перехода;
:
ос'
R ,т, о - н - тепловое • , сопротивле-
ние
переход
корпус,
0 С/Вт
4
0,9
120
2,5
Допустимая температура окру-
,
жающей среды. 0 С . .- 55 ... +85
1 ' В интервале температур на переходе :85:а: 120° С напряжение уменьша'ется
линейно. ;
.
•
•
2 > В интервале температур
на к~р,пусе 50 ,,. 85° С РК: max (Вт]= (120-
-
т$}/f.'Р п-я .
(<':,В: интервале температур окружающей среды 20,,.,-8,1)0 С допустимая
расqеиваемая , мощвость уменьшается линей~о.
,' 413

1
:/
;1
'
j
J икэ~ 1ав
)
1
:
'
1\
~
11
1400
1300
1l00
Т/00
1000
900
800
700
600
500
400
300
Z(JO
тао
,/ о-
'
I
,
1/
1
IJ'
I~/
о
-
··•
'
..
.
.
.
.
...
'
., ..
.
1111 111111 11111111·11 11 ·1r1 тр 11111111111111 · '
19
20
21:
22
lЭi 111
2400
· zooo
1600
: 1ZOO
800
400
hz1 э
160
о
,__
._
,. .,
,..
L,,
,__
~ .,.i-·-
.~•-
/[/ ,,, -
'/V
"'"""
:;:... -
lr/ ,.,,.,...
. 1,., f;.~
'"!.& ~ /,. . ,.._
-
V/, У,, ...
J,...,
i.--
- ~ !'l':V .i,...-
~~
v.,,
, _J.. -_
"
i.--
-
.
'.
f/"
.,,....-
'
1---• ·
,.
1
Икэ=10В
-
k-'--
1,..1"
,\
/
: ,.\
1ia
80
40
, Г'- ---
1 maz
1\
,1
\
1
/
..
'.
.,
,-;
/
1/
,.....
·/
-
Е'[:.: - ----
_.._
·-
о
0,4 0,8 1,Z
l5U
~
'ZOO
150.
,_
. ,..,. 1ао
--
90
,_ ..-
80
70
~ '5(1" ·
,_ 5U~
,.._
40
1--
-
j'q
~- 2~i'
lб=I011A
1,.
-
t---_
П702А ,, . ..
·--,-1--
1,Б fк,А
'· '!
• rl:
•
,,·
'11
КТ801А, КТ801В
•.. ~1
Общие сведен и.я. Кр'емн (ii,~ вые спдавно-ди-ффузионные п-р-п - тР'а:11зисторы
предназначеf!ы для рабо'fы• в схемах кадровой --;разве.р·11ки . н- , п,редоконе<rны,х,, ~С• ·
кадах crpoчнoii разверпш теJ1ев1цоров, а та кже в друrи·х" схема.х'.
•
•-,
·,•
Корпус металлический, герметичный, с rибкими выводами · (рис. ГН.54, б).
Масса транзистора не бодее. 4 г .
•
' '·''
• •,\:
•
Условия эксплуатацн11 - в соответствии с табл. П2.4.
ЭлектриЧ-еские ' параме'tРЬl;· •Класси-фика•ионнъrе nарс1мет('Ы~
Ик,э .н~с• Ик.э rnax• 1к.эR•
411

l•;,
Обраiный ток эмиттера, мА
Обра,:ный - ток коллектор - эмит:
тер (R 6 ,s;;; 1О.О Ом), мА
при Те= 85°С
· Н~аriряжение :· ::насыще11и\'1 • ·коллек-
3 ачеI,ия
Uк_, В
IO Икэmах
2О Икэmах
тор 1- эмит_тер, В
,
:,
Икэ нае
2
1 0,2
-Пря-мое напряжение - э!мипер -
база, ~
Мо4уль коэффищ-iенiа 11ередачи
тока н.а высо 1юй частоте (f =
= 19 МГц)
Ста~ическi-tй коэфф1щнс 1н переда 
чи iro1<a -в· сх~ме с ОЭ:
!\'F80JA
' ~Т-80JБ'
Иэв пр
'
,
1h21э 1
2
'\З 50
. ·,30 150
5
10
5
5
0,3
М~хси·Nнмьно , ,доnуст.имыс п·араметры. •1~.ар,,н:rируются лри температуре окру
жающей среды Тс=-40... + 85° С.
/к max - постоянный
ток кол-
лектора, А
2
/Е max - постояаны й TO I{ базь1 ,
А
.
.
.
.
,
.• 0,4
Иэв max - nостоr.нное
ние эмиттер - база,
напря-
В,
.
2,5
•
1), ·2) •
.
ИкэR шах - nост_оянное наnря -
.,, ние ._.коллек.т[.)р
эмIптер
(Rв ,s;;; 100 Ом) , В
при Tc =-4Q .;,+55° С:
КТ801А
-КТ801Б
при Тс =+ 8.5°С:•
КТ801А
КТ801Б
р2)
•
к max - постоянная
рассеивае-
мая мощность коллектора, iзт
приr.~
50°C
при rн=85°с
Tn m•x - температура перехода,
40
30
5
2
•••••
Qс
.
.
.
.
.
..
·, 150
·R-т,- ,, - "
-
теrмовое-
ние
переход
0 ё/Вт
••
•
. , сопротивле
корпус,
20
ДоПУ.Стимая те~п~ра-тур.а окру
жающей сред.ы, 0 С • ,--40.,.+85
.4 15

,J,-r .
1 1,•
,1,• ;
И~~---+---~---+-~
•. a,s а,1
а,9
1'
ZDD
. ,14DU
-
•-
1 150
!/,,,IUO•
<'
1zao
11'
5Q
VJ/
''
1ооа
!/
/J
~ ,,,. zs
800
'! /.,,..
1
i/
600
I
1
zoo
~ .......
,,,,.
L 6 =1UмA.
I
.1
1
о
z
6
1) В схемах кад:р_о вой и предвари
тельной· строчflой раз веJ}тки допуска•
етсяUl(Этак,<80В(приR6,<500G~,
или при 2,5 В<Иэ6зап<0,5 В, где
Иэ6 зап: - запирающее ··· • напря}1\е.11и·е
между э миттером и базой ; , R6 -
внешнее со_п ротивлен не между базой
и эмиттеромf . • •
•
.
2 ) В интервале температур· 55.,.
85°С Uкэ ma~ и Рк. шах уме1iьшаются
линейно.
hzi'э
~ ,,,,,,,.
90 >----+--'-+--ае--..--+-,,,,.-~>--+--_,_--а~
,,,,,.,"
80 1--------- ,f----!l...._. .
_ _,---+---+---+-+--4-~>---1
v
Щ~ОIА
'
,/
70 I--Ь'1,- '-+ -+--+--+-
,,,,,-+ - ~- -! -:- -:;;...;;,-1::'"'1
. F""'I
.60 1
V
. кr~аt-Б
{/
'
5U 1--+--+-.il"--t-➔~~"+i.--t-.;-· ➔: --lf --1
v.,,.,,.v
ча1--.------+
. ~_._v__,,___,___>---+--+---+:---,..+---t
за >-.-
t·11'".,,__, _-+--+---+-_-
_
_,__
~--1- ~'== .
:/
---
._:сfнэ =(,58
zo
,,,,.
'[,,,'
,,,,.
10 >--/_,. _. .___ , __ ··
-
1 -+-----1--'1--'-'+'-+----1
;{)
zoa
КТ802А
Общие сведения. Кремниевые мезапланарные п-р-п-транзисторы предназ•
начены для работы в выходных каскадах строqной развертки ·малогабаритных
телевизоров, а также в других схемах,
416

Корпус металический с жесткими выводами (рис. П 1.68), Масса транзистора
не более 22 r. Масса.,.нак11дноrо фланца не более 12 r .
Условия эксплуатации~ в соответствии с табл. П2 .2.
Электрические параметры. Классификационные пара м етры,
1 кво, 11 21э • Ик.э нас•
Значен ш1
Режимы измерения
Обозна-
"'
"'
[1а именование
о
,О
CQ
CQ
<(
qение
'"'
.,,,,
<(
"'.а
u .,,
"'"
s:,:
:;'::
(1)
~
'°
"""'
"' "'
:,; :,;
:,; :,;
~~
...
...
Обратный ток коллектора, мА
1 кво
•
при r.· -- 25... +25° с
60 150
. при
Тс...+100°С
200 150
Обратный ток эмиттера, мА
1 эво
Обратный ток коллектор - эмит• /
тер (R в=О), мА
fкэк
Напряжение насыщения коллек-1
тор - эмиттер, В
Икэ нас
0.5
Прямое напряжение база - эмит- /
тер, В •·
.
ИБЭ пр
Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте (f=
1h~lэ 1
= 10 МГц)
1
4,5 10
0,5
Статический коэффициент пере да- h21э
чи тока в схеме с. ОЭ
при То = 25... 100° G
15303510
2·.
приТо= -25°С
[4
10
.2'
Статическая крутизна прямой пе- ,
11/111•/
редачи в схеме с ОЭ, N_B
У21э 1,5
10
5
1 ) Для приборов с . государсrnеиным знаком качес<rва I li2tэ 1:;;,, 2; ·
Максимально допустимые параметры 5>, Гарантируют.ся при т емпературе кор •
пуса Тк = -25... +100°С.
/к max - постоянный
ток КОЛ•
лектора. А
5
15 т а х - постоянный ТО!< базы,
А•..
.
•
.
.
,
,
.
•
l
иU max - постоянное
напря-
жеiше эмиттер - база, В
•
3
14 Зак. 503
2) 4)
Икв ma.x
-
постоянное напря•
жение коллектор - база, В
.
150
Икэ, и max - импульсное
напря 
жение коллектор - эмиттер
(R6= 0, t,.~ 10 мкс, Q;;..
,~0.5), В
••,
••
130
•
417

Р Зtк max - постоянная рассеива е -
м а я мо1.щюсть·f • кол.~ектора
(Тх=-25... +25° С) , Вт
50
Тn max - температура
п ерехода,
0С
.•,
... ..... 150 ·
Rт, n-и - теп.~овое
ние · переход
0
С/Вт ...:·•.
сопротивJ1е•
... ,.
• корпус,
Допустимая темпера·',,ура • окру -
2,5
жающей ,:реды, 0 С
-
25...100
1 ! В строчн о й развер тк е доп у скается импульсное на п ряжение эмиттер
базадо6В.
2>ПриТп= ,100°С.ПриТп=
-
100... 150° С напряжение уменьшается
.~инейно на 10% на каждые 10° С.
3) При температуре корпуса более 25°С.Рк max [Вт]=(Ti:iшах-Тк)/Rт п-к,
.
,
4) Длн приборов с госуда рственным Знаком качества в диапа зоне температур
Т.н ";"' -
45...+100° С ИкБ max = 180 В.
_
_
_
~ > д.~я приборов с государ ст венным Знаком качества Те = - 45 . ,. + 100°с,
Uкэ;D zов
v
t..,, '
1,.-,'
_i- -
17 1..,..,- -
__.,
__ .,
0,8
4
//1/'
1
1/ -i--
1-
0,6
з'/
1
_
,
~
1-
1/
1
1
О,ч
z17
o,z
J
'I
/1
V
11Jь;ZОмА
.lo
1/
о
о
10
20
ЗD
чО 50
-~ ~-
1' ,._
Uкь=10В
,,.
1"
..... ~
20
~
1'.
1\..
-~
10
..
"
о
z
6
1!
418

i11p11111111111111111111111i11111111
17
18
19
КТ80ЗА
Общие, tведения,. К11емниевые мезапла.нарные n--р~n-транзистvры предназ
начены для · работы в схемах усилителей мощноет.и, генератора.в, в схемах пере-
ключения и в друrих схемах.
,·.
Корпус металлический, герметичный, с· жесткими выводами (рис. Пl.68) .
Масса транзистора не бо11ее- 22 r (без накидноrо ·ф11анца), Масса накидного
фланца не ·балее 12 r.
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационные параметры,
/КЭК•hzIЭ• /ЭБО·
Значения
Рr· жимы
Иоозна •
"'
'"
.Е;Iанменовани~
о
15
о
д·
"'
qение
'"'
,.
"',:
;s: .д
о
(.).Д
~
"'"
с::
"'"
riJ
;s:"
;s:
""
:;; :;;
..
:;; :;;
:::i
:::i
Обратный ток эмиттера мА
Обратный ток коллектор -
1 кэк
\
эмиттер, мА •
570
Напряжение
насыщения
коллектор - эмиттер, В
Икэ нас
2,5
Модуль коэффициента пере-
дачи тока на высокой час-
10
тоте (f = 10 МГц)
1 l121a 1
2
;
'
Статический коэффициент
'
передачи тока- в схеме с
1
оэ
h21э1О207010
f
Статическая крутизна пря-
мой передачи в схеме с ОЭ,
у2\Э 2 2,4 2,7 10
А/В
14*
'
измерt.:'fl 11. , ,
-,:
-,;
<(
~фС[}
-
-
'
51
0,5
5
.
5

Максимально допустимые параметры, Гарантируются при темп~ратуре кор•
пуса Т"= -60...+100:С.
/к mox - ПОСТОЯННЫЙ
ТОК КОЛ·
лектора, А . .
Иэв max -· nосто5шное
напря-
жение эмиттер - б~за, В
.
.
UI)
•
кэ R max - постоянное
напря-
ние коллектор
эмиттер
(Rr, ~ 100 Ом), В
То же дJ1я транзисторов со
10
4
60
.
З1Jа1<ом . качества
70
ui), 2)
•кэ, иm,,x
-
импульсное напря-
жение коллектор - эмиттер
(ИэБ =2 В, tи=I0 мс),. В, 80
3)
•
•
Рк max - постоянная рассеивае-
мая мощность коллектора
(Тн = -60 ... +50°С), Вт
60
Тп шах - температура · перехода,
0С
•
,
.
.
.
.
150
Rт, n - н - тепловое сопротивле-
ние перех<Jд-корпу<:, 0 С/Вт 1,66
Допустимая температура окру
.жающей среды, 0 С .
-60...+100
1 > При Тн > 100°С Икэ уменьшается линейно на 10% на каждые 10° С.
2 ) При длительности щ,шульса не более 10 мс и коэффищlенте заполнения ·
не более 0,5.
420
~) При Т,,, > 50°G Рк max [ВтJ = (150 - Тн)IRт, n-1<'
i6,A
D,B
и,э= о
н
zов
-
.-
/
4
D,6
/
1
з
D,4
.Z
o,z
1J
V/
о»
2Иьэ,в о
'
-
3,6
-
Икэ=IDВ
З,Z
-
Z,8
,; "'
-
,,,
. Z,4
z,o
1,6
'1,' Z
-
~~
,/ ,,
v::-
.. .~
~
✓;,
1,, ..
,; ,;
,у.,,
~,4~
.
.
/~
.,
о
z
4
.,,,,,,. .....
/
----
...-
1.,,,,,,,.
,,,,,,.
/./
-
-
/ 1___
11
/
/!
/'
V
/
1
1D
.zo
--
---
,--
--·
.,,....-
-
--
-~ --
...
60
50
40
3,0
20
10
БIк,Аа
--
1,., -
1
чО
.,,..._·,
,,
.. ..,
I
,;'
-
'
1
1
zз
•··
iЛlь= Z5мА
50 · Икэ,В
'
• l!кз~1ов
'
',
'
'
',
·-
1'--~
~
-
---
---: .....
1
1•
1
1
45Iк,А

\
1
Ю805А, К1805Б
Общие сведения. Кремниевые меза планарные п--р-п-транзисторы предназ
начены для работы в строчной раз'вертке телевизоров, в системе зажиrання· авто-
мобил~,ных двигателей и других .схемах.
.
.
.
.
. ..·
Корпус металлический , герметичный, с жесткими выводами (рис. П 1.68) .
Масса транзистора не . боме . 24 г. Масса накидного фла,нца не более lP , r,
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.
•Электрические параметры. Классификационньrе пара ме тры )
1кэR. и. И!(_э нас' ИвэНЗС'
Зна ч еннн
i->ежнмы измерl.:'11 ня
Обозна -
о.,
"'
Нанменованне
о
,О
.<\
.<\
чение
' :,;
":,:
<,:
~
" .!)
.u
.!)
:t <;
;~~(Т)~(Д
:,: "'
""
~~
::,
::,
-
-
Импульс н ый обратный ток коJtлектор -
эмиттер (R 6 = 10 Ом), мА,
•/КЭR,и
КТ805А
60 160
КТ806Б
60' 135
при 100°С:
70 160
КТ805А
КТ806Б
70 135
Обратный ток эмиттера, - мА
Напряжение насыщения коJ1 лектор -
эмиттер, В:
Икэ нас
КТ805А
2,5
5 0,5
КТ805Б
5
5 0,5
Напряжение насыще н ия база - ЭМИТ·
тер, В:
Ивэ нас
КТ805А
2,5
5 0,5
КТ~5Б
5
5 0,5
Модуль коэффициента
(f=I0 МГц)
передачи тока 1
.
j \h21э1
Статический коэффициент передачи то- ,
кавсхемесОЭ
h21э
при Ти =-6О0 С
.
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при те м пературе кор
пуса Т"=-60...+100° С.
/к. mах-ТТОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛ·
/ Б max - постоянный ток базы,
J]ектора, А . .
-,
..
.
.
,.
•5
А., •
•
2
,.
421

/к,11mn, -
импульсный ТО!( КОЛ·
.леI< тора ·(/и =е:;;: 200 мкс, Q=
= 3/2), А
...
t-.
.
.
.
8
1r-;,,, m ax - им п ульсный ток базы
(1,.,::;:20 Ml(C) , А
,
.
.
.
2,5
uJ/, rnax - по стоянное на п ряже-
ние •эмиттеr, .-- база, В
5
u~>-J R и ma> -- и мпульсное н апря-
: же н ие ...' кdАлектор .~
· эмитте р:
Uи,;;;;500 MI< C с фр он том на,
растания tФ;:;;,, 15 мкс и Rь =
. =1,0Ом),В:
КТ805А
КТ805Б
.
.•
,
.
160
,
.
.
.
135
р3)
J< шах
-
постоя rтяая • рассеивае -
мая мошвость' ·- •коллектора
(Тн,::;: 50° С), B:i:,. . ,
.
.
.
.
30
Т" "'а, - температура перехода,
0
С.
,
.
.
.
.
150
t'.
R-,, ,-u
-
те п ловое с о противле-
ние переход-'--Корпус, о С/Вт ·3,3
Допустима;~ т.емперат у ра 6крх 
жаюшеi'i среды, о · с .
-
60...+100
1 ) В схемах строчной . разв.ертJ<и 1:ел ,ев,и.зора долускаетсн об р·атиое . импульс-
1iое напр,яжение• Аtюйду. базой и. э.митт.ером 8 В nр н fи < 40 м к,с.
2 ) Дл я тр анзисто р ов. т.ипа. КТ805А1 в Qхеме • стречной· раз-вертки теJI.евяэора
доп у скается им п ульсное напряжение . кол;1:ектор - эмиттер 1808 при Тм <
< 70° С, fи < 15 мкс. При Тн = 70... 150°С наnряжсние умены.!Jается на 10%
.на каждые 10° С от, значения напряжения п ри 100° С. .
422
3> Пр1 Тн = 50...100° С Рк max [Вт] = (150 - Т,;)/3,3.
li,,мA
7;8
1,6 J.,-if--4-i-+-Н--+---lf--f--'-'
1,4 ,,
1'--1--"---'--"'-'--'.....U........_.,
1,l
1,0
0,8
о
~ов 1
li i1
'
l---lf- -4+-+-l-+ --11 --+-+-~
·'j
'
1//
t
'.J
j'/
jJ ,,
'( )_
м 1,0 lif.и, 8
~11Э
.IJ
ta•..
·~
IJ:0 !
jI
•'
30
zo
.О·1·z3
9
8
7
6
5
з
z·
1
о
1
50{1
1
-
у
чоо
!
1л1 1,'
;
/ 1,;"
1·...
joo
/V
l,,, ·,
..
J
,
l,,' ...
zoo
1-/ V
... -
JI/,1-""
,,,V ,,,"
J/1/
1
I1
..
.'
'
.
'/;
._
....
"
........
'
·,
.,
,
"
-~
,,
.,
....
1/
1J
.
..
)
1
:
l1/Б8
!
!.i1
t-....
f',.
......
,икэ = IОВ
·'
Ni
'
J,N
'
f/56..
71
~ з lк,А'
'
'
юа
'--
--
-
Iь.= SОнА
;
,,
'

.\
ГТ806А
ГТ806Д
',.
'
,j
· П806Б,
. Г!i806!3, .,, П806Г,
.
,,
·о·бщие свiiдени!I'. . Германие11сы.е• сшлавно.-диффузионнъiе • . р- ,-п_:р- тра11зи сторы,
пре!Ц-н·а:значены· ·дт1- :работы в схем.ах мощных нмпульсных уситпелей, ~ п-реоб~- ~
р а:зоаателя'JkН .с11· sдp,y.r.oP. залщ1·р а туре;
•
Карч.ус ·.металлн•ческий, rерметичны!I, с жwткимн выводами . (рнс .. . ПU\8:),
Масса..т_р.ан.аист.о.р!а ....ке - .бплее~28 т. .
•'.. ('
Условия ·экспл,уатации - -в ссютветствии с табл. П2.2.
-3лектр.ю1еские па.раметр.ы . .Классификационный пара~е,:р1
Икэ х max
.Наименоваюtе ·.
Обратный ток эмиттера, мА
Обратный ток .коллектор . - ЭМИТ·
тер · при :запирающем см~щеиии,
мА
при т.. -
+55° а
при Тк=-55°С
Обо~на
чение ·
1кэ х
·ан ·а:чен,ия
1.5
30
15
Напряжение насыщения
тор - эмиттер, В
•
1•
·J11
коллек- .
.
Икэ нас 0,25 0,6
Напряжение насыщения база :-1 Ивэ нас 1
1
эмиттер, В
1
Статический коэффициент · переда-.
чн тока в схеме с ОЭ .на границе
h21э 10 100
насыщения
при rк= +55° с
'
10 200
при Т,.-=--55°С
8 100
'
1
1
и.:i;
!(Э m,ax .,
Тоже:1
Тоже•
'.
о
о
о
.,\
;
'
'
•, ;\
1
l
1:.,·
!"
li
1i
i1151
10
5
10
2
Максимально до0пустимые параметры, .Гарантцруюtс11 . пр~ темпера1уре КОР.1
пусаТк=-55 .... f-55 - С. ·
.
•
1
/ к вас - ток коллектора в реж и•
ме насыщения, А .
•15
f Б шах - ПОСТQЯНН_!1IЙ ТОК 6,рьi,
.
А •!!•••! ~!• -
3
икэ х inax •...:. посtоянное
напря•
ние коллектЬр; ..:,.. эмиттер :за
крытого транзистора, Bi
ГТ806А . •
•
•
•
•
•
!,75
,.

ГТ806Б
.
100
ГТ806В
.,
.
.
120
ГТ806Г
.
50
ГТ806д...
.
140
ИэБmax ·- -
лоr.тоянное напря-
жение эмиттер -- база, В
.
1,5
Pk)max ~ постошннн1 рассеивае-
·ма я MOll.lНOCТl, I(OJIJl€1ПOPa
(Тн=-55 ... +25° С). Вт
30
1)При· Тн>25°СРкщах [Вт]=
= (85 - Тн)/2.
2,5
z,a
1,5
1,0
0,5
о
1
/
1
1.
1
1
sв·1-
--
Икэ=О
/1V
--
1
1А
,-
-
1/
--
-
·-
_J
-J; -- ,-
r-1
-
1
1
f--
-
о-
1I/
t
j/
,-
л //~
---
-
:'-1г 1/iI
/I,
ЛJV i
'1/ -'-~
~~ Г/ .,,,. ~
1
!
0,1 0,2 U,З 0,4 0,5 0,6 И6э,В
2,0
,в \~Iн=5А\\\101
~--t
1 1J11
-+ ·г--1 1
1
1,5
11
~
-1-
\
-
1
\1
11
1,0 j_1
\\!\
-
-\
1,
~\
1
1\
\
\\\ ~'
[\\
'
\
\
1
То же без теплоотвода
2
Т" m, х - тем п ература перехода,
0с.
.
.. ... ...
85
Rт. u -к - тепловое сопротивJJе-
н ие переход-корпус, 0 С/Вт , 2
До п устимая температура акру- .
жающей среды, 0С. - 55.,. +55
J" зооо
-
ZO
-
2000
1
,
1
1
1
i
i
1
1
15
! 11000 !
1
..... ,.-т--
1!1
1i
1
1
1
!:
i
1
!i!
1
i
1
10
i1!!''500
'
1
1
.,,
i--Ц-+
1
1
1
11'гао
1
'
5
1 : L..;....+-r
100
'
,,~
1
1i
1
-
!6-50НА
1
,i''11ii!i.иi
J
'
:!1
V!!i
ii
1
1 25~
1
i).
5
10 Икэ, В
\ [15
\'\го
~
i\
1
11
\\\1
!1\1
,.\
,\ \i1
,,.\
\,[\ ~
\\\
~ ,~.
1S~
\л,
'к·
1'~
D,5
\~ ,J
' "'1' _I 1'~~L~~--
~,
г<...
--
-т 1 -:-r
'
111г1;1"f·1-
1
1
D,5
1,0
i,5
2,0
424

КТ807 А, КТ807Б, __КТ807 АМ, КТ807БМ
Общие сведения. Кремниевые мезапл ана рные п--р-п-транзисторы преft
наэначены для работы в стаби;шэаторах напряжения, в схемах развертки теJ,е•
виэоров и , в других . схемах .
Корпуса: пластмассовый, на металлической подложке (КТ807 Л, КС807Б)
(рис. Пl.б9) и пластмассовый (КТ807АМ, КТ807БМ) (рис. ПJ.53) . Масса тран.
sнстора не более 2,5 r (КТ807А, КТ807Б) и I r (КТ807АМ, КТ807БМ).
Услов·ия эксп,луатаuии - в соответстви11 с табл. П2.2.
Электрические параметры. КJJассификаuионные параметры:•
11 21э, Икэшах• Икэ нас·
Наименовавие
Обратный ток эмиттера, мА
Обращый ток коллектор - э_мит•
тер(R5 ~10Ом),мА
при rс=+85° с
_при Тс=-40° С
Напряжение насыщения коллек-
тор- эмиттер, В
Статический коэффиuиент переда-
чи тока в схеме с ОЭ1
КТ807А
\
КТ807Б
при Тс=+85°С
КТ807А
КТ807Б
при Тс =-40° С
КТ807А
КТ807Б
Предельная частота коэффициен-
та передачи тока, МГц
чение
1 кэR
Ик.э нас
h21э
fh21б
15
,:с
:<.о
:Ct;
:r"'
~~
0,3
15
30
20
45
10
20
5
Значен и в
5
15
5
0,42 1
30 45
50 100
60
-
150
30
67
1
1
Ре-жимы 11эмеμt'1-1Ия
::ц
100
100
100
0,5 О,1
5
0,5
5
0,5
5
0,5
5
0,5
5
0,5
5
0,5
.
5
. 0,5
--
425

.
Макс11малыiо _,цо0п у с тиl\1ые nарамеч)ы-. ГарантнруlGТСЯ" при ге~шера-rуре: - ко-р-• -.--
пуса Т«=-40... -~85 С.
[ К m ax - ПОСТОЯННЫЙ
ТОК КОЛ·
лектора, А . .
0,5
/6(!1а< . -ПОСТОЯНl!ЫН ТО({ базы,
А . . ......... 0,2
/к: к mн - ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ·
лектора (Q~2 , 1 ,.~ :;;,_ 1 мс), А 1,5
1~,мА .
/
1---+-:ик,._·э_=.,_а-1-++-1--1--1--1-+-1
вd t--t--т'-т--f-+-t-1--+-1---1---+-i
GU 1--1- -t-t--t-1 --+ --+-+-+ -t --t --+ --1
ча 1--+--l--3⁄4-+-+-+--+---+---+-+-+-1
j
/
za 1--.....sJ--1---1---1--1---1---1--+-+-+-i
I
о7
П,'3
1,0 U-r,1,8
lн,А
i
t,Z
·--
i
;
;
'),,....
'
1,а
,V у'v
..,v, V
.
.,
0,8
V '1/
1/
'
А
/
i
/IY1.,,,V
1,
0,6
0,4-
ii/·v
1
_,V
·""
'
1/
,.,,._
'
/
:
~
.,,,,,.
'
'j,.,,.
. ..:-
'1
_t -,,
-
1
o,z
r/
... .
11; Iь
'
i
1
i
:
"
'
'
'
1
Иэв niax __:_ П<л."'ТUЯIШОС !!Гапря• .
жение эмIIт:rе1t ·-
бава,В. 4
ИкэR max - постоянн-ое ,нащн,
жение коллектор - эмиттер
(R5,;;;;;10Ом),В... . .100
Икэ. "тах - импупьс н ое напряже•
ние I{0ллеI<тор - эмиттер, ' В
.
120
Pk> max - 11ост аsшная рассенв -ае-
-
м.ая . мошносп, l{Oллe-icro.pa
(Т,,;;;;;70° С)., Вт . . . .,
.
-Ш
То щах -те м:пе ра-~:ура перехода..
0С
.
.
..
.
.
..
.
.
.
.
15(}
Rт. о:_, - тепловое сопротивле-
ние пере.ход-I,ор.пус, 0 С/Вт _ . в ·
Допустимая температура окру
жаюшей cpt'J\Ы, 0 С ..-
40 ... +85
'1) При '7"" > 711 •с PI< ,r,ax fHтj -:; .
= (Тn max - Т!1)/.Rт, [l-11·
hZI э
90 l---+-, .Lf-+ - -+ -+ - -- -+ - - - .! 1,......;.1
80 1--.~--+~-+---L-L----L__j.
70 j-l -- --t -- --f -7'::::l. -, --= --, -- --,,. -- 1
БD I---JIL-+ -i-+- - - -+- -+-+- ....μ,- .- , .1
50 l---t --+-+ -.±a, -.. .. -l-. ac a±:--+ --1-- --1
40 --~
--+ -~
+-". .. -+ --1 --+ ---1
30 ~t-т::::;;;;j.a..-4-;i~:-т-tc-;:I
20 t---; .-F -- -t- -+- -,4 -- -+- -+--+--+I
'10 t--~~t---+- --t- --+- -- -"I=
1
0,1 o,z ~'3 17,4 0,5 [},Б ff~ ,'A

КТ808А
Общие. сведения. Кремниевые мезапланарные• п-р-~п ~транзисторы пред
назначены. для работы в схемах nере1(лючения, строчной разв е рпш , теJ1 евизоро в
и в других. схем •ах>.
•
Корпус металлический, герметичный , с жестю1ми выводами (рис. Пl.68),
Масса- транзиот.оμа не более 22 r (.масса, накидного фланца , 12 r,),
Условия эксплуатации - Б соответствии с табл. П2.2.
-
Электрические параметры. Классификационные параметры:,
11 пэ• li,50_, 1 кэп·
Значения
Режимы и зм ерения
Наиме.нован-ие-
Обратный ток· эмиттера, мА
..
,.
·Обратный , ток . колJ1ектор - эмит-
1,
1
тер, мА
1 кэя
!
при Тс=25°С
3 '120
при Tc=+l00°C
20 120
при Тс=-60°С
3 120
;
1
'
'
Напряжение ·насыщения база-
,.
эмиттер, В
ИБэ нас
2,5
6 о,6
'
'
'
Модуль J<оэффицнента передачи
.
1
тока на высокой • частоте (f=
'
=3,5 МГц)
1.h21э1 2
'
10
0,5
..
'
'
'
1
1
Статическ•нй коэффициент пер.еда-_
j
чи тока в~ схеме с ОЭ
h21э1015503
6
при T,, = +l00q(];
1;
:10·i20, 150' 3
6
..
при Тс. =-60Р С
,)610;503
6
1
'
Емность коллекторного пе·рехода · 1
·.•
(/= 1 МГц), пФ
6и-
Время рассасывания (n =2) ,' мкс
,~
it,ac
427

Маr<сималыю допустимые параметры . Гарантируются при температур е Ol<PY ·
жаюшей еред ы Tc=-6()... +J00°C.
·f'
/к mэ, - постmш1iый тоI< ·кол··
лектоQа, А
.
.
.
.
.
.
!О
/5 max - постсншныi\ тоI( базы,
А ..........
,t
ИэБ'max
-· постоянное напря -
• женнс эмнттер - база,В
.
4
UI)КЭRmax ~ - постоян ное
н зпря-
жснне I<оллектор - эмиттер
(R5=10 Ом). В .... .• 120
Икэ; и тах ·-'- и мпульсное
наоряже - . .
ние 1<ол ле1<тор -
эмиттер
(tи:с:;;;;500 MI<C, UэБ зал = 2 В,
1<оэффициент заполнения не
• более 0,15), В .
.
.
.
.
.
250
Р }> max - постоянная рассеивае-
мая мошность 1<оллектора
(Т":с:;;;;50° С) , Вт
с . теплоотводом
,
•
•
,
50
без теплоотвода ,
.
.
•
•
5
Tn шах - те мпература п е рехода,
0С
.........
.
150
Rт, "__:" - - тепловое
сопротиrJ ,i 1е·
ние пер еход ..:.. корпус, 0 С/Вт . 2
Допустимая температура окр у
ж~юшей среды, 0 С .
-60.. .+100
1 > При Тп < !00° С. При Тп I00.:.l50°C Икэrпах уменьшается днвей-
но на 10% на 1<аждые 10° С.
2> При Т11 > 50°С Рктах [Вт]= (150- Т 11)/Rт.п-~:'
hm
1
,.
-... ... ..
30
..
,,,..
lx' 1' ..'" -
-
---
t--:' ~ ~'
·
/
~
25 ~ .i'"~
,,
~~r--... ...
~~~~~1"'--...
za
"~ ~ ~~i'-....
k" .......
,..,
~..."'
" r---::!'-. .. ,
.........
k"
r,..,
. .... ..
15
~ '"'!'--.
'
""
1"---..
Г",,.
;::::
t-,...,
.........
,.. __
.........
.......
~ ...... ........ ......
:--. ....
.. .....
'
~
r-....
. ... ...
~r-r-t-,.....
~
i-
~1,, ._
r-, ...
~
,.___
1
Ик5=
~v
108
7
10
i-
~-t:::- с::-t--.'-- i--i.;:::1---5
5
а
з
I
4
з
/
~~
Икэ•О -j 58 /, __
'
,
,
71
z
L-
-
j
77
},
.W!
1
о a,z qз D,4 о,5 а,Б Иьэ,в
428
Iii/lA
9000
8000
7000
6000
5000
,4000
ЗD0D
Z000
10D0
о
.-
•' !'
1
1
- !',.
5
7
8
-
,_
-
-
~-~
-
L... -
-
-
-
1--
. _....-
·;:,
--
1--- L...-
-
-
-
L-
v:,
-
i1
-
jV
l-1
1
-
1
/'
tм5 =IООнА_
/,,.
/·1
1
1
Зff5•6
·7 8 Икэ,В
J
1
а,5
а,1

tpac,HC
•Кн=10
8
б
2
о
lк= БА
\
\,
'\, ,.
400 БОО 800
1
l 0,11A
2000
150{)
1000
500
~
---
'
--
r---
1
-
--
Z,O
3,0
КТ809А
О~щие сведения. Кремниевые мезапJiанарны.е 1:-р-11-транзисторы пред-
назначены для работы в выходных каскадах строчнон разоертки, в мощных им•
nульснь1х усилителях и других схемах.
•Корпус металлический, герметичный,
с жесткими еыводами (рис. Пl,68).
Масса транзистора не более 22 г. Масса накидного фланца не более 1'2 г.
Условия эксп'луатации - в соответствии с табл. П2.3 ,
•
Э11ектрические параметры. Классифи1(ационные параметр щ
l кэR• 1 эБо• h~1э· •
Значения
Обоэна• •
,,
.~
t-Jаименовани·е
.,
б
~енне
'"'
"'
., '"
;s; ,о
о
u,о
::: ,;
с:
,. ,;
="'
.,
"'"'
~~
..
~:;
Обратный ток эмиттера, мА
Обратный ток r<оллектор - эмит-
1кэR
3
тер (R•ь ~ 10 Ом), мА
при· Тн= +12 5°С
10
при Tc=-6V°C
3
Наnря>r<ение насыщения · KOJJJJeK· \ И КЭ нас 10,221 0,6 \ 1, 5. 1
тор - эмиттер, В
,.
rежимь,t измерения
щ
щ
,,;
<,:
',
~(Т)~<!)
:::> , ::,
-
-
400
300
400
.
1
2/0,4
, 429

'
"
з, ачения
; Рrжю·ы из_меr~Е>н ·и~ .
·f
"·.
Обозна,
Наименов.нни:е
8~-.8
'CQ
CQ
<,:
цение
·=~
"'"'
<,:
о
~~~
.. ,:
1.1
тiii:
:;,
-
.. .,
'.
~"'
..
~ ,,,
::i
::i
·-
-
.
Напряжение насышения 6аза -
·-
эмиттер, в
. И!'lэ · н•с ' :1,03 1,3 2,3
2 ().4
Модуль , коэффи циен .т;а передач11 -
0,51
TOK/J IIЗ высокой частоте . {/-
- =3,5 МГц)
(hне1 1,5
5
'
Статиче~к11й ко~ффiщие1п
чи гака в, схеме ,с ОЭ
переда-
11 21э
15301005
2
при Т.....+125°С
15501305
2:
при r.-~б0°С
10151005.
'2
',
i
'
..
Грашt.ч11ая , час;rота · коэф,~ициеита
передач11 ток· а· : в схеме с . Э, МГц
1
fr~
5,n
fi·
I•o;s
Емкость коллекторного перехода
(f~1MIц'), uФ
С11
190•i20 пr1 fj
Максималь110 допустимые парамеfрi.1. , Гарантируются при температуре кор•
пуса 1'к=-fi0 ... + 125°С,
/к lnai - ПOCTOЯHflulЙ
ТО!< КОЛ•
J1е 1нара, ,;\
•
•
.-
,
3.
lf. □1а·х -. ·по<rте>янный ток базы,
А.,
,
.
.
..
.
,
1,5
lк, • me1 - импульсный ток КОЛ•
лектора (,/~ ~чОО мкс, G~ -
~1О),А,,,,,
•,,
,
5
Иэв rna 11 - nос:rо1Ян.ное наnря•
шение эми;r;rер - ба:~а, В , , ~ 4
Vk)эR rna 11 - постояннпе 11а-пр11,
жение ко.плекто:~; - :эмиттер
.
·
(Rь-=100Ом),В,,,, 1400
. 'I\
430
2}
Р,к ·mпх ' - постоянная
рассеивае•
мая мощность коллектора с
теплоотводом ( Т., =-60,,. +
+50°С). Вт .
,
,
,
,
40
Та шах -температура перехода,
0С
,
!,,!
,
.•-
,
,
,
150
Rrr, а-к - тепловое сопротцвле·
ние переход-корпус, 0. СLВт , 2,5
Допуст.имая температу.ра окру.
жающей среды, 0 С, ,- 60... +125

1
11
-
_[ Ик'6=5В
...
'
,/
•.:-.,
,,
,/
•"
,
'
30
v'
/
,,,,,,..
-....
... ...... ...
20
V
L-~
""-
--
-
10- 7
~ .,,.
,,,,,,,
D
i,O
i,5 2,0
Ть,мА
1,
5D0 ь---1--+--+-0 --+-.-+,/,-;
· 400
J
..,._ •Uкэ=IJ - ~ 158 -
·
300 г---+--+-+-t--11--+--J
• ZOO 1-+---н.--+--1--+--/---+--1
,/
, 100 :1---+-
.
- +/--#+---+ --+- --<
:11) ·
.. ...
r-- _
~\
1'- ...
·--
') При Т н= 100 ... 150°С нanpn-
.
;женне ум<:ньшается линейно на 10%
• ..н~ каждые 10°G..,.,.. ,.,_ ;..• ,.,.. . .
•
2) При Тн> 50 •с м о щность умень
шается в соответств.ии. с фор\!уJiой
Р К шах· [Вт]= (Т 11 max - 'Ти)/)~т, ц ·Н
КТ809А
t!~эно.с,В ·
И&энас,8.
Iк,А
7,0
7,8
1,Б
1,4
1,2
1,0
0,8
О;Б
0,4
0,2
1,Z
1,8
1,0
. J,<. - -+-'<-1 -- -'--- -+-'==1 1,6 •
0,8 •
1,4
Q,6
1,z
О,ч
.- e .c=i=-==i==+-'==+---f - -~ 1,0 .
О,Z 1-----+ --==!='4=-"""f.'=t,,,.,,~"'-""1 О,8
~
'---'- -- --' --'- -
-+~
-~~
-
·
D,6
О 0,1 O,Z D,3 :if;ч D,5
,,,.-t · 1
i
'.•
/
/
L,...
//
,,,.
1
:_; .. .,, -f
"
.,
li/ ,,,,,..,
_. ,,. ....
-
f/~
-
..--
-
J./'
'J
---
/.
'У,
,,-
'
)
,,.
·j/JI-rг10нA -
-
/
1
i
'v
ZЗч5Б71Jllкэ,В

П810А
. Общ.ие
сведе11ия. Германиевые сnлавно-диффузионные р-•п-р-транзисторы
nредназнач·ены для работы в. выходных каскадах блоков строчной развертки те•
Ж'визионных · приемников и в другой аппаратуре.
J<opnyc металJ1ический, герметичный, с жесткими выводами (рис. П 1.70).
/liacca транзистора не более 7 r.
У_с,ловия эксплуатаuии - в соответствии с та'iл. П2.2.
Э,1ектричесю1е параметры. Классифиrшuионны~ параметры;'
Икumах• Икэнас· h21э·
~~начения
Обоэна-
8
Наимсновn 11 из
~=~
ЧеННР
'.,
:s,.,,
""'
"'"'
"
"'"'
"'"'
:,:
"'"'
~:;.
1-
-:; ::-
..,
Обратный ток коллектора, мА
/КБО,
20
цри Та=+55°С •
20
при То=-55° С
2Ь
Обратный ток эмиттера, мА
1
1эво 10,51 4
j 151
Напряжение· на.сыщения 1tоллек-
тор - эмиттер, В
Ик,э нас 0,2 0,4 0,7
Напряжение насыщения база -
эмиттер, В '
И8э вас 0,44 O,S- 0,8
Модуль коэффициента передачи ·-
тока на высоr~ой частоте (!=
..
=5 МГц) :
1h21в 1 3
'•·
'
'
'
1
"'
1
Статический' ~оэффициент переда-'
чи тока в сх~м.е' с ОЭ
h21э
Время рассасывания (Rн=6 Ом),
мкс
fpao
5
''
' 432
Режимы из~ерения
ОС)
"'
-<:
· -о:
::t(1)~Lй
::,
::,
-
-
-
200
lQO
200
1
.•
1
1,4
10
10
10
1
10
5
зμ
0,5

Максимально допустимые параме1'рм. Гарантирунэтся ·· при тем11~~:З'l'f-ре;."'IЮ~•
пуса Тк=- 55 ...+55°С.
/к mах-ПОСТОЯННЫЙ ток КОЛ·
лектора, А
10
/к,..mаж
--
импульсный ТОК КОЛ·.
лектора, А
10
lв max - постоянный ток базы,
А •.....
,
i
••
1,5
/ в обр max - обратный ток базы
(t.. ~5 00 мкс, Q~2), А
.
.
1,5
/Б, ., max - импуJiьсный ток ба•
вы,А.....
•
.
.
1,5
ИЬk max - постоянное
напря-
жение эмиттер - база, В
1.4
Иk)в max
-
постоянное напряже-
ние колJiектор - база. В
.
200
U.J) , 2)
кэ max
-
постоянное . напря -
жение коллектор - эмиттер,
В,
..
•
~.
•
,
.
..
.
200
•2)
Икэх , ,, ma~
-
и~111ульсное няпря-:
жение кол;1ектор - , эмиттер
закрытого транзистора (t а~-
~20мкс,Q~З),В... 250
Ркmax-
постоянная
рассеи-
ваемая моwiность колJiектора,
Вт
с теnлоотводом 3>
,
15
без дополнительного тепло-
отвода 4>
. 0.75
Тю' mai: -
температура перехода ,
0
С
.
65
Rт. а-к-'- тепловое сопротив ле-
ние переход -корпус, • С/Вт . 2,5
Rт, п - с - тепловое ' сопрdтивле:
ние переход - окружающая
среда, 0 С/Вт
50
Допустимая те',,fпература окру
жающей среды, • С ,
.--55 ...+55
L) В диапазоне rемператур -' -55 ,,, + 30° G, При Та > 30° О.. Икв тю, 11
Икз maJt опред~яются по фор. муле И [BJ = -
200-4 , (Т0 ..;... 30 ° С},
2>При Ивэ =0,4 ....1,4В,
~) При Т11 > 27,5° G Рк шах (Вт] "" (65- Ти) iRт, п-к'
4 ) При Те> 27,SQG Рктах [Вт]= (65 - Тс)IRт,п-о'
НТ81OА
rк= 10;1
,_,...
-
\
~-
.-·
\.,.....
"
a,sz
\ --~,...
j
"1UбЗн~с
_,..,l
/1
З,5
.,..-"
V
0,48
1\
"""
,.....
/
1--1--1- - Uкэ нас
i.. , ....
/
~
1 ],.....
-н
Z,5
,.
'
'.
.....+- ·
-
.L,._. 1-·-
,,·
О,чf/
/
.
i-•
..... ....
'
~~.--
\
\
1,5
1
;
1\.
-
'
U,40
1\
1'.
··-
'
~-
(J,5
о,з а,ч а,5 О,6 0,1 о,в ад 1,а 1.1 1,z 1:З· I&,A
, ,433

j·-,,~
~•
· ·гliitpiiijlli ..
•
pliljiJ
18, О'.9 , 20
~,
22 .23
К.Т812А, КТ812Б, КТ812В
.
•
...
•
.
.,.Общ11е
сведения . Кремниевые мезапланар~ые п-р-п-транзисторы· прел•
наз11ачены· дш1 ' работы в выходном каскаде строчной развертки телевизоров 11
1J :Другой аn11аратуре.
•
.
Корпус металлический (рис. Пl.65, 6). Масса транзистора не более 20 г,
Ус,тювия эксплу,атащй1 - в соответствии с. табл. 112.3.
ЭJ1ектр11ческие параметры. Классификационные параметры~-
, •··
U[<.э,йmах • h21э·
Значения
Режимы измерени я
.,'
ОбЬlн'а-
·: ·':\,
I--Iаимеi1о·вайие '
1s
i 'i::'
ч.ение
·=
., 11:
Ик, в
<(
:,1j
;~.,
.
u"'
с
~~
~
,, ,,.
:s:"'
:s:
:::;: :i;.
...
:,; ~
....
'
ток коJ1лектор .а -
Обратный
эмиттер (R,;
,=JO Ом), 1,1А • 1кэ R
5 ,Икэ, и max
при Тк=+85°С
]0
при Тс=-45° С
10
!
насыщения KOJJ-
f L,3
Напряжение
в
• Икэ нас
1,6
'
2 ,О:
лектор - эмиттер,
Напряжение насышения база-1
эмиттер, В
ИБЭ нас
·Статический • коэфф1щиент пе-
J)СДаЧИ тока в схеме с' оэ~
КТ812А, КТ8-1· 2Б
КТ812В
J:м1юсть .эмиттерного перехо,да !
(/= 1 МГц), пФ
:
-Емкость коллекторного пере-1
• ; ,хода, (f=l МГц), пФ
Обратный ток эмиттера, мА 1
j,.
J
'
h21э'4
IG;ЗO 80
Си1.100I150\.175t
1ЭБОI,:' 1
-
1150 1'
Икэ. и шах
Икэ. и max
.,
'
'
с
2,5
s
-
&
5
50
11
<
'-i
;С
2
Время спада, мкс
j,
10'0 •' 1 •512,5
434

Максимат,1ю допустимые параметры, Гар8'1iтируются пр и температуре Т « = 1
= -45... +85Р С, '
tk)max - ПОСТОЯННЫЙ ток КОЛ•
лектер·а, А . .
•
.
•
.
,
/в max - постоянныА ток баэы,
А ••••
_-
•
•
'
"
•
/1)
.
'
К:, "max - импульсныи ТОК КОЛ•
лектора (/и~ 1 мс, Q~ 10
или lu::;;;;;50 мкс, Q;;;i,2), А
,
ls,· и max - им 1 1у.льсный ток базы
(t.::;;;;;, мс, Q;;;i, 10 или t.~
::;;;;; 50 мкс, Q;;;a,,2), А .
.
.
.
Иэр, m11 x - постоя-нное,
.
нащэя• .
жение эмиттер - база; В
иk)э m,,.
-
постоян·ное иапря·•·
жение ко;1ле1пор - :1мипер,.
В1
12
4,
i
КТ812А
КТ812Б
КТ812В
....
'..
....
•
•1•
1
,
, 40()
,
, 30()
• 2~(}
;i,
И~э. иmах -:импульсное нnпря: 1
жение коллектор - эмиттер
(ta::;;;;; 1 МС, Q;;;;,:J0 ИЛИ lв::;;;;;
::;;;;;50 мкс, Q;;;i,2),BI
KT8J2A •
КТВL2Б
KJ'8!2B
, Pf/max •-
·посто'liнная··• рассеюза.е-
мая 1.:1ошность коллектора, Вт 5():
Допустимая температура окру•
жаюшей среды. • С .
-45... +8·5
-
>--
,-
О,З
Икэ=О
!,
>--
1) При применении при6оров в схемах строq.
н~,й развертки телt;визоров допускаетая . эксплуа
тация приборов с кsэффициентом заvрузки, • рав- ·
ным 1 па Uкэ и lк . при . эт0м температура кор•
ауаа- не должна · превышзть 100 8 С, •
a,z
.1
'
,
0,1
)
/
,,
/
/
✓
./
~"
,,,,,.
а 0,5 1,U
~
r
'
{j1
1
,
о
100
J
I
0,4
2) В диапазоне температур корпуса -45.. . +
+50°С .. При повышени и температуры
.. кор пу.~:'i ,·
выше 50°0 мощность уменьшаете-я линеЙ НQ '• на
0,5 Br /•(3.
UБэнцс ,8 Uкэ нас,В.
ч,О -1,б
tц=IООнкс ',
Г=10Ги.
3,6 1, ч-
a,z ·
'
з,z • т,z
Z,8 1,а
Z,4 U,8 ·
. 0,05
'
f 5=~,0Z5A
z,a 0,6
1,5 а,ч
1,Z a,z
0,8
о
;,

