Text
                    ПОЛУ­
ПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ:
транзисторы
Справочник
Под общей рс;:щкцисй Н. Н. ГОРIОНОВА
МОСКВА ЭНЕРГОИЗДАТ !9R2


ББК 32.852 п53 УДК. 621.282 J (035) Реuензенты: Е. И. Кры.1ов, В. В. Пав.1ов А вторы: В. Л. Аронов, Л. В. Баюков. А. А. Зайцев, Ю. А. Камснецкий, А. И. Миркин, В. В. Мокряков, В. М. Петухов, А. К. Хрулев. А. П. Шибанов Полупроводниковые приборы: Транзисторы. П53 Справочник/В. А. Аронов, А. В. Баюкав, А. А. Зай­ цев и др. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова.­ М.: Энергоиздат, 1982. - 904 с" ил. Впер.:3р. 30к. Приведены э.1ектрические пара,1етры, габаритные размеры. пре11е.1ъ­ ные эксп.1уат:нtнонные данные и другие х~1рактсристнки отечественных серийно выпускне"1ЫХ транзисторов широкого 11римсиения. Для широко~ о кругн спсниалистов по электронике. автоматике, радиотехнике, измерительной технике, занимающихся разработкой, эксп.оуатацией и ре,10Н1 о'1 радиО)Jlсктронной аппаратуры. п 2403000000-468 202-82 051(01)-82 ББК 32.852 бФО.32 ':[ Энергоиздат. !982
СОДЕРЖАНИЕ Предис.1овие . . . · . . · . . . . . . ЧАСТЬ ПЕРВЛЯ ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ р а 3 д с л пер в ы й. К.1ассифшшuпя бипо.1ярных и полевых 11 транзисторов . · . · · · · · . . . . . . . . • 12 1.1. Классифика1шя и снстсма обозначений . 12 1. 2 . Класснфнкацня транзисторов по функционапьному на1начению........... 1.3. Условные графическнс обmщ1чения 1.4. Условные обозначения ъ1сктрп'!еских парамет- 16 16 ров....... . . . . . . . . . 17 1.5. Основные стандарты на биполярные и полевые тра1п11сторы . . . · . . . . . . . . . 23 р а 3 дел вт о р о iJ. Особеииос111 испо."Iьзоваиия транзисторов в ра;:щоэ.'!ектрониоii аппаратуре . . . . ЧАСТЬ ВТОРАЯ СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ Разд е .1 трет 11 й. Траюисторы ~Ы.l(Ншщные 1шзкочастот- иые . п-р-п 26 36 ТМЗ(А,В.Г,Д).М3(А.В.Г.ДJ. 36 МП9А, МПIО, МПIО (А, Б). МПI 1, MПIJA 39 TMIO(А.Б.В,Ж).......... . 42 МП!О!. МП!О! (А. Б), :vП11О.:. мп;оз. МП101А, MПlll. MПlll (А. Б), МПJ12. l\111113. МШ13Л 44 2ТМ103 (А. Б. В. Г. Д) 48 ГТ122 IA. Б. В, Гi . . . . . . . . 49 КТ127 iA-l. Б-l. Б-1. Г-!) . . 50 2Т201(А.Б.В.Г.Д),КТ201(Л.Б.В,Г.дi 51 2Т205........... 54 КТ206 (А. r;) . . . . . . . . 56 КТ215 (А-1. Б-1. В-1. Г-1. Д-1. l::-l). 57 КТЗО2А....... · . . . 60 3
4 П307, П307В, ШО8. П309 ГТ404(А,Б,В.П... КТ503 (А, Б, В, Г. Д. Е). р-п-р 60 63 65 TI(А.Б).Т2(А.Б,В.К).Т3(А.Б) 67 ТМ2(А.Б,В.Г,Д),М2(А.Б.В.Г,Д) 70 ТМ4(А,Б.В.Г.Д,Е).М4(Л.Б.В.Г.Д.Е) 73 ТМ5(А,Б,В,Т,Д),М5(А.Б.В.Г.Д) 76 TMl!,ТМ!1(А,Б)...... 79 МП!З, МП!ЗБ. МП14. :\Ш14 (А. Б. И). \Ш15. J\.!П!S (А.И)...... 82 МП!б, МП16 (А. Б) . . . . 86 МП16Яl,МП!6ЯП...... 88 1\11120, МП2!, мn21 (А. Б1. . . 90 МП25. МП25 (А, Б), МП26. МП26 (А. Б) 93 П27.П27(А,Б).П28.. 96 П29.П29А,ПЗО.......... 98 МП35, МПЗбА, МП37. МПЛ (А. БJ. МПЗS. МП38А............. 100 МП39. МП39Б, МП40. МП40.\. J\-11141. МП41Л 102 МП42,МП42(А.Б)........ 105 ПIOI, !ПО! (А. БJ. 1Т!О2. 1Т102Л . . . !06 МП104, МП105. МП106. Г-ЛП114. 1\·1П115. МП116..... 109 2ТМ!О4 (А, Б. В. Г) 112 КТ104(А.Б,В,Г).... 114 ГТ108(А,Б.В.Г).... 115 ГТ109(А,Б.В,Г,Е.Ж,Иi 117 ГТ115(А,Б,В,Г,Д)... 118 !ТМ!15 (А, Б, В, Г) 119 IТI16(А.Б.В.Г).... 121 2Т117(А,Б.В.П.КТ117(А.Б.В.П 123 2ТI18 (А, Б, В). КТ!1~ (А. Б. В) 125 2Т118 (А-1, Б-1) . 128 КТ!19(А,Б).......... 129 КТ120(А,Б.В)......... 131 ГТ124(А.Б.В.Г)........ !32 ГТ125(А,Б,В,Г,д.Е.Ж.И.К.Л) 133 2Т202 (А, Б. В, П. КТ202 (А, Б, В. Г) 135 2Т203 (А, Б. В, Г, Д), КТ20З (А. Б, В) 137 КТ207(А,Б,BJ......... 139 2Т208(А.Б.В.Г.Д.Е.Ж.И.К.Л,М). КТ208(А.Б,В,Г.Д,Е.Ж.И.К,Л,'l'l.t 141 l<Т209(А,Б,В,Г.Д,Е.Ж,И,К.JI.М) 143 КТ210{А.Б.В}........ 146 КТ211 (А-1, Б-1. В-1) . . • . . . 147 КТ214 (А-1, Б-1. В-1. Г-1. Д-1, E-l) . 149 ГТ402(А,Б,В,П... 151 IТ403 (А, Б. В, Г. Д. Е. )К, И\. ГТ403 (А. Б,
В,Г,Д.Е.Ж.И,Ю).... ГТ405 (А, Б, В, Г) П406,П407....... КТ501(А,Б,В,Г,Д,Е.Ж.И,К.Л.М) КТ502(А,Б,В,Г.Д,Е)..... р а 3 дел ч е т в е r ты ii. Транзисторы ~ш:1шющные высокочас- 154 157 160 161 163 тотные... · . · · . · · · . . . . . . . . . 166 11-р-11 2Т301 (Г. Д. Е. Ж). КТЗОl (Г. д. Е. Ж) 166 2Т312 (Л. Б. В). КТ312 (А. Б. В) 168 КТ314А-2....····.... 172 КТЗJS(А,Б.В.Г.Д.Е,Ж.И).... 175 2Т317 (А-1. Б-1. В-1). КТ317 (А-1. Б-1. В-1). . . . . . 178 2Т333 IЛ-3. fJ-3 . В-3. Bl-3 . Г-3. Д-3. Е-3). КТЗЗЗ (А-3. Б-3,В-3,Г-3.Д-3.Е-.1).......... ISI 2Т336(А.Б.В.Г.д.Е).КТ.Вб(А.fi.В,Г.Д.EJ. 184 КТ339А.....··.. 186 КТЗ40(А.Б.В.Г.д1... 188 КТ342(А.Б.В). . . . · . . 189 2Т348 (Л-3. Б-3. В-3 ). К П48 ("\. Б В) . 193 КТ358(А,Б.В). . . . · . . 196 КТ359(А,Б.В)...... 19R КТЗ69 (А. А-1. Б. Б-1. В. В-!. Г. Г-1). 199 КТЗ73(А,Б,В.Г). . . · . . . 200 КТ375(А,Б)....··... 204 КТ379(А.Б,В,Г). . · · . . . 207 2Т385 (А-2, АМ-2). КТ385 (А. АМ1. 210 КТЗ102(А,Б.В.Г.Д.Е). . 215 КТ3117А . · · · · · · 217 П504, П504А, П505, П505А . 218 КТ601(А,АМ)....· . 220 2Т602 (А, Б), КТ602 (Л. Б) . . 222 2Т603(А.Ь,В.Г.И).КТ603(А.Б.В.Г.Д.Е). 226 КТ605(А,ЛМ,Б.БМ).. 230 2Т608 (А, Б). КТ608 (А. F\). 233 КТбlб(А.Б). . . . 236 КТ617А..... 238 КТ618А..... 239 КТбЗО(А.Б,В,Г.Е). 240 р-11-р IТМ305 (А, Б. В), !Т305 (А, Б. В). ГТ305 (А. Б. В). 243 IТ308 (А, Б, В). ГТ308 (А, Б. R). . 247 ГГЗО9(А,Б,В.Г,Д.Е)........ .. 250 ГГЗIО(А,Б,В.Г.Д.Е). ......... 252 IТ320(А,Б,В),ГТ320(А.Б,В). . . . . . . 254 IT321(А,Б,В,Г.Д.Е\,ГТ321(А.Б,В,Г,Д.Е). 258 ГГЗ22(А,Б,В)............. 262 5
ГТЗЗS (Л, Б. В) КТ343 (А. Б, В) . КТ345 (А. Б. В). КТ350А ... КТ351 (А. Б) .. КТ352 (А. Б). . КТ357 (А, Б. В. Г). КТ361 (А. Б. В. Г. д. Е). 2Т364 (А-2, Б-2. В-2). КТ364 (А-2, Б-2. В-21. КТЗ80(Л.Б.В). . . . 2Т38М-2.КТ388Б-2........ 2Т389Л-2.КТ389Б-2........ КТ3!04(А.Б,В.Г.Д,Е). . . . . . . КТ3107(А,Б.В.Г.Д.Е,ЖИ.К.Л). КТ3108(А,Б.В)....... П401. П402. П403, П403А . . . . П4!4, Г/414 (А. Б). П415, П415 (А, Ь). П416. П416 (А. Б) П417,П417А. 11422. П423 . . КТ620 (А. БJ. . Разд е :1 п я ·1 ы й. Транзисп,ры маломощные сверхвысоко- 6 частотные 1!-р-12 2Т306(А.Б,В,ГJ.КТЗОб(А.Б.В.Г.Д).... 2Т307 (А-1. Б-1. В-1. Г-1 ). КТ307 (А-1, Б-1. В-1. Г-1). !ТЗl1(А.Б.Г.Д,К.ЛJ,ГТЗJ1(Е,Ж,И)... 2ТЗ16(А.Б.В,Г,Д),КТЗlб(А,Б.В.Г.ДJ..• 2Т318 (А-1. Б-1. В-1. Bl-1 , Г-1. Д-1. Е-1 ), КТ318 (А-1, Б-J, B-J , Г-1. Д-1. Е-1} ......... . 2Т324 (А-1. Б-1. В-1. Г-1. Д-1, Е-1), КТ324 (А-1, Б-1, В-1, Г-1, Д-1. Е-1) ....... . 2Т325(А.Б.В),КТ325(А.Б,В)....... 1Т329(А,Б.В),ГТ329(А,Б.В.Г). . . . . ... !ТЗЗО(А.Б.В.Г},ГТ330(Д,Ж,И)....... 2Т331 (А-1. Б-1, В-1, Г-1), КТ331 (А-1, Б-1. В-1, Г-1) .. 2Т332 (А-1. Б-1, В-1. Г-1. Д-1). КТ332 (А-1, Б-1. В-1. Г-1. Д-1) ........ . !Т341 (А, Б. В}, ГТ341 (А. Б. В) . 2Т354(А-2,Б-2),КТ354(А,Б)...... 2Т355Л,КТ355А........... IТ362А,ГТЗЫ(А.Б).......... 2Т366 (А-1, Б-1, Бl-1. В-1), КТ366 (А. Б, В). 2ТЗ68 (А. Б), КТ368 (А, БJ . 2Т371А,КТ371А..... 2Т372(А,Б,В),КТ372\А,Б,В)..... 1Т374А-6.............. 2Т382(А,Б),КТ382(А,Б)..... • . IТ383 (А-2, Б-2, В-2), ГТ383 (А-2, Б-2, В-2) . 264 265 267 268 269 271 272 274 277 279 283 286 289 290 293 295 297 299 302 304 306 307 307 310 313 318 32! 325 327 330 333 336 338 341 344 347 348 350 354 357 360 363 365 ~ 368
г 2Т384(А-2,АМ-2). КТ384(А, АМ) . 1Т387 (А-2, Б-2). . . КТ391 (А-2. Б-2, В-2) 2ТЗ96А-2, КТЗ96А-2 . 2Т397А-2. КТ397А-2 . КТ399А . КТЗ!ОIА-2 .... КТ3!06А-2 . . . . !ТЗ!!ОА-2 . . . . . .• 2Т3115 (А-2. Б-2), КТЗ 115 (А-2, Б-2, В-2, Г-2) 2Т3120А, КТЗ120А . !Т612А-4, ГТ6!2А-4 !Т6!4А КТ633Б КТ640 (А-2, Б-2, В-2) р-1!-р 370 375 379 383 386 388 391 394 397 399 402 405 407 409 412 JT313 (А. Б, В), ГТЗ!З (А, Б, В) . 416 2Т326 (А. Б), КТ326 (А, Б) . 420 ГТЗ28 (А, Б. В) . • 423 1Т335(А.Б,В.Г.Д). 425 ГТ337 (А. Б, В) . 429 ГТ346(А,Б.В). . 430 КТ347 (А. Б. В). . 432 КТ349 (Л. Б. В). . . 433 2Т360 (А-1, Б-1. В-1). КТ360 (А-1, Б-1, В-1). 435 2Т363 (А, Б). КТ363 (А. АМ. Б, БМ:) . 437 2Т370 (А-1. Б-1). КТ370 (А-1, Б-1) 440 !Т376А, ГГ376А 442 1Т386А...... 445 2Т392А-2, КТЗ92А-2 . . 447 КТ3109 (А. Б, В). . . 449 П41~(Г.Д.Е,Ж,И,К,Л.l\11) 451 Раздел шестой. Тра1п11с ;uры мощные юпкочастотные . 453 11-p-n ШОI. П701 (А, БJ П702, П702А. 2Т704 (А, Б). KT7V4 (А. Б, КТ80! (А, Б) КТ802А 2Т803А, КТ803А КТ805 (А. Б, АМ, БМ, ВМ\ КТ807 (А. Б) 2Т808А, KTSOSA 2Т809А. КТ809А КТ812 (Л, fJ, В) КТ815 (А, Б, В, П. КТ8!7 (А. Б, В, П. КТ8!9 (А, Б В, Г, АМ, БМ, BI ВМ, ГМ) 453 457 459 463 465 466 468 471 473 476 480 482 485 487 7
8 КТ821 (А-1, Б-1. В-1) .. КТ823 (А-1, Б-1, В-1) .. 2Т824 (А, АМ. Б, БМ) КТ826 (А, Б, В) . КТ827 (А, Б, В) . КТ828 (А, Б) . КТ829 (А, Б. В, Г) р-п-р 490 492 493 495 499 503 507 П4(АЭ,БЭ,ВЭ,ГЭ,ДЭ)......... 509 П201Э, П201АЭ, П202Э, 1!203Э . . . . . . . 512 П2IО(А,Ш)........... • . . 515 П213, П213 (А, Б). П214, П2!4 (А, Б. В, Г). П215. 517 П216, П216 (А. Б, В. Г. Д), П217. П217 (А. Б, В, Г). 521 ШО2, ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304. П'О4А. ШО6, 11306А . 525 П601И. 11601 (АИ. БИ). Пб02 (И, ЛИ) 529 ГТ70JА...... 532 1Т702(А,Б.В\... 534 ГТ703(Л,Б,В,Г.Д). 537 П705(А,Б,В,Г,Д).. 539 IT806 (А, Б, В). ГТS06 (А. Б. В. Г. Д) 541 ГТ810А..... 546 IТ813(А,Б,В)... 547 КТ814(А,Б.В,Г).. 552 КТ816(А,Б,В.Г).. 554 КТ818(А,Б,В,Г,ЛМ,БМ,ВМ.ГМ). 556 КТ820 (А-1, Б-1, В-1) . 561 КТ822 (А-1, Б-1, В-1) • 563 2ЛШ (А, Б, В), КТ825 (Г, Д, F.) . • 565 Р а з д е .1 с е д ь м о й. Траюисторы мощиы.2 высокочастотные 569 п-р-11 КТ604(А,Б,АМ,БМ)....... КТ611(А,Б,В,Г.АМ.БМ)..... 2Т625 (А-2, Б-2. АМ-2, БМ-2), КТ625 (Л. АМ) 2Тб29А-2. КТ629А КТ902А ....... . 2Т903 (А, Б). КТ903 (А. Б) 2Т908Л. КТ908 (А, Б) . . . 2Т912 (Л, Б), КТ912 (А, Б) 2Л117А........ 2Т920 (А, Б, В). КТ920 (А, Б, В, r) . 2Т921А. КТ921 (А, Б) . . . 2Т922 (А, Б, В), КТ922 (;\, Б, В, Г. Д) 2Т926А, КТ926 (А. Б) КТ927(А,Б,В)... 2Т928 (А, Б), КТ928 (А. I.i) • КТ929А . . КТ935А КТ940(А,Б.В)... 569 573 575 578 581 584 587 591 594 596 602 605 612 616 618 620 624 627
КТ943 (А, Б. В. Г, Д) КТ945А КТ947А КТ957А КТ958А р-п-р 62 633 637 639 643 П605, П605А, Пб06, П606А . . . 647 П607, П607А. П608. П60~ (А, Б). П609. П609 (А, Б) . 651 КТ626 (А, Б, В. Г. Д) 655 IТ901 (А. Б). . . 657 IT905A, ГТ905 (А. Б} . 658 IТ906А, ГТ906 (А, АМ) 662 IТ910А 665 КТ932(А,Б).. 668 КТ933(А,Б).. 669 раздел в о с ь мой. ТранJИсторы мощные сверхвысш;:о" частот11ые 11-р-п 2Т606А, КТ606 (Л. Б) 2Тб07 А-4, КТ607 (А-4, Б-4) . 2Тб10 (А, Б), КТ610 (А, Б) . КТ624 (А, АМ) . КТ634А-2. . . . КТ635Б.... 2Т904А, КТ904 (А, Б) 2Т907 А, КТ907 (А, Б) 2Т909 (А, Б), КТ909 (А. Б, В, Г) . 2Т911 (А, Б), КТ911 (А, Б, В, Г) 2Т913 (А, Б, В), КТ913 (А, Б, В) . КТ916А ..... · .. .. КТ918 (А, Б) . • . . . . • 2Т919 (А. Б, В), КТ919 (А, Б. В. Г) 2Т925 (А, Б, В), КТ925 (А. Б. В. Г) . КТ930(А,Б).... КТ931А...... КТ934 (А, Б, В, Г. Д) КТ937 (А-2, Б-2) КТ938А-2. КТ939А КТ942В КТ960А р-п-р 2Т914А, КТ914А Раздел девя·1 ы й. Транз11сторные сборки 11-р-11 IHT251, 1НТ251А. КiНТ251 . 2Т381 (А-1, Б-1, В-1, Г-1, Д-1) 671 671 675 678 682 684 687 689 694 698 703 707 713 717 718 726 731 736 740 748 754 757 759 763 767 770 770 773 9
КТС395(А,Б)... КТС398 (А-1, Б-1) ... 2ТС613 (А, Б). КТС613 КТС631(А.Б,В,Г). . КIНТ661А (А,Б,В,Г) 11-р-п и р-11-р КТСЗОЗА-2 р-п-р 2ТС393 (А-1. Б-1). КТС393 (А, Б) КТС394(А,Б)....... КТСЗIОЗ (А, Б) ..... . ITC609 (А, Б, В). ГТС609 (А, Б, В) 2ТС622 (А, Б), КТС622 (А, Б) . ЧАСТЬ ТРFТЬЯ Справочные данные нолевых транзисторов 775 779 782 786 789 790 793 798 801 804 808 раздел десятый. Транзисторы маломощные . 812 2П101(А,Б,В),KПIOI(Г,Д,Е)•••• 812 2П103 (А, Б, В, Г, Д, АР, БР, ВР. ГР, ДР), КП103 (Е,Ж,И,К.Л,М,ЕР,ЖР,ИР,КР,ЛР,МР). 814 2П201 (А-1, Б-1, В-1, Г-1, Д-1), КП201 (Е, Ж, И, К, Л). . . 821 2ПЗ01(А,Б),КПЗОI(Б,В,Г).... • . . • 825 2П302 (А, Б, В), КП302 (А, Б, В, Г, АМ, БМ, ВМ, ГМ). . • 828 2П303(А,Б,В,Г,Д,Е,И),КШОЗ(А.Б,В,Г,Д,Е,Ж,И) 833 2П304А,КП304А...... 838 2ПЗО5(А,Б,В,Г),КПЗО5(Д,Е,Ж,И). • • 841 2П305(А-2,Б-2.В-2.Г-2).......... 844 2П306(А,Б.В),КП306(А,Б,В)..... • 846 2П307(А,Б,В.Г,Д),КПЗО7(А,Б,В,Г,Д,Е,Ж). 849 КП308(А,Б,В,Г,Д). 854 КПЗIО (А, Б) . 856 КП312(А,Б)........ 859 2ПЗ13 (А, Б, В), КПЗIЗ (А, Б, В) 863 КП314А.......... 865 2П350 (А, Б). КП350 (А. Б, В) 866 Раздел один над на ты й. Тра11з11сторы мощные . 870 КП901(А,Б)....... • 870 2П902 (А, Б), КП902 (А, Б, В) . 873 2П903 (А. Б, В), КП903 (А, Б, В) 878 КП904 (А, Б) 882 КП905 (А, Б) . 884 КП907 (А, БJ. . 888 р а 3 дел две над u ат ы й. Транзнс1оры сдвоешtые 891 КПС104(А,Б,В,Г,Д,Е). • . . • . . • 891 2ПС202 (А-2, Б-2, В-2, Г-2, 2П202 (Д-1, Е-1). КПС202 (А-2, Б-2,В-2,Г-2),КП202(Д-1,Е-1)......... 894 КПС315(А,Б)••• . . . . • . . . . . . . . 898 Алфавиrно-цифровой указате.<ь транзисторов, помещенных в справочнике............. • • . . 901 10
г ПРЕДИСЛОВИЕ Настоящий справочник представ:1яст собой наиболее полное изда­ ние, содержащее сведения о широкой номенк,1атуре отечественных биполярных и по;1евых транзисторов. В нем приводятся электрические и эксплуатационные характе­ ристики и пара:1-1етры 1 ранзисторов. классификация и система обозна­ чений, классификация транзисторов по функциональному назначению, условные графические обозначения и условные обозначения электри­ ческих параметров, особенности использования транзисторов в радио­ электронной аппаратуре. изданий пол­ от режимов Настоящий справочник отличается от предыдущих нотой справочных пара,,.1етров и их зависи:vюстей эксплуатации. Справочные сведения о полупроводниковых приборах составлены на основе данных, зафиксированных в го су ;щрственных стандартах и технических ус.1овиях на от,1ельные типы приборов. Справочник содержит сведения об основном назначении, габаритных и присоеди­ нительных размерах. маркировке, важнейших параметрах, режимах измерения, пре,r1ельных эксп;1уатационных режимах транзисторов, а также зависимости параметров от режимов и эксплуатационных факторов. Он предназначен для спепиалистов, занимаюшихся разработкой, ремонтом и эксплуатапией радиоэлек1ронной аппаратуры, студентов и аспирантов радиотехнических факультетов вузов и широкого круга радиолюбителей. Отзывы и замечания о справочнике авторы просят направлять в адрес издателLства: 113114, Москва, М-114, Шлюзовая наб., 10, Энергоиздат. Авторы
Часть первая ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ Ра:и)е.1 перRый КЛАССИФИl(АЦИЯ БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 1.1. К1АССИФИКАЦИЯ И СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ Классификация транзисторов ~ю их нг.значению, физическим свой­ сгвuм, осповным электрическим П'1рамстра!'.1, кош:труктивно-техно­ логнч~сю;м признакам, роду исходного по.1упроводникового материала находят свое отражение в системе ус.1овных обозначений их типов. В соответствии с во~ниюювением новых классификационных групп транзисторов совершенствуется и система нх ус:ювных обозначений, которая на протяжении последних 15 лет трижды претерпевала изменения. Система обозначений современных типов транзисторов установле­ на отраслевым стандарто~1 ОСТ 11 336.IOR - 77 п базируется на рял:е к,·н1ссификационных признаков. В основу систел1ы обозначений положен семизначный буквенно­ цифровой код, первый элемент которо1 о (буква для транзисторов широкого применения или цифра для приборов, используемых н устройствах общей теJ-.нш.:и) обозначает исходный полупроводниковый материал. на основе которого изготовлен транзистор. Второй э:1сме1п обозначения - буква, определяющая подкласс транзистора, третий - цифра, определяющая его основные фу11кцио- 11алы1ые возможности (допустимое значение рассеиваемой мощности и граничную либо максимальную рабочую частоту). Четвертый - шестой эле:v~енты - трехзначное число, обозначаю­ щее порядковый но"1ер разработки технологического типа тран­ зисторов (каждый технологический тип может включать в себя один или несколько типов, различающихся по своим параметрам). Седьмой э,1емент - буква, условно определяющая классификацию по параметрам транзистоrоЕ, изготовлеаных по единой технологии. Стандарт предусматрипает также введение в обозначение ряда дополнительных знаков, отм-~чающпх отдельные существенные кон­ сгруктшшо-техно;ю1 нческис особенности нриuоров. Для обозначения исходного материала исполh3уютt.я следующие сиУiволы (первый элс:v~е1п обозначс:ния): Г или 1 - для германия или е1·0 соецинеш1й; К или 2 - для кремния или его соединений; А или 3 - для соединений га.1лия (практически для арсенида галлия, используемого для создания полевых транзисторов); 12
г1 И и:1 и 4 - для соединений индия (пи соединения д:1я про­ изводства транзисторов пока в ка чес 1ве исходного ма териu:ш не используются). Д.1я обозначения подклассов транзисторов иснользуется одна из двух букв (второй э.1смент обозначения): Т - для бипо.1ярных транзисторов; П - для пш1евых ·1ранзисторов. Д.1я обозначения наиболее х;~рuктерных эксплуа~ащюпных при­ знаков транзисторов (их функциональных во%юж1-юстей) использу­ ются применительно к двум их подклuсса:v~ с.1сдующие си~л.юлы (третий эле мен 1 обоз ни чепия ). приведенные ниже. Д.1.'l бипо.1.чрных транзисторов: l - для транзисторов с рассенвасr,юй мощнос·rыо не бо.1ее 1 Вт и граничной чsстотой коэффиrшента передачи тока (далее - 1 ранич­ ной чuсrотой) не более 30 МГ1с 2 - для транзисторов с рассснаас~"1ой i\iощнсстью r1c бе~-rсе Вт 11 грuничной чuс го той бо.1ее 30, 1ю не более 300 М Гп: 4 - для транзисторов с рассенвuсмой мощнос~ью не более Вт и грuничпой частотой более 300 М Гп; 7 - для трuпзисторов с рассеиваемой мощностью более l Вт и граничной часто 1ой не Go:iee 30 М Гп; 8 - для тран·тсторов с рuссеиваемой мощностью более Bi и граничной частотой более 30 МГц, но пе более 300 МГц; 9 - для транзисторов с рассенвае:v1ой :vющнС'lстью более l В1 и граничноii частотой более 300 МГц. Д.1.ч по.1еных тра11зисторов: \ - для транзисторов с рассеиваемой vющностью не более Вт и максимальной рабочей часто·~ ой не бо.1ее 30 МГц; 2 _ д.~я транзисторов с рассеиваемой ~ющнос ~ью не более В 1· и максима.1ьной рабочей частотой бо.1ее 30 МГц, но не более 300 МГц: 4 _ для транзисторов с рассеиваемой мощнос1ью не более 1 Вг и максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 7 - для транзисторов с рассеиваемой ~ющностью более l Вт и максимальной рабочей часто1ой не более 30 МГц; 8 - для транзис·~оров с рассеиваемой мощнос1 ью более Вт и максимальной рабочей частотой более 30 МГп, но не более 300 МГц; 9 _ для транзис1 о ров с рассеиваемой мощное 1ъю бо.1ее 1 Вт и максимальной рабочей частотой более 300 МГц. Для обозначения порядково1 о номера разработки используются трехзначные чис.1а от 101 до 999, в качестве классификационной литеры испо.-rьзуются буквы русского алфавита от А до Я, за исключением сходных по начертанию с цифрами букв 3, О. Ч. В качестве дополнительных элеменгов обозначения используются следующие символы: буква С после второго э.1емента обозначения для наборов в общем корпусе однотипных транзисторов (транзисторные сборки), не соединенных, как правило, элекгрическп; цифра, написанная через дефис, после седь:v~ого элемента обозна- 13
чения для бескорпусных транзисторов; значение этой цифры соот­ ветствует следующим мо;:щфикавиям конструктивного исполнения: 1 - с гибкими выводасv~и без кристаллодержателя (подложки); 2 - с гибкими выво;щми на криста.1лодержате.1е (подложке); 3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки); 4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке); 5 - с контактными площадками без кристаллодержателя (под- ложки) и без выводов (кристалл); 6 - с контактными площадкасv~и на кристаллодержателе (под­ ложке), но бе·3 выводов (кристалл на подложке). Таким образом, современная система обозначений позволяет по наименованию типа получить значите.1ьный объем информации о свойствах транзистор<~. Примеры обоз11аче11и.ч некоторых тра11зисторов: КТ2115А-2 - д;1я устройств широкого применения кремниевый биполярный маломощный (Рмакс .;;; 1 Вт) высокочастотный (30 МГц < <J;p.;;; 300 МГц), номер разработки 115, группа А, бескорпусный с гибкими выводами на кристаллодержателе. 2П7235Г - для устройств общетехнического назначения кремние­ вый полевой в корпусе мощный (Р макс > 1 Вт) низкочастотный ((макс .;;; 30 МГц), номер разработки 235, группа Г. ГТ4102Е - для устройств широкого применения германиевый биполярный в корпусе маломощный (Рмакс .;;; 1 Вт), СВЧ (j~P ;;. ;;:. 300 МГц), номер разработки 102, группа Е. Поскольку ОСТ 11 336.038-77 введен в действие в 1978 г" для большинства транзисторов, вк,1юченных в настоящий справочник, использованы иные системы обозначений. У биполярных транзисторов, разработанных до 1964 г. и вы­ пускаемых до настоящего времени, условные обозначения типа со­ стоят из двух или трех элементов. Первый элемент обозначения - буква П, характеризующая класс биполярных транзисторов, или две буквы МП для транзисторов в корпусе, герметизируемом способом холодной сварки. Второй элемент обозначения - одно-, двух- и трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и указывает на подкласс транзистора по роду исходного полупроводникового ма­ териала, значениям донустнмой рассеива~мой мощности и гранич­ ной (или предельной) частоты: от J до 99 - германиевые ма.1омощные низкочастотные тран­ зисторы; от 101 до 199 - кремниевые маломощные низкочастотные тран- зисторы; от 201 до 299 - 1ерманиевые мощные низкочастотные транзисторы; от 301 до 399 - кремниевые мощные низкочастотные тран:шсторы; от 401 до 499 -- гср:-шниевые высокочастотные и СВЧ маломощ- ные транзисторы; от 501 да 599 - кремниевые высокочастотные и СВЧ мало­ мощные транзисторы; от 601 до 699 - гср~~аниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы; 14 l!
