Text
                    <<РЕМОНТ>> N9 90
А.В. Нефедов
А.И. Аксенов
ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ
ТРАНЗИСТОРЫ
ДЛЯ БЫТОВОЙ, ПРОМЫШЛЕННОЙ
И СПЕЦИАЛЬНОЙ АППАРАТУРЫ
Справочное
пособие
Полная
информация
о приборах
Номенклатура
Изrотовитепи
Параметрь1
Корпуса
Анапоrи
Представлено
ДО 5000
наименований!
ICI
IJ
«СОЛОН»


УДК 621.397 ББК 32.94-5 Н58 Серия ((Ремонт", выпуск 90 Нефедов А. В., Аксенов А. И. Н58 Транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры. Спра- вочное пособие. - М.: СОЛОН-Пресс, 2006. - 600 с. - (Серия «Ремонт») ISBN 5-98003 -239 -8 Рассмотрены свойства и особенности биполярных и полевых транзисторов (с р-n-перехо­ дом, МОП, биполярных транзисторов со статической индукцией и с изолированным затвором), предназначенных для применения в бытовой, промышленной и специальной аппаратуре, при­ ведены их электрические параметры, области применения, стандартизованные корпуса и зару­ бежные аналоги, а также указаны предприятия-изготовители. Справочное пособие рассчитано на широкий круг читателей, специалистов, студентов и ра­ диолюбителей, занимающихся конструированием и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры. КНИГА- ПОЧТОЙ УДК 621.397 ББК 32.94-5 Книги издательства «СОЛОН-Пресс» можно заказать наложенным платежом (оплата при получении) по фикси­ рованной цене. Заказ оформляется одним из двух способов: 1. Послать открытку или письмо по адресу: 123242, Москва, а/ я 20. 2. Оформить заказ можно на сайте www.solon-press.ru в разделе «Книга - почтой». Бесплатно высылается каталог издательства по почте. При оформлении заказа следует правильно и полностью указать адрес, по которому должны быть высланы книги, а также фамилию, имя и отчество получателя. Желательно указать дополнительно свой телефон и ад­ рес электронной почты. Через Интернет вы можете в любое время получить свежий каталог издательства «СОЛОН-Пресс», считав его с адреса www.solon-press.ru/kat.doc. ISBN 5-98003-239 -8 По вопросам приобретения обращаться: ООО «АЛЬЯНС-КНИГА КТК» Тел: (095) 258-91-94, 258-91-95, www.abook.ru www.solon-press.ru . E -mail: solon-avtor@coba.ru © Макет, обложка СОЛОН-Пресс, 2006 ©А. В. Нефедов, А. И. Аксенов, 2006
Содержание Предисловие .................................................................................................................4 Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей Германиевые транзисторы ............................................................................................................6 Биполярные кремниевые транзисторы ......................................................................................... 7 Кремниевые сборки ..................................................................................................................... 18 Германиевые транзисторы специального назначения ................................................................ 18 Кремниевые транзисторы специального назначения .................................................................. 19 Кремниевые сборки специального назначения ...........................................................................23 Полевые транзисторы .................................................................................................................24 Полевые транзисторы специального назначения .......................................................................28 Адреса предприятий-изготовителей ..........................................................................31 Перечень стандартизованных корпусов отечественного производства .................32 Перечень корпусов зарубежных транзисторов ........................................................33 РАЗДЕЛ 1. Условные обозначения 1.1. Система условных обозначений ........................................................................................34 1.2. Условные графические обозначения транзисторов ...........................................................36 РАЗДЕЛ 2. Биполярные транзисторы 2.1. Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов ......................................38 2.2. Параметры и характеристики биполярных транзисторов ................................................ .41 2.3. Эквивалентные схемы и параметры четырехполюсника ...................................................51 2.4. Области работы'и вольт-амперные характеристики транзисторов ...................................54 2.5. Надежность и применение биполярных транзисторов ......................................................57 2.6. Биполярные германиевые транзисторы .............................................................................62 2.7. Биполярные кремниевые транзисторы ..............................................................................82 2.8. Биполярные кремниевые сборки .....................................................................................256 2.9. Биполярные германиевые транзисторы специального назначения .................................264 2.1 О. Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения .................................. 272 2.11. Биполярные кремниевые сборки специального назначения ...........................................372 РАЗДЕЛ 3. Полевые транзисторы 3.1. Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов ..........................................378 3.2. Параметры и характеристики полевых транзисторов .....................................................380 3.3. Назначение отдельных типов полевых транзисторов .....................................................386 3.4. Полевые транзисторы широкого применения .................................................................392 3.5. Полевые транзисторы специального назначения ........................................................... .472 РАЗДЕЛ 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов 4.1. Конструкции корпусов транзисторов ...............................................................................518 4.2. Особенности пластмассовых корпусов и бескорпусные приборы ..................................519 4.3. Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов отечественных транзисторов ........................................................................................... 521 4.4 . Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов зарубежных транзисторов ................................................................................................ 530 4.5. Соответствие отечественных корпусов зарубежным ......................................................546 РАЗДЕЛ 5. Аналоги транзисторов 5.1. О взаимозаменяемости транзисторов ..............................................................................547 5.2. Условные обозначения и классификация зарубежных приборов ...................................548 5.3. Сокращенные обозначения зарубежных фирм ................................................................549 5.4. Буквенные обозначения зарубежных транзисторов ........................................................551 5.5. Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги ..................................................554 5.6. Аналоги отечественных транзисторов .............................................................................575 Литература ................................................................................................................ 599
Предисловие В справочном пособии представлена информация об особенностях применения, параметрах и ха­ рактеристиках биполярных и полевых транзисторов, изготовленных в странах СНГ и Балтии. Справочное пособие состоит из пяти разделов. В первом разделе даны классификация и услов­ ные обозначения полупроводниковых приборов. Приведены условные графические обозначения бипо­ лярных и полевых транзисторов, указатель транзисторов и их изготовители. Во втором разделе описаны свойства, специфические особенности, основные электрические па­ раметры, области применения, буквенные обозначения параметров, а также электрические парамет­ ры биполярных транзисторов широкого применения и специального назначения. В третьем разделе рассмотрены основные свойства и особенности полевых транзисторов (с p-n переходом, МОП-транзисторов), а также транзисторов со статической индукцией, биполярных тран­ зисторов с изолированным затвором, относящихся к классу полевых транзисторов, области примене­ ния. буквенные обозначения параметров, электрические параметры кремниевых полевых и арсенидгаллиевых транзисторов, в том числе со структурой НЕМТ (High Electron-mobility Transistor) GaA!As/ GaAs, широкого применения и специального назначения. В четвертом разделе даны корпуса транзисторов. В пятом разделе рассматривается взаимозаменяемость отечественных и зарубежных транзисто­ ров, буквенные обозначения зарубежных транзисторов и их изготовителей. Кроме того, приведены таблицы отечественных транзисторов и их зарубежных аналогов и зарубежных транзисторов и их отечественных аналогов. В справочное пособие включены как современные типы транзисторов, так и снятые по разным причинам с производства, и используемые для применения в бытовой, промышленной и специальной радиоэлектронной аппаратуре.
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей Германиевые транзисторы i· i 1 Стр.1 ·1 Тип Изготовитель 1. il прибора i (см. стр. 31) 1 i i ГТ108А i- 62 1 ' t Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) ГТЗО9В 1 З-д «Транзистор» 64 т и ип i зготовитель ! Стр. прибора (см. стр. 31) ГТЗ29В 1З-д ПО «Альфа» 1 66 1 11 ГТ108Б 1- 162 1 1 11 ГТ108В 1- 162 1 1 !1 ГТ108Г i- 1621 ~1 1 1 ! ГТ109А - 62 ГТЗО9Г 1 З-д «Транзистор» 64 ·1 ГТЗ09Д 1 З-д «Транзистор» 64 ГТЗО9Е З-д «Транзистор» 64 1 ГТ310А З-д «Квазар» 64 ГТЗ29Г 1З-д ПО «Альфа» i 66 гтззод 1З-д «Пульсар» 166 гтззож 1З-д «Пульсар» 166 гтззои j З-д «Пульсар» i 66 ГТ109Б - 1 62 ГТЗ10Б З-д «Квазар» 64 ГТЗЗ5А lтонди электроника 1 66 1 ГТ109В - 1 62 ГТЗ10В З-д «Квазар» 64 ГТЗЗ5Б lтонди электроника j 66 1 ГТ109Г - i62 ~ ГТ109Д 1- i62 1 ' 1 ГТ109Е - 1 iГТ109Ж i= i 62 1 62 ГТ109И 11 ГТ115А 1ЗАО «Кремний» 1621 ~1 ' 1 li ГТ115Б 1 ЗАО «Кремний» 1 62 1 1 1 ГТ115В 1ЗАО «Кремний» 62 1 ГТ115Г 1ЗАО «Кремний» 62 1 ГТ115Д 1ЗАО «Кремний» 62 : ГТ122А ЗАО «Кремний» 62 1 1 1ГТ122Б 1ЗАО «Кремний» 162 l 1 ~ ГТ122В 1 ЗАО «Кремний» 62 ГТЗ10Г З-д «Квазар» 164 1 ГТЗ10Д iЗ-д «Квазар» i64 1 ГТЗ10Е З-д «Квазар» 64 1 ГТЗ11А З-д «Квазар» 64 11 ГТЗ11Б З-д «Квазар» 1 64 ГТЗ11В 1З-д «Квазар» 1641 1 ГТЗ11Г iЗ-д «Квазар» 1641 1 ГТЗ11Д 1З-д «Квазар» 64 1 ГТЗ11Е З-д «Квазар» 1641 ГТЗ11Ж j З-д «Квазар» 64 11 ГТЗ11И З-д «Квазар» 164 1 1 1 ГТЗ1ЗА З-д «Квазар» 1641 i 1 ГТЗ1ЗБ З-д «Квазар» 641 ГТЗЗ5В 1Тонди электроника : 66 ГТЗЗ5Г JТонди электроника : 66 1 ГТЗЗ5Д !Тонди электроника 1 66 ГТЗЗSА 1 З-д «Квазар» 166 ГТЗЗSБ 1 З-д «Квазар» 166 1 гтззsв 1- 66 ГТЗ41А 1 З-д ПО «Альфа» 68 ГТЗ41Б 1З-д ПО «Альфа» 68 ГТЗ41В 1З-д ПО «Альфа» 68 ГТЗ46А 1 НПО «Планета» 68 ГТЗ46Б 1 НПО «Планета» 68 ГТЗ46В !НПО «Планета» 68 ГТЗ62А !З-д «Пульсар» 68 1 ~ ГТ122Г iЗАО «Кремний» i 62 ГТЗ1ЗВ 1З-д «Квазар» 164 ГТЗ62Б : З-д «Пульсар» 68 ГТ124А 1ЗАО «Кремний» 62 ГТ124Б 1ЗАО «Кремний» 62 ГТЗ20А iтонди электроника 1 64 ГТЗ20Б 1Тонди электроника i 64 IJГТЗ76А- 1НПО «Планета» 68 1- ГТЗSЗА-2 68 ГТ124В ЗАО «Кремний» 62 ГТЗ20В iТонди электроника 64 jj ГТЗSЗБ-2 i- !68 ГТ124Г ЗАО «Кремний» 62 ГТЗ21А СКБ «Элькор» 164 ~ ГТЗSЗВ-2 i- 168 ГТ125А ЗАО «Кремний» 62 ГТ125Б ЗАО «Кремний» 62 ГТ125В ЗАО «Кремний» 62 1ГТ125Г 1 ЗАО «Кремний» 162 • 1 1 1 lirт12sд 1ЗАО «Кремний» 162 ~ ГТ125Е !ЗАО «Кремний» ! 62 ГТЗ21Б СКБ «Элькор» i64 ГТЗ21В СКБ «Элькор» 64 ГТЗ21Г СКБ «Элькор» 64 ГТЗ21Д СКБ «Элькор» 1 64 1 ГТЗ21Е СКБ «Элькор» i64 ГТЗ22А НПО «Планета» 66 1 ГТ402А 1 ЗАО «Кремний» 168 ГТ402Б 1ЗАО «Кремний» 168 1 ГТ402В 1 ЗАО «Кремний» ГТ402Г !ЗАО «Кремний» 68 1! iЗАО «Кремний» 1 ГТ402Д ' 68 ,, '! ГТ402Е ЗАО «Кремний» 1 68 ' ГТ125Ж ЗАО «Кремний» 62 ГТЗ22Б НПО «Планета» 66 ГТ402Ж ЗАО «Кремний» 68 ГТ125И ЗАО «Кремний» 62 ГТЗ22В НПО «Планета» 66 ГТ402И ЗАО «Кремний» 68 ГТ125К ЗАО «Кремний» 62 ГТЗ22Г НПО «Планета» 66 ГТ403А ЗАО «Кремний» 68 ГТ125Л ЗАО «Кремний» 62 ГТЗО5А НП00 «Планета» 62 ГТЗ22Д НПО «Планета» 66 ГТЗ22Е НПО «Планета» 66 1 ГТ40ЗБ ЗАО «Кремний» 68 ГТ40ЗВ ЗАО «Кремний» 1 68 ГТЗО5Б НПО «Планета» 62 ГТЗО5В НПО «Планета» 62 ГТЗОSА 1СКБ «Элькор» 1 64 1 ГТЗ2ЗА - 66 ГТЗ2ЗБ - 166 i- 1 ГТЗ2ЗВ i661 ГТ40ЗГ ЗАО «Кремний» 1 68 ,1 1 ГТ40ЗД 1ЗАО «Кремний» ;68 :1 ГТ40ЗЕ !ЗАО «Кремний» 66 'i •' ,iгтзоsБ 1 СКБ «Элькор» !64 1 1 ГТЗ28А НПО «Планета» i 66 i : ЗАО «Кремний» 68 1 ~ гтзоsв iСКБ «Элькор» 64 1 IГТЗОSГ iСКБ «Элькор» 164 1 1гтзоэд 1З-д «Транзистор» 1 64 ГТЗО9Б 1З-д «Транзистор» i 64 ГТЗ28Б НПО «Планета» 1 66 11 i ГТЗ28В 1 НПО «Планета» 166 ГТЗ29А 1З-д ПО «Альфа» 1 66 ГТЗ29Б 1 З-д ПО «Альфа» 66 ГТ40ЗИ 1 ЗАО «Кремний» 66 1 ГТ40ЗЮ 1 ЗАО «Кремний» 68 ! lt§04A 1 ЗАО «Кремний» ' 70 1 046 !ЗАО «Кремний» 70
6 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя ' Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель . !i прибора (см. стр. 31) i Стр. !1 ГТ404В ЗАО «Кремний» 70 МП1ЗБ - 72 П210А 1- 76 ГТ404Г ЗАО «Кремний» 70 МП14 - 74 П210Б - 76 ГТ404Д ЗАО «Кремний» 70 МП14А - 74 П210В - 76 ГТ404Е ЗАО «Кремний» 70 МП14Б - 74 П210Ш - 76 ГТ404Ж ЗАО «Кремний» 70 11 ГТ404И ЗАО «Кремний» 70 ГТ405А ЗАО «Кремний» 1 70 i ГТ405Б 1ЗАО «Кремний» 170 i' ГТ405В 1ЗАО «Кремний» 70 1 ГТ405Г 1ЗАО ,;Кремний» 70 ГТ406А - 70 МП14И - 74 МП15 - 74 МП15А - 74 МП15И - 74 МП16 - 74 МП16А - 74 МП16Б - 74 П213 взпп !761 1 ! П21ЗА 1ВЗПП 76 i1 П21ЗБ взпп 1 761 1 П214 iвзпп 17611 П214А взпп 1 76 1 i ' П214Б взпп 76 ' П214В взпп 76 ГТС609А З-д ПО «Альфа» 70 МП16Я1 - 74 П214Г взпп 76 ГТС609Б З-д ПО «Альфа» 70 МП16Я11 - 74 П215 . взпп 76 ГТС609В З-д ПО «Альфа» 70 МП20А - 74 П216 взпп i76 ГТ612А-4 СКБ «Элькор» 70 МП20Б - 74 П216А взпп 76 1 ГТ701А З-д ПО «ФОТОН» 70 1ГТ703А ЗАО «Кремний» 70 liГТ7ОЗБ 1ЗАО «Кремний» 70 11гт1озв 1ЗАО «Кремний» 1 70 l'ГТ70ЗГ iЗАО «Кремний» 1 70 ЗАО «Кремний» 1 70 ГТ70ЗД 1 МП21В - 74 МП21Г - 74 МП21Д - 74 МП21Е - 74 МП25 1- 74 МП25А - 74 П216Б lвзпп ~7611 .1 П216В взпп 76 11 ' 11 П216Г взпп !76i i П216Д lвзпп ' 76 11 i П217 lвзпп 1 76 11 1 1 П217А lвзпп 1 76 ' ГТ705А ЗАО «Кремний» 70 МП25Б - 74 П217Б взпп 76 ГТ705Б ЗАО «Кремний» 70 МП26 - 74 П217В взпп 76 ГТ705В ЗАО «Кремний» 70 МП26А - 74 П217Г взпп 76 ГТ705Г ЗАО «Кремний» 70 МП2,!iБ - 74 П27 - 78 П27А - 78 ГТ705Д ЗАО «Кремний» 70 МПЗ5 - 74 П28 - 78 ГТ804А - 72 ГТ804Б 1 1 72 1- ~ ГТ804В i- 172 ГТ806А ЗАО «Кремний» 1 72 МПЗ6А - 74 МПЗ7А - 74 МПЗ7Б - 74 МПЗ8 - i74 П29 i- !78 П29А :781 - i- :78 ! пзо 1 П401 - i78 1 ГТ806Б ЗАО «Кремний» 72 МПЗ8А - 74 П402 - !78,1 ГТ806В ЗАО «Кремний» 72 МПЗ9 - 74 П403 - 78 ГТ806Г ЗАО «Кремний» 72 МПЗ9Б - 74 П40ЗА - 78 ГТ806Д ЗАО «Кремний» 72 МП40 - 74 П416 - 78 ГТ810А ЗАО «Кремний» 72 МП40А - 74 П416А - 178 ГТ905А З-д ПО «ФОТОН» 72 1 ГТ905Б З-д ПО «ФОТОН» i 72 ГТ906А З-д ПО «ФОТОН» 1 72 1ГТ906АМ З-д ПО «ФОТОН» 72 . 72 МГТ108А - МП41 - 76 МП41А - 76 МП42 - 76 МП42А - 76 МП42Б - 76 П416Б 1- 178i1 П417 ; 80 ·1 - ' П417А - 180 П417Б - 80 П422 - 80 МГТ108Б - 72 П201Э взпп 76 П423 - 80 МГТ108В - 72 П201АЭ взпп 76 П605 З-д ПО «ФОТОН» 80 МГТ108Г - 72 П202Э взпп 76 П605А З-д ПО «ФОТОН» 80 МГТ108Д . - 72 П20ЗЭ взпп 76 П606 З-д ПО «ФОТОН» 80 МП9А. - - 72 П207 - 76 П606А З-д ПО «ФОТОН» 80' МП10 - 72 П207А - 76 ! 1 П607 З-д ПО «Альфа» 801 МП10А - 72 П208 - 76 П607А 1З-д ПО «Альфа» ! 80 1 МП10Б - 72 П208А - . 76 П608 З-д ПО «Альфа» 80 МП11 - 72 П209 - 76 П608А З-д ПО «Альфа» 80 МП11А - 72 П209А - 76 П609 З-д ПО «Альфа» 80 МП13 - 72 П210 - 76 П609А З-д ПО «Альфа» 80
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей 7 Кремниевые транзисторы 1 Тип i Изготовитель 1 Стр. 1 прибора (см. стр. 31) 1 Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип 1 Изготовитель 1 Стр. прибора ! (см. стр:31) КТ104А ЗАО «Кремний» 182 КТ208Б 4, 12,33 86 КТЗО1А 17.36 88 КТ104Б ЗАО «Кремний» 182 КТ208В 4, 12,33 86 КТЗО1Б 17,36 88 !1 1 КТ104В ЗАО «Кремний» i 82 КТ208Г 4, 12,33 86 КТЗ01В j1,З6 i88 1 1 КТ104Г 1ЗАО «Кремний» 182 ! КТ117А 127.30 i82 КТ208Д 4, 12,33 86 КТ208Е 14, 12,33 186 1 КТЗ01Г !ЗЗ,36 1 88 1КТЗ01Д iПО «НИИЭТ» 188 !1 КТ117Б 121.зо llКТ117В 127,30 11 КТ117Г :21.зо 182 КТ118А 1З-д «Пульсар» 182 1 КТ118Б З-д «Пульсар» 82 КТ118В З-д «Пульсар» 82 82 КТ208Ж 4, 12,33 i86 КТ208И 4, 12,33 86 КТ208К 4, 12,33 86 КТ208Л 4, 12,33 186 КТ208М 4, 12,33 186 КТ209А 4, 12 ,28 ,33 86 82 КТЗ01Е IПО «НИИЭТ» 88 ·' " КТЗО1Ж IПО «НИИЭТ» 88 '1 КТЗО2А ПО «НИИЭТ» !88 ·: 1 КТЗО2Б !ПО «НИИЭТ» 881 КТЗ02В IПО «НИИЭТ» 188 1 КТЗО2Г 1ПО «НИИЭТ» 88 КТ119А З-д «Пульсар• 82 КТ209Б 4, 12 ,28 ,33 86 КТЗ06А IПО «НИИЭТ» 88 КТ119Б 3-д «Пульсар» 82 КТ209В 4, 12 ,28 ,33 86 КТЗ06Б IПО «НИИЭТ» 88 КТ120А 23, 13 82 КТ209В2 4, 12 ,28 ,33 86 КТЗО6В ПО «НИИЭТ» 88 КТ120Б 23, 13 82 КТ209Г 4, 12 ,28 ,33 86 КТЗО6Г ПО «НИИЭТ» 188 1КТ120В 23, 13 82 КТ209Д 4, 12 ,28 ,33 86 КТЗО6Д IПО «НИИЭТ» i88i 11 КТ120А-1 123, 13 1821 " 1 1 ;1 КТ120В-1 123, 13 182 1 !IКТ120А-5 123, 13 182 11 КТ120В·5 :2з. 1з 182 КТ209Е 1З-д «Арсенал» 86 КТ209Ж 1З-д «Арсенал• 86 КТ209И 1З-д «Арсенал» 86 КТ209К НПО «Планета» 86 КТЗО6АМ 126,36 90 !i1 КТЗ06БМ 126.36 1901' ·! КТЗО6ВМ 126,36 ~90i 1 КТЗО6ГМ 26,36 :901 1КТ127А-1 З-д «Старт» 82 1 КТ127Б·1 З-д «Старт» 82 КТ209Л З-д «Арсенал• 86 КТ209М З-д «Арсенал• 186 КТЗ06ДМ 26,36 90 КТЗО7А·1 АО «Светлана» 90 КТ127В·1 З-д «Старт• 82 КТ209К9 НПО «Планета» 86 КТЗО7Б·1 АО «Светлана» 90 КТ127Г-1 З-д «Старт• 82 КТ210А ЗАО «Кремний» 86 КТЗО7В·1 АО «Светлана» 90 КТ132А З-д «Транзистор» 84 КТ210Б ЗАО «Кремний» 86 КТЗО7Г·1 АО «Светлана» 90 КТ132Б З-д «Транзистор» 84 КТ210В ЗАО «Кремний» 86 КТЗ101А-2 АО «Светлана» 90 КТ1ЗЗА З-д «Транзистор» 84 КТ211А-1 ЗАО «Кремний» 86 КТЗ101АМ 1АО «Светлана» 90 !11 I КТ1ЗЗБ 1 З-д «Транзистор» 84 КТ211Б·1 ЗАО «Кремний» 86 КТЗ102А 14, 7, 12, 13,26,28,33 90 !IКТ201А 126.33 184 КТ211В-1 ЗАО «Кремний» 1 86 КТЗ102Б 14, 7, 12, 13.26 .28,33 90 ' 1 !1 КТ201Б 126,33 84 КТ214А·1 33, 13 1 88 1 КТ3102В 14. 7, 12, 13,26,28,33 90 11 КТ201В 26,33 184 КТ214Б-1 1 33, 13 188 КТЗ102Г 4, 7. 12, 13,26,28.33 90 1 КТ201Г 26,33 184 1 КТ214В·1 33, 13 188 КТЗ102Д 4, 7. 12, 13,26,28,33 90 КТ201Д 26,33 84 КТ214Г·1 33, 13 88 КТЗ102Е 4, 7, 12, 13,26,28,33 90 КТ201АМ 4,26,33 84 КТ214Д·1 33, 13 88 КТЗ102Ж 4, 7, 12, 13,26,28,33 90 КТ201БМ 4,26,33 84 КТ214Е·1 33, 13 88 КТЗ102И 4, 7, 12, 13,26,28,33 90 КТ201ВМ 4,26,33 84 КТ215А·1 33, 13 88 КТЗ102К 4,7, 12, 13,26,28,33 90 КТ201ГМ 4,26,33 84 КТ215Б·1 33, 13 88 КТЗ102АМ 4, 12 ,28,33 90 'кt201дм 4,26,33 84 КТ215В-1 33, 13 88 КТЗ102БМ 4, 12 .28,33 90 11 КТ202А·1 1ЗАО «Кремний» 84 1 - !1 КТ202Б-1 ЗАО «Кремнии» 1 84 КТ215Г·1 33, 13 1 88 1 КТ215Д-1 33, 13 188 КТЗ102ВМ 14. 12 ,28.33 :90 'i КТЗ102ГМ 14. 12 ,28 ,33 1 90 1i,, КТ202В·1 1ЗАО «Кремний» 84 КТ215Е·1 33, 13 i 1 88 КТЗ102ДМ 14. 12 ,28,33 : 90 !!1 КТ202Г-1 ЗАО «Кремний» 84 КТ216А АО «;элекс» 188 КТЗ102ЕМ 4, 12 ,28,33 !9011 КТ202Д·1 ЗАО «Кремний» 84 КТ216Б АО «Элекс» 88 КТЗ102ЖМ 4, 12 ,28 ,33 90 КТ20ЗА АО «Элекс» КТ216В АО «Элекс» 88 КТЗ102ИМ 4, 12 ,28 ,33 90 КТ20ЗБ АО «Элекс» 84 КТ218А-9 АО «Элекс» 88 КТ3102КМ 4, 12 ,28 ,33 90 КТ20ЗВ АО «Элекс» 84 КТ218Б-9 АО «Элекс» 88 КТЗ102А2 ЗАО «Кремний» 90 КТ20ЗАМ 4,33 84 КТ218В·9 АО «Элекс» 88 КТЗ102Б2 ЗАО «Кремний» 90 КТ20ЗБМ 4,33 84 КТ218Г-9 АО «Элекс» 88 КТЗ102В2 ЗАО «Кремний» 90 КТ20ЗВМ 4,33 84 КТ218Д·9 АО «Элекс» 88 КТЗ102Г2 ЗАО «Кремний» 9,0 КТ206А 33,26 86 КТ218Е-9 АО «Элекс» 88 КТЗ102Д2 ЗАО «Кремний» 90 1. КТ206Б АО «Светлана» 86 КТ220А9 З-д «Транзистор» 88 КТЗ102Е2 ЗАО «Кремний» 90 КТ207А АО «Светлана» 86 КТ220Б9 З-д «Транзистор» 88 КТЗ102Ж2 ЗАО «Кремний» 90 КТ207Б АО «Элекс» 86 КТ220В9 З-д «Транзистор» 88 КТЗ102И2 ЗАО «Кремний» 90 КТ207В АО «Элекс» 86 КТ220Г9 З-д «Транзистор» 88 КТЗ102К2 ЗАО «Кремний» 90 КТ208А 4, 12,33 86 КТЗ01 7,36 88 КТЗ104А АО «Восход» 92
8 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя :. Тип i Изготовитель 1 i: прибора (см. стр. 31) 1 Стр. 1' 1КТЗ104Б АО «ВОСХОД» 92 i КТЗ104В АО «ВОСХОД» 92 Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) КТЗ128А·9 АО «Элекс» 98 КТЗ129А-9 4,28,33 98 Тип 1 Изготовитель : ii прибора (см. стр. 31) ! Стр. '1 КТЗ15Р l12, 13, 15 1 100 КТЗ15А-1 12, 28, 33 102 1 КТЗ104Г АО «ВОСХОД» 92 КТЗ129Б-9 4,28,33 98 КТЗ15Б-1 12, 28, 33 102 КТЗ104Д АО «ВОСХОД» 92 КТЗ129В-9 4,28,33 98 КТЗ15В-1 12, 28, 33 102 КТЗ104Е АО «ВОСХОД» 92 КТЗ129Г-9 4,28,33 98 КТЗ15Г-1 12, 28, 33 102 1 КТЗ106А-2 26,33 92 КТЗ106А-9 АО «Элекс» 92 il КТЗ107А 2,4, 12,28,33 92 КТЗ129Д·9 4,28,33 98 КТЗ1ЗА 4,33 98 КТЗ1ЗБ 4,33 98 КТЗ15Д-1 12, 28, 33 102 КТЗ15Е-1 12, 28, 33 1 102 КТЗ15Ж-1 12, 28, 33 ! 102 1 КТЗ107Б 2,4, 12,28,33 92 КТЗ107В 2,4, 12,28,33 92 КТ31ЗА-1 4,33 98 КТЗ1ЗБ-1 4,33 98 КТЗ15И-1 12, 28, 33 1 102 КТЗ15Н-1 12, 28, 33 1 102 !1 КТЗ107Г 2,4, 12,28,33 92 КТЗ1ЗВ-1 4,33 98 КТЗ15Р-1 12,28,33 !1021 1 КТЗ107Д 2,4, 12,28,33 92 1 КТЗ107Е 2,4, 12,28,33 92 КТЗ107Ж 2,4, 12,28,33 92 КТЗ1ЗГ·1 4,33 98 КТЗ1ЗОА-9 4,28,33 98 КТЗ1ЗОБ-9 4,28,33 98 КТЗ150Б-2 3-д ПО «Альфа» i 102 1 КТЗ151А-9 4, 33 102 КТЗ151Б-9 4, 33 102 КТЗ107И 2,4, 12,28,33 92 КТЗ1ЗОВ-9 4,28,33 98 КТЗ151В·9 4, 33 102 КТЗ107К 4, 12,28 92 КТЗ1ЗОГ-9 4,28,33 98 КТЗ151Г·9 4, 33 102 КТЗ107Л 4, 12,28 92 КТЗ1ЗОД-9 4,28,33 98 КТЗ151Д-9 4, 33 102 КТЗ108А 2,4 ,33 92 КТЗ1ЗОЕ-9 4,28,33 98 КТЗ151Е-9 4, 33 102 КТЗ108Б 2,4 ,33 92 КТЗ1ЗОЖ-9 4,28,33 98 КТЗ15ЗА-9 4, 28, 33 102 1 КТЗ108В 2,4, 33 92 1 1КТЗ109А 3-д ПО «Альфа» 92 1 КТЗ109Б 13-д ПО «Альфа» 1 92 11 КТЗ109В 13-д ПО «Альфа» 92 1КТЗ114Б-б 13-д «Пульсар» 192 КТЗ114В·б 3-д «Пульсар» 92 КТЗ132А-2 3-д «Пульсар» 98 КТЗ132Б-2 3-д «Пульсар» 98 1 КТЗ132В-2 3-д «Пульсар» 1981 КТЗ132Г-2 3-д «Пульсар» 98 1 КТЗ132Д-2 3-д «Пульсар» 98 КТЗ132Е-2 3-д «Пульсар» 98 КТЗ15ЗА·5 14. 28, 33 !102fl КТ3157А 12, 28, 33 i 102 КТЗ16А IAO «Элекс» 1102I! КТЗ16Б IAO «Элекс» i102~ 11~КТ_З_1_б_В___,~А_О_«Э_л_е_к_с» ___+!~ КТЗ16Г АО «Элекс» 102 1 КТЗ115А-2 3-д «Пульсар» 94 КТЗ115В-2 3-д «Пульсар» 94 КТЗ139А 3-д «Пульсар» 98 КТЗ139Б 3-д «Пульсар» 98 КТЗ16Д АО «Элекс» 102 КТЗ16АМ АО «Элекс» 102 1 КТЗ115Г-2 3-д «Пульсар» 94 КТЗ139В 3-д «Пульсар» 98 КТЗ16БМ АО «Элекс» 102 КТЗ115Д·2 3-д «Пульсар» 94 КТЗ139Г 3-д «Пульсар» 98 КТЗ16ВМ АО «Элекс» 1 102 КТЗ117А 4, 12 ,28 ,33 94 КТЗ14А-2 АО «Элекс» 100 КТЗ16ГМ АО «Элекс» 1 102 КТЗ117Б 4, 12 ,28 ,33 94 КТЗ140А - 100 КТЗ16ДМ АО «Элекс» 102 КТЗ117А·1 4, 12 ,28 ,33 94 КТЗ140Б - 100 КТЗ165А 19, 28 104 КТЗ117А9 14. 12 ,28 ,33 94 КТЗ140В - 100 КТЗ165А·9 19, 28 104 КТЗ117Б9 14. 12 ,28 ,33 94 1 КТЗ12А 7,33 ,36 94 КТЗ140Г - 100 КТЗ140Д - 100 КТЗ166А АО «Элекс» 1 104 i КТЗ166Б АО «Элекс» 104 КТЗ12Б 7,33 ,36 94 КТЗ142А 4,28 100 КТЗ166В АО «Элекс» 1 104 КТЗ12В 7,33 ,36 94 КТЗ14ЗА АО «Светлана» 100 КТЗ166Г АО «Элекс» 104 КТЗ12А1 7,33 ,36 94 КТЗ144А АО «Светлана» 100 КТЗ168А-9 АО «Светлана» 104 КТЗ12Б1 7,33 ,36 94 КТЗ145А-9 АО «НИИЭТ» 100 КТЗ169А-9 НПО «Планета» 104 КТЗ12В1 7,33 ,36 94 КТЗ145Б-9 АО «НИИЭТ» 100 КТЗ169А91 НПО «Планета» 104 1 КТЗ120АМ АО «Светлана» 94 1 КТЗ121А·б АО «Светлана» i94 КТЗ122А 3-д «Квазар» 96 i1КТЗ122Б 3-д «Квазар» 196 КТЗ145В-9 АО «НИИЭТ» 100 КТЗ145Г-9 АО «НИИЭТ» 100 КТЗ145Д-9 АО «НИИЭТ» 100 КТЗ146А·9 АО «НИИЭТ» 100 КТЗ17А·1 13, 23 104 1 ,,_кт_з_11_Б_-_1------<!_1_3. _2_3 __ _ __i _1 _04 --- --11!1 КТЗ17В-1 l13, 23 i 104 КТЗ170А·9 АО «Элекс» 1104~ 1 КТЗ12ЗА·2 3-д ПО «Альфа» 96 КТЗ146Б-9 АО «НИИЭТ» 100 КТ3171А·9 АО «Элекс» 1 104 1КТЗ12ЗБ-2 13-д ПО «Альфа» 1 96 1 КТЗ146В-9 АО «НИИЭТ» 100 КТЗ172А·9 АО «Элекс» 1 106 1 КТЗ12ЗВ-2 3-д ПО «Альфа» 1 96 КТЗ12ЗАМ 3-д ПО «Альфа» 96 КТЗ12ЗБМ 3-д ПО «Альфа» 96 КТЗ146Г-9 АО «НИИЭТ» 100 КТЗ146Д-9 АО «НИИЭТ» 100 КТЗ15А 12, 13, 15 100 КТЗ17ЗА·9 АО «Элекс» 106 106 1 КТЗ176А-9 АО «Элекс» КТЗ179А·9 АО «Элекс» 106 КТЗ12ЗВМ 3-д ПО «Альфа» 96 КТЗ15Б 12, 13, 15 100 КТЗ1 SA-1 13, 23 106 КТЗ126А 33,28 96 КТЗ15В 12, 13, 15 100 КТЗ18Б·1 13, 23 106 КТЗ126Б 33,28 96 КТЗ15Г 12, 13, 15 100 КТЗ18В-1 13, 23 ! 106 КТЗ126А-9 33,28 96 КТЗ15Д 12, 13, 15 100 КТЗ18Г·1 13, 23 1 106 КТЗ127А 33,28 96 КТЗ15Е 12, 13, 15 100 КТЗ18Д-1 13, 23 1 106 1КТЗ128А 13-д «Транзистор» 96 КТЗ15Ж 12, 13, 15 100 КТЗ18Е·1 13, 23 1 106 КТЗ128А·1 13-д «Транзистор» 98 КТЗ15И 12, 13, 15 100 КТЗ180А-9 АО «Элекс» 106 КТЗ128Б-1 3-д «Транзистор» 98 КТЗ15Н 12, 13, 15 100 ' КТЗ184А9 ПР3ПП 106
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей 9 ,, ,, Тип Изготовитель Стр. 11 прибора 1 (см. стр. 31) КТ3184Б9 IПРЗПП 106 Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) КТ324Г-1 АО «Светлана» 110 Тип Изготовитель i прибора (см. стр. 31) ! Стр.1 КТ343А АО «Элекс» 114 1КТ3186А-9 1НПО «Планета» 106 КТ324Д-1 АО «Светлана» 110 КТ343Б АО «Элекс» 114 11 КТ3186Б-9 1НПО «Планета» i 106 1 КТ324Е-1 АО «Светлана» 110 КТ343В АО «Элекс» 114 11 КТ3186В-9 i НПО «Планета» 1 106 КТ325А АО «Светлана» 110 КТ345А З-д ПО «Альфа» 114 11 КТ3187А-9 НПО «Планета» 106 КТ325Б АО «Светлана» 110 КТ345Б З-д ПО «Альфа» 114 j КТ3187А91 НПО «Планета» 106 1КТ3187Б91 НПО «Планета» 106 1КТ3187В91 НПО «Планета» 106 11 КТ3189А-9 14,28 1 108 1 !j КТ3189Б-9 1 14.28 1 108 КТ325В АО «Светлана» 110 КТ325АМ АО «Элекс» 112 1 КТ325БМ АО «Элекс• 1 112 КТ325ВМ АО «Элекс» 112 КТ326А 2,4,33 1 112 КТ345В З-д ПО «Альфа» 114 КТ347А IAO «Элекс» !114i 1 КТ347Б IAO «Элекс» 114 11 1 11 1КТ347В [АО «Элекс» 114 il КТ348А-3 1 СКБ «ЭЛЬКОР» 116 1' .1 ;1 КТ3189В-9 [4,28 1 108 1 КТ326Б 2,4,33 1 112 КТ348Б-3 1 СКБ «Элькор» 1 ' 116 1 !1 КТ319А-1 1- 1 108 1 1 КТ326АМ 4,33 112 КТ348В-3 1 СКБ «Элькор» i 116 1 КТ319Б-1 - 108 КТ326БМ 4,33 112 КТ349А З-д ПО «Альфа» : 116 1 КТ319В-1 - 108 КТ331А-1 СКБ «Элькор» 112 КТ349Б З-д ПО «Альфа» 116 КТ3191А-9 НПО «Планета» 108 КТ331Б-1 СКБ «Элькор» 112 КТ349В З-д ПО «Альфа» 116 КТ3191А91 НПО «Планета» 108 КТ331В-1 СКБ «Элькор» 112 КТ350А З-д ПО «Альфа» 116 КТ3192А-9 З-д «Транзистор» 108 КТ331Г-1 СКБ «Элькор» 112 КТ351А З-д ПО «Альфа» 116 КТ3193А ЗАО «Кремний» 108 КТ3193Б ЗАО «Кремний» 108 КТ332А-1 - 112 КТ332Б-1 - 1 112 КТ351Б З-д ПО «Альфа» 1 116 11 1 КТ352А 1З-д ПО «Альфа» ! 116 !! !1 КТ3193В 1ЗАО «Кремний» 1 108 :1 КТ3193Г 1 ЗАО «Кремний» 1 108 !i КТ319ЗД j ЗАО «Кремний» i 108 1 1КТ3193Е 1 ЗАО «Кремний» 108 КТ3196А-9 З-д «Транзистор» 108 КТ332В-1 '- 112 КТ332Г-1 - 1 112 1 КТ332Д-1 - 112 КТ333А-3 З-д «ЭКСИТОН» 112 КТ333Б-3 З-д «ЭКСИТОН» 112 1 11 КТ352Б !З-д ПО «АльФа» 116 1АО «Светлана» 1КТ354А-2 116 1 1 1 КТ354Б-2 1АО «Светлана» 1 116 :1 КТ355А 1АО «Светлана» 1 116 КТ355АМ АО «Светлана» : 116 КТ3197А-9 З-д «Транзистор» 108 КТ333В-3 З-д «ЭКСИТОН» 112 КТ357А - 1 116 1 КТ3198А НПО «Планета» 108 КТ333Г-3 З-д «ЭКСИТОН» 112 КТ357Б - 116 КТ3198Б НПО «Планета» 108 КТ333Д-3 З-д «Экситон» 112 КТ357В - 116 КТ3198В НПО «Планета» 108 КТ333Е-3 З-д «ЭКСИТОН» 112 КТ357Г - 116 КТ3198Г НПО «Планета» 108 КТ336А АО «Светлана» 112 КТ358А взпп 116 КТ3198Д НПО «Планета» 108 КТ336Б АО «Светлана» 1 112 КТ358Б 1взпп ~1161 1 КТ3198Е НПО «Планета» 108 КТ336В АО «Светлана» 112 КТ358В lвзпп i 116 ,, ,, КТ3198Ж 1НПО «Планета» 1 108 КТ336Г АО «Светлана» 1 112 КТ359А-3 iСКБ «Элькор» i 118 r!., КТ3198А9 1НПО «Планета» 1 108 КТ3198Б9 1НПО «Планета» ! 108 КТ336Д АО «Светлана» 112 КТ336Е АО «Светлана» 1 112 ' КТ359Б-3 1СКБ «Элькор» 118 1' 1 КТ359В-3 1 СКБ «Элькор» 118 КТ3198В9 НПО «Планета» 1 108 КТ337А З-д ПО «Альфа» 112 КТ360А-1 З-д ПО «Альфа» 1 118 КТ3198Г9 НПО «Планета» 108 КТ337Б З-д ПО «Альфа» 112 КТ360Б-1 З-д ПО «Альфа» 118 КТ3198Д9 НПО «Планета» 108 КТ337В З-д ПО «Альфа» 112 КТ360В-1 З-д ПО «Альфа» 118 КТ3198Е9 НПО «Планета» 108 КТ339АМ АО «Элекс» 114 КТ361А 15,33 118 КТ3198Ж9 НПО «Планета» 108 КТ339А АО «Элекс• 114 КТ361А1 15,33 118 КТ3198А92 НПО «Планета» 110 КТ339Б АО «Элекс» 114 КТ361Б 15, 33 118 КТ3198Г92 НПО «Планета» 110 1КТ3199А9 1НПО «Планета» 110 1 КТ3199А91 1НПО «Планета» 1 110 1 КТ339В АО «Элекс» 114 КТ339Г АО «Элекс» 114 КТ339Д АО «Элекс» 114 КТ361В 15,33 i118!! 11КТ361Г 115,33 118 11 11 КТ3199А92 1НПО «Планета» 110 il КТ3201А9 НПО «Планета» 1 110 1КТ3201Б9 НПО «Планета» 110 КТ340А - 114 КТ340Б 1- 114 КТ340В - f 114 КТ361Д l15, 33 i1181' КТ361Д1 l 15, 33 1118~ 1г--~~---t---------+----i1 КТ361 Е 15, 33 ; 118 1КТ3201В9 НПО «Планета» 110 КТЗ40Г - 114 КТ361Ж l15, 33 1 118 1КТ3201Г9 НПО «Планета» 110 КТ340Д - 114 КТ361И 15, 33 1 118 КТ321А СКБ «Элькор» 110 КТ342А АО «Элекс» 114 КТ361 К 15, 33 118 КТ321Б СКБ «Элькор» 110 КТ342Б АО «Элекс• 114 КТ361Л 15, 33 118 КТ321В СКБ «Элькор» 110 КТ342В АО «Элекс» 114 КТ361 М 15, 33 118 1 КТ321Г СКБ «Элькор» 110 , КТ321Д СКБ «Элькор» 110 1 КТ321Е 1СКБ «Элькор» 110 1 КТ324А-1 1АО «Светлана» 110 1 ![ КТ324Б-1 1АО «Светлана» 110 1 КТ324В-1 АО «Светлана» 110 КТ342Г АО «Элекс» 114 КТ342АМ АО «Элекс» 114 КТ342БМ АО «Элекс» 114 КТ342ВМ АО «Элекс» 114 КТ342ГМ АО «Элекс» 114 КТ342ДМ АО «Элекс• i 114 118 КТ361 Н 15, 33 : 118 :1 КТ361П l15,33 КТ361 А-2 f12,28,33 : 118 КТ361А-3 l12, 28, 33 i1181 КТ361Б-2 12, 28, 33 11181j , КТ361В-2 l12, 28, 33 11181
10 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя ~ ! ~ Тип Изготовитель 1 Стр. !1 прибора ; (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель i 11 прибора (см. стр. 31) \Стр..1 . 1 КТЗ61Г-2 i12, 28, 33 118 КТЗSОА АО «Элекс» 124 КТ506А ЗАО «Кремний» 1 128 1 КТЗ61Г-З 112. 28, 33 118 КТЗSОБ АО «Элекс» 124 КТ506Б ЗАО «Кремний» 128 КТЗ61Д-2 112. 28, 33 118 ктзsов АО «Элекс» 124 КТ509А ЗАО «Кремний» 1 130 КТЗ61Д-З 12.28,33 118 КТЗ81Б СКБ «Элькор» 124 КТ511А9 АО «Элекс» 130 КТЗ61Е-2 12,28,33 118 КТЗ81В СКБ «Элькор» 124 КТ511Б9 АО «Элекс» 130 КТЗ61Ж-2 12,28,33 118 КТЗ81Г СКБ •Элькор» 124 КТ511В9 АО «Элекс» 130 КТЗ61И-2 12,28,33 118 КТЗ81Д СКБ «Элькор» 124 КТ511Г9 АО «Элекс» 130 КТЗ61К-2 112. 28, 33 118 КТ381Е СКБ •Элькор» 124 КТ511Д9 АО «Элекс» !130! 1 КТЗ61Л-2 112. 28, 33 118 КТЗ61М-2 112, 28, 33 118 i КТЗ61Н-2 112, 28, 33 118 1 КТЗ82А АО «Светлана» 124 КТЗ82Б АО «Светлана» 124 КТЗ82АМ АО «Светлана» 124 КТ511Е9 АО «Элекс» 11301 КТ511Ж9 АО оЭлекс» 130 КТ511И9 АО «Элекс» 130 КТЗ61П-2 12,28 ,33 118 КТЗ82БМ АО «Светлана» 124 КТ511К9 АО «Элекс» 130 :; ~ КТЗ6ЗА 11181 12.33 КТЗ6ЗБ 2,33 1 118 1 КТЗ84А-2 З-д «Транзистор» 124 КТЗ84АМ-2 З-д «Транзистор» 1 124 КТ512А9 АО «Элекс» 130 КТ512Б9 IAO «Элекс» 1 130 КТЗ6ЗАМ 12.33 118 КТЗ85А-2 З-д «Транзистор» 124 КТ512В9 АО «Элекс• 130 КТЗ6ЗБМ 2,33 118 КТЗ85АМ-2 З-д «Транзистор» 124 КТ512Г9 АО «Элекс» 130 КТЗ64А-2 3-д ПО •Альфа» 120 КТЗ85БМ-2 З-д «Транзистор» 124 КТ512Д9 АО «Элекс» 130 КТЗ64Б-2 З-д ПО «Альфа» 120 КТЗ88Б-2 АО •Элекс» 126 КТ512Е9 АО «Элекс• 1 130 КТЗ64В-2 З-д ПО •Альфа» 120 1КТЗ66А IНИИМП 1 120 КТЗ66Б 1ниимп 120 ~ КТЗ66В lниимп 120 j1ктзб8А 12.4 ,33 120 jlктзбsБ :2.4 .33 120 КТЗ68А-5 14.28 , 33 120 КТЗ88БМ-2 АО «Элекс» 126 КТЗ89Б-2 АО «Элекс» 126 КТЗ91А-2 З-д «Пульсар» 126 КТ391Б-2 З-д «Пульсар» 1 126 КТЗ91В-2 З-д «Пульсар» 126 КТ392А-2 З-д ПО «Альфа» 126 КТ396А-2 АО «Светлана» 126 КТ512Ж9 IAO «Элекс» 1 130 1КТ512И9 iAO «Элекс» 1130,1 КТ512К9 АО «Элекс» !130ti КТ513А9 IAO «Элекс» 113011 КТ513Б9 АО «Элекс» 130 КТ51ЗВ9 АО «Элекс» 1 130 КТ51ЗГ9 АО «Элекс» ! 130 КТЗ68А-9 14,28,33 120 КТ396А-9 АО «Светлана» 126 КТ513Д9 АО «Элекс» 113011 КТЗ68Б-9 4,28,33 120 КТ397А-2 АО «Светлана» 126 КТ514А9 АО «Элекс» 130 1! КТЗ68АМ 4,28, 33 120 КТ399А АО «Светлана» 128 КТ514Б9 АО «Элекс» 130 КТЗ68БМ 4,28 ,33 120 КТЗ99АМ АО «Светлана» 128 КТ514В9 АО «Элекс• 130 КТЗ68ВМ 14.28,33 120 КТ501А ЗАО «Кремний» 128 КТ514Г9 АО •Элекс» 130 1 КТЗ69А 1З-д «Транзистор» 120 КТЗ69Б 1З-д «Транзистор» 120 КТ501Б ЗАО «Кремний» 128 КТ501В ЗАО «Кремний» 128 КТ514Д9 АО «Элекс• !1301 i .1 КТ515А9 АО «Элекс» 130 11 КТЗ69В 1 З-д «Транзистор» 1 120 КТ501Г ЗАО «Кремний» 128 КТ515Б9 АО «Элекс• 130 КТЗ69Г : З-д «Транзистор» 120 КТ501Д ЗАО «Кремний» 128 КТ515В9 АО «Элекс» 1 130 1 КТЗ69А-1 1З-д «Транзистор» 1 120 КТЗ69Б-1 1З-д «Транзистор» 1 120 КТ501Е ЗАО «Кремний» 128 КТ501Ж ЗАО «Кремний» 128 КТ516А9 АО «Элекс» 130 КТ516Б9 АО «Элекс• 130 1 КТЗ69В-1 1З-д «Транзистор» 120 КТ501И ЗАО «Кремний» 128 КТ516В9 АО «Элекс» 130 КТЗ69Г-1 З-д «Транзистор» 120 КТ501К ЗАО «Кремний» 128 КТ517А АО «Элекс» 130 КТЗ70А-1 З-д ПО «Альфа» 122 КТ501Л ЗАО «Кремний» 128 КТ517Б АО «Элекс» 130 КТЗ70Б-1 З-д ПО •Альфа» 122 КТ501М ЗАО «Кремний» 128 КТ517В АО «Элекс» 130 КТЗ70А-9 З-д ПО •Альфа» 122 КТ502А 4, 12 ,28,33 128 КТ517Г АО «Элекс• 130 КТЗ70Б-9 1З-д ПО •Альфа» 122 КТ502Б 4, 12 ,28,33 128 КТ517Д АО «Элекс» 1 130 1 КТЗ71А 1АО «Светлана» 122 КТ502В 4, 12 ,28,33 128 КТ517Е АО «Элекс» 1 130 КТЗ71АМ 1АО «Светлана» 122 КТ502Г 4, 12 ,28,33 128 КТ517А-1 АО •Элекс• 1 132 КТ372А 1З-д «Пульсар» 122 КТ502Д 4, 12 ,28,33 128 КТ517Б-1 АО «Элекс» 132 КТ372Б 'З-д «Пульсар» 122 КТ502Е 4, 12 ,28,33 128 КТ517В-1 АО «Элекс• 132 КТ372В З-д «Пульсар» 122 КТSОЗА 4, 12 ,28,33 128 КТ517Г-1 АО «Элекс• 132 КТ373А АО «Элекс» 122 КТSОЗБ 4, 12 ,28,33 128 КТ517Д-1 АО «Элекс• 132 КТ373Б АО «Элекс» 122 ктsозв 4, 12 ,28,33 128 КТ517Е-1 АО «Элекс» 132 КТ373В АО «Элекс» 122 ктsозг 4, 12 ,28,33 128 КТ517А-9 АО «Элекс» 132 КТ373Г АО «Элекс» 122 КТSОЗД 4, 12 ,28 ,33 128 КТ517Б-9 АО «Элекс» 132 КТ375А взпп 122 КТSОЗЕ 4, 12 ,28,33 128 КТ517В-9 АО оЭлекс» 132 КТЗ75Б взпп 122 КТ504А 12,33 128 КТ517Г-9 АО «Элекс» 132 КТ379А АО «Элекс» 122 КТ504Б 12,33 128 КТ517Д-9 АО «Элекс» 1 132 1 КТЗ79Б АО •Элекс» 122 1КТЗ79В АО «Элекс» 122 КТ504В 12,33 128 КТ505А ЗАО «Кремний» 128 КТ517Е-9 АО «Элекс» 132 КТ519А З-д «Микрон» 132 КТЗ79Г АО «Элекс» 122 КТ505Б ЗАО «Кремний» 128 КТ519Б З-д «Микрон» 132
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей i! Тип ~ прибора !КТ5198 1 КТ520А КТ520Б КТ521А ,__ КТ521Б КТ523А КТ523Б ~ КТ5238 ~ КТ523Г ~ КТ523Д ~ КТ523А9 iiКТ52ЗБ9 liКТ52389 !IКТ52ЗГ9 КТ523Д9 КТ524А КТ524А-5 КТ525А КТ525д-5 llКТ526д i КТ526А-5 !КТ528д9 j КТ528Б9 КТ52889 КТ528Г9 КТ528Д9 .КТ529д КТ530д КТ538д КТ601А 1 КТ601АМ КТ602А КТ&О2Б КТ6028 КТ602Г КТ602АМ КТ602БМ КТ603д КТ603Б КТ6038 КТ603Г КТ603Д КТ603Е КТ603И КТ604д КТ604Б КТ604АМ КТ604БМ КТ605д КТ605Б КТ605АМ КТ605БМ КТ606д КТ606Б КТ607А-4 КТ607Б-4 КТ608д i Изготовитель i (см. стр. 31) 13-д «Микрон» 28.33 28.33 28.33 28,33 АО «Элекс» АО «Элекс» IAO «Элекс» ;до «Элекс» АО «Элекс» Стр. 132 132 132 132 132 132 132 1 132 1 132 132 iАО «Элекс» 132 АО «Элекс» 1 132 АО «Элекс» 1 132 АО «Элекс» 132 АО «Элекс» 132 3-д «Микрон» 132 3-д «Микрон» 132 3-д «Микрон» 134 3-д «Микрон» 134 3-д «Микрон» 134 3-д «Микрон» 134 IAO «Элекс» 1 134 IAO «Элекс» 1 134 АО «Элекс» 134 АО «Элекс» 134 АО «Элекс• 134 12, 33 134 12, 33 134 3-д «Транзистор» 134 1,7,36 136 11,7 ,36 136 1,7,36 1 136 i1, 7, 36 ! 136 1,7,36 136 1,7,36 136 12, 36 136 12, 36 136 НПО «Планета» 136 НПО «Планета» 136 НПО «Планета» 136 НПО «Планета» 136 НПО «Планета» 136 1НПО «Планета» 136 1НПО «Планета» 136 17, 36 136 ' 7,36 136 7, 36 136 7, 36 136 АО «ВОСХОД» 136 АО «ВОСХОД» 136 ПО «НИИЭТ» 138 ПО «НИИЭТ» 138 7,9 138 7,9 138 3-д «Транзистор» 138 3-д «Транзистор» 138 НПО «Планета» 138 Тип Изготовитель ! прибора (см. стр. 31) 1 Стр. КТ608Б НПО «Планета» 138 КТ610А 3-д «Транзистор» 138 КТ610Б 3-д «Транзистор» 138 КТ6102А - 138 КТ6103д - 138 КТ6104А - 138 КТ6105д - 138 КТ6107д - 1 138 КТ6108д 1 - 1 138 КТ6109д 28,33 1 138 1 КТ6109Б 28,33 1 138 КТ61098 28,33 i 138 КТ6109Г 28,33 138 КТ6109Д 28,33 1 138 КТ611д ПО «НИИЭТ» 140 КТ611Б ПО «НИИЭТ» 140 КТ611В ПО «НИИЭТ» 140 КТ611Г ПО «НИИЭТ» 140 КТ611АМ ПО «НИИЭТ» 140 КТ611БМ ПО «НИИЭТ» 140 КТ6110А 28,33 140 КТ6110Б 28,33 140 КТ61108 28,33 140 КТ6110Г 28,33 140 КТ6110Д 28, 33. 140 КТ6111д 28,33 140 КТ6111Б 28,33 140 КТ6111В 28,33 140 КТ6111Г 28,33 140 КТ6112А 28,33 140 КТ6112Б 28,33 140 КТ6112В 28,33 140 КТ6113А 28,33 1 140 КТ6113Б 28,33 140 КТ6113В 28,33 140 КТ6113Г 28,33 140 КТ6113Д 28,33 140 КТ6113Е 28,33 140 КТ6114А 28,33 140 КТ6114Б 28,33 140 КТ61148 28,33 140 КТ6114Г 28,33 140 КТ6114Д 28,33 140 КТ6114Е 28,33 140 КТ6115д 28,33 140 КТ6115Б 28,33 140 КТ61158 28,33 140 КТ6115Г 28,33 140 КТ6115Д 28,33 140 КТ6115Е 28,33 140 КТ6116А 4,28 ,33 140 КТ6116Б 4,28 ,33 140 КТ6117А 4,28,33 142 КТ6117Б 4,28,33 142 КТ6127А АО «Элекс» 142 КТ6127Б АО «Элекс» 142 КТ6127В АО «Элекс» 142 11 Тип 1 Изготовитель t Стр.~ прибора 1 (см. стр. 31) КТ6127Г IAO «Элекс» ! 142 КТ6127Д АО «Элекс» 1 142 КТ6127Е АО «Элекс» 1 142 КТ6127Ж АО «Элекс» 1 142 КТ6127И АО «Элекс» 1 142 КТ6127К АО «Элекс» 1 142 КТ6128А 128.33 1 142 1 1 КТ6128Б j28.33 142 !i 1! КТ6128В :28,33 1 142 КТ6128Г 128.33 ' 142 •: КТ6128Д !28.33 142 i! КТ6128Е 128,33 1 142ii КТ6129А-9 1НПО «Планета» ' 142 1 ' КТ6129Б-2 НПО «Планета» 142 КТ6130д-9 НПО «Планета» 142 КТ6131А НПО «Планета» 142 КТ6132А НПО «Планета» 144 КТ6133А НПО «Планета» 144 КТ6133Б НПО «Планета» 1 144 КТ6133В 1НПО «Планета» i 144 i! КТ6134д 1НПО «Планета» 1 144 1 КТ6134Б 1НПО «Планета» 1 144 КТ61348 1НПО «Планета» ! 144 КТ6135д iНПО «Планета» 1 144 КТ6135Б НПО «Планета» 144 КТ6135В НПО «Планета» 144 КТ6135Г НПО «Планета» 144 КТ6135д9 НПО «Планета» 144 КТ6135Б9 НПО «Планета» 144 КТ613589 1НПО «Планета» 144 КТ6135Г9 1НПО «Планета» ! 144 КТ6135Д9 1НПО «Планета» i 144 КТ6136А 128,33 :14411 КТ6137д 128,33 ! 144 КТ6138д IAO «Элекс» 144 КТ6138Б IAO «Элекс» 1 144 КТ6138В АО «Элекс» 144 КТ6138Г АО «Элекс» 144 КТ6138Д АО «Элекс» 144 КТG139д АО «Элекс» 144 КТ6139Б АО «Элекс» 144 КТ61398 IAO «Элекс» 11441 КТ6139Г IAO «Элекс» !144i КТ6139Д IAO «Элекс» 1 144 КТ6140А 3-д «Микрон» 1 144 КТ6141д9 1НПО «Планета» 146 КТ6141Б9 НПО «Планета» 146 КТ6142А НПО «Планета» 146 КТ6142Б НПО «Планета» 146 КТ6142А9 НПО «Планета» 146 КТ616д 3-д «Транзистор» 146 КТ616Б 3-д «Транзистор» 146 КТ617А 3-д «Транзистор» 146 КТ618А В3ПП 146 КТ620А - 146 КТ620Б - 146 КТ624А-2 3-д «Транзистор» 146
12 Тип 1 Изготовитель 1 Стр. i прибора i (см. стр. 31) КТ624АМ·2 1 З-д «Транзистор» 146 КТ625д 1З-д «Транзистор» 148 КТ625АМ 1З-д «Транзистор» 148 КТ625АМ-2 З-д «Транзистор» 148 КТ626д ЗАО «Кремний» 148 КТ626Б ЗАО «Кремний» 148 КТ626В ЗАО «Кремний» 148 КТ626Г ЗАО «Кремний» 148 1 КТ626Д ЗАО «Кремний» 148 1КТ629А·2 АО «Элекс» 148 1 КТ629Б-2 АО «Элекс» 148 1 КТ629БМ·2 АО «Элекс» 148 1КТ630д 112. 33 148 1 КТ630Б 12, 33 1 148 1 КТ630В 12,33 148 КТ630Г 12,33 148 КТ630Д 12,33 148 КТ630Е 12, 33 148 КТбЗОА-5 12, 33 148 КТбЗОБ-5 l12. 33 148 КТбЗОВ-5 112.33 1 148 j КТбЗОГ-5 112. 33 1 148 1 1КТ632Б IAO «Элекс» 1 148 КТ632Б-1 IAO «Элекс» 1 150 КТ632В-1 АО «ЭЛеКС» 150 1iКТ633д З-д «Транзистор» 150 КТ633Б З-д «Транзистор» 150 КТ634А-2 З-д «Транзистор» 150 КТ634Б-2 З-д «Транзистор» 150 КТ635д 28,33 150 КТ635Б 28,33 150 КТ637А-2 З-д «Транзистор» 150 КТ637Б-2 З-д «Транзистор» 150 КТ638А АО «Элекс» 150 J КТ638д1 IAO «Элекс» 150 КТ639А 2, 12, 15 152 КТ639Б 2, 12, 15 1 152 КТ639В 2, 12, 15 152 1 КТ639Г 2, 12, 15 152 КТ639Д 2, 12, 15 152 КТ639Е 2, 12, 15 152 КТ639Ж 2, 12, 15 152 КТ639И 2, 12, 15 152 КТ639д-1 12.12,15 1 1 152 11 КТ639Б·1 12, 12, 15 152 ~ КТ639В-1 i2.12.15 i 152 1 1 КТ639Г-1 2, 12, 15 152 КТ639Д-1 2, 12, 15 152 КТ639Е-1 2, 12, 15 152 КТ639Ж-1 2, 12, 15 152 КТ639И-1 2, 12, 15 152 КТ640А·2 З-д «Пульсар» 152 КТ640Б-2 З-д «Пульсар» 152 КТ640В-2 З-д «Пульсар» 152 КТ642А·2 З-д «Пульсар» 152 КТ642А·5 З-д «Пульсар» 152 КТ643А-2 З-д «Пульсар» 152 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя Тип Изготовитель прибора (см. стр. 31) КТ644А 2, 12 КТ644Б 2, 12 КТ644В 2, 12 КТ644Г 2, 12 КТ645д 12,28 ,33 КТ645Б 12,28 ,33 КТ646д 12,28 , 33 КТ646Б 12,28 , 33 1 КТ646В 12,28 ,33 КТ647А-2 З-д «Пульсар» КТ647А·5 З-д «Пульсар» КТ648А·2 З-д «Пульсар» КТ648А-5 З-д «Пульсар» КТ653д ЗАО «Кремний» КТ653Б ЗАО «Кремний» КТ657А-2 З-д «Пульсар» КТ657Б-2 З-д «Пульсар» КТ657В-2 З-д «Пульсар» КТ657д-5 З-д «Пульсар» КТ657Б-5 З-д «Пульсар» КТ657В-5 1З-д «Пульсар» КТ659А ПО «НИИЭТ» КТ660д 28,33 КТ660Б 28,33 КТ661А 4,33 КТ662д АО «Элекс» КТ664А-9 12,28 ,33 КТ664Б-9 12,28 , 33 КТ665А·9 12,33 КТ665Б-9 12,33 КТ666А-9 ЗАО «Кремний» КТ667д-9 ЗАО «Кремний» КТ668д З-д ПО «Альфа» КТ668Б З-д ПО «Альфа» КТ668В З-д ПО «Альфа» КТ680д АО «Элекс» КТ681д АО «Элекс» КТ682А·2 З-д «Пульсар» КТ682Б·2 З-д «Пульсар» КТ682А-5 З-д «Пульсар» КТ682Б-5 З-д «Пульсар» КТ683д ЗАО «Кремний» КТ683Б ЗАО «Кремний» КТ683В ЗАО «Кремний» КТ683Г ЗАО «Кремний» КТ683Д ЗАО «Кремний» КТ683Е ЗАО «Кремний» КТ684д З-д ПО «Альфа» КТ684Б З-д ПО «Альфа» КТ684В З-д ПО «Альфа» КТ684Г З-д ПО «Альфа» КТ685д З-д ПО «Альфа» КТ685Б З-д ПО «Альфа» КТ685В З-д ПО «Альфа» КТ685Г З-д ПО «Альфа» КТ685Д З-д ПО «Альфа» КТ685Е З-д ПО «Альфа» Стр. 152 152 152 152 154 154 154 154 154 154 154 154 154 154 154 154 154 154 156 156 156 1 156 1 156 156 156 156 156 156 156 156 156 156 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 Тип прибора КТ685Ж КТ686д КТ686Б КТ686В КТ686Г КТ686Д КТ686Е КТ686Ж КТ692д КТ695д КТ698д КТ698Б КТ698В КТ698Г КТ698Д КТ698Е КТ698Ж КТ698И КТ698К КТ704А КТ704Б КТ704В КТ708д КТ708Б КТ708В КТ709д КТ709Б КТ709В КТ710А КТ712А КТ712Б КТ715А КТ716А КТ716Б КТ716В КТ716Г КТ719А КТ720А КТ721д КТ722А КТ723А КТ724А КТ728д КТ729А КТ729Б КТ730д КТ731А КТ731Б КТ731В КТ731Г КТ732А КТ733А КТ734А КТ734Б КТ734В КТ734Г КТ735д 1 Изготовитель 1 (см. стр. 31) З-д ПО «Альфа» З-д ПО «Альфа» З-д ПО «Альфа» 1 З-д ПО «Альфа» З-д ПО «Альфа» З-д ПО «Альфа» З-д ПО «Альфа» З-д ПО «Альфа» АО «Элекс» АО «Элекс» АО «Элекс» АО «Элекс» АО «Элекс» АО «Элекс» !АО «Элекс» АО «Элекс» АО «Элекс» АО «ЭЛеКС» АО «Элекс» : ~ ! Cтp. lj 1 158 1 158 i 158 158 158 1 158 158 1 158 1160~ 1 160 160 160 1 160 160 1 160 160 160 160 1 160 1 АО «Электронприбор» 1 160 J j АО «Электронприбор» 1 160 ii !АО «Электронприбор» 1 160 ЗАО «Кремний» 160 ЗАО «Кремний» 160 ЗАО «Кремний» 160 ЗАО «Кремний» 160 ЗАО «Кремний» 160 ЗАО «Кремний» 160 АО «ЭЛИЗ» 160 ЗАО «Кремний» 162 1 ЗАО «Кремний» ! 162 11,34 1 162 ЗАО «Кремний» ! 162 1ЗАО «Кремний» 162 ЗАО «Кремний» 162 ЗАО «Кремний» 162 ЗАО «Кремний» 1 162 ЗАО «Кремний» 162 ЗАО «Кремний» 162 ЗАО «Кремний» 162 ЗАО «Кремний» 162 ЗАО «Кремний» 1 162 З-д «Искра» 1 162 ЗАО «Кремний» 1 162 ЗАО «Кремний» , 162 ЗАО «Кремний» 164 З-д ПО «ФОТОН» 164 З-д ПО «ФОТОН» 164 З-д ПО «ФОТОН» 164 З-д ПО «ФОТОН» 164 З-д «Транзистор» 164 З-д «Транзистор» 164 З-д «Микрон» 164 З-д «Микрон» 164 З-д «Микрон» 164 З-д «Микрон» 164 1 З-д «Микрон» 164
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей 13 Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) j КТ735Б 1З-д «Микрон» 164 i1кт1зsв 1З-д «Микрон» 164 КТ8107Г2 З-д «Искра» 170 КТ8107Д2 З-д «Искра» 170 КТ8127Б-1 1АО «Электронприбор» i 176 1 КТ8127В-1 АО «Электронприбор» i 176 КТ735Г 1з:д «Микрон» 164 КТ8107Е2 З-д «Искра» 170 КТ8129А ЗАО «Кремний» i 176 !1КТ736А 128,40 164 : КТ736Б i28,40 164 КТ8108А АО сЭлектрон"прибор» 170 КТ8108Б АО «Электронприбор» 170 КТ8130А 10, 12 ! 176 КТ81ЗОБ 10, 12 1 176 1 КТ736В 128,40 164 КТ736Г i28,40 164 КТ8108В АО «Электронприбор» 170 КТ8108А-1 АО •Электронприбор» 170 КТ81ЗОВ 10, 12 1 176 1 КТ8131А 1ЗАО «Кремний» ' 176 1 КТ737А З-д «Микрон» 164 КТ8108Б-1 АО «Электронприбор» 170 КТ8131Б ЗАО «Кремний» 176 КТ737Б З-д «Микрон» 164 КТ8108В-1 АО «Электронприбор» 170 КТ8131В ЗАО «Кремний» 176 КТ737В З-д «Микрон» 164 КТ8109А 10, 12 170 КТ8133А ЗАО «Кремний» 176 КТ737Г З-д «Микрон» 164 КТ8109Б ЗАО «Кремний» 170 КТ81ЗЗБ ЗАО «Кремний» 176 КТ738А 1 З-д «Транзистор» 1 164 КТ8110А 10, 12 170 КТ8134А - 176 КТ739А 1 З-д «Транзистор» 1 166 КТ8110Б 10, 12 170 ' КТ8135А - 1 176 1КТ740А i7,З6 166 :iКТ740А1 f7,З6 1 166 КТ801А !АО «Элекс» 166 КТ8110В 10, 12 i 170 КТ8111А9 1- 172 КТ8111Б9 - 172 КТ8136А IAO «Элиз» : 176 КТ8136А-1 iAO «ЭЛИЗ» !176! КТ8137А iЗ-д «Искра» 1 176 1! 1 1 КТ801Б iAO «Элекс» 1 166 1 КТ802А : З-д «Искра» : 166 КТ811189 1- 1 172 КТ8112А 10, 12 i 172 КТ8138А 1- 1 178 ~ КТ8138Б - !1781 1 КТ80ЗА З-д «Искра» 166 КТ805А 7, 10 166 КТ811ЗА З-д «Транзистор» 172 КТ811ЗБ З-д «Транзистор» 172 КТ8138В - 1 178 1 КТ8138Г - 178 КТ805Б 7, 10 166 КТ811ЗВ З-д «Транзистор» 172 КТ8138Д - 178 КТ805АМ 7, 10, 12,28 166 КТ8114А АО сЭлектронприбор» 172 КТ8138Е - 178 КТ805БМ 7, 10, 12,28 166 КТ8114Б АО «Электронприбор» 172 КТ8138Ж - 178 11 КТ805ВМ 17, 10, 12,28 166 КТ8114В АО «Электронприбор» 172 КТ8138И 1- ;178!i КТ807А 1З-д «Искра» 166 1 КТ807Б З-д «Искра» 166 !КТВО7АМ 1З-д «Искра» i 168 · КТ807БМ ; З-д «Искра» 168 КТ8114Г АО •Электронприбор» 172 КТ8115А 10,28 172 1 КТ8115Б З-д «Транзистор» 172 КТ8115В З-д «Транзистор» 172 КТ8140А АО «ЭЛИЗ» 1 178 1 КТ8140А-1 IAO «Элиз» i 178 КТ8141А 1 ЗАО «Кремний» i 178 1 1 КТ8141Б ЗАО «Кремний» 1 178 1 КТ808А 1З-д «Искра» 1 168 КТ8116А 10,28 1 172 КТ8141В ЗАО «Кремний» 178 КТ808А1 З-д «Искра» 168 КТ8116Б З-д «Транзистор» 172 КТ8141Г ЗАО «Кремний» 178 КТ808Б1 З-д «Искра» 168 КТ81168 З-д «Транзистор» 172 КТ814А 10, 12, 15,28,ЗЗ 178 КТ80881 З-д «Искра» 168 КТ8117А З-д «Искра» 172 КТ814Б 10, 12, 15,28,ЗЗ 178 КТ808Г1 З-д «Искра» 168 КТВОВАЗ 1З-д «Искра» 168 КТ8117Б З-д «Искра» 172 КТ8118А З-д «Искра» 174 КТ814В 10, 12 , 15,28,ЗЗ 178 КТ814Г 10, 12 , 15,28.ЗЗ 178 11 КТ808БЗ З-д «Искра» 168 КТ812А 10,З5 174 1 1 КТ8143А 10, 12,З4 178 КТ808АМ 1З-д «Искра» 168 КТ812Б 10,З5 174 КТ814ЗБ 10, 12,З4 178 ~КТВОВБМ i З-д «Искра» 168 КТ812В 10, З5 174 КТ814ЗВ 10, 12,З4 178 1 1 КТ808ВМ : З-д «Искра» 1 168 КТ8120А 10,28 174 КТ814ЗГ 10, 12,З4 1 178 КТ808ГМ !З-д «Искра» 168 КТ8121А З-д «Искра» 174 КТ814ЗД 10, 12,З4 1 178 КТ809А 1З-д «Искра» 1 168 1 КТ8121Б З-д «Искра» 174 КТ814ЗЕ 110, 12,З4 1 178 1 1 КТ8101А ЗАО «Кремний» 1 168 КТ8121А-1 З-д «Искра» 174 КТ814ЗЖ 10, 12,З4 1 178 КТ8101Б ЗАО «Кремний» 168 КТ8121Б-1 З-д «Искра» 174 КТ81433 - 10, 12,З4 178 КТ8102А ЗАО «Кремний» 168 КТ8121А-2 З-д «Искра» 174 КТ814ЗИ 10, 12,З4 178 КТ8102Б ЗАО «Кремний» 168 КТ8121Б-2 З-д «Искра» 174 КТ814ЗК 10, 12,34 178 КТ8104А ЗАО «Кремний» 168 КТ8123А З-д «Искра» 174 КТ814ЗЛ 10, 12,34 178 КТ8105А ЗАО «Кремний» 170 КТ8124А З-д «Искра» 174 КТ814ЗМ 10, 12,34 i1781 КТ8106А ЗАО «Кремний» 170 КТ8124Б З-д «Искра» 174 КТ814ЗН 10, 12,34 11781 КТ8106Б ЗАО «Кремний» 170 КТ81248 З-д «Искра» 174 КТ814ЗП 10, 12,34 11781 КТ8107А 1З-д «Искра» ! 170 КТ8125А З-д «Искра» 174 КТ814ЗР 10, 12,34 ' 178 1 1 · КТ8107Б З-д «Искра» 170 КТ8125Б З-д «Искра» 1 174 КТ814ЗС 10, 12,34 i 178 'КТ8107В 1 З-д «Искра» 170 КТ8125В З-д «Искра» 174 КТ814ЗТ 10, 12,34 1 178 1 КТ8107Г З-д «Искра» 170 КТ8126А1 10,28 174 КТ814ЗУ 10, 12, 34 1 178 КТ8107Д З-д «Искра» 170 КТ8126Б1 10,28 174 КТ814ЗФ 10, 12,34 178 КТ8107Е З-д «Искра» 170 КТ8127А АО «Электронприбор» 174 КТ8144А З-д «Искра» 178 КТ8107А2 З-д «Искра» 170 КТ8127Б АО сЭлектронприбор» 174 КТ8144Б З-д «Искра» 178 КТ8107Б2 З-д «Искра» 170 КТ81278 АО «Электронприбор» 174 КТ8145А З-д «Искра» i 178 КТ810782 З-д «Искра» 170 КТ8127А-1 АО •Электронприбор» 176 КТ8145Б З-д «Искра» ' 178 :
14 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя 1 Тип 1 Изготовитель Стр. 1 прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип 1 Изготовитель i Стр. прибора (см. стр. 31) jlКТ8146А З-д «Искра» 180 КТ8175А - 184 КТ8205А 1З-д «Микрон» i 190 1 КТ8146Б З-д «Искра» 180 КТ8147А 1З-д «Искра» 1 180 КТ8175Б - 184 КТ8175А·1 - 186 КТ8207А З-д «Микрон» 190 КТ8209А З-д «Микрон» 190 КТ8147Б 13-д «Искра» 180 КТ8175Б·1 - 186 КТ820А·1 ЗАО «Кремний» 192 КТ8149А 3-д «Искра» 180 КТ8176А З-д «Транзистор» 186 КТ820Б-1 ЗАО «Кремний» 192 КТ8149А-1 З-д «Искра» 180 КТ8176Б З-д «Транзистор» 186 КТ8208·1 ЗАО «Кремний» 192 КТ8149А-2 З-д «Искра» 180 КТ81768 З-д •Транзистор» 186 КТ8212А З-д «Транзистор» 192 КТ8150А З-д «Искра» 180 КТ8177А 3-д «Транзистор» 186 КТ8212Б · З-д «Транзистор» 192 КТ8150А-1 З-д «Искра» 180 КТ8177Б З-д «Транзистор» 186 КТ8212В З-д «Транзистор» 1 192 КТ8150А·2 1З-д «Искра» 180 КТ8154А З-д «Искра» 180 I КТ8154Б 1З-д «Искра» 180 КТ81778 3-д «Транзистор» 186 КТ817А 10, 12, 15,28 186 КТ817Б 10, 12, 15,28 186 КТ821ЗА 1З-д «Транзистор» 1 192 ~ КТ821ЗБ 1З-д «Транзистор» : 192 !i КТ821ЗВ З-д «Транзистор» 192 1 КТ8155А 1З-д «Искра» 180 1 КТ8155Б З-д «Искра» 180 КТ8178 10, 12, 15,28 186 КТ817Г 10, 12, 15,28 186 КТ8214А З-д «Транзистор» 192 КТ8214Б З-д «Транзистор» 192 1 КТ8156А 1З-д «Транзистор» 182 КТ817Б·2 10, 12, 15,28 186 КТ8214В З-д «Транзистор» 192 1 КТ8156Б З-д «Транзистор» 182 КТ817Г·2 10, 12 , 15,28 186 КТ8215А З-д «Транзистор» 192 КТ8157А З-д «Искра» 182 КТ8181А - 186 КТ8215Б З-д «Транзистор» 192 КТ8157Б З-д «Искра» 182 КТ8181Б - 186 КТ82158 З-д «Транзистор» 192 КТ8158А 3-д «Транзистор» 182 КТ8182А - 186 КТ8216А ЗАО «Кремний» 192 КТ8158Б 3-д «Транзистор» 182 КТ8182Б - 186 КТ8216Б ЗАО «Кремний» 192 КТ81588 3-д «Транзистор» 182 КТ818ЗА - 186 КТ8216В 1ЗАО «Кремний» ' 192 1 КТ8159А З-д «Транзистор» 182 !1 КТ8159Б 1 З-д «Транзистор» 182 КТ818ЗБ - 186 КТ818ЗА-1 - 186 КТ8216Г 1ЗАО «Кремний» 1192il КТ8216А1 ЗАО «Кремний» 11921! 1 КТ81598 1 З-д «Транзистор» 182 КТ818ЗБ-1 - 186 КТ8216Б1 ЗАО «Кремний» 1 192 11 IКТ815А 112, 15, 28, 33 182 КТ818ЗА-2 - 186 КТ821681 ЗАО «Кремний» 192 ' КТ815Б 12, 15 ,28 ,33 182 КТ818ЗБ-2 - 186 КТ8216Г1 ЗАО «Кремний» 192 КТ8158 12, 15 ,28 ,33 182 КТ818А 10, 12 ,28 188 КТ8217А ЗАО «Кремний» 194 КТ815Г 12, 15 ,28 ,33 182 КТ818Б 10, 12,28 188 КТ8217Б ЗАО «Кремний» 194 КТ8163А ЗАО «Кремний» 182 КТ8188 10, 12,28 188 КТ82178 ЗАО «Кремний» 194 КТ8164А З-д «Транзистор» 182 КТ818Г 10, 12,28 188 КТ8217Г ЗАО «Кремний» 194 КТ8164Б З-д «Транзистор» 182 КТ818АМ ЗАО «Кремний» 188 КТ8217А1 ЗАО «Кремний» 194 КТ816А 12, 15 ,28 ,33 184 КТ816Б 112. 15, 28, 33 184 КТ8168 :12.15,28,33 184 КТ816Г l12, 15, 28, 33 184 КТ818БМ ЗАО «Кремний» 188 КТ818ВМ ЗАО «Кремний» 188 КТ818ГМ ЗАО «Кремний» 188 КТ818А·1 ЗАО «Кремний» 1 188 1 КТ8217Б1 ЗАО «Кремний» 1 194 КТ8217В1 ЗАО «Кремний» 1 194 1 1 КТ8217Г1 ЗАО «Кремний» ' 194 КТ821А-1 ЗАО «Кремний» 194 КТ816А-2 l12, 15, 28, 33 184 КТ818Б·1 ЗАО «Кремний» 188 КТ821Б-1 ЗАО «Кремний» 194 КТ8165А 1ЗАО «Кремний» 184 КТ818В·1 ЗАО «Кремний» 188 КТ821В·1 ЗАО «Кремний» 194 КТ8165Б ЗАО «Кремний» 184 КТ818Г-1 ЗАО «Кремний» 188 КТ8218А ЗАО «Кремний» 194 КТ81658 ЗАО «Кремний» 184 КТ8196А ЗАО «Кремний» 188 КТ8218Б ЗАО «Кремний» 194 КТ8165Г ЗАО «Кремний» 184 КТ8197А-2 7,36 188 КТ8218В ЗАО «Кремний» 194 КТ8166А ЗАО «Кремний» 184 КТ8197Б-2 7,36 188 КТ8218Г ЗАО «Кремний» 194 КТ8166Б ЗАО «Кремний» 184 КТ8197В-2 7,36 188 КТ8218А1 ЗАО «Кремний» 194 КТ81668 1ЗАО «Кремний» 184 КТ8199А З-д «Микрон» 188 КТ8218Б1 ЗАО «Кремний» 194 КТ8166Г 1ЗАО «Кремний» 184 КТ819А 10, 12 190 КТ821881 1ЗАО «Кремний» ! 194 1 КТ8167А 1ЗАО «Кремний» 1 184 КТ8167Б 1ЗАО о Кремний» 184 КТ819Б 10, 12 190 КТ819В l10. 12 190 КТ8218Г1 1ЗАО «Кремний» 1 194 КТ8219А ЗАО «Кремний» 1 196 КТ8167В 1ЗАО «Кремний» 184 КТ819Г 10, 12 190 КТ8219Б ЗАО «Кремний» 196 КТ8167Г ЗАО «Кремний» 184 КТ819АМ ЗАО «Кремний» 190 КТ8219В ЗАО «Кремний» 1 196 КТ8167Д 1ЗАО «Кремний» 184 КТ819БМ ЗАО «Кремний» 190 КТ8219Г ЗАО «Кремний» 196 КТ8168А ЗАО «Кремний» 184 КТ819ВМ ЗАО «Кремний» 190 КТ8219А1 ЗАО «Кремний» 196 КТ8168Б ЗАО «Кремний» 184 КТ819ГМ ЗАО «Кремний» 190 КТ8219Б1 ЗАО «Кремний» 196 КТ8168В ЗАО «Кремний» 184 КТ819А-1 ЗАО «Кремний» 190 КТ821981 ЗАО «Кремний» 196 КТ8168Г ЗАО «Кремний» 184 КТ8168Д ЗАО «Кремний» 184 КТ8170А-1 З-д «Транзистор» 184 КТ819Б-1 ЗАО «Кремний» 190 КТ819В·1 ЗАО «Кремний» 190 КТ819Г·1 ЗАО «Кремний» 190 КТ8219Г1 ЗАО «Кремний» 196 1 КТ8220А ЗАО «Кремний» 196 1 КТ8220Б ЗАО «Кремний» 1 196 КТ8170Б-1 1З-д «Транзистор» 184 КТ8171А ЗАО «Кремний» 184 КТ8201А З-д «Микрон» 190 КТ8203А З-д «Микрон» 190 КТ82208 ЗАО «Кремний» ! 196 1 КТ8220Г ЗАО «Кремний» i 196
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей 15 ~ Тип 1 Изготовитель ! прибора ! (см. стр. 31) Стр. Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип i Изготовитель ! Стр.11 прибора i (см. стр. 31) ~ КТ8221А 1ЗАО «Кремний» 196 КТ8241Д5 АО оЭлекс» 202 КТ836А 1 208 'КТ8221Б ЗАО «Кремний» 196 КТ8241Е5 АО «Элекс» 202 КТ836Б i i 208 ~ КТ8221В 1ЗАО «Кремний» 196 КТ8241Ж5 АО «Элекс» 202 КТ836В 1 1 208 11 КТ8221Г 1ЗАО «Кремний» 1 196 КТ8242А5 АО «Элекс» 202 КТ837А 7, 10, 12,28 208 iКТ8224А З·д «Транзистор» 196 КТ8242Б5 АО «Элекс» 202 КТ837Б 7, 10, 12,28 208 КТ8224Б 1З-д «Транзистор» 196 КТ8242В5 АО оЭлекс» 202 КТ837В 7, 10, 12,28 208 КТ8225А 1З-д «Транзистор» 198 КТ8243А5 АО «Элекс» 202 КТ837Г 7, 10, 12,28 208 КТ8228А З-д «Транзистор» 198 КТ8243Б5 АО «Элекс» 202 КТ837Д 7, 10, 12,28 208 КТ8228Б З-д «Транзистор» 198 КТ8243В5 АО «Элекс» 202 КТ837Е 7, 10, 12,28 208 КТ8229А iЗ-д «Транзистор» 198 КТ8244А5 АО «Элекс» 202 КТ837Ж 11. 10, 12, 28 120811 11КТВ22А-1 1ЗАО «Кремний» 198 КТ8244Б5 АО «ЭЛеКС» 202 IКТВ37И 17. 10, 12, 28 i208 1 ~ КТ822Б-1 : ЗАО «Кремний» 198 КТ8244В5 АО «Элекс» 1 202 КТ837К 17. 10, 12, 28 1 208 1 11КТ822В-1 ! ЗАО «Кремний» 198 1 iКТ823А-1 ; ЗАО «Кремний» 198 КТ8244Г5 АО «Элекс» 202 КТ8245А5 АО «Элекс» 202 1 1 КТ837Л 7, 10, 12,28 208 1 КТ837М 17, 10, 12, 28 1 208 КТ823Б-1 1ЗАО «Кремний» 198 КТ8245Б5 АО «Элекс» 202 КТ837Н 7, 10, 12,28 208 КТ823В-1 1ЗАО «Кремний» 198 КТ8245В5 АО «Элекс» 202 КТ837П 7, 10, 12,28 1 208 КТ825Г ЗАО «Кремний» 198 КТ8245Г5 АО «Элекс» 202 КТ837Р 7, 10, 12,28 208 КТ825Д ЗАО «Кремний» 198 КТ8246А 7,З6 202 КТ837С 7, 10, 12,28 208 КТ825Е ЗАО «Кремний» 198 КТ8246Б 7,З6 202 КТ837Т 7, 10, 12,28 208 КТ826А АО«ЭЛИЗ» 198 КТ8246В 7,З6 202 КТ837У 7, 10, 12,28 208 КТ826Б IAO «ЭЛИЗ» 198 КТ8246Г 7,З6 202 КТ837Ф 17. 10, 12, 28 1 208 1 11КТВ26В iAO «Элиз• 1 198 JIКТ827А !12, З5 1 198 ~ктв21Б :12.З5 198 :iктв21в : 12, З5 198 i1КТВ28А IAO «Элиз» 198 ! КТ828Б IAO «ЭЛИЗ» 198 ~ I КТ828В АО «ЭЛИЗ» 198 КТ8247А З-д «Транзистор» 204 КТ8248А1 З-д «Транзистор» 1 204 КТ8250А взпп 1 204 КТ8250Б взпп 204 КТ8251А - 1 204 КТ8254А ЗАО «Кремний» 1 204 КТ8255А З-д «Транзистор» 204 1КТВЗВА 1АО «Эnектронприбор» i 208 i КТВЗВБ 1АО «Эnектронприбор» 208 i 1 КТ839А 1АО «ЭnектронприбОР» j 208 11 1 КТ840А 110. 12 120811 КТ840Б 110. 12 : 208 1 КТ840В 1ЗАО «Кремний» 1 208 КТ841А 10, 12 210 1 КТ828Г АО «ЭЛИЗ» 198 КТ8261А З-д «Транзистор» 206 КТ841Б 10, 12 210 КТ829А 10, 12,З5 198 КТ8270А З-д «Транзистор» 206 КТ841В 10, 12 210 КТ829Б 10, 12,З5 198 КТ8271А З-д «Транзистор» 206 КТ841Г ЗАО «Кремний» 210 КТ829В 10, 12,З5 198 КТ8271Б З-д «Транзистор» 206 КТ841Д ЗАО «Кремний» 210 1 КТ829Г l10. 12, З5 198 КТ8271В З-д «Транзистор» 206 1 КТ841Е 'ЗАО «Кремний» i 210 '! КТ8230А 1З-д «Транзистор» 200 КТ8272А З-д «Транзистор» 206 КТ842А ЗАО «Кремний» 1 ! 210 КТ8231А !ЗАО «Кремний» 200 КТ8272Б З-д «Транзистор» 206 КТ842Б ЗАО «Кремний» 210 КТ8231А1 1ЗАО «Кремний» 200 КТ8272В З-д «Транзистор» 206 КТ842В ЗАО «Кремний» 210 КТ8231А2 : ЗАО «Кремний» 200 КТ8232А1 l7,З6 200 КТ8232Б1 7,З6 200 КТ829А 10, 12,З5 206 КТ829Б 10, 12,З5 206 1 КТ829В 10, 12,З5 206 1 КТ844А АО «Эnектронприбор» 1 210 1 КТ845А АО «Эnектронприбор» 210 КТ846А 10,З4 210 КТ8233А5 АО «Элекс» 200 КТ829Г 10, 12,З5 206 КТ846Б 10,З4 210 КТ8233Б5 АО «Элекс» 200 КТ829АТ ЗАО «Кремний» 206 КТ846В 10,З4 210 КТ8233В5 АО «Элекс» 200 КТ829АП ЗАО «Кремний» 206 КТ847А АО «ЭЛИЗ» 210 КТ8234А5 IAO «Элекс» 202 КТ829АМ ЗАО «Кремний» 206 КТ847Б АО «ЭЛИЗ» 210 1 КТ8234Б5 АО «Элекс» 202 КТ8290А З-д «Транзистор» 206 КТ848А АО «Эnектронприбор» i 210 1 КТ8234В5 IAO «Элекс» 202 КТВЗОА ЗАО «Кремний» 206 КТ848Б АО «Эnектронприбор» 1 210 КТ8235А IAO «Элекс» 202 КТВЗОБ ЗАО «Кремний» 206 КТ850А ЗАО «Кремний» 210 КТ8240А5 IAO «Элекс» 202 ктвзов ЗАО «Кремний» 206 КТ850Б ЗАО «Кремний» 1 210 КТ8240Б5 IAO «Элекс» 1 202 ктвзог ЗАО «Кремний» 206 КТ850В ЗАО «Кремний» 1 210 КТ8240В5 АО «Элекс» 202 КТ831А ЗАО «Кремний» 206 КТ851А ЗАО «Кремний» 210 КТ8240Г5 !АО «Элекс» 202 КТ831Б ЗАО «Кремний» 208 КТ851Б ЗАО «Кремний» 210 КТ8240Д5 АО «Элекс» 202 КТ831В ЗАО «Кремний» 208 КТ851В ЗАО «Кремний» 210 КТ8240Е5 АО «Элекс» 202 КТ831Г ЗАО «Кремний» 208 КТ852А ЗАО «Кремний» 210 КТ8240Ж5 АО «Элекс» 202 КТ834А АО «Эnектронприбор» 208 КТ852Б ЗАО «Кремний» 210 КТ8241А5 АО «Элекс» 202 КТ834Б АО «Эnектронприбор» 208 КТ852В ЗАО «Кремний» 210 КТ8241Б5 АО «Элекс» 202 КТ834В АО «Эпектронприбор» 208 КТ852Г ЗАО «Кремний» 210 КТ8241В5 АО «Элекс» 202 КТ835А ПО «НИИЭТ» 208 КТ853А ЗАО «Кремний» 210 КТ8241Г5 АО «Элекс» 202 КТ835Б ПО «НИИЭТ» 208 КТ853Б ЗАО «Кремний» 210
16 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя 11 Тип 1 Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) • 1! Тип Изготовитель 1 Стр.1! прибора (см. стр. 31) 1КТ853В ЗАО «Кремний» 210 1 КТ85ЗГ 1ЗАО «Кремний» 210 КТ897Б ЗАО «Кремний» 216 КТ898А ЗАО «Кремний» 216 КТ9134А 1 З-д «Пульсар» ' 226 ' КТ9134Б 1 З-д «Пульсар» 226 КТ854А 10, 12 210 КТ898Б ЗАО «Кремний» 216 КТ9136АС ПО «НИИЭТ» 226 КТ854Б 10, 12 210 КТ898А·1 ЗАО «Кремний» 218 КТ914А АО «Элекс» 226 КТ855А ЗАО «Кремний» 210 КТ898Б-1 ЗАО «Кремний» 218 КТ9141А З-д «Пульсар» 226 КТ855Б ЗАО «Кремний» 210 КТ899А З-д «Искра» 218 КТ9141А-1 З-д «Пульсар» 226 КТ855В ЗАО «Кремний» 210 КТ902А ВЗПП 218 КТ9142А ПО «НИИЭТ» 226 КТ856А З-д «Искра» 210 КТ902АМ взпп 218 КТ914ЗА НПО «Планета» 226 КТ856Б З-д «Искра» 210 КТ90ЗА взпп 218 КТ914ЗБ НПО «Планета» 226 КТ856А·1 1 З-д «Искра» 212 КТ90ЗБ взпп 218 КТ914ЗВ НПО «Планета» 1 226 КТ856Б·1 З-д «Искра» 212 КТ904А ВЗПП 218 КТ9144А·5 ЗАО «Кремний» 1 228 КТ857А 110, 12 212 1 КТ858А 110. 12. 34 . 212 1КТ859А 10, 12, 34 212 КТ904Б взпп 218 КТ907А ПО «НИИЭТ» 218 КТ907Б ПО «НИИЭТ» 218 КТ9145А-5 ЗАО «Кремний» ! 228 1 КТ9144А-9 ЗАО «Кремний» 1 228 КТ9145А-9 ЗАО «Кремний» 1 228 КТ862Б З-д «Пульсар» 212 КТ908А АО «ЭЛИЗ» 218 КТ9146А З-д «Пульсар» 228 КТ862В З-д «Пульсар» 212 КТ908Б АО «Элиз» 218 КТ9146Б З-д «Пульсар» 228 КТ862Г З-д «Пульсар» 212 КТ909А 7,36 220 КТ9146В З-д «Пульсар» 228 КТ86ЗА ЗАО «Кремний» 212 КТ909Б 7,36 220 КТ9147АС ПО «НИИЭТ» 228 КТ86ЗБ ЗАО «Кремний» 212 КТ909В 7,36 220 КТ9150А ПО «НИИЭТ» 228 КТ86ЗВ ЗАО «Кремний» 212 КТ909Г 7,36 220 КТ9151А ПО «НИИЭТ» 228 КТ864А ЗАО «Кремний» 212 КТ9101АС 7,36 220 КТ9152А ПО «НИИЭТ» 228 КТ865А ЗАО «Кремний» 212 I КТ866А 1З-д «Пульсар» 212 КТ9104А 7,36 220 КТ9104Б 7,36 220 КТ915ЗАС ПО «НИИЭТ» 1230 1 1' КТ915ЗБС ПО «НИИЭТ» 1 230 1КТ866Б 1 З-д «Пульсар» 212 КТ9105АС 7,36 220 КТ9155А ПО «НИИЭТ» 230 КТ867А 10, 12 212 КТ9106АС-2 НПП «Пульсар» 220 КТ9155Б ПО «НИИЭТ» 230 КТ868А З-д «Искра» 214 КТ9106БС-2 НПП «Пульсар» 220 КТ9155В ПО «НИИЭТ» 230 КТ868Б З-д «Искра» 214 КТ9109А 7,36 220 КТ9156АС ПО «НИИЭТ» 230 КТ872А 28,34 214 КТ9111А З-д «Пульсар» 220 КТ9156БС ПО «НИИЭТ» 230 КТ872Б З-д «Транзистор» 214 КТ9115А ЗАО «Кремний» 222 КТ9157А ЗАО «Кремний» 230 КТ872В 3-д «Транзистор» 214 КТ9115Б ЗАО «Кремний» 222 КТ9160А З-д «Пульсар» 230 КТ874А З-д «Пульсар» 214 КТ9116А ПО «НИИЭТ» 222 КТ9160Б З-д «Пульсар» 230 КТ874Б З-д «Пульсар» 214 КТ9116Б ПО «НИИЭТ» 222 КТ9160В З-д «Пульсар» 230 КТ878А З-д «Искра» 214 КТ911А 7,36 222 КТ9161АС ПО «НИИЭТ» 232 1 КТ878Б З-д «Искра» 214 КТ911Б 7,36 222 КТ9164А 3-д «Пульсар» 1 232 КТ878В З-д «Искра» 214 КТ911В 7,36 222 КТ9166А ЗАО «Кремний» 232 КТ879А З-д «Искра» 214 КТ911Г 7,36 222 КТ916А З-д «Транзистор» 232 КТ879Б З-д «Искра» 214 КТ912А З-д «Пульсар» 222 КТ916Б З-д «Транзистор» 232 КТ885А З-д «Пульсар» 214 КТ912Б З-д «Пульсар» 222 КТ917ЗА по .нииэт. 232 КТ885Б З-д «Пульсар» 214 КТ9131А З-д «Пульсар» 222 КТ9174А ПО «НИИЭТ» 232 КТ886А·1 АО «Электронприбор» 214 КТ9132АС ПО «НИИЭТ» 222 КТ9176А З-д «Искра• 232 КТ886Б-1 АО •Электронnрибор» 214 КТ91ЗА З-д «Транзистор» 222 КТ9177А З-д «Искра» 232 КТ887А ЗАО «Кремний» 214 КТ91ЗБ З-д «Транзистор» 222 КТ9180А ЗАО «Кремний» 234 КТ887Б ЗАО «Кремний» 214 КТ913В З-д «Транзистор» 222 КТ9180Б ЗАО «Кремний» 1 234 КТ888А ЗАО «Кремний» 216 КТ9120А ЗАО «Кремний» 222 КТ9180В ЗАО «Кремний» 234 КТ888Б ЗАО «Кремний» 216 КТ9121А З-д «Пульсар» 224 КТ9180Г ЗАО «Кремний» 234 КТ890А АО «Элиз» 216 КТ9121Б З-д «Пульсар» 224 КТ9181А ЗАО «Кремний» 234 КТ890Б АО «Элиз» 216 КТ9121В З-д «Пульсар» 224 КТ9181Б ЗАО «Кремний» 234 КТ890В АО «Элиз» 216 КТ9121Г З-д «Пульсар» 224 КТ9181В ЗАО «Кремний» 234 КТ892А 3-д «Искра» 216 КТ9125АС ПО «НИИЭТ» 224 КТ9181Г ЗАО «Кремний» 234 КТ892Б 3-д «Искра» 216 КТ9126А 3-д «Пульсар» 224 КТ918А-2 З-д «Транзистор» 234 КТ892В З-д «Искра» 216 КТ9127А З-д «Пульсар» 224 КТ918Б-2 З-д «Транзистор» 234 КТ89ЗА АО «ЭЛИЗ» 216 КТ9127Б З-д «Пульсар» 224 КТ9182А ПО «НИИЭТ» 234 КТ896А ЗАО «Кремний» 216 КТ9128АС ПО «НИИЭТ» 224 КТ9186А ЗАО «Кремний» 234 КТ896Б ЗАО «Кремний» 216 КТ91ЗОА ЗАО «Кремний» 224 КТ9186Б ЗАО «Кремний» 234 КТ897А ЗАО «Кремний» 216 КТ91ЗЗА 7,36 224 КТ9186В ЗАО «Кремний» 234
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей Тип прибора ' 1 КТ9186Г ::кт91ввд ii КТ9189А-2 ,1 КТ9189Б-2 ! КТ9189В-2 1 11КТ919А 1 КТ919Б КТ919В 1 КТ919Г КТ9190А 11 КТ9190А-4 IJ КТ9192А-2 ! КТ9192Б-2 1 llКТ9193А J КТ919ЗБ КТ919ЗА-4 КТ919ЗБ-4 КТ920А КТ920Б КТ920В КТ920Г КТ921А КТ921Б ji КТ922А i!КТ922Б 1! КТ922В КТ922Г КТ922Д КТ925А КТ925Б КТ925В КТ925Г КТ926А КТ926Б КТ927А 1 i1КТ927Б 1 КТ927В КТ928А КТ928Б КТ928В КТ929А КТ9ЗОА КТ9ЗОБ 1 !КТ931А КТ932А КТ932Б КТ932В КТ9ЗЗА КТ9ЗЗБ КТ934А КТ934Б КТ934В КТ934Г 2зак9 1 Изготовитель (см. стр. 31) : ЗАО «Кремний» : ЗАО «Кремний» 17.36 1 17.36 17.36 З-д «Пульсар» З-д «Пульсар» З-д «Пульсар» З-д «Пульсар» 7,36 17.36 17.36 17.36 17.36 !7.36 7,36 7,36 7,36 7,36 7,36 17.36 1З-д «Пульсар» 1З-д «Пульсар» !7.36 17.36 17.36 7,36 7,36 7,36 . 7,36 7,36 17.36 АО «Элиз» jAO «Элиз» !З-д «Пульсар• 1З-д «Пульсар» 1 З-д «Пульсар» 28,33 28,33 28,33 7,36 17.36 17.36 7,36 З-д ниипп З-д ниипп З-д ниипп З-дНИИПП З-дНИИПП 7,36 7,36 7,36 J7,36 Стр.! 234 234 2З4 234 234 234 234 1 234 234 236 236 1 236 1 236 1 236 236 238 238 238 238 238 238 238 ' 238 238 238 238 238 238 238 238 238 238 238 i 238 238 1 238 238 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 1 Тип Изготовитель 1 1 Стр.!' 1 . прибора (см. стр. 31) 1--~-~l-----il--~--~~l---!-----i1 1 КТ934Д !7, 36 240 1 1КТ935А JАО «Элиз» 240 1 1 КТ936А 1 З-д «Пульсар» 1 240 КТ936Б З-д «Пульсар» 1 242 КТ937А-2 З-д «Пульсар» 1 242 КТ937Б-2 З-д «Пульсар» 242 КТ938А-2 З-д «Транзистор» 242 КТ938Б-2 З-д «Транзистор» 242 КТ939А З-д «Транзистор» 242 КТ939Б З-д «Транзистор» 242 КТ940А 110. 12, 28, 33 242 1 КТ940Б 10, 12 ,28 ,33 242 1 КТ940В 110, 12, 28, 33 242 КТ940А1 10, 12 ,28 ,33 242 1 1 КТ940Б1 10, 12 ,28 ,33 1242 1 1 1 КТ940В1 10, 12 ,28 ,33 242 , КТ94 0А-5 10, 12 ,28 ,33 242 КТ940Б-5 10, 12 ,28 ,33 242 КТ940В-5 10, 12 ,28 ,33 242 КТ940А9 10, 12 ,28 ,33 1 242 КТ940Б9 10, 12 ,28 ,33 1 242 КТ942В З-д «Пульсар» 244 КТ94ЗА АО «ЭЛИЗ» 1 244 КТ94ЗБ АО«ЭЛИЗ» 244 КТ94ЗВ АО «ЭЛИЗ» 244 КТ94ЗГ АО «Элиз» 244 КТ94ЗД АО «Элиз» 244 КТ944А АО «Элиз» 244 КТ945А АО «ЭЛИЗ» 244 КТ945Б АО «ЭЛИЗ» 244 КТ945В АО «ЭЛИЗ» 244 КТ945Г АО «Элиз» 244 КТ946А З-д «Пульсар» 244 КТ947А АО «ЭЛИЗ» 244 КТ948А З-д «Пульсар» 244 КТ948Б З-д «Пульсар» 244 КТ955А АО «ЭЛИЗ» 246 КТ956А АО «Элиз» 246 КТ957А АО «Элиз» 246 КТ958А 7,36 1 246 КТ960А 7,36 246 КТ961А 10. 12 ,28 ,33 1 246 1 КТ961Б 10, 12,28,33 246 КТ961В 110, 12, 28, 33 246 КТ961Г 10, 12 ,28 ,33 246 КТ961А1 110, 12, 28, 33 246 КТ961Б1 10, 12 ,28 ,33 246 КТ961В1 10, 12 ,28 ,33 246 КТ962А 7,36 246 КТ962Б 7,36 246 КТ962В 7,36 246 КТ963А-2 З-д «Пульсар» 246 КТ96ЗБ-2 З-д «Пульсар» 1 246 17 Тип Изготовитель ' 11 прибора (см. стр. 31) : Стр. 11 КТ96ЗА-5 iЗ-д «Пульсар» , 246 i! f---КТ_9_6З_Б_-_s__~!-З_-д_«П_у_л_ь_с_аР_>_>----< -24_6_ __.i ! КТ965А АО «Элиз» 248 'I КТ966А 1АО «Элиз» 248 " --- --- --< --- --- --- ----<1 КТ967А КТ969А КТ969А1 КТ969А-5 КТ970А КТ971А КТ972А КТ972Б КТ972В КТ972Г КТ97ЗА КТ973Б КТ97ЗВ КТ97ЗГ КТ976А КТ977А КТ979А IКТ980А КТ980Б 1 КТ981А КТ98ЗА КТ98ЗБ КТ98ЗВ КТ984А КТ984Б КТ985АС КТ986А КТ986Б КТ986В КТ986Г КТ991АС 1 КТ996А-2 КТ996Б-2 КТ996В-2 КТ996А-5 КТ996Б-5 КТ996В-5 КТ997А КТ997Б КТ997В КТ999А КТД8264А КТД8264А5 КТД8275А КТД8275Б , КТД8275В 1 КТД8276А КТД8276Б КТД8276В 1 КТД8276Г IAO «ЭЛИЗ• 10, 12,28 10, 12,28 10, 12,28 7,36 7,36 f28,33 128,33 28,33 28,33 128.33 128.33 28,33 28,33 7,36 З-д «Пульсар» 1З-д «Пульсар» !З-д «Пульсар» 1 i З-д «Пульсар» !АО «Элиз» ПО «НИИЭТ» IПО «НИИЭТ» ПО «НИИЭТ» 7,36 7,36 7,36 З-д «Пульсар» 1 З-д «Пульсар» З-д «Пульсар» З-д «Пульсар» 7,36 З-д «Пульсар» 1 З-д «Пульсар» З-д «Пульсар» З-д «Пульсар» З-д «Пульсар» З-д «Пульсар» АО «Элиз» iAo «Элиз• IAO «ЭЛИЗ» 10,35 1АО «Орбита» АО «Орбита» ЗАО «Кремний» , ЗАО «Кремний» ЗАО «Кремний» ЗАО «Кремний» ЗАО «Кремний» ЗАО «Кремний» 1ЗАО «Кремний» i24811 ' 248 248 248 248 1 248 ! 1 1 248 1: 1 248 1 248 1 248 1 250 ! 1 i250i 250 250 1 250 --< 250 1: 1 250 11 250 250 250 1 250 1 250 ! 250 252 252 252 ! 252 .1 i 252 11 1 252 252 1 1 252 1 252 1 1 ! 252 252 252 ! 252 1 1 252 1 252 ·1 ' 252 11,, 11 1252 1 125411 1254 ~ ' 254 1 254 254 1 254 1 254 1 254 1 254 ' 254 1
18 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя Кремниевые сборки i1 Тип 1 Изготовитель 1 С 'и прибора 1 (см. стр. 31) 1 тр. I КТСЗОЗА-2 1З-д ПО«Альфа» ! 256 КТСЗ10ЗА 1З-д ПО«Альфа» 256 Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) КТСЗ94А-2 АО «Элекс» 258 КТСЗ94Б-2 АО «Элекс» 258 Тип i Изготовитель i 1i прибора 1 (см. стр. 31) i Стр. ·1 КТС631Б 1З-д «Транзистор» i 260 11 КТС631В 1 З-д «Транзистор» 260 КТСЗ10ЗБ З-д ПО«Альфа» 256 КТС395А-1 АО «Элекс» 258 КТС631Г З-д «Транзистор» 260 КТСЗ10ЗА1 З-д ПО«Альфа» 256 КТСЗ95Б-1 АО «Элекс» 1 258 КТ674АС АО «Элекс» 260 КТСЗ10ЗБ1 З-д ПО«Альфа» 256 КТСЗ95А-2 АО «Элекс» 258 КТ677АС АО «Элекс» 260 КТСЗ161АС АО «Элекс» 256 КТСЗ95Б-2 АО «ЭЛеКС» i 258 КТ678АС IAO «Элекс» 262 КТСЗ174АС-2 АО «Элекс» 256 КТСЗ81Б 1- 256 КТС381В :- 256 КТСЗ95В-2 АО «Элекс» 258 КТСЗ98А-1 АО «Светлана» 258 кtСЗ98Б-1 АО «Светлана» 258 КТ69ЗАС 1ЗАО «Кремний» 1 262 К1НТ251 7,З6 !262 1 К1НТ661А IAO «Элекс» 1262 ~ КТСЗ81Г 1 256 i- 1 11 КТСЗ81Д i- 1 256 11 КТСЗ81Е 1- 256 КТСЗ98А9 АО «Светлана» 260 КТС398Б9 АО «Светлана» 260 КТС61ЗА З-д «Транзистор» 260 К129НТ1А-1 1- ' 262 ii К129НТ1Б-1 ' 262 11 1- " 1 К129НТ1В-1 1- 1 262 "ii 11 КТСЗ9ЗА 1 З-д ПО«Альфа» 1 258 КТСЗ93Б : З-д ПО«Альфа» 258 КТС39ЗА-1 З-д ПО«Альфа» 1 258 КТСЗ9ЗБ-1 З-д ПО«Альфа» 258 КТСЗ9ЗА-9 З-д ПО«Альфа» 258 КТСЗ9ЗБ-9 З-д ПО«Альфа» 258 КТС61ЗБ 1З-д «Транзистор» 260 КТС61ЗВ З-д «Транзистор» 260 КТС61ЗГ З-д «Транзистор» 260 КТС622А взпп 260 КТС622Б ВЗПП 260 КТС631А З-д «Транзистор» 260 К129НТ1Г-1 i- ' 262 11 ' К129НТ1Д-1 1- i262·1 К129НТ1Е·1 !2621 - 1 К129НТ1Ж-1 - 262 К129НТ1И-1 - 1 262 11 Германиевые транзисторы специального назначения ~ Тип Изготовитель 1 ' 1 Стр. i прибора; (см. стр. 31) 1 Тип 1 Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Изготовитель !' Тип 1 iстр.1: прибора (см. стр. 31) 11 п101 1АО «Светлана» 1 264 1Т3110А-2 СКБ «Элькор» 266 ПЗВЗБ-2 - ! 268 1Т101А 1АО «Светлана» 1 264 1ТЗ1ЗА З-д «Квазар» 1 266 ПЗВЗВ-2 - 1 268 1Т101Б 1АО «Светлана» 264 1ТЗ1ЗБ З-д «Квазар» 266 1Т386А З-д «Транзистор» 1 268 1Т102 АО «Светлана» 264 1Т31ЗВ З-д «Квазар» 266 ПЗ87А·2 СКБ «Элькор» i 268 1Т102А 1АО «Светлана» 264 1ТЗ20А оТонди электроника» 266 ПЗ87Б-2 СКБ «Элькор» 268 1Т115А 1ЗАО «Кремний» 264 ПЗ20Б «Тонди электроника» 266 1Т403А 1- ! 268 1Т115Б 1ЗАО «Кремний» 264 1Т320В «Тонди электроника» 266 1Т40ЗБ - 1 268 1 J п11sв 1ЗАО «Кремний» 264 1ТЗ21А СКБ «Элькор» 266 1Т403В 1- ' 268 j 1Т115Г ЗАО «Кремний» 264 1ТЗ21Б СКБ «Элькор» 266 1Т40ЗГ 1- ' 268 l 1T116A 1ЗАО «Кремний» 264 1 1Т321В СКБ «Элькор» 266 1Т40ЗД - 268 l П116Б 1.ЗАО «Кремний» 1 264 1ТЗ21Г СКБ «Элькор» 1 266 1Т40ЗЕ - : 268 ~ 1Т116В 1ЗАО «Кремний» 1 264 1ТЗ21Д СКБ «Элькор» 266 1Т40ЗЖ 1 1 268 1- il 1Т116Г 1ЗАО «Кремний» 264 1ТЗ21Е 1СКБ «Элькор» 1 266 1Т40ЗИ - i 268 1ТЗОЗ ;- 264 1ТЗ29А 1З-д ПО«Альфа» 1 266 1Т612А-4 СКБ «Элькор» !2701 1ТЗОЗА - 264 ПЗОЗБ - 264 1Т329Б З-д ПО«Альфа» 266 ПЗ29В З-д ПО«Альфа» 266 1Т614А СКБ «Элькор» 270 1 1Т615 - 270 1 1ТЗОЗВ - 264 ПЗЗОА З-д «Пульсар» 266 1Т702А З-д ПО «ФОТОН» 270 1 пзозг - 264 ПЗЗОБ З-д «Пульсар» 266 1Т702Б З-д ПО «ФОТОН» 270 1ТЗОЗД - 264 пззов З-д «Пульсар» 266 1Т702В З-д ПО «ФОТОН» 270 1ТЗО5А 1НПО «Планета» 1 264 пззог З-д «Пульсар» 266 1Т806А ЗАО «Кремний» 270 1ТЗО5Б 1НПО «Планета» 264 1ТЗЗ5А «Тонди электроника» 266 1Т806Б 1ЗАО «Кремний» 270 пзоsв 1НПО «Планета» 264 1ТЗЗ5Б «Тонди электроника» 266 1Т806В ЗАО «Кремний» 270 :11тзовд : СКБ «Элькор» 1 264 1ТЗЗ5В «Тонди электроника» 266 1Т81ЗА ЗАО «Кремний» 270 1ТЗО8Б 1СКБ «Элькор» 264 пзовв 1 СКБ «Элькор» 264 пззsг «Тонди электроника» 266 1ТЗЗ5Д «Тонди электроника» 266 1Т81ЗБ ЗАО «Кремний» 270 1Т81ЗВ ЗАО «Кремний» 270 пзовг СКБ «Элькор» 264 1Т341А З-д ПОаАльфа» 266 1Т901А З-д ПО «ФОТОН» 270 1ТЗ11А З-д «Квазар» 264 1Т341Б З-д ПО«Альфа» 266 1Т901Б З-д ПО «ФОТОН» 270 1ТЗ11Б З-д «Квазар» 264 1ТЗ41В З-д поадльфа» 266 1Т905А З-д ПО «ФОТОН» 270 1ТЗ11Г З-д «Квазар» 264 1Т311Д З-д «Квазар» 264 1ТЗ11К З-д «Квазар» 264 1ТЗ11Л : З-д «Квазар» 264 1ТЗ62А З-д «Квазар» 268 1ТЗ74А-6 З-д «Квазар» 268 1ТЗ76А НПО «Планета» 268 ПЗВЗА-2 1- 1 268 1 1Т906А З-д ПО «ФОТОН» 1 270 11 1Т910АД З-д ПО «ФОТОН» ! 270 11 1' :1
.r'казатель транзисторов и предприятий-изготовителей 19 Кремниевые транзисторы специального назначения !! Тип 1 Изготовитель Стр. jl прибора 1 (см. стр. 31) 1 Тип Изготовитель 1 11 прибора (см. стр. 31) 1 Стр.1 Тип 1 Изготовитель 1 ii прибора (см. стр. 31) 1 Стр.11 ' . :12Т104А 1З-д «Искра» 272 12Т104Б !З-д «Искра» 272 ' il2T104B !З-д «Искра» 272 1 i' 2Т104Г l З-д «Искра» 1 272 2Т214Г-1 АО «Элекс» 274 2Т214Д-1 АО «Элекс» 274 2Т214Е-1 АО «Элекс» 274 2Т214А·5 АО «Элекс» 1 274 2ТЗ117А i4.28 1 278 1 1 12ТЗ117Б 4,28 i278 1 ·взпп 1 1 2ТЗ12А 278 1 2ТЗ12Б ВЗПП 1 278 1 1 2Т117А 1З-д «Старт» 272 2Т214Б-5 АО «Элекс» 274 2ТЗ12В взпп 278 2Т117Б З-д «Старт» 272 2Т214В-5 АО «Элекс» 274 2ТЗ120А АО «Светлана» 278 2Т117В З-д «Старт» 272 2Т214Г-5 АО «Элекс» 274 2ТЗ121А-6 1НПО «Планета» 280 2Т117Г З-д «Старт» 272 1.2Т117А-5 З-д «Старт» 272 i!2Т118А 1З-д «Пульсар» 272 : 2Т118Б З-д «Пульсар» 272 1 112т11вв 1З-д «Пульсар» 272 1 i! 2Т118А-1 З-д «Пульсар» 1 272 1 2Т214Д-5 АО «Элекс» 274 2Т214Е-5 АО «Элекс» 274 2Т214А-9 АО «Элекс» 1 276 2Т214Б-9 !до «Элекс» 276 2Т214В-9 АО «Элекс» 276 2Т214Г-9 АО «Элекс» 276 12ТЗ12ЗА·2 З-д ПО «Альфа» 280 1 2ТЗ12ЗБ·2 1З-д ПО «Альфа» 280 i2ТЗ12ЗВ·2 1З-д ПО «Альфа» 280 ii 2ТЗ124А-2 !З-д «Пульсар» 12801 2ТЗ124Б-2 З-д «Пульсар» 1 280 2ТЗ124В-2 З-д «Пульсар» 1 280 112т11вБ-1 1З-д «Пульсар» 272 2Т214Д-9 АО «Элекс» 276 2ТЗ129А9 4,33 280 !i 2Т126А-1 1З-д «Старт» 272 2Т214Е-9 АО «Элекс» 276 1 2ТЗ129Б9 '4,33 12801 12Т126Б-1 : З-д «Старт» 272 2Т215А-1 АО «Элекс» 1 276 2ТЗ129В9 4,33 280 2Т126В-1 З-д «Старт» 272 2Т215Б-1 АО «Элекс» 276 2ТЗ129Г9 4,33 280 2Т126Г-1 З-д «Старт» 272 2Т215В-1 АО «Элекс» 276 2ТЗ129Д9 4,33 280 2Т127А-1 З-д «Старт» 272 2Т215Г-1 АО «Элекс» 276 2ТЗ1ЗА 4,32 ,33 280 2Т127Б-1 З-д «Старт» 272 2Т215Д·1 АО «Элекс» 276 2ТЗ13Б 4,32,ЗЗ 1 280 112т121в-1 1З-д «Старт» 1 272 12т121г-1 1З-д «Старт» 1 272 l12T201A [АО «Светлана» 272 f!2Т201Б 1АО «Светлана» 1 272 1 li 2Т201В 1АО «Светлана» 272 2Т215Е-1 АО «Элекс» 276 12Т215А·5 АО «Элекс» 276 12Т215Б-5 АО «Элекс» 276 2Т215В-5 АО «Элекс» 276 2Т215Г·5 АО «Элекс» 276 2ТЗ1ЗОА·9 14.ЗЗ 1280 1 11 2ТЗ1ЗОБ·9 14.32. 33 ' 280 11 1: 2ТЗ1ЗОВ-9 4,33 '280! ' 2ТЗ1ЗОГ-9 4,33 1 280 1 2ТЗ1ЗОД-9 14. 33 1 280 12т201г 1АО «Светлана» 272 12Т201Д 1АО «Светлана» 272 2Т202А-1 1ЗАО «Кремний» 274 2Т215Д-5 АО «Элекс» 1 276 2Т215Е-5 АО «Элекс» 276 2Т215А·9 !до «ЭЛеКС» 276 2ТЗ1ЗОЕ-9 4, 33 1 280 1 2ТЗ132А-2 1з-д «Пульсар» 1 280 2ТЗ132Б-2 З-д «Пульсар» 280 1 2Т202Б-1 ЗАО «Кремний» 274 2Т215Б-9 АО «Элекс» 276 2ТЗ132В-2 З-д «Пульсар» 280 2Т202В-1 ЗАО «Кремний» 274 2Т215В-9 АО «Элекс» 276 2ТЗ132Г-2 З-д «Пульсар» 280 2Т202Г-1 ЗАО «Кремний» 274 2Т215Г-9 АО «ЭЛеКС» 276 2ТЗ1ЗЗА 28, 33 1 280 1 12Т202Д-1 ЗАО «Кремний» 274 12Т20ЗА IAO «Элекс» 274 2Т20ЗБ 4,33 274 2Т215Д-9 АО «Элекс» 276 2Т215Е-9 АО «Элекс» 1 276 2тзо1г ВЗПП 276 2ТЗ1ЗЗА-2 28. 33 1282 i 2ТЗ134А-1 !АО «Элекс» i282:i ! 1 2ТЗ135А·1 2,33 282 12т2озв 14,33 274 2ТЗО1Д взпп 276 2ТЗ150Б2 2, 33 282 2Т20ЗГ 4,33 274 2ТЗО1Е ВЗПП 276 2ТЗ152А ЗАО «Кремний» 282 2Т203Д IAO «Элекс» 274 2ТЗО1Ж ВЗПП 276 2ТЗ152Б 1ЗАО «Кремний» 282 2Т205А-З IAO «Элекс» 274 2ТЗ06А 7,26 276 2ТЗ152В ЗАО «Кремний» 282 2Т205Б-З АО «Элекс» 274 2ТЗ06Б 7,26 276 2ТЗ152Г ЗАО «Кремний» 282 2Т208А ЗАО «Кремний» 274 2ТЗО6В 7,26 276 2ТЗ152Д ЗАО «Кремний» 282 2Т208Б ЗАО «Кремний» 274 2ТЗ06Г 7,26 276 2ТЗ152Е ЗАО «Кремний» 282 2Т208В ЗАО «Кремний» 274 2ТЗ07А-1 взпп 276 2ТЗ154А-1 АО «Светлана» 282 2Т208Г ЗАО «Кремний» 274 2Т307Б-1 взпп 276 2ТЗ156А-2 1АО «Светлана» 1282 1 2Т208Д 1ЗАО «Кремний» 274 2Т208Е 1ЗАО «Кремний» 274 2Т307В-1 взпп 276 2ТЗ07Г-1 взпп 276 2ТЗ158А-2 1З-д «Транзистор» : 284 1 2ТЗ16А АО «Светлана» 128411 1 ! 2Т208Ж 1ЗАО «Кремний» 274 1 2Т208И 'ЗАО «Кремний» 274 1 1 2т2овк iЗАО «Кремний» 1 274 1 l 2Т208Л 1ЗАО «Кремний» 274 2Т208М 'ЗАО «Кремний» 274 2ТЗ101А·2 АО «Светлана» 276 1 2ТЗ106А-2 АО «Светлана» 278 2ТЗ108А З-д ПО «Альфа» 278 2ТЗ108Б З-д ПО «Альфа» 1 278 2ТЗ108В З-д ПО «Альфа» ! 278 2ТЗ16Б 1АО «Светлана» 12841! 2ТЗ16В iАО «Светлана» : 284 1! l 2тз1&г 1АО «Светлана» 1284 1 1 2ТЗ16Д 1АО «Светлана• i 284 2ТЗ160А-2 1З-д «Транзистор» ' 284 2Т211А-1 АО «Элекс» 274 2ТЗ114А-6 З-д «Пульсар» 278 2ТЗ162А 12,33 284 2Т211Б-1 АО «Элекс» 274 2ТЗ114Б-6 З-д «Пульсар» 278 2ТЗ162А5 i2.зз 284 2Т211В-1 АО «Элекс» 274 2Т214А-1 АО «Элекс» 274 2Т214Б-1 АО «Элекс» 274 2Т214В-1 АО «Элекс» 274 2ТЗ114В-6 З-д «Пульсар» 278 2ТЗ115А-2 З-д «Пульсар» 278 2ТЗ115Б·2 З-д «Пульсар» 278 2ТЗ115А-6 З-д «Пульсар» 1 278 ' 2ТЗ164А 1 з-д по «Альфа» 284 1 2ТЗ167А-7 1АО «Светлана» i 284 2ТЗ17А-1 IПРЗПП 1 284 l, 2ТЗ17Б-1 284 ~ IПРЗПП
20 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип ИзгоУовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип 1 Изготовитель 1 Стр. прибора (см. стр. 31) : 2ТЗ17В-1 IПРЗПП 284 2ТЗ55А АО «Светлана» 288 2ТЗ99А 1АО «Светлана» i 296 '2ТЗ175А АО «Элекс» 286 2ТЗ60А-1 З-д ПО «Альфа» 288 2Т504А ЗАО «Кремний» 1 298 2ТЗ18А-1 ПРЗПП 286 2ТЗ60Б-1 З-д ПО «Альфа» 288 2Т504Б ЗАО «Кремний» i 298 1' 1 2ТЗ18Б-1 ПРЗПП 286 2ТЗ60В-1 З-д ПО «Альфа» 288 2Т504А-5 ЗАО «Кремний» 298 2ТЗ18В-1 ПРЗПП 286 2ТЗ6ЗА З-д ПО «Альфа» 290 2Т504Б-5 ЗАО «Кремний» 298 2ТЗ18Г-1 ПРЗПП 286 2ТЗ6ЗБ З-д ПО «Альфа» 290 2Т505А ЗАО «Кремний» 298 2ТЗ18Д-1 ПРЗПП 286 2ТЗ64А-2 З-д ПО «Альфа» 290 2Т505Б ЗАО «Кремний» 298 2ТЗ18Е-1 ПРЗПП 286 2ТЗ64Б-2 З-д ПО «Альфа» 290 2Т505А-5 ЗАО «Кремний» 298 2ТЗ18В1-1 ПРЗПП 286 2ТЗ64В-2 З-д ПО «Альфа» 290 2Т506А ЗАО «Кремний» 298 2ТЗ187А-9 НПО «Планета» 286 2ТЗ66А-1 ниимп 290 2Т506Б ЗАО «Кремний» 298 2ТЗ187А-91 НПО «Планета» 286 2ТЗ66Б-1 ниимп 290 2Т506А-5 ЗАО «Кремний» 298 2ТЗ19А-1 1- 286 2ТЗ19Б-1 1- 286 2ТЗ66В-1 ниимп 290 2ТЗ66Б1-1 ниимп 1 290 2Т509А 1 ЗАО «Кремний» 298 11 2Т509А-5 ЗАО «Кремний» ! 298 1i 1 2ТЗ19В-1 1- 286 2ТЗ67А - 290 2Т528А-9 АО «Элекс» 1 300 1 2ТЗ21А 13, 15,23 286 2ТЗ68А АО «Светлана» 290 2Т528Б-9 АО «Элекс» ! 300 2ТЗ21Б 13, 15,23 286 2ТЗ21В 13, 15, 23 1 286 2ТЗ21Г 13, 15,23 286 2Т368Б АО «Светлана» 290 2ТЗ68А-9 АО «Светлана» 290 2ТЗ68Б-9 АО «Светлана» 1 290 2Т528В-9 АО «Элекс» 300 1 2Т528Г-9 АО «Элекс» 300 2Т528Д-9 АО «Элекс» 300 2ТЗ21Д 13, 15,23 286 2ТЗ70А-1 З-д ПО «Альфа» 290 2Т602А З-д «АлИОТ» 300 2ТЗ21Е 13, 15,23 286 2ТЗ70Б-1 З-д ПО «Альфа» 290 2Т602Б З-д «АлИОТ» 300 2ТЗ24А-1 АО «Светлана» 286 2ТЗ70А9 З-д ПО «Альфа» 292 2Т602АМ З-д «АлИОТ» 300 2ТЗ24Б-1 АО «Светлана» 286 2ТЗ70Б9 З-д ПО «Альфа» 292 2Т602БМ З-д «АлИОТ» 300 2ТЗ24В-1 АО «Светлана» 286 2ТЗ24Г-1 АО «Светлана» 286 2ТЗ71А АО «Светлана» 292 2Т372А З-д «Пульсар» 1 292 2Т60ЗА НПО «Планета» 300 1 2Т60ЗБ НПО «Планета» 300 2ТЗ24Д-1 АО «Светлана» 286 ll2T324E-1 1АО «Светлана» 286 : 2ТЗ25А АО «Светлана» 286 1 12ТЗ25Б 1АО «Светлана» 286 2ТЗ72Б З-д «Пульсар» 292 2ТЗ72В З-д «Пульсар» 292 2ТЗ77А-2 З-д «Транзистор» 292 2ТЗ77Б-2 З-д «Транзистор» 292 2Т60ЗВ НПО «Планета» 1 300 11 2Т60ЗГ НПО «Планета» ' 300 1 1 1 2Т60ЗИ НПО «Планета» 1 300 2Т606А ПО «Знамя» 1 300 1 2ТЗ25В 1АО «Светлана» 286 2Т377В-2 З-д «Транзистор» 292 2Т607А-4 З-д «Транзистор» 300 2ТЗ26А 32,33 286 2ТЗ77А1-2 З-д «Транзистор» 292 2Т608А ПО «Знамя» 300 2ТЗ26Б 4,33 286 2ТЗ77Б1-2 З-д «Транзистор» 292 2Т608Б ПО «Знамя» 300 2ТЗЗ1А-1 СКБ «Элькор» 288 2ТЗ77В1·2 3-д «Транзистор» 292 2Т610А З-д •Транзистор» 302 2ТЗЗ1Б-1 СКБ «Элькор» 288 2ТЗ78А-2 З-д «Транзистор» 292 2Т610Б З-д «Транзистор» 302 2ТЗЗ1В-1 СКБ «Элькор» 288 2ТЗ78Б-2 З-д «Транзистор» 292 2Т624А-2 З-д «Транзистор» 302 2ТЗЗ1Г-1 1СКБ «Элькор» 288 2Т378Б-2·1 З-д «Транзистор» 292 2Т624АМ-2 З-д «Транзистор» 302 1 12тзз1д-1 СКБ «Элькор» 288 2ТЗЗ2А-1 1- 288 2ТЗ78А1-2 З-д «Транзистор» 292 2ТЗ78Б1-2 З-д «Транзистор» 292 2Т625А-2 З-д «Транзистор» 1 302 11 2Т625Б-2 З-д «Транзистор» 1 302 ' 12тзз2Б-1 1 288 1- 2ТЗ81А-1 СКБ «Элькор» 294 2Т625АМ-2 1З-д «Транзистор» 1 302 2ТЗЗ2В-1 1- 288 2ТЗ81Б-1 СКБ «Элькор» 294 2Т625БМ-2 З-д «Транзистор» 302 2ТЗ32Г-1 - 288 2ТЗ81В-1 СКБ «Элькор» 294 2Т629А-2 АО «Элекс» 1 302 2ТЗЗ2Д-1 - 288 2ТЗ81Г-1 СКБ «Элькор» 294 2Т629А-5 АО «Элекс» 302 2ТЗЗЗА-З З-д «ЭКСИТОН» 288 2ТЗ81Д-1 СКБ «Элькор» 294 2Т629АМ-2 32,33 302 2ТЗЗЗБ-З З-д «ЭКСИТОН» 288 2ТЗ82А АО «Светлана» 294 2Т630А ЗАО «Кремний» 304 2ТЗЗЗВ-З З-д «ЭКСИТОН» 288 2ТЗ82Б АО «Светлана» 294 2Т6ЗОБ ЗАО «Кремний» 304 2ТЗЗЗГ-З З-д «ЭКСИТОН» 288 2ТЗ84А-2 З-д с Транзистор» 294 2Т630А-5 ЗАО «Кремний» 304 2ТЗЗЗД-З З-д «ЭКСИТОН» 288 2ТЗ84АМ-2 З-д «Транзистор» 294 2Т632А АО «Элекс» 304 2ТЗЗЗЕ-З З-д «Экситон» 288 2ТЗ85А-2 З-д «Транзистор» 294 2Т6ЗЗА З-д «Транзистор» 1 304 2ТЗЗ6А АО «Светлана» 288 2ТЗ85А-9 28,33 294 2Т634А-2 З-д «Транзистор» 1 304 2ТЗЗ6Б IAO «Светлана» 288 2ТЗ85АМ-2 З-д «Транзистор» 294 2Т635А З-д «Транзистор» 1 304 2ТЗЗ6В АО «Светлана» 288 2ТЗ88А·2 32,33 294 2Т637А-2 З-д «Транзистор» 304 2ТЗЗ6Г АО «Светлана» 288 2ТЗ88А-5 32,33 296 2Т638А 304 2ТЗЗ6Д АО «Светлана» 288 2ТЗ88АМ-2 32,33 296 2Т640А·2 З-д «Пульсар» 306 2ТЗ36Е АО «Светлана» 288 2ТЗ89А-2 АО «Элекс» 296 2Т640А1-2 З-д «Пульсар» 306 2ТЗ48А-З СКБ «Элькор» 288 2ТЗ91А-2 З-д «Пульсар» 296 2Т640А-6 З-д «Пульсар» 306 2ТЗ48Б-З СКБ «Элькор» 288 2ТЗ91Б-2 З-д «Пульсар» 296 2Т640А-5 З-д «Пульсар» 306 2ТЗ48В-З СКБ «Элькор» 288 2ТЗ92А-2 З-д ПО «Альфа» 296 2Т642А-2 З-д «Пульсар» 306 2ТЗ54А-2 АО «Светлана» 288 2Т396А-2 АО «Светлана» 296 2Т642А1-2 З-д «Пульсар» 306 2ТЗ54Б-2 АО «Светлана» 288 2Т397А-2 АО «Светлана» 296 2Т642Б1-2 З-д «Пульсар» 306
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей 21 Тип Изготовитель Стр. 1 прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип 1 Изготовитель 1 Стр. прибора (см. стр. 31) IJ 2T642B1-2 1З-д «Пульсар» 306 2Т716В ЗАО «Кремний» 1 314 2Т831В-1 1ЗАО «Кремний» ! 322 1 ' i !' 2Т642Г1-2 З-д «Пульсар» 306 il2T642A-5 1 З-д «Пульсар» 306 i 2Т642А1·5 'З-д «Пульсар» 306 2Т716А-1 ЗАО «Кремний» 316 1 2Т716Б-1 ЗАО «Кремний» 316 2Т716В·1 ЗАО «Кремний» 316 12твз1г-1 1ЗАО «Кремний» 132211 " 12твз2д 1 322 1! 1- 11 2Т832Б 1- i322 1 i l 2T643A-2 1 З-д «Пульсар» 306 2Т643Б-2 1 З-д «Пульсар» 308 ' J 2T643A-5 1З-д оl1ульсар» 308 1 J 2T647A-2 З-д «Пульсар» 308 2Т718д 1З-д «Искра» i 316 2Т718Б З-д «Искра» 316 2Т803д З-д «Искра» 1 316 2Т808д З-д «Искра» 1 316 1 2Т834А IAO «Элиз» 1 322 1 2Т834Б iAo «Элиз» 1 322 1 2Т834В iAO «ЭЛИЗ» 322 2Т836А i ЗАО «Кремний» 322 2Т647А-5 З-д «Пульсар» 308 2Т808А·2 З-д «Искра» 1 316 2Т836Б 1ЗАО «Кремний» 322 2Т648А-2 З-д «Пульсар» 308 2Т648А-5 З-д «Пульсар» 308 2Т649А-2 З-д «Пульсар» 308 i 2T652A : З-д «Транзистор» 1 308 1 i 2Т652А-2 1 З-д «Транзистор» 308 [ 2Т653д i ЗАО «Кремний» 310 ~2Т653Б 1ЗАО «Кремний» 310 ~2Т657А-2 1З-д «Пульсар» 310 112Т657Б-2 1З-д «Пульсар» 1 310 1 il2T657B-2 ! З-д «Пульсар» 1 310 i2Т658А-2 НПО «Планета» 310 12Т658Б·2 НПО «Планета» 310 2Т658В-2 НПО «Планета» 310 J 2T663A IAO «Элекс» 310 12Т809А З-д «Искра» 1 316 2Т812А 10,35 1 3111 l 2Т812Б l10,35 1 316 !12тв1вд 1ЗАО «Кремний» 1 316 1 12тв1вБ 1ЗАО «Кремний» 1 316 l 2тв1вв ЗАО «Кремний» 316 12тв1вд.2 ЗАО «Кремний» 1 318 12Т818Б-2 1ЗАО «Кремний» 318 1 1 2Т818В-2 ЗАО «Кремний» ! 318 11 J 2T819A 1ЗАО «Кремний» 1 318 1 1 2Т819Б ЗАО «Кремний» 1318 1 2Т819В ЗАО «Кремний» 1 318 2Т819А·2 ЗАО «Кремний» 318 2Т819Б-2 1ЗАО «Кремний» 1 318 2Т836В 1ЗАО «Кремний» 322 2Т836Г 1ЗАО «Кремний» 322 [2Т836А-5 1 1 ЗАО «Кремний» ' 322!' 1 1 12Т837А : З-д «Искра» : 322 JI 2Т837Б 1З-д «Искра» 1322 1 2Т837В 1З-д «Искра» 13221 1 12твз1г 1 З-д «Искра» 1 322 !2Т837Д 1З-д «Искра» 1 322 l 2T837E 1 З-д «Юпитер» 322 12Т839д iAO «Элиз» i 322 2Т841А [ЗАО «Кремний» 1 324 2Т841Б 1ЗАО «Кремний» 1 324 2Т841В 1ЗАО «Кремний» 1 324 2Т841А-1 1ЗАО «Кремний» ' 324 1 1!2Т663Б IAO «Элекс» 1 310 1 1 12Т664А9-1 1ЗАО «Кремний» 1 310 1 ~2Т664Б9-1 : ЗАО «Кремний» 1 310 1 !i 2Т665д9-1 1ЗАО «Кремний» 1 310 1 1 2Т819В-2 ЗАО «Кремний» 1318 1 2Т824А ЗАО «Кремний» 131811 2Т824Б ЗАО «Кремний» : 318 1 : 2Т824АМ ЗАО «Кремний» 1 318 1 2Т841Б-1 1 ЗАО «Кремний» 324 l2T842A : ЗАО «Кремний» 1 324 112Т842Б : ЗАО «Кремний» 324 12тВ42д-1 !ЗАО «Кремний» i 324 1 ! ~2Т665Б9-1 : ЗАО «Кремний» 1 310 2Т824БМ 1ЗАО «Кремний» 1 318 2Т842Б-1 1ЗАО «Кремний» 1 324 0 2Т669д : З-д «Транзистор» 1 310 1 2Т825А ЗАО «Кремний» 318 2Т844А IAO «Элиз» 1 324 2Т669д1 1З-д «Транзистор» ' 312 ! 2Т825Б ЗАО «Кремний» 1 318 2Т845А IAO «ЭЛИЗ» 1 324 2Т671А-2 З-д «Пульсар» 312 2Т825В ЗАО «Кремний» 318 2Т847А АО «ЭЛИЗ» 324 2Т672А-2 З-д «Транзистор» З12 2Т825А-2 ЗАО «Кремний» 1 318 2Т847Б АО «Элиз» 324 2Т679А-2 32,З3 312 2Т825Б-2 ЗАО «Кремний» 318 2Т848А 10,35 З24 2Т679Б-2 АО «Элекс» З12 2Т825В-2 ЗАО «Кремний» 318 2Т856А З-д «Искра» 1 324 2Т679А-5 'АО «Элекс» 312 2Т825А-5 ЗАО «Кремний» 318 2Т856Б 1З-д «Искра» 1324 1 2Т679Б·5 АО«Элекс» З12 2Т682А-2 3-д «Пульсар» 1 З12 2Т826А АО «Элиз» 1 320 2Т826Б АО «Элиз» 1 320 12Т856В i З-д «Искра» З24 ~ 2Т856Г 1З-д «Искра» 1 326 2Т682Б-2 1 З-д «Пульсар» 312 2Т826В АО «Элиз» 1 320 12Т860А 1ЗАО «Кремний» 1 326 '2Т687АС2 З-д «Пульсар» 312 2Т826А-5 АО «Элиз» 320 2Т860Б 1ЗАО «Кремний» 326 2Т687БС2 3-д «Пульсар» 312 2Т827А АО «Элиз» 320 2Т860В ЗАО «Кремний» 326 2Т688А2 З-д «Пульсар» 312 2Т827Б АО «Элиз» 320 2Т861А ЗАО «Кремний» 326 2Т688Б2 З-д «Пульсар» 312 2Т691А2 З-д «Пульсар» 314 2Т827В АО «Элиз» 320 2Т827А-5 АО «Элиз» 320 12Т861Б ЗАО «Кремний» 326 2Т861В ЗАО «Кремний» 326 2Т693АС ЗАО «Кремний» 314 2Т827А·2 АО «ЭЛИЗ» 320 2Т862А З-д «Пульсар» 326 2Т704А АО «Элиз» 314 2Т704Б АО «Элиз» 314 2Т708д ЗАО «Кремний» 314 2Т708Б 1ЗАО «Кремний» 314 2Т708В 1 ЗАО «Кремний» 314 12Т709А 1ЗАО «Кремний» 314 2Т709Б ЗАО, «Кремний» 314 l2Т709В 1ЗАО «Кремний» 314 2Т827Б-2 АО «Элиз» 320 2Т827В·2 АО «Элиз» 320 2Т828д АО «Элиз» 320 2Т828Б АО «ЭЛИЗ» 320 1 2Т830А ЗАО «Кремний» 320 2Т830Б ЗАО «Кремний» 320 2Т830В ЗАО «Кремний» 320 2Т830Г 1 ЗАО «Кремний» 1 320 2Т862Б З-д «Пульсар» 326 1 2Т862В З-д «Пульсар» 1 326 1З-д «Пульсар» 1 2Т862Г 13261 2Т866А 1З-д «Пульсар» 1 326 1 2Т867А 1З-д «Искра» 13261! " 12Т874А 2Т874Б З-д «Пульсар» 326 З-д «Пульсар» 326 ЗАО «Кремний» 328 2Т875А 2Т709А2 ЗАО «Кремний» 314 2Т830В-1 ЗАО «Кремний» 320 2Т875Б ЗАО «Кремний» 328 2Т709Б2 ЗАО «Кремний» 314 2Т830Г-1 ЗАО «Кремний» 320 2Т875В ЗАО «Кремний» 328 2Т709В2 ЗАО «Кремний» 314 2Т831А ЗАО «Кремний» 322 2Т875Г ЗАО «Кремний» 328 2Т713А АО «Элиз» 314 2Т831Б ЗАО «Кремний» 322 2Т876А ЗАО «Кремний» 328 2Т716А ЗАО «Кремний» 314 2Т831В ЗАО «Кремний» 322 2Т876Б ЗАО «Кремний» 328 2Т716Б ЗАО «Кремний» 314 2Т831Г ЗАО «Кремний» 322 2Т876В ЗАО «Кремний» 328
22 Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) 112Т876Г 1ЗАО «Кремний» 328 1!2Т877А 1ЗАО «Кремний» 1 328 1 1 :12твпБ 1ЗАО «Кремний» 328 1 j 2Т877В ЗАО «Кремний» 328 !l 2T878A 1З-д «Искра» 328 1 !'2Т878Б 1 З-д «Искра» 328 2Т878В 1 З-д «Искра» 328 2Т879А З-д «Искра» 328 2Т879Б З-д «Искра» 328 2Т880А ЗАО «Кремний» 328 2Т880Б ЗАО «Кремний» 328 2Т880В 1 ЗАО «Кремний» 1 328 112тввог ЗАО «Кремний» 1 328 12Т880А-5 1ЗАО «Кремний» 1 328 1 2Т880Б-5 1 ЗАО «Кремний» 328 1 1 !2Т881А 1ЗАО «Кремний» 328 11 2Т881Б 1ЗАО «Кремний» 328 2Т881В ЗАО «Кремний» 328 2Т881Г ЗАО «Кремний» 328 2Т881А-5 ЗАО «Кремний» 328 2Т881Б-5 ЗАО «Кремний» 328 2Т882А ЗАО «Кремний» 328 2Т882Б 1ЗАО «Кремний» 328 2Т882В 1ЗАО «Кремний» 328 2Т88ЗА i ЗАО «Кремний» 330 12тввзБ 1ЗАО «Кремний» 1 330 1 12твв4д 1 ЗАО «Кремний» 1 330 l 2Т884Б iЗАО «Кремний» 1 330 1 12Т885А 1З-д «Пульсар» 330 2Т885Б З-д «Пульсар» 330 2Т886А 1ЗАО «Кремний» 330 2Т886Б ЗАО «Кремний» 330 2Т887А ЗАО «Кремний» 330 2Т887Б 1 ЗАО «Кремний» 330 2Т888А 1ЗАО «Кремний» 330 2Т888Б 1 ЗАО «Кремний» 330 2Т891А i З-д «Пульсар» 330 2Т903А взпп 330 2Т903Б взпп 330 2Т904А ПО «Знамя» 330 2Т907А взпп 332 2Т908А З-д «Искра» 332 2Т909А взпп 332 2Т909Б взпn 332 2Т~101АС lвзпп 332 2Т9102А-2 1З-д «Пульсар» 332 2Т9102Б-2 1З-д «Пульсар» 332 2Т9103А-2 1З-д «Пульсар» 332 2Т9103Б-2 З-д «Пульсар» 332 2Т9104А взпп 332 2Т9104Б взпп 332 2Т9105АС взпп 332 2Т9107А-2 З-д «Пульсар» 334 2Т9108А-2 З-д «Пульсар» 334 2Т9109А взпп 334 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя 11 Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) 2Т9110А-2 З-д «Пульсар» 334 2Т9110Б-2 ! З-д «Пульсар» 334 12Т9111А 1З-д «Пульсар» 334 2Т9112А iAo «Элиз» 1 334 1 2Т911ЗА !АО «Элиз» 334 2Т9114А З-д «Пульсар» 336 2Т9114Б ! З-д «Пульсар» 336 2Т911А lвзпп 336 2Т911Б взпп 336 2Т912А 13-д «Пульсар» 336 2Т912Б 3-д «Пульсар» 336 2Т912А-5 З-д «Пульсар» 336 2Т912Б-5 13-д «Пульсар» 336 2Т913А 3-д «Транзистор» 336 2Т91ЗБ 3-д «Транзистор» 336 2Т913В 13-д «Транзистор» 336 2Т9117А 1ЗАО «Кремний» 1 336 2Т9117Б 1ЗАО «Кремний» 336 2Т9117В 1 ЗАО «Кремний» 336 2Т9117Г ЗАО «Кремний» 336 2Т9118А 3-д «Пульсар» 336 2Т9118Б !3-д «Пульсар» 336 2Т9118В !3-д «Пульсар» 336 1! 2Т9119А-2 1 338 2Т9121А З-д «Пульсар» 1 338 12Т9121Б 13-д «Пульсар» 338 12Т9121В · З-д «Пульсар» 338 11 l12Т9121Г 1 З-д «Пульсар» 1 112Т9122А З-д «Пульсар» 338 2Т9122Б З-д «Пульсар» 338 2Т9123А АО оЭлиз» 338 1 2Т912ЗБ АО «Элиз» 338 1 2Т9124А З-д «Пульсар» 338 2Т9124Б З-д «Пульсар» 338 2Т9125АС взпп 338 2Т9126А З-д «Пульсар» 340 2Т9127А 3-д «Пульсар» 340 2Т9127Б З-д «Пульсар» 340 2Т9127В З-д «Пульсар» 340 2Т9127Г 3-д «Пульсар» 340 2Т9127Д З-д «Пульсар» 340 2Т9127Е З-д «Пульсар» 340 2Т9127Ж З-д «Пульсар» 340 2Т9127И З-д «Пульсар» 340 2Т9127К З-д «Пульсар» 340 2Т9128АС ПО оНИИЭТ» 340 2Т9129А З-д «Пульсар» 340 2Т9130А ЗАО «Кремний» 340 2Т9131А З-д «Пульсар» 340 2Т9132АС ПО «НИИЭТ» 340 2Т9133А 3-д «Пульсар» 342 2Т9134А З-д «Пульсар» 342 2Т9134Б З-д «Пульсар» 342 2Т9135А-2 З-д «Пульсар» 342 2Т9137А З-д «Пульсар» 342 Тип Изготовитель 1 Стр.11 прибора (см. стр. 31) 2Т9137Б З-д «Пульсар» ~3421! ,12Т9138А 1 1! IAO «Элиз» 1 342 '1 2Т9139А lзп 1344 li -д « ульсар» 1! 2Т9139Б 1 З-д «Пульсар» 344 2Т9139В З-д «Пульсар» 1 344 i11 2Т9139Г З-д «Пульсар» 344 1 2Т9140А З-д «Пульсар» 344 2Т914А АО «Элекс» 344 1 2Т9143А НПО оПланета» 344 1 i 2Т9146А З-д «Пульсар» 344 '! 2Т9146Б З-д «Пульсар» 344 1 2Т9146В З-д «Пульсар» 344 2Т9146Г З-д «Пульсар» 1344 1 ' 2Т9146Д З-д «Пульсар» 344 1 1 ,2Т9146Е 1 З-д «Пульсар» ! 344 1 2Т9146Ж З-д «Пульсар» ! 344 1 1 2Т9146И З-д «Пульсар» i3441 2Т9146К З-д «Пульсар» 344 1 2Т9147АС ПО «НИИЭТ» 344 1! 2Т9149А З-д «Пульсар» =J~tJ 1 2Т9149Б 1З-д «Пульсар» . 1 2Т9153АС lпо .нииэт» 1 346 11 2Т9153БС ПО «НИИЭТ» :346i1 12Т9155А lпо «НИИЭТ» 1----~~-J 112Т9155Б 1по «НИИЭТ» ! 346 11 ll 2T9155B 1ПО «НИИЭТ» !346! 12Т9156АС ПО «НИИЭТ» 1 346 1 346 1 1~ 2Т9156БС ПО «НИИЭТ» 346 346 346 12Т9158А НПП «Пульсар» 2Т9158Б НПП «Пульсар» 1: 2Т9159А З-д «Пульсар» 346 348 12Т9159А5 З-д «Пульсар» 12Т916А З-д «Транзистор» 2Т9161дС по .нииэт» 1 348 2Т9162А 1 З-д «Пульсар» 1 348 2Т9162Б З-д «Пульсар» i 348 2Т9162В З-д «Пульсар» 1 348 2Т9162Г З-д «Пульсар» 348 2Т9164А З-д .пульсар» 1 348 2Т9175А ПО «НИИЭТ» 348 2Т9175Б ПО «НИИЭТ» 348 2Т9175В ПО «НИИЭТ» 348 , 2Т9175А-4 ПО «НИИЭТ» 350 1 2Т9175Б-4 ПО «НИИЭТ» 350 3_т_9_1_1s_в_-,_4_ __,11-п_о_.н_и_и_э_т_»__-+1-з_5_о___,11[, 2Т9183А-5 IAO «Элекс» 1350 11 2Т9184А 1 З-д «Искра» 1350li lf------+--------~----il 2Т9188А 1ПО «НИИЭТ» 13501 2Т9188А-4 350 2Т919А З-д «Пульсар» 352 1 2Т919Б 3-д •ПУ"~Р• 352 2Т919В З-д «Пульсар» 352 2Т919А-2 З-д «Пульсар» 352 2Т919Б-2 З-д «Пульсар» 352 2Т919В-2 З-д «Пульсар» 1 352
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей 23 Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) 2Т920А IВ3ПП 352 2Т944А 3-д «Искра» 358 2Т975Б 13-д «Пульсар» ! 364 1 1 1 i 2Т920Б IВ3ПП 1 352 1 !12Т920В IВ3ПП 352 1 2Т945А АО «ЭЛИЗ» 358 2Т945Б АО «Элиз» 1 358 2Т976А IВ3ПП ' : 364 "11 2Т977А 13-д «Пульсар» 13641 112Т921А i3-д «Пульсар» 352 2Т945В АО «ЭЛИЗ» 358 2Т978д 3-д «Искра» 364 1 13-д «Пульсар» i 2Т921А-4 352 1 2Т945А-5 АО «Элиз• 358 2Т978Б 3-д «Искра» 364 1· 2Т922А jв3пп 352 2Т946А 22,35 358 2Т979А 3-д «Пульсар» 364 2Т922Б В3ПП 352 2Т947А 3-д «Искра» 358 2Т980А 3-д «Пульсар» 364 2Т922В В3ПП 352 2Т948А 3-д «Пульсар• 358 2Т980Б 3-д «Пульсар» 364 2Т925А В3ПП 352 2Т948Б 3-д «Пульсар» 358 2Т981А АО «Элиз» 366 2Т925Б В3ПП 352 2Т949А - 358 2Т982А-2 3-д «Пульсар• 366 2Т925В В3ПП 352 2Т950д 3-д «Пульсар» 358 2Т982А-5 3-д «Пульсар• 366 2Т926А IAO «ЭЛИЗ» 352 l 2T928A 13-д «Транзистор» 1 354 11 2Т950Б 3-д «Пульсар• 358 2Т951А 3-д «Пульсар» 360 12Т983А lв3пп i 366 1. 1 2Т983Б lв3ПП 1 366 11 l2Т928Б 13-д «Транзистор» 354 1 2Т951Б 3-д «Пульсар» 360 2Т983В В3ПП 1 366 1 1 2Т929А !В3ПП 354 2Т951В 3-д «Пульсар» 360 2Т984А В3ПП 366 2Т930А IВ3ПП 354 2Т955д АО «Элиз• 360 2Т984Б В3ПП 366 2Т9ЗОБ В3ПП 354 2Т956А АО «Элиз• 360 2Т985АС В3ПП 366 2Т931А В3ПП 354 2Т957д АО «ЭЛИЗ» 360 2Т986д 3-д «Пульсар» 366 2Т932А 3-д ниипп 354 2Т958А В3ПП 360 2Т986Б 3-д «Пульсар» 366 2Т932Б 3-д ниипп 354 2Т960д В3ПП 360 2Т986В 3-д «Пульсар» 366 2Т933А 3-д ниипп 354 2Т962А В3ПП 360 2Т986Г 3-д «Пульсар» 366 2Т933Б 13-д ниипп 354 2Т934А IВ3ПП 354 1 112Т934Б lв3пп 354 ~2Т934В 183ПП 1 354 2Т962Б В3ПП 360 2Т962В В3ПП 1 360 2Т963А-2 3-д «Пульсар» 1 360 2Т963Б-2 3-д «Пульсар» 1 360 2Т987д 3-д «Пульсар» 1 366 12Т988А 13-д «Пульсар» 1 368 ,I ' 12Т988Б 13-д «Пульсар» i 368 11 2Т989А 13-д «Пульсар» ' 368 i2Т935А :до «Элиз» 354 2Т963А-5 3-д «Пульсар» i 362 2Т989Б 3-д «Пульсар» 1 368 12Т935А-5 IAO «Элиз» 356 2Т937А-2 13-д «Пульсар» 356 2Т937Б-2 3-д «Пульсар» 356 2Т964А 3-д «Пульсар» 362 2Т965А В3ПП 362 2Т966А В3ПП 362 2Т989В 3-д «Пульсар» 368 2Т989Г 3-д «Пульсар» 368 2Т990А-2 3-д «Пульсар» 368 2Т937А-5 13-д «Пульсар» 356 2Т967А АО «Элиз• 362 2Т991АС В3ПП 368 2Т938А-2 13-д «Транзистор• 356 2Т968А 3-д «Искра» 362 2Т993д АО «Элиз» 368 2Т939А 3-д «Транзистор» 356 2Т968А-5 3-д «Искра» 362 2Т994А-2 3-д «Пульсар» 368 2Т939Б 13-д «Транзистор• 356 2Т970А В3ПП 362 2Т994Б-2 3-д «Пульсар» 368 1 2Т939А1 13-д «Транзистор• 356 l 2T941A IAO «Элекс» 356 1 1 1 !12Т942А 13-д «Пульсар» 356 l 2Т942Б 13-д «Пульсар» 356 2Т971А В3ПП 364 2Т974А 3-д «Пульсар» 364 2Т974Б 3-д «Пульсар» 1 364 2Т974В 3-д «Пульсар» 1 364 2Т994В-2 3-д «Пульсар» !368:1 i3-д «Пульсар» .! 12Т995А-2 i 370 111 2Т996А-5 13-д «Пульсар» 1 370 1 1 l 2Т996Б-5 13-д «Пульсар» 370 2Т942А-5 /3-д «Пульсар» 356 2Т974Г 3-д «Пульсар» 364 2Т998А 370 2Т942Б-5 13-д «Пульсар» 356 2Т975д 3-д «Пульсар» 364 Кремниевые сборки специального назначения 11 Тип Изготовитель Стр. 1· прибора (см. стр. 31) 1 i 2ТСЗОЗА-2 13-д ПО «Альфа» 372 Тип Изготовитель 1 Стр. прибора (см. стр. 31) 2ТЗ155БС-1 АО «Светлана» 1 372 Тип 1 Изготовитель : 11 1с 1 прибора 1 (см. стр. 31) ; тр. 1' ' 1 2ТС61ЗБ 13-д «Транзистор» : 374 1: ;12тсз1озд i3-д ПО «Альфа» 372 2ТС393А-1 3-д ПО «Альфа» ! 372 2ТС622А lв3пп 1 374 :: 1 :12тсз1озБ 13-д ПО «Альфа» 372 112ТСЗ111А-1 iНИИМП 1 372 :· 2ТС3111 Б-1 IНИИМП 1 372 2ТС393Б-1 3-д ПО «Альфа» 1 372 2ТС393А-9 13-д ПО «Альфа» 1 372 1 2ТСЗ9ЗБ-9 3-д ПО «Альфа» i 372 2ТС622Б IВ3ПП 13741, 1: 2ТС622Б-1 jВ3ПП ' 374 11 2Т670АС 13-д «Транзистор» 1 374 1 ~2ТС3111В-1 ниимп 372 2ТСЗ111Г-1 ниимп 372 2ТСЗ98А-1 АО «Светлана» 372 2ТС398Б-1 АО «Светлана» 372 2ТС687АС-2 13-д «Пульсар» i 376 2ТС687БС-2 13-д «Пульсар» i 376 2ТСЗ111Д-1 ниимп 372 2ТСЗ98А-94 АО «Светлана» 374 2Т689АС В3ПП i 376 2ТС3136А-1 3-д ПО «Альфа» 372 2ТС398Б-94 АО «Светлана» 374 2ТС843А АО «Плутон» 1 376 2ТЗ155АС-1 АО «Светлана» 372 2ТС61ЗА 3-д «Транзистор» 374 2ТС941А-2 АО «Элекс» ! 376
24 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя Полевые транзисторы Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) АП320А-2 НПП «Пульсар» 392 l!АП320Б-2 1НПП «Пульсар» ' 392 1 НПП «Пульсар» 392 I АП324А-2 11АП324Б-2 1 НПП «Пульсар» 392 АПЗ24В-2 1НПП «Пульсар» 392 АПбОЗА-5 3-д «Пульсар» 398 АПбОЗБ-5 3-д «Пульсар» 398 АП604А-2 3-д «Пульсар» 398 АП604Б-2 3-д «Пульсар» 398 АП604В-2 3-д «Пульсар» 1 398 1 КП10ЗЕР1 ППО «Октябрь» 404 КП10ЗЖР1 1ППО «Октябрь» 14041 КП103ИР1 ППО «Октябрь» 404 КП103КР1 1ППО «Октябрь» 1 404 1 КП10ЗЛР1 ППО «Октябрь» 404 АП324Б-5 1НПП «Пульсар» 1 392 АП604Г-2 3-д «Пульсар» 398 КП10ЗМР1 ППО «Октябрь• 404 АПЗ25А-2 НПО «Планета» 392 АП604А1-2 НПО «Планета» 400 КП103Е9 18,33 404 АПЗ26А-2 НПО «Планета» 392 АП604Б1-2 3-д «Пульсар» 400 КП10ЗЖ9 18, 33 404 АП326Б-2 НПО «Планета» 392 АП604В1-2 3-д «Пульсар» 400 КП10ЗИ9 18,33 404 АП328А-2 НПО «Планета» 394 АП604Г1-2 3-д «Пульсар» 400 КП103К9 18,33 404 АПЗЗОА-2 НПО «Планета» 394 АП605А-2 3-д «Пульсар» 400 КП103Л9 18,33 404 АПЗЗОБ-2 НПО «Планета» 394 АПЗЗОВ-2 1НПО «Планета» 394 АП605А1-2 НПО «Планета» 400 АП605А2-2 НПО «Планета» 400 КП103М9 l18, 33 1 404 ~ КП150 7,36 1 406 , АПЗЗОВ1-2 1НПО «Планета» 394 ' 1 АПЗЗОВ2-2 1НПО «Планета» 1 394 АПЗЗОВЗ-2 i НПО «Планета» 394 АП606А-2 3-д «Пульсар» 400 АП606Б-2 3-д «Пульсар» 400 АП606В-2 3-д «Пульсар» 400 КП201Е-1 АО «ВОСХОД• i4061 КП201Ж-1 АО «ВОСХОД» i 406 КП201И-1 АО «ВОСХОД» 406 АП331А-2 1НПО «Планета» 394 АП606А-5 3-д «Пульсар» 400 КП201К-1 АО «Восход• 406 1 АП331А-5 НПО «Планета» 394 АП606Б-5 3-д «Пульсар» 400 КП201Л-1 АО «Восход» 406 АП339А-2 НПО «Планета» 394 АП606В-5 3-д «Пульсар» 400 КП202Д-1 АО «Восход» 406 АПЗ4ЗА-2 НПО «Планета» 394 АП607А-2 3-д «Пульсар» 400 КП202Е-1 АО «Восход• 406 АП343А1-2 НПО «Планета» 394 АП608А-2 3-д «Пульсар» 402 КП214А-9 3-д «Транзистор» 406 АП343А2-2 НПО «Планета» 394 АП608Б-2 3-д «Пульсар» 402 КП240 7,36 406 АП343АЗ-2 НПО «Планета» 394 АП608В-2 3-д ~<Пульсар» 402 КП250 7,36 406 1 АП344А-2 1НПО «Планета» 396 АП344А1-2 НПО «Планета» 396 АП608А-5 3-д «Пульсар» 402 АП608Д-5 3-д «Пульсар• 402 КПЗО1Б ППО «Октябрь» 1 406 КПЗО1В ППО «Октябрь» 406 11 АП344А2-2 1НПО «Планета» 396 IАПЗ44АЗ-2 ! НПО «Планета» 396 АП608Е-5 3-д «Пульсар» 402 АП915А-2 3-д «Пульсар» 402 КПЗО1Г ППО «Октябрь• ! 406 1 КПЗ02А ППО «Октябрь» 1 406 1 АП344А4-2 1НПО «Планета• 396 АП354А-5 НПО «Сатурн» 396 АП915Б-2 3-д «Пульсар» 402 1 АП925А-2 3-д «Пульсар» 402 КПЗО2Б ППО «Октябрь» 1 406 КПЗ02В ППО «Октябрь» 406 АП354Б-5 НПО «Сатурн» 396 АП925Б-2 3-д «Пульсар» 402 КПЗО2Г ППО «Октябрь» 406 АП354В-5 НПО «Сатурн• 396 АП925В-2 3-д «Пульсар» 402 КП302АМ ППО «Октябрь• 408 АП355А-5 НПО «Сатурн» 396 АП930А-2 3-д «Пульсар» 402 КПЗ02БМ ППО «Октябрь» 408 АП355Б-5 НПО «Сатурн» 396 АП930Б-2 3-д «Пульсар» 402 КП302ВМ ППО «Октябрь» 408 АП355В-5 НПО «Сатурн» 396 АП930В-2 3-д «Пульсар» 402 КП302ГМ ППО «Октябрь» 408 АПЗ56А-5 НПО «Сатурн» 396 1 АП356Б-5 1 НПО «Сатурн» 396 АП356В-5 1 НПО «Сатурн» 396 АП967А-2 3-д «Пульсар» 402 АП967Б-2 3-д «Пульсар» 402 АП967В-2 3-д «Пульсар» 402 КПЗОЗА 31,33 ! 408 1 КПЗОЗБ 31,33 ' 408 ' 1 кпзозв 131,33 1 408 1 1АП357А-5 1 НПО «Сатурн» 396 АП967Г-2 3-д «Пульсар» 402 кпзозг 31,33 i4081 АП357Б-5 1 НПО «Сатурн» 396 АП967Д-2 3-д «Пульсар» 402 кпзозд 31, 33 1 408 АП357В-5 1НПО «Сатурн» 396 АП358А-5 НПО «Сатурн» 396 АП967Е-2 3-д «Пульсар» 402 АП967Ж-2 3-д «Пульсар» 402 1 КПЗОЗЕ 31,33 408 кпзозж 31,33 408 АП358Б-5 НПО «Сатурн» 396 КЕ702А НПП «Пульсар» 404 кпзози 31,33 408 АП358В-5 НПО «Сатурн» 396 КЕ702Б НПП «Пульсар» 404 КПЗОЗА9 31,33 408 АПЗ62А-9 НПО «Планета» 396 КЕ702В НПП «Пульсар» 404 КПЗОЗБ9 31, 33 408 АП362Б-9 НПО «Планета. 396 КЕ707А ОАО «Ангстрем» 404 КПЗОЗВ9 31,33 408 АП379А-9 НПО «Планета» 398 КЕ707Б ОАО «Ангстрем» 404 КПЗОЗГ9 31,33 1 408 АП379Б-9 НПО «Планета» 398 КЕ707А2 ОАО «Ангстрем» 404 КПЗОЗД9 131,33 ' 408 АП381А-5 НПП «Пульсар» 398 1 АП602А-2 1НПП «Пульсар» 398 !АП602Б-2 1НПП «Пульсар» 398 КЕ707Б2 ОАО «Ангстрем» 404 КП101Г Тонди электроника 404 КП101Д Тонди электроника 404 1 КПЗОЗЕ9 31,33 1 408 КПЗОЗЖ9 31,33 1408il КПЗОЗИ9 31,33 1 408 АП602В-2 1 НПП «Пульсар» 398 КП101Е Тонди электроника 404 КПЗО4А АО «Светлана» 408 il АП602Г-2 НПП «Пульсар» 398 КП103Е 18.33 404 КПЗО5Д 24,25 408 li АП602Д-2 НПП «Пульсар» 398 КП103Ж 18,33 404 КП305Е 24,25 408 АПбОЗА-2 3-д «Пульсар» 398 КП103И 18,33 404 КП305Ж 24,25 408 АПбОЗБ-2 3-д «Пульсар» 398 КП10ЗК 18,33 404 КПЗО5И 24,25 408 АПбОЗА-1-2 3-д «Пульсар» 398 КП103Л 18,33 404 КПЗО6А 5, 18 408 1 АПбОЗБ-1-2 3-д «Пульсар» 398 КП10ЗМ 18, 33 404 КПЗО6Б 5, 18 408
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей 25 Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель 1 Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) КПЗОбВ 5. 18 408 КПЗ82А 3-д «Транзистор» 414 КП707Г1 17,36 1 422 КПЗ07д 128.31 .33 410 li КПЗО7Б 128.31 .33 1 410 1· 1 :1кпзо1в :28,31 ,33 410 КПЗSЗА-9 АО «Светлана» 1 416 КП401АС i- 1 416 КП401БС 1- 416 17,36 : 422 ,1 КП707Д1 !1 1 1 КП707Е1 17,36 422 "1· 11 КП707А2 17,36 422 11 ii КПЗ07Г 128.31.33 1 410 КП402А АО «Светлана» 416 КП707В2 17, 36 i 422 1'"'"" 1 28,31 ,33 410 КПЗО7Е 28,31 ,33 410 КПЗ07Ж 28,31 ,33 410 КП40ЗА АО «Светлана» 416 КП440 7,36 416 КП450 7, 36 416 КП708А АО «ЭЛИЗ» 422 КП708Б АО «Элиз» 422 АО «Элиз» ' 422 КП709д КПЗ07А1 28, 31,33 410 КП501А 3-д «Транзистор» 416 КП709Б АО «Элиз» 422 КПЗО7Б1 28,31 ,33 410 КП501Б 3-д «Транзистор» 416 КП709В АО «Элиз» 422 КПЗ07Г1 28,31 ,33 410 КП501В 3-д «Транзистор» 416 КП709Г АО «ЭЛИЗ» 422 КПЗО7Е1 28,31 ,33 410 КП502А 3-д «Транзистор» 418 КП709Д АО «ЭЛИЗ» i 422 КПЗ07Ж1 28, 31,33 410 КПSОЗА 3-д «Транзистор» 418 КП710 В3ПП 1 422 КПЗОSА-1 13-д ПО «ФОТОН» 410 КПЗОSБ-1 13-Д ПО «ФОТОН» 410 КП504А 13-д «Транзистор» 418 КП504Б 13-д «Транзистор» 418 КП7128 13-д «Транзистор» ! 424 11 КП712А IВ3ПП ;42411 ·1 КПЗОSВ-1 13-д ПО «ФОТОН» 410 КП504В 3-д «Транзистор» 1 418 1 КП712Б В3ПП 1424:1 1 КПЗОSГ-1 1 3-д ПО «ФОТОН» 410 КП505д 3-д «Транзистор» 418 1КП712В В3ПП i42411 КПЗОSД-1 13-д ПО «ФОТОН» 410 КП505Б 3-д «Транзистор» 418 КП71ЗОА ОАО «Ангстрем» 424 КПЗ10А НПП «ВОСТОК» 410 КП505В 3-д «Транзистор» 418 КП71ЗОБ ОАО «Ангстрем» 424 КПЗ10Б НПП «ВОСТОК» 410 КП505Г 3-д «Транзистор» 418 КП71ЗОВ ОАО «Ангстрем» 424 КПЗ12А З--д «Пульсар» 410 КП507А 3-д «Транзистор» 418 КП71ЗОА2 ОАО «Ангстрем» 424 КПЗ12Б 3-д «Пульсар» 410 КП508А 3-д «Транзистор» 418 КП71ЗОА9 ОАО «Ангстрем» 424 КПЗ1ЗА 5, 18 410 КП509А-9 3-д «Транзистор» 418 КП7131А-9 ОАО «Ангстрем» 424 КПЗ1ЗБ l5. 18 410 КП509Б-9 3-д «Транзистор» 418 КП7132А ОАО «Ангстрем» 426 КПЗ13В 15. 18 410 КПЗ14д \ 3-Д ПО «ФОТОН» 410 КП509В-9 3-д "Транзистор» 418 КП510 7,36 418 КП7132Б ОАО «Ангстрем» 1 426 1 КП7132А1 1ОАО «Ангстрем» 1 426 1 КПЗ22А 3-д ПО «ФОТОН» 410 КП510А9 3-д «Транзистор» 418 КП7132Б1 1 ОАО «Ангстрем» !426i 11 КПЗ2ЗА-2 13-д «Пульсар» 412 КП511А 3-д «Транзистор» 1 420 КП7132А9 ОАО «Ангстрем» 1 426 :1 КПЗ2ЗБ-2 j 3-д «Пульсар» 412 КП511Б 3-д «Транзистор» 420 КП7132Б9 ОАО «Ангстрем» 426 КПЗ27А 18, 21 412 КП520 7,36 420 КП7132А91 ОАО «Ангстрем» 426 КПЗ27Б 18,21 412 КП52ЗА 3-д «Транзистор» 1 420 КП7132Б91 ОАО «Ангстрем» 426 КПЗ27В 18,21 412 КП52ЗБ 3-д «Транзистор» 420 КП713Зд ОАО «Ангстрем» 426 КПЗ27Г 18,21 412 КП52ЗВ 3-д «Транзистор» 420 КП71ЗЗА9 ОАО «Ангстрем» 428 КПЗ29А 3-д ПО «ФОТОН» 412 КП52ЗГ 3-д «:ГранЗистор» 420 КП7134А ОАО «Ангстрем» 428 КПЗ29Б 3-д ПО «ФОТОН» 412 КП530 7,36 420 КП7135А ОАО «Ангстрем» 428 КПЗЗЗА 3-д ПО «ФОТОН» 412 КП540 7,36 420 КП71Збд ОАО «Ангстрем» 428 КПЗЗЗБ 3-д ПО «ФОТОН» 412 КП601А 3-д ПО «ФОТОН» 420 КП7137А ОАО «Ангстрем» 1 428 11 КПЗ40 !7.36 412 11 КПЗ41д 13-д «Пульсар» 412 1 1 l КПЗ41Б 13-д «Пульсар» 412 i! КПЗ46А-9 1НПП «Пульсар» i 412 1 ii КПЗ46Б-9 iНПП «Пульсар» 1 412 i КПЗ46В-9 1НПП «Пульсар» 412 КП601Б 3-д ПО «ФОТОН» 420 КП610 7,36 420 КП620 7, 36 1 420 КПбЗО 7, 36 420 КП640 j7,36 420 КП704А 3-д «Гравитон» 420 КП7138д 1 ОАО «Ангстрем» 1 428 КП7138д9 1ОАО «Ангстрем» : 430 1 .1 1 КП7138д91 !ОАО «Ангстрем» 1 430 11 1• КП7150А 1ОАО «Ангстрем» ! 430 1 КП7150А2 1 ОАО «Ангстрем» 143011 КП7150д9 ОАО «Ангстрем» 430 1 КПЗ47А-2 3-д «Пульсар» 414 КП704Б 3-д «Гравитон» 420 КП717А 3-д «Транзистор» 432 кпзsо В3ПП 414 КП705А НПП «Пульсар» 422 КП717Б 3-д «Транзистор» 432 КПЗSОА ППО «Октябрь» 414 КП705Б НПП «Пульсар» 422 КП717В 3-д «Транзистор» 432 КПЗSОБ ППО «Октябрь» 414 КП705В НПП «Пульсар» 422 КП717Г 3-д «Транзистор» 432 кпзsов ППО «Октябрь» 414 КП70бд НПП «Пульсар» 422 КП717Д 3-д «Транзистор» 432 КПЗ61А АО «Элекс» ' 414 КПЗ64А IAO «Элекс» 414 КПЗ64Б !АО «Элекс» 414 КП706Б НПП «Пульсар» 422 КП706В НПП «Пульсар» 422 КП707А 7,36 1 422 IКП717Е 13-д «Транзистор» 1 432 1! 1 11 КП717А1 1 3-д «Транзистор» : 432 '1 КП717Б1 13-д «Транзистор» 1 432 1 КП364В iAO «Элекс» 414 КП707Б 7,36 ! 422 КП717В1 3-д «Транзистор» 1 432 ,, ' КПЗ64Г \АО «Элекс» 414 КП707В 7,36 1 422 КП717Г1 3-д «Транзистор» 432 КПЗ64Д АО «Элекс» 414 КП707Г 7, 36 422 КП717Д1 3-д «Транзистор» 432 КПЗ64Е АО «Элекс» 414 КП707Д 7,36 422 КП717Е1 3-д «Транзистор» 432 КПЗ64Ж АО «Элекс» i 414 i КПЗ64И АО «Элекс» 414 1 КПЗ65А 3-д «Транзистор» 414 КП707Е 7,36 422 КП707А1 7,36 422 КП707Б1 7,36 422 КП718А 3-д «Транзистор» 432 1 КП718Б 3-д «Транзистор» 432 КП718В 3-д «Транзистор» 432 1 КПЗ65Б 3-д «Транзистор» 414 КП707В1 7,36 422 КП718Г 3-д «Транзистор» 432
26 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) 1КП71ВД 3-д «Транзистор» 432 КП71ВЕ 3-д «Транзистор» 432 1 КП739В 3-д «Транзистор» 440 КП740 В3ПП 440 КП761Б 3-д «Микрон» i 448 ~ КП761В 13-д «Микрон» 1 448 1 КП718А1 13-д «Транзистор» 432 КП740А 3-д «Транзистор» 440 КП761Г 3-д «МИКРОН» ! 448 КП718Б1 13-д «Транзистор» 432 КП740Б 3-д «Транзистор» 440 КП771А 3-д «Транзистор» 448 КП71ВВ1 3-д «Транзистор» 432 КП740В 3-д «Транзистор» 440 КП771Б 3-д «Транзистор» 448 КП718Г1 3-д «Транзистор» 432 КП741А 3-д «Транзистор» 442 КП771В 3-д «Транзистор» 448 КП71ВД1 3-д «Транзистор» 432 КП741Б 3-д «Транзистор» 442 КП775А 3-д «Транзистор» 448 КП718Е1 3-д «Транзистор» 432 КП743А 3-д «Транзистор» 442 КП775Б 3-д «Транзистор» 448 КП720 В3ПП 432 КП743Б 3-д «Транзистор» 442 КП775В 3-д «Транзистор» 448 КП722А 3-д «Транзистор» 432 КП743В 3-д «Транзистор» 442 КП776А 3-д «Транзистор» 448 КП723А 13-д «Транзистор» 432 КП743А1 3-д «Транзистор» 442 КП776Б 3-д «Транзистор» 448 КП723Б 3-д «Транзистор» 432 КП744А 3-д «Транзистор» 442 КП776В 3-д «Транзистор» 1 448 1 КП723В 13-д «Транзистор» 432 1 КП723Г 3-д «Транзистор» 432 1КП724А 13-д «Транзистор» 432 1 1 КП724Б 3-д «Транзистор» 432 КП744Б 3-д «Транзистор» 442 КП744В 3-д «Транзистор» 442 КП744Г 3-д «Транзистор» 442 КП745А 3-д «Транзистор» 442 КП776Г 3-д «Транзистор» 1 448 11 КП777А 13-д «Транзистор» 1 448 1 КП777Б 3-д «Транзистор» 1 448 ! КП777В 3-д «Транзистор» 448 11КП725А 13-д «Транзистор» 432 КП726А 13-д «Транзистор» 434 КП745Б 3-д «Транзистор» 442 КП745В 3-д «Транзистор» 442 КП77ВА 3-д «Транзистор» 450 КП779д 3-д «Транзистор» 450 КП726Б 3-д «Транзистор• 434 КП745Г 3-д «Транзистор» 442 КП780А 3-д «Транзистор» 450 КП726А1 3-д «Транзистор» 434 КП746А 3-д «Транзистор» 444 КП7ВОБ,В 3-д «Транзистор» 450 КП726Б1 3-д «Транзистор» 434 КП746Б 3-д «Транзистор» 444 КП7ВОАС1 3-д «Транзистор» 450 КП727А 3-д «Транзистор» 434 КП746В 3-д «Транзистор» 444 КП781А 3-д «Транзистор» 450 КП727Б 3-д «Транзистор» 434 КП746Г 3-д «Транзистор» 444 КП7ВЗА 3-д «Транзистор» 452 1 КП727В 3-д «Транзистор» 434 КП727Г, Д 13-д «Транзистор» 434 1КП727Е, Ж 13-д «Транзистор» 434 l1кт2вд 13-д «Транзистор» 436 КП746А1 3-д «Транзистор» 444 КП746Б1 3-д «Транзистор» 444 КП746В1 3-д «Транзистор» 444 КП746Г1 3-д «Транзистор» 444 КП784А 13-д «Транзистор» 452 КП785А 3-д «Транзистор» 1 452 '1 1 КП786А 3-д «Транзистор» 1 452 1 КП787А 3-д «Транзистор» 1 452 i 1КП72ВГ1 13-д «Транзистор» 1 436 I КП72ВС1 3-д «Транзистор• 436 КП747А 3-д «Транзистор» 444 КП748А 3-д «Транзистор» 444 КП796А 3-д «Транзистор» 452 КПВО1А НРП «Октава» 452 КП72ВЕ1 3-д «Транзистор» 436 КП74ВБ 3-д «Транзистор» 444 КП801Б НРП «Октава» 452 КП72ВГ2 3-д «Транзистор» 436 КП748В 3-д «Транзистор» 444 КПВО1В НРП «Октава» 452 КП72ВС2 3-д «Транзистор• 436 КП749А 3-д «Транзистор» 444 КПВО1Г НРП «Октава» 452 КП728Е2 3-д «Транзистор» 436 КП749Б 3-д «Транзистор» 444 КП802А НРП «Октава» 454 КП730 В3ПП 436 КП749В 3-д «Транзистор» 444 КП802Б НРП «Октава» 454 КП730А В3ПП 436 КП731 J7,28 436 J КП731А 17.28 438 1 КП731Б 7,28 438 1 КП731В 7,28 1 438 КП733А 7,36 438 КП750А 3-д «Транзистор» 444 КП750Б 3-д «Транзистор» 444 КП750В 3-д «Транзистор» 444 КП750Г 3-д «Транзистор» 444 КП750А1 13-д «Транзистор» 446 КП750Б1 · 3-д «Транзистор» 446 КП804А НПП «Пульсар» 454 1 КП805А НПП «Пульсар» 1 454 1 КП805Б НПП «Пульсар» 1 454 КП805В НПП «Пульсар» 1 454 1 1 КПВО9А 7,36 1 454 КП809Б 7,36 454 КП733Б 7,36 438 КП75081 3-д «Транзистор» 446 КП809В 7,36 454 КП733Г 7,36 438 КП751А1 3-д «Транзистор» 446 КП809Г 7,36 454 КП733Д 7,36 438 КП751Б1 3-д «Транзистор» 446 КП809Д 7,36 454 КП733В·1 7,36 438 КП75181 3-д «Транзистор» 446 КП809Е 7,36 454 КП734д 3-д «Микрон» 438 КП752А 3-д «Транзистор» 446 КП809К 7,36 454 КП734Б 3-д «Микрон» 438 КП752Б 3-д «Транзистор» 446 КП809А1 7,36 454 КП734В 3-д «Микрон» 438 КП752В 3-д «Транзистор» 446 КП809Б1 7,36 454 КП734А-1 3-д «Микрон» 438 КП753А 3-д «Транзистор» 446 КП80981 7,36 454 КП734Б-1 3-д «Микрон» 438 КП753Б 3-д «Транзистор» 446 КП809Г1 7,36 i 454 КП735А 3-д «Микрон» 440 КП753В 3-д «Транзистор» 446 КП809Д1 7,36 454 ; КП735Б 3-д «Микрон» 440 КП759А 3-д «Микрон» 448 КП809Е1 7,36 1 454 КП735В 3-д «Микрон» 440 КП759Б 3-д «Микрон» 448 КПВ10А АО «Эльдаг» 454 КП735Г 3-д «Микрон» 440 КП759В 3-д «Микрон» 448 КП810Б АО «Эльдаг» 1454' КП737А 3-д «Транзистор» 440 КП759Г 3-д «Микрон• 448 КПВ10В АО «Эльдаг» 454 КП737Б 3-д «Транзистор» 440 КП760А 3-д «Микрон• 448 КПВ12А1 7,36 454 КП737В 3-д «Транзистор» 440 КП760Б 3-д «Микрон» 448 КП812Б1 7,36 454 КП737Г 3-д «Транзистор» 440 КП760В 3-д «Микрон» 448 КП812В1 7,36 454 КП739А 3-д «Транзистор» 440 КП760Г 3-д «Микрон» 448 КП81ЗА 7,36 456 КП739Б 3-д «Транзистор» 440 КП761А 3-д «МИКРОН» 448 КП813Б 7,36 456
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей 1: Тип i Изготовитель ' Стр. :t прибора 1 (см. стр. 31) 11 Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) !1 КП813Г 17.36 456 ' j КП813А1 17,36 456 КП923В 3-д «Пульсар» 460 КП923Г 13-д «Пульсар» i 460 ji КП81ЗБ1 7,36 456 li КП813А1-5 17.36 456 , 1 КП813Б1-5 7,36 456 1 КП814А - 456 1КП814Б - 456 1:кпв14в 1- 1 456 11 КП814Г i- 456 КП928А 3-д «Пульсар» 14601 КП928Б 3-д «Пульсар» 460 1 КП931А - i 462 КП931Б - 1 462 КП931В - 1 462 КП932А 3-д «ФОТОН» 1 462 КП934А НРП «Октава» 462 : КП814Д 1- 456 : КП814Е 1- 456 КП934Б НРП «Октава» 462 1КП934В НРП «Октава» 462 11 КП814Ж - 456 КП814И 1- 456 КП934А1 НРП «Октава» 462 КП934Б1 НРП «Октава» 462 КП814К - 456 КП934В1 НРП «Октава» 462 КП814Л - 456 КП814М - 456 КП936А 3-д «Гравитон» 462 КП936Б 3-д «Гравитон» 462 1 КП814Н - 456 КП936В 3-д «Гравитон» 462 КП814П - 456 КП936Г 3-д «Гравитон» 462 КП814Р - 456 КП936Д 3-д «Гравитон» 462 1КП814С 1- 456 ,, 1 1 КП814Т ·- 456 l!КП814У 1- 1 456 iКП814Ф 1- i 456 !1 КП817А 1по «НИИЭТ» 456 11 КП817Б ПО «НИИЭТ» 456 11 КП817В !ПО «НИИЭТ» 456 1 1 11 КП820 IВ3ПП 458 1! кпвзо В3ПП 458 1 КП840 В3ПП 458 !КП901А 3-д «Пульсар» 458 1КП901Б 13-д «Пульсар» 458 1, i3-д «Пульсар» 1 458 l;КП902А 1КП902Б 13-д «Пульсар» 458 !1кп902в 13-д «Пульсар» 1 458 1 КП903А 13-д «Пульсар» 1 458 КП903Б 3-д «Пульсар» 1 458 КП903В 3-д «Пульсар» 458 КП936Е 13-д «Гравитон» 1 462 КП936А-5 13-д «Гравитон» 462 1 1 КП936Б-5 3-д «Гравитон» 462 1КП936В-5 3-д «Гравитон» 462 1 КП936Г-5 3-д «Гравитон» 462 КП936Д-5 13-д «Гравитон» 462 1 КП936Е-5 3-д «Гравитон» 462 1 КП937А НРП «Октава» 464 КП937А-5 'НРП «Октава» 464 1 КП938А НРП «Октава» 464 1 КП938Б НРП «Октава» ~ КП938В НРП «Октава» 1 1 КП938Г 1 НРП «Октава» 1464 1 1 КП938Д 1 НРП «Октава» 1464 11 1 КП944А 3-д «Пульсар» 1464 11 КП944Б 3-д «Пульсар» i 464 1 КП945А НПП «Пульсар» 464 1 КП945Б НПП «Пульсар» 464 1 КП904А 3-д «Пульсар» 458 КП904Б 3-д «Пульсар» 458 КП946А АО «Эльдаг» 466 1 КП946Б АО «Эльдаг» 466 КП905А 18,21 458 КП948А АО «Эльдаг» 466 КП905Б 18,21 458 КП948Б АО «Эльдаг» 466 КП905В l18, 21 458 КП948В АО «Эльдаг» 466 ~ КП907А 118, 21 458 КП948Г АО «Эльдаг» 1 466 1 j!КП907Б : 18. 21 1 458 ~ КП907В :18,21 1 458 ~ КП908А : 18, 21 460 ~ КП908Б 118, 21 1 460 КП951А-2 1НПП «Пульсар» 1 466 i КП951Б-2 1 НПП «Пульсар» 1466 1 КП951В-2 НПП «Пульсар» 1466 11 КП953А АО «Эльдаг» 1466 1 1 КП921А 13-д «Гравитон» 460 1КП921Б 3-д «Гравитон» 460 1 КП922А 8, 12 460 КП95ЗБ АО «Эльдаг» 466 1 КП953В АО «Эльдаг» 466 КП953Г АО «Эльдаг» 466 КП922Б 8, 12 460 КП953Д АО «Эльдаг» 466 КП922В 8, 12 460 КП954А АО «Эльдаг» 466 КП922А1 8, 12 460 КП954Б АО «Эльдаг» 466 КП922Б1 8, 12 460 КП954В АО «Эльдаг» 466 КП922В1 8, 12 460 КП954Г АО «Эльдаг» 466 КП922Г1 18. 12 460 КП954Д АО «Эльдаг» 466 1iКП923А 13-д «Пульсар» 1 460 КП955А АО «Эльдаг» 466 11КП92ЗБ 3-д «Пульсар» 460 КП955Б 1АО «Эльдаг» 466 Тип прибора КП956А КП956Б КП957А КП957Б КП957В КП958А КП958Б КП958В 1 КП958Г КП959А КП959Б КП959В КП960А КП960Б КП960В КП961А КП961Б КП961В 11 КП961Г КП961Д 1 КП961Е 11 КП962А 1КП962А-5 КП963А КП963А-5 КП964А КП964Б КП964В КП964Г 1 КП965А 1КП965Б 1КП965В !КП965Г КП9650 КП971А КП971Б КП973А КП97ЗБ КПС104А КПС104Б КПС104В КПС104Г 1 1 КПС104Д 11кпс104е 11 КПС202А-2 11 КПС202Б-2 КПС202В-2 КПС202Г-2 КПС203А-1 КПС203Б-1 КПС203В-1 КПС20ЗГ-1 КПСЗ15А КПСЗ15Б КПСЗ16Д-1 КПС316Е-1 КПС316Ж-1 КПС316И-1 1 Изготовитель (см. стр. 31) АО «Эльдаг» АО «Эльдаг» АО «Эльдаг» АО «Эльдаг» АО «Эльдаг» 1АО «Эльдаг» АО «Эльдаг• 1АО «Эльдаг• i АО «Эльдаг» 1 iАО «Эльдаг» 1АО «Эльдаг» АО «Эльдаг» 1АО «Эльдаг» 1АО «Эльдаг» 1АО «Эльдаг» АО «Эльдаг» АО «Эльдаг» АО «Эльдаг» 1АО «ЭльдаГ>> 1АО «Эльдаг» 1 АО «Эльдаг» 1 НРП «Октава» 1 1НРП «Октава» НРП «Октава» НРП «Октава» АО «Эльдаг» АО «Эльдаг» АО «Эльдаг» АО «Эльдаг» 1АО «Эльдаг» 1АО «Эльдаг» !АО «Эльдаг» 1 АО «Эльдаг» 1 АО «Эльдаг» !АО «Эльдаг» 1АО «Эльдаг» АО «Эльдаг» iАО «Эльдаг» АО «ВОСХОД» АО «ВОСХОД» АО «ВОСХОД» АО «Восход» !АО «ВОСХОД» IAO «Восход» 1АО «ВОСХОД» 1АО «ВОСХОД» !АО «ВОСХОД• АО «ВОСХОД» 1АО «Восход» АО «ВОСХОД» АО «ВОСХОД» АО «ВОСХОД» 3-д ПО «ФОТОН» 3-д ПО «ФОТОН>> 3-д ПО «ФОТОН» 3-д ПО «ФОТОН» 3-д ПО «ФОТОН» 13-д ПО «ФОТОН» 27 1 Стр. 11 466 1466 1 1466l 1 466 466 466 1 466 1 1466 !1 ' :466~ 1 11 ' 466 ,, 11 1 466 "1 1 466 468 468 468 1 468 468 1 468 468 468 468 468 1 468 468 1 468 1 1 468 468 468 1 468 !4701 1 1470li 1470 ;! 470 ;: ! 470 '111 1 1 470 1 470 470 470 470 i 470 1 1 470 ' 470 1 470 !! 470 470 1 470 !4701 470 470 470 470 470 470 1 470 1 470 ' ! 470 1 470 1 1 1 470
28 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя Полевые транзисторы специального назначения 1. 1 !1 Тип 1 Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель Стр. прибора (см. стр. 31) Тип Изготовитель ! прибора (см. стр. 31) 1 Стр. ЗПЗ20А-2 3-д «Пульсар» 472 ЗПЗ85В-2 НПО «Планета» 480 ЗП915Б-2 3-д «Пульсар» 486 ЗПЗ20Б-2 3-д «Пульсар» 472 ЗПЗ85А-5 НПО «Планета» 480 ЗП925А-2 НПП «Пульсар» 486 ЗПЗ21А-2 3-д «Пульсар» 472 ЗПЗ85Б-5 НПО «Планета» 480 ЗП925Б-2 НПП «Пульсар» 486 ЗПЗ24А-2 3-д «Пульсар» 472 ЗПЗ85В-5 НПО «Планета» 480 ЗП925В-2 НПП «Пульсар» 486 ЗПЗ24Б-2 3-д «Пульсар» 472 ЗП602А·2 3-д «Пульсар» 480 ЗП925А-5 НПП «Пульсар» 486 I ЗПЗ24В-2 13-д «Пульсар» 472 ЗП602Б-2 3-д «Пульсар» 480 ЗП927А-2 3-д «Пульсар» 1 486 1 ЗПЗ25А-2 1 НПО «Планета» 472 ЗП602В·2 3-д «Пульсар» 480 ЗП927Б·2 3-д «Пульсар» 486 !iзnз2sA-s 1 НПО «Планета» 1 474 ЗП602Г-2 3-д «Пульсар» 480 ЗП927В·2 3-д «Пульсар» 1 486 !1зпз2&А-2 i НПО «Планета» 474 ЗПЗ26Б-2 1НПО «Планета» 474 ЗП602Д-2 13-д «Пульсар» 480 ЗП602Б-5 3-д «Пульсар» 482 1 ! ЗП927Г-2 3-д «Пульсар» 486 i 1 ЗП927Д-2 3-д «Пульсар» 486 ЗПЗ26А-5 НПО «Планета» 474 ЗП602Д-5 3-д «Пульсар» 1 482 ЗП929А-2 3-д «Пульсар» 486 ЗПЗ28А·2 НПО «Планета» 474 ЗП60ЗА-2 3-д «Пульсар» 482 ЗП9ЗОА-2 3-д «Пульсар» 488 ЗПЗ28А-5 НПО «Планета» 474 ЗП60ЗБ-2 3-д «Пульсар» 482 ЗП9ЗОБ-2 3-д «Пульсар» 488 ЗПЗЗОА-5 НПО «Планета» 474 ЗП60ЗА1-2 3-д «Пульсар» 482 ЗП9ЗОВ-2 3-д «Пульсар» 488 ЗПЗЗОА-2 НПО «Планета» 474 ЗП60ЗБ1-2 3-д «Пульсар» 482 2Е701А 1НПП «Пульсар» 488 IЗПЗЗОБ-2 1 НПО «Планета» 474 ЗП60ЗБ-5 13-д «Пульсар» 482 2Е701Б НПП «Пульсар» j 488 !1 llзпззов-2 1НПО «Планета» 474 11 ЗПЗЗОВ1-2 1 НПО «Планета» 476 ЗП604А-2 · 3-д «Пульсар» 482 ЗП604Б-2 3-д «Пульсар» 482 2Е701В НПП «Пульсар» i 488 2Е701Г НПП «Пульсар» i 488 ЗПЗЗОВ2·2 1 НПО «Планета» 1 476 ЗП604В-2 3-д «Пульсар» 482 2П101А Тонди электроника 488 ЗПЗЗОВЗ-2 iНПО «Планета» 476 ЗП604Г-2 3-д «Пульсар» 482 2П101Б Тонди электроника 488 ЗПЗЗ1А-2 1НПО «Планета» 476 ЗП604А1-2 3-д «Пульсар» 482 2П101В Тонди электроника 488 ЗПЗЗ1А-5 НПО «Планета» 476 ЗП604Б1·2 3-д «Пульсар» 482 2П10ЗА 18,33 488 ЗПЗЗ9А-2 НПО «Планета» 476 ЗП604В1-2 3-д «Пульсар» 482 2П10ЗБ 18,33 488 ЗПЗ4ЗА-2 НПО «Планета» 476 ЗП604Г1-2 3-д «Пульсар» 482 2П10ЗВ 18,33 488 ЗПЗ4ЗА1-2 НПО «Планета» 476 ЗП604А-5 3-д «Пульсар» 482 2П10ЗГ 18,33 488 ЗПЗ4ЗА2-2 j НПО «Планета» 476 ЗП604Б-5 3-д «Пульсар» 482 2П10ЗД 18,33 488 ЗПЗ4ЗАЗ-2 j НПО «Планета» 476 ЗП604В-5 3-д «Пульсар» 482 2П10ЗАР 18,33 488 ЗПЗ44А-2 iНПО «Планета» 476 ЗП604Г-5 3-д «Пульсар» 482 2П10ЗБР 18,33 i 488 ЗПЗ44А1-2 1 НПО «Планета» 1 476 ЗП605А-2 1НПО «Планета» 484 2П10ЗВР 18,33 1 488 ЗПЗ44А2·2 1НПО «Планета» 1 476 ЗП605А-5 НПО «Планета» 484 2П10ЗГР 18,33 488 ЗПЗ44АЗ-2 НПО «Планета» 476 ЗП606А·2 3-д «Пульсар» 484 2П10ЗДР 18,33 488 ЗПЗ44А4-2 НПО «Планета» 476 ЗП606Б-2 3-д «Пульсар» 484 2П201А-1 АО «Восход» 488 ЗПЗ45А-2 НПП «Пульсар» 478 ЗП606В-2 3-д «Пульсар» 484 2П201Б-1 АО «Восход• 488 ЗПЗ45Б-2 НПП «Пульсар» 478 ЗП606Б-5 3-д «Пульсар» 484 2П201В-1 АО «Восход» 488 ЗПЗ45А-5 НПП «Пульсар» 478 ЗПЗ48А-2 1НПС «Планета» 478 ЗП606В-5 3-д «Пульсар» 484 ЗП607А-2 13-д «Пульсар» 484 2П201Г·1 1АО «Восход» 1 488 2П201Д-1 АО «ВОСХОД» 1 488 11 ЗПЗ51А-2 1 НПО «Планета» 478 ЗП608А·2 3-д «Пульсар» 484 2П201Е-1 АО «ВОСХОД» ' 488 'j 1 1 ЗПЗ51А-5 1 НПО «Планета» 478 ЗП608Б-2 3-д «Пульсар» 484 2П201Ж-1 АО «ВОСХОД» 488 ЗПЗ51А1-2 1НПО «Планета» 1 478 ЗП608В-2 3-д «Пульсар» 484 2П202Д·1 АО «ВОСХОД» 1 490 ЗПЗ5ЗА-5 J НПО «Планета» 480 ЗП608Г-2 3-д «Пульсар» 484 2П202Е-1 АО «Восход» 490 ЗПЗ72А·2 НПП «Пульсар» 480 ЗП608А-5 3-д «Пульсар» 484 2ПЗО1А ППО «Октябрь» 490 ЗПЗ7ЗА-2 НПО «Планета» 480 ЗП608Д-5 3-д «Пульсар» 484 2ПЗО1Б ППО «Октябрь» 490 ЗПЗ7ЗБ-2 НПО «Планета» 480. ЗП608Е-5 3-д «Пульсар» 484 2ПЗ01В ППО «Октябрь» 490 ЗПЗ7ЗВ·2 НПО «Планета» 480 ЗПЗ76А-5 НПО «Салют» 480 ЗП910А-2 3-д «Пульсар» 486 ЗП910Б-2 3-д «Пульсар» 486 2ПЗ01А-1 ППО «Октябрь» 490 11 2ПЗО1Б-1 ППО «Октябрь» 1 490 1 ЗПЗ84А-5 1НПП «Пульсар» 480 ЗП910А-5 3-д «Пульсар» 486 2ПЗО1В-1 ППО «Октябрь» 1 490 1 ЗПЗ85А-2 1 НПО «Планета» 480 ЗП910Б-5 3-д «Пульсар» 486 2ПЗО1А-5 ППО «Октябрь» 1 490 ri 1 ~ ЗПЗ85Б-2 1НПО «Планета» 1 480 ЗП915А-2 3-д «Пульсар» 486 2ПЗО2А 1ППО «Октябрь» 490
Указатель транзисторов и предприятий-изготовителей Тип Изготовитель 1 ( 1Стр. I прибора см. стр. 31) ~~~~~~~~~~~~~-+-~~! i12пзо2Б iППО «Октябрь» i 490 Тип 1 Изготовитель 1 1 прибора i (см. стр. 31) I Стр. 2П312А 13-д «ПУЛ';>Сар» 1 494 2П302В 1ППО «Октябрь» 490 2ПЗ12Б \ 3-д «Пульсар» 1 494 12пзо2д.1 iППО «Октябрь» 490 2П312А·5 3-д «Пульсар» 1 494 2ПЗО2Б-1 ППО «Октябрь» 490 2П312Б·5 13-д «Пульсар» 1 494 2П302В·1 1ППО «Октябрь» 1 490 2ПЗ13А НПП «ВОСТОК» 1 494 2ПЗОЗА 131,33 1 490 2П31ЗБ НПП «ВОСТОК» 1 494 2ПЗОЗБ !31,33 1 490 1 2П313В НПП «ВОСТОК» 1 494 j12пзозв ;31,33 i 490 ~2ПЗОЗГ !31,33 1 490 2П322А 13-д ПО «ФОТОН» i 494 2ПЗЗЗА 3-д ПО «ФОТОН» i 494 \2пзозд ;31,33 1 490 2ПЗЗЗБ 3-д ПО «ФОТОН» 1 494 ~2ПЗОЗЕ 131,33 i 490 2ПЗЗЗВ 3-д ПО «ФОТОН» 1 494 2ПЗОЗИ 31,33 490 2ПЗЗЗГ 3-д ПО «ФОТОН» i 494 2П304А \АО о Светлана» 492 2П334А 3-д ПО «ФОТОН» 494 2П305д САР3ПУЛ 492 2П334Б 3-д ПО «ФОТОН» 494 2П305Б jсдР3ПУЛ 492 2П335А-2 3-д ПО «ФОТОН» 496 2П305В \САР3ПУЛ 492 2П335Б·2 3-д ПО «ФОТОН» 496 2П305Г САР3ПУЛ 492 2ПЗ36А·1 3-д ПО «ФОТОН» 496 2П305А·2 iСАР3ПУЛ 492 2П336Б-1 i3-д ПО «ФОТОН» 1 496 i2пзоsБ-2 IСАР3ПУЛ 14921 2ПЗ37АР 3-д ПО «ФОТОН» 1 496 ~2П305В·2 1СдР3ПУЛ 492 2П337БР 3-д ПО «ФОТОН» 1 496 l2П305Г-2 IСАР3ПУЛ 1 492 2П338АР·1 3-д ПО «ФОТОН» 496 2П306А 1НПП «ВОСТОК» 492 2П340А·1 В3ПП 496 2ПЗО6Б НПП «ВОСТОК» 492 2П340Б-1 В3ПП 496 2П306В НПП «ВОСТОК» 492 2П341А 3-д «Пульсар» 496 2П306Г НПП «ВОСТОК» 492 2П341Б 3-д «Пульсар» 496 2П306Д НПП «ВОСТОК» 492 2П347А·2 3-д «Пульсар» 496 2П306Е НПП «ВОСТОК» 492 2П350А ППО «Октябрь» 496 2П307А 13-д ПО «ФОТОН» 1 492 2П350Б ППО .октябрь» 496 2П307Б : 3-д ПО «ФОТОН» 492 2П601А 3-д ПО «ФОТОН» 498 ~2П307В 13-д ПО «ФОТОН» 492 112П307Г 13-д ПО «ФОТОН» 1 492 2П601Б 3-д ПО «ФОТОН» 498 2П601А9 13-д ПО «ФОТОН» 498 2ПЗО7Д 3-д ПО «ФОТОН» 1 492 2П609А 3-д ПО «ФОТОН» 1 498 2П308д 31,33 492 2П609Б 3-д ПО «ФОТОН» 498 2П308Б 31,33 492 2П609А·5 3-д ПО «ФОТОН» 498 2П308В 31,33 492 2П609Б·5 3-д ПО «ФОТОН» 498 2П308Г 31,33 492 2П701А 3-д «Пульсар» 498 2П308Д 131,33 492 2П701Б 3-д «Пульсар» 498 2П308А·1 131,33 492 2П702А 3-д «Пульсар» 498 2П308Б·1 131,33 492 2П703д НПП «Пульсар» 498 2П308В-1 131,33 492 2П703Б НПП «Пульсар» 498 12пзовг-1 131,33 1 492 2П706А 3-д «Пульсар» 500 2ПЗО8Д·1 131,33 492 2П706Б 3-д «Пульсар» 500 2П308А-9 31, 33 494 2П706В 3-д «Пульсар» 500 2ПЗО8Б-9 31, 33 494 2П7102А 3-д «Транзистор» 500 2П308В·9 31, 33 494 2П7118А 3-д «Пульсар» 500 2П308Г·9 31,33 494 2П7118Б 3-д «Пульсар» 500 2П308Д·9 31,33 494 2П7118В 3-д «Пульсар» 500 2П308Е·9 j31,33 494 2П7118Г 3-д «Пульсар» 500 2П310А 1НПП «ВОСТОК» 494 2П7118Д 3-д «Пульсар» 1 500 ~ 2П310Б 1НПП «ВОСТОК» 494 2П7118Е 3-д «Пульсар» 500 1 1 IJ Тип прибора 12П7118Ж 2П7118И 2П7118К 2П7118Л 2П712А 2П712Б 2П712В ~ 2П712А-5 !12П712Б·5 2П712В·5 2П7140А 2П7141А 2П7142А 2П7143А 2П7144А 2П7145А 2П762А 2П762В 2П762Д 2П762Ж 2П762К 2П762Л 2П762М 2П762Н 2П762И2 2П762Б1 2П762Г1 2П762Е1 2П762Г1·5 2П762Е1·5 2П762И2-5 2П771А 2П771А91 2П797Г 2П797Г91 2П802А 2П803д 2П803Б 2П815А 2П815Б 2П815В 2П815Г 2П816А 2П816Б 2П816В 2П816Г 2П901А 2П901Б 2П901А·5 2П901Б-5 Изготовитель (см. стр. 31) j 3-д «Пульсар» 13-д «Пульсар» i3-д «Пульсар» 13-д «Пульсар» 1НПП «Пульсар» 1НПП «Пульсар» j НПП «Пульсар» 1 НПП «Пульсар» 1 1НПП «Пульсар» 1 j НПП «Пульсар» 13-д «Транзистор» 3-д «Транзистор» 13-д «Транзистор» 13-д «Транзистор» 13-д «Транзистор» 1- 1НПП «Пульсар» j НПП «Пульсар» 1НПП «Пульсар» 1НПП «Пульсар» НПП «Пульсар» НПП «Пульсар» НПП «Пульсар» НПП «Пульсар» НПП «Пульсар» НПП «Пульсар» 1НПП «Пульсар» j НПП «Пульсар» 1НПП «Пульсар» НПП «Пульсар» НПП «Пульсар» 3-д «Транзистор» 3-д «Транзистор» 3-д «Транзистор» 3-д «Транзистор» НПП «ВОСТОК» 13-д «Пульсар» 13-д «Пульсар» 13-д «Пульсар» j 3-д «Пульсар» 3-д «Пульсар» 13-д «Пульсар» 3-д «Пульсар» 3-д «Пульсар» 3-д «Пульсар» 3-д «Пульсар» 3-д «Пульсар» 13-д «Пульсар» 3-д «Пульсар» 13-д «Пульсар» 1 1 1 1 1 1 1 29 Стр. i: 11 500 i 500 500 500 500 1 500 1 1 500 1: 500 500 500 i 502 502 502 502 502 502 1 502 1502,1 1 1502li 1 502 502 502 502 502 504 504 1 504 1 !504~ 1 504 11 1 504 504 1 504 504 504 504 504 1 506 1 1 506 .1 1506 1 1 1 506 1 1 506 506 506 506 506 506 i 506 ! 506 !506li 1506 1
30 Указатель транзисторов и предприятия-изготовителя 1 1 11 Тип i Изготовитель 1' 1 Стр. 1 прибора 1 (см. стр. 31) 1 Тип Изготовитель 1 Стр. прибора (см. стр. 31) 1 Тип i Изготовитель i Стр.11 прибора (см. стр. 31) l2n902A 13-д «Пульсар» 1 506 2П902Б 13-д «Пульсар» 1 506 2П917А 1- 510 1 2П917Б - 510 i1 2П941Б НПП «Пульсар» 514 2П941В НПП «Пульсар» 514 2П903А 3-д «Пульсар» 506 2П918А НПП «Пульсар» 510 2П941Г НПП «Пульсар» 514 2П90ЗБ 3-д «Пульсар» 506 2П918Б НПП «Пульсар» 510 2П941Д НПП «Пульсар» 514 2П903В 3-д «Пульсар» 506 2П920А 3-д «Пульсар» 510 2П942А - 514 2П90ЗА-5 3-д «Пульсар» 508 2П920Б 3-д «Пульсар» 510 2П942Б - 514 2П90ЗБ-5 3-д «Пульсар» 508 2П903В·5 13-д «Пульсар» 508 2П922А 3-д «Гравитон» 510 2П922Б 3-д «Гравитон» 510 2П942В - 514 --J' 2П942А-5 -'-- 514 11 li2П904A 3-д «Пульсар» 508 2П922А·5 3-д «Гравитон» 510 2П942Б-5 - 151411 2П904Б 13-д «Пульсар» 1 508 2П922Б·5 3-д «Гравитон» 510 2П942В-5 - 514 11 1!2П905А 1НПП оПульсар» 508 1 2П905Б 1НПП «Пульсар» 508 2П905А·5 1НПП «Пульсар» 508 2П907А НПП «Пульсар» 508 2П923А 13-д «Пульсар» 512 2П92ЗБ 3-д «Пульсар» 1 512 2П92ЗВ 3-д «Пульсар» 512 1 2П923Г 3-д «Пульсар» 512 1 2ПС104А АО «ВОСХОД» 1 514 1 1 1 2ПС104Б IAO «ВОСХОД» 1514il 2ПС104В 1АО «Восход» 514 1 2ПС104Г : АО «ВОСХОД» 514 1 2П907Б НПП «Пульсар» 508 2П908А 3-д «Пульсар» 508 2П908Б 3-д «Пульсар» 1 508 2П926А НПП «ВОСТОК» 512 1 2П926Б НПП «ВОСТОК» 512 2П928А НПП «Пульсар» 512 2ПС104Д АО «ВОСХОД» 514 2ПС104Е АО «ВОСХОД» 514 2ПС202А·2 1АО «ВОСХОД» 151611 2П909А 13-д «Пульсар» 1 508 2П928Б НПП «Пульсар» 512 2ПС202Б·2 1 АО «ВОСХОД» ! 516 1 ! 1 l 2П909Б 13-д «Пульсар» 508 12П909В 3-д «Пульсар» 508 2П909Г i3-д «Пульсар» 508 2П911А 13-д «Пульсар» 1 508 1· 2П9ЗЗА НПП «Пульсар» 512 2П93ЗБ НПП «Пульсар» 512 1 12П934А 1НПО «Октава» 1 512 1 l2П934Б 1НПО «Октава» 1 512 2ПС202В·2 АО «ВОСХОД» 1 516 11 2ПС202Г·2 АО «ВОСХОД» i 516 12пс202д-1 !АО «ВОСХОД» 1516i 1 1 1, 2ПС202Е-1 !АО «Восход» 151611 2П911Б 13-д «Пульсар» 508 2П912А 13-д «Гравитон» 508 2П912Б 3-д «Гравитон» 508 2П913А 3-д «Пульсар» 510 2П91ЗБ 13-д «Пульсар» 510 1i2П914А 13-д ПО «ФОТОН» 510 2П938А НПП «ВОСТОК» 512 2П938Б НПП «ВОСТОК» 512 2П938В НПП «ВОСТОК» 1 512 2П938Г НПП «ВОСТОК» 512 2П938Д НПП «ВОСТОК» 512 2П941А НПП «Пульсар» 514 2ПСЗ16А·1 3-д ПО «ФОТОН» 1 516 '1 2ПС316Б·1 3-д ПО «ФОТОН» 516 1 2ПСЗ16В-1 3-д ПО «ФОТОН» 516 '1 2ПСЗ16Г·1 13-д ПО «ФОТОН» 516 11 1 ,I 11
Адреса предприятий-изготовителей Адреса предприятий-изготовителей il .N'o Название предприятия 11 1 3-д •Алион 1 2 13-дПО •Альфа» 1 1 3 1 ОАО «Ангстрем» 4 1 3-д •АрсенаЛ» 5 : НПП •Восток» 6 i АО •Восход» ~1 7 взпп 8 3-д «Гравитон» 9 ПО •Знамя» 10 3-д •Искра» i 11 1 3-д •Квазар» 12 : ЗАО «Кремний» u 13 1 СКБ .Элькор» 14 : НРП •Октава» 15 ! 3-д ниипп 16 i ниимп 17 1 АО •Орбита» 18 ППО •Октябрь» 19 НПО •Планета» 1 1~АО «Плутон >) t 21 1 НПП •Пульсар» 1i 22 i 3-д •Пульсар» 23 : ПРЗПП 1 24 1 ПО «Рефлектор» 25 САРЗПУЛ 26 АО «Светлана» 27 3-д •Старт» 28 l 3-д «Транзистор» 29 «Тонди электроника» UO IУлРЛЗД ~ 31 t 3-д. ПО «Фотон» 32 i 3-д .Экситон» ~ : 33 1 АО •Элекс» 34 АО •Электронприбор» 35 АО •Элиз» 36 по .нииэт» 37 3-д •Юпитер» 38 1 НПО •Сатурн» 39 1 АО .Эльдаг» 40 ; 3-д •Микрон» Почтовый адрес 396072, г. Нововоронеж, Воронежской обл., ул. Первомайская, д. 2 1 LV1006, Рижск. з-д ППП АО •Альфа». г. Рига, ул. Ропажу, 140 l 124460, г. Москва, Зеленоград 1 i 143090, г. Краснознаменск, Московской обл., а/я 226 i 630075, г. Новосибирск. ул. Дуси Ковальчук, д. 276 l 248014, г. Калуга, Грабцевское шоссе, д 60-а 1 394007, г. Воронеж, Ленинский проспект. д. 118-а 274031, Украина, г. Черновцы, ул. Русская, д. 248 314002, Украина, г. Полтава, ул. Автобазовская, д. 2/9 432030, г. Ульяновск, ул, Репина, д. 2 254136, Украина, г. Киев, ул. Северо-Сырецкая, д. 1 l241037, г. Брянск, ул. Красноармейская, д. 103 j 360603, Республика Кабардино-Балкария, г. Нальчик. 1 Государственное СКБ •Элькор» [ 630049, г. Новосибирск, Красный проспект, д. 220 l 634034, г. Томск, Красноармейская ул., д. 99-а l 103460, г. Москва, г. Зеленоград 430904, г. Саранск, п/ о Ялга 287100, Украина. г. Винница, ул. Ватутина, д. 18 173004, г. Великий Новгород, Федоровский ручей, д. 2/ 13 1 1 107120, г. Москва, ул. Нижняя Сыромятническая, д. ! 105187, г. Москва, Окружной проезд, д. 27 l 105187, г. Москва, Окружной проезд, д. 27 1 l 361005, Республика Кабардино-Балкария, г. Прохладный, ул. Ленина. д. 104 410033, г. Саратов, проспект 50-летия Октября, д. 101 410033, г. Саратов, проспект 50-летия Октября, д. 101 l 194156, г. С-Петербург, проспект Энгельса, д. 27 107066, г. Москва, ул. Новорязанская, д. 31/7 220108, Республика Беларусь. Минск, ул. Корженевского, 16 ЕЕ107, Эстония, г. Таллин, Пярнусское шоссе., д. 142 i 432028, г. Ульяновск, Октябрьская. д. 28-а i 700047, Узбекистан. г. Ташкент, ул. Пролетарская. д. 13 l 142500, г. Павловский Посад Московской области. 1 ул. Интернациональная, д. 34-а l 601600, г. Александров. Владимирской обл. ул. Институтская, д. 3 141120, г, Фрязина Московской обл, Заводской проезд, д. 2 141120, г. Фрязина Московской обл, Заводской проезд, д. 2 394042, г. Воронеж, Ленинский проспект, д. 119-а 396750, г. Богучар Воронежской обл., ул. Здоровья, д. 1 Украина, 252680, г. Киев, ул. 50 лет Октября, 2-6 ! 367009, г. Махачкала, ул. Авиационная. 7 1 i 103460, г. Москва, Зеленоград 1. ЗападныИ проезд, 12 11 31 ! 1 !1
32 Перечень стандартизованных корпусов отечественного производства Перечень стандартизованных корпусов отечественного производства Тип 1 Стр. 1 Тип Стр_. Тип Стр. Тип Стр. КТ-1-1 1 521 КТ-3-8 523 КТ-34-1 525 КТ-43С 527 КТ-1-2 1 521 КТ-3-9 523 КТ-34-2 525 527 КТ-1-3 1 521 ! 1 1 !i КТ-1-4 521 !1 КТ-1-5 521 li КТ-1-6 521 ~г----------.-----4 i КТ-1-7 521 1 КТ-1-8 521 КТ-1-9 1 521 1 1 1 КТ-1-10 1 521 КТ-3-10 523 КТ-3-11 523 КТ-3-12 ! 523 КТ-3-13 ! 523 КТ-3-14 ! 523 КТ-3-15 523 КТ-3-16 523 КТ-3-17 523 КТ-34-3 1 525 1 КТ-34-4 ! 525 КТ-34-5 1 525 1 ((Т-34-6 1 525 КТ-34-7 ! 525 КТ-34-8 1 525 1 КТ-34-9 1 525 КТ-34-10 1 525 1 КТ-44 527 11 КТ-45 527 КТ-46 1 527 1 [ КТ-47 : ~ КТ-48 : 527 1 КТ-49 527 КТ-50 ! 527 КТ-51 ! 527 КТ-1-11 521 . 1 КТ-1-12 521 КТ-1-13 1 521 1 КТ-1-14 1 521 КТ-1-15 ! 521 КТ-3-18 523 КТ-3-19 523 КТ-4-2 1 523 КТ-5 528 КТ-6 523 КТ-34-11 525 КТ-34-12 1 525 ! КТ-34-13 1 525 КТ-34-14 1 525 КТ-34-15 1 525 КТ-52 i 527 КТ-53 i 527 КТ-54 i5271 КТ-55 L~J КТ-56 !527il КТ-1-16 1 521 КТ-7 523 КТ-34-16 ! 525 КТ-57 1 527 1 КТ-1-17 1 521 1 КТ-1-18 i 521 КТ-1-19 1 521 КТ-1-20 1 521 КТ-2-1 521 КТ-8 523 КТ-9 1 523 КТ-10 523 КТ-11 523 КТ-12 524 КТ-34-17 i 525 КТ-34-18 1 525 КТ-34-19 1 525 1 КТ-34-20 525 КТ-35-1 526 1 l_кт_-58__-- -- -+ _52'__j КТ-59 1 527 КТ-60 : 527 1 КТ-61 i 527 КТ-61А 1 527 1 КТ-2-2 521 КТ-2-3 521 КТ-13 524 КТ-13А 524 КТ-35-2 526 КТ-35-3 526 КТ-62 i 528 1 КТ-63 ' 528 КТ-2-4 521 КТ-14 1 524 КТ-35-4 1 526 528 ,, КТ-2-5 i 522 1 i 11 КТ-2-6 522 1· КТ-2-7 522 КТ-2-8 i 522 1 КТ-2-9 1 522 КТ-15 524 КТ-16 524 КТ-17 524 КТ-18 524 КТ-19 1 524 КТ-35-5 i 526 КТ-35-6 i 526 КТ-35-7 526 КТ-35-8 526 КТ-35-9 1 526 , 1 КТ-65 528 КТ-66 1 528 !i КТ-69 i 528 1 КТ-70 i 528 i 1 КТ-71 528 КТ-2-10 522 КТ-20 524 КТ-35-10 526 КТ-72 528 КТ-2-11 522 КТ-21 524 КТ-35-11 526 КТ-73 528 КТ-2-12 522 КТ-2-13 522 КТ-22 524 КТ-23 524 КТ-35-12 526 КТ-35-13 1 526 КТ-75 528 '1 КТ-76 528 КТ-2-14 522 [j КТ-2-15 i 522 КТ-23А 524 КТ-24 524 КТ-35-14 526 КТ-35-15 526 КТ-77 ' 528 11 КТ-78 528 li КТ-2-16 1 522 КТ-25 524 КТ-35-16 526 КТ-79 1 528 1 КТ-2-17 1 522 1 il КТ-2-18 1 522 КТ-26 524 КТ-26А 524 КТ-35-17 526 КТ-35-18 526 КТ-80А 1 528 КТ-80В 1 528 1 КТ-2-19 i 522 КТ-27 524 КТ-35-19 526 КТ-80С 1 528 ! КТ-2-20 1 522 КТ-28 524 КТ-35-20 526 КТ-81 ! 528 КТ-3-1 522 КТ-28А 524 КТ-37 526 КТ-82 528 КТ-3-2 1 522 КТ-29 524 КТ-40 526 КТ-89 1 529 - КТ-3-3 522 КТ-30 524 КТ-41 526 КТ-90 1 529 КТ-3-4 522 КТ-31 524 КТ-42 1 526 КТ-92 ! 529 КТ-3-5 1 522 КТ-32 524 КТ-43 527 КТ-16-1 529 КТ-3-6 ! 523 КТ-33 525 КТ-43А 527 КТ-23В i 529 1 J КТ-3-7 1 523 КТ-33А 525 КТ-43В 527 КТ-28-1 ! 529
Перечень корпусов зарубежных транзисторов 33 Перечень корпусов зарубежных транзисторов Тип Стр. Тип Стр. Тип 1 Стр. SC-62 530 1 SC-70 530 1!SC-71 i 530 llSOT-9 1 537 !jsoт-23 1 533 1 1 : SOT-25 i 533 1 1 SOT-32 i 534 SOT-194 532 SOT-199 533 SOT-223 i 533 SOT227b 533 SOT-262a1 1 534 1 SOT-268 534 SOT-273 534 ТО-78 1 540 11 ТО-89 ' 540 ' ·1 ТО-92 ' 540 ., ii lто-96 1:1-------------+----~· ТО-99 540 11 ;! 540 1 ТО-72 540 ;1 то 116 540 - SOT-37 535 SOT-279 534 ТО-119 541 i SOT-48b 536 SOT-289 534 ТО-120 541 SOT-54 536 SOT-323 535 ТО-122 1 541 1 SOT-82 1 536 1 1 l[SOT-89 536 ~SOT-89a 536 1 SOT-324 535 SOT-343 1 535 1 SOT-343R 1 535 1 1 ТО-126 541 1 ТО-127 11-------------+----~; 1 ТО-202 541 541 1 1 1SOT-93 537 SOT-353 ! 535 1 iТО-205 541 ~ SOT-93a 1 537 SOT-363 i 535 ТО-210 1 541 : 1 SOT-100 530 SOT-437a i 536 ТО-217аа 1 542 SOT-103 530 ТО-3 537 ТО-218 1 542 SOT-119 530 ТО-5 537 ТО-220 543 SOT-121 531 ТО-18 538 ТО-221 543 SOT-122D 531 ТО-33 538 ТО-236 1 544 SOT-123 531 ТО-39 538 ТО-243 1 544 1 SOT-1288 1 531 ТО-46 538 ТО-247 544 ~SOT-143 1 531 ТО-50 i 538 T0-247VAR 544 SOT-143R ! 531 ТО-59, 539 ТО-226аа 1 544 1 SOT-160 1 532 ТО-60 1 539 ТО-251 1 545 1 SOT-161 532 ТО-61 539 ТО-252 545 SOT-172D 532 ТО-62 539 ТО-253 545 SOT-173 532 ТО-63 539 ТО-263 545 SOT-186 532 ТО-66 539 ТО-262дд 545 3зак9
Раздел 1 УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ 1.1. Система условных обозначений Система условных обозначений (маркировка) отечественных полупроводниковых приборов ши­ рокого и специального применения основывается на буквенно-цифровом коде. Элементы буквенно-цифрового кода отражают следующую информацию: тип исходного материа­ ла, из которого изготовлен прибор, подкласс прибора, функциональное назначение и конструктив­ но-технологические особенности. Первый злемент Буква или цифра, обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен полупроводниковый прибор Второй злемент Буква, определяет подкласс полупроводникового прибора Третий злемент 1 Цифра, определяет основные функциональные возможности (допустимое значение рассеи-. 1 1ваемой мощности, граничную и максимальную рабочую частоту) ~ Четвертый, пятый Цифры и буквы, обозначают порядковый номер разработки технологического типа и шестой злементы Седьмой злемент Буква, определяет классификацию приборов по параметрам Первый зJiемент обозначения. Буква или цифра (для специального применения), обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен полупроводниковый прибор. Условное обозначение Исходный материал rилиl Германий или его соединения кили2 Кремний или его соединения Аили3 1 Соединения галлия (например, арсенид галлия) ИИЛИ4 1 Соединения индия (например, фосфид индия) Второй зJiемент обозначения. Буква, определяет подкласс полупроводникового прибора. Условное обозначение Подкласс (или группа) приборов т Транзисторы (за исключением полевых) 1 п 1 Транзисторы полевые Третий зJiемент обозначения. Условное обозначение 2 Назначение прибора Транзисторы биполярные Транзисторы малой мощности (с мощностью рассеяния Рк = 0,3 Вт): низкой частоты (fгр < 3 МГц) средней частоты (fгр = 3" .3 0 МГц) ~,, • ; ~ ' 1
Раздел 1. Условные обозначения Условное обозначение 3 4 5 6 7 8 9 2 3 4 5 6 7 8 9 Назначение прибора высокой частоты (fгр > 30 МГц) ! Транзисторы средней мощности ( Рк = 0,3 ... 1,5 Вт): 1 низкой частоты средней частоты высокой и сверхвысокой частот Транзисторы большой мошности ( Рк > 1,5 Вт): низкой частоты средней частоты высокой и свервысокой частот 1 Транзисторы полевые Транзисторы малой мощности (Ре< 0,3 Вт): низкой частоты средней частоты высокой и сверхвысокой частот 1 i Транзисторы средней мощности (Ре= 0,3 ... 1,5 Вт): низкой частоты средней частоты высокой и сверхвысокой частот Транзисторы большой мощносrпи (Ре > 1,5 Вт): низкой частоты средней частоты высокой и сверхвысокой частот 35 Четвертый, пятый и шестой элементы обозначения. Цифры и буквы, которые обозначают порядковый номер разработки технологического типа. Условное обозначение Назначение прибора От 01 до 999 1 Определяет порядковый номер разработки технологического типа Седьмой элемент обозначения. Буква, которая определяет классификацию приборов по па­ раметрам. Условное Назначение прибора обозначение ОтАдоЯ Определяет классификацию (разбраковку) по параметрам приборов, изготовленных по (кроме букв 3, О, Ч) единой технологии i! з·
1 1 1 1 1 1 36 Раздел 1. Условные обозначения 1.2. Условные графические обозначения транзисторов Ниже приводятся графические обозначения транзисторов. Условное графическое обозначение ~ :~х ~ ~ i Наименование 1 Транзистор типа р-п-р i i ! Транзистор типа п-р-п Лавинный транзистор типа п-р-п 1 1 1 Однопереходной транзистор с п-базой 1 ! Однопереходный транзистор с р-базой i i Транзистор двухэмиттерный типа р-п-р Полевой транзистор с каналом п-типа 1 1 1 Полевой транзистор с каналом р-типа Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с п-каналом 1 ~i! ,! 1 ~ 1 1
Раздел 1. Условные обозначения 37 Окончание графических обозначений транзисторов Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с р-каналом i1 J il 1 1 i ,! 11 1 '1 ! :! 11 [ Полевой транзистор с изолированным затвором обедненного типа с п-каналом 11 IГ--------+-1------1 ~ i! Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с n-каналом и l'i с внутренним соединением подложки и истока 1 ипс 1 ~ ПолоеоО •р•юшорс юол.JЮ"""""'"'оромободно""оn>'""'с р-~шом ! ж ипс К(С) Э(Е) ~ З(J К(С) Э(Е)· ~/Г З(J 1 1 Полевой транзистор с двумя изолированными затворами обедненного типа с n-ка- 1 налом и с выводом от подложки 1 Условные графические обозначения БТИЗ (IGВТ-транзисторов)
Раздел 2 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 2.1. Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов Буквенное обозначение Параметр отечественное 1 международное lкБО ![ !1 11 Iэво 11 JI Iкэо iкэн 1 Iсво 1 ! i 1 IEBO i 1 icEo Обратный ток коллентор-эмиттер при з:данном обратном напряжении кол-11 ! лектор-эмиттер и разомкнутом выводе оазы. I! j icER ' Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении кoл-l·ll ! лектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер. 1 IГ----------+----------+---~--~--~-------------~------~-----1 icES Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении кол-11 Iкэк lкэv 1 i 1 11 lкэх 1 [Iкmax 1lэmax 11 Iв max lк. и max Iэ. и max 11 lкР icEV 1 lcEX ! 1Icmax !IE max 1Iвmax 1 !см max ! 1 IЕм max - 1 лектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера. 11 !1 Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении 11 коллектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи ба-1! 1 за-эмиттер. ! 1 Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении кол- 1 лектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер. Максимально допустимый постоянный ток коллектора. 1 Максимально допустимый постоянный ток эмиттера. Максимально допустимый постоянный ток базы. Максимально допустимый импульсный ток коллектора. Максимально допустимый импульсный ток эмиттера. Критический ток биполярного транзистора. 1 • 11 Uкво проб i U(BR) сво i Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе кол- 1! ! 1 лектора и разомкнутой цепи эмиттера. 11 Uэво проб 1 U(ВR) ЕВО [ Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе !1 1 1 эмиттера и разомкнутой цепи коллектора. , '1 ' 1 1 r 1 , Uкэо проб · i U(BR) СЕО 1 Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора 1 г---------тl_________-+-и_р_а_з_о_м_к_н_у_т_о_й_ц_е_п_и_б_а_з_ь_1.__ _ __ __ __ _ __ __ _ __ __ _ __~ Uкэн проб U(BR) CER Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора 1 и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер. Uкэк проб 11 Uкэv проб 11 U(BR) CES iU(BR) CEV 1 Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера. 1i .! 1 Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в [i i цепи ба.за-эмиттер. !i
Раздел 2. Биполярные транзисторы 39 Продолжение буквенных обозначений i 1 i Буквенное ~. обозначение Параметр ;1 1 1 отечественное 1 международное Uкэх nроб V(BR) еЕХ Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напря- жении база-эмиттер и токе коллектор-эмиттер. Uкэо гр Uщ еЕО Граничное напряжение транзистора - напряжение между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера. Uсмк Upt Напряжение смыкания транзистора. Uкэ нас 1 UeE sat Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1 коллектора. при заданных токах базы иjj !VБЭ нас J UвЕ sat Напряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмит- 11 ! тера. UэБ nл 1 VEBfl Плавающее напряжение эмиттер-база - напряжение между эмиттером и 1 базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой цепи эмиттера. UкБ max Uев max Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база. Uкэmах UeE max Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер. UэБ max UЕв max Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база. Uкэ и max i UeEM max Максимальное допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер. iiUкБиmax 1 ! Uевм max Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база. G 1 UЕВм max Максимально допустимое импульсное напряжение эмиттер-база. iUэБиmax IP i 1Ptot Постоянная рассеиваемая мощность транзистора. Рср Рдv Средняя рассеиваемая мощность транзистора. Ри Рм Импульсная рассеиваемая мощность транзистора. Рк Ре Постоянная рассеиваемая мощность коллектора. Рктmax - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом. Рвых Pout Выходная мощность транзистора. Ри max Рм max Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность. Рк max Ре max Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора. 1 1 Рк со max - Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора. Гб rьь. rь Сопротивление базы. ГКЭ нас ГеЕ sat Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером. 1 С!!э,С!16 С!!е, С!lb Входная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. с22э. С22б с22е, с22ь Выходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей ба- зой соответственно. Ск Се Емкость коллекторного перехода. 1 Емкость эмиттерного перехода. Сэ 1Се 1 fгр jfт Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы cl общим эмиттером. fmax 1 fmax Максимальная частота генерации. fh2lэ. fh2lб fh2le. fhre; Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с fh21ь. fhrь общим эмиттером и общей базой. tвкл ton Время включения. tвыкл torr Время выключения. tзд td Время задержки. tно tг Время нарастания. toac ts Время рассасывания. tcn tr Время спада.