12
10
8
Б
1/
z
.,
~ Uw5= 208
· · r=111Гu,
,,1-,.
/
:..)' ~.. ''\i
•.
.
.... .
О 0,5
_/t',
V
/V
/
,)
т-- ,._
--
\
1'
1. ,,
\
1'\~\
i-, . ...
100
80
60
40
zo
1,5 2 2,5Iк,А О
l{T81ZB
э_l
~r, U·кБ=58
tu=5нс -
..L,
l/
',
/
f= IООГц
., __v
~'
1/-
..... J",,...
·,
Г,
1,,(
~·,
А.
--
-
~
t... ,,
'
,,,,,.
---
'--
t--.
2
Б
11 _1111111111111111111111111111
30
21'
22
КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г
Общие сnедения, Кремниевые ' iэnитаксиально-11ланарные р-п-р-транзисто
ры •п'редназначены для прнменення ' в ключевы!! и линейных схемах, уздах, бJЮ•
ках аппаратуры.
•
Корпус пластмассовый (рис. П 1.71). Масса транзистора не боJ 1ее г.
Условия экспдуатаuни - в соответствии с табл. ГJ2,2.
' Электрические лар ~ метры . Классификационные па рам,етры: •
h21э, Икэо гр·
Значе1.:ия
Режимы и?меренИя
lJбозна-
"'
.,
Ваимевовани:е
о
о
() са ,о:
<,:
<,:
;:j
qение
'.,
"'
'""
:.
:,;
:,;
:,: .,,
о
u ...
~
:,: t;
с:
,:,;
~~~
"'.,
':
.,.,
.
~
:Е ':ё
:.;: ~·
, :::,
·-
-
.:.
..
1
:,,
Обратный ток кош1ектора,
1
мкА
1 кво
''
ПjЭИ Ti,= c-40... +25° С
''
0.,4 50 4.0 .
.
•·'
при Т"=+100°С
3 1000 40
.,:; i' ·.,
'"
'
.
'
,1••
•Граничное
напряжение
тра,нзи.с:гора . с1~~~00 мкс,
Q::>'100), В: '
.,.
Икэо гр
КТ814А
·, 1(
25
,.
50
КТ814Б
:
40
50
КТ8!4В
'
60 ,1:1
1
.50
I<,Т814Г
80
f
50.
}j'
..
·•·
.
436
-

::Sнацснш1
Режимы измер~н ия
06озна-
"
,,
Наим е нован не
о
~
оcn
«:
«:
';i "
qение
;s. -
~
"'
:,;
:s
:s
's!
о
.а
~
о: е;
".
~
:::: ,а (Т)
""
"
2~
...
"
:::,
-
·-
Напряжение
насыщения
коллектор - · эмиттер, в
Икэ нас
0,2 0,6
500 50
'
Напряжение
насыщения
база - эмиттер, в
Ивэ нас
0,9 1,2
500 5J
'
'
Входное
сопротивление
транзистора в режиме ма-
лога сигна л а, Ом
h11э
300 800 5
5 0,8
Стап,ческий коэффициент
передачи тока в схеме с
f1 21э
i
ОЭ:
КТ814А, КТ814Б, КТ8!4В
40 70
2
150
КТ8l4Г
30 70
2
150
при Тк= + !ОО0 С:
КТ814А, КТ814Б, КТ814В
40
2
150
КТ814Г
30
2
150
при Tc= -40°Ci
КТ814А, КТ814Б, КТ814В
30
2
150
КТ814Г
20
2
1~{)
Граничная частота коэф-
фициента переда'ш тока в
схеме с ОЭ, МГц
frp
3
5
30 1000
Емкость эм иттерноrо пере-
хода, пФ
Сэ
60 75 0,5
465
при Иэ -=0,5 В
Емкость коллекторного пе-
-
рехода , пФ
Си
40-605
465
Максимально допустимые параметры , Гарантируются при температуре кар•
пуса Тк=-40... +100°С.
J к m ах - постоянный ток кол•
лектора, А
1,5
JК, к mo.x - ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ•
лектора (tи:s.:;10 мс, Q;;з::
~ 100), А
,
,
.
.
..
.•
3
Иэв max - постоянное
напря:-
жение эмиттер - · база, В • 5·
lв mu - постоянны й ток базы ,
А••
.
.
.
.
.
•
.
.
ots
Икэо max - постоянное
напря•
жение коллектор - эмиттер
(/Б=0),Bi
КТ814А
25
КТ814Б
40
437

Ю-814 В .
,
.
.
,
.
.
~-
60
К:Т814Г . . .
,.
.
.
.
80
Ик:н, тах -пост.от1ное н.апряжсе-
нIJ.е
• l{Оj.JЛС!{'ГОР, ' -· ЭМИ.Т1;ерJ
(R Б :,;;;; !ЕЮ Ом), В:
}(Т8J4А
КТ814Б
КТ814В
КТ~14r
40
50
70
)00
PI)
.
1, max - постоянная рассеивае-
мая мошнос ть колл екто ра,
3т..........
,
10
То же без теплоотвода . ; 1,0
Т" тв х - температура перех од а,
0С
.
.
.
.
.
.
.
•.
.
+ 125
Допустимая . · температура окру
жающей о.реды1 °С. .
-40.. +IO0
•
1 ) При Т11 = · 25° С . п·ри П'ОВЫIJJениш температуры I,орпуса , 25 ° С,. 1·00 ° С
мошность уменьшает ся линейно на 0,J Вт/ 0 С~ Рк max- без теплоотв.ода при уве ~
личеиии темпера туры · вы.ше 2Ь0 С уменьш~ется линейно на 0,01 Вт/0 С;
НТ8111"IПВ15
'
/
1
jj
/
701
:икэ • ZВ
/
;.,
!
!V
1
V
v
1V1
а D,Z
·NT8l4A- Г:
h11З.
1ZO
,100 -;--
ва
50•
40
lO
10·1
10°
101
701 lэ,мА
438
Iк ,мА ,....... ~
800
. БОО
чао
200
~:..iL--
)~
_ .,..
1
V'
/'
V-
.
i
V
'!
D
U~эна,,В-
D,ч
о,з;:1,
Q;Z
НТ814)Л15
4011
,_ 35,
1,.--
.,-i--· 30
'
15
/0. 15_
10
,,
1
5
.
..
1 Гь=1Ы ~
/
;_
D.J
lJ!l!tit !\ \11 ~
)
1 •1-,
_-
,1. ,:i!! ;
.: 1.'
.
J,,,,,
D
'J'
,.!.1j
щ~
1Uz
J~,мА

lll :/ 1111!1111/11111111 '1 /l ~l 'j!'I
20
21
22
КГ815А, !(Т81"5Б, КТ8!5В; КТ8 ! 5Г.
Общие сведения. Кремниевые мез·аэшпаксиально - планарные п- -:р- -п-тран
зисторы п.редназначе н ы д ля работы в -. ключе вых и J1ин~Тr ны,х .-схема,х, у.злю, . и
блоках аппарату р ш.
Kopn:yc пластмассовый (рис. П 1.71 ). Nlacca ,.: ранз1[С'Ю!}а не :60,1ее '1 r .
..
Ус;rюв·и-я э 1еепл,у-а1'а1i·и•и ·- •в е0от•в·е1'етвю1 · с 1'-!lбл. ·Н2.!2.
!Электри•11!с-к ие · параметры. Кл,ассифи1<ацв.онныс _r.a JJaм·eтpы ·i
11 21э• iИкэо rp•
Значен и я
Режимы измерения
0бозна-
;
"
(.)
о:
Наименование
о
о
~.
'1:1
,,.
cQ
"'
~
"'
чени е
',:
"'
"'"
:2
,: .,,
о
u .,,
:2
:2
""
•С:
-::: -i:; . ;: (Т) &: :tQ (Т)
,:~
"'
"' "'
:;~
..
г.::;
::::>
::::>
-
Обратный ·•rок ко•лдекто -
/КБО
-
ра, мкА
•
при rс =-40... + 2s0 с
0,06 50 40
при Те=+!00°С:
5 1000 40
Граничное .напряжение
транзистора
(t",;:;;;;
~ 300 мкс, Q~ 100): Икэо гр
КТ815А
25
50
КТ815Б
40
50
КТ815В
60
·50
КТ815Г
80
50
1
1
Напряжение. насыщени,я 1 .
коллектор - э~1иттер, В Uкэнас / /о.,2 / 0,6 / /
•
15оо/fio/ :1
Напряжение насыщеяия 1•
база · - эмиттер, В
Иsэ нас
'.
n,lo,l(нoe
'
!
сопротивление
транзи стора в режиме
'
малого с11гнала, Ом
h11э
300 800 5
5
Стат ический коэффи.ци-
.
.
ент передачи тока в схе-
мес ОЭ:
h21э
КТ815А,
' КТ815"Б,
КТ815В
40 70
2
150
КТ815Г
30 70
2
150
,.
---
"
'-
"'
..:
0,8
439

Значо1ия
Режимы измер ~ ния
·f •.
Обоэна.
"
"
"
"'
.,;·
"'
;:(
.g
о
о
~
Нанм~нован не
.,
=
~
::.
::.
::.
с..
чение
"'.,,
о
.,,
>!
="
"
"
~(1)~и,~
"'"'
:s:
.,
-:
""
...
:,
::,
::,
-
при ' Тс=-40° Ct
КТ815А, КТ815Б,
КТ815В
-
30
2
150
КТ8J5Г
20
2
150
Гранична .я· частота ко-
эффициента
передачи
тока·в схеме с ОЭ, МГц fгр
3
5
30
Емкость
~миттерного
перехода, пФ
с.
60 75
0,5
465
Емкость коллекто~ноrо
Си
4060.5
465
перехода, пФ .
1
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре 0 1<ру,
жающей среды Те= -40.. . + 100° С,
11~\,ах - постоянный ток КОЛ·
лектора, А
1,5
1в max
-
постоянный ток базы, •
А
JК, и max - ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ·
лектора (lи~JO мс, Q;,; .
0,5
~ 100), А
3
Икэ шах - постоянное напряже-
ние коллектор
эмиттер, В1
КТ815А
25
КТ815Б
40
КТ815В
60
КТ815Г
80
ИкэR шах - постоянное напр~же.-
ние коллектор
эмиттер
(Rв ~100 Ом), В:
КТ8J5Л
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г
•
40
50
70
100
И ЭБ тах - постоянное напряже-
ние эмиттер - база, В
5
р2)
К[тах - пост0янная рассеивае-
мая мощность
колле;~тора
при Ти=25°С, Вт.
10
То же без теплоотвода при
Тс=25°С
•
Тп m·ax - температура
перехода,
0
С
125
Допустимая температура оr,ру-
жающей среды, 0 С
--40.. .+100
1 >При условии непревышения мощности см. следующую сноску,
2 ) При наличии теплоотвода Ркшах уменьшается линейно на 0,1 Вт/0 С при
температуре корпуса выше 25° С. Без теплоотвода Рк шах уменьшается линейно
на 0,01 Вт/ 0 С при увеличении температуры окружающей среды выше 25° С,
(Входные и выходные характеристики, а также зависимости основных парамет
ров от режима см. на с. 438),
440

60
40 f---::;~----+-----+-----'1.--1
zo i----+ ----+-- - =- -----i
о ~.u...L~-,-"-'--'-'-'-ШL.J...UJ..Ш.!.L......1-.U...l.и
10·1
llljlllljllll/1111/111111111!1
'
'
1
20
\21_,,
..
2,2
Ик·энас,lи'"э нас, ·
•8в
о, 1а о,в ~----i---'гт--т+1-ж---:1~"Н++Ж
..
0,0 5 - D, 7 r--,-aaa;;l;;;;;;l;,1iii+ifj,1t"e:::._--j-,-=-1--тiiffi
D 0,6 ~~~~~~-~~, ~~
' 701
КТ816А, КТ8!6Б, КТ816В, КТ8!6Г
Общие сведения. Кремниевые мезаnланарно-эпита1,сиальные р-п - р-транз11-
ст оры предн азн ачены для применения в ключевых и линейных схемах, узлах и
блоках аппаратуры.
.
Корпус П.!Jacт1viaccoвыii (рис. П 1.71). Масса 'Iранзистора не 6олеt 0,7 r.,
J1 словия эксnлуаташш - в соответсJв1ш с табл . П2 . 2.
Электрические · параметры . КJJассификаuионные параметры,
l121э, Икэо гр•·
Значе нвя
Ре.жимы измерения
Обоsнс•
""
Наи:,,,1еновr~нне
"'
,О
<1;
<1;
<1;
ldение
'"
,g
""'
Ик, в
<'1
:;
:а
>:
о
u~
"'
t:
"'"
6~
~i"'"'
ia (Т)
>;;:
~
-
-
Обратный ТО!(
.
коj)лектора,
1 КБО
мкА
0,2 100
UКБ =
при Те=
=
Икэmах
= 150°с
90 3000
Граничное на-
пряже1ше трав-
знстора
Ик.эо гr
(1.,~.300 Ml(C,
Q-;;,, 100), В;
100
КТ816А
25
КТ816Б
15
100
KT8!61:s
60
100
ктs1ьr
80
100
"'L.
:а::
-
.
441

•1· ~
:~начения
-
.Р.е~и_мЬi , l·I З~tе.р~~ ,ИЯ
'·
·f
\
• • 0.бозна-
"
Q;
"'
~
-
=~·
<t;
"'
Наи~снование
о
""
:,s
::.
:s
""'
'\'J.ен·ие
·=
..
Ик, в
::;:
".,,
о
u., ,
.
СТ) :.2
.
-
..,; :З
t::
"',,.
сЬ i:
,:,
"""'
:s :s
1--
:s"
:::,
...
-
-:.
.
'
Напряжение !"а•
сыщения кол-
;
лектор - эмит-
тер, в
Икэ нас
0,33 0,6
1000 10.)
Напряжеf!ие на-
L
сыщения база -
1,5
!ООО \00
эмиттер, в
Ивэ ,rac
0,92
Статический ко- '
i
i
эффициен т пе,
•'
редачи тока в
: -гооd
схеме с ОЭ
h21э 25 40
2
'
i
при Те=
i
= +150°с
25 40
2
1000
при Те ==
:
,;
- -60°С
15 35
2
1000
Граничная ча-
1.
'
i
i
1
стота коэффи-
i
циента переда-.
1
,·
'
дачи тока в схе-
i
1
мес ОЭ, МГд
. frp
3
10
250 r
Емкость ЭМИТ·
т~рно го перехо-
Сэ
115
0,5
1
да, пФ
:
1
!
1
!,
Емкость ко~- . f
1
лекторного ' пе• '
'
рехода, п- Ф
i
·. С"
60
10
1
!
Максимал ,ьно допустимые парамеrры. Гарантируются при 1темпер.а.т:ур~ кор •
п уса Т11=-60 ... + 1.00° С.
/кma,-
ПОСТl)Я~НЫЙ ток ,кол·
л~ктqрh, А 1.
,
3
/ Б max -'- постоянный ток базы,
А
'
,
•11
/к, и mн-И i,I П);Л!:iСНЫЙ ' ТОК КОЛ·
лектор;~ 1 l(t11::=;;20 мс, Q~
~100), А..
.
1,., •••
В
ИЭБ max + 1ОСТОЯННО~ l'!апряж~-
ние э~иifue•i,J -- база· :в •
'5
'
!
1
1:j:::.
и кэ max ...:_ rtох:iояснное i~ап' ряже
ние кол~1еюг\Jр ·~ .'Э:миттi!р, В:, •
КТ816А ! ,
•
•
•
,
•
25.
1КТ8!6Б,, ..·.
...,
45
1КТ8!6В . . ....
КТ8!6Г.....
UК ЭR max - постоя иное •напряже
шие коллектор ' -
.эмиттер
(Rв :а:;; 1000 , Ом), Bi'
fКТ8!6А ,
IКТ816Б
lКF816B
fKi816Г . . .
,
,
..
р\), 2:,)
.
.
.
кmax·-
постоянная рассеивае-
• ;мая
\м ощн'dсть коллектор·а;
•1·Вт!,•-•
•
!!!!
60
80
.40
'45
•60
100
25

т. m a x - температура
пер.ехода,
0
С,,,,,•.
,
.
:.150
Допустимая темп.ера.тура 0 1<р у-
••
жающей сред~✓, 0 С
.-60...+150
•
1 J Лри Т и= 25°С При повышении температуры корпуса более · 25° С · мо щ-
11ость уменьшается ,1инейно на 0,2 Вт/0 С
t) Р1< max -< 1 Вт без теплоотвода при Те =25° С, При темп е ра ту ре вы
ше 25° С Рк mахуменьшается юmейно 1н1 0,01 Вт/0 С •
lь,нА
~'
~
~"" ~ .....
5.!!.. .45 1
~-
• if~
1'
1'
-
~
-
'·-1· -~..I
lтiTi
,,
'
1,6
1,2
~
-
- •~40
" ---
~
--
..-
-
-
35
--
-
,30
--
J~?5
,,-
-1!!.. -
'
,
0,8
у
10
/
/
.•.
••1
r
1
Iь= ~нА_
;
1,-
1"1
р
1
i'" 0,1
1
l
1
/1;9
D
2.
4
6
hдэ1-
!
1•
г1-:~~~1~::Е:f:Еj~ВЗЭ~~~~~l=я··-,- -, т1'·,--~~
~
-•
i --:.
·... ...
, - --+---+-+-+,-,.1~!,
Икь::::? В L
70,-l----!-+-+++н-1+---+--""'+, ,....._+-t-t-t,--т, -t1 t-, ----тг1 1
БD J. -- -+-+
--+++-++++----1---t---t,.,,_r-...
:i-t-
1
t-, m1,,,---r -~
50 J. ---+ -+-J -++-ti+t+----1'-----t - - - -t - -t- -f"k"N._
J-
1
Н•,--r-~
1; о .f------t,---+--t----t---;--н-+·f----t---t----t--t--t--t·-r-:-:," "'!".- --
_
,--:-
. -- r----,
30 f-'------jf--,f---t-т,-j-j-н;--·-
\
1'\
ZD 1----+---+--+-+--Н+t+----t----t--т-t-TTt'rt-----i"· \M.:
·0,07
D,!
. a;z о,з
,1
о
10 20
50
:

11.1
1
1111 1 111 1i11 11 1 1111
1
1111r 1
20
21
22
КТ817А , КТ8!7Б , КТ817В, КТ8!7Г
Общие сведения . Кремниевые мезi1эпнта1<с11ально-планарные n -p -n-тpall•
зисторы предназна·1ены для прнмене ния в 1<лючевых и ли· нейных схемах · аппа•
ратур ы.
Корпус пластмассовый (рис. П 1.7 ! ) . Масса транзистора f!e б олее 0,7 r ,
Условия эксплуатаuии - в соответствии с табл . П2.2 .
Электриче_ские _ параметры. Классифи1<ационные параметры )
f-1аимеповаr-1 ие
Обратный т о1< колле1< -
тора, м1<А
при Тс=+150°С
-
Гр а· ннч1-1 ое напряже-
н ие (lи,:;;;GOO мкс,
Q~ {00). В;
КТ8!7А
КТ8!7Б
КТ817В
КТ8!7Г
Напряжение насыще-
ния
коллектор -
эмиттер, в
Напряже1-1ие н асыще 
ния база-эмиттер, В
Статический коэффи-
цfi ент передачи тока в
схеме с оэ
при Тс = 25°С
приTc= +l50°C
при Тс=-60° С
Граничн ,ая частота ко-
эффици ента передачи
токавсхеме С·ОЭ,
МГц ·
-
..
06озна-
чен ие
/КБО
Икэоrр
Икэ нас
h 21э
•
fгр
11 21э· Икэо г р·
Значения
Ре :жвмы измерения·
V
.,
.,
<(
о
о
,О
0:1
<(
<(
' :,:
"
:s:"'
Щ·
:;
"'
:;
"'.а
о
u.а
:;;
,: "'
,: о;
а)
:s:"" '
:i:
"""'
;:с
tЬ а)
2$
,.
:::Е~.
:::,
:::,
....
~
О,1 100 ИкБ=
Икэ шах
40 3000 Ик5=
Икэ шах
25
100
45
lOO
60•
lOO
80
100
О, 15 0,6
!ООО 100
/ / о.sз/ 1,5/
1
25 30
2
1000
25 45
2,
!ООО
•15 25
2
1000
3
!О
25()
::1
<-,
~
...:

Наименование
Емкость эмиттерного
перехода, пФ •
Емкость коллекторно
r.о перехода, пФ
Обозна-
qение
~;;;,,
Значения
1$
2
о:.
,;, :,:
§ u.,,
,::
~~
...
2~
::::,
Р,~жимы и:-шер еНИ\о1
1
.,;
,,:
1
,<,; '
=t
о:.
::;
::;
::;
<-.
:;;
(Т)
:,:
"'
j
::::,
..:
Максимально допустимые парамеч>ы, Гарантируются при Jемпературе кор•
. пуса
Т,.=-60 ... + 100° С.
/1}
.
.
к max - ПОСТОЯННЫ И ТОК КОЛ•
лектора , А
lв max - постоянный ток базы ,
.А.
.
.
.
.
.
/к, и max-, импульсный ток кол
лектора (tи~20 мкс, Q;;,,,
ь,;.100),А .. . .. . .
Uэв шах - постоянное напряже
ние эмиттер - база, В
-
Uкэо niaл -постоянное напряже-
ние коллектор
э м иттер
(1 6 =0),В,
3
6
5
КТ817А
КТ817Б
КТ817В •.
КТ817Г
25
45
,
60
80
UKЭR ma x -постоянное ;1апряже-
ние коллектор
э м иттер
(RБ ~!ООО Ом), В:
КТ817А
·ктs17Б . _.•
К Т817В ,
.
,
•
КТ817Г
•
,
40
45
,
60
100
· p:>max - постоянная
рассе11вае-
мая мошность ко:1леЕтора,
Вт:
прит,.~25°с. ......25
при То~25°С (без теп лоот -
вода) .....
тD шах - ТеМПература ' Пере ХОДа', .
0С
...
•,
.
.
...
150
Допустимая температура ок ру
жающей среды, 0, с . -
60... ,+, 150
t) При условии непревышения мощности (см. следующую сн о с ку) . .
2 > При повышении температуры корпуса при наличии теплоотвода или т ем•
пературы окружающей среды (без теплоотвода) выше 25° С мощнос-ть у~1ень•
шается в первом случае линейно на 0,2 Вт/~ G, а во втором - на 0,01 Вр/0 С.. •
/
J
/
/
.
,
/·
/
/
. 0,1
1
0,4- ,
0,6 0,8 Ии,В
Iк,А
2,0
1,6
1,2
0,4
-
,.
/1
1'
/
'г
.r
'r
,z
'
1
н
120.~
'·90
·
l
11
'
1'
•Б~.J
1
1
'
45'
30
,15
I6=5нА
.
'.
,.
.,.
:·и
•.
4
Б
8 _ик_э,В
44$

huз .,
100
.--
1U
И,0.1
U,8 0,4
•
U,6 D,Z
а;4 о
1,0
: U,9
U,8
0,7
0,6
0,5
U,li
0,3
a,z
а,1
-
-
.·!
..........
r--....
ИкБ=28
!'...
r....
. ...
r-..
'
~
\
о,1
нас, В
'11'1
~/.
Iк
[ТБ)нос у
f--- -= ,а
I&
~/
j
i.
...-
_
....
V
-
-
-
.;.....-.-
'
1
/
-
1
1
~
1
/ Uнэнас
..
1
1
'
1i
го
JO 10()
гоа
500 1000 I к, мд,
Ооласть аеэагiа ~:ных реж11наs
!
!
~1\
"
1
1
'
1
,
\.
'
'\
NT~17A--
1----1-- \
НТВI? б
•''
КТ81?В i
~
НТ~/1Г
1 111
zJ
i10

КТ8!8А, К.Т8I8Б, ктs113в, КТ818Г
Общие сведениц. • Кремниевые мезаэпитаксиально-планарньiе р-п--р-тран
эисторы предназначен·ы д.~я применения в I,лючевых и линейных схемах.
Корпус пластмассовый с гибкими выводами (рис. П.1.65, а):, масса не более
2,5 r; или метаJJJ~ический (рис. П 1.65, 6), масса не более 15 r.
'
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2 . 2.
Электричесние параметры. К,1ассиф1шационные параметры:
Наименоsавие
Обратный тоI< 1<оллектора, мА
при Tc=+I00°C .
h21э, Икэо rp·
Обозна-
чевие
Граничн9е напряжение транзистора
(1,., ~300 MJ{C, Q;;, 100), В:
Икэо rp ,
КТ818А
КТ8J8Б
КТ8I8В
КТ8I8Г '
i,·
Значения
'"
'"
'"
о
о
о
:,:
.,
~:Е;
.,.,,
о,,
S·@
,::
"'"
:s:
"'"'
:1 :1
1-
:1:1
-25
40
60
80
Режимы измерения
00
<(
<(
~-
:, .::
j
:::,
.....
401
40
0,1
0,1
О,1
о,1
Напряжение нас.ыщения коллектор-, 1 1 1 1 1 1
эмиттер, В
,.
Икэнас· •
2,0
5 о3,5
То же в другом р,ежиме
.
4",О
15
Н.аnряжение насыщен11я база-эмит-I
'Гер, В
ИБэ нас
·Статичес,ш.й · .,юэффициент передачи
h21э
'f{)Ka ·в схеме с ОЭ:
при Тс = -1-25°С
· KT8J8A, Kf.81.8B
15 20
5
5'
КТ8I8Б
20 20
5
5
IOS:j8Г
]2 20
5
5
при Те =+ 1'()0° С:
·KT8J8A, КТ8I8В
15 27
5
5
КТ.8I8\:>
20 27
5
5
"J<.Т818Г
12 27
5
5
при Тс =-40° С:,
Ю818А, КТ818В
]О
15
5
5
КТ818Б
15 .15
5
5
КТ818Г
715
5
5
'Граничная .~астота крэффициент,1⁄4 1
передачи то1,а . в схеме с ОЭ
при f=l МГц, МГц -
·
fгр
10,5
447

·,
. · Ма1<симально
до.пустимые параметры. Гарант-ируютсS\ при температуре кор•
пуса Тк=-40... +100° С.
·f"
fk) max - ПОСТОЯННЫЙ ТОК КQЛ•
лекто1>а, А:
в корпусе ТО-220
10
в корпусе КТ-25 .
15
/ в max - постоянный ток базы,
А
3
fК,иmax-
ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ•
лектора (tи~IO мс, Q;;;.,,
~100), А:
в корпусе ТО-220
15
IJ корпусе КТ-25
20
fв, 11 шах - импульсный ток базы,
А..
5
Иэ в max - постоянное на пряже•
ние эмиттер - база, В
.
·5
Икэо ni'ax - постоянное напр.яже-
ние коJiлектор
эмиттер
Uв =0), В:
КТ818А
25
КТ818Б
40
КТ818В
60
КТ8!8Г .
,
•
•
80
Икэ R max -,-,постоянное напряже-
ние колJ1ектор
эмиттер
(Rв~100О,м),В1
КТ818А
КТ818Б
КТ818В · ,
КТ818Г •
,
,
40
50
,
10
90
р2)
•
к max - постоянная мощность,
рассеиваемая
кол.пектором
(Ти~25° С), Вт!
в корпусе ТО-220 .
•
,
,
,
в корпусе КТ-25
То же без теплоотвода (Т с~
~25°С):
в корпусе ТО-220 ,
в корпусе КТ-25
60
100
1,5
2
Тn max - температура
перехода,
0С
.
..
.
125
Допустимая температура окру
жающей среды, 0 С .
-40...+100
1 > При условии непр.евышения мощности см. сл-едующую сноску,
2> При увеличении те·мпературы корпуса вьr ше 25° С мощность уменьшается
на 0,6 Вт/0 С для корпуса ТО-2·20 и на 1,0 Вт/0 С для корпуса ТО-25. При ис•
пользовании транзистора без теплоотвода и увеличении температуры окружа10-
щей среды вь1ше .25~ С. мощность умен ьщается на 0,015 Вт/0 С ДJifl корпуса ТО-220
и на 0,02 Вт/0 С для корпуса КТ- 25; •
J
; Iк,д
0,8
/
'в
D,6
J
Икэ=О - L.... /58-
"""'"""
6
о,ч
J
7:;1·:
·
',.
150
lt
D,Z
j1,
/'7
100
z
I5 =.50нА
;''
'/
а
а.в 1,Z
а
z
!;
6
8.ин~.в·
(4.3
•

hm
J -.l~
~
-
:_.~-
l~
!l· _·l
1· ,.
"-~
--
--,
•--
_,
-~
.
....
...! ··:..--
!(Т8!9Г
-; ~~
Qбщие сведения. Кр,емниi;н,1е мезаэ11ит'ак~и_а{!Ьн'О·Пе1_1!_н~Р.н$е I п---р-п -тран
ннстоμ,ы предназначены для применения в · 1<л!Очев1>1х . и ЛИ!j'еИНЫJ 1схемах, узлах ,
блоках аппаратуры , . .
,__
_
',.
-·
-
•
·•··
•·•
•·:-
Корпу:С гi,!lаетмассовый с ,_ rнбкими выво:Z1ам-и , (рис. Пl :65, а), масса'· не· более
2,5 r; · или металлостеклянный (рис. Пl.6.5, 6): масса не более 15 r.
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.
-
Э11ектрические параметры. Классифика11ионные параметры,
11 -: t;Э• Икэо vp·
Значения
~;
Jбозна-
,.
На-им~новяние
,i;
.,.
.,
.,
•о
,.
чение
'а,
.,
а ,:;_.
:s: .о
о
а,,;
"
,с,;
"'"'
~ - а::1{'3 '
:;~
~'2 :
i,,
Обратный ток- коллектора, мА
"
1 кво
\iJpи Тс =-40.. . +25~ С
·,
-1
..
.
.
·при То=+ 100° С
,.
10
.·-
ГраНИ!jНОе напря жен.ие транзисто-
'Икэо vp
ра (t.~зоо мкс, Q,~100), В,;
'
1
КТ8~9А
i
_
25__
Kt8i9Б :
.
.
·-
'.
40 ;,
'
.\.:
КТ819В
60
КТ819Г
80
Напряжение насыщени-я коллек-
тор - эмиттер, В
Икэ иае
0,5 2-,.
То же в другом реж·име
4,0
15 Зак, 503
Р"-'жи · ,ы HЗMl~[J;'I I И}J
cQ
-.:
-,:
.,:
--i у ;;\~
.
n
-
1
1
1
!
i
'
40:
i
1
1
.1
401
'
i
'
;1.
i;
•
,1
'
:
'
'
1
..
1_J_--
'
О,1
,.
'
'
,j
О,i
'
О,1
,).1
-
5 0,5
15' 3
..

Зваче11ия
Режим ~.в:\1ерРН ий
Наименование·
Напряжение
эм Iптер, В
насышения
',
Статический ко эффициент
чи тока в схеме с ОЭ:
111:).J<:да, :
КТ819А, КТ819В
КТ819Б
КТ819Г
при Те=+ 100° С:
KT8J9A ;s КТ819В
"
КТ819Б
J<Т819Г
при Тс =-40°С,
КТ819А, КТ819В
КТ819Б
КТ819Гi\ \;: i !
)
i11
-·
I
Граничная час111:i11а 1 коэффициента
передачи тока ,· JJ' сiеме .с ОЭ, МГц
t
,i~l
-
•,
.
j
!"f :--
i
1·
.!
,
• 'Обоз11а•
h21э !
'
i
1
i
\\
,.
'
-·
•i;:i!
Q)
!
_
.,
,о
cQ
о
:s:"'
<(
<(
<(
"'о
u.а
:;;
с
., с;
:;;
tD (Т)
"'
"'"'
:::>
.. ..
~ ':'i
-
,
-
1:5 30
5
5
20 30
5
5
1!2 30
5
5
.:,15 60:
5·,
5
20 60
5
5
12 60
5
5
10 25
5
5
15 25
5
5
725
9
5
1
1'
Maкoi~aJlb;J(I : допустимые парам~,т-ры. Гарантнруются при ,температуре оиру-
жающеii среды Т<i = -:--40 ...+100°С. :
•
/к max - постоя ·1-1ный
• то1,
кол·
лектоiJа, А· • - ,
в 1,оррусе ТО,220
в корпусе ·КТ-25 .
JБ тах +rюсt~i111ный · то.1< базы,
tlA
•
,
,
•:
,
'
/к, и max _;и м пу л ьс1;1;1й то1<
лектора, А
в корпусе ТО-220 .
в 1,орпусе КТ-25 .
/~) И 111 ах ~ импульсный TOI(
л':.:
.•,.,
.
КОЛ ·
Gазы,
!
И э Б п~ ах - п,остЬян11ое напряже-
10
15
.3
15
20
5
ние эмиттер ....., баз .а, 13 ,
..
.
5
Икэо 1110 ,
-
пос'тоянное напря,i<е
ние коJ1ле:<1ор - ~м и'гiер,
~:
КТ819А •
•
,,.
2.5
КТ819Б' ;,, .-
...
1•• t, 4С
------' ,
'
1
I<T819B . . -
.
·,.
КТ819Г
,
И !<.э R max - пос1·011~ное. 1_1апряже-
1'
н.ие . колJ1е1пор . • эмиттер
·(Rь :,;;;;100 01.:1), 13: ·
КТ819А '
КТ819Б
КТ819В
КТ819Г ...
р 2), '))
к тах - постоянная рассенвае-
мая мошность коллектора,
Вт• _·
:в корпусе ТО-220 . .;
.
.
.
в"корпусеКТ-25. ... . .
· т. щах - температур·а, перехода,
ос .......·,, ,
..
60
80
40
50
70
100
60
100
125
' Допустимая: те:-1пературат:.окру-
• • жаК?щеЦ среды, 0 С
-40.. ! + 100
1> !)ри·!h <)О мс, Q> JIOO,
2) При 1'кI3⁄4·+25° С)
,
ii
При п0вышении ,Т к от 25 до 100°,: С мощ.ньсть уменьшается ; линейно на
0,6 В!'/0Сдля ТО-220', и на 1,0 Вт/0Сдля КТ-25, •
з) Рк тах 6ез теплоотвода при Тс < 2. ' 5° С равна 1,5 Вт в корпусе ТО-220 и
2 Вт в 1,орпусе КТ-25. При Те > 25° С. мощность уменьшается линейно на .
0,015 Вт/0 С (ТО-220) и на 0,02 Вт/0 С (КТ-25),

U,8
0,6
0/1
O,Z
о
-с
1
,!к"А I 600
>
/
,
v-
8
l,,-
-
7
7
' -:U~ 3=0
)
j
758
/
V
-
6 ,,,;,; -
~-
l;'
:1,
:/
1/
~.
):
_/
.-
,
>
г
,.,
1
1/iL;,, -" "
i:,
0,4 0,8 1,Z 1,6 Z,O Uбэ,В
о
z
lruэ
,40
[....,, -'
-
·
... ,..
~ Uнs~ 5~
v
,/
,,
[7
"
!'-...
30
20
0,1
о,5 .
1,0
r--..
''
180,,, ,, ,1;
'
~чо' ' 1'"
100
1 '")>
1 \ ~:-~р!
"J,?; :•: ~ ~;. l\'r] ~; !.)-;
f;'
"""r-,..
!',,.~
~1'...
......
,,

!П820А, КТ820Б, КТ820В
'
.:-{i~•
;-;[~;J - :
.'
••
'
:f(
оqщ11е; сведения. Кремни,евые мезаэпиrа1<~иально-планарные p-ti-"-P--~ecкop•
пусны~·:'iранзисторы ' предназ1,1ачены д:Ля и~hо.~ьзования в ключевых и ')~иiiейных
нерем0~~rируемых r11_брид1щх •:схемах, '.~икро~ о~улях, узлах и блоках аn~_~ратуры
широ1<1ого (!рименения, имеющих rерм'еtичные корпуса или иную защиту · от· влаги
•и · с·ве fа:
...,,
•
•
ОформJiение бескорпусное (рис. Пl.72). Масса транзистора не более 0,02 ~
.Jбёз упаковки).
:
'•
:
,
,· ,,
.: :,·,.,,,;, ,.,.-
,·,,,, -~
' . - ·,, - 1У~ловия эксплуатации;-'- в ёсlотвеirст~ий· с табл•.Л2 .2 .,
,:, ,, ,f ,,.>:,•,1
,
'
~
,
• Электрические · параметры:- Rлассифи~ацi,0 1щь1е парамеtрьо
Икэ9 гр; h21 э• !квr• fгр•
,, ,•. , :;:·•:
fiа~мено1Э::~нне
Обр,1~: 11 ы.йдок коллек-
то~?• ~\А ' ...
",
,__
Гр а 1111ч11ое напряже-
ни<с : (/,п•=IЮО МКС;
Q~J00,}, В.
КТ820А
Ю820Б
KT82UB
Н а пряжение н ас ыще
ния с колjJектор --' - ·'
,
Обозна•
чение
:!.~.'~во 1
~':,:
:S:,o
х<;
х"'
~;
40
60
80
зн· ачения:
.,
.,
о
1',;, g
"'о
u.с
t:
-~
t:;
"'
iro «i
...
!~~
1
1
30
ЭМИТ;Т,ер, В
. Икэ·n·ас О, 18 0,2 0,5
, Напр~;к·е11и·е
насьiще'-
11ия база-эмиттер, в
0,9 0,9 1,,2 .
aJ
::;:
::,
1
40
В ход ное сопрот-ивле-
11ие 1:1,анзистора · в · ре- .
)1<11 ме r малщо сиги ала, .
Ом
400·1 , 800 -
,5,
Гр ани'чна·я' частота ко·~ "" • 1' ; ' -..
-~
,• •,''
эффиц)iента ·, передачи !: ;, .. , ; ,
••.
:•:
'
,1
~}~ 13 .J:1e,11,e. ,: С. ;: qqЭ ., . ';!! 'r ' ';, ;,,:г .•,.:,: ,,
Режимр1 измерения
'
<<'--,;;·
,.. ':::1;·
~со
:,:
-
~
:,:
:,:
!~~
!>; ·
Щ<.
..... . .
--
,,
1.·1 f~'[
',"
1; -:; ",·
500 50
:,,'·5 8,J0-4
'
1••

Значения
Режн.щs1 и.змерЕ:ния
-
-
. .,- ---
-- 1-- --
Наименован не
Статиqеский коэффи 
uиент передачи тока в
схеме ,с ОЭ:
·КТ820А
•KT82D6
КТ820В
'
1
).'
l'
Обозна
чение
40
.
40
30
60
60
60
2
2
_2
'.
'
i .50
150
!50, .
';:
,'.;,
Емкость коллекторно
го перехода, пФ
4550655
'"
.О,465
Емкость эмиттерного
перехода,' пФ
От11ошен_ие
"
~21Э max
11 _-
.
: 2!Э min
45
к,:1
50 _65
0,5
2
4
2
_
0,465
"
·'
·
1 .о.,. j
о
С'!
·;,
..
,)
м•аксимаJ1ьно допустимые параме·rры, Гаран.тиру'ются при температуре о"ру~
жающей среды Т• =-40... +85° С.
•
1)
/.К max
-
ПОСТОЯНJ:IЫЙ ТОК КОЛ•
пе1<тора, мА .
,
•
,
,
.
.
500
lв max ··-
постоянный ток базы,
мА,
.
.
.
•
.
.
• 300
/к,. mar...;. . импульсный ТОК КОЛ•
лектор11 (t .. ~ 10 мс, Q~
~ 100), А
.
.
•
.
,
1,5
Иэв max - постоянное _ напряже-
ние эмиттер - база, В
.
,
5
Ик.э R max - постоянное на пряже•_
нне коллектор
. с>миттер
(Rв~100Ом),В:
КТ820А,,•,,••,50.
КТ820Б,,,•,••,70
КТ820В,,•,•-,
•
, 100
Икэо ma x - постоянное · напряжс·
ние ко~лектор эмиттер ,' В,
'
•''•• .,,'
•
КТ820А
КТ820Б
КТ820В
•:-,-;·,-40
....
60
..·,
.
80
2)
•
Рк max - постоянная
рассеивае-
мая .• МОЩН<ЭСТЬ
·Вт.
коллеt(ТОра,
10
1 о ma:r - температура перехода
0С
.
,'
.
.
: 125
Rт, п-кР - тепловое сопротивле-
•
ние переход
кристалл,
0 С/Вт
.
•
,
,
.
.
.
10
Допустим а я тем пера тура окр у
жающей средь~, 0 С ... ,- 40... +85
11 допускается /к max = 1,0 А при условии непревышения мощности,
21 При Тк<:25°0. При Тк= 25,, .8 5°0 Ркmах [Вт]=(125-ТтепдJ/([О+
4 . Rт, кр-rепл!', где Rt, кр-rе_па тепловое сопротивление .кр-исrалд-теnло-
,-
отвод,

· 451
.,.
11
Uкз=О
'
'I
/
БОО
500
'100
'
-
-
":::::-
-
~ -1--
1---
.__
·,.
i·
1
'
·,
.,.
11
10 9,.
-
-
~
-
-в
i..-
-
7-.
i..-
.__
'
..
,~,_
-
i..-
Б-
-
-~~
/,_
-
~
i.- -
-
.
'.
'J
'ЗОО
4_-
~-
1
•.
г,
?00
'/-
J1 =ЗМА
11"
7
',1
100 '
~
vv
1
О,Z• D;'t 0,6 0,8 U03,8
,о
hi1-э
_
, 1~~
·,100
l..,,' ...
90
V
ва
•
10v
БО
50 1----+---+---I--I-.J -l. -l-++--. J.- -' --l ---1- -l-4~.J ..\ --~ -+-+ -1-
40 1----t--+--+-+-+-++++-~-+-1- -11-++++++--l-- -ci""~l -
зa 1----1----1--1-1--1-1-1+1----4-+--I-I--I-I--Ц+..-.;..J---4-+-1-
101
"lfьэнас , В Икзнас, 8
.1,
___
.J.--__J--1---1---1--+--l--++---+---'--~+-+-+J.,
-J.r:l't --
!.!i =IO
.!5
.
. ·,,
._____
0,9 0,3
Jr.
' . ,-.+,Ц....._.....
'-'6-Эна·с у
1,
,
I/"
о_ ;7 U,1 · ---=~::;;__js==l=la...\-Ж~~-
__,,+--t--:c-++t+Ж
,-
, __,,,,,.1,;""
~
D.Б а i:::._, ,,, ,,, ,,. ,,
__
.J___J___J___J_..LJ....Ll...;___
_J __ . , L__L _L-L ..J ...!..J .J
ю'

l(Т821А;1, 1(Т82~Б~ 1, КТ82IВ-1
, Общие сnеде11ия. Кре~Р11ев61е
мезаэпитаксиальио-планарные бескорпусные
п,р-п-транзисторы ; п·редназначены для использования в ·ключевых и л11нейны t
нерещ>Нтируемых rибридных , сх~м,ах, микромодулях, узлах · и _блоках аппаратур•,~
широкого- пр1:1м~нения; · имею111их герметичные корпуса_ или иную зашиту от де:!~
стция ' влаги _ и света: ~
• ·.,f
:,
.
.
_
i Q.формление бескорпуt:н_ое 1P!f,C, Пl.72). Масса :трайзilстора ; н~ б9.il~e 0,02 ,,
1 УслQвия эксплуатации - :В !;:рответствии ~- табл: П2 , 2 ,
,
' Э~е~трические параметры. Классификационные, парамет-рыi
i:i
;
;
):
'
1
:
1- -:
•••
:•;~,-,..
-+
•• --~
[·
·-
•
-: h21э• Икэоrр• '
•,_
Нанменовnннз
,:
'
ii'
Гранично~ : ! [ н'аnря>l{е-
ние транз:и~ора · • •
(t.~зоо i мкс, '
Q~I0O),iB1i : '
КТ821~~~ : .
-·
. .,_
ктв2ш,( :
ктв21в:1 1
Напряжение насыще-
пня коллектор-
~
--
эмиттер, в
:
,.
Обозна•
qение
.,
Ик~о rp
·'
i'
i::
Икэ Rao
-.
i
'
,.
,~
i
'
•'
1
.
-
_
,.
40,
:
_
,
'
'
:
60,
'
'
i
;):'
:
\:
80 .,
'
О, 18
0,5
500 50
50
50
50
Наnряженне- насыще- 1 1 ,,
11•11
,-
11
ния база...:.эмиттер, В Иэв наn 0,8
:1,2
•
500 50
'
1
Входное _соnротивле-
_
ние транзистора в ре-
1
жиме малого сиrнала,
160
800
0111
ftн11
5
5
!
1
Статический коэффи-
'
uиент передачи тока в -
схеме с ОЭ1
1!2 \Э
КТ821А-1
35 45
2
500
КТ82\Б-1
25 45
2
,-
500
КТ821В-1
2С 4i;
2
500
О,З
..

.,
Значения
-
Режиr:ы изм~рения
Наим~нов ание
...1•
Ем1<о<;ть , эм: итrерноrо
перехода ; rгф
-·,
.
:
i
Емкость ,кал:л~1.<_торно-
rо , перехода, пФ •
.J.,
'
'
·ё
Отношенkе
,!12\Э ттjах .i .
. ' h21'э miп ·;,.
Граничная частота 1<0-
эффиuиента передачи
тока, МГп
Обозна-
QJ
о
qение
':,:
~~,:,: "'
:,;:,;
45
Сп
45
··,
··\
К1
1
fгр
3
. !iIlil:L
~.;
м;~~~и;м~J\ьно Д()пусiимые параметры.
жающеи 1 среды Те ==-40... +85° С .
.;;ti:;.,~
•
1) ::r11!,... ;
..
lк m!з!ii. :-- h прстоянныи ток кол-
лекtгрР,а ; ~1А . :
.
500
:_;_rii;! •
/ Б max , t --т постоянный ТО!(: базы,
мА......
300
/к, и m.x -импульсный TOI{ КОЛ·
лектора (tи~IОмс, Q-;;;з.
~1,00), А
1,5 ·
И эв m;x' -посто51нное напряже-
ни,е\ эмиттер - баз-а, В
.
.
5
1):._!
'
Икэ п1:i »- i -:" посто51нное напр51же
вkе колJJеl(То р - эмиттер, В
-
•
'
•
ri°pJ1 R в ~О':,_
\
,_
-·
-
КТ821А-1
'
'
i:i
R,182.16 -1
КТ82J~-1 ,
.
40
.
60
•
80
QJ
QJ
<
<
<
о
о '.Щ
;-
.,
о:
щ
:,;
:,;
'
:,;
о
-"
..~ -
(Т)
"
t;
~.§~
=
"'
...
":::,'
:::,
~
..:
50 65
0,5
465
50655
465
2
4
2 \;.. 200
5
30 1000
i
Гарsнтируютс51 при· темп ~ратуре акру•
!•
, .КТ821А-1
' kТ821Б-1
КТ821В-1
..
р2)
К max -- ПОСТОЯJJНа_ Я·
мая мощность
Вт
r D Ша Х - ТеМПература
ос
Rт, п-мр - тепловое
ние переход
0 С/Вт
•
•
,
50
,
70
100
рассеивае-
коллектора,
10
перехода,
125
сопротивле-
кристалл,
10
Допустимая температура окру-
жающей среды, 0 С
- 40.. ,+85
1 J· допускается / к max = . 1 ,А при условии непревышения мощности,
2 ' ' Пр.и Тир дЬi +25° С, Лри Тир '~ 25\, .85° С и -~аличии теплоотвода
Рк max fВт] = (125 - Ттепл)/(10+ Тнр-тепп.) или Рк max (Вт]= (125---Тнр)/10
без тепло01 вода,
456

lь,мН А
1С1·3
'5
5
,01
,
• •1·1.
I
I
/
./
.
,
/
/
i/
/
o,z 0,4 U,6 Иьэ,В
0,8
•..·••
·,
1,•:11.j
LI:
''
.'i
40 ~-+--+---1--+-+-+-++1---т-1-~· 1 · :--т-1++++++-~
1------+ , ---+ -J ---+ --+ 'NJ
• ,·\
нас·,в
Икэнас , ~
-
1,0 0,Z0
0,9 0 ,15
..
,,
Iк
'
-=10
.J6
'
~I
!'
.
.,,~
0,8 0,10
,;' -'?
7 ИБЗ' нас
/ 1/"
0,7 0.05
i
...... ~
1
.,..::::_
1•
i
0,6
~-т 1
1
1
1
о
1[]
.,ZO.,
д; i;D 50 60 ,100
2:аа _зоо
.
457

КТ822А - 1, КТ822Б-1,. КТ822В-1
Общие сведения. Кр.емнневые мезаэпитаксиально-планарньiе р-п -р-тран
зистор ы предназначены для использования в · ключевых : и линейных неремонти
rуемых г11бридпых схемах.
?,ФормJ1ениебескорпусное (рис. П!.73). Масса транзистqра .\!:~, б9_ле, е" o;ql :г:
. , словин э1<сплуатации.:.... в соответстiJ,нi с т абл, [[2.2. •
•,,
_
.,
.. , "~д,е,1< 7р_11<1ес1(ие 11~р-аметры . .Классификационные параметры,
•
•
••
•
•
•
• Икэо гр . /z;,э. :,
1'
Нанм<'воn;1f.11fе
' 6бо~l,ч111·1
чен~'~ .
,
~~~·1
ОбратнЬii"1 TQI( коллеi(i'О' • • •
ра, мкА .
·•
·.: /КБО'
при Те=+85°С
Граничлое • напряжени-е
транзистора ·
, (/и,,;;
.1,
о
':с
:,: .а
:с"
:,: "'
:,"
~ 30 0 мкс, . Q>100), В: И: r(ЭЬrр
I0822AI
.45
КТ822Б-1
60
КТ822В - !
80
Напряжение насыщения'
KOJIJlCKTOP ~ эм~ттер, в
Напряжение насы_шенияl
база - эмиттер, В
.
Входное сопротивление
транзистора в режиме
м~лого сигнала, кОr.1
Статический коэффиuи -
е1п передачи - тока в схе ·
мес ОЭ
-
при Те=+85°С
при Тс= -40° С:
Емкость эмиттерного!
перехода, пФ
Емкость коллекторного!
перехода. пФ
453
.h;1э О,15
h21э 25
25
15
(-н
Рrжнмы нзме rн•ния
"
о
"о
В·i-.:. '1~-,J, ~
--
•1:.~
-
-
,~ ,1
~
11
,_
~~~
~·"
:::,
0,02 • 50
1,0 !00
,i
i
О,Зu1,О: ;
.,
40
2
41
2
35
2
О,1
•. .: •.~;. i
О,1
О,1
"'
1
s
;
,,;
1
1
1
0,8
lюоо
11000

Значения
Режимы измерения
Обозна-
"
,.
Наш. еновянис
2
;
о
""
""
«:
,=f
цение
,:
"
-0:
_
«:
i:..
"
о
.о
~
,:
"
"'
(Т)~iЬ(Т)
"
"'
"'
"'
...
"'
:::>
:::>
-
-
..:
-
h"
1
Отношение
2·1Э max
К;
1,5 2,75 4,0
о
11 21э, ,;пiп
о_
о
'
.
Гра1:1ичная частота · КО·
эффициента ш'!редачи то-
fгр
ка, МГu
3
10
0,25
· Максимально - доnуст-имые параметры. Гарант~руются Цl)Н темпер а т'уре окру•
)Иаюшей среды т. =-40... +85° С. ·
!// max -- nостоя1iный то1< кол·
лектора , А .
/~ тах
,-
постоянныi1 то1< .базы.;
мА
/к, и'mах._
импульс ный
лектqра .( .t. ., ,;;; 1О
;;,: t00) , А
ТОК 1(0Л·
111с, Q;,e:
: И эв max - постоянное напрях<е•
ние эмиттер - база , В
.
Икэ rпах - постоянное 11апряже-
ние коллеитор
эмиттер, В:
КТ822А -1
КТ822Б -1
КТ822В -1
2
500
,4
5
45
60
80
ИкэR max - постоянное н.апряже-
ние , коллектор
(R1> ,;;;1кОм), В:.
КТ822А-1
КТ822Б - 1
•КТ822В- 1
...
эмиттер
45
60
100
p'l)
К 111ах - ПО◊ТQ!IВН~Я
• • ма,я . , МОЩНОСТЬ
B·r
-
.
.
.
Р,ассеивае: , .
к-оллект-о.ра"
20
Т" ma-1 - температура пер ех 9да, _
0С
.
.
.
125
Rт. , п-нр - т_еплоное· ·сопрол1вле- ,
ние переход
к риста л.ц ,
_
0 С/Вт
:_·. .
•..
.
..
5,0
' допустимая те~шература .: окр-у-
,
•
жаюшей среды, 0 С
- 40:.. +85
·"
1' допуска ·ется ' /кmах = 3 А при ус-лов1н1 · - непревыше11ия мощности. ·
9 При Тнр = 25° С. При Тир= 25 ... +s5° С и нали9ии rеплоот-вода
Ркmах• [Вт] = (125 - Ттепл)/(5 + 'Rт. ~р-те□л) или Рк max [ Вт]~ (125 ,-
- Тнр)/Rт. п-нр - без теh лоо-1вола.
f !•i
11
16,нА
10
0,1
/
,
,
/
/
-,
/
D,4 D,q 0,8 Ut~, ~
Iк,А
z,o
1,6
1,Z
а,в
0,4
1
~90
,,..,..
,--
;
-
,....-
.,,.~
,,,.
z
1
1
1
+и
80 70--60
,..,..
~
--
~
-
-
-
-
-:%
-
-
--
-
--
за
-
i.. -~
---
'
-
4,_0 Z5нА
45:J
;,!..

liuэ .
1U(J.
ва
1а
60
:ю
40
30
lO
7
а.а1
·f
-
...
.
..
а,1
~
1
......
1'-- ..
ИкБ-=-ZB
'
"
'•
~
"
\
КТ82ЗА - 1, КТ823Б - 1, КТ823В-I
.
Общие сведения. Кремниевые мезаэпитаксиально-планарные п-р-п-тран-
зисторь~ предназначены для использования в · ключевых и ,линейных неремонти
руемых гибридных схемах, микромодулях, ' узлах и блоках аппаратуры широкого
применения, имеющих герметичные корпуса или иную з·ашиту от вла.rи и света.
. 460
ОформJ1ен11е ' беёl(орпусliое (рис. ПJ.7З), Масса транзистора не более 0,03 r.
Услnnии эl(сплуатаu.ии - в соответствии с табл . П2.2.
Электрнчес1ше параметры. Классификационные параметры;
Икэu vp; 11 21 э·•

Обоэн,а·
ч~нце
1-
Обратн'ый TQ I< коллек- .
тора, ~1 кА
при Т,, =:= 8р0 С
Гра н ичрое , п;~пряже·•
ние .Jр.ан:шстора. ....
(1. ~JO . мкс, Q;з,
;з.100),В
KT823A- l
IП823Б - l
КТ823В - 1
Напрю\\ение на-сыщеа , , , ,
ния ~t6фл~ктор -
••
:
эмиттеР.}}3 :
:,_, ! :Икэ на. с
'
'·
! !~,
:~
•:
:
Напря>~ е ~i1~ •• насыше~- •:
l1
·,
•
ния база:-э: м fIТtep, В '
"''' ·,i Пвэ нас
Вход н о~ ; ,сопротивле-,
ние транзистора в ре-(', ,
жиме м,алого сигнала, ' :
Ом
.
'
,
•..
.
-
1,
Статический коэффи•
uнент передачи тока в
схеме с ОЭ
при Тс = +85°С
при Т с =-40°С
F.мкость эмиттерного
перехода, пФ
·-
-,.;.-_
Ем1<ость ко,ллекторно• 1· ; ..
ro перехода, пФ
С,. -
lz "•,.'•
,
.
QJЭ-rnax
' О,тно,ше1iие lz ' -
'-
. , 2/Э·11!!П
Г раничная частота ко
эффициента передачи .- .
тока, МГц
Знач е ния
0,004
3 ,.5
45
60
80
О)
,,,. .. о
"'о
~
·
-.
""•·•· ·
-•~5 0 :sao
•. ·-1\
25
25
15
80
30
35
25
115
50
'' 100
0,7
1,3
1500
13,0
45
40
2
2
2
Режимы измерения
0,5
1000
1000
1000
'!~;,, ~
;(i;J'· ·
(Т)
:~ ~.;
-. ..
\'
1'
l
100
100
100
30
,?,) i',
·.•
::1
~
"'
0,8
1000

.,
..
Максимально допустимые параметры, Гарант~руются при температуре кор·
пуса т к= - ·!'1о.;,+ 85° с.
:•
/!)
i
•
к ma,;
-
;постоянны и ток кол•
лектора~ . А ·. .
,
.
,.,
.
,
f Б max - ~OCTOЯIIIIЫЙ ТО.К базы,
А
1'
• 1··
••• ,/
••
/
1
-·
•
к, е mаr .- ; ПN!Пульсныи ток кол·
лектор~ : (1и ,.:;;; 10 мс, Q;з,,
~100~)'· А .· .
-
.
,,
,• ..,
Иэs max п:бстоянное напрiже•
ние эм ттер - база, В
.
,
'
Икэ max ~Jiостоян,ное напряже•
ние колле((ТОР
(/r,= 0), В:
эмиттер
2
0,5
4
5
КТ8~3-~ .'}. - 1
,
,
,,,
! :".;
КТ823: Б:_1 , , ,
•
,
,
,
45
,
i,60
ктвфi·в.-1 .•• ~-
11:
i
ИкэRmах - ·постоянное напряже•
иве коллектор-эм1птер (Rв <
~ 100 Ом), В:
•. КТ823 А-1
,
,
,
.,
,
,
,
45
.
1КТ823 Б-1 • ,
,
,
,
60
·.:КТ823 В-1 .. ,·..,,
. 100
1:!
2)'
'
-
Rк1max -.. п·остоянная
рассепвае-
! 1 ' мая мощность ~оллектора,
· 1j;Вт~ .,
,
.
,
•
1.•
.
,
,
20
\,Т D m 8f - ТеМПераТу!)Э\ ;< ПереХОД8,
0С
.
,
,
.
,
,
.
.
, 125
:Rт, u-'-"кii- ТЕ:П{lОВое со~рртицле
,
, нне
переход ,. .L
.
кристаJ1л,
•
1
:оС/Вт
.
•.
•
~.•
•
•
.
5
Допустимая темnера11ура окру•
жающей среды, 0 С ··
-40... +85
1 ' до/~У~К;~тся 'кmах = 3 А при условии
следующуiо . сноску. ·. ,
.
.
'
непревышения мощности -см,
2)Пр(1Ткр-= 25°G,ПриТи
25,...
Рк max (Вт] = · (125.
-
Ттепл)/(5,8-- + Rт
(125 +-!Ткр)/5,0 .:,_ без , теплоотвода,
--
'
--·
~
.
-
l
/
1,6
11
/
1,Z
~
V
,,..
1
0,8
.
,
/
/
0,4
,
1,7
0,4 0,6
о
462
'
85° С при наличии . теплоотвода
кр-теnлJ или Рк max (Вт). =
IUV
эа 80
70
60
зО
40
Зз
за
25-
I 6 =ZOt-tA
fi

l
•1,.
h213
100
10
и•'в
· НЭНQС, ,
1;0
:_,
,.
D,B •
' '--"
V
·>
O,Ol
Иьэ~nс ,в ·
1,4
0,4
.· ,D;B
D.Z
D D,4
7D .l.D
'.
..
1
-
11
1
i.........
Uн i;= ZB ...:_
"" 1'..
r"\
~~
~
Г\,';
~..
o,i
1;0 • .Тэ,д
1,
-5D
_
70D 70D
500 : 1000 2000 :fк ,11А '
Диапазон высоних частот
1i 1_1111111 f 1111 JI 11111111 1 111 11
20
21
22
,
23
КТ626А, .КТоJб_Б, .. К[626В ~ • КТ626Г,
КТ626д
Общие сведения. Кремниевые эшпаксиалыю-nланарные р-п-'р-транзисто
ры предназначены для использования в усилителях мощности, в ключевых и ли-
11еi1 ных стабилизаторах напряжения, в ·схемах уоравлевиа :э:11ектрическим приво-
дом II других схемах,
,.
•
• 463

,- ~орпус шшст~1ас(о·вьiй С' жесткими выводами {р!!С. П1.74). ,Масса транзи•
стара 'не более 1·,о · г. - •
-•-
Условия, -эксплуата,ции - в соответствии с табл. П2.2;
.
•
-,.
Эле.к.трические парам1:трь1: Классификационные параметры~
' h21э• I кво, frp• -
'
--
Наименование
1'
ОбраТf!ЫЙ ток колле(,tора, -мкА~ : _ ·"
КТ626А
i
'
КТ6~6Б 1 :
I{t626B-
К.Т626Г, КТ626Д
'ttp~i" tri :i= +'85° 'С ,,
КТ626А
КТ626Б, КТ626В
КТ626Г, КТ626Д
;:,t:rpи rс= -40° с
,КТ626А ,,-
1IП6;!6Б, КТ626В :
КТ629Г., КТ626Д , _
'
',
Обратный тоk эмитi•ера,' мкА,
КТ62бА,·, -
,
,,
,.:
КF626Б, КТ626В, -
КТ62-6Г, К.Т626Д
Н~прнж~ние r1ас~1,щениа
эмиттер, ' !3':
,
КТ626А:,- КТ626Б • ' '- ·,
КТ626В, КТ626Г,
~Т\i2,6д
,
-
.,
Статиче<:кий коэфф·и-;иент
кавсхемесОЭ;
передачи то-
КТ626А
КТ626Б
КТ626В
КТ626Г
КТ626Д
,
!IQ_И Тi:, = +85° 'С: :
, Обозна• _
чение
1 эво
Ик,э нас
'
h21э
0''1- ,.30
1:s 30
, 2,0
.20
,.0,01,30,,
О,15 30
О,'15 . ~Q
0,01
0,3
·'
_._ ,
'
О, 15
0,1-5
15 250 2,
30 10012,
15
45 2,
15
60 2>
402502
-
'
~:'
15,. -500• -2:
КТ626А • -
КТ6.2.6Б . .. ~
1
1
KI626B - ,.
~:
.. i·
-•·зо,200·:2
·- r5
90:2
КТ626Г:
КТ626Д
прц·т~ .,,; -,-40" с
КТ626А
,
КТ626Б
КТ626В
1'
151202
4050~'
2
...
,1
202502
151002
8452
'l"
4
•4
с-:
0;5 0,5
0,5 О,1
9:,15i
q, 15
i_i/
Q, 15
О, 15
·"
q, 15
i
d11ь-
q, 15
Q, 15
',-
до, 15
,15
1, ii
0.15
о, 15
,0,15

,i1.1,·
Наименован нс
, ·, , :Обоз,!:~• , ,
ченне
jl! 1
Граничн-ая · частот.а -· коэффициента пере-
дач·1i'тЬка ·в ' схеме с ОЭ'; МГu:: •
КТ626Б .
••
.
.
КТ626В, , КТ626Г, КТ626д. KT6i6A
'
•
•
't
•
•
1с,
Выходная ·емкость (/ = 5 ~Гu); пФ-
1;[
.
\11 i
Постоянна~ времеiщ 11:'епи,: обраtной СВЯ·
зи на высокой чаtтоте' (!=4,5 Мф), нс
,
:;.•
.
.
:l
.
.
\
fгр .
f::
75
l,
45
10
·;•1,: 1" 1;•,1'1';:
),03
0,03
1_[О 1.... 1
--1
-·-
..., -
.•
,1(
.i
C- ;;~,, ;il_\ .'.
'.г,;.1 · 0•1, ~н -1
;:\~;~;-~(;~,. ·\. '.-
500 Н)
•
•
:
(.·_
;,: 1>1 !
1
Макси~ально . до'пустимь1е парамеrры. : Гарантируются
жающей среды Т6 о=\...-А@ .. ;+85° С.
J·"j(•
.
' !.f1\-'( .-- ',i.
при те:м:q~р~'i-уре-, ~1sp/-
..,
1.; ;
'
i!
_;
/к max. -
пhстоян\сJ'ый ' • тоrс
r(оh
лектор~.А,•. . ,. 1
•!.
0,5
/к, и max _J импу~ьсrщй r ток ко:iJ -
леиора, А .. _
:. ,_
1·:
•
1. 1,5
Икв тах ~ постоянное r~апряже•
ние -коллектор · - · база, В,; , :
I(T626A , ,
.:
.
,!,
45. ·
КТ626Б ,·•
,.,
_
,
,
•
60
КТ626В
.
•,;,
,
•
80
КТ626Г, КТ626Д . , .
20
ИкэR ·тах - постоянное напряже- • •
ние коллектор - эмиттер
(Rв _
,;;;;;'100 Ом), :В'
И~э~ас,8
~о
1
1-- ...: ..μ1 - -1-+ -+-,-+ -,-t-:-:- -+ - -t- (
~в
l
О;Б
0,4
а
0,1
o,z
i
: 1.,
~;,-ая •-- мощность коллектора ··
(Тн=+40...+60°Сk Вт· : ,. . . б.,5 -:
Т п ma х - температура перехода., ,_ : :
0С
. '.;·: ,,•'. ., ,:..•J-25
Rт. п-к - тепловое
_: оопротивл:е·- ,
•
·ние перехо д_:.корпус·. 0 С/Вт . 10
Допус;Jr,,t'~й те'.lперiiтура -61~р/ ' ' ·.'
жаюшей среды, : ~, ,. -,
~4,0;'-.
-f8~-
t) При Тк>60 "G fк.max jв'т]_~__
~ (l25~T~)IR~, п.:._н:
•!1-·j;'· ' ,, :_
'·
11.·:- ,
:!,\ .•
!('-•
1
!·, ,
',:
·ИБэнас,_В.--+--1--+_,.-1--.J_
·~· -. :i, -, Iн .=О,5А '".:.,·
1,0
[___ 1.--'--- ·- -
~ ,..,-::
• 0,8
,,, •
---
'"""",+i;. .
~6 ~-~::::"-f---
·~--+--i-+--+--+--1--+U:;.J
·~
-•..,4
0,4 '--- '--'---'---' ---1-I--.J -, ,. l-:.J. .--" -
·
_
1 ·r_.
,.
_,..,·
,
_, о za БQ -HJO · -~4iт •1~.~~~i ::

КТ902А
Обi11ие • с11еде11ия. Крем-ниевые диффузионные п-р-п-транзисторы предназ
начены для использования в схемах переключения, в . усилителях мощности КВ
диапазо11а и -других схемах.
,
•
Корпус металлический;·- С жесткими выводами . (рис. .Пl."68}, Масса траизис•
тора не более 25 r. Масса накидного фланuа не более 10 r.
•
ЬТ.словия 9ксплуатаuии - в соответствии с табл. П2.4.
•· ;Э,11~~tри~еские парli'метрi.,. Кл~с~ификационные •параметры~
I
\
'·
'
·(
,,
'·,
•
; ,,,,'
.·
•
.
•
•·
•·
•
•
•11 21э, · икэ нri~;
••
••
i.
Обоз11а~
Наименование
чен иt~
Обратный то.к коллектора, мА 1 '.кво .
при rа.;,+125°с·
.
•
при rс~-f60°~
•
Обратный ~6~ эм;птера, мА
-
·, j.
.,
,-
Обратный импульсный
леIпор
эмиттер
,; ;:;;50 Ом), мА
ток : кол- .,
- (R5,;;;;
Напряжешiе , нас.ыщения
лектор - • э~I:11:тер, В :_
1 кэп. и.
Прямое наnряжен11~ ~jе:.жду ба ~ ·r , ' исэ._о _
эой и эмиттером, В
"
Модуль коэффи_· uи~нта_ ~eJ)e4a• . I.
ЧИ тока Н~ В:Ы~ОКОИ частоте . . 1 hна \~
Статичес1<JЙ_ : коэф-фициент • пе- ,
редачи TOI<a В схеме С -03 ·-
•••
~,> "
;· •:
Выходная мощность (для 90% 1
приборов), Вт
•
Коэффиuиент усиления
по
мощности (Рвых~20 Вт, ДJ!Я
90.0/0 приборов), дБ
41>6
к,. р
Значения
7
'· d)''
.
о
., .,
uJI
:.:о:
"'"'
"',,
10
'20
20
60
70
70
70,
110
(имn)
Ек,=
=28 В
10
10
10

Максимально допустимые параметры, Гарантируются при _ т_~Ml!_:.P,Jt,:i;yge кор.
nyca Тк=-60 ... + 125° С.
'\.
/к шах - постоянный ток кол•
лектора, А
5
lв max - постоянный то11 базы,
А.•,,
.
,
,
.
t
•
2
и!), 2)
ЭВ max - постоsшное напряже-
ние эмиттер - база, В
.
.•-5·
и\)
кв max - постоянное напряже-
ние •КОJ1лектор .. +,. баз-а,
В·65,
И~э/ и ;,,ах •:.... и'мn1iльсн'ое • на·i!'ря-'
р~) n,ax -- постоянная рассеи.оае-
мая мощность ••• KOЛJJ~i.,~opa,
Вт.
•
.
.
.
•
t ~,.,
-,
,.
30
•
''
тn шах - темпер&тура • п~рехбда , ;
0С
,
,
,
,
•,
,
,
.
.
150
Rт, п-н - тепловое сопротивле-
.нйе · переход-корпус, 0 С/Вт .-
3,3
же11ие . коллекто,р 1~ ~мр;rтер , .
,,.,
Допустим а.я , ·тем nepa:r.ypa • .
окру,,, .,, "
(R0~50Ом;·tи~15·мкс), В.·по •• ' ·
,· жающей среД'ш; ~о ·, --"'60 .-.- .+125
_ ,-:
·.,
--~-~--•·'~1,'
-';::: ·-(:1-.·
.
,, ._
~-~·:У\:·,"),;.!:;. , i 0fi .
l~ В интерпаJlе ·T~ ~n ,epa;ryp ,;-,6Q, , •+J 2.5~ о, , Ори т~~П~РJIТУР,~ . .пем~Qд~ , выше
+125 G предельно допустимое напряжение уменьшается · линейно · дd ' 0,5 от
Иmах при температуре перехода 1,25 . ·,О,
.
:·:··
•1 . При сииусоидалъной. форме имn.уJ1ъса.. дли.тел.ьно.стью. .до . .40 . Мiса допу
скается ' U.dt: ,;" max·b 8~
31 В интервале • гем11ератур • корпуса ,_ qт , 50° С до 125" О Ркmаю [Brl =
= (:l 50- -,., T11)/Rт, ·п-к- -' ·
,.. ,.. ,·, " "·'''-J1
где Rт, п·-к = 3,3" 9вr,
15,мА
.,•
..
'
'•
1
·,~~:;
-
,:
•..сrкз~ о .'
ков
r---
□
1;
~; r сН ~·+;·,:.t ) J,
,.
'
[' ._
,
-·
.
200
I
\
'
;·
.•. /
.·•
\
\
1
\
,
·-t 1
j;
.,
..
160
'i r,
'•
/i
\
,/
1
\
1\
11·
,.
120
;
.,ll'
J.;
1,,
/
,1
80
J
1"
Лi
1.,•
J,,
[/
40
lf.4 iJV
,,,
J'Grl
,"'
~~~ i,, ·
о
0,J
·. 0,7
0,9
1.1
1,3
467

I~, А
36
hz1.э
1
з,о. I
• _z_) J.
,'
.i,40
1-, #-+ --
. ,l-
v,-,A-~- +--+- -+ --+--+- -1
_
·Z,U V'
~" З2
.111-./-..1
_~v --- --J .~ -- '--- --l-' -_L_-+-c-- --+ ---- --,
,1,5 ~.,,
-+,...,,,,.'F-+-, _,
-
1---"'
t-::Ja_....,f--- .-- - + - -t-- - -i
••.i,и1,";,.
:."'it-c:: ._ +
.....
-l - -+:=i-o""'f'-' -' -+ -+ - -'- -j
-~-
760
1/'
140
/
IZO /
1
1D0
24
80
161---1--- .
'
ЕО
~
1:.,...
i,, -
16=8нА
40
1/
20 -~
р-
-
l--+--f--?'f=et--d--+-111'нэ= 68
'"- -
.·о .
1U ,zo JO
Икэ,В
о
1,
,
i..::
К.Т90ЗА, Ю90ЗБ
,,,
Общие сведения. , Кремниевые ме,запланар·ные • п-р-п -тр анзисторы nредн~,·
науещ,1 для . примене.ния . в ..схемах · высокочастотных. :енераторов и- усилителе11,
а также в других устройствах.
.
Кqрпус металлически'й, герметичный,_ с - жесткими выводами (рис. · Пl:б~).
Масса транзистора не боме 21 г.
•
'
•
1Условия эксплуатаuии - в соответствии с табл, П2.4.
ЭJ1ектр11ческие парам~тры. К.лассифш,ацион11ые : параметры , ..
ii2·1;- ,, U ~Б max·
~Jан ,,, енование .
Обратный ток коллектор
Обозна';
. qeHtJf.,-. .
эмиттер (R- ~ .= ;1 00 О,м), мl\ ,, JкэR
•
при rкi=;,+·85° с:;едiв ~о- ,·,:
ПJJИ 1• ,Т.., =,-40~ .С; ;_'. Rt·=
;,f
.-,,,
1:
:~' 10.0 о~,. ,: ~(( ....~. ..;,-. ··;;",Jii};~ : }11~
0,002
0.003
0,002
мак:си•
со
~ мальн·ое ,. ~
::,
..-Ш
..,,70
?О 60
нio;- ir(•--

..
На 11_,1енов~11 ие
Обозна-
чени~
'
-
Обратный ! ток эмиттера, мА
Напря!кение · • •
насыщения -1
коллектор_ - эмиттер, В
Ик.э нас
;
;
.
.
' ...
-··•
.
.
ПрJмо~ Н,!пряiкенйе р;з<1~ • 1
эми~гтер, 1;З ·
.•
Модул~... (ко1фф1щиент_а
реда~.и тщ.а на . высокой
стоте · •
Статический коэффициент
передачи тока в схеме с
ОЭ:
КТ90ЗА
КТ90ЗБ
при Т" =-40° С;
КТ903А
КТ903Б
Изменен.пе статического ко
эффициента передачи тока
всхемесОЭ
при r.= +85° с
Выходная мощность., 13т
при Тк~25°С
(для 90% приборов)
..
',
Коэффициент уси;1ения по
мощности
при Рвь~х-;;,,.10 Вт, . т.-,,;;;
,;:;;25°С · (для УО% прибо-
ров), дБ
-..
Р.оътх . ·
,. ,.'. ,·_,
Кур
~нач 'IIИЯ
Режимы измерения
.,
макси-
щ
щ
~-
<
мальнос
~
:с
~ (1)
~-.
,:
tO
,.
:::,
::>
,-
-
•.
15
70
10
40
180
10
7
40
10
15
!!О
10
a:s
..
::
'
-
.'
,.
-.
10
30.
50- \() 6
.•'
!;•
..
..
3
:
30
50- 106
Максимально допустимые параметры. Гарантируются..при температуре кор
пуса r.= -40... +85~ С.
/к mox - постоянный ТОК КОЛ•
лектора, А
/к, ■ max - импульсный ток кол·
лектора, А
••
при t., ;:;; 1 мr{с, Q;;:,; lQO .•
10
nрн lи,;:;; 10 мкс, Q-;;, , . 10
5
Иkk ,тiах - постоянное напряже-
ние колле1сгсiр' - база, . В ,
60
• 4~~-- -

Ul)
•
.,
КБ, и ma·x
-
импу~ьеное
напря•
жение коллектор
база
и2)
(/и,;;;\ Ml<C, Q;;:, .100:), В . . 80
КЭ R niax - постоянное напряже-
ние коллектор
эмиттер
(R 5 ,;;;100 Ом), В ... 60
и1)
пульс • • • на11ря- ·
КЭR, иmax - им
ное
ж·е1ше коллектор - эмиттер
Uи,,;;;1 мкс, Q;;:,. 100, R 6 ,;;;
" ,i;;100Ом),,В.....::,'.
,
80
Иэв · ~з~..::.. постоянное на11ряже-
,, .ние iJM!'!JТep - . раза, В. . . 4
Я)
.
.
.
•
Рк niax - постоянная
рассеивае-
м~я мощность !{ОЛ !Jе1<т'с,ра,
Вт
1
11А
·'
-
и ·=1uв
! .кэ..
БО
40
zo
о
0,5
lн,А
1,8
1,6
1,4
1,Z
1,0
0,8
0,6
U,ц
0,2
о
j
.,
/
,.
,
~,
'
,
1/
~,
'
J
/
11
1/ 1,1'
i
,,
IЛ.
"
l
,1-
n!
-
l[A'
!
,,
-
i,..,
i,.., .. ..
'/
!
.,
i
""'
t.,,,
11
v,.....
тМ 6 =2DмА
·~
с--
1
1
.,
,.
/
'
1,5
• U~3,B ,
'
"
-.
-
П;рИ Тн=+25° С •.
,
,
,
,
30
приrк=85°с . .:.
.
.
.
9
Рк.. и-mах - импульсная рассеивае-
мая мощность коллектора
(tи,;;;10 мкс, Q;;:, .10), Вт
при Ти=25° С .
,
,·.
,
.
• ,60
при Ти=+85°С , •. ,
.•
J8
То max - температура
ос .....
перехода,
115
Тн ша~ - температура !{Ор □ уса, '
0С.....•,
...
•, .85
Rт, п-к - тепло·вое сопротивле-
ни.е переход-'-корпус, 0 С/Вт " 3,33 ·
Допуtтимая температура акру :
Ж1!юшей -среды, 0 -С .
,-As0-
.. , :+.85
1) · В интервале температур перехо
да от -40...+70•с. При Тп>70°С.
напояжение уменьшается лиаей ,;о ва
10% на каждые 10°С .
2 ) Лри работе транзй·сторов в схе
м-ах ВЧ генераторов и усилителей с
.
· - амплит,удной модуляцией допускается
'
'Мrновен·ное -значение напряж~ния зву-
1,
1<оuой частоты до ' · 70 : В.
·· .,
·, ,,.
3) В интервале температур 2(', ... ~5 С0
Рк IПЗХ [Втj z(l l5'--T,i)/Rт, ' i1 11!; ,
. .''11э
/40
1ZO
700
80
60
чtJ
zo
о
/
li
1----'-
Г7,.
1/
. ,,,.
--·
t-.
_1
"
V
1\
\
~-
КТЭОЗБ 1<"'
\
с... '
-
XT9U3A
"
,,,,
\,. ..._
,,,;,
- ....
·,
1,0
'•1
•,1
':
Икэ=70В ~ l
!·
\
\.
.....
,,
'
'
'- i'.
'
. ....
r-,,...
·-
,,_

'·
1.
ГТ905А, П905 Б ·
Общ,ие свед~ния. Германиевые дr1ффузионно-сплавные р-п-р-.тран==!ИСТОРЫ
1ред11азна<i~i!ы ДЛЯ усиле1iия МО,ЩНОСТИ В сх·емах , ацнаратуры . Шflf)Ql(OГO , ПрИ0 Ме;
неl1НЯ ,
-
•
• •1~
"
••,
•,,•··
••
•
Kopt1y.c , металлопластмассоный, ··герметичный · с -жесткЙ~IИ , вhrводамli' (рис.
Пf.67), Масса тра;нзистора не более 7 г.
.,,., ,
УС}!ОВИЯ "!I(Cf!JJYaTaЦИИ ~ .~. С ОО : Г ~е J СТ ' В ИИ
С таgл.J12,,2.- .'
.
'·r·;
•·./.
,,
~-,
'
,•'
•
•
•
•
.
.
•
Элект·риче~кие ·параметры. ,.Классификационные
~Kfi max• 1 ,h21э 1.
-.
•),,
-,
, . Обозна
' j~ чение
1_\, 1
Обратный · ТО !(., l(ОJ]лектора, , . •, .,
м·I\ .· ·,
.·~' -·
:;'',']·;•;' '• '>),, ·; '1
' .,_Jкво
при Тс=т-60... +25°, С~ , :r ,
ГТ905А ' • ·,
-
•
КТ905Б
при rс=+70° с
ГТ905Л
ГТ905Б
Обратный ток эмиттера, мА:
П905А
•
Зна\tени#
-2•
-2
. l.б
16
пара метрш
• ·;-~
it
--,:
-0: ~!
•·
75
60
75
60
Граничное напряжение
(t.~69мкс,Q;:,,,8000), .B • :1Икэоrp1 651 . ;1. :! 1 1. 1 31
Напря}i<ение
насыщени:я
KOЛJiel(TOP - эмиттер, в
Напряжение
насыщения
база - эмиттер, В·
И5э нас
ГТ905А
0,45 0,7
3 0,5
Модущ, коэффициента rrepe-
дачи тш,а на высокой час•
тате:
ih21Эi
ГТ905Б
3,57!О
0,5
Статический коэффиц~ент
j,
передачи . тока в схеме с
оэ
h11э 35 [()()- !О
:,
3, 107

.
Н~ИМеИОJ!3НИ6
Бремя нарастании
~50 Ом, t.=20· мr<с
ii3, си)=lв, 'Cin), мкс
П905А
.• · 1:}ре.~51 · ра;сасыва11rя '(k;;,;. . •
·.• ;,;.50 ;'01 -1, ,.:=2Q ·мкс ·
'l''ь' '!.,i;,,Г", •<riJ), м·кс '
' ГЛJО5А
А'
·л◊СТОЯНIIЭЯ, • в 'ременfi ll~П'f!
·обрапю'й связи· на в·ысокой
часТоте, - Пс ~: - -:
.-
·•·. ~,
г:r9О$Б •
.
,.
Обоэна•
чение
!;~.-
·;°'
. fсп
/рас
Е.м 1<ррь,' •. к0 ,мекторноrо . ne: • 1 ·
.·, рехода, пФ . ,
.•
·:
;:~наче111iя
~"о
,СО.
."'
~~
"'.о
~
"''1
:,: '1
., "'
"' "'
:!! "
" :!!
:::,
О,15 30
.о.~30
4. 30
300 ·30
J
12ОО130 j
Режи l1Б1 :зfi~qения
са ' ;,,:
,,:
<
::f
."
""'
(Т)
~rЪt
:::,
~
0,5
'. 0,5
-1·
,, ~:03 ]01
.
-~
:1-·
.1 :1 1O'i
.,.
Максимадьно допустимые ·~араметрыi:Тара:нт'иjууютсl( при темпера.туре окру•,
жаюшей среды Тс=-60 ... +70° С.
•
•
/к max - ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛ·
лектора, А
.
.
,
/ Б тах - постоянный или сред-
ний ток базы, А .
.
.
/ Б, и тах - им·пулы:ный ,то~ ба•
•Эii.А·...
1
,j.-·.
/к' li m ах - ток коллектора в ре·
жиме •перекл:ючения ; (tJ~
:е::;;:20 мкс, Q;;;,,,3), А i '
иf;втах ' -
постоянное ~ап~яже
ние коллектор ~-. ба~а, : В1
ГТ905А , •
.
,
,
,:,',
ГТ905Б ,,,, .,
,
.,
.
-
2)
.
;
[!кэх тах__ -
_
постоянн~е
ние колJ1ектор ,
• (u~f, =0,4 В) . ·в·:
'
i
напdяже
эм ·н·рt;р
"
3
0,6
1
75
60'
П9С5А
ГТ905Б . .
••
,
75
,
,'
60
472
И~эх тах - импульсное или по• .
стоянное напряжение коллек-
тор - эмиттер (/и~ 10 мс}',
В•
,
.
.
.
.
.
.
60
Иk1х ~а~- импульсно~ напря
•
жение коллектор - эмиттер
• .на
запертом транзисторе
(ta:e::;;:20 мкс, Q~З), В .
•
• 130
и}kя -~~х - постоянное напряже-
• .. • н·ие .коллектор
,.
эмиттер
(Rь·:е::;;:-1 Ом); В , . •
,
,
.
60
jJ.
•
.
Рк max - постоянная рассенвае•
мая мошность · • коллектора
(,Т.= .....60 .. . +25°С,
t,.~
~ 10-• с), Вт
без теплооп1ода
,
,
,
, 1,2
степлоотводом ••••• 6