г от 701 до 799 - кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы. Третий элемент обозначения (у некоторых типов он может отсутствовать) - буква. условно определяющая классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии. При.иеры оооз11аче11U.'I 11екоторых тра11зисторов: П29А - герсv~аниевый маломощный низкочастотный транзистор, номер разработки 29, группа А. МП 102 - кремниевый ма:юмощный низкочастотный транзистор в холодносварно!'.1 корпусе, номер разработки 02. Начиная с 1964 г. была введена новая система обозначений типов транзисторов (ГОСТ 10862-64, ГОСТ 10862-72), действовавшая до 1978 г. Эта систеча близка к системе обозначений, установлен­ ной ОСТ 11 336.038-77 и описанной ранее. Обозначения типов тран1исторов согласно ГОСТ 10862- 72 . присвоенные подавляющему большинству типов транзисторов, вошедших в настоящий справоч­ ник, отличаются от современной системы обозначений следующими признакасv~и. В качестве тре rьего эле~лента обозначения (первые два элемента с 1964 г. сохраняются без изменений) используются девять цифр, характеризуюших подк:1ассы бипо.1ярных и полевых транзисторов по значениям рассеиваемой мощности и граничной (для полевых тран­ зисторов - максима.rьной рабочей) частоты: 1 - транзисторы маломощные (Рмакс . ;; ; 0,3 Вт) низкочастотные (/.;;; 3 МГц); 2 _ транзисторы маломощные средней частоты (3 < .f.:;; 30 МГц); З - транзисторы маломощные высокочастотные и СВЧ (/> 30 МГц); 4 - транзисторы средней мощности (0,3 Вт< Р,..акс.;;; 1,5 Вт) низкочастотные; 5 - транзисторы средней мощности средней частоты; 6 - транзисторы средней мощности высокочастотные и СВЧ; 7 - транзисторы большой мощности (Рмакс > 1,5 Вт) низкочас- тотные; 8 - транзисторы большой мощности средней частоты; 9 - транзисторы большой мощности высокочастотные и СВЧ. Четвертый и пятый элементы обозначения (двузначное число от 01 до 99) определяют порядковый номер разработки (позднее пришлось вводить и трехзначные номера, т. е. добав.'1ять еще один элемент обозначения). Остальные ·тементы (классификационная буква, буква С для транзисторных сборок и цифры для бескорпусных транзисторов) также с 1964 г. изменениям не подвергались. Прu.неры обоз11аче11ий: ГTIOIA - для устройств широкого применения германиевый би­ полярный маломощный низкочастотный в корпусе, номер разработки 1, группа А. 2Т399А - для устройств общетехнического назначения кремниевый биполярный малосv~ощный СВЧ в корпусе, номер разработки 99, группа А. IS
2Т3106А-2 - аналогичен транзистору типа 2Т399А, но в бескор­ пусном испо:шении с гнбкими вывода~1и на криста.1.1одержате:1е, номер рюработки 106, группа А. 1.2. КЛАССИФИКАЦИЯ ТРАНЗИСТОРОВ ПО ФУНКЦИОНАЛЬНОМУ НАЗНАЧЕНИЮ В настоящем справочнике, наряду с нашедшей отражение в сн­ стеме ус.ювных обозначений типов транзисторов классификацией по роду исхо;щого полупроводникового материа.1а, рассеиваемой мощ­ ности, граничной частоте, конструктивному исполнению, отображена также классификания по основному функщюна.1ьному назначению. Биполярные транзисторы в соответствии с основными об.1астями применения подразделяются на 13 групп: усилительные низкочастотные (f;p < 30 МГп) с нормированным коэффи11иен1ом шума: усилитс.1ьные низкочасто гные с ненормированны.ч ко1ффшшснтом шума; усилн 1ельньrе высокочастотные (\О МГц< fip <;; 300 МГц) с нор­ мированныVI коэффипиентом шума: усилите.'Iьные высокочастотные с ненормированным коэффициен­ том шума; СВЧ усилительные (f,P > 300 МГц) с нормированны~1 коэффици- ентом шума; СВЧ усилительные с ненормированным коэффш1иентом шума; усилительные мощные высоковольтные; высокочастотные генераторные; СВЧ генераторные; переключательные ма:ю:vющные: переключательные мощные высоковольтные; импульсные мощные высоковольтные; универсальные. По своему основному назначению полевые транзисторы делятся на три группы: усилительные, генера.торные, переключательные. По виду затвора и способу управления проводимостью канала полевые транзисторы делятся на четыре группы: с затвором на основе р-п перехода; с и·юлированным затвором (МДП ·транзисторы), рабо гающие в режиме обеднения; с изолированным затвором, работающие в режиме обогащения. Каждая из перечисленных выше групп характеризуется спе­ цифической системой параметров и справочных зависи:\1остей. от­ ражающих особенности применения транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре. Применительно к данной классификации транзисторов и расположен информационный материал в справочнике. 1.3. УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ В технической документации и специальной литературе следует применять условные графические обозначения полупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2. 730-73. 16
" ! Графические обозначения полупрово;rниковых приборов, помещен­ ных в дапно"1 справочнике, приведены в таб~1. 1.1 . та б _1 и 11 а 1.1 . Графические обозначения rю.1упровод11н~.овых приборов Напченоuанпс Одноперехо;rный транзнстор с 11- и р-базой Транзистор типа р-п-р Тринзнстор пша •1-р-11 с кп.:~.1ектоrо"v1 -~-1ек гри­ чески сос;rинсННЫ\1 с кор11усо\1 Лашrнный транзис гор п111а 11-р-11 Полевой тран1истор с кана.-ю\1 n- п р-тиnа Полевой 1ранзистор с изо~1нрованны'v1 затво­ ром с выводо"vl от подложки обо~ ащенного типа с р-кана.1ом и обедненного типа с п-каналом Полевой транзистор с изо~1ированны~1 затво­ ром обогаrпенного типа с 11-канало~1 и с вну1- ренним соединением 1rод:южкн и истока По.1евой транзистор с лву\1Я 1110.rтированпыми затворами обедненного типа с 11-каналом н с внутренним сое;цшснием псс,\.южки и истока Обозначение 1.4 . УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ 'ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ Ик-э - напряжение ко.1.1ектор-эми1 гер. Икэо.гr - граничное напряжение биполярного транзистора; Икэо - постоянное напряжение кол~1ек IОJ1-Э\1И 1тер при токе ба3ЬI, равном нулю; Uк'ЭR - постоянное нанряжение ко.1лектор-э\1иттер при за­ данном сопротивлении н цепи база-эмиттер; 17
18 Икэк - постоянное напряжение ко.1.1ектор-эмиттер при ко­ роткозамкнутых выводах базы и эмиттера; Uкэх - постоянное напряжение кол.1ектор-·~миттер при за­ данном обратном напряжении база-эмиттер; UкэR" - пт-.шу.1ьсное напряжение ко.1.1ектор-эмиттер при за­ данном сопротив.тении в це11и база-эмит гер; Uкэк 11 - и~шу;1ьс11ое напряжение К'?.1лсктор-э~111ттер при ко­ роткозамкнутых выводах базы и Э!'v!Иттера: Икэх и - импульсное напряжение коллектор-эмиттер при задан­ ном обратном напряжении база-эмиттер; Икэопроб - пробивное напряжение кол.тектор-эмиттер при токе базы, равном нулю: UкэR1tроб - пробивное напряжение ко.1лектор-эмиттер при за­ ланном сопротивлении в цепи база-эмиттер: Икэк проо - пробивное напряжение кол.тектор-эмиттер при ко­ роткоза:\1кнутых выводах базы и эмиттера; Икэх пrоо - 11робив11ое напряжение ко:пектор-эмиттер при заданно!'v! обратном напряжении база-эмиттер; Икэ"акс - максима:1ьно допустимое постоянное напряжение ко.1.1ектор-змиттер; И кэи. чакс - макси~1ально допустимое ИМП)'JIЬсное напряжение ко.1:1сктор-·Jмиттер; И 1-:э. нас - напряжение насыщения коллектор-эмиттер; И КБ - постоянное напряжение коллектор-база; И1-:Б 11 - импульсное напряжение ко.'шектор-база; ИкБо. вроб - пробивное напряжение кол.1ектор-база; ИкБ. "акс - макси!\.1ально допустимое постоянное напряжение коллектор-база; Ию; и '1акс - макси'.1ально допустимое импульсное напряжение кол.1ектор-база; ИэБо. проб - пробивное напряжение эмиттер-база: UэБ - постоянное напряжение эмиттер-база: ЛИБэ - падение напряжения на участке база-эмиттер; UэБ. чакс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база; ИэБс '"'"с - максима.тьно допустимое обратное напряжение эмит­ тер-база 2 однопереходноrо транзистора; ИБэ. нас - напряжение насыщения база-эмиттер; UэБ. ю - п:1авающее напряжение эмиттер-база; ИБI 62 - межбазовое напряжение одно переходного транзис­ тора; ИБI Б2 . "акс - максимально допустимое межбазовое напряжение однопереходноrо транзистора; Иээ - наr~ряжение между 'JМИттерами двухэми 1 терного тран­ зистора; Иувр - напряжение управления двухэмиттерного транзис­ тора; Ив проб - напряжение вторичного пробоя; Ив. проб и - импульсное напряжение вторичного пробоя; Иси - напряжение сток-исток;
Изи - напряжение затвор-исток; Ииn,~ - напряжение исток-полложка; Иси макс - максимально допустимое напряжение сток-исток; Изи \1акс - максимально допустимое напряжение затвор-исток; Изе \1акс - максимально допусти!'.юе напряжение затвор-сток; Исп;:~. макс - V1аксима:1ьно допустимое напряжение сток-подложка; Ии пд. чакс - максимально допустимое напряжение исток-под­ ложка: Из п;:~ чакс - макспма,1ьно допусти!'.!ое напряжение затвор-под­ ложка: И~з~ з 2 )чакс - максимально допустимое напряжение !'.!ежду затво­ рами; Изи oic - напряжение отсечки полевого транзистора; Изи. поr - пороговое напряжени_е полевого транзистора; 1Изи~_ Изю 1 - разность напряжении затвор-исток сдвоенного по- левого тран:зистора: Л J Изи~ - Изи 2 1 - температурный уход разности напряжений затвор- ЛТ исток сдвоенного полевого транзистора; Иш - шумовое напряжение по.1евого транзистора; Еш - электродвижушая сила шума полевого транзистора; Епит - напряжение источника питания; Ек - напряжение источника питания цепи коллектора; ЕБ - напряжение источника питания пепи базы; /к - постоянный ток ко.1лектора; Iэ - постоянный ток эмиттера: / 6 - постоянный ток базы: /к 11 - импульсный ток коллектора: fэ. и - Иi\Шу.1ьсный ток эмиттера; /Б. и - импульсный ТОК базы: /кБо - обратный ток коллектора; /эБо - обратный ток эмиттера; fкэо - обратный ток ко.1лектор-э:-..шпер при разомкнугом выводе базы; lкэR _ обратный ток ко.1лектор-эмиттер при заданном со­ противлении в непи база-эмиттер; fкэк - обратный ток ко.1лектор-эсv~11ттер при коротко1амкну­ тых выводах ба1ы и эсv~ит1еnа: fкэх - обратный ток ко.1лектор-эмiптер при заданном об­ ра1ном напряжении база-э\шттер; fк шс - постоянный_ ток кол.1ектора в режи0\1е насышения; /Б.нас - посгоянны~ ток базы в режиме насыщения: fкр - крптическии ток би~олярного транзистора: /в пrоб -- ток втоrичного проооя: 18 ' 6 - и,шульсный ток вторичного пробоя: . про н · ~ ..... ~ fк. ""кс - максима.1ьно допустпчыи 11ос1 оянныи ток кол.1ек- тора; fэ. """" - максима~1ыю допустимый постоянный ток 1миттера; / 6 "акс - максим;;льно допустимый постоянный ток базы: fк и "акс - максима.1ьно донуС1имый им11ульсный ток кол,1ек­ тора: 19
20 lэ. "· "акс - :v~аксима.-1ьно допусп1-,1ый исv~пульсный ток 1м~птера: lкнас""" - \1аксималhНО допустимый постоянный ток коллекто­ ра в режиме насыщения; /Б. нас. '"IКС - ">1аКСИМ<l.1ЬНО допус 1имый IIОСТОЯННЫЙ ток базы в режиме насыщения: fc. чакс - макси\1ально ;:юпустимый постоянный ток стока: /БI i; 2 - :v1ежбазовый 1ок одно переходного транзистора; /8 к_~ - ток включения одно11ерсходнш о транзистора; /вык_1 - ток вы к.1ючения олнопереходного тран·знс·1 ора: fчuз - ток мо;1у.1я1ш11 одно переходного транзистора; fc""" - начальный ток стока; {с;.-""-'11__ - отношение нача.1ы1ых токов стока с,:щоеш101 о по- f С. нач2 лево;-о транзистора; fc. ост -- остаточный гок стока: /3_ут - ток утечки за <вора; lзсо - обратный ток затвор-сток при ра-юмкнугом выводе истока: fзио - обратный ток затвор-исток при разомкнутом выводе стока; fш - шумовой ток полево1 о 1ранзисгора; I-1 пр чакс - макс~с\!ально допустимый прямой ток ·ш·1вора; fc. и макс ·- максил,1алыю допустимый импульсный ток стою~; Сэ - емкость эмиттерного перехода; Ск - емкость коллекторного перехода; С11 и - входная емкость полевого транзистора; С22 и - выходная емкость полевого транзистора; С 12 и - проходная емкость полевого транзистора; Сзсо - емкость затвор-сток при отсоединенном выводе ис­ тока; С3 иu - еыкос~;ь затвор-исток при отсоединенном выводе стока; Сг - е:v~кость генератора; (-частота: ip - граничная <~астота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером; f ;Р - зп;~чение f~p в заданном режиме; Ji, 21 - предельная частота ко'Jффициента передачи тока би­ нолярного транзис·юра; J"акс - л,1аксима.1ьная частота генерапии биполярного тран­ зистора; g 11 и - активная составляющая входной проводимости по­ ;rевого транзистора в схеме с общим истоком; g22" - активная составляющая выходной проводимости по­ левого транзистора в схеме с общи:\! истоком; /1 11 , - входное сопротив.1епие бнполярноrо транзистора в режиме ма.1ого сигнала в схеме с общим эмит­ тером: /z 11 э - входное сопрстивлеппе б(шолярного транзистора в режиме большого сигнала в схеме с общим эмит­ тером; -\\"'
/1116 - входное сопротивление биполярного транзистора в режиме чалого сигна.1а в схеме с общей базой: /112 , - к оэффициент обратной связи по напряжению би­ полярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером: /1116 - ко·эффициент обра·шой связи по напряжению бипо­ лярного транзистора в режиме малого с111на_1а в cxe\Je с общей базой: /121, - коэффициент передачи тока биполярного тран1исто­ ра в режиме ;,1алого сигнала в схече с общи~1 эмит­ тером: !/ 11 ,, ! - ;,ю;Jvль коJффиниен 1а вередачи ~·ока бипо~1ярно1 о гра~зпстора в схс:\1е с общим эмиттером на высокой частоте: J11 ;э - ст~1 г11ческ11й коэффшщент передачи тою~ биполярно­ го трапзвстора IJ cxe\Je с общ11:v1 э:vшттсром: aгg(f12 :ii} - фаза коJффицаента передачи тока в сх!:'ме с LJuщeй 6Jзой: ; 122 ,- вы>J).J\iаЯ 1ю_-шая провод11\1ость биполярного тран­ з11стора в рсж11\-1е \Jалого сигна.1а при хо_1осто'1 хо,1е в cxc:vJC с обшим э:vш1·1ером: /1" 0 - ВЫХОДI!i\Я llO_lHaЯ ПрОВОД!IМОСТЬ б11по:1ярНОГО T\lall- --- зистора в режиме малого сигнала при холосТО\J хо,;е в схеме с общей ба 1ой: к_, Р _ коэффшщ;:нт уси.1ення по мощнщ:1 и 61:110_1ярноrо (110.1е1юго) тра11з11стора: Ks Ptiюl - коэффипнент уси_1ения по \Ющности в режи:че _•щух­ тоноIJоrо сигна_1а (о 1ношение выхо,1ноi1 мошнос 1н в пике огибающей ко вхолной мош11осл1 в пнке 01 116аюшей): к11 , - коэффю1иент шума биполярного (nо.1ево1 о) трап­ зистора: К и; - -шачение Кш в .зада1шо\1 режи-..1е: К, - коэффициент линейности; Кнас - коэфф1щ11ент насыщения: Kcr 1 -- коэффицвснт стоячей волны 1ю напряже11ню: 1 - ;1:111на ВЫ130_'10В: м" А/, - коэффиниенты комбинационных состав_1яющих со­ отве·1 ственно третьего и пятого порндка [отношею1с наибольшей амплитуды напряжения комб1шащнннюii составляюшсй тре гьего (пятого) порядка спектра IJЫХодного сигнала к амплитуде основ1ю1 о тона при 1юдаче на вход транзистора дву)\ тоновm о сиг­ нала равных амв-1111уд): 11 - число приборов в выборке: N - число приборов в партии: р - постоянная рассеиваемая :vющнос 1ъ биполярнш о (по­ .1евого) гранзистора: Pcr - средняя рассеиваемая "1Ощность биполярного (полево­ го) транзистора; 21
22 Р" - импу.1ьсная рассеиваемая :vюшпосп. б1111олярного (полевого) транзистора; Рк - постоянная рассеиваемая мошность ко.1.1ектора; Рк ер - средняя рассеиваемая мощность ко.1лектора; Р6, - ю.о;:щая мошность бипо.1ярного (по.1евого) тран­ зистора; Рвь" - выходная "юшность бипо.1ярного (по.1евого) тран­ ]l!сrора: Рв,~по~ - входная мощность в пике огпбаюшей (средняя \ЮШНОСТЬ 0.]!ЮТОНОВОГО С!1! на:~а с амплитудой, рав­ ной амплитуде двухтонового сигнала в пике оги­ бающей); Рвых~поl - выходная мощнос1ъ в пике огибаюшей (средняя мошность однотоновоrо с11гна.1а с а\1плитудой, рав­ ной амплитуде двухтоново1 о с;rгю1т1 в пике оги­ бающей): Ротр - мощность отраженной во.1ны СВЧ сиrнала; P 11•:i - мощное rь 1шдающей во.1ны СВЧ сш на;1а: Р"аке - \,1аКСИ\,1ально допустимая пос1оянн<1я рассеиваемая '.-ющность бипо.1ярноrо (1юс1евого) транзистора; Р" \!акс - макси:1-1ально до11ус 1и мая импу.1ьсн<~я рассеиваемая мошность бипо.1ярного ( по,1евого) транзис·юра: Рк щкс - :1-1акс11\1а.1ьно допустимая пос .-оянн <~я рассеиваемая мощность колс1ек1ора: Рк_ ер \ldKC - 'vlаксимально допустl!\,·1ая средняя рассеивае:1-1ая мощ­ ность коллектора; р - атмосферное давление: Q - скважность; Rк - сопротивление в непи коллектор-источник питания; RБэ - сопротив.1ение в цепи база-эмиттер: R 616 ~ - чсжбазовое сопропш.1енис однопереходного тран­ зистора; R 6 - сопротивление в цепи база-источник питания; Rси.оrк - сопротивление сток-исток в открытом сосгоянии полевого транзистора; Rвх - входное со противление; Rвых - выходное со противление; Rш - шумовое сопротив.1ение по;1евого тр<~н·шстора; R11 - сопротив.оение нагрузки: R, - выходное сопротивление генератора при измерениях; Rт - теп.1овое сопротивление; Rт_ п-к - те11.ювое. сопротивление переход-корпус; Rт и. п-к - импу.1ьсное тепловое сопротивление переход-корпус; Rт rт-с - теп.1овое сопротивление переход-среда: S116 , S11 , - коэффициент отражения входной цепи соответст­ венно в схеме с общей базой и с обшим эмит­ тером; S 126 - коэффициент обратной передачи напряжения в схеме с общей базой;
, j s126 j - модуль коэффициен:_а обратной передачи напряже­ ния в cxc:vre с общси базой; s21 , - коэффнцпент врямой передачи напряжения в схеме с обши-.,1 э:vrиттером; S226 - коэффи11иепт отражения выходной цепи в схеме с общей базой; S - крути1J~а характеристики 1юлевого транзистора; Sп 1 - крутизна характеристики по подложке; lвк.1 - время включения биполярного (полевого) тран­ зистора: 1." •. 1 - вре-.,1я выключения биполярного (полевого) тран­ зистора; lн - время задержки для 1 11 Р - время нарастания транзистора; биполярного транзистора; д.1я биполярного (по.1евого) lpoc - время рассасывания ;:~дя биполярного транзистора; rc 11 - время спада для 15ипо.1ярного (полевого) тран­ зистора: f3 .J . вк.1 - вре'.!Я задержки включения полевого транзистора; 1,, 1 . nLi к.1 - время задержкн выключения полевого транзистора; Т- температура окружающей среды; Т, - температура корпуса; для бескорпусных транзисто­ ров - криста.1.1одержателя (подложки); Т11 - температура р-11 перехода: 'lк - коэффициент полезного дейс гвня ко.1лектора; ' 1 - коэффициент передачи однопсрсходного транзистора; о:рн - фаза коэффициента отражения от нагрузки; о:р - фаза S-пара'l-!етра; тк - постоянная вре:vrени непи обратной свяяr на высо­ кой частоте биполярного транзистора; т11 - длите.1ыюсть и~1пульса; 'Ф - ;щите.1ьность фронта.* 1.5. ОСНОВНЫЕ СТАНДАРТЫ НА БИПОЛЯРНЫЕ И ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ гост 15133-77 ост 11 336.038 -7i гост 2.730 -73 гост 18472-78 Приборы по:тупроводниковые. Термины и опреде.1ения. Приборы полупроIJодниковые. Систе'>1а 060- ·~начений. ЕСКД. Обозначения условные графические IJ схемах. Приборы полупроводннко!'ые. Приборы полуттрово 11никовые. Корпус<1. Га­ баритные и пр11соеднните.1ы1ые размеры. * Знаком* 11a~tee в тексте отмечены паrаметры илн их значения. пр[1- веденные в справоt1ны.х данных ТУ. Прн 1~рс1п20.,J,с1не по.'1уnроводниковых приборов они могут не контролпроваты·я. Значения экt:плун1а1щонных дан­ ных, приведс-нныс без ука1ания 1еJ1...1пеrа-гурного ,1иаnязона. справе-"1_1ивъ1 во всем ннгерва.~с темпера тур окружающеи среды для дашю1 о тиnа грашистора. 23
гост 20003-74 гост 19095-73 гост 18604.0- 74 гост 18604.1-80 гост ! 8604.2-80 гост 1i\604 3-80 гост 18604.4-74 гост 18604.5-74 гост ! 8604.6 -74 гост 18604.7-74 гост 18604.8-74 гост li\604.9-75 гост 18604.10-76 гост 18604.11 -76 гост 18604.12 - 78 гост 18604.13- 76 гост 18604.14- 76 гост 18604.15 -76 гост 18604.16-78 24 Транзисторы бино.тярные. :Электрические па­ раметрьr. Тер'vlины. опреде.1сния и буквенные обозначения. Транзисторы полевые. Элек rрические ш1ра­ метры. Термины, овре~еления и буквенные обоз на 'Iения. Транзисторы. Методы измерения J.1ектриче­ скнх rшраметров. Обшие 110.~ожения. Транзисторы бипо.1ярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте. Транзисторы Gr11rо;1ярные. Мегсц ~пмерения статического коэффшшента передачи тока. Транзисторы бипо.1ярные. Метод измерения ем.кос reli ко.1~1екторно1 о 11 J:", HI 1 1·ерног о Ее­ рсхолов. Транзисторы. Меrоды из:v~ерешrя обратного тока коллектора. Тр;шзисторы. l\1етод из\1срсния нача.1hноr о тока ко. iлектора. Транзисторы. Метод rпмерения обратного тока эмиттера. Тран·шсторы. Метод а3~1срснпя ко·э<jнjнщиен­ та передачи тока. Транзисторы. Мегод измерения выхщщой проводимости. Тран·щсторы биполярные. Методы определе­ ния граю1•шой и предельной частот коэф­ фшщента передачи тока. Транзисторы биполярные. Метод измерения вхо,с\ного сопротив.тения. Транзисторы бипо.1ярные. Метод из\.iерения к0Jфф11циенл1 шуми. Транзисторы биполярные СВЧ генер•нор­ ные. Методы определения граю1<1ной час­ тоты коэффициента нередачи тока. Траюисторы биполярные СВЧ генер<пор­ ные. Метод измерения выходной мощности и о 11ределе11ия коJффициента усиления по \1ощности и коэффициенл1 нолезного дей­ ствия. Транзисторы биполярные СВЧ 1енера·1с1рные. Ме 1 од из~fерения моду ля коэффшtиента об­ ратной r;ере;:~.ачи. Транзисторы би110.1ярные СВЧ генератор­ ные. Методы измерения критического тока. Транзисторы бипо.1ярные. Метод изчерения ко,ффициента обратной связи по напряже- 1шю в режиме маJю1·0 сш 11a;ia. •·
' ·::~ -~1~ .- 18604.17- 78 гост гост 18604.18- 78 гост 18604.19- 78 гост 18604.20- 78 гост 18604.21- 7R гост 18604.22- 78 гост 18604.23 -8() гост 18604.24-8 i гост 18604.25 -81 ГОСТ 20398 .О- 74 гост 20398.1-74 гост 20398.2 -74 гост 20398.3-74 гост 20398.4 -74 гост 20398.5-74 гост 20398.6 -74 гост 20398.7-74 гост 20398.8 -74 гост 20398.9-80 гост 20398.10-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения п.1авающего напряжения эмиттер-база. Транзисторы биполярные. Методы измере­ ния статической крутизны прямой передачи. Транзисторы биполярные. Методы измере­ ния r раничного напряжения. Транзисторы биполярные. Методы измерення коэффициента шума на низкой частоте. Транзисторы биполярные. Методы из:\.1ере­ ния времени рассасывания. Транзисторы бипо.1ярныс. Метоцы измере­ ния напряжения наеышения ко.1:rектор­ эмнт гер и база-Jмиттер. Транзисторы биполярные. Метод из:vtерення коэффиrщентов ко~1бина пионных состав­ .~яющих. Транзис·rоры бн1юлярные высокочастотные 1е11ераторные. Метод измерения выходной :vюшностп и определения коэффиш1ен·1 а уе11- .1сния по мошноеп1 и коэффюшента !IО­ лезного действия. Транзисторы бипо.1ярные высокоч<1с·1 о mые 1енераторныс. Метод опреде.1е1шя грани•шой •iac1 оты коэффициента перед<1 чи тока. Транзисторы полевые. Методы измерения 'J.1ектр11чееких параметров. Обшие поло­ жения. Транзисторы полевые. Метод пзмерсния мо­ ду.1я по.1ной 11роводимости врямой передачи. Транзисторы по,1евые. Метод измерения коэффициента шума. Транзисторы полевые. М е rод измерения крутизны характеристики. Транзисторы по;<евые. Метод измерения ак­ тивной состав.1яющей выходной проводи­ :vюс rи. Транзисторы нолевые. Метоц измерения входной, проходной и выходной емкостей. Тр<1н:шсторы полевые. Метод измерения тока утечки 3атвора. Транзисторы полевые. Метод измерения по­ рогового напряжения и напряжения отсечки. Тран,щс1·оры полевые. Метод измерения на­ чального ток<1 стока. Транзисторы по,1евые. Метод измерения крутизны характерист11 ю1 в импульсном режиме. Транзисторы полевые. Метод измерения н<1- чального тока стока в импульсном режиме. 25
гост 20398.11-80 Транзисторы полевые. Метод измерения спектра.тьной п:ютности щумового напря­ жения. гост 20398.12 -80 Транзисторы по.1евые. Метод измерения ос­ таточного тока стока. гост 20398.13 -80 Транзисторы нолевые. Метод измерения сопротивления сток-исток. ГОСТ 2.117- 71 ЕСКД. Сог.тасованпе применения r:окупных изделий. ОСТ 11 аАО.336.013-73 Приборы но.1уnроводниковые. Методы за­ щиты от статического электричества. ОСТ 11 336.907 .О- 79 Приборы полупроводниковые. Руководство по применению. Общие по.-rожения. ОСТ 11 336.907 .8 -81 Транзисторы биполярные. Руководство по применению. ОСТ 11 336.935-82 Транзисторы по.1евые. Руководство по при­ менению. ОСТ 11 ПО.336.001-71 Приборы полунроводннковые бескорпусные. Руководство по примененню. Разде.z второй ОСОБЕННОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ В РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЕ Все преимущества полупровод11иковых приборов, позволяющие создавать чрезвычайно экономичную, малогабаритную и надежную аппаратуру, могут быть сведены к мини:v~уму, если при разработке, изготовлении и эксплуатации ее не будут приняты во внимание их спеuифические особенности. Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс параметров транзисторов, температурная нестабильность и зависичость их пара­ метров от режима работы, а также изменение пара-.1стров транзи­ сторов в проr1ессе эксплуаташш радиоэлектронной аппаратуры. Транзисторы, приведенные в справочнике, являются транзисто­ рами общего приУ!енения. Они сохраняют свои пара).1етры в уста­ новленных пределах в условиях эксплуатации и хранения, характер­ ных для различных впдов и классов аппаратуры. Эти условия характеризуются внешними механическими воздейст­ виями (вибрационными, ударными, центробежными нагру Jками) 11 климатическими воздействиями (температурными, а1 мосферными и др.). Усювия эксплуатации аппаратуры -.югут изменяться в щироких преде.тах. В зависи\.1ости от эксп.1уатацио11ных требований, прелъявлясмых к транзисторам, промышленноссrью nыпускаются транзис1оры широ­ кого применения для промыш.1енной и общетехничсской аппаратуры. Общие требования, справедливые д.1я всех транзисторов, пред- 26 l !