40 Раздел 2. Биполярные транзисторы Окончание буквенных обозначений Буквенное обозначение Параметр 11 1 отечественное 1 международное 1 1 h1 lэ, h116 1 h1le. h11ь; Входное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмит- i h,e, h;ь тером и общей базой соответственно. h21 э. h216 1 h21e. h21ь; [ Статический коэффициент пер·едачи тока транзистора в режиме малого 1 hre. hп1 сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. 1 h21э, hJ26 " ! !h 12е. h12ь: 1Коэффициент обратнои связи по напряжению транзистора в режиме мало-li '' : hге. hгь [ го сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. : 1,~---------i----'-=..:..._~,________;_.c_::.._:c:..:..:.:.:.:..:::.:.:..:::__o::~___::cc:..::_'-'--::.._:_:_:=.:.:...:_.::..:._:c:..:...:_:_::r....::.:.:.:_.:.:__.:..::.=:..:..:_...::..=-=-:c.:.:__.::...::_.::....:..:'-"-'c-=-:-=-=c:..:..:.=-=-c_~ ti h22э. h226 i h22e. h2211; i Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для 1j i' ___ ___ ___ _. _ ' _h_ _,,o" - c,_. - 'h - " o " -b - - - -- - -1 -lс.:...х_е.:_11-с.:1_с::.._:ос.:бс.:щ=:и.:...м:.._::_э.:...м_:_и:..:т_:тс.:е-"р-"0_:_11-.:...1-'-и:.._::_ос:.б.=щ:осе:..:И.:...'с.:б:..:а:..:з:..:о_:й:.._::_с.::.о.::.о.:...т=-ве=-т.:...с.:...т:..:в=-.е:..:н.:...н.:...о=--.'------------11 1' !h2!э 1 ! 1h2Iе1 . Мод ль коэ ициента пе едачи тока т анзисто а на высокой частоте. 'j ll h1IЭ !h11Е.h1E 1 Входное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для cxe- li 1 мы с общим эмиттером. 1' / У1 lэ, У116 11 /i У12э. У126 У21э. У21б 1 1 У22э. У226 1 11 S1 lэ, S116. S1 lк lj S12э, S126, S12к j Н21Е, HFE 1 1 1 У21Е i У1 le. У11ь; i У;е. У;ь / У12е. У12ь; i Уге. Угь 1 1У21е. У21ь; 1 Yre. Уrь 1У 22е. У22ь; IYae. Уаь 1S1le. S11ь.S1lc Sie. Siь, Sic 1 S12е, S12Ь, S12с; 1 Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в 1 режиме большого сигнала. [Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером. ,1 [ Входная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для 11 i схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. ll 1 Полная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. Полная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сиг-· / нала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. 1 Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для 1 схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. Коэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно. [ Коэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмитте-1 i' ! Sre. S,ь, Src 1 . ром, общей базой и общим коллектором соответственно. i; 11----------+------------j.C-'------------------'------------------~11 il S22э, S226. S22к 1 S22e. S2211. S22c; 1 Коэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим ii 'I 1s ss 1 1 эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно. 1 : ое, оЬ. ос 1 S21e. S21ь. S21c; 1 базо1 S21э. S216. S21к 1 Коэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей 1 Src. Sr11. Src 1 и общим коллектором соответственно. - 1 fse. fsь. fsc Частота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1 (S21e=l, S21ь=l, S21c=l). Ку, р Gp Коэффициент усиления мощности. !1 - Gл, Ga Номинальный коэффициент усиления по мощности. IF i Коэффициент шума транзистора. i 'с (г'ьь Се) [ Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте. 1 lj Такр 1 Тл, Taml1 Температура окружающей среды. 1 JI Тк ITc, Tcase Температура корпуса. 1 'Т" iт! Температура перехода. ·, 1r. Rт. п-с Rthja Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде. i 1f il Rт. п-к Rthjc Тепловое сопротивление от перехода к корпусу. 11 f Rт. к-с Rthca Тепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде. li 1~п-к 1 Тепловая постоянная времени переход-корпус. il i "tthjC 1 11 "tт. п-с 1 тthja Тепловая постоянная времени переход-окружающая среда. !. 11 1:т. к-с ! "tthca 11 ~-------~---------~'~Т~е~п~л~о~в~а~я~п~о~с~т~о~я~н~н~а~я_в~р~е~м~е~н~и~к~о~р~п~у~с~-~о~к~р~у~ж~а~ю~щ_а~я~с~р~е~д~а~·------~~
Раздел 2. Биполярные транзисторы 41 2.2. Параметры и характеристики биполярных транзисторов Перечень параметров, включаемых в ТУ, характеризующих свойства полупроводниковых при­ боров. выбирается с учетом их физико-технологических особенностей и схемного назначения. В большинстве случаев необходимы сведения об их статических, динамических и предельных пара­ метрах. Статические параметры характеризуют поведение приборов при постоянном токе, динами­ ческие - их частотно-временные свойства, предельные параметры определяют область устойчивой и надежной работы. В справочники, стандарты или ТУ на полупроводниковые приборы включается необходимая для детального расчета схем информация о параметрах: нормы на значения параметров, режимы их измерений, максимальные и максимально допустимые значения параметров, вольт-амперные харак­ теристики, зависимости параметров от режима и температуры, конструктивно-технологические осо­ бенности приборов, их основное назначение, специфические требования, методы измерения параметров, типовые схемы применения. Постоянные (случайные) изменения технологических факторов оказывают существенное влия­ ние на значения параметров изготавливаемых приборов. Поэтому значения параметров даже одного типа приборов являются случайными величинами, т. е. имеется отклонение от среднего (типового, номинального) уровня. Для некоторых параметров устанавливаются граничные (предельные) значе­ ния (нормы) и возможные отклонения (разброс). Нормы на разброс параметров устанавливаются на основе экспериментально-статистических данных при обеспечении надежной и устойчивой рабо­ ты приборов в различных условиях и режимах применения, а также исходя ·из экономических со­ ображений. В зависимости от технологии и качества изготовления приборы имеют различные диапазоны разброса параметров. Для одних параметров ОкБо, Ск, Гб'Ск, Uкэ нас. Кш) предусматривается односто­ роннее ограничение (по минимуму или максимуму), для других (h21э, h21э.) - двустороннее. Параметры транзисторов, определяемые геометрией конструкции (длиной, шириной, площадью или объемом отдельных областей): емкости переходов, распределенное сопротивление базы, частот­ ные характеристики - подвержены меньшим изменениям, чем параметры, зависящие от состояния поверхности. Состояние поверхности определяет значения пробивных напряжений и стабильность обратных токов, коэффициент усиления. Пробивные (максимальные) и максимально допустимые напряжения Максимальное напряжение, которо_е может выдерживать диод или транзистор, ограничивается явлением пробоя. Пробой р-n-перехода выражается в резком увеличении обратного тока при дости­ жении обратным напряжением определенного (критического) значения. Различают электрический и тепловой пробои. Механизм пробоя определяется физическими параметрами исходного материала, типом проводимости, мощностью прибора, конструктивно-технологическими факторами, внешними условиями и другими причинами. Существуют два вида электрического пробоя: туннельный (зенеровский) и лавинный, связанные с увеличением напряженности электрического поля в р-n-переходе. Туннельный и лавинный пробои различаются знаками температурного коэффициента напряжения (ТКН) - отрицательным для тун­ нельного (он уменьшается с ростом температуры) и положительным для лавинного (он увеличивает­ ся с ростом температуры). Электрический пробой определяется характеристиками р-n-перехода (шириной, объемными и поверхностными свойствами, удельным сопротивлением исходного материа­ ла). Оба вида электрического пробоя находят применение в стабилитронах: в области пробоя напря­ жение слабо зависит от тока, что и определяет стабилизацию напряжения. Тепловой пробой возникает из-за потери устойчивости теплового режима работы и появления те­ плоэлектрической обратной связи. При плохих условиях теплопередачи от перехода происходит повы­ шение его температуры (саморазогрев) и возможно разрушение прибора из-за перегрева (общего или локального). На вольт-амперной характеристике появляется участок с отрицательным дифференци­ альным сопротивлением. Вероятность возникновения теплового пробоя существенно зависит от теп­ лового сопротивления прибора, внешних условий, схемы включения, элементов входной цепи, рабочего тока и напряжения на приборе. Чем выше Тп max и ниже обратные токи и тепловые сопротив­ ления, тем более устойчивы к тепловому пробою приборы. Теплового пробоя можно избежать, обеспе­ чив тепловую стабильность режима работы прибора, т. е. хороший теплообмен. Напряжения теплового пробоя значительно больше напряжений лавинного и туннельного пробоев для кремниевых приборов.
42 Раздел 2. Биполярные транзисторы Т:ранзисторы характеризуются максимальными (пробивными) напряжениями переходов (Uкво проб. Uэво проб. Uобр). Кроме того, максимальное напряжение коллектор-эмиттер зависит от схемы. в которой применяется транзистор, - от условий во входной цепи (между эмиттером и ба­ зой), т. е. от значений сопротивлений Rбэ и Rэ и напряжения смещения. Значения напряжения кол­ лектор-эмиттер для произвольной схемы (UкэR проб, Uкэк проб, Uкэv проб) находятся а интервале между значениями напряжений Uкэо проб и Uкво проб. Пробивное напряжение Uкэо проб является наименьшим из всех возможных пробивных напряжений коллектор-эмиттер и соответствует наихуд­ шим условиям на входе, когда цепь базы отключена (Rбэ = оо), т. е. Uкво проб > Uкэх проб > > Uкэк проб > UкэR проб > Uкэо проб (рис. 2.1 ). Схемы измерения пробивных напряжений и обратных токов приведены на рис. 2.2, а-е. Для обеспечения стабильной и надежной работы транзисторов ра­ бочее напряжение коллектор-эмиттер выбирают меньше Uкэо проб. Изменение напряжения коллек­ тор-эмиттер от сопротивлений Rбэ и Rэ характеризуется зависимостью UкэRпроб от этих сопротивлений. При включении сопротивления Rэ входное сопротивление увеличивается. поэтому возможно увеличение Rбэ (см. рис. 2.2, д). Имеется критическое сопротивление в цепи базы Rбэ кр. при котором начинается снижение допустимого рабочего напряжения (рис. 2.3). Чем больше Rбэ. тем сильнее зависимость UкэR проб от температуры. Сопротивление Rбэ существенно изменяет UкэR проб, если оно сравнимо или больше входного сопротивления транзистора. Напряжение Uкэк проб используется для расчета схем с трансформатором или резонансным кон­ туром на входе; напряжение Uэво проб - для расчета напряжения запирания переключающих или усилительных схем при работе с отсечкой коллекторного тока; напряжение Uкво проб - для расчета режимов работы запертого транзистора и схем с общей базой. UкБО проб Uкэо проб Uкэх проб Uкэ Рис. 2.1. Выходные вольт-амперные характеристики транзистора в области пробоя при различных условиях на входе а) UкБо проб UкБ ~·~ б) Uкэо проб Uкэ lкэк lкэR ~ lк Rбэ2 < Roo1 Uкэ UкэR проб Uкэ в) г) lкэR lк lкэv ~ Rб3 Uкэ д) е) Рис. 2.2. Схемы измерения пробивных напряжений и обратных токов при различных ус,ловиях на входе Uкэ
Раздел 2. Биполярные транзисторы UкэRmax. В 100г--......... 80 60 lк= О,2А Токр =25 'С ~_ _.__ __.. _ __.__ ____..___,____. 10·1 10 10" Rt;3 , Ом 43 Рис. 2.3 . Зависимость пробивного напряжения от сопротивления резистора в цепи базы Пробивные напряжения переходов устанавливаются при определенном значении тока (напри· мер, для маломощных транзисторов напряжение UкБо проб фиксируется при токах от 1 до 200 мкА). Пробивные напряжения снижаются, если повышается температура, т. е. приборы могут выйти из строя при напряжениях, безопасных при нормальной температуре. Максимально допустимые напряжения устанавливаются по наименьшим из измеренных значе­ ний пробивных напряжений с некоторым запасом для обеспечения надежной работы приборов. Мак­ симальные и максимально допустимые напряжения определяют верхнюю допустимую границу рабочего диапазона обратных напряжений диодов и транзисторов. При некотором сочетании параметров (при больших напряжениях и токах, даже не превышаю­ щих предельных значений) у любого транзистора в активном режиме при прямом или обратном (в ре­ жиме отсечки) смещении на переходе эмиттер-база может возникнуть второй пробой (рис. 2.4). Поэтому изготовители приборов определяют области их безопасной работы, исключающие этот вид пробоя, сходного с тепловым. Кроме того, созданы транзисторы с по- вышенной устойчивостью ко второму пробою (например, транзисто­ ры с эпитаксиальной базой, с балластными стабилизирующими резисторами в цепях эмиттеров). Существуют также схемные реше­ ния, уменьшающие вероятность возникновения второго пробоя. В большей степени второму пробою подвержены транзисторы, рабо­ тающие с индуктивной нагрузкой в ключевом режиме (при запира­ нии). Вследствие второго пробоя значительно сужается область безопасной работы мощных высокочастотных транзисторов. Даже при наличии запасов по предельным параметрам они могут выйти из строя при средней мощности, меньшей предельно допустимой. Часто в ТУ для прямого смещения приводятся значения тока, при которых происходит второй пробой. Максимальные токи U2 U1 Uкэ Рис. 2.4. Форма воль'Р-амперной характеристики в области второго пробоя (U 1 и U2 - напряжения первого и второго пробоя) Максимальный ток, протекающий через полупроводниковый прибор, определяется допустимой рассеиваемой мощностью, коэффициентом усиления, уменьшающимся при увеличении тока Iк (напри­ мер до значения h2JЭ < 10), критическим током, при котором происходит второй пробой, сопротивле­ нием Гкэ нас транзистора. Поэтому для увеличения максимального тока стараются уменьшить rкэнас и Uпр. увеличить рассеиваемую мощность (т. е. уменьшить тепловое сопротивление, увеличить допусти­ мую температуру перехода), повысить устойчивость ко второму пробою, уменьшить снижение коэф­ фициента усиления при увеличении тока lк. Максимально допустимый ток устанавливается через максимальный с учетом коэффициента запаса. Максимальный ток базы ограничивается сопротивлениями вывода и контактов базы. Ограниче­ ние максимального тока коллектора, как правило, наступает раньше, чем достигается максимальный ток базы. Обратные токи Обратные токи и их зависимости от приложенных напряжений и температуры учитываются при расчете режима работы транзисторов. Значение обратного тока через переход зависит от свойства материала, технологии изготовле­ ния (геометрии перехода, состояния поверхности), мощности прибора и рабочей температуры. Пол­ ный обратный ток р-п-переходов lобр состоит из трех компонентов: теплового тока 10 , тока термогенерации Iт и тока утечки ly.
44 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тепловой ток зависит от физических свойств материала и обычно характеризуется температу­ рой удвоения (приращением температуры, вызывающим удвоение теплового тока). У кремниевых он значительно меньше, чем у германиевых р-п-переходов при одной и той же площади перехода. Ток Io экспоненциально зависит от температуры, причем у германиевых диодов он примерно удваивается при увеличении температуры на каждые 7... 10 °С, у кремниевых - на каждые 8... 12 °С. Особенностью тока термогенерации является зависимость от напряжения (ширина перехода увеличивается с ростом напряжения, и ток Iт возрастает). Он пропорuионален ~И обр, но увеличива- ется с ростом температуры слабее, чем ток Io. Ток Io начинает превышать Iт при температуре 100 °С. При комнатной температуре для германиевых р-п-переходов Iт обычно мал и меньше Io, но для крем­ ниевых, у которых Iт является главным компонентом полного обратного тока, Iт >> Io (на несколько порядков). Ток Iт для германиевых приборов становится соизмеримым с током Io лишь при отрица­ тельной температуре. Ток утечки ly обусловлен проводимостью поверхности кристалла (характером ее обработки), связан с нарушением кристаллической решетки, наличием окисных пленок, шунтирующих переход, загрязнением поверхности и является основной причиной нестабильности lобр во времени. При повы­ шении напряжения ток ly растет почти линейно и слабо зависит от температуры. Обычно у реальных кремниевых р-п-переходов ly > Io + Iт. Небольшой наклон вольт-амперных характеристик свидетельствует о том, что основная состав­ ляющая обратного тока - не зависящий от напряжения ток lб. Если же характеристики имеют боль­ шой наклон. то основными составляющими являются токи Iт и ly. Большой ток ly нарушает указанный выше закон удвоения, т. е. увеличение lобр ослабляет его зависимость от температуры. Транзисторы характеризуются обратными токами переходов эмиттер-база lэБО и коллектор-ба­ за lкБо. а также обратным током между коллектором и эмиттером, значение которого, как и про­ бивное напряжение между коллектором и эмиттером, зависит от условий во входной цепи транзистора. Обратный ток коллектора lкБо экспоненциально увеличивается с ростом температуры. Считает­ ся, что он изменяется приблизительно на 6 ... 8% у германиевых приборов и на 8 ... 10% у кремниевых при изменении температуры на 1 °С (рис. 2.5). lкБО. мкА 1000 100 10 , / 1 / о ~q,-+=J. ,,"~о/- ;:,{911/ 1 1 lf, / // // / / 50 1 , 100 150 200 Токр.°С Рис. 2.5 . Зависимость обратного тока коллектора от температуры Обратные токи обычно определяются при максимальных обратных напряжениях. Большие об­ ратные токи переходов свидетельствуют о недостаточно хорошем качестве приборов. Тепловые параметры К тепловым параметрам приборов относятся минимальная Тп min и максимальная Тп max темпера­ туры перехода, тепловые сопротивления Rт, тепловые постоянные времени tт и теплоемкости Ст. Они определяют стабильность работы полупроводниковых приборов при изменении температуры, ог­ раничивают максимальные мощности, токи и напряжения, допусти~ые диапазоны температур окру-
Раздел 2. Биполярные транзисторы 45 жающей среды, при которых обеспечивается надежная работа. В частности, параметры Rт, tт, Ст позволяют определять нагрев транзистора 11ли диода в рабочем режиме. Как уже отмечалось, максимальная мощность полупроводниковых приборов в различных услови· ях эксплуатации ограничивается максимальной температурой перехода, при достижении которой либо резко ухудшаются их параметры, либо они выходят из строя из-за теплового пробоя переходов. При постоянных условиях окружающей среды Тп является функцией электрической мощности Р = UI, приложенной к прибору, и зависит от его структуры, теплофизических характеристик мате­ риалов (типа исходного материала, степени его легирования, состояния поверхности) и других техно­ логических факторов. Кремниевые р-п-переходы сохраняют свои свойства до температуры 150 ... 200 °С. германиевые - до 70... 120 ·с. В процессе работы на р-п-переходах выделяется основная мощность и происходит повышение температуры. Так как р-п-переход нагревается до температуры, большей, чем температура корпуса и окружающей среды, то для полупроводниковых приборов устанавливается диапазон максимально до­ пустимой окружающей температуры: для кремниевых приборов -60... + 125 °С, для германие­ вых -60.. . +70 °С. Связь между Тп и Такр описывается формулой Тп - Такр = RтР, где Rт показывает возрастание температуры на единицу рассеиваемой мощности. Приводимые в справочниках значения Тп max определяются экспериментально или рассчитыва­ ются и имеют запас по сравнению со значением температуры, при которой наступает разрушение прибора. 1 Измерять Тп прямыми методами сложно, поэтому используются косвенные методы, при которых она оценивается по значению какого-либо термочувствительного параметра. Термочувствительными параметрами диодов являются обратный ток lобр и прямое напряжение Uпр. а транзисторов - обрат­ ные токи Iкво. Iэво. напряжения Uэв. Uкв. коэффициент передачи тока h21э. входное сопротивление. Температуру рабочих областей полупроводниковых приборов измеряют и другими методами, напри­ мер методом регистрации инфракрасного излучения, физическим (термопарой). Теплообмен между переходом и окружающей средой принято характеризовать тепловым сопро­ тивлением прибора - сопротивлением элементов конструкции распространению тепла от перехода к корпусу и теплоотводу, которое определяется конструкцией прибора, теплопроводностью ее элемен­ тов и системой охлаждения корпуса. Тепловое сопротивление переход-среда Rт, п-с необходимо знать для расчета допустимой рассеиваемой мощности маломощных диодов и транзисторов, обычно работающих без теплоотвода, а тепловое сопротивление переход-корпус Rт. п-к - для расчета режи­ ма работы мощных приборов при наличии внешнего радиатора (рис. 2.6). Обычно Rт, п-с >> Rт. п-к (со­ противление Rт. п-к остается постоянным только в случае работы при малых плотностях тока). Тепло от кристалла с переходами к корпусу или радиатору отводится за счет теплопроводности, а от корпу­ са в окружающее пространство - конвекцией и излучением. Rт, к-с Тп Rт, п-к Переход Rт, к-р Rт, р-е Рис. 2.6 . Тепловая эквивалентная схема транзистора с теплоотводом (Rт, п-к, Rт, к-с. Rт, к-р. Rт, р-с - тепловые сопротивления переход-корпус, корпус-среда, корпус-радиатор и радиатор-среда соответственно) Для охлаждения корпуса мощного прибора вместо радиатора может использоваться поток жид­ кости или газа. При применении радиатора нагрев полупроводникового прибора зависит от качества теплового контакта корпуса с радиатором, т. е. сопротивление корпус-среда Rт. к-с зависит от типа радиатора, метода крепления, чистоты сопрягающихся поверхностей, усилия, с которым прижимается прибор (контактного давления). Для уменьшения контактного сопротивления применяются специаль­ ные смазки (например, кремнийорганические) и пасты, заполняющие пустоты между контактирующи­ ми поверхностями, а также прокладки из мягких, легко деформируемых металлов: свинца, индия, меди, алюминия. Тепловые постоянные времени переход-корпус tт, п-к и корпус-среда tт, к-с используются для расчета теплового режима приборов в динамическом режиме и характеризуют скорость нарастания температуры отдельных участков объема полупроводникового прибора, когда температура перехода значительно изменяется за период действия импульсной мощности. Постоянная времени tт, п-к опре-
46 Раздел 2. Биполярные транзисторы деляется по переходным тепловым характеристикам нагревания или остывания приборов и зависит от типа материала и конструкции приборов; tт, к-с зависит от способа отвода тепла от прибора. По­ стоянная времени переход-среда tт, п-с характеризует время установления теплового режима диодов и транзисторов без теплоотвода. Значения теплоемкостей переход-корпус Ст, п-к и корпус-среда Ст, к-с необходимы при опреде­ лении тепловых режимов в случае работы приборов при малых длительностях импульсов. Они опре­ деляются экспериментально. Для приборов средней и большой мощностей, используемых с радиатором, обычно оговаривает­ ся предельная температура корпуса прибора. Для зарубежных приборов часто указывается максимальная температура хранения, которая яв­ ляется предельной температурой перехода данного прибора. При больших температурах даже в нера­ бочем состоянии могут происходить необратимые изменения свойств прибора. При высокой температуре активизируется действие примесей на поверхности кристалла, поэтому скорость дегра­ дации электрических параметров выше, чем при низких температурах. Рассеиваемая мощность Рассеиваемая мощность определяется физическими свойствами полупроводникового материала, геометрическими, конструктивно-технологическими и тепловыми характеристиками прибора. Мощ­ ность. рассеиваемая транзистором, состоит из мощностей, выделяемых на переходах коллек­ тор-база и эмиттер-база: Робщ = Рэ + Рк = lБUБэ + IкUкэ .:: Рк (часто величиной Рэ можно пренебречь, так как Рэ « Рк). Различают максимально допустимую рассеиваемую мощность в стати­ ческом и импульсном режимах. В последнем случае она зависит от формы, длительности. частоты и скважности импульсов. При тепловом равновесии рассеиваемая мощность расходуется на нагревание и влияет на температуру перехода при заданной температуре окружающей среды Токр или температу­ ре корпуса Тк. Максимальная мощность, рассеиваемая диодом или транзистором, ограничивается максималь­ ной температурой перехода Тп. а также рядом специфических процессов, определяющих максималь­ ные напряжения и токи. Зависимость между максимальной (максимально допустимой) мощностью рассеяния и максимальной температурой перехода для прибора без радиатора (теплоотвода) имеет вид Рк max = (Тп - Токр)/ Rт, п-с, где Rт, п-с - тепловое сопротивление переход-среда. Для приборов, работающих с внешним теплоотводом, Рк.т max = (Т п - Тк)/ Rт, п-к. где Rт, п·к - тепловое сопротивление переход-корпус. Максимальная (максимально допустимая) мощность при увеличении Токр или Тк линейно уменьшается. Она рассчитывается в соответствии с указанными формулами или находится из типовых зависимостей, которые приводятся для конкретных приборов (рис. 2.7). Для мощных транзисторов значения Рк, т max приводятся в справочниках при условии иде­ ального отвода тепла или для радиаторов различных размеров (рис. 2.8, 2.9). Максимально допусти­ мая мощность, в отличие от максимальной, приводится с запасом, гарантирующим заданную надежность. 50 100 150 200 Токр, •с Рис. 2.7 . Зависимость рассеиваемой мощности от температуры Рк, т max. Вт Sp> 300см2 12,5 10 7,5 L~..__-'-~-'----'-.:=::::::52!!!!\!lrli.....:T~~~P о 255075100125150175 Токр, •с Рис. 2.8. Зависимость рассеиваемой мощности от температуры при различных значениях и площади радиатора Sp
Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк, т max. Вт 100 200 300 400 500 600 Sp. см2 Рис. 2.9. Зависимость мощности рассеяния от площади радиатора при различных значениях температуры Коэффициент передачи по току 47 Коэффициент передачи h2JЭ транзистора зависит от тока коллектора (эмиттера); с увеличением тока Iк Оэ) он сначала возрастает, достигает максимума, а затем уменьшается. В зависимости от тех­ нологии изготовления максимум кривой h2JЭ = q>(lк) может быть резко выраженным или размытым (рис. 2.10). Например, максимум этой кривой у меза-транзисторов достигается при токах, на 1-2 порядка больших, чем у сплавных. После прохождения максимума h2JЭ уменьшается приблизительно обратно пропорционально Iк. Такая неравномерность усиления в диапазоне токов является источни­ ком нелинейных искажений. В мощных транзисторах спад коэффициента передачи происходит более резко, чем в маломощных. Особенно резкий спад происходит у сплавных кремниевых р-п-р транзи­ сторов (из-за физико-технологических причин). Поэтому не удалось создать такие транзисторы на большие рабочие токи. Для повышения усиления используются составные транзисторы. о 50 100 150 200 250 1••мА Рис. 2.10 . Типовые зависимости коэффициента передачи от тока коллектора У сплавных приборов h21Э растет с увеличением напряжения на коллекторе Uк, у диффузион­ ных эта зависимость слабо выражена (она наблюдается лишь при малых напряжениях на коллекто­ ре). С ростом температуры h2JЭ обычно увеличивается (рис. 2.11 ). h21Э отн 1111 Токр= 100 "С _,_ --- -1· -- =25°С - ~-- 11 - -4О0С -- ~- -::.- - .- 0,1 0,01 0,1 ~- -" г-- .... ~- .-. _h_ ' \ \ 1 1 10 .... ... .. ' \:\ \" \'\ 100 lк. мА Рис. 2.11. Зависимость относительного коэффициента передачи от тока коллектора, при различных значениях темпе­ ратурыинапряжения(-- - Uкэ =1В,---Uкэ =10В)
48 Раздел 2. Биполярные транзисторы Составные транзисторы Составной транзистор фактически представляет собой соединение двух биполярных транзисто­ ров по определенной схеме, имеющей три внешних вывода, Например, в составном транзисторе по схеме Дарлингтона (рис. 2.12, а, 6) коллекторы соединены вместе, входом служит база транзистора VTl, а эмиттером - эмиттер транзистора VT2. Для обеспечения нормальных режимов работы управ­ ляющего VT 1 и выходного VT2 транзисторов по постоянному току и напряжению транзистор VT2 де­ лается более мощным. Такой составной транзистор функционально соответствует одному транзистору с высоким результирующим коэффициентом передачи тока, равным произведению коэф­ фициентов передачи входящих в него одиночных транзисторов: h21Эоб = h21э1 + h21э2 + h21э1h21э2 ~ h21э1h21э2. Недостатком составных транзисторов является повышенное напряжение насыщения Uкэ нас = = Uкэ нас! + Uвэ2, а также относительно большой обратный ток. к к Б~ Б~ ~VТ2 ~VТ2 э э а) б) Рис. 2.12. Составные p-n -p (а) и n-p -n (6) транзисторы Для увеличения стабильности работы эмиттерные переходы транзисторов VTl и VT2 могут шун­ тироваться резисторами Rбэl и Rбэ2 (например, Rбэl = 1... 10 кОм, Rбэ2 = 25 ... 300 Ом), предотвращаю­ щими возрастание токов утечки (особенно при высоких температурах), но и влияющими на общий коэффициент усиления (рис. 2.13, а, 6): h2JЭоб = h21э1Rбэ!/(Rбэ! + Гвх!) +'h21э2Rбэ2/(Rбэ2 + Гвх2) + + h21э1h1э2Rбэ!Rбэ2/[(Rбэ! + Гвх1НR6э2 + Гвх2)], где Гвх - входное сопротивление транзистора. При этом к к Б Б э э а) 6) Рис. 2.13 . Составные p-n -p (а) и n-p -n (6) транзисторы с резисторами Rбэl и Rбэ2 Внутренняя структура составных транзисторов варьируется в зависимости от области их приме­ нения. В ряде приборов могут отсутствовать резисторы Rбэl и Rбэ2 (например, у 2SB678, 2SB679, 2SB880, 2SD549, 2SD688, 2SD1190, 2SD1224), может быть только резистор Rбэl (например, у RCA9203, 2SD684, 2SD1088, 2SD1410, 2SD1861 ). Имеются приборы, в которых между коллектором и эмиттером выходного транзистора включается диод (например, у КТ825, 2N6050, 2N6285, ТIPl 10), защищающий транзистор от инверсных (обратных) токов, возникающих в результате переходного процесса при работе на индуктивную нагрузку и при непредусмотренном изменении полярности на­ пряжения питания (см. рис. 2.13). Но тогда они становятся не пригодными для использования в ин­ верторных мостовых схемах. Для повышения стойкости ко второму пробою между коллектором и
Раздел 2. Биполярные транзисторы 49 базой или между коллектором и эмиттером включается стабилитрон (например, у 2SD706. 2SD708. 2SD1208, 2SD1294). Составные транзисторы применяются в стабилизаторах напряжения непрерывного и импульсно­ го действия, электронных системах зажигания автомобилей (например, КТ848А), схемах управления двигателей, в различных усилительных и переключательных схемах. Необходимо отметить, что большое усиление могут иметь и одиночные мощные и маломощные транзисторы со сверхбольшим коэффициентом усиления (так называемые Ultra-Beta и Super-Beta), например 2N596 l-2N5963, 2SC 1888, 2SC 1983, 2SC2 l 98, 2SC23 l 5-2SC23 l 7, 2SC249 l, 2SD920, 2SD931, 2SD982, 2SD1052, 2SDI090, 2SD1353. Емкости переходов и постоянная времени коллектора Емкости р-n-переходов влияют на частотные и импульсные характеристики полупроводниковых приборов. Обычный р-n-переход подобен конденсатору, емкость которого меняется при изменении приложенного напряжения. Эта емкость состоит из двух компонентов, проявляющихся при работе диода в прямом и обратном направлениях, - барьерной и диффузионной емкостей. Барьерная (за­ рядная) емкость Сб не зависит от тока через переход и является функцией частоты и обратного при­ ложенного напряжения. Диффузионная емкость Сд пропорциональна прямому току (даже при небольших прямых токах Сд > Сб) и также зависит от частоты. Емкость р-n-перехода при прямом смещении диода равна сумме Сд и Сб, при обратном - приблизительно емкости Сб, так как в этом случае емкость Сд пренебрежимо мала. Обычно в ТУ на прибор даются зависимости емкостей от напряжений, приложенных к перехо­ дам. На рис. 2.14 приведена зависимость Ск(Uк5}. С увеличением напряжения емкость нелинейно уменьшается. Емкость Ск равна разности измерений выходной емкости С22э и паразитной емкости ножки корпуса. 250 200 150 100 о 25 lэ=О Такр =25 'С f=1МГц 50 75 UкБ.В Рис. 2.14 . Зависимость емкости коллектора от напряжения коллектор-база Постоянная времени •к = r'бСк, где r'б - сопротивление базы, характеризует внутреннюю об­ ратную связь в транзисторе и определяет частотные и усилительные свойства, максимальную часто­ ту генерации и коэффициент усиления по мощности на высокой частоте. Кроме того, чем меньше его значение, тем выше устойчивость к самовозбуждению транзистора в усилителе. Через парамет­ ры •к и Ск можно определить сопротивление базы, необходимое для расчета схем. Шумы транзисторов Собственные шумы транзисторов ограничивают чувствительность усилителей. Их источниками являются шумы: тепловые, дробовые эмиттерного и коллекторного переходов, избыточные, а также случайного перераспределения тока эмиттера между коллектором и базой. Тепловые шумы транзистора практически определяются омическим сопротивлением базовой об­ ласти. Дробовые шумы обусловлены флуктуациями носителей заряда через прибор (возникают при прохождении тока через эмиттерный и коллекторный переходы). Избыточные шумы (фликкер-шумы) - специфические шумы, возникающие вследствие измене­ ния состояния поверхности кристалла полупроводника во времени. Они пропорциональны протекаю­ щему току и проявляются на низких частотах: в диапазоне звуковых и инфранизких частот. Значения избыточных шумов могут сильно колебаться даже для транзисторов одного типа, так как зависят от технологических факторов. Избыточные шумы больше у n-p:n транзисторов, чем у p-n-p. Транзисторы с большими или нестабильными токами lкБо имеют повышенные избыточные шумы. 43З1(9
50 Раздел 2. Биполярные транзисторы С ростом рабочей частоты доля избыточных шумов уменьшается и шумы транзисторов определяются в основном дробовыми и тепловыми составляющими. Шумовые свойства транзистора обычно характеризуются коэффициентом шума, который опре­ деляется экспериментально или рассчитывается на основе анализа отдельных источников шума. Рас­ считать точно коэффициент шума для области избыточных шумов невозможно, поэтому его определяют экспериментально. Коэффициент шума - сложная функция многих переменных: полного сопротивления источника сигнала Rг, параметров режима, параметров транзисторов (h21э, lкБО. Сэ, fh2Jб, г'б, Гэ) и рабочей час­ тоты fp. Зависимость Кш от частоты имеет три характерных участка (рис. 2.15): низких частот (Кш уменьшается пропорционально 1/ f); средних частот (Кш не зависит от частоты) - область «белого» шума; высоких частот (при f > fгр усиление резко уменьшается и шумы возрастают, Кш зависит от г'б и отношения (fp/ fh2lб) 2). Кw.дБ ЗдБ/окr 1...5 кГц Рис. 2.15. Типовая зависимость коэффициента шума от частоты Эти участки обусловлены тем, что на различных частотах шумы генерируются различными источниками шумов. В области низких частот (О, 1... 5 кГц) коэффициент шума уменьшается при­ мерно на 3 дБ на октаву, в области высоких частот увеличивается на 6 дБ на октаву, в области средних частот он минимален. Следует отметить, что имеется взаимосвязь низкочастотных шумов и отказов приборов. Уровень низкочастотных шумов, пропорциональных 1/ f, дает информацию о структурных изменениях прибо­ ров и используется для распознавания разных дефектов в транзисторах, в частности трещин и нару­ шений целостности кристалла, наличия загрязнений поверхности, которые могут привести к отказам приборов. Методы неразрушающего контроля качества приборов по их шумам используются в техно­ логическом цикле производства. Кроме того, существуют методы прогнозирования основных парамет­ ров надежности приборов по их низкочастотным шумам. Минимальное значение Кш достигается при определенных значениях сопротивления источника сигнала Rг и тока lк (рис. 2.16, 2.17). Увеличение Кш при росте Iк происходит медленно при малых токах. При больших токах Кш растет почти пропорционально lк. С ростом Uк (в пределах 1... 10 В) Кш почти не меняется, пока избыточные шумы малы по сравнению с дробовыми и тепловыми. В дальнейшем из-за увеличения избыточных шумов Кш возрастает. Таким образом, для того чтобы свести шумы к минимуму, выбирают оптимальный режим работы транзистора. Кш.дБ 12 10 8 i\. ' 6 4 2 r\. о 1о-4 \ \ ... .... ' Uкэ=5в ~ '\ " 10·2 10·1 11; 11. .iJ Iо· !:) $? tV 1/ 1 ~ 11' , lt) .:..·1 ) ~" 10 / ,__ ,__ 1а2 f, МГц Рис. 2.16 . Зависимость коэффициента шума от частоты при различных значениях тока коллектора и сопротивления источника сигнала Rг.кОм 100 .---........П'li:~~:-v-.....-~~ 50 10 51:s.:;;;;::!=:t:t:""'=:::t=::::);~~~ 0,5 О,1 .....,.........;,..._L...Cl_L.-_._.....__.....____. 0,01 0,05 0 ,1 0,5 lк, мА Рис. 2.17. Типовая зависимость коэффициента шума от сопротивления источника сигнала и тока коллектора
Раздел 2. Биполярные транзисторы 51 На средних и высоких частотах минимальный Кш будут иметь транзисторы с малыми r' б и lкБО и большими h21э и h21б. Измерения параметра Кш производятся обычно при стандартном сопротивлении Rг. Как правило, коэффициент шума увеличивается с ростом температуры. 2.3. Эквивалентные схемы и параметры четырехполюсника Для анализа работы транзистора в усилительном или генераторном режимах используются ме­ тод эквивалентных схем и метод четырехполюсника. При первом методе основные расчетные соотношения схемы усилителя выражаются через пара­ метры, отражающие физические процессы в транзисторе (диффузию, модуляцию ширины запираю­ щего слоя), зарядные емкости, последовательные сопротивления и др., с учетом особенностей конструкции. паразитных емкостей и индуктивностей выводов в рабочем интервале частот. Для раз­ личных областей применения и диапазонов рабочих частот эти схемы различны. В зависимости от расположения пассивных элементов получаются Т- и П-образные эквивалентные схемы. Эквивалентная схема диода, включающая сопротивление р-n-перехода, емкости р-n-перехода (Сб и Сд). емкость корпуса, индуктивности выводов, сопротивления базы и выводов, видоизменяется при обратном и прямом смещениях. Метод четырехполюсника позволяет рассчитывать усилитель с помощью матриц без составле­ ния эквивалентной схемы транзистора. При этом параметры четырехполюсника (четыре комплекс­ ных параметра), характеризующие свойства транзистора, определяются экспериментально, В отличие от параметров эквивалентной схемы, они зависят от схемы включения. Существуют три сис­ темы параметров, однозначно определяющие свойства транзисторов~ h-, У- и S-параметры. Каждая из них имеет свои преимущества и недостатки. Выбор той или иной системы параметров определяется удобством анализа и расчета каждой конкретной схемы. При расчете низкочастотных схем наибольшее распространение получили Z- и h-параметры. вы­ сокочастотных схем - У-параметры. Для устранения нестабильности работы транзисторов в усилительном режиме, связанной с внутренней обратной связью, используются схемные методы нейтрализации и демпфирования вход­ ных и выходных проводимостей. С помощью внешних схемных элементов стараются уменьшить ко­ эффициенты, характеризующие обратную связь (h12. У 12). У ряда современных транзисторов влияние обратной связи снижается технологическим способом. Измерение параметра У 116 позволяет оценить сопротивление базы, которое, в свою очередь, оп­ ределяет усилительные и частотные свойства транзисторов, а также высокочастотные шумы токорас­ пределения (у транзисторов с малым сопротивлением r'б уровень шумов также мал). Вообще сопротивление r'б зависит от конструкции и типа транзистора и лежит в диапазоне от нескольких единиц (у мощных приборов) до нескольких сотен Ом. В качестве параметров, описывающих транзистор как четырехполюсник для СВЧ-диапазона, ис­ пользуются S-параметры: S11 и S12 - коэффициенты отражения соответственно от входа и выхода четырехполюсника при нагрузке на волновое сопротивление (входные и выходные сопротивления), S12 и S21 - коэффициенты обратной и прямой передач. Они применяются для расчета схем, рабо­ тающих на частотах от 100 МГц до нескольких гигагерц (на этих частотах трудно осуществить усло­ вие короткого замыкания при измерении У-параметров). Кроме того, S-параметры имеют ряд преимуществ с точки зрения обеспечения устойчивости в процессе измерения, но определяются только для конкретной рабочей точки и на фиксированной частоте. Типовые (нормализованные) зависимости параметров четырехполюсника от режима и темпера- туры иногда приводятся в справочниках или ТУ (технических условиях). Частотные свойства транзисторов Частотные свойства полупроводниковых приборов определяют области их применения. Для эквивалентных схем и четырехполюсников существует ряд характеристических частот. Практическое значение имеют частоты, связанные с параметрами h2Iб, h21э и У21э. а также частота генерации fmax, определяющая область частот, в которой транзистор, в принципе, может применяться как генератор колебаний (на этой частоте коэффициент усиления по мощности Кур = 1). Кроме того, fmax используется для оценки Кур на других частотах.
52 Раздел 2. Биполярные транзисторы Модули коэффициентов передачи тока hz1б, hz1э и крутизны У21э уменьшаются с ростом часто­ ты, поэтому вводятся характеристические частоты, на которых эти параметры снижаются в .J2 раз (до 0,707) относительно их значения на низкой частоте (соответствующие предельные частоты fh2lб, fh2lэ. fv21э). Усиление транзистора на частотах, превышающих fh2lэ и fh2lб. падает со скоростью 6 дБ на октаву, т. е. при рабочей частоте, в 2 раза превышающей fh2lэ и fh2lб, коэффициент усиления уменьшается в 2 раза. С ростом частоты входного сигнала коэффициент передачи плавно снижается и на некоторой частоте, называемой граничной (fгр = 1hz1э1 fизм, где fизм - частота измерения), модуль hz1э достига­ ет значения, равного единице, т. е. усиление по току отсутствует (рис. 2.18). ЗдБ h21б fh21э fh21б frp f Рис. 2.18 . Зависимости коэффициентов передачи тока от частоты Частота fv21 используется для расчета ограниченного ряда схем (генераторов и широкополосных усилителей) и связана с fгр формулой fv21э = fгрrэ/ Г'б- Частота fmax также связана с fгр: fmax = ~fгр /8rc · r;c •. Для характеристики транзисторов частота fh2lб обычно используется на частотах до 20 МГц, а fгр - свыше 20 МГц. Имеются формулы, связывающие частоты fh2lб, fh2lэ и fгр- В частности, fгр = kfh2lб, где k = = 0,65 ...0,82 для различных типов транзисторов или fh2lб = (1,2 ... 1,б)fгр- Для бездрейфовых (сплавных) транзисторов обычно k = 0,82, а предельная частота fh2lэ = (1 - hz1б>fh2lб- Значения fгр зависят от положения рабочей точки (рис. 2.19) и температуры. Максимум зависимости fгр от тока коллектора (эмиттера) обычно почти совпадает с максимумом зависимости параметра hz1э от тока (рис. 2.20). При больших токах предельная частота падает, при малых токах частотные свой­ ства транзисторов также ухудшаются. Uкэ.В 50 10 5 -- -- с::Е о """11 д" о со \\ \\ \, \ ~\~ \~\ о~ а)~ Токр =25 ·с \~ \\ эDOj \' \, ./ \21о/ ' 1 ' 1 1 1\~~, \' "" /J \ /J ' ' L"\I /fh "" \ \;;ю/'// о\ .о ~а) ,_ ~ 0,02 0,05 О,1 0,2 0,5 1 2 51020 lк,А Рис. 2.19 . Зависимость граничной частоты от тока коллектора frp. МГц 100 80 60 40 v 20 0,01 / / r-\. /' ' \ 0,1 Рис. 2.20. Зависимость граничной частоты от режима работы (Токр = 25 "С)
Раздел 2. Биполярные транзисторы 53 Высокочастотные транзисторы Различие между низкочастотными и высокочастотными транзисторами заключается в размерах активных областей и в значениях параметров структуры и паразитных параметров корпуса - для высокочастотных приборов они должны быть значительно меньшими. К транзисторам, предназначенным для работы на высоких и сверхвысоких частотах, предъявля­ ется ряд дополнительных требований. Они должны иметь малые емкости между электродами, соз­ дающие (!аразитную обратную связь, и малую индуктивность общего вывода. Кроме того, для получения максимального Кур они должны иметь высокую частоту fгр и малые '!к, Ск и Uкэ нас- При создании высокочастотных приборов труднее получить высокую воспроизводимость и идентичность параметров у приборов одного технологического типа. Высокочастотные транзисторы могут работать и ~ак усилители, и как генераторы. Однако транзистор, оптимальный для усилителя мощности, не обязательно будет пригоден для генератора и, наоборот. Высокочастотные мощные транзисторы характеризуются такими параметрам, как Рвых. Ку,Е.!. КПД Iкр (критический ток коллектора, при достижении которого происходит уменьшение fгр в ..J2 раз по отношению к максимальному значению, - определяет условную границу, при которой полу­ чают удовлетворительные частотные свойства транзистора). Факторы, определяющие усиление и ши­ рину полосы транзисторных усилителей, могут быть найдены только в комбинации свойств транзистора и схемы, в которой он используется. Кроме того, параметр Кр зависит от условий опре­ деления входной и выходной мощностей, поэтому имеется несколько коэффициентов, характеризую­ щих усиление транзистора. В качестве обобщенной характеристики усилительных свойств транзисторов используется U-функция (максимальный Ку, р при обратной связи, нейтрализованной внешней схемой). Помимо указанных параметров они должны иметь хорошую устойчивость к рассо­ гласованию нагрузки. Для получения высокого КПД рабочая точка транзисторов должна находиться вблизи области насыщения. Высокочастотное напряжение насыщения (оно больше статического) определяет также выходную мощность на высокой частоте. Следует отметить, что использовать транзисторы с больши­ ми пробивными напряжениями для низковольтных устройств нецелесообразно, так как они имеют большие напряжения насыщения и низкие КПД. Надежная работа мощных приборов при больших Рвых обеспечивается лишь при пониженных значениях параметров электрического и теплового режимов. Обычно Рвых указывается в справочни­ ках для уровня, соответствующего надежной работе, и не превышает в режиме непрерывных колеба­ ний 50% Рк max. На высоких частотах выходная мощность изменяется пропорционально 1/ f2 . Она монотонно увеличивается до определенных значений с ростом входной мощности и напряжения ис­ точника питания Uиn- Высокочастотные транзисторы, используемые в качестве усилителя мощности, должны иметь пробивное напряжение коллекторного перехода в 2... 3 раза больше Uиn. В схемах генераторов при расстройке коллекторной цепи пиковое значение напряжения на коллекторе может достигать (3 .. .4)Uиn и более, особенно на нижнем участке рабочего диапазона частот. Обычно высокочастотные мощные транзисторы работают ненадежно в режимах короткого замы­ кания и холостого хода и могут отказывать при рассогласовании нагрузки на выходе. Например. транзистор 2N5178 обеспечивает мощность около 50 Вт на частоте 500 МГц лишь в тщательно на­ страиваемом узкополосном усилителе, и даже при слабом нарушении согласования возможен отказ. Имеются высокочастотные транзисторы, которые могут работать при всех условиях рассогласо­ вания нагрузочного полного сопротивления. Так, транзисторы 2N5764 и 2N5765 могут работать в ус­ ловиях сильного рассогласования, в отличие от типов 2N4430 и 2N4431. Разработаны также приборы для специальных областей применения, в которых требуются различные значения рабочего напряж~ния (6; 12; 13,5; 24; 28 В и др.), с различными уровнями широкополосности, с высокой ли­ нейностью. Для передачи информации с помощью кабелей (например, в кабельных телевизионных систе­ мах) разработаны специальные широкополосные линейные транзисторы, работающие в классе А или АВ, при котором обеспечивается малый уровень искажений. вызываемых перекрестной модуляцией. Они имеют слабую зависимость коэффициента усиления от тока, малую емкость Ск и применяются на частотах много меньших, чем максимальная рабочая частота. Для стабилизации температурного режима в корпусе транзистора монтируют схему температурной стабилизации с диодом - датчиком температуры. Нелинейность таких транзисторов характеризуется коэффициентом нелинейных (ин-
54 Раздел 2. Биполярные транзисторы термодуляционных) искажений. При сравнительной оценке линейности транзисторов могут исполь­ зоваться зависимости S21Ок) и S21(Uк). Транзисторы для линейных широкополосных усилителей, работающих в режиме одной боковой полосы. характеризуются отдаваемой мощностью в пике огибающей (РРЕР). Мощные высокочастотные транзисторы могут применяться в импульсном режиме, при этом вы­ ходная мощность может быть увеличена при повышении рабочих напряжений. Например, транзистор MSC1330 имеет в непрерывном режиме выходную мощность _30 Вт на частоте 1,3 ГГц при Uип =28 В. а в импульсном <tи = 10 мкс) при Uип =40 В на той же частоте уже 70 Вт. Современные мощные высокочастотные транзисторы имеют сложные геометрические и техноло­ гические структуры (полосковые, гребенчатые. многоэмиттерные, сетчатые, мнqгоэлементные). В этих структурах в'Ьзмож'но развитие второго пробоя, который чаще всего проявляется при работе или испытаниях транзисторов в статическом режиме (на постоянном токе) или режиме класса А. Среди возможных причин отказа высокочастотных и сверхвысокочастотных усилительных тран­ зисторов можно назвать возникновение генерации за счет паразитных реактивностей схемы, пере­ грузку при переходных процессах и действие статического электричества. 2.4. Области работы и вольт-амперные характеристики транзисторов Для транзисторов принято различать четыре области работы (рис. 2.21 ): отсечки, активную (усиления), насыщения и лавинного пробоя (умножения), а также три схемы включения: с общим эмиттером (ОЭ), общей базой (ОБ) и общим коллектором (ОК). Транзисторы работают в прямом и инверсном включениях. -lк UкБ= О lэ= о Область отсечки Рис. 2.21 . Выходная вольт-амперная характеристика транзистора При прямом включении в области отсечки оба перехода (эмиттерный и коллекторный) смещены в обратном направлении и через них протекают очень малые токи lкБО и lэ50. В активной области транзистор работает как усилительный элемент (эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный - в обратном). В области насыщения оба перехода смещены в прямом направлении, через транзистор протекает большой ток, а остаточное напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ нас характеризует его как переключатель в замкнутом состоянии. В области умножения коллек­ торный переход находится в состоянии лавинного (электрического) пробоя. При инверсном включении, в отличие от прямого, эмиттер смещен в обратном направлении, а коллектор - в прямом. Транзистор работает в активной области, но его усилительные свойства хуже (например, h21б iпv = 0,1 ...0,8). Дрейфовые (диффузионные) транзисторы редко исп:ользуются в таком включении, так как из-за асимметрии конструкции (большого различия площадей эмиттера и коллектора) инверсное усиление· мало. Инверсный режим может иметь место во время переходных процессов в импульсных схемах. Вольт-амперные характеристики, приводимые в справочниках, дают информацию о работе тран­ зисторов во всех областях и режимах работы на большом и малом сигналах при различных допусти­ мых сочетаниях токов и напряжений. По ним можно определить ряд основных параметров транзистора, выбрать оптимальное положение рабочей точки, рассчитать нелинейные искажения.
Раздел 2. Биполярные транзисторы цепи смещения и стабилизации режима. Для анализа ре­ жимов и расчета схем обычно широко используются два семейства статических характеристик: входных и выход­ ных для схем с ОБ и ОЭ. При необходимости по ним мож­ но построить переходные характеристики (прямые и обратные). По входным характеристикам определяются па­ раметры h11б и h11э. по выходным - h22б, У22б, h21э, У21э, У21б (в зависимости от режима). Наклон начального участка выходных характеристик определяет сопротивление Гкэ нас· Кроме того, на выход­ ных характеристиках обычно указывают область безопас­ ной работы транзисторов. Типичная область безопасных режимов работы (ОБР) для статического режима эксплуатации приведена на рис. 2.22 . Они ограничены отрезками АВ (определяет зна­ чение максимально допустимого тока прибора), СО (опре­ lк,и max lк,max 10 0,1 0,01 ··········-·········-...-········· А В ··-.. "·.!и1 10 ·-..tи2 : ·.. : ··.": ·: о· 4s·· .. 100 о 1000 Икэо max 55 И,В Рис. 2.22. Область безопасных режимов ра· боты (пунктирными линиями - импульсный режим) деляет значение максимально допустимого напряжения Uкэо max), ВС (характеризует ограничение электрического режима по мощности, т. е. значение выделяющейся мощности не должно выходить за пределы ВС). Для большинства тргнзисторов ОБР ограничивается отрезком C'D' и уменьшается, что связано с воздействием электротепловой нестабильности: выделяющаяся мощность и тепловое сопротивле­ ние увеличиваются с ростом температуры (растет нагрев транзистора), а теплоотвод ухудшается и растет температура перехода. Выход рабочей точки за пределы ОБР приводит обычно к необратимо­ му ухудшению параметров транзистора. Для обеспечения надежной работы режимы использования, особенно мощных транзисторов, должны не выходить за пределы области максимальных режимов. При переходе от статического режима к импульсному и при уменьшении длительности рабочего импульса tи границы области ОБР перемещаются в сторону больших значений токов и напряжений. Чем меньше tи и больше скважность, тем будет больше импульсная мощность рассеяния, вызываю­ щая разогрев р-n-перехода до предельно допустимой температуры. Импульсный и ключевой режимы работы Рабочие токи, напряжения или мощности при работе в импульсном и ключевом режимах могут значительно превышать номинальное значение, установленное для режима постоянного тока. Транзисторные ключи работают в насыщенном (режим переключения) или ненасыщенном режи­ ме (в импульсных усилителях). В первом случае рабочая точка на семействе выходных характери­ стик циклически перемещается из области отсечки в область насыщения через активную область и обратно. Во втором случае рабочая точка проходит только через две области - отсечки и активную. В режиме переключения (рис. 2.23, а) транзистор как ключевой элемент меняет свое со­ стояние от закрытого (высокое напряжение и малый ток) до открытого (низкое напряжение и большой ток). Насыщенные ключи имеют меньшую мощность рассеяния Рк во включенном со­ стоянии и хорошую помехоустойчивость, но у них хуже быстродействие, так как переход из об­ ласти насыщения происходит с задержкой, и больше мощность рассеяния на базе при больших степенях насыщения. Увеличе­ ние быстродействия транзисторов достигается уменьшением времени жизни неосновных носителей путем легирования ак­ тивных и пассивных областей структуры атомами золота. Но для таких транзисторов велика вероятность возникновения ла­ винного пробоя. Поэтому для увеличения быстродействия часто параллельно переходу коллектор-база подключается диод Шат­ ки, что предотвращает насыщение транзистора (отсутствуют ре­ жимы накопления и рассасывания зарядов). Такие транзисторы более устойчивы ко второму пробою в случае больших запи­ рающих токов (например КТ635). Для переключательных транзисторов в справочниках приво­ дятся импульсные значения максимально допустимых параметров или графики, позволяющие определить импульсную рассеивае- Uкэ lк Uкэ нас а) =1:""""".i. б) Рис. 2.23 . Выходные напряжение и ТОК (а) и выходная МОЩНОСТЬ (6) импульсного транзистора
56 Раздел 2. Биполярные транзисторы мую мощность Ри в зависимости от соотношения длительности импульса tи. скважности Q и частоты. Значения Ри на фронте или срезе импульса могут превышать Рк max (рис. 2.23, 6). Ток lк. и max обыч­ но определяется экспериментально для заданной длительности импульса и ограничивается Рк max. Формы входного и выходного импульсов тока представлены на рис. 2.24 . Как видно, выходной им­ пульс сдвинут относительно входного на tзд, а фронт и срез имеют конечную длительность. Задержка фронта обусловлена зарядом входной емкости, равной сумме барьерных емкостей эмиттерного и кол­ лекторного переходов. -IБ2 lк 0,9 0,1 j~ ~ 1 " ·- + - lвкл lи :. 1 а) \- }нр lpac !сп t lвыкл б) Рис. 2.24 . Форма токов базы и коллектора импульсного транзистора Время переключения транзистора, т. е. его быстродействие, состоит из времен включения tвк.п и выключения tвыкл. В свою очередь, время включения состоит из времен задержки tзд и нарастания tнр. а время выключения - из времен задержки выключения tpac (времени рассасывания) и спада tсп­ Время переключения определяется как свойствами самого транзистора, так и выбранной схемой включения транзистора и параметрами управляющего сигнала. Оно является функцией частоты fгр и эмиттерного и коллекторного токов. Получить высокое быстродействие при большом токе трудно. Для высокочастотных транзисторов (с fгр > 100 МГц) задержка включения определяется в ос­ новном емкостью Сэ. Кремниевые транзисторы имеют большие значения t 3д, чем германиевые. Время задержки может быть уменьшено путем увеличения мощности включающего сигнала. Для времени нарастания влияние емкости Сэ незначительно, но играют роль fгр и входной ток. Как уже отмеча­ лось, на длительности фронта и среза значительное влияние оказывает емкость Ск. Время tсп зависит от Iк и от отношения Iк/IБ. Время рассасывания зависит от конкретной схемы включения и режима измерения. При боль­ ших степенях насыщения (или больших запирающих токах) и существенных отклонениях режима ис­ пользования от указанного в справочнике время рассасывания может принимать значения, отличающиеся от номинального. Параметры tpac. Ск, Сэ. fгр. h21Э дают возможность сравнивать переключательные свойства тран­ зисторов при одинаковых режимах измерения. Параметры tвкл и tвыкл приводятся лишь для некоторых типов транзисторов, используемых при предельном быстродействии. Эти времена определяются для конкретной (типовой) электрической схемы, зависят от элементов внешних цепей (сопротивления нагрузки, сопротивления входной цепи, реактивных сопротивлений) и используются как справочные или рекламные сведения. Работа транзистора в режиме насыщения характеризуется также остаточным напряжением кол­ лектор-эмиттер Uкэ нас или сопротивлением насыщения Гкэ нас. При сравнении транзисторов удоб­ нее использовать параметр Гкэ нас, а не Uкэ нас. так как он слабо зависит от тока. Напряжение Uкэ нас зависит от геометрических и физических параметров транзистора. Его уменьшают, выбирают опреде­ ленную геометрию структуры, а также создавая конструкции с эпитаксиальными слоями. С увеличе­ нием степени насыщения (в 3 ... 5 раз и выше) Uкэ нас почти не меняется. С ростом температуры оно несколько увеличивается (рис. 2.25). Большое сопротивление Гкэ нас транзистора и диода увеличивает потери мощности в приборах и снижает КПД устройств, особенно при работе на больших токах. Переключательные транзисторы (в отличие от усилительных) обычно имеют малые остаточные напряжения (Uкэ нас. UБэ нас). времена переключения и большие пробивные напряжения UкБО проб.
Раздел 2. Биполярные транзисторы Uэво проб. Для этих транзисторов нет необходимости иметь большие h21э. В общем случае мощность, выделяемая транзи­ стором в ключевом режиме, состоит из мощностей, выделяю­ щихся на коллекторном переходе в режиме насыщения (Рвкл). в режиме отсечки (Рвыкл), в процессе перехода транзи­ стора из одного режима в другой (Рпер). и управляющей мощ­ ности в цепи базы (Рупр). При небольших рабочих частотах (менее 1 кГц) основной составляющей, определяющей тепло­ вые потери в транзисторе, является Рвкл- Мощностью Рпер ог­ раничивается предельная частота работы транзистора. Следует отметить, что для надежного отпирания транзистора необходимо подавать напряжение, превышающее плавающее напряжение UэБ пл - напряжение между выводами .базы и эмиттера, обусловленное параметрами lкво. Г'б и сопротивле­ нием утечки. Uкэ нас. В 0,25 0,20 0,15 0,10 - 0,05 о 0,01 0,1 57 Тор= 1оо·с_';-/, 111 1 ~5~~ -40 t; ...~" -~-~" 10 lк, мА Рис. 2.25. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора при различных значениях температуры 2.5. Надежность и применение биполярных транзисторов Надежность полупроводниковых приборов существенно зависит от электрических и тепловых режимов работы, т. е. определяется реальными условиями их эксплуатации. Приборы работают на­ дежно, если их рабочие токи, напряжения, мощности, температура перехода и температура окружаю­ щей среды не превышают максимально допустимых значений. Надежность полупроводниковых приборов закладывается еще на этапе разработки и в даль­ нейшем обеспечивается на всех стадиях их изготовления. В производственных условиях надеж­ ность приборов зависит от конструкции, технологии изготовления (например, надежность планарных приборов выше надежности сплавных и сплавно-диффузионных) и методов контроля ка­ чества и надежности. В ТУ на приборы определены условия, при которых гарантируется их надежная и устойчивая работа и предусмотрен комплекс мероприятий для обеспечения высокой надежности. При заводских испытаниях проводятся испытания приборов на безотказность и долговечность, позволяющие опреде­ лить производственную надежность (для оговоренных в ТУ режимов, условий испытаний и критери­ ев отказов), как правило, в условиях и режимах более тяжелых, чем условия эксплуатации, и с оценкой результатов испытаний по более жестким критериям. Количественные показатели надежно­ сти приборов в процессе работы в аппаратуре определяются эксплуатационной надежностью. Экс­ плуатационная надежность (в конкретных режимах, условиях и схемах применения) обычно выше производственной, т. е. интенсивность отказов приборов в аппаратуре меньше, чем при заводских ис­ пытаниях. Разница между производственной и эксплуатационной надежностями более значительна, если приборы работают в облегченных электрических и эксплуатационных режимах по сравнению с мак­ симально допустимыми (предусмотрены запасы по напряжению, току и мощности рассеяния) и если работа схемы (устройства) допускает большой диапазон изменения параметров используемых прибо­ ров. Для повышения надежности транзисторов при эксплуатации необходимо выбирать рабочие ре­ жимы с коэффициентом нагрузки по напряжению и мощности в диапазоне 0,7 ... 0,8. Не рекомендуется применять транзисторы при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратны­ ми токами во всем диапазоне рабочих температур, а также в совмещенных предельных режимах. Данные об эксплуатационной надежности накапливаются при эксплуатации аппаратуры и учи­ тываются при ее доработке или усовершенствовании. Применение биполярных транзисторов Среди серийно выпускаемых транзисторов имеются приборы как общего назначения (малошумя­ щие, переключательные и генераторные), так и специализированные, отличающиеся специфическим сочетанием параметров: для применения в схемах с автоматической регулировкой усиления, для рабо­ ты в микроамперном диапазоне токов, двухэмиттерные, однопереходные, сдвоенные и счетверенные, с малой емкостью обратной связи, универсальные (по сочетанию параметров), комплементарные пары транзисторов, составные и лавинные транзисторы.
58 Раздел 2. Биполярные транзисторы Общими для расчетов усилителей на транзисторах (постоянного тока, низкой частоты, проме­ жуточной частоты, высокой частоты и др.) являются входное и выходное сопротивления каскада, соотношения, определяющие усиление, частотные свойства, режимы работы, температурная ста­ бильность и прочие показатели. В соответствии с назначением различают каскады предварительного усиления (напряжения, тока или мощности), предназначенные для получения максимального усиления (обычно по резистор­ ной или трансформаторной схемам), и каскады усиления мощности, обеспечивающие на заданной нагрузке необходимую (выходную) мощность при минимальных искажениях и мощности потребле­ ния от источника питания. В многокаскадных усилителях с отрицательной обратной связью имеют место фазовые сдвиги между входными и выходными токами, поэтому для их устойчивой работы транзисторы выбирают исходя из условия fв $ 0,3fh2lэ (fв - верхняя рабочая частота усилителя); при малой обратной связи fв $ fh21э. Возможны два варианта усилителя с мощным выходным каска­ дом: бестрансформаторный (с выходной мощностью не более 5 ... 10 Вт) и трансформаторный (на де­ сятки и сотни ватт). При выходной мощности 0,1 ... 1 Вт каскады выполRяются однотактными с режимом работы в классе А; при больших значениях мощности - двухтактными с режимом работы в классах А, АВ или В. В схемах с дополнительной симметрией, т. е. с использованием транзисторов со структурами р-п-р и n-p-n, приборы должны иметь одинаковые параметры и характеристики. Требуется подбор пар последовательно включенных транзисторов по параметрам h21э и fh2lэ с разбросом не более 10... 15%. Для этой цели разработаны специальные (комплементарные) пары транзисторов, например отечест­ венные транзисторы со структурами n-p-n и p-n-p соответственно: КТ502 и КТ503; КТ814 и КТ815; КТ816 и КТ817; КТ818 и КТ819 и другие. В каскадах предварительного усиления напряжение Uкэ в рабочей точке мало (несколько вольт). Оно выбирается из соображений получения малого напряжения шумов или неискаженной формы сигнала на выходе. В усилителях, имеющих хорошую температурную и режимную стабилизацию, замена транзисто­ ра на однотипный с более высоким значением h21э обычно не приводит к значительному увеличению тока коллектора в рабочей точке. В транзисторных генераторах наиболее предпочтительными являются режимы классов В и С (реже АВ). При расчете транзисторного генератора с внешним возбуждением по заданным выходной мощности и верхней рабочей частоте выбирают тип транзистора и проверяют его пригодность по па­ раметрам Рк. fгр и предельно допустимым параметрам UкБО max. UэБО max. Iк max для заданного угла от­ сечки коллекторного тока. Для расчета генераторов необходимо также знать Ск. •к. fmax- Следует учитывать. что чем выше частота генерируемых колебаний, тем меньше коэффициент усиления по мощности Кур. Для получения Кур= 5 ... 7 дБ необходимо, чтобы частота fв была в 4 ... 10 раз ниже fh2lб- B каскадах усиления и генерации мощности Uкэ выбирается достаточно большим для получения максимального КПД и малых нелинейных искажений. Транзисторы некоторых. типов используются в специфических классах схем и характеризуются рядом особенностей режима и условий работы. Эти специализированные транзисторы образуют свое­ образный класс приборов, например, транзисторы для схем с автоматической регулировкой усиления (АРУ), для усилителей промежуточной частоты, для работы в микроамперном диапазоне токов, для работы в ВЧ- и СВЧ-диапазонах, лавинные транзисторы, сдвоенные, составные, двухэмиттерные и т. п. Есть узлы, в которых требуются высоковольтные транзисторы. Кроме того, разработаны тран­ зисторы универсального назначения. Оптимальное сочетание параметров и характеристик, удовлетво­ ряющих различным требованиям, дает возможность использовать их в радиоэлектронной аппаратуре вместо некоторых усилительных и переключательных транзисторов (например, транзистор КТ630). Для схем с АРУ разработаны специальные транзисторы (германиевые и кремниевые), обладаю­ щие регулируемым усилением при увеличении рабочего тока (прямая АРУ). Уменьшение усиления таких транзисторов на высокой частоте происходит вследствие снижения fгр при увеличении тока эмиттера и уменьшения напряжения на коллекторе, например, КТ3128, П328, КТ3153, предназна­ ченные для применения в радиоприемниках с АРУ и телевизорах (каскады ПТК и УПЧ), блоках УКВ приемников (за счет смещения их рабdчей точки можно регулировать усиление в широком диапазо­ не). В связи с этим наблюдается сильная зависимость Кур от тока. Обычно транзисторы имеют мень­ шую зависимость коэффициента усиления от электрического режима. Для зарубежных транзисторов, предназначенных для АРУ, часто указывается глубина регулировки усиления (отношение максималь­ ного коэффициента усиления к минимальному).
Раздел 2. Биполярные транзисторы 59 Жесткие требования к экономичности радиоэлектронной аппаратуры в ряде специальных приме­ нений способствовали созданию кремниевых транзисторов, функционирующих при малых токах (еди­ ницы и десятки микроампер), поскольку германиевые транзисторы вследствие большого обратного тока коллектора для этой цели непригодны. Такие приборы (например, транзисторы КТ3102, КТ3107) имеют малые токи Iкво и большие коэффициенты усиления. Однако при работе в микрорежиме у них ухудшаются частотные свойства, но несколько улучшаются шумовые характеристики. Кроме того, при малых токах обычно увеличивается зависимость параметров от температуры, снижается крутиз­ на и затрудняется стабилизация режима. Реализация большого коэффициента усиления по мощности в высокочастотных усилителях свя­ зана с уменьшением паразитной обратной связи, обусловленной проходной проводимостью транзи­ стора У12. Разработаны транзисторы (например, КТ339АМ), у которых для снижения емкости обратной связи в транзисторную структуру введен интегральный экран (электростатический экран Фарадея), представляющий собой сочетание диффузионного экрана и дополнительного экранирую­ щего диода. Применение интегрального экрана позволяет снизить емкость между коллекторным и ба­ зовым выводами в 2,5 .. . 4 раза (емкость С12э снижается до значения не более 0,3 пФ) и обеспечить большой коэффициент усиления Кур без применения схем нейтрализации. Лавинные транзисторы предназначены для работы в режиме электрического пробоя коллектор­ ного перехода. В зависимости от схемы включения они могут иметь управляемые S-образные (со сто­ роны коллектора или эмиттера) и N-образные (со стороны базы) вольт-амперные характеристики. Использование обычных транзисторов в этом режиме принципиально возможно и встречается на практике. но при этом не обеспечиваются необходимые быстродействие, амплитуда импульсов, ста­ бильность и надежность. Например, одной из причин, снижающих эффективность применения обыч­ ных высокочастотных транзисторов в лавинном режиме, является значительное снижение частоты fгр при увеличении коллекторного тока. Лавинные транзисторы имеют следующие основные параметры: напряжение лавинного пробоя коллекторного перехода Uкво проб, напряжение пробоя при отключенной базе Uкэо проб, напряжение U'кэо проб в максимуме вольт-амперной характеристики, зависящее от сопротивления Rбэ и управ­ ляющего тока. максимальный ток разряда и время нарастания лавинного импульса. Область лавинно­ го пробоя лежит между напряжениями Uкво проб и Uкэо проб. Лавинные транзисторы применяются в релаксационных генераторах в ждущем или автоколебательном режиме и позволяют получить необ­ ходимое быстродействие и амплитуду импульсов при более высоких надежности и стабильности. чем обычные транзисторы. используемые в режиме пробоя. С помощью лавинных транзисторов можно формировать амплитуды импульсов 1О... 15 В и выше на низкоомной нагрузке (50... 70 Ом) и при малом времени нарастания фронта (менее 1 нс). Отечественной промышленностью выпускаются лавинные транзисторы типов ГТ338 и КТ3122, за рубежом - лавинные транзисторы типов ASZ23, ECL1239, NSl 110-NSl 116, PADT51, RП 110-RП 116, SYL3013, 2N3033-2N3035, 2N5236, 2N5271, 2SA252, 2SA411. В связи с тем, что напряжения датчиков контролируемых параметров (например, термопары). изменяются от десятков микровольт до десятков милливольт, то транзисторные модуляторы, преоб­ разующие эти малые напряжения постоянного тока в переменные для последующего усиления, долж­ ны иметь хорошие метрологические характеристики. При работе транзистора в качестве модулятора ключевым элементом служит промежуток коллектор-эмиттер, сопротивление которого изменяется в зависимости от полярности управляющего напряжения, приложенного к одному из р-п-переходов транзистора. Различают работу такого ключа в нормальном включении (управляющее напряжение Uy приложено между базой и эмиттером) и инверсном включении Uy приложено между базой и кол­ лектором). Если Uy приложено, например, в p-n -p транзисторе минусом к базе, то оба перехода тран­ зистора будут смещены в прямом направлении (режим насыщения - ключ открыт). При изменении полярности Uy оба перехода смещаются в обратном направлении (режим отсечки - ключ закрыт). В реальном режиме точки пересечения прямых режима насыщения и режима отсечки не совпадают с началом координат. Поэтому промежуток коллектор-эмиттер характеризуется остаточным сопротив­ лением Rост и напряжением Uост в открытом состоянии, а также сопротивлением Rзакр и остаточным током Iзакр в закрытом состоянии (у идеального ключа Rост = О, Uост = О, Rзакр = оо, Iзакр = О). Оста­ точные параметры ограничивают значение (уровень) полезной мощности в нагрузке. Следует отме­ тить, что транзисторный ключ в инверсном включении имеет примерно на порядок меньшие значения Uост и Iзакр. чем в прямом включении (особенно для сплавных транзисторов, у которых пло­ щадь коллектора много больше площади эмиттера).
60 Раздел 2. Биполярные транзисторы Для некоторых транзисторов (например, КТ206, КТ209) нормируются остаточные параметры (Uост :S 12 мВ). Кроме того, разработаны двухэмиттерные транзисторы, которые имеют еще меньшие значения остаточных параметров (например, у КП 18 Uост менее 0,2 мВ, зарубежные ЗN74, ЗNl 11). Следует также отметить транзисторы, предназначенные для использования в инверсном включе­ нии (например, зарубежные транзисторы 2N2432, 2N2944-2N2946, 2N4138), которые имеют малое остаточное напряжение (менее 1 мВ) и применяются в модуляторах для стабильных усилителей по­ стоянного тока, построенных по схеме модуляции-демодуляции, в схемах управления реверсивными двигателями, в логических схемах, амплитудных детекторах и других схемах. В некоторых схемах, например автомобильного зажигания и строчной развертки телевизоров, при запирании транзистор может переходить в режим инверсного включения при работе на комплексную нагрузку. Для работы в выходных каскадах усилителя низких частот радиовещательных приемников, вы­ сококачественных магнитофонов, радиол, телевизоров разработаны германиевые и кремниевые тран­ зисторы разного типа проводимости (например ГТ401, ГТ402, ГТ701, ГТ703). Они характеризуются слабой зависимостью коэффициента усиления от тока, высокой частотой fh2Iэ, низким напряжением Uкэ нас. что позволяет улучшить акустические показатели устройств в широком диапазоне звуковых частот. В свою очередь, это дает возможность упрощать схемы усилителей, уменьшать число приме­ няемых транзисторов, повышать надежность и снижать себестоимость устройств. Зависимость коэф­ фициента передачи hh2Iэ от тока характеризуется коэффициентом линейности - отношением коэффициентов передачи при двух значениях тока эмиттера. Составные транзисторы представляют собой соединение двух биполярных транзисторов по опре­ деленной схеме (например, в схеме Дарлингтона соединены коллекторы, входом служит база первого транзистора, а эмиттером - эмиттер второго, более мощного транзистора). Такие транзисторы функ­ ционально соответствуют одному транзистору с высоким коэффициентом передачи тока, примерно равным произведению коэффициентов передачи составляющих его одиночных транзисторов. Состав­ ные транзисторы (например, КТ712, КТ825, КТ827, КТ829, КТ834, КТ852, КТ853, КТ972. КТ973, КТ8131, КТ8141, КТ8143, КТ890, КТ894, КТ896, КТ897, КТ898, КТ899, КТ8115, КТ8116, КТ8158, КТ8159, КТ8214, КТ8215, КТ8225) применяются в стабилизаторах напряжения непрерывного и им­ пульсного действия, бесконтактных электронных системах зажигания в двигателях внутреннего сго­ рания (например, КТ848), устройствах управления двигателями, в различных усилительных и переключательных устройствах. Для экономичной радиоэлектронной аппаратуры созданы маломощные кремниевые транзисторы с различной структурой, которые могут нормально функционировать в микроамперном диапазоне то­ ков (например, КТ3102, КТ3107, КТ3129, КТ3130). Ряд транзисторов разработан для целевого применения: • высоковольтные для оконечных каскадов строчной развертки черно-белых и цветных телевизоров (например, КТ872) и высоковольтных источников питания (КТ8126, КТ8224, КТ8228); • импульсные для работы на индуктивную нагрузку (КТ997); • для высококачественных усилителей низкой частоты (КТ9115), линейных высокочастотных каскадов класса А и широкополосных усилителей; • для селекторов телевизоров, с повышенной устойчивостью к интермодуляционным искаже­ ниям (КТ3109); • для сбалансированных фазоинверсных каскадов высококачественных УНЧ и видеоусилителей телевизоров (КТ940, КТ969, КТ9115, КТ828, КТ838, КТ846, КТ850, КТ872, КТ893; КТ895 и КТ8138Е, КТ8138И (с демпферным диодом), КТ999; • для высокочастотных широкополосных усилителей с малой постоянной времени •к (КТ368); • для строчной и кадровой разверток телевизоров (КТ805, КТ8107, КТ8118, КТ8129, КТ887, КТ888); • для УНЧ и кадровой развертки телевизоров (КТ807); • для линейных и импульсных устройств (КТ315 - первый отечественный прибор в пластмас- совом корпусе); · • универсальные транзисторы для вычислительных устройств (КТ349, КТ350, КТ351, КТ352); • для предварительных каскадов видеоусилителей телевизоров (КТ342); • для применения в ключевых схемах, прерывателях, модуляторах и демодуляторах, во входных каскадах усилителей (КТ201 и КТ203); • высоковольтные для строчной развертки телевизоров (КТ808) - при непосредственном включении отклоняющих катушек в цепь коллектора они выдерживают импульсы 800... 1ООО В; • для мощных модуляторов (КТ917 и КТ926).
Раздел 2. Биполярные транзисторы 61 Для линейных широкополосных усилителей предназначены транзисторы КТ610 (Un = 10 В), КТ912 и КТ921 (Un = 27 В), КТ927, КТ932, КТ936, КТ939 (Un = 28 В), КТ955, КТ956, КТ957, КТ965, КТ966, КТ967, КТ972, КТ980, КТ981 Un = 12,6 В), КТ9133, КТ9116 (в схемах с общим эмиттером. Un =28 В). Транзисторы КТl 17, КТl 19, КТ132, КТ133 являются однопереходными. Транзистор КТ120Б-1 имеет два вывода (используется в качестве диода). Транзисторные сборки, состоящие из двух транзи­ сторов с согласующими LС-цепями (балансовые транзисторы), КТ985, КТ991, КТ9101, КТ9105 пред­ назначены для построения двухтактных широкополосных усилителей мощности класса С в схеме с общей базой (ОБ). Для построения схем генераторов, усилителей мощности с независимым возбуждением и умно­ жителей используются транзисторы КТ606 (Un = 28 В), КТ607 (Un = 20 В), КТ640 и КТ643 (с ОБ, Un = 15 В). КТ642, КТ647 (Un = 15 В), КТ648 (Un = 10 В). КТ657 (с ОЭ, Un = 15 В), КТ682. КТ996 Un = 10 В), КТ902, КТ904, КТ907, КТ909, КТ911, КТ913. КТ914, КТ916, КТ922, КТ930, КТ931, КТ934, КТ944, КТ970, КТ971 Un = 28 В), КТ930 (Un = 30 В), КТ918, КТ938 (Un = 20 В), КТ919 (с ОБ. Un = 28 В), КТ920, КТ925, КТ960, КТ963 (Un= 12,6 В), КТ929 (Un = 8 В), КТ937 (с ОБ. U-n = 21 В). КТ942, КТ946, КТ948, КТ962, КТ976 (допускают работу на рассогласованную нагрузку), КТ9104 (с ОБ. Un = 28 В), КТ945, КТ947 (Un = 27 В), КТ977 (с ОК, Un = 40 В), КТ9142. Транзистор КТ921 В представляет собой высокотемпературный прибор (рабочий диапазон темпе­ ратур -60... +200 °С). Для видеоусилителей графических дисплеев используется транзистор КТ9141, а для схем фотовспышек - КТ863 и КТ9137, транзистор КТ3166 - для контроля температуры воз­ духа и элементов конструкции систем (у него соединены коллектор и база). Комплементарные транзисторные пары КТ511 и КТ512, КТ513 и КТ514, КТ515 и КТ516, предна­ значены для применения в усилительных схемах с дополнительной симметрией. Эти транзисторы вы­ пускаются в корпусе КТ-47 (зарубежный аналог Sot-89) для применения в схемах для поверхностного монтажа. Комплементарные транзисторы КТ520 и КТ521 выпускаются в корпусе КТ-26. Транзисторы типов КТ517 и КТ523 представляют собой схемы Дарлингтона и выпускаются в различных корпусах (КТ-26, КТ-27 и КТ-46). Транзисторы типа КТ528 предназначены для примене­ ния в схемах с рабочими токами до 2 А и имеют корпус для поверхностного монтажа (КТ-47). Транзисторы КТ519А, КТ6128 предназначены для малошумящих низкочастотных усилителей, а транзисторы КТ524 и КТ525 предназначены для двухтактных выходных усилителей, работающих в режиме класса «В» портативных радиоприемников. В малошумящем предварительном усилителе мо­ жет использоваться транзистор КТ526А. Транзисторы КТ732-КТ739, КТ6136 и КТ6137, КТ8212 и КТ8213, КТ8229 и КТ8230 предназна­ чены для схем с дополнительной симметрией со структурами n-p-n и p-n-p в линейных переключа­ тельных и усилительных схемах. Для схем усилителей промежуточной частоты АМ/ЧМ-приемников, гетеродинов ЧМ/УКВ-тю­ неров предназначены транзисторы КТ6140, в схемах усилителей мощности, стабилизаторах и пере­ ключателях применяются транзисторы КТ8199. Для схем высоковольтных ключей, стабилизаторов с импульсным регулированием и систем управления электроприводом двигателей предназначены тран­ зисторы КТ8201, КТ8203, КТ8205, КТ8207 и КТ8209. Конструктивно эти транзисторы могут изготав­ ливаться как в корпусном, так и в бескорпусном исполнениях (в виде кристалла). Необходимо также отметить комплементарные пары транзисторов Дарлингтона КТ8233 и КТ8234, КТ8240 и КТ8241, КТ8242 и КТ8243, КТ8244 и КТ8245, выпускаемых в бескорпусном испол­ нении, и мощные транзисторы КТ8246 и КТ8250 (на ток 15 А), КТ8171, КТ8232, КТ740, КТ8111 (на ток 20 А), мощные генераторные транзисторы КТ9131, КТ9132, КТ9147, КТ9153, КТ9156 для работы в ВЧ и СВЧ диапазонах. Комплементарные транзисторы (со структурами p-n -p и n-p -n) КТ315 и КТ361, ГТ402 и ГТ403, П703 и П705, КТ502 и КТ503, КТ664 и КТ665, КТ666 и КТ667, КТ680 и КТ681, КТ719 и КТ720. КТ721 и КТ722, КТ723 и КТ724, КТ814 и КТ815, КТ816 и КТ817, КТ818 и КТ819, КТ8101 и КТ8102. КТ969 и КТ9115, КТ8130 и КТ8131, КТ9144 и КТ9145, КТ9180 и КТ9181 могут использоваться в паре в схемах с дополнительной симметрией. Имеется. также группа транзисторов в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа в со­ ставе гибридных микросхем (например, малошумящие КТ3129 и КТ3130, КТ682; переключательные КТ3145 и КТ3146; для работы в усилителях, в системах спутниковой связи, ключевых схемах, моду­ ляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения КТ216, КТЗ 170А9, КТЗ 173А9, КТ3179А9, КТ3180А9, КТ3186А9, КТ3187 А9, КТ664 и КТ665; для СВЧ усилителей КТ3168, КТ3169).
62 2.6. Биполярные германиевые транзисторы i ! Тип прибора П108А П108Б П108В П108Г ~П109А П109Б ~П109В П109Г П109Д П109Е П109Ж П109И П115А П115Б П115В пнsr :1п11sд t '1 11 П122А П122Б П122В п122r П124А 'П124Б IП124В ~П124Г П125А П125Б П125В п12sr П125Д П125Е 1п12sж 'П125И П125К П125Л ПЗОSА ПЗОSБ пзоsв ! 1 1 !Структу-1 iра' 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р p-n-p п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р 1 1 1 1 1 pKmax• Р~.тmах• р~: н max• мВт 75 75 75 75 30 30 30 30 30 30 30 30 50 50 50 50 50 150 150 150 150 75 75 75 75 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 75 75 75 1 1 1 1 ~р• \210• ~;,~, ~;;х• МГц 0,5* 1* 1* 1* ?.1* ?.1* ?.1* ?.1* ?.3* ?.5* - ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.2* ?.2* ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.1 * ?.140 ?.160 ?.160 1 1 ' 1 UКБО ороб• U~Ropoб' u~ороб• в 5 5 5 5 10 (18 имп.) 10 (18 имn.) 10 (18 имn.) 10 (18 имn.) 10 (18 имп.) 10 (18 имn.) 10 (18 имn.) 10 (18 имп.) 20 30 20 30 20 35 20 20 20 25 25 25 25 35 35 35 35 35 35 35 70 70 70 15 15 15 1 1 1 1 1 Раздел 2. Биполярные транзисторы UЭБО ороб• в 5 5 5 5 ! - 1 - - 1 - 1 - - 1 - - 20 20 20 1 20 1 20 i : 10 10 1 10 1 10 20 20 20 1 20 20 20 1 20 20 20 20 1,5 1,5 0,5 1 ! lкmax 1;,н max• мА 50 50 50 50 20 20 20 20 20 20 20 20 30 30 30 30 30 20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) 100* 100* 100* 100* 300* 300* 300* ~00* 300* 300* 300* 300* 300* 300* 40 (100*) 40 (100*) 40 (100*) i1 i 1 1 1 1 ' ! 1 1 1 i !1 1 ' ' 1 ! i1 1 1 1 1 1 1 IКБО• J~R' 1·· кэо• мкА 10(5В) 10(5В) 10(5В) 10(5В) :>5 (5 В) $5(5В) :>5 (5 В) :>5 (5 В) :>2(1,2В) :>2 (1,2 В) :>1 (1,5 В) :>5 (5 В) :>40 (20 В) :>40 (30 В) :>40 (20 В) :>40 (30 В) :>40 (20 BJ :>20 (5 В) :>20 (5 В) :>20 (5 В) :>20 (5 В) :>15(158) :>15 (15 В) :>15 (15 В) :>15(15В) :>15 (15 В) :>15 (15 В) :>15 (15 В) :>15(15В) :>15 (15 В) :>15 (15 В) :>15 (15 В) :>15(15В) :>15 (15 В) :>15 (15 В) - - :>4 (15 В) ' \ j ' ~ ~ ~ 1, i !1 ~!; :r ~., 1· i!11 ~1 11 j~
Биполярные германиевые транзисторы 63 ck, rкэ нк• Кш1 дБ tк, ПС h21,o ь;IЭ с;2" r~э наt:• r;. Ом t~c• Корпус пФ Ом Р;:" Вт t::11"1 t::. нс 20...50 (5 В; 1мА) 50 (50 В) 5000 rпos 35...80 (5 В; 1мА) 60...130 50 (50 В) 5000 ~tt (5 В; 1мА) 110...250 (5 В; 50 (50 В) 5000 1 мА) 50 (50 В) 5000 ,. ~ 20...50 (5 В; 1мА) $30(5В) 1 $10000 П109 35...80 (5 В; 1мА) $30 (5 В) 1 - - 1 $10000 60... 130 (5 В; 1 мА) $30 (5 В) - - $10000 :~ 110... 250 (5 В; 1 мА) $30 (5 В) - - $10000 20...70 (5 В; 1мАО $40 (1,2 В) - - $10000 к 50... 100 (5 В; 1 мА) $40 (1,2 В) - - $10000 1 ~$ <:100* (1,5 В) 1 - - - $10000 20...80 (5 В; 1 мА) 1 $30(5В) - $12 (1 кГц) $10000 1 20...80 (1 В; 25 мА) - - - 1 - П115 20...80 (1В; 25 мА) - - - - ~tt 60... 150 (1 В; 25 мА) - - - - 60... 150 (1 В; 25 мА) - - - 1 - ,. . 125...250 (1 В; 25 мА) - - - - 1 i 1 1 ~ j i 1 ~ 1 1 15...45 (5 В; 1 мА) - - 200* - П122 15...45 (5 В; 1 мА) - - 200* - :ti·Ф.· 30...60 (5 В; 1 мА) - - 200* - 30...60 (5 В; 1 мА) - - 200* - 1 1 28...56 (0,5 В; 0,1 А) 1 - 1 $0,5 - 1 - 1 П124 1 4 45...90 (0,5 В; 0.1 А) 1 1 $0,5 1 • 1 - - - ~- 71...162(0,5В;0,1 А) 1 - $0,5 - - 120...200 (0,5 В; О,1А) 1 - 1 $0,5 - - ~ _,.$ 1 ~ к.6 28...56 (0,5 В; 25 мА) - $1 - - П125 45...90 (5 В; 25 мА) - $1 - - 71...140(5В;25мА) - $1 - - :No·~' 120...200 (5 В; 25 мА) - $1 - - 1 <:28* (0.5 В; 100 мА) - $1 - - 1 ! 45...90 (5 В; 25 мА) 1 - $1 - 1 - 71...140(5В;25мА) 1 $1 1 ' 1 - - - 1 ! 1 25...56* (0.5 В; 100 мА) 1 - $1 - - 1 i 1 1 45 ... 90* (0,5 В; 100 мА) - $1 - 1 - 71 ... 140* (0,5 В; 100 мА) 1 $1 1 1 - - - 1 25...80* (1 В; 10 мА) $7(5В) $50 - $300 ПЗО5 60... 180* (1 В; 10 мА) $7(5В) $50 - $300 tt 40... 120* (5 В; 5 мА) $5,5 (5 В) - $6 (1,6 МГц) $300 8 ~ ·Ф ~ 1
64 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Рк max' ~pl f,;2161 U КБО npoбt lк max IKБQI Тип iСтрукту-1 Р~, т maxl ~:;lэ' U~ЭR """"1 UЭБО """"1 1~, и max' I~ЭR 1 прибора 1 ра j р~~ н max' ~~·:х t u;эо """"1 в 1;301 мВт МГц в мА мкА П308А p-n-p 150 (360**) 290 20 3 50 (120*) $2(5В) П308Б p-n -p 150 (360**) 2120 20 3 50(120*) $2(5В) П3088 p-n -p 150 (360**) 2120 20 3 50 (120*) $2(5В) П308Г p-n-p 150 (360**) 2120 20* 3 50 (120*) $2(5В) 1 i 1' 1 11r-~~~--i~~~-t-~~~~~~-t--~~~-+--~~~~~--+~~~~-t--~~~~-t-~~~~~~~1 I П309А .JпзоэБ ~П3098 П309Г П309Д П309Е 1 'ПЗlОА ПЗlОБ ПЗlОВ ПЗlОГ 1пз1од 1пз10Е П311А П311Б П3118 пзнr П311Д П311Е П311Ж П311И ПЗlЗА ПЗlЗБ ПЗlЗВ П320А П320Б П3208 П321А П321Б П321В П321Г П321Д П321Е ! 1 1 1 1 1 i p-n -p p-n-p p-n-p p-n -[1 p-n-p p-n -p p-n -p p-n-p p-n-p p-n-p p-n -p p-n -p n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n n-р-л p-n-p р-л-р р-л-р p-n -p p-n-p p-n-p p-n-p р-л-р p-n -p p-n-p p-n-p p-n -p i 1 1 1 75 75 75 75 75 75 20 (35°CJ 20 (35°С) 20 (35°С) 20 (35°С) 20 (35°С) 20 (35°С) 150 150 150 150 150 150 1501 150 100 100 100 200 200 200 160 (20** Вт) 160 (20** Вт) 160 (20** Вт) 160 (20** Вт) !60 (20** Вт) 160 (20** Вт) 1 1 1 1 2120 2120 280 280 280 280 2160 2160 2120 2120 280 280 2300 2300 2450 2450 2600 2250 2300 2450 2300 2450 2350 280 2120 2160 260 260 260 260 260 260 10 10 10 10 10 10 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 (20 имn.) 12 (20 имл.) 10 15 15 15 20 20 20 40** 40** 40** 30** 30** 30** i 1 1 1 1 1 1 1,5 1.5 1,5 1,5 1,5 1,5 - - - - - - 2 2 2 2 2 2 2 1,5 0,7 0,7 0,7 3 3 3 4 4 4 2,5 2,5 2,5 1 i 1 1 1 1 1 1 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 50 50 50 50 50 50 50 50 30 30 30 150 (300*) 150 (300*) 150 (300*) 200 {2* А) 200 (2* А) 200 {2* А) 200 {2* А) 200 {2* А) 200 (2* А) i 1 i! ! 1 1 1 1 1 $5(5В) $5(5В) $5(5В) $5(5В) $5(5В) $5(5В) $5(5BJ $5(5В) $5(5В) $5(5В) $5(5В) $5(5В) $5(5В) $5(5В) $5(5В) $5(5В) $5(5В) $5(12В) $5 (12 В) $5 (10 В) $5(12В) $5 (12 В) $5 (12 В) $10 (20 В) $10 (20 В) $10 (20 В) $500 (60 В) $500 (60 В) $500 (60 В) $500 (45 В) $500 (45 В) $500 (45 В) ,1 11 ii,, :~ ~ 1 !~ 1 ~1; 11 ~
Биполярные германиевые транзисторы 65 1 1 1 с,, fкэ на~:' Кш, дБ 1 т,, пс h21•' ь;,э с;2,, f~ H.i~I 1 r;,, Ом 1 t;iacl Корпус пФ Ом Р;:", Вт t::кл' t:·:. нс 20...75* (1 В; 1О мА) s8(5В) 1 $30 1 i $400 i ПЗО8 11 - 1 ' 50...120•(1В:10мА) 1 S8(5В) 1 $24 1 $1000* ! 1 - No·~) ~ 1 80...200* (1В: 10 мА) 1 $8 (5 В) 1 $24 S8 (1,6 МГц) 1 $400 ~ 1 1 1 80...150(1В;10мА) 1 s8(5В) 1 $24 S8 (1,6 МГц) $500 1 $1000* 1 1 ; 1 1 : 20...70 (5 В; 1мА) s7,5 (5 В) - - $500 ПЗО9 60... 180 (5 В; 1 мА) s7,5 (5 В) - S6 (1,6 МГц) $500 20...70 (5 В; 1мА) $7,5 (5 В) - s6 (1,6 МГц) $1000 7.4 60... 180 (5 В; 1 мА) S7,5 (5 В) - - $1000 5.8 20...70 (5 В; 1мА) S7,5 (5 В) - - $1000 к ~ ~ 60... 180 !5 В: 1 мА) s7.5 (5 В) - ' - 1 S1000 з 6 20...70 (5 В: 1мА) $4(5В) $3 (1,6 МГц) $300 ГТЗIО 60... 180 (5 В: 1 мА) s4(5В) S3 (1,6 МГц) $300 20...70 (5 В: 1мА) s5(5В) s4 (1.6 МГц) $300 60 ... 180(58; 1 мА) s5(5В) s4 (1,6 МГц) $300 20...70 (5 В: 1мА) s5(5В) $4 (1.6 МГц) $500 60... 180 (5 В: 1 мА) s5(5В) s4 (1,6 МГц) $500 1 1 \ " : 1 ~ 15...80*!3В:5мА) ! $2,5(5В) i $20 1 $50* ПЗ11 > ' - .! ' 30...180*(3В:5мА) 1 s2,5(5В) 1 $20 - $50* i' '< 1 ' -11 :! ~ 15...50• (3 В: 5 мА) $2,5 (5 В) $20 - $50* ,, ;No·$ 1 30...80* (3 В; 5 мА) i s2,5 (5 В) $20 - $50* 1 60...180*(3В:5мА) 1 s2,5(5В) $20 - $50* 20...80* (3 В: 5 мА) 1 S2.5(5В) $20 - $75; $50* 50...200*(3В:5мА) 1 S2.5(5В) 1 $20 $100; $50* 1 - 1 100...300* (3 В: 5 мА) 1 s2,5 (5 В) 1 $20 - $100; $50* Карп. i 20... 250 (5 В: 5 мА) s2,5 (5 В) 1 $4,6 - $75 1 ПЗIЗ 20... 250 (5 В; 5 мА) s2,5 (5 В) $4,6 - $40 1 30... 170 (5 В; 5 мА) s2,5 (5 В) 1 $4,6 - $75 -11 1 11 к ,• ' 1 1 ' i 20...80* (1 В: 1О мА) S8(5В) $8,5 - $500 ПЗ20 50... 160* (1 В; 10 мА) S8(5В) $8,5 - $500 No·~) 80...250* (1 В; 10 мА) s8(5В) $8,5 - $600 1 i ~ 1 i " 1 ~ 20...60* (3 В: 0,5 мА) 1 s80 (IO В) $3,5 - 1 $600 1 ПЗ21 ~ 40...120* (3 В: 0,5 мА) 1 S80 (10 В) $3,5 $600 ,, - :No·• !! 80...200* (3 В: 0.5 мА) ! S80 (10 В) $3,5 - $600 20... 60• (3 В: 0,5 мА) S80 (10 В) $3,5 - $600 40 ... 120* (3 В; 0,5 мА) S80 (10 В) $3,5 - $600 80 ... 200* (3 В; 0,5 мА) S80 (IO В) $3,5 - $600 5зак.9
66 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmax1 ~pl ~2161 UКБО "роб' lк max IКБО• Тип Структу- Р~. т m;iixl ~;,~, U~ЭR "роб' UЭБО "роб' 1~.и max' I~RI прибора р; и max' с· u~"роб' в г· ра '" мА кэо• мВт МГц в мкА П322А p-n-p 50 1 :?:80 25 0,25 10 :>4 (25 В) П322Б p-n-p 50 :?:80 25 0,25 10 1 :>4 (25 В) П322В p-n-p 1 50 j :?:80 25 0.25 ' 10 1 :>4 (25 В) П322Г p-n-p i 50 :?:50 15 0,25 1 5 :>4 (15 В) П322Д p-n-p 1 50 1 :?:50 15 0.25 1 5 i :>4(15В) П322Е p-n-p 1 50 :?:50 1 15 0,25 1 5 1 :>4 (15 в 1 1 ! 1 ' 1 ' П323А n-p-n 500 :?:200 20 2 1000 :>30 П323Б n-p-n 500 ~200 20 2 1000 :>30 П3238 n-p -n 500 1 :?:300 20 2 1000 1 :>30 i ~ 1 11 i 11 ~ 1 1 i !1 1 1 1 1 ~ 1 ' 50 (55°С) i 15* (5к) 1 :>10 (15 В) П328А p-n-p :?:400 0,25 10 П328Б p-n-p 50 (55·с) :?:300 15* (5к) 0,25 10 :>10 (15 В) П3288 p-n-p 50 (55°С) :?:300 15* (5к) 0,25 10 :>10 (15 В) 1 1 i ! П329А 1 n-p -n 50 (4о·с> :?:1200 10 0,5 20 1 :>5 (10 В) П329Б n-p -n 1 50 (4о·с1 :?:1680 10 0,5 20 i :>5(10В) П329В 1 n-p-n 1 50 (4о·с1 :?:990 10 1 1 20 1 :>5 (10 В) П329Г 1 n-p-n 1 25 (бо·с> :?:700 10 0,5 20 ! :>5(10В) 1 i f ! ; 1 пззод n-p -n 50 (45°С) :?:500 10 (20 имn.) 1,5 20 :>5 (10 В) пззож n-p-n 50 (45·с> :?:1000 10 (20 имn.) 1,5 20 :>5 (10 В) пззои 50 (45°С) :?:500 10 (20 имn.) 1,5 1 20 ' :>5 (10 В) n-p-n 1 1 1 1 i 1 1 1 1 П335А p-n-p 200 (45°С) :?:80 20 3 150 (250*) :>10 П335Б p-n -p 200 (45°С) :?:80 20 3 150 (250*) :>10 П3358 p-n -p 200 (45°С) :?:80 20 3 150 (250*) :>10 П335Г p-n-p 200 (45·с> :?:300 20 3 150 (250*) $10 П335Д p-n-p 200 (45°С) :?:300 20 3 150 (250*) :>10 ~ 1 ! ~ 1 p-n-p - - 1 - П338Б 1 p-n-p 100 - 20 (13**) - 1 1000 1 :>30 (20 В) 1 1 П3388 p-n-p 100 - 20 (5**) - 1 1000 1 :>30 (20 В) i 1 IП338А 100 20 (8**) 1000 <30 (20 В)
67 Корпус ПЗ22 ПЗ2З ПЗ28 пззо :>8 (400 МГц) 1 :>30; <50* <15 1 <50; <50* ' 30...400* (5 В; 5 мА~ 1 <3(5В) $15 :>8 (400 МГц) <30; <50* :>3 (5 В) 30 400*(5В;5мА :>3 (5 В) :>15 10:::400* (5 В; 5 мА) 1 1 1 i ! i 1 1 1 - ПЗЗ5 - 11,7 :No~ 11 1 1 ПЗЗ8 1, li ."$ i ! !1 к. ; 3 ""' 1 <100* 40 70*(3В;50мА) 1 <8,5 $150* - $8,5 - - 60 ...100* (3 В; 50 мА) - $8,5 - $150* ... 70•(3В;50мА) - 4о". 50 А) $8,5 - 60 100*(3В; м $8,5 - ... 100* (3 В; 50 мА) 50" . 1 ]
68 i Тип прибора ПЗ41А ПЗ41Б ПЗ41В !ПЗ46А iпз4&Б ПЗ46В i ~,, " ПЗ62А ПЗ62Б ПЗ76А iiПЗSЗА-2 iПЗSЗБ-2 iПЗSЗВ-2 ,, ~П402А ~П402Б ~П402В ~П402f IП402Д П402Е iП402Ж П402И " ' П40ЗА П40ЗБ П40ЗВ П40Зf IП40ЗД ~П40ЗЕ IП40ЗЖ IП40ЗИ !П40ЗЮ 1 1 /Структу-/ : ' ' i ' ; i 1 ' 1 1 ! ' 1 1 ра1 п-р-п п-р-п п-р-п р-п-р р-п-р р-п-р п-р-п п-р-п р-п-р п-р-п п-р-п п-р-п р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р p-n-p р-п-р p-n-p р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р j 1 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк max• Р;.тmа).' р~~ и max• мВт 35 (60°с) 35 (6О0С) 35 (6О0С) 50 (55°С) 50 (55°С) 50 (55°С) 40 40 35 (85°С) 25 (55°С) 25 (55°С) 25 (55°С) 300; 600 300; 600 300; 600 300; 600 0,3 Вт; 0.6 Вт 0.3 Вт; 0.6 Вт 0,3 Вт; 0,6 Вт 0.3 Вт: 0,6 Вт 4* Вт 4* Вт 5* Вт 4* Вт 4* Вт 5* Вт 4* Вт 4* Вт 4* Вт i ' i1 1 i Мfц <:1500 <:1980 <:1500 <:700 <:550 <:550 <:2400 <:2400 <:1020 <:2400 <:1500 <:3600 <:1 * <:1 * <:1 * <:1 * <:1 * <:1 * <:1 * <:1 * <:0,008** <:0,008** <:0,008** <:0,006** <:0,006** <:0,008** <:0,008** <:0,008** <:0,008** 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 в 10 10 10 20 20 20 5 (55°С) 5 (55°С) 7** 5*(1к) 5*(1к) 5*(1к) 25* (О,2к) 25* (О,2к) 40* (О,2к) 40* (О,2к) 25* (О,2к) 25* (О,2к) 40* (О,2к) 40* (О,2к) 45 45 60 60 60 60 80 80 45 1 !1 1 1 ! 1 1 ' ! 0,3 0,3 0,5 0.3 0,3 0.3 0,2 0.2 0,25 0,5 0,5 0,5 - - - - - 20 20 20 20 30 20 20 20 20 1 1 1 i i ' 1 1 1 ' 1 : 1 1 1 1 1 .Iк max lк, и m.ix• мА 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 500 500 500 500 500 500 500 500 1250 1250 1250 1250 1250 1250 1250 1250 1250 ; ! !i 1 i 1 !' мкА s5 (10 В) s5 (10 В) s5 (10 В) SIO (20 В) SIO (20 В) SlO (20 В) s5(5В) s5(5В) s5 (7В) s5(5В) s5(5В) s5(5В) S20 (10 В) s20 (10 В) S20 (10 В) s20 (10 В) s25 (10 В) s25 (IO В) s25 (10 В) S25 (10 BJ s50 (45 В) s50 (45 В) s50 (60 В) s50 (60 В) S50 (60 В) s50 t60 BJ s50 180 BJ s50 (80 В) s50 (45 BJ !( 1 i:1 ",. !1 !t li ~n i ,. ~ ,1
Биполярные германиевые транзисторы ьь· 21j' 213 j ~ ~ 15...300* 15 В: 5 мА) 15... 300* 15 В: 5 мА) 15... 300* (5 В; 5 мА) 10... 150 (10 В: 2 мА) ~ 10...150(10В:2мА) '15...150(10В.2мА) 10...200 (3 В: 5 мА) 10... 250 (3 В; 5 мА) 1 10... 150• (5 В: 2 мА) 15... 250 (3.2 В: 5 мА) 10... 250 13.2 В: 5 мА) 15... 250 (3,2 В; 5 мА) 30...80 (1В; 3 мА) 60... 150 (1 В; 3 мА) 30...80 (1В: 3мА) 60... 150 (1 В; 3 мА) 30...80 (1В; 3 мА) 60... 150 (1 В: 3 мА) 30..'.80 (1 В; 3 мА) 30...80 (1В: 3мА) 20...60 (5 В; 0.1 А) 50... 150 (5 В; 0.1 А) 20...60 (5 В: О,1 А) 50...150 (5 В; 0,1 А( 50... 150 (5 В: 0,1 А) 30* (0,45 А) 20...60 (5 В: 0.1 А) 30· Ш.45 А) 30...60 (5 В: 0.1 А) ' 1 i 1 ! ~ i1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 с,, c;2t• пФ :>1 (5 В) :>1 (5 В) :>1 (5 В) :>1.3(5В) :>1,3 (5 В) :>1.3(5В) :>1 (5 В) :>1 (5 В) :>1,2 (5 В) :>1 (3,2 В) :>1 (3,2 В) :>1 (3,2 В) - - - - - - - - r~ н.1~·· Ом1 1 1 - 1 1 - - 1 - 1 - 1 i 1 1 !- 1 - - - 1 1 1 - - - l- $5 1 $51 1 $5 $5 $1 $1 $1 $1 $1 $1 $1 $1 $1 r,:, м Р;:х• Вт :>4,5 (1 ГГц) :>5,5 (1 ГГц) :>5,5 (1 ГГц) :>6 (800 МГц) :>8 (800 МГц) :>7 (200 МГц) :>4,5 (2,25 ГГц) :>5,5 (2,25 ГГц) :>3,5 (180 МГц) :>4,5 (2,25 ГГц) :>4 (1 ГГц) :>5,5 (2,83 ГГц) - - - - - - - - : ! 1 1 1 1 t", пс t"pat• t::к.1 • (.:.нс $10 $10 :>10 $3 $5.5 $6 $10 $20 :>15 $10 $10 :>15 - - - - - - - - 1 1 1 1 1 1 69 Корпус i i ПЗ41 11 ~tft 1' 1 ..,,. ... .. ~ 6 - ~ к ~ ПЗ46 11 11 ~ ~5,8 ji ПЗ62 .... ~-~; ~-173 ..,,. ..... ~ 6 - ~ к i ПЗ76 i ~fi ф ~ Корп. К6 1. ПЗ83 ~~~SP П402 -п.1 ! к Р. ~ ..,, ... .... П403 ~10 -12 §~
70 Тип прибора П404А П404Б IП404В .IП404r 11П404Д П404Е IП404Ж П404И 1 11 П405А П405Б П405В П405Г П406А ПС609А ПС609Б ПС609В П612А-4 П701А П70ЗА П70ЗБ П70ЗВ П70ЗГ П70ЗД П705А П705Б П705В П705Г П705Д 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Структу- ра n-p-n n-p -n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p -n n-p-n p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n-p p-n -p p-n -p n-p -n p-n -p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n -p n-p -n n-p-n n-p -n n-p -n n-p -n 1 1 1 1 1 1 . PK1nax' Р~.тmах• р~~ н max• мВт 600; 300 600; 300 600; 300 600; 300 600; 300 600; 300 600; 300 600; 300 0,6 Вт 0,6 Вт 0,6 Вт 0,6 Вт 0,6 Вт 500 (43°С) 500 (43°С) 500 (43°С) 570 50* Вт 15* Вт 15* Вт 15* Вт 15* Вт 15* Вт 15* Вт 15* Вт 15* Вт 15* Вт 15* Вт i 1 ~р• f,;210• ~:;1э• ~::х• МГц ~1* ~1* ~1* ~1* ~1* ~1* ~1* ~1* ~1* ~1* ~1* ~1* 0,006** ~60 ~60 ~60 ~1500 ~О.05* ~О.010** ~О.010** ~О.010** ~0.010•• ~О.010** ~О.010** ~О.010** ~О.010** ~О.010** ~О.010 1 1 ! 1 UКБО nроб• U~ЭR n1юб• u;эо nvoб' в 25* (0.2к) 25* (О,2к) 40* (0,2к) 40* (О,2к) 25* (0.2к) 25* (О.2к) 40* (О,2к) 40* (0,2к) 25* (О,2к) 25* (0,2к) 40* (О,2к) 40* (О,2к) 25 50 50 50 12 55* (140 имп.) 20 (О,05к) 20 (О,05к) 30 (О,05к) 30 (О,05к) 40 (О,05к) 20* 20* 20* 20* 20* 1 Раздел 2. Биполярные транзисторы UЭБО nроб• в 20 2,5 2,5 2,5 0.2 15 10 10 10 10 10 10 10 30 10 10 ' ' 1 1 1 1 IKmax 1;, И 11\аХ 1 мА 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 1250 700* 700* 700* 120 (200*) 12А 3,5 А 3,5 А 3,5 А 3,5 А 3,5 А 3,5 А 3,5 А 3,5 А 3,5 А 3,5 А i ! 1 1 1 ! 1 i 1 1 i1 1 1 1 •кw• ·~ЭR• 1;эо, мкА $25 (10 В) $25 (10 В) $25 (10 В) $25 (10 В) $25 (10 В) $25 (10 В) $25 (10 В) $25 (10 В) $25 (10 В) $25 (10 В) $25 (10 В) $25 (10 В) $50 (25 В) $40 (30 В) $40 (30 В) $40 (30 В) $5 (12 В) $6 мА $500 $500 $500 $500 $500 $500 $3.5 мА $3.5 мА $500 $500 ,, '! 1 ~~ li 1 ~ i
Биполярные германиевые транзисторы 71 11 '1 'tк, ПС с,, rкэ нм·' Кw,дБ h"" ь;,э С~2·"' r~ш•с' r~, Ом t;,.., Корпус пФ Ом Р;:х' Вт t::кл, t:·:, нс 30...80 (1 В; 3 мА) - $6 - - П404 60 ... 150(1 В;3мА) - $6 - - rJ11,7 30...80 (1В; 3 мА) - $6 - - :llfф) 60... 150 (1 В; 3 мА) - $6 - - 1 !t 30...80 (1В; 3мА) - $6 - 1 - ' 60...150(1 В;3мА) i - $6 - - 30...80 (1В; 3 мА) 1 - $6 - - 1 1 60...150(1 В;3мА) i - $6 - - 1 30...80 (1 В; 3 мА) - - - - П405 60 ... 150(1 В;3мА) - - - - 7.5 30...80 (1В; 3 мА) - - - - rm fffl 60 ... 150(1 В;3мА) - - - - 50...150 (5 В; 0,1 А) - - - - ~ ~ 3к ! 1 30...200 (3 В; 0.5 А) 1 :->50(108) 1 $3,2 - :->700* ПС609 50...160 (3 В; 0.5 А) 1 :->50 (10 В) $3,2 1 :->700* 1 1 - 11/ ~ 80...420 (3 В; 0.5 А) :->50 (10 В) $3,2 - $700* 1 1 1 1 ~ W/t,μ 1 11~ ~~~~IL ~ /V .lm !.r ..... т1 15,3 --ll_k-10 - :->3,5 (5 В) - ~0.2** Вт (2 ГГц) $7 П612 ~ 1 tq. "' ... 10*(2В;6А) - - - - П701 :32 -~~~ 1 ~•~ 1 1 Р. i 1 30...70* (1В; 50 мА) - $0,2 - 1 - П703 50...100* (1 В; 50 мА) - $0,2 - 1 - 30...70* (1 В; 50 мА) - $0,2 - - ~~i 50...100* (1 В; 50 мА) - $0,2 - - 20...45* (1 В; 50 мА) - $0,2 - 1 - ~ @)@ ~ к 30...70* (1 В; 50 мА) - :->0,6 - - П705 ~ 50...100* (1 В; 50 мА) - $0,6 - - 30...70* (1В; 50 мА) - $0,6 - - ~i 50...100* (1 В; 50 мА) - $0,6 - - :; з6 90...250* (1В; 50 мА) - $0,6 - - . 5:» @)о ~ ... ,. к
72 Тип прибора П804А П804Б П8048 П806А П806Б П806В П806Г П806Д П810А П905А П905Б ~П906А 1 П906АМ 1 1 1 1 МП108А МП108Б МП1088 МП108Г МП108Д 'lмпgл lмшо МШОА МШОБ МП11 МП11А мшз !.МШЗБ !i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 ! ! 1 1 1 !1 i 1 1 i 1 ; Структу-J 1 ра: i 1 p-n -p 1 p-n -p p-n-p ! p-n-p p-n -p 1 p-n-p p-n-p 1 p-n -p 1 1 1 p-n -p p-n -p ! p-n -p p-n -p 1 1 p-n -p 1 1 1 1 1 1 p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p 1 1 ! n-p-n 1 1 n-p -n ! n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n p-n -p 1 p-n-p ; Раздел 2. Биполярные транзисторы PKmaA' Р~.тmах' р~~ и max' в мт 15* Вт 15* Вт 15* Вт 30* Вт 30* Вт 30* Вт 30* Вт 30* Вт 15* Вт 6Вт 6Вт 15* Вт: 300** Вт 15* Вт; 300** Вт 75 75 75 75 75 150 150 150 150 150 150 150 150 1 мгц :?:10 :?:10 :?:10 :?:10* :?:10* 1 :?:10* :?:10* :?:10* i :?:15 :?:60 :?:60 :?:30 1 :?:30 :?:0.5* :?:1 * :?:1 * :?:1 * :?:1 * 1 1 :?:1 * :?:1 * :?:1 * :?:1 * :?:2* :?:2* :?:0,5* :?:1 * ' 1 1 1 1 1 1 1 UКБО nроб' U~ЭR nроб' U~Onpoб• в 100** 140** 190** 75 100 120 50 140 200 75 60 75 75 10 (18 имn.) 10 (18 имn.) 10 (18 имn.) 10 (18 имn.) 10 (18 имn.) 15 15 30 30 15 15 15 15 1 i- 1 - - 1,5 1 1,5 1,5 1,5 1,5 1 1,4 1 0,4 1 0.4 1,4 1.4 1 1 1 1 5 5 5 5 5 1 1 1 1 ! 15 15 30 1 30 15 15 15 15 1 i 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 ! 1 ; ' }к max Iк. и m.ix' мА 10А 10А 10А 15А 15А 15А 15А 15А 10А 3А(7*А) 3А(7*А) 6А 6А 50 50 50 50 50 20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) 1 i ! 1 1 1 11 1 ' 1 ' 1 i ' :1 1 ' ! ' ! ' 1 1 1 1 ' lкьо• l~эR• 1" кэо• мкА - - - - - - - - :S;20 мА :S;20 мА :S;20 мА :S;8 мА (75 В) :S;8 мА (75 В) :S;lO (5 В) :S;lO (5 В) :S;lO (5 В) :S;lO (5 В) :S;lO (5 В) 30* (30 В) 30* (30 В) 30* (30 В) 50* (30 В) 30* (30 В) 30* (30 В) :S;30 (15 В) :S;30 (15 В) '1 1 1 ~:1 !1 !I,, 1: :! ~ ' :1 1, ,. ";! ~ ' 1 :1 li 1[
Биполярные германиевые транзисторы 20... 150* (10 В; 5 А) 20...150* (10 В; 5 А) 20...150* (10 В; 5 А) 10... 100* (10 AJ 10... 100* (10 А) 10... 100* (10 А) 11 i0... 100* ( 10 А) 1 10... 100* (!О А) 15*;(10В;5А) 1 ii 1• 35...100* (70 В; 3 А) ·'ь,, 35...100* (70В: 3А) 1' 1· .1 30...150* (10 В; 5 А) 1 30...150* (10 В; 5 А) ~~ t li 25...50 (6 В; 1мА) 35...80 (5 В; 1мА) 60... 130 (5 В; 1 мА) 110...250 (5 В; 1 мА) 30...120 (5 В; 1мА) 15...45 (5 В; 1 мА) 15...30 (5 В: 1мА) 15...30 (5 В; 1мА) 25...50 (5 В: 1мА) 25...55 (5 В; 1 мА) 45... 100 (5 В; 1 мА) ~12(5В; 1мА) 20...60 (5 В: 1 мА) с" с~2"'пФ - - - i1 1 $200 (30 В) 1 $200 (30 В) - 1 - 1 1 1 1 $60 (5 В) $60 (5 В) $60 (5 В) $60 (5 В) $60 (5 В) $60 (5 В) $50 (5 В) $50 (5 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 fКЭ Hat·I f~Э Hat•I Ом $0,04 $0,04 $0,04 $0,04 $0,04 $0,07 $0,17 - - 1 1 1 1 1 1 Kw, дБ r;, Ом Р;:х' Вт - i - 1 1 1 - - 1 - 1 - - 1 1 1 1 $6 (1кГц) $10(1 кГц) $10 (1кГц) $10(1 кГц) $10 (1кГц) $10 (1 кГц) $10 (1 кГц) $150* $12 (1 кГц) $1000 $1000 $1000 - - 5*мкс $300; 4*мкс $300; 4*мкс $5000* $5000* $5000 $5000 $5000 $5000 $5000 !1 1 1 1 1 1 'i 1 1 1 1 73 Корпус ГТ804 ГТ806 1 "" ' $:::!" з ... 6 ~ о о ГТ810, ГТ905 -щ·tJ 1. 11 1: ок 1: ~ li ~ з ..... ГТ906 i~б 1 ГТ906АМ ~ ~ б10 il б о ок МГТ108 :No·~· МП9, МШО, MПll, МШ3 :No{~}'
74 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 Рк max' ~•• \210 • UКБО проб• lкmax •кw• Тип Структу- Р~. тmax' ~;1~' U~ЭR проб• UЭБО проб• 1:,и maxt J~R• прибора ра р;. и maxt с;х, U":ЭО проб• в ••• мА КЭО• мВт Мfц в мкА МП14 р-п-р 150 ~1* 15 15 20 (150*) S30 (15 В) МП14А р-п-р 150 ~1* 30 30 20 (150*) S30 (30 В) МП145 р-п-р 150 ~1* 30 30 20 (150*) s50 (30 В) МП14И р-п-р 150 ~1* 30 30 1 20 (150*) S50 (30 В) 1 1 МП15 1 р-п-р 1 150 ~2* 15 15 1 20 (150*) i s30 (15 В) 1 IМП15А i р-п-р 1 150 ~2* 15 15 20 (150*) 1 S30 (15 В) МП15И 1 р-п-р 1 150 - 15 15 20 (150*) 1 - 1 1 1 МПI& р-п-р 200 ~1* 15 15 50 (300*) s25 (15 В) МПl&А р-п-р 200 ~1* 15 15 50 (300*) s25 (15 В) МПl&Б р-п-р 200 ~2* 15 15 50 (300*) s25 (15 В) МПl&Яl р-п-р 150 - 15* (100) 15 - 300* s50* (15 В) МП16Я11 р-п-р 150 - 15* (100) 15 300* S50* (15 В) МП20А i р-п-р 150 ~2* 1 30 30 300* i S50(30В) i МП205 1 р-п-р 150 ~1.5* 30 30 300* J, S50 (30 8) ! 1 МП21В i р-п-р 150 ~1.5* 40 40 300* S50 (40 В) мп21r р-п-р 150 ~1* 60 40 300* S50 (60 В) МП21Д р-п-р 1 150 ~/* 60 40 300* s50 (50 В) МП21Е р-п-р 150 ~0.7* 70 40 300* s50 (50 В) МП25 р-п-р 200 ~.2* 40 40 300* S75 (40 В) МП25А р-п-р 200 ~0.2* 40 40 400* S75 (40 В) МП25Б р-п-р 200 ~0.5* 40 40 400* s75 (40 В) МП26 р-п-р 200 ~0.2* 70 70 300* s75 (70 В) МП26А р-п-р 200 ~.2* 70 70 400* S75 (70 В) МП265 р-п-р 200 ~О.5* 70 70 400* s75 (70 В) 1 ! 1 1 1 1 МПЗ5 1 п-р-п 1 150 ~0.5* 1 15 - 20 (150*) 1 s30 (5 В) 1 МПЗ&А п-р-п 150 ~1* 15 - 20 (150*) s30 (5 В) МПЗ7А п-р-п 150 ~1* 30 - 20 (150*) 1 s30 (5 В) МПЗ75 п-р-п 150 ~1* 30 - 20 (150*) s30 (5 В) МПЗ8 п-р-п 150 ~2* 15 - 20 (150*) s30 (5 В) МПЗ8А п-р-п 150 ~2* 15 - 20 (150*) s30 (5 В) МПЗ9 р-п-р 150 ~.5* 15* (IОк) 5 20 (150*) sl5 (5 В) МПЗ9Б р-п-р 150 ~.5* 15* (IОк) 5 1 20(150*) Sl5 (5 В) ' 1 1 q 1 1 1 1 1 ; 1 1 ~ ! 1 1 d 1 1 1 ! 1 1 МП40 i р-п-р 150 ~1* 15* (IОк) 1 5 1 20 (150*) 1 Sl5 (5 В) 1 МП40А 1 р-п-р 150 ~1* 30* ( IОк) 5 20 (150*) sl5 (5 В) 1 1 1 1 ~
Биполярные германиевые транзисторы 75 ~ i tк, ПС i li ~ с" fкэ на.:' Кш, дБ 11 ~ t~>at·• 1 h:!IJ' ь;IЭ с;2~· С~Э11а.:' r~· Ом Корпус 1 1 пФ Ом Р;:" Вт t::кл• t~·:' нс 20...40 (5 8; 1 мА) :!>50 (5 8) - :!>150* - МП14, МП15 20...40 (5 8; 1 мА) :!>50 (5 8) - :!>150• - 30...60 (5 8; 1 мА) :!>50 (5 8) - :!>150• - ~11.7 20...80 (5 8; 1 мА) :!>50 (5 8) :!>20 :!>150* - .., , к 30...60 (5 8; 1 мА) :!>50 (5 8) з - :!>150* - 50... 100 (5 8; 1 мА) :!>50 (5 8) - :!>150* - ~ ~ ' : ' 1 20...35 (1 8: 10 мА) 1 - :!>15 - :!>2000* МП16, МП20 30...50 (1 8; 10 мА) - :!>15 - :!>1500* 45... 100 (1 8; 1 мА) - :!>15 - :!>1000* :No·• 20... 70 (10 8; 100 мА) - :!>6,6 - - 10... 70 (10 8; 100 мА) - :!>6,6 - - 50... 150 (5 В; 25 мА) - :!>I - - 80...200 (5 8; 25 мА) - :!>I - - 1 20... 100 (5 8; 25 мА) - :!>I - 1 - МП21, МП25 20...80 (5 8; 25 мА) 1 :!>I 1 j - - 1 - 1 60...200 (5 8; 25 мА) 1 - 1 :!>I - 1 - 1 :fi·Ф· в ' 11 30...150(58:25мА) 1 - :!>I - 1 - ~ i 1 1 1 1 13...25 (20 8; 2,5 мА) :!>20 (20 8) 1 :!>2,2 1 - :!>1500*** 1 20...50 (20 8; 2,5 мА) :!>20 (20 8) :!>2 - :!>1500*** 30...80 (20 8: 2,5 мА) :!>20 (20 8) :!>1,8 - :!>1500*** 13...25 (35 8; 1,5 мА) :!>15(358) :!>2,2 - :!>1500*** МП26, МП35 20...50 (35 8; 1,5 мА) :!>15 (35 8) :!>2,2 - :!>1500*** 30...80 (35 8; 1,5 мА) :!>15(358) :!>l,8 - :!>1500*** :No·Ф· 13 ... 125(58: 1 мА) i - - :!>220* - 1 ' ' 1 J 1 13...45 (~ )3; 1 мА) - - :!>10 (1 кГц) - МП36, МП37 :ti·Ф· 15...30 (5 8; 1 мА) - - :!>220* - 25...50 (5 8; 1 мА) - - :!>220* - 1 1 1 ~ 25...55 (5 8: 1 мА) 1 - - :!>220* - МП38, МП39, МП40 1 ~ 45...100(58: 1мА) 1 - - :!>220* 1 - 1 1 i 1 1 1 ~12(58;1мА) :!>50 (5 8) - - - :fi·Ф· 20...60 (5 8; 1 мА) :!>50 (5 8) - :!>12 (1 кГц) - 1 1 1 20...40 (5 8; 1 мА) :!>50 (5 8) - - - i 20...40 (5 8; 1 мА) :!>50 (5 8) - - ' - 1 1 i 1 1 ~ 1 i ~ 1 i 1 1
76 Раздел 2. Биполярные транзисторы Тип Структу- прибора ра !мп41 р-п-р !МП41А p-n-p ! 1 МП42 МП42А МП42Б П201Э П201АЭ П202Э П20ЗЭ П207 П207А П208 П208А П209 П209А П210 П210А П210Б П210В П21ОШ П213 П21ЗА П21ЗБ П214 П214А П214Б П214В П214Г П215 П216 П216А П216Б П216В П216Г ~П216Д П217 П217А П217Б П217В П217Г ! р-п-р p-n-p p-n-p 1 р-п-р 1 p-n-p ! p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p р-п-р р-п-р p-n-p p-n-p р-п-р p-n-p p-n-p p-n-p р-п-р p-n-p p-n-p р-п-р p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 1 p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 1 1 1 1 1 ! 1 ! i 1 1 11 1 Ркmах' ~pt ~:216' Р~. тmaxt ~;1~' р~~ и maxt ~:;:х, мВт МГц 150 ~1* 150 ~1* 1 200 ~2* 200 ~1.5* 200 ~1* 10* Вт ~0.1* 10* Вт 1 ~0.2* ! 10* Вт ~0.1* 10* Вт ~0.2* 100* Вт 100* Вт 100* Вт 100* Вт 60* Вт 1 ~0.1** 60* Вт 1 ~0.1 ** 1 60* Вт ~.1** 60* Вт ~О.Р'* 45* Вт ~.1** 45* Вт ~0.1** 60* Вт ~0.1** 11,5* Вт 1 ~0.2* 1 10* Вт ~.2* 1 10* Вт 1 ~.2* 1 1 1 1 10* Вт 1 ~.2* ! 10* Вт 1 ~0.2* 1 11,5* Вт ~0.2* 10* Вт ~0.2* 10* Вт ~0.2* 10* Вт ~0.2* 30* Вт ~0.2* 30* Вт ~0.2* 24* Вт ~0.2* 24* Вт ~О.2* 24* Вт ~0.2* 24* Вт ~0.2* 30* Вт ~0.2* 1 30* Вт ~0.2* 30* Вт ~0.2* 24 Вт ~0.2* 24 Вт ~0.2* UКБО проб• •кmа11. JКБО• U~ЭR nроб' UЭБО проб• 1;, И ЛW),t ·~· u~проб• в ·~· в мА мкА 15* (IОк) 5 20 (150*) :Sl5 (5 BJ 15* (IОк) 5 20 (150*) $15 (5 В1 1 ! 1 15* (3к) - 150* - 15* (3к) - 150* - 15* (3к) - 150* - 1 1 45 1 - 1.5 А ! :S0.4 мА ~ 45 1 - ! 1,5А i :S0,4 мА ; ~ ! 1 1 ~ ! 1 i ~ ! ! 70 2А :S0.4 мА 70 2А :S0,4 мА 40** 25А :516 мА 40** 25А sl6 мА 60** 25А s25 мА 60** 25А :S25 мА 40** 1 25 1 12А 1 :S8 мА 1 1 40** 1 25 12А 1 s8 мА 1 ' 1 1 60** 25 12А sl2 мА 65** 25 12А s8мА(45В) 65 25 12А :515 мА 45 25 12А :Sl5 мА 64* 25 12А $8мА(65В) 45 15 1 5А 1 s0.15 мА 45 1 10 5А :SI мА 1 45 10 i 5А 1 :SI мА 1 1 1 1 ! 60 1 15 1 5А i s0.3 мА 60 15 1 5А 1 s0,3 мА 60 15 1 5А :S0,15 мА 60 10 5А sl,5 мА 60 10 5А sl,5 мА 80 15 5А :S0,3 мА 40 15 7,5 А s0.5 мА 40 15 7.5 А i :S0.5 мА 35 15 7.5 А 1 :Sl.5 мА 35 15 7,5 А :52 мА ~ 50 15 7,5 А s2.5 мА 1 50 15 7,5 А :52 мА 60 15 7,5 А :S0.5 мА 60 15 7,5 А s0.5 мА 60 15 7,5 А :S0,5 мА 60 15 7,5 А s3 мА 60 15 7,5 А :S3 мА ;1
Биполярные германиевые транзисторы п 1 ~ h:!l:1' ь;IЭ 30...60 (5 В; 1 мА) 50... 100 (5 В; 1 мА) 20...35* (1В: 10 мА) 30...50* (1В: 10 мА) 458 ... 100* (1 В: 1О мА) ~20• (10 В: 0.2 А) ~40• (10 В: 0,2 А) ~20* (IO В: 0,2 А) 5... 15 5.. .12 ~15 ~15 ~15 ~15 ~15*(2В;5А) ~15*(2В:5А) ~10*(2В:5А) ~10*(2В:5А) ~15•(2В:5А) 20...50• (5 в: 1А) ~20* (5 В; 0.2 А) ~40• (5 В: 0,2 А) 20" .60* (5 В; 0,2 А) 50... 150* (5 В; 0.2 А) 20... 150* (5 В; 0,2 А) ~20* (5 В; 0,2 А) 20."150• (5 В: 0.2 А) ~16 (0.75 В: 4 А) 20...80 (0.75 В: 4 А) ~10(3В:2А) ~30(3В:2А) ~5(3В:2А) 15."30 (3 В: 2 А) ~16 (0,75 В; 4 А) 20."60 (5 В; 1 А) ~20(5В: 1А) ~15*(1 Bj,4A) 15."40 (3 В: 2 А) i с,, 1 1 c;2:t• пФ 1 :!>50 (5 В) :!>50 (5 В) 1 - - - ' ' 1 1 rкэ иас' r~н;к:• Ом - - :!>20 :!>20 :!>20 :!>l,25 :!>l,25 :!>l,25 :!>l,25 :!>О,16 :!>l.25 :!>0,3 :!>0,3 :!>0,3 :!>0,3 :!>0,3 :!>0,3 :!>0,2 1 :!>0,2 1 :!>О.25 1 :!>О,25 1 1 :!>О,25 :!>0,5 :!>0,5 :!>0,5 :!>О,25 :!>0,5 i 1 1 Кш, дБ t,, пс t:Ja("' r~, Ом Р;:х• Вт t::i.л. t~·:. нс - - - - 1 - :!>2000*** - :!>1500*** - :!>1000*** 1 1 Корпус МП41, МП42 :No·Ф· 1 1 П201, П202 П207, П208 П209, П210 П213, П214 П215, П216 2J ~ :tl~ciw 77 !,. 11 1' .:
78 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 pKmaxt ~•• \210• Uкво проо' JКБО• lк max Тип Структу- Р~. т maxt ~;1~· U~ЭR проб• UЭБО npo6• 1~.и maxt ·~ЭR• прибора р~~ и maxt с· U~эо npoo• в ·~· ра '" мА мВт МГц в мкА П27 р-п-р 30 ~1* 5* (0,5к) - 6 53(5В) П27А р-п-р 30 ~1* 5* (О,5к) - 6 53(5В) 1 ' 1 1 1 1 1 1 ~ ' 1 1 1 1 1 i 1 1 1 ' 1 1 i ~ 1 ! 1 ! 1 1 ! i 1 1 ! П28 р-п-р 30 ~5* 5* (О,5к) - 6 53(5В) 1 П29 i р-п-р 1 30 1 ~5* 1 10* 1 12 100* 1 54 (12 В) ~ 1 П29А 1 р-п-р ! 30 ~5* 1 10* 1 12 100* 1 54 (12 В) ~ ! ' ! 1 ' 1 1 пзо р-п-р 30 ~10* 12* 12 100* 54 (12 В) 1 1 1 ~ 1 1 ;! 1 1 i: 1 1 i 1 1 •1 ! 1 1 1 1 i ' 1 1 1 П401 р-п-р 100 ~30 10 1 20 510 (5 В) П402 р-п-р 100 ~50 10 1 20 55(5В) 1 1 ! 1 ' 1 ! П403 р-п-р 100 ~100 10 1 1 20 55(5В) П40ЗА р-п-р 100 ~80 10 1 20 i 55(5В) • 1 1 1 ! П416 р-п-р 100 (360*) ~40 12 3 25(120*) 53(108) П416А р-п-р 100 (360*) ~60 12 3 25 (120*) 53 (10 В) П416Б р-п-р 100 (360*) ~80 12 3 25 (120*) 53 (10 В) 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 1
Биполярные гер . маниевыетр анзисторы 00(5В;0.5мА) 20... 1 В·О5мА) 20".170 (5 ' ' 00(5в.о5мА) 20."2 ' ' О(05В;20мА) 20" .5 . 5в·20мА) 40".100 (О, ' (о5в·20мА) 80".180 ' . 300(5В;5мА) I~.. 5А) 250(5В; м 16" . 100(5В;5мА) 30. " 5А) 200(5В; м 16" . 80(5В:5мА) 20." 5А) 60 120(5В; м ...250(5В;5мА) 90". j<20(6В) 1~20(6В) ::;20 (6 В) <15 (5 В) ~10 (5 В) <10 (5 В) ~10 (5 В) 1 <8(5В) ~8(5В) I ~8(5В) 1 1 f"КЭ Hilt ' 1 f БЭ на..:• Ом 10 10 10 :S40 ::;40 :S40 Кш, дБ . Ом r,,• р" Вт вых' <10 (1кГц) -::;5 (1кГц) ::;5 ( 1 кГц) '··пс t:)a~t t:~~· Корпус t~·;, н~с--jг-- ::;6000 :S6000 6000 :S3500 ::;JOOO ::;500 ::;500 П27 П28 ~Ш.д±\\, ~rщ W, П29 ~Ш.~&\, ~oww пзо П401, П402 П403 <500; :SIOOO * ~500; :SIOOO ~500: :SIOOO* &~1ф. 1 0416 *1 79
80 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Структу- Ркmах' ~.. \".. UКБО проб' 1 •кmах •кво• Тип P~.тmaxt \;1~' U~ЭR проб• UЭБО проб• 1 1;.и max• ·~ЭR• прибора ' ра р~~ и maxt ~~·;xt u~проб• в ••• 1 1 мА КЭО• ' 1 мВт МГц в мкА ~ П417 1 p-n-p 50 ~200 8 1 0,7 1 10 53(10В) -~ 'П417А 1 p-n -p 50 ~200 8 0,7 1 10 53 (10 В) П417Б i p-n-p 50 ~200 8 0,7 10 53(10В) ! i i 1 1 1 П422 p-n-p 100 ~50 10* (!к) - 20 55(5В) П423 p-n-p 100 ~100 10* (!к) - 20 55(5В) 1 il . 1 f, i П605 p-n -p 3Вт - 45 1 1500 52000 (45 В) П605А p-n -p 3Вт - 45 0,5 1500 52000 (45 В) 1 ; П606 1 p-n-p 1,25 Вт ~30 35 1 1500 i 52000(35В) ! ! П606А 1 p-n-p 1,25 Вт ~30 35 0,5 1500 i 52000 (35 В) 1 1 i 1 1 1 1 П607 p-n -p 1,5 Вт ~60 30 1,5 300 (600*) 5300 (30 В) П607А p-n -p 1,5 Вт ~60 30 1,5 300 (600*) 5300 (30 В) 1 ~ 1 1. П608 p-n-p 1,5 Вт ~90 30 1,5 300 (600*) 5300 (30 В) П608А p-n-p 1,5 Вт ~90 30 1,5 300 (600*) 5300 (30 В) ~ 1 • ! ! 1 i П609 1 p-n -p 1,5 Вт ~120 30 1,5 300 (600*) 1 5300 (30 В) ' П609А p-n -p 1,5 Вт ~120 30 1,5 300 (600*) 1 5300 (30 В) ! 1 !
60(3В:0,5А) 20... 5А) 40... 120 (3 В; <130 (20 В) ~130 (20 В) ---, <50 (10 В) 20 80*(3В:0.25А) ~50(10 В) ··· ОО(3В;0,25 А) 60...2 в.О25А) 40...120(3 , ,5А) 80...240 (3 В; 0,2 в.О25А) 40...120(3 • · А) 80 ... 240 (3 В; 0,25 6зак9 <50 (10 В) ~80 (10 В) S40 S40 slO slO <3000* ~4000* <3000* ~3000* <3000* ~3000* <3000* ~3000* П422, П423 П605 115,5 lt.6 .. .. оо Of ~о " а 8 П606 • 115,5 lt.6 .... оо Of ~о " а 8 П607 П608 115,5 lt.6 .... оо Of ~о " а 8 П609 1115,5 lt.6 .... •о Of ~•О " а .
82 Раздел 2. Биполярные транзисторы 2. 7. Биполярные кремниевые транзисторы 1 ~•• ~216• Ркmах' Uкоо max• 'JKmax Iкоо, Тип Струк- Р;, тmaxf \;1э• U~Rmax' UЭБО max• 1;, и maxt ·~· прибора р~: М max• с· u~PlOlx' в ·~· тура ... мА мВт Мfц в мкА КТ104А р-п-р 150 (60"С) :?:5* 30** 10 50 Sl (30 В) КТ104Б р-п-р 150 (60"С) :?:5* 15** 10 50 sl (15 В) КТ1048 р-п-р 150 (60"С) :?:5* 15** 10 50 SI (15 В) КТ104f P'!l-P 150 (60"С) :?:5* 30** 10 50 1 Sl (30 В) 1 1 КТ117А п-база 300 0,2*** 30 30 50 (1* А) Sl (30 В) КТ117Б п-база 1 300 0,2*** 30 30 50(1*А) Sl (30 В) КТ1178 п-баЗа 300 0,2*** 1 30 30 50(1*А) 1 Sl (30 В) KT117f п-база 300 0,2*** 30 30 50(1*А) Sl (30 В) КТ118А р-п-р 100 (IOO"C) - 15 31 50 SO,l (15 В) КТ118Б р-п-р 100 (IOO"C) - 15 31 50 SO,I (15 В) КТ1188 1 р-п-р 100 (lOO"C) - 15 31 50 SO,I (15 В) 1 1 1 ! i 1 КТ119А i п-база 1 25 0,2*** 20 20 10 (50*) - КТ119Б п-база 25 0,2*** 20 20 10 (50*) - 1 1 • 1 1 ! КТ120А ! р-п-р 10 :?:1 60 10 i 10 (20*) s0.5 (60 В) 1 КТ120Б 1 р-п-р 10 :?:1 30 10 10 (20*) 1 S0,5 (30 В) 1 КТ1208 р-п-р 10 :?:! 60 10 10 (20*) S0,5 (60 В) КТ120А-1 p-n -p 10 - 60 10 10 S0,5 (60 В) КТ120В-1 р-п-р 10 - 60 10 10 - i 1 ' 1 1 ! 1 1 1 КТ120А-5 р-п-р 10 - 60 10 10 - КТ120В-5 р-п-р 20 - 60 10 10 - КТ127А-1 п-р-п 15 (бО"С) :?:0,1** 25 3 50 Sl (25 В) КТ127Б-1 п-р-п 15 (60"С) :?:0,1 ** 25 3 50 Sl (25 В) КТ127В-1 п-р-в 15 (60"С) :?:0,1** 45 3 50 Sl (25 В) КТ127f-1 · 1 . n-р-п 15 (бО"С) :?:0,1 ** 45 3 50 1 Sl (25 ВJ 1 1 1 1 1 1 1 1
1 1 1 транзисторы Биполярные кремниевые rКЭиасt Ом ck, r~м.ас' Ом ь.,•. ь;,э с;2з' к;.·,.. дБ пФ <50 9...36 (5 В: 1 мА) 1 $50 (5 В) $50 (5 В) $50 20...80 (5 В; 1 мА) $50 (5 В) $50 40... 160 (5 В; 1 мА) 15...60 (5 В; 1 мА) 1 $50 (5 В) $50 1 i г О,5... 0 ,7 (U5152=10 В) ! 0.65 ...0,9 (Uы52=10 В) 1 1 - - 1 - О.5 ... 0 .7 (Uы52=1О В) - 1 - 1 О,65... 0 .9 (U5152=10 В) - 1 ~ ~ ! 1 1 100 - 1 100 1 - 120 - 1 1 - - 1 i 1 1 ' О.5... 0 .65 (U52ы=lO В) 1 i ! - 0.6 . .. 0 ,75 (U5251=!0 В) - ' 1 ~ ! ~ 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 20...200(5В:1мА) 1 $5(5В) <50 20...200(5В; 1мА) 1 $5(5В) - 20...200(5В;1мА) 1 $5(5В) $110 1 i $5(5В) <50 1 20...200 (5 В: 1мА) 1 $110 1 $5(5В) 20...200 (5 В; 1 мА) 1 1 20...200 (5 В; 1 мА) $5(5В) <50 20...200 (5 В; 1 мА) $5(5В) $110 1 1 1 1 1 15...60 (5 В: 1мА) $5(5В) <170 40...200 (5 В; 1мА) $5(5В) $170 15...60 (5 В; 1 мА) $5(5В) $170 40... 200 (5 В; 1 мА) $5(5В) $170 б' Кw,дБ r;, Ом р" Вт вых• <120* $120* $120* $120* - - - - - 1 1 1 - - - - - - 83 '[кt ПС t' нс ",. Корпус t" нс выК11• КТ104 ti - ~ офк - ~ 3 КТ117 rEi 51 - 1'о) з - ~$2 1 КТ118 1 <500** 1 1 <500** !IS,fJll $500** ~fj ~- 1 ! 1 62 61 ~• 32 1 1 1 i КТ119 ~~ ~ 1f\\ 1 1 61623 1 1 КТ120 ~~~ 1 - 1 51 Ьо\' - \ КТ120-1 1 ~rn 11\ 6кз 1 КТ120-5 ~В:У 1 КТ127-1 ~~if - - 11 1 35К
84 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк max' ~•• \210• UKБOmax• 1 •к~, lкво, Тип Струк- Р;,тmах' ~;lэ• U~Rma).t UЭБО maxt 1 1;.и max• l~Rt р;~ и max• с· u~rnax• в 1·· прибора тура "' кэо• мВт мrц в 1 мА мкА КТ132А однопер. 300 - - 35 2*А 12 IКТ132Б 1 300 - - 35 2*А 0,2 ~ 1 t ! i ' i 1 1 1 1 1 i 1 ! 1 ! 1 КТIЗЗА однопер. 300 - - 35 1,5* А 1 КТIЗЗБ 300 - - 35 1,5* А 1 ! 1 1 ! " ! 1 R 1 1 ! ! 1 1 1 1 ·' 1 ! ! ~ 1 ,. 1 1 1 ' ~КТ201А n-p-n 150 (90°С) i ~10 1 20 20 i 20 (100*) 1 :s;I (20 В) 1 1 iкnotБ n-p-n 150 1 ~10 1 20 20 1 20 (100*) :s;l (20 В) ~КТ201В n-p-n 150 ~10 1 10 10 1 20 (100*) 1 :s;I (20 В) 1· кт201r n-p-n 150 ~10 1 10 10 20 (100*) 1 :s;l (20 В) КТ201Д n-p-n 150 ~10 10 1 10 20 (100*) :s;l (20 В) 1 КТ201АМ 1 n-p -n 150 ~10 20 20 20 (100*) :s;l (20 В) КТ201БМ ' n-p -n 150 ~10 20 20 20 (100*) :s;l (20 В) КТ201ВМ ! n-p-n 150 ~10 1 10 1 10 20 (100*) 1 :s;I (20 В) ~кт201rм 1 1 150 ~10 10 10 20 (100*) 1 $1 (20 В) n-p-n 1 !КТ20ЩМ 1 n-p -n 150 ~10 1 10 1 10 1 20 (100*) 1 :s;I (20 В) 1 1 ! 1 1 ! 1 1 i 1 1 ! ' i 1 1 1 1 i 1 КТ202А-1 1 p-n-p 15 (55°С) ~5 15 10 10 (25*) $1 (15 В) КТ202Б-1 p-n-p 15 (55°С) ~5 15 10 10 (25*) :s;I (15 В) КТ202В-1 p-n -p 15 (55°С) ~5 30 10 10 (25*) :s;l (30 В) кт202r-1 p-n -p 15 (55°С) ~5 30 10 10 (25*) :s;l (30 В) . КТ202Д-1 15 (55°С) ~5 15 10 10 (25*) 1 :s;l (15 BJ r p-n -p ' i 1 ~ 1 i i 1 ;i ! 1 ' ! 1 ! ~ 1 ! ' R 1 iKT203A p-n -p 150 (75°С) ~5* 60 30 10 (50*) :s;I (60 В) КТ203Б p-n -p 150 (75°С) ~5* 30 15 10 (50*) :s;I (30 В) КТ203В p-n -p 150 (75°С) ~5* 15 10 10 (50*) :s;l (15 В) 1 1 i 1 1 1 i ; 1 i ; !КТ203АМ p-n -p 1 150 (75°С) ~5* 60 30 10 (50*) i :s;I (60 В) 1 1 1кт20ЗБМ p-n-p 1 150 (75°С) ~5* 30 15 10 (50*) i :s;l (30 В) КТ203ВМ p-n-p 1 150 (75°С) ~5* 15 10 10 (50*) :s;l (15 В) ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1
i i ' i. Биполярные кремниевые транзисторы 0,56 ...0,75 0,68 ...0,82 0,56 ...0.75 0,7 ...0,85 20...60 (1 В; 5 мА) 30...90 (1 В: 5 мА) 30...90 (1 В: 5 мА) 70...210 (1 В; 5 мА) 30...90 (1 В; 5 мА) 20...60 (1 В; 5 мА) 30...90 (1 В; 5 мА) 30...90 (1 В; 5 мА) 70.•.210 (1 В; 5 мА) 30...90 (1 В; 5 мА) 15...70 (5 В; 1мА) 40...160 (5 В; 1 мА) 15...70 (5 В; 1мА) 40...160 (5 В; 1 мА) 100...300 (5 В; 1 мА) <::9(5В;1мА) 30... 150 (5 В; 1 мА) 30...200 (5 В; 1 мА) <::9(5В; 1мА) · 30... 150 (5 В; i мА) 30...200 (5 В; 1 мА) ! 1 ! :<>20 (5 В) :<>20 (5 В) :<>20 (5 В) 1 :<>20 (5 В) 1 :<>20 (5 В) :<>20 (5 В) :<>20 (5 В) :<>20 (5 В) :<>20 (5 В) :<>20 (5 В) :<>25 (5 В) 1 :<>25 (5 В) :<>25 (5 В) :<>25 (5 В) :<>25 (5 В) :<>10 (5 В) 1 :<>10 (5 В) 1 :<>10 (5 В) 1 :<>10 (5 В) :<>10 (5 В) :<>10 (5 В) i ! fкэна1..·• Ом r~Энаt.·• Ом к;.:.. дБ 3,5 3,5 2,5 2,5 :<>50 :<>25 :<>50 :<>25 Kw, дБ ,~,Ом Р;:х' Вт :<>15(1 кГц) :<>15 (1 кГц) :<>300* :<>300* :<>300* :<>300* :<>300* :<>300* т•• пс 1 1 ~;,.,.нс tвым• НС :<>1000* :<>1000* :<>1000* :<>1000* :<>1000* 85 Корпус КТ132 КТ133 КТ201 КТ201-М КТ202-1 ~~ /1\ ~tj 6кэ КТ203 КТ203М
86 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKmaxt ~•• ~216• UКБО maxt Iк,,,., lкw• Тип Струк- P;.тmaxt ~;lэ' U~Rmaxt UЭБOmaxt 1;.и maxt l~R' р;:иmах• с· u~maxt в 1·· прибора тура ах• кэо• мВт МГц в мА мкА КТ206А п-р-п 1 15 ~10 20* (3к) 20 20 1 Sl (20 В) 1 КТ206Б п-р-п 1 15 ~10 1- 12* (3к) 12 20 Sl (12 В) 1 ! 1 1 1 1 1 1 КТ207А р-п-р 15 ~5 60 30 10 (50*) S0,05 (60 В) КТ207Б р-п-р 15 ~5 30 15 10 (50*) S0,05 (30 В) КТ2078 р-п-р 15 ~5 15 10 10 (50*) S0,05 (15 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 КТ208А р-п-р 200 (6О0С) ~5 20* (10к) 1 10 300 (500*) Sl (20 В) КТ208Б р-п-р 200 (6О0С) ~5 20 10 300 (500*) Sl (20 В) КТ208В р-п-р 200 (6О0С) ~5 20 10 300 (500*) Sl (20 В) КТ208Г р-п-р 200 (60°С) ~5 30 10 300 (500*) Sl (20 В) КТ208Д р-п-р 200 (60°С) ~5 30* ( lОк) 10 300 (500*) Sl (20 В) КТ208Е р-п-р 200 (6О0С) ~5 30 10 300 (500*) Sl (20 В) КТ208Ж р-п-р 200 (60°С) ~5 45 20 300 (500*) Sl (20 В) КТ208И р-п-р 200 (60°С) ~5 45 20 300 (500*) Sl (20 В) КТ208К р-п-р 200 (60°С) ~5 45 20 300 (500*) Sl (20 В) КТ208Л р-п-р 200 (60°С) ~5 60 20 300 (500*) Sl (20 В) КТ208М р-п-р 200 (6О 0С) ~5 60 20 300 (500*) Sl (20 В) КТ209А р-п-р 1 200 (35°С) ~5 15 10 300 (500*) 1 Sl* (15 В) КТ209Б i р-п-р 200 (35°С) ~5 15 10 300 (500*) ! Sl*(15 В) КТ2098 1 р-п-р 200 (35°С) ~5 15 10 300 (500*) Sl*(15 В) КТ20982 1 р-п-р 200 (35°С) ~5 15 10 300 (500*) 1 Sl* (15 В) КТ209Г р-п-р 200 (35°С) ~5 30 10 300 (500*) Sl* (30 В) КТ209Д р-п-р 200 (35°С) ~5 30 10 300 (500*) Sl*(30 В) КТ209Е р-п-р 200 (35°С) ~5 30 10 300 (500*) Sl*(30B) КТ209Ж р-п-р 200 (35°С) ~5 45 20 300 (500*) Sl*(45 В) КТ209И р-п-р 200 (35°С) ~5 45 20 300 (500*) Sl*(45 В) КТ209К р-п-р 200 (35°С) ~5 45 20 300 (500*) Sl* (45 В) КТ209Л р-п-р 200 (35°С) ~5 60 20 300 (500*) Sl*(60 В) КТ209М р-п-р 200 (35°С) ~5 60 20 300 (500*) Sl*(60 В) 1 1 1 !,, КТ209К9 1 р-п-р 200 ~4 40 25 150 ! Sl 1 i 1 1 1 1 1 КТ210А р-п-р 25 ~10 15 10 20 (40*) SlO (15 В) КТ210Б р-п-р 25 ~10 30 10 20 (40*) SlO (30 В) КТ2108 р-п-р 25 ~10 60 10 20 (40*) slO (60 В) . 1 1 КТ211А-1 1 р-п-р 25 ~10 15 5 20 (50*) SlO (15 В) КТ211Б-1 1 р-п-р 25 ~10 15 5 20 (50*) SlO (15 В) КТ211В-1 1 р-п-р 25 ~10 15 5 20 (50*) Sl0(15B) 1
Биполярные кремниевые транзисторы 1 30...90* (1 В; 5мА) 70...120* (1 В; 5 мА) ~9(5В;1мА) 30...150 (5 В; 1 мА) 30...200 (5 В; 1 мА) 20...60* (1 В; 30 мА) 40...120* (1 В; 30 мА) 80...240* (1 В; 30 мА) 20...60* (1 В; 30 мА) 40...120* (1 В; 30 мА) 80...240* (1 В; 30 мА) 20...60* (1 В; 30 мА) 40... 120* (1 В; 30 мА) 80... 240* (1 В; 30 мА) 20...60* ( 1 В; 30 мА) S20 (5 В) S20 (5 В) S10 (5 В) S10 (5 В) slO (5 В) s50(10B) s50 (10 В) s50 (10 В) s50 (10 В) s50 (10 В) sSO(IOB) s50 (10 В) s50 (10 В) s50 (10 В) s50 (10 В) 40...120* (1 В; 30 мА) 1 S50 (10 В) 1 20...60* (1 В; 30 мА) ,. 40...120* (1 В; 30 мА) 80...240* (1 В; 30 мА) ~200* (1 В; 30 мА) 20...60* (1 В; 30 мА) 40...120* (1 В; 30 мА) 80...240* (1В; 30 мА) 20...60* (1 В; 30 мА) 40...120* (1 В; 30 мА) 80...160* (1 В: 30 мА) 20...60* (1 В; 30мА) 1 40... 120* (1 В; 30 мА) 1 ~30 (0,2 В: 12 мА) 80...240 (5 В; 1 мА) 80...240 (5 В; 1 мА) 40...120 (5 В; 1 мА) 40... 120 (1 В; 40 мА) 80...240 (1 В; 40 мА) 160.. .480 (1 В; 40 мА) s50 (10 В) s50(10B) s50(10B) s50(10B) s50 (10 В) s50 (IO В) S50 (10 В) s50 (10 В) s50 (10 В) s50 (10 В) s50(10B) S50(10B) Sl5 S25 (5 В) S25 (5 В) S25 (5 В) s20 (5 В) S20.(5 В) S20 (5 В) rкэмк• Ом r~",. Ом к;_*,_, дБ SIOO SIOO s50 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,3 Sl,I Кw,дБ r~, Ом Р;:х• Вт S300* s300* s300* S4 (1 кГц) s4(1кГц) S4 (1 кГц) s5 (1 кГц) s5(1 кГц) s5 (1 кГц) s5 (1 кГц) s3 (1 кГц) s3 (1 кГц) s3 (1 кГц) Тк1 ПС ~~,. нс tвым• НС Корпус КТ206 !it 6КЗ КТ207 КТ208 КТ209 КТ209К9 s О.95 ~~х_ КТ210 ..... ~~о к ]:11,25 r:::sкoo6 fJll Кпюч КТ211-1 ~:м ''' 1_j 6кэ 87
88 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' ~Р' ~216' UКБО maxt lк max IКБО• Тип Струк- р' \;lэ' u· UЭБО max• •:. м max' I~ЭR• К,тmах• КЭR max' прибора тура р~~ м max• ~~·:х' u~max• в I" мА КЭО• мВт МГц в мкА ~ КТ214А-1 р-п-р 50 ~5 80** 30 50 (100*) 51 (30 В) КТ214Б-1 р-п-р 50 ~5 80** 7 50 (100*) 51 (30 В) КТ214В-1 ' р-п-р 50 ~5 60** 7 50 (\00*) 51 (30 В) i КТ214Г-1 р-п-р 1 50 ~5 40** 7 50 (100*) 51 (30 В) ~КТ214Д-1 р-п-р 50 ~5 30** 7 1 50 ( 100*) 51 (30 В) IKT214E-1 р-п-р 1 50 ~5 20** 20 1 50 (100*) 1 51 (30 В) i 1 i 1 1 1 КТ215А-1 п-р-п 50 ~5 80** 5 50 (100*) 5100* (30 В) КТ215Б-1 п-р-п 50 ~5 80** 5 50 (100*) 5100* (30 В) КТ215В-1 п-р-п 50 ~5 60** 5 50 (100*) 5100* (30 В) КТ215Г-1 п-р-п 50 ~5 40** 5 50 ( 100*) 5100* (30 В) КТ215Д-1 п-р-п 50 ~5 30** 5 1 50 (100*) 5100* (30 В) " КТ215Е-1 п-р-п 50 ~5 20** 5 1 50 (100*) 1 5100• (30 BJ ~ 1 1 1 i ., ! 1 1 1 КТ216А р-п-р 75 ~5 60 30 10 50,05 1 КТ216Б 1 р-п-р 75 ~5 30 15 10 1 50,05 1 КТ216В 1 р-п-р 75 ~5 30 10 10 51 1 1 1 1 ! 1 КТ218А-9 р-п-р 200 ~5 80 30 50 51 КТ218Б-9 р-п-р 200 ~5 80 7 50 51 КТ218В-9 р-п-р 200 ~5 60 7 50 51 КТ218Г-9 р-п-р 200 ~5 40 7 50 51 КТ218Д-9 р-п-р 200 ~5 30 7 50 51 КТ218Е-9 1 р-п-р 200 ~5 20 20 50 51 i 1 1 КТ220А9 1 п-р-п 1 200 ~250 60 5 1 100 50.1 1 1 IКТ220Б9 п-р-п 1 200 ~250 60 5 100 1 50,1 КТ220В9 1 п-р-п 200 ~250 60 1 5 100 1 50,1 1 1 1 1 КТ220Г9 1 п-р-п 200 ~250 60 1 5 1 100 1 50,1 1 1 1 i КТЗОI п-р-п 150 (6О0С) ~20 20 3 10 (20*) 1 510 КТЗОIА п-р-п 150 (6О0С) ~20 20 3 10 (20*) 1 510 КТЗОIБ п-р-п 150 (60°С) ~20 30 3 10 (20*) 1 510 ~ КТЗОIВ 1 п-р-п 150 (6О0С) ~20 30 3 10 (20*) 510 ' КТЗОIГ 1 п-р-п 150 (6О0С) ~30 30 3 10 510 (20 В) КТЗОIД i п-р-п 1 150 (60°С) ~30 30 3 10 510 (20 В) КТЗОIЕ 1 п-р-п 150 (60°С) ~30 30 3 10 510 (30 В) КТЗОIЖ п-р-п 150 (6О 0С) ~30 20 3 10 510 (20 В) КТЗО2А п-р-п 100 (50°С) - 15 4 10 51 (15 В) КТЗО2Б п-р-п 100 (50°С) - 15 4 10 51 (158) КТЗО2В п-р-п 100 (50°С) - 15 4 10 51 (15 В) КТЗО2Г п-р-п 100 (50°С) - 15 4 10 51 (15 В) ! 1 i i 1 1 1 КТЗО6А 1 1 150 (90°С) ~300 15 4 30 (50*) 1 50.5 (15 В) 1 п-р-п 1 IКТЗО6Б 1 п-р-п i 150 (90°С) ~500 15 4 30 (50*) 50,5 (15 В) КТЗО6В 1 150 (90°С) ~300 15 4 30 (50*) 1 50,5 (15 В) п-р-п 1 КТЗО6Г п-р-п 150 (90°С) ~500 15 4 30 (50*) 1 50,5 (15 В) КТЗО6Д п-р-п 150 (90°С) ~200 15 4 30 (50*) 50,5 (15 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 89 ck, rкэиас' Ом Кw,дБ t., ПС ь.,•. ь;,э с;2э' r~нк' Ом ,~,Ом t;,_., НС Корпус пФ к;:", дБ Р;~х' Вт t::IUI, НС ~20(5В;10мА) s:50 (!О В) s:60 ~1200* - КТ214-1, КТ215-1 30... 90 (5 В; 10 мА) s:50 (!О В) s:60 ~1200* - 40...120 (5 В; 10 мА) 1 S:50 (!О В) s:60 ~1200* - 40 .. .120 (5 В; 10 мА) 1 s:50(10B) s:60 ~1200* - ~ 1 ~80 (1 В; 40 мкА) s:50 (!О В) s:60 ~1200* - ~ ~40 (1В: 40 мкА) s:50 (10 В) s:60 ~1200* - ~20(5В;10мА) s:50 (!О В) s:60 ~1200* - 11\ 30... 90 (5 В; 10 мА) S:50 (!О В) s:60 ~1200* - 5кз 40... 120 (5 В; 10 мА) s:50 (!О В) s:60 ~1200* - 40... 120 (5 В; 10 мА) s:50 (!О В) s:60 ~1200* - ~80(1В;40мА) s:50 (10 В) s:60 ~1200* - ~40 (1 В; 40 мкА) s:50(10B) s:60 ~1200* - ~9(5В:1мА) s:lO - - - КТ216, КТ218-9 30... 150 (5 В; 1 мА) s:lO - - - 30... 200 (5 В; 1 мА) s;lO - - - s 0,95 ~~х ~20(5В;10мА) S:l5 - - - ~30(5В;10мА) S:l5 - - - 40... 120 (5 В; 10 мА) S:l5 - - - ~40(5В;10мА) S:l5 - - - ~80 (1 В; 40 мкА) S:l5 - - - ~40 (1 В; 40 мкА) S:l5 - - - 90... 180 - - - - КТ220-9 135... 270 - - - - ~~1 200.. .400 - - - - 300... 600 - - - - 20...60 (!О В; 3 мА) s:lO (!О В) s:300 - - КТЗОI 40.. .120 (10 В; 3 мА) s:lO (!О В) s:300 - - 10...32 (10 В; 3 мА) S:lO (!О В) s:300 - - ~ 20...60 (10 В; 3 мА) s:lO (!О В) S:300 - - 10...32 (10 В; 3 мА) s:lO (!О В) s:300 - S:2000 ~ф6 20...60 (1 О В; 3 мА) s:lO (10 В) S:300 - S:2000 40... 120 (10 В; 3 мА) s:lO (10 В) s:300 - :!>2000 80...300 (10 В; 3 мА) s:lO(lOB) s:300 - S:2000 110... 250 (1 В; 0,11 мА) - - s;7 (1 кГц) - КТЗО2 90... 150 (3 В; 2 мА) - - s:7 (1 кГц) - 110... 250 (1,5 В; 0,5 мА) - - s:7 (1 кГц) - Ьi- 200... 800 (3,5 В; 5 мА) - - s:7 (1 кГц) - ~~ ~ к.6 20...60* (1 В; 1ОмА) s;5 (5 В) s:30 - S:30* КТЗО6 40... 120* (1 В; lОмА) s;5 (5 В) s:30 - S:30* 20... 100* (1 В; lОмА) s:5 (5 В) - s:30* S:500 ~~ 40... 200* (1 В; lОмА) s;5 (5 В) - s:30* S:500 30... 150* (1 В; lОмА) s;5 (5 В) - s:30* s;300 ~ ~зфк 6
90 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKm•x' ~•• \210• UКБО max' Iк ,,,. . lкоо• Тип Струк- Р;, т max' \;lэ' U~Rmax' UЭБО m.ax' 1;. и max• ·~· прибора тура р;: и max• ~;;х, u~max• в 1~. мВт Мfц в мА мкА 1 ' КТ306АМ i п-р-п 150 (90°С) ~300 15 4 30 (50*) S0,5 (15 В) КТ306БМ ! п-р-п 150 (90°С) ~500 15 4 30 (50*) 1 S0,5 (15 В) КТ306ВМ 1 п-р-п 150 (9О0С) ~300 15 4 30 (50*) :S:0,5 ( 15 В) 1 ктзо&rм ! п-р-п 150 (90°С) ~500 15 4 30 (50*) S0,5 (15 В) КТ306ДМ п-р-п 150 (90°С) ~200 15 4 30 (50*) s0,5 (15 В) КТ307А-1 п-р-п 15 ~250 1О* (3к) 4 20 (50*) :S:0,5 ( 10 В) КТ307Б-1 п-р-п 15 ~250 10* (3к) 4 20 (50*) :S:0,5 ( 1О В) КТ3078-1 п-р-п 15 ~250 10* (3к) 4 20 (50*) :S:0.5 (!О В) KT307f-1 n-p-n 15 ~250 10* (3к) 4 20 (50*) S0.5 (10 В) 1 1 1 KTЗIOIA-2 п-р-п 100 (45°С) ~4000 15 2,5 20 (40*) :S:0.5 (15 В) КТЗIОIАМ j п-р-п 100 ~4000 15 2,5 20 1 :S:0.5 (15 В) 1 1 i 1 КТ3102А п-р-п 250 ~150 50 5 100 (200*) :S:0,05 (50 В) КТ3102Б п-р-п 250 ~150 50 5 100 (200*) s0,05 (50 В) КТ31028 1 п-р-п 250 ~150 50 5 100 (200*) s0,015 (30 В) ктз102r 1 п-р-п 250 ~300 20 5 100 (200*) s0,015 (20 В) КТ3102Д п-р-п 250 ~150 30 5 100 (200*) s0,015 (30 В) КТ3102Е п-р-п 250 ~300 20 5 100 (200*) s0,015 (20 В) КТ3102:Ж 1 h-p -n 250 ~200 50 5 100 (200*) s0,05 (50 В) КТ3102И n-p -n 250 ~200 50 5 100 (200*) :S:0,05 (50 В) КТ3102К п-р-п 250 ~200 30 5 100 (200*) s0,015 (30 В) КТ3102АМ . n-p. -n 250 ~150 50 5 100 (200*) :S:0,05 (50 В) КТ3102БМ п-р-п 250 ~150 50 5 100 (200*) S0,05 (50 В) КТ3102ВМ п-р-п 250 ~150 30 5 100 (200*) s0,015 (30 В) ктз102rм п-р-п 250 ~300 20 5 100 (200*) S0,015 (30 В) КТ3102ДМ п-р-п 250 ~150 50 5 100 (200*) s0,015 (30 В) КТ3102ЕМ п-р-п 250 ~300 20 5 100 (200*) S0,015 (30 В) КТ3102:ЖМ 1 n-p -n 250 ~200 50 5 100 (200*) :S:0,05 (50 В) КТ3102ИМ 1 n-p-n 250 ~200 50 5 100 (200*) s0.05 (50 В) КТ3102КМ 1 п-р-п 250 ~200 30 5 100 (200*) s0,015 (30 В) КТ3102А2 п-р,п 250 ~200 50 5 200 - КТ3102Б2 п-р-п 250 ~200 50 5 200 - КТ310282 n-p-n 250 ~200 30 5 200 - KT3102f2 п-р-п 250 ~200 20 5 200 - КТ3102Д2 п-р-п 250 ~200 30 5 200 - КТ3102~2 п-р-я 250 ~300 20 5 200 - КТ3Ю2.Ж.2 П'р-П 250 ~200 50 5 200 - КТ3102И2 п-р-п 250 ~200 50 5 200 - КТ3102К2 п-р-п 250 ~200 30 5 200 -
Биполярные кремниевые транзисторы 20 ... 60* (1 8; IОмА) 40 ... 120* (1 8; IОмА) 20... 100* (1 8; IОмА) 40...200* (1 8; 1ОмА) 30 ... 150* (1 8; 1ОмА) ~20(18; IОмА) ~40(18;10мА) ~40(18;10мА) ~80(18;10мА) 35...300 (18; 5 мА) 35...300 (1 8; 5 мА) 100...200 (5 8; 2 мА) 200...500 (5 8; 1 мА) 200...500 (5 8; 2 мА) 400...1000 (5 8; 2 мА) 200...500 (5 8; 2 мА) 400...1000 (5 8; 2 мА) 100...250 (5 8; 2 мА) 200...500 (5 8; 2 мА) 200...500 (5 8; 2 мА) 100...200 (5 8; 2 мА) 200...500 (5 8; 2 мА) 1 200...500 (5 8; 2 мА) 1 1 400... 1000 (5 8; 2 мА) 200...500 (5 8; 2 мА) ! 400... 1000 (5 8; 2 мА) 100...250 (5 8; 2 мА) 200...500 (5 8; 2 мА) 200...500 (5 8; 2 мА) 100 ... 200 200 ... 500 200 ... 500 400 ... 500 200 ... 500 400 ... 1000 100 ... 250 200 ... 500 200 ... 500 с,, с;2з' пФ $5(58) $5(58) $5(58) $5(58) $5(58) $6(18) $6(18) $6(18) $6(18) $1,5(58) $1,5(58) $6(58) $6(58) $6(58) $6(58) $6(58) $6(58) $6(58) $6(58) $6(58) $6(58) $6(58) $6(58) ~6(58) $6(58) $6(58) $6(58) $6(58) $6(58) 1 1 rкэнас• Ом r~э нас• Ом к;.·,.. дБ $30 $30 $20 $20 $20 $20 ~8** (1 ГГц) ! 1 Кш, дБ r~. Ом Р;:,, Вт $30* $30* $30* $4,5 (2,25 ГГц) $4,5 ( 1 ГГц) $10 (1 кГц) $10 (1 кГц) $10 (1 кГц) $10(1 кГц) $4 (1 кГц) $4 (1кГц) $10 (1 кГц) $10 (1 кГц) $10 (1 кГц) $10 (1 кГц) $4 (1 кГц) $4 (1кГц) 1 1 tк, ПС f~ac• НС t::кл• НС $30* $30* $500 $500 $300 $30* $30* $30* $30* $10 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 91 Корпус КТ306М КТ307-1 !lt бКЭ i 1 1 КТ3101-2 1 1,7 10 1 ~w~~ 1 КТ3101М КТ3102 КТ3102М КТ3102-2
92 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' 1,.• • ~216' UKБOmax' )Kmax lкю, Тип Струк- Р~. т maxt ~;,~, U~Rmax' UЭБОmах' •:.и max' ·~· прибора тура р~~ и max' ~::х' u~max• в ·~· мВт мrц в мА 1 мкА 1 КТ3104А 1 р-п-р 15 (35°С) ~200 30 3,5 10 1 :51 (30 В) КТ3104Б р-п-р 15 (35°С) ~200 30 3,5 10 :51 (30 В) КТ3104В 1 р-п-р 15 (35°С) ~200 30 3.5 10 :51 (30 В) KT3104f i р-п-р 1 15 (35°С) ~200 15 3,5 10 1 :51 (15 В) КТ3104Д р-п-р 15 (35°С) ~200 15 3.5 10 :51 (15 В) КТ3104Е р-п-р 15 (35°С) ~200 15 3,5 10 1 :51 (15 В) КТ3106А-2 п-р-п 30 (50°С) ~1000 15* (IОк) 2,5 20 (40*) :50,5 (15 В) ! i ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 КТ3106А-9 i п-р-п 1 100 ~1000 15* (lОк) 3 1 20 (40*) i :50,5 (15 В) 1 1 1 1 !1 1 i ~ i 1 i i ! 1 11 ' КТ3107А 1 р-п-р 300 1 ~200 50 5 100 (200*) 1 :50.1 (20 В) КТ3107Б i р-п-р 300 ~200 50 5 100 (200*) 1 :50,1 (20 В) КТ3107В р-п-р 300 1 ~200 30 5 100 (200*) 1 :50,1 (20 В) KT3107f 1 р-п-р 300 1 ~200 30 5 100 (200*) :50.1 (20 В) КТ3107Д 1 р-п-р 300 ~200 30 5 1 100 (200*) 1 :50.1 (20 В) 1 КТ3107Е р-п-р 1 300 ~200 25 5 100 (200*) :50,1 (20 В) КТ3107Ж р-п-р 300 ~200 25 5 100 (200*) :50,1 (20 В) КТ3107И р-п-р 300 ~200 50 5 100 (200*) :50,1 (20 В) КТ3107К р-п-р 300 ~200 30 5 100 (200*) :50,1 (20 В) КТ3107Л p-n-p 300 ~200 25 5 100 (200*) :50.1 (20 В) КТ3108А 1 р-п-р 300 (360*) ~250 1 60* (lОк) 5 1 200 1 :50.2 (60 В) ~ 1 1 КТ3108Б 1 р-п-р 300 (360*) ~250 45* (lОк) 5 200 i :50.2 (45 8) 1 КТЗ108В 1 р-п-р 300 (360*) ~300 45* (10к) 5 200 1 :50,2 (45 В) ! КТ3109А р-п-р 170 (40°С) ~800 30 3 50 :50,1 (20 В) КТ3109Б р-п-р 170 (40°С) ~800 25 3 50 :50,1 (20 В) КТ3109В р-п-р 170 (40°С) ~800 25 3 50 :50,1 (20 В) 1 1 j ! 1 1 1 1 1 1 ! i 1 1 1 ! 1 ! ! 1 ! IКТ3114Б-6 1 1 25 ооо·с) 1 1 1 1 i i 1 п-р-п ~4300 5 1 1 15 :50,5 (5 В) 1 ! КТЗ114В-6 ' п-р-п 25 ооо·с> ~4300 5 1 15 :50.5 (5 В) !
Биполярные кремниевые транзисторы 93 Ck, rкэнас• Ом Кw1 дБ tк• ПС h21" ь;IЭ с;2э• r~"""' Ом r;, Ом t;,.., нс Корпус пФ к;.·", дБ Р;:,, Вт t::IUll НС 15...90 (1 В; 2 мА) $25 (5 В) $!()() s8 (6 МГц) $800 КТЗ104 50...150 (1 В; 2 мА) s25 (5 В) slOO s8 (6 МГц) $800 ~t 70...280 (1В; 2 мА) s25 (5 В) $100 s8 (6 МГц) $800 15...90 (1 В; 2 мА) s25 (5 В) SlOO s8 (6 МГц) $800 50...150 (1 В; 2 мА) s25 (5 В) SlOO s8 (6 МГц) $800 70...280 (1 В; 2 мА) $25 (5 В) $100 s8 (6 МГц) $800 5КЗ ~40(5В;5мА) s2(5В) - s2 (120 МГц) - 1 КТЗ106-2 ' 1,15 0,95 ~х /1\ 5/(з ~40(5В;5мА) s2(5В) - s2 (120 МГц) SlO КТЗ106-9 1 ~~t 70...140 (5 В; 2 мА) s7 (10 В) s20 slO (1 кГц) - КТЗ107 120...220 (5 В; 2 мА) s7 (!О В) $20 SlO (1 кГц) - 70...140 (5 В; 2 мА) s7 (10 В) $20 slO (1 кГц) - 120... 220 (5 В; 2 мА) s7 (10 В) s20 slO (1 кГц) - ~fi:~ 180.. .460 (5 В; 2 мА) s7 (10 В) $20 slO (1 кГц) - 120...220 (5 В; 2 мА) s7 (10 В) s20 s4 (1 кГц) - 180.. .460 (5 В; 2 мА) s7 (!О В) $20 S4 (1 кГц) - 180... 460 (5 В; 2 мА) S7 (10 В) $20 slO (1 кГц) - &<') ~-• ~ "" 380...800 (5 В; 2 мА) s7 (10 В) S20 slO (1 кГц) - ......... 380...800 (5 В; 2 мА) s7 (10 В) s20 s4 (1 кГц) - 1 50... 150 (1 В; 10 мА) s5 (10 В) $25 s6 (100 МГц) $250 КТЗ108 50... 150 (1 В; 10 мА) s5 (10 В) s25 s6 (100 МГц) s250 ~ 100...300 (1 В; 10 мА) s5 (10 В) s25 S6 (100 МГц) $250 """:> 5 :: з{фк ~ ~15 (10 В; 10 мА) sl (!О В) ~15** (0,8 ГГц) s6 (800 МГц) $6 КТЗ109 ~15 (10 В; 10 мА) sl (10 В) ~13** (0,8 ГГц) s7 (800 МГц) $10 ~15 (10 В; 10 мА) sl (!О В) ~13** (0,8 ГГц) s8 (800 МГц) slO ~i 15... 80 (3 В;"'! мА) s0,44 (3 В) - s2 (400 МГц) $8 :КТЗ114-6 15...80 (3 В; 1мА) s0,44 (3 В) - s3 (400 МГц) $8 1 ~{@
94 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' ~•• (216• UKБOmax' lк max 1 lкоо• 1 Тип Струк- Р~.тmах• 1~:;1э• U~Rmax' UЭБОmах' 1;.н max' J~R' прибора тура р~нmах' ~;;х, u~max' в i ·~· мВт Мfц в мА i мкА 1 КТ3115А-2 1 п-р-п 70 (70°С) ~5800 10* (1 к) 1 8,5 1 g),5 (10 В) lктз11sв-2 1 п-р-п 70 (70°С) ~5800 10* (lк) 1 8,5 1 ~0.5 (10 В) KT3115f-2 1 50 (85"С) ~5800 7* (1к) 1 8,5 g),5 (7 В) 1 п-р-п КТ3115Д-2 п-р-п 50 (85"С) ~5800 7* (1к) 1 8,5 ~О.5 (5 В) 1 КТ3117А п-р-п 300 (800**) ~200 60 4 400 (800*) ~10 (60 В) КТ3117Б п-р-п 300 ~200 75 4 400 (0,8* А) ~10 (75 В) 1 1 1 i i 1 1 1 КТ3117А-1 1 п-р-п 1 500 ~200 60 4 400 (0,8* А) ~10 (60 В) КТ3117А9 п-р-п 300 (800*) ~200 60 4 400 (0,8*А) ~10 (60 В) !КТ3117Б9 1 п-р-п 1 300 ~200 75 4 400 (0,8*А) 1 ~10 (75 В) i 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 i КТ312А п-р-п 225 ~80 20 4 30 (60*) ~10 (20 В) КТ312Б п-р-п 225 ~120 35 4 30 (60*) ~10 (35 В) КТ3128 п-р-п 225 ~120 20 4 30 (60*) ~10 (25 В) 1 КТ312А1 1 п-р-п 1 225 ~80 20 4 30 (60*) ~10 (20 В) IКТ312Б1 1 п-р-п 225 ~120 35 4 30 (60*) ~10 (35 В) КТ31281 1 п-р-п 225 ~120 20 4 30 (60*) ~10 (20 В) КТ3120АМ п-р-п 100 ~1800 15 3 20 (40*) ~0.5 (15 В) 1 1 1 1 1 КТ3121А-6 п-р-п 25 ~100 12 2 10 ~1 (10 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 95 с,, rкэнас• Ом Кш, дБ tк, ПС h21,1 ь;IЭ с; 2,, r;Энас• Ом r;, Ом t;..,., нс Корпус пФ к;_*", дБ Р;:•• Вт . t::IUll НС :515(5В;5мА) :50,6 (5 В) ~5** (5 ГГц) :54,6 (5 ГГц) :53,8 КТЗ115-2 :515(5В;5мА) :50.,6 (5 В) ~5** (5 ГГц) :54,4 (5 ГГц) :53,8 4t1@ :515(5В:5мА) :50,6 (5 В) ~4.4** (5 ГГц) :55, 7 (5 ГГц) :53,8 70...150 (5 В: 5 мА) :50,6 (5 В) ~8** (2,25 ГГц) :52,5 (2,25 ГГц) :53,8 ! 1 40...200* (5 В; 0,2 А) :510 (10 В) :51,2 - :580* КТ3117 100...300* (5 В; 0,2 А) :510 ( 10 В) :51,2 - :580* ~"':> 6 :: зфк ~ 40...200 (5 В: 0.2 А) 1 :510 (10 В) 1 :51,2 :580* 1 КТ3117-1 - 1 . i ! ' 1 ~~~ 1 11') ~-• ~ ~....., . 40... 200* (5 В; 0,2 А) :510 (IO В) :51,2 - :580* КТ3117-9 10...300* (5 В; 0,2 А) :510 (IO В) :51,2 - :580* ~t 1 10.. .100* (2 В: 20 мА) 1 :55(108) :540 - :5500; :5100* 1 КТЗ12 1 25...100* (2 В: 20 мА) 1 :55 (10 В) :540 - :5500; :5130" 50...280* (2 В: 20 мА) 1 :55 (10 В) :540 - 1 :5500: :5130* 1 ~hi 1 1 1 ~" 1 i 1 6фк 1 1 ~ з 10...100 (2 В; 20 мА) :55 (IO В) :540 - :5500; :5100* КТ312-1 25...100 (2 В; 20 мА) :55 (10 В) :540 - :5500; :5130* 50...280 (2 В; 20 мА) :55 (10 В) :540 - :5500; :5130* Ti 1 1 " ':> 6 1 1 :: зфк 1 1 ~ 1 1 ~40(1В:5мА) 1 :52 (5 В) , ~10** (400 МГц) 1 :52 (400 МГц) 1 :58 ! КТЗ120 i ~t 1 1 1 ! 1 ~О(5В:2мА) 1 :51 (5 В) ~8** (1 ГГц) :52 (1 ГГц) 1 - 1 КТ3121-6 1 1 i f@ ~7
96 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' ~•• ~216• UKБOmax• •к ma• lкоо• 1 Тип Струк- Р;, т max' (;lз' U~Rmax' UЭБОmах• 1;, и max' J~R' прибора р~: и maxt с· u~ma]t' в ·~· i тура 1 ". мА мВт мrц в мкА 1 КТ3122А 1 п-р-п 150 (750**) - 35* (2к) - 100 (!*А) i :51 (12 В) КТ3122Б п-р-п 150 (750**) - 35* (2к) - 100 (!*А) :51 (12 В) 1 1 1 1 1 1 КТ3123А-2 р-п-р 150 5000 15 3 30 (50*) :525 (15 В) КТ3123Б-2 р-п-р 150 5000 15 3 30 (50*) :525 (15 В) КТ31238-2 ! р-п-р 150 3500 10 3 30 (50*) 1 :525 (10 В) 1 1 i ! КТ3123АМ р-п-р 150 5000 15 3 30 (50*) :525 (15 В) КТ3123БМ р-п-р 150 5000 15 3 30 (50*) :525 (15В) КТ3123ВМ р-п-р 150 3500 10 3 30 (50*) :525 (10 В) 1 1 1 1 ' 1 КТ3126А р-п-р 150 (30°С) ~500 20 3 20 :51 (15 В) КТ3126Б р-п-р 150 (30°С) ~500 20 3 20 :51 (15 В) КТ3126А-9 р-п-р 110 ~450 35 3 30 :51 (15 В) 1 КТ3127А р-п-р 100 (35°С) ~600 20 3 25 :51 (15 В) 1 КТ3128А р-п-р 100 (35°С) ~800 40 3 20 :51 (15 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 97 rкэнк• Ом Кw,дБ ! ck, tк, ПС h21>' ь;IЭ с;2.• r~.". Ом r;, Ом t;,.,. нс Корпус пФ к;~•·' дБ Р;:,, Вт t::IUll НС - s.7 (IO В) - - tн< 1 КТЗ122 - 5.7 (10 В) - - tн< 1,5 7.2 J ~11 v ~~D 5КЗ 40(10В:10мА) 5.1 (10 В) ~5** (1 ГГц) 2,4 (1 ГГц) $10 КТЗ12З-2 40(10В:10мА) $1 (108) ~5** ( 1 ГГц) 3 (1 ГГц) $10 40(10В;10мА) Sl (10 В) ~5** (1 ГГц) 2,4 (1 ГГц) $10 ~rНJ ~~з/ 40(10В;10мА) S.1 ,2 (10 В) ~5** (1 ГГц) 2,4 (1 ГГц) S.10 КТЗ12ЗМ 40(10В;10мА) 5.1 ,2 (10 В) ?:5** ( 1 ГГц) 3 (1 ГГц) S.10 40(10В;10мА) 5.1 ,2 (10 В) ~5** (1 ГГц) 2,4 (1 ГГц) $10 ~~t 1 25...100 (5 В; 3 мА) s.2,5 (10 В) $120 - S.15 КТЗ126 60... 180 (5 В; 3 мА) s.2,5 (10 В) S.120 - S.15 ~fi:~ ~ ~-. .. .. ~ - 25... 100 (5 В; 3 мА) s.2,5 (10 В) S.120 - $10 КТЗ126-9 ~1t 25... 150 (5 В; 3 мА) $1 (10 В) - s.5(1 ГГц) S.10 КТЗ127 f5.8 з!j э ; Корп.Ф,6 15... 150 (5 В; 3 мА) 5.1 (10 В) ~14** (0,2 ГГц) S.34* s.5 КТЗ128 f5.8 зfi ' ; Кор~Ф,6 7зак9
98 Раздел 2. Бипопярные транзисторы 1 Струк- Ркmах' ~•• ~216• UКБО max• 1к .... lкоо, Тип Р~. т max' (;lэ' U~Rmax' UЭБО max• 1;:н max' ·~· прибора 1 тура р~~HlQllJLI с· u~max• в r:эо. ... мА мВт мrц в мкА КТ3128А-1 p-n-p 300 ~800 40 4 30 (0,8* А) 50,l (20 В) КТ3128Б-1 р-п-р 300 ~800 40 4 30 (0,8* А) g),l (20 В) КТ3128А-9 p-n-p 100 ~650 35 3 20 51 (15 В) 1 11 1 1 1 КТ3129А-9 р-п-р 75 (100**) ~200 50 5 100 (200*) 51 (50 В) КТ3129Б-9 р-п-р 75 (100**) ~200 50 5 100 (200*) 51 (50 В) КТ3129В-9 р-п-р 75 (100**) ~200 30 5 100 (200*) 51 (30 В) KT3129f-9 p-rr-p 75 (100**) ~200 30 5 100 (200*) 51' (30 В) КТ3129Д-9 р-п-р 75 (100**) ~200 20 5 100 (200*) 51 (20 В) КТЗIЗА р-п-р 300 (1000*) ~200 60 5 350 (700*) 50,5 (50 В) КТЗIЗБ 1 р-п-р 300 (1000*) ~200 60 5 350 (700*) 50,5 (50 В) КТЗIЗА-1 p-n -p 300 (1000*) ~200 60 5 350 50,5 (50 В) КТЗIЗБ-1 р-п-р 300 (1000*) ~200 60 5 350 50,5 (50 В) КТЗIЗВ-1 р-п-р 300 (1000*) ~200 50 5 350 50,5 (50 В) КТЗIЗГ-1 р-п-р 300 (1000*) ~200 30 5 700* 50,5 (50 В) 1 ' КТЗIЗОА-9 n-p -n 100 ~150 50 5 100 50.1 (50 В) КТЗIЗОБ-9 n-p -n 100 ~150 50 5 100 50,1 (50 В) КТЗIЗОВ-9 п-р-п 100 ~150 30 5 100 50,1 (30 В) КТЗIЗОГ-9 п-р-п 100 ~300 20 5 100 50,1 (20 В) КТЗIЗОД-9 n-p-n 100 ~150 30 5 100 50,1 (30 В) КТЗIЗОЕ-9 n-p-n 100 ~300 20 5 100 g),l (20 В) КТЗIЗОЖ-9 п-р-п 100 ~150 30 5 100 50,1 (30 В) КТ3132А-2 n-p-n 70 ~5.5 ГГц 10* (lк) 1 8,5 50,5 (10 В) КТ3132Б-2 п-р-п 70 ~5.5 ГГц 10* (lк) 1 8,5 50,5 (10 В) КТ3132В-2 п-р-п 70 ~5.5 ГГц 10* (lк) 1 8,5 50,5 (10 В) KT3132f-2 п-р-п 70 ~5.5 ГГц 10* (lк) 1 8,5 g),5 (10 В) КТ3132Д-2 n-p-n 70 (85°С) ~5.5 ГГц 10* (lк) 1 8,5 50,5 (IO В) КТ3132Е-2 n-p-n 70 (85°С) ~5.5 ГГц 10* (lк) 1 8,5 50,5 (10 В) КТ3139А п-р-п 200 ~150 20 5 200 50,02 (20 В) КТ3139Б п-р-п 200 ~150 32__ 5 200 50,001 (32 В) КТ3139В п-р-п 200 ~150 32 5 200 50,001 (32 В) KT3139f п-р-п 200 ~150 32 5 200 50,05 (32 В) 1
Биполярные кремниевые транзисторы 99 Ck, rкэнк• Ом Кш, дБ tк, ПС 1 h21.• ь;,э с;2э• r~нk' Ом r;, Ом t:X, НС Корпус пФ к;_*", дБ Р;:.. Вт t::кл, НС 1 35...150 (10 8: 3 мА) $1 (10 8) <!:15** (0,2 ГГц) $5 (0,2 ГГц) $5 КТЗ128-1 25...200 (10 8: 3 мА) sl (10 8) <!:15** (0,2 ГГц) $5 (0,2 ГГц) $5 1f 1 1 ~-~ 1 ~ ... t:!" ~ 15... 150 (10 8: 3 мА) sl (10 8) - s5 (200 МГц) - КТЗ128-9 ! 1 1 1 ~1 ! 1 30...120(58:2мА) 1 $10 (10 8) 1 $20 - - КТЗ129-9 80...250 (5 8: 3 мА) $10 (10 8) $20 - - 80...250 (5 8; 2 мА) 1 $10(108) 1 $20 - 1 - ~~t 200... 500 (5 8: 2 мА) $10 (!О 8) $20 - 1 - 200...500 (5 8; 2 мА) $10 (10 8) $20 - 1 - 1 1 30... 120 (10 8: 1 мА) $12 (10 8) $3,3 - $120* 1 КТЗIЗ 80...300 (10 8; 1 мА) $12 (10 8) $3,3 - $120* 1 ~5,81/ 1 ;fi 1 кфз 1 1 5 30... 120 (10 8; 1 мА) $12 (10 8) $3,3 - $120* КТЗ13-1 80...300 (10 8; 1 мА) $12 (10 8) $3,3 - $120* ~~~ 200... 520 (10 8; 1 мА) $12 (10 8) $3,3 - $120* 400... 800 (10 8; 1 мА) $12 (10 8) $3,3 - $120* ! lr) ~-• ~. ~....... 1 1 100...250 (5 8; 2 мА) $12 (5 8) - $10 (1 кГц) - 1 КТЗ130-9 . 200...500 (5 8: 2 мА) 1 sl2 (5 8) slO (1 кГц) 1 1 - - 200... 500 (5 8; 2 мА) $12 (5 8) - $10 (1 кГц) - ~~t 400... 1000 (5 8; 2 мА) $12 (5 8) - $10 (1 кГц) - 1 200... 500 (5 8; 2 мА) $12 (5 8) - $10 (1 кГц) - 400... 1000 (5 8; 2 мА) $12 (5 8) - $4 (1 кГц) - 1 100... 500 (5 8; 2 мА) sl2 (5 8) - $4 (1 кГц) - 15... 150 (7 8; 3 мА) $5,5 (7 8) <!:6** (3,6 ГГц) s2,5 (3,6 ГГц) - КТЗ132-2 15... 150 (7 8; 3 мА) s5,5 (7 8) <!:4** (3,6 ГГц) s4,8 (3,6 ГГц) - f.r±F 15... 150 (7 8; 3 мА) s5,5 (7 8) <!:5** (5 ГГц) s4,8 (3,5 ГГц) - 15... 150 (7 8; 3 мА) $5,5 (7 8) <!:7** (4 ГГц) s3,6 (3,4 ГГц) - 20...150 (7 8: 3 мА) s5,5 (7 8) <!:8, 1** (2,25 ГГц) s2 (2,25 ГГц) - ~~з63 70... 150 (7 8: 3 мА) s5,5 (7 8) <!:8,1 ** (2,25 ГГц) $2,5 (2,25 ГГц) - ' 1 1 1 1 <!:200 (5 8: 0,2 мА) $4,5 (10 8) $50 $85** s270*; Sl30*** 1 КТЗ139 <!:60 (5 8; 2 мА) $4,5 (10 8) $50 $85** $270* s О,95 <!:120 (5 8; 2 мА) s4.5(108) $50 $85** $270* ~~х 100... 310 (5 8; 2 мА) $4,5(108) $50 $85** $270*
100 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 Ркmах' 1,.•• ~••• UK60max' lкоо, lк ,.., Тип Струк- J Р;,тmах• ~;lз• u~mu• UЭБОmах• 1;,н max• J~R' p~:мnuix• с· u~max• в 1·· прибора тура ... КЭО• мВт Мfц в мА мкА КТ314А-2 п-р-п 500 <!:300 55 4 60 (70*) S0,075 (55 В) КТ3140А р-п-р 200 <!:150 20 5 200 S0,02 (20 В) КТ3140Б р-п-р 200 <!:150 32 5 200 S0.001 (32 В) КТ3140В р-п-р 200 <!:150 32 5 200 S0.001 (32 В) KT3140f р-п-р 200 <!:150 32 5 200 S0,05 (32 В) КТ3140Д р-п-р 200 <!:150 20 5 200 S0,02 (20 В) КТ3142А п-р-п 360 <!:500 40 4.5 200; 500* S0,4 (20 В) 1 1 1 1 1 i i 1 1 : ! i КТ3143А п-р-п 50 <!:600 10 4 10 S0,5 (10 В) КТ3144А п-р-п 50 <!:1800 15 3 1 10 $0,5 (15 В) 1 ! IKT3145A-9 п-р-п 200 <!:125 32* (0,lк) 5 200 1 S0.02 (32 В) КТ3145Б-9 п-р-п 200 <!:125 45* (0,lк) 5 200 Sl (45 В) КТ3145В-9 1 п-р-п 200 <!:125 45* (0,lк) 5 200 1 Sl (45 В) KT3145f-9 1 п-р-п 1 200 <!:125 45* (О,lк) 1 5 200 1 s0.05 (45 В) КТ3145Д-9 1 п-р-п 1 200 <!:125 45* (0,lк) 5 200 S0,05 (45 В) КТ3146А-9 р-п-р 200 <!:125 32* (О,lк) 5 200 s0.02 (32 В) КТ3146Б-9 р-п-р 200 <!:125 45* (О,lк) 5 200 Sl (45 В) КТ3146В-9 р-п-р 200 <!:125 45* (О,lк) 5 200 sl (45 В) KT3146f-9 р-п-р 200 <!:125 45* (О,lк) 5 200 s0.05 (45 В) КТ3146Д-9 р-п-р 200 <!:125 45* (0,1 к) 5 200 S0.05 (45 В) 1 1 1 i КТ315А п-р-п 150 (250*) <!:250 25 6 100 S0.5 (10 В) КТ315Б п-р-п 150 (250*) <!:250 20 6 100 S0,5 (!О В) КТ315В п-р-п 150 (250*) <!:250 40 6 100 S0,5 (10 В) KT315f п-р-п 150 (250*) <!:250 35 6 100 S0,5 (10 В) КТ315Д п-р-п 150 (250*) <!:250 40* (lОк) 6 100 S0,6 (10 В) КТ315Е п-р-п 150 (250*) <!:250 35* (!Ок) 6 100 S0,6 (10 В) КТ315Ж п-р-п 100 <!:250 20* (10к) 6 50 $0,6 (!О В) КТ315И п-р-п 100 <!:250 60* (10к) 6 50 $0,6 (10 В) КТ315Н п-р-п 150 <!:250 35* (10к) 6 100 S0.6 (10 В) КТ315Р п-р-п 150 <!:250 35* (10к) 6 100 $0,5 (10 В) 1
Биполярные кремниевые транзисторы 101 Ck, rкэнас• Ом Кw,дБ т., пс h2," ь;,э с;2э• r~""'' Ом r;, Ом t;...,, нс Корпус пФ к;~,... дБ Р.:,:" Вт t:.ll.JI, нс 1 ' 30.. .120 (5 В: 0,25 мА) SIO (5 В) SIO - S80; S300* КТЗ14-2 ~~! 1'\~ 6кэ ~200(5В:2мА) sб,5 (10 В) s50 S85** S270*; S400** КТЗ140 ~60(5В:2мА) sб,5 (10 В) $50 s85** S270* 120.. .460 (5 В; 2'мА) Sб,5 (10 В) s50 S85** S270* j 0.,95 100...310 (5 В; 2 мА) sб,5 (10 В) s50 S85** S270* ~х_ ~200(5В:2мА) sб,5 (10 В) S50 S85** S270* 1 40...120 (1 В: 10 мА) S4 (10 В) S25 - Sl3*; Sl8** КТЗ142А 115,81/ 1 ;fi к-$з 1 1 6 1 i 1 40...300 (5 В; lОмА) S3(5В) S0,4 - 1 sl5* 1 КТЗ14З, КТЗ144 ~IJ:~ ~40(1В;5мА) Sl,9 (5 В) - s5 (400 МГц) - ~ "1t-- ' ~ "" ....., ~200(5В:2мА) Sll S50 - SllOO* КТЗ145-9 ~60(5В;2мА) Sll s50 - SllOO* :fjf 120...460 (5 В; 2 мА) Sll S50 - SllOO* 100...310 (5 В; 2 мА) Sll S50 - SI 100* 120·...460 (5 В: 2 мА) 1 Sll S50 - SllOO* 1 к6 ~200(5В:2мА) Sl2 S50 - SllOO* КТЗ146-9 ~(5В;2мА) Sl2 so - SllOO* 120.. .460 (5 В; 2 мА) Sl2 S50 - SllOO* ~~1 100...310 (5 В; 2 мА) Sl2 S50 - SllOO* 120...460 (5 В; 2 мА) Sl2 S50 - SllOO* 30...120* (1О В; 1мА) 1 s7 (10 В) S20 S40* S300 КТЗ15 50...350* (1 О В; 1 мА) S7 (10 В) S20 S40* S500 30...120* (1О В: 1мА) s7 (10 В) S20 S40* $500 7.2 J 50...350* (10 В; 1 мА) S7 (10 В) S20 S40* S500 20...90* (1О В: 1 мА) S7 (10 В) s30 S40* SIOOO ir 50...350* (10 В; 1 мА) s?.(10 В) sзо s40* SIOOO ~tm 30...250* (10 В; 1 мА) SIO (10 В) S25 - S800 ~' ~30* (10 В: 1 мА) slO(lOB) S45 - S950 D 50... 350* ( 10 В; 1, мА) S7 (10 В) S5,5 - SIOOO 6КЗ 150...350* (10 В; 1 мА) S7 (10 В) S20 - S500
102 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах• .. .. . \216, UKБOmax• Iк .... lкоо• Тип Струк- Р~.тmах• ~;lэ• U~Rmax• UЭБО max• 1;,11 max• J~R• р~: и max• с· u~max• в 1·· прибора тура ." кэо• мВт МГц в мА мкА IKT315A-1 1 150 ~250 25 6 1 100. 1 S0,5 (10 В) п-р-п 1 КТ315Б-1 п-р:п 150 ~250 20 6 100 S0.5 (10 В) КТ315В-1 1 п-р-п 150 ~250 40 6 100 S0,5 (10 В) КТ315Г-1 п-р-п 150 ~250 35 6 100 S0,5 (10 В) КТ315Д-1 1 п-р-п 150 ~250 40 6 100 S0,5 (10 В) КТ315Е-1 п-р-п 150 ~250 35 6 100 S0,5 (10 В) КТ315Ж-1 п-р-п 100 ~250 15 6 100 S0,5 (10 В) КТ315И-1 п-р-п 100 ~250 60 6 100 s0,5 (10 В) КТ315Н-1 п-р-п 150 ~250 20 6 100 S0,5 (10 В) КТ315Р-1 п-р-п 150 ~250 35 6 100 S0,5 (10 В) КТ3150Б-2 р-п-р 120 (65°С) ~1200 35* ( lОк) 4 30 (50*) S0,5 (40 В) i 1 1 1 1 КТ3151А-9 п-р-п 200 ~100 80* 5 100 SI (100 В) КТ3151Б-9 п-р-п 200 ~100 80* 5 100 SI (90 В) КТ3151В-9 п-р-п 200 ~100 60* 5 100 Sl (80 В) KT3151f-9 п-р-п 200 ~100 40* 5 100 SI (60 В) КТ3151д-9 п-р-п 200 ~100 30* . 5 100 Sl (30 В) КТ3151Е-9 п-р-п 200 ~100 20* 5 100 SI (30 В) 1 КТ3153А-9 1 п-р-п 1 300 ~250 60 5 400 (0,6* А) 1 S0,05 (45 В) 1 1 1 1 КТ3153А-5 п-р-п 300 ~250 60 5 0.4 А (0,6* А) S0,05 (45 В) КТ3157А р-п-р 1 200 ~60 250* (IОк) 5 30 (100*) sO.I · (200 В) 1 1 1 1 КТ316А п-р-п 150 (90°С) ~600 10* (3к) 4 50 : S0,5 (10 В) КТ316Б п-р-п 150 (90°С) ~800 10* (3к) 4 50 S0,5 (10 В) КТ316В п-р-п 150 (90°С) ~800 10* (3к) 4 50 s0.5 (10 В) KT316f п-р-п 150 (90°С) ~600 10* (3к) 4 50 s0.5 (10 В) КТ316Д п-р-п 150 (90°С) ~800 10* (3к) 4 50 S0,5 (10 В) 1 1 ! КТ316АМ п-р-п 150 (85°С) ~600 10* (3к) 4 50 s0.5 (10 В) КТ316БМ п-р-п 150 (85°С) ~800 10* (3к) 4 50 S0,5 (10 В) КТ316ВМ п-р-п 150 (85°С) ~800 10* (3к) 4 50 S0,5 (10 В) КТ316ГМ п-р-п 150 (85°С) ~600 1О* (3к) 4 50 S0,5 (10 В) КТ316ДМ п-р-п 150 (85°С) ~800 10*· (3к) 4 50 S0,5 (10 В)
Бипопярнь1е кремниевые транзисторы 20...90 (10 В; 1 мА) 50... 350 (10 В; 1 мА) 20".90 (10 В; 1 мА) 50". 350 (10 В; 1 мА) 20".90 (IO В; 1 мА) 20".90 (IO В: 1 мА) 30". 250 (IO В; 1 мА) 30(IOВ;1мА) 50". 350 {10 В; 1 мА) 150."350 (10 В; 1 мА) 60... 180* (5 В; 2,5 мА) ~(5В;10мА) 30".90 (5 В; 1О мА) 40".120 (5 В; 1О мА) 40".120 (5 В; 10 мА) ~80(5В:10мА) ~40(5В;1ОмА) 100".300 (5 В; 2 мА) s7 (10 В) s7 (IO В) ~7 (IO В) S7(IOB) S7 (\О В) S7 (10 В) S7 (\О В) S7 (IO В) S7 (10 В) s7 (IO В) S2 (\О В) Sl5(10B) Sl5(IOB) Sl5 (10 В) Sl5 (10 В) Sl5 (\О В) Sl5 (IO В) S4,5 (IO В) 100".300 (5 В; 2 мА) S4,5 (IO В) ~50*(20В;25мА) 1 s3(30В) 20".60* (1 В; 1О мА) 40".120* ( 1 В; 1О мА) 40... 120* (1 В; 1О мА) 20".100* (1 В; 1О мА) 60".300* (1 В; 10 мА) 20".60* (1 В; 10 мА) 40".120" (1 В; 10 мА) 1 40".120* (1 В; 10 мА) 20".100* (1 В; 1О мА) 60."300* (1 В; 1О мА) S3(5В) S3(5В) S3(5В) S3(5В) S3(5В) s3(5В) S3(5В) s3(5В) S3(5В) S3(5В) rDнac' Ом r~нас• Ом к;."", дБ S20 S20 S20 S20 S20 S20 S20 S20 S25 s60 S60 SбО S60 s60 s60 S2,б S2,3 SбО S40 S40 S40 S40 S40 S40 S40 S40 S40 S40 Кш, дБ r;, Ом Р;:,, Вт S40* S40* S40* S40* S40* S40* S40* S40* 1 1 1 i tк, ПС ~;...нс t ...ILJll, нс sзоо S300 sзоо S300 S300 S300 sзоо S300 s30; s30* S400* S400* SIO* SIO* Sl5* Sl50 Sl50 SIO* SIO* Sl5* Sl50 Sl50 103 Корпус КТЗ15-1 КТЗ150-Z ~~~ "" ,~l 6КЗ КТЗ151-9 j 0,95 ~*Х КТЗ15З-9 ~1КТЗ15ЗА-5 1 0,8 0,3 1 ;}шт КТЗ16 КТЗ16М
104 Раздел 2. Биполярные транзисторы ! i i PKmax• ~" li:21•• UКБО max• lкво, ! lк max j Тип 1 Струк-1 Р~. т max• ~:;Jэ• U~Rmax• UЭБОmах• ·~· ' •:.н maxt 1 прибора р~: н max• с· u~max• в ·~· I тура ." 1 мВт МГц в мА мкА 1 1 jктз1вsл i p-n -p 160 (55°С) ~750 40 3 1 30 1 s:O,I (20 В) 1 1 1 1 1 i 1 КТ3165А-9 p-n -p 100 1060 40 5 1 30 i 0,5 1 1 1 1 1 1 1 1 1 UэБпр КТ3166А n-p-n 15 ~400 15* (lк) ~546,6 мВ 1 - КТ3166Б n-p -n 15 ~400 15* (lк) ~545,1 мВ 1 - КТ31668 n-p -n 15 ~400 15* (lк) ~543,6 мВ 1 - КТ3166Г n-p -n 15 ~400 15* (lк) ~540,6 мВ 1 1 - 1 i 1 1 ! КТ3168А-9 n-p -n 180 (55°С) ~3000 15* (!Ок) 2,5 28 (56*) s:0,5 (15 В) КТ3169А-9 p-n -p 200 ~750 40 3 30 s:O.I (20 В) 1 11 1 1 1 КТ3169А91 p-n -p 200 ~750 40 3 30 (0,6* А) :S:O, I (20 В) КТ317А-1 n-p -n 15 ~100 5 3,5 15 (45*) :S:I (5 В) КТ317Б-1 1 n-p -n 15 ~100 5 3,5 15 (45*) :S:I (5 В) КТ317В-1 1 n-p-n 15 ~100 5 3,5 15 (45*) :S:I(5В). ~ 11 КТ3170А-9 n-p -n 250 ~300 40 4 30 0,1 (20 В) КТ3171А-9 p-n -p 200 ~150 15 4 1 530 i :S:O.I (12 В) i 1 ' 1 1 1 ! 1 i i 1
Биполярные кремниевые транзисторы 105 ck, rкэна"' Ом Кw,дБ tк, ПС hz,,• ь;,э c;z,• r~нас• Ом r;, Ом t;k. нс Корпус пФ к;.·р.• дБ Р:,х, Вт t:.ll .JI. нс ~25* (10 В; 3 мА) $0,65 (10 В) - $8 (1 ГГц) $3 КТ3165 ~i ~25(10В;3мА) - - 7 $3 КТ3165А-9 ~1КТ3166 280... 1000* (5 В; 0,1 мА) - - - - ~fi:~ 280.. .1000* (5 В; 0,1 мА) - - - - 280... 1000* (5 В; 0,1 мА) - - - - 280... 1000* (5 В; 0,1 мА) - - - - 'r ') <:t-- • ~ 111') 1 ....., 60...180 (5 В; 5 мА) $1,5 (5 В) ~7** (1 ГГц) $3 (1 ГГц) $10 КТ3168А-9 ~~1 ~25(1В;3мА) $0,6 (10 В) ~13** (0,8 ГГц) $6 (800 МГц) - КТ3169-9 1 j О,95 ~х ~25(10В;3мА) $0,6 (10 В) ~13** (800 МГц) $6 (800 МГц) - КТ3169-91 ~1 25...75 (1 В; 1 мА) $11 (1 В) $30 - $130* КТ317-1 35... 120 (1 В; 1 мА) $1l(1В) $30 - $130* 80...250 (1 В; 1 мА) $1I(1В) $30 - $130* w~~ ~ 11 / 1\ ::::: 6кз ~100 (10 В; 7 мА) $2 (10 В) - - - КТ3170-9, КТ3171А-9 j 0,95 ~х ~50* (2 В: 100 мА) $15 (15 В) $1,5 - $20 j ! 1
106 Раздел 2. 15ипопярные транзисторы PKmaX"• ~.. ~,.. UКБО max• lк max lкво• Тип Струк- Р;,тmах• (;1зt U:CЭR max• Uэоо max• 1;, и max• 1:сэн. прибора р;." m11x• t:xt u~max:I в J'' тура мА кэо• мВт МГц в мкА КТЗ172А~9 n-p-n 200 ~500 20* 4,5 200* S0,4 (20 В) . 1 1 1 1 i 1 КТЗ173А-9 1 p-n·-p 200 ~200 30 5 530 ~.1 (20 В) j' КТЗ176А-9 200 ~150 35 5 500 ' ~.1 (35 В) п-р-п КТ3179А-9 п-р-п 200 ~150 150 5 55 sl (lOO В) 1 КТ318А-1 1 п-р-п 15 ~430 10 3,5 1 20 (45~) s0.5 (10 В) КТ318Б-1 п-р-п 15 ~430 10 3,5 20 (-45*) s0.5 (10 В) КТ318В-1 п-р-п 15 ~430 10 3,5 20 (45*) 1 ~.5 (10 В) КТЗ18Г-1 п-р-п 15 ~350 10 3,5 20 (45*) s0.5 (10 В) КТЗ18Д-1 п-р-п 15 ~350 10 3,5 20 (45*) s0.5 (10 В) КТЗ18Е-1 п-р-п 15 ~350 10 3,5 20 (45*) ~.5 (10 В) КТЗ180А-9 р-п-р 200 ~150 150 5 50 SI (150 В) 1 КТЗ184А9 n-p-n 1200 ~200 80; 65* 6 500 SlO (60 В) КТЗ184Б9 п-р-п 1200 ~200 80; 65* 6 . 500 SlO (60 В) 1 1 1 1 КТЗ186А-9 П•р-П 1 300 ~6 ГГц 20 2,5 50 sO,l (IOB) КТЗ186Б-9 п-р-п 90 ~3.2 ГГц 20 2,5 50 ~.1 (10 В) КТЗ186В-9 п-р-п 250 ~4 ГГц 20 2,5 50 SO,l (10 В) КТЗ187А-9 n-p -n 200 ~4.4 ГГц 20 2 25 SO,l (10 В) · 1 1 1 ! КТЗ187А91 п-р-п - 200 ~4600 20; 12* 2 20 - КТ3187Б91 п-р-п 90 ~3200 18; 12• 2 10 - КТЗ1&7В91 п-р-п 200 ~3000 20 2 25 -
Биполярные кремниевые транзисторы 107 ck, rкэ.к• Ом Kw, дБ tк• ПС ь"" ь;,э с;2э• r~.". Ом r;, Ом t~. нс Корпус пФ к;:,.. дБ Р;~х• Вт t::.IUll НС ~40(1В;10мА) ~3 (10 В) $1 - $45 КТЗ172-9, КТЗ173-9 1 ;J О,95 ~Jk 50...500 (5 В; 30 мА) :s;lO (!О В) $1,5 - $20** 1 ~ 1 q 1 ~ ~60 (10 В; 150 мА) $15 (10 В) $1,2 - - КТЗ176-9, КТЗ179-9 ~65* (5 В; 10 мА) :s;3 :s;33 - - ;J О,95 ~*Jk 30...90 (1 В; 10 мА) $3,5 (5 В) $27 - $15* 1 КТЗ18-1 1 50...150(1В; 10мА) $3,5 (5 В) $27 - $15* 1 1 70...280 (1 В; 10 мА) 1 :s;3,5 (5 В) $27 - $15* 1 30...90 (1 В; 10 мА) $4,5 (5 В) $27 - $10* ~~~ 50...150 (1В; 10 мА) $4,5 (5 В) $27 - $10* 70...280 (1В; 10 мА) $4,5 (5 В) $27 - :s;lO* ") 11\ 1 6кз ~90* (5 В; 10 мА) - :s;33 - - 1 КТЗ180-9 1 ;J 0,95 1 ~*Jk ' 1 1 ~ i 20...80 (5 В; 0,2 А) $15 (!О В) $4; 7,5* :s;6 (100 МГц) $400 КТЗ184-9 50... 180 (5 В; 0,2 А) :s;15 (10 В) $4; 7,5* $6 (100 МГц) $400 1/,6 11 ~Ф~·~• ' J. . <::!' 5 4q ~" o.ss 448 l5- 1,5 ~60(5В;15мА) :s;0,9 (8 В) ~8** (2 ГГц) :s;3,5 (2 ГГц) - КТЗ186-9 ~40(3В;2мА) 1 :s;0,9 (8 В) ~6** (2 ГГц) :s;3 (2 ГГц) - ~~ ~35(5В;10мА) :s;0,9 (8 В) ~6** (2 ГГц) $4 (2 ГГц) - :~к 6 ~40 (10 В; 14 мА) :s;0,9 (10 В) ~12** (0,8 ГГц) $2 (0,8 ГГц) - КТЗ187-9 (КТЗ187-91) i 1 ;J 0,95 1 1 1 ~~Jk 1 ~40(10В;14мА) - ~12** (0,8 ГГц) $2 (0,8 ГГц) - 1 ~40(3В;2мА) - ~12** (0,8 ГГц) :s;2 (0,8 ГГц) - ~40(5В;5мА) - ~12** (0,8 ГГц) :s;2,5 (0,8 ГГц) - (6) (З)
108 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 Pкmu• ~•• (216' UKБOmax• 1 1 •коо• ! )Kmax 1 Тип 1 Струк- J р~тmах• ~;lэ• U~Rmax• UЭБО max• J 1 ·~R' ; прибора 1 тура 1 PtZ н max• с· u~max• в 1;.11 max• ·~· i ". мА 1 мВт МГц . в 1 мкА i КТЗ189А-9 i п-р-п i 225 300 50 6 100 i - КТЗ189Б-9 1 п-р-п 225 300 50 6 100 1 - КТЗ189В-9 п-р-п 225 300 50 6 100 - КТЗ19А-1 п-р-п 15 ~100 5 3,5 1 15 :51 КТЗ19Б-1 п-р-п 15 ~100 5 3,5 1 15 !.· :51 1 КТЗ19В-1 п-р-п 15- ~100 5 3.5 1 15 :51 1 1 i 1 1 1 1 j ! 1 ! 1 1 1 ! 1 1 1 КТЗ191А-9 р-п-р 200 ~4500 15** 2 25 :50,1 (20 В) КТЗ191А91 р-п-р 1 200 ~4500 15** 2 25 1 :50,1 (20 В) 1 i 1 1 1 1 1 1 i1 1 1 i КТ3192А-9 1 р-п-р 1 200 800 40 3 30 i 0.1 1 ! 1 ! i 1 i 1 1 1 КТЗ19ЗА р-п-р 200 ~50 50* (lОк) 20 150; 300* :550 (50 В) КТЗ19ЗБ р-п-р 200 ~50 40* (lОк) 20 150; 300* :550 (40 В) КТЗ19ЗВ р-п-р 200 ~50 30* (lОк) 20 150; 300* :550 (30 В) КТЗ19ЗГ р-п-р 200 ~50 50* (lОк) 5 150; 300* :550 (50 В) КТЗ19ЗД р-п-р 200 ~50 40* (lОк) 5 150; 300* 1 :550 (40 В) ! КТЗ19ЗЕ ' р-п-р 200 ~50 30* (!Ок) 5 1 150; 300* ~50 (30 В) 1 1 1 КТЗ196А-9 1 р-п-р 1 225 250 40 5 200 1 10 1 1 i 1 1 1 i 1 1 1 1 КТЗ197А-9 п-р-п 225 200 60 6 200 10 КТЗ198А п-р-п 280 4600 15* 1 2,5 25 - 1 КТЗ198Б 1 п-р-п 280 4600 15* 1 2,5 25 !- r КТЗ198В 300 4000 15* 2,5 50 1 1 п-р-п ' - ' КТЗ198Г 1 п-р-п i 300 4000 15* 2,2 35 1 - 1 . j IКТЗ198Д п-р-п 280 3000 20 1 2,5 30 1 - КТЗ198Е п-р-п 300 1 6000 20 1 3 100 ! - КТЗ198Ж п-р-п 300 6500 20 2,5 50 КТЗ198А9 п-р-п 280 ~4200 20 2,5 30 КТЗ198Б9 п-р-п 280 ~4200 20 2,5 30 КТЗ198В9 п-р-п 300 ~4000 20 2,5 50 КТЗ198Г9 п-р-п 300 ~4000 15 2 35 КТЗ198Д9 п-р-п 280 ~3000 20 2,5 30 КТЗ198Е9 п-р-п 300 ~6000 20 3 100 КТЗ198Ж9 п-р-п 200 ~6500 20 2,5 50
Sиполярные кремниевые транзисторы 109 1 Ck, fкэнас• Ом Kw, дБ тк, пс ь.,,. ь;,э c;2:t• r~нас• Ом r;, Ом t;..... нс Корпус пФ к;.·,_, дБ Р,:,, Вт t;ыu• НС 110... 220 - б 10 - КТЗ189-9 1 200 .. .450 - б 10 - 0,95 j 420... 800 - 6 10 - ~х_ 15...55 (1В; 1мА) SI1(1 В) S30 - $130* КТЗ19-1 45...90 (1 В; 1мА) SlI (1 В) $30 - $130* ~~ 1Р 80...200 (1 В; 1 мА) Sll(IB) $30 - $130* 1 5ЗК ~20 (10 В: 14 мА) S0,9 (10 В) ~16** (0,5 ГГц) S2,4 (0,5 ГГц) - КТЗ191-9 j О.95 ~~х_ ~20(10В; 14 мА) S0,9 (10 В) ~16** (0,5 ГГц) S2,4 (0,5 ГГц) - КТЗ191-91 (КТЗ192-9) j О.95 ~*Х 20 - - 6 - (З)(5) 80...400 (5 В; 30 мА) S35 (20 В) $1 - $400* КТЗ19З 80...400 (5 В; 30 мА) $35 (20 В) $1 - $400* Ti' · 80...400 (5 В; 30 мА) S35 (20 В) SI - $400* 100.. .400 (5 В; 30 мА) S60 (20 В) $1 - $400* "11 з 100.. .400 (5 В; 30 мА) S60 (20 В) SI - $400* :: 5$К 100.. .400 (5 В; 30 мА) S60 (20 В) $1 - $400* ~ 100... 300 - 2 - - КТЗ196-9, КТЗ197-9 j О.95 ~х_ 100... 300 - 1,5 - - . 40 - ~16** (0,5 ГГц) S2,4 (0,5 ГГц) - КТЗ198 40 - ~12** (0,5 ГГц) 2 - ~i 25# - 14** 1,9 - 40 - ~11 ** (0,8 ГГц) 1,6 - ~20(1В;2мА) - ~10** (0,8 ГГц) S4 (0,8 ГГц) - ~50 (10 В; 20 мА) - ~12** (0,8 ГГц) S2 (0,8 ГГц) - 6 ;а' ''" ~(8В:15мА) - ~13** (0,8 ГГц) Sl ,8 (0,8 ГГц) - ~40 (10 В; 14 мА) - ~13** (0,5 ГГц) S2,4 (0,5 ГГц) - КТЗ198-9 ~40 (10 В; 14 мА) - ~11 ** (0,8 ГГц) $2 (0,8 ГГц) - ~25(5В;30мА) - ~13** (0,5 ГГц) S2,3 (0,5 ГГц) - ~$$?! ~40(5В;30мА) - ~11 ** (0,8 ГГц) S2 (0,8 ГГц) - ~20(1В;2мА) - ~10** (0,8 ГГц) S4 (0,8 ГГц) - ~50 (10 В; 20 мА) - ~12** (0,8 ГГц) s2 (0,8 ГГц) - ~50(5В;15мА) - ~16** (0,8 ГГц) S 1,8 (0,8 ГГц) - .