Тп mц :- температура
Ос 1!
•
1
1
••
переход~,,
'
Rт, п-,и - тепловdе сопротивле•
ние переход-корпус, 0 С/Вт ,
1) Зона устойчив@й работы
приведена на_ рисунке с .474 .
85
9
Rт, п-с :- тепловое ·
соhротивле•
ние переход - окружающая
среда, 0 С/Вт
50
Допустимая температура окру•
жающей среды, 0 С ,
-60...+70
в импульсном режиме при t0 _ ,,;;:5. \О- 6 с
2) Значение ' напряжения при рабо11е 'Fра I-I зистора, в ключевом . ре•
жиме с час1ютой следования . импульсов более 1000 Гц , опре,а.еля,_ется. в
соответствии; с рисунком, где Рн "':'-ys(lк-fкso)Ик.dt, где
о
1
T=--
/J
пер'иод •уср~дне~rияi
• fк-м1:>новенное
значение колле1пора~ Ик ..:..;.мrновен~rое
значение напряжения · нз коллек11оре~ t-время . Значение маI<сималыю :цоiJу
стимоrо коллекторного · . напряжения в зависимос'I'и от средней · · мощности,
. :rемп~ратуры
корпуса (среды) @пределяется в соответствии с рисунком G. 474. --
з) В диапазоне "25~, . .. 70 •с Рк max
[В1' 1= (85 - тк) ;(.:..:с · тепльЬ11i)~ом: и
Рк п\ах [В1'] =(85~Т ё)/50-без ·rелл,о
отвJ~а. Рк, и ma~ .
прй lи -~
}Qт,3,с и
част9те следования импульсов не
более 5 Гц определяется wз рисунка.
(Значеняе запнрающего ·базово r6 тока
при вкл,ючении 90 . С_!(еме . с О~..И, ОК
не менее 100 мА). Мак,симальная
и -. 10ульсна·я· мощность _ при_ , р~брте
транзистора в импульсном режиме с
частотой следования f < 10 3 Г.ц и
дJIительности . импульса / 0 ,<J0-3 с
опреJI.еляется по формуле . Рк, ~tiiax =
Икэнnс,В
:fк=3А
:
3,5
Tn=,55°C ~ ~ ~
!
L,!- -- -
..,-- Tn= ~20°C ,-.
1-~
~
~~~
1,,
Z,5
L.-· Tn= 8·5°C
~~~
-
~
-
,_ v,
L,,
l,D
1,5
\
у\
•. 1,0
\:i Tl
-
\i\
~-
0,5
i\.
"\ ~\..
"''
...
.
.
L_
О
D,Z 0,4- 0,6 D,8 1,0 _16,А
Uбз нас,В
1,0
0,8
0,6
·о,ч'
0,2
l
~Тп=85:с '
1.,. 1,.. ....
)i\
.·•
\,.__
/ :.,,'
-
·~
/~ :,,- r;.,,
.- :..
_._
--
7,~
•О D,Z : 0;4. 0,6
~---
zo0c-
1/1
-f•
... .
~-
Iк= ЗА
·'
11
,:%= р~
(i-e -T/10) р~ ,
1• оп-
К,, и max
,
К,иmax
ред ,.ляется из рисунка, где Т -пери•
од, мс.
Б
5
4,
з
z
11
ГТ905Б ,
v
V
1/
/
V
о,г О,ч
,.
~
ИкБ= 108 -
f=ZDMГU.
.'
'•
О,б 13, 4
t·
,
: 4,i'J

ГТ905А
!'; р ,R m'--'----+-+-,a=-+-1~/-#-·14,-cl6~/c.+-5'-+-I-J+-4-+-r-1-i/-+-З+-t - -+-+-t - - -+-+- ,
·· -с/
J/,
77
1
1,1z,:.
1,0 1---1- -1 - -+-j .JJi -l - -3-/If-1 -1 -Jlr-l J-+- , #--1-+-,+1/Т--+ --+ - -f -+ --+ - -t--+ -ivr-,,1'-+ ---t
I//77
i/
V
l':Г'
',;,·· ••
1
"'
,.
JJ1/
о,в 1---ae -- --1 -~
. ..~ J'/f+/+h/t+-_, _+ -,11-/.,.- +- -+ -- --+- --+-+ ---+
,v+r-+--t --+-+ -- -+ -1
,
/j
~
·,, , ,,.,
, 1/, \J/' , ··:: 17,.,,
,;)
1-.-
,+-, .: ..,
,.н
, 1-Н'ff·I-+., .:,.,,+1-+ - -/-#-
·1-
··• --t
·1-
'/, ,i
.~
, ·1,+-+
, ,,,.,
,, +-
. -1-
,,1'
-
.. '-+--+-+.+-+-t- iгn ,S= 1
U,6
•I/JJJ
./
1·1
·'''!i
. ;-_ ,,,
,.'
//"/ !'г,·-·
''/
j/J.J ,,1/
',/.'
0,4 1 -I-J .l
_
~!f,/l+/J..
_, J -l/L;.J .'fl-i)•l-
_
,._I-, -4
, /.-c
__ -""
,,V
~
_
, -,+_, -..+ -
,,, +-
, l-_-4
_
1--,, ,.
-4., . .- :::
__.+,_. t:.,~+ .,.. -+ -J -++-t-
..""+.,.,
-t
,'::''··.
r/1/ i/
V
о
ZD
за ...... ы,
50 Укэ,б
Заха уётойцu/Jай _ piiбomь i,.
транз.истород tм"'5: ннс -. ,
П~ ГТ905Б
I-ГТ905А
;)
Рн,Вт Л905А
50 tu'"10 · 3c
~--....:._,.......,...;.._..,.,..,...,....,...т-,...,~·~ ·'
l к , А UJ_j _ --i --+-+-+-HH -t-t;+ +-i
40
IБ эап"'0,1А
351--- ,- .-1 - -- --1 ..;.,
301---t-- -f- -. --t -1-- --1 ,., __
zz
· ZD 1----1---4---+---i-+----1--1
75 1---r-- --+- -+-t -
l D h--+-+--:--Н--+:::,,,,,,,-.
8
о
10 ш за'JZ1,0
z U--!--1--J-.н-l-+--f-+-iH-t--t-i
1
о
zo
40
60 U11 ,B

КТ908А, КТ908Б
Общие сведения. Крем11~1евые мезаплан·арные п-р~n-тр<jнз,исторы ·предназ
Аачены для использования в аппаратуре широкого :nрименения и для работы
в ЭКВМ «Электроника-70».
·
••
.
·;
Корпус . металличес1шй, герметичный, с >1<еспшми выводами ( рис. Пl.68) .
.Масса транзистора 1.1е бо.,ее 22 г~
'..
..,
•,:
.
..
•
Условия : эксплуатации - в соответстви!i с табл, П2:2.
.<.
...
.
~j
ЭJ1ектрические параметры. К1~а~сифик;ц~онные ш~р,;м {~)'1.ы~'
: ,.~ i' 'r~r:
ii,.'
Зн..ё)чениs/ \ ~ Реж1tмы 11змерс-111н;
·<
L- ~7~:_..;/.;: •
Наиме.нов~дие
-Обозна-
ii 11·:1}::1 ~ : :
Обратный ток коллектор - ;;1м1п11:μ, мА: / к::т
КТ908А (R 5 ~10 Ом)
25 100
КТ908Б (R 6 ~250 0~1)
при Tc=+l25°C:
KT908A·(R6~ -10 Ом).. ,, ,,.
КТ908Б (R 6 ,~250 'Oм)
'•~'~
•
'
На :пряхtение
эмиттер, В:· ,
I<.т'908А
КТ908Б
.j
н<1сыще11ия • ..кoJ1J1-t:1( '·1u p г-
i•
J
Напряжение насы1цення
1
база J---: эмиттер, В:
Мdдfлъ 1<оэффиuие11rа •nередачи~-ток~ ~а 1
• выеокой 'частоте (!.= 10 МГц)
Статический коэфф1щнент передачи тока
в схеме с ОЭ,
КТ908А
КТ908Б
1 эво
50 60
75 80
150 60
· jоэ
• 250
·>
j
Ukэ "<О, 4 1,5
:,·
--
•• 10
.
,•
О,25· •! ,О
4
h21э
8602
10
20
4
4
,.
2
О,1
475

----.......-~----
--~-~------
----------------
.,
..
НА1tмеllование
при Тс=-60° ,С
КТ908А
••
КТ908Б
'
'
/
Изменение ст~тйч~сI<оrо I<оэффициента
передачи тоI<а · при ! унеличенни - темпе ра -
туры до 125° О в: c.Ji.eмe с ОЭ·~ .
. ...
• КТ908А
1'.i
.
•
• ·,-
КТ908Б f- ·
•:,.
,' •••:
•
Обозна
qение
о
U)
"'
Значение
Режимы измерения
2
4
2
4
!О
4
5
3
Максимально доnустимьiе nара·метры. Гарант,и_руК!тся п ри тем пе р атуре О [{РУ•,
>::ающей среды Тс=- 60...+125°С.
!::!-:
"{. :
.
1
/к m;ах : -, постояннь\ii • ·тоr1 · • кол•
,
,
1А
,
.
,
•.
11е1~то-ра; •, . 1: ~- - 1
_.
,•:
•
•
•
/ 1< фа~ ~ IJOC;J'OЯHfl blИ "· :ГO[\ , базы,
;)~:.
,· i··;.;~ .,;••••••
U кэп ·,тшх ' ~ пострянное •напряже•
flиe I<oл.rieI<тop ._
э~иттер, В,
I<T908A (R5 == 10 Ом)
:кпюs& (Rt ,.,, ~·50 о~) . .
!
10
100
60
:, Иэв max - п остояrrное i ~апря•же•
ние •эмиттер - ба'за , В
5
-Рк max .,- п остоянная
раесе и вае•
МаЯ МОЩНОСТЬ КОJiЛе~тора
(Тк~50°С) ·. 13т : .
,':· .,''50
То max - температура
перехода,
0С'.
•.. .
.
.' •·'
::: .150
Допустимая тем п ера т ура . oI<py-
• жающей среды, 0 С , -60...+125
i)•• Пр .и' ;еi/~°ё -рату: J\е ьт i 100 до 15q0 С И~<.э R max н .а каждые !О0С уменьшается
1:а 1.0%; ,.
.
.
'•
2
)
;При Т11 > q0" Q.['1~ ~ах [Вт] = [(Тr(m~x-,,-.Т11)/ Rт. ц-~ , тде Rт, n~II ~ 2" С/Вт,
.
••
'
.
,,.
.
.
,
___ ":
,:,_
.
•
.
473
1ь,А
2,0
1,6
1,2
0,8
0,4
а
·,
'
,.
Uкз=О
58
J
i/.
)
1
1/
j
1)
j
z7
0,4 0;6 0,8 lf63 ,б
10
8
6
ч
2
·-
о
'
.,
),...
·-
1/ t::,.-1-
.
t17
1, .,-
I./
11 1/
,17
_ L.-
1,..-
11/
"
,с
1)
-.
-
V
-
1·, .
,,
,,.
~
iА16=100нА
>--
,,.
1
12

1,0
·t ··
,, КТ9ПВБ
и~1 нi~,n
\
---
\.
"
·,
0,4
' 1'\.
1,, .
\
_
,..i-i ·/,
1!;-(\!-.
•0,2 1'.
~..
;,() !:~·t.!\ . •:.r·1,
':1\it11
;;:,··:;·
О • '---'--'---'---'--'-...._--+__._.__.__.._+-_._....__.__._...... _ _ . . _ _ ,
o,z
- :о,з
:,.,,.··:
:--( !,-
• ,·'. .':~]J_ .;
· ~f., \·:•i-i·,,,t',J. .1•
J· : ,~ , l~ j ,o;_i1i ,:\•' ,1":.!.
КТ908А
Л,Бс
[. .,
-1 ~ '"" :!""'
._Ufiэ нас '
.1
:..-'--
---
0, z'----" --- -'- --'--"-' --'--'-- -' ---'--'
0,5
1О,
.,
;
-.
•
:.1:~;
:
(\
1,;,,_ ~ i
1_ 11- ·-. 1_1;. ;а
;: , ~2/Э 1.1,..+ --+ -,- -1 - -h -~,-1 -,4...+-
, .-1-
.,_ ~
''
. ,,.~...
',\
r-·-: ., : .__-
'
60 ~i<",4;. -+l--, -' -'+-\ -j . ..;'--I --\ .-C'..."" -- -.,
,1.., -J
• 1.:.
.-
-r-.,_.
'; ,, ,-50 Цl--,4:.,...,-,l;.,,.,.l-,-I+\-+-~,-._+,' _:::,,,-1.1,..ц·
J:
_
,
!,\
4Ql+4--1\ ---'--' -, -,-+ -+ .'''e .; .
•'f4-
' '-'
'·-
•-
~
1 ,.L.f+ . K'f-9Q8Б- ;jK[908'A-
З01-'---,--11+-r~-+-1,11-+--г--1'--i
•1~·1!
1"'!"';{::1/'''
20
'
j11t
оt;-z
Iк,А
__ 1;
.:_
:
_1
r,! !. \:., .,
-+, ·
-!_
_
··,
,1 1 1] 111111111(11 llj 1111] 1ll_l 1·11 l lj! 1!_1 jl l_lljl 1_1 !j!1~1 j _! 1.
"
20.
,,
,,
,,•
·?; ~Т912А, ~Т-91~.Б'\; ; ';
.1
,
•,
1r1
•.
,
/1
~;
i-~
.{. i
.
(~~~-- (\1: :
Oбщ_иe; _c·в,eдf,'Щ!!•.--,JS.P~Mi1Jti.вJ,1i! ~W1-1J.~арные п---iр_..(_J.1:раиз11стор~.. ' rtр ед на знаr;е 
ны для исn()ль:~ован,~я в а~_шаратуре ширркоrо npцr,ie!j~HИ!!- \!3 l)~ Не\НIЬ}Х усилите-
лях в ди.апазоне час-tот 1,5 !.. 30 M•I u.
;
•''·"•
·'
•
•
Корпус металлический, герметичный, с жесткими выводами и крепежным
винтом (рис. Пl . 75). Масса транзистора не более 45 г.
,·
•
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2 ..З.

Электри•1еские ~iiраметры, Классификационные параметрю
''
•
' ,.,.
·1.'
: ,.'
•
''
'
~
h21э·• Рвых, дин, шах•
·значвния
Режимы измерения
.
на·именование
Обозна-
Обратный
ток
коллектор _ - . эмит-
тер (R5~I0 Ом),
мА
при тн-
:
=+85°с
'
Обратный . ,_
_
ток 1
эми,,:tе_р_а,_ мА
Постояннtrй
ратнфй ток
да, м:А
Постоя11ное . пря- :
мое · ··юшряжен11е ' •··
диода, В
Модуль-.;·, [{{i)Эфф11- , 1 ,
циента
передачи
тока на высокой
частоте
чение
1кэ R
\h210I
,,_\ ''
Статi1 ~ есю~Й коэф- ••• •
фици'ент переда-
' j~(
i
Ч!! тока в ~хеме с:
ОЭ:
' h71?.
КТ912А
КТ912Б
при .Тн=
= +85°с
КТ912А
КТ9i2Б
при Ти=
=-45°С
КТ912А
КТ912Б
Выходная мощ
ность в нагрузке,
соответствующая
пику огибающей
на заданной час
тоте, Вт
4ЛI
(1
,,.
о
макси- ;
'.,
".о
мальное ·
., ,;
., "'
" :;;:
50
75
250
1
:
..
-
.
-
0,3
1
3
'·
а
,.
tO
50
20
!00
10 311 21э (25° С)
20 Зh21э l25° С)
6 О• 5h2IЭ(25• С)
10 О,5h21Э(25°С)
-
70
.tQ
tQ
ъ. <(
<(
~
Ик, в
~
ъ.
(Т)
1О
~
о
t:I .'- •'
:::i
.:::>.
...
...
..
,70
,·.
•,1,.
:;, •J.'1
.70
:
,·•
'
1:.: .,
'
.,
,..
.j1
••'
:,: :\J·>.."•1:
~-
,1
.)1~ 1·1,11.-
.J
1
0,02
,:;
1О
3
30
'
-
-.-
;
;-_
'
'
'
10
5
•t10
5
,..
10
5
10
5
10
5
10
5
,
'
30

Знuч~ння
Реri<имы измере1 1 ия
Обоз на-
"'
Наименовш1 ~1е
,,:
:1
Vк, в ·::а
.,
,.
чение
;,
максималыiое
i:,.
<
L..
"
i:,.
::;:
.,,
"'
СТ)
::;:,
"'
о
t:I
:,,
:;:,
:::,
-
-
...:.
Коэффициент ус11-
лення по МОЩНО·
CТli (Рвых=70 Вт) Кур
10•
Ек=27 п
3D
.,
'·
,.'
Коэффициент ПО·
JJезного деiiствия
,,
колJJектора,
(Рвых=70 Вт),% Т!н
50
Ек=2i в
30
,.
.'
\,
·r
Коэффициент не-
,.'
линейных
'
иска же
ний
(Рвы, =
,t;
=50Вт).дБ
к,
3U
Ек=?7 в
30'
•
•i
;,_
_,,
f;!
..
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при т·еМпсратур'е ·.кор ~
nyca Тн= - 4q ... +85°С._
.tt
•11
·'-
/ К mв 1 - ПОСТОЯННЫЙ
· ТО!{ КОЛ·
лектора, А
20
1вmax
-
ЛОСТОЯIJl!ЫЙ ток базы, :
А
10
UI)
,
КЭR- max - постоянное· напряже-
ние коJJлектор
эм иттер_
(Rli ~
_
I0 Ом), В.
70
ul)
кэ, и ma x - импульсное напря- ,
~'-
ж ение коллеtпор - эмиттер
(в схеме ВЧ усилителя в диаs
пазоне частот ! ,5 ... 30 МГц,
U.,,5 =1,5 В), В .
•80
Иэв max - постоянно·е
на пряже-,
н ие эмиттер - база, i3
5
Рк max - постоянная
. рассеивае-
мая мощность колле1пора
(Ик5:,;;:;25 .В), 131',',• • . '; : , 30
Рк,дивmа х ~средн11я .. , рассе iш'~е·- i'' . . '
1у1 ая мошность коллектора . 13 ,
динамическом ,режиме (Е i <
~28 В), Вт.
.,•..,.,35
Рnых mai - выходная мо·щность·
•в
нагрузке, соответству10 1ui~я
пику ог11баюшей на частот·ах , . ;
f1=30±0,3 МГц, f2=J1+,Лfa 1
(Лfa=l-100 кГц, . ,. Ек "=!:
=27. В), Вт ,
•,•
,70
1
··-Rт, п-н - тепловое соиропi •вле .J
: н11е переход-корпус, 0 С/Вт . 1,66
Допустимая темпер ·атура корn'у- ' · ; :
:са,0С.
.
,
,
, •, . • .-45..:+85
,'r •
\) При повышении температуры корпуса о,т 75 ДО вr а· ·-лин~й~О .J Меtiь~
шаются: Ик,э -R max ДО ~56 В;_Укэ. И,I,JaJ\._,IJ.~ 60:в,
479

\зоа l---,l-il- - -- -f- -!-, -\-- - - -4 - --+- - -l -l- --+-.f -1, >------1~
i(,;
/
, , l{]O•.1'-+-+-+-l -i:i-'"l-'-'- -1 --l.+1.sj+-+ - -I --J
1QD г--г-i-t---+· ,_-. +,-.+' .с." -11++-' , -' i- - "- if- -!-a
~
(J
U,Z U,4 0,6 U,8 U63,B
• t<T91ZA
3
./
о Z4681GIZllf161~/к,:А
'· 1 r;,._',
~
,· 1~V'
6:11-~
'- Fv;..J
. ~,;.·"!'l.,,'c::+.-
_·+-+-,, .bl---' ~~
::i1----1 -'·.-+,- - - j
;!
'4; 1: \J.,.....
'--.,;.. .-,
.. 1tii;:.~~
,
i;'Ji';,
i--,k--- -:::
r -~~,
1
а
468
frμ, 11 Гu,
100t--,--j-..,,,--j--~-
-+
- +-c --'-1
._ ·~,,.
50-~
· --'--'-,....-'---'---'-__.с:
.. 4 Iк:А
Гnp,MA
'
4-0
30
~
.,
.
__,
20
,..
10
/
Иаб.р, .
·'
,.
в 60 40,Z0.0 o,z·-0,4 D,6 Ипр,В•
o,oz
..
..
• V,04
'
,, ...
-
•О,~$
:
~
•• :аов
,.
Iабр,мкА
-.

L
11 111 (111 j lli'I 111111111111111 11 11 _i Ii
20
21
22 :·
23
KT92IA, КТ921Б •
-Общие сведения. Кремниевые плаr,арные п-р-,-п-транзнсторы предназначе•
ны для работы в однополосных усилителях КВ и УКВ. ди,апазона.
Ко_рпус металлокерамический; с -жесткими вывi>д'ами и· монтажным ·винтuм
{рис. Пl.76). Масса транзистора не более 6,5 г. • • •
Условця эксплуатации - -в соответствии · с табл. П2.3,
' Электрические пар_аме;р!", Классификаццонные nараметрю
··,
- КУр•
fJн,
Наименование ~
. .'":'
~1
• Обратный i тоk эмиттера, мА
•
:
1
.
•
!--,1
,
:
'
:
. Обратный :
ТQк • -коллектор - эмит- ,
'l't:p (R 6 ~10: Ом), _мА
при Тoi=- -t 125° С
при rо:. т-45° С
,..
.Модуль ~о~фф~циент~ μередачи •I
,ока на· в~сокои частqте_ •. ...
:'
С:rатиче-ск*А. : коэффициент ,,
.переда .•
чнrокавсхемесОЭ•
; при fo.;,._+,125° С
'.
'
при То=....:.45•с
Коэффициент усиления по мощно-,
сти:
КТ921А (fвы:r=12,5 Вт)
КТ9216 ' (Рвых= 12,5 Вт)
!
1
ВыходJая·; мощность, вт·.
·-
Коэффициент полезного , _ действия ..
коллектора . (Р1iых=12,~ . , Вт) , ,%i ,.
·· кт921л
•
•
КТ921Б
Обозна
чение
-
.,
• h2iэ
к. УР
:
Рных .
f\11 !
·\ •.;,, !
fr'f\ :
!'•·:
'
'-···-
'"io 80
,.!'О
10
10
640
10
17 Ек=27 В
8
5 '10· Ек~27,В,
:
:
i
"
1
12,'51
IЕк~21: вji'
i
..
50
Ек~l7 в
4
Ек=27 в
.,
1
:--i
i
"'
,.
i1
.,
i:
::1
<'
i:
,,
\
!
i
0,4
1
'
,•.111
111:
"
!
вр\
i
6Р.
i
1
!
1:,
1
\. 6~
;·,
,_.1
i
!:
1
'
'·
\
\ \_\
60
60
481

Значения
' ~J t'жимы измерения
Ооозна-
о., '
.,
Наименование
о
О.
'°
;:t
.
ченве
':с
:s: :t: .
Ик; В'
<11 • L..
:с J>
() J>
~
:с"
"'"
(f) ~
:C •ro
ro ro
;:;: -~
:, :Е
:::,
'-i
.. :.
;\·\
Коэффициент комбинационных со-
ставляiощих третьего порядка
(дву)(т'оновый сигнал) при Рвых=
= 12,б Вт
Мз -39-30Ек=27В
30
--.
:1
,·
...
Емкость коллеКТОJJНого пере.хода,,
nФ
Сн
40 50 Ек~27 В
10
'
--
Емкость эмиттерного перехода, пФ
1300 14501
Максимально допустимые параметры. l'арантнруются при температуре · и~ре-
хода Tn=-45 . .. +125°(;. ·-
/к mnx - постоянн ·ый
лектора, А .: .
.
ток ; кол-
..
,••
•.
.
/Бmах · -
п~стояцный . ток ба:зь~',
3,5 '
А.•...
.
.
..
;·, ;.• ,
•;'l
, ИэБ mai. ~·-постоянное напря-
~е.ние эмиттер -:-; базщ В • 4 ••
1)
:.:i. :
••
_;,
И1~Б maic-: - постоянное , напряже-
ние · коJ1лектор ~ база; •В
65•
1)
-
ИкэR :iiax - постоянное
ние коллектор
(Rь~.10 Ом),В
напряже
эмипер ,
.
,
.
.
.65
И}k'.иmах - ~мnульсflое напря-
жение коллектор - эмиттер
( ИэБ =-1,5
МГц),В..
В, f = 1,5...60
.
,
•• ., .ВО
Pk\,,ax
-
постоянная рассеив~е:·
мая .-- мощ ност ь
коллектора . ·
(И.к5~32 В),Вт .. ' .
1• i2,5
'
1
р4)
•
.
.
•
к. дин niax -
.. рассещзаемая ' мЬщ-
' · ность 'транзистора в динами
ческом _ режиме, Вт •
.
,
. .12,5
Тn mах - температура перехода,
0
С
.
.
.
.
150
Допустимая температура окру-
•
жающей среды ( 0 С • -45,.. + 125
1>ПриTii= -
45,:с 125° С, При повь\шении темnературб1 перехода до
+150° ~ Икэя. max и ИКБ, ma'x уменьшаются линейно· до · з2 В •
•
2 > qри Тк~ -45 .,.+125° С. При повышении Тк до +150° С И!!,.э. иmах
уменьш~ется линеi\но до 60 В,
:
3 >При Тк= ~45 .• . +75° с, При по~iышении · Тн от 75°0 ДО 125°С
Рк max [Вт] = (Тп:mах - Тк)/Rт, в-к, где
Rт, п-н = 6°С/Вт; Тп max = 150° С,
•
4> При Тн = - 45 ...75° С. При повышении ТII от 75° С до 125° С мощность
уменьшается линейно до 4,5 Вт.
4[2

КТ921А
Uкэ=О
300
5В
j/
/
'
')
zoo
)
JV
100
fj
.,
//
1,.,,
tJ
а,ч
0,8
l<Т921А
hm
' '80 1---"~•,;"-'_·ч,t-,с,,;, '\."<,f--+- -+ '-' -'-- "- -.cL_ ~
\
UнБ = 108
70 t---t--+--+-,,..,.,.+--+---t----.----<
60' l--+- - -1-+- -+:"~!-=- -+- .:,:,,-t __ _j
,:
''\
50 t---t--+ - - -t-t- -~ - -+- -+ ---1
~,
11
V
Г--,... ',r...
40.,_,
,,'S... -..s,
30 r'----t---'---t--=--t-'-~'-+-'--'~
, ..J
.,
~;_':,
·
_
:.c:i
zo t---t---+--+---+---1-+----+--J
...... --
--1--,
7Q г--+-:-:--:1:с---еl--__Т-1. , -,
,,~.--
-~;:::-
.
l--,..:. _~::-
-- .1•1--' -.
-, +_
_,_ ,_
-1_
__'
't'к,nc 1\
11
1G'
1-н-+-+--+--+ f 7 5НГи, f--+ - -+ --,
,,
\
,
50 '"-&- -"" --> --1 -- -+ ---!;-"- -4 --- --- .-<~ ~+ --,
\
• r--
..:_
-
-
~ -г--
10L_,.L___L_,_j_-'---'---'--'-L--
-'---'
а10zaзачо50БО7080Iк,А
Iк,А
1,6
1,4
1,Z
/
11"
)/
-
J,.,,., .. 40
'
111~
t11=15ннс
F=ZOГu, _ ,,
,,
.
'
za
.......
1,0
0,8
0,6
о,1;
, IU,.,
o,z
/
2
J6 =ЗмА
'
,,
-
l<T9Z1д
l?Zlэ 1c==r:==:r:==:r:==:r:==:r:==:::::==:::::==1:"· :
12 1---1-:..--=--+---,-'-с+,-;--+~+--+--,-, :c.\ ,J ,,
11 1----+- --+""""+--+ -+ --+ - -1
10 1--1 --1- -+ -- -+ -+"-.-+-,-,+--+ - -1 "
',\
9 н----1--__L_,--'--+---!~-+--.,-+,, ~, ~-. ""
"'"
8 Н--+-~--,---+--t-~,ct--t---1
7 IЧ,/;;,t-~~2'!-..-'-4""--"4':"-'t'\----'--Ч' ''
6 1-w:·..+-~~,-'J",,c""'l""""'id--
5 11L-_μ ,, --t)., ._~- +:= "" " "~ "" k-, .L+--j
4 , 1---1--.-+--'~~----+--3'о.±-с;,~
з l----+-~-1------+-'lo.-+--+-~
2 ,___
__ _. ,,_ _- -+-..
1-,L__J_____,;.L:;~.., .,, . .:: -~_ , , .,,:c::,,,,,... _: : -e-+!
о
l
Iк,~А
',\ -~· ~;\\
v,
в> •.
Б ЭН~С; ____ .
U~1нас,В 1--1 -- -1f- --+- - -+ -+ -- -++- --t -" -1
Z,O•l---,+---1~-+ -,, _,_ .+',,,+--,'--+ - -~-
1.8 '----' - -' - - - -1-4-,- - -;_, ., ___,,.,,
1,6
1,4
1,Z ~'-':-,- --.f___.,~;,~--1 -- --f-+--+-
1, o1--Ь~::;.,-_:_k::!-':>"1'
0,8 1--"О-С~
О,6
--!-,~..r:---+-&1"'-"--г-'"'•+----1
D,4 1-, _..д--..Аfс.,__...ь.:>.:е::+--1---+----J'--'--'1
О, 2 >---::~"-+- --1 --+ --+- --+ ~+ ---1
·о·
1,
433 ·.

к~р .., ,,, •••
-
70
60
-
.-
-i --,
t-- .....
.,
·.,!• <
-
..-
.... _
~
.... ..
....
,..~
.,.
---
г--.
r-.....
"-
50
i.JO
30
?О
10
1-
Рвы,=1Z,5Вт
.. ....
~ к°"Z7 ~
а.
15
зо
;!i
..
~
•1,
...
'-,
t-....
"
1- ...~
......
'
' •;,.
......
'
......
45 f,NГU.
· КТ9Z1д
• К ·у Р ~=;=+=~=~=~=~r==r=::ir==+=+=+=:+=~
.
.....
1·
18 H--t-t --t --t -H -+-t - -±-. . . . -1"""1
16 t-+-+-+-+~-f-J1=J_L-~+---l--l--,Ц
_.i--i..-~
11; 1--!=J:::::::.i4 __,- -J,1,;., ~
·_
k_,J...-1,,..+,,~t=t::J
12 l-f .c .; .--··+ -..- - =--"""'=+-+-+ -J- -+ -! - -! - -1 - -!
· 10 г-г-t--+-~+-+-~1--+--+--+---1--1
8 t-t--ti--l-c:Ьa..-~-=1=-:.:· -=·-=•-1-'' -~-,ц
б .. -- + -f --+t--+--+--+--'- -'
Рвых=IZ,5'8т
• 'f''= 60 мги:- •;
lf ~~~--L- -L- -L......J;....J..U.-1.......L-+,i...L.,...I
Z4 25 Z6 Z7. l8 Z9Ек,6.
'•. :
*
p11111111111111н11p111piiijlllljl11JjilliJll/if i КТ922А, :,·; •'~:т~2~,t.'1 ; ;i<i\i22$, ;:;,' i<.:t,9~~:r.·
1~
:20;,~'
:22
2~•
:~4;-~
:
• КТ922Д
!{ /'.
•
'
(''
:
~
-<;
•
i
i({; ~
·
·
.
!'r·:
~'~.'
;·
·
1~-~-;::',:-~ ~ •,", •:<:·..-
(:)бщ1111 сведе1111я. ' К,ремни~в1>1е эnитаксиалыiо•планарные п..... р:_11,тран-:!1истор_ы
п·редназначены дл'я работы· в ·схема:)( УКВ·· диапазона · на частотах б'олее 50 МГц·
(В У<!ИJIИТСЛЯ <МОЩНОСТИ, rмНО.,ЖИТеЛ~Х ча_<:::ОТЫ : И автрrен~~~То_ра~): ,., .,_ ,. · •·
.">
/ , ~ opnyc М~ТЗЛЛОКер:а'4ИЧе<:КИЙ, С j no'.ЛOCl(OВljIMИ ВЫВОJ!:~-~;11 ,tj , креП~'жНJ~.М;:· в»,А: •
-~-ом (рис. : Пl.77). Мас~а.· iранзистрра , н~ более 1,5 ,r .
.
;·...1
>,
, , . : f словия Э!'Сnлуатщ~и1.:_ в 7ор;rв~тствии с i;aбjJ, n2A. , · ,· : . 1:: .
;;:::}:- •
: Jлект~иче~кие па~~~е~ры. f\л;,~сцфикационi1ые парам~ii> .ы~' :: ·- .
•• ,:,.
••
-
!,
:'
··
'.
-
·
.
Рвtх, jh~1 ~·I , {· мр, . /эБО•>н, fкэR;
••
,·.
•· ··
;,:_•._
::;,, •
1
i('j
,,;,'·
'1 ._··~
i~: ,!;;:.,_. •
' };•!
''
,,'
Обратный : ток эмиттера, мА:
КТ922А ' -
КТ922Б '
КТ~22В, КТ922Д
КТ922Г '
,
•при Т с;,,,. +85 и -45? С::
КТ922А :
·,
•
КТ922Б .
КТ$22В,, КТ922Д
КТ922Г; ' .
48.4.
;; (),бозна
~ение
'
~эr;о
·
1,,
0,5
. •,J
6
4
l
6
12
'в·-.
Режи мы 11.змеJ}~~~Я ! - ~
rn
:::,
:'!•: ·~
1•
:
. --4
,4
4
4
:4:..·' .
4
.'..4
41

Наименование .
Обрат!jый ток коллектор - эмнт
тер :U{Б<100 Ом), мА~
КТ922.д
Кt922Б, КТ922Г
· КТ922В,
КТ922д
ПРИ: т~= +85 и -45°С:
КТ922А
КТ922Б, КТ922Г
КТ922В, КТ922Д
,
i
Модуль коэффициента передачи
-тока на высокой частоте~
КТ922А
КТ922Б, КТ922~
КТ922В
КТ922д
Обозна-
чение
/К.ЭR
Посrщ1нная -времени цепи обрат•1 ·
.
ной СВ'я3и на высокой частоте; пс: • , !н· ·
КТ922А
• •••.•
КТ9221э, КТ922Г
. JП9221k КТ922д .
.
.
;j.
,
•
,.
В.ыходна~
• Kt922A
КТ922Б
КТ922В
КТ922Г
КТ922д
Критический ТО!\ колле1,_-~ор.~, А;
'КТ922А
! ,,:
·'J,i
КТ922Б
кт;922в:
;
КТ922'Г
..
:
КТ922Д
.
Коэфф'ициент полезного действия
колле1пора при т " ~40° с (д'ЛЯ
90% приборов'), %
Емкость коJ1J1екторного перехода,
пФ:
КТ922А
КТ922Б, КТ922Г
КТ922В ," КТ922д
Емкость эмиттерного ~ерехода,
пФ:
КТ922Б. КТ922Г
КТ922В. КТ922д
--. .
'·!IJI •
"111
Сн
Сэ
'iна чен ия
,.
"·
.,
':Ь :iJ.
,:,;
"'"'
"'"
:
•·
3
3
3
2,5
0,6
2
..,5
1',8
4,5
'
50
8
15
40
200
550
"'
,о
: ISI :r:I
• u.,,
, :,;
" '"'
:;~
5
•20
; 40'
,·
10
40
80
'
--·
,,- __
Режимы
щ
щ
1 cii
::)
::)
,
65
65
65•
65
65
65
ИЗ ер~ния
..;
..;
:s
:s
--~
.
m
-
-
,..
'
:j
с;,
~
..:
10()
IOi.J
100
100
. 28; I,).
;,,
r.1
-
175
•·
1·75
215 ' ·,.
· '28
.. ·,
,• '·
28
28 ''
....,
'
· 10·
-
· '-.
10
10
10, ,. _t· •-,,r
..
10
Ек,=
=28 В
28
28
28
-.. о
о
--
..
"
175
~, ---•.-•.
,
..
175
' 175
•1О!)
100
10().
100
10(}
·-·
,,
5
.
5
5
5
Q
.4 8j

·f
1\·\аксимал1,но. допустимые параме1·ры . Гарантируются при температуре пере-
);ода Ти =-45. ~!+ '160° С. : •
\,,·,,..,
·· ,.
.• ••
JК mах - ПОСТОЯННL! fl ТОК КОЛ•
•
• л1жтора, А•
КТ922А
.......,_•.•о.в
!(Т922Б, КТ922Г
кт·922в, • кт922д
lк,иmа,-импульсный то1< кол•
лектора (lи:а:;;20 мкс, Q-;,,,,;
;:;,50), А,
1,5
3
КТ922А
••
,
,
, 1,5
КТ922Б, КТ922Г
КТ922В , КТ922д
•
,
...
.
• 4,5
...
9
ИэБ max - постоянное
напряже-
ние ·э~11ттер - ~аза, ~
,.,
4
1)
'
.
Икэя ,:iax - nосто~н11ое
нап·ряже• .
, ние коллентор
эмиттер .
. (Rв.~100
Ом),В;•,
·,,
,
65
2)
•:
i
Рк., ер mnx -~
р_ассеиваемая МОШ•
ность \: ко.11лектора • в дйнами•.
ческом Р,ежиме, Вт_~
КТ922А••i
о
КТ922Б, КТ922Г ·
КТ922В, КТ922Д
.•.
·,
•
1
20
,
,
40
То max - температура
ос'..1
1.
••
•
•
nере~ода,
,•
,
,
, 160
Rт, п-и _;_ тепловое
•• соnротивле•
ние • переход-корпус, 0 С/Вт~
IП922А......•
1
15
КТ922Б, КТ922Г ,
. ~Т922В,
l<Т922Д ,
..
..
6
3
Допустимая · темпера~:ура окру•
•
, жающей . среды, 0 С
.;-,45, .. +85
'
,.
i> В диаnазове температур .+25,,,-45°q Ик.э R max уменьшае~:ся Ьинейио
ДО55В,
.
.
.
.
.
.
,
2> При Т,и<. +4Q°C\ При температуре корnуса 01 40 до 85°С Рк, ер ma1 lBтJ=
(160 - Т11)1Rт; п:_ к•
···
'
·
'
,
•• ••
.:
•
\.
·10,мА
1
1н,А
1- 11кз•О :__:10811-
·во
1,6
-t,.,.,
' ,, ~ U,..,J,,o
~V V"
;
. .✓.: r.... -
:
со
.',
1,Z
1/0
J
о)
/
'
.
.1.~V 1,..--
1·
.,.,.
1
--•.
.~V
IJ;iv.:,.v
'
;
,f)7.
L1l 6ЧОнА -
'
zo
j
о;ч
;
,
l /,,
fJ
.
о ~L,.,
,
!!
0,4 1,i 2,0 l153' 8
iJ
1,Z 1,6 2,0 Uкэ, В

°IШZZБ-HT9Z ZД
I
400 l--+-f-. .. L:----l-- -'-'-1-- '---41 --1
Икэ= О :__ 108
300 l--+l---т----1----l-_..j:...:__j :
/
zoo 1---l- -+- - -+- - _j_/..J__ _)
.·_
;-l
'tЬб t--1+--+-';_. hl
·/L.1---J...--l
1/
,-,11+--+~"'-+ - -+ - -I --J ~
·:a-:'J-1/1./ •,.,J .,,• .'
• 0,5 i,'д 1,5 ' и·~3-, в
,'\ ~' :,•.,:\: /j
'-1
з
2
о
И =IOB
:";;i:tf ·r ,; ·:~ 1--_;,_
·!
..: .
' '_1~_~;_• _!:-'i- '
I(' -
.
_:;_,
-
:r:;_, _
:,"--
'' _J,:
,-~
..:.
-
tc...
·~
-•_
_j___.:J
А
.~
//, ~
j ~/V
r/,,,
fv
V:
4
XT9ZZБ -·н·тзщj
1
l..
. /,:..
.,.;.
,
.
1
/2Vv'-
'/
7
-
-
--
7
'
..
,
·-
·лlь,'i ZOн,4 ,
-;
',
-
,
,.
,8
! (,'} i·
_i : ", -a, -'-~ "'-'--' --'-'-"-'-'-" '
;'' - ''" '-'
''-L
.
....
•··+
· )·..c
· '--'
···!+'•.;J.
' .:.,
'•_,__;--•.ц} ·:: • ,/1 ·;,_ Ь-:++,:-т,t-: : -'-· +,~:-+--+.~.-,-J, 4>,~.:.,· 1-,...-11--д{:с__..j
О
Z
1,
61~,А
о
!•
. ··· .-;•
6
БР3
60
:~17:•: Иоы
~ "--""'"----"
_
1'--'.!7-'--
: ...L....
: -'""!
: """----'----'---'~чо
2
,, lt
11•
1---' -1-.,,e ..,. ;--i.: .-- 1---
1
1,--1--1---1---1--~ za
'-L.......J'-'--'----'-1__,___,____.____.__,0
OL-L-L-'- -'- -'- -' - -' --'O
о
0,1 0,2 О,З
101520
,.
.. 487

.
,
Рвых,Вт
l<T9Z2Б
1/к,% Р6ых,Вт
l<T9ZZБ
ZD
v., ··,,,,. 100 2.ч
'
-
120
I/~
1lк
!,, 1Z r----ьv-· --+v-+ -+ --+ --+ -, --+ --- --+ ---- -, 60
.16
Рвь/lZ,,__
и
100
80
,
1/
•.,.. , В r----f--
_
,.·--
,·
-+----'-----'----'---+--1---1------<40 IZ
1
r;щ_1;1rи. - •
/
Икэ=28В -'-1----1--.ц...-.,.1
4 1-:1-+--+--+---.--.---г--+-+--1----1 za
в
-
·
-
V izк,
/ r;тмfи.
/ Рвх= lBm
/
6D
~..._.,._-'--_,___.___,_...__.__............J о
4
zo
о
D,5 1,D 1,5
Per,Bm
10
za
, Инэ,В
нтэгzв
Реы,,Вт 1---+--+- -+--+--+- --< Рв'ы,
1/.к,% Реы,,Вт ~~~1--1--~-.,.,..ь--,.,11-. .."' "'
···
1/.~{/о _
•••
'
.'
_., ,
.7''
·'
ва
50 i:.:- -i -cJ.. - --+ -'-+-+-+- -' -- --1100
~
_,, ,
//к ~> --
40
l--l--f ---11--f ---l'- --- 1 Р8ы,
,.r·: ....,/;!•• ·, , : ," :~·и~'.,,
·40 J.,-.,.J..---J..---+-~,. +---;,,+,v.,...,.;~11·кe-,,t·~ } ,~ ,
za "' :,·- . ; ~.~:.··~:::1;;~
1
-
~t -4~-:-: ..'.;з~ ;,,.-
,- 1/
·
~ ·· ::-:,1;: _. 'JQ . -,
ю1-,_....,1:/~
.. 1-
__----1-----1---
..~
-:,-1~
-·..-:! +..-, +
, --;za -,.··
zo :.:.Vv ·-
•r.11sм;и._ чп .
L-L .....L .... .L. ....L ......L
"- -,U
·1
...
'·.1 ..- ' -'
':.,_ .,;,.-" -' О' :•,·,
10 . 1...;>.,.,__.,__.,___.,___Р_._в,_•_,_7_Вm__,_ __, 20
--
zlj
•6 - fвх,6!'!._:.
_ .,__1(}__15,__ Z0"Z_5Jlwэk .
йТ922r
НТ922Г
• _·f1ыx,Bli1
16
•r= 775 нrи.
u;э=288
...
1..,,
-
1/н,0/о . ,
80
fбь,1 ,бт
: _2_0
11н,%
100
488
12
8
4
о
1.,, ......
V
-v1/JнV
у
V
,_
t7 Рбь~х
I
0,5 1,0 1,5 2,0 fo x ,бlll
60
-16
40
IZ
za
8
q
1/
'
,__1 '/ к
-
/
V
Рвы,-
10
1/
V
·,V
1.,/'
f=175НГи.-
-
>--
Р5/~5Вт
-
11г
ZO Икэ, В
во
60
40
ZIJ

Рвых, Вт
КТ92ZД
·30
1
.40 '
1
'1 к .,,-
Р6ых ~V
-
.%
-
.,,,
:
ZQ ,_,_____,_'/____.---,-,.--,-1-___,_-+~, ---+---i 4а
V
: f= /i75Жu, ,..., _~
за
'V.
. Jвь,х
f--
10.___,_~
--1--1 Uнэ=Z8В
'--20
'
J/
'---'..;L_---1..._.l.-'---'---'----"------"----'--'---'- _,_.....J о
о
,\.,,i.
1
!Б
i
\.
~
"v
...
10
1П •..15
~1"~' ' ' У' j 1_r: 11_1!1': ~ 1jlj 1:1!tIj1(11111 j 1_11 jlj ':1!~ llI jrl Itt1::1
~p:_i1° 1. ~ ·- - )''·
11 .;2·.
1 -'•;
!... ., ;.
.
'1
(_ ; : · IKT926J\, : КТ92GБ :
-
Рвх=.)Вт
l
1
.
ZD
1/м,%
80
60
40
20
.,с ;<>б~;~е св~де1iия, Кре~ни~вые ~-~~~л~:арн~~~~=-;~~ир~н.1ие'l'оры 11Pl'l!R33·
nэче·нi,1, для _. раб.от~ в· импульень~х модул11то0рах и других схемах. _
' : 1 Кqрпус ~ме;fаллокерам!fЧеский, r.~~1,!е,;-ич _rь~й, с. , жеСТКИJ,111 . выц_рдами и мо,наж- 
НЬl?.i i!JIH"J:OM ,· M .6 (ри~ lil 1.μ6). Масса т'ра11э11стора не боле~ 20 r ~- - : ••
• '·1 Условия эксп.nуатаци11 _:;. в'соответст:Виit с табл: П2.2. : • . :
.•
~.·::~
- ~;,.
.>~--- : :;·;·
!·''\' ;
..; r...
-
,. :~·
;. :.:.
-
..у·> !-
..
; Эоект.рически~ парам~тры. Клас'сиfРи;кационн\,Iе дарамет~ы;_
••.
1. ·,
··(
'•·
•••
.
,••;-
.
h21~•\1Uкэ насi) Ивэ Ja,• :.~ ~~ -R• '.:-:_~о•.:
Наимс11ование
ОбJатвый ток коJ1J1е:ктор -
эмиттер (R O = . 1,0 Ом.), мА
при r с;= 100°· с
•
ПР!! Тс==~45°С '
Обратный ток эмитте р &, мА
Обозна-
i1
11кэв
/ЭБО_ ·1
Напряже н ие насыщения
эми-пер, В,
КОJ1J1ектор .,..,.. ._
.
Икэ ~~с
КТ926Л
КТ926Б
u~1, z5
0,2• ·8J
О ,0,5 25
0,5
0,5
2,5
~.5
,.
.15С!
12С :
150 1
15
10
з
3
489

Наименоnание
Напряжение насыщения база - эмит-
Обозна
чение
'
ЗначеНия· Режимы измерения
тер, В:
Ивэ ~ао
КТ926А
2,5
2,5
15 1,5
10 1,5
КТ926Б
i
'
Модул~ - коэффициента .передачи тока на
высокdй частоте (!= 10 МГц)
Статич~скйй'-- коэффиц·иент
всхеме·сОЭ::
КТ926А - •••
КТ926Б
при Тс=+100°С
пр1и Тс ,=·-45°· С: :
КТ~26А' :
'-· ·
КТf2~Бi ~ •
1!
!
передачи тока
j..(
5
10
10
8:
8,
6)
60·
200
69
60
10
15
7
5
!:;'
·-
.
•
Максимащ,IЮ. до11-ус-т.1t!\iЫе параметры. r а_рантируются при -темп_'еd~аf:уре · ~кру_-
жающ.е~ средыi Те=:=.,,-45 .. : + 1-0oi С. .•
..
.
.
:
,.
!!:>~•·
..
.
'.
/ К mJ,-'--' аосТСj-ЯН:~ЬJЙ
ТО!( КОЛ~
л~кtора,>к· . ' .
.
.
.
15
1
;
••
f
'в mlx ; .; , посtоян (1ыr1 ТОК · базрl,
л;j.
_
i, ,•
•.••••••\
1
/к, и ina't ·~
ИMOyJIJ,CljЬIЙ ТОК ' КОЛ·
. л<iкrора
: .(( ~~509__ мкс, i Q~
;;,.50), А · .
.....-..
.
.
·25
1в, " -,~~~ ~ и~;пул~сный
т~к базы
(/и:;;;;;500 мкс, Q~50), А .
.
12
Иэ5 max - постоянное
напрffже-
ние эмиттер - база, В
5
и\)
КЭR n,ax - постоянное
напряже-
ние коллектор
эмиттер •
(R,:;,:;;;;;10Ом),В, • , , •150
;j
·.,
.
<
. ик; 'иmах _:, _и~iпульсное: f 1iзпря-·
1
'
'
1
•
/
: жение - коллектор- ..;.. ~1-jиттер
-
• (/и:;,;;;500 МКС, Q~50)1, ~ :,
.
200
!
1t
'2)
••
!!
Рк max - постоя~ная ра~с~ивае
мая: " МОЩ!-ЮСТq i !(ОЛ:Ле1)1:Ора
(fк,:;;;;;50°С), BJ·
,
,
.
,
50
Та m ах - температура перехода,
_оС•••,••
150
Rт. u...!к - тепловое сопротивле- '
ние переход-корп_ус, 0 ~1Вт . 2
Допустимая температура ' акру- .
жающей среды, 0 С , ...: .,4'5... +100
1J При Те< 100°· С. · в диапазоне температур
-
100., . 150° С напряжение
линейно . уменьшается на 10% на каждые 10° С.
2 > При !~= 50 .. ;,100° с; r;10Lцн9 ,~ть ·уменьшается ~ со·ответстн11и с Р к ~ах [Вт] =
= (7\1 ,~~'х - ТJlR;, ·п~·1;.
'
,.
'
490,

lь,А
1,6
1,2
0,8
1
-
4
/,
1j
;/1
!/!
1/;
/!
fJ
,.
/
I~,A
в
Б
4
/
,,.
/"
'
Iv., ,/
,'/'
-.,,-
,.
vv
"'
.,
j/ .-
t1/
,_
~
iЗI6=100нА~
-
IJ,4
///
//1
,
z
-
-
~
z
/
,
о
0,75 1,0 1,l5 Иьэ,В ,
о
z
4
1
70 1--+ -+ -+ -+-1- -+ -+ --1,. -+
, -+-+ -J--+ --j
б 1--+-+-+--+-+-+-f-- -4 -+·- +J~.-+ --1 -+ -
,,
О246810'IZi~,A
КТ927 А, КТ927Б, КТ927В
_O,f$щие сn·едения. КрРмниев~е ПJ1_Знарн·.~е. -п~р~п•т-рЗ-н~Ист_Оры пJ)'едriа:зНаче-
ны ДJIЯ 'рабОТЫ В KOpOTKOBOJIHOBh!X ОДНОПО.iЮСНЬIХ ' траНЗИСТОрН ,ЫХ Передатчиках
и в друп1х высокочасrопшх схемах аппаратуры связи!
•
491

Кор.пус .. пл.астмассовыit,
-
с жесткими выводами • и -с монтажным • • винтом
(рис . Пl.7·8) ~ · Масса · tранзи-стора не б_олее _10 r.
~сл°оция ;1ксплуатаuии - в
__ соотве_тствии
с табл. ~2.3.
:; Электрические параметры. КJiассифиl(ационные п'араметры,
.
~it • Наимснованне
Обратный : ток
ра, мА
Обозва
ченнс-
З начен ,ия
Обра т ный ток КО J1лек
тор ~1 эмиттер : (R ~ =0),
мА-..,..
-
·
--
fкэi< 0.0UI 4,0 ' - 40'
при TJ =+l25°C
120
iJil~\и Т~=-6О0 с:
_·
~ ~о-,
На11рfжен\ие насыщения 1 ·
;[·11/
колле1пор• - ~мипlер, •В UК.:➔ вас : 0,35 О, 5 О. 7
;i't I
i
;
,Чo,s.y~!i . \ коэффнци~н-;а
r1ередачи ' тока н,j 'высо 
hОЙ.чаё:rотё - - "
-
-·, -•
Ст а тический коэффиuи
~нт - передачи . то·ка ·в ---схе- ••• ··~
ме.с ОЭ:
•
'1~1э
К'1'927А ,
.1((9276 ~..
КТ927В ,
"пр:И Т,, =+125°С ·
--
КТ927А
• КТ927Б~.
IП927В'·
пр'и Т~=-60" С ••
КТ927-А- ••
КТ927Б
. КТ:9,27-~ •;i.''·' , , : :. •:
Коэфф'1;'ц~~•н,:
по м6(1iiiости
± 15°С.
= 75 Вт)·. !дБ
усиления.
(Ти=30±
Рвых ,1н,μ=
Коэффи11иент поJ1езно
rо действия коллепора
(Ти=30±15°С;
•
f'вых.рор,.;,75 Вт), %.
492
11и
•\:
15 30 5а·
--25... • , -30
,s-75-
40 60 100
15
25
..
40
-·-7.
50·
IQ
75
::ю
· f00
3,4 14,5
40 50
Р,•жнм91 измере1:1ю1
, 7fJ
, 65', ;,;. ·.•
70_1.
..
':,'J •
16
'6•
:6_
б
~
6
iб.
6
6
·5-
3
·5
-
5
5.с ·1, 1: <,.. ··
5
5
5
5
5
5
3)
30

Наименование
Обоэп'а•·с
,
Ч0ПJ!8
.''..
i'"•
,•.f''' ,,. ·
i
са
"
,Uк.·В
.< ,.., <
',
~
(Т} ~ !,О
::,
...
...
.:.
Коэффициент
комби-
национных составляю-
щих
(Т к=ЗО± 15° С,
Рвыs,рер=75 Вт), дБ
- 39 -32 ...;.зо Ек,;,,,2в в
30
Прямое
напряжение
диода при • пос:rояниом
токе (/д= 10 мА), В
.:
.
.
1.
•
Емкость зr;~иттерноrо пе•
рехода, пФ
Емкость ко;,.лекторн .о-
rо перехода, пФ
Активная
составляю-
щая , полноrо , • вхо,дноrо
со_nрол1вления ,
(Рвы.: рер=:,.:75 Вт), Ом
Ипр 0,6
Са1
1700
.,с" l12O
О)0,8'
' :-.~
• 2300128501 .
···1
·
·1·
.
1
·,,,
··1
··.
·.
,.
,
.
о',.·
,·
10
:150 :1.~~ · 1
28 1·
•·:[·;
',
1 il-·,o
2,65
Ек=28 В
30
i,:р:;,'!:(i_,:". ." (. 'f
.,1:1 -! ~'1'1_ ,i · ·
:-_,_ ••,; i}J.
:·--~t-~1
~-t ;:·1 ;;,-,.~_(:·1'
i,,:
.
,
·
,
,
.,- ,c·i;,,;, ,,,.:
.
i параметры тра~зистор~S' 8- дву.11:'таiтной- ширекополосноil схеме · линеi!иоr~
0 fсвлв;тещ1
; i.,;,,;\,:r,,c;, ;·,. -:,, .:•.·.,, ,, ·. ~
_
_
:
:
.
.
.
,,
; __:\
1
Максимально допусrимые , щtраметры;
жающей среды Т с=-;-40.:.+857 с. , !
/ к mа~ - t!ОСТОЯ!iНЫЙ •·ток КОЛ•
лектора, А' . .
,
,
,
.10
/к, и mas - импульсный ТОК 1,(ОЛ•
;1ектор.а,А .....
/д~.s _; _ т6к диода 'в прямом на•
• о~авлении; ·.· мА :;· · ,
,
,.••.
ИЭБ max --, nосуоянн:ое
напряже-
ние эмиттер - база, В
',
.
ИКБ max - ,постоянное : иаnряже
100
3,5
._ние
к~лл~К!ОР - база, ~ :,
• -70
Икэк-mа* - ·пос~оянное напряже~ . .
• иве
коллектор ' ,:._
"9'мiiire'p'' .·
(Rв-=о>. в··.·;;.·.-· . ·,zo,
Uкэо max - постоянное . щшряже -
ние коллектор ~ эмиттер .
(RБ=00). в
•; •~
.-
~;.35
Pl(, ер ma» -
рассеиваем~.я • 0м_оiф ,
' ностъ
коллек'rор:з' . в' др1⁄4 ащ1:· •. •
ческом режиме,. E\·r
.• _,:,·,.,.. ,?З,~
Тn in ах ~ тем rнip,01 ура перехода, · •
:~С.~~--!--~- • -~ ·
!•;,·
·-~
200 -
49.3 '

·f
Н,, 0-11
-
тепловое • сопротивле-
Допустимая температура окру•
жающей среды, 0 С .
-60...+100
ние переход-корпус, 0 С/В1 . 1,5
i '1 llp11 7 11 ДО +75° с, При повышении темпера1уры корпуса от 75 ДО 150° о,
Рк;. ер 11;ах [Вт]"" (200 - Т к) / Rт, n-11·
•
•
.
i
j__
-·
I6 ,мА
Iк ,'А
/ ,1),
1/00
8
-
-
1-!кэ~!2 -
f/.. ,, .....
'1'. , .,;
IV ,~
-
300
Б
,v_,,, ;
1'
--
,r
: zoo
4
'
'
if
i1
/-
Лl5=100мА- -
j
'-
1
1!i
:·1
- 100'
J
z ,,,,
/
/
о
/
о,ч 0,6 Uбэ,В
о
з
6
!i1
,_
..
1
о
z4
6
а
4
8 Jк,А
\hz(э\ .
,,,,.
'Kr ;
1.1
'-
,дБ,.
• f=JаМГц
; д, : .1, -- , -- -tc,- --.+ .- -- '-- '-t.-" +-+-+-- --+---l--- "-----1
_
_ 25 1-----+-- -h'----'I Ек =Z8В •
'IЦ--4.,;;_+--+J~;j.;,,,~:::::::t:::j~ _._J[J .... _
.
: lсм = ZО-нА
:1
•
-,.. ~--
'__..;1,
:.· 4
. -. .. -t'=>-+ •-- =+--- ---+--+ --'--- ---+--- '' - - - 1
-
35 f---'---+ ---+ ---+ ---+ ---+ ----1-------+ --1
f=:JOMГu,
z
lк=1А
-
40~~---'---'--'-----'-----'----'---'
о
za
60 Uкэ,В
а
za
40

ffr/JБ
-32
-Jб
-Jв
\
'
1/
\.)
\~
Рвых /Jl'/J ·"'50Bm
.,-
r, =2вв v,....
к/
V
~
'
..
'бых рер, Вт
80 1---.1::----t-t---т-,--r-,-, '1~ ,о/о
50i'---'--'--,-'--'--~~~~-:-----,,
;и:ZJZч Z5 26 ~7Z8;Е~,в
;1
зz
30L-.Jl.......J .---" --- '-,-L- -'--- -'--' -...,_ _- +-....._ ._ __ .~ -.-
O
1015zo
z5 , ~нrи.
- Z51-i--t--t--<
1-i--t--,----;
1
Р6ыхрер=758m ~~
rсм~zaмА • ·'
.,-,-
i--
' f=30МГи,
,
-за Ц-!4-+-+++-+..--+-:::::;:f;г-+-""F:ci
-35 H-!---+-t-H-+-т-t-nгt"-1
-40 L-JL-.J-c-'---1.-'--,-'---'--'-~-~~
,50
60
ln~ ,мА
401--+ --t--t ---tt---1
!--' --,-' : --; . zo ··f--~
-~- t --t-tr:--1
20. 101
В fJO
I О .O,il 014 0;6 Иnр,В
t--tjtt-t--;---:-: -1· О,O'-i 1--.. ,.. .. ... - - ;- -t- - -r - -i
,1-1
г-,ft-+-t-,,-'-1__
.
а,ав1---1--1--r--r---i
1, ir,p~/1A >
j.,
Ооласти оеэопт·ны~
режимов
/к,4
' l/ l-гtтt11'tt1'<,-,to
;z н--etтtttm.~
1, а ·1=;;t:t:J::t:t!f:~~R=R=Ft1
0,8
ОБ гт.,,-т,mrт--!~1-tt1rtt1
7: 4 H-Н--ttit-t--т-t-tнctttt1
~z ......._.~~~~-
4 lj в;10 20 40 Uн3JJ,
4)3
\·
'.