r- ·.:~, назначенных д.,я испо.1ьзования в аппаратуре определенного класса, ·.:?: содержа1ся в обших технических условиях. Нормы на значения электрических параметров и специфические требования. относящиеся к конкретному типу транзистора, содер­ жатся в частных технических условиях. Под воцействием различных факторов окружающей среды (тем­ пературы, в.1аги. хиу~ических. механических и других воздействий) некоторые параvtетры. характеристики и свойства транзисторов могут изменяться. Целям герметичной защиты транзисторных структур от внешних воздействий с.Jужа 1 корпуса приборов. Конструктивное оформление транзисторов рассчитано на их ис­ полиование в составе аппаратуры при :тюбых допустимых усло­ виях эксп.1 уатации. Рассеиваемая мощность, а также возможность работы на сверхвысоких частотах определяются коне rрукцией тран­ зисторов. Необходимо помнить, что корпуса транзисторов в конечноу~ счете и~1еют ограничение по герметичности. Поэтому при испо.1ьзо­ вании транзистоrюв в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в ус.1овиях повышенной в.1ажности, платы с расположенными на них транзисторами рекомендуется покрывать .1ако~1 не менее трех слоев. Для защиты п.1а1 с транзисторами от в.1аги рекомендуется при­ менять лаки УР-231 (ТУ 6-10 -863-79) или ЭП-730 (ГОСТ 20824-75). Корпусными транзисторами не исчерпывается все· многообразие выпускаемых типов тр<шзисторов. Бес большее распространеimе получают так называемые бескорпусные транзисторы, предназначен­ ные для испо.1ьзования в микросхемах и микросборках. Ес.1и кри­ ста.1лы таких транзисторов и защишены спеuиалы1ы~1 покрытием, то оно не обеспечивает дополнительной защиты о г воздействия окру­ жающей с:реды. Защита достигается общей герметизацией всей микро­ схемы. Эксп.1уатация транзисторов должна осуществляться в соответ­ ствии с требованиями ТУ и стандартами-руководствами по приме­ нению полупроводниковых приборов (общие положения) и руковод­ ством для конкретного класса приборов. Чтобы обеспечить долн1летнюю и безотказную работу радио­ электронной аппаратуры, конструктор обязан не только учесть ха­ рактерные особенностн транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и обеспечить соответствующие ус.ювия ее эксп.1уатации и хра­ нения. Транзисторы - приборы универсального применения. Они могут быть успешно использованы не только в классе схем, для которых они разработаны, но и во многих других схемах. Однако набор параметров и характеристик, приводимых в справочнике, соответ­ ствует в первую очередь назначению транзистора. В справочнике приводятся значения пара:v~етров транзисторов, гарантируемые ТУ для соответствующих оптимальных или предельных режимов эксп.1уатации. Рабочий режим транзистора в проектируемой схеме часто отли­ чается от того режима, для которо!·о приводятся параметры в ТУ. 27
Значение бо.1ьщинства пара!>.!етров транзисторов зависит от рабо­ чего режима и температуры, причем с увеличением температуры зависимость параметров от режима сказывается более сильно. В спра­ вочнике, как правило, приводятся типовые (усредненные) зависимости параметров транзисторов от тока, напряжения, температуры, частоты и т. д. Эти зависимости должны использоваться при выборе типа транзистора и ориентировочных расчетах схем, так как значения па­ раметров транзисторов одного типа не одинаковы, а .1ежат в неко­ тором интервале. Этот интервал ограничивается мию1мальным или максимальным значением, указанным в справочнике. Некоторые па­ рамет;:~ы имеют двустороннее ограничение. В ряде случаев в справоч­ нике приводятся также и типовые (усредненные) значения пара­ метров. При конструировании схем необходимо стремиться обеспечи1 ь их работоспособность в возможно более щироких интервалах изУ~е­ НС:НИli важнейших параметров транзисторов. Рюброс параметров транзисторов и их изменение во времени при конструировании схем могут быть учтены расчетными ~1етодами или экспериментально - методом граничных испытаний. В справочнике, как прави.10, не приводятся выходные характери­ стики биполярных транзисторов ввиду их однотипности и возмож­ ности построения по приводимыУ! данным. На рис. 2.1 показаны выходные характеристики биполярного транзистора с указанием областей работы для схем с общей ба­ зой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Характерные особенности об.1астей, показанных на рис. 2.2 при­ 'V!еюлельно к токам и напряжениям для р-11-р транзис·1ора. привелены в табл. 2.1. Таблиц а 2.1. Характерные особенносп1 обдастей работы при вкmо­ •1ении транзисторов тина р-п-р по схеме с ОБ и с ОЭ Схе- Напря- Рабо<;ая ма Нш1ряжение жение на Ток Ток ба1ы об.1асть BKJ!IO- на эмпттере коллек- кол.1ектора чения торе ~ОБ Uэi;>O ИкБ<О lк=l1 21 r:,lэ /Б=/к(\ +h21Б)/ //121Б > 0 оэ ИБэ<О Икэ<О lк=h21э/Б /Б=lк/h21э>О ОБ 1 ИэБ> ИкБ ИкБ>О lк <l121Бlэ /Б > fк(l + h11Б)//1211; щснис 1 оэ 1UБэl>1 Икэ! Uкэ <0 lк <h21э/Б IБ>lк/h21э Отсеч- ОБ ИэБ,;;;0 ИкБ<О IкБк;;;. lк ~ lкБо 1 lr,<0 ка оэ UБЭ;;.О Икэ<О lкэо ;;>lк > lкБо /Б <0 У~шо- 1 ОБ ИэБ>О Ик5<0 Iк ;;> /121Б/э /Б < fк( 1 +h21Б)/h21Б жение 1 оэ ИБэ<О Икэ<О lк ;;>h21эIБ /Б <lк/h21э 28 ...,
Iк If Iк 13Б 11:: lf "'- lf :::! :::! :х: :х: с:, 11.J 11.J ::]' 1;> Область 1\ ::1' Б-:У-. Область :;; 11сuленш1 If :;; ~ усuлениfl lJ ~ <.> <?.,, <.> '5'._,, t:! "&: t:! оу :х: "'о :х: -s -<?__,, . .о ~ .о Е: <?-? 1] Е: 'h 15 =О '-' <.> ~ t:! --»~ }~ t:! -;>~ ~ <?__,,. ~ lкБО '<. _,. lз=О а l5=lкso а +Uкs о А Ек -UкБ о Uкэ.нас АЕ -Uкз Область Область к отсечки а) отсечки б) Рис. 2.1 . Быхо..:щые характеристики 611по.1яр11ого транзистора 11 об- ласти работы при вк.'Iючении по схеме с ОБ (а) 11 по схеме с оэ (6). Для п-р-п транзисторов знаки неравенства в столбцах табл. 2.1 «Напряжение на ко.1лектореJ> и «Напряжение на эмиттере» должны быть за"1енены на обратные. При необходимости применения транзисторов для выполнения функций, отличающихся <YL их основного назначения, вывод о воз- " " " " " " :i; "::. " ~.; " ~ :i; ""' "" "" ...... ...... Рис. 2.2 . Реальные выходные характеристики мощного германиевого транзистора и облас·1 и максимальных реЖИ"-'ЮВ (заштрихованы). 29
1 ,\1ожности их испо.1ьзования в этих режимах может быть сделан после всестороннего обследования параметр~в транзисторов в этих режимах, проведения соответствующих испытаний и сог.1асова11ия их применения в соответствии с ГОСТ 2.117-71. В аппаратуре транзистор -ложет быть испо.1ьзован в широком диапазоне напряжений и токов. Ограничением служат значения пре­ де.1ыю допустимых реЖИУЮВ, превышение которых в условиях эк­ сплуа гации не допускается независимо о г ;t.1итсльности импульсов напряжения и.1и тока. Даже кратковременное превышение предельно допустимых реЖН'<ЮВ 3'Южет привести к пробою р-п перехода, сгора­ нию внутренних вывопов и выходу прибора из строя. Поэтому при применении транзисторов необходимо обеспечивать их защиту от ."1гновенных изменений токов и напряжений, возникающих при перехолных процессах (моменты включения. вык.1ючения, изменения режимов работы и т. д.). _?>лгновенных изменениях питающих напря­ жений. Не допускается также работа транзисторов в совмещенных предельных режи!\1аХ (напри~1ер, по напряжению и току). Режимы работы транзисторов должны контролирова1 ья с учетом возможных неблагоприятных сочетаний условий эксплуатации аппа­ ратуры. При измерениях необходимо принимать во внимание ко.1е­ бания напряжений источников питания, значение и характер нагрузки на выходе блока, а3'1плитуды. длительности выходных сигналов, уровни внещних воздействующих факторов. Для повышения надежности транзисторов в эксплуатации следует выбирать рабочие режимы с коэффициентами нагрузки по напряжению и мощности в диапазоне О, 7 -0 ,8 . Однако следует учесть то, что применение транзисторов при ма.1ых рабочих токах приводит к сни­ жению устойчивости их работы в диапазоне температур, нестабиль­ ности усиления во времени. Испо.1ьзова11ие боле~ высокочастотных типов транзисторов в низкочастотных схемах нежелательно, так как они дороги, ск.юнны к самовозбуждению и обладают меньшими эксп.1уатационными запасами. При применении мощных транзисторов необходимо обеспечивать прави.1ы1ый теп.1овой режим работы, чтобы температура корпуса транзисторов бы.1а минимальной и не превыша.1а допустимую. Превышение предельной температуры может привесги к теп.1овому пробою р-п перехода. Тепловой пробой возникает вс.1сдствие .1ав11но­ образноrо нарастания температуры р-11 перехода. Во избежание теп­ лового пробоя необходимо у:1учшать отвод теп.1а от транзистора. Прави.1ьный выбор ·rен;ювого режима работы снижает интенсив­ ность отказов транзисторов, а также обеспечивает стабильность вы­ ходных нараметров аппаратуры. Обеспечение оппrчш:ьного теп.ювого рсжича работы транзисто­ ров играет первостепенную роль при создашш надежной аппаритуры. Д.'IЯ учета зависичости пар;~3'1етров от темнературы в справоч­ нике приводятся температурный диапазон исполыовання транзисторов, значения пара~rетров и режнмов при различных температурах и их температурные :>.<1виснмостr1. В качестве те·плоотвода д:1я мощных транзисторов могут исrюль­ зоваться специально сконстр)'11рованные радиаторы или конструктив- 30 r 1
ные э;1ементы узлов и блоков. При этом должна предусматриваться специальная обработка мест крепления транзисторов. Коеп,1ение транзисторов к радиаторам должно обеспечивать их надеж~ый теп:ювой контакт. Особое внимание следует уделить обеспе­ чению надежного теплового контакта при введении между корпусом транзистора и радиатором изолирующих прок;1адок. Для уменьшения обшсго теплового сопротивления .'Iучше изолировать радиатор от корпуса аппаратуры, чем транзистор от радиатора. При применении заливки плат компаундами следует учитывать возможное ухудшение теплообмена между транзисторами и окружаю­ щей средой. Заливку п.1ат допускается производить компаундами, не оказы­ вающими отрицательного химического и механического влияния на транзисторы. Особенностью при">!енения :vющных биполярных транзисторов является работа этих приборов в режимах. близких к предельным по те'\-Шературе перехода. Для обеснечения надежной работы аппара­ туры режимы испо.'Iьзования мощных транзисторов должны выби­ раться таки!><! образом, чтобы ток и напряжение не выходили за пределы об.'Iасти максима.1ьных режимов. На рис. 2.3 приведен типичный вид области максимальных режимов !><Ющного биполярного транзистора. Сплошными линиями огра~шчена об.'Iасть статического режима работы транзистора, а пунктирными - импульсного. Область максимальных режимов 01·раничена следующими факторами: максимально допустимым током коллектора (постоянным и им- пульсным) - область !; максимально допустимой :>.1ощностью рассеивания (постоянной и импульсной) - об.1асть II; вторичным пробоем - область III; граничным напряжением вольт-амперной характеристики при за­ данных условиях на входе - область IV; максимально допустимым обратным напряжением ко;:шектор­ эмиттер (постоянным и импульсным) - область V. Iк ,А lки.макс lКиt I К. макс 1-i-,..1--l--t<tl':fJ:~ '+ '< - -'- -1 - ---! Iк1 ~11-1---1---6! ~ Рк_макс i\ 1i' 11 111\ 111 111\ 111 UКЗ1 Uкзоп Uкз.U::!с Uкзк. макс Рис. 2.3. Область максимальных режимов мощиого биполярного транзистора. Рис. 2.4 . Зависимость постоян­ ной рассеиваемой мощности от температуры корпуса. 31
Рис. 2.5. Областп макс11мальпых режимов при различных темпе­ ратурах корпуса. т,,} с Рис. 2.6. Зшшсимосrь теплового сопротивления от лл11 гелыюсти }ti'vJll)'JJЬC~I Область максима.1ьных режимов в справочнике приьо;цпся, как прави;ю, при температуре корпуса ТкJ· при которой обеспечивается максимальная мощность рассеивания. При увеличении температуры корпуса выше Ткr мощность рассеивания опреде.1яется с по,.ющью графиков (рпс. 2.4), а при их отсутствии рассчитывается по форму'1с Рчакс = (Tn - Тк)/Rтп-1<• где Тп -·температура перехода: I'i, - те~1пература корпуса (например, Т"2' Т,3 и т. п.); Rт. n-к - тепловое сопротив:тение переход-корпус. При работе транзистора при температуре корпуса Тк2 или Т,з область !1 (см. рис. 2.3) перемещается, что соогветствует у:..1еньшенню мощности рассеивания, опреде.1енной графическим_ путем и.1и рассчи­ танной по форму.1е (рис. 2.5). При повышении температуры корпуса происходит изменение по­ .1ожения и области V. Значение предельно допустимого обратного напряжения коллектор-эмиттер (постоянного или импу;1ьсного) при росте температуры уменьшается (рис. 2.5). Эта зависи1\t0сть снимается экспериментально. При переходе от статического режима к импульсно:..1у и при уменьшении д.11не.1ьности импульса границы области максимальных режи"1оВ перемещаются в сторону больших значений тока и на­ пряжения. Макси:vшльно допустимая мощность рассеиванпя в импульсно\! режн~·1е связана с максимальной рассеиваемой мощностью соопю­ шением rде Rт.и.n-• - импульсное теIL1овое сопротивление переход-корпус, являющееся функцией д.1ительности импульса и скважнос1·и (рис. 2.6). Чем :v1еньше длительность импу.1ьса и бо.1ьше скважность, теч больше импу.<ьсная мощность рассеивания, вызывающая разогрев перехода до максима.1ьно допустимой температуры. Области макси­ ма.<ьных режимов !1 и I!I при лом перемешаются вправо, в об.1:ас гь 32
больших значений токов и напряжений. Эти границы опреде:11яются экспериментально. Тепловое сопротивление переход-корпус зависит от конструкцин транзистора и можег быть определено из об.1асти максимальных ре­ жимов. Например, д.1я режима Икэ1. lк1 (см. рис. 2.3) теп.1овое сопротив.1ение, К1Вт, Rтн = (Тп - Т.1)/Ик11Iк1· Иv.пу.1ьсное тепловое сопротив.с~ение переход-корпус связано с тепловым сопротивлением н статическом режиме соотношением Rт.и.11-к = (Икэ1Iк1.'Икэ1lк 111)Rтп-к· Все мощные биполярнLiе транзисторы СВЧ цианазона пред­ назю1чены для работы в режи:v1ах с отсеч'кой ко.1лекторного тока. Допуспrмыt:: э.1ектр11чсские режп~1ы на постоянном токе (по напря­ жению и мощности рассеивания), как прави:ю, существенно от;ш­ чаются от дию1,шчсских режи»юв раG01ы. В дипамич~сrшх режи-.~ах среднее напряжение эмиттер-база до.1ж1ю быть запирающим. П ривеленные в справочнике парu \лстры \101UНЫХ СВЧ транзис­ торов позволяют rю.1r,:;оват1,ся 11шовоii эквивалентной схемой для опенки их' эксп.<уатацнонных характерис:rик. Эквнва:1ентная cxe:vta транзистора в актнвно\t режиме пока3ана на рис. 2.7. Б ряде с,1у"шев 11араметры некоторых элементов, изображенных на схе~1е. в спr:шочных нанных отсутс гвуют. Это значит, ч го эквнва:тснпшя схема дол;кна бы 1 ~. соответствующи\1 образом упрощена. Напри'.Лер, есш не приводится экв1шалептное Скз г Корпус Рис. 2.7. 'Эквивалентная схема мощного СВЧ тран:шстора в активном режиме. Ск 1 - <tкп1вн;~я с~1,;:ссrь ко1.1ск 1ора. Ск2 - пасс~шн<.t.~1 ем!>асть 11:0_1лек1орi:1; Ск-э - емкость коллектор-Jмиттер; Сэ - емкос1ь лшrтсrа; t 1, С2• ( 1 - е\ш·ости сыно.1ов 011-юс111с.1ъно коr­ пуса; Lэ, LБ, Lк - ш1,~укп1В1iости 71 hШодоп 1мнттсра, базы. коллектора соответственно; rБ - сопротивгтение базы; R') - пос_;:едов<Iтелы;ое сопроти~1.'lсние R 1iem1 эмпттера; rк - эквивалентное сопrотивлснис коллек юра: 'Э - сопроп1вJ1ение 1мнттерного перехода. 2 Полупроводниковые приборы 33
последовательное сопротивление ко.•лектора, то это означает ма.1ое влияние этого параметра на типовые эксплуатационные характе­ ристики. и он может быть исключен из схе'v1Ы. Приводимое D справочнике значение емкости ко.1лскторного перехода СВЧ ~ющных транзисторов включает в себя значения ем­ костей \1сталлизированных площадок в структуре транзистора и емкостей корпуса. То же относится и к поня гию «йшость эмит­ терного переходю>. Уси;штельные свойства мощных высокочастотных линейных транзисторов характеризуются пара:vtетрами. методы IВ\лерения ко­ торых основываются на использовани11 л.вухтонового сигнала, со­ с гоящего нз двух гар~юнических сигналов. Нелинейные свойства транзисторов в этом с.1учас онениваются коэффициентом комбинаuионных состав.'Iяющих ·1 ретьего и 11ятого порядков, являющимся отношениеVI наибо.'l&ших а~ш.-штуд соответ­ ствующих комбишщионных состав.1яющих спектра выхо;1ного сиrна.'Jа (рис. 2.8) к а\1ПЛиту!1е основного тона. z J 1 ~ z J Рис. 1.8. Вид спектра частот выходпого сигнала при измере­ нии коэффициен 1·а комбинаци­ онных составляющих .че10,.::0\1 ;1вух 1онового сигна.1а. 1 - ос1ю1шой rон. '} - ~.:омбнниш1"mныс состаn.1яюш~~с третьего nоря.J.ка: 3 - коч­ бинашюнныс состпн_1яюшне fJятor-o по- rя.::~ка. Между средней мощностью линейного двух 1оно1юго снгна.1а и мощностью в пике огибающей существует соотношение рвых = Рвых(по)/2. Это соотношение используется для рас•rета КПД кол.'Jек 1ора транзистора в режиме двухгонового сигнала. В процессе мон гажа транзисторов в схемы механические и тепловые DОздействия на нпх не до:1жны превышать значений, указанных в ТУ, так как это може·1 привести к растрескпванню изолятора и, с.•едовательно, к нарушению герметичности корпуса транзистора. При рихтовке, формовке и обрезке участок вывода у корпуса транзистора должен быть закреплен таким образом. ч го бы в :.-1есте выхода вывода из корпуса (изолятора) он не испытывал изгибаю­ щих или растягивающих усилий. Оснастка для формовки выводов должна быть заземлена. Расстояние от корпуса гранзистора до начала изгиба вь~вода при формовке должно быть не менее 2 м:-1, если в ТУ Шi кон­ кретный тип транзистора не указано иное. При диаметре вывода 34 1[i
не более 0,5 VIM радиус его изгиба должен быть не при диаметре от 0,6 до 1,0 мм - не менее 1 мм; более 1,0 мVI - не менее 1,5 мм. менее 0,5 мм; при диаметре При лужении, пайке и монтаже транзисторов следует принимать меры, исключающие возможность их повреждения из-за перегрева и механических усилнй. В пропессе выполнения операций лужения и пайки расстояние от корпуса (изолятора) до места лужения и пайки должно быть не менее 3 У!М, сели в ТУ на конкретный тип транзистора не указано иное. Допускается пайка без ес;ш rе~шература припоя не неболее3с,есливТУ теплоотвода и групповым методом, превышает (533 ± 5)К, а время пайки на конкретный тип тран1истора не указано иное. Очистку печатных плат от флюсов допускается производить жид­ костями, не портящИ!\1И покрытие, маркировку и материал корпуса транзистора (рекомендуется спиртобензиновая CVIecь). В процессе VIОнтажа, транспортировки, хранения ВЧ и СВЧ би­ полярных транзисторов и МДП полевых транзисторов необходимо обеспечивать защиту их от воздействия статического электричества. Способы защиты изложены в ОСТ 11 аАО.336.013-73. К числу важнейших предупредительных мер относятся: хорошее заземление оборудования и измерительных приборов; применение заземляющих браслетов (и;ш колец) между телом оператора и зем.1ей, антистатических халатов; использование низковолr.тных электропаяльников с заземленным жалом. Транзисторы МДП полевые (кроме мощных) хранят и транспор­ тируют при наличии замыкате:1сй на их выводах. Замыкатели уда­ ляют rолько перед моментом включения (~юнлtжа) транзистора в схему. В чомент пайки все выводы МДП транзистора до.•жны быть закорочсны. Для сохранения минимальных значений тока затвора МДП по­ левых транзисторов необходимо применять меры, предохраняющие корпус от попадания флюса и припоя. При выборе лаков нли компаундов для заливки плат с МДП полевыми транзисторами необходимо учитывать влияние этих мате­ риалов на ток утечки затвора транзистора. При применении МДП полевых транзисторов во uходных кас­ кадах радиоэлектронной аппаратуры необходимо принимать меры их защиты от электрических перегрузок. Для измерения параметров транзисторов нромы111.1енностью вы­ пускается ряд измерительных приборов. Наибольшее распространение для шмерения параметrюв мало­ мощных биполярных транзисторов получил прибор Л2-22, мощных - Л2-42. Для измерения параметров полевых транзисторов могут быть использованы приборы типов Л2-32, Л3-38, Л2-46 и Л2-48. Методы измерения основных электрических параметров транзис­ торов установлены государственными стандартами. Для наблюдения вольг-амперных характеристик транзисторов рекомендуется использовать прибор Л2-56 (ПНХТ-2). 2'" 35
Часть втора.ч СПРАВОЧНЫЕ ДАННЪIЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ Разде,1 третий ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОМОЩНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ 11-р-11 ТМЗА, ТМЗВ, ТМЗГ, ТМЗД, МЗА, МЗВ, МЗГ, мзд Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные 11-р-11 универ- са:1ьные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в усилительных, импульсных и перек.1ючающих схемах в составе гибридных интегральных микро­ схем зали-той и капсу.1ированной конструкций. Выпускаются в металлостекляпном коrнrусе на керамической плате (ТМЗА, ТМЗВ, ТМЗГ, ТМЗД) и с гибкими выводами (МЗА, МЗВ, МЗГ, МЗД): Обозначение типа транзистора приводится на его корпусе. Масса транзистора на керамической плате не более 0.8 г, с п1б­ кими вьшода:-.111 нс более 0,5 г. 36 Ма.рхи.рс6ачна.я точка. 11 ба.за. / / fГr''il /. J.,;- l
ЭлектрИЧС(:КИе параметры Предельная частота коэффициента передачи тока при ИкБ=5В./э=1"1Анеменее: ТМ3А, М3А . ТМ3В. ТМ3Г. мзв. мзг . тмзд. мзд . Постоянная вrемени uепи обратной связи при ИкБ = = 5В,/э=1мА.f=5МГцнеболее: ТМЗА, М3А . тмзв. ТМ3Г, ТМ3Д. мзв. мзг. М3Д . Статический коэффиниент передачи тока n схеме с общи~~ эмrптсро"1 при ИкБ = 1 В. 1-э = 1О мА: 11ри Т=293 К: ТМ3А МЗА. ТМ3В, МЗВ. ТМ3Г. МЗГ. ТМЗД. МЗД. при Т= 2!3 К: ТМЗА, МЗА. ТМЗВ. l'Л3!3 . ТМЗГ, мзr. тмзд. мзд. прн Т= 346 К· ТМЗЛ. U!ЗА п.лв. мзn . ТМ3Г, МЗГ. тмзд. М3Д. Граничное напряжение при lэ = 5 мА не У~енее Напряжение насыщения ко,"I.'IСКтор-эмнттер при /к= lO "1А. Ir,=1мАнеболее. Напряжение насыщения база-э:v~иттср при /к= lO "1А, /Б=1мАнеболее. Время рассасывания при /к= 10 мА, f = 1,5 кГц нс более. Обратный ток ко.1лектор-1м1птер г.ри Икэ = 15 В, И6 э = = -0,5 В не более: при Т=293 К . при Т=346К . Обратный ток э:-.шт1сра при U5э = l 5 В не 60." Icc . Емкость ко.1лск горного перехода нри UкБ = 5 В,/= 5 l'ЛГц не более. ЕмкоС'1 ь эм11ттерного перехода при ИБэ = О, 5 В, f = 5 МГп не бо.1ее . Пределы1ые эш:ш~уатацио:шые даиыые Постоянно::: шшряжt:1ше кол;1ектор-э"1и1 1·ер . Постоянное напряжение коллек'Iор-6аза Постоянное напряжение эмиттер-база . l,O МГц 5,0 МГц 10,0 МГц 3,0 нс 3,5 нс 18-55 20-60 40-120 40-160 7.2 -55 8,0-60 16-120 16-160 18-110 20-120 40-240 40-320 15в 0,5 !З 1.0 !3 2.5 ~!КС 20 чкА 150 '-'1КА 20 :-,,1кА 35 пФ 70 пФ 15в 15в 10в 37
Постоянный ток коллектора (эмиттера) при Т = 213-;- 308к.. 5~~Al Импульсный ток коллектора (эмиттера) при 'и= 10 мкс и средней рассеиваемой мощности. не превышающей постоянную предс.1ьную рассеиваемую мощность . 100 'v!A 75 мВт 0,8 К/мВт От 213 до 346 к Постоянная рассеиваемая мощность при Т= 213 7 298К Тепловое сопротив;1е11ис переход-среда Температура окружающей среды . Пр им е чан и я: 1. При Т > 308 К ток кол.1ектор.а (эмиттера). мА, рассчитывается по формуле Iк(/3)- 7V358- Т. 2. При Т > 298 К максимально лопустн=vrая постоянная рас­ сеиваемая мощность, '11ВТ. рассчитывается по формуле Рщ~кс = (358 - Т)/ Rт. п-с· о 0,1 0,2 0,3 0,Lf 0,5 UБЗ, В Входные характеристики. 1/1- ~' ~. 1,2 .:ь, 1 о ~+-++-J'l---'--+++t-'t-+++I ~) -<='6:о 0, 81---V++++--t--t-++t-+-++-Н --;;;- .Jo 0,б D, '1- ~+-++++--+-+++t-+-+++1 Зависимость относительного статического коэффициента пе­ редачи тока от тока эмиттера. 38 16 ,мА 5f--+- -l- - -4-+-+ -- -lf-----i 3 >----+---<'-+-~ 2 >---+-_,_-Н,___,__ О 0,2 0,Lf 0,б 0,8 1,0 U53 ,B Входные характеристики. 1,б ~ 1,'/. 11 - .. s. . 1 , 2 1----т--\---1;';,Е.-+-,.L-'---1 "' 1::1 . ._, < :i.. 1 о l;:::;;;;ф~l'f""=-t\ " ;:;-- } z.. о, 8 '"""""'-+---~-,____._ _, .. .. О,б о,Lf.__~_ _,_ _ _.__J....___j_ _J О 2 3 1/- 5Iк/Iв Зависимость относительного времени рассасывания от lк/IБ.
......_ 1,1/- :.::: " ':> ~ 1,2 11 ~1,0 -€__о, 81---+~-"'F=--+.-;--t-:;-;;-J----j ., ., ..r:::.';;,. о, б 1----1 - -+ - 01/-L.._L---,!,..--~-::-.':--=-=7=-=~ )213233 253 273293313т,к Зависимость относительного статического коэффициента пе­ редачи тока от температуры. ~ ~ 1,1 11 1о'-----t--+--l-=--F==----+--+---1 -!:::: 1 1 '-' " :, 0,9 t--;~4-+--+---1~-+--I ~---.:; о, 8 1---+ - --+- - --1- " ::; о, 7 t--Г---+-+-+--1----+---1 ::;} ~б-~__.__....._ _.i _- - 1_ .....1 - _.J - _ _J 213 233 253 273 293 313 3337, к Зависимость относительного на­ пряжения насыщения коллектор­ эмиттер от температуры. МП9А, МП10, МПlОА, МПlОБ, МП11, МП11А Транзисторы германиевые сплавные п-р-п усилительные низко­ частотные с ненормированным (МП 1О, МП 1ОА, МП !ОБ, МП 11, МПI !А) и нормированным (МП9А) коэффициентами шума на час­ тоте 1 кГц. Предназначены д.1я усиления сиrна:юв низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа принодится на боковой поверхиости корпуса. Масса транзистора не более .2 г. ф1t,2 Электрические параметры Преде.1ьная частота коэффициента передачи тока при ИкБ=5В,/3=1мАнеменее: МП9А, МПIО, МПIОА, МПIОБ . MПll, MПllA Коэффициент шума при ИкБ = 1,5 В, / 3 = 0,5 мА, f=1кГцМП9Анеболее. 1 Мгц 2 Мгц 10 дБ 39
Коэффициент передачи тока в реж11~1с малого сигна.1а приИк5=5В./э=1мА.f=1кГп: прп Т= 293 К: МП9А МШО, МПlОА МПlОБ МП!! ... MПllA .. при Т= 213 К: МП9А МПIО, МП!ОА МПIОБ MПll ... MПllA .. прп Т= 343 К: МП9А МПIО, МПIОА МПIОБ MПll .. MПllA . Обратный ток коллектора прн Т = 343 К не 60.1ес: МП9А, МП!О, МПI 1, МПI !А при Ик5 =!О В ... МПIОА, МПIОБ при Ик6 = 20 R . . Обратный ток коллектор-эмиттер при Т = 293 К не более: МП9А, МП!О. МПI 1, МПI lA при Икэ = 15 В. МП!ОАприИк6=30В.. . . . . МПIОБприИкБ=30R. . . . • . . . Обратный ток эмиттера при Т ~с 29 3 К не более: МП9А, l\·ШIO, МПI 1, МПJ lA при U,6 = 15 В. МШОА, МПlОБ при UэБ = 30 В ..... Сопротнвлепие базы при Ик 6 = 5 В, I"J = 1 мА./= 500 кГп неболее.................. Выходная полная проводимос1ь в режнме малого сигна­ ла при холосrом ходе в схе~1е с общей бюой при ИкБ=5В,l"J =1мА,/=1кГrrнсболее. . Емкость ко"1лсrпорноrо перехода при UкБ = 5 В нс более................ Предслы1ые эксп!Iуатацитшые даю1ыс Постоянное напряжение ~;оллектор-базJ.: приТ=213+323К: 40 МП9А, МПIО, МПI J, МП! lA МПIОА,МПIОБ...... щ:~и 7=323 -:-343 К: МП9А, МПIО, МПI 1, МПI 1А МП!ОА,МПIОБ...... 15-45 15-30 25-50 25-55 45-100 6-45 6-30 9-50 9-55 18- 100 15-90 15-60 25-100 25-110 45-165 350 мкА 400 чкА 30 мкА 30мкА 50 ;о.,1кА 30 мкА 30 мкА 60 пФ 15D :юв 10в 20в
11остоянное напряжение кол,1екгор-эми пер: при Т= 213 -с- 323 К: МП9А, МПIО, MПll. MПllA МПIОА, МПIОБ . при Т= 323-с-343 К: МП9А, МПIО, МП11, MПllA. МПIОА, МП!ОБ . Постоянное напряжение эмиттер-база: при Т= 213 -с- 323 К: МП9Л. МПIО. МП!l, MПllA МПIОА, МПIОБ . при Т= 323 -с- 343 К: МП9А. МПIО, MПll, МПllЛ. МПIОА, МПIОБ . Постоянный ток ко.1.1ектора . 15R 30в 10в 20в 15в 30в Постоянный ток кол.1ектора в режи:\1е насыщения . Постоянная рассеивае:vшя ,ющнос r ь: 10в 20в 20 мл 150 ,,д прир'?6666 Па: при Т=213-с-328 К !!рИТ=343 К · прир<6666Па. при Т=213-с-328 К при Т=343 К . Общее 1 епловое сопроти :з.1ен11е: прир'?6666Па. прир<6666Па. Температура перехода Температура окружающей срслы . 1,5 1/1- " 1,3 ~~12 --- ' " -t:~ 1,1 1,0 0,90 5 10 15 20 25Uк5,В Зависи:-.юс гь 01 носительного ко­ эффициента передачи тока в ре­ жиме ма.1ого с11гна.1а от напря- жения кол.1ектор-база. 1,6 175 1/1- "' -._[.1J ......... ) " - <: ";;;; 1,2 1,1 1,00 2 ,5 150 "'Вт 75 мВт 100 мВт 50 мВ1 200 К/Вт 300 К/Вт 358 к От 213 ДО343К Uк5= 58 / 1 МП9А, МП10,МП10А, МП10Б,МП11, МП11А 5 7,5 10 12,5Iз ,мА Зависимость о 1носи гелыюго ко- 1ффициента передачи тока в ре­ жиме малого сигнала от 1 ока эмиттера. 41
" 1,6 1,Ч- 1,2 МП9А,МП10, МП10А,МП105, МП11,МП11А_ _,,__----< ! "' . . :~ 1, о 1---1----+--+--,К---+-~ - --- ;:, о, 8 1---1----+--=+--+---+-~ . .i:: о, 6 ь-.е:::_1-----+--+ 313 т,к Зависнмость относrпс.'Тьного ко­ эффиниента передачи ·1 ока в ре­ жиме ма.1оrо сиrюс·ш от теvше- ратуры. МП9А, МП10, МП10А, МПtОБ, МПf1,МП11А о, 51----+-- --+-1---1 0,4-' - - -- - -L -- -J..--__.J 0,1 10 R35,Ом Завпсн:~.юс 1ъ опюс1псльноrо на­ пряжения кол.1ектор-·;"'1иттер от сонро rив:тения в пепи база- эмиттер. TMlOA, ТМIОБ, TMlOB, ТМlОЖ ТJ"!нэисторы кремниевые планарные п-р-п универсальные низко­ частотные ма.1омощные. ПреI11наз11ачены .:~ля применения в уси:1ительиых, И!МnуЛ!Ьс:ных и пера.mо'!lа:ющих схемах в состане микромодулей за:ипой и кап­ сулировашной конструкций. Выпускаются в ме галлостеклянно:\41 ко·рп;усе на керамичсrкой пшпе. Обозначение типа IJриводится на п.1ате. Масса трuнзистора нс более 0.8 1.