110 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' ~•• ~216' UKБOmaxt lкmax lкю• Тип Струк- Р;. тmах• ~;lз' U~Rmax• UЭБО max• 1;.н max• I~R• прибора р;~ н max' с· u~max• в 1" тура ." мА КЭО• мВт МГц в мкА КТ3198А92 п-р-п 300 ~4500 20 2,5 30 - КТ3198Г92 п-р-п 300 ~5000 15 2 35 - 1 КТ3199А9 1 п-р-п 1 300 ~6000 20 1 2,5 50 1 - 1 1 КТ3199А91 п-р-п 300 ~6000 20 2,5 50 - КТ3199А92 п-р-п 300 ~5500 15. 1 2 50 - 1 1 КТ3201А9 п-р-п 300 ~100 450 6 400 - КТ3201Б9 п-р-п 300 ~100 400 6 400 - КТ3201В9 п-р-п 300 ~100 300 6 400 - КТ3201Г9 1 п-р-п 300 ~100 250 6 400 1 - i 1 1 1 1 1 КТ321А р-п-р 210 (20** Вт) ~60 60 4 200 (2* А) :s;O,I (60 В) КТ321Б р-п-р 210 (20** Вт) ~60 60 4 200 (2* А) :s;O,I (60 В) КТ321В р-п-р 210 (20** Вт) ~60 60 4 200 (2* А) :s;O,I (60 В) КТ321Г р-п-р 210 (20** Вт) ~60 45 4 200 (2* А) :s;O,I (45 В) КТ321Д р-п-р 210 (20** Вт) ~60 45 4 200 (2* А) :s;O,I (45 В) КТ321Е р-п-р 210 (20** Вт) ~60 45 4 200 (2* А) :s;O,I (45 В) i КТ324А-1 1 п-р-п 1 15 ~800 10 4 20 (50*) :s;0,5 (10 В) КТ324Б-1 1 п-р-п 15 ~800 10 4 20 (50*) :s;0,5 (10 В) КТ324В-1 1 п-р-п 1 15 ~800 10 4 20 (50*) :s;0,5 (10 В) КТ324Г-1 п-р-п 15 ~600 10 4 20 (50*) :s;0,5 (10 В) КТ324Д-1 п-р-п 15 ~600 10 4 20 (50*) :s;0,5 (10 В) КТ324Е-1 п-р-п 15 ~600 10 4 20 (50*) :s;0,5 (10 В) КТ325А п-р-п 225 (85°С) ~800 15* (3к) 4 30 (60*) :s;0,5 (15 В) КТ325Б п-р-п 225 (85°С) ~800 15* (3к) 4 30 (60*) :s;0,5 (15 В) КТ325В п-р-п 225 (85°С) ~1000 15* (3к) 4 30 (60*) :s;0,5 (15 В) 1 1 1 ~ 1 1 ! 1 1 1 1 1
Бипопярнь1е кремниев~е щран=1исторы 111 Ck, Гкэ нас' О:м Кw,дБ tк, ПС h21.• ь;,э с~2э' r~нас' Ом r;, Ом t;,..,, НС Корпус пФ . к;."", дБ Р:~х' Вт t::кnt НС 1 ~35(58;10мА) - ~11 ** (0,8 ГГц) s2 (0,8 ГГц) - 1 КТ3198-92, КТ3199-9. ~40 (10 8; 14 мА) - ~12** (0,8 ГГц) :!>3,4 (0,8 ГГц) - 1 1 -~ :ttФf ~60(58;15мА) - ~15** (0,8 ГГц) Sl,8 (0,8 ГГц) - к6 - ~60 (5 8; 15 мА)I - ~15** (0,8 ГГц) Sl,8 (0,8 ГГц) - КТ3199-91 1 1 -~ 1 ' 1 1 :tЩ ! 1 1 1 1 1 ' ' 1 ! 1 кэ i i ~80(88;15мА) - ~12** (0,8 ГГц) s2 (0,8 ГГц) - i КТ3199-92 ! 1 rii 1 ! i ~30 (10 8; 50 мА) 1 :!>4,5 (20 8) SlO; 1,5* 1 - 1 - 1 КТ3201-9 • ~30 (10 8; 50 мА) 1 :!>4,5 (20 8) SlO; 1,5* - - ~30(108;50мА) 1 s4,5(208) SlO; 1,5* - - ~1 ~30 (10 8; 50 мА) 1 :!>4,5 (20 8) SlO; 1,5* - - 1 20".60* (3 8; 0,5 А) :!>80 (10 8) $3,6 - $1000* КТ321 40... 120* (3 В; 0,5 А) sSO (10 8) $3,6 - $1000* :fi1•6 80...200* (3 В; 0,5 А) $80(108) $3,6 - $1000* 20...60* (3 8; 0.5 А) $80(108) $3,6 - $1000* 40... 120* (3 В; 0,5 А) 1 sBO (10 8) $3,6 - $1000* 80...200* (3 В; 0,5 А) :!>80 (10 8) $3,6 - $1000* i1 20...60 (1 8; 10 мА) :!>2,5 (5 8) $30 - 1 :!>180; slO* КТ324-1 40... 120 (1 8; 10 мА) s2,5 (5 8) $30 - :!>180; SlO* 80...250 (1 8; 10 мА) :!>2,5 (5 В) $30 - $180; $10* ~t 40... 120 (1 8; 10 мА) $2,5 (5 8) $30 - $180; $10* 20...80 (1 8; 10 мА) s2,5 (5 8) $30 - :!>180; $10* 60...250 (1 8; 10 мА) s2,5 (5 В) S30 - :!>180; SlO* 1 ' 1 5КЗ 1 i 1 1 30."90• (5 8; 10 мА) 1 :!>2,5 (5 8) - 1 - 1 $125 ! КТ325 i 70...210* (5 8: 10 мА) s2,5 (5 8) - - $125 ' 160...400* (5 8; 10 мА) s2,5 (5 8) - - $125 ! ~ffl6Ф· 1 1 1 i ! 1 1 ! 1 i ' ' 1 i 1 1 ' !:) з о,о 1 1 ~ Корп.
112 Рк max' ~р• ~216• Тип Ст рук- Р~. т maxf (;lэ' прибора тура р~~ н max' с· '" мВт МГц КТ325АМ 1 n-p-n 225 (85°С) ~800 КТ325БМ 1 n-p -n 225 (85°С) ~800 КТ325ВМ n-p-n 225 (85°С) ~1000 1 1 1 1 1 КТ326А р-п-р 200 (30°С) ~250 КТ326Б p-n -p 200 (30°С) ~400 КТ326АМ р-п-р 200 (30°С) ~250 КТ326БМ р-п-р 200 (30°С) ~400 1 1 . КТ331А-1 n-p -n 15 ~250 КТ331Б-1 n-p-n 15 ~250 КТ331В-1 n-p-n 15 ~250 КТ331Г-1 n-p-n 15 ~400 КТ332А-1 n-p-n 15 ~250 КТ332Б-1 n-p -n 15 ~250 КТ3328-1 n-p-n 15 ~250 КТ332Г-1 n-p-n 15 ~500 КТ332Д-1 n-p-n 15 ~500 КТ333А-3 n-p-n 15 ~450 КТ333Б-3 n-p-n 15 ~450 КТ333В-3 n-p-n 15 ~450 КТ333Г-3 n-p-n 15 ~350 КТ333Д-3 n-p-n 15 ~350 КТ333Е-3 n-p-n 15 ~350 КТ336А n-p-n 50 ~250 КТ336Б n-p-n 50 ~250 КТ3368 n-p-n 50 ~250 КТ336Г n-p-n 50 ~450 КТ336Д n-p-n 50 ~450 КТ336Е n-p-n 50 ~450 КТ337А р-п-р 150 (60°С) ~500 КТ337Б p-n -p 150 (60°С) ~600 КТ337В р-п-р 150 (60"С) ~600 UКБО max' U~Rmax' u~max' в 15* (3к) 15* (3к) 15* (3к) 15* (IООк) 15* (IООк) 15* (IООк) 15* (IООк) 15* (IОк) 15* (!Ок) 15* (IОк) 15* (IОк) 15* (!Ок) 15* (IОк) 15* (IОк) 15* (!Ок) 15* (IОк) IO* (3к) 10* (3к) 1О* (3к) 1О* (3к) IO* (3к) IO* (3к) 1О* (3к) 1О* (3к) 1О* (3к) IO* (3к) 1О* (3к) 10* (3к) 6* ( !Ок) 6* (IОк) 6* (10к) t Раздел 2. Биполярные транзисторы lк max IКБО• UЭБО max' •:. н max' ·~R' в 1·· кэо• мА мкА 4 30 (60*) :S0,5 (15 8) 4 30 (60*) :S0,5(158) 4 30 (60*) :S0,5 (15 В) 5 50 :S0,5 (20 8) 5 50 :S0,5 (20 8) 5 50 :S0.5 (20 8) 5 50 :S0,5 (20 8) 1 3 20 (50*) :S0.2 (15 8) 3 20 (50*) $0,2(158) 3 20 (50*) :S0.2 (15 8) 3 20 (50*) :S0,2 (15 8) 3 20 (50*) :S0,2(158) 3 20 (50*) :S0,2 (15 8) 3 20 (50*) :S0,2 (15 8) 3 20 (50*) :S0,2 (15 8) 3 20 (50*) :S0,2 (15 8) 3,5 20 (45*) 1 :S0,4 (10 8) 3,5 20 (45*) :S0.4 (10 8) 3,5 20 (45*) :S0,4 (10 8) 3,5 20 (45*) :S0,4 ( 1О 8) 3,5 20 (45*) :S0,4 (IO 8) 3,5 20 (45*) :S0,4 ( 10 8) 4 20 (50*) :S0,5 ( 1О 8) 4 20 (50*) :S0,5 ( 1О 8) 4 20 (50*) :S0,5 (IO 8) 4 20 (50*) :s;0,5 (IO 8) 4 20 (50*) :S0,5 (IO 8) 4 20 (50*) :S0,5 ( 1О 8) 4 30 :Sl (6 8) 4 30 :s:I (6 8) 4 30 :SI (6 8)
Биполярные кремниевые транзисторы 113 с•. rкэ нас• О:м Кш, дБ тк, пс h21>' ь;,э с;2э• r~ нас• О:м r~, Ом t~act НС Корпус пФ к;.·,.. дБ Р;~х• Вт t::клt НС 30...90* (5 В; 10 мА) :52,5 (5 В) - - :5125 КТ325М 70...210* (5 В; 10 мА) :52,5 (5 В) - - :5125 ~!f~~ 160.. .400* (5 В; 10 мА) :52,5 (5 В) - - :5125 1 1 ~ 1С) ~ 1 ~ ~ 20... 70* (2 В; 10 мА) :55 (5 В) :530 - :5450 КТ326 45... 160* (2 В; 10 мА) :55 (5 В) :530 - :5450 ~5,81/ 81зiФу 1 ~ 1 ~ 20... 70* (2 В; 10 мА) ! :55(5В) :530 - :5450 1 КТ326М " 45...160* (2 В: 10 мА) :55 (5 В) :530 - :5450 =if~~ н ~ ~ 20...60 (5 В; 1 мА) :55 (5 В) - :54,5 (100 МГц) :5120 КТЗЗl-1 40...120 (5 В; 1 мА) :55 (5 В) - :54,5 (100 МГц) :5120 ~~if 80... 220 (5 В; 1 мА) :55 (5 В) - :54,5 (100 МГц) :5120 40...120 (5 В; 1мА) :55 (5 В) - :54,5 (100 МГц) :5120 11 1 35К 20...60 (5 В; 1 мА) :55 (5 В) - :58 ( 100 МГц) :5300 КТ332-1 40...120 (5 В; 1мА) :55 (5 В) - :58 (100 МГц) :5300 ~~if 80... 220 (5 В; 1 мА) :55 (5 В) - :58 (100 МГц) :5300 40... 120 (5 В; 1 мА) :55 (5 В) - :58 (100 МГц) :5300 80...220 (5 В; 1 мА) :55 (5 В) - :58 (100 МГц) :5300 11 1 35К 30...90 (1 В; 10 мА) :53,5 (5 В) :527 - :515* КТЗЗЗ-3 50...150 (1 В; 10 мА) :53,5 (5 В) :527 - :515* ~пВt 70...280 (1 В; 10 мА) :53,5 (5 В) :527 - :515* 30...90 (1 В; 10 мА) :54,5 (5 В) :527 - :525* 50.. .150 (1 В; 10 мА) :54,5 (5 В) :527 - :525* е:sкоо6 70...280 (1 В; 10 мА) :54,5 (5 В) :527 - :525* О// Кпюч 20...60 (1 В; 10 мА) :55 (5 В) :530 - :530* КТ336 40... 120 (1 В; 10 мА) :55 (5 В) :530 - :530* ~80(1В;10мА) :55 (5 В) :530 - :550* ~~·1t 20...60 (1 В; 10 мА) :55 (5 В) :530 - :515* 40...120 (1 В; 10 мА) :55 (5 В) :530 - :515* ~80(1В;10мА) :55 (5 В) :530 - :515* ~~6оq,к Кпюч 0,0// ~30* (0,3 В; 10 мА) :56 (5 В) :520 - :525* КТ337 ~50* (0,3 В; 10 мА) :56 (5 В) :520 - :528* аз ~70* (0,3 В; 10 мА) :56 (5 В) :520 - :528* ~ .5$К 8зак9
114 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Струк-1 Ркmах• ~•• t,;21•• UКБО max• lкmax 1 lкоо• Тип Р~.тmах• (;lэ' U~Rnux• UЭБОmах• 1;, н maxt 1 I~R• 1тура1 р~~ н maxt с· u~m.1x• в 1·· прибора ; 1 ". мА КЭО• мВт МГц в 1 мкА 1 КТ339АМ n-p-n i 260 (55°С) ~300 40 4 25 :Sl (40 В) КТ339А n-p -n 260 (55 ·с> ~300 40 4 25 :Sl (40 В) КТ339Б п-р-п 260 (55 ·с> ~250 25 4 25 sl (40 В) КТ339В п-р-п 260 (55 ·с> ~450 40 4 25 :Sl (40 В) КТ339Г п-р-п 260 (55 ·с> ~250 40 4 25 :Sl (40 В) КТ339Д п-р-п 260 (55 ·с> ~250 40 4 25 :Sl (40 В) КТ340А п-р-п 150 (85°С) ~300 15 5 50 sl (15 В) КТ340Б n-p -n 150 (85°С) ~300 20 5 50 sl (20 В) КТ340В n-p -n 150 (85°С) ~300 15 5 50 (200*) sl (15 В) КТ340Г п-р-п 150 (85°С) ~300 15 5 75 (500*) sl (15 В) КТ340Д n-p -n 150 (85°С) ~300 15 5 50 sl (15 В) КТ342А 1 n-p-n 250 ~250 35 5 50 (300*) s0,05 (25 В) КТ342Б 1 п-р-п 250 ~300 30 5 50 (300) s0,05 (20 В) КТ342В 1 п-р-п 250 ~300 25 5 50 (300) s0.05 (10 В) КТ342Г n-p-n 250 ~300 60* (lОк) 5 50 (300*) $0,05 (60 В) КТ342АМ п-р-п 250 ~250 35 5 50 (300*) :S0,05 (25 В) КТ342БМ n-p -n 250 ~300 30 5 50 (300*) s0.05 (20 В) КТ342ВМ п-р-п 250 ~300 25 5 50 (300*) :S0,05 (10 В) КТ342ГМ 1 n-p -n 250 ~150 30* (lОк) 5 50 (300*) :S0,05 (30 В) КТ342ДМ п-р-п 250 ~150 25* ( lОк) 5 50 (300*) :S0.05 (25 В) 1 i КТ343А р-п-р 150 (75°С) ~300 17* (lОк) 4 50 (150*) :Sl (10 В) КТ343Б р-п-р 150 (75°С) ~300 17* (lОк) 4 50 (150*) sl (10 В) КТ343В р-п-р 150 (75°С) ~300 9* (lОк) 4 50 (150*) :Sl (7 В) КТ345А р-п-р 300 (600**) ~350 20* (lОк) 5 200 (300*) :S0,5 (20 В) КТ345Б р-п-р 300 (600**) ~350 20* (lОк) 5 200 (300*) :S0,5 (20 В) КТ345В р-п-р 300 (600**) ~350 20* (10к) 5 200 (300*) s0,5 (20 В) КТ347А р.-п-р 150 (75°С) ~500 15* (lОк) 4 50 (110*) sl (15 В) КТ347Б р-п-р 150 (75°С) ~500 9* (IОк) 4 50 (110*) sl(9В) КТ347В р-п-р 150 (75°С) ~500 6* ( lОк) 4 50(110*) sl(6В) 1 i 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы 115 il i 1 1 1 1 1 1 с.. rкэ,..,• Ом Кw,дБ tк, ПС ! h21•' ь;IЭ 1 с;2,• r~Энас• Ом r;, Ом t;acl НС Корпус i пФ к;.*•.. дБ Р;~х• Вт t::кл• НС , ~25* (10 В; 7 мА) :52 (5 В) - - :525 КТ339М 1 ~~~ ~ ~-. ~. ~-~ ~25* (10 В; 7 мА) :52 (5 В) - - :525 КТ339 ~15* (10 В: 7 мА) 1 :52 (5 В) :525 1 - - 1 5 1 ~25*(10В;7мА) :52 (5 В) :550 1 - - 1 ~40*(10В;7мА) 1 :52(5В) - - :5100 ..,. з 1 ~15*(10В:7мА) 1 :52(5В) - - :5150 :: 6$К ~ 100... 300* (1 В: lОмА) :53, 7 (5 В) :520 - :545; :510* КТ340 ~100* (1 В; 10 мА) :53,7 (5 В) :525 - :540; :515* 115,81/ ~35* (2 В; 0,2 А) :53,7 (5 В) :52 - :585; :515* ;fi ~16* (2 В; 0,5 А) :53,7 (5 В) :51,2 - :585; :515* ~40* (2 В; 0,2 А) :56 (5 В) :530 - :5150; :575* кфз ~ 1 1 1 6 1 i100...250*(5В: 1мА) 1 :58(5В) :510 - :5200 1 КТ342 н 200...500* (5 В: 1 мА) 1 :58 (5 В) :510 - :5300 400 .. .1000* (5 В: 1 мА) :58 (5 В) :510 - :5700 115,81/ 50... 120* (5 В; 1 мА) :58 (5 В) :510 - - ;fi кфз 6 100... 250* (5 В; 2 мА) :58 (5 В) :510 - :5200 КТ342М 200...500* (5 В; 2 мА) :58 (5 В) :510 - :5300 ~~~ 400 ... 1000* (5 В; 2 мА) :58 (5 В) :510 - :5700 1 1 100... 250* (5 В; 2 мА) :58 (5 В) :510 - - 1 200...500* (5 В: 2 мА) 1 :58 (5 В) :510 - - 1 i i ! lr) ~-. ! ! 1 ~. ~ 1 -~ , 1 ~30* (0,3 В; 10 мА) :56 (5 В) :530 - :510* КТ343 ~50* (0,3 В: 10 мА) :56 (5 В) :530 - :520* fiз ~30* (0,3 В; 10 мА) :56 (5 В) :530 - :510* ~ .5$К ~20* (1 В; 100 мА) 1 :515 (5 В) :53 - 1 :570* 1 КТ345 ~50* (1 В: 100 мА) :515 (5 В) :53 - 1 :570* ~~~ ~70*(1В:100мА) 1 :515(5В) :53 - 1 :570* ~ i 1 ~ ~-. ~ ~ -~ 30 .. .400* (0,3 В; 10 мА) :56 (5 В) :530 - :525* КТ347 30.. .400* (0,3 В; 10 мА) :56 (5 В) :530 - :525* 53 50".400* (0,3 В; 10 мА) :56 (5 В) :530 - :540* 1 1 ~ .5$К 1 1 ~
116 Раздел 2. Биполярные транзисторы Pкmaxt ~•• t ,;216' UКБО max• IKmax JКБО, Тип Струк- Р~.тmах• 1i:;1 ~· u~Rmaxt UЭБО max• J~,н m"x• I~R• р;~ н max• с· u~max' в 1~, прибора тура ". мВт МГц в мА мкА КТ348А-3 n-p-n 15 ~100 5* (3к) 3,5 15 (45*) $1(58) КТ348Б-3 1 n-p -n 15 ~100 5* (3к) 1 3,5 15 (45*) 1 $1(58) КТ348В-3 1 15 ~100 5* (3к) 1 3,5 1 15 (45*) 1 $1(58) 1 n-p-n 1 1 ' 1 1 1 i 1 1 Р. i ! 1 1 1 : ! 1 1 i 1 1 1 1 КТ349А p-n-p 200 (35°С) ~300 15* (IОк) 4 50 (100*) $1 (IO 8) КТ349Б p-n-p 200 (35°С) ~300 15* (lОк) 4 50 (100*) $1 (10 8) КТ349В p-n -p 200 (35°С) ~300 15* (IОк) 4 50 (100*) $1 (10 8) 1 1 1 КТ350А 1 p-n-p ! 300 (30°С) ~100 20 5 600* i $1 (108) IKT351A i 1 300 (30°С) 1 ~200 15* (10к) 1 5 1 400* 1 $1(108) 1 p-n-p ! КТ351Б 1 p-n-p 1 300 (30°С) ~200 15" (lОк) 1 5 1 400* 1 $1(108) ! 1 1 1 i 1 КТ352А p-n -p 300 (30°С) ~200 20 5 200* $1 (10 8) КТ352Б p-n -p 300 (30°С) ~200 20 5 200* $1 (10 8) КТ354А-2 n-p-n 30 ~1100 10* (3к) 4 10 (20*) $0,5 (10 8) КТ354Б-2 п-р-п 30 ~1500 10* (3к) 4 10 (20*) $0.5 (10 8) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 r. 1 1 1 ; i 1 1 1 1 1 1 ' 1 i 1 КТ355А 1 n-p-n 225 (85°С) ~1500 15" (3к) 4 30 (60*) $0,5 (15 8) КТ355АМ n-p-n 225 (85°С) ~1500 15* (3к) 4 30 (60*) $0,5 (15 8) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 КТ357А p-n -p 100 (50°С) ~300 6* 3,5 40 (80*) $5(68) КТ357Б p-n-p 100 (50°С) ~300 6* 3,5 40 (80*) $5(68) КТ357В p-n-p 100 (50°С) ~300 20* 3,5 40 (80*) $5 (20 8) КТ357Г p-n-p 100 (50°С) ~300 20* 3,5 40 (80*) $5 (20 8) 1 КТ358А 1 n-p-n 100 (50°С) ~80 15 4 1 30 (60*) 1 $10 (15 8) КТ358Б 1 1 100 (50°С) ~120 30 4 1 30 (60*) 1 $10 (30 В) n-p-n 1 1 !КТ358В n-p -n 1 100 (50°С) ~120 15 4 30 (60*) $10 (15 8) 1 1 1 1 1 ! 1
Биполярные кремниевые транзисторы 117 ! с•. Гкэнас• Ом Кш, дБ т•• пс 1 h21.• ь;,э c;2.t• r~н.ас• О:м r;, Ом t~ilL' НС Корпус пФ к;.·•.. дБ Р;:", Вт t::1и11 НС 25...75 (1 В; 1 мА) :S:ll (1 В) :!>30 - :!>130* КТ348-3 35... 120 (1 В; 1 мА) :S:ll (1 В) :s:30 - :!>130* ().7 0,25 80...250 ( 1 В; 1 мА) :S:ll (1 В) :!>30 - :!>130* . 1 ~~]: с:sкоо6 О// Кпюч 20...80* ( 1 В; 10 мА) :s:6 (5 В) :s:30 -· - КТ349 40... 160• (1 В; 10 мА) 1 :!>6 (5 В) :!>30 - - ьэ 120... 300* (1 В; 10 мА) :!>6 (5 В) :!>30 - - ~.6$К 20...200* ( 1 В: 0,5 А) :!>70 (5 В) :!>2 - - КТ350, КТЗ51, КТ352 20...80* ( 1 В; 0,5 А) :s:20 (5 В) :S:l,5 - - ~!!:~ 50...200* ( 1 В: 0,3 А) :!>20 (5 В) :!>2,25 - - 25... 125* (1 В: 0,2 А) :!>15 (5 В) :s:3 - - 11') ~-• 70...300* (1 В; 0,2 А) :s:l5 (5 В) :s:3 - :!>150* ~ ~ ! -~ 40... 200 (2 В; 5 мА) :s:l,3 (5 В) - :s:IO* :!>25 КТЗ54-2 90...360 (2 В; 5 мА) :S:l,3 (5 В) - :S:IO* :s:30 1 0,8 ~щ ~Ж i 5КЭ 80...300* (5 В: 10 мА) 1 :s:2 (5 В) - :s:5,5 (60 МГц) :s:60 КТ355 ~~6ф• 11;:) з о,о ~ Корп. 80...300* (5 В; 10 мА) :s:2 (5 В) - :s:5,5 (60 МГц) :s:60 КТ355М 1 ~!!:~ 11') ~ • ~ ~..... ,, _ 20... 100* (0,5 В; 10 мА) :s:7 (5 В) :!>30 - :!>150* КТ357 60... 300* (0,5 В; 10 мА) :s:7 (5 В) :!>30 - :!>250* .1j 20... 100* (0,5 В; 10 мА) :s:7 (5 В) :s:30 - :!>150* 60... 300* (0,5 В; 10 мА) :!>7 (5 В) :s:30 - :!>250* ~lm ' ~ 10.. .100* (5.5 В: 20 мА) :!>5 (10 В) :!>40 - :!>500 КТ358 125 ... 100• (5.5 В: 20 мА) J :s:5 (10 В) :!>40 - 1 :!>500 1 ~!!:~ l 50...280* (5.5 В; 20мА)1 :!>5(108) :!>40 - :!>500 1 \ i 1 1 1 1 11') ~-• ~ ~ -~
118 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKmax• ~•• ~210• UКБО max• •кmах Iкro • Тип Струк- Р;.тmах• \;lt• U~Rmax• UЭБОша).• 1~.н max• I~R• прибора р;~нmах• с· u;ЭOmax• в 1~, тура ". мА мВт МГц в мкА КТ359А-3 п-р-п 15 ~300 15* (3к) 3,5 20 S0,5 (15 В) КТ359Б-3 п-р-п 15 ~300 15* (3к) 3,5 20 ~.5 (15 В) КТ3598-3 п-р-п 15 ~300 15* (3к) 3,5 20 s0,5 (15 В) КТ360А-1 р-п-р 10 (55°С) ~300 25 5 20 (75*) Sl (25 В) КТ360Б-1 р-п-р J..O (55°С) ~400 20 4 20 (75*) Sl (20 В) КТ360В-1 р-п-р 10 (55°С) ~400 20 4 20 (75*) 1 sl (20 В) i 1 1 j i 1 1 1 1 1 КТ361А р-п-р 150 (35°С) ~250 25 4 50 Sl (10 В) КТ361А1 р-п-р 150 ~150 25 4 100 Sl (10 В) КТ361Б р-п-р 150 (35°С) ~250 20 4 50 sl (10 В) КТ361В р-п-р 150 (35°С) ~250 40 4 50 Sl (!О В) КТ361Г р-п-р 150 (35°С) ~250 35 4 50 sl (!О В) КТ361Г1 р-п-р 150 ~250 35 4 100 Sl (!О В) КТ361д р-п-р 150 (35°С) ~250 40 4 50 sl (!О В) КТ361д1 р-п-р 150 ~150 40 4 50 1 sl (!О В) КТ361Е р-п-р 150 (35°С) ~250 35 4 50 Sl (!О В) 11КТ361Ж i р-п-р 150 ~250 10 4 50 sl (10 В) КТ361И р-п-р 150 ~250 15 4 50 Sl (10 В) КТ361К р-п-р 150 ~250 60 4 50 Sl (10 В) КТ361Л р-п-р 150 ~250 20 4 100 Sl (10 В) КТ361М р-п-р 150 ~250 40 4 100 Sl (10 В) КТ361Н р-п-р 150 ~150 45 4 50 Sl (10 В) КТ361П р-п-р 150 ~300 50 4 50 sl (!О В) КТ361А-2 р-п-р 150 ~250 25 5 100 Sl (10 В) КТ361А-3 р-п-р 150 ~150 25 5 100 Sl (10 В) КТ361Б-2 р-п-р 150 ~250 20 5 50 Sl (!О В) КТ361В-2 р-п-р 150 ~250 40 5 50 sl (10 В) КТ361Г-2 р-п-р 150 ~250 35 5 50 1 Sl (!О В) КТ361Г-3 1 р-п-р 150 ~250 35 5 50 1 Sl (108) КТ361д-2 р-п-р 150 ~250 40 5 50 Sl (!О В) КТ361д-3 р-п-р 150 ~150 40 5 50 Sl (10 В) КТ361Е-2 р-п-р 150 ~250 35 5 50 Sl (10 В) КТ361Ж-2 р-п-р 150 ~250 10 5 50 Sl (10 В) КТ361И-2 р-п-р 150 ~250 15 5 50 Sl(ЮВ) КТ361К-2 р-п-р 150 ~250 60 5 50 Sl (!О В) КТ361Л-2 р-п-р 150 ~250 20 5 100 Sl (10 В) КТ361М-2 р-п-р 150 ~250 40 5 100 Sl (10 В) КТ361Н-2 р-п-р 150 ~150 45 5 50 Sl (10 В) КТ361П-2 р-п-р 150 ~300 50 5 50 sl (10 В) КТ363А р-п-р 150 (45°С) ~1200 15* (lк) 4,5 1 30 (50*) 1 s0.5 (15 В) КТ363Б р-п-р 150 (45°С) ~1500 12* (lк) 4,5 30 (50*) 1 S0,5 (15 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 ; КТ363АМ р-п-р 150 (45°С) ~1200 15* ( 1к) 4,5 30 (50*) S0,5 (15 В) КТ363БМ р-п-р 150 (45°С) ~1500 12* (lк) 4,5 30 (50*) s0,5 (15 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 1'19 1 с•• rкэ нас• Ом Kw, дБ 1 tк, ПС h2,,1 ь;,э с;2,• r~нас• Ом r~, Ом t;,.., нс Корпус ~ пФ к:~•-' дБ Р;~", Вт 1 t::м' НС 1 1 1 1 1 !30...90(18:10мА) 1 s5(58) $70 $6 (20 МГц) 1 $100 1 КТ359-3 1 i50...150(18:10мА) 1 s5(58) s70 S6 (20 МГц) slOO 1 ~~t 1 70...280(18:10мА) 1 s5(58) 1 $70 s6 (20 МГц) $100 i 1 1 ! 1 е:sкоо6 Ключ О// 20...70 (2 8; 10 мА) s5(58) s35 - S450; SIOO* КТ360-1 40... 140 (2 8; 10 мА) s5(58) s35 - S450; S200* !5ir 80...240 (2 8; 10 мА) s5(58) $35 - s450; s200* 1 1 t 1 ~ 1 1 1 - 1 ' i 5КЭ ,, 20...90(108:1мА) 1 S9(108) $20 $40* s500 1 КТ361, КТ361-1 20...90 (10 8; 1 мА) s9 (10 8) s20 $40* $500 '1 50...350 (10 8; 1 мА) s9 (10 8) s20 $40* s500 40...160 (10 8: 1 мА) $7(108) $20 $40* $1000 50...350 (10 8; 1 мА) s7 (10 8) $20 $40* s500 7.2 J 100... 350 (10 8; 1 мА) $7(108) s20 s40* $500 v 20...90 (10 8; 1 мА) s7 (10 8) s50 - S250 ~ffii 20...90 (10 8; 1 мА) $7(108) $50 - s250 50...350 (10 8: 1 мА) s7 (10 8) s50 - $1000 ~фD 50...350 (10 8; 1 мА) $9(108) s50 - slOO ;е:250(108; 1 мА) 1 $9(108) s50 - $1000 6КЗ 50...350 (10 8: 1 мА) s7 (IO 8) s50 - s500 50...350 (10 8; 1 мА) 1 s9(108) - - - 70...160 (10 8: 1 мА) s7(108) - - - 20...90 (10 8: 1 мА) S7 (10 8) - - - 100...350 ( 10 8; 1 мА) s7 (10 8) - - - ! 20...90 (10 8; 1 мА) s9 (10 8) s20 $40* s500 КТ361-2, КТ361-3 20...90 (10 8: 1 мА) s9 (10 8) s20 $40* s500 50...350 (1О 8: 1 мА) $9(108) s20 s40* s500 40...160 (10 8; 1 мА) s7 (10 8) s20 $40* $1000 50...350 (10 8; 1 мА) $7(108) s20 $40* s500 100... 350 (10 8; 1 мА) s9 (10 8) $20 $40* s500 f 20...90 (!О 8; 1 мА) $7(108) s50 - $250 : 20...90 (10 8: 1 мА) S9 (10 8) s50 - 1 s250 ~ ~t€~ 50...350 (10 8: 1 мА) ' $7(108) $50 $1000 1 1 - 50...350 (10 8; 1 мА) s9 (10 8) s50 - SIOO 1 250(108:1мА) 1 s9(108) s20 - $1000 ~- ~ - 50...350 (10 8; 1 мА) s7 (IO 8) s20 - s500 50...350 (10 8; 1 мА) s9 (10 8) - - - 70...160 (10 8; 1 мА) s7(108) - - - 20...90 (10 8; 1 мА) $7(108) - - - 100...350 ( 10 8; 1 мА) s7(108) - - - 20...120* (5 8; 5 мА) s2(58) $35 - s50 КТ363 40...120* (5 8; 5 мА) s2(58) s35 - S75 fl5,811 1 1 ОзФ• 1 20...120* (5 8; 5 мА) s2(58) $35 - s50 КТ363М 40...120* (5 8; 5 мА) $2(58) $35 - s75 ~IJ:~ 11') ~-• ~ ~ -~
120 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк max• ~.. (,,.. UКБО max• lк max lкБО• Тип Струк- Р~. т max• \;(эt U~Rmaxt UЭБО maxt J~.и m:.x• 1~•• прибора р~~н max• ~~·:х' u;.эо max• в г тура мА КЭО• мВт МГц в мкА КТЗ64А-2 p-n-p 30 ~250 25 5 200 (400*) :51 (25 8) КТЗ64Б-2 p-n-p 30 ~250 25 5 200 (400*) :51 (25 8) КТ364В-2 р-п-р 30 ~250 25 5 200 (400*) :51 (25 8) 1 КТЗ66А 1 n-p-n 1 30 (7о·с) ~1000 15 4,5 10 (20*) :50,1 (15 8) КТЗ66Б n-p -n 30 (7О0С) ~1000 15 4,5 20 (40*) :50,1 (15 8) КТЗ66В n-p-n 30 (7о·с) ~1000 15 4,5 45 (70*) :50,1 (15 8) 1 КТЗ68А n-p-n 225 (65°С) ~900 15 4 30 (60*) :50.5(158) КТЗ68Б n-p -n 225 (65°С) ~900 15 4 30 (60*) :50,5 (15 8) 1 1 КТЗ68А-5 n-p-n 225 (65°С) ~900 15* 4 30 (60*) 0,5 (15 8) КТ368А-9 n-p-n 100 ~900 15* 4 30 (60*) 0,5 (15 8) КТЗ68Б-9 n-p -n 100 ~900 15* 4 30 (60*) 0,5(158) 1 КТЗ68АМ n-p-n 225 (65°С) ~900 15 4 30 (60*) :50,5(158) КТЗ68БМ n-p-n 225 (65°С) ~900 15 4 30 (60*) :50.5 (15 8) КТЗ68ВМ n-p -n 225 (65°С) ~900 15 4 30 (60*) 1 :50.5 (15 8) 1 1 1 1 j 1 1 1 ! 1 1 1 1 i 1 1 КТЗ69А n-p-n 50 ~200 45 4 250 (400*) :57 (45 8) КТЗ69Б 1 n-p-n 50 ~200 45 4 250 (400*) :57 (45 8) КТЗ69В n-p -n 50 ~200 65 4 250 (400*) :510 (65 8) КТЗ69Г n-p-n 50 ~200 65 4 250 (400*) :510 (65 8) 1 1 1 i ! ! 1 ~~ 1 1 1 i 1 КТЗ69А-1 n-p-n 1 50 ~200 45 4 250 (400*) :57 (45 8) КТЗ69Б-1 1 П:Р-П 1 50 ~200 45 4 1 250 (400*) i :57 (45 8) i jKT369B-l 1 n-p-n 1 50 ~200 65 4 250 (400*) 1 :510(658) 1 КТЗ69Г-1 1 n-p-n 1 50 ~200 1 65 4 1 250 (400*) 1 :510 (65 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 20...70* (1 8; 0.1 А) 40... 120* (1 8; 0,1 А) 80...240* (1 8: 0.1 А) 50...200 (1 8; 1 мА) 50...200 ( 1 8; 5 мА) 50...200 (1 8; 15 мА) 50...300* (5 8; 10 А) 50...300* (5 8; 10 мА) 50...450 (1 8; 10 мА) 50...300 (1 8; 1О мА) 50...300 (1 8; 10 мА) 50...450* (5 8; 10 мА) 50.. .450* (5 8; 10 мА) 100.. .450* (5 8; 10 мА) 20... 100* (2 8; 0,15 А) 40...200* (2 8; 0,15 А) 20... 100* (3 8; 10 мА) 40...200* (3 8; 10 мА) 20... 100* (2 8; 0.15 А) 40...200* (2 8; О, 15 А) 20... 100* (3 8; 10 мА) 40...200* (3 8; 10 мА) =>15 (5 8) =>15 (5 8) =>15 (5 8) =>1,1 (0,1 8) =>1,8 (0,1 8) =>3,3 (0,1 8) =>1,7 (5 8) :=>1,7 (5 8) =>1,7 (5 8) $1,7(58) =>1,7 (5 8) =>1,7 (5 8) $\,7(58) =>1,7 (5 8) =>15 (10 8) =>15 (10 8) =>10 (10 8) =>10 (10 8) =>15 (10 8) =>15(108) $10(108) =>10 (10 8) rкэ нас• Ом r~э нас' Ом к;.·•.. дБ $30 :s;ЗО =>30 =>80 =>25 =>16 $4 $4 =>2,5 $2,5 $4 $4 =>2,5 =>2,5 Кш, дБ r;, Ом Р;:х' Вт =>3,3 (60 МГц) =>3,3 (60 МГц) =>3,3 (60 МГц) =>3,3 (60 МГц) tk, пс f~acl НС t:•ыкл' НС $500; =>150* =>500; =>180* =>500; =>230* =>60; =>50* =>60; =>80* =>60; =>120* $15 =>15 =>15 (10 мА) =>15(10мА) =>15 (!О мА) =>5 $15 121 Корпус КТЗ64-2 J 1 1 1 ~t-lnlт 1 ~11 бКЗ КТЗ68 "":>Eit45,8 з ~ Корл~б ~ 'Qf КТЗ68А-5 КТЗ68-9 КТЗ68М КТЗ69 КТЗ69-1 -~~ КбЭ
122 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах• ~•• \210• UK60max' IKmax •коо• Тип Струк- Р~. тmax• \;1~' U~Rmax• UЭБОmах• 1~.н max• ·~R' р~~11 max• с· u~max• в ••• прибора тура ". кэо• мВт Мfц в мА мкА КТ370А-1 р-п-р 15 ~1000 15* (lк) 4 15 (30*) g),5 (15 В) КТ370Б-1 р-п-р 15 ~1200 12* (lк) 4 15 (30*) ~О.5 (12 В) КТ370А-9 30 (5о·с> 1000 15* (lк) 4 15 (30*) ' ~О.5 (15 В) р-п-р КТ370Б-9 р-п-р 30 (5о·с> 1000 12* (lк) 4 15 (30*) \ ~О.5 (12 В) КТ371А п-р-п 100 (65°С) ~3000 10 3 20 (40*) ' ~0.5 (10 В) 1 1 1 КТ371АМ п-р-п 100 (85°С) ~3000 10* (3к) 3 20 (40*) ~О.5 (10 В) 1 КТ372А п-р-п 50 <1оо·с> ~2400 15* ( lОк) 3 10 ~О.5 (15 В) КТ372Б п-р-п 50 <1оо·с> ~3000 15* (IОк) 3 10 ~О.5 (15 В) КТ372В п-р-п 50 (1оо·с> ~2400 15* (lОк) 3 10 ~О.5 (15 В) КТ373А п-р-п 150 (55°С) ~350 30* (lОк) 5 50 (200*) ~О.05 (25 В) КТ373Б п-р-п 150 (55°С) ~300 25* (lОк) 5 50 (200*) ~О.05 (20 В) КТ3738 1 п-р-п 150 (55°С) ~300 10* (lОк) 5 50 (200*) ~О.05 (10 В) KT373f п-р-п 150 (55·с> ~250 60* (10к) 5 50 (200*) ~О.05 (25 В) 1 1 1 КТ375А п-р-п 200 (400**) ~250 60 5 100 (200*) ~1 (60 В) КТ375Б п-р-п 200 (400**) ~250 30 5 100 (200*) ~1 (30 В) 1 КТ379А 1 п-р-п 1 25 ~250 30* (lОк) 5 30 (100*) ~0.05 (30 В) КТ379Б п-р-п 25 ~300 25* (IОк) 5 30 (100*) ~О.05 (25 В) КТ379В п-р-п 25 ~300 10* ( lОк) 5 30 (100*) ~О.05 (10 В) KT379f п-р-п 1 25 ~250 60* (lОк) 5 30 (100*) ~О.05 (60 В)
Биполярные крем - ь· h:llэ' 213 70(5В;3мА) 20 ::·l20 (5 В; 3 мА) 40. 20 70(5В:3мА) 40.:: ·120 (5 В; 3 мА) 30...240 (1 В; 10 мА) 30...240 (1 В: 10 мА) >10* (5 В; 10 мА) ;lO* (5 В; 10 мА) ;1о~ (5 В; 10мА) 100... 250 (5 В; 1 мА) 200 500(5В; 1мА) 400 ...1000 (5 В; 1 мА) 50::: 125 (5 В: 1 мА) ниевые транзисторы ! 1 1 i 1 i ck, с~2э' пФ :s:2 (5 В) :52 (5 В) <2(5В) :s:2 (5 В) :s:l,2 (5 В) :51,2 (5 В) <1(5В) :s:l (5 В) :s:I (5 В) <8(5В) ~8(5В) :58 (5 В) :s:8 (5 В) 1 1 Гкэ нас' Ом · Ом ГБЭнас' К" дБ у.р.' <35 :535 9,9 9,9 >9** (400 МГц) >10** (1 ГГц) >10** (1 ГГц) ;10** (1 ГГц) <10 :510 :510 :520 1 1 123 1 1 Кш, дБ 'tкt ПС Корпус r;, Ом t~"("t нс 1 гнс р" Вт ВЫК.1'1 I •ыхt <50; <10* КТЗ70-1 <50; <10* ~~~It 1 !., " ~ БКЗ i! 1 КТЗ70-9 1 <10* J 0,95 <10* 1 ~~х_ <5 (400 МГц) <15 КТЗ71 <10* ~t <5 (400 МГц) <15 КТЗ71М ~i! КТЗ72 i 1' <3,5 ( 1 ГГц) <9 ."~ <9 <5,5 ( 1 ГГц) :59 :55.5 ( 1 ГГц) 4ц~ N КТЗ73 КТЗ75 КТЗ79 1 1 1 ~~t Ключ
124 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Струк-1 1 1 ; ! Рк max' ~•• \21•• UКБО maxt 1 lк moix 1 lкоо• Тип P~.тmaxt ~;l~t U~Rmax' Uэоо max• 1~.н max• 1 J~R' прибора 1 тура , р;~ н max• с:х. u~max• в 1 1·· 1 1 1 мА 1 КЭО• мВт мrц в 1 мкА КТЗSОА 1 i 15 1 <!:ЗОО 17* ( 10к) 4 10(25*) i Sl(108) i р-п-р 1 1 IКТЗSОБ 1 р-п-р 15 <!:ЗОО 1 17* (lОк) 4 10(25*) i Sl(108) 1 ктзsов 1 р-п-р 15 1 <!:ЗОО 9* (lОк) 4 20 (25*) 1 :!>l (7 8) 1 1 1 i ! 1 1 1 1 1 1 КТЗ81Б п-р-п 15 <!:200 25 6,5 15 1 о.аз (5 8J КТЗ81В п-р-п 15 <!:200 25 6,5 15 1 о.аз (5 8) ктзs1r п-р-п 15 <!:200 25 1 6,5 15 О,ОЗ (5 8) КТЗ81д 1 п-р-п 15 <!:200 25 6,5 15 1 О,ОЗ (5 8) КТЗ81Е 1 п-р-п 15 <!:200 25 6,5 - 15 1 О,ОЗ (5 8) 1 1 1 КТЗ82А п-р-п 100 (65°С) <!:1800 15 з 20 (40*) s0,5 (15 8) КТЗ82Б п-р-п 100 (65°С) <!:1800 15 з 20 (40*) :!>0,5 (15 8) КТЗ82АМ п-р-п 100 (85°С) <!:1800 15 з 20 (40*) 1 s0,5 (15 8) КТЗ82БМ 1 п-р-п 1 100 (85°С) <!:1800 15 з 20 (40*) 1 s0.5 (15 8J 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 КТЗ84А-2 1 п-р-п 300 2!:450 30* (5к) 4 1 300 (500*) 1 :!>10 (30 8) 1 КТЗ84АМ-2 п-р-п 300 2!:450 30* (5к) 4 300 (500*) :!>10 (ЗО 8) КТЗ85А-2 п-р-п зоо <!:200 60 4 зоо (500*) :!>10 (60 8) 1 1 ! 1 1 1 1 ! 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 КТЗ85АМ-2 п-р-п 300 <!:200 60 4 300 (500*) slO (60 8) КТЗ85БМ-2 п-р-п зоо <!:200 60 4 300 (500*) :!>10 (60 8)
Биполярные кремниевые транзисторы 125 ck, rкэнас• Ом Kw, дБ t., пс ь.,,. ь;,э с;2э• r;э нас• Ом r;, Ом t;,.,, нс Корпус пФ к;.·", дБ Р;:х• Вт t::кп• НС . 30...90 (0.3 8: 10 мА) 1 :s;б (5 8) :;;30 - 10* 1 КТЗ80 50 ... 150 (0.3 8: 10 мА) :s;б (5 8) :;;30 - 20* 1 1 f 30...90 Ю.3 8: 10 мА) 1 :s;б (5 8) :;;30 - 10* ~No~ ' 1 кз \ ~40 (5 8; 10 мкА) - - - - КТЗ81 ~30 (5 8; 10 мкА) - - - - 1 f ~20 (5 8; 10 мкА) - - - - ~~~ ~20 (5 8; 10 мкА) - - - - ~20 (5 8; 10 мкА) - - - - - 1 1 \ 1 1 зк 40...330 (18; 5 мА) :;;2 (5 8) ~9** (400 МГц) :;;3 (400 МГц) 1 :S;l5 1 КТЗ82, КТЗ82М 40...330 (1 8; 5 мА) :;;2 (5 8) ~5** (400 МГц) :S;4,5 (400 МГц) 1 :;;10 ~t 40...330 (1 8; 5 мА) :;;2 (5 8) ~9** (400 МГц) :;;3 (400 МГц) :S;l5 40...330 (1 8; 5 мА) :;;2 (5 8) ~5** (400 МГц) :;;4,5 (400 МГц) :;;10 30...180* (1 8; 0,15 А) 1 :;;4 (10 8) S4 - Sl5* КТЗ84-2 1 ~t/ 1\ t::::. 1 5КЗ 30 ... 180* (1 8; 0,15 А) :;;4(108) S4 - Sl5* 1 КТЗ84М ' J ~ 1 -~ 1 К6З 20...200* (1 8; О, 15 А) :;;4 (10 8) :;;5 - :s;бО* КТЗ85-2 ~re~rt . 11\..... 1 1 5КЗ 1 20 ... 200• (1 8: 0.15 А) 1 :;;4(108) s5 - sбО* КТЗ85М 20...100* (1 8: О, 15 ~) 1 :;;4 (!О 8) s5 - sбО* J ~ 1 -~К6З
126 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах• ~р• \210• UKБOmax• IKmax JКБО• Тип Струк- Р;, т max• ~;lэ• U~Rmax• UЭБОmах• 1:.и max• ·~R' прибора р;~ н max• ~:·:х• u~max• в ••• тура мА кэо• мВт мrц в 1 мкА КТЗ88Б-2 p-n-p i 300 (8О0С) 1 <!:250 50 4,5 250 .: :;2 (50 В) i 1 1 КТЗ88БМ-2 p-n-p 300 <!:250 50 4,5 250 .: :;2 (50 В) КТЗ89Б-2 1 p-n-p 300 (80°С) 2!:450 25* (!к) 1 4,5 1 300 1 .::;1 (25 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 КТЗ91А-2 n-p-n 70 (85°С) <!:5000 15 2 10 .::;О,5 (10 В) КТЗ91Б-2 n-p-n 70 (85°С) <!:5000 15 2 10 .::;О,5 (!О В) КТЗ91В-2 n-p-n 70 (85°С) 2!:4000 10 1 10 .::;О,5 (7 В) 1 1 1 i 1 1 1 КТЗ92А-2 p-n-p 120 (65°С) <!:300 40* (5к) 4 10 (20*) .::;О,5 (40 В) 1 КТЗ96А-2 1 n-p -n 1 30 (50°С) 2!:2100 15 3 40 1 .::;О,5 (15 В) i i 1 1 КТЗ96А-9 n-p -n 100 <!:2100 15 3 40 .::;О,5 (15 В) 1 КТЗ97А-2 i n-p -n 120 (90°С) <!:500 40* (!Ок) 4 10 (20*) .::;1 (40 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 25 ... 100* (1 В; 0.12 А) 25 ... 100* (1 В; 0.12 А) 25...100* (1 В: 0.2 А) <!:20 (7 В: 5 мА) <!:20 (7 В: 5 мА) <!:20 (7 В: 5 мА) 1 1 ~7 (10 В) ~7 (10 В) ~10 (10 В) ~0.7 (5 В) 1 1 ~0.7(5В) 1 ~О.7 (5 В) 1 1 1 40... 180* (5 В; 2.5 мА) 1 ~2.5 (5 В) 1 ! 40...250 (2 В: 5 мА) ~1.5 (5 В) 1 40...250 (2 В: 5 мА) ~2(5В) 1 ! i 40...300 (5 В; 2 мА) 1 ~1.3 (5 В) 1 1 1 rКЭнк• Ом r;энк• Ом к;.·,.. дБ ~5 ~5 ~3 ~50 ~11* ~25* 1 1 Kw, дБ r~, Ом Р;~х• Вт ~4.5 (3,6 ГГц) 1 ~5.5 (3.6 ГГц) ~6 (3,6 ГГц) 1 4,5 (100 МГц) ! - тк, пс ~~,.нс f•ыК.11• НС 60; ~60* ~25*; ~180 ~3.7 ~3.7 ~3.7 ~120 ~15 ~15 ~40 ! 1 1 1 1 i'i 1 ' ' 11 1 1 ' 1 1 ! i1 1 ! 127 Корпус КТ388-2 (КТ388БМ-2) ;;~у ~,,,~о 6к3 КТ389-2 ~ri (4 "' 111 ~l 5КЗ КТ391-2 КТ392-2 2,2 1,1/ ~,~l 5КЗ КТ396-2 ~~~! 5КЗ I КТ396-9 ! f ~~111,2 5з ~ КТ397-2 ~~~ 11\~ ~ 6к3 G ~Р.
128 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKmaxt ~•• t,;" •• UКБО max• lк max lкю• Тип Струк- Р~.тmaxt \;lэ' U~Rmaxt UЭБО maxt J~.н maxt I~R' прибора р~~ н maxt с· u~max' в 1~, тура "' мА мВт МГц в мкА КТ399А n-p-n 150 (55°С) ~1800 15** 3 1 20 (40*) :о;О,5 (15 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 КТ399АМ n-p-n 150 (55°С) ~1800 15** 3 30 (60*) :о;О,5 (15 В) 1 1 КТ501А p-n-p 350 (35°С) ~5 15* ( !Ок) 10 1 300 (500*) $1*(15В) КТ501Б 1 p-n-p 350 (35°С) ~5 15* (!Ок) 10 300 (500*) 1 $1* (15 В) КТ501В p-n-p 350 (35·с) ~5 15* (IОк) 10 300 (500*) $1*(15В) КТ501Г 1 p-n-p 350 (35°С) ~5 30* ( !Ок) 10 1 300 (500*) $1*(30В) КТ501д p-n-p 350 (35°С) ?:5 30* (!Ок) 10 300 (500*) :o;I * (30 В) КТ501Е p-n-p 350 (35°С) ?:5 30* ( !Ок) 10 300 (500*) $1*(30В) КТ501Ж p-n-p 350 (35°С) ?:5 45* ( !Ок) 20 300 (500*) $1*(45В) КТ501И p-n-p 350 (35°С) ?:5 45* (IОк) 20 300 (500*) :o;I * (45 В) КТ501К p-n-p 350 (35°С) ?:5 45* (IОк) 20 300 (500*) 1 $1*(45В) i 1 КТ501Л 1 p-n-p 350 (35°С) ~5 60* (IОк) 1 20 300 (500*) 1 :o;I * (60 В) i IKT501M 1 p-n-p 350 (35°С) ?:5 60* ( !Ок) 20 1 300 (500*) 1 $1*(60В) 1 ! КТ502А 1 p-n-p 350 5... 50 40 5 1 150 (300*) :o;I (40 В) КТ502Б p-n-p 350 5... 50 40 5 1 150 (300*) :o;I (40 В) КТ502В p-n-p 350 5... 50 60 5 150 (300*) :o;I (60 В) КТ502Г p-n-p 350 5... 50 60 5 1 150 (300*) :o;I (60.В) КТ502Д p-n-p 350 5...50 80 5 150 (300*) :o;I (80 В) КТ502Е p-n-p 350 5... 50 90 5 150 (300*) $1 (90 В) КТ503А n-p-n 350 5... 50 40 5 150 (300*) :o;I (40 В) КТ503Б n-p-n 350 5...50 40 5 150 (300*) $1 (40 В) КТ503В n-p-n 350 5... 50 60 5 150 (300*) :o;I (60 В) КТ503Г n-p-n 350 5... 50 60 5 150 (300*) $1 (60 В) КТ503Д n-p-n 350 5... 50 80 5 150 (300*) :o;I (80 В) КТ503Е n-p-n 350 5... 50 100 5 150 (300*) $1 (100 В) КТ504А n-p-n 1 (10*) Вт ~20 400; 350* 6 1(2*)А :o;IOO (400 В) КТ504Б n-p-n 1 (10*) Вт ~20 200* (О, 1к) 6 1(2*)А $100 (250 В) КТ504В n-p-n 1 (10*) Вт ~20 275* (О, 1к) 6 1(2*)А :o;IOO (300 В) 1 КТ505А p-n-p 1 (5*) Вт ~20 300* (О, 1к) 5 1(2*)А 1 :o;IOO (300 В) ~ КТ505Б p-n-p 1 (5*) Вт ~20 250* (0,1 к) 5 1(2*)А :o;IOO (250 В) ~ КТ506А n-p-n 0,8 (10*) Вт ~10 800 5 2 (5*)А :о;200 (600 В) КТ506Б n-p-n 0,8 (10*) Вт ~10 600 5 2(5*)А $200 (600 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 129 с,, Гкэ нас' Ом Кш, дБ tk, пс h21э 1 ь;IЭ с;2э' Г~э нас' Ом r;, Ом t~act НС Корпус пФ к;:." дБ Р;:х' Вт t:~клt НС ;>:40* (1 8; 5 мА) 1 $1,7(58) ;>:11,5** (0,4 ГГц) $2 (400 МГц) $8 КТЗ99 Р5,8 ~Ei ' ~ Корлфб ~ к ;>:40* (1 8; 5 мА) $1,7 (5 8) ;>:11,5** (0,4 ГГц) $2 (4000 МГц) $8 КТЗ99М ~f!:~ "'l ~-. ~ ~ -~ 20...60* (18; 30 мА) $50 (10 8) $1,3 - - КТ501 40... 120* (1 8; 30 мА) $50 (10 8) $1,3 - - 80...240* (18; 30 мА) $50 (10 8) $1,3 $4 (1 кГц) - 20...60* (1 8; 30 мА) $50 (10 8) $1,3 - - ii' 40...120* (1 8; 30 мА) $50 (10 8) $1,3 - - 80...240* (18; 30 мА) $50 (10 8) $1,3 $4 (1 кГц) - ~ .5$К 20...60* (18; 30 мА) $50(108) $1,3 - - 40...120* (1 8; 30 мА) $50 (10 8) $1,3 - - 80...240* (18: 30 мА) $50 (10 8) $1,3 $4 (1кГц) - 20 ... 60* ( 1 8; 30 мА) $50(108) $1,3 - - 40...120* (1 8; 30 мА) $50 (10 8) $1,3 - - 40... 120 (5 8; 10 мА) $50(108) $60 $320* - КТ502 80...240 (5 8; 10 мА) $50(108) $60 $320* - ~~~ 40 ... 120 (5 8; 10 мА) $50(108) $60 $320* - 80...240 (5 8; 10 мА) $50 (10 8) $60 $320* - 40...120 (5 8; 10 мА) $50 (10 8) $60 $320* - 40... 120 (5 8; 10 мА) $50 (10 8) $60 $320* - "'l ~-. ~ ~ -~ 40...120 (5 8; 10 мА) $50 (10 8) $60 $580* - КТ503 80". 240 (5 8; 10 мА) $50(108) $60 $580* - ~!!:~ 40... 120 (5 8; 10 мА) $50 (10 8) $60 $580* - 80. "240 (5 8; 10 мА) 1 $50 (10 8) $60 $580* - 40".120 (5 8; 10 мА) $50(108) $60 $580* - 40."120 (5 8; 10 мА) $50 (10 8) $60 $580* - 11') ~-• ~ ~ -~ 15... 100* (5 8; 0,5 А) $30 (10 8) $2 - $2700* КТ504, КТ505,КТ506 15". 100* (5 8; 0,5 А) $30 (10 8) $2 - $2700* 15". 100* (5 8; 0,5 А) $30 (10 8) $2 - $2700* :tiK$3 25".140* (10 8; 0,5 А) $70 (5 8) $3,6 - $2600* 25".140* (10 8; 0.5 А) $70 (5 8) $3,6 - $2600* 1 30...150* (5 8; 0.3 А) $40 (5 8) $2 - $1560* 30."150* (5 8; 0,3 А) $40 (5 8) $2 - $1560* 9зак9
130 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк max• 1,,,. ~16• Uкоо max• lк max IКБО, Тип Струк- Р;,тmах• J;:;Jэf {fКЭR max• UЭБО max• J~.и max• 1~. прибора тура P.Zиmax• с.. U-кэо nuax• в 1~. мВт мrц в мА мкА КТ509А p-n-p 300; 1*Вт ~10 500 5 20 s:5 (500 В) КТ511А9 р-п-р 1000 ~120 200• - 1,5 А - КТ511Б9 р-п-р 1000 ~120 160* - 1,5 А - КТ511В9 р-п-р 1000 ~120 120• - 1,5 А - КТ511С9 р-п-р 1000 ~120 90• - 2А - КТ511Д9 р-п-р 1000 ~120 70* - 2А - КТ511Е9 р-п-р 1000 ~120 50• - 2А - КТ511Ж9 1 р-п-р 1000 ~120 30• - 2А - КТ511И9 р-п-р 1000 ~120 20• - 2А 1 - IП511К9 р-п-р 1000 ~120 10• - 2А - КТ512А9 n-p -n 1000 ~120 200• - 1,5 А - КТ512Б9 п-р-п 1000 ~120 160* - 1,5 А - КТ512В9 п-р-п 1000 ~120 120• - 1,5 А - КТ512С9 п-р-п 1000 ~120 90• - 2А - КТ512Д9 п-р-п 1000 ~120 70* - 2А - КТ512Е9 n-p-n 1000 ~120 50• - 2А - КТ512Ж9 п-р-п 1000 ~120 зо• - 2А - КТ512И9 n-p-n 1000 ~120 20• - 2А - КТ512К9 n-p-n 1000 ~120 10• - 2А - КТ513А9 p-n-p 1000 ~50 300• - 0,5 А - КТ513Б9 p-n-p 1000 ~50 250* - 0,5 А - КТ51389 р-п-р 1000 ~50 200* - 0,5 А - КТ513С9 р-п-р 1000 ~50 160* - 0,5 А - КТ513Д9 р-п-р 1000 ~50 120• - 0,5 А - КТ514А.9 п-р-п 1000 ~50 зоо• - 0,5 А - КТ514Б9 п-р-п 1000 ~50 250* - 0,5 А - КТ514В9 п-р-п 1000 ~50 200• - 0,5 А - КТ514С9 1 n-p -n 1000 ~50 160* - 0,5 А - КТ514Д9 n-p-n 1000 ~50 120• - 0,5 А - 1 КТ515А9 1 р-п-р 1000 ~120 80* - 2А - КТ515Б9 р-п-р 1000 ~120 50* - 2А - КТ515В9 p-n-p 1000 ~120 25* - 2А - КТ516А9 п-р-п 1000 ~120 во• - 2А - КТ516Б9 n-p-n 1000 ~120 50• - 2А - КТ516В9 п-р-п 1000 ~120 25* - 2А - 1 i КТ517А 1 п-р-п 500 ~125 30; 30•• - 0,5 А - КТ517Б п-р-п 500 ~125 30; 30•• - 0,5 А - КТ517В п-р-п 500 ~125 40; 40** - 0,5 А - КТ517Г п-р-п 500 ~125 40; 40** - 0,5 А - КТ517Д. n-p-n 500 ~125 50; 50•• - 0,5 А - КТ517Е п-р-п 500 ~125 60; 60** - 0,5 А -
Биполярные кремниевые транзисторы с•• h2," ь;,э с;2" пФ 10.. .100 (10 В; 0.1 мА) $2,9 (100 В) 220(5В;0,5А) 220(5В;0,5А) 220(5В;0,5А) 220(5В;0,5А) 220(5В;0,5А) 220(5В;0,5А) 220(5В;0.5А) 220(5В:0.5А) 220(5В;0,5А) 220(5В:0.5А) 220(5В;0,5А) 220(5В;0,5А) 220(5В:0.5А) 220(5В;0.5А) 220(5В;0,5А) 220(5В;0,5А) 220(5В;0.5А) 220(5В:0.5А) 1 i 1 1 1 1 i 40...600 (10 В: 50 мА) ! м1 40...600 (10 В; 50 мА) 40...600 (10 В; 50 мА) 40...600 (1О В; 50 мА) 40... 600 (10 В; 50 мА) 40...600 (1О В: 50 мА) 40...600 (10 В; 50 мА) 1 40...600 (10 В; 50 мА) 40...600 (1О В; 50 мА) I 40...600 (10 В; 50 мА) 250(5В;0,5А) 250(5В;0.5А) 225(5В:0.5А) 250(5В;0,5А) 250(5В:0,5А) 225(5В:0,5А) i 1 1 / 25000(5В:10мА) ~ 210000 (5 В: 10 мА) 1 210000 15 В: 10 мА) 10000... 100000 9* (5 В; lOмAJ 210000 (5 В; 10 мА) 210000 (5 В; 10 мА) $7 $7 $7 $7 $7 $7 rкэ нас• Ом r~нк' Ом к;.·•.. дБ lОк $0,3 $0,25 $0,25 $0,2 $0,2 $0,35 $0,35 $0,35 $0,35 $0,3 $0,25 $0,25 $0,2 $0,2 $0,35 $0,35 $0,35 $0,35 $10 $10 $5 $5 $5 $10 $10 $5 $5 $5 $1 $1 $1 $1 $1 $1 $11 $11 $11 $11 $11 $11 Kw, дБ r~, Ом Р;~).. Вт tк, ПС ~~,.нс tвыкл• НС $500 1 1 1 1 1 1 Корпус КТ509 КТ511-9 1/,6 131 ~ 1.6 ~ф~-F• ,'1)- ~· <:t 5 0,11 ~"' 11' O ,SS 0,48 1 .5 1,5 КТ512-9 1/,6 - 1.6 ~i~,(J- ~· <:t н 4" ~ 1o1"'fss 0,4 ~5 1,5 КТ513-9, КТ514-9 КТ515-9, КТ516-9 КТ517
132 Тип прибора 1 КТ517А-1 1 КТ517Б-1 IKT517B-l iiKT517f-l 1 1 КТ517Д-1 КТ517Е-1 КТ517А-9 КТ517Б-9 КТ517В-9 KT517f-9 11 ~КТ517Д-9 llKT517E-9 11 I KT519A КТ519Б .IKT519B 1' 11 1 КТ520А 1~КТ520Б ! i! ! liKT521A КТ521Б КТ523А КТ523Б ГТ523В I KT523f 1 КТ523Д 11 11 11КТ523А9 i КТ523Б9 11КТ523В9 KT523f9 !КТ523Д9 КТ524А 11 11 КТ524А-5 1 1 1 1 1 i i 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Струк- тура п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п р-п-р р-п-р р-п-р п-р-п п-р-п р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п 1 1 1 1 i 1 pKmax' Р~. тmах• р~~ и ma),,• мВт 800 800 800 800 800 800 300 300 300 300 300 300 450 450 450 625 625 625 625 500 500 500 500 500 300 300 300 300 300 1000 1000 ! 1 ~р• ~:216' ~~li' ~:;,, Мfц ~125 ~125 ~125 ~125 ~125 ~125 ~125 ~125 ~125 ~125 ~125 ~125 ~100 ~100 ~100 ~50 ~50 ~50 ?:50 ?:150 ?:150 ?:150 ~150 ?:150 ~150 ~150 ~150 ~150 ~150 ~100 ~100 UKБOma\• U~R1nct\• u;Э01n.i'' в 30 30 40 40 50 60 30; 30*• 30 40 40 50 60 50; 45** 50; 45*• 50; 45*• 300; 300** 200; 200** 300; 300** 300; 300•· 30; 30** 30; 30** 40; 40** 50; 50•· 60; 60** 30; 30•• 30; 30•· 40; 40** 50; 50** 60; 60** 40; 25** 40; 25** Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 UЭБОmаА• в 1 1 - 1 - 1 - 1 - 1 - 1 - 5 5 5 1 1 1 - 1 - - - - - - 1 1 1 ! 1 1 - 1- - - - 6 1 1 1 1 1 6 1 1 1 IKma11 1:,ИIПЗА1 мА 0,5 А 0.5 А 0.5 А 0.5 А 0.5 А 0.5 А 300 300 300 300 300 300 100 100 100 500 500 500 500 500 500 500 500 500 300 300 300 300 300 1500 1500 1 1 1 ! 1 ' i 1 i i 1 i1 1 i i 1 1 IКБ<)' I~R• I~" мкА - - - - - - :50,05 (50 В) :50,05 (50 В) :50.05 (50 В) - - - - - - - - - - - - :50,1 (35 В) :50,1 (35 В) ~ ~ 1' 11 11 ~11 11 11 " ~; 11 11,, 11 iil'1 ~ 11 11 ~11 ,1 ~ 1! 1 1 ~I! ji 1!,1 li 1: р li 1 1 11
Биполярные кремниевые транзисторы 133 ck, fкэнаt' Ом Кш, дБ tк, ПС 1 ь"" ь;,э c;2i' г~наt' Ом r;. Ом t;,.,. нс Корпус i пФ к;.·,.. дБ Р;~х' Вт t::клt НС 25000 (5 В: 10 мА) 1 57 511 - - КТ517-1 210000 (5 В: 10 мА) 57 511 - - 210000 (5 В; 10 мА) 1 57 511 - - Qtm 10000... 100000 57 511 - - ~7.8 ~ (5В;10мАJ 11 210000 (5 В; 10 мА) 1 57 511 - - 210000 (5 В: 10 мА) 1 57 511 ~ 36 1 - - 1 1 1 25000 (5 В: 10 мА) 57 511 - - КТ517-9 210000 (5 В; 10 мА) 57 511 - - 210000 (5 В; 10 мА) 57 511 - - s 0,95 10000 ... 100000 57 511 - - ~*Х (5В:10мА) 210000 (5 В; 10 мА) 57 511 - - 210000 (5 В; 10 мА) 57 511 - - 60... 150 (5 В; 1 мА) 57(10В) - 510 (1 кГц) - КТ519, КТ520 100...300 (5 В; 1 мА) 1 57 (10 В) - 510(1 кГц) - 1 200...600 (5 В: 1 мА) 57(10В) - 510 (1 кГц) - ~tf~~ i 1 240(1ОВ; 10 мА) 53 525 - - ~ q.- 240(1ОВ: 10 мА) 54 520. - - - 1 1 1 240 (10 В; 10 мА) 1 56 525 - - КТ521, КТ523 240 (10 В; 10 мА) 58 520 - - 1 1 1 1, 1 ~f~ 11 ' 1 1 25000 (5 В; 10 мА) 57 512 - - 210000 (5 В; 10 мА) 57 512 - - 210000 (5 В; 10 мА) 57 512 - - ... q'" ~~ 210000 (5 В; 10 мА) 57 512 - - 210000 (5 В: 10 мА) 57 512 - 1 - 25000 (5 В: 1О мА) - 512 - - КТ523-9 210000 (5 В; 10 мА) - 512 - - s 0,95 210000 (5 В; 10 мА) - 512 - - 210000 (5 В: 10 мА) - 512 - - ~~~' 1 210000 (5 В; 10 мА) - 512 - - 1 1 ' 1 1 ' ' 1 1 1, i 1 ! 1 !1 '1 24011В:0,8А) 1 9(10В) 1 50,6 - - КТ524 1 ' ~f~ ... q'" ~~ 85...300(1В;О,1А) 9(10В) 50,6 - - i КТ524-5 1, i : ! 1
134 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' ~•• ~216• UКБО max' lк max •ноо• Тип Струк- Р~.тmах' ~;lэl U~Rmax' UЭБО max' 1;,и max' ·~R• прибора р~:иmах' с· u~max• в ••• тура ." мА l<ЭО• мВт МГц в мкА КТ525А п-р-п 625 - 40; 20** 5 500 $0,1 (25 В) КТ525А-5 п-р-п 625 - 40; 20** 5 500 $0,1 (25 В) КТ526А n-p -rl 450 ~150 50; 45** 5 100 $0,05 (50 В) ! КТ526А-5 п-р-п 450 ~150 50; 45** 5 100 $0,05 (50 В) КТ528А9 1 п-р-п 600 - 100* - 1 2000 - КТ528Б9 1 п-р-п 600 - 80* - 2000 - КТ528В9 п-р-п 600 - 50* - 2000 - КТ528Г9 п-р-п 600 - 30* - 2000 - КТ528Д9 п-р-п 600 - 12* - 2000 - КТ529А р-п-р 500 ~150 60 4 IA $1 (80 В) 1 КТ530А п-р-п 500 ~150 60 4 IA $1 (80 В) КТ538А 1 п-р-п 700 ~4 600 9 500 $100* :
Биполярные кремниевые транзисторы 64...202 (1 В; 50мА) ~40 (1 В; 0,.8 А) 60...1000 (38, 1 кА) ! "3.5 (10 В) 1 60... 1000 (5 В; 1 мА) SЗ,5 (10 В) 20...200 (5 В; 1 А) 20...200 (5 В; 1 А) 50...250 (5 В; 1 А) 50...250 (5 В; 1 А) 50...250 (5 В; 1 А) ~180 (5 В; 300 мА) ~180 (5 В: 300 мА) 5...90 rкэ ...• Ом r~нк' Ом к;·". дБ :!>l,2 :!>0.25 :!>0,25 :!>0,25 :!>0,25 :!>0.25 ?::0,7 ?::0,7 Кw,АБ r;, Ом Р:., Вт :!>IO (1 МГц) :!>IO (1 МГц) 300 300 300 300 300 't." пс t;..., нс •:....,нс 1 135 Корпус КТБ2Б КТБ2Б-Б КТ526 КТБ26-Б ~rВТ КТБ28-9 IП529 IП530 КТБ38
136 Раздел 2. Биполярные транзисторы . Ркmах• ~•• ~216• UKБOmax' lкmax Iкво, Тип Струк- Р~.т1111х• ~;1" U~Rmax' U350 max• 1;,и max• ·~R' прибора тура р;, и max• ~~:х' u~max• в ·~· мВт Мfц в мА мкА КТ601А n-p -n 0,25 (0,5*) Вт ~40 100* 3 30 s50 (50 В) 1 1 ! 1 КТ601АМ n-p-n 0,5 Вт ~40 100* 3 30 :S300* (100 В) 1 1 КТ602А n-p-n 0,85 (2,8*) Вт ~150 120 5 75 (500*) :S70 (120 В) КТ602Б n-p-n 0,85 (2,8*) Вт ~150 120 5 75 (500*) :S70 ( 120 В) КТ602В n-p-n 0,85 (2,8*) Вт ~150 80 5 75 (300*) :S70 (80 В) KT602f n-p-n 0,85 (2,8*) Вт ~150 80 5 75 (300*) :S70 (80 В) КТ602АМ n-p-n 0,85 (2,8*) Вт ~150 120 5 75 (500*) :S70 (120 В) КТ602БМ 1 n-p-n 1 0,85 (2.8*) Вт ~150 120 5 75 (300*) i :S70 (120 В) !1 1 1 1 i КТ60ЗА n-p-n 1 0,5 Вт (50"С) ~200 30* (lк) 3 300 (600*) :SIO (30 В) КТ60ЗБ n-p-n 0,5 Вт (50"С) ~200 30* (1 к) 3 300 (600*) :SO (30 В) КТ60ЗВ n-p-n 0,5 Вт (50"С) ~200 15* (lк) 3 300 (600*) :S5 (15 В) KT603f n-p-n 1 0,5 Вт (50"С) ~200 15* (lк) 3 300 (600*) :S5 (15 В) КТ60ЗД n-p-n 0,5 Вт (50"С) ~200 10* (lк) 3 300 (600*) :SI (10 В) КТ60ЗЕ n-p-n 0,5 Вт (50"С) ~200 10* (lк) 3 300 (600*) 1 :SI (10 В) КТ60ЗИ 1 n-p-n 0,5 Вт (50"С) ~200 30* (1 к) 3 300 (600*) 1 :SIO (30 В) ! КТ604А 1 n-p-n 0,8 (3*) Вт ~40 300 5 1 200 1 :S50 (250 В) КТ604Б 1 n-p-n 0,8 (3*) Вт ~40 250* (lк) 5 1 200 1 s50 (250 В) КТ604АМ n-p-n 0,8 (3*) Вт ~40 250* (lк) 5 200 :S20* (250 В) КТ604БМ n-p-n 0,8 (3*) Вт ~40 300 5 200 :S20 (250 В) i ! 1 ! КТ605А 1 n-p -n 1 0.4 Вт ( 1ОО"С) ~40 300 1 5 1 100 (200*) :S50* (250 В) КТ605Б n-p-n 1 0,4 Вт (IOO"C) ~40 300 5 100 (200*) i s50* (250 В) !1 i 1 1 1 1 i 1 1 'i 1
Биполярные кремниевые транзисторы ~16 (20 В; 10 мА) ~16 (20 В; 10 мА1) 80 (10В; 10 мА') 20... ОА) >50(10В;1м lS... 80 (10 В; 10 Mf) >50(10В;10мА 80(10В;10мА) 20... ОА) ~50(10В;1 м 10 80*(2В;15А) >ОО* (2 В; 0,15 А) 1080*(2В;0,15А) ;00• (2 В; 0,15 А) 2080*(2В:0.15А) 60 ··200• (2 В: 0,15 А) ~20* (2 В; 0,35 А) 10.. .4 0* (40 В; 20 мм~) 30.. .120* (40 В; 20 10 40*(40В;20мА) 30.::"i20* (40 В; 20 мА) 10 40*(40В;20мА) ...120* (40В; 20мА) 30. " s!5 (20 В) sl5 (20 В) <4 (50 В) ~4 (50 В) ~4 (50 В) s4 (50 В) <4 (50 В) ~4 (50 В) <15 (10 В) ~15 (10 В) ~15 (10 В) ~15 (10 В) ~15 (!О В) ~15 (10 В) ~15 (10 В) s7 (40 В) s7 (40 В) <7 (40 В) ~7 (40 В) s7 (40 В) s7 (40 В) Гкэнас• Ом • Ом ГБЭ нас' к;:... дБ :>60 :>60 $60 :>60 :>60 :>60 $7 $7 $7 $7 $7 $7 $3,4 :>400 :>400 :>400 :>400 :>400 :>400 Kw, дБ . Ом "' р.• Вт вwxt tк, ПС t;act НС t•• нс аыклt :>600 :>600 :>300 :>300 :>300 :>300 $300 :>300 <100** ~100** :>100** :>100** <100** ~100** :>100** :>250 :>250 137 Корпус КТ601 КТ601М КТ602 КТ602М КТ603, КТ604 КТ604М КТ605
138 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк-• ~. ~21•• UК&Omax' )Kmax JllEO, Тип Струк- р~тmах• (;lэt lГКЭRmaJlt Uэоо ma•' J~. max• rКЭR, прибора тура р~ ........ с.., (]"КЭОmах• в Гкэо, мВт мrц в мА мкА КТ605АМ n-p-n О,4 Вт ооо·с) ~40 300 5 100 (200*) ~О* (250 В) КТ&ОSБМ n-р-п О,4 Вт ооо·с) ~40 300 5 100 (200*) ~· (250В) 1 1 1 1 КТ606Л п-р-п 2,5 Вт (40-С) ~350 60 4 400 (800*) ~;I ,5* (60 В) КТ&О&Б п-р-n 2,5 Вт (40"С) ~300 60 4 400 (800*) Sl,5* (60 В) КТ607Л-4 п-р-п 1,5 Вт ~700 40 4 150 SI (30 В) КТ607Б-4 п-р-п 1,5 Вт ~700 30. 4 150 SI {30 В) IП608Л п-р-п 0,5 Вт ~200 60 4 400 (800*) slO (60 В) КТ608Б п-р-п 0,5 Вт ~200 60 4 400 (800*) SlO (60 В) 1 КТ6109А р-п-р 625 ~300 40; 20* (lОк) 5 500 SO.I мкА (25 В) КТ6109Б p-n -p 625 ~300 40; 20* ( IОк) 5 500 SO,I мкА (25 В) КТ6109В р-п-р 625 ~300 40; 20* (1 Ок) 5 500 SO,l мкА (25 В) КТ6109Г р-п-р 625 ~300 40; 20* ( IОк) 5 500 SO,l мкА (25 В) КТ6109Д p-n -p 625 ~300 40; 20* (lОк) 5 500 so.1 мкА (25 В) КТ610Л n-р-п 1,5 Вт (SO"C) ~1000 26 4 300 S0,5 (26 В) КТ610Б п-р-п 1,5 Вт (so•c) ~700 26 4 300 S0.5 (26 В) КТ6102Л р-п-р 1000 - 110 5 1500 SO.l КТ6103А n-p-n 1000 - 140 5 1500 SO.l КТ6104А n-p-n 1000 - 300 5 150 SO.l КТ6105Л р-п-р 1000 - 300 5 150 SO.I КТ6107А n-p -n 1000 - 500 5 130 SO,l КТ6108Л р-п-р 1000 - 500 5 130 so.t
Биполярные кремниевые транзисторы 139 tк, ПС о Kw, дБ t·",, нс fкэш• м ·Ом 1 l~~~~~~-;;~--;;;~с~··~~~~r~~~"'~'·;О~м~~~~~;~:~";в~т'_~~--'t=·~~~~·~"-_с~~~~~~~--~~~ с;," к".•• ктsоsм h,", ь;" пФ •·• '25(] <400 <250 ... и; <7 (40 В) ~ 1О40"(40в,20мА) <7 (40 В) <400 ~-- .Фт - зо.::; 20, (4О в, 20 мА) __ Корпус ~ >15* (10 В; 0,10 А) ~15• (10 В; 0,10 А) - - 20 80*(5В;0,2А) 40.::·160* (5 В; 0,2 А) 1 ! 64 91(1В;50мА) i 78 ...112 (1 В; 50 мА) 98··· l35 (1 В; 50 мА) 112::.166 (1 В; 50 мА~ 144...202 (1 В; 50 мА <10 (28 В) SIO (28 В) <4(10В) :54,5 ( 10 В) <15 (10 В) :515(10В) ) 1 <4,1(10В) 50 300* (10 В: 0.15 А :54,1 (10 В) 20:::300* 110 в: о.15 А) 1 <5 :55 >4** (1 ГГц) ~3** (1 ГГц) <2,5 :52,5 <1,2 :51,2 :51,2 :51,2 :51,2 >О 8** (400 МГц) >0:6** (400 МГц) >1 ** (1 ГГц) >!**(!ГГц) 6 (0,2 ГГц) 6 (0,2 ГГц) i 1 1 1 <10 <12 <18 <25 <120* <120* <55 <22 !О э6 .... КТ606 КТ607-4 КТ608 1 1 КТ6109 1 КТ610 04 КТ6107 КТ6102, КТ61 ' 108 КТ6103, КТ6105, КТ6
140 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKma),,' ~Р' ~:2161 UKБOmaAI lк max lкБо• Тип Струк- Р~. т max' ~;1~· u~RmaAI UЭБOmaAI 1~.и max• ·~ЭR• прибора тура р~:иmа"' ~~;х, u;ЭOmaA' в ••• мА КЭО• мВт МГц в мкА КТ611А п-р-п О.В (3*) Вт ::::60 200 3 100 :<>200 (!ВО В) КТ611Б п-р-п О.В (3*) Вт ::::60 200 1 3 100 1 :<>200 (lBO В) КТ611В 1 п-р-п i О.В (3*) Вт ::::60 1 lBO 3 1 100 :<>100 (150 В) ! КТ611Г 1 п-р-п ! О.В (3*) Вт ::::60 lBO 3 1 100 1 :<>100 (150 В) 1 1 ! ! 1 f i 1 : i i r. ' 1 1 КТ611АМ п-р-п О,В (3*) Вт ::::60 200 4 100 :<>100 (!ВО В) КТ611БМ п-р-п О.В (3*) Вт ::::60 200 4 100 :<>100 (!ВО В) i 1 1 ! 1 i !, 1 i' 1 ' !IKT6110A i п-р-п 1 625 - 40 1 5 1 500 ! sO.l 11КТ6110Б 1 п-р-п 1 625 1 - 40 5 500 sO,l llKT6110B 1 п-р-п 625 1 - 40 5 500 $0,1 КТ6110Г п-р-п 1 625 - 40 1 5 500 $0,1 КТ6110Д 1 п-р-п 625 - 40 1 5 500 $0,1 1 КТ6ША п-р-п 450 150 50 5 100 s0.05 КТ6ШБ п-р-п 450 150 50 5 100 s0.05 КТ6ШВ п-р-п 450 150 50 5 100 $0,05 КТ6ШГ п-р-п 450 150 50 5 100 s0.05 ' i i ' 1 1 1 ' ' ,, 1 1 1 1 JIKT6112A р-п-р 450 100 50 5 1 100 1 $0.05 ~ 11КТ6112Б 1 1 450 100 50 5 1 100 ! $0.05 i р-п-р 1 1 ~КТ6112В 1 р-п-р 450 100 50 5 1 100 $0,05 11 КТ6113А п-р-п 400 700 30 5 50 $0,05 КТ6113Б п-р-п 400 700 30 5 50 $0,05 КТ6113В п-р-п 400 700 30 5 50 $0,05 КТ6113Г п-р-п 400 700 30 5 50 $0,05 КТ6113Д п-р-п 400 700 30 5 50 $0,05 КТ6113Е п-р-п 400 700 30 5 50 $0,05 КТ6114А 1 п-р-п 1000 100 40 6 1 1500 SO.l 1 КТ6114Б ! п-р-п 1 1000 1 100 40 i6 1 1500 1 :<>0.1 КТ6114В 1 п-р-п 1000 100 40 !6 1500 $0,1 ~КТ6114Г 1 п-р-п 1 700 100 40 6 1100 $0,1 1/КТ6114Д i п-р-п 1 700 1 100 1 40 6 1 1100 $0.1 1 КТ6114Е 1 п-р-п 1 700 ! 100 1 40 6 1100 sO.l i 1 1 КТ6115А р-п-р 1000 100 40 ' 6 1500 :<>0.1 КТ6115Б р-п-р 1000 100 40 6 1500 sO.l КТ6115В р-п-р 1000 100 40 6 1500 sO.l КТ6115Г р-п-р 1000 100 40 6 1100 $0,1 КТ6115Д р-п-р 1000 100 40 6 1 1100 sO.l КТ6115Е р-п-р 1000 100 40 6 1100 $0,1 1 КТ6116А р-п-р 625 >100 1 160 ! 5 i 600 1 s0.05 ~ IКТ6116Б р-п-р 625 >100 130 5 1 600 1 S0.01 ~ ~ 1 1 1 li ' 1 ! 1 i 1
Биполярные кремниевые транзисторы 141 ~ 1 1 11 с., rКЭнас' Ом Кw1 дБ tк, ПС ·: ~ h21.·· ь;1? c;2"t' r~нilc' Ом r;, Ом t~dl' нс Корпус " 1 пФ к;.·•.. дБ 1 Р;:", Вт t::кл, НС 1 ~ 1 10.. .40* (40 В; 20 мА) s5 (40 В) $400 - $200 КТ611 30... 120* (40 В; 20 мА) s5 (40 В) $400 - $200 :No6<Ф• 10...40* (40 В; 20 мА) s5 (40 В) s400 - s200 30... 120* (40 В; 20 мА) s5 (40 В) $400 - s200 !i 1· к ~ 10...40•(40В:20мА) 1 s5(40В) s400 - s200 1 КТ611М ~ !I 30...120•(40В;20мА) 1 s5(40В) $400 - s200 11 1 1 ~g; 11 1 1 е: 11 :::;. ·В !j :~ ~1: '1 :, 1 64 ... 91 1,2 КТ6110, КТ6111 ! - - - 1! 78 ... 112 - 1,2 - - 11 ,1 96 ... 135 - 1,2 - - 11 112 ... 166 - 1,2 - - ~~~ 144 ... 202 - 1,2 - - 1 1! 1 1 60... 150 <3 <10 (1 кГц) 11 - - ~ ~-. 1 ~ i00... 300 - <3 <10 (1 кГц) - 1 ~ 1ОО1 ~ ,. 200... 600 1 - <3 <10 (1 кГц) - -~ 1 f! 400 ... 1000 1 - <3 <10 (1 кГц) - 1 11 1 11 60 ... 150 - <7 <10(1 кГц) 1 - КТ6112, КТ6113 : 100 ... 300 - <7 <10(1 кГц) 1 - 200 ... 600 - <7 <10 (1 кГц) ! - 1 1 1 1 ~~~ f-- 1 1 1 28 .. .45 - <10 - ; - 1 39 ... 60 <10 1 - - - ~ 54 ... 80 1 - <10 - - 1 11 72 ... 108 <10 ~ ~-. 1 - - - ~ Wlll ~ 1 97 ... 146 1 - <10 - - -~ 132 ... 198 1 - <10 - - 1 1 85 ... 160 - - 1 - - КТ6114, КТ6115 120... 200 - - - - 160... 300 - - - - 85 ... 160 - - - - 1 120... 200 - - - - ~~~ 160... 300 1 1 - - - - 11 н 1 '1 1 85 ... 160 1 - - - - 120... 200 - - - - ~ ~-. ~. ~ 160 ... 300 - - - - -~ 85 ... 160 - - - - 120... 200 - - - - 160... 300 - - - - ' . 60. "2 40 - - $8 - КТ6116 40 ... 180 - - - - ~Ei!:~ i ~ 1 1 ~ 1 1 1 ~ ~-. ~ 1 1 ~ ~ 11 1 -~ ~ ~
142 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' ~.. ..:.... UКБО max' IKmax lкw• Тип Струк- Р~. т max• 1~:;1э• U~Rmax• UЭБОmах• 1;,и milx' ·~R' р~~ и max• с· u;Э() max• в ••• прибора тура ". кэо• мВт МГц в мА мкА КТ6117А п-р-п 625 >100 180; 160* 5 600 ~О.05 КТ6117Б п-р-п 625 >100 160; 140* 5 600 ~О.1 1 КТ6127А р-п-р 600 (6 Вт**) ~150 90 4 2 (8*) ~20 (90) КТ6127Б р-п-р 600 (6 Вт**) ~150 70 4 2 (8*) ~20 (70) КТ6127В р-п-р 600 (6 Вт**) ~150 50 4 2 (8*) ~20 (50) КТ6127Г р-п-р 600 (6 Вт**) ~150 30 4 2 (8*) ~20 (30) КТ6127Д р-п-р 600 (6 Вт**) ~150 20 4 2 (8*) ~20 (20) КТ6127Е р-п-р 600 (6 Вт**) ~150 10 4 2 (8*) ~20 (10) КТ6127Ж р-п-р 600 (6 Вт**) ~150 120 4 2 (8*) ~20 (120) КТ6127И р-п-р 600 (6 Вт**) ~150 160 4 2 (8*) ~20 (160) КТ6127К р-п-р 600 (6 Вт**) ~150 200 4 2 (8*) ~20 (200) КТ6128А п-р-п 400 ~400 30; 20** - 25 - КТ6128Б п-р-п 400 ~400 30; 20** - 25 - КТ6128В п-р-п 400 ~400 30; 20** - 25 - КТ6128Г п-р-п 400 ~400 30; 20** - 25 - КТ6128Д п-р-п 400 ~400 30; 20** - 25 - КТ6128Е п-р-п 400 ~400 30; 20** - 25 - КТ6129А-9 р-п-р 700 ~4500 20; 15* 3 100 ~0.1 (10 В) КТ6129Б-2 р-п-р 1Вт ~250 50 4,5 1000 ~5 (50 В) КТ61ЗОА-9 п-р-п 700 ~4000 15* - 100 - КТ6131А п-р-п 1,3 Вт ~3.5 ГГц 1 40; 20* (lк) 3 150 ~0.5 мкА (40 8) 1 (10 В; 50 мА) i 1
Биполярные кремниевые транзисторы 80...250 (5 В: 10 мА) 60...250 (5 В: 10 мА) ~30* (5 В: 500 мА) ~30* (5 В; 500 мА) ~30* (5 В; 500 мА) ~50* (5 В; 500 мА) ~50* (5 В; 500 мА) ~50* (5 В: 500 мА) ~50* (5 В: 500 мА) ~30* (5 В; 500 мА) ~30* (5 В: 500 мА) 28...45 (5 8; 1 мА) 39...60 (5 В; 1 мА) 54...80 (5 В; 1мА) 72...108 (5 В; 1 мА) 97...146 (5 В; 1 мА) 132...198 (5 В; 1 мА) S74 (5 В) s74 (5 В) S74 (5 В) S74 (5 В) s74 (5 В) S74 (5 В) s74 (5 В) S74 (5 8) j S74(5В) ! 20...150* (10 В: 50 мА) iSl.45 (10 8) 1 1 i 1 1 1 1 25...150 (5 В; 0,2 А) c:S25 (IO В) ~40(108;100мА) ! cS2(10В) rкэнас• 0111 r~нас:' Ом к;~,.• АБ $4 $5 s0,15 s0,15 s0,15 s0,15 s0,15 $0,15 s0,2 s0,2 $0,25 1 1 1 1 Кш, АБ r~, Ом Р,;:,,, Вт $8 1 !1 '[к• ПС ~F' нс Корпус fаwкл• НС S250* s250* s250* s250* s250* s250* s250* c:S250* s250* 90* КТ6127 1 КТ6128 i 1 КТ6129-9 1 ! ! КТ6129Б-2 КТ6130-9 i КТ6131 1 1 1.11 11х {f~W 143
144 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах• ~•• ~216• UKБOmax• lкmax •коо• Тип Струк- Р~.тmах• \;1з• U~Rmax• UЭБОmах• 1;,н max• J~R' р~~ и max• с u~max• в ••• прибора тура .. кэо• 1 мВт мrц в мА мкА КТ61З2А 1 р-п-р 1,3 Вт ~3.5 ГГц 40 3 150 :50.5 мкА (40 В) 1 (10 В; 50 мА) КТ61ЗЗА р-п-р 1000 ~100 25* - 1200 - КТ61ЗЗБ р-п-р 1000 ~100 25* - 1200 - КТ61ЗЗВ р-п-р 1000 ~100 25* - 1200 - КТ61З4А п-р-п 1000 ~100 25* - 1200 - КТ61З4Б п-р-п 1000 ~100 25* - 1200 - КТ61З4В 1 п-р-п 1000 ~100 25* - 1200 - 1 КТ61З5А п-р-п 800 ~100 400* - 500 - КТ61З5Б п-р-п 800 ~100 300* - 500 - КТ61З5В п-р-п 800 ~100 200* - 500 - КТ61З5r п-р-п 800 ~100 100* - 500 - КТ61З5А9 п-р-п 1Вт ~90 400 6 500 - КТ61З5Б9 п-р-п 1Вт ~90 300 6 500 - КТ61З589 i п-р-п 1 1Вт ~90 200 6 500 - КТ61З5Г9 1 п-р-п 1Вт ~90 100 6 500 - КТ61З5Д9 1 п-р-п 1Вт ~90 50 5 500 - КТ6142А9 п-р-п 1 600 5000 20 3 100 - КТ61З6А р-п-р 625 ~250 40** 5 200 :s;0,05* КТ61З7А п-р-п 625 ~300 60; 40** 6 200 :50,05* КТ61З8А р-п-р 500 50 300 - 100 - КТ6138Б р-п-р 500 50 250 - 100 - КТ61З8В р-п-р 500 50 200 - 100 - КТ61З8r р-п-р 500 50 160 - 100 - КТ61З8Д р-п-р 500 50 120 - 100 - КТ61З9А п-р-п 500 50 300 - 100 - КТ61З9Б п-р-п 500 50 250 - 100 - КТ61З9В п-р-п 500 50 200 - 100 - КТ61З9f п-р-п 500 50 160 - 100 - КТ61З9Д п-р-п 500 50 120 - 100 - КТ6140А р-п-р 400 ~700 30; 15** 5 50 :s;0,05 (12 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 145 ck, Гкэнас' Ом Кw,дБ t., пс ь.,,. ь;,э с~2э' r~нас' Ом r;, Ом t;,.,. нс Корпус пФ к;.·,.. дБ Р:х, Вт t::ltJll НС ?:40 (10 В; 100 мА) :<>2 (10 В) - - - КТ6132 :tf~IW 85 ... 160 - - - - КТ6133, КТ6134, KT613S 120... 200 - - - - 160... 300 - - - - ~IJ:~ 85 .. .160 - - - - 120... 200 - - - - 160... 300 - - - - 11') ~-• ~ 11<') ....,.. 50 ... 500 - - - - 50 ... 500 - - - - 50 ... 500 - - - - 50 ... 500 - - - - ?:50 (10 В; 50 мА) - :<>10; 16* - - KT613S-9 ?:50 (1О В; 50 мА) - :<>10; 16* - - 4,6 ~50 (10 В; 50 мА) - :<>10; 16* - - ~ .t ?:50 (1ОВ; 50 мА) - :<>10; 16* - - ~ ?:100 (10 В; 50 мА) - :<>12; 16* - - ?:50 (1ОВ; 20 мА) - ~11 ** (0,8 ГГц) :<>2 (0,8 ГГц) - ЗI~ ~ ~jll O.SS 448 1.S 1,5 100... 300 (1 В; 10 мА) S4,5 :<>8 - - КТ6136, КТ6137 ~IJ:~ 100... 300 (1 В; 10 мА) :S4 :S6 - - 11') ~- ~ 11<') ....., 40...600 (10 В; 30 мА) - :<>25 - - КТ6138, КТ6139, КТ6140 40...600 (10 В; 30 мА) - :<>25 - - 40...600 (10 В; 30 мА) - :<>25 - - 40... 600 (!О В; 30 мА) - :<>25 - - 40...600 (10 В; 30 мА) - :<>25 - - 40...600 (10 В; 30 мА) - :<>25 - - ~IJ:~ 40...600 (10 В; 30 мА) - :<>25 - - 40...600 (10 В; 30 мА) - :<>25 - - 40...600 (10 В; 30 мА) - :<>25 - - 11') ~- 40...600 (10 В; 30 мА) - :<>25 - - ~ 11<') ....,.. 28."198 (5 В; 1 мА) :<>1,7 (10 В) :<>50 - - 10 зак. 9
146 Раздел 2. БиnОЛRрНые транзисторы Ркmах• ~. ~%!•• Uкoomax• lк '""' 1 •кю• Тип Струк- Р=. т max' С1з• trlCЭR ...... UЭБО max• i 1~. прибора тура Р;, н mu• Сх• V-кэо ..... • в 1:.н max• Гкэо, мВт мrц в мА мкА КТ6141А9 п-р-п 500 ~3200 20 3 50 - КТ6141Б9 п-р-п 700 ~3200 20 3 70 - КТ6142Л 1 п-р-п 600 6000 20 3 70 1 - КТ6142Б п-р-п 600 4000 25 3 100 - 1 КТ616А п-р-п 0,3 Вт ~00 20* 4 400 (600*) :515 (10 В) КТ616Б п-р-п 0,3 Вт ~00 20* 4 400 (600*) :S15(IOB) 1 1 КТ617А п-р-п 0.5 Вт ~150 30 4 400 (600*) :55 (30 В) IП618А п-р-n 0,5 Вт ~40 зоо 5 100 :550* (250 В} 1 1 1 11 КТ620А р-п-р 0.225 Вт ~200 50 з 400 :55 (50 В) КТ620Б р-п-р 0,5 Вт ~00 50 4 400 :55 (50 В) IП624А-2 п-р-п 1Вт ~450 30 4 1000 (1300*) :5100 (30 В) 1 КТ624АМ-2 п-р-п 1Вт ~450 30 4 1000 (1300*) :5100 (30 В) i 1
Биполярные кремниевые транзисторы 147 с,, rкэнас• Ом Кw,дБ tк, ПС ь.,,. ь;,э с~2э' r~н•с' Ом r;, Ом t;,.,. нс Корпус пФ к;.·,.. дБ Р;~х' Вт t:•ыlUI' НС ~50 (10 8: 50 мА) - ~14** (О,5 ГГц) :53,6 (О,5 ГГц) - 1 КТ6141-9 ~50 (10 8: 50 мА) - ~9** (0,8 ГГц) :54 (0,8 ГГц) - ~i ~50 (!О 8; 50 мА) - ~11 ** (0,8 ГГц) :53 (0,8 ггц) - КТ6142 ~40 (10 8; 50 мА) - ~12** (0,8 ГГц) :53 (0,8 ГГц) - tf 1 ~~~ 1 ~ ~ ! ~40* (18; 0,5 А) :515(108) 1 :Sl ,2 - :550* КТ616 ~25* (18; 0,5 А) :515 (10 8) :Sl ,2 - :515* 145,81/ ;fi кфз 5 ~30* (2 8: 0.4 AI 1 :515(108) j :57 :5120 1 КТ617, КТ618 - ! 1 1 i 1 ' 1 1 1 1 1 i i 1 1 1 ~бf 1 $ ~30* (40 8; 1 мА) :57 (40 8) - - - ~ НЮ* (1О 8; 10 мА) - :52,5 - - КТ620 30... 100* (5 8; 0,2 А) - :52,5 - 1 :5100* 1 1 1 i 1 :No6~)3 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 к 30.. .180* (0,5 8; 0.3 А) :515 (5 8) :59 - :518 КТ624 1 1 ~~и 1 1 /1\ t:::. 1 5К3 30... 180* (О.5 8; 0,3 А) 1 :515 (5 8) :59 - :518 КТ624М 1 3 1 -~~ К53 10·
148 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKmax' ~•• ~216• UKБOma'' IKmax •кw• Тип Струк- Р;,тmах• (;,j. U~Rmax• UЭБOmct).• J~. и max• ·~ЭR• прибора тура р;~нmах• ~~;).. u~ma).' в ·~· мВт Мfц в мА мкА КТ625А n-p-n 1Вт ~200 40* (5к) 5 1000 (1300*) :530 (60 В) 1 1 1 1 ~ 1 1 1 1 ! 1 КТ625АМ n-p-n 1Вт ~200 60 5 1000 (1300*) :530 (60 В) КТ625АМ-2 n-p-n 1Вт ~200 60 5 1000 :530 (60 В) КТ626А p-n-p 6,5 Вт (6О0С) ~75 45 4 500 (1500*) 1 :510 (30 BI КТ626Б 1 6.5 Вт (6О0С) ~75 60 4 500 (1500*) 1 :5150 (30 В) p-n-p IKT626B p-n-p 6,5 Вт (6О0С) ~45 80 4 500 (1500*) 1 :51 мА (80 В) KT626f p-n-p 6,5 Вт (60°С) ~45 20* (О,lк) 4 0,5 (1,5*) А :5150 (20 В) КТ626Д p-n-p 6,5 Вт (60°С) ~45 20* (0,1 к) 4 0,5 (1,5*) А :5150 (20 В) КТ629А-2 p-n -p 1 Вт (80°С) ~250 50 4,5 1000 :55 (50 В) КТ629Б-2 p-n -p 1 Вт (80°С) ~250 50 4,5 1000 :55 (50 В) 1 1 1 1 i 1 КТ629БМ-2 1 p-n -p 1 1Вт ~250 50* (1 к) 4,5 1000 1 :55 (50 BI 1 1 КТ630А n-p -n 0,8 Вт ~50 120 7 1000 (2000*) :51 (90 В) КТ630Б n-p-n 0,8 Вт ~50 120 7 1000 (2000*) :51 (90 В) КТ6308 n-p -n 0,8 Вт ~50 150 7 1000 (2000*) 51 (90 В) KT630f n-p-n 0,8 Вт ~50 100 5 1000 (2000*) :51 (40 В) КТ630Д 1 n-p-n 0,8 Вт ~50 60 5 1000 (2000*) :51 (40 BI КТ630Е 1 n-p-n 1 0,8 Вт ~50 60 5 1 1000 (2000*) 1 :51 (40 8) h 1 1 1 1 1 1 ' 1 1 ! i 1 1 КТ630А-5 n-p-n 800 ~50 120 1 7 1А(2*А) :5100 (120 В) КТ630Б-5 n-p -n 800 ~50 120 7 1А(2*А) :5100 (120 В) КТ6308-5 n-p -n 800 ~50 150 7 1А(2*А) :5100 (120 В) KT630f-5 n-p -n 800 ~50 100 5 1А(2*А) :5100 (100 В) КТ632Б p-n -p ! 0.5 Вт (45°С) ~200 1 120* (lк) 5 100 (350*1 :51 (120 В) 1 1 ! 1 1 1 ! : 1 !1 1 1 !
Биполярные кремниевые транзисторы 149 1 1 1 1 ' ~ с,, rКЭнас• Ом Кш1 дБ 1 LK, пс i h",, h~IЭ с;21• г~нас• Ом r;, Ом t:ac• НС 1 Корпус 1 1 пФ к;.·,.. дБ 1 Р;:"' Вт t::кn' НС 20...200* (1 В; 0,5 А) s9(10B) :52,4 - :560 КТ625 2,2 1,5 ~~d 1'\~ 1 5к3 20...200* (1 В; 0.5 А) 1 :59(108) :52,4 - :560 1 КТ625М 20...200 (1 В; 0,5 А) :59 (10 В) :51,3 1 - :560 J 1 1 -~~ К53 40 ... 260* (2 В; 0,15 А) :5150 (10 В) :52 - :5500 КТ626 30... 100• <2 в; 0.15 А) :5150 (10 В) :52 - :5500 15...45* (2 В; 0,15 А) :5150 (10 В) :52 - :5500 Q; 15... 60* (2 В; 0,15 А) :5150 (10 В) :52 - :5500 Е: 40...250* (2 В; О, 15 А) :5150 (10 В) :52 :5500 :::.: . ·8 - :~ 1 i 1 i 1 1 1 ! ! 1 1 1 25...150* (5 В; 0.5 А) :525(10В) 1 :52 - 90* КТ629А-2, КТ629М 25". 150• (5 В; 0.2 А) :525 (10 В) :52 - - 25... 150* (1,2 В; 0,5 А) :525 (10 В) :52 - 90* 1.2 1.2 ~~,~d 6к3 1 1 1 1 1 40...120* (10 В; 150 мА) 1 :515 (10 В) :52 ~5* :5500** КТ6ЗО 80".240* (10 В; 150 мА) 1 :515 (10 В) :52 ~5* :5500** 40".120* (10 В; 150 мА) :515 (10 В) :52 ~5* :5500** ~fWкфэ 40".120* (IO В; 150 мА) :515 (IO В) :52 ~5* :5500** 80."240* (1 О В; 150 мА) :515 (10 В) :52 ~5· :5500** 160.. .480* (10 В; 150 мА) :515 (10 В) :52 ~5* :5500** 40".120 (10 В; 0,1 А) :515 (10 В) :53,3 - - КТGЗО-5 80."240 (1 О В; 0.1 А) 1 :515 (10 В) 1 :53,3 - - 40".120 (10 В; 0.1 А) :515 (10 В) :53,3 - - 1 0,32 40...120 (10 В; 0,1 AJ ! :515 (10 В) :53,3 - - ~шт 1 1 1 1 ~50(1В;1мА) :55 (20 В) :525 - :5100 КТ6З2 1 1 1 :РiкФэ ! ! ~
150 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах• ~р• (216, UKБOmax• lк max lкю• Тип Струк- Р;, т max• ~:;1з• U~Rmax• UЭБОmах• •• ·~Rt р~~иmах• с· u~max• в К, н max• ••• прибора тура "' кэо• мВт МГц в мА мкА КТ6З2Б-1 1 р-п-р 350 (40°С) >200 120* (1 к) 5 100 (350*) ~1 (120 В) КТ6З2В-1 р-п-р 350 (40°С) >200 120* (1 к) 5 100 (350*) ~1 (120 В) ' КТ6ЗЗА п-р-п 1,2 Вт ;?:500 30 4,5 200 (500*) ~10 (30 В) КТ6ЗЗБ п-р-п 1,2 Вт ;?:500 30 4,5 200 (500*) ~10 (30 В) 1 КТ6З4А-2 п-р-п 1,2 Вт ;?:1500 30 3 150 (250*) ~О.5 мА (30 В) КТ6З4Б-2 п-р-п 1,3 Вт ;?:1500 30 3 150 (250*) ~1мА(30В) 1 КТ6ЗSА п-р-п 0,5 Вт ;?:200 60 5 1 (1,2*) А ~30 (60 В) КТ6ЗSБ п-р-п 0,5 Вт ;?:250 60 5 1 (1,2*) А ~30 (60 В) КТ6З7А-2 п-р-п 1,5 Вт ;?:1300 30 2,5 200 (300*) ~0.1 мА (30 В) КТ6З7Б-2 п-р-п 1,5 Вт ;?:800 30 2,5 200 (300*) ~2мА(30В) ; КТ6З8А п-р-п 500 ;?:200 110 5 100 (350*) ~0.1 мА (110 В) КТ6З8А1 п-р-п 500 ;?:200 120 5 100 ~0.1 (120 В)
БunОЛRрные кремниевые транзисторы 151 1 ck. l'кэнк• Ом J[w•No t'll , вс 1 1 hi1э• ь;IЭ' 1 с;2.• "~_.ом ·~·Ом t;... нс Корпус пФ к.;~". д:Б ..-:.. Вr t:.... ·~ 50...350 (1 В; 1 мА) :S:5 (20 В) $25 - SIOO 1 КТ632-1 150...450 (1О В; 1мА) s5 (20 В) $25 - 2000* 1 ~IJ:tiЩ 1 1 1 i 1 1 ~ ~. ~ 111) ... ..... 40... 140 (1 В; 10 мА) :!>4,5 (10 В) s5 sб (20 мГц) $30* IП633 20...160 (l В; Ш мА) :!>4,5 (10 В) $5 s6 (20 мГц) $30* :Itщ3 1 - 1 s2,5 Н5 В) 1 ~1.4** (5 ГГц) ~.2** (5 ГГц) s2 КТ634-2 - S3 (15 В) ~1.4** (5 ГГц) ~.45** (5 ГГц) SЗ,5 6 '\f ~:lзtw ~1 \.1!~1 25... 150* (1 В; 0,5 А) :!>15 (10 В) $1 - s58; s60** КТ635 20... 150* (I В; 0,5 А) sIO(lOB} SI - :!>58; Sб()** 1 i ;Ефкщэ i 1 1 1 1 1 1 1 30... 140* (5 В: 50 мА) $4,5 (15 В) - ~.5** (3 ГГц) $3 IП637-2 30... 140* (5 В; 50 мА) :!>4,5 (15 В) - ~.25** (3 ГГц) SI5 ~~~ 1 ~1 \.jft!1 1 1 1 1 1 50...350 (1 В; 10 llfA) 1 S8 f20 В) $25 - 1 S25 tl* мкс} КТ&38 1 i 1 §~ ~50(10В;2мА) sб S25 11П638А1 1 ;fWкщэ 1 1 1 1 1 1 i
152 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Струк-1 pKmax' ~•• ~216• UKБOmax• lкmax lкоо• Тип Р;,тmах• (;lэ• U~Rmax• UЭБОmах• 1;,и max• ·~R• прибора тура 1 р~~ и max• с· u~max• в ••• ." мА кэо• 1 мВт Мfц в мкА КТ639А р-п-р 1 (12,5*) Вт ~80 45 5 1,5А(2*А) :50,1 (30 В) КТ639Б р-п-р 1 (12,5*) Вт ~80 45 5 1,5А(2*А) :50,1 (30 В) КТ639В р-п-р 1 (12,5*) Вт ~80 45 5 1,5А(2*А) :50,1 (30 В) KT639f р-п-р 1 (12,5*) Вт ~80 60 5 1,5А(2*А) :50,1 (30 В) КТ639Д р-п-р 1 (12,5*) Вт ~80 60 5 1 1,5А(2*А) 1 :50,1 (30 В) КТ639Е р-п-р 1 1 Вт (35°С) ~80 100 5 1.5А(2*А) 1 :50,1 (30 В) КТ639Ж р-п-р 1 Вт (35°С) ~80 100 5 1,5А(2*А) :50.1 (30 В) КТ639И 1 р-п-р 1 Вт (35°С) ~80 30 5 1,5А(2*А) 1 :50,1 (30 В) i КТ639А-1 1 1 500 (30** Вт) ~80 45 5 1,5А(2*А) 1 :50,1 (30 В) 1 р-п-р 1 КТ639Б-1 р-п-р 500 (30** Вт) ~80 45 1 5 1 1.5А(2*А) :50,1 (30 В) КТ639В-1 р-п-р 500 (30** Вт) 1 ~80 45 1 5 1.5А(2*А) 1 :50,1 (30 В) 1 1 KT639f-1 р-п-р 500 (30** Вт) ~80 60 1 5 1 1,5А(2*А) 1 :50,1 (30 В) КТ639Д-1 р-п-р 500 (30** Вт) ~80 60 5 1 1.5А(2*А) 1 :50,1 (30 В) КТ639Е-1 р-п-р 500 (30** Вт) ~80 100* 5 1,5А(2*А) :50,1 (30 В) КТ639Ж-1 р-п-р 500 (30** Вт) ~80 100* 5 1,5А(2*А) :50,1 (30 В) КТ639И-1 р-п-р 500 (30** Вт) ~80 30 5 1,5А(2*А) :50,1 (30 В) КТ640А-2 1 1 0.6 Вт (6О 0С) ~3000 25 ! 3 60 1 :50,5 мА (25 В) п-р-п КТ640Б-2 ! п-р-п 0.6 Вт (6О 0С) ~3800 25 3 60 1 :50.5 мА (25 В) КТ640В-2 i 0.6 Вт (60°С) ~3800 25 3 1 60 1 :50,5 мА (25 В) п-р-п 1 1 1 1 i 1 1 КТ642А-2 п-р-п 500 - 20 2 1 60 :51 мА (20 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 КТ642А-5 п-р-п 500 - 20 1 2 60 :51 мА (20 В) 1 1 КТ64ЗА-2 п-р-п 1, 1 Вт (50°С) - 25 3 120 :51 мА (25 В) 1 КТ644А р-п-р 1 (12,5*) Вт ~200 60 5 0,6А;1*А :50,1 (50 В) КТ644Б р-п-р 1 (12,5*) Вт ~200 60 5 0,6А;1*А :50,1 (50 В) КТ644В р-п-р 1 (12,5*) Вт ~200 40** 5 0,6А;1*А :50,1 (50 В) KT644f р-п-р 1 (12,5*) Вт ~200 40** 5 0,6А;1*А :50,1 (50 В) 1 1 1 1 1 1 i! 1 !
Биполярные кремниевые транзисторы 153 ck, rкэнас' Ом кw,д6 tk, пс hz," ь;,э с;2з' r;Эиас' Ом r;, Ом t;,.c, НС Корпус пФ к;.·,.. дБ Р;:" Вт t::IUI, НС 40...100* (2 В; 0.15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* КТ639 63...160* (2 В; 0.15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* 100... 250* (2 В; 0,15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* ;и; 40...100* (2 В; 0,15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* :-~ 63...160* (2 В: 0,15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* 40...100* (2 В; 0,15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* 60...100* (2 В; 0,15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* 180.. .400* (2 В; О, 15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* 40... 100 (2 В; 0,15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* КТ639-1 40...160 (2 В; 0,15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* 90...160 (2 В; 0.15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* ~tm5t 40".100 (2 В: 0,15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* 63".160 (2 В; 0,15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* 40".100 (2 В; 0,15 А) 550 "О В) 51 - 5200* 63".160 (2 В; 0.15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* 180".400 (2 В; 0,15 А) 550 (10 В) 51 - 5200* к 58 (6 ГГц) КТ640-2 ~15*(5В;5мА) 51,3 (15 В) ~6** (7 ГГц) ~О.1 ** (7 ГГц) 0,6 ~15*(5В;5мА) 51,3 (15 В) ~6** (7 ГГц) ~О.1 ** (7 ГГц) 1 ~IНр. ~15*(5В:5мА) 51,3 (15 В) ~6** (7 ГГц) ~О.08** (7 ГГц) 1 ... О) • 6 з 1 - 51,1 (158) ~3.5** (8 ГГц) ~0.1** (8 ГГц) - КТ642-2 ~No - 51,1 (15 В) ~3.5** (8 ГГц) ~0.1** (8 ГГц) - КТ642-5 0,45 0,1 ~шт - 51,8 (15 В) - ~О.48** (7 ГГц) - КТ643-2 ~No 40". 120* (10 В; 0,15 А) 58 (IO В) 52,7 - 5180* КТ644 100".300* (10 В; 0,15 А) 58 (10 В) 52,7 - 5180* 40". 120* (10 В; 0,15 А) 58 (10 В) 52,7 - 5180* ;~. 100".300* (10 В; 0,15 А) 58 (10 В) 52,7 - 5180* :-~
154 Раздел 2. Биполярные транзи.сторы Рк max' · \р. \216• UКБО m.axt- lк max •кво• Твп Струк- Р~. тm.ax' ~;lэ' U"'КЭR m.axr UЭБО max' 1:.к max" rКЭR, прибора тура PiZ' н max• t:x' U-кэо max' в rкэо, мВт м:rц в мА мкА КТ645А п-р-п 0,5 {I*) Вт 2:200 60 4 0.3 А; 0.6* А ::;Ю tбО В) IП645Б n-p-n 500 2:200 40 4 300 (600*) ::;IO (40 В) ' 1 1 1 1 1 1 1 ! ! 1 1 1 1 IП&4&А n-p -n l (2,5*) Вт 2:200 60 4(5) lА;1,2 "А ::;10 (60 В) IП&451t п-р-п 1Вт 2:200 40 4 t А; 1,2" А•. $:10 (40 В) IПM&IJ п-р-п 1Вт 2:200 40 4 rА;1,2"А $:JO (40 В) IП&47А-2 п-р-п 1 560 - 18 2 !Ю $:! мА (18 В) 1 1 1 1 j! 1 IП&47А-5 n-p -n 560 - 18 2 90 $:1 мА (18 В) 1 1 К1'И8А-2 1 n-p-n 420 - 18 1 2 60 $:1 мА (18 В) IП&48А-5 . n-p-n 420 - 18 2 60 $:! мА (18 В) i 1 IT&53A n-p -n 5Вт 2: 50 120* 7 rА 10* (120 В) I1'&53Б п-р-п 5Вт ~50 100* 7 1А 1€}* (IOO В) IП557А-2 n-p -n 375 {ОО"С) 2:3 rrц 12* 2 60 $:1* мА 02 В) П5575-2 1 n-p -n 375 (бО"С) 2:3 Гfц 12* 2 60 $:l* мА (12 В) I1'~%. ! n.р-в 375 (ОО'С) 2:3 fГц 12* 2 60 :>l*мA(l2B)
Биполярные кремниевые транзисторы 155 ck, rкэнк• Ом Кш, дБ т., пс h21.• ь;,э с;2.• r~Энас.:• Ом r;, Ом t~c' НС Корпус пФ к;.·", дБ Р;~х' Вт t::кл, НС 20...200* (2 В; 0,15 А) 1 $5 (10 В) $3,3 - $120; $50* 1 КТ645 1 ~80110В:2мА) 1 $5(10В) 1 - - - 1 ~f,~ 1 1 1 j 1 1 1 1 1 !<') ~-• ~• 'r) -~ 40...200* (5 В; 0,2 А) $10 (10 В) $1,7 - $120; $60* КТ646 150... 200* (5 В; 0,2 А) $10 (10 В) $1,2 - $120; $60* 150... 300* (5 В; 0,2 А) $10 (10 В) $0,06 - $120; $60* ~~: ·~ - $1,5 (15 В) ~3** (10 ГГц) 0,2** (10 ГГц) - КТ647-2 1 i {f~!W - $1,5 (15 В) ~3** (IO ГГц) 0,2** (10 ГГц) - КТ647-5 1 1 0,45 0,1 1 1 нЕJТ 1 i 1 ! 1 1 - $1,5 (IO В) ~3** (12 ГГц) 0,04** (12 ГГц) - КТ648-2 i {f~!W - $1,5 (10 В) ~3* * (12 ГГц) ~О.04** (12 ГГц) i - КТ648-5 1 1 1 1 0,5 0,1 1 ~шт 40...150 (10 В; 150 мА) $20 (10 В) $3,3 $1 •• мкс КТ65З 80...250 (IO В: 150 мА) $20 (10 В) $3,3 $1 ** мкс 1 1 1 ;~хф i $1,1 (15 В) ~8** (2 ГГц) ~О.05** (2 ГГц) 1 КТ657-2 - 1 - 60...200 (6 В: 30 мА) $1,1 (15 В) ~8** (2 ГГц) ~О.05** (2 ГГц) 1 - 35... 70 (6 В; 30 мА) ! $1,1 (15 В) ~8** (2 ГГц) ~О.05** (2 ГГц) 1 - {f~ 1 1 6
1 i ! 156 Тип прибора КТ657А-5 КТ657Б-5 КТ657В-5 КТ659А КТ660А КТ660Б КТ661А КТ662А КТ664А-9 КТ664Б-9 КТ665А-9 КТ665Б-9 j КТ666А-9 КТ667А-9 Струк- тура п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п 1 р-п-р ; р-п-р р-п-р р-п-р 1 п-р-п п-р-п 1 i : 1 п-р-п i 1 ! ! р-п-р 1 1 1 1 '1 i 1 1 1 1 1 1 pKmax' Р~.тmах• р~:и max• мВт 375 375 375 1Вт 0.5 Ет 0.5 Вт 0,4 Вт (1,8* Вт) 0,6 Вт (3* Вт) 300(1*Вт) 300(1•Вт) 300 (1 *Вт) 300(1• Вт) 300(1•Вт) 300(1*Вт) 1 1 1 i 1 1 ~Р' \21б' ~;lj' ~~·;х, Мfц ~3 ГГц ~3 ГГц ~3 ГГц ~300 ~200 ~200 ~200 ~200 ~50 ~50 ~50 ~50 ~60 ~40 ' 1 1 1 1 UKБ0m.1x• U~Rm11x• U~Omax• в 12* 12* 12* 60 50 30 60 60 120 100 120 100 300 300 Раздел 2. Биполярные транзисторы i ! 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 i1 1 UЭБО max• в 2 2 2 6 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 IKma" 1:.и max• мА 60 60 60 1,2 А 0,8 А 0,8 А lкw• J~R' 1·· кэо• мкА $1* мА (12 В) $1* мА (12 В) $l*мА(12В) $0,5 мА (60 В) $1 (50 В) $1 (30 В) J 0,3А;0.6*А 1 $0.01 мА(50В) 1 1 1 1 1 1 0,4 А; 0,6* А $0,01 мА (50 В) 1 :1 1 !1 1 1 1 1A(l,5*A) $10 (100 В) IA(l,5*A) $10 (100 В) 1 1А(1,5* А) $10 (100 В) 1А(1,5* А) $10 (100 В) 1 1 ' 20 (50*) 1 $0.1 мА (300 BJ ! 1 i ' i'! 20; 50* $0,1 (300 В) ! 1 1 1 i ! 1 ~
Биполярные кремниевые транзисторы 157 ' 1 1 j ck, rкэнас' Ом Кш, дБ tк, ПС 1 h2," ь;,э с;2э' r~на... • Ом r;, Ом t~al.'t НС Корпус пФ к:.·•.. дБ Р;:,, Вт t::кл• НС - $1,1 (158) ~8** (2 ГГц) ~О.05** (2 ГГц) - КТ657-5 60 ... 200 (6 8; 30 мА) $1,1 (158) ~8** (2 ГГц) ~0.05•• (2 ГГц) - 0,5 0,1 35...70 (6 8; 30 мА) $1,1 (158) ~8** (2 ГГц) ~О.05** (2 ГГц) - ~шт ~35* (1 8; 0,3 А) $10 (10 8) $9 - $80** КТ659 $кщэ 110... 220* ( 10 8; 0,2 А) $10 (10 8) $1 - - КТ660 200...450* (1О 8; 0,2 А) $10 (10 8) $1 - - ~!f-~ ~ ~ ~ ~ 100... 300* оо 8; 0.15А)1 $8 (10 8) $3,2 - $150** КТ661 5.... з ~ офК ~ ,.... 100... 300* (IO 8; 0,15 А) $8 (10 8) $3,2 - $200** КТ662 1 :Еiкщэ 40...250 (2 8; О,1А) $25 (5 8) $2,3 - $700** КТ664-9, КТ665-9 - 40...250 (2 8; 0,1 А) $25 (5 8) $2,3 - $700** 4,6 - 1.6 ~~~! 40...250 (2 8; О,15 А) $25 (5 8) $2 - - ... }дч 40...250 (2 8; 0.15 А) 1 $25 (5 8) $2 - ~ 1о1~ !ss - - 448. ~5_ 1,5 ~50(IO8;5мА) - $80 - - КТ666А-9, КТ667А-9 1/,6 Ф=t ~50(108;5мА) - $80 - - ЗI~ s.... t5 дч 1 1 ~1о1~o.ss 1 1 448 ~5_ 1,5 1 i 1
158 Раздел 2. Биполярные транзисторы iСтрук-1 Ркmах' ~р• \210• UКБО max' lк max JКБО• Тип Р~. тmax' ~:;lз• U~Rmax• UЭБО max• •• J~R• прибора тура 1 р~~и max• ~;;х, U~Oma).' в К, и max• ••• мА КЭО• мВт МГц в мкА КТ668А p-n-p 0,5 Вт ~200 50 5 0,1 А ~15 нА (30 В) КТ668Б p-n-p 0,5 Вт ~200 50 5 0,1 А ~15 нА (30 В) КТ6688 р-п-р 0,5 Вт ~200 50 5 0,1 А ~15 нА (30 В) 1 КТ680А 1 n-p-n 350 (85"С) ~120 30 5 0,6А(2*А) ~10 (25 В) КТ681А р-п-р 350 (85"С) ~120 30 5 0,6А(2*А) ~10 (25 В) КТ682А-2 n-p -n 350 ~4.4 ГГц 10 1 50 ~1 (lOB) КТ682Б-2 n-p -n 350 ~4.4 ГГц 10 1 50 ~1 (10 В) КТ682А-5 n-p -n 350 ~4.4 ГГц 10 1 50 ~100В) КТ682Б-5 n-p -n 350 ~4.4 ГГц 10 1 50 ~100В) КТ68ЗА n-p-n 1,2 (8*) Вт ~50 150* (3к) . 7 1А;2*А ~1 (90 В) КТ68ЗБ n-p-n 1,2 (8*) Вт ~50 120* (3к) 7 1А;2*А ~1 (90 В) КТ68ЗВ n-p-n 1,2 (8*) Вт ~50 120* (3к) 7 1 1А;2*А 1 ~1 (90 В) КТ68ЗГ 1 n-p-n 1,2 (8*) Вт ~50 100* (3к) 5 1 1А;2*А ~1 (40 В) КТ68ЗД 1 n-p-n 1,2 (8*) Вт ~50 60* (3к) 5 1А;2*А ~1 (40 В) КТ68ЗЕ n-p-n 1,2 (8*) Вт ~50 60* (3к) 5 1А;2*А ~1 (40 В) КТ684А p-n-p 1 0,8 Вт ~40 45* (1 к) 5 1А(1,5*А) ~0.1 (30 В) КТ684Б p-n-p 0,8 Вт ~40 60* (lк) 5 1А{1,5*А) ~0.1 (30 В) КТ6848 p-n-p 0,8 Вт ~40 100* Ок) 5 1А0.5*А) ~О.1 (30 В) КТ684Г p-n-p 0,8 Вт ~40 30 5 1А0.5*А) ~0.1 (30 В) 1 КТ685А p-n-p 0,6 Вт ~200 60 5 0,6 А ~О.02 (50 В) КТ685Б р-п-р 0,6 Вт ~200 60 5 0,6 А ~0.01 (50 В) КТ685В р-п-р 0,6 Вт ~200 60 5 0,6 А ~О.02 (50 В) КТ685Г p-n -p 0,6 Вт ~200 60 5 0,6 А ~О.01 (50 В) КТ685Д p-n-p 0,6 Вт ~350 30 5 0,6 А ~О.02 (25 В) КТ685Е p-n-p 0.6 Вт ~250 30 5 0,6 А ~О.02 (25 В) КТ685Ж p-n -p 0,6 Вт ~250 30 5 0,6 А ~О.02 (25 В) КТ686А p-n-p 0,625 {1,4*) Вт ~100 50* (О) 5 0,8 А (1,5* А) ~О.1 (45 В) КТ686Б p-n-p 0,625 0 .4*) Вт ~100 50* (О) 5 0,8 А (1,5* А) ~0.1 (45 В) КТ6868 p-n-p 0,625 0,4*) Вт ~100 50* (О) 5 0,8 А (1,5* А) ~0.1 (45 В) КТ686Г p-n-p 0,625 (1,4*) Вт ~100 30* (О) 5 0,8А0,5*А) ~0.1 (25 В) КТ686Д p-n-p 0,625 0.4*) Вт ~100 30* (О) 5 0.8А0.5*А) ~0.1 (25 В) КТ686Е ! р-п-р 0,625 0 .4*) Вт ~100 30* (О) 5 0,8 А 0,5* А) ~0.1 (25 В) КТ686Ж 1 p-n-p 1 0.625 (1,4*) Вт ~100 30* (О) 5 0,8А0,5*А) ~0.1 (25 В) ! 1 1 1 i 1
Биполярные кремниевые транзисторы 1 1 75...140 (5 В; 2 мАI 125...250 (5 В; 2 мА) 220...475 (5 В; 2 мА) 85... 300* (1 В; 0,5 А) 1 i 1 85...300• о в; о.5 AJ · j 40...45 (7 В; 2 мА) 80...120 (7 В; 2 мА) S7 S7 S7 S0,9 (!О В) ~9 (10 В) 40...45 (7 В; 2 мАt 1 S0,9 (IO В) 80...120 (7 В; 2 мА) 1 SO.~ (!О В) 40.. .1 20* (IO В; 0,15 А) 80...240* (10 В; 0,15 А) 40... 120* (10 В; 0,15 А) 40.. .1 20* (IO В; 0.15 А) 80...240* (IO В; 0.15 А) 160.. .480* (10 В; 0,15 А) 40 ...250* (2 В; 0,15 А) 40.. .160* (2 В; 0,15 А) 40.. .1 60* (2 В; 0,15 А} 180.. .400 (2 В; 0,15 А) 40.. .120* (10 В; 0,15 А) 40.. .120* (10 В; 0.15 А) 100... 300* (10 В; 0.15 А) 100...300* (10 В; 0,15 А) 70...200* (1 В; 0,15 А) 40...120* (1 В; 0,3 А) 100...300* ( 1 В: 0.3 А) 100...250* (1 В; 0,1 М 160...400* (1 В; 0,1 А) 250...630* (l В; 0,1 А) 100...250* (1 В; 0,1 А) 160...400* (1 В; 0.1 А) 250... 630* (1 В: 0.1 А) 1 1 1 100...250* (1 В: 0,1 А) 1 1 1 Sl5 (IO В) Sl5 (10 В) S15 (10 В) Sl5 (10 В) S15 (IO В) Sl5 (10 В) s50 (10 В) S50 (10 В) SSO (10 В) S50 (10 В) $800В) $8 (10 В) S8 (10 В) S8 (10 В) Sl2 (10 В) Sl2 (10 В) Sl2 (10 В) Sl2 (10 В) Sl2 (IO В) Sl2 (10 В) Sl2 (10 В) Sl2 (!О В) Sl2 (10 В) Sl2 (10 В) rкэ""' Ом r~иас• Ом. к;::,_• .1.Б s6.5 S6,5 S6,5 S0,5 S0,5 ~7** (3,6 ГГц) ~7** (3,6 ГГц) ~7** (3,6 ГГц) ~7** (3,6 ГГц) S3; sб.6* S3; S6.6* S3; S6.6* S3; S6.6* S3; S6.6* S3; Sб.6* Sl Sl sl SI S2,6 S2,6 S2,6 S2,6 S2,6 S2,6 S2,6 Sl,4 Sl,4 Sl,4 Sl,4 Sl,4 Sl,4 Sl,4 Кш, .1.Б r;, Ом Р:х' Вт SIO (!кГц) SIO (!кГц) SIO (!кГц) S4 (3,6 ГГц) S4 (3,6 ГГц) 4 (3,6 ГГц) S4 (3,6 ГГц) S8* S8* S8* S8* S8* S8* 1 т•• пс t;...,, вс t:.IUI, НС S500** s500** S500** s500** S500** S500** S80* S80* S80* S80* S80* Sl50 Sl50 159 Корпус КТ668 КТ680, КТ681 КТ682-5 0,4 0,1 ~rВТ КТ684 КТ685 КТ&86
160 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк max' ~•• \210• UКБО max' lкmax lкоо• Тип Струк- P~.тmaxt ~:;lз' U~Rmax' UЭБОmах' •:,м max' I:СЭн• р~~ н max• с· u~max• в ••• прибора тура ." КЭО• мВт Мfц в мА мкА КТ692А р-п-р 1Вт ~200 40 5 lA sO.l (30 В) 1 1 1 1 1 1 КТ695А п-р-п 450 ~300 30 4 30 SO,l (30 В) КТ698А п-р-п 600 ~150 90* 4 2А S20* (90 В) КТ698Б п-р-п 600 ~150 70* 4 2А S20* (70 В) КТ698В п-р-п 600 ~150 50* 4 2А S20* (50 В) KT698f п-р-п 600 ~150 30* 4 2А S20* (30 В) КТ698Д п-р-п 600 ~150 12* 4 2А S20* (12 В) КТ698Е п-р-п 600 ~150 12* 4 2А S20* (12 В) КТ698Ж п-р-п 600 ~150 120* 4 2А S20* (120 В) КТ698И п-р-п 600 ~150 160* 4 2А S20* (160 В) КТ698К п-р-п 600 ~150 200* 4 2А S20* (200 В) КТ704А п-р-п 15* Вт (50"С) ~3 500* (!ООО имп.) 4 2,5 (4*) А S5* мА (1000 В) КТ704Б п-р-п 15* Вт (50"С) ~3 400* (700 имп.) 4 2,5 (4*) А S5* мА (700 В) КТ704В п-р-п 15* Вт (50"С) ~3 400* (500 имп.) 4 2,5 (4*) А S5* мА (500 В) 1 КТ708А р-п-р 5Вт ~3 100; 80* 5 2А - КТ708& р-п-р 5Вт ~3 80; 60* 5 2А - КТ708В р-п-р 5Вт ~3 60; 40* 5 2А - КТ709А р-п-р 30 Вт ~3 100; 80* 5 10А - КТ709Б р-п-р 30 Вт ~3 80; 60* 5 10А - КТ7098 р-п-р 30 Вт ~3 60; 40* 5 10А - КТПОА п-р-п 50* Вт (50"С) - 3000* (О,Оlк) 5 5 (7,5*) А S2 мА (3000 В)
Биполярные кремниевь1е транзисторы 161 ck, rкэ••,. Ом Кw1 дБ t., пс h21.• ь;,э с;2з• r~нас• Ом r;, Ом t~ac• НС Корпус пФ к;.",.• дБ Р;~х' Вт t::IUI, НС ~20(1В;0,5А) s20 (30 В) sl - s90** КТ692А 1 ~кфз 1 50...200 (10 В; 1 мА) Sl,5 (10 В) - - - КТ695А ~tm.tк ~20*(5В;1А) 1 s74 (5 В) so.12 - S245* КТ698 ~20*(5В;1А) S74 (5 В) S0,12 - S245* ~50*(5В; 1А) S74 (5 В) S0,12 - S245* ~50*(5В;1А) S74 (5 В) $0,12 - S245* ~I!:~ ~50*(5В;1А) S74 (5 В) S0,12 - $245* ~50*(5В; 1А) S74 (5 В) s0,12 - S245* ~30*(5В;1А) S74 (5 В) S0,12 - S245* ~30*(5В;1А) .s74 (5 В) s0,15 $245* ~ .. : :t-• • - ~ ~ ~30*(5В; 1А) s74 (5 В) S0,17 - S245* .. .., 10.. .100* (15 В; 1 А) s50 (20 В) S2,5 - - КТ704 10... 100* (15 В; 1 А) s50 (20 В) $2,5 - - ~10*(15В; 1А) s50 (20 В) $2,5 - - ~ttll - к . ~. t::: 1~5 ~500 - Sl КТ708 ~700 - Sl ~700 - Sl ;[фкфз $1 .sl .Sl ~500 - Sl КТ709 ~700 - Sl ~700 - $1 11~ °'No· ~ О\ ...... - - "=> .,.., . g к ~3.5(10В;4А) - S0,9 - 30000* КТ710 п1~ ~ffli ~ ~ к 11 зак. 9
162 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Струк-1 Рк,...• f,,,.~,•• Uкоо .... • lк .... Iкво, Тип Р~.т maxt ~~lз' 1Гкэи...,х• UЭБО .... • 1;. М IПl'Xt 1~, прибора 1 тура р;: •шах' Сх, 1Г"кэо...,,• в 1~, мВт мrц в мА мкА КТ712А p-n-p 1,5 (50*) Вт ~з 200 5 10 (15*) А Sl мА (200 В) КТ7125 p-n-p 1,5 (50*) Вт ~з 160 5 10 (15*) А SI мА (160 В) 1 КТ715А n-p-n 75* Вт (5О0С) ~0,45 5000 5 2А Sl мА (5000 В) 1 КТ716А n-p -n 1 Вт {60 Вт*) ~6 100 5 8А s0,1 мА КТ7165 n-p -n 1 Вт (60 Вт*) ~6 80 5 8А SO,I мА КТ716В 1 n-p -n 1 Вт (60 Вт*) ~6 60 5 8А SO,I мА КТ716f n-p-n 1 Вт (60 Вт*) ~6 45 5 8А SO,I мА 1 КТ719А n-p -n 10* Вт ~з 120 5 1,5 А - КТ720А p-n -p 10* Вт ~з 120 5 1,5А - КТ721А n-p -n 25* Вт ~з 120 5 1,5 А - КТ722А p-n -p 25* Вт ~з 120 5 1,5 А - КТ723А n-p-n 60* Вт ~з 120 5 IOA - -КТ724А p-n -p 60* Вт ~з 120 5 IOA - КТ728А n-p -n 115* Вт ~2.5 60 7 15А S0,7 мА (60 В) КТ729А n-p -n 150* Вт ~.2 50 5 30А S2мА(50В) КТ729Б n-p -n 150* Вт ~.2 100 7 20А s5 мА (100 В) i 1 1
1 1 1 Биполярные кремниевые транзисторы h21.• ь;,э ~500•(5В:2А) ~400*(5В;2А) 1 1 i 1 ~15 (10 В; 0,2 А) ~750(5В;5А) ~750(5В;5А) ~750(5В;5А) ~750(5В;5А) ~20 (2 В: 0,15 А) ~20(2В:0.15А) 1 1 ~20(2В: 1А) ~20(2В; 1А) ~20(5В;5А) ~20(5В;5А) 20...70 (5 В; 4 А) 15... 60* (4 В: 15 А) 15...60 (4 В; 10 А) 11' с•• с;2.• пФ - - - 150 (5 В) 150 (5 В) 150 (5 В) 150 (5 В) - - - - - - - 1 1 1 1 1 1 1 rкэнас' Ом r~нас• Ом к;_·р.• д& $l $1 :515 :50,4 :50,4 $0,4 $0,4 $1,2 $1,2 $0,6 $0,6 $0,4 :50,4 $0,3 $0,13 $0,14 163 Кш,д6 tк, ПС r~. Ом t~ac• НС Корпус Р;:х• Вт t::1и1• НС - - КТ712 - - :ft ЗК6 - :527500* КТ715 ~·.... ~. ~ 6.25 - $7000* КТ716 - $7000* - $7000* :ft - :57000* ЗК6 - - 1 КТ719, КТ720 11 - - 1 1 ~иw 1 1 ::;. ·8 =~ - - КТ721, КТ722 - - ~; 1 :·~ - - - КТ72З, КТ724 .. - - :fjtЗК6 1 ' 1 - 1 - 1 КТ728, КТ729 ~ 1 1 ' 1 1 1 !
164 Раздел 2. Биполярные транзисторы PKm.ax' Тип Струк- P~.Tffiil),t прибора тура р~~ М W111X t мВт МГц UKБOm;,кt JK m;,к •кw• U~Rma).t UЭБOm;,xt ·~'И m.aAt ·~· u~milx' в г мА кэо• в мкА КТ730А n-p -n 150* Вт <::0,2 160 7 16А $2 мА (140 В) 1 ! 1 i 1 : 1 1 1 ~ 1 1 1 ! КТ731А n-p-n 1Вт;10*Вт <::30 25; 20** 5 1,5А;3*А :<>20 (30 В) КТ731Б n-p -n 1Вт;IO*Вт <::30 40; 35** 5 1,5А;3*А :<>20 (30 В) КТ731В n-p -n 1Вт;10*Вт <::30 60; 55** 5 1,5А;3*А :<>20 (30 В) КТ731Г n-p -n 1Вт;10*Вт <::30 80; 70** 5 1,5А;3*А :<>20 (30 В) 1 ' 1 1 1 1 1 u 1 1 1 1 1 Jкпз2л 1 1 90* Вт 2::1 160 7 16А 0,75 мА n-p-n j 1 1 1 20* А (\60 В) 1 КТ733А p-n-p 90* Вт 2::1 160 1 7 16А 0.75 мА !1 i 1 20* А (160 В) ' 1 1 ! ' 1 ' 1 ' i i 1 ri ,, 1 ~ 1 1 i ! 1 i i i i i 1 1 1 КТ734А 1 40* Вт <::3 40 1 5 ! 3А;5А* 1 S0.3** (30 В) n-p-n 1 КТ734Б n-p -n 40* Вт <::3 60 5 3А;5А* s0.3* (30 в> КТ734В n-p -n 40* Вт <::3 80 5 3А;5А* S0,3* (60 В) КТ734Г n-p -n 40* Вт 2::3 100 5 3А;5А* s0,3* (60 В) КТ735А p-n-p 40* Вт <::3 40 5 3А;5А* so.3 · (30 В) КТ735Б p-n-p 40* Вт 2::3 60 5 3А;5А* s0.3* (30 В) IКТ735В 1 p-n -p 40* Вт <::3 1 80 1 5 3А;5А* s0.3* (60 В) КТ735Г p-n-p 40* Вт 2::3 100 1 5 3А;5А* S0.3* (60 В) i i ; i ; 1 К1736А 1 1 65* Вт 1 <::3 40 5 1 6А; IOA* $0,7* (30 В) 1 n-p-n КТ736Б 1 n-p-n 1 65* Вт <::3 1 60 5 1 6А;1ОА* s0.7* (30 В) 1 КТ736В 1 n-p-n ! 65* Вт 2::3 80 5 1 6А;10А* S0.7* (60 В) КТ736Г n-p-n 65* Вт 2::3 100 5 6А;10А* S0.7* (60 В) КТ737А p-n-p 65* Вт <::3 40 5 6A;IOA* s0,7* (30 В) КТ737Б p-n-p 65* Вт <::3 60 5 6А; IOA* S0,7* (30 В) КТ737В p-n-p 65* Вт <::3 80 5 6А;10А* s0,7* (30 В) КТ737Г p-n-p 65* Вт 2::3 100 5 6А;10А* s0,7* (30 В) 1 i i 1 КТ738А ! n-p-n ! 90Вт <::10 70 5 10А 1 1мА(100В) ri 1 1 1 ' i 1 i ! 1 1 i j 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Бипопярнь1е кремниевые транзисторы 165 : 1 rкэнас' Ом Кш, дБ 1 ! с,, t'кt ПС ' hz,,• ь;,э с;2,• r~нас' Ом r~, Ом 1 t;_, НС Корпус пФ к;~". дБ Р;:х' Вт t;ыкл• НС 15...60: (4 В; 8 А) ! - ~О.17 - - КТ730 п1~ ~Noii ~· ..,. .. - к ~40 (10 В; 50 мА) - S0,5 - - КТ731 ~40 (10 В; 50 мА) - S0,5 - - ~40 (10 В; 50 мА) - S0,5 - - ~иw ~30(10В:50мА) 1 - S0,5 - - 1 1 :·~ 1 ~15(2В;8А) - s0,25 - - КТ732 ~8(4В;16А) nt~ 1 1 ~No- ·~. 1 ~15(2В:8А) - s0,25 - - КТ7ЗЗ ~8(4В;16А) 1 п1~ ~Noii ·~. ~25(4В;1А) - s0,4 - - КТ734, КТ735 ~25(4В;1А) - S0,4 - - ~10(4В;3А) - s0,4 - - ~fjt ~10(4В;3А) - S0,4 - - ~25(4В;1А) 1 - s0,4 - - ~25(4В;1А) - S0,4 - - ~ D ~10(4В;3А) - S0,4 - - ЗКI ~10(4В;3А) - S0,4 - - ~30(4В;3А) - S0,25 - - КТ736, IП737 ~30(4В;3А) - s0,25 - - ~15 (4 В; ЗА) - s0,25 - - :ft ~15(4В;3А) - s0,25 - - ~30 (4 В: ЗА) - S0,25 - - ~30(4В:3А) - S0,25 - - ~15 (4 В; ЗА) - s0,25 - - ~15 (4 В; ЗА) S0,25 ЗК6 - - - ' 20...70 (4 В; 4 А) - S0,3 - SI** КТ738 ~r 1 IКЗ - 1
166 Раздел 2. Биполярные транзисторы iСтрук-1 ! 1· ' pKm.ax• ~•• f ,;210• UKБOmax• JKmax •кw• Тип Р~. тmax• ~;lз• u~RmaAI UЭБOmdA' J~.н max• i ·~ЭR' прибора ! тура 1 р~~ и m.ax• ~::х• U~Omax• в l~эо• мВт МГц в мА мкА КТ739А р-п-р 90 Вт ~10 70 5 IOA 1мА(100В) 1 КТ740А 1 п-р-п 1 125* Вт - 200 5 20А - 1 1 1 i 1 i КТ740Аl n-p-n 60* Вт - 200 5 20А - ! 1 1 1 ' 1 1 i 1 i ~ 1 1 1 Q КТ801А n-p -n 5* Вт (55°С) ~10 80* (О,lк) 2,5 2А 10* мА (80 В) КТ801Б n-p -n 5* Вт (55°С) ~10 60* (О,lк) 2,5 2А 10* мА (60 В) ! КТ802А 1 n-p-n 50* Вт ~10; ~20 150; 180 3;5 5А 1 ~60 мА (150 В) 1 1 КТ803А n-p-n 60* Вт ~20 60* (О,!к) 4 10А ~5* мА (70 В) КТ805А n-p -n 30 Вт ~20 60* (160 имп.) 5 5(8*)А ~15* мА (60 В) КТ805Б n-p -n 30 Вт ~20 60* (135 имп.) 5 5(8*)А ~15* мА (60 В) КТ805АМ 1 n-p-n 30* Вт (50°С) ~20 60* ( 160 имп.) 5 5(8*)А ~15* мА (60 В) КТ805БМ 1 п-р-п 30* Вт (50°С) ~20 60* ( 135 имп.) 5 5(8*)А ~15* мА (60 В) КТ805ВМ n-p-n 30* Вт (50°С) ~20 60* ( 135 имп.) 5 5(8*)А ~15* мА (60 В) 1 1 1 - КТ807А n-p -n 10* Вт (70°С) ~5 100* 4 0,5; 1,5* А ~5* мА (100 В) КТ807Б n-p -n 10* Вт (70°С) ~5 100* 4 0,5; 1,5* А ~5* мА (100 В) 1
Биполярные кремниевые транзисторы 167 с,, rкэ-• Ом Kw, .11.Б т., пс h2," ь;,э с;2" r.;.. ...,, Ом r~1 Ом t;.., нс Корпус пФ к~·". .11.& Р:,, Вт t:.... вс 1 20...70 (4 В; 4 А) 1 - :50,3 - :50, 7** КТ739А 1 =EmT ! 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 :(' а i 1 1 IКЗ ~30 - :50,125 - 1 - 1 IП740А 1 ~r 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 ! 1 6КЗ 1 1 ~30 1 :50, 125 1 ! IП740А1 - - - 1 1 i ft 1 1 6113 i 1 15...50* (5 В; 1 А) 1 - :52 1 - 1 - 1 КТ801 30...150* (5В; 1А) 1 :52 1 1 ! - - - 1 :~~i 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 к ~15*(10В;2А) - :51 - - ктаеz.. IП803, КТ805 ~5- ,,J~ 10...70* (10 В; 5 А) :5250 (20 В) :S0,5 - :5190** .~oL'(fd~ .~J1rt. ~ ~11 ~~\'4~ ~ ~15*(10В;2А) 1 :50,5 ...... .... ......:: ~ - - - ~15*(10В;2А) - :51 - - ~15*(lOВ;2А) - S0.5 - - IПOUI ~15*(IOВ;2А) - Sl - - :ft ~15*(ЮВ;2А) - $1,25 - - 1 316 r5.. .45* (5 В; o.s AJ - :52 - - IП807 зо... rоо• (5 в: о.5 А) - :52 - - ~!t~t*
168 Раздел 2. Биполярные mранзисторь1 ' 1 ~•• ~216• 1 ! 1 ! IКБО, 1 ' Ркmах' UKБOmax• ! lк max 1 Тип J Струк-1 Р~.тmах• \;1з• U~Rmax• UЭБО max• ··~.и max' 1 J~R' р~~ н max• с· U~Omax• 1 1·· прибора 1 тура 1 1 в 1 ." мА КЭО• мВт мrц в мкА КТ807АМ п-р-п 1 10* Вт (70°С) 2':5 100* (lк) 4 1 0,5 (1.5*) А 1 S5* мА (100 В) КТ807БМ п-р-п 10* Вт (70°С) 2':5 100* (1 к) 4 0,5 (1,5*) А s5* мА(100В) 1 1 ! ! i 1 1 1 i 1 i КТ808А 1 п-р-п 1 50* Вт (50°С) 2':7,2 120* (250 имп.) 4 1 1ОА 1 S3* мА (120 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 КТ808А1 п-р-п 70* Вт 2':8 130* 5 1ОА S2* мА (130 В) КТ808Б1 п-р-п 70* Вт 2':8 100* 5 1 1ОА S2* мА (100 В) КТ808В1 i п-р-п 70* Вт 2':8 80* 1 5 1ОА 1 S2*мА(80В) КТ808П 1 п-р-п 1 70* Вт 2':8 70* 5 1ОА S2* мА (70 В) КТ808АЗ п-р-п 70* Вт 2':8 130 5 10 (15*) А S2* мА (130 В) КТ808БЗ п-р-п 70* Вт 2':8 100 5 10(15*)А S2* мА (100 В) 1 1 1 КТ808АМ п-р-п 60* Вт (50°С) 2':8 130* (250 имп.) 5 IOA S2* мА (120 В) КТ808БМ п-р-п 60* Вт (50°С) 2':8 100* (160 имп.) 5 10А S2* мА (100 В) КТ808ВМ п-р-п 60* Вт (50°С) 2':8 80* (135 имп.) 5 10А S2* мА (100 В) ктsоsrм n-p -n 1 60* Вт (50°С) 2':8 70* (80 имп.) 5 IOA 2':2* мА (70 В) КТ809А п-р-п 40* Вт (50°С) 2':5,1 400* (О,Оlк) 4 3А;5*А s3* мА (400 В) 1 1 1 ..::;:;:.- ~ ! КТ8101А п-р-п 2 Вт; 150* Вт 2':10 200 6 16А(25*А) SI мА (200 В) КТ8101Б п-р-п 2 Вт; 150* Вт 2':10 160 6 16А(25*А) SI мА (160 В) КТ8102А р-п-р 2 Вт; 150* Вт 2':10 200 6 16А(25*А) SI мА (200 В) КТ8102Б р-п-р 2 Вт; 150* Вт 2':10 160 6 16А(25*А) SI мА (180 В) КТ8104А р-п-р 150 Вт 2':10 350 1 5 1 20А(25А*) 1 S0,7 мА (350 В) 1 1 1 ! 1 1 1 1 i i ! i i 1 1 1 1 i 1 1 ! 1 ' ! 1 i
Биполярные кремниевь1е транзисторы 169 ck, rкэиас• Ом кw,д& 't._, пс h21.• ь;,э с;2.• r~нас• Ом r;, Ом t~.... нс Корпус пФ к;.·р.• д& Р;:,. Вт t::..... нс 15...45* (5 В; 0,5 А) - $2 - - КТ807М 30... 100* (5 В; 0,5 А) - $2 - - :;~ 10...50* (3 В: 6 А) S500 (10 В) - - $2000* КТ808 ~if6 20...125 (3 В; 2 А) S500 (10 В) S0,33 - - КТ808-1 20...125 (3 В; 2 А) S500 (!О В) S0,33 - - ~r 20...125 (3 В: 2 А) S500 (IO В) S0,33 - - 20...125 (3 В; 2 А) S500 (10 В) $0,33 - - 6КЗ 20...125 (3 В; 2А) S500 (100 В) - - $2000* КТ808-3 20...125 (3 В; 2 А) s500 (100 В) - - $2000* ~ttt.' ~ D ЗК6 20...125* (3 В: 2 А) S500 (100 В) S0,33 - $2000* КТ808М 20...125* (3 В; 2 А) S500 (100 В) S0,33 - $2000* "'' ~ 20...125* (3 В; 2 А) S500 (100 В) S0,33 - $2000* ;fWi ~. 20... 125* (3 В; 2 А) S500 (100 В) $0,33 - $2000* 15...100* (5 В; 2 А) Sl50 (20 В) S0,75 - $4000* КТ809 ~•• ~20*(!ОВ;2А) SOOO (5 В) $3,3 - - КТ8101, КТ8102 ~20*(10В;2А) SIOOO (5 В) $3,3 - - ~r ~О*(!ОВ;2А) SIOOO (5 В) $3,3 - - ~О*(10В;2А) SIOOO (5 В) $3,3 - - 6КЗ 1000(5В:5А) - <0,2 - - КТ8104 ""~ ~Noi~ ~ /(
170 'Раздел Z. Биполярные транзисторы pKm.ax ' ~.. ~... UКБО max' lк max •коо• Тип Струк- Р;.т m.ax' ii:;1~· (fКЭR max• Uэоо max• 1:.н max• ·~· р;. Н INIJI: 1 с;х, (f~max• в ••• прибора тура кэо• мВт мrц в мА мкА IKT8105A 1 п-р-п 1 150 Вт ~10 200 5 20А(25А*) 1 SO.7 мА (350 В) 1 1 11 1 1 1 1 1 1 1 IП8106А п-р-п 2 Вт; 125* Вт ~1 90* 5 20А(30*А) - К.Т81065 п-р-п 2 Вт; 125* Вт ~1 60 5 20А(30*А) - 1 К.Т8107А п-р-п 1 100* Вт ~7 1500 (700*) 5 8АН5*А) s0,7 мА (1500 В) КТ81075 п-р-п 125* Вт ~7 1500 (700*) 5 5А(7,5"А) sO,T мА (1500 В) K1'8107ll n-p -n 50* Вт ~7 1500 (600*) 5 5А(8"А) S0,7 мА (1500 В) К.Т810П п-р-n 100 Вт ~7 1500 б 10А s0,7 мА (1500 В) КТ8107Д п-р-п 100 Вт ~7 1200 б IOA S0,7 мА (1200 В) КТ8101Е П·р·П 100 Вт ~7 1000 6 10А s0,7 мА (1000 В) К.Т8107А2 п-р-п 100* Вт ~7 1500 (700*) 5 8А(15*А) S0,7 мА (1500 В) К.Т8107&2 п-р-n 125* Вт ~7 1500 (700*) 5 5 А (7,5* А) S0.7 мА (1500 В) КТ8107В2 п-р·п 50* Вт ~7 1500 (600*) 5 5А(8*А) S0,7 мА (1500 В) К.Т81&71'2 1 п-р-п 100* Вт >7 1500 6 10А s0,7 мА (1500 В) К.Т8107Д2 1 п-р-п 100* Вт >7 1200 6 10А s0,7 мА (1200 В) К.Т8107Е2 п-р-п 100* Вт >7 1000 б 10А S0,7 мА (1000 В) КТ8108А п-р-п 70" Вт ~15 850 5 5 (7"') 0,5 мА (850 В) К.Т8108Б п-р-п 70* Вт ~15 850 5 5 (7*) 0,5 мА (850 В) КТ8108В п-р-п 70* Вт ~15 900 5 5 (7*) 0,5 мА (900 В) КТ8108А-1 n-p·n 70* Вт 15 850 5 5(7*)А s0,5 мА (850 В) К.Т81085-1 п-р-п 70* Вт 15 850 5 5(7*)А s0,5 мА (850 В) КТ8108В-1 п-р-п 70* Вт 15 900 5 5(7*)А s0,5 мА (850 В) К'Пt88А п-р-п 80* Вт ~7 350 5 7А(10*А) s3 мА (350 В) КТ81096 п-р-п 80" Вт ~7 300 5 7А(10*А) S3 мА (300 В) IП8U8A 1 п-р-п 2Вт:60*Вт ~о 500 5 7А(14*А) 1 SIOOO(500В) КТ81105 1 п-р-п 2Вт;60*Вт ~20 500; 400•• 5 7А(14*А) :!>100 (400 В) КТ8110В n-p -n 2Вт;60*Вт ~20 500; 350"* 5 7А(14*А) slOO (400 В)
: 1 1 1 ! ! 11 Биполярные кремниевые транзисторы h2," ь;,э ;e:lOOO (5 В; 5 А) 750 ... 18000 (10 В; 5 А) 750...18000 (1 О В; 5 А) ;е:2,25* (5 В; 4.5 А) ;е:2,25* (5 В; 4,5 А) 8...12* (5В; 1А) ;е:2,25* (5 В; 4,5 А) ;е:2,25* (5 В; 4,5 А) 8...12* (5В; 1А) 10 50(5В·О5А) ... 40...80 (5 В: 0.5 А) 10...50 (5 В; 0.5 А) 10...50* (5 В; 0,5 А) 40...80* (5 В; 0,5 А) 10...50* (5 В; 0,5 А) ;е:150• (5 В; 2.5 А) ;е:150* (5 В; 2.5 А) 15...30* (5 В; 0,8 А) 15...30* (5 В; 0,8 А) 15...30* (5 В; 0,8 А) с,, с~2"'пФ - 1 1 i 1 :5700 (IO В) 1 :5700 (10 В) 1 - 1 - <75 (15 В) - 1 :575 (15 В) 1 :575 (15 В) 1 :575 (5 В) :575 (5 В) :575 (5 В) 1 - 1 1 - ! i1 - - - 1 !1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 11 1 rкэнаt·' Ом r~э наt·• Ом к;.·•.. дБ <0,2 :50,4 :50,4 :50,22 :50,65 :50,22 :50,22 :50,4 :50,4 :50,22 :50,65 :5022 <О,22 <0,4 <0,4 <О4 - . :50,4 :50,4 :50,4 :50,4 :50,4 :50,75 :50,75 :50,2 :50,2 :50,2 Кш, дБ i i r;, Ом Р;:)., Вт - 1 1 1 ! - i - - - 1 - 1 - i - i 1 1 - 1 - - 1 ! 1 - 1 1 - 1 1 1 i i i - - - 1 1 1 1 i 1 i11 тк, пс f~act НС t::IUI, НС - :54500** :54500" :53500* :53500* :53,500* :53500* :53500* :53500* <3000* - :53000* :53000* 3* мкс 3* мкс 3* мкс :53* мкс :53* мкс :52500* :52500* :52500* ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! i 1 i1 1 1 i1 i 171 Корпус КТ8105 п1 КТ1 ~fflii ~ 111 ~ . 11 .. .. /( ~ КТ8106 ~ ~~r ;~ ' D 6кз КТ8107 15.9 5 1 -~·1 ....~ ...... ;~ ' D 6кз КТ8107-2, КТ8108 27,1 КТ1 ~t1i ~- ~ .. .. .. к КТ8108-1 :ft 1 ЗК5 1 1 1 КТ8109 70,G5 1/,8 wт6КЭ КТ8110 10,7 li,8 11 т1 .. .. ~ ~ D
172 Раздел 2. Биполярные транзисторы j 1 1 1 1 1 1 1 Ркmах' ~•• t,;., •• UКБОmах' 1 lк max i Iю;о, Тип Струк· 1 р• i.:;,i, U~Rmax' UЭБОmах' 1 1 ·~R' К.тm11х' 1 1;,н max' j 1 р~~ н max• (" u~max' 1 в ' ·~· прибора тура 1 "' ! 1 мА 1 i мВт Мfц в 1 мкА КТ8111А9 1 п-р-п 125* Вт ;e:I 100 5 20А - КТ8111Б9 п-р-п 125* Вт ;е:1 80 5 20А - КТ8111В9 п-р-п 125* Вт ;e:I 60 5 20А - ! 1 1 r ! 1 1 1 : КТ8112А 1 п-р-п i 1Вт;10*Вт ;е:20 400* (1 к) 1 5 10.5А(1,5*А)i - ! ' 1 i ! : i i 1 1 i ' 1 1 1 1 t ! 1 1 1 ! 1 1 1 1 ' КТ8113А р-п-р 2Вт;65*Вт ;е:З 100 6 6 (10*) А s700 (60 В) КТ8113Б р-п-р 2Вт;65*Вт ;е:З 80 6 6 (10*) А s700 (60 В) КТ8113В р-п-р 2Вт;65*Вт ;е:З 60 6 6 (10*) А S700 (30 В) 1 1 ! !1 ' ' ' ! i ! 1 1 1 1 1 1 iктs114А 1 п-р-п 1 125* Вт - 1500* 6 1 8А;15*А 1 SO,I мА ( 1500 В) IКТ8114Б п-р-п 125* Вт - 1200* 6 8А;15*А S0.1 мА (1200 В) КТ8114В п-р-п 100* Вт - 1200* 6 8А;15*А sO,I мА (1200 В) KT8114f п-р-п 100* Вт - 1500* 6 8А;15*А SO,I мА (1500 В) . 11 ' КТ8115А 1 р-п-р 65* Вт ;е:4 100 5 1 8(16*)А 1 s0.2 мА (100 В) КТ8115Б 1 р-п-р 65* Вт ;е:4 80 5 1 8 (16*) А s0.2 мА (80 ВJ КТ8115В ! р-п-р 1 65* Вт ;е:4 60 5 8 (16*) А 1 S0.2 мА (60 В) : 1 i 1 1 КТ8116А п-р-п 65* Вт ;е:4 100 5 8А(16*А) S200 (100 В) КТ8116Б п-р-п 65* Вт ;е:4 80 5 8А(16*А) S200 (80 В) КТ8116В п-р-п 65* Вт ;е:4 60 5 8А(16*А) S200 (60 В) i 1 1 ' 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 ' i 1 КТ8117А п-р-п 100* Вт ;е:5 700 8 10 (20*) А SI мА (400 В) КТ8117Б п-р-п 100* Вт ;е:5 500 8 10 (20*) А SI мА (400 В) ! 1 1 i i 1 1 i 1 i ' i i 1 ' 1
мниевые транзисторы Биполярные кре j 1 rКЭнас' Ом r ck, • Ом с;2,• rБЭнас' h21.• ь;,э 1 i i ' 1 i8000 (3 В: 10 А) 750. 750..l8000(3В; 10А) 750::: 18000 (3 в: 10 А> :2::300 (5 В; 0,05 А) 15...75* (4 В; 3 А) 15...75* (4 В; 3 А) 15...75* (4 В: 3 А) >IOOO* (3 В; 0,5 ...3 А) j ;IOOO* (3 В; 0.5...3 А) j :2::1000* (3 В: 0,5...3 А) <!::IOOO* (3 В; 0,5 А) >IOOO* (3 В; 0,5 А) ;1000* (3 В; 0,5 А) >\О*(5В;5А) ;\О*(5В;5А) 1 ! пФ $400 $400 $400 к;.·", дБ <0,2 g),2 g),2 <40 <0,27 $0,27 g),27 <0,25 $0,25 $0,25 $0,25 g),7 $0,7 $0,7 <0,7 g),7 g),7 Кш, дБ r;, Ом р00 Вт sыxt 1 1 tк, ПС t• нс рк• t•• нс ... ". 4,5* мкс 4,5* мкс 4,5* мкс tcn 0,5 МКС tcn 0,5 МКС tcn=0,5 МКС tcn=0,5 МКС <1,7* мкс <1,7* мкс 173 Корпус КТ8111-9 =~r ~ЕУН D 6КЗ КТ8112 КТ8113 КТ8114 :::~~15,9 15 °"~ ln ~ D 6КЗ КТ8115 КТ8116 КТ8117 :rmr - 6КЗ
174 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' ~•• \210• UKБOmaA• •кmах lкБо• Тип Струк- Р~. тmax• ~;,~. U~Rma).• UЭ001naAt J~.и mo1A' ·~R' р~~нmах• ~:·;". u~maAt в ••• прибора тура кэо• мВт Мfц в мА мкА КТ8118А п-р-п 50* Вт ;::15 900 5 3А(IO*А) $10 (800 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i КТ812А п-р-п 50* Вт (50°С) ;::3 400* (О.01 к) 7 8А;12*А $5* мА (700 В) КТ812Б п-р-п 50* Вт (50°С) ;::3 300* (0.01 к) 7 8А;12*А $5* мА (500 В) КТ812В п-р-п 50* Вт (50°С) ;::3 200* (0,01 к) 7 8А; 12*А $5* мА (300 В) КТ8120А ! п-р-п 60* Вт ;::20 600; 450** 5 1 8А(16*А) $100 (450 В) 1 i ! 1 1 !КТ8121А 1 п-р-п 75* Вт ;::7 1500; 700*; 5 8A(IO*A) $2000 (700 BJ 400** КТ8121Б п-р-п 75* Вт ;::7 1500; 600*; 5 8А(10*А) $2000 (600 в) 400** КТ8121А-1 п-р-п 75* Вт ;::7 1500; 700* 5 8А(10*А) $2000 (700 В) КТ8121Б-1 п-р-п 75* Вт ;::7 1500; 600* 5 8А(10*А) $2000 (600 В) КТ8121А-2 п-р-п 1 75* Вт ;::7 1500; 700* 5 8А(10*А) $2000 ( 700 в) КТ8121Б-2 п-р-п 75* Вт ;::7 1500; 600* 1 5 8А(10*А) 1 $2000(600В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 i 11 1 ! 1 ' 1 КТ8123А п-р-п 25* Вт ;::5 200 5 2А(3*А) $50 (150 В) КТ8124А п-р-п 60* Вт ;::10 400 5 7А(15*А) - КТ8124Б п-р-п 60* Вт ;::10 400 5 7А(15*А) - КТ8124В п-р-п 60* Вт ;::10 330 5 7А(15*А) - i 1 КТ8125А п-р-п 65* Вт ;::3 100 5 6 (10*) А $0,4 мА (100 В) КТ8125Б п-р-п 65* Вт ;::3 80 5 6 (10*) А $0.4 мА (80 В) КТ8125В п-р-п 65* Вт ;::3 60 5 6 (10*) А $0,4 мА (60 В) КТ8126А1 п-р-п 80* Вт ;::4 700; 400** 9 8 (16*) А $1 мА (700 В) КТ8126Б1 п-р-п 80* Вт ;::4 600; 300** 9 8(16*)А $1 мА (600 В) КТ8127А п-р-п 56* Вт - 1500* (100 Ом) 5 5 (7.5*) А $0.9 мА (1500* ВJ КТ8127Б п-р-п 56* Вт - 1200* (100 Ом) 5 1 5 (7,5*) А $0.6 мА (1800* В) КТ8127В п-р-п 1 56* Вт - 11500* (100 Ом) 5 5 (7.5*) А $0.9 мА ( 1500* В) j 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторь1 175 ck, rКЭuс• Ом Кш, дБ 1 'tк1ПС ь.,,. ь;,э c~z"• r~wiilc' Ом r;, Ом f~cl НС Корпус 1 ! пФ к;~•·' дБ Р,:.:.х, Вт 1 t:мt НС 1 1 i 1 1 J0...40* (5 В; 0,2 А) 1 - 1 sl,3 - 1 :>2,5* мкс 1 КТ8118 ! 1 i 1 ! 10.,G5 f,B ц ~1т 1 1 1 6КЭ ~4*(2,5В;8А) :>100 (100 В) s0,3 - tcnSl ,3 МКС КТ812 ~4*(2,5В;8А) :>100 (100 В) $0,3 - tcnSl ,3 МКС ~10*(5В;5А) $100 (100 В) :>0,3 - tcnSl ,3 МКС п.1 ~ 1 ~ffli У- 1 1 1 i"" ' - к 1 j i ~10* (5 В; 0.2 А) - :>О,25 - ::;2* мкс КТ8120, КТ8121, КТ8121-1 1 70,85 f.B 8...60* (5 В; 2 А) - :>0,25 - :>3* мкс wт 8...60* (5 В; 2 А) - :>0,75 - :>3* мкс 8...60* (5 В; 2 А) - :>0,25 - :>3* мкс .IКЭ 8...60* (5 В; 2 А) - :>0,75 - :>3* мкс 1 ! i 1 8...60* (5 В; ~ А) 1 - S0,25 - :>3* мкс l{'if8121-2 8...60* (5 В: 2 А) - :>0,75 - $3* мкс щ~ ~EWJ-·· ·~ ~ ~.. ... . . "" - . к ~40* (10 В; 0,4 А) - ~ - - КТ8123, КТ8124 1 1 70,G5 f,B 1 wт' ~!О*(5В:5А) - 1 :>0.2 - 1 $1.5* мкс i ~10*15В:5А) - :>0,17 - 1 Sl,3* мкс 1 ~10*(5В:5А) - :>0,2 - 1 $1,5* мкс 1 1 1 1 1 6КЭ 1 15...75* (4 В; 3 А) - :>0,25 - - КТ8125, КТ8126 15...75* (4R 3А) - :>0,25 - - 15...75* (4 .В; 3 А) - $0,25 - - 70,G5 f,B wт 8...60* (5 В; 2 А) - :>0,5 - 1,7* мкс 8...60* (5 В; 2 А) - $0,5 - 1,7* мкс 1 1 ЭК6 35*(5В;О.~А) - :>0,22 - tсп=О,7 МКС КТ8127 35*(5В;0,5А) - $1,1 - tcn=0,7 МКС 35*(5В;0,5А) - $1,1 - tсп=О,7 МКС п,1 ~ ~No-·'~ ...,; . - к
176 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKmax• ~•• ~210• UКБО maxt lк max •коо• Тип Струк· Р~. т max• (;lэ' U~Rmax• UЭБО max• 1;.н max• J~R' прибора р~~ м maxt с· u~max• в ••• тура ". мА КЭО• мВт Мfц в i мкА КТ8127А-1 1 n-p -n 1 56* Вт - 1500* (100 Ом) 5 5 (7,5*) А 1 s0.9 мА (1500* В) КТ8127Б-1 1 n-p -n 1 56* Вт - 1200* (100 Ом) 5 5 (7,5*) А S0,6 мА (1800* В) КТ8127В-1 1 n-p -n 56* Вт - 1500* (100 Ом) 5 5 (7,5*) А S0,9 мА (1500* В) 1 1 1 1 КТ8129А n-p -n 60* Вт ;::4 1500 5 5А 1 - 1 1 1 1 1 1 КТ81ЗОА 1 p-n -p 1Вт;20*Вт 1 ;::25 40 5 4А;8*А SIOO (40 В) КТ81ЗОБ p-n -p 1Вт;20*Вт ;::25 60 5 4А;8*А SIOO (60 В) КТ81ЗОВ p-n-p 1Вт;20*Вт ;::25 80 5 4А;8*А SIOO (80 В) КТ8131А n-p -n 1Вт;20*Вт ;::25 40 5 4А;8*А SIOO (40 В) КТ8131Б n-p -n 1Вт;20*Вт ;::25 60 5 4А;8*А SIOO (60 В) КТ8131В n-p -n 1Вт;20*Вт ;::25 80 5 4А;8*А SIOO (80 В) 1 КТ81ЗЗА n-p -n 60* Вт ;::ЗО 240 5 8А - КТ81ЗЗБ n-p-n 60* Вт ;::ЗО 160 5 8А - КТ8134А р-п-р 25* Вт ;::З 20 - 4А - КТ8135А n-p -n 25* Вт ;::З 20 - 4А - КТ8136А n-p -n 60* Вт - 600 5 10А(15А*) - КТ8136А·1 n-p -n 60* Вт - 600 5 10А(15А*) - с Аемnферным Jl.HOAOM ме11Щу кu"епором и !tмнттером КТ8137А n-p-n 40* Вт ;::4 700* 9 1,5А(ЗА*) SI мА (700 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 177 Ck, rКЭиас' Ом Кw,дБ tк, ПС h21.• ь;,э с;2.• r~нас• Ом r;. Ом t;,.,, нс Корпус пФ к;.·", дБ Р;~•• Вт t;..кл, НС ::;35* (5 В; 0,5 А) - ::;Q,22 - tсп=О,7 МКС КТ8127-1 ::;6* (5 В; 0,03 А) - ::;1,1 - tсп=О,7 МКС ~~r ::;6* (5 В: 0,03 А) - ::;1,1 - tсп=О,7 МКС .,. ~ . ln '${ D 6КЗ ~2.25* (5 В: 4,5 А) - ::;1,1 - - КТ8129 ЦI® ~ffli ~. ' 750.. .15000* (3 В; 0,2 А) ::;200 (10 В) ::;1 - - КТ8130, КТ8131 750 ... 15000* (3 В; 0,2 А) ::;200 (10 В) ::;1 - - 750 ... 15000* (3 В: 0,2 А) ::;200 (10 В) ::;1 - - ~иw 750 ... 15000* (3 В; 0,2 А) ::;IOO(IOB) ::;1 - - :·~ 750... 15000* (3 В; 0,2 А) ::;100 (10 В) ::;1 - - 750 ... 15000* (3 В; 0,2 А) ::;100 (10 В) ::;1 - - 300...3000 - ::;О,б - - КТ8133 300".3000 - ::;О,6 - - 10,15 tB wтэ 40 ... 250 - ::;Q,8 - - КТ8134, КТ8135 40 ...250 - ::;о.в - - :оо~ 10...50* (5 В; 0,8 А) - ::;Q,25 - tсп::;О,2 МКС КТ8136, КТ8136-1 70,15 tB 10...50* (5 В; 0,8 А) - ::;О,25 - tсп::;О,2 МКС wтIКЭ 8.. .40* (2 В; 0,5 А) - ::;2 - ::;4* мкс КТ8137 :оо~ 12 зак. 9
178 Раздел 2. БunonSJPflЬle транзисторы Ркmах• f,,,, ~••• UКБОmах' lк,.., IКIIO, Тип Струк- Р;.тmак' J.:;lэ' U~R'""' UЭБОmах• 1;..• maxl ·~· прибора тура p~•maxl t:.. u-l<ЭO ...... в ·~· мВт Мfц в мА мкА КТ8138А п-р-п 50* Вт 20 500; 400** 7 7А;14*А ::>0.01 мА (500 В) КТ8138Б 1 п-р-п 40* Вт - 450 400** 10 7А;14*А ::>0,1 мА (450 В) IKT8138B 1 п-р-п 75* Вт <?:4 700; 400** 9 4А;8*А sl мА (700 В) KT8138f 1 п-р_-п 80* Вт <?:4 700; 400** 9 8А;16*А SI мА (700 В) lктs1зsд ! п-р-~ 60* Вт <?:10 400; 200** 6 7А;14*А Sl мА (400 В) /КТ8138Е i П·р-п, С 60* Вт <?:10 400; 200** 1 6 7А;14*А 1 SlмА(400В) 1 . 1 ДИО;tЮМ 1 КТ8138Ж п-р-п 60* Вт <?:10 600; 350** 6 IOA;l6*A SI мА (600 В) КТ8138И 1 п-р-п, с 80* Вт <?:4 700; 400** 9 8А;16*А 1 SIмА(700В) ДИОДОМ КТ8140А п-р-п 60* Вт <?:10 400 6 7A(IOA*) Sl (400 В) КТ8140А-1 п-р-п 60* Вт <?:10 400 6 7А(10А*) SI (400 В) с Аемпфериwм диодом ме&,1.у коJ1J1ектором· и змиттером 1 КТ8141А 1 п-р-п 60* Вт <?:7 100 - 8А(12*А) S0.2 (100 В) КТ8141Б п-р-п 60* Вт <?:7 80 - 8А(12*А) 1 $0,2(80В) IKT8141B 1 п-р-п 60* Вт <?:7 60 - 1 8А(12*А) 1 ::>0,2(60В) KT8141f 1 п-р-п 60* Вт <?:7 45 - 8А(12*А) 1 ::>0,2 (45 В) 1 iктst4A 1 1 1 р-п-р 1 (10*) Вт <?:3 40* (0,lк) 5 1,5(3*)А S0,05 мА (40 В) 1 КТ814Б р-п-р 10* Вт <?:3 50* (О,lк) 5 1,5 (3*) А ::>0,05 мА (40 В) КТ814В р-п-р 10* Вт <?:3 70* (О,lк) 5 1,5 (3*) А $0,05 мА (40 В) KT814f р-п-р 10* Вт <?:3 100* (О,lк) 5 1,5(3*)А $0,05 мА (40 В) 1 КТ814ЗА ' 1 175* Вт 120; 90** 6 25А;40*А ::>5* мА (90 В) i п-р-п - КТ814ЗБ 1 п-р-п 175* Вт - 120** 6 25А;40*А ::>5* мА (120 В) КТ814ЗВ п-р-п 175* Вт - 180** 6 25А;40*А 1 ::>5*мА(180В) КТ814Зf 1 п-р-п 175* Вт - 400; 240** 6 25А;40*А 1 $5*мА(400В) КТ814ЗД 1 п-р-п 175* Вт - 90** 6 32А;50*А 1 ::>5* мА (90 В) КТ814ЗЕ п-р-п 175* Вт - 120** 6 32А;50*А ::>5* мА (120 В) КТ8143Ж п-р-п 175* Вт - 180** 6 32А;50*А ::>5* мА (180 В) КТ81433 п-р-п 175* Вт - 400; 240** 6 32А;50*А ::>5* мА (400 В) КТ8143И п-р-п 175* Вт - 120; 90** 6 40А;63*А ::>5* мА (90 В) КТ8143К п-р·n 175* Вт - 120** 6 40А;63*А $5* мА (120 В) КТ8143Л п-р-п 175* Вт - 180** 6 40А;63*А $5* мА (180 В) КТ8143М п-р-п 175* Вт - 400; 240** 6 40А;63*А ::>5* мА (400 В) КТ8143Н п-р-п 175* Вт - 100** 6 50А;125*А ::>5* мА (100 В) КТ8143П п-р-п 175* Вт - 150** 6 150А;125*А 1 ::>5* мА (150 В) КТ8143Р 1 п-р-п 175* Вт - 400; 200** 6 50А;125*А ::>5* мА (400 В) ' КТ8143С 1 п-р-п 175* Вт - 90** 6 63А;150*А 1 ::>5* мА (90 В) КТ8143Т п-р-п 175* Вт - 120** 6 63А;150*А ::>5* мА (120 В) КТ8143У п-р-п 175* Вт - 180** 6 63А;150*А j $5*мА(180В) КТ8143Ф п-р-п 175* Вт - 400; 240** 6 63А;150*А $5* мА (400 В) КТ8144А i п-р-п 1 175* Вт <?:5 800 8 25А(40*А) 1мА(800В) 1 КТ8144Б п-р-п 175* Вт <?:5 600 8 25А(40*А) 1мА(600В) . 1 1 1 1 i КТ8145А 1 п-р-п 100* Вт <?:10 700 8 15А(20*А) 1 ::>5мА(700В) t КТ8145Б i п-р-п 100* Вт <?:10 500 8 115А(20*А) 1 s5 мА (500 В) 1 1 1 1 1 1 1 , 1
Биполярные кремниевые транзисторы 12* ~10*(5В;4А) ~10*(5В;4А) 8...40* (5 В; 2 А) 5...30* (5 В; 5 А) ~10*(5В:5А) ~10*(5В:5А) ~20*(5В:2А) 5...30* (5 В; 5 А) ~10*(5В;5А) ~10"(5В;5А) ~750*(3В;3А) ~750*(3В;3А) ~750*(3В;3А) ~750*(3В;3А) ~40* (2 В; 0,15 А) ~40* (2 В; 0,15 А) ~40* (2 В; 0,15 А) ~30* (2 В: 0.15 А) ~15*(3В:20А) ~15*(3В;20А) ~15*(3В;20А) ~15*(3В;20А) ~15*(3В;20А) ~15*(3В;32А) ~15*(3В:32А) ~15*(3В:32А) ~15*(3В;32А) ~15*(3В:32А) ~15*(3В:35А) ~15*(3В;35А) ~15*(3В:35А) ~15*(3В:35А) ~15*(3В;35А) ~15*(3В;35А) ~15*(3В:40А) ~15*(3В;40А) ~15*(3В;40А) ~4*(5В;20А) ~4*(5В:20А) ~10*(1В;5А) ~10*(1В;5А) 1 - 1 Sl20 (5 В) Sl20 (5 В) Sl20 (5 В) Sl20 (5 В) S60 (5 В) S60 (5 В) J S60 (5 В) 1 S60(5В) 1 1 rкэнк• Ом r~иас' Ом к:.·,.. дБ $0,2 so.2 S0,25 s0,4 $0,2 $0,2 s0,4 s0,25 s0,66 $0,66 s0,66 s0,66 $1,2 $1,2 Sl,2 Sl,2 s0,08 S0,08 $0,08 S0,08 s0,08 s0,08 $0,08 $0,08 $0,08 S0,08 s0,08 s0,08 s0,08 $0,08 $0,08 S0,08 s0,08 $0,08 S0,08 $0,25 S0,25 Кw,дБ r;, Ом Р;~х' Вт tlC, пс t;,.., нс t;ыклt НС $2,5* мкс S2,5* мкс $4* мкс $3* мкс tсп $ О,75 МКС tсп $ О,75 МКС tсп $ 0,7 МКС S3* мкс 5,8** мкс 5,8** мкс 5.8** мкс 5,8** мкс 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1700* 1700* 1700* $2,5* мкс S2,5* мкс 1,7* мкс 1,7* мкс 179 Корпус КТ8138 КТ8140, КТ8141 ~mtt ~m КТ814 КТ8143 5 ~~15,9 ""~ .... "${ то 6КЗ КТ8144 КТ8145 :fftt ·~
180 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmак• ~•• \210 • UKБOmax' lк max lкоо• Тип Струк· Р~.тmах• \;1э• U~Rmax' UЭБОmакl 1;,н max' ·~R• PiZ н max• r,;;· u~max• в ••• прибора тура "' кэо• мВт Мfц в мА мкА КТ8146А n-p -n 150* Вт ~5 800 8 1 15А(25*А) $1 мА (800 В) КТ81465 n-p-n 150* Вт ~5 600 8 1 15А(25*А) 1 $1 мА (600 В) 1 1 1 ! ! IKT8147A i n-p-n 1 100* Вт 1 ~5 1 700 1 8 !10А(20*А) i $1мА(700В) 1 i КТ81475 ! n-p-n 100* Вт ~5 500 8 10А(20*А) 1 $1 мА (500 В) 1 1 ! i 1 1 i 1 КТ8149А !p-n-p 1 115* Вт ~4 70; 60** 1 7 i15А:30•А i $1мА(70В) 1 ! KT8149A·l р-п-р 90* Вт ~3 70; 60** 7 15А;30*А $1мА(70В) 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 ' 1 1 1 1 1 1 1 1 ! КТ8149А-2 1 p-n -p 75* Вт i~3 70; 60** 7 1 10А;15*А 1 $1мА(70В) 1 1 1 КТ8150А n-p -n 115* Вт ~4 70; 60** 7 !15А;30*А 1 $1мА(70В) 1 i ! 1 ! 1 i i i 1 1 1 1 1 i 1 1 KT8150A·l n-p -n 90* Вт ~3 70; 60** 7 15А;30*А $1мА(70В) 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i i 1 i 1 1 КТ8150А-2 i n-p -n j 75* Вт ~3 1 70; 60** !7 1 10А;15*А 1 $1мА(70В) 1 : 1 1 ! 1 1 1 1 i i 1 1 1 ! i 1 1 1 1 1 1 ! 1 КТ8154А 1 n-p-n 1 175* Вт ~5 1 600; 450** 1 8 1 30А;60*А i $1мА(600В) 1 КТ81545 1 n-p -n i 175* Вт ~5 500; 400** 8 1 30А;60*А i S:IмА(500В) 1 1 1 ! 1 1 1 ! 1 i КТ8155А i n-p-n 1 175* Вт ~5 600; 450** 8 i50А;80*А 1 $2 мА (600 В) КТ81555 1 n-p-n 175* Вт ~5 500; 400** 8 1 50А;80*А $2 мА (500 В) 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы 181 ck, rкэ нас• Ом Kw, дБ тк, пс ь.,,. ь;,э с;2э' r;Энас' Ом r;, Ом t~, НС Корпус пФ к;.",.• дБ Р=~х' Вт t::кл, НС ~5*(5В;15А) - ~О.15 - 1.7* мкс КТ8146, КТ8147, КТ8149 ~5*(5В:15А) - ~О.15 - 1,7* мкс 11.1 Кf) ~5·(1,5В;8А) - ~0.2 - 1,7* мкс ~Noi~ ~5*ll,5В;8А) - ~О.2 - 1,7* мкс ..:; . 20... 150• (4 В: 4 А) - ~О.27 - /{ - - 20... 150* (4 В: 4 А) - ~О.27 - - КТ8149-1 :~r ~~ ... :! о 6К3 20... 100• (4 В: 4 А) - ~О.27 - - КТ8149-2 1 1 70,65 tB wт6КЭ 20... 150• (4 В; 4 А) - ~О.27 - - КТ8150 Ц/ Кf) ~Noi~· ..:; . - /{ 20...150* (4 В; 4 А) - ~О.27 - - КТ8150-1 ~r6КЗ 20...100* (4 В; 4 А) - 1 ~О.27 - - КТ8150-2 7D,65 tB w.т6КЭ .- - - - 1700* КТ8154, КТ8155 - 1 - - - 1 1700* Ц/ Кf) - - - - - ~Noi~ - - - - - ..:; . - к
182 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKmaxt ~pl \216• UКБО max' lк max •кw• Тип Струк- Р~. т maxt \;]31 U~Rmax' UЭБО max' J~, н maxt ·~R• р~~ н maxt с· u~max' в ·~· прибора тура "' мА 1 мВт МГц в мкА КТ8156А n-p-n 60* Вт - 330; 150** 6 8А - КТ8156Б n-p -n 60* Вт - 200** 6 8А - 1 1 КТ8157А n-p -n 150* Вт ~5 1500 7 10А(15*А) 3 мА (1500 В) КТ8157Б n-p -n 150* Вт ~5 1500 7 10А(15*А) 3 мА (1500 В) КТ8158А n-p -n 125* Вт - 60 5 12А :S:400 (60 В) КТ8158Б n-p -n 1 125* Вт - 80 5 12А :S:400 (80 В) КТ81588 1 n-p -n 125* Вт - 100 5 12А :S:400 (100 В) КТ8159А р-п-р 125* Вт - 60 5 12А :S:400 (60 В) КТ8159Б р-п-р 125* Вт - 80 5 12А :S:400 (80 В) КТ81598 p-n -p 125* Вт - 100 5 12А :S:400 (100 В) ! 1 1 КТ815А n-p-n 10* Вт ~3 40* (О, 1к) 5 1,5(3*)А :S:0,05 мА (40 В) КТ815Б n-p-n 10* Вт ~3 50* (О, 1к) 5 1,5 (3*) А :S:0,05 мА (40 В) КТ8158 n-p-n 10* Вт ~3 70* (О, 1к) 5 1,5 (3*) А :S:0,05 мА (40 В) КТ815Г n-p -n 10* Вт ~3 100* (О,lк) 5 1,5 (3*) А :S:0,05 мА (40 В) 1 КТ816ЗА n-p -n 50* Вт ~10 600 5 7А;10*А :S:lOO (600 В) КТ8164А n-p -n 75* Вт ~4 700 9 4А :S:lO мА (700 В) КТ8164Б n-p -n 75* Вт ~4 600 9 4А :S:lO мА (600 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 1 ck, r113 _, 0111 К", дБ TIC, ПС h21>' ь;,э с;". r~ .... 0111 r;, Ом t;_, нс Корпус ' к:~.... дБ Р:,,, Вт. t;wк.n• НС 1 пФ ,. 1 1 - - - - 1 - КТ8156 - - - - - 1415 f,8 i 1 wт 1 1 1 к 1 1 &~Tl__)m 1 ~R1i ~~VOI ! L;J 3 1 l/01 ~8·(5В;1А) - g),12 - 2• мкс КТ8157 ~s·(5В;1А) - S0,25 - 2• мкс ~/ [11 ~Noi ~. 2500 - - - - КТ8158 2500 - - - - 2500 - - - - :~t ' :;( D 6КЗ 2500 - - - - КТ8159 2500 - - - - 2500 - - - - 1415 f.8 1 wтэ ~40• (2 В; 0,15 А) . sбО(5В) Sl,2 - - КТ815 ~40• (2 В; 0.15 А) sбО (5 В) Sl,2 - - ~40'" (2 В; 0,15 А) sбО (5 В) Sl,2 - - ~!1 ~30* (2 В; 0,15 А) sбО (5 В) Sl,2 - - :-~ 10...30 (2 В; 1 А) SIOO (IO В) g),05 - Sl,5'" мкс - КТ8163, КТ8164 10...60• - - - - . 10."60* - - - - ft 1 1 э
184 Раздел 2. Биполярные fflP!JHЗucmopы : 1 Pкmaxt ~•• t,;216• UKБOmaxt IКБО, )Kmax Тип 1 Струк- Р~. т max• ~~lэ' U~Rmax' UЭБOmaxt 1;.м max' J~R• р;~ и maxt с· u~max• в 1·· прибора тура "' мА КЭО• 1 мВт мrц в мкА КТ816А р-п-р 25* Вт ?:3 40* (lк) 5 3(6*)А ~.1 мА (25 В) КТ816Б р-п-р 25* Вт ?:3 45* (lк) 5 3(6*)А ~.1 мА (45 В) КТ8168 р-п-р 25* Вт ?:3 60* (lк) 5 3(6*)А ~.1 мА (60 В) КТ8161" р-п-р 25* Вт ?:3 100* (lк) 5 3(6*)А :50,1 мА(lООВ) КТ816А-2 · р-п-р 25* Вт ?:3 40* (lк) 5 3А(6*А) :5100 (25 В) 1 1 КТ8165А р-п-р 1 3Вт;50*Вт ?:20 90 5 10 (15*) А :53 мА (90 В) КТ8165Б р-п-р 3Вт;50*Вт ?:20 70 5 10(15*)А :53 мА (70 В) КТ81658 р-п-р ! 3Вт;50*Вт ?:20 50 5 10 (15*) А :53 мА (50 В) КТ81651" 1 р-п-р 3Вт;50*Вт ?:20 90 5 10 (15*) А :53 мА (90 В) КТ816.6А п-р-п 50 Вт ?:20 90 5 10А(15*А) :53 мА (90 В) КТ8166Б п-р-п 50 Вт ?:20 70 5 10А(15*А) :53 мА (70 В) КТ81668 п-р-п 50 Вт ?:20 50 5 10А(15*А) :53 мА (50 В) КТ81661" п-р-п 50 Вт ?:20 90 5 10А(15*А) :53 мА (90 В) 1 КТ8167А р-п-р 0,8 Вт; 10* Вт ?:30 100* (1 к) 4,5 2(4*)А :5200 (100 в) КТ8167Б р-п-р 0,8 Вт; 10* Вт ?:30 80* (lк) 4,5 2(4*)А :5200 t80 В) КТ81678 р-п-р 0,8 Вт; 10* Вт ?:30 50* (1 к) 4,5 2(4*)А :5200 (50 В) KT8167f р-п-р 0,8 Вт; 10* Вт ?:30 100* (lк) 4,5 2(4*)А :5200 (100 В) КТ8167Д 1 р-п-р 0,8 Вт; 1О* Вт ?:30 80* (1 к) 4,5 2(4*)А :5200 (80 В) КТ8168А п-р-п 0,8 Вт; 1О* Вт ?:30 100* (lк) 4,5 2(4*)А :5200 (100 В) КТ8168Б п-р-п 0,8 Вт; 10* Вт ?:30 80* (lк) 4,5 2(4*)А :5200 (80 В) КТ81688 п-р-п 0,8 Вт; 10* Вт ?:30 50* (lк) 4,5 2(4*)А :5200 (50 В) КТ81681" п-р-п 0,8 Вт; 10* Вт ?:30 100* (lк) 4,5 2(4*)А :5200 (100 В) КТS168Д 1 п-р-п 0,8 Вт; 10* Вт ?:30 80* (lк) 4,5 2(4*)А :5200 (80 В) 1 КТ8170А-1 п-р-п 40* Вт ?:4 700 9 1,5 А :51 мА (700 В) КТ8170Б-1 i п-р-п 40* Вт ?:4 600 9 1,5 А :51 мА (600 В) КТ8171А п-р-п 100* Вт - 350** - 20А 1 - 1 1 1 i КТ8175А n-p -n 20* Вт - 700*; 9 1,5 (3*) А - 400** КТ8175Б n-p -n 20* Вт - 600*; 9 1,5(3*)А - ! 300** i1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 i 1 1 1 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы 185 с•• rкэ мае• Ом Kw, дБ tll, пс ь.," ь;,э с;2э' r~мас• Ом r~, Ом t~c• НС Корпус пФ к;.*р.• дБ Р;:х• Вт t;..IC.lt, нс ~25*(2В;1А) ~60 (10 В) ~0.6 - - КТ816, КТ816-2, ~25*(2В;1А) ~60(108) ~О.6 - - ~25*(2В;1А) ~60 (10 В) ~О.6 - - ~ИI ~25*(2В;1А) ~60 (10 В) ~О.6 - - :::. ·8 ~200* (1 В; 0,03 А) ~60 (10 В) ~О.6 - - :Фт 80...250 (5 В; 5 А) ~1300 (10 В) ~0.1 - ~1000** КТ8165, КТ8166 80...250 (5 В; 5 А) ~1300 (10 В) ~О.1 - ~1000** 80...250 (5 В; 5 А) ~1300 (10 В) ~О.1 - ~1000** 40...160 (5 В; 5А) ~1300 (10 В) ~О.1 - ~1000** п1 trJ ~No~ ~. 80...250 (5 В; 5 А) ~1300 (10 В) ~О.1 - ~1000** 80...250 (5 В; 5 А) ~1300 (10 В) ~О.1 - ~1000** 80...250 (5 В; 5 А) ~1300 (IO В) ~О.1 - ~1000** 40...160 (5 В; 5А) ~1300 (10 В) ~О.1 - ~1000** 80...250 (1В; 1А) ~400 (5 В) ~О.35 - ~1.8* мкс КТ8167 80...250 (1 В; 1 А) ~00 (5 В) ~О.35 - ~1.8* мкс 80...250 (1 В; 1 А) ~400 (5 В) ~О.35 - ~1.8* мкс :tiJФз 40...160 (1 В; 1А) ~400 (5 В) ~О.35 - ~1.8* мкс 160...350 (1 В; 1 А) ~400 (5 В) ~О.35 - ~1.8* мкс ~80...250 (1В; 1А) ~400 (5 В) ~О.35 - ~1.8* мкс КТ8168 ~80...250 (1В; 1А) ~400 (5 В) ~О.35 - ~1.8* мкс ~80...250 (1В; 1А) ~400 (5 В) ~О.35 - ~1.8* мкс :fiкФз ~40... 160 (1 В; 1 А) ~400 (5 В) ~О.35 - ~1.8* мкс ~160...350 (1 В; 1 А) ~400 (5 В) ~О.35 - ~1.8* мкс 5...25* (2 В; 1 А) - - - - КТ8170-1 5...25* (2 В; 1 А) - - - - ~;: .Фт ~10000 - - - - КТ8171 ~r6КЗ 8...40(2 В; 1А) - ~1 - 3000* КТ8175 8...40 (2 В; 1 А) - ~1 - 3000* ~11: -~
186 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк "а• ~.. ~... UKБOmax• Iк .... lкоо, Тип Струк- Р~, ..... ti:;l'J" {f'К:ЭR max• UЭБOmu• r;." ma:1• ·~· прибора тура Р~" ..... с:х, u~max• в ·~· мВт Мl"ц в мА мкА КТ8175А-1 П•р-П 20* Вт - 700*; 9 1,5 (З*) А - 400** К.Т8175Б-1 п-р-п 20* Вт - 600*; 9 1,5 (З*) А - ЗОО** 1 1 1 КТ8176А п-р-п 40* Вт ~з 60 5 ЗА - К.Т8176Б п-р-п 40* Вт ~з 80 5 ЗА - К.Т817&В n-p -n 40* Вт ~з 100 5 ЗА - К.Т8177А. р-п-р 40* Вт ~з 60 5 ЗА - К.Т8177Б _р-11-р 40* Вт ~з 80 5 ЗА - КТ8177В p-n-p 40* Вт ~з 100 5 ЗА - К.Т817А п-р-п 25* Вт ~ 40* (lк) 5 З(6*)А ~.1 мА (25 В) К.Т817Б п-р-п 25* Вт ~з 45* (lк) 5 З(6*)А :!>0,1 мА (45 В) К.Т817В 1 п-р-п 25* Вт ~з 60* (1 к) 5 З(6*)А :s;O,l мА (60 В) КТ8171" п-р-п 25* Вт ~з 100* (1 к) 5 З(6*)А :!>0,1 мА (100 В) К.Т817Б-2 п-р-п 25* Вт ~з 45* (lк) 5 3(6*)А ~.1 мА (40 В) К.Т8171"-2 п-р-п 25* Вт ~з 100* (lк) 5 З(6*)А ~.1 мА (40 В) КТ8181А п-р-п 50* Вт - 700*; 9 4(8*)А - 400** К.Т81816 п-р-п 50* Вт - 600*; 9 4(8*)А - 300** К.Т8182А 1 п-р-п 60* Вт - 700*; 9 8 (16*) А - 1 400** КТ81826 .п-р-п 60* Вт - 600*; 9 8 (16*) А - ЗОО** К.Т8183А n-p -n 56* Вт - 1500; - 8А;15*А - е ДИОДОМ 700** и резне- тором К'f8183Б П·р-П 56* Вт - 1200; - 8А;15*А - е J{ИОДОМ 600** и_резие- тором К.Т8183А-1 ' п-р-п 56* Вт - 1500; - 8А;15*А - е ДИОДОМ 700** и резне- тором К.Т8183Б-1 n-p -n 56* Вт - 1200; - 8А;15*А - с диодом 600** и резне- тором К.Т8183А~2 п-р-п 56* Вт - 1500; - 8А;15*А - е :J(ИОДОМ 700** и резне- тором 1 КТ8183Б-2 п-р-п 56* Вт - 1200; - 8А;15*А - С ДИОДОМ 600** И реЗJЮ!- тором
Биполярные кремниевые транзисторы 8...40 (2 В; 1А) 8...40 (2 В; 1А) ~25*(4В: 1А) ~25*(4В; 1А) ~25*(4В; 1А) ~25*(4В; 1А) ~25*(4В; 1А) ~25*(4В: 1А) ~25*(2В;1А) ~25*(2В: 1А) ~25*(2В: 1А) ~25*(2В: 1А) ~100* (5 В: 50 мА) ~100* (5 В: 50 мА) 10...60* (5 В; 1А) 10...60* (5 В: 1 А) 8...40* (5 В: 2 А) 8...40* (5 В; 2 А) 1 ! 1 s60(10B) 1 1 S60(10В) 1 s60(10B) s60(10B) J Sб0(10В) s60(10B) i ~5·(5В:3А) J ~5*(5В;3А) ~5*(5В:3А) ~5*(5В;3А) ~5*(5В;3А) ~5*(5В:3А) rкэ."• Ом r~нас• Ом к;.·", дБ SI SI S0,6 S0,6 S0,6 S0,6 S0,08 S0,08 S0,25 S0,25 S0,4 S0.4 S0,17 S0,17 S0,17 S0,17 S0,17 S0,17 Кw,дБ r~, Ом Р;:•• Вт ! i1 1 1 ! 1 1 1 1 1 i tll, пс t~,. нс t:.кл, НС 3000* 3000* 3000* 3000* 3000* 3000* 3000* 3000* 3000* 3000* 3000* 3000* 1 1 ! 187 Корпус КТ8175-1 ~rm-t ~m КТ8176, КТ8177 :OO-t ~m КТ817, КТ817-2 КТ8181, КТ8182 :OO-t ~m КТ8183 КТ8183-1 КТ8183-2 с и:sо.яироааииыми выводами ~r6КЗ
188 Раздел 2. Биполярные транзисторы ! 1 Рк max' 1 1,,,. \21•• UКБО maJ. ' 1 ! i JКБО• i lкmax 1 Тип J Струк- ! Р~.тmах' (;lэ' U~Rmaxt UЭБОmах' 1 1 ·~R• 1:.н max' 1 р~~м max' с· u~max' в ! ••• прибора 1 тура 1 1 ." 1 мА кэо• мВт мrц в 1 i мкА КТ818А 1 p-n-p 60'" Вт ~3 40'" (О,lк) 5 1О (15*) А ~1мА(40В) 1 КТ8186 p-n -p 60* Вт ~3 50* (О,lк) 5 1О (15*) А ~1мА(40В) КТ818В p-n-p 60* Вт ~3 70* (О,lк) 5 1О (15*) А ~1мА(40В) KT818r p-n -p 60* Вт ~3 90* (0,1 к) 5 1О (15*) А ~1мА(40В) 1 1 1 КТ818АМ p-n-p 100* Вт ~3 40* (0,lк) 5 15(20*)А 1 ~1мА(40В) КТ818БМ p-n-p 1 100'" Вт ~3 50* (0,1 к) 5 1 15(20*)А 1 ~1мА(40В) 1 КТ818ВМ 1 p-n-p 1 100* Вт ~3 70* (0,lк) 5 1 15(20*)А 1 ~1мА(40В) 1 KT818rM 1 p-n-p 1 100'" Вт ~3 90* (О, lк) 5 1 15(20'")А 1 ~1мА(40В) ! i 1 1 1 1 1 1 1 1 КТ818А-1 p-n-p 100* Вт ~3 40* (О, 1к) 5 15 (20*) А ~1мА(40В) КТ818Б-1 p-n-p 100* Вт ~3 50* (О,lк) 5 15 (20*) А ~1мА(40В) КТ818В-1 p-n-p 100* Вт ~3 70* (О, lк) 5 15 (20*) А ~1мА(40В) KT818r-1 р-п-р 100* Вт ~3 90* (О, lк) 5 15 (20*) А ~1мА(40В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! i i 1 КТ8196А 1 1 1 350*'" 1 1ОА n-p -n 100* Вт 1 - - ! - 1 . ! 1 1 ! 1 1 1 КТ8197А-2 n-p-n 2** Вт 400 - - 0,5 А - КТ8197Б-2 n-p-n 5** Вт 400 - - 1А - КТ8197В-2 n-p-n 8** Вт 400 - - 1,6 А - 1 1 1 1 1 1 1 1 КТ8199А p-n-p 50* Вт - 30 5 1ОА ~IO (30 В) 1 !