·f
',',." :: • r·!',
=
('l''''ilif'l';"i'"'l'' ·1,1,,1,1,11iii,,,~ -
L_~~----
20
-
21_
•22
-:--2 ,
КТ928~. КТ928Б . .
• Общие сведения.
Кр~iм ·ниевые •эпитаксиалыi"о-планарные п_:__р--п-траirзисторы
предназначены для , работы в быстродействующих импульсных • схемах, в цепях •
ны<iисJштельных . машин, в схемах генерирования' ЭJ)ектрических колебаний ' и дру-
гой радиотехнич,еск9й аr:ц1аратур~. . .
••
К<?РПУF. метатшч~СКJ-\Й, ·г~рм~ч1чнь1й, с тибк11ми выводами ' (рис., л 1,38).
Масса транзистора не более 3 r.
•
Условия эксплуатацпи - в соответств_~и с табл. П2.2,
'!· 1
·9'1iектрические ·параметры. Классифик;цнопнь,е'· параметры: ': ~ 213
Наименование
Обратный ток коллектора, Ml(A
при Тс=+8.5°С
при Т,,=-45° С
Обозна
чение
Обратн~,rй ток эмиттера, мкА 1 'эво
Напряжение насыщения кол-J
лектор - эмиттер, В
Икэ ,1ас
Зttачения
(Х1
560
50 -60
560
1
'; '\
J:•·
Напряжение насыщення ба-I
за - эмuттер, В
.
.
.
.
И БЭ_ нас
'
'
1•1!'
! 1:'.
1
,1-:,.~ 1· ... 1··13ooj,30 /.,
.\
.
,
,
,'
1
!
-
1-\•
·'
Модул~ fOЭ~(fj1щ~e1iтa i пЬре~а- ·1'Г :
чи ток;а ~а jвысо~ой ; ч~ст?те; [ j I h21э 1
Стати•iесkи~ kоJФJнцJне*т 'пе+
редачи тока! в:схеме с!ОЭ: : ; i, h'21э
КТ928А ' :
'
1':
'
!
I<Т928в° 1
:
'
•
'
Емr<ость коллекторного · пс_· pexo!I
да, пФ -j
1
:
;
1
Си
••
?;_
~1
1
'
Постоянная вре~ен~ rieпri рб~
ратной связи 1щ 13ыссiкрй ч:ас~
тате, пс '
•·
1
•
1
•
1
'
•
\
\·"
Время рассасывания, пс
1 рас
_:1-
20,, ·1100,:3,.·.
.
50 1200,3
1:,. '·
.. r 10~-
10
1250 1
' , 1;100
;1.: _
10
1 3001 30

• Максимал1,но допустимые параметры. Гарант_ируются
при температуре окру•.
жающей среды Т,=-45 ... +85° С.
'
_...,
/ к max - постоянный ТО!{ кол•
1rектора, А
.
0,8
/к, и ma:r - импульсный ток КОЛ·
лектора (lи~I0 мкс, . (.;>;;;:;,
~50), А
.
.
.
.
.
.
1,2
ИэБ тах - постоянное на пряже•
Hf/e эмиттер - база, _ В
5
Ur<Б тах· ~ пс;н:тоянное rн1пряже•
uие · коллектор . - база, В
.
•.
60
Ик.э max -постоянное напряже •
iiиe коллектор - эми~::тер, В 60
:~J\,:~}·
р}) max - пос_тоянная рас~~,i~аё:.,.
..
~-
•
•.
•
•
-~, •.
:• _1;..J;.l t~,, • -
мая мо)дность 0 ко;11лект9р а • •
(Тс=-45... +25 С), Вт . • 0,5
p~)max - импульсная рассеивае-
мая мощность транзистора
.
(tи~I0 мкс, Q;;;., 50), Вт. ~ 3,6
.>
-1~-
•.
,•
:.,
•
•.
1
,•
Тпmах · -. темпераrура . перехода; , ,,
.
0С
, ;· 1-50
Допустμмая температура .· окр У,· ' ' ,;
. жающей
средь!, •ос • •• '.: . . . .45/.;:+85
'
'_'
-
·
'
:!i;,t1;:
'1
·, :::-с, н . ·;·
16,мА
11
1) В диапазоне . температур.. vкружающей ере•
1. , ДЫ 25, .• - 89~9 •: .Rк.• max ~ - Ра "ш,ПН •.;1Jf1~~itщ~.. ., ?;,>(\~~lib•
щаю·,ся на 4 мВт/ 0 С.
-',-_Uкэ=О 58
·10 1--1----+........-~-1--++-1
60 l---'lf-+-+- -t -+- -tf-1- -f
зо
..1
• ь.--.1-+--+---Н.1i-J1,;
: -- ,-+-i
1:
20 l---'lf-+- - -+ __,,, __
.·•-11-t -- -+c--+- - -1
'Ji
II
10,-;.' -4-++-,af--!,,-..+---+--'-.........
-i/·,
1,
.,
1·
О;Р Q,_1 • OJf: [l5а,В
.••
..,
..,.. .-
5,0
БОО//•
1
З,51--+---i---'\--\--t-+
J
i.-· -'""
400/V
.-
--, , 2,5
2001J'4~--Ь-.J.-t--+-""°FF-0 f 2~:a___
·, ++-j
1_.,.......-
,
[0"1,ОмА ._ _
а
8IZ
i~._. '~';:
1
'
1\_ !\ !,•...
, ;(;· 1:11⁄411 ~ : ,1;~.~-
·
,j·\·_ ttЧ:
_
.,
--
"\ '":''
-...-1-:1:· ·1,:,J~;; '"\
•,!;;j•'· :.~- <:11~1 -: ~
_.с; "1•;·i~:~ ..~ .. r;!'1·• · ~
·:
•... \ !~ ::,; ,/ :~ '1;·•'.'
1·•-
• -' --~~~~~~ -"r-..-'(\,.
"'.: .c
•lc.;
.·1c.:.
· ,'-'-,
·~- ,.·
-1
.
:,}
• tfн'э~щ ',В _
·t-·- ·-+---+--+--1--1------+---+---<
l,Z
/·:;;.;1 :; .. ,;·, ,j
/.
·''(!,"·
..,..Р1' :
а,в 1--+-+---+-+-1---1--~...:_с.:.;--,.,""~-"'-.,.~_. ,-, ., - 1
._
... ,
,_•
-
D,6 1-i+'-+ -+ -:-J .,. ,,_ ;t-" -
·'+'-+"""""
~·- '!:' "'-
·= -i
L
/
..,..,
1 -·_-
а,z1-
··+++-ь--'f-'....
-1
,k~
• 1V,:
О '. UJO- lifIO,-- 600
-
V·
..,....
[.
-
~;10.-
•:[б•.,,_
11'1,1- "
. i1a-t1-A
•497,-

..
•hzrэ.
150
, •);.
--
.
-+; -:~
·
.•
11
.
:--
-
1•1
Ик6;зв ~
'/
1.r
/r- .....;::
\
. KT/JZ~б\~
··:
,...
r--..~
'
'
.... _
9U
V
,
.\
r--
-
~-
L КТ928А
-
-
'
\
--
--
,.._
---
--
-
-
-
30
/ ·-1--
,-
--
-.- .--
-r--~
-,-
-
~
-·-
-
-
,__
--- ~-
-
.
а 100 .гоо ЩО 400 500 600 700 800 900 Iэ,Мд
КТ931А
• • • Юб·щ111! -: c1:i!;J;e1111ill~ , · Крем11н.евые ·; СВЧ
1Jлан,арно-~пит:1кси.альные. rt,::-р 7 ,~-,тран
э11с1оры пред11а3на4ены для работы на частотах 50...200 . МГц . н шнрокололо~цых
усиJ1итеJ1ях мошности, умножителях частоты и автогенераторах.
.
Корпус• металлокерамическ11А, с nолосковым .н 1щnодами .. (рис. Пl.79),
.1\-'\ac~u
тра11эистора . не , бо..i1есi'' 7 r ... ' ,,. .
;.
.
••
'.
:У.СJIОВИЯ ] 9KCП,/lfa 'raщtи . ,. .. 8 С?оrветсТl!НИ с табл, -Л2.4.
ЭJ1~ктр~;~ские Ч1Щi\';1.е:rры•
•'
,. ·нии~енова11 ·1~~/ •
Uбра·1 нwй ток эм, иттер11, •
мА
·
11ри Тс=+85°С и
__:_40°с'
'
Обратный ток коллектор -
эмиттер (R 1; :,;;;;;10 Ом), мА
при Тс=+85°С
при Тс=-40° С
Емкость· эмиттерного пере
хода, · пФ
498
.,
-06озна-
1 кэя
3200
Q;
,О
="'
и.а
..
,;
.., ..
:,: :,:
10
20
30
60
ба
..:.
'
4
1
'
1
4
:
:
:
60
:
60
50
о

•3начени я
1J ~жимы изм...:р . :1,.-1>1
На именование
Модуль коэффициента пе·-
редачit · тока на высокой
частоте
'.
Коэффициент уси.1енн я по
МОЩНОСТИ (Тк~40°С, .
Paw.1:=80 Вт)
Коэффициент
полезного
действия
коллектор~
(Р .... -во Вт, Тк~40° С), ·
%
Емкость коллекторного пе- 1
рехода, пФ ,
Обоэна.,
о
•ение
•а;
,, ..
:,it;
., .,
>!~
1Er21э l 2,5
к"р 3,5
"lк
50
~
1'
~
.,
:с
сiк., в ·~
<(
~
о
..
"
t;
а.~
:с
"'
...
>!
:::i
..:
1
4
10
15!Ot
1::к='28 В
175
~- ...
'
.
·,
ек=2S, В ' 175
j
;•,
'
• , , ~\\а~си~ально доп[ет~~ые ,nа_ра~етр_ь~. 1 f_а·ра.~tирую~:с.я,' ори , ,rемцера.туре :пере-
ход,а· f 0=·---'40...+160 ,С. .«
•
, .. ,.,.,_.,,
;, •.,,., .•. , ;:-._,,
,, ..;.,,.,.,, •.,.. ;·-,.:."
•.,,.,
,.•
/к: "afts.;,;. постояин.~~ - .' ;о; : ·:: л • .'.,' :'°:,;,:;;:;; · '' !111памическом :о,_;~~~~~ .• (.Т.:,;
лектора, А ....
,
.
.
15
.;.,-40... +40°,C),,,Bt, . ,.,·. .•:.:,, , 150
Иэь ,пах - постоянное 11аnр'яже•'•'
·-'
''·' .,1;,·: ! ·u ,111 ·1_ .
~тeм•n.ep:ail'ypa ,,.,:• Depexoдa,
ние эмиттер - база, В
.·
.
.
4
°С
•
•
•.,
,
,
•
•
•
• 160
Ек - постоянное напряжение ПИ•
R• . n- • ±: tеп)ю~ Ъё . J соhрdтивл~
: . танни - коллектора ,.... В
....
.
..
.28...., ..,
-·
ние --оереход -корпус, •-C/Br . 0,8
Pk( ср .,,:.ах ~~:-:;:-,Сl)ед[!Я..!!. _ ра,ссе·:.tвае/ . ' Доnус·lимая температура окру-
',мая •мощность кол~ектора :в
: ,, ., ,, жа,ющеА cpeдhl, •С •
- 40... +85
-~ """""'
'·. :...
< '---
-
',1
,,
.•
:.
j-.
:
~ ":f,.
•
М Прн _ ти . =f 4о.:: .+~5"С. PI<ni~x; [Bт] = (lJ0 ..;..Тк)IRт, п- ~с·
·I6.мд1--+~-+ -, -+ -.. -+- -+ ---<
'J~•
Iк,А
\ /. ;,,.
'
rf60 t-, -t--+-+ --+--+----1
,..._+-а-+-+. -ик;= 10в;
1zа ,_____+- _,,__
__,
/ .,,,,,
,,,,,,.
в
'/
Б 11 .._,,,,,,..-.
'
,,,,,,,.
80
I
40 f-
1
-
·
+--++- -.1- -)
, !----1 -',-j- -'-I
v-
J
,
ч
fV
lV-
I
0,4 0,8
о
IZ16za
49)

.,
1'/к,о/о Рвы
.
80 80
60 БО
40 4D
20 zo
х, Вт,
loo"''I).-
J.'' "·1·~-~~~ -,· :,.; !• •, '1··
\,t;,,
~~'\
.
у;,,,, .
~1>"'~ '
'
'-- --
~'Ь"'~
./
/
_/ l/к. tiй /7Ji !1Гц
'
~--
'.
-
1/ н на Z00 !1Ги,
1.А ~
-
ii"""'
v""
,,,,
'
'
1
/ ~r1/1/
,,.
Икэ= 28В
.,
•: /,,V
'•
,,
•
i/V'
'
'
о
6
,1(}
1l
;1·
,,•
.•
•
· 1/н,% Р6,~. Вт • Г= 175 МГи;
Рах=16 Вт_
65 60
-rк·,- •.
пс
\1,
.,
30
\
r11
._ ,_ __,_ __,_ _,~ _
, ··· r•SНГц •• ..: ._
+J-__j:....CЦ~l--1 • U~б ;:58
•:, •• ..!.,_l ,, .. ,
55 40
+.5zo'
'---'--'--'---'--"-'---'---'--'-"--'-__,_ __, 1О L.:,-..L,_ -'--'--'L-"--- -'--'-- .L .. .. -'--'
_, ·в-
• !''[ 16 20 --z4 ·икэ,8
J
11
31J.
r- ... ..._
. fо100Ш ц
Uк•5В'
' r-,..
~ !--1 --
l ............,_. __1--1.....i.:...1.-1---.1.--L-..1.-1--1.-L....a
о
8
12 Iк,А
JА
!-· К, ,"
а
'Область безопасной работы
·, .•;,•is
,•:i1:,.,
.,
'•J: ·• .,
.:-, i,1·i ·'
Тп=160°С
"'----' --=-- -' -"'-'-""'-' -'- - -" - Тк= ЗQ OС·
70
za

11111111111111~11111111)1111111!11111 ·1 11111111 11111111111j 11
КТ935А
Обц.1ие i сведения. Кремниевые 1!1еэапланарные п-р-п-транзисtЬры предназ
начены 1 дJ1я1 [Jаботы в аппаратуре широкого применения.
Ко~пу~ металлокера~ический, с жесткими вьIводами и монтажным винтом
(рис. П1.66р. Масса транзистора не более 20 г.
,•
,
.
Ус~овиf э1с плуатации - в соответствии с табл., П2 :2.
1
i
'
•
, ЭJ1{ктр j1 че~~ и·е параметр~. Класс :ификац~онные парамрры ~
1'
1
•
'К? R· 1 эБО• ,h21э·
•
'
Нанменов <ш иэ
06озна-
~
'"
,о
(Q
(Q
чение
•:с
":с
,,:
:с" u.D
:со;
""
:,,: (Т\ ~
:с" ".,
..,1· r ~~':f ;-т
:)
:).,-
! 1 ,,,,-,·
'
ОбрЬпiый tок , ;:iми~тера, мА
1!'
'
•
· 1•.
J \'зо~1· 1· ·41\
•
'
i;БО
1,,
Граничное напряжение
транзистора, В
1\ !,i ,1\:11 \11\\ ',1,\,1
.....
•.
Н апря il<eilite ' , иасыI11ения.
кфлJ1ектор - iэмитtер, В
,1
'
.1кэR •
0,5 30
, 1.О 6:i
;·•i
t_\ •:
Икэо vn
70
1 r·;
u;··;о'5!1.о
КЭ'нао ;_
,'.. ]
1..
'
i1
.;.
80
60
j.
1
1$
Н~прященне jнаси~iLения : база-
.
,,:
,,:
~Ъ (Т)
1
j1•
3
'•
1
i0
.4
' /:.
-
u
,
и·
:1з ·11
15з
э~1иттер, u
,
'fiЭнаr,•,••
1• ··
•
1
:'1
•
::s
i
,. ,,
1··
Модулы коэ<!jфици~1па :переда·
'
,
,
•
'
1
1
•
1
1''1111111
читока ! навrIсокоичастоте : I:1z 2 ,al ' 1; 1
10,
,
3()
Статический коэффициент пе-
редачи тока в схеме с ОЭ
при Тс=+100°С
при Тс=-45°С
Емкость коллекторного перехо· 1
да, пФ
1
h21э
:·,
201004
15
.
-
150 5
3
81004
15
14001450,281 ~;- j ,. /10
501

·f
Максимально . допустимые параметры. Гарантируются при температуре кор.
пуса Т н=-45 ... + 100° С.
/ к mdx __; постоянный ток кол· •
.lе1пора , . А
20•
15 m~x
·-
постоянный то~< базь\,
А•.
.
.
.
..
.
.
.
10
/к, и ·ша< - 11мпульс1iый ток · кол
лектора (tи,;;;1 мс, Q;;,,2). А 30
1Б . и max - импульсный ток_ базы
(Ju,;;;1 мс, Q;;,,2). А
15
ИэБтn,х-
. пqст,оянное
нап·ряже•
ние эмиттер - база, В
.
•...
5
ИэБ, и 'тах -; импульсное напряже-
ние эмиттер - база (t. ,; ;;
,; ;; 1 мс; Q;;,,2), В
.
.
.
.
6
Ul)
кэ:я max - постоянное напряже-
ние коллектор
эмиттер
(Rв ,;;;10 Ом), В
80
Икэ R, - и ma_x -11мIJ}•л~сное
напря•
жение кол.hе~гор - эмиттер
(R F, ,;;;10 • Ом; · fи.,;;;50 мкс,
Q;;,,20}, В :,_
.•
.
•
•
.
•
.
100
PJ1m;x - п~стоянн· ая : рассеивае•
мая мощи.ость' ,коллектора
(Т.,;;;;50°С), Вт .... 60
Т п шах - температура перехода,
•
0С
..
.
.
;.
,
'\, .
•.
.
+150 .
Rт, п - н - тепловое сопротивле-
ние переход - корпус, 0 С/Вт 1,6
Допустимая температура акру•
жающей среды, 0 С
- 45,.. +100
I6,,н,А
,,, '
•
1--1 - Uкj=:q
.
,:1,Z
I
i---:: 1- 58
.. ') Ори Тn,до.I00°С. При. повыше, ,
нии_ П'Мnературы перехода 0т 100 . до ,
.150?(,: . н,алр,яжение , . линейно . умень•
20
15
10
5
о
502
:
,J
11
'
1,0
-
I
,__,__,__,__.._,__~,__.__.
~ 8>-+- -+- ~- +--
1 .............. _ _ . .
О,б
J
а,lj .....
-......
• -+ -~·_.
·' _, _/<--+--+- -<
/
о;z ,,1--1-+ -
· 11-
'1-+--1r--+-Ч-+-f
)
O,t+ 0,6 0,8 1,0 'U5э,В
-.
1000 ,
-
/
/
-
/
~-,,,, 700
/
;,,,,
• 500
·,
'
.,,,,,
,,,,,.,,,.
// ~,,,,,
зоо
,,.,,,
.:..-1'
V
--
1
~-
--
-
!.,,о'
[ 6 =ЩDнА
1V"
1
2з
шается, до 40 В. .
-.
.
.
2)"Цри Т н =50 ... 100 ~С Pкrnax/Bтj .=
=(Тпmах- Ти)/1,6. ,. ,
,,,·
110
h_21э
/-
11
'-
Ин 6 =48-
,/
'\
/ ',,
['\
\:~
,·.
•90
/
\
•I
'
70
-
./
••
/
\·
50/
\
/..'
'-
1
30
~ ,,,...
...
v....-
1--
-
r--
1'-..
10
~
...
'
~
'/"
1
DZ468101Z1lf16Iк,А

l!Gэ нас, В Uнзнас, В
Z,5 ч
z,a з
_Iн = 15А
5 1---+- --+--+- --+--+---+-+- -!
---
--1-·-
••
ч . ,.1--'.......
---- ...
1,5 z
з ~,,,,,..
1,а 1
z,
,,..,,
Ин =IDВ
0;5• •
•f=ЗОНГц
1
а
1z34/,А
о'
а
1
1':·.,,'·'·
КТ93'6А, КТ936Б
Обшие· сведейия·. Kpeil'fiиenъ1e ':плш;ар~ые ni...p1⁄2~-1тp;i1зиdr~-p~,j ~р~дiй1~наче
ны для лиае\"11юrо • у'си·Ления сигва·Л:а • 11 ' nл.я· 'усиления , мошн.ощи в с1хе~1ах rибр11д•
. но-и нтеr ралы tоrо ;1 исп · олненвя · аппара1'у ры '
riJирокоrо ' п'рцме~ения :' .. ; '
.
Бес1шрпусные, q кристаллодерЖ:атеJiе'м •'из оr< иси " · бери ллия (p1ic. [ Пl' .80, а, б).
Масса транзт1сrр р а ,·не 1б'о.hее 0,2 г (КТ936i<\) ' и. О,6 • г· [ (ЮГ936Б). ' ., • • '
!
•
•Условия эксплуатации...,. в соответстви:и 0с, табл\ П~.у- : ' '
;!:,,
•
.
t.i:~(.
-·
\.
Электри•~еские пара~1етры . Кл ассифиI<ацио11 н ые 1 лараметр:ь1· :' ,:__ i ~ ;;
•
1кэк, 1эБО• h21э•_l ' ' ii
I-Iаим ен ова11 п е
!'
-
..
i:;_:!•;!i
Обр~тн~rй 101, J кoJiner~to~ -; эми i•т~р (/< 5 =
= 0),i мА:
•
1'
•
К~936А
15
40
Э,5
3,5
К 1[9366
'
!
Стат~т1еСк иЙ кЬэФФиuиенТ {iеРеда~.и
• схемt с :ОЭ:
'
'
••i
1юка. вJ
li 100
Макси~;алыш !до!\устим~,е iiapaмe:rpы. Гарантируются - ПfHi тем,пературе, 6кrу•
жаю ше й среды: Tc := -,....6Q... + 100° С. ·
'
•
'
1
'
•
'
•
'
l)
•
/ I< ma·x
.,-
ПOCTO!ЩIIЬl·if Г.0[\ KOЛJieK•
тора, А:
КТ936А ,
.. •. .•• 3,3
КТ9_36Б
10
/ д mак - ток диод'а' в _прямом на
правле1111и, мА , • • • •
.
100
5Q~ •

..
.
-
.
--
-
.f
-
•
UЭБmax. -
nосто~нное напряже• •
·ние эмиттер - ба-за, В
.
.
.
3.,5
ИкБ max ·
-
постоянное н·апряже -
ние коллектор - база, В
60
Икэ-к m;, ..... постоянное наnряже•
ние коллектор
эмиттер
(Rв =0), В
......
60.
Икэо max - постоянное на пряже•
ние коллектор
• эмиттер
(RБ =оо), В .•.... 35
1), 2)
'
•.
.Ркдин max - рассеиваемая
мош-
ность коллектора в динамиче•
сном режиме, Вт, .
Ооласть оеэопщной работы
i;o
Б
ц
z
.0,.1
..
•.
'
,,
,,
,.
"
'
,.
1
,,._
'
1
'
\1
1
:\
\.\_ \Тк =+1l5°C
+1:iU°C~ \\ +ро_о_с ·
,.
~-
. ·-.
1·
_Z
_
.4 ..Б, 18 Ш. ZO 35 Икз,В
111111111111111111111111111111
-?-.о
2,1 .
22
.,
КТ936А
КТ9366
1iIiiii•28
....83,3
--
• Т n roai - температура
. перехода,
•с . .......... 200 .
Rт, n-c
-
тепловое соnротивле•
•
ние · переход· .;... окружающая
среда, . • С/Вп
КТ936А .
•
,
,
,
•
•
, 1,5
КТ9366•••••
.,
-,
,
45
Допустимая температура ·· окру•
жаюшеl! среды, 0 С .
- '60... +100
, ОБР приведена •на (>ИСУ,нк~.
1) В составе микросхемы. •
2) При темμерсjтуре брокер11т0вой
ПОДЛОЖКИ ДО 75 °t1 при,, : ПОВЫ.ШеИИИ
тем~~раТУ!JЫ подл~ки от+ 75 до
200 С : Рк дин шах -(290--: Т цодп.)/
R;,.,D - C•
'.-
.
,•
•• _,1.;
:•••••::•,,•~-.••
KT94.QA, КТ940Б, . КТ940В .
Оошие сведения. Кремнi1евые n.~анарные п-р-п-транзисторы преднаэначе•
· вы дJ1я работы в выходнЬ1х каскадах видеоусилителей · телевизионных прием ни•
ков цветного и черно-белого · изображения.
Корпус ш1астмассовыii, с жесткими выводами (рис. Пl.71). Масса rранзис-
тора. не более I r..
.
501
УсJJовия эксплуатац_ии - в соответствии с табл. П2.2.
ЭJ11:~три•1tские параметры. К.1\ассификационные параметрщ
ИK::J /~ шах• 1121:,•

Наименован не
Обратный ток кбJшекто,
ра, мА:
КТ940А
КТ940_Б _
,
КТ940В . -
·
1
, 11ри Тс=+85~С, ,
КТ940А
КТ940Б
КТ940В
при Тс=+85°С ,
КТ94:ОА ·, • ·"' ;:,·· ·,.. ·.,
· КТ940Б ,,
• : ,,;,, 1.с1]~Т940В ,.,
,, :,:..
qение
Iкво
' ' 'di>ра~ный " ток •• зм,iiттера; 1 ..
нА
' 1'эво' '
Напряжение насыщения 1 ·
коллектор - эмиттер, ' в и кэ нас
Модуль к,оэффициента
передачи • тока на высо- ;
кой частоте
,·•
• 1h~101
Статический
коэффи- -' ,
циент передачи тока в '
схеме с ОЭ
h2iэ
при Те= +85°С ,
при Тс=-60°С
Емкость ко,1лекторно- .
1
го перехода, nФ
Си
1
~
4,5
•25
25
10
1
Значения ·
.Ре·жимы--из 1ep~1t и. я
5·..50 250
5 .50 200
,,:5 59 109
2Qi·300 <250 '
20300200 ·~~,
20 300 100
,50
. 250
,,._ ·1
50 200
50. 200
l"O;•s -1 1
,.
',.:
,130161:'1
'
10 ..:.
.-
-·,
- i5,?О.
'
',
..
!О
30
10
30
()
30
1.
1 1.30
•1
11.
.1,.
4,2
'
1
-
·-
-·-·
..
~·
,.
'.
,
....-,
.
МаксимаJ1ьио допустимые парампрь1. Гарантируются· ирй re~j'_i1~J/i;JТype •Кор
пуса Тм= - 45...+85°С.
/к шах - ПОСТОЯННЫЙ . ТОК КОЛ•
лектора · о. ,.;;зо мкс; ' Q~ 10),
/ Б max - постоянный ток базы,
мА •..•
,
.•,
,
.
,
50
iк, и,mах - ·импульсный ток кол.·
лектора (tu~ЗO мкс; Q~IO),
мА .........• 300
Иэв max - постоянное напряже-
ние эмиттер - база, В
.
,
•
5
Икв max __ - постоянное наriряже
ние колле1,тор - .база, В:
КТ940А
, 300
КТ940Б•• ,
.
,
•,
.
250
КТ940В
',
•.
.
160
Икэя max - постоян11ое напряже-
ние коллектор
эмитrер
(R5~10кОм),В:_
КТ940А
КТ940Б
.
КТ940В
'\)
• 300
,
,
.
250
160
Рк шах - постоянная · рассещзае-
мая мощность 1юл,1ектора без
теПJIООТВОДа, Вт . .. . . . 1,2
Рр та х - постоянная рассеивае•
мая МОЩ!jОС'ТЬ l(ОЛЛС!(ТОра с
теплоотводd'м, . Вт , ~
•
,
,
1О
--- .
505

.,
р1)
к. и max - импульс!1ая
рассеи•
f!аемая 111ош 1t ость транзисто•
ра,Вт•...
.
•
.
.
.
.
.30
То m а, .- тем i1ература перехода,
0С''•
.'
.·
.
•
.
.
.
.
.
1:50
Rт. ~ - к~ тепловое соtlротивле-· 1
ние переход - !<Орпус, 0 С/Вт
'10
Rт, п-с -- тепловое · сопротивле•
ние переход - окружающая
среда,0С/Вт• , , , • , ,104
'Допустимая температура окру•
жающей среды, 0 С
,-45,.. +85
lJ При , Тс=т-45; .. +25°С. i ilpи Т.с=25.~.85°С ··· ркmа 31 [Вт]=(150-
-Т~)/Rт,п-е- ; :
'
0
:
.
."
ПриТк=,-
45.,.+45 С и Икэ < 100 В, При Икэ = 100:;;.300 , В
Рк max lВ.т] ? (150 ---, Тн)I Rт, п-к'
,i
3J Пр1t Т11 =
-
45...+45°С, lи < 39 мкс, Q:;;.. 10, Икэ ,< 100 В, При
Икэ = 100 ,,. 300 В в соотвстс1вии с ОБР,
Iк ,мд
go f--+ - --+ - --.- ~& 4'F -~-- + -~-- cJ!-,, --- --1
l5,Мд
1
за 1----+ --1----!-__ J__
_J ___;
503
за
о
--
td
g.
8
7
6
5_
ц_
3
2
а.
1---_;.. .~ 4---1_
_ifн/_o, -
z~в--,;:::
zо l----!----l---1----J--.ц._.._J.j
-)О
JV
D L-Ь..d=::::!::~· 1:::'7:__· .lL__J
10
zo •1:.:З1J" • >4;Ь uк;;в· •
o,z
0,4
.
1
;
'
'
..
-
.Инэ=1оов:
'
,,
\
' 160
.\
'1\
·\
Z50
\
'
\
JOtJ
\
\
' Обпасть безопашых ре:~.ш 1 05_
.
..
··•+•
• 102
у
.
'
.,
"\
i\ L.--
l
..
::= КТ9408 1608 '
_
КТ940Б Z508
-кт9'цол
,··-....
3008
rt
'Lц,:: заннс
й= 10
!Nmульсны й.
. ~ежим
C m aniUчec1шri
pe!:i•UH •

1,8 t-tt-- ---t --t -: --t -~- -l --1- -f-+.- -ji. ,. .+ -+- ~
.,.
.,
1,Б .....,_ _,_ __,_ _,_ _ _,
1к=30нА i--,- -t-+,-+ - - -+ -~
~2~З
·i
,
1,Ч Ж:---t-+++--,.-+-+-i---J--+--+-+-_j__j
h113 при 1.=ЗОмА
1,Z
~1-t1111и)ив В11 .tl Нi---t-t--t-'-1\...f-+ -+ - -+ --+ -+ -+ - -1
D
''
4Б810 ZD ~Оlк,нА
D
1:1;~1[ 111111111111111111111111 )
~о
21
22
КТ943А, КТ943Б, КП)43 .!3, . КТ913,,
• К_Т94Зд
,
.
-
.
,.
: Общие сведения. Кремниевые м~запланарные п-р-п:тран~ ;1с;оi>i \пЪед11 а з-
начены для работы в импульсных и друг-их схемах. .
••
' Кор пус пласт масс овый
(рис. П 1.71 ). Масса транзистора не бuлее_. о·,s ;r,
: Условия эксплуатации - в соотвrтстви:И с табл. П2:2.
Электрические параметры. Класс'нфикацио1111ые параметры {
•
'
-
'
-
h21э, Uк; нао~ . 1 кво, (~qO•
311':tч ен ня
J.J.:жнмы нзмерени)оf
..
ОСiозна•
.,
Нанме11овиu не
о
-~
cQ
чение
.•а:
"'"'
.щ
-,;
,,:
., .,,
и.,,
·si@
:,о<;
~(1)~с!)
., .,
!~ :Б
;, "'
:::,
:::,
-
-
'
Обратный rок :IMtlПt:pa, мА;
1 :1БО
1
КТ94ЗА
'1
'
5
КТ94ЗБ
1
5
КТ943В
1
5
КТ94ЗГ ·:
5
5
КТ94ЗД
15
5
Обратный ток кодJIек1ора, мА~
'кво
'
КТ94ЗА
о,1 45
КТ943Б
0,1
,60 .
КТ943В
0,1 10()
КТ943Г
.
J. 100
КТ94ЗД
.
•l
100
5U.7

Наименование
при Tc=liS"Ci
КТ943А
КТ943Б
КТ943В .
КТ943Г •
}П943Д
.,
,,
при rс=:-:-::45°с, '
КТ943А •• •
'
><кт9435 ,. •· ·
.-
···
.,,. •!, ...,
.•
,.,
-,
К:Т943В ·• ,J
,.
i J<T943Г ,
, !~Т9 4~Д
,,;
,··, ';:•:. '
.
~-;
-~
~"1,
Напряж.ение между колJ1ектором и эмит
тером в режиме насыщения, В,
- K J943A
КТ943Б,"'•' ;''1''
KI'943B- ,
•··
,.
,::
,)
КТ943Г
·КТ943д:,., .,., •·• ••
·,
Статический коэффuцнен1
I(a в схеме с ОЭ;
К.Т943А
КТ943Б ,
КТ94i:Ш
КТ94ЗГ
КТ943д
flPИ Tcd +85° С,
КТ943А · .
_•
'
I{1Т943-Б
:
.1\Т943В
1\Т94ЗГ .
КТ943д ·
hриiТс=-45°Ci - -
:Ю943.д
'
I(Т943Б "
К;Т94ЗВ ·
КiТ94З-Г
К,Т94311
i
'
передачи то-
Обозна•
qение
'·,; (;
''
"
ИКЭ нас
Модуль коэфф1щие11та передачи тока· ·на
высокой чаетоте (f = 10 МГц)
1h21э 1
Гран,ичное напряжение транзистора, . В:
I<Т943.А
К:Т943Б, КТ943Д •
КТ943В" К,Т94ЗГ
508
Икэо гр
Знаfdен_ия
Р~>>ю;~ы измерения .
~
,g
:s: ,Q
si2
:,; "
,.,,
1',:1
40
JO
40
20
30
40
ю
- 40:
20:
30
15
15
15
5
5·
3
45
60
80
5
:s::с. щ
<Jд
~2 :;:
':;;: ~
:::,
0,3 45
0,3 60
0,3 100
3, 100
3 100
0,1
45
0,1
_. 60
0,1 \90
1
100
1
100
-
200 2
.,160 2
120 2
602
109 2
-400 2
320 2
250 2
200 '2
300. 2
2
,2
,2
~1
10
~
(1)
:::,
,,:
.~
''
'
i.: .
J,15
.
о, 15
0,15
J,15
J,15
0,15
j,15
(),15
0,15
[),15
(),15
(),15
0,15
0,15
J, 15
J,25
0,1
0,1
0,1
.,i
'°
,

Максимально допустимые параметры. - r-·ар,штируютс-я -- при - температуре· окру•
жающей 'Среды То . _ ~45,;. -+8~
0
С.
Uкв max - постоянное на.пряже• . .
ние коллектор -' .баз~; В;
КТ943А
,
.
,
,
.
45
КТ943Б
.
.
.
.
,-"60
КТ943В, КТ943Г , КТ943Д . 100
Иэв ,пах - постоянное , на пряже•
ние эмиттер - база, В
.
.
.
5
Икэ R max - постоянное наnряЖе•
ние коллектор
эмиттер
(R;,~10 Ом или R6:,,Q
~1 кОм, !Jзап=О,5 В), Bi
КТ943А ••
,
.
,
i•45
КТ943Б;КТ943Д~,,,,60
КТ943В, КТ943Г' :
80
Икэ R. и ~ах _ ;:)1мпульсное напря•
жение _~Ьлл_е!iтор _ - эмиттер
(RБ ~IO Ом), В; .
КТ943А , -~
•',.
,-~
,
,
,
,
5U
КТ943Б
.
,
.
7.5
КТ943В, КТ94ЗГ , ,
•,100
-КТ 94 3Д
-
•80
'Jк max - постоянный
ТО!< l<O.JJ~ .
;1ектора, А . .
-.
'·.
- ...
.
.•
.
2
/2)
•
-
к, и mях - импульсныи ток . КОЛ•
ле1пора (lи = I мс, Q;;:,,:50),
А ...
_
.
_
...'·.
6
/5 max - постоянный ТО!< базы. А 0,3
])
.
..
'
'"•
Рк max - постоянная
рассеи13,1~-,
мая мощность коллектор.а; Вт 25
Тп max -темпераrура
пере:J\О,да,,
0С
..
... .
.
:.. , :·.:' 150
Допустимая . температура -!ЖРУ·' . .
_ж,~ющей..с.реды, 0С , . , 45...+85
f-.}.
,;,•1~
·;,,;;;;-1~ • ;1
•_.;П,;"·1
,
.
!,
'
-
;\,· ;\j:"( •.
) L) В составе ми~р ;осхемы в диапаэо~е темпераJУР корпус~ от -45,::,i-n-\ 25°: C,
Пр~ .. повыше1_1;11и ;r~мрератур~1 0корпуса от 25 до .85 С Рк max}~1тj 'т'
-=- · р50
-
Т"')/5, rде: Rт, п-1'. ·-:=' 5 С/Вт\
·:,::, ;,
.
1 2t Разрешается И,С!)ОЛЬЭОВ~НИ!J ПрИбQров В схемах кадровой pa::!B~P.!Ji.lfl!,I T~C•
виэоровв;режиме/0·сао ~Омс,Q... 2, При этом 1к.. ишах<.3А. •
..
'
'.
,__-/
.
•--
·-
.
.
..•
' н-.~
. 1+-----'t-',,- --t+-----f -3⁄4+-' --"--,. .;+-~
1' {1
~;')
!' :.
j'
)•
('} .
5
1
о )(/1:
' '---" --"'' -"""-
'--_, _~-'-- -'
0,4
0,6
0,8 U6_э, В
,.,,- -
800
~
(
J\;
/--t' "
1лr
. 40Q ....,, __, ,_
'--'-,
-
,__
.. ..
,,-
-'---"-'·:·,.~ --i;.....
, --"--
__-_
-'
_
_
_
V
1
о -· ._.,
,••i'', ;z,- ••
.з
::и~;-.'~.' - ·-
ю9чзr-д1Б=1011А; KТ:9~3Д-;LJ1/s·11Ai .
НТ9чЗА, НТ9чЗГJ,'НТ91/.JВ "AI ь,s:JHA' •

·f
hz,э
140
120
100
80
БО
r 40..
zп
;
.'JI
10
d:
1
j•. ,! :_·,
;диапазон СВЧ ;
llll/ \ lll/ll j1 /IIIIJllll]l111 1!11 11fl
20,
,21
1 22:
12з
. КТ904А, К:Т904Б ,
•
;!i
•
'
,1
Qб11.iи~ сведени~. Кре~пiиевые :· п.л'аи:арно-эпитаr<kиальньте п-р-п-транзисто
ры 11wеднаl з·на1Jены дл'я · раРот.ы · В схема'iГавтоrенераторов, усилителей MOЩHOCTII
J КВ ! И ДUВ д_иапазонов и в других схема!( н, а частотах выще ,, 100 , МГц.
Корпус ме'rаллокерамиче,ский с жестю)°м:И выводами и монтажным винтом
{рис. Л 1.76). Масса ' транзистора не· более 6 r.
'
Условия эксплуатации - в сротве-:гствии с табл : П.~_.4 .
Элект~и•1ес·кие параметрьi. к.~ассификационные ,.. параметры:,
Pus1x• , 1hLI; 1, lкр'• •к· ·
510. •.••

~нач:ения
!
...
Наиме~ование.
Обозн~-
"о
чение
' :,:
!
:s:.,,
"'"
:s:"'
:s:.
Обратный тоt коллектор -
эмиттер (R в=: 100 Ом), мА
1 кэR 0,02
Тс=+85°С
.,
о)
при
при Тс=-40° С
0,01
Обратный ток эмиттер.а, мкА 1эво
при Тс=+85 ° С
при Тс=-40° С
Граничное напряжение транзи:J • •1
1
стора, В
;.•
Икэо rp
.40
Критический ток тр,анзистора,
мА,
КТ904А
1
!
КТ904Б
:
'
Напряжение насышения КОЛ·
лектор - эмиттер, в
Модуль коэффициента переда -
'IИ тока на высокой частоте,
КТ904А
КТ904Б
Емкость коллекторного
хода, пФ
пере-I
Постоянная времени - цепи об-
рапiой связи на ·высокой , - ча·с- ::
тоте, пс
КТ904А
КТ904Б
..
·,
'''
Выходная мощ1iость; · Вп
'·
КТ904А
', ·1
КТ904Б
Коэффициент
усиления по
мощности:
КТ904А (Рвых :;;;е: З Вт)
КТ904Б (Рвх~l Вт)
fнр-.
;
Икэ нас
'
..
.' .;·~ ·
1h21э 1
:\
Тн
.,,
'.
Рвых ·
к'>Ур
1 > Гарантируется для 80% образцов.
400
300
0,6
-·
',,,-.
3,5
3
15
20
3,0
2,5
l,5
2,0
"
,О
:,: :,:
u.u
"'"
"'"'
""
1,5
4,5
1,5
300
900
• 300
-
1100
1100
Pe)!{ИMhJ 1-1 3М~Р-~ ния
,·
eQ
cQ.
· <>:
-,:
-,:
::s
:.
:.
:.
'-
::;:
~(1)~с!)~
::::,
::::,
-
..:
60
60
_
60
·4
4
4
!
10
100
10'
100
250 50
28
200
100
28
209 .
100
.
· ;,!
10
30 5!
10
305
..,
';
28
400
28
400
..
28
400
28
400
-----------------------~~--......~
-
-
----
511

.;
Максимально допустимые параметры. Гарантируются · при темпер_атуре пере-
хода Ти=-40... + 120° С.
:•.;i\•. .:~~· ~/ .
/к шах-постоянный ток кол•
лектора, А ,
.
•
.
.
.
.
0,8
/в 1Т1а х - постоянный ток базы, А 0,2
/к. и шах - импульсный ТОК КОЛ·
лектора, А .
.
.
·.
·..
1,5
Икв max - постоянное напряже•
ние коллектор - база
.
60
Икв, иmах - пиковое
. напряже-
ние коллектор - база
.
.
.
70
Икэя max ..; _ постоянное напря·же-
ние коллектор
эмиттер
(Rв::::;;100 Ом)
... .
60•
Икэ, и max - пиковое нап~яже-
ние коллектор ·
•эм.и'гтер
(R 6 =:::;;100 Ом), В • •
70
Иэв max - посто~~~!~/ {-J~rтряil<е•
ние эмиттер - база, . в·
.
.
4
Pk) 11щ, -мощнаtт.ь, рас~еи'ваемая - ' : .
на коллекторе (1~ ";,;;
'
.·~
=-40... +40° С), Вт . .
•
•
5
rmln -
минимальная рабочая час-
тота, МГц
.
.
.
.
100
Тn пi'ах - tемперапра пе·рехода,
•
0С
.
.
.
.
.
•
.
.
.
.
120
1\ mах- :.... темriерат'ура . корпуса;
..
•__-_о
С••
_
. •·.'
•.
·•'
•
.
.
•
•
85
Rт. п - к - тепловое сопротивле•
. ние пер_е~од - ~орпус, 0 С/Вт 16
·•допустима si темпер'аi:у'ра •· окру-
жающей среды, 0 С
-4{}... +85
11 дJiя д!Jнамй_чеfкого
реж~ма, При Т11 ~ - 40... 85 " С P1,maxlBтj=-
(120 - Т11)1Rт, r. _
11•
:О ~=-i --J.__J
1 ·.P,fi о/и6~, в
• fгр, при .lк=_ O,ZA
1, z. ЦЦ---.!.......t~""'+-~-+-+-~
v
, --: -r,... .
1,0
,
"il,'8 J .
1-4- ~-+ ---+ -'-1
а,6'--'---'---'
. u_, __· ----' -'--- '--
-' --L --L--' ---'
U~Б~288 .
-
11
1
• О O;Z .0,4 0,-Б 0,8 Iк,'А·
512 ,
10•' 15
Т: ,r npu lк=O,Z-A
1,6
Uк6= 70Д.
f--, 5М[и..
'-
О, 8 1--+---+----+-1--+--+--с...+-'11--+-+-+--,
·.
О,ч
- --0
50 100 150 гаа . .Iк,мА

'.
1,Z
1/
/
1,(/
/
0,8
j
1
,'
~
U,fi
''
V
i/
0,4
/.J
- ..-
,,,
'
{) ,,..
o,z
J,/,,' ' '
IJ. ,
,
,.,... ·-
,
J
:
-
...... '
.... ;""-
f,,;/00MГU.
1'
•
_
Роых
Рвы х nfJU Pвx=·1BliJ
,
.
: ....
1'f
=28811.!,,
1,8 1--.J .... ..- - -h-+ .
II_ •
..
'
'
к_:гi:--'-'f\,
1,6 1---1--+---г:-~1,.......,.,.+.,;.~- +-'-+ f'=4 QOМ(u, ' :
•
--
:~'
'\\1
'/
,;
/,',10~'
\·,
1,IJ
1,Z
IL.,..;;:~\ ·
1,а l---+- -+- -+- -+-
~ =-1 ~1:-----+,.c -'-;,-,t
, -'-! --'-- ---1: )>
. ..,. ....1,1'
0,8 l--+- -+- _,,,- - - .... ..1- - -+-l- -+-'- -'+----i-'- -I
/,/
0,6/~·,/
'.
о,ц /
0,2 1---1#- -+--+--+- -+-f --+- --+---1- -I
(/
ц
В 1Z 16 za Uнэ.В U U,2 U,IJ0,6U,8 1,0 р),~ 1,6Рпх;Вт
.·,.
·,''
11_;: при Р6,=1Вт
1,2
1,0
1./
0,6
Q,4
'
1/
J
I
/
1,,'"
/
1
100-
/
r-- ,,
r,....]
400НГи,', •
1
Ек= 28В -~
О 0,4 U,6 1,Z Рвх,Вт
1
1
в
1
1
+-
6
--
1
1
-
-
4
--
1
.... .. ...
1
Pex=1Bm
1
1
Ек=Z8В
z
1111
-zo
40
17 Зак. ·503
Рвых •
ивых при Ек=ZBВ
1;а
1--t-l--4f---1!--l-:-+--+-:A~--1
а.в 1-t-t-+-+--+---ь,,y-t-t-1
О, Z' --'---'L -. .. .J '--'--' ---'----' ---'---'--- '
5 10 15 ZO25Ек,В
•
-
-
-·-
r~._
.•
....
.. ...
г-
t~ •-L
г-
-.....
.
'.
-
k•Ьимr~
60 Ткi0С' •
513-
.

i 1i ! 111 111111[ 111 111: :11 11111111 11 11
20
21
22
23
КТ907А, КТ9Р7Б
. Общие
сведения. Кремниевые плана рно-эпитакси•ал,1,щ,1е . ~,р-п·- тра:i1зисто•
, ры предназначены для рабоп,г на частотах выц~е · 100 . мrп в схема,Х .усилителей
. моuiнос ти -
КВ _ и· ДЦВ д1111пазона, умножителей частоты, аnтоr_енераторов, в им•
пульсных схемах.
'
•Корпус метаJjлокерамич;еский, с жестким в
выводами , и монтажным ви11:rом
(рис . Пl.76). J\:l.ас~а- тра.нзвстора не боJ1ее 6 г.
: Условия эксплу,атаuии ~ в соответст в ии с табл. П2.4.
:
;. ,\
\
••
:
: Электри•,еские пар,аметрi,1, Классификаu .и01111ые пара.метры~
,.,
~~ы~· 1;,12\ .~ , 1-)/<Р: ; ~~-,, , .
. -,!/f·)·1 (\."'1·r:<'P -t
: ыа~1iмеi1ов~,,;:,,е
.] ':;; ;i _; )·1•1~ ч~·зна-..-:; ...: ;:
мини~
ЦP.lfПf""
, .. · мальное
' Обр11тi1ы Й то/ КОЛJ1ек -
то,1:> ''..i..L -:Э•ми-'rтер- •: {R \.(< • ,• .
~JОО.. .Ом),:. мд: ' .
np)j То= +85' С
...
,
n1pii'· 77~= -
40 с •,·••• •.••• ,~·•\<
· ' K.-JR
Гран~чное напр~~ени~ ·1
·''
1
rrр;1,~зи<;,т~о!J1!., . В ; , .
с ·.;"- {.J_~эо "'···
.
Критичесrшй ток rpa НЗИ·
стара, мА:
lнр
КТ907А
К.Т907Б
Мdду~ь ' коэффи11не11та
'
Пе~едrчи: ТОJ(Э 1-1 ~ IH .JCO ·
'·
!{Щi ЧrJCTOTe ·:
,1h2101
\<Т~07А
\<Т~07Б
,....._.
8, J0-~
\.IQ-4
7,l0-ь
U.O:i ,
0,2 ''
0,03
!ООО
IIOO
3,5
3
0 ·02
o:os-
01
3 •60
660
э· .60
•••• 5
350
12 ' 106·
У·''35(' .
2·100 3500
2400 • .! 5(}0
!,,;· ·
1
10
10
1.
·28
1
.28
4
4
4'
4:0
400
1··. •
100
roo
100
100
1
~, ,_
Ем,'ко<:ть ; коллект<.Урно~:.о_ 1
пер~_хрд~. пФ . ..
•
.-
1
•
-
...
1 j;2сf:·3о11 / 1G
15 10
305
25 10
305

ЗначеН ия
Q)
Ниименова1ш0
Обозна•
чеиие
МИНИ•
мапьное
gоt:
.,
Коэфф1щиент ·полезного
действия •• •коллектЩ>~ •.
(Pi.s:=4 Вт),'% ' ' '' ''
'
•.·
1',·
--
,
• Выходная
(Рвх=4 Вт),
КТ907А
КТ907Б
• :· мощность .
Вп
-
lr. •
• [ ~'.,;: ..-:
-
i"..,..
·i
: Ма~Fи,,Щ,ьно i допJст':'м~е ~ар1аметры.
;1(11ющеи1 сре.о:ы :Та=-,,....,.40,., +:85 : С., - . , .,,,,
'
•
'J.
:
:
..
45
·28
г:араитиру~тся при }~~~Л;~~-~,~р,е окру•
~
•(:;<•
.
, ,\,-'
/ к ma·x· -r посто~н~ь;й
ток км• -J
лект.о·ра', А •·< · ;· "
.
.
.
•1·;"
.
P/<max ~ мощность, _ рассеивае•
-
•
ма~ 11~ 'коллекторе~ · в;: ::.
•.
. 1~,5
/вmax :._
постоя~ныii ток базы, :
.А....,,~
.
0,4
/к,-. ·mа,-импульс11ь1н ток , кол- ' ' ·;, ;1
лектора,А .. .
3"; ,,
Икэ mнх - пьстоянноеf напря 1ке-
ни.е коллектор ~ ;iмиттер ,' В . 60
Икэ, и max _;,пиковое ' напряже-
ние коллектор, - "~fl:г,тер, ,В
.
70,
Иэвmax ' -
l]OCTOЯIIНOe : напряж'е• :
•ние эмиттер- бач,.В •• ,
.•.-..
4
I -мА
Б,
'I~,A
1,6
1,6
'
1,Z
),Z
0,8
0,8
0,4
0,4
о
o,z 0,4 о,Б и.;,в
о
1т•
t
:'f'-',:..,:,.;; .i,
, 'i(•.
H 1·J ~IJ
·. ,;:. 1,J 1,_)
:rо mв• -
темпера,11~Р~J~•:• ПеR,ftХОДа ,;.; r, ,
;
ос,f..•
•
•...:,;" 1. ·: ':/·,•11· ~;125
Тк max - iтемперат}рi " 1сор п Щ~;
,;
••
0с-.;. .. ,-:/:">,;.~.' ..;:1•• 85
fm,o - минимiiльна' я": рабб<iа'я •ча'- '''' '
стота. МГu . . ,•
.
.
.
·; ,100
j ,,-) ;,~ .,._
t :~,.;1"!
Допусп1мая_ темп~~-~:rура , Ркр~,,
жающеи среды. С ,
- 40... +85
510
~.~:tt.:;А- ~;;:~: i ..,_
-1•.J.~ ·;1-!t:1-;
-
-
I-!
i,1;;•\ ,·-)r"i_i :'j!_[ :'
_f ,,· ,;i ,;- .. 1 .{(1\'
\ \" ,)\!;'/1
,. 1,
·.)
"t: :~·-,•: :J
l ~Is- '5нAI ,.
515

.,
[А
-
-
--- -
.
.-,
.
•
..
ккр, L___J_j____j__j._j..-4----1-.---◄--1-~ 1/к при Рвх=I/Вт P&ы)jl)JJJ. P&x•I/Bm
1.,,,
,,
1,,0
~в1--~-+--"-,+..:.......,.,...,,,,cfL-'-'-~~---1
D,Б
с; iJ4 1----, -1- -~
··~ J
'
,0,2 ,' ·
о_
...._.... _~ __. ___,
_
-
. ...........,,...,--+-. __ _,
5·1015
0,8
1,6
Z,4
3,2 Foi,Bm
О O,Z 0,4 0,6 0,8 1,0 1,Z Iк,А. О 0,4 0,8 .1,l ·1,Б Z,D- lк,А
Рбых при Ек=288
Тк при Iк= IООмА
1,0
V
0,8
)/
I./
0,6
)/
J
1/
Рвх= 48m
I/
Г= -400 NГи.
1
1
'
о;ч
5•'10 15 ZD Z5Ек,В
51G
1,6
1,Z
о,в
0,4
1
l
\
v
f =SМГи, 1--, __
lfк0=108 1--1--
1
,
. D O,Z D,ч 0,6 0,8 1,Dlк,А

1111,1 iifil! 111111p111111111111111111r1т1111r
~-
i;!1 ' 2Z
ц
~4,
l(T909A. КТ909Б, КТ909В, КТ909Г
; O~u111e сведения., Кремниевые nлана·рно-эпитаксиальные ~-р_:п-транзиста•
.
pr,1 nредвазнаq ·ены ДJJЯ работы в ус11лителях моuщости, умно~ителях частоты м
• aвirorMepaтopax УКВ и дUВ диапазонов fta qастотах' выше 100' МГц.
•
,; Kop,nyc; металлокерамический, с по.J10.сков.ыми выводами ...(1рис. Пl.81). Mac-
i са [fранзис;орц не боще 4 r. . ·
i
.
!
'
•
·
··-
,!t
• Ус iю ви я эксплуат аuии - в соответствии 6 -т~бл.' П2.4;'
•
j'\
-~
'..
.·,
j
;••
•\) :
<-\
1.\\
Электрические параметры. Классификационные параметры,
Рвых, lh11эl, lкр, lк max• Ск, lкэR
3на4ения
Ре жимо1 изм ерения
Нанм:"НОВt1НИе
i'
,: 1 qение
Обwа i•н ,;,й . ток кол:лектор -
~м!jт·~ер; (R ... = 10 Ом), мА:
КТ909А,' КТ909В
КТ909Б, ' КТ909Г
при ·Те '= +85° С:
.
КТ90М . КТ909В
КТ909Б , КТ909Г
при То =-40° Ci
КТ909А, КТ909В
КТ909Б. КТ909Г
Обратный ток эмиттера,
КТ909 А. КТ909В
, Ц909 Б, КТ909Г
• при ;То~+85°С
КТ90М , КТ909В
'• КТ909Б, КТ909Г
при То =-40° С
КТ909А, КТ909В
' КТ909Б, КТ909Г
'
!
мА:
..
!
_ Гр~н~чно~ , напряжение 1·ранзи- ,
стора, В:
КТ909А, КТ909В
КТ909Б , КТСЮ9Г
Критический
А:
ток коJ1JIектора,
КТ909А
. КТ909Б
1 .:1ьu
,'
Икэо •Р
l11p
!
;
!
i
'
''
.'
30
30
3
6
'"о
"'
~-
1 ,,,
i
"
,,
,,
заi
60
50
!00
6
lO
6
10
6
io
'
\,
601 ,:,1
•\
60
50
50
\,:: ·-\
,;·,
З,•5•.
,,
3,5
.,, ,5
3,5 ''
•
'
:,З ,5
:,З, 5.
!
,;,
О,!
0,2
'
10
10
.::
[00
[00
517

,.
'
-~]аиме11о~а11ис
Обозна•
че1-:1ие
.-
',
'.
КТ909В
• КТ909Г
1
Модуль ,(оэффiщие!-fта •· переда•
чи тока на , высокой ча\:то··i'е: • ·'· 1h2 1э 1
КТ909А
•, ,.
·" ••
К1'909Б
(, •,111!
КТ909В
~ ктgоgг
Емкость 'к'о,л;iе/т~р;;q;:q перехq-
да,·пФ: ,,,, ,.· • ••
•
•
КТ909А
КТ909Б, КТ909Г
КТ999В ..... _ _
П0стоянная времени - Ll~ГIИ об
ратной . связн на вы€окой ·,-час-
тОте," nC: •
'
КТ909Л' -· • •
-
-
- ...
КТ909Б
КТ90УВ -
·юgogr
Вьгходi~ая· МОЩ!ЮСТЪ - Тмiдйа,i- --, •
вое з11а'чение; Т~~40° С), Вт: _Р~~,х
КТ909А при· Рвх= 10 :Вт
КТ909Б при Рв,='20 Вт
КТ909В при Рвх= 10 Вт
КТ909Г при Рвх=20 Вт ;
Знаqения
'
~
Q)
.,
'·о
о
cn
=
.,
!~3
"'.D
·О
~
:х: <;
t:
="'
;:
""
3
4.-5
,: ••,
17 20
35 40
12
35
15
30
,. <;
"'"'
""
:::, ·
.' 10
10'
10
]()
.
.
-·
.
'
10 28
6:) 28
-~5 2Я
20 10
20 19
30 10
30 10
28
28
28
28
,,
Peжиr-!.Ql нзмеренвя
cn
(Т)
:::,
<:
<:
:,:'
j,.
-
"'
~
-
100
1()0
1,5
100
: 3,0
100
':
.,,•·,:
1,5
100
3,0
JOI
5
5
1r,I:( 5
J:,5 5
.
1
J,i5 5
о)·· 5
1\\
500
500
500
500
1 ~ "' Мrнималыюе
ЗНЗ~~НПР р ЛЫ Х ГЗрЭНТИруеТСЯ ЦJIЯ
J<Т90~Б; l\l;;;,. 40 % для , КТ909В, КТ909Г
Ма~си~1ально д-опустимые 9араметры. Гарантируются при температуре пере-
хода · Тn =_:_40... +120° С.
•
:''
1к m"ii , =- ПОСТОЯIJН Б!Й '' ток -кол•
'JJeKтopa, А:
51Ь
КТ909А, КТ909В •
,
КТ909Б, КТ909Г , , ,
2
4
/5 fll ЯX :- ПОСТОЯННЫЙ
КТ909А, КТ909В
КТ909Б, КТ909Г •
2

/к,иmаr-импульсный ток кол•
- лектора
(tи.~20, мкс, Q~
~ 50), А:
i
:К Т909А, - !<Т9Q9В г~.
,:,. ., .
4
КТ909Б, КТ909Г , , ,
.
•:- ,8
иK~R rт,ak ~ iJостqянно~ • 1:iапряже•
:ние ; KOJJЛel_{тop .;- • эм11ттер
. (RБ : ~IQOм),
В::
при !Ta = L40.i .+25°G
,
,
60
при ( Та=: +25:.. +120°O
•,
50
!/!(ЭR. и 'тах !ПЩ{ОВОе напряже• ·
ние коллектрр - эмиттер
(Rr; ~ 10 Ом), В:
: . прн Ta=r-40.: .+120°0
60
Vэ~ max : ..-, : прстоянцо~ напряже•
• :пне ~м11тtер ..:.. _ба~а. В ,, ,
• 3,5
,1•
;.'.•:
1'i':
_
pl)
I<max
_-
мощность, рассеи_вае•
мая на коллекторе _ (Т,..~,
~ 25° С), Вт~
КТ909А, КТ909В , ,
.
.
,
27
КТ909Б, КТ909Г' ' ; •"; -, ;
.
•
54
f mlo - минимальная рабоqая qa.
.стота, МГu . . .
,,...._
.
100
Т л max - температура
ос ..... .
перехода', -:
.
. ' -\ ···'; ·12()
-
-
R,, ~-~ ~ тепловое сопротивле•
ние п~р~ход-корпус, • ,С/Вт; _
_« KT9Q9A,, I<;;I'9,Q9\3n ,;,_ , •:\ , , ,, ,- q,li
1\Т909Б, КТ909Г , , .• -:, , :,,-; 1,8
Допустимая температура . окр;,,-,,
.щающей среды, 0 С ~{о.:.+ 8~
-~•:!:)~i
··,
['~i:
~.[
~·-.:· ;i} !
' Ч для дflН·ам'ичесkого режи~а, При Тн=, 2р,~:85:- ~
Ркinах[\3т]7 (T~max:-T~)IRт, п-к , При т" r ~ \ ~1? ., С ,. м:тμ~р~J.1> .,f{IЯ,,. !'П~~
КТ~О9А,: КТ~О9В\равна-· 7 Вт, а ~ля rрупп , КТ9Q9Б,1(Т909ГL 14 Bv, :,, 11
.,,
!1
;
~
1:~t..· O?.T:..- '
1
'
.
i
'
150r:·
i00 ,.. !
j
J/
'50
о
D.ч Dt D,8 1,0
'1
" • при f н=1ООнА-КГ909б,Г;tк=15ОнА-КТ909А,В
2,0
1,Б
1,2
0,8
.
'
11
\
1
1
'
Ик6= 108
-
>--
\:
f= 5,МГц
>--
. 1 1 :,....,
1
1
О 100 ZOO JOO Iк,NA
ч1-J_~_μ~r,,,~
,"'4
-.
-..,...
- 1-4,,~~p::tr:Щu.f, , f '
:,"' '-""'~ ·>,'i
3
а
,~..,,,
) ,:,v......
,'/
"'
,•., ;.'t_~_;'"~
;-'!.
··_·, ·' '~' •-'
•t'"!'1
•
•--1,0
, --,
.
7,v ·,;t'> _:J,O
,!,:,:: u~;,ff
КТ9D9А,КТ909В~'Лl6 =ЮО ,нА , ·-л,: "
J<J909Б,KT909/--:Air/AO .нJ?.. _ :-:•· , , , ~:
fiь,x при Е,= Z8B
1,0 Pвx=10Brh ОЛ1fl<Т909А , ,·
Pex=Z08m длr, l<Т909Б+-_,___,__..,.._
0,8 111, = 7,5BmдnRKT9098
Ре,=15В_т ~Л~/Т,909Г
~4 '---'.----'---'--,-J------'-------1-J-.--+-,---'---~-'---'
О51015-
,zO
"Ек,В
-i
/ ;_,
;.• _.:·:,J)

,'
'
I;,,=ЗА-К Т 509Б,Г -
r,n np!I I к = 1,5А-1< Т909А,8
~--
-,
-
1'
Икь=108 ,-
'-'-
)/
__,, ....
'.
i--,.c 1
rz~.%
1
~.6
,О
;SD
,во
-
·, к~909А,
:70
··, 60
1
:50
/+О
:ЗQ
,ZЦ
.•
'10
'КТ9098
'
;,. .- , --:--
-
--
,1V
v.~
•V ~~~
i,
-
..
1
' .,.
1
ГУ --:::
. ,,,
:,,;~ ~ -
'
-
... .
-
,
-
"
11 ,---- ~ :.
!>.
КТ9D9Б / ~~
/
КТ909Г
f-
KT5D9A
l11
ХТ909 8
111
z
11Т909Б,
i<t909Г
~"1 -r-
/\.,
J..
1
-
·- --
1-1. _
Ек=zвв
f= 500МГц
Тк=Z5°С
111
111
з
4
5
~ Рбых, Вт
40 --.- --:-~~~ -~~~ -- -~~~
35 l---+-+-+-4 - - -cJ--+ --l -- .--c7"'1---+----1
ЗO l--+--+-+-+-+--+--+---Y-~~c:-::'::-'----t
z51--1--L_L_=-~+-,,,~+-+-'"-ч--=-~
za1--J~..::.::.:,.:.:...,н~-l'--+-,~::L...c_cL..c~
15 h_с_т-А1⁄2i"'Ч---:.1--~-!
10 l--!~;,s,f~~- - +- -+- -1
5 1-,,Y,.h,,':+-+-+- - -+ --+ --,
f=500НГц
Ек=288
Тк=25°С -
О24681012141618fвж,Вт а 24681DIZ14-1618':бх,Вт
, 1' •-~.
, ' , ' ijlllljii1ljillljlli1p111111,111111111 ,11111111111111111!1i, 1 -
4~9
:.iO· '
'2fj .....: _ . .Ql :
"23 .
-;14 ,
KT91 IA, КТ91 IБ, KT9 1IB, КТ91 IГ
: Общие с_оедения. Кремниевые планарно - э п и т аксиа.~ьные п - р-п-транзисто
]}),1 предназначены для работы на частотах выше · 300 МГц в схем·ах усилителей
м_оtJ1ности, у.множителей. ча<:тоты и автогенераторов.
Корпус керамический, · с riолосковыми вр1водами и монтажным винто.1
(рис. П 1.82). Масса транзисторов не более 6 r.
:УсJ1овия эксп.i~уаrаuии - в соответствии с табл. _ П2.4.
· :;i Электрические параметры . К_лассификаuионные параметрщ
1,: <'!
520 ,

Наиме_нован~е
Обр~тны :й : ток КОЛJJектора,
мА: ;,.
KT9i IA
КТ911Б
КТ91 IВ '
КТ91JГ . :
п'ри Те =:85° с;
КТ9IIА '
КТ911Б
КТ911В, КТ91!Р
при -40° С:
КТ911А, КТ911Б
КТ911В, КТ91 IГ
0брат.Jый: •!ГОI< .э· мliттера, ·.1
мА•_;.
.
_
Постоriнн~я . врем-~ни ,, :Цепи
обратной связи " 1:1а высокой
частоте;- • nc:
•.
'·•
••
i ~li~·\i· КТ91 lБ
КТ91 .1г ··
Модуль ~оэффицЙевта пе
редачи тока на высокой
частоте:
КТ911А
КТ91 IБ
КТ911В
КТ911Г
Критичес,шй ток, колдекто
ра, мА:
КТ9JJА
КТ911Б
КТ911В
КТ91 IГ
Ем·костq коллекторно.rо ·
рехода, ,пФ
Выходная мошность, Вт,
КТ91 IA (Кур;,.2,5)
КТ91 IБ (Кур;,.2,5)_
КТ911В (Кур;,.2)
КТ911Г (Кур;,.2)
Обозна•
- чение
1h21e l
fкр
Си
''.
Рвых
'
.
;1
,
2,5
2
2,5
2
170
150
, 160
140
1
5
Зна-rення ·
3,5
3,0
3,5
3,0
16,5 1
:·:1.
1
0,8 ,
0,8. 1
5
5
5,
.5
10
10
10
5
5
55
55
40:
40
55
55
40
55
40
·,.,
_ 1~.,
--~
1l,_"1
... ~, .../~-.
.i·,\,·.
25 10
'50'•10·
100 .,О•
"
,\•
5,0 10
4,0 10
5,0 10
4,0 10
" -· • ~ ..; ,..,,.,_ ·т·
.( '.\.,\
~-
:::.:--~ :~~\
'\
100
100
100
100
~--:,.
:,, {J([
:-.·_,
10
.Цk,, i•'r, .~; ,;~:!.
~. ·,
·+r
'10 \
.,,
•.. :
10
10j28
11-1
·· ,:
11
1
',
:.
~\t
;
·. 2.S(EкJ
"
.78(~кJ;.
,,
''
.,
2s~§к)
28(Ек)
300
300
300
300
300
·, ООО
зоо
300
5
180:)
100о
1800
i ООО
521

Максимально до~уtrимые napall!!r--@.Ы.1 _.[_арантирую1ся при температуре пере-
хода Тп=-40 ... + 120 С.
.
/ к mа.: -; по·стЬящ~ый ток • •кол• ·
лект:qра,.мА . . - -;
.
.
.•
.
400
ИКЭR шакl - постоянное на_пряже-
•
, .1ше Jколлектор .. -~
эмиттер
i (R6 ~ПЮО1;1), В: .
.
_
; КТ911А, КТ9.I1Б - .
•
,.,
•40
КI91iIВ, КТ911t :.. . .,
. .ЗQ
Икв,шах._
- ;:- постоянноу . напр· яже- :
'ние:: JС<:>"ллект.ор - база, В :
KT9I1A, КТ911Б
...
.
.
•55 .
КТ91JВ, К'f9НГ. . ,_ . ,
.
.
.
40
ИЭБ max .:::_ · постоянное
На,пря;r(е•
нис эмиттер - база, В
.
.
3
Pf{max ~ ра_с·сеи;аем~я мощност~
' • коллектор11 (Тн=i
- 40.:-;t-25°C), Вт,
,_.
·•
•
3
• Тп niax - темпер;~тура перехода,
0С
,••.•
.
..
.
.
..
. "·,.
.
12G
r,., mн - температура 1<орпуса,
•
0.С ·'
.
.
.
.
.
.•.!
•
85
frp1n -
рабо,rая · частота (миiш-
•
мальная),МГц... •; ;'
.
300
Допустимая температура окру-
жающей среды, 0 С
,-40.. :+85
1 При Т и= 25 .. .85° С для динамического режима
Рк max [Вт] =т (1~0-; Т1,)!Rт, u- н, tде_ .Rт1, п - к = 33° С/Вт.
IБ, 11А /Jкэс!::d IQ/J -~- -~.
t-t- -t- -- -1
-' -'~+.d ~:..___
... ~
r---т----+-1' ,Jr-г-'· -+-~О>!·"' t "
4~0 г-+-1+--н/ч,, _-'.-Ч---'-1
заа 1--:н-+--1,'-c-'t--f--1
zaa i--: ~t - -t -/J'--1- -j-+-J
/
/00 t--t- --l'-- f-t--t- -1
)
7 I/X
о.~ а.в 1,0 Иэfi,В
!hz1э1
tD Rf...
8,!}__
Iн=100нА
~ ...
, Fs400M(U.. "
·,lт,
.
•
• -r.;,нд
'/
• 700 1---1 -- -+1~-- , __~
' --1 -.+--+--+--+-+-+---t---t~г-:--i
/r./' •.
/.
•: 100 ·1+-,,,r.v'~--1--jf--+-+-+-+-+--t~~г-гt--1
W-1,+--+- -t-f-- ·t -t -t- -t- !,1I Б =Z~ t--
11'
п
·.
5 10 15 za Z5 30Икз,В
1hztэl l--+-
-±=c:-+--t--
5,01-'- -q .. -+-+--'f'!- ..
б,О
ктз11А ; кптв-
ч,а гt--+--..±--t-тт---t--~-::-"1
~01--,~~-+--h-~c-cт---t---1
/ ,_I..J._
·-
•.-
V
/
1,,-' ~
--
--✓ ~~
2,0
t;::; 1--
,--
/1
1
. .КТ911 Б,KTS/.1 ~ ,-
,.
о
5 10 15 20_UкБ,в
о
1UU
200 ЗОО lн,НА

Рбых,Вт
1;в
1,4
1,Z
i,O
0,8
О,б
0,4
, fl,Z
о
1/,:,·,
--
11
,,,,:.1,i: ;.
-~~ -{
.~
. ,,.
J11-T9116
КТ911А
.
ХТ~,11(
. ,,.
--~
.--;КТ911б
-
E~=ZBB
.
11
~ Pбx=D,48m •
~
f=1 ,ВГГц для IIT911A,II T9118
-
f=~,ОГГ:и, ,ал~ 1тз,11~,Н;Вl(Г ' -
- 0,1 u,z а,з·о,4·
•,.1
.•
••
1111 jll iljl,llll lllljill 11 11111111 111
20
?J-
22 ••'•
23
1,Б1---+-+-_,__,_--._,.___,._
1, Zt--+--+--V--+--Ь,,,<!1==1.,,.
0,81--+-..<f-.A,,,Ц""'Ьд:;:......i~;=.;..:L..J·
0,4
а
1---+ -" > ---+ -~
.
ц ля . ,Kf9118
=1 ,0
••
•
' ~(iшг
V,1
•0,l U,З 0,4 f'бх,Вт '
••
9
i.1
'
•
'
15
'
•1
-
~'
21 27 Ен,в :,
КТ91~А.: КТ91ЗБ, КТ913~
Общие сведеllИ!\. . Кремниевые 9Питаксиа1ьно-плана"рiiые . п-р_;_п-транзисто
ры ,1i.р:едназ1н1,1ены для работы ·в ,усилителях мощности, умножителях · частоты и
автогенераторах схем ДUВ диапазонов.
,
.
1
.
•
•
•
Корпус -метаJ)локера мичес15ий, с полосковыми выв·ода·ы и · (рис. . П1 .83 ).. ·масса
1ранзистора не - более 1,6 r.
•·
.
•
..
.
-"...-
,__
•
~'словия э1<сп,~уатации - в соответствии:. с , таб.11 . П2:0 ; , ·- ,
:
'··
!
,•
'--
...
+
::·-
;
Электри•1еск11е па·раметры . Классификаuио,нные _Iiapaыeтpwi
p~·ЫJI., iи1п /11р, с~. iн., lк.эл•.
523'· " '
.