Граничная частота ко~фф1щиента !'lepe,!1\:1\'llИ тсжаl в схеме с общи\,! э\lиттеро,1 при UкБ = 10 В, /э = З мА не vieнcc . К оJффициен г передачи тока в режиме малого сигнала 11риИкБ=1ОВ,/э=3мА: при Т= 293 К: TMIOA ТМ!ОБ ТМ!ОВ ТМ 1ОЖ не менее при Т= 213 К: ТМlОЛ ТМIОБ TMIOB ТМ 1ОЖ не менее Статический коэфф1шиснт r1ерещ1ч11 тока IJ схеме с об- щич э·wп1е.ром нри С'кБ = l(i) В, /э = 10 мА: TMHJA ТМIОБ TMIOB ТМ 1ОЖ не '1енее Граю1'1НDе напряжение при I, и = 25 мА не менее: 3<0 МГц 40-12'0 10-32 20-60 8Q 20-120 8-32 10-60 40 28-120 7-32 14-60 55 TMIOA. ТМIОЖ 20В ТМIОБ. TMIOB . 3<О В НО! 11 ряжение насыщения ко.1.1еКТ'(')f>-эмигтер rrpи lк = = J() мА не 6олее: при /Б = 1 мА TMlOA, TMIOB. ТМIОЖ. и.р111 /Б=2 мА ТМЮБ. Нал,ряжение насыщения ба1а-·}миттер при Iк = 1О не бо~~ее: при /Б = 1 мА TMIOA. ТМ!ОВ, ТМIОЖ при/Б=2мАТМ1ОБ. Обратный ток коллектора не более: прн Т= 293 К: при ИкБ=20 В TMIOA, TMIUЖ 11ри ИкБ = 30 В ТМIОБ, Tl\1108 приТ=293К,ИкБ=10В. Обратный ток '}Миттера при UэБ ' 3 В не более Выходная 11олная про волн мое 1ь в режиме ма::юго 11а,1а при корт ком ·3амыкании при Ию;= 10 /э=З мА./=50-с-1000 Гн нс бодее . мА сиг- В. Емкость ко.1лекторного перехода при ИкБ = 1О В, f = =2МГцнеболее. Емкость эмиттерного перехода при UэБ = 3 В, / = 2 МГц нс более 2.5 в 2,5 в 2в 2в 5 мкА 5 мкА 30 мкА 50 мкА 3 мкСм 10 пФ 50 пФ 43
Преде.~ьные JКсплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база. ко.1лектор-эмит­ тер: ТМIОЛ, ТМIОЖ . ТМ!ОБ, TMIOB . Постuя~шое ш1пряже1шс -,~пптср-база . Постояшrый ·1 ок ко:1лектора . Посто>1нный ток ба'JЬI . Постоянная рассеиваемая мощность· нриТ<-:333К. при Т=393 К . Температура 11ерехода Тепловое сопротивленне . Те:vшература окружающей среды 20в 30в 3в 10 мА 10 мА 150 мВт 50 мВ1 423 к 600 К/Вт От 213 до393к МП101, МП101А, МП101Б, МП102, МП103, МПiОЗА, MПlll, MПlllA, МП111Б, МП112, МПНЗ, МП113А Транзисторы кремниевые сплавные п-р-11 усилите,1ьные низко­ частотные с ненормированным (MПIOI, МПIОIБ, МПJО2. МП103. МП!ОЗА. MПlll, МПl!IБ, МПl12, МПllЗ, МП113А) и нормирован­ ным (MПlOIA, MПlllA) коэффициентами шума на частоте 1 кГц. Предназначены для уси.1сния и пср~к:1ю'1епия сигналов ни·1кпй частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с 1 нбкимн выводами Обозначение типа 11риводится на боковой поверхности корпуса. Масса траюистора не более 2 r для типов MПIOl, МПIОIЛ. МПIОJЬ, МП102, МПIОЗ, МПIОЗА н не бо.1ее 2,5 1 для типов MП!ll, MПlllA, МПl!lБ. МП112. МП113, МПJIЗА 44 б ILЗ!L ТТit­ l[:Jмиттер40 --э-о------- Ф4,Z
r1 Электрические параметры Предельная частота К(нффнциента пере;щчи тока при ИкБ=5В,/3=1\1Ане\1енес: MПIOI, MПIOIA, MПIOI Б, МП102. МПI 11. МП 11 IA. МПllБ, МП1!2 . МПIОЗ, МП103А, МПllЗ .. МП113А. . . . · · . Ко1ффицисн1 шрш при ИКF; = 1 В. 1-1 = 0.2 \1А. Г = =1кГц: МП IОЗА не бо.1ее. типовое значение . МП 113А не бо:1ее Коэффициент передачи тока в режн \Ie щ~.1ого с11п~ах1 приUкь= 5 В, I,= 5\'!А,/=JкГн при Т= 298 К: MПIOI, МПl 11. . MПIOIA, МПl 1JA МПIОIБ, МПl02. МПIОЗ. MПllJБ. МП!12. МП113 мшозл МПI JЗА при Т= 213 К: MПIOI MПJOIA МП!ОIБ, МП102. МПIОЗ. МПIОЗА .. при Т= 398 К: MПIOI MПIOIA МПIОIБ, МПl02, МПIОЗ . МПIОЗА .... Обратный гок коллектора нс бо.1сс: при Т= 298 К: MПIOIA при ИкБ= 10 В . MПlll. MПlllБ при L1к 5 = 10 В МП11IAприUю;=5В. . МПI12. МП113, МП11."\Л при СКI; = 5 В при Т= 398 К: MПIOI, МПIОIБ пра Ик~;=IО В. МП!ОIА. МП102. МПl03, МПl03А 11ри = 5в......... Обратный ток ко.1лектор-эм1птер при Т = 298 более: MПIOI. МПlОIБ при Uкэ = 20 В . МП101А. МП102, МПIОЗ. МП103А при =10в.... Кне Uк, = 0,5 МГ11 1 МГц 1.2 МГн 15 JБ 5* :J.Б 18 дБ 10-25 10-30 15-45 30- 75 35-105 5-25 5-30 8-45 10- 75 10-75 10-100 15-120 30- 225 \!КА \ чкА \!КА 3 \!КА 50 v1кА 50 мкА мкА Обра 1ный ток Э\ШТТера при Т = 298 К не бо·1сс: MПIOI, МПIОIБ при Uэr; = 20 В . 3 r.1кА 45
MПlOIA, МПl02. МПIОЗ, МПIОЗА 'lри L'эБ = =10В. 3 мкА MПlll, MПlllA. MПlllБ, МП112, МПllЗ. МПllЗА приU)Б=5В. 3 мкА Выходная по.1ная проводимость в режиме \,Jа_1ого сигна­ ла при хо.1остом ходе при Ик~;=5 В. 13=1 мА. f'= l кГа не бо.1ее . 2 "'шСм ти11овое значение MПIOI, MПIOlA, МПlО!Б. МПl02, MПlU3. МП103А . 1.2* мкСм Коэффипиент обратной связи но напряжению в реЖИ'-'IС "'1а.1ого снгна.1а в схе:-.1е с общей базой 11ри L'кi; = =5В,13=5мА,.f=1кГцнсболее.. 3.10-3 тиновое значение MПlOI, MПlOIA, МПIОlБ, МП102. МПIОЗ, МП103А . 10- 3 * Емкос1ъ ко.ыекторного перехода при Ик 6 = 5 В: MПlOl, MПlOl.A, МПlОlБ, МП102. МПIОЗ, МПlОЗА не более . типовое значение . MПlll. MПlllA. MПlllБ. MПll2, МПllЗ, МП!lЗА не бо.1ес . Пре;1ельные эксп.1уатацнонные данные Постоянное напряжение кол.1ектор-база: 150 пФ JJO* пФ 170 пФ MПlOI, МПIОIБ, MПlll, MПlllБ. 20В MПlUlA, МП102. МПIОЗ, МПJОЗЛ, МПl l lA, МПJ 12, МП113,МП1l3А. IOB Постоянное напряжение ко.1:1ектор-э~1ип ер при R')Б ,,;;; .;;; 2 кОм: МП1Оl, МПlОlБ, МП111, МП1llБ . 20В MПIOIA, МПl02, МП 103, МПlОЗА, МПI 1 lA, МПl 12, МПllЗ,МПIJЗА. IOB Постоянrюе напряжение эмиттер-база: MПIOl. МПIОlБ. MПIOlA. МПl02. МПIОЗ. МПIОЗА MПlll. MПlJIA, MПlllБ, МП112. МП113А. Постоянный ток кол.1ектора . Постоянный ток эмиттера . МПllЗ, Постоянный ток коллектора в режиме насыщения 11ри переключении и среднем значении тока эмиттера за 1 с не более 20 мА МП111. МПIllA, МПIl1Б, МПJ 12, МПI 13, МПI !ЗА •..... Импульсный ток кол.1ектора при 1:11 ~ 10 мс, Q;,, 10 Импу.1ьсный ток Э\.!Иттера при 1:11 ~ 10 мс, Q;,, 10 Постоянная рассеиваемая мощность: 46 при Т= 213 _, _ 348 К, р;,, 6650 Па МП101, MПIOIA, МП101Б, МП102, МПIОЗ, МПIОЗА. 20в 10в 5в 20 мА 20 мА 100 мА 100 мА 100 мА 150 мВт l
при Т=213-;-. 348 К, р = 665 Па МП!ОI, МП!ОIА, МПIО!Б_ МП102. МП103, МП!О3А . . . . . . . 100 мВт прн Т=218-;-343 К MП!ll, MПlllA, MПillБ, МП112, МП113, МПllЗА . . . . ... 150 мВт нрн Т=373 К MПlll, MПlllA, МП!llБ. МП112. МП113,МП113А ... · · ......... 60 мВт при Т= 398 К MПIOI, MПIOIA, МПIОIБ, МП102, МПIОЗ, МП103А. . . . . . . 60 мВт Общее тепловое сопротивление: МП!ОI, МП!ОIА, МП!ОIБ, МП103А. . . . · · · · · MП!ll, MПlllA, МП!llБ, МПllЗА .... · · · · · Те\шература перехола: MПIOI. MПIOIA. МП!ОIБ. МП!О3А ..... MПlll. MПlllA. MПlllБ, МПllЗА ..... Температура окружающей сре,;ы: MПIOI, МПIОIЛ. МПIОIБ, МП!ОЗА ..... · · .. MПlll, MПlllA. MПlllБ, МПI 13А ... · · МП102, МП103, МП!\2, МПllЗ, .. МП102, МПIОЗ, МП112, МП113 МП102. МПIОЗ, МП112, 1\Ш\13, '10 5 1, о l--'-+-+- -+- -+- -t-- -+-+- --4 - -+- --J 556 К/Вт 333 * К/Вт 423 к 393 к 01 213 до398к 01 218 ДО 373 к О' gOL---,2L--4-f:---б::';--8;';--1::';:0,---1:-':2,--1,.i.4-_1.,.i.б-1...J,8-I-3-1,мА Зависимость относнтелыюrо ко1ффиц11ента передачи тока в режиме малого си1 пала от тока эмиттера нри различных напряжениях ко,1~1сктор-6аза. 47
2ТМ103А, 2ТМ103Б, 2ТМ103В, 2ТМ103Г, 2ТМ103Д крс~1нневые сплавные 11-р-11 \1а.1омо1нные. Прелн:лначе11ы д.1я работы в усилительных и и:чпульсных н11к­ ромодулях этажерочной конструк­ uии. Выпускаются в метал.1остск­ лянном корнусе на ксрuм11ческой плате. Обо·значение типа пр11вод11r- ся на корпусе. · Масса траt1-зистора не бо.1се 0.8 r. Э.1ектричес1,не параметры Гра1111чная '~астота коэффициента передачи токи в cxo·ie с общим эмиттероы при Ию:;=5 В, /'J =1 мЛ нс 'v!енее. 30 МГп Статический коэфф1щиент передачи тоl\а в схе:-,1е с общю1 эмиттером при Икr; = 20 В, /'J = :ю мЛ: при Т= 293 К: ПМIОЗА, 2ТМIОЗГ . 2ТМIОЗБ, 2ТМ103Д. 2ТМIОЗВ ... при Т= 398 К: 2ТМ103А. ПМIОЗГ. 2ТМ!ОЗБ, 2ТМ102Д. 2ТМIОЗВ. при Т= 213 К: 2ТМIОЗА, 2ТМ103Г. 2ТМIО3Б, 2ТМ103Д . 2ТМ103В .. Обратный ток кол.1ектора не более: 2ТМIОЗА, 2ТМ103Б прt.1 UкБ = 120 В 2TMI03B, 2ТМ103Г, 2ТМ103Д при Ию;= 80 В. 06ра тпый i ок эмю тер а не более: 2ТМIОЗА, 2ТМ103Б. 2ТМJОЗВ при C)h = =1,5в. 2ТМJОЗГ, 2ТМJОЗД при Иэ~; = 3 В Напряжение насыщения ко;шсктор-)Мi!Ттср при /к = 1О мА. !:;=2мАнеболее: прп Т= 293 К: 2ТМ!ОЗА. 2ТiЧIUЗБ, 2ТМ!О3В, 2ТМJ03Г. 2ТМ103Д ври Т= 398 К: 2ТМJОЗА, ПМJОЗБ. 2ТМ103В. 2ТМ103Г, 2ТМ103Д. 48 10- 50 18-90 30-150 J0-125 1~-225 30-375 8-50 12-90 18- ]50 7.5 мкА 7.5 мкА 5 мкА 5 ~;кА 3.~ в 5.5 в
г Предельные эксплуатационные данные Постоянное на11ряЖе1шс кол.1сктор-база · 2Тl\1103А. 2ТМ103Б. 2ТМIОЗВ, 2ТМ103Г. 2ТМ103Д . Постоярное напряжение эмнтте;~-Gаза: 2ТМi03А, 2ТМ IОЗБ. 2ТМ103В . 2ТМ103Г, 2ТМ103Д. Постояr,,:ое напря>кеш1~ ко.т1ек rор-э:vшп ер 11ри U6.3 = =0,5ВиRr;э~1кО:v1: 2ТМ103А, 2ТМi03Б. 2ТМ103В, 2ТМ103Г. 2Тl\1103Д Постоянный ток ко.1:1ск 1 ора: при T=21J-c -333 К. пр11Т=39SК. Импу:1ьс11ый ток коллектора 11ри 1 11 <;; 10 :v1кс, Q ?- 10 . Постоянная рассеиваемая мо1цность ко.1лек 1ора: прп Т=213-с-348 К нриТ=398К. Температура перехода Температура окружа1оrней сре_11ы 120 в 80в 1,5 в 3в 120 в 80в 15 :v1A 2.7 мА 60 мА 75 мВ1 30 мВт 428 к От 213 до 398 к ГТ122А, ГТ122Б, ГТ122В, ГТ122Г Транз!!СТоры гер:-ланиевь1с сп.1авныс 11-р-11 низкочастотн~:1е уси.111- тельные мало:vющные. Предназ11аче11ы д.1я рабо·1 ы в ш1зко<1ас101 ных уситпе•1ьных уС"1 ро йствах. Вьтпускаются в :vre rаллос rек.1шшом корпусе с гнбки:-..111 вывода\.Ш Обозначе11ис rипа пр11вод11тся на корпусе. Масс:1 транз11стора не более 2 1. Jми.ттер ~1 $' 5,5 r-~ -~ ··г-,r· 1 ~1$' 49
Э.1ектрические параметры Преде.1ьная частота ко·1ффивиента передачи 1ока при Uкi;=5В,fэ=1мАне\lенее: ГП22А. ГП22Б . МГв ГП22В. ГТ122Г . 2 МГн Статический коэффиаиен1 передачи тока в схеме с общим эмиттеро\1 11ри Скэ = 5 В, fэ = 1 \1А: ГТ122А, ГТ122Б ГП22В. ГТ122Г . Сопротив.1ение базы не бо.1ее Обратный ток ко.1.1ектора при UкБ = 5 В не бо­ лее. Обратный ток э:-.шттсра при U·эь = 5 В не 60.1ее . Предельные эксп.1уа:rациоииые даииые Постояrшое напряжение ко:1:1ектор-база при те-.,.шературе Т=2137313К: ГП22А . ГП22Б, ГТ122В. ГП22Г Постоянное напряжение ко:1:1ек rор-э~шттер при Т = 213 7 313 к: ГТ122А ГП22Б. ГТl22В, ГП22Г Постоянный ток ко.1.1ектора . Импульсный ток ко.1лек гора . Постоянная рассе11вае\1ая мощность ко.1.1сктора: при Т=2137328 К при Т=3287343 К Теп:ювоссо11ро1ив.1е11ие. Те:v~пература окружающей среды 15-45 30-60 200 О:-.1 20 мкА 15 мкА 35в 20в 35в 20в 20 мА 150 мА 150 ~1Вт 75 мВ1 0.2 К/мВт От 213 до343к Пр и меч ан и е. Мини\1а.1ьное расстояние от корпуса до :'>.1еста изгиба выводов 3 :- .1\ 1. Миrш\1а.1ыюе рцсстоя1ше до \lеста пайки 5 мы. Пайку производить при Т,;; 558 К в течение вре:-.1ени не бо.1ее 5 с. 50 КТ127А-1, КТ127Б-l, КТ127В-1, КТ127Г-1 1,2 0,б Транзисторы кремниевые п:1анар11ые п-р-п ма:юмощные. Предназначены дJ1я работы в усилите.1ях и стабшнпаторах постоянного тока в rерметнзи­ рованиой аппаратуре. Бескорпусные. без крисI а.1- .1одержа теля, с защитным по-
•.·:~".' крытием лаком. с гибкими выводами. Обозначение типа приводит­ ся на сопроводительной таре. Масса транзисгора не бо.1ее 0,006 г. Э.1ектрнческне параметры Граничная частота коэффициента пеrедачи тока в схеме с общим эмиттеро:v~ при UкБ = 3 В. Iэ = 1 мА, rn- повое значение . . . Статический коэффициент 11ередачи тока в схеме с общи;-.,1 эмиттеромпри Uкэ= 5В. lэ= 1мА· КТ127А-1, КТ127В-1 . КТ127Б-1, КТ127Г-1 . Напряжение насыщения ко.1лектор-эмиттер при Iк = 3 мА не более . . . . Обратный ток коллектора при UкБ = 25 В, Т = 213-;- 358Кнеболее.. . . Обратныйток эмиттера при UэБ=3 В, Т=213 -;- 35R К 100 кГц 15-60 40-200 0,5 в 1 мкА неболее. . . . · 1,5 мкА . Емкость кол.1екторного перехода при UкБ = 5 В не бо.1ее . Преде.1ьные эксплуатацно1шые данные Постоянное шшrяжение коллектор-Э\1иттеr: КТ127А-1. КТ127Б-1 . КТ127В-1, КТ127Г-1 . Пос гоянное напряжение коллсктор-ба1а: КТ127А-1. КТ127Б-1 . КТ127В-1. КТ127Г-1 . Постоянный ток ко.1.1ектора Постоянная рассеиваемая мощность ко.1лектоrа: П\JИТ=2137343К. приТ=358 К . Полное тепловое сопро1 ивление Темnеrатура 11ерсхода . Температуrа окrужающей сре,1ы 5пФ 25в 45в 25в 45в 50 мА 15 мВт 5 "'1ВТ 3 К/мВт 398 к От 213 до358к 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д Транзистоrы кремниевые эпитаксиа:rьно-планарные п-р-11 усили­ тельные ни·зкочастотньrе с ненормированным (2Т201 А, КТ20 lA, 2Т201 Б, КТ201Б, 2Т201В, КТ201В, 2Т201Г, КТ201Г) и нормироваиНЫ'-'1 (2Т201Д, КТ201Д) коэффициентами шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в мета.1лостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 0,6 г. 51
З'О S,3 О,7 ФZ,5 Электричес1~ие параметры Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UкБ=5 В, /3=10 мА не менее......... . . . . . . . 10 МГп типовое 1начение 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т20\Д... 40*МГц Коэффициент шума ври ИкБ=1 В, Iэ=0,2 мА. /= = 1кГц: 2Т201 Д не бо.1ее типовое значение . КТ201Д не более Статический коэффициент передачи тока в схеме с общн:.1 эмиттеромпри UкБ= 1В, Iк=5мА: при Т= 298 К: 2Т201А,КТ20JА..... 2Т201Б, КТ201Б, 2Т201В, КТ201В. 2Т2UIД. КТ20\Д 2Т201Г, КТ201Г нри Т= 213 К: 2Т201А 2Т201 Б, 2Т201 В. 2Т201 Д 2Т201Г при Т= 398 К: 2Т201А 2Т201 Б, 2Т201 В, 2Т201Д 2Т201Г Обратный ток коллектора не более: при ИкБ=20 В: при Т= 298 К2Т201А, КТ201А. 2Т201Б. КТ201Б. при Т= 398 К 2Т201А. 2Т201Б ..... . приИкБ= 10 В: при Т= 298 К 2Т201В, КТ201В, 2Т201Г. КТ20!Г, 2Т20\Д,КТ201Д.......... при Т = 398 К 2Т201В. 2Т201Г, 2Т201Д . . . Обратный ток эмиттера при Т = 298 К не более: при Uэr; = 20 В 2Т201А, КТ201А, 2Т201Б. КТ201Б. 52 15 дБ n* i\Б 15 .JБ 20-60 30-90 70-210 10-60 !5-90 ~5-2!() 20-- 120 30-180 70-400 0.5 чкА 10 чкА 0,5 :-.лкА 10 ~.1кА
при ИэБ = 10 В 2Т201В. КТ201В, 2Т201Г, КТ201Г, 2Т201Д, КТ201Д . _1 мкА Выходная полная проводимость в режиме ма.1ого сиг­ наш1 при хо.1ост0\1 хо.1е г:ри Икг, = 5 В, / 3 = 1 мА f=1кГuнебо.1ее. . . . . . 2 мкСм · типовое значение 2Т201 А. 2Т201 Б. 2Т201 В. 2Т20 \ Г, 2Т201Д 0,5 • '\1кС\1 Коэффициен1 обра1ной связи по напряжению в режиче :-.~алого сип~а~1а в схеме с общей базой при И КБ = 5 В. /э=1мА./=1кГн нс более . . . . . . з-10- 1 rиrювос значение 2Т201А. 2Т201Б. 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д 4 10- 4 * Емкость ко.1лекгорно1 о перехода при Икr, = 5 В не 60:1ее . 20 пФ типовое ·шачение л.1я 2Т201 А. 2Т201 Б. 2Т201 В. 2Т201Г, 2Т201Д . 9* пФ Индуктивносгь выводов ·эм1птсра 11 базы прн / = 3 М'\1 6* пГн Пре,~сльные з~-:сп.1уатащюнные данные Постоянное тшряжение кол.1ектор-база. 2Т201А, КТ201А, 2Т201Б, КТ201Б . 2Т201Н. K12Ult!, 2Т201Г. КТ20iГ, КТ201Д 2Т20!Д. Постоянное напряжение кол.1ектор-эмиттер прн R-35 ~ ,;;; 2 кО:-.1: 2Т201А, 2Т20!В, КТ201Д КТ201А. 2Т201Б, КТ201Б . КТ201В. 2Т201Г. КТ201Г. Постояшюс напряжение эмнттер-ба·Jа: 2Т201П. 2Т201А. КТ201А. 2Т201Б. КТ201Б .. .. 2Т201В. KТ2UIB. 2Т201 Г. КТ201 Г, 2Т201Д, КТ201Д. Постоянный ток коллекто;1а: 2Т201А. 2Т201Б. 2Т201В. 2Т201Г. 2Т201Д . КТ201А, КТ201Б, КТ20iВ. КТ201Г. КТ201Д И мпу.1ьсный ток коллектора при Q ~ 1О: при r"-:;; 10 \.!С 2Т201А. 2Т201Б. 2Т201В. 2Т201Г. 2Т201Д прп т,, ,;;; 100 :v1кс КТ201 А. KT20l Б. КТ201 В. КТ201 Г, КТ201Д . Постоянная рассеиваемая мощность: 2Т201 Л. 2Т201 Б, 2Т201 В, 2Т201 Г, 2Т201Д · при Т=213+348 К. р~6650 Па вриТ=213+348К.р=665Па. приТ=398К. КТ201 А, КТ201 Б, КТ201 В. КТ201 Г. КТ201Д прп Т=213+363 К приТ=398К. 20в 10 13 20в 10в 20в 10в 20 мА 30 мл 100 :v1A 100 '\1Л 150 ч!31 100 мВт 60 чВ1 150 мВт 60 мВт 53
Общее тепловое сопротив.""!енне 2Т201А. 2Т201Б. 2Т201В. 2Т201Г. 2Т201Д . 556 К/В1 Температура перехода КТ201А. КТ201Б. КТ201В, КТ201Г, КТ201Д. 423 к От 213 до398к Те'\шература окружающеi'r среды . 1,50 1,25 1,00 ! "' 2Т201А f 2Т201Д -} 0,75 КТ201А -кт201д --- "' ~0,50 -t: Икэ=1в 0,25 о ч8121620Iк,мА Зависимое i ь относ1пе.1ьногn статического коэффициента редачи тока в схеме с общи\1 эмиттером от тою1 ко.1лектора. 3,0 2,5 о,51----i'--_.--4---+--+----j оL---L--L-.l..---1.--'-- 21J 24'3 27.J JOJ J.J3 363 Т,К 12 10 8 "" -:.::~ б --- "" -;::; ч -t: 2 о Iк ~+-А-+----1 !2т20111-2т201д ,кт20111-кт201д , ч в 12 16 20Uк5,,в Зависимость относительного слпического коэффициента пе­ редачи тока в схеме с общи1\1 эми1тером o·r навряжеиия ко:1- _1ектор-база. Зависичость относитс.1ьноrо сга r ическоrо ко-эффrщиснта пc­ pe;Ы'III тока в схеме с общим э:vшттером ог температуры. 2Т205 Траrписторы кремниевые эпитаксиа.1ьно-п.~анариые п-р-п ма:ю- мощные. Предназначены дс1я работы в уси:ш rе.""lьных и И'\1пу.1ьсных микромодулях и б.1оках г~р'1ети·щрованной аппаратуры. Бескорпусные, без кристаллодсржате.1я, с конта!(mыми п.<юща,_1,­ кам!1 ;lJIЯ монтажа в аппаратуру. Обозначение типа приводится на групповой таре. Масса транзистора не более 0,003 г. 54
r1 0,3 О,05 4-контакта фО,18 Электрические параметры -ко1111ектор -:титтер -!fаза -кq1111е11rпор Граничная частотu коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттероч при ИкБ = 10 В. fэ = 2,5 мА не менее . . 20 МГн Статический коэффШiиент пере.'~ачи тока в схеме с общим эмиттером при ИкБ= 10 В. lэ=2.5 мА: при Т= 298 К. при Т= 398 К. при Т=213 К Напряжение насыщения ко:1:1ектор-эмиттер при Iк = 5 мА. /Б=2:-,1А не более . Напряжение насыщения база-Jмиттер при lк = 5 ~1А. /Б=2мАнеболее. Емкост~:, коллекторного перехода при ИкБ = 10 В, / = =10МГuнеболее. Емкость эмиттерного перехода при i· -:>G = 2 В,/= 10 МГц нс бо.1ее . Время рассасывания 11ри /к = 5 мА. /Б = 2 мА не 60;1ее. Обратный ток эмиттера при Иэr; = 3 В не более . Предельные эксплу.атацно~шые данные Постоянное напряжение коллектор-база . Постоянное напряжение ко.1лектор-эмиттер при RБэ ,;;; ,;;; 3 к°'1 . Постоянное напряжение эмиттер-база . ПостоЯ"ННЫЙ ток кол.1ектора . Импу.1ьсный ток коллектора при '",,;: 10 мс. Q ~ 10 . Постоянная рассеиваемая :-.ющность коллектора: приТ=213-о-363К. при Т=398 К . Импульсная рассеи1щемая мощность коллектора при Ти,;;;J0МС,Q;;>10 . 10-40 10-100 5-40 2в в 10 пФ 25 пФ 1 '>1КС 3 мкА 250 в 250 в зв 20 мА 45 мА 40 мВт 31,8 МВт 160 '>!ВТ 55
Температура перехода . Теvшература окружающей среды 10 l'-----.-----1";;,------j 5f--~--t~~--+~--~ о 5 10 I3,мА 12 8 \ о 408 к От 21~ ДО398К 2Т205А 1 f =ЮМГи,1 ........ .._ i ч.о 80 UкБ ,В 1<~висимость стати'!еского коэф­ фициеrпа передачи тока в схеме с общим эмиттером от ·~ока 15..- _ ,,.......,,.....,,_ - +- --+ -- -+- ·- - -- < эмиттера. -- Зависимость емкости коллек­ торпоrо перехода от напряже­ ния ко.1лектор-база. 101--+----+---'1"='-1~'-~_..ь.---1 f =10 МГц Зона возможных положений за­ висимости емкости эмиттерного перехода от напряжения Э'>ШТ- 5 t--+ --+ --- -+ ----t - 1 () тер-база. 0,7 0,8 КТ206А, КТ206Б Тр<1~1зисторы кре:-.1ниевые Jпит.~к­ ешL1ьно-планарные 11-р-11 маломощные универсалы1ые. JЦ~т~ Ко1111ектор Предназначены :t.IЯ rаботы IJ уси­ .1ительных и импульсных -v111кро:-.юду­ .1ях и б.1оках в гермет:пированной аппаратуре. Бескорпусные, без крнст11-1лодер­ ж:.пе.1я. с зашитньrм 1юкрытием, с гибкнми IJЫIJOдav1и. Обозначение типа приводится на групповой наре. Масса 1 ранзистора нс более 0.002 г. 56
Э.r1ектричесю1е параметры Граничная частота коэффициенга передачи тою1 в СХС\!С с общим эмипером при ИкБ= 2 В, Iк= 5 '>IA нс менее. Статический коэффнниент персд'lЧИ 1ока в схе\1е с общим эмиттером при UкБ = 1 В, lк = 5 мА: КТ206А . КТ206Б . Обратный ток ко;1лектора нс более: КТ206А при Икr;=20 В . КТ206Б при UкБ=12 В . Обратный ток эмнттера пе более: КТ206АприU,г,= 20 В . КТ206Б 11ри Иэ~; = 12 В . Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В, .f = =1ОМГ11неболее. Предельные эксп.1уатац1юиные даииые Постоянное нанряжение кол.1ектор-база: КТ206А КТ206Б Постоянное напряжение 1<0~1;1ек1ор-эмипер при RБ":>.;; .;; 3 кОм: КТ206А КТ206Б Постоянное напряжение э:vшттер-базэ: КТ206А КТ206Б . Постоянный ток коллектора Постоянная рассеиваемая мощность ~~оллектора: пр.и Т= 213-:- 328 К приТ=35~К . 10 МГц 30~ 90 70-210 ~1кА мкА мкА 'VIKA 20 пФ 20в 12в 20в 12в 20в 12в 20 мА 15 мВт 5 мВт 373 к От 213 Температура перехода Температура окружающей среды !\О 358 К КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1 Транзисторы У.ре.vtниевые эпитаксиально-планарные 11-р-11 универ- сальные маломощные. Предпа·ншчсны для использоваrшя в К.>ючевых н линейных гибридных схемах, микро:ч:о;1улях. уз.1ах н блоках раμ_иоэлектрон­ ной герметизированной а1шаратуры. 57
1,0 Бескорпусные, без криста.1- .1одержателя, с гнбки2\1и вывода­ ми, с защитным покрытием. Обозначение типа приводится на возвратной таре. Масса транзистора без упа­ ковочной тары не более 0,01 г. 1 j --~ 0,04 : --г- Э.1ектр11ческие параметры Коэффиuнент передачи тока в режи'\1С малого сигна.~а: приUКБ=5В,/.э=10 :v1A: КТ215А-1 не менее . КТ215Б-1 КТ215В-1. КТ215Г-1. приСкБ= 1В, Iэ=40 :v1КАне менее: КТ215Д-1 КТ215Е-1 Напряжение насыщения кол.1ектор-эчиттер нри fк = 1О :v!A. 20 30-90 40-120 80 40 /Б = 1 мА КТ215Д-1, КТ215Е-1 не бо.'Iее . 0,6 В Напряжение насыщения база-э'\ШТТер при Iк = 10 мА, /Б = 1 '\1А КТ215Д-1, КТ215Е-1 не более . 1,2 В Напряжение насыщения кол.1ектор-эмиттер при I Б = 1 мА, Iэ =О КТ215Д-1. КТ215Е-1 . 0,3-2,5 В Входное сопротивление в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала при Икэ = 5 В, Iк = 2 :vlA. f=800Гц. .1,2-10 кОм типовое значение. 1,5* кО:-1 Емкость ·1:\11птерного перехода при Иэt; = 0,5 В, f = = 500кГu. .9.6-100 пФ типовое значение Емкость коллекторного перехода rrpи ИкБ = 10 В, f = = 500кГц. типовое значение , Обратный ток коллектор-эмиттер при RБэ = 1О кОм, Ию=30 В, Т=358 К не более . Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение ко.1J1ектор-эмиттер при Т = 233 "'- 58 358 К: КТ215А-1, КТ215Б-1 КТ215В-1 КТ215Г-1 КТ215Д-1 КТ215Е-1 40* пФ 9,5-50 пФ 12* пФ 100 мА 80в 60в 40в 30в 20в
r . . Постоянное напряжение эмиттер-база при Т = 233 -;- 35R К. . . . · Постоянный ток ко.1:1ектора при Т = 233 -7 - 358 К . Импу:rьсный ток кол.1ектора при tи ,;;; 10 мс, Q;:;, 100, т=233 -7-358к. Постоянный ток базы при Т=233 -7- 358 К . Постоянная рассеивас!"v1ая мощность ко.~.-1ектора: приТ=308К. при Т=358 К. Те~шература персхо;1а 5в 50 мА 100 мА 20 мА 50 мВт 20 :viBт 398 к Теп.1овое сопротив:1ение персхол-крис ra.1 .1 Температура окружающей среды . . 0.1 К/мВт От 233 до358к Допусти:\Iая температура пайки транзисторов в гибрид­ ные схемы не до.1жна превыщать 432 К в течение 30 с. hг1э 2801---1----if--'~f---"'.---1 о,1 Зависв~юсть ·статического ко-,ф­ фиrшента передачн тока от 1ока эыиттсра. Кш,АБ кт21sд-1 20 15 10 5 10-2 70-1 10° I8 ,мА Зависимость коэффюшен га щу­ ма от тока эмиттера. h21э 200!----1 -- --! ---+--1 150 100 501--~-l­ a.__~----1..~~..l_~--1._J 228 273 318 т,к За впснмость с 1а тнчсского ко эф­ фициента передачи тока от 1ем­ пературы. Кш,дБ КТ215Д-1 10t-----+----+--~ 10 1 Rг,кDм Зависимость коэффиrщента щу­ ма от выходного сопротивления генератора. 59
КТ302А Транзисторы кремнневые планарные п-р-11 низкочастотные уси:m­ тельные маломощные с ноr,нrрованным коэффициен1о:v1 шума на частоте 1 кГu. Выпускаются в мета.1.·юстек;1янном 1<0рпусе с гибкими выводаrvш. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не бо.1ее 0,5 г. Jми-ттер Х а/1.Л81<mор 'Эле1прнчсскис параметры Коэффициент шуча при Икэ=1 В, 13 = 0.1 мА, f= =1кГuнсбопее Коэффициент передачи тока в режиме ма.1ого спгпа;щ приИкэ=1В,/3=О,11мА. Обра гный ток ко:1лектора при Ик 5 = 15 В не 60:1ее . Обратный ток эмиттера при Иэь = 4 В не бо.1сс . Прел:е;:ьныс :жсплуапщионные данные Постоянное напряжение коллектор-база. 1:ри Т = 308 К . Постоянное юшряжение коллсктор-эчнттср при R-:>G = = О,1кО''•Т=308К. Постоянное напряжение :эмиттер-база при Т = 308 К . Постоянный ток коллектора при Т = 308 К . Постоянная рассеивае.мая мощность коллектора при Т = = 308к. ПЗО7, П307В~ П308, П309 ' ::rБ 110-250 1 мкА 1 мкА 15в 15в 4в 10 мА 100 \1Вт Транзисторы кремниевые планарные 11-р-11 переключательные низкочастотные \,!аломошны:с. Предназначены д:rя при~ленен!lя в С:>е:vшх нереключения и 11реоб­ разовате.1ей пос rояш:ого напряжения. Пыпускаются в металлостекляшю'.1 <:орпусе с гибки'.111 пыводамн. Обозначение типа прv.в,,ли 1ся на корпусе. Масса транзистора не более 2 г. 60
База \ Коллектор Jмиттвр Элсктричес1ще параметры Граничная частота коэффициента пере;:\а'ш тока в схе:-.1е с общим Э\шттсро\1 прн ИкБ = 20 В, 1, = 4 мА не менее. Входное сопротивление. при ИкБ = 20 В, /э = 10 мА не более. Коэффициент псреда'!И тока в режиме малого сигнала при/э= 10 мА, Ик5= 20 В: П307. ПЗ09 П307В. П308 . Сопротивление насышевия ко;1.·1ск·1 ор-э'vшттер при /к = 15 мА. /5 =3 мА не бо:тее: при Т= 298 К. ПЗ07 П307В, П308. П309 11р11т=398к. Обратный ток ко.1лектора при UкБ = Uкr;"nкc более. нс Обратный ток коллектор-эмиттер при Uк·, = Иксэ,ншс· RэБ = 1О кОм не более: првТ=298К. приТ=393 К . Обратный го:\ э:1-шттера 11ри Uсэ;; = 3 В не 60.1се: прчТ=198К. щшТ=393К. П:!едельные J1,сп.1уr~тащюнные ;:\а11пые Постоянное напряжение ко:1.1ектор-ба·ы 11 кол,1ектор­ эми пер при RэБ < 1О кОм: ПЗО7, П307В . ПЗО8, П309. Постоянный ток кол.1ектора Импу.1ьс11ый ток 1сол.1ектора при т11 ,;; мкс.Q:;. 1О. Постоянная рnс(.;еивае~шя чощностh · при Т<293 К при Т=373 К при Т=393К 20 МГц 70 0'v1 20-60 50-150 30-90 100 Ом 130 Оч 240 О'Л 3 \!КА 20 'v!KA 200 мкА 5 мкА 15 мкА soв 120 в 30 мА 120 :-.лА 250 ыВт 150 мВт 100 'v1B1
Течпсrатура перехода . Общее теп.1овое сопротив:тение: приТ,_;;373К. 11ри Т:;, 373 К . ТС\шература окружающей среды. 423 к 0.8 К/мВт 0,4 К/мВт От 213 ДО393К П р и м е ч а ни е. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 Ч\Л от корпуса транзистора. Пайку производить пая.Тh­ пиком при Т , _; ; 533 К в течение не бо.'Тее 10 с. Необходи:1с10 осуществ;тять теп.1оотвод между корпусом и :1с1естом пайки. Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса, при этом должны быть приняты меры предосторожности, обеспе­ чивающие неподвижность вывода между изгибом и стеклянным изо.1ятором, чтобы не произошло нарушения спая выводов со стек.1янныч изоляторо:1с1, ведущего к потере гер'.-1етичности транзи­ стора. 15,мА П307-ПJО9 1, о 1----~1---+--+---+---+--------t о, 8 1-----41----+~-+-+--+---+-------t Икэ=58 D,B 0,'f1-----4---+-t-·-tl--t---+--I 0,2 Входные хцрактеристики. h21з 100 8 о 1--+~+---- во ЧOl-~...,__1--+-__.j1----+-- П307, П309 2 о h~.:;.;;;,;,~r:='"'!==::::i о.__~-~-~_....-~~ 273 293 313 333 353 373 т,к Зависимость коэффициента пе­ редачи тока от температуры. 62 h21з 100 80 во ЧО 20 о 20 чо во Iк,мА Зависимость коэффициента пе­ редачи тока от тока коллектора. Jh21э! П307-П309 1ч- t----<f-----+ - --+ - - t-- --+ --1 12 t--t ---t ---t--t-:: = -o!----i 10 8 t---+- -F-+ В t----t --+ ---+ --+ ---1- 2ЧВ Зависимость модуля коэффи­ циента передачи тока от тока эмиттера.