Биполярные кремниевые транзисторы ~15*(5В;5А) ~20*(5В;5А) ~15*(5В;5А) ~12*(5В;5А) ~15*(5В:5А) ~20*(5В;5А) ~15*(5В:5А) ~Н!*(5В:5А) ~15*(5В;5А) ~20*(5В;5А) ~15*(5В;5А) ~12*(5В;5А) ~400 85(1В:8А) :51000 (5 В) :51000 (5 В) :51000 (5 В) :51000 (5 В) :51000 (5 В) :51000 (5 В) :51000 (5 В) :51000 (5 В) :51000 (5 В) :51000 (5 В) :51000 (5 В) 1 :51000 (5 В) 1 1 2 15 25 rкэнас' Ом r~нк' Ом к;~•-' дБ :50,27 :50,27 :50,27 :50,27 :50,27 :50,27 :50,27 :50,27 :50,4 :50,4 :50,4 :50,4 15** (175 МГц) 10** (175 МГц) 80** (175 МГц) :50,125 Кw,дБ r;, Ом Р:х, Вт 0,5** (175 МГц) 2** (175 МГц) 5** (175 МГц) тк, пс ~~,.нс t ... к.n, нс :52500** :52500** :52500** :52500** :52500** :52500** :52500** :52500** :52500** :52500** :52500** :52500** Корпус КТ818 :fftt f=жКТ818М КТ818-1 189 ::::-~15,9 Ts с-. ~ .... '$( о 6КЗ КТ8196 :mft ~m КТ8197 ~11 ."
190 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' ..... ti:" •• UK50maxt lк max lкоо• Тип Струк- Р;, т max' (;lэ' U~Rmax 1 U350 max• 1;,н max• I~R' прибора тура р;: н max• t:x• u~max• в 1~, мВт МГц в мА мкА КТ819А п-р-п 1,5 Вт; 60* Вт ~3 40* (О, 1к) 5 10 (15*) А :!>I мА (40 В) КТ8196 п-р-п 1.5 Вт; 60* Вт ~3 50* (О,1 к) 5 10 (15*) А :!>1 мА (40 В) КТ8198 п-р-п 1,5 Вт; 60* Вт ~3 70* (О, 1к) 5 10 (15*) А :!>1 мА (40 В) КТ819Г п-р-п 1,5 Вт; 60* Вт ~3 100* (О,lк) 5 10 (15*) А :!>I мА (40 В) 1 1 1 КТ819АМ п-р-п 2 Вт; 100* Вт ~3 40* (0,1 к) 5 15 (20*) А :!>l мА (40 В) КТ8196М п-р-п 2 Вт; 100* Вт ~3 50* (0,1 к) 5 15 (20*) А :!>1 мА (40 В) КТ819ВМ п-р-п 2 Вт; 100* Вт ~3 70* (О,lк) 5 15 (20*) А :!>I мА (40 В) КТ819ГМ п-р-п 2 Вт; 100* Вт ~3 100* (О,lк) 5 15 (20*) А :!>l мА (40 В) КТ819А-1 п-р-п 2 Вт; 100* Вт ~3 40* (0,lк) 5 15 (20*) А :!>I мА (40 В) КТ8196-1 1 п-р-п 2 Вт; 100* Вт ~3 50* (0,1 к) 5 1 15(20*)А :!>l мА (40 В) КТ819В-1 п-р-п 2 Вт; 100* Вт ~3 70* (0,1 к) 5 1 15(20*)А i :!>1мА(40В) КТ819Г-1 п-р-п 2 Вт; 100* Вт ~3 90* (О,lк) 5 1 15(20*)А :!>l мА (40 В) i КТ8201А п-р-п 20* Вт - 700; 400** 9 300; 600* :!>10 (30 В) 1 1 КТ820ЗА п-р-п 20* Вт 4 700; 400** 9 1,5А;3А* :!>10 (30 В) КТ8205А п-р-п 75* Вт - 700; 400** 9 4А;ВА* :!>10 (30 В) 1 1 1 1 1 1 1 КТ8207А п-р-п 80* Вт - 700; 400** 9 8А;16А* :!>10 (30 В) КТ8209А п-р-п 100* Вт - 700; 400** 9 12А;24А* :!>10 (30 В) 1 1 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы ~15*(5В;5А) <::20* (5 В; 5 А) ~15*(5В;5А) ~12•(5В;5А) ~15*(5В;5А) ~20*(5В;5А) ~15*(5В;5А) ~12*(5В:5А) ~15*(5В;5А) ~20*(5В;5А) ~15*(5В;5А) ~12*(5В;5А) 5...40 (2 В: 0,2 А) j 5...25 (2 В; 1 А) i...40(5В;2А) 5...30 (5 В; 5 А) 6...30 (5 В; 8 А) rкэнас• Ом r~Энк' Ом к;.:.. дБ s0.4 $0,4 s0,4 $0,4 $0,4 $0,4 $0,4 $0,4 SI SI SI SI $5 SI S0,25 S0,4 S0,25 Кw,АБ r;, Ом Р:,,, Вт $0,3; $2* S0,7; S4* $0,9; S4* $0,7; S3* $0,7; $3* ! т",пс 1 ~~''НС 1 t.WICJI. нс $2500** 1 $2500** $2500** $2500** $2500** S2500** $2500** S2500** $2500** S2500** S2500** $2500** Корпус КТ819 ~fflrt i=m КТ819М КТ819-1 191 ~t6КЗ КТ8201 КТ8203 КТ8205, КТ8207 ~t ~т КТ8209
192 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKmaxt ~•• ~216• UKБOmax' lк max JКБО• Тип Струк- Р~. т maxt \;1э• U~Rmax• Uэоо max• ·~.н maxt ·~R' прибора р~~ н max• с· u~max' в ••• тура '" мА КЭО• 1 мВт Мfц в мкА КТ820А-1 1 р-п-р 10* Вт :?:3 50* (0.1 к) 5 0,5 (1,5*) А $30 (40 В) . КТ820Б-1 р-п-р 10* Вт :?:3 70* (О, lк) 5 0,5 (1,5*) А $30 (40 В) КТ820В-1 р-п-р 10* Вт :?:3 100* (О, 1к) 5 0,5 (1,5*) А $30 (40 В) КТ8212А п-р-п 65 Вт :?:3 60 5 6А $400* мА (60 В) КТ8212Б п-р-п 65 Вт :?:3 80 5 6А $400* мА (80 В) КТ8212В п-р-п 65 Вт :?:3 100 5 6А $400* мА (100 В) КТ821ЗА р-п-р 65 Вт :?:3 60 5 6А $400* мА (60 В) КТ821ЗБ р-п-р 65 Вт :?:3 80 5 6А $400* мА (80 В) КТ821ЗВ р-п-р 65 Вт ;::.:3 100 5 6А $400* мА (100 В) КТ8214А п-р-п 50 Вт - 60 5 2А $1000 (60 В) КТ8214Б п-р-п 50 Вт - 80 5 2А $1000 (80 В) КТ8214В п-р-п 50 Вт - 100 5 2А $1000 (100 В) КТ8215А р-п-р 50 Вт - 60 5 2А $1000 (60 В) IП8215Б р-п-р 50 Вт - 80 5 2А $1000 (80 В) КТ8215В р-п-р 50 Вт - 100 5 2А $1000 (100 В) КТ8216А п-р-п 1,75; 40* Вт :?:3 40** 5 10 (15*) А $0.2 (40 В) КТ8216Б п-р-п 1.75; 40* Вт :?:3 60** 5 10 (15*) А $0,2 (60 В) КТ8216В п-р-п 1.75; 40* Вт :?:3 80** 5 10 (15*) А $0,2 (80 В) KT8216f п-р-п 1,75; 40* Вт :?:3 100** 5 10 (15*) А $0.2 (100 В) KT8216Al п-р-п 1,75; 40* Вт :?:3 40** 5 10 {15*) А $0.2 (40 В) КТ8216Б1 п-р-п 1,75; 40* Вт :?:3 60** 5 l0(15*)A $0.2 (60 В) KT8216Bl п-р-п 1,75; 40* Вт :?:3 80** 5 l0(15*)A $0,2 (80 В) КТ8216П п-р-п 1,75; 40* Вт :?:3 100** 5 10 (15*) А $0,2 (100 В)
Биполярные кремниевые транзисторы h2," ь;,э >40* (2 В; 0,15 А) ;40* (2 В; 0.15 А) ;30* (2 В; 0,15 А) 15...75 (4 В; 3А) 15...75 (4 В; 3А) 15...75 (4 В; 3А) 15...75 (4 В; 3А) 15...75 (4 В; 3 А) 15...75 (4 В; 3А) >500(4В;2А) ;500(4 В; 2А) ;500(4В; 2А) >500(4В;2А) ;500(4В; 2А) ;500(4 В; 2А) 15...275 (4 В; 3 А) 20...275 (4 В; 3 А) 15...275 (4 В; 3 А) 12...275 (4 В; 3 А) 15...275 (4 В; 3 А) 20...275 (4 В; 3 А) 15".275 (4 В; 3 А) 12".275 (4 В; 3 А) 13 381. 9 1 1 1 1 i1 с,, с;2з' пФ :<:65 (5 В) :<:65 (5 В) :<:65 (5 В) - - - - - - rКЭк.асt Ом • Ом l"БЭк.асt к;:•.. дБ <1 $1 $1 <0,25 :<:0,25 :<:0,25 <О,25 :<:0,25 $0,25 <1,25 $1,25 $1,25 <1,25 $1,25 $1,25 <0,25 $0,25 $0,25 $0,25 <0,25 :<:0,25 :<:0,25 :<:0,25 Кш, дБ r~, Ом р"" Вт выхt - - т., пс t~act НС t"" нс 8ЫIUlt - <0,7** <0,7** $0,7** <0,7** <0,7** :<:0,7** <4,5** <4,5** :<:4,5** <4,5** <4,5** :<:4,5** 1 ... 193 Корпус КТ820-1 ~:~~\а;~;!КТ8212 ~mi ~- 27,1 ~ ~orr к КТ8213 КТ8214 :rm-r ·~ КТ8215 КТ8216 6,54 ....:2i..:2:::..:85:......т---i ' '- 1 ----. 1 j, ! !1 j ,, 11 11 _i J_~ БКЭ КТ8216-1 L - о 6,54 2,285 -- -'-'-' ---.,_ r:- 1- 1 -
194 Раздел 2. Бипоmчжые транзисторы 1 pKm•x " ~·~16• UK60m1x• lк max 1 lкю, Тип / Сt:рук- Ук. ..... c..J" trКЭRmaI,- Uэоо .... • 1:. н max'" fкэн, прибора тура Ук:' •...,,. с.. 1Гкэоmах' в Гкэо, мВт МГц в мА мкА КТ8217А p-n -p 1,75; 40* Вт :!:3 40** 5 10 (15*) А ~.2 (40 В) КТ8217& р-п-р 1,75; 40* Вт ~3 60** 5 Ю (15*) А ~.2 (60 В) КТ8217В р-п-р 1,75; 40* Вт ~3 80** 5 10 (15*) А ~.2 (80 В) КТ821Л р-п-р 1,75; 40* Вт ~3 \()()** 5 10 (15*) А ~.2 (100 В) 1 KT8217AI р-п-р 1,75; 40* Вт ~3 40** 5 10 (15*) А ~0.2 (40 В) КТ8217&1 р-п-р 1,75; 40* Вт :!:3 60** 5 10 (15*) А ~.2 (60 В) КТ8217ВI р-п-р 1,75; 40* Вт :!:3 80** 5 10 (15*) А ~О.2 (80 В) КТ82fЛ1 р-п-р 1,75; 40* Вт ~3 100** 5 10 (15*) А ~0.2 (100 В) ! IП821А-1 1 п-р-п 10* Вт ~3 50* (О, lк) 5 0,5 (1,5*) А ~30 (40 В) К.Т821&-t п-р-п 10* Вт ~3 70* (О, lк) 5 0,5 (1,5*) А ~О (40 В) КТ821В-1 п-р-п 10* Вт :!:3 100* (О,lк) 5 0,5 (1,5*) А ~30 (40 В) К.Т8218А 11'-р-П 1,75; 40* Вт ~5 40 5 4(8*)А ~0.1 мА {40 В) КТ8218& n-р-п 1,75; 40* Вт ~25 60 5 4(8*)А ~О.1 мА (60 В) К.Т8218В 1 n-p-n 1,75; 40* Вт ~25 80 5 4(8*)А ~.1 мА (80 В) KT8218r 1 п-р-п 1,75; 40* Вт ~5 100 5 4(8*)А ~.1 мА (100 В) IП8218А1 n-p-n 1,75; 40* Вт ~25 40 5 4(8*)А ~.1 мА (40 В) КТ8218&1 п-р-п 1,75; 40* Вт ~25 60 5 4(8*)А ~.1 мА (60 В) КТ8218В1 п-р-п 1,75; 40* Вт ~25 80 5 4(8*)А ~о.1 мА (80 В) IП8218П п-р-п 1,75; 40* Вт ~25 100 5 4(8*)А ~О.1 мА (100 В) 1
Биполярные кремниевые транзисторы 15...275 (4 В; 3 А) 20...275 (4 В; 3 А) 15...275 (4 В; 3 А) 12...275 (4 В; 3 А) 15...275 (4 В; 3 А) 20...275 (4 В; 3 А) 15...275 (4 В; 3 А) 12...275 (4 В; 3 А) ~40• (2 В; 0.15 А) ~40* (2 В; 0.15 А) ~30* <2 В; 0.15 А) 750... 15000 (3 В; 2 А) 750... 15000 (3 В; 2 А) 750.. .15000 (3 В; 2 А) 750...15000 (3 В; 2 А) 750... 15000 (3 В; 2 А) 750.. .15000 (3 В; 2 А) 750... 15000 (3 В; 2 А) 750... 15000 (3 В; 2 А) 1з· :540 (5 В) :540 (5 В) :540 (5 В) :5100 (IO В) :5100 ( 10 В) :5100 ( 10 В) :5100 ( 10 В) :5100 (10 В) :5100 (10 В) :5100 ( 10 В) :5100(108) rкэ",• Ом r~Энас' Ом к;.·•.. дБ :50,25 :50,25 :50,25 :50,25 :50,25 :50,25 :50,25 :50,25 :51,2 :51,2 :51,2 :51 :51 :51 :51 :51 :51 :51 :51 Кш, дБ r=, Ом Р:х• Вт т", пс t;,.,. нс t::JUll НС 1О 1 1О 195 Корпус КТ8217 КТ8217-1 КТ821-1 1.8 0,8 ~щ~ /j1 \З КТ8218 2,285 КТ8218-1 6,54
196 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' ~.. ..:.... UKБOmax• lк max JКБО• Тип Струк· Р;, т maxt \;1~· U~Rmax• UЭБОmах• •:.н max• ·~· р~~н max• ~~·;х, u~m"x• в ••• прибора тура кэо• мВт МГц в мА мкА КТ8219А р-п-р 1,75; 40* Вт ~25 40 5 4(8*А) :50.1 мА (40 В) КТ8219Б 1 р-п-р 1 1,75; 40* Вт ~25 60 5 4(8*А) :50.1 мА (60 В) ' КТ8219В 1 p-n-p 1,75; 40* Вт ~25 80 5 4(8*А) :50,1 мА (80 В) КТ8219Г 1 р-п-р 1.75; 40* Вт ~25 100 5 4(8*А) :50,1 мА (100 В) 1 i 1 ! 1 i 1 1 КТ8219А1 i 1.75; 40* Вт ~25 40 1 5 1 4(8*А) i :50,1 мА (40 В) р-п-р ' 1 1 КТ8219Б1 ! р-п-р i 1,75; 40* Вт ~25 60 1 5 i 4(8*А) j :50.1мА(60В) КТ8219В1 J р-п-р 1 1,75; 40* Вт ~25 80 5 1 4(8*А) i :50.1мА(80В) КТ8219П i р-п-р i 1,75; 40* Вт ~25 100 1 5 1 4(8*А) ! :50.1мА(100В) j 1 1 1 ' 1 i ! ! 1 i i 1 i 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 ! ! 1 ' : 1 i ! 1 1 i 1 1 ! 1 IKT8220A J n-p -n 1 65* Вт 1 ~з 40 1 5 ! 6А 1 1 ! КТ8220Б i n-p-n 1 65* Вт ~з 60 5 6А 1 ! ! JKT8220B 1 n-p-n 1 65* Вт ~з 80 5 6А ! КТ8220Г ! n-p-n 1 65* Вт ~з 1 100 5 1 6А ! i 1 1 1 ' 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 КТ8221А 1 р-п-р 65* Вт ~з 40 5 6А 1 1 1 1 КТ8221Б 1 р-п-р 1 65* Вт ~з 1 60 5 j6А 1 1 КТ8221В р-п-р 1 65* Вт ~з 80 5 1 6А 1 КТ8221Г р-п-р 65* Вт ~з 100 5 1 6А 1 1 1 1 КТ8224А 1 n-p-n 1 100 Вт - 1500; 700** 7,5 8А 1 :51000 КТ8224Б 1 n-p-n 100 Вт - 1500; 700** 7,5 8А :51000 1 1 1 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы 750...15000 (3 В; 2 А) 750... 15000 (3 В; 2 А) 750... 15000 (3 В; 2 А) 750... 15000 (3 В; 2 А) 750...15000 (3 В; 2 А) 750...15000 (3 В; 2А) 1 750...15000 (3 В; 2 А) 750...15000 (3 В; 2 А) j 15...75 (4 В; 3А) 15...75 (4 В; 3А) 15...75 (4 В; 3 А) 15...75 (4 В; 3А) 15...75 (4 В; 3А) 15...75 (4 В; 3 А) 15...75 (4 В; 3 А) 15...75 (4 В; 3А) 4 ... 7(58;0.1 А) 23(5В;0,1А) с" с;2э' пФ :-:;200 (10 В) $200 (10 В) :-:;200 ( 10 В) :-:;200 (10 В) :-:;200 (10 В) :-:;200 (10 В) :-:;200 (10 В) :-:;200 (10 В) rкэ нас' Ом r~э нас' Ом к;.*•.• дБ $0,25 $0,25 $0,25 :-:;О,25 :-:;О,25 :-:;О,25 $0,25 $0,25 Кш, дБ r;, Ом Р;~х' Вт t'll., пс t~(-t нс t::клt НС 1 197 Корпус КТ8219 6,54 2 285 1 ,__ lJ] КТ8219-1 i----" -6'-",54_ .: ._ _ .. ., 2,285 1-+-1 ,, ! 1 111111 к ..... "' ... ) VТI ~l7 ~) ,_vo 1 .д.i VТ1 КТ8220 10,28 7,11 4.55 КТ8221 10.28 7,11 4.55 т КТ8224 5 то :::~-15,9 ~ t:! 1 ln '5:1-" - /jк3
198 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Струк- Рк max• ~•• \210 • UКБО maxt )Kmax 1 •кw• Тип Р;,тmах' \;lэ• U~Rmax' UЭБОmал• 1;.н max• ·~ЭR• прибора 1 тура р~~ нmax• с· u~max• в ••• ." мА КЭО• мВт МГц в мкА КТ8225А n-p-n 155 Вт - 350 5 15А ~ню .. КТ8228А 1 n-p-n 125 Вт - 1500; 800* 7,5 12А 1 ~100 КТ8228Б n-p-n 125 Вт - 1500; 800* 7,5 12А ~100 КТ8229А n-p-n 125 Вт ~3 180 5 25А - 1 1 1 1 1· 1 1 1 КТ822А-1 p-n-p 20* Вт ~3 45* (О,lк) 5 2(4*)А ~50 (40 В) КТ822Б-1 p-n-p 20* Вт ~3 60* (О,lк) 5 2(4*)А ~50 (40 В) КТ822В-1 p-n-p 20* Вт ~3 100* (О,lк) 5 2(4*)А ~50 (40 В) КТ82ЗА-1 n-p-n 20* Вт ~3 45* (0,1 к) 5 2(4*)А ~50 (45 В) КТ82ЗБ-1 n-p-n 20* Вт ~3 60* (О,lк) 5 2(4*)А ~50 (45 В) КТ82ЗВ-1 n-p-n 20* Вт ~3 100* (О,lк) 5 2(4*)А ~50 (45 В) 1 КТ825Г 1 p-n-p 125* Вт ~4 90 5 20(30*)А 1 ~1*мА(90В) КТ825Д p-n-p 125* Вт ~4 60 5 20 (30*) А ~1· мА (60 В) КТ825Е 1 p-n-p 125* Вт ~4 30 5 20 (30*) А ~1* мА (30 В) КТ826А n-p -n 15* Вт 0(50°С) ~6 700* (О,Оlк) 5 1А ~2 мА (700 В) КТ826Б n-p -n 15* Вт (50°С) ~6 700* (0,Оlк) 5 IA ~2 мА (700 В) КТ826В n-p -n 15* Вт (50°С) ~6 700* (О,Оlк) 5 1А ~мА (700 В) КТ827А n-p -n 125* Вт ~4 100* (1 к) 5 20 (40*) А ~3* мА (100 В) КТ827Б n-p-n 0 125* Вт ~4 80* (lк) 5 20 (40*) А ~3* мА (80 В) КТ!f27В n-p-n 125* Вт ~4 60* (lк) 5 20 (40*) А ~3* мА (60 В) КТ828А n-p-n 50* Вт (50°С) ~4 800* (О,Оlк) 5 5 (7.5*) А ~5 мА (1400 В) КТ828Б n-p-n 50* Вт ~4 600* (0,01 к) 5 5 (7,5*} А ~5 мА (1200 В) КТ828В n-p-n 50* Вт (50°С) ~4 800* (О,Оlк) 5 5 (7,5*) А ~5 мА (800 В) КТ828Г n-p -n 50* Вт ~4 600* (О,Оlк) 5 5 (7,5*) А ~5 мА (600 В) КТ829А n-p-n 60* Вт ~4 100* (lк) 5 8 (12*) А ~1.5* мА (100 В) КТ829Б n-p-n 60* Вт ~4 80* (lк) 5 8 (12*) А ~1.5* мА (80 В) КТ829В n-p -n 60* Вт ~4 60* (lк) 5 8 (12*) А ~1.5* мА (60 В) КТ829Г n-p-n 60* Вт ~4 45* (lк) 5 8 (12*) А ~1.5* мА (60 В)
Бипопярные мремние8Ые транзисторы 199 с,. .rКЭн1с• Ом кw. ,1;6 т._"пс j h21.• ь;,э с;2.• r;эик• Ом ";,Ом t;,_., вс Корпус пФ к;~•-' ,1;Б •:,,вт t:... нс 1 2:300 - - - - КТ8225 ~r'/(3 5...9,5 (5 В; 0.1 А) - S0,12 - :5900*" КТ8228 15...25 (5 В; 0,1 А) - s0,12 - :5900*" =Emt 1 1 1 11!: а 61(3 15...75 (4 В; 15 А) - s0,12 - S800** IП8229 1 :Emr 6К3 2:25*(2В;1А) sl15 (10 В) s0,6 - - КТ822-t, КТ823-1 2:25*(2В;1А) sl15{!ОВ) s0,6 - - 2:25*(2В;1А) :5115 (10 В) s0,6 - - ~1! 2:25*(2В;1А) :575 (10 В) sD,6 - - 2:25*(2В;1М g5 (IОЩ s0,6 - - 2:25"(2В;1А) S75 НО В) S0,6 - - •/ \з 2:750" (10 В; 10 А) :5600 (10 В) S0,4 - :54,5** мкс К.1'825, КТ826 2:750" (10 В; 10 А) ~600 (10 В) 50,4 - :54,5"* ККС 2:750" (10 В: 10 А) .sбОО (10 В) sD,4 - :54,5** мкс Цt iJ i ~No- ~:~ 10... 120* (10 В; 0,1 А) s25 (100 В) S5 - tcnS1500 5...300* (10 В; 0,1 А) :525 (100 В) s5 - tcnS700 ~ к 5...120" (Ю В; 0.1 А) s25 (100 щ :55 - tcnS700 750... 18000* (3 В; 10 А) :5400 (10 В) S0,2 - :54,5" мкс КТ827, КТ828 750... 18000 " (3 В; 10 В) S400 (Н> В) S0,2 - :54,5* мкс 750.. .18000* (3 В; 10 А) :5400 (10 В) 50,2 - :54,5* мкс ЦI~ ~~~. 2:2.25* (.5 В; 4..5 А} - stl,66 - :510*. 2:2.25* (5 В; 4.5 А) - s0,66 - :510" 2:2.25* (5 В; 4.5 А~ 1 - ~.6& - :510" 2:2.25" (5 В: 4.5 А} - gJ,66 - :510* 2:750* (3 В; З А} 1 :5120 S0,57 - - КТ829 2:750" (3 В; ЗА) :5120 S0,57 - - 2:7.50* (3 В; 3 А} - :!>120 sQ,57 - - 1415 f,I 2:750* (3 В; 3 А) :5120 S0,57 - - w.тIКЭ
200 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк max• ~•• ~216' UKБOmax• lк max JКБО• Тип Струк- Р;.тmах' ~;lз' U~Rmax• UЭБО max• •:.и max• ·~R' прибора тура р~~ и max• ~:;х, u~max• в ·~· мВт МГц в мА мкА КТ82ЗОА p-n -p 125 Вт ~3 180 5 25А - 1 1 ! КТ8231А 1 n-p-n 1 1 180* Вт - 350** i- 15А - 1 i КТ8231А1 n-p -n 155* Вт - 350** - 1 15А - 1 1 КТ8231А2 n-p-n 65* Вт - 350** - 15А - 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! i 1 КТ8232А1 11-p-n 125* Вт - 350 5 20А - КТ8232Б1 n-р-п 125* Вт - 350 5 20А - - 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ' 1 ' 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 КТ82ЗЗАS 1 p-n-p 1 - ~4 100 1 5 5А J - КТ82ЗЗБS 1 p-n -p 1 - ~4 80 5 5А ! - КТ823ЗВS 1 p-n -p 1 - 1 ~4 60 5 5А i - 1 1 1 1 1 i 1 1 1 ' i 1
Биполярные кремниевые транзисторы 201 ck, rкэнк• Ом Кw1 дБ t._, пс h21.• ь;,э с;2з' r~и•с' Ом r;, Ом t;,.,, НС Корпус пФ к;_*,_, дБ Р:х, Вт t:.КJI. нс 15...75 (4 В; 15 А) - ::>0,12 - ::>800** КТ8230 ~gtJr ~ а 6КЗ ~400 - - - - КТ8231 п1~ ~No-~ ~ /( ~400 - - - - КТ8231А1 ~r "!111" а 6КЗ ~400 - - - - КТ8231А2 16 5 -- l VO\ NN -- V.U V БКЭ 300... 8000 (10 В; 5 А) - ::>0,18 - - КТ8232-1 300... 8000 (10 В; 5 А) - :s;0,18 - - 16 5 -·- lli VO\ - N N - vtl v БКЭ к Б VП ~V01 ... "'vтz- ~voz 1"~ _R1 Rl - - э ~1000 (3 В: 0,5 А) ::>300 ::>3 - - КТ8233-5 ~1000 (3 В: 0,5 А) SЗОО ::>3 - - 1,6 0.5 ~1000 (3 В: 0,5 А) ::>300 ::>3 - - ~ют
Раздел 2. Бипотrрные транзисторы Ркmах• f,. •• (210• UК&Omax• lкmax lкоо• Тип Струк- Р~. т m1x• ~lэ' U~Rmax' Uэюm1х"' 1;, 11 max• l~и• прибора тура р;иmм.t Сх• U-КЭОmах• в Гкэо, мВт МГц в мА мкА КТ8234А5 1'1-p-n 1 - <!:4 100 5 5А 1 - КТ8234Б5 n-p-n - <!:4 80 51 5А - КТ823485 n-p-n - <!:4 1 60 5 5А - 1 1 1 1 1 :КТ8235А D-р-П 1000 <!:30 700; 400** 5 2А - БСИТ 11 1 i КТ8240А5 1 n-p-n 1 - <!:150 30 - 800 - КТ8240Б5 n-p-n - <!:150 30 - 800 1 - КТ824085 1 n-p-n - <!:150 40 - 1 800 1 - ктs24ors 1 n-p-n - <!:150 50 - 1 800 1 - КТ82.ЮД5 n-p -n - <!:150 60 - 800 - КТ8240Е5 п-р-п - <!:150 70 - 800 - КТ8240Ж5 n-p-n - <!:150 80 - 800 - КТ8241А5 p-n -p - <!:150 30 - 800 - КТ8241Б5 p-n-p - <!:150 30 - 800 - К:Т8241В5 p-n-p - <!:150 40 - 800 - КТ8241r5 1 р-п-р 1 - <!:150 50 - 800 - КТ8241д5 1 р-п-р - <!:150 60 - 800 - КТ8241Е5 1 p-n-p - <!:150 70 - 800 - 1 КТ824DК5 1 p-n -p 1 - <!:150 80 - 800 - 1 1 КТ8242А5 i р-п-р 1 - <!:25 100 - 2000 - 1 1 КТ8242Б5 1 <!:25 80 2000 p-n-p 1 - - - IП824285 p-n-p - <!:25 60 - 2000 - КТ8243А5 n-p-n - <!:25 100 - 2000 - КТ8243Б5 п-р-п - <!:25 80 - 2000 1 - КТ824385 1 <!:25 60 2000 i n-p -n - - 1 - ! 1 1 1 IП'8244Л5 1 p-n-p - <!:150 45 - 2000 - КТ8244Б5 1 р-п-р - <!:150 60 - 2000 - IТ824485 р-п-р - <!:150 60 - 2000 - 1ктs244rs р-п-р - <!:150 80 - 2000 1 - КТ8245Л5 n-p -n - <!:150 45 - 2000 - IТ8245Б5 п-р-n - <!:150 60 - 2000 - IП8245В5 n-р-п - <!:150 60 - 2000 - IП8245r5 п-р-n - <!:150 80 - 2000 - 1 1 1 ! КТ8246А 1 n-p -n 60* Вт - 100 5 15А - КТ8246Б n-р-п 60* Вт - 120 5 15А - КТ8246В п-р-.п - 60* Вт - 160 5 15А - к.тs2.i&r n-p-n 60* Вт - 160 5 15А - '
Биполярные кремниевые транзисторы 203 i 1 1 ! с.. rКЭиасt Ом Кw,д6 'tкt ПС 1 1 ь",. ь;,э с;2.• r;Энас' Ом r;, Ом t;,.,, НС 1 Корпус 1 пФ к;.·", дБ Р;:.. Вт t::IUll НС ! i 1 i ~1000 (3 В: 0,5 А) i :>200 :>3 - - 1 КТ8234-5 ~1000 (3 В; 0,5 А) S200 :>3 - - ~1000 (3 В; 0,5 А) S200 S3 - - 1,6 0,5 ~шт 8...40 (2 В; 0,5 А) :>30 Sl - - КТ8235 1 ! 1 1 Q; 1 : 4No. 1 1 ~5000(5В;10мА) 1 - Sl5 - 1 - 1 КТ8240-5 ~10000 (5 В; 10 мА) - Sl5 - - ~10000 (5 В; 10 мА) - :>15 - - 1,6 0,5 ~10000 {5 В; 10 мА) - :>15 - - ~шт ~10000 (5 В; 10 мА) - :>15 - - ~10000 (5 В; 10 мА) - Sl5 - 1 - ~10000 (5 В; 10 мА) - :>15 - ! - 1 1 j ~5000 (5 В; 10 мА) :>15 ! i КТ8241-5 - - 1 - ~10000 (5 В: 10 мА) - :>15 1 - !- ~10000 (5 B;·lO мА) - :>15 - - 1,6 0,5 ~10000 (5 В; 10 мА) - :>15 - - ~шт ~10000 (5 В; 10 мА) - :>15 - - ~10000 (5 В; 10 мА) - Sl5 - - ~10000 (5 В; 10 мА) - Sl5 - - ~500 (3 В; 0,5 А) :>200 :>3 - - КТ8242-5, КТ8243-5 ~500 (3 В; 0,5 А) S200 :>3 - - ~500 (3 В; 0,5 А) S200 :>3 - - 1 1,6 0,5 ~ i 1 ~шт ~ ~500 (3 В; 0,5 А) :>100 :>3 - - 1 ~500 (3 В: 0.5 А) :>100 :>3 - - ~500 (3 В; 0,5 А) :>100 S3 - - 1 1 1 ~1000 (3 В; 0,5 А) S200 :>3 - - КТ8244-5, КТ8245-5 ~1000 (3 В; 0,5 А) S200 :>3 - - ~1000 (3 В; 0,5 А) S200 :>3 - - ~1000 (3 В; 0,5 А) :>200 :>3 - - 1,6 0,5 ~шт ~1000 (3 В; 0.5 А) :>100 S3 - - ~1000 (3 В; 0.5 А) :>100 :>3 - - ~1000 (3 В; 0,5 А) :>100 S3 ' - - 1 ~1000 (3 В; 0,5 А) :>100 S3 - - 1 ! ~1000 - :>2,5 - - КТ8246 ~1000 - S2,5 - - ~1000 - :>2,5 - - :ft ~1000 - S2,5 - - зк~ i
204 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 Ркmах• ~•• ..:210• UKБOmax' 1 i •коо• 1 lкmaA - i Тип 1 Струк-1 Р;.тmах• (;lэ' U~Rmax• UЭБО inax' i 1;, и max' 1 ·~R' i 1 р~~иrnax 1 с· u~max• в 1 1 ·~· прибора тура ." ! ' мВт мrц в мА мкА КТ8247А 1 п-р-п 75 Вт - 700 1 12 1 5А $100* ! КТ8248А1 1 п-р-п 1 90 Вт - 1500* 7,5 1 5А - 1 1 ! 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 ! i 1 i 1 1 1 КТ8250А п-р-п 50* Вт - 190; 40** 5 15А - КТ82506 п-р-п 50* Вт - 190; 80** 5 15А 1 - 1 1 1 1 1 КТ8251А п-р-п 125 Вт - 180 5 10А $100 i 1 1 КТ8254А п-р-п 20 Вт ~10 1 800 - 2А 1 i i 1 1 1 1 1 1 1 ' i i КТ8255А п-р-п 60 Вт - 330 6 7А $1* мА i 1 1 ! 1 1 ! !
Биполярные кремниевые транзисторы 205 1 ck, Гкэнас' Ом Кш• дБ 'tк' ПС h2,,• ь ;,э с;2э' r~э нас' Ом r~, Ом t:ac' НС Корпус пФ к;·•.. дБ Р;:х, Вт t::IUlt НС ~22 - - - - КТ8247 70,G5 lf,8 - w.ir 6К3 3,8 ...9 - - - - КТ8248-1 -Ет 5 т -~ ...... :~. ~- ... а 6кз ~100 - ~;0,05 - - КТ8250 ~100 - $0,05 - - :ft ЭК!i ~1000 - - - - КТ8251 -Ет 5 т -~ ...... :~. ~- ... а 6кз ~30* (5 В; 0,3 А) $2 КТ8254 6,54 2,285 -- L 11 j, 1 - "' i i i "" ~ •' 11 1J ~ i11 ~ ii1i -~ 1 1 !i !i j_J] Бкэ ~15 - - - - КТ8255 :ft fiKЭ
206 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах• ~•• ..:210• UKБOmax' JKmax JКБО• Тип Струк- Р~.тmах• (;lэ• U~Rmax• UЭБОшах• •:.и max• J~R' прибора р~:иmах• с· u~max• в ·~· тура '" мА мВт мrц в мкА КТ8261А п-р-п 25 Вт - 700 9 2А s50* 1 1 1 1 i 1 1 1 КТ8270А i п-р-п 7Вт <!:4 600 1 9 1 500 s100• 1 1 1 1 1 КТ8271А р-п-р 10 Вт - 45 5 1500 SO,l (45 В) КТ8271Б р-п-р 10 Вт - 60 5 1500 SO,l (60 В) КТ8271В р-п-р 10 Вт - 80 5 1500 SO,l (80 В) КТ8272А п-р-п 10 Вт - 45 5 1500 SO.l (45 В) КТ8272Б п-р-п 10 Вт - 60 5 1500 SO,l (60 В) КТ8272В п-р-п 10 Вт - 80 5 1500 SO,l (80 В) 1 КТ829А 1 п-р-п 1 60 Вт <!:4 100* (lк) 5 8А;12*А Sl,5 (100 В) КТ829Б п-р-п 1 60 Вт <!:4 80* (lк) 5 8А;12*А Sl,5 (80 В) КТ829В п-р-п 60 Вт <!:4 60* (lк) 1 5 8А;12*А Sl,5 (60 В) KT829f п-р-п 60 Вт <!:4 45* (!к) 5 8А;12*А Sl,5 (45 В) КТ829АТ п-р-п 50 Вт <!:4 100 5 5А - КТ829АП п-р-п 50 Вт <!:4 1 160 5 5А 1 - КТ829АМ п-р-п 60 Вт <!:4 1 240 5 8А - 1 i 1 1 1 1 КТ8290А п-р-п 100 Вт - 700 9 10А SlOO 1 1 1 ! 1 1 1 1 КТ8ЗОА р-п-р 5* Вт <!:4 35 5 2А;4*А SlOO (35 В) КТ8ЗОБ р-п-р 5* Вт <!:4 60 5 2А;4*А SlOO (60 В) КТ8ЗОВ р-п-р 5* Вт <!:4 80 5 2А;4*А SlOO (80 В) ктsзоr р-п-р 5* Вт <!:4 100 5 2А;4*А SlOO (100 В) КТ831А п-р-п 5Вт <!:4 35 1 12 2А 1 - КТ831Б 1 п-р-п 5Вт <!:4 60 5 2А 1 - КТ831В 1 1 5Вт <!:4 80 5 2А i п-р-п 1 - KT831f 1 п-р-п 1 5Вт <!:4 100 5 2А - 1
Биполярные кремниевые транзисторы 207 1 1 с,. rкэ."• Ом Кш, дБ i t'к' ПС 1 h"" ь;,э с,2" r~Энас' Ом r;, Ом t;..,. нс Корпус 1 пФ к;_*,.. дБ Р;~х' Вт 1 t::..л, нс 1 ~10 !- 1 - 1 - 1 - 1 КТ8261, КТ8270 5... 90 - - - - ~иw: Фт ~25 - - - - КТ8271, КТ8272 ~25 - - - - ~25 - - - - ~иw 1 :Фт ~25 1 - - - - 1 ~25 - - - - ~25 - - - - ~750*(3В;3А) ::;120 ::;О,57 - - КТ829 ~750"' (3 В; 3 А) ::;120 ::;О,57 - - ~750*(3В;3А) ::;120 ::;О,57 - - :ttr ~750*(3В;3А) ::;120 ::;О,57 - - 1 fiK 3 1 ' ~1000 1 - ::;О,3 - - КТ829(Т-М) ~700 - ::;О,25 - - 400...3000 - ::;О,66 - - 10.28 7.11 4,55 R ~ .; ..,• .. - ~111 ~ г f к"' Бt•:~-- Э"' ~10 1 - - - - КТ8290 ) Щ65 tB w.тIКЗ ~О*(1 В; 1А) - $1,2 - ::;1000* IП830 ~20*(1 В.; 1А) - ::;1,2 - ::;1000* 1 ;fiк$э ~О* (1В;1 At 1 - $1,2 - ::;1000• ~20*(1 В; 1А) - $1,2 - ::;1000* 1 1 1 1 1 1 1 1 ~2 - ::;О,6 - - КТ831 ~5 - ::;О,6 - - :~кфз ~25 - ::;О,6 - - ~о - $0,6 - - 1 1 1 ! ~- 5. 1 f: 1 '
208 Раздел 2. Биполярные транзисторы Струк- 1 pKmax• ~•• ..:210• UKБOmax• lк max 1 lкю• Тип Р~.тm1х• (;.3, U~Rmaxt UЭБО max• 1 J~R• 1~.и max• i р~: и max• с· u~m.ax• в 1 ·~· прибора тура 1 ох• 1 мВт мrц в мА 1 мкА КТ834А п-р-п !()()* Вт ~4 500* (0,lк) 8 15 (20*) А ~З* мА (500 В) КТ834Б п-р-п 100* Вт ~4 450* (О,lк) 8 15(20*)А ~З* мА (450 В) КТ834В п-р-п 100* Вт ~4 400* (О,lк) 8 15 (20*) А ~З* мА (400 В) КТ835А р-п-р 25* Вт ~1 зо 4 ЗА ~0.1 мА (30 В) КТ835Б р-п-р 25* Вт *1 45 4 7,5 А 1 ~0.15 мА (45 В) 1 1 1 1 1 1 1 КТ836А р-п-р 5Вт ~4 90 5 ЗА ~100 (90 В) КТ836Б р-п-р • 5Вт ~4 85 5 ЗА ~100 (85 В) КТ8368 р-п-р 5Вт ~4 60 5 ЗА ~100 (60 В) 1 ' i 1 КТ837А р-п-р ЗО* Вт ~1 80 15 7,5 А ~О.15 мА (80 В) КТ837Б р-п-р ЗО* Вт ~1 80 15 7,5 А ~.15 мА (80 В) КТ8378 р-п-р ЗО* Вт ~1 80 15 7,5 А ~О.15 мА (80 В) KT837r р-п-р ЗО* Вт ~1 60 15 7,5 А ~О.15 мА (60 В) КТ837Д р-п-р ЗО* Вт ~1 60 15 7,5 А ~О.15 мА (60 В) КТ837Е р-п-р ЗО* Вт ~1 60 15 7,5 А ~О.15 мА (60 В) КТ837Ж р-п-р ЗО* Вт ~1 45 15 7,5 А ~О.15 мА (45 В) КТ837И р-п-р ЗО* Вт ~1 45 15 7.5 А 1 ~О.15 мА (45 В) КТ837К р-п-р ЗО* Вт ~1 45 15 7,5 А ~О.15 мА (45 В) КТ837Л р-п-р ЗО* Вт ~1 80 5 7,5 А ~0.15 мА (80 В) КТ837М р-п-р ЗО* Вт ~1 80 5 7,5 А ~О.15 мА (80 В) КТ837Н р-п-р ЗО* Вт ~1 80 5 7,5 А ~О.15 мА (80 В) КТ837П р-п-р 30* Вт ~1 60 5 7,5 А ~О.15 мА (60 В) КТ837Р р-п-р ЗО* Вт ~1 60 5 7,5 А ~О.15 мА (60 В) КТ837С р-п-р ЗО* Вт ~1 60 5 7,5 А ~О.15 мА (60 В) КТ837Т р-п-р ЗО* Вт ~1 45 5 7,5 А ~О.15 мА (45 В) КТ837У р-п-р ЗО* Вт ~1 45 5 7,5 А ~О.15 мА (45 В) КТ837Ф р-п-р ЗО* Вт ~1 45 5 7,5 А ~О.15 мА (45 В) КТ838А п-р-п 12,5* Вт (90°С) ~з 1500 5;7 5 (7,5*) А ~1* мА(1500В) КТ838Б п-р-п 12,5* Вт ~з 1200 5;7 5 (7,5*) А 1 ~1 *мА (1200 В) 1 КТ839А п-р-п 50* Вт ~5 1500 5 lOA ~1 мА (1500 В) 1 КТ840А п-р-п 60* Вт ~8 400*; 900 5 6(8*)А ~3 мА (900 В) KT84CJ& п-р-п 60* Вт ~8 З50*; 750 5 6(8*)А ~З мА (750 В) КТ840В п-р-п 60* Вт ~8 800; З75* 5 6(8*)А ~з мА (800 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 209 ck, fкэнас• Ом Kw, дБ т., пс h21•' ь;,э с;2э• r~Энас• Ом r;, Ом t~ac• НС Корпус пФ к;.*,.. дБ Р;~•• Вт t::IUll НС 150...3000* (5 В; 5 А) ::>100 (150 В) :s;0,13 - tcn::>l,2 МКС КТ834 150... 3000* (5 В; 5 А) ::>100 (150 В) ::>0,13 - tcn::>l ,2 МКС 150... 3000* (5 В; 5 А) ::>100 (150 В) :s;0,13 - tcn::>l ,2 МКС n1~ ~Noi 1ti ..:; . - к ~25* (1 В; 1А) ::>800 (10 В) :s;0,35 - - КТ835 10.. .100* (5 В; 2 А) ::>800 (10 В) ::>0,8 - - 10,85 tB 1 wт6КЭ 20...100 (5 В; 2 А) - ::>0,3 КТ836 20...100 (5 В; 2 А) - :s;0,018 20...100 (5 В; 2А) - :s;0,022 :Jf·Ф· ~ 5 10...40* (5 В; 2 А) - :s;0,8 - - КТ837 20...80* (5 В; 2А) - :s;0,8 - - 50...150* (5 В; 2 А) - ::>0,8 - - 10...40* (5 В; 2 А) - :s;0,3 - - 20...80* (5 В; 2 А) - :s;0,3 - - 50...150* (5 В; 2 А) - :s;0,3 - - 10...40* (5 В; 2 А) - :s;0,25 - - ~ft 20...80* (5 В; 2 А) - :s;0,25 - - 50... 150* (5 В; 2 А) - :s;0,25 - - 10...40* (5 В; 2 А) - ::>0,8 - - 20...80* (5 В; 2 А) - :s;0,8 - - 50...150* (5 В; 2 А) - :s;0,8 - - ~ D 10...40* (5 В; 2 А) - :s;0,3 - - ЗК6 20...80* (5 В; 2А) - :s;0,3 - - 50... 150* (5 В; 2 А) - ::>0,3 - - 10...40* (5 В; 2 А) - :s;0,25 - - 20...80* (5 В; 2 А) - ::>0,25 - - 50... 150* (5 В; 2 А) - :s;0,25 - - ~4*(5В;3,5А) 170 (10 В) ::>1,1 - ::>10* мкс; КТ838,КТ839,КТ840 tcn::>l ,5 ~4*(5В;3,5А) 170(108) S:l,l - ::>10* мкс n1~ ~5*(10В;4А) 240 (10 В) :s;0,375 - S:IO* мкс; ~Noi 1ti tcn::>l,5 ~ к 10... 60* (2,5 В; 8 А) - ::>0,75 - tcn:S:0,6 ~10* (2,5 В; 8 А) - :s;0,75 - tcn:S:0,6 10... 100* (2,5 В; 8 А) - :s;0,24 - S:3500*.
210 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKm.Jx' ~" f.:21•• UКБОmах• JK max •кво• Тип Струк- р~ т max• \;Jэt u~max• UЭБО так• ·~." ma.x' ·~Rt прибора тура p~нmu• Сх• If~max• в ·~· мВт мrц в мА мкА КТ841А п-р-п 3 (50*) Вт ~10 600 5 10 (15*) А :53 мА (600 В) КТ841Б п-р-п 3 (50*) Вт ~10 400 5 10 (15*) А $3 мА (400 В) КТ841В п-р-п 3 (50*) Вт ~10 600 5 10 (15*) А :53 мА (600 В) KT841f n-p -n 100* Вт ~7 200 5 10 (15*) А :53 мА (200 В) КТ841д п-р-п 100* Вт ~5 500 5 10 (15*) А :s;3 мА (500 BJ КТ841Е п-р-п 50* Вт ~7 800 5 10(15*)А :53 мА (800 BJ 1 КТ842А р-п-р 3 (50*) Вт ~20 300 5 5 (10*) А :Sl мА (300 В) КТ842Б р-п-р 3 (50*) Вт ~20 200 5 5 (10*) А :Sl мА (200 В) КТ842В р-п-р 100* Вт ~7 200 5 5 (10*) А :SI мА (200 В) КТ844А п-р-п 50* Вт (5О 0С) ~7.2 250* (О,Оlк) 4 10 (20*) А :53* мА (250 В) КТ845А п-р-п 40* вт (50°С) ~4.5 400* (0,01 к) 4 .5 (7,5*) А :S3* мА (400 В) КТ846А п-р-п 12.5* Вт (9О0С) ~2 1500* (О,Оlк) 5;7 5 (7,5*) А 1 :SI* мА (1500 В) КТ846Б п-р-п 12,5* Вт (95"С) ~2 1200 5;7 5 (7.5*) А 1 :SI * мА (1200 В) КТ846В 1 п-р-п 12,5* Вт (95°С) ~2 1500 5;7 1 5(7,5*)А :SI * мА (1500 BJ ! КТ847А п-р-п 125* Вт ~15 650* (0,01 к) 8 15 (25*) А 5мА(650В) КТ847Б п-р-п 125* Вт ~10 650* (О,Оlк) 8 15 (25*) А 5мА(650В) КТ848А п-р-п 35* Вт (IOO"C) ~3 520 15 15А :SЗ* мА (400 В) КТ848Б п-р-п 35* Вт ( 1оо·с) ~3 400 15 15А :53* мА (400 В) КТ850А п-р-п 25* Вт ~20 250 5 2(3*)А :5100 (250 В) КТ850Б п-р-п 25* Вт ~20 300 5 2(3*)А :5500 (300 В) КТ850В п-р-п 25* Вт ~20 180 5 2(3*)А :5500 (180 В) : i 1 КТ851А i р-п-р 25* Вт ~20 250 5 2(3*)А :5100 (250 В) КТ851Б 1 р-п-р 25* Вт ~20 300 5 2(3*)А :5500 (300 В) КТ851В р-п-р 25* Вт ~20 180 5 2(3*)А :5500 (180 В) КТ852А р-п-р 50* Вт ~7 100 5 2,5 (4*) А :SI мА (100 В) КТ852Б р-п-р 50* Вт ~7 80 5 2,5 (4*) А :SI мА (80 В) КТ852В р-п-р 50* Вт ~7 60 5 2,5 (4*) А :SI мА (60 В) KT852f р-п-р 50* Вт ~7 45 5 2,5 (4*) А :SI мА (45 В) КТ85ЗА р-п-р 60* Вт ~7 100 5 8 (12*) А :5200 (100 В) КТ85ЗБ р-п-р 60* Вт ~7 80 5 8 (12*) А :5200 (80 В) КТ85ЗВ р-п-р 60* Вт ~7 60 5 8 (12*) А $200 (60 В) ктssзr р-п-р 60* Вт ~7 45 5 8(12*)А 1 $200(45В) 1 КТ854А п-р-п 60* Вт ~10 600 5 10 (15*) А :53 мА (600 В) КТ854Б п-р-п 60* Вт ~10 400 5 10 (15*) А :53 мА (400 В) КТ855А р-п-р 40* Вт ~5 250 5 5(8*)А :51000 (250 В) КТ855Б р-п-р 40* Вт ~5 150 5 5(8*)А :51000 (150 В) КТ855В р-п-р 40* Вт ~5 150 5 5(8*)А :51000 (150 В) КТ856А п-р-п 75* Вт ~10 800 5 10А;12*А :53 мА (800 В) КТ856Б п-р-п 75* Вт ~10 700 5 10А;12*А :53 мА (600 В) 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы 211 " ! 1 rкэ ""' Ом Кw1 дБ 1 с,, 1 tll:, пс h2," ь;,э с;2э' r~н•с• Ом r~. Ом t~<' НС Корпус пФ к;.·Р·' дБ Р;~х• Вт t;ы11.11• НС ~12*(5В;5А) $300 (10 В) $0,3 - $1000* КТ841, КТ842, КТ844 ~12*(5В;5А) $300 (10 В) $0,3 - $1000* ~12*(5В;5А) $300 (10 В) $0,3 - $1000* ~20*(5В;5А) $300 (10 В) $0,3 - $1000* ~20*(5В;2А) $300 (10 В) $0,3 - $1000* п.1 ~ ~10*(5В;5А) $300 (10 В) $0,3 - $1000* ~ffli ~ ~15*(4В;5А) 250 (10 В) $0,36 800* - ~ . ~15*(4В;5А) 250 (10 В) $0,36 - 800* - к ~20*(4В;5А) i250(10В) $0,44 - 800* ' ! 10...50• (3 В: 6 А) i $300 (10 В) $0,4 1 - 1 $2000* 1 1 15...100* (5 В; 2 А) 1 $45 (200 В) $0,75 - $4000* КТ845, КТ846, КТ847, КТ848 - $200 $0,22 - $12000* - - $1,1 - $12000* п.1 ~ - - $1,1 - $12000* ~ffli ~. 8...25* (3В: 15А) 1$200(400В) 1 $0,1 - $2000* 8...25* (3 В; 15 А) 1 $200 (400 В) 1 $0,1 - $3000* ! i i : 1 1 1 1 1 ~20*(5В;15А) i - $0,2 - 1 - ~20*(5В;15А) ! - $0,2 - - 1 1 1 40...200* (10 В; 0.5 А) 1 $35 (5 В) $2 - 1 1500* ! КТ850, КТ851, КТ852 ~20* (10 В; 0,5 А) $35 (5 В) $2 - 1500* ~20* (10 В; 0,5 А) $35 (5 В) $2 - 1500* 40...200* (10 В; 0,5 А) 1 40(5В) $2 - 1400* 70,G5 ~в 20... 200* (10 В: 0,5 А) 40(5В) $2 - 1400* wт 20...200* (10 В; 0.5 А) 40(5В) $2 - 1400* 1 ~500•(4В;2А) $28 (5 В) 1 $1,25 - 1 2000** ~500•(4В:2А) $28 (5 В) $1,25 2000** 6КЭ 1 - 1 ~1000* (4 В; 1 А) 1 $28 (5 В) $1,25 - 2000** ~1000* (4 В; 1 А) $28(5В) 1 $1,25 - 1 2000** 1 ! i ! ~750*(3В;3А) $120 (5 В) $0,66 - 3300** КТ853,КТ854,КТ855 ~750*(3В;3А) $120 (5 В) $0,66 - 3300** ~750*(3В;3А) $120 (5 В) $0,66 - 3300** ~750*(3В;3А) $120 (5 В) $0,66 - 3300** п.1 !) ~20*(4В;2А) 200 (10 В) $0,4 - tcn=700 ~ffl- ~ ~20•(4В;2А) 200 (10 В) $0,4 - tcn=700 ~ . ~20*(4В;2А) 200 (10 В) - к $0,5 - - ~20*(4В;2А) 200 (10 В) $0,5 - - ~15*(4В;2А) 200 (10 В) $0,5 - - 10...60* (5 В; 5 А) $100 (90 В) $0,3 - $2* мкс КТ856 10...60* (5 В; 5 А) $100 (90 В) $0,3 - $2* мкс n.t ~ ~ffli ~. 14*
212 Раздел 2. Биполярные транзисторы i Ркmах' ~•• ~216' UKБOmax' ! JКБО• lк max Тип Струк- Р~.тmах' ~;lэ' U~Rmax' UЭБО max' 1;,н maxt J~R' р~~ н m1xt 1,;,·· u~max• в 1·· прибора тура "' кэо• 1 мВт МГц в мА мкА КТ856А-1 i i 50* Вт 10 800 5 1 10А;12*А ! $;3мА(800В) п-р-п 1 КТ856Б-1 1 п-р-п 1 50* Вт 10 1 600 5 1 IOA;12*А $;3 мА (600 В) i 1 i i i i ! i 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 i КТ857А п-р-п 60* Вт <?:10 250 6 ! 7(10*)А $;5 мА (250 В) 1 1 1 1 КТ858А п-р-п j 60* Вт <?:10 400 6 7 (10*) А $;1 мА (400 В) 1 1 КТ859А п-р-п i 40* Вт 1 <?:25 800 1 10 3(4*)А ! $;1мА(800В) 1 i 1 1 1 1 i 1 1 1 $;2.5 мА (300 В) КТ862Б п-р-п 50* Вт <?:20 450 5 15А;25*А КТ862В п-р-п 50* Вт <?:20 600 (350**) 1 5 10А:15*А 1 $;3мА(600В) КТ862Г п-р-п 50* Вт <?:20 600 (400**) 1 5 lOA: 15* А 1 $;3 мА (600 В) 1 1 ! КТ86ЗА п-р-п 50* Вт <?:4 30 5 i 10А $;1 мА (30 В) КТ86ЗБ п-р-п 50* Вт <?:4 30 5 1 10А :!>I мА (30 В) КТ86ЗВ п-р-п 1 50* Вт <?:4 160 5 10А $;1 мА (30 В) 1 1 КТ864А п-р-п 100* Вт <?:15 200 6 10 (15*) А ~100 (200 В) i ! КТ865А р-п-р 100* Вт <?:15 200 6 1 10(15*)А :!>100 (200 В) 1 1 КТ866А п-р-п 30* Вт 25 200; 100** 4 15А;20*А :!>25 мА (100 В) КТ866Б п-р-п 30* Вт 25 200; 80** 4 15А;20*А $;25 мА (100 В) 1 КТ867А 1 п-р-п 100* Вт <?:25 200 7 25А(40*А) :!>3 (250 В) 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы 213 ck, rкэн•('' Ом Кw,дБ tll, пс h2," ь;,э с;2,• r~""'' Ом r;. Ом t;,.,, нс Корпус пФ к;.·,_, дБ Р;:•• Вт t::.мt НС 10...60* (5 В; 5 А) $100 (90 В) $0,3 - $2* мкс КТ856-1 1 10...60'" (5 В; 5 А) $100 (90 В) $0,3 - 1 $2* мкс ~~r 1 1 1 t'.f $::! • .... ' ;!( D 6КЗ <?:7,5* (1 В; 3 А) - $0,33 - $2500* КТ857, КТ858, КТ859 70,65 t,8 wт <?:10* (5 В; 5 А) 1 - $0,2 - $2500* <?:10* 110 В; 1 А) 1 - $1,5 - $3500* 6КЭ 12...100* (5 В; 8 А) $300 (30 В) $0,13 - $1000* КТ862 12...50* (5 В; 5 А) $250 (10 В) $0,29 - $2000* 12...50* (5 В; 5 А) $250 (10 В) $0,29 - $2000* ~!~_~1·~18· <?:100* (2 В; 5 А) - $0,06 - - 1 КТ863 <?:70* (2 В; 5 А) 1 - $0,1 - - 1 <?:70* (2 В; 5 А) 1 $0,1 70,65 t,8 - - - wт6КЭ 40...200* (4 В; 2 А) S300 (5 В) S0,6 - - КТ864, КТ865 40...200* (4 В; 2 А) $300 (5 В) $0,3 - - п.1 ~ ~Noi v. <?:15* (10 В; 10 А) $400 (!О В) $0,15 - $450** КТ866 <?:15* (10 В; 10 А) $400 (10 В) $0,15 - $450** " '=> ,,... з 6 t~ - ~ 212 <?:10* (5 В; 20 А) $400 (10 В) $0,075 - 1,3* мкс 1 КТ867 п.1 ~ ~вri~ ~ . - к
214 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 ~•• ~216• Ркm1х' UKБOm1x• lк m1x JКБО• Тип 1 Струк- Р~.тm1х• Ii:;1э• U~Rmax• UЭБОmах• 1;,и max• ·~R' р~~ и max• с· u~max• в ." прибора I тура ". кэо• мВт МГц в мА мкА КТ868А n-p-n 70* Вт ~8 900 5 6(8*)А $3 мА (900 В) КТ868Б n-p-n 70* Вт ~8 750 5 6(8*)А $3 мА (750 В) КТ872А n-p-n 100* Вт ~7 1500; 700* 6 8 (15*) А $1 мА (1500 В) КТ872Б n-p-n 100* Вт ~7 1500; 700* 6 8 (15*) А $1 мА (1500 В) КТ872В n-p-n 100* Вт ~7 1200; 600* 6 8 (15*) А $1 мА (1200 В) КТ874А n-p-n 75* Вт ~20 150; 5 30А;50*А $3 мА (150 В) 100* (О,Оlк) КТ874Б n-p-n 75* Вт ~20 150; 5 30А;50*А $3 мА (150 В) 120* (О,Оlк) КТ878А n-p-n 150* Вт ~10 900* (О,Оlк) 5 25 (50*) А ~3 мА (900 В) КТ878Б n-p -n 2 Вт; 100* Вт ~10 800* (0,01 к) 6 25 (50*) А $3 мА (800 В) КТ878В n-p -n 2 Вт; 100* Вт ~10 600* (0,01 к) 6 25 (50*) А $3 мА (600 В) 1 КТ879А n-p -n 250* Вт ~10 200 6 50А;(75*)А $3мА(200В) КТ879Б n-p-n 250* Вт ~10 200 6 50А;(75*)А $3мА(200В) КТ885А n-p-n 150* Вт ~15 400* (0,01 к) 5 40 (60*) А $1 мА (500 В) КТ885Б n-p-n 150* Вт ~15 5.00* (О,01 к) 5 40 (60*) А $1 мА (500 В) КТ886А-1 n-p-n 75* Вт ~10.5 1400*(0,Оlк) 7 10 А; (15*) А $0,1 мА (1000 В) КТ886Б-1 n-p -n 75* Вт ~10.5 1000*(0,Оlк) 7 10 А; (15*) А $0,5 мА (1000 В) 1 КТ887А р-п-р 3Вт;75*Вт ~15 700 5 2А;(5*)А $0,25мА(700В) КТ887Б p-n-p 3Вт;75*Вт ~15 600 5 2А;(5*)А $0,25мА(600В) : 1
Биполярные кfiемниевые транзuсinоры 215 с,, rкэиас• Ом Кw,АБ tк, ПС ь.," ь;,э с;2э' r~нас' Ом r;, Ом t;,..,, нс Корпус пФ к;.·,.. АБ Р;:х' Вт t::,КJI, нс 10...60* (5 В; 0,6 А) 5100 (80 В) 50,75 - 53500* КТ868, КТ872 10... 100* (5 В; 0,6 А) 5100 (80 В) 50,75 - 53500* :Emr ~6(5В;30мА) 5125 (15 В) 50,22 - 57500* ~6(5В;30мА) 1 5125 (15 В) 51,1 - 57500* ~6(5В:30мА) 1 5125(158) 51,1 - 57500* 1 6КЗ 15...50* (5 В; 30 А) 200 (100 В) 50,04 - 0,5* мкс КТ874 10...40* (5 В; 30 А) 200 (tOO В) 50,04 - 0,5* мкс "=> .,.. з 6 t111 - ~ 21,2 12...50* (5 В; 10 А) 1 5500 (10 В) 1 50,1 - 53000* КТ878 12...50* (5 В; 10 А) 5500 (10 В) 50,1 - 53000* 12...50* (5 В; 10 А) 1 5500 (10 В) 50,1 - 53000* nt~ 1 ~Noii ~ 1 ..,. ' .. .. /( ~20*(4В;20А) 5800 (10 В) $0,06 - 1,2* мкс КТ879 ~15*(4В;20А) 5800 (10 В) $0,1 - 1,2* мкс =rt~ ' ~ 1 ~12*(5В;20А) $200 (100 В) 50,08 - $2000* КТ885 ~12*(5В;20А) 5200 (100 В) 50,08 - $2000* п1~ ~Noii ~ ..,. . .. .. к 6...25* (5 В; 4 А) $l35(IOB) 50,25 - 2,5* мкс КТ886-1 6...25* (5 В; 4 А) 5135 (10 В) 50,25 - 2,5* мкс ~r 1 1 6КЗ 20...120* (9 В; 1 А) 350(IOB) $1,5 - $5* мкс КТ887 20... 120* (9 В; 1 А) 350 (10 В) $1,5 - $5* мкс 1 щ~ ~Noii '!.:!.
216 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKmax' ~р• ~216• Uкooma:ii:• lк max JКБО• Тип Струк- Р;,тmах• ~;lз• u~m•x' UЭБOma:ii:• 1~.н m1:1• ·~· р~~ и max• с· lf';ЭOm1к• в ·~· прибора тура ах• мВт МГц в мА мкА КТ888А 1 р-п-р 0,8 Вт; 7* Вт 2:15 900 7 100 (200*) slO (900 В) КТ888Б р-п-р 0.8 Вт; 7* Вт 2:15 600 7 1 100 (200*) :!>10 (600 В) 1 1 1 1 ' 1 1 1 1 1 1 1 1 '1 1 КТ890А п-р-п 120* Вт 40 650 5 20А 0,5** мА (350 В) КТ890Б п-р-п 120* вт 40 500 5 20А 0,25** мА (350 В) КТ890В п-р-п 120* Вт 40 350 5 20А 0,25** мА (350 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 КТ892А п-р-п 1 100* Вт 8 350* (О,Оlк) 5 15 (30*) А :S:З мА (350 В) КТ892Б п-р-п 100* Вт 8 400* (О,Оlк) 5 15 (30*) А s3 мА (400 В) КТ892В п-р-п 100* Вт 8 300* (0,Оlк) 1 5 15 (30*) А s3 мА (300 В) 1 1 КТ89ЗА п-р-п 120* Вт - 800* (0,01 к) 5 1 6А;8*А 1 sl* мА (800 В) 1 1 1 1 1 ' ' 1 1 КТ896А р-п-р 2 Вт; 125* Вт 2:4 90* (lк) 5 20А(30*А) - КТ896Б Р:П-р 2 Вт; 125* Вт ;::4 60* (!к) 5 20А(30*А) - 1 1 1 1 КТ897А п-р-п 3 Вт: 150* Вт ;::10 350 5 20А(30*А) $250 (350 В) КТ897Б п-р-п 3 Вт; 150* Вт 2:10 200 5 20А(30*А) $250 (200 В) КТ898А п-р-п 1,5 Вт; 125* Вт 2:10 350 5 20А(30*А) - КТ898Б п-р-п 1,5 Вт; 125* Вт 2:10 200 5 20А(30*А) - 1 1 1 1
' Биполярн нзисторы ые кремниевые тра 30 120* (30 В: 30 мА) 30:::120• (30 В; 30 мА) ~00*(5В;5А) >200*(5В:5А) ~200*(5В;5А) >300* (10 В; 5 А) ~300* (10 В; 5 А) ~300* (10 В; 5 А) 10... 20* ) <700 (10 В) 750 ... 18000* (!О В; 5 А $100 (10 В) 750... 18000* (10 В; 5 А) >400*(5В;5А) S400* (5В; 5А) >400*(5В;5А) ;400*(5В;5А) rкэнас' Ом • Ом rБЭ нас' к;_*", АБ $50 s50 <0,23 $0,22 $0,2 <0,225 $0,225 $0,225 <О,б $0,4 $0,4 $0,23 $0,23 $0,23 $0,23 Kw, АБ r;, Ом р•• Вт sыxt 'tll. , пс t• нс ,..,. t•• нс awu• <3* мкс <3* мкс tсп<4 МКС tсп<4 МКС tсп<4 МКС <2* мкс $4500** <4500** 217 Корпус КТ888 КТ890 ~-Em·~ r 1С) Q ':! 6К3 КТ892 27,1 ~ . 6з ~Noi !J•O .... к ... КТ893 КТ896 gfJf6К3КТ897 КТ898 gfJf6К3
218 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк .... • ~•• 'i:210• UК&Omax• lк ,.., lкю, Тип Струк- р~тm11х• (;.3, u~max'. UЭ6011111к' 1;, ....... ·~· прибора тура p;•max' t:x• U-кэо,..,• в ·~· мВт МГц в мА мкА КТ898А-1 п-р-п 1,5 Вт; 60* Вт ~10 350 5 20А(30*А) - КТ898Б-1 п-р-п 1,5 Вт; 60* Вт ~10 200 5 20А(30*А) - :КТ899А 1 п-р-п 40* Вт ~8 160 5 8А(15*А) Sl (160 В) 1 1 1 КТ902А п-р-п 30* Вт (5О0С) ~35 65 (110 имп.) 5 5А slO мА (70 В) КТ902АМ п-р-п 30* Вт (50°С) ~35 65 (110 имп.) 5 5А SlO мА (70 В) 1 1 :КТ90ЗА 1 п-р-п 30* Вт (60**) ~120 60 (80 имn.) 4 3(5*)А SIO* мА (70 В) КТ90ЗБ n-p -n 30* Вт (60**) ~120 60 (80 имn.) 4 3(5")А SIO* мА (70 В) :КТ904А n-p-n 5* Вт (40°С) ~350 60* (0,1 к) 4 0,8 (1,5*) А Sl ,5* мА (60 В) IП904Б n-p -n 5* Вт (40-С) ~300 60* (0,lк) 4 0,8 (1,5*) А Sl ,5* мА (60 В) IП907А n-p-n 13,5* Вт ~350 60* (О,lк) 4 1(3*)А S3* мА (60В) КТ907Б 1 п-р-п 13,5* Вт ~300 60* (О,lк) 4 1(3*)А S3* мА i60 В) КТ908А n-p-n 50* Вт (SO-C) ~30 100* (О,Оlк) 5 1ОА S25* мА (100 В) :КТ908Б п-р-п 50• Вт (so·c) ~30 60* (О,25к) 5 10А S50* мА (60 В) -- .'
Биполярные кремниевые транзисторы 219 ck, rкэн1с:' Ом Кш,д6 tк, ПС 1 h21.• ь;,э с;2,• r;э нас' Ом r;, Ом t~. нс Корпус пФ 1 к;.·,.. дБ Р:•• Вт t;..kЛ. нс 1 ! 1 ~400*(5В:5А) 1 - $0,23 - - КТ898-1 ~400*(5В:5А) - $0,23 - - с изо.пироваииыми выводами ~~r ~ t:! . 1 ln '$f D 6к3 ~1000* (5 В; 5 А) - $0,26 - 1 - КТ899 1 1 1 1 1 1 ~~r ~ t:! ln '$f D 6КЗ ~15*(10В;2А) $300 (10 В) $1: ~7** ~20** (10 МГц) - КТ902 :щ·· ~fj . t't о 1 ~15*(10В;2А) $300 (10 В) $1: ~7** ~20** (10 МГц) - КТ902М ~иw: ·~ 15...70* (10 В; 2 А) $180 (30 В) $1,25; ~3** ~10** (50 МГц) - КТ903 40... 180* (10 В; 2 А) $180 (30 В) $1,25; ~3** ~10** (50 МГц) - ~§$ ~10* (5 В; 0,25 А) $12 (28 В) $5; ~2.5** ~3** (400 МГц) $15 КТ904,КТ907 ~10* (5 В: 0,25 А) $12 (28 В) $5; ~2** ~2.5** (400 МГц) $20 ~;е ~10* (5 В: 0,4 А) $20 (30 В) $4; ~2** ~8** (400 МГц) $15 ~10* (5 В: 0,4 А) $20 (30 В) $4; ~1.5** ~6** (400 МГц) $20 1~ 6 8...60* (2 В: 10 А) $700 (10 В) $0,15 - $2600* КТ908 ~20*(4В;4А) $700 (10 В) $0,25 - $2600* ~!11$
220 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Ркm.х• ~•• ~216• UКБОmак• lк m•x •кю• Тип J Струк- Р~. т max' Ii:;1э• U~Rn111r.• UЭБО max• 1;.н mак• ·~R' прибора тура р~~ и max• Сх• u~mair.• в ·~· мВт МГц в мА мкА КТ909А п-р-п 27* Вт ;е:350 60* (0,01 к) 3,5 2(4*)А 30* мА (60 В) КТ9096 п-р-п 54* Вт ;е:500 60* (0,01 к) 3,5 4(8*)А 60* мА (60 В) КТ909В п-р-п 27* Вт ;е:300 60* (0,01 к) 3,5 2(4*)А 30* мА (60 В) КТ909Г п-р-п 54* Вт ;е:450 60* (0,01 к) 3.5 4(8*)А 60* мА (60 В) 1 КТ9101АС п-р-п 128* Вт ;е:350 50 4 7А $30 мА (50 В) КТ9104А п-р-п 10** Вт ;е:600 50 4 1,5 А $10 мА (50 В) КТ91046 п-р-п 23** Вт ;е:600 50 4 5А $20 мА (50 В) . 1 1 1 1 КТ9105АС п-р-п i 133* Вт ;е:660 50* (0,01 к) 1 4 16А ! $120* мА (50 В) 1 ! КТ9106АС-2 \ 2Тб42-5 300 и 2500 - 12* и 20* 2и2.5 60и200 1 $1 мА 1 +два 1 2Т996А5 КТ91066С-2 300 и 2500 - 12* и 20* 2и2,5 60и200 $1 мА 1 1 КТ9109А п-р-п 1120** Вт ;е:360 65 4 29* А $60 мА (65 В) IКТ9ША 1 п-р-п 200** Вт ;е:200 120 4 10А $100 мА (100 В) 1 1 1 1 1 1 • 1 ! 1
Биполярные кремниевые транзисторы 221 ck, fкэнас:• Ом Кw,дБ tlC, пс h2," ь;,э с;2э• r~нк' Ом r;, Ом t;,.,. нс Корпус пФ к;~,.• дБ Р;~х' Вт t::м' НС - s30 (28 В) s0,3; ~1.7** 20** (500 МГц) · s20 КТ909 - s60 (28 В) s0,18; ~1.75** 40** (500 МГц) S20 ~~~ - s35 (28 В) S0,3; ~1.2** 15** (500 МГц) $30 - sбО (28 В) s0,18; ~1.5** ~30** (500 МГц) S30 ... ~ . J//.7 - Sl50 (28 В) ~5.5** ~100** (0,7 ГГц) S45 КТ9101 trm· ~ .... з - .... к 11J,2 - 1 $20(28В) ~8** ~5** (0,7 ГГц) S20 КТ9104 - S40 (28 В) ~7** ~20** (0,7 ГГц) $20 ~51 .... к з : t:~ Sl60* (5 В; 0,1 А) S240 (28 В) ~5** ~100** (0,5 ГГц) Sl2 КТ9105 1 ~tfМ 8,5 .2 30... 100 (5 В; 0,1 А) - - - - КТ9106-2 31.61 К/61 К1ЭJ 60...150 (5 В; 0,1 А) - - - - 61 -J .1 "' , 1 Dlllli _l ~х1 t::: i $"' 1 '° 1 т '" 10 6131 Kl К1ЭJ 61KI61 31.61 К1 Э1 l«}~ 61 Э1 Kl К1 31 - sl40 (50 В) ~3.5** (820 МГц) ~500** (820 МГц) SlO КТ9109 ~ .... кз ~31 ~ с-. 2"4 ~10*(10В;5А) Sl50 (50 В) ~10** ~150** (80 МГц) - КТ9111 ~t~~l~tfj 12.S J5,8
222 Раздел 2. Биполярные транзисторы · Ркmах' ~•• ~216• UКБО max' lк mlillx lкво• Тип Струк- Р~.тmах' ~;lз' U~Rmax' UЭБО max' 1:.н max' I:Сн• р~~н max• с· u~max' в I" прибора тура '" КЭО• мВт МГц в мА мкА КТ9115А p-n-p 10* Вт ~90 300* ( 10к) 5 100; 300* 1 $0,05 (250 В) КТ9115Б 1 p-n-p 10* Вт ~90 150* ( 10к) 5 100; 300* $0,05 (150 В) 1 1 1 1 КТ9116А n-p-n 46* Вт ~240 55* (О,Оlк) 4 4А $30 мА (55 В) КТ9116Б n-p-n 76,7* Вт ~230 55* (О,Оlк) 4 10А $100 мА (55 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 КТ911А n-p -n 3* Вт ~750 55 3 0,4 А $5мА(55В) КТ911Б n-p -n 3* Вт ~600 55 3 0,4 А $5мА(55В) КТ9118 n-p -n 3* Вт ~750 40 3 0,4 А $5мА(40В) КТ911Г n-p -n 3* Вт ~600 40 3 0,4 А $5мА(40В) КТ912А n-p -n 30* Вт (85°С) ~90 70* (0,01 к) 5 20А $50* мА (70 В) КТ912Б n-p -n 30* Вт (85°С) ~90 70* (О,Оlк) 5 20А $50* мА (70 В) ! 1 1 КТ9131А n-p-n 350* Вт ~100 100 4 25А; 40*А $200* мА (IOOB) 1 КТ9132АС n-p-n 163** Вт - 50 4 11,2 А - 1 1 1 11 КТ913А n-p -n 4,7* Вт (55°С) ~900 55 3,5 О,5(1*)А $25* мА (55 В) КТ913Б n-p -n 8* Вт (70°С) ~900 55 3,5 1(2*)А $50* мА (55 В) КТ9138 n-p -n 12* Вт ~900 55 3,5 1(2*)А $50* мА (55 В) 1 1 1 ! ' ! ! 1 КТ9120А p-n -p 50* Вт ~50 1 45* (О,lк) 5 12 (30*) А $0,1 мА (45 В) 1
' ниевые транзисторы Биполярные крем ~5(10В;30мА) ~5(10В:30мА) >20* (5 В; 0,5 А> ~20* (5 В; 0,5 А) - - - - l0... 50* (!О В; 5 А) 20... 100* (10 В; 5 А) ~10(10В:10А) - >10* (10 В; 0,5 А) ~10* (10 В; 0,5 А) ~10· (10 В; 0,5 А) ~40*(1В;4А) s5.5 (30 В) s5,5 (30 В) s55 (28 В) :!>155 (28 В) <10 (28 В) <10 (28 В) ~10 (28 В) ~10 (28 В) <200 (27 В) 1 :!>200 (27 В) :!>800 (50 В) . <6 (28 В) is12(28В) :!>14 (28 В) :!>1900 (10 В) . rкэ ""'' Ом • Ом rБЭ нк• к:.·,.. дБ <33 $33 >25** ~10** <5; >2,5** $5; ~2.6** $5; ~2.2** :!>5; ~2.2** <0,12; >10** $0,12 >10** (30 МГц) $0,1 >3,5** раз <1,1; >2** $1,1; ~2** $1,1; ~2** <0,75 Kw, дБ r;, Ом Р,:" Вт >5** (225 МГц) >15** (225 МГц) >1** (1,8 ГГц) >1** (1 ГГц) ~ 8** (1,8 ГГц) -~О.В** (1 ГГц) >70** (30 МГц) >70** (30 МГц) >400** (30 МГц) >l40** (650 МГц) >3** (1 ГГц) >5** (1 ГГц) ~10** (1 ГГц) 1 i i ! i 1 1 't'к, ПС t;,.... нс t" нс ...... <25 <30 <25 <25 :!>50 $100 <18 <15 $15 <500* 223 Корпус КТ9115 ~1~' t ~ D ЗК6 КТ9116 ~t~gз.6 а с.<з . 21 КТ911 КТ912 КТ9131 3 КТ9132 КТ913 КТ9120
224 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 1 Струк- Ркmах' ~•• ~216• UКБО max' lк max 1 •кю• Тип Р~. т max' (;lэ' U~Rmax' UЭБО ffiilX' •• J~R• прибора р~~ и max' с· u~milx' в К, и maxt ••• тура '" мА КЭО• мВт МГц в мкА КТ9121А п-р-п 92** Вт - 42 3 9,2* А :515 мА (42 В) КТ9121Б n-p-n 46** Вт - 42 3 4,6* А :57,5 мА (42 В) КТ9121В n-p-n 11,5**Вт - 42 3 1,15* А :52,5 мА (42 В) КТ9121Г n-p-n 1 130** Вт - 42 3 13* А :522 мА (42 В) i 1 1 1 1 i КТ9125АС 1 n-p -n 60* Вт (40°С) :<:660 55* (10 Ом) 4 4А :560* мА (55 В) 1 КТ9126А n-p-n 330* Вт (50°С) :<:100 100* (О,Оlк) 4 30А :5200* мА (100 В) 1 1 1 1 1 1 КТ9127А n-p-n 1151**Вт - 65 3 38* А :560* мА (65 В) КТ9127Б n-p-n 524** Вт - 65 3 19* А :530* мА (65 В) 1 1 1 КТ9128АС n-p-n 180* Вт (50°С) :<:200 50* (10 Ом) 4 18А :5100* мА (50 В) КТ91ЗОА n-p -n 10* Вт :<:200 250 6 150 1 :51 мкА (250 В) 1 КТ91ЗЗА n-p-n 130* Вт :<:225 55* (0,01 к) 4 16А :5200* мА (55 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 225 ~ ~ с" rКЭнас' Ом Кш, дБ tк, ПС h2," h;,э С~2э' r~э нас' Ом "~,Ом t~al'' НС Корпус пФ к;.·•.. дБ Р;:х' Вт t::клt НС - - ~6,4** ~35** - КТ9121 (2,3 ...2,7 ГГц) - - ~6.4** ~17** - 1. 'tf ..... Б (2,3 ...2,7 ГГц) - 1 - - ~6.4** ~4** - :~ ...... К,.:._ rl- .._ 1 (2,3 ...2,7 ГГц) ~ . .., - ,.... 1 с,. - - ~12,5** ~50** - 1 жэ (2,3. "2,7 ГГц) ~ 4,6 2/J,.f :>110* (5 В; 0,5 А) :>70 (28 В) ~6** (500 МГц) ~50** (500 МГц) :>20 КТ9125 tfl1 ~ ~к· 5 - с.. 1j 1 [] 23,2 3 1 1 ~10*(10В;5А) :>500 (50 В) ;;:13**; :>0,05 ~500** ( 1,5 МГц) - КТ9126 ..... ""' /j к tjti] ~ ~J5,: - - ~5.6** ~550** - КТ9127 (1,025."1,15 ГГц) - - ~6.2** ~250** - 1 j 'lf ~Б (1,025 ... 1, 15 ГГц) - :~ К, _.., ~ ...... ... .. - . .., '- . н- с,. - жэ 1 ' 4,6 2/J,.f :>100* (5 В; 0,5 А) :>430 (28 В) 7** ( 175 МГц) ~200** (175 МГц) :>30 КТ9128 tfl! ~ ~к· 5 - с.. 1j [] 23,2 3 10...45 (9 В; 20 мА) :>6 (10 В) :>50 - - КТ9130 ;fiкФз - :>160 (28 В) ~7.5** ~30** (225 МГц) :>30 КТ9133 ~tg· а <Nз . 21 15 зак. 9
226 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк max• ~р• t ... Uкоо max• lк max lкоо• Тип Струк- Р~.тmах• ~~l!t' U~Rmax• UЭБОm•х' 1;. к max• J~R• р~нmах• с· u~max• в 1·· прибора тура ". кэо• мВт мrц в мА мкА КТ9134А п-р-п 2600** Вт <>:600 50 3 78* А :5120 мА (50 В) 1 КТ9134Б п-р-п 2100** Вт <>:600 50 3 71* А 1 :5120 мА (50 В) КТ9136АС п-р-п 700** Вт <>:300 60 4 30* А :5140 мА (60 В) 1 ! 11 КТ914А р-п-р 7* Вт <>:300 65 4 0,8 (1,5* А) 2*мА(65В) КТ9141А п-р-п 3* Вт <>:1 ГГц 120 3 300 :5100 (120 В) 1 КТ9141А-1 п-р-п 5* Вт <>:1 ГГц 120 3 400 :50,1 (120 В) 1 1 1 1 ! КТ9142А п-р-п 72* Вт - 55 3 15А :5100 мА (55 В) КТ914ЗА р-п-р 3* Вт <>:1500 75 3 100 (300*) :51*мА(50В) КТ914ЗБ р-п-р 3* Вт <>:1500 75 3 100 (300*) :51*мА(50В) КТ914ЗВ р-п-р 1 3* Вт <>:1000 75 3 100 (300*) :51*мА(50В) 1
Биполярные кремниевые транзисторы 227 1 1 с" rКЭHilc' Ом 1 Кш• дБ tк, ПС ~ h21,• ь;,э 1 с;2э' r~э нас' Ом r;, Ом t:ilC, нс Корпус 1 1 пФ к;.·•.. дБ 1 Р;:х' Вт t:~к.nt нс 1 ~ i i ;::6** ! ;::!ООО*• 1 КТ9134 ~ 1 - 1 - i - 1 (1,4 ... 1,6 ГГц) ' 1 1 ;::6** ;::800** - 11 +6.l - 1 - (1,4 ... 1,6 ГГц) 1Е1 Вlн•l•--j* ,~ 1 ~t@~~i) 1 1 i - $260 (45 8) ;::?** (500 МГц) ;::500** (500 МГц) $20 ! КТ9136 ' i i *11' 1' i1 1 1 .. :- ..s к э 1 .. ..5 ,8 ..... 18,2 1 10...60* (5 8; 0,25 А) $12(288) $12 ;::2,5** (400 МГц) $20 1 КТ914 if 1 i:~-1 1 1 1 : 1 ' : 1 i •1 15...45* (5 8: 50 мА) 1 $2,5 (10 8) - - - КТ9141 1 :ЕiкФз 15...45* (5 8; 50 мА) $2,5 (10 8) - - - 1 КТ9141-1 1 1 ~~ 1 ..... ~~5.к """ r==liii ~ "&. ·э 5,9 12.1 20.5 - ;::10 (5 8; 0,5 А) $70 (28 8) ;::6** 50** (860 МГц) - КТ9142 *1' 1 .. :- ..s к 6 1 1 . .. .5,8 .... 18,2 ! ;::20* (5 8; 50 мА) $3(108) - - - КТ9143 20...60* (5 8; 50 мА) $3(108) - - - ;::20* (5 8; 50 мА) $4 (10 8) - - - qjкфэ ~ 5 i 15·
228 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 Струк- 1 pKma). • ~•• li:ш• UKБOmax• 1 1 lкБО• lк max 1 Тип Р~. тmax• ~;·~· U~Rmax' UЭБОmа1'.• 1 J~R• 1 1;.м m41xl 1 ' прибора тура 1 р~~н max• ~~·;).. u;ЭOmax• 1 в 1 ·~· ' мВт МГц в 1 мА 1 мкА ~, . i 1 КТ9144А-5 5* Вт ~30 500 1 5 50 (100*) 1 51 (500 В) р-п-р 1 1 1 КТ9145А-5 п-р-п 1 5* Вт ~50 500 1 5 50 (100*) 51 (500 В) 1 ' 1 1 КТ9144А-9 р-п-р 0,3 Вт; 1*Вт ~30 500 5 50(100*) 51 (500 В) КТ9145А-9 п-р-п 0,3 Вт; 1*Вт ~50 500 5 50 ( 100*) 51 (500 В) 1 КТ9146А п-р-п 380** Вт - 50 3 19* А 550 мА (50 В) 1 1 ' КТ9146Б п-р-п 1 260** Вт - 50 3 13* А 533 мА (50 В) КТ91468 п-р-п 65** Вт - 50 3 3.3* А 58мА(50В) КТ9147АС п-р-п 233** Вт - 50* (10 Ом) 4 29А - КТ9150А п-р-п 50* Вт - 40* (10 Ом) 4 5А 525* мА (40 В) 1 1 i 1 i1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i КТ9151А 1 п-р-п 1 280* Вт ~230 55 3 1 33А 5150* мА (55 В) КТ9152А п-р-п 246* Вт - 55 3 24А 5200 мА (55 В) 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы ~20• (10 В; 10 мА) 20... 150 (10 В: 10 мА) 20...150 (10 В; 10 мА) 20...150 (10 В: 10 мА) ~10* (5 В: 0,5 А) ~10* (5 В; 0,5 А) ~10* (5 В: 0,5 А) rкэнас• Ом r~нас• Ом к;.·,_, дБ :!>100 :!>100 :!>60 :!>100 ~6** ~6** ~7** ~6** Кw,дБ r;, Ом Р;~х• Вт ~200** (1,55 ГГц) ~130** (1,55 ГГц) ~35** (1,55 ГГц) ~160** (400 МГц) :!>42 (25 В) ~8.5** (860 МГц) ~8** (860 МГц) 1 :!>350 (28 В) ~7** (230 МГц) ~200** (230 МГц) 1 :!>100 (28 В) ~6** (860 МГц) ~100** (860 МГц) Тк• ПС ~;....нс tвыкп• НС 229 Корпус КТ9144-5, КТ9145-5 0,5 0,3 i ;:rEJT i КТ9144-9, КТ9145-9 1/,6 ~ 1,6 ~~~·- ~ ""N ~ .... Д// ~ни lss 448 ~......5_ _,. .. .. ..,,. _1,5 КТ9146А 1 к"~- ... 1 э ~ Kr\.J__э Бf.1 ~ - Л..5 КТ9146 (Б, В) " '~ '1-Б ..... кд.. -l L 1 -~~ -~i; ~--~ --~ 4,б_ - - 211,5 - ---..------- КТ9147 КТ9150 КТ9151, КТ9152
230 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' 1,,,. ~216• UKБOmax• lк max IКБО• Тип Струк- Р~. т max• ~;lэ• U~Rmax• UЭБО max• J~. и max• J~Rt р~~и max• с· u~0max• в 1·· прибора тура "' кэо• мВт мrц в мА мкА КТ9153АС n-p-n 50** Вт - 50* (10 Ом) 4 4А - 1 1 1 1 КТ9153БС n-p -n 94* Вт - 50* (10 Ом) 4 10А ~60* мА (50 В) КТ9155А n-p -n 43* Вт - 50 3 4А ~25* мА (50 В) КТ9155Б n-p -n 100* Вт - 50 3 15А ~25* мА (50 В) КТ9155В n-p -n 181* Вт - 50 3 24А 1 ~25* мА (50 BJ 1 1 1 КТ9156АС n-p -n 50** Вт - 50* (10 Ом) 3 4А ~60** мА (50 BJ КТ9156БС n-p-n 94* Вт - 50* (10 Ом) 3 10А ~60* мА (50 В) КТ9157А n-p -n 1,2 Вт; 10* Вт ~100 30 5 5 (10*) А ~10 (30 В) КТ9160А n-p -n 465* Вт (50°С) ~60 140* (10 Ом) 4 30А ~200* мА (140 В) КТ9160Б n-p -n 465* Вт (50°С) ~60 140* (10 Ом) 4 30А ~200* мА (140 В) КТ9160В n-p -n 465* Вт (50°С) ~60 140* (10 Ом) 4 30А ~200* мА (140 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 231 ~. с,, rкэ...,• Ом Кw,дБ t., пс 1 1 h,,,. ь;,э с;". r~ .... Ом r;, Ом •:..с. нс Корпус пФ к;~•·' дБ Р:х' Вт t::.КJI. нс - - ~7.8** ~15** (390... 640МГц) - КТ9153 *113 ::- ~к з 1 1 5,8 16.2 . 1 1 1 1 ~10* (5 В; 0.5 А) s66 (28 В) ~7** ~50** - КТ9153, КТ9155 (615... 840 МГц) *11 ~10* (5 В; 0.5 А) S35 (28 В) ~6.5** (860 МГц) ~15** (860 МГц) - ;::-5,В ~к~2 6 ~10* (5 В; 0,5 А) 1 s35 (28 В) ~** (860 МГц) ~50** (860 МГц) - 1 ~10* (5 В; 0,5 А) S35 (28 В) ~5** (860 МГц) ~100** (860 МГц) t - КТ9155В 1 1 ! 23 1 1 i 1 1 1 1 ~t 1. lillaci1 1 1 1 .! 1 38 ·~:i)~.-1 - - ~7** ~15** (0,65 ... 1 ГГц) - КТ9156 ~· ~ с.. к з 1 1 1~ ~1·~1~· ' 1 1 ! ! 1 ~10* (5 В; 0.5 А) 1 s66 (28 В) 1 ~6** (1 ГГц) ~50** (1 ГГц) 1 - 1 КТ9156 1 1 : 1 ! t11 ~ с.. к з ;:: ~к16,2 з 140...450* (1 В; 0,5 А) Sl50 (5 В) ~.25 - - 1 КТ9157 1 1 ! ~Ii 1 : .Фт 10...30* (10 В; 30 А) S700 (60 В) ~15** (1,5 МГц) ~700** (1,5 МГц) - КТ9160 20...50* ( 10 В; 30 А) S700 (60 В) ~15** (1,5 МГц) ~700** (1,5 МГц) - 40... 90* (10 В; 30 А) S700 (60 В) ~15** (1,5 МГц) ~700** (1,5 МГц) - ·:~· к о э 1 1 1 о 1 1 Б 41 ! 1 1
232 Раздел 2. Биполярные транзисторы 11 i Ркmaxt 1 ~μ' ~:216' UКБО max' 1 1 1 IКБО' 1 lк max Тип Струк- 1 Р~. т max' ~:;lj' U~R max' UЭБО max' 1 J~. и max' I~ЭR• ~ 1 1 прибора тура , р~~ н m11xt ~;:х' u;эо max' ! в i ! 1;эо, ii мВт МГц в мА i мкА i 1 1 i ~ 1 " 1 1 1 1 ., ~КТ9161АС 1 П·р·П 700* Вт - 60 4 25А :>280 мА (60 В) 1 1 μ 1 i 1 i 1 1 1 1 ! КТ9164А 1 n·p ·n - 1 - - - - - 1 1 1 1 р i 1 ' ·' J 1 1 1 1 i ~ 1 1 ! ! ! 1 1 1 ~ 1 1 1 !1 КТ9166А n-p ·n 60* Вт - 45 - 15А - 1 1 1 1 1 i 1 ! 1 1 1 . i 1 1! 1 1 1 !КТ916А 1 n·p·n 30* Вт 21100 55* (0,01 к) 3,5 2(4*)А :>25* мА (55 В) КТ916Б 1 П·р·П 1 30* Вт 2900 55 3,5 2(4*}А 1 :>40*мА(55В) 1 1 1 1 i КТ9173А n-p·n 140* Вт - 55* (10 Ом) 4 14А :>250* мА (55 В) 1 1 1 КТ9174А n·p·n 400* Вт - 55* (10 Ом) 3 30А :>150* мА (55 В) 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 КТ9176А 1 p·n·p ! 10* Вт 290 40 5 3(7*)А :>1 (30 В) ! КТ9177А n·р·П 10* Вт 290 40 5 3(7*)А :>1 (30 В)
Биполярные кремниевые транзисторы ~20* (5 В; 0,5 А) ~50*(1В;4А) 35* (5 В; 0,25 А) 35* (5 В; 0.25 А) ~20* (5 В; 0,5 А) 60.. .400* (2 В; 1 А) 60...400* (2 В; 1 А) $20 (30 В) $20 (30 В) rкэнас:' Ом r~нас:• Ом к;.·,.. дБ ~7** (500 МГц) Кw,дБ r~, Ом Р;:х• Вт ~500** (500 МГц) ~6** (1090 МГц) ~300** (1090 МГц) $0,06 $0,8; ~2.25** $0,8; ~1.85** ~20** (1 ГГц) ~16** (1 ГГц) $230 (28 В) ~10** (230 МГц) ~50** (225 МГц) ~4** (230 МГц) ~300** (230 МГц) 45 (10 В) $0,25 $0,25 233 тк, пс ~;ас:• НС tвык.11• НС Корпус КТ9161 КТ9164 КТ9166 КТ916 КТ9173 КТ9174 КТ9176, КТ9177
234 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 ' Ркmп• 1,.. ~216' Uкюmах' ' lкю, lк max Тип 1 Струк- Р~. т max' (;.3, U~Rmaxt UЭБО max' J~.11 max• ·~· прибора р~ н m•x' с· u~max• в ·~· тура ". мВт Мfц в мА мкА КТ9180А p-n -p 1,5 Вт; 12,5*Вт ~100 40 5 3А(7*А) SI (30 В) КТ9180Б p-n -p 12,5*Вт ~100 60 7 3А(7*А) SI (60 В) КТ91808 p-n -p 12,5*Вт ~100 80 7 3А(7*А) SI (80 В) KT9180f p-n -p 12,5*Вт ~100 100 7 3А{7*А) SI (100 В) КТ9181А n-p -n 12.5*Вт ~100 40 5 3А(7*А) SI (30 В) КТ9181Б n-p -n 12,5*Вт ~100 60 1 7 3А(7*А) 1 SI (60 В) КТ91818 n-p-n 1 12,5*Вт ~100 80 7 1 3А(7*А) SI (80 В) KT9181f n-p-n 12,5*Вт ~100 100 7 1 3А(7*А) SI (100 В) КТ918А-2 n-p-n 2,5* Вт ~800 30 2,5 250 s2мА(30В) КТ918Б-2 n-p-n 2,5* Вт ~1000 30 2.5 250 S2мА(30В) КТ9182А n-p-n 300* Вт - 55* (10 Ом) 3 24А 1 S200мА(55В) ! 1 КТ9186А n-p-n 5Вт ~50 100; 60* - IA - КТ9186Б n-p -n 5Вт ~50 80; 60* - IA - КТ9186В n-p -n 5Вт ~50 50; 40* - IA - КТ9186Г n-p-n 5Вт ~50 40* - IA - IКТ9186Д n-p -n 5Вт ~50 40* - iIA 1 - 1 1 КТ9189А-2 n-p -n 2** Вт 1000 - - 0,5 А - КТ9189Б-2 n-p -n 5** Вт 1000 - - IA - КТ9189В-2 n-p -n 8** Вт 900 - - 1,6А - 1 1 1 КТ919А n-p -n 10* Вт ~1350 45 3,5 0,7 (1,5*) А SIO мА (45 В) КТ919Б n-p -n 5* Вт ~1350 45 3,5 0,35 (0.7*) А S5мА(45В) КТ919В n-p -n 3,25* Вт ~1350 45 3,5 0,2 (0,4*) А s2мА(45В) КТ919Г n-p-n 10* Вт ~1350 45 3,5 0,7 (1,5*) А SIO мА (45 В) 1
Биполярные кремниевые транзисторы 235 i ' i ck, rкэ нас• Ом Kw, дБ тк, пс ь.," ь;,э с;2э• r~нас• Ом r;, Ом t;,.,. нс Корпус пФ к;.·•.. дБ Р;:,, Вт t::u• НС 60...400* (2 В; 1 А) - s0,25 - - 1 КТ9180, КТ9181 50...250* (1 В; О,15 А) - s0,4 - - 50...250* (1 В; 0.15 А) - $0,4 - - 50...250* (1 В; О, 15 А) - $0,4 - - ~Il1: . Фт 60...400* (2 В; 1 А) - $0,25 - - 50...250* (1В; О,15 А) - $0,4 - - 50... 250* (1 В; 0.15 А) - $0,4 - - 1 50...250* (1В; О,15 А) - s0,4 - - 1 - 1 S4,2(15B) ~2** ~О.25** (3 ГГц) $15 1 КТ918-2 - S4,2 (15 В) ~2** ~0.5** (3 ГГц) $4 ~~rь ~i 's1!;!6 - - ~З* * (860 МГц) ~150** (860 МГц) - КТ9182 ;t~ ,~ . зс] '~:1:::~:1 80 ... 250 - $0,2 КТ9186 80 ... 250 - s0,2 :tiкщэ 80 ... 250 - $0,2 80 ... 250 - so.2 80 ... 250 - $0,2 - 4,5 12** (470 МГц) 0,5** ( 175 МГц) - КТ9189 - 13 10** (470 МГц) 2**(175МГц) - - 20 6** (470 МГц) 5** (175 МГц) - ~! D2,5~ ~1~1 с::.· 10. 8 .g ~ 5м ~.i "' ".Зrif ""~ lt с:; "' - 1 0,5 1 SIO (28 В) - ~3.5** (2 ГГц) $2,2 КТ919 sб,5 (28 В) - ~1.б** (2 ГГц) $2,2 s5 (28 В) - ~о.в•• (2 ГГц) $2,2 ;ltl Sl2 (28 В) - ~3** (2 ГГц) s2,2 ~- g 6 2 6 1 19,;J 1
236 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк max' ~р• ~216• UКБО n1axt lк max IКБО• Тип Струк- р· \;1эt u· UЭБО n1axt J~.и mалt I~R• К,тшахt КЭR max t р~:нmaxt с· U~.ЭО max' в г· прибора тура '" мА КЭО• мВт МГц в мкА КТ9190А n-p-n 40** Вт 720 - - ВА - 1 1 1 ! 1 ' ! : 1 ' 1 ' 1 1 1 ! 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 j 1 1 ; ~КТ9190А-4 n-p-n 40** Вт 720 - - ВА - 1 1 КТ9192А-2 n-p-n 2** Вт 1200 - - 0,5 А - КТ9192Б-2 n-p-n 5** Вт 1200 - - 1,6 А - 1 1 КТ9193А n-p-n 23** Вт 1000 - - 4А - КТ9193Б n-p-n 40** Вт 1000 - - ВА - 1 1 i 1 ! 1 1 i ~ 1 1 ,, i 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы 237 1 ck, rкэ нас• Ом Кw,дБ tк, ПС h2," ь;,э с;2" r~э нас' Ом r;. Ом t;,.., нс Корпус ' пФ к;:•.. дБ Р;~х' Вт t::ut НС ! 1 - 1 65 - 20** (470 МГц) - КТ9190А ! "' ~ <:) 1 _J "' 1 1 с:.· 1 20,5 1.., .. .. . ..:: ..., 612 з-.n 1'1 ~з LЭ- r-т- -<h~~ "' ...-tl...~ 1 "' з/(1r-э16 ~tS - 65 - 20** (470 МГц) - КТ9190А-4 8,2 1 _J~ .... ., ,, "' r::i с::) 5 \ 3,2 э-:~~ ........3 lt) ..... ~ ..... з-l:JY.,- ,,.. 3 1,6 . /( f - - 6** (900 МГц) 0,5** (900 МГц) - КТ9192-2 - - 5** (900 МГц) 2** (900 МГц) - ~ "'с:.· 1 _J "' 1 1 <:) 1 20,5 1~ .... ..., 612 з-.n1'1 ~з LЭ- " -<h.., .... ..; .. .. "' з't//(~; "' r-з 16 ~fS - - 4 (900 МГц) 10** (900 МГц) - КТ9193 - - - 20** (900 МГц) - ~ "' с:.· 1 _.J "' 1 1 с:.· 1 20,5 1~ .... ..., ~12 з-.. :'1 i;-i 1 -з 1:.:tr ~.., .... ..; " "' _,~...~· "' з/(1'з16 ~fS
238 Раздел 2. Биполярные транзисторы : 1 Струк-1 Ркmах• ~Р' ~:2161 UKБOmaxt 1 lк max i •коо• Тип Р~.тmах• ~:;J;t u~RmaAt UЭБО max• 1:.м max• ·~ЭR' ' р~~ и max• ~:·;~. u~max• в 1 ••• прибора 1 тура 1 ! кэо• 1 i мВт Мfц в мА i мкА КТ919ЗА-4 п-р-п 23** Вт 1000 - - 4А - КТ919ЗБ-4 п-р-п 40** Вт 1000 - - 8А - КТ920А п-р-п 5* Вт (50"С) ~400 36 4 0,25(1•)А :52* мА (36 В) КТ920Б п-р-п 10* Вт (50"С) ~400 36 4 1(2*)А :54* мА (36 В) КТ9208 п-р-п 25* Вт (50"С) ~400 36 4 3(7*)А :57,5* мА (36 В) KT920f п-р-п 25* Вт (50"С) ~350 36 4 3(7*)А :57,5* (36 В) 1 1 1 1 1 ~ 1 1 1 lкт921л 1 п-р-п 1 12.5* Вт (75"С) ~90 1 65* (0,lк) 1 4 3,5 А :510* мА (70 В) iКТ921Б п-р-п 1 12,5* Вт (75"С) ~90 65* (О,lк) 4 3,5 А :510* мА (70 В) . 1 КТ922А п-р-п 8* Вт (40"С) ~300 65* (О,lк) 4 0,8 (1,5*) А :55* мА (65 В) КТ922Б п-р-п 20* Вт (40"С) ~300 65* (0, 1к) 4 1.5 (4,5*) А :520* мА (65 В) IKT922B 1 п-р-п 1 40* Вт (40"С) ~300 65* (0, 1к) 4 3(9*)А :540* мА (65 В) KT922f п-р-п 20* Вт (40"С) ~300 65* (О,lк) 4 1,5 (4,5*) А :520* мА (65 В) КТ922Д п-р-п 40* Вт (40"С) ~250 65* (0,lк) 4 3(9*)А :540* мА (65 В) 1 КТ925А п-р-п 5.5* Вт (40"С) ~500 36* (0, 1к) 4 0,5 (1*) А :57 мА (36 В) КТ925Б п-р-п 11 * Вт (40"С) ~500 36* (О, 1к) 4 1(3*)А :512 мА (36 В) КТ9258 п-р-п 25* Вт (40"С) ~450 36* (0, lк) 3,5 3,3 (8,5*) А :530 мА (36 В) KT925f п-р-п 25* Вт (40"С) ~450 36* (О, 1к) 3,5 3,3 (8,5*) А :530 мА (36 В) КТ926А п-р-п 50* Вт (50"С) ~51 150* (О,Оlк) 5 15 (25*) А :525* мА ( 150 В) КТ926Б п-р-п 50* Вт (50"С) ~51 150* (О.Оlк) 5 15 (25*) А :525* мА ( 150 В) ~ 1 1 ~• 1 1 1 КТ927А п-р-п 83,3* Вт (75"С) ~105 70* (ОИ) 3.5 10 (30*) А :540* мА (70 В) КТ927Б п-р-п 83,3* Вт (75"С) ~105 70* (ОИ) 3,5 10 (30*) А :540* мА (70 В) КТ9278 п-р-п 83,3* Вт (75"С) ~105 70* (ОИ) 3,5 10 (30*) А :540* мА (70 В) 1 1
1 1 Биполярные кремниевые транзисторы - - - - ~10*(10В; 1А) ~10*(10В; 1А) - - - - - ~8*(5В;0,2А) - ~17* (5 В; 0.2 А) - 10...60• (7 В; 15 А) 10...60* (5 В; 5 А) ~15*(6В:5А) ~5*(6В;5А) ~40•(6В:5А) 1 Sl5 (10 В) 1 S25(!ОВ) 1 s75(!ОВ) 1 1 S75 (10 В) 1 1 s50 (20 В) s50 (20 В) 1 1 1 1 Sl5(28В) S35 (28 В) $65 (28 В) $35 (28 В) s65 (28 В) Sl5 (12,6 В) s30 (12,6 В) s60 (12,6 В) 1s60(12,6В) 1 ! 1 ! i1 ! 1 ' - - Sl90 (28 В) Sl90 (28 В) Sl90 (28 В) 1 1 ' rкэнас:• Ом r~нас:• Ом к;.·,.. дБ 4 (900 МГц) ~1·· ~4.5** ~3** ~3** Sl,8; ~8** Sl,8; ~5** ~10•• ~5.5** ~4** ~5** ~З.5** ~6.3** ~5** ~3** ~2.5** s0,17 s0.25 $0,07; ~13.4** s0.07; ~13,4** s0.07; ~13,4** 1 1 11 Кш, дБ r~, Ом Р;:", Вт 10* * (900 МГц) 20** (900 МГц) ~2* * (175 МГц) ~5** (175 МГц) ~20* * ( 175 МГц) ~15** (175 МГц) ~12,5** (60 МГц) ~12,5** (60 МГц) ~5**(175 МГц) ~20* * ( 175 МГц) ~40* * (175 МГц) ~17** (175 МГц) ~35* * (175 МГц) 2** (320 МГц) 5** (320 МГц) 20* * (320 МГц) 15** (320 МГц) - - ~75* (20 МГц) ~75* * (20 МГц) ~75** (20 МГц) 1 1 1 1 1 i i 1 ! ! i ! 1 1 1 i 239 t'к1 ПС ~~".нс t.ык.11• НС Корпус КТ9193-4 8,2 ' с;,· с:)' 5 i 1 \ 3,2 з-п t-\ -1 i 1 ......... 3 1 1() - ...,; - э-ll У,- .,.,э к f,6 1 s20 i КТ920 1 s20 ! i i s20 1 JЗК t S20 1 <.Q 5 - 1 о;- - . l!. 1 ~ ~ , 1з в 122 2 s22; sзоо• КТ921 s22; s300* fi' ~-D1 - . 1 ~ 6 S20 КТ922, КТ925 S20 S25 s20 s25 t 51~ - "" ... ,_.... о;- "" L_ .. .. L-......:0 S20 ' ' 1з S35 в,,, 2 s40 s40 1 ! - i КТ926 1 - 1 i :!Jt~r1 ! - ! КТ927 i
240 Тип прибора КТ928А КТ928Б 1КТ928В ,, 1 КТ929А КТ930А КТ930Б КТ931А КТ932А КТ932Б КТ9328 i~1• КТ933А j КТ933Б КТ934А КТ934Б КТ934В КТ934Г КТ934Д 1 КТ935А КТ936А 1 1 1 1 Струк­ тура n-p -n n-p-n n-p-n n-p-n n-p -n n-p -n n-p -n p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p -n 1 1 i 1 1 Рк max' ~~· т max' Рк. и m11x' мВт 0,5 Вт; 2* Вт 0,5 Вт; 2* Вт 0,5 Вт; 2* Вт 6* Вт (40°С) 75* Вт (40°С) 120* Вт (40°С) 150** Вт (40°С) 20• вr (5о·с) 20* Вт (50°С) 20• Вт (50°С) 5* Вт (50°С) 5* Вт (50°С) 7,5* Вт 15* Вт 30* Вт 15* Вт 30* Вт 60* Вт (50°С) 28* Вт (75°С) 1 1 МГц г250 г250 г250 г700 г450 г600 г250 г40 г6О г40 г75 г75 г500 г500 г500 г450 г450 г51 - i' Раздел 2. Биполярные транзисторы UКБО maxt lк max IКБО• u· UЭБО max' I~R• КЭR max t 1~,н maxt u;.эо max' в I~эо• в мА мкА 60 5 0.8 (1,2*) А :"':5 (60 В) 60 5 0,8 (1,2*) А :"':5 (60 В) 75 5 0,8 (1.2*) А :<O:l (60 В) 1 1 1 ' '· 30* (0.1 к) 3 1 0.8 (1,5*) А 1 :<;;5* мА (30 В) ' 1 ! 50* (О. 1к) 4 1 6*А 1 :"':20* мА (50 В) 50* (О,lк) 4 6*А 1 :<0:100* мА (50 В) 1 ' 1 60* (0,01 к) 4 15А :<0:30* мА (60 В) 80 4,5 2А :"':1,5* мА (80 В) 60 4,5 2А :"':1,5* мА (60 В) 40 4,5 2А :"':1,5* мА (40 В) 1 80 4,5 0,5 А 1 :"':0.5* мА (80 В) 60 4,5 0,5 А i :"':0.5* мА (60 В) 1 1 60* (0,01 к) 4 0,5 А :<0:7,5* мА (60 В) 60* (0,01 к) 4 lA :<0:15* мА (60 В) 60* (О,Оlк) 4 2А :<0:30* мА (60 В) 60* (0,01 к) 4 lA :"':15* мА (60 В) 60* (0,01 к) 4 2А :<0:30* мА (60 В) 1 80* (0,01 к) 5 20 (30*) А :<0:30* мА (80 В) 60 3,5 3,3 А :<0:10* мА (60 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 241 1 с" rкэ нас' Ом Кш, дБ 1' 111 ПС 1 h21·,t h~IЭ с~2~' r~э 1ыс' Ом г~, Ом t;,il{' НС Корпус пФ к;.·." дБ Р;::., Вт t:•ыклt НС 1 :1 ! 1. :1 1 11 ~ 20".100* (5 В: 150 мА) sl2 (!О В) 1 s3.3 - s250* КТ928 !! .50".200* (5 В: 150 мА) sl2 (10 В) s3,3 - s250* :tiкФэ 100".3 00* (5 В; 150 мА) sl2 (10 В) s3,3 - s250* ~25* (5 В; 0.7 А) s20 (8 В) ~8** ~2** (175 МГц) s25 КТ929 ..,; ~ '5 IJJ3к 11 о; ~ ~3-+Е 1 е._ IТlз 1· 1' ~ 1 ,8 122 27 1' 1 40*(5В;0,5А) s80 (28 В) ~5** ~40** (400 МГц) 8 КТ930, КТ931 50*(5В;0,5А) sl70 (28 В) ~3.5** ~75** (400 МГц) 11 6 25*(5В;0,5А) s240 (28 В) 0,18; ~3.5** ~80** (175 МГц) 18 ~JiПtJ~Jl t;~ ~icrк 25 7 1 ~15* (3 В; 1.5 А) s300 (20 В) sl КТ932 - - 1 ~30* (3 В; 1.5 А) s300 (20 В) sl - - Ц1 [f) ~40* (3 В; 1.5 А) s300 (20 В) sl - - !: ~No~ у .. :; . ... /( ~15* (3 В; 0,4 А) s70 (20 В) s3,75 - - КТ933 ~30* (3 в: о.4 А) s70 (20 В) s3,75 - - :~кфэ 1 1 1! 1 50*(5В;0,1А) s9 (28 В) 2; ~6** ~3** (400 МГц) s20 КТ934 1 50* (5 В: 0.15 А) sl6 (28 В) 1; ~4** ~12** (400 МГц) s20 50* (5 В; 0.25 А) s32 (28 В) о.5: ~3** ~25** (400 МГц) s20 ~ ~Jз 5 к - sl6 (28 В) ~3.3** ~10** (400 МГц) s25 ..,; 3-~ о; R' ·- s32 (28 В) ~2.4** ~20** (400 МГц) s25 '& - •• з 8 12.2 27 20".100* (4 В; 15 А) s800 (10 В) s0,066 - s700** КТ935 :ft~11 "" 19,5 ~6·(3В:0,1А) - - - - КТ936А ~.~~ 6.7 6,5 16зак 9
242 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 Струк- 1 pKmax' ~р• \210• UКБОmаА' lк max JКБО• Тип Р~.тmах' ~;lэ' u~m•x' UЭБОmаА' J~,и maA• ·~R' прибора 1 тура р~~" max• с:х. u~тnax• в ·~· мА 1 мВт МГц в мкА КТ936Б 1 п-р-п 1 83,3* Вт (75°С) - 60 3,5 10А :s:30* мА (60 В) КТ937А-2 п-р-п 3,6* Вт 6500 25 2.5 250 :s:2 мА (25 В) КТ937Б-2 п-р-п 7,4* Вт 6500 25 2.5 450 :s:5 мА (25 В) 1 1 ' 1 i 1 i i i 1 1 1 1 1 1 1 КТ938А-2 п-р-п 1,5* Вт ;е:2000 28 2,5 180 :S:I мА (28 В) КТ938Б-2 п-р-п 1,5* Вт ;е:1800 28 2.5 180 :S:l мА (28 В) 1 i 1 КТ939А 1 п-р-п 4* Вт ;е:2500 30* (0,01 к) 3,5 1 400 1 :S:2 мА (30 В) КТ939Б 1 п-р-п 1 4* Вт ;е:1500 30* (0,Оlк) 3.5 400 1 :s:2мА(30В) 1 1 ! 1 i 1 1 1 1 1 КТ940А п-р-п 1,2 (10*) Вт ;e:go 300* (!Ок) 5 0,1 (0,3*)А :s:0,05 мА (250В) КТ940Б п-р-п 1,2 (10*) Вт ;e:go 250* (IОк) 5 О, 1 (0,3*) А :s:0,05 мА (200 В) КТ940В п-р-п 1,2(10*)Вт ;е:90 160* (IОк) 5 0,1 (0,3*) А :s:0.05 мА (100 В) 1 1 1 КТ940А1 п-р-п 500, 10* Вт ;е:90 300 5 100; 300* :s:0.05 (250 В) КТ940Б1 п-р-п 500, 10* Вт ;е:90 250 5 100; 300* :s:0,05 (200 В) КТ940В1 п-р-п 500, 10* Вт ;е:90 160 5 100; 300* :s:0,05 (100 В) КТ940А-5 п-р-п 10* Вт ;e:go 300 5 100 (300*) 1 :s:50 мА (250 В) КТ940Б-5 1 п-р-п 10* Вт ;e:go 250 5 100 (300*) :s:50 мА (200 В) КТ940В-5 п-р-п 10* Вт ;e:go 160 5 1 100 (300*) 1 :s:50 мА ( 100 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 ~ 1 КТ940А9 п-р-п 1200 ;е:90 300 5 100 - КТ940Б9 п-р-п 1200 ;е:90 250 5 100 - 1 1
' ~,, "11 if !1 1 ~ ~ц 1 ·~ ~ ~ ~ h 21"~' h;IЭ ~6*(3В;0.1А) - - - - 40 200*(12В;О.2А) 20::.200 ( 12 В; 0.2 А) >25* (10 В; 30 мА) ;25* (10 В; 40 мА) ;25* (10 В; 30 мА) >25 (10 В, 30 мА) ;25 (10В; 30мА) ;25(1оВ;30мА) >25* (10 В; 30 мА) ;25* (10 В; 30 мА) ;25* (10 В; 30 мА) >25 (10 В; 30 мА) ;25(10В;30мА) 16· 1 1 ' i 1 1 1 1 " c;2t' пФ s5,5 (20 В) s7,5 (20 В) s4 (20 В) s4,5 (20 В) s5.5 (12 В) s6(12B) 4.2 (30 В) 4,2 (30 В) 4,2 (30 В) s4,2 (30 В) s4.2 (30 В) s4.2 (30 В) s4,2 (30 В) s4,2 (30 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 · Ом rБэ н"l., к;.·•.. дБ - - - <33 s33 s33 <3,3 <3 _3. s3,3 s40 s40 s40 s3,3 s3,3 1 r 1 1 1 1 <,1 t" нс 1 1 р" Вт вык.n 1 вых' КТ936Б i1 1 ·~~ к -~ - 35 о 1J,6 >1,6** (5 ГГц) 0,78 КТ937-2 :m:J ,,", 1! >3,2** (5 ГГц) 0.6 ! !1 .... 1! 1 'С) ~ n~~ "Q l 1~~6 ~+- 6,6 - 11 - 19,3 - - 1 КТ938-2 1 1 <2 >1**(5ГГц) <2 ''·' tw >1 •• (5 ГГц) ~~ ~ ~f ЪjfW5 1 "1 : 1' 1 КТ939 11 <9 <10 1 ' ~·~~ 1 1 ~~~ 1 "Q u- r ·з r ~g 1z1J 20,5 ~ ~ КТ940 ir;~ :1 - i ..,,. 3Б 1' 11 1 1 ... :! 1 KT940-l 1 Qf5,2 i КТ940-5 КТ940-9
244 Тип прибора КТ942В КТ94ЗА КТ94ЗБ КТ94ЗВ КТ94ЗГ КТ94ЗД КТ944А ' КТ945А КТ945Б КТ945В КТ945Г КТ946А КТ947А 1 КТ948А КТ948Б Струк- тура n-p -n 1 1 1 n-p -n n-p -n п-р-п n-p -n n-p -n 1 n-p-n n-p -n n-p -n n-p -n 1. n-p-n i п-р-п n-p -n n-p -n n-p -n 1 1 1 1 1 Ркmак' Р~.тmа"' р~~ и max' мВт 25* Вт 25* Вт 25* Вт 25* Вт 25* Вт 25* Вт 55* Вт (90°С) 50* Вт (50°С) 50* Вт (50°С) 50* Вт (50°С) 50* Вт (50°С) 37,5* Вт 200* Вт (50°С) 40* Вт 20* Вт 11 1 ~•• (210• \;lэ' ~~·;х, МГц ;е:1950 ;е:30 ;е:30 ;е:3о ;е:30 ;е:30 ;e:J05 ;е:50 ;е:50 ;е:50 ;е:50 ;е:720 ;е:75 ;е:1950 ;е:1950 1 1 UКБО ma"' u~RmaAI u~ma>.• в 45 45 60 100 100 100 100* (0,01 к) 150* (10 Ом) 150* (10 Ом) 150* (10 Ом) 150* (10 Ом) 50 100* (О,Оlк) 45 45 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 1 11 1 1 1 UЭБОmах' в 3,5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 3,5 5 2 2 1 1 i 1 1 IKm3x lкБо• 1~.и ma"' ·~.. ·~· мА мкА 1,5 (3*) А :S20 мА (45 В) 11 !1 1 2(6*)А :SO.I мА(45В) 2(6*)А :SO,I мА (60 В) 2(6*)А :SO,I мА (100 В) 2(6*)А :SI мА (100 В) 2(6*)А :SI мА (100 В) 1 1 1 1 12.5 (20*) А 1 :S80* мА (100 В) 15 (25*) А 1 :S25* мА (150 В) 15(25*)А 1 :S25* мА (150 В) 10 (25*) А 1 :S25* мА (150 BI 15 (25*) А ! :S25* мА (150 В) 2,5 (5*) А :S50 мА (50 В) 20 (50*) А :SIOO* мА (100 В) 2,5 (5*) А :S35 мА (45 В) 1.25 (2.5*) А :Sl5 мА (45 В) ~ i 1 " !.
Биполярные кремниевые транзисторы 245 ' 1 i ck, fкэна..:' Ом Кш, дБ 'tкt ПС h2,,• ь;,э с;2э• r~Э11"с• Ом r~, Ом t;,.,. нс Корпус пФ к;~". дБ Р;:,, Вт t::1t.1• нс - s25 (28 В) ~2.5** ~8** (2 ГГц) $3 КТ942 1 :ltl ...- с:> 'Q .. .. 1 1 6 1 2 6,6 ' 1 ,"19.J ~ !i 1 ~ 40 ... 200* (2 В; 0,15 А) - $0,6 - - КТ94З 40... 160* (2 В; 0,15 А) - $0,6 - - 40 ... 120* (2 В; 0,15 А) - :<>0,6 - - Qц; 20...60* (2 В; 0.15 А) - :<>1,2 - 1 - =~ 30 ... 100* (2 В; 0,15 А) - $1,2 - - ! 10...80* (5 В; 10 А) s350 (28 В) s0,25; ~10•• ~100** (30 МГц) 1 - 1 КТ944 ~ 1 !1 1 1 =~~ .,; . .... 10...60* (7 В; 15 А) s200 (30 В) s0.17 - $1,1 *мкс КТ945 10...60 (7 В; 15 А) s200 (30 В) :<>0,17 - sl.I *мкс 10...60 (7 В; 10 А) s200 (30 В) s0,25 - Sl.I *мкс n.t ~ 12...60 (7 В; 15 А) s200 (30 В) $0,17 - sl,I* мкс ~Noi ~. - $50(108) ~4** ~27** ( 1 МГц) - КТ946 itlJ ~ r;S' 4: 6,1 к 10...80* (5 В; 20 А) s850 (27 В) ~10** ~250** (1,5 МГц) !- КТ947 1 1 1 ~rt ~ -- ~. - s30 (28 В) ~6.5** ~15** (2 ГГц) - КТ948 - $17(288) ~6.5** ~8** (2 ГГц) 1 - ~it1 1 1 1 1
246 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKmaxt ~•• ~;216• UKБOmaAt 1 lк m.i" IКБО• Тип Струк- P~.тmaAt ~;li• u~Rmaxt UЭБОmаА' 1~,н m.ixt ·~.. прибора р~нmах' с· u;ЭOmax' в I~эо• тура '" мА мВт МГц в мкА КТ955А п-р-п 20* Вт (100°С) ~100 70* (0,01 к) 4 6А :SlO мА (60 В) 1 1 1 1 1 " КТ956А п-р-п 70** Вт (1ОО0С) ~100 100* (О,Оlк) 4 lSА s:80* мА (100 В) КТ957А п-р-п 100** Вт (I00°C) ~100 60* (О,Оlк) 4 20А :SlOO* мА (60 В) 1 КТ958А п-р-п 85** Вт (40°С) ~300 36* (0,Оlк) 4 10А :S25* мА (36 В) КТ960А п-р-п 70** Вт (40°С) ~600 36* (0,01 к) 4 7А s:20* мА (36 В) 1 КТ961А п-р-п 1 (12,5*) Вт ~50 100* (lк) 5 1,5 (2*) А s;lO (60 В) КТ961Б п-р-п 1 (12,5*) Вт ~50 80* (lк) 5 1,5(2*)А s;lQ (60 В) КТ961В п-р-п 1 (12,5*) Вт ~50 60* (lк) 5 1,5 (2*) А :SlO (60 В) КТ961Г п-р-п 1 (12,5*) Вт ~50 40* (lк) 5 2(3*)А s;lO (60 В) КТ961А1 п-р-п 500 ~50 100 5 1000 :SlO (60 В) КТ961Б1 п-р-п 500 ~50 80 5 1000 s;lO (60 В) КТ961В1 п-р-п 500 ~50 60 5 1000 :SlO (60 BI 1 1 1 1 КТ962А п-р-п 17** Вт (40°С) ~750 50 4 1,5 А :S20 мА (50 В) КТ962Б п-р-п . 27** Вт (40°С) ~750 50 4 2,5 А :S20 мА (50 В) КТ962В п-р-п 66** Вт (40°С) ~600 50 4 4А :S30 мА (50 В) КТ96ЗА-2 п-р-п 1.1* Вт - 18 1,5 210 s;l мА(18В) КТ96ЗБ-2 п-р-п 1,1* Вт - 18 1,5 1 185 1 s;lмА(18В) 1 1 : 1 1 1 1 КТ96ЗА-5 п-р-п 1,1 *Вт - 18 1,5 210 :Sl мА (18 В) КТ96ЗБ-5 п-р-п 1,1 *Вт - 18 1,5 185 :SI мА (18 В)
Биполярные кремниевые транзисторы 247 i 1 1 1 с" rкэ ...• Ом Кш, дБ 'tк' ПС ь21" ь;,э 1 с;2,, 1 r~...,. Ом r~, Ом ·~·нс Корпус 1 1 пФ к;.·". дБ Р;:х' Вт t;ы~' НС 10...80* (5 В: 1 А) 1 :<;,75 (28 В) ~о·· :<:20** (30 МГц) - 1 КТ955 ~~i~- 1 '/( 5,9 ! ! 1 ! i ! ' i0...80* (5 В: 1А) 1 :<;,400 (28 В) 1 :<:20** 1 :<:100** (30 МГц) ! - ! КТ956, КТ957 1 i 1 ~tjt~ 10...80* (5 В; 5 А) :<;,600 (28 В) :<:17** :<:125** (30 МГц) - ' 1 1 'f l.S J5,8 1 1 i 1 1 :<:10* (8 В; 0,5 А) :<;,180 (12 В) 1 0,16; :<:4** :<:40** (175 МГц) 1 12 КТ958,КТ960 1 8ii - :<;,120 (12 В) ! 0,16: :<:2.5** :<:40** (400 МГц) 12.5 1 1 ; 40 ... 100* (2 В; 0,15 А) - $1 - - КТ961 63 ... 160* (2 В: 0.15 А) - $1 - - 100... 250* (2 В: 0.15 А) - $1 - - ~rm 20 ...500* (2 В; 0,15 А) - $1 - - =~ . 40...100 (2 В: 0.15 А) 1 $45 $1 1 КТ961-1 1 - - 1 ! 63...160 12 В: 0.15 А) :<;,45 $1 1 - - 1 §~ 1 100... 250 (2 В: 0,15 А) :<;,45 $1 - - 1 i 1 1 .... ~ ~' - :<;,20 (28 В) :<:4** :<:10** (1 ГГц) 1 :<;,15 КТ962 - :<;,35 (28 В) :<:3,5** :<:20** ( 1 ГГц) $14 1tfH~ - :<;,50 (28 В) :<:3** :<:40** (1 ГГц) $11 <а ,..,, з.к 1 о; "" '& с..2·: ! 1 1 ! ' ' 1 - 1 1.5(5В) :<:3** ( 10 ГГц) :2:0,8** (10 ГГц) 1 - i КТ963-2 1 - 1,5 (5 В) :<:3** ( 10 ГГц) :2:0.5** (1 О ГГц) - 1 зtll 1 1 сок з 1 : ~11 - 1,5 (5 В) :<:3** (10 ГГц) :2:0,8** (1 О ГГц) - КТ963-5 - 1.5 (5 В) :<:3** (10 ГГц) :<:0,8** (10 ГГц) - 0,45 0,08 1 j ~шт 1 1
248 Раздел 2. Биполярные транзисторы :: pKma.1,t ~v' ~:21б' UКБО max' 1 1 lкБО• il Струк-1 1 lк max Тип р· ~:;IJ' U~Rmaлt UЭБО ffiil).' I" I~ЭR• К, т max' !1 прибора тура 1 р·· 1 ~~·:х' U~ЭOmaxt в К, tt mак' 1;эо, К. и m11xt !мА ,, мВт МГц 1 в 1 мкА 1' 1 КТ965А n-p-n 32* Вт ;>:100 36* (0,01 к) ! 4 4А s!O* мА (36 BJ ! 1 1 1 llкT966A 1 ! n-p-n 1 64* Вт ;>:100 36* (О.О! к) 4 1 8А 1 s23*мА(36В) 1! ! 1 : ~ 1 i 1 1 1 1 ! 1 ! 1 1 : КТ967А n-p-n 100** Вт ;>:180 36* (0,01 к) 4 15А s20* мА (36 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 11 1 1 1 j 1 1 ,, ! ! 1 11 1 1 ~ 1 1 1 1 1 ! 1 i 1 1 :! 1 !!КТ969А 1 n-p-n 1 (6*) Вт ;>:60 300 1 5 1 100 (200*) 1 s0,05 (200 В) KT969Al n-p-n ;>:6,1 * Вт ;>:60 300 5 100 s0,05 (200 В) 1 1 i 1 1 i 1 1 11 1 11 i 1 КТ969А-5 n-p -n 6* Вт ;>:60 300 5 100 (200*) s50 мА (200 В) : 1 1 1 КТ970А 1 n-p -n 1 170** Вт ;>:600 50* (0,01 к) 4 13А 1 100* мА (50 В) КТ971А n-p -n 200** Вт ;>:220 50* (0,01 к) 4 17А 1 s60* мА (50 BJ 1 1 i КТ972А n-p-n 8* Вт ;>:200 60* (1 к) 5 4*А sl *мА (60 В) КТ972Б n-p -n 8* Вт ;>:200 45* (!к) 5 4*А sl *мА (45 В) ! КТ972В n-p-n 8* Вт ;>:200 60* (!к) 5 2А si• мА(60BJ КТ972Г n-p -n 1 8* Вт ;>:200 60* ( 1к) 5 2А sl •мА (60 В) ~ ~ [ i 1 il 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы 249 с" rкэнас' Ом Кш, дБ Т11,ПС h,,,, ь;,э с;2~' r~э нас' Ом г;, Ом t:a1:' НС Корпус пФ к;.·•.. дБ Р;:к' Вт t::кл 7 НС 10."60* (5 В; 1 А) $100 (12,6 В) <:13** <:20* * (30 МГц) - КТ965 $i - $250 (12,6 В) <:16** <:40* * (30 МГц) - КТ966 1 $J 10". 100* (5 В; 5 А) $500 (12,6 В) <:18** <:90** (30 МГц) - КТ967 ..... 6 к :t1 ' ~ii 50."250* (1О В; 15 мА) $1,8 (30 В) $60 - - КТ969 :::. ·8 ~11:~ 50". 250 (10 В; 15 мА) $1,8 (30 В) $60 - - КТ969-1 §~ ~ ~ - <:50* (1О В; 15 мА) - $70 - - КТ969-5 0,57 0,35 ~шт - 180 (28 В) <:4** <:100** (400 МГц) $25 КТ970, КТ971 - $330 (28 В) <:3** $150** (175 МГц) $40 ~-- lr) 6 D rs,. З ' 4 21 <:750* (3 В; 1 А) - $3 - $200* КТ972 <:750* (3 В; 1 А) - $3 - $200* 750" .5000 (3 В: 1 А) - $3 - $200* ~11 750".5000 (3 В; 1 А) - $1,9 - $200* :·~
250 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах• ~р• ~216• UКБО m.ax' lк max Iкю, Тип Струк- Р~.тmах' \;1эt U~Rmaxt UЭБOmaxt 1;.н m.axt •:о•. р~~ и m.axt ~:·;xt u~maxt в ••• прибора тура кэо• мВт мrц в мА мкА КТ973А р-п-р 8* Вт ~200 60* (!к) 5 1 4*А i :Sl*мА(бОВ) КТ973Б р-п-р 8* Вт ~200 45* (lк) 5 4*А :Sl*мA(45B) КТ9738 1 р-п-р 8* Вт ~200 60* (lк) 5 2А 1 s;(•мА(60В) IKT973f р-п-р 1 8* Вт ~200 60* (lк) 5 2А s;1• мА (60 В) 1 1 КТ976А п-р-п 75** Вт (40"С) ~750 50 4 6А s;бО мА (50 В) 1 1 1 1 i 1 КТ977А п-р-п 200** Вт (85"С) ~600 50 3 8*А :S25 мА (50 В) Jкт979А 1 п-р-п 1 75* Вт - 50 1 3,5 1 5А;10*А 1 :SIOO мА (50 В) ' 1 i 1 1 ; i 1 1 1 КТ980А п-р-п 300* Вт ~150 100* (О,Оlк) 4 15А :SIOO мА (100 В) КТ980Б п-р-п 300* Вт ~150 100* (О,Оlк) 4 15А :SIOO мА (100 BJ 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 КТ981А п-р-п 70* Вт - 36* (0,01 к) 4 10А :S50* мА (36 В) 1 1 IKT983A 1 п-р-п 8,7* Вт ~1200 40* (О,Оlк) 4 0,5 А 1 :S5* мА (40 В) КТ983Б п-р-п 1 13* Вт ~900 1 40* (0,Оlк) 4 IA s;8* мА (40 В) КТ9838 п-р-п 22,5* Вт ~750 40* (0,01 к) 4 2А :Sl8* мА (40 В)
Биполярные кремниевые транзисторы h21.• ь;,э >750* (3 В; 1А) ;750*(3В;lА)) 750...5000 (3 В; 11) 750...5000 (3 В; 1 >15*(10В;5А) -;10(10 В; 5А) 1 1 1 ck, с;2.• пФ $70 (28 В) <450 (50 В) ~450 (50 В) rкэнас:' Ом · Ом rБЭ 11a~·t к:.·•.. дБ $3 $3 $3 $2 ~2** ~6** >25** (30 МГц) -~5** (80 МГц) Кш, дБ . Ом "' р•• Вт ВЫ). t ~60** (1 ГГц) ~50* * ( 1,5 ГГц) ~5О** (1.3 ГГц) >250** (30 МГц) -~250* (80 МГц) Тк, ПС t~,. нс t::к.,t нс $200* $200* $200* $200* $25 1 $400 (12.6 В) !О... !Ю"(5 в, 5А) ~ i 1 ~ ~5** >20* (5 В; 0.5 А) ;10•(5В;0,5А) ;10•(5В;0,5А) $8 (28 В) <12 (28 В) ~24 (28 В) ~4** ~3.6** ~3.2** >0,5** (860 МГц) ->l ** (860 МГц) ~з. 5 ** (860 МГц) КТ983 251
252 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Струк- PKmaxt ~Р' ~:216' i UKБOm"xt 1 lкоо• lк max ! Тип P~.тm"xt ~;lэ' U~Rmax' UЭБО maxt J~.и milк' 1~, р~~ и max' с· u;ЭOmaxt в 1;;.,. прибора тура ." мВт Мfц в мА мкА КТ984А п-р-п 1.4* Вт ~720 65 4 7*А :530 мА (65 В) КТ984Б 1 п-р-п 4,7* Вт ~720 65 4 16* А :580 мА (65 В) - 1 1 1 КТ985АС 1 п-р-п 105* Вт 1 ~660 50* (О,Оlк) 1 4 17А ! :5120• мА 150 В) :: i i 1 ,, : 1 ' КТ986А п-р-п 910** Вт - 50 3 26* А :560 мА (50 В) 910** Вт - 50 3 26* А :550 мА (50 В) КТ986Б п-р-п 1 1 КТ986В 910** Вт 50 3 1 26* А :550 мА (50 В) 11 п-р-п - KT986f 1 п-р-п 1 910** Вт - 50 3 26* А ! :540мА150В) ! 11 1 1 ! 1\ 1 1 ~ КТ991АС п-р-п 67* Вт ~600 50 4 3,7 А :550 мА (50 В) 1 1 1 ! КТ996А-2 1 п-р-п 2,5* Вт ~4 ГГц 20 2.5 200(0,3*А) 1 :51*мА(20В) KT996S-2 1 п-р-п 1 2,5* Вт ~4 ГГц 20 2.5 200(О.3*А) 1 :51*мА(20В) КТ996В-2 п-р-п 1 2,5* Вт ~4 ГГц 20 2.5 200 (0,3* А) :51*мА(20В) КТ996А-5 п-р-п 2,5* Вт ~4 ГГц 20 2,5 200 (0,3* А) :55 мА (20 В) КТ996Б-5 п-р-п 2,5* Вт ~4 ГГц 20 2,5 200 (0.3* А) :55 мА (20 В) КТ996В-5 1 п-р-п 1 2.5* Вт 1 ~4 ГГц 1 20 2.5 200 (0.3* А) 1 :55 мА (20 В) 1 ! ! 1 i 1 ' i 1 ' 11 i 1 !i 1 i 1 1 11 : 1 u 1 ~ 1 1 1 11 1 i ! КТ997А п-р-п 1 50* Вт ~51 45 5 10 (20*) А :510 мА (45 В) КТ997Б п-р-п 50* Вт ~51 45 5 10 (20*) А :510 мА (45 В) КТ997В п-р-п 1 50* Вт ~51 60 5 10 (20*) А :510 мА (60 В) 1 1 1 1 1 ! 1 1 ! 1 i ' : ! 1 1 ! 1 i 1 i ! J 1 : j ' 1 1 i ' i i 1 '
253 <270 (28 8) >3,5** КТ985 <:rt....~·~ :::: . с-. з D 8,5 23,2 r-- 3.8 >6** >350** КТ986 4 - (1,4 . .. 1,6 ГГц) > 3ОО** (1,6 ГГц) - ?.6** ; 350** (1,6 ГГц) ?.7** - 5 -~~hd---;;;~~I~7TT.1~11--=~K~T99~1- I 1 1 <6.8 ; - !<75(28В) >б•• >55" (О 7ГГо) 1 ~:~.*~i~~ ' ~· i ILJ~h:t~~ ;350** (0,8 ГГц) - ?.7** - 5 1 КТ996-2 > 35 *(108;0,IA) :~·;~:~~~ I ?.0,11**(650МГц) :w'l,I rmgК ; 7 0•(10в,0.1А) <2:3 (10 В) - ::? " з: 6 З '3s• (\О в, 0,1 А) - 1 >35* (10 8; 0,1 А) ;70* (10 8; 0,1 А) ;35* (10 8; 0,1 А) >4О*(18;4А) ;20*(18;4А) ;20*(18;4А) 1 1 <2,3 (10 8) <23(108) ~2:3 (10 8) <270 (10 8) s;270 (10 8) 1 <0,125 s;0, 125 s;0,125 ?.0 ,11** (650 МГц) <500* <500* 1 1 КТ996-5 КТ997 ~rm-t r.11 -
254 Раздел 2. Биполярные транзисторы РКmак' ~IJ' ~:210• UKБOm.t).' •кw• 1 lк max Тип Струк- P~.тmaxt ~;lэ' U~RПJil),' UЭБOПJ.t).f 1~. и lnil). ' ·~ЭR• прибора тура р~: к m.axt ~:·;х, U~ЭOnш,t в ... мА КЭО• мВт Мfц в мкА КТ999А n-p-n 1,6 Вт; 5* Вт ~60 250 5 50 (100*) :s;O,l (250 В) КТД8264А Состав- 1.5Вт; 125*Вт - 350* (О, lк) 5 20А :s;O,l (300 В) ной n-p-n 1 1 i '1 1 11 11 i КТД8264А5 Состав- 1.5Вт; 125*Вт - 350* (0.lк) 5 20А 1 :s;O,l (300 В) !1 1 ной 1 n-p-n 1 1 1 i i 1 i1 1· 1! ! !j КТД8275А Состав- 125* Вт ~15 100 5 20А - 1 КТД8275Б ной 125* Вт ~15 80 5 20А - КТД82758 n-p-n 125* Вт ~15 60 5 20А - 1 КТД8276А Состав- 60* Вт ~15 100 5 8А - КТД8276Б ной 60* Вт ~15 80 5 8А - КТД82768 n-p-n 60* Вт ~15 60 5 8А - КТД8276f 60* Вт ~15 45 5 1 8А - 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 '
Биполярные кремниевые транзисторы ~50 (lО В; 25 мА) 300(10В;5А) 300(1ОВ:5А) 750 ... 18000 750 ... 18000 750 ... 18000 ~750 ~750 ~750 ~750 $2 (30 В) i 1 ; f"кэнас' Ом f"~Энас' Ом к;·,, дБ $66 $0,18 $0,18 $0,2 $0,2 $0.2 $0,66 $0,66 $0,66 $0,66 Кш• дБ r~, Ом Р;:х' Вт 1 1 1 т", пс t:a~ t НС t::кл, НС 255 Корпус КТ999 110,4 Тil(,610,16 ~ ~ о; ~ ~ D ЗКб .. .. к КТД8264 ::~Ю175,9 т5 С'-! ~ • ln '$! а 6к3 КТД8264-5 5,16 0.38 ~шт КТД8275 27.1 КР ~No~ ~- ~ .. - к КТД8276 ~mtt р,п
256 Раздел 2. Биполярные транзисторы 2.8. Биполярные кремниевые сборки pKm<1x' fгр, 1;216' UKБOmax' lк max IКБО• Тип Ст рук- P;,lmax.t (;IЭ' U~ЭR max' UЭБО maxt 1~.и max' I~R• прибора тура р~~и max t ~:;х' U~ЭOmax' в г· мА кэо• мВт Мfц в мкА КТСЗОЗА-2 1 p-n -p , 1 500 (5о·с) г300 45* (IОк) - 100 (500*) S:0,5 (45 В) il n-p -n 1 ~ ji 1 1 1 ,: 1 1 ,, 1 ji 1 1! 1 1 1 1 i 1 КТС3103А p-n -p 300 (55·с) г600 15* (15к) 5 20 (50*) S:200 (15 В) КТС3103Б p-n -p 300 (55°С) г600 15* (15к) 5 20 (50*) S:200 (15 В) . КТС3103А1 1 p-n -p 1 300 г600 15* (15к) 5 20 (50*) s:О,2мА(15В) J КТС3103Б1 1 p-n-p 300 г600 15* (15к) 5 20 (50*) s:0,2 мА (15 В) 1 1 1 1 1 1 КТС3161АС 1 n-p-n , 300 г4оо 12 4 200 S:IO(l2B) 1 2 p-n-p 1 ' 1 1 1 1 ! 1 1 11 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 КТС3174АС-2 n-p -n 150 600 10 1 7,5 S:I (IOB) 11 1. 1 1' 11 1 1 1, ! 1' КТС381Б n-p -n 15 - 25 6,5 15 s:30 (5 В) ,i КТС381В 1 n-p -n 15 - 25 6,5 15 1 s:30 (5 В) 1' .1 KTC381f n-p -n 15 - 25 6,5 15 s:ЗО (5 В) li КТС381Д 1 n-p -n 15 - 25 6,5 15 s:ЗО (5 В) КТС381Е n-p -n 15 - 25 6,5 15 s:ЗО (5 В) 1 1
Биполярные кремниевые сборки 1 40... 180 (5 В; 1 мА) :58 (5 В) rкэ нас• r~нас• Ом :520 40...200 (1 В; 1 мА) :52,5 (5 В) :560 40...200 (1 В; 1 мА) :52,5 (5 В) :560 1 40...200 (1 В; 1 мА) :52,5 (5 В) :560 40...200 (1 В; 1мА) 1 :52,5 (5 В) :560 ~20(1В;0,1А) ~80(5В;3мА) ~40 (5 В; 10 мкА) ~30 (5 В; 10 мкА) ~20 (5 В; 10 мкА) ~20 (5 В; 10 мкА) ~20 (5 В; 10 мкА) 1 1 1 1 1 0,65 (6 В) :51,5 (5 В) :51,5 (5 В) :51,5 (5 В) :51,5 (5 В) :51,5 (5 В) :58 :55 :55 :55 :55 17зак9 Кш, дБ h21э1/h;1э2• u:;,,мв ~0.7* :55 (60 МГц); ~0.9* :55 (60 МГц); ~0.8* :53** :55** ~0.9* ~0.8* :53 (100 МГц) ~0.9*; :54** ~О.85*; :54** ~О.85*; :53** ~0.9* tк, ПС t:Мс• НС t::кл• НС :580 :580 :580 :580 257 Корпус КТСЗ103 Ei(l9,11 51 31 ...... оо <:t' Kf ~ "Ф~52КТСЗ103·11 8 1tl85 ~* КТСЗ161 КТСЗ81 $\ 1
258 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Струк-1 Ркmах' fгpt (216' UКБО max' 1 lк max ! •коо• 1 Тип P~.lmax' (;IЭ' U~Rmaxt UЭБОmах' 1~,и maxt ·~R' прибора р~~и max• ~:·:х' u~max• в 1 ." iтура1 1 ! 1 1 мА КЭО• мВт Мfц в ! мкА iKTC393A 1 р-п-р 1 20 (45°С) ~500 1 10* (lОк) 4 10 (20*) i $0.1 (10 BJ 1i 1 КТС393Б 1 р-п-р 1 20 (45°С) ~500 15* (lОк) 4 10 (20*) 1 $0.2 (15 В) 1 1 1 1 1 1 1 КТС393А-1 р-п-р 20 ~500 10 4 10 (20*) 1 $0,1 (10 В) 1 !КТС393Б-1 i р-п-р 1 20 1 ~500 15 4 10 (20*) 1 $0,2 (15 В) 1 ' 1 1 1 i 1 ! 1 1 1 1 i 1 i i 1 ! i 1 ! ! i 1 1 ! ! 1 1 КТС393А-9 р-п-р 20 ~500 10 4 10 (20*) $0,1 (10 В) КТС393Б-9 р-п-р 20 ~500 15 4 10 (20*) $0,2 (15 В) i 1 i 1 i 1 1 1 1 1 ' 1 j 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 i КТС394А-2 р-п-р 300* ~300 45* (10к) 4 100 $0,5 (45 В) КТС394Б-2 р-п-р 300* ~300 45* (10к) 4 100 $0,5 (!О В) 1 1 1 ; 1 ! ~ КТС395А-1 i п-р-п 30 ~300 45* (!Ок) 4 1 20 1 $0,5 (45 BJ КТС395Б-1 ! п-р-п 30 ~300 45* ( lОк) 4 20 1 $0,5 (10 В) !1 1 1 u 1 1 ! 1 КТС395А-2 п-р-п 150 (500**) ~300 45* (IОк) 4 100 $0,5 (45 В) КТС395Б-2 п-р-п 150 (500**) ~300 45* (IОк) 4 100 45* (10к) КТС395В-2 1 п-р-п 150 (500**) ~300 45* (!Ок) 4 100 45* (lОк) i i 11 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 i 1 1 КТС398А-1 1 п-р-п 30 (85°С) ~1000 10* (!Ок) 4 10 (20*) $0,5 (10 В) КТС398Б-1 п-р-п 30 (85°С) ~1000 10* (!Ок) 4 10 (20*) $0,5 (10 В) 1 1
Биполярные кремниевые сборки 259 ~ i 1 ' li Кш, дБ i i! с,. ri\Энас' 1 t'Kt ПС ' :1 h21" h;IЭ с;2э' r~нас:' h21э1/h;1э2• t~att НС 1 Корпус 'i ! 1 пФ Ом u:;;,мв t:•ыкл• НС 1 1 40 ... 180 (1В;1 мА) 1 :52 (5 В) :560 :56 (60 МГц); ~0.9* :580 КТС393 30".140 (1 В; 1 мА) :52 (5 В) :560 :56 (60 МГц); ~0.8* :580 6,к,з, \1' 1 ~ ' i j~~~ !_ 1 1 i 1 11 ~ 1 1 ! 40".180(1В;1 мА) 1 :52 (5 В) :560 1 :56 (60 МГц) 1 :580 1 КТС393-1 11 1 30".140 (1 В; 1 мА) 1 :52 (5 В) :560 :56 (60 МГц) :580 1 1 1 1 6,к,з, I, i 1 1 1 \1' 1 11 1 J~~~ !_ 1 40".180 (1 В; 1 мА) :52 (5 В) :560 :56 (60 МГц) :580 1 КТС393-9 ~ 30".140 (1 В; 1 мА) 1 :52 (5 В) :560 :56 (60 МГц) :580 иisJ4 ~ ' 1 1 1 1 1 1 1 1 i 11 i 1 1 .1 1 Б2Ш1К2 1 1 1 :J2 · Э! 1 "' Б2 1 В 1К\ ~,,,,, 40".120 (5 В; 1 мА) :58 (10 В) :530 :510** - КТС394-2 100" .300 (5 В; 1 мА) :58 (10 В) :530 - - 1 ~~1 1j; ' 1 1 i 1 1 11\ d 1 6к3 1 1 i 40".120 (5 В; 1 мА) 1 :58 (!О В) :530 :510** 1 1 КТС395-1 - 1 ~350(5В;1мА) :58 (!О В) :530 1 - 1 - ' 1 1 1 1 ~~ ~- \ кз 1 ! 40".120 (5 В; 1 мА) 1 :58(10В) :530 :51 О** 1 - 1 КТС395-2 1 100" .300 (5 В; 1 мА) :58(10В) 1 :530 - - ' ~350(5В;1мА) :58(1ОВ) 1 :5230 - - 1 ~~, - 1 1 ! 1 1 /1\1j; 1 1 1 1 1 1 ' 1 1 6к3 40".250 (1В; 1мА) :51,5 (5 В) - 0,8". 1,25*; :51,5** :550 КТС398-1 40".250 (1В; 1мА) :51,5 (5 В) - 0,9 ".1 ,1 *; :53** :550 1 1 dj-· 1 1 ... 1 1 ...... -..к 1 i 1 'з 1 з i 17·
260 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' fгр, ~216' UKБOmax' IKm.tx 1 •коо• Тип Струк- P~.tmaxt (;1э• U~ЭR max' UЭБOmaxt ·~.И ln.llX t J~R• прибора тура p~:иma).t (;;х• u-;;o max• в 1 1;эо• мВт МГц в мА 1 мкА КТСЗ98А94 n-p-n 30 ~1 ГГц 10* ( lОк) 4 10 (20*) :50,5 (10 В) КТСЗ98Б94 1 n-p-n 30 ~1 ГГц 10* (IОк) 4 1о (20*) :50,5 (1 О В) 1 1 1 1 КТС61ЗА n-p-n 800 (50'С) ~200 60 4 400 (800*) :58 (60 В) КТС61ЗБ n-p-n 800 (50'С) ~200 60 4 400 (800*) :58 (60 В) КТС61ЗВ 1 n-p-n 1 800 (50'С) ~200 40 4 1 400 (800*) 1 :58 (40 В) КТС61ЗГ 1 n-p -n 800 (50'С) ~200 40 4 400 (800*) :58 (40 В) 1 1 1 КТС622А p-n-p 0,4 ( 10**) Вт ~200 45* (1 к) 4 400 (600*) :510 (45 В) КТС622Б p-n-p 0,4 (10**) Вт ~200 35* (1 к) 4 400 (600*) :520 (35 В) 1 1 ! 1 ' 1 1 1 ~КТС631А n-p-n 4 Вт (55'С) ~350 30 4 1 (1,3*)А :5200 (30 В) 11КТС631Б 1 n-p-n 4 Вт (55'С) ~350 30 4 1 (1,3*) А :550 (30 В) !КТС631В 1 n-p-n 1 4 Вт (55'С) ~350 60 4 1 (1,3*)А :550 (60 В) КТС631Г n-p-n 1 4 Вт (55'С) ~350 60 4 1 (1,3*) А 1 :5200 (60 В) ! 1 , 1 КТ674АС p-n -p 900 ~250 40 5 0,2 А (0,5* А) :50,05 (30 В) 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 ! i 1 1 i 1 1 ~ 1 ! 1 1 1 1 ' 1 ! 1 i 1 1 i 1 КТ677АС n-p-n 2500 100 60 - IA :50,05 ~ 1 1 1 1 i 1 1 1 1 ' 1 ~1 1 ! i 1 ! ' 1
Биполярные кремниевые сборки ck, rкэ нас' Кш, дБ tKt ПС hll.t' ь;,э c~2j, r~нас' ь 2 ,,,/ь;,,,, t~dc' НС пФ Ом u:_:, мВ t::к..,, нс 40...250 (1 В; 1 мА) 51,5 (5 В) 0,8 ... 1,25* 550 40...250 (1 В; 1 мА) 5l,5(5B) 0,9 ... 1,1 * 550 25...100* (5 В: 0.2 AJ 515 (10 В) 52,5 5100* 40... 200* (5 В; 0.2 А) 515(10В) 52,5 5100* 20... 120* (5 В; 0.2 А) 515(10В) 52,5 5100* 50...300* (5 В: 0,2 А) 515 (10 В) 52,5 5100* 25...150* (5 В; 0,2 А) 515 (10 В) 53,25 5120* ;::10* (5 В: 0,2 А) 515(10В) 53,25 5200* 20...115* (1В: 0.3 AJ 515(10В) 52.8 540: 530* 20... 125* (1 В: 0,3 AJ 515(10В) 512 540; 530* 20... 125* (1 В: 0,3 А) 515 (10 В) 512 540; 560* 20...115* (1 В: 0,3 А) 515(10В) 52,8 540; 560* 75(1В;10мА) 54,4 (15 В) 530 ;::25 0,8 261 Корпус КТС398-94 0.7 1 ·rt • ' ,~ - - J . 11 ' !! '1 1 КТС613 15,iI 1,6, 7,12-З 5,2 ,8.ff -K J/1,9,10-6 КТС622 'lп2 73 а J12 ав " 11 2510 69 7 КТС631 КТС674АС ~к5з з/jк ~ "" !i!,..,....r..+r..+.-.+.-rl-..,.j.,.~l-I .$! КТ677АС ~к5з з/jк ~ "" !i!~.r..+r..+.-.+.-r!-..,.j.,.~l-I .$! ., 11 ~ 1 1
262 1 Струк- pKmax' Тип P~.tmaxf прибора ! тура р~:иmах' ' мВт МГц IKT678AC n-p -n 500; 1**Вт <:250 КТ693АС n-p -n 600 1 1 1 il 1 1 1 К1НТ251 n-p -n 400 (50°С) <:200 i К1НТ661А 1 n-p-n 100 (50"С) - 1 1 1 1 К129НПА-1 n-p-n 15 (85"С) <:250 К129НПБ-1 n-p-n 15 (85°С) <:250 К129НПВ-1 n-p-n 15 (85"С) <:250 К129НПГ-1 n-p-n 15 (85"С) <:250 К129НПД-1 n-p-n -1 15 (85"С) <:250 К129НПЕ-1 n-p -n 1 15 (85"С) <:250 К129НТ1Ж-1 1 n-p-n 1 15 (85"С) <:250 К129НПИ-1 n-p-n 1 15 (85"С) <:250 UKБOmax' U~ЭRmaxt u~max' в 60 150 45* (1 к) 300 15 15 15 15 15 15 15 15 1 Раздел 2. Биполярные транзисторы lк max IКБО• UЭБОmаА' 1~,и maA• l~R' в 1;30. мА мкА 5 200; 750* ~;;Q,05 (40 В) 5 150 (200*) :510* ( 120 В) 1 11 11 1 1' 1 ~ 1 i '1 1 1 1 4 400 (800*) :56 мА (45 В) i ! 1 1 - i 5(1О*) 1 :530 (250 В) i 1 1 1 1 1 1 4 10 (40*) 1 :50,2 ( 15 В) 4 10 (40*) :50,2 (15 В) 4 10 (40*) :50,2 (15 В) 4 10 (40*) :50,2 (15 В) 4 10 (40*) :50.2 (15 В) 4 10 (40*) 1 :50,2 (15 В) 4 10 (40*) 1 :50,2 (15 В) 4 10 (40*) ! :50,2 (15 В)
Биполярные кремниевые сборки ь21,, ь;,э 75...230 (1 В; 10 мА) <:40 (5 В; 0,1 А) <:10* (5 В; 0,2 А) <:5* (5 В; 10 мА) 20...80 (5 В; 1 мА) 60...80 (5 В; 1мА) <:80 (5 В; 50 мкА) 20...80 (5 В; 1мА) 60...80 (5 В: 1мА) <:80 (5 В: 50 мкА) 40...160 (5 В; 1 мА) 40...160 (5 В; 1 мА) с,, с;2,• пФ s4(5В) sl5 (10 В) s4(5В) s4(5В) s4(5В) s4(5В) s4(5В) s4(5В) s4(5В) s4(5В) fкэи_.' r~иас• Ом s20 slOOO Кш, дБ ь 21 ,.;ь;,э2, u:;,, мВ <:0,85*; sЗ** <:0,85*; sЗ** <:0,85*; sЗ** <:О,75*; sl5** <:0,75*; $15** <:0,75*; $15** <:0,85*; sЗ** <:0,75*; $\5** tK• ПС ~;ас' НС tвык.11• НС s5IO** Корпус КТ678АС ~/(5з з/jк ~~ ~~........ -. . -.... .... ~1 -1 ~ КТС693АС КIНТ251 К1НТ661 К129НТ1 з6к 1 ~ >!tlD з~ш_ 263
264 Раздел 2. Биполярные транзисторы 2.9. Биполярные германиевые транзисторы специального назначения Тип прибора П101 П101А П101Б 11Т102П102А 11 1Т115А П115Б П115В П115f П116А П116Б 1Т116В l Пllбf 1 П303 П303А П303Б П303В П303f П303Д 1 П305А П305Б П305В П308А lltт308Б ~П308В iпзosr ~~ П311А П311Б П311f П311Д П311К !П311Л " i 1 1 1 1 Струк-1 ! тура i i i 1 1 1 ! i 1 i 1 1 i 1 1 1 1 ! 1 i 1 p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p p-n-p р-п-р n-p -n n-p-n n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n ! 1 1 ! ! i11 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ' 1 1 ! Токр, ·с -6 0 ."+70 -60...+70 -60...+70 -60...+70 -60...+70 ! -60...+73 1 -60...+73 1 -60...+73 -60...+73 -60...+70 -60...+70 -60...+70 -60...+70 1 1 1 1 1 1 -60 ...+70 -60...+70 -60...+70 -60...+70 -60...+70 -60...+70 -60...+73 -60...+73 -60...+73 -60...+70 -60...+70 -60...+70 1 -60...+70 1 1 1 1 -60...+70 -60...+70 -60...+70 -60...+70 -60...+70 -60...+70 Ркmах' Р~.тmах' р~: и max' мВт 50 50 50 30 30 50 50 50 50 150 150 150 150 100 100 100 100 100 100 75 75 75 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Мfц 2* 2* 5* 1* 1* 1 1 1 1 1 1 1 1 36 36 36 72 72 72 160 140 160 100 120 120 120 0,45 ГГц 0,3 ГГц 0,3 ГГц 0,45 ГГц 0,6 ГГц 0,45 ГГц 1 1 UКБО nроб• U~ЭR nроб• Uкэо проб• в 15 15 15 5 5 50 50 70 70 15* 15* 15* 15* 10* 10* 10* 10* 10* 10* 12** 12** 12** 20 20 20 20 12 12 12 12 12 12 1 1 1 1 UЭБОmах• в 15 15 15 5 5 50 50 50 50 15 15 15 15 - - - - - - 1,5 1,5 1,5 3 3 3 3 2 2 2 2 2 2 1 1 i1 1 1 1 1 1 1 ; i 1 !к max lк, и max' мА 10 10 10 6 6 100 100 100 100 50 (300*) 50 (300*) 50 (300*) 50 (300*) 15 (120*) 15 (120*) 15 (120*) 15 (120*) 15 (120*) 15 (120*) 40 (100*) 40 (100*) 40 (100*) 50 (120*) 50 (120*) 50 (120*) 50 (120*) 50 50 50 50 50 50 1 1 1 1 1 ! 1 lкоо• l~ЭR' I~o• мкА 15 15 15 10 10 50 50 50 50 30 30 30 30 6 6 6 6 6 6 6 6 6 5 5 5 5 :s:lO :s:5 :s:5 :s:5 :S:5 :s:5 1 ·i !i 11
Биполярные германиевые транзисторы специального назначения 265 с•. Кш, дБ ."пс rкэ нас• t~c• НС h21>' ь;,э с;2э• rБЭ нас' r~, Ом t:.:кл' НС Корпус ! пФ Ом Р.:х, Вт 1 1 ~ t::. нс 1 1 30... 60 1 50 - - - 1 1Т101, 1Т102 1 i 20 .. .40 1 50 - - - ! 60... 120 50 - - - :Ii1Ф· 1 ~20(5В;1мА) 30 - s7 (1 кГц) - ~20(5В;1мА) 30 - Sl2(1 кГц) - 20 ... 60 50 - - - 1Т115 50... 150 50 - - - ~tt 20 ... 60 - - - - 50 ... 150 - - - - к зф1 1 ~ 15 ... 65 - 1 - - - 1Т116 15 ... 65 - - - - :Ii1e 20 ... 65 - - - - 15 ... 65 - - - - 15 ... 30 1 10 - - 1* мкс 1Т303 30... 80 10 - - 1* мкс §·($)· 60... 160 10 - - 1*мкс 15 ... 30 10 - - 1*мкс 30... 80 10 - - 1*мкс 60 ... 160 10 - - 1*мкс 25 ... 80* 6 - - - 1Т305 60... 180* 7 - - - 40 ... 120 7 - - - ~tt ·Ф ~ 25 ... 75 8 - - 1* мкс 1Т308 50 ... 120 8 - - 1*мкс No·($)· 80 ... 150 8 - 8 1*мкс 100... 300 8 - 6 - 15 ... 180 S2,5 - - 50* 1Т311 30... 180 s2,5 1 - 8 50* ;!f·ф 30... 180 s2,5 - - 50* 60... 180 S2,5 - - 50* 60 ... 180 S2,5 - - 50* 150 ... 300 S2,5 - - 50*
266 ! Тип прибора ПЗНОА-2 ПЗIЗА 1Т313Б 1Т313В 1Т320А 1Т320Б 1Т3208 1Т321А 1Т321Б 1Т321В 1Т321f 1Т321Д 1Т321Е ~1Т329А i1ТЗ29Б 1Т3298 ,, ПЗЗОА ПЗЗОБ пззов пззоr 1Т335А 1Т335Б 1Т335В пззsr ~1Т335Д 1Т341А 1Т341Б 1Т341В i i 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 ' i i i 1 1 ! 1 !i i 1 ! 1 i1 Струк- Такр, тура ·с n-p -n -60...+70 p-n-p -60...+70 p-n-p -60...+70 p-n-p -60...+70 p-n-p -60...+70 p-n-p -60...+70 p-n -p -60...+70 1 1 ' 1 1 p-n-p 1 -60... +70 p-n-p - 60".+70 p-n-p -60... +70 1 p-n-p -60... +70 p-n-p - 60".+70 p-n-p 1 -60".+70 1 1 1 1 ! ! 1 n-p-n 1 -60". +70 n-p-n 1 -60".+70 1 n-p-n 1 -60". +70 1 n-p-n - 60".+70 n-p-n - 60". +70 n-p-n - 60". +70 n-p-n - 60".+70 p-n -p - 60".+70 p-n -p 1 - 60. "+70 p-n -p - 60". +70 p-n -p 1 -60."+70 1 p-n -p 1 - 60".+70 1 1 1 n-p -n - 60".+70 n-p-n - 60".+70 n-p -n - 60".+70 1 1 1 1 1 1 1 1 1 pKmax' р• К.тmах' р~~ и max' мВт 175 100 100 100 200 200 200 160 (20** Вт) 160 (20** Вт) 160 (20** Вт) 160 (20** Вт) 160 (20** Вт) 160 (20** Вт) 50 50 50 50 50 50 50 200 200 200 200 200 35 35 35 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ~•• ~216• ~;1;' ~:=~·Мfц ~2.5 ГГц ~300 ~450 ~350 ~160 ~160 ~200 ~60 ~60 ~60 ~60 ~60 ~60 ~1.2 ГГц ~1.7 ГГц ~1 ГГц ~1 ГГц ~1.5 ГГц ~1 ГГц ~О.7 ГГц ~300 ~300 ~300 ~300 ~300 ~1.5 ГГц ~2 ГГц ~1.5 ГГц r UКБО проб' U~ЭR проб' u~проб• в 10 12 12 12 20 20 20 60 60 60 45 45 45 10 10 10 13 13 13 13 20 20 20 20 20 10 10 10 Раздел 2. Биполярные транзисторы 11 1 1 1 1 1 1 UЭБО max' в 0,2 0,7 0,7 0,7 3 3 3 4 4 4 2,5 2,5 2,5 0,7 0,7 1 1,5 1,5 1,5 1,5 3 3 3 3 3 0,3 0,3 0,5 11 1 1 1 1 1 i IKmax J~,И max' мА 17,5 (140*) 50 50 50 200 (300*) ' 200 (300*). 200 (300*) 200 (2000*) 200 (2000*) 200 (2000*) 200 (2000*) 200 (2000*) 200 (2000*) 20 20 20 20 20 20 20 150 (250*) 150 (250*) 150 (250*) 150 (250*) r5o (250*) 10 10 10 lкБО• J~R' ." кэо• мкА $50 1 i $500 $500 $500 $500 $500 $500 1 . i i ' i $5 'i i$5 j • 1 $5 $5 $5 $5 $5 i $10 $10 $10 ! $10 $10 1 1 $5 $5 $5 1 i 1 1 i ~
Биполярные германиевые транзисторы специального назначения 267 ck, Кш, дБ т... , пс rкэ нас' t~.itl нс h21•' ь;,э с;23• r~э наt·• r~. Ом t::кл, НС пФ Ом Р;:х, Вт t~·:, нс Корпус S3,5 3 (0,5 ГГц) s5 ПЗНОА-2 ~О.05** (4 ГГц) 1 к ,, ~ 1 1 "- :! зэ i ~ ~ d ....~ ! ' 'Q 5 ! 1 11 1 1 ·1 1 10...230 (3 В: 15 мА) $2,5 - S8 (60 МГц) s75 П313 10...75 (3 В; 15 мА) S2,5 - s8 (60 МГц) $40 ~11 30...230 (3 В; 15 мА) $2,5 - S8 (60 МГц). S40 R'f)' 1 1 1 "i : 40...100(1 В; 10мА) 1 $8 - - 0,2* мкс 1 П320 ~ 70...160(1 В; 10мА) $8 - - 0,2* мкс 1 No·•· ~ 100... 250 (1 В: 10 мА) ! $8 - - 0,2* мкс ~ 1! 1 1 1' 1 1 1 ·' ! 1 1 20...60 (3 В; 0,5 А) s80 - - 1*мкс П321 40...120 (3 В; 0,5 А) $80 - - 1*мкс No·•· 80...200 (3 В: 0,5 А) $80 - - 1* мкс 1 ,, 20...60 (3 В: 0,5 А) 1 1 ii " $80 - - 1*мкс i ' 1 , 40."120 (3 В: 0.5 А) S80 - - 1*мкс 1 !~ '• 80... 200 (3 В: 0.5 А) s80 1 - 1 - 1*мкс 1 il ' i ! i1 i 1 1 1! n ! 11 ~ 1 1 1 i 15."300 (5 В: 5 мА) $2 i- s4 (0,4 ГГц) 1 15 1 П329, ПЗЗО 15...300 (5 В; 5 мА) $3 - s6 (0,4 ГГц) 30 1 15...300 (5 В; 5 мА) S3 - s6 (0,4 ГГц) 20 ~-1' 30...400 (5 В; 5 мА) s2 s5 (0,4 ГГц) 25; 50* ~ ~б - 30...400 (5 В; 5 мА) $2 - s5 (0,4 ГГц) 50 80...400 (5 В: 5 мА) s2 - s5 (0,4 ГГц) 1 100 ~ к 30...400 (5 В: 5 мА) $3 - s5 (0,4 ГГц) 1 30; 50* 11 1 '· 1 ! 1! 1 40...70 (3 В: 50 мА) i S8,5 - - 1 0,1 * мкс 1 П335 1 60".100 (3 В; 50 мА) 1 $8,5 1 1 - - - 1 :No~ 1 40...70 (3 В; 50 мА) i $8,5 !- - 1 0,15* мкс 1 60".100 (3 В; 50 мА) $8,5 - - 0,15* мкс 50... 100 (3 В; 50 мА) $8,5 - - 0,15* мкс 15... 250 (5 В; 5 мА) Sl - S4,5 (1 ГГц) - П341 1· 15...250 (5 В: 5 мА) Sl - S5,5 (1 ГГц) - 1 11 1 1 ~-1' 15...250 (5 В: 5 мА) Sl - s5,5 (1 ГГц) - 1 il 1 11 1 1 1 ... ,,. ~ б 1 1 ~ к 1
268 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 i 1 ~μ' (:216' 1 i •коо• 1 Рк rnJxl UКБО проб' 1 lк mал Тип Струк-1 Токр, р' ~:;l'j' U~ЭR проб' UЭБО rnaxl 1 ·~R' К. т max' 1;, и max' прибора тура 1 ·с р;~ и max' ~~-;)\' U~эо ""°"' в ·~· ~ мВт МГц в мА мкА 1 1 IТ362А n-p -n -60 ...+70 40 ~2.4 ГГц 5 0,2 10 s5 1 1 1 1 i ! 1 1 1 i 1 1 ~ 1 1 -60".+1251 1 1 ~ IТ374А-6 1 n-p -n 25 ~2.4 ГГц 5 0.3 10 s5 11 i 1 1 ! 1 1 IТ376А p-n -p - 60".+185 35 ~l ГГц 7 0,25 !О s5 11 1 ! ~ " i i il 1 ,, 1 ~ 11 1 !1 1 1' ! :1 11 1 ! ! : 1 i : 1 i IТ383А-2 1 n-p -n - 60".+85 25 ~2.4 ГГц 5 0,5 10 s5 11 П383Б-2 n-p -n - 60".+85 25 ~l.5 ГГц 5 0,5 10 s5 IТ383В-2 1 n-p -n - 60".+85 25 ~3.6 ГГц 5 0,5 10 s5 1 1 1 ! 1 1 1 1 ! i i 1 ~ IТ386А 1 n-p -n ! -60".+70 40 ~О.45 ГГц 15 1 0,3 ' 10 ! slO ~ i ; 1 i 1 1 1 1 1 1 i 1 1 : 1 1 1 1 1 1 ! '1 Jtт387A-2 n-p -n - 6 0".+70 175 ~2.16 ГГц 10 0,2 140* slO 11 iП387Б-2 : n-p-n 1 -60 ...+70 175 ~3 ГГц !О 0.2 140* 1 slO :1 1 11 i! ! 1 1 1 1 ii 1 1 ~1 1 1 1. I! ! 1 11 ,. i 1 .! 1 ! 1 1Т403А p-n -p - 6 0".+70 4Вт 0.008** 45 20 1.25 А s5** мА 1 IТ403Б p-n-p - 6 0".+70 4Вт 0.008** 45 20 l,25 А s5** мА 1: IТ403В p-n -p - 6 0".+70 5Вт 0,008** 69 20 l,25 А s5** мА IТ403Г p-n -p - 6 0".+70 4Вт 1 0,008** 60 20 l,25 А s5** мА 11 П403Д p-n -p - 6 0".+70 4Вт 0.008** 1 60 30 1.25 А s5** мА IТ403Е p-n -p - 60".+70 5Вт 0.008** 60 20 1.25А 1 s5" мА ~ 11Т403Ж p-n -p - 60".+70 1 4Вт 1 0,008** 1 80 20 1 1,25 А i s6** мА t ltт403И - 6 0".+70 4Вт 0,008** 1 80 20 l,25 А s6'* мА 1: p-n -p ! 1
Биполярные германиевые транзисторы специального назначения 269 ! с•. Кш, дБ 'tк, ПС rкэ на~:• t;Jac• НС 1 h21"' ь;IЭ с;2", rБЭ нас• r~, Ом t:~кл• НС Корпус ' пФ Ом Р;~х• Вт 1 1 i t~:. нс i ' lt----- 1 i 10...200 13 В: 5 мА) 1 $1 1- 1 $4,5 (2,25 ГГц) - 1 1Т362А ' ; i ~ 1 1 ! ~~1' ...,,. ~ 6 ~ к 10... 100 (3 В: 2 мА) $1 - 4,5 - 1Т374А-6 1 1 1 1 1 1 1 ~m 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 " 10... 150 (5 В; 2 мА) $1,2 - $3,5 (180 МГц) - 1Т376А -5,8 1 ~r; ' 1 1 ~ Корп.Ф,6 j i ~ ! i 1 1 j 15... 250 (3.2 В; 5 мА) $1 1- 1 $4,5 (2,25 ГГц) - 1Т383 !0... 250 (3,2 В; 5 мА) $1 - $4 (1 ГГц) - 15...250 (3,2 В; 5 мА) $1 - $5,5 (2,83 ГГц) - ~~~SP 10... 100 (5 В: 3 мА) $1,5 - $4 (180 МГц) - 1Т386А 1 1 - 5,8 1 i i ~вw . 1 ~ Корп.Ф,6 1 1 - $3 - $5 (1 ГГц) - 1Т387 - $3 - $4,8 ( 1 ГГц) - ~О.05** (4 ГГц) ~f~ r--; ~ 1 'Q 5 20...60 (5 В; 0.1 А) - $1 - - 1Т403 50... 150 (5 В; 0,1 А) - - $1 - - 20...60 (5 В; 0.1 А) - $1 - - tJ10 -12 50... 150 (5 В; 0,1 А) - $1 - - §~ 50... 150 (5 В; 0,1 А) - $1 - - 30(5В;0,1А) - $1 - - 20...60 (5 В; 0,1 А) - $1 - - 30(5В;0,1А) - $1 - -
270 Раздел 2. Биполярные транзисторы ~ ! ! РкmаА' ~р• ~216' 1 UКБО nроб• i 1 IKm;iA 1 lкБО• ' Тип 1 Струк- i Токр1 Р;,тm.ах' \;1э1 U~ЭR npo6' 1 UЭБОmах' i 1~,и max' 1 I~ЭR• прибора 1 тура 1 ·с р~~ и m.tx• 1 ~:·:).. u;эо nроб' в 1 1;эо, мА ' 1 мВт МГц в ! мкА П612А-4 1 п-р-п -55 ...+70 0,36 Вт 2:1,5 ГГц 12 0,2 0,2* А ~О.005 мА П614А п-р-п 1 -60 ...+85 0,4 Вт 2:1 ГГц 12 0,5 1 200 ~О.О! мА П615 1 п-р-п 1 -60 ...+70 0,7 Вт 0,4 ГГц 12 0,5 1 500 - 1 j ' 1 1 1 1 1 1 1 ! !I ! 1 ! ~ ~П702А 1 р-п-р -60 ...+70 150* Вт 0,12 60 4 1 30А ~12 мА П702Б 1 р-п-р -60 ...+70 150* Вт 0,12 60 4 30А ~12 мА П702В 1 р-п-р -60 ...+70 150* Вт 0,12 40 4 30А ~12 мА 1 1 1 1 i 1 1 1 ' ! 1 ' 1 1 1 ! 1 i i 1 1 i ' i 1 ' ~ 1 1 1 i !1 ! ! ' П806А р-п-р -60 ...+70 30* Вт 2:10 40** 2 20А(25*А) ~12 мА П806Б р-п-р -60 ...+70 30* Вт 2:10 65** 2 20А(25*А) ~12 мА П806В 1 р-п-р -60 ...+70 30* Вт 2:10 80** 2 20А(25*А) ~12 мА i 1 П813А 1 р-п-р -60 ...+70 50* Вт ' - 60** 2 30 А (40* А)\ - П813Б 1 р-п-р -60 ...+70 50* Вт - 35** 2 1 30А(40*А)/ - ~ П813В : р-п-р -60 ...+70 50* Вт 1 - 80** 2 130А(40*А)! - П901А ' р-п-р -60 ...+70 1 15* Вт 1 2:30 1 50 1 - i IOA 1 ~8 мА ! 1 1 П901Б ! р-п-р -60 ...+70 15* Вт 1 2:30 40 1 - i IOA 1 ~8 мА 1 1 1 1 1 1 1 П905А р-п-р -60 ...+70 б* Вт 2:30 75 1 3А{7*А) 1 ~2 мА - 1 1 1 1 1 ! ! ' j 1 1 1 ~ ! 1 i : ltт906A 1 1 -60 ...+70 i 15* Вт 2:30 75 1,4 ! 10А 1 ~8 мА р-п-р ! ' i 1 1 1 1 1 П910АД ! р-п-р -60 ...+70 35* Вт 2:30 33 - 10А(20*А) ~6 мА 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 i 1 1 i 1 1
Биполярные германиевые транзисторы специального назначения 271 i- ' ' 1 h21.• ь;,э 15...250 (5 В; 50 мА) 15... 100 (1,5 В; 30 А) 15... 100 (1,5 В: 30 А) 15... 100 (1.5 В: 30 А) 10.. .100 ( 10 А) 10... 100 (10 А) 10.. .100 ( 10 А) 10...60 (20 А) 10...60 (20 А) 10...60 (20 А) 20...50 (10 В; 5 А) 40... 100 (10 В; 5 А) 35...100 (10 В: 3 А) 30... 150 (10 В; 5 А) 50...320 (IO В; 20 А) 1 1 с,, с;2"' i пФ 1 $3,5 $250 rKЭюillct r~нact Ом $0,02 $0,04 $0,02 $0,03 $0,03 $0,03 $0,026 $0,026 $0,026 $0,12 $0,12 $0,16 $0,1 $0,06 Кw,дБ r;, Ом Р;:,, Вт <::0.15** (2 ГГц) <::0.200** (0,5 ГГц) тк, пс f~ac:t НС t::клt НС t:·: . нс $7 $15 $30** мкс $30** мкс $30** мкс 3** мкс 5** мкс 5** мкс lн$0,7 МКС t.$0,7 мкс $4* мкс $5* мкс lcn$l МКС 11 Корпус ! 1Т612, 1Т614, 1Т615 , 1,6 16,J .... 'К. r...~ ... 1Т702 @1 1Т806, 1Т813 :3,5. ~m. ~tJ&~ ~ 1Т901 1Т905А, 1Т906А i~1Т910Ад ~
272 Раздел 2. Биполярные транзисторы 2.1 О. Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения Тип прибора 2Т104А 2Т104Б 2Т104В 2Т104Г : 2Т117А j 2Т117Б j,2Т117В 1t2п11r 2Т117А-5 '12Т118А ' i 2Т118Б , 2Т118В ; 2Т118А-1 2Т118Б-1 1 1 ! 1 2Т126А-1 2Т126Б-1 2Т126В-1 2Т126Г-1 2Т127А-1 2Т127Б-1 2Т127В-1 12п21r-1 1 2Т201А 2Т201Б 2Т201В 2Т201Г 2Т201Д 1 1 ' 1 1 ' 1 Струк- j 1 Токр., тура ·с p-n -p -60 ...+ 125 p-n -p -60 ...+125 p-n -p -60 ...+125 p-n -p -60 ...+125 n-база n-база n-база n-база -60 ...+125 1 -60 ...+125 -60 ...+125 1 . -60 ...+125 n-база -60 ...+125 i p-n-p -60 ...+125 1 p-n -p 1 -60 ...+125 ! p-n-p -60 ...+125 1 i 1 1 i 1 p-n -p p-n -p 1 p-n -p p-n -p p-n -p p-n -p n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n 1 n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n -60 ...+85 -60 ...+85 -60 ...+85 -60 ...+85 -60 ...+85 -60 ...+85 -60 ...+125 -60 ...+125 -60 ...+125 -60 ...+125 -60 ...+125 -60 ...+125 -60 ...+125 -60 ...+125 -60 ...+125 1 Ркmaxt Р;., m"' р;:" m"' мВт 150 (6О0С) 150 (6О0С) 150 (6о·с> 150 (6о·с> 300 300 300 300 30 100 ооо·с> 100 о оо·с> 100 ооо·с> 30 (85°С) 30 (85°С) 15 (7О0С) 15 (7о·с> 15 (7О0С) 15 (7о·с> 15 (6О0С) 15 (6о·с> 15 (6О0С) 15 (6о·с> 150 (75°С) 150 (75°С) 150 (75°С) 150 (75°С) 150 (75°С) МГц ;:>:5* ;:>:5* ;:>:5* ;:>:5*. ;:>:0,2*** ;:>:0,2*** ;:>:0,2*** гО,2*** ;:>:0,2*** - - ;:>:0,1 ** гО,1 ** гО,1 ** гО,1 ** гО,1 ** гО,1 ** гО,1 ** гО,1 ** 10 10 10 10 10 UКБО щюб' U~ЭR щю6t Uкэо npo6' в 30** 15** 15** 30 30 30 30 30 30 15 15 15 15* (lОк) 15* (!Ок) 25 25 45 45 25 25 45 45 20 20 10 10 10 UЭБOmaxt в 10 10 10 10 30 30 30 30 30 31 31 31 31 16 3 3 3 3 - - - - 20 20 10 10 10 1 .lк m:.ix lк,н maxt мА 50 50 50 50 50 (1* А) 1 1 50(1*А) 50(1*А) i 50 (1* А) 1 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 20(100*) 20 (100*) 20(100*) 20(100*) 20 (100*) 11 1 1 1 1 JКБО' J~ЭR• 1;30, мкА sl (30 8) sl (15 8) sl (15 8) sl (30 8) sl (30 8) sl (30 8) sl (30 8) sl (30 8) sl (30 8) sO,l (15 8) sO,l (15 8) sO,l (158) s0,1 (158) sl (25 8) sl (25 8) sl (45 8) sl (45 8) sl (30 8) sl (30 8) sl (30 8) sl (30 8) s0,5 (20 8) s0,5 (20 8) s0,5 (!О 8) s0,5 (20 8) s0,5 (20 8) i
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения ',, ' · !:li 1 h"" ь;,э il 1 с,, c;Zэt пФ r~Эна~·t Ом Г~э наt·' Ом к~·,, дБ Кш, дБ r~, Ом Р;:л, Вт t'I(, пс ~;". нс tВЫК.11 t НС t:· .:n, нс 273 Корпус ' 1 1г--~~~~~~~--t-~~~~+-~~~~~--t-~~~~~~--+~~~~~+-~~~~~~~~~---jj 1· 7".40(1В:10мА) 1 550(5В) 1 15...80 (1 В; 10 мА) 1 J 550 (5 В) 19 ... 160(1 В; IОмА) 550(5В) 10...60 (1 В: 10 мА) 550 (5 В) 0,5 . "0,7 (UБ1Б2=10 В) ~ 0.65" .0 .9 (UыБZ=IO В) "!1 0,5...0,7 (UБ1Б2=IО В) 11 0,65" .0 ,9 (UыБZ=lO В) ~ 0,5 .. . 0 ,9 (UБ1Б2=10 В) 550 550 550 550 100 100 100 30 30 5120* 5120* 5120* 5120* 5500** 5500** 5500** 550* 550* 2Т104 2Т117 2Т117А-5 2Т118 2Т118А-1, 2Т118Б-1 1 ! ~Jrt 11\ ~l_j 5кэ 0--~~~~~~~--+-~~~~-+-~~~~~--+-~~~~~~-+~~~~~+-~~~~~~~~~~1 1 2Т126 15."60 (5 В: 1 мА) 15...60 (5 В; 1мА) 40".200 (5 В; 1 мА) 40...200 (5 В: 1 мА) 55(5В) 1 55(5В) 55(5В) 55(5В) 5166 5166 5166 5166 ~G ir ... 11\ ~df 11------------i-----+--------+-------+------+---б-К_З____ ,1 15".60 (5 В; 1 мА) 40...200 (5 В: 1 мА) 15...60 (5 В; 1мА) 40 ...200 (5 В: 1 мА) 20...60 (1 В; 5 мА) 30".90 (1 В: 5 мА) 30".90 (1 В: 5 мА) 70...210 (1 В; 5 мА) 30...90 (1 В; 5мА) 18зак9 55(5В) 55(5В) 55(5В) 55(5В) 520 (5 В) 520 (5 В) 520 (5 В) 520 (5 В) 520 (5 В) 5170 5170 5170 5170 515(1 кГц) 2Т127-1 ~vAif LJr: 1 ЗБК 2Т201 145,81/ ;fi
274 Раздел 2. Биполярные транзисторы ! pKmax' ~•• \216, UКБОп.... • lк max lкБО• Тип 1 Струк- Токр.1 Р~.тmах• ~;lэ• U~н.,,.., UЭБОmо111х• 1~,н max• ·~RI прибора ·с р;~ н max• ~~;xt u~ ...... в ... тура мА кэо• 1 мВт мrц в мкА 2Т202А-1 p-n -p -60 ...+85 25 (35·с> 5 15 10 20 (50*) ::;1 (15 8) 2Т202Б-1 p-n -p -60 ...+85 25 (35°С) 5 15 10 20 (50*) ::;1 (15 8) 2Т202В-1 p-n -p -60 ...+85 25 (35°С) 5 30 10 20 (50*) ::;1(308) 2т202r-1 p-n-p -60 ...+85 25 (35·с> 5 30 10 20 (50*) ::;1(308) 2Т202Д-1 p-n -p -60 ...+85 25 (35°С) 5 15 10 20 (50•) ::;1 (15 8) 2Т20ЗА p-n-p -60 ...+125 150 (75°С) ~5· 60 30 10 (50*) ::;1(608) 2Т20ЗБ p-n-p -60 ...+125 150 (75°С) ~5· 30 15 10 (50*) ::;1(308) 2Т20ЗВ p-n-p -60 ...+125 150 (75°С) ~5· 15 10 10 (50*) ::;1 (15 8) 2т2озr p-n -p -60 ...+125 150 (75°С) ~10· 60 30 10 (50*) ::;1(608) 2Т20ЗД p-n -p -60 ...+125 150 (75°С) ~10· 15 10 10 (50*) ::;1 (15 8) l 2Т205А-З n-p-n i -60 ...+125 1 40 (9о·с) ~20 250 i 3 20(45*) 1 3*(2508) ! lj2Т205Б-З n-p-n !-60 ...+125 1 40 (9о·с> ~20 250 1 3 20 (45*) 1 2*(2008) ~ '· ! 1 'i 1 . : 1 1 i ! ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2Т208А 1 p-n -p -60 ...+125 200 (6О0С) ~5 20* (IОк) 20 150 (300*) 1 ::;1 (20 8) 2Т208Б p-n -p -60 ...+125 200 (6о·с> ~5 20 20 150 (300*) 1 ::;1 (20 8) 2Т208В p-n -p -60 ...+125 200 (6о·с> ~5 20 20 150 (300*) ::;1 (20 8) ~ 2т2osr 1 p-n-p -60 ...+125 200 (6о·с> ~5 30 20 150 (300*) i ::;1 (20 8) . 2Т208Д ' 1-60 ...+1251 200 (6о·с> ~5 30* (IОк) 1 20 150 (300*) ::;1(208) p-n-p 1 i !• il2T208E p-n-p !-60 ...+125 200 (6О0С) ~5 1 30 20 150 (300*) 1 ::;1(208) " 1 i 1 ji i12Т208Ж p-n-p 1 -60 ...+125 1 200 (6О0С) ~5 45 1 20 150 (300*) 1 ::;1 (20 8) 1 J !2Т208И p-n-p i -60 .. . +125 1 200 (60°с> ~5 45 20 150 (300*) ::;1(208) 1', , !J2T208K p-n-p 1 -60 ...+1251 200 (60°CJ ~5 1 45 1 20 150 (300*) 1 ::;1 (20 8) 1 12Т208Л p-n-p 1 -60 .. . +125 200 (6о·с> ~5 60 1 20 150 (300*) 1 ::;1 (20 8) 2Т208М p-n -p 1 -60.. . +125 200 (6о·с> ~5 60 120 150 (300*) ::;1(208) 1 2Т211А-1 p-n-p -60 ...+125 25 (50**) ~10 15 5 20 (50*) ::;О,01 (15 8) 2Т211Б-1 p-n-p -60 ...+125 25 (50**) ~10 15 5 20 (50*) ::;О.01 (15 8) 2Т211В-1 p-n-p -60 ...+125 25 (50**) ~10 15 5 20 (50*) ::;О,01 (15 8) 1 1 1 1 1 j ! 1 1 ! i 11 1 i 1' 1 :! 11 1 1 i 1 l2T214A-l i p-n-p 1-60 ...+100 50 i~5 100* (10к) 30 i 50 (100*) 1 ::;1(308) 2Т214Б-1 p-n-p 1 -60 ...+100 50 1 ~5 80* (IОк) 7 1 50(100*) ::;1 (30 8) 2Т214В-1 p-n -p -60 ...+100 50 ~5 80* (IОк) 7 50 (100*) ::;1 (30 8) 2Т214Г-1 p-n -p -60 ...+100 50 ~5 60* (IОк) 7 50 (100*) ::;1 (30 8) 2Т214Д-1 p-n -p -60 ...+100 50 ~5 30* (IОк) 7 50(100*) ::;1 (30 В) 2Т214Е-1 p-n -p -60 ...+100 50 ~5 30* (IОк) 20 50 (100*) ::;1 (30 8) 1 1 1 ~ 1 1 1 ! •I 1 1 ' 2Т214А-5 1 p-n -p -60 ...+100 50 1 ~5 94•• 1 - i50 1 ::;1 (30 В) ~ 1 12Т214Б-5 1 p-n -p -60 ...+100 1 50 ~5 94•• - 50 i ::;1(308i i j 2Т214В-5 p-n -p '-60...+100 50 1 ~5 70** - 50 ::;1(308) ~ 2Т214Г-5 1 p-n-p 1 -60 . . . +100 50 1 ~5 47•• 1 - 50 ::;1 (30 8) 2Т214Д-5 1 p-n-p ! -60 .. . +100 1 50 1 ~5 35•• 1 - 50 ::;1(308) 11 1 i 2Т214Е-5 1 p-n -p 1 -60. . . +1001 50 1 ~5 24** 1 - 50 ::;1 (30 8) :
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 275 1 1 1 1 1 с,, rкэно11с' Ом Кш, дБ tк, ПС h,,,. ь;,э с;2з' r~нас• Ом r;, Ом f~c' НС Корпус пФ к~· •. дБ Р;:х' Вт t::клt НС t:::. нс 15...70 (5 8; 1 мА) :о;25 (3 8) - - $1000* 2Т202-1 40 ... 160(58; 1 мА) :о;25 (3 8) - - $1000* 15... 70(58; 1 мА) :о;25 (3 8) - - $1000* 1 ~jf 40...160 (5 8; 1 мА) :о;25 (3 8) - - $1000* 100... 300 (5 8: 1 мА) :о;25 (3 8) - - $1000* ;~ 1 1 1 'i ! 1 i '1 ; 1 ' 1 /I\ LJ 1. ! 1 6кэ 1: 1! 1 ·1 1 1 ' ~9(58:1мА) :o;IO (5 8) 1 - 300* - 2Т20ЗА 30...90 (5 8; 1 мА) :o;IO (5 8) $50 300* - - 5,81/ 15... 100 (5 8; 1 мА) :o;IO (5 8) - 300* - ;fi ~4(58;1мА) :o;IO (5 8) $50 300* - 60...200 (5 8; 1 мА) :o;IO (5 8) $35 300* - кфз ! 5 1 i 10...40 ( 10 8: 2.5 мА) :o;lO (10 8) $400 - 1 $1000* 1 2Т205А '' 10...40 (10 8: 2.5 мА) :o;IO (10 8) $400 :о;1000· 1 - 1 п 1 1,2 0,3 t 1 • i !1 1 зоок t ' С'\) ~п§.]: и 0.01/ пnюч 20...60* (1 8: 30 мА) :о;50 (10 8) $1,3 40 ... 120* (1 8: 30 мА) :о;50 (10 8) $1,3 80...240* (1 8; 30 мА) $50(108) $1,3 $4 (1 кГц) 20...60* (1 8; 30 мА) :о;50(108) $1,3 40...120• (1 8; 30 мА) :о;50 (10 8) $1,3 80...240* (1 8; 30 мА) $50(108) $1,3 $4 (1 кГц) 20...60• 11 8; 30 мА) :о;50(108) $1,3 40...i20* (18:30 мА) $50(108) $1,3 80...240* (1 8; 30 мА) :о;50 (10 8) $1,3 :о;4 (1 кГц) 1 1 1 2Т208 20...60* {1 8: 30 мА) :о;50 (10 8) $1,3 ! 40 ... i20• (1 8: 30 мА) 1 $50(108) $1,3 - i - ! " ! ! 1 1 1 1 40...120 (1 8; 40 мА) :о;20 (5 8) - :о;3 (1 кГц) - 2Т211-1 80...240 (1 8; 40 мА) :о;2О (5 8) - :о;3 (1 кГц) - 160...480 (1 8; 40 мА) :о;20 (5 8) - :о;3 (1 кГц) - ~~1 1 1 ~ 1 1 11\ 1 1 1 11 1 1 ! 6кэ 1: 1 i ~ ~20(58;10мА) 1 :о;30 (10 8) 1 $45 $1200* :о;5 ! 2Т214А-1 i 30...90 (5 8: 10 мА) :о;30 (10 8) $45 $1200* $5 1 40...120 (5 8; 10 мА) :о;30 (10 8) $45 $1200* $5 ~ 1 40... 120 (5 8; 10 мА) :о;30 (10 8) $45 $1200* $5 rn ~80 (1 8; 40 мкА) 1 :о;30 (10 8) $45 :о;1200*; :о;5 (1 кГц) $5 1 ~40 (18; 40 мкА) :о;30(108) $45 $1200* $5 1 11\ 5кэ ~25(58:10мА) 1 $50 1 $19,5 - - 2Т214А-5 36...78 (5 8: 10 мА) : $50 1 $19,5 i 1 - - 0,5 О,1 50...104(5 8: 10мА) 1 :о;50 1 $19,5 - - 1 1 ~шт 50...104 (5 8; 10 мА) 1 :о;50 $19,5 - - ~91 (1 8; 40 мкА) $50 $19.5 - - ~46 (1 8: 40 мкА) $50 1 $19,5 - 1 - 1 1 1! 1 i 1в·
276 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 pKmax• ~'" \210• UКБО ороб• 1 1 lкоо• 1 Тип 1 Струк- Токр., р' ~:;1*' U~Rщ1o6' UЭБО m•> ' 1 lк max I~ЭR• К. тmах• J~.и maAt i прибора ·с р~~ и ma:1.• с· u~npo6• I~эо• 1 тура '" в ' мА 1 мВт МГц в мкА 2Т214А-9 i р·П·р -60 ...+85 200 ~5 80** 30 50 (100*) 1 :s;l (30 В) 2Т214Б-9 1 р-п-р -60 ...+85 200 ~5 во•• 7 50 (100*) :51 (30 В) 2Т214В-9 р-п-р 1 -60 ...+85 200 ~5 60** 7 1 50 (100*) :51 (30 В) 2Т214Г-9 р-п-р -60 ...+85 1 200 ~5 40** 7 1 50(100*) :s;l (30 В) 1 112Т214Д-9 р-п-р ! -60 ...+85 1 200 ~5 30** 7 1 50 (100*) :51 (30 В) 2Т214Е-9 р-п-р -60 ...+85 200 1 ~5 20** 20 50 (100*) :51 (30 В) ! 2Т215А-1 п-р-п -60 ...+100 50 ~5 80** 5 50 (100*) :5100* (30 В) 2Т215Б-1 п-р-п -60 ...+100 50 ~5 80** 5 50 (100*) :5100* (30 В) 2Т215В-1 п-р-п -60 ...+100 50 ~5 60** 5 1 50 (100*) :5100* (30 В) 2Т215Г-1 п-р-п -60 ...+100 50 ~5 40** 1 5 1 50 (100*) 1 :s;\OO• (30 BJ ~2Т215Д-1 п-р-п -60 ...+100 50 ~5 30** 1 5 1 50 (100*) 1 :s;lQO• 130 В) f! 2Т215Е-1 п-р-п 1-60... +100 50 ~5 20** 5 1 50 (100*) 1 :5100* (30 В) 1 1 1 1 ! 1 1 2Т215А-5 п-р-п -60 ...+100 1 50 ~5 1 94** - 1 50 1 :s;l (30 В) 2Т215Б-5 п-р-п -60 ...+1001 50 ~5 94** - 1 50 :51 (30 В) 2Т215В-5 п-р-п -60 ...+100 50 ~5 70** - 50 :51 (30 В) 2Т215Г-5 п-р-п 1 -60 . .. +100 50 ~5 47** - 50 :51 (30 В) 2Т215Д-5 п-р-п 1-60. .. +100 50 ~5 35** - 50 :51 (30 В) 2Т215Е-5 п-р-п -60 ...+100 50 ~5 24** - 50 :51 (30 В) 1 2Т215А-9 1 п-р-п -60 ...+85 200 ~5 100* (IОк) 5 50 (100*) 1 :51* (100 В) 1 2Т215Б-9 1 п-р-п -60 ...+85 200 ~5 90* (IОк) 5 50 (100*) :51*(90ВJ 2Т215В-9 1 п-р-п -60 ...+85 200 ~5 80* (lОк) 5 50 (100*) :51* (80 В) 2Т215Г-9 1 п-р-п -60 ...+85 200 ~5 60* (IОк) 5 50 (100*) :51*(60В) 2Т215Д-9 п-р-п -60 ...+85 200 ~5 30* (IОк) 5 50 (100*) :51*(308) 2Т215Е-9 1 п-р-п -60 ...+85 200 ~5 30* (lОк) 5 50 (100*) :s;l*(ЗОВ) ! i 1 ' ' 2ТЗО1Г п-р-п -60 ...+125 150 (60°С) ~30 30 3 10 (20*) :55* (30 В) 2ТЗО1Д п-р-п -60 ...+125 150 (6О0С) ~30 30 3 10 (20*) :55* (30 В) 2ТЗО1Е п-р-п -60 ...+125 150 (6О0С) ~20 20 3 10 (20*) :55* (20 В) 2ТЗ01Ж п-р-п -60 ...+125 150 (6О0С) ~30 20 3 10 (20*) :55* (20 В) 1 1 i ! i ~ r. 1 1 ri 1 ' 1· 1 1 1 1! ' ~2ТЗО6А 1 п-р-п 1-60 . .. +1251 150 (90°С) ~300 15 4 30 (50*) :50,5 (15 В) ~2ТЗО6Б п-р-п -60 ...+125 150 (90°С) ~500 15 4 30 (50*) :50,5 (15 В) !l2ТЗО6В 1 п-р-п 1-60 . .. +1251 150 (90"С) ~300 15 4 30 (50*) :50,5 (15 В) i2ТЗО6Г 1 п-р-п -60 ...+125 150 (90°С) ~500 15 4 30 (50*) :50.5 (15 В) ~ i1 2ТЗО7А-1 п-р-п -60 ...+85 15 ~300 10* (Зк) 4 20 (50*) :50,5 (10 В) 2ТЗО7Б-1 п-р-п -60 ...+85 15 ~300 10* (Зк) 4 1 20 (50*) :50.5 (10 В) 2ТЗО7В-1 1 п-р-п -60 ...+85 1 15 1 ~300 10* (Зк) 4 1 20 (50*) :50.5 (10 В) ~ 2ТЗО7Г-1 п-р-п 1 -60 ...+85 15 ~300 10* (Зк) 4 20 (50*) 1 :50,5 (10 В) i i 1 ; 1 1 1 t 1 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 -- 2ТЗ101А-2 1 п-р-п 1-60... +125 1 100 (45°С) ~4000 15 2,5 20 (40*) :50,5 (15 В) i i
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 220(5В;10мА) 30...90 (5 В; 10 мА) 40... 120 (5 В; 10 мА) 40... 120 (5 В; 10 мА) 280 (1В; 40 мкА) 240 (1В; 40 мкА) 220(5В;10мА) 30...90 (5 В; 10 мА) 40... 120 (5 В; 10 мА) 40... 120 (5 В; 10 мА) 280(1В;40мА) 240 (1В; 40 мкА) 225(5В;10мА) 36...78 (5 В; 10 мА) 46... 104 (5 В; 10 мА) 46... 104 (5 В; 10 мА) 291 (1 В; 40 мкА) 246 (1В; 40 мкА) 1 220(5В;10мА) I ЗС...90 (5 В; 10 мА) 1 40...120(5В: 10мА) li 40 ... 120(5В: lОмА) 280 (1В; 40 мкА) 240 (1В; 40 мкА) 10...32 (10 В; 3 мА) 20...60 (10 В; 3 мА) 40... 120 (10 В: 3 мА) 80...300 (10 В; 3 мА) 20...60* (1 В: 1ОмА) 40... 120• (1 В: lОмА) 20... 100* (1 В; lОмА) 40... 200* (1 В; lОмА) 220(1В;10мА) :<>30 (10 В) :<>30 (10 В) :<>30 (10 В) :<>30 (10 В) :<>30 (10 В) :<>30 (10 В) :<>50 (10 В) :<>50(10В) :<>50 (10 В) :<>50 (10 В) :<>50 (10 В) :<>50 (10 В) :<>50 :<>50 :<>50 :<>50 :<>50 :<>50 1 :<>50 (10 В) 1 1 :<>50 (10 В) 1 :<>50(10В) 1 :<>50(10В) 1 1 :<>50 (10 В) :<>50 (10 В) :<>10 (10 В) :<>10 (10 В) :<>10 (10 В) :<>10 (10 В) :<>5 (5 В) :<>5 (5 В) :<>5 (5 В) :<>5 (5 В) 240(1В:10мА) 1 :<>5 (1 В) :<>5 (1 В) :<>5 (1 В) :<>5 (1 В) 240(1В;10мА) 1 280 (1 В; 10мА) 1 1 i 35...300 (1В; 5 мА) :<>1,5 (5 В) rкэнас• Ом r~нас• Ом к;.. дБ :<>60 :<>60 :<>60 :<>60 :<>60 :<>60 :<>О,45 :<>0,45 :<>0,45 :<>0,45 :<>О,45 :<>0,45 :<>19,5 :<>19,5 :<>19,5 :<>19,5 :<>19,5 :<>19,5 :<>60 :<>60 :<>60 :<>60 :<>60 :<>60 :<>300 :<>300 :<>300 :<>300 :<>30 :<>30 :<>20 :<>20 :<>20 :<>20 26** Кш, дБ r;, Ом Р;~", Вт :<>1200* :<>1200* :<>1200* :<>1200* :<>1200*; :<>5 (1 кГц) :<>1200* :<>1200* :<>1200* :<>1200* :<>1200* :<>1200*; :<>5 (1 кГц) :<>1200* :-:;1200· :<>1200* :<>1200* :<>1200* 1 i :<>5 (1 кГц); :<>1200* 1 :<>1200• :<>30 (1 кГц) :<>8 (90 МГц) :<>30 :<>30 :<>4,5 (2,25 ГГц) tKt ПС ~~cl НС tвыкл• НС t::, НС :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>5 :<>4500; :<>4500* :<>4500; :<>4500* :<>4500; :<>8000* :<>2000; :<>8000* :<>30* :<>30• :<>500 :<>500 :<>30* :<>30* :<>50 :<>50 :<>10 277 Корпус 2Т214А-9 j 0,95 ~*Х 2Т215А-1 1 ~~ 11\ 5кэ 2Т215-5 0,5 0,1 ~шт 2Т215-9 2Т301 2Т306 fit 5КЭ 2Т3101-2
278 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 iСтрук-1 pKmo111x' 1,μ. ~:210• UКБО проб• JКБО• 11 Тип Токр., р• ~;lэ' u~Rnpoб• l!эоо max' IKmax •:с.•. 1\.тmах' ·~.н maxt прибора 1 1 ·с р~~ н maxt с· u~проб• в 1;эо• 1. тура ." 1 мА 1 1 мВт МГц в ! мкА 2ТЗ106А-2 1 n-p -n -60 ...+125 30 (50°С) ~900 15* (10к) 2,5 20 (40*) :о;О,5(15В) 1 1 1 1 1 1 2ТЗ108А i p-n -p 1-60.. . +125 300 (360*) 1 ~250 60* (IОк) 5 1 200 1 :о;О,2 (60 В) 2ТЗ108Б i p-n-p -60 ...+125 300 (360*) 1 ~250 45* (IОк) 5 200 :о;О,2 (45 В) 2ТЗ108В 1 p-n-p 1-60...+125 300 (360*) 1 ~300 45* ( 10к) 5 200 :о;О,2 (45 В) ! ! 1 1 1 1 1 ~ 1 1 1 1 2ТЗ114А-6 n-p -n -60 ...+125 25 (I00°C) ~4300 5 1 15 1 :о;О,5 (5 В) 2ТЗ114Б-6 n-p -n -60 ...+125 25 (I00°C) ~4300 5 1 15 :о;О,5 (5 В) 2ТЗ114В-6 n-p -n -60 ...+125 25 (I00°C) ~4300 5 1 15 :о;О,5 (5 В) l1 1 1! : ! 1 ! 1 ! 1 ! 1 1 1 i ! 1 i 2ТЗ115А-2 n-p-n 1 -60 ...+125 i 70 (70°С) ~5800 i 10* (lк) 1 1 1 8,5 :о;О,5 (10 В) 1 2ТЗ115Б-2 n-p-n 1 -60 ...+125 70 (70°С) ~5800 10* (lк) 1 8,5 :о;О,5 (10 В) 1 1 1 1 2ТЗ115А-6 n-p-n -60 ...+100 50 (85°С) ~5800 10*(lк) ! 1 1 8,5 1 :о;О,5 (10 В) 1 1 1 1 1 1 1 ' 1 ! i 2ТЗ117А n-p -n -60 ...+125 300 ~300 60 4 400 (0,8* А) :о;5 (60 В) 2ТЗ117Б n-p -n -60 ...+125 300 ~300 75 4 400 (0,8* А) :о;5 (75 В) 1 1 1 1 ii 2Т312А 1 1 1 1 n-p-n -60 ...+125 225 ~80 30 4 30 (60*) :o;I (30 В) 2ТЗ12Б 1 n-p-n 1 ~60... +1251 225 ~120 30 4 30 (60*) :o;I (30 В) 2ТЗ12В 1 n-p-n 1 -60 ...+125 . 225 ~120 30 4 30 (60*) :o;I (30 В) ~ 2ТЗ120А n-p -n -60 ...+125 100 ~1800 15 3 20 (40*) :о;О,5 (15 В) 1 1 ~ 1 1 11 1 1' 1 1 1 11 1 ! i 1 1 1 1 1 ~ ! 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 279 1 ! ck, rкэнас' Ом Кw,дБ т., пс 11 1 1 t;,..,, нс \ h21.• ь;,э 1 с;2~' r~нк' Ом r;, Ом Корпус ~ пФ к;.. дБ Р;~,, Вт t::КJI, нс ~ i t:::.,, нс 1 1 • 1 :52 (5 В) <>:17** (120 МГц) s2 ( 120 МГц) 1 1 1 <>:4015В:5мА) - 2ТЗ106-2 1,15 0,95 ~х /1\ 5/(з 50... 150 (1 В; 10 мА) 1 :55 (10 В) :525 :56 ( 100 МГц) :5250; :5175* 2ТЗ108 50... 150 (1 В: 10 мА) s5(10B) :525 :56 ( 100 МГц) :5250: :5175* - 5,81/ 100... 300 (1 В: 10 мА) 1 s5(10B) :525 :56 ( 100 МГц) :5250; :5175* ;EJ к~з '· ' 15...80 (3 В; 1 мА) :50,44 (3 В) <>:11,5** (0,4 ГГц) :51,5 (400 МГц) $8 2ТЗ114-6 15...80 (3 В; 1 мА) :50,44 (3 В) <>:11,5** (0,4 ГГц) :52 (400 МГц) :58 m 15...80 (3 В: 1 мА) s0,44 (3 В) <>:3** (2,25 ГГц) :53 (400 МГц) :58 t11 !<>:15(5В:5мА) i :50,6 (5 В) <>:5** (5 ГГц) :54,6 (5 ГГц) :53,8 2ТЗ115-2 <>:15 15 В: 5 мА) :50,6 (5 В) <>:6** (4 ГГц) :54,4 (5 ГГц) :53,8 ~IН9 ! 1 1 1 1 1 1 ~ 1 1 i 1 1 1 1 ~~з/ 1 1 <>:15 (5 В; 5 мА) :50,6 (5 В) <>:5 ( 1 ГГц) :59** ( 1 ГГц) :53,8 2ТЗ115-6 1 t1m :i 1 ~ i 40... 200 (5 В: 0,2 А) :510 (10 В) :51 - :560* 2ТЗ117 100...300 (5 В; 0,2 А) :510 (10 В) :51 - :560* 9~ $· ~ з 10... 100* (2 В; 20 мА) :55 (10 В) :525 - :5500: :5100* 2ТЗ12 25... 100* (2 В: 20 мА) s5(10B) :525 - :5500; :5130* ~hi 50...280* (2 В; 20 мА) s5(10B) :517 - :5500; :5130* с-.' 5фк ~1 3 <>:40 (1 В; 5 мА) s2(5В) <>:10** (400 МГц) s2 (400 МГц) :58 2ТЗ120 rnli
280 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк max' ~Р' ~:216' UKБ0npu6' lкmaA lкБо• Тип Струк- Токр., р· ~:;ll' U~ЭR проб' UЭБО 1паА' ·~R• К.т m.ix' J~.11 max' прибора ·с р·· с· U~ЭОnроб' в 1;эо, тура К. н max' "' мА мВт мrц в мкА l2тз121А-6 1 П·р·П ·60 ... +125 25 ~100 10 2 10 i :<>1 (10 В) 1 1 ! ii 1 1 1 1 1 ; 1 1 ' 1! 1 1 1 i ' i i 1 ' 1 1 ii i 1 11 1 1 2ТЗ12ЗА-2 p-n -p -6 0 ... +125 150 5000 15 3 30 (50*) :<>25 (15 В) 2ТЗ12ЗБ-2 p-n -p -6 0 ... +125 150 5000 15 3 30 (50*) :<>25 (15 В) 2ТЗ12ЗВ-2 p-n -p -6 0 ... +125 150 3500 10 3 30 (50*) :<>25 (10 В) 1 1 1 ' 1 1 1 l12ТЗ124А-2 i 1 1 1 h n-p-n 1 -60 ...+125 70 (85°С) ~6* ГГц 10 1 7 1 :<>0.5 (10 В) ~ 1 1 i 2ТЗ124Б-2 1 n-p -n 1-60". +1251 70 (85°С) ~6* ГГц 1 10 1 7 1 :<>0.5 ( 10 В) 1 1 1 1 112ТЗ124В-2 1 1-60". +1251 70 (85°С) ~6* ГГц 1 10 1 7 :<>0,5 (10 В) n-p -n 1 1 1 ' 1 11 1 1 1 i 1 1 1 2ТЗ129А9 p-n -p -6 0 ... +125 200 ~200 50 5 100 (200*) :<>1 (50 В) 2ТЗ129Б9 p-n -p - 6 0."+125 200 ~200 50 5 100 (200*) $1 (50 В) 2ТЗ12989 p-n -p - 6 0".+125 200 ~200 30 5 100 (200*) :<>1 (30 В) 2ТЗ129Г9 p-n -p - 6 0".+125 200 ~200 1 30 5 100 (200*) :<>1 (30 В) l2ТЗ129Д9 i p-n -p 1 -60 ... +1251 200 ~200 20 5 1 100 (200*) SI (20 В) 1 ! 1 ' ; 1 1 ! i ! 1 : 1 ~2ТЗ1ЗА 1 p-n -p i -60" .+125 300 (1000*) ~200 60 5 350 (700*) 1 s0,5 (50 В) 2ТЗ1ЗБ 1 p-n -p 1 -60" .+125 300 (1000*) ~200 60 5 350 (700*) :<>0,5 (50 В) 1 j ! 1 2ТЗ1ЗОА-9 n-p -n -60 ...+85 1 200 ~150 50 5 100 sO.I (50 В) !l 2тз1ЗОБ-9 n-p -n 1 -60 ".+85 1 200 ~150 50 5 1 100 i :<>0.1 (50 В) 1 ll 2T3130B-9 n-p-n 1 -60 ...+85 1 200 1 ~150 30 5 100 1 :<>0.1 (30 В) i i! 2ТЗ1ЗОГ-9 n-p -n 1 -60 ".+85 1 200 ~300 20 5 100 1 sO.I (20 В) !12ТЗ1ЗОД-9 n-p -n 1 -60 ".+85 1 200 ~150 30 5 1 100 sO.l (30 В) :12тз1ЗОЕ-9 n-p -n 1 -6 0".+85 ! 200 ~300 1 20 5 1 100 :<>0,1 (20 В) ,, ! ! 11 i 1 ~2ТЗ132А-2 n-p -n - 6 0".+125 70 (85°С) ~5.5 ГГц 10* (lк) 1 8,5 S0,5 (10 В) l2ТЗ132Б-2 n-p -n - 6 0."+125 70 (85°С) ~5.5 ГГц 10* (lк) 1 8,5 s0.5 (10 В) 2ТЗ1328-2 n-p -n - 6 0".+125 70 (85°С) ~5.5 ГГц 10* (lк) 1 8,5 S0,5 (10 В) 2ТЗ132Г-2 n-p -n - 6 0".+125 70 (85°С) ~5.5 ГГц 10* (lк) 1 8,5 :<>О,5(10В) • 2ТЗ1ЗЗА 1 n-p-n 1 300 ~200 50 4 300: 700* 1 :<>10 (50 В) i 1 ! i 1 1 ~ i 1 1 1 11 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 11 1 1 1 ! ~ 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 281 ck, rкэнас' Ом Кш, дБ fKI ПС h21,• ь;,э с~2э' r~Энас' Ом r;, Ом t;act НС Корпус пФ к~:,, дБ Р;:,, Вт t::клt НС t::., нс 30...400 (5 В; 2 мА) 51(5В) ~8** (1 ГГц) 52 (1 ГГц) - 2ТЗ121-6 1 ! t1m i ~~ " 20(IOВ;10мА) 51 (10 В) ~5** ( 1 ГГц) 2,4 (1 ГГц) 510 2ТЗ123-2 20(10В;10мА) 51 (10 В) ~5** ( 1 ГГц) 3 (1 ГГц) 510 ~@. 20(10В;10мА) 51 (10 В) ~5** ( 1 ГГц) 2,4 (1 ГГц) 510 ~~363 15... 200* (5 мА; 7 В) 0,5 ~4** (6 ГГц) 55 (6 ГГц) 52,5 2Т3124-2 15... 200• (5 мА: 7 В) 0,5 ~5** (5 ГГц) 55 (5 ГГц) 52,5 ftf@. 15...200* (5 мА; 7 В) 0,5 ~6** (4 ГГц) 53,6 (4 ГГц) 52,5 1 r\j '4"') - - & О)3/ 30...120 (5 В; 2 мА) 510 (10 В) 520 - - 2Т3129-9 80...250 (5 В; 3 мА) 510 (IO В) 520 - - 1 О,95 80...250 (5 В; 2 мА) 510 (10 В) 520 - - ~*Х 200...500 (5 В; 2 мА) 510 (10 В) 520 - - 1 ' 200...500 (5 В: 2 мА) 510 (10 В) 520 - - ' ' 1 30... 120 (10 В; 1 мА) 512 (10 В) 53,3 - 5120* 2Т313 80...300 (1О В: 1 мА) 512 (10 В) 53,3 - 5120* !45,81/ 9 К-$3 5 100...250 (5 В: 2 мА) 512 (5 В) - 510(1 кГц) - 2Т3130-9 200...500 (5 В; 2 мА) 512 (5 В) - 510 (1 кГц) - 1 0,95 200...500 (5 В: 2 мА) 1 512 (5 В) - 510(1 кГц) - ~х 400...1000 15 В: 2 мА) 512 (5 В) - 510 (1 кГц) - 200...500 (5 В: 2 мА) 512 (5 В) - 510 (1 кГц) - 400...1000 (5 В; 2 мА) 512 (5 В) - 54 (1кГц) - 15... 150 (7 В; 3 мА) 55,5 (7 В) ~6** (3,6 ГГц) 52,5 (3,6 ГГц) - 2Т3132-2 15... 150 (7 В; 3 мА) 55,5 (7 В) ~4** (6 ГГц) 55 (6 ГГц) - ftf~ 15... 150 (7 В; 3 мА) 55,5 (7 В) ~5** (5 ГГц) 55 (5 ГГц) - 15...150 (7 В; 3 мА) 55,5 (7 В) ~6** (4 ГГц) 53,6 (4 ГГц) - С'\1- '4 "') - - & О)3/ 25...100 (3 В: 150 мА) 55(108) 50,43 - 5100* 2Т3133 1 1 1 10 ;, 1 1 -~3 1 1 1 'О ~ .. .. 1 ~ , lJ u~ - _!.... о' -
282 1 ! Тип прибора 2ТЗIЗЗА-2 !2ТЗ134А-1 2ТЗ135А-1 2ТЗ150Б2 ~~ ~2ТЗ152А 2ТЗ152Б 2ТЗ152В 2ТЗ152Г 2ТЗ152Д 2ТЗ152Е 2ТЗ154А-1 1 ! 2ТЗ156А-2 : 1 1 1 1 Струк- Токр.• 1 ·с 1 тура 1 i 1 1 -60 ...+125 п-р-п 1 ' i ' : i' : i 1 i1 ; 1 1 !1 . i ! п-р-п 1 -60 ...+125 р-п-р -60 ...+125 р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р р-п-р п-р-п 1 1 ! 1 1 ! 1 1 1 1 1 ! 1 -60 ...+125 -60 ...+125 -60 ...+125 -60 . .. +125 -60 ...+125 -60 ...+125 -60 ...+125 -60 ...+85 п-р-п -60 ...+125 1 1 1 Рк max' ~•• \210 • Р~.тmаА' \;lj' р~:и maxt ~:;х, мВт МГц 300 ~200 1 30 ~1500 ! 15 ~1500 120 (65°С) ~1200 1 200 (6О0С) ~50 200 (6О0С) ~50 200 (6О0С) ~50 200 (6О0С) ~50 200 (60°С) ~50 200 (6О0С) ~50 15 ~800 120 ~500 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 UКБОnроб• IKmax lкоо• U~ЭR проб• UЭБOmiixt 1 •:.и maxt I~R• u~npoб• в 1 1·· 1 мА кэо• в мкА 45* 4 1 300; 700* $10 (50 В) (500 Ом) 1 1 1 1 1 1 r ! 1 1 10 1 4 1 10; 20* 1 $0,5 (10 В) - 1 ! i 15* (lк) 4 30; 50* $1 (15 В) 1 i 1 1 ! i j 1 1 1 35* ( IОк) 4 30 (50*) $0,5 (40 В) 1 ! 1 i! ' 50* 20 150 (300*) $10* (50 В) 40* 20 150 (300*) $10* (40 В) 30* 20 150 (300*) $10* (30 В) 50* 5 150 (300*) $10* (50 В) 40* 5 150 (300*) $10* (40 В) 30* 5 150 (300*) $10* (30 В) 1 ~ 10* (3к) 4 ! 20; 50* $0.5 (10 В) i f 1 i·, , ' f 40* (lОк) 1 4 10; 20* $1 (40 В)
1 ~ ~1 1 ~ ~ ~ ~ ~ . i;i i ! !~ 1 " ~ Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 283 Ck, rкэн.ас• Ом Кw1 дБ h21.• ь;,э с;2.• r~Энас• Ом r;, Ом пФ к~·,, дБ Р;:~, Вт 25... 100 (3 В; 150 мА) $5 (IO В) $8* - 1 1 1 1 1 1 1 1 1 90...450 (2 В; 5 мА) $1,5(58) $35; $110* - 1 ' 50...180 (5 В: 3 мА) $1,5 (10 В) $30; $110* i 1 ! 60...180•(5В;2,5 мА) 1 $2(10В) $25 1 1 1 ! 1 i ! i 1 '1 1 ' ~80(5В;30мА) $35 (20 В) $1 - ~80(5В;30мА) $35 (20 В) $1 - ~80(5В;30мА) $35 (20 В) $1 - ~100(5В;30мА) 1 $35(20В) $1 - ~100 (5 В; 30 мА) 1 $35 (20 В) $1 - 1 ~100 (5 В; 30 мА) $35 (20 В) $1 - 1 1 40... 120 (10 мА) $2,5 (5 В) $30; $110* - ' 1 1 40...300 (5 В; 2 мА) i $1,3 (5 В) - - 11 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i tк, ПС t~ac• НС Корпус t::кл' НС t::·n• НС $100* 2Т3133-2 ~IНJ ~ ~-- & <:>)' з / $25 2Т3134-1 1 ~~~ 1 ~ 1 11\ ' 1 1 5кз 1 $50; $10* ! 2Т3135-1 1 1 ~Pr-ir 1 VJ\~П : $30: $30• 2Т3150-2 1 ~~ (4 i1 ' ~- /ll~l ' 1 1 1 6КЗ $400* 2Т3152 $400* $400* а $400* .... з $400* ~ офк $400* ~ 1 $10* 2Т3154-1 "~, ~ " G:\ :; г;п 6.6 ( 0.1JS $40 1 2Т3156-2 i 1 ~пз ! 1 1 1 1'\~ 6кз ,1 ' i ! ' ! '
284 Тип прибора 2Т3158А-2 2Т316А 2Т316Б 2Т316В 2Т316Г 2Т316Д ll 2T3160A-2 1 1 1 2Т3162А 11 1! 2Т3162А5 2Т3164А 2Т3167А-7 2Т317А-1 2Т317Б-1 i2T317B-1 i l l 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 i11 1 1 : i1 Струк- Токр" тура ·с n-p -n - 60 ... +125 n-p-n - 60 ... +125 n-p-n 1 -60 .. . +125 n-p-n - 60 ... +125 n-p-n - 60 ... +125 n-p-n - 60 ... +125 n-p-n 1 -60 ... +125 p-n -p - 60 ... +125 1 1 p-n -p - 60 ... +125 p-n -p -60...+125 n-p-n -60...+ 125 n-p -n -60...+85 n-p-n -60...+85 n-p-n -60...+85 1 1 pk.m .ax' Р~.т1nо1:.' р~~ И IПdAt мВт 50 150 (75°С) 150 (75°С) 150 (75°С) 150 (75°С) 150 (75°С) 300 300 300 250; 500** 120 15 15 15 ~V' ~216' ~;1~' ~~;", МГц ;:>:200 ;:>:600 ;:>:800 ;:>:800 ;:>:600 ;:>:800 ;:>:200 ;:>:700 ;:>:700 ;:>:800 ;:>:400 ;:>:100 ;:>:100 ;:>:100 i 1 1 Раздел 2. Биполярные транзисторы UКБОnр<>б• U~ЭRnp<>б• u;эо npu(1t в 50; 50* 10* (3к) 10* (3к) 10* (3к) 10* (3к) 10* (3к) 50 60* (5к) 60* (5к) 15* (lООк) 40* ( lОк) 5 5 5 1 1 1 1 i1 1 UЭБOmaxt в 4 4 4 4 4 4 4 - - 4 4 3,5 3,5 3.5 1 1 •кmа:. 1~. и ша'\' мА 400; 800* 50 50 50 50 50 300; 700• 150 150 10; 20* 15 (45*) 15 (45*) 15 (45*) 1 1 1 ! 1 1 1 ' 1 1 !1 IКБО' l~R• l~эо• мкА s5 (50 ВJ s0,5 (10 8) s0.5 (10 8) s0.5(108) s0,5 (10 8) s0,5 (10 8) slO (50 8) so.5 (60 8) s0,5 (60 8) S0,5 (20 8) sl (40 8) sl(58) sl(58) sl(58) 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения i 50...180 (5 В; 200 мА) 1 1 1 20...60• (1 В; 10 мА) !1 ' 1 40... 120* (1 В; 10 мА) 1 140...120*11 В; 10мА) 1 20...100• (1 В: 10 мА) 60...300* (1 В; 10 мА) 515 (10 В) 53(5В) 53(5В) 53(5В) 53(5В) 53(5В) 30...150 (3 В; 150 мА) 55 В (10 В) fкэнас' Ом r~нас• Ом к~· •. дБ 50,53; 510* Кш, дБ r;, Ом Р;:х' Вт 1 "tк, ПС t~,. нс t:~кл' НС t::. нс 5400; 570* 5\О• 510* 515* 5150 5150 5100* 285 Корпус 2Т3158-2 ] , ... 1tl-·-·- 1-- -1-·f-I ~ - / 1]\ ~ //J0.04 llJ ~r- Ко1111~ктор Б.&iа Эl'fummep 2ТЗ16 2ТЗ160-2 ~~* "\ t:: L] 5КЗ 60...200 (3 В; 10 мА) j 55 (!О В) 5150; 5100* 1 1 2Т3162 !60...200(3В;10мА) ! 55(10В) 1 1 1 30... 120 (7 В: 2 мА) 40...300 (5 В; 2 мА) 25...75 (1 В; 1мА) 35...120 (1 В; 1мА) 80...250 (1 В: 1 мА) 1 1 55(5В) 52(5В) 511 (1 В) 511(18) 511 (1 В) 1 525 535; 5120* 530 530 530 5150; 5100* 5150 540 5130* 5130* 5130* 1 2Т3162-5 0,8 о3 1~шr 2ТЗ164 ~r-ffi а ;ап'4ояФ. 2ТЗ167-7 ~~ ХО.95 1JМ 1 ""' /1\~1 5/(з 2ТЗ17-1 ~~1,1 v11 / 1\ :::: 5зк
286 Тип прибора , 2Т3175А 2Т318А-1 2Т318Б-1 2Т318В-1 ~2T318f-1 2Т318Д-1 ~2Т318Е-1 ~ 2Т31881-1 ~j '! ~ i; 2Т3187А-9 2Т3187А-91 2Т319А-1 2Т319Б-1 2Т319В-1 2Т321А 2Т321Б 2Т321В 2T321f 2Т321д 2Т321Е i2T324A-1 2Т324Б-1 l2T324B-1 1 2Т324Г-1 2Т324JИ 2Т324Е-1 2Т325А 2Т325Б 2Т325В 2Т326А 2Т326Б 1 Струк- Такр., i 1 1 ! 1 1 тура ·с ! n-p-n 1 -60 ...+125 ! n-p -n -60 ...+85 n-p -n -60 ...+85 n-p -n -60 +85 ... n-p -n i -60".+85 n-p -n 1 -60".+85 1 1 n-p -n 1 -60".+85 n-p-n 1 -60 ...+85 1 i n-p -n - 60".+85 i n-p -n - 60".+85 1 n-p -n -60 ...+85 n-p -n - 60".+85 n-p -n -6 0".+85 1 1 i 1 p-n -p -60".+125 p-n -p -60". + 125 p-n -p -60".+125 p-n -p -60".+125 p-n -p -60". + 125 p-n -p , -60...+125 1 n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n n-p -n 1 ' ! ! -6 0".+851 1 -60".+85 1 -60".+85 1 1 -60 ...+85 1 -60 ...+85 - 60".+85 n-p -n n-p -n 1 n-p-n -6 0".+125 -6 0".+125 1-60".+1251 1 ! ' 1 1 1 p-n-p p-n -p i1 1 1 i -6 0".+125 -6 0".+125 Ркmах' р" К. т m.ixt р~:иmах' мВт 350 15 15 15 15 15 15 15 200 200 - - - 210 (20** Вт) 210 (20** Вт) 210 (20** Вт) 210 (20** Вт) 210 (20** Вт) 210 (20** Вт) 15 15 15 15 15 15 225 (85°С) 225 (85°С) 225 (85°С) 250 (25°С) 250 (25°С) 1 ! 1 1 1 !! ~•• r.:210• ~:;lэ' ~::;)\. t МГц <::300 <::430 <::430 >430 - <::350 <::350 <::350 <::350 <::4.4 ГГц 4600 <::100 <::100 <::100 <::800 <::800 <::800 <::600 <::600 <::600 <::800 <::800 <::1000 <::250 <::400 1 ! 1 1 Раздел 2. Биполярные транзисторы UКБО npu6• {J"KЭR npu6' U~эо npu6• в 45* (10к) 10 10 10 10 10 10 10 20 12* 5 5 5 60 60 60 45 45 45 10 10 10 10 10 10 1 i 1 1 i i 1 1 1 15* (3к) 15* (3к) 1 15* (3к) 1 1 1 1 15* (IООк) 1 15* (lООк) 1 UЭБОшахt J в 5 3.5 3,5 35 3,5 3.5 3,5 3.5 2 2 3,5 3.5 3.5 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 IKmax 1:,и maxt мА 100 (200*) 20 (45*) 20 (45*) 20 (45*) 20 (45*) 20 (45*) 20 (45*) 20 (45*) 25 25 15 15 15 200 (2* А) 200 (2* А) 200 (2* А) 200 (2* А) 200 (2* А) 200 (2* А) 20 (50*) 20 (50*) 20 (50*) 20 (50*) 20 (50*) 20 (50*) 60 60 60 50 50 1 1 1 1 1 i1 1 1 1 1 i 1 1 ! •коо• J~R• I~o• мкА s0.05 (50 В) s0,5 (10 В) S0,5(10B) <05(10В) - . s0.5 (10 В) s0.5 (10 В) s0.5 (10 В) s0.5 (10 В) sO.l (10 В) sO,l (IOB) $1 Sl Sl :!>100 (60 В) :!>100 (60 В) :!>100 (60 В) :!>100 (45 В) :!>100 (45 В) :!>100 (45 В) S0,5 (10 В) s0.5 (!О В) S0.5 (10 В) s0,5 (10 В) S0,5 (10 В) S0,5 (10 В) S0,5 (15 В) s0.5 (15 В) S0,5 (15 BJ S0,5 (10 В) S0,5 (10 В) ! 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения ' ь,,,. ь;,э 250... 1000 (5 В; 2 мА) 1 i "/ ' i 1 30...90 (1 В; 10 мА) 50... 150 (1 В; 10 мА) 70...280 (1 В; 10 мА) 30...90 (1 В; 10 мА) 50... 150 (1 В; 10 мА) 70...280 (1В; 10 мА) 70...280 (1В; 10 мА) ~40 (10 В; 14 мА) • ~40 (!О В: 14 мА) '! • 1 15...55 (1 В; 1мА) 45...90 (1В; 1мА) 80...220 (1 В; 1 мА) j г--- i 20...60• !3 В: 0.5 А) 1 40... 120* (3 В; 0,5 А) 1 80...200* (3 В; 0.5 А) 1 20...60• (3 В; 0.5 А) 40... 120* (3 В: 0.5 А) 80...200• (3 В; 0,5 А) 20...60 (1В; 10 мА) 40... 120 (1 В; 10 мА) S0...250 (1 В; 1О мА) 40 ... 120(1 В; !ОмА) 20...80 (1 В; 10 мА) 60...250 (! В; 1О мА) 30...90* (5 В: 10 мА) 70...210* (5 В; 10 мА) 160 ... 400* (5 В; 10 мА) 20...70* (2 В; 10 мА) 45... 160• 12 В; 10 мА) 1 1 1 ! 1 1 1 ! i 1 ; 1 1 1 1 1 11 1 ck, с;2.• пФ - $3,5 (5 В) $3,5 (5 В) $3,5 (5 В) $4,5 (5 В) $4,5 (5 В) $4,5 (5 В) $4,5 (5 В) $0.9 (10 В) $0,9 (!О В) $\l (1 В) $\l (1 В) $11 (1 В) $40 (10 В) $40 (10 В) $40 (10 В) $40 (10 В) $40(108) $40 (10 В) $2,5 (5 В) $2.5 (5 В) $2,5 (5 В) $2,5 (5 В) $2.5 (5 В) $2,5 (5 В) $2,5 (5 В) $2,5 (5 В) $2,5 (5 В) $5(5В) $5(5В) 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 rкэнас' Ом r~Эна1.:' Ом к:· •. дБ - $27 $27 $27 $33 $33 $33 $27 ~12** (0,85 Гц) ~12** (0,85 Гц) $30 $30 $30 $3,6 $3,6 $3,6 $3,6 $3,6 $3,6 $30 $30 $30 $30 $30 $30 $30 $30 Кш1дБ r;, Ом Р;:" Вт - - - - - - - - $2 (0,8 ГГц) $2 (0,8 ГГц) - - - - - - - - - - - - - - - 1 1 1 1 1 1 tк, ПС t;,.,. нс t:~кл' НС t::, нс - $15* $\5* $\5* $25* $25* $25* $10* - - $\30* $\30* $130* $400: $1000* $400; $\ООО* $400; $1000* $400; $\ООО* $400; $\ООО* $400; $1000* $10* $10* $\О* $15* $180 $\80 $\25 $\25 $\25 $450 $450 287 Корпус 2ТЗ175 1 JJ5,81/ 1 ;1 1ii 1 !1 К-$3 1 1 5 1 2ТЗ18-1 1 1 ~~~~ 11\ 5кз 2ТЗ187-91 (2ТЗ187-9) 1 О,95 i1 1 ~@х_ 5з 1,2 (Э)(5) 2ТЗ19-1 ~ш qr ~\ 1 1 5зк 2ТЗ21 :1i1~·2ТЗ24-1 1 ~т' 5кз 2ТЗ25 ~fi(l~i/бф.о к з ;Го 11:;) • ~ Корп. 1 2ТЗ26 1 JJ5,81/ 1 ~rffiJ кШз 1 ~rr. ~ 1 н i ~~ 1' " !, 11 .1 11 ·1 11 11 ·. 1 1 1 1
288 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 ' t . iСтрук-1 ' Ркmах' ~pt ~:216' UКБО npo6• i •коо• ~ lк max Тип Такр.• P~.тmaxt ~;lэt u~. npo6• UЭБО max' 1~,и maxt 1 ·~ЭR• прибора 1 тура ·с р~~ и max' ~;;х, U~эо npo6• в I~эо• 1 мА 1 мВт мrц в мкА 2ТЗЗIА-1 п-р-п -60 ...+125 15 ~250 15* (IОк) 3 20; 50* $0,2 (15 В) 2ТЗЗIБ-1 п-р-п -60 ...+125 15 ~250 15* (IОк) 3 20; 50* $0,2 (15 8) 2ТЗЗIВ-1 п-р-п - 6 0".+125 15 ~250 15* (IОк) 3 20: 50* $0,2 (15 8) 2ТЗЗIГ-1 п-р-п - 6 0".+125 15 ~400 15* ( lОк) 3 20; 50* $0,2 (15 ВJ 2ТЗЗIД-1 п-р-п - 6 0".+125 15 ~500 15* (lОк) 3 20; 50* :;;О,2 (15 8) 1 i ~ 1 1 1 1 1 1 ~ : 1 2ТЗЗ2А-1 1 п-р-п 1 -60" .+125 15 ~250 15* (lОк) 3 20; 50* $0,2 (15 ВJ 2ТЗЗ2Б-1 п-р-п - 6 0".+125 15 ~250 1 15* (10к) 3 20; 50* :;;О,2 (15 8) 2ТЗЗ2В-1 п-р-п -6 0" .+125 15 ~250 15* (lОк) 3 20; 50* $0.2 (15 8) 2ТЗЗ2Г-1 п-р-п - 6 0".+125 15 ~500 15* (lОк) 3 20; 50* :;;О,2 (15 8) 2ТЗЗ2Д-1 п-р-п - 6 0".+125 15 ~500 15* (lОк) 3 20; 50* $0,2 (15 8) . 2ТЗЗЗА-З п-р-п -6 0".+85 15 ~450 10* (3к) 3,5 20 (45*) :;;О,4 (10 8) 2ТЗЗЗБ-З п-р-п -6 0".+85 15 ~450 10* (3к) 3,5 20 (45*) $0,4(108) 2ТЗЗЗВ-З п-р-п -6 0".+85 15 ~450 10* (3к) 3,5 20 (45*) 1 $0,4 (10 8) ll2тзззr-з 1 п-р-п -6 0".+85 15 ~350 10* (3к) 3,5 20 (45*) 1 :;;О,4 (10 8) ~2ТЗЗЗД-З 1 п-р-п -6 0".+85 15 ~350 10* (3к) 3.5 20 (45*) 1 $0,4 (10 8) 2ТЗЗЗЕ-З ' п-р-п 1 -6 0".+85 15 ~350 10* (3к) 3,5 1 20 (45*) 1 $0,4 (10 ВJ п i 1 1 2ТЗЗ6А i п-р-п 1 -6 0".+85 50 ~250 10* (3к) 4 20 (50*) $0,5(108) 2ТЗЗ6Б 1 п-р-п -6 0".+85 50 ~250 10* (3к) 4 20 (50*) $0,5(108) 2ТЗЗ6В п-р-п -6 0".+85 50 ~250 10* (3к) 4 20 (50*) $0.5 (10 8) 2ТЗЗ6Г п-р-п -6 0".+85 50 ~450 10* (3к) 4 20 (50*) :;;О,5 (10 8) 2ТЗЗ6Д п-р-п -6 0".+85 50 ~450 10* (3к) 4 20 (50*) $0,5 (10 8) 2ТЗЗ6Е п-р-п -6 0".+85 50 ~450 10* (3к) 4 20 (50*) $0,5 (10 8) 2ТЗ48А-З 1 п-р-п 1 - 60 ".+85 15 ~100 5* (3к) 3,5 15 (45*) $1(5ВJ 2ТЗ48Б-З 1 п-р-п -6 0".+85 15 ~100 5* (3к) 3,5 15 (45*) $1(5ВJ 1 2ТЗ48В-З 1 п-р-п 1 -60 ".+85 15 ~100 5* (3к) 3,5 15 (45*) $1(58) ~ 1 1 1 1 1 2ТЗ54А-2 1 п-р-п -6 0" .+125 30 ~1100 10* (3к) 4 10 (20*) :;;О,5 (10 8) 2ТЗ54Б-2 п-р-п -6 0" .+125 30 ~1500 10* (3к) 4 10 (20*) $0,5(108) 1 1 1 1 ! 112ТЗ55А 1 п-р-п 1-60 ". +125 1 225 (85°С) ~1500 15* (3к) 4 30 (60*) 1 $0.5 (15 8) 1 i 1 1 2ТЗ60А-1 р-п-р -6 0".+85 10 (55°С) ~300 25 5 20 (75*) $1 (25 8) 2ТЗ60Б-1 р-п-р -6 0".+85 10 (55°С) ~400 20 4 20 (75*) $1 (20 8) 2ТЗ60В-1 р-п-р -6 0".+85 10 (55°С) ~400 20 4 20 (75*) :;;1 (20 8) 1 " 1 1 1! 1 1 1 1 ' 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 289 !1 1 1! 11 ck. rкэнас' Ом Кш• дБ т" пс 1 h21,o ь;,э с;2эt r~Энас' Ом r;,, Ом t~act НС Корпус 1 пФ к~·•. дБ Р;:х, Вт t::клt НС 1 t::.. нс 20...60* (1 мА; 5 В) :55 (5 В) - :54,5 (100 МГц) $120 2Т331-1 40...120* (1 мА; 5 В) s5(5В) - :54,5 (100 МГц) $120 ~~if 80...220* (1 мА; 5 В) :55 (5 В) - :54,5 (100 МГц) $120 40...120* (1 мА; 5 В) :55 (5 В) - :54,5 (100 МГц) $120 80...220* (1 мА; 5 В) :55 (5 В) - 1 11 1 1 ЗбК 1 !1 20...60* (5 В; 1 мА) :55 (5 В) - s8 (100 МГц) $300 1 2Т332-1 1' 40... 120* (5 В; 1 мА) :55 (5 В) - :58 (100 МГц) :5300 ~~~if ~ 80...220* (5 В; 1 мА) s5(5В) - :58 (100 МГц) :5300 i40...120* (5 В; 1мА) s5(5В) - :58 (100 МГц) :5300 80...220* (5 В; 1 мА) :55 (5 В) - s8 (100 МГц) :5300 •1 1 ;: 11 1 " 1 ЗбК 30...90 (1 В; 10 мА) :53,5 (5 В) $27 - $15* 2Т333-3 50...150 (1 В; 10 мА) :53,5 (5 В) :527 - $15* 0.7 0,25 70...280 (1 В; 1О мА) :53,5 (5 В) :527 - :515* 30...90 (1 В; 10 мА) :54,5 (5 В) :527 - :525* h~L 50 ... 150(1 В; IОмА) :54,5 (5 В) $27 - :525* <::SКооб 70...280 (1 В; 10 мА) :54,5 (5 В) $27 - :525* Кпюч 0.ОЧ 20...60 (1 В; 10 мА) :55 (5 В) $30 - $30* 2Т336 40... 120 (1 В; 10 мА) 1 :55 (5 В) :530 $30* 1 - hm,t ;е:80 (1 В; 10 мА) s5(5В) :530 - :550* 20...60 (1 В; 10 мА) :55 (5 В) $30 - $15* 40... 120 (1 В; 10 мА) s5(5В) 1 $30 - :515* ;е:80 (1 В; 10 мА) s5(5В) $30 - $15* r::::r5 оq.к Кпюч 0,01/ 25...75 (1В; 1мА) :511 (1 В) :530 - :5130* 2Т348-3 35...120 (1 В; 1мА) :511 (1 В) :530 - $130* hпfJt 80...250 (1 В; 1 мА) :511 (1 В) :530 - :5130* 1 ~ 1 i 1 ~ <::SКооб 1 /(, о.оч 1 ~ 1 пюч 40...200 (2 В; 5 мА) :51,3 (5 В) - :510* :525 2Т354-2 90...360 (2 В; 5 мА) :51,3 (5 В) - $10* :530 1 0,8 ~щ~л~ 1 5КЗ 1 80...300* (5 В; 1О мА) 1 :52 (5 В) - - :560 1 2Т355 1 1 ii6Фkз о.о ~ ' . Корп. 25...70 (2 В; 10 мА) :55 (5 В) :535 - $450; :5100* 2Т360-1 40...120 (2 В; 10 мА) :55 (5 В) :535 - :5450; :5200* !;1 0,8 80...240 (2 В; 1О мА) s5(5В) :535 - $450; :5200* v Q;) ' 1 5КЭ 19зак 9
290 Тип прибора 2ТЗ6ЗА ,2ТЗ6ЗБ 1: ~ 1 1 2ТЗ64А-2 2ТЗ64Б-2 2ТЗ64В-2 1 • l2ТЗ66А-1 2ТЗ66Б-1 2ТЗ66В-1 2ТЗ66Б1-1 ,, .. i: '1, 2ТЗ67А 1[ \\2ТЗ68А ~2ТЗ68Б " ;, f, q 1 2ТЗ68А-9 2ТЗ68Б-9 2ТЗ70А-1 12тз10Б-1 1 Струк- Такр .• тура ·с p-n-p -60...+1251 p-n-p -60...+125 ! p-n-p -6 0".+85 p-n-p - 6 0."+85 p-n-p i -60" .+85 1 i 1 1 1 i 1 ! 1 1 n-p-n 1 -60".+85 1 ' ' ' n-p-n 1 - 6 0".+85 1 n-p-n 1 -60".+85 1 n-p -n 1 - 6 0".+85 1 1 1 1 i ; 1 ' 1 n-p-n 1 -60."+125 1 1 i 1 1 ! 1 1 1 1 n-p-n 1 -60".+125 \ ' nрn160+1251 ' -- - ". 1 ! 1 ! 1 1 ' ! 1 1 1 1 1 n-p -n - 6 0".+100 n-p-n - 6 0".+100 1 1 i 1 p-n-p 1 -60".+85 1 ! p-n-p - 6 0".+85 1 1 1 1 1 Ркmах• Р~.тmа'' р~:иmах• мВт 150 (45°С) 150 (45°С) 30 30 30 30 (70°С) 50 (70°CJ 90 (70°С) 50 (70°С) 100 225 (65°С) 225 (65°С) 100 (65°С) 100 (65°С) 15 15 1 1 ! 1 1 1 1 1 '1 1 1 1 1 1 ~•• \210 • ~:;lt• с· '" МГц ~1000 ~1500 ~250 ~250 ~250 ~1000 ~1000 ~1000 ~800 1,5 ГГц ~900 >900 - ~900 ~900 ~1000 ~1200 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ' ' 1 1 1 1 Раздел 2. Биполярные транзисторы Uю;onpo0• U~ЭR npo6' U~эо проб• в 15* (lк) 12* (lк) 25 25 25 15 15 15 15 10 15 15 15 15 15* (lк) 12* (lк) ' 1 1 1 ; 1 1 1 i ' i 1 1 1 i1 ' 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i UЭБOmaxt в 4.5 4.5 5 5 5 4,5 4,5 4.5 4,5 4 4 4 4 4 4 4 1 1 1 : i 1 1 1 ' ! 1 i 1 : ! 1 1 1 1 1 lк maA 1~. н max• мА 30 (50*) 30 (50*) 200 (400*) 200 (400*) 200 (400*) 10 (20•) 20 (40*) 45 (70*) 10 (40*) 20 (40*) 30 (60*) 30 (60*) 30 (60*) 30 (60*) 15 (30*) 15 (30*) : 1 1 'i 1 ! 1 ! ' ! 1 i 1 ! i i i ! 1 1 1 1 : 1 1 ii ! 1 1 IКБО• l~ЭR• гКЭО• мкА $0.5 115 BJ $0.5 (15 ВJ $1 (25 В) $1 (25 В) $1 (25 В) $0,1 115 BJ $0,1 (15 В) $0,1 (15 В) $0,1 (15 В) $0,5 (15 В) $0.5(158) <05(1581 - . $0,5 (15 В) $0,5 (15 В) $0,5 (15 В) $0,5 (12 В) ., '~ ! j ' ; '., 1. 1' !! 11 ~11 !i ~ ~R,.