нЗ.име1-iОваннё
Обратный TOJ( эмиттера
(Тс=-45, .. +85° С), мА
.
;, ) Обратный ток коллектор -
эмиттер (Rв :,;;;;;10 Ом), мА:
)(Т\)!ЗА
КТ913Б, .КТ9ТЗВ
• пр~ Тс=+85° С:
: кт91зА
КТ9\ЗБ, Ю913В
'
'
.
при Тс=-45°С~
';:
: КТ9JЗА
КТ9!3Б, КТ913В ••
1:.Лрац1;1qнqе , ,.,, .,, . , щ!"ilряжение r
транзистора, В
Гра11ичная qастота . !{Qэффи- •
цй~н'та'••' .'пе~е'дачи • :тока •в
. схеме • ё•' ОЭ. МГ1Н ·:· ',
,.•
КТ913А
'
••
.•
I(Т91ЗБ, КТ913В
1.1 ;н
• '1;; -· •••
•
Коэффициент • • ПОJ1езноr9
действия КОЛJlектора, % :•
КТ91ЗА (Рnых=З : Bt!)
КТ913Б (Рвы.ж.-=5 - Вт)
'КТ913В (Рв .ых IО ' ВтГ ''
Емкость ' 'кoл .пer{fop t\ oro
рехода, пФ;
КТ91ЗА . . ..
КГ913Б ' _:' ,;,
КТ913В
Постоящ~ая времени · цепи
-,
обраtной связ'и на высокой
Обозна-
ttение
1 кэп
..
,•
lrp
частоте, пс:
'tн
''" КТ91ЗА. · '
•:,,.,
КТ91ЗБ, КТ913В
Значения
~
00
,;,
·13
=
"
~
:,:
=
"
f-
::::,
0,2 1
25 55
50 55
0,2 0,8 25 55
50 55
.),
0,3 2
50' 45
,.
100 45
900 . \ООО 1500 ,10
:900 . , 100 1500 ,·о
40
40
50
3,5
,5:
5
5
7
7
'612
5
8
3 3,5
.7
12
14
28
28
28
.28
28
28
28
28
28
18 10
15 10
Режимы измерения
00
СТ)
::::,
'
· -,:
:,:
~
.
"
-
200
400
-,:
"
СТ)
. ..,
:1
~
-=-
100
,~о
[000
lODO
!00()
1000
1000
!ООО
10
10
10
50 Ju
50 30
Выходная ' "мощность,' Вт~
КТ913А (Р. ·~= 1,5 Вт)
КТ913Б (Ра~ -=2·,5 Вт) '
КТ913В (Pat!, -= 5 Вт)
--
'56
' 2811
·28 ••
[000
1000
[000
·iO'IJ
28•

Наименование
Критический ток KOЛJJeKTO•
ра,А:.
КТ913А
КТ913Б
КТ913В
Емкость эмиттерного . пере•
хода, пФ~
КТ913А
КТ913Б, КТ913В
Обозп~
~еI-_Iие
1нр
.
,.
Се
0,4
0,8
. 1,6.
25
60
ЗнаЧеНl1я •
"'о
"'о
"
"
1-
0,8
1,8
~'·
'· \.
•1,2·
2.,2 :-
Режимьi измерени·i(
-:J,,, _
..,i:q,_.
~
...:
·,;,1 ·', (~..1~;
.. '.,.
10
10
'
2.0 • ·2,..2.,, ' 10··
• 100
,,,ц,•] 00
·.· ·, ,,.100
50 75 .·, :~·
'
100 150
';1~ :.1
:--
.,о·.
-О
~
-; ·,
10
,.;,,,: 10
Максимально допустимые параметры, Гарантиру10тся-:·при температуре , 1(op-
nyca ·· r . . =--45... +85° C,
.,,. 1·,
,, ._
/ К m ах - ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛ•
лектора, А:-
КТ9!ЗА...
,
,
,
.
, 0,5
КТ913Б. КТ913В . . .
,
.
.
1
lв m,ix - постоянный ток · базы,
А:
КТ9JЗА...• ,
,
.. 0,25
КТ913Б . КТ913В .
,.,
,
.
0,5
fк,иmях-ИМПУJIЬСНЫЙ ТОК КОЛ•
лектора, А:
КТ913А .
.'
...
КТ913Б, КТ913В 1 •
!1•1
Иэв ma,
-
постоянное напряже•
1
2
ние эмиттер - база, В
.
3,5
Ul)
кв max - постоянное напряже-
ние ~оллектор - база (Тк=
=25...85° С), В.
•,
•
,
•
55
и}1яо~дх ~.: ..: пост9янное - ~'аnря1' ~~ :
ние колле1<тор . -
. эм.итт~р .
(Rь~IООм),В. , :,
•·!
·55
РЗ) ,
.. .•
к max
-
рассеljваемая мощ-
ность 1<оллектора, Вт, , ,; ,: . , .
КТ913А при
Т.=-45... +55°С
т.= +85°с ; .
КТУ!ЗБ при
Т.=-45 ... +70° С
,
,
,
,
8
т"=+85°с:
.
•,•• \ ".' ·~••• ,- 6,5
КТ913В пр·и
тн=-45... +25° с
Т.. =+85°С
.,
•·.'..
.....
ТD m ах - тем]Jер ,а_тура пер,ехода,
12
6,5
0С
,
.
.
•
.
.
.1 50
Допустимая температура oi<PY·
жающей среды, 0 С . • !~5.;,+85
1 > В диапазоне температур + 25,::-45° С напр ·ю1,ения Иi<Б ma:>1 и ' Икэ '/mа,
~ .меньшаются линейно до 45 В,
• _._... t
.,...;.,
_с -"
•
•
:
. ~--
•
1'1
2 > Максимально допустимое п·иковое напряжение коллектор - Э~ !;! т;r'е·р - в ди•
1Jамическом режиме при R 6 = 10 Ом и Тн = -;- 45., , -/-85° <;; рав_н.о 55' В,, •
Ji Для динамиче_скоо режима, При Тн= 55,.,85° С (д,ля··_ ~J:\}1.3А), .Тн . =
= 70,.,85° С (для КТ9iЗБ), Т и= 25 ,, ,85° С - (для КТ91.ЗВ) р11ссеиваемая. мощ-
11ость линейно уменьшается в соответствnи •с Рк max [? т] .= ; '((50,,.::: T;,) l',Rf ;· ~·-н,
. rд.е
Rт, п-н о- тещ1овое сопротивленliе переход - к'op ~y:c,;jii~нp7: . ~O"rG/Bт
-
. КТ9 1ЗА; 10 С/Вт - КТ913Б, КТ~ 13В,
,. ;"'
.. ,,.,,·
.
·\~:;.; ,r
•- ·523
\i~- .

J!ТЗIЗА/ -
•.. /
4
,.
100
/
j
,
i1,/
/
,,,·
,
,
50 l--lr-+i,- +J_n
, t --1--r
. /~.i:r; -т--i-т.--r--1
-7'"-т-t-;-г-т-т-,
t, i ;V J,_ ri·.-,,
'• -,,
t_.4 l~
(_ гl-,1 г--т---
0 ,.., -r.,,,
\
.
"'
• lr,;HA
ща
200
100
о
г-г-'
'
·,1 ,
,У,
.
1
r
Икз=О
i! 108 г-
j
/
'
'
-.: 1
1i/
1:
1/
'
i
1,V
/;
JL'
;
1
/ii
V
.\
0,fi 0,8 1,0 1,2 1,4 ИэБ,В
l'fi 0,8 1,0 1,2 1,4 у36/8
lк,А :
1,6
0, 6.l --c1~~~:;;;;le~'P::±;c-i•"'"='t::--i
1, 'l f-~> "'S;af""''::;j.. -1 " -: · , -, --, --. -, ----,
..._!;".,
'· ....
о,4
-l -.
'°·в1-~Ь::::~=::1:r:~:;::::1;+=~-Нff1=Тil~r. ,
D,l
"-1А~-- о( 1,1..
" ,116°5нА
•
'
'
о
,t5 ·
ia
о
10
fiР•~Ги. г- ilкa.O)A &шUП9JЗ/1
: r-.
I к =О,1/А. ilля J<Т91ЗБ,
i-! iктщвf:~~~
150 U
1.
\'
1\
П91ЗБ,l<Т91ЗВ \
L
[\/
•1
•
1
;•.
!f-"'г
\
)~
--1
1'-"' ,
~
1
.1
. ;-о
[
zoi
1
.1
1
.
l
J
1.
1
.,
15 U~э,В

N i·-
. ......
·'1--.
·1
.
!\
, .....
N,
U;_5,
......_ ·•
.
;
lc-+-+'-+"-'-+,____;f--"+---+-++--+---!--'cг-h-t--t-, -т-тt-4·~'7',., ;;:1. , __1: :-
:1
, ,·ин6,=1ов
•;1\
0,5
~--- I'i(:;A'
·1: ...
·•·
~·1:::v~~\ . ;>~
.( ~~ ~~\;:'
•._.,-,,
..;V, i,,""~,..;..r
.
1 - t., ... . ........: ~
1.
"
,,.~ .' V,
. ,, --:,..- '
1- -.
·/
.- ..
,.
-,.
--.
1,>}.. !, .
, ,-, .:_.,.,-•. Zf.--:
,.,,--
~--'- ":';
·•--. : :;::
-
l : г--+---+---11?,,"'+:~,A~' -:;o/S"'+-+ ,,- ,, -J.[. . . . -~ "'-:.+.с_
. . -,. ...:;~+:-+ 11-.-+
_
-f-+--+ -~• ::...J
(};
.:,v_v
.,:;v
·-~ .:.-
·-/
-
,,
v
1/
·- · -μ.-
, -·- t---i --
f-+-1-/,,
. -+v
-_ ,,"" vь-:"F v
--'-. +--
.+
-+,,-,.;l-":=1-'-
.. :.
· +---+'-'-+-+ ---" -
· f -+•_;l" - :i:..:-
, .:::~;..,.;·щ
,c.,z
г-+-1---t-,1'_,г-.:..,---':~,,. ·+ -, . . ._ , ,_
: -..,
· c-= --t=+ -'--1- - .- +--+-' '+'~ · t-·~
·+
·"i'i100hr~ ,,__
... ~. ..
,i ,• .,_.
·: I' ';':
.:-
-·
10
J--
'"!; !- \
( Uкз,8
i1
~ ·-'
-L 3:~o;1A '; .•,
·t.- - r -s,----'r--::- - -, "
r =.зd н'гц
'К-Т 91 JА
~ г--'~~f---t--'--т--т-t--11:
- 1'-
о 0,8 1,б l,4 3,Z 4,0 Pfi,.Bm
zo
ifк5,B:· •
527

·f
111111111111111н1i111111:i1. 111111,1r1
20
21
22
23
КТ914А
Общие сведен и я. "Кремниевые эriитаксиально-nланарн~,е р-п-р-транзисто.ры
предназ-начены для работы в СВЧ устройствах широкого : применения.
Корпус металлокерамичесю1й , герметичный, с жесткими выводами и монтаж•.
11ым винтом (рис. П 1.76). Масса транзистора не более 6 г,
~'словия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.З.
~.
'
•
'
.
. Конструктивные
данные
Индуктивность выводов ('конт,~кт
Индуктивность выводов (контакт .
у основания керамики) i
в конце вывода): ·
эмитте.ра
, 2,5 'нГ,
эмиттера
• базы
,
,
,.,
,
, 2,5 :нГ
базы
коллекора , ,
•
,
•
,
,2,5нГ
кол.iiектора
•
, 4·нР
,
, 4.нr
•
•4нr
Емкость:
i Емкость:
эмиттер - корпус С 1 •
1,3 пФ
• коллектор - база С4
•
.
0,35 ,пФ ,,
коллектор-корпус С2 1,8 пФ
эмиттер -- база С5 .
•
• 0,35 пФ
база - коллектор С3 •
,
,
1,3 пФ
коллектор - эмиттер С6
, 0,35 пФ
Электр~ческие пара м.етры. Классификационные параметрьо.
Наименование
Обратный ТОК колле1<-
тор - эмиттер (Rв=
=100 Ом), мА
, при
Тс=-60 .. .
... +25°с
при Т с="+ 125° С
Обр·атный ТОК · КОЛJiекто-
ра, мА
'
',; ;
Модуль .. коэффициента
передачи- . -r,ока на выср•
кой частоте
523
1
Рвых, lh21эl, fкр, Тк, Ск.
Значения
Обозна-
"
"
.8
о
о
чение
' :,:
"'
==
=.,,
о
и.,,
:,:с;
с:
,: с:
"'"'
"'
"'"'
""
,.
""
lкэR 0,001 0,2 2
0;003 0,04 5
,..
koo1jo,1
.
1 кво,
1
..
Режимы . измере1•11-iя
l:Q
l:Q
.,:
.,:
.,:
:а-
:а-
"
~ (Т)
.!'
~
(1)
:::,
:::,
....
65
65
lвsl11 1
200
;:1
с:....
"'- '
..:
1
100

Наименование
Статический
коэффи
циент передачи тоI<а в
схеме оэ ·
Коэффициент
ПО МОЩНОСТИ
= 2,5 Вт)
;- -·,' i'
уси;Iе11ия
(Рвых=
Коэфф11цие1~"т . полезно,• _
ro действия коллектора
(Рвых=2,5 Вт), %
Емкость эмиттерного пе- /
рехода, ·ПФ · •
--
Емкость коллекторного
перехода, пФ
Постоянная времени uе 
пи обратной связи •н· ~
ВЫСОl(ОЙ частоте, ПС
1
Критический ток коллек- J
тора, мА
Обозн е.
ч~ние
llк
Сэ-
Знач е.ная
-1'
,,'
2J
2J
•; ;)(·11. 'j
· 400
,r,,:1·::
_11
\
3()
28
20 !О
305
Максимально допусти~1ые парам.:тры, -Гарантируются при температуре окру
>J( ающей среды Тс = -60... + 125" С.
/ к шах - - ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛ·
лектора,д-....... 0,8
/ Б max- постоянный ток базы, А 0,2
/к, и max - импульсный ток КОЛ·
лектора (tи~ 100 мкс, Q~
~10), А
1,5
Иэв max - постоянное напряже-
ние эмиттер - база, !3
4
и}~ rnax - постоянное на пряже•
ние коллектор - база, В •
-
65
И1~k max - постоянное напр~же•
ние коллектор - эмиттер, В 6~
р~)max - рассеивае 1'1 ая мо1шюсть
коллектора (Т~~+40°С), Вт 7
Rт. n-к-,- тепловое сопротивле-
ние •переход - кррпус, 0 , С
JJ3 .
Допустимая температура окру
жающей среды, 0 С
-6 0...+125
LJ Допускается напрцжение до 75 В при работе в р_ ежиме rенерат9р ,а мащ::: ., . '
ности на частоте не н.иже 100 МГu. .
.
2 ) для динамического режима при ,_ Т 11 = . 40.,,1 25" о · рК:mах {Вт] d (150 -
-TiJIRт, п-н·
•
1-1 • 1~·~·1
•
• 1-.
: 1-1
Для статического режима при 1"к = _25.. ,125• С P,к,rii~; lBrJ ? , (\50 -"- . 1,, ,,- . .
-
Тк)/4 R,x, и-_ к•
'
,____ "
-
."',_,
-
-
52\!

~.
/
• 0,5
!
//
/11'I
I
JV1//
.5
-
llкэ=D _...
I -108-
с--
·-
IJ,J
:O,Z
D,1
'
r1I// /
1/_/1/J/
'/v::: / ,,,,,.....
'
i
__. .
.-
J/2 v-":"
·'
.,
~,,,.
'((
,,,.,,, .,
~
;;.,
\'
·с~
'
.
,· ·.
/
L---
--
~-
/'
'
1
-
iЛI 0=ZмА-t-----
,~
4
3
J
/., .1,
//
//\
..
/'
J/
(
//
1:
~1/ .
ОЗБ9IZ1518ZIZ4Uкз,/!
fг-р npu . Iн=D,ZA
0,8
' r-7~ .: :t:5::;;;;:;--: ~1~ ~: ------1
o;z ~~~~~~~~~~~~
zoa чоа;,fO.D 1юо _;I\,НА, , О !;Z,З '-1 5 li 1.8_9 U~э,8
.8ых
uРв1"78т
,,,,. .....
-
-
~,,,,,,
1/
...
,..
/
/
Ек=Z8В
-
,/,
Г=40011Ги, -
-
~-
j
536'