1 Ск,пФ ПJО7-П309 · l 11/- f =5МГц 1 12 1---:-~1 . . 10 _,_ 1 1 8 --+---t--- 1 1 б lf о lf 12 Uк5,В Зависи'VЮС 1ъ е~1кости коллектор­ ного верехо;_щ от напряжения ко.1.'Jектор-база. ""' 1,2 1 l,, 1,1 .., ~ \;1,о : ПJО7 -ПJОЭ " ~ 0,9 "' ~ с-0,8 "' ~о,7 <>: ';;об :::::> )10102 Зависи:.юстъ относительного макси"1а.1ъно ;юпустимого на­ пряжения кол:1ектор-зм1птеr от сопротивления база-змиттер. ГТ404А, ГТ404Б, ГТ404В, ГТ404Г Транзисторы германневые сп.1авные 11-р-11 усилительные низко­ частотные ма.1омощ11ыс. Прсдна·3начены ,ця применения в выходных каскадах усилитс:1ей низкой часто1ы. Вынускаются в мста:1.юстеклянно:-.1 корпусе с гибки~rи выводами в двух варнангах. Обозначение типа 11риводится на корпусе. Масса тrанзистоrа: варнан 1 l - нс 60;1ее 5 г. вариант 2 - не 60:1ее 2 г. Вариант 1 77, о Эмиттер 10 ф4,5 Колпектор °' -J <о~ $ /База "G .. ~ о::;- -е- L;-2 18,. f ф4,5 8 ф 63
Электрические параметры Стати<rеский коэффициен-1 передачи тока в схеме с общим э:читтеро:-,,r при UкБ = 1 В, lэ = 3 мА: ГТ404А, ГТ404В . ГТ404Б, ГТ404Г . Коэффициент с1инеiiностн К;= (/1~ 1 э при Iэ = 3 мА)'(/1с 1 э 30-80 60-150 при /3 = 300 'v!A). 0,6-1.5 Граничная час IОта коэффициента передачи тока в схсчс собщи\1эми1repo:v1 при UкБ=1 В, 11=3 мА не менее . 1 мг[[ Прямое падение напrяжения на J:\!:Иттер1Ю).1 переходе при отк.1юченно:v1 коллекторе, fэ = 2 мА не более . 0,3 3 Обратный ток кол.-1ектора при UкБ = 10 В. обратный ток 7\шттера при UБэ = 10 В не бо.1ее 25 >vrкA Преде.1ьные эксп~1уатацнонные данные Постояшюс напряжение кол.1ектор-эмиттер при RБэ ~ = 200 Ом. Т= 233-'- 328 К: ГТ404А, ГТ404Б . ГТ404В, ГТ404Г . Постоя11ный ток ко,-~ле:-поr::~ прп Т = 233 - ' - 328 К . Постоянная рзссеивасмая ~ю1шюс гь коллектора при Т = = 298К: вариант вариант 2 Темпера тура перехода Теп,1овос сопро'1 ивление переход-срс;щ. 25в 40в 0,5 А 0,6 Вт 0,3 Вт 358 к вариант 1 вар1шнт 2 Тсчпсратура окружающей среды 0,1 К/мВт . 0,15 К/мВт От 233 до 328 к Пр и ~I е '!ан и я: 1. Макси~:а.-~ьно допус1 и мая постоянная рас­ ссиваеV1<~я :,шщность ко.1.1е1;тора, ~1n1, при Т= 298 ~ 328 К опреде­ ляется по фор:v~уле Рк.чакс = (358 - Т)/Rтн-с. 2. Допускаетсп произв:J;1и·1 ь соединення ныRодов транзисторов с эле~1снтамп схе~1ы иа расстоянии не менее 5 мм от корпуса 1ранз:1стора тобы'.1 снособом (пзйка, сварка и т. 11.) при услоюш соб.-~ю:1ени~1 следующих требованиi!: за все время соединения те:-,,~пс­ ратура в г..обой то<rкс корпуса тр,шзистора нс должна преr:;ы­ щuть ма1<СИ'.Iа.1ьно ,.(опустимую температуру окружающей среды. Темнера rypa пайкн не должна прсвыщать 558 К. Изп;б выводов должен пронзволиться на расстоянии нс менее 3 мм от корпуса транзистора. При включении транзпстора IJ эж~ктричсс:;ую цепr. вывод ко.-~лектора до.1жен присоединяться пос.1ед­ ни~1 11 ОТl(ЛЮЧаться первым. 64
во 60 ?цо ""' 20 °' ~10 "" 8 ~6 ~ц "" ~2 '-i 1 1 1 ,__ГТЦОЦА- 1-----гтцоцг 1 г v 1 / /' v 273 293 31J JJ3 353 т,к Зависи:v~ость относительного об­ ратного тка кол.1ектора от температуры. Зависимость относ·ителыюго статического козффициента пе­ редачи 1·ока от те:-..шературы. Зависи:v~ость сiатичсского коэф­ фициента передачи rока от тока JМ!ПТСра. 1,ц ~1,2 ""' О) ~ "' ~~Bt----,~~1--~1--~1--~ ~ ~ ~Бг-~t--~1--~1--~1----1 -с:: ~ц~~=--~"--~"--~"---' 213 253 293 333 373 т,к 110 ГТ11011Б, 1---+-+-гт 11011г 20t----t~-+~-+-~+---t о КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, }(Т503Д, КТ503Е Транзис·rоры кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п универ­ сальные низкочастотные ма.1омощные. Предназначены для работы в уси.1ителях НЧ, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение ти11а приводится на этикетке. Масса гранзистора пе более 0,3 г. 14 5.2 0,4 .8 ' ·- 20° ~ - - 'У.Коллентор со ~ ба.за. С::,' Jмu,,mmep 4,2 3 По.чароnо..J.никовыс приборы 65
Электрические параметры Граничное напряжение прн /э = 10 мА, !и ,;;; 30 мкс, скважности > 100 не менее: КТ503А, КТ503Б . 25В КТ503В, КТ503Г . 40В КТ503Д . 60В КТ503Е . 80В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при lк = 10 мА, JБ=]мАнеболее, типовое значение . Напряжение насыщения база-эмютер при lк = 10 мА, /Б=1мАнеболее. типовое значение . Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Икэ = 5 В, 13 = 1О мА: КТ503А, КТ503В, КТ503Д, КТ503Е . КТ503Б, КТ503Г . Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Икэ=5 В, 13= 3 мА, 0,6 в 0,2*в 1,2 в 0,8* в 40-120 80-240 не менее. 5 МГц Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В, f = =465кГцнеболее. 20 11Ф Обратный ток коллектора при ИкБ = ИкБ.макс не бо- лее. Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база при Т = 233 -:- 358 К: КТ503А, КТ503Б . КТ503В, КТ503Г . КТ503Д КТ503Е Постоянное напряжение база-эмиттер при Т = 233-:- 358 к. Постоянный ток коллектора при Т = 233 -:- 358 К . Импульсный ток ко~1лектора при '<и ,,;; 10 мкс, Q ;;, 100, т=233+358к. Постоянный ток базы при Т = 233 + 358 К . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = = 233+298к. Температура перехода . Температура окружающей среды 1 мкА 40в 60в 80в 100 в 5в 0,15 А 0,35 А 0,1 А 0,35 Вт 398 к От 233 ДО358К Пр и меч ан и е. Пайку выводов разрещается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземлено. Разрещается производить пайку путем погружения выводов не более чем на 3 с в расплавленный при­ пой с температурой не выще 523 К. 66
Изгиб выводов допускается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм, при этом должны приниматься меры, исключающие передачу усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается. 0,5 ,_ ~ 0,3 ~ ~ 0,2 Q.."' o,t 1---~1----+-·--'1---+----1 DL----''----'-_,__,_-'--~ 233 273 313 353 393 Т,1< Зависимосп, максимально до­ пустимой постоянной мощности рассеивания коллектора от тем- 0,85 0,8 ~0,75 " " ~ 0,7 :::о"' 0,65 0,6 пературы. KT503A- l----+ ---+ -> '!+t-K Т5О3Е 12 Зависимосп, напряжения насы­ щения база-эмиттер от тока кол­ лектора. h21з 120 0,25 0,2 ~ 0,151--+---f-J.-1-1--1--4-~Ц " " ~ 0,1t----t---f--+++__..,,l'-----+-~Ц ~ ~051--+=;..1-'<:J-++-+--+-+~ 0....__.___,__...Ll_J__....l.___L__LU 1 2 ц 6810 20 .liOiк,мA ЗаВИСИ:\10СТЬ напряжения насы­ щения коллектор-эмиттер от тока коллектора. ,,," I r ...,[\. kТ503Б, КТ503~ !l IY Uкз=58 7 1\ ,1 ['\ :'\ 1),1 v ~ '~"' "' -- kT503A,kT5038, - 100 80 60 цо 20 о L----- КТ503Д, КТ50Л 1lli 1 111 0,01 0,ОЦ 0,10,20,ЦО,6"1 2 ц 610 20 WБ0100200WO р-п-р 13 ,мА Зависимость статического коэф­ фициента переда'!И тока от тока эмиттера.- TlA, ТlБ, Т2А, Т2Б, Т2В, Т2К, ТЗА, ТЗБ Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р универсаль­ ные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в уси~1ительных, импульсных и переклю'1а~ощих каскадах низкой частоты в составе гибридных интегральных микросхем залитой конструкции. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вывода­ ми. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не бо~'Iее 0,25 r. 3* 67
Электрическ11е парамеrры Предельная частота коэффициен га передачи тока при Икв=5В,Iк=1мАнеменее: TIA, Т2А ТIБ,Т2Б. Т2В Т2К ТЗА, ТЗБ Пос1оянная времени цепи обрагной связи при Икв = =5В,/3=1мА,f=465кГциеболее Статический коэффициент передачи тока в схеме с об­ щи!'.1 э~лнттсро~л при UкБ ~ 1 В, Iк = J О мА: при Т= 298 К: TIA, Т2А. ТlБ, Т2Б. Т2В. ТЗА. ТЗБ. 3,0 МГц 2,0 МГн 7.0 МГц 4,0 МГц 1,0 МГц 3000 ПС 20-50 40-150 20-150 10-40 30-150 приТ=213 К . От 1;100,5 значения при Т=298К приТ=343Кнеболее.. Напряжение насыщения кол:1сктор-э~шттср при = 20 мА не бо.1ее: · 2 значения приТ=298К lк= при /Б = 2 :\,IA: TIA, ТJБ, Т2А. Т2Б, Т2В ТЗБ. при/6=4мАТЗА. Напряжение насыщения ба·ш-эми 1 тер при lк = 20 :viA не более: приlr;=2мА: Т 1А, Т1 Б, Т2А, Т2Б, Т2В ТЗБ .. при/6=4мАТЗА. Плавающее напряжение эмиттер-база при ИкБ = 10 В TIA, ТIБ; при Икв = 20 В Т2А, Т2Б. Т2В. Т2К; при ИкБ=30 В ТЗА, ТЗБ пе более . 68 0,2 в 0,4 в 0,2 в 0,5 в 0,8 в 0,5 в 0,3 в
Остато<11rое напряжение при прямом смещении кол­ лекторного перехода при /Б = 7,5 мА Т2К не бо- лее... • . . Сопротивление насыщения открытого транзистора при Iк=6 мА, /Б=7.5 :viA Т2К не более . Время рассасывания при ИкБ = 10 В, /Б = 0,5 мА, fк = =10мАнеболее. Обратный ток кол.1ектора не более: при Т= 298 К: приИкБ=10 ВTIA,ТIБ приИкБ=20В: Т2А, Т2Б, Т2В Т2К при ИкБ= 30 В ТЗА, ТЗБ при Т= 343 К: при ИкБ= 10 В ТlА, ТIБ приИкБ=20В: Т2А, Т2Б. Т2В . . Т2К при ИкБ=30 В ТЗА, ТЗБ Обратный ток эми1 гера не бо.1ее: при Т= 298 К: при Иэ~;=5 В TIA, ТIБ приUЭБ=1~R: Т2А, Т2Б, Т2В . Т2К. ТЗА, ТЗБ .. при Т= 343 К: при ИэБ=5 В TiA, ТIБ приUЭБ=15 В: Т2А, Т2Б, Т2В . Т2К.- . ТЗА, ТЗБ. . Емкость кол:1екторного перехода при UкБ = 5 В, f = = 465 кГц не более Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = 5 В, / = =465кГцнеболее. Преде:1ьные эксплуатационные дшшые Импульсное напряжение коллектор-эмиттер: TIA. ТIБ 1)А. Т2Б, Т2В . ТЗА, ТЗБ .. Постоянное напряжение коллектор-ба'Jа: TIA, ТIБ . Т2А, Т2Б, Т2В, Т2К, ТЗА, ТЗБ . . Импульсное напряжение ко:~лекгор-база: TIA, ТIБ Т2А, Т2Б, Т2В, Т2К ТЗА, ТЗБ. 5,0 мВ 4,0 Ом 1,0 мкс 6,0 мкА 7,0 мкА 5,0 мкА 8,0 мкА 50 мкА 55 мкА 40 мкА 60 мкА 6,0 мкА 7,0 мкА 5,0 мкА 8,0 мкА 50 мкА 55 мкА 40 мкА 60 мкА 18 пФ 18 пФ 7,0 в 15в 20в 7,0 в 14в 10в 20в 30в 69
Постоянное и импульсное напряжение эмиттер-база: TlA, ТlБ . Т2А, Т2Б, Т2В, Т2К, ТЗА, ТЗБ Постоянный ток коллектора· . Импульсный ток коллектора . Постоянная рассеиваемая мощность при Т <;; 298 К . Тепловое сопротивление переход-среда Температура р-п перехода . Температура окружающей среды . 5;0 в 15в 50 мА 150 мА 100 мВт 0,8 К/мВт 373 к От 213 ДО343К П р и меч а 11 и я: 1. При 298 К максимально допустимая рас­ сеиваемая мощность, мВт, рассчитывается по формуле Рмакс = (373 - 1)/Rт 11 -с· 2. Изгиб выводов должен производиться на расстоянии не менее 2 мм от стеклоизолятора радиусом не менее 0,5 мм. Число перегибов должно быть не более двух. Пайка выводов тран­ зисторов должна производиться на расстоянии не менее 3 мм от стеклоизоляторов припоем с температурой плавления (523 ± 10) К. Ск,пФ 25 20 15 10 \ ' Т1~ -ТlБ 11 f=lfб!iкГц "- .. r---- о2цб810Uк5,8 Зависимость емкости коллек­ торного перехода от напряже­ ния коллектор-база. Зависимость емкости эмиттер­ ного перехо.1щ от напряжения эмиттер-база. Зависимость постоянной време­ ни цепи обратной связи от напряжения коллектор-база. с3 ,пФ 25 20 15 10 о 't'к,пс 6000 Ц500 3000 1500 о Т1А -ТJБ 2'f \ Т1А1 -TJ5 1 ~ Iз=,tмА "...... f =Цб5кГц ~ r---- 2'fб810Uк5,В ТМ2А, ТМ2Б, ТМ2В, ТМ2Г, ТМ2Д, М2А, М2Б, М2В, М2Г, М2Д Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р универсаль­ ные низкочастотные маломощные. Предназначены для 11рименения в усилительных, импульсных и переключающих каскадах низкой частоты в составе гибридных интегральных микросхем залитой и капсулированной конструкций. 70
Выпускаются в металлостеклянном корпусе на керамической плате (ТМ2А, ТМ2Б, ТМ2В, ТМ2Г, ТМ2Д) и с гибкими выводами (М2А, М2Б, М2В, М2Г, М2Д). Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора на керамической плате не более 0,8 г, с гибкими выводами не более 0,5 г. 9,6 Ко1111ектор Элеюрические параметры Предельная частота коэффициента передачи тока при ИкБ=5В,Iэ=1мАнсменее: ТМ2А, ТМ2Б, М2А, М2Б ТМ2В, ТМ2Г, М2В, М2Г . . ТМ2Д, М2Д ...... . Постоянная времени цепи обратной связи при ИкБ = = 5В./э=1мА,/=5МГцпеболее: ТМ2А, ТМ2Б, ТМ2В, М2А, М2Б, М2В ТМ2Г,ТМ2Д,М2Г,М2Д..... Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при ИкБ = 1 В, IЭ = 10 мА: приТ=293К: ТМ2А, М2А. ТМ2Б, М2Б. ТМ2В, М2В. ТМ2Г, М2Г. ТМ2Д, М2Д. при Т= 213 К: ТМ2А, М2А. ТМ2Б, М2Б. ТМ2В, М2В. ТМ2Г, М2Г. ТМ2Д, М2Д. 3,0 МГц 9,0 МГц 15,0 МГц 3000 пс 4000 пс 20-60 50-150 30-90 70-210 80-250 12-60 30-150 15-90 25-210 40-250 71
при Т= 346 К: ТМ2А, М2А. ТМ2Б, М2Б. ТМ2В, М2В. ТМ2Г, М2Г. ТМ2Д,М2Д. Граничное напряжение при lэи = 3.5 мА не менее: ТМ2А, ТМ2Б, М2А, М2Б . . ТМ2В, ТМ2Г, ТМ2Д, М2В, М2Г, М2Д . . Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = =10мА,/6=1мАнеболее. Напряжение насыщения база-эмиттер при /к= 10 мА, IБ=1мАнеболее.. . . . . . . Время рассасывания при fк = 1О мА, Q = 50 .;. 1ООО ТМ2А, М2А при ИкБ=15 В, /Б= 1 мА; ТМ2Б. М2Б при ИкБ=15 В, IБ=0,5 мА; ТМ2В, М2В при Ик6 = 10 В, /6 = 0,5 мА; ТМ2Г, ТМ2Д, М2Г. М2Д приИк6~1ОВ,/Б=0,25мАнеболее. . Обратный ток коллеrаор-эмиттер при ИэБ = 0.5 В не более: при ИкБ = i 5 В ТМ2А, ТМ2Б, М2А, М2Б: при Т=293 К и Т=213 К при Т=346 К .. при Ик 6 = 10 В ТМ2В, ТМ2Г, ТМ2Д, М2В, М2Г, М2Д: приТ=293КиТ=213К. при Т=346 К ..... . Обратный ток эмиттера при Иэ~; = 10 приТ=293КиТ=213К. при Т= 346 К. в не более: Емкость коллекторного перехода при Икв = 5 В, / = = 5МГuнеболее. Емкость эмиттерного перехода ИэБ = 0,5 В, /= 10 МГц не более. Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при напря· жении база-эмиттер 0,5 В: ТМ2А, ТМ2Б, М2А, М2Б . . ТМ2В, ТМ2Г, ТМ2Д, М2В, М2Г, М2Д Постоянное напряжение ко.1лектор-база: ТМ2А, ТМ2Б, М2А, М2Б . . . ТМ2В, ТМ2Г, ТМ2Д, М2В, М2Г, М2Д Постоянное напряжение эмиттер-ба.за . . . Постоянный ток коллектора при Т= 213.; . 308 К Импульсный ток коллектора при ти = 1О мкс и средней рассеиваемой :.~ощности, не превышающей предель· 20-120 50-250 30-200 70-400 80-450 15в 10в 0,15 в 0,5 в 2,0 мкс 20 мкА 70 мкА 15 мкА 70 мкА 20 мкА 50 мкА 25 пФ 40 пФ 15в 10в 15в 10в 10в 50 мА ную 100 мА 72
Постоянная рассеиваемая мощносгь при 298 к. Тепловое сопротивление переход-среда Температура окружающей среды . Т= 213-:- 75 мВт 0,8 К/мВт От 213 ДО346К Примеqания: 1. При Т> 308 К ток коллектора, мА, рас­ сqитывается по формуле I к м.кс = 7 vзss=-т. 2. При Т > 298 К максима.1ьно допустимая постоянная рас­ сеиваемая мощность кол.1ектора, мВт, рассqитывается по форму.1е Rк '1акс = (358 - Т)/Rт 1н· 16 ,мА 0,5 О/+ I ТМ2А- . тм 2Д-+---+-+--i ! о,J1----1---+--t-t+-+---l о, 2 1--+-+--Н'-t---t---i o,1L---+-+ -1 -'-t - о О,1 0,2 0,30/1 0,5U36,В Входная характеристика. hz13 1 ТМ2А-ТМ2Д 70 l----+--+---1---1-__.oi<'-~ БOг--~----t-:;;-"'f---t---:"""''---t 50 '+01-""'-+·-+---1---1---+---4 301----+-~_,..,..:=:...+---+--+--< 20 --иКБ =18' ,Iэ=10мА 293 303 313 J23 333 JЦ.3 т,к Зона возмо11шых положений 1а­ висимости статпqеского коэффи­ циента передаqи тока от тем- нературы. ТМ4А, ТМ4Б, ТМ4В, ТМ4Г, ТМ4Д, ТМ4Е, М4А, М4Б, М4В, М4Г, М4Д, М4Е Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р универ­ сальные низкоqастотные маломощные. Предназнаqены д.<я применения в усилительных, импульсных и переклюqающих схемах низкой qастоты в составе гибридных интегральных 'vшкросхем ·залитой и капсулированной конструкций. Вьшускаются в металлостеклянном корпусе на керамиqеской плате (ТМ4А. ТМ4Б, ТМ4В, ТМ4Г. ТМ4Д, ТМ4Е) и с гибкими выводами (М4А, М4Б, М4В, М4Г, М4Д, М4Е). Обоз на qение типа приводится i'ta корпусе. Вывод эмиттера на корпусе транзисторов М4А, М4Б, М4В, М4Г, М4Д, М4Е марки­ руется красной тоqкой. Масса транзистора на керамиqеской плате не более 0,8 г, с гибкими выводами 0,5 г. 73
9,Б' Ко1111ектор 3 9, 85' Змиттер i--~~~-'--~~~--;~ О,97 J,S Электрические параметры Граничное напряжение при Uкr; = 12 В. / 3 = 10 мА, ти=100мксиQ>1Онеменее...... Сrатический коэффициен~r нереда'lи гока в схеме с общим эмиттером при ИкБ = 1 В, /э = 10 мА: при Т= 298 К: ТМ4А. ТМ4Г, М4А, М4Г ТМ4Б, ТМ4Д, М4Б, М4Д ТМ4В, ТМ4Е, М4В. М4Е . при Т= 346 К: ТМ4А. ТМ4Г. М4А. М4Г ТМ4Б, ТМ4Д, М4Б, М4Д ТМ4В, ТМ4Е. М4В, М4Е при Т= 213 К: ТМ4А, ТМ4Г, М4А. М4Г ТМ4Б, ТМ4Д, М4Б, М4Д ТМ4В, ТМ4Е, М4В, М4Е Постоянная времени цепи обратной связи при Икь = = 5В,Iк=5мА,/=5МГцнеболее: ТМ4А, ТМ4Б, ТМ4В, М4А, М4Б, М4В . ТМ4Г, ТМ4Д, ТМ4Е, М4Г, М4Д, М4Е . Модуль коэффициента переда'lи тока при ИкБ = 5 В, 13=5А,/=20МГцнеменее: ТМ4А, ТМ4Б, ТМ4В, М4А, М4Б, М4В . . . . ТМ4Г, ТМ4Д, ТМ4Е, М4Г, М4Д, М4Е . . . . Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 1О мА, /Б=1мАнеболее.... - . Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, /Б=1мАнеболее........... Время рассасывания при /к= 10 мА, Икэ = 25 В, /Б = = 1,0 мА ТМ4А, ТМ4Г, М4А, М4Г; при /Б = 74 12в 20-75 50-120 90-200 10-330 35-660 50-850 10-100 20-160 40-240 1500 пс 500 пс 2,5 4,0 0,5 в 0,7 в
г 1 = 0,4 мА ТМ4Б, ТМ4Д, М4Б, М4Д; при /Б = = О 22 мА ТМ4В, ТМ4Е, М4В, М4Е не более Обра;ный ток коллектор-эмиттер при Икэ = 15 В, ИБэ = = О5Внеболее: приТ=298КиТ=213К. приТ= 346К. Обратный 1 ок коллектора при ИкБ = 15 В не более . Обратный ток эмиттера при ИэБ = 1,5 В не более . Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В, f = =5МГцнеболее. Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер прн напря­ жении база-эмиттер 0,5 В . Постоянное напряжение коллектор-база в схеме с общей базой . Постоянное напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллек·rора при Т= 213-;- 308 К Импульсный ток коллектора при ~:и,,;; 10 мкс и средней рассеиваемой мощности, не превышающей постоянную · преде.'Iьную рассеиваемую мощность Постоянная рассеиваемая мощность при Т = 213 -;- -;- 298 к. Тепловое сопротивление переход-сре!\а Температура окружающей среды . 3,0 мкс 6,0 мкА 80 мкА 6,0 мкА 30 мкА 8,5 пФ 15в 15в 1,5 в 40 мА 100 мА 75 мВт 0,8 К/мВт От 213 до346к Пр им е чан и я: 1. При Т > 308 К максимально допустимый ток коллектора, мА, рассчитывается по формуле Iк.мш= 6i/35S - т. 2. При Т > 298 К максимально допустимая постоянная рас­ сеиваемая мощность коллектора, мВт, рассчитывается по формуле Рк....,акс = (358 - 7)/ Rт.n-c· J6 ,l·AA 1, 1 L---1---1-~-+--.f--l----1 Икэ=2,5В 1,оl--1----l-+-t--ft о,81--1----1-+-t-t-+--t---I ~81----+--+~-+---+--t---Г---j О,Чl----+---Ч--+t~~-=:--:-::::1 о, 2 1----\.-- -1+-+ - о Входные характеристики. hz1з 2 чо '---'- - -'- 2001--+--+.,,C.-+--+---:!oJ-~ 1во1----+ - -4- -+ - 1201--~~ вo1--.+-__J...~=::~..L_J чо 1----' -- -J о 15 30 Ч5 ВО 75Iз,мА Зависимость статического коэф­ фициента передачи тока от тока эмиттера. 75
hz1э 250 2DD 1---+-- 150 J-., . --=-+ -:+, 1DD ....,.:.~-i"'------t--:- 5D ~;.;.;.,.;.~.,-""'f--+--+----1 D ...___.__~~-.........-~~ 293 303 313 323 333 .Jl/3 т,к Зависимое rь статического коJф­ фиuиен га передачи тока от тем­ пературы. ' ТМIJА-ТМЧЕ МЧА-МЧЕ 16 t+--+ -- -+--+- -+--+- _ __, 1214--+---+----+--+--+----< 81--"-<+ --+ --+ ---+ - -+ -_ __, о Зависимость е:11кости кол.1ек­ торного перехода от напряже­ ния кол.1ектор-база. 1,2 ~с::. 1,D с::...... 11 08 .. ., ' L<J -,.. . """ ТМ'l-А-ТМЦ.Е "'1\. ~06 ~ ~~мц.А -МЦ.Е Q:, .. ., \ 1\ ~DЧ '";;;-- ' " ~0,2 J.D 510-г 510-1 510 0 s10 1R. " 63111.LIM Зависи:11ость отпосительно1 о пробивного напряжения коллек­ тор-э:11иттер от сопротивления С3,п'Р 21/ база-Jмипер. 201---'...+-1---+--+---+-----1 161-----+~-+--1----+--~-+----1 121----+--+-"''+-;::-f--+--~ 81---+---+---./......----1---l-.--J Зависимость емкости эмиттер­ ного 11ерехода от напряжения эм11ттер-база. TMSA, ТМ5Б, TMSB, ТМ5Г, ТМSД, MSA, М5Б, MSB, М5Г, МSД Транзис1 оры германиевые сплавные р-п-р универсальные низко- частотные маломощные. Предназначены д.<Я применения в усилительных. и:1111ульсных и переклю•1ающих схемах низкой частоты в составе гибридных интегральных микросхем залитой и капсулированной конструкций. Выпускаются в металлостекля1111ом кopIIyce на кера:-.н1ческой плате (ТМ5А, ТМSБ, TMSB, ТМ5Г, ТМ5Д) и с гибкими вы­ водами (М5А, М5Б, MSB, М5Г, М5Д). Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора на керамической пла1е не более 0,8 г, с гиfiкими выводами не бо;1ее 0,5 г. 76
r1 9,Б Электрические параметры Предельная qастота коэффициента передаqи тока при Ию;=5В,/э=1.'.1Анеменее: ТМ5А, ТМ5Б, ТМ5Д, М5А. М5Б, М5Д ТМ5В, М5В ........ . ТМ5Г, М5Г ........ . Постоянная времени цепи обратной связи при ИкБ = = 5В,/э=1мА,{=5МГцнеболее: ТМ5А, ТМ5Д, М5А. М5Д . ТМ5Б. ТМ5В, М5Б, М5В ~ ТМ5Г, М5Г ...... . Статич~ский коэффициен г передачи тока в схеме с щпм э:\1иттером при ИкБ = 1 В, Iз = 10 мА: при Т= 293 К: ТМ5А, М5А. ТМ5Б, М5Б. ТМ5В, М5В. ТМ5Г. М5Г ТМ5Д, М5Д П(Чi Т= 213 К: ТМ5А, М5А. ТМ5Б. М5Б. ТМ5В, М5В. ТМ5Г, М5Г. ТМ5Д. М5Д при Т= 346 К: ТМ5А. М5А ТМ5Б. М5Б. ТМ5В. М5В. ТМ5Г, М5Г. ТМ5Д, М5Д. об- 1,0 МГц 2.0 МГц 3,0 МГu 2500 ПС 3000 пс 3500 пс 20-50 35-80 60-130 110-250 20-60 12-- 50 20-80 30-130 60-250 12-60 20-100 35-120 60-250 110-320 20-60 77