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения ,1 : ~..120* (5В: 5мА) 1 s2 (5В) 40... 120• (5 В; 5 мА) s2(5В) !1 20...70* (1 В: 0.1 А) :515 (5 В) ,, 4U...120• 11 В: 0.1 А) sl5(5В) 1 11 11 80...:!40* (1 В: 0.1 А) sl5(5В) ' ., 1 ., ' 11 1 11 :1 ! ,, 1 11 11 1' 50...200 11 В: 1 мА) sl.l (0,1 В) 1 50...200 (1 В; 5 мА) sl,8 (0,1 В) 50".2 00 (1 В; 15 мА) s3,3 (0.1 В) 11 11 11 50...200• /15 мА: 1В\ sl.8 IO.l В) 40...330 (5 В; 10 мА) 1,5 50...300* (1 В: 10 А) sl.7 (5 В) 50...300• (1 В: 1О мА) sl,7 (5 В) 50."300 (1 В: 10 мА) sl,7 (5 В) 50...300 (1 В; 10 мА) sl.7 (5 В) 20...70 (5 В; 3 мА) s2(5В) 40... 120 (5 В: 3 мА) s2(5В) 19' rКЭнас' Ом r~Эн.icl Ом к:· •. дБ $35 $35 s3 $3 $3 s80 s25 $16 s25 $35 $35 1 1 Кш, дБ r;, Ом Р;:,, Вт - - - - - - - - 4,5 s3.3 (60 МГц) s3,3 (60 МГц) s3,3 (60 МГц) : 1 т,. пс f~a{' НС t::кл 1 НС t''"в11.л' НС s50; slO* s75; s50* s500: slOO* s500: sl30• s500: sl60• s60; s50* s50; s80* $10; $120* s50: s80* $15 $15 $15 $15 s50: slO* s75: slO* 291 Корпус 1! 2Т363 ~5,Bq 1 ~зфк 1 1 2Т364-2 ! J 1 1 ! ~11~1 "1 !Е ~ 1" 11 1 бКЭ 1 2Т366 0,85 о,5 т 1 :Q 1! ~~ i 11 1 1 с.о ,, ·1 ,, бКЭ 2Т366-1-1 1 0,8 ~Щ~Jf 5КЭ 1 2Т367 ~tк ~ 2,7 2Т368 ~5,8 ~tj з ~ Корп-$5 ~ к 2Т368-9 J О,95 ~х_ 2Т370-1 ~tt~It бк·з
292 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 pKmaAt ~р• (216• UКГ><> проб' lкоо• ~ Тип Струк-1 Токμ., р• ~:;,1, U~ЭR nμoбt UЭБOтnd\t lк шах ·~ЭR• 1 К.Т!Пd\t •• прибора 1 тура 1 ·с р~:иm.н.t ~~;),, u;ЭОп1М.Ю' в J\,И IШl'(t I;эо• мВт МГц в мА мкА IJ2T370A9 1 p-n-p 1 -60 ...+85 30 ~1000 1 15* (lк) 1 4 15 (30*) 1 $0,5 (15 8) 112Т370Б9 1 p-n-p 1 -60 ...+85 1 30 ~1200 12* (1 к) 4 1 15 (30*) 1 $0,5 (12 8) 1 1 i 1 1 ! 2Т371А n-p-n -60 ...+125 100 (85°С) ~3000 10 3 20 (40*) $0,5 (10 8) 1 ' 1 1 1 i 1 ~ 1 1 i 1 1 1 1 1 1 2Т372А n-p-n -60 ...+125 50 (100°С) ~2400 1 15* (lОк) 3 10 $0,5(158) 2Т372Б n-p-n -60 ...+125 50 (lOO"C) ~3000 15* (10к) 3 10 s0,5 (15 8) 2Т372В n-p-n -60 ...+125 50 (lOO"C) ~2400 15* (lОк) 3 10 $0,5 (15 8) ' 1 1 ; li2TЗ77A-2 1 n-p-n i -60 .. . +125 50 ~200 30* (1 к) 3 300 (600*) S3 (30 8) ~2Т377Б-2 1 n-p-n 1 -60 .. . +125 50 ~200 30* (1 к) 3 300 (600*) s3 (30 8) ll2T377B-2 1 n-p-n 1 -60 . .. +125 50 ~200 30* (1 к) 3 300 (600*) s3 (30 8) ~ i 1 ~ 1 1 11 1 ! i' 1! 1 2Т377А1-2 n-p-n -60 ...+125 50 ~200 30* (1 к) 3 300 (600*) s3 (30 8) 2Т377Б1-2 n-p-n -60 ...+125 50 ~200 30* (1 к) 3 300 (600*) $3 (30 8) ~2Т377В1-2 1 n-p-n 1 -60 . .. +125 50 ~200 30* (1 к) 3 300 (600*) sЗ (30 8) 1 •' 1 i ii р 1 ! i !1 ! 1 ~ il ! 1 ' 2Т378А-2 n-p-n -60 ...+125 50 ~200 60 4 400 (800*) SlO (60 8) 2Т378Б-2 ' -60 ...+125 50 ~200 60 4 400 (800*) SlO (60 8) n-p-n i 1 1 ~ 2Т378Б-2-1 i n-p-n ! -60 . .. +125 50 ~200 30 4 400 (800*) 1 slO (30 8) 1' i i .1 1 1 1 1 :1 1 1 i 1 • ,, 1 1 1 11 1 1 1 '1 1. 1 1 ~ 1 1 2Т378А1-2 n-p-n -60 ...+125 50 ~200 60 4 400 (800*) SlO (60 8) 2Т378Б1-2 n-p-n -60 ...+125 50 ~200 60 4 400 (800*) slO (60 8) ~ i 1 1 11 ~ 1 i 1
i 1 i ~, ) 1 1 Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения h",, ь;,э 20...70 (5 8; 3 мА) 40".i20 (5 8; 3 мА) 30". 240 (1 8; 10 мА) 10".90 (5 8; 10 мА) 10".90 (5 8; 10 мА) 10".90 (5 8; 10 мА) 20".80* (150 мА; 2 8) 50" .i20• (150 мА: 2 8) 80".220• ( 150 мА; 2 8) 20".80* ( 150 мА; 2 8) 50" .120* (150 мА; 2 8) 80".220* ( 150 мА; 2 8) 20".80* (200 мА; 5 8) 50. "180* (200 мА: 5 8) 40". 180* (200 мА; 5 8) 20".80* (200 мА: 5 8) 50" .180* (200 мА; 5 8) 1 i ! 1 1 i 1 1 ! ck, c;l~' пФ $2(58) $2(58) $1,2 (5 В) $1(58) $1(58) $1(58) $15(108) $15 (10 8) $15 (10 8) $15(108) $15(108) $15(108) $15(108) $15(108) $15(108) $15(108) $15(108) 1 1 1 1 1 1 1 fкэкас' Ом r~Эи.~с' Ом к~·., дБ $35 $35 ~9** (0,4 ГГц) ~10** (1 ГГц) ~10** (1 ГГц) ~10** (1 ГГц) $6 $6 $6 $4 $4 $4 $4 $4 ' 1 1 1 1 Kw, дБ r;, Ом Р;~х' Вт $4 (400 МГц) $10• $3,5 (1 ГГц) $5,5 (1 ГГц) $5,5 (1 ГГц) - - - - - - - - 1 1 1 1 1 ."пс t~,. нс t::IUlt НС t::, нс $50; $10* $75; $10* $15 $400: $70• $400: $70• $400: $70• $400; $70* $400; $70* $400; $70* $400; $70* $400; $70* $400; $70* $400; $70* $400; $70* 293 Корпус 2Т370-9 J О.95 ~~х 2Т371 2ТЗ72 ~~~No 2Т377-2 С)) -- r-. /1\ ,._ 1 5КЭ 2Т377-1-2 J -~ 7 ~ КбЭ 2Т378-2 ~~ ~t /1\ 5КЭ 1 2Т378-2-1 !1 i J 7 -~~ КбЭ 2Т378-1-2 1 J 7 -~~1 КбЭ 1 ! ,, ·'
294 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 i 1 1 1 1 PKll!d\' ~v' ~:21б' UKБ011pu()t lкьо• 1 i 1 lк mdx Тип 1Струк- Токр. • P~.Tlnd\' ~:;lt' U~ЭR npt.16 1 1u ' i I~э•• прибора 1 тура ·с р~~иm.i\' ~~:~, U~эо пμоб' 1 Эlв"'"' i 1~,и m.i'(t 1 1;эо• 1 мВт МГц в мА 1 мкА 2Т381А-1 -60 ...+70 15 (40°С) ~200 15* (1к) 6,5 1 15 ! :<>10мА(5В) n-p-n 1 2Т381Б-1 n-p-n -60 ...+70' 15 (40°С) ~200 15* (1 к) 6,5 15 1 :<>10 мА (5 В) 2Т381В-1 n-p-n -60...+70 15 (40°С) ~200 15* (1 к) 6.5 1 15 :<>10 мА (5 В) 2Т381Г-1 n-p-n -60 ...+70 15 (40°С) ~200 1 25* (1 к) 6.5 1 15 1 :<>10 мА (5 В) l 2Т381Д-1 n-p-n -60...+70 15 (40°С) ~200 15* (1 к) 6,5 1 15 1 :<>10 мА (5 В) 1 1 ! ! 1 1 .1 1 1 2Т382А n-p-n 1-60.. . +1251 100 (65°С) ~1800 15 1 3 1 20 (40*) S0,5 (15 В) 2Т382Б n-p-n ! -60 .. . +1251 100 (65°С) ~1800 15 3 20 (40*) s0.5 (15 В) 1 i 11 2Т384А-2 - 60 ... +125 300 ~450 30* (5к) 5 300 (500*) :<>10 (30 В) n-p-n :1 1 i i; i 1 1 1 11 1 1 1 1 11 1 1 1 1 ' 1 1 1 1 1 2Т384АМ-2 n-p-n - 60 ... +125 300 ~450 30* (5к) 5 300 (500*) ~~ 1 1 2Т385А-2 i n-p -n - 60 ... +125 300 1 ~200 60 5 300 (500*) 1 :<>10 (60 В) 1 1 1 i i 1 1 i 1 1 1 2Т385А-9 n-p-n - 60 ... +125 150 ~250 60 5 300 :<>100 мА 11 1 i 1 i 1 1 1 1 1 2Т385АМ-2 1 n-p-n - 60 ... +125 300 ~200 60 5 300 (500*) 1 :<>10 (60 В) 2Т388А-2 p-n -p - 60 ... +125 300 (8О0С) ~250 50 4,5 250 :<>2 (50 В) 1 1 1 1 i i 1 1 1 1 1 1 i 1 ·1 1 1 1 1 1 '1 !1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 295 с•. rкэ",• Ом Кw1 дБ tк• ПС ь"•. ь;,э с;2,, r~""' Ом r;, Ом t~c• НС Корпус пФ к~:.. дБ Р;~х• Вт t::кл• НС t:::,. нс ~50* (10 мкА; 5 8) - $40 - - 2Т381-1 ~40* (10 мкА; 5 8) - $40 - - 1,1 1t ~30* (10 мкА; 5 8) - $40 - - ~20* (10 мкА; 5 В) - $40 - - - ~20* (10 мкА; 5 8) - $40 - ! - . ..: ' 1 : 1 1 ~ 1 i 1 1 бЭК ,1 ' 1 40...330 (1 8: 5 мА) $2(58) ~9** (0,4 ГГц) $3 (400 МГц) $15 1 2Т382 40...330 (1 8: 5 мА) $2(58) ~5** (О,4 ГГц) $4,5 (400 МГц) $10 ~t 30... 180* (1 8; 0,15 А) $4 (10 8) $4 - $12* 1 2Т384-2 1 1 ~~ ~t 1 i 1 '1\ 5К3 30...180* (1 8; 0,15 А) $4 (10 8) $4 - $12* 2Т384М-2 J -& 7 ~ 1 К5Э 1, 1 1: ~ 30... 150* (! 8: 0,15 А) 1 $4(108) $5 - 1 $60* 1 2Т385-2 ' 1 1 ~~~1,1 ~ 111-~ бКЭ 40 ... 150* (! 8; 0,15 А) - - - $60* 2Т385-9 J 0,95 1 1 ~*Х 1 30 .. .150* (! 8; 0,15 А) $4(108) $5 - $60* 2Т385М-2 J -& 7 ~ К5Э 25 ... 100* (1 8; О, 12 А) $7(108) $5 - 60; $60* 2Т388-2 1 ~пз ! 1 1 1 1 1 11\~ 1 1 6кз
296 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк maAt ~•• (z10• UКБО проб' IKmax lкоо• Тип Струк- Такр.• Р~.т 1n3At Ii:; 1~· U~ЭR """"' UЭБOmaAt 1:. и maxt I~ЭR• прибора тура ·с р~~ и maxt ~:;.\, U~эо """"' в мА 1;;;,о• 1· мВт Мfц в мкА !i2T388A-5 p-n-p ! -60 . .. +1251 300 ~250 50 4,5 250 :s;2 (50 В) ,, 11 i 1: li 11 2Т388АМ-2 p-n-p -60 ...+125 300 (8О0с) ~250 50 4,5 250 :52 (50 В) !1 lf--~~~-+-~~-+-~~~+-~~~~~+-~~~--lf--~~~+-~~-+-~~~~-+-~~~~~--0 Jj2T389A-2 11 11 2Т391А-2 2Т391Б-2 2Т392А-2 l2ТЗ96А-2 ii, . ~~ 2Т397А-2 11 11 '1 ~2Т399А ' 1 1 1 1 1 1 : 1 1 i 1 i : 1 1 p-n-p 1-60 . .. +1251 300 (8О 0С) n-p -n -60 ...+125 n-p -n -60 ...+125 1 1 1 1 1 1 p-n-p 1 -60 ...+85 1 n-p-n 1 -60 . .. +1251 i 1 ! 1 1 1 ! ! n-p-n -60 ...+125 1 i 1 1 1 n-p-n 1-60. .. +1251 10 (85°С) 10 (85°С) 120 (65°С) 30 (5О0с) 120 (9О0С) 150 (65°С) 1 1 1 ~450 ~5000 ~5000 ~300 ~2100 ~500 ~1800 25* ( 1к) 15 15 1 40*(10к) 15 1 1 40* (lОк) i 1 15 4,5 2 2 4 3 4 3 1 1 1 1 300 10 10 10 (20*) 40 (40*) 10 (20*) 20 (40*) 1 1 1 ! 1 :51 (25 В) :50.5 (10 В) :50,5 (10 В) :50,5 (40 В) :50,5 (15 В) $1(40в :s;0,5 (15 В) 1 ~~
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 25 ... 100* (1 В: 0.12 А) 1 25 ... 100* (1 В; 0.12 А) ck, с;2эt пФ $7(108) s7(10B) 25... 100* (1 В; 0,2 А) SIO (10 В) ~20(7В;5мА) ~20(7В;5мА) 40 ... 180* (5 В: 2.5 мА) 40...250 (2 В: 5 мА) 40...300 (5 В; 2 мА) ~40~!1В;5мА) s0,7 (5 В) s0.7 (5 В) s2.5 (5 В) sl.5 (5 В) Sl,3 (5 В) sl.7 (5 В) Гкэиас' Ом r~Ha{·' Ом к~·•. дБ $5 $5 $3 ~6** ~6** $50 slI* $25* ~11,5 (0,4 ГГц) Кш, дБ r~, Ом Р;:" Вт $4,5 (3,6 ГГц) s5,5 (3,6 ГГц) 4,5 (100 МГц) s2 (400 МГц) tк, ПС t~,. нс t::клt НС t::, нс $60* 60; s60* $25*; $180 $3,7 $3,7 $120 $15 $40 $8 297 Корпус 2Т388-5 1 о~ ~з 1 cir:EJT 2Т388М-2 ~ЩJ ~м- /1\ -L] 5КЗ 2Т389-2 :;~у ,, ,~о 6кз 2Т391-2 2Т392-2 ~~ i• " /11 ~l 6КЭ 2Т396-2 ~~~! 5/(э 1 2Т397-2 Z2 7,5 :;4?, ~д 6кз 2Т399 ~Ei!l5,8 з ~ Корл~б t:1 ~
298 1 ~ ~ Типприбора 2Т504А 2Т504Б 2Т504А-5 2Т504Б-5 2Т505А 2Т505Б 11 li 1 l2T505A-5 !2Т506А .2Т506Б 2Т506А-5 2Т509А 1 2Т509А-5 ~ ! 1 1 Струк-1 Токр.• 1 тура 1 1 n-p -n n-p -n : 1 1 n-p-n n-p -n p-n-p p-n-p : : p-n -p 1 1 1 1 n-p -n n-p -n !·с i 1-60" .+125 -60 ...+125 1 1-60 " .+125 - 6 0".+125 - 60".+125 - 60".+125 - 60".+125 ! i -6 0 " .+1251 - 60".+125 i pKm41,11:t P~.tmJiiA' р~~ и ma.xt мВт 1 (10*) Вт 1 (10*) Вт 0,025 ( 1О*) Вт 0,025 (10*) Вт 1 (5*) Вт 1 (5*) Вт 1 (5*) Вт 0,8 ( 10*) Вт 0,8 (10*) Вт n-p -n -60". +125 f 0,8 (10*) Вт p-n -p - 60".+125 1 0,3 (1 *) Вт i 1 1 i1 1 p-n -p -40".+85 0,025 ( 1*) Вт 1 1 1 1 i 1 i1 1 1 1 i 1 1 1 1 ~•• t .:210• ~:;lэ' t" "' МГц ~20 ~20 ~20 ~20 ~20 ~20 ~20 ~10 ~10 ~10 Раздел 2. Биполярные транзисторы UКБО щюб• U~ЭR проб• u~проб• в 1(2*)А 1(2*)А 1 400; 350* 200* (0,1 к) 300* (0.1 к) 250* (О, 1к) 1 1 i 1 300* (О, 1к) 1 1 1 1 800 600 800 1 1 u'",;•" 1 1 1 1 6 6 6 6 5 5 5 5 5 5 1450*(lОк)1 5 1 1 1 1 1 1 1 450* ( 10к) 5 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 11 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 i1 1 1 1 i i i 1 JKm•). 1:.н maA' мА 1(2*)А 1(2*)А 1(2*)А 1(2*)А 1(2*)А 1(2*)А 1(2*)А 2(5*)А 2(5*)А 2(5*)А 20 20 1 1 1 ! 1 1 i 1 1 : 1 1 ! i i1 i lкю• I~ЭR• 1~, мкА SlOO (400 В) SlOO (250 В) SlOO (400 В) SlOO (250 В) SlOO (300 В) SlOO (250 В) SlOO (300 В) SlOOO (800 В) S200 (600 BI SlOOO (800 В) s5 (500 В) s5 (500 В) < i 1
! 1 1 ! ; Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения h~i'' h~ 13 15... 100* (5 В; 0.5 А) 15... 100• (5 В; 0.5 А) i5...100• (5 В; 0.5 А) 15... lOO• 15 В: 0.5 А) 25...140* (1О В; 0.5 А) 25...140* (10 В; 0,5 А) 25 ... i40• !10 В: 0.5 А) 30...150* (5 В; 0,3 А) 30...150* (5 В; 0.3 А) 30...150' (5 В; 0.3 А) с,, c;2j• пФ s30 (10 В) s30 (10 В) s30 (10 В) s30(IOB) s70 (5 В) S70 (5 В) S70 (5 В) s40 (5 В) s40 (5 В) s40 (5 В) 15 ... 100 (10 В; 0.1 мА) s2,9 (100 В) 15 ... 100 (10 В; 0,1 мА) s2,9 (100 В) i 11 1 1 1 1 1 1 Гкэ11ас' Ом r~энdt·' Ом к:· •. дБ $2 s2 $3,6 $3,6 $3,6 lОк lОк 1 1 Кш, дБ r;, Ом Р;:,, Вт 1 1 1 ! 1 1 - t111ПС t~,"l, нс t::.~кл• НС t:·:,. нс $2700• $2700' $2700* $2700' $2600* $2600* $2600* $1560* $1560* $1560* S500 $500 299 Корпус 2Т504 2Т504-5 1 0,32 -ШТ 2Т505 2Т505-5 1 1 1 0,32 -rВТ 2Т506 2Т506-5 2Т509 '<>~ /( з .. tw:. С'1 б 2Т509-5 1 0,32 -ШТ 1 1: 1' ~ ' ~
300 Раздел 2. Биполярные транзисторы pl\1m1\I 1 ~11• ~2161 UКБО nμui1I lк m.111: lкьо • Тип Струк- Токр.о P~.тin.ixl ~:;11• u~ЭR npol1I UЭБOmaxl I" I~ЭR• прибора тура ·с р~:ИIП.~\1 ~;;~, u~эо ,,, .,.. в К, и 111.ix' I~эо• мВт МГц в мА мкА 2Т528А-9 n-p-n 1-60...+125 600 - 100* - 2000 - i 2Т528Б-9 n-p -n -60 ...+125 600 - 80* - 2000 - 2Т5288-9 n-p -n -60 ...+125 600 - 50* - 2000 - 2Т528Г-9 1 n-p-n i -60 ...+125 600 - 30* - 2000 - !12Т528Д-9 1 n-p-n 1 -60 . . . +1251 600 - 12* - 2000 - 11 1 1 1 1 1 11 1 1 i! 1 11 1 1 2Т602А n-p-n -60 ...+125 0.85 (2,8*) Вт ~150 120 5 75 (500*) SIO (120 В) 2Т602Б n-p-n -60 ...+125 0,85 (2,8*) Вт ~150 120 5 75 (500*) slO (120 В) 1 1 1 ~ 1 ! 1 1 2Т602АМ n-p-n -60 ...+125 0,85 (2,8*) Вт ~150 120 5 75 (500*) slO (120 В) 2Т602БМ 1 n-p-n -60 ...+125 0,85 (2,8*) Вт ~150 120 5 75 (500*) SIO (120 В) 1 1 1 1 1 1 1 11 ~ 1 ! 1 ' 12Т603А 1 n-p-n 1 -60 . . . +125 О,5 Вт (50°С) ~200 30* ( 1к) 3 1 300(600*) ! s3(30В) ~ 12Т603Б 1 n-p-n 1 -60 . . . +125 о.5 Вт (50°С) ~200 30* ( 1к) 3 300 (600*) s3 (30 В) 12Т6038 1 n-p-n 1-60 . . . +125 О,5 Вт (50°С) ~200 15* (lк) 3 300 (600*) s3 (15 В) 2Т603Г 1 n-p-n -60 ...+125 О,5 вт (50°С) ~200 15* (lк) 3 300 (600*) s3 (15 В) 2Т603И n-p-n 1-60 . . . +125 о.5 Вт (50°С) ~200 30* ( 1к) 3 300 (600*) s3 (30 В) 2Т606А n-p -n -60 ...+125 2,5** Вт (40°С) ~350 65 4 400 (800*) Sl,5* (65 В) 1 ! i 1 1 1: ' 2Т607А-4 n-p-n -60 ...+125 1,5 Вт ~700 40 4 150 sl (30 В) ' 1 ~ 2Т608А -60 ...+125 0.5 Вт ~200 60 1 4 400 (800*) 1 SIO (60 В) 1: n-p-n 1 ' l2Т608Б n-p-n 1-60 . . . +1251 0,5 Вт ! ~200 60 1 4 400 (800*) 1 SIO (60 В) ·! ~ 1 1 i! ~ 1 1 1 !1 ii 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 301 ck, fкэнас' Ом Кш, дБ t" пс h21"t ь;IЭ с;2э' r~Энас' Ом r~, Ом (те' НС Корпус пФ К~',. дБ Р;~", Вт •::кл' НС t::,, нс 20...200 (5 В; 1 А) - $0,4 - 300* 2Т528-9 20...200 (5 В; 1 А) - $0,4 - 300* 50...250 (5 В; 1А) - $0,4 - 300* 4,6 - 1,6 50...250 (5 В; 1 AJ - $0,4 - 300* 1 1 50...250 (5 В; 1 AJ - $0,4 - 1 300* ~t~-Pw \tt ~ i 1 1 1 ~- 5 0,4 1 1 ~"' 11 O..f.f i ~5. 1,5 0,48 20...80 (10 В; 10 мА) $4 (50 В) $60 - $300 2Т602 <':50(10В; 10мА) $4 (50 В) $60 - $300 :1~1~у 1 1 к 1 20...80 (10 В; 10 мА) $4 (50 В) $60 - $300 2Т602М <':50 (10 В; 10 мА) $4 (50 В) $60 - $300 Q~=~ 20...80* (2 В; 15 А) 1 $15 (10 В) $7 - $400; $70* 2Т603 <'::60* (2 В; 0.15 А) 1 $15 (10 В) $7 - 1 $400; $70* 20...80* (2 В: 0.15 А) 1 $15 (10 В) $7 - $400; $70* :I~1<Ф. 1 <'::60* 12 В: 0.15 AJ 1 $15(!ОВ) $7 - $400; $70* 2 <':20*t2В;0.35AJ i $15(10В) $3,4 - $400; $70* ~ 1 1 ' 1 1 i к <':15* (10 В; 0,1 А) $10 (28 В) $5; <':2,5** ;:.:О,8** (0,4 ГГц) $10 2Т606 \ :~~ fl..... 6 - 1 $4(108) <':4** (1 ГГц) <':I ** (1 ГГц) $18 2Т607-4 _j~'к . 6,~ 6 25...80* (5 В; 0,2 А) $15 (10 В) $2,5 - $120* 2Т608 50...160* (5 В: 0.2 А) $15 (10 В) $2,5 - $120* ' :No6<Ф3 1 1 к
302 Тип прибора ~2Т610А 112Т610Б ~! 1 2Т624А-2 1 ! i Струк­ тура i i n·p ·n n-p -n n·p ·n 11 ! 12Т624АМ-2 1 n-p -n i2T625A-2 1!2Т625Б-2 11 li 11 11 2Т625АМ-2 2Т625БМ-2 li2T629A-2 '1 1 n·p·n n·p·n n·p·n n·p·n Такμ, ·с -6 0 ... +1251 -6 0 ... +125 -6 0 ... +125 1 1 1 ! 1 -60 ...+125 1 1 -60 ...+125 1 -60 ...+125 1 1 1 1 -6 0 ... +125 -60 ...+125 2Т629А-5 p·n ·p -60 ...+125 2Т629АМ-2 p-n -p -60...+125 1 1 pl\llld\' ~,,, ~:216' Р~. т rn""' ~:;1 t' р~~ 11 md"' ~~·;,' мВт МГц 1,5 Вт (50°С) ~1000 1,5 Вт (50°С) ~700 1 1Вт ~450 1Вт ~450 1Вт ~200 0.7 Вт (125°С) ~200 1Вт ~200 0,7 Вт (125°С) ~200 1Вт ~250 1000 ~250 1Вт ~250 J 1 1 1 Раздел 2. Биполярные транзисторы UКБО Про(J' 1 ! U~ЭR "pu6' 1 Uэьо ma"' u~эо"''°'" 1 в в i 1 26 4 26 4 30 4 1 30 4 40* (5к) 5 40* (5к) 5 40* (5к) 5 40* (5к) 50* ( lк) 4,5 50 4,5 60 4,5 Ik.m",,, 1~. н ma"'' мА 300 300 1000 (1300*) 1000 (1300•) 1 !ООО (1300*) 1 IA(l,3 •A) 1 1 1 ' 1000 ( 1300*) 1А(1,3*А) 1000 1000 ! !А IКЬО' I~ЭR• I~эо• мкА :<>0,5 (20 В) :<>0,5 (20 В) :<>100 (30 В) $\00 (30 BJ :<>30 (60 В) $30 (60 В) :<>30 (60 В) :<>30 (60 В) :<>5 (50 В) $5 (50 BJ $5 (50 В) 1 1 :1 i!
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 303 i 1 1 1 1 ~ rКЭнасt Ом ' tll.1 пс 1 1; 1 с.. Кш, дБ u t~1.• НС 1 ~ ! h21з• ь;.э С~2,• r~эн~• Ом r~. Ом 1 Корпус ~ пФ к~·v, дБ Р;~". Вт t::мt НС i t:::, НС 50 ... 250* (10 В; 0.15 А) :s;4,l (10 В) - 6 (0.2 ГГц) :s;35 2Т610 20 ... 250* (10 В; 0,15 А) :s;4,l (10 В) ~6.4** (0,4 ГГц) 6 (0.2 ГГц) :s;l8 ~ с-.. ~ ,...., ~ "&. ·З ~g 12,1 20,5 i 30... 180* (0.5 В: 0.3 А) 1 :s;l5 (5 В) :s;9 - 1 :s;I8 i 2Т624-2 ~ : i 1 ; 1 ~~ ~t 1 1 1 ~ 1 1 1 1 1 1 1 11\ 5К3 30... 180* (0.5 В; 0,3 А) :s;l5 (5 В) :s;9 - :s;18 2Т624М-2 J 1 ' -ffiF ~ 1! 1 1 !i 1 i i К5Э 1 ' 1 1! ! .1 30...120* (1 В: 0.5 А) 1 :s;9 (10 В) :s;2.4 1 :s;60 2Т625-2 ·1 - 1 11 i20...i20* (500мА: 1В) i :s;9 (10В) 1 :s;l,3 - 1 :s;60 ~~;!1 1 1 1 1 ' 1 1'\~ 5кз 30... 120* (1 В; 0.5 А) :s;9 (10 В) :s;2,4 - :s;60 2Т625М 20... 120* (500 мА: 1 В) :s;9 (10 В) :s;l,3 - :s;60 ~ 1 1 1 J 7 1 1 1 -ffiF ~ К5Э 25...80* (1.2 В: 0.5 А) :s;20 ( 1О В) :s;l,6 :s;l20; 90* 2Т629А-2 ~~у ,, '~о 5кз 25...150* (5 В: 0.5 А) :s;25 (1 О В) 90* 2Т629А-5 25...80* (1.2 В; 0,5 А) :s;20 (10 В) :s;l,6 2Т629АМ-2 ~~у ",~о 5кз
304 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 1 Рк rna). ' ~р• ~•••• UКБО ороб' lкw• IKmax Тип Струк- Токр., Р~. тmа).' ~;lэ' u~ЭR ороб' UЭБОmах' J~. и max' I~ЭR• прибора тура ·с р~~и ma).' ~:;х, u;эо проб' в мА 1;эо• мВт МГц в мкА 2Т630А n-p -n - 60 ... +125 0,8 Вт <'::50 120 7 1000 (2000*) $\ (90 В) 2Т630Б n-p -n -60 ... +125 0,8 Вт <'::50 120 7 1000 (2000*) :Sl (90 В) 1 1 1 1 1 !1 i1 11 ! 1 ! ! 1 '2Т630А-5 n-p-n 1-60 ... +125 0,8 Вт ;:>:50 120 7 1000 (2000*) sO,l (90 В) 2Т632А p-n-p -60 ... +125 0,5 Вт (40'С) <':200 120* (lк) 5 О, 1 А (0,35*А) :Sl (120 В) . ~ 1 1 1 12Т633А n-p-n - 60 ... +125 1,2* Вт <'::500 30 4,5 200 (500*) s3 (30 В) i ' 2Т634А-2 i n-p -n 1-60.. . +125 1,2 Вт <':1500 50 3 150 (250*) :Sl мА (30 В) 1' 1 1 1' 1 1 1 1 1 1 1 1 2Т635А n-p-n - 60 ... +125 0,5 Вт <':250 60 5 1 {1,2*)А :SIO (60 В) 1 1 1 i2T637A-2 ! n-p-n -60 ... +100 1,5 Вт <':1300 30 2,5 200 (300*) sO.l мА (30 В) 1 2Т638А n-p-n -60 ... +125 0,5 Вт; 1•• Вт <':200 120* (lк) 5 O,IA (0,35* А) 1 sO.l мА (120 В) 1 1 ~ 1 1 ~ 1 1 1 1: 1 ~ 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения !40... 120* (10 В; 150 мА) :!>15 (10 В) 80... 240* (10 В: 150 мА) :!>15 (IO В) 40.. .120* (10 В; 150 мА) :!>15 (10 В) ~50(1мА;10В) 1 :!>8 (20 В) 40.. .140 (1 В; 10 мА) ~4.5 (10 В) rкэиас:' Ом r;Эиас:' Ом к:~.. дБ :!>25 $5 :!>2,5 (15 В) ~1,4** (5 ГГц) 25...150* (1 В; 0,5 А) :!>10 (10 В) 30... 140* (5 В; 50 мА) :!>4,5 (15 В) ~50(1В;10мА) :!>8 (20 В) 20зак 9 Кш• дБ r;, Ом Р;~х' Вт ~5* ~5* ~5· :!>6 (20 МГц) ~О.45** (5 ГГц) ~0.5•• (3 ггц) 'tKI пс ~~,.нс tаыклt НС t::, нс :!>500** $500** $500** :!>100; :!>2000* $13*; $18** :!>58; :!>60** $25; 1* мкс 305 Корпус 2Т630 1 2Т630-5 ~rEJГ 2Т632 2Т633 2Т634-2 ~з~ ~t ~1+w6 2Т635 2Т637-2 2Т638
306 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах1 1,,,. (210• UK50npoб' lк max lкоо, Тип Струк· Токр., Р~.тmах1 t1э• U~Rnpoб• UЭ&Omax• 1;, и max• ·~Rt прибора ·с р~кmах• с u;эо проб• в ••• тура х• мА КЭО• 1 мВт мrц в мкА ! 2Т640А-2 п-р-п 1 -60 .. . +125 I 0,6 Вт (60°С) ~3 ГГц 25 3 60 1 ~О.5 мА(25В) 1 1 i 1 ! 1 1 1 2Т640А1-2 п-р-п -60 ...+125 0,6 Вт (6О0С) ~3 ГГц 25 3 60 ~0.5 мА (25 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2Т640А-6 п-р-п -60 ...+100 0,6 Вт (60°С) ~3 ГГц 15 3 30 ~0.5 мА (25 В) ! i 1 1 ! ! ~ 1 i 1 1 2Т640А-5 1 п-р-п l -60 .. . +100 0,6 Вт (60°С) ~3 ГГц 15 3 !30 1 ~0.5 мА(25BJ 1 ' 1 2Т642А-2 п-р-п -60 ...+125 500 (75°С) - 20 2 60 ~1мА(20В) 1 i 1 1 1 1 2Т642А1-2 1 п-р-п 1 -60 .. . +1251 350 3600 15 2 40 ~500 (15 В) 2Т642Б1-2 п-р-п -60 ...+125 350 3600 15 2 40 ~500 (15 В) 2Т64281-2 п-р-п -60 ...+125 230 - 15 2 40 ~О.5 мА (15 В) 2Т642П-2 п-р-п -60 .. . +125 230 - 15 2 40 ~О.5 мА (15 В) 2Т642А-5 п-р-п -60 ...+125 500 - 20 2 60 ~1мА(20В) 2Т642А1-5 п-р-п -60 .. . +125 500 - 20 2 60 ~1мА(20BJ 1 ll 1 1 q 1 1 1 1 2Т64ЗА-2 1 п-р-п -60 ...+125 1 1,1Вт (50°С) - 25 3 1 120 ~1мА(25В) i
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения . 307 ck, fкэнас:' Ом Кш, дБ tK• ПС h21э' ь;IЭ с;2~· r~нас:' Ом r~, Ом f~c' НС Корпус пФ к:·•. дБ Р;:х, Вт •::кл, НС •::, нс 1 :?:15* (5 В; 5 мА) :>1,3 (15 В) 1 :?::6* * (7 ГГц) :>8 (6 ГГц); :?:0,1 ** 1 0,6 2Т640-2 1 1 1 {f ', 1 1 1 1 1 r 1 1 1 1Н9 ,, 1 1 11 ~ 1 1 1 •, 1 1 1 1 1 1 1 1 О)з 1 1 1 :?:15* (5 В; 5 мА) :>1,3 (15 В) 1 :?::6** (7 ГГц) :?:65** мВт (7 ГГц) 0.6 ! 2Т640-1-2 1 1 ' 1' 1 :tr~rйP ' :?:15* (5 В; 5 мА) :>1,3 (15 В) :?::6** (7 ГГц) :?:65** мВт (7 ГГц) 0,6 2Т640-6 i 1 1 'lМ n ! 1 1 ltJ~'flIO· ,~ :?:15* (5 В: 5 мА) :>1,3 (15 В) :?::6** (7 ГГц) :?:65** мВт (7 ГГц) 1 0,6 2Т640-5 11 1 ~11 1 ,, i 1 ! 1 1 ,, ' ." • ; :>1,1 (15 В) :?:3,5* * (8 ГГц) :?::100** мВт (8 ГГц) 2Т642-2, 2Т642-1-2 :>1,1 (15 В) :?:9** (2,25 ГГц) :>4,5 (2,25 ГГц) :tr~rйP :>1,1 (15 В) :?:8** (2,25 ГГц) :>4,5 (2,25 ГГц) :?::6** (3,6 ГГц) :>5 (3,6 ГГц) :?:5,5** (3,6 ГГц) :>5,5 (3,6 ГГц) :>1,1 (15 В) :?:3,5** (8 ГГц) :?::0,1 ** (8 ГГц) 2Т642А-5, 2T642-l-5 :>1,1 (15 В) :?:3,5** (8 ГГц) :?::0,07** (8 ГГц) 0,45 0,1 нВТ :>1,8(15В) :?:0,48** (7 ГГц) 2Т643-2 :tr~rйP 20·
308 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Рк max• ~,. \210• UКБО npo61 lк max JКБО• Тип 1 Струк· Токр., Р~. тmа>.1 ~;lэ' U~R проб' UЭБО п1ахt 1;,н m<1xt ·~R• прибора тура ·с p~~иma>.t ~:;),, u~""""' в ••• мА КЭО• 1 1 мВт МГц в мкА 2Т643Б-2 i n-p-n 1 -60 ...+125 1.1 вт (50°С) - 25 3 120 :<;1 мА (25 В) 1 1 1 ~2Т643А-5 i n-p -n 1-60. . . +125 1.1 вт (50°С) - 25 1 3 120 :<;I мА (25 В) 1 i1 1 1 1 2Т647А-2 n-p-n -60 ...+125 О,56 вт (8О0С) - 18 2 90 1000 (18 В) 2Т647А-5 n-p-n -60 ...+125 О,56 вт (8О0С) - 18 2 90 1000(18В) 2Т648А-2 n-p-n -60 ...+125 420 (45°С) - 18 2 60 :<;1 мА(18В) 1 1 2Т648А-5 !n-p-n 1 -60 ...+1251 420 (45°С) - 1 18 2 60 1 :<;1 мА (18 В) 1 ! 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 2Т649А-2 n-p-n -60 ...+125 1,5 Вт ~1.3 ГГц 30 2,5 200 - 2Т652А n-p-n -60 ...+125 1 Вт (50°С) ~200 50 4 1А(2*А) :<;300 (50 В) 1 1 2Т652А-2 n-p -n -60 ...+125 О,5 Вт (50°С) ~200 50 4 1А(2*А) :<;300 (50 В) 1 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 150... 150* (10 В; 50 мА) 1 1 1 :51,8 (15 В) 1 ~.8 (15 В) :51.5 (15 В) :51,5 (15 В) :51,5 (10 В) :51,5 (10 В) 20...90* (5 В; 50 мА) :53 25... 100* (500 мА; 3 В) :512 (10 В) 25... 100* (500 мА; 3 В) :512 (10 В) rкэнас• Ом r~нас• Ом к;,, дБ Кw,дБ r~, Ом Р;:х• Вт :?:0,48•• (7 ГГц) :?:0.48* • (7 ГГц) :?::3** (10 ГГц) :?:170** мВт (10 ГГц) :?::3** (10 ГГц) :?:170** мВт (10 ГГц) 3•• (12 ГГц) 50** мВт (12 ГГц) 3** (12 ГГц) 50** мВт (12 ГГц) 3** (12 ГГц) :?:0,4** (3 ГГц) ."пс ~~·нс t·~:л· нс tвкл• НС :s;1 оо• 309 Корпус 2Т643-2 2Т643-5 0,45 0,1 ~шт 2Т647-2 2Т647-5 0,45 0,1 ~шт 2Т648-2 2Т648-5 0,5 0,1 ~шт 2Т652 з~ 2.< 11\ t::r ЗКо 2Т652-2 ~~у ,,,~о зк5
310 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmак' ~•• ~216' UКБО про<>' lк max lкБО• Тип Струк- Токр., Р~.тmа"' ~:;,~, U~ЭR проб• UЭБО max' 1~. н maA' I~ЭR• прибора тура ·с p~~нmaxt ~~;х, u;эо проб• в мА 1;_;,о, мВт МГц в мкА 2Т653А n-p-n -60 ...+125 5 Вт (40°С) 2:50 130 7 1 А (2А*) 10* (120 В) 2Т653Б n-p-n -60 ...+125 5 Вт (40°С) ;,:50 130 7 1 А (2А*) 10* (100 В) ' i 11 1 1 ! 1 1 1 1 1 2Т657А-2 1 n-p-n 1 -60 ...+1251 375 ;,:3 ГГц 12* 2 60 :51 мА (12 В) 2Т657Б-2 n-p -n -60 ...+125 1 375 2:3 ГГц 12* 2 60 :51 мА (12 В) 2Т657В-2 n-p-n -60 ...+125 375 2:3 ГГц 12* 2 60 :51 мА (12 В) ! 2Т658А-2 p-n-p -60 ...+125 600 (60'С) 2:4 ГГц 12* (lк) 3 75 (150*) 1 :50.5 мА (15 В) 2Т658Б-2 1 p-n-p 1 -60. . . +1251 600 (6О0С) 2:4 ГГц в· (lк) 3 75 (150*) :50.5 мА (10 В) 2Т658В-2 1 p-n-p -60 ...+125 600 (60'С) 2:2 ГГц 15* (lк) 3 75 (150*) :50.5 мА (20 В) 2Т663А p-n-p -60 ...+100 400 2:300 50* 3 250 :50,5 (45 В) 2Т663Б p-n-p -60 ...+100 400 2:300 25* 3 250 :50,5 (25 В) 1 1 1 i 1 1 i1 1 1 1 1 1 1 2Т664А9-1 p-n-p -6 0".+100 l 1• Вт 2:140 120 5 :51 А (1,5* А) :510 ( 100 В) 2Т664Б9-1 p-n-p -6 0".+100 !*Вт 2:140 100 5 :5IA(l,5*A) :510 (100 В) 11 1 1 1 2Т665А9-1 n-p-n 1-60 ". +100 !*Вт 2:50 120 5 1 IA :510 (100 В) 2Т665Б9-1 n-p-n -6 0".+100 1• Вт 2:50 1 100 5 1 !А :510 (100 В) 1 1 1 ~ 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! ' 2Т669А :55 (50 В) n-p -n -6 0".+125 500 2:200 50 4 400: 800* ~ ! 1 1 1 ., 1 i 1 1 ,; ,. 1 ·' 1 1 1! 1 1 1 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения li 40...150 (150 мА; 10 8) 80 ... 250 (150 мА: 10 8) 60...200 (6 8; 30 мА) 35...70 (6 8; 30 мА) ~20* (50 мА; 5 8) ~30* (50 мА; 5 8) ~20* (50 мА; 5 8) 20...80* (5 8; 50 мА) 20...80* (5 8; 50 мА) 40...250* (2 8; 0.1 А) 40...250• (2 8; О,1А) 40...250 (2 8; О,15 А) 40...250 (2 8; 0,15 А) $20 (10 8) $20 (10 8) $1,1 (15 8) $1,1 (15 8) $1,1 (15 8) $2(108) $2(108) $2(108) $12 $12 $25 (5 8) $25 (5 8) $25 $25 50...160 (5 8; 200 мА) 1 $15 (10 8) rкэнас' Ом r~нас' Ом к~· •. дБ $3,3 $3,3 ~8** (2 ГГц) ~8** (2 ГГц) ~8** (2 ГГц) ~6** (1 ГГц) ~6** (1 ГГц) ~6** (1 ГГц) $3; 8* $3; 8* $2,3 $2,3 $2,5; $5* Кw,дБ r;, Ом Р;~х' Вт ~О.05** (2 ГГц) ~О.05** (2 ГГц) ~О.05** (2 ГГц) $7,8 (1 ГГц) $7,8 (1 ГГц) $7,8 ( 1 ГГц) i:" пс ~~,. нс f•ыклt НС •:.нс $1** мкс $1 ** мкс $700** $700** $500** $500** $100* Корпус 2Т653 2Т657-2 2Т658-2 2Т663 2Т664-9 Ч,6 311 - 1,6 ~i~~~ ,1)- ~ ' ..,,. 5 д* ~" 111 O.SJ 448 ~5. 1,5 2Т665-9 Ч,6 - 1.6 ~i~~~ ,f- ~· ..,,. 5 д* ~"" IMJ 448 1.5. 1,5 2Т669
312 Раздел 2. Биполярные транзисторы i[ 1 ' Рк m"x' ~,. ~210• UКБО п,,оо• lкБО• 11 Тип 1 Струк-1 Такр.• р· \;lэ' U~ЭR п,,оо• UЭБО mал t lк max I~ЭR• К, т maxt 1~, И ffiilX t прибора 1 тура ·с р~~ и maxt ~::х' U~эоп,,оо• в I~эо• мВт МГц в мА мкА 2Т669А1 n-p-n -60 ...+125 225 :?:200 50 4 300; 600* :>:5 (50 В) 1 ii1 2Т671А-2 n-p-n -60 ...+125 900 :?:2 ГГц 15 1,5 150 :>:1 мА (15 В) 2Т672А-2 n-p-n -60 ...+125 1* Вт :?:200 50 4 1А;2*А - 1 2Т679А-2 p-n-p -60 ...+125 1,5* Вт :?:300 50* (lк) 3 0,5А;1*А :>:1 (50 В) 2Т679Б-2 p-n-p 1,5* Вт :?:300 25* (lк) 3 0,5А;1*А :>:1 (25 В) ' i 2Т679А-5 p-n -p -60 ...+125 1**Вт :?:300 50 3 0,5А;1*А :>:1 (50 В) 2Т679Б-5 p-n -p 1**Вт :?:300 25 3 0,5А;1*А :>:1 (25 В) 2Т682А-2 n-p-n -60 ...+125 350 :?:4,4 ГГц 10 1 50 :>:1 (lOB) 2Т682Б-2 n-p-n -60 ...+125 350 :?:4,4 ГГц 10 1 50 :>:! (lOB) 2Т687АС2 p-n-p -60 ...+125 1,5 Вт 300 70 3 1,5{3*)А :>:2 мА (50 В) 2Т687БС2 p-n-p -6 0". +125 1,5 Вт 300 60 3 1,5{3*)А :>:2 мА (50 В) 2Т688А2 n-p-n -60 ...+125 750 - 16 1 100 :>:1 мА (16 В) 2Т688Б2 n-p-n -60 ...+125 750 - 16 1 100 :>:1 мА (16 В) 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 40... 180 (2 В; 70 мА) 30... 120 20...80 (2 В; 0,5 А) 20...80 (2 В; 0,5 А) 20... 80 (2 В; 0,5 А) 20...80 (2 В; 0,5 А) 40...75 (7 В; 2 мА) 80... 120 (7 В; 2 мА) 20...90* (5 В; 0,3 А) 20...90* (5 В; 0,3 А) 20...90* (5 В; 0,3 А) 20...90* (5 В; 0,3 А) $15 (10 В) 1,45 (8 В) $30 (10 В) $30 (10 В) $30 (10 В) $30 (10 В) $0,9 (10 В) $0,9 (10 В) $1,1 (8 В) $1,1 (8 В) rкэ и.ас' Ом r~э нас' Ом к~· •. дБ $9; $17* ~4.8** $1,6; $3* $1,6;$3* $1,6 $1,6 ~7** (3,6 ГГц) ~7** (3,6 ГГц) $3,3 $2,6 ~1.6** (15 ГГц) ~1.6** (12 ГГц) Кш, дБ r~, Ом Р;~х' Вт ~0.3** (8,5 ГГц) $4 (3,6 ГГц) $4 (3,6 ГГц) ~О.04** (15 ГГц) ~О.08** (12 ГГц) tк, ПС ~~ас' НС tаыклt НС t::, нс $150; $100* 1 1 $60*; <200** $60*; <200** $60* $60* 70 70 313 Корпус 2Т669 2Т671-2 2Т672А-2 ~~\~! 5кз 2Т679-2 ~~* /1\ ~l] бКЗ 2Т679-5 0,45 0,1 ~шт 2Т687-2 ~i'Щ Б~42Б э · ~э к qк 2Т688-2 f G
314 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1Струк-1 Ркmах• ~•• (216• UКБО проб• lк max 1 •коо• Ти.п Токр.• Р~. т max• (;1~· U°КЭR проб• UЭБОmах• 1;. и max• J~Rt прибора 1 1 ·с р~: и max• ~:;х• U".:ЗО проб' в ••• тура мА i кэо• 1 1 мВт мrц в мкА 1 i 1 i i 1 • l2T691A2 1! & р-п-р i-60 ...+125 1 1 1 1200 ~3 ГГц 40 3 200 SlмА(40В) 1 i : i ' 1 i ! 1 ! ' 1 ! 1 1 ! ! : 1 1 R ; 1 ' 1 1 i ! ! ; 1 1 1 2Т693АС п-р-п -60 ...+125 750 - 150* 5 150 SlO (120 В) 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 i 1 i 1 1 1 1 ~ 1 1 : ! 1 1 1 1 1 1 1 1 ' 1 1 15* Вт (50°С) ! 1 500** i i 2,5(4*)А 1 S5*мА(1000В) 2Т704А п-р-п 1-60 ...+100 ~3 4 ; j (1000 имп) 1 i 1 2Т7046 п-р-п i -60 .. . +100 15* Вт (50°С) 1 ~3 1 400* 1 4 1 2.5(4*)А 1 S5*(700В) 1 1 (700 имп) 1 1 1 2Т708А р-п-р -60 .. . +125 0,7 Вт ~3 100* (lк) 5 12,5А(5А*) Sl мА (100 В) 2Т7086 р-п-р -60 ...+125 0,7 Вт ~3 80* (lк) 5 1 2,5А(5А*) SlмА(80В) 2Т7088 i р-п-р 1 -60 ...+125 1 0,7 Вт 1 ~3 60* (lк) 5 2,5А(5А*) SlмА(60В) 1 ! 1 ' 1 1 1 1 ; 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i ! i 1 1 1 1 2Т709А р-п-р -60 ...+125 2 (30*) Вт ~3 100 5 10 (20*) А Sl мА (100 В) 2Т7096 р-п-р -60 ...+125 2 (30*) Вт ~3 80 5 10 (20*) А SlмА(80В) 2Т7098 р-п-р -60 ...+125 2 (30*) Вт ~3 60 5 10 (20*) А SlмА(60В) 1 1 2Т709А2 1 р-п-р -60 .. . +100 1 (30*) Вт ~3 100 5 10 (20*) А Sl мА (100 В) 2Т70962 р-п-р -60 .. . +100 1 (30*) Вт ~3 80 5 10 (20*) А SlмА(80В) 2Т70982 р-п-р -60 ...+100 1 (30*) Вт ~3 60 5 10 (20*) А SlмА(60В) 2Т713А n-p-n -60 ...+100 50* Вт ~1.5 2,5 кВ 6 ЗА Sl мА (2,5 кВ) 1 1 1 i 1 1 1 1 1 2Т716А n-p-n -60..+125 30* Вт ~6 100 5 10 (20*) А Sl мА (100 В) 2Т7166 п-р-п -60 ...+125 30* Вт ~6 80 5 10 (20*) А SlмА(80В) 2Т716В n-p-n -60 ...+125 30* Вт ~6 60 5 10 (20*) А s1· мА (60 В)
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 315 ~ 1 Ck, rКЭн.1с' Ом Кш1 дБ tк, ПС ~ h21.• ь; ,э с;2"• r~эн.аL·' Ом r;, Ом f~atf НС Корпус !1 пФ к:· .. дБ Р;:,, Вт t::кл' НС ,, 1 t::, нс i 1 ' 1 11 ~20(1ОВ;50мА) 1 SЗ,5 (10 В) ~6.6** s4 (1 ГГц) - 2Т691-2 !1 !! 1 ' 1 ~t~ ~! 1 "':>' ~ 'Q ..... 6 1 ~40(5В;0,1А) ! - S4 - - 2Т693АС 1 1! <fflffi'h3 '1 ,___!! __ _ !: ,, 1 " 11rr1•• 11 " ;шш1 ~ ~ ! 1• ; 10... 100* (15 В; 1 А) s50 (20 В) S2,5 2Т704 10... 100* (15 В; 1 А) S50 (20 В) S2,5 :rt~11 .... 19.5 ~500*(2А;5В) SI $4** мкс 2Т708 ~750•(2А:5В) SI $4** мкс ~Еiк~з ~750*12А;5В) sl S4** мкс ~500*(5А;5В) s230 (5 В) S0,4 S4.5** мкс 2Т709 ~750*(5А:5В) S230 (5 В) s0,4 $4,5** мкс 5No ~750*(5А;5В) S230 (5 В) s0.4 S4,5** мкс ~ .... ~ ~ ~' ~500·15А;5в> s250 (5 В) S0,4 2Т709-2 ~750•(5А;5В) S250 (5 В) s0,4 :ft ~750*(5А;5В) S250 (5 В) s0,4 ЭК5 5...20* (10 В; 1,5 А) s0,66 Sl5* мкс 2Т713 27,1 ~ ~No!/ ~. ~750*(5А;5В) Sl50 (5 В) s0,4 :>;7000** 2Т716 ~750*(5А;5В) Sl50 (5 В) S0,4 S7000** 5' ~750*(5А;5В) Sl50 (5 В) s0,4 S7000** ~ .... ~ ~ ~'
316 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Ркmах• ~•• (210• UКБО npo0• 1 •коо• lк max 1 Тип Струк- Токр.1 Р~.тmах• ~;lэ• U~ЭR npo6' UЭБО max• 1 J~R' 1~.и max• прибора тура ·с р~: и max• с.. u~npoб• в мА ·~· мВт МГц в мкА 2Т716А-1 п-р-п -60...+100 30* Вт ?:3 100 5 10А ~1 мА (100 В) 2Т716Б-1 п-р-п -60 ...+100 30* Вт ?:3 80 5 10А ~1мА(80В) 2Т716В-1 п-р-п -60...+100 30* Вт ?:3 60 5 10А ~1мА(60В) 1 1 1 1 1 ! 1 ~2Т718А 1 п-р-п 1 -60 ... +125 i 200* Вт 1 ?:0,2 400 5 10(12*)А i ~0.2мА(400В) J2Т718Б п-р-п 1 -60 ...+125 i 200* Вт ?:0,2 1 300 5 1 10(12*)А 1 ~О.2мА(300В) 1 i 1 1 i ' 1 1 : 1 1 2Т803А п-р-п -60 . .. +125 60* Вт ?:20 60* (О, 1к) 4 10А ~5* мА (70 В) 1 1 1 1 i ! 1 2Т808А п-р-п -60 ...+125 50* Вт (50°С) ?:8 120* 4 10А ~3* мА (120 В) (250 имп.) 2Т808А-2 п-р-п -60...+125 50* Вт ?:8 120• 4 10 (15*) А ~3* мА (120 В) ! 1 1 1 1 1 2Т809А П:Р-П -60 ... +125 40* Вт (50°С) ?:5,1 400* (О,Оlк) 4 3А;5*А ~3* мА (400 В) 1 2Т812А п-р-п 1-60... +125 50* Вт (50°С) ?:3 400* (0,Оlк) 6 10А;17*А 1 ~5*мА(700В) 2Т812Б 1 п-р-п -60 ...+125 50* Вт (50°С) ?:3 300* (О,Оlк) 6 10А;17*А ~5* мА (500 В) ! i 1 1 1 1 1 1 1 1 2Т818А р-п-р -60 ...+125 40* Вт ?:3 100* (О,lк) 5 15А;20*А ~1*мА(100В) 2Т818Б р-п-р -60 ...+125 40* Вт ?:3 80* (О,lк) 5 15А;20*А ~l*мА(80В) 2Т818В р-п-р -60...+125 40* Вт ?:3 60* (О,lк) 5 15А;20*А ~1 *мА (60 В) i ' 1 ! 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 317 1 1 с., rкэ ик• Ом Кш, дБ tK• ПС . t~cf НС ! ь.". ь;,э с;2.• r~Эиас' Ом r;, Ом Корпус i пФ к~·", дБ Р,:,, Вт t;bllUlt НС 1 t::. нс ~500*(5А:5В) :5150(5 В) :50,4 - :57000** 2Т716-1 ~750*(5А;5В) :5150 (5 В) :50,4 - :57000** :ft ~750*(5А;5В) :5150 (5 В) :50,4 - :57000** ЗК6 ~20(4В;2А) - :50,2 - :52500* 2Т718 ~20(4В:2А) - :50,2 - :52500* =t~ ~ . ~ 1 10...50* (10 В; 5 А) :5500 (10 В) 0,5 - :52500* 2Т803 :w. ~~ оз 10...50* (3 В: б А) :5500 (IO В) - - :52000* 2Т808 1 ~§6 10...50* (3 В: б А) :5500 (10 В) :50,33 - :52000* 2Т808-2 ф~ 1I 1/ \з 15...100* (5 В: 2 А) :5270 (5 В) :50,75 - :53* мкс 2Т809 ~tte 5...30* (3 в: в А) . :5100 (100 В) :50,3 - tcлsl ,3 мкс 2Т812 5...30* (3 В; 8 А) :5100 (100 В) :50,3 - tc.11,;l,3 мкс "'' ~ ~Noii ~ ~ ' - к ~20*(5В;5А) :5100 (5 В) :50,2 - :52500** 2Т818 ~20*(5В;5А) :5100 (5 В) :50,2 - :52500** ~о•(5В;5А) :5100 (5 В) :50,2 - :52500** "'' ~ ~Noii ~ ~ ' - к
318 Тип прибора 2Т818А-2 2Т818Б-2 ~2Т818В-2 ,, ~ 1 ~ 2Т819А 2Т819Б 2Т8198 ~ 12Т819А-2 2Т819Б-2 2Т819В-2 2Т824А 2Т824Б 11 1',1 2Т824АМ 2Т824БМ 2Т825А 2Т825Б 2Т8258 i j 1 2Т825А-2 2Т825Б-2 2Т825В-2 1 2Т825А-5 1 1 Струк-1· тура 1 Токр., ·с pKin.tx' Р~.тmах' р~~ и maxt мВт i 1 1 1 1 1 1 ! ' '; : ~ 1 1 р-п-р р-п-р р-п-р 1 -60 ...+100 ' -60 ...+100 1 -60 ...+100 i ! ' 1 ! 40* Вт 40* Вт 40* Вт п-р-п -60 . .. +125 100* Вт п-р-п -60...+ 125 100* Вт п-р-п -60 ... + 125 100* Вт 1 п-р-п 1-40. .. +100 1 40* Вт п-р-п -40 . .. +100 1 40* Вт п-р-п 1-40. .. +1001 40* Вт п-р-п -60 ...+125 50* Вт п-р-п -60 ...+125 50* Вт 1 1 !1 '1 п-р-п i -60 . .. +125 50* Вт п-р-п -60...+125 50* Вт р-п-р -60 ...+125 3 Вт; 125* Вт р-п-р -60 . .. +125 3 Вт; 125* Вт р-п-р -60...+125 1 3Вт: 125*Вт ' 1 1 1 ! р-п-р -60 ...+100 1Вт;30*Вт р-п-р -60 ...+100 1Вт;30*Вт р-п-р -60 . .. +100 1Вт:30*Вт 1 1 р-п-р i-60 ...+1001 3 Вт; 125* Вт : i 1 1 1 1 1 1 ~•• f.:210• (;lэ' ~:;х, МГц ~3 ~3 ~3 ~3 ~3 ~3 ~3 ~3 ~3 ~3.5 ~3.5 ~3.5 ~3.5 ~4 ~4 ~4 ~4 ~4 ~4 i 1 1 1 i Раздел 2. Биполярные транзисторы UКБО про<>' U~ЭRпро6' u;;o про6• в 100* (0,lк) 80* (О,lк) 60* (О,lк) 100 80 60 100 80 60 400 350 400 350 100* (!к) 80* (1 к) 60* (1 к) 100* (!к) 80* ( 1к) 60* ( 1к) 100* (1 к) ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 UЭБOm.axt в 5 5 5 5 5 5 5 5 5 7 7 7 7 5 5 5 5 5 5 5 1 1 1 IKmax J~,и maxt мА 15А:20*А 15А:20*А 15А:20*А 15 (20*) А 15 (20*) А 15 (20*) А 15 (20*) А 15 (20*) А 15 (20*) А IOA; 17* А 10А:17*А 10А;17*А 10А:17*А ! 120А(40*А) !20А(40*А) 120А(40*А) 1 1 1 ! 15А(30*А) 15А(30*А) 15А(30*А) 20А(40*А) ! i 1 1 1 1 ! ! ! i 1 1 •коо• ·~ЭR• I~эо• мкА :51*мА(100В) :51* мА (80 В) :51* мА 160 В) :51*мА(100В) :51*мА(80В) :51*мА(60В) :51* мА 1100 В) :51* мА (80 BI :51* мА (60 В) :55 мА (700 В) :55 мА (500 В) :55 мА (700 В) :55 мА (500 В) :51 мА (100 BI :51мА180 В1 :51мА160 В1 :51 мА (100 В) :51 мА (80 В) :51 мА (60 В) :51мА1100 В) ~ 1 ,1 ~/, ; i ~,, ~:1 .! ·1 1 '
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 319 с., Гкэмас• Ом Кw,дБ tKt ПС h21•' ь;,э с;2,• r~Энас• Ом r~, Ом t;,.,.• нс Корпус пФ К~~•• дБ Р;:х• Вт t::IUll НС t~:. нс 1 ~20*(5В:5А) SIOO (5 В) S0,2 - S2500** 2Т818-2 ~20•(5В:5А) SIOO(5В) 1 S0,2 - 1 S2500** 1 ~ft ! ~20•(5В:5А) 1SIOO(5В) S0,2 - S2500** ~ D ЗК6 ~20*(5В;5А) SIOOO (5 В) S0,2 - S2500** 2Т819 ~20*(5В:5А) SIOOO (5 В) S0,2 - S2500** ~20*(5В:5А) SIOOO (5 В) S0,2 - s2500** п1~ ! ~No~ ~ 1 1 ,.:; . - к 1 ~20*(5В;5А) SIOOO (5 В) S0,2 - 1 S2500** 1 2Т819-2 ~20*(5В;5А) SIOOO (5 В) S0,2 - S2500** ~ft ~20*(5В;5А) SIOOO (5 В) S0,2 - s2500** ~ D ЗК6 ~5*(8А;2,5В) 1 S250 (100 В) sо.з - 1,8* мкс 2Т824 ~5*(8А;2,5В) S250 (100 В) sо.з - 1,8* мкс • 1 ~ltII ' 1 - к . ! g:: . t:: 19.5 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 ~5*(8А;2,5В) S250 (100 В) sо.з - 1,8* мкс 2Т824М ~5*(8А;2,5В) S250 (100 В) sо.з - 1,8* мкс ~lt ~ ~ !ё> 1 1 к 1 1 500".18000* (10 А: 10 В) sбОО (10 В) s0,2 - 1 S4.5** мкс 1 2Т825 750... 18000* (10 А: 10 В) SбОО (10 В) S0,2 - S4,5** мкс 750".18000* (10 А; 10 В) SбОО (10 В) S0,2 - S4,5** мкс п1~ ~ffl~ ~. 500.. .18000* (IO А; 10 В) SбОО (10 В) S0,2 - S4,5** мкс 2Т825-2 750... 18000* (10 А: 10 В) sбОО (10 В) s0,2 - S4,5** мкс t0.7 11,8 11 750".18000* (10 А: 10 В) SбОО (10 В) S0,2 - S4,5** мкс ! j 1 1 .... 1 1 1 ! ~ i ' 1 1 1 ~ ' 1 1 1 D 1 ! 1 6КЗ 1 i 1 1 1 500... 18000* (10 А; 10 В) sбОО (IO В) S0,2 - 1 S4,5** мкс 2Т825-5 1ВТ i
320 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах• ~•• t.:210• UКБО проб' lк max JКБО' Тип Струк- Токр.• Р~. т max• t1э• U~R проб' UЭБОmах• 1~.и max• I:СЭн' прибора ·с р~: и max• с u~проб• в 1;эо, тура х• мА мВт МГц в 'мкА 2Т826А п-р-п 1 -60 ". +125 15* Вт (50°С) ~6 700* (О,Оlк) 5 1А S2* мА (700 В) 2Т826Б п-р-п i -60 ". +125 15* Вт (50°С) ~6 700* (О,Оlк) 5 1А s2* мА (700 В) 2Т826В 1 п-р-п 1-60" . +125 ! 15* Вт (50°С) ~6 700* (0,01 к) 5 1А s2• мА (700 В) 1 2Т826А-5 п-р-п -60 .. . +125 15* Вт (50°С) ~6 700* (О,Оlк) 5 lA S2 мА (700 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2Т827А п-р-п - 60".+125 125* Вт ~4 100* (lк) 5 20 (40*) А 3* мА (100 В) 2Т827Б п-р-п - 60".+125 125* Вт ~4 во• (lк) 5 20 (40*) А 3* мА* (80 В) 2Т827В п-р-п - 60".+125 125* Вт ~4 60* (lк) 5 20 (40*) А 3* мА* (60 В) 2Т827А-5 п-р-п - 60".+125 125* Вт ~4 100 5 20 (40*) А s3 мА (100 В) 2Т827А-2 п-р-п - 60".+125 125* Вт ~4 100 5 20 (40*) А s3 мА (100 В) 2Т827Б-2 п-р-п - 60".+125 125* Вт ~4 80 5 20 (40*) А s3мА(80В) 2Т827В-2 п-р-п - 6 0".+125 125* Вт ~4 60 5 20 (40*) А s3мА(60В) . 1 2Т828А п-р-п - 60".+125 50* Вт (50°С) ~4 800* (О,Оlк) 5 5 (7,5*) А S5* мА (800 В) 2Т828Б п-р-п - 60".+125 50* Вт (50°С) ~4 600* (О,Оlк) 5 5 (7,5*) А S5* мА (600 В) 2Т830А р-п-р - 60".+125 1Вт ~4 35 5 2А;4*А SlOO (35 В) 2Т830Б р-п-р - 60".+125 1Вт ~4 60 5 2А;4*А SlOO (60 В) 2Т8308 р-п-р - 60".+125 1Вт ~4 80 5 2А;4*А slOO (80 В) 2Т830Г 1 р-п-р - 60".+125 J 1Вт ~4 100 5 2А;4*А SlOO (80 В) 1 1 2Т830В-1 р-п-р - 60".+100 1 (5*) Вт ~4 80 5 2А;4*А SIOO (80 В) 2Т830Г-1 р-п-р - 60".+100 1 (5*) Вт ~4 100 5 2А;4*А SIOO (80 В)
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 10 ... 120* (IO В; 0,1 А) S25 (100 В) !10...120* (10 В; 0,1 А) 1 S25 (100 В) 10... 120* (10 В: 0,1 А) 1 S25 (100 В) 10 ... 120* (10 В; 0,1 А) S25 (100 В) 750 .. .18000* (3 В; 10 А) S400 (IO В) 750 ... 18000* (3 В; 10 В) S400 (IO В) 750.. .18000* (3 В: 10 А) s400 (IO В) 750.. .18000* (3 В; 10 А) S400 (10 В) 750.. .18000* (3 В; 10 А) S400 (10 В) 750 ... 18000* (3 В; 10 В) S400 (10 В) 750 .. .18000* (3 В; 10 А) S400 (10 В) ~2.25* (5 В; 4,5 А) ~2.25* (5 В: 4.5 А) 25...55* (1 А; 1 В) 25...55* (1 А; 1 В) 25...55* (1 А; 1 В) 20...50* (1А; 1 В) 25...200• (1 А; 1 В) 25...200* (1 А; 1 В) 21 зак. 9 Sl50 (5 В) sl50 (5 В) sl50 (5 В) Sl50 (5 В) Sl50 (5 В) sl50 (5 В) rкэнас• Ом r~нас' Ом к~· •. дБ s5 s5 s5 s5 so.2 S0,2 S0,2 so.2 s0,2 so.2 S0,2 S0,66 S0,66 S0,6 S0,6 S0,6 s0,6 S0,6 S0,6 Кw,дБ r~, Ом Р;~х• Вт 't'K, ПС ~;..,.нс t~~ltJll НС talUll НС tcnS1500 tcnS700 tcnS1500 S4,5* мкс s4,5* мкс S4,5* мкс 6** мкс 6** мкс 6** мкс SlO* мкс; tcnSI ,2 МКС SIO* мкс; tcnSI ,2 МКС sl*мкс SI*мкс Sl*мкс SI *мкс Sl* мкс Sl *мкс 321 Корпус 2Т826 2Т826-5 2Т827 27.1 ® ~ewi ~- .. .. . - к 2Т827-5 2Т827-2 2Т828 27.1 ® ~ewi ~- .. .. . - к 2Т830 2Т830-1 ~Щ iJ 1/\э~
322 Раздел 2. Биполярные транзисторы i1 Ркmах' ..... t •.. UK60opo6• \uв-·\ 1 lкоо, 1 Струк-. Iк ..., 1 Тип Токр.1 р~ т max• (;.~, u~ ..... 1;. м max• ·~· прибора 1 1 ·с Р.Zмmп' с. u~ ..... 1·· тура мА кэо• мВт мrц в 1 мкА 2Т831А n-р-п -60 ...+125 1 (5*) Вт <::4 30* (lк) 5 2А;4*А ~100 (35 В) 2Т831Б п-р-п -60 ...+125 1 (5*) Вт <::4 50* (lк) 5 2А;4*А ~100 (60 В) 2Т831В п-р-п -60 ...+125 1 (5*) Вт <::4 70* (lк) 5 2А;4*А ~100 (80 В) 2T83lr п-р-п -60 ...+125 1 (5*) Вт <::4 90* (lк) 5 2А;4*А ~100 (80 В) 11 1 1 1 1 1 1 ! 1 i 1 2Т831В-1 1 п-р-п -60 ...+100 1 1Вт <::4 70* (1 к) 5 2А;4*А 1 ~100 (80 В) 2T83lr-l 1 п-р-п -60...+100 1Вт <::4 90* (lк) 5 2А;4*А ~100 (80 В) 1 2Т832А п-р-п -60...+125 10* Вт 6 1000*(100м) 7 100 - 2Т832Б п-р-п -60...+125 10* Вт 6 800*(100м) 7 100 - 1 1 i 1 1 1 1 2Т834А п-р-п l -60 ... +125 100* Вт <::4 500* (0,lк) 8 15(20*)А 1 ~3*мА(500В) 2Т834Б п-р-п 1 -60 ... +125 100* Вт <::4 450* (О.lк) 8 15 (20*) А ~3* мА (450 В) 2Т834В п-р-п -60 ...+125 100* Вт <::4 400* (0,lк) 8 15 (20*) А ~3* мА (400 В) 2Т836А р-п-р -60 .. . +125 0.7 (5*) Вт <::4* 90 5 3А(4*А) 1 ~.1мА(90В) 1 2Т836Б р-п-р -60 ...+125 0,7 (5*) Вт <::4* 85 5 3А(4*А) 1 ~.1мА(85В) 2Т836В р-п-р -60...+125 0,7 (5*) Вт <::4* 85 5 3А(4*А) 1 ~0.1мА(85В) 2T836r р-п-р -60...+125 0,7 (5*) Вт <::4* 60 5 3А(4*А) 1 ~.1мА(60В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2Т836А-5 р-п-р -60...+125 0,7 Вт <::4* 90 5 3А(4*А) ~О.1 мА (90 В) 2Т837А 1 р-п-р -60...+100 30* Вт <::3 80 15 8А ~5мА(80В) 2Т837Б 1 р-п-р -60...+100 30* Вт <::3 60 15 8А ~5мА(60В) 2Т837В 1 р-п-р -60...+100 30* Вт <::3 45 15 8А ~5мА(45В) 1 2T837r 1 p-n-p -60...+100 30* Вт <::3 80 5 8А ~5мА(80В) 2Т8370 1 р-п-р -60 ...+100 30* Вт <::3 60 5 8А ~5мА(60В) 2Т837П р-п-р 1 -60... +100 30* Вт <::3 45 5 8А ~5· мА (45 В) 1 2Т839А п-р-п -60 ...+100 50* Вт 5 1500 5 10 (10*) А ~1 мА (1500 В) 1 1 1 i 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 323 > 1 1 1 ' rкэ ""' Ом 't'K, ПС ~ ck, Кw,дБ ; t~,. нс h21.• ь;,э с;2.• r;э нас' Ом r;, Ом Корпус пФ к~: .. дБ Р;:,, Вт t~:... , нс t:,, нс 25...200* (1А; 1 BJ s150 (5 В) s0,6 - sl *мкс 2Т831 25...200* (1А; 1 В) s150 (5 В) s0,6 - Sl *мкс :t_i1Фз 25...200* (! А: 1 BJ S150 (5 В) $0,6 - $1 *мкс 25...150* (1 А: 1 В) s150 (5 В) s0,6 - $1 *мкс 1 i 1 1 1 1 1 i j 1 1 1 25...200* (1 А; 1 В) s150 (5 В) s0.6 - sl *мкс 1 2Т831-1 25...200* (1 А; 1 BJ S150 (5 В) $0,6 - $1 *мкс ~~1 6/ \з 10... 50* (30 мА; 10 В) 20(5В) - - - 2Т832 10... 50* (30 мА; 10 В) 20(5В) - - - 1 nt~ ~ffli ~. 1 150...3000* (5 В; 5 А) - S0.13 - tcnSl,2 МКС 2Т834 150...3000* (5 В; 5 А) - s0,13 - tcnSl,2 МКС 2/1 i) 150...3000* (5 В; 5 А) - $0,13 - tcnSl,2 МКС ~No- ~ ..;; . - к 1 20... 100* (2 А; 5 В) s370 (5 В) $0,3 - Sl,6** мкс 2Т836 20... 100• (2 А: 5 В) S370 (5 В) $0,18 - Sl,6** мкс ;fiкФз 20... 100* (2 А; 5 В) s370 (5 В) $0,18 - Sl,6** мкс 1 20...100* (2 А; 5 В) s370 (5 В) $0,22 - Sl,6** мкс 1 20... 100* (2 А; 5 В) s370 (5 В) $0,3 - Sl,6** мкс 2Т836-5 1 1 ~шт 1 1 1 1 15... 120* (5 В: 2 А) - s0.3 - $1 ** мкс 1 2Т837 30...150* (5 В;2А) 1 - $0,3 - $1 ** мкс 1 40...180* (5 В; 2 А) - s0,3 - $1 ** мкс :ft 15... 120* (5 В; 2 А) - s0,3 - $1 ** мкс 30... 150* (5 В; 2 А) - s0,3 - $1 ** мкс 40... 180* (5 В; 2 А) - s0,3 - sl ** мкс ЗК6 ~5* мА (1500 В) 240 (10 В) $0,375 - SlO* мкс; 2Т839 tcnSl ,5 МКС п1~ ~ffli ~. 21·
324 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' ~· \210• UКБО npoO• lк max lкоо• Тип Струк- Токр., Р~.тmах' ~l::tf U~Rnpo6• Uэоо max' 1;.н max' l~н• прибора ·с р~: н max' с;х, u~npo6• в 1·· тура мА кэо• мВт МГц в мкА 2Т841А 1 п-р-п 1-60.. . +1251 3 (50*) Вт <::10 600 5 10 (15*) А s3 мА (600 В) 2Т841Б 1 п-р-п -60 ...+125 3 (50*) Вт <::10 400 5 10 (15*) А 1 s3 мА (400 В) 1 2Т841В 1 п-р-п 1-60. . . +1251 3 (50*) Вт <::10 800 5 10 (15*) А s3 мА (800 В) 1 1 1 1 2Т841А-1 п-р-п -60 ...+100 30* Вт <::10 600 5 10 (15*) А s3 мА (600 В) 2Т841Б-1 п-р-п -60 ...+100 30* Вт <::10 400 5 10 (15*) А s3 мА (400 В) 1 1 1 1 1 2Т842А 1 р-п-р 1-60.. . +1251 3 (50*) Вт ! <::20 300 5 5(8*)А 1 SlмА(300В) 2Т842Б 1 р-п-р !-60 ...+125 1 3 (50*)Вт 1 <::20 200 5 5(8*)А sl мА (200 В) ! 1 2Т842А-1 р-п-р -60 ...+100 30* Вт <::10 300 5 5(8*)А sl мА (300 В) 2Т842Б-1 р-п-р -60 ...+100 30* Вт <::10 200 5 5(8*)А SI мА (200 В) 1 2Т844А п-р-п -60 ...+125 50* Вт (50"С) <::7,2 250* (О,Оlк) 4 10 (20*) А s3* мА (250 В) 2Т845А п-р-п -60 ...+125 40* Вт (50"С) <::4,5 400* (0,Оlк) 4 5 (7,5*) А s3* мА (400 В) 2Т847А 1 п-р-п -60 ...+100 125* Вт <::15 650* 8 15А s5 мА (650 В) (10 Ом) 2Т847Б п-р-п -60 ...+100 125* Вт <::15 400** 8 15А s5 мА 2Т848А п-р-п -60 ...+125 35* Вт <::3 400* 7 15А s250* (400 В) 1 2Т856А 1 п-р-п -60...+125 75* Вт <::10 1000 5 10 (12*) А s3 мА (1000 В) 2Т856Б п-р-п -60 ...+125 75* Вт <::10 800 5 10 (12*) А s3 мА (800 В) 2Т856В п-р-п -60 ...+125 75* Вт <::10 600 5 10 (12*) А s3 мА (600 В) 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 325 ~ tк, ПС ' ck, rКЭн;кt Ом Кш, дБ ~ f~ct НС i h2," ь;,э с;2э' r~нас' Ом r;, Ом Корпус пФ к:~ .. дБ P;~xt Вт t::клt НС t::, нс ;е:12* (5 В; 5 А) s300 (10 В) s0,3 - slOOO* 2Т841 ;е:12* (5 В; 5 А) s300 (10 В) s0,3 - $1000* 2'1 ® ;е:12* (5 В; 5 А) s300 (10 В) s0,3 ~fflii ·~ .. :; . - к ;e:IO* (5 В; 5 А) sl85 (iO В) s0,3 - $1*мкс 1 2Т841-1 ;e:IO* (5 В; 5 А) sl85 (10 В) s0,3 - sl*мкс :ft бКЗ ;е:15* (4 В; 5 А) s400 (10 В) s0,36 - 800* 2Т842 ;е:15* (4 В; 5 А) s400(1ОВ) $0,36 - 800* 27.1 ® ~fflii ~· ..:; . - к ! ;e:IO* (4 В; 5 А) s400 (10 В) $0,36 - 2,2* мкс 2Т842-1 ;e:IO* (4 В; 5 А) s400 (10 В) $0,36 - 2,2* мкс :fjtбКЗ 10...50* (3 В; 6 А) s300(10В) s0,4 - S2000* 2Т844, 2Т845 .~1 ® ~fflii ·~ 15... 100* (5 В; 2 А) s45 (200 В) $0,75 - $4000* .. :; . - к 8...25* (3 В; 15 А) S200 (400 В) $0,1 - s3000* 2Т847, 2Т848 8...25* (3 В; 15 А) s200 (400 В) $0,1 - $3000* 27.1 [V, ~fflii ~· ;е:2О• (5 В; 15 А) - $0,2 - - ..:; . - к 10...30* (5 А; 5 В) slOO (90 В) s0,3 - $2* мкс 2Т856 10...60* (5 А; 5 В) slOO (90 В) :-;;О,3 - $2* МКС ~Em 5 10...60* (5 А; 5 В) :<;;100 (:ЭО В) :-;;О,3 - $2* мкс т С\8 ~ • 1 1с> 1 ~' - о ~ ~ /jкз
326 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк max• t,,,. (216' UКБ0про6• lк max JКБО• Тип Струи- Токр., Р~. т max• (;lэ• U~Rnpo6• UЭБО max• 1;.н max• ·~R• прибора тура ·с р~~ нmax• (n:x• u~ ..... в ·~· мВт МГц в мА мкА 2Т856Г 1 п-р-п 1-60... +100 75* Вт ~10 1 900 5 10 (12*) А s3мА(900BJ 1 ! 1 1 1 1 i 1 1 1 1 2Т860А р-п-р -60 ... +100 1 (10*) Вт ~10 90 5 2А(4*А) sO,l мА (90 В) 2Т860Б р-п-р -60 ... +100 1 (10*) Вт ~10 70 5 2А(4*А) SO,l мА (70 В) 2Т860В р-п-р - 60 ... +100 1 (10*) Вт ~10 40 5 2А(4*А) SO,l мА (40 В) 1 1 1 1 1 ! ! 1 ' 1 1 1 i 1 i ! 1 1 1 1 2Т861А п-р-п -60 ... +125 1 (10*) Вт ~10 90 5 2А(4*А) sO.l мА(90В) 2Т861Б п-р-п - 60 ... +125 1 (10*) Вт ~10 70 5 2А(4*А) sO.l мА (70 В) 2Т861В п-р-п -60 ... +125 1 (10*) Вт ~10 40 5 2А(4*А) sO,l мА (40 В) 2Т862А ! п-р-п -60 ... +125 70* Вт ~20 450 1 5 15А(25*А) 1 s2.5мА(300BI ! ! 1 1 i ~ ' ' 1 1 i 1 1 ! ! 1 1 1 1 2Т862Б п-р-п -60... +125 50* Вт ~20 450 5 15А;25*А S2,5мА(300В) 2Т862В п-р-п - 60 ... +125 50* Вт ~20 600 5 lOA; 15* А S3 мА (600 В) 2Т862Г п-р-п - 60 ... +125 50* Вт ~20 600 5 lOA; 15* А S3 мА (600 В) 1 1 1 1 1 1 1 ' i 2Т866А п-р-п 1-60... +125 30 Вт (50"С) 25 200 1 4 1 15А:20*А 1 S25мА(100В) 1 1 1 i ! ·1 1 1 ! 1 ! 1 1 2Т867А п-р-п - 60 ... +125 100* Вт 25 200 7 25А(40*А) S3 мА (250 В) : 1 1 1 ! 1 2Т874А i п-р-п -60 ... +125 75* Вт 20 150 5 30А;50*А i s3мА(150В) 1 2Т874Б 1 п-р-п -60... +125 75* Вт 20 150 5 30А:50*А 1 s3мА(150В) 1 i ! 1 1 ! -
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 321 1 ck, rкэнк• Ом К", дБ т., ПС h2," ь;,э с;2.• r~"""' Ом r;, Ом t;,.., нс Корпус пФ к;•. д.Б Р,:., Вт t:,.., нс t:;., нс 10...30* (5 А; 5 В) S:IOO (90 В) ~.3 - $2* мкс 2Т856 ~~t с-.,~ ln ";\( о 6КЗ 40.. .160* (1 А: 2 В) s:l50 (5 В) s:0,35 - s:I** мкс 2Т860 50...200* ( 1 А; 2 В) s;150·(5 В) s:0,35 - S:I ** мкс ;tфкфз 80...300• <1 А; 2 в> S:l50 (5 В) s:0.35 - s:I ** мкс 1 40... 160* (1 А; 2 В) s:l50 (5 В) s:0,35 - S:I** мкс 2Т861 50...200* (1 А; 2 В) S:l50 (5 В) s:0,35 - S:I** мкс :ЕiкФз 80...300* (1 А; 2 В) s:l50 (5 В) s:0,35 - s:I ** мкс 1 10...100* (15 А; 5В) 1 s:300 (30В) s:0,13 - S:I * мкс 2Т862 1 ЛI® ~Noi~ ~ . - к 10.. .100* (15 А; 5 В) s:300 (30 В) s:0,13 - s:I * мкс 2Т862 12...50* (5 А; 5 В) $250 (10 В) s:0,19 - S:2* мкс t• 12...50* (5 А; 5 В) s:250 (10 В) S:0,13 - $2* мкс з ·6 ~ 1 " ~'" 1 1 15.. .100* (10 А; 10 В) s:400 (10 В) s:0,15 - S:450** 2Т866 .... .,... з 6 t• .... ~ 2l2 12...100* (20 А; 5 В) S:400 (10 В) ~.08 - S:l,3* мкс 2Т867 1 t• .... .,... з 6 - ~ 21,2 15...50* (5 В; 30 А) 200 (100 В) s:0,04 - s:0,5* мкс 2Т874 10...40* (5 В; 30 А) 200 (100 В) s:0,04 - s:0,5* мкс t• .... .,... з 6 .... ~ 21,2
328 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк maxt ~. (216• UКБОnро0• lк max lкво, Тип Струи- Токр., Р~. т maxt 1i:;.~, U~Rnpo0• UЭБО maxt 1;,н max• l~н• прибора ·с р~: н max• с· u~ ..... в 1·· тура ах' мА кэо• мВт МГц в мкА 2Т875А п-р-п -60 ...+125 50* Вт <::20 90 5 10А;15*А 1 s3мА(90В) 2Т8756 п-р-п -60 ...+125 50* Вт <::20 70 5 10А;15*А S3мА(70В) 2Т875В 1 п-р-п -60 ...+125 50* Вт <::20 50 5 10А;15*А s3мА(50В) 2Т875Г 1 п-р-п -60 ...+125 50* Вт <::20 90 5 10А;15*А s3мА(90В) 2Т876А р-п-р -60 ...+125 50* Вт <::20 90 5 10А(15*А) s3мА(90В) 2Т8766 р-п-р -60 ...+125 50* Вт <::20 70 5 10А(15*А) s3мА(70В) 2Т876В р-п-р -60 ...+125 50* Вт <::20 50 5 10А(15*А) S3мА(50В) 2Т876Г р-п-р -60 ...+125 50* Вт <::20 90 5 10А(15*А) S3мА(90В) 2Т877А р-п-р -60 ...+125 50* Вт <::100 во 5 20А(10*А) SI* мА (ВО В) 2Т8776 р-п-р -60 ...+125 50* Вт <::100 60 5 20А(10*А) sl *мА (60 В) 2Т877В р-п-р -60 ...+125 50* Вт <?:100 40 5 20А(10*А) SI *мА (40 В) 2Т878А 1 п-р-п -60...+125 10* Вт <::10 воо 6 25А(30*А) s3 мА (ВОО В) 2Т8786 1 п-р-п 1-60 ...+125 10* Вт <::10 600 6 25А(30*А) S3 мА (600 В) 2Т878В 1 п-р-п !-60 ...+125 10* Вт <::10 900 6 25А(30*А) S3 мА (900 В) 2Т879А п-р-п -60 ...+125 250* Вт <::10 200 6 50А(75*А) s3 мА (200 В) 2Т8796 п-р-п -60 .. . +125 250* Вт <::10 200 6 50А(75*А) S3 мА (200 В) 2Т880А р-п-р -60 .. . +125 5* Вт <::30 100 6 2А(4*А) 1 s0,2 мА (100 В) 2Т8806 р-п-р -60 ...+125 5* Вт <::30 во 6 2А(4*А) 1 s0,2 мА (ВО В) 2Т880В р-п-р -60 .. . +125 5* Вт <::30 50 6 2А(4*А) s0,2 мА (50 В) 2Т880Г 1 р-п-р -60 ...+125 5* Вт <::30 100 6 2А(4*А) s0,2 мА (100 В) 2Т880А-5 п-р-п -60 ...+125 О,В Вт; 5* Вт <::30 100 4,5 2А(4*А) s0,2 мА (100 В) 2Т880&-5 п-р-п -60 ...+125 О.В Вт; 5* Вт <::30 во 4,5 2А(4*А) s0,2 мА (ВО В) 1 2Т881А 1 п-р-п -60 ...+125 5* Вт <::30 100 6 2А(4*А) s0,2 мА (100 В) 2Т881& 1 п-р-п -60 ...+125 5* Вт <::30 во 6 2А(4*А) s0,2 мА (ВО В) 2Т881В 1 п-р-п -60 ...+125 5* Вт <::30 50 6 2А(4*А) s0,2 мА (50 В) 2Т881Г п-р-п -60 ...+125 5* Вт <::30 100 6 2А(4*А) s0,2 мА (100 В) 2Т881А-5 п-р-п -60 ...+125 О,В Вт <::30 100 4,5 2А(4*А) s200 (100 В) 2Т8816-5 п-р-п -60 ...+125 О.В Вт <::30 во 4,5 2А(4*А) s200 (ВО В) 1 2Т882А п-р-п 1-60.. . +100 10* Вт <::20 400 6 1А(2*А) sO.I мА (400 В) 2Т882& п-р-п -60 ...+100 10* Вт <::20 300 6 1А(2*А) sO,I мА(300В) 2Т882В п-р-п -60 ...+100 10* Вт <::20 250 6 1А(2*А) SO,I мА (250 В)
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 329 с" rкэнас• Ом Кш, дБ tк, ПС h2," ь;,э с;2э' r~нас' Ом г~, Ом t~ac• НС Корпус пФ к~·•. дБ Р;~х' Вт t::клt НС t::, нс 80...250* (5 8; 5 А) 910 (10 8) $0,1 - 400** 2Т875, 2Т876 80".250* (5 8; 5 А) 910(108) $0,1 - 400** 80".250* (5 8; 5 А) 910(108) $0,1 - 400** 40."160* (5 8; 5 А) 910(108) $0,1 - 400** 27.1 [V ~Noi ·~ 80".250* (5 8; 5 А) 910(108) $0,1 - $1 ** мкс 80".250* (5 8; 5 А) 910(108) $0,1 - $1 ** мкс . .,;' ' 80".250* (5 8; 5 А) 910 (10 8) $0,1 $1 ** мкс - к - ~15*(58;5А) 910 (10 8) $0,1 - $1** мкс 750".10000*(10 8; 10 А) 830 (20 8) $0,2 - 0,75* мкс 2Т877, 2Т878 2500".1 8 00 0*(10 8;10 А) 830 (20 8) $0,2 - 0,75* мкс 2500".1 8 00 0*(10 8;10 А) 830 (20 В) 50,2 - 0,75* мкс 27.1 [V ~Noi ·~. 12."50* (5 8; 10 А) s:SOO (10 8) $0,1 - $3* мкс 12".50* (5 8; 10 А) 5500 (10 В) $0,1 - $3* мкс 12."50* (5 В; 10 А) S500 (10 В) $0,1 - :<;;3* мкс ~20*(20В;4А) :<;;800 ( 10 В) $0,06 - $1,2* мкс 2Т879 ~15*(208;4А) :<;;800 (10 8) $0,1 - $1,2* мкс =tt ~ ~~ ' с-.. 80".250* (1В; 1А) :<;;200 (5 В) $0,35 - 0,5* мкс 2Т880 80".250* (18; 1А) :<;;200 (5 8) $0,35 - 0,5* мкс ;tfкфз 80".250* (18; 1А) :<;;200 (5 8) $0,35 - 0,5* мкс 40."160* (1 В; 1 А) :<;;200 (5 8) $0,35 - 0,5* мкс 80".250* (18; 1 А) :<;;200 (5 8) $0,35 - 0,5* мкс 2Т880-5 80".250* (1В; 1А) :<;;200 (5 В) $0,35 - 0,5* мкс ~mr 80".250* (1В; 1А) 5200 (5 В) $0,35 - 0,5* мкс 2Т881 80".250* (1 В; 1 А) :-;;200 (5 В) $0,35 - 0,5* мкс :ЕiкФз 80".250*(1 8;1А) :<;;200 (5 8) $0,35 - 0,5* мкс 40."160* (1 8; 1 А) :<;;200 (5 8) $0,35 - 0,5* мкс 80".250*(1 В; 1А) :<;;200 (5 8) $0,35 - 500* 2Т881-5 40."160* (1 8; 1 А) :<;;200 (5 8) 50,35 - 500* ~mr ~15* (5 8; 0,5 А) 550 (5 8) $2 - $3* мкс 2Т882 ~15* (5 В; 0,5 А) :<;;50 (5 8) $2 - 53* мкс 70,G5 tB ~15* (5 8: 0.5 А) :<;;50 (5 8) $2 - $3* мкс wт6КЭ
330 Раздел 2. Биполярные транзисторы Pкmaxt 1,,,. ~216• UКБОпроО• lкmax i lкоо• Тип Струк- Токр., Р~. т maxt ~;lэt u~. ороО• UЭБOmaxt ·~.и max' ·~.. прибора тура ·с р~ и maxt с;х, u~npoO• в ·~· мВт МГц в мА мкА 2Т883А p-n-p -60 ...+100 10* Вт ~20 300 5 1А(2*А) ::>0,1 мА (300 В) 2Т883Б p-n -p -60 ...+100 10* Вт ~20 250 5 1А(2*А) ::>0,1 мА (250 В) i 1 1 2Т884А n-p -n - 60 ".+125 15* Вт ~10 800 5 2А(5*А) ::>0,2 мА (800 В) 2Т884Б n-p -n -6 0" .+125 15* Вт ~10 600 5 2А(5*А) ::>0,2 мА (800 В) 2Т885А 1 n-p -n 1-60 ". +125 150* Вт ~15 400* 5 40А(60*А) 1 ::>1мА(500В) 2Т885Б 1 n-p -n - 60 ".+125 150* Вт ~15 500* 5 40А(60*А)j ::>1мА(500В) 1 1 1 1 1 2Т886А n-p -n - 60 ."+125 175* Вт ~10.5 1400 7 10(15*)А ! :>О,1* мА(1000 В) 2Т886Б n-p -n -6 0" .+125 175* Вт ~10,5 1000 7 10 (15*) А :50,1 * мА (\ООО В) 1 1 1 1 ; 2Т887А р-п-р -60" .+125 75* Вт (750**) ~15 700 5 2 А; (5*) А ::>0,25 мА (700 В) 2Т887Б 1 р-п-р - 60 ".+125 75* Вт (750**) ~15 600 5 2 А; (5*) А :50,25 мА (700 В) 1 2Т888А р-п-р -60" .+125 7* Вт ~15 900 7 100 (200*) ::>10 мА (900 В) 2Т888Б p-n -p - 60 ".+125 7* Вт ~15 600 7 100 (200*) :510 мА (600 В) 1 1 1 1 1 ! 1 2Т891А n-p -n - 60 ".+125 150* Вт (60**) ~12 250* (0,Оlк) 7 40А;60*А ::>2 мА (250 В) 2Т903А n-p -n -6 0" .+125 30* Вт (60**) ~120 60 (80 имп.) 4 3А;(5*)А ::>2* мА (70 BJ 2Т903Б 1 n-p -n J -60 ".+125 30* Вт (60**) ~120 60 (80 имn.) 4 3А;(5*)А ::>2* мА (70 В) 1 1 1 1 1 1 1 t 2Т904А n-p -n - 60 ".+125 7* вт (40°С) ~350 65* (О,lк) 4 0,8 {1,5*) А ::>1*мА(65В) i i
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения ' 1 i ~25* (10 В: 0.5 А) ~25* (10 В: 0.5 А) 1 570(5В) 1 i570(5В) ! ! i ~25* (5 В; 0.3 А) ~25* (5 В; 0,3 А) ~12*(5В:20А) ~12*(5В:20А) 1 560 (5 В) 560 (5 В) 1 1 1 1 560 (5 В) 560 (5 В) 6".25*(10В;2А) 15135(10В) 6".25* (10 В; 2 А) 5135 (10 В) 20...120* (9 В: 1А) 5400 (10 В) 20".120* (9 В; 1 А) 5400 (10 В) 30...120* (3 В; 30 А) 5400 (10 В) 30...120* (3 В; 30 А) 5400 (10 В) 20...50• (4 В: 5А) 1 5400 (100 В) 15... 70* (10 В; 2 А) 5180 (30 В) 40... 180* (10 В; 2 А) 5180 (30 В) ~10* (5 В; 0,25 А) 52,6 (28 В) rкэ нас• Ом r~•ac• Ом к::"' дБ 53,6 53.6 50,27 50,27 50,08 50,08 50.25 50,25 51,4 51,4 550 550 50,03 51,25; ~3** 51,25; ~3** 55; ~2.5** Кw1 д6 r;, Ом Р;:.. Вт ~10** (50 МГц) ~10** (50 МГц) ~3** (400 МГц) 1 1 1 1 1 tltl пс ~;..,.нс t-:11.11 ' нс t:;., НС 55,2* мкс 55,2* мкс 53* мкс 53* мкс 52* мкс 52* мкс 53500* 53500* 55000* 55000* 53000* 53000* 51000* 5500* 5500* 331 Корпус 2Т88З, 2Т884 ~rm-t ~m 2Т885 1 2Т886 2Т888 1 2Т891 2Т90З 2Т904
332 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Струи- Ркmах' ~. 'i:21•• Uк~nроб• lк max •коо• Тип Токр., p~тmaxt (;lэ' U~Rnpo6• UЭБО max• 1;.н max• ·~R' прибора 1 тура ·с PtZ к maxl с:.. u~ ..... в ·~· 1 мВт Мfц в мА 1 мкА 1 2Т907А 1 п-р-п -60 ... +125 16* Вт ~350 65" (0,1 к) 4 1(3*)А 1 52*мА(65В) 1 2Т908А п-р-п - 60 ... +125 50* Вт (50°С) ~30 НЮ* (0,Оlк) 5 10А 525* мА (100 В) 1 1 2Т909А п-р-п -60 ... +125 27** Вт ~350 60* (О,Оlк) 3,5 2(4*)А 525* мА (60 В) 2Т9096 п-р-п -60 ...+125 54** Вт ~500 60* (О,Оlк) 3,5 4(8*)А 530* мА (60 В) 2Т9101АС п-р-п l-60 ... +1255 130* Вт ~350 50 4 7,5 А 530 мА (50 В) 1 1 2Т9102А-2 п-р-п -60 ...+125 10** Вт ~1.35 ГГц 45 3,5 0,7 А 510 мА (45 В) 2Т91026-2 п-р-п - 60 ... +125 5** Вт ~1.35 ГГц 45 _3,5 0,35 А 55мА(45В) 2Т910ЗА-2 n-p-n -60 ...+125 16,4** Вт - 25 2 1,1 А 57 (25 В) 2Т910ЗБ-2 п-р-п -60 ...+125 16,4** Вт - 25 2 1,1 А 57 (25 В) 2Т9104А п-р-п -60 . .. +125 10** Вт ~600 50 4 1,5 А 510 мА (50 В) 2Т91046 1 п-р-п -60 .. . +125 23** Вт ~600 50 4 5А 520 мА (50 В) 1 2Т9105АС п-р-п -60 ... +125 160* Вт ~660 50* (10 Ом) 4 16А 5120* мА (50 В)
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 333 ck, rкэим:• Ом Кw1 дБ t'., пс h2," ь;,э с;2.• r~ .... Ом r;, Ом t;,.., НС Корпус пФ к~:.. дБ Р;~•• Вт t:.IUlt НС t::., нс ~IO* (5 В: 0,4 А) 520 (30 В) 54; ~2** ~8** (400 МГц) - 2Т907 :е ff- 6 8...60* (2 В: 1О А) 5700 (IO В) 50,15 - 52600* 2Т908 ~-1 - 530 (28 В) 0,36; ~1.7** ~17** (500 МГц) 520 2Т909 - 560 (28 В) 0,18; ~1.75** ~35** (500 МГц) 520 ~~itfj ..,.. с.. J//,7 - 5150 (28 В) ~3.5** ~100** (0,7 ГГц) 545 2Т9101 :ttl "&. ~ 6 2 6 ~ - 5!0 (28 В) - ~3.5** (2 ГГц) 52,2 2Т9102 - 56,5 (28 В) - ~1.6** (2 ГГц) 52,2 :ttl "&. ~ 6 2 6 ~'J - - ~1.7** ~7** (5 ГГц) - 2Т910З - - ~1.7** ~iO** (5 ГГц) - ....... ~~Б .... ~~к1 э ....:- J~ ... 1 (6 ~' 1'-5 - - 520 (28 В) ~8** ~5** (0,7 ГГц) 520 2Т9104 - 540 (29 В) ~7** ~20** (0,7 ГГц) 520 ~31 ... к 3 :~" 5160* (5 В; 0,1 А) 5240 (28 В) ~3** ~100** (0,5 ГГц) 512 2Т9105 ~t•8,5 23.2
334 Раздел 2. Биполярные транзисторы Струк-1 Pкmu• ~. ~216• UKБOnpo6• lкmax •кю• Тип Токр., Р;, т max• ~;lэ• U~Rnpo6' UЭБО max• 1;.к max• ·~R' прибора тура 1 ·с р~: к max• (.:х• u~npo6• в ••• мА кэо• 1 мВт Мfц в 1 мкА 2Т9107А-2 п-р-п -60 ... +125 37,5* Вт 720 50 3,5 2,5А(5*А) 550 мА (50 В) 2Т9108А-2 п-р-п - 60 ".+100 200** Вт - 50 3 8*А 525 мА (50 В) ' 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2Т9109А п-р-п - 60".+125 1,12** кВт ~360 65 4 29• А 560 мА (65 В) 1 1 2Т9110А-2 п-р-п - 60 ".+100 500** Вт 600 50 3 15* А 550 мА (50 В) 2Т91106-2 п-р-п - 60 ".+100 200** Вт 600 50 3 7*А 525 мА (50 В) ! i ' 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2Т9111А п-р-п - 60 ".+125 200** Вт (50°С) ~300 120*(10 Ом) 4 10А 5100 мА (120 В) 2Т9112А п-р-п - 60 ".+125 5* Вт ~30 65 4 20А .1 540мА(65В) 1 1 1 1 1 2Т9113А п-р-п -60" . +125 82** Вт - 150 4 3,25* А 530 мА (160 В) i 1 1 .. 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 335 1 Ck, rкэик• Ом Кш, дБ т., пс 1 1 t~, НС h21эt ь;,э 1 с;2" r~•к' Ом r;, Ом Корпус 1 1 пФ 1 к~:Р' дБ Р,;.:" Вт t;ЫIUll НС t::.:,, НС - :S50 (10 В) ~4** ~27* * (1 ГГц) - 2Т9107 ±tlJ - - - ~50** (1,5 ГГц) - 2Т9108 i ±tlJ 1 ~ c;:r • 1 1 к i f. 6,6 ! ! 1 1 - 1 1 - 1; ~'~ (50 В) ~3.5** ~500** (0,82 ГГц) :SIO 2Т9109 1 ~II 1 5.8. 14 - 1 - ~6** ~200** (1,4 ...1,6 ГГц) 1 - 1 2Т9110 - - ~6** ~100** (1,4 ... 1,6 ГГц) - 6 1 1 1 ~~IJ 1 1 1 1 J,8 1 1 ' 1 i ~10*(10В:5А) :Sl50 (50 В) ~10** ~150** (80 МГц) 1 - 2Т9Ш ~t1t~tjj 1 1 i 12.$ цв ~10*(7В:20А) - $0,16 - i 100* 1 2Т9112 1 1 .., ~ 1 "fU 1 ~ ~10*(5В;5А) - :S0,16 - 1 - 1 2Т9113 1 1 1 (l/17.7 1 1 1 ~ 1 1 c:::i 1 ,'OI 1 ! 1 1 1 (1117.7 "' 1 6.75 1 ! ti/ 3 ~ IY; '° С11) ~ 1 1 1 ! i 1 i 16.8 1 1 !
336 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKm•x' ~. ~216• Uкоо проб• lк m•x lкоо• Тип Струк- Токр.1 Р;.тm•х' ~;.!t. U~Rnpo6• UЭБО max• 1;, Н 11\8XI I~R• прибора ·с р~~ и m•x' с u~npo6• в 1~, тура .. мА мВт Мfц в мкА 2Т9114А п-р-п -60 ...+125 325** Вт - 50 3 13 А* 530 мА (50 В) 2Т91146 п-р-п -60 ...+125 85** Вт - 50 3 3,25 А* 58мА(50В) 2Т911А п-р-п -60 ...+125 3* Вт ~1000 55 3 0,4 А 53мА(55В) 2Т9116 п-р-п -60 ...+125 3* Вт ~840 55 3 0,4 А 53мА(55В) 1 1 1 . 2Т912А п-р-п -60 ...+125 30* Вт (85"С) ~90 70* (О,Оlк) 5 20А 550* мА (70 В) 2Т9126 п-р-п -60 ...+125 30* Вт (85"С) ~90 70* (О,Оlк) 5 20А 550* мА (70 В) 2Т912А-5 п-р-п - 60 ... +125 30* Вт ~90 70* 5 20А 550* мА 2Т9126-5 п-р-п -60 ... +125 30* Вт ~90 70* 5 20А 550* мА 2Т91ЗА п-р-п -60 ...+125 4,7* Вт (55"С) ~900 55 3,5 0,5 (1 *)А 510* мА (55 В) 2Т91ЗБ п-р-п -60 ... +125 8* Вт (70"С) ~900 55 3,5 1(2*)А 520* мА (55 В) 2Т91ЗВ п-р-п - 60 ... +125 12* Вт ~900 55 3,5 1(2*)А 520* мА (55 В) 2Т9117А п-р-п -60 ...+125 6* Вт ~50 100 4,5 1А 50,1* мА (100 В) 2Т91176 п-р-п -60 ...+125 6* Вт ~50 80 4,5 1А 50,1*мА(80В) 2Т9117В п-р-п -60 ...+125 6* Вт ~50 50 4,5 1А 50,1*мА(50В) 2T9117f п-р-п -60 ...+125 6* Вт ~50 100 4,5 1А 50,1 * мА (100 В) 2Т9118А п-р-п -60 ... +125 130** Вт ~1400 50 3,5 15* А 5150 мА (50 В) 2Т91186 п-р-п -60 ... +125 130** Вт ~1400 50 3,5 15* А 5150 мА (50 В) 2Т9118В п-р-п -60 ... +125 130** Вт ~1400 50 3,5 15* А 5150 мА (50 В)
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения <:15* (5 В; 0,2 А) <:15* (5 В; 0,2 А) 10...50* (!О В; 5 А) 20".100* (10 В; 5 А) 10".50* (10 В; 5 А) 20".100* ( 10 В; 5 А) <:10* (5 В; 0,5 А) <:10* (5 В; 0.5 А) <:10* (5 В; 0,5 А) 80".250* (1 О В; 0.15 А) 80".250* ( 10 В; О, 15 А) 80."250* (10 В; 0,15 А) 40".160* (10 В; 0,15 А) 22зак9 1 1 1 SIO (28 В) SIO (28 В) s200 (27 В) S200 (27 В) s200 (27 В) s200 (27 В) s6 (28 В) sl2 (28 В) Sl4 (28 В) 40(5В) 40(5В) 40(5В) 40(5В) rкэ нас' Ом r~нас' Ом к~·", дБ <:6** <:6** <:2** <:2** $0, 12; <:10** $0,12; <:10** S0,12; <:10** $0,12; <:10** $1, 1; <:2,25* * $1, 1; <:2.25* * Sl ,I; <:2,25** <:6** <:6** <:6** Кш• дБ r;, Ом Р;:" Вт <:150** (1,5 ГГц) <:40** (1,5 ГГц) <:0,8** (1,8 ГГц) <:0,8** (1 ГГц) <:70** (30 МГц) <:70** (30 МГц) <:70** (30 МГц) <:70** (30 МГц) <:3** (1 ГГц) <:5** (1 ГГц) <:10** (1 ГГц) <:75** (1,3 ГГц) <:75** (1,4 ГГц) <:75** (1,22 ГГц) tк, ПС ~~~·· нс tВЬIКЛ t нс t:::., нс Sl5 $12 $(5 $900** $900** $900** $900** 337 Корпус 2Т9114 ~~~rж5 ж~ 2Т911 2Т912 2Т912-5 2Т913 2Т9117 2Т9118
338 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' ~•• \210• UКБО проб• lк max IКБО• 1 Тип Струк- Токр., Р~.тmax t ~:;lэt U~ЭR проб' UЭБО max' 1;, н maxt I~R• прибора ·с р~~иmax t с u;эо проб• в 1·· тура " мА КЭО• 1 мВт МГц в i мкА i 2Т9119А-2 i n-p-n 1 -60 . . . +125 3Вт - 20 i 1,5 1 1А(1*А) 1 :S2мА(20В) i 1 1 1 1 1 i i 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2Т9121А n-p-n -60 ...+125 92** Вт - 42 3 9.2* А 1 :Sl5 мА (42 В) 2Т9121Б 1 n-p-n 1-60. . . +125 46** Вт - 42 1 3 4.6*А ! :S7,5 мА (42 В) i 1 1 1 ' 1 1 1 !-60 ...+125 1 1 2Т9121В 1 n-p-n 11,5** Вт - 42 3 1.15* А s2.5 мА (42 В) 1 1 1 i 1 1-60...+125 2T912lf 1 n-p-n 130** Вт - 42 3 13* А :S22 мА (42 В) 2Т9122А n-p -n -60 ...+125 133** Вт - 40 2 6,5 А (7,5* А) :Sl50 мА (45 В) 2Т9122Б n-p -n -60 ...+125 110** Вт - 45 2 5.4А(6*А) :Sl50 мА (45 В) 1 1 1 ! ' 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 ! ! i 1 i 2Т9123А n-p-n -60 ...+125 60* Вт 130 60* (lк) 5 12,5 А; 30* А :S5* мА (60 В) 2Т9123Б n-p-n -60 ...+125 60* Вт 130 70* ( 1к) 5 12,5 А; 30* А :S5* мА (70 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2Т9124А n-p-n -60 ...+125 23,5** Вт - 30 1,5 1,5А(2*А) :S20 мА (30 В) 2Т9124Б n-p-n -60 ...+125 21,5** Вт - 30 1,5 1,5А(2*А) s20 мА (30 В) 'r 1 1 ~ 1 ! ~ 1 . ! 1 а 1 1 2Т9125АС n-p-n -60 ...+125 1 64* Вт ~660 55* (10Ом)1 4 1 4А 1 s6o•мА(55В) ! i ! 1 1 1 1 i 1 ! ! ! 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 11800.. .18000 ( 10 В; 10 А) 1 1600...7000 (10 В; 1 А) 1 :5110* (5 В; 0,5 А) :57,5 (15 В) 1 1 7,5 (15 В) 7,5 (15 В) 7,5 (15 В) 7,5 (15 В) :570 (28 В) ~2.7** ~6** ~6** ~6** ~6** ~4** ~4** :50,3 :51,3 ~3** ~3.2** ~4** Кш, дБ r;, Ом Р:,., Вт ~4.5** (7 ГГц) ~35** (2,3 ...2,7 ГГц) ~17** (2,3 ...2,7 ГГц) ~4** (2,3 ...2,7 ГГц) ~50** (2,3 ...2, 7 ГГц) ~55** (2 ГГц) 1 ~45** (2 ГГц) 1 ~10** (3,1 ... 3,5 ГГц) ~8** (3,1 ...3,5 ГГц) ~50** (500 МГц) tlC1 пс ~~et НС tllWIUlt НС t::.. нс 250* 250* :520 339 Корпус 2Т9119-2 S,3 - п.• - {f-~ 1 + кТэ e,...c-h-~- 5.:s 2Т9121 ' '1/ .,.Б ..... к~ ... ,_ ~- rt ' ~э 4,6 - 211,5 2Т9122 1 - - 6.3 - 21..f 2Т9123 27,1 ~ ~Noi ~- ..,. . - к 2Т9124 ~~~Fmfз Ж1-f.ШJ 2Т9125
340 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' ~Р' ~216 1 UКБО npo6' lкmaA lкоо• Тип Струк- Токр., Р~.тmаА' cl'J' U~RnpoO' UЭБО max' 1;.к maxt I~R• прибора ·с р~~ к max' с u~ ...... в I" тура " мА КЭО• мВт мrц в мкА 2Т9126А п-р-п -60 ...+125 330* Вт ~100 100* (О,Оlк) 4 30А;50*А S200*мА(100В) 1 1 2Т9127А п-р-п -60 ...+125 1151 ** Вт ~1025 65 3 38* А s60* мА (65 В) 2Т91276 п-р-п -60 ...+125 524** Вт ~1025 65 3 19* А s30* мА (65 В) 2Т91278 -60 ...+125 1151**Вт ~1025 65 3 38* А s60* мА (65 В) 2Т912Л -60 ...+125 524** Вт ~1025 65 3 19* А s30* мА (65 В) 2Т9127Д -60 ...+125 524** Вт ~1025 65 3 19* А s30* мА (65 В) 2Т9127Е -60 ...+125 524** Вт ~1025 65 3 19* А s30* мА (65 В) 2Т9127Ж -60 ...+125 1151** Вт ~1025 65 3 38* А s30* мА (65 В) 2Т9127И -60 ...+125 524** Вт ~1025 65 3 19* А S30* мА (65 В) 2Т9127К -60 ...+125 524** Вт ~1025 65 3 19* А s30* мА (65 В) 2Т9128АС п-р-п -60 ...+125 115* Вт ~200 50* 4 18А SlOO* мА (50 В) 2Т9129А п-р-п -60 ...+125 47* Вт - 30 1,5 4А S30 мкА (30 В) 2Т91ЗОА п-р-п -60 ...+125 10* Вт ~200 250 6 150 Sl мкА (250 В) 1 2Т9131А п-р-п - 60 ... +125 350* Вт ~100 100* 6 25А;40*А S200*мА(100В) 2Т9132АС п-р-п 1-60... +125 220** Вт ~320 50 4 11,2 А; 22* А Sl50* мА (50 В)
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 341 ! 1 1 1 ~ rкэнк• Ом Кw,дБ 'tк, ПС 1 с,, t:.ac• НС h211t ь;IЭ С~zэ• r~3 нок• Ом r;, Ом Корпус пФ к:· •. дБ Р:х• Вт t::мt НС t::. нс ~10*(10В;5А) $500 (50 В) ~13** ~500** (1,5 МГц) - 2Т9126 . :tri ..... 6 к N (l) 1 & v 463 1 - - ~5.6** ~550** - 2Т9127 1' (1,025... 1, 15 ГГц) 1 - - ~6.2** ~250** - (1,025 ... 1 , 15 ГГц) ~ 'rе-Б - - ~6.2** 500** - - - ~6.2** 250** - ..... к~lL.. - - ~6.2** 250** - ~ !"а." ""' Y:J ~ .... - - ~6.2** 125** - 1 - - ~6.2** 500** - - - - ~6.2** 250** - 4,6 211,5 - ~6.2** 125** - - - - - $100* (5 В: 0,5 А) 1 $430 (28 В) 7** (175 МГц) ~200** (175 МГц) 1 $30 2Т9128 ! 1: 1 t• 1 ~ :;.к·5 'а с-. в 23,2 3 - - ~4.5** ~20** (3,5 ГГц) - 2Т9129 1 ~~~3·~18· ! 60...250 (9 В: 20 мА) $6 (!О В) $50 - $20 2Т9130 1 ;fiкФз 10... 100 (10 В; 10 мА) ! $800 (50 В) $0,1; ~10** ~400** (30 МГц) - 2Т9131 1 :tjf~ ..... 6 к N (l) 1 & 463 1 - $170 (30 В) ~3.5** ~140** (650 МГц) $20 2Т9132 t11 ~ ""к 3 1 1 ::: ~к з ~ 1 1 1 16,2 1 ,, 1 1 d 1 ~ 1
342 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах' 1,.,,. ~216• UКБО npoO• lк max lкоо• Тип Струк- Токр .• Р=. т max• (;lэ• U~Rnpo6' UЭБО max• 1~.и max• l~R' прибора ·с р~~ и maxt с· u~npo6• в I" тура ". мА кэо• мВт Мfц в 1 мкА 2Т9133А п-р-п - 60 ... +125 130* Вт (70°С) ~240 55* (0,Оlк) 4 16А 1 :5200,. ' мА (55 В) 1 1 1 1 1 1 1 i 1 2Т9134А п-р-п - 60 ".+125 2600** Вт - 50 3 78* А :5120* мА (50 В) 2Т9134Б п-р-п - 60 ".+125 2100** Вт - 50 3 63* А :5120* мА (50 В) i 1 2Т9135А-2 п-р-п 1 -60".+125 3,4 Вт - 15 1,2 950 :52 мА (15 В) 2Т9136АС 1 п-р-п - 60 ".+125 700** Вт ~300 60 4 30* А 1 :5140 мА (60 В) 1 1 1 1 1 1 1 i 2Т9137А п-р-п - 60 ".+125 9* Вт ~2700 22* (О,lк) 3,5 500 :510* мА (22 В) 2Т9137Б п-р-п - 60 ".+125 16* Вт ~2700 22* (О.lк) 3,5 1100 :525* мА (22 В) i 1 1 1 J 2Т9138А i п-р-п - 60 ".+125 60* Вт ~120 200 5 1 8А;12*А :520 мА (200 В) 1 1 i 1 11 1 i1 1 1
Биполярные кремниевь1е транзисторы специального назначения h21>' ь;IЭ 30 ... 70 (58; 5А) ck, с;2,• пФ $160 (28 В) $260 (45 В) ~5.5 (18 В) $5,5 (18 В) $250 (50 В) rкэнас' Ом r~нас:' Ом к~· •. дБ ~7.5** ~6** ~6** ~1.7** ~7** ~5.5** ~3.8** $0,2; $0,2* Кw,дБ r~, Ом Р;:•• Вт ~30** (225 МГц) ~1000** (1,5 ГГц) ~800** ( 1,5 ГГц) ~2.6**( 10 ГГц) ~500** (0,5 ГГц) ~2.1 ** (О, 1... 2 ,3 ГГц) ~4** (0,1 ...2,3 ГГц) 'tк, ПС t:_(', нс t:КJll НС t::;., нс $30 ~20 343 Корпус 2Т9133 ~t-..gз. 6 D fNЗ • 21 2Т9134 2Т9135 2Т9137 :Jtlк ~~ з 2 6,6 19,'J 2Т9138 16.8
344 Раздел 2. Биполярные транзисторы Ркmах• ~•• \z10• UКБО проб• lк max •коо• Тип Струк- Токр., Р=. т max• ~:;1)1 U~Rnpo6• UЭБОmах• 1~.м max• J~R• прибора тура ·с р;: н maxt с;х, u~проб• в ••• мА КЭО• мВт МГц ·в мкА 2Т9139А п-р-п - 60 ... +125 23,5** Вт - 30 1,5 2*А $20* мА (30 В) 2Т9139Б п-р-п - 60 ... +125 21,5** Вт - 30 1,5 1,5* А $20* мА (30 В) 2Т9139В п-р-п -60 ...+125 52** Вт - 30 1.5 4*А $30* мА (30 В) 2Т9139Г п-р-п -60 ...+125 7,8** Вт - 30 1,5 0,7* А $5* мА (30 В) 1 2Т9140А п-р-п - 60 ... +125 176 Вт - 50 - 10А - 2Т914А р-п-р - 60 ... +125 7* Вт ~300 65 4 0,8 (1,5* А) 2*мА(65В) 2Т9143А р-п-р -60 ...+125 3* Вт ~1500 75 3 100; 300* $1* (50 В) 2Т9146А п-р-п -60 ...+125 350** Вт - 50; 45* 3 20* А $40 мА (50 В) 2Т9146Б п-р-п -60 ...+125 175** Вт - 50; 45* 3 10* А $20 мА (50 В) 2Т9146В п-р-п -60 ...+125 70** Вт - 50; 45* 3 4*А $10 мА (50 В) 2Т9146Г п-р-п -60 ...+125 350** Вт - 50; 45* 3 20* А $40 мА (50 В) 2Т9146Д п-р-п -60 ...+125 175** Вт - 50; 45* 3 10* А $20 мА (50 В) 2Т9146Е п-р-п -60 ...+125 70** Вт - 50; 45* 3 4*А $10 мА (50 BJ 2Т9146Ж п-р-п - 60 ... +125 350** Вт - 50; 45* 3 20* А $40 мА (50 В) 2Т9146И п-р-п -60 ...+125 175** Вт - 50; 45* 3 10* А $20 мА (50 В) 2Т9146К п-р-п -60 ...+125 70** Вт - 50; 45* 3 4*А $10 мА (50 В) 2Т9147АС п-р-п - 60 ... +125 233* Вт - 50* (0,01 к) 4 29А $120* мА (50 В) 1 !
1 Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 10...60* (5 В: 0,25 А) $12 (28 В) ~20(5В:50А) :s;3(10B) ~10* (5 В: 0,5 А) :s;340 (28 В) rкэ нас' Ом r~нас• Ом к~· •. дБ ~3.5** ~3.6** ~3.3** ~3.3** ~6.5** ~2.5** ~6** ~6** ~7** ~6** ~6** ~7** ~7** ~7** ~7** ~6.6** Кш, дБ r;, Ом Р;:•• Вт ~10** (2,7 .. . 3 .1 ГГц) ~9** (2,7...3, 1 ГГц) ~20** (2,7 .. . 3 .1 ГГц) ~3** (2,7 ...3, 1 ГГц) ~125** (1,2 . .. 1,4 ГГц) ~2.5** (400 МГц) ~200**( 1,45 .. . 1,55ГГц) ~100**( 1,45 .. . 1,55ГГц) ~40**( 1,45 . . .1,55ГГц) ~200**( 1,45 .. . 1,55ГГц) ~100**( 1,45 .. . 1,55ГГц) ~40**( 1,45 .. .1,55ГГц) ~200**( 1,45 .. . 1,55ГГц) ~100**( 1,45 .. . 1,55ГГц) ~40**( 1,45 .. .1.55ГГц) ~160** (0,4 ГГц) т., ПС ~~·нс tlblКJlf НС t::. нс $15 345 Корпус 2Т9139 2Т9140 1 --- - 6.S 21.5 2Т914 2Т9143 2Т9146 (А, f, Ж) 2Т9146 (Б, В, Д, Е, И, К) 1 .--~ ~ -- ' 4,6 211,5 2Т9147АС 23 ~ 111.• 11.4
346 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKmax• ~. \21ь• UКБО npo6• lк max •коо• Тип Струк- Токр., р• ~;13• U~R проб' UЭБОmах• J~R' К. т max• •:. н max• прибора ·с р~:нmах• ("' u;эо проб• в ·~· тура "" мА мВт МГц в мкА 2Т9149А п-р-п -6 0 ... +1251 100** Вт - 45 2 4,5* А 1 :5100 мА (45 В) 2Т9149Б п-р-п 1-60. .. +125 56** Вт - 45 2 2,1* А :550 мА (45 В) ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 2Т915ЗАС n-p -n -60...+125 50* Вт - 50 4 4А :520 мА (50 В) 2Т915ЗБС п-р-п -60 ...+125 94* Вт - 50 4 IOA. :560 мА (50 В) : 1 1 1 1 : 1 1 1 i 1 1 1 ! 2Т9155А 1 n-p-n 1 -60 ...+125 43* Вт ~460 1 50 1 3 1 --4 А 1 ~25* мА (50 В) 1 2Т9155Б 1 п-р-п i -60 . .. +125 1 100* Вт ~450 50 3 1;5,А :525* мА (50 BJ 1 : 1 2Т9155В п-р-п -60 ...+125 180** Вт ~360 50 3 24А :525* мА (50 В) 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 i 1 1 1 1 i 1 1 1 2Т9156АС п-р-п -6 0." +125 50* Вт - 50 3 4А :520* мА (50 В) 2Т9156БС n-p -n -6 0." +125 94* Вт - 50 3 10А ~60* мА (50 В) 1 1 2Т9158А п-р-п - 60 ".+125 98** Вт - 40 3 1 4,5* А :5100 мА (40 В) 2Т9158Б п-р-п 1 -60 . .. +125 45** Вт - 40 3 2,1* А :550 мА (40 В) 1 1 - 2Т9159А п-р-п -6 0." +125 5* Вт ~1100 120; 80** 3 400 :50,1 мА (120 В) - 1 ! 1 1 1 ; 1 2Т9159А5 п-~-п -60." +125 5* Вт 1100 120 3 400 :50.1 мА (120 В)
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 347 J 1 1 i ~ 1 с" 1 rкэ нас' Ом Кш, дБ t11, ПС ~ t:act НС 1 1 h21>' ь;,э с;2э' r~Энас' Ом r;, Ом Корпус 1 пФ к~·р, дБ Р;:х• Вт t::клt НС 1 t::, НС 1 ~4** ~30** (2,15 . .. 2 ,3 ГГц) 2Т9149 - - - - - ~4** ~12** (2,15 .. . 2 ,3 ГГц) - !:fl' "" r:ч к ~ ~ 212 ~10* (5 8: 0,5 А) $37 (28 8) ~7.8** ~15**(0,39 ... О,84ГГц) - 2Т9153 ~10* (5 8: 0,5 А) 1 $66(288) 1 ~7** ~50* * (О,39 ...О,84ГГц) - 1 tll· 1 1 1 1 i 1 ...:- ..s к 3 1 1 .. ....5 ,8 .,. 18,2 ~10* (5 8: 0,5 А) $35 (28 8) ~6.5** ~15** (0,86 ГГц) - 2Т9155 ~10* (5 8: 0,5 А) $35 (28 8) ~6.2** ~50** (860 МГц) - tfi· ~ ..s 6 ...... .,. к 1 1 1 1 1 18,2 1 ! 1 1 : ' ! ~10*(58:0.5А) 1 $35 (28 8) ~5** ~100** (0,86 МГц) 1 - 2Т9155В 1 ! 1 1 1 i 23 1 ~ U.•1..J""":U 1 :61 t1 22,5 1 '~:t:::~,-1 ~10* (5 8: 0.5 А) 1 $37(288) ~7** ~15** (О,65".1 ГГц) - 2Т9156 ~10* (5 8: 0.5 А) 1 $66 (28 8) 1 ~6** ~50** (О.65".1 ГГц) - t11 i 1 1 1 ... "" 1 ;:: ~к 6 1 1 1 1 18,2 ' i '1 - - ~5** ~30** (2,3".2,7 ГГц) - 2Т9158 - - ~6** ~12** (2,3 . .. 2 ,7 ГГц) - !:111 "" r:чз 6 - ~ 212 20. "6 0* (5 8: 50 мА) $2,5(108) - - - 2Т9159 1 С'< f~ .. ... .. ~ 1S. '6 5;9 12,1 2,5 - 20" . 6 0* (5 8; 50 мА) $2,5(108) - - - 2Т9159-5 0,5 0,3 ~шт
348 Раздел 2. Билопярные транзисторы Рк max' ~•• (216' UКБО "роб' lк max IКБО' Тип Струк· Токр., Р~. т mал' (;lэ' U~Rлроб' UЭБО max' •• ·~ЭR• прибора тура ·с р~~ и maxl ~~·:х' u~"роб' в К,и maxt 1~. мВт МГц в мА мкА 2Т916А n-p -n -60...+100 30* Вт ~1100 55* (0,01 к) 3,5 2(4*)А :>:25* мА (55 В) 1 1 2Т9161АС n-p -n -60...+125 700** Вт 500 60 4 25А :>:280 мА (60 В) 2Т9162А n-p -n -60...+125 1290** Вт 600 50 3 39* А :>:60 мА (50 В) 2Т9162Б n-p -n -60...+125 1165** Вт 600 50 3 35* А :>:60 мА (50 В) 2Т91628 n-p -n -60 ...+125 1290** Вт 600 50 3 39* А :>:60 мА (50 В) 2Т9162Г n-p -n -60...+125 1265** Вт 600 50 3 39* А :>:60 мА (50 В) 2Т9164А n-p -n -60...+125 875** Вт - 65 - 20А - 1 2Т917А n-p -n -60...+125 50* Вт ~60 150 5 10 (15*) А :>:20 мА (150 В) 1 2Т9175А n-p -n -60...+125 3,75** Вт ~900 20* (10 Ом) 3 500 :>:1,5* мА (20 В) 2Т9175Б n-p -n -60 ...+125 7,5** Вт ~900 20* (10 Ом) 3 lA :>:3* мА (20 В) 2Т9175В n-p -n -60 ...+125 15** Вт ~780 20*(100м) 3 2А :>:5* мА (20 В) 1 1 1 ~ 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 349 ck, rкэнас• Ом Kw, дБ tк, ПС h21~• ь;IЭ с;2э' r;Энас• Ом r;, Ом t;ac• НС Корпус пФ к;•. дБ Р;~,, Вт t::кnt НС t::. нс 35* (5 В; 0,25 А) 1 :520 (30 В) :50,7" ~20** ( 1 ГГц) 1 :510 1 2Т916 1 1 1 ~~2, ,5 ~20* (5 В; 0.5 А) - ~7** ~500** (0,4 ... 0,5 ГГц) - 2Т9161 t1· ;:: ~к з 1 1 s.в 18;2 1 - - ~6** ~500** (1,4 .. .1,6 ГГц) - 2Т9162 - - ~** ~400** (1,4 .. .1,6 ГГц) - - - ~6** ~500** (1,4 ... 1,6 ГГц) - Б• - - ~7** ~500** (1,4 ... 1,6 ГГц) - 1"'~ .. .. 1 э ~ 1 К'\;_Э ' - Бfl ~ 1 ! 1 ~4** ~300** 2Т9164 - 1 - - 1 1 (1,03 ... 1,09 ГГц) tl 1 ~ ~к з ::: ~к з 16,2 10...60* (7 А; 5 В) - - 30... 50** (10 МГц) - 2Т917 1 1 1 ~ltil - к . ~. t:: 1~5 - :510 ~10** раз ~О.5**(200... 512МГц) :518 2Т9175 - :516 ~6** раз ~2**(200 ... 512МГц) :518 - :530 ~4** раз ~5**(200... 512МГц) :518 t-bl-1 ... <::>' 1__J "' 1 1 <::>' 1 20,5 .., ..... .. .: .., . f . I2 з._ ll Г'1 -з LЭ- 1Г -( ~ ..... ч; .... <о з't/к~ j <а 1\з 16 ~15
350 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKmax• f,,,, (ш, UКБО ..... i lкmax 1 •коо• 1 Тип Струк· Токр .• Р;, т max• ~;lэ' U~Rnpo6' UЭБО maxt 1 ·~.. прибора тура ·с р~: н max• (;:х, u~npo6• в 1;.н maxt 1 ••• мА КЭО• мВт мrц в 1 мкА 2Т9175А-4 п-р-п -60 ...+125 3,75** Вт 900 - - 500 - 2Т9175Б-4 1 п-р-п 1 -60 ... +125 7,5** Вт 900 - - 1А - 2Т9175В-4 1 п-р-п 1-60... +1251 15** Вт 780 - - 2А - 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 i 1 1 2Т9183А-5 1 п-р-п 1 -60 . .. +125 - - 70* - 12А - БСИТ 2Т9184А п-р-п 1-60 ... +125 50* Вт ~30 70* ( lк) 5 10А;20*А :51 мА (70 В) 1 1 2Т9188А п-р-п -60 ...+125 35** Вт 700 - - 5А - 1 1 1 2Т9188А-4 п-р-п -60 ...+125 35** Вт 700 - - 1 5А - 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения <::100 (5 В; 6 А) 60...100(1 В:4А) :510 :516 :530 :5350 :550 :550 rкэ ""' Ом r~нас' Ом к:· •. дБ <::10** раз <::6** раз <::4** раз :50,025 :50,1 <::5** раз <::5** раз Кw,дБ r;, Ом Р;:х• Вт <::0,5**(200 ... 512МГц) <::2* *(200... 512МГц) <::5* *(200... 512МГц) <::10** (0,2 ... 0,47 ГГц) 1 1 1 1 ! i 1 1 1 1 <::10** (0,2 ... 0,47ГГц)1 т,, пс ~;...нс tвыкп• НС t::, НС 351 Корпус 2Т9175-4 "> "' "' "' 5 1::3" ~ э з 1с) ..... ч) ...... з н 1,6 2Т9183-5 2Т9184 :rm-t ·~ 1 2Т9188 ! i .... 1~~ 2Т9188-4 "> "' "' "' 5 1::3" ~ э з 1с) .. ... ч) ...... з н 1,6
352 Раздел 2. Биполярные транзисторы pKmax• ~•• ~216• UKБOnpo6• lк .,., •коо• Тип Струк- Токр.1 Р~.тmах• ~;lэ• U~ЭR проб• UЭБО max• 1~, к max' J~R' прибора ·с р~~ к max' с· u~npo6• в ••• тура ". мА кэо• мВт МГц в мкА 2Т919А п-р-п -60 ...+125 10* Вт :21350 45 3,5 0,7 (1,5*) А :510 мА (45 В) 2Т919Б п-р-п -60 ... +125 5* Вт :21350 45 3,5 0,35 (0,7*) А :55 мА (45 В) 2Т919В п-р-п -60 ...+125 3,25* Вт :21350 45 3,5 0,2 (0.4*) А :52 мА (45 В) 2Т919А-2 п-р-п -60 ... +125 10* Вт :21350 45 3,5' 0,7 (1,5*) А :510 мА (45 В) 2Т919Б-2 п-р-п -60 ... +125 5* Вт :21350 45 3,5 0,35 (0,7*) А :55 мА (45 В) 2Т919В-2 п-р-п -60 ...+125 3,25* Вт :21350 45 3,5 0,2 (0,4*) А :52 мА (45 В) 2Т920А п-р-п -60 ... +125 5* вт (50°С) :2400 36 4 0,25 (l•) А :51*мА(36В) 2Т920Б п-р-п -60 ...+125 10* вт (5О0С) :2400 36 4 1(2*)А :52* мА (36 В) 2Т920В п-р-п -60 ...+125 25* Вт (50°С) :2400 36 4 3(7*)А :55* мА (36 В) 1 1 2Т921А п-р-п -60 ... +125 12,5* Вт (75°С) :290 65* (О,lк) 4 3,5 А :510* мА (70 В) 2Т921А-4 п-р-п - 6 0 ... +125 12,5* Вт (75°С) :290 65* (О,lк) 4 3,5 А :51* мА(70В) 2Т922А п-р-п -60 ...+125 8* вт (40°С) :2300 65* (0,lк) 4 0,8 (1,5*) А :52* мА (65 В) 2Т922Б п-р-п -60 ... +125 20• вт (40°С) :2300 65* (0, lк) 4 1,5 (4,5*) А :510* мА (65 В) 2Т922В п-р-п -60 ...+125 40* Вт (40°С) :2300 65* (О,lк) 4 3(9*)А :520* мА (65 В) 2Т925А 1 п-р-п - 6 0 ... +125 5,5* Вт (40°С) :2600 36* (О,lк) 4 0,5(\*)А :55 мА (36 В) 2Т925Б п-р-п -60 ...+125 11• Вт (40°С) :2600 36* (О,lк) 4 1(3*)А :510 мА (36 В) 2Т925В 1 п-р-п -60 ...+125 25* Вт (40°С) :2500 36* (О,lк) 3,5 3,3 (8,5*) А :530 мА (36 В) 2Т926А п-р-п -60 ... +125 50* Вт (50°С) :251 150* (О,Оlк) 5 15 (25*) А :525* мА (150 В)
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 353 ~ i 1 li ~ с,, rкэнас• Ом Кш, дБ tк, ПС li h21.1 ь;,э с;2э' r~нас' Ом r;, Ом t;,.,. нс Корпус 1 пФ к;·,, дБ Р;:,, Вт t::кл' НС t::, нс - :510 (28 В) - ~3.5** (2 ГГц) :52,2 2Т919 - :56,5 (28 В) - ~1.6** (2 ГГц) :52,2 - :55 (28 В) - ~0.8** (2 ГГц) :52,2 ~ зl''к ~ ~' 1~~6 2 16:6 - 19,J - :51О(28В) ~4.1 ** ~4.1 ** (2 ГГц) :52,2 1 2Т919-2 - :56,5 (28 В) ~3.2** ~1.6** (2 ГГц) :52,2 1 1 1 :55 (28 В) ~4** ~0.8** (2 ГГц) :52,2 "' ,, - 'с:.' -~~ 'S. h:o ,__ ~' ' Б '"'-i ~ t -~ 2.6 D • 1 :530* мА (5 В; 50 мА) :515 (10 В) ~7** ~2** (175 МГц) :520 2Т920 :540* мА (5 В; 100 мА) :525 (10 В) ~4.5** ~7** ( 175 МГц) :520 ~ ·-~-изк 1 :525* мА (5 В; 250 мА) :575 (!О В) ~3** ~20** (175 МГц) :520 ' ..;- ........... У:' ..,. ... .....,,, i;:: ~ ~ ,/!. __ " э 1 1 6 12.2 2 1 ~10·(10В;1А) :550 (20 В) ~8** ~12,5** (60 МГц) :5300* 2Т921 :е ff... 6 ~10*(10В; 1А) :550 (20 В) ~8** ~12,5** (60 МГц) :5300* 2Т921-4 ~ ~~~ j ~ 1 67 5 ~10* (0,5 В; 1 А) :515 (28 В) ~10** ~5** ( 175 МГц) :520 2Т922 ~10* (0,5 В; 0,25 А) :535 (28 В) ~5.5** ~20** (175 МГц) :520 ~10* (0,5 В; 0,5 А) :565 (28 В) ~4** ~40** ( 175 МГц) :525 ~~6 з ~ ,.,.. _! ..,. -- ~ -" ,._ э 6 72.2 2 ~8*(5В;0,2А) :515 (12,6 В) ~6.3** 2** (320 МГц) :520 2Т925 ~10* (5 В; 0,2 А) :530 (12,6 В) ~4** 7** (320 МГц) :535 ~ з ~17* (5 В; 0,2 А) :560 ( 12,6 В) ~3** 20** (320 МГц) :540 ~ ~6 к ЕЗ!~- ..,. ~L- ~ э 6 72.2 2 12...60* (7 В; 15 А) - :50,17 - - 2Т926 ~fitll g::: • t:::: 1~5 23зак9
354 Раздел 2. Биполярные транзисторы i ! 1 pKmax• (,,,. ~216• UКБО •роб• i IКБО• 1 lк max 1 Тип Струк- Токр. • р' t;lэ• U~ЭR ороб• UЭБО max• 1 1;, и max• 1 I~ЭR• К. т 1na'(t прибора тура ·с р~~ иmax• ~~:х• u;;,, ороб• в 1" мА КЭО• мВт Мfц в мкА 2Т928А n-p-n -60 ...+125 0,5 Вт (2*) Вт :?:300 60 5 0,8 (1,2*) А :51 (60 В) 2Т928Б n-p-n -60 ...+125 0,5 Вт (2*) Вт :?:300 60 5 0,8 (1,2*) А :51 (60 В) 1 1 1 1 1 2Т929А i n-p-n -60 ...+125 6 Вт (40°С) :?:700 30* (О.lк) 3 0,8 (1,5*) А :5500 (30 В) 1 2Т930А n-p -n -60 ...+125 75* Вт (40°С) :?:450 50* (О,lк) 4 БА :520* мА (50 В) 2Т930Б 1 n-p -n 1-60. . . +1251 120* Вт (40°С) :?:600 50* (0,lк) 4 IOA 1 :5100• мА (50 BI ·, ! ' ! 1 j " 1 ,, i 1 1 i ~ 1 1 1 ~ i ! 1 i i •' 1 ! 1 q i 1 1 ! ! 1 j 1 ! i 2Т931А 1 n-p-n l -60 ...+125 1 150 Вт (40°С) :?:250 1 60* (0,Оlк) 1 4 15А 1 :520* мА (60 В) 1 1 1 1 1 !11 i i 1 ~ !1 1 i 1 ! 1 1 ! ' 1 i 1 i 'i l2T932A 1 1 -60 ...+125 1 20* Вт (50°С) i :?:30 1 80 4,5 1 2А i :51.5* мА (80 В) 1 p-n-p 1 1 2Т932Б ! p-n-p 1 -60 ...+125 1 20* Вт (50°С) ! :?:50 60 4,5 2А ! :51,5* мА (60 BJ 1 1 i : l 1 • 1 i i i i 1 1 i ' 2Т933А p-n-p -60 ...+125 5* Вт (50°С) :?:75 80 1 4,5 0,5 А :50,5* мА (80 BI 2Т933Б p-n-p -60 ...+125 5* Вт (50°С) :?:75 60 1 4,5 0.5 А 1 :50,5* мА (60 В) 1 1 ' 1 ~ 1 1 1 ! i ! 1 1 1 i i 1 1 1 1 1 ' 1 i , 1 1 1 i 1 ~ 1 1 i 1 1 1 1 1 1 i 1 ! 1 1 ! 1 1 ! 1 ! 1 i 2Т934А i n-p -n 1-60.. . +125 7,5* Вт :?:500 60* (0.Оlк) 4 1 0.5 А 1 :55*мА(60В) 2Т934Б 1 n-p-n -60 ...+125 15* Вт :?:500 60* (О,Оlк) 4 1 IA i :510* мА (60 В) 2Т934В n-p -n -60 ...+125 30* Вт :?:500 60* (0,Оlк) 4 2А :520* мА (60 В) 1 2Т935А n-p-n -60 ...+125 60* Вт (50°С) :?:51 80* (О,Оlк) 1 5 1 20(30*)А 1 :530* мА (80 В) ~ 1 1 1 i ! 1· 1 i ! ! 1 1 1 i 1 1 1 1 'i 1 1 1 1 1 1 1 1 i
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 355 1 ck, rкэиас' Ом Кw1 дБ tк, ПС h21.• ь;,э с;2э' r~нас' Ом r~, Ом t~ac• НС Корпус пФ к~·,, дБ Р:•• Вт t::КJI. нс t::. нс 30 ... 100* (5 В; 150 мА) :512 (10 В) :52 - :5225* 2Т928 50 ... 200* (5 В; 150 мА) :512 (10 В) :52 - :5225* ~кфз 1 ~25* (5 В; 0,7 А) :520 (8 В) ~10** ~2** (175 МГц) :525 2Т929 ...-ill ~ 6 l!JЗ К ~r.r. ., -~ 1!1. --= .L- ' 11 1з 6 121 21 40*(5В;0,5А) :580 (28 В) ~6** ~40** (400 МГц) 8 1 2Т930 50*(5В;0.5А) :5170 (28 В) ~4** ~75** (400 МГц) 11 1 lffii ~ t;" 7 25*(5В:0.5А) :5240 (28 В) 0,18; ~4** ~80* * ( 175 МГц) 18 2Т931 -i 1 ~ 1 1 1 ....., 1 ~ 7 1 1 ~15* (3 В: 1,5 А) :5300 (20 В) :51 - - 2Т932 ~30* (3 В: 1.5 А) :5300 (20 В) :51 - - п1~ ~ffli ~. ~15* (3 В; 0.4 А) :5100 (20 В) :53,75 - - 2Т933 ~30*(3В:0,4А) 1:5100(20В) :53,75 - - ;tфкфз 1 50*(5В;0.1А) :59 (28 В) 2; ~6** ~3** (400 МГц) :520 2Т934 50* (5 В; 0,15 А) :516 (28 В) 1; ~4** ~12** (400 МГц) :520 "~ • ,J', 50* (5 В; 0,25 А) :532 (28 В) о,5; ~3** ~25** (400 МГц) :520 ~ ~~;:: р1з 6 121 21 20... 100* (4 В: 15 А) i :5800 (10 В) :50,66 - :5700** 1 2Т935 1 1 ~liil ~. 1::: 1~5 2з·
356 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк maxt ~. (216• Uкю npo0• IKmax Iкю, Тип Струк- Токр. • P~.тmaxt (;,3, U~Rnpo6• UЭБОmа1'.' 1;.н maxt I:СЭн' прибора тура ·с р~: и maxt с:х, u~ ..... в 1·· мА КЭО• мВт Мfц в мкА 2Т935А-5 п-р-п -60 ...+125 60* Вт ~51 80* 5 20А :530* мА 1 1 1 1 1 1 1 2Т937А-2 п-р-п -60 ...+125 3,6** Вт 6500 25 2,5 250 :52* мА (25 В) 2Т9375-2 п-р-п -60 ...+100 7,4** Вт 6500 25 2.5 450 :55* мА (25 В) 12Т937А-5 1 п-р-п -60 ...+125 3,6** Вт 6500 25 2,5 250 :52 мА (25 В) : i 1 1 1 1 1 2Т938А-2 п-р-п -60 ...+125 1,5* Вт ~2000 28 2,5 в 180 :51 мА (28 В) 1 1 1 1 1 2Т939А 1 п-р-п 1 -60 ... +125 4* Вт ~2500 30* (0.Оlк) 3,5 400 :52 мА (30 В) 2Т9395 1 п-р-п 1 -60 ... +125 4* Вт ~1500 30* (0,Оlк) 3,5 400 :52 мА (30 В) 1 1 1 1 2Т939А1 п-р-п -60 ...+125 4* Вт ~2500 30* (О,Оlк) 3,5 400 :51 мА (30 В) 2Т941А ! р-п-р -60 ...+125 4* Вт ~1500 30 3 500 :5300 (30 В) 1 2Т942А п-р-п -60 ...+125 25** Вт ~1950 45 3,5 1,5 А :520 мА (45 В) 2Т9425 п-р-п -60 ...+125 22** Вт ~1950 45 3.5 1,5 А :520 мА (45 В) 1 1 1 2Т942А-5 п-р-п -60 ...+125 25** Вт ~1950 45 3,5 1 1,5 А :520 мА (45 В) 2Т9425-5 п-р-п -60 ...+125 22** Вт ~1950 45 3,5 1,5 А :520 мА (45 В)
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 357 ck, rкэ нас• Ом Кw,дБ tк, ПС hz,,• ь;,э с;2з' r~нас' Ом r;, Ом t~,. нс Корпус пФ к~·., дБ Р:,,, Вт t::.,, . нс t::, нс 20... 100* (4 В: 15 А) 1 :5800 (!О В) :50,66 - :5700** 2Т935-5 1 1 ~шт 1 - :55,5 (20 В) ~1.6** ~1.6** (5 ГГц) 0,78 2Т937 - :57,5 (20 В) ~1.8** ~3.6** (5 ГГц) 0,6 :ltl ;- ~ 6 2 6 19,;J - :55,5 (20 В) ~1.6** 1 ~1.6** (5 ГГц) 0,78 2Т937-5 ~mг - :54 (20 В) ~2** ~1 ** (5 ГГц) :52 2Т938-2 •tt f:m ifEit:i~ ~: ~1!~6 j 40...200* (12 В: 0.2 А) :55,5 (12 В) - - :59 2Т939 (2Т939А1) 20...200* (12 В: 0,2 А) :56 (12 В) - - $10 ~ f~ .- .: 1S. 40 ... 200* (12 В: 0,2 А) - - - - (9 11,1 2' ,5 (2.•.5,4) ~20* (5 В: О,1А) :55 (20 В) :56 - :515 2Т941 ;fiкФэ - :520 (28 В) ~2.5** ~8** (2 ГГц) :52,2 2Т942 - :520 (28 В) ~2.5** ~6** (2 ГГц) :52,5 :ttl 1 ~- ~ 1 6 1 1 2 6,6 1 19. - :520 (28 В) ~2.5** ~8** (2 ГГц) :52,2 2Т942-5 - :520 (28 В) ~2.5** ~6** (2 ГГц) :52.5 ~r0r
358 Тип 1 Струк- Токр., прибора 1 тура \ ·с Рк max' Р~.тmax t р~~ и maxt мВт ~2Т944А n-p -n - 60." + 125 55* Вт (90°С) 2Т945А n-p -n 1-60. .. +125 50* Вт (50°С) 2Т945Б n-p -n 1 -60".+1251 50* Вт (50°С) 1-60 . .. +125 1 2Т945В n-p -n 50* Вт (50°С) 1 1 2Т945А-5 n-p-n 1 -60 ...+125 1 50* Вт (50°С) 2Т946А i n-p -n 1-60... +1251 37,5** Вт ~ ! j 1 1 1 2Т947А 1 n-p-n -60 ...+125 1 200* Вт (50°С) 1 1 1 ! ! 1 1 1 2Т948А 1 n-p-n 1 -60 ...+125 40* Вт 2Т948Б ! n-p -n 1 -60 ."+125 20* Вт 1 1 1 i 2Т949А n-p-n , -60 ...+125 60* Вт 1 1 i j 2Т950А 1 n-p-n -60 ...+125 84 Вт 2Т950Б n-p -n -60 ...+125 60 Вт 1 i f..v, \z1•• \;lэ' ~::х' МГц ~105 ~51 ~51 ~51 ~51 ~720 i ~75 1 ~1950 1 ~1950 180 1 ~150 ~90 Раздел 2. Биполярные транзисторы UКБО о1ю<>' lк max lкоо• U~ЭR 01ю<>' UЭБО maxt 1~. н maxt I~R• u~ ороб• в 1·· мА кэо• в мкА 100* (0,01 к) 5 12,5 (20*} А :s80* мА (100 В 200* 5 15 (25*} А :s25* мА (200 В) (100 Ом) 150* 5 15 (25*) А :s25• мА (150 В) (100 Ом) 150* 5 10 (20*} А :s25* мА (150 В) (100 Ом) 200* 5 1 15(25*)А :S25* мА (200 В) (100 Ом) 50 3,5 2,5(5*)А \ :s50мА(50В) ' 1 ' i 1 i i 1 ' ) 100* (0,01 к) 5 20 (50*} А :SIOO* мА (100 В) 1 1 1 i i 45 2 2,5(5*)А 1 :s30мА(45В) 45 2 1,25 (2,5*} А ! :sl5 мА (45 В) 60* 5 20А :s50 мА 1 1 j! i 1 ~ 1 1 ~i' 1 1 1 60* 1 4 1 10А :s30 мА* (60 В) 65* 4 7А :s30 мА* (60 В) 1 i 1 1 1 1 1
1 11 11 i 1 1 11 ~ 1 Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения h21э' ь;!Э 10...80* (5 В; 10 А) 1 ! i1 1 10...60* (7 В; 15 А) 10...60* (7 В; 15 А) 10...60* (7 В; 10 А) 10...60* (7 В; 15 А) 10...80~ (5 В; 20 А) 1 i 1 i 1 10...90* (10 В; 15 А) '1 ! 1 15...100(5А; 10В) 1 10... 100(5А; IOB) 1 с" с;2э' пФ :5350 (28 В) s;200 (30 В) :5200 (30 В) :5200 (30 В) :5200 (30 В) :550 (10 В) :5850 (27 В) :530 (28 В) :517 (28 В) 550 :5165 (28 В) :5220 (28 В) rкэ иас' Ом r~э иас' Ом к:·,, дБ s;0,25; ::>: 10* * s;0,17 s;0,17 s;0,17 1 s;0,17 1 ! 1 1 ::>:4** ::>:10** 1 - 0,15; ::>:7** 0,15; ::>:10** 1 i 1 1 1 1 Кш, дБ r;, Ом Р:х, Вт ::>:100** (30 МГц) - - - - ::>:27* * (1 ГГц) ::>:250** (1,5 МГц) ::>:15** (2 ГГц) ::>:8* * (2 ГГц) - ::>:70** (80 МГц) ::>:50** (30 МГц) tк, ПС f~al'' НС t;ЫIUlt НС •::, НС - $1,1* мкс :51,1* мкс $1,1* мкс 1 :51,1* мкс ' 11 ! 1 140** 1 - ! - 1 1 1 359 1 Корпус 1 1 2Т944 r. 1: ! Чt~ ...; . с-. 2Т945 n.t кt) 6"з ~ .. ..., о'о ~ffl~ т ..:; . ' - к 2Т945-5 ~шт ~ 2Т946 2Т947 2Т948 1 /( э : i ""' i s:!' C"i 8,5 11 ~ 1 4,f 1 1 2Т949 i 1 ~1 ==tifj- ~ 1 . 1 \...--~ 1 2Т950 1 ! 1 1~ '; ·~~ 1-f'~Б К j ~' . А-А э ~· 15,7 -- ZI
360 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Рк max' ~" ~".. UКБО """"' lкоо• ~ lк max Тип Струк· Токр., Р~.тmах' ~;lэ' U~ЭR ""°"' UЭБО max' 1:,н rnax t J~ЭR• прибора тура ·с р~~ и maxt ~~·;х' u~""""' в мА I~эо• мВт МГц в мкА 2Т951А n-p-n - 60 ... +125 45 Вт** <:150 60* 4 5А :о;20 мА (60 В) 2Т951Б n-p -n - 60 ... +125 30 Вт** <:90 65* 4 ЗА :<;;20 мА (60 В) 2Т951В n-p -n -60 ...+125 6,3 Вт** <:150 60* 4 0.5 А :<;;5 мА (60 В) 2Т955А n-p-n - 60 ... +125 20* Вт (I00°C) <:100 70* (О,Оlк) 4 6А :o;lO* мА (60 В) 2Т956А n-p -n - 60 ... +125 70** Вт (I00°C) <:100 100* (О,Оlк) 4 15А :<;;80* мА ( 100 В) 2Т957А n-p-n -60 ...+125 100** Вт (1ОО0С) <:100 60* (0,01 к) 4 20А :<;;100* мА (60 В) 1 2Т958А n-p-n - 60 ... +125 85* * Вт (40°С) <:400 36* (О,Оlк) 4 10А :<;;15* мА (36 В) 1 1 1 ! 1 1 1 2Т960А n-p -n - 60 ... +125 70** Вт (40°С) <:600 36* (0,01 к) 4 7А :<;;20* мА (36 В) 2Т962А n-p-n - 60 ... +125 17** Вт (40°С) <:750 50 4 1,5 А :о;20 мА (50 В) 2Т962Б n-p-n - 60 ... +125 27** Вт (40°С) <:750 50 4 2,5 А :<;;20 мА (50 В) 2Т962В n-p-n - 60 ... +125 66** Вт (40°С) <:600 50 4 4А :о;ЗО мА (50 В) 2Т963А·2 n-p -n - 60 ... +125 1,1 *Вт - 18 1,5 210 :<;;1 мА (18 В) 2Т963Б-2 n-p -n - 60 ... +125 1,1 *Вт - 18 1,5 185 :<;;1 мА (18 В) 1 !1 i 1 1 1 i 1 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 15...100 (2 А: 10 8) 10... 100 (2 А; 10 8) 30...200 (2 А: 10 8) 10...80* (5 8: 1А) 10...80* (5 8: 1 А) . 10...80* (5 8; 5 А) 210* (8 8: 0.5 А) пФ $70 (28 8) $70 (28 8) $12 (28 8) $75 (28 8) $4005 (28 8) $600 (28 8) $180 (12 8) $120 (12 8) $20 (28 8) $35 (28 8) $50 (28 8) 1,5(58) 1,5(58) rкэ на{·' Ом r~э нас' Ом к:· .. дБ 28,3** 210** 215** 220** раз 220** 217** 24** 22,5** 24** 23,5** 23** 23**(10ГГц) 23** (10 ГГц) Кш• дБ r~, Ом Р;:х, Вт 225** (80 МГц) 220** (30 МГц) 23** (80 МГц) 220** (30 МГц) 2100** (30 МГц) 2125** (30 МГц) 240** (175 МГц) 240** (400 МГц) 210** (1 ГГц) 220** ( 1 ГГц) 240* * (1 ггц) 20,8** (10 ГГц) 20,5** ( 10 ГГц) 'tK1ПС f~act НС t::кл 1 НС t::, нс 12 12,5 $15 $14 $11 361 Корпус 2Т951 ,6 7J.2 2Т955 2Т956 ~~~ :11ыJ t ъ:J 2Т957 ~~~ :11ыJ t ъ:J 2Т958 +li2Т960 -т--...,....,...,,·6 ~~·~~·~к25Jl 2Т962 2Т963 _ S,3 n,Ф - ~·~ tч ~"-~ - ~" ·~- 1 ~ ко:э ~ ..... =- = 5.:1- l=i=: Б ~1
36.2 Раздел 2. Биполярные транзиотор&1 pKmaxt ~•• \21•• UK50npo6• •кmах lкоо• Тип Струк- Токр., Р~.тmа"'' ~;lэ' U~Rnpoб• UЭБOma1t.' 1;,и max' I~R• прибора ·с р~~ и max' с· U~ЭОnроб• в I~эо• тура ах• мА мВт МГц в мкА 2Т96ЗА-5 п-р-п -60 ...+125 1,1 *Вт 10 ГГц 18 1,5 1 185 1 :51 мА (18 В) 1 1 1 1 i i 1· 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2Т964А п-р-п -60 ...+125 200* Вт (50°С) <:150 80*(100 Ом) 4 IOA :5100 мА (80 В) 1 1 2Т965А ! п-р-п 1-60.. . +1251 32* Вт 1 <:100 1 36* (0,Оlк) 1 4 i4А :510* мА (36 В) 1 1 1 1 ! 1 i 1 ~ i i i 1 1 q 1 ! 1 1 i 1 1 ! ! i 1 1 1 1 1 1 2Т966А п-р-п -60...+125 64* Вт <:100 36* (О,Оlк) 4 8А :523* мА (36 В) ! 1 1 1 ! ! 1 ., ! 1 1 ! ' 1 1 1 1 1 1 i 1 1 2Т967А п-р-п 1-60. . . +125 1 100** Вт <:180 36* (О,Оlк) J 4 15А 1 :520* мА (36 В) 2Т968А п-р-п -60 ...+125 4 Вт* (40°С) <:90 300 5 100 (200*) :50.5* мА (250 В) ii 1 2Т968А-5 п-р-п -60 ...+125 4 Вт* (40°С) <:90 300 5 100 (200*) :50,5* мА (250 В) i11 : ' 1 1 -60 ...+125 1 1.70** Вт 50* (О,Оlк) 1 ' ! 2Т970А п-р-п <:600 4 13А i 100* мА (50 BI ! ' 1 i 1 i 1 1 1 1 1 1 ' 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 363 i 1 ! ck, rкэ нас• Ом Кw,дБ t'K, ПС 1 h2," ь;,э с;2эt r~нас' Ом r~, Ом f~at"' НС Корпус пФ к:· •. дБ Р;:" Вт t::клt НС t::., нс - 1,5(58) - ~0.8** (10 ГГц) - 2Т963-5 0,45 0,08 ~шт 10...50* (5 А; 10 В) 1 :5290 (40 В) ~5** ~150** (80 МГц) 1 - i 2Т964 1 1 :tri 1 ..... .... 6 к 1 1 ~ ~J5,: 10...60* (5 В; 1 А) :5100 (12,6 В) ~13** ~20** (30 МГц) - 2Т965 1 ~~~- 1 !1') 1 <!it 1 1 G,9 i 1 - :5250 ( 12,6 В) ~16** ~40** (30 МГц) - 1 2Т966 $J:t" '/( G,9 ! 10... 100* (5 В; 5 А) :5500 (12,6 В) ~18** ~90** (30 МГц) - 2Т967 1 i 1 1 i 1 t1ii , i 1 1 :::: 6 к 1 1 ~ 1 & J5,: 1 1 35... 320* (30 мА; 1О В) :52,8 (30 В) :533** - :52** 2Т968 1 ~ЕФкщэ 1 1 1 ! ! 1 1 35...320* (30 мА; 10 В) j :52,8 (30 В) :533** - :52** 2Т968-5 1 i ~шт - 180 (28 В) ~4** ~100** (400 МГц) :525 2Т970 1 1[g 1 1- !1-$' 6 1 а ""'З . 1 i 1 1 i 1 ! 21 . 1 i 1 1 i 1 1 1 1
364 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Струк-1 pKmax' f,,,. (216, Uквоnро0• 1 Iк.,,," Iкво• Тип Токр.t Р;.тmа"'' ~;1,1 U~Rnpo6• UЭIOmax• 1;.и max• J~R' прибора 1 тура 1 ·с р;иmах• с· u~-· в ·~· ". 1 мА 1 i мВт МГц в j мкА ! i 2Т971А n-p-n l -60 . .. +125 200** Вт ~220 50* (О,Оlк) 4 17А :S60* мА (50 В) 2Т974А р-п-р -6 0 ... +125 5* Вт (50°С) ~450 80 3 2А(10*А) :S5 мА (80 В) 2Т974Б р-п-р -6 0 ... +125 5* Вт (50°С) ~450 60 3 2А(10*А) :S5 мА (60 BJ 2Т9748 р-п-р -60 ...+125 5* Вт (50°С) ~450 50 3 2А(10*А) :S5 мА (50 В) 2Т974Г р-п-р -60 ...+125 1 5* Вт (50°С) ~450 60 3 2А(10*А) :S5 мА (60 В) 1 2Т975А n-p-n -6 0 . .. +125 500** Вт (85°С) - 50 3 15* А :S40* мА (45 В) 2Т975Б n-p-n -6 0 . .. +125 200** Вт (85°С) - 50 3 7*А :S20* мА (45 В) 1 1 1 1 !2Т976А ! n-p-n 1-60... +125 75** Вт (40°С) ~750 50 4 6А 1 :S60мА(50В) 1 1 2Т977А n-p -n - 6 0 ... +125 200** Вт (85°С) ~600 50 3 8*А :S25 мА (50 В) 2Т978А n-p -n -6 0 ... +125 40* Вт ~75 300* 5 10А(15*А) :S2 мА (300 В) (100 Ом). 120** 2Т978Б n-p -n -60 ...+125 40* Вт ~75 300* 5 10А(15*А) :S2 мА (300 В) (100 Ом). 150** 2Т979А n-p -n -60 ...+125 75* Вт - 50 3,5 5А;10*А :SIOO мА (50 В) 1 1 2Т980А n-p-n - 6 0 ... +125 300* Вт (30°С) ~150 100* (0,Оlк) 4 15А :SIOO мА (100 В) 2Т980Б n-p-n -60 ...+125 300* Вт (30°С) ~150 100* (О,Оlк) 4 15А :SIOO мА (100 В)
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 365 ck, rКЭиасt Ом Кw,дБ tlCI ПС 1 h2," ь;,э с;2" r~нас' Ом r;, Ом t;,.,. нс Корпус 1 пФ К~~ •• дБ Р;:" Вт t::IUll НС t:. нс - S330 (28 В) ;::3** ;::150** (175 МГц) S40 2Т971 3 tm - !1') 6 D fNЭ • 4 21 5...50 (5 А: 5 В) 80 (30 В) Sl 1 - S0.2 мкс 2Т974 5...50 (7 А: 5 В) 1 80 (30 В) S0,6 - 1 S0.2 мкс ;fФкщэ 5...50 (5 А: 5 В) 80 (30 В) Sl - S0,2 мкс ;::10* (7 А: 5 В) 80 (30 В) S0,6 - S0,2 мкс 1 1 - - ;::6** 200** (1,4 . .. 1,6 ГГц) S0,2 мкс 2Т975 - - ;::6** 100** (1,4 .. . 1,6 ГГц) - 6 ~~ з т:11 1 S70 (28 В) ~** - ;::60* * ( 1 ГГц) s25 2Т976 ~~ о;" llr'i "Q "" •6 1~в 21 - - - ;::50** (1,5 ГГц) - 2Т977 ~-~ !;:i' •• 1 : сч 6.6к 1 1 ;::15* (5 А: 5 В) sl20 (50 В) S0,2 - Sl,2* мкс 2Т978 ~,~ ;::15* (5 А; 5 В) Sl20 (50 В) S0,2 - sl ,2* мкс ~fflii ~ ..,. . - /( - - ;::б** ;::50** (1,3 ГГц) - 2Т979 ttlja !О:) ""к 1 - ~ 2l2 15...60* (IO В; 5 А) S450 (50 В) ;::16** раз ;::250** (30 МГц) - 2Т980 10... 60* (10 В; 5 А) S450 (50 В) ;::16** раз ;::250** (80 МГц) - :ttl ::::; 6 к & J5,:
366 Раздел 2. Биполярные транзисторы Рк maкt {,.,. \216, UКБО проб• lк mак lкБО• Тип Струк- Токр.r Р~.тmакt ~;lэt U~Rnpo6• UЭБО mак t 1~,иmак' I~R• прибора тура ·с р"" c:ll., u~npoб• в 1;эо, К.иmакt мА мВт МГц в мкА 2Т981А n-p-n -60 ...+125 70* Вт ~300 36* (0,01 к) 4 10А ::;50* мА (36 В) 1 i ! 1 2Т982А-2 ! n-p-n - 60 ".+125 5,8** Вт - 20 1,5 600 ::;1 мА (20 В) 1 2Т982А-5 n-p-n -60".+125 5,8** Вт - 20 1,5 600 ::;1 мА (20 В) 1 i 1 ~ : 1 1 1 1 2Т983А n-p-n - 60 ".+125 8.7* Вт ~1200 40* (0,01 к) 4 0,5 А ::;5* мА (40 В) 2Т983Б 1 n-p-n 1-60 ". +125 13* Вт ~900 40* (0,01 к) 4 IA ::;8* мА (40 В) 2Т983В 1 n-p-n - 60" .+125 22,5* Вт ~750 40* (О,01 к) 4 2А ::;18* мА (40 В) ! 2Т984А n-p -n 1 -60".+125 1,4* Вт 1 720 65 4 1 7*А 1 ::;30 мА (65 В) 2Т984Б n-p -n 1 -60".+125 ! 4,7* Вт 1 720 1 65 4 16* А ::;80 мА (65 В) 1 i 1 1 i i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2Т985АС n-p-n 1-60 ". +125 185* Вт ~660 50* (10 Ом) 4 17А ::;120 мА (50 В) 1 1 1 ~ 2Т986А i n-p-n i -60 ".+125 1 910** Вт - 50 1 3 26*А i ::;60мА(50В) i 1 1 • 1 1 1 j-60 " . +1251 i 2Т986Б n-p-n 775** Вт - 50 3 26* А 1 ::;50 мА (50 В) 2Т986В n-p-n - 60 ".+125 910** Вт - 50 3 26* А 1 ::;40 мА (50 В) 2Т986Г n-p-n - 60 ".+125 910** Вт - 50 3 26* А ::;50 мА (50 В) 2Т987А n-p-n - 60 ".+125 93* Вт 1000 50 3.5 5А 100 мА (50 В) 1 1 1 1 i1 1 1 ~ 1 1 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 367 ck, fкэнас' Ом Кw,дБ t., пс h:H'*' ь;IЭ c;:?i' г~:энсt~• Ом r;, Ом t~c' НС Корпус пФ к~·•' дБ Р;:,, Вт t::kЛ, нс t:::,, нс 10...90* 15 В: 5 А) 1S400 (12.6 В) 1 ~5** ~50** (80 МГц) ! - 1 2Т981 ! 1 1 1 1 1 :tf+ifj 1 1 1 1 1 1 .... 6 к ' i 1 1 , 1 1 ~ J5,: - s6(15B) 2,5** ~3.2** (7 ГГц) - 2Т982 s.s Н,# - 1 ~ 1 ....- ~ ~·~ ..... ктэ ' " ,_ - 1~"1 1 1 ! 1 - ! ' 1 i i - S6 (15 В) 2,5** ~3.2** (7 ГГц) 1 - ! 2Т982-5 i 1 0,45 0,08 ~шт ~20* (5 В; 0,5 А) S8 (28 В) ~4** ~0.5** (860 МГц) - 2Т983 ~IO* (5 В; 0,5 А) Sl2 (28 В) ~3.6** ~1 ** (860 МГц) - ~ 71.]3 к ~10* (5 В: 0,5 А) S24 (28 В) ~3.2** ~3.5** (860 МГц) - ..; ~~~ Е • 1 О!" 1-..::1 1 1 ~ 1' 1з 1 ' 1 8 1'1. '2 2i 1 1 1 - S35 (30 В) ~5** ~75** (820 МГц) 5 2Т984 - S80 (30 В) ~4** ~250** (820 МГц) 5 ~~~rel] - S270 (28 В) ~3.5** ~125** (0,4 ГГц) S21 1 2Т985 1 i ~tl; 1 1 ' ! 1 1 1 1 1 В.5 23.2 - 1 - ~6** ~350** - 2Т986 (1,4 ... 1,6 ГГц) 6 - - ~6** ~300** (1,6 ГГц) - ~~~ - - ~7** ~350** (1,6 ГГц) - .... OQ- з - - ~7** ~350** - D ,... (0,6 ...0,8 ГГц) J,8 1. ' ~6** ~45** ( 1 ГГц) 2Т987
368 Раздел 2. Биполярные транзисторы рКmал' ~•• ~216• UКБО проб• lк mал lкоо• Тип Струк- Токр.• Р~.тmах' ~;lз' U~Rnpo6• UЭБО max' ·~.н max' I~R• прибора тура ·с р~: и max' ~::х' u~ ..... в мА 1~, мВт МГц в мкА 2Т988А п-р-п -60 ...+125 43* Вт - 50 3,5 2,5 А :550 мА (50 В) 2Т988Б п-р-п -60 ...+125 33* Вт - 50 3,5 1,7 А :530 мА (50 В) 1 2Т989А п-р-п -60 . .. +125 40* Вт (115°С) - 45 2 5А(7,5*А) :5100 мА (45 В) 2Т989Б п-р-п -6 0 . .. +125 30* Вт (115°С) - 45 2 4А(5*А) :5100 мА (45 В) 2Т989В п-р-п -6 0 . .. +125 14* Вт (115°С) - 45 2 1,7 А :530 мА (45 В) 2Т989Г п-р-п -60 ...+125 25* Вт(115°С) - 45 2 2,5 А :550 мА (45 В) 1' 2Т990А-2 п-р-п -60 ...+100 25* Вт 1,95 ГГц 45 3,5 1,5А(3*А) :520 мА (45 В) 1 2Т991АС п-р-п -60 ...+125 67* Вт ~540 50 4 3,7 А :550 мА (50 В) 2Т993А п-р-п -60 ...+125 50* Вт ~180 150 4 5А(IO*А) 30 мА (150 В) - 2Т994А-2 п-р-п -6 0 . .. +125 1290** Вт (85°С) - 50 3 39* А :560 мА (50 В) 2Т994Б-2 п-р-п -60 ...+125 1165** Вт (85°С) - 50 3 35* А :560 мА (50 В) 2Т994В-2 п-р-п -6 0 . .. +125 1290** Вт (85°С) - 50 3 39* А :560 мА (50 В) !
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 369 !1 1 1 1 ;1 ck, fкэнас' Ом Кш, дБ 't,, пс 1 t:a{·t НС 1 11 ii h21э' h~IЭ c;2j' r~э нас' Ом r~, Ом t:•ыкл t НС Корпус 11 ~ пФ к;.. дБ Р;:х' Вт t::, нс 1 - - 26** 215** (0.7 ГГц) - 2Т988 - - 27,8** 218** (l,4 ГГц) - ~~4~Б -- э ""' KS· r ... ~ ""' • -:; ~ 11 .f,~ с:: 2,,2 - 1 - 11 ! 11 1 1 - - 23,2** 235** (2 ГГц) - 2Т989 - - 24,3** 226** (2 ГГц) - - - 27** 212** (2 ГГц) - ~~ - 27** 225* * (l,7 ГГц) 1 ..JL Б - - э ""' Kr. г ... 1~ ""' ' ~~ 15,~ 21,2 11 - 1 i i 1 :522 (28 В) 28** (2 ГГц) 1 1 1 - - :52,5 2Т990-2 ~ 311~~ к <Q" c:::t '& ... 1~~ /j 2 16;6 19,'J - :575 (28 В) 26** 255** (0.7 ГГц) :56,8 2Т991 1,, 1 ! ~· "" ... к3 1 !I 1 ~ ~11, ~ 1 ~ 10...70* (5 В; 5А) 375 - - - 2Т993 ~1 ~=т=)- ." ;~ 11 1 1 1 ~~; т 1-~ 1 1 ' 1к : 1 1 о-1"!. : i i !!.• 1 - :5120 (45 В) 26** 2500** (l.4 ...l.6ГГц) - 2Т994 - :5120 (45 В) 26** 2400* * ( 1.4 .. . 1.6ГГц) - - :5120 (45 В) 27** 2500** (l,4 .. . l,6ГГц) - 61 lк,~- ... 1 э :!;! 1 KI\i-Э ~ Б/.Т 1 1 1 -Z1.l 1 1 24зак 9
370 Тип прибора 1 ~2Т995А-2 1 ~!2Т996А-2 2Т996Б-2 2Т996В-2 2T996f-2 2Т996А-5 !2Т996Б-5 ~ 2Т998А 1 1 1 Струк-1 Токр., ! ·с тура п-р-п 1 -60 ... +125 1 ! 1 1 1 п-р-п 1-60 ... +125 1 п-р-п i -60 ...+125 1 п-р-п 1-60 .. . +1251 п-р-п ! -60 ... +125 1 п-р-п 1 -60 ... + 125 п-р-п 1-60 ...+125 1 i 1 1 11 1 ! i п-р-п -60...+125 1 1 ! 1 ! ! pKmax' Р~. т max' р~~ н maxl мВт 3* Вт 2,5* Вт 2,5* Вт 2,5* Вт 2,5* Вт 2,5* Вт 2,5* Вт 2,5* Вт 1 i 1 1 1 1 1 1 1 ' i 1 ~.. ~,.. \;lэt (.' ' .... . Мfц 10 ГГu ~4 ГГu ~4 ГГu ~4 rru ~4 ГГu ~4 ГГu ~4 ГГu - 1 Раздел 2. Биполярные транзисторы UКБО проб• U~Rnpo6' U::ЭО проб• в 18 20 20 20 20 20 20 100 1 1 U3~.,." i 1 1 1 1 1 i1 1 1 1 1,5 2,5 2.5 2.5 2,5 2,5 2.5 4 1 1 ! i 11 1 1 1 11 !1 1 •кmаА J~,н maxt мА 600 200 (0.3* А) 200 !О.З* А) 200; 300• 200: 300· 200 (0.3* А) 200 (0,3* А) 30А 1 11 1 1 •кьо• ·~R• ·~·мкА :52 мА (18 BI :55* мА (20 В) :55* мА (20 В) :51*мА(20В) :51*мА(20В) :55* мА (20 В) :55• мА (20 В) :560 мА (100 В) i'! 1
Биполярные кремниевые транзисторы специального назначения 371 1 с•. rКЭнас:' Ом Кш, дБ tк, ПС h21эt ь;IЭ с;2~' r~мас:' Ом r;, Ом t~ct НС Корпус пФ к::•. дБ Р;:,, Вт t::кл' НС t::, нс - - ~1.5** ~1.5** (10 ГГц) - 2Т995 -s.s- - п,• - - 1 ~ =- .-= {f""' ~ - ~"е 5.:1 ~- ~ ~35* (10 В: 0.1 А) ;<:;2,3 (10 В) - - - 2Т996 ~70* (10 В: 0,1 А) ;<:;2,3 (10 В) - - - ~35* (10 В; 0,1 А) ;<:;2,3 (10 В) ~3.8** ~О.115** (650 МГц) - *'~@. ~35* (!О В; 0.1 А) $2.3 (10 В) ~4.5** ~О.135** (650 МГц) - ~ 1 '&. з.з 6 ~35* (10 В; 0.1 А) ;<:;2,3 (10 В) - - - 2Т996-5 ~70* (10 В; 0,1 А) :-:;2,3 (!О В) - - - 0,57 0,09 1 ~шт 1 1 ~10* (5 В; ·15 А) ;<:;2,3 (10 В) $0,2 - - 2Т998 ~rtll - к з i ~.~ 19.5 24·
372 Раздел 2. Биполярные транзисторы 2.11 . Биполярные кремниевые сборки специального назначения 1 Струк- Рк max' ~•• 'i:21•• UКБ0про6• IKma). ' •коо• Тип Токр.t Р~. т maxt \;)Jt U~Rnpo6' UЭбОmах' 1;,мmaxt ·~R' прибора 1 тура ·с р~~ и max' ~:;х, u~ ..... в ·~· : мА i j i 1 i мВт Мfц в мкА 1 2ТСЗОЗА-2 1 п-р-п, 1-60 ... +125 I 500 (6О 0 С) 300 45* (!Ок) - 100 (500*) :50,5 (45 В) 1 р-п-р 1 1 1 2ТСЗ103А р-п-р -6 0 ... +125 300 (55°С) ~600 15* (15к) 5 20 (50*) :50,2 (15 В) 2ТСЗ103Б р-п-р -60...+125 300 (55°С) ~600 15* (15к) 5 20 (50*) :50,2 (15 В) 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 2ТС3111А-1 п-р-п 1-60.. . +125 10 ~250 30 7 1000 :510 мА (25 В) 2ТСЗШБ-1 п-р-п 1-60... +125 10 ~250 30 7 1000 :510 мА (25 В) 2ТСЗ111В-1 п-р-п -60 ...+125 10 ~250 30 7 1000 :510 мА (25 В) 2TC3111f-1 п-р-п 1 -60 .. . +125 10 ~250 30 7 1000 :510 мА (25 В) 2ТСЗ111Д-1 n-p -n -60 ...+125 10 ~250 30 7 1000 :510 мА (25 В) i i 2ТСЗ136А-1 i п-р-п ! -60 ... +100 50 ооо·с) ~500 15 1 4 1 20 1 :50,1 (15В) 1 1 1 i 1 1 i 1 2ТЗ155АС-1 1 п-р-п 1 30 ~1000 10* ( 10к) 4 10; 20* 1 :50.5 (!О В) 2ТЗ155БС-1 п-р-п 30 ~1000 10* ( lОк) 4 10; 20* 1 :50,5 (!О В) 1 1 1 1 1 ! 1 1 i 1 1 i j 1 ! 1 ! ' 2ТС393А-1 1 р-п-р 1 -60 .. . +85 1 20 (45°С) ~500 10* (5к) 4 10 (20*) i :50.1 (!О В) 1 2ТС393Б-1 1 р-п-р 1 -60 .. . +85 1 20 (45°С) ~500 10* (5к) 4 10 (20*) :50,2 (15 В) 1 1 ~ 2ТС393А-9 р-п-р -60...+85 20 ~500 10 4 10 :5100 мА 2ТС393Б-9 р-п-р -60 ...+85 20 ~500 15 4 10 :5100 мА i 1 '1 ! 1 1 11 1 1 1 : i 1 1 1 : i i 1 1 1 2ТС398А-1 1 п-р-п 1-60... +100 30 (85°С) ~1000 10* (!Ок) 4 10 (20*) 1 :50,5 (10 В) 2ТС398Б-1 1 n-p -n -60...+100 30 (85°С) ~1000 10* (10к) 4 10 (20*) :50,5 ( 10 В) 1 1
Биполярные кремниевые сборки специального назначения 373 !/ Ck, rкэш• Кш,АБ t"nc J h2," ь;,э с;2.• rБЭ ""' h21.1 / ь;,,2. t;,.,. нс Корпус l-.~~~~~~~~-+-~-"-Ф~~-+-~о_м~-+-~~л-u_:_._м_в~~--+-~t-:_м_•_"_с~-+-~~~~~~~~~~--iJ 40...180 (5 В; 1 мА) 40...200 (1 В: 1 мА) 40...200 (1 В; 1 мА) 150.. .400* (10 мкА: 5 В) 100.. .400* (10 мкА; 5 В) 50 .. .400* (10 мкА; 5 В) 20 .. .400* (10 мкА; 5 В) 20...400* (10 мкА: 5 В) 70...180 (5 В: 5 мА) 40...250 (1 В; 1 мА) 40...250 (1 В; 1 мА) 40...180 (1 В: 1 мА) 30...140 (1 В; 1 мА) 40 .. .180 30.. .140 40...250 (1 В; 1 мА) 40...250 (1 В; 1 мА) ' :s:8 (5 В) :52.5 (5 В) :52.5 (5 В) :52,5 (1 В) :52,5 (1 В) :52,5 (1 В) :52.5 (1 В) :s:2.5 (1 В) :s:2 (5 В) :S:l,5(5B) :S:l,5(5B) :52 (5 В) :52 (5 В) :51,5 (5 В) :s:l,5 (5 В) :520 :560 :560 :550 :560 $60 2:0,7* :530** :55 (60 МГц); 2:0,9* :55 (60 МГц); 2:0.8* $1 *; :55** 0,8 ... 1 .25*; :51,5** 0,9 ... 1,1*; :s:3** :56 (60 МГц) :s:6 (60 МГц) $3** :55** 0,8 ... 1,25*; $1,5** 0,9 ... 1,1*; $3** $80 :580 :580 $40 :550 :550 :580 $80 :550 :550 2ТСЗ103 ~-fi·~·:,~~ С;) 52 с-. К2 2ТСЗ111-1 D.95 о.а 2ТСЗЗ6·1 -~- 2ТЗ155·1 2ТСЗ9З-1 nii-· .... ....:- -к 'з 2ТСЗ93·9 ~ :sJ~t 6'(]ШК2 32 ЭI Б2 8 1 1\1 1(6/flll 2ТСЗ98-1 nii-· .... ....:- -к 'з
374 Раздел 2. Биполярные транзисторы 1 Струк- Ркmах' ~•• \210 • UКБО nроб• •кmах' •коо• Тип Токр., Р~.тmах' ~;lэ' U~Rnpo6t UЭБOmaxt 1;.к maxt ·~R' прибора 1 ·с р~~ н max' с· u~npo6' в ·~· 1 тура "' мВт Мfц в мА мкА 2ТС398А-94 ! п-р-п -60 ...+100 1 30 ~1 ГГц 10 4 10 $0.5 2ТС3986-94 j п-р-п -60 ...+100 1 30 ~1 ГГц 10 4 10 $0.5 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ·1 1 ! 2ТС613А п-р-п -60 ...+1251 800 (50°С) ~200 60 4 400 (800*) $8 (60 В) 2ТС6136 п-р-п -60 ...+125 800 (50°С) ~200 60 4 400 (800*) :;;8 ~60 В) i1 1 1 1 1 4 400 (600*) $10 (45 В) 12ТС622А р-п-р -60" .+125 I 0,4 (10**) Вт 45* (1 к) ~200 2ТС6226 р-п-р - 6 0".+125 1 0,4 (10**) Вт 1 ~200 35* (lк) 4 400 (600*) i :;;20 (35 В) 1 i 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 ; 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 2ТС6226-1 р-п-р 1 -60 ... +125 I 0,4 Вт ~200 45 4 400 (600*) 10 r1 1 ! i 1 1 1 1 1 ! i 1 ! 1 2Т670АС. 1 п-р-п 1 ! 800; 3200** ~200 50; 40*(10к) 4 400; 800* 1 :;;5 (50 В) 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 '
Биполярные кремниевые сборки специального назначения h21" h;JЭ 40 ... 250 40 ... 250 25... 100* (5 В; 0,2 А) 40...200* (5 В; 0,2 А) 25...150* (5 В; 0,2 А) 25...150* (5 В; 0,2 А) 25 ... 150* 40...200* (5 В; 0,2 А) с" с;2э1 пФ sl5 (10 В) sl5 (10 В) sl5 (10 В) sl5 (10 В) 15 $15(108) rкэ ноtе1 Кш, дБ г~ нас' hz1,1 / h;ы, Ом лu:,мв $\,5** $3** $2,5; $5* т.0 пс f~a(·t НС t::IUl1 НС $\00* $100* $120* $200* $100* 375 Корпус 2ТС398-94 2ТС613 2ТС622 ~ 1 ..,i {ааааааа}~ ... 7,5 ~S! ... ... ~ ... =--~ ... ~"' t:! ~ ,;!: 2ТС622Б-1 6, к,з, \1/ 1 :fi; lL2Т670
376 Раздел 2. Биполярные транзисторы :1 1 Струк-1 f,,,, ~210• 1 IКБО• ' 11 pKmax' UКБО оро6• IKmax' 1! Тип Токр.r Р~.т1nаА' (;lэ' U~RopoO' UЭБОmа),' 1 I~ЭR' прибора 1 тура 1 ·с р~~ н max' ~::;х, u;эо проб' в 1~,и ma).' I~эо• мВт МГц в мА мкА 2ТС687АС-2 р-п-р 1,5 Вт ~450 60; 50* 3 1,5 А; 4,5*А - 2ТС687БС-2 р·П·р 1,5 Вт ~450 70; 60* 3 1,5 А; 3,5*А - i 1 1 1 1 1 12Т689АС 1 р-п-р 1 400; 6000* ~300 45 4 300: 600* 5.7 (45 В) ! 1' ' i 1 i 1 1 1 1 ! 1 i 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 !1 1 1 2ТС84ЗА п-р-п -60 ...+125 25* Вт (I00°C) - 120 4 12 А (25* А). 5.12 мА (120 В) 3А(6*А) 1 ~ 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 2ТС941А-2 р-п-р, -60 .. . +125 5* Вт ~300 1 60 4 800 (1500*) 5.5 мА (60 В) n·p ·n 1 1 i1 1
Биполярные кремниевые сборки специального назначения ~10(5В;3,5А) ~10(5В;3,5А) 50..150 (5 В; 80 мА) 10...50 (12 А; 5 В) 40...150 (5 В; 0,1 А) $20 (10 В) 12 (28 В) Скэ наr' r~э нас' Ом $2,6 $3,3 $4; $6* $0,2 $3,3 Кш, дБ h2,,, / ь;,,,, лu:~. мВ ~0.7 377 t,, ПС ~;ас' НС fвыклt НС Корпус 2ТС687-2 Ci:%f Б~42Б э . "!. э к '<!"к $90* 2Т689АС ( ) ~: :<;;2* мкс 2ТС843А s90; s500* 2ТС941А-2
Раздел 3 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 3.1. Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов Буквенное обозначение Параметр 1 отечественное международное Iз IG Ток затвора (постоянный). Iз отс IGSX Ток отсечки затвора. ; Iз пр IGF Прямой ток затвора. - Iз ут IGSS Ток утечки затвора. Iзио IGSO Обратный ток перехода затвор-исток. Iзео 1 IGDo Обратный ток перехода затвор-сток. Iи 1Is Ток истока (постоянный). Iи нач Isos Начальный ток истока. Iи ост Isox Остаточный ток истока. Ie Io Ток стока (постоянный). Jc нагр IosR Ток стока при нагруженном затворе. le нач Ioss Начальный ток стока. 1с ост Iosx Остаточный ток стока. Iп iIв. Iu Ток подложки. ' ~ 1Uзи 1 UGs 1 Напряжение затвор-исток (постоянное). 1 Uзи обр 1 UGSR 1 Обратное напряжение затвор-исток (постоянное). i Uзи отс / UGS(OFF). UGS(off) Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором 1 и истоком (полевого транзистора с р-п-переходом и с изолирован- ным затвором). Uзи пор UGsт. UGS(th). UGs(ТO) Пороговое напряжение транзистора - напряжение между затво- ром и истоком (у полевого транзистора с изолированным затво- ром). Uзи пр UGsF Прямое напряжение затвор-исток (постоянное). Uз проб 1 U(BR) GSS Пробивное напряжение затвора - напряжение пробоя затвор-и с-~ i 1 ток при замкнутых стоке и истоке. 1 Uзп 1 UGВ, UGU Напряжение затвор-подложка (постоянное). Uзе 1 UGD Напряжение затвор-сток (постоянное). Uип Usв. Usu Напряжение исток-подложка (постоянное). Uеи 1 Uos Напряжение сток-исток (постоянное). Uеп Uов. Uou Напряжение сток-подложка (постоянное). Uз1-Uз2 UG1-UG2. Напряжение затвор-затвор (для приборов с двумя затворами). Реи Pos Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). Реи. т max ' Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом 1 1- 1 (постоянная). ! s i gms Крутизна характеристики. ~ ' '1
Раздел 3. Полевые транзисторы Буквенное обозначение ' 1 ~ отечественное международное Rзи ГGS, Гgs ~ Rзс 1ГGD, Гgd Rзсо ГGSS. Гgss Rси ros. Гds Rси отк ГDS(ON), Гds(on), ГDS оп Rси эакр ГDS(Off), Гds(оП), ГDS off 1 1 j iic 1 зио Cgso Сзсо Cgdo Ссио 1 Cdso 1 С11и. Свх, и 1 Ciss. C11ss 1 ." 1 Crss. С l2ss i ~ С22и 1Coss, C22ss 11 n /t С22с !Cods, C22ds g11и giss. g1 ls 1 g22и goss, g22s 1У11и 1 Yis, Y11s i: 1 У12и Yrs, Y12s У21и Yrs, Y21s У22и 1 Yos. Y22s i Ку. Р Gp j fv21и 1 fvrs jЕш iUп iКш jF i- аш - ards tвкл ton tвыкл torr tэд,вкл td(on) tэд,выкл td(off) 379 Продолжение буквенных обозначений Параметр 1 Сопротивление затвор-исток. Сопротивление затвор-сток. Сопротивление затвора (при Uos = О или Uds = О). Сопротивление сток-исток. Сопротивление сток-исток в открытом состоянии - сопротивле- ние между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток. 1 Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии - сопротивле- ~ ние между стоком и истоком в закрытом состоянии транзистора j при заданном напряжении сток-исток. Емкость затвор-исток - емкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах. Емкость затвор-сток - емкость между затвором и стоком при ра- зомкнутых по переменному току остальных выводах. Емкость сток-исток - емкость между стоком и истоком при ра- зомкнутых по переменному току остальных выводах. Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком . ~ 1 Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком~ замыкании на входе по переменному току. li ' Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком. Выходная емкость в схеме с общим стоком при коротком замыка- нии на входе (при коротком замыкании цепи затвор-сток по пере- менному току). Активная составляющая входной проводимости транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе). Активная составляющая выходной проводимости транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе). i Полная входная проводимость транзистора (в схеме с общим исто-1 ком при коротком замыкании на выходе). Полная проводимость обратной передачи транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе). Полная проводимость прямой передачи транзистора (в схеме с об- щим истоком при коротком замыкании на выходе; Yrs = grs + gьrs = Io/Uas; на НЧ 1Yrs1 = grs). Полная выходная проводимость транзистора (при коротком замы- ка~ши на входе). Коэффициент усиления по мощности. Частота отсечки в схеме с общим истоком. ~ Шумовое напряжение транзистора. Коэффициент шума транзистора. 1 Температурный коэффициент тока стока. Температурный коэффициент сопротивления сток-исток. Время включения транзистора. Время выключения транзистора. Время задержки включения. Время задержки выключения.