Р6ых
---
Р~ ъ,х при "Е~~:_zг-в_·в~+---4---1--+-1----J~1--
,,
:/
1.
1
4Q i---
' --+--+--+-+----"+-!./'+:_1----+---1---1
0,9i--t --t --r-+,-+ -+,,+-I - -I - - -I
Q,8 t--+--+--+---+гz:~, +--i-1- --+ --1-- -1
O,tt-+ -+ --+~''f--' -+ -;+-1-- -+ - --I
1/
0,6t--i- -t- -+,--+- -" --' -.L .-l .--4 --
0,5 t---+-➔,V-#-if--' Рв, =1Вт 1--
0,4 t---+ -,- _ , _-'
f=4PfJHГц ~
O.~t---t--t--+--+-...--н-~-L-1
цz.__.__-+-...,_-L-L-L-e.J.---1---1
' {j)
5 10 tбzazна35Ек,в
:~к при ,Р~в-,,___:~1:в:т.,-----:=:=:=======:~~-=-~·-~~L. , _ _J
10
-
•~'- ,:_
l/к
' . t-i-----t-c-+---t-~--зr""'F-+-'i=!--·..J,._ь-
___
+-1
D,9 t-H--+_,,,IL~'+--+-+--+ -'-- ~ - +c.,,,.1
и,81--1 - --,,1
· '-А-.
· -J'+-+-+- -1 - -J-4 -+ - _j __J
/'VI
0,71---4 -+/-!t--+ -+-+-+- -+-+- -1;.- ) ..:-J
0,61---v--+:-1+--+-+-I---.J.---l---'~ц....~
0,5t--+-+.-1-1--f---<.•r
04
i'f
Ек=Z8_6
•
"J' = чц_он гц t--1--f .. -- <
ЦЗt--t--t--1--11--1-4--+-+-'-+_:j_..:+--J
~O,l
""-
;,_., ':'.
О 0,l 0,1/ ЦЕ _Р,§),0 1,Z 1,4 1;6,-1,[ , Pii~ Bm
-----~
_,,. __
~~.- ...:.._.._,..,.~
:··-," ,.}
.-.:~=.....
..:.~-:.
.: ~::. ., .. ~ i---+,=_;;j
~ , 1<.Т918А. КТ9IВ.6
''\
Обшие свеаения·. (<ремииевые пл,анарно-эпитаr<сиальНQ1е··:r~+·р:-.::l:;р~;.р'ан~исто
ры i пред'назначены для использования • .в усилительных ·и .F.ен'ераторных ·сперем он •
тируемыi( гибридных схемах, микромодулях, узлах . и .бл'iщ.ах аппаратуры:·, фиро•
кого применения.
•
•·
•
,. ,·
.--- ..
•,'-'
Бескорпусные. Транjисторы_ изготавливают_, на . iiеrерме:rцчном основа-н,и и
(рис. ЛI.84). Масса: транзистора не бол.ее 0,15·+. ,
•_
..
У:слови·я э11сплу11тади!:! - в соответствии с табл. П2.3.
·, электрй•1ескис параметры. Классификационные па1Jамет ды,
Рвых мед, 'tк, ;гр·
::Sначения
i->-ежимы измерен ,ия
Обозне•
"
"'
Наименов·а11 ие
...
о
,о
""
,о:)..
..;
..;
~
ченне
·=
"":,:
:а
:а
'--
~~~ u ·.o
~
:,:t;
::::: 'ci) ~t-
:,: .,
"'" '
.""
""
:::>
:::> ·-
~
,•·
,
Обратный ток коллектора, мА
0,02 2 30
пpl't То= +85° С
1кво 0,02 2 30
при То=-60° С
о.о~ 3 30
.. ,_
..
\
Обратный ток эмиттера, мкА
1 эво
2 100
2,5
при То= +85°С •
3 120
•2,5
при Тс=-60°С
2 100
12,5
,
,.
.

З11ачения
Режимы-- иэмерения
Обоэна-
"'
"'
Наименование
о
,О
cQ
<
..,
::! .
чение
,: ,:
"':i:
(Д
:1
:,;
""
·:,:.о
u.о
~
:;с:
:с о;
:,: о;
{Т)~j
.
"'"'
"'"'
.
~~
:; ::;
::::>
::::>
-
-
Граничная частота коэффициента
передачи тока в схеме с общим
эмиттером, rru::
.,
f-ф .·
-
-
:.f:,
·'О,8
:
КТ9,18А i .
:
10
1 100
300
КТ918Б ' •••
i
'
-
~-
j
'
Ем~остi ~м_и~терноr? перехода,
пФ1 i
1
1 ., ......,...
-----·
.
..
Ем~оств коллекторноi'о· перехода;
пФ;
'
По~тоянная. времен.и .·цепи- обрат• .
ной . связи на высокой частоте, пс:
КТ9!8А ... • .
..
-,.
,-
}<~Т918Б
-~ .,_
.
':'. ,
..
... ...
• -....~ ~ •v
..
Выходная мощность (медианное
j
1,0
"
1:
10
1 100
300
·~;
.
,
;
10
10
.,
.
..
'tl!
4
15 10
30 100
0,5410
i
30 100
--
значе·ние)-, мВт: ·
,...--
"
.
...
• Рвых\ мед
'
250
20
120
3,103
КТ918А (Р вcr'f= 125- мВт-)
..
КТ;918Б ,(Рвх=2р0 мВr)
500
20
1 120
3• 103
Максимально допустимые параметры, Гарантируются при температуре кор•
пуса Тн= -60...+85° С.
/1)
•
К niax·
-
ПОСТОЯННЫИ ТО!< КОЛ•
лектора,мА..•,
.
.
.
.
250
ИэБ л,,,;, - .постоянное напряже•
ние эмиттер - база, В
.
.:
.
2,5
И к Б та~ - постоянное напря)J{е-
нисi коллектор - база, В
.
.
30
Pf/тах :---' рассеиваемая м_ощность
кол'лектор,а (Г-1 ГГц), в:т 2,5
Тп m_ax.- темпер атура
. перехода,
•
0С
.
.
.
.
.
,
.
.
150
R,,, п-н - тепловое сопротивле-
.
ние переход - корпус, : 0 С/Вт 50
Допустимая температура •окру•
·жающей среды, 0 С
_
- 60,.,j-85
Ч При условии·, что средняя мощност~ . н;:1 коллекторе · не преsышает мaI<tf;,
мально допустимую. ·
2 > При Т~= - -60 ... +25 -РС в динамическом режиме. При Т 11 ,р25 ...85~_С
Рк n;ax [Вт] ~-(150:-"Т н)/Rт, n~н•

13 ,нА
8
6.
о
(·.
к~Р
(
3
ё
.,-·
1
'
1
1
UиБ=10В . о>---
Iк,нА ~
160
1·
'
120
;}j,.
• 80 t:::;:::l=;==!=;=~=+==+==+=::::+=;;:::l;::;;;;;:;.;:;;;t
J
г:
1/
....
'
40
~
..,
~
· ф .м3=20нА~ 1 :.
.
''
о
z
''
.:/
,/
,,,
,/
V
,.
.
.1
, ,_,
~ ~,;,
,,
1(.
.
.....
~ КТ918б /
1/'
~ ., i/ ',,:/'..
ktэ18Б ' J~-; , '
~ ...,~
('.у / ') КТ918А
/~м, L.
..,,.
lll\ ~.,, /
,/IJ'
~~ ....
1:1/ )/J,,l/
А l,,' ~/
~
,,,,
1., -'
f аЗГГц.
/
Cfк 6 =ZDB
v·
1
111
50
-, ,,., .
-
..
-
-
-
Iк,НА
,
1,,,,,, ·f· '.. .,,'\,~
КТ918А
/' /),J'· /
.,
.•
.
- 1-' -:::.~·
.
•
: i ' А.·V\1--;-~Ji:.-,...
,, · ~.:-- k'
1-,,,- f-
, -+- -ill/'-+-+ --+ -
-
lк=1аа11А~
~,,
f=ЗГГи,
1
10
15
53}

534
RT91BA
l/н~lo
1600
, 17,5
15,0
1l,5
· to,O
7,5
".- _
.
5,0
:хi918 Б
-400 -~------~=--""....,...~,,.,-..~...,____.__
__.
;Р JOri.·· •
zao. зоЬ Iн,мА
l,5
..
-
,, .t
,
.,'
;;'
:,,.:,
20
'1'/н,%
·~
-
,.
.
.
·--
45'0
_ .1----
,,,,..
,_.
.-::: 30
400
__ , ,,..
__
,,,,.
v 7 _,,, ....
'
V,,...
Рвы, >-
., 1/
......
350
25
JOO
.,
,'
--
. , ..,1.,, -
,_.
-
v· 1/к ""-:--;..
,,,,..
,,,,..--:-1 / -1,..-
......
zo
Z50
--~
,,,,.
--~
_ ,.,
..,, ,,,..
_,.
..-
...
F=ЗГГи. -
-
у ,',,,,,
""
'
:икь=ZОВ ~
~-
I~•IZO"д -
V
15 200
10 •1so
.
/
-
-,
100, Рв,;нВт
КТ91ВА.
'lн,"lo
..
/
I
/',
/
,
I
,
/
,,
i
,•
..,,~.,.
~,,.
~
о;;
~Нвых•',.
.,,
/.
~,,.
~-
. ,-;,
/_
,
,,,
/,
/
t--...
77к- - >-
/ .....
-
/;,, ~,,,.
-
, _,.., ~
·1
...... ;--
' :"'
Г=ЗГГи, -
-
Iк•IООнА -
17,5
15,0
11,5
10,0
7,5
~о
z,5
••'
5'
'' 10D : ,.,,
·,· Р& "'125 н'Вт·'
.
К,•. .1
1.•
100
iOO
250
КТ9/86
,.
1
..,,
"'
1/ /·
,_
~: ..
~,.
,,
,•"
/
-;/
/ · ,~-:::..-
-~' .),':.-
,,,,..
С::-' \ И' ;;,-
_.,,""' !/
~, Рвы,
'
оr,
10 112 •1lf ,16•Uн6,В
:,
~
1'
.....-
1,,---
v/
/·'
·,
) '1к
~
/
-
1,,- ___..,,,,,- , ,
---Г ,,:.
__
.....
:
f=ЗГГи.
Iн=120 мд :
Рв1=l50н8т-
25
zo
15
10•
1,
5
70
15

..J
;,;,"
1Z
10
'
1,
·.,
Uк5= 1 0В
'/
1---f =ЗО Н Ги,
1/
/1
1,
:'
12 Н'----'---1---+-'-4...--+---'-1
,_
Iэ=ЗОмА
·,1.. ._
i
"
f=_ЗОМГи,
i
10 1-+-
-',---~...-\---+-+-1--
-' -1
../
КТ 918'11 ~
,·1
~
К Т918 А1
8 Н'-'--+-+--г-4----'+---'-1
'
~\'
6'
~
1\- ~
\
'
4
'
:
М91!! ;,
.
i\-
z
...
·'
,'! \\
--
\\
---
r-.:.:.:: ·· ''\'
\ ,..
~....
._.-
·:·,
.5 0• lэ;МА
i
TT[ii ilj il1 ! [! 1" i lill,l:l![llllllli ,1
. ·:.
~. 210
•
211
1
22 ·':
2~j
.
•
1
.,
-
.,. <.~· ~~~---
'<~··
•
--;. ;
;.
1
КТ9ЩА, КТ919Б, КТ9I:!,)В, . I(T9)9iГ
.,:
,-
-~· --~~;_~.
1!
Общие· сведения~ Кре~~i1иев~1е плана рн-о-э п ита1<сиа;Льные •~~р~~-тра~зист9-
ры пр•едназначены для · flСПользования в усилителях мощности;- у·множиtелях ча-
стоты и автогенераторах СВЧ диа п азона (0,7 , .. 2,4 · ГГu)...
.,,,
'.\ -,
Корпус металлоl(ерамнческий, с полос1< овы ми в ы водами (рис. Пl.85). Мас
са транзистор а не более 2,2 г.
У'словия Эl(сплуата ц ии - в соответств ии ' с табл. П 2 . 3.
.
··'-
•,• ~'
:
•
,•
1
Электр11 •1еские параметры : К_лii:ссJ1~и 1, ацио11н ы е Ijараметры:
, Зf-1ач.ения
Реж и мы измерения
Обоз11а'-
·,
1
..,
•"'
.,: \
Наименова11ие
-
о'
о·
о
~
<<
=r
.·чение,
:: :8
"' .. . =tJ::,
~
:;
:;
""'
о ', и.а,
::;;
:r.e;
с::
-
~~·
~(()~.~
:::ro
:s: ·
:;: :а..
1-
:,::;
:::,
:::,
-
-.
Обратны11 ТО!( l(Оллектора, 1
:i
мА:
:/i(БО
'
J!
КТ919А , Ю919Г
•I
10 45
КТ919Б
1
545
КТ9 !913
,,
245
;

Наименование
,
при Те=+ 100° С,
,
КТ919А, КТ919Г
, . КГ919Б
КТ919В
при Тс= -45°Ci
КТ919А, КТ919Г
.
КТ9 IR.Б .,
..
...
..
КТ919В
'
Обратный Т-ОК • эмиттера,
мА: .
"
KT9t9A.,
КТ919Г ::. _ ·
'
КТ9195
',,
•· КТ919В
::;,
'ПРИ Тс = -+100°, С,, •.•
КТ919А, КТ-919Г
• К'Г919Б
••
КТ919В
при Т'с =-45°С :
КТ919А, КТ919Г
·:, КТ919Б
,
• 1 КТ919В
Модуль •коэффициента пе 
ред-ачи <rока · на высо1<ой · ча
стоте:
КТ919А, КТ919Г
КТ919Б
Обозиа•
чение
lhш,I
КТ9!9В
t.~ 1
,.1
.
:•!,:.,1•
,
:•
•,
,•
·1,.,•r·~r,
Емкость коллекторного
рехода, пФ:
КТ9I9А ·
К.Т919Б
КТ919В
КТ91 '9Г
пе-
.,_
1
;•
•Емкость
эмиттерного -- пере- .,
хода, пФ:
Сэ
КТ919А
КТ919Б
КЛН9В ' ;
· Постоянная времени
обр~ Т,'1Р!'i с~р;щ, Pt .,.,
'1
\_
536
цепи
~,ачения
Режимы измерения
4,5
4,5
4,5
7
5
3
7
60
30
15
50 ,45
25 45.
15 45
50 45
25~ 45
15. 45
2
1
0,5
20
10
5
2
1
0,5
10
3;5
•35,
• 3:5
.
,
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
3,5
10
10. ·.
10 28
6,5 28
25,0 28
12,0 28
о
о
о
0,75 0,8 , 2,2 10,
500
250
100
•'
50
300
300
·•. 300
10
10
10
10
10
10
10
30

Значения
Реж .им.ы измерения
.'
1 ,,,
..
Обозна-
.,
Наименование
<
<
:f
о
cQ
cQ
1-.
чение
"'
"'
:,;
:,;
о
::;:
,:
"
;;; (1)
;,
.
::
=
!)
"'
..
:::,
:::,
-
...:
-
Выходная мошлость, Вт:
Рвых ·
КТ919А (Рвх=I В т ) ·
3,5 4,4
28
2- ]03
КТ919Б (Pnx =0,5 Вт)
1,6 2,0
28
3-103
КТ919В (Рвх=О,2 Вт)
0,8 1,О
28
2,103
КТ919Г (Рвх =] Вт)
3,0 3,5
28
2,103
,.
't.
'
•'
Коэффиuиент nолезноrо дей-
.
.
..
ствия l{OJI J lt:' l<ТOpa (Rсм=
.
.
..
'
.•
= 0,5 Ом), %:
ri~
2-103
КТ919А (Рвх =1 Вт)
333528
\
КТ919Б (Рв:i=О , 5 Вт)
t:
304228
2· 103
КТ919В (Рвх ~О ,2 В т)
254228
i
2- 103
КГ919Г (Рвх = I Вт)
304228''
..
2·io3
,.
'
"
''
,.
;.
'
Критиче с 1шй ток коллекто-
ра. А:
/ нр:
КТ.919Л
1,1
10
-
300
• КТ9!9Б
0,5
10
·,-
.
зоо
КТ919В
0,22
10
300
КТ919Г
• 1,0
ю-
300
)•:-
\' Макс11мально допустимые парамет 'ры. Гарантируются nри тем n ераtур_~ кор- .
пуса Тк=-45... + 100° С.
/к шах - nостоянный rок
лектора, А:
КТ919А, КТ919Г
КТ919Б
КТ9!9В
/ Б п,а · х - ПОСТОЯIJНЫi'! ТОЕ
КТ919А, КТ919Г •
кол-
..
0,7
,
. 0,35
..
0,2
базы, А:
КГ919Б
•
•
.
.
,
0,2
.
,
О,l
.
. 0,05
КТ919В
/к, и шах - имnульсный
лектора, А:
КТ919А, КТ919Г
КТ919Б
КТ919В
ток кол-.
.'
.
И ЭБ max - nостоянное ·напряже-
1,5 ..
0,7
0,4
ние эмиттер - база, В
3,5
U·l )
..,
,
'.
к в ma'x - постоянное на пряже -.
•
ние коллектрр - база, ., В ;, •
45
2)
'
•
Рк, ер max - рассеивае~ая мощ -
ность колле~пора в динами-
Че{;КОМ режиме , Вт: •
КТ919А; , КТ919Г
КТ9!9Б
КТ919В
10
5
·:
:·3 ,25
Rт, п-к - теnловое еоnротивле -
ние nереход - 1<0pnyc, 0 С/В т :
КТ919А, КТ919Г
12
КТ919Б •
.
.
.
,..
.
•
25
КТ919В . ,
.
•.
.
,
.
·.
.
.40
Доnустимая тем пература мру- · ••
жающей средt1, 0 С , - . -45... + 100
537

11,
8f! ~-+ -+- - -+- - -J-'-I -J:.1-i-- - -1
..
-
о L.J---L"11!!r..l .. ,,.. .C .~... L..L.L .J
D,Ei
1 ) При Ти=25 ... 100°С. При понижении тем
пературы к~рпуса_ от +25 до -45 ее Pi<B•, maJI/, ;;
. уменьшается
пинеино до 40 В. _
:,:
•
• i)• При Ти= -45... +25 °G, При iповцше•
: НИ!!
температуры корпуса ОТ 25 ДО 10() 0 0
Рк, ер max [Вт]=Рк, ер max (25 °ci ~ (~н...;_25)/ _
ZRт, п~к~
•
ii:'
'
'; "'1
'.!·
Нf91Уб : ;/. '
[к,А-
1
0,8
,
' '...\
0,§,
ш
• 0,4
5 :\)\\
о,_2
!,,- _
:IБ =ZнА
аZч68taИкэ,б
оz46810llИкэ,11
о246810IZИкэ,В
538
fгр ,ГГи,
Z,O
1,5
1,0
а,5
J
Г/
о
NТ919А, 'l<T9t!JГ:,
..
.
:;·1
.,
.....
1
.. ,,;:::;,
........ .
~~1
,
... .
: 1'\,
'
~'
"Z8
'
' 1' -15:•
• r.. 0i..
1\ !:'
..
'
Ик6=5В~
..
.
1
a,tt а,в
·1,z 1,6 z,a Iк,А

fгрJГц
•?О
: i.:
1,5
1,0
В,5
Iк,
мА
--1М
БЦО
5QO
.f fiju
зап
zop
i.
''
lк;
мА
800
700
600
'
500
400
зоа
zoa
li.T919Б
с.- с:--...
14.
,,,
r--..
"'
J·
1\'"~zв
'
'\' 15
\1D
\Икь=5В
.
11
о a,z а,ч. о,6 u,в
КТ91!35
Т/к, Роы,, •
% .Вт
ю; З,Z
60 :1,1
50 з,о
40 Z,8
JO Z,8
~о Z,7
~ O,Z о,з. 0,4
Рвх,Вiп
КТ919А
Т/к,% Рвы,,1
Р6,~1вт
Вт Rсм=О.50М
во; 4,0
• f;.zггц - ...:
70 J,5
:БD 3,0
50 Z,5
40 Z,O
'30
1,5
Т/к
ZO 1,0
D 10 15 ZD Z5Ек,В
КТ9!9А
Hf9198
Iк, Т/к, Рбых, fк =?88
мА % Вт ;•f'fЦГи.,11-, -.. • 1-..-. с--с---.\--1
16 0 50 10 L , flcн"D,50!J-_,J....:+~~~
•
~.;....-
·,.: "в~,к
140 40 0,8
,,.. ~-
.\,
1zо зЬ о,6 1-__;._~--1---1----1---1-·....с~ ...... iJк ~
·, .~
в о zo о,4 kьJ..-~~~t:1~,}:i=:1
40 10 o,z 1---1-' -- +--+ --+- -+- -- -1-
·=
· ~... ..
.
--"
о
: D,05----·0,1 -•
-·
-l l;15 ·• ~--Еех,Вт
------·
·-•-··
--
•---
•
-..J-.--
-- --
·-
•
,.'
IП919б
Iк,Qк,%Р5ь,,_I1111 х
Р5,=О,58т
11А
Вт Rc..,=0,5 Он ]/ Р~,,
60 •3,0 f.=Шц·~-✓.• .
, 1··
500 50 Z,5
-. ~--
1/.
Qii \
400 40
z,o
.
зааза1,5,
·~
-,,.:.;......
I
200 zo 1,0
·-'
-
·- ---·-
- -- ....
..
к
100 10 .о,5..
-.
1:
-· ..
-..- .-~'"'
--- -
-~
·,.,,. ·
о 10-15 za.Z.6Ц,в
53)

.~.
.,
-КТ920А, КТ920Б, КТ920В, КТ920Г
Общие сведения._ Кре мние~·ые планарно-эпитаксиальные п-р~п~транзистn• .
ры предназначены для рабо'ты в схе мах УКВ диапазо11а (30 ... 200 МГu) в усили•
·тe.ilяJ! моi.iнiос1·1Г при · амriлиту.ziной . (ко.iiлекторной ·и базовой) модуляuии, в умно•
. жителях
частоты и а.втогенераторах. .
,.
~орпус металлокерамический, с полосковыми выводами и монтажным вип•
.rом (рис. П! .77)., Ма сса транзистора i1 e более 4,5 r.
.
~·словия экспл~атаuии - в •соответствии t: табл. П2.4 . .
Электрич~<;i<~е ~параметры.. Классификаци онные п~раметры ,
•
'
l?~ыx, .lli,1эl,-l11ri,· l.кэR· • • •
• Обратн·ь, й - ток эмиттера, •м"Аi
КТ920А
К.Т920Б , . .
.·,.
.
,..
1.•
,•.
КТ920В , К Т 920Г
()братнь1й ' ток ~~~лектор · :_ .::
эi-литтер (,В Б :С.Ь 10◊ _Ом), l.jA:
КТ920А' ••
'-·
.• ••
•
КТ920Б • .
·, КТ920В, КТ920 Г .
Модуль коэффпuиента щфеда-
чи тока на высокой ,ча'ст:от~; •
КТ920А
•
.. J(Т920Б
.
,
,,
КТ920В
КТ920Г• -, ,
• Постояннан в'рем~~~ щш~~' 006-
ратной
.,
свнзи на высокои , час-
тоте,' пс·:
КТ920А, КТ9-206 ~~~ ;.
'
КТ920В, КТ9'2 0 Г' .
Критический ток . KOJlJJt:KTOpa,
.д:.'
• КТ920А
КТ920Б
КТ920!3:
КТ92ОГ ·
;.
мu
Ч"HIIP
/ K::i Н.
lh21Э· 1 -
•н
1110
,,.
....
Зн.ачен ня
0,5
.
,]
4
2
4
36
~6
1,5 '.
36
4;0 5,51 ) 10
4,0 6 ,Qll !О
•4,0 4·, 511 10
3,5 4,0 1) 10
1011
.20
]0
101·
2n
•·10
. О,8
10
1,5
10
1•.~
.,
10
4..
'~,. 1.:
;!О ·
4
4
4
2U0
400
1оЬо
!ООО
<(
ii- ,
30
[50
!00
100
]00
100
5
5
100
100
100
100

Наименование
'
• Емкость
коллекторного
хода;пФ;:(•,~·,
КТ920А
КТ920Б
· кт92ов; ~тg2ov
К0эффициент . полезного . дейст• с
вня .колле1пора при Тн~40°С
(для 90% приборов),-,%
1 > Типовое эначен ие"
') Бк-, •
Обозна•
чевие
Знаqепия
е~rкимы измерения
"'
,О
"'"'
Uд
..
о;
"'"'
""
81 ).
15
10
151)
2,'i . 1о
c5()l·' ' ' '.<·1.">
' ' i'o··;, •
:,\ ~; Т,:г. 1,!(.:':
·;, :, ~1·
,.,:(. •
.
:1,:>"
!l·. i1
•·2·г::' .
.··:·. 5,.
2J
гs·
('' '·
,/.' !
5
5
5
175
175
175
175
МаксимаJ1ьно допустимые парам~тры, 1 араитируются при темnе•р'а'туj)е пере•
хода Тп=-45... +150°С.
:~.' 1.:
;! !;'!,
f К шах - ПОСТОЯННЫЙ ТОК КОЛ·
ле1<Тора, А}-
КТ920А,,,
,
•
, 0,5
КТ920Б...
,
•,
1
КТ92013, · КТ920Г
.
.
.
.
.
3
/ Б max - постоянный ток базы , А:
КТ920А
,
,
• 0,25
КТ920Б
.
,
,
,
•. 0,5
КТ920В, КТ920Г .
1,5
r!{, • max - ИМПУЛЬСНЫЙ ТОК КОЛ·
леI<Тора, Ai
КТ920А .
,
,
•
,
,
,
КТ920Б
,
,
,
2
КТ920В, КТ920Г . . .
7
I Б, и max - импульсный ток базы,
А:
КТ920А,,,,,
0,5
КТ920Б
,
,
,
1
.
КТ920В, КТ920Г .
3,5
ИэБ max --:- постоянное на пряже:
..
ние эмиттер - база, В
.
,
.
4
Иквmax .-
постоянное напряже-
ние коллектор-· база, В .•,
.
.36'
·· uI<ЭR max - ПОСТОЯННОе напряже•
•
••• н ~:е ': ~~ллектi>'р -
•; ;м :i.itr ~p
(RБ~100Ом),В,..{~..36
Pf<\,a,
-
рассеиваемая!.. 'мощ-
нпсть коллектора ' • : (Тн~ I
~ 50° С), Вт:
•
](Т920А .
,
,
,
,,•..,
•
5
.КТ920Б.....,
•,•
,,,
10
КТ'920В, КТ920Г : . , . ,
,
25
Тn m • х - температура
, 'п'ерехода,
0С
,
,':, ,:-,
·,
150
Rт, п-и - тепловое
.
сопр9тив.пе•
ние
переход
корпус,
·"
0С/Вт:-••,.,
'
'
'
КТ920А ,
•,
•
КТ920Б ... . .
КТ920В, КТ92,ОГ
'_.
,:_•1. с•,
·.,
•
•:ц\·.i •;. •
•
''"' " -:- . м инимально _
допусти м ая
20
10
4·
,_.,рqбОЧ?~ час~ота; 1ЧГд ,. •,. . ,.
30
Доп.устимая температура окру-
,
жающей среды, 0 С-., <.: ::;., .45 __ .+85
i
.:-;(:~;.: , .· ·.
l ) Для дина 'мическоrо реж,има . Пр11 т;; =50,.,85° С ; Рк_ тах (~j)>~< (150 -
-
Тн)!Rт"n- 11• '
-·-
""·.. .-,-~,.. .,
.....
.........
"' •. 541

·f
R~ ZM
.
N~ZM
I6,н.i1 _
1
1llк,А
~/"~
; ,-:;- "°': И_~i;_з=ОIрВ1:- !.
t--+--+'--t- -+-/
-h
/'
~
,-. ~
-- --+_,
- - -1'---"t-, -.
].
-4-~---1
Ц 8 t---t--t--t----1~1Vь,~7'f-/----±.~=---t---1f--t-+-+-+---j
• {/.
- -.-:-
Цб t---' -11 ---t -/-l',,,..
- --t::...-
...
.i"""" 'll-- -t-+ -+-+--+--+-+-- -j
i7'.
,
'
50
D.
•'/'
·,vy 'У 1,U '! . U5_э.'В
IIT92DБ
i/
i
'
.
1,!
,1
··v J/
1.
1-•;.м- \.1
КТ92ОВ, КТ9.20Г
15/IA
t--+-+-+- -+- --t --+ --+- -1
,)\:\~
.ЗJО t--+-+ --+ --+ ---+-
1
- +-!
- +--1
ZUO • •·.
D,Ц
D,t
1
:
'\·
D
•з
15а f----,f-4-+'---+ - -
.
_
......
/"""
: • --+-,-+-,....,
t--++4---+--+--+--+---НН t\ \
100 t--+1-1-н/'-+--+--+--+--1 \ z
5U
/
J)
о 1.Ь'
о,5 1,0 •
1,5
2,0 и63,в о
. 542
Vi
;/V
V
l,;.
/1
z
ч
z
4
/
V
·· 1/V
i
1V 1.,,-'
/Р-
[/'
·I
-
r
L,.
1
f
/
'zч
'
'
.4 I.r,F/jмA -
;,- .
6 8 1U лlfнэ,В
11Т:J 20Б
6
8
1D
IП920В , К Т920Г
.,,.
./,,..
·
.
'
1
-
i
'
1,
--
!
-
•:·
\
!
'
'
1
:
1
tJl6=25нA -
-
1
Б
8

т1
f=IOOMГ u,
lfк,=108
,.
1
..
6 t7"\
КТ9ZОА,КТ9ZОБ
1(
l<Г9ZDB
/'
-
--
~
-
о/'
.. ... ..
~
-
-
КГ,9Z~Г
r-,.
-
4
·1/
Z..__,___,______,___,__-----1,~-1--+--'---' 50
,._...L...--'----1Рбьrx V
1'/
17.
7
L- .....L ...- - '-- L
-L--'----'-L-"--..J__Jа
о.246в·'1fJIZ1416Uкэ,В•
Рвых
Вт
8
5
,
I'
11.Т920б
-··
111
Pn,= 1Bm 1/
1...L
·1/
'
1 ,77к
-,~
Р6ых.;17 .,
""'• 1' ~
\[/
50
Г7
.1
/:17,'ijГu, - _
.
•J
1
11
2
М
О .Z ч .Б S 10 1.Z.14 .1Ь'!1.ю,В,
"· 10а
з
Рвы,,
Вт
11
5
2
'Е =iz 68
.
К1
1ZO
5'[]
1
1
t ХТ92QБ
~
[/
I
I--J.---,..j;<.,.--J---+-l----1-~L-_
1~
·, ---1----1 5а
1,
7
7
о
,Икэ= 1Z,БВ
f=175_Mfu,
;•,;:1
,·
20
,'.'
'.fв; .~т

··f
' НТ.920 8
Рпы,,
Вт 1-=--+----l-------+------+
18 ' t--+ - --f;l~
,;· +--+-~-3⁄4 -
- -'- --- -I----I-I
1в H-:-t-~j:::~=p;:;j--Н
14 t--+-+''--+
'--+-A- ---1-- -1____. j'-'- - l- - - - . j
17 t--+-+-+--V - -+--+--+--+- -+- -
.
10 1-- ,,-' f-. : --cl-. -.-ч-
:11__,.'+--'-.f.--1,---f -- -t- - - -1 - -
8 ,__-+ -_,_ _
.~
,
-'--'-'
Р·вх=sвт
б +--+--н'-1----1----J f = 17 J/'1 Ги.
,с._ чО
1IЛ
1'/к; Раых,
Р.бых_j
о/о Вт
/ '1'/к
16
80
,
... .,,-
1/
-,,
,.,,. .
- 11'
60 12
1/
'
'
ч '---'- ---'- --' ---'- --1 .~ 1
1••1
•
2а
О•4
8 12 16. lfкэ,В _
4·1
О1
Vкэ =lZ ,68
r,=1ч мг~
l(J
zзч5678Р1,;_в:т;.
Рвш
Вт
16
IZ
8
.
о
..
1/
7
4
КТЭ20Г
l/.Рвых
1/
~
.
1:
1'
,
"'1'/н- +-- '
V
1/
)
Рвх"5Вт
f=175МГи,- ~~
111·
вIZ
1'/1(, Рвых
'
О/о
Вт
80 .16
60
IZ
)/
,.
40
в
/
ZD
4,
о
liT9ZOГ
,А"
1/ Рвых
,;
-
rz~
J
,v
V
f=175 МГи,
Ек=12;6В -
'
5
1
t---
11 н,
3⁄4
80
60
40
КТ925А, КТ925Б, КТ925В ; КТ925Г :
Общие сведения. КреМf~'иевые эпитаксиаJ!ьно-планарные п-р-п-транзисто
ры предназнаqень1 для работы в схем ах у_С!.fJ\ИТелей мощности, умножителях ча-
стоты и автогенераторах. СВЧ д·иаnазона - с низковольтным питанием.
•
Корпус металлокера_мический,- с полоскоВЬ!МИ : вь1в9.цами ·и ыонтажньi.м . вИll•
том (рис. Пl:.77) . Масса трщ1зист.ора не - более 4,5 г. . . . ..
Условия эксплуатации -"- "в . сооп~етствии с табл.. П2.4.
Элеюр11ческ11е параметрьi. - ~,11аёси'iрика·ци6нны~ параметры:
Рных., l а1р. lli21el, 'кэ R·~
544

Значения
Режимы . нзм~рения
Ооозна•
~
~
Наименование
щ
щ'
< <,:
:,t
q~~ие
.,
а,
=
>i
.>i
· t..
о
..
.
:;;
"'
,:
~
:,:
(Т)-~-
(Т) .
:s:
:,:
"'
>i
1-
:,.
::,
::,
-
~
Обратны А ток колле«тор -
эмиттер
(R ь= 100 Ом),
мА:
1 кэп
КТ925А
1.0 7 .Зб
КТ925Б
1,13 12 36
КТ925В, КТ925Г
2,2 30 36
при То= +85° С,
КТ925А
о,!J 14 36
КТ925Б
1,6 24 36
КТ925В, КТ925Г
2,0 60 36
при То=-45° С,
КТ925А
1,3 14 36
КТ925Б
2,4 24 36
Ц925В, КТ925Г
2. r,
fIO ;35
'
()братныА rок .1м11т1ер~.
мА, .
lэвu
-
КТ925А
4.
4..
КТ925Б
8
4
КТ925В. KT925r
10
Ч,5
пpli - То= +85°Ci
КТ925А
1
8
4
КТ925Б
16
4
КТ925В, КТ925Г
20
3,5
То=-45° с~
..
.
при
КТ925А
8
4
К•Т9256 · i·
,
."
· ·:,.
-·/1
..
16
4,.
.,
KT_925'Bi КТ925Р . , •·
,,
20: ·•
'
. 1,1;i
•[•
..
•
'
")4•_ ,
_
' >i;:;,
,.
..
~-
j.i
.
'·.
:•_ (-'
''
., .:,, ,
-·
;f
,
·r
•
(·. 11(
,, JI·
Критически А ток KOJIJlt:kTO; .• '
,.
:
'·11 1· •
ра, ·А:
..
/кр .
'
1 :,::-
КТ925А
о;8
10
100
КТ9,256 -
"
1,0
10
1· ,,,
,:
100
КТ925В
,.
4,5
10
100
КТ925Г
4
10
100
Модуль , коэфф~uие~та пе-
. редачи тока на высо~ой ча-
стоте~ -
lh:щl
КТ925А
5
10
600
100
КТ925Б
"
5
10
800
100
КТ925В, КТ925Г
4,5
10
(000
100
.
Постоянная времени uепи
.
обратной связи · на высокой
частоте, · пс;
Тн
КТ925Л
82010
305
КТ925Б
173510
305
КТ925В, КТ925Г
12 40 10.
100 5
'
.
18 з"к. 503
545

Значения
t--'ежи~ в з мерР.ния
1
:
Обозна-
.,
Н~>именованяе
-~
·
8
. _!)
cQ
~<.:;;·
!
чевие
..8
'
:1
~
'
;
:,; .А
.
..
,~с
;,:
ci)
ф
i
'
:,:
~
;
...
'"
::,
::,
-
-
1
Емкосrь колJ1ектор~iоrо пе-
Сн
рехода ', пФ:
КТ925Л.
10 2(' 12,б
5
КТ925Б
-
20 30 12,6
5
КТ9~5В, КТ925Г
4г, 75 12,6
5
Выходная мощность, Вт:
jJ uwx
КТ925Л (Рвх ~0,32 В 1)
:С 2,4
12,6
300
(Ек)
КТ925Б (Р..~ 1 Вт)
5 5,3
12,6
300
(Ек)
КТ925В (Р., · ~6,6 Вт)
20 21
•12,6
300
(Ек)
КТ925Г (Рвх~б.6 Вт)
15 15,5
12,б
300
(Ек)
Коэффнцие1н
!1OJle3HOГO
действия коллектора
при
т.~б5°С, (для
r:н
90% приборов), %
55
12,б
(Ек)
А\;1кс11м~rлыю допустимые _параметры. Гара1пiiруются при температуре пере•
хода Т u--45... + 150° С.
/к max - ЛОСТОЯН l tЫЙ
ток
J1ектора, А:
КТ925А
КТ925Б
КТ925Б, КТ925Г
кол-
./к, ■ шах~ импульсн,~й то1< кол·
r11ектора (форма Н\111у11ьса ко•
,синусоидалы,ая) , А:
0,5
1,0
3;3 .
'КТ925А
КТ925А
КТ925В, КТ925Г
,
,
1,0
,
• 3,0
,
. ,8,5
И КБ mц _;_ прстоян~ще напряже-
ние коллектор - база, В
.
.
36
и
. .. :. по· стоянное
пряже
IO:JR п;ах
на
•
нне 1<ол,1ектор . • .-' :- эмиттер
(при R6•~
100.Ом), В •• 1 36
'·:
·
!·1;!~
:
~-
.
1
• Иэв п,~х ·-
постоянное напряже
ние эмиттер - база, В;
КТ925А, КТ925Б .
,
,
,
,
4
.· КТ925В,
КТ925Г .
,
•
•
,3,5•
.pl).:
;
:
К ,ер , пах - рассеиваемая мощ-
ность ; коллектора li динами-
• ческом режиме, · Вт;
КТ925А....
•
,
•
, 5,5
КТ925Б .. ...
,
,
,
,
,
11
,
КТ925В, • КТ925Г
.
.
•
•
25
то mах ;_ т'ем пература перехода,
0С
.
1•••••••! '. . 150
R;, о - н - тещюв ое сопротивле-
ние переход - I<орпус O С/Вт~
КТ925А••,•,,•..
20
КТ925Б ...• ,
,',
,
10
КТ925В, КТ925Г
4,4
'Допустимая ,температура окру -
• жаl!)щ~й среды,, 0 С
- 45.. ,+85

40
30
za
10
о
l<r925A
58
1--- 1-------.с.. Икэ= О
80
60
ча
zo
а
'
/
/
J
/
/
j
J/
Jj
IЬ,,,
0,Б 0,8
.
1,0 ИбЭ, В
н.тgz55
/1
/
Икэ =О
5В
/I
)
/
I
/
/j
..,у -
Iк,А
(О
0,8
0,6
О,ч
a,z
<
о
'
НТ925А
,;\,"'"'
/
V
'V
.. ...
F--H- -J- -J --J -+ -+- --' -' М6"IU;,A ~ _,;._
11
)
·2
4
Б8
liJ ·
HT9Z55
Iк,А
.,,,
i,," '
1/ ~-
1,6
JI/
11 ~....--
1,Z
r/
0,8
.,,-
.
М 6 =lОмд-
'
0,4 j·
/
о
l
4 6 8 10_,Икэ,В.
КГ9258, К[925Г
: КТ9258, КТ925Г
16,нд ' 1
I~,A~-- /:,,
"---
Икэ=о -+--+--+--+---t
18*
,,,
· • t---,H/'-+ ---+ ---+ -- -=a~+ --t --f-- ---1 --t --+ -+ - --t- --i
J
/'
_j....,-- __
•
' '58
,_
zoa 1------- .c ..+- -ff --l --+- --++ -+
1 --+-~
• 4 f--1J-v-1---f--'+-+-::ь...i--1----1--J-+-+-+--i
· 1-,
/
' i-1 --:".. .- '
'
)
15а ,.. __,_ ___,,_ __. -- - +-+-+- -+ -- -+ --
!
та l---"i----l4--+--,н---J+--+--+---t
1
/
5(]
/ 'J.,
' /1/.
о//
О,~ 0,8 1,П 1,Z .U63 ,8
1/
з 1-------. c ..l --+ - -~-- J--J--+- -+ -- -+ --+- -+ --+ ---+ ---I
l-JJ _j _,=aL.J-~~:::::t'f_,_L=i
· .J.....---,J1~
-
-+-+---t
v-
z ~l'---- ~ -- J- -+ --+ ---+ --+
i·.
,
1
/
4
6 8 1IJ,•• 1Z'Uк1,B.
547

•
~о
. frр,11Ги.-V'\~92sA
1
1
'-'-~
1··1 1
Ек~rов
-~
:--...· КШ55
\'(
..
Р6ых,Вт
•• 20
..
,.....t:::
IЛ' 1
1/ liT9l5B-
J J..--
!\
,/
[.,(11
750
.\ '~
П9Z58,IIT9Z5Г
16
.1Z
8
1//
IIT9Z5Г
111-
Z50
:! '\
1
о
rt ~ix,Bm
'1D
,8
о
..... ~
'\
--
---
~/
'\
,.
\
1,0 • .z.o з,а
t--+-+-+- --+- --+- -1 - --1- --1- - -1 -- --+- -+- -- -,
.
I
•/iT9Z5Б.~ .
'
1..... ~
0,4 0,8 1,Z 1,6
j/ f;JООМГц
-
/1
Eк=IZ,6 В
'/
I
а
24
,,
'· ы Р fJ,;--t-+-+--+-+Е_,к.,,.=_1,2_в-+--+--+-+ч
8
. 2 f---' J-,, f-,-i ,-j ,-+ --f ,L+,,,,, ..-1--I --I-= ,
Ю!/258, 'М!J25Г при Po 0,x=' l0'8ttf' >
а L_J..._L.......JL.......J---'---'-----'----'----'---'----'--....1
ZC7
зао
400 f,MГll/
КТ929А
Qб~ие св~деН!:JЯ, , Крем11»евые СВЧ планарiю-эпитаксиал:qf!Ь;е ..п-р-п-тран
s11сторы предназнаqены для работы на частотах более 50 МГц в усилителях
мощности, умножителях частоты и автогенераторах.
,I<,9рпус керамический, с полосковыми выводамц (рис. Пl,77), . Масса тран-
~нстора не более 4,5 г. • •
•
Условшr <1Kl;.!!-1JY.a..T@Щl .sn CQOJ'!l~JCТ)}ИИ с табл. П2.4 ,
нз

Электрические параметры
•Наименование
Обратный ток эмиттера, мА
при То, = +85° Ci
при То'!'=-40° С
Обратный : ток колле1нор - эмипер
(Rr, ,= J:00 Ом), мА
о,Цри, rс= +85° с
при То=-40°O
Обозна•
ЗначеRн ,
Режимы измерения
5
10
10
CQ
~:::,
5 ,30
,\ ·'
10,30·
10 30
CQ
(t)
:::,
3
.3
1
Модуль коэффициента передачи тока на J.
высокой частоте
/hнэ1
100
'
"
..
'
Коэффициент усиления по мощности
;
!
(Рвы х"" 2 Вт)
К'
8
;s
175
Vp
•..
'
'
-
.
К6ЭФФиuиент полезного действия кол-
·1 55
11еi(то:ра (Рвых- 2 Вт), % , .
ТJк !
8
175
:
'
:
-
Емкость · коллекторно,го перехода, пФ
Портоянная ~ремени цепи обратной· свя• /!
~и : на · вь,сокои частоте, пс
:.
; ''tк:
• 1) ТиповоР энаqениР. .
Максимально доqустимые параметры. Гарантируются при температуре пере
хода Та =-40... + 1б<f' С.
Jв. max - ПОСТОЯННЫЙ
,11ектора, А
ток . кол-
'..
Иэв max ~ постоянное напряже•
иие эмиттер - база, В
.
,
,
UКБ max - постоянное напряже
ние . коллектор - база, В
.
U.кэ R та:< - постоянное на пряже•
ние коллектор
эмиттер
(R~100Ом},В;,,,
0,8
3
30
·30
pl)к.- ер max - мощность рассеяния
на коллекторе в· диоомичес•
•ком режиме, Вт: ,,,
,
•
,
6
Та max - температур ·~, -- п~рехода,
0С
,
.
.
•••••
.
•
,
.
160
Rт. п-к - iгепловое
• сопр~ти;ле : • ·,
ние п~реход - корпус; 0 С~т ' 20
Допустимая температура окру •
,
· жающей средь,, 0 С • • ...:С40:.. +85
11 При Тн= -40.,.+40°0, При ' fиС::. 40 ... 100° -~
Pк,ep)ilaxfBтJ_ =
(160 - Т11)! Rт, u-11•
549

1\l
i1JA •
\i_'i;:,
1•
~о
i
1
1
'
за
~о
10
1
-
Ик~=Q.
.L,/
о
'·i
' D,4_о,~
58 i--
/
/
I
.•
/
I
1/
/
1,Z
1!36 ,В
_,,,,.,.
/
Г=fООМГи, •
j
•I к=О, .ЗА
I
''
J
/
lн, А
0,8
0,6
0,4
o,z
о
v-
-
1
/
1/--
~-
,,-
J
/,,
'//,
z
4
8
'7
6
J
J
_.,,,,,...
/
I
•'\
'
•'
---
'
'
', \'
'
1
\·
Лlь= 5 мА
1
8 Инэ,В
Г=100МГu,
1Ткэ=ВВ
.
'+
.
БВ101Z
,
•
Ик3,В
О ,, 0,1 O,Z 0,3 0,4 0,5 lн,А
2,0
1,5
1,0
0,5
550
-
'.
о
-
·/
/'
f=IOOHГu,
V
1/
I
I
•''
/
V
/
'С,,пс
1Z l---,f--t--+--+--+--+---+----1--+--+--+-+--t------1
10 1-'rx--+--+ --+--+ -+-I r= 5нrи. t-,- --, - -+ --+ - -+ --1
'\
I э=5~нА ., v
,;1
8
'\.
......
,,
~к
., ,_,,,,,,. .
, 6 1--11- --f-+ --+- --f'-+ --+ --,..-+ -~ +--+-+ -I
4 .........,'--'--'--'--'-----"'-"---'-'--'---'--'--'---"-_. _ __.
Оz·4•6•8
• 10 ••Икь,В -

-
-
,--- ~
-
---
F=5 НГи,
•1Z
ИхБ=8~
'
:
10
'
\
'
8
:
а
1ZO 160 ZOU J3,нА
а
o;z о,4 о.Б fв,,Вт
з
~....... 1,,.
--
-1_ /
-
0,4
1
'
.... ~
;,v ~~
-
-
O,Z5B m\
...
'-
71х
-t -,.
'
'-
'
50
'
'- ...
1"
'
2
i
~~ .... ,
•Рвых ·-
!
'
..........
"'.
.~·
,: И~ з=ВВ
'
......
/r--. ~
....
..... ,_
~
1
.... ......
..... ,_
~
.....
---
О,'4 za
.
·.-
.. :. 0,f5Bm..
'
а
100
zoa '
заа
400 r, нrи.
U!1 p !ii/~III/
_
;:_
;,
_11нр1 t- ··.-
!·~
'20_
21
(12•.
2)!
!{Т9ЗОА, КТ9ЗОБ ·
Общие 'сведе11и11.- Кре'мние1,1F,1е · СВЧ .. пт1нарно-эпитаксиальные п-,о-п-тра.н•
зисторы предназ1i~чеiн,1 Д:J1я ра боты . н11 частотах _100...400 МГц в схемс1х ,усоли•
'J eJl\c' Й МОЩН(JС'l;И, }'М~ О>КИТеJlе Й ' i1a ctOTЫ . И ВQТОГе !l ера торО В. -
,'
[
; Kop1t.yc метаЛJ10:кера~tИ\jеск'и11.' (рис.: П'l.79). Масса iранзис·rора не боj1~е 7, r,
~·словия экснлуатации-:- в .~;оdтветст в ии с, н1бл" П 2,4 . _ :
••
,
1
ЭJ1 ек три•1 е,к11е пар аметры : Классифи({ащюв н ые пара метры~__
•
:/· ...
Р~щ, /f1ш/ , С", lк,;;R•
551

Наи_менование
Обратный ток эмиттера, мА:
' KI930A
КТ930Б
при Ic=+85°С:
КТ930А
КТ930Б
' прн Ic = -:-40°Ci
,
КТ930А
'КJ930Б
'
·Обратны.й ток коллектор
тер (R 5 :s;:;10 Ом), мА:
КТ930А .
КТ930Б
Kt~зli ~, +в~о С:,
КТ930.Б
пр~\ ::7 с='-'-40° С:
КТ930А
КТ930Б
-
ЭМИТ·
••. ,,
Модуль коэффициента · передач»
тока на высокой частоте:
КТ9ЗОА '
КТ930Б .. .
Обозна
чение
1h21э_l
К,оэффkци;нт усиления по мощно- • • •
сти: 'j
КТ94ОА (Рвых=40 Вт)
!-
.-
,
~..
КТ930Б ·(Рвых=75 Вт)
Коэффцциент :.по.лезноrо . ,д,~й,ст~~я
коллек;тора, % :_ ,
.
KT9q0A. ' (Рвъi.:=40 Вт)
КТ9qОБ . (Рвых~75 В:г) .
Емкост~ .коллекторного нерехода;
пФ:
КТ930А
,
КТ930Б
1 > Типовое эначение,
'1'\н .
., ..._·
Значения
1,5
2
5
3,5
50
50
10
20
20
40
10
20
•20
100
40
200
20
100
50
50
'50
50
50
50
ю
10
28(Ек) .
28( Ек)
28
28
001> 80 28( Ек)
1301> 170 •28(Ек)
4
4
4
4
4
4
•r
2,5 300
5 300
400
400
400
400
30
30

Максималь110 допустимые · параметры. Гарантируются при температуре пере• ,
хода Tu= - 40... +160°C,
/1)
.
•
Кmax.
-
ПОСТОЯННЫИ ток КОЛ•
КТ930А
....,
,
75
лектора, А:.
КТ9ЗОБ
120
КТ930А
....6
КТ930Б........10
То ma х - тем пература перехода ,_
-
_
0С....
.
.
.,·,'160
Иэ_Б max - постоянное напряже•
Rт, о-и - тепловое сопротивле• - :
ние эмиттер.:.. база, В . .
,
4
ни~ переход-1,орпус, 0 С/Вт ; '
Ек - постоянное
питания, в
напряжение
28
КТ930А
КТ930Б
.;i,•1;2
2)
•
Рк, ер maxc - средняя рассецваемая
Допустимая температура окру-
,
жающей среды, 0 С
::-40 .. ,+85
мошность коллектора в ди•
намичесI<ом режиме, Вт;
.
.
.
.,::i.1
•
t> , При уело.вин, .tJTO рассеиваемая м01i~нnrть коллектора · не · прев1,11J!а~!
предельную.
1-1·,"
"
.
2\ Пμи Тн=- 4? . ,. +40" С. Гjри Ти= - -J -4U ... +ь5 · L РJ.<.,сршах [ВтJ .7"
{160 - Т н.)/Rт, n- it•
НТ9ЗОА
l(T930A
1
1
1
О . Uкэ= iOB.J
•40
I
j
/ .,/'
:'+ t---н,'-;-t-, v--;-+--+--г--+--+--1----+--'---'
/.
~
,
ЗD
/.
1,
,з
V
20
I
iI
'
J
_
__:--:-- ~
.
.' Z. ~,l--1'7--~-1-.:..._,_ _-+ - - -1 - -
._
.
--1--+--...1------1··
•1D
'
I
:/
.:,
/\
·,'
I-UЧ----'-+--+-+--1---'+.,...,....j Аlь"'10мА ":7, ,
•J
••
'
'
'
;\:.J
о)/'.
r
..
• 0,5
;а
8,'
IZ
,i

КТ9ЗОБ
l<Т9ЗОБ _
/
/
,,
~ .......... ! ,
/
80
а llкэ= IOB
//"
--
-
V
_.,. ....
-
50
/
1..,, -" '
_., .
40
/
_..-
ZD
/,
j
/
о//
0,5
?,8 U6,,B -
о
!
.:.,пс
4
·-
~
,"/
f11
о
1[:1
КГ9ЗОБ -
/
1
1
-
.... ...
Ki9JUA-
"';
'
'\
1-
~
~
lfк,=IOB -
-
f=ЗООНГU,
6
Z5
za
15
10
lJ
___ ~,% ГРвш, Вт
..~о Г во;,
Е~=?ВВ
-•·lн,А
- •fc чо,о11_ru . -+ -- --, --::;;;a~- -- -J
:·_
:: l ::r·, -- r==t::;iz::+:::~:::::::i:::--1
20 20 f--+ -;,,L-1- --+ -+
! ; :• . о О~.-~~~~--~-~~
L--.;.
._
-
-
1
!!16=ZОнА -
-
-
"
8
IZ
г\· \
llк 6=5B >---_,
\
"'
f'= 5НГи,
-
~ КТ9ЗО6 -
"'
"КТ9ЗОА
111
о D,Z 0,4 0,6 Ц8 lз,А
Область безопаtнай работы ~
сmаТf)ическiJМ режиме .
1U
20

КТ934А,
КТ934Д
'
КТ9,З,4Б, кtg'зш; •КТ9З4Г,
,,
,
'
Общие сведения. Кремниевые С!;!Ч'. п~1а~арно-эпитаксиальные - п:_р-п-тран
sисторы , предназначены для работы на частотах более , 10Q МГu в схемах усили
телей мощности, умножителей частоты и· автогенераторов .
Корпус керамический, с полосковыми выводами II монтажным, винтом
~ (;,ис. Пl.77). Масса транзистора не бЬJ1ее 4,5 r.
Условия эксплуатации - в соответств-И'!t с табл. П2'.4,
Электри•1еские параметры, Классифи1<ационные п;;р~ме'J рщ
Рвых, /l1-'!sl, lк;,, <lк , \к, 'кэR• 1 э'во, .Ск,
.·-.
,
..
~нацениw
1-'ежн "
•-t·зм ·· рРни )-
Обозна,
Наиме11овон11е
.
6CQ
CQ
=1
,ение
.,
==
~
~
....
.
.. "'
:а:
=
~,;;;Q).
f,
"'
""'
~
.
"
~ ·-:
::>
::>
-
-
Обратный Iок коJIJ1ектор - ~ми1··
'·
п~р (R,. = 10 Ом), мА;
1 кэR
КТ934А
7,5 60
К Т934 Б, КТ934 Г
15
60
КТ~З48, КТ934Д
30
60
'
при То =85° Ci
КТ934д
15
6U
КТ934Б, КТ934 Г
..
30
60
'
КТ934 В, КТ934д
60
60
j
при r.= -45° С, ·
!
КТ-934А ,
15
50
КТ934 Б, КТ934 Г
30
50
КТ9348, KT934ll
'60 50
'
i
'
Обратный ток ,митrера (1. -
=-45. .. +85° С). мА:
КТ934А, КТ9345, KT934U.
1 эво
-
7,5
4
КТУ34В, КТ934д
8
4
'
.
,,
Модуль ко,ффнuие1п'а : nеμ.:дачи
·1ока , на ВЫСОКОЙ Чс!С'IОТе,
, Jh~1el:
вi>
o, ·1s
КТ934А
:
'
5
10
100
КТ934Б ,- ,
'
5
8,51 > 10
0,6
100
!П934В
'
5
(Jl
!О
1,2
100
КТ934~
4,5
'81:, •.10
о;б
100
КТ931Д
,1 4,5 81
10
1;2
100
Крн·r иqескнй ток K(JjJJlt:K l:O\Ji:1, мА: 1,ip
'
.
КТ934А
230 3201 ) 10
'·-
' 100
КТ934Б
1оро 15001) 10
100
КТ9343
''
2000 32001) 10
100
КТ934Г
1
,
900 1400~) lO.
100
KT934l1
1800 ,250011 -1,0
1()()
• 555
_J

Зi1Зчения
' РеЖ:иМы измерения
:\,
Обозна•
"'
"'
Наименование
.i
•о
a::i
a::i
:,
чевие
;i
с(
"'
~
.
;~
~СТ)~а)
~:;
""
:::,
:::,
....
....
::.
Коэффиuиент полезного - действия
коллектора
(Т.--45... +40° С),
%:
ТJк
5SilJ
КТ934А (Р~ых=З Вт)
50
2~
400
Ц9~i4Б КТ934Г (Рвы~-=12 Вт)
50 701) 28
400'
K:f9~ , В КТ934д (Рвы~ =25 Вт)
50 701) 28
400
1.,
1
i\
!
Емкфст/:i, коллекторного - перехода,
1
пФ:! !'
Сн
КТ934А
'
51)
92ь
5
К'):9З~Бi ..'КТ934Г ,
1
11l-) 16 28
5
КТ93!4В, КТ934д
201'
32 ?.8
5
i
!
·'
i
1
.
1
'
1.
f
Постоянная временР. , uепи . обрат-
ной ' связи
BWCO!{QЙ
-
на
частоте,
лс: ,:. j••'1 1
~к•
51)
КТ934А
20 1(1
О,1 5
КТ934Б
511
20 10
v,lt 5
КТ934В
51)
20 10
i),2(! 5
КТ914Б,
,,.
51. 25 10
О,lt 5
КТ9 4
-1\
25 10
(Ц5
[)
'
;:
•'-~--
,.
.,
'
ВыхQд~аk •мошно.еть .. (миниr.:,а.j1ь-
-
,..
;
ное · зцач~ние, Т. -.
-45... +40° С),
f-
:
Вт:.i:,1;·
•
.: Рных 1
.,_,
'
КТ934А (Р ;;.~о,а Вт) •••
3 з:,51: 28
.;
40(.J
i
КТ9346 (Р~х~В Вт) .
· '12 ; 14,51' 28
,400
Kf~f4Г (Р~х~З Вт} . , .
.,
;.
:10 ,i0,51.;28..О +-~.-w
---
·,•
·юо
К 9 41;J (Р~х~8,3 Вт)
i 25 '261
211
-'
юо
.,
..
КТ93'4д ' (РВ'х;;,;;8,3 IH) •
·20 ~61
21;1
.,
400
',,1· ··.
1 ' Типовое эначсн:
··г ·w(
1 +:•
:::i•
•М~кС~l\\1\Л~~о доn~стимые параметры. Гарhнтируютс'я· щ:.и rемr1ературе u~pe•
хода 71,-4~... + )60 С.
1;-
.
/к .m
_
,
а,~-:,_:_inос.;то~нн_ый , 'i 'OK кол•
. ле ::ropa,:А:1 , ,
К ,934А ,_
.,
.
.
,
,
,
,
• :0,5.
•lyl!934Б,iКТ931Г•• , • • , 1,0.
'J(' ~93J~. : КТ934д ; .
.2,0
ИэБ r,a!x · "7.", досrоя11ное напряже-
:ни~ эмиттер_Jба~а В. . . 4
1
-
,
.
•
Ui_":; 'R, riшi: ПОС'IОЯН!Ще на,пряже-
НИе коллектор - эмиттер
(R ь ~10 Ом, Tu=25, .. 160°C) 60
556
•2)
.
..
,..
,
•
Р к ер max - средняя ра~сеивае•
• м:ая .. мо_!1.1ност1, ко1р1е!<·tор~ в
динамическом режi1ме · (T":;;J
~28°С), Вт1
, КТ934А
..
.
.
,
,·,
:,,7,G
КТ934Б.КТ934Г',•• , • , 15.
КТ934В . КТ934д , . •
,
,
,
30
То ш • 1 - !'ем ·нература
ос.!!
•
•
перехода ,
lбU
1

Rт, п-н - тепловое сопротивле•
1ще переход,-корi1ус, •. С/Вт,
КТ934А•• 1 ••
,.
•
1 , ,17,5
КТ934Б, KT934r , ,
КТ9З-4В, КТ934Д . .
Допустимая температура
жающей среды, ·. с
,
,
• 8,8
...
4,4
Ol{PY·
-40... +85
l) В диапавоне температур ' +25,., -45° О Икэ R. maJ1 rrменьшается линей•
нодо50в.
Z) При т1\ С> 28,:.85Q G Рк, ар ma~ (Вт] = (1_60
-
T1JI Rт, п-:-11•
О,ц
О,З
o,z
0,1
а
о
НТ9ЗчА
,,
1.,...,-
-
/v....
1.
I7v
,_
J').,,
~ -·t-
-
1/.,,
~
)
--il/
,
!;
812
• КТ9ЗI; Б,Г
. J ..-:-·
..
..,
\/ I./
i., -
2
7)/,..
1'}7
"
.'.
/- .V
,
lлi::::--
//./.~
~
-i I6=?,5мА •
16
Uкэ, В
1 ·.1
о
КТ9З4 В,
l•
··-
-s:
КТ934Д -
.__
f=IDDНГu,- .__
· нt9зчь1 -~
'
μтззчг
lнтэзчА,
11
;••. _
o'·. _ _. J!!Z.""'-'=-1 -~--'' --L -. .. J
• 0,4 0,8 1,Z
НТ9ЗЩД
8
5j
I
.{
\/
нТ:зз~iА
'"'-
"'
...
, ,•..
..
,
.
·
\
.•, ~
f=IO0H'ru,
'
.
· инэ'=tОВ ...._
2
\ •,.
1
о
ч.8
•
12 -16 20 и~3,в
о. ~,1 • o,z О,З 111.,А .
,.
55Г

Область безопасной работы
11
КТ9348 \
'i, 5
'J: 11
:,
~-
1
i
1'
!
'
f
\\~[i 1:-
'
1
\i
!
i
i
i..
1,0
0,5
Н~9З~Б '
'
'
i1
!
'
1
'
'
'
!'
\1IiТ1 ! ~
1',;
1
i
1
• кfзз~А
,~~ ;
1
1
,)
11
:1!l:
1
1, :г--:,~
!
r--., .
ч,1! !
'
1
1 ·н·,,.
5
fа5Н Гц
Vк6s108
о
a,z 0,4 06 0,8 Iк,А
' ·..
о
JJ
zo
658

30
Z5
20
15
10
5
'
'
о
Рвых,Вт
з
l
о
НТ9UчД
"
,
1·.
";?~~
Р6ы х~
V.
.
~:к
~"
-
-
~
-
С7
,,
:
1./.... V
/
f=l/OOHГU. ,
V
--
Инэ= 288 ~-
V
1111
Z345·Рвх,Вт
Т/н,°lо
/
601
1,,---' -
/
1/н
,,,,,
/.
40
.Х f=400НГи, -
Рвых ~
!
Р в,= 0,48m
-
-
zo
1
111
о
10 15 ZO Z5 11кэ,В·
IZO
100
80;
60,
zo
РDы,,Вiп
1Z
8
4
:О.
1
нт9·345 _
'lк
V
/'[
'
'
Рвь~х ~ /
/
:
f= чОО J:!Ги.
Рв,= 2,:Jвт
i11
'
:,,., -r
:
'
i
-
'
-
-
i
БО
i
20
о
10
.15
ZO Z5 Икэ,В,
Рбых,Вт
КТ934В
: '1/н,0(о •
г'-,,.-,----,-,..,--,--,--,----т---'т-~ , . ;, '
r'в ых, Вт
_
НТ9J4Г
'1/н, ,%
•
\ \ г--т----т---г--т--т----т---т----.-.
Z 5 1--1--1--1-il-++--++--+--НII-'-/ ·-J.+
._,
-1;100
r 1,-
, -+ -+- -,-+
__ _,_
J -1-'--+ - -1,1-'
/ ~. -+'---1
~[} t------+--+----+-,--+--+---il"c~--Ч---+'----1 ; 8 О
.,
1о ,__......,...,У~·_,___+- r= !+ ао м rи. . _ ,чП
,
Рв,=БВт
:___ Рвы ,
о ~~~'~~~~~~za
10
15 zo
4 1---!'/"--' --1--1 r= 4оо нrи. •_ 40
Рв,=ЗВт
_
Рвых
Z
1
zo
10 15 lO 25Uк,,В
.
,-
559

·f
•• • ._ Л0ЛЕВЬ/Е " ТРАНЗИСТОРЫ
' КП!ОlГ, КПIОШ, КП!ОlЕ
Общие сведения. ,Кремниевые планарные полевые транзисторы с .- р-п-пере
ходом и р-каналом предназначены для усиления, ·rенерирования, преобразования
колебаний низкой частоты.
Корпус металлический, · герметичный, . с гибкими выводами (рис. Пl.86),
Масса транзистора не более I r.
,
Условия эксплуатации - в соответстви~ с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификаiщ~нньiе параметры,
1з ут• 1снач• S, Киf, Изи o:ra ·
Начальный 1то'к <::тока; ·мА, -
КШОIГ - '
'
•
КЛIОIД
KПIOIE
Ток ут~чки затвора, нА
nt>и ; r.~+85°C .
!
KpytJ!ЗH~ характеристики,
KI:II0IГ
КL1!01Д
KFll@IE
_при '
Т~=+85°С: .
IO:;IJ0 _lГ
.'
КП!ОlД : ·
КП!{)IЕ ,
_
nрц Tc'F~45°C1 .
КПIОIГ '
•
'
КП!Оlд, КПIО!Е
Напряжение отсечки, В,
КП!ОIГ, . ,
.
кшо1щ ,: кшощ
i•~'•
\'.
"
мАLВ1
Емкость аат~ор - исток, пФ '
Обозна•
qение
1с нач
;sj
~-
':с
....
=,;
.. .,
:,; :,;
0,15
0,3
0,5
0,15 .
0,4
0,3
.
.о.о~
0,.2
0,15
•2
3
2
4
5
5
6
4.
7'
5· (Jj.
5 оIi
5,,. () i
5
5
5
•
5
5
5
5
5
5
5
5
5
:1
,..
,.
(J" 27
О27
() ':21
0,27
()-,27
0,27
0,27
0,27
!.soo

•Максимально допус:rимые пар,а!'~!етры. ,:f 11pa1;1r1tPY!0Tcя np11 .температуре окру-
жающей среды Та--45.. ;+85° С.
•
_
Иси max - постоянное напряже
ние сток-исток (Изи =0) ,
В •.........
10
Изи max -: - постоянное напряже
ние затвор - исток ( Иси =О),
.....
...
1
Сзи,
пФ
4
з
z
в ..... '
.
1•
~10
S,нА/В Uси =58
1,0
Uэи= а
.........
..... 1-....
Г=Z70Ги,
-~8
,__
.....
"""
1 N. J<П101Д
r--,
0,6
...
J<П1U1
r--,
-~
- 1--,.
,-с..
J<П1D1Г
o,z
,-
1•
1
-
1
-
1+0 -zn о zo 1;0 60 -TiJ°'C
. -цо
-zo
......
........
~ .......
1.1
11
J<ПIOIE
r--...~
КП101Г
11
z
з
Uзи ~ 5.i
Uси~О
·1'
.,
1
f=О,SМГц
ИзQ max -11(,с;а~янное напряже-
ние зап.1:>,~ -- сток, В
,
.
.,
1О
,.,,
Допустимая температура · окру
жающей среды, 0 С , ·· - -45,.. + ,85
I,,нд l++-HH --' -- -" --' --' -~ -i
1, о ,...,___,_,,>-;
0,8
0,6 '--1"-+.>;of--,-'-~~г-f-+--J
0,4 f-\~ -' -+I
0,Z i--"l-+H~--1'.. - -t -t -+-+-I
о
{],8
~
1
1
-
-~ ..! f!.. .
·--
1
1
-
чiJ-ZD о za
liш,ilБ
lfcи= 58
8
!
-
..
'
lfзи=а - 6
,,, ..
Г=1 КГи, ~
.-
Rr=IMDн-:- '+
·.-
·- --
....
r-,,-
. ;r~
·--
·-
1-11
2
111
-чо -го о z(}I 1;{}, 60 .- · rc,"'C
561

КПJОЗЕ, КПIОЗЖ, КПIОЗИ, КПIОЗК,
КПIОЗЛ, КШОЗМ, КПIОЗЕР, КШОЗЖР,
КШОЗИР; КП!ОЗКР,
КШОЗJIР,
КПIОЗМР,
Общ и е сведения. Кр.емниевi,1е диффузионно-планарные с - р--п-п~реходQм . в
р-канаJJом транзисторы предназначены для работы во входных - каск-адах усили
телей низкой частоты , усилителей постоянного тока и в ключевых схемах. Тр.ав
знсторы могут подбираться в пары (КПIОЗЕР и т. д.)
Корпус м.еталличеСl(ИЙ, с rибl(ИМИ выводами (рис. П!.87,а) и т~астмассовый
(рис . П1 .87, 6). Масса для обоих ц1пов 1 r.
Условия· Эl(сплуа'!!ации - в· соответствии с табл. П2.2 .
Электри 11еские параметры. Классификационные параметрьн •
iсна ч• S, Изи отс·
Значения
-
Обозна-
~
.,
НаимснJnr~нн.е
,о
чение
..,
~~
.,.,,
., ,:
"',:
., "'
"'"'
""
;; :!
!JачаJ1ьныil ток стока, мА ,
ic-rtaч
КПIОЗЕ, КПIОЗЕР
0,3 2,5
КП103Ж, КПIОЗЖР
0,5 3,0 _
КПIОЗИ, КПIОЗИР
0,8 1,8
КПIОЗК, КПIОЗКР
1,0
'
5,5
кпгозл, КПIОЗЛР
1,8 6,6
КПlОЗМ. КПIОЗМР
·з,о 12,0
Ток утечки затвора, нА
-~
/З ут
20
при Тс= +85?С
/
2; 1с:-
при Тс=-55? С
1
20
I<рутиз11~ характеристики, мл,н:
s
КП IОЗЕ,. КП !ОЗЕР
0,4
~.4
КПIОЗЖ , КПIОЗЖР
0,5 2,8
КПIОЗИ, КПJОЗИР
0,8 2 ,6'
-КГIIОЗК , КЛ103 -КР
'
- .\,О з;о
КП103Л. КП103ЛР
1,8 3,8
КПIОЗМ, Klll'03MP
1,3 4,4
Пpll : Тс=+85"' С: •
Kll I0ЗE, ' КП1!13ЕР"
0,24 2,4
1-:ПlОЗЖ. КП103ЖР
0;3 2,8
КПlОЭИ, КП103J.-!Р • '
0,46 2,6
КПlОЗК, КПIОЗКР
0,6 . 3.,0
КПI.ОЗМ, КПIОЗМР
..
1,О З,8
КП ШЗЛ-, . КП103ЛР
О,7Ь 4,4
11р·и Те =-55° С
К! I I0З!i, , КПl!ОЗЕР
0,4 4,0
КП IОЗЖ.,, КПJОЗЖР
0,5 4,6
КП l,ОЗИ, КПlОЗНР .
0,8 4, 15
КПl.03К . , КГ.110ЗКР
1,0 4,9
кrаозл, . кп,1озлr ,,
1,8 6,1
КП'IОЗМ. lHl lОЗМР,, ..
1,3 7,0
[62
Р е жимы измерен ~~;
CQ
CQ
;
·&
& "':. <(
u
(!')
u.:
:::,
:::,
-
:;'
10
о
10
о
10
о
10
о
1r
о
10
о
о
10
о.
10
.О
10
10. о
10
о
10
о
10
о
10- •о
''
10
о
"
10
о
10
о
10. о
, 1.0
о·
10 '0 '·.
10
о
10
о
10
о
10
о
10
о
10
о
10
о

r
-~, 1а чення
Р+->жимы нзмt:μ~нни
Обозна,
о
"
сц
а::
Нанменоuа>~ 110
.о
;
чение
.""
.,,,
., .,
и.а
::s:
::s:
"
"'""
:,: ,;
:с..;
:,: .,
.,.,
u
"'
.
u:.:
""
""
:::>
:::>
-"
Напряжение отсечки, Bi
и ЗУJот~
КП103Е, КПIОЗЕР
0,4 1,5 10
10
КПIОЗЖ, КПIОЗЖР
0,5
• 2,2
1\0
10
КПIОЗИ, КПIОЗИР
0,8 3,0 10
..
10
КПIОЗК, КПIОЗКР
1,4 4"0
'10
10
КПIОЗЛ, КПIОЗЛР
2,0 6,0
.10
10
КПI ОЗМ, КПI ОЗМР
2,8 7,0 10
10
Коэффициент шума, дБ
Входная емкость, пФ
Про~одная емкость, пФ
18••1·lt11О1
Относительная : разность н:ачальноrо
-·
rpyn• rp-yn-
--·
тока стока (точность подбора пар) 1>,
па1 па.11
.~ ...
%
лiс нач 10
20
1.0 •
о-
.'
•
,,
.
1
;
..
Относител.ьная разность крутизны
гру111 груп-
тока
стока
(точность подбора
'
naIna'11
пар) 1>, %
лs
10
20 .10
о
Относит~льная разность напряжения
,
rруп- _rруп-
.,
отсечки (ТО'IНОСТ!', подбора п~р) >1,
na1па11
%
ЛИзи отс 5 10
10
10
1 1 Гμупnа точности указnтnется на nкладышr.
Максимально допустимые парам~тры, Гарантируются nри температуре окру•
жающеil. :среды r. -~5 5. . . +85°C..
•
Исз max - суммарное наriряже
ние · сток .с.. затвор, В:
КПIОЗЕ,
\(П!ОЗЕР,
КП IОЗЖ, КП IОЗЖР .
КП\ОЗИ, КПIОЗИР, KlllOЗK,
КПlОЗКР ....... .15
КПIОЗЛ, · КП\ОЗЛР, КПIОЗМ,
КПlОЗМР.....•.
.
17,
Иси пiах- -постоян·ное на пряже• .
1111е сток . - исток, В.:
_
..
КП!ОЗМ, КПIОЗМР, . KПIOJI(,
КПlОЗКР
•
КПlОЗЕ, КПIОЗЕР, •
КПIОЗЖ, КПIОЗЖР , , , • 10
КПIОЗИ, КПIОЗИР, КП103Л,
КПlОЗЛР . .
,
.
.
.
,.
12
. Pmax - постоянная
рассеивае•
мая мощность· . транзистора, •
мВт:
•
··
•.·
КП 103.Е, J(П IОЗЕР • ,
,
,
7
КПIОЗЖ, К(1IОЗЖР, • , ;, 12
КПIОЗИ, КПIОЗИР , ,
.•
,
21
КПIОЗК, КПIОЗКР , ., ;
,
• 38.
КШОЗЛ, . КШОЗНР • ·,
••',
66
КПIОЗМ, КШОЗМР . • .
•·;120
Допустимая темдерат,ура _9кру- . : .
жающей сред~, ..• С • :-' -'55.,.+85
56~

в :;;v
)
Б ,1/
z1~
l!V
D5
t<П!ОЗМ
1U15ZD
а
<---+- ---+- ---,1 Кщ, дБ
j
1
z
/
3 1------t- -c/ft---l
1
1
zS 30 И,и,В
ч
з
z
а
f;1НГа,
,.
,.
Rг = 1~1011
.
!
'
:.,
; НПIОЗЖ-<: ~
и;;~=1Ьв; ~
~ !iП103.Е
5
"
is,._
11
Иси = tа~
'/...
"5 /.
1
~
с-
,,
/
O,Z 0,4 0,6
t<r!IDЗE .
3 l->н!------t,-----"l,l--l------'-------'------'----+-'!.c~~---1
1,DJ--->--,e--+---+-+-+--+--+--+--+---+--+-+-+-+--1
0,5 1----
_
---ll------l--l--l-+-
. + -+- -1+----l!-- -- --t - -"-1- --" -l --+-+--+- --- -I
~ f fi ----!-- ----tl-t- -"-1- -+-+-- -i ---+-- -+- -+ --l --l -+-+-t -1
0,71----1 --- -:1-----1 -- -+-+-+ --+-- --+ ---+--+--' -- l-+-+-t-1
о,Б1-----1----1-+---+-+-+--+------1--+-1,,.,
1,о
z
0,5
Dч-
0,3/:1
'1/
1
11··
0,2 lf--1 --+- -- - --'- -+-+- -'-,
.+
, -'----::+:т-,1-,---1!;,q,iq"i11 ~- - : '~ it\ i\
D::::t:::::,!~~,,::J::::::,Ь,~.:_:::~._L.J ' :>Ч,.1,):-
! Изиr-10'
/.
D
0,5
1,5
·о'•481Z16ZOZЧ
.., • \:;~
• НП1DЗЖ
. .;...-..
·-·
;:,~J •• .
'
:,; КПIОЗИ
Iс,мА
08
v-
,
-/
:-••·
1~,11А
о
' z,o
~
'С"
/
J
D,Б ,_/
~ 4 1-+-+c--l---<i--+---+----+---+--"-- 1-!--- ---t-r. -l---+---I
u,z· -
✓-
/'
1,5
-
-
:
/ 1,0
-
/
0,5
1
V
-o1s- /
,,
'./.,,. .
U;зи=IВ
I'·
--
Uзи= а,58
,
.'1
j
11
о
'-1
8 1Z 16 ZOUсн,В о
4
13
1Z
r1,

f
i RП10ЗК
lс,нд·.
5
4
о
\: а..,,,,';
3/
..
0,5
2 1/:
V
/
1,5
,,
Изи=ёВ
о
lf
8.IZ.16
-
~--
· 1/1·~
·
""
· ""'~-===
i1
!
-
'
.
111 11н 1(11 1\·1IIH/ 1111+1.11111111111 .
•.. 20 ' •21.
•-22
lс;Мд
'5
V
4
J
/
/з
11
/ ..,,
I
z
/
/_
V
/''
'
,,,..
ZO Йс11,В а
4
КПIО.ЗЛ
-
~
о
0,5
-
1
..
1,5
z
Z,5
Изи-ЗВ
8
12 16
:/
:;'
.,
I
'
1
./
~•
.,
1
ZO Ucи,ll ,
. • КПС104А,
•• - кпс104r,
кnc,04в,·
1<..пс·iмв,
КПС104д. _ , K TTCI04E -
•
Общие сведения. Кремни е вые планарно-эIштаксиальные · сдвоенные транзи•
с-т оры с р-n-переходом и каналом п - типа предназначены для работы во вход•
ных каскадах дифференциальных усилителей постоянноrо тока и низкоl\ частоты
с высоким входным сопротивлением. КПС104А. КПС\046 предназна 11ены для
исnоJIьзов1111ии в мед,иuинской аппаратуре.
.•
• •••
. Kqpn,vc , ме :rалличе с киА-, rерм ети~ный, с: ·· rиб1<11ми , вывода"1И ; (ри~ Пl.~8), •
Масса!тr,~нз11с1:ор~ не боJ1ее 2 г. ' ' , •
• ,...
-- ..~-
·i
-
.,.
,
•
• Ус ло ви я 1 ::1ксплуатаuии - в соответствии с табл. И2 .2. , :. .:
••
•
,
_
~,
r
,
,
,
1
I
,
! Э~ек~ри~еtки~ параме;ры. · ·к:паЬс1iФикацио11ные пар~метрь\1
1
: 1{ н~ч,S,Изи о·с, JИзи 1~Изи ' 21• ЛJИ~и 1-Изи 21, .'Зу,-•
'
·'.
'
'
;
'
!
·знс1., чсния
· Р~жИмы
изме~~_ниsi.
.
'·
i!
!
..
uбозна•
,·-
' ···-,
'i' j
.~~
.
'
1 нiа и~евован 'ие
'"
.,
.
.~
cQ
cQ
о
о
'
..
·: qение
=~
-
.,.
~?J, :; ~
'
о
'
i
gj~
с:
~~
"
.ro
•
.
(.9
:s, •
:}w
,,
.5
~
,..
":,
:::>
. :::)
;
- ···
-НачаJI ЬНЫЙ ток . стока, ·мА1 •
1с11а•
0,1
КПСIО4А, КПС\046
0,35
0,8j 10
о
КПС\04В
0,35 1,0 1.~
•10 о
КПС104Г, КПС\04Д
1,1 1,8 3
10о
КПС104Е
0,35 1,0 3
10о

._
_
_____
.:..___..,
,'-:- --- --- --; -- --. -- -= --- --- --;,--------
Значени . J'
Режимы измерения
f 1 · 1 1; J.li~11~ef1'9.~?~И,~:·1>: : ··:· • :_1 1
!•~i:'!1i· (.' ••:,·., ;I•·.;:-·:~-1( :-1 ~
Отношение начаJ1ьных тоr,ов стока
при Те= +85° С:
КПС104А, КПС104Б, КПС104В
КПСIQ4Г, КПС104Д, КПС104Е
Ток утечки затвора, нА:
КПС104А, КПС104Б, КПС10 -1Е
КПС104В, КПС104Г, КПС\04д
при Тс=+85°С:
КПС104А, КПС104Б, КПС104Е
КПС/04В. КПС104Г, КПС104д
1-!апря>кен.ие отсечки, В1
КПСIЮ4А, КПС104Б :
кпс/04В,' ЮlС:104.Е
ЮlС104Г, . КПС10411
Крутиз~а :характеристики, мА/В:
КПСЮ4Л, КПС104Б, КПС104В,
КГJС104: Е
КПСIО4'Г, КПСi04д ·
Отиоurе:ние i1апр11жений отс·ечкн .
при !То=8.5°С:
_
.
.
_
КПС104Д, . КПС104Б; .КПС104В
КПСl' О1Т; КПС104Д, КПС104Е
Р<1з 1 юсть напряжений
исток, мВ:
КПС104А, КПС104Б
КПСЮ4В
КПС104Г, КПСJ .04Д
1ЩЦО41; -
за~·вор -
lr, ,i,iq iJ .О,У
/с11а•i;
0,85
'
О,8,8 ,
Из_И· отс
s
0,2
0,4
1
U,35 1,1
J,бt 1,6
1
2,4
U\и отс! Ь, 9:
'
Изи ото; О,Е15
0,8t
1 Изи1-
Изи2 I.
•о,з
1"
150
500
f10: О
ioр
10 .Q
о
о
о
о
10
10
1
10
10
10
10
10О
10О
10О
о,щ
0,01
0,01
.10
0.01
10
О01
10 -- 0:01
30 10
50 .10
50 10
26 10
0,18
J,5
1,5
О5
~\аJс~мальн~ допустимые параметры, l~;р_антируются про тем:ператур~ окру.
Ж ающеЙ; С~\!ДЫ Тс =~40.. , +85° С,
13 (nμ) ma)I • .:..· цостояннь111 . прямой
·'
i
1
:
'
1
'
101< .затвора при коротком за•
~!ЫJан~и ; сток .- исток, мА , 5
·ii•;
'
'
•
Изе ,пах: -+ посiоянное на:лряже•
1iие!. затвор'-стdк, в: , / . зо
• \•.,
'
\ •.:
1·
Изи 111~,; :,-' - nос·тоянное
налряже-
вне эапюр - 11~1uк, В
,
, 0,5
5ii6 .
: Иси' r,;ax _: _ ттост6яr1ное на пряже-
'
1) н~е СТОК~ l!CTQK, :в ~
.
,,25
,,Pmi,., , _
ПОСТОЯНf:lая, pacceИ!Ji:1.e~
• ма я мощность, . мВт
при· то'=-40...+25° а ; • ;· 45
пμи 1'с=+85°С - ..
,
,
.
25
Допустимая тем11 ература О!(ру
жающей средь~, 0 С .
,
- -1Q, . ,/j5

Ic,
•1ТГ
мА
--i·--~-,о--'в'----,___,
1,6 1----',._ _ -+ --+- -+ --+
1
1
'
---,-
.iJ
а
O,lt- 0,8
~2
, (,6
Изи,~
'
~:ПС 104А J Н ПCID,4 Ь
Ic,HA
о...,,
1i
,.
0,5
,......-
1'
.
0,4
o,z
о,з V
I
0,4
'·- ~
O,Z
.,..
0,1
.-
O,f
Uзи=о,вв >--'-
-
,,
"
о
1;
8 1Z 16' Uси,В
[cJt~
l<ПС/04Г, l<ПС104Д
1,6 J
'
1
u,_j_...j.__j__j_-+-~---+--+-+-+---,
1,Z 1--1---+--t-+--т-"г-+-r- ~'---'-'-'--'---'~ ,
V
j
0,8
:,,,,,- ~·
1,D
1-i,,., -•+·-
~---1- --' --t -jf---t- -' -t -- -ct-s -i- - · ' ---
0,4 -
-
-
--
- -~ ~~:.
...
-~-
. .•::- ~-+- --_ t-- _
-<
__._
· 1_,5-~
•
~~1
•
о
. 1) В диапазоне температур +25, . .
+ 85 °С Р max уменьшается линейно.
lc/tA Ц-.l
i1
1Z ·----J
'
1
0,8
0,6
0,4
i~-
1
;J'
Н-!-+--+--+--"'f ,,- - 11
. 0,4_ l- --1 -"',,1--1 -,-i
1
'/
'' o,z
0,88 ·
;.~
/
а· lf
567

s,мА/В
z,a
-40
·t
о ·чо
10-11 l=-+--t-7"!-,--+----+----t---t--t-----t-----t
z:1u-10.,,__.......,.--~---~~
_
_о10чQБО
·1
; С11 ,п,Р
З,4
\
З,2 '\
3,0
Z,8
\.
Z,6
1 Z,4
z,z
~
..,
r--... ·
z,a
1,8
1,Б
1,4
~
1"-
'
. 1,z
КПС/ОчА,КПС/01/Б
о._..____,_....L...-4----'----''--J....._J
. -чо
а
'+О 80 Тс,0С .
Иси=5u108
f= 150 кГц
'
...
!',. .._
-
:-, - ._:
-
--
•
:---..
-
.,,,---~•11и
--
- . . .:JC1-;;
..
..
-
1
/
l±:
__: .
r--=r- р;-
-
1,0 •
оZ.4681"12.1416Изи,В
КП201Е, КП201Ж, КП201И, , КП201К,
КП201Л
Общие сведения. Кремниевые -планарные диффузионные транзисторы с р-11-
nереходом и р-кавалом предназначены для работы во входных каскадах усилн
теJ1ей низкой · частоты и усилителе.й ,. лостоянноrо тока в составе м1шросхем, _ узлов
и блоков.
,
.
~
.
ECJ
Оформл,ени~ pec:~qpny<;11qe (рис. П!.89). Масса транзистора не более 0,005 г.
Условшi эксплуатации - в соотве,снши с табл. П2.2. ••
•,•·
.•
.
..._,,,.
>,
.1_,.,,
•
:•1
Элekrpitчecl(ИC параметры; . Кл'ассификациошше лар .аметры:
f~~~ч, S, Изиотс •

зн~t. енн~
Режимы измереню 1
.
Обоз на•
Q)
<t
Н ;а именовааие
щ
щ
·о,
МИРН-
о
"
qeн: ue
"'
:,;
""
i
Vl8.ЛOHOi:
.,,
:s:
:s:
·•
::;:
!
-
~
u
,,.,
!
:а
:::,
:::,
:}
..:
'
;
Нач~j.льный ток стока, мА~
1с 1,ач
KI:l20JE
0,3
0,65 10 о
КП201Ж
0,55
1,2 10 ·о
КП20 ,1И
1
1.0
2,110о
КП20Щ ,
.
1,7
3,810о
КП20/Л
;
3,0
6,010о
1
'
'•
Ток утечки затвора, нА
'
1з ут
1,0о5
'
при Те= +85°С .
1,0о5
при Тс,,;;;_40° ·С
10
о5
"
Крути з на
характеристики,
·.S
мА/В: '
КП201 Е .
''
0,4 •
Jl)
10о
10..:з
кп201ж
0,7
1,31) 10 о
10-з
КП201И
0,8
21>
10о
10-з
КП2-01К ;
r,4
·2.s1>10 о
10-'З
КП201Л
1,8
.з,s1•10о
10- 3
при Тс~+85°С
0,65250 с
10о
10-з
при Тс =-40° С
1,6S25o с
10 ()
10~ 3
~\,
Напряж е 11ие 01Tt:'IKИ, 13 :
l/зи отс
КП20, \Е
11"
1,5 10
10
кп201ж
..
..
1,21 J 2,2 10
10
КП201И
..
21>
3,0 10
/о
кп2р1к
..
..
311
4,0 10
'
1·0
х.
_
.....
,.
I<П201Л-
41,
6,0 10
10
-
'.
"
Входная " ем\(·ость , 11Ф
1 (itJ"
·ю
r20
Проходная емкость, пФ
4,5
8
Коэффициент шума, дБ
1• Кш
0,8
зj•_/
_5/
1l.Tиnonoe значенйе.
Максимально допустимые параметры. Эти параметры rара~:пируются при
температуре 01, ружающей ·среды Т с =-40 . . . +85° С.
,.,
Изи max - постоянное напряже-
ние затвор - исток, В
.
•.
.
0,5
Исз max - постоянное напряже-
ние сток (исток) _.. : _ затвор,
в
!'
Иси ·niax - постоянное наnряже-• .
.
ниесток-исток,В...; 10
Pl
•
,
max - постоянная рассеивае- •
мая мощность в . составе мик-
росхемы (Тс~40... +30° С) ,
мВт •,••·,
,
,••
•
~О
569

7. ша s - тем ператуt)а· перехода,
0С
.
.
.
.•
.
•
.
,
.
.
135
'
1 В интервал. а температур 30,::85° О
j1
'
_
lc,t1A
~--+ -
i
! z,z
;zo
1r:
;1,8
' 1,6
1,4
',l
,,а .
-
~~
'
1
\1
\
Г\
'
i',_
.
\,
.~
Uси=ЧВ
;,,,ia .'\
~5~
·
"~ 1/ r-,..;_нпzо111
~t---. .
~ ··,
~
.
.'\.10
'-
нпzоl и 'i--. :_
'
1
.\
7,8,
7,6!
7,4
7,Z ·
-~
,;..
N-·1т20_1ж " ,
,
1iПZО7ЕЛ~
-
·:,
.
.
о
о.~ о,в
н.А
2,5
z,a
1,5
r
;
'
/
'
,..
i.
J:
r
'i-L .
.......
1,Z 1,6
- 0,5
- il,Z
-1
1
о
az
·--
,
!
'
1
'
;
i
!
.. ... ..
Изи,В •
:
-
a·r .
,J
'!·'f .
\_
•
,,
Изи=О,48
rr
а
LJ
81Z15
Допустим·ая тем·пера-тура акру• ·
жаюшей - среды, 0 С ,
-
40...т 85
2,0
7,5
1,0
0,5
о
Pmax [мВт}-=- (-1-35 - Тс)/1,75,
.
.
.
!1i:i
'
i
1
11
• It,~i;A •
~ M01if7 ;
i
Uси =15В '
5L-,,,.:e.:..:......--l--+---4---.--1-'--I
(./10
4
'
'
о
Изи,В
HЛ20!J/f '
!·.•
1
• [},J
1
!
/
1,
1
j
- o,:z
i
'
/
1
,.
I
о
j
,,,..
1
'
/
1
1
1
0,4
1
'
;
'
1•
;. .,
0,8 ·
..
г
Uэи·= t,68
1,Z
-r
1
!,;
81216

6,5
'60
''/s
5,0
il,5
)4,0
З,5
• J,0
Z,5
z,o
1,5
7,0
D,5
о
мА
'
1;
-
А
,',/
V
.v
1,
1/
7
'7
r7
5
4
з
z.r,
,1
о
, КГ/20/И
,1.
-
0,5
'
- 0,Z5
о
1
0,1;
li3и -0,88
81216
lfcи' В
IIПZ0JЛ
- 0,5
- 0,Z5
и
0,5
1,0
;
-
z,o
',
Изн=: 08
Йси,В
lc,NA
;1
0,5
7.
~·
з
-;0,Z
:
/
,f
i'o
/
.,
2
,.
0,5
/
;
.,.
'
1
1/
1,0
',1 "
:
-z,o
Vзи = Z,58
о
В IZ 76 llcи,B
S,мА/В Г\.
2,5
2,0
7,5
1\.
11
Uси=10В 1-- ~
'1,_
!\.
'\ /{П201Л
"
'\J 1
[S
~ HПZOifl'\.
'1\\, _ НП ZО7 11 1\.
1,0 \
'{\ 1
f\.
1'\. 1\. ,
\ 1'\.
"11.
1\. ~
'
r\ ,r,;._
'
--.. 11.,
,1,,,, КП2Q/Ж, ; "
,,
.'
, ,1,,.
,•
1,,.
нпzтt;-"\ ,\J 1'\.
'"
1'.
" , .,...
'. r--...
о,5 1,п • 1,5
. z,o Изи, в.
571

IZ
11
10
9
8
7
5·
5
"з
z
1
IJ
-·
дБ
I\
'
'~
'
Uси=58
Uзи =О
.,
~
->-
-- --
/
,'
/,/
,//
.,,
/
10 f, кГи,.
rC,nФ
14
12
10
8
6
lf
l
-·-
\
1
\
\ \ Uси=75В
~
' './
~
-
_с11н
N'
'
-?. '7
:'-....,, ~~
••
'
',
~'·
~~ _,ctlн"" ::::.- .
,._ _
...._,
.... . ,;::
-
-
-
..-
',Uсн,-1~в
1
10
5
оl
(l8
i
1111р1111111111111111(1. 11111111111111
20
,21
; 22.
23
'1
КПС202А-2, : КПС202Б-2, _ КПС202В-2,
КПС202Г-2 ,
:
.
1
Общи~ . сведени'я. Кремниевые планарно -эпнтаксиальные .·малошумящие 'nоле
nы е сдвоенны е: транзисторы с р-п-переходом и кан~лом п-тнпа пре,цназf!а'!ены
для р~jботы в ~ составе в1>1ходных каскадов высокоч}lвствительных интегральных
микросхем следующего назначения:
'
в операцион.ных усилителях различного целевого !назначения;
в ,ма11ошу~я1Цих дифференциальных усилителях :. ~ высоким 11ходным со_про-
тивлением, медикобiюлоrической аппаратуры;
:
•
в малошумящих балансных схемах различного типа с высоким входным со
противление м . .Транзисторы должны применяться в : составе -гибридных интеr•
рал ь ных микросхем :
•
•
572
ОформJ1~ние беi;корпусное (рис. П1 .90) . Масса не : более 0,5 r ,
Условия' э~сnлуатации - в соответствии с табл. П2.2.
Электриче~к~е параметры. Классификационные параметры ~
J(., нач• f, Изи a'l'c• jИзи 1- Изи 2/, \ Л /Изи 1- Изи 2l)fЛТ, ЛUш,

Н~именование
Нuчальный ток стока,
мА:
КПС202А-2,
КПС202Б-2
КПС202В-2
КПС202Г-2
Ток: утечки затвора, нл:·
КПС202А-2,
КПС202Б-2
КПС202В-2,
КПС202Г-2
пр~ Тс=+85°С;
КПС202А-2,
КПС202Б - 2
КПС202В-2,
КПС202Г-2
Крутизна
харuктеоис-
тики, мА/В:,
КПС202А - 2,
КПС202Б-2
•'кпс202в-2
КПС202Г-2
.ПP'l:I Т,с ;а=: · ±8.5° С;
КПС202Аi2,
кriё202:В-2
КПС202В - 2
КПС202Г-2
при Tc=-45°Li
кпс202л-2;
КПС202Б-2
КПС202В-2
КПС202Г-2
1 снач
s
0,25
0,35
1,1
0,5
0,65
1
'" 0,4
о_,5 ·
0,5
Q,65
31:н1 ч ен.ия
l>сжимы измерения
;
.
!',1, .
•. j•
;]:'
1,5
1,5
3
O.q
1 •(}
О,l
0,5
ю; о~
1,0, .о:
10о
j!~!.1 •
)6:;; 10 '
О10
О10
О10
10о
[i"< ?:
' 1_·, ~-
•
-,1
' 1',
!1
,·,•,../0
.•о:\,,
·•·10•· ,,& :; ,;
1,0 ...•
,·<
10о
•. io;,1('''.
10О
-'\1i

Наименование
,..
Напряжение отсеqки, Bi
КПС202А-2,
КПС202Б-2
КПС202В-2
КПС2,О2Г_-2
"\. ,
Разность
напряжений
затвор - исток, мВ:
ЮlС202А-2,
КПС202Б-2
КПС202В-2
КПС202Г-2 .
j::
Температурный
уход
раз~ости , напряже·ний
за~~ор' 7 исток, ·мкВ/ 0С:
J\ПС:202А - 2
кпс202Б:2·
l{ПС:202В-2
J<ПС202Г-2
!;
;
1\
Раз;мах I шумового на
пряжения · . .(Rн·,.,,:зо кОм, ,
..
f=Q,1 ... 10 Гц), мкВ~
КПС202А-2
КПС202Б-2
Входная емкость, 11Ф
i
!
Про~одная емкость, . 11<1>
Л~<т~вная ' f;"ЫХОДНЗЯ npp - i
.
:
uодиr,~ость (/= 10 ""ГЩ, i
ЬJKClj1 i '
•
ji•
!.,
.
574.
Обозначение
Изи ото
6.Г
ЛИш '
'
g2i~ '\
'11
0,2
0,4
1
'
;
1
f·
2
2
.3
10
30
30
40
150
150
2,5
12
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
610.О
~10о
154010о
i
1
10
10
10
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
1,5
0,5
0,,5

~аксималы10, допусти~1ые;, параметры. ГараfJтнруlоiся при температуре ок•
ружаюшей среды 1-'с~ - 45.. . +85~- с.
·
!
'
:
1
Из11 max - постояннqе }1алр· яж~- ,:
ние зат13ор - исток для ка ;1{• . , ,
дой • половины .. сдвоенного
транзистора,В... •.
.
1. 0,5:
Изе 11 ,ах - постоянное 11апряже•
ние затвор - сток для каж.•
дой половины сдноенного ••
транзистора,В...: .
.
:.•20:
Иси max - постоянное на пряже>
ние сток - исток для каж ·-
дой • половины сдво~11ноr9
транзистора , 13 • . ,
,•,
!•15,
'''
.•'··~'.':,'(.
PJ,!a!I - по_стоянная рассеввае-
•
мая мощность (в составе ус
ловной мш<росхемы) каждой
полов~ны сдвоенного транзи
-стора 'мВт· ,,, · :•:--·.
•••.•'':'
прит',i=-45.. .45°С;'; :. . ,Зо
при Ть=+85°С . ·,
.
'/
.
25
Rт, D-0
-
1;епловое сопрот_ивле; •
•
ние сдвоенного транзистора,.
0С/мВr........3
Допустнма,я температура окру
жаюшуй среды, 0 С .
,-45... +85
Li В интервале температур +4511 \ , -8 5° С Ртах [itBтJ:= (145- , T c)/R т.~n -c•
'
•
•
·,(•1
••
i
RПCZDZA - Z,li(ICZDZБ-2 :
•
l{ПCU/ZA - Z,l<ПCZOZБ:-z ,
.
Iс,нА
Iс,мА
:
Uси =708 -
\
'\
0,5
0,5
о,ч
Р,4
\
о,з
о,з
'\
'i
\
O,Z
D,Z
'\
1\. .
О,1
Q,7
:
~!'\.
!
1
'1
'
1
'
""
;
i
1
о
О,Z 10,4
!
0,6 ' Uзи,II• , :о
'
!с,11А кпсzоzв-1, кhlагА-1.
1,0
а с-t-;-
1
0,8
0,6
• 0,4
-
r--
0,4
1/
O,Z
0,8
,,,
Изи= 1, Об
о
481Z16
Uси, ~
-
-
а-
-
... -
-
---
I
o,z
~
i.,,, -
1/
а.ч
.,
1/
О,б r-- '
·"
i
:
'rfзи=а,'вв -
4
81 12
16
Iс,мА • i(ПCZDZГ-Z,NП?OZE - '1
l,P
1,6
l,Z
D,8
о,ч
о
V
lr
'/'
'
,,
48
а
U,5 _с- ~
'·
;,
1,'
r.u
-
r--
'
'
1
1,5
-
r--
. Изи=l,ZВ-
12 16
· 575•

"
• s,нА/8-
"
1
.
.........
1
,z,o
... ...
....
........
r--.
~
""" ......
Г',.
..........
-......
' кпсzоzг-z,
'
HПZOZE-1
~
N
кпс202в-z~
~ • .ЧПZОZЕ-1
1..........
1'-!...
>-- '
!
.
s
s,нA/fJ
2,8
2,4
z,o ' .....
!
, .. .... .;!''? С'
1,0
1
U,5
r-1--J
KПCZOZA-. Z, -
KПCZOZБ-Z
U0,=108
Uзи =О
1,6
1,Z
0,8
0,4
~о
•
•
<',.- :, е-- l!си=70В -
.
.f,
о
<'~,,.
. ....
.........
.. ..
1.........
.....
-ча-zaа zo40т0С
с.
D O;Z а,ч 0,6 о,в 1,а ,,z 1,4 1,6 ifзи,8
l<I 1:l02д-1, KЛ202E-J i'
•'"
'
: ..::1;,~? \~
Общие сведен'ия , .$,э.е11нtиевые:;: n,ла11арно-эn1па1<с.иальные малош~,11uiие поле
вые тр,анзистрры с Р-:-t'l 0перехо'д9м. '.и. ' 11-канало1-1 :. предназнач.е11ы для _ ),!З_боты во
ВХОДНЬ!Х каскадах }IC#JIН,TeJJeЙ ПОСТОЯНl!ОГО тока ·и . НИЗКОЙ ЧЗСТОТЫ 8 составе гиб-
ридных интеrраJ11111мх-. схем . -·
.
,
.
:
Оформление .бескорпусное ( рис. П 1:,91). Масса не боJ1ее 0,2 г,
Услови :я эксп:Луа.таuии - в ,соответствии с табл ;- П2;2.
•
Электрические параметры. Классификаuионные параметры:
.'
lc нач; Цз,и ,оw, S, /И~:;_ Из2I, (Л'/Uз1 - Из2/)/ЛТ, ЛИси>
.
"
1
-
.Знач!'ния
Р~~им~ измереню,
06озна-
ь
.
Q.<'.
·со·.
'°
'<·
f:~.'а11меноБ-а111Jе
~1о
=-
qен~е.
=z .•~;:;о,~-·-~-~
. ,:,,•,
с..
·"' с;
~·
"'"
-~о
:;;
"'"'
" '.,
u
,,.,
'
,, ,,
...
":,
::>
::>
,.\ -
.:
•,
{1~
,.:
..~; .
Начальный ТОК , стока, мА,
1с на,
..
КП202Д-1
0,5
1,510о
КП202Е-1
1,1
з
10 .о
Ток утечки затвора, цА
1з ут
1
о10
при Тс=+85°С
0,5 о 10-
. 576

.
1 jш:1ченнн 1 tJ r~жимы нзмер , . ,1 )1
\.', .
;,: :,
'', \
'
... ... -,,.
•'
-·
.
Об0эна• ·· -· ----· . -, --. . , ., -· " 'f-"1 ·r·1·-.,.,.... ~-('"l , " ·:
Наим~н6uанне
~ :8 ~8! •1~ ••\f!·.1 •''J;,
чение
.
...
.., .,...,....,.,, .... f~ -~1--►. ·--~•· ·\•:а·--~
t...
.
•
""' '
о' о.О' :s::' :s::
·11::.
!
.
· -: :J:.:li : ::-...::t-t ~ - l\1 -~: -: -~..к;з ~ ··tf..
'.:•'!::raJ : : ~
.1
..
: ::е~
Е<•
:; :а;
:э-.... J ' ';,.
11\1--
'
...
.-,
.
l\1~\ - t
;
'
'
Крутизна
хара_к-rер,11сп1ки,
'
,.. . ,..
,'ii 1.
,
мА/Ш
'
8
,
;
..
..
-'
·10 '
; • 1·,,·\'1 •
КП202д·1
:
·.
О65
о
·•
; :~-.;;
КП202Е - 1
:
··т· -.
-
16! -- о:·
То= +85° С,
i
•'
;..:.. ·,1
при
' ~1'> \!
КП202д·l
0,4
10. О·
~- -!~ ~-\j
КП202Е-1
(
0,6
10 О,
. при
Тс =--.-45° С:
КЛ202д-1 •
0,65
10. о
..
КП202Е-l
1
.
10о
'·
..
Наnряжение Ol'Ce'!КII {отрица-
"
тельное), в,
Изи o-iio .
:
'
:
КП202ДI
о;,4
2 10;
10,- 3
КП202Е-1
'
1
3 10:
1q-з
1
i(;1
1
Входная ем·кость, пФ
1;Сuи 1 1
Проходная емкость, пФ
1;С12и 1 1
·1''
Активная выходная проводи•
g~2И
154010:·о
30
мкс~
·,
'
масть,
.
,_
j
i;
1
'
Максимально допустимые параметры, Гарантируются при температур t акру
жающей среды То=-45... +85° С.
Изи ma11 - постоянное напряже- :
ниезатвор-исток,В :•. ' .- :о,5
Иза max - постоянное • напр11же-
ние ·затвор - сток, В •
•
•..,, ·~ю
Иси max - постоянное напряже-
ние сток - исток, В ,
•:.,·•
15
Р~{а;к - постоянная рассеивае•
мая транзистором • мощнос,ь
l(Tc_= _: _;_45... +35°C); мВт. i • . 60
Pmnж - постоянная рассеив !'·е.1
мая ~ощность (в cucтi;.;s~ .
микросхемы), мВт , , • , 5(
Rт. а~о.- тепловре · сопротив .~е-
• • ние, 0С/,м'Вт , ·.•
•
,
,
•·,1,5
Допустимая температура· ot{py-,
жаюШ:е~ сред_w, 0 С
~ .{-5, .. + 3::,
1) в интервале те.мп~ратур . ·35, ::85° G 'рmax rмвтJ = '. ~!'45 -·Те)! Nт, п-а4•
Волы-амперные хар·актеристик_и и зависимос:rи основных rtарам1('' сров or
режима и температуры приведены на С; 575-576,
•
19 Зак, 5()3
>77

'111:_
-
11111,11111ii'111
·- '1.'
'18
r 1,(19
КПЗО!Б, КПЗОlВ, КПЗОlГ,
-' · Общие tведения~ КреюiиевЬ1е планарные полевьiе МОП-транзисторы с инду•
ЦИ\J;Jванным р -1,а11алом предназначены для работы в приемной,. усилитеJiьной
н другой аппаратуре.
, Корпус металJiический, геgметичный с гибкими вьшодамн (рис. Пl.92). Мас
са транзистора не бoJiee 0,7 г.
•
УсJiовня• экспJI:уiiтации - в соответствии с табJI . 112.3 . ·
Электрические параметры. Классификационные параметры: S, g22и,
Значения
Режимы измерения
Обоэна-
"
"
Р1
Р1
•\'
,Наименование
о'.о
<
i
чение
.'"
:,::,:
:s: :s:
:;
/., Гц
:,: "'
CJ.O
•,
:,:,,;
:,:,,;
~
" '"'
"'"'
u
(')
:; :;
:;:; ::::,
::::,
Начальный ·ТО!( стока, мкА
1с нао 0,05 0,5 15
приtс=+70°С
5
15
пр» Тс =--45° С
0,5 15
ToJ< утечJ<и затвора; нА:
КП~ОIБ, , КП301В, КПЗОlГ
Пороговый ~01,, мкА •
fcпор / 1.0/
/ 6,5/ 6,5/
/
Крутизна характеристики, мAJRj
s
КЛЗОlБ
1
2,6 15
5 50 ... 1500
КПЗОIВ
2
3,0 15
5 .50 ... 1500
КПЗОlГ
0,5 1,6 15
5 50 ... 1500
при Тс=+70° С:,
КП301'Б
'
0,6
J
15
5
кп;зо1,в
).,.,
1,2
i
15
5
'
КП301Г .
••0,3
i
15
5
пр\.~ Tc~-45° _G:,
:
..
1
1
КПЗОlБ .
1,.
15
5'
'
КП301В ,·
2
-
15
5
КЦЗОIГ .
0,5
15
5
Активная состаВJIЯЮЩая !JЫХОДНОЙ
проводимости, мJ<См:
g2211
"
КП301Б
20 150 15
5
КП301В
150 250 15
5
КПЗОlГ
20 100 15
5
Входная емкость, пФ
1
l3.5'I15I
5J
1
1• 107
Проход~ая е~J<ость, пФ ·
11
111151
51 \, \07
Выходная ем1,ость, пФ
1 13,5j151
5 1 1-10<
Коэффициент шума, дБ
J2,219,51151 151
Пороговое напряжение, В
1 Изи пор 12,7 15,41 15 1 1о,зl•
578

Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окру•
ж_ающей среды Тс =-45.. . +70° С,
lc ma:r - постоянный ток стока,
мА,
.... .
,
15
Иси max - постоянное на пряже•
ние СТОК - исток, В
.
.
.
.
20
Изи max - постоянное цапря :,~tе• , . , ,
ниезатвор~исток, В. . ; 30
Pfdax - постояю1ая , рассеи,в;, е ; ,
.,
мая мошность транзистора,
мВт .
,
•
,
•
,
,
•
,
.
200
1-,) ."~,,., ....,
Rт, п-с - тепло:вое' ·сопр_оi~вле+
ние переход- окружающая
среда, 0 С/~Вт:·.· .
, , (1 .tл;(--- 1
:•
.•
'
'I.
f- рабочая ч~стота, МГц •
,
. -100
Допустимая температура окру
жающей среды, ! ,С , ,, r:::-41:i;,,_+ 70
I) в инт_ ервале температур - 4511,+25° с, При Те> 25с(] Р~:цr. r~MI::.
=200-1,5 (Те -_25° С)!Rт, u-c• .
10
5
l/
о
5
s,н А/В
3,Z
Z,4
1,6
0,11
о
19*
,,,v
,1V
i,
.,.
'/
fV ,,.V
'
V
48
)
11
J,
J
/,.
/
/
Uси=15В · -
1·,
1:
10
15 .20 И~и,В
'
КПЗО/6
--
1.....-
-
·
кпза1в
~i.,, - -
-
~ --:-1
v.-
1
1
кпза1г
1-"
i---
1
Uси=15В
1
1
1Z 16
za 1с,нА
1,,нд
zo
15
10
5
а
zz
1-
... ..
~,,,,
19
1/ --
-
/,,,
,,,,.
16~
J'/
·-
-
IЗ:
11 .,,,,,,,,
J'/
-~-
Uзи = (Oll
fJV
~ .....
..
10 15 zo lfcи,8
'
S. нА/В
l--+- -1>o. -+--+--t --+-t- -+ -+ - -!
~
~ z1--+--+--+-" " ,, --- +--+-+ --+-+--1
'
'"'--
z,a 1--+-~+-+--+"-..:--+--с'::-::-::1:-::-1
....._1'-..
r-,....~пза11;
1, 8 1--+-+--+-"Ч;r-,....с--1--+--,--'1~г-t
1'..
1,6 1-+-+-+-+--+-"~....,с+К-,ксоп;-;;з~о""1в;--1
1,ц1--+-+-+-+--+--+--t--J--,--j
1,0-
' ...
1, Zl-+- ~~- c+.........c+c+c+-+ -1+---11
Uси=158 ........ ,. .,_ _
НПЗО/Г
Ic,=5~A , , 1
-,
j
~в'--.,__.__,___.__,J.__,~~~--т. ~
D za ча 60 80Тс,0С
579

1/]-l ·.__.........,'--'-_ _._ _. _ _, _~~~~~
о
Yzzи' нкСн
800
700
БОО
500
400
300
zoo
100
-
>--
:~;::
50
КПЗ01Б,В
/
ИGи=158
/
J
6.
/
J"
1/ .....
...... 1
.,,,,,,
,,,..
,,,!'
~
·
,,
--
-
-: :.
-i- --
-
.--
ОfZ468101Z141618lG,нА
700
600
• 500
400
зоо
zoo
100
..
.,.
1
11-
:
.~
,\
~,~
-. ..
Ic•IHA
-
--
~-
'~r-,.. --
---
_,..._,_
·-- --
-:i- ~
о 2468101Z1411i18Исм,В
'
Rщ
дБ
10
9
8
7
6
5
4
J
z
о
Г\\\ \
\'\
1
'--L><
,_ 10,Он
Uси= 15В
Ic=SмA
'
Rг - 100к0н
1 мом
-
КПЗО2А, КПЗО2Б, КПЗО2В, • КП302Г,
• КПЗО2АМ;
КП302БМ, ,КП302ВМ,
I(П302ГМ
Общие сведения. Кремниевые планарные полевые с п-каналом и диффузион
ным затвором транзисторы предназначены для работы в · приемной, усилительной
11 друrой аппl!ратуре. Применение приборов КПЗО2А, КПЗО2Б, КПЗО2В, КП302Г,
во вновь разрабатываемой аппаратуре запрещается.
,
Корпус металлический, . герметичный, с гибкими выводами (рис. Пl.93),
Масса транзистора не бо;1ее 1,5 r для КП302А-КП302Г и не более 0,7 r для
КП302АМ'--IЩ302ГМ.
580

Условия эксплуатаuии - в соответствии с ~абл. П2.3.
1-·i
~
·-· ..r
.,...
-r- -•,.... 1
-
,
-Электрич,ес~ие1 параметрь!. ~лассификацио~цы~ пар~метрыi
'
•
'
'
,
~ :. :/G~ач• Vзи 0'l>G, RGи отк• •
·r
'
'
'
,
-
;
'
1
i
-3н8чецн~
1--'е )КИ !\1 Ы ИЗМер е НИЯ
'
'
-
1
6аименованне
Начальный ток стока (t. ~
~ -1 мк с, Q;;,,10), мА1
КП302А; КП302АМ
'
КП302Б, КП302БМ
КП302В, КП3 02ВМ
КП302Г, КП302ГМ
Ток утечки затв ор а, мкА
при Тс=+100°С
при Тс= -60°С
Обратный т01< перехода за• 1
твqр ·- '- сток, М!(А
i
Крутиз~а характеристики
(t.i= 1 М!(С, Q;;,, 10), В,
КП302А, КП302АМ
КПЗЫБ, КП302БМ
КП302Г, КП302ГМ
:при Тс = +100°С,
КП302А, КП302АМ
КПЗО2Б, КП302БМ
КП302Г, · КП302Г-1\1
..
ПРИ : Тс=;:--60° С:
,.
КП302А, КП302А.М
КПЗО2Б, КП302БМ
КП302Г, КП302ГМ
Напряжение отсечки,
КП302А, КП302АМ
В1
КП302Б, КПЗО2БМ
КП302В, КП302ВМ
Kfl302Г, КП302ГМ
СопротивJ1ение сток - ИС·
ток, Ом:
КП302Б, КП302БМ
КП302В, КП302ВМ
КП302Г, КП302ГМ
при Те=+ 100° С:
КП302В, КП302ВМ
при Тс =--60° С:-
КПЗО2В , КП302ВМ
Обозна-
1
ченне
МИНН• ,
мал'ьное
'
'
;fG нач
1"3
18•
.,
33
15
lзу'/1 0,01.10 - 2
1 зсо
s
5
7
.7
2,5
3
.
.3.
5
7
7
Изи отс
.
1,0
2,5
·3,0
2,0
Rси ош
5
34
29
1
'
'"
щ
щ-
щ
.
о
..
,,:
"'"'
""'
:s: ~ ,,с!; :,:
::1
~о:
~
"'
"' "'
.u
о,'
"'
(J
: ":,:
· ::::,
::::,
.::: :,
....
~
:
'
;
'
24
7о
i
43:7,о
. ,i;
10 .,,О
65
7:о
1.10- 2
10
5
10
1,10- 2
10
[·1
.,
l2°1 1
12,57о
14
7о
14,5 7·О
7 -.О
7,.
.о
-
~
1
].
.
О•--
~-~;..-
-~;._-
-+
~о
,-.
7
7о
7о
57
10-: 2
77
10- 2
.,
107
10- 2
77
10- 2
.
150.0,2О.
100 0,2о.
.
150 0,2 о
200 0,2 о
100 0,2,.о 1
'
(

Значr-вия
Режимы изм ~ μевия
,·~ :--;
',L-
-
,
-
-
i•
j
l''.I -_-~на_име_lf<:>Ра~•(е ·'-. : ., _:
!, ' \1·! ~-~ ~--
.:-
..
.,
··1
О~о,зна-_ i 1·': ...
"'
""
""
""
<
"'
l
•ч'сние
, мини~
""
~
:.
::f
[мЗл~н-02·
"'
:s: u
с..
ос;
u
м
(У)
u
"'
"
::::,
::::,
::::,
....
:_
1:
~ремя включения (Е, ...: .:
fi·~•~ В), · нс
3,0
~РхL я ' выключения (Ег=
i=;4.~ В}, нс
•.
1
1
lвыкл
4,,0
i!
'
\(оэффициент шума (R,=
f" 1 1МОм), дБ
:
Кш
i КП302А, КП302АМ
0,60,93но
1000
Вхо~ная емкость, пФ~
С1ш
'
КП302А, КП302АМ
8
20 10
3 101
КП302Б, КП302БМ
8,7
20 10
18 107
КП302В, КП302ВN\
8,7
20, 10
33 107
КП302Г, КП302ГМ
8,7
20 10
18 1()1
' Проходная . емкость, пФ,
•. С12и
..
,\ \КЛЗО2А, КП302АМ
2,4
810
.3
101
: , s1 К.П302Б, КП302БМ
2,6
810
18 107,
К)1302В, КП302ВМ.
2,7
810
1
33 107<
\ , кп302r, КП302ГМ '
2,-6
ь10
18 [07
,•\: i
!
;
\:•\'
'
Вр1ходная емкость, пФ:
'' С22и
it, 1
-•·
1'f<P302A, , КП302АМ
7,1 10
•3
107,
М:П302Б, К:П302БМ -
· 6,6' 10,5 10
18 107
Ю:;:(302В, l(П302)3М \
.•
ц
14
10
33 1 101.
КП302Г, КП302Гlv\
6,6
10,5 10
18 101.
.
..
j • J\'lаксш,1ал~ио допуст'им~,е . п~араметры. Гарантируются · при температуре окру•.
i ж а1ощей среды То= -60._
.. +109°С,
;Jc max - постоянный ток
стока,
! ;мА:
•
.
: КП302А, КП302АМ, КП302Б,
' КП302БМ
.
.
.
.
:...24
КП302В, КП302ВМ, КП302Г,
КП302ГМ . •
.
.
.
.
.
.
43
: / з : (пр) шах - прямой ток затвора,
1мА
,
.
.
.
.
.
.
.
.
.
6
Ис~ шах - напряжение сток . ... .: ис-
•ток, В .
.
.
.
.
,
•,
.
20
Изи max - напряжение
затвор-
исток, В:
КП302А, КП302Б, КП302Г,
КПЗ02АМ,
КП302БМ,
КП302ГМ
.
,
.•• 10
КП302В, КП302ВМ . . . . 12
И ЗG max - напряжение затвор
-
сток, В .
,
,
,
.
.
.
,
20-
Р~~х -:- - постоянная рассеивае•
мая мощность транзистора
(То=-60... +25° С), мВт .. 300
Допустимая температура окру-
жающей среды, 0 С
-60. .. + 100
l> .В диапазоне темперач,Р 25,,.100° G Pmax [мВт} =300-2 (Те - 25° C}'i
582

10
8
6
1/
о
30
zo
10
А
/
1Зуm' А
70-:i.
1ь-s
10- 7
10 -в
. 70-9
10-10 .
zo
'
Uзи,В
5
V
/).,,, .
J/
'/
~/
'/
,..
5
40
RtШгА
о
1 0,5
I
1,0
. 1,5
10
15
zo Uси,8
а-
...-
I
-
0,5-1
1,0
-
-
1,5 J
Z,0 -г ...-
Uзи=2, 5В -
...-
10
15
~гги ,11хС11
90
Ви
70
6[J
50
чо
60 80 100 Tc,0Ji
10I
5r
Uз и= г в f----1 -- --+--+- -1
1~
r-+ --+--+ -- -+ --+- t--+ --f' l, 5
о
5
10
15 .-
20 lfщ,B
S,нА/8
gzги,Н1Ф1
11/ г-т-.-''--т--.---:-~:::==,;.~-·, 600
12
500
10
400
8
300
Б
.
ZOD
4
• 'i!JO
z
•,,17;
D
?
-~ '.' •Б U~и;в•··.
i!"1\
-
НПЗО 2 А,l<ПЗО2Б,RПЗОZВ,НП ЗО 2Г
$/tA/ff 1"<-'г-'-1--+--+-+~'--'+---'-+-+~
11' .,,_ "
,.j.
'
Uси=78
70 r--•-· -i---;--'-1-1-.._,....,--,~r--.Uгз~и,-=(/~, ~
-·--1
... ...
8
-....
.....
7
.........
r---
......
Б
--.., -
-~ :.. .-
5 1-с-+--+---+---+--+--+--+---+---+=-<
IJ '---'- --'---'- -- --' -- -' --' --'- --' -- -' ---'
20 40 6Q 80 700Тс,0С.
,.
,sю

•: 11y~1n,..r.«r .t
,:t..:· ,,
,... ..
1 •.•,· ,1~· 1;.1;,r
,- r..~...-"?..,.__ _
-
--·--~t--·
-··:-·
i...:.
~
-
ё: ·~
,1~1 i_;111.1, :,_([1,)л11 .1 r1 ~ _:
~: -,
_
17•
11s·
-
'19,
,
L~.,..
~'
~\) ':1;i
.
~!.
('t!1
11,:!
,.--- ---~-- - ~·-- ~.
КПЗОЗА, КПЗОЗВ, КПЗОЗВ, КПЗОЗГ;
КПЗОЗД, КПЗОЗЕ, КПЗОЗЖ, - КПЗ0311
(;-:: \
.
'
.
.
1•• •_ Общие сведения. ' Кремниевые планарно-эпитаксиальные с п-каналом li диф•
фуз~онным. затвором транзисторы предназначен~ для _ исполь_зования в _ радио·
в~щательнои, приемно-усилительной, телевизионнои _и друrой аппар_атуре.
• Корпус металлический, с гибкими
выво.n.ами (Пl.94)., •Масса транзистора
0,5г.·
_
•
•
Условия эксплуатаuии - -в соответствии с табл, П2.2.
~лектрические параметры. Классификационные параметры, ~
lзут• fc нач• Изи "то, S, Кш, Em1, Еш2, Qш,
Значения
Режимы измерения
..
Обозна-
8<U
щ
щ
На11мс>нование
,о
-,;
::1
ч~ни~ __
;i·
:,: :,:
:s:
:а
""
с;)"'
:;i
~
~
i,:,;
1:,:
"'"'
u.С')
·.·
~
:,: :,i
~~
_
,
..
Начальный ток стока, мА;
1с нач
КПЗОЗА, КПЗОЗБ
0,52,510о
кпзозв, кпзози
1,5 5
10о
кпзозг
3
1210о
кпзозд
··-
-.
3
9
10о
_ КПЗОЗЕ
52010о
кпзозж
6,з 3
10-о
(Ток утечки з'атвора, •нА;
'3 у~
:
КПЗОЗА,
КПЗОЗБ,
кшозв,
КПЗОЗЕ, КПЗОЗД
1
о10
КРЗОЗГ
-.•
..
0.,1 ь 10
КПЗОЗЖ, Ю1303И
5
о ,-ь
.-
.,
при Тс=+85°С
.
-·
-
-.
...
i()10
при Те =-60° С:
1
i
КПЗОЗА, КПЗОЗБ,
кпзозв,
-
КПЗОЗЕ, КПЗОЗД
1
о10
кпзозг
,.
'.
•·
0,1•о10
кпзозж, кпзози
5
() 10
в другом режиме измерения
10о30
Крутизна характеристики, ,_ мА)В1
s
КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗЖ • .
1.4
-
\Ро
10- 3
кпзозв -
.
.
.
. ...
25
10 -6
10- 3
.кпзозг
-.
3710о
10- 3
клзозд
.'
'..
--
2,6
to ()
10- 3
КПЗО.ЗЕ
i
4
iOо
10- 3
кпзози
.
26
Н) о.
10- 3
при т~,,,,;+85°С, .
КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗЖ
0,5
10о
10- 3

Нан мен :ша пне
' кпмзв, кпзози
·:\
кпзозг
кпзозд
КПЗОЗЕ
'
при Тс=-40° - С:
КПЗОЗА, , КПЗОЗБ, кпзозж
кпзозв, кпзози
КП303Г
кпзозд
КП303Е
ЭДС шума, нВ/Гц;
КП303А
КПЗОЗБ, КПЗQЗВ
кпзозж, кпзози
Среднеквадратиqеский
ряд, 10-16 Кл:
кпзозг
Коэффициент шума, дБ,
КПЗОЗД, КПЗОЗЕ
Напряжение отсе'!ки, В:
КПЗОЗА, КПЗОЗБ
кпзозв
шумовой
·,
кпзозг, кпзозд, КПЗОЗЕ
кпзозж
•
кпзози
Входная емкость, пФ
Проходная емкость, пФ
'
..
i•.
'.
·,
за-
'
'
1
'
'
Значен11я
Обозна•
"
< !,-
чёние
о
..
о~-
'"'
=х,-
,: -"
{) .а ·--
"'"
"'"
""'
~~ :~\
~ :,;
,.
1
[ ,\)
~р
l,5
!,3
2,0
l
2
3
2,6
4
•.
в·
,,
щ
30
20
!00
Q~
0,6
Изйото 0,5 3
1
.4
8
Ot3 3
'0,5 2
fJсжнмы измерения
.-,
· i~·,
_i..11
,1 ~,"_ ·
,,,
-,а•<'! ~-;,, -=~ ils- ·--: .1:r
:::ci · ,~~,
-~
Jf: •• •,,~
.r n1r ·, --~ м•- ::iif:тr-_тr
!~ii\:;,;~ •
;
1
5•·
,\
10
. 10-3
10о
10- 3
10о
10-з
10., ,,;, О, . -~~~ ~ - . 1, )i[,()-3
,-С
,, -,
.◄ 1••;;·(
!Оо
.10-з
10о
'
[О- 3
10о
10-з
10о
'· •1.0-3
10о
10-з
[0о
10-з
10о
10-з
10о
10- 3
!Оо
''
"
'-f '
,.
10
10- 2
10
.
.10
.,,--~
.'
..
·1,d .:
.-{
·10.
,.,
'
..
..
.,
Максимально допустимые параметры, Гарантируются при температуре окру
жающей среды Тс=-с40... +85°С.
/с ma:r - постоянный ~ок стока,
мА-•,
.·
.
.·..
,
,
;,20
Jз пр ma x - постоянный прямой ;
. ток
затвора, мА •.
,
.
,
,
5
Uзи так - постоянное напряже-
ние затвор - исток, В
.
.
.
30
Uзс ma~
-
постоянно·е . напряже-
ние затвор - сток, В .
,.,
.
30
Vеи max - постоянное напряже-
ние сток - исток, В
.
.
.
,
25
P:Jax - tюстоянн_ая · р· ассеивае- ·
мая транзисторо м-· мощнqст'ь,
мВт
''•
приrо=+25°с . . . • :200
приrс=+85°с . . . .'.100
Допустимая температура ' окру- , :
жающей среды,, 0 С .,
- 40;.,+85
~
1 М@щность в интервале температур 25
Pmax [мВт]=200-1,66 {Tg-25QC),
••
.5 8J

1,Z
0,8
0,4
кпзiJзА ,kiJ:JOЗ Б~ !ПIЗОЗЖ
tA
о
,
I
oz
-
/
J
~L-
-
--, ~-i~t-
-
-' - Uэи•q,4В
о
z.L.4 .6,..В 10•12 Иси,В•
lс,нА
Б,О
S,O
1/,0
З,0
Z,D
1,0
,,
'!
кпзпзг,н пзозд
'
-
/·
,,,.
~-
о
О,Z
0,4
Изи=О,88
-
1
1
Оl468.1DIZИси,д
s,нА/ В
----+---1---+~+---+- Иси=10В
Изи=О
-20
566
2,0
о
I
zo
2,5
2,0
1,5
1,D
0,5
А
.,
J
//
7
1/
7
нnJ03 8,Kr1:JlJЗh
--
о•
02
Изи=О,48
ОZlf6.8101Z1fси,8
Ic,MA
1Z
10
8
Б
4
t
11
~,
l<ПЗОЗЕ
о
/
o,z
1/
04
Uзи=1В
/
11'
ОZ46810Иси,В
s,мА/В
6,0
', .,,
,,_
~o~F~~~~~+-1
4,0 l-~~~~..g;~=-1:::::::t:::_ - J
3,0 hW~~~2'1о:::"--;;';кп:;-;;з;;:;оз~А.-;,Кп;;-;з:;;;оз;,Б,-i
нпзозж
2,0 I-R'--l-c6"'1
о 0,6 1,Z 1,8 ?,4 з,о ' ,З,6 Ic,MA

· 1 r1 ,1, 1111111111_11 1
·1 11 111
11, •
1а
.
1.а
КП304
()бщие сведения. Кремниевый полевой планарный с изолированным затвором .
и индуцированным р-к:щалом транзистор предназначен для работы в переклю·
чающих и усилительных схемах.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. Пl .95).
Масса. транзистора не более 1 r.
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2,
Электрические параметры. Классификационные параметры~
S• Rси отк• С11и:• .. ••
....
..
Режим~1 измер ~ 11и~
:
Знз чения
Обозва.- , . , ..
"'
"'
(Q
(Q
Наименование
о
,О
1·
чение
'"'
"'"'
:s: :s:
"..
tJ"
• gj~
.:с:
u
С!)
~
"'.,
'
"' :;
:; :;
:::i
:::i
....
На~альный ток стока, мкА
,1>
10 0012 1
0,225о
IJPH Tc=+85°G
Gвач
3
25о
1'
Ток .,vтеч_ки затво_ра, нА
1зут 1
Крутизна характеристики, мА/В .
s
4.
10
10
при Тс= + 85°С
2,5
'
10
10
при То=-45°С
4
!О
10
Пороговое напряжение, В
Сопротивление сток - исток, Ом
1
100j201 11,01
Вход_ная емкость, пФ
Проходная емкость, пФ
Выходная емкость, пФ
•.~ Дпя
r1риборов; которым"nрпсвоен ·РосуцарсvвеииБ111 Знаrr кач~ства 10 иа• ~ 0,1 мкА.
1 > Типовое значение. •
,.
"'с..
...:
587

·f
Максимально допустимые nа,Р.аметры ''• Гарантируются при rемпературе окр у.
жающей среды т с =-45,.., . +8~0 с; ·
.
..
••
•
~\ ·~
... '
.
•
t· ="·с.·,'+ • - ....., .. , ::' • ~-~ ,.,,..
.
/ с ~~t~: :: ~ОСТО!I_ Н_НЫ\'1 : . ТОК ) ·.СТО~а_, -30
1с, ~ ;;;~: .;.: и~~ул~снЪ1й0 т~~ 0СТОК~
l (_tи~I0 мс. . Q~!О, tФ~ 60 .
-~10 мке); мА,...·.
,·. .
.
и~l:t ~ах ;_ пост·~я~~~е напряже•
гниеЬток~исток, в. •
.
.
.
25
r·
-
1·
-
и2:)
1
.
з-и ma·x -- .пос:rоянное напряже-
; .. ние •~атвор ~ исток, В .
,
.
30
.UJb m~х ~ по~тоянное . напряже•
ние· затвор'- сток, В · ,
.
.
30
иth max - постоянное напряже•
ние исток - подложка, В , 1 20,
р4}
.
max - nо-ст.оянная рассеивае•
мая · мощность тр11нзистора,
мВт
.
при То=-45... +55°С.
,
, 200
при То=+85°С ... ,
~ 100
Р~\11 ах ··_ : импульсная рассеи•
ваемая мощность транзисто•
ра (fи~I0 мс, Q~I0, tФ~
~ 10 мкс), мВт
при То=-45... +55° G. ,
,
, 300
при То=+85° С ...• ' , 150
т~>mах - температура перехода,
0С.....
,
.
115
Допустимая температура акру•
жающей среды, 0 С • ~45..,+85
1 > Для приборов, которым присвоен государственный Знак качества, зна
чения, р~ЖJ!МОВ указаны в диапа_зоне окружающей среды - 60 ... + 125° G,
2 \ Дл~ сл1>7чая, когда подложка закорочена на . исток,
3 > 1:1Р~ э.том выбранные на~;~ряженип с учетом их внаков должны 1>7довлетво•
рять неравенствам: !Иси - Uипl <.1 UGИmaxli /Изи - Иипl < !Изи maxl-
4 ) В \.. диапаэоне температур 55 ...85° G мощность уменьшается линейно,
Для приборов, которым присроен государственный Знак качества, вначение
Ртах ' ·~
.Ри max указано для диапазона температур окружающей среды
- 6 0, , .f8$0 С, В диап_азоне 1емператур 85.,, 125° С Ртах и Ри max уменьшаются
лине~но .11; п~и 125° С-- Prnax не; должна пре_вышать 75 мВт, а Ри max-110 мВт,
5 ' 4Lл~ ~;~рибЬ. ров; ·которым присвоен rосtда ·рственный Знак l{ачества, тем
перачра перехода ~-~ -должна превышать 150 С,
.f {·
Iс,мА
/ Uзи=IОВ
8
I.,мА
Z5 -,·
tV
... .,.. ..
Z5
zo >.
V
20
J
6
15
f
15
10
./
10
11
.J
f/
5
10 //и.и= 15В
1/
/2
11
j
l/
..
а
J
10
15
20 ._~ t\1~
о
588

~
S при Ic• 10мА
J....-1"
1,0
:...,.,..
/""'
Uси•10В
,_
,;,
-\
0,8
1,/ '
·\
U,6 /
ll,4· l
о
510
\
S"-',
Rси6нл
Sпри Tc•Z0°C Rси 6кл при Tc•l0°C
1,4
1,3
_
_ ,,,,,,,,.,.
1'....
1,Z
Rси -/17
1-,...
к./
/ Изи= zов
1,0
.......
Ic= lнA дщ~ Rси
/ -...........
/
.......
Ic=l,OнA дf/ff S
V v,9
S'
р,....._
1'..
,,,
0,8
..,.
"
'' ..
-~
r,;_
.
0,7
-
40-ZOО204060ВО100Тс,0С
Iс~ач
ч при Uси= Z5B
__,,.,• ........... ,--•
'
z,o
1
..
!
.,
-
-
Uзи= 'О
/
,/.
/
-,,,.
,~-
..-
о
5 10 15 ZO U~11,Q
RсЙ~вк~ •.• ~·;(...-." Е ·., -.
i, ;.
••.~-.•~ifЛf-/.
~си6нл при U,и~2а'в"" ·'- 0 ~ •.:!,., --~ : -• • ·•~
100
ID,O
1,0
о
10
zo
С11"
С22и
---'-'--- •
'
. С11 н при U,и=158 Czzи при Uси•15В •
г~ w,
С1
С1zн при
z,o
1,5
1,0
-
О,~
Иси=158
1
\
\ Czzи
/
"
~и• "
С11и ·
·-
,,
r
6
~
'
·:.:::.'':-'У:'~-,.,,.__·-~~
Ic•O
f=10 8Ги,
•'
.
.,_,
'Z 18
lc ~ач, :
; мкА -1-=-' -
' -1- --4-- --+--1- -+- -+- -+ -
-- · ,.,c:;__
-- L,,,--1
•.,
с.,
70~l 1-~-'--
-' +--4 ----+- -1 --+
, --~
- ..,,,"--,,,
...J_----1
•
":'.-
~ ,,,.,,, --
- Uзи=О •
~
,,,....-
Uси=25В
'
..
V
10° 3 ь.,.е"':~---+---+--+--+-+--+---!'--1---1
~~ ..
_1~
,_
1---+ --+-1 --1--+ -+ ---+--+ --+ --1
10-чL_.J.__.J.__.J.__L-L-L-L....J...._L.....J
zr 4Г
58!}

!!;j!III IIIIIJ!,l_llii!l!jl
п
ч~-,_
1_~
КЛ305Д, КП305Е, КП305Ж. КП305И
Общие сведения. Кремниевые планарные полевые с 'изолированным затвором
ц : встроенным каналом п-типа транзисторы предназначены для работы во вход
ных каскадах_ высокочастотных усилителей с высоким входным сопротивлением.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П 1.96), Мас-
са транзистора не более I r.
-
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.2.
Электрические параметры. Классификационные параметры~
Изи,S,/зу,,,·
Значения
б6озва-
Наименование
qениР
МИНИ ·
макси •
мальное
,vtальное
Ток утеч1ш затвора, А:
/Зу1
i,I0-14 1, 10-~
КП305Д, КП305Ж, КП305И .
1 , КП305Е
\. to-14 5.10-12
Крутизна
характеристики,
s
мА/В:
КП305Д, КП305Ж
5,2
10,5
КП305Е
.·.
5,2
1() ,5
кпзЬ5И
,,
4,0
10,5
У1Сод ·хрутизны; %·
лs
;при Т.с= +125°С
.. .J40 •
', при rс =-60° с
~50 :
'
Н~прю1{е·н.ие . затвор · - исток,
В::
-
Изи _
:КП305Д
+0,2
+2
'КЩО5Е, КП305Ж
- 0,5 +о,5
КП305И
-2,5
- 0,2
Напряжение отсечки, в
Изи oll'c
-6
1
1
Емкость входная, пФ
1
Са,,
1
1
5
Емкость проходная, пФ
1
С12и
1
1
о;в
Режнмы измерении
"'
QJ
... ,.
".
~~
'-<
:5:
~
u
м
u
✓
✓
-
l) --'15
·п ...:.15
l0
5[
10
51
tr'
5l
l0
51
l0
51
i0
5
10
5
10
5
1
10
jo,01\
110
1
51 10
110
1'51 10
Коэффициент шума, дБ~
КП305д, КП305Ж
3
7,5 1 151 1 51250
590

Значения
Режимы из1iерения
Обозна-
-
"
Нанменопан не
макс~-- .. ".
~
~--
с,; ·
l1
t1ение
МИНИ•
:s: :s: :ас
мяльное
· мальное
,::;;
u
, \;}~
:::>
t:
Коэффициент усиления ло
мощности. дБ:
.•
.,
'
КПЗО5Д, КПЗО5Ж
'
Кур
13
15
5 250
•'
Актиr,ная составляющая ВЫ·
'.
ходной проводимости, MI<CM:
g22И
КПЗО5Д, IШЗО5Ж
150
10
5
Остаточный ток стоl(а, мкА
\ 10 J-10I
1
МаксимаJ1ьно допустимые параметры. Гарантируются при температуре акру •
.жающей среды Те =-60.. . + 125° С.
/с шах - постоянный TOJ< стока,
мА.......
15
Изи max - постоянное напряже-
-
ние затвор - исток, В
.
.
±15
Изе max - постоянное напряже-
ние затвор- сто1<, В . . ± 15
Иси max - постоянное напряже-
ние сток - исток, В
.
.
.
15
Исп max - постоянное напряже-
ние сток - подложка, В
.
•.
15
P!dax
-
постоянная рассеивае-
мая мощность, мВт
при Тс=-60 ... +25°С
.
.
.
150
при Тс=+125°С ... . 50
Допустимая температура акру- " • ,
жающей среды, 0 С
-60...+ J25
u
.!
i1 В диапазоне температур 2Q::, 125° С мощность rменьшается линеино ,
Ic-,,.1A
'
-
12
I
-
11
11
>----- 10
1-БО
/
-
9
1 ,__+Z5
-
8
-
7
,,
/
--
Б
,-
5
1. r-- Те =+l25°G
>----- 4
f!J
1
-
3
1
zА
-
11
~
Иси =108
>-----
11
-~
~
- 0,5 О •U,5•1,О •1,5 /!з~,В
.,
,··,
j
158 V/
/1
//
//
)/
11
jj
...1.
,
_
- 7,5
- 1,D
- 0,5
s,м_А. /В L
12
,,~
~
/
l!cи•IOB
1/
/,
1/
10
9
8
7
6
5
'-1
• NОООГи,
3
z
1
,-
D -!-0,5
• llз~_,8. _
-591

-
---
--~----------------------
I1,мА ;:' · ).
-~;. 1
--~
:,
..
,
••
l--•+'ll---'~l-' -,-'-,~---,1--,- --j :z ; -
{; tz l.!;'1
~'1-~_ j7f-~~jk~; ..
-~
~
;;.,:Jed:,,,,..F;c;' t__: i : :
:+
__
_
!::_~
+..=
,.+
__
=::t_
=1,.
JJ
f
/
i8 L.1 -.1 1 --1 --+- --l --+-- -1 -- -l - -+-+-+--+-- -I
1.
rl
Uзи~1В ·~ ·
1
,__
,i,
I
0,5.
,--
',,-
о
о
zlf
Б8
и.;,,в
---
----
1-4 --
иг:~~Вв '
Iс=5НА
1и·Z
10zaза
100 zaa r, нги,
--
--
о,751-----1---+~~-+---+---+-----1ч,а
lf,и=IOB
f=IONГu,
0,50
----
•!о
0 1-l_J __J__j__j__L_. J_j__J__j_j_ _L _! __J__L_J_. J_j __L .. ..L - -1 .- - '- -' - ..J ._
1
.J ..
I -'--'--.L...-JC-J.--'---'
- 5,0
-чо
.,
-з, а
l<ш.,дБ
КПЗО5Д, КПЗО:5_Ж
Кур,дБ
~~~~-~-~'---~~~~
592
6 l---+--+-i- ~i,, -.. -1 -
5 1---, .,,,C.--' -- - - -l --+- - -+ --+ ---J
4 ~~~J:::::!=:t=rt=-.-1za
з l---+ --+-,,.._ ""-1 .- -- l~;.....1 ...L.
Z \-.J--,t::_::_ _J _~..J-~=!:--L..;__-J.-! 15
Uси = 158
. Iс=5мА
. ___ ._ _.__
___ ._.._ __._ ___ .__. _~ 1U
100 150 zao Z5D f,МГц
-1,0
о
S,нА/8
Uси = 106
-......
Iс=5мА -
r~
f=JOЗ Ги,
·- 1'.
-r--
8
-
... _
-~
~ t-,....
....:
7
._
~
-
6
5
---
-
--
-
--- -
- ---
·В{! -1;0
О •1/0 . 80 ЩJ Тс,01;