Граниqное напряжение при lэи = 5 мА, ИкБ = 15 В, Q>10неменее. Напряжение насыщения коллек 1ар-эмиттер при lк = 1О мА, Ir;=1мАпеболее. Напряжение насыщения база-эмиттер при /к= 10 мА, Ir;=1мАнебо.<ее. Время рассасывания при Икэ = 15 В, Iк = 10 мА ТМ5А, ТМ5Д, М5А. М5Д ври Ir; = 1,0 мА; ТМ5Б, ТМ5В, М5Б, М5В при Ir; = 0,5 мА; ТМ5Г, М5Г при/6=0,25мАнеболее. Обратный ток кол.1ек1ор-эмиттер при Иr;э = 0,5 В нс более: при Т=293 К и Т=213 К: при Икэ = 15 В ТМ5А, ТМ5Б, ТМ5В, ТМ5Г, М5А, М5Б, М5В, М5Г . приИкэ=25 ВТМ5Д, М5Д . при Т= 346 К: при Икэ = 15 В ТМ5А. ТМ5Б, ТМ5В, ТМ5Г, М5А, М5Б, М5В, М5Г . приИкэ=25 ВТМ5Д, М5Д . Обратный ток эмиттера при Иэr; = 10 В не более Емкость коллекторного перехода при Икr; = 5 В, f = =5МГцнеболее Емкость эмиттерного перехода при Иэr; = 0,5 В не более. Предельные эксплуатационные дан11ые Постоянное напряжение кол;1ектор-эмиттер при напря­ жении база-эмиттер 0.5 В . Постоянное напряжение коллектор-база: ТМ5А, ТМ5Б, ТМ5В, ТМ5Г, М5А, М5Б, М5В, М5Г ТМ5Д, М5Д . Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток коллектора при Т = 2 i 3 -:- 308 К Импульсный ток ко.1лектора при т11 = 10 мкс и средней рассеиваемой мощности, не превыщающей постоян­ ную предельную рассеиваемую мощность . Постоянная рассеиваемая мощность кол:1ектора при Т=213-:-298К. Тепловое сопротивление перехоJ1-Среда Температура окружающей среды . 15в 0,15 в 0,5 в 2,0 мкс 20 мкА 25 мкА 70 мкА 110 мкА 20 мкА 30 пФ 45 пФ 15в 15в 25в 10в 70 мА 150 мА 75 мВт 0,8 К/мВт От 213 ДО346К Примеqания: 1. При Т>308 К ток коллектора, мА, рас­ сqитывается по формуле ~кмакс= 10VЗ58 - т. 78
! 2. При Т = 298 -о- 346 К максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, рассчитывается по фор­ муле Ркмакс = (358 - 7)/Rт.n-c- J6,мА 0,5 0/1 0,3 0,2 0,1 1 ТМ5Д -М5Д 1 1 Uкэ= О 1 1 / j 1-; О 0,1 0,2 0,3 0/1 О,5Uз5,В Входная характеристика. Зависимость статического коэф­ фициента передачи тока от тем­ пературы. hz1э 50 '10 30 20 10 1 1 1 t--- ~ТМ5А, ТМ5Д ,_~ М5А,М5Д /t--. .. .. 1 ---~ Uк5==18 О 20 '10 бО 80 100!3,мА Зависимость статического коэф­ фициента передачи тока от тока эмиттера. 1,2 1,0 ""- 0,8 ~Об -. .;;_ ) "' ~О,'1 0,2 о ' ' .1 1111 1 11 ТМ5А-ТМ5Д 'М5А-М5Д '" ~ ........... ' 0,1 2 i/б81 2 i/68102 i/б 1002R53,кОм Зависимость относительного на­ пряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. TMll, TMllA, TMllБ Транзисторы кремниевые диффузионные р-п-р универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в усилительных, импульсных и переключающих схемах низкой частоты в составе гибридных интегральных микросхем залитой и капсу.'IироRанной конструкций. Выпуск:~ются в метал.1остеклянном корпусе на керамической плате. Обозначение типа приводится на керамической плате. Масса транзистора не более 0,8 г. 71)
9,6 D,7 -! -- J,Z5 Электрнческне параметры Предельвuя частота коэффициента передачи· тока при ИкБ=5В,13=JмАнеменее: TMll. TMllA, TMllБ . Граничное юшряжение не менее: Т!'.1]]при13" = 5"~А.. TMllA, TMIlБ при 13" = 10 мА Коэффициент передачи тока в режпме :\о!алш о нала при ИкБ=5 В, Iэ=1 мА,/=50-с-1000 при Т= 293 К: TMll . TMllЛ TMllБ при Т= 213 К: TMll . TMllЛ TMllБ при Т= 3')3 К: TМ:ll . TMllA TMJIБ Статический 1~0С1ффициент пере,;:\ачи тока в схс'\1е с щим эмиттером rJpи Ик6 = 1 В, /э = 10 :viA: TMll . TMllЛ TMllБ сиг- Гц: об- Входное сопротив.тение в схеме с общим Э:\о!ИТтеро~i 11ри/3=1мА,UкБ=30ВТМ11иUкБ=15В О,1 МГн 0,5 МГц 30 I! 15в 9-36 15-60 ЗU-160 7-36 10-60 25-160 9- IOS 15- 180 30-З~U 7-40 10-60 19--160 TMllA, TMllБ не бо:1ес. 300 Ом Напряжение ПJ.сыщепия коллектор-эмнттер при Iк = 1О мА, 16=2мАTMllи/Б=lмАTMllAнеболее. 0,5 В 80
' Напряжение насыщения база-эмиттер при fк = 10 мА, /Б=2 мА TMll и /Б= 1 мА TMllA не более. 1,0 В Время рассасывания при ИкБ = 15 В, lк = 10 мА, /Б= 1,0мА,f=400ГцTMI1.TMIIAнс более . 5,0 мкс Обратный ток коллектора не более: приТ=293К: TMI1при ИкБ=30 В; TMIIA,TMIIБ при ИкБ= =15В.· 20 "1КА 11ри Т= 213 К: TMI1приИкБ=40В.TMIIA.TMIIБ при ИкБ= =20В. 200 мкА при Т= 393 К: TMI1при ИкБ=20 В; TMIIA. TMIlБ при ИкБ= =10В. 250 мкА Обратный ток ко:шектор-·Jмиттер при со про гив.<снии вцепибазы1к0"1TMI1ври ИкБ=40ВиTMIIA ТМ1IБприИкБ=20 В нс более . ' 200 мкА Обратный ток э:v~иттера при ИэБ = 5 В, при Т = =393Кнеболее.. 150 мкА Емкость кол:1екторного перехода при ИкБ = 5 В, f = = 3МГц TMl1, TMIIAне более . Емкость эмиттерного 11ерехода при ИэБ = 0,5 В, f = = 10 МГц TMI1, TMI1А не более . Пре,1ельные эксплуатациош1ые даННЬiе Постоянное нанряжсние коллектор-эмиттер при ИБэ = = 0,5 В: TMll: при Т=213+348 К приТ=393К. TMI IA, TMI IБ: при Т=213+348 К приТ=393К.. Постоянное напряжение коллектор-база: TMll: при Т=213+348 К приТ=393К. TMI IA, TMI IБ: приТ=213+348К приТ=393К. Напряжение база-эмиттер: приТ=213+348К. при Т=393 К . П остоянпый ток ко.<лектора: при Т=213+348 К . при Т=393 К. Постоянная (средняя) рассеиваемая мощность: приТ=213+333К. при Т=393 К . 110 пФ 50 пФ 30в 20в 15в 10в 30в 20в 15в 10в 10в 5в 50 мА 30 мА 150 мВт 50 мВт 81
Температура окружающей среды . . . От 213 до393к Примечания: 1. При Т=3487393 К напряжение кол­ лектор-эмиттер, коллектор-база, база-эмиттер, а также IOK коллек­ тора уменьшается по .1инейному закону. 2. При Т = 333 7 393 К максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллеhтора, мВт, рассчитывается по формуле Рк макс = (423 - Т)/0,6. ·15,мА Входная характеристика. 0,5 ТМ11, ТМ11А, ТМ11Б 0,~f----t--+--+---+-+-1 O,J1----+- -+ --+- --+-+- -I Uкз1=0 о, 21----+- -+ --+ ---l ' -- -- i о,11----+--+---+ --l --+---I о 0,1 0,2 0,3 U53,B TMff, ТМ!1А, TMffб ~ ..- ...... ~- - UкБ = 158; Isf1мA- 1 1 ....... - - Зависимость относительного входного сопротивления в схеме с общим эмиттером от темпе- ра туры. Зависимоtть относительного ко­ эффициента передачи тока в· ре­ жиме ма.1ого сигнала от темпе- ратуры. ?;~в ~ 16 ТМ11, 11) - t:; 1р t--+----+-t--+---+-~o<+---t---1 ~1,2t--+--+-+--t---t-,,L,+--t-.,_/,.---I i?, 1,0 1---+--+-+- --- --+ - - <:: 0,81---+-:*"Ч-- 213 253 293 333 О,6.__,___.___..___,__.~....__,___.__, J73Т,К 213 293 JJJ 373Т,К МП13, МПIЗБ, МП14, МП14А, МП14Б, МП14И, МП15, МП15А, МП15И Транзисторы гер'.~аниевые сплавные р-п-р универсальные низко­ частотные маломощные. Предназначены д.1я усиления малых сигналов низкой частоты (МПl ЗБ), усиления, переключения, формирования импульсов (МП 14И), применения в ферриттранзисторных ячейках (МП 15И). Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гиб!(ими выводами. Обозначение типа 11риводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 2 г. 82
4-0 8 - s,s "' --~ - "' ~~ '<> - -- ." ""',.... - - - -э. -э. 1 Электрические параметры Преде"1ьная частота коэффициента передачи тока при Ик6=5В,/3=1мАнеменее: МП13 ......... . МП13Б, МП14. МПl4А, МП14Б, МПl4И МПl5,МП15А....... Коэффивиент шума при ИкБ = 1,5 В, lэ = 0,5 мА, f=1кГцМП13Б не более... Время рассасывания при Ек = 20 В, ИБэ.и = 4 В, Rк = = 510 Ом, R6 = 100 Ом МП14И не менее •... Амплитуда выходного импульса при Ек = 15 В, И6э.и = = 15В,Rк=100Ом,RБ=1кОмМП15Инеменее: приТ=293К.............. приТ=213иТ=343К.......... Коэффициент передачи тока в режи:v~е малого сигнала приИк6=5В,lэ=1мА,f=1кГц: при Т= 293 К: МП13 не менее. МП13Б МПl4, МП14А. МП14Б, МПl5 МПl4И МП15А при Т= 213 К: МП13 не менее МП13Б МПl4, МП14А. МП14Б, МП15. МП14И МП15А при Т= 343 К: МП 13 нс менее МПJЗБ, МП14И МП14, МП14А. МШ4Б, МПl5. МП15А Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не более: МП14Иприlк=10мА,/Б=1мА. . . 0,5 МГц 1 МГц 2 МГц 12 дБ 1,4 мкс 5,5 в 4в 12 20-60 20-40 30-60 20-80 50-100 7 7-60 7-40 12-60 7-80 20-100 12 20-150 20-100 30-150 50-200 0,2 в 83
МП15И нриЕк=15 В, Е6=15 В, Rк=100 Ом, RБ=600Ом·......... О бра тпый ток ко:шектора при Т = 343 К не более: МП13. МП13Б, МПl4, МП15, МП15А пrи Ик 6 = = 10 в ............ . МП14А, МП14Б, МПl4И при ИкБ = 20 В. Обратный ток коллектор-эми·1тер при RэБ =О не более: при Т= 293 К: МП13, МП13Б, МП14, МПl5, МПl5А при Икэ = = 15 в ........ . МП14АприUкэ=30В.... МП14Б, МП14И при UКБ = 30 В приТ=343К,Uкэ=10ВМП15И: 90~,~транзисторов....... 100~~транзисторов. . . . . . . Имнульсиый обратный 1ок 1ю.1лектор-эмитгср МП15И вриТ=293 К, Икэ.и=30 В, RэБ=О. <и=10мкс, f=10кГцнеболее........ Обратный ток эмиттера при Т = 293 К не более: МПl3, МПIЗБ, МПl4, МП15, МП15А при U~ 6 = = 15 в ........... . МП14А, МП14Б, МП14И при ИэБ = 30 В . Сопротивление базы при Ик6=5 В. lэ= l мА, f= = 500 кГц МП13, МПlЗБ, МП14. МП14А. МПl4Б, МП14И, МП15, МП15А не более ...... . Выходная по.'!ная проводимость в режиме малого сиг­ нала при холостом ходе в схеме с общей базой приUкБ=5В,I3= lмА,f=1кГцМПJЗ,МП13Б, МП14, M!Il4A, МП14Б. МПJ4И, МП15, МП15А нс более............ Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В МП 13, МПlЗБ, МПl4, МПl4А. МП14Б, МП14И, МП15, 1в 200 мкА 200 мкА 30 мкА 30 мкА 50 мкА 650 мкА . 700 мкА lмА 30 мкА 30 мкА 150 Ом 2,5 мкСм МПl5Aнеболее........... 50 11Ф Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение ко.<лекгор-база: при Т= 213 -с- 323 К: МПIЗ, МПJЗБ, МП14. МП15. МПl5А, МПJ5И.... 15В МП14А, МПl4Б, МПl4И. . . . . . 30В при Т=323-7- 343 К: МПlЗ,МПl3Б,МПl4,МП15.МПl5А.МП15И. 10В МП14А,МП14Б,МП14И. . . . . . . . 20В Импульсное напряжение коллектор-база МП ! 3, МП l ЗБ, МП14, МП15, МП15А, МП15И: приТ=213-с-323К. ЗОВ приТ=323-с-343К. . . . 20В 84
Постоянное напряжение коллек гор-эмиттер при RэБ .;; .;; 2 кОм: при Т= 213 -7-323 К: МПl3, МПlЗБ, МПl4, МП15, МП15А, МП15И. 15В МПl4А,МПl4Б,МПl4И.. ... .. .. 30В при Т= 323 -7- 343 К: МП13, МПlЗБ, МПl4, МПl5, Mlll5A, МП15И. 10В МП14А,МП14Б,МП14И........ 20В Импульсное нанряжение ко.<лектор-эмит1ер д.ля МП15И при'и.;;3мкс,Q~4,Rк~75Ом: приТ=213-7-32ЗК..... ЗОВ приТ=323-7-343К.·... 20В Постоянное напряжение эмиттер-база: при Т= 213 -7- 323 К: МПlЗ, МПIЗБ, МП14, МП15, МП15А, МПl5И. МП14А,МП14Б.мn14И.. . ... .. . при Т= 323 -о-343 К: МПl3, МПl3Б, МП14, МП15, МП15А. МП15И. МП14А, МП14Б, МП14И. Постоянный 1 ок коллектора . Импульсный ток кол.1ектора . Среднее зв:;~чсш:е тока э~шттера Постоянная рассеиваемая мощность: приТ=213-о-323К,р~6666Па. при Т=213-7-323 К.р=665 Па. r1риТ=343К... · · 15в 30в 10в 20в 20 мА 150 мА 30 i\1/\ 150 мВт 100 мВт 75 мВт Температура окружающей среды . . От 213 ДО343К 2,0 1,8 ;>. 1,б -"' ~ 11/ "') ,__ МП 13, МП13 Б,-+----1-->'1 МП14-,МП1ЧА, МП 1ЧБ, МП 1ЧИ,_-+--.~ МП15, МП15А, М П 15 И-+----+--+-t------1 ~1,21---1---+--17""'--+--+-----1 1,0 ~-~c___+- 0,BL---1..--'--~~:---::--::~ О510152025Uк5,В Зависимость относительного ко­ эффицп~нта передачи тока в ре­ жиме малого сигна.'Iа от напря- жения коллектор-база. 1,5 1,Ч 1,0 ~9~--=~--=--L~-'-~L--.....J О510152025I3,мА З;~висимость относительного ко­ эффициента передачи тока в ре­ жнчс малого сигнала 01 тока эмиттера. 85
1,8 1,б 1)ч МП1J,МП13Б, МП1Ч, МП1ЧА-,____, ,_ __. МП1ЧБ, МП1ЧИ, МП15,МП15А-,__. _ _.. ~ ~ 1 2 ,__--+-м_п_1_sи--+--+--___..,_-----< -t: ) '-. ;:у_ 1, о - t:"" о, 8 1-----+ --1 -_ ..: .+ ---+ ----1 ---1 о б ....:;;....1 .- - - -1._ _,____, __. 1... -. .. .J ) 213 233 253 273 293 J1J т,к Зависимость относительного ко­ эффициента передачи тока в ре­ жиме малого сигнала от тем- пера туры. МП16, МП16А, МП16Б Транзисторы германиевые сплавные р-п-р перек">ючательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения и фор- ~ - - - ,___ ._ _ ~ ""' ""'~ -э. -э. 4.f) - 1 ...._____ - t, ., t:-., .. .:- ..,~ .... -э. 'G. 1 1,0 s,s 8 Кошrектор мировання импульсов. Выпускаются в мсталлостеклянном корпусе с гибкими вы­ водами. Обозначение ++...,=э:>k-+-+-+ типа приводится на бо- база Вмцттер ковой поверхности корпуса. Масса транзисто­ ранеболее2г. Электрические параметры Предельная частота коэффициента переда•ш тока при ИкБ=5В,lэ=1мАнеменее: МПlб, МПlбА .. МП!бБ . Время переключения при Икэ = 15 В, Rк = 1,5 кОм не более: МПlб. МПlбА МПlбБ Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Икэ = 1 В, lк = 10 мА: 86 при Т= 293 К: МП16. МПlбА МПlбБ при Т= 213 К: МП!б. 1 МГц 2 МГц 2 мкс 1,5 мкс 1 мкс 20-35 30-50 45-100 10-35
МП16А МП16Б при Т= 343 К: МП16. МП16А МП16Б Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = 10 мА, /Б=1мАнеболее. Напряжение пасышения база-эмиттер при /к= 10 мА, /Б=1мАнеболее. Обратный ток коллектор-эмиттер при Икэ = 15 В, ИБэ = = 0,5 В не более: приТ= 293К. при Т=343 К . Импульсный обратный ток кол.1ектор-эмиттер при 293 К, Икэ=12 В, Rк=1,5 кОм пе более . Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база . Постоянное напряжение кол"-~ектор-эмиттер при RэБ .;; .;; 2 кОм Импульсный ток коллектора . Импульсный ток эмиттера . Среднее значение тока эмиттера Постоянная рассеиваемая мощность: при Т= 213-: - 318 К, р;;, 6666 Па при Т=213-:-318 К, р=665 Па при Т=343 К . Общее тепловое сопротивление* . Температура перехода . Температура окружающей среды 1,2 1,1 ~ 1,0 f-1---1-~--+--+--+---I -"' ~""'0,9~___.j--1----1"--+--+---I .... "' - <:: 0,8 1,5 1,ц. 15-50 23-100 20-80 30-100 45-200 0,15 в 0,35 в 25 мкА 200 мкА 400 мкА 15в 15в 300 мА 300 мА 50 мА 200 мВт 100 мВт 75 мВт 200 К/Вт 358 к От 213 до343к 0;71-____jl----1---1---+---!----J 0;6L---1.~....L~.L---'-~~,.-,,-' О ц.О 80 120 160 200Iк,мА ~Of-""--+~+---+~-+-~J---1 ~9~~~:---::1-:=--1~~~ о 2,5 5 7 ,5 1D 12,SUкэ,В Зависимое~ ь относительного статического коэффициента пе­ редачи тока в схеме с общим эмиттером от тока коллектора. Зависимость относительного статического коэффициента пе­ редачи тока в схеме с общим эмиттером от напряжения кол- лектор-эмиттер. 87
1,3 1,2 М П 1В, М П 16А,-+-----<'--#-----< МП1ВБ (1') 1) 1>-----<f----+- - - -+- - - -t- -+-1- - -< ,__ -"' ~1D ""' , f 0,9 1-----i--+--f -- -t- ---i- -I ~вь.-+---7"1----1--+-+-__, 07..,;_-'-~'---'-~'---'---' 1 213 233 253 273 293 313 т,к Зависимость относите.<ьного статического коэффициента пе­ редачи тока в схеме с общим эмиттером or температуры. Зависимость относительного времени рассасывания от темпе­ ратуры. Зависимость относительного на­ пряжен_ия насыщения база-эмит­ тер от температуры. <.> <:! _.,_ ..,., '- .. ~ ~01----<--+--+---.IL--'---J ...., 233 253 273 293 313 т,к 1,8 r---т-~-~----- 1 МП16,МП1ВА, 1' 6 1----+-__,~мп 1в Б ~ 1, L,l 1---""'1~-+--+--.._--<--J "> -'<:> ~1)21---+--+----+ ;:; :, 1)о1---+--1---+--"'1...---+----1 "" ::::. о в 1---+--+---1----4---Р~ ) 06 i )213233253273293 313т,к МП16ЯI, МП16ЯП Транзисторы германиевые сплавные р-11-р перек.1юча гельные низкочастотные ма;юмощные. Предназначены ;ця примснею1я в ферриттранзисторных ячей- ках. Выпускаются в :v1стал.1остеклянном корпусе с гибки:v~и выво­ дами. Обозначение типа приводится па боковой поверхности кор­ пуса. Масса транзистора не более 2 г. 88
Время включения = 1,8В: Электрические параметры приЕк=10В,Rк=100Ом, ИБэя= МП16ЯI. МП16Яll .0,2- 0,45мкс .0,3-0,65 мкс С гатическш1 коэффициент передачи тока в схеме с общимэмиттером при Ек= 10 В, Икэ= 1 В, Iк= = 100мА,Rк=90Ом,t"= 10мкс: при Т= 293 К: МПlбЯI . МПlбЯII. при Т= 213 К: МПlбЯI . МПlбЯII. при Т= 343 К: МПlбЯI . МПlбЯII. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к = =150мА,/6=25мАнеболее. Обратный ток коллектор-эмиттер при Икэ = 15 В не более: приТ=293 К . при Т=343 К . Импульсный uGратный ток ко.1лектор-эмиттср при Т = = 293К,Uкзи=30Внеболее Входное сопротивление в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала при Ек = 1О В. Rк = = 100Ом,U63и=40В,RБ=1,8кОм: 20-70 10-70 18-75 10-75 18-80 9-80 IB 50 мкА 1,2 мА 1мА МП16Я1 . МП16ЯII . 30-100 Ом . 30-200 Ом Пределы1ые эксп.1уатационные данные Постоянное напряжен!{е кол.<сктор-эмиттер при R 36 ,;;; ,;;; 100 Ом 15В Импульсное напряжение ко.1J1ектор-эмиттер при RэБ ,;;; ,;;; 100 Ом, 'tи ,;;; 5 мкс . Импульсное напряжение эмиттер-база ври tи ,;;; 5 мкс: приТ=213 -;-323К. приТ=323 -;-343К. Импульсный ток коллектора Импульсный ток ,пшттера . Постояшшя рассеиваемая мощность: при Т= 213-;- 328 К, р;;, 6666 11а при Т=213-:- 328 К. р= 665 Па при Т=343 К . Общее тсп:ювое сопротивление . Температура перехода . Температура окружающей срелы . 30в 15в 10в 300 мА 300 мА 150 мВт 100 мВт 75 мВт 200 К/Вт 358 к От 213 ДО343К 89
100 1 1 1 1 МП16ЯI, 1,20 1,15 МП16ЯI, - ~МП16ЯП "v v v /v v 01 v ~ 1,10 -"" ~"'> 1,05 ..r : :.i::, 100 ) 0,95 0,9 МП16ЯП ~ _v ) 273 283 293 303 313 323 т,к 213 233 253 273 293 313Т,К Зависимость опюсительного об­ ратного тока коллектор-эмиттер от те"1Пера туры. Зависимость относительного статического коэффициента пе­ редачи тока в схеме с общим эмиттером от темпера,;rуры. МП20, МП21, МП21А, МП21Б Транзисторы германиевые сплавные р-п-р переключательные низко­ частотные маломощные. Предназначены для применения в схемах перек.1ючения. Выпускаются в мета;тлостеклянном корпусе с гибкими выво­ дами. Обозначение типа приводится на боковой поверхнос1 и кор­ пуса. Масса транзистора не бо,-тее 2 т. Ко/1/lектор aJa / -- ' - - ' !, -, ~ - -- .,.,;- ,_ -s. 'S. -гтi~ - ' Эмиттер •-". 4-0 8 Электрические параметры Предельная частота коэффициента передачи тока при ИкБ=5В.fэ=5мАнеменее: МП20, МП21, МП21А МП21Б Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала приИкБ=5В,/3=25мА,f=50-;-1000Гц: 90 при Т= 293 К: МП20, МП21А. МП21 . МП21Б 1 МГц 465 кГц 50-150 20-60 20-80
nри Т= 213 К: МП20, МП21А. МП21. МП21Б при Т= 343 К: МП20. МП21 . МП21А МП21Б Плавающее напряжение эмиттер-база не бо.1ее: при Т= 293 К: МП20приИк6=50В. МП21, МП21А, МП21Б nри ИкБ = 70 В при Т= 343 К: МП20 при ИкБ=50 В МП21. МП21А, МП21Б при Ик6 = 70 В Граничное напряжение при lэ = 100 мА не менее: МП20 .. МП21, МП21А . МП21Б Напряжение насыщения коллектор-эмиттер nри fк = = 300мАнеболее. Обратный ток коллектора не боо1ее: приТ=293К: МП20приИк6=50В.. МП21, МП21А, МП21Б при ИкБ = 70 В при Т= 343 К: МП20 при ИкБ=50 В МП21. МП21А, МП21Б при ИкБ = 70 В .. Обратный ток эмиттера при Т = 293 К, Иэ6 = 50 В не более. . . Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база: МП20. МП21, МП21А, МП21Б . Постоянное напряжение ко;шектор-эмиттер при RэБ,,,;; <5кОм: МП20. МП21, МП21А МП21Б . Постоянное напряжение эмиттер-база Импульсный ток коллектора при •и< 10 мкс, Q ;;, 2. Постоянная рассеивае-'1ая мощность: приТ=213-о-298К. при Т=343 К . Общее теп.1овое _сопрт ивленис Температура перехода . Температура окружающей среды. 25-150 15-60 15-80 20-200 20-75 50-200 20-110 0,3 в 0,3 в 0,5 в 0,5 в 30в 35в 40в 0,3 в 50 мкА 50 мкА 250 2\-!КА 250 мкА 50 мкА 50в 70в 30в 35в 40в 50в 300 мА 150 мВт 45 мВт 330 К/Вт 358 к От 213 ДО343К 91
O,JO 0,251---+- -+ ~ О,201------+-->..1---+--J------+----1 '-' ~ 0,15 ~-+-+_:i-:::::::i:=~=j "' ::::, 010 ' О 2,5 5 7,5 10 12,5Кнас Зависимость напряжения насы­ щения коллектор-эмиттер от ко­ эффициен ra насыщения. 5,0 4,5 <..:> ч,о ""::. ;:; 3,5 " .....""' з,о 2,5 2,0 1 1,5 2 2,5 J J,5Кнас Зависимость времени рассасы­ вания от коэффициента насы­ щения. 1 о.___.__ _.__..____._ _. _ -=-' 50 100 150 200 250 300 Iк, мА Зависимость времени включения от тока коллектора. 92 2,0 1,8 мп20,мп21, МП21А, МП21Б Q:) 1,6 t--+--+--+---f--+-~ ~ '-' ~ 1//. ~::::, 1,21----+--+~"'+---+----l---I <..:> "'~ 1, о 1----+~"-+--+----+----1---1 ~В~-+--'-_..____._ _.. __ _ , О 2,5 5 7,5 10 12,5Кнас Зависимость напряжения насы­ щения база-эми1 гер от коэффи­ циента насыщения. J,0 2,5 2,0 "' 1,5 ~ 1,0 ...., 0,5 Iк=JOOмА о 23lf567Кнас Зависимость времени включения от коэффициента насыщения. hz1э 100 г--'<-+--+---+--.+---1-----1 80-- МП2~ - ~---t. мп201 60 f--' -- '- -- 4>--fv! П 21А~ Ч-0 ---+---"..__~~-!--1---' 20~1-+---""k---+-"""-..d~-=t---J о 50 100 150 200 250 13,мА Зависимость коэффициента пе­ редачи тока в режиме малого сигна,1а в схеме с общим эмит- тером от тока эмиттера.