380 Раздел 3. Полевые транзисторы Окончание буквенных обозначений Буквенное обозначение Параметр отечественное 1 международное tнр tr Время нарастания. tcn tr Время спада. Для сдвоенных полевых транзисторов: lз(ут )1-lз(ут)2 1 IGSS1-IGSS2 Разность токов утечки затвора (для полевых транзисторов с изо- лированным затвором) и разность токов отсечки затвора (для по- i левых транзисторов с р-п-переходом). 1с нач 1/ 1с нач2 1 Ioss1 /Ioss2 Отношение токов стока при нулевом напряжении затвор-исток. Uзи1-UзИ2 iUGs1-UGs2 Разность напряжений затвор-исток. lлUзи1-Uзи2) 1/ лт 11л<uGs1-UGs2) 1/ лт Изменение разности напряжений затвор-исток между двумя зна- чениями температуры. g22и 1-g22и2 gost·gos2 Разность выходных проводимостей в режи~е малого сигнала в схеме с общим истоком. g2tиl / g21и2 grs1/ grs2 Отношение полных проводимостей прямой передачи в режиме ма- лога сигнала в схеме с общим истоком. 3.2. Параметры и характеристики полевых транзисторов К полевым транзисторам относятся полупроводниковые приборы, принцип действия которых ос­ нован на использовании эффекта внешнего электрического поля для управления проводимостью транзистора. Такие транзисторы называются также униполярными, так как перенос тока в них осу­ ществляется только одним типом носителя заряда: в n-канальных - электронами; в р-канальных - дырками (в отличие от биполярных транзисторов, где ток переносится двумя типами носителей - основными и неосновными, т. е. и дырками, и электронами). Для управления током в униполярных транзисторах либо меняется концентрация носителей полупроводникового слоя, либо его площадь под действием электрического поля (эффект поля). От­ сюда название •полевые транзисторы». Проводящий слой, по которому проходит ток, называют ка­ налом (канальные транзисторы). Каналы могут быть приповерхностными (обогащенные слои из-за наличия доноров в диэлектрике, либо инверсионные слои, образующиеся под действием внешнего поля) или объемными (участки однородного полупроводника, отделенные от поверхности обеднен­ ным слоем). Транзистор с приповерхностным слоем называют МОП-транзистором (металл-окисел-полу­ проводник). За рубежом его называют MOSFET. У транзисторов с объемным каналом обедненный слой создается с помощью р-n-перехода, поэтому их называют транзисторами с р-n-переходом (или просто полевыми), за рубежом - JFET . Структуры полевых транзисторов приведены на рис. 3.1 . Исток JaflNoJJ Сток Истол Jamflop l~rюк Ист01r Jатвор Сток Исток 3amf!Op С!Тюк р Канал п- р п а 6 в г Рис. 3.1. Структуры МОП-транзисторов: а - п-канальная обогащенного типа; б - п-канальная обедненного типа; в - р-канальная обогащенного типа; г - р-канальная обедненного типа Полевой транзистор с р-n-переходом состоит из полупроводниковой пластинки (стержня), кото­ рая образует канал. с омическими выводами от каждого ее конца (стока и истока) и на поверхности
Раздел 3. Полевые транзисторы 381 которой с противоположных сторон формируется р-п-переход параллельно направлению тока, вывод от которого называется затвором - электродом, управляющим сопротивлением (движением зарядов) между стоком и истоком. Затвор отделен от канала между стоком и истоком р-п-переходом. Входной импеданс затвора является импедансом обратно смещенного р-п-перехода, что значительно ниже им- педанса МОП-приборов. · Сопротивление между стоком и истоком изменяется с изменением напряжения на затворе. Через запертый переход затвор-канал протекает ток утечки, который экспоненциально изменяет­ ся с температурой и который, проходя через резистор цепи затвора, может изменить напряжение смещения, если сопротивление резистора велико (особенно при высоких температурах). Этот эффект отсутствует у МОП-транзисторов. Их называют также транзисторами с изолированным затвором, так как у них затвор электрически изолирован от канала исток-сток тонким слоем диэлектрика: ди­ электрическими пленками двуокиси кремния (Si02), нитрида кремния и окщи алюминия. поэтому они сохраняют высокое входное сопротивление независимо от величины и полярности Uзи- Условия. возникающие на поверхности раздела Si-Si02 таковы, что все приборы с каналом n-типа в исходном состоянии, т. е. при Uзи = О открыты, а с каналом р-типа закрыты. Каждый МОП-транзистор состоит из подложки, двух противоположно легированных подложке областей (истока и стока) и металлического затвора, лежащего сверху над тонким слоем окисла. На­ пряжение затвора регулирует движение зарядов в канале между истоком и стоком. Слой диэлектрика тонкий, поэтому при подаче напряжения на затвор в нем возникает сильное электрическое поле, которое вызывает образование инверсионного слоя (поверхностный канал), где основными носителями являются электроны в р-подложке. Падение напряжения между затвором\ и подложкой в основном происходит в диэлектрике, и направление поля вызывает увеличение инверси­ онного слоя. На границе раздела образуется поверхностный заряд. Когда Uз > О, поле притягивает электроны (неосновные носители материала р-типа) и появляется отрицательный заряд. Образуется обедненный слой (неподвижные ионы акцепторов). Если Uз > О, то происходит обогащение первона­ чального инверсионного слоя (увеличивается концентрация электронов на поверхности), если Uз < О. то происходит его обеднение (концентрация электронов у поверхности ниже, чем в объеме, так как они отталкиваются от поверхности). В режиме инверсии приповерхностный слой кремния отличается от его объема типом электро­ проводности. В режиме обеднения концентрация дырок будет превышать концентрацию электронов, т. е. тип электропроводности слоя изменится на противоположный (произойдет инверсия типа прово­ димости). Потенциал затвора изменяет ширину канала (концентрацию электронов), т. е. образуется канал с регулируемой электронной проводимостью (она увеличивается при увеличении Uз). В зависимости от типа исходного материала полевые транзисторы имеют каналы n-типа или р-типа. Например. nМОП-транзисторы имеют электронную проводимость (носители зарядов - элек­ троны), а рМОП-транзисторы - дырочную проводимость (носители зарядов - дырки). У n-каналь­ ных приборов ток канала тем меньше, чем меньше потенциал затвора, а к выводу истока прикладывается больший отрицательный потенциал, чем к выводу стока (т. е. полярность напряже­ ния стока положительная), а у р-канальных - наоборот. Таким образом существуют два основных режима работы: обеднения (проводимость канала мо­ жет быть увеличена или уменьшена в зависимости от полярности приложенного напряжения Uзи) и обогащения. У транзисторов обедненного типа при напряжении на затворе Uзи = О протекает не­ большой ток, а транзисторы обогащенного типа закрыты при значениях Uзи. близких к нулю. Такие приборы соответственно называются нормально открытыми и нормально закрытыми. В частности, полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом (с диффузионным каналом) являются нормально открытыми: они закрываются (т. е. ток стока имеет минимальное значение) при определенном напря­ жении, называемом напряжением отсечки - это такое напряжение Uзи. которое необходимо, чтобы уменьшить ток стока 1с от lснач до О. По конструктивно-технологическим признакам полевые приборы делятся на транзисторы с встроенным каналом и транзисторы с индуцированным каналом. Встроенный канал создается техно­ логически путем, а индуцированный канал наводится в поверхностном слое полупроводника в ре­ зультате воздействия поперечного электрического поля. В транзисторах со встроенным каналом (например, КП305, КПЗIЗ) уменьшение тока на выходе вызывается подачей напряжения на затвор с полярностью, соответствующей знаку носителей заряда в канале (для р-канала Uзи > О, для n-канала Uзи < О), что вызывает обеднение канала носителями
382 Раздел 3. Полевые транзисторы заряда и ток 1с уменьшается. При соответствующем изменении полярности напряжения на затворе произойдет обогащение канала носителями и выходной ток 1с увеличится. Такие приборы могут ра­ ботать при обеих полярностях Uзи как в режимах обеднения, так и обогащения. Для них вводится понятие ~пороговое напряжение» (напряжение открывания). Это такое Uз, при котором электроны равновесного инверсионного слоя отталкиваются от поверхности и встроенный канал исчезает (кон­ центрация электронов в слое под окислом затвора становится равной концентрации дырок в объеме кремния). В транзисторах с индуцированным каналом, имеющих наибольшее распространение, при напря­ жении Uз = О канал отсутствует и только при Uз, равном пороговому напряжению, образуется (ин­ дуцируется) канал. Такие приборы работают только в режиме обогащения (нормально закрытый прибор) при одной полярности Uзи. В полевых транзисторах с управляющим р-п-переходом канал существует при Uз = О, т. е. они имеют встроенный канал, но могут работать только в режиме обеднения носителями заряда (нор­ мально открытый прибор). У приборов обедненного типа канал имеет тот же тип проводимости, что и сток с истоком, у приборов обогащенного типа канал легирован противоположной примесью по от­ ношению к стоку и истоку. На рис. 3.2, 3.3, 3.4 приведены выходные вольт-амперные характеристики (ВАХ) полевых тран­ зисторов (зависимость тока стока 1с от напряжения на стоке Uc) при различных напряжениях на за­ творе Uз). Они напоминают характеристики усилительных пентодов. О-5 -10 -15 -zo -Z5 - JO ~м,8 Рис. 3.2. Стоковые характеристики схемы с общим истоком (с р-п-переходом) 1 40L 1 ~JO~ ~1 ' 1 ~го' г то J Uc, В 5 sв 4В JB ZB Рис. 3.3 . Типичные вольт-амперные характеристики п-канального МОП-транзистора обогащенного типа Uc=U3 +UJиnop U3 =+!В 40 ов JO "<: -тв "'~ го "' -гв .... то -JB о г J 4 s Uc.B Рис. 3.4 . Типичные вольт-амперные характеристики п-канального МОП-транзистора обедненного типа Ток 1с зависит как от величины, так и полярности напряжений Uси и Uзи. Из ВАХ следует, что при изменении Uзи ток 1с сначала линейно возрастает (линейная область), затем выходит на поло­ гий участок (область насыщения) и затем резко возрастает (область пробоя) (см. рис. 3.2).
Раздел 3. Полевые транзисторы 383 В линейной области при Uc < Uотс проводимость между истоком и стоком является функцией Uзи (с изменением Uзи изменяется проводимость канала). В области насыщения. если Uc > Uотс. транзистор входит в режим насыщения (канал перекрывается), причем для каждого Uзи насыщение будет происходить при разном Uc. При увеличении 1Uзи1 < О ток 1с падает. В области пробоя при увеличении Uc ток резко возрастает из-за лавинного пробоя обратно смещенного диода стока. Проходные (передаточные) ВАХ (зависимость тока стока от напряжения на затворе при неиз­ менном напряжении на стоке) полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом и МОП-транзи­ сторов с каналами n- и р-типов проводимости приведены на рис. 3.5, 3.6. В отличие от транзисторов с управляющим р-n-переходом, у которых рабочая область составля­ ет от О вольт до запирания Uзиотс. МОП-транзисторы сохраняют высокое входное сопротивление при любых значениях напряжения на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора. При графических обозначениях транзисторы с индуцированным каналом (у них при Uзи = О, Ic = = О) имеют пунктирну,ю ли1;1ию в обозначении канала, а со встроенным каналом (у них при Uзи = О течет ток lснач) ~' спло,шную (рис. 3.6, 6); стрелки определяют тип канала: направлена к каналу - канал n-типа, от канала - канал р-типа . . ДJ1' Встроенный Рис. 3.5 . Квадратичные передаточные характеристики МОП-транзисторов lc п-канал а) Uси = const Uеи > Uси р-канал +~ u р-канал ~~ lc б) Uси = const Uси ;io Uси нас u Рис. 3.6. Передаточные характеристики полевых транзисторов: а - с п-каналом и р-каналом и их условные графи­ ческие обозначения; 6 - передаточные характеристики МОП-транзисторов с встроенным каналом (с обеднением) с п-каналом и р-каналом и их условные графические обозначения В МОП-транзисторах иногда делается четвертый вывод (кроме выводов истока, стока и затвора) от подложки, которая, как и затвор, может выполнять управляющие функции, но от канала она отде­ лена только р-n-переходом. Обычно вывод подложки соединяется с выводом истока. Если же требует­ ся иметь два управляющих электрода, то используются МОП-транзисторы с двумя затворами (МОП-тетроды - КП322. КП327, КП346, КП350). Они имеют малую емкость обратной связи, не тре-
384 Раздел 3. Полевые транзисторы буют uепей нейтрализации и более устойчивы к паразитным колебаниям. Транзистор КП306 имеет нормированную квадратичность переходной характеристики менее 2,5 В при ослаблении комбиниро­ ванных составляющих третьего порядка не менее 80 дБ. Слой окисла между затвором и подложкой очень тонкий, поэтому МОП-транзисторы чувстви­ тельны к действию статического электричества, которое может привести их к пробою. Для их защи­ ты между затворами и подложкой иногда включают защитные диоды (стабилитроны). МОП-транзисторы имеют более высокий коэффициент шума на низких частотах по сравнению с по­ левыми транзисторами с р-п-переходом, поэтому они используются в малошумящих усилителях на высоких частотах. Среди мощных полевых транзисторов с управляющим р-п-переходом необходимо отметить би­ полярные транзисторы со статической индукцией (БСИТ) с вертикальным нормально закры­ тым каналом, например, КП801, КП810. Они имеют выходные характеристики (рис. 3.7), подобные ламповому триоду: хорошие параметры переключения и линейность; в области токов, используемых в усилителях звуковой частоты, у них отсутствует тепловая нестабильность, так как при больших то­ ках стока температурный коэффициент имеет отрицательное значение; низкий уровень шумов; низ­ кое выходное сопротивление, что хорошо согласуется энергетически с низкоомной нагрузкой; они имеют более высокий коэффициент усиления, низкое напряжение насыщения и устойчивость ко вто­ рому пробою по сравнению с б"иполярными транзисторами. 5 10 15 20 JOUc11,B Рис. 3.7 . Выходные вольт-амперные характеристики (ВАХ) БСИТ Схемы включения БСИТ аналогичны схемам включения биполярных транзисторов. ВАХ биполярного транзистора со статической индукцией (БСИТ) не имеет области насыщения тока стока (без пологой части), т. е. Rвых очень маленькое, что повышает энергетические показатели линейных усилителей мощности. У него, если Uз = О, то сопротивление канала минимально (БСИТ - нормально открытый транзистор) и с ростом Uси ток 1с увеличивается, но его ограниче­ ния не наступает. Выходные ВАХ при малых токах 1с приближенно описываются экспонентой. При больших токах 1с выходные ВАХ приближаются к линейной. Rвых у них меньше, чем у МОП-типа, что обеспечивает хорошее согласование с низкоомной нагрузкой и повышает КПД усилителя; дина­ мический диапазон шире, что снижает нелинейные искажения, рабочая температура выше. Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ), например КП730, КЕ702, представляет собой p-n-p транзистор, управляемый низковольтным МОП-транзистором с индуциро­ ванным каналом (рис. 3.8, 3.9) и объединяет в себе достоинства как биполярных (малое падение на­ пряжения в открытом состоянии, высокие коммутируемые напряжения), так и МОП-транзисторов (малая мощность управления, высокие скорости коммутации), потери у него растут пропорционально току, а не квадрату тока, как у полевых транзисторов. По быстродеμствию уступает МОП-транзисто­ рам, но превосходит биполярные. Остаточное напряжение у них слабо зависит от температуры. На рис. 3.10 представлена ВАХ БТИЗ. Усилительные свойства БТИЗ характеризуются крутизной S, которая определяется усилитель­ ными свойствами МОП- и биполярного транзисторов в структуре. Значение S для БТИЗ (зарубежное название IGBT) более высокое по сравнению с биполярными и МОП-транзисторами. БТИЗ применяются в высоковольтных силовых преобразователях, для управления маломощны­ ми приводами для регулирования скорости вращения, в стиральных машинах, инверторных конди­ ционерах, в качестве высоковольтных ключей для электронного зажигания автомобилей, импульсных блоках питания.
Раздел 3. Полевые транзисторы 385 Эмиттер Заrвор 1 '!' р• э Коллектор Рис. 3.8 . Эквивалентная схема БТИЗ-транзистора Рис. 3.9 . Структура БТИЗ-транзистора 1: а 10 Рис. 3.10 . Выходные вольт-амперные характеристики БТИЗ-транзистора Эксплуатационным недостатком БСИТ является эффект «защелки», который связан с наличием триггерной схемы, образованной биполярной частью структуры и паразитным n-p-n транзистором, ко­ торый при определенных условиях работы, открывается, триггер опрокидывается, происходит защел­ кивание и лавинообразный выход прибора из строя. Для ограничения тока короткого замыкания при аварийном режиме рекомендуется включение между затвором и эмиттером параллельно цепи затвор-эмиттер последовательно соединенных диода Шоттки и конденсатора, заряженного до напряжения + 15 ... 16 В. Допускается применение в качестве защитного элемента стабилитрона на напряжение 15 ... 16 В. Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер не должно превышать +20 В, чтобы ис­ ключить пробой изоляции затвора. Не рекомендуется работа БТИЗ-транзистора и при «подвешен­ ном» затворе, так как в противном случае возможно ложное включение прибора. С целью снижения динамических потерь и увеличения частоты коммутации необходимо обес­ печить малое время переключения прибора ( 100 ... 10000 нс). Необходимо также уменьшать отрица­ тельную обратную связь, которая может возникнуть из-за индуктивности слишком длинного соединительного проводника к эмиттеру прибора. Монтажные работы с БТИЗ необходимо производить при наличии антистатического браслета, а непосредственно в схеме необходимо параллельно цепи затвор-эмиттер подключить резистор сопро­ тивлением 1О ... 20 кОм. Необходимо отметить. что МОП-транзисторы в ряде применений предпочтительнее биполярных. Уп?~авляющая цепь у них потребляет ничтожную энергию, так как входное сопротивление велико (до 10 7 Ом). Усиление мощности и тока в МОП-транзисторах много больше, чем в биполярных. Из-за того, что управляющая цепь изолирована от выходной цепи, значительно повышаются надежность работы и помехоустойчивость схем на МОП-транзисторах. Они имеют низкий уровень собственных шумов, что связано с отсутствием инжекции и свойственных ей флюктуации, обладают более высо­ ким собственным быстродействием, так как в них нет инерционных процессов накопления и рассасы­ вания носителей заряда. 25зак9
386 Раздел З. полевые транзисторы МОП-транзисторы имеют и недостатки: вследствие относительно высокого сопротивления кана­ ла в открытом состоянии падение напряжения на открытом МОП-транзисторе заметно больше, чем падение напряжения на насыщенном биполярном транзисторе, температурная зависимость сопротив­ ления канала сильнее, чем зависимость от температуры напряжения насыщения биполярного транзи­ стора (сопротивление канала открытого МОП-транзистора в диапазоне температур 25 .. .150 ·с увеличивается в 2 раза, а напряжение насыщения биполярного транзистора - примерно в 1,5 раза). МОП-транзисторы имеют существенно меньшее значение предельной температуры структуры Тп max. равное 150 ·с (для кремниевых биполярных транзисторов Тп max = 200 °С), что ограничивает их при­ менение в режимах эксплуатации с повышенной температурой окружающей среды (около 100 °С). Преимущества применения мощных полевых транзисторов в выходных каскадах усилителей зву­ ковой частоты (усилителях мощности): • простота управления, так как для управления мощным полевым транзистором требуется ничтожный по МОЩНОСТИ сигнал; • высокая линейность передаточных характеристик полевых транзисторов, что позволяет существенно снизить уровень нелинейных искажений; • крутизна мощных полевых транзисторов S = Лlс/ ЛUзи при Uc = coпst - основной параметр усилительного режима эксплуатации практически не зависит от мощности выходного сигнала. Однако пороговое напряжение МОП-транзисторов зависит от температуры: Uзипор (Токр) = Uзипор (20 °С) - ТКUзипор · ЛТ, где ТКUзипор - температурный коэффициент порогового напряжения, равный (-5. .. - 10) мВ/ 0С (при сильном увеличении температуры МОП-транзистор превращается в прибор с встроенным кана­ лом), что нежелательно для двухтактных усилителей. 3.3. Назначение отдельных типов полевых транзисторов АПЗ20 (А-2, Б-2) - бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые планарные с барьером Шотки полевые транзисторы с каналом п-типа. Предназначены для примене­ ния в малошумящих СВЧ усилителях (Кш ~ 4,5 ... 6 дБ на 8 ГГц, Ку,р ~ 3 дБ) в составе ГИС. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +85 ·с. АПЗ25А-2 - бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенид-галлиевые планар­ ные с барьером Шотки полевые транзисторы с каналом п-типа. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих СВЧ усилителей (Кш·~ 2 дБ на 8 ГГц) в составе ГИС. АПЗ28А-2 - бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенид-галлиевые планар­ ные с барьером Шотки полевые транзисторы с двумя затворами и каналом п-типа. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих СВЧ усилителей (Кш ~ 4,5 дБ на 8 ГГц, Ку,р ~ 9 дБ) в составе ГИС. АПЗ62А9 - арсенид-галлиевые полевые транзисторы с каналом п-типа в корпусе для поверх­ ностного монтажа. Предназначены для применения в малошумящих усилительных и преобразова­ тельных СВЧ устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60.. . + 70 ·с. АПЗ79А9 - арсенид-галлиевые полевые транзисторы с двумя затворами и каналом n-типа в корпусе для поверхностного монтажа. Предназначены для применения в приемно-усилительных теле­ визионных устройствах (включая спутниковое телевидение) на частотах 100... 2000 МГц. Диапазон ' рабочих температур окружающей среды -60... + 70 ·с. АП602(А-2-Д-2) - бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенид-галлиевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях мощности, генераторах и преобразователях частоты в диапазоне час­ тот 3... 12 ГГц в герметизированной аппаратуре. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+85 ·с. АП603 - арсенид-галлиевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с барьером Шот­ ки и каналом п-типа. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, пре­ образователях частоты в составе ГИС с напряжением питания 8 В и на частотах до 12 ГГц. АП605 - бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенид-галлиевые планарные полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены для применения в мало­ шумящих СВЧ усилителях в составе ГИС. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+85 ·с.
Раздел 3. Полевые транзисторы 387 АП606 - арсенид-галлиевые планарные полевые транзисторы с барьером Шатки и каналом п-типа. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах и преобразователях частоты до 12 ГГц в составе ГИС с напряжением питания 8 В. АП608 - арсенид-галлиевые планарные полевые транзисторы с барьером Шатки и каналом п-типа. Предназначены для применения в выходных каскадах СВЧ усилителей и генераторов в соста­ ве ГИС с напряжением питания 7 В в диапазоне частот до 26 и 37 ГГц. АП967 - арсенид-галлиевые полевые транзисторы с барьером Шатки и каналом п-типа с внут­ ренними цепями согласования. Предназначены для применения в широкополосных СВЧ усилителях мощности в составе ГИС с напряжением питания 8 В. КП101(Г-Е) - малошумящие диффузионно-планарные (ДП) полевые транзисторы с затвором на основе р-п перехода и каналом п-типа. Предназначены для применения во входных каскадах уси­ лителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 ... +85 ·с. КПIОЗ(Е-М) - малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-п перехода и каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилите­ лей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих тем­ ператур окружающей среды -55 ... +85 ·с. КП201(Е-1-Л-1) - бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие диффузионно-планар­ ные полевые транзисторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением в составе гибридных интегральных микросхем. Диапазон рабочих температур окру­ жающей среды -40 .. . +85 ·с. КП202(Д-1-Е-1) - бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие эпитаксиально-пла­ нарные полевые транзисторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом п-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким вход­ ным сопротивлением в составе гибридных интегральных микросхем. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40.. . +85 ·с. КПЗОl(Б-Г) - малошумящие планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей и нелинейных малосигнальных каскадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих темпе­ ратур окружающей среды -45 .. . +70 ·с. КПЗО2(А-r, АМ-ГМ) - высокочастотные малошумящие планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом п-типа. Предназначены для применения в широкополос­ ных усилителях на частотах до 150 МГц, в переключающих и коммутирующих устройствах. Диапа­ зон рабочих температур окружающей среды -60.. . + 100 ·с. КПЗОЗ(А-И) - высокочастотные малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзи­ сторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом п-типа. Предназначены для применения во вход­ ных каскадах усилителей с высоким входным сопротивлением (КПЗОЗГ - в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии). Диапазон рабочих температур окружаю­ щей среды -40.. . +85 ·с. КПЗО4А - диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и инду­ цированным каналом р-типа. Предназначены для применения в переключающих и усилительных кас­ кадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45...+85 ·с. КПЗО5(Д-И) - высокочастотные малошумящие диффузионно-планарные полевые транзи­ сторы с изолированным затвором и каналом п-типа. Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окру­ жающей среды -60 ... + 125 ·с. КПЗО6(А-В) - малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с двумя изолированными затворами и каналом п-типа. Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окру­ жающей среды -60.. . + 125 ·с. КПЗО7(А-Ж) - малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом п-типа. Предназначены для применения во входных каскадах уси­ лителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением (КП307Ж - в зарядочувстви­ тельных усилителях и устройствах ядерной спектроскопии). Диапазон рабочих температур окружающей среды -40.. . +85 ·с. 25*
388 Р-аздеп 3. П-олевые-транзисторы КПЗО8(А-Д) - бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие эпитаксиально-планар­ ные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения: КП308(А-В) - во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока; КПЗО8(Г-Д} - в коммутаторах, переключающих устройствах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... +85 ·с. КПЗIО(А, Б) - малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолиро­ ванным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в приемно-передающих устрой­ ствах СВЧ диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... + 125 ·с. КПЗ12(А, Б) - малошумящие СВЧ эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных усилителях и преобразовательных каскадах СВЧ диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... + 100 ·с. КПЗ1З(А-В) - малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолиро­ ванным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилительных каскадах с высо­ ким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 .. . +85 ·с. КПЗ14А - малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с затвором на основе р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения в охлаждаемых каскадах предвари­ тельных усилителей устройств ядерной спектрометрии. Диапазон рабочих температур окружающей среды -170... +85 ·с. КПЗ22А - малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с двумя затворами на основе р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и смесительных каскадах высокочастотного диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды - 60... +85 ·с. КПЗ2З(А-2, Б-2) - бескорпусные (на керамическом кристаллодержателе) с полосковыми вы­ водами и приклеиваемой керамической крышкой эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе· р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в малошумящих уси­ лительных каскадах на частотах до 400 МГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+10 ·с. КПЗ27(А-Г) - кремниевые планарные полевые транзисторы с двумя изолированными затво­ рами (МДП-тетрод), защитными диодами и каналом n-типа. Предназначены для работы в селекторах телевизоров метрового и дециметрового диапазонов для улучшения чувствительности, избирательно­ сти и глубины регулирования сигналов с малыми перекрестными искажениями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 ... +85 ·с. КПЗ29(А, Б) - высокuчастотные малошумящие полевые транзисторы на основе p-n перехода с каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей на частотах до 200 МГц и в переключательных и коммутирующих устройствах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... + 100 ·с. КПЗ41(А, Б) - малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы на основе р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... +125 ·с. КПЗ46(А9, 59) - малошумящие СВЧ планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с дву­ мя изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каска­ дах усилителей. Транзисторы имеют корпус КТ-48, предназначенный для поверхностного монтажа. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... +85 ·с. КПЗ47А2 - малошумящий полевой транзистор МОП-типа с двумя изолированными затвора­ ми, двумя защитными диодами и каналом n-типа. Предназначен для работы во входных каскадах ра­ диоприемников в составе ГИС. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 .. . +85 ·с. КПЗSО(А-В) - диффузионно-планарные полевые транзисторы с двумя изолированными за­ творами и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилительных, генераторных и преобра­ зовательных каскадах СВЧ (на частотах до 700 МГц). Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 .. . +85 ·с. КП401(АС, БС) - сборка из двух комплементарных пар эпитаксиально-планарных МДП-тран­ зисторов 0-й и 3-й транзисторы с n-каналом; 2-й и 4-й транзисторы с р-каналом). Предназначены для работы в переключающих и импульсных устройствах Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 .. . +85 ·с. КП402А - полевой ДМОП-транзистор с каналом р-типа. Предназначен для работы в высоко­ вольтных усилителях. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... + 70 ·с.
Ра~ .з. nопевые транзисторы 389 КП40ЗА - полевой ДМОП-транзистор с каналом n-типа. Предназначен для работы в высоко­ вольтных усилителях. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... + 70 ·с. КП601(А, Б) - сверхвысокочастотные малошумящие средней мощности планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы во входных и выходных каскадах усилителей, генераторах и преобразователях высокой частоты. Диапа­ зон рабочих темпiратур окружающей среды -60 ... +85 ·с. КП704(А, Б) - эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания, в выход­ ных каскадах графических дисплеев и быстродействующих импульсных устройствах. Диапазон рабо­ чих температур окружающей среды -45 .. . +85 ·с. KmOS(A-B) - мощные МДП-полевые транзисторы с вертикальной структурой и каналом n-типа. Предназначены для работы в переключающих и импульсных устройствах, вторичных источ­ никах электропитания. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40... +85 ·с. КП707(А-В) - мощные планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с изолированным за­ твором и каналом n-типа. Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульс­ ных и непрерывных вторичных источниках электропитания и схемах управления электродвигателями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... + 100 ·с. КП709(А, Б) - мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным за­ твором и каналом n-типа. Предназначены для применения в импульсных и переключательных устрой­ ствах, импульсных вторичных источниках электропитания телевизоров и схемах управления электродвигателями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 .. . + 100 ·с. КП712(А-В) - мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным за­ твором и каналом р-типа. Предназначены для применения в импульсных и переключательных устрой­ ствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 .. . + 100 ·с. КП734 и КП-735 - полевые nМОП-транзисторы, предназначены для применения в устройст­ вах автомобильной электроники и других схемах с низким уровнем питания, где требуется быстрое переключение, низкие потери мощности в линии и устойчивость к переходным процессам. КП759, КП760, КП761 - полевые транзисторы, предназначены для применения в устройст­ вах, где уровень мощности рассеяния достигает 50 Вт. Все транзисторы имеют внутренний диод меж­ ду истоком и стоком для подавления воздействий переходного процесса. КП759, КП760, КП761 - полевые транзисторы имеют нормированное значение энергии од­ нократного и повторяющегося лавинного пробоя (соответственно 210 и 5 мДж, 280 и 7,4 мДж, 510 и 13 мДж), пиковое значение скорости восстановления защитного диода 3,5 В/ нс, ток лавинного про­ боя (2,5, 4,5 и 8 А соответственно), суммарный заряд затвора (соответственно 24, 38 и 60 нКл), а также внутренние индуктивности стока и истока (4,5 и 7,5 нГн). Конструктивно эти транзисторы из­ готавливаются в корпусном и бескорпусном исполнениях. КП814 - полевые транзисторы, предназначены для работы в переключающих устройствах, ключевых стабилизаторах, преобразователях напряжения. КП523, КП731. КП(739-753), КП(775-781), КП(783-787) - полевые транзисторы, предназначены для применения в усилительных, импульсных и переключательных схемах, источни­ ках электропитания, схемах управления электродвигателями и выходных каскадах графических дис­ плеев. КП71ЗО(А, А2, А9) - полевые ДМОП транзисторы со встроенным обратным диодом, предна­ значены для применения в источниках электропитания, электросварочном оборудовании, в стираль­ ных машинах и пылесосах, в схемах управления электродвигателями, имеют возможность параллельного вкл.ючения и стойкость к статическому электричеству (1 кВ). КП7132(А, Б и А9, Б9), КП7150(А, А2, А9) - полевые ДМОП транзисторы со встроен­ ным обратным диодом и КП7132(А1, Бl и А91, Б91) со встроенным обратным диодом и стабили­ тронами защиты предназначены для применения в источниках электропитания аппаратуры связи, управления, светотехнике, автомобильной электронике, системах внутреннего и автономного элек­ троснабжения в промышлености и жилищно-коммунальном хозяйстве, в аппаратуре управления и защиты. КП71ЗЗ(А, А9) - полевые ДМОП транзисторы со встроенным обратным диодом, применяют­ ся, кроме указанных для КП7132 областей, в преобразователях напряжения DC-DC, в высокочас­ тотных преобразователях.
390 Раздел 3. Полевые транзисторы КП7138(А, А9, А91) - полевые ДМОП транзисторы со встроенным обратным диодом приме­ няются в источниках электропитания, бытовой технике, осветительных приборах, схемах управления электродвигателями. КП801(А-Г) - мощные эпитаксиально-планарные со статической индукцией транзисторы (СИТ) с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа-. Имеют характеристики, подобные лампо­ вому триоду. Предназначены для работы в выходных каскадах усилителей звуковоспроизводящей ап­ паратуры. По сравнению с МДП-транзисторами СИТ характеризуются более высокой линейностью, крутизной и низким сопротивлением насыщения. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40...+85 ·с. КП802(А, Б) - мощные высоковольтные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с ка­ налом n-типа. Предназначены для работы в преобразователях постоянного напряжения, ключевых и линейных устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +85 ·с. КП804А - эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором и кана­ лом n-типа. Предназначен для применения в быстродействующих импульсных и переключательных устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 .. . +85 °С. КП805(А-В) - мощные МДП-полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для применения в импульсных вторичных источниках электропитания. Диапазон рабочих температур ок­ ружающей среды -60 ... +85 ·с. КП901(А, Б) - мощные планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и инду­ цированным каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+125 ·с. КП902(А-В) - мощные планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и кана­ лом n-типа. Предназначены для работы в приемно-передающих устройствах на частотах до 400 МГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 ... +85 ·с. КП903(А-В) - мощные планарно-эпитаксиальные транзисторы с затвором на основе p-n пе­ рехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в приемно-передающих устройствах на частотах до 30 МГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +100 ·с. КП904(А, Б) - мощные планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и инду­ цированным каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных, преобразовательных и гене­ раторных каскадах в диапазонах коротких и ультракоротких волн. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 .. . + 125 ·с. КП905(А, Б) - мощные СВЧ планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах на частотах до 1,5 ГГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40 ... +85 ·с. КП907(А, Б) - мощные СВЧ полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах на частотах до 1,5 ГГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40 .. . +85 ·с. КП908(А, Б) - планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в СВЧ усилителях и генераторах в диапазоне частот до 2,25 ГГц и быстродействующих переключательных устройствах наносекундного диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40 ... +85 ·с. КП921А - мощный эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа. Предназначен для применения в быстродействующих переключаю­ щих устройствах. ·диапазон рабочих температур окружающей среды -45 .. . +85 ·с. КП923(А-Г) - мощные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в СВЧ усилителях и генераторах с выходной мощностью 17 ... 50 Вт на частоте 1 ГГц. КП928(А, Б) - мощные генераторные СВЧ эпитаксиально-планарные полевые МДП-транзи­ сторы. Предназначены для работы в генераторах и усилителях мощности сигналов на частотах до 400 МГц, а также в импульсных и быстродействующих переключающих устройствах. Диапазон рабо­ чих температур окружающей среды -60 ... +125 ·с. КП937(А, А-5) - .мощные планарные полевые транзисторы с p-n переходом и вертикальным каналом n-типа. Предназначена для применения во вторичных источниках электропитания, преобра­ зователях напряжения, импульсных генераторах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+125 ·с.
Раздел 3. Полевь1е транзисторы 391 КП938(А-Д) - мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с р-п-переходом и вертикальным каналом п-типа. Предназначены для применения в импульсных вторичных источниках электропитания, схемах управления электродвигателями, в мощных коммутаторах и усилителях низ­ кой частоты. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 .. . + 125 ·с. КП944(А, Б) - мощные эпитаксиально-планарные МДП-транзисторы с каналом р-типа. Пред­ назначены для применения в схемах управления накопителями ЭВМ на жестких и гибких магнитных дисках. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 ... +85 ·с. КП945(А, Б) - мощные МДП-транзисторы с каналом п-типа. Предназначены для применения в импульсных и переключательных схемах. КП951(А2-В2) - бескорпусные на металлокерамическом держателе мощные эпитаксиаль­ но-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом п-типа. Предназначены для применения в СВЧ усилителях и генераторах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60...+85 ·с. КПС104(А-Е) - сдвоенные планарно-эпитаксиальные ионно-легированные полевые транзи­ -сторы с затвором на основе р-п перехода и каналом п-типа. Предназначены для применения во вход­ ных каскадах малошумящих дифференциальных и операционных усилителей низкой частоты и усилителей постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур ок­ ружающей среды -45 .. . +85 ·с. КПС202(А2-f2) - сдвоенные бескорпусные планарно-эпитаксиальные ионно-легированные малошумящие полевые транзисторы с затвором на основе р-п перехода и каналом п-типа. Предназна­ чены для применения во входных каскадах усилителей, дифференциальных и операционных усилите­ лей низкой частоты, а также усилителей постоянного тока с высоким входным сопротивлением (например, в медико-биологической аппаратуре и малошумящих балансных каскадах). При монтаже транзисторов не допускается использование материалов, вступающих в химическое взаимодействие с защитным покрытием. Должна быть исключена возможность соприкосновения выводов с кристаллом (минимальное расстояние от места изгиба выводов до кристалла 1 мм, радиус закругления не менее 0,5 мм). При монтаже тепловое сопротивление кристалл-корпус должно быть не более 3 °С/ мВт. При пайке выводов (на расстоянии не менее 1 мм) и при заливке компаундами нагрев кристалла не должен превышать +125 ·с. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40... +70 ·с. КПС203(А1-f1) - сдвоенные бескорпусные с гибкими выводами без кристаллодержателя малошумящие планарно-диффузионные полевые транзисторы с затвором на основе р-п-перехода и ка­ налом п-типа. Предназначены для применения во входных каскадах высокоточных и малошумящих дифференциальных и операционных усилителей и малошумящих балансных каскадах с высоким входным сопротивлением. При монтаже и пайке расстояние от края транзистора до места изгиба должно быть не менее 1 мм, радиус изгиба - не менее 0,5 мм, расстояние до места пайки - не ме­ нее 1,5 мм. Не допускается нагрев транзисторов свыше + 125 ·с. Диапазон рабочих температур окру­ жающей среды -45 ... +85 ·с. КПС315(А, Б) - сдвоенные планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с затвором на ос­ нове р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах дифферен­ циальных усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Диапазон рабочих температур ок­ ружающей среды -60.. . +100 ·с. КПС316(Д1-И1) - сдвоенные бескорпусные с гибкими выводами без кристаллодержателя планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с затвором на основе р-п-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах дифференциальных усилителей и балансных каскадов с высоким входным сопротивлением. Типономинал прибора указывается на инюtвидуальной ил!-{ групповой таре. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40.. . +85 ·с.
392 Раздел 3. Полевые транзисторы 3.4. Полевые транзисторы 1 Реи maxt Тип мВт Uз11 '"'' UOtmax' Uзиmах• lc, lснач• прибора Структура р~Итmахt u;и пор• u~max• в l~и• 1~..,•• мА Вт в в мА Параметры арсени.11-гаJrлиевых поJiевых транзисторов АПЗ20А-2 1 Сп-каналом 80 - 4; 8* 5 - - АПЗ20Б-2 ! 80 - 4; 8* 5 - - 1 1 1 1 1 АПЗ24А-2 1 Сп-каналом 80 4 3 - - 1 - 1 АПЗ24Б-2 80 - 4 3 - - АПЗ24В-2 80 - 4 3 - - 1 1 1 АПЗ24Б-5 1 Сп-каналом 80 - 4 3 - - 1 1 АПЗ25А-2 С барьером lllотки, 25 4 2 4,5 - - сп-каналом 6* 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 АПЗ26А-2 Сп-каналом 30 - 2,5; -5,5* 4 - - АПЗ26Б-2 30 - 2,5; 5,5* 4 - 1 - ! 1 !1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1
Полевые транзисторы S, мА/В Rси отк' Ом к;.!" дБ р •ых' Вт лu;~·. мВ Кш, дБ U~,мкВ Е:, нВ/..jfЦ Q.", Кл 393 вклt НС 1 t:..,,. нс 1 1 ~·,МГц ЛU3и/лт···, Корпус мкВ/*С j Параметры арсенид-галлиевых полевых транзисторов 5".16 5".16 ~5(1,5В;10мА) 1 1 ~8(2В;8мА) ~8(2В;8мА) 0,18; 0,15* 0,15*; 0,18** ~3* (8 ГГц) ~5* (8 ГГц) ~6* (12 ГГц) ~6* (12 ГГц) ~6* (12 ГГц) ~6* (12 ГГц) ~4.5* (8 ГГц) ~3* (17,4 ГГц) ~3* (17,4 ГГц) $4,5 (8 ГГц) $6 (8 ГГц) $l,5(12ГГц) $2 (12 ГГц) $2,5(12ГГц) 1 $2 (12 ГГц) $2 (8 ГГц) $4,5 ( 17.4 ГГц) $5,5 (17,4 ГГц) АП320-2 ФJ ~1 F?Lt ---- ' i-C 9,S АП324-5 ~rВТ АП325-2 tJ2,15 ., .. ~-.:t=c:::::::ll~:>1 //~ 9,S АП326-2 //,J ~-f ~·11::i~i ~~ 1~
394 Раздел З. Полевые транзисторы Рсиmах' UЗИ<nе• U.cиmaxt Ic, Тип Структура мВт u;и пор• u~max' Uзи maxt l~и• Ic .... • прибора Р~и т maxt в l~ост 1 мА i в в 1 мА 1 ; Вт 1 АПЗ28А-2 1 С барьером lllотки. 50 1 4 6 4;6 - - 1 с двумя затворами 1 с n-каналом ! 1 ! 1 1 1 АПЗЗОА-2 1 С барьером lliотки, 30 - 3; -6* - - - АПЗЗОБ-2 1 с n-каналом 30 - 3; -6* - - - АПЗЗОВ-2 30 - 3; -6* - - - АП3ЗОВ1·2 100 - 5; -7* - - - АПЗЗОВ2-2 100 - 5; -7* - - - АПЗЗОВЗ-2 100 - 5; -7* - - - АПЗЗ1А-2 1 С барьером lllотки, 250 2,5 ...5 5; -8* - - - 1 с n-каналом i 1 1 1 1 1 1 ,, i 1 1 1 1 1 1 ! АПЗЗtА-5 с n-каналом 250 (70°С) 2,5 ...5 5;8* 4 - ~100 (3 В) 1 i 1 1 1 1 i i 1 IАПЗЗ9А-2 i С барьером lllотки, 250 - 1 5,5; -7* 1 - 1 - 1 - i с n-каналом 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 АПЗ4ЗА-2 С барьером lllотки, 35 2.. .4 3,5; -6* 3 - ~20 (2 В) АПЗ4ЗА1-2 с n-каналом 35 2.. .4 3,5; -6* 3 - ~20 (2 В) АПЗ4ЗА2-2 35 2.. .4 3,5; -6* 3 - ~20 (2 В) АПЗ4ЗАЗ-2 1 35 2.. .4 3,5; -6* 3 - ~20 (2 В) 1 i i 1 i 1 1 1 ' 1 ' 1 ! i ' 1 1 i 1 1 1 -
полевые транзисторы 395 Rсиотк• Ом Кш, дБ t,.,,, НС cllн' с;2н' к;_.,, дБ U~,мкВ t:ЫIUJf НС S, мА/В с;;., пФ Р'"'' Вт Е:, нВ/../fЦ ~·.мгц Корпус лu;~·. мВ Q'-, Кп лu31Jлт···, мкВ/"С ?.7(4В;8мА) - ?.9* (8 ГГц) :S4,5 (8 ГГц) - АП328-2 ?.4(4В;8мА) ' 1 ~2,15 .. .. ~ 1 1 1 1 1 ~1 ЕЗ=;f:>1 i 1 ! ' 1 1 i 1 : ! 1 с:.· ~2 // .. .. -, F or и~ !}.5 ?.5 (5 кГц) 1 - 1 ?.3* ( 17,4 ГГц) :Sб (25 ГГц) ! - i АПЗЗО-2 i 1 ?.5 (5 кГц) 1 - 1 ?.3* (25 ГГц) :S4,5 (25 ГГц) - 1 l/,J 1 1 ' ?.5 (5 кГц) 1 - i ?.6* (25 ГГц) 1 :s;3,5 (25 ГГц) - 1~·1::i~t ' i ?.20 (5 кГц) 1 - ?.8* (17,4 ГГц) :s;2 (17,4 ГГц) - 1 ?.20 (5 кГц) 1 - ?.8* (17,4 ГГц) :Sl ,5 (17,4 ГГц) - ~~ ?.20 (5 кГц) i - ?.8* (17,4 ГГц) :s;l (17,4ГГц) - 1 1 ; 1 1 1 ?.15 (5 кГц) - ?.8* (10 ГГц) :S2,5 (10 ГГц) 1 - АП331-2 ?.0,03** (10 ГГц) 4,55 ~·1::1~t ! 1 1 i 1 . ' 1 ~~ 1 1 1 ' i 1 i i 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 i i 1?.15(4В;40мА) 1 - i ?.5,5* (1 О ГГц) 1 :s;2,5 ( 10 ГГц) ! - i АП331-5 1 ?.0 ,03** (IO ГГц) 1 0,5 0,17 ~шт ?.10 (5 кГц) - 1 ?.5* ( 17,4 ГГц) :S4 (17,4 ГГц) - АП339-2 1 ?.0,015** (17,4 ГГц) 1 l/,J 1 i ! ~·i::i~t 1 1 ~ ! 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 ?.10 (5 кГц) - ?.8,5* (12 ГГц) :S2 (12 ГГц) - АП343-2 ?.20 (5 кГц) - ?.8,5* (12 ГГц) :Sl,5 (12 ГГц) - ~2,15 .. .. ?.20 (5 кГц) - ?.8,5* (12 ГГц) :Sl,I (12 ГГц) - E&J1 ?.20 (5 кГц) - ?.8,5* ( 12 ГГц) :s;0,9 ( 12 ГГц) - ~1 1 1 с:.· 1 1 ! i vИ 1 1 1 1 1 _}/ ! 1 "'\ 1 1 1 1 1 1 .. .. " (3 1 1 1 or 1 1 и~ 1 1 9,5
396 Раздел З. Полевые транзисторы Реи milx' UЗИоn:' Uси m.ax' lc, Тип мВт Uзи max' lc и.ач t 1 прибора Структура p~ll тmilxt u;и поμ' u~ffiilXt в ·~·ll' 1~ ост, мА в в мА 1 ' Вт 1 ' 1 1 IАП344А-2 1 С барьером ll!отки, 100 - 4,5; -7* 4 - - АП344А1-2 с п-каиалом 100 - 5; -7* 4 - - АП344А2-2 1 100 - 5; -7* 4 - - АП344А3-2 j 100 - 5; -7* 4 - - АП344А4-2 100 - 5; -7* 4 - - 1 1 1 1 АП354А-5 1 Сп-каналом 100 1 1 3,5; -5* - 2,5 $50 1 - - 1 1 АП354Б-5 Сп-каналом 1 100 1 1 3,5; -5* -2,5 7.. .40 i - 1 - АП354В-5 С n-каналом 100 1 - 3,5; -5* -2,5 7.. .40 - 1 1 АП355А-5 С п-каиалом 70 1 - 3,5; -5* - 2,5 20 1 - АП355Б-5 С п-каиалом 70 - 3,5; -5* - 2,5 5...20 1 - ; АП355В-5 1 С n-каналом 70 1 - 3,5; -5* -2,5 5...20 1 - 11 1 1 1 АП356А-5 1 Сп-каналом 40 - 3,5 - 2,5 $20 - АП356Б-5 1 С n-каналом 40 - 3,5 -2,5 3... 15 - АП356В-5 1 Сп-каналом 40 - 3,5 -2,5 3... 15 - АП357А-5 1 Сп-каналом 30 3,5 -2 1 2...8 1 - - АП357Б-5 1 Сп-каналом 30 - 3,5 -2 2...8 - ~ jАП357В-5 Сп-каналом 30 - 3,5 -2 2...8 - 1 1 1 1 1 АП358А-5 С n-каналом 30 - 3,5; -4,5* 1 -2 2...8 - АП358Б-5 Сп-каналом 30 - 3,5 -2 2...8 - АП358В-5 С n-каналом 30 - 3,5 -2 2...8 - 1 1 i 1: J 1 1 1 r 11АП362А-9 С двумя затворами. 90 - 4,5; -7* -4 - 1 - 11 11АП362Б-9 1 п-каналом 90 - 4,5; -4,5* 1 4 - i - 1 1 1 1 1 1 1 11 1 ~
397 >15 (5 кГц) - ;40 (5 кГц) - ;40 (5 кГц) - ;40 (5 кГц) 1 - ~40 (5 кГц) • 1 1 1 1 1 ' , ; 1 1 j i i 1 ~2,15 ~ -G1=;p - ~1 - 1 1 1 i:::.· 1 1 J /) vИ 1 1 1 1 \_ ' 1 1 ~ 11 11 1 1 . ! ~~~~~~~~~~~~~~~=-~~--:<~l:(i3.~6~ГГ~ц~)~~~~~~~~~A~П~З~S"4~-S~~0:1~5~il >13* <0,8 (3,6 ГГц) 0,52 т· ~1 ~ щ•ГГ)ш11 >50 (2.5 В) _ 3• :>:0,6 (3,6 ц , ii ;50 (2.5 В) >1 i il ~о- 11 ~50 (2.5 В) I - · ------~---=~--~---;;~--~~~~~~~-~~-l---~А~П~~З5~5~-~5~~~- 1 ~rз, 1 ~и- i - J 9,S _J ...... 1 - i : <1,55 (8 ГГц) О15 ~ ~ = ~:g: ~i'<~·г~~ц) ~А Т >30 ll_J ~-~h~--=1~1 1 >7,5' <1, 70 (12 ГГц) О,т·j, АПЗ56-5 1 <204(12ГГц) 77 034 Г~20!1 _ ~7•5*. :>:1:46 (12 ГГц) ш1' ~5 1 >20 - i;;o_ ' "20 1 IL~~~~-~i'~--=~~~~~~~~~:}j!~~~~~~~~~A~П~35~7~-5~~- ' <2,5 (18 ГГц) О15 ~15 ~15 ~15 ~7(3В) ~7(3В) ~7(3В) >15(3В;20мА) ;20(3В;20мА) ' 1 >6.5' <1,76 (18 ГГц) .-Н i >6,5* <1,95 (18 ГГц) 0.47 т· = ,,. ~ll_J 1 1 - - - . >5* ~5* ~5.5* >9* (1 ГГц) ~9* (1 ГГц) <5,5 (37 ГГц) АПЗ58-5 <4,3 (37 ГГц) :>:3,4 (37 ГГц) <1 (1 ГГц) АПЗ62-9 <1 (1 ГГц) 1 1 1 _g
398 Тип прибора IАПЗ79А-9 АПЗ79Б-9 АПЗ81А-5 АП602А-2 АП602Б-2 АП602В-2 АП6021"-2 АП6020-2 ~АП60ЗА-2 j lлn&ОЗБ-2 АП&ОЗА-1-2 1 1 1 1 i1 1 ! !1 1 '1 1 АП&ОЗБ-1-2 i i1 i 1 АП60ЗА-5 АП60ЗБ-5 1 1 АП604А-2 i АП604Б-2 1 АП604В-2 АП6041"-2 Структура С двумя затворами сп-каналом Сп-каналом Сп-каналом С барьером lllотки, сп-каналом С барьером lllотки, сп-каналом Сп-каналом Сп-каналом Сп-каналом Сп-каналом Сп-каналом Сп-каналом Реи maxt Uз11мс• мВт u;и nop' p~(i т max' в Вт 240 - 1 240 - 80 - 1 1 ! 900 900 900 1800 1800 2,5* 2,5* ' 2,5* - 2,5* - 1 1 ! 2.5* - 2,5* - 900 - 900 - 500 - 500 - Раздел З. Полевые транзисторы Ucиmaxt Ic, u~maxt Uзи max' l~и• lси•ч' в в мА 1~..,,, мА 10; 6* - - i - ! 1 8; -8* - -· 1 - 3; -6* -3 i60 1 - ! 1 1 1 1 1 7 3,5 1 ~220 (3 В) 7 3,5 1 ~180 (3 В) 7 3,5 ~110 (3 В) 7,5 3,5 ~440 (3 В) 7,5 3,5 ~360 (3 В) 3.5 400; 5* 3.5 400; 5* 1 • 1 i 1 1 1 - 3,5 i- 400; 5* i i 1 1 - 3,5 i - 400; 5* 1 1 1 1 - 3,5 - 400; 5* - 3,5 - 450; 5* 1 1 1 1 1 7 -3 - 1 - 7 -3 - - 1 7 -3 - - 7 -3 - -
Полевые транзисторы S, мА/В <:20 (5 В; 10 мА) <:20 (5 В; 10 мА) 15... 35 (2,5 В) 20...100 (2 В) 20...80 (2 В) 20...70 (2 В) 40... 200 (2 В) 40... 160 (2 В) <:50 (3 В; 0.4 А) <:80 (3 В; 0.4 А) <:50 (3 В; 0,4 А) <:80 (3 В; 0.4 А) <:50 (3 В; 0,4 А) <:80 (3 В; 0,4 А) 20...40 (3 В; 0.1 А) 1 15...40 (3 В; 0,1 А) 1 10... 20 (3 В; 50 мА) 10... 20 (3 В; 50 мА) cllи' с~2н' с;;", пФ Rси."• Ом к;!'' дБ рвыхt Вт лu;~·, мВ <:16* (0,8 ГГц) <:16* (0,8 ГГц) <:14* (1750 МГц) <:9* <:0,18** (12 ГГц) <:2,6* ( 12 ГГц) <:О, 1• • <12 ггц) <:3* ( 12 ГГц) <:0,2** (8 ГГц) <:3* (8 ГГц) <:0,4 ** ( 10 ГГц) <:2,6* ( 10 ГГц) <:0,5* * (8 ГГц) <:3* (8 ГГц) $4 <:3* (12 ГГц) <:0,5** ( 12 ГГц) $4; <:3*; <:1 ** $4 <:3* (12 ГГц) <:0,5** ( 12 ГГц) $4 <:3* (12 ГГц); <:1 ** 1 <:3* (17,4 ГГц) i <:0,2** ( 17,4 ГГц) 1 <:3 ( 17,4 ГГц) <:0,125** (17,4 ГГц) <:3* (17.4 ГГц) <:0,075** ( 17.4 ГГц) <:3* (17,4 ГГц) <:0,005** (17,4 ГГц) Кш, дБ U~,мкВ Е:, нВ/..jfЦ Q·-, Кл :>1,4 (1 ГГц) 1 :>1,4(1 ГГц) 1 :>2,1 (1750МГц)1 :>0,8 (6,5 ГГц) f 11к.л, НС t:ымлt НС ~·.мгц ЛU3и/лт···, 1 мкв/·с 1 0.24 0.24 0,24 0,24 0,24 0,24 399 Корпус АП379-9 :im~~с и АП381-5 0,45 0,08 ~шт АП602 ~~ '°) "'t ""' ~3 с АП603-2 9 наркщю4ка АП603-1-2 АП603-5 0,77 0,34 ~шт АП604-2 Наркщю4ка 9
400 Раздел 3. Полевые транзисторы Реи milx' Uзи отс' Uси max' Ic, Тип Структура мВт u;~I noμt u;c maxt Uзи max' ·~. ~1' •с ИilЧ t прибора р~И т maxt в в в мА 1~ ос•, мА 1 Вт АП604Аl-2 1 Сп-каналом 900 - 8 -3 - - АП604Бl-2 Сп-каналом 900 - 8 -3 - - АП604Вl-2 Сп-каналом 500 - 8 -3 - - АП604Гl-2 С п-каналом 500 - 8 -3 - - АП605А-2 С барьером Шатки, 450 $5,5 6; -4* - - ;?:150(38) с п-каналом ~ 1 1 1 АП605Аl-2 Сп-каналом 450 - 6; -8* - - - АП605А2-2 450 - 6; -8* - - - 1 1 1 1 АП606А-2 С барьером Шатки, 2* - 8 - 3,5 - 160; 5* с п-каналом АП606Б-2 2* - 8 - 3,5 - 160; 5* АП606В-2 2* - 8 -3,5 - 160; 5* 1 1 1 11 1 ~ ! АП606А-5 С барьером Шатки, 2* - 8 - 3,5 - 160; 5* с п-каналом АП606Б-5 2* - 8 - 3,5 - 160; 5* АП606В-5 2* - 8 - 3,5 - 160; 5* 1 АП607А-2 : Сп-каналом 3,5* - 8 5 - i s:l600; s:5* 1 1 ' i
Полевые транзисторы 1 ,, ! ., ~ 11 1 cllн' с~2н' ~ S,мА/В 1 с;;и, пФ 20."40(3 В;О,1А) - 15".40 (3 В; 0,1 А) - 10".20 (3 В; 50 мА) - 10... 20 (3 В; 50 мА) - i, 1 1 1 ~ ! '1 1 ~30(4В;30мА) ~70 (3 В; 0,25 А) 3(5В) ~90 (3 В; 0,25 А) 3(5В) ~100 (3 В; 0,25 А) 3(5В) ~70 (3 В; 0,25 А) 3(5В) ~90 (3 В; 0,25 А) 3(5В) ~100 (3 В; 0,25 А) 3(5В) ~80 (3 В) 26зак9 1 1 Rси."• Ом к;.!" дБ рвы>• Вт лu;;,·. мВ ~0.2** (17,4 ГГц) ~О.125** (17,4 ГГц) ~О.075** (17,4 ГГц) ~О.05** (17,4 ГГц) 53,5 (8 ГГц) ~8* (8 ГГц) ~О.1 ** (8 ГГц) ~6* (8 ГГц) ~0.1** (8 ГГц) ~7* (8 ГГц) ~О.15** (8 ГГц) ~4* (12 ГГц) ~0.4** (12 ГГц) ~6* (12 ГГц) ~0,4** (12 ГГц) ~5* (12 ГГц) ~О.75** (12 ГГц) ~4* ~0.4** (12 ГГц) ~6* ~О.4 * * (12 ГГц) ~5* (12 ГГц) ~О.75** (12 ГГц) ~1 ** (10 ГГц); ~4.5* Кш, дБ t,кл• НС t:ыклt НС U~,мкВ Е:, нВ/../fЦ ~·.МГц Q".• Кл ЛU 3и/лт"', мкВ/'С - - - - - - - - ' i1 53,5 (8 ГГц) 52 (8 ГГц) 51,5 (8 ГГц) tн=IOO tн=IOO tн=IOO tн=IOO tн=IOO tн=IOO Корпус АП604-1-2 FL-~ ~6 ...: -2,6 и 9,5 АП605-2 l/,J АП605 (Al-2, А2-2) l/,J АП606-2 9 Наркuро6ка АП606-5 Исток АП607-2 + ft,$ с 401 ,1 il li1 1 1 il !1 1: 11
402 Раздел 3. Полевые транзисторы Реи m.i\' UЗ11отсt UCllmaxt Ic, Тип Структура мВт u;ll пор• u;Cmilx' Uзи 1nax• J~. Иt lсна•1' прибора р• в I~•хт, мА Cll т m<iк' в в мА Вт li 1 ! 1 ! 11АП608А-2 f С барьером Шотки, 0,6* - - -3 - 1 - !! 1 с n-каналом 1 1 АП608Б-2 1 1,1 * -3 1 ! - - - - 1 1 ! АП608В-2 1 1* - 1 - -3 - - 1 АП608А-5 С барьером Шотки, 30 - - -3 - - с n-каналом 1 АП6080-5 1 30 - - -3 - - ~ liАП608П-5 1 1 ~ 1 1 1 10 - - -3 - - 1 1 i 1 1 АП915А-2 С барьером Шотки, 12* - 7 -5 - - АП915Б-2 с n-каналом 12* - 7 -5 - - i 1 i 1 1 [JАП925А-2 С n-каналом 1 7* - 9 5 - ЗА i1АП925Б-2 16* - 9 5 - 1 ~3.6А(3BI 1 АП925В-2 7* - 9 5 - ЗА АП930А-2 С барьером Шотки, 21* - 8 1 -5 - :54.5; :515* 11АП930Б-2 с n-каналом 21* - 8 1 -5 - 1 $4,5; :515* !IАП930В-2 21* - 8 -5 - 1 $4,5; :515* 1 ·1 1 1 1 IJ 1 1 11 1 1 1 i !! 1 ! i 1 1 1 1 1 АП967А-2 С барьером Шотки, 14* - 8 -5 - - с n-каналом, АП967Б-2 с внутренними цепями 14* - 8 -5 - - согласования 1 1 7* 8 -5 l,АП967В-2 - - - 1' 11 j 11АП967Г-2 1 7* - 8 -5 - - ! il 1 !! 1 1 ~ 1АП9670-2 1 7* 8 -5 1 ! - - - 1 1 АП967П-2 14* - 8 -5 - - АП967Т-2 14* - 8 -5 - -
403 ili 1 ~,, 1 :1 !l.'------L-----·~--;;:т:----:-f1--=--l---==-l1--:---:A~П~9~6~7-:2~~-~ 1 1 il ,". (5:~:6.4 rr,) 1 11 ~11~!~1~<~;;~,~"l::~ч,·1 1 i >5** (3,7 .. .4,2 ГГц) 1 , 1 i- >6' 1 1 i 1 ~2** {3.:i;~4,2 ГГц) 1 !1 и I, 1 ~2** (4.3 .. .4,8 ГГц) ~6* i ~ 1 ~2** (3,4 ...3,9 ГГц) ' i: ~7* 1 11 ! 1 ;,i•• (5.6 ...6.2 rr,) 1 ! . ' • >7' • i lj-~~--_J--~~-~1~~~5~*~*~(3~A~--~-3~,9~г~г:ц)~l-~___L_ __ _J ._ __ __~----- i ' 1 26*
404 Раздел 3. Полевые транзисторы PClllПA.\.' UЗlloт~·t Uси ma.\. ' Ic, Тип Структура мВт u;H nopt u~n1a.\.t UЗИm.i11.t 1~11• ICHdЧ' прибора 1 p~llтm.i.\.' в l~ост, мА Вт в в !мА d ' 1 1 i .. .. Параметры кремниевых полевых транзисторов КЕ702А БТИЗ 75 Вт UкБ=600 - - 1к=50 А - КЕ702Б 75 Вт UкБ=IООО - - lк=33 А - КЕ702В 75 Вт UкБ=900 - - 1к=25 А - КЕ707А БТИЗ - UкБ=600 - - lк=34 А - КЕ707Б - UкБ=600 - - 1к=23 А - 1 1 1 i ! 1 1 1 1 1 КЕ707А2 БТИЗ - UкБ=600 - - lк=34 А - КЕ707Б2 - UкБ=600 - - 1к=23 А - 1 1 1 1 КП101Г С р-п-переходом 50 5 10 10 2 0,15 ... 2 КП101Д и р-каналом 50 6 10 10 5 0,3 .. .4 КП101Е 50 6 10 10 5 0,5 ...5 КШОЗЕ С р-п-переходом 7 0,4 ... 1,5 10 - 1 - 0.3 ... 2.5 lкшозж 1 и р-каналом 12 0,5...2,2 10 - 1 - ! 0.35 ... 3.8 кшози 21 0,8 ... 3 12 - 1 - 1 0,8 .. .1,8 кшозк 1 38 1,4 .. .4 10 - - 1... 5,5 кшозл 66 2... 6 12 - 1 - 1.8 ... 6,6 кшозм 120 2,8 ... 7 10 - - 3... 12 КП10ЗЕР1 С р-п-переходом 7 0,4 ... 1,5 10 - - 0,3 ... 2,5 КП10ЗЖР1 и р-каналом 12 0,5 ...2,2 10 - - 0,35 ... 3,8 КП10ЗИР1 21 0,8 ... 3 12 - - 0,8 ... 1.8 КП10ЗКР1 38 1,4 .. .4 10 - - 1...5 .5 КП10ЗЛР1 66 2...6 12 - - 1.8 ... 6.6 КП10ЗМР1 120 2,8 ... 7 10 - - 3... 12 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 КП10ЗЕ9 1 С р-п-переходом 7 1 0,4 .. .1,5 15 30 - 0,3 ... 2,5 КП10ЗЖ9 1 и п-каналом 12 0,5...2,2 15 30 - 0,35 ...3,8 КП10ЗИ9 21 0,6 ... 3 15 30 - 0.8 ... 1.8 КП10ЗК9 38 1.. .4 15 30 - 1... 5,5 КП10ЗЛ9 66 2...6 17 30 - 1,8 ... 6,6 КП10ЗМ9 120 2,6 ... 7 17 30 - 3... 12
Полевые транзисторы ' 1 1 1 t11..._,, НСi ' i Rclloтк' Ом Кш, дБ 1 '· 1 t:1.1 ...,t нс i i 1 cllн' с;2и' к:Р• дБ U~. мкВ S, мА/В с;;н, пФ Р:~., Вт Е:, нВ/.,/fЦ (",МГц лu;;,·, мВ О'", Кл ЛU 31,/ЛТ"., мкВ/"С . : ~ Параметры кремниевых полевых транзисторов - - - i,, ,1 ~ - - ~ 1 - - ~ ~ ;?:0,15 (5 В) ;?:0,4 (5 В) ;?:0,3 (5 В) 0.4...2.4 (5В) 0,5...2,8 (5 В) 0,8...2,6 (5 В) 1...3 (5 В) 1,8 ...3,8 (5 В) 1,3 .. .4,4 (5 В) 0,4...2,4 0.5...2.8 0.8 ...2.6 1... 3 1,8...3,8 1.3 ...4,4 0,4...2,4 (10 В) 0.5 ...2.8 (10 В) 0,8...2.6 (10 В) 1...3.3 (10 В) 1,8 ...3.8 {IO В) 1.3 .. .4,4 (10 В) 1 1 ' 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 - - - - - - - :510; :50,4** :510; :50.4** :510; :50.4** :520; :58* :520; :58* :520; :58* :520; :58* :520; :<>8* :520; :58* :520; :58· :520; :58· :520; :58* :520; :58* :520; :58* :520; :58* :58* :58* :58* :58* :58· :58* 0,35 0,4 0,4 i 1 1 1 0,12 0,06 1 1 0,12 0,06 - - - ' 1 1 1 - - - - - - 1 - - 1 1 1 1 - - - - - - - :54 (1 кГц) :57 (1 кГц) :57 (1 кГц) :53 {1 кГц) :53 (1 кГц) :53 (1 кГц) :<>3 (1 кГц) :53 {1 кГц) :53 {1 кГц) :53 (1 кГц) :53 (1 кГц) :53 (1 кГц) :53 (1 кГц) :53 (1 кГц) :53 (1 кГц) - - - 22; 540* 17; 78* 1 1 22; 540* i 17; 78* i - - 1 - 1 1 1 1 3** 3*• 3** 3** 3** 3** 1 - 1 1 - :580* :580* 405 ~ Корпус КЕ702 !_{13 5 "" .... ' - ~ 212 11 11 КЕ707 70,G5 1/,8 w.тзкэ il КЕ707-2 '1 11 ~tJr 1, C't ~ • ... ' ;;( о 3к3 КП101 tJl/,75 ~IJ '~ ... . ...... ~ - кшоз ~5,8 ;ЕJФ· - и 1 КШОЗР 1· КШОЗ-9 J 0,95 ~*Х
406 Раздел 3. Полевые транзисторы 1 Pc11in.a . .. • UЗll от~' UCilпш"t Ic, Тип мВт UЗllrщo,t ICt!.d'I ' Структура u;ll nop' u· (_," 1~ о~·т, мА прибора р' 1 ЗС Пl<I.\ t в 1 Cll т rnc1\ t в в мА 1 Вт 1 ' ! 1 КП150 nМОП 150* 2* ... 4* 100 ±20 38 ( 140*) А :<::25' мкА (l 00 В) 1 1 1 ,1 :1 1 ., ; i 1 11 ! 1! 11 КП201Е-1 1 С р-n-nереходом 60 $1,5 10; 15* -0 .5 - 0.3 . О,6~1 КП201Ж-1 и р-каналом 60 $2.2 1 10; 15* -0 .5 - 0.55 ...1.2 1 КП201И-1 60 $3 10; 15* -0 ,5 - l...2.1 1 КП201К-1 60 $4 10; 15* 1 -0 ,5 - 1.7 ..3 1 КП201Л-1 60 $6 10; 15* -0 ,5 - 3...6 11 11 ,1 11 КП202Д-1 С р-n-nереходом 60 0.4 ...2 15; 20* 0,5 - :<::1.5 'i КП202Е-1 1 и р-каналом 60 1... 3 15; 20* 0,5 - 1.1 ..3 l1 li 1! 1 il 1 1 il 'i 11 11 .1 11 КП214А-9 С n-каналом 200 1... 2,5* 60 ±40 115 O.l * 11 1 " 1 1 1 1 1 ii 1! 1 1 ! ii 1 ; ! '1 1 1 1 КП240 nМОП 125* 2...4* 200 ±20 18(72*)А :<::25* мкА (200 В) КП250 nМОП 150* 2...4* 200 ±20 30 ( 120*) А :<::25* мкА (200 В) ! 1 1кпзо1Б 1 С изолированным затвором, 200 2.7 . .. 5.4* 20 i30 1 15 ! :<::0.5 мкА (15 В) i " i с индуцированным i 1 i ; 1кпзош р-каналом 200 2.7 . .. 5,4* 20 30 i15 :<::0.5 мкА (15 В) 1;I 1 1 il КПЗОIГ 200 2.7 ... 5.4* 20 30 15 :<::0,5 мкА ( 15 В) 1 . КП302А С р-n-переходом 300 1... 5 20 10 24 :<::24; 6* i КП302Б 300 2.5 ...7 20 10 43 :<::43; 6* 1 и n-каналом ; КП302В 300 3... 10 20 12 - :<::33; 6* КП302Г 300 2...7 20 10 - :<::65; 6* 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
полевые транзисторы 11 1' ~ 11 ~1' ~11 1u 11 " 11 1 1 i S,мА/В ~13·103 (258;25А) ~0,4 (10 8) ~0.7 (10 8) ~О.8 (10 8) ~1.4(108) ~1.8 (10 8) ~О.65 ~1 80 ~6.9·103 (258;11А) ~12·103 (258;18А) 1... 2 .6 (158;5мА) 2... 3 (158;5мА) 0.5 ...1,6 (158:5мА) 5... 12 (7 8) 7... 14 (7 8) - 7... 14(78) $2800; 1100** ! s20; s8* $20; $8* $20; $8* s20; s8* $20; $8* ! $6; $2* 1 s6; s2• 1 1 1 1 - ' i11 1 sl300; 130** 1 1 $2800; 780** 1 s3,5; sl *; s3.5** s3.5; :Sl *; s3,5** 1 1 s3,5; sl *; s3,5* 1 1 i :S20; :S8* $20; $8* $20; $8* :S20; :S8* 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Rc".", Ом к:.Р' дБ Р:~•• Вт лu;:,·, мВ :S0,055 - - - - - - - 7,5 $0,18 :S0,085 - - - - $150 :SlOO :Sl50 1 1 1 Кш, дБ U~,мкВ Е:, нВ/../fЦ Q''', Кл :S3 (1 кГц) s3 (1 кГц) :S3 (1 кГц) :S3 (1 кГц) s3 (1 кГц) - - - - - s9.5 (100 МГц) 1 : i i 1 1 1 1 1 1 1 i s9.5 (100 МГц) 1 i s9,5 (100 МГц) 1 1 1 1 s3 (1 кГц) - - - tнклt НС t:ыкл• НС , . ~·,МГц ЛU311 /лт"·, 1 мкВ/*С 1сп=81 1 - - - - - - - - 1 1 1 ! 1сп=36 1сп=62 100** i 100** i 100** 1 $4; $5* $4; $5* $4; $5* :S4; :S5* 1 1 i1 407 Корпус КП150 щ~ '"'No;;; ~ ~ ~ ""' "" i .... '1 ~ КП201-1 ~~= <:;5' ~'=3 и КП202-1 ~ i~1 L- ! ~ -0 ,01/ 3Doz1. о КП214-9 j 0,95 ~Щ~t~Jk ' ~i КП240, КП250 27,1 -rAfi\ ,, ;;No-, '!,,~ : ~\V t:! . 1 КПЗОl ' ~5.8 !I :Ii ~ с зфщn и КПЗО2 ~;-е~ t ""' ~ ti'- 3
408 Раздел 3. Полевые транзисторы :1 1 1 1 ! ! j ~ 1 1 1 pCllm.111.t 1 1 1 1 UЗ11он:' 1 UClt ma:- .t Io Тип мВт ! UЗllin.i.\t lси"••' прибора Структура р· u;llnoμ' 1 u;Cmaxt в 1~. и' 1~ ост, мА С\1тmакt в в мА Вт КП302АМ С р-n-nереходом 300 1... 5 20 10 24 $24; 6* КП302БМ и n-каиалом 300 2.5 ...7 20 10 43 $43; 6* КП302ВМ 300 1 3... 10 20 12 - $33; 6* КП302ГМ 300 2... 7 20 10 - 1 $65; 6• !I 1 1 1! 1 1 'I !! 1 1 1, 1: 1 1 i il 1 1 '1 1 1 1 11 i 1 1 КП303А С р-n-nереходом 200 0,5 ... 3 25; 30* 30 20 $2,5; 5* КП303Б и n-каиалом 200 0,5 ... 3 25; 30* 30 20 $2,5; 5* КП303В 200 1.. .4 25; 30* 30 20 $5; 5* кпзозг 200 $8 25; 30* 30 20 $12; 5* КП303Д 200 $8 25; 30* 30 20 $9; 5* КП303Е 200 $8 25; 30* 30 20 $20; 5* 11кпзозж 200 0,3 ... 3 1 25; 30* 30 20 $3; 5* 1 200 0.5 ... 2 25; 30* 30 1 20 1 $5; 5* 1 кпзози 1 1 1 ~1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 ! i 1 11КП303А9 С р-n-nереходом i 200 1 0,5 ... 3 1 30* 30 - 20 КП303Б9 i и n-каналом 200 0,5 ... 3 30* 30 - 20 1 КП303В9 200 1 1.. .4 30* 30 - 20 КП303Г9 200 $8 30* 30 - 20 КП303Д9 200 $8 30* 30 - 20 КП303Е9 200 $8 30* 30 - 20 КП303Ж9 200 0,3 ... 3 30* 30 - 20 КП303И9 200 0,5 ... 2 30* 30 - 20 1 ~ 1 11 ! ~ ! КП304А С изолированным затвором 200 1 ~5* 1 25; 30* 1 30 30 (60*) $0,2 мкА и индуцированным каналом р-тиnа КП305Д С изолированным затвором 150 ~6 15; ± 15* ±15 15 - iкпЗО5Е i и n-каналом 150 ~6 15; ± 15* ±15 15 - 1 lкпзоsж 1 150 ~6 15; ±15* ±15 15 - КП305И 150 ~6 15; ± 15* ±15 15 - КП306А С двумя изолированными 150 $4 20 20 20 $0,005 затворами и КП306Б n-каналом 150 $4 20 20 20 $0.005 КП306В 1 150 $6 20 20 20 $0,005 i 1 i 1 i 1 1 1 1 i 1 1 1 ! 1
Полевые транзисторы 409 ! 1 f 0КJ1, НС 1 i Rсиотк' Ом Кш, дБ cllи' с~2и' к;Р• дБ U~, мкВ t:ыКJJ' НС S, мА/В с;;,, пФ ре~к' Вт Е:, нВ/../fЦ ~',МГц Корпус лu;~·. мВ Q.". Кл лuл1 /лт·". мкв;·с 5... 12 (7 В) S20; S8* 1 - s3 (1 кГц) S4; S5* КП302М li 7... 14 (7 В) S20; S8* Sl50 - S4; S5* •1 - S20; S8* SIOO - S4; S5* tJ5,8Ч 7... 14 (7 В) S20: S8* Sl50 - s4: s5* :[j с 1 и$з 1 ~ 1 1... 4(10В) s6; s2* - s30** (20 Гц) - КП303 1.. .4(10В) S6; S2* - s20** (1кГц) - 2... 5 (10 В) S6; S2* - S20** (1 кГц) - ~fi 3... 7(10В) S6; S2* - s(6· I0 . 17 )*** - с ~2.6 (10 В) s6; s2* - s4 (100 МГц) - ифз ~4 (10 В) s6: s2* - S4 (100 МГц) - 1 .,.,. 1... 4(10В) S6; S2* - SIOO** ( 1 кГц) - " 2... 6 (!О В) s6; s2* - SIOO** (1 кГц) - ~- Корп. 1... 4(10В) s2* - - S500; SIOO* КП303-9 1.. .4(10В) S2* - - S500; sl30* 2... 5 (10 В) S2* - - S500; Sl30* 3... 7 (10 В) S2* - - - ~2.6 (10 В) S2* - - - ~4 (10 В) S2* - - - J 0,95 1... 4(10В) S2* - - - ~~~t~Jk 2... 6 (10 В) 1 S2* - - - ,1 1' ! 1 ~ ~ ~4(1ОВ:1ОмА) S9; S2*; S6** SIOO - - КП304 m с ифкорп. 1 3 1 ' 5.2 .. . 10,5 1 S5; S0,8* ~13* (250 МГц) s7,5 (250 МГц) - КП305 (10В:5мА) 4. "8 s5: s0,8* - - - 1/)5,8// (10В:5мА) 5,2 ... 10,5 S5; S0,8* ~13* (250 МГц) S7,5 (250 МГц) - и (10В;5мА) ~-rm зфПодл. 4... 10,5 s5: s0,8* - - - корп. (10В;5мА) ..,,. ..... с 4... 8 (Uз2и= 1О В) S5: S0,07* - s6 (200 МГц, 800** КП306 1 Uз2и=IО В) 4... 8 Шз2и=IО В) i s5; s0,07* - s6 (200 МГц) 800** ~~ 4... 8 (Uз2и= 1О В) ! S5; S0,07* - s6 (200 МГц) 800** з, 1 ! 1 1<)' 32$:0011. 1 " -.. ~-~ - ..._. с i
410 Раздел 3. Полевые транзисторы pOlm.ixt UЗlloтc• UOlma"t Icr Тип Структура мВт u;Jlnop• u;Cm;i11.t UЗllm.i"' 1~.11' lсиа•1• прибора p~llтm.i"t в 1~°'', мА Вт в в мА КПЗ07А С р-п-переходом 250 0.5 ...3 25: 27* 27 25 :!>9 КПЗО7Б и п-каналом 250 1... 5 25: 27* 27 25 :!>15 КПЗ07В 250 1... 5 25; 27* 27 25 :!>15 КПЗО7Г 250 1.5 ...6 25: 27* 27 25 24 КПЗО7Д 250 1,5 ... 6 25: 27* 27 25 8... 24 КПЗО7Е 250 :!>2,5 25: 27* 27 25 $5 КПЗ07Ж 250 :s;7 25: 27* 27 25 :!>25 1 КП307А1 С р-п-переходом 250 0,5 ... 3 27* 27 25 КПЗО7Б1 и п-каналом 250 1... 5 27* 27 25 КПЗО7Г1 250 1,5 ... 6 27* 27 25 КП307Е1 250 :!>2,5 27* 27 25 КПЗ07Ж1 250 :!>7 27* 27 25 60 1 0,2...1.2 1 25; 30* 30 20 КПЗОSА-1 С р-п-переходом КПЗОSБ-1 и п-каналом 1 60 1 0,3 ... 1,8 25: 30* 30 20 i :!>1.6 ~ 1 КПЗОSВ-1 1 60 1 0,4 ... 2,4 25; 30* 30 20 1 :s;3 ! КПЗОSГ-1 1 60 1 1... 6 25: 30• 30 20 i - § IКПЗОSД-1 60 1... 3 25: 30* 30 20 1 - 1 1 i 1 ' i ! IКПЗ10А С изолированным затвором 80 1 - 1 8: 10* 1 10 1 20 1 :!>5: :s;O,l * КПЗ10Б и каналом п-типа 80 - 1 8:10* 1 10 20 1 :!>5; :s;O,l * 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! ! ~ КПЗ12А 1 С р-п-переходом 1 100 1 2... 8 20;25* i 25 25 i :!>25 ~ ! 1 ~ 1 КПЗ12Б 1 и п-каналом 100 0,8 ... 6 1 20; 25* 25 25 :s;7 ~ 1 1 • ! 1 1 1 ~ 1 i 1 1 1 КПЗ13А С изолированным затвором 75 ~6 15; 15* 10 15 - и п-каналом КПЗ1ЗБ 75 ~6 15; 15* 10 15 - КПЗ1ЗВ 75 ~6 15; 15* 10 15 - 1 1 1 1 ! 1 1 i i 1 1 !. КПЗ14А i С р-п-переходом 1 200 25 30 20 ! 2.5 ...20 1 - 1 и п-каналом 1 КПЗ22А С двумя затворами, с 200 2,2 ... 12 20 20 - :!>42 р-п-переходом и п-каналом ~ 1 1 1 !i 1 1 1 ; i 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 !
Полевые транзисторы ' 11 ;, 1 !1 ~1 1 li~ S, мА/В 4... 9(108) 5... 10 (10 8) 5... 10(108) 6... 12 (10 8) 6... 12 (10 8) 3... 8 (10 8) 4 ... 14(108) 4...9 (10 8) 5... 10 (10 В) 6... 12 (10 8) 3...8 (10 8) 4... 14 (10 8) 1.. .4(108) 1.. .4(108) 2... 6,5 (10 8) 3...6 (5 8; 5 мА) 3...6 (5 8; 5 мА) 4...5,8 (15 8) 2... 5 (15 8) 4,5 ... 10,5 (108;5мА) 4,5 ... 105 (108;5мА) 4.5 ...10.5 (108;5мА) ~4 (10 8) 1 1 1 1 1 ! i1 i1 3.2 ...6,3 (10 8) ! $5; $1.5* $5: $1,5* $5; $1,5* $5; $1,5* $5; $1,5* $5; $1,5* $5; $1,5* $6; $2** $6: $2** $6; $2** $6: $2** $6; $2** $2,5: $0,5* $2,5; $0,5* $4; $1* $4; $1* $7; $0,9* $7; $0,9* $7; $0,9* $6: $2* $6; $0,2* i i1 1 1 Rснот.• Ом к:Р• дБ Р:~,, Вт лu;~·. мВ $250 $250 ~5* (1 ГГц) ~5* (1 ГГц) ~2* (400 МГц) ~2* (400 МГц} ~10* (250 МГц) ~ 10* (250 МГц) ~10* (250 МГц) - Кш, дБ u:" мкВ Е~, нВ/./fЦ Q"•• Кл t""", НС 1 J t:ыкл• НС 1 !(0 , МГц : 1 ЛU311 /лт·". [ i мкВ/"С ! $20** (1кГц) 1 J $2,5** ( 100 кГц) 1 1 1 1 1 1 $2.5** ( 100 кГц) i $6 (400 МГц) 1 $6 (400 МГц) $20** (1 кГц) $(4·10- 17 )*** $20** (1 кГц) $20** (1 кГц) $20** (1 кГц) $6 (1 ГГц) $7 (1 ГГц) $4 (400 МГц) $6 (400 МГц) $7.5 (250 МГц) $7,5 (250 МГц) $7.5 (250 МГц) $ (1,35·10- 17 )*** $6 (250 МГц) 1 1 1 1 1 1 $20: $20* $20; $20* - - 300** 300** 300** ~100** i 411 Корпус КП307-1 КП308-1 Jtвa -=3 L_ с н 112 КП310 ~с "" .... ифз ~ ~ ПoiJn. КП312 ~1D ~ ~Stj ..... с 3 и КП313 :Ebl J ir зис КП314 r/Jll,75 . 3 .. ... сфк ....;- .... '"3 - и КП322 ~3, • ~ Jоо 2 и 1 1 11 1
412 Раздел 3. Полевые транзисторы 1 1 i i Potmd"' UЗИотс' UC(tm.a"' lc, Тип 1 мВт Uзнmа"' lc на•1' прибора 1 Структура p~ltтmd'' u;ll nop' u~mar..' в ·~·"' 1~"'" мА в в мА Вт ! КП323А-2 С р-п-переходом 100 0,74 ... 6 20 25 12 3... 12 КП323Б-2 и п-каналом 100 0,74 ... 6 20 25 12 3... 12 i 1 ' 1 ,, i 1 КП327А 1 С двумя изолированными 200 $2,7 18 6 30 $10 КП327Б 1 затворами и защитными 200 $2,7 18 6 30 $10 1 КП327В 1 диодами. с п-каналом 200 - 1 14; 16* 5 30 $17 КП327f 200 - 14; 16* 5 30 $17 КП329А С р-п-переходом 250 ~1.5 50 45 - ~1 КП329Б и п-каналом 250 ~1.5 40 35 - 1 ~1 1 1 1. 1 1 ! 1 1 1 1 1 КП333А С р-п-переходом 250 1... 8 50; 50* 45 - $1 мкА КП333Б и п-каналом 250 0,6 .. .4 40; 40* 35 - $1 мкА 1 1 1 ! 1 КП340 1 пМОП 125* 2.. .4* 400 ! ±20 10 (38*) А 1 $25* мкА (400 В) 1 1 1 1 1 1 КП341А С р-п-переходом 150 (60°С) $3 15; 15* 1 10 - i $20 1 и каналом п-типа 1 1 КП341Б 150 {60°С) $3 15; 15* 10 - $30 1 1 1 1 1 1 11 1 ~1 1 1 1 1 КП346А-9 С двумя изолированными 200 - 14; 16* 10 30 2... 20 затворами КП346Б-9 и п-каналом 200 - 14; 16* 10 30 $20 КП346В-9 200 - 14: 16* 10 30 2...20 ' 1 ! ' 1 i i 1 1 ! 1 ! 1 ! 1
полевые транзисторы 413 г-- 1 1 ! i 1 RCll0", Ом Кш, дБ tвкл' НС 1 cllн• с~2н• к:Р• дБ U~, мкВ t:ык..,• НС 1' S, мА/В с;;н, пФ Р:=", Вт Е:, иВ/.jfЦ (",МГц 1 Корпус лu;~·. мВ Q.". Кл лu,,Jлт···. мкв/·с 4...5.8 (10 В) :54; :51,2* - :55** 400** КП323-2 4...5,8 (10 В) :54: :51,2* - :55** 400** f6J,6 1 1 ~p;t~9j ~ 1 1 " 1 1 1 1 1 1 ~11(10В: 10мА) 1 :52.5 ~12* (0,8 ГГц) 1 :54,5 {0,8 ГГц) - КП327 ~11(IOВ;10мА) 1 :52,5 ~18* (250 МГц) :53 (0.2 ГГц) - ~9.5 (10 В: 10 мА) :52,5: :51.6* ~12* {0,8 ГГц) :54,5 (0,8 ГГц) - ic~~ ~9.5 (10 В; 10 мА) :53,6; :53* ~18* (0,2 ГГц) :53 (0,2 ГГц) - ~ Щ\~31 () <а ...; 2,7 32 ~3(10В) 1 :56 :51500 :520** 200** 1 КП329 ~1 (10 В) :56 :51500 :520** 1 200** ~tJ,t$J 1 1 1 1 1 1 1 ~ ~~ 1 ~- 1<) ~ 4...5,8 (10 В) :56{10В) :51500 - - кпззз 2.. .5 (10 В) :56(10В) :51500 :520** - ~5,/Jll 1 {iнфз 1 floOn. ! 1 1 ~7.7-103 1 :51400: 130· :50,55 1 - lсл=24 1 КП340 (50В:6А) 1 27,1 ~ "No"""' ':1! : ~,\l) ...,.. - 1 15...30 (5 В) :55; 1*; 1,6** - 2.8 (400 МГц) - КП341 :51,2** (100 кГц) 18...32 (5 В) 1 :55; 1*; 1,6** - 1,8 (200 МГц) - ~tu~~ 1 :51,2** (100 кГц) 1 1 .. .. с 3 1 и ~12 {10 В; 10 мА) :52,6; :50,035*; . ~15* (0,8 ГГц) :53,5 (0,8 ГГц) - КП346-9 :51,3** ~IO{lOB; lОмА) :53; :50,035*; :513 (0,8 ГГц) :54,5 (800 МГц) - :! ffl~4 1 :51,5** ~12{10В; lОмА) :52,6: :50,035*; ~21 (200 МГц) :51,9 (200 МГц) - :51,3** 1 1 1 1 ~ i 1 1 1 ис i 1
414 Тип прибора КП347А-2 1: li 11 11 КП350 1 1 11 11 1· i КП350А КП350Б КП350В 1 КП361А \i 1: " ;1 11 :1 КП364А КП364Б КП364В КП364Г КП364Д 1IКП364Е !IКП364Ж :1кпз64И 1 КП365А КП365Б JIKП382A 11 Структура С n-каналом, с двумя i изолированными затворами, ' ' с двумя защитными ! диодами nМОП 1 С двумя изолированными затворами и встроенным n-каналом 1 i n-канал, для электретных 1 микрофонов 1 i ! С р-n-nереходом, n-каналом 1 1 1 1 С р-n-переходом. n-каналом nМОП. с двумя затворами pCllm.1;1,t UЗlloтo.:t мВт u;llnupt p~llтm.н,t Вт в 200 3 150* 2".4* 1 200 0,17" .6 200 0.17 ".6 200 0,17 ".6 150 - 200 0,5" .3 200 0.5" .3 200 1" .4 200 $8 200 $8 200 $8 200 0,3" .3 200 0.5" .2 150 -0.4".-3 150 - 0,4".-3 2,7 Раздел 3. Полевые транзисторы UCllma\t Ict u;Cma>.' UЗllm.1\' 1~. н' lc н.1•1' в I~~т, мА в мА 14 5 ::::5 1 : 1 400 ±20 14 (56*) А ::::25* мкА (400 В) ~ i 1 1 : 15 15 30 $3,5 15 15 30 $3,5 15 15 30 $3,5 ,! i 1! 20 - 10 $1,2 ~ 1: 11 :1 i 1! 1 '1 ' 11 ! 1 11 1 1 25; 30* 30 20 0,5" .2,5 25: 30* 30 20 0,5." 2,5 25; 30* 30 20 1,5 ...5 25; 30* 30 20 3". 12 li,, 25; 30* 30 20 3".9 !I 25: 30• 30 20 5". 20 11 25; 30* 30 20 0.3".З 25: 30~ 30 20 1.5 .5 20 20 4.5 ". 20 20 20 12".3 5 15 ::::20
Полевые транзисторы 1' 1 11 1: 11 11 ~ "•: ~ ~,, ~ ! 1 1 S, мА/В <::10 (10 В; 10 мА) 2: 1О·103 (25В:25А) 2:6(10В; IОмА) 2:6 (10 В; 10 мА) 2:6 (10В; 10мА) - 1".4 (10 В) 1".4 (10 В) 2".5 (10 В) 3... 7 (10 В) 2:2.6 (1 О В) 2:4 (10 В) 1".4 (10 В) 2".6 (10 В) 2:15 2:18 2:10 ' 1 1 1 :;;3,5 ( 10 В) 0,04* s2600; 250' $6; $0,07*; $6** $6; $0,07*; $6** $6; $0,07*; $6** - S6; S2 S6; $2 $6; $2 s6; s2 S6; S2 s6; s2 S6; S2 $6; $2 RC!luтк' Ом к;r, дБ Р::,, Вт лu;~·. мВ 2:18* (200 МГц) S0,3 - - - - 2:13* Кш, дБ u:,, мкВ Е:, нВ/)Г~i Q.", Кл S2,5 (200 МГц) - :;;6 (400 МГц) s5 (100 МГц) :;;8 (400 МГц) - - - - - - - - :;;30** (20 Гц) s20** (1кГц) s20** (1 кГц) S4 (100 МГц) s4(100МГц) slOO** (1 кГц) SIOO** (1 кГц) 1,5* 1,8* 3 1 t"•• нс i l l(._.,НСi ' (°,МГц 1 ЛU311 /лт·", 1 мкВ/"С tcn=4 7 1 ; - - - 1 - - - - - - - - i 415 Корпус КП347А-2 fr~@ ~п~32 КП350 ".: 27,1 ~ 1; il ~&~~! 1 ~ . КП350А ~~ з, 11 11 11 ")" зфн ,.._ ....... 2 поал. ... .. ~ с 11 ... .._ КП361 ~!f:tщt ..,.., .,,,.. ::::· ..,.., i ....: "1 КП364 КП365 КП382
416 Раздел 3. полевые транзисторы Pcllmax' UЗН OT(t UСИ max' lc, Тип мВт Uзи max' lc нач' прибора Структура р~И т max' u;и nop' u;c max' в 1~. и• I~Q{·т, мА 1 Вт в в 1 мА i 1 i 1 ! ~КП383А-9 1 С двумя изолир. затворами, 200 - 14; 16* ±5 30 S0,5 (30 В) i n-каналом 1 КП401АС Сборка из четырех 420 ~О.8 30 20 1 - 3(1и3) t транзисторов 1 КП401БС 1 и 3 с n-каналами, 420 ~0.8 30 20 - 1(2и4) 2 и 4 с р-каналами 1 1 1 1 ' 1 1 КП402А С р-каналом - (0,8" . 2,8) 200 1 ' - 150 $60 КП403А С n-каналом - (0,8".2,8) 200 - 300 1 s60 1 1 ~ 1 1 1 ! 11 1 1 КП440 nМОП 125* 2".4* 500 ±20 8 (30*) А S25* мкА (500 В) КП450 nМОП 150* 2".4* 500 ±20 12 (52*) А s25* мкА (500 В) 1 1 11 1 1 1 i 1 1 1 ' КП501А С изолированным затвором 500 1". 3* 240 1 ±20 180 10 мкА КП501Б и n-каналом 500 1". 3* 200 ±20 180 10 мкА КП501В 500 1" .3* 200 ±20 180 10 мкА
Полевые транзисторы 417 Rc11".• Ом Кш, дБ t,.,,, нс 1 cllн' с~2н' к:Р• дБ U~,мкВ t:ыклt НС S,мА/В с;;н, пФ Р:~"' Вт Е:, иВ/..jfЦ ~·,МГц 1 Корпус лu;~·. мВ Q.", Кл ЛU31 Jлт·". мкВ/'С 1 ~13(108: lОмА) i :'>2.5 (10 В) ~13* (0,8 ГГц) ::;3 (0,8 ГГц) 1 - 1 КП383-9 1 ' ' 1 ; -11 1 il 1 J 11 1 1 1 :1 rn~~ 1 1 1 1 ис ~280(1 и3) - $1,2 (п-кан.); - - КП401 :'>2,5 (р-кан.) ~130(2и4) - :'>2 (п-кан.); - - 7.5_ ~ 1 $5 (р-кан.) 1 - 1 1 ~-JштщjwШD~.w •1 '"' ~ ~ 1 .... 1 ,..." ш ~ c:::r " 2.5 76 6ы6т1а6 О,52 ! ..... - -. .......... ~ 1G ,.. ... г- -.. g ~,..___ ·- ~ ~ L- ....J ... ... "'1 ....... ... - ~ ~60(25В;0,1А) 1 :'>20 1 1 КП402А ' d - - - i i 1 1 1 1 1 ~tt~ 1 i 1 1 1 1 14') ~- ~- ~ ~ ~60 (25 В; 0,1 А) - $6 - - КП403А 1 ~tt~ 1 1 14') ~- ·1 1 1 ~- ~ 1 ~ 1 i 1 ~5.3 (25 В; 5 А) 1 :'>1300; 120* $0,85 - 1 tсп=20 1 КП440, КП450 No~lffi\ - и,3 ~9.3 (25 В; 7,75 А) :'>2600; 720** $0,4 N '-: oio - tсп=44 : ~\l/ 1 ~ 1 1 1 1 1 11 1 . ~100 10 1 - - 1 - 1 КП501 1 ~100 10 - - - ~100 15 - - - ~tt:~ 1 14') ~- ~- ~ . ~ 27зак9
418 Раздел 3. Полевые транзисторы 1 Рентах' Uзнотс' Uси max' 1 lc, Тип Структура мВт u;llnopt u~maxt 1 u3~1maxt ·~ft• •сн.1ч' прибора p~llтmaxt 1 в J~ост t МА в в ! мА Вт 1 1 1 КП502А С изолированным затвором 1000 1,5 ...2,5* 400 ±10 120 1 мкА КП503А и п-каналом 1000 -1,8 ... -0,7* 240 ±10 150 1 мкА КП504А 1000 0,6 ... 1,2* 240 ±10 250 1 мкА КП504Б 1000 0,6...1,2* 240 ±10 250 1 мкА КП504В 1000 0,6...1,2* 200 ±10 250 1 мкА КП505А 1000 0,8 ...2* 50 ±10 1400 1 мкА КП505Б 1000 0,8 ...2* 50 1 ±10 1 1400 1 1 мкА 1 КП505В 1000 0,8 ...2* 60 ±10 i 1400 1 мкА ! КП505f 1 700 0,4 ...0,8* 8 1 ±10 i 500 1 1 мкА 1 1 i 1 1 1 ~ 1 1 1 i 1 КП507А С р-каналом 1000 -0,8 ... -2 -50 ±20 1100 1* КП508А С р-каналом 1000 -0,8 ... -2 -240 ±20 150 - 1 ь 1 : ' КП509А-9 1 Сп-каналом 360 0,8...2* 240 ±14 100 i - КП509Б-9 1 Сп-каналом 500 0,6 ... 1,2* 240 ±14 250 1 - КП509В-9 Сп-каналом 360 0,8...2* 200 ±14 100 - 1 1 1 1 1 1 КП510 пМОП 43* 2...4* 100 ±20 1 5,6 (20*) А 1 :<;;25* мкА (100 В) 1 1 ! i ' ! t, 1 ! i 1 1 1 1 1 КП510А9 Сп-каналом 540 0,7 ... 1,6* 20 ±12 1200 - 1 ~ 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 i 1
полевые транзисторы S, мА/В ~О.1 А/В ~О.14 А/В ~О.14 А/В ~О.14 А/В ~О.14 А/В ~0.5 А/В ~О.5 А/В ~0.5 А/В ~0.5 А/В 250 160 140 60 1~1300(50В; 3.4 А) 1 i 1 ~ ' 1 ! ! 1300 27· 180; 15* Rсиоткt Ом к;1" дБ рвых' Вт лu;~·. мв 28 20 8 8 8 0,3 0,3 0,3 1.2 0,8 20 16 8 16 ~О.54 0,25 Кш, дБ U~,мкВ Е:, нВ/.jfЦ Q""', Кл ·1 tвклt НС t:.". нс ~·,МГц 1 ЛU31Jлт·". мкВ/"С tcn=9.4 Корпус КП502, КП503, КП504, KПSOS '~и КП507 КП508 КП509-9 ~~1KПSIO 419 7,9 7,1 KПSI0-9
420 Раздел 3. полевые транзисторы pCllmax' UЗ,loтt:' UatmaA' lc, Тип Структура мВт u;'1 nop' u~max' UЗHm.i.-.r 1~. и• lсн.~ч' прибора р' в l~ост' мА СН т rn.1111 .t в в мА Вт КП511А Сп-каналом 750 0.8 ...2 350 1 ±20 140 - КП511Б Сп-каналом 750 0.8 ...2 400 ±20 140 - 11 1 1 !· 1 1 1 1 :1 ! 1 1 '1 1 1 1 1 11 1 1 1 1 1 1 КП520 пМОП 60* 2.. .4* 100 ±20 9,2 (37*) А $25* мкА (100 В) 11 1 1 1 1 il 1 1 1 1 1 1 КП523А пМОП 1Вт 0,8 ...2 200 ±20 480 1* КП523Б пМОП 1Вт 0,8 ...2 200 ±14 480 1* КП523В пМОП 700 0,8 ...2 200 ±20 480 1* КП523f пМОП 700 0,8...2 200 ±14 480 1* КП530 пМОП 88* 1 2.. .4* 100 ±20 14(56*)А $25* мкА (100 В) 11 1 1 1 ~ 1 i 1 1 1 КП540 пМОП 150* 2.. .4* 100 1 ±20 j 28 (110*) А $25* мкА (100 В) КП601А С р-п-переходом 500; 2* 4...9 20; 20* 15 - $400 КП601Б и п-каналом 500; 2* 6... 12 20; 20* 15 - $400 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! КП610 пМОП 36* 2.. .4* 200 ±20 3,3 (10*) А s25* мкА (200 В) КП620 пМОП 50* 2.. .4* 200 ±20 5,2 (18*) А $25* мкА (200 В) КП630 пМОП 74* 2.. .4* 200 ±20 9(36*)А 1$25* мкА(200В) 1 КП640 1 пМОП 125* 1 2.. .4* 200 ±20 18 (72*) А $25* мкА (200 В) 1 КП704А С изолированным затвором, 75* 1,5 ...4* 200 ±20 10А;30*А $0,8 КП704Б с п-каналом 75* 1,5 .. .4* 200 ±20 10А;30*А $1
Полевые транзисторы S,мА/В 125 125 ~2700 (50 В; 5,5 А) ~500 I0.45 А) ~5"()0 (0.45 А) ~500 (0.45 А) ~500 (0.45 А) ~5100 (50 В; 8,4 А) 1 360: 150** 670; 60* 22 22 50,27 2 4 2 4 50,16 Кw,дБ U~,мкВ Е:, нвt.ДЦ Q"•• Кл fвкпt НС t:ыкл' НС ~·.мrц ЛU 3и/лт·", мкВ/"С tсп=20 tсп=24 421 Корпус КП511 КП520 1 ~~ ~11и $t_'- с 1,15 2.5i'т2.51,9 1,1 КП530, КП540 ~ 10,65 ' !J ,6, -.....,.".В--­ ... - l-' ' 1 1 ,;, :%:"' . -t 1--~~~~~~1--~~~~~-+-~~~~~~--+~~~~~-+~~~~~;-~. 1 ~8700 (50 В; 17 А) 1700; 120* 50,077 - tcn=43 ...L.L ~.:: ~,~,15 40...87 (10 В) 40...87 (10 В) i~800(50 В: 2А) ~1500 (50 В; 3,1 А) ~3800 (50 В; ЗА А) 56* 56* 140; 15* 260: 30* 950; 76* 51,5 50,8 50,4 56 (400 МГц) 56 (400 МГц) tсп=8,9 lсп=IЗ tсп=25 2.5 -i т 2. 5 l'--',9---1,_1- КП601 КП610, КП620, КП630, КП640, КП704 1/,8 ~ 70,65 '!Jfi • ..., L..-. ~',/-r,37 1 + 1 ..u<J _LL .Фrят1 [I 11--~~~~~---ir--~~~~~--t-~~~~~~-t-~~~~~-;-~~~-----j ;-~- 1 111 ~6700(508: 11 А) 1600; 130* 50,18 - 1сп=40 1 1 ~"°*·!!l--t-""'.:3-mmrmtг.'•Иt.'.•5 '1 1000...2500 (1 А) 1 ~ 1000...2500 (1 А) 1 11 1 250** 250** 50,35 1· - 5100; 5100* $t.',;" С-11411-11ооо.:...'-' :S0,5 - :SIOO; :5100* 19 _1,1 1 1 2.5~-4--1-Е-=2=5 ~·----
422 Раздел 3. Полевые транзисторы Рснmал' UЗlloтc' UСИmал' lc, Тип Структура мВт u;H пор' u~maл' UЗllmaxt 1~.и• lсиач' прибора p~llтmaxt в l~ост, мА Вт в в 1 мА i ! КП705А сп-каналом 125* - 1000; 1010* 30 5,4А;6*А $7; $10· КП705Б 125* - 800; 840* 30 5.4А;7*А $7; $10* КП705В 125* - 800; 800* 30 5,4А;7*А $15; $5* КП706А пМОП 100* - 500 30 22А I; 4* (500 В) КП706Б 100* - 400 30 1 22А 1; 4* (400 В) КП706В 1 100* - 400 1 30 1 22А 1 1: 4• (400 В) 1 i 1 1 i 1 1 1 1 1 i 1 1 1 КП707А С изолированным затвором, 100* 5 400 ±20 25* А $25; $1 * с п-каналом КП707Б 100* 5 600 ±20 16,5* А $25; $1 • 1 1 КП707В 1 100* 5 750 ±20 12,5* А $25: $1 • ' 1 1 ! 1 1 КП707Г 1 100* 2" .5 1 700 ±20 1 8*А $0,1 КП707Д 1 100* 1 2".5 1 500 ±20 8*А $0,1 КП707Е 1 100* 2".5 750 ±20 8*А $0,1 КП707А1 пМОП 60* 2".5 400 ±20 6 (25*) А $25* мкА (400 В) КП707Б1 60* 2".5 600 ±20 4 (16.5*) А $25* мкА (600 В) КП707В1 55* 2".5 800 ±20 3 (12,5*) А $25* мкА (750 В) КП707Г1 60* 2".5 • 700 ±20 8*А $25* мкА (400 В) КП707Д1 60* 2".5 500 ±20 12* А $25* мкА (600 В) КП707Е1 50* 2".5 750 ±20 8*А 1 $25* мкА (750 В) i : : КП707А2 1 пМОП 1 50* - 350 i ±20 2А ! $0.1: $0Г КП707В2 1 50* 1 2".4 .5 800 1 ±20 1 3.5 (9*) А !$25• мкА(800В) 1 ! 1 1 ; 1 1 i 1 i ' 1 i 1 1 1 ! i 1 1 i КП708А С изолированным затвором 75* 2" . 4,5* 500 ±20 4,5 А 0,5 КП708Б и 11-каналом 75* 2" . 4,5* 500 ±20 4,5 А 0,5 КП709А 1 С изолированным затвором, 1 75* 2".4 600 ±20 4,5А;18*А1 $0,5 КП709Б с п-каналом . 75* 2".4 600 ±20 4,5А;14*А 1 $0,5 КП709В 1 75* 2".5 600 ±20 3,5А;16*А 1 $0,25(20В) КП709Г 75* 2".5 500 ±20 4,5А:18*А 1 $0,25(20В) КП709Д 1 75* 2" .5 500 ±20 4А;14*А $0,25 (20 В) 1 1 КП710 пМОП 36* 2" .4 400 ±20 2 (6*) А $25* мкА (400 В)
Полевые транзисторы 423 Rснотк' Ом Кш, дБ f 11кл, НС cllн' с~2н' к;!" дБ U~, мкВ f:ыклt НС S, мА/В с;;,, пФ Р•ых' Вт Е:, нВ/..jfЦ (",МГц Корпус лu;~·. мв Q···, Кл ЛU 3и/лт·", мкв/·с 1 21000 (30 В; 2 А) 1 1500 (50 В); 20* s4,3 1 s60; s80* КП705 - 21000 (30 В; 2 А) 1500 (50 В); 20* s3,3 - s60; s80* 21000(30В;2А) 1 1500(50В);20* s3,3 - s60; s80* 27.1 Ю7 1 ...._ ,_ 3И ~No~ .. 1 1 2300(30В;2А) 2500; 300** 0,65 - 70; 100* КП706 2300(30В;2А) 2500; 300** 0,44 - 70; 100* 2300(30В;2А) 2500; 300** 0,6 - 70; 100* 1 с~и ! -~ 1 ~ "" ~~+r ~' '~ 1 (t"-и 1 6..1 21..,. - 1 1 21600 (20 В; 3 А) sl600 (25 В); sl - 1 s80* КП707 s45* 1 21600 (20 В; 3 А) sl600 (25 В); s2,5 - s80* " "' s45* 1 ~~ -~'"- i~1 -- 21600 (20 В; 3 А) sl600 (25 В); sЗ sSO* - -' j~11 - /• s45* 1 ~~ r i..., 1 -,- - Jt'~~ 21600 (20 В; 3 А) 21200 1 s2,5 - 1 - 1 п-т!11 " 21600(20В;3А) 1 21200 1 sl,5 1 ~ - 1 - ! ~~1 i 1 21600 (20 В: 3 А) 21200 s5 - - 1 21600 (20 В: 3 А) s2600; 95* sl - s80* КП707-1, КП707-2 121600(20В:3А) s2600; 95* s2,5 - s80* 21600 (20 В; 3 А) s2600; 95* sЗ - s80* ' 1,8 21600 (20 В; 3 А) :-::1200 s2,5 - - " ' !. 70,65 ~J,5, 21600 (20 В: 3 А) s2600 sl,5 "".~~,., 1,Jl - - .i ± 21600 (20 В: 3 А) s2600 s5 1"1 - - - .,,,.. 1 ~~ ., ,. ..,. - 21500 1200; 200** s5 1 - - 11 21600 (20 В; 3 А) 1200; 200** s2,8 1 - ""'!!:1 11,15 11 ' ,,..- ~ 11 ..... v 1,9 1,1 2.5 - _ 2.5 ' исз 22000 (25 В; 2 А) s650; s70* s0.75 - s50 КП708, КП709, КП710 22000 (25 В; 2 А) s650: s70* sl - s50 ~ 70.55 ~J,5, ' 1,8 22000 (25 В; 2 А) s650 (25 В); s70* s4,6 - s50 ""-,,, 1,37 1 22000 (25 В; 2 А) s650 (25 В); s70* s2 - s50 ~1,,., -± 1500 (25 В; 2,5 А) s950 (25 В) s2.5 1 sЗО; 150* 1~- ,'f 1,,.. 1 1500 (25 В; 2.5 А) s950 (25 В) sl,5 s30; 150* ~..,. 1500 (25 В; 2.5 А) s950 (25 В) s2 s30; 150* ~ • i i 1 i 3Jи ""~ • ! i - :t. "' ..... с 1,15 21(508;1.2А) 1 170; 6,3* 1 s0,36 - ! !сп= 11 1,9 1,1 2.5 - 2.5 ! 1 1 -
424 Раздел 3. Полевые транзисторы 1 1 PC~I ma~ • Тип мВт UЗИотс' UCИmax• Uзиmах• Icr lcначt прибора Структура Р~и т ma~• u;и пор• u~max• в 1~."1' l~ост, мА 1 в в мА 1 Вт КП7128 С р-каналом 200 Вт -2 ...-4* -100 ±20 40А - 1 ! 1 КП712А С изолированным затвором, 50* -2 ... -5 -80 ±20 10А ~1 с р-каналом КП712Б 50* -2 ... -5 -100 ±20 10А ~1 КП712В 50* -2 ... -5 -100 ±20 8А ~1 i КП7130А ДМОП, с п-каналом, 125* Вт 2...4* 600 ±30 6,2 А ::;О,! КП7130Б с обратным диодом 125* Вт 2.. .4* 600 ±30 6,2 А ::;О,1 КП71ЗОВ 125* Вт 2...4; 550 ±30 6,2 А ::;О,1 КП7130А2 i ДМОП, с п-каналом, 2...4* 600 с обратным диодом ±30 ! 6,8А 1 ::;О,1 КП71ЗОА9 ДМОП, с п-каналом, 2...4* 600 ±30 6,2 А ::;О,1 с обратным диодом i 1 1 1 КП7131А-9 Сдвоенный, п-канал 2Вт 1...3* 20 - 3,5 А - 1 1 1 1 1 '
полевые транзисторы 425 1 Rс11от" Ом Кш, дБ tвклt НС cllн' с;2н' к;!'' дБ U~, мкВ t:ык.лt НС S, мА/В с;;", пФ Р••" Вт Е:, нВ/.jfЦ ~·,МГц Корпус лu;;.·, мВ Q"', Кл ЛU3и/лт···, мкВ/"С - - 0,06 - - КП7128 ~ 70.65 i'J.6. 4,8 "'",,...-..., 1,Jt 1 '.i.1"'' - ~ l.lf'т 1 ... ~ 1 ..,,. .... - ' .._, !D 3 и ~- ..... с 1,15 -.~ 1,9 1,1 1 2,5 2.5 ~2000(4В;2А) :51800 (25 В); :S0,25 - 130; 350* КП712 100* ftl ~2000(4В;2А) :51800 (25 В); :S0,3 - 130; 350* и 100* " ':> • ~1800(4В;2А) :51800 (25 В); :S0,4 - 130; 350* ~ 3 100* 22 4700 1300; 160** 1,2 - - КП71ЗО 4700 1300; 160** 1,5 - - 4,8 4700 1300; 160** 1,2 - - ~ 10,65 i'J.6. "'"~v t,п 1 ' 1 "' - t 1 ,...,. 1 1 ... ~ !<'>" .... .... ' _.. .,_ _. .., r~.15 1- .._, ~;--% ~-.... , 2,5 2.5 1,9 1,1 4700 1300; 160** 1,2 - - КП71ЗО-2 ~~r С'8 ~ ' 1 .... '$! Q зси 4700 1300; 160** 1,2 - - КП71ЗО-9 10,28 7,11 4,55 ....- . ~ ... .; "~ ' ' "'11111~ г - N f 3 r__··~~ -- н,,; ~1100 - 0,1 - - КП7131-9 18 :8J ~:~ig" m CI .:EJJ2 ~ ' с; 32 5с. 1 1,75 4
426 Раздел З. Полевые транзисторы ! i i 1 [ 1 ~ р01ш;1л' 1 ' UЗlloн' UСИrш1"' Ic, 1 Тип 1 мВт 1 UЗllmdл' 1 lc иilч' 1 Структура u;и nop' u~rnaл' 1~. Н' 1 прибора р~ltтш.н.' в в в мА 1~ ос,, мА Вт КП7132А ДМОП, с n-каналом, 45* 1 2... 4* 70 ±20 15А ! sl мкА КП7132Б с обратным диодом 45* 2... 4* 55 ±20 15А sl мкА ! 1 1 ! 1 1 1 1 ~ 1 1 ' ! 1 1 i 1 КП7132А1 ДМОП, с n-каналом, 45* 1 2.. .4* 70 i ±20 1· 15А 1 sl мкА КП7132Б1 с обратным диодом 45* 2...4* 55 ±20 15А sl мкА и стабилитронами защиты 1 1 1 i 1 i 1 1 i 1 1 1 1 ~ 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 КП7132А9 ДМОП, с n-каналом. 45* 2.. .4* 70 ±20 15А sl мкА КП7132Б9 с обратным диодом 45* 2...4* 55 ±20 15А sl мкА 1 1 1 1 1 1 i ! 1 1 1 КП7132А91 ДМОП, с n-каналом, 45* 2...4* 70 ±20 15А sl мкА КП7132Б91 с обратным диодом 45* 2... 4* 55 ±20 15А sl мкА и стабилитронами защиты 1 i ! 1 1 1 1 i i 1 1 1 1 1 1 1 1 КП7133А ДМОП, с n-каналом, 125* 2...4* 200 ±20 18А - с обратным диодом 1 ' ! 1j 1 1 ~ 1 ! i 1 i 1! 1 1 ! i 1• i 1 ! il '
Полевые транзисторы S, мА/В 6700 250; 100** 250; 100** 250; 160** 250; 160** 250; 100** 250; 100** 250; 160** 250; 160** 1300; 430** RОlотк' Ом к:.Р• дБ Р:~х' Вт лu;~·. мв s0,09 s0,09 s0,09 s0,09 s0.09 s0.09 s0,09 s0,09 s0,18 Кш, дБ U~, мкВ Е:, нВ/..jfЦ Q··· , Кл tвк.лl НС t:ык.л' НС (",МГц ЛU 311 /лт·". 1 мкв/·с 1 427 Корпус КП7132, КП7132-1 2.5 2.5 1,9 1,1 КП7132 КП7132-1 с с ,-@ з*Э и и КП7132-9, КП7132-91 10,28 7.11 4,55 ~ КП7132-9 КП7132-91 ,~ '~ и и КП7133 4,8 1,9 1,1
428 Раздел З. llолевые транзисторы Рсиmал' UЗИont Ucиmax' Io Тип Структура мВт u;и пор' u~maAt Uзи max' ·~.11• lсиачt прибора р~ИтmаА' в 1~"", мА Вт в в мА i КП7133А9 1 ДМОП, с п-каналом, 125* 2".4* 200 ±20 18А - ~ 1 с обратным диодом 1 1 КП7134А 1 Сп-каналом 82* 2".4* 1 200 i- 9,3 А i - 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 КП7135А Сп-каналом 50* 2". 4* 200 - 5,2 А - КП7136А 1 Сп-каналом 125* 2".4* 400 - 10А - i i1 1 1 1 JШ7137А 1 Сп-каналом 125* 2".4* 500 - 8А - 1 1 1 1 1 1 ! КП7138А ДМОП, с п-каналом. 35* 2".4* 600 ±30 1,4 А :s;0,025 с обратным диодом 1 1 1' 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 .1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1
полевые транзисторы S, мА/В 6700 1300; 430** 3000 1300 5600 4900 229; 32,5** • Rc11 .", Ом к:.Р• дБ Р:~х• Вт лu;;,·, мв ~О.18 0,3 0,8 0,55 0,85 ~7 Кш, дБ U~, м.кВ Е:, нВ/.jfЦ Q·-, Кл tвк.лt НС t:..кл• НС ~:·, Мfц ЛU 311 /лт·". мкВ/"С 429 Корпус КП7133 10.28 7.11 ~ . i КП7134, КП7135 1/,8 1,9 1,1 КП7136 1/,8 1,9 1,1 КП7137 1,9 1,1 КП71З8 1,9 1,1
430 ~1! 11 Тип 1 прибора КП7138А9 1 КП7138А91 ! 1 ! КП7150А 1 КП7150А2 ~ КП7150А9 1 1 ii 1 1 1 ; 1 i 1 1 : ! i : : ' 1 1 1 1 Структура ДМОП, с п-каналом, с обратным диодом ДМОП, с п-каналом. с обратным диодом ДМОП, с п-каналом, с обратным диодом ДМОП, с п-каналом, с обратным диодом ДМОП, с п-каналом, с обратным диодом ! : pCllm.ix' UЗllon·t мВт u;llno11' p~llTIЩIAt Вт в 35* 2".4* i j 1 1 1 1 35* 2.. .4* 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 35* 2... 4* 1 1 i 1 35* 2.. .4* 1 35* 2.. .4* Раздел 3. Полевые транзисторы ! ! ! i 1 1 UCll 1naл' 1 1 •с• 1 ' 1 UЗНшал' 1 IСна•1' u;Cmax' ·~.11' в I~ост' мА в мА 600 ±30 1.4 А S0,025 1 1 1 1 ! 1 1 1 i 1 i i i 1 1 1 1 600 1 ±30 1,4 А S0,025 1 i i ! 1 1 : 1 : i ' ' i1 ! i1 1 60 ±20 1 50А s0,025 1 1 1 1 1 1 1 1 1 !1 1 1 1 60 ±20 50А s0,025 1 1 1 1 ! 1 ! 60 ±20 50А s0.025
Полевые транзисторы S, мА/В 229; 32,5** 229; 32,5** 1900; 920** 1900; 920** 1900; 920** Rc11.," Ом к;!'' дБ Р,ы" Вт лu;;,·. мв ~7 ~7 ~О.028 ~О.028 ~0.028 Кш, дБ U~, мкВ Е:, нВ/.,/fЦ Q···, Кл t,..вкл 1 НС fаык.л• НС (",МГц ЛU311 /лт···. мкВ/'С 1 Корпус КП7138-9 3си КП7138-91 6,6 КП7150А 431 2,37 ;+---" '! 10,65 ,J,6, ............~·8~ 1,~..._,___ КП7150А2 ~~ 1 ==~~15,9 т5 1 ~ D зси КП7150А9 10,28 7,11 4,55
432 Раздел 3. Полевые транзисторы Pcitmaxt UЗ"loтt·t UCИmax• lc, Тип Структура мВт u;l-1 пор• u;Cmaxt Uзи1пах• 1~."1' lc нач• прибора р~Итmахt в 1~""', мА Вт в в мА 1 КП717А пМОП 150* - 1 350 ±20 15А 1 0.25* КП717Б 150* - 400 ±20 1 15А 0.25* КП717В 1 150* - 350 ±20 13А 0.25* КП717f 1 150* - 400 ±20 13А 0,25* КП717Д 150* - 350 ±20 11А 0,25* КП717Е 150* - 400 ±20 11А 0,25* КП717А1 пМОП 170* - 350 ±20 15А 0,25* КП717Б1 170* - 400 ±20 15А 0,25* КП717В1 170* - 350 ±20 13А 0,25* КП717П 170* - 400 ±20 13А 0.25* КП717Д1 1 170* - 350 ±20 11А 0,25* КП717Е1 170* - 400 ±20 1 11А 1 0.25* 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i : 1 i 1 КП718А 1 пМОП 125* - 500 1 ±20 9,6 А 0.25* КП718Б 125* - 450 ±20 9,6 А 0,25* КП718В 125* - 500 ±20 8,3 А 0,25* КП718f 125* - 450 ±20 8,3 А 0,25* КП718Д 125* - 500 ±20 10А 0,25* КП718Е 125* - 450 ±20 10А 0,25* КП718А1 пМОП 125* - 500 ±20 9,6 А 0.25* КП718Б1 1 125* - 450 ±20 1 9,6А 1 0.25* КП718В1 1 125* - 500 ±20 1 8,3А 0.25* КП718П 125* - 450 ±20 1 8,3 А 0.25* КП718Д1 1 125* - 500 ±20 10А 0,25* КП718Е1 125* - 450 ±20 10А 0,25* КП720 пМОП 50* 2.. .4 400 ±20 3,3 (13*) А :S25* мкА (400 В) КП722А пМОП 125* - 200 ±20 22А 0.25* 1 1 1 1 1 1 ' КП72ЗА 1 пМОП 150* - 60 ±20 35А 0,25* КП72ЗБ 150* - 50 ±20 35А 0,25* КП72ЗВ 150* - 60 ±20 35А 0.25* КП72Зf 150* - 50 ±20 35А 0,25* КП724А пМОП 125* - 600 ±20 6А 0,25* КП724Б 125* - 500 ±20 6А 0,25* ! КП725А 1 пМОП 125* - 500 ±20 13А 0,25*
Полевые транзисторы 433 11 1 1 : 1 ' 11 Rc11."• Ом Кш, дБ 1 fвклt НС 1 cllи• с;2и' к;!" дБ U~, мкВ t:ыкл' НС S, мА/В с;;", пФ рвы~• Вт Е:, нв/..jfЦ ~·,МГц Корпус лu;~·. мв Q'", Кл ЛU 311 /лт···, мкВ/'С В·103 - 0,3 - - КП717 вооо - 0,3 - - 27,f 7000 - 0,35 - - с 7000 - 0,35 - - - .... 3и 6000 0,4 N t::) оо - - - - "" 1 6000 1 0,4 : /, - - - ..., - ,, i i 1 ! 1 ' 1 ! В-103 1 - 0,3 - 1 - КП717-1 ~ 8000 - 0,3 - - ~~r 7000 - 0,35 - - 7000 - 0,35 - - 6000 - 0,4 - - 6000 - 0,4 - - "" t:! ' .... "${ о зси 2700 1 - 0,6 - 1 - КП718 11 2700 - 0,6 - 1 - 27.f ~ 2700 1 - о.в - - 1 . 3и 2700 0,8 1 ~~ .. - - - 2700 - 0,5 - 1 - 1 2700 1 - 0,5 - - 2700 - 0,6 - - КП718-1 2700 - 0,6 - - ~~r 1 2700 - о.в - - 2700 - о.в - - 2700 - 0,5 - - 2700 0,5 ""~ ' - - - ' 1 .... i "${ о зси i . 1 ' 1 ~1700(50В;2А) 1 490; 47* 1 :51 .в - tсп= 15 КП720, КП722 1 1 27.f ~ - .... 3и 9000 - 0,12 - - =~ .. 10000 - О,02В - - КП723, КП724 10000 - О,02В - - :! 10,65 ,J,G, 4,8 10000 - 0,035 - - -v 1,37 1 10000 1 0,035 1 - - - .i 1,, t 1_,, .. - 1 1 1 С111 ц:~ 2000 - 1,2 - - ..... .... - 2000 - 1 - - .... .,.,,·~ з t~15 :i '4W с 2.5 - 2.5 1,9 1,1 7ВОО - 0,4 - - КП725 27.1 ~ - .... 3и 1 =~ ." 28зак9
434 Раздел 3. Полевые транзисторы 1 1 i ~ Pcllma).t UЗlloтc• Uotm.ax • lc, i 1 Тип Структура мВт u;ll пор• u;Cmaxt UЗИшах• 1~. ~" lсн"ч• прибора p~llтma'' в I~ос:т• мА Вт в в мА 1 КП726А пМОП 75* 2.. .4* 600 ±20 4А;16*А 0,25* (600 В) КП726Б 75* 2... 4* 600 ±20 14,5А;18*А 0.25* (600 В) 1 ' 1 1 1 ' ! ' ! i 1: 1 i f. 1 ' '1 1 1 : : 1 ' ~ ! ! ! 11 i 1 1 ! КП726А1 1 пМОП 75* 2.. .4* 600 1 ±20 1 4А;16*А 0,25* (600 В) КП726Б1 75* 2.. .4* 600 ±20 14,5А;18*А 0,25* (600 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ' 1 1 1 1 ' 1 1 КП727А 1 пМОП 40* 2.. .4 50 ±20 14А $0,25* КП727Б 90* 2... 4 50 ±20 2,6 А :">0,25* КП727В 90* 2.. .4 50 ±20 ЗА s0.25* КП727Г 90* 2.. .4 50 ±20 4А s0.25* КП727Д 75* 2.. .4 50 ±20 З.З А s0.25* 1 1 1 1 1 11 1 i КП727Е пМОП 90* 2.. .4 50 ±20 1 ЗА s0.25* IКП727Ж 1 90* 2.. .4 50 ±20 1 2.6 А s0.25* i 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 1· 1 i
Полевые транзисторы ~!1 n 1 1 S, мА/В 2500 (25 В: 2.8 AI 2500 (25 В: 2.8 А) г9300 г!ООО гlООО г1500 г2100 гlООО гlООО 26* 1 1 i1 $1050 $1050 $1050 $1050 - - 1 1 ! Rсиотк1 Ом к:Р• дБ Р:;~, Вт лu;~·. мВ $2 $1,6 $2 Sl.6 $0,1 $4 $3 S2 $3 $3 $4 Кш, дБ u:, мкВ Е:, нВ/..jfЦ Q···, Кл - - 1 1 1 t." •• нс 1 t••". нс 1 (.МГц ЛU 311 /лт···, мкВ/"С : sl50• i $150* 1 Sl50* :::;150* 1· i i1 1 ! 1 - - 1 ! 1 i1 1 435 Корпус КП726 :;. 10,55 'IJ.6. .,....,,_ ..._.в__ -v f,J7 1 " 1 ..u'l .У! lят 1 ~-~- 1 -± КП726-1 10,28 КП727 (А-Д) 1,1 1 з 1 и КП727 (Е, Ж) ~;: . :Фзt: 1 1 1' [ ,-@ и
436 Раздел З. Полевые транзисторы ii ' 1 1 li 1 PCJl1n<1:>.' Uзи отс• Uси ma)(, lc, 11 Тип Структура мВт u;и noμ 1 u~milx' UЗJI max' 1~.11' lcнач1 прибора р· в 1~"", мА CJI т in.н' в в мА Вт КП728А пМОП 75* 2...4* 800 ±20 ЗА s0,25* ' 1 1 1 ll КП728Гl пМОП 75* 2...4* 700 ±20 ЗА - КП728СI пМОП 75* 2...4* 650 ±20 ЗА - КП728ЕI пМОП 75* 2.. .4* 600 ±20 З,З А - 1 J1 1 i КП728Г2 1 пМОП 75* 2...4* 700 ±20 ЗА - КП728С2 пМОП 75* 2...4* 650 ±20 ЗА - КП728Е2 пМОП 75* 2.. .4* 600 ±20 З.З А - 1 1 1 ,1 1 1 КП730 пМОП 74* 2...4 400 ±20 5,5 (22*) А s25* мкА (400 В) 1 li,, 1 11 :1 1 1 11 1 1 11 1 КП730А Биполярный транзистор 200* З.. 5.5 Uкэ=1200 Uзэ=±20 lк=45 s25* (1200 В) с изолированным затвором (90*) А с п-каналом :1 1_КП731 Биполярный транзистор 160* З ... 5.5 Uкэ=600 Uзэ=±20 Iк=40 s25* (600 В) 11 j с изолированным затвором 1 (80•) А 1 ,! 11 1 !1 1 с п-каналом ! 11 1 1 1 li 1 1 1 11 1 11 1
Полевые транзисторы 437 ,.,, RCllo"' Ом Кш, дБ tsкл• НС 1 С1111• С~2н• к:Р' дБ U~, мкВ f:ыкл• НС S,мА/В с;;•• пФ Р:~,. Вт Е:, нв/.ДЦ \",МГц Корпус лu;~·. мВ 1 Q···, Кл лu311 /лт···, 1 мкв/·с <:1000 - s3 - - КП728 . ~~ 5 т C'lf $:::! • .... ~· - о зси - 1 - 5 - - КП728 (П-ЕI) - - 4 - - - - 3 - - ~ 70.65 '13,6, 1/,8 "'~/ 1,JI 1 ' .t 1 ..i,,1 -~ ;t IJfr 1 "" ~ ! .,.,. CQ" ..... ... ~ ~•·., ,, ,... ... с 1,15 .... ' 11 1 2.5 -1 2.5 7,9 1,1 1 i ~ - - 5 - - КП728 (Г2-Е2) - - 4 - - - - 3 - - 10.28 7,11 ~ ~ 3 5 ..,• ' - :~11с~ г 1 3 ~- ··~~-- ... и 1 1 ;е:2900 (50 В; 3.3 А) :S2600; 95* SI - tсп=15 1 КП730 1/.8 ~ 10,65 ,J,6, - ' "' -,,, 1,Jl 1 .t 1 ,.,..1 - ~ ·'* .... 1 "" ~ .,.,. CQ' ..... 1 .._ 14' ~1wи ~· .... с 1,15 2.5iт2.5 1,9 1,1 1 1 : 1 1 1 ;е:7500 (100 В; 25 А) s2400; 28* Llкэн=sО, 116 - :S4SO• КП730А, КП731 '1 ~ 70.65 '13,6, 1/,8 1 "' -v1,Jl 1 .i 1 ,.,... -! .... 1 "" ~ ~- CQ" ;е:9200 ( 100 В; 24 А) sl 500; 20* Uкэн=:SО, 15 - :S410* .... ... :ю 3~ и ~"' с 1,15 1 2.5 7,9 1,1 2.5 11 !
438 Тип прибора 11КП731А :,IКП731Б ~КП731В ~~ КП733А КП733Б ijКП733Г КП733Д I КП733В-1 ii 11 1' ·' 11 ~ '1 КП734А КП734Б КП734В 1 1 i1; ~!1 il1• r'' ll734A-l П734Б-1 1 1!1 i! 1 1 Структура 1 С изолированным затвором, 1 1 1 1 - n каналом, с защитным ДИОДОМ пМОП пМОП пМОП пМОП пМОП пМОП пМОП 1 1 Pcltm.н.• мВт p~lt тm.1~• Вт 36 Вт 36 Вт 36 Вт 125* 125* 125* 125* 1* 72* 72* 72* 72* 72* 1 1 Uз11 от~• u;JI пор• в 2.. .4 2.. .4 2.. .4 2.. .4* 1... 2* 2.. .4* 2.. .4• 2.. .4* 1... 2 1... 2 1... 2 1... 2 1... 2 1 1 1 11 ! 1 Uotmax• u;Cmax• в 400 350 400 400 400 600 650 550 60; 60* 60; 60* 15; 15* 60; 60• 60; 60* 1 1 1 1 1 ! : i 1 1 1 ! i ' Раздел 3. Полевые транзисторы Uзн 1n",• в ±20 +-20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±10 ±10 ±10 ±10 ±10 1 i1 1 1 1 1 1 1 i ' 1 lc, 1~.11• мА 2А 2А 1.7 А 1.5 (6*) А 1.5 (6*) А 5*А 4•А 500 (2000*) 19А 18А 19А 19А 18А ! ! i1 1 1 1 1 1 1 1 ' ! lсн.11•1• l~ос:т• МА s0.25 (400 В) <_О.25 (350 BJ s0.25 1400 BJ so.1 · sOY :50,1* so.1 • so.1 • 1550 BJ :50,25 :50,25 s0.25 $0,25 :50,25 ~ 1 1 1 11 ~ '1
Полевые транзисторы 439 Rc1toт.• Ом Кш, дБ taк.n• НС cllн• с~2н• к;!" дБ U~,мкВ f:ыклt НС 1 S, мА/В ~·.МГц Корпус 1 с;;", пФ рвых• Вт Е:, нВ/.JfЦ лu;:i·. мВ Q···, Кл лu311 /лт·", мкв/·с ;е:!ООО (25 В; 1.2 А) :5250; 20* :53,6 - :545* КП731 ;е: 1000 (25 В; 1,2 А) :5250; 20* $3,6 - :545* ;е:!ООО (25 В: 1.2 А) s250; 20* 1 :55 - :545* 1 :r 70.65 1/,8 j 1 -~.S,,з1 1 1 • 1 ,..., -~ . VI ,,,.. ... са ....-...- ... ..... ·~ 31 tИ 1 ~-..., с 1.15 1 1 1 , ..... 1,9 1,1 1 1 2д 2.5 1 ! 1 1 - 1 i ;е:500 (20 В; 1 А) :5400; 15* 1 $3,6 - tсп:580 КП733 ;е:500 (20 В; 1 А) :5400; 15* 1 $3,6 - tcnS80 ;е:500 (20 В; 1 А) :5400; 15* $4,4 - tcnS80 :r 1D,65 tJJ,G, 1/,8 ~500(20В;1А) :5400; 15· $5 - 1сп:580 -v 1,37 1 .i 1'1 -~ '"" ... са ....- ...- ..... ... .. ~311и 1 ~.... с 1,15 1 :1 1 1,9 1,1 2.5 - 2.5 ~ - ;е:500 (20 В; 1 А) :5150** (25 В); :510 - tcnS80 КП733-1 :515* (25 В); ~1~~ 1 1 ' ,. 1 ;J 11 !j 1 НЗС 1 - :51000; 400** :50,05 - !- 1 КП734 1 11 - :51000; 400** 1 s0.06 - i- 1 1 - $l000; 400** 1 :50,02 - 1 - 1 "'t. 7D,65 tJJ,G, 1/,8 1 - 1 - "', -V1,П 1 1 1 1 1 ' .i ! - - 1 "'' 1 '""' - - 1 - ... са ! 1 - - ....- '<$' ..... - - - - ..... ·~ 31 и :!:' ..., с 1,15 2д 2.5 7,9 1,1 1 - :51000; 400** :50,05 - 1 - 1 КП734-1 - :51000; 260· 1 s0,06 - ! - i 1 1 - 1 - 1 6,6 ~1 ! 1 1 - 1 - i 5,2 r- ~ ~ 1 - - 1 L'' 1 1 1 11 1 1 1 1 1 !1 ! i 1 1 1 1 ! <D 1 ~·' ' ' 11 t~ -t шс 1 3 4,55 и 1 1
440 Раздел 3. Полевые транзисторы ri pCllma"' 1 ! l 11 Тип мВт Uз~toтt' 1 UCJlmaлt U3Jlma1.1 lc, 1 lcнач1 !I прибора Структура р· u;ll пор• u~ma).• в 1 ·~·~1• 1~~" мА 1 Cll тmах• в в мА 1 ., Вт 1 '1 ! i 1 IКП735А пМОП 100* 2.. .4 60; 60* ±20 48А s0.25 1 КП735Б пМОП 100* 2.. .4 60; 60* ±20 42А s0.25 КП735В пМОП 100* 2.. .4 50; 50* ±20 48А $0,25 КП735Г пМОП 100* 2.. .4 50; 50* ±20 42А $0,25 1 1 1 КП737А 1 С изолированным затвором, 74 Вт 2.. .4 200 ±20 9А s0,25 (200 В) КП737Б 1 n·каналом. с защитным 74 Вт 2.. .4 250 ±20 8,1 А s0,25 (250 В) КП737В ДИОДОМ 74 Вт 2.. .4 250 ±20 6,5 А s0.25 (250 В) КП737Г 74 Вт 1... 2* 200 ±10 9А - 1 КП739А С изолированным затвором, 43 Вт 2...4 60 ±20 1 10А 1 - КП739Б n·каналом, с защитным 43 Вт 2.. .4 60 ±20 1 10А - КП739В ДИОДОМ 43 Вт 2.. .4 60 ±20 8,3 А - КП740 пМОП 125* 2.. .4 400 ±20 10 (40*) А s25* мкА (400 В) 1 i 1 1 1 КП740А \С изолированным затвором, 60 Вт 2.. .4 60 ±20 17А - КП740Б n·каналом. с защитным 60 Вт 2.. .4 50 ±20 17А - КП740В 1 диодом 60 Вт 2.. .4 60 ±20 14А 1 - 1 1 1 1
Полевые транзисторы 441 Rc110," Ом Кш, дБ t,.,,, нс cllнl с;2и' к;.Р, дБ U~, мкВ t:ык..,, НС S, мА/В с;;.. пФ Р 8:,, Вт Е:, нВ/.jfЦ (",МГц Корпус лu;~·. мв Q···, Кл ЛU3и/лт···, 11 1 мкВ/"С ~- 1 $1800; 800* $0,025 - ' - КП735 '· - 1 $1800; 800· $0,028 - - - 1 $1800; 800* $0,025 - - 10, 7 r - $1800; 800* $0,025 - - - - ~· ~~ ~·"'= lq, Lm ,,... ..... D ' зси 23800 (25 В; 5,4 А) 1 $1300 (25 В) $0,4 - $59* КП737 23600 (25 В; 5, 1 А) $1300 (25 В) $0,45 - $62* 22500(25 В;4,1А) ~1300 (25 В) ~О.68 - $62* ~ 70.65 fiJ,G, ' 1,8 - 1 - 0,4 - - С\О ~i:... l]l 1 • 1 " r [.:in ! 1 .'l ..... 1 - Со 11:) ...,. .... - ~ _,__ ... ~~ ~ ~.15 2.s 1'Тf 25 1,9 1,1 26000 (6 В) - $0,2 - - КП739 22400 (50 В: 6 А) - $0,2 - - i 22400 (50 В: 5,8 А) - $0,3 - - ~ 70.65 (JJ,G, ' 1,8 i С\О ~/ 1,Jt 1 " 1~ - tt .t 1..,.. 1 Со ~- ...,. - .... ~t-~l~w~.15 ., ,,... ...... 2.s i'H 25 1,9 1,1 - 25800 (50 В; 6 А) $1400; 120* $0,55 - tcn=24 1 КП740 1 ~ 70.65 r/JJ,G, '1 ,8 С\О~1/1,П1- " f [.:in -~ .'l .,., 1 Со 11:) ...,. .... - .... tНlw~.15 . ,;:,.• .. .... 2.s 7Н 25 1,9 1,1 24500 (25 В; 10 А) - $0,1 - - КП740 (А-В) 25000(1.5В:9А) 1 - 1 $0,1 - - 1 $0,12 ' lf,8 - - - - :s- .,!!:!!_ r/JJ,G, 1.; 1,Jt 1 .Ж ..u<J -~ IJf"t ' 1 Со 11:) 1 ...,. .... - ....~3tИ .,,,...... с 1,15 .. .... 2.5 25 7,9 1,1
442 Раздел З. Полевые транзисторы 11 : pCllmaxl Uзи от{' UcИm.;ixl •с• Тип Структура мВт u;и пор' u;Cma).I Uзнmа).' 1~. }jt lc иач' прибора p~llтmd).I в 1~"''' мА Вт в в мА КП741А С изолированным затвором, 190 Вт 2...4 60 ±20 50А - КП741Б n-каналом, с защитным 150 Вт 2.. .4 50 ±20 50А - диодом 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 КП742А С изолированным затвором, 200 Вт 2...4 60 ±20 75А - КП742Б n-каналом, с защитным 200 Вт 2.. .4 50 ±20 80А - ДИОДОМ 1 1 i 1 i 1 1 1 КП74ЗА nМОП 43 Вт 2.. .4 100 ±20 5.6 А - КП74ЗБ nМОП 43 Вт 2.. .4 80 ±20 5.6 А - КП74ЗВ nМОП 43 Вт 2.. .4 100 ±20 4,9 А - 1 1 1 1 ! . 1 i 1 1 1 1 ! 1 11 i~I~~~-+-~~~~~~---+~~~~1--~~-1--~~......._~~-+-~~~-+-~~~~-1 ~КП74ЗАI КП744А КП744Б КП744В 1 КП744f 1 КП745А КП745Б КП745В КП745f nМОП nМОП nМОП nМОП nМОП nМОП nМОП nМОП nМОП 40 Вт 60 Вт 60 Вт 60 Вт 60 Вт 88 Вт 88 Вт 88 Вт 88 Вт 2.. .4* 2... 4 2.. .4 2.. .4 1... 2 2.. .4 2.. .4 2.. .4 1... 2 100 100 80 100 100 100 80 100 100 ±20 ±20 ±20 ±20 ±10 ±20 ±20 ±20 ±10 5,5 А 9,2 А 9,2 А 8А 9,2 А 14А 14А 12А 15А
Полевые транзисторы S,мА/В · 227000 (25 В: 43 А) 227000 (25 В; 32 А) 225000 (40 А) ~21300(50В:3,4А)1 ~ 21300 (50 В: 3,4 А) 11 21300 (50 В: 3,4 А) 21500 (24 В: 4 А) 22700 (50 В: 5.6 А) 22700 (50 В: 5.6 А) 23200 (50 В: 5,5 А) 1 25100 (50 В; 8,3 А) 25100 (50 В; 8,3 А) 25100 (50 В: 8,3 А) 26400 (50 В; 9 А) !. Rc110"• Ом к:.Р• дБ Р:~", Вт лu;~·. мв $0,018 $0,024 $0,014 $0,012 $0,54 $0,54 $0,74 0.54 $0,27 $0,27 $0,36 $0,27 $0,16 $0,16 $0,23 $0,22 Кш, дБ U~, мкВ Е:, нВ/JfЦ Q.", Кл ' t,.,,. нс 1 t;"'"'' нс 1 ~-. мrц 1 ЛU311 /лт·". I мквt·с 1 443 Корпус КП741 1/,8 i ..... ~~llШ ['~~,,_,,_~**- - 1,9 1,1 КП742 ~-~У ~~ ·1 зси 1 КП743 1 1/,8 1,9 1,1 КП743-1 КП744, КП745 1,1
444 Раздел 3. Полевые транзисторы pCllmdA' u311oтtl Ucнma1.' lc, Тип Структура мВт u;ll nopl u;CmaAI UЗИmaxl ·~. lfl ICHd'I ' прибора p~llтmaxl в ·~()(тl МА Вт в в мА КП746А пМОП 150 Вт 2.. .4 100 ±20 28А - КП746Б пМОП 150 Вт 2... 4 80 ±20 28А - КП746В пМОП 150 Вт 2.. .4 100 ±20 25А - КП746Г 1 пМОП 150 Вт 1... 2 100 ±10 28А - 1 1 1 КП746А1 Сп-каналом 150 Вт 2... 4* 100 ±20 28А - КП746Б1 Сп-каналом 150 Вт 2.. .4* 80 ±20 28А - КП746В1 Сп-каналом 150 Вт 2.. .4* 100 ±20 25А - КП746Г1 Сп-каналом 150 Вт 1... 2* 100 ±10 28А - КП747А пМОП 230 Вт 2.. .4 100 ±20 41А - 1 КП748А пМОП 50 Вт 2.. .4 200 ±20 3,3 А - КП748Б пМОП 50 Вт 2.. .4 150 ±20 3,3 А - КП748В пМОП 50 Вт 2.. .4 200 ±20 2,6 А - КП749А пМОП 50 Вт 2.. .4 200 ±20 5,2 А - КП749Б пМОП 50 Вт 2.. .4 150 ±20 5,2 А - КП749В пМОП 50 Вт 2.. .4 200 ±20 4А - 1 1 1 ~ КП750А 1 пМОП 125 Вт 1 2.. .4 200 1 ±20 18А 1 - :1 1 КП750Б 1 пМОП 125 Вт 2.. .4 150 ±20 1 18А - 1 1 КП750В 1 пМОП 125 Вт 2.. .4 200 1 ±20 16А - КП750Г пМОП 125 Вт 1... 2 200 ±10 18А - 1
Полевые транзисторы 445 Rc 110," Ом Кш, дБ tнклt НС cllн' с~2и' к;-.'" дБ U~, мкВ t:ык.п• НС S, мА/В с;;", пФ Р 11ы).' Вт Е:, нВ/../fЦ (',МГц Корпус лu;~·. мв Q'", Кл лu,11 /лт"·, мкв/·с ~8700 (50 В; 17 А) - s;0,077 - - КП746 ~8700(50В; 17А) 1 1 - s;0,077 - - "'"!. 70.65 - 1/,8 1 ~8700 (50 В; 17 А) - s;O,l - - "" ,_iJ.S,,зт 1 ~12000 (50 В; 17 А) - s;0,077 1 - - l 1 .i 1 ,u.oi - 1Я't" ... ~ ! ~- ...- - ~·~31и ~-... с 1,15 .. .. 2.5 2.5 1,9 1,1 ~8700 (50 В; 17 А) - s;0,077 - - КП746-1 ~8700 (50 В; 17 А) - s;0,077 - - 6.6 2)5 ~8700 (5~В; 17 А) 1 - s;O,l - - 0,5 ~ - s;0,077 - - ~ 5.2 ' L -.. ' - 1 - ~ ,___ 1 - .. .. $:::! IQ" 3..., 1~ [ '(и fr~ 1,1 ~- 0.8 1.i ·57 " ~1300 (20 А) - s;0,055 - - КП747 ~ 1 1 :~r ~ 1 ~ ' 1 ~ зси ~800 (50 В; 1,6 А) - -5 .l,5 - - КП748 ~800 (50 В; 1,6 А) - -5 .l,5 1/,8 ~800 (50 В; 1,6 А) - s;2,4 "'"!. 70.65 fJJ.6. °'"L~(/ f,Jt 1 1 .i 11 ,u.oi - ~ Г\Я't" 1 ... ~ ! 1 ...,- .... - 1 1 1 1 ~~15 .... 1 ~~3 ~-l'C с .... ~ . 1,9 1,1 2.5 2.5 ~1300 (2,5 А) - s;0,8 - - КП749, КП750 ~1300 (2,5 А) - s;0,8 ~1300 (2,5 А) - s;l ,2 "'"!. 70.65 fJJ,6, 1/,8 "" ,..___ v 1,37 1 11~ l l.n- - 1 ... ~ 1 ...,- .... ' ~6700(50В;10А) 1 ' 5.0,18 - - - - ~6700 (50 В; 10 А) - s;0,18 - - ... ~6700(50В; 10А) 1 - s;0,22 - ~·~ 3 и - ~9000(5В;8А) - s;0,18 - ~... с 1,15 - .. .. 1 1 2.5 _ 2.5 1,9 1,1
446 Тип прибора 1IКП750А1 !КП750Б1 ~КП750В1 ,. 1· КП751А 1 КП751Б КП751В ~ '~1 iКП751А1 КП751Б1 КП751В1 ! КП752А КП752Б КП752В 1 1 КП753А 1 КП753Б КП753В Структура Сп-каналом 1 Сп-каналом 1 Сп-каналом i 1 1 1 1 1 1 i ! 1 пМОП 1 пМОП 1 пМОП 1 i !1 1 пМОП 1 1 пМОП 1 пМОП 1 1 1 1 1 1 1 1 пМОП 1 1 пМОП пМОП 1 пМОП 1 пМОП 1 пМОП 1 Potmaxl UЗlfoтtl мВт p~llтm.iAI u;H пор' Вт в 125 Вт 1 2...4* 125 Вт 1 2.. .4• 125 Вт 2...4* 50 Вт 2...4* 50 Вт 2...4* 50 Вт 2.. .4* 1 1 1 50 Вт 2...4* 50 Вт 2.. .4* 50 Вт 1 2...4* 1 1 1 74 Вт 2...4 74 Вт 2...4 74 Вт 2.. .4 74 Вт 2...4 74 Вт 2...4 74 Вт 2...4 Раздел 3. Полевые транзисторы UCl1m.axl •с• UЗll111a\I lc на•~' u;Cma1.I в 1~ 11' l~otт• мА в мА 1 200 ±20 18А ' - 1 ' ' 150 ±20 18А i- 1 200 ±20 16А - i 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 i 1 i 1 1 400 ±20 3,3 А - 1 350 1 ±20 1 3,3 А 1 - 400 1 ±20 1 2,8 А - 1 ! 1 1 ' 1 i 1 400 ±20 3,3 А - 350 ±20 i 3.3 А - 1 400 ±20 1 2,8 А 1 - i 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 400 1 ±20 1 5.5 А - 350 1 ±20 i 5.5 А - 1 400 ! ±20 1 4,5 А - i 1 1 1 1 1 1 500 ±20 1 4.5 А - 1 450 1 ±20 4.5 А - 1 500 ±20 1 4А 1 1 1 - 1 i 1 1
Полевые транзисторы S, мА/В <:6700 (50 8; 10 А) ~ <:6700 (50 8; 10 А) 11 <:6700 (50 8; 10 А) r: ~ r <:1800 (50 8; 1.8 А) <:1800 (50 8; 1.8 А) <:1800 (50 8; 1.8 А) <:1800(508; 1,8А) <:1800 (50 8; 1,8 А) <:1800(508; 1.8А) <:2900 (50 8; 3 А) <:2900 (50 8; 3 А) <:2900 (50 8; 3 А) <:2700 (50 8; 2,5 А) <:2700 (50 8; 2.5 А) <:2700 (50 8; 2,5 А) RСl!отк' Ом к;1" дБ раых' Вт лu;~·. мв $0,18 $0,18 $0,22 $1,8 $1,8 $2,5 $1,8 $1,8 $2,5 $1 $1 $1,5 $1,5 $1,5 $2 Кш, дБ U~, мкВ Е:, нВ/.jfЦ Q.", Кл tlHL~ 1 НС t:ыкл1 НС ~;·,МГц лuз"/лт·". мкВ/"С 3 1,1 3 1,1 Корпус КП750-1 6,б 5.Z КП751 447 4,8 1,9 1,1 КП751-1 6,б 2,J5 0,5 м КП752 4,8 2,5~......_~2=5 1'--•9_.,,~1,_f_ КП753
448 Раздел 3. Полевые транзисторы ·' 1 ,, 1 1: pOlm<1x1 1 11 Тип мВт UЗ~lотс1 Uси ma:>. 1 Uзи rnax 1 lc, lc н<1ч' прибора Структура р· u;и nop1 u;С1ш1х' в 1~.11 • 1~ "'" мА СИ т max1 в в мА Вт КП759А пМОП 50* 2.. .4 500 ±20 2,5 А - КП759Б пМОП 50* 2" .4 450 ±20 2,5 А - КП759В пМОП 50* 2". 4 500 ±20 2,5 А - КП759Г пМОП 50* 2" .4 450 ±20 2,5 А - i 1 r : ~КП760А 1 1 пМОП 74* 2". 4 500 ±20 4,5 А 1 - i1КП760Б пМОП 74* 2". 4 450 ±20 4,5 А - IКП760В пМОП 74* 2". 4 500 ±20 4,5 А - КП760Г пМОП 74* 2". 4 450 ±20 4,5 А - КП761А пМОП 125 2". 4 500 ±20 8А - КП761Б пМОП 125 2". 4 450 ±20 8А - КП761В пМОП 125 2". 4 500 ±20 8А - КП761Г пМОП 125 2". 4 450 ±20 8А - i1 КП771А С n·каналом 150 Вт 2".4* 100 ±20 1 40А - КП771Б С п-каналом 150 Вт 2".4* 100 ±20 35А - КП771В С n·каналом 150 Вт 2".4* 125 ±20 30А - КП775А пМОП 200 Вт 1".2 60 ±20 50А - КП775Б пМОП 200 Вт 1".2 55 ±20 50А - КП775В пМОП 200 Вт 1".2 60 ±20 50А - 1 1 1 i 1 11 КП776А пМОП 125 Вт 2". 4 400 ±20 10А - КП776Б пМОП 125 Вт 2" .4 350 ±20 10А - КП776В пМОП 125 Вт 2" .4 400 ±20 8,3 А - КП776Г пМОП 125 Вт 2" .4 450 ±20 8,8 А - 1 1 1 1 КП777А пМОП 125 Вт 2". 4 500 ±20 8А - КП777Б пМОП 125 Вт 2". 4 450 ±20 8А - КП777В пМОП 125 Вт 2". 4 500 ±20 7А - 1 1 ! 1 1 1 1 1
Полевые транзисторы 449 RCll ••" Ом Кш, дБ tик.л' НС !1 cllн' с;2н' к;Р, дБ U~, мкВ t:ык..,1 НС 1 S, мА/В с;;", пФ Р::,, Вт Е:, нВ/../fЦ ~;·,МГц Корпус 11 1 лu;~*, мв 1 Q"', Кл ЛU 31Jлт"·, мкВ/"С 1 - 360; 92** 1 :0:3 - - 1 КП759, КП760 1· 360; 92** :0:3 - - - 1/,8 - 360; 92" :0:4 - - ~ 70.65 ~3.6, - 360; 92*~ $4 "",~~v 1,37 1 1 ..IJo'l -l 1""" l "" ~ ! 610; 68* :O:l,5 ~- 'с>' - - - - 610; 160** :0:1,5 - - 1 610; 68* :0:2 .,..' l!t 31 и - - - 1 610; 160•~ :0:2 ~-!'<: с 1,15 - ""- 1 1 1,9 1,1 1 1 2.5 2.5 1 - 1300; 120* :0:0,85 - - КП761, КП771 - 1300; 310** :0:0,85 - - - 1300; 120* :0:1,1 - - ~ 7D.65 ~3.6, 1/,8 - 1300; 310** $1,1 - - "",~ i-: -=. -v 1,37 1 - - .t 1 ..IJo'l -l - - ТА"Р 1 "" ~ 1 .,.,. 'с>' - - - 0,04 - - 1 - - 0.055 - - ....·~ 31 и - - 0,077 - - ~- .... с 1,15 ""- 1 2.5 2.5 1,9 1,1 - - - :0:0,09 - - КП775 1 - 1 - :О:О.09 - - 1/,8 ~ 70.65 ~3.6, - - $0,011 - - ""·• i---v 1,31 1 .t 1 ,,и1'1 t ,.,.,. 1 - "" ~ 1 .,.,. 'с>' - .... ·~ 3 и ~-.., с 1,15 ""- 11 i 2,5~ 2.5 1,9 1,1 - ' 25800 (50 В; 5,2 А) - $0.55 - 1 - КП776 25800 (50 В; 5,2 А) - :0:0,55 - - 1/,8 25800 (50 В; 5.2 А) - :0:0,8 - - ~ 70.65 ~3.6, 24500 (50 В; 5,3 А) :0:0,63 ""~~!/ 1,31 1 - - - 1 11 ..u<l l ;(,, .. .. 1 - "" ~ ! ~- 'с>' ... ""\!:: 3 lt~.15 ~-,... с """u 2.5-'. 2.5 1,9 1,1 ~ 1 24900 (50 В; 4,4 А) 1 1 ·[ - :0:0,85 - - КП777 24900 (50 В: 4.4 А) - :0:0,85 - - 24900 (50 В: 4.4 А) 1 - :0:1.1 - - ~ 7D.65 ~3.6, 1/,8 "",~~v 1,П 1 .i ·~· -t .,, .... 1 "" ~ 1 .,.,. 'с>' - .... ""~ 3 lt~.15 ~- ..... с """•u 2,5 2.5 1,9 1,1 1 - - 29зак9
450 Раздел 3. Полевые транзисторы 11 1 - 1 1 1 Рс11111о1>.' Uзн отt·' Ucиrn.i).' Ic, lc11.i•1' Тип Структура мВт u;,. пор' u;Cmoo.t Uз11111,н.' ·~.11' прибора p~llTШd'll;t в l~m·т, мА Вт в в мА !КП778А 1 пМОП 190 Вт 2.. .4 200 1 ±20 30А i - ji ! 1 1 1 КП779А пМОП 190 Вт 2.. .4 500 ±20 14А - 1 1 1 1 1 1 КП780А пМОП 50 Вт 2...4* 500 ±20 2.5 А - КП780Б пМОП 50 Вт 2.. .4* 450 ±20 2.5 А - КП780В пМОП 50 Вт 2.. .4* 500 ±20 2.2 А - 1 :1 1 1 1 1 ~ ! i 1 ~ 1 КП780АС1 Сп-каналом 50 Вт 2.. .4* 500 ±20 2.4 А - ~ 1 р 1 1 1 ~ 1 1 1 1 КП781А пМОП 190 Вт 2...4 400 ±20 16А - 1 1 1 1 1 ~ 1 ii i 1 ! 1 1 ~ 1 1 11 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Полевые транзисторы jl 11 ,1 S, мА/В 29000(15В: 19А) ~ 1 11 i ~25500(15В:7.5А)1 ~21500(15В:1.4А)1 28000 (8 А) 29" Rоtотк' Ом к:Р• дБ Р:~~, Вт лu;;:. мВ s0.085 s0.4 sЗ sЗ s4 3 sО,З Кш, дБ U~, мкВ Е:, нВ/.JfЦ Q"., Кл 1 t"л• НС 1 1 t:ыкл' НС 1 1 (.мru 1 ЛU311 /лт··-, [ мкВ/"С ! 1 .+ ~ ..- • ~I Корпус КП778 451 il 11 11 !1 :::~@115,9 т511 ""~ ' 1 ~ 11 - зис • 1 КП780 11 lj 2.5 2.5 1,9 7,7 КП780·1 2.37 +-----+\ 1 l1 i i 1 3 '4,58 ~· с КП781 1/,8 1,9 1,1
452 Раздел З. Полевые транзисторы Pciimax' 1 1 1 1 Тип мВт UЗ(.lотс' Uси max' UЗll 1n.1A ' lc, lснс1•1' прибора Структура p~llтrn.1x' u;и пор' 1 u~IП&:\t в ·~.11' 1 1~~" мА 1 в в мА ~ ! Вт 1 i i ~ ' ! 1 1' 1 i 1 1 1 КП783А 1 пМОП 200 Вт 2.. .4 55 ±20 70А - 1 1 1 1 КП784А рМОП 88 Вт -2 ... -4 -60 ±20 18А - 1 1 КП785А 1 рМОП 150 Вт -2 ... -4 -1 00 ±20 1 19А - КП786А пМОП 100 Вт 2...4 800 ±20 4А - ! 1 1 КП787А пМОП 150 Вт 2.. .4 600 ±20 8А - КП796А С р-каналом 74* -(2...4*) -250 ±20 4,1 А - 1 1 КП801А 1 С р-п-переходом н 60* -30 75; 110* -35 5А 4500 КП801Б п-каналом 60* -30 75; 90* -35 5А 4500 КП801В 100* -30 110; 150* -40 8А 3500 КП801f 100* -30 140; 180* -40 8А 3000 1
Полевые транзисторы 453 ~ 1 tBКJll НС 1 ~ 1 Rсиотк' Ом Кш.дБ 11 cl\иl с;:?н• к:., дБ U~, мкВ t:ыклl НС S, мА/В с;;и, пФ Р:;", Вт Е:, нВ/.ffЦ ~·. Мfц 1 Корпус лu;,~·. мв Q.", Кл лu 31,jлт·". мкв/·с ::>:44000 (25 В; 59 А) - :50,008 - - КП783, КП784 ... 70.65 1/,8 .._;- - tJ.S,,J7 1 t • 1 ..bl"'"I - .'// lят 1 .,. Q;) 1 i::>:5900 (25 В; 11 А) ...,. 1а· :50,14 - - - - 11 1 ""ю Зi tИ ! 1 ~-с 1,15 1 .. .. 11 1,9 1,1 2.5 25- - ::>:6200 (50 В; 11 А) - :50,2 - - КП785, КП786 :t lD.65 1/,8 1 _,J.G,_37 1 1 v• 1 " 1 "'1 - ! ,fIЯТ1 .,. Q;) ! ~- 1а· ::>:1000 (25 В; 1.5 А) - :53 - - ., ~3 и 1~~ с 1,15 2.5iт25 1,9 1,1 ::>:5000 (25 В; 5 А) - :50,9 - - КП787 ~~r с.о - • ln '${ D зси 2200 - 1 - - КП796 " "1. 70.65 '1J.6f. 1/,8 1 "" '------ / ,37 1 '.i 1 L#I -~i 1 .,,.. 1 ! .,. Q;) ...,. 1а· - --- r~15 ""~ 3 ~- ;-с .... , " . 1,9 1,1 2.5 _ 25 1 ::>:600 (15 В; 4 А) - :52,2 - - КП801 ::>:450 (15 В; 3 А) - :54,4 - - ::>:800 (20 В; 4 А) - :52,2 - - 27.1 ::>:600 (20 В; 4 А) - :52,2 - - с -No- 3.И 1 с-; с::)оо .. .. <;/- 1 1 1 1 1 ..,, - ! ' 1
454 r= il 1 Тип прибора КП802А КП802Б ~:1 1. 11 [!кпsо4л 1 1 КП805А ~ ~КП805Б !кпsоsв li КП809А КП809Б КП809В IKП809f JIКП809Д IКП809Е ~КП809К \ il ~ ~КП809А1 КП809Б1 КП809В1 КП809П КП809Д1 КП809Е1 КП810А КП810Б КП810В 1 КП812А1 КП812Б1 КП812В1 1 1 1 1 1 1 Структура С р-п-переходом и п-каналом i 1 ' 1 1 1 1 i 1 С изолированным затвором. ! с п-каналом ' 1 С изолированным затвором. 1 с п-каналом пМОП ' 1 ' 1 1 1 пМОП 1 1 Биполярный со статической j 1 индукuией. , ! п-канал 1 ! ! 1 1 1 1 пМОП 1 i11 1 1 pCllinax' мВт р· Olтmaxt Вт 40* 40* 2* 60* 60* 60* 100* 100* 100* 100* 100* 100* 150• 50* 50* 50* 50* 50* 50* 50* 50* 50* 125* 80* 70* 1 i i ' 1 i i UЗlloтc' u;,, пор' в -25 -28 :<>4* :<>4* - - - - - - - - - - 2... 4* 2."4* 2".4* 1 1 1 11 ' 1 j f 1 1 1 1 UCИ1na).' u;CmaAt в 500; 535* 450: 480* 60 600: 600· 600; 600* 500: 500· 400 500 600 700 800 750 400 400 500 600 700 800 750 1500 1300 1100 60 60 60 1 1 ! ' 1 ; 1 1 i 1 1 Раздел З. Полевые транзисторы UЗllinaA' в -35 -30 20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 +20 - ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 5 5 5 ±20 ±20 ±20 1 1 1 1 ! 1 1 i 1 ! 1 i ! i 1 i 1 1 1 1 ! 1 ! i i 1 1 1 1 1 1 1 1 ; i •с• i1 ·~".. мА 2,5 А 2,5 А 1 1 i ! 1 1 IA 1 1 1 4А 4А 4А 9.6 (35*) А 1 9.6 (35*) А 9.6 (35*) А 9,6 135*) А 9.6 135•) А 9.6 135•) А 20• А 9.6 (35*) А 9.6 (35*) А 9.6 (35*) А 9.6 (35*) А 9.6 (35*) А 9,6 (35*) А 7А 7А 5А 1 i 50 (200*) А 1 35(68*)А 30 (120*) А 1 ICHd'I ' I~оп' мА 0,5* 0,5* ~ ~,, 11 i ti 'i :<>0,25; :-:;1 • 'i :<>1: :-:;3• ,. JI1 ~ :<>i: :-:;3· ;1 ! :<>1;:<>3• ~ 1 :<>1 мА (400 в'1 $0.25: $1 * i :<>0.25: :-:;1 • ~ :<>0.25; :-:;( • i :<>0.25; :-:;1 • ~ :<>О.25: :-:;1 • i! <025 <1· 1: - . .- ,i 11 :<>0.25: :<>1* :<>О.25: :<>1* :<>О,25; :<>1* :<>О.25; :<>1* :<>О,25; :<>1 * :<>0,25; :-:;1 • - ~ - ,1 - ii i :<>0.25*(60 Б) :<>0.25*(60 Б) :<>0,25*(60 Б) 11 :1 ~~ ~ ri 1
Полевые транзисторы ,i 11 1! 11 1 1 1 1'J 11 '1 1' 1 S, мА/В 2800 (20 В; 3.5 А) 2800 (20 В: 3.5 А) 2800 (10 В: 0.8 А) 22500 (20 В: 2 А) 22500 (20 В: 2 А) 22500 (20 В: 2 А) 21500 (20 В; 3 А) 21500 (20 В: 3 А) 21500 (20 В: 3 А) 21500 (20 В: 3 А) 21500 120 В: 3 А) 21500 (20 В: 3 А) 21500 (20 В: 3 А) 21500 (20 В; 3 А) 21500 (20 В: 3 А) 21500 (20 В: 3 А) 21500 (20 В: 3 А) 21500 (20 В: 3 А) 21500 (20 В: 3 А) - - - 215000 (25 В: 31 А) 25500 (25 В: 24 А) 11 29300 (25 В: 18 А) 1 1 ! 1 !1 ' '1 ! 1 ! i1 i c111r' с~:?и' с;;1,, пФ - - :::200 (25 В) :::25*: :::100·· :::1300 (20 В): :::40* $1300 (20 В); $40* :::1300 (20 В); :::40• :::130** $3000: :::220* $3000: :::220* :::3000; $220* :::3000: :::220* :::3000: :::220· :::3000; :::220· $3000; $220* :::3000; :::220· :::3000; :::220* :::3000: :::220* :::3000: $220* :::3000: :::220* $3000: $220* - - - 1900: 920** 640: 360** 1200: 600** 1 1 ! 1 1 Rснатк' Ом к;е, дБ Р:~,, Вт лu;,~·. мв :::3 $3 $0,6 $2,5 $0,3 :::0.6 $1,2 $1,5 $1,8 :::2.5 $0,15 $0,3 :::0.6 $1,2 $1,5 $1,8 $2,5 0.2 0.2 0.2 $0,028 :::О,035 :::О,05 Кш, дБ U~, мкВ Е:, нВ/$Ц Q.", Кл - - 1 - 1 1 - 1 - 1 - 1 - - 1 - 1 - - - - ! - - - - 1 - tкКJI' НС t:ыклt НС (·,МГц ЛU311 /лт·", мкв/·с :::80::::30* s80:s3o· :::54: $45* 1 1 1 1 : 1 i s 180: :::220· i s 180: :::220* 1 1 1 ! 1 :::180: :::220* tcnSl 00 tcnSlOO tcnSlOO tcnSlOO !cnSl 00 !cnSl 00 !cnSl 00 tcnSlOO !cnSl 00 !cnSl 00 tcnSlOO tcпSlOO tcnslOO 200 200 200 !сп=92 tcn=42 lcn=52 1 1 ! 1 1 i 1 ! 1 i 455 Корпус КП802 27,1 ~ "II" ~;~ : ~\l/ ~ ---т КП804 :Elfi·Ф ;1!: 3 КП805 :mrr ·rnr КП809 ~ r:::s оо "'" .. ._ ! ...,- - КП809-1, КП810 ~~ 5 т сч~ • .... ~- .... D зси КП812-1 ~ 70,65 ~JД 1/,8 t\O - lJI 1 1,9 1,1 1 1 1 i 1 1 1 il 1' jl 1 1 1 1
456 Раздел 3. Полевые транзисторы 1 1 PCll111.:1\' UЗlluнl UCltina\' Ieo 1 Тип Структура мВт u;11.шр' u;Cma'' Uз11 rПd\' 1~. 11' JС1ыч' прибора р' в 1~04..т' мА Cll т 111.-1\' в в мА Вт IКП813А С изолированным затвором J 150* 2,1 ...4 200 ±20 22 (88*) А 1 s0.25*(200 В) 1 КП813Б и п-каналом 1 150* 2.1 .. .4 200 ±20 1 22 (88*) А s0.25*(200 В) !1 КП813f 1 150• 2.1 .. .4 200 ±20 20А S0,25*(200 BI 1 1 1 КП813А1 С изолированным затвором 125* 2,1 ...4 200 ±20 22 (88*) А s0,25*(200 В) КП813Б1 и п-каналом 125* 2,1 ...4 200 ±20 22 (88*) А s0,25*(200 В) 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 КП813А1-5 С изолированным затвором 125* 2.1 .. .4 200 ±20 22 (88*) А s0,25*(200 В) КП813Б1-5 и п-каналом 125* 2.1 .. .4 200 ±20 22 (88*) А s0,25*(200 В) 11 1 1 11 1 1 1 1 I КП814А МОП, п-канал - 1 - зоо 25 1 10А s6 КП814Б МОП, п-канал - - зоо 25 1 12А $6 КП814В МОП, п-канал - - 400 25 8А $6 КП814f МОП, п-канал - - 400 25 10А $6 КП814Д МОП, п-канал - - 500 25 7А s6 КП814Е МОП, п-канал - - 500 25 10А $6 КП814Ж МОП, п-канал - - 600 25 6А $6 КП814И МОП, п-канал - - 600 25 8А $6 КП814К 1 МОП, п-канал - - 700 25 1 5А $6 КП814Л МОП, п-канал - - 700 25 6А s6 КП814М МОП, п-канал - - 800 25 ЗА 1 s6 КП814Н 1 МОП. п-канал - - 800 25 1 4А s6 1 КП814П МОП, п-канал - - 900 25 ЗА 1 s6 КП814Р МОП. п-канал - 1 - 900 1 25 З.8 А s6 КП814С 1 МОП, п-канал - 1 - 950 25 ЗА s6 КП814Т МОП, п-канал - - 950 25 З,6 А $6 КП814У МОП. п-канал - - 1000 25 ЗА $6 КП814Ф МОП, п-канал - - 1000 25 З,6 А $6 КП817А рМОП - - зо - 200* - КП817Б рМОП - - 40 - 150* - КП817В рМОП - - 60 - 100* - 11 1 1 1 i 1 11 1! 1 1 1 ~ 1! 1 11 1 1 1 1 1 11 1 1 1 1 1
Полевые транзисторы 457 1: 1 t11к.1t нс 1 1! Rc11."1 Ом Кш, дБ С1111' С~2•1' к;_., дБ U~, мкВ t:ык.11 НС 11 S, мА/В с;;м, пФ р8ы'' Вт Е:, нВ/.JfЦ ~;·, Мfц Корпус 1 лu;~·. мв Q.", Кл ЛU 311 /ЛТ"., мкв/·с Ji <:9000 (20 8; 10 А) 2700; 540** :>0,12 - !сп:S:140 КП813 <:9000 (20 8; 10 А) 2700; 540** :s:0,12 - !сп:S:140 <:9000 (20 8; 10 А) 2700; 540** :>О,06 - !сп:S:140 27.1 ~ .... ... 3и 1 ~~ .. 1 1 1 1 1 <:5500 (20 8: 10 А) 2700; 540** :s:0,12 - !сп:S:140 1 КП813-1 <:5500 (20 8: 10 А) 2700; 540** :s:0,18 - !сп:S:140 1 ~~ 5 т C\f ~ • .... 1 ~-.... 11 зси ' i j <:5500 (20 8: 10 А) 1 2700: 540** :s:0,12 - !сп:S:140 КП813-5 <:5500 (20 8: 10 А) 2700; 540** :>0,18 - !сп:S:140 1 5,6 0,4 ~rВ т 1300... 3000(308;2,5А) - :>1 - - КП814 1300... 3000(308;2.5А) - :>0,8 - - 1300... 3000(308;2,5А) - :S:l,5 - - 1300... 3000(308:2.5А) - :>1,2 - - 1300... 3000(308;2,5А) - :>2 - - 1300... 3000(308;2.5А) - :>1,3 - - 1300... 3000(308;2.5А) - :>2,3 н ' 1300... 3000(308;2.5А) - :>1.8 -- 1300... 3000(308;2,5А) - :>3 ~ ~ :!· r 1300... 3000(308;2,5А) :>2,5 [] ..,.. ~ - ..... 1300... 3000(308;2,5А) - :>4,2 ~~ 1300... 3000(308;2,5А) :>3 , - 1300... 3000(308;2,5А) - :>4,5 .f,Ф 21,2 1300... 3000(308;2.5А) :>4 - - - 1300... 3000(308;2.5А) - :>4,5 1 1300... 3000(308:2.5А) - :>4 1 1300... 3000(308;2,5А) - :>4,7 i 1300... 3000(30В;2.5А) - :>4 - - :>0,04 - - КП817 - - :s:0,05 - - - - :s:0,15 - - 10,65 lf,8 - - :t _,J.R,_3, 1 v' - - .+ 1 ,., ..1 -~ - - 111 ... Q;i .,.,. <о" ... .,,.'i!i з~ и 11 ~ ..... с 1,15 ,1 ..... v 1,9 1,1 R 1 2.5 25 li 1 1 ~ 1
458 11 i Тип 1 прибора КП820 КП830 КП840 • ~ КП901А КП901Б КП902А il llкп902Б КП902В ' КП903А КП903Б КП903В li·, I КП904А КП904Б КП905А llкпgosБ " iкпgоsв 1 1 КП907А КП907Б КП907В 1 Структура пМОП i11 ! С изолированным затвором и индуцированным п-каналом i С изолированным затвором 1 и п-каналом С р-п-переходом и п-каналом i i1 1 1 С изолированным затвором 1 и индуцированным п-каналом С изолированным затвором 1 и п-каналом 1 ! 1 1 С изолированным затвором и п-каналом Рен rna>.' мВт p~llт111a'' Вт 50* 74* 125* 20* 20* 3,5* 3.5* 3,5* 6* 6* 6* 75* 75• 4* 4* 4* 11,5* 11,5" 11,5* 1 i1 1 i U311 от~' u;ll пор' в 2" .4 2...4 2...4 - - - - - 5...12 1... 6 ,5 1... 10 i! 1 UCИmax' u;Cmax' в 500 500 500 70: 85* 70: 85* 50 50 50 20; 20* 20; 20* 20; 20* 70: 90* 70: 90* 60: 70* 60; 70* 60; 70* 60: 70* 60; 70* 60; 70* ! ! 1 1 1 1 1 1 Раздел З. Полевые транзисторы UЗll 1n. 1A ' в ±20 ±20 ±20 30 30 30 30 30 15 15 15 30 30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 1 1 1 1 1 1 1 1 1 lc, ·~ "' мА 2,5 (8*) А 4,5 (18*) А 8 (32*) А 4А 4А 200 200 200 700 700 700 5А ЗА 350 350 350 2,7 А 1,7 А 1,3 А ! 1 1 J 1 i1 ; ; 1 1 ' 1 1 ! 1 lc н"ч' l~сн-т' мА :50,25*(500 В) :50,25*(500 В) :s:0,25*(500 В) :5200; :550* :5200: :550* :510: :s:0.5· $10: $0,5* :510; :50,5* $700: :50,05 • :5480: :50,05* :5600: :50.05 • :5350; :5200* :5350: :5200* :520: :::;1 • $20: :s:1· :520; $l * :s:IOO; :s:10• :5100; :510* :5100; :510* 1 1
Полевые транзисторы I! il,, 11 S, мА/В 11 1 1 ::>:1500 (50 В; 1.5 А). 1 ::>:2500 (50 В; 2,7 А) ::>:4900 (50 В; 4,8 А) 50... 160 (20 В; 0,5 А) 60 ... 170 (20 В; 0,5 А) 360; 92** 610; 160** 1300; 310** $100; $10* $10* 10... 25 1 $11; $0,6*; $11** 1 !20В;50мАJ 1 1 10".25 1 $11; $0,6*; $11** (20 В; 50 мА) .1 ~ 10... 25 $11; $0,8*; $11** (20 В; 50 мА) .1 85".140 (8 В) $18 1 50".130 (8 В) $18 60... 140 (8 В) $18 250... 510 $300 (30 В) 250... 510 $300 (30 В) 1 1 1. 18".39 $7; $0,6*; $4** ·1 ~!20В;50мА) 18 ...39 $1 I; $0,6*; $4** (20 В; 50 мА) 18".39 $13; $0,8•; $6** (20 В; 50 мА) 110".2 00 $3* (25 В) (20 В; 0.5 А) 100. " 200 $3* (25 В) (20 В; 0.5 А) 80."110 $3* (25 В) 1 !: (20 В; 0.5 А) " 1 ,, RClloт" Ом к:•. дБ Р:~\' Вт лu;;,·, мв $3 $1,5 $0,85 ::>:7* (100 МГц) ::>:10** (100 МГц) ::>:6,7** (100 МГц) ::>:6.6* (250 МГц) ::>:0,8** (60 МГц) ::>:0.8** (60 МГц) ::>:0,8** (60 МГц) ::>:0,09** (30 МГц); $10; ::>:7,6* ::>:0.09* (30 МГц); $10; ;:>:7,6* ::>:0,09* * (30 МГц); $10; ::>:7,6* ::>:50** (60 МГц) ::>:30** (60 МГц) ::>:13* (60 МГц) ::>:1 **; ::>:8* ( 1 ГГц) ::>:6* (1 ГГц) ::>:4* (1 ГГц) ::>:4** (1 ГГц) ::>:3** (1 ГГц) ::>:5** (0,4 ГГц) 1 Кш, дБ u:, мкВ Е:, нВ/../fЦ Q···, Кл $6 (250 МГц) - $8 (250 МГц) $5** (100 кГц) $5* (100 кГц) $5** (100 кГц) - - - $6,5 ( 1ООО МГц) - - - - i1 1 1 1сп=16 1сп=16 1сп=20 - - - - - - - - - - - $2; $2* $2; $2* $2; $2* ! 1 ii 459 1 - - Корпус КП820, КП830, КП840 1/,8 1,9 1,1 КП901 КП902 ш з $ ::~ си по0л. КП903 :i$. КП904 ~~m КП905, КП907 t ~ .. .. 1 !Q. 1 Si °" 20,sc 5,9 12,1 11 ! ' 1 1 ! 1 ·1 ·1 i! :i
460 Раздел З. Полевые транзисторы 1 pCllma>. ' UЗlloп·' UCИmax' •с• Тип мВт UЗ~l 1na>.' JСначt прибора Структура p~JITmd>.t u;и пор' u;Cmax' в ·~·"' 1~ 0.,,, мА Вт в в мА КП908А С изолированным затвором 3,5* - 40; 50* 20 280 :<>25: :<>0,5* КП908Б и индуцированным 3.5 · - 40; 50* 20 200 :<>25; S0,2* n-каналом ' 1 КП921А С изолированным затвором 15* - 45 40 (имn.) 10А 1 :<>2,5 (40 В) и индуцированным каналом 1 КП921Б n-тиnа 15* 2" .8 40 ±40 7А :<>2,5 (40 В) КП922А С изолированным затвором 60* 2".8* 100 ±30 10А 2 КП922Б и индуцированным 60* 2".8* 100 1 ±30 10А 2 КП922В n-каналом 60* 2".8* 100 1 ±30 10А 2 1 1 1 КП922А1 С изолированным затвором 60* 2".8* 100 ±30 10А 2 КП922Б1 и индуцированным 60* 2".8* 1 100 ±30 10А 2 КП922В1 n-каналом 60* 2".8* 100 ±30 10А 2 КП922Г1 60* 2."8* 100 ±30 10А 2 1 КП923А С изолированным затвором 100* - 50; 60* 20 12А :<>50; :<>50* и n-каналом 1 КП923Б 100* - 50; 60* 20 8А 1 :<>50; :<>50* 1 1 1 1 КП923В 50* - 50; 60* 20 6А 1 :<>25; :<>25* 1 1 КП923Г 50* - 50; 60* 20 4А :<>25; :<>25* КП928А С !1Золированным затвором 250* - 50; 60* 25 21А :<>150; :<>150* и каналом n-тиnа КП928Б 250* - 55; 65* 25 16А :<>150: :<>150* 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Полевые транзисторы 1 1 S, мА/В 2:24 (20 В; 80 мА) 2:24 (20 В; 80 мА) :5:4,5 (25 В); :!>0,6* :!>6.5 (25 В); :!>0,6* 800... 1500 (25В;1А) 2:800 i25 В; 1 А) 1 ''""" "280" 1000" .2 100 (1 А) 1000". 2100 (1 А) 1000". 2100 (1 А) i 1 1 1 1000".2100 (1 А) 1 1000" .2 100 (1 А) 1000".2100 (1 А) 1000" .2 100 (1 А) 2:1000 (20 В; 3 А) 2:700 (20 В; 3 А) 2:550 (20 В; 2 А) 2:350 (20 В; 2 А) s2000 (20 В) s2000 (20 В) :!>2000 (20 В) :!>2000 (20 В) s2000 (20 В) :!>2000 (20 В) :!>2000 (20 В) :!>400 (10 В) :!>400 (10 В) s220 (10 В) :!>220 (10 В) 1800(20В;3А) 530 (10 В); 50* 1800(20В;3А) 530 (10 В); 50* Rсио"' Ом к:.Р• дБ Р::х• Вт лu;~·. мВ 2:1 ** (1,76 ГГц) :!>25 $0,13 $0,2 $0,4 SI :!>0,2 s0.4 sl :!>0,17 2:50** (1 ГГц); 2:4* 2:25** ( 1 ГГц) 2:4* sl; 2:25** (1 ГГц) 2:4* :!>3; 2:17** (1 ГГц) ;::4• s0.4; 2:6,2* 2:250** (0,4 ГГц) :!>0,4; 2:6* 2:200** (0,4 ГГц) Кш, дБ U~, мкВ Е:, нВ/../fЦ Q.". Кл i tвкл• НС t:ыкл• НС ~·.МГц лu /лт". зи • мкв/·с $100* :!>100; $100* :!>100; $100* 461 Корпус КП908 ~~}э~Ц:~~н·с 5,9 12, 1 20,5 КП921 :rm-r ·rnr КП922 1 -rffi- з.и slOO; slOO* 27,f ~С i~Otf оо 1 slOO; :!>100* slOO; slOO* SIOO; slOO* slOO; slOO* КП922-1 • •' 11 ~-~- 3~IH1111f'И C-fllll 1,15 1 2.5 -i т2.5 1.'-.;·9 ..i -. i- ..:1,_l _ КП923 3l11Т16ор ~ КП928
462 Раздел 3. Полевые транзисторы Рс11 nы'' U311uн 1 UCИma\I lc, Тип Структура мВт u;ll noμ' u;c ma:>.. 1 UЗllrтш,1 (11, lc на•1' прибора р· в I~OlT' мА Cll т IПil\ 1 в в мА i :1 1 Вт 1 i 1 ! ' ~ ' 1 ; t i1КП931А 1 nМОП 1 20* 800 5А 1 - - - ~ iiКП931Б 1 nМОП i 20* 600 - SA - - 1 1. 11КП9318 1 nМОП 20* 450 - 5А - - 1 11 , 11 1 1 1 IКП932А nМОП 10* 250 - 1 300 i 0,1 0.1 1 1 !1 ' 1 1 11 1 КП934А Со статической индукцией, 40* - 450 5 15А - КП934Б с каналом n-тиnа 40* - 300 5 1 15А 1 - !!КП934В 1 40* 1 400 5 15А 1 ! - i 1 - : 1 1 i ! ;1 1 ! !' 1 ii 11 11 1 КП934Аl Со статической индукцией, 20* - 450 5 15А - КП934Бl с каналом n-типа 20* - 300 5 15А - КП934Вl 20* - 400 5 15А - 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 КП936А С изолированным затвором. 75 Вт - 350 30 1 10А $1,4 (280 В) КП936Б с n-каналом 75 Вт - 400 30 1 7А $1,4 (320 В) КП936В 75 Вт - 350 30 10А $1,4 (280 В) КП936Г 75 Вт - 400 30 1 7А $1,4 (280 В) КП936Д 75 Вт - 300 30 10А $1,4 (260 В) КП936Е 75 Вт - 400 30 1 7А $1,4 (320 В) 1 1 ' 11 1 1 ~ 1 ~ !i ; ,! 11 ! ,, ! ! ii 1 '1 1 КП936А-5 1 С изолированным затвором, 75 Вт - 350 1 30 1 10А 1 $1.4 (280 BJ 1 КП936Б-5 с n-каналом 75 Вт - 400 30 1 7А 1 $1,4 (320 В) КП936В-5 75 Вт - 350 30 10А $1,4 (280 В) КП936Г-5 75 Вт - 400 30 7А sl ,4 (280 В) КП936Д-5 75 Вт - 300 30 10А $1,4 (260 В) КП936Е-5 75 Вт - 400 30 7А $1.4 (320 В)
Полевые транзисторы ' li ~! S, мА/В <:20 <:20 r 55".93 hш=I0".80 (5 А) hш=I0".80 (5 А) hш=I0".80 (5 А) hш=I0".80 (5 А) hш=I0".80 (5 А) hш=I0".80 (5 А) 800".2500 (1 А) 800" . 2500 (1 А) 800" . 2500 (1 А) 800".2500 ( 1 А) 800" . 2500 (1 А) 800" . 2500 (1 А) 800" .2500 ( 1 А) iS00".2500 ( l AI 800" .2500!1 AJ 800" .2500 ( 1 AI 800" .2500 ( 1 А) 800" .2500 ( 1 А) cll11• с;2и• с;;и, пФ - - - - - s2300 (25 В) :52300 (25 В) s2300 (25 В) :52300 (25 В) :52300 (25 В) s2300 (25 В) s2300 (25 В) s2300 \25 В) :52300 (25 В) s2300 (25 В) :52300 (25 В) s2300 (25 В) 1 1 1 1 1 1 RClloтк' Ом к:Р• дБ Р:~\' Вт лu;;,·, мв - - $0, 1 :50,1 sO.I $0,1 $0,1 s0,1 s0.5 s0,85 sl,I Sl,I :50,4 s0,6 s0.5 s0.85 Sl,I Sl,I s0.4 s0,6 1 ! 1 Кш, дБ u:, мкВ Е:, нB/.Jf,.i. Q000 , Кл - - - - - fts"-,, НС t:ык.1• НС ~:·,МГц ЛU 311 /лт·". мкВ/"С 400 1 400 1 1 400 1 1 1 1 :5100; :52500* :5100; :52500* :5100; :52500* 1 ! 1 SI 00; :52500* slOO; s2500* :5100; :52500* :5120* s120• :5120* s120• s120· :5120* s120• s120· s120• s120· s120· s120• 463 Корпус КП931 1 i1 1/,8 ~ 70.65 ·' ,, 1,9 1,1 1 ' з t~15 1.... ~ ~-..,, с 1 .... . 1,9 1,1 2.5 2.5 КП934 27.1 с - .... 3и 11 ~ !:::) оо <:t ! 1, ~ КП934-1 1,9 1,1 КП936 1/,8 1,9 1,1 КП936-5 Nr!JГ"
464 Раздел 3. Полевые транзисторы il 1 1 1 ~ 'i POl1na' -' 1 1, UЗlloтc' UCИrn;ix' 1 Ic, 1' Тип lc н,,~ч' ;i Структура мВт u;ll пор' u;c max' UЗll max' 1~. "' 11 прибора р' 1 в 1~ ост, мА 11 Cll т rn<1"' в в мА 1 Вт КП937А С р-п-nереходом и 50* -15 450; 475* 20 17,5 А - п-каналом 1 IКП937А-5 1 С р-п-переходом и 50* 1· -15 1 450; 475* 1 20 1 17,5 А - 11 1 п-каналом 1 1 11 1 1 КП938А С р-п-nереходом и 50· - 500; 500* -5 12А :>3* КП938Б п-каналом 50* - 500; 500* -5 12А :>3* КП938В 50* - 450; 450* -5 12А :>3* КП938Г 50* - 400; 400* -5 12А :>3* КП938Д 50* - 1 300; 300* -5 12А s3· 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 11КП944А 1 С изолированным затвором 30* -1,5 .. -4,5 50; 50* 20 15А 1 $0,5; $1 * и р-каналом 1 КП944Б 30* -1.5 .. -4,5 60; 60* 20 10А :>0,5; $1 * КП945А С изолированным затвором 30* 1,5 ... 4,5 50; 50* 20 15А $0,5; $1 * и п-каналом 1 КП945Б 30* 1 1,5 ... 4.5 70; 70* 20 10А s0,5; sl • !1 1 1 1 i i 1 1 КП946А БСИТ 40* 1 - 400 5 15А - КП946Б п-канал 40* - 200 5 15А КП948А БСИТ 20* - 400 5 5А - КП948Б п-канал 20* - 300 5 5А - КП9488 20* - 370 5 5А - КП948Г 20· 1 - 250 5 5А - ~ 11 1 1 1 1 1 1 1 ! КП951А-2 С изолированным затвором, 3* :>6* 36;41* 1 20 600 :>1; s2• 1 1 КП951Б-2 с п-каналом 3* :>6* 36;41* 20 600 :>2; $4* КП951В-2 3* s6• 36;41* 20 600 :>2; :>8* 1
полевые транзисторы 465 11 1 RCll0," Ом I Кш,дБ 1 t_.,_,, нс 11 s, мА/В с;;,, пФ Р:~" Вт Е:, нВ/..jfЦ ~.' 1мri;.. 1 Корпус 111 С11"• с:2"• к:Р• дБ U~, мкВ 1 t.~"'·'' нс ••• Q···, Кл ЛUз11 ЛТ , 1 ЛU311 , мВ мквt·с 11·~~--+-~~t--~----t~~--r-~-t-~~~- :1 20*(5В;5А) - $0,07 - - КП937 1 1,1 1 1 1 ~~1~i t-----------+1------; - - -- - - - - -+- - - - - - -j- - - - -+'-----------1'1 1 '20"/5 в, 5А) 1 - 1 <0,07 - 1 - 1 7937.5 0,4 1 фrВТ h21э:?:20* (5 В; 5 А) h21э:?:20• (5 В: 5 А) h21э:?:20* (5 В: 5 А) h21э:?:20• (5 В: 5 А) h21э:?:20• (5 В: 5 А) 1 ~3000(10 В; 4А) :?:3000 (10 В: 4 А) 1 1 1700 (20 В; 1 МГц) 80* (20 В) 700 (20 В; 1 МГц) 80* (20 В) 600 1'2300(3в,2AI 11 1 11 ' 1 :?:2300 (3 В: 2А) 1 1 (25 В; 1 МГц) 150* 600 (25 В; 1 МГц) 300·• ! :?:200 (10 В; 0,5 А) :?:500(IOB; 1,5А) :?:1000 (10 В: 3 А) 30зак9 $0,07 $0,07 $0,1 $0,1 $0,1 $0,15 0,1 0,1 0,15 0,15 0.15 0,15 :?:3** (0,4 ГГц) :?:5** (0,4 ГГц) :?: 15** (0,4 ГГц) $200 $200 $200 $200 $200 90: 120* 90; 120• 60; 180* 60; 180* 80 80 80 80 80 80 КП938 КП944, КП945 6,6 2,J5 0,5 ~ [__ иl- L· 0,5 0,8 КП946, КП948 ~ 70.65 '1J.G. .~~,_.,.·8.__ (\j ~ ....... f,J7 1 • 1 ""1 .w l#'t" 1 ~-~- l -~ 1 1 ~~~~~;..w-111 }~.15 1 2.5-=---+-+о...=2.=5 7. ' --, 9_ . . ,, _ . .1 . _1 _ 1 i КП951-2 20
466 Раздел 3. Полевые транзисторы 1 1 1! Рс11 m11x' 11 UЗ\lон' Uc11ma.1 .' lc, 1 Тип Структура мВт u;flnoμ' u;c rna.1. ' UЗlt m.н' 1~.11' lc н.~ч 1 прибора р· в I~oLт, мА Clt Tlll.t\I в в мА Вт КП953А БСИТ 50* - 450 5 15А - КП953Б п-канал 50* - 300 5 15А - КП953В 50* - 450 5 15А 1 - ! КП953Г 1 300 5 15А 1 50' - 1 - КП953Д 50* - 450 1 5 15А 1 - 1 КП954А БСИТ 40* - 150 5 20А - КП954Б п-канал 40* - 100 5 20А - КП954В 40* - 60 5 20А - КП954Г 40* - 20 5 20А - КП954Д 40* - 60 5 20А - 1 i КП955А БСИТ 70* - 700 5 20А - КП955Б п-канал 70* - 450 5 20А - :1 1 11 !1 11 i ·: ! КП956А БСИТ 10* - 350 5 2А - КП956Б п-канал 10* - 200 5 2А - 1 1 1 КП957А БСИТ 10* - 800 5 IA 1 - КП957Б п-канал 10* - 800 5 IA - КП957В 10* - 1 700 5 1 lA i - ~ 1 ,1 1 ! 1 1 ' 1 1 ' ~ 1 i КП958А БСИТ 70* - 150 5 30А 1 - КП958Б п-канал 70* - 100 5 30А - КП958В 70* - 60 5 30А - КП958Г 70* - 20 5 20А - 1 i 1 ·1 КП959А БСИТ 7* - 220 5 200 1 - ~ КП959Б 7* 200 ! 5 200 ! ,! п-канал - - 11 " 1 КП959В 11 li 7* 1 120 5 200 1 1 li 11 j
полевые транзисторы S, мА/В il i 1 - - ii 1 ~- 1 - - 1 - - - - - - - - - ' ! i 1 ! - i- 1 - - - - зо· 1 1 1 1 i 1 1 RО1отк' Ом к:.Р• дБ Р:~,, Вт лu;~·. мВ 0,06 0,06 0,06 0,06 0,064 $0,03 $0,03 $0,025 $0,025 $0,05 0.8 0,8 0,8 0,02 0,02 0,02 0,02 57 57 57 1 1 1 Кш, дБ U~, мкВ Е=, нВ/.JfЦ Q···, Кл - - - - - - - - - - tвк.11 НС 1 t:ык.~ 1 НС 1 (", Мfц 1 / ••• ,ЛU311ЛТ, 1 мкВ/"С i1 i 1 1 1 ! 150; 50•· 150; 50** 150; 50** 150; 50** 150: 50·· 50; 100·· 50; 100** 50; 100•· 50; 100** 50; 100** 80; 50** 80; 50** 80; 50** 80; 100** 80; 100** 80; 100·· 80; 100** 200** 200** 200** 1 1 ' ' ! 1 i 1 Корпус КП953 ::~~75,9 ~~ 1 ..., ~·.... зси КП954 5 1D - ·8 ~ ...: - ~ КП958 ~~r С\е ~ • ..., '${ D зси КП959 ::::. ·8 ~;: ~-t t~; 467 11 1
468 Раздел 3. Полевые транзисторы Рен 1п.~х• UЗ~I отt• UCHmax• lc, Тип Структура мВт u~~· пор• u~max• U3~1 ffidЛ' 1~.н• •сна•1• прибора p~~I т m.i>.' в в в мА f~ост, МА 1 Вт 1 КП960А 1 БСИТ 7* - 220 1 5 200 - КП960Б 1 р-канал 7* - 200 1 5 200 - КП960В 1 7* - 1 120 5 200 1 - ' КП961А БСИТ 10* - 120 5 5А - КП961Б п-канал 10* - 80 5 5А - КП961В 10* - 60 5 5А - КП961Г 10* - 40 5 5А - КП961Д 1 1 10~ - 20 5 5А - КП961Е 10* - 10 5 5А - ' 1 1 КП962А 1 СИТ, п-канал 10* -15 1 400 -20 2;8*А - 1 1 КП962А-5 СИТ, п-канал 10* -15 400 -20 2;8*А - i 1 1 КП963А СИТ, п-канал 40* - 150 -5 15; 50* А - 1 КП963А-5. СИТ, п-канал 40* - 150 -5 15; 50* А - КП964А БСИТ 40* - 150 5 1 20А 1 - КП964Б р-канал 40* - 100 5 20А 1 - КП964В 1 40* - 60 5 20А - КП964Г 1 40* - 20 5 20А - 1
Полевые транзисторы cllн' с~2и1 S, мА/В с;;и, пФ 1 - - -- - - - 1 1 1 1 - - - - - - - - - - - - i ' 1 1 1 $0,03 (10 А) $0,03 (10 А) Rсиотк' Ом к:r• дБ Р:~х' Вт лu;,~·. мВ 57 57 57 0,16 0,13 0,11 0,10 0,10 0,8 $0.5 $0,5 0.9 0,9 0,03 0,03 0,025 0,025 Кш, дБ U~, мкВ Е~, нВ/.jГЦ Q"., Кл - 1 - - - - - - - - 1 1 1 ! t,,,КJI, нс t:ы..._11 НС (",МГц лu,1.f лт···. мкВ/'С 150** 150*• 150** 40; 100** 40; 100** 40; 100** 40; 100** 40; 100** 40; 100** $100 . 100 400 400 50; 100** 50; 100*' 50; 100•· 50; 100•· 1 i1 1 : 1 469 Корпус КП960 1 е: ~ ~ -8 ~~:~ i КП961 ~II=~ ~ КП962 Lё)" ------ cxiт--tт-i--11 ... '- Ц') <О... КП962-5 КП963 Lё)" ----~ сх)т--tт-i--11 ... '- Ц') <1:>- исз КП963-5 КП964 11 11 11 ~,, J
1: ~ 470 '1 т 11 ип :~ прибора ;1 11 i1КП965А КП965Б КП965В КП965Г КП9650 Структура БСИТ р-канал Реи rnd"'' UЗ"отс' мВт u;f1110μ' р· Cll т IПЗJI.' в Вт 10* 10* 10* 10* 10* Раздел 3. полевые транзисторы Ucиmax' IC' u;Cmax' UЗИmах' 1~ 11' lc на•1' в l~о~т'МА в мА 250 5 5А 160 5 5А 120 5 5А 60 5 5А 20 5 5А lг---~~-+-~~~~~~_____,г---~~--;~~--;~~~+-~~-+-~~~+--~~~---il ~КП971А i1КП971Б 1 1 КП973А КП97ЗБ КПС104А КПС104Б КПС104В КПС104Г КПС104Д !IКПС104Е JI il i 1 1 1 1 БСИТ п-канал 1 БСИТ п-канал Сдвоенные, с р-п-переходом и п-каналом 1 i 1 1 КПС202А-2 iСдвоенные. с р-n-переходом 1 КПС202Б-2 1 и п-каналом КПС202В-2 КПС202Г-2 КПС203А-1 Сдвоенные. с р-n-переходом КПС20ЗБ-1 1 и р-каналом КПС203В-1 [ [ КПС203Г-1 11 i КПС315А Сдвоенные, с р-n-переходом КПС315Б и каналом п-типа 1 1 1 КПС316Д-1 1 Сдвоенные, с р-п-переходом КПСЗ16Е-1 и каналом n-типа КПСЗ16Ж-1 КПСЗ16И-1 1 i 100* 100* 100* 100· 45 45 45 45 45 45 60 60 60 60 30 (55°С) 30 (55·с> 30 (55·с> 30 (55°С) 300 300 60 60 60 60 1 i 1 1 - - 0.2 ...1 0,2 ... 1 0,4 ... 2 0.4 ...2 0.8 ...3 0,8 ...3 0,4 ... 2 0.4 ...2 0,4 ... 2 1... 3 0,2 ...2 0,2 ...2 0,4 ... 2 1... 3 1... 5 0,4 ... 2 0,3 ...2,2 0,3 ...2,2 1,3 ...4 2.5 ...6 ' 1 1 900 800 700 600 25; 30* 25; 30* 25; 30* 25; 30* 25; 30* 25; 30* 15; 20* 15; 20* 15; 20* 15; 20* 15; 20* 15; 20* 15; 20* 15; 20* 25; 30* 25; 30* 25; 25* 25; 25* 25; 25* 25; 25* 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 5 5 5 5 - 30; 0,5 - 30; 0.5 - 30; 0,5 -30: 0,5 -30; 0,5 -30: 0.5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 30 30 25 25 25 25 1 ' i !1 1 1 i 1 1 1 1 25А 25А 30А 30А - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i - - s0.8 $0,8 s0.8 s0.8 с 1 s0.8 ~ s0.8 !;, . 1 $1.5 Sl.5 Sl,5 $3 0.25... 1 .5 0,25... 1,5 0.35... 1 .5 1.1 ...3 1... 20 1... 20 ~1 - - - - ~il
Полевые транзисторы 471 '1 RС11uтк' Ом Кш, дБ t.'" '' нс 1 cllн' с;'2и' к;Р, дБ U~, мкВ t,ым• НС 1 S, мА/В с;;н, пФ Р::х' Вт Е:, нВ/.jfЦ ~·.МГц Корпус лu;,~·. мВ Q.". Кл ЛU311 /лт···. 1 мкВ/"С - - 0,8 - 40; 200** КП965 1 - - 1 0.6 - 40; 200** - - 0,6 - 40; 200** ~ - - 0,4 - 40; 200** !:: 1 - -в 11 11 - - 0.4 ' - 40; 200** :::· li 1 1 ~ ,. ..,.. ,, 1 .1 ! i 1 ..., 1: il - 1 - 0.04 1 - i 200 1 КП971, КП973 - 1 - 0,04 1 - 150 1 ~Emr 1 - - 1 0,03 - 150 С\1 ~ ' - - 0,03 - 150 .... ';:{ о зси 1 1 гО.35 (!О В) 1 s4.5; sl .5* 1 s30*** s0,4* ( 10 Гu) s50*** КПС104 11 1 1 * 1 *** * *** гО.35 (10 В) s4.5. sl.5 s30 s1 (10Гu) sl50 gj9.lt 1 гО.65 ( 10 В) 1 s4.5: sl.5* 1 s50*** s5* (10 Гц) sl50*** БRс.i' ~ гl (10 В) 1 s4.5; sl .5* s50*** sl*(lOГц) slOO**• ~ И2~З1 1 1 1 гl (10 В) s4.5; sl .5* s30*** s5* (10 Гu) sl50**• г0,65(10В) s4,5; sl.5* s20*** - s20*** с::. 32оои, 1 "" 1 С2 го.5 (5 В) s6; s2* slO*** - 30** КПС202-2 гО.5 (5 В) s6; s2* slO*** - 30** ~ гО,65 (5 В) s6; s2* s30*** - 30** ~гl(5В) s6; s2* s30*** - 30** 2 1 C1ffiИ2 11 ~ 1 э,- 32 1 И1 С2 :i !! 11 s6 (!О В); s2* 1 ~ гО.5 (10 В) slO*** s2.5* ( 10 Гu) s40**• КПС203-1 J! ,, го.5 110 В) s6!10B);s2* slO*** sl2* (!О Гu) s40**' ~fcr ![ ~: r, гО.65 (10 В) s6 (10 В); s2* s30*** - sl50*** 1 ~ гl (10 В) s6 (10 BJ; s2* s30*** - sl50*** 11 1 1 1 0,8 1 с~_и, 31 -Зz и- -с2 . , 6 г2.8 (5 В) s8 (10 В) s30*** - s3o••*: 60** 1 КПС315 гl...5 (5 В) s8 (10 В) s30**' i - s3o•••; 60•· , ~~) 1 1 1 ...., ио.ои 1о.о2 ~ С2 32 гО.5 (5 В; 0,3 мА) s6(10В); s2* s50*** - s40*** КПС316 1 гО,5 (5 В; 0,3 мА) s6(10В); s2* s50*** - s40*** гО.5 (5 В; 0.3 мА) s6 (10 В); s2* s50*** - s40*** :~п-v гО,5 (5 В; 0,3 мА) s6 (10 В); s2* s50*** - s40*** .1 1 1 i 11 11 1 11 1 1 .... 1 11 11 1 1 И1С131 ~ 1 .1 ~ i i il
472 Раздел 3. Полевые транзисторы 3.5 . Полевые транзисторы специального назначения 1 ~ 11 11 11 11 11 1 1 1 Тип прибора 3П320А-2 3П320Б-2 3П324А-2 3П324Б-2 303248-2 3П325А-2 ! 1 1 1 1 1 1 1 1 Токр., Рс1111ш.' мВт UЗl!oнt UCll1nc1\' 1 UЗl!ind\' Ic, Структура 1 ·с Р~11т111d,, Вт u;H пор' u;Cllld\t в 1~.11' в в мА Параметры арсенид-галлиевых полевых транзисторов С n-каналом -60...+85 -60...+85 С n-каналом -60 ...+70 1 1 1 1 С n-каналом 1 -60 .. . +85 1 -60...+85 -60...+85 1 1 1 1 1 С барьером Шотки, -60 . . . +85 с n-каналом 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 80 80 30 80 80 80 25 1 i 1 1 1 1 1 !1 1 1,5 .. .4,5 - - - 1 4 1 1 1 1 4; 8* 4; 8* 3; 4* 4 4 4 2.5; 5* 11 1 1 1 1 1 1 1 i 1 5 5 3* 3 3 3 3,5 1 1 1 - - - 1 1 1 - 1 1 i 1 1 1( Hd'lt 1~01:т' мА 1 1 i ~ 1 - - - 1 1 1 1 1 1 1 1 - 1 1 11 11 i i 1 !1 1
Полевые транзисторы специального назначения S, мА/В RСНотк' Ом к:Р• дБ Р::", Вт лu;,~·. мВ Кш, дБ Uw·, мкВ Е:·, нв/JГЦ Q.", Кл thl!.Jll нс 1 t:ымt НС 1 (',МГц лu 311 /лт·". i мкВ/'С i Корпус Параметры арсенид-галлиевых полевых транзисторов 5... 16 (1,5 В) 5... 16 (1,5 В) ~5(2В;8мА) 15 .. .40 (15 мА) 15 .. .40 (15 мА) 15 .. .40 (15 мА) ~8(1,58; lОмА) 0,18; 0,15* 0,15*; 0,18** ~3* (8 ГГц) ~5* (8 ГГц) ~3* (8 ГГц) ~6* (12 ГГц) ~6* (12 ГГц) ~6* (12 ГГц) ~5* (8 ГГц) :54,5 (8 ГГц) :56 (8 ГГц) 2,8 (8 ГГц) :51,5 (12 ГГц) :52 (12 ГГц) :52,5 ( 12 ГГц) :52 (8 ГГц) ~t °' ЗПЗ20-2 r;JJ 1:·1 с и ЗПЗ21А-2 r;JJ ~1~4 ~г=t~r:J.J:::::::~~1~с ЗПЗ24-2 ~2,15 .. .. ~-f r::L;f~1i:::.- и .... о; н 9,5 ЗПЗ25А-2 ~2,15 .. .. ~-f Г::kt(' • i:::.- .. .. c:i.· 473
474 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип Токр., РСJl:п.в' мВт u311 отt:' UCJ1пia).' UЗllrтт.н' lc, 1(. 11'1'1' прибора Структура ·с р· Вт u;ll nup' u;c ma~' в 1~. i!' I~ост, мА Cll т max' в в мА 1 l" ! ! 1 ,. ! '· '• 13П325А-5 С барьером Шотки, -60 . . . +85 25 4 2,5; 5* 3,5 - i - ~ 1 1 с n-каналом 1 ~1 1 i1 3П326А-2 1 С n-каналом - 60".+85 30 1".4 2.5: 5,5* 4 - - 3П326Б-2 - 60".+85 30 1".4 2,5; 5,5* 4 - - 1 1 ~ ~ 1' i 1 1 ! ij 1 1 \ i 1 1 ! 3П326А-5 1 С барьером Шотки, - 60".+85 30 1".4 2,5: 5,5* 4 - - с n-каналом : 1 1 1 ! 3П328А-2 1 С барьером Шотки. -60 ". +85 50 4 6 4;6 - - ~ 11 1 с двумя затворами 1 1 ! , 1 ' 11 с n-каналом 1 ; ~ 1 ! 11 ~ 1 ~ 11 : ,, 11 3П328А-5 С барьером Шотки, -60 ". +85 50 4 6 1 4:6 - - ! 1 с двумя затворами 1 ' i с n-каналом ' ! ~ i 1! i i 1 ~ ~ 1 1 ~ 1 1 3П330А-5 1 С барьером Шотки, - 60".+85 30 l,5" .4,5 3; 6* 4 15" .50 - с n-каналом 1 1 ~ ! 1 1 i 1 1 1 1 ;; 1 i ! 1 1 1 ~ 3П330А-2 [ С барьером Шотки, 1 -60 ". +85 30 l,5" .4,5 3: 6* ! 15" .50 ~ 4 1 - 3П330Б-2 1 с n-каналом - 60".+85 30 l,5" .4,5 3; 6* 4 15" .50 - ~ 3П330В-2 ! 1 - 60".+85 30 l ,5".4,5 3; 6* 4 15" .50 - 1
Полевые транзисторы специального назначения ~ ~ S, мА/В ~8 (1.5 В; 10 мА) ~8*(2В:8мА) ~8*(2В;8мА) ~8·(2В;8мА) ~8*(4В:8мА) ~8*(4В;8мА) ~5 (5 кГц) ~5 (5 кГц) ~5 (5 кГц) ~5 (5 кГц) i 1 1 i i 1 1 1 1 1 - i - 1 1 Rснотк' Ом к;.!" дБ pu1,i:..' Вт лu;;,·, мВ ~5* (8 ГГц) ~3* ( 17,4 ГГц) ~3* ( 17,4 ГГц) ~3* ( 17,4 ГГц) ~9* (8 ГГц) ~10* (8 ГГц) ~3* (17,4 ГГц) ~3· (25 ГГц) ~6* (25 ГГц) 1 Кш, дБ Uw•, мкВ Е ;; , нВ/ ,Jr.i. Q.", Кл S:2 (8 ГГц) :54,5 (17.4 ГГц) :55,5 (17,4 ГГц) :54,5 (17.4 ГГц) :53.5 (8 ГГц) :51.4 (1 ГГц) :53 (17,4 ГГц) :56 (25 ГГц) :54,5 (25 ГГц) :53,5 (25 ГГц) ! tuкл 1 НС : t:ыклt НС ' 1 \",МГц лu,11 /лт·". : мкв/•с i 1 1 1 - i - 1 1 1 1 i 475 Корпус 3П325А-5 0,47 0,15 ~шт 30326-2 ~ Ч.J -ф.....: - 1 1 ~~ ~- " и 3П326А-5 0,47 О, 15 ~шт 3П328А-2 3П328А-5 3П330А-5 0,47 0.15 ~т ~ш 3П330А-2 l/.J ::1 1::1~i ~ : 1' 1 1 1 '1 ,, 11
476 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип 1 Такр.• Pcllm"' мВт UЗ~tотс' UOlrп.ax' UЗИmtix' lc, lc н.ilч' прибора Структура ·с Р~н т m.a).• Вт u;~, пор' u;Cmax' в ·~.11• 1~..,,, мА ! в в мА 1 1 1 1 1 3033081-2 1 С барьером Шотки, 1 -60 . . . +85 1 100 1 1,5 .. .4,5 5; 7* 1 4 15...50 i - l 3033082-2 1 с n-каналом -60 ...+85 100 1,5 .. .4,5 5; 7* 4 15 ... 50 1 - l3П33ОВ3-2 ! 1 -60 ...+85 100 1,5 .. .4.5 5; 7* 4 15 ... 50 - i 1 1 3ПЗ31А-2 С барьером Шотки, -60 .. . +85 250 2,5 ...5 5.5; 8* 5 - 100 ... 150 с n-каналом 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 3П331А-5 С n-каналом -60 ...+85 250 2,5 ...5 5,5; 8* 5 - ?:100 (3 В) 3П339А-2 С барьером Шотки, -60 . . . +85 250 5 5,5; 7* 5 - 50 ... 90 i! i с n-каналом 1 1 ~ i 1 1 1 1 j 1 1 1 11 1 1 1 1. 1 1 1 1 ЗП343А-2 С барьером Шотки, -60 .. . +85 35 2.. .4 3,5; 6* 3 - ?:20 (2 В) 3П343А1-2 с n-каналом -60 ...+85 35 2.. .4 3,5; 6* 3 - ?:20 (2 В) 3П343А2-2 -60 ...+85 35 2.. .4 3,5; 6* 3 - ?:20 (2 В) 3П343АЗ-2 -60 ...+85 35 2.. .4 3,5; 6* 3 - 1 ?:20 (2 В) i 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 3П344А-2 С барьером Шотки, -60 . . . +85 100 - 4,5; 7* 4 - 1 - 3П344А1-2 с n-каналом -60 ...+85 100 - 5; 7* 4 - - 3П344А2-2 1 -60 ...+85 100 - 5; 7* 4 - - 3П344А3-2 -60 ...+85 100 - 5; 7* 4 - - I, 3П344А4-2 -60 ...+85 100 - 5; 7* 4 - ! - ; 1 1 1 '1 1 1 1 1 1 r 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Полевые транзисторы специального назначения S,мА/В ~20 (5 кГц) ~20 (5 кГц) ~20 (5 кГц) ~25 (5 кГц) ~15* (4 В; 40 мА) ~10 (5 кГц) ~10 (5 кГц) ~20 (5 кГц) ~20 (5 кГц) ~20 (5 кГц) ~15 (5 кГц) ~40 (5 кГц) ~40 (5 кГц) ~40 (5 кГц) ~40 (5 кГц) Rc110 ", Ом к;!'' дБ рвых' Вт лu;;,·, мв ~8* ( 17,4 ГГц) ~8* ( 17.4 ГГц) ~8* ( 17.4 ГГц) ~5* (10 ГГц) ~45** (10 ГГц) ~5.5* ( 1О ГГц) ~45** (10 ГГц) ~5* ( 17,4 ГГц) ~15** ( 17.4 ГГц) ~8.5* ( 12 ГГц) ~8.5* ( 12 ГГц) ~8.5* ( 12 ГГц) ~8.5* (12 ГГц) ~10 (4 ГГц) ~10 (4 ГГц) ~10 (4 ГГц) ~10 (4 ГГц) ~15 (1 ГГц) 1 Кш, дБ Uш*, мкВ Е:*, нВ/,/fЦ Q"., Кл :<;;2 ( 17.4 ГГц) :<;;1,5 (17,4 ГГц) 1 1 :<;;1 ( 17,4 ГГц) :<;;2,8 ( 1О ГГц) :<;;2,8 (10 ГГц) :<;;4 ( 17,4 ГГц) :<;;2 ( 12 ГГц) :<;;1,1 (12 ГГц) :<;;1,1 (12 ГГц) :<;;0,9 (12 ГГц) :<;;1 (4 ГГц) :<;;0,7 (4 ГГц) :<;;0,5 (4 ГГц) :<;;0,3 (4 ГГц) :<;;0,3 (1 ГГц) tвкл' НС t:ыкл 1 НС \',МГц ЛU 3и/лт"·, мкв/·с 477 Корпус 30330В1·2 l/,J ~·1::i~t ~ 30331А-2 l/,J ~·11::i~t ~~ 30331А-5 ~rВТ 30339А-2 l/.J 30343-2 ~2,15 .. ., ~~tGk:i;,1 ~-t _L)( - 30344-2 ~2,15 ..., 1 g-.~tГ:J=;(1 /,(____ и~(39,5 1
478 1 1 ,1 !I,, 11 11,, ! Тип прибора ЗПЗ45А-2 ЗПЗ45Б-2 ЗПЗ45А-5 ЗПЗ48А-2 Структура ' : ' 1 С барьером Шотки, 1 с n-каналом С барьером Шатки, с n-каналом, ! с двумя затворами 1 1 1 !1 С n-каналом i i 1 i Такр.• ·с -60 ...+85 -60 ...+85 -60 ...+85 -60 ...+85 1 1 Рс11 m•" мВт p~lfтmd1'' Вт 1 ! 1 ! 80 80 1 1 80 1 i 1 250 1 1 ! ! ЗПЗSIА-2 1 С барьером Шатки, -60 ...+85 75 ЗПЗSIА-5 ЗПЗSIАl-2 ., ii 11 11 1 с n-каналом, 1 с двумя затворами 1 1 1 С барьером Шатки, 1 с n-каналом 1 1 С одним затвором, 1 ! n-каналом 1 1 i 1 1 i 1 1 ! 1 i i 1 i -60 ...+85 1 75 1 1 ' -60 ...+85 75 1 1 i1 1 1 Раздел 3. Полевые транзисторы UЗltoпl UCllin.aA' Uзн 1nax' lc, Ii: Hd'I' u;ltвopl u~IПd:>.I 1~.11' в в в мА 1~ 0", мА i : 1 1 1 1 - 4 1 2 1 - 20 ... 60 - 4 2 1 - 20 ... 60 i 1 1 1 1 i 1 1 - 4 2 1 - 1 20 ... 60 1 ! i 1 ! i i 1 1 i 5; -7* -4 - - - 1 ~ 1 : :! i 1 2... 4 5,5 -9 1 20... 50 i 1 !i 1 ~ ' i 11 - 5,5 9 - ! - 1 1 2.. .4 5,5; -9 -9 - 20 ... 50 1: ~ i11
Полевые транзисторы специального назначения S, мА/В ~15(2В;20мА) ~25(2В:20мА) ~15(2В:20мА) ~15(2В:20мА) ~8(3В:10мА) ~8(3В;10мА) cl 11•' с~2н' с;;н, пФ ~0.35 (2 В) ~0.35 (2 В) ~0.35 (2 В) RCJ!uт11' Ом к;"' дБ Р::,, Вт лu;;,·, мВ ~10* (4 ГГц) ~0.04** (4 ГГц) ~9* ~8* ~8* ( 17,4 ГГц) Кш, дБ Uw', мкВ Е:,', нВ/.jГЦ Q···, Кл ~2.8** (30 МГц) ~2.5** (30 МГц) ~2.8** (30 МГц) 1 ~1.4** (0.1 ГГц) ~1 (4 ГГц) ~4.5 (12 ГГц) 1 ~5.5 ( 17,5 ГГц) ~5.5 ( 17,4 ГГц) t1н..1t НС t:hli..лt НС (.МГц лuз"/лт···. мкВ/'С 479 Корпус 3П345-2 3П345А-5 0,47 0,15 ~шт 3П348А-2 t/J2,15 "" ~-1 FZl==;(1С:,' и с "" ., ,. и 3П351А-2 3П351А-5 0,4 О,1 ~шт 3П351А1-2 t/J2,15 "" ~-:t=====I\G:4t"1 ~-t с и
480 Раздел З. Полевые транзисторы Тип Токр.• Pclfmd:.. ' мВт UЗНотс' UCHmax' UЗll 1n.a:. .' lc, 1( HdЧI прибора Структура ·с P~llтmd\' Вт u;llnop' u;Cma:..' 8 1~.11' I~Ol.т' мА 8 8 мА 1 130353А-5 1 С барьером Шотки, -6 0 ."+85 30 -1 ... -2,5 4; 4,5* 1 - 1 - 1 - 1 с n-каналом 1 1 1 1 1 30372А-2 НЕМТ - 6 0".+125 60 - 3; 6* 3 - - с n-каналом 30373А-2 1 С барьером Шотки, -6 0 ".+85 100 - 4,5; -7 3 - - 1303735-2 с n-каналом -6 0 ".+85 100 - 4.5; -7 3 1 - - 303738-2 1 1 ·- 60". +85 100 - 4,5; -7 3 - - 1 1 1 30376А-5 НЕМТ -60...+125 40 - 3 1,5 - - ' с n-каналом ]! ~1 1 i '1 30384А-5 НЕМТ - 60".+125 550 - - 3 - - с n-каналом 30385А-2 С n-каналом - 6 0".+85 35 0,5 ...2,5 3,5; -6 -2,5 - 10".30 303855-2 С n-каналом - 6 0".+85 35 0,5 ...2,5 3,5; -6 -2,5 - 10".30 303858-2 С n-каналом - 6 0".+85 35 0,5". 2,5 3,5; -6 -2,5 - 10".30 1 1 30385А-5 ! С n-каналом -60...+85 35 0,5". 2,5 3,5; -6 -2,5 - 10".30 303855-5 С n-каналом -60...+85 35 0,5". 2,5 3,5; -6 -2,5 - 10 ... 30 303858-5 С n-каналом -6 0 ."+85 35 0,5". 2,5 3,5; -6 -2,5 - 10... 30 1 ' i i ! 1 1 30602А-2 1 С n-каналом -6 0 ".+85 900 - 7 3,5 - ~220 (3 В) 306025-2 1 -6 0 ".+85 900 - 7 3,5 - ~180 (3 В) 306028-2 -60...+85 900 - 7 3,5 - ~110 (3 В) 30602Г-2 -6 0 ".+85 1800 - 7,5 3,5 - ~440 (3 В) 30602Д-2 -6 0 ".+85 1800 - 7,5 3,5 - ~360 (3 В)
Полевые транзисторы специального назначения S, мА/В !1 1 - li 1 1 1 8...13 (3В: 8мА) - 10" .35 (2,58; lОмА) - 1 ~30(3В:20мА) 1 - ~~30(3В;20мА) 1 - ~30(3В;20мА) i - 1 i i ~12 (3 В) 1 - 1 1 1 30".42 (3 В; 50 мА) - 1 1 1 \ i ~15(3В:8мА) 1 - ~15(3В;8мА) - ~15(3В;8мА) - 1 ~15(3В;8мА) - ~15(3В;8мА) 1 - 1 ~15(3В:8мА) 1 - 1 1 20".100 (2 В) - 20". 80 (2 В) - 20". 70 (2 В) - 40...200 (2 В) - 1 1 40".160 (2 В) - 1 1 1 31зак9 Rc11 .", Ом к:Р• дБ Р::", Вт лu;;1·, мВ ~6* ~7* ~12,5* (4 ГГц) ~12* (4 ГГц) ~11 * (4 ГГц) ~5* ~О.Об** (37 ГГц) ~4* ~9.5* (17,4 ГГц) ~10* ( 17,4 ГГц) ~8.5* ( 17,4 ГГц) ~9,5* (17,4 ГГц) ~10* ( 17,4 ГГц) ~8.5* ( 17,4 ГГц) ~О.18** (12 ГГц) ~2.6* (12 ГГц) ~0.1** (12 ГГц) ~3* (12 ГГц) ~О.2** (8 ГГц) ~3* (8 ГГц) ~0,4** (!О ГГц) ~2.6* ( 1О ГГц) ~0.5** (8 ГГц) ~3* (8 ГГц) 1 1 i Кш, дБ Uш*, мкВ Е:·, нВ/.JfЦ Q***, Кл :S:4 (37 ГГц) :S:l,5 (15 ГГц) :s:0,4 (4 ГГц) :s:0,5 (4 ГГц) :s:0,6 (4 ГГц) :S:4 (60 ГГц) 1 : 1 1 i :s:0,8 ( 17,4 ГГц) 1 :S:l (17,4 ГГц) 1 :S:l ,2 ( 17,4 ГГц) :s:0,8 ( 17,4 ГГц) :S:l (17,4 ГГц) :s:l,2 (17,4 ГГц) - - - - 1 - ! i 1 t,кл• НС t:ыкл' НС ~·.МГц / ... ЛU 311 ЛТ мкВ/*С - - - - - - - - - - - - - - • 1 1 1 1 1. 1 1 1 1 1 1 1 481 Корпус 30353А-5 0,47 0,15 ~ют 30372А-2, 30373-2 t/J2,15 ,, ., ~-1 5=;(1 1r::, • /)( .. ., н~ (з' .. .. 11 9,S 1. ! 30376А-5 1 0,4 0,1 ~ют 30384А-5 0,45 0,1 ~ют i 1 1 30385-2 //,J ::J1 1: :i~t ~~ tч" " и 1 30385-5 11 I' ~ 0,35 0,12 нВТ 1 30602-2 ir1 ~ ~ .. .. ~3 с j
482 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип Токр.• Рс11 rnax' мВт UЗl!uтct Uси max' UЗI! ma~' 1 lи lc н"ч' прибора Структура 1 ·с p~IJ т m.ax' Вт u;~J nuμ' u;c m.ax' 8 1~.11' (~,,мА 8 8 1 мА i i 1 • 1 1 i 1 1 30602Б-5 С n-каналом -60 ...+85 1 30602Д-5 -60 ...+85 30603А-2 С n-каналом -60 ...+125 2,5* - - 3.5 - 400; 5* 30603Б-2 С n-каналом -60 ...+125 2,5* - - 3,5 - 400; 5* i 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 30603Al-2 С n-каналом -60 ...+125 2,5* - - 3.5 - 400; 5* 30603Бl-2 С n-каналом -60 ...+125 2,5* - - 3,5 - 400; 5* 1 1 1 li ; 1 1 1 1 1 1 ri 1 1 1 1 30603А-5 С n-каналом -60 ...+125 2,5* - - 3,5 - 400; 5* 30603Б-5 С n-каналом -60 ...+125 2,5* - - 3,5 - 400; 5* 1 1 1 i 1 j 30604A-2 1 1 1 1 С n-каналом -60 ...+125 900 - 7 -3 1 - - 1 i 130604Б-2 ' ' 1-60 .. . +125 i : С n-каналом 900 - 7 -3 i- - 1 ! 1 1 306048-2 1 С n-каналом - 60. "+125 500 - 7 -3 - - 1 30604Г-2 С n-каналом -60 ...+125 500 - 7 -3 - - 30604Al-2 1 С n-каналом - 60."+100 900 - 7 -3 - - 30604Бl-2 С n-каналом - 60."+100 900 - 7 -3 - - i 3060481-2 i С n-каналом - 60".+100 500 - 7 -3 - - 1, i 1 !130604Гl-2 1 С n-каналом 1 -60 ."+100 500 i- 7 -3 - - ' 1 11 1 1 1 ' 1 1 i 30604А-5 1 С n-каналом 1-60" .+100 1 900 ! - 7 -3 i- 1 - 1 1 30604Б-5 С n-каналом -60 ...+100 900 - 7 -3 - - 306048-5 С n-каналом - 60."+100 500 - 7 -3 - - 30604Г-5 С n-каналом -60 ...+100 500 - 7 -3 - - 1 1 ! !