J11 ~:: . .л!111111/1jl!
17,~18
19
1
;,. i:,
КПЗОбА, КПЗ06Б,i КПЗQбВ
~-
.,
'',.
Общие сведения. Кремниевые планарные noJieвыe с двумя · изолированными
затворами и п-каналом тетроды предназначены для работы в усилительны х и
преобразовательных каскадах высокой ,и щ1зкой частоты, в усилителях с высоки~{
входным сопротивлением.
Корпус . металJiический, герметичный, с . гибкими выводами (рис. П 1.9 7) ,
.Масса транзистора , не более 1 г.
•.:·
•
:
•
УслОfИЯ экс11луатации-:-- в соответствии ,с 1:абл. П2.2.
Э~ек~рическиJ парамеiр~1. Классифика1iио'нн~е параметрь1,
1-•
:;
ii
\, l'
-
i
i1. изи,изиЬ:гс•
•
'
.
i
1
i
Наимен9ваюrе
i
,,
:
i
1'
1'
.i:
1
1
Ток утечки ! червого ~а;rвора, нА
Уkод I l{pyтJ~f{ы, ; 0,0 : i ~
приТс=+125°С •
при Тс= -6О0 С
Напряжение о,тречки, В;
КЛЗОбА, КП306Б1 • •
КП306В ' •
·
:•
1 ;,':
1i
.)/ .i
Напряжеии~ нервы ~
ток, В:
,
'·
1
1,
3~ТВО[) -+ - И<::
:1
КП306А • i.,
ЮJ306Б //
КПЗОбВ,, !
:·,
,
../
1
/,·
-
1/
КоэффйtJ.иент шу_м,а, -дБ
Входная емкость, пФ
11
Обозна
чение
I 1зtут
' ЛS1),;.
';
1,
1;
1!
значения
,_,
!
',
-35
Изи ото
+50
\·:
4\\\: :_ ,i ;_i
6\·1ii'i:.,,
- 0,5 0,5
О2
-з,5 а
Ре;-k~-1мьl ' измеренн я
щ
i
15
15
\.
15 1/
15 ·~
15I>
15ji, •
15, 1
ii.
105
105
~ - ;1,;', .,
- 10 jo,01
:10. 0.',0J
~10 5
щ5
10.5
10-а
,,
'
:1
10-•
10-•
J

-
.,
~
'
На11мено-ван1,1с
'
..
•Прd~одная емкост ь, пФ
Оста точный ток стока, мкА
Актнnна я входная проводимость,
мкСм
,
при f=60 МГц
np11 f=; 100 МГц
'
'
'
;
1-jаксимальi1~я ,частота усиления
(1Ур =О дБ):)\.\Гц
•
'
'
f•·
'
'-.
\'
Крутнзн.а х араt,теристики .по вто
р~му затвору:, ~1А1 В
·•.1
1
06озна•
чение
:
Значения
Режимы
""о
1· 1 :r::
· :s::.:o
:,: t;
:s:"'
' :,::,:
800
2
Q)
о
.<!)
,;, :,:
<J.,,
:s:
" 't;
"'r o
u
:s :s
::::, .
80 15
200 15
ro
:s:
-
О')
~
.15 10
измерения
ro
,о:
:s: :,:
"'
u
О")
::::,
....
!О5
!О5
5
1
!
;j
'-
.,,.
'°
-
'
1 Уход круп,зны характеристики ЛS=[(S"-S ' )/S'] 11JO% ; rде S' -nервый отсчет; :
SpвropoA отсчет. . ·
••
.
1
t•
! • Ма~си~1ально допустимые параметры. Гаранти р уют_ся при температуре окру
ж~ющей среды·Тс=- 60 ...+ ·125° С.
!
1с ~ -а;,; ~ постоянн ьн1 ток стока,
мА
20
V31 . 32 _: .. постоянное напряже -
ние между затвора:vщ В : . 25
Uси max ~ постоянное напряже-
ние стqк- исток, В . .
20
U31 и max - постоянное напряже-
ние первый :-~атвор - исток,
в
U32 и max - : постоянное 11апряже
н1Iе DТОрОЙ ЗЗТ"30р - ИСТО!{ ,
20
В
.
20
U31 с max - постоянное напря ж е-
ние первый затuор - сток,
В
20
Uз2 с max
-
постоянное напряже-
ние nторо11 затвор - сток,
В .......
,
20
Р~ах - постоянная рассенвае- ·
•
мая мощность, мВт
при Тс=-60.:.+35°С
150
при Тс=+125°С
50
Допустимая температура онру 
жающей среАы, 0С .• -60...+125
1> В диапазоне темпеrату р 35. ;; 125u С мощность ум еньша ется линей110,
594

_
Ic, мА
Изzи = CJПSt
'
j'
/
-
Иси= 158
I
-
L--- 16
,,
77
С--
/
14
/jj
Изzи = 15В ,,
'
/
,_ Ic, nA
u31 и= const ~
И си= 15В
j
~ ,___
16
/'
/
11+
J/
~~
/.
lfз-,и=15В
!"'--- .-
1/
'--- L ---
/
1Z
J']10
/ 1----. 5
-
7
~~-
10
!,/
Г/
'Ij
-:
~1---3
/j/
1//
~,___
(i
,,1
J.'f '
С- ,___
1Z
а/
/
10
rl 1-
J//
5
С- L---
10
/J
'!/
С- L---
в
J
1/, /
'!
С- ,___
Б
:/'I
//1'
//J
,_
-4
Jl
7/,
r!J
1'--
,___
lf
. Jrt
'(/)
'11
/2,
С-L--- z /,
rJ
.Аи=а
,i,·.', ;; .з,и ,: ., 1'' •
), 1 '..,,
J., ..-~
,_С- z ,w
~
-
~
• • И}1и=.а ,.
:
IЛ r,/
1,... -
~
[1 .'
;1
о
s,нА /в
Ис~\ = 158
~
.
Uзzи=108
1'- ,.
1'. 7
Iс=5нА-
.......
.... r- ...._
f= tаааги,
r-,.. ....
.... ,___
r--.
:
r-,..
"-
-... ......
r-,,...__ ,,,
-
г--~
5
"·~
.... ,._ _
... , .__
--
3
-
о.
[!;)

S,н А/В
l!си =158
•12
с-- -
-
L.. -
4
,,,:::. v
10
3
.
~:;;,
r--!
л ,.:.,-
•'
:,,,
2''
1
'
,I
о
0,06
0,04
o,oz
/.~
~7
-
~'
,.---....
1\
\
"
z
пФ\
'\
\ r-.
'
'
1~
""
\
'
!
1 ·•.'
6
~
---1'-..... ...
",
4
,
'
1"-.
"
l!зzи=О - ~
~
111
ZB
6
'
.
. l!зzи.=1ов
Iс=5нА
f=lOHГu,
' ..... .
-
1-- '
"
...
'
-:-- .. _
---
о •1а :za
_ .,,
'' -<:>
=
=
ёj .. 1t.
:с
=
'"<J
в
_
1[1
6
ч
Сtzи,пФ
D,10
15
0,08
D,06
D,01/
o,az
о
1
/ ,C1i~
-~
С11и
!/,
·,,
---
Ь,<~
:(\i1' ,, //
,
Z,5 ,
-~
~
--t-
--
-
/,
,,
1
, ,_,_
1✓-
/ /11
Z,O 1
:
.
,,
/
&-<
-
--
~:..:lf}
/ / /l!си =158
,, , ,,,1// Iс~5нА
-
·,
1---:
-
~/_.,,
Г=10НГи:
1,5
1,0
0,5
о
~
1~,,,
-
,....., .
-~
;,, .. С1zи
1
5
10' 15
zo Uэzи,в.
Кщ,
Нур ;;:;-а. -- -- -
дБ
-
!~\
'-
Иси=15б
,/
с;
.~
i
l!;z и=IOB,. .
-
-
... _... _
__ _,
моонги,
,, ,,
- hr-1·.. •
·
1•; ,
10;
\
...._
/
4.;
~
-
.. .:..
-
-
... ~~
·-
5
Кш
l
,.
о'5
О·
5 10 15 U3z~,B
1
1
696
.
•t.1·, ·

lfj lil[llll(ll i l[l
11 ,,
1S
19•
1••
•'
1
1
КПЗО7 А, КПЗО7Б, КП307В, ~. I<ПЗОЩ
К:П307д, КП307Е, КП307Ж •
Общие сведения . Кремниевые планарfю-эшпаr(сиальные с п-каналом и диф
фузиОf!<IЫМ затвором транзисторы предназначены для использования в радщ1ве-
щательноii, приемно-усилительной , телевизионной и : другой а ппаратуре. ·:;· .
Корпус металлическвй, ·с гибкими вы в одами (рис. Пl.94) , Масса транзиёто-
р11 не более 0,5 r.
•
;
УсJювия эксплуаташrи - в соответствии с таб л. П2.2.
[
1.!
Эл1iктрические nараметр,ы. Классифи1S:ацнонные щ1раметры, .
'·'
.
,
.
'
-
.
\',
•.·
Значенил
Р1::жимы измерения
Обозва-
"
"'
cQ
cQ
Н.1именооанне
о
,о
-,;
::f
,•,
ч~ нне
."
i5Z
:g.
\;.,
., .,,
:;:
:;:
ii~
"'"
~ :__,:r
"'
"' ·"'
1~~
(.)
('/)
..
""
1~~
:::i
:::i
..
'
.,,\
Начальнь1й ТО[( стока, мА;
/С·нас
!
\
'
КП307А
3
i910о
l
КП307р, КП307В
..
5'1510о;
КПЗОТГ, КП307 д
8:24iOо
;
КП307)::
l,551О..о
КП307jЖ
3125!Оо
'
.
i
1
1
'
\i
:
.ТО!{ утечl)и затвора, нА:
кпз&tв, 1.'з :;1} \!
\)\
1.\
КП307А; .• · КПЗО?Б. ;:
'.)
;i '.
КПЗО?Г, КП307Д, КП307Е
1
о10
КПЗО7Ж
0,1о10
при Те= +85° С
103о10
То же в другом режи ме
/04о30
.
Крутизна
мА/В~
s
i
'
10о
1
характеристики .
!
!
'
КП307А
910о
io:-• :
КПЗО?Б, КПЗО?В
15.10 о
(0-1 ,
КП307Г, КПЗО?Д
,_\ '\
·,'
6
1210·О
1():-1 :
КПЗО?~ •
,,!
i
:
3
810о
10:..s
кпзот .•
4
10о
10- 1
при 71с=+85°С,
КПЗО7t', , КПЗО?Ж
2
10о
10- 3
КП307$, КПЗО?В
2,5
10о
10:.. 1 '
КПЗО? r , КПЗО? Д
;
3"
10о
10::.:а :
,_,
\,5 :
КП307Е
ji\
10Q
; .~о-• •
при Т'с =-40° С ,
'
!
.,
'
KI1_307A, КПЗО7Ж
,. '.
\\·.' .\
4.i\ ·
\
10 1,,0
1{)-1
КП307'Б, i(ПЗО7В
5
10о
10- 1
КП307(', КП307Д
6
1Оо
10-•
КП307Е
3
10о
10-•
,.
5111

·f
Наименоnа11 пе
Акти~ная в,сы},о,д1ря прqqодимост~;,,
~ i1{t!N1: ,,
j
~
•
КПЗО7Г, КПЗО7д
Напрятение , отсечки, · В: .
, J<П307А
КПЗО?Б, КПЗО7В
J<ЛЗО?Г, КП307 Д
КПЗО7Е
КЛЗО7Ж
Коэфф ициент шума, дБ:
КПЗО7В, КПЗО7 д
ЭДС ' ~ума нВ/ 1/гц:
КПЗО7 А, КПЗО7Е
КПЗ О7Б, КПЗО?Г
Сред не1<вадратичес1<ий
заряд, . 10- 16 i(JJ:
КПЗ О7Ж
13-ходная ем1,ость, пФ
-
шумоrзЬй
1
Обозна•
ченне
,и зи отс
Еш
Qш1
3
0,5 5
1,5
0.5 2,5
7
20
2,5
0;4
Режимы измерения
10
10
10
10
10
10 .о
10· о
:7. о
•10-2
10- 2
\О- 3
10- 2
10- 2
5
J0- 3
400
10- 3
10- 3
1•10
Проход ная ем:,асть, пФ
1С12и_1
.
/1,5!10.jО1
Максималь110 допустимые параметры. Гарантируются при температуре 01<DY·
·жаю1J1ей среды Тс=-40 ... +85°С.
/сmзх - ПОСТОЯННЫЙ ТОК CTOl<a, '
•'мА
.
.
.
•.
;..25
l 3 ·лр· п;ах - постоянный прямой ток
., за:пзора, мА • ••,
.
,
.
,
,
!j
i
и;и Jhax - ПОСТОЯНl!Ое
напря-
ж~ние затвор - исто~<, В ,
.
27
Изе ,.;,ах - постоянное напря-
жение запзор - сток, В
,
.
•27
Иси ~n~ах - nостqянное напря-
жение СТО!( - IJCTOK, В .
.
27
P;n~x
-; - постоянная ' рассеивае
мая мощ1юсть транзистора,
мВт
•
при Тс= -40 .. :+25°С
.
250
при Тс=+85°С
.
130
Допустимая температура окру-
Ж?ющей среды, Q С
,--40,.;+ 85
1
.
.
:
!
,
1>jПри Те= 25, .. 85°С fmax,[мВт]= 250-2 (Те - 25), ••
598
i
'

КПЗО8А, КПЗО8Б, КПЗО8В, КП308Г,
кпзовд
Общие с11едения. Кремниевые п.~анарно-эпитаксиальные с п-каналом и диф
фузио'lным затвором · транзист()рЫ предназначены для работы в составе гибрид•
ны х интеrральных схем, ко,,щутэ.торов н схем ;шнейного усиления:
'
Офор•мепи~ б~скорпу~:ное (ри<' Пl.98). Масса транзистора :0,005 - r.
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.З.
Электрические параметры. к~ассификационные параметры~
1с-. нач• Изи ОТС' Rси ОТК' g22 и·
Значения
~ежимы измерения
.
,.
Обозна-
"
"
J:Q
J:Q
''i:t
t1аименован ие
о
,О
..;
:~-
чение
': ,:
:,::с
:s:
:i:
.
.
"'-"
u.Q
:s:
:z:c;
:,: с;
с:,
.!.: с ,;
., .,
u
м
м
""
""
:::,
:::,
...
-
'
.,,1. , '
Начальный ток стока, · мА!
1с нач
,,,,. !··
КПЗО8А
0,4
1
10о
:
! 'Jj
КПЗО8Б
·"
0,8
1,6-- 10 о
КПЗО8В
'
1,4
3
10, о
'.
Ток утечки затвора, : нА: ·;
/3 ут
'
'·
";!
'!,
-
КПЗО8А, КПЗО8Б !
1
о10
КПЗО8В
0,5о10
при Те=+85°С
50
о10
То же в другом режиме
104о30
J''
•.\
j
,..
Крутизна
характерист ик и,
s
мА/В:
·'
КПЗО8А, КПЗО8Б 1
l
4
10о
. ·ю~•·
КПЗО8В
2
6,5lUо
10-•
при Те=+85°С,
КПЗО8А, КПЗО8Б .
.
''
0,6
,.
.
1(} ·О
10-•·
КПЗО8В
1,2
!Оо
10-•
при Te =-60°CJ
'
о
10-•
КПЗО8А, КПЗО8Б
1
10
КПЗО8В
2
10о
10'-'8
',,
Активная составляющая . вы-
. ....
ХОДНОЙ про води м ости, мкСм:
g22И
КПЗО8А
1010о
КПЗО8Б, КПЗО8В
2010о
'•
.
'
;-
·-
591»

Значения
t .e)1-· 1: 1\/ь:~}s:мере 1-; J . ~•
.,
.,1
.·..,, ·-.
Обозна-
,:
' ·AjY
Наимеi1ова11ие
rд
i~'' {
:;'
чение
=
1.-.
:r:
:s:
~
:,:
u
"
~
-
.
i·,
: ·.1!.';
Сопротивление сток - исток,
Qм:
Rсиот1< '
.. КПЗО8Г
230
250 0,2 о
'
:
..
, l<П308Д
500 0,2 о
приТе=+85°С:
'.
,, КП308.Г .
400 0,2 о
КП308Д
800 0,2 о
при Те= -60°С:
КП308Г
250 0,2 о
КП308Д
.
,
500 0,2 о
'
Напряжение
В:
Изи отс
отсечки,
КП308А
0,2
1,2 10
10- •
КП308Б
0,3
1,8 10
10-0
КП308В
0.,4
2,4 10
•
,'(!.. ,10-2
КП308Г
1
6
10
10-0
КП308Д
1
3
10
10- 0
'
''
ЭДС 'шума, нВ/ V Гц:
Em
КП308А, КП308Б, КП308В
2010о
10- 3
Входная емкость, n~
ПрохЬдная емкость, пФ
210О
. ,10
)_!
!
Максимально допустимые параметры. Гаран;rируются п ри тем пера'rур~ : окру-
жающей среды Ie = -60... +85° С.
'
·'•
/с ma:x - постоянный ток стока,
мА.
,
.
-.
.
20
13 п,р max :___ постоянный прямой
1 ток затвора, мА , ,
5
• ilзu max - пщтоянное
напря -
~{ение затвор - исток, В
.
.
30
Uзt max - nщтоянное
напря-
)' ,,, жеiше затвор - сток, В
.
,
30
1,,,
'
:j,1
Иейmax - постоянное
наnря-:
жение сток - исток, В ,
•
25
Р~~х -'-'' постоянная рассеивае-
мая мощно сть тр а н зистора:
(Те=-60...+25°С), мВт , 1 60
'Доn..устима я температура окру-
•
жающей среды, , С
.- 60.,. +ss

КП312А, КПЗ12Б
Общие сведения. Кремниевые nланарно-эпитаксиа.~ьные транзисторы с п-ка
нало м ; и затвором в виде обратносмещенноrо Р--:n-перехода предн аз начен ы ·для
ра бот~~ в усилителях высокочастотных сигналов входных ка скадов ра диоприем-
н ых у~тройств с повышенной чувствительностью. .
'
Ксi> рпус керамический, с полосковыми выводами (рис. Пl .99). Ма сса: тр анзи-
стора :не более 0,2 r.
;
•
•
_
Условия эксплуатации - в соответствии с табл . П2.3.
Э~ ектрические параметры. Классификацнонн~1е параметры ~
S, 1снач• Изи OTG' к~.
'
значен ия
Режимы измерен_н я.
!
!
Обозна-
.,
~.:'
J;
.,
р:)
р:)
Наименов~ н ие
о
о
,О
::1
~ чение
'=
"'
=:с
:s: :s:
""'
=.о
о
".д
::,;
=,;
'С
.: ,;
~.-~-i
="'
·=
"'"'
u
cr,
t)"
'н
:Е :Е
,,.
>! :Е
:::,
:::,
--
-
' i'1
-
Начаj] ьн·ы й ток CTO J(a, мА;
1с нач
-
-
КП31 2А
8112515о
КЛ ~12Б
1;s
3
715О.
\
Ток утеч1ш затвора, нА
13 у']) 0,009 0,01 10 о
101
при Tc=+l00°C
,
1000 о 10
при Тс =-60°С
100о10
;\ ,.
,-
К~утизна
мА/В::
характерисrи~и.
s
.
1!
КП312А
4
55,815о
10-а
кnз12в
2
45
15о
10-а 1
при Тс=+100°С ,
1,5
15о
10-1
КП312А
: КП312Б
'
,
','
1,0
1·5 о
'10- •·1
при Тс =-60° С:
,;,,:
КП312А •
4
15о
J0- 8
КП312Б
2
15о
10-а
"'
'
АJ<тивная составляющая вы -
х одной проводимости, Ml} C)
• g22И
·:1
10-• ,
КП312А
-
10,54513015о
КПЗ12Б
10
4011О15о
10-8
Коэффициент шума, дБ,
Кш
.
''
КПЗ12А
1,02,3410
i( ,, 40Q
КП312Б
1,02,5610
б 400-
\
,.
)''
;i,• :
,
..
... ..... --~,..
__,
,.

:аначення ,
Ре:ж.имы i1змерения
·f
Обозна-
"'
"'
.,
.
(:Q
(:Q
r-lаименоеа1-1 не
о
о
о
<
;:f
qение
•о:
.,
:,:
:s: :s:
::;
'-
"'"
о
.а
~
:,: "
t::
"
u
О')
(J
:s:"'
:s:
"'
""
,-.
"
.:: :,
:::,
....
-
.
,1
Напряжение отсечки, - В:
Изи отс
8
10-211
КП3!2А
2,5 3,5
15
КП312q
0,83,5615
J0-2
Входн,:я е~1к0Gть, пФ
-1
10
Проходная емко<:ть, пФ
10
Коэффициент усилеIIия по
МОЩНОСТИ, дБ
Кур 2,0
10
5
400
.'
Максима,1ьно допуспIм1,1е .параметры. Гарантируются при те~1Пературе окру-.
~шощей среды Тс= -60"а+ 100" -С.
/с шах - ПОСТОЯННЫЙ
;,мА
ток сто~,а,
\
Изиmах -постоянное иапря- ,.
25
:. ., женне затвор - исток, В
.
.2q
:Изе п,ах - постоянное напря - .
,\, женне затвор - сток, В
.
25
Иси max - постоянное
напря-
жение сток - исток, 13
20
Iс,мА
1Z
602
9
6
3
а
1,
\
.V
~
.,,.
s
КПЗIZА
Uзи~а
18,_
z,_
з
--
4
10
15 Uси,8 _"
Р~,~х •-
постоянная рассеива~- ·
мая мощность, м13т
.
. 1100
Ти шах - температура перехода,'
0с,,..'
....
•1-140
Rт. и-с - тепловое сопротивле-
ние ·переход-среда, 0 С/мВт . Jt
Допусти'мая температура 0I,ру
жающей средuI 1 ° С , -60..,+ 100
1) , При Тс=40 ... 100°С
[мВт]а=(Тn max - Tc)/Rт, u-c·
р'
. шах

1!
Iс,Мд
3,D
2,5
'l
·,
V
\
I
J
V
~
S,мА/В
Б
5
4
3
2
1
о
20
/
t•I• '
5
zo
16
1Z
8
4
п
,.
,,о
1
,..
-
~~+-
r-· ..
""-
1
~т Г--{... !
КПЗ1Z А ( ---
1
,-
r---.
\\
"
\
ь. i-r -- ...
\1\
,.. __
r-- ,.._
j
~з~7:(--
1
,-
О, 75
1,50
КП312Б
:
1
Изи=О
0,Z5B
0,5
''
0,75
1,0
7,25
-.,_
БО
еа т,.0с
'
,-.
,....
,- r-
~
r-,-.
Z,Z5
s,мА/В
5
4
з
2
о
('
I с нач,11А
24
.
20
16
12
8
4
и
.,
:
r-,
t-- .
,-
r--
.;.
'З,DD
..
,
r.·
1/ I/
.•
'
,/ •,·"
/,V
1V
;J
/
Jk
,,v
'i
.
----
2D,
, 11q
·,:11::1l1},
'tr.!i:~
,,
Иси=15В
r--_
-r-..
.--у~
i--
3,75 Uзк,В
Г5кпз 1zА --
"·
.кпз1zБ.
-
J
с
~-
'
1/
IC
J
!
1е
Uзн.=О
1fR
1~
7Р
603

11111 11 '
.
1
11111 11
17
18
19
КЛЗIЗА, КПЗ_IЗБ, КПЗIЗВ
Общие сведения. !(ремниевые''·~~1сокочастотные с изолированным затвором и
п-каралом трышисторы предназш1<1ены для рабо т ы в каскадах . генерированщ1 11 -. .
усиления с11гналов высокой частоты ' устройств ш ирокого применения.
Корпус пластмассовый (рис. Пl.100) . Масса транзистора не более 1 г.
Условия экспJiуатации-:- в соответствии с табJI. П2.2.
:'.
'
Эле;три,1еские параметры. Классификационный параметр Изи·
Значения Режимы измерении
,.
;1 ,.
Нинмеповш111е
Ток утеч~~и за:~:_~С>ра,_ '!.А.. ,
i\\'/
Крутчзiiа' · х-араIперистики;- мА/В
.
'
~:
'
Уход крутизны характеристики, %
при'r,, = +85°с
при rс= -45°с
Напряжеfiи~ затвор - исто ~,, •Bi
кпз1:М. ;
КПЗl'В5 i
КПЗ\!38
O(,озна•
чение
1
-
/Зут
-.
-
-
1s.
Л51'
Изи
"'
"'
о::,
о::,
о
,О
,, ,:
',:
5~
~
:е
"'.а
:s:
:s:
з;" ,,"
"'"
"'"'
u
(У)
~
":s
:s :s
:::,
:::,
1 1101о,,о1
1
1
4,511~,5,101
1
51
,,
-40
10
5
10
5
50,0 10
5
0,3 1,8 10
5'
• ....,-0,5 0,5 10
5
-
2:0-0,3 10
5
"
]Изиотс1 1
1 101
Напряжечи1 ь·тсе<[КИ, в
8
/0,01/
ij
!,-
.
1
/soo/
/1sj.1
Максима~ь~·аn частота усиления
sl
(К 1 p*Q _.~д5); МГц
{р
.
,1, \ \',
·;
'•
1
1 10/
l,5I 151
Коэффициент усиления п о мощности,
дБ
Kvp
Коэффициент шума, дБ.
.
1
1·Кш 1 17,5115
1. 1sj
1
1
1
1711:
Входная емкость, пФ i
·1,
С11и
10
151
j
.
,,
Проходная -емкость, п1
1
С12и 1 10,91.IQ 1: 1 51
604
• i1[
"'
. '-,
~
..1
10- 3
10- 3
10- 3
10-з
1
250
250
10
!U

Максимально допустимые 11араметры. Гарантируются _ при температуре: оиру,
жающей среды Тс=-45... +85° С.
·,
/с шах - постоянный ТО!(
мА • •.••
стока,
15
Изе max - nocт6k :нiio'e·
i1аnря-
жение затвор - стоI(, В ,
15
''"'1"•''•
:: ',
ИэJli 111 а'х' · :..... • по.стоя• нное ' ' напряже-
ние затвор - исток, В
.
.
,,
10
'
.•
;'
'
Иси max - постоянное
напряже-
ние стоI( - исток, В
.
15
:.1
P1Jax - постоянн i ~ i' • рассеивае
мая мощность;, мВт
при Тс=-45 ... ,+25°С
при Тс=+85°С
,
, ,.75
..
40
. Допустимая
температура окру
жающей среды, 0 С • , -45.. , +86
1 > В диапазоне температур 25; ;, 85° С _ мощность уменьшается линейно,
'
·!c,"fA
!
8
''- V'
ьt:--
~--
i
l
:
-
,
i
, 1:.1,r1.,
,:
1
11,68
r
• • llзи=/J.
- O,'l.
-О, 4
,.
>1
-О,,8
-08-04 о о,ч О,~1,Z Vзм,В i
-о
'
"
1
z.ч
-
6810
1:
1i
Ч;!Н1!'·,'·• .t (!,1'
1
,
f
'i,
1!!t
,.
;
s,нА/В
8 ~ -i --,-4 --+ --+-+-' -+ -++- -t,,~
_
,+""'~.t -6,,1-rt:;,,_;a,,!o-J
i1
•...... tp
7 l---i/4--4-+--Ч-+Nйf-L.:.J.-+--+--J
l----' 1- --<I- '!- -; 13_
·
, ~:~ Uс;и=70В 1
~-
,.,,v
'
j
11
6
1!
1
5 J..- ,+-+ -h'A-J++++-t- -t-~-;'-"-~ -f
h!--н'J1H/--,i--+-+-+-+-, f= 1000 Гц -
1/ '---1-- ---
· _...11 .и.,_
. ---'- - --'- - --'-''- -' --''- -'-;-'-'-
··:~{ !~1~1......,
..
кl.д;7·
1 -21/
1 Б ZZ ~-.:с+--+---1--1
1
15zo
ч18
З 16 f--+-1-'~.t--"Ч::-+-:iJl=":t,--f--;
2 tч н._;..~.p,..ic--f'"'-l..-
1 • ·- I Z , 1-'ц_-1-Ц::-+.:..g..d"-~
о 10 L.l .-L. ..,L _. .L.. .JL.:. .J. .... ...L.:: .J. ...CJ...,, I
КуР,дб 1-
·,.,_
•. , , .; .' . ..,_, i:...· -i:.....:.' ,_, _
1-"
'' '-
-, -'-
, t..
·
-+-
'•'""' 1-' -
'-i
.
, •..,
ZБ-'--'--------<
оz46810[с,МА
100 130 zoo 2~0
'i_ .
'
'
-
1,'
5
,._
1--.
....
4,5
ifcи=taв
'
4
.изи=а
-
80,, ., -,ltU.
f;.

.,
0,8
S,нА/В Uзиоm с,В·
--
'
11
.
0,4
,._
10
Иси=тв
1·
Iс=5мА
'
9
о
8
7
Б
-80 -чо
llj llll/1111/ llll/ ll llj 1
17,
11;(
19
КПЗ!4А
Общие сведения. Кремниевые планарно-эпита!(сиальные с п-каналом и диф•
фузионным• затвором. транзисторы предназначены для работы в охлаждаемых:
l<аскадах предусилителей спеиромет.ров ядерных излучении ,. при темпер~туре,
близкой к темпер·атуре жидкого азота .
К0wпус металлический, с гибкими выводами (рис. Пl.97). Масса tpai,~~cтopa.
не более Ф-,5 г.
ti"сло вия экспл-уа.тации - в ·. соответствии с табл . П2.З ..
Элект.р·ические параметры. · классиф11кационные параметры,
/Зу,т•\ /Снач•.S, Qш.
'
З н ачения
Режимы
!
Обозна-
"'
"'
Q;
Наименова 11 не
.со•<;а
i
,.
о
о
,О
<i:
qени :>
':с
"'
:с:С
~ :s:
:,;
=.а
о
u.о
1
="
i::
'""
.,
1
)1)
="'
=
""'
-~
m
u
:,; '"
....
:,;:,; .
:::,
....,
нА
!
,);;'у/'
Ток утечки затвора .
'
о,1о10
,'
при То =+ 85°С.
[03о10
То же в другом режиме-
/04о30
и~мереrшя
',
,!
1
,, ,,
"
измер-ния
1
1
f, МГц

З11,;.~t1еннн
Режимы и змерения
~-~
·;•;
;ЬЬьз]iа-
jj- '
..'
•'
"
'
...
-
.
.
.
---- -·
На11ме11ова1111е
о
"''
i, "'
ед
с:::
:
'··
о
"
-1: .
\
-·
--
.
-
-.
qение
':,:
"''
;s:,:
=
;; ::;: 1,МГц
-
,: -"
о
, <.)-"
\
,: <;
с:
-
;~ - i::;:
..
,: "'
"
'
.("l;t ro
u
м
--~ ,) "'---~-~:--
;;
~~
...
,: ,..
ч -_, - ::::,
.....-
.-
,,.,,
..
На ча льный ТО\, . стока,
1с нач
мА
..
2,5
2010о
-
, ......
;•!
'
_,
.,.
.•·
КрутизIIа . ха .р.актеристи -
s
!(И, м А/В
4
10о
10- 3
при Те=+85°С
2
10о
10- 3
при Тс=-60°С
4
10о
10- 3
..
'
..
"1
Средиеквадратически й
'Ф=5 мкс
шумовой заряд (Cr=0) ,
( ПО СТОЯНН31I
10-17 KJJ
Qш
1,32 5
3 однократ110-
го фо рми-
при оптималыюй Те
0,85 5
рования}
3 Тоже
Максимальная рабочая
частота, МГ ц
f111ax
100
...
-·
Входная емкость,, пФ
10
ПроходIIая ем1<0с т,ь, п Ф
10
Максiiмал ыiо .п.о пустимыс параметрш , Гара нт ируются пр и тем пера т уре окру~
жающей ,среды Тс =:-60...+ 85° С.
1 •11
''
'
'
;'•
••1
•
/·с max - лостолю1·~1 1J
мл
ток 'стсжа,•
. .J з пр ~ах- 'f.lGCTOЯ'H II.Ыfl
то1< затвора , мА
..
л.р а.моГ1
U з и т а х - ПОС'!'ОЯIIНОС 11.ап,рпжс
Ш!С зат,□ор - ИСТОI(, в
.
.
Uзстах - пастоя11110.е напряже-·
20
5'·
30.
IIIIC -зат uо р - ·СТ!:Ж, · 13
30
.
i
n В Hi!tflH1;3Лe rreM□1'j)aTyp 25,;85°С
• Vсиmax - ,постоя иное
напряже-
ние сток - исток, В •
•
,
,
25
Р~~х - постоянная мощность,
рассеиваемая транзистором,
мВт
~ рн Тс = -60.. .+2.5?С
при Тс =+ 85°С
, 200
• 100
Допустиriая тем п ература окру-
. жающе й
среды, "С • • - '170..;+ 85
Ртах {м~т) = 200:- 1,66 (Td :_: 25°С},
•'
,007

111f111111111111!1111111
17•
18
19
КП350А; КПЗ50Б, КП350В
Общие сведения. Кремниевые планарные . с дву~я изолированными з атвора•
ми ~ встроенным ,~-каналом транзисторы предназначены для работы в приемно•
усилительной и другой аппаратуре.
· Корпус
металлический, с гибкими вь1водами (рис; П 1.97) . Масса: транзисто -
ра не более 0,7 r.
Условия эксплуатации - в соответствии с табл. П2.3.
Электри•1еские параметры. Классификационный параметр Кш.
Наименование
Начальный ток стока,
мА
при Те= +85° С
при Тс=-45° С-
Кр~ти;·н} харареристи
ки ' по " первоi.lу . затвору,
мА/В 1•
при Тс=+85°С"\
,ПРИ ·Тс==~45.0 С .;,
Кр}тизна ' ~-~ p;·; ~;ep~tT!i·
ки ' по · второму · затвору:.· .
мА/~
Напряжение отсечки по 1
первому затвору, .. В
·
На!пр511}1~ени..~ отсечки n9 •• 1
вт1ро~у1· затвору_. J? ____ -_
..
'i''~-
Ко}ФФt1щ1ент шума, дБ:
КП350А
КП350Б
кпзsфв
,J
1
• Вхрдная, емкость, пФ
Пррход~ая ,емкость, _ пФ
Вы~од i1kя емкость: пФ
tW,&
..
Обозначение
1з ут
'•
кdi
QJ
о
':,:
:,: ·;,
"'"
""'
""
.: s:
·-
(")
~
0,-01" о:ов •з-;5 ·15 •· о
0,04 0,05 6
15О
О,04 О,05 6
15О
,~ ,0021 о ,011 5
6 l0,0
10
4 8,Q ...
10
6 11,5
1'0 .
'"
-
0,6:0,7 0,85 10 6
1
3,7 3,8' 6 10
2,0 3,0: :5 10
411 4,8 ,
·~
10
сц
:s:
"'
("J
:::i
6: !О•; (0-3
6; 10 10-s
в ; tO-'I0-3
10 10-з
.,
6 10' 400
6 1'0 100
6 1:0 :400
:j о .'.o~I 0,051 d,otl '10 1•о ·1 о 1•1 l 10
·12,'91з,21·!,'/101'оIо1.1.2..о_

Значения
Ре>кнмы измщэщuн,
со,"' -
а,
а,.
o::i
'
"'
щ
Наименование
Обозначение
о
о
О··
-~
{~- 11
..: .
о(
..,
"'
.,
!-.
:s:
:s: :е·
"'д
о
д
:s: м "'·
. ::;:
"'"'
1:1
~::
·u
С1')
'§:
"'"'
:s:
:,: :,:
...
:::,
:::,
:::,
-
:
Активная составляющая
·,
выходной
проводимо-
сп1;,мкСм -•
g22и ·
:
250 10-
610!О
'
, . М!ll<СИ!\fаль но допустимые параметры.
Гарантирую·~с я п ри те м пературе· . окру-
жающей ср еды Тс=-45 ... +85° С .
/с шах - постоянны й то к стока,
мА,•,
.•
,
,
,.
·,.
.
• .30
.
И31 и max' из2 и mак .с_ постоян ное
• н'а пря жен ие затвор - исток, В 15
'
Из1:иma~ -
постоянное . напряже-
жение второй затвор - сток,
.,В
,.
.
·,
.
.,
.·
Исиmax _.· -
постоянно е
женн,е сток - исток,
напря
В.
Р ~)а" - Ьостоя н ная рассеивае-
.
'
;•; • ,.·
:
·-,:1•1• ." "•
\(",,,I
1,5
15
ние первый .затвор - исток В, 21:.
Из2с ·mах -постоянное - напря-
мая ; мощность транзистора
(Тс=+-45 ... +25° С), мВт ..
.
20(1, •
Допустимая температур а окру-
жающей средь~, 0 С
.
-
45...+ 85
;.•1:-!i;
1 В · интервале те~ператур 25.,_.ss<i G необходи~о снижен ие ;:-МGщ-1н1Q.т~ .-~,1~ -
ней н о до· 100 мВт',
'·
1
.
!
Ic,r,tA
i---; - - -t- -+'----;- - - -1- - -+-
--+-
_
-..- ,' 4-- __ _.j
/6 г-r----т--t_-_-:-rг=--+---t~=!'-'=r=-==-=t
\гz r--c--t"'_' -- _-+-+- -1-'--+-+ -L+--' ---4
:И. зщ= 1,5В
-
/а r--+-- + -- -+---+ -
. -..i--~
1---+-
-'1-
-1
:6
:-+-- --;-- ;1-
1,
lc ,HA
0,8
0,6
0,4 ,
o,z
о
5
rгзzи= 68
'
/
. /, lfз1и= а
с->--'
~
.. ,1
.r
0,18 ;...с..с >--
/
J/
a,z_
V
__,
-
;
, ~,,,,,..
O,J
'/
..-
--
-
0,4
r.,, ...
--
-
V
'
z
о
z
•.i,нА/в
.
.,
: -Иси =IОВ
-
---
.·-
8
Б ,, ~ ,;..;.~-...;.••,
Изzи'=4в •1 · .,i
';,
-~~
/'
'+ +--+-+--+-+-'-+-+-':...Р~-.,.~-;...---+/-1:,.с...,,1--..-' -- -1
--
•
'z: >---+---+.-
- +-- -+- -+--+-~+- -+-- -
· ""-..-.~-'-----О
....... _