МП25, МП25А, МП25Б, МП26, МП26А, МП26Б Транзисторы германиевые сплавные р-11-р универсальные низко- частотные ма.1омощные. Предназначены для усиления и перек.1ючсния сигналов низкой 'ШСТОТЫ. Выпускаются в металлостекляrшом корпусе с гибки:vrи выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 2 г. Ко11лектор """ ~ ~~- - - t-. _ ~Ба.чп ...., ,...:- - - .... ..__ _ - "°' .. .... "0 ' €). - - 1 0,8 :Jмиттер_ -,.... ltO 8 э.1е1.:трические параметры Преде:ты1ая частота ко·;ффициснта передачи тока нс менее: МП25, МП25А нри Икr, = 20 В, fэ = 2.5 :vrA МП25БприИкБ=20В.fэ=2,5!v!A . . МП26. МП26А при f./кБ = 35 В, I, = 1.5 \1А МП26БвриИкБ=35В.fэ=l.5мЛ. Коэффициент передач!! тока в режпме ма:того ею нала приf=1кГц: приТ=293К,ИкБ=20В.f·э=2.5мА: МП25 . МП25А МП25Б г;риТ=293К.Uк6=35В.lэ=1,5мА: ГvШ26 . МП26Л МП26Б при Т=213 К, Ик 6 =20 В, /э=2.5 мЛ: r·Лfi25 . МП25А t<ЛП25Б 250 кГц 500 кГц 250 кГц 500 кГц 10-25 20-50 30-80 10-25 20-50 30-80 6-25 10-50 15-80 93
при Т= 213 К. МП26. МП26А МП26Б при Т= 343 К, МП25. МП25А МП25Б при Т= 343 К. МП26. МП26А МП26Б ИкБ=35В,lэ=1,5мА: Ик6=20В,lэ=2,5мА: ИкБ=35В,fэ=1,5мА: Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при f = 50 Гц не менее: МП25, МП25А, МП25Б . . . МП26, МП26А, МП26Б . . . Обратный ток коллектора не более: при Т=293 К, Ик6=40 в МП25Б при Т=293 К, ИКБ=70 в МП26Б при Т=343 К, Ик6=40 в МП25Б при Т=343 К, ИкБ=70 в МП26Б МП25, МП26, МП25, МП26, Обратный· ток эмиттера при Т = 293 К не при Иэ 6 = 40 В МП25, МП25А, МП25Б при ИэБ = 70 В МП26, МП26А, МП26Б Сопро1 ивление базы при f = 500 кГц не бо:тее: при Ик6=20 В, fэ=2,5 мА МП25, МП25Б... . ... при ИкБ=35 В, МП26Б ... lэ = 1,5 мА МП26, МП25А, МП26А, МП25А, МП26А, более: МП25А, МП26А, Выходная полная проводимость в режиме малого сиг- нала при холостом ходе при f = 1 кГц не более: при ИкБ=20 В, lэ=2,5 мА МП25, МП25А, МП25Б... . . . . . ... при ИкБ=35 В, lэ=1,5 мА МП26, МП26А, МП26Б . • . . . . ... Емкость коллекторного перехода при f = 465 кГц не более: при ИкБ = 20 В МП25, МП25А, МП25Б . прн Ик 6 = 35 В МП26, МП26А, МП26Б Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база: МП25, МП25А, МП25Б МП26,МП26А,МП26Б..... 94 6-25 10-50 15-80 10-50 20-100 30-142 10-50 20-100 30-142 60в 100 в 75 мкА 75 мкА 600 мкА 600 мкА 75 мкА 75 мкА 150 Ом 150 Ом 3.5 мкСм 3,5 мкСм 70 пФ 50 пФ 40в 70в
Постщшное напряжение коллектор-база при Рмакс,,,;; 100 мВт: Т,,;; 323 К, МП25, МП25А, МП25Б . . МП26, МП26А, МП26Б . . 60в 100 в Л остоянное напряжение коллектор-эмиттер ,,;; 500 Ом: при RэБ,,;; МП25 МП25А, МП25Б . . . МП26: МП26А, МП26Б . . •/ 40в 70в Постоянное напряжение коллектор-эмиттер ,,;; 323 К, Рмакс < 100 мВт, RэБ < 500 Ом: при Т,,;; 60в 100 в МП25, МП25А, МП25Б . . МП26 МП26А, МП26Б . . Лостоянн~е напряжение эмиттер-база: МП25, МП25А, МП25Б МЛ26, МП26А, МП26Б Импульсный ток коллектора Импульсный ток эмиттера Среднее значение тока эмиттера Постоянная рассеиваемая мощность: 40в 70в 400 мА 400 мА 80 мА приТ=213 ..;-308К. при Т= 343 К, Р;;, 6666 Па при Т=343К,р<665 Па Общее тепловое сопротивление: прир;;,6666Па. прир=665 ..;-6666Па. . Температура перехода . Температура окружающей среды . .(:.' 1, 20 МП26,МП26А,МП26Б, 1,15 МП25, МП25А,МП25Б ~ 1,10 Е 1,051---++-- -t -- J-----L ~OOl-----A-.~i---+---11-----=t---i 0,95 D,90L....-L~.l------'~....J,-~~,....... О2'1681013,мА Зависимость относительного ко­ эффициента передачи тока в ре­ жиме малого сигнала от тока эмиттера. 200 мВт 25 мВт 16,7 мВт 200 К/Вт 300 К/Вт 348 к От 213 ДО343К Z,O МП26,МП26А,МП26Б, 1,8 МП25,МП25А,МП25Б - i i; 1,61---+ --+- -> -- --+- . -+- -+--< ~.(:.' 1 ,'11----+--+--l-~~---lt--~ "' - <:: t21--....:+--+-~~-l,,.L---!--j ~Of----~""--!:7'"1---1----+------.j D,Bi...:::::. .i __ . L__ .. L_J__L. .. ._ J 102030'1050 Зависимость относительного кu­ эффициента передачи тока в режиме малого сигнала от на- пряжения коллектор-база. 95
1,2 "' 1,0 g_ МП25,МП25А,МП25Б, МП26,МП26А,МП2ББ 1 1 1 1 1 1 -- r-- 1 : ::: 0,8 ~ ~ ~бt---t--"'l<;:---+--+---!--1 "'g._ о ч1----1---'---'---l--+--j "' J С') :S- 0,2 .;>. 1,8 1,Б МП2Б,МП2бА,МП26Б,_ МП25,МП25А,МП25Б ~Ч1---+-~-~<----+---+-----1 ~ 1,21--1- --t--+ -+-4 -<!:_+ "' } 1,0 t----1 ---1-- -+ -- ,.4- --i --+- о 0,бL..:---:-1----,!=--=-=1-~.f.._-.L.--1 10-1 10 102 103 1ОЧRз5,Ом 213 233 253 273 293 313Т,К Зависимость относительного пробивного напряжения коллек­ тор-эмиттер от сопротивления Зависимость относительного ко­ эффициента передачи тока в ре­ жиме малого сигнала от тем- в цепи эмиттер-база. пературы. П27, П27А, П27Б, П28 Транзисторы германиевые сплавные р-п-р ус или гельные низко­ частотные с нормированным коэффипиентом шума на частоте l кГц. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в мстал.1остеклянном корпусе с гиб1шми выво­ дами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности кор­ пуса. Масса 1 ранзистора не более 2 г. 'r(J 8 \ Коллектор Электрические параметры Предельная частота коэффициента передачи тока при ИкБ=5В,Iэ=0,5 мАне менее: П27, П27А П27Б . П28 Коэффициент шума при ИкБ = 5 В, fэ = 0,5 мА, .f = = l кГц не более: П27 П27А, П27Б, П28. Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала приИк6=5В,Iэ=0,5мА,.f=1кГц: 96 l МГц 3 МГц 5 МГц 10 дБ 5дБ
прн Т= 293 К: П27. П27А П27Б П28. rrpи Т= 213 К: пп. П27А П27Б П28 .. 11ри Т= 343 К: П27. П27А П27Б П28. Обратный ток ко.1лектора при ИкБ = 5 В не более: приТ=293К. приТ=343К. Выходная полная 11рово1111мость в режиме малого сиг­ нала нри холостом холе при UкБ = 5 В. 11 = 0,5 мА, /=1кГцнсбо~1се: П27 П27А,П27Б, П28. Емкость ко.1лекторного перехода при Ик 6 = 5 В не более . Предельные эксш1)•атацнонные данные Л ocr оя1шое напряжение коллектор-база . Постоянное наr1ряжение кол~1сктор-·;м11ттер при R-,Б ,;;; 20-9() 20-6() 42-126 33-100 7-90 7-60 14-126 11-100 20-200 20-150 40-280 30-220 З мкА 140 мкА 2 мкСм 1 мкСм 5в ,;;;500ОмдляТ-;,303К. 5В Постоянный ток коллектора . Постоянная рассеиваемая !vющность ТеУ1псра1 ура окружаю шей срс.'!ы 1,10 6мА 30 мВт От 213 ДО343К 1,8 -п2i;i27А,•727Б, П28 1,6 1 . (:!. 1 ,4- Uк Б = 5 В-+,,.,,,_с+---1----1 . (:!. 1,05 1,0Ql----1---1---·--i--~l---1 -"' 1 ~озr:: ----- )J "' ;;. D,901---1-------1...,,L-~-+--+---+--~ D,851----""---+----l---+~+--­ D,80 L--'-~L--L~L--'-___J О 2 J 4- 5Uк5,В ЗависиУ1ос1ъ относитеJiьного ко­ эффициен1 а переда '!И тока в ре­ жиме ма;юго сигнала от напря- жения коллск гор-база. 4 По1.упроводниковыс приборы z 1,2 t----j,~.L+---1----1---1-----1 ;>. "' - !::' 234513,мА Завиl:имость опюентельного ко­ эффициента передачи тока в ре­ жиме малого сигнала от тока эм~птера. 97
1,б-т 11 1-, П27,П27А,{127Б, П28 1/f 1 ! 1 1 ~ 1,21---f. -+1-1' -- + ---f- -- -I --J ?1 Uк5 =5В ' ; _; 1,0 Iз=О,5мА "" -.<::: 0,8 0,Б {!Lf. ~1.) !----+--+---т-1 1 l_J 233 253 273 293 J!3 т,к Зависи:\rос1ь отнuс1п,_:_!ьl!оrо ко­ эффицнснтн псrе,Lачн то;,:а в pc- :.i\II:\1C :-.1а_1ого CHI r1а_1й ОТ TC\.fiie- p~lТ) ры. Завис11:.11.Jсть относц t (. '_ 1i:-)uu: о ко- 1ффиниен1·а ury:\1a от на1iр:~:.;:с­ ння кп ~-;tск rop-Gli3:!. Зависн:\1сс 1ь о П-iоснтс. r1..:1н1ro ~...:о­ ·Jфф1~цн~н та а1умu о 1 ток:.t J:- .1111- 1'· ~-•.:•• 0,58 ~з 095 '") '3 ' >:: 0,9 ч. >-------+-- (10 ';j • 1 1 0.90L_J _ ~i__i -~-- , /]123 о, 51----~:---+----!-1.-.-+- - - - -< ii1 J_ 0,____ ,_ -;; --- J L/- 5.l 3 _мА П29, П29А, ПЗО Il!1'JK0 1 ШC 1 ОПIЫе \1;..t_1Ui\·10ПIHЫC. Прсдн'-~1н~11-!еН1J! д.1я прпченсния u сле~:а-....;, пере1с1t()Чепия. Rы11усr~а101ся н ~,1с п.1.1_1остс1:лянпоl\1 1'orr1ycc с 1 нб~~Н\,:11 вывоп::1ми. Обозвач~11н{:- ти~1а прнводнrся Hd боковой rrовсрх:--1ост1! когrrуса. I\1!aCC~1 тра~{-:Н1СТОjХ1 НС fо.г1ес 2 l . .,., с:; -э. Ко1111ектор Электрические параметры Предельная частота коэффициента передачи тока ври ИкБ=бВ,/э=1мАнеменее: 98 ~ 1 j1 1 i
· П29, П29А . пзо Постоинпая времени цепи обратной связи при ИкБ = = 6В.I,= 1мА.f=5МГцнебо.1ее. С1 ап1'1еt:кий коэффиниент 11ередачи тока в ехе:\-!е с общим >Уiиттероч при UкБ = 0.5 В, /.CJ = 20 мЛ: 11рнТ=293К: П29 .. П29А . пзо. при Т= 213 К: П29. П29А . пзо. прн Т= 343 К: П29. П29А пзо. Напряжение насыщения кол.1ектор-·;\-11птср при Iк = = 20 \!А не более: П29при/6=2чА П29Лприlr;=1мА ПЗОпри!6=0,5мА Напряжение насыщения база-'Jчиттер при /к= 20 мА не более: П29при/6=2\1А П29Априfь=1мА ПЗОпри/r;=0.5мА Обратный гок кос1:1ектора при Uкь = 12 В нс бо.1ее: приТ=293К. прнТ=343К. Обратный тоr: э:v~rптера при Т = 293 К. U1 r; = 12 В пе бо.~сс . Емкосгь ко.111ектор11оrо нерехода при Uк 6 = 6 В не более. Пр~,зе.1ьныс эксп.~уатацщщные данные Постоянное нзпрЯ>hСI-111е кол_·1t:r.:тор-")\.НП rer при /L =О: при T=2l3c--293 К. приТ= 343 К. Им11у.1ьс1юс нанряжение ко:1:1сктор-6аза . Импульсное напrяжснне кол.·1ектор-,ми i !ер Импульсное 1rапrяжсние J\,Нtттер-6'-пи Импульсный 1ок ко.1.1ек 1ор<> . Импульсный ток ·ншт1сра . Постоянная рассеивае;\нtя мошпость Температура окружаюшей сремы . 4* 5 МГц 10 МГц 6нс 20-50 40-100 80-180 7-50 13-100 26-180 20-100 40-200 80-360 0,2 в 0,2 в 0,2 в 0,5 в 0,4 в 0,35 в 4 :-.1кЛ 120 мкА 4 мкА 20 вФ 10в 6в 12в 12в 12в 100 мА 100 мА 30 'V!Вт От 213 до343к 99
-ro 1 ~ -~- П29,П29А,П30 1 1 1 t±CI 0,б 0,5 О 20 ЧО 60 80 100I3,мА Зависиv.ость u 1 носительного слпическо1·0 ко::>ффнциснта пе­ редачи тока в схсче с сGнrнм эмиттером от тока э:-.шттера. 0,б 0,SL----'-----"----=- 0,1 1 10R36 ,кОм Занv.симость относптельного постоянного напряжения ко.1- лектор-эмиттер о 1 сопропшлс- иия в цепи эмиттер-базн. Зависимость относ11тс_1ьного сгатического ко1ффиш1сн т пе­ рс2'1чн 1oi:a в схе\.1е t.: oG!llH\I >мнттером от темnер•П''РЫ. О,61------+----"'--­ О,5 ~----'----·"'----' 1 10 100 Rзr.,к!Jм Зависимость относн1е.1ыю1 о пост•:т-tного I::апрЯiо\еI1ия ко.1- _тектор-Jмиттер от сопротнв:1е­ ния н непи 'Jмчттер-база. МПЗ5, МПJ6А, МПЗ7, ~.1ПЗ7А, МПЗ7Б, МПЗ8, МП38А j,: ! Транзисторы 1·ермаиневые сплавные .;:ъд-р уси.1ительвые низко­ частотные с ненормированным (МП35, МП37, МП37А, МП37Б, МП38, МП38А) и нормированным Hd частоте 1 кГц (МП}6Д) коэффициента'-'! шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в !v!еiаллостеклянном корпусе с гибкими выво­ дами. Обозначение типа приводится на боковой 11оверх11осл1 кор­ пуса. Масса транзистора не более 2 г, 100
r Э.1ектрпческие параметры Предельная часто·~ а коэффициента передачи тока 11р11 Ию;=5В,1,= 1"1Анеменее: МП35. МП36А, МП37, МП37А, МП37Б: МП38. МП38А . Коэффициент шума при Ию; = 1.5 В, /.э = 0,5 мА, /= 1 кГц для МП36А не более . Коэффиниент передачи тока в реж11~1е малого сипш;ш приИкь=5В.1,= 1мА./=1к/'ц: !!рИ т= 293 К: МП35 . мпзьл МП37, МПЗ7Л. МП37Б МП38 . МП38Л при Т= 211\ К: МП35 . МП36А МП37. МП37А . М/1376 мпзs . МП38А при Т= 333 К. МП35. МП36А МП37. МПГА. МП37Б МП38 . МП38А Обратный ток ко.1,1ектора ври Ию; = 5 В нс более: приТ~·2\13К. при Т= 333 К. Обратный ток э~нп тер:~ при 2\13 К, U16 = 5 В не более. Сопротивление бюы 11рн Uкь= 5 В, f·-; = 1 мА, / = = 500 кГ11 не бо.~ее . 0,5 МГ11 1 МГн 2 МГi1 12 дБ 13-125 15-45 15-30 25-50 25-55 45-100 5-125 6-45 · 6- 30 R-50 8- 55 17-100 10-200 15-90 15-60 25-100 25-110 45- IRO 30 мкл 250 мкА 15 ~.шА 220 Ом 101
Выходная 110.~11ая прово.:r11мостh в режиме ма~1ого сиг­ нала пр11 хо.1осто~1 хо.1е при Uкь = 5 В. 13 = 1 мА. f'-c 1 кГн не бо.~се . 3.3 мкС:v~ Емкое 1ь ко:1.1ек 1орного 11ерехода при llк 6 = 5 В не бо.~сс . 6() пФ Пос 1оя11нос на11ряженпс ко:1:1ек тор-база: rrp11 Т~ 213 -с- JIЗ К: МП35. М1136Л. МП37. МП38. МП38Л. МП37Л. МП37Б . прн Т= 313 -о- 343 К: МГВ5. :\1П16Л. М!137. МП\8. МП3t\Л i\IП37Л. МПJ/Б . Постоянное наг.rJя_..;~сннс ::o.;-1~-1C!~T(;p~J;-..111тrer r!ри RэБ ~ <;; 200 0'>1: 11рн Т= 213-~313 К: МП35. МГ!J6Л. МП~7. МПЖ МПЗi\А. МП37А. МГ/375 . при Т= 3i3..; . 34_1 К: МПЗ5, МПЗбЛ. МП37. МШ3. :\1П3М МfЛ7А. МП37Б . !Jостоянный ток ко:1.rег:гора: в pcЖHi\te усиления . в режи~:с насыщення н:1н в импу~1ь-Сl-Е~:>.1 рсжпr-ле По(.;rоянt!ЫЙ 1ок ·~м1п1срt--t в р~ж11:v1~ 1t(i(:ЫЩ~Н•iИ Постоян1--::йя рас~t:инае~1ая :\Jоrп.нос i ь: при т~- 213..; . ."\28 к . при Т=343 К . OGulCC rсп т1овое сопротнв~1енне Тс:\.1 гrера {ура псреход:.t . Тсмп:р3туrн: окружающ~й среды . 15в 30в !ОВ 20в 15в 30в ]()в 20в 20 мА 150 мА 150 V!Л 15() мВт 75 мВт 200 К/В1 ЗS'i К От 213 ;ю343К МПЗ9, l\11П39Б, МП40, МП40А, МП41, МП41А Транзисторы германиевые сплавные р-11-р усr;.1ительные низко­ частотные с ненормированным (МП39. МП40. МП40А. МП41, МП41А) и нормированным (МП39Б) ко::>ффициеитом шума на часто­ те 1 кГц. Предназначены для усиления сигналов низкой час1 оты. Выпускаются в мстал.1остеклян11ом корпусе с гибкими выво­ дами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности кор­ пуса. Масса транзистора не более 2 г. 102
Коллектор '' __L ~~ a:Ja ·~·- ~ .~~ ... -- "' t, - ое;- "' " - - - "$. '$. \~Jмummep S,5 40 8 '1,1с1причсские nарамстры Прсле_1ь11ая часто1а ко·3фqнщнен1а nере;:rачи тока nри Uк6=5Н.lэ=1мАне:v1енсе: М!139. МП39Б МП40. МП40Л. МП41. МП41Л Коэффнниснт шума при Uю; = 1.5 В. /.3 = 0.5 мА, /=1кГнМП39Бпебоже. Коэффи11ие11т верс,~ачи тока в режиме малого сиг­ на,1априUкБ=5В.1,= 1:v1A./=1кГц: нри Т=293 К: МП39 не \1свес Ml13'- lb МП40. МП40А. MI!41 . МП41Л нриТ=2~3К: !\.'! П 39 не чснее МП39Б МП40. МП40А. МП41 . МП41А nрн Т~ 333 К: MII39 не :vieнce МП39Б МП40, МП40А. МП41 . МП41Л Обра 1НЬ!Й гок ко.1.1ск 1·ора 11ри UкБ ~ 5 В не 60"1ее: nри Т=293 К .. при Т~333 К . Обратнмй нж эмиттера прн Т = 293 К. U36 = 5 В 11с более. Сонронш.1ение ба·1ы пр11 L'кr; = 5 В. lэ = 1 мА, /= 0.5 МГц 1 МГ11 12 дБ 12 ::ю 60 20-40 30-60 50-100 5 10-60 10-40 15-60 25- !00 12 20-80 20-120 30-180 50- ~00 15 мкА 250 мкА 30 мкА = 500 кГн не бо;1ее . 220 Оч Выходная 1rолная проводи:У1ость в рсж11мс \!алого сиг- нала nрн хо,1осro:v1 хоас 11рн UкБ = 5 В, lэ = 1 мЛ. I=1кГцнеболее. 3,3 мкСм 103
Емкость ко.1лекторноrо перехода rrpи СкБ -= 5 В. f --= =1МГцне60.1сс. Пос 1 ояшюе r-щпряжеш:е кол_1сктор-ба·ы: при Т= 213-:- 313 К: МП39. МП39Б. МП40. МП4i. Mll4JA МП40А приТ=313~343К: МГ/39. МП39Б. МПШ MJ!41. МП41А МП40А Постоянное напряжение KO.I .1CK rор-э~н1rтср при п')Ь :::.;:_ .; !О кОм: при Т= 213-' - 313 К: МП39. МП39Б. МП40. MП-tl. МП41А МП40А при т~- 313-'- 343 К· МП39. МП39Б. МП40. МП41. М1141А МП40А Постоянное Еапряже11ие э;v;1п1cp-fia·E1 . . Иl\шульсное н~тряженис кол.:1ектор-ба:ш. при Т= 213-' - 313 К: МП39, М1139Б. l\1П40. МП41. М1141А МП40А при Т= .113-'- 343 К: МПЗ9, МП39Б. МП40. МП41, МП41 А МП40А Импу.~ьсное н2пряженис кo_1_ry~к!,>p-J:v111rrcp при R 35 ~ .; 10 кОм: ври Т= 213-' - 313 К: 60 JJФ 15 13 3\1 в 10в 20в 15в 30в 10в 20в 10в 20в 30в 1." в 20в МП39, МП39Б, МП40, МП41. МП41Л 20В МЛ40А 30В при Т= 313-'- 343 К: МП39. МП39Б, МП40. МГ141. МП41А МП40Л ..... . Постоянный ток кьллектора . Импульсный ток коллектора Постоянная рассеиваемая V!ощнос 1ъ: приТ=213 -'- 328К. приТ=343К.. Общее тепловое сопротивление Температура перехода . Температура окружающей среды 104 15в 20в 30 мА 150 мА 150 мВт 75 мВт 200 K/Bt 35R К От 213 до343к
г МП42, I\1П42А, МП42Б Тра•;1ис1оры rсрчdниены.е cn.:iaвн1.J:e р-п-р 11~рс:кл1оttате_1ьн1,1с низкочастотные 7'tiа.1омощныс. Пре;:щ<вначены д.1я нри~1енения в cxe\JdX псрск.1 ючсния. Выпускаю·1ся г, мста.·1.•осгек.1янно\1 корпусе с rиб;;и:УJi1 выво· да\нi. Ono»IE!'leшrc 11ша !!рr1во.11пся на боковой 11онсrхности кор· пуса. f\.1acca тра11знстора 11е 60_·1ее 2 1. +о _а ·:1.1е1,тр11чесr;11е rшраметры Предельная чг,сrога коэффиннснта nсрс.Jачн тока при ИкБ=5В.1.,= 1мЛнеменее Время nерск'1ючения 11р11 [;к·J = 15 В. 11 = 1() \IA не бо.'lее: Mfl42. МП42А МП42Б Статиче1:кий ко1ффнц11ент псr~ш1чн ~ока n схеме с общим 1:.шпером при liк> = 1 В. lк = JU мА: 11ри Т= 293 К: МП42 . МП42А МП42Б ври Т= 233 К: МП42 . МП42А МП42Б 11ри Т=333 К: МП42 . МП42А МП42Б Напряжение насыщения =10мА,/6=1мАне Напряжение насыщения /Б=1мАнеболее. ко.1:1ектор-·}митгер нри lк = более . база-эмиттер при 13 = 10 мА, 1 МГн :2•.'i мкс 1,5 мкс l.(J \1КС :ю- 35 30··· 50 4)- !00 10-35 15-50 25- !00 20-105 30-J50 45-300 0,2 в 0,4 в 105
То1( ко.1ле;:тора закрытого rранзистора при Ик 1 = 15В.U)r;=1Внсбо.1ее: Пр!! Т= 293 к прн Т=333 К Пре.1елы1ые экс11.ч·:нащюнные /1,анные 25 мкА 250 мкА Постоянное напряжение ко.1лектор-база . 15В Постоянное на11ря;кеннс ко:1С1ек 1ор-Jм1п1ер при R 1 r, ,с;_ ,с;_ 3 кО\1. Им11у:1ьс11ый 1ок к<>.·1.1ек !Ора . П()(:тоянная рассеиваемая мощное 1ь: при Т=213_,_318 К. Пр!!Т=343/(. Общее i еп:1овое сопротив.1е11 ие Температура ~:ерехо;щ . Температура окружающей средL! 15в 200 мА 200 чВт 75 мВ1 200 К/Вт 358 к от 213 ДО343К 1Т101, ITIOIA, ITIOIБ, 1Т102, 1Т102А Транзисторы 1ермапиевые сп.1~.вные 1н1-р усн:1111 е;~ьные швкой частоп,1 с rrс-!юрчи;ч1наюrы>vr (ITIOI. ITln!A. ITIO!f;) и ноrмиро­ ван11ым (IT102. 1Tl02A) коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены д.1я уси.1ения си1 на.1ов низкой частоты. Выпускаются в мета~1лостск.1янноv1 кор11усt: с 1ибкими вы1ю­ пами. Обозначение тишl пршюдится на боковоИ поверхноон кор­ пуса. Масса трэ11·шс 1ора н~ бо:тсс 2 r. Э:н.>о. трr1чсошс параметры Прс.JсЛЫI~~я чпс 1о1 а к0Jфф1,tr:лсн 1·а вередач11 1ока нrн ИкБ=5В,13=1е1лАпе:1-1снсс: lTlOl, IЛOlA. 106 2 МГц т
!ПОIБ lТ102. lTl02A Коэффиписнт шума при Uю;=5 В. lэ=0,5 мА, /= =1кГц: 1Tl02 нс более типовое значение . l Тl 02А нс 60:1сс типовое зю1 чснис Коэффн1щсн1 псредачн тока в режЕме ~лалого снпшла приL'кi;=5В./'1 =- 1чА./'=lкГп: при Т= 293 К: lТlOI . lТlOIA IПОIБ 1т10: не \1СНСС. типовое Jнае..1сние l Т 102А нс ~1епсс 5 МГц МГц 7дБ 4* дБ 12 дБ 5* дБ . \0-60 20-40 60- 120 20 60* 20 70* 111nовое 1н:tченне при т~?13 к . .01[ДОl/3 ,111я ! О I) 1рннзистороn . Обратный тJ~ котн:к1орu не 60.1сс: 11риТ=293К: lTl01. 1Тi01А. IТ101Б !iрн Uю; = 15 В ITJU2. IT102A при Uкr; = 5 В при Т= 343 К: IT101. !ТIOI.-\, !ТIО!Б при С;:,; 10 R J Т]()2, JТ]02 П[Jil ['КБ=~5 !3 . Обра1ный ток ·;:-,,1ю гсра 11ри Г = 29.\ i( пс 60:1ее: !ТlOl. lТ10iЛ. 1Т10iБ при С-н; = 15 1З . 1Тl02. IТ102Л при Uэь = 5 В . Сопротивление б;лы !ij'JИ UкБ = 5 !3. 1 -' 1 = 1 мА. = 0,5 МГп !ПОI, lТIOlA. IТIOIБ нс более типовое ·н~аченис . != при Т= 2'JR К г;;п Т=с298 К ~ значен~1я 11pir 1== 293 к !5 ~ял 10 мкл 300 r-1кА 30И ~1i<A 15 /.{КА 10 мкА 250 Ом 80*Ом Выходная полная про нодимос-1 ь в режиме ма.1оrо сиг­ нала нри холостом ходе при Uкr; = 5 В, lз = l мА, /=l кГц не более . 2 мкСм типовое -щачение . l,5 * мкСм Емкость ко.1лекторного перехода при Ик~; = 5 В ITJOl, IТIOIA. !ТlОIБ не более 50 пФ типовое значение · 30*пФ 107
Постопннос напрлжсние ко~1.1..::пор-база: IТlOI, IТIOJЛ, IТICliБ: пrвт=2!3-:-32[\к. пр:1Т=.ПR -7-343К. IТ102. iТ102А щт Т= 213 ~ 343 К ПocTO}!!Ji-I~ie папряжс1~1!е ко.1.1с:.:1ор-1~нrт1сr :!рн R)G < ~2кОм: IТIOI. iТIOIA. IТ101Б: 15в lо !3 5в приl=213--;-32~К . 15В нриТ=328~-343К. 1ОВ ITIQ2, 1Тi02А при Т ~' 213 ' 343 К 5В Постоянное Шl!!ряже1-шс э•,1111 1ep-6aJa _ IТIИ1. IТIOIA, JТlOIБ: приТ=213-7-328 К . 15В 11ри Т= 328 --;- 3_43 К . 1ОВ IТ102, !Т102А при Т= 213 ~ 343 К 5В Постоянный то•~ коллектора: ITIOI. JТIOIA, IТIOIБ ITI02, IT102A. Постоян:ньн{ 10(< эr.литтеfJ<:l: 1Тl01, lТ!ОlЛ, IТ!ОIБ lТ 102, 1Т1 02А . П остоян11ая р:1ссспнае~вя мошность: ITIO!, 1ТlOIA. JТJOIБ 1Т 102, lТ 102,\ Те:-.шератуi)а перехода . Te:vt11eraтypa скружGюшеli ср~.г:,ы -т--:-~--г --1 1Т1ОУ1, 1Т1015) __/ 1)3 1Т10'/ •т1ri;;' 1 ' i ;_·• 1,2 '_: _;l;ff1/- v~п 1 -' 1 ~ 1 ) 1 ';;, 1,1 1 1 -~--: f'1оr~ 1 i_L_I ' -j- ! /13=1мА! j 0,9 -- -1 1- -+--г­ o,вLl_ l__J 1 1 J О 2,5 5 7,5 10 12,5 Uк5,В Занис~1:,1ос 1ь vтноситс...1ьно1 о ко­ :эффиuиент;:~ uсрсдачи 1ока n рс­ жи~е мaJI()_ro снпrZtлп от н~~пр~- жения ко.'Iлеr;тор-база. 108 10 мА f> мА 1() мА 6мл 50 мВт 30 мВт 358 к 01 11"1 :10 :143 к Заввси~юсть опюситслыюго ко­ эффщиснта псрелачн тока в re- ЖH.\IJe :\1ало10 си1 на.'Jа от тока эмиттера_
Завш..:иr.лос1 ь о п~оси 1е.1ьно1 о ко­ эффиниента rrс:ре,·щчи тш;а n ре­ жиме ма.1ого сгrгна_1а о 1 Т~\1пс- ра 1уры. З:Jнtн.:и\.1осrь о-,носн1е.1ь:101 о ко­ )ффи11иент:t 111ума от 1t:чnера- 1уры. l\1П104, l\!1Пl05, МП106, МП114 9 МПН5, l\1П116 Транз;{сrоры кре\1ниеsые сн~1шзпо1с р-п-р усиJ1и I~~:ыrые н113ко­ частотные с ненормироn~~нныч кт~эфф~нrрснто~r u;уча. п p~.'t[f<J.3lia чены ;i.-f}l усИЛС"i1 :J~~ L!IГ на.1оn !iH Н(<)Й Ч(!С ГОlЪ!. BЬIП)LiнlHJf1...'>-: iJ \:\C:a_,i~~CC:ICI\.I~J;i:J:--1 r~op~i;=·~-.: ~ 1 ~i..Ji-..1\"1iJ ;;;1-1rD~)- дами. Обсвначенr~е ГН:1~1 !!pИБO.li!-rr,~я H~l fioкoпc1i~ П:..)l.1ерлнос:·i1 кор- пуса. Масса 1r~1н·шстора н~ бо."ее :! с Колнектор - - r:::::::;J баsа -Е:З- :Э.1с"тр11чесю1е параметры Предельная частота ко1ффнциснта передачи тока при Ик6=5В,fэ=!мАнеменее: МПJ04, МП!U5. МП114. МП115 . U.I МГц МП!Об, МПl\6 . 0.5 МГн Коэффициент по;:рсдачи тока n режиме :-.1алоr о он·на:та приИкБ=5В,lэ=lмА: при Т= 293 К: МПJ04, МП!14 не менее 9 109