Полевые транзисторы специального назначения S, мА/В 1 '1 20...100 (2 В) 1·1 40... 160 (2 В) 1 11 ~11 !i ~<::5013В:0.4А) 1 1 <80(3К0.4А) 1 1 <::50 (3 В: 0,4 А) <::80 (3 В; 0.4 А) 1 ~ 1. fl <::50 (3 В; 0.4 А) ,, ~ ~ ~ <::80(3В;0.4А) ~ 20...40 (3 В; О, 1 А) 15...40 (3 В; 0,1 А) 10...20 (3 В; 50 мА) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 10...20 (3 В: 50мА) 1 20...40 (3 В: О,1А) 15".40 (3 В; 0.1 А) 10."20 (3 В; 50 мА) 10".20 (3 В; 50 мА) 20."40 (3 В;О,1А) ! i15".40 (3 В; 0.1 А) 1 10".20 (3 В; 50 мА) ! 10".20 (3 В; 50мА) 1 з1· - - - - - - - - - - - - - - - 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Rc11 .", Ом к:.Р• дБ Р:=~, Вт лu;;,·, мв $4 <::3* ( 12 ГГц) <::О,5н (12 ГГц) $4; <::3*; <::1 ** $4 >3* (12 ГГц) - <::0,5*• ( 12 ГГц) $4; <::3*; <::1 •• $4 <::3• (12 ГГц) <::0,5** (12 ГГц) $4; <::3*; <::1** <::3* ( 17,4 ГГц) <::0,2** (17,4 ГГц) <::3 (17,4 ГГц) <::0,125** (17,4 ГГц) <::3* (17,4 ГГц) 1 <::0.075** ( 17,4 ГГц) <::3* ( 17,4 ГГц) 1 <::О,005**(17,4ГГц) 1 <::3* (17,4 ГГц) <::0.2** (17,4 ГГц) <::3 ( 17,4 ГГц) <::0,125** (17,4 ГГц) <::3* (17,4 ГГц) <::0,075** ( 17,4 ГГц) <::3* (17,4 ГГц) <::0,005** ( 17,4 ГГц) <::3* (17,4 ГГц) <::0.2** (17,4 ГГц) <::3 ( 17,4 ГГц) ' < ::0,125** (17,4 ГГц) <::3* ( 17,4 ГГц) <::0,075** (17.4 ГГц) <::3* ( 17.4 ГГц) <::0,005** (17,4 ГГц) 1 Кш, дБ Uw*, мкВ Е:·, нВ/../fЦ а·", Кл - - - - - - - - - - - - - - - 1 t."·' . нс 1 t,"~'. нс 1 ~~·.МГц 1 ЛU311 /лт"·, 1 мкВ/"С j 1 ! ! 1 1 0,24 0,24 0,24 1 1 1 1 0.24 1 0,24 0,24 - - - 1 - 1 - 1 - - - 1 - 1 1 - - - 483 Корпус 30602-5 0,45 О,1 н:ЕJТ 30603-2 9 Наркиро/Jка ' l,11 30603-1 -2 Маркиро8ка ! 1"0~6 li~ 3ат6ор ... , 1 ....- .,., -;- - IГI []1 ' р ~· сток l" ' ' r--- "" ~- Исток 2Г 1f.6~ ~ 30603-5 1 0,45 '1 О,1 1· нВТ 11 30604-2 1!No~9.S 1 30604-1 -2 ~t~.NoIm9,S с керамическим колпачком 30604-5 1 1 ~rег i 1 1
484 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип Токр. 1 Рснm"• мВт UЗИотс' Ucиmax' Uзиmах• lc, lcи,,qt прибора Структура ·с p~~t т max' Вт u~nop' u~max' в 1~.и• I~ск·т• мА в в мА 1 30605А-2 Сп-каналом -60 ...+85 450 ~5.5 6,8 - - ~150 (3 В) ! 1 30605А-5 Сп-каналом -60 ...+85 450 ~5.5 6,8 - - ~150 (3 В) 1 30606А-2 С барьером lllотки, -60 . . . +125 2* - 8 - 3,5 - 160; 5* 30606Б-2 с п-каналом 306068-2 -60 .. . +125 2* - 8 - 3,5 - 160; 5* -60 ...+125 2* - 8 - 3,5 - 160; 5* 1 1 1 ! 1 30606Б-5 С барьером lllотки, -60 .. . +125 2* - 8 -3 .5 - 1 160: 5* 306068-5 с п-каналом 1 -60 .. . +125 2* - 8 -3,5 1 - 160; 5* 30607А-2 Сп-каналом -60 .. . +125 3,5* - 8 - 3,5 1 - :S:l60: 5• ! ! 1 1 i 30608А-2 Сп-каналом -60 ...+125 3,5* - - -3 - 30608Б-2 -60 ...+125 3,5* - - -3 - 306088-2 -60 ...+125 3,5* - - -3 - 30608Г-2 -60 ...+125 3,5* -3 1 - - - 1 1 1 1 i i 1 ! 1 1 1 ! 1 1 1 1 ! 1 1 1 30608А-5 Сп-каналом -60 .. . +125 3,5* - - - - 30608Д-5 -60 .. . +125 3,5* - - - - 30608Е-5 -60 ...+125 3,5* - - - -
Полевые транзисторы специального назначения 485 Rснот•' Ом Кш, дБ t.к..n, нс cllи' с;2м' к;!'' дБ Uш-, мкВ t:wut НС S, мА/В с;;м• пФ Р•w•• Вт Е:·, нВ/..jfii. ~·,МГц Корпус 1 лu;;,·, мВ Q···, Кл ЛU311 /ЛТ"., 1 мкв/•с 1 ~30(4В;30мА) ! 1 :s:3.5 (8 ГГц) 1 :s:3.5 (8 ГГц) 1 1 30605А-2 - - 1 ! i ~8* (8 ГГц) 1 1 1 1 1 1 1 //,J 1 1 ~О.1 ** (8 ГГц) ~·1i::1~t ~~ tч' " и ~30(4В;30мА) - :s:3,5 (8 ГГц) :s:3,5 (8 ГГц) - 30605А-5 1 1 ~8* (8 ГГц) 1 ' 1 0,45 ~О.1 •* (8 ГГц) 1 0,17 1 нfJT 1 1 1 1 1 1 ~70 (3 В; 0.25 А) 3(5В) ~4* (12 ГГц) - 1 tб=IOO 30606-2 ~0.4** (12 ГГц) ~90 (3 В; 0.25 А) 3(5В) ~6* (12 ГГц) - tб=IOO ~0.4** (12 ГГц) ~i~.No~ ~100 (3 В; 0,25 А) 3(5В) ~5* (12 ГГц) - tб=IOO ~О. 75** ( 12 ГГц) 1 1 9,5 i 1 1 1 1 1 ! 1 ~90(3В;0.25А) 1 3(5В) ~6* (12 ГГц) - tб=IOO 1 30606-5 <1>,4** (12 ГГц) i ~100 (3 В; 0,25 А) 3(5В) ~5* (12 ГГц) - tб=IOO ~шт ~0.75** (12 ГГц) ~80 (3 В) - ~1 ** (10 ГГц); ~4.5* - - 30607А-2 1 1 ~J====з /,) ~f 1 1 1 1 + 9=:1· 1 1 :i. ~ ! 1 1 42 11.s ~15(3В;50мА) - - - 30608-2 ~15(3В;50мА) - - - ~ ~15(3В;50мА) - - - .!l ~15(3В;50мА) - - - ' ~~~,~ i 1 1 t'S :t ~ WJ'i "' ~ : i 1 1 i 1 1 1 1 1 1 1 ~15(3В;50мА) - ~4* (37 Гц) - - 1 30608-5 ~О.03** (37 ГГц) 1 0,52 0,15 ~15(3В;50мА) - ~3.5* (37 ГГц) - - ~шт ~О.15** (37 ГГц) ~15(3В;50мА) - ~4* (37 ГГц) - - ~О.01 * (37 ГГц)
486 1 Тип , прибора 11 11 IJ30910л-2 !309105-2 Структура 1 С барьером Шотки.1 i с п-каналом 1 ' Токр., ·с -60 ...+85 1 -60...+85 30910А-5 1 С барьером Шотки.1 -60 . . . +85 309105-5 i с п-каналом 1 -60 . . . +85 . 1 ~ 1 i 1 i 1 1 1 1 ! ! 1 1 30915А-2 С барьером Шотки, -60 . . . +85 309155-2 сп-каналом -60 ...+85 1 1 ,1 ~ 11 ! ,, ,, ! 1 il30925A-2 1 С барьером Шатки, -60 . . . +125 ~309255-2 1 с п-каналом -60 ...+125 309258-2 1 -60 ...+125 30925А-5 1 С барьером Шатки, -60 . . . +125 11 1 с п-каналом 1 .1 1 1 11 1 ! 30927А-2 Сп-каналом -60 ...+125 309275-2 Сп-каналом -60 ...+125 309278-2 Сп-каналом -60 ...+125 30927Г-2 Сп-каналом -60 ...+125 30927Д-2 Сп-каналом -60 ...+125 1 1 1 1: 1 li3o929A-2 1 Сп-каналом 1 -60 . . . +125 1 1 ,, 1 ' 1! 1 ' 11 1 ij 11 '1 ~ Pc1tma>- • мВт p~llтmd>-' Вт 3* 3* 3* 3* 12* 12* 7* 7• 16• 7* 2,5* 2,5* 2,5* 2,5* 2,5* 14* UЗltoн• u;,1 поμ• 8 - - 1 1 1 - - - - 1 7 7 7 7 7 1 1 - 1 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 i UC~t 1nax• u;Cmd,_t 8 7 7 7 7 7 7 9 9 9 9 - - - - - 8 Раздел З. Полевые транзисторы 1 i'1 i 1 1 1 1 1 : 1 1 1 1 UЗH111d\. 8 3,5 3,5 3.5 3.5 -5 -5 5 5 5 5 3 3 3 3 3 -5 1 lc, 1 ·~.11• i1 мА i i i 1 1 - - ' : 1 - 1 - 1 - - - - - - - 1 ' i 1 1 - lc Hd'lt I~f.Кт• мА 800... 2000 800... 2000 800... 2000 800... 2000 ! 1 1 1 ; - - 1 1 \ 1 ' 1 i 1 h 1 1800... 3000 1800... 3000 3600... 6000 i s3А 1 '; 1 1 1 1 - - - - - 1 1 i ' 1 j ~3.5 А; 15• 1 1 1 1 1 1 ' ~
ы специального назначения Полевые транзистор S, мА/В <:50 (3 В) <:200 (3 В) >100 (3 В) ;100 (3 В) >350 (1,5 В; 0.5 А) ;300 (1.5 В; 0,5 А) 1500(3В;1.8А) 1 1 Rсиотк' Ом к;Р• дБ Р.~к' Вт ... в ЛU3"•м >3*; >0.5** (8 ГГц) <:3*; 2:1 ** (8 ГГц) 1 >3*; >0,5** (8 ГГц) <:3*; 2:1 •• (8 ГГц) 1 >5** (8 ГГц); >3* <:3** (8 ГГц); <:3* >2** (3,7 ...4,2 ГГц) >2** (4,3 ...4,8 ГГц) ;5** (3,7 . . .4,2 ГГц) 1 >3** (4.2 ГГц) 1 <:7* (4,2 ГГц) 1 Кш, дБ Uw", мкВ Е", нВ/.jfЦ с(", Кл i i tвкл' НС t:ыкл' НС (',МГц ЛUзи/лт·", мкв;·с 487 Корпус 3П910 i i 3П910-5 3П915 3П925-2 3П925-5 l~~--~~-сl-~~~~~+:з~::;;:;;:;;-(;;,;:г;;~----:=-~~~~=-~~~~~~3~П:9~2~7~~~-- >3*; >0,5** ( 17,4ГГц) !;!.. Моркиро/Jка So... 1so (3 в, о.• AI , 5 ., ,О,5" 07.4rr,) _ _ '!!~ ,~ ! 50...200 (3 в, 0.4 А) - ~s•, ,0,6" (17,4ГГ,) _ 1j ~ 50 200(3В;0.4А) - ; 3.; 2:0,7** (17,4ГГц) - _ Wj""'" ~ 50:::200 (3 В; 0,4А)1 - ;3*; <:0,5** (17,4ГГц) - 50..200 (3 в, 0.4 А) , - 7.5 В~2,7 i <:1000 (3 В; 4 А) >4.5*; >4** (8,4 ГГц) 3П929А-2 i
488 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип Тuкр. 9 Рс1111ш.' мВт UЗll от~' UCll1щ1).' UЗllmd"' Ieo lc на•~' прибора Структура ·с p~llтma"' Вт u;ll nop' u;CmdAt 8 1~.11• I~ост, мА 8 8 мА 1 30930А-2 - 60 ... +125 21* - 8 -5 - $4,5; $15* 309306-2 1 - 60 ... +125 21* - 8 -5 - $4,5; $15* 309308-2 ! - 60 ... +125 21* - 8 -5 - $4,5; $15* 1 1 Параметры кремниевых полевых транзисторов 2Е701А БТИЗ с n-каналом -60 ... +125 2.. .4* Uкэ=500 Uзэ=20 lк=25 А 2Е701Б :60... +125 2.. .4* Uкэ=700 Uзэ=20 lк=25 А 2Е7018 - 60". +125 2".4* Uкэ=500 Uзэ=20 lк=25 А 2Е701Г - 60". +125 2".4* Uкэ=700 Uзэ=20 lк=25 А 1 ! ~ 1 1 1 1 1 1 ! 1 2П101А р-канал - 60". +125 50 5 10 10 - 0,3" .1 2П101Б р-канал - 60". +125 50 5 10 10 - 0.7".2.2 2П1018 р-канал - 60. "+125 50 8 10 10 - 0.5" .5 1 2П103А р-канал - 60". +85 120 0,5".2,2 10; 15* 10 - 0,55".1.2 2П103Б р-канал - 60". +85 120 0,8" .3 10; 15* 10 - 1".2.1 2П1038 р-канал -60 ... +85 120 1,4".4 10; 15* 10 - 1.7".3,8 2П103Г р-канал - 60".+85 1 120 2". 6 10; 17* 10 - 3". 6.6 2П103Д р-канал -60 ... +85 120 2,8" .7 10; 17* 10 - 5,4 ... 12 2П103АР р-канал -60...+85 120 0,5". 2,2 10 10 - 0.55 ".1,2 2П103БР 1 р-канал - 60. "+85 120 0,8".3 10 10 - 1".2,1 2П1038Р р-канал - 60".+85 120 1.4".4 10 10 - 1,7".3.8 2П103ГР р-канал - 60". +85 120 2". 6 10 10 - 3". 6.6 2П103ДР 1 р-канал - 60. "+85 120 2,8".7 10 10 - 5,4" .12 1 1 1 1 ' 1 1 1 ! i ! 1 20201А-1 р-канал - 60". +85 60 0,4".1,4 1 10 15 - 0.3".0.65 202016-1 р-канал - 60". +85 60 0,5".2 .2 10 15 - 0,55 ... 1.2 202018-1 р-канал -60...+85 60 0,8 ...3 10 15 - 1".2,1 20201Г-1 р-канал - 60". +85 60 1.4 .. .4 10 15 - 1.7 ...3.8 20201Д-1 р-канал -60...+85 60 2... 6 10 15 - 3...6 20201Е-1 р-канал -60 ... +85 60 2... 6 10 15 - 2.1 20201Ж-1 р-канал -60...+85 60 2... 6 10 15 - 3.8
Полевые транзисторы специального назначения 489 R 010," Ом Кш.дБ 1 tвклt НС 1 cllн' с~2н 1 к;!" дБ Uш-, мкВ 1 t:ыкл• НС S, мА/В с;;•• пФ Рвы'' Вт Е:·, нВ/JfЦ ~;",МГц Корпус лu;,~·. мВ Q.". Кл лu3'1 /лт·". мкв/·с 1 ~1000(3В:4А) - ~5** (5,7 ...6,3 ГГц) - - 30930 ~1000(3В;4А) - ~7.5** (5,7 . . . 6,3 ГГц) - - ~1000(3В;4А) - ~10** (5,7 .. . 6,3 ГГц) - - iи 1 1 1 ]t L....Т--1 "'1". ..... зie:i ·+- с ..... "'1". ~ а с-.. 5,75 , ~ !i,5 1 ~ 25.5 - - J ·.. Параметры кремниевых полевых транзисторов ~12000 (5 В; 10 А) :51700 (30 В) 0,25 :5250 2Е701 ~12000 (5 В; 10 А) :51700 (30 В) 0,25 :5250 ~12000 (5 В; 10 А) :51700 (30 В) 0,25 :5250 ~~- ~12000 (5 В; 10 А) :51700 (30 В) 0,25 :5250 ко -- 3 °'1 э~- li" ... !. 1 1 '"'-1 1 1 11 ~ i='" 1 . f,+ - 21,2 - - 0,3 12; 2,7* - :55 (1 кГц) - 2П101 0,3 12; 2,9* - :55 (1 кГц) - 0,5 12; 3* - :510 ( 1 кГц) - tJl/,75 ~fi сф ..... r-- . ~ и 0,7 ...2.1 17 - 4 3** 2П103 0.8 ...2,6 17 - 4 3** 1,4 ...5.5 17 - 4 3** rJ5,8 1.8 ...5,8 17 - 4 3** ;~Ф· 2.. .4,4 17 - 4 3** 1 - и ! 0.7 ...2.1 17 - 4 250*** 2П103Р 0,8 ...2.6 17 - 4 250*** 1,4 ...3,5 17 - 4 300*** rJS,8 1,8 ...3.8 17 - 4 300*** ~РfФ· 2.. .4,4 17 - 4 300*** ~ и 0,4 ... 1,8 17; 8* - :53 (1 кГц) - 20201-1 0.7 ...2,1 17; 8* - :53 (1кГц) - 0.8 ...2.6 17; 8* - :53 (1кГц) - ~~= 1,4 ...3,5 17; 8* - 1 :53 (1кГц) - 1.8 ...3.8 17; 8* - :53 (1 кГц) - 1... 2 .6 17; 8* - :53 (1 кГц) - ~' 1,4 ...3,5 17; 8* - :53 (1кГц) - =3 1 1 и 1
490 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип 1 Токр., PO!ma>.' мВ т Uзи он' Uсн max' UЗJ! rna"' Ieo IСнач t Структура u;ll nop' u· (1" прибора ·с p~llтm<1x' Вт 3С m.illX t 8 1 1~ ост, мА 1 8 8 1 мА 1 i i 1 ! 1 20202Д-1 n-канал 1 -60 ... +125 60 - 15 20 - 1,5 20202Е-1 n-канал -60 ...+125 60 - 15 20 - 3 ! 1 20301А 1 р-канал -60 ...+85 1 200 1 2,7 ... 5,4* 20 30 1 15 1 :>0.5 мкА 20301Б р-канал 1 -60 ...+85 200 2,7 ...5,4* 20 30 1 15 :>0.5 мкА f203018 р·канал 1 -60 ...+85 1 200 <::2,7* 20 30 15 1 :>0,5 мкА 1 1 20301А-1 р-канал -60 ...+85 200 2,7 ... 5,4* 20 30 15 :>0,5 мкА 20301Б-1 р-канал -60 ...+85 200 2,7 ... 5,4* 20 30 15 :>0,5 мкА 203018-1 р-канал -60 ...+85 200 2,7* 20 30 15 :>0.5 мкА 1 !1 " 1 :1 i ,, 1 i 11 i ! ~ 1 ! 1 1 1 120301л-s 1 р-канал -60 ...+85 200 2,7 ... 5,4* 20 30 15 1 :>0,5 мкА 20302А 1 n-канал - 60 ... +125 300 :>5 20 10 24 3...24 20302Б n-канал -60 ...+125 300 $7 20 10 43 18 .. .43 203028 n-канал - 60 ... +125 300 :>10 20 12 - 33 ... 66 1 1 1 1 1 1 ! 20302А-1 n-канал -60 ...+125 300 :>5 20 10 24 3...24 20302Б-1 n-канал -60 ...+125 300 :>7 20 10 43 18 .. .43 203028-1 n-канал -60 ...+125 300 :>10 20 12 - 33 ... 66 1 1 ,, 1 ,. i 1 1 i! ! 1 1 ! ~20303А 1 • 1 1 n-канал 1-60 .. . +1251 200 0,5 ... 3 25: 30* 30 20 0.5 ...2.5 20303Б 1 n-канал -60 ...+125 200 0,5...3 25; 30* 30 20 0.5 ...2.5 203038 n·канал - 60 ... +125 200 1.. .4 25; 30* 30 20 1.5 ...5 20303Г n-канал -60 ...+125 200 :>8 25; 30* 30 20 3...12 20303Д n-канал -60 ...+125 200 $8 25; 30* 30 20 3...9 20303Е n-канал -60 ...+125 200 :>8 25: 30* 30 20 5...20 20303И n-канал -60 ...+125 200 1... 3 25; 30* 30 20 1,5 ...5 ' ! '
Полевые транзисторы специального назначения 1 ~ S, мА/В 0.65 1 i ! 1 1".2,6 i 1... 2 ,6 ~ ~! (15В;5мА) ~ il '~ !1 11 1".2,6 1".2,6 ~1 5".12 7".14 5. "12 7".14 1. "4 1" .4 2". 5 3." 7 ~2.6 ~4 2". 6 ! 1 1 1 6 6 $3,5 $3,5 $3,5 s3,5 $3,5 $3,5 $3,5 20** 20** 20** 20** 20** 20** $6 s6 $6 s6 $6 $6 $6 1 Rс11от.• Ом к;". дБ Рв••~' Вт лu;;1 ", мВ $150 $150 $150 $150 $150 $150 - - - - - - - 1 1 Кш, дБ Uш*, мкВ Е:·. нВ/../fЦ Q···, Кл s5 (100 МГц) $5 (100 МГц) s5 (100 МГц) s2,75 (1 кГц) s2,75(1 кГц) 52,75 (1 кГц) s2,75 ( 1 кГц) s2,75(1 кГц) s2,75 ( 1 кГц) 30** (20 Гц) 20** (1 кГц) 20** (1 кГц) $(6·10·17)*** 54 (100 МГц) 54 (100 МГц) 54 (100 МГц) 1 $4; $5* s4; s5* $4; $5* $4; $5* $4; $5* $4; $5* - - - - - - - 1 1 1 1 1 1 491 Корпус 2П202-1 2П301 ..,~rJ5.8 с : з$кщп .., о и 2П301-5 l.t') ":>" - 3 2ПЗОЗА ~rj с .,,. нфз ...... ~- Корп. !I11 11 11 i 1. 11 11 1 i '1 !1 il
492 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип Токр.о Рш m•" мВт Uзиотс• Ucиma11:• UЗИmах• •с• 1 lснач• прибора Структура ·с P~~t т ma),,' Вт u;и лоμ• u;Cmax• в l~и• 1~..,,, мА в в мА 2ПЗО4А С изолированным -60 .. . +125 200 ~5* 25; 30• 30 30 :50,2 мкА затвором и каналом р-типа 2ПЗО5А -60...+125 150 1 ~6 1 15; ±30* ±30 15 1 1* мкА п-канал 2ПЗО5Б п-канал -60...+125 150 ~6 15; ±30* ±30 15 1 1• мкА 2ПЗО58 п-канал -60 ...+125 150 ~6 15; ±30* ±30 15 1* мкА 2ПЗО5Г п-канал -60 ...+125 150 ~6 15; ±30* ±30 15 1* мкА 2ПЗО5А-2 п-канал -60 ...+85 80 ~6 15; ±30* ±30 15 1* мкА 2ПЗО5Б-2 п-канал -60 ...+85 80 ~6 15; ±30* ±30 15 1* мкА 2ПЗО5В-2 п-канал -60...+85 80 ~6 15: ±30* ±30 15 1 1* мкА 2ПЗО5Г-2 п-канал -60 ...+85 80 ~6 15: ±30* ±30 15 1 1* мкА 1 1 1 ! 1 1 2ПЗО6А п-канал -60...+125 150 0,8...4 20 20 20 :55* мкА 2ПЗ06Б п-канал -60...+125 150 0,2 .. .4 20 20 20 :55* мкА 2ПЗО6В п-канал -60...+125 150 1,3 ...6 20 20 20 :55* мкА 2ПЗО6Г п-канал -60...+125 150 0,8 .. .4 20 20 20 :55* мкА 2ПЗО6Д п-канал -60...+125 150 0,2 .. .4 20 20 20 :55* мкА 2ПЗО6Е п-канал -60...+125 150 1,3 ...6 20 20 20 :55* мкА 1 2ПЗО7А п-канал -60...+125 250 0,5 ...3 25; 30* 30 30 3...9 ' 2ПЗО7Б п-канал -60 ...+125 250 1... 5 25; 30* 30 30 5... 15 2ПЗО78 п-канал -60 ...+125 250 1... 5 25; 30* 30 30 5... 15 2ПЗО7Г п-канал -60 ...+125 250 1,5...6 25; 30* 30 30 8...24 2ПЗО7Д п-канал -60 ...+125 250 1,5...6 25; 30* 30 30 8...24 2П308А п-канал -60 ...+125 60 0,2... 1,2 25 30 20 0,4 ... 1 2П308Б п-канал -60 ...+125 60 0,3 ... 1,8 25 30 20 0,8...1.6 2ПЗО8В п-канал -60 ...+125 60 0,4 ...2,4 1 25 30 20 1,4 ... 3 2П308Г 1 -60 ...+125 60 1... 6 25 30 20 1 п-канал 1 - 2ПЗО8Д п-канал 1-60...+125 60 1... 3 1 25 30 20 1 - ' 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2ПЗО8А-1 п-канал -60 ...+85 60 0,2...1.2 25 30 20 0,4 ... 1 2ПЗО8Б-1 п-канал -60 ...+85 60 0,3 ... 1,8 25 30 20 0,8...1.6 2ПЗО88-1 п-канал -60 ...+85 60 0,4 ... 2,4 25 30 20 1,4 ...3 2П308Г-1 п-канал -60 ...+85 60 1... 6 25 30 20 - 2ПЗО8Д-1 п-канал -60 ...+85 60 1... 3 25 30 20 -
полевые транзисторы специального назначения 493 Rсиот.• Ом Кш, дБ tвlUI' НС С11.• С~2м• к:., дБ Uш*, мкВ t:WКJI, НС S,мА/В с;;.. пФ Р:~•• Вт Е:·, нВ/ .JГu. ~·,МГц Корпус лu;;.·, мв Q***, Кл ЛU311 /лт···. мкВ/*С ~4(10В;10мА) :59; :56** :5100 - - 2П304 1 1 1 инс .. ,- ифк/1/Nl ~ 3 6...10 (10В; 5 мА) :55 ~13 (250 МГц) :56,5 (250 МГц) - 2П305 6...10 (10В; 5мА) :55 ~13 (250 МГц) - - 6...10 (10В: 5мА) 1 :55 ~13 (250 МГц) :56,5 (250 МГц) - 1 tJ5,8// 6...10 (10В; 5мА) :55 ~13 (250 МГц) - - и 1 1 ~ti 1 1 зфПодА.корп. .. .. А ...... с 6...10 (10 В; 5 мА) 6,8 12* :56 (250 МГц) - 2П305-2 6...10 (10 В; 5 мА) 6,8 12* :56 (250 МГц) - 6".10 (10 В: 5 мА) 6,8 12* :56 (250 МГц) - {~ 6...10(10В;5мА) 6,8 12* :56 (250 МГц) - ~ 3...8 (15 В; 5 мА) 5 10* :56 (200 МГц) - 2П306 3...8 (15 В: 5 мА1 5 10* :56 (200 МГц) - ~~ 3...8 (15 В; 5 мА 5 10* :56 (200 МГц) - 3...8 (15 В: 5 мА) 5 10* :58 (200 МГц) - 3, 3...8 (15 В; 5 мА) 5 10* :58 (200 МГц) - 1<)' з,ф~ал. 3...8 (15 В: 5 мА) 5 10* :58 (200 МГц) - ..... --.. "'"'' ~ .. .. -- с 1 4...9 5 - :56 (О,4 ГГц) - 1 2П307 ; :520** (1 кГц) 1 ~5/И 5... 10 5 - :52,5** (1 кГц) - 5...10 5 - :56 (0,4 ГГц) - iiнФа 6...12 5 - :52,5** (1 кГц) - 6...12 5 - :56 (0,4 ГГц) - Корп. 1.. .4 6 - 20** - 2П308 1.. .4 6 - 20** - 2...5 6 - 20** - tlS,IJll - 6 :5250 - :520 ~нфз - 6 :5500 - :520 lliJiJn. 1." 4 6 - 20** - 2П308-1 1" .4 6 - 20** - 2...5 6 - - - Jt~' - 6 :5250 - :520 L_ с - 6 :5500 - :520 н f12
494 11 11 1 '1 1 Тип прибора 2П308А-9 2П308Б-9 2П308В-9 2П308f-9 2П308Д-9 2П308Е-9 2П310А 2П310Б 2П312А 2ПЗ12Б 2П312А-5 2П312Б-5 2П313А 2П313Б 2П313В 2П322А 2ПЗЗЗА 2П333Б 2П3338 2пзззr ~2П334А !\2П334Б :; ,. !~ ' 1 1 1 Ре""'"' мВт j ! Структура Токр.• ! 1 ·с 1р' в1 f Cllт1n.н.• Т 1 i 1 1 1 ! 1 n-канал -60 ...+100 80 n-канал -60 ...+100 80 n-канал - 6 0".+100 80 - 60".+100 n-канал 80 1 n-канал - 6 0."+100 80 n-канал - 60".+100 80 С изолированным -60 ". +1251 80 затвором и каналом -60 .. . +125 80 n-тиnа 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 1 n-канал 1-60...+1251 100 n-канал 1 -60 ."+125 100 ' 1 1 n-канал 1-60 . "+125 50 n-канал - 60".+125 50 1 1 1 1 1 1 1 n-канал - 6 0".+85 120 n-канал - 60".+85 120 n-канал -60."+85 1 120 С двумя затворами. -45 ". +85 , с р-n-nереходом 200 1 и n-каналом n-канал n-канал n-канал n-канал С р-n-nереходом, с n-каналом - 60".+125 1 - 60".+125 - 60".+125 - 60".+125 1 -6 0 " .+1251 - 60".+125 i 1 ! i 250 250 250 250 200 200 1 UЗlloн' 1 u;llnщ1• 1 1 в i 0,2".1,2 1 0,3...1.8 0,4". 2 .4 1". 6 1".3 1 0.2."6 1 2".8 0.8."6 2... 8 0,8".6 1 ~6 ~6 ~6 1... 8 1 0,6.. .4 1... 8 0,6".4 0,3 ...2 2".8 Раздел 3. Полевые транзисторы UCllm.н.• u;Cmd:\ 1 в 25 25 25 25 25 25 8; 10* 8; 10* 20 20 20; 25* 20; 25* 15 15 15 20 50 40 50 40 1 ! 1 1 1 1 1 1 i. 1 ! 1 1 1 25; 30* 1 25; 30* ! 1 1 i UЗlfrn4\t в 30 30 30 30 30 30 10 10 25 25 25 25 10 10 10 25 45 35 45 35 30 30 ! 1 1 1 1 1 lc, 1~.11• мА 20 20 20 20 20 20 20 20 25 25 25 25 15 15 15 10 10 10 10 1 i 1 1 1 1 ~ i 1 ! 1 i 1 1 1 1 lc на••' 1~~', мА 0,4 ... 1 1.4".3 1.4 ...3 - - 6 0.35. "5 0.35. "5 8. "25 1,5 ... 7 8...25 1.5 ...7 - - - 5.. .42 :51 мкА :51 мкА :51 мкА :51 мкА ~1, '1 !· ii 1' 1! ' i ~
Полевые транзисторы специального назначения 495 1 1 tвклt НС 1 Rotoт.• Ом Кш, дБ i С1111• С~211• к;_.,, дБ Uw*, мкВ t:ыкл• НС 1 S, мА/В ! с;;и, пФ рвы"' Вт Е:·, нВ/JfЦ 1 (,Мfц Корпус ! j i лu;~·. мв Q***, Кл 1 ЛU 311 /лт···, 1 1 1 1 ! мкВ/"С 1 ~ 1...4 1 6 i - 20*• i - 1 2ПЗО8-9 1 1 i 1.. .4 1 6 - 20*• - 3 i 2...5 1 6 - 20** - ~ - 6 :5250 - :520 ~чv - ~~~ - 6 :5500 - :520 u- ~1 6 - - - О,!15 D,95 1 г4" r+tc 1 ~ ~111 11 1 1 1 1 1 1 1~з 1 1 11О,Фб 1 1 1 3...6 1 :52,5 ~5* (1 ГГц) :56 (1 ГГц) i - 2ПЗ10 3...6 :52,5 ~5* (1 ГГц) :57 (1 ГГц) 1 - ~tiнф,11оtИ. 4...5,8 4 ~2* :54 (0,4 ГГц) - 2ПЗ12 2...5 4 ~2* :56 (О,4 ГГц) - ~~ 10. 1 ~ ~98 n ' i 1 ' 1 ~ 1 1 i 1 1 1 ~4 :54 ~2* (400 МГц) :54 (400 МГц) 1 - 2ПЗ12А-5 ~2 :54 ~2* (400 МГц) :56 (400 МГц) - 1 нВТ 1 1 5... 10 1 :56,8; 0,8* 1 300** 2ПЗ13 1 - - 1 5... 10 1 :56,8; 0,8* 1 - - 300** :tbl J 1 5... 10 1 :56,8; 0,8* - - 1 300** v 1 !1 1 1 1 1 1 1 зис i 4 ...6,3 :56; :50,2* - :56 (250 МГц) 1 - 2ПЗ22 та, 1 ~• 1 1 ~ 32 и ~ 4...5.8 110 В) i :56 (10В) - 20** 175 Гц) 1 200** 2ПЗЗЗ, 2ПЗЗ4 1 1 2...5 1 :56(10В) i - i 20** (75 Гц) i 200•* 4 ... 5.8 ' :56 (10 В) 1 - :514•* (1 кГц) ! 200*• 1 ' :56 (10 В) :514** ( 1 кГц) 200** ~5,84 ~пззз 2...5 - 11 3 ~ 4...16,5 (10 В) :56 (10 В) - :520** ( 1 кГц) - 1 с 2ПЗЗ4 6 ... 21 (IOB) :56 (10 В) :55,5**(200 МГц) ..., и 3 - - !i
496 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип Такр.• Pcllmd~' мВт UЗlloт(' UCHmax' Uзи пых• Ic, lc ш1ч• прибора Структура ·с p~ll т m.н.' Вт u;llnop• u;Cmaxt в 1~. ~1' l~oc', мА в в мА l12П335А-2 1 С р-n-nереходом, -60 ...+125 100 2...8 20; 25* 1 25 1 25 ! 8...25 1 2П335Б-2 ! с n-каналом -60 ...+125 100 0,8 ...6 1 20; 25* 25 25 1,5 ...7 1 i 11 1 1 1 1 1 1 1 i 1 1 2ПЗ36А-1 С р-n-nереходом, -60 . . . +125 60 0,4 ...2.5 25 30 - - 2ПЗ36Б-1 с n-каналом -60 ...+125 60 1,5 ...6 25 30 - - 2П337АР С р-n-nереходом, -60 .. . +125 200 2... 6 25; 30* 20... 87 2П337БР с n-каналом -60 ...+125 200 2...6 25; 30* 1 20 ... 87 ! 1 1 1 1 1 2П338АР-1 С р-n-nереходом, -60 . . . +125 60 0,2 ...4,5 20 2 с n-каналом 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 l 2П340А-1 1 С р-n-nереходом, -60 . . . +125 60 0,4 ...2,5 25 30 5 - 2П340Б-1 с n-каналом -60 ...+125 60 1,5 ...6 25 30 5 - 2ПЗ41А n-канал -60 ...+125 150 0,4 ...3 15; 15* 10 - 4,5...20 2П341Б n-канал -60 ...+125 150 0,4 ...3 15; 15* 10 - 16 ... 30 1 1 1 ! 1 1 2ПЗ47А-2 1 с двумя -60 ...+125 200 -0,1 ... -0,3* 14; 16* 5 - :<=;5 изолированными затворами, с n-каналом ' 2П350А 1 с двумя -60...+85 200 :<=;6 15 15 1 30 :<=;3.5 2П350Б и изолированными -60...+85 200 :<=;6 15 15 30 :<=;3,5 затворами и 1 встроенным 1 n-каналом
Полевые транзисторы специального назначения 497 i RClloтi..' Ом Кш, дБ tlikJlt нс 1 cllиt с~2и' к:r• дБ Uш*, мкВ t:ыi,.,,t НС S, мА/В с;;н, пФ Р:1:", Вт Е:', нВ/.Jfц ~·.МГц Корпус 1 лu;~,·. мВ Q.". Кл ЛU 311 /лт"·, 1 мкв/·с 1 11 :?:4 :54; :s;1 • 1 :?:1,8* :54 (400 МГц) - 2П335-2 11 :?:2 :54 1 :?:1,8* ! :56 (400 МГц) - ~~ 10и ~ 1 1 1 ~ Qei :?:4 (10 В) 6(10В) - :520* * (1 кГц) - 2П336-1 :?:4 (10 В) 6(10В) - - - JtIВaз L_ с н 112 :?:10 :55.5 :5200**• :51,5* •( 100 кГц) :5400**• 2П337Р i :?:10 :55,5 :5200*** 1 :53,5**( 100 кГц) :5400*** 1 ti' i 11 1 1 1 1 1 1 1 : ифз 1 ti Корп. :?:5 :55 - :55* *( 1 кГц) - 2П338Р-1 Jt~з 1 L_ с н 112 :?:4 (10 В) 6 - :520** (1кГц) - 1 2ПЗ40-1 :?:2 (10 В) 1 6 - :520** (1кГц) - JtIВaз 1 ~ L_ с н 112 :?:15 (5 В) :55 - :51,2** (100 кГц) - 2П341А :?:18 (5 В) :55 - 1,8 (200 МГц) - ~ tои 1 ~ ~!ББ1 1 ~ :?:10 (IO В; 10 мА) :53.5; :50,04. :?:12* (0,8 ГГц) :53,9 (800 МГц) 1 - 2П347А-2 1 ~@ ~ °' . '& с 31 1 32 1 6... 11 :56 1 :56 (400 МГц) ! 2П350 ~ 1 - - 1 6... 11 :56 - :56 (400 МГц) - 1 1 ~~ з, lt) з,фffовл. .... ...... .. ..... ~ ..... ..__ & 32зак9
498 Раздел 3. Полевые транзисторы 11 1 1 1 " ; ~ 11 Uзн отс' Uсн m;ix' lc, i ,, Тип i Токр.• Рс11 max' мВт UЗИm:ix' 1 lc но1<1' ~ 11 прибора i· Структура ·с p~(I т max' Вт u;ll пор' u;Cmax' в I~. IP 1~ ос', мА 1 в в мА 2Пб01А n-канал -6 0 ... +125 2* 4...9 20; 20* 15 - 169 .. .400 2П601Б n-канал - 6 0".+125 2* 6... 12 20; 20* 15 - 169 .. .400 1 1 ~ 1 1 1 ll2П601A9 1 С р-n-nереходом -6 0 ... +125 1Вт 1 4".12 25 1 25 i 190 1 169 .. .400 ~ 1 i i 1 и n-каналом 1 1 1 i 2П609А n-канал 1-60 .. . +125 1,2* 6" .8 25 25 1 190 100".190 ' i ~ l 2П609Б i n-канал -60 ...+125 1,2* 3."6 20 20 190 60". 110 11 1 ' 1! ! 1 ~ :1 1: ' 1 ' 11 i 1 1 1 1 2П609А-5 n-канал -6 0 ... +125 1,2* 6...8 25 25 190 100... 190 2П609Б-5 n-канал - 6 0".+125 1,2* 3...6 20 20 190 60... 110 1 1 ~ 1! i i li2П701A 1 1 1 1 С изолированным -60 ... +1251 40* - 1 500 25 5... 17 А 30; $35* 1 1\2П701Б 1 затвором, -6 0 ... +125 40* - 1 400 25 5... 17 А 30; $35* 1 с n-каналом 1 1 ! ! 1 1 2П702А С изолированным -60 ... +125 50* - 300; 320* 30 8... 16 А 10 1 затвором, 1 с n-каналом 1 1 1 1 11 1 1 1 1 !1 1 1 1 ~ 1 i' 1 1 ! 1 1 1 2П703А С изолированным -60". +125 60* 4...9* -150 30 12...25 А 5; 10* 2П703Б затвором, -6 0 ... +125 60* 4. "9* -100 30 12...25 А 5; 10* с р-каналом 1 : 1 !1 1 i 1 ! ~ '1 1 ! il 1 1 1 " i 11 ' 1
Полевые транзисторы специального назначения S, мА/В 50... 87 50... 87 50... 87 1 :s;10; :s;3,2· ~30 ~25 ~30 ~25 800... 2100 (2,5 А) 1 800... 2100 (2,5 А) 1 800... 2100 (2,5 А) ,1 1 !1 1 :s;IO; :s;3,2* :s;IO; :s;3,2* $10; $3,2* :s;lQ; :s;3,2* $30* ( 10 МГц) :s;30* (10 МГц) 7* ~800(30В;1А) $1500; :s;30* ~800(30В; 1А) $ l 500; :s;30* ! 1 з2· 1 1 i 1 1 Rоtотк' Ом к:Р• дБ Р::,, Вт лu;;,·. мВ $3,5 $3,5 $1 $1,1 $0,9 Кш, дБ Uш-, мкВ Е:", нВ/..jfЦ Q"•• Кл $2'* (100 кГц) :s;2** ( 100 кГц) 5 (400 МГц); 3 (200 МГц) 5 (400 МГц); 1 3 (200 МГц) 5 (400 МГц); 3 (200 МГц) 5 (400 МГц); 3 (200 МГц) 5 (400 МГц); 3 (200 МГц) 1 ; tнклt НС t;ым• НС . ~", Мfц ЛU 3и/лт"", мкВ/"С 30; 40* 30; 40• 499 Корпус 2П601 2П601А9 2П609 2П609-5 0,77 0,2 1 ~шт 1 2П701 60; 80* 1 2П702А i f ~2П703
500 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип Токр.о PCI! m:ix' мВт UЗИон" UСИm;н,1 UЗИm.11>-' lc, lc 1-1;~ч' прибора Структура ·с р~11тm;н' Вт U~И noμ' u;Cm.11лl 8 ·~·И' 1~..,.,. мА 8 8 мА 20706А С изолированным -60 . . . +125 100* 500 30 15А 10; 4* (500 В) 20706Б затвором, -60 ...+125 100* 400 30 15А 10; 4* (400 В) 207068 с n-каналом -60 ...+125 100* 400 30 15А ! 10;4*(400В) 1 1 1 i· 1 1 ! б 11 ! i ! ! 207102А МОП, с р-каналом -60 .. . + 125 125* 2.. .4* 60 ±20 50А $(),025 1 207102А91 МОП, с р-каналом -60 . . . +125 125* 2.. .4* 60 ±20 50А $0,025 1 1 1 1 1 i 1 1 i 1 11 1 11 1 207118А МДП, -60 ...+125 80* 1,5 ...5* 30 - 35 А; 100*А 0.5 207118Б с n-каналом -60 ...+125 80* 1,5 ...5* 40 - 35 А; !ОО*А 0,5 2071188 -60 ...+125 80* 1,5...5* 50 - 35 А; IOO*A 0.5 207118Г -60 ...+125 80* 1,5 ...5* 60 - 30 А; IOO*A 0.5 207118Д -60 ...+125 60* l,5 ...5* 100 - 30 А; IOO*A 0,5 207118Е -60 ...+125 60* 1,5 ...5* 100 - 30 А; IOO*A 0,5 207118Ж -60 ...+125 80* 1,5 ...5* 150 - 25 А; lOO*A 0.5 207118И -60 ...+125 80* 1,5 ...5* 150 - 25 А; IOO*A 0.5 207118К 1 -60 ...+125 80* 1,5 ...5* 200 - 20 А; IOO*A 0.5 207118Л 1 -60 ...+125 80* l,5...5* 200 - 1 20 А; IOO*A 0.5 1 20712А С изолированным -60 . . . +125 50* -2 ... -5* -80 ±20 18...27 А $1 20712Б затвором, -60 ...+125 50* -2 ... -5* - 100 ±20 18...27 А $1 207128 с р-каналом -60 ...+125 50* -2 ... -5* - 100 ±20 18...27 А $1 20712А-5 С изолированным -60 . . . +125 50* -2 ... -5* -80 ±20 18...27 А 1 $1 i20712Б-5 затвором. -60...+125 50* -2 ... -5* 1 -100 ±20 1 18...27 А $1 207128-5 с р-каналом -60 ...+125 50* !-2...-5* - 100 ±20 1 18...27 А 1 $1 ~ 1 1 ' ~ 1 1 ~ 1 ! 1 ~
полевые транзисторы специального назначения S, мА/В ~1500 (30 В; 2 А) ~1500 (30 В; 2 А) ~1500 (30 В; 2 А) ~15000 (25 В; 31 А) ~15000 (25 В; 31 А) 1 1 2500;300* 2500; 300* 2500; 300* 1900; 920** 1900: 920*• ~2000 (4 В; 2 А) 1 :'>1800 (25 В); 1 100* ~2000(4В;2А) ~2000 (4 В; 2 А)' ~1800(4В:2А) :'>1800 (25 В); 100* :'>1800 (25 В); 100* :'>1800 (25 В); 100* :<;1800 (25 В); 100· :'>1800 (25 В): 100· Rcиono• Ом к;!'' дБ Раых' Вт лu;~·. мВ :<;0,8 :<;0,5 :<;0,65 :<;0,028 :<;0,028 0,025 0.035 0,04 0,05 0,075 0,085 0,1 0,12 0,16 0,2 0,25 0,3 0,4 0,25 0,3 0,4 1 1 1 1 Кш, дБ Uш*, мкВ Е:·, нВ/$U, Q···, Кл 1 1 1 1 1 t.к.n• нс 1 t:ы~• НС ~·. Мfц 1 ЛU 3и/лт···, мкВ/*С 70; 100* 70; 100* 70: 100* 130; 350* 1 130: 350• 130; 350* 130; 350* 130; 350• 130: 350• Корпус 2П706 2П7102 1/.8 ~ 10,65 tJJ,G. ' "'1 ~v 1,Jl ' -В: • 1 А.111""1 .t IJt"t' 1 ~-~- ! 501 ~ 1 ".:~ 3 fИ ~.r с 1,15 lr 1.5 2 5 1.=-,g~~1·-1 - l !' 2П7102-91 10,28 7,11 г 2П7118 2П712 2П712-5 А а.34 ;;IDT
502 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип Токр., Рс11 rш1л' мВт UЗlioн' UCl1 rn;н.' UЗll 111d" - ' lc, lcНJЧ1 прибора Структура ·с Р~11т111d"-' Вт u;ll пov' u;Cin.i"' в 1~ "' I~тт, мА ~ в 1 в мА i 1 !! 1 ' 1! ! 2П7140А МОП, с n-каналом -60 .. . +125 - 1 - 50 1 - ЗА - 1 1 2П7141А МОП, с р-каналом -60 .. . +125 150* - 100 - 40А - 1 2П7142А МОП, с р-каналом -60 . . . +125 - - 30 20 4,9 А - 1 1 1 1 1 2П7143А МОП, с р-каналом -60 .. . +125 - - 30 20 10А 1 - 1 1 11 '1 1 ' 1 2П7144А МОП. с р-каналом -60 .. . +125 125* - 100 20 19А ! - 1 i 1 ~ 1 11 11 1 2П7145А i МОП. с n"-каналом -60 .. . +125 190* - 200 20 30А - 1 1 !1 i ~ 1!2П762А С изолированным ·1 -60 .. . +125 80* 2... 5* 1 100 1 15 30А;100*А $2 :1 !12П762В затвором, -60 ...+125 80* 2... 5* 100 1 15 30А;100*А $2 2П762Д с n-каналом -60 ...+125 80* 2...5* 150 15 30А;100*А $2 11 2П762Ж -60 ...+125 80* 2...5* 150 15 20А;80*А $2 11 2П762К -60 ...+125 60* 1,5 ...4* 100 15 15А;40*А $1 2П762Л -60 ...+125 60* 1,5 .. .4* 200 15 10А;40*А $1 2П762М -60 ...+125 80* 2...5* 60 15 30А;110*А $2 2П762Н -60 ...+125 80* 2...5* 200 15 20А;80*А $2 i .
полевые транзисторы специального назначения 503 и ! 1 ~ Rсиот.• Ом Кш, дБ tвкл' НС 1 i 1 cllн' с~2и• 1 к;!' дБ Uш•, мкВ t:Wxл' НС S, мА/В i Е:·. нв/.JfЦ (,Мfц Корпус i ~ 1 ~;;•• пФ Р'"" Вт лu / лт··· 1 лu;:i·. мВ о···. Кл 1 1 зи • 1 мкВ/'С ~3800(15В:3А) 1 - $0,13 - - 2П7140, 2П7141 ~ 70,65 filJ.6[ '1 ,8 t\i,~~v ~.J1 1 11 1#1 ! ,.... 1 - ... ~ ., ,. ..,,. - ~10000 (50 В: 21 А) - $0,06 - - i i~'!:!: ~~15 ... з 11 1 ~,!;" с . 1,g 1,1 1 2,; 25-- ! 1 ~7700 (15 В; 4.9 А) - $0,058 - - 2П7142, 2П7143 lf.8 ~ 70,65 JilJ.6 . - , (\j i---1:. - 1,.J7 1 .t r~ ! ,.... 1 - ... 1 ~ ·1 1<)" ..,,. ~5600 (10 В: 5.6 А) 1 .. .. - $0,02 - - j _..... _.. _ r~15 ... 1 !· 1 ~з ~ ~ 1 ~-..... ' 1 2,; 25 1,g 1,1 ~6200(10 В; 11 А) - $0,2 - - 2П7144 ~ 70,65 J,6. ' 1,8 1 (\j ~~ 1,37 1 1 it1~ -е: 1 1 т.... 1 1 1 1 1 1 ~-~- 1 1 i 1 ' 1 1 1 ....._. _ _._ 1 1 1 1 ~~ r~15 1 ! 1 1~ ! 1~ . 1 25 1,g 1,1 2,; - ~12000 (50 В; 18 А) - $0,085 - - 2П7145 1 27,1 -~ 1 i ;;;IJ-, ~,! 1 ! - ~,\V 1 1 .... 1 - 1 ! 1 1 ----т 1 1 1 1 1 ::;3330 (20 В) 1 1 - $0,085 - 40; 80* 2П762 - $3330 (20 В) $0,1 - 40; 80* - $3330 (20 В) ::;О,1 - 40: 80* ttl - $3330 (20 В) $0,2 - 40; 80* JI - $1600 (20 В) ::;О,2 - 30; 60* ~ . - $1600 (20 В) $0,5 - 30; 60* ~ з - ::;3330 (20 В) ::;О,5 - 40; 80* - ::;3330 (20 В) ::;О,2 - 40; 80* 22 1 1 1 i ii
504 Раздел 3. полевые транзисторы 1 ' 1 i 1 ' 1 Тип Токр" Рсв111d\' мВт UЗlloн' Ucitiпa'' UЗllnid\' lc, •с HdЧt прибора Структура ·с Р~11т~п""'' Вт u;ll no11' u;Cma'' в 1~.11' l~ост' мА в в мА 2П762И2 С изолированным -60 ... +125 80* 2...5* 200; 200* 15 20А;80*А $2 затвором, с n-каналом 1 1 1 11 1 1 1 1 1! ~ 1 1 1 2П762Бl n-канал - 60 ... +125 80* 2...5* 100; 100* 15 30А ::;2 2П762П n-канал - 60 ... +125 80* 2...5* 100; 100* 15 30А ::;2 2П762Еl n-канал - 60 ... +125 80* 2...5* 150; 150* 15 30А ::;2 2П762П-5 С изолированным -60 .. . +125 80* 2...5* 100; 100* 15 30А;100*А ::;2 2П762Еl-5 затвором. -60...+125 80* 2...5* 150; 150* 15 30А;100*А ::;2 2П762И2-5 1 с n-каналом - 60 ... +125 80* 2...5* 200; 200* 15 20 А; 80*А ::;2 1 2П771А МОП, с n-каналом -60 ... +125 1 150* 2...4* 100 ±20 40А - 2П797f - 60 ... +125 150* 2...4* 100 ±20 28А - 1 1 1 i 1 2П771А91 МОП, с n-каналом -60 ... +125 150* 2...4* 100 ±20 40А - 2П797f91 - 60 ... +125 150* 2 ...4* 100 ±20 28А - 1 1 1 1 1 1 2П802А n-канал - 60 ... +125 40* -25 500 -35 2,5 А 0,5* (400 В) 1 1 1 1 1 1 11 1 ! ., 1 ii 1 1 1 1 1 ~= 1 1 1
Полевые транзисторы специального назначения !1 i S, мА/В ~14000 (20 А) ~8700 (50 В; 17 А) ~14000 (20 А) ~8700 (50 В; 17 А) ~800 $3330; $650** $3330 (20 В) ::;3330 (20 В) ::;3330 (20 В) ::;3330; $650* * $3330; $650** $3330; $650* * Rсиотк' Ом к:Р• дБ Р::х, Вт лv;::. мВ $0,25 s;0,085 s;0,1 s;O,I $0,2 s;0,2 s;0,5 $0,045 $0,077 $0,045 s;0,077 Кш, дБ Uw-, мкВ Е:·. нв/j[Ц Q.". Кл t.11кл1 НС t11ыкл1 НС ~~·.МГц лu",/лт"·, мкВ/"С 40; 80* 40; 80* 40; 80* 40; 80* $80; $30* 40; 80* 40; 80* 40; 80* 505 Корпус 2П762-2 2П762-1 2П762-5 2П771, 2П797 " 1~1 .t ,..,,, 1 ~-~- ! °"~ 3~ и ":i..., с 1,15 2.5_.1-+-~2.~5 1.'-',9_,,~1._1_ 2П771-91, 2П797-91 10.28 7.11 г 2П802 ~m~ ~.~ 27,1 ~'с ~пr .
506 Раздел 3. Полевые транзисторы Тип Токр.• Рс111ш1х' мВт UЗ!loдl UСВ1ш1х' UЗ!ltna>.' lc, lсн:.1ч' прибора Структура ·с p~ll т тах1 Вт u;ll noμ' u;c tnax' в (.11 ' I~ост, мА в в мА 2П803А С изолированным -60 ... +125 60* - 1000 30 1 2.6...3,5А 1 s7; slO* 2П803Б затвором. -6 0 ... +125 60* - 800 30 1 3...4 А ! s7: slO* с n-каналом 1 i 2П815А С изолированным -60 ... +125 125* 2...7* 400 20 20А 2; 5* 2П815Б затвором, -6 0 ... +125 125* 2...7* 500 20 20А 2; 5* 2П815В с n-каналом -60...+125 125* 2...7* 400 20 15А 2; 5* 2П815Г -60...+125 125* 2...7* 500 20 15А 2; 5* i 1 1 1 1 1 2П816А С изолированным -60 ... +125 125* 5 800 25 i 25А 2; 5* 2П816Б затвором. -6 0 ... +125 125* 5 800 25 1 25А 2; 5* 2П816В с n·каналом -6 0 ... +125 125* 5 1000 25 25А 1; 5* 2П816Г -6 0 ... +125 125* 5 1000 25 25А 1; 5* 1 ' 2П901А 1 n-канал -60 ...+125 20* 1 - 70 30 1 4А 200 1 2П901Е 1 n·канал -60 ...+125 20* 1 - 70 30 1 4А 200 1 ; 1 1 1 2П901А-5 n-канал -60...+125 20* - 70 30 4А 200 2П901Б-5 n-канал -60 ...+125 20* - 70 30 4А 200 1 ' : ' ~ ' 1 ' 1 1 i i 1 ' ' i 1 2П902А 1 С изолирован11ым -60 ...+125 3,5* - 50 30 1 ~00 1 slC: sCf.5* з-атвором и 1 2П902Б n·каналом -60 ...+125 3,5* - 50 30 200 slO; s0.5• li 2l1903A 1 С p-n-neμexvдuм 1 -60 ... +125 ! 6* i 5... 12 2G; 2CJ• 1 15 1 700 1 s7u(. ::;".05• il 1 1 1 1i 1 и п-каналом ! 1 ' ! 1 il211903Б 1' J12П903В 1 -60...+125 1 1 1 1-60 ... +125 1 6* 1... 6,5 20: 20* 15 7(JJ 6* 1... 10 20: 20* 15 700 sб.J(,: sv.05* 11 ~
Полевые транзисторы специального назначения 1! v S, мА/В z750130В:1А) z750(30В: 1AI z4500 (25 В; 2 А) z4500 (25 В: 2 А) z4500 (25 В: 2 А) z4500 (25 В: 2 А) zlOOOO (25 В: 10А)1 zlOOOO (25 В; 10 А) zlOOOO (25 В; 10 А) zlOOOO (25 В; 10 А) IГ50".160 1! 60".170 1. li 1 50". 16 0 60 ... 170 10".26 (20 В: 50 мА) 10."26 (20 В: 50 мА) 85".140 (8 В) 50".130 (8 В) 60".140 (8 В) $3100: $20* $3100: $20* $5600 (20 В) $130* $440** $440** $2600 (20 В) $150* $400** $400** $100 $100 $100 $100 $11: $0,6* $11; $0,6* $18 $18 $18 Rc110", Ом к:Р• дБ Р:1:,, Вт лu;,~·. мВ $5 $4,5 $0,3 $0,8 $0,5 $1 $1 $1 $1,2 $1,2 zlO**; 7* (100 МГц) z6,7**; 7* (100 МГц) zlO**; 7* (100 МГц) z6,7**: 7* (100 МГц) z6,6* (250 МГц) z0,8* (60 МГц) Кш, дБ Uw" мкВ Е:·, нВ/.JfЦ Q".. Кл $6 (250 МГц) $6 (250 МГц) гО,09** (30 МГц); $1** (100 кГц) $10; г7,6* гО,09* (30 МГц); $2,5** (IOO кГц) $10; г7,6* гО,09** (30 МГц); $4,6** (100 кГц) $10; г7,6* 1 1 t,..кк.11, НС 1 t.~ык..1' НС 1 f,;,МГц I лu,11 /лт·".: мкВ/"С i 40: 160* 40: 160• 40; 160• 40: 160• $90: $1 IO• $90: $1 IO· $90; $110* $90; $110* 507 Корпус 2П803 2П815 2П816 2П901 2П901-5 2П902 2П903 :i$
508 Раздел 3. Палевые транзисторы 1 ! 1 1 1 ' 1 ! 1 u311отс' 1 UCHmax' IC' Тип Токр.• 1 Рс11 '""' мВт 1 i Uзи m•н'" : JСн:,;~ч• Структура u;и пор' 1 u;Cma"' 1~.-и• прибора ·с !р~11тmax1Вт в в в мА ' l~oc•, мА 1 i 1 2П903А-5 С р-п-переходом -60 . . . +125 [ 6* 5... 12 20; 20* 15 700 s700: s0,05* и п-каналом :-60 ...+125I 1 2П903Б-5 6* 1 1... 6 ,5 20; 20* 15 700 s480; s0,05* 1 ' 1 1 2П903В-5 -60 ...+125 6* 1 1... 10 20; 20* 15 700 s600; s0,05* 1 2П904А С изолированным -60 . . . +125 75* - 70; 90* 1 30 5А i s350: s200* 2П904Б затвором и -60 ...+125 75* - 70; 90* 1 30 ЗА 1 s350: s200• 1 1 ; ! индуцированным ' ! п-каналом 1 i 1 ! : 2П905А С изолированным -60 . . . +125 4* - 60; 70* ±30 350 20*; 1. 2П905Б затвором и -60 ...+125 4* - 60; 70* ±30 350 20*; 1* п-каналом 1 2П905А-5 С изолированным 1 -60. .+125 4* - 60; 70* ±30 350 i 20*; 1* затвором и 1 п-каналом 2П907А С изолирова1mым -60 . . . +125 11,5• - 60; 70* ±30 2,7 А slOO: slO* затвором и 2П907Б n-каналом -60 ...+125 11,5* - 60; 70* ±30 1,7 А sIOO; slO* 1 1 i ! 1 i ! 1 2П908А 1 С изолированным -60 ...+1251 3,5* 1 - 40; 50* 1 20 1 280 s25; so.5· 2П908Б затвором -60 ...+125 3,5* - 40; 50* 1 20 200 s25; s0.2• и индуцированным п-каналом 2П909А С изолированным -60 . .. +125 60 - 50; 60* 25 6,5 А 200; 100* 2П909Б затвором -60 ...+125 60 - 50; 60• 25 6.5 А 200: 100* 2П909В и индуцированным 1 -60 . . . +125 40 1 - 50; 60* 25 6.5 А 1 200; 100* 2П909f п-каналом 1 ' 40 1 - 1 50; 60* 1 25 1 6.5 А 1 зо: зо· ! ' 1 1 1 ' 1 1 i i 1 i ' 2П911А i С изолированным 1 -60 . . . +125 30 1 - 50; 60* 1 25 1 6,5 А 1... 150: 50* i 2П911Б 1 затвором 1 -60 ...+125 30 - 50;60• 1 25 1 6.5 А 1... 70: зо· ' 1 1 ,, 1 1 1 ~ и индуцированным i 1 п-каналом 2П912А С изолированным -60 . . . +125 40* - 100; 110* 20 8А О,! ... 20 2П912Б затвором, п-канал -60 ...+125 40* - 60; 70* 20 12А 0,1 ...20 11 1 1 1 ! 1 ii 1
Полевые транзисторы специального назначения 509 1: Rси."• Ом Кш, дБ t..,,, нс 11 cllи1 с~2и' к;_.. дБ Uw·, мкВ t:wк.nt НС S, мА/В с;;,, пФ Рвых' Вт Е:·, нВ/.,/fЦ ~·.мrц Корпус 1 лu;~·. мв Q"•• Кл ЛU3и/лт·". мкВ/"С 1 85...140 (8 В) $18 ~О.09** (30 МГц): ::;1 ** (IOO кГц) - 20903-5 $10: ~7.6* 50...130 (8 В) $18 ~О.09* (30 МГц): ::;2,5** (100 кГц) - ~rВТ $10; ~7.6* 60... 140 (8 В) $18 ~О.09** (30 МГц); $4,6** (100 кГц) - $10; ~7.6* 250 ... 510 ::;ЗОО (30 В) ~50** (60 МГц) - - 2П904 250 ... 510 ::;300 (30 в) ~30** (60 МГц) · - - Мf~ ~13* (60 МГц) 18 ... 39 ::;7 (25 В) ~1** (1 ГГц) ::;6 (1 ГГц) - 20905 18 ... 39 ::;11 (25 В) ~6** (1 ГГц) $6,5 (1 ГГц) - 1 tj!~"" ' 1 ~- 2~sc 18 ... 39 ::;7 (25 В) ~1** (1 ГГц) ::;6 (1 ГГц) - 2090.SA-5 0,47 0,15 ~шт 110... 200 $3* (25 В) ~4** (1 ГГц) - $2; $2* 2П907 (20 В: 0,5 А) 110... 200 ::;3* (25 В) ~3** (1 ГГц) - $2; $2* t 1ij (20В:0.5А) 1 .... , "' 1 ~ '&. 1 ·с - ~· 12,1 20,5 ~24 (20 В: 80 мА) ::;4,5 (25 В); ::;О,6* ~1** (1,76 ГГц) - - 20908 ~4 (20 В; 80 мА) ::;6,5 (25 В); ::;О,6* $25 - - 1tr~... ~- 1 2~sc 1 350 ... 1000 ::;225 (5 В) ~50** (0,4 ГГц) - 4; 4* 2П909, 2П911 350 ... 1000 :::;225 (5 В) ~30** (0,4 ГГц) - 4: 4* о 350 ... 1000 ::;225 (5 В) ~30** (0,4 ГГц) - 4; 4* <")" А~ 9J ..... 350 ... 1000 $225 (б В) $1,6 - 4: 4* 15r ~"зс , 200 ... 600 80 (-5 В) ~10** (1 ГГц) :!1 . - - . ~' . 200 ... 600 80 (-5 В) $3,5 - 3; 5* А-А ~f ~' -- 21,.Т 800 ... 2200 500 (5 В) $0,8 - 30; 30* 20912 800 ... 2200 16* (-5 В) ::;О,4 - 30; 30* -~ 1 ~ оо .., . - 1
510 Раздел 3. Полевые транзисторы lj 1 1 ~ 1 UЗlluн' UOl111ax' Ic, 1 1 Тип Токр.• Ре11 nш.' мВт UЗИmа"' lc нdч' Структура р~И тmа"'' Вт u· u;Cm.ix' 1~. 11' l~оп, мА прибора ·с 311 nup' в в в мА 2П913А С изолированным -60 . .. +125 100* - 50; 60* 20 14А :>200*; s300* 2П913Б затвором, n-канал -60 . .. +125 100* - 50; 60* 20 10А s200*; s300* 1 i 1 2П914А С р-n-nереходом. -60 . .. +125 2.5* 8... 30 50: во· -30 100 s250*: so.01 • n-каналом 112П917А С изолированным -60 . .. +125 30* - 300: 310* 25 5А - 2П917Б затвором. n-канал -60 . . . +125 30* - 150; 160* 1 25 5А 1 - 11 1 1 1 2П918А С изолированным -60 . . . +125 45* - 45; 55* 20 6А 60: 50· 2П918Б затвором. n-канал -60 ... +125 45* - 45; 55* 1 20 4А 60; 50* 1 2П920А С изолированным -60 . . . +125 130* - 50; 60* 25 15А 100; 100* 2П920Б затвором, n-канал -60 ... +125 130* - 50; 60* 25 12А 100; 100* 11 1 1 2П922А С изолированным -60 . . . +125 75* 2... 8* 100 1 ±30 10А 2 2П922Б затвором и -60 . .. +125 75* 2... 8* 100 ±30 10А 2 индуцированным n-каналом 1 2П922А-5 С изолированным -60 . .. +125 75* 2... 8* 100 ±30 10А 2 1 2П922Б-5 затвором и -60 . .. +125 75* 2... 8* 100 ±30 1 10А 2 11 1 индуцированным 1 ! 1! 1 n-каналом 1 1 1 1 j! 1 1 1 1 ii 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Полевые транзисторы специального назначения S, мА/В 1000... 2500 1000... 2500 10...30 (10 В) 200... 1700 200... 1700 550... 700 350... 600 ~ 1 1000... 2300 1000...2000 1000... 2100 (1 А) 1000... 2100 (1 А) 1 1000... 2100 (1 А) 1000... 2100 (1 А)· ~ 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 :S:390 (25 В) :S:390 (25 В) :s:IO; :s:2,5* :S:l30 (-5 В) :S:l30 (-5 В) $160** $7* :S:2000 (20 В) :S:2000 (20 В) :S:2000 (20 В) :s:2000 (20 В) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ' Rc110"' Ом к;_.,, дБ Р,.,, Вт лu;;,·, мВ ~100** (0,4 ГГц) ~70** (0.4 ГГц), ~4· (0,4 ГГц) ~3* (200 МГц) ~25** (1 ГГц) ~17** (1 ГГц) ~150** (0,4 ГГц) ~120** (0,4 ГГц) $0,2 $0,4 :s:0,2 $0,4 ' ; Кш, дБ Uш*, мкВ Е:-. нВ/.jfЦ о···, Кл :s:6 (200 МГц) - - - - - - !1 1 1 : ; 511 t"" нс 11 t:ыКJ1t НС (',МГц ' / ••• 1 ЛU311ЛТ,1 мкв/·с 1 1 ' 1 1 .. .... .. ....- .. .. Корпус 20913 и 20914А п i се:. ! <о::.' з~с 20917А - - 3и 27.f ю; ~~ ·.· 20918 - - - ' ; - 1 20920 - t' ~э 1 ~ ~c~+r 1 1 1 ,, гж-- и .1 21.5 :S:IOO; $100* 1 20922 $100; :s:100· ! i nt ю; 1 1 --~ ~~ ~ ~ i .., i .... $100; $100* 20922-5 $100; $100* 0,77 1 0,34 ~шт 1 1 i ! !1 1 i, 1' ~
512 Тип прибора l 2П923А il2П923Б 112П9238 12П923Г 1! 2П926А l 2П926Б 1 11 [1 :1 :1 1 2П928А 2П928Б il 11 11 2П933А 2П933Б 1 li 2П934А 12П934Б 1 2П938А 12П938Б i 2П9388 112П938Г l12П938Д !1 , 1 1 ! 1 1 1 j 1 1 1 1 Токр.1 Структура ·с С изолированным -60 ... +125 затвором и -6 0 ... +125 n-каналом С р-n-nереходом, -60 ... + 125 n-каналом -60 ...+125 С изолированным -60 ... +125 затвором и - 6 0."+125 n-каналом 1 1 С изолированным -60." +125 затвором и каналом -60." +125 n-тиnа СИТ, n-канал -6 0 ... +125 -6 0 ... +1251 1 1 1 С р-n-nереходом и -60 ... +125 n-каналом -6 0 ... +125 1-60 ...+125 1 -6 0 ... +125 -6 0 ... +125 Pci1 mdx' мВт Р~11т1тм'' Вт 100* 100* 50* 50* 50* 50* 250* 250* 160* 160* 50* 50* 50* 50* 50* 50* 50* UЗll оп' u;ll nop' в -15 -15 1 1 r 1 - - 1 1 - - 1 - - - - - - - UСИ maxt u·ЗС max t в 50; 60* 50; 60* 50; 60* 50; 60* 450; 475* 400; 420* 50; 60* 55; 65* 45; 55* 45; 55* 450 300 500; 505* 500; 505* 450; 455* 400; 405* 300; 305* Раздел 3. Полевые транзисторы Uзи md\' в 20 20 20 20 -25 -20 25 25 1 20 20 -5 -5 -5 -5 -5 -5 -5 lc, 1~. 11' мА 12А ВА 6А 4А 16,5 А 16,5 А 21А 16А 9А 7,5 А 15А 15А 15А 15А 15А 15А 15А lc н<1ч' l~ю, мА ~50; ~50* ~50; ~50* ~25; ~25* ~25; ~25• ~'1 1 1 1 ~150; ~150* ~150; ~150* 1 1 1 75; 75* 75; 75* 1 1 1 1 11 i ,1 1 11 1! 1 11 - 11 1 - 1 1 ~3*!Uзи=0) ,1 ~3* (Uзи = -3 В) 11,, ~3*!Uзи= -3В)11 ~3*!Uзи= -3 BJ 1 ~3*(Uзи= -3В>
Полевые транзисторы специального назначения S, мА/В г!ООО (20 8; 3 А) г700(208;3А) г550(208;2А) г350(208;2А) г2000 (20 8; 4 А) г2000 (20 8; 4 А) 1800(208;3А) 1800(208;3А) г650(208;2А) г550(208;2А) h21хг20 (5 8; 5 А) h21хг20 (5 8; 5 А) h21эг20* (5 8; 5 А) h21эг20* (5 8; 5 А) h21эг20* (5 8; 5 А) h21эг20* (5 8; 5 А) h21эг20* (5 8; 5 А) 33зак 9 5400 (10 8) 5400 (10 8) 5220(108) 5220 (!О 8) г150** (20 8) г150** (20 8) 210 (10 8) 210(108) RClloт"' Ом к;!'' дБ Рв1~"'' Вт лu;~·. мВ г50** (! ГГц) гзо• * (1 ГГц) г25** (1 ГГц) гl 7** (1 ГГц) 50.1 50,1 г250** (0.4 ГГц) г200* * (0.4 ГГц) г70** (1 ГГц) г60* * (! ГГц) 50,07 50,07 50,07 50,07 50.07 50,07 50,07 Кш. дБ Uш", мкВ Е::. нВ/.jГЦ Q".. Кл tfll{JI' нс t:Ы1tл' НС ~:·,МГц ЛU3"/лт·". мкВ/"С 100; 100* 100; 100* 100; 2500* 100; 2500* 5200 5200 5200 5200 5200 513 Корпус 2П923 - 20,.f - 2П926 2П928 2П933 2П934А .,_ - зи 27,1 ~ ~~ '.' 2П938
514 Раздел 3. Полевые транзисторы 11 1 i 1 Тип 1 Токр.• Рс111пdА' мВт UЗlloтt·I UCllmaJ..' UЗll1n",1 lc, ! lc н.t•1' Структура u;llnop' u;Cm.tAI 1~. 11' 1 прибора ·с p~llтmdx' Вт в l~oc•, мА 1 в в мА 2П941А С изолированным -60 ... +125 З* - З6;41* 20 600 :S:IO; :S:2* затвором и n-каналом 1 i ! ii 1 1 2П941Б С изолированным -60 ... +125 15* - З6;41* 20 ЗА :s:20: :s:8~ затвором и n-каналом 1 1 1 2П9418 1 С изолированным -6 0 ... +125 зо~ - З6;41* 20 6А 1 :s:ЗО; :s:l6* 2П941f 1 затвором и -6 0 ... +125 ЗО* - З6;41* 20 5А :s:ЗО; :s:l6~ 2П941Д n-каналом. -60...+125 ЗО* - З6;41* 20 ЗА $20; $8* сдвоенный 1 2П942А СИТ -6 0 ... +125 40* - 800; -10* -25 1 10А;ЗО*А1 - 2П942Б с n-каналом -6 0 ... +125 40* - 700; -10* -25 110А;ЗО*А1 - 2П942В -60...+125 40* - 600; -10* -25 10А;ЗО*А - 2П942А-5 сит -60...+125 40* - 800; -10* -25 10А;ЗО*А - 2П942Б-5 с n-каналом -60 ...+125 40* - 700; -10* -25 10А;ЗО*А - 2П942В-5 -60 ...+125 40* - 600; -10* -25 10А;ЗО*А - 1 1 1 1 1 1 i 1 1 Сборки полевых транзисторов 2ПС104А Сдвоенный. -60...+125 45 - (0,2 ... 1) 25; ЗО* -ЗО; +0,5 - 0,1 ...0.8 2ПС104Б с р-каналом -60 ...+125 45 - (0,2 ... 1) 25; ЗО* -ЗО; +0,5 - 0,1 ...0.8 2ПС1048 -60 ...+125 45 - (0,4 ... 2) 25; ЗО* -ЗО; +0,5 - О.З5 ... 1,5 2ПС104f -6 0 ... +125 45 - (0,8 ... З) 25; ЗО* -ЗО; +0,5 - 2ПС104Д -60...+125 45 - (0,8... З) 25; ЗО* -ЗО; +0,5 - 1 2ПС104Е -60...+125 45 - (0.4 ... 2) 25; ЗО* -ЗО; +0,5 - ! 1 1 i ; i 1 1
Полевые транзисторы специального назначения S, мА/В 200.. .400 (0,5 А) 600... 1800 (2 А) 1 1200... 3600 (4 А) 1000... 3600 (4 А) зз· ~600 (2 А) h21э~8 (5 А) h21э~8 (5 А) h21э~8 (5 А) h21э~8 (5 А) h21э~8 (5 А) h21э~8 (5 А) ~О.35 (!О В) ~О.35 (10 В) ~О.65 (10 В) ~1 (10 В) ~1 (!О В) ~О.65 (10 В) 1 :S:20 (12 В) $100(128) :S:200 (12 В) :S:200 (12 В) :S:200 (12 В) :S:4,5 (10 В); 1,5* :S:4,5 (10 В); 1,5* :S:4,5 (10 В); 1,5* :S:4,5 (1 О В); 1,5* :S:4,5 ( 10 В); 1,5* $4,5 (10 В); 1,5* Rсио'"' Ом к;!" дБ Р'"'' Вт лu;,~·. мв 1 ~7.5*; ~3** (0,4 ГГц) ~4.3*; ~15** (0,4 ГГц) ~5*; ~30** (О,4 ГГц) ~4.5*;~25** (О,4 ГГц) ~5*; ~30** (0,4 ГГц) Кш, дБ Uш*, мкВ Е:·, нВ/ .JfЦ Q"•• Кл fвкл' НС t:ыкл' НС ~·.МГц , лu3,,/ лт·", 1 мкВ/*С Сборки попевых транзисторов $30*** $30*** :S:50*** :S:50*** $20*** :S:20*** :S:0,4*(10 Гц) :S:l *(10 Гц) ::;5*(10 Гц) :S:l *(10 Гц) :S:5*(10 Гц) $50*** $150*** $150*** :S:l00*** $150*** $20*** ' 1 515 Корпус 2П941А 2П941Б ... t,../ТГ31 !<t.' ;:;r:::.::::1-+ --FC ... ;_;; !32 r-..-J_- 6 1.1 ~ 2П942А - зи 27,f ЮJ"с ~5fr .. 2П942А-5 5,5 0,45 ~шт 2ПС104 OOt/J9/t Н1 ~ 32$0~с, «:) с з, .. .. 2 и,
516 Раздел 3. Полевые транзисторы 1 UЗlloтc' UCHmax• lc, Тип Такр.• Pc 11 m"• мВт Uзнm"х• lc на•1' прибора Структура ·с Р~н т max• Вт u;ll пор• u;Cma). 1 в 1~.н• 1~01.-т •мА в в мА 2ПС202А-2 С р-n-nереходом, -60 . . . +125 30 0,4 ... 1 15; 20* 0,5 - 0.35 .. . 0,8 2ПС202Б-2 с n-каналом -60 ...+125 30 0,4 ...2 15; 20* 0,5 - 0.35 ...1.5 2ПС2028-2 -60 ...+125 30 1... 3 15; 20* 0,5 1 - 1 1.1 ...3 ! 2ПС202Г-2 -60 ...+125 30 1... 3 15; 20~ 1 0.5 1 - 1 1.1 ...3 1 1 1 i ' 1 1 1 2ПС202Д-1 1 С р-n-nереходом, 1 -60 . . . +125 60 0,4 ...2 15; 20* 1 0,5 1 - 1 0.35 ...1.5 2ПС202Е-1 с n-каналом -60 ...+125 60 1... 3 15; 20~ i 0.5 !- i 1.1 ...З 1 1 1· 1 1 1 2ПС316А-1 С р-n-nереходом, -60 .. . +125 60 0,3 ...2 25; 25* 25 1 - - 2ПС316Б-1 1 с n-каналом 1 -60 ...+125 60 о:з ... 2 1 25: 25* 25 1 - - i2ПС3168-1 1 1 -60 ...+125 60 1,3 .. .4 25; 25* 25 - - 2ПС316Г-1 1 -60 ...+125 60 2,5 ...6 25: 25* 25 - -
Полевые транзисторы специального назначения 517 ~ i 1 tккл' НС 1 ~ ~ RClloтк' Ом Кш, дБ 1 ~ j сl!и• с~2и• к;!' дБ Uш*, мкВ t:"КJ\. нс S, мА/В с;;и, пФ рвых• Вт Е:*, нв/.JГЦ (",МГц Корпус лu;;,·, мВ Q"•• Кл лu,11 /лт···. мкВ/"С ~О.65 (5 В) $6 ( 10В); $2*(1ОВ) $30*** $20** 30**;$50*** 2ПС202-2 ~О.65 (5 В) $6 ( 10В); $2*(1~В) $30*** $20'* 30**;$150*** ~1(5В) $6 (IOB); $2*(10В) $30*** $20** 30**;$100*** 'c::::J"""' ~1(5В) $6 (IOB); $2*(10В) $30*** - 30**;$150** 2 1 с,ти2 1· 1 31- Зz ,1 i 1 1 Н1 Cz ~ 1 1 1 1 1 Щ65 (5 В) $6 (IOB); $2*( 10В) $30*** - 30** 2ПС202-1 ~ ~1(5В) $6 ( 1ОВ); $2*( 10В) $30*** - 30** 'c::::J"""' 2 с,ти, 31- Зz Н1 Cz ~0.5(5В; 0.3 мА) $6 (10 МГц); $2* $50*** - $15*** 2ПС316-1 ~0.5 (5 В; 0,3 мА) $6 (10 МГц): $2* $50*** 1 - $30*** 1 ~0.5 (5 В; 0.3 мА) $6 (10 МГц): $2* $50*** - $30*н 1 Зz С2Н2 i ~0.5 (5 В; 0.3 мА) $6 (10 МГц): $2* $50*** - $30*** 1 1п 1,1/ ' : ~1fи,с,з,
Раздел 4 КОРПУСА ОТЕЧЕСТВЕННЫХ И ЗАРУБЕЖНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 4.1. Конструкции корпусов транзисторов Корпус прибора должен защищать кристалл от механических повреждений и воздействия внеш­ них факторов, эффективно отводить тепло, обеспечивать электрическую изоляцию токопроводящих выводов и их надежное соединение с внешними электрическими цепями, а также простое и удобное крепление в аппаратуре. При производстве полупроводниковых приборов используются типовые (базовые) унифициро­ ванные конструкции корпуса. Конструктивное оформление приборов обусловлено максимальными мощностью рассеяния и током, частотными свойствами, особенностями технологии изготовления и условиями эксплуатации. Для сборки кристаллов применяются цельно- и металлостеклянные, металлические с проходным изолятором, металлокерамические, керамические с компаундной (пластмассовой) герметизацией и пластмассовые корпуса различных форм и размеров. Выпускаются также бескорпусные приборы. Металлостеклянный корпус обычно состоит из ножки (фланца) и баллона (колпачка), герметич­ но соединяемых друг с другом электроконтактной и холодной сваркой или пайкой. Наружные метал­ лические детали корпуса в зависимости от типа прибора могут иметь металлическое (золочение, никелирование и др.) или лакокрасочное покрытие. Наличие поверхности баллона (колпачка) цилин­ дрической формы допускает применение радиаторов, позволяющих увеличить рассеиваемую мощ­ ность приборов. Выводы корпусов могут иметь одно- или двухстороннее расположение и находиться с той сторо­ ны, которой прибор прижимается к теплоотводу или шасси (направляться вниз), например в корпу­ сах КТ-9 (ТО-3); могут располагаться со стороны, противоположной контактирующей (обычно в мощных приборах), например в корпусах КТ-4 (ТО-60, ТО-63) а также могут иметь радиальное распо­ ложение (обычно у ВЧ- и СВЧ-транзисторов). Один из выводов прибора (от базы, эмиттера или коллектора) может быть электрически связан с корпусом или все выводы могут быть электрически изолированы от него. Для улучшения теплоот­ вода с одновременной электрической изоляцией кристалла от корпуса часто используется держатель из бериллиевой керамика, напаиваемый на фланец корпуса. Окись бериллия является хорошим изо­ лятором и в то же время обладает высокой теплопроводностью. Отвод тепла от кристалла зависит от теплофизических свойств материала корпуса. Так как у транзисторов отвод тепла обычно осуществляется через область коллектора, связанного электриче­ ски с корпусом, а работа прибора предпочтительнее в схеме с ОЭ, то корпус прибора изолируется от шасси с помощью прокладки (из слюды, окиси бериллия и др.). Имеются конструкции. где отвод теп­ ла осуществляется через коллектор, электрически изолированный от корпуса, например корпус КТ-4 (ТО-60). Иногда для улучшения отвода тепла в транзисторах малой и средней мощности внутренний объем корпуса заполнятся теплоотводящим наполнителем. Фланцевые корпуса обеспечивают лучший отвод тепла, чем корпуса с монтажным винтом. В различных странах проведены стандартизация и унификация конструкций корпусов полупро­ водниковых приборов. Это дает возможность, в частности, стандартизировать теплоотводы (радиато­ ры) для приборов. Габаритные и присоединительные размеры корпусов отечественных диодов и транзисторов стандартизированы и устанавливаются ГОСТ 18472-88 . По габаритно-присоедини­ тельным размерам конструкции корпусов с учетом международной стандартизации должны отвечать рекомендациям МЭК No 191-2 . В нашей стране имеется ряд корпусов транзисторов и диодов, соответ­ ствующих этому документу: • металлостеклянный корпус типа КТ-1 с двумя, тремя (аналогичный зарубежный корпус типа ТО-18), четырьмя (ТО-72) или пятью выводами для транзисторов с рабочей частотой до 1,5 ГГц;
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов 519 • металлостеклянный корпус типа КТ-2 (ТО-5, ТО-39, ТО-33) для транзисторов малой и средней мощности (до 15 Вт); • металлокерамический корпус типа КТ-4 (ТО-60), имеющий три изолированных вывода, крепящий болт и предназначенный для мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторов; • металлокерамические корпуса типов КТ-6, КТ-7 (ТО-61, ТО-63 соответственно) для транзисторов большой мощности (до 200 Вт) с двумя (для низкочастотных транзисторов) или тремя (для высокочастотных транзисторов) изолированными от корпуса выводами; • металлостеклянные корпуса типов КТ-8, КТ-9 (ТО-66, ТО-3 соответственно) для транзисторов большой МОЩНОСТИ. Корпус типа КТ-9 (ТО-3) обычно используется для работы на частотах до 100... 150 МГц, типа КТ-4 (ТО-60) - до 500 МГц; для работы на более высоких частотах применяются специальные кон­ струкции (КТ-15, КТ-20, КТ-30, КТ-32). На высоких частотах на электрические параметры приборов начинают влиять паразитные пара­ метры корпуса: межэлектродные емкости, емкости электродов относительно корпуса и индуктивно­ сти выводов. Для работы на СВЧ (более 1 ГГц) индуктивность выводов должна быть менее 1 нГн. В отличие от низкочастотных приборов, у высокочастотных выводы делаются короткими, тол­ стыми, широкими и далеко расположенными друг от друга. Были разработаны коаксиальный корпус и различные модификации корпуса с полосковыми выводами (для сопряжения с полосковыми линия­ ми). Например, у коаксиального корпуса индуктивность общего вывода 0,1 нГн, у керамического по­ лоскового корпуса типа L-5 индуктивность эмиттерного вывода 0,275 нГн. Для ВЧ- и СВЧ-транзисторов существуют два способа монтажа кристалла в корпус: для схем с ОЭ (эмиттер электрически связан с корпусом) и с ОБ. Наилучшие резу.Льтаты работы усилительных транзисторов в полосковых корпусах получены в схеме с ОБ (класс С), так как при этом получаются высокие Кур и достигается лучшая стабильность усилителя. Транзисторы, включаемые по схеме с ОЭ, являются оптимальными для генераторов, так как паразитные параметры корпуса оказываются включенными в цепь обратной связи. 4.2. Особенности пластмассовых корпусов и бескорпусные приборы Бескорпусные приборы в виде кристаллов (пластин) с шариковыми, балочными, проволочными или ленточными выводами, на керамических держателях, а малогабаритных пластмассовых корпусах КТ-46, КТ-47 (SOT-23, SOT-89) применяются в составе гибридных интегральных микросхем. При этом осуществляется общая герметизация всей интегральной микросхемы для защиты приборов от влияния окружающей среды. Разработка полупроводниковых приборов в пластмассовом корпусе позволила снизить их стои­ мость и упростить технологию герметизации по сравнению с аналогичными по электрическим пара­ метрам приборами в металлостеклянном корпусе. Это произошло за счет автоматизации операций монтажа. герметизации, сборки и классификации приборов, а также вследствие снижения некоторых требований к приборам (например, у приборов в пластмассовом корпусе более узкий рабочий диапа­ зон температур). Использование пластмассовых корпусов - это также экономия керамики и метал­ лов. в том числе дорогостоящих. Ряд конструкций корпусов создан лишь благодаря специфическим свойствам полимерных материалов. Технологически процессы изготовления этих приборов не отличаются от аналогичных процессов изготовления приборов в обычном корпусе, только вместо ножки здесь используется центральный (обычно коллекторный) вывод и вместо металлического корпуса - заливка всей структуры полиме­ рами. Герметизация полимерами, применяемая как для маломощных. так и для мощных приборов, осу­ ществляется либо в виде монолитной конструкции (герметизирующий материал контактирует с кри­ сталлом), созданной путем погружения в жидкий полимер, заливкой в формах, литьем, опрессовкой или формовкой, либо в вице капсульной конструкции, при которой контакт кристалла с герметизи­ рующим материалом отсутствует. Герметизация может быть односторонней (для мощных приборов) или двусторонней (для маломощных приборов). В качестве заливочных компаундов (полимеров) ис­ пользуются эпоксидная, полиэфирная или фенольная смола, кремнийорганические материалы с раз­ личными наполнителями.
520 Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов Стабильность параметров и надежность приборов, герметизированных полимерами, связаны с различными серьезными проблемами и определяются изменениями. которые происходят на поверхно­ сти кристаллов. Эти изменения обусловлены наличием примесей в полимерном материале, проникно­ вением влаги через выводы и полимер на поверхность кристалла, внутренними напряжениями, возникающими в герметизирующем слое, адгезией пластмассы с материалом выводов, наличием электролиза контактов при проникновении влаги. Состав материала корпуса и метод герметизации оказываются наиболее важными факторами. связанными с надежностью приборов. Дефекты пласт­ массового корпуса могут вызвать большие токи утечки. электрохимические процессы разрушения (металлизации и выводов), термомеханические разрушения (из-за различия коэффициентов расшире­ ния пластмассы и металлических выводов). Поэтому пластмасса должна иметь высокие электроизо­ ляционные свойства {для снижения токов утечки), минимальные усадку и старение в течение длительного срока службы, быть влагонепроницаемой, термостойкой до температуры пайки и выше. Кроме того, она должна быть светонепроницаемой и пожаробезопасной (не должна самовоспламе­ няться). Пластмассовые приборы имеют высокую механическую прочность, вибро- и ударопрочность. Од­ нако пластмассовое покрытие недостаточно герметично, имеет плохой отвод тепла. В ряде случаев при использовании пластмассовых приборов в радиоэлектронной аппаратуре требуется дополнитель­ ная магнитная и электрическая экранировка их корпуса. Для мощных приборов в качестве основания пластмассового корпуса и теплоотвода служит ме­ таллическая пластина (например, медная), на которую непосредственно монтируется кристалл при­ бора и запрессовывается пластмассой. Следует отметить, что транзисторы в корпусах ТО-202 (SOT-128) по сравнению с аналогичными транзисторами в корпусах КТ-27 (ТО-126) или SOT-32 имеют рассеиваемую мощность приме~но на 20% больше за счет имеющегося металлического радиатора с площадью поверхности 250 мм , т. е. при эксплуатации в одинаковых режимах температура переходов у них будет примерно на 20% ниже, поэтому прогнозируемый срок их службы выше. Существуют три способа монтажа приборов в аппаратуре: навесной, печатный и поверхностный. Для поверхностного монтажа применяются специальные малогабаритные пластмассовые корпуса, на­ пример, отечественные КТ-46, КТ-47, КТ-89 (зарубежные SOT-23, SOT-89, ТО-252, SOT-143), кото- · рые позволяют более эффективно использовать поверхность платы. Технология поверхностного монтажа (SMT - Surfoce mount techпology) дает возможность при автоматизированном процессе сборки повысить плотность монтажа в 3 раза и уменьшить размеры плат, т. е. уменьшить массогаба­ ритные показатели аппаратуры, исключить технологический процесс изготовления отверстий на пе­ чатных платах, сократить время монтажа по сравнению с монтажом на платах со сквозными отверстиями.
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов 4.3. Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов отечественных транзисторов '/15,8~ Ф5,81/ кт-1-2 Ф5',81/ _ KT-f-J 01/,!15 кт-1-1 r,6 '1,95 фi/,!15 1 - ~ Lф ~ ф ~1 Jф ~- ~- ~-- ...... - \с:. ~ ~ i-...· ~-..., ;: r;J5,8'1 - - КТ-1-1/ ф5,8'1 KT-f-. f {65,8'1 кт-1-и 0'1.!15 rд+,!15 - фl/95 1 - ""> Lф "' :. ф "':.' LJф "::. ' ~- = ~- == ~. ·1u 8.<'11 1·1~ ~ 111· щ "i ,, t-. .. •LJ11 ф5,8Ф ф5".8'1 - ::. r/>5,8'1 кт-1-9 ~'195 кт-1-7 r/>'19.f кт-1-8 r/> Ф,!1_, "':. ~ ф t.:. ,, -ф t.:.~ L <$} ~- ~- ~- == ~ ·u ~ ~ !Ш ~-- ш O\i 'V "" L_ ' '-----' r/>5;8'1 ф,f,8# Ф5;8'1 фl/95 - кr-1-10 ф#.9.f - кт-1-11 11)1/95 кт-1-12 - "":. =u ф- "":. ф "":. 1 $ \с:.' ~- ,,,.,,,, ~-- ~=~ u ·11 ~ 1.u ~ ~LJ 11 ...... 11m ~-- 1 ""- f65,8'1 ::. кт-t-tJ ф,f,8'1 кт-1-1; r/>5,8'1 кт-1-1,; tAM5 - tДU.f ~9.!l.f "":. $- "':. ф "":. 1 ф ~- ~- ~- == = == ~ ·!U ~ 'IU ~ 1ш ш 1 ш - r;J5,8'1 r;J~I+ - :: КТ-/-/7 Ф5,8# _ - KT-f-/8 t;б+..95 КТ-1-18 ффj}S - ф+,95 - ~·' ф t.:. ф "":. LJ -$- ~- ~-- ~- === ~- ~ ":. J' -~~·~ ...._,,, 1 ~-- ' ..... -- r/> 5,61/ КТ-/-/9 Ф5,Н - 11)1,'1 фФ,15 _ - - кт-1-20 кт-2-1 ф~95 - r;Jl,5 - ф - ""' ф~·~LLф <с:.'~ ! ~-- ~- "'= 'с:.' IU ~u~ш ~ ~ lJф 1 ·wш t- ...' 1} ...... __. Ф.9,Ф _ кт-2-2 - r;J.9,'1 - KT-2-J - r;J.9," кт-2-; 06. .f - ф - 06..f ф -_ф 8.5 _, ф '<> 'с:. ! 1 <с:.1' 1 'с:.' 'с:.' 1 Се:.' ~ ·1ф ~,, т ~ ш t:!'•v 521
522 Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов кт-z-5" кт-2-п кт-2-7 1..,, ффф '<:> !«:.' '< :>' 1 ":. 1~1 "' кт-2-в Ф9, '1 кт-2-g кт-2-11J ф~ 08..J ф~ф кт-2-11 кт-2-12 кт-2-1J фе~ф /r'T -2-/lt кт-2-и кт-2-10 ффф . .,. ~ ~ ~ ":. "' -' кт-2-17 кт-2-18 кт-2-1.9 ффф .. ,. '<::.' ~ ~ !(T-2 -2/J кт-J-1 КТ-.1-2 ффф .... ..... 'с:. ..... ...... ..,,. ~ ~ \о\ ..... t::!' KT-J -J кт-J-'1 кт-J-5" ффф !',_ " .... ..... .....- ..... ~ ~ ~
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов 523 кт-J-о кт-J-1 Gкт-J-12 кт-J-1'1 ф кт-J-1.f' кт-J-/7 ф ф кт-.т-1в KT-J -fl кт-'1-2 фф
524 5 Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов кт-12 rо КТ-1Ф 2,7 КТ-17 ~..... кт-20 КТ-27 'ff о КТ-1.1 QD кт-11 кт-21 (КТ-22) пf Ц)1, 15 (2,2)@9,5 !:i ic. ,. ~ ~'. Ц)' ------ Qj'~h-+-.1 ..... '- Ц) <ci ..... КТ-25 KT-J1 с:.. ~' -..:: Q 7,2 12,1 А-А 12,5 КТ-15' 20.5 кт-19 КТ-2J (KT-2JA) if~@КТ-26 (КТ-26А) 2,1 KT-.J2 7
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов 525 KT-JJ (КТ-JJА) l(Т-J11-z КТ-.111-J KT-Jl/-'1 KT-Jl/- .f КТ-.1#-6 KT-Jl/-J КТ-.1'1-11 КТ-.111-1.1 KT-Jl/-15 КТ-.1'1-11 КТ-3+-17 КТ-J#-18 КТ-Jl/-/9 КТ-.111-211
526 Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов KT-JS-1 ФS,ВФ фlf,.9.f KT-J .f -2 t/JПФ f(T-J.f -J (J!/,l.f -$ ~ ф ....... "'" ~' ш . ... ф ~ ... . ~ m KT-JS-Ф r/JS,BФ КТ-.13-5 фl/,.9.f KT-J.J-o ф ф ~ "'' ~ щ ф ~ "'' ~ "-' КТ-.15-7 кт-J.f'-8 fJO,IФ V,l ,f KT-J .J -.9 -ф~ ф "" ~ ф ~ "'' ~ КТ-J.J-/11 rjJ.f,IФ кт-л-11 fJ#.1.f fJ.f;IФ KT-J.J-/2 фФ..95 -ф~ $ "'' ~ t- ..' ф ~ "'' "'" ~... ш . ... fJ5;1Ф KT-J .J-/ .f ' ФU.f ~ ф .... ~ КТ-35-18 KT-S5-16 КТ-35-11 , ".- " """' ., '-- KT-J.f-11 КТ-J!' КТ-Фll КТ-Фf кт-•2
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов 15,9 (16,5) о 1----i~N N~ (i~5) КТ-43 __ , _ _ _ _,'--(КТ-43А) КТ-'17 11 КТ-56 16 КТ-60 ~~-- 0 .. ... ...1--..+-1-11"'--1 . J,I 21. 2 16 (20,54) 5,65 2,8 КТ-43С (КТ-430) 21,2 КТ-61 (КТ-6/А) 21..; 527
528 21 ·Щ 12 о 5,1 Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов КТ-65 45 КТ-бб "' ~N" "' 30 46 КТ-7Q КТ-7! ...... fl,7 KT-7J КТ-75 197 0,82 g о 1,5 ~~~ КТ-69 ...... кт-12 fl,7 КТ-79
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов КТ-89 6,6 КТ-16-1 rnl - • " 34 зак. 9 КТ-90 2,35 10,28 7,11 КТ-238 КТ-92 КТ-28-1 о k====::i-.+ ' f-·Jl::::==:::L.:~ 1 ! ;j 1 . ' -·. .._ ..:. .--!+- 2,54 529 2,37 ~ 2,4
530 Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов 4.4. Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов зарубежных транзисторов SC-62 SC-70 ~ O.l'0 .1 ~ <:::i O.l J ';:f "' -· А ~ /,]!0,1 ~ "' <:::i <:::i l!O.l SC-71 l,5 '0 .1 SOT-100 J 0.85 SOT-119 SOT-103 ... " ... !; ~ З 5.1тт "" &' ОЛ mar ~~ 1.l mar <:; ....,_ . .,.__..........'-+-.........__., l.7 mar ~ "'
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов SOT-121 - [:21: -- -- ,__ .,., ~с;._ ~5 " ~1'8 "~ li .. ... :.!:? "' "' ,__ - -- flJ/ll тах ;;1 SOT-123 ... .-- f-- - - ~-- f/110 1/ЮХ SOT-143 34• " " "'~ .. .. i jl SOT-122D ",__ __ _. ~ ~ r----1 ~ l6.25!/,J5 SOT-1288 '·' тах 0 f/10.l А 0.1 ' 1.575 '0.155 0.65 mar ·~ 1.6 SOT-143R 531
532 ~\ 1 L__ Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов SOT-160 2,,5 тах о" .s; " ~ ..., 7 тiл SOT-172D о 110.2 А zs.s !/.S 10.2 тах 5.lmax, 1 SOT-186 ол " "' " ~ "' '&. 1.08!0.19 1.6 тах ~ " "' " ~ "' 2.9 тах O.SS тах t.J " "' " .., о.: ~ <;!; "" "' SOT-161 1.95 !0 .15 ;;: "' ..... f5 э"' 5• 'Q !--< ~ 1.14 "' f5 1.0l ~ 18. 'l ZS.l тах ):::> ;: -.- ! 10.l тах SOT-173 ~ l5S'0 .2 " "' 111. /!0.1 " "' _., SOT-194 7.6 1.2 0.1 0.62 1.1
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов SOT-199 15.J тах 7.3 1 "' с::; .. " 'О с::; ~J.l!O./ ... rn "' "' ~ "' ..... "' .. .. ...., о.' l SOT-223 6.S '0.l J!O./ i ·-·-·-·+·-·-·- ! J0.1:0.1 Б 18.1 •О.1 SOT-23 АБ 1.1 тох 0.48 .:, -ф0.01МАБ SOT227b /l'/J .l г -+- L 533 "" --- ----: :.. г -+- "' .... ._..-+---i-t-'=·1_,'11~.I -+-+ --' l"". O""'S -=!Q=09S = SOT-25
534 Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов SOT-262al 1~1 11 тах 1с;! !1' 1 / По[оtJочная по~еохно[ть/ 21.BS 025 11 тах = i2 1 i --- -f-- --- i i 1 "' '<> -· s 1,__ 1 .-~21._94 _ _J 1 ДJ тах . SOT-273 "' "' г-г-h~===*====-.-h,-,--~-+- ~ $- 1 i -----+ ----- i i 5 SOT-289 "' 0.IJ ,__~18.l_max_~ i i -~----i-----­ i ! J 1.4 ~l SOT-268 15 ток "' "' <> ~ ", " "' "' '<S .,.,, ~ ~! 0.1 SOT-279 9.J так 1i1 1i1 15 тах 18. '7 SOT-32
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов 535 SOT-323 =0.15 А <:>.. 6 SOT-343 0.1 '0 .1 c;:;i "" "' :q -:: SOT-353 ~ <:>., "' х:...: п.., ~ ~ .s; -~ ..... Es ... :::::· _...__ 1.l так l.7 так <;;i "' ~ "' SOT-37 0.l4 так SOT-324 6А8 так "' ~ ~ 1-------'"""-='-" -- - - - ~ ~ ~~ l{ll ~-· ~ L;; "'~ :g "' 1l -'-~+-~~..__......., . ._ _ _ . _........ _. . . + -. ~ - ~ i -----т----- i J SOT-343R -:-O.lМА ~ ~-:: 6 SOT-363 ' ti' ' ~ -·
536 • 1 Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов SOT-437a 6.5 тах SOT-54 {l тах ~lъ~ (/)0.67 тах SOT-89 О. '05 !О. 035 --t ( 5.15 тах J.85'О15 "·' 1.6 тах нв J J г+-1 SOT-48b SOT-82 1.Z SOT-89a z 0.4!0.05 1 15 тт O,f !0.05 1 -·-т-·
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов 537 SOT-93 r11'.l '0.05 ,,6 тох l SOT-9 11 1'. 1 тох 1.6 SOT-93a н ~ ~ 0.5", 1 0. ' !0,05 i l !J 5.5 5.5 1.8 ТО-3 f!J.96!О,11 ТО-5 7.9 min 10,92 !0,25 8.89!2.5/.
538 Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов ТО-18 127тах ТО-33 - 6.JS min 38.1 тiп 6.JS !0 .25 -51!§._ J. llmax l.54 min 1::=::::1 ~ ...... "' ~ ~~ ~ -r----~-~ - ...... ~ ~ "' ~ ""~ ~ t~ 0.762 min <:::i ; 1.27 тах ~1 ) Посадочная пабеахнасть ТО-39 127 min 6л·о2s - 1 6.JS min J. llmax 2Я min ь "" .... ""' .... <:::) <:::) --- -- ----- -~ "~ Cti Cti t::::= ~ ~~ =1 ~ .... с::. 1 1,l!Цl <:::) <:::) .. .. .. .... .. .. 1.27 тах .... .. .. <:::i <:::i ~ ~ ) Посадочная по/jерхнасть ТО-50 0.546 !0 .165 ТО-46 .... к: ~ 1l7 min с::.- 1.9!0.JS .. <::;) ~ .. 6.JS min 'О 'О .. .. с::; "' <:::i " ~..... ~ с::; .. с::; ., "~ .... ~ k: ...... ...... ~ ~ ..,., "' "' <:::i ~ "' "' •. <:::i !.;; !.;; J '" "~'03'5 t ....._ .. "' § ~~ -: ;g "" f с::. 1.016 тах <::;) 'ii с::; <:::i с:; .. " ~ 1.27 тах --±-- - ; ..... 1i с::; с:; 1 ~~. ----j----
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов 539 ТО-59, ТО-60, ТО-61, ТО-62, ТО-63 ::i:: --L.. ~~~ е - ?о: /~ "'~ ~~ г-г- ~ ~]. ..., 1- 1,r • 1__ r-- с::, -1 - ~i:o--·--,- ~ -- --< ~~1 \ ~>•i~ 1 ~t 1 - _L - '~....... fL- 1-- N Е А N J Посааочная по6еохность\ ::i:: ,_ L- ~~~ е ?о: ~~~~ • ~ ( 1 - 1__ ' • ' q; -+ -- --- ,__ -~ с::..j. 1-.. >--·- с- . L:' ~- 1 \~>•i~ 1 - --) 1 . ___ -- -'- - - "- -' '~:;/ fL - N, Е А J N Посоаочная по6еохность\ Варнаноы Обоэна- ААJТО-59) АВ (ТО-60) АС (ТО-61) АО (ТО-62) АЕ (ТО-63) .......... мин.• ~с .• мин., макс.• мин.• макс., мин.• макс., ммн .• ммс.• "" "" "" "" "" "" "" - - "" А 8,2 11,8 5,5 8,1 8,3 11,6 9,15 11 ,02 12,2 13,58 А, - 6,35 - 4,19 - 6,85 - 6,85 - 7,62 '2Jb - - 0,77 1,16 - - - - - - D 11,16 12 ,82 10 .57 12 ,82 17,91 20,14 12,7 16 ,4 22,8 25 ,6 ' 2JD 9,66 11 ,09 9,15 11 ,09 15,5 17,44 11 14,2 19.7 22,2 Е 10.77 11,09 10 ,77 11 ,09 16 ,95 17,44 13,82 14,27 21,72 22 ,22 е 4,7 5,46 4,7 5,46 8 ,64 10.54 5,97 6,73 12 ,32 13 ,08 е, 2,29 2,79 2,29 2,79 4,32 5,41 2,93 3,42 6 ,1 6,6 F, 2,29 3,81 2,29 3,42 2,29 3,81 2,29 3,81 2,29 4 ,24 J 14,5 19,3 9 ,1 12,1 16,3 22 ,2 17,45 18,71 23 ,8 26 ,16 ' 2JM 4,15 4 ,8 4,15 4 ,8 5,59 6,32 4,15 4,8 7,07 7,92 N 10,16 11,55 9,53 11 ,55 10 .72 11,55 10.~ 12,64 11,69 12 ,57 N, - 1,98 - 1,98 - 2,28 - 1,98 - 2,66 ' 2JT 1,02 1,65 - - 1,2 1 ,82 1,07 1,8 1,53 2,66 '2JT, 1,15 1,77 - - 1,17 1 ,95 1,15 1 ,75 1,53 2,66 '2JW О, 19" О, 19" 0,25" О, 19" 0,31" 32 вкnса на 1" 32 вкnса на 1" 28 8НТКО8 на 1" 32 антка на 1" 24 11М'Т1U1 на 1" ТО-66 127 тах 1.59 !О,]2 - ~ '"" с:; .. 1 ~ 1~"" с:; t::J 'Э. 1с:;е; .. 1~~ 1 ~lr\ 1'Э.~ 1 9.14 min - 7,1.9!1, 14 5.08!0.25
540 ТО-72 ll.7 п11п ,,81'0.51 L ;;; ~ r:;:j ~ ~~ ~- ..,; ~ Посаdоч11ая nofJepx11ocmь ТО-89 :::: ~.... ..., <:i 0.181 ~ах ~ 0.181 тах ~ ::: <:i J68!0.l5 ТО-96 ll7min 615"0.15 ~ 1~.15 mia ~~ с:-; c;::i - -- --- --- ". •1 ~ ~~ ее; ее; \\\. '& <g~ l.Ol тах ~~ ...... ... l.l7 тах ... ... с::; с::; \\\. \\\. /посоdочноя поfJеохность ~ ~ ~..,; ;:;:; ~.... "' ....: Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов lllmin lll min 6.15 min l.ll тох 1 1 ТО-78 ТО-92 \ --· -----1 ---- 1 1/ l.91 min Посаdочная nofJe хность ТО-99 6.15 min l.Ol тах ~ щ~ 'if <;::) ~- -- --- -- -~~ ее; "<S '& '& 1· l.llmax <;::) .. ... 0.6 ,!fl.18 ... с::; Пасаdочная по/Jеохность '& ТО-116 0.51 тiп 0.761 тох
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов Несто dлн наркиро ки 0.76 '0.IJ ТО-119 ТО-126 141.92 !0.18 ТО-202 2.67 !О,]8 Посаdачная попе хность 1.27'0 .!8 0.51!O./J ТО-120 ТО-205 ТО-122 :g "'0.=28'--!=0.0=8-o - - -i <;j 0.68!0.f~t ~ 1 2 ~ ------- ~[[ J Несто dпя - --i наркиро ки j 1.78!0,/2 ТО-127 ~ t---+ - -+ r::i "' ~ ::::: "" ~с;::; .. ~~ ::::: ~ В.Ш!/1.755 ТО-210 541 Посаао~ноя попе хность 1.27'0 .18 0.81 '0. /Z
542 А ь с с, D Е Е, е е, 8z е, L L, L2 Ls р Q R s у Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов ТО-217аа Посадочная по е хност l.28 тах 0.19 ! .0/9 ~ ::; ~~ t-----fl r--,1.-т-+--+ <;:; ....,,.,.__.._+--+~ ~ 7.87!0.JB 11.17 t0.51 ТО-218 Посаt1очна11 поп~охность Е \Д. ~.~~-[ ><.!~ ' т--1"'---'1,~~~ ',,- 1 -- 8 -'-т-+JJ- ............. 1 -т+,.1~ ~·2 ] L~μ -~ е а Рис. а .и=- ._ 1 " ПосаiJочна11 . .., 1 vrопеохность q~ ~1 Рrк. о s гJ..г-~ АА (рмс. а) ' \ 1 flocaiJo'IНIJR 1 'd \ пonl!Dxнacm Ll Рис. Ь АВ (рис. 6) АС (рис. а) ..., AD (рис. а) мин., мм макс., мм мин.• мм макс., мм мин., мм макс.• мм МNН., мм макс., мм 4,318 1,143 1,016 0,305 10,287 14,732 7,366 5,207 10,668 11,938 2,794 3,896 2,794 4,318 16,637 13,462 4,953 1,397 1,524 0,427 10,795 15,748 7,874 5,715 11,176 3,429 4,089 3,429 4,826 17,145 14,478 4,318 1,143 1,016 0,305 10,287 14,732 7,366 4,953 1,397 1,524 0,457 10,795 15,748 7,874 5,207 5,715 10,668 11,176 - 1.27 7,925 - 3,896 4,089 2,794 3,429 4,318 4,826 16,637 17, 145 13,462 14,478 4,191 1,016 1,346 О,З81 11,68 15,494 7,747 5,207 10,668 12,7 3,988 2,36 4,318 15,24 5,08 1,651 1,651 0,762 12,827 16,256 8,128 5,715 11,176 16,05 3,81 4,241 3,2 4,826 16,51 4,318 1,143 1,016 0,305 10,287 14,732 7,366 4,953 1,397 1,651 0,762 12,827 18,256 8,128 10,668 11,176 - 1,27 7,925 - 3,896 4,241 2,388 3,429 4,318 4,826 16,637 17, 145
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов 543 ТО-220 ""''"-·м~-Q \5 ]' '1 ... \ ' . . ~!! Рис. А Поrааочная по~еохноrть ~ Е i i f4P - ,t...,_ r- -- с::.1 /1.. в j-(f)-1 t'Кj, - ..!.. с:, 1 i~ R-~ ~iili ili ... 1ь i1 1 ;!J. 1! зi .._ L - ;, 1--!L - -fL- Pur. Б Pur. В Вариа.нты ОбоJ.....ение АА АВ АС мин., мм макс., мм мнн.• мм МАКС., ММ ммн., мм макс.,.,.. А 3,56 4,52 3,56 4,62 3,56 4,62 ь, 1,15 1,77 1, 15 1,77 0,99 1,4 0Ь 0,51 1,14 0,51 1,14 0,51 1, 14 с 0,31 1,14 0,31 1, 14 0,31 1,14 о 14,23 15,37 14,23 16,51 14,23 16,51 Е 9,66 10,66 9,66 10,66 9,66 10,66 е - - 2.29 2,79 - - е, - - 4,63 5,33 5,06 BSC в. 4,63 5,33 - - - - 83 - - 1, 15 - - - F 0,51 1,35 0,51 1,39 0,51 1,39 н, 5.65 6,65 5,65 6,65 5,65 6,65 J, 2,04 2,92 2,04 2,92 2,04 2,92 L - - 12,7 14,73 12,7 14,73 L, - - - 6,35 4,6 5,35 L, - 1,27 - - - - L3 6,64 10,71 - - - - L. - - - - - 0,51 0Р 3,531 3,733 3,54 4,06 3,531 3,733 а 2,54 3,04 2,54 3,42 2,54 3,04 s 14,74 15,49 - - - - ТО-221 ~1 1 i 11 i•... ;;; i ~ :-;-· i .... ~ ...... ....- iz -: 1/ 1J !~! l- 1- о.. 1i1 ""' ii~~ i"' ;;:; "" :::: 1 t1 1 1l.5,!O,/J 1 5.08!0 ,lS
544 117 01111 1,_ i! 11 11 f:"""~:.. ~ "" ~ 1 1 r 1 ..... "" <;:; ~ "" ~ •1 1 1 r ТО-226аа 1 6.JS тiп l l.5' тах 1 1.27 так ,, ' --- ---- / 6.225 !0,505 .., ' ..... ~- ~ 1 ~- ~ 1ПосаdочнаR по!Jеохность ~"""'~1 РисБ ~i Рис. В ТО-243 ТО-247 Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов Рис. А Альтернати!JнаR канфиtурациR !Jы!Joda 1.5!0,/ 0.]9!0,05 ТО-236 0.51 !0.08 T0-247VAR T0-247VAR
Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов ТО-251 1 l 1 i_ ТО-253 0.415 !0.0 '5 - "' <;:;; .. '::f ..... ..... .-: ..... 19.l А А l9l!O./l ~ ~ "' ..., r;j ..., <;:;; 1 i 1 о.825 !0.065 1• •1 35зак9 2.185!0.095 0.51!006 !J.51'0 .06 1I 9.97 !0.12 "' ;:;::, "'~ е; ...... ;:! -:: 21 <>: ;::; -:: "' .. "' ~ е; ::s ...., ... , 1.27 !O. IJ 0.76!О,12 • 0.1 ТО-263 А-А ~6 n"6epНIJ80 .~ ТО-252 l,!85 !fl.095 1_1115 !0. /15 О.76 '0,!2_ 0.95 '0 .19 ТО-262АА '·" !0.19 1.27 !0. IJ :g <::) о. 76 !0.12 0.55 !0.09 2А1 !0.18 545 А-А 0.82!0.17 ;:! <::) ., '<> <::)
546 Раздел 4. Корпуса отечественных и зарубежных транзисторов 4.5. Соответствие отечественных корпусов зарубежным ,, Транзисторы 1 КТ-1-7 ТО-18 ! 1 КТ-1-12 ТО-72 ~ КТ-2-7 ТО-39 КТ-2-10 ТО-5 КТ-29 i SOT-37 КТ-30 ! SOT-123 КТ-31 ! SOT-121 КТ-35-7 ! ТО-46 КТ-43 ' ТО-218. SOT-93 . ~ КТ-2-12 i ТО-12 ·' КТ-43С SOT-199 КТ-2-13 ТО-205АВ КТ-44 SOT-279 i' КТ-2-15 1 ТО-33 1 1 КТ-4-2 ТО-60 КТ-6 ТО-61 кт 45 SOT 161 1 КТ-46 1 SOT-23 . SC-70 i 1 КТ-47 1 SOT-89 . ТО-243, SC-62 КТ-7 ТО-63 КТ-48 : SOT-143 , ТО-253 КТ-8 SOT-9, ТО-66 КТ-50 i SOT-128. ТО-205АС 1 КТ-9 ТО-3 1 КТ-14 1 ТО-119 КТ-17 SOT-48 11 КТ-51 SC-71 КТ-53 SOT-103 КТ-54 F0-83 11 КТ-24 1 F0-93 11 1 КТ-55 F0-91 il КТ-26 ТО-92 КТ-58 SOT-289 1~~~~~~~~~->-~~~~~~~~---11 l~~~~к_т_-2_1~~~---t~т_о_-_12_6_._sо_т_-3_2_._sо_т_-_82__,1 ;1 КТ-28 1 ТО-220. SOT-78 КТ-82 i SOT-262AI
Раздел 5 АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ 5.1 . О взаимозаменяемости транзисторов Вопросы, связанные с взаимозаменяемостью отечественных и зарубежных полупроводниковых приборов, возникают при необходимости замены вышедшего из строя прибора в конкретной аппара­ туре, а также при определении возможности воспроизведения интересующего устройства (схемы). Полная аналогичность (эквивалентность) отечественных и зарубежных полупроводниковых при­ боров предполагает совпадение их функционального назначения, электрических параметров и харак­ теристик, конструктивного оформления, габаритных и присоединительных размеров. Однако полного совпадения получить практически невозможно, так как процесс создания полу­ проводниковых приборов - это технологический комплекс, характерный для каждой фирмы-изгото­ вителя. Принципы и методы определения наиболее вероятных значений и установление норм и допусков электрических параметров, принятые в разных странах, неодинаковы. Очевидно, что в ряде случаев нормы, устанавливаемые на параметры, могут значительно отли­ чаться от их реальных значений. Режимы, условия, методы проведения различных видов электрических, механических и кли­ матических испытаний, нормы на параметры - критерии годности при испытаниях, методы изме­ рений, от которых в общем зависят устанавливаемые параметры, многообразны, принципиально различны и не универсальны. Кроме того, значения параметров приборов зависят не только от ре­ жима работы и температуры, но и изменяются со временем (дрейф параметров во время работы и при хранении). Эксплуатационные свойства транзисторов описываются большим числом параметров, поэтому можно считать, что практически полная тождественность отечественных и зарубежных транзисторов недостижима и не во всех случаях необходима. Целесообразнее говорить о частичной (неполной) или приближенной их эквивалентности. Подбор аналогов должен проводиться с учетом конкретной электрической схемы, а не только путем формального сравнения всех параметров приборов (показа­ телей функционирования) в совпадающем или близком режимах измерений. При воспроизведении технических показателей схемы (узла, каскада) должны удовлетворяться, прежде всего, требования к выходным параметрам. Поэтому не все параметры транзисторов будут одинаково важными, а толь­ ко те. по которым должна быть обеспечена взаимозаменяемость. Взаимозаменяемость отечественных и зарубежных приборов зависит не только от их свойств. условий эксплуатации и режимов применения, но и от рационально разработанной схемы, учитываю­ щей номинальный разброс параметров и не требующей специального подбора приборов. При замене зарубежного прибора отечественным, даже лучшим по параметрам, может потребоваться подстройка схемы, чтобы не ухудшилась работа каскада и не возникла паразитная генерация. Подбор аналогов должен осуществляться сравнением электрических параметров (показателей функционирования) отечественных и зарубежных приборов из справочников, стандартов или техни­ ческих условий на эти приборы, где указывается основное (целевое) назначение приборов, техноло­ гия изготовления, структура (р-п-р или п-р-п), предельные (предельно допустимые) параметры, данные об электрических параметрах и их изменениях от режима и температуры, тип корпуса и дру­ гие сведения. Полупроводниковые приборы, изготавливаемые в едином технологическом процессе, иногда раз­ деляются по каким-либо параметрам на группы и собираются в различных корпусах. Например, тран­ зисторы ВС107-ВС109 имеют металлостеклянный корпус ТО-18, приборы с таким же сочетанием параметра ВС107Р-ВС109Р, ВС147-ВС149, ВС207-ВС209, РВС107-РВС109 имеют соответственно корпуса Х-55, ММ-12, R0-110, ТО-98. Многие приборы в металлостеклянном корпусе имеют эквива­ ленты в пластмассовом корпусе. 35•
548 Раздел 5. Аналоги транзисторов 5.2. Условные обозначения и классификация зарубежных приборов За рубежом существуют различные системы обозначений полупроводниковых приборов. Наибо­ лее распространенной является система обозначений JEDEC, принятая объединенным техническим советом по электронным приборам США. По этой системе приборы обозначаются индексом (кодом, маркировкой), в котором первая цифра соответствует числу р-п переходов: 1 - диод; 2 - транзи­ стор; 3 - тетрод (тиристор). За цифрой следуют буква N и серийный номер, который регистрирует­ ся ассоциацией предприятий электронной промышленности (EIA). За номером могут стоять одна или несколько букв, указывающих на разбивку приборов одного типа на типономиналы по различным па­ раl\lетрам или характеристикам. Однако цифры серийного нol\lepa не определяют тип исходного мате­ риала, частотный диапазон, мощность рассеяния или область применения. Фирма-изготовитель, приборы которой по своим параметрам подобны приборам, зарегистриро­ ванным EIA, может представлять свои приборы с обозначением, принятым по системе JEDEC. В Европе кроме JEDEC широко используется система. по которой обозначения полупроводни­ ковым приборам присваиваются организацией Associatioп Pro Electroп. По этой системе приборы для бытовой аппаратуры широкого применения обозначаются двумя буквами и тремя цифрами, для промышленной и специальной аппаратуры - тремя буквами и двумя цифрами. Так. у приборов ши­ рокого применения после двух букв стоит трехзначный порядковый номер от 100 до 999. У прибо­ ров, применяемых в промышленной и специальной аппаратуре. третий знак - буква (буквы используются в обратном алфавитном порядке: Z, У, Х и т. д.), за которой следует порядковый но­ мерот10до99. Если в одном корпусе имеется несколько одинаковых приборов, то обозначение производится в соответствии с кодом (маркировкой) для одиночных дискретных приборов. При наличии в одном кор­ пусе нескольких разных приборов в качестве второй буквы обозначения используется буква G. К ос­ новному обозначению может добавляться буква, указывающая на отличие прибора от основного типа по каким-либо параметрам или корпусу. В системе Pro Electroп приняты следующие условные обозначения: Первый элемент Исходный материал 1 . Ширина запрещенной зоны, зВ Условное обозначение Германий 1 0,6 ... 1 А 11 Кремний 1... 1,3 В ----------------+------------+----------~ j Арсени,;;. галлия Более 1.3 с /~тимонид индия Менее 0,6 D Примечание. Приборы на основе других полупроводниковых материалов обозначаются буквой R. Второй элемент Подкласс приборов Условное обозначение Транзисторы низкочастотные маломощные (Rthja > 15 °С/Вт) С ~Транзисторы низкочастотные мощные (Rthja < 15 °С/Вт) D j Транзисторы высокочастотные маломощные (Rthja > 15 °С/Вт) F ,, ; Транзисторы высокочастотные мощные (Rthja < 15 °С/Вт) L ' i Транзисторы переключающие маломощные S Uf----------------------------------+- -- - -- - - i Транзисторы переключающие мощные U 1 По существующей в настоящее время в Японии системе стандартных обозначений (стандарт JIS-C -7012, принятый ассоциацией EIAJ - Electroпic Iпdustries Associatioп of Jарап) можно опреде­ лить класс прибора (диод или транзистор), его назначение, тип проводимости. Вид полупроводнико­ вого материала в этой системе не отражается. Условное обозначение состоит из пяти элементов.
Раздел 5. Аналоги транзисторов 549 Первый элемент ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~r=-~~~~~~~~~~~~"91 1. 1:~~~~~~~~~~~~~К~л~а~с~с~п~р~и~б~о~р~о~в~~~~~~~~~~~~......~У~с~л~о~в~н~о~е~о~б~о~з~н~а~ч~е~н~и~е i1 Фотодиоды, фототранзисторы 11--~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~--+-~~~~~~~~~~~~--, о :! Транзисторы 2 i.~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~-~~~--+-~~~~~~~~~~~~~ il Четырехслойные приборы 3 Второй элемент, указывающий на то, что данный прибор является полу.проводниковым, обозна­ чается буквой S (Semicoпductor). Третий элемент 1:- li Подкласс приборов 11 Транзисторы p-n -p высокочастотные 1 ji Транзисторы p-n-p низкочастотные 1 !1 Транзисторы n-p-n высокочастотные \1 Транзисторы n-p-n низкочастотные 11 Одноnереходные транзисторы li Полевые транзисторы с р-каналом Полевые транзисторы с n-каналом Условное обозначение А в с D н J к Четвертый элемент обозначает регистрационный нol\lep и начинается с числа 11. Пятый элемент отражает усовершенствование (А и В - первая и вторая модификации). После маркировки могут быть дополнительные индексы (N, М, S), отражающие требования спе- ;шальных стандартов. Кроме вышеуказанных систем стандартных обозначений, изготовители приборов широко исполь­ зуют внутренние (внутрифирменные) обозначения. В этом случае за основу буквенного обозначения чаще всего берется принцип сокращенного названия фирмы, коды материала и применения. 5.3. Сокращенные обозначения зарубежных фирм i Обозначение Фирма, страна Обозначение Фирма, страна j Ас: ! Асг1аn. Inc., США CSD 1 Centгal Sem1conductoг Div" США Н AEG i Аmрегех Electгonic Согр., США CSDG Conditioning Semiconductoг Devices Согр .. США ' АЕ! ! Amex Electгonics, Inc., СШ А CSR 1 CSR Industгies, Inc., СШ А 11 r, AI 1 Avantek, Inc., США 01 Dionics, Inc., США 'AII 1 Alpha Industгies. Inc., США 011 Datel-lnteгsil. Inc., США jАм Ameгican Micгosemiconductoг, США DTC Diode Tгansistoг Comp" США AMI Ameгican Micгosemiconductoг, Inc., США ЕС Eastгon Согр., США Amp Аmрегех Electгonic Согр., США ED ЕЕТЕСН Div., США 1 AMS Ameгican Micгosystems, Inc., США EDI Electгonics Devices, lnc, США 1 APD Ameгican Ро\\·ег Devices, США 1AS 1 Ansaldo S. р. А. Италия 11 : ASI !Advanced Semiconductoгs, Inc., США "~ Ati i Atlantic Semiconductoгs Inc США ., ЕЕ Електронни Элементи, БНР 1 1 EI Elektгonska Industгija (lskгa). Югославия ~ EII 1 Edal lnd., lnc .. США !I ESPI 1 Elite Semicoпductoг Pгoducts. Iпс .. США ,j ,, ~вв : Вго\\'П Boveгi, Германия qВЕ 1 Boeing Electгonics. Швейцария ~ BEL 1 Bhaгat Electгonics., Ltd., Индия fi со Compensated Devices, Inc., США GDI Conti11e11tal Device lndia, Ltd., Индия 1 ЕТС 1 Electгomc Tгaпs1stoгs Согр" США 11 1 1FE ! Fagaг Electгotechnica. Испания ·i FEL Feггa11ti Electгoпics. Ltd" Англия 11 1 FEG Fujitsu Electгic, Япония 11 FS Faiгchil<I Semico11ductoг Согр., США 1 CEIL Calbeгt Electгonics Inteг., Ltd., США Cherry Сhеггу Semicoпductoг Согр., США CODI CODI Semiconductoг Согр., США 1 csc Cгimson Semiconductoг Согр., США GDC Gепегаl Diode Согр., США :1 GE 1 Gепегаl Electгic Согр" США GIC 1 Gепегаl Instгumeпt Согр" США !1 GPD Gегmапшm Ро\\·ег Devices Согр" США :1
550 Раздел 5. Аналоги транзисторов Обозначение Фирма, страна Обозначение Фирма, страна '1 GS Gепtгоп Согр .• США " 1 Geпeral Semicoпductor lпdustries, !пс., США GSI RCA 1 RCA Согр., США 1! 1 RCC Rectifier Соmропепt Согр., США ,1 1 css i Gold Star Semicoпduclors, Ltd. , Ю. Корея GTC Geпeral Traпsistor Согр., США Нагг1s 1 Harris Semicoпductor, США 1 HL Hitachi Ltd. , Япония НР 1 Hewlett Packard. США RFТ RFТ. ГДР 1 RL Rectro11 Ltd. , Китай !1 Rohm 1 Rohm Согр., Япония RS Raytheoп Semicoпductor, США RTG RTC La Radiotechпique. Франция ~ HS Hybrid Semicoпductors, США SA 1 Siemeпs Aktieпgesellschaft. Германия 1 HSE Hybrid Semicoпductor Electroпic, !пс., США Samtech Samlech Согр., Япония HVS High Vollage Semicoпductor, США Sап Sa11yo Electric Comp., СШ А !С Iпterfet Согр" США IDG Iпterпatioпal Diode Согр., США IDI Iпterпatioпal Devices, !пс. sc Sопу Согр., Япония ·1 SCL 1 Semitroп Cricklade, Ltd. , Анг лия 1, : SDI Solitrori Devices, !пс" США •! !11 1 Iпtersil, !пс., США 1 i IPS 1 Iпtегпаtюпаl Power Semicoпductors, Индия 1 1IR i Iпterпatioпal Rectifier Semicoпductor, США IRC 1 Iпterпatioпal Rectifier Согр" США SE i Sапkеп Electric Comp" США :: 1 Semicoa 1 Semicoa, США 1! 1 Spraque Electric Comp., США ! SEC 11 SECI Swampscoll Electroпics Comp., США j IТТ Iпtermetall (der Deutsche IТТ), Германия KMG КМG Semicoпductor Согр" США KPD Keltroп Power Devices, Индия SEM 1 Shiпdeпgeп Electric Mfg.. Япония 1 Sem Semicoп, !пс" США SGS SGS-Ates, Италия LEC Lucas Electrical Comp .. Англия LS Lambda Semicoпductors, США LT Laпsdale Traпsistor, США SI Silicoпix, !пс .. США 1 SII Semikroп Iпterпatioпal, !пс., США SL Semicoпductors. Ltd. , Индия 1 МА [ Microwave Associates, США SMC [ Schauer Maпufacturiпg Согр., США ,, ,, 1 MDP Mallory Distributor Products. США МЕ Mitsublshi Electric Согр., Япония SPC 1 Solid Power Согр" США !: SPE i Space Power Electroпics, lпс .. США 1i " MEG Matsushita Electroпics Согр" Япония MECJ Mitsublshi Electric Согр., Япония ,, SSD Seпsitroп Semicoпduclor D1v. , СШ А " SSDI Solid State Devices. !пс., США :1 '1 MED Магсоп1 Electroпic Devices, Англия SSE 1 Solid State Electroпics Comp., США 1' 1 MEL Microeiectroпics, Ltd. , Го н к о н г SSI Solid Stale l11dustries. !пс .• США .[ MENA Murata-Erie North Americaп Согр" США SSII j Solid State lпdustries, !пс" США i MIS 1 Mistral SPA, Италия Mist 1 Mistral, Италия ML Milliard, Ltd., Англия Mot Motorola Semicoпductor Products, !пс" США MPS 1 Micro Power Systems, США i1 .АЛS ! Microsemicoпductor Согр" США sss 1 Solid State Systems, США 11 sтс S1licoп Traпsistor Согр" США STI 1 Semicoпduclor Techпology, !пс" США 1 STSI ST-Semicoп. !пс" США .1 Supertex i Supertex. !пс" США :! i Sупtаг lпductries. !пс" США i Sуп ~ :! NAE : NAE. !пс" США j NAS 1 North Аmепсап Semicoпductor, Германия TAG ! TAG Semicoпductor, Ltd" Швейцария 'i те Toshiba Согр., Япония 1 1 NEC 1 Nippoп Electric Comp., Япония l'NEI Natioпal Electroпics !пс., США NJRG New Jарап Radio Comp. , Япония TCI Teledyпe Crystaloпics, lпс., США 1 ТЕ! Тессог Electroпics, !пс., США Tel Telefuпkeп Eleclroпic, Германия NJS 1 New Jersey Semicoпductor Prod., США Tesla Tesla, Чехия NSC Natioпal Semicoпductor Согр., США Thom Thomsoп-CSF, Франция ОЕС Origiп Electric Comp., Япония РЕС Philips Electroпic Comp" Нидерланды Т1 Texas lпstrumeпts, !пс., США 1 ! TRW TRW Sem1coпductor, !пс" США 11 1 Philco Philco Radio Televisao, Бразилия TS Teledyпe Semicoпductor, США 1 PI i Parametr1c lпd" США TSI ! Traпsistor Specialtys, !пс .. США i! PIC : Piher Iпtегпаtюпаl Согр., Испания UA 1 Uпited Aircraft. США РРС 1 РРС Products Согр., США uc Uпitrode Согр., США ,; PPI Ресог Presideпt Iпterprises Согр., США Uпitra Uпitra, Польша PS 1 Piher Semicoпduclors, Испания UPI UPI Semicoпductors, США PSDI Puпjal Semicoпductor Devices, Ltd. , Индия v Valvo, Германия PSE Plessey Semicoпductors, Англия VEG Victory Eпgiпeeriпg Согр., США PSI Power Semicoпductors, !пс., США VSI Varo Semicoпductor, !пс., США РТ! Power Tech, !пс" США WDI Walberп Devices, !пс" США QC Quaпtrad Согр., США WEC Wesliпghouse Electric Согр" США 1 RC Raytheoп Comp" США ws 1 Westcode Semicoпductors. Англия ,i
Раздел 5. Аналоги транзисторов 551 5.4. Буквенные обозначения зарубежных транзисторов 1 Обозпаче- i ! пие трап- 1 зистора Фирма °А ; АЕС iАС 1 BEL, CSD, EI, GPD, ML, РЕС, RTC, SA, V, WDI АСУ AD ADP ADY : ADZ ;Af : AFY iАМ !AMF АР ASY ASZ АТ AU AUY ·В 1 . BAL : ВАМ ·ВАР 1 вс 1 ВСЕ BCF ВСР 1 всv 1 : BC\V , вех : ВСУ BD BDP BDV BDW 1 BDX i BDY 1 :ВЕ BEL Bf 1 CSD, EI, GPD, HSE, ТНОМ, SA ASI, BEL, CSD. EI, GPD. ML. РЕС, RTC, SA, V , WDI UNIТRA GPD , CSD, GPD 1 EI. GTC, HSE. IDI, ML. 1 РЕС, RTC, UNITRA , V 'W DI 1 1 CSD, GPD iAMI 'A MI ACR,ASC CSD, GPD, UNITRA BEL, CSD , GPD. WDI AI CSD,GPD CSD,GPD. HSE AI, STI , ТНОМ !AI 1 АЕС, ASI, BEL, CDI, EI" 1 CSC. CSD. FEL. IDI. IТТ, :KRD MELMLРЕСRTC SA, SGS , ТНОМ, UNITRA, V UNITRA АЕС, ML. РЕС, RTC, ТНОМ, V UNITRA i АЕС. FEL, ML . RTC, ТНОМ, !SA,V 1 АПС. ASI, CSC. FEL, ML, 1 РЕС. RTC. SEC . SA, ТНОМ, i UNITRA, V , WDI f АЕС. ASI. CSD, CSC, FEL. i IТТ. ML, РЕС, RTC, SEC. 1 SA. ТНОМ, V, WDI АЕС. ASI, CSD, CSC, ML, РЕС, RTC, V, WDI ASI, BEL. CSD, CSC, ML, РЕС, RTC, RFТ, SA, UNIТRA UNITRA ML, PEC,RTC,SGS, V CSD, IPS , ML . РЕС, RTC, SGS, SSE , SDI BEL. CSC. CSD. FEL. IPS, 1 ML, SGS. RTC, РЕС, V iIPS, HSE. ML . РЕС. RTC SDI, TEL , SGS , UNITRA, V ВЕ BEL RFТ, RTC, TEL , V, WDI, CSD, ACR, CSC, EI, IDI, АЕС, ASI, BEL, FEL , CDI , KRD, IC , HSE , MIS, РЕС, UNITRA 1 Обозпаче-1 пие трап- Фирма зистора 1 BFE UNITRA BFN RTC. SA BfP SA, UNITRA, TI BFQ АЕС, FEL, ML , RTC, РЕС, V BFR АЕС, ASI, CSD, IC, ML. РЕС, RTC, SA , ТНОМ, UNITRA, V , WDI BFS АЕС, ASI, FEL, HSE, ML, РЕС, RTC, ТНОМ, UNITRA, 1 SA, V, WDI 1 ВFТ ASI, FEL , ML . РЕС, RTC. i SA, SGS, TEL, ПЮМ, V 1 BFV TI 1 BFW А UNITRA. V, WDI 1 ЕС, ASI, BEL, CDI , CSC , 1 CSD, ML , РЕС, RTC. BFX ASI, CDI, CSD. CSC . FEL . IDI, HSE , DTC, ML . РЕС, RTC, SGS, TEL. V, WDI BFY ASI, CSD, CSC, CDI, HSE, IDI. FEL . ML . РЕС, SGS, TEL, V, WDI BGY ML, РЕС, RTC вш ML, РЕС. RTC, V BLV ML, РЕС, RTC, V BLW ML, РЕС, RTC, V BLX ML, РЕС, RTC, SDI , V BLY HSE. ML . РЕС, RTC, V вм SII ВР SII BR MEL, SDI BRT SEM, TRW BRY ML, РЕС, RTC, V BS IТТ, ML, РЕС. RTC. V BSJ EI BSR АЕС, ML, РЕС, RTC, 1 тном. v BSS J АЕС, ASI, CSD, FEL, IDI. 1ML, РЕС, RTC. SA. V, WDI BST АЕС, ML, РЕС, RTC, V BSV 1 АЕС, CSD, ML . РЕС, RTC, 1 SA, SGS, FEL, ТНОМ, V, WDI, TEL BSW АЕС, ML, MIS, РЕС, RTC, SGS, TEL , UNITRA. V BSX ASI, CDI, CSC, CSD, EI, HSE, IDI, ML , MIS, РЕС, RTC, SGS , TEL . UNITRA. V. WDI BSXP UNITRA BSY ASI, CDI, CSC, HSE, IDI, FEL, ML , РЕС, RTC, SGS , i TEL, V вт RS BU ASI, CSD , DTC, GTC, HSE , KPD, ML, NEC, PPI, RTC, SDI, SGS , TEL , ТНОМ, UNITRA, V , WDI BUC мот BUP UNITRA BUR SGS, SEM 1 Обозпаче- i1 Фирма пие трап- 1 зистора 1 BUS ML, РЕС, RTC, ТНОМ. V : вuт ML, РЕС, RTC, SGS. TEL, V i BUV ML, РЕС. RТС. SGS. SDI . ! TEL, ТНОМ, V BUW CSD, ML . РЕС, RTC, SGS . SDI, ТНОМ, V BUX CSD, FEL, KPD. ML, РЕС. i RTC, SGS , SDI. TEL . 1 ТНОМ, UNITRA, UC, V . WDI ! BUYP PPI. UNITRA 1 BUY ASI. FEL . CSD, HSE. RTC, 1 1 , SGS SDI WDI ! BUZ ML,PEC,RTC,SGS ,SA . V i 1 BZW 1 SA i 1 с ASI, ACR. TCI , ТI, WDI 1 CD SII 1 1СА 1 GPD CDT GPD Cf SII CIL CDI ск STI i см TCI 1 СР TCI ! CQT GPD ! cs ASI, NSC. WDI i сsт GPD 1 1 1 ! ISEC cv i SEM сх ASI, WDI D 1ACR, CSC , GE, МОТ, NSC, ! 1 SGS, PPI, STI. TI . WEC 1 DA GPD, WEC DB WEC 1 DC DI 1 : !1 i 1DD 1DI IAMS 1DI jDM iAMS IDMP i ML, РЕС, RTC. V 1 ! 1DI.SI DI DQN DI 1 DT MED 1 DTA МЕС ! DTG ASI, DTC, GPD. STI, WDI 1 DTN DI 1 DTS ASI. CSD . DTC, SPC, SSI, i TI, WDI ! 1DV SI 1 DVD SI 1 1 п NSC. SDI . WDI 1 пс UA : 1 ED 1 NSC 1 EN ASI, CSD , IDI. STI , WDI 1 l 1 ERS ЕТС ! ESM MIS, ТНОМ ! ЕТР ЕТС 1 FC SEC FGT FEL ! FMMT FEL i FM ACR,NSC
552 ! Обозначе· 1 ! ние траи- 1 знстора Фирма 'FN ,S! ю~ :FS ·rт : FS. МОТ, SП : FТR iFS jGC j RFТ, TESLA 'GD 1 RFТ, TESLA 1 !GE 1 CSC, CSD. GE 1 1 ~~т 1GE i RFТ. TESLA · GFY TESLA GS 1 RFТ. TESLA GSDB GSI ! GSDS 1 GSi 1 GSDU 1 GSI ; GSRl.J : GSI GSTU 1 GS! GT GDC,HSE н S!I НА GDC НЕР мот НЕРЕ МОТ HEPS мот НР НР нs GE. SEC 1 HSE 1 HSE :нт 'FEL ' H\i 1 BEL . iDA ;ю; · IDB : !Di :юс ; ID! IDD i !Di [О[ ! ID! !MF 1 !!, NSC IR !R !RF FS, IR, МОТ, RCA, SGS, S! !RFD, !RFB !R !RFF !R : !RFZ. IRG ,!R . !Т ;Ir ! !ТЕ '!!. NSC .. '.; , iC, !i. МОТ. NSC, SI. SDI .JA · IТТ •Jc 1 ITT ,jE 1 NEC JH SDI iJO TRW к ASI. HSE . WD!. КМС 1КА TESLA кв WEC кс TESLA ко КМС, TESLA, WEC 1КЕ NSC. SD! , WDI. WEC 1 ,KF , МА!, TESLA ; KFY : TESLA :МА! !км I ASI. WD! · KN 1 KPD КР KPD KS. KSC TESLA. WEC, Samsune: KSP PPS KSY TESLA KU TESLA KUY TESLA L ASI. WDI LDA АЕС 1 1 1 1 1 Обозначе· ние тран­ зистора 1 LOT . LS 1LT мс MD MDS МЕМ MEU MF MFE MFEC MG MGM MGP мн МНА MJ 1 MJE : 1 MJEC MJH 1мм ! ММВА ммвс MMBF MMBPU MMBR мм вт ММВТА ммвтн ммвтs ммс MMCF MMFF ммсм ммт MN МР MPF MPS MPSA 1 MPSC MPSD MPSH MPSK MPSL MPSU MPSUC Фирма TRW 1S! i NSC 1 ASI. !!, WD! AS!, HSE . MEL. МОТ, 1 ST!. WD! Р! CSC. МОТ. Р! мот G!. SD! MEL МОТ. Р!, SП CSC, МОТ, SD!. S! мот 1те мот мот MEL, WDI FS AS!, CSC . CSD . IDI, GTC. !PS. МОТ, PPI, RCA , SGS , STC, STI . П. WD! ASI, CSD. CSC, GTC. ID!, МЕС. МОТ, NSC, РР!, SGS, STI, ТНОМ, WDI мот мот AS!, CSC, HSE , МОТ. STI. WD! МОТ, SEC МОТ, SEC МОТ. NSC мот мот МОТ, NSC, SEC МОТ. SEC МОТ, NSC мот IMOT мот мот мот мот STI GPD. MPS, MEL. STC MEL. МОТ, NSC. SD!, SI. WDI FEL, FS , CSC, SCD. IDI. GE . МОТ. NSC, RC , SEC , STI. TI, ТНОМ, WDI FEL, FS, CSD, GE, IDI. ST!, MEL. МОТ, NSC, RC . SEC , TI. ТНОМ, WDI мот CSC, CSD, GE. MEL, МОТ, RC. SEC . STI. WD! CSC, CSD, FS, GE. ID!. MEL. МОТ, NSC. SEC , STI. WDI CSC.SEC CSC. FS, GE , IDI, МОТ, NSC, SEC, ST!, TI. WDI МОТ. SPE. WD! мот Раздел 5. Аналоги транзисторов ! 1 1 1 : 1 !; 1 ! ! : : 1 1 1 1 ' i 1 1 1 1 Обозначе­ ние тран- зистора 1 MPSW ! MPU j МРХ 1 MRF MRFC 1MS MSA i MSB 'MSP MST мт МТА ! МТЕ 1 мтн 1 мтм МТР MTS MTU мu N NA NB NDF 1NF NKT r NPC j NPD 1NR !NS NSD NSDU NSE NT NTM ос ON р 1 РВМ РС PD РЕ РЕС РЕТ PF PG РН PL PMD PMS PN РТ Q R RCA RCP RCS RFD RFH RFK RFL 1 RFM Фирма МОТ. NSC GE. МОТ мот DTC. МОТ мот Т! FS WD! HSE. ST! HSE. SП FS, MEL, РТ! мот !МОТ ! мот j МОТ, SGS 1 FS, МОТ. SGS 'мот MEL GE, МОТ CHERRY. KPD. Т! NSC NSC NSC 1 !!. MEL. NSC. SI. TS 1 HSE ITHOM j NSC ! NSC 1 1 NSC NSC. WD! NSC NSC NEC NEC GPD. HSE, GTC. STI . Т! ML. РЕС, RTC. V CHERRY. NSC. SD!. S!. S. 1 SD. WD! [ PHILCO j PHILCO ! PHILCO 1 PHILCO DI, PHILCO 1 FS, PH!LCO, NSC. РР! РР! STI NSC SEC АЕС, ML. РЕС, RTC. V Т! CSD, LS LS 1CSD. CSC. FS. MEL. NSC. RC. SSD. SSI BEL. РТ!, SSD, TRW HSE WDI ' ! ! 1 1 1 ' 1 1 1 i 1 i i ' 1 1 ' i 1 1 : ' - RCA 1 1 STI RCA FEL RCA RCA RCA i RCA
Раздел 5. Аналоги транзисторов 1 Обозначе· 1 ! ние трап· Фирма : зистора 1 Обозначе- ние трап- зистора 1 RFP 1 RCA su RRF 1 RCA sv 'RT l RTC SVN :s i ACR. SSD. те. UA SVT sc GPD, RFТ. Р! SWT 1 SCA Р! т jSD 1 ML, RFТ, RTC, TEL, S!, твс 1 тном. v TBF i SDF SDI те iSDG GPD тсн lsoм SDI тсs SDN sтс ТЕС SDP STC TED SDT CSC. GPD, SD! , SSD TF SE ASI. CSD , FS , IDI, GTC, TG : МОТ, NSC, SEC . STI , WDI тн SFMN Р!, RFТ ТНА : SFN i SDI тнв 1 SFТ 1 MIS, Р!, ТНОМ тнх SGS SGS ТНУ SGSP SGS Т! SHA SS! Т!Р SK RCA. STI SL PS SM RFТ SMBT SA Т!РС ISO тном ПРL SOR тном TIS 1SP RS, SDI 'SPC SPC Т!Х SPK i SDI пхм SPM l SDI Т!ХР 1 SPT i SSI T!XS jSQ SEM TL ISQD SEM ТМР SRF FEL TN SRL STC SRLP STC ТР ·SRМ 1 STC ТРЕ 1 SRS 1 STC. STI ТРР iss RFТ, SS! TPS ~ SSP 1 SSI TPV 1 SSX Р! TQ ,ST 1 NSC, ST!, те. IR TR 1 STA 1 sтс TRF 1 STC ~рп TRL ST! STI TRM STIP STI TRS sтм STI TRSP STP STI TRW STS sтс TS Фирма RП, SGS, TSC NSC SDI SDI. SSD, STI . TRW SECI 1 SEM те те MED TAG Т! те те MED UNITRA SEC, ТНОМ тном тном тном тном HSE, ST! , П, WDI ASI, CSC, CSD, FEL, GTC, IDI, МЕС, MEL, МОТ, ML, SC, РР!, РЕС, RCA, RTC, NSGS, SDI, ST!, Т!, V, WDI мот п D!C, IDI , MEL, NSC, SDI , STI, TI. WD! п Т! РТ! Т! тном SEC NSC, MEL, SUPERTEX . ТС!, Т! SEC SEC SEC SEC TPW SEC GDC. HSE, NVS. МЕ, SП Т! GDC, HSE, SП GDC, HVS, HSE, STI GDC. HSE, HVS. SSD , STI GDC, HSE, NVS, SSD . STI TRW Т! Обозначе­ ние трап- зистора TSB TZ u uc UMIL UMT UPT UTV v VAM VCR VMIL УМОВ VMP VN VNM VNN VNP VP VQ VTV w WT XGS XGSA XGSQ XGSR ZDT ZT zтх ZVN 2NU ЗNU 4NU 5NU бNU 7NU IOINU !02NU IOЗNU !04NU !05NU !OбNU !07NU 152NU 153NU 154NU 155NU 156NU 2Т 553 Фирма ' те 1 SEC i IFC, !! , NSC, МОТ, SI, SD! , UC. WDI МОТ. SDI 1 ACR 1 uc uc ACR SGS, UA ACR !!. S! ACR ACR SI 1 !!, SD! , S!, SUPERTEX 1 SDI : SDI 1 SDI SD!, SUPERTEX SUPERTEX ACR WDI WEC GS! GSI GSI GS! FEL FEL FEL FEL TESLA TESLA TESLA TESLA TESLA TESLA 1 TESLA ; TESLA 1 TESLA 1 TESLA 1 TESLA TESLA 1 TESLA TESLA TESLA TESLA TESLA TESLA пп '
554 Раздел 5. Аналоги транзисторов 5.5. Зарубежные тра~зисторы и их отечественные аналоги 1 Зарубежный Приближенный транзистор отечественный аналог ll 101NU70 1 МПЗ5 Зарубежный Приближенный транзистор отечественный аналог 2N1499B ПЗО5Б Зарубежный Приближенный транзистор отечественный аналог 2NI 925 1 МП21Г 1 !! 102NU70 ! МПЗ5 2Nl500 ПЗО5Г 2Nl926 i МП21Д " ., ., ! МПЗ7 1 :! IOЗNU7U il 104NU70 : МПЗ6А 1 \ i05NU7U : МП36А 11 106NU70 1 МПЗ6А 1 i06NU70 'МПЗ7А l2Nl507 1 КТ6ЗОЕ 1 П422 2N1524 2Nl526 П422 2N1564 КТ601А 11 2N1565 КТ601А l2N193 ! МПЗ8 '., iКТ608А ' ( . 2N1958 !~ 2N1959 ! КТ608Б 2N2020 IKT3117A :1., 2N2048 1 П308Б, 1ТЗО8В 1 107NU70 МП36А, МП38А 2Nl566 ПЗО7Б. КТ602Г 2N2048A ГТЗО8Б 152NU70 МПЗ6А, МПЗ8 2N1566A КТ602Б 2N206 МГТ108А 153NU70 МП36А 2Nl572 П309 2N207 МГТ108Г 154NU70 МПЗ8 2Nl573 ПЗО8, 2T215AI 2N207A МГТ108Г 27АМО5 2Т9121Б 2Nl574 ПЗО8 2N207B МГТ108Г 2NI024 КТ104Б 2Nl585 ПЗllЖ 2N2089 П403, П416А 1 1 2N1027 1 КТ104Б 2Nl613 КТ6ЗОГ 2N2102 КТ6ЗОА ~ il 2NI028 1 КТ104А 2N1643 КТ104А 2N2102A 1 КТ6ЗОА ' 11 2NI036 1 2Т214А9 !: 2NI04 1 МП40А 2Nl655 2Т214Б9 2Nl671 КТ119А 2N2121 КТ3117А 1• • 2N2121A 1КТЗI17Б ~ i 2NI05 1 ГТ109Б . 2NI051 КТ601А 2Nl681 МП42Б 2Nl683 ПЗО8Б 2N2137 1 ГТ701А 2N2138A ГТ701А 2Nl07 ГТI 15А 2Nl700 КТ801Б 2N2142A ГТ701А 2N109 МП20Б 2NI 175 МП20Б 2Nl204 КТ312Г 2Nl204A КТЗ12Г 2N1218 ГТ705Г 2Nl701 П702 2NI 702 КТ80ЗА 2N171 I КТ603 (Е, Г) 2Nl714 П701А 2Nl716 П701А .1 2N2143 ГТ701А 2N2147 ГТ905А 2N2148 ГТ905Б 1: 2N215 МП40А 11 2N218 ГТ109Е 1 2N1219 КТ104Г 2Nl22U : КТ104А 2N:22: : КТ104Г , ! 2Nl222 1 КТ104А il 2Nl~23 ; КТ104А 1 11 2N123 1 МП42Б 1 2Nl28 ! ГТЗIОД l 2Nl292 ГТЗО5В 2NIЗO МГТ108А 2N 1726 П417А 1 2NI 727 П417 1 2N1728 1 П417А 2NI 742 ПЗIЗБ 2NI 743 ПЗIЗА 2NI 745 1 ПЗО5Б 2NI 746 П417 2NI 747 П417 2NI 748 ПЗО5В l 2N2192 1 КТ630Е i! 1 il 2N2192A 1 КТ6ЗОЕ ,, 1 2N2193 ': 1 КТ6ЗОГ ! 1 2N2193A 1 КТ6ЗОГ " ,. 2N2194 КТ630Д ii '1 2N2194A КТ630Д ~ 2N2195 КТ6ЗОД : 2N2199 ПЗО5А 1 1 1 2N220 П27А 1 '1 l 2NIЗOO ГТЗО8А l 2NIЗOI П308А 2NIЗОЗ МП20А 2NIЗOA ГТ108А 11 2N131 ! МГТ108Б 2Nl75 П27 2N 1752 П417 2NI 754 ПЗО5А 2NI 777 КТ665Б9 2Nl78 П216Б 2N2200 ГТЗО5Б 2N2217 КТ928А 2N2218 КТ928Б i 2N2218A КТ928Б 1, ': 2N2219 ! КТ928Б ~ 1 ~ 2NIЗIA 1 МГТ108Б 1 :i ''NIЗn : МГТ108В :1... 4, ~! 2Nl32l i ГТ705Б :1 ~N13~9 'ГТ705В 1 jl 2Nl32A МГТ108В 1 2N133 МГТ108Б J. 2Nl353 МП42А 2NI 785 П417А 2NI 786 П417 2Nl787 П417 2Nl838 КТ617А 2Nl839 КТ617А 2Nl840 КТ617А 2N1854 П308Б 2N2219A j КТ928Б ~., 1 2N2221 1КТЗI17А ,1 i 1 2N2221A 1 КТЗ117А 1 l 2N2222 КТЗ117А 1 1 2N2222 1КТЗI17Б ,, 1 2N2224 КТ608Б i! 2N2236 КТ617А 1 1 2Nl354 МП42Б 2NI 864 П417 2N2237 КТ608Б 2Nl366 ГТ122В 2Nl865 П417Б 2N2237 КТ603Б 2N1384 ГТЗ21Е. ГТЗ21Г 2Nl86A МП25Б, МП20А 2N2242 КТЗ40В 1 2Nl384 ГТЗ21Д 2NI 889 КТ6ЗОГ 2N2243 КТ630А 1 2Nl387 КТЗОIБ 2N189 МП25А 2N2243A ! КТ6ЗОА .! j 2Ni39 ГТ109Е 2Nl890 КТ6ЗОБ 2N2246 1 КТЗ151Е9 J· :1 2N1390 1 КТЗОIД j! 2Ni4i3 1 МПЗ9Б. МП20А 2N1893 КТ630А 2N190· МП25А 1 2N2270 1 КТ6ЗОД !! 2N2273 1 ГТЗО5Б ·: 1 !I 2N1414 1 МПЗ9Б. МП20А 2Nl902 КТ926А 2N2274 КТ20ЗБ 11 1 !I 2Nl415 МПЗ9Б, МП20А 1 1 2Nl42U КТ6ЗОЕ l 2Nl494A i ГТЗ21Г 2Nl499A ГТЗО5А 2N1904 1 КТ926Б 11 2Nl91 МП25Б 1 2Nl923 2Т215БI 2N1924 МП21Г 2N2275 КТ20ЗБ ~ 2N2276 КТ20ЗВ ·1 li 2N2277 КТ20ЗВ ' 2N2297 КТ630Г
Раздел 5. Аналоги транзисторов 555 J Зарубежный Приближенный ~ транзистор отечественный аналог Зарубежный Приближенный транзистор отечественный аналог Зарубежный Приближенный транзистор отечественный аналог l 2N233A П122Б 2N2360 ГТЗ76А ~ 2N2361 П376А 2N2907A КТЗIЗБ. КТ661А 2N2932 КТ201ГМ 2N2933 КТ201ДМ 2N3394 КТ37ЗГ 1 2N3397 КТ315Е 2N3399 ГТ346Б jl 2N2368 КТбЗЗБ 2N2947 КТ90ЗА 2N3439 КТ504А 1 2N2369 КТбЗЗА, КТ3142А 2N2948 КТ903А 2N3440 КТ504Б 2N237 МП40А 2N2958 КТ608Б 2N3440S КТ940А 1 2N2372 . КТ203В ~ 2N2373 1 КТ203В ~ 2N2400 ГТ308Б 2N2987 КТбЗОГ 1 2N2988 КТбЗОВ 2N2989 КТбЗОГ 2N3441 КТ802А 2N3442 КТ945А !1 2N3451 КТ337А r, 2N2405 1 КТбЗОБ 2N2990 КТбЗОВ 2N3467 КТ629Б2. 2Т629Б2 1 2N2410 КТ928А 2N2999 ГТ341В 2N3495 КТ632Б, 2Т632А 1 ~ 2N2411 КТ352А 2NЗOIO КТЗlбБ 2N3497 2Т632А 2N2412 КТ352А 2N3012 КТ347Б 2N3506 КТ8168В 2N2415 ГТ376А 2N3015 КТ928А 2N3507 КТ8168Б 2N2416 ГТЗ76А 2N3019 КТбЗОВ 2N3511 КТ384А2, 2Т384А2 1 2N2428 МП41А 2N3020 КТбЗОВ 2N3545 КТ343Б 1 2N2432 КТ201Б 2NЗОЗЗ КТ3122А 2N3546 КТЗбЗА i 11 1' 2N2432A КТ201Б :1 2N2475 1 КТЗlбБ l zN2482 1 ГТЗllИ 2N3053 КТ608Б 2NЗО53 КТбЗОД 2N3054 КТ805Б 2N3565 КТ201АМ i 1 'КТ399А 1 2N3570 2N3571 КТ399А 2N2483 1 КТЗ102Б 2NЗО54А КТ803А 2N3572 КТ399А i 2N2484 КТ3102Д 2N2537 1 КТ928Б 2N3055 КТ819ГМ, КТ8150А 2NЗО55Е КТ819ГМ 2N3576 КТ347А 11 2N3583 КТ704В 1 1 2N2538 КТ928Б 2N3107 КТбЗОБ 2N3584 КТ809А 2N2539 КТ3117А 2N3108 КТбЗОГ 2N3585 КТ704Б 2N2615 КТ325А 2N3109 КТбЗОБ 2N3585 КТ704А 2N2616 КТ325Б 2N31 IO КТбЗОГ 2N3600 КТ368А 2N2617 КТ201А 2N3114 КТ611 Г 2N3605 КТ375Б 2N2635 ГТ320В 2N3121 КТ315А 2N3606 КТ375Б 1 11 !1 ~N2646 1 КТ132А :! 2N2647 КТ! 17Б, КТ! 325 il 2N265 МГТ108Г j, 2N2659 П214А 1 2N3127 П328А, ГТ376А 2N3204 КТ836А, 2Т836А 2N3209 КТ347А 2N32IO КТбlбБ 2N3607 КТЗ75Б 1 2N3611 ГТ701А 1 2N3613 ГТ701А 2N3638 КТ686Г 1 11 2N2660 1 П215 2N3237 КТ729А 2N3638A КТ686Ж il 2N266l П215 2N3240 КТ730А 2N3671 КТ620А 11 2N2665 i П214А 2N3245 1 КТ629А2, 2Т629А2 2N368 МП40А 1 2N2666 П214А 2N3248 КТ351А 2N369 МП41А 2N2667 П215 2N3249 КТ345Б 2N3702 КТ345Б 2N2696 КТ351А 2N2708 КТ325Б 2NЗ250 КТЗIО8А, КТЗIЗБ 2N3250A КТЗIЗБ, КТ3108В 2N3703 КТ685Е 1 2N3709 КТ358А, КТ373А 2N2711 КТ315Т 2N2712 , КТ315Б 2N2725 КТ635Б 2NЗ251 КТ3108Б 2N326 П705В 2NЗ267 ПЗ76А 2N37IO КТ358В. КТ373А 1 1 2N371 I КТ3102В i~1 2N3712 КТ611Г 1 2N2727 КТ504Б 2N3279 П328А 1 КТ692А 1 2N3717 11 2N273 МП39А 2N3280 ГТЗ28А 2N3719 КТ8167В 1 2N2784 КТЗlбБ 2N3281 П328Б 2N3720 КТ8167Д 2N2811 1 КТ908Б 2N3282 П328В 2N3722 КТ608Б 2N2813 КТ908А 2N3283 П328А 2N3724 КТ608Б 2N283 МП40А 2N3284 П328В 2N3725 КТ635Б, КТ659А 2N2835 П213 2N3286 ГТ328Б 2N3730 ГТ810А 2N2836 ГТ703Д 2N3299 КТ608Б 2N3732 ГТ905А 2N2844 КПС104Б 2NЗ301 КТЗl 17А 2N3733 КТ907А 2N2857 КТ399А 2N2868 КТбЗОД 2N2890 КТ801А 2N2891 КТ801А 2NЗЗО2 КТ3117А 2NЗЗОЗ КТ624А2, 2Т624А2 2N3304 КТ337А 2N331 МП39Б 2N3737 КТ659А 1 2N3738 КТ809А 2N3739 1 КТ809А 2N3740 КТ932Б 1 i 2N2894 КТ347Б 2N3329 КПIОЗЕ, 2ПIОЗА 2N374 I КТ932А 1 il 2N2904AL КТ620Б 2N3375 КТ904А 2N3742 КТ604Б / 2N2905A КТ662А 2N3390 КТ373В 2N3766 КТ805Б 2N2906 КТЗIЗА 2N3391 КТ373В 2N3767 КТ805Б 2N2906A КТЗIЗА 2N3392 КТ373А 2N3771 КТ729А 2N2907 КТЗIЗБ 2N3393 КТЗ7ЗА 2N3772 КТ729Б
556 Раздел 5. Аналоги транзисторов Зарубежный Приближенный транзистор отечественный аналог Зарубежный Приближенный 11 транзистор отечественный аналог Зарубежный Приближенный транзистор отечественный аналог !! 2N3773 КПЗОА l 2N3821 1 КПЗОЗТ. КП329Б I 2N3822 кпзози ! 2N3823 КПЗОЗА. КП329Д 1 2N3824 ! КПЗО2БNo. 2N4258A КТ363АМ 2N4260 КТ363А 21\:4261 КТЗбЗБ 2N4268 КП304А 2N4271 2Т653А 1 2N502B 1 ГТЗIЗА 2N503 ГТЗIОБ 2N5031 КТ399А 11 2N5032 1 КТ399А 1, 2N5043 1 ГТ329Б h ' 2N3839 ! КТ399А. КТЗ96А2. 2Т396А2 2N4291 КТ684Б 2N5044 ГТ329А '1 ' 1 2N3866 : КТ939А 1 2N43 МП25Б 2N5050 КТ802А ~ !' 2N3878 i КТ908А 2N4300 1 КТ8168А. КТ831А. 2Т831А 2N5051 КТ802А 1 2N3879 1 КТ908А 2N4301 КТ908А 2N5052 КТ802А 1 2N3880 КТ399А 2N4314 КТ933А 2N5056 КТ347Б 2N3883 ГТ320Б 2N4360 КПIОЗМРI 2N506 ГТ115Б 2N3903 КТ375А 2N438 ГТ122А 2N5067 КТ803А 2N3904 КТ375 (А. Б) 2N4391 2П914А 2N5068 КТ803А 2N3905 КТЗб 1Г. КТЗб 1В2 2N4393 КПЗО2ГМ, КПЗЗЗА. 2ПЗЗЗА 2N5069 КТ803А i 2NЗ906 КТ361 Г, КТ361 Г2 2N44 1 МП25Б 2N5070 КТ912А 2N3953 КТ3123А2 2N4400 КТ645А 2N5090 1 КТ606А 1: 2N3964 1 КТ3107Л 2N4401 1 КТЗ85А2 1 2N5104 ; КП329А .; ' ~N397l ! КП302А. КП302АМ 2N441 I 1 КТ3126А. КТ3127А 1 2N5146 . КТС622А '• 2N3972 · КПЗО2ВМ 2N4416 1 КП323А2, 2ПЗ 12Б 2N5149 '2Т880В ' 2N397< . КТЗI 72А9 2N4429 1 КТ911Б 2N5150 1 2Т881Б 2N403!J i КТ933Б 1 1 2N403! i КТ933А 2N4034 1 КТЗ26Б 2N4430 КТ913А ' 2N4431 КТ913Б il 2N444 МП35 2N5161 : КТ914А ;i l 2N5177 'КТ909А :; ~ 2N5178 ; КТ909Б •' 2N4034 КТ347А 2N4440 КТ907Б 2N5179 i КТ399А ·1 ~ 2N4036 КТ933А 2N4037 КТ933Б 2N4038 КПЗОIБ 2N404 : МП42Б 1 2N4046 'КТ608Б 2N444A r МП35 2N445 МП38 2N445A МП37 2N44A МП40А 2N45 1 МП40А 1 2N5188 КТбОЗБ 'i 2N5190 1 КТ817А ,, 2N5191 КТ817В :i ~ 2N5192 : КТ817Г .i ~i 2N5193 i КТ816А. КТ818А ~ 2N405 'МП39А 2N456 1 П210В i 2N5194 ; КТ816В. КТ818Б ____. 2N4058 , i\.3193Б 2N457 П210Б 2N5195 ! КТ816Г. КТ818:- :: 11 2N406 . МП39А 1 ~ 2N407:' : ГТ705Д li 2N4092 1 КП905А 2N458 П210Б 2N45A ! МП40А 11 1 2N4870 КТlЗЗА 2N5196 : КПСIО4В ' 2N5202 1 КТ908А 2N5209 КТ3102Д 2N4093 КПЗО2Г 2N4871 КТlЗЗБ 2N5210 ! КТ3102Е 2N4123 КТ3102А 2N4889 КТ686Ж 2N5219 'КТ375Б 2N4124 КТЗ102Д 2N4891 КТ! 175 2N5221 КТ351А 2N4125 КТЗб 1Б. КТЗб 1АЗ 2N4893 КТ! 17В 2N5223 КТ375Б 2N4126 КТ3107Ж. КТ361А2, 2N4898 КТ932В 2N5226 КТЗSОА КТЗIЗВl 2N4898 КТ932В 2N5228 КТ357А ' 2N4127 КТ922Г ' 2N4899 КТ932Б 2N5236 i КТ3122Б ' 1i 2N412Ь : КТ922Д 2N4900 КТ932А j 2N5239 1 КТ812Б ' ,. 11 2N413(J : 2Т875Б 2N4910 П702А 11 2N5240 ! КТ812А 'i :i 2N4138 1 КТ201Б ,: 2N4207 1 КТ337Б 1 11 2N4208 f КТ337Б 1 'КТЗбЗА. 1 2N4209 1 2N4220 КП307Б 2N4223 КП305Д, КП307Б 2N4224 КП305Е. КП307В. 2П305Б 1 2N4911 П702 11 2N4912 П702 '1 2N4913 КТ808А 2N4914 КТ808А 1 1 2N4915 КТ808А 1 2N4923 КТ807БМ 2N4924 КТ611 Г 2N5270 i КТ3122А 1 2N5313 i КТ908А ~ ' 2N5315 1 КТ908А f,, 2N5317 1 КТ908А " ,, 2N5319 КТ908А 2N5320 КТ8168Г 2N5321 КТ8168Д. 2Т881 Г 2N4231 П702 2N4232 П702 2N4925 КТ611 Г 2N4926 КТ604Б 2N5333 КТ8167Г ~ 2N5334 КТ685Е 2N4233 П702 2N4927 КТ604Б 2N5354 КТ351А ~ 2N4234 КТ830А. КТ692А 2N4933 1 КТ927А 2N5356 1 КТ685Ж. 2Т685Ж •' i 2N4235 КТ8ЗОБ 2N4960 КТ928Б. КТ635А 2N535A ГТI 158 !1 il 2N4236 1 КТ830В. КТ830Г !1 2N4237 КТ801А 1 1 2N4238 1 КТ801Б 2N4239 КТ801А 2N4964 КТ3193Б 2N497 КТбЗОД 2N4976 КТ911А 2N498 КТбЗОГ 2N535Б 1ГТI15Б 1 1 2N536 ГТI 15Г ~ 2N5365 КТЗ51А :: 1 1 2N5366 КТ351Б '1 2N4240 КТ704 (А. Б) 2N499A ГТ305А, 1ТЗО5А 2N5373 КТ686А 1 'i 2N4254 КТ316АМ 2N4255 КТ316ГМ 2N501 ГТ305А 2N502A ГТЗIЗА 2N5394 КПЗО7А 1' 2N5397 1 КП302Б :!