_
.. ..
1-,-r-,-,t-т-,-t-,;->--t---+-+--,-+--,--+--+---+--t . ' и3 2и = .Б в .
о,в
·
:1,1•;1:~
D,Z
:,t,11' 11' 1J•
Uc11= -15B
Ic=D,1 мА
L..: ... ----
-
~~~~
..-,,i,-=-+-----+--
-+-
- - + - -+-+-+ -+-+- -1---1--1---+ -+ -+-+-+- -+-~
1
.,
Czz н
1--
~
к
~
.
. .... ....
"'--
~"
}11 ;--- r -- ....
з
1
8
;J
lf
,r;
' i·f
K~p 'rriax, дБ
20,,•
10
5
100
6Ю
zoo
'-20
Uз'1и=О
-
Uзги аБВ
f =10 МГи,
~~
r--
-
-
10
12
300 400
1i
о
;
-
14 (\и,В
D,07
0,05
о,оз
+· zo
Сгzн,
5,Z
4,8 -
ч,ч
4,0
о
+чО
пФ
z
Кш,дБ :
1
l<уртах,дБ
Ic= 15 мА
~ Изzи =88
.8
f=4 0ОНГи.
+60
1•·;
;
,с1~~1пФ
0,11
o,ng
0,07
0,05
/J.
6 llщ,B _
~
-
Кур .,,,,,,,,,.
~/.
:::-
~
3,5
Б
. / t:...-
,,,,,,.
Нщ
3,0
-
~
;,-
•
.
.
1'
3,0
411
:;.
~,.
2,5
Z,5 2
,
JOO r, 11Ги,
9
11
t: ,..
-~
;
_,.

111 11111111 111 11 1111111111 1111111111
20
21
22
2J
КП901А , КП901Б
Общие сведе11ия. Кремниевые планарные с изолированным затвором и п-ка
н~лом полевые транзисторы предназначены для работы в приемно-передаю
щих устройствах.
.
. Корпус
металJiокерамический, герметичный,- _ с жестки мн выводами .и монтаж- .
нi,1м винтом (рис. Пl . 101). Масса транзисторов не боле~ 6 г,
УсJiовин эксплуатаuии - в соответствии с табл. П2.3.
1 • Эле~трические параметры. Классификационные параметры: -.S, /с. ,
Наименование
Наq альный ток стока (tк~lO мс,
Q~ 10), мА
при Тс=-60°С
' при Tc=+lOQ°C
,,,
'
i
1
Остаточный тЬк стока, мА
Постоянный ток стока (111=J0- 6
-
;Jp-2 с, Q~10),А,
,
,
К:_П90JА
•
,
КП901Б
1
Крутизна характеристики
~ 10 мс, Q~ 10), мА/В,
КП901А
КП901Б
при Те=+ i00° Ci
.
КП901А
i КП901Б
j
•
'
при Те=-60° С~
· , КП901А
~
, КП901Б
Емкость затвор - исто({ при , ра
зомкнутом выводе, пФ
Проходная емкость, dФ '
В1;,11tодная мощность в нспрерыв-
ном режиме, Вт:
КП901А
КП90!Б
1
1
Значения.
Реж,?'ы , измерения
Обозна-
а,
а;
"'
CQ
io:i ! ·-1,,:
о
о
'"
:f
чение
':i :
.,
:,: :i:
j;' :,i
'-
:s: .о
о
(,) .о' ,
:=
~
,: е;
с:
"',;
u
:: "'
: "'"'
u
(V)
..:
":.
:;; :,
:::,
:::,
....
1онач155020020о
50020о-
40020о)
1
!
1
!
1
'
/сост13 17 1501851151i
1
,.
!
la
1
l,62,33,7 20,20 :
0,8 1,,4 1,8 20 20• 1
1
i
1
i
1 !:·
,'!
-'
s
50 110 160 20
500
60 130 170 20
500
20
20
500 ':
30
20
500
\
t
30
20
500
40
20
500
!i
~' 10
'
•\
1
.
Рвых
1 ','
\-\\·
,\''\
10
50 •о
100
6,7 8,9 9,~
50о
юо

Значения
Режимы измерения
·f
ji.:
·!j
НаИмен:ОваНие : !
; qб9зна~ '
(чение
1
1 а,!
:~
!'t 1'
Коэффи~иент усиления по м.ощно
сти, дБ:~ 1
КП9ОjА ' (Рвых= 10 Вт)
То ще в другом режиме
i
1.
Коэффициеlнт полезного действия, .
%'
КП901А JРн ·ь1х= 10, Вт)
!,
Кур
10
7
t::
if5
'
13
10
35". :,40
16 50
12,5 50
44 50·
о
о
о
60
Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре кор.
пуса Ти , -;-60..,+100°с.
1Ь>тах -+ ~остоянный ток стока:
А
4.
Иси тах ·-
постоянное напря-
жение сток - исток·, В
.
.
.
·10!
'
Иси пи,, - пик~во·е • напряжение ·
сток..lJисток (tи:,;;;;1 мс), В. 85
'
11
'-
U сз max +- по,стоянное напря-
же~ие ~ток'- затвор, В , 1
,8q
.
t
/]
i':
~ сз пик :- пиковое напряжение
сток Г затвор, · -В
100
Uзиm~x ' -
постоянно_е • напря-
жение затвор<- исток , В .
,:±30
\)
'
Р max - ~остоянна~ рассеивае
ма; я мощность, Вт . .
,,,.20
j,
Полусти~ая - температура окру~ i :
•
жа1qщей среды , 0 С .
-60...+ '100
: :···!
'
'.
•
'
!;
!f;:·,,
1j"i
-----
:1;.
'·.1;:1
1 > · В ! и'н'!'ервале tei,нiep. atyj) ·: T~·- ь
Pmax !Вт}., \= У20 [11- - i (Т11 i '- 2 5)0:25];
•·1·
.
-
:.
.
.
.
бо.,.+2s0,~./1~~1 ·~~: eh. , + 25 .. ,т :1~~0~
о·1ZЗч56
8[J1Q
.i ,1, 1111:1 ·11;
1'/i, "!
:11,i:;,.-. 1.:
:t;1i~·;1,;1:'
),'!
'
612 1,;

S,нА/В
----
-
-
-
-: :;bJ
l,t
·11
· t .{100NHC
-
/
11П90Iб
6
Г = ZОГи,
:
80
/
-
fг-
1/
i<П901д
1;
z
:
зо
.,, ,. Z4
--~
r,.,,- - 18
15
~-
1Z9
?
li
зв --
Изи-а
БО
ч-0
J v....
-
1"--..
//;, ~-
'',
~
;-. ,
/
Иси= zов
/
,,J
"
zo
40 БО
Uси,II
о
U, Z D,'-f 0,6
. 0,8Ic,A
,-.1 ,,
~~.s.мд/ В _ Иси = 20В
•-IВ'О
_
l c= 50Q~A,
r-...
--
~
160
,_
.. .;
,,
-
г---....
~·-
140
Г"" .__
....
--
1 ........u ...
~-
Jснач,NА
1
-
-
-
-~
_
...
.....
-
---
--
--
---
10Z=
,,
~
120
г- ....
i
,-. ~
~
, . К П901Б';__ -
100
--
✓
КП901А -
-
1-
-80
--
·-
..
60
-
1
Иси=ЩВ
101
"
с
---
-
--·~
--
_1...
11
40
~ ... ...1
-
-
1
- '-10-zo о Z0 40БО Тс,0С
,•., •11'
111 111 11 11111111111 11111 1111111111 1 11
20
21i22
23.
КП902А, КП902Б, КП902В
V
~
1
Общие с веде11ия . К ремниев ые планарные, МДП с изолированным затворо•
и п-каналом волевые транзисторы предназначены для работы в приемно-усил11-.
тельной, пе р едаю щей и другой аппаратуре.
Ко рпус металлоr<ерамический, герметичный, с жесткими выводами и монтаж~
ным винтом (рис. Пl . 101) . Масса транзистора не более 6 г.
Условия э ксплуат ации - в соответствии с ·табл. П2.3,
.
Элекrри•1еские п а раметры. Класс ификар.иоI1ные параметры_: S, Кш,
,.

Значеи11я
Режимы измерения
На :~менова fi~ie
Обозпа-
QI
,_
.
.
..
,·
J-lача ,1ъный
..
~;л
ГО!( стока,
при Тс=+85°С
при Тс=-45° С
'
Остаточный ток стqка;·, мА
.._
-.
То!( утечки заrвора, нА
Активная СОСТ3ВJIЯЮЩаЯ· 0 1;!ЫХОД
НОЙ проводимости,. - ~щ.С;;~
·.
~•. i,
·-.-·
··- ·-·
и,. -
-
--
-
Крутизна ха рактерис;~·ки,• мАf В
при Тн=+85°С
ПJJt'~Т"= -:-::t50 с ...
,,
Входная бll(Ость, пФ
Выходная емт<ость , пФ
ПроJtодная ем1,оет,ь, пФ: -
КП902А, КП9ЩБ
KQ902B
-
-
'
-
·--
Коэффициент шума, дБ: •
-
~..
.....
КП902А
-·
КП902 В
Коэффициент усиления по мощ-
IЮСТИ (Рвх=О,3 Вт)
_То же в другом режн:-лс
LJение
··-
!С нач ··'
1с ост
s
·
-•
С22и
С12и
Кш
1( ур
QI
о
""
""
-,:
:,
о
~ ::r:
"'
·5- -
:s
.....
о
u"'
. : :s;:.
::е:
е:·
"'~
м
u
:,:
:-;i СО •
,.
~~.
__ ;:,
::::,
...,
.__:
a:oOJI .:;,
50
10
о
1550о
1050о
1
.
/12/3оl190l50/оJ5o/
1
10192550
50
8
1
142250
50
10253050
50
.
71101•111251о
1О
8,О/8,5111125/о
10
-
,·
0,31 О.;5 0.6 25 о
10
Q,,8 --
10
..
,_
3,4 5
650
50 250
850
50 250
-
6,6 13 15,4 50
50 250
1,72,9 4,050 о
400
Мат<симальная отд,шаемая мощ 1
/
1
1
1111
1юсть (Р~х=О,3 Вт), Вт
-
Рвыхп~ах 0,8 1,2 1,8 50 О
6()
f1\аксима.1ы10 допустимI,Iе параметры. Гарантируются при те"н:ературе 1<о р
пус а Тн=-45 ... +85° С.
1 Ь)шах - п0Ьстрянный ТОТ{ сто1{а,
мА...;
.
.
.
.
.
.
.
200
Иси шах - постоянное
.
-наор,~:
жение стq1( 7 исто!( (V зи =
=О,), В ,: ..
.
.
.
:..60
Иси, 11 шах - ПИJ{рвое напряже-
•
'
1
ние СТОК - ;ИСТО!{ (1и~ 1 мс,
- ----'.~ ! !
Q-;;, 100), В
......
,
70
Изи max - постоян11ое
напря-
жеiтие зат'IJор - исто1<, В
.
30
P,;Jax - постоянная • • рассеи -
ваемая мощность, !Зт
.
3,5
Допустимая · темnсратурD 01<ру
жа1ощей сред~,, 0 С ,
-45...+85
1 > При Ти ;;= ,25 ... 857 С необходимо линейно уменьшать !стах до 130 мА,
2l При Тн = 2'5 . .. 85° С необходимо линейно уменьшать Ртах до 2,5 Вт.
614

зоо
Z50
200
150
100
50 1/I
,~с.,.
~
I
,/
/J
V v.,.
/ /./
'/ .1'
~,
-
"' ...
.v·
11
l/
1,/ V
V .,,-
1/ _,•·
;
;
Uc,~ " 508
...,-
v
21;.о ,,-
-
·-
700
Uзи=9В
Vв
160
/V7
VV
'--'--
120
,v 1.,,--
i--
-
6
//,.,
5
80
40
{/'
ч
,.,~
з
J--
у
а-
о
5 70 15 ZO 25Изн,В
о
tD 20 ЗD 40 Ис~,IJ
S,м
zo
15
10
5
А/В
/
,
'
,
)/
,v
н,...
/
L-·1-
,_j -
~J
'
..,
'"
'
•-
· Г---.
r-...
1__
'..,
__ . Uc1i50B
i11
а чо во 120 Ic,NA
:f',
- .,___
1
'
10
l?.
"
-
r--
1-
i,, --
С11и .,::
!',
~
\
"
r-..
'""'
.,,..,...
' 1:)!S< Р"'-
1-
1#' 1"' •
С,11~ <::
,..._
~
в
1-
~
с
5
10
15
S,нА/ В
'
!",
Иен= 508
·,
I с=50нА .
.,. .___
30
1
.... _
·-
,_
-
,._ ,_
--
-
-
1
ZD
1
......... ,_
1
,_ ,_
'-
.... _
·-
1
__ ,_
10
1
'-
1
i
-БО-чО-ZD П ZO 40 fiO Тс,0С1'
r-..
... ..
---
t--
,_._!:>сни
L,,
---
t--
k~-.... .
'/
.....
1
,-
--~
-,-+--
... _
r-,
t--t--
0,4
'-
I с=50мА •
~
-~- - ·--
-
a,z
za

,дБ 1\.
'
Ic= 50мА
'"
НУр,дБ . JG =50.мА
12
'
'
f= 400МГи,
•!
.....
i
--1---
-- --
~
'-
-
... -
-
1-- -
1
---
-
,__
--
4
1
4
1
f]
10
lO зо 40 • lfcи,B
10
zo 3U
40 lfcм.;B
11!1/illllj! III/IIIIJI III/ II IIJlli l ll
20
21
22
23
'i
...... .
КП903А, КП903Б, КП90ЗВ
1
.
() бщие сведения. Кремниевые эпитакси ал ьно-планарные полевые транзисто-
ры с ! n -кан,~ .пом и затвором в виде обратносмещенного р-п-перехода предназна
чен ы ; для , работы в приемно-усилительной, передающей и другой аппаратур€ .
Корпус металлокера м ический, с жест1шми выводами и монтажным винтом
(рисJ Пl .101) . Масса транзистора не более 6 г.
;
rсл о~:шя эксплуатации - в соответствии с табл. П2 .З.
'
/Элек трическ и е параметры. Кл ассификационные параметры,
1•1
Нащ.~~нование •
,.
;
Начi~льный ток стока
(tи:% 10 МС, Q~ 10}, мА ,
,1 КП903А
• КП90ЗБ
КП903В
Обратный ток пepexoii,a
затвор - сток при ра
:з<омкнутом выводе , А
Ток ' утечки затвора, А
Остаточнь1й ТОК ' стока,
А:
' IЩ903В
' 616
Обозна-
чение
/Снач
/С о'ст
Значения
Режимы измерения
<l)
.,
"
~-
~
~
о
о
,о
<
·=
"'
==
:s: u :,;
=.о
о
u.,,
·о
=,;
"
"',;
="
=
., .,
(f)
(f)
~
:,; :,;
...
:,; :,;
::::,
::::,
::::,
12045070010о
6025048010о
9045060010о
1 1 11.Jo-вl 1. l201 1
ё:€
-

1
· Обозна-
1
! Наименован не
ченис
'
:
НаЩ1р1;1)кение
В: Изи оте
qтсеч!,iи;
П903А
КП903Б
}4П903В
Крfтиз:на характер!!•
стики (tи~10 мкс),
s
мА/В:
..
кп·~юзА
КП903Б
КП903В
при тс=+100° с,'
КП903А
КП903Б
КП903В
при Тс=-60° С;
КП903А
КП903Б
КП903В
Сопротивление '· • стЬк _L, . - 1: ••·,:
\-:,1
ИСТОК В ОТ!<рЫТОМ состо-
яliй'i1 ' 'Гранзи'стора, Ом-:-.:,:
' '-КП903А
'.
КП9Ь3Б
' ' 1<:Ii903B
·.,
при Тс =+100°С:,
КП903В
при Тс=-60° С~ .
КП903В
Емкость затвор -
при · ра зомкнутом
де, пФ
/
Емкость затвор -
при разомкнутом
де, пФ
Электродвижущая ·
ла ~ума, нВ/1/Гц
сток
вwво-
-·
исток
выво-
си-1
Коэффициент усиления
по мощности в схеме
резонансного
усилите-
ля в режиме класса А,
дБ
Выходная мощность в
схеме резонансного уси -
J1ителя в режиме класса
А,мВт
·-
Rси отс
;
Сзсо
Сзио
Em
Кур
.Рвых
'
Значени я
QJ;
.,
о
о
·=
·:3
:S:,Q
~~; t::
"'
:i:;;
,_
5
,6
1
2
1
3
!
'
:
85 ,125.
50 'i15'
60
115
50
30
40
85
50
60
)!1{
3
5
2
5
2
5
12
13
14
15
7,6 11
!Ю 1..~
.
Р~жимы изы ерени я
~
~
щ:<;\,::f·
:s: u
:,: ·
-
~
:s:
i~
·'
u
О')
с>')
u
,.
~
:::,
:::,
:::,
....
,-
;.
1 ·.•
12
5
0,01
'
6,5 5
0,01 !
10
5
О,.01 ! -
·'·
'
1
'
1
!
140 10 .о
10-1
130 10 'О
\\·,
10-•
14010о
10- ~
10о
10о
10 О/ ...!,'- ,,
/.1•,: .,
.,
,,;·,.
\i,
·,
10 _;, 01
ioо··,
.,
10о,:,
.,
:ii\\l!
;:
1
'
''
9,8
.0,2 о
.
'
'
;1
210,2о
'.
"
100,2о
'. ,.
'
'
•,:
100,2о
~...
'
-
100,2о
01·
1,5
20
ю
: . : 1'1'1,1
~"!'
18
15
10
''
,.
':
;'·
1610о
,80
.·•
·L· •
"
"
.
60010о
·!
·
,·
'
,.
, 617

.
1\'\аксимально допусrимые параметры . Гарантируются пр-и температур(; кор,
пуса T11 =-q0 ... + I0ti~ С.
/ с шах - аостоянный ток стока,
А .......
0,7
l 3 rr p m а·к - прямой то1( з.атвора,,
мА,,
.•.
.
.
.
.
.
,
15
ИЬ~ m ax - постоянное
напря-
жение сток - исток, В
.
.
.
20
Изи ma x - постояннс,е
напря•
жение затвор - исто1t, В
.
.
15
и зс тах - постоянное напря-
жение затвор - сток , В
20
р~)ах - постоянная р·ассеи-
ваемая мощность, Вт . . : , 6
Т п - температурз п1.,;:~ехода, 0 С + !'50
Rт. п-~; - TNJЛOBCf сопротивле-
ние пtрех -щ - корпус, 0 С/Вт 25
Допустимая т.::мперэтура окру
жающей среды, ., С ,
-60...
. +ЮО
l) С учетом напряжения Изи, Иси тах < Иси + Изи·
2 > В диапазоне 11емператур....:6О.,.+25° С. С, увеличением -Т к от 25 до 100°0
Ршах = (Тп - Т'к)IRт,п - 1,•
Ic,MA
rюа
500
чаа
300
zaa
IUO
а
1\
\
1'...
r.,
\
"
\.
1,,. -
'
//
'\/
""'
/
"'
1/'~ .х
К.
• ""<... _
.r--- '--
'''z'
---
f?КПЭUЗА , КПЗ,038 -
--
L--
~
l'J
.... ,
1;:11
,.
1Иси~ 1ов -
КПЭОЗБ ·,
'k
........
r,
... .,.. ..,. ...._
'~
........
"r-,
-h
....
....
- -1'.
4
S,мА/8
1БО
[
,
1Z0
,,/
/
i.-
--
~
/
t,.,"'
'
'-
--
--
80
--
-
f/
L.:
40 11
Иси~ 108
--
о
100 zoo зоо 400 1с,11А
618
rс,нА
БUО
'--'--'--~ tu=1Ц нкс
,.: ,
500
400 /
зоа
.,,,
-:J::±:;;j:::jA-t --t 1в
ZDO
1;"" -
Ht-J::=:::Ьj....1.-+-""F"1 2•
3
~
100 ,
lf..J-1-.-+-Фe~~~ 4· h
J
'6.•
71'
[J
10 zo 30 Чi~,в
.
1
~::
:)
1
1
601
1\
1\\
r= 1D5..,101rц
\\
,--
lO
\~,
,,~ --
--
-:-.'-
о
1/J
zo заu3,-В

S,мА/В
80 1----t- ---f '--r--- --4
60 1----t -- -t - -- -+-- '--- +--+-- --. :J
чО
D
BD
i'•'
''~
..
•.
1111111111111111 111 11 11ij .i11111i!!jij1 1j i111 11 !1.ij !1), ~ 1 1 1
.19
;>О
71
:22
73
о
ча
IЩ904А, КП904Б •
8D
--
,.1
Uзн= о
lltи=IOBc
, Обuше. с.ведеН11я. • Кремпие·вые вьJсокочтстотн·ьiе ш~анарные с . »золированным
эятвором и п:ка11алом · полевые транзисторы · предназначе.ньi длн генерировюiия и
-;усилени51 сигirалон · КВ и УКВ диапазонов в при~мно·-JJередающих • устройствах
·И другой ап[]lаратуре.
'
Корпус метаJ1Jюкерамичес1<ий, с жесткими выводами и монтажным винтом
(рис. Пl.102). Масса транзистора не более 45 г.
Условия э1<сплуатаци11 - в соответствии с табл. П2.3.
Электрические пара.щ~тры. Классификационный параметр !с,
;
Значения
Режимы измерения
Обозна-
cu
cu
cu
щ
Наименовын,~
о
о
,о
щ
;:!
чение
';s:
.,
;s::Z:
:s:
<(
i:...
;s:"'
о
<J"'
:s:
::;z
;s: е:
,::
s: е:
с,
"' '"'
;s:
"'"'
u
(У)
:Е :Е
...
~:2
:::,
:::,
...
...:
Начальный ток CTOi\a (1" =1о- 6 •••
... 10-2 с; Q~10), мА
/ нач
6
7035020о
прп Тс=+100° С
50020о
uри.Тс=-G0°С
50020о
Остаточный то1< сто1<а, мА
i
]\руtизна хара1'те ристи~ш (lь=
:
i.,-.\
.
,=
10-в.. .10-2 с, Q~ 10), мА/В
s
250 390 510 20
1
при Tc=+l00°C
100
при Тс =-60° С
150
,.
619

1
·f
•
i·'_.
- -~а-именован ,,е i
~••
ЕмКОfТЬ •затвор - ИСТО!(
зомк~утом - вывод-е, пФ
i'
Коэффициент усиления по
сrи !! режи .ме класса
Рвых!;?,50 Вт
1.
при ра-
МОЩНО·
В при
ВыхоАная мощность в режиме
класс~ в, : Вл
КП~О4А
-
КП904§
Коэффициент полезного действия
в реж:име класса В, %
Обо:й~',i.
чецне
Сзио
Значенш;
Режимы измерения
!
'
'
;
"'
., ,,
(Х1
;_
!
о
.~
:is !
:::t
,О
• ~tc
."' '
"'
:s:
.,:
с...
:сд\
u,а
!§
~@!
:E:>: i
'"
:
i
200 i 230
1
i
13 : 18,5
i
i
!
50
30
49 51
:s:
:,: "
"'"'
u
С')
:е:,; ::)
::)
300
30
2555о
7555О
4055О
5355о
u
-
:;
_::
1
60
60
(iQ
60
М~к~:имально до~устимые параметры, Гарантируются при температуре [~ОР··
пуса Тн=т= -60 ... + 100 С.
•
i
1'
1t> m.k ; посто»нный. ток ·• ~тока,
А-' '
•
Изе, и max - пиковое
напряже-
• ние затвор .,... сток, В
•
•
,_
;,120 .
.
'
1
Ко/9О~А ,
•
,.,
•,
•,
5
Кф90~Б :
3
Изи ·max...: . постоянное
напряж~- j ·•· " ·
!...j
Иси max 7 . прст9янное_ напряже- ,
ние 'сток - исток, В
70
Иси, и max - пиковое
ние сток - исток, В
1:
Изс rna xi - постоянное
ние! затвор - сток,
!
!
напряже-
..
,
, 100
напряже-
В,
•••
90
• ние затвор - исток, В •
,•,!30
2/'
.'· . \,_
Рrnax - постоянная
рассеи-
ваемая мощность, Вт , , ,. 75
Допу,стимая ' темпера тур а акру-
', ,.•'i
tающей·•среды, 0 С ,
.,..,60 ..,+ l_фО
1'
'
i
_ __, , ,;i,....._
'
,
;,, ,
\.
'.
t) ~ри . Т к > 25° С необходим(}! уч~тывать }\мен1,ше11ие . мощности с темпе-
р ату рой:, '
.
:.:
,
'
,
'
'
.
.
•
2) При .,тн = - 60., .+25/ С; В,,щпервале 25,,:.. 1
.00° С, РmахЧВтl = ''75 [1
(Тк -
·'25)'1!2&, ,
••
-
•
•••
-
620

,.
/
t~4~нкс
.
,., .
··, :
зо
lr,,A
8
Uiи= ZDB
/
1
Г= ZD Гu,
l,,/
-
Z:j
~~
2D
/
8
6
IJ
2
/
-
/
. 1..-
i--
//V
1/,,V ,,/ -
/ 1/,.
1,/
/J,1
/(1
, /2~
15
~J,,...
~'/
w
7D
л./
~
-,;
1
1!зи=5В
., .,.
''
:6
4
z
[tll
'/
1i
о,
в
16
24 И'зи,В
а
zo
40
6D
. S ,мА/В
Uг.и =2D8 Сзио,пФ
l--l----l --1--1 --1---1--+- -+-+-+-.. =~ .- -J
,,.
1,• ,:,
i
'
'
:_. ... L..-t--
\
ЗDD
,1, .
r,
Z'DO l,1,11....1- --' -l--i- --1-' --1-I~\: ' cJ..:
'
'--1-' --1>--+ -1 -- --+'-' -1 .-1 --- -j
1\
1\
100
\
'
\
о
7,5 з,а 'f ,5 Б,о 7,5
ZZD
,••200
180
760
140
1,,,,. ..
-
1/V
'-:-:-, !-,-;..,:·•.,
1,/ _
,,'
,.
,
-
t-... ...
\
/1
·-
·-
,А\·\,,ili /(
,.
!--
----
'
1., /
/
1", и
1/
Г=1МГμ,,
1,!
~.
,
/
1
/\.
-4 ,;3 ,..,z ,,,- ·1
О''1' '·'Z J l!эи,В·"
[}\
,·:
.r .·, '·
r--г-r--.-,----,, ..,.·1.. -.
-,
-.1-,.
- ,..
,-. -
,,~ (.•'' ,[\Нур ·вь·,х,Вт
, 11 1- ·- '-'-+',
хμ·,•.....• ,1..- -- 1 -~
.: •fc ,=JO мА,;',. , ,'
--~
--+--+--+-+--+--.,,__,
•\
f= 10 НГu,
-18 1--i"'4--+-+---+---!-r-++--J,<ч'-f-i--'-t
Zч г-t--r\+---+--+--,----~~--1
16 /--t---+~\t--+--+--+---+--1
\
в
:':,_i,:i•
о
,'8
16,,
f=fiOMГu,
Изи=D
L--...L--1_...i_~_...__,___L-...L.......Ji I r;\
1 40 50',iт~м/
621

а)
б}'
База
r,1)8,5
r,1)1 1,7
П 1.1
ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ
Каппехтар
' ф57,, .
1
,.··;
,
.
. ос,
'
'
1
1
!!~
.
~-
--
.
1/)5,7
-
-
-
ф7,1/
n1'.2.,
ПРИЛОЖЕНИЕ t
1<.олт:кmа(]
а)
Jнurm11ep
5)
База
'

ф5,5
_2_!,б
. .J ....
т
~1
1
ФZ,5
,
Змuттер
""""'=~"'"
ктир'W.Б
~щ~
П 1,5
JO
:Jз'
~
~
fl ,:--,
-
~~
=
11
"
-
·-t++- ~
~ .,.,;-.
э'&
-
~~
111 1
""/ _
ULJ
с:;;-
-э.
.
Ф.Z,8 ,
О,7
0,5
~ ~ т ~зн_иттер
База У~1/-
Ноллентор ' •
i
'
D 1.f
П 1.,
Зниттер z
_J

/\(.!! '
:
1
n 1.9
16
Эмиттер
База
Ф5
Ба~а
Jмummtf11
Наллектт1/J11 ,
-------,'
П 1,8
База
Кvлл&нmоf)
база
• J~umтr~P
Каппехтор
0,7
'
1
База
0,635
+"'
•
(J,5
Зниттер
ФО,04
Наллентr;р
r П 1.111
П 1.12

:1,
• 1,,
1:
~.•.
, · ;ч~ за J<оллекrпор Эмиттер
П 1,13
1.
,,
0,3
RO5
U,rj ,
',,
.
!'
..::t-- ....~
OQ c:r,
~ .;:r-. -
·'& '&
П 1.1~
,1
,.,\:,..,
.::!- 4-.._......._.;..................,.._
,:::,
е:,,-
Зм u ттер
5,З
а,5
П 1.14
13, 7
Каллентар
База , Зниттер ..,с......,.;.-...----,1
l<олленrпор_
Знuттер
~·,16
Б.аза . Нал~ентар ~
,•\
,.
Тра1tщстор 8 таре
_
_
_
1111
HTJ92 L-2,2 нн, ,d - 1,4нм, ~ -7мм
KTJ07 L=О,7мм,,d=О,Внм, L =7мu
;•l'iL:.
П 1 ..1,7,
[Jl,IS
21 Зак. 503
. 625

4:'
"-
'0.
Эмиттер
.
1..
1.
i
,.
;
.1
·1·
,
',
.,' 1(.
1
ФВ l<олленгпар _
Ос,
фl,5
\'
2,5
ffоплсктор
, 7,Z
П !.22
1
i,
\ ·\ .,626
п
Ф7,З
.,,.,
'6 1.
з,z
1.20
' 0 :-: !(оллентор
а). (D ,....,)Зt:1иттер
0-База
• 1..
·•п 1,2_1
;.
zo
~
0,°-4 ,
•
''.
J
база Jнummep !(оллекrпор
п. 1,23
,.
•1

0,7
·..
Энum·mtip
База
а)
J,l
N
, Коллr:~тор
~nll .
змuтщ~р f Ноллснтор
,
База
.П 1.2$
П 1.24
1Z,1
-----
-
----
'
z
' База
!<.аллентар
-
+-
Знuттер
П·1.!7
,., ..,
:зниттер .
""' -
-t-1=-----r - ·База
Коллентор
!/.,4
П 1,28
•• 627

.,
~~.
i~~). ~
1
1
База
'
n 1.26
1;
. ;:с
'
'
!
•
Киплектор~ ~\Ц \ • :
'f
М~Ч· Э~итт~р ••
;
•п 1.31'
r.3

; ~База
'j Киллентор
Эмиттер
3
l
1
Пt. 37
Нристалл
П 1.34
i
z
J
1~
,.:т;.~.~
База
"
Эмиттер ·
z;5
Хилленtпор Л
База ;;;-
Хоплq_нтор
, (/)11 •
\\\
1. Эht1ттпер
z. Нолл,ентор
З. Бqз~
!
б
RU,4
П 1.36
Транзисrпорt1 ~ mupii" 1
'
JlJD,5
П 1.35
Л1 ,38
62i

7,7
О, !15
1
111,··
.,
·'
•
•
"°' Эмщптер
0,0
П 1.40
0,8
., .,
,:::::::,
cr,_
= /{арпус
с:, 1\''
=
, ~ФО,01/-
.,.,
ummep
6,6 30
аза
n1.41
П J.42

База
. з выви&а
а, 7.
n1.43 •
эмиттер
n 1.45
15
В 1.47
г
10
П 1.Н
n t.46
Энuттсv
ь
Ниллснтор. ,
с==
База
~ ;;::::::,~
,.
..
631

r
•632 _1
'
.1
.
...._ ,
<i'-
.
•
\'
: 1,[i
18
-
-
--
'
-~
\ · t'-....
-
~!-
,____
'
~--
"
бf-
-
.,.,,
со·
G
i
-.:
16,5
8
"0.
-
-~
1
<>с,
"0.
7'
40
- Nоллентор
П J,48
'
;
1
• База
-~
~-
--
-
/
Коллектор
База ~
z - .j ........C -- -,,.e- -
&.
П1,49
~,шттер
20,5
1/-,9
Би,за
9,z
П .1,БО '
""
1i
-
-
-
/
· знитте р
...
Знuттер
з
15

П 1,51
!
r·- '
7,5
1.,
:,
Колл1штор •.
База .
эпитmер ,
0,7
1,5
5
oz
Ф3,Z
0,12
База
Нолtтеитар
• Знu1ттер ,
., ___- '+'- -'_ а, вв
О.:;
Z,З
zз
--SЧ-'f-li'+'"~ --;Jo'l, - - j" "S - - -
П 1.53
Ос,
/lаллентор
' раза
4,5
'+
n,ч
П 1.62
Базti11
ф16
ф/1
·,.
Знuттер
t
11
!1
БаJа
1
,.
ф12_
J
Каллентор
о)
П 1.54
9,8
ьО
7
Ф17 Ф2Z
1/
фZ,2 ',.
, 11.
.
, 3,5
~ест11ая чac'rph быба8а
633 •

_
,
lб,3
1'1 -
-
'
-
1,
""}! 1<:)
1
:
~
.
'!
.
~~~
t11
hj '11 ~1r
1 1J 1-·1
111111
.... ,
t,..~ .
1.IJ · ll ·I 1.11-11 ,1
~
11•'·
JI 11,1 :1
00, ~
-
14,2
Тб,3
19,5 тах
Z,5Хб= 15
18,5 mu.x
634
1~r
c@i• ,z
2J·-
I_ 111
/',
•
,1
~~;~ ·.
·::
5
'
_
8
'
5
.
7
l ___
.
_____ _ j
l
I,Л,Лf, IY-: Еtfиiшчные тринзисторт,1е .
r . . структуры
'
1,Б,7, 12 - зниттер
2,5,8,11- Нолл·еl(тцр
J,11-,9, 10-База .
? ~г--.••
--~
•
-
_
.
'в
б,
9
1
5
•
1[J
.3~
-
~
12
2
13
1
,
l't
L------ ~
I,Л,Ш, Л-Еilини'lные транJuсторныt:
_cmp!/Km.!JpЫ
Z,б,9, 13 - Кuллектор
1, 5, 8, 12 -БaJII
3, 7, 70, f'f -Jниттер
15 -Кор пус
' f,11 -No uotJнмi
П1.56,а,6

П 1.57
. З,65 ••
11
ZJ
zo
,.,
J
-6аза
,Pl,5
···1.:.:-:.
_\i !·:
,П;1(59 1:
'
П 1...
П .11

G36
lflJ/llteкmop
""
с::,·
_,,_
l<оплентор ,
Эмиттер
База
г,5
.,.,
"'
"' "'
& {:).
п, 1.61
1З
С:.ЛоiJы поОернуть1 услаОна
П 1.62, а
ZБ
13
Пl,62,б
' ,',,
f'1
7"1
~-
-~
--
l'
1
\j
10
90
'
30,5

•
R5 Ноллентор
:..
i ,_ .L\~-"~---ч---··
---- ----
,5
·, ' ··.;,,,.-.-·· 1 п-Ьl~г
-,; -'-' ,_ _,_ __ _,
-
.!
""
~ ..-;+г--т::::1=:с::::;J
§)
n1.65
637
...
,',

•
ЗБ'
П 1,66
J11ummep
П J.67
18 Коплсхтар
'• ,~
~1
-
-
N
~
,_т
N -f---
-
'&
-:--::1-- Фl,
-
'
-
1
Z5
З,8
1
:;.
-
'
Р 1,68
-
11
1z;s
i'
:
-
-
zz
n 1,09
О,З

i
1
!
•..:- •
25
13
11 1.70
,i't:::i-
~l ;J><>~~.;;,i
15,5
Энuттер
, t,З,05 - :.7,в
---=..о=-'-- База
Jнu ттер !<.оппехтор
1IJ 1.. 71
••:':"и< •
-
~-. - >~-
э,штте.р _ База
• Трqнзuстор 8 таре
ri .72
•'
639

_
,
Нрu'сталл
П t.'13
ll,5
640
П 1.'14
ф!З
111
Эмит тед~
i КоллехтоЬ :AJ. ~ ~ ~
•
l _;;' ШJ.4~~15)1\j~
П 1.75
База
П t.76
Диад
база
zz
1
~~•·''
!,
-~' 1
1/'
11
:Jnummep
---~
.л
1
1

Б,8 i.
~
19
Зниттвр
'
'··
27
'·зниттер
6,З
База Знuттер Ноллектор
П 1.78
П 1.79
,.
t-,..: l
.....

fi)
База-
·i1
. •l·-·· s. л
П 1.81}
Зч, 7
1,Z
t
''
!
1
!

З,5
~<:::,
0- .,
.,..,
с:,~
3,3
15, 7
-
.,_
0,15
1/,1
3
:JrJ
П 1,82
.\1
?.0,5
l{аллентар
Z,6
[1 1,83 "
n1.84
643

.,
- )\\'\',\1. \\
•'
\1~
11
Колщ11тор
()1.85
.:~:lf,.
..
·и.
·r···;
•
,
·,
Исток
.
i :, . Затбор - 1<орт;q ,
ф5,8..
.
..\
а)
Затбор +
€-14
n 1.в1
7
15} .
Сток
и~· тох
!?JЧ,15. ..,,.
/
.n1.,86
3

Транзисторы 6 таре
ф9,IJ.
Ф8,5
Кристалл
=р 11-исmои
i
.~зJатбар
=1Сmок
. Z,6
Сток 2
CmaliJ ,-
Затбор
~Чноr, 1
+
,+
Истан z
ПJ'.88
За твор+
Иtrпан 1
~-стан
-- -1ro.1 -1 -,- -
Исто н
•
.•' \. .';. \:~
ИстокZ• \11стон1
,п··,.011
--
---
1: ',·'1,·,. 1\i.
1\j

646
Транзистор
/J таре
П 1.D1
Корпус
_
;
ЗатVор .
.
,
J<рuсталл И~ток 4
=
"'
Затвор З
"".
=
Сток 1
=
i,З
,··,.
··:@
_
CmOI<
'зат8ор-
/1сток
.
:·.
ПоiJлшlfна
Сток·
а),
П 1.93
• Crn'oк .,
Harmyc
эamtJo
П 1.92
• 1=1З,5~ 1mt
L~ZJ! lм,м

1/)5,8
П 1.94
•
·• ~стик
Затбор - ~ Исrr.ок
5,3
13,,7
·~· сток •
•
.•
•
Нсток
Зат6ор ± .
Поilложка
. Корпус
5,З
'
-_
фl/,З -
'
1
!
-
с
~
'
li
1
(/)0,5
-
1-
.
~ стiж
ЗатВор~Исток n 1.95
Пииложка
П 1.96
n 1.97
ПоiJлож.на
l(орпус
Исток
Jam9op
l<ПЗИБ, КПЗ5И
®
(!)
JamlJop 1+ ~+Сток
ЗатборZ+~ Исток
(Обеilнение-)(J)
@Подложка
/1.ПЗIL1А ф
~;стон
3am1Jop -'cl);;~-r--~ Исток·
®-i·
(j)
(!j) - корпус
617

з11т/Jор
.
1
.,
г--
1
'
li
1
.,_
с::,•
~Стон •
~ ffcmoн •
.'
:
_. __.,.................._
_
·,
ХП9 0З
3am8op - .(d)
® ..ф
НП9 01,"!<П90Z
'
11F
+ Стон·
·®
rtcmoн
·
•• - +Gтои•
.
-
~·<D
•
:;f1· i:~ki ~t
111,101 ЗатОор ~ исто11 и '
·_
ф
'1) подложка ,'
7,2
1,5
П(99
1]48 '
z
Исток
Затвор
Jптбор
@=Стон
_' ""_.,_,__ Исток
Lr,
J
Ключ
O,J
Сто!( Hcmol( Зат8ор
1,18
' 4,g
\
1\
n 1,100
,
..
•
~f:m8H :' .
З'amOop~lftmPR

S,5
19
1
.-·
••
,
+
1.
.
~ Crr![}/f . 1''
•.. .
П 1.102
i.
1/
Иcmd/f
Зит8ор ~IJL- нr:ток и rt,oilлoж!(,a •
i
,
,!
:,
\ \ П'РИЛОЖЕН ИI:: 2
ПРЕДЕЛЬНЫЕ' УслЬвия ЭКСПЛУАТдции. ТРАН~~'сtбРОВ
ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ФАКТОРОВ ОКРУЖАЮЩЕЙ СРЕДЫ
ТаблuцаJJ~, 1,.
Воздействующий фа1<тор
От нщ.1,~_тельная влаж ность воздуха при температуре 35 - 40° С, %
Пониженное атмосфе р нре давление, ПА (Н/м 2 ).
•
По щщ~ююе давление воздуха , ПА (Н/м 2)
Виб,р,ация в диапазоне ч астот 1-2000 . Гц, g
N\.н оrоl(ратные удары длительностью 1-3 мс , g
Л и нейные 1{агруЗl(И, g •
П р[н " е ч а II н я: 1. МноrоI<ратные удары до 100 g для транзисторов
2. Л иней ные на,:р узки до 25 g для транзисторов ти па ГТ320.
95
2,7 - 10"
3- 10~
,t. 10
'i 150
)НЮ
типа ПJ24,
•Тq,бkица П 2. 2
Возде й стnующиii фактор
В ибр ац ия в диапазоне частот 1-600 Гц, g
N\.но го1фа ,ные уд а ры длительностью 2-6 мс, g
Ли нейные нагр узки·, g
•
1
!
l
10
75
25
П ри м ечан ия: J. Остальные фаI<торы в соответствии с табл. П2.1. 2. ·многократные
удар ы до · 100 g для транз.исторов. типа IJ 422 . 3. Линейные нагруз к и до 150 g дл я транзисто•
ров ти па КТ502. КТ503, КТ8 ! 4, КТ815, 'KTS I 6, KTSI 7, КТ818, КТ819, КТ820, КТ82 1, КТ822, •
КТ823. ·КТ940.
•
.. ,,. ..
...
:.#·'
,_,, ,
•

1',1.·
Воздейсi~ующий фактор
Вибрация в диапазоне qастот 1-2000 Гц, g
Линейные нагрузки, g
15
~50
.
.Пр им е чан и я: 1. Остальные факторы в соответствии с табл. П2.\. 2. Многократные
удары до 75 g для транзисторов типа ГТ\22, К720о, КТ209, КТЗО7, • КТЗ24, К:ТЗ69.
3.' Лин ейн ые нагрузки до 50 g для тра н зисторов типа ГТ122, КТ206, К:Т307, К:ТЗ24; КТ326.
П605 ,' П606, П607, П608, П609. 4. Вибрация до
.. (, g в .~иапазоне 1-5000 Гц и многократные
удары до 1000 ,1 для транзисторов типа К:Т202, К:Т2!0, К:Т918.
Воздействующий фактор
Вiiбрация в диапазоне частот 1-600 Гц, g
Линейные н~г11,узки, g '
П.Р им е • . ан и е. Ост~льные Ф,акторы в соответствии с табл. П2.t.·
списан ЛИТЕРАТУРЫ
Таблица П2.4
, \ Знач _ение
'· 10
150
1.. Транзисторы: Справочни~/Под ред. И. Ф. Николаевского.
-
М.: Связь,
1969.
-
623 с.
2. Берrельсон И. Б., Минц В. И. Транзисторы биполярные.
-
М.: Сов. радио,
1976.
-
56 с.
: 3. ГОСТ 10862-77 . ПриборLI r.олуriроводниковые. Система обознаqений.
4. ГОСТ 20003. -
74. Транзисторы бипо.1яриые. Электрические параметры. Тер•
мины, определения и буквенные обозначения.
.
5. ГОСТ 19095 - 73.. Транзисторы полевые. ЭлектриqескиЕ> параметры. Тер.
мины, определения и буквенные обознаqения.
6. Столярский Э. Измерения параметров транзисторов: Пер. с польск,
.
А. А. Визеля/Под ред. Ю. А. Каменецкого. - М.: Сов. радио, 1976. 288 с.
,., .

,дf!Ф~~Щ~0 -ЦИФРОВОЙ УКАЗА ТЕ ЛЬ ПРИБОРОВ, ПОМЕЩЕННЫХ
В СПРАВОЧНИКЕ
•
'1
'
l ;.{_
J! 1'•!i
1 ';'
:
гтi68 33
К:П307
597
К:Т352
154
КТС622 ' · 3'58'. ,, · КТ935
501
ГТ109
34
КП308 599
К:Т354
249
I(T624
360
К:Т936 503
ГТl 15
42
КЩ12
601
КТ355
251
КТ625
362
К:Т940 504
•fti22' ' ; ,,49 .·кп3'13, 604 ,
К:1'357' • 156
' КТ626
463
К:Т943 507
,·. ·IПF ~24 ,
5·1
к_П314
606
- КI:358 . . 15,9
.
kr.529 ' 365 •.
КТ3102 ' 202 .
- '·ГТ125' ·,,
53· 'КП3·50 •
"608
КТ359 .,
• 16-l ,<
I(T630 '
. 366 КТ31.07 204
.ГТ3О5
96
КП901
6i"i
КТ360
254
К:'ТС6'31 "'370 , , · мп20
11·
ГТ308·,. ·
101
КП902
613
К:Т361
163
КТ640
383
МП21
11
ГТ309
104
КП903 616
КТ363
260
КТ704
401
МП25
20
ГТ310
106
I(П904
619
К:Т364
166
КТ801
414
МП26
20
ГТ311
2_\ О
КТ\04
56
КТ367
263
КТ802
416
МП35
26
'
ГТЗ!'З . ... ''2 '13
КТ! 17
43
КТ368
266
КТ803
419
МП36
26
ГТ320 "
119 •КТ\ 18
45
КТ369i 170
КТ805
421
МПЗ-7
26
ГТ321 •:123
КТ! 20
47
КТЗ70
269
I(T807
425
·мп38
26
·tt"з"2'2'·' _! 126
КТ201
60
к:тз11 •i , ,
27'2
''
'1<:tiз'o's 427
МП39
29
ГТ328
' 225
К:Т202
62
К:Т372
27-5
КТ809 .· 42.9
МП40
29
ГТ329
227
КТ203
64
К:ТЗ73
173
К:Т8l2
434
МП41
29
ГТ330
229
КТ206
67
К:Т3 ,75 1 И7·
I<T81_4
.,_,4,З,6
.,
~п~2 31·
ГТЗ38
234
К:Т207
69
КТ376 278
КТ815
439 , МП\11
37i '.
\,
<'1 1}
'
1
•
'
'
ГТ341
238
КТ208 - 72
КТ379
179
](Т81 6
441
МП!l2
37
ГТ346
243
КТ209
76
КТ380
182
КТ817
444
МП\13
37
1\1
11:1
,,
кt:з'82 ... · ' ~во •
;
кt'l!t~ 447•·
'MПt'l4'
ГТ362
257
КТ210
78
40
ГТ3.76
278
KT2l4 .
81
КТ384 . 185
КТ819
449 МЛ! 1_5
40
ГТ383
283
КТ215
85
КТ385
186
КТ82 0
452 МП\ 16
40
ГТ 402
299
КТ301
92
!(ТЗ91
188
КТ82\
455
П27
24
ГТ403
301
кт302
95
КТ392 285
КТ822
458
П28
24
ГТ404
305
КТ306
208
I(ТСЗ93 288
КТ823
460
П29
54
ГТ405
307
КТ307
99
КТС394 192
КТ9 02
466
П30
54
ГТ406
309
КТ312
109
KTG395
194
КТ903
468
П210 387
ГТС6 09 341
КТ313
215
КТ396
291
КТ904
510
П2.13 3 89
ГТб\2
381
КТ3 15
112
I(T397
294
К:Т907
514
П214 3 89
ГТ701
398
КТ316
218
КТС398 296
КТ908
475
П215 389
ГТ7_03
399
КТ317
116
КТ50 1
311
КТ909
517
П215 3 89
ГТ705
404
КТ324
22·0
• !(Г502
3 14'
КТ9 11
520
Я216 3 92
ГТ806
423
КТ325
223
I(T503
317
КТ912
477
·П217 392
·ГТ810
432 : ·КТ326 • •128
KT60 t·
•3 20
I0)91 ·3
52.3
П302 . 395
ГТ905
471
КТ331
130
КТ602
322
I(T9l4
528
. ПЗО3 395
' П906
407 · кт332
13[•
К:Т603 • 325
КТ9!8
53[
П304 - 395
КП!Оl
560
I(T333
133
КТ604
328
I(T9 19
535
П306 395 •
КП103 56'2
КТ337
232
КТ605
330
I(T920
540
ПЗО1,
89
'КПС1•0'4 565 КТ339
236 · "I(T G0'6
373
КТ921 • 481
П308
89
КП20l
568
КТ340
137
КТ607
37G
КТ922 . 484
П309
89•
' КП202 ' 57·5
КТ342 ! • 13·9 • КТ608
· 339 •'КТ925
54,1 -
П4lб 19 6
КПС202
572
КТ343
142
I(Тб 10
378
К:Т926 4 89'-
П4·22 200 •
: · кп301
578
К:Т345
240
КТбl 1 344"
I(T9 2·7
491
П605 " 332
КП302
5so ·
КТЗ4'7 '24 6
КТСб\3 34 7 • КТ92 '8
: 496•
.П606 33 2
КП303
584
КТ348
145
КТ616 351
I(T929
548
• П607
336
К ПЗО4
587
1(Т349
148
I(Tбl 7
353
КТ930
551
П608 , 336
К П305
590
КТ350
149
КТ618
355
I(Т9З1
498
П609 336
КП306
593
КТ351
151
КТ620
356
КТ934
555
П701 4 09
11702 4 12
1
,.

,·f J
·: ...11:
СОДЕРЖАН_ ИЕ
3
Часть !.
i1
ПАРАМЕТРЫ И УК:АЗАНИЯ ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ
,i
1.1 . Классификация транзисторов •
45
..,
1.2 . Конструкция транзисторов
1.3 . Электрические параметры
.
.
.
.
.
.
.
.
i....8
_ ! 1 J .4 . Зависимость электрических параметров от режима и температуры 1()
• , 1 1.5. Вольт-амперные характеристики
.
.
.
,
[(}
, 1 , 1.6. Ре1<омендации по применению транзисторов
.•
12
1.7, Указания по монтажу а эксплуатации
,
15
i'
,j
•1
Часть / !.
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАI-J ЗИСТО -РЬ!
.т ; 2.1 . _Транзи~торьi малой мощности
17
/1._иq.пазон низких частот
17
~i\ .
МП20А, МП206, МП20В, МП20Г, М:П20Д, МП21В, МП2 -LГ,
; :: МП21Д, МП21Е .
.
.
.
.
.
.
.
.
•-
17
МП25, МП25А, МП256, МП26, МП26А, МП26Г .
-
20
П27,П27А,П28.....
•
.
.
.
.
.
24
-
, , 1 МП35, МП36А, МП37, МП37А, МП376, мпзs; МП38А .
26
1 )! МП39, МП396, МП40, ·мп4ОА, МП41, МП41А.
,
,.
29
МП42, МП42А, МП426 . . . .
31
- ,1, ГТ108А, ГТ1085, ГТ108В, Пl08Г
.
.
.
.
.
.
.
.
.
,.
33
J,:1 П!О9А, П109Б, ГТ109В, ГТ109Г, ГТ 1 09Д, ГТ\09Е, П109Ж,, ГПО9И 34
МШ!l, MПlllA; МП111Б, МП112, МП113, МЛ113А . .
·,
'
37
,;,,МПI14,МП!15,МП!16. . . . . .
·
-; 40
', 1 ГТI 15А, ГТ!156, ГТ!15В, ГТ!15Г, ГТI15Д .
42
1\• КТ117А, КТ1175, КТ117В, КТ117Г
43
', ' КТ! 18А, КТ!186, I<.Tl18В
45
<:, КТ120А, КТ 1 20Б, КТ120В
.
.
47-
,; : , ГТ122А, ГТ1226, П122В, ГТ122Г
49
: , ' ГТ124А, ГТ124Б, П1218, ГТ124Г
.
.
.
.
.
.,
.
51
;:-; 1 ГТ!25А, ГТ125Б, П125В, П!25Г, ГТ125Д, ГТ\25Е, ГТ125Ж,
: •, ГТ125И, ГТ125К, - ГТ125Л
·.
;53
Дца~азоп средпих частот .
1·1
-
п29, П29А, пзо· . . .
КТ104А, КТ!О45, Ю\04В, КТ104Г
КТ201А, КТ2f1 l 5, КТ201 В, КТ201.Г, КТ20\Д
'
1 • КТ202А, КТ202Б, КТ202В, КТ202Г, КТ202Д
; ._I(T203A, КТ2036, КТ203В
КТ206А, КТ206Б • .
.
' КТ207А, КТ207Б,
КТ207В...
.
.
1: . КТ208А,
КТ2085, КТ208В, I(Т208Г, КТ208Д, КТ208Е,
_
КТ208И, KT208I<., КТ208Л, КТ208М .
•' • КТ209А,
КТ209Б, КТ2095, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е,
-
•КТ209И, КТ209К, КТ209Л; КТ209М .
I(Т2I0A, КТ210Б, КТ210В
•
.,
-
··
54
54
\, 56
60
62
,,,64·
67
69

КТ214 А-1, КТ214 Б-1, КТ214 В-1, КТ214 Г-1, КТ214 д:1, КТ214 Е-1 81
КТ215 А-1, КТ215 Б-1, КТ215 В-1, КТ215 Г-1, КТ215 Д-1, КТ215 Е-1 85
П307В, П308, ПЗО9 , , , ,
,
89
Диапазон. высоких частот • ;_ ; · '.•
92
КТЗО! , КТЗОIА, КТЗОlБ, КТЗОIВ, КТЗОlГ, КТЗО!Д, КТЗО.IЕ, КТЗР,РI<, . Ш5!
КТЗО2А........
,
,
.
.
•.
,
.
.
.
~
ГТЗО5А, ГТЗО5Б, ГТЗО5В . . . .
,
,
,
,
,
,
,
96
КТЗО7А, КТЗОZ,?,: IЦЗО7В, КТЗО7Г .
,
,
•
,
,
,
99
ГТЗО8А, ГТ308Б, ГТ308В . . ;
.
.
.
.
.
,,
,
,
,
.
101
ГТЗО9А, ГТЗО9Б, ГТ309В, П309Г, П309Д, ГТЗО9Е
,
•
,
, 104
ГТЗlОА, ГТЗlОБ, ГТ310В, ГТ310Г, П310Д, ГТ310Е
,
,',106
I(T312A, КТ312Б, КТ3!2В
.
.
.
.•
.
•.
.
.
•
.
.
: 108
1 : I(T315A, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315д, КТ315Е, КТ315Ж
К11315И.......
•.112
-
~ : I(ТЗ\7, КТ317А, КТ317Б, КТ317В
г.
,·,
: 116
ГТ320А,ГТ320Б,ГТ320В .......
•
,
.
,•i119
ГТЗ2!А, ГТ321Б, ГТ321В, ГТ32\Г, ГТ321Д, ГТ32\Е
,••123
ГТ322А, ГТ322Б, ГТЗ22В .
,
•
•
,
,
, 126
КТ326А,КТ326Б......
,
,
, 128
I(T331A, КТ331Б, КТ331В, КТ33\Г
.
.
.
, 130
КТ332А, КТ332Б, КТ332В, •КТ332Г, КТ332Д .
.
.
,
, 131
КТ333А, КТ333Б, КТ333]1 , КТ333Г, КТ333Д, КТ333Е
,
,
, 133
КТ340А, КТ340Б, КТ340Jj, КТ340д . . .
•.
.
•
,
•
• 137
КТ342А, КТ342Б 1 КТ342В
,
•
, 139
КТ343А, КТ343Б, КТ343В
,..
•
,
';142
КТ348А, КТ348Б, КТ348В
,
,
,
•.
, 145
I(ТЗ49А, КТ349Б, КТ349!3
,
, 148
КТ350А .•';
,
,
,
•·,149
•'
I(ТЗ51А, КТ351Б
,
,'·,151
!•' .
I(T352A, КТ352Б
.
.
.
.
.
•
,
,
·, 153
•'
КТ357А, КТ357Б, КТ357В , КТ357Г
,
,
.
'
• 156
·'
КТ358А, КТ358Б, КТ358В
,
, 159
'\КТ359А,КТ359Б,КТ359В......
.
..
, 161·
КТ361А, КТ361 Б, КТ361 В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е, КТ361Ж,
КТ361И, КТ361К . .
, 163
КТ364А,К1'364Б,КТ364В ........
,
.
..
•,166
I(T369A, КТЗ69Б ; КТ369В, КТЗ69Г, КТ369А 0 1, КТ369Б-l, КТ369В-1,
i: I(Т369Г-1
•
.
.
.
.
.
.
.
.
.
,
.
, 170
КТ373А, КТ373Б, КТ373!3, КТ373Г
• 173
: 1 КТ375А, КТ375Б
.
.
.
.
, 176
• i КТ379А, КТ379Б, КТ379В, КТ379Г
,
• 179
'
КТ380А, КТ380Б, . КТ380В
.
,
• 182
I(T384A, КТ384АМ
: 185
КТЗ85А, КТ385АМ . . .
• 186
КТ391А-2, КТ391Б-2, КТ391В-2
: 188
КТС394А, КТС394Б .
, 192
КТС395А, КТС395Б .
, 194.
''
П416, П416А, П416Б .
•, 196
: . П422, П423
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
•
.
••200
, , КТЗ102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТЗ102Г, КТ3102Д, КТ3102Е
.
.
.
202
1 . КТ3107А, КТЗ\07Б, КТЗ107В, КТЗ107Г, КТ3107Д, КТЗ107Е, КТ3107Ж, 20
,
КТЗ\07И, КТЗ\071(, КТЗ107Л
'
,
4
Диапазон СВЧ .
•
.
КТ306А, КТ306Б, КТЗО6В, КТЗО6Г, КТЗО6Д
ГТ3) 1Е, ГТ31 1Ж, ГТЗ 11И
ГТЗ13А, ГТ313Б, ГТ313В •
,
,..
КТЗIЗА,КТ31ВБ...·........
l(T316A, КТ316Б, КТЗ16В, КТЗ16Г, КТ316Д
.
.
,.
,
КТЗ24А, КТ324Б, КТ324В, КТ324Г, КТЗ24Д, КТ324Е , '
l(T325A, КТ325Б, КТ325В
•
,
,
207
,
, 207
210
: 213
• 215
, 218
.
220
,
,
, 223.
653

ГТ328А, П:328Б, ГТ328В •
225
1,· .
П329А, П329Б, ПЗ29В .
П330Д, П330Ж, ГТ330И
КТ337 А, КТЗЗ?Б . . .
П338А, П33.8Б, •TJ338B, .
КТ339А
.
.
.
.
.
ГТ341А, ГТ341Б, П341В .
КТ345А, КТ345Б, КТ345В
ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В .
КТ347А, КТ347Б, КТ347В
КТ354А, КТ354Б
•
•, ,,.,:
227
' ••.•• I',, • 229
КТ355А
.
.
.
КТ360А, КТ360Б, КТ360В
ГТ362А, ГТ362Б
КТ363А, КТ363Б
KT36r'A
.
.
КТ368А, КТ368Б
КТ370А, КТ370Б
KT37iA •
.
.
.
.
КТ372А, КТ372Б, КТ372В
ГП76А
.
.
КТ382А, КТ382Б . . .
• ГТ383А, ГТ383Б, ГТ383В .
• КТ392А ,
.
.
.
.
.
КТС393А-1, КТС393Б - 1
КТ396А
КТ397А....
КТС398А- 1 , КТС398Б - 1
',,
232
234
.
.
236
238
. 240
243
245
, 249
251
254
257
260
, 263
266
269
272
275
278
280
283
285
• 288
291
294
296
2.2. Транзнсторы средней мощности
Диапазон низких частот
299·
299
299
' ГТ402А, ГТ402Б, ГТ402В, П402Г, П402Д, П402Е, ГТ402И .
,
ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403В ., ГТ403Г, ГТ403Д, ГТ403Е , ТТ403Ж, 301
ГТ403И,ГТ403Ю........··
•
•
•
•
•,
• 305
ГТ404А, ГТ404Б, ГТ404В, ГТ404Г, П404д, ГТ404Е, ГТ404Ж, ГТ404.И .
.
ГТ405А, ГТ405Б, ГТ405В, ГТ405Г
-.
~,
•
33°079
ГТ406А
Диапазон средних •~астат .
311
КТ501А, КТ501Б, Ю50.1В, КТ501Г, КТ501Д, КТ5О·JЕ, КТ501Ж, 311
КТ-50111, КТ501К, I050IJ1, КТ501М .
.
.
.
.
.
.
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е ,
314
КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ50ЗД, КТ503Е .
317
Диапазон высоких частот
320
320
322
325
328
330
332
3~6
339
341
344
346
351
353
• 654
КТ601А...
КТ602А,КТ602Б..............
КТ60ЗА, КТбОЗБ, КТбОЗВ. КТбОЗГ, КТ603Д, КТ603Е, КТ603И
КТ604А, КТ604Б .
КТ605А, КТ605Б . . . .
П605, П605А, П606, П606А . . . .
П607, П607 А П608, П608А, П609, П609А
КТ608А , КТ608Б .
ГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В
КТ611А,КТ611Б.......
КТС613А, . КТС61ЗБ, КТС613В, КТС613Г
КТ616А, КТ6!6Б
l(T617A
КТ618А
КТ620Б
.
355
•, 356

r
,:-,'
КТС622А, 1<ТС622Б
•,-
,
1•r·,•
КТ624А...
КТ625А, КТ625АМ
КТ629А........
,
,
.
.
КТ630А, КТбЗОБ , КТ630В, КТ630Г, КТ 630Д, КТ630Е
КТС631А, КТС631Б, КТС631В, КТС631Г
358
360
362
365
366
370
1 · диапазон СВЧ .
373
'.
,.'
КТ606А , КТ606Б .
I<Т607 А-4 , КТ607Б - 4
KT6I0A, КТбlОБ
.
ГТ612А...
КТ640А-2, КТ640Б-2,
.
.
.
КТ640В-2 ,
,
:,.
, 373
376
·'
378
381
, 383
_
2.3. Транзисторы бол ьшой мощности ,
•>Диапазон низких частот
.•.
387
, 387
387
!~'
'\
1•
,;'
П210Б, П210В ,
.
.
.
,
.
.
.
.
,
.,
,
П213- П2 1 3Б, П214-П214Г, П215, .П21ЗМ-П213ВМ, П2!4М-
П214ГМ. П215М
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
..
.
.
П216, П216А, П216G, П216В, П216Г, П2-16Д, П217, П217А, 11217Б,
П2178,П217Г.......
,
,•.
1
ПЗО2, ПЗОЗ. ПЗОЗА , П304, ПЗОб, ПЗО6А ,
П701А.........
,
ГТ.703А, П703Б, П703В, ГТ703Г, П703Д · .
1<Т7С4А, КТ704Б, КТ7048 . . . . .
П705А, П705Б, П7058, П705Г, П705Д ,
ГТ906А, ГТ906АМ
389
392
395
398
399
401
404
407
• ·д:иапазон средних •tастот
409
409
412
414
416
419
421
423
425
427
429
432
434
436
439
441
444
447
449
452
П701, П701А, П701Б
П702, П702А .
КТ801А, КТ801Б
КТ802А
КТ803А . .
КТ805А,КТ805Б.......
,
ГТ806А, П806Б, П806В, П806 Г, П806Д ,
КТ807А, КТ807Б, КТ807АМ, КТ807БМ
ЮВОВА
•
КТ809А
ГТ810А.....
КТ812А, КТ812Б, КТ812В . . .
КТ814А, КТ814Б. КТ814В,· КТ814Г
КТ815А , КТ815Б, КТ815В, КТ81 5 Г
КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ8 1 6Г
КТ817А, КТ817Б, КТ8 17В, КТ817Г
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г
КТ819А, КТ8 19Б, КТ819В. КТ8 1 9Г
КТ820А, КТ820Б, КТ820В .
KT82IA-I, КТ821Б-1 , КТ821 В- 1
КТ822А-1, КТ822Б-1, КТ 822 В -1
КТ823А-1, КТ823Б- 1, КТ8 2ЗВ -1
/{иапазон высоких частот .
11,
'.
...
I0626A, КТ62 6 Б, КТ626 В, КТ626 Г , КТG26Д
КТ902А
КТ903А, К.Т903Б .
ГТ 905А, П905Б
КТ908А , КТ908 Б
КТ912 А, КТ9!2Б
КТ921А, 1(192IБ
,.
.
455
458
460
463
' 463
• 466
468
471
475
,·. ,
477
.•
, 481
655

·f
КТ922А, КТ922Б, КТ922В, I(Т922Г, КТ922Д
КТ926А, КТ926Б . . .1,
•
•
•
•
• КТ927А, КТ927Б, КТ927~ ;.
KT928J\, ; f Т928Б .
•
, КТ931А
,
.
.
.
KT935-fi _
.
•.
.
KT9p6fl,,, КТ936Б
.
,..
КТ940А, КТ940Б, КТ940В . . • . .
.
• •КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943_д .
'Диапазон СВЧ • •
КТ904А, 1КТ904В ,
•
.
.
!·
КТ907А, ,КТ907Б . . . . ..
КТ909А; КТ909Б, КТ909В, КТ909Г ;! ·
КТ911А, КТ911Б, КТ911В, КТ911Г ,1 .
КТ913А, ; КТ913Б, КТ913В
• il.
КТ914А: . . .
I(T9 I·~A, i КТ918Б .
-
.
.
.
.
1'
КТ919А, , КТ9!9Б, КТ919В, КТ919Г
КТ920А, КТ920Б, КТ920В, КТ920Г .
КТ925А, КТ925Б, КТ925В, КТ925Г · ;.
.КТ929А . . _
.
.
КТ930А; КТ930Б . . .
..
.
,..
.
КТ934А,: : Ю'934Б, КТ934В, КТ934Г; КТ934Д
ПОЛЕВЫЕ 1J':ЛН;И1СТОРЫ
·[
484
489
491
495
498
5Ql
i 503
;,. 504
50.7
51G-
5Ш
514
5L7
520
,523 _
528
•.. : ,53[
535
540
544
548
551
555
КП!ОIГ, КПIО!Д, KПI0lE . .. . . . .
,
,,
.
,.,
.
,
КПIОЗЕ, КПIОЗЖ, К.ШОЗИ, КПIОЗК; К.ПIОЗЛ, КПIОЗМ, КШОЗЕР,
560
560
К:ПIОЗЖР, КПIОЗИР, К:ПIОЗКР, КШОЗЛР, КШОЗМР • .
.
.
.
КПС104А, КПС104Б, КПС104В,' КПС104Г, КПС104д, КПС104Е .
КП201Е,' ·кп201ж, КП201И, ]ф201К, КП201Л . .
КПС202А-2, КПС202Б-2, - КПС202В-2, КПС202Г-2 .
.КП202Д-1,
КП202Е-1...:;..,
.
•.
.
tн~g~~)lШ8~f: ~\~~-~~~~-к~зо~г, :кп~о~~м.:кп~о2~м.jК~ЗО2f~:
К!ПЗОЗА, КПЗОЗБ, кпзозв, кпзозt, кп;зозд, КПЗОЗЕ,: кпзо.зж.
562
565
568
572
576
578
580
Iфзози......•
.
.
.
.
i•
' ' • ' · ~Й~~lд, кпзоsЕ, •кп'зоsж, •кriзо5Й : !•:
, КПЗО6А,
КП306Б, КПЗО6В . . · . .'
.
i........
КП307А, КП307Б, КП307В, КП307Г, кпзо'7Д, КП307Е, IЩ307Ж ,
Юi1308А, КПЗО8Б, КПЗО8В, КПЗО8Г, КП308Д
КП312А, КПЗ12Б . ,
.
.
t<Л$IЗА, IЩЗ!ЗБ, КПЗIЗВ
Kh3I4A......
:Кfi~5.0A, КПЗ50Б, КП350В
,J,(ГJ~0 1А, К.П901 Б . . .
КП~О2А, К.П902Б, КП902В
~П903А, КП903Б, КП903В
.
:ff_П904A, КП904Б . .
•
;,
'•
584
587
590
593 ~
597
599'
601
604
606
•. 608
• 6-1l
.
: ()13
616
• 619
Пpu;i,'Qжeнue 1. Габаритные чертежи
6-22
1
• П ри .i l.' ож ен ие 2. Предельные условия эксплуатаци-и транзистора~ при _ воз ~·
lfдействии факторов окружающей среды ;
i 649
Crilrccж ,литературы
650'
Алф~~итно-цифровgй ,указатель приборов, помещеннъiJС в ·сп-ра11оqнкке • • Ба,•
656:_, i ·
';

Опечатки 8 справочнике «Транзисторы для аппаратуры широкого
применения» под ред . Б. Л. Перельмана.
. (;;wp. Тип транзистора
Напечатано
Должно быть
26 МП35-38А
р-п-р
п-р-п
43 КТ117А
рис. П.1.5
рис. П.1.15
(Бl, Б2, Э)
60. КТ201
р-п-р
п-р-п
148 КТ349А-В
n-: -p -n
р-п-р
176 КТ375А, Б
р-п-р
п-р-п
245 КТ347А, Б, В
п-р-п
р-п-р
305 ГТ404А-И
р-п-р
п-р-п
320 КТ601А
П.1.52
П.1.1,6
381 ГТ612А
р-п-р
п-р-п
623. Рис . П.1.15
коллектор
база 1
эмиттер
база 2
база
эмиттер
647. Рис , 1.94
затвор
СТОК
сток
затвор
За!{. 50 3
J