Раздел 5. Аналоги транзисторов 557 ~ Зарубежный Приближенный 1' транзистор отечественный аналог 1 Зарубежный Приближенный 1 транзистор отечественный аналог 1 Зарубежный Приближенный транзистор отечественный аналог 2N5400 КТ6116Б, КТ6138Д 2N5889 ГТ701А, П216 2N6180 КТ932А 2N5401 КТ6116А 2N5890 ГТ701А. П216Г 2N6181 КТ932А 2N5401 КТ6138Г 2N5891 ГТ701А, П217 2N61A МП20В 1· 2N5427 КТ808А i! 2N5427 КТ808ГМ Г2i::Js429 КТ808А 2N59 МП20А 2N591 ГТI 15Г 2N5995 КТ920Г 2N61B МП21д 1 2N61C МП21Г 1 2N6202 КТ934А 1 2N5447 КТЗ45Б 2N5996 КТ920Г 12N6203 КТ934Б 1 2N5452 КПС104А 2N59A МП20А 2N6204 КТ934В 1 • 2N5456 КТЗ89Б2. 2ТЗ89Б2 I, 2N5468 2Т809А 2N5481 КТ911А 2N5483 КТ919В 2N5490 КТ819Б 2N5492 КТ819В 2N59B МП21Д 2N59C МП21Д 2N60 МП20Б 2N601 I КТ825Б 2N6013 КТ685Д 2N6015 КТ685А, 2Т685А 2N6208 КТ916Б 1 2N6216 КТ684А 11 2N6246 КТ818ВМ 1 2N6247 КТ818ГМ 2N6248 КТ818ГМ 1 2N6253 КТ819БМ 1 2N5494 КТ819В 2N5496 КТ819Г 2N602 П416 2N603 П416 2N6260 КТ805Б 1! 2N6263 КТ802А 2N554 П216В 2N6034 КТ8130А, КТ8219А 2N6264 КТ802А 1: 1 2N5540 1 КТ854А 2N6035 КТ81ЗОБ 2N6266 IКТ919В 1! 2:"J555 1 П216В 2N6036 КТ81ЗОВ 2N6278 1 КТ879Б ,, 1 2N5550 КТ6117Б. КТ6139Д 2N6037 КТ8131А 2N6279 КТ879А 2N5551 1 КТ6117А. КТ61395 2N6038 КТ8131Б 2N6282 КТ827В 1 2N5556 КПЗОЗБ 2N6039 КТ8131В 2N6283 1 КТ827Б 2N5589 КТ934Г. КТ920А 2N604 П416А 2N6284 КТ827А 2N5590 КТ934Д 2N6047 КТ947А 2N6285 КТ825Д, 2Т825В. 2Т877Б 2N5591 КТ920В 2N6050 КТ825Д 2N6286 КТ825Г, 2Т825Б, 2Т877А 2N5596 КТ916А, КТ919А . 2N560 ПЗ07В 2N5621 2Т876Б 2N5625 2Т876В ~ 2N5626 1 2Т875А ,---- 2N6051 КТ825Г 2N6052 КТ825Г 2N6057 КТ827В 2N6058 КТ827Б 2N6059 КТ827А 2N6287 КТ825Г, 2Т825А 1 2N6288 КТ819А 2N6289 КТ819А 2N6290 КТ819В 11,, 2N6291 КТ819В 11 1 '2 N5 64: 1 КТ922А 2N6077 КТ812Б 2N6292 КТ819Г 2N5642 КТ922Б 2N6078 КТ812Б 2N6293 КТ819Г 2N5643 КТ922В 2N6079 КТ812А 2N6303 КТ8167Б 2N5650 2ТЗI 1486 2N6080 КТ920Б 2N6304 КТЗ99А 2N5652 КТЗ72В 2N6081 КТ920Г 2N6305 КТЗ99А 2N5653 2Т504Б 2N5672 КТ874А. 2Т974Б 2N6093 КТ912Б. КТ927Б 2N6099 КТ819В 2N6310 КТ818В 1 2N6341 КТ867А 2N5675 КТ8167А 2N5681 КТбЗОГ 2N5682 КТбЗОА 2N60A МП21В 2N60B МП21Д 2N60C МП21Г 2N6362 КТ9ЗОА ·i 2N6364 КТ9ЗОБ 11 2N6369 КТ931А 1 2N5707 КТ921А 2N5709 1 КТ936А 2N5719 КТ929А 2N61 МП20А 2N6101 КТ819Г 2N6106 КТ837Б 2N6371 КТ819БМ 'i 2N6372 1 КТ808ГМ !j l 2N6373 l КТ808ГМ li , 2N 5764 КТ91ЗА 2N6107 1 КТ818Г 2N6374 КТ808БМ il 2N5765 1 КТ91ЗБ 2N6108 КТ837Д 2N6427 КТ517В 2N5768 КТ919Б 2N61 IO КТ837К 2N6448 КТ684А 2N5769 КТЗ142А 2N6111 КТ818А 2N6469 КТ818БМ 2N5770 КТЗ25ВМ 2N6121 КТ817А 2N6470 КТ819БМ 2N5771 КТЗбЗАМ 2N6122 КТ817В 2N6471 КТ819ВМ 2N5781 КТ8ЗОА. 2Т8ЗОА 2N6123 КТ817Г 2N6472 КТ819ГМ 2N5805 КТ840В 2N6124 КТ837Ф 2N6477 КТ812ЗА. КТ850В 2N581 МП42А 2N6125 КТ837С 2N6499 KT81 IOA 2N5838 КТ840Б 2N6126 КТ837Н 2N65 МП20А 2N5839 КТ840Б 2N5840 КТ840А 2N5842 , КТЗ55А 2N6129 КТ819Б 2N6130 КТ819В, 2Т819А2 2N6131 КТ819Г 2N6515 КТ6139В i 2N653 1 МП20А 2N654 МП20А 2N5845 КТ645А 2N5851 1 КТ355А 2N6132 КТ818Б, КТ837Ж 2N6133 КТ818В 2N6542 КТ840Б 1 2N6543 КТ840А 2N5852 КТЗ55А 2N6134 КТ818Г 2N6546 КТ878Б 2N5867 КТ818ВМ 2N6135 КТбlОА 2N655 МП20Б 2N5887 ГТ701А, П216 2N6178 КТ943Д 2N6553 2Т9117А 2N5888 ГТ701А, П216 2N6179 КТ94ЗБ 2N656 КТбЗОД
558 Раздел 5. Аналоги транзисторов 11 Зарубежный 1 Приближенный 11 транзистор отечественный аналог Зарубежный Приближенный транзистор отечественный аналог Зарубежный Приближенный Р, транзистор отечественный аналог ~ 11 2N6560 КТ841А, 2Т862А '· ~1 2N657 КТ630Г 1 ii 2N6575 КТ8146А 2N797 ГТ311И 2N797 ГТ308А 2N834 КТ340В 25Al033D КТ3107К ! 1 ГТ322Б 1 25А104 ~1 25А105 ГТЗlОЕ 11 2N6617 КТ3132А 2N835 КТ340В 25А1052В КТ3129Б9 2N6658 2П912Б 2N842 КТЗОlД 25А1052С КТ3129Г9 2N6669 КТ863А. КТ997 А, 2Т863А 2N843 КТЗОl (В, Ж) 25Al052D КТ3129Г9 2N6672 КТ847А, 2Т862Б 2N844 П307В, КТ601А 25А106 ГТЗlОЕ 2N6678 КТ847А. КТ878В, 2Т878Б 2N845 П308, КТ601А 25А107 ГТЗlОД 2N6730 2Т880Б 2N869 КТ352А 25А1073 КТ865А 2N6755 2П912Б 2N869A КТ347А 25А108 П422 2N6764 КП747А 2N914 КТ616Б 25А109 П422 1 2N6766 КП250 2N915 КТ342Г 25А1090 КТЗlЗБ. КТ3193А ! 2N6767 КП717В 1 2N6768 1 КП717Б 2N916 КТ342А 2N917 КТ368Б 25А1091 КТ6138А 25А110 П422 ~ 2N6769 1 КП717А 2N918 КТ368А 25Al 106 КТ8101Б 2N6770 1 КП450 2N919 КТ340В 25All l П422 ! 2N6772 1 КТ8175Бl 1 2N920 КТ340В 25Al 12 П422 2N6773 KT8175Al 2N923 КТ203Б 25Al 16 ГТЗlОВ 2N6928 КТ8120А 2N924 КТ20ЗБ 25AJ 160А КТ686Д 2N6929 КТ8138Ж 2N929 КТ342А 25Al 1608 КТ686Е 2N6930 КТ8138И 2N930 КТ342А 25Al 17 ГТЗlОД 2N6931 КТ8117Б 2N94 МП38 25Al 18 ГТЗlОД 2N6932 КТ856Бl 2N943 КТ203Б 25Al 180 КТ865А 2N696 КТ630Д 2N944 КТ203Б 25А1213 КТ511Е9 1 2N697 j КТ630д 2N955 ГТ311И 25А1214 КТ511Ж9 ~ 2N698 1 КТ630А 2N955A ГТ311И 25А1224 1 2Т691А2 ~ ~ 2N699 : КТ630А 2N978 КТ350А 25А1274 КТ684В ~ 2N700 1 ! ГТЗlЗБ, ГТ376А 2N979 ГТ305А 25А1320 КТ3157А " J 2N700A i П376А 1 2N702 1 КТ312А 2N980 1 ГТ305А 2N987 1 ГТ322Б 1 25А1356 1 КТ626Г. КТ626д 1 i 25А1356 КТ626А 2N703 КТ312В 2N990 ГТ322В 25А1376 КТ6138В 2N705 П320В 2N991 ГТЗ22В 2SA1416R КТ511В9 2N706A КТ340В 2N993 ГТ322В 25А1515 КТ686Б 2N708 КТ340В 2N995 КТ352А 25А1544 КТ6138Б 2N709 КТ316Б 2N996 КТ352А 2SA1584 КТ9144А9 2N709A 1 КТ316Б 2NL234B КП902Б 25А173 ГТ125Б 11 ~N71G i iT320B 2NU72 П403Б 1 25Al 74 ГТ125Б ! 2N711 1 П320В 2NU73 П703Б 25А195 ГТ124А 2N7l!A : П320Б 2NU74 ГТ701А, П210А 25А204 ГТ125Б 2N711Б i ГТ320Б 252466 П201АЭ 25А205 ГТ125Д 1 2N7200LTI 1 КП214А9 253640 КТ3126Б 25А206 ГТ125Б 2N72Ь i КТ349А 2N727 КТ349Б 25564 КТ686Г 1 25А1009 КТ851Б '[ 25А211 ГТ125А ~ 25А212 ГТ125А 1 2N728 КТ312В 2SA101 ГТ322В 25А219 ГТ322В 2N729 КТ312Б 25А1015 КТ3107Б 25А221 ГТ322Б 2N734 П307, КТ601А 2N735 П307А. КТ601А 2N735 КТ601А, П307А 2N738 1 П309 25Al016f КТ6138Д 25А102 П322В 25А1021 КТ722А 1 25А1029В J КТ3107Г 11 1 25А223 ГТ322В 11 25А229 ГТЗlЗА 1 25А230 1 ГТЗlЗА ,, 'i 2SA234 1 ГТ309Б ') ii 2N739 [ П308 2N741 1 ГТЗlЗВ ,;2N741A 1 ГТЗlЗА 2N743 1 КТ340В 1 2N744 КТ340В 2N753 КТ340Б 2N754 П307В 25А1029С КТ3107Д 1 25Al029D КТ3107И 1 25AJ03 ГТ322В 25АJОЗО КТ668В, КТ3193А 11 25А1030В КТ668Б 1 2SAJOЗOB КТЗ 107Б, КТ668В '1 25А1030С КТЗ 107Д. КТ668В 25А235 ГТ309Б ~ 25А236 ГТ322В 125А237 ГТЗ22В 1 25А246 ГТ305В ~ ' 25А254 ГТ109Е 2SA255 ГТ109Д '1 25А256 ГТЗ22Б ~ 2N755 П308 25AJ03JB КТ3107Г 25А257 ГТ322В ~ 2N77 П109Б 25А1031С КТ3107Ж 25А2570 КТ6142Б 2N780 КТЗ12Б 2SAIOЗJD КТ3107Ж 25А258 ГТЗ22В 2N784A КТ340В 1 25А1032 КТ668А 25А259 ГТЗ22В ., ;1 :1 2N795 ГТ308А 1 25А1033В КТ3107Г 25А260 , ГТЗIОА . !1 2N796 i ГТ308Б 1 1 25А1033С КТ3107Д il 25А266 i ГТЗО9Г :
Раздел 5. Аналоги транзисторов 559 " 1 1 1 Зарубежный 1 Приближенный Зарубежный Приближенный Зарубежный Приближенный 1 транзистор отечественный аналог i 2SA267 ГТЗО9Г 1 2SA268 ГТЗО9Д транзистор отечественный а11алоr 2SA60 ГТЗ22Б 2SA603 КТЗIЗБ транзистор отечественный аналог 2SBIOl9 КТ818В 2SBI 10 ГТ124А 1 2SA269 rтзозд 1 2SA270 ГТ309Г l 2SA271 ГТЗ09Г 2SA272 ГТ309А 2SA628 КТ357Г 2SA640 КТ3107 (К, И) 2SA641 КТЗ107Л 2SA65 ГТ125В 2SBI 11 ГТ124Б 2SBI 12 ГТ124В 2SBI 13 ГТ124В 2SBI 14 ГТ124Б 1 2SA277 1 ГТ124В 2SA670 КТ816В 2SBI 15 ГТ124В 2SA279 1 П416Б, ГТ305Б 2SA671 КТ816Б 2SBI 16 ГТ124Г I 2SA282 1ГТI25(В,Г) 2SA673 1 КТЗ50А 2SBI 17 ГТ124Г i, 2SA21J5 1 ГТЗ22Б 2SA69 ГТ309Е 2SBl2 ГТ124А 2SA286 ГТ322Б 2SA70 ГТ309Е 2SBl20 МП41А 2SA287 ГТ322Б 2SA71 ГТЗ09Е 2SBl214 КТ8219Б 2SA312 ГТ321Д 2SA715B КТ639И 2SBl220Q КТ3180А9 2SA321 ГТЗ22В 2SA715B КТ639В 2SBl286 КТ852А 2SA322 ГТ322В 2SA715C КТ639В 2SBl3 ГТ124А 2SA3355 КТ6142А 2SA715D КТ639В 2SBIЗO П201АЭ 2SA338 ГТЗ22В 2SA718 КТЗIЗБ 2SBl316A КТ8219ВI 2SA339 ГТ322Б 2SA72 ГТЗ22В 2SBl35 ГТ124В 2SA340 ГТ322Б 2SA341 1 ГТЗ22Б ~ 2SA342 1 ГТЗ22Б 2SA343 1 ГТ309Б 2SA73 ГТ322В 2SA733 КТЗ107И 2SA738B КТ639В 2SA738C КТ639В 2SBl36 МП25А, МП20Б J 2SBl36A МП25А. МП20Б ;! 2SBl452Q 1 КТ8217ГI :1 2SBl474A КТ8219БI 1 2SA35U 1 П422 2SАЗ51 П422 2SA352 П422 . 2SA738D КТ639В 2SA740 КТ851В, 2Т851В 2SA741H КТЗ52А 2SBl5 ГТ125А 1 2SBl70 МП39А, МП40А 2SBl71 МП40А 2SA354 П422 2SA743 КТ639Г 2SBl72 МП20А, МП25Б 2SАЗ55 П422 2SA743A КТ639Ж 2SBl73 МП39А 2SA374 П609А 2SA743A КТ639Г, КТ639Ж 2SBl75 МП41А 2SA391 ГТ125В 2SA750 КТ3107К 2SBl76 МП25Б, МП20Б 2SA396 ГТ125Г 1 2SA4U ГТ124Б ! 2SA400 1 ГТЗ09Г ~ 2SA412 i ГТ308Б 12SA414 ! ГТ125Б 2SA755A КТ932Б 2SA755B КТ932Б 2SA768 КТ816В 2SA769 КТ816Г 2SA779K КТ639В 2SBl80A П201АЭ 11 2SBl81A П202Э 2SB200 МП25Б. МП20А 1 2SB201 МП25Б. МП20А 2SB261 1ГТI15А ~ 2SA416 : ПбОбА 8 2SA422 1 ГТ346Б 2SA78 ГТ321Д 2SA78 ГТ321В 2SB262 ГТI 158 1' 2SB263 МП25Б 11 2SA44C ГТЗIЗА 2SA780AK КТ639Д 2SВЗО2 ГТ109Е 2SA467 КТ351Б 2SA781K КТ345Б 2SВЗОЗ ГТI 15Г · 2SA479 ГТЗЗIА 2SA794 КТ9115Б 2SB32 МП39А 2SA49 ГТ109Е 2SA81 IC5 КТ3129Б9 2SВЗЗ МП41А 2SA490 КТ816Б 2SA81 IC6 КТЗ129Г9 2SВЗЗ5 МГТ108В 2SA494G КТ349В 2SA812M4 КТЗ129Б9 2SB336 МГТ108В 2SA495 КТ357Г 2SA812M5 КТЗ129Б9 2SB361 ГТ806А 2SA495G КТ357Г 2SA815 КТ814Г 2SВЗЬ2 ГТ806Б 11 2SA496 КТ639Б 2SA50 1 пзо 2SA844C КТЗ107И 2SA844D КТ3107И 2SB367 1 П201АЭ .1 2SB368 1 П201АЭ 1 2SA500 1 КТ352А 2SA504 i КТ9ЗЗА 2SA876H КТЗIЗБ 2SA891 КТ529А 1 2SB37 МП41А 11 2SB39 ГТ115А 2SA505 1 КТ639Д 2SA92 ГТЗ22Б 2SB40 МП42Б 1 2SA52 1 ГТ109Е 2SA93 ГТЗ22В 2SB400 МГТ108Г 2SA522 КТЗ26Б 2SA952K КТ6115Е, КТ686Е 2SB43 ГТ125В 2SA53 ГТ109Д 2SA952L КТ6115Д, КТ686Д 2SB434 КТ837Р 2SA530 КТЗIЗБ 2SA952M КТ6115Г 2SB434G КТ837Р 2SA537 КТ9ЗЗБ 2SA962A КТ639Д 2SB435 КТ837У 2SA550 КТ3193Д 2SA966Y КТ686В 2SB435G КТ837Р 2SA555 КТЗбlЕ, КТ361Е2 2SA967 КТ312ЗАМ 2SB435U КТ816А2 2SA556 КТЗбlЕ 2SA983 КТ3109А 2SB439 МП41 А. МП39Б 2SA559 КТ352А 2SA999 КТЗ107И 2SB44 ГТ124В 1 2SA564 1 КТ3107Д 2SA999L КТ3107И 2SB440 МП41 А. МП39Б 12SA564A 1 КТ3107И 2SBIOl6 КТ818Г 2SB443A МГТ108Г 2SA568 КТ345В 2SBIOl 7 КТ818Г 2SB443B МГТ108Г 2SA58 ГТЗ22Б 1 2SBIOl8 КТ818Г 1 2SB444A МГТ108Г
560 Зарубежный 1 транзистор I 2584448 il 258448 :1 258456 ,, !1 ~58467 :' 25846!1 1 25847 1 258473 1 25848 1 258481 25849 258497 258506А 25854 258546 ' 1 258546А 1 1 25855 11 258551Н 1 258553 1258558 25856 25857 258595 258596 25860 25861 258630А : 258650Н 1 11 258678 :1 258693Н 11258709 258709 258709А 258710 25875 258750А 258754 258772 258834 258883 1 25890 1 258906 1 11 258906 25897 258970 258973А 258996 25CIOOOGTM 25CIOOI 25С1008 25С1008А 25С1009А 25CIOIA 25Cl044 25Cl05 25С1056 25С1080 25С108А 25С1090 25Cl09A 25CI 111 25CI 112 25CI 113 1 Приближенный Зарубежный 1 отечественный аналог транзистор 1 МГТ108Г 25CI 114 1 П201АЭ 25CI 115 1 П202Э 25CI 1172Б 1 1 1 П202Э 25CI 141 ГТ810А 25CI 144 МГТIО8 (Д, Г) 25CI 145 П201АЭ 25CI 172 ГТ125Б 25CI 172А П201АЭ 25CI 173 ГТ1258 25CI 188 МГТIО8Б 25С1215 КТ842А 25С1236 ГТ124Г 25С1254 КТ8518. 2Т8518 25С1260 1 КТ851А 25С1262 i ГТ125Г 25С1308 1 КТ932Б 25С131 КТ8188 25С1317 КТ818ГМ 25С132 ГТ125Г 25С133 МГТ108Б 25С134 КТ816Г 25С135 КТ816Г 25С137 МП41А 25С1395 МП41А 25С1440 КТ851А 25С1454 1 КТ825Г 25С1504 1 2Т708А 25С1515К КТ825Г 25С151Н i КТ3129Д9 25С1550 КТ3129Д9 25С1566 КТ3129Г9 25С1569 КТ3173А9 25С1576 ГТ1258 25С1617 КТ852Б 25С1618 КТ818Б 25С1618 КТ9176А 25С1619 КТ835Б, КТ8378 25С1619А 1 КТ8106Б 25С1619А ГТ109Г 25Cl622D6 1 КТ835Б, КТ8378 25Cl622D7 КТ835А 25Cl623L ГТIО98 25С1624 КТ3171А9 25С1625 КТ8528 25CI 70 КТ816Г 25С171 КТ3102Б 25CI 72 КТ925Г 25CI 789 КТ630Д 25С1805 КТ630Б 25С1815 КТ3151Д9 25С1826 КТ902А 25С1826 j КТ355А 25С1827 КТ312Б 25С1828 КТ605Б 25С1846 КТ683А 25С188 КТ630Г 25С1894 КТ372А 25С1895 КТ928Б 25С1896 КТ802А 25С1950 КТ802А 25С2001К КТ808А 25C2001L Раздел 5. Аналоги транзисторов Приближенный отечественный аналог КТ812Б Зарубежный Приближенный j транзистор отечественный аналог 1 25С2036 КТ646А J. 2Т875Г 1 1 КТ839А КТ8154А 1 КТ9098 ·' 25С2042 ;. 25С2068 1 КТ940А 1 1 25С2121 1 КТ828А ., 1 КТ8154Б 25С2122 1 КТ841А КТ809БМ 25С2137 КТ812А. КТ828Б КТ839А 25С2138 КТ812А КТ839А 25С2168 КТ850А КТ943А 25С2173 КТ909Г КТ325БМ 25С2188 КТ3126А9 КТ325АМ 25С2231 КТ9408 КТ3101АМ, 2Т3101А2 25С2231А КТ9408 КТ3106А2, 2Т3106А2 25С2242 КТ940А КТ399А 25С2258 1 КТ940Б ! КТ939А 25С2270 1 КТ9157А п КТ841Г 25С2295 1 КТ3170А9 ~ КТ616Б 25С2333 KT8175AI ·' КТ645А 25С2335 КТ8138А КТ616Б 25С2351 КТ3168А9 КТ616Б 25С2368 КТ312382 КТ616А 25С2369 КТ3123Б2 КТ616А 25С2404 КТ3130Г9 КТ616Б 25С2405 КТ3130Г9 КТ3258М 25С2431 КТ945А КТ945А 25С2456 КТ940А КТ812Б 25С247 ! КТ602Г КТ809А 25С2481 i КТ683Б j КIНТ661А 25С249 i КТ602Б ' КТ603А 25С2516 i КТ863Б КТ940Б 25С253 КТ325А КТ940Б 25С2562 КТ805АМ КТ940А 25С2611 КТ604БМ КТ812А, КТ828Б 25C2688N КТ9130А КТ812Б 25С2790 КТ828А КТ808А 25С2790А КТ828А КТ808БМ 25С2791 КТ828А КТ808А 25С2794 КТ943Б КТ808А 25С281 КТ3128 КТ808АМ 25С282 1 КТ3128 t КТ3130Б9 25С2873 КТ52889 ~ КТ3130Б9 25С3056 'КТ8138Б ~ КТ3130А9 25С3057 КТ8138Д КТ9438 25С306 КТ630Д КТ9438 25С3061 КТ886А 1, 2Т886А КТ306Д 25С307 КТ630Г КТ306Д 25С308 КТ630Г КТ306Д 25С309 КТ630А КТ399АМ 25С310 КТ6308 КТ916А КТ3102Б 25С3150 КТ8118А 1 25С3217 1 КТ9155А !! КТ817Г2 КТ817Т 125c321s 1 КТ9142А. КТ9155Б. ,, ;! i 2Т9142А ,, КТ817Г 25С3257 КТ854А 1i КТ828А 25С3277 КТ856БI 1 КТ645А 25С33 КТ312Б, КТ312Бl КТ617А 25С3306 КТ8117А КТ839А 25С3335 КТ940Б КТ839А 25С3356 КТ3198Е9 КТ839А 25С3357 КТ6142А9 КТ640Б2 25С3358 КТ3198Е КТ6144Е 25С3419 КТ646А КТ6144Д 25С3422 КТ805АМ
Раздел 5. Аналоги транзисторов 561 ~ Зарубежный 1 Приближенный ~ транзистор 1 отечественный aнa.nor Зарубежный 1 Прнб.nиженный транзистор отечественный aнa.nor Зарубежный 1 Приб.nнженный !i транзистор 1 отечественный аналоr 1 · 25С3422 КТ940В 25С507 КТ611Г 250128 ГТ404И 25С3423 1 КТ940В 25С508 КТ802А 2501287 КТ8105А. 2Т8105А 25С3424 КТ940Б 25С510 КТ630В 250128А ГТ404И 25С3450 КТ856АI 25С512 КТ630Г 2501308 КТ939Б 25С3459 КТ8127ВI 25С517 КТ903А 2501348 КТ9181Б 25С3480 КТ8127БI 25С519А КТ802А, КТ945А 2501354 КТ817В 25С3568М КТ863В 25С520А КТ802А 2501356 КТ817Г 25С3607 КТ911Г 25С3637 КТ886Б! 25С521А КТ803А 25С525 П701А 2501406 КТ817В 11 2501408 КТ817Г 25С3647 КТ512В9 25С538 КТ3102Г 250146 П702А 25С3660 КТ9152А 25С538А КТ3102Б 250147 П702 25C366G КТ645А 25С543 КТ907Б 250148 П702 25C367G КТ645А 25С549 КТ904Б 2501513К КТ6114Е 25С3688 КТ8157А 25С553 КТ907Б 2501513L КТ6114Д 25С370 КТ375Б 25С563 КТ339Г 2501577Fl КТ8127Аl 25С371 КТ375Б 25С583 КТ368Б 2501624 КТ528В9 25С372 КТ375Б 25С589 КТ638А. 2Т638А 2501627 КТ512Е9 25С3801 КТ368БМ 25С594 КТ608А 2501742 КТ3171А9 25С3812 КТ9151А 25С598 КТ904А 250195 МП38А 25С3827 КТ368Б9 25С601 КТ306Б 250201 КТ808А 25С3840 КТ8175Б 25С390 КТ368А 25С612 КТ325В 25С618 КТ325А 250202 КТ808А ' 250203 1 КТ808А ~ 25С395А КТ616А 25С620 КТ375А 2502200Q КТ8218Гl 1 25С40 КТ316Г 25С633 КТ315Б 250234 КТ817А '1 2SC400 КТ306В 25С634 КТ315Г 250235 КТ817Б 1 25С4001 КТ9130А 25С635 КТ904Б 250292 КТ817В 25С401 КТ358В 25С64 КТ601А 25031 МП35 25С402 КТ358В 25С641 КТ315Г 250312 КТ826Б 25С403 КТ358Б 25С642 КТ904А 250312 КТ826Б 25С404 КТ358В 25С65 КТ611В 25032 МП38А 25С408 2Т945Б 25С66 КТ611Г 25033 МП38А 25С41 КТ802А 25С67 КТ340В 250350 КТ8157А 25С4106 КТ8138А, КТ81 IОБ 25С68 КТ340В 25037 МП37А 25C4106L КТ811ОВ 25С712 КТ375Б 250372 1 КТ8143И, КТ8143С 25С4109 1 КТ8145Б 25С727 П307Б 250373 КТ8143Л, КТ8143Р 25С42 'КТ802А 25C752GTM КТ645А 250374 КТ8143М 25С4242 КТ8138Б, КТ81 IОА 25С779 КТ809А 250380 КТ839А 25С43 КТ802А 25С784 2Т397А2 250414 КТ683В 25С44 КТ803А 25С788 КТ618А 250415 КТ683Д 25С4468 КТ8218БI 25С790 КТ817Б 250418 КТ841Д 25С4542 КТ8138В 25С793 КТ803А 2504670 КТ660В 25С454В КТ3102В, КТ342АМ 25С796 КТ603А 25047 КТ908А 25С454С КТ3102В 25С809 КТ325В 250526 КТ817Г 25С4540 КТ3102В 25С815 КТ645А 250536 КТ864А 25С458 КТ3102В 25С825 КТ809А 250601 КТ3130Ж9 25С458КВ КТ3102В 25С828 КТ3102В 250601 КТ3130В9 ' 25С458КС КТ3102В 25С828А КТ3102Б 250601А КТ3130Б9 1! 25С458КО КТ3102В 25С829 КТ358Б 250602 КТ3176А9 1! ! 25C458LGB 1 КТ3102Д 25С893 П701А 250605 1 КТ834А 1 25C458LGC КТ3102Д 25С900 КТ3102Г 250610 КТ850А 25C458LGO КТ3102Д 25С923 КТ3102Г 250621 КТ710А, КТ715А 25С4756 КТ8121Б 25С923К КТ3102ЕМ 250630 КТ729А 25С481 КТ630Д 25С945 КТ3102Д 250640 КТ828Б, КТ828Г 25С482 КТ617А 25С9595 КТ630Б 250668 КТ611БМ. КТ602АМ 25С493 КТ803А 25С976 КТ911Г 250668А КТ611БМ 25С495 КТ646А 25С977 КТ913А 250675А КТ945А 25С497 КТ630Б 25С978 КТ913Б 25068 КТ902А 25С498 КТ630Б 2501111 КТ517Е 250685 КТ834А 25С503 КТ630Г 2501174 КТ8129А 250686 КТ829А 25С504 КТ6ЗОГ 25С505 КТ618А 250127 ГТ404Б 250127 ГТ404Е 250691 КТ829А 1 250692 КТ829А 25С506 КТ611Б 2501279 КТ839А 250716 КТ819ГМ 36зак9
562 Раздел 5. Аналоги транзисторов Зарубежный Приближенный Зарубежный Приближенный Зарубежный Приближенный транзистор отечественный анапоr транзистор отечественный аналог транзистор отечественный аналог 25072 ГТ404И А70-28 2Т964А, 2Т950А АО314 П217, ГТ701А 25075 МП38, МП36А АС116 МП25А АО325 П210Б, ГТ701А 25075А МП37 А, МП36А АС117 ГТ402И А0431 П213 250814 КТ3179А9 АС121 МП20А АО436 П213 250820 1 КТ839А АС122 ГТ115Г АО438 П214А '250821 i КТ839А АС124 ГТ403И АО439 1 П215 1 250822 1 КТ839А АС125 МП20Б АО457 1 П214А ' 250 838 1 КТ710А АС126 1 МП20Б АО465 П213Б 250841 1 КТ859А АС127 ГТ404Б АО467 П214А 250843 1 КТ819ГМ АС128 ГТ402И АО469 П215 250867 КТ808АМ АС132 МП20Б, ГТ402Е АО542 П217, ГТ701А 250877 КТ802А АС138 ГТ402И АО545 П210Б 250880 КТ817В АС139 ГТ402И АОР665 ГТ403Б 250880 КТ817Б2 АС141 ГТ404Б АОР666 ГТ403Г 250882 КТ9177А АС141В ГТ404Б АОР670 П201АЭ 250995 КТ715А АС142 ГТ402И АОР671 П201АЭ 25К1057 КП727Г АС150 МГТ108Д АОР672 1 П202Э 25К1087 КП727Д АС152 ГТ402И АОУ27 ГТ703В 25К123 АП324А2 АС160 П28 AFI06 ГТ328Б 25К124 АП324В2 АС170 МГТ108Г AFI06A ГТ328В 25К133 КП801Г АС171 МГТ108Г AFI09R ГТ328А 25К134 КП801В АС176 ГТ404А AFl24 ГТ322А 25К1409 КП937А АС181 ГТ404Б AFl39 ГТ346Б 25К1616 АП343Аl-2 АС182 МП20Б AFl78 ГТ309Б 25К215 КП802А АС183 МП36А, МП38А AF200 ГТ328А 25К2498А КП775А АС184 ГТ402И AF201 ГТ328А 25К2498В КП775Б АС185 ГТ404Г AF202 ГТ328А 25К28 КП722А АС187 ГТ404Б AF239 ГТ346А : 25К298 КП707А АС188 ГТ402Е AF2395 1 ГТ346А 125к313 КП717А 25К316 КП323Б2, КП341А АС540 МП39Б АС541 МП39Б AF240 ГТ346Б AF251 ГТ346А ; 25К506 1 КП341Б АС542 МП39Б, МП41А AF252 ГТ346А , 25К60 i КП801А АСУ24 МП26Б AF253 i ГТ346А 25К700 ! КП727Е АСУ33 1 ГТ402И AF256 ГТ346Б 25К757 КП704А АО1202 П213Б AF260 П29А 25К76А КП801Б А01203 П214Б AF261 П30 2Т3531 П308, КТ602А АО130 П217 AF266 МП42Б, МП20А 2Т3532 П308, КТ602А АО131 П217 AF271 ГТ322В 2Т3674 КТ355А АО132 П217 AF272 ГТ322В 2Т3841 КТ343А АО138 П216 AF275 ГТ322Б 3NI05 КТ118А АО139 П213 AF279 • ГТ330Ж 'l 3NI06 КТ118Б АО142 П210Б AF280 ГТ330И • 3Nl07 КТ118В А0143 П210В AF426 ГТ322Б 3Nl40 КП350А АО145 П210В, П216В AF427 ! ГТ322Б 3Nl69 КП908А АО148 ГТ703В AF428 ГТ322Б 3N225 i КП310А АО149 ГТ703В AF429 ГТ322Б 1 3N74 1 КТ118А АО150 ГТ703Г AF430 1 ГТ322В 3NU72 ГТ403Б АО152 ГТ403Б AFYll ГТ313А 3NU73 ГТ703Г АО155 ГТ403Е AFYl2 ГТ328Б 3NU74 ГТ701А, П201А АО161 ГТ705Д AFYl3 ГТ305В 40675 КТ912Б АО162 ГТ703Г AFYl5 П30 4NU72 ГТ403Б АО163 П217 AFY29 ! ГТ305Б 4NU73 ГТ703Д АО164 ГТ403Б AFZll ГТ309Б 4NU74 ГТ701А, П210А АО169 ГТ403Е ALIOO 1 ГТ806В 5NU72 ГТ403Е АО262 П213 ALI02 ГТ806А 5NU73 П213 АО263 П214А ALI03 1 ГТ806Б i 5W74 ГТ701А, П210А АО301 ГТ703Г ALF3000 i АП355А5 6NU73 П215 АО302 П216 АМ1416-200 КТ9146А, 2Т994А2 6NU74 П210Б, ГТ701А АО303 П217 АМ82731-45 КТ9121А. 2Т9121А 714U74 П210Б, ГТ701А АО304 П217 АМ83135-40 2Т9129А 7NU73 П215 А0312 П216 АМРАС1214-125 2Т975А А50-12 КТ981А АО313 П217 АР1009 КТ887Б, 2Т887А
Раздел 5. Аналоги транзисторов 563 Зарубежный 1 Приближенный 1 транзистор 1 отечественный аналоr ASXll МП42Б Зарубежный Приближенный транзистор отечественный аналоr ВС108ВР КТЗ102В Зарубежный 1 Приближенный i транзистор 1 отечественный аналог ВС212А КТ3107Б ASX12 1 МП42Б ВС108С КТЗ42В ВС212В КТ3107И 1 ASY26 МП42А, МП20А ВС108СР КТЗ102Г ВС212С КТ3107К ASY26 МП20А ВС109В КТЗ42Б ВС213А КТ3107Б ASYЗl МП42А ВС109ВР КТ3102Д ВС213В КТ3107И АSУЗЗ МП42А, МП20А ВС109С КТЗ42В ВС213С КТ3107К ASY34 МП42А, МП20А ВС109СР КТЗ102Е ВС214 КТЗ!ЗБl ASY35 МП42Б. МП20А ВС119 КТбЗОД ВС216 КТ351А ASY70 МП42 ВС!39 КТ93ЗБ ВС216А КТЗ51А ASY76 ГТ403Б ВС140 КТбЗОГ ВС218 КТ340Б ASY77 1 ГТ403Г ВС141 КТбЗОГ ВС218А КТ340Б ASYBO ГТ403Б ВС142 КТбЗОГ ВС226 КТЗ51Б ASZ1015 П217В ВС143 КТ93ЗБ ВС226А КТЗ51Б ASZIOlб П217В ВС146-О! КТ37ЗА ВС234 КТЗ42А ASZI017 П217В ВС146-02 КТЗ73Б ВС234А КТЗ42А Р. ASZI018 П217В ВС146-ОЗ КТЗ73В ВС235 КТЗ42Б ASZ15 П217А, ГТ701А ВС147А КТЗ73А ВС235А КТЗ42Б ASZlб П217А ВС147В КТЗ7ЗБ ВС237А КТЗ102А ASZ17 П217А ВС148А КТ373А ВС237В КТЗ102Б ASZ18 П217В, ГТ701А ВС148В КТЗ73Б ВС238А КТЗ102А АТ1065-1 АП356А5 ВС148С КТ37ЗВ ВС238А КТЗ102В АТ270 МП42Б, МП20А ВС149В КТ373Б ВС238В КТ3102В АТ275 МП42Б, МП20А ВС149С КТ373В ВС238С КТЗ102Г I АТ41485 КТ642А2 I АТ8040 АПЗ24В2 ВС157 КТЗбlГ ВС!58А КТЗ49В ВС239В КТЗ102Д ' ВС239С КТ3102Е 11 АТ8041 1 АП326А2 ВС!бО-6 КТ93ЗБ ВС250А КТЗбlА : ATBl IO 1 ЗПЗ49А2 BClбl-6 КТ933А ВС250В КТЗб 1Б, КТЗб 1Б2 11 АТ8250 1 АП605А2-2 ВС167А КТ373А ВС285 П308 1 ATFOl35 АП344А2-2 ВС!67В КТЗ7ЗБ ВС286 КТбЗОГ ~ AUIOЗ 1 ГТ810А ВС168А КТЗ7ЗА всзоо КТбЗОБ, 2Т6ЗОБ AUI04 ГТ810А ВС168В КТЗ7ЗБ ВС307А КТ3107Б AU107 ГТ810А ВС168С КТ373В ВС307В КТ3107И AU108 ГТ806Б ВС169В КТЗ73Б ВСЗ08А КТ3107Г, КТЗ107Б AUllO ГТ806Д ВС!69С КТ373В всзовв КТ3107Д, КТ3107Д AU!lЗ ГТ810А ВС170А КТЗ75Б всзовс КТ3107К AUYIO П608А, ГТ905А 1 AUY18 П214А ВС170В КТ375В ВС171А КТЗ73А ВС309В КТЗ 107Е, КТЗ 107Ж ВС309С КТ3107Л, КТ3107Л ii AUY19 П217 · 1 AUY20 , П217 ВС171В КТ373Б ВС172А КТ37ЗА ВС317 КТ3102А, КТЗlЗБ-1 ВС318 КТ3102Б, КТЗ!ЗВ-1 1 AUY2I П210Б ВС172В КТ373Б ВСЗ19 КТЗ102Е, КТЗlЗГ-1 AUY21A П210Б ВС172С КТ373В ВС320А КТЗ107Б AUY22 П210Б ВС173В КТ373В ВС320В КТ3107Д AUY22A П210Б ВС173С КТ37ЗВ ВС321А КТ3107Б AUY28 П217 ВС177АР КТ3107А ВС321В КТ3107И AUY35 ГТ806А BC177VlP КТ3107Б ВС321С КТ3107К АUУЗВ ГТ806В ВС178А КТ349В, КТ326А ВС322В КТ3107Ж B2-8Z КТ929А ВС178АР КТ3107В ВС322С КТ3107Л 8850-35 КП904А ВС178ВР КТЗ107Д ВСЗЗ7 КТ660А BAL0102-150 КТ9128АС BC178VlP КТ3107В ВС338 КТ660Б 1 1 BALOI05-100 1 КТ9105АС ВС179АР КТЗ107Е ВСЗ55 КТ352Б ·1 BAL0105-50 КТ9125АС, КТ991АС BCl 79ВР КТ3107Ж ВСЗ55А КТЗ52А BAL0204-125 1 КТ985АС ВС182А КТЗ102А ВС369 КТ681А BAL0710-75 2Т987А ВС182В КТ3102Б ВСЗ82В КТЗ102Б BClOO КТ605А ВС182С КТЗ102Б ВС382С КТЗ102Г BCIOI КТЗО!П ВС183А КТ3102А. КТ3102ЖМ, ВСЗ8ЗВ КТЗ102Д ВС107А КТЗ42А КТЗlЗБ ВС383С КТЗ102Е ВС107АР КТ3102А ВС183В КТ3102Б ВС384В КТЗ1020 ВС107В КТ342Б ВС183С КТЗ102Г ВСЗ84С КТЗ102Д ВС107ВР КТ3102Б ВС183С КТ3102Б ВС451 КТ3102В ВС108А КТ342А ВС184А КТ3102Д ВС452 КТЗ102Б. КТ3102ДМ BCIOBAP КТ3102В ВС184В КТЗ102Е ВС453 КТЗ102Д ВС108В КТ342Б ВС192 КТЗ51Б ВС454А КТ3107Б 36"
564 Раздел 5. Аналоги транзисторов ~ Зарубежный 1 Приближенный 1 транзистор · отечественный аналог 1 ВС454В КТЗ107И ВС454С КТЗ107К Зарубежный Приближенный транзистор отечественный аналог BCW47 КТ373А BCW48 КТ373 (В, В) Зарубежный 1 Приближенный транзистор i отечественный аналог BCY59-Vll КТЗ102А BCY59-Vlll КТЗ102Б ВС455А i КТ3107Г BCW49 КТ373 (Б, В) ВСУ59-Х КТЗ102д ВС455В КТ3107Д BCW57 КТЗ61Г BCY65-IX 1 КТ3102Б ВС455С 1 КТЗ107К 1 BCW58 1 КТЗ61Е BCY65-Vll 1 КТ3102А i !1 ВС456А i КТ3107Е BCW60 КТЗ153А9 BCY65-Vlll ; КТЗ102Б ~ ~ ВС456В 1 КТЗ107Ж :j ВС456С [ КТЗ107Л 1 ВСWбОАА 1 КТ3145А9, 2ТЗ145А9 ~ BCW60AB 1 КТ3145Д9 ~ ВСУ69 1 КТЗ42В ~ ВСУ70 ! КТ3107А ! 11 ВС479 1 КТЗ193Г BCW60AR 1 КТЗ139Б ВСУ71 1 КТ3107Е ! ВС51З ~ КТЗ45А ВСWбОВ КТЗIЗОБ9 ВСУ72 КТЗ107В ВС521 КТ3102Д BCW60BL КТЗ139Г, КТЗ145Б9 ВСУ78 КТ3107Д ВС521С КТ3102Д BCW60BR КТ3139В ВСУ79 , КТЗ102Б ВС526А КТ3107И ВСWбОС КТЗIЗОВ9 ВСУ90 КТ208Е ВС526В КТ3107И BCW60D КТЗIЗОЕ9 ВСУ90В КТ501Г ВС526С КТЗ107К BCW61A КТЗ129В9 ВСУ91 КТ208Е ВС527-10 КТ644Б BCW61B КТ3129Г9 ВСУ91В КТ501Г ВС527-6 КТ644А BCW61C КТЗ129Г9 ВСУ92 1 КТ208Е ВС547А КТ645Б, КТЗ102А, КТЗ102АМ BCW69 КТЗ129Б9 ВСУ93 1 КТ208К, 2ТЗ 152А ~ ВС547В 1 КТЗ 102Б, КТЗ 102БМ 1 ~ ВС547С 1 КТЗ102Г, КТ3102ВМ BCW70 КТ3129Г9 ! BCW71 КТЗIЗОА9 ВСУ9ЗВ 1 КТ501Л ВСУ94 КТ208К j 1- ВС548А 1 КТЗ102А ВС548В 1 КТЗ 102В, КТЗ 102ДМ BCW72 КТЗIЗОБ9 BCW81 1 КТЗIЗОБ9 ВСУ94В ! КТ501Л ~ ВСУ95 1 КТ208К ВС548С КТЗ102Г, КТЗ102ГМ BCW89 КТ3129Б9 ВСУ95В КТ501М ВС549А КТ3102Д ВСХ51 КТ664А9, КТ515Б9, BDI09 КТ805Б ВС549В КТ3102Д 2Т664А91 BDll5 КТ604Б ВС549С КТЗ 102Е, КТЗ 102ДМ ВС557 КТЗ61Д ВС557А КТЗ107А ВС557В КТ3107И ВСХ52 КТ664Б9, КТ515А9, 2Т664Б91 ВСХ53 КТ664А9, 2Т664А91 ВСХ54 КТ665А9, КТ516Б9, 2Т665А91 BD121 КТ902А BDl23 КТ902А BDl23 КТ805Б BDIЗI КТ94ЗВ ВС558 1 КТЗ107Д ВСХ55 КТ665Б9, КТ516А9. BDl32 КТ961Г. КТ932Б. КТ9180А ВС558А i КТ3107Г 2Т665Б91 BDl35-6 1 КТ94ЗА. КТ8272А 1 ВС558В i КТЗ107Д ВСХ56 КТ666А9, 2Т665А91 BDl36 1 КТ626А, КТ8271А ~ 1ВС559 ! КТЗ107Ж ВСХ70 КТЗ15ЗА9 BDl37-6 КТ943Б. КТ8272Б ~ ВС847В : КТЗ189Б9 ВСХ70АН КТЗ145А9, 2ТЗ145А9 BDl38 КТ626Б, КТ8271Б ВС847С 1 КТЗ189В9 BCX70G КТЗ130А9 BDl39-6 КТ94ЗВ, КТ8272В ВС847А 1 КТЗ189А9 ВСХ70Н КТЗIЗОБ9 BDl40 КТ626В. КТ8271В ВС857 КТЗ129А9 BCX70J КТЗ130В9 BDl42 КТ819БМ ВС858 КТЗ129Б9 ВСХ70К КТЗIЗОВ9 BDl48 КТ805Б ВС858А КТЗ129Г9 ВСХ71 КТЗ146А9, КТЗ129А9 BDl49 КТ805Б ВС869-10 КТ511И9 ВСХ71Н КТЗ129Г9 BDl65 КТ815А, 2Т815А BCF29 КТЗ129В9 BCX71J КТЗ129Г9 BDl66 КТ814Б ВСFЗО КТЗ129Г9 BCYIO КТ208Е BDl67 КТ815Б 1 BCF32 1 КТ31ЗОВ9 BCYll КТ208Л BDl68 1 КТ814В ВСFЗЗ КТЗIЗОЕ9 ВСУ12 КТ208Д BDl69 КТ815В BCF70 КТЗ129Г9 ВСУЗО КТ208Л BDl70 КТ814Г, КТ720А BCF72 1 КТЗI 72f9 ВСУЗI КТ208М BDl72 КТ721А BCF81 КТЗIЗОБ9 ВСУ32 КТ208М BDl75 КТ817Б ВСР627А КТЗ7ЗА ВСУЗЗ КТ208Г BDl76 КТ816Б ВСР627В КТ373Б ВСУЗ4 КТ208Г BDl77 КТ817В, 2Т817В ВСР627С КТЗ7ЗВ ВСУЗВ КТ501Д BDl78 КТ816В ВСР628А КТЗ7ЗА ВСУЗ9 КТ501М BDl79 КТ817Г ВСР628В КТЗ73Б ВСУ40 КТ501Д BDl80 КТ816Г ВСР628С КТЗ7ЗВ ВСУ42 КТЗ12Б BDIBI КТ819БМ BCV52 КТЗ17АI ВСУ43 КТ312В BDl82 КТ819ВМ BCV71 КТЗIЗОА9 ВСУ54 КТ501К BDl83 КТ819ГМ BCV72 КТЗIЗОБ9 ВСУ56 КТЗ102Б BD201 КТ819В BCW29 КТЗ129В9 ВСУ57 КТЗ102Е BD202 1 КТ818Б всwзо 1 КТЗ129Г9 ВСУ58А КТЗ42А BD203 КТ819Г BCWЗI КТЗIЗОВ9, КТЗ151А9 ВСУ58В КТЗ42Б BD204 КТ818В BCW32 КТЗIЗОВ9 ВСУ58С КТЗ42Б BD216 КТ809А всwзз КТЗIЗОГ9 BCY58D КТЗ42В BD220 КТ817Г BCW46 КТЗ14А2 BCY59-IX КТ3102Б BD221 КТ817В
Раздел 5. Аналоги транзисторов 565 Зарубежный Приближенный Зарубежный Приближенный Зарубежный Приближенный транзистор отечественный аналог транзистор отечественный аналог транзистор отечественный аналог 1 80222 КТ817Г 80477 КТ972Б 80827 КТ646А 1 ' 80223 КТ837Н 805018 КТ723А 80828 КТ639Д 1 1 80224 КТ837Ф 80533 КТ819Б 80840 1 КТ6398 1 ~ 80225 КТ837С 80534 КТ818Б, КТ837 А 80842 КТ639Д 1 80226 КТ943А : !30227 КТ639Б 80535 КТ8198 80536 КТ8188, КТ837Б 80875 КТ972Б. КТ8245А5 80876 КТ973Б, КТ8244А5 80228 КТ943Б 80537 КТ819Г 80877 КТ972Б. КТ8245(Б5. 85) 80229 1 КТ639Д 80538 КТ818Г 80878 КТ8244Б5. КТ824485 80230 КТ9438. КТ683Г 805430 КТ723А 80879 КТ8245Г5 80233 КТ817Б 80545 КТ819ГI 80880 КТ8244Г5 80234 КТ816Б, КТ8378 80545А КТ81981 80933 КТ817Б 80235 КТ8178 805458 КТ819Б1 80934 КТ816Б 1 80236 КТ8168 80545С KT819AI 80935 КТ8178 1 ! 80237 КТ817Г, КТ721А. КТ807АМ 80546 КТ818ГI 80936 КТ8168 1 80238 КТ816Г 80546А КТ81881 80937 1 КТ817Г 80239 КТ8178 805468 КТ818БI 80938 КТ816Г 80239А КТ8178 80546С KT818AI 80944 КТ837Ф 802398 КТ817Г 805460 КТ8102Б 80945 КТ863Б 80240 КТ8168 80566 КТ855А 80946 КТ837Ф 1 80240А КТ8168 80611 КТ817А 80948 КТ837Ф_ КТ837Г 802408 КТ816Г 80612 КТ816А 80949 КТ819Б 80243А КТ81258, КТ8220 80613 КТ817А 80950 КТ818Б 802438 КТ8125Б 80614 КТ816А 80951 КТ8198 80243С КТ8125А 80615 КТ817Б 80952 КТ8188 80244 КТ8221А 80246 1 КТ818 (АМ-ГМ) ~ 80253 КТ809А ~ ВО26~ 1 КТ829Б ВО26ЗА КТ829А 80616 КТ816Б 80617 КТ8178 80618 j КТ8168 80619 КТ817Г 80620 КТ816Г 80953 КТ819Г :i 80954 КТ819Г '1 80Р620 1 КТ947А i' 80Т42С КТ855Б, КТ8558 ~ 80Т91 КТ819Б 80265 КТ829Б 80643 КТ8298 80Т92 КТ818Б 80265 КТ829А 80645 КТ829Б 80Т93 КТ8198, КТ808А3 ' 80267 1 КТ829Б 80647 КТ829А 80Т94 КТ8188. КТ808А3 8D267A КТ829А 80663 КТ819А 80Т95 КТ819Г, КТ808Б3 802678 КТ829А 80664 КТ818Б 80Т96 КТ818Г 80291 КТ819А 80665 КТ829Г 80V64 КТ896Б, КТ8159А 80292 КТ818А 80675 КТ829Г 80V64A КТ8159Б 80293 КТ819Б 80675А КТ829Г 80V648 КТ896А 80294 КТ818Б 80677 КТ8298 80V648 КТ81598 80295 КТ8198 80677А КТ8298 80V65 КТ8158А .1 80296 'КТ8188 80679 КТ829Б 80V65A 1 КТ8158Б 80326 КТ9181А 80679А КТ829Б 80V658 КТ81588 80330 КТ9180А 80681 КТ829А 80V65F КТ8251А 80331 КТ8298 80705 КТ819А 80V668 КТ8106А, 2Т8106А 80333 КТ829Б 80706 КТ818Б 80V91 КТ819Б 80335 КТ829А 80707 КТ8198 80V92 КТ818Б 80371С КТ9618 80708 КТ8188 80V93 КТ8198 80375 КТ943А 80709 КТ819Г 80V94 КТ8188 80377 КТ943Б 80710 КТ818Г 80V95 КТ819Г 80379 КТ9438, КТ719А 80711 КТ819Г 80V96 КТ818Г 80386 КТ644Б 80712 КТ818Г 80W21 КТ819АМ. 2Т875Б 80410 КТ8137А 80433 1 КТ817А 80719 КТ805БМ 80720 КТ8058М BOW21A КТ819БМ 11 80W218 КТ8198М 1 80434 КТ816А. КТ835Б 807440 КТ724А 80W21C КТ819ГМ 1 80435 j КТ817А 80802 КТ724А 80W22 КТ818БМ 80436 КТ816А 80813 КТ815А 80W22A КТ8188М 80437 КТ817Б 80814 КТ814А 80W228 КТ818ГМ 80431> КТ816Б 80815 КТ815Б 80W22C КТ818ГМ 80439 КТ8178 80816 КТ8148 80W23 КТ829Г 80440 КТ8168 80817 КТ8158 80W23A КТ8298 80441 КТ817Г 80818 КТ814Г 80W238 КТ829Б 80442 КТ816Г 80825 КТ646А 80W23C КТ829А 80466 КТ973Б 80826 КТ639Б 80W51 КТ819АМ
566 Раздел 5. Аналоги транзисторов il Зарубежный Приближенный " 1 отечественный аналог 1 транзистор Зарубежный Приближенный транзистор отечественный аналог Зарубежный 1 Приближенный ~ транзистор 1 отечественный аналог 8DW51A 1 КТ728А 8DX93 КТ819БМ 8F337 КТ604Б 8DW51A КТ8198М 8DX94 КТ8188М 8F338 ! КТ940А 1 8DW51Б КТ819ГМ 8DX95 КТ819ГМ 8F362 КТЗ128А 8DW51C КТ819ГМ 8DX96 КТ818ГМ. КТ841А 8F363 КТЗ128А 8DW52 КТ818БМ 8DYl2 КТ805Б 8F410C КПЗ65А 8DW52A КТ8188М 8DYIЗ КТ805Б 8F419 КТ969А 8DW528 КТ818ГМ 8DY20 КТ819ГМ 8F457 КТ9408 8DW52C КТ818ГМ 8DXIO 1 КТ819ГМ 8DY23 КТ803А 8DY24 КТ803А 8F458 КТ940Б ,1 8F459 КТ940А 1 8DXIOC КТ819ГМ 8DY25 КТ8128 8F462 КТ61388 8DXIЗC ! КТ819БМ 8DY34 КТ943А 8F469 КТ940Б 1 8DXl8 1 КТ818ГМ 8DY38 КТ819ГМ 8F470 КТ940А 8DX25 1 КТ802А 8DX25 КТ808А 8DY60 КТ805А 1 8DY61 КТ805Б 8F471 КТ605БМ, КТ940А 8F472 КТ9115А 8DX34 КТ8538 8DY71 ! КТ808БМ 1 8F480 КТЗ 120А. КТЗ 120АМ, 8DX35 КТ902АМ 8DY72 КТ802А 2ТЗ120А 8DX53 КТ829Г, КТ8141Г 8DY73 КТ819ГМ 8F50-35 2П909А 8DX53A КТ8298, КТ81418. КТ85ЗГ 8DY78 КТ805Б 8F506 КТЗ126А 8DX538 КТ829Б, КТ8141Б 8DY79 КТ802А 8F554 КТЗ170А9 8DX53C КТ829А, КТ8141А. КТ873А 8DY90 КТ945А, КТ908А 8F569 КТ3169А9. КТ3192А9 8DX54A КТ85ЗГ 8DY91 КТ945А, КТ908А 8F597 КТЗ68АМ '1 8DX548 1 КТ8538 8DY92 КТ908А. КТ908Б, КТ863А 8F599 КТЗ68А9 8DX54C КТ85ЗА 8DY93 КТ704Б, КТ828 8f615 КТ940Б 8DX54F КТ712А. КТ712Б 8DY94 КТ812А, КТ704Б 1 8f617 i КТ940А I. 8DX62 КТ825Д 118DX62A 1 КТ825Г ! 8DX628 i КТ825Г 1 ' 8DX63 1 КТ827Б 8DY95 , КТ704Б 8DY96 КТ8101А 8EPI 798 КТбl IБ 8FI 11 КТбl IA ' 8F620 'КТ666А9 ' 1 8F621 КТ667А9 8F622 КТ9145А9 8F623 КТ9144А9 8DX63A КТ827А 8DX64 КТ825Д 8DX64A КТ825Г 8DX648 КТ825Г 8fl 14 КТбl IГ 8Fl37 КТбl IГ 1 8Fl40A КТ6118 8Fl57 КТ9408 8F680 КТЗ109А =3 8F715 КТ999А 8F727 КТЗ165А 8F849 КТ9115А 8DX65 КТ827Б 1 8DX65A 1 КТ827А 8Fl 73 КТЗЗ98 8FI 77 КТ602А 8F869 КТ999А ! 8F905 1 КПЗ50А 11 8DX66 1 КТ825Д 8Fl78 КТ61 IГ 8F960 КП327А. КПЗSОА. КПЗ82А. !, 8DX66A : КТ825Г 8FI 798 КТбllБ КП801А !1 8DX668 ! КТ825Г 8FI 79С КТ618А 8F961 КПЗ27Б :18DX66C ; КТ8104А, 2Т8104А 1 BDX67 1 КТ827Б ' 8Fl82 КТЗ127А 1 8fl83 КТ3127А 1 8F964 ! КП3278 8F966 КПЗ47 А2, КП327Г 1 8DX67A КТ827А 8Fl86 · КТ611Г 8F970 КТ31098. КТ3165А 8DX71 КТ8198 8Fl97 КТЗЗ9Г 8F979 КТЗ109А 8DX73 КТ819Г 8Fl99 КТЗЗ9АМ 8F980 КП327А 8DX77 КТ819Г 8F208 КТЗЗ9А 8F989S КПЗ83А9 8DX78 КТ818Г 8F223 КТЗЗ98 8F991 КПЗ46Б9 8DX85 КТ8278 8DX85A КТ8278 8F240 КТЗ128 8F245C КПЗ65Б 8F996 КП346А9 ,I 8FFQ54T КТ6132А ii 8DX858 КТ827Б 8F254 КТЗЗ9АМ 8FG65T КТЗ199А92 8DX85C ! КТ827 А 8F257 КТ611Г 8FG67 КТЗ186А9, КТЗ199А9 1 8DX86 КТ825Б, 2Т825Б 8DX86A КТ825Б 8F258 КТ604Б, КТ940Б 8f259 КТ604Б 8FG92A КТЗ186А9, КТЗI 98А92 8FG93A КТЗ198Г92 1 ! 8DX868 КТ825Г, 2Т709Б 8F272 КТЗ128А 8FJ57 КТ602Б 8DX86C КТ825Г, 2Т709А 8F273 КТЗЗ9А 8FJ70 КТЗЗ98 8DX87 КТ8278 8F291 КТ611Г 8FJ93 КТЗ42Б 8DX87A КТ8278 8F297 КТ9408 8FJ98 КТ61 IГ 8DX878 КТ827Б 8F298 КТ940А 8FN24 КТЗ20189 8DX87C КТ827А 8F299 КТ940А 8FPI 77 КТ6118 8DX88 КТ825Д 8F305 КТ61 IГ 8FPI 78 КТ61 IГ 1 8DX88A КТ825Д ! 8DX888 КТ825Г 1 8DX88C КТ825Г 8FЗО6 КТЗЗ98 8F311 КТЗЗ9Б 8F316 КТЗ92А2 8FPI 79А КТ61 IГ 1,, ,! 8FPI 79С 1 КТ618А i 8FPI 94 i КТ6129А9 ~ i! 8DX91 ! КТ819БМ iJ 8DX92 КТ818БМ 8FЗЗО КТЗЗ98 8F336 КТ61 IГ 8FPI 96 КТ6130А9 ~ 8FP405 КТЗ144А
Раздел 5. Аналоги транзисторов 567 Зарубежный Приближенный Зарубежный Приближенный Зарубежный Приближенный транзистор отечественный аналог транзистор отечественный аналог транзистор отечественный аналог BFP67 КТЗ199А91 BFY46 КТбЗОД ВSП5 КТ51ЗБ9, КТ51ЗВ9 BFP719 КТЗ15А BFY50 КТбЗОГ ВSТ16 КТ51ЗА9 BFP720 КТЗ15Б BFY51 КТбЗОД BST39 КТ514В9. КТ6135А9 BFP721 КТЗ15В BFY52 КТбЗОД ВSТ40 КТ514А9. КТ6135В9 BFP722 1 КТЗ15Г BFY53 КТбЗОД BSVl5-IO КТ639Д BFP95 КТ996А2. 2Т996А2 BFY55 КТбЗОГ BSVl5-165 КТ639В BFQ253 КТ914ЗА BFY56 1 КТбЗОГ BSVl5-6 КТ639Г BFQ54Т КТ6132А BFY56A КТбЗОГ BSVl6 КТ639Д BFQ65 КТЗ198Ж BFY56B КТбЗОГ BSV49A КТЗ51Б BFQ67 КТ3198Ж9 BFY65 КТ611 Г BSV59-VIII КТ3117А BFQ98Q 2Т658А2 BFY66 КТ355А BSV64 КТ321А BFRl80W КТЗ14ЗА BFY67A КТбЗОА BSWl9 КТЗ4ЗБ BFR34 КТЗ72Б BFY67C КТбЗОА BSW20 КТЗбlГ. КТ361ГЗ BFR34A КТЗ72Б BFY68 КТбЗОЕ BSW21 КТЗ4ЗБ BFR86 КТ6139Д BFY68A КТбЗОБ BSW27 КТ928А BFR87 КТ6139Г BFY78 КТЗ68А BSW36 КТбОЗБ BFR88 1 КТ6139Б BFY80 ПЗО8, КТ601А BSW39-IO КТбЗОГ BFR89 1 КТ6139А BFY90 КТ399А BSW39-16 КТбЗОГ BFR90 КТЗ198А BUY55 КТ808А BSW39-6 КТбЗОГ BFR90 КТЗ71А, КТЗ190А BLWl8 КТ920Б BSW41 1 КТ616А BFR90A КТЗ198Б BLW24 КТ922Г BSW51 КТ928Б BFR91 КТЗ198В BLX92 КТ913А BSW52 КТ928Б BFR91A КТЗ198Г BLX93 КТ91ЗБ BSW61 КТЗ117А BFR92 КТЗ187А91, КТЗ198А9 BLX96 КТ981А BSW62 КТЗ117А BFR92A КТЗ187А9, КТЗ198Д, Б9 BLX97 КТ981Б BSW65 КТбЗОГ BFR93 КТЗ198В9 BLX98 КТ981В BSW66 КТбЗОГ BFR93A КТ3198Г9 BLY47 КТ808А BSW66A КТбЗОГ BFR96T КТ6141А9 BLY47A КТ808А BSW67 КТбЗОА 1BFR96TS 1 КТ6141Б9 BLY48 КТ808А BSW67A КТбЗОА BFSl7 : КТЗ187В91 BLY48A КТ808А BSW68 КТбЗОВ j BFSl7A 1 КТЗ198Д9 BFS62 1 КТЗ68А BLY49 КТ809А BLY49A КТ809А BSW68A КТбЗОВ 1 BSW88A КТЗ75А ВFТ19А 1 КТ505Б BLY50 КТ809А BSX21 ПЗО8 ВFТ28С КТ505Б BLY50A КТ809А BSX32 КТ928Б ВFТ92 1 КТЗ191А9, КТЗ191А91 BLY63 КТ920Г BSX32 КТ928Б ВFТ96 2Т658Б2 BLY88A КТ920Г BSX38 КТ802АМ BFWlб КТбlОА BMI00-28 КТ971А BSX38A КТ340А BFWЗO КТЗ99А ВМ40-12 КТ958А BSX45 КТбЗОГ BFW45 КТ611Г ВМ80-28 КТ931А BSX45-IO КТбЗОГ BFW89 КТЗ51Б BRY56 КТ117А BSX45-16 КТбЗОБ BFW90 КТЗ51Б, КТ371АМ BSD39 КТ514Б9 BSX45-6 КТбЗОГ BFW91 КТЗ51Б BSJ36 КТЗ51Б BSX46 КТбЗОГ BFW92 КТЗ82Б BSJ63 КТЗ40Б BSX46-IO КТбЗОГ BFW93 l 2T3134AI, 2ТЗ54Б2 BSSl24 КП502А BSX46-16 КТбЗОБ BFXl2 КТЗ26АМ BSSl29 КП50ЗА BSX46-6 КТбЗОГ BFXIЗ КТЗ26БМ BSSIЗI КП509А9 BSX47 КТбЗОБ BFX29 КТ9ЗЗБ BSS27 КТ928А BSX47-IO КТбЗОБ ВFХЗО КТ9ЗЗБ BSS28 КТ928Б BSX47-6 КТбЗОА BFX44 КТЗ40В BSS29 КТ928А BSX51 КТЗ40В BFX59 КТЗIО6А2 BSS295 КП505А BSX52 КТЗ40В BFX65 КТЗ102Е BSS297A КП52ЗА BSX53A КТЗ40А BFX73 КТЗ68А BSS315 КП507А BSX59 КТ928А BFX84 КТбЗОГ BSS38 КТ50ЗЕ, КТ602АМ BSX60 КТ928А BFX85 КТбЗОГ BSS38 КТ602АМ BSX61 КТ928А BFX86 КТбЗОД BSS42 КТбЗОА BSX62 КТ801Б BFX87 'КТ9ЗЗБ BSS44 2Т974А BSX63 КТ801А BFX88 КТ9ЗЗБ BSS61 2Т708В BSX66 КТЗОбД, КТЗОбА BFX89 КТЗ55А BSS68 КТ502Е BSX67 КТЗОбД, КТЗОбА BFX94 КТЗ117А BSS69 КТЗ145Б9 BSX72 КТбЗОД BFY19 КТЗ26Б BSS88 КП504А BSX75 КТЗ117А BFY34 КТбЗОГ BSS89 КП40ЗА BSX79A КТЗ42А, КТЗ117А BFY45 КТ611Г BSS92 КП402А, КП508А BSX79B КТЗ42Б
568 Раздел 5. Аналоги транзисторов JJ Зарубежный 1 Приближенный Зарубежный Приближенный Зарубежный 1 Приближенный 1: 1! транзистор 1 отечественный аналог транзистор отечественный аналог транзистор 1 отечественный аналог ., 1 ;i BSX8(, : КТЗ75Б BU2525D 1 КТ8228д BUW26 1 КТ8147А ( .1 :1 BSX81A 1 КТЗ75А : BSX89 КТ616А BU286 КТ893А BU326 КТ840А. КТ8108Б BUW35 i КТ841Е ~ BUW39 i КТ874А '1 1 BSX97 КТЗI 17А BU326A КТ828А. КТ840А, КТ8108В BUXl5 КТ8147Б BSXP59 КТ928А BU406 КТ81ЗОА. КТ858А, КТ8138Д BUX21 2Т866А BSXP60 КТ928А BU406D КТ8138Е. КТ8140АI BUX25 КТ878В BSXPбl КТ928А BU407 КТ8255А BUX37 КТ848А. КТ8146Б BSXP87 КТЗ40В BU408 КТ858А. КТ8140А. КТ8124А BUX47 КТ8147А. КТ8108А BSYl7 КТ616Б BU408D KT8!36AI BUX48 КТ856А BSYl8 КТ616Б BU409 КТ812Б BUX48A КТ856Б BSY26 КТЗ40В BU409 КТ857А BUX48B КТ8146А ~ 1 BSY27 1 КТЗ40В 1 11 ВSУЗ4 1 КТ608А i BSY38 КТ340В 1 ВSУЗ9 КТ340Б BU426 КТ868Б BU426A КТ868А BU508 КТ872А. КТ8127Б 1, КТ8107Б. КТ8107Г BUX54 i КТ506А lili BUX77 1 КТ908А Ji 1 BUX82 1 КТ812А BUX83 КТ812А BSY40 КТ343А BU508A КТ886БI, КТ872Б, КТ8107А, BUX84 КТ506Б, КТ859А BSY41 КТ343Б КТ8107Б BUX86 КТ8137А BSY51 КТбЗОД BSY52 КТбЗОЕ BU508D КТ872В, КТ895А9. КТ8107Д BU508Fl КТ8127АI BUX97 КТ828А BUX97A КТ828А BSY53 КТбЗОГ BU606 КТ840А BUX97B КТ828А BSY54 КТбЗОГ BU607 КТ840Б BUX98 КТ878А. 2Т878А BSY55 КТбЗОА BU608 КТ848А BUX98A КТ8154Б BSY56 КТбЗОБ !' BSY58 i КТ608А il BSY62 ! КТ616Б :1 BSY72 ! КТ352А 1 i' ВSУ7З i КТ312Б BU608 КТ848А BU807 КТ8156А BU9302P КТ890В BU931Z КТ897А BU931ZP КТ898А BUX98AX КТ8155Б 1 BUYl8 i КТ840А :i BUY21 1 КТ867А i!1 BUY26 i КТ9166А \ BUY43 1 П702 il BSY79 1ПЗО9 BU931ZPFI KT898AI BUY46 П702А BSY81 КТ34 7А, КТ34 7Б BU932Z КТ892Б BUYP52 КТ802А BSY95 КТ340В BU941Z КТ8231А. КТ897Б BUYP53 КТ802А BSY95A КТ340В BU941ZP КТ8225А, KT8231AI BUYP54 КТ802А BSYP62 КТ340В BU941ZPF КТ8231А2 BUZI l IS КП789А BSYP63 КТ340В BUD44D2 КТ8261А BUZ220 КП809Д 1 BSZIO КТ104Б 1BSZI1 КТ104Б :1 BSZl2 1 КТ203А BUHIOO КТ8290А BUHЗIЗD КТ8183Б2 BUH315D КТ8183А2 BUZ307 КП728А BUZЗI КП704Б BUZ32 КП704А i 1 ~ КТ812Б ; ВU!Об ! BUI08 1 КТ839А i' BUl09A 1 KT81 IOB ' 1 BUl2U КТ809А BUL45D2 КТ8247А BUL47 КТ8143Г BUL47A КТ8143Д. КТ8155А BUP46 КТ8143К BUZ323 КП717БI вuzззо КП718АI BUZ350 КП813АI BUZ354 1КП718ВI BUl23 КТ802А BUP47 КТ8143А, КТ8143Д. КТ8143Н BUZ36 КП722А. КП81ЗА BUl26 КТ704Б, КТ828А, КТ840Б BUP47A КТ8143Г BUZ385 КП706В, 2П701А BUl29 КТ809А BUP51 КТ8143Х BUZ43 2П701А BUl32 КТ704А, КТ826А, КТ826Б BUP52 КТ8143Ф BUZ45 КП718А, КП809Б ВUIЗЗ КТ704Б, КТ828А BUP53 КТ814ЗЖ, КТ8143М BUZ45A КП718Б BU204 КТ838А BUP54 КТ8143Г BUZ53A КП705А. 2П803А BU205 КТ838А, 2Т704Б BUS98 КТ885А. 2Т885А BUZ54A КП80ЗА BU207 КТ838А. КТ846Б BUTll КТ8108БI BUZ60 КП707АI 11 BU207A КТ838А. КТ8107Е2 1 BU208 1 КТ838Б. КТ846В. КТ8127Б 1, BUT90 КТ8143Б BUT91 КТ814ЗВ. 2Т891А BUT92 КТ814ЗА. 2Т891А BUZ71 КП727А BUZ80A КП786А BUZ90 КП707БI, КП709Б. КП726Б 11 1 КТ8157Б, КТ8107Б2, КТ8121Б2 BU208A КТ815 7А. КТ846А. КТ8107 А2. КТ8107В2. BUVl8 КТ8143Г BUVl9 КТ814ЗА BUV37 КТ890А. КТ890Б BUZ90A КП726А, КП726АI BUZ91A КП787А BUZ94 КП809В КТ8127А. КТ8121А2 BUV46 KT8108BI BUZ98A 2Т885Б BU208A КТ838А BUV48 КП95ЗА, 2П953А С12-12 КТ925Б BU208DX КТ8183А BUV66A KT8108AI С12-28 КТ934Б BU2506D KT8248AI BUV74 КТ885А, 2Т885А С25-12 КТ925В BU2508A КТ82224А BUV98A КТ885Б С25-28 КТ934В BU2508D КТ8224Б BUWll КТ868Б С2М-10-28А КТ970А I BU2520A KT856AI ~ BU2525A 1 КТ8228А BUWllA КТ868А BUW24 КТ8147Б СЗ-12 КТ925А 1 СЗ-28 1КТ934А
Раздел 5. Аналоги транзисторов 569 11 Зарубежный 1 Приближенный ! транзистор отечественный аналог Зарубежный Приближенный транзистор отечественный ана.поr Зарубежный 1 Приближенный транзистор отечественный аналог . CDl60 П21ЗБ ЕFТЗЗI МП20А GC509 МП21Г CF4-28 2П911А ЕFТЗЗ2 МП20А GC510K ГТ40ЗЕ CF739 АПЗ79А9 ЕFТЗЗЗ МП20Б GC512K ГТ40ЗЕ CFXl4 АПЗ26Б2. АПЗ20В2 ЕFТЗ41 МП21д GC515 МП20А CFXЗI АП602В2 ЕFТЗ42 МП21Д GC516 МП20А CFYllЗ ЗПЗ45А2 ЕFТЗ43 МП21д GC517 1 МП20Б CFY12 АПЗЗIА2 EXT555SM 1 КТ511Б9 GC518 МП20Б CFYl8-12 АПЗ81А5 ЕХТ4515М КТ511Д9 GC519 МП20Б CFY25 АПЗ4ЗАl-2 FI020 2П920А GC525 МПЗбА CFY25-17 АПЗ4ЗАl-2 FI027 КП928А GC525 МПЗ5А CFY25-25 АПЗ4ЗА2 FI053 2П9ЗЗБ GC526 МПЗбА, МПЗ7А СМ40-12 1 КТ960А. КТ980А FI053 КП92ЗВ GC527 МПЗбА. МПЗ8А СМ75-28 КТ9ЗОА Fl201 КП951А2 GCN55 МП20А СР640 КПбОIА Fl203 КП951Б2 GCN56 МП21Г СР651 КП601 Б, КП90ЗА F2001 КП92ЗА GDl75 П21ЗБ 012-28 КТ946А F2002 КП92ЗБ GDl80 П214А D41DI КТ626А F2003 КП92ЗВ GD240 П213 D41DI КТ626А F2005 КП92ЗГ GD241 П213 D41D4 КТ626Б F2006 2П9ЗЗА GD242 П214А D41D7 КТ626В F2007 2П92ЗГ GD243 П214А D42C2N КТ9181А F2012 2П911Б GD244 П215 D44HI КТ997Б F2013 2П918А GD607 ГТ404Г D44H2 КТ997В F2013/H КП92ЗБ GD608 ГТ404Б D44H5 КТ9166В F2021 2П91ЗА GD609 ГТ404Б D44H8 КТ8250А FHCЗOLG/FA АПЗ44АЗ-2 GD617 П201АЭ D45H5 2Т9120А FHCЗOLG/FA АПЗ44АЗ-2 GD618 П201АЭ D45H5 КТ9120В FJ0880-28 КТ9101АС GD619 П20ЗЭ DMI0-28 КТ962А FJ201F КТЗ132А2 GDll70 П21ЗБ DM20-28 КТ962Б FJ203 КТЗ121Аб GES2219 КТббОА DM40-28 КТ962В DME250 КТ986Б FJ203 КТЗ126Аб FJ401 КТЗ115А2 GES5308 КТ517В 1 GFl26 ГТЗ09Г DМЕЗ75 1 КТ986В FJ403 КТ682А2 GFl28 ГТЗО9Б 1 DT4305 1 КТ845А FJ9295 2Т9137А GFIЗO ГТЗО9Д 1 i DVI007 l 2П909Б FJ9295CC КТ996Б2, 2Т996Б2 GFl45 ГТЗ46А DVl202S КП902В FLCl5 ЗП91ОА2 GFl47 ГТЗ46А DVl202S l 2П902А FLC253 ЗП915А2 GF501 ГТЗIЗБ DV28120 2П91ЗБ, 2П928А FLM5964-8C ЗП9ЗОА2 GF502 ГТЗIЗА DXL2608A АП605А2 FLM7177-5 АП915А2 GF503 ГТЗIЗБ DXL2608A АП605А2 FLX102MH-12 АП607А2 GF504 ГТЗIЗА DXL3501 АП602А2 FMMTAIЗ КТ517А9 GF506 ГТЗ28Б DXLЗбlOA АП604А2 FMMTAl4 КТ517Б9 GF507 ГТЗ46Б Е1201 2П941А FRHOIFH АПЗЗОВ2-2 GF514 ГТЗ22А Е1202 2П941Б FSCIO АПЗ44А2-2 GF514 ГТЗIЗБ 1 ЕЗ742-ЗА ЗП925В2 FSCIOFA АПЗ54Б5 GF515 ГТЗ22А g ЕСХ591 КТ511Г9 FXT565M КТ528А9 GF516 ГТЗ22А ЕСХ596 КТ511А9 GAT5 АПЗ25А2 GF517 ГТЗ22Б ЕFТ212 П216 GАТб АПЗ26А2 GFY50 ГТЗ22Б ЕFТ213 П216 GCIOO ГТIО9А GSI09 МП42А ЕFТ214 П217 GCIOI ГТIО9А GSll I МП42Б ЕFТ250 П217 GCll2 МП26А GSll2 МП25А ЕFТЗОб МП40 GCllб МГТIО8Д GSl21 МП42 ЕFТЗ07 МП40 GCll7 МГТ108Д НЕМЗ508В-20 КТ9134А ЕПЗО8 КТ208Б GCll8 МГТIО8Д НРЗ586L КТЗ91А2 EFТЗll МП20А GCl21 МПЗ9Б HUF7507 КП7132АI, КП7132А91 ЕFТЗ12 МП20А GCl21 МП20А HUF7507PЗ КП7132А. КП7132А9 ЕFТЗIЗ МП20Б GCl22 МП20А HXTR2101 КТ648А2 ЕFТЗI 7 П401 ЕFТЗ19 П401 GCl23 МП21Г GC500 ГТ402Д HXTRбlOI КТЗ132В2 1 HXTRбlOI 2ТЗ124Б2 ·1 ЕFТЗ20 П401 GC501 ГТ402Е HXTR6I02 КТЗ132Б2. КТ682А ЕFТЗ21 1 МП20А GC502 ГТ402И IM44506 ЗП925Б2 ЕFТЗ22 МП20А GC507 МП20А IRFIЗO 2П912А ЕFТЗ23 МП20Б GC508 МП20Б IRFl32 КП922А
570 Раздел 5. Аналоги транзисторов Зарубежный. Приближенный Зарубежный Приближенный Зарубежный Приближенный транзистор отечественный аналог транзистор отечественный ана.поr транзистор отечественный аналог IRF150 КП150 IRF74 I КП776Б IRFZ48 КП741А IRF240 1 КП240 IRF7416 2П714ЗА IRG4BCЗOS i КЕ707А IRF250 1 КП250 IRF742 КП776Б IRG4BCЗOU 1 КЕ707Б ~ IRF3205 1 КП783А IRF744 КП776Г IRGBC40M КП7ЗОА. КП731 IRF340 j КП340, КП717Е, КП809А IRF820 КП820, КП759А, КП780А IRGPH50F КП7ЗОА IRF341 1 КП717Д IRF821 КП759Б, КП780Б IRL520 КП744Г IRF350 КПЗ50, КП71 7Б IRF822 КП759В, КП780В IRL530 КП745Г IRF352 КП717Г IRF823 КП759Г IRL540 КП746Г IRF353 КП717В IRF830 КП830, КП75ЗА, КП760А IRL630 КП737Г IRF420 КП420, 2П802Б IRF831 КП760Б, КП75ЗБ IRL640 КП750Г IRF440 КП440 IRF832 КП760В, КП75ЗВ IRLML2402 КП510А9 IRF441 КП718Г IRF833 КП760Г IRLZ34 КП727В IRF450 КП450, КП725А IRF840 КП840, КП761А, КП777А IRLZ44 КП72ЗГ IRF452 КП7180 IRF840 КП7137А IVN5200 КП908А IRF453 КП718А, КП718Е IRF841 КП706Б, КП761 Б IVNбOOOKNR 2П917А IRF46 1 КП741А IRF841 КП777Б IXTM4N95 КП705Б IRF48 i КП741Б IRF842 КП777В, КП761 В Jl75 i 2ПЗО5А I IRF510 i КП510, КП74ЗА IRF843 КП761Г Jl75 i КПЗ04А IRF51 I КП74ЗБ IRF9020 КП944А JE8050 1 КТ524А IRF512 1 КП74ЗВ IRF9130 КП712А JE9013 i КТ525А5 IRF520 КП520, КП744А IRF9140 2П7144АI JE9015A КТ519А IRF521 КП744Б IRF9540 КП785А JE9015B КТ519Б IRF5210 КП7128А, 2П7141АI IRF9620 2П70ЗА JE9015C КТ519В IRF522 КП744В IRF9621 2П70ЗБ J02058 КТ9155А IRf530 КП530, КП745А IRF9634 КП796А JS830 АПЗЗОВl-2 IRF531 КП745Б IRF9Z34 КП784А, КП817В, КП748А JS8830AS АПЗЗОА2 IRF532 i КП745В IRFBC20 кшззr JS8864AS 1АП608А2 1 ~ IRF540 ! КП540. 2П797Г, КП746А IRFBC40 КП805Б К10500 : 2Т939А ' • ~ IRF5401'\ ; КП746А IRFBC40 КП71ЗОА К211ЗВ ! КТЗ82БМ 1IRF541 1 КП746Б I IRF542 : КП746В 1 IRFBC40S КП71ЗОА9 IRFBEЗO КП707ВI К2122СВ i КТЗ82АМ К5002 КТЗ 120А. 2ТЗ 120А U IRF610 1 КПбlО, КП748А IRFBE32 КП707В2 КС147 1 КТЗ7ЗА. КТ373Б IRFбl 1 'КП748Б IRFDlll КП804А КС148 КТЗ7ЗА, КТЗ73Б IRF612 КП748В IRFPl50 КП747А КС149 КТЗ7ЗБ, КТ373В IRF620 КП620, КП749А. КП7135А IRFP250 КП778А КС507 КТЗ42Б IRF621 КП749Б IRFP340 КП717ЕI КС508 КТЗ42Б IRF622 КП749В IRFP350 КП781А КС509 КТЗ42Б IRF630 КПбЗО, КП737А, КП7134А IRFP352 КП717Гl 1 KDбOI КТ80ЗА IRF634 КП737Б IRFP353 КП717ВI KD602 КТ808А IRF635 / КП737В IRFP441 КП718Гl KFl73 КТЗЗ9В IRF640 КП640, КП750А, AI IRFP450 КП779А KF503 КТ602Б IRF640 1 КП71ЗЗА IRFP452 КП717Д1 KF504 КТбllГ IRF640S 1 КП713ЗА9 IRFR020 КП945А KF507 КТ617А IRF641 КП750Б, КП750Б 1 IRFRINбO КП7138А KSA5390 КТ502Г IRF642 КП750В. КП750В 1 IRFRINбOA КП7138А9 KSA539R КТ502В IRF710 КП710, КП7ЗЗА. КП731А IRFU420 КП780АСI KSA539Y КТ502Г IRF7101 КП7131А9 IRFY340M КП936Е KSA5450 КТ502(Г, Д) IRF7103 2П7140АI IRFZIO КП739Б KSA545R КТ502Д IRF710A КП731А IRFZ14 КП739А KSA545Y КТ502(Г, Д) IRF71 I КП731Б IRF712 КП731В IRFZl5 КП739В IRFZ20 КП740Б KSB907 КП8219АI KSCl395 i КТЗlбГМ ' IRF720 1 КП751А IRFZ24 КП740А KSCl623 . КТ220А9 IRF720A 1 КП720 IRFZ25 КП740В KSCl730 / КТЗlбОМ IRF72l 1 КП751Б U IRF722 i КП751В IRFZ34 КП812В 1, КП727Б IRFZ40 КП72ЗВ KSC2757 ! КТЗ68А9 --1 KSC3074 1 КТ8218Б 1 -- IRF730 КП752А, КП707АI IRFZ42 КП72ЗГ KSC815 i КТ503А IRF730A КП707А 1. КП730 IRFZ44 КП72ЗА, КП812АI, KSC8530 КТ503Г IRF731 КП752Б 2П7102АI KSC853R КТ503(Г. ДJ IRF7316 2П7142АI IRFZ44E КП7150А KSC853Y КТ50ЗГ IRF732 КП752В IRFZ44ES КП7150А9 KSDl621 КТ512Ж9 IRF740 КП776А, КП7136А IRFZ45 КП72ЗБ, КП812БI KSD2270 КТ50ЗН IRF740A КП740 IRFZ46 КП741Б KSD227Y КТ503Б
Раздел 5. Аналоги транзисторов 571 ~ Зарубежный 1 Приближенный Зарубежный Приближенный Зарубежный Приближенный 1 ~ транзистор 1 отечественный аналог транзистор отечественный аналог транзистор отечественный аналог ~ KSD73 1 КТ805ИМ MGF4310 АП343А2-2 MJE\81 1 КТ9181В 1 KSH117 1 КТ8219Г! MGF4415 АП343АЗ-2 MJE182 КТ9181Г КSН1171 КТ8219В MGF4511D АП357В5 MJE230 КТ9180Б 1 КSН1271 КТ8219Г MGF-X35M-Ol 1 АП603А2 MJE233 КТ9180В 1 KSH2955 КТ8217Бl KSH29551 КТ8217Б MHQ2221 КТСбЗlВ, KTC63lГ MHQ2369 КТС631А. КТС631Б MJE2955 2Т876А, 2Т876Г MJE2955T КТ8149А2 KSH3055 КТ8216А MHQ2906 КТС622А MJE3055 КТ819Б, КТ738А KSH30551 КТ8216Бl MJl0002 КТ841В MJE3055T КТ8150А2 KSHЗl KT8218Al MJl 1020 2Т8105А MJE4343 КТ732А 1 1 KSHЗll КТ8218А ~ КSН44Н! 11 1 КТ8218Г 1 KSY2l КТ6!6Б 1 KSY34 1 КТ608А MJl 1020 КТ8105В MJl 1021 2Т8104А MJ11021 КТ8104В MJ250 КТ963А2 MJE4353 КТ732Б 1 MJE4353T КТ8101А 1 MJE4553T 1 КТ8102Б 11 MJE7l0 КТ814Б 1 KSY62 КТ606Б MJ2500 КТ825Д MJE711 КТ814В KSY63 КТ616Б MJ2501 КТ825Г MJE712 КТ814Г KSY81 КТ347Б MJ2955 КТ8102А, КТ8149А MJE720 КТ815Б KU601 КТ801Б МJЗООО КТ827В MJE721 КТ815В KU602 КТ801А MJЗOOl КТ827Б MJE722 КТ815Г KU605 КТ812В MJ3480 КТ839А MJHl1017 КТ709Б KU606 КТ808А MJ3520 КТ827В MJHI 1019 КТ709А, 2Т709А KU607 КТ812В MJ3521 КТ827А MJH6285 КТ8106А, 2Т8106А KUбll КТ801Б MJ4030 КТ825Д MJH6286 КТ8106Б KU612 КТ801А MJ4031 КТ825Г МLЗООО КТ602В KUY12 КТ812В MJ4032 КТ825Г ML500 КТ963Б2, 2Т9135А. 2Т995А2 LAE4000Q 1 КТ657Б2, 2Т657Б2 MJ4033 КТ827В ММ1748 КТ316А LAE4001RA КТ6131А MJ4034 КТ827Б ммзооо КТ602А LDA405 : К1НТ254 MJ4035 КТ827А ММЗООI КТ611В LKE32002T КТ918Б2 MJ4l0 КТ842А ММ3375 КТ904Б 1 LП817 КТ9141Аl MJ420 КТ618А ММ404 МП42Б LТ!819 2Т9159А MJ4646 КТ505А ММ8006 КТ399А LП839 КТ9141А MJ480 КТ803А ММ8007 КТ399А LП839 КТ9141А MJ481 КТ803А ММ8015 КТ382А LT5839 КТ9143А MJD2955 KT8217Bl MMBF54592 КП308Аl i LT5839 1 2Т9143А МА2!23 i КТ3114Б6 MJD3055 KT82l6Bl MJD3055-l КТ8216В MMBF54592 2П308В9 11 ММВТ2222 КТ3117Б9 ММFЗОО-500 1 ЗП915Б2 MJDЗl КТ82·16А ММВТ3904 КТЗl 97 А9 1 МА909 ! МП26А MJDЗlA КТ8216Б ММВТ3906 КТ3196А9. КТ3140Г . МА910 . МП26А MJDЗlB КТ8216В ММВТ404А КТ209К MCF1305 АП354В5 MJD31BT4 KT8218Bl ММВТ6427 КТ517В9 MCF1402 АП354А5 MJDЗlC КТ8216Г, KT8216Al ММВТ6427LП КТ517Г9 MCF451 l0 АП357В5 MJD32 КТ8217А ММВТ6517 КТ3201А9 MD1129 KTC395Al MJD32A КТ8217Б ММВТАIЗ КТ517А9 MDllЗO КТС394А2 MJD32B КТ8217В ММВТА\4 КТ517Б9 MD3762 2Т687АС2 MJD32C КТ8217Г ММВТА20 КТ315!Д9 MD5000 KTC3103Al, КТС393А9 MJD41C КТ8216Г ММВТА42 КТ3201Б9 MD5000B КТСЗ 1ОЗБ l, КТС393Б9 MJE1002 КТ815В ММВТА43 КТ3201Г9 MD918A 2TC398Al MJElЗOOl КТ538А, КТ8201А, КТ8270А ММВТА63 КТ523А9 MD918AF КТСЗ98Б94 MJEl3002 КТ8170Бl ММВТА64 КТ523Б9 MD918F КТС398А94 МJЕlЗООЗ КТ8112А, КТ8170Аl, ММSТЗ906 КТ3146В9 MD9762 2Т687АС2 КТ8175А, КТ8203А, КТ8235А ММТ2857 КТ382А MD986 КТСЗОЗА2 MJEl3004 КТ8164Б, КТ8181Б, 2Т8164Б ММТ2857 КТ382Б МЕМЗОО8 2Т9139Б МЕМ430394 2Т982А2 MJE13005 КТ8138В, КТ8164А, КТ872А, КТ8181А, КТ854Б, КТ8205А, KT8226Al МР4450-3 ЗП925А5 MPQ3906 КТ674АС MFE12l КПЗОбВ MJEl3006 КТ8136А, КТ8182Б MPS2711 КТ503А MFE200l КП307Г MJE13007 КТ8138Г, КТ8126А, MPS2712 КТSОЗБ MFE2002 КП307Д КТ8182Б, КТ8207А MPS2713 КТЗОбБМ MFE2098 КП302В MJEl3008 КТ8138Ж MPS2714 КТЗОбБМ MFE2098 КПЗО2В MJEl3009 КТ8138И, КТ8209А MPS2907AL КТ685Г MFE3004 2ПЗО5А MJE170 КТ9180Б MPS2907AM КТ685В 1 MG25BZ50 КП953В, КП955Б MJE171 КТ9180В MPS2907K КТ685Б MGF2116 АП605А2 MJE172 КТ9180Г MPS2925 КТ680А MGF2324-0l АП606Б2 MJE180 КТ68ЗД, КТ9181Б MPS3395 КТ681А
572 Раздел 5. Аналоги транзисторов Зарубежный 1 Приближенный транзистор 1 отечественный аналог Зарубежный Приближенный транзистор отечественный аналог Зарубежный 1 Приближенный транзистор j отечественный аналог MPS3563 1 КТ325АМ MPSU05 КТ807Б NEl3783 i АП320Б2 MPS3638 КТ351А MPSUOб КТ807Б NEl3783 АП355В5 MPS3638A 1 КТ351А MPSU07 КТ807А NE388-06 ! АП339А2 MPS3639 i КТ357А MPSU51 КТ639Б NE4203 i 2Т91ОЗБ2 i il MPS3640 i КТ347Б 11 MPS3702 ! КТЗIО7Д 1 il MPS3703 1 КТЗIО7А MPSU51A КТ639Б MPSU55 КТ639Г 1 MPSU56 КТ639Б, КТ626Б NE46383 i АПЗ28А2 ~ i NE500 1 КП302Г i NE567-55 1 КТ647А2. 2Т671А2 ~ I MPS3705 1 1 КТ645А MPSWIЗ КТ8240Д5 NE695 АПЗ20А2 MPS3707 КТЗIО2д MPSWl4 КТ8240Е5 NE72089A АП344А2 MPS3708 КТЗIО2В MPSW63 КТ8241А5 NE73435 КТЗl 14Вб. 2Т3114Аб MPS3709 КТЗIО2А MPSW64 КТ8241Б5 NE75083 АПЗ56В5 MPS3710 КТЗIО2В MQ2218 КТСбlЗА NE76184A АП344Аl-2 MPS371 I КТЗIО2Г MRA0510-50H КТ9156БС NE90089A АП605Аl-2 MPS3914 КТ680А MRAOбl0-18 КТ91О4Б, 2Т988А NEM2020 2Т9122А MPS404 КТ209Е MRAOбl0-3 КТ91О4А NEM4205 2Т9103А2 MPS404A КТ209К MRAIOl4-35 2Т9118В NEZlll2 АП602Б2 MPS5179 КТ368ВМ 1 1 КТ3102Д 1 MPS6512 1 MPS6513 КТ3102Д MRAl214-55 2Т9118Б MRAl417-25 2Т989А MRFl48 КП908Б NКТll МГТIО8Г NКТ73 [ МГТIО8Б NT2222 [ KT3117AI i il MPS6514 1 КТ3102Д MRF2005M КТ948А NTEI07 КТЗlбАМ MPS6515 КТ3102Д MRF2010 КТ942В OCIOlб ГТ703В MPS6516 КТ3107Е MRF2010 2Т942А ОС1044 ГТ109Е MPS6517 КТ3107Е MRF430 КТ9160А ОС1045 ГТ109Д MPS6518 КТ3107Ж MSOl46 КТ937А2 ОС1070 МП40А MPS6519 КТЗIО7J1 MSA7505 КТ907А ОС1071 МП40А, МПЗ9Б MPS6530 КТ645А MSCI075M КТ984А ОС1072 МП41А, МПЗ9Б MPS6532 КТ645А, 2Тб45А MSCl250M КТ984Б ОС1074 МП20А MPS6541 КТЗlбБМ MSCl550M КТ9109А ОС1075 МП41А, МП39Б 1 MPS6543 1 КТЗlбВМ :· MPS6562 : КТ350А MPS6563 1 КТ350А 1 MSCl827 ЗП927А2 MSC2001M КТ919В 1 MSC2003 КТ913А ОС1076 1 МП42Б. МП20А ОС1077 j МП21Г ОС1079 МП20А , MPS6565 ; КТ645А MSC2003M КТ919Б ОС112 МП26 1 MPS6566 1 КТ645А MSC2005M КТ919А ОС170 ГТ309Г, ГТ322Б MPS6571 1 КТ3102Г MSC4001 КТ938А2 ОС171 ГТЗО9Г MPS706 КТ645А MSC81550 КТ9127А ОС200 КТ104Г MPS706A КТ375А MSC85606 2Тб40Аl-2 ОС201 КТ104Б MPS834 КТЗОбВМ MSMl718-05 ЗП927Б2 ОС202 КТ104В MPS9600 КТ201ВМ MSM3742-5 ЗП925А2 ОС203 КТ203А MPS9601 КТ201БМ MSM5964-IO ЗП9ЗОБ2 ОС204 КТ208Г MPSA09 КТЗIО2Б MSM7785-IO ЗП929А2 ОС205 КТ208JI MPSAIЗ КТ517А MSPLOI 2Тб38А ОС206 КТ208Г MPSAl4 1 КТ517Б МТ9003 2Т316А ОС207 1 КТ208А MPSA25 1 КТ517Г MTM15N50 КП706А ОС25 П216 1 MPSA26 1 КТ517Д i MPSA42 i КТ6135Б, КТ520А, КТ6139А MTM2N85 2П803Б 1 МТМ475 2П701Б ОС26 1 ГТ703Д ОС27 1 ГТ703Г MPSA43 1 КТ6135В, КТ520Б, КТ6139Б MTM8N35 2П702А ОС28 П217 MPSA44 КТ6135А MTPЗN08L КП727Б, КП727В осзо П201Э МРSАбЗ КТ523А МТРбNбО КП724А, 2П724А ОС35 П217 MPSA64 КТ523Б MTSl02 КТЗlббБ ОС41 П29 MPSA75 КТ523Б MU4894 КТI 17Г ОС42 П29А MPSA76 КТ52ЗГ NDP506A КП734А ОС57 ГТ109А MPSA77 КТ523Д NDP506B КП734Б ОС58 ГТ109Б MPSA92 КТ521А, КТ6138А NDPбOI КП734В ОС59 ГТ109В MPSA93 1 КТ521 Б. КТб 138Б NDP605A КП735В ОСбО ГТ109В MPS-H37 КТ339АМ NDP605B КП735Г ОС70 МП40А MPSLOI 1 КТ632БI NDP606A КП735А ОС71 МП40А MPSL07 1 КТЗбЗА NDP606B КП735В ОС75 МП40А. МП41А MPSL08 i КТЗбЗА NDPU506AL КП734АI ОС76 1 МП40А MPSL51 КТ638А, KT632BI NDPU506BL КП734БI ОС77 МП26Б MPSUOI 1 КТ807Б NE021-60 КТ657А2 РВС107А КТ373А MPSUOIA КТ807Б NE045 ЗП353А5. АП358В5 РВС107В КТ373Б MPSU04 КТ850Б NEIOIOE КТ913Б РВС108А КТ373А
Раздел 5. Аналоги транзисторов 573 Зарубежный i Приближенный транзистор отечественный аналог Зарубежный Приближенный транзис;тор отечественный аналог Зарубежный 1 Приближенный 11 транзистор 1 отечественный аналог P8CI088 КТ3738 58870 АП35585 SF150C КТ611Г 1 P8CI08C КТ3738 589 2Т996А2 SF21 КТ617А P8CI098 КТ373Б 5С2060 КТ373А SF215C КТ375Б, КТ373А P8CI09C КТ3738 5С206Е КТ373Б SF2150 КТ373А P8MS3906 КТ3146Г9 5C206F КТЗ738 5F215E КТЗ73Б Р8МТ3906 КТ314609. КТ31408 5С2070 КТ373А 5F216C КТ375А, КТ373Г PHI 114-50 2Т9118А 5С207Е КТЗ7ЗБ SF2160 КТ37ЗА PHI 114-50С КТ976А 5C207F КТ373Б 5F216E КТ373Б PHI 114-60 КТ979А, 2Т979А 501300 КТЗ99А 5F22 КТ617А PK823003U КТ919Г 501301 КТ399А 5FE264 КП312А PK823003U КТ919Г 501308 КТ938Б 5FТ124 КТ501Е PK83000U КТ918А2 501505 2Т9140А 5FТ125 КТ501Е PN2219 КТ530А 501540 КТ9164А 5FТ130 КТ501Е PN2484 КТ3!02(Б, Д) 501543 КТ9134Б 5FТ131 КТ501Е PN4888 КТ6138Г 501546 КТ9774 5FТ143 КТ501Ж РРС9030 3П92782 501565 КТ9136АС, КТ9161АС. 5FТ144 КТ501И РТ6680 КТ9098 2Т9136АС, 2Т914А 5FТ145 КТ501Ж РТ9788А 2Т951А 50200 КП310А 5FТ146 КТ501И РТ9790А КТ911 IА, 2Т979А 50201 КП310Б 5FТ163 П423 РТ842003Х КТ937Б2 50211 КП980Б 5FТ187 КТ602А PZl21481504 2Т975Б 50300 КП314А 5FТ212 ГТ703Г PZ2023U 2Т9149Б SON6000 КТ8348 5FТ213 ГТ703Г PZ2024810V 2Т9149А SON6001 КТ834Б 5FТ214 П217 PZ23278150 2Т9158А SON6002 КТ834А 5FТ223 МП20Б PZ2731816V 2Т9139А 50N6251 КТ8348 5FТ238 П216 1 PZ816040U 1 КТ979А SON6252 КТ834Б 5FТ239 П217 QF505 1 ГТ328Б SON6253 КТ834А 5FТ240 П217 RF0401 КТ606Б SOT3207 КТ908Б 5FТ250 П217, ГТ701А RF04!0 КТ913А 50Т3208 КТ908А 5FТ251 МП20А, МП39Б RF0420 КТ913Б SOT5504 2Т881Б 5FТ252 МП20А, МП39Б RF0421 КТ904А SОТ7012 КТ908Б 5FТ253 МП20А, МП39Б RFKION15 КП748Б SОТ7013 КТ908А 5FТ306 МП39Б RFКION45 КП718Г SE9300 КТ716Г 5FТ307 КТ2088 RFKION50 КП440 SFl21A КТ617А SFТ308 КТ2088 RFКl2N35 КП717Д SFl218 КТ6178 5FТ316 П422 RFКl2N40 КП340 SFl22A КТ617А 5FТ319 П416 RFК25N20 КП240 SF1228 КТ617А 5FТ320 П416 RFM12N10 1 2П922Б SF123A КТ6028 SFТ321 МП20А RFM18N10 l 2П912А 5Fl238 КТ602Г 5FТ322 МП20Б RFP12N08 КП74ЗБ 5F123C КТ602Г SFТ323 МП20Б RFPl2NIO 1 КП743А SF126A КТ617А SFТ325 ГТ402И RFPl5Nl5 КП750Б 5F1268 КТ617А SFТ351 МП39Б RFP18N08 КП745Б 5Fl26C КТ617А SFТ352 МП39Б RFPl8NIO КП745А, КП530 5F128A КТ630Г SFТ353 МП39Б RFP25N06 КП746Б 5Fl288 КТ630Г SFТ354 П422 RFP3N45 КП759Б 5Fl28C КТ630Г 5FТ357 П422 RFP4N40 КП75181, КП733Б 5Fl280 КТ630Г 5FТ358 П423 RFP6N45 КП753Б 5F129A КТ630А 5FТЗ77 ГТ404Ж RFP7N35 КП752Б 5Fl298 КТ630А 5GM2004M КТ379Б9 RFP7N40 КП752А 5F129C КТ630А SGS0200 КТ896А RFP8Nl8 КП749Б SF1290 КТ630Б 5G5F344 КТ8121А 1RFP8N20 1 КП748А, КП610 5Fl31E КТЗ1028 5G5F444 КТ8114Б, КТ8127Б RFR3N50 КП759А SF131F КТ3102Г SGSF564 КТ8107Д2, КТ818ЗБ RFR6N50 КП753А 5F132E КТЗ102Б 5G5P201 КП727Ж 510-12 КТ965А. 1\'Т921 А 5F132F КТ3!02Г SG5P574 КП718Б. КП718Б1 510-28 КТ955А SF1360 КТ342А 5L362 КТС3174АС2 5150-28 КТ957А 5Fl36E КТ342Б 5L362 2ТС3174АС2 52000FI КТ8183АI 5F136F КТ3428 5М8ТАО5 КТ3184А9 530-12 КТ966А 5Fl370 КТ342А 5ML3552 КТ830Б 53640 КТ3126Б 5F137E КТ342Б 55106 КТ340В 570-12 КТ967А SF137F КТ3428 55108 КТ340В 580-28 КТ956А, КТ944А 5F1508 КТ611Г 55109 КТ3408
574 Раздел 5. Аналоги транзисторов 1 Зарубежный 1 1 1 Приближенный 1 транзистор 1 отечественный аналог Зарубежный 1 Приближенный транзистор отечественный аналог 1 Зарубежный 1 Приближенный транзистор 1 отечественный аналог 155125 1 КТ617А T32IN 1 МП38, МП37 А Т1РЗ2С 1 КТ816Г, КТ735Г 55126 1 КТ608А T322N МП37Б TIP35F КТ8229А 55216 КТ375Б, КТ340Г T323N МП38А TIP36F КТ8230А 55218 КТ375Б, КТ349Г Т354Н П403, П416А TIP41 КТ819А. КТ736А 55219 КТ375Б, КТ340Г Т357Н П403А TIP41A КТ81 9Б, КТ736Б, КТ8212В 5580508 КТ6114А, КТ6134А Т358Н П403 Т1Р41В КТ819В, КТ736В. КТ8212Б 558050С КТ6114Б. КТ6134Б ТСН98 , КТ208Е TIP41C КТ819Г, КТ736Г. КТ8212А 5580500 j КТ6114В, КТ6134В ТСН98В КТ501К TIP42 КТ737А i 5585508 1 КТ6115А, КТ6133А ТСН99 КТ208К ТIР42А КТ737Б, КТ8213В ! S58550C i КТ6115Б. КТ6133Б TG2 МГТIО8А ТIР42В КТ737В. КТ8213Б 1 ~ 5585500 i КТ6115В. КТ6133В ТGЗА МГТIО8В ТIР42С 1 КТ737Г. КТ8213А. КТ837А Р S59012D ! КТ6109А TGЗF МГТIО8Г ТIР50 1 КТ854А 559012Е 1 КТ6109Б TG4 МГТIО8А Т1Р519 КТ842Б 559012F КТ6109В TG5 ГТГ15Б ПР61 КТ815А 559012G КТ6109Г TG50 МП20А ТIР61А КТ8!5Б 559012Н КТ6109Д TG51 МП21Г Т!Рб!В 1 КТ815В 559013 КТ525А TG52 МП20А TlP6IC КТ815Г 5590130 KT61 IOA TG53 МП20А ТIР62 КТ814А 559013Е КТ61 IОБ TG55 МП20А ТIР62А КТ814Б 559013F KT61 IOB TG5E ГТI 15А, П27 ТIР62В КТ814В 559013G КТ61 IОГ ТН430 2Т9131А ТIР62С КТ814Г ! 559013Н ! КТ6110Д ТН430 КТ9126А, КТ980Б ТIР661 КТ892Б 1 559014 j КТ526А jl 559014А 1 KT611 IA 1 S59014B 1 КТ611 IБ TIPIIO КТ716А, КТ8214А, КТ8243В5 ПР! 11 КТ716Б, КТ8214Б, КТ8243Б5 ТIР662 КТ892В ПХ3024 ГТ341Б ТIXMIOI ГТ341А 559014С КТ611 IВ 5590140 КТ6111Г TIPII2 КТ716В, КТ8214В. КТ8243А5 ТIХМIОЗ ГТ362А ТIXMI04 ГТ341В 559015А КТ6112А TIPII5 КТ852В, КТ8215А, TIXS36 2П914А 5590158 КТ6112Б КТ8242В5 TN0535 КП5!1А 559015С КТ6112В TIPII6 КТ852Б, КТ8215Б, TN0540 КП511Б 5590160 КТ6128А ~ 559016Е 1 КТ6128Б :1 559016F : КТ6128В 1 11 559016G 1 КТ6128Г ~ 5S9016H 'КТ6128Д КТ8242Б5 TIPII7 КТ852А, КТ8215В. КТ8243А5 TIPl20 КТ716В, КТ829В. КТ8116А. КТ8234В5 TIPl21 КТ716Б, КТ829Б. КТ81 16Б, TPQ4071 1 2ТС693АС TPQ7041 1 КТ693АС ' TPV375 1КТ9116Б TPV376 KT9133AI. KT91173AI TPV394 КТ9116А 11 ~59016i 1 КТ6128Е КТ8234Б5 TPV5051 КТ9153А, 2Т9142А . S59018 1 КТ6140А 5590180 1 КТ6113А 1 TIPl22 КТ716А, КТ829А, КТ8116В, КТ8243А5 TPV595A КТ9150А TRSP5014 КТ509А 559018Е КТ6113Б TIPl25 КТ853В, КТ8115А, КТ8233В5 TRW2020 2Т9122Б 559018F КТ6113В TIP126 КТ853Б, КТ8115Б, TRW2020 КТ948А 559018G КТ6113Г КТ8233Б5 U291 КП601А 559018Н КТ6113Д TIPl27 КТ853А, КТ8 ! 15В, КТ8233А5 U320 КП601Б 5590181 КТ61 IЗЕ TIPl32 КТ899А U320 КП601Б 55UIN60 КП7129А TIPl46 КТ896А UC714 1 КП302А ,, 55У20 КТ617А TIPl51 КТ8109А UDR500 1 КТ9136АС. 2Т9136АС 5ТН75NО6 КП742А TIP29 КТ815А, 2Т815А UF28IOO 1 КП928Б ~ 5TH80N05 1 КП742Б TIP2955 KT8149AI. КТ739А UMIL40FТ 2П920А 5ТНЮ8100 КП81ОА TIP29A КТ815Б UMIL40FТ 1 КП923А SТН120N50 1 КП953А. КП955А Т1Р29В КТ815В UPT315 КТ841 Г. КТ506Б 5THI20N50 КП955Б, КП953А TIP29C КТ815Г VMPI 1 КП901А STP40NIO 2П771А. КП771А ТIРЗО КТ814А VMP4 КП902А STP60S КТ888Б, 2Т888Б TIP3055 КТ8150А 1, КТ738А VN89AD КП90IБ STP70S КТ888А, 2Т888А ТIРЗОА КТ814Б VSF9330 АПЗЗIА2 SVТ7571 2Т878В ТIРЗОВ КТ814В WSH71G КТ3129Б9 SXTA42 КТ6135А9 ТIРЗОС КТ814Г XGSRI0040 КТ862Б Т241 МП20А TIPЗI КТ817А, КТ734А YTF4125 . КТ3140А Т242 1 МП21В TIPЗIA КТ817Б, КТ8176А, КТ734Б YTF4126 КТ3140Б Т243 МП21Г TlPЗIB КТ817В, КТ8176Б, КТ734В YTF623 2П703А Т316Н 1 П402, П416А TIPЗIC КТ817Г, КТ81768, КТ734Г YTF832 КП805А 11 Т317 1 П401 TIP32 КТ816А, КТ8177А, КТ735А ZТ2475 КТ316Б Т319 П401 TIP32A КТ816Б, КТ81 77Б, КТ735Б ZТХ658 КТ6135А Т320 П401 TIP32B КТ816В, КТ8177В, КТ735В ZVN2120 КП501А
Раздел 5. Аналоги транзисторов 575 5.6. Аналоги отечественных транзисторов ' ! !Отечественный 'I Зарубежный аналог транзистор , Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный ! Зарубежный аналог :1 транзистор ; ! IТIOI ! IТЗЗ5Д 2П201Б-1 i i! :ПОIА IТЗ41А TIXMIOI 2П201В-1 ; IТIOIБ IТЗ41Б ТIХЗО24 2П201Г-1 IТ102 IТЗ41В TIXM104, 2N2999 2П201Д-1 IТ102А IТЗ62А TIXMIOЗ 2П201Е-1 IТ115А АС107, 2NI07 IТЗ74А-б 2П201Ж-1 IТI 15Б 2N506 IТЗ76А 2N700A, 2N2360 , 2N24 l 5 2П202Д-1 IТ115В 2N535A IТЗ8ЗА-2 2N5043 2П202Е-1 IТI 15Г АС122. 2N536 IТЗВЗБ-2 TIXMI05 2ПЗОIА IТllбA IТЗВЗВ-2 2ПЗОIА-1 i IТllбБ IТЗ86А 2ПЗОIА-5 ; ~ IТllбB IТЗ87А-2 2ПЗОIБ ! 2N4038 1 ~ , IТI lбГ IТЗ87Б-2 2ПЗОIБ-1 ! i 1 IТЗОЗ IТ40ЗА ADl52 2ПЗОIВ ~ IТЗОЗА IТ40ЗБ ADl52, ADl64 2ПЗОIВ-1 IТЗОЗБ IТ40ЗВ ASY77 2ПЗО2А UC714, 2N3791 IТЗОЗВ IТ40ЗГ ADP466, ASY77 2ПЗ02А-1 IТЗОЗГ IТ40ЗД ASY80 2ПЗ02Б 2N5397 IТЗОЗД IТ40ЗЕ ADl55, ADl69 2ПЗ02Б-1 IТЗО5А 2N499 IТ40ЗЖ 5NU72 2ПЗО2В MFE2098 IТЗО5Б AFY39 IТ40ЗИ АС124 2ПЗ02В-1 IТЗО5В 2Nl292 1Тб12А-4 2ПЗОЗА 2N3823 !IТЗОВА l 2N797 i2N796 i 2N2048 1Тб14А 1Тб15 IТ702А 2ПЗОЗБ l 2N5556 2ПЗОЗВ ! 2ПЗОЗГ ! 1 IТЗОВГ IТ702Б 2ПЗОЗД 2NЗ823 " iТ ЗI IOA-2 IТ702В i 2ПЗОЗЕ МFЕЗООб IТЗllA l 2N2699 IТ806А ALI02, AUY35 2ПЗОЗИ 2NЗ822 IТЗI IБ 1 2N2699 IТ806Б ALIOЗ, AUI08 2ПЗ04А 2N4268, JI 75 IТЗllГ 2Nl585 IТВОбВ ALIOO, АUУЗВ 2ПЗО5А МFЕЗОО4, J 175 IТЗllД 2N2482 IТ81ЗА 2ПЗО5А-2 IТЗI IK IТВIЗБ 2ПЗО5Б 2N4224 IТЗllЛ IТ81ЗВ 2ПЗ05Б-2 AFYll IТЗIЗА IТ901А 2ПЗ05В 1 !,, l 2NI 742 1IТЗIЗБ IТЗIЗВ 12N741 1ПЗ2ОА 1 2NЗ883 IТ901Б IТ905А AUYIO IТ906А 1 2ПЗ05В-2 1 ! 2ПЗ05Г 1 11 2ПЗ05Г-2 ! IТЗ20Б 2N711A IТ910АД 2ПЗ06А МFЕЗ107 IТЗ20В l 2N705 2Е701А - 2ПЗ06Б ТА7262 IТЗ21А 1 2SA479 2Е701Б - 2ПЗО6В MFEl21 IТЗ21Б 2SA412 2Е701В 2ПЗО6Г IТЗ21В 2SA78 2Е701Г 2ПЗО6Д IТЗ21Г 2Nl384 2ПIOIA 2ПЗО6Е IТЗ21Д 2SАЗ12 2ПIОIБ 2ПЗ07А 2N5394 IТЗ21Е 2Nl204 2ПIOIB 2ПЗО7Б 2N4223, 2N4220 IТЗ29А 2N5041 2ПIОЗА 2NЗЗ29 2ПЗ07В 2N4224 IТЗ29Б 2N5043 2ПIОЗАР 2ПЗ07Г MFE2001. 2N4216 1' 1 IТЗ29В 2ПIОЗБ 2ПЗ07Д i MFE2002 il IТЗЗОА 1 ПЗЗОБ i 2ПIОЗБР 2ПIОЗВ 1 2ПЗО8А ., 1 2ПЗО8А-1 MMBF54592 IТЗЗОВ 2ПIОЗВР 2ПЗО8А-9 IТЗЗОГ 1 2ПIОЗГ 2ПЗ08Б IТЗЗ5А 2ПIОЗГР 2ПЗО8Б-1 1 IТЗЗ5Б 2ПIОЗД 2ПЗО8Б-9 IТЗЗ5В. 2ПIОЗДР 2ПЗО8В IТЗЗ5Г 2П201А-1 2ПЗ08В-1
576 Раздел 5. Аналоги транзисторов 11 1 i] Отечественный 1 ~ транзистор i Зарубежный аналог !l 2пзоsв-9 iммвF54592 Отечественный Зарубежный аналог 11 транзистор 1 2П7118Д Отечественный i Зарубежный аналог i: транзистор 1 ;; 2П903Б-5 1 ' 2П308Г i j 2пзоsг-1 1 ~ 2ПЗ08Г-9 : 2П7118Е 2П7118Ж 2П7118И 2П903В 2П903В-5 1 2П904А 8850-35 1 1 2П308Д 2П7118К 2П904Б MRF148 2П308Д-1 1 1 2П7118Л 2П905А 2N4092 2П308Д-9 ! 2П712А IRF9130 2П905А-5 ! 2П308Е-9 1 2П712А-5 2П905Б 1 2ПЗ!ОА SD200 2П712Б 2П907А n , 2ПЗ!ОБ i SD201 2П712Б-5 2П907Б 1 /· 1 1 2П312А 1 SFE264 2П7!2В 2П908А 13N169, IVN5200 f. ! 2П312А-5 1 2П712В-5 2П908Б ' 1 i 2П312Б 1 2N4416 2П7140А1 IRF7103 2П909А BF50-35 1 2П312Б-5 1 2П7141Аl IRF5210 2П909Б DV1007 2П313А 2П7142А1 IRF7316 2П909В 2П313Б 2П7143АI IRF7416 2П909Г 2П313В 2П7144А1 IRF9140 2П911А CF4-28 2П322А 3SK68 2П7145А 2П911Б F2012 2ПЗЗЗА 2N4393 2П724А MTP6N60 2П912А IRFIЗO, REM18N!O 2П333Б 2П762А 2П912Б 2N6658. 2N6755 2П333В 2П762Б1 2П913А ! Fl021 ; 2ПЗЗЗГ ! 2П762В 2П913Б DV28120 ~ 2П334А ! 2П762Г1 2П914А 1 TIXS36. 2N4391 ' ' 1 2П334Б ! 2П762Г1-5 1 2П917А 1 IVNбOOOKNR '· • ~ 2П335А-2 ! 2П762Д 1 2П917Б 2П335Б-2 i 2П762ЕI 2П9!8А F2013 .. 2П336А-1 1 2П762ЕI-5 2П918Б 2П336Б-1 i 2П762Ж 2П920А UMIL40FТ, FI020 2П337АР 2П762И2 2П920Б DV28!20 2П337БР 2П762И2-5 2П922А IRF132 2П338АР-1 2П762К 2П922А-5 2П340А IRF340 2П762Л 2П922Б RFM12NIO 2П340А-1 1 2П762М 2П922Б-5 1 1 : 2П340Б-1 i 2П762Н 2П923А 1 F2001, UMIL40FТ !l 2П341А i 2SK316 !12ПЗ41Б i 2SK508 2П771А STP40N!O 2П771А91 2П923Б F2002, F2013/H 2П923В 1 F2003, FI053 it 2П347А-2 BF966 2П797Г IRF540 2П923Г F2005, F2007 2П350А 3N140 2П797Г91 2П926А 2П350Б BF905 2П802А 2SK2!5, IRF420 2П926Б 2П601А СР640, U291 2П802Б IRF420 2П928А FI027, DV28120 2П60!А9 2П803А BUZ54A 2П928Б UF28100U 2П601Б 2П803Б MTM2N85, BUZ53A 2П933А F2006 2П609А 2П8!5А 2П933Б FI053 2П609А-5 2П815Б 2П934А 2П609Б l 2Пб09Б-5 1 2П8!5В 2П815Г 2П934Б 2П938А '1 I 2П701А BUZ385, BUZ43 2П816А 2П938Б 1 2П701Б 1 МТМ475 2П816Б 2П938В 2П702А 1 MTM8N35 2П816В 2П938Г 2П703А YTF623, IRF9620 2П816Г 2П938Д 2П70ЗБ IRF9621 2П901А VMPI 2П941А FI201 2П706А MTMI5N50 2П901А-5 2П941Б FI202 2П706Б IRF841 2П901Б VN89AD 2П941В 2П706В BUZ385 2П901Б-5 2П941Г 2П7102А1 IRFZ44 2П902А VMP4, DV!202S 2П941Д 2П7118А 2П902Б 2NL234B 2П942А 2П7118Б 2П903А СР651 2П942А-5 2П7118В 1 2П903А-5 2П942Б i 2П7118Г ! 2П903Б 2П942Б-5
Раздел 5. Аналоги транзисторов 577 j[ Отечественный 1 Зарубежный аналог 11 транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный 1 Зарубежный аналог транзистор 1 1 2П9428 2Т205А-З 2ТЗО6Г 8SX67 2П9428-5 2Т205Б-З 2ТЗО7А-1 1- 2П95ЗА STH120N50 2Т208А 2N2332 2ТЗО7Б-1 - 2П95ЗБ - 2Т208Б 2N2333 2ТЗО78-1 - 2П9538 - 2Т2088 8СУ91 2ТЗО7Г-1 - 2П95ЗГ 1- !! 2ПС104А 1 1 2Т208Г 8СУЗЗ, 2N2334 2Т208Д 8СУ12, 2N2335 2ТЗ101А-2 2SC1236 li 2ТЗ106А-2 2SC1254 1 2ПС104Б 1 2Т208Е 8СУ10, 8СУ90 2ТЗ108А 2NЗ250 i 2ПС1048 2Т208Ж 2N923 2ТЗ108Б 2NЗ251 2ПС!О4Г 2Т208И 8СУ92 2ТЗ1088 2NЗ250А 2ПС104Д 2Т208К 8СУ93 2ТЗ114А-6 NE73435 1 ' 2ПС104Е 2Т208Л 8СУ11 2ТЗ114Б-6 МА2123 2ПС202А-2 2Т208М 8СУЗ1 2ТЗ1148-6 2N5650 2ПС202Б-2 2Т211А-1 - 2ТЗ115А-2 2ПС2028-2 2Т211Б-1 - 2Т3115А-6 - 2ПС202Г-2 2Т2118-1 - 2ТЗ115Б-2 FJ401 2ПС202Д-1 2Т214А-1 - 2Т3117А 2N2121, 2N2221 [ 2ПС202Е-1 1 2Т214А-5 - 2ТЗ117Б 12N2l2lА, 2N2222 '1 2ПСЗ16А-1 '1 2Т214А-9 2Nl036 2ТЗ120А 8F480. К5002 ,, 1 2ПСЗ16Б-1 1 2Т214Б-1 - 2ТЗ121А-6 FJ203 1 2ПСЗ168-1 2Т214Б-5 - 2ТЗ12ЗА-2 2N3953, 2SA967 2ПСЗ16Г-1 ! 2Т214Б-9 2Nl655 2ТЗ12ЗБ-2 2SC2369 2Т104А . 2 Nl028 2Т2148-1 - 2ТЗ1238-2 2SC2368 2Т104Б 8SZ10 2Т2148-5 - 2ТЗ124А-2 НР122 2Т1048 ОС202 2Т2148-9 - 2ТЗ124Б-2 HXTR6101 2Т104Г ОС200, 2Nl219 2Т214Г-1 - 2ТЗ1248-2 - 2Т117А 8RY56 2Т214Г-5 - 2ТЗ129А9 8CW89 2Тl 17А-5 2Т214Г-9 - 2ТЗ129Б9 8CW69 i 2Тl 17Б 1 2N2647 ; 2Тl 178 i2N4893 1 j 2Тl 17Г 1 MU4894 2Т214Д-1 - 2Т214Д-5 - 2Т214Д-9 - 2ТЗ12989 8CF29, 8CW29 2ТЗ129Г9 [ 8СFЗО, 8СWЗО 1 2ТЗ129Д9 258709 1 2П 18А : ЗN105. ЗN74 2Т214Е-1 - 2ТЗ12А 2N702 2Тl 18А-1 ЗN105, ЗN74 2Т214Е-5 - 2ТЗ12Б 8СУ42, 2SC105 2Тl 18Б ЗN106 2Т214Е-9 - 2ТЗ128 8СУ43, 2N703 2Тl 18Б-1 , ЗN106, ЗN107 2Т215А-1 2Nl573 2ТЗ1ЗОА-9 8CW71, 8CW60A .. 2Тl 188 ЗN107 2Т215А-5 - 2ТЗ1ЗОБ-9 8CF8 l, 8CW72 2Т126А-1 2Т215А-9 - 2ТЗ1308-9 8СFЗ2, 8CW60C 2Т126Б-1 2Т215Б-1 2Nl923 2ТЗ1ЗОГ-9 8СWЗЗ 2Т1268-1 2Т215Б-5 - 2ТЗ!ЗОД-9 8СWЗ2 2Т126Г-1 2Т215Б-9 - 2ТЗ1ЗОЕ-9 8СFЗЗ 2Т127А-1 2Т2158-1 - 2ТЗ132А-2 FJ201F, 2N6617 2Т127Б-1 2Т2158-5 - 2ТЗ132Б-2 HXTR6102 1' 2Т1278-1 2Т2158-9 - 2ТЗ1328-2 HXTR6101 1 2Т127Г-1 1 2Т215Г-1 - 2ТЗ132Г-2 - 1 2Т201А 2N2432 2Т215Г-5 - 2Т31ЗЗА 2Т201Б 2N2432A 2Т215Г-9 - 2ТЗ1ЗЗА-2 2Т20!В 2Nl590 2Т215Д-1 - 2Т3134А-1 8FW93 2Т201Г 2N2617 2Т215Д-5 - 2ТЗ135А-1 2Т201Д 2N2617 2Т215Д-9 - 2ТЗ1ЗА 2N2906,2SA530 2Т202А-1 2Т215Е-1 - 2ТЗ1ЗБ 2NЗ250, 2SA718 2Т202Б-1 2Т215Е-5 - 2ТЗ145А9 8CW60AA, 8CX70AN 2Т2028-1 2Т215Е-9 - 2ТЗ150Б2 2Т202Г-1 2ТЗО1 Г 2Nl390 2Т3152А 8СУ93 2Т202д-1 1 2ТЗО!Д 2N842 2ТЗ152Б - 2Т20ЗА ОС203 2ТЗО1Е 8С101 2Т31528 - 2Т20ЗБ 1 2N923 2Т301Ж 2N843 2ТЗ152Г - 2Т2038 2N2277 2ТЗО6А 8SX66 2ТЗ152Д - 2Т20ЗГ 2ТЗО6Б 2SC601 2ТЗ152Е - 2Т20ЗД 2ТЗО68 2SC400 2Т3154А-1 - 37зак9
578 Раздел 5. Аналоги транзисторов Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный \ Зарубежный аналог транзистор , 2ТЗ155АС-1. БС-1 1 - 2ТЗЗЗВ-З - 2ТЗ82Б J BFW92 2ТЗ156А-2 1- 2ТЗЗЗГ-З - 2Т384А-2 12N351 I 2ТЗ158А-2 i- 2Т3160А-2 1 ' j 2ТЗ162А 2ТЗ162А5 1 2ТЗЗЗД-З - 2ТЗЗЗЕ-З - 2Т336А - 2Т336Б - 12ТЗ84АМ-2 ; 2ТЗ85А-2 l 2N4401 12ТЗ85А-9 2ТЗ85АМ-2 i · 2Т3164А i 2ТЗ36В - 2ТЗ88А-2 ! 2ТЗ167А-7 i 2ТЗ36Г - 2ТЗ88А-5 2ТЗ16А МТ9003, 2N3010 2ТЗ36Д - 2ТЗ88АМ-2 2ТЗ16Б 2N709 2ТЗЗ6Е - 2ТЗ89А-2 2N5456 2Т316В 2N709A 2ТЗ48А-З - 2Т391А-2 НРЗ586L 2ТЗ16Г 2SC40 2ТЗ48Б-З - 2ТЗ91Б-2 1 1 2ТЗ16Д 12N2784 2ТЗ48В-З - 2ТЗ92А-2 BF316 1 2ТЗI 74АС-2 J SL362 2ТЗ54А-2 2Nl219 2ТЗ96А-2 2N3839 2ТЗ175А 1- 2ТЗ54Б-2 BFW93 2Т397А-2 2SC784 2ТЗ17А-1 i 2ТЗ55А 2ТЗ99А BFWЗO. 2N2857 1 2ТЗI 7Б-1 ' 2ТЗ60А-1 1 2Т504А 2N3439 11 2ТЗI 78-1 1- 2ТЗ60Б-1 2Т504А-5 2N5663 1 2ТЗ187А-9 - 2ТЗ60В-1 1 2Т504Б 2N2727 2ТЗ187А-91 - 2ТЗ63А 2N3516. 2N4260 2Т504Б-5 - 2ТЗ18А-1 - 2ТЗ6ЗБ 2N4261 2Т504В 2N3440 2ТЗ18Б-1 - 2ТЗ64А-2 2Т505А 2N5416, MJ4646 2Т318В-1 - 2ТЗ64Б-2 2Т505А-5 - 2T318Bl-I i- 2ТЗ64В-2 2Т505Б 1 ВFТ19А, ВFТ28С 2ТЗ18Г-1 1- 1 2Т366А BFS62 2Т506А 1 BUX54 1 1 2ТЗ18д-1 1- 2ТЗ66А-1 2Т506А-5 1- j 2ТЗ18Е-1 i- 2ТЗ66Б-1 2Т506Б !BUX84 : 2ТЗ19А-1 1- 2ТЗ66Бl-1 2Т509А ! TRSP5014 ;: 2ТЗ19Б-1 - 2ТЗ66В-1 [ 2Т509А-5 :- 1. 2ТЗ19В-1 2Т367А 1 2Т528А-9 ,_ j 2тз21А 1 BSV64 2ТЗ21Б ММ2260 2ТЗ68А 2N918 2ТЗ68А-9 - 2Т528Б-9 !- 2Т528В-9 j- li 2ТЗ21В i- 2ТЗ68Б 2N917 2Т528Г-9 - 1! 2ТЗ21Г - 2ТЗ68Б-9 - 2Т528Д-9 - ~ 2ТЗ21Д - 2Т370А-1 - 2Т602А 1 BFl77 ~! 1 2ТЗ21Е i- 2Т370А9 - 2Т602АМ f BSS38. 2SD668 • ' il 2ТЗ24А-1 1 1- 1 2ТЗ70Б-1 - 2Т602Б i 2Nl566A 11 2ТЗ24Б-1 ,_ 2ТЗ70Б9 - 2Т602БМ 2SCl567 ~ 2ТЗ24В-1 - 2ТЗ71А BFR90 2Т60ЗА ! BSW36 ~ 2ТЗ24Г-1 1_ ji 2ТЗ24Д-1 i- 1 2ТЗ24Е-1 1 1- 1 2ТЗ25А 12N2615 12ТЗ72А 2SCI090 2ТЗ72Б BFR34 2ТЗ72В 2N5652 2T377Al-2 - 2Т60ЗБ i 2SC796 2Т60ЗВ ! 2N2237 2Т603Г ! BSW36 2Т60ЗИ 1 2SCl51H 2ТЗ25Б 2N2616 2ТЗ77А-2 - 2Т606А 2N5090 2ТЗ25В l 2SC612 2ТЗ77БI-2 - 2Т607А-4 i- 2ТЗ26А ВС178 2ТЗ77Б-2 - 2Т608А BSY34 2ТЗ26Б BFYl9 l 2тзз1А-1 1А141 2T377Bl-2 - 2Т377В-2 - 2Т608Б j 2NI959 !1 2Т610А 1- ~ 1 2ТЗЗIБ-1 1 1- 2T378Al-2 - 2Т610Б - 1 2ТЗЗIВ-1 1- 2ТЗ78А-2 - 2Т624А-2 J 2NЗЗОЗ 1 12ТЗЗIГ-1 '1- 2ТЗ78БI-2 - 2Т624АМ-2 1 \ 1- 2ТЗЗIД-1 1- 2ТЗ78Б-2 - 2Т625А-2 - ' 2ТЗ32А-1 1- 2ТЗ78Б-2-1 - 2Т625АМ-2 j_ 2ТЗЗ2Б-1 1- 2ТЗ81А-1 - 2Т625Б-2 - 2ТЗЗ2В-1 - 2ТЗ81Б-1 - 2Т625БМ-2 - 2ТЗЗ2Г-1 - 2Т381В-1 - 2Т629А-2 2NЗ245 2ТЗЗ2Д-1 - 2ТЗ81Г-1 - 2Т629А-5 - 2ТЗЗЗА-3 - 2Т381Д-1 - 2Т629АМ-2 2N3467 2ТЗЗЗБ-З - 2ТЗ82А ММТ2857 2Т6ЗОА BFY67 А, 2N 1893
Раздел 5. Аналоги транзисторов 579 1 Отечественный 1 Зарубежный аналог 1 транзистор 1 Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор 2Т6ЗОА-5 1 1- 2Т688А2 2Т825В-2 2Т6ЗОБ ВСЗОО, 2N 1890 2Т688Б2 2Т826А BUI32 2Т632А 2N3495, 2N3497 2Т689АС - 2Т826А-5 - 2Т6ЗЗА 2N2369 2Т691А2 2SA1224 2Т826Б 2SD312 2Т634А-2 - 2Т69ЗАС TPQ4071 2Т826В BUI32 2Т635А 2N4960 2Т704А 2N3585, BU143 2Т827А ВDХбЗА, MJ3521 2Т637А-2 2Т704Б BDY93, BU204 2Т827А-2 - 2Т638А 1MPSLOl, 2SC589 2Т708А 2SB678 2Т827А-5 - 11 2T640Al-2 1 MSC85606 2Т708Б 2Т827Б 1 BDX65 2Т640А-2 1NE21960 2Т708В BSS61 2Т827Б-2 1- i 2Т640А-5 1- 2Т709А BDX86C, MJHllOl9 2Т827В BDX85. МJз'520 2Т640А-6 1 f- 2Т709А2 2Т827В-2 - 2T642Al-2 - 2Т709Б BDX86B 2Т828А BU326A 2T642Al-5 2Т709Б2 2Т828Б 2SD640 2Т642А-2 АТ41485 2Т709В 2Т830А 2N4234, 2N5781 2Т642А-5 2Т709В2 2Т8ЗОБ SML3552, 2N4235 2Т642Б1-2 - 2Т71ЗА 2Т8ЗОВ 2N4236 2T642Bl-2 - 2Т716А TIPl 12, TIPI22 2Т8ЗОВ-1 2Т642Г1-2 2Т716А-1 2Т8ЗОГ 2N4236 2Т64ЗА-2 1 2Т64ЗА-5 !- 2Т64ЗБ-2 1 HXTR4101, NE98203 2Т716Б TIPlll, TIP121 2Т716Б-1 2Т716В TlPl 10, Т1Р120 2Т8ЗОГ-1 l 2N4300 1 2Т831А 1 2Т831Б 1 ~ 2Т645А ! MPS6532 2Т716В-1 2Т831В 1 1 2Т647А-2 1NE56755 2Т718А 2Т831В-1 2Т647А-5 1 2Т718Б 2Т831Г 2Т648А-2 1 HXTR2101 2Т803А BDY23 2Т831Г-1 2Т648А-5 - 2Т808А BLY47 2Т832А 2Т649А-2 - 2Т808А-2 2Т832Б 2Т652А - 2Т809А BD216, BLY49 2Т834А SVT6002,SDN6002 2Т652А-2 - 2Т8104А MJI 1021, BDX66C 2Т834Б SDN6001 2Т65ЗА 2N4271 2Т8105А MJ 11020, 2SD 1287 2Т834В SDN6000 2Т65ЗБ 1 2Т8106А BDV66B, MJH6285 2Т836А 2N3204 2Т657А-2 1 NE021-60 2Т812А BDY94 2Т836А-5 2Т657Б-2 1 LAE4000 2Т812Б 2Т836Б 2Т657В-2 ,_ 2Т815А BD 165, TIP29 2Т836В 1 2Т658А-2 1BFQ98B 2Т8164А MJE13004 2Т836Г 2Т658Б-2 ВFТ96 2Т817В BDI77 2Т837А BD534, TIP42C 2Т658В-2 - 2Т818А BD292 2Т837Б BD536 2Т663А - 2Т818А-2 2Т837В BD234 2Т66ЗБ - 2Т818Б BD202, BDT92 2Т837Г BD225 2Т664А9-1 ВСХ51, ВСХ53 2Т818Б-2 2Т837Д 2SB434 2Т664Б9-1 ВСХ52 2Т818В BD204, BDT94 2Т837Е 2N6125 2Т665А9-1 ВСХ54, ВСХ56 2Т818В-2 2Т839А МJЗ480, 2SD380 2Т665Б9-1 ВСХ55, 2N 1777 2Т819А BD291, TIP41 2Т841А BDX96, 2N6560 12Т669А 1 2Т819А-2 2N6130 2Т841А-1 2Т669А! 1 1 2Т819Б BD202, BDT91 2Т841Б 2SC2122 2Т670АС - 2Т819Б-2 2Т841Б-1 2Т671А-2 NE567-55 2Т819В BD201, BDT93 2Т841В 2Т672А-2 2Т819В-2 2Т842А 2SB506A 2Т679А-2 2Т824А 2Т842А-1 2Т679А-5 2Т824АМ 2Т842Б ПР519 2Т679Б-2 2Т824Б 2Т842Б-1 2Т679Б-5 2Т824БМ 2Т844А UPT732 2Т682А-2 HXTR6102, FJ403 2Т825А 2N6287 2Т845А DТ4305 2Т682Б-2 АТ41435-2 2Т825А-2 2Т847А 2N6678. 2N6672 2Т685А l 2N6015 2Т685Ж 2N5356 2Т687АС2 1MD3762 2Т825А-5 2Т825Б 2N6286, BDX86 2Т825Б-2 2Т847Б 1 2Т848А BU608, BUX37 1 2Т851В 2SA740, 2SB548 2Т687БС2 2Т825В 2N6285 2Т856А BUX48A 37*
580 Раздел 5. Аналоги транзисторов Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор 2Т856Б BUX48 2Т888А 5ТР705 2Т9128АС BALOI02-150 2Т856В 2Т888Б 5ТР605 2Т9129А АМ83135-40 2Т856Г 2Т891А BUT91, BUT92 2Т912А J 2N5070. 2N6093 1 1 2Т860А i 2Т903А 2N2947 2Т912А-5 1- !1 !1 2Т860Б 1 2Т903Б 25С517 2Т912Б J 2N6093 1' 2Т860Б 1 l12т86IA 2Т904А 2N3375 2Т907А 2N3733 2Т912Б-5 - 2Т9130А 25C2688N. 25С400 2Т861Б 2Т908А ВОУ92 2Т9131А ТН430 2Т861В 2Т909А 2N5177 2Т9132АС 2Т862А 2N6560 2Т909Б 2N5178 2Т9133А TRV376 2Т862Б 2N6672 2Т9101АС FJ0880-28 2Т9134А НЕМ3508В-20 2Т862В 2Т9102А-2 2Т9134Б 501543 2Т862Г 2Т9102Б-2 2Т9135А-2 ML500 2Т863А ВОУ92, 2N6669 2Т9103А-2 NEM4205 2Т9136АС 501565. UOR500 2Т866А BUX21 2Т867А 1BUY21. 2N6341 I 2Т874А : BUW39 1 2Т874Б 12N5672 11 2Т875А i 2N5626 1 1 2Т875Б 1 2N4130 2Т875В J BOW21 2Т9103Б-2 NE4203 1 2Т9104А MRA0610-3 1 2Т9104Б MRA0610-18 11 2Т9105АС 1 MRA0610-100 1 1 2Т9107А-2 1 1 2Т9108А-2 2Т9109А М5С1550М 2Т9137А 1FJ9295 ' 12Т9137Б ! ~ 2Т9138А 2Т9139А 1P72731Bl6V ~ 2Т9139Б 'МЕМ3008 ~ 2Т9139В 2Т9139Г 2Т875Г 25CI 115 2T91 IOA-2 2Т913А BLX92, 2N4430 2Т876А MJE2955 2Т9110Б-2 2Т913Б BLX93, 2N4431 2Т876Б 2N5625 2Т9111А РТ9790А 2Т913В NEIOIOE-28 2Т876В 2N5621 2Т9112А 2Т9140А 501505 2Т876Г 1MJE2955 2Т9113А 2Т9142А 25С3218. TRY5051 !1 2Т877А i 2N6286 11 2Т877Б 12N6285 1 r ~ ' ~ 2Т878А ; BUX98A 1 1 2Т877В 2Т9114А 2Т9114Б 11 l 2T9117A i 1 l 2Т9117Б 2N6553 2Т9143А 1LT5839 ~ 2Т9146А 1АМ1416-200 i ~ 12Т9146Б 1- i 1 2Т9146В 1 1- :• 2Т878Б i BUX98. 2N6678 2Т9117В i- 2Т9146Г - 2Т878В 5VТ7571 2Т9117Г - 2Т9146Д - 2Т879А 2N6282, 2N6281 2Т9118А PHI 114-50 2Т9146Е - 2Т879Б 2Т9118Б MRAl214-55 2Т9146Ж - 2Т880А 1 2Т9118В MRAIOl4-35 2Т9146И 1- 2Т880А-5 - 2Т911А 2N4976 2Т9146К - 2Т880Б 2N6730 2Т911Б 2N4429 2Т9147АС - 2Т880Б-5 1 ,- 2Т9120А 045Н5 2Т9149А PZ2024BIOV 1 2Т880В i 2N5149 1 2Т9121А АМ82731-45 2Т9149Б 1PZ2023-6 ~ 2Т880Г l12т88IA 1 ; 2Т9121Б 27АМО5 2Т9121В 1 12Т914А 2N5161 ! 2Т9153АС : : 2Т881А-5 ,- 2Т9121Г 2Т9153БС TPV5051 12Т881Б 1 50Т5504 2Т9122А NEM2020 2Т9155А 25С3217 2Т881Б-5 1- 2Т9122Б TRW2020 2Т9155Б 25С3218 2Т881В 2N5150 2Т9123А - 2Т9155В J02058 2Т881Г 2N5321 2Т9123Б - 2Т9156АС 2Т882А 2Т9124А - 2Т9156БС MRA0510-50H 2Т882Б 2Т9124Б - 2Т9158А PZ2327Bl5U 2Т882В 2Т9125АС BALOl05-50 2Т9158Б - 2Т883А 2Т9126А ТН430 2Т9159А LТ1819 2Т883Б ; 2Т9127А М5С81550М 2Т9159А5 i- 1 1 2Т884А 1 11 2Т884Б 1 2Т9127Б - 2Т9127В - 2Т9161АС ! 501565 1 1 2Т9162А i 11 1· 2Т885А 1BU598, BUV74 I 2Т885Б BUZ98A 2Т886А 1 25С3061 2Т9127Г 1- 2Т9127Д - 2Т9127Е 2Т9162Б 1 2Т9162В 2Т9162Г 2Т886Б ; 2Т9127Ж 2Т9164А 501540 2Т887А АР1009 2Т9127И 2Т916А 25С1805 2Т887Б 2Т9127К 2Т9175А
Раздел 5. Аналоги транзисторов 581 1 Отечественный Зарубежный аналог транзистор 2Т9175А-4 Отечественный Зарубежный аналог транзистор 2Т947А 2N6047. BDP620 Отечественный Зарубежный аналог 11 транзистор 2Т989В 2Т9175Б 2Т948А MRF2005M 2Т989Г 1 2Т9175Б-4 2Т948Б TRW2020 2Т990А-2 1 2Т9175В i 2Т949А 1 2Т991АС 1BALOI05-50 ! 2Т9175В-4 2Т950А А70-28 2Т993А i 2Т9183А-5 2Т950Б 2Т994А-2 АМ1416-200 2Т9184А 2Т951А РТ9788А 2Т994Б-2 2Т9188А 2Т951Б 2Т994В-2 2Т919А 2N5596, MSC2005 2Т951В 2Т995А-2 ML500 2Т919А-2 - 2Т955А SI0-28 2Т996А-2 BFP95. S-89 2Т919Б 2N5768, MSC2003 2Т919Б-2 1- 2Т919В 2N5483, MSC2001 2Т956А S80-28 2Т957А Sl50-28 2Т958А ВМ40-12 2Т996А-5 FJ9295CC 11 2Т996Б-2 FJ9295CC 1 2Т996Б-5 2Т919В-2 - 2Т960А СМ40-12 2Т998А 2Т920А 2N5589 2Т962А DMI0-28 2ТСЗОЗА-2 MD986 2Т920Б BLWl8 2Т962Б DM20-28 2ТСЗIОЗА MD5000 2Т920В 2N5591 2Т962В DM40-28 2ТСЗIОЗБ MD5000B 2Т921А 2N5707, SI0-12 2Т963А-2 MJ250 2TCЗl 1IA-I - 2Т921А-4 - 2Т922А 2N5641 2Т922Б 2N5642 2Т922В 2N5643 2Т963А-5 - 2Т963Б-2 ML500 2Т964А А70-28 2Т965А SI0-12 2ТС311 IБ-1 - 2TC31 l IB-I - 1 2ТС311 IГ-1 - 2ТС311 IД-1 - 1 2Т925А j СЗ-12 2Т925Б 1С12-12 1 2Т925В i С25-12 2Т966А SЗО-12 2Т967А S70-12 2Т968А 2ТС3136А-1 1- il 2ТС3174АС-2 1 SL362 11 2ТС393А-1 2Т926А 2Nl902 2Т968А-5 - 2ТС393А-9 MD5000 2Т928А 1BSS29, 2N22 l 7 2Т970А C2MI00-28A 2ТС393Б-1 2Т928Б BSX32, 2N2218 2Т971А BMI00-128 2ТС393Б-9 MD5000B 2Т929А 1 B2-8Z, 2N5719 2Т974А BSS44 2ТС398А-1 - 2Т930А 2N6362, СМ75-28 2Т974Б 2N5672 2ТС398А-94 2Т930Б 2N6364 2Т974В 2ТСЗ98Б-1 2Т931А 2N6369, ВМ80-28 2Т974Г 2ТС398Б-94 2Т932А 2N3741 2Т975А АМРАС1214-125 2ТС613А MQ2218 2Т932Б BDl32 2Т975Б PZ 121481504 2ТС61ЗБ MQ2218A !! 2Т93ЗА 1ВС160-2 1 ~ 2Т93ЗБ ВС139 2Т934А СЗ-28, 2N6202, 2SCI021 2Т934Б CI 2-28 , 2N6203 , BLY22 2Т976А PHI 114-50С 2Т977А SD1546 2Т978А 2Т978Б 2ТС622А 1! ! 2ТС622Б МН2906. 2N5146 1 2ТС622Б-1 1 2ТС687АС-2 2Т934В С25-28, 2N6204, BL У92А 2Т979А PZBl6040U. PHI 114 -60 2ТС843А 2Т935А BDU53 2Т980А СМ40-12 2ТС941А-2 2Т935А-5 - 2Т980Б ТН430 ЗПЗ20А-2 NE695 2Т937А-2 MSOl46 2Т981А А50-12 ЗП320Б-2 NEl3783 2Т937А-5 - 2Т982А-2 МЕМ430394 ЗПЗ21А-2 2Т937Б-2 РТВ42003Х 2Т982А-5 - ЗП324А-2 2SKI 23 2Т938А-2 MSCIOOI 2Т98ЗА - ЗП324Б-2 2SKl24 2Т939А 2SCI 262, 2N3866 2Т98ЗБ - ЗПЗ24В-2 АТ8040. CFXIЗ !f 2T939AI 1- 2Т939Б 1К10800 2Т98ЗВ - 2Т984А MSCl075M ЗПЗ25А-2 1GAT-5 ~1 ЗП325А-5 1 I 2Т941А i 2Т942А 1MRF20IO 2Т942А-5 2Т984Б MSCl250M 2Т985АС BAL0204-125 2Т986А 1214Р400 ЗП326А-2 АТ8041, GAT6 1 ЗП326А-5 1 ЗПЗ26Б-2 CFXl4 2Т942Б 2Т986Б DME250 ЗП328А-2 NE46383 2Т942Б-5 2Т986В DME375 ЗП328А-5 2Т944А S80-28 2Т986Г ЗПЗЗОА-2 JS8830AS 2Т945А BDY90, 2SC5 l 9A 2Т987А BAL0710-75 ЗПЗЗОА-5 2Т945А-5 - 2Т988А MRA0610-18 ЗПЗЗОБ-2 NE673 2Т945Б 2SC408 2Т988Б ЗПЗЗОВl-2 JS830AS 2Т945В - 2Т989А MRAl417-25 ЗПЗЗОВ-2 CFXl4 J, 2Т946А 1 МSСIЗЗО, 012-28 2Т989Б ЗПЗЗОВ2-2 1 FRHOIFH
582 Раздел 5. Аналоги транзисторов Отечественный J Зарубежный аналог транзистор 1 Отечественный 1 Зарубежный аналог транзистор о - ! течественныи 1 Зарубежный аналог транзистор , ЗПЗЗОВЗ-2 FRHOIFH ЗП605А-5 АПЗ44АЗ-2 FHCЗOLC/FA ЗПЗЗIА-2 CFYl2, VSF9330 ЗП606А-2 MGF2116 АПЗ44А4-2 ЗПЗЗIА-5 ЗП606Б-2 MGF2324-0I АПЗ54А-5 MCFl402 ЗПЗЗ9А-2 NE388-06 ЗП606Б-5 АП354Б-5 FSCIOFA ЗПЗ4ЗАl-2 CFY25-17 , 2SК1616 ЗП606В-2 АПЗ54В-5 MCFl305 ЗПЗ4ЗА-2 CFY25-20 ЗП606В-5 АПЗ55А-5 ALFЗOOO 1 ЗПЗ4ЗА2-2 \ MGF4310 ЗПЗ4ЗАЗ-2 1 MGF4415 ЗП607А-2 FLXI02MH-12 ЗП608А-2 JS8864AS АП355Б-5 58870 АП355В-5 NE13783 1 ЗПЗ44Аl-2 NE76184A ЗП608А-5 - АП356А-5 АТ10650-1 1 ЗПЗ44А-2 NE72089A ЗПЗ44А2-2 FSC 1О. АTFO 135 ЗПЗ44АЗ-2 i ЗПЗ44А4-2 ЗП608Б-2 - 1 ЗП608В-2 - ЗП608Г-2 i- ЗП608Д-5 - АПЗ56Б-5 1- АПЗ56В-5 NE75083 1 АП357А-5 1 1- АП357Б-5 - ЗПЗ45А-2 CFYIЗ ЗП608Е-5 - АП357В-5 MGF4511D ЗПЗ45А-5 ЗП910А-2 FLCl5 АП358А-5 - ЗПЗ45Б-2 ЗП910А-5 - АП358Б-5 - ЗПЗ48А-2 ЗП910Б-2 - АП358В-5 NE045 ЗП349А-2 АТ8110 ЗП910Б-5 - АП362А-9 1- I ЗП351Аl-2 1 1 ЗП915А-2 1 FLC253, FLМ7177-5 АП362Б-9 1- 1 ЗП351А-2 1 ! ЗП915Б-2 МА4FЗОО-500 АП379А-9 CF739 ' ЗПЗ51А-5 1 1 ЗП925А-2 MSM3742-5 АП379Б-9 ISGM2004M ЗПЗ5ЗА-5 1NE045 1 ЗП925А-5 МР4450-З 1 АП381А-5 1CFYl8-12 ! 1 ЗП372А-2 ; ЗП925Б-2 IM44506 АП602А-2 J DXL3501 ЗПЗ7ЗА-2 ЗП925В-2 ЕЗ742-ЗА АП602Б-2 1 NEZ1112 ЗПЗ7ЗБ-2 ЗП927А-2 MSC1827 АП602В-2 CFXЗll ЗП373В-2 ЗП927Б-2 MSM1718-05 АП602Г-2 МТС-Т1250 ЗПЗ76А-5 ЗП927В-2 PRC9030 АП602Д-2 ЗПЗ84А-5 ЗП927Г-2 - АПбОЗА-1-2 ЗПЗ85А-2 ЗП927Д-2 - АПбОЗА-2 MGF-X35M -OI ЗПЗ85А-5 ЗП929А-2 MSM7785-10 АПбОЗА-5 ЗПЗ85Б-2 i ЗП9ЗОА-2 FLM5964-8C АПбОЗБ-I-2 , ЗПЗ85Б-5 : ЗП9ЗОБ-2 MSM5694-10 АПбОЗБ-2 ЗПЗ85В-2 1 ЗП9ЗОВ-2 - АПбОЗБ-5 1 ЗПЗ85В-5 ' 1ЗП602А-2 1 DXL3501 АПЗ20А-2 NE695 АПЗ20Б-2 NE13783 АП604Аl-2 АП604А-2 \ DXL3610A :, ЗП602Б-2 'N EZlll2 АПЗ24А-2 2SК123 АП604Б1-2 ЗП602Б-5 АПЗ24Б-2 2SК124 АП604Б-2 ЗП602В-2 CFXЗI АПЗ24Б-5 - АП604Вl-2 ЗП602Г-2 МТС-Т1250 АПЗ24В-2 АТ8040, CFXIЗ АП604В-2 ЗП602Д-2 АПЗ25А-2 GAT-5 АП604Гl-2 ЗП602д-5 АПЗ26А-2 АТ8041, САТб АП604Г-2 i ЗПбОЗАl-2 1 1 АПЗ26Б-2 CFXl4 АП605А1-2 NE90089A i 1ЗПбОЗА-2 1 MGF-X35M-01 АПЗ28А-2 NE46383 АП605А-2 DXL2608A ЗПбОЗБl-2 i АПЗЗОА-2 JS8830AS АП605А2-2 АТ8250 ЗПбОЗБ-2 ! АПЗЗОБ-2 NE673 АП606А-2 MGF2I 16 ЗПбОЗБ-5 1 АПЗЗОВI-2 JS830 АП606А-5 ЗП604Аl-2 АПЗЗОВ-2 CFXI4 АП606Б-2 MGF2324-0I ЗП604А-2 DXL3610A АПЗЗОВ2-2 FRHOIFH АП606Б-5 ЗП604А-5 АПЗЗОВЗ-2 FRHOIFH АП606В-2 ЗП604Бl-2 АПЗЗIА-2 CFYl2, VSF9330 АП606В-5 ЗП604Б-2 АПЗЗIА-5 - АП607А-2 FLXI02MH-12 ЗП604Б-5 АПЗ39А-2 NE388-06 АП608А-2 JS8864AS ЗП604Вl-2 АП34ЗАl-2 CFY25-l 7, 2SKl616 АП608А-5 ' ' 1 ЗП604В-2 АП343А-2 CFY25-20 АП608Б-2 i ' ЗП604В-5 ! ' ЗП604Гl-2 АП343А2-2 MGF4310 АП343АЗ-2 MGF4415 АП608В-2 ! ~ АП6080-5 ЗП604Г-2 : АП344Аl-2 NE76184A АП608П-5 ЗП604Г-5 ' АП344А-2 NE72089A АП915А-2 1 FLM7177-5 0 ЗП605А-2 i DXL2608A АП344А2-2 FSCIO, ATF0135 АП915Б-2 i
Раздел 5. Аналоги транзисторов 583 Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор АП925А·2 ГГ309Д 2SA268 ГГ346Б AFl39. AF240 АП925Б·2 ГГ309Е 2SA69 ГГ346В AF239S АП925В-2 i ПЗIОА 2SA260 ГГ362А ПХМIОЗ АП930А·2 1 ГГЗIОБ 2N503 ГГ362Б ПХМIОЗ АП930Б·2 1 ГГЗIОВ AFYIЗ ГГ376А 2N700A. 2N2360 АП930В-2 1 ГГЗIОГ 2SAll6 П383А-2 2N5043 АП9б7А-2 ГГЗIОД 2Nl28 ГГ383Б-2 TIXMI05 АП967Б-2 ПЗIОЕ 2SAI05 ГГ383В-2 АП967В-2 ГГЗllА 2N2699 П402А АС152 АП967Г-2 ГГЗllБ 2N2699 П402Б АС132 АП9670-2 ГГЗl IВ 2N2482 П402В АС124 АП967П-2 ГГЗl IГ 2Nl585 П402Г ACI 17 АП967Т-2 ГГЗl IД 2N2482 П402Д АС152 ГГ108А 2NIЗOA ПЗllЕ 2N2699 П402Е АС132. АС188 ГГIО8Б 2Nl352 ПЗllЖ 2Nl585 ГГ402Ж АС124 ГГIО8В 2N220 ПЗllИ 2N797 П402И ACI 17. АС138 ГГIО8Г 2Nl471 ПЗIЗА AFYll П403А ADl52 ГГIО9А ОС57 ПЗIЗБ 2NI 742 П403Б ADl52, ADl64 ГГIО9Б ОС58, 2N77 ПЗIЗВ 2N741 П403В ASY77 ГГIО9В ОС59 П320А 2N3883 ГГ403Г ADP466, ASY77 ГГIО9Г 2SB90 П320Б 2N711A П403Д ASY80 ГГIО9Д 2SA53 П320В 2N705 ГГ403Е ADl55, ADl69 ГГIО9Е 2Nl39, 2SA49 П321А 2SA479 ГГ403Ж 5NU72 ГГIО9Ж 2SB90 П321Б 2SA312 ГГ40ЗИ АС124 ГГIО9И 2SA49 ГГ321В 2SA78 П403Ю ASY80 ГГ115А 1 FCI07, 2NI07 П321Г 2Nl384 ГГ404А АС176 ГГ115Б l 2N506 П321Д 2SA312 ГГ404Б АС127, АС141В ГГ115В [ 2N535A П321Е 2Nl384 ГГ404В GD607 ~ ГГI 15Г 1 АС122 П322А AFl24 ГГ404Г АС181 ГГ115Д l 2SB262 ГГ322Б AF275 ГГ404Д АС141В ГГ122А 1 2N438 ГГЗ22В AF271 ГГ404Е 2SDl27 - ГГ122Б 2N233A ГГ322Г 2SA338 ГГ404Ж 2SDl28A ГГ122В 2Nl366 ГГ322Д 2SA321 П404И 2SDl28 ГГ122Г 2Nl366 ГГ322Е 2SA322 П405А АС152 ГГ124А 2SAl95 ГГ323А П405Б АС132 ГГ124Б 2SA40 П323Б ГГ405В АС124 ГГ124В 2SA277 ГГ323В П405Г ACI 17 ГГ124Г 1 2SB55 ГГ328А AFI09R, AF200 П406А ADl64 ГГ125А 2SA21 I ГГ328Б AFI06, AFYl2 ГГ612А·4 1 ГГ125Б l 2SAl73 ГГ328В AFI06A П701А AD314, AD542 ГГ125В 2SA391 П329А 2N5044 П703А ADl48 ГГ125Г 2SA396 ГГ329Б 2N5043 ГГ70ЗБ 2NU73 ГГ125Д 2SA205 П329В - ГГ703В ADl48, ADY27 П125Е 2SA204 П329Г - ГГ703Г ADl50, ADl62 П125Ж 2SA206 ПЗЗОД - ГГ703Д 4NU73 П125И 2SBl5 ггззож AF279, 2NN5044 ГГ705А 2Nl292 ГГ125К 2SB55 пззои AF280 ГГ705Б 2N4077 П125Л 2SBl5 П335А - ГГ705В 2N326 П305А 2N499A ГГ335Б - П705Г 2Nl218 П305Б AFY39 П335В - П705Д ADl61 П305В 2Nl292 ГГ335Г - П804А 1 П308А 2N797 ГГ335Д - П804Б П308Б 2N796 ГГ338А ASZ23 ГГ804В П308В 2N2048 П338Б ГГ806А ALI02, AUY35 П308Г - П338В ГГ806Б ALIOЗ, AUI08 ГГ309А 2SA272 П341А TIXMIOI ГГ806В ALIOO. AUY38 ГГ309Б AFl78 П341Б TIX3024 ГГ806Г AUY35 П309В 2SA272 П341В TIXMI04, 2N2999 П8060 AUllO ГГ309Г 2SA266 П346А AF239, AF253 П810А AUI04, AUI 13
584 Раздел 5. Аналоги транзисторов 1! Отечественный 1 Зарубежный аналог :1 транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный 1 ' транзистор 1 Зарубежный аналоr !1 1 ГГ905А AUYlO КПЗОlГ КПЗ2ЗА-2 1 2N4416, SDЗOl ГГ905Б 2N2148 КПЗ02А UC714, 2N3791 КПЗ2ЗБ-2 SDЗOO. 2SK316 1 ГГ906А КПЗО2АМ 2N3771 КПЗ27А BF960, BF980 ГГ906АМ КПЗ02Б 2N5397 КПЗ27Б BF961 ГГС609А КПЗО2БМ 2N3824 КПЗ27В BF964 ГГС609Б КПЗО2В MFE2098 КПЗ27Г BF966 ГГС609В КПЗО2ВМ 2N3972 КПЗ29А 2N5104 Кl29HТl(Al-Иl) - КПЗО2Г NF500, 2N4093 КПЗ29Б 2NЗ821 К129НТIА-1 КПЗО2ГМ 2N3971, 2N4393 КПЗЗЗА 2N4393 ' 1 К129НТ1 Б-1 КПЗОЗА 2N3823 КПЗЗЗБ 1- ~ К129НТ1 В-1 КПЗОЗА9 КПЗ40 RFKl2N40, IRF340 1К129НТIГ-1 1 КПЗОЗБ 2N5556 КПЗ41А 2SK316 К129НТIД-1 КПЗОЗБ9 КПЗ41Б 2SK508 К129НТIЕ-1 кпзозв КПЗ46А-9 BF996 К129НТIЖ-1 КПЗОЗВ9 КПЗ46Б-9 BF991 К129НТIИ-1 кпзозг КПЗ46В-9 - КIНТ251 LDA405 КПЗОЗГ9 КПЗ47А-2 BF966 КIНТ661А 2SC1515K КПЗОЗД 2N3823 КПЗ50 1RF350 КЕ702А КПЗОЗД9 КПЗ50А ЗN140 КЕ702Б КПЗОЗЕ МFЕЗООб КПЗ50Б BF905 КЕ702В КПЗОЗЕ9 КПЗ50В BF960 КЕ707А IRG4BCЗOS кпзозж 2NЗ821 КПЗ61А i- 1 1 КЕ707А2 1 КПЗОЗЖ9 КПЗ64А 1- i КЕ707Б 1 IRG4BCЗOU кпзози 2N3822 КПЗ64Б - КЕ707Б2 1 КПЗОЗИ9 КПЗ64В - КПIОIГ КПЗО4А 2N4268, JI75 КПЗ64Г - КПIОlД 1 КПЗ05Д МFЕЗ004, 2N4223 КПЗ64Д - KПIOlE КПЗО5Е 2N4224 КПЗ64Е - КПlОЗЕ 2NЗЗ29 КПЗ05Ж MFE3004, 2N4223 КПЗ64Ж - КП10ЗЕ9 КПЗО5И 2N4224 КПЗ64И - КПIОЗЕРl КПЗ06А MFE3107 КПЗ65А BF410C. BF410C 1 КПIОЗЖ 1 КПIОЗЖ9 КПIОЗЖРI i КПЗОбБ ТА7262 КПЗОбВ MFE121 КПЗ07А 2N5394 КПЗ65Б 1 BF245C КПЗ82А BF960 КПЗВЗА-9 BF989S i КПIОЗИ 1 КПЗО7Аl - КП401АС ' 1 1- 1 i КПIОЗИ9 1 КПЗО7Б 2N4223, 2N4220 КП401БС - КПIОЗИРl КПЗО7Бl - КП402А BSS92 КПIОЗК КПЗ07В 2N4224 КП40ЗА BSS89 КПIОЗК9 КПЗО7Г MFE2001, 2N4216 КП440 RFКION50, 1RF440 КПIОЗКРl КПЗО7Гl - КП450 2N6770. IRF450 КПIОЗЛ КПЗ07Д MFE2002 КП501А ZVN2120 КПIОЗЛ9 КПЗО7Е - КП501Б ZVN2120 КПIОЗЛРl КПЗО7Еl - КП501В - КПIОЗМ КПЗ07Ж - КП502А BSS124 КПIОЗМ9 1 КПIОЗМРI 2N4360 КПЗО7Жl - КПЗОВА-1 MMBF54592 КП50ЗА , BSS129 ~ КП504А i BSS88 1 КП150 1 RFK35NIO. IRF150 КПЗОВБ-1 1- КП504Б 1- ~ 1 КП201Е-1 ! КПЗОВВ-1 - КП504В :- КП201Ж-1 КПЗОВГ-1 - КП505А BSS295 КП201И-1 1 КПЗОВД-1 - КП505Б 1 КП201К-i КПЗlОА ЗN225, SD200 КП505В КП201Л-1 КПЗlОБ SD201 КП505Г КП202Д-1 КПЗ12А SFE264 КП507А BSS315 КП202Е-1 КПЗ12Б - КП508А BSS92 КП214А-9 2N7200LТI КПЗlЗА - КП509А-9 BSSIЗl КП240 IRF240, RFK25N20 КПЗIЗБ - КП509Б-9 i- КП250 IRF250, 2N6766 КПЗlЗВ - КП509В-9 - I КПЗОlБ 2N4038 КПЗ14А SDЗOO КП510 RFP12NIO,IRF510 КПЗОlВ 1 КПЗ22А ЗSК68 КП510А9 IRLМL2402
Раздел 5. Аналоги транзисторов 585 Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор КП511А TN0535 КП7132А91 HUF7507 КП727Д 2SК1087 КП511Б TN0540 КП7132Б - КП727Е 2SK700 КП520 IRF520 КП7132Бl - КП727Ж SGSP201 1КП52ЗА BSS297A КП7132Б9 - КП728А BUZ307 КП52ЗБ - КП7132Б91 - КП728ГI - КП52ЗВ КП713ЗА IRF640 КП728Г2 - КП52ЗГ КП71ЗЗА9 IRF640S КП728ЕI - КП530 RFPIBNIO, IRF530 КП7134А IRF630 КП728Е2 - КП540 IRF540 КП7135А IRF620 КП728СI - КП601А СР643 КП7136А IRF740 КП728С2 - КП601Б СР651 КП7137А IRF840 КП730 IRF730 КП610 RFP8N20, IRF610 КП7138А IRFRIN60 КП7ЗОА IRGPH50F КП620 IRF620 КП7138А9 - КП731 IRGBC40M КП630 IRF630 КП7138А91 IRFRIN60A КП731А IRF7IO 1, КП640 IRF640 КП7150А IRFZ44E КП731Б IRF711 1 КП704А 1BUZ32 КП7150А2 - КП731В IRF712 i КП704Б BUZЗI КП7150А9 IRFZ44ES КП7ЗЗА IRF710 КП705А BUZ53A КП717А 2N6769 КП7ЗЗБ RFP4N40 КП705Б IXTM4N95 КП717А1 IRFP453 КП7ЗЗВ-1 - КП705В - КП717Б IRF350, 2N6768 КП7ЗЗГ IRFBC20 КП706А МТМ15 КП717БI BUZ323 КП73ЗД - КП706Б IRF841 КП717В 2N6767, IRF353 КП734А NDP506A КП706В BUZ385 КП717ВI IRFP353 КП734А-1 NDP506AL КП707А 2SK298 КП717Г IRF352 КП734Б NDP506B КП707АI IRF730, BUZ60 КП717ГI IRFP352 КП734Б-1 NDP506BL КП707А2 - КП717Д RFKl2N35, IRF341 КП734В NDP601 КП707Б - КП717ДI IRFP341 КП735А NDP606A ' КП707БI BUZ90 КП717Е RFKl2N40, IRF340 КП735Б NDP606B КП707В - КП717ЕI IRFP340 КП735В NDP605A КП707ВI IRFBEЗO КП718А BUZ45 КП735Г NDP605B КП707В2 IRFBE32 КП718А1 вuzззо КП737А IRF630 КП707Г - КП718Б SGSP57 КП737Б IRF634 КП707ГI - КП718Бl SGAP57 КП737В IRF635 КП707Д - КП718В BUZ45A КП737Г IRL630 КП707ДI IRF830 КП718В1 BUZ354 КП739А IRFZl4 КП707Е КП718Г RFКION45, IRF441 КП739Б IRFZIO КП707ЕI - КП718ГI IRFP441 КП739В IRFZ15 КП708А - КП718Д IRF452 КП740 IRF740 КП708Б - КП718ДI IRFP452 КП740А IRFZ24 КП709А - КП718Е IRF453 КП740Б IRFZ20 КП709Б BUZ90A КП718Еl IRFP453 КП740В IRFZ25 КП709В BUZ90 КП720 IRF720 КП741А IRF48 КП709Г - КП722А BUZ36 КП741Б IRF46 КП709Д - КП72ЗА IRFZ44 КП742А STН75N06 КП710 IRF710 КП72ЗБ IRFZ45 КП742Б STH80N05 КП7128 IRF5210 КП72ЗВ IRLZ34, IRFZ40 КП743А IRF5IO, RFPl2NIO КП7129А SSUIN60 КП72ЗГ IRLZ44, IRF42 КП74ЗАI - КП712А IRF9130 КП724А MTP6N60 КП743Б IRF511, RFPl2N08 КП712Б КП724Б IRF842 КП74ЗВ IRF512 КП712В КП725А IRF450 КП744А IRF520 1 КП7130А IRFBC40 КП726А BUZ90A КП744Б IRF521 КП7130А2 - КП726Аl BUZ90A КП744В IRF522 КП7130А9 IRFBC40S КП726Б BUZ90 КП744Г IRL520 КП71ЗОБ 1- КП726БI BUZ90 КП745А IRF530, RFPIBNIO КП71ЗОВ - КП727Е 2SK700 КП745Б IRF53 1, RFP l 8N08 КП7131А-9 IRF7101 КП727А BUZ71, IRF720 КП745В IRF532 КП7132А HUF7507P3 КП727Б MTPЗNOBL КП745Г IRL530 КП7132АI - КП727В MTPЗNOBL КП746А IRF540N КП7132А9 HUF7507 КП727Г 2SК1057 КП746АI - 38зак9
586 Раздел 5. Аналоги транзисторов il Отечественный 1 Зарубежный аналог 11 транзистор 1 \ КП746Б ! IRF54 I . RFP25N06 Отечественный Зарубежный аналог транзистор КП780В IRF822 Отечественный 1 Зарубежный аналог транзистор 1 КП814Р 11 КП746БI 1- КП781А IRFP350 КП814С 1 КП746В 1 IRF542 КП783А IRF3205 КП814Т 1 КП746ВI '- КП784А IRF9Z34 КП814У i КП746Г IRL540 КП785А IRF9540 КП814Ф КП746ГI - КП786А BUZ80A КП817А 1 КП747А IRFP150, 2N6764 КП787А BUZ91A КП817Б КП748А IRFбlO. RFP8N20 КП789А BUZlllS КП817В IRF9Z34 КП748Б IRFбll, RFPIONl5 КП748В 1 IRF612 1КП749А ! IRF620 КП796А IRF9634 КП801А BF960, 2SK60 КП801Б 2SK76A КП820 IRF820 1 КП830 : IRF830 ~ КП840 IRF840 .1 ' КП749Б 1IRF62I,RFP8N18 i КП749В i IRF622 КП801В 2SК134 КП801Г 2SК133 1 ~ КП901Б VN89AD :i 1 КП901А VMPI 1 КП750А 1 IRF640 КП802А 2SK215, IRF420 КП902А 1 VMP4 КП750АI l IRF640 КП802Б 1 IRF420 КП902Б 1 2NL234B i КП750Б 1 IRF641, RFP15Nl5 КП803А BUZ54A КП902В DVl202S КП750БI 1 IRF641 КП804А IRFDlll КП903А СР651 КП750В IRF642 КП805А YTF832 КП903Б i КП750ВI IRF642 КП805Б IRFBC40 КП903В 1 КП750Г IRL640 КП751АI IRF720 КП805В КП809А IRF340 КП904А 8850-35 1 КП904Б MRFl48 КП751БI IRF721 КП809АI КП905А 1 2N4092 !1 КП751ВI IRF722, RFP4N40 КП809Б BUZ45 КП905Б 1 КП752А IRF730. RFP7N40 КП809Б1 КП905В i ! КП752Б l 1RF731, RFP7N35 1 КП752В i IRF732 КП753А 1 IRF830, RFP6N50 КП809В BUZ94 КП809ВI 1 КП809Г 1 1 КП907А i ~~ КП907Б " КП907В 1 ~ КП753Б 1 IRF83 I. RFP6N45 КП809ГI КП908А 1 ЗN169, IVN5200 КП753В IRF832 КП809Д BUZ220 КП908Б 1 ~ КП759А IRF820, RFPЗN50 КП809ДI КП921А КП759Б IRF82 I, RFPЗN45 КП809Е КП921Б КП759В IRF822 КП809Е1 КП922А ! IRFl32 КП759Г IRF823 КП809К КП922АI ; КП760А 1 IRF830 КП810А STHI08100 КП922Б ~ КП760Б l 1RF831 КП810Б КП922БI : ! КП760В l IRF832 КП810В STHI08NIOO КП922В i КП760Г 1 IRF833 КП812АI IRFZ44 КП922ВI 1 КП761А IRF840 КП812БI IRFZ45 КП922ГI КП761Б IRF841 КП812ВI IRFZ34 КП923А 1 F2001. UMIL40FТ КП761В IRF842 КП813А BUZ36 КП923Б F2002. F2013/H КП761Г IRF843 КП813АI BUZ350 КП923В F2003, FI053 КП771А КП813Аl-5 - КП923Г F2004 КП771Б STP40NIO КП813Б КП928А FI027 КП771В - КП813Б1 КП928Б UF28120 КП775А 2SK2498A КП813Бl-5 - КП931А КП775Б 2SK2498B КП813Г КП931Б КП775В - КП814А КП931В КП776А IRF740 КП814Б КП932А КП776Б 1 IRF741 КП814В КП934А КП776В IRF742 КП814Г КП934АI КП776Г IRF744 КП814Д КП934Б КП777А IRF840 КП814Е КП934БI КП777Б IRF841 КП814Ж КП934В КП777В IRF842 КП814И КП934ВI КП778А IRFP250 КП814К КП936А - КП779А ffiFP450 КП814Л КП936А-5 - КП780А IRF820 КП814М КП936Б ,_ 1 КП780АСI IRFU420 КП814Н КП936Б-5 - КП780Б IRF821 КП814П КП936В ,_
Раздел 5. Аналоги транзисторов 587 Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор КП9368-5 - КП961Е КТ127Б-1 КП936Г - КП962А КТ1278-1 КП936Г-5 - КП962А-5 - КТ127Г-1 КП936Д 2SК1917М КП963А - КТ132А 2N2646 КП936Д-5 - КП963А-5 - КТ132Б 2N2647 КП936Е l IRFY340M КП964А - КТIЗЗА 1 2N4870 КП936Е-5 1- КП964Б КТIЗЗБ 2N4871 КП937А 2SК1409 I КП937А-5 1 КП9648 КП964Г КТ201А 2N2432 КТ201АМ 2N3565 КП938А КП965А КТ201Б 2N2432A КП938Б КП965Б КТ201БМ MPS9601 КП9388 КП9658 КТ2018 2Nl590 КП938Г КП965Г КТ2018М MPS9600 КП938Д КП9650 КТ201Г 2N2617 КП944А !RF9020 КП971А КТ201ГМ 2N2932 КП944Б КП971Б КТ201Д 2N2617 КП945А IRFR020 КП973А КТ201ДМ 2N2933 КП945Б 1 КП973Б КТ202А-1 КП946А 1- КПС104А КТ202Б-1 КП946Б i- КПС104Б КТ2028-1 КП948А 1 КПС1048 КТ202Г-1 КП948Б КПС104Г КТ202Д-1 КП9488 КПС104Д КТ203А ОС203 КП948Г КПС104Е КТ203АМ КП951А-2 Fl201 КПС202А-2 КТ203Б 2N923 КП951Б-2 КПС202Б-2 КТ203БМ КП9518-2 КПС2028-2 КТ2038 2N2277 КП953А STHl20N50 КПС202Г-2 КТ2038М КП953Б - КПС203А-1 КТ206А КП9538 1MG258Z50 КПС203Б-1 КТ206Б I КП953Г 1- КПС2038-1 КТ207А 1КП953д КПС203Г-1 КТ207Б 1 КП954А КПСЗ!5А КТ2078 КП954Б КПС315Б КТ208А 2N2332 КП9548 КПСЗ!бД-1 КТ208Б 2N2333 КП954Г КПСЗ!бЕ-1 КТ2088 8СУ91 КП954Д КПСЗ!бЖ-1 КТ208Г 8СУЗЗ, 2N2334 КП955А STНl20N50 КПСЗ!бИ-1 КТ208Д 8СУ12, 2N2335 КП955Б MG258Z50 КТ104А 2NI028 КТ208Е 8СУ!О, 8СУ90 КП956А КТ104Б 8SZIO КТ208Ж 2N923 КП956Б КТ1048 ОС202 КТ208И 8СУ92 ' КП957А КТ104Г ОС200, 2Nl219 КТ208К ВСУ93 КП957Б 1 КТ117А 8RY56 КТ208Л BCYll КП9578 КТ117Б 2N2647 КТ208М ВСУЗI КП958А КТ! 178 2N4893 КТ209А MPS404 КП958Б КТ117Г MU4894 КТ209Б MPS404 КП9588 KTllBA 3NI05, ЗN74 КТ2098 MPS404 КП958Г КТ! IВБ ЗN!Об КТ20982 MPS404 КП959А КТ! 188 ЗN107 КТ209Г MPS404 КП959Б КТ! 19А 2Nl671 КТ209Д MPS404 КП9598 КТ! 19Б 2N4891 КТ209Е MPS404 КП960А КТ120А КТ209Ж MPS404 КП960Б 1 КТ120А-1 КТ209И MPS404 КП9608 КТ120А-5 КТ209К MPS404A КП961А 1 КТ120Б КТ209К9 ММВТ404А КП961Б КТ!208 КТ209Л MPS404A КП9618 КТ1208-1 КТ209М MPS404A КП961Г КТ1208-5 КТ210А КП961Д КТ127А-1 КТ210Б зв·
588 Раздел 5. Аналоги транзисторов Отечественный 1 Зарубежный аналог транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор КТ21ОВ КТЗIО2АМ ВС182А КТ3117А-1 BFX94, NT2222 КТ211А-1 МП35, МП39 КТЗIО2Б BCI07BP, ВС318 КТ3117А9 КТ211Б-1 МП35. МП39 КТЗIО2Б2 КТ3117Б 2N2122, 2N2222 КТ211В-1 МП35, МП39 КТЗIО2БМ ВС182В КТЗl 17Б9 ММВТ2222 КТ214А-1 КТЗIО2БМ КТ3120АМ BF480. К5002 КТ214Б-1 1 КТЗIО2В ВС108АР. 2SCl815 КТ3121А-6 1 FJ203 КТ214В-1 ! КТЗIО2В2 КТ3122А 2NЗОЗЗ 1 КТ214Г-1 1 КТ3102ВМ ВС183В КТ3122Б 2N5236, 2N5270 1КТ214д-1 1 КТ3102Г BCI08CP КТ3123А-2 2N3953 КТ214Е-: КТ3102Г2 КТ3123АМ 2SA967 КТ215А-1 КТ3102ГМ ВСУ57 КТ3123Б-2 2SC2369 КТ215Б-1 КТ3102Д ВС184А, 2N2484 КТ3123БМ КТ215В-1 КТ3102д2 КТ3123В-2 2SC236 КТ215Г-1 КТ3102ДМ ВС452 КТ3123ВМ КТ215Д-1 КТ3102ДМ ВС547А КТ3126А BF506. 2N44 l I КТ215Е-1 КТЗIО2Е BCI09CP, ВС547В КТ3126А-9 2SC2188 КТ216А 1 КТЗIО2Е2 КТ3126Б 53640 КТ216Б ! КТЗIО2ЕМ ВС538, ВС548В КТ3127А BFl82. BFl83 КТ216В : КТ3102ЕМ 2SC923K КТ3128А 1 BF272, BF362. BF363 КТ218А-9 ! КТ214 КТЗIО2Ж 2N4123 КТ3128А-1 1 КТ218Б-9 ! КТ214 КТ3102Ж2 КТ3128А-9 КТ218В-9 1 КТ214 КТ3102ЖМ ВС183А, ВС549С КТ3128Б-1 КТ218Г-9 КТ214 КТЗIО2И ВСУ65 КТ3129А-9 ВС857, BCW89 КТ218Д-9 КТ214 КТ3102И2 КТ3129Б-9 ВС858, BCW69 КТ218Е-9 КТ214 КТЗIО2ИМ 2N4123 КТ3129В-9 ВСХ71, BCF29, BCW29 КТ220А9 KSCl623 КТ3102К ВС452 КТ3129Г-9 ВС858В, ВСFЗО, ВСWЗО КТ220Б9 KSCl623 КТ3102К2 КТ3129Д-9 2SB709 КТ220В9 KSCl623 КТ3102КМ 2N4124, ВС548В КТ312А 2N702 КТ220Г9 KSCl623 КТ3104А - KT312AI КТЗОI 1 КТ3104Б - КТ312Б ВСУ42. 2SCI05 КТЗОIА i КТЗIО4В - 1 КТ312БI 2SСЗЗ КТЗОIБ КТЗ104Г - КТ312В 1 ВСУ43, 2N703 КТЗОIВ : КТЗIО4Д - КТ312ВI 1 КТЗОIГ l 2N1390 КТ3104Е - КТЗIЗОА-9 BCW71, ВСWбОА КТЗОIД 1 2N842 КТЗIОбА-2 BFX59, 2SCl254 КТЗIЗОБ-9 BCF81, BCW72 КТЗОIЕ BCIOI КТЗIОбА-9 - КТЗIЗОВ-9 BCF32. ВСWбОС КТЗОIЖ 2N843 КТ3107А ВС557А, MPS3703 КТЗIЗОГ-9 всwзз КТ302А КТ3107Б ВС308А, ВС212А КТЗIЗОД-9 BCW32 КТЗО2Б КТЗIО7В ВС 178АР, ВСУ72 КТЗIЗОЕ-9 ВСFЗЗ КТЗО2В КТ3107Г ВС308А, ВС558А КТЗIЗОЖ-9 2SD601 КТ302Г 1 КТ3107Д ВСЗО8А. BCI 78ВР КТ3132А-2 FJ201F. 2N6617 1 КТЗОбА 1 BSX66 КТЗIО7Е ВС 179АР, ВС309В КТ3132Б-2 HXTR6102 1КТЗОбАМ ! MPS2713 КТЗIО7Ж ВС309В, ВС179ВР, ВС559 КТ3132В-2 HXTRбlOI КТЗОбБ 1 2SC601 КТ3107И ВС307В, ВС212С КТ3132Г-2 1КТЗОбБМ 1 MPS2713 КТЗIО7К ВС308С, ВС21 ЗС КТ3132Д-2 КТЗОбВ 2SC400 КТ3107Л ВС309С, ВСЗ22С КТ3132Е-2 КТЗОбВМ MPS834 КТ3108А 2N3250 КТ3139А ВСWбОА КТЗОбГ BSX67 КТЗIО8Б 2N3251 КТ3139Б BCW60AR КТЗОбГМ MPS2714 КТЗIО8В 2N3250A КТ3139В BCW60BR КТЗОбД BSX67 КТЗIО9А BF680, 2SA983 КТ3139Г BCW60BL КТЗОбДМ MPS834 КТ3109Б BF979 КТЗIЗА 2N2906, 2SA530 КТ307А-1 КТЗIО9В BF970 КТЗIЗА-1 2N3250, 2SA718 КТ307Б-1 1 КТ3114Б-6 МА2123 КТЗIЗБ 1 2N4123, BCI 78 КТ307В-i i КТ3114В-6 NE73435 КТЗIЗБ-1 ВС317,ВС214 1 КТЗО7Г-1 ! КТ3115А-2 FJ401 КТЗIЗВ-1 ВС318, 2N4126 КТЗIОIА-2 i КТ3115В-2 КТЗIЗГ-1 ВС319 КТЗIОIАМ 2SCl236 КТ3115Г-2 КТ3140А YTS4126 КТ3102А BCI07AP. ВС317 КТ3115Д-2 КТ3140Б YTS4125 КТЗIО2А2 КТ3117А 2N2121, 2N2221 КТ3140В РМВТ3906
Раздел 5. Аналоги транзисторов 589 Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор КТ3140Г ММВТ3906 КТ316В 2N709A КТ3198Е9 2SC3356 ~ ' КТ3140Д ММВТ3906 КТ316ВМ КТ3198Ж BFQ65 КТ3142А 2N2369, 2N5769 КТ316Г 2SC40 КТ3198Ж9 BFQ67 КТ3143А BFRl80W КТ316ГМ 2N4255, KSCl395 КТ3199А9 BFG67 КТ3144А BFP405 КТ316Д 2N2784 КТ3199А91 BFP67 КТ3145А-9 ВСWбОАА КТ316ДМ KSCl730 КТ3199А92 BFG65T КТ3145Б-9 BCWбOBL КТ3170А-9 2SC2295, BF554 КТ319А-1 КТ3145В-9 BCWбOAR КТ3171А-9 2SB970, 2SDI 742 КТЗ19Б-1 КТ3145Г-9 ВСWбОА КТ3172А-9 BCF72. 2N3974 КТ319В-1 КТ3145Д-9 ВСWбОАВ КТ3173А-9 2SB710 КТ3201А9 ММВТ6517 КТ3146А-9 ВСХ71 КТ3176А-9 2SD602 КТ3201Б9 ММВТА42 КТ3146Б-9 BSS69 КТ3179А-9 2SD814 КТ3201В9 BFN24 КТ3146В-9 MMST3906 КТ317А-1 - КТ3201Г9 .i ММВТА43 ' КТ3146Г-9 PBMS3906 КТ317Б-1 - КТ321А BSV64 н ~ КТ3146Д-9 1 РВМТ3906 : КТ314А-2 BCW46 КТ317В-1 1- КТ3180А-9 - КТ321Б 1ММ2260 1 КТ321В i КТ3150Б-2 КТ3184А9 SMBTA05 КТ321Г КТ3151А-9 BCWЗI КТ3184Б9 SMBTA05 КТ321Д КТ3151Б-9 - КТ3186А-9 BFG67, BFG92A КТ321Е КТ3151В-9 - КТ3186Б-9 - КТ324А-1 - КТ3151Г-9 - КТ3186В-9 - КТ324Б-1 - КТ3151Д-9 2SCI009A, ММВТА20 КТ3187А-9 BFR92A КТ324В-1 - КТ3151Е-9 2N2246 КТ3187А-91 BFR92 КТ324Г-1 - КТ3153А-5 - КТ3187Б-91 BFSl7 КТ324Д-1 - КТ3153А-9 ВСWбО, ВСХ70 КТ3187В-91 BFSl7 КТ324Е-1 1- КТ3157А BF423, 2SA 1320 КТ3189А-9 ВС847А КТ325А 2N2615 КТ315А BFP719 КТ3189Б-9 ВС847В КТ325АМ 2SC1188. MPS3563 КТЗ15А-i 1 КТ3189В-9 ВС847С КТ325Б 2SC1215 КТ315Б BFP20, 2N2712 КТ318А-1 - КТ325БМ 2SC612 КТ315Б-1 КТ318Б-1 - КТ325В 2N2616 КТ315В BFP721 КТ318В-1 - КТ325ВМ 2N5770. 2SC1395 КТ315В-1 КТ318Г-1 - КТ326А ВС178 КТ315Г BFP722 КТ318Д-1 - КТ326АМ BFY19 КТ315Г-1 КТ318Е-1 - КТ326Б BFXl2 КТ315Д 2SC641 КТ3191А BFQ51 КТ326БМ BFXl3 КТ315Д-1 КТ3191А-9 ВFТ92 КТ331А-1 КТ315Е 2N3397 КТ3191А91 ВFТ92 КТ331Б-1 КТ315Е-1 КТ3192А-9 BF569 КТ331В-1 1 КТ315Ж l 2N271 I КТ3193А 2SAI090 КТ331Г-1 i ' КТ315Ж-1 КТ3193Б 2N4964 КТ332А-1 КТ315И 2SC634 КТ3193В 2N4058 КТ332Б-1 1 КТ315И-1 КТ3193Г ВС479 КТ332В-1 КТ315Н 2SC633 КТ3193Д 2SA550 КТ332Г-1 КТ315Н-1 КТ3193Е КТ332Д-1 КТ315Р BFP722 КТ3196А-9 ММВТ3906 КТ333А-3 КТ315Р-1 КТ3197А-9 ММВТ3904 КТ333Б-3 КТ3165А BF727, ВР970 КТ3198А BFR90 КТ333В-3 КТ3165А-9 - КТ3198А9 BFR92 КТ333Г-3 КТ3166А 1 2SD602 КТ3198А92 BFG92A КТ333Д-3 КТ3166Б MTSI02 КТ3198Б BFR90A КТ333Е-3 КТ3166В 1- КТ3198Б9 BFR92A КТ336А КТ3166Г - КТ3198В BFR91 КТ336Б КТ3168А-9 2SC2351 КТ3198В9 BFR93 КТ336В КТ3169А-9 BF569 КТ3198Г BFR91A КТЗ36Г КТ3169А91 - КТ3198Г9 BFR93A КТ336Д КТ316А 2NЗOIO КТ3198Г92 BFG93A КТ336Е КТ316АМ 2N4254, NTEI07 КТ3198Д BFR92A КТ337А 2N3304 КТ316Б 2N709 КТ3198Д9 BFSl7A КТ337Б 2N4207 КТ316БМ MPS6541 КТ3198Е 2SC3358 КТ337В 2N3451
590 Раздел 5. Аналоги транзисторов li Отечественный Зарубежный аналог i' транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный [ Зарубежный аналог транзистор , 1 КТ339А 1 8F208 KT361AI 2SA555 КТ370Б-9 1 КТ339АМ 8Fl99 КТ361А-2 2N4126, 2SA610 КТ371А 8FR90 КТ339Б 8F311 КТ361А-З 2N4125 КТ371АМ 8FR90 КТ3398 8Fl73 КТ36\Б 8С2508 КТ372А 2SCl090 КТ339Г 8F197 КТ36\Б-2 8С2508 КТ372Б 8FR34 КТ339Д MPSH37 КТ36\8 8CW58 КТ3728 2N5652 КТ340А 8SX38A, 2N753 КТЗ6\8-2 2N3905 КТ373А 8С147А, 8С\68А КТ340Б 8С218 КТ361Г 8С\57, 2N3905 КТ373Б 8С\478. 8С!678 1 I КТ3408 8FX44, 2N706A КТ36\Г\ 8CW58 1 1 КТ3738 1 8С148С. 8С\68С 11 1! 1 1 КТ340Г 1 8SY38 КТ361Г-2 2N3906 КТ373Г 1 8С157. 8CW47 !I 1 КТ340Д 8SY26 КТ361 Г-3 8SW20 КТ375А 8CW88A, 2N3903 КТ342А 8С107А. 2N929 КТ361Д 8С557 КТ375Б 8SX80, 2N3904 КТ342АМ 8С109С КТ36\ДI 8С\57 КТ379А КТ342Б 2SC4548 КТ36\Д-2 - КТЗ79Б 1 КТ342БМ 8С239С КТ361д-3 - КТ3798 1 КТ3428 8С1078 КТ361Е 2SA566 КТ379Г КТ3428М 8С108С КТ36\Е-2 2SA555 КТ380А КТ342Г 8С2398 КТ342ГМ 2N4124 КТ342ДМ 2N4123 КТ36\Ж 8С\57 КТ361Ж-2 - КТ361И 8С!57 КТ380Б ,[ КТ3808 КТ38\Б ' ' КТ343А 2N3545 КТ343Б 8SWl9 КТ361И-2 - КТ361К 8CW62A КТ38\8 1 il КТ38!Г ' 11 КТ3438 8SY40 КТ361К-2 - КТ38\Д КТ345А 8С513 КТ361Л 2NЗ964 КТ38\Е КТ345Б 8SY81. 2N3249 КТ3458 2SA568 КТЗ61Л-2 - КТЗ6\М 8С157 КТ382А 1 ММТ2857 1 КТ382АМ К2122С8 КТ347А 2N869A КТ361М-2 - КТ382Б 8SW92 ·1 КТ347Б 8SY81 КТ3478 8SY81 КТ36\Н 2SA556 КТ36\Н-2 - КТ382БМ К21 \38 1 КТ384А-2 2N351 I 1 КТ348А-3 КТ348Б-3 КТ3488-3 1 КТ349А i 2N726 КТЗ6\П-2 - КТ363А 2N3546, 2N4260 КТ363АМ 2N5771, 2N4258A КТ363Б 2N426\ КТ384АМ-2 2N35\I 1 КТ385А-2 2N4401 КТ385АМ-2 ! '· ., КТ385БМ-2 : ,, ,, 1 КТЗ49Б 12N727 КТЗ63БМ MPSL08 КТЗ88Б-2 !! ! КТ3498 1 8С158А КТ364А-2 КТ388БМ-2 КТ350А MPS6563 КТ364Б-2 КТ389Б-2 2N5456 КТ351А 8С216 КТ3648-2 КТ391А-2 HP3568L КТ351Б i 8С192 КТ366А 8FS62 КТ391Б-2 КТ352А 8С355А, 2N869 КТ366Б КТ3918-2 1 КТ352Б 8С355 КТ3668 КТ392А-2 8F3\6 КТ354А-2 КТ368А 2N918 КТЗ96А-2 2N3839 КТ354Б-2 КТ368А-5 КТ396А-9 КТ355А 8FX89, 2N5842 КТ368А-9 KSC2757, 8F599 КТ397А-2 2SC784 КТ355АМ 2SCI 954 КТ368АМ 8F597 КТ399А 8SW30. 2N2857 КТ357А 2SC628 КТ368Б 2N917 КТ399АМ 2SC9888, 2SCI 789 ~ КТ357Б l 2SA495G КТ368Б-9 2SC568, 2SC3827 КТ501А SFТ\30 КТ3578 'MPS3639 КТЗ68БМ 2SC3801 КТ501Б SFl25 1 КТ357Г 2SA495 КТ3688М MPS5\79 КТ5018 SFl31 КТ358А 2N3709 КТЗ69А КТ501Г 8СУ908, 2Nl221 КТ358Б 2N3710 КТ369А-1 КТ501д 8СУ38 КТ3588 2N3710 КТ369Б КТ501Е SFТ\24 КТ359А-3 КТ369Б-\ КТ501Ж SFТ\43 КТ359Б-3 КТ3698 КТ501И SFТ\44 КТ3598-3 КТ3698-1 КТ501К 8СУ54 КТ360А-1 КТ369Г КТ501Л 8СУ948 КТ360Б-1 КТ369Г-1 КТ501М 8СУ39, 8СУ958 КТ3608-1 КТ370А-1 КТ502А KSA539R КТ361Е 1 8С557 КТ370А-9 КТ502Б 1 KSA5390 КТ361А 8С520А, 2SA778 КТ370Б-1 КТ5028 KSA5450
Раздел 5. Аналоги транзисторов 591 Отечественный Зарубежный аналоr транзистор Отечественный Зарубежный аналоr транзистор Отечественный Зарубежный аналоr транзистор КТ502Г KSA539Y КТ517В-9 MMBT6427LТI КТ604БМ 2SC1611 КТ502Д KSA545R КТ517Г MPSA25 КТ605А BCIOO КТ502Е BSS68 КТ517Г-1 - КТ605АМ 2SC1056 КТ50ЗА KSC8 l 5, KSD2270 КТ517Г-9 ММВТ6427 КТ605Б Bf471 КТ50ЗБ MPS2712 КТ517Д MPSA26 КТ605БМ Bf471 КТ50ЗВ KSC853R КТ517Д-1 - КТ606А 2N5090 КТ50ЗГ 1KSC853R КТ517Д-9 - КТ606Б 1 RFD401 . КТ50ЗД KSC853R КТ517Е 2SDllll КТ607А-4 - КТ50ЗЕ / BSS38 КТ517Е-1 - КТ607Б-4 - КТ504А 2NЗ439 КТ517Е-9 - КТ608А ВSУЗ4 КТ504Б 2N2727 КТ519А JE9015A КТ608Б 2Nl959 КТ504В 2NЗ440 КТ519Б JE9015B КТ6102А КТ505А 2N5416, MJ4646 КТ519В JE9015C КТбlОЗА КТ505Б BFТI 9А,ВFТ28С КТ520А MPSA42 КТ6104А КТ506А BUX54 КТ520Б MPSA43 КТ6105А КТ506Б UPT315, BUX84 КТ521А MPSA92 КТ6107А КТ509А TRSP5014 КТ521Б MPSA93 КТ6108А КТ511А9 ЕСХ596 КТ52ЗА МРSАбЗ КТ6109А SS9012D КТ511Б9 EXT555SM КТ52ЗА9 ММВТАбЗ КТ6109Б SS9012E КТ511В9 2SAl416R КТ52ЗБ MPSA64 КТ6109В SS9012f КТ511Г9 1ЕСХ591 КТ52ЗБ9 ММВТА64 КТ6109Г SS9012G КТ51 IД9 ЕХТ4515М КТ52ЗВ MPSA75 КТ6109Д SS9012H КТ511Е9 2SA1213 КТ52ЗВ9 - КТбlОА BfWlб, 2N6135 КТ511Ж9 2SA1214 КТ52ЗГ MPSA76 КТбlОБ КТ511И9 ВС869-10 КТ52ЗГ9 - KTбl IOA SS9013D КТ511К9 - КТ52ЗД MPSA77 КТбl IОБ SS9013E КТ512А9 - КТ52ЗД9 - КТбl IОВ SS9013f КТ512Б9 - КТ524А JE8050 КТбl IОГ SS9013G КТ512В9 2SC3647 КТ524А-5 - КТбl IОД SS9013H КТ512Г9 1- КТ525А SS9013 KTбlllA SS9014A КТ512Д9 /- КТ525А-5 JE9013 КТ6111Б SS9014B 1 ' КТ512Е9 / 2SD1624 КТ526А SS9014 КТ6111В SS9014C КТ512Ж9 KSD1621 КТ526А-5 SS9014 КТ6111Г SS9014D КТ512И9 - КТ528А9 FXT56SM КТ6112А SS9015A 1 КТ512К9 - КТ528Б9 2SC4272 КТ6112Б SS9015B КТ51ЗА9 ВSПб КТ528В9 2SC2873, 2SD1624 КТ6112В SS9015C КТ51ЗБ9 ВSТ15 КТ528Г9 - КТ611ЗА SS9018D КТ51ЗВ9 ВSТ15 КТ528Д9 - КТбllЗБ SS9018E КТ51ЗГ9 - КТ529А 2SA891 КТ611ЗВ SS9018f КТ51ЗД9 - КТ5ЗОА PN2219 КТ611ЗГ SS9018G КТ514А9 BST40 КТ538А MJEIЗOOI КТбl IЗД SS9018H КТ514Б9 BSD39 КТбОIА BFY80 КТбllЗЕ SS90181 КТ514В9 ВSТЗ9 КТбОIАМ КТ6114А SS8050B КТ514Г9 - КТ602А Bfl77 КТ6114Б SS8050C КТ514Д9 - КТ602АМ BSS38, 2SD668 КТ6114В SS8050D КТ515А9 ВСХ52 КТ602Б 2Nl566A КТ6114Г 2SC2001M КТ515Б9 ВСХ51 КТ602БМ 2SCl567 КТ6114Д 2SC2001L, 2SD1513L КТ515В9 - КТ602В ммзооо КТ6114Е 2SC2001K, 2SD1513K КТ516А9 ВСХ55 КТ602Г Sfl23C КТ6115А SS8550B КТ516Б9 ВСХ54 КТбОЗА ВSWЗб КТ6115Б SS8550C КТ516В9 - КТбОЗБ 2SC796 КТ6115В SS8550D КТ517А MPSAIЗ КТбОЗВ 2N2237 КТ6115Г 2SA952M КТ517А-1 - КТбОЗГ ВSWЗб КТ6115Д 2SA952L КТ517А-9 ММВТАIЗ, FMMTAIЗ КТбОЗД ВSWЗб КТ6115Е 2SA952K КТ517Б 1MPSA14 КТбОЗЕ ВSWЗб КТ6116А 2N5401 КТ517Б-1 - КТбОЗИ 2SС151Н КТбl lбБ 2N5400 КТ517Б-9 ММВТА14, FMMTA14 КТ604А 2NЗ742 КТ6117А 2N5551 КТ517В 2N6427, GES5308 КТ604АМ BD115 КТ6117Б 2N5550 КТ517В-1 - КТ604Б 2SC261 l КТ611А Bflll
592 Раздел 5. Аналоги транзисторов Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор 1 КТ611АМ l 2SD668A КТ611Б 1 Bfl79B 1 КТ611БМ 1 2SD668 КТбlбА BSX89 КТбlбБ BSYl7, 2N914 КТ617А 2Nl838 КТ640Б·2 2SCl950 h1 КТ640В-2 1- ~ КТ642А-2 1АТ41485 1! КТ611Б Bfl40A КТ618А Bfl79C, MJ420 КТ642А-5 !- КТ611Г Bfll4 КТ620А 2N3671 КТ64ЗА-2 HXTR4 IO. Nf98203 КТ6127А - КТ620Б 2N2904AL КТ644А ВС527-6 КТ6127Б - КТ624А-2 2NЗЗОЗ КТ644Б ВС527·10 КТ6127В - КТ624АМ-2 КТ644В - КТ6127Г - КТ625А КТ644Г - КТ6127Д - КТ625АМ КТ645А MPS6532 КТ6127Е - КТ625АМ-2 КТ645Б ВС547, 2SC367G КТ6127Ж 1- КТ626А ВDIЗб, D41DI КТ646А 12SC495. BD827 J КТ6127И '1- КТ626Б BDl38 ' 1 КТ646Б 12SC496 11 КТ6127К - ! КТ6128А 1 SS9016D КТ626В BDl40 1 КТ626Г 2SAl356 1 КТ646В 1- КТ647А-2 1NE56755 1 КТ6128Б SS9016E КТ626Д 2SAl356 КТ647А-5 ' КТ6128В SS9016f КТ629А-2 2NЗ245 КТ648А-2 HXTR2101 КТ6128Г SS9016G КТ629Б-2 2NЗ467 КТ648А-5 - КТ6128Д SS9016H КТ629БМ-2 КТ653А 2N4271 КТ6128Е SS90161 КТбЗОА 2Nl893, 2N2405 КТ65ЗБ КТ6129А-9 BFPl94 КТбЗОА-5 - КТ657А-2 NE021·60 КТ6129Б-2 КТбЗОБ ВСЗОО, 2N:890 КТ657А-5 - КТбlЗОА-9 BDPl96 КТбЗОБ-5 - КТ657Б·2 LAE4000Q КТ6131А LAE4001RA 1 11 КТ6132А 1 BFQ54T 1 КТ61ЗЗА 1 SS8550B КТбЗОВ 2N2990. 2Nl711 1 КТбЗОВ-5 - КТбЗОГ ВС140, 2Nl889 КТ657Б-5 ,_ 1 3 11,_КТ_б_57_В-2__-+-!-- --- -·-1 КТ657В-5 1- ri 1 КТ61ЗЗБ 1SS8550C КТбЗОГ-5 1- 1 КТ659А i 2NЗ725, 2NЗ737 1 КТ61ЗЗВ 1 SS8550D КТбЗОД BCI 19, 2N697 КТббОА 1ВСЗЗ7, GES2219 КТ6134А 1 SS8050B КТбЗОЕ BFY68 КТббОБ ВСЗЗ8, 2SD467D КТ6134Б SS8050C КТ632Б КТббlА 2N2907A КТ6134В SS8050D КТ632Б-1 MPSLSI КТ662А 2N2905A КТ6135А ZТХ658, MPSA44 КТ632В-1 MPSLSI КТ664А·9 BCXSI, ВСХSЗ КТ6135А9 ВSТЗ9 КТбЗЗА 2N2369 КТ664Б-9 ВСХ52 КТ6135Б MPSA42 КТбЗЗБ 2N2368 КТббSА-9 ВСХ54. ВСХ56 КТ6135Б9 SXTA42 КТ634А-2 КТ665Б-9 1 ВСХ55. 2N 1777 КТ6135В MPSA43 КТ634Б-2 КТ666А·9 1 Bf620 1' КТ6135В9 ВSТ40 КТ635А 2N4960 КТ667А-9 i Bf621 1 КТ6135Г 1- КТ635Б 2NЗ725 1• КТ668А ! 2SAI032 : 1КТ6135Г9 ' КТ6135д 1- КТ637А-2 - КТ637Б-2 - КТ668Б i 2SAIOЗOB КТ668В 1 2SAIOЗO 1 КТ6135Д9 - КТ638А MPSLOI КТ674АС MPQ3906 КТ6136А 2N3906 KT638AI - КТ674АС МРQЗ906 КТ6137А 2N3904 КТ639А BD227 КТ677АС - КТ6138А MPSA92, 2SAI091 КТ639А-1 КТ677АС - КТ6138Б MPSA93, 2SAl544 КТ639Б BD227 КТ678АС - КТ6138В Bf462, 2SAl376 КТ639Б-1 КТ678АС - КТ6138Г 2N5401, PN4888 КТ639В BD840 КТ680А МРSЗ914, MPS2925. ВСЗ68 КТ6138д 2N5400, 2SAIOl6f КТ639В-1 КТ681А ВСЗ69, МРSЗЗ95 КТ6139А MPSA42, BFR89 КТ639Г MPSU55 КТ682А·2 1 HXTR6102. FJ403 il КТ6139Б 1 MPSA43. BFR88 КТ639Г-1 1 КТ682А-5 1- u i КТ6139В 1 2N6515 КТ639Д BD229 КТ682Б-2 АТ41485 1 1 КТ6139Г 1 2N5551. BFR87 КТ639Д·I КТ682Б-5 - КТ6139Д 2N5550. BFR86 КТ639Е MPSU56 КТ68ЗА 2SCI080 КТ6140А SS9018 КТ639Е-1 КТ68ЗБ 2SC2481 КТ6141А9 BFR96T КТ639Ж 2SA743A КТ68ЗВ 2SD414 КТ6141Б9 BFR96TS КТ639Ж-1 КТ68ЗГ 2N6178. BD230 КТ6142А 2SСЗЗ55 КТ639И 2SA715B КТ68ЗД MJE180, 2SD415 КТ6142А9 2SСЗЗ57 КТ639И-1 КТ68ЗЕ 12N6179 КТ6142Б l 2SC2570A КТ640А-2 NE21960 КТ684А i 2N6488
Раздел 5. Аналоги транзисторов 593 Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор КТ6845 2N4291 КТ731Г - КТ810752 BU208 КТ684В 2SAl274 КТ732А MJE4343 КТ8107В BU508A КТ684Г - КТ7ЗЗА MJE4353 КТ8107В2 BU208A КТ685А 2N6015 КТ734А ТIРЗI КТ8107Г BU508 КТ6855 MPS2907K КТ7345 TIPЗIA КТ8107Г2 BU208 КТ685В MPS2907AM КТ734В ТIРЗJВ КТ8107Д SGSF464 КТ685Г MPS2907AL КТ734Г TIPЗJC КТ8107Д2 SGSF564 КТ685д 2N6013 КТ735А ТIРЗ2 КТ8107Е BU508D КТ685Е 1 2NЗ703, 2N5334 КТ7355 ТIРЗ2А КТ8107Е2 BU207A 1 КТ685Ж 2N5356 КТ735В ТIРЗ2В КТ8108А BUX47 КТ686А 2N5373 КТ735Г ТIРЗ2С КТ8108А-1 BUV66A КТ6865 2SAl515 КТ736А TIP41 КТ81085 ВUЗ26 КТ686В 2SA966Y КТ7365 ТIР41А КТ81085-1 BUТJI КТ686Г 2NЗ638, 2S564 КТ736В ТIР41В КТ8108В BU326A КТ686Д 2SAI lбОА, 2SA952L КТ736Г ТIР41С КТ8108В-1 BUV46 КТ686Е 2SAI lбОВ, 2SA952K КТ737А ТIР42 КТ8109А TIPl51 КТ686Ж 2N4889, 2NЗ638А КТ7375 ТIР42А КТ81095 КТ692А 2N4234, 2NЗ717 КТ737В TIP42B КТ81 lOA 2SC4242, 2N6499 КТ693АС TPQ7041 КТ737Г ТIР42С КТ81 IОБ 2SC4106 КТ695А - КТ738А ТIРЗО55 КТ81 JOB BUI09P. 2SC4106L КТ698А 1- КТ739А TIP2955 КТ811 IA9 КТ698Б - КТ740А MJE4343 КТ811159 КТ698В 1- КТ740АJ КТ811 IB9 КТ698Г - КТ801А ВSХбЗ КТ8112А МJЕJЗООЗ КТ698Д - КТ8015 BSX62 КТ81 !ЗА - КТ698Е - КТ802А BDX25, 2N505 I КТ81135 - КТ698Ж - КТ803А BDY23 КТ811ЗВ - КТ698И - КТ805А ВDУбО КТ8114А BU508A КТ698К - КТ805АМ 2SСЗ422 КТ81145 SGSF444 КТ704А 2NЗ585, BUI 43 КТ8055 BD109, BDl23 КТ8114В 1 КТ7045 BDY93 КТ8055М BD719 КТ8114Г 1 КТ704В 12NЗ583 КТ805ВМ BD720 КТ8115А ТIР127 КТ708А - КТ807А MPSU07 КТ81155 ТIР126 КТ708Б - КТ807АМ BD237 КТ8115В ТIР125 КТ708В - КТ8075 MPSU05 КТ81 lбА ТIР122 КТ709А MJHJ 1019 КТ8075М 2N4923 КТ81165 ТIР121 КТ7095 MJHllOl7 КТ808А BLY47 КТ81 lбВ ТIР120 КТ709В - КТ808АJ КТ8117А 2SСЗЗО6 КТ710А 2SD621, 2SD838 КТ808АЗ BDT93, BDT94 КТ81175 2N6931 КТ712А BDX54F КТ808АМ 2SCJ619A КТ8118А 2SСЗ150 КТ7125 BDX54F КТ80851 КТ8120А 2N6928 КТ715А 2SD621, 2SD995 КТ80853 BDT95 КТ8121А 2SGSF344 ' КТ716А ПР! 12, ТIР122 КТ8085М BDY71, 2SCl618 КТ8121А-1 КТ7165 TIPJJJ, ТIР121 КТ716В TIPJIO, ТIР120 KT808BJ КТ808ВМ 2SCl619A КТ8121А-2 BU208A 11 КТ81215 1 2SC4756 КТ716Г SE9300 КТ808ГJ КТ81215-1 КТ719А BD379, MJE290 КТ808ГМ 2N5427 КТ81215-2 BU208 КТ720А BDJ70 КТ809А BD216, BLY49 КТ812ЗА 2N6477 КТ721А BDl72, BD237 КТ8101А MJE4343, BDY96 КТ8124А BU408 КТ722А 2SAI021, BD236 КТ81015 2SAIJ06 КТ81245 КТ72ЗА BD50JB, BD543D КТ8102А MJ2955 КТ8124В КТ724А BD744D, BD802 КТ81025 BD546D, MJE4353 КТ8125А ВD24ЗС КТ728А BDW5JA КТ8104А MJ 11021, ВDХббС КТ81255 ВD24ЗВ КТ729А 2NЗ771, 2SD630 КТ8105А MJI 1020, 2SDl287 КТ8125В ВD24ЗА КТ7295 2NЗ237, 2N3772 КТ8106А BDV66B, MJH6285 KT8126AJ MJEJ3007 КТ7ЗОА 2NЗ240, 2NЗ773 КТ731А 1- КТ81065 2SB883, MJH6286 КТ8107А BU508A, BUV48A КТ812651 МJЕJЗООб 1 КТ8127А BU208A КТ7315 - КТ8107А2 BU208A КТ8127А-1 BU508FJ, 2SDJ577FI КТ731В 1- КТ81075 BU508 КТ81275 BU208
594 Раздел 5. Аналоги транзисторов Отечественный 1 Зарубежный аналог транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный 1 Зарубежный аналог транзистор КТ8127Б-1 вu5ов. 2sсз4во КТ8147А BUX47, BUW26 КТ8175А i МJЕIЗООЗ. BUX79 КТ8127В SGSF444 КТ8147Б BUW24, BUXl5 КТ8175А-1 1 2N6773. 2SC2333 КТ8127В-1 j 2SC3459 КТ8149А MJ2955 КТ8175Б ! 2SC3840 КТ8129А 12501174 КТ8149А-1 ТIР2955 КТ8175Б-1 l 2N6772 КТ812А ВОУ94 КТ8149А-2 MJE2955T КТ8176А ТIРЗIА КТ812Б BUl06 КТ814А ТIРЗО КТ8176Б 1 ТIРЗIВ КТ812В 1 ВОУ25 КТ814Б ВО166, MJE7IO i КТ8176В 1 TIPЗIC 1 КТ81ЗОА 2N6034. BU406 КТ814В В0168, MJE71 I КТ8177А 1 TIP32A КТ81ЗОБ 12N6035. ВО876 КТ814Г ВО170, MJE712 КТ8177Б TIP32B КТ81ЗОВ 2N6036 КТ8150А 2NЗО55 КТ8177В TIP32C КТ8131А 2N6037, ВО875 КТ8150А-1 TIP3055 КТ817А ВО433, ТIРЗI КТ8131Б 2N6038 КТ8150А-2 MJE3055T КТ817Б BOI 75, ВО233 КТ8131В 2N6039 КТ8154А 2SCll41 КТ817Б-2 250880 КТ81ЗЗА КТ8154Б BUX98A, 2SCI 144 КТ817В 1 ВО! 77. ВО235 КТ8133Б КТ8155А BUL47A, ESG99 КТ817Г 80179, ВО237 КТ8134А КТ8155Б BUX98AX, 2SC2147 КТ817Г-2 BOI79-16, 2SCl826 КТ8135А КТ8156А BU807 КТ8181А MJEl3005 КТ8136А МJЕIЗООб КТ8156Б - КТ8181Б MJEl3004 КТ8136А-1 BU4080 КТ8157А BU208A, 250350 КТ8182А MJEl3007 КТ8137А 1 ВО410, BUX86 КТ8157Б 2SC3688, BU208 КТ8182Б МJЕIЗООб КТ8138А 2SC4106, 2SC2335 КТ8158А BOV65 КТ8183А BU2080X КТ8138Б 2SC4242, 2SC3056 КТ8158Б BOV65A КТ8183А-1 S2000FI КТ8138В МJЕ13005б 2SC4542 КТ8158В BOV65B КТ8183А-2 BUH3150 КТ8138Г MJEl3007 КТ8159А BOV64 КТ8183Б SGSF564 КТ8138Д BU406, 2SC3057 КТ8159Б BOV64A КТ8183Б-1 SGSF464 КТ8138Е BU4060 КТ8159В BOV64B КТ8183Б-2 ВUНЗIЗО " КТ8138И MJEl3009. 2N6930 КТ815А ВО 165, TIP29 КТ818А В0292, ВО202 КТ8138Т MJEl3008, 2N6929 КТ815Б ВО167, MJE720 КТ818А-1 ВО546С КТ8140А BU408 КТ815В ВО169, MJE721 КТ818АМ 2N6469, BOW52 КТ8140А-1 BU4080 КТ815Г В0818, MJE722 КТ818Б ВО202, ВОТ92 КТ8141А ВОХ53С КТ8163А 1- КТ818Б-1 В0546В КТ8141Б ВОХ53В КТ8164А MJEl3005 КТ818БМ BOW22, ВОХ92 КТ8141В ВОХ53А КТ8164Б MJEl3004 КТ818В ВО204, ВОТ94 КТ8141Г ВОХ53 КТ8165А - КТ818В-1 ВО546А КТ8143А BUP47, BUV19 КТ8165Б - КТ818ВМ BOW52A. 2N5867 КТ8143Б BUT90 КТ8165В - КТ818Г ВО538, ВОТ96 КТ8143В BUT91 КТ8165Г - КТ818Г-1 В0546 КТ8143Г BUL47A. BUP54 КТ8!66А - КТ818ГМ BOW22C. ВОХ18 КТ8143Д 1 BUP47, 2N6274 КТ8166Б - КТ8196А 1 ;! КТ8143Е BUP47 КТ8!66В - КТ8197А-2 КТ8143Ж BUP53 КТ8166Г - КТ8197Б-2 КТ81433 BUT92 КТ8167А 2N5675 КТ8197В-2 КТ8143И 250372 КТ8167Б 2N6303 КТ8199А 045Н2А КТ8143К BUP46 КТ8167В 2N3719 КТ819А В02921 , TIP4 I КТ8143Л 250373 КТ8167Г 2N5333 КТ819А-1 ВО545С КТ8143М 250374, BUP53 КТ8167Д 2N3720 КТ819АМ BOI81,BOl30 КТ8143Н BUP47 КТ8168А 2N4300 КТ819Б ВО202, ВОТ91 КТ8143П 2S0373 КТ8168Б 2NЗ507 КТ819Б-1 ВО545В КТ814ЗР 250373 КТ8168В 2N3506 КТ819БМ ВО142. BOW2IA КТ8143С 250372 КТ8168Г 2N5320 КТ819В 1 ВО201, ВОТ93 1 КТ8143Т j BUVl8 КТ8143У BUP51 КТ8168Д 2N5321 КТ816А ВО436, ТIР32 КТ819В-1 ВО545А КТ819ВМ В0182, ВОХ91 КТ8143Ф 1 BUP52 КТ816А-2 2SB435U КТ819Г ВО203, ВОТ95 i КТ8144А i MJl3334, BUX98 КТ816Б ВО 176, ВО234 КТ819Г-1 ВО545 КТ8144Б 2SCI 139 КТ816В ВО178, ВО236 КТ819ГМ ВО183. 2N3055 КТ8145А MJEI3009 КТ816Г ВО180, ВО238 КТ8201А MJEIЗOOI КТ8145Б MJEl3009, 2SC4109 КТ8170А-1 МJЕIЗООЗ КТ8203А МJЕIЗООЗ КТ8146А BUX48B, 2N6575 КТ8170Б-1 MJEI3002 КТ8205А MJEl3005 КТ8146Б BUX37 КТ8171А КТ8207А MJEl3007
Раздел 5. Аналоги транзисторов 595 1Отечественный Зарубежный аналог , транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор 1 КТ8209А MJEl3009 КТ8224А BU2508A КТ8250А 1 D44H8 КТ820А-1 1- КТ8224Б BU2508D КТ8250Б 1- КТ820Б-1 - КТ8225А BU941ZP КТ8250Г - КТ820В-1 - КТ8228А BU2525A КТ8250Д - КТ8212А ТIР41С КТ8228Б BU2525D КТ8251А BDV65F КТ8212Б TIP41B КТ8229А ТIP35F КТ8254А КТ8212В TIP41A КТ822А-1 - КТ8255А BU407 КТ821ЗА TIP42C КТ822Б-1 - КТ825Г BDX62A. MJ4031 КТ8213Б TIP42B КТ822В-1 - КТ825Д BDX62, MJ2500 1 КТ8213В , TIP42A 1КТ8214А 1 TIPllO КТ8230А ТIРЗбF КТ8231А BU941Z КТ825Е BDX86 1 КТ8261А BUD44D2 КТ8214Б 1 TIPlll KT8231AI BU941ZP КТ826А 1 BUl32 КТ8214В 1 TIP112 КТ8231А2 BU941ZPF КТ826Б 2SD312 КТ8215А TIPll5 KT8232AI - КТ826В BUl32 КТ8215Б T!Pllб КТ8232Б1 - КТ8270А MJEIЗOOI КТ8215В TIP117 КТ8233А5 TIPl27 КТ8271А BDl63 КТ8216А КSНЗ055, MJDЗI КТ8233Б5 TIPl26 КТ8271Б BDI38 КТ8216АI MJDЗIC КТ8233В5 TIPI25 КТ8271В BDl40 КТ8216Б MJDЗIA КТ8234А5 TIP122 КТ8272А BDl35 КТ8216Б1 KSH30551 КТ8234Б5 TIPl21 КТ8272Б BDl37 КТ8216В MJD3055-I, MJDЗIB КТ8234В5 TIPI20 КТ8272В BDl39 КТ8216Вl MJD3055 КТ8235А МJЕIЗООЗ КТ827А ВDХбЗА, MJ3521 КТ8216Г MJD41C, MJDЗIC КТ823А-1 - КТ827Б BDX65 КТ8216ГI 1 КТ823Б-1 - КТ827В BDX85, MJ3520 КТ8217А !MJD32 КТ823В-1 - КТ828А BU326A КТ8217АI l 2SBl450Q КТ8240А5 КТ828Б 2SD640 КТ8217Б KSH29551, MJD32A КТ8240Б5 КТ828В BUX97B КТ8217Б1 KSH2955 КТ8240В5 КТ828Г 2SD640 КТ8217В MJD32B КТ8240Г5 КТ8290А BUHIOO КТ8217ВI MJD2955 КТ8240Д5 MPSWIЗ КТ829А BD267B, ТIР122 КТ8217Г MJD42C1. MJD32C КТ8240Е5 MPSWl4 КТ829АМ I КТ8217ГI 2SBI452Q КТ8240Ж5 КТ829АП КТ8218А KSHЗll КТ8241А5 MPSW63 КТ829АТ KT8218AI KSHЗI КТ8241Б5 MPSW64 КТ829Б BD267A, BD263, TIPl21 КТ8218Б KSC3074 КТ8241В5 КТ829В ВDЗЗI. ТIР120 1 КТ8218Б1 2SC4668 КТ8241Г5 КТ829Г BD665, BD675 КТ8218В - КТ8241Д5 КТВЗОА 2N5781. 2N4234 КТ8218ВI МJDЗIВТ4 КТ8241Е5 КТВЗОБ 2N4235 КТ8218Г KSH44H111 КТ8241Ж5 ктвзов 2N4236, SML3552 КТ8218ГI 2SD2200Q КТ8242А5 TIPl17 ктвзог 2N4236 КТ8219А 2N6034 КТ8242Б5 TIPllб КТ831А 2N4300 КТ8219А1 KSB907 КТ8242В5 ТIPl 15 КТ831Б КТ8219Б 2SB1214 КТ824ЗА5 TIPl12 КТ831В КТ8219БI 2SBl474A КТ8243Б5 TIPlll КТВЗIГ КТ8219В KSH1171 КТ8243В5 TIPllO КТ834А SDN6002 КТ8219В1 2SB1316A КТ8244А5 BD876 КТ834Б SDN6001 КТ8219Г 1 KSH1271 КТ8244Б5 BD878 КТ834В SDN6000 КТ8219ГI KSHl 17, MJDI 17 КТ8244В5 BD878 КТ835А 2SB906 КТ821А-1 - КТ8244Г5 1 BD880 КТ835Б BD434 КТ821Б-1 1- КТ8245А5 BD875 КТ836А 2N3204 КТ821В-1 - КТ8245Б5 BD877 КТ836Б КТ8220А BD243 КТ8245В5 BD877 КТ836В КТ8220Б КТ8245Г5 BD879 КТ837А BD534, ТIР42С КТ8220В КТ8246А КТ837Б BD536, 2Nб 106 КТ8220Г КТ8246Б КТ837В BD234 КТ8221А BD244 КТ8246В КТ837Г BD225 КТ8221Б КТ8246Г КТ837Д 2SB434. 2N6108 КТ8221В КТ8221Г КТ8247А BUL45D2 КТ8248АI BU2506D КТ837Е 2N6125 1 КТ837Ж 2N6124, 2Nбl32
596 Раздел 5. Аналоги транзисторов Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор КТ837И 2SB435 КТ858А BU408, BU406 КТ908Б BDY92 КТ837К BD944, 2N6110 КТ859А BUX84, 2SD841 КТ909А 2N5177 КТ837Л 2N6126 КТ862Б XGSRI0040 КТ909Б 2N5178 КТ837М BD223 КТ862В КТ909В 2SC2042 КТ837Н 1 BD223 КТ862Г КТ909Г ! 2SC2173 1 1 : КТ837П i 2SB435G 11 КТ837Р 1 2SB434 1 КТ837С 1 BD225 КТ837Т 1 BD948 КТ837У J 2SB435 КТ837Ф 1 BD224 КТ838А BU204 КТ86ЗА BDY92, 2N6669 1 КТ86ЗБ BD245, BD945 1 1 КТ86ЗВ 2SC2516, 2SСЗ568М 1 11 КТ864А 1 2SD536, 2N6216 КТ865А 2SA 1180. 2SA 1073 1 КТ866А КТ866Б КТ9101АС 1 FJ0880-28 КТ9104А MRAOбl0-3 ! КТ9104Б MRAOбl0-18 КТ9105АС BAL0105-100 КТ9106АС-2 - КТ9106БС-2 - КТ9109А MSC1550M КТ838Б BU208 КТ867А BUY21, 2N6341 КТ9111А РТ9790А КТ839А MJ3480, 2SD380 КТ868А BU426A, BUWl lA КТ9115А BF472, BF849 КТ840А 2N6543, ВUЗ26А КТ868Б BU426, BUWl 1 КТ9115Б 2SA794 КТ840Б BU126, 2N6542 КТ872А BU508, MJE13005 КТ9116А TPV394 ~ КТ840В 1 BU326. 2N5805 КТ872Б BU508A 1 КТ9116Б 1 ТРVЗ75 j 1 КТ841А i BDX96, 2N6560 1 КТ841Б ! 2SC2122, 2SC1308 I КТ841Б 1 MJI0002 КТ841Г 1 UРТЗ15_ BDX96 КТ872В BU508D КТ874А BUW39 1 КТ874Б 2N5672 КТ878А BUX98 1 КТ911А 1 2N4976 ~ КТ911Б 1 2N4429 i КТ911В 2N5481 КТ911Г 2SСЗ607 КТ841Д 2SD418, 2SC2139 КТ878Б 2N6516 КТ9120А D45H5, BD706 КТ841Е BUW35 КТ878В 2N6678. BUX25, BUX98 КТ9121А АМ82731-45 КТ842А 2SB506A КТ879А 2N6279, 2N6282 КТ9121Б КТ842Б ТIР519 КТ879Б 2N6278, 2N6281 КТ9121В КТ842В MJ410 КТ885А BUS98, BUV74 КТ9121Г 27АМО5 КТ844А UРТ732 КТ885Б BUV98A КТ9125АС BAL0105-50 КТ845А DТ4305 КТ886А-1 2SСЗО61 КТ9126А ТН430 J ! i КТ846А 1 BU208A КТ886Б-1 BU508A, 2SC3637 КТ9127А MSC81550M i J КТ846Б BU207 ! КТ846В 1 BU208 1 КТ887А КТ887Б АР1009 КТ9127Б •1 КТ9128АС BAL0102-50 ! 11 КТ847А 1 2N6678, 2N6672 1 1 1 КТ847Б 1 КТ888А STP70S КТ888Б STPбOS КТ912А 2N5070, 2N6093 КТ912Б 2N6093 КТ848А 1 BU608. BUX37 1 КТ890А BUV37 КТ91ЗОА 2SC2688N. 2SC4001 КТ848Б КТ890Б BUV37 КТ9131А КТ850А 2SC216B, 2SD610 КТ890В BU9302P КТ9132АС КТ850Б MPSU04 КТ892А Т!Рббl КТ91ЗЗА TPV376 КТ850В 2N6477 КТ892Б BU932Z КТ9134А НЕМЗ508В-20 КТ851А 2SB546A, 2SB630 КТ892В Т1Р662 КТ9134Б SD1543 КТ851Б 2SAI009 КТ89ЗА BU286 КТ9136АС 1 SD1565, UDR500 КТ851В 2SA740. 2SB546 1 КТ852А Т!Рl 17, 2SBl286 1 КТ852Б 1Т!Рl 16, 2SB750A КТ895А9 BU508D КТ896А BDV64B, SGSD200 КТ896Б BDV64, ТIР146 КТ91ЗА MSC2003. BLX92, 1 2N4430 КТ91ЗБ BLX93, 2N4431 КТ852В Т!Рl 15. 2SB973A КТ897А BU931Z КТ91ЗВ NElOlOlE-28 КТ852Г Т!Рl 15 КТ897Б BU941Z КТ9141А LT1839 КТ85ЗА ТIPI 27, BDX54C КТ898А BU931ZP КТ9141А-1 LTl817 КТ85ЗБ Т1Р126, BDX54B КТ898А-1 BU931ZPF1 КТ9142А 2SСЗ218, TRY505 I КТ85ЗВ Т1Р125, BDX34 КТ85ЗГ BDX54A КТ898Б КТ898Б-1 КТ914ЗА LT5839, BFQ253 1 КТ914ЗБ 1 КТ854А 2SC3257. Т1Р50 КТ899А Т1Р132 КТ914ЗВ КТ854Б MJEl3006. 2N5540 1 КТ855А BD566 КТ855Б 1 ВDТ42С 1 il КТ855В 1 BDT45C i КТ856А BUX48A 1 КТ856А-1 2SСЗ450. BU2520A 1 КТ856Б BUX48 1 КТ856Б-i 2N6932, 2SСЗ277 КТ902А BD121 КТ902АМ BDX35 1 КТ903А 2N2947 КТ90ЗБ 2SC517 1 КТ904А 2N3375 КТ904Б 2SC549 1 КТ907А 2N3733 КТ907Б 2N4440 КТ9144А-5 ~ КТ9144А-9 BF623. 2SA1584 КТ9145А-5 1 -------11 t КТ9145А-9 1 BF622 ~ КТ9146А i АМ1416-200 ! КТ9146Б ! КТ9146В ! КТ9147АС i КТ857 А BU409 КТ908А BDY92 КТ914А 2N5161
Раздел 5. Аналоги транзисторов 597 Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный Зарубежный аналог . транзистор Отечественный 1 Зарубежный аналог транзистор , 1 КТ9150А 1 TPV595A КТ9151А 2SC3812 КТ921Б КТ922А 2N5641 1 BDY90. 25С519А КТ945А ,I КТ945Б 1 КТ9152А 2SC3660 КТ922Б 2N5642 КТ945В КТ9153АС КТ922В 2N5643 КТ945Г КТ915ЗБС TPV5051 КТ922Г BLW24 КТ946А 012-28 1 КТ9155А КТ922Д 2N4128 КТ947А 2N6047, BDP620 КТ9155Б 2SC3217 КТ925А СЗ-12 КТ948А MRF2005M КТ9155В 2SСЗ218 КТ925Б С12-12 КТ948Б TRW2020 КТ9156АС 102058 КТ925В С25-12 КТ955А 510-28 КТ9156БС MRA0510-50H КТ925Г 2SCIOOI КТ956А 580-28 КТ9157А 25С2270 КТ926А 2Nl902 КТ957 А 5150-28 1 КТ9160А MRF430 КТ926Б 2Nl904 КТ958А 1 ВМ40-12 КТ9160Б КТ927А 2N4933 КТ960А 1 СМ40-12 1 1 КТ9160В КТ927Б 2N6093 КТ961А BD139 КТ9161АС 501565 КТ927В - KT961AI КТ9164А 501540 КТ928А BS529, 2N22 l 7 КТ961Б BDl37. BD371C КТ9166А D44H5, BUY26 КТ928Б ВSХЗ2, 2N22 l 9 КТ961БI КТ916А 25С1805 КТ928В 2N2219A КТ961В BDl35 КТ916Б 2N5596, 2N6208 КТ929А B2-8Z, 2N5719 KT961BI КТ9173А TPV376 КТ9ЗОА 2N6362, СМ75-28 КТ961Г BDl32 КТ9174А КТ9ЗОБ 2N6364 КТ962А DMI0-28 КТ9176А 2SB772 КТ931А 2N6369, ВМ80-28 КТ962Б DM20-28 КТ9177А 250882 КТ932А 2N3741 КТ962В DM40-28 КТ9180А BDl32. ВDЗЗО КТ932Б BDl32 КТ96ЗА-2 MJ250 ! КТ9180Б MJE 170. MJE230 КТ932В 2N4898 КТ96ЗА-5 i КТ9180В MJE 171. MJE233 КТ9ЗЗА ВСlбО-2 КТ963Б-2 ML500 КТ9180Г MJEl72 КТ933Б ВС139 КТ963Б-5 КТ9181А BD326, D42CC2N КТ934А СЗ-28, 2N6202, 2SCI021 КТ965А 510-12 КТ9181Б 25Dl348.MJEl80 КТ934Б С12-28, 2N6203, BLY22 КТ966А 530-12 КТ9181В MJEl81 КТ934В С25-28, 2N6204. BL У92А КТ967А 570-12 КТ9181Г MJEl82 КТ934Г 2N5589 КТ969А BF469, BF419 КТ9182А 501492 КТ934Д 2N5590 KT969AI КТ9186А КТ935А BDU53 КТ969А-5 КТ9186Б КТ936А 2N5709 КТ970А C2MI00-28A ' КТ9186В КТ936Б - КТ971А BMI00-28 КТ9186Г 1 КТ937А-2 MS0146 КТ972А 1 BD877 1 КТ9186д 1 КТ937Б-2 РТВ4200ЗХ КТ972Б BD875. BD477 КТ9189А-2 1 КТ938А-2 М5С4001 КТ972В 1 КТ9189Б-2 1 КТ938Б-2 КТ972Г КТ9189В-2 КТ939А. 2SCl262, 2N3866 КТ973А BD876 КТ918А-2 РКВЗОООU КТ939Б 501308 КТ973Б BD466B КТ918Б-2 LКЕЗ2002Т КТ940А BF298, 2N3440S КТ973В КТ9190А КТ940АI КТ973Г КТ9190А-4 КТ940А-5 КТ976А PHI 114-50С КТ9192А-2 КТ940А9 КТ977А 501546 КТ9192Б-2 КТ940Б BF458, BF459 КТ979А PZBl6040U, PHI 114 -60 КТ919ЗА КТ940Бl КТ980А СМ40-12 КТ919ЗА-4 1 КТ940Б-5 КТ980Б ТН430 КТ9193Б КТ940Б9 КТ981А А50-12 КТ919ЗБ-4 ! КТ940В BF297, BFl57 КТ983А BLX96 КТ919А 2N5596, М5С2005М KT940BI КТ983Б BLX97 КТ919Б 2N5768, М5С200ЗМ КТ940В-5 КТ98ЗВ BLX98 КТ919В 2N5483. М5С2001М КТ942В MRF2010 КТ984А М5С1075М - КТ919Г PKB23003U КТ943А BD375 КТ984Б М5С1250М КТ920А 2N5589 КТ943Б ВDЗ77 КТ985АС BAL0204-125 КТ920Б BLWl8, 2N5590 КТ94ЗВ BDIЗI КТ986А 1214Р400 КТ920В 2N5591 КТ943Г BD230 КТ986Б DME250 КТ920Г BLY88A КТ943Д BD379 КТ986В DME375 КТ921А 2N57()7. 510 -12 КТ944А 580-28 КТ986Г 1-
598 Раздел 5. Аналоги транзисторов Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный Зарубежный аналог транзистор Отечественный f Зарубежный аналог транзистор КТ991АС BALOIOS-50 МГТ108А 2NIЗO П208А КТ996А-2 МГТ108Б NКТ73 П209 КТ996А-5 МГТ108В 2Nl32 П209А КТ996Б-2 FJ9295CC МГТ108Г АС170. АС171 П210 2N3614 КТ996Б-5 МГТ108Д АС150 П21ОА 2N3614 КТ996В-2 МПIО П21ОБ ADl42. AD545 КТ996В-5 МПIОА П210В AD143 КТ997А 2N6609 КТ997Б D44HI КТ997В 044Н2 ! КТ999А BF869, BF7 l 5 1 j КТД8264А 1- КТД8264А5 - МПIОБ MПll MПllA МПIЗ МПIЗБ МП14 П210Ш 1 2N3614 ---1 П213 j ADl39. AD262 1 П21ЗА ! 2N2835 П21ЗБ 1 ADl202 П214 2N2660 КТД8275А - МП14А П214А AD263, AD457 КТД8275Б - МП14Б П214Б ADl203 КТД8275В - МП14И П214В AD263 КТД8276А - МП15 П214Г ; AF262 КТД8276Б - МП15А П215 AD469. AD439 КТД8276В - МП15И П216 ADl38. АDЗ02 КТД8276Г - МП16 П216А J ADIЗO 1 КТСЗОЗА-2 1 MD986 МП16А П216Б : 2Nl78 н КТСЗIОЗА 1 MD5000 МП16Б П216В 1ADl45 КТСЗIОЗАI МП16ЯI П216Г 1 АDЗIЗ КТСЗIОЗБ MD5000B МП16Яll П216Д AD312 КТСЗIОЗБI КТС3161АС КТСЗ 174АС-2 SL362 КТС381Б КТС381В МП20А АС121. ASY26 МП20Б ACI25. АС132 МП21В 2N60A МП21Г 2N60C МП21Д 2N59C П217 ADЗIO. ADl63 :1 П217А ASZl6 П217Б AUYl9 !1 П217В ASZl8. ASZl017 1 П217Г ASZl7 КТС381Г КТС381Д КТСЗ81Е КТС393А i МП21Е 2N61C МП25 2Nl89 МП25А АС!lб МП25Б 2N43 П27 2Nl75 1 i П27А l 2N220 i П28 1 АС160 ~ КТСЗ9ЗА-l МП26 ОС112 П29 1 ОС41 1 КТС39ЗА-У 1MD5000 МП26А 1 МА909 П29А 1 ОС42 1 КТС393Б КТС393Б-1 МП26Б АСУ24 МПЗ5 2N444 пзо 1 AFYl5 П401 1 SFТЗl 7 КТС393Б-9 MD5000B МПЗ6А АС183 П402 SFТ316H КТС394А-2 MDllЗO МПЗ7А 2N444A П403 2N2089, SFТ357 КТС394Б-2 МП37Б 2SD75 П40ЗА 2N2089 КТС395А-1 MDll29 МП38 2N94 П416 2N602 КТС395А-2 МП38А АС183 П416А 2N604 КТС395Б-1 МПЗ9 SFТ306 П416Б 2SA279 КТСЗ95Б-2 МП39Б АС540 П417 2NI 727 r- КТС395В-2 МП40 2SBl73 П417А 2NI 726 КТС398А-1 j MD918 МП40А ОС70. 2N44A П417Б 2Nl865 ~ 1 КТС398А94 J MD918F 1 КТСЗ9'&1 КТСЗ98Б94 MD918AF КТС61ЗА MQ2218 КТС61ЗБ MQ2218A МП41 АС540 МП41А АС542 МП42 ASY70 МП42А ASY26 МП42Б AF266. ASX 11 П422 2Nl524 П423 2SAlll Пб05 2SA416 Пб05А 2SA416 КТС61ЗВ MQ2218 МП9А П606 2SA416 КТС613Г MQ2218 П201АЭ ADP670 П606А 2SA416 --~ КТС622А П201Э ADP671 П607 AUYIO ~ КТС622Б MHNQ2906, 2N5146 П202Э ADP672 П607А AUYIO КТС631А MHQ2369 П20ЗЭ 2SB467 П608 1 AUYIO 1 КТС631Б 1 MHQ2369 П207 П608А 1 AUYIO ' 1 1 1' КТС631В 1 MHQ2221 1 I КТС631Г MHQ2221 П207А П208 П609 2SАЗ74 :1 П609А i 2SA374
Литература l. Нефедов А. В., Гордеева В. И. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги. Справочник. М.: Радио и связь, 1990. 2. Нефедов А. В., Аксенов А. И. Кремниевые транзисторы для бытовой и промышленной радио­ электронной аппаратуры. Справочник. УПЦ ИПК «Московская правда», 1993. 3. Аксенов А. И., Нефедов А. В., Юшин А. М. Элементы схем бытовой радиоаппаратуры. Диоды. Транзисторы. Справочник. М.: Энергоатомиздат, 1988. 4. Аксенов А. И" Нефедов А. В. Отечественные полупроводниковые приборы. Справочное посо- бие. 5-е изд. М.: СОЛОН-Пресс, 2005. Серия «Ремонт», выпуск 59. 5. Петухов В. М. Транзисторы и их зарубежные аналоги. Справочник. Т. 5. М.: РадиоСофт, 2002. 6. Петухов В. М. Зарубежные транзисторы и их аналоги. Справочник. Т. 5. М.: РадиоСофт, 2002. 7. Кроуфорд'Р. Схемные применения МОП-транзисторов. М.: Мир, 1970. 8. Тугов Н. М., Глебов Б. А., Чарыков Н. А. Полупроводниковые приборы. М.: Энергоатомиздат, 1990. 9. Образцов А., Смердов В. Биполярные транзисторы с изолированным затвором / / Ремонт & Сервис. 2004. No 11. 10. Каталог «Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы». Минск: УП Завод «Транзистор», 2004. l l. Каталог «Полупроводниковые приборы, интегральные микросхемы и силовые модули». Брянск: Группа Кремний, 2003. 12. Каталог изделий АООТ ВЗПП. Воронеж, 1996. 13. Каталог «Кремниевые транзисторы». Воронеж: НПО «Электроника», 1993. 14. Кожевников В., Асессоров В., Асессоров А., Дикарев В. Мощные низковольтные СВЧ тран- зисторы для подвижных средств связи / / Радио. 1999. No 10. 15. Каталог «Полупроводниковые приборы». Вел. Новгород: ООО «НПО Планета», 2003. 16. Технический каталог микросхем и транзисторов. АООТ «НИИМЭ и Микрон». 2000. 17. Нефедов А. В. Мощные полевые транзисторы пМОП-типа КП734, КП735, КП759, КП760, КП76l / / Ремонт & Сервис. 2002. No 11. 18. Нефедов А. В. Биполярные транзисторы КТ519, КТ524, КТ525, КТ526, КТ734, КТ735, КТ736, КТ737, КТ6140, КТ8199, КТ8201, КТ8203, КТ8205, КТ8207, КТ8209 / / Ремонт & Сервис. 2001. No 12. 19.НефедовА.В. Транзисторы типов KT5ll, KT5l2, КТ513, KT5l4, КТ515, KT5l7, КТ520. КТ521, КТ523, КТ528 / / Ремонт & Сервис. 2002. No l. 20. Нефедов А. В. Полевые транзисторы КП523, КП73 l, КП737, КП739-КП753, КП775-КП781, КП783-КП787 / / Ремонт & Сервис. 2002. No 5. 21. Нефедов А. В. Биполярные транзисторы KT6 l 28, KT6 l 36, KT6 l 37, КТ722, КТ733, КТ739, КТ8120, КТ8212-КТ8290 / / Ремонт & Сервис. 2002. No 6. 22. Нефедов А. В. Новые биполярные и полевые транзисторы / / Ремонт & Сервис. 2004. No 12. 23. Аксенов А. И., Нефедов А. В. Отечественные полупроводниковые приборы специального на­ значения. М.: СОЛОН-Р, 2002. Серия «Ремонт», выпуск 62. 24. Нефедов А. В. Зарубежные аналоговые микросхемы и их аналоги. Т. 1-8. М.: РадиоСофт, 1999-2000 . 25. Транзисторы, Справочные данные по полупроводниковым приборам. Номенклатура. Таблицы параметров. Изготовители. 1996. 26. Каталог «Компоненты и услуги». Минск: НПО «Интеграл», 2005.
Серия «Ремонт», выпуск 90 Нефедов Анатолий Владимирович Аксенов Алексей Иванович Транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры Справочное пособие Ответственный за выпуск В. Митин Верстка С.Тарасов Обложка Е. Жбанов ООО «СОЛОН-Пресс» 123242, г. Москва, а/я 20 Телефоны: (095) 254-44-10, 252-36 -96, 252-25-21 E-mail: Solon-A vtor@coba.ru www.solon-press.ru По вопросам приобретения обращаться: ООО «АЛЬЯНС-КНИГА КТК» Тел: (095) 258-91-94, 258-91-95 www.abook.ru ООО «СОЛОН-Пресс» 127051, г. Москва, М. Сухаревская пл., д. 6, стр. 1 (пом. ТАРП ЦАО) Формат 60х88/8. Объем 75 п. л. Тираж 1ООО Зак. 9 ООО "Арт-диал" 143980, Московская обл., г. Железнодорожный, ул. Керамическая, д. 2а.