М1!105.МП115. МП106. МП116 нри Т = 213 К не 'v!енее: МП104. М11105 . МП106 при Т=393 К не менее: МП 104. МП105 МП106 Пробивное на11ряжение ко.1~1екторно1 о 11ерехода на nуль- сирующс\1 напряжении при f= 50 Г11 нс менее: МП114 МП115 МП116 Обратный то1-: ко.1лек·1ора не бо~•ее: при Т= 293 К: МП114приUкБ=30 В МП115приИкБ= 15 В МПI16приИкБ=10В при Т=373 К: МП114приИкБ=30 В МПI15 при Ию;=15 В -МПI16 при Ик6= 10 В при Т= 393 К: МП!О4 при L'кБ = 30 В МП105 при ИкБ= 15 В МП106 11ри ИкБ = 10 В Обратный ток коллектор-эмиттер при Т = 293 К, Rэr; = = 50 Ом не более: МП104 при Икэ=70 В МП105 при Uк·э = 40 В МП106 при Uкэ=20 В Обратный ток эм~п 1ера не более: при Т= 293 К: МП114. МП1!5 при Иэ6 = 10 В МПI16 11ри UэБ=5 В . при Т= 373 К: МПI14. МП115 при UэБ=1О В МПI16приU36=5В. при Т= 393 К: МП104, МП105 нри Uэь = 10 В МП106приU36=5В. Входное сопротаn:~енце в режиме малого сигнала в схеме с оfiщей базой при /э = 1 мА. /= кГц не более: МП104, МПI14приUкБ= 50 В . МГ!105,МПI15приUкБ=3()В. МПIОб, МП116 при Uкi;= 15 В Сопротивление наt:ыщения KOЛJ!CI< ~ор-эмиттер 11ри Uкэ = = 20В,Ii;=4мАМП105,МП115неболее. llO 9-45 15-100 7 10 9 15 70в 40в 20в 10 Mf:A 10 мкА 10 мкА 400 мкА 400 мкА 400 мкА 400 мкА 400 мкА 400 мкА мА мА мА 10 мкА 10 мкА 200 мкА 200 мкА 200 мкА 200 'v!KA 300 Ом 300 Ом 300 Ом 50 Ом l
Предельные эксп.1уапщионные данные Постоянное щшряжение коллектор-база: приТ=218+343К: МП114 МП115 МП116 приТ=213+348 К: МП!О4 МП105 МП 106 приТ=З73К: МП114 МП115 МП116 при Т= 393 К: МП104 МП!О5 МП106 Постоянное н:ir:pя;;~Ct-H1t· 1-:0.--;л,__;ктор-э\rиттсr г;ри Я·;ь ~= .:; 2 кОм: приТ·~218+343 К: МП114 МП115 M!lll6 приТ=213+34S К: MIII04 МПIО' МП1•'6 при Т~ 373 К: MI!!14 МГ1!15 МП!16 прп Т= 393 К: MIIl04 МГ1105 МП!О6 Постоянное напряжение эм11лер-ба1а: МГ! 104 МП105 ..... . МП106, МГ1114. МП1!5, МГ1116 Постоянный ток коллектора . Импульсный ток коллек 1ора . Среднее значение тока эмиттера в импульсном режиме МП104, МП105, МП106 .. Постоянная рассеиваемая мощное 1ъ: при Т.; 343 К МП114, МП115, МП116 ·при Т,,;, 348 К МП104, МП105, МП106 при Т=373 К МП114, МГ1115, МПl\6 при Т=393 К МП104, МП\05, МП\06 60в 30в 15в 60в 30в 15в 30в 15в 10R 30в 15в 108 60в 30в ;r Б ,_, 60 1З 30в 15в 30в 15в 10в 30в 15в 10в 30в 15в 10в 10 мА 50 мА 10 мА 150 мВт 150 мВт 60 мВт 60 мВт 111
Тсмпсратуrа окружающей среды: МГ/!04. МП105, МП!06 МП! 14. МП115. МП 116 2,0 1,8 МП10Ч,МП1051 МП106, МП11Ч, МП115, М П116 1 ! Uк-== 608 ь1 ~'-+~,,._Jo1_ _, _ _ _, __ __, 1,0 ___,,,,_+---1--+--+"--k--~--I ~8'----'--1..--'---'----.J--' О 8 10 I3,мА От 213 :щ 393 к От 218 до373к Зависи\10сть опюсите_1t..ного ко­ эффиrшента персд"чи тока в ре­ жичс ча_1ого сигна"•а о 1 1ока . J,1111 1ера. 2ТМ104А, 2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2ТМ104Г Транзисторы кремниевые Энuттер сплавные р-11-р маломощные. Предназначены для работы в усилительных и импульсных микромоду"1ях этажерочной кон­ струкции. Выпускаются в металлостек­ лянном кор11усе на керамической п.1атс. Обозначение 1·ипа при­ водится на корпусе транзистора. Колле.'!mор Масса транзистора нс более 0,R 1. Элек 1·р1-Lчес»ие пара"1етры Грапич1:<1я часто·~ а 1шэффищ1ен 1а перещ1 чи тока в схе\1е ссбщиl\1J\ШТ1еромпrиUю;=5В, /3=1мА нс мене~. Стати'кский коэффиниен 1 передачи тока в схеме с общ11\1 Э\ППтером при 11к 6 = i В. 11= 10 мА: 2ТМ104А 2ТМ104Б 2ТМJО4В 2ТМ!О4Г На11rяже11ие насыщения ко;~лектор-эмиттср при lк = = 10 мА пе более: при16=2мА2ТМ104А.. при ! 6 = 1 мА 2ТМ104Б, 2ТМ104В. 2ТМ104Г. Напряжение i>асыщения эми1 ~ер-база при fк = 10 мА не бо~,е~: нри!6=2мА2ТМ104А.. при ! 6 = 1 мА 2ТМ!О4Б, 2ТМJО4В, 2ТМJО4Г 112 5 МГц 7-40 15-80 !9-160 10-60 0.5 в 0,5 в в в
Емкость коллекторного псрехоца 11ри UкБ = 5 В, / = =3МГцнеболее 50 пФ Емrшс1 ь 1!\шттерного неrехода при Uэь = 0 .5 В. / = =10МГпнеболее. 10 пФ Обrа пrый ток колс1ектора пrи Т = 213 -с- 298 К не более: при Uкi; = 30 В 2ТМ 104А, 2ТМ 104Г мкА при L'кБ = 15 В 2ТМIО4Б. 2ТМ104В мкА Обратный ток эмиттера при UэБ = 10 В. Т= 213 + -с-298Кнеболее . мкА Преде.1ы1ые эксплуатационные данные Постоянное напряжение кол~1ектор-база: 2ТМJО4Б, 2ТМ!О4В. 15в 2ТМ104А. 2ТМ104Г: при Т=213+333 К приТ=398К. 30в 20в Постоянное напряжение эмиттер-база: при Т=213-с-333 К 10в 5в при Т=398 К . Постоянная рассеиваемая :vющность ко.'1;1ектора: нриТ=213-с-333К. 150 мВт 41.б мВт 423 к От 213 !Ю398К приТ=398К. Тб!Пература перехода . Температура окружающей среды hz13 ---r 100 1-----+ UКБ= SВ_____ , 801-----1- --- -f --- -- -j 601----~~~----1----i чо~~~~" 20~--="'1~........~~ о hг1з 30 2ТМ101/-А 10 -:;:_, .. -' UкБ =58 Iк=1мА 10L.--~L-~~~~..........J 293 333 373 т,к 3ависи!\юсть коэффициента пе­ редачи тока в режиме малого сиг11а.1а о г r ока эмиттера. Зона воз\1ожных 11оложений за­ виси'vюсп1 коэффициента пере­ дачи тока в режиме \1алого сигнала о г те:v~псратуры. Зона во1можных наложений за­ виси>vюсти коэффициента псрс­ ла чи тою1 я режи\1е малого сиr- на.•а от темпера туры. hz13 2ТМ101/-Б, 2ТМ101/-Г 80 _ .. .. .. .... - 601------с7""'~------+------< l/01--,r-----1f--=-~----i 20f-'0--~-+='=----1-----4 10 --uк5 =5В,Iк=1мА 213 273 J3З т,к 113
hг1э 140 f-------t 2ТМ 104 81-------t 120 100 РО/ БО 40 ----- 20 1 -1 213 т,к 26 24 2ТМ 101/А - ~ 16f-i+;-J---j- ' "" } 121 8 о Зон.1 н~; 1;\iо·-t"вых 11 .... 10:-1:~ен11Н 3а­ внс~1 \ iLJC ПI KO!ффiHI!ICI-i1 ~\ nere- Zlc.i ч11 1 ока н рех~нчс \1~~1oro (:J;1на·1.1 01 те~... Е1~.ра1)ры. Зон ...\ ВlУ~\1ожних пn_10)J\CH11ii за­ ВИСН\IС1СТ1I ВХОlНОГ о COlipnтив­ .lCIИOl с 1 ток:.~ 1'-1и 1 r·~r~1. КТ104А, КТ104Б, КТ] 04В, КТНМГ --г .... ,\IIl ;•r· Гi,Y'i1-.T .L j •••••~--- • - t"-- уни- uсрса~'1ЬНЫС Н1Г~КОЧ~iС готные , '\i:1 '}{) ~"!OIЦHL!·.--. Вынускаrотся u ~н;· t ~l.1лост~rслю-1но:--л корr;~,сс с гнбкн\н1 выво­ д,1,rи. Обо·зна[1снне rин...t r~рпвопнтся на Kf:т•~i)Ce. !\1нсса трд1;1:-tетор.. 1 нс более 5 r. -т 3Nиmmap Ба.за, 1 ф 2,6 "Элек·1рические параметры Граничная час1ота коэффициен1а передачи тока в схе­ ме с общим -;~.ш1тером при Икэ=5В, Iэ=1мА не менее. Постоянная времени цепи обратной связи при ИкБ = =5В,Iэ=1мА,(=3МГцнеболее. Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала приИкБ=SВ,Iэ=1мА: КТ104А . 114 5 МГц 3нс 9-36
КТIО4Б КТ104В КТ104Г Граничное напряжение не менее: при lэ = 5 мА КТ104А. КТ104Г при lэ = 10 мА КТ104Б, КТ104В Напряжение насышсния коллектор-Jмиттср при /к = = 10 мА нс fio.1ee: при!5=2мАКТ104А. при / 5 = 1 ~1А КТ104Б, КТ104В. КТIО4Г Напряжение насышення база-эмиттер при fк = 10 мА не бoJtee: при/Б=2мАКТ104А . при 16 = 1 мА КТ104Б, КТ104В, КТ104Г Обратный ток кол.:~сктора нс более: 11ри Ию;=30 В КТ104А, КТJО4Г. при Ик5 = 15 В КТ104Б, КТ104В . Обратный ток J~шттера при -ИэБ = 1О В не более Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схе­ ме собшнм эмиттером при UкБ= 5 В, /э= 1 мА, /=1кГц . Емкость коллекторного перехо,'\а при ИкБ = 5 В не более. Емкость Jмиттерного 11ерехода при ИэБ = 0 ,5 В не более . Предельные ·эксплуатациош1ыс данные Постоянное напряже1I!iе ко.1.1ектор-база: КТ104А, КТ104Г. КТ104Б. КТ104Н. Постоянное напряжение колJ1ек 1ор--J\Шттер при Rэг, о;; ,,_;; 10 кОм: KTI04A. КТ104Г. КТ104Б, КТ104В . Пос1 оя1шое напряжение эмиттер-база . Посп1ян11ый ток кол.1ек r ора . Постоянная рассеивае\1ая мощностh Общее гспловое coilpo пш.1сние Температура перехо,1а . ТемпераI)ра окружшощей среды 20-80 40-160 15-60 30в 15в 0,5 в 0,5 в в в мкА мкА мкА 120•Ом 50 пФ 10 пФ 30в 15в 30в 15в 10в 50 мА 150 мВт 400 К/В1 393 к От 213 ДО373К ГТ108А, ГТ108Б, ГТ108В, ГТ108Г Тран,н1с 1оры rерманr:свые сн:1~.шные р-п-р мдломоrнные. Предназначены ;~.1я работы в усилате:rьных н имнульсных схе-.1ах. Выпуск<~ются в металлос;екштном 1;орпусе с гибки\111 выво- дами. Обозначение тина привалится на кopIIyce. Масса транзистора не бо~1ес 0,5 г. 115
16' 2,'t Электри•1еские ш1раме1ры Грани':rНая час1ога коэффициентu вер~дачн тока 11 сх~:\ле с общей базой при Uкr; = 5 В. /.3 = 1 :viA пе '.1енее: ГТ108А . ГТJО8Б, ГТJО88, ГТ108Г КозффицРен r передач!! тока в режиме малого снгна,в приUкБ=5В,I,= 1мА: при Т= 293 К: ГТ108А ГТ108Б ГTIORB ГТ!ОSГ 11ри Т= 328 К: ГТ108Л ГТ108J> ГТJО8В ГТ108Г при Т= 243 К. ГГ108Л ГТIОSБ ПIOSB ГГ108Г Обr;атный ток ко.·1лектuра ври Ию;= 5 В нс бо.'rсс: llpИ Т=293 К . приТ=328К. Обратный ток эмигтсрн 11р11 U-,г, ~ 5 В не бо.1с:с Емкость коллек·1орпого перехода при С'кг, = 5 В, _f = =1МГцне60.1ее. Постоянная врсменн пепв 06ра1ной связи при Икь = = 5В./3=1мА,/=465кГJJнсбо.1сс. Преде.1ьные эксп.1уатационш.!<> даЕные 0.5 МГц 1.0 МГ11 20-50 35- )\() 60- IJO 1J0-25() 20-1()() 35-160 60 260 1 !О- 500 15-50 20-80 40 -130 70 - 25() 10 мкл 250 мкА 15 мкА 50 пФ 5ЕС Пос~ оян11ое напряжение кол.:~ектор-база . 5В Импульсное напряжение ко,1лсктор-база при ти ~ ~5мкс. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: при Т=293 К приТ=328К. 116 18в 75 мВг 33,2 мВ1
По.1нос тешювос сонропшление . Пос1оя11ный 1ок кол:1ектора . Темпера 1-ура нерехо;tа . Тем11ература окружающt:й срс-.::~.ы 0,8 К/мВ1 50 мА 353 к От 228 ДО328К ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г, ГТ109Е, ГТ109Ж, ГТ109И Тран1исторы гер:v1а1шевые сп.1ав11ые 1н1-р \1а:ю\1ощныс. Пре11наз11ачены п.1я paGo 1ы tю входных каскадах уси.11пелей низкой часто 1ы. Выпускаю1ся в \Лета.'1лостск.1янно\1 корпусе с 1 11Еiки\ш вывола\Ш. О601наче:ше типа прИВОi!И 1ся на кор11усс. Масса 1 ранзис1 ора не 60:1ее 0.1 r. г ~6 1-змиттер с:,,- 2-км11ектор J-оаза 21 't- "::> о-.,' (S) 2,5 Красная точка 4 Э.1е~-.:трические параметры Гранн,шая 'I<tстп га ко·Jффицнента переда'1и тока в схе, 1 с с обшнм Jмит-1ером 11рн Uкr.= 5 В. /.) = 1 ,,1А. :ie менее: ГТIОУА. ГТ109Б, ГТ109В. ГТ109Г. fТ109Ж. ГТ109И ГТ109Д ГГIОС!F КоJффнпнснт 11ерсдачи тока в режи\!С :vra.·ю1 о c11r11a:ia приU;.,:ь=5В,Iз=1чЛ: при Т= 2У8 К: ГТ109А, ГТJ09Ж ГТ109Б ГТ109В ГГ109Г ГТ109Д ГТ109Е ГТl()<)И прч Г= 328 К не ченее: ГТ109А. ГТ109Д. ГТ109Ж, ГТIО9И ГТ109Б ГТ109В ГТ109Г ГТ109F МГ// 3 МГп 5 МГн 20-50 35- 80 60-130 110-250 20- 70 50-100 20-RO 20 35 60 110 50 117
при Т= 228 К: ГТ109А. ГТ109Ж ГТ109Б ГТ109В ГТ109Г ГТ109Д ГТ109Е ГТ109И Обра гный 1ок кол.1ек 1ора нс бо.1ес: прн L'п = 5 В ГТ109А. ГТJОСJБ, ГТ109И . при Ию;= !,5 В: ГТ109Д ГТ109Е, ГТ109Ж Обрu 1ный ток ·1vill l"Tept1 нс {)с_,1ес: при UэБ -' 5 В ГТ!09А, ГТ!09Б. ГTllJ'>Ж, ГТНNИ . при U·15 = 1.5 В ГТ109Д rtpи ['Эh = 1,2 В ГТ109Е ГТ109В ГТJ fNГ. ГTllJYB. П !09Г, [·."rкость ко"1"1екторн01 о псрсхо;щ 11р11 j ~~ -165 кГц нс нр;r Uкr; = 5 В ГТ109А, ГТ!Оl!Б. ГТ109Н, ГТ109Г. ГТ109Ж. ГТIО"И. rч·,;r L'кь -- 1 .2 R ГТ!О'!Д, ГТ1(1 ОЕ Ко;r)1фш1Е>:!t: шу~1а прн L'кг, = 1,5 В. f э = 0.5 :v1A, /._, ! hГц неGo.1ee . Пре.J~:1ь1н~1е 3f.\~п"1уата11иониые .1анпые 15-50 20-80 40-130 70-250 10-60 30-100 15-RO 5 мкл 2 :\!КА мкА 5 .\1КА з ~~пи\ ' \11\А ·' 10 нФ jl) гтсi) 12 ::\Б rr OCI O}{liIHY? напгяжсп;I{' K01~1('7\T(}p-6,j'):J • iов И\нrу_:Iсснос нгпрхжение кол~1е:('1ор-ба1а при ти ~ ~ J0 .\.J:{C • ]8В Постоянное н11:1ряжечис ко~1.11ек1vр-1"'.1и1 1ер при R3 r;; ~~ <:~ 200 кОм . 6В Постоянный , ок 1<0.:лек t .Jpa . П остоянпая рассеиnас~1ая \Ющность кол:1ек ropa: приТ=248-;-293К приТ=328К. Температура перехола Те.\11;ература окружающей среды 20 мА 30 мВт 13.8 мВт 353 к От 22R ДО328К ГТ115А, ГТ115Б, ГТ115В, ГТ115Г, ГТ115Д Тран:шсторы германиевые сплавные р-п-р маломощные. Прелназначены для работы в качестве усилительного элемента в радиолюбите:1ьских конструкциях. Выпускаются в мета,1лостекллнном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 0,6 r. 118 -
76 2,55 база -.t=:~ac=i­ K01111ектор -r:::-::;.- E E J B Jмиттер ')лектричесыие параметры Граничная час 10 га козффициента передачи тока в схе:..1е собщейбазойприИкБ=5В,Iэ=5:viAнеболее. 1 МГц Козффиниент передачн тока в режиме ма.1ого сигнала приUкБ=JВ.!3=25мА./=270Гц: ГТI 15Л. ГТI 15Б ГТ1158, ГТ115Г . ГТI 15Д . Обра rный 1ок ко.1лектора не Go:1ee: пр11 Uкь~20 В ГТ115А, ГТ115В, ГТ115Д !!рИ Икr;=ЗU В ГТ115Б, ГТ115Г Обратный ток Э\\ИТТСра ври и,Б = 20 в не более Преде.~ьиые J1,сп.1уатациоииые данные Постоянное 11апряжеш1е ко.1лектор-баз<~: ГТ115А. ГТ115В. П115Д . ГТI 15Б. ГТI 15Г . Постоянное напряжение змиттер-база . Постоянню1 рассеиваемая мощ1юсть ко.,1:1ектора . Постоянный 1ок коллектор<~ Темпера гура перехо.1<1 . Температура окружающей среды 20-80 60-150 !25-250 40 мкА 40 мкА 40 мкА 20в 30в 20в 50 мВr 30 мА 343 к От 253 ДО318К 1ТМ115А. 1ТМ115Б, 1ТМ115В, 1ТМ115Г Транзисторы германиевые маломощные сплавные р-п-р. Предназнас1ены 1ЦЯ рабо1ы в усилительных 11 И\111).1Lсных микромолу.1ях этажерочной кон­ струкцин. Выпускаю·~ ся в ме·1 а.1.1остек­ лянном корнусе на керамической плате. Обозначение типа при­ водится на корнусе транзистора. Масса транзистора не бол(:е 0,8 Г. Ба.за Хо,иехтср i-~· ' '3,1 - =-l ~--- 119
Злектрическ11е 11арамет!}ы Граничная частота ко:хl>Фннненru псре,r~ачи ин~:.-t в схе:о.ле с общей [):вой при СкБ = 5 В, J.1 -- 5 мА нс r,1сн2е . К()эффиписнт пере11~1чн гака в режиУ)е малого сигнала нrнИю;=1В,J." = 25чА: ITMI 15А. пм:11sв. ITMI 15Б. ITMI 15Г. Нunряжснне НilСЫщення кол.1ек 1ор-J~111ттср прн 1,, = 100мА,/5~20чАнебо.1се: IT!\fll5A, ITM115B. IТJIЛI 15Б, IТMI 15Г. Напряжение насытеrrия эмиттер-база при fк = 100 мА. /Б=20"1Апеболее. Е~1косrь ко.1л,~~;торного 11ерехода при Ик 6 ~ 5 В, / = = 465 кГп в~ 60,-1ес Е1,шостh Jмнттерного перехода прп U- 3 h = 5 В, ( - = 465 1,Г11 не более Постояна:!я !Jремени н~шr обратной связи при l-i.;s = 20-fiO 50-150 200 "1В ISU мВ 1.5 в 50 11Ф :'О пФ = 5В,!3=1мА,/=465кГцнебо,1ее 6.5 нс Обр~тный ток коJiлектора :'е более: при И1-.·r,=50 В, Т=213+2УЗ К IТМ115А. ITMI 15Б 51) :v1кЛ пра Uкь''70 В. Т=213-с-29.1 К ITMll5!3. ITMI 151 ()6ратный ток ?t\-1\П 1 1~р:1 при (J.Jь = 50 В нс бо.::ее . Постоянное 11апряжеР"е кол:rсктор-база: ITMl l5A, ITMl J 5Б. 1ТМ11 SR, 1ТМ ! 15Г . Посто>шпое изпрю:<СН'!С ко.1лекгор-эмиттср 11рн R;Б < ::;; 500 OJ\J: ITJ\1115.д., 1Ti\1l 15Б. 1ТМ 115В, 1П.1 ! 15Г . ИI'-шульсное напряжение коллек 1ор-эI'-шттеr: ITMI ISЛ, ITMI !5Б. !ТМI !5В, JТMI I 5Г. Посгояннос н:сшряжсние эмиттер-база Постоянный ток кол~1сктора . Постоянный ток базы . Постоянная рассеиваемая мощнос1ь коллектора: при Т=213-;-328 К прн Т=346 К . Температура перехода Темттература окружающей среды 120 50 \jJ.; .\ 5() ~1КА 50в 70в 40в 55в 50в 70в 50в !00 мА :ю мА 50 мВт 20 мВт 358 к От 213 до346к
hz;э 1 200 ,----+-- hz·1з 1ТМ115В, 1Т115Г 1 1601----+ - Uк5=1В, Iэ= 25 мА 213 253 29J 333 т,к Зона во·1мсжных. по,1оже11 ий за­ виси\-1остн ко·нjнjнннн:птu пере­ щ1ч11 тока н рсжн~1е ча.·юго Зона возможных положений ·ш­ ннси\1ости .К(лффиниснта 11ере­ да ч11 тока в режиме ча,1ого сигнала от тсмнературы. си гнала от те;-.шера туры. 1Т116А, 1Т116Б, 1Т116В, 1Т116Г Транзисторы rер,ншиевыс планарные р-п-р 11ереключающне ма­ ломощпыс. Пре.::~:;нвначены д.1я работы в форчироватс.1ях и усн.11пс.1ях и:.шупьсов. мультивибра горах и дру1 их псрск:почающих схемах. Выпускаются в ~.1с·iа.1.1остек,"1нноч корпусе с rнfiкнм11 выво­ да\,НJ. ОGоJНdч~нис 1ин •.; i;ри~одн п:q H"t кор!t) ...:е. 1Y°1aL:ca тр(1нзистора нс ()o~ree 2 1. 40 8 ~-~--- __, 5,5 ·3_,1е1.: гричес1.:ие параме-. ры Статический ко1ффнние11т передачи тока в схеме с общим Jмиттсром при Икэ = JU В. /к= !00 мА, '" = lO мкс, Q ;?о 50: при Т= 293 К: lТl 16А, lТl 16Б, lТ1 lбГ . lTl16B приТ=213КиТ=343К: lTl lбА, !Тl 16Б, lТ116Г . lТJ 168 Время нарастания при ИкБ = 12,6 В, ИБэ = 0,3 В, Ти= 1,5-;-4 мкс,f= 30 кГu: 15-65 20-65 12-80 16-80 121
при R5э = 51 0"1 1Т11бА, 1Т116Б 0,28 - 0.63 мкс при Rьэ =О. 10. 27 Ом 1Т116В, 1ТJ16Г 0.28-0,63 мкс Время спада 1Ip11 Uкь = 12.6 В, Uьэ = 0.3 В. 'и = = 1,5-; - 4 мкс./= 30 кГц: при Rи=51 0~1 !Тl!бА. IТ116Б . при Rьэ =О. 10, 27 Ом 1Т11 бВ, 1Т 116Г Гран11чная частота коэффициента передачи тока в схеме собшейбазойприL'кБ=5В,/к=1мАне-.,1снсе. Напряжение насыщения ко.1.1ектор-·1'Vlиттер при /к = = 150 мА. Iг,=30 "1А не бо.1ее Обрат11ыii ток ко.1лектор-'Jмиттер при l!5·э = 0.5 В не более: при Т=293 К при Т=343 К. Uкэ=15 В, . Предельные эксплуатац1101111ые да1111ые Постоянное напряжение кол.1ектор-эм11т 1ер при RБэ ~ 0.6- 2 мкс 0.6-2 мкс 1 МГп 0.25 в 30 мкА 200 мкА ~550Ом 15В Импульсное на11ряжсние кол.1сктор-1миттср при RБэ ~ ~5500"1, 1:и~5МКС • Им11ульсное напряжение э-.,пптер-база при т" ~ 5 мкс. Импу.1ьс11ый ток ко.1лектора при 1:и ~ 5 ~1кс, Q ?о б: приТ=213+293К. приТ=333К. при Т=343 К . Пос1оя11ныii ток коллектора при Т = 293 К Постоянная рассепвасмая мошность коллектора: приТ=213 -;-308К. при Т=343 К. Тем11ература персхо~а . Темпера 1ура окружающей среды 1 - 30в 18в 300 мА 250 мА 150 мА 50 мА 150 мВт 75 мВт 358 к От 213 до 343 к 110 100 1Т11БА - JТ116 Г Зова воз-.,1ожных положений за­ в11самос1и напряжения шкыщ;:-­ иия коJJлектор-эми 1тер от тс'л- псра 1уры. 122 90 -....... ~ - ----- - ------- ------ 60 50 213 273 333Т,К Зона вотv:ожпых 110.1ожсний зависимости входного со11ро­ тив.1ения от темнера гуры.
2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г, КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г Транзисторы кре:v1нпсвые эпитаксиа:1ьно-лла11арные однонереход­ ные с 11-базоii. Предназначены для работы в rvнL"Iомощных генераторах. 8ынус~;шоп:я в мета.1лостсклянном корпусе с гибкн:'v!и выво­ дами. Обо·значенпе гнпа приводится на корпусе. Maccl\ тrа1пнстоrа нс бо.~ее О.~7 Г. 1J,5 1-этtттер 2-t5аза 1 J-t5aзa 2 Коэффшн~~н 1 пep<:,JJ1 •ш при Т=2Чк h: 2Тii7;\, ;::Тi!7В. 2li17Б. 2Тi17Г КТ! l 7Б. КТ! 17Г при Т= 343 К: 2Т117А, 2Тll7B, 2Т117Б 2Т\ !7Г КТ117Б. КТl\7Г при Т= 213 К: 2ТI 17А. 2Тl l7B. 2Тll7Б. 2ТI!7Г KTl l 7Б. КТ! 17Г I.tar!_()5I)KC!IИЧ прп КТ\ 17А. КТ\ 178 KT\i7A. KTii7J3 КТ\i7А. КТ!l78 Ток включении э·ми·1тера при Uь1ы = 10 8 не бо- " 0.5 ·-0. 7 0.65 -0}\5 0.65 --0,90 0,45 -0, 7 U,6 -0 ,85 0,6 --0 ,8 0,6 -0 ,9 0.5 -0 ,8 0.65-0.9 0,65 -0 .95 лее.... . . . . 20 мкА Ток выключения эмиттера при Иыи = 20 8 не ме- нее....... · · . . . . 1 "1А Остаточное напряжение эмиттер-база не более: приТ=2l3-:-298К. ·....... 58 при Т=343 К, /э= 10 мА 2Тl17А. 2Т\l7Б, 2Тl178, 2Тll7Г.... . . . . 48 при Т=343 К, lэ=50 мА КТ\17А, КТ!17Б, КТJ17B, КТ117Г . . . . . . . . . 4В 123
Межбазовое сопротивление: при Т=298 К: 2Т1l7А, 2ТlI7Б 2Т1178. 2ТlI7Г КТ117А, КТ117Б КТlI78, КТll7Г при Т= 343 К: 2TI 178, 2Т! 17Г KTl 178. KTl 17Г при Т= 213 К: 2Тl178, 2Т1l7Г КТ! 178. KTJ 17Г . 4-7.5 кОм 6-9 кОм 4-9 кОм 8 -12 КО\1 fi-15 кОм 6- IR кО~z 3-8.5 кОм 4- 12 кОм Температурный коэффициент межбазового со про 1 ивле- ния .0.1-0,9"ofK Наибольшая частота генерации . 200 кГц Обратный ток эмит1ера при Иыы = 30 8 не бо.тее: приТ=291\К. IJpИ Т=398 к . Ток модулянии не менее Пр!.'делъные эксплуатащюниые данные Постоянное межбазовое напряжение . Г!осгояннос напряже:ше база 2-эмиттер Посто~:нный ток змигтера . Импуо1ьсный ток эмиттера при 1:11 ,,;; lO мю.:, Q ? 200 . Постоянная рассеиваемая мощность эмиттера: прнТ=2137308К. приТ=398К. Температура перехода . Температура окружаюшей среды 1 мкА 10 мкА 10 мА 30в 308 50 :viЛ 1д JOO мВт 15 мВ1 403 к От 213 ;:i,o 398 К б 2Т117А - 2T117Гdl 30 2T'ii7A-2Т11JГ, 1 1 5 КТ117А -КТ117Г. 1 ~ КТ117А - 1 1 -1--' 4 ~1- - (Q ;:; 3 ,; 1 "' ...- ; 1 ~2 --г -~Б1Бг=ЮВ,__ j 1l 1 .. 13 =50мА .т 1 11 213 253 293 JJJ J7J 413 т,к. Зона возможных положений за­ висимости напряжения насыще­ ния база-эмиттер от темпера- туры. 124 "С :;; "" ~....... ', kТ11~ ц 20 1 ,1 1 1 1 10 .... 1 1'-.. 1 ..... 1 UБ1Б2=1ОВ, Iз=50 мА 213 253 293 333 374 413 т,к Зона возможных положений 1<1- вrrс11мости тока :чоду,1я~tии or темлературьr.
12 2Т117А-2Т117Г, 1О!----l---1--+-·КТ117А- ·,, КТ117Г / 1 '<: 8!----l-l----+---+---'~,--t---1 ~/ ' 2 213 253 293 333 373 413 т,к Зона возможнь•х полоА'ений з:1- вис11...,"1ос ги i ока в1:~1юченпя о 1 т<>~шературы. 15 U5152=10 В, ' ·~ 10 Iз=50мА ~~~--..L--!----1----1 '-l 2T117A-2Ttf7Г 1 • ', 1 КТIПА-КГf17Г 1 ~: ~ "' ' -.. 5 ' +---~,---1._:_,-..+---+-~ 213 253 293 333 373 413 т,к Зона возчожных псложений 3а­ висн~1.,iостн 1ока вы;слю•1с11ия от температуры. 2Т118А, 2Т118Б, 2Т118В, КТ118А. КТ118Б. КТ118В . , Транзисторы крсчнllевыс эпитнкс1~ально-п.'1аi1ilрныс ..J,нухJ:Ч!iттер­ ныс р-п-р переклLочо.·1с:1ьные ~н1ло:-.1ощные. Пре,r1назначены :tля рабо rы n схе:\1ах l\.'11),l)'lЯторов. Выпускu1отся в м~ 1 a~1.';oi..:т\,;'к_rr}~HE~-1 i\1 коl)11: се i.:: i иGкн.rv[Н в1-~1во- дами. Обо1начСl-!Нt ти!1<.:~ приnот;.Ется на Goi;o1_~oii 1rоиерхностн корпуса. I\1 асса 1т•а н-н!СТ ора нс u~1лс,.=: (). 5 I ~J S,J ~ь С:::1 с::? Электрические пара~1етры Падение напряжения 11а открыто:.~ к~1юче: при /Б = 0.5 мА нс более: при Т= 298 К: 2Т118А, 2Т1!8Б. КТ!18А, KTl!SБ 2Т! 18В, КТ!! 8В при Т= 213 К: 2ТI 18А, 2Т! 18Б. КТ! lSA. КТ!! 8Б. 2Т! !8В, КТ!! 8В ври Т=398 К . 0,2 мВ О.!5 мВ 0,4 мВ 0,3 мВ U,б мВ 125
прв /5 = 1.5 '1А не бо.1се при Т=298 К: 2ТI lSA. 2ТI 186. КТ! 18А. КТ! 186 2Т118В. КТ118В при Т~398К . при Т=213 К . Со!!ро1 ив.1снне о 1крытого к.1юча не бoJice: ври /э=2 мА. /5 =2 мА: при Т=298 К: 2Т118д. 2Тl1Sh. КТ118А. КТ1186 2Т! l SB, КТ! 18В при Т= 398 К: 2Т! !8А, 2ТI 186. КТ! 18А, КТ! 186 2Т1!8В. КТ11 SB при/3=20"1А./5=40мА: ври Т= 298 К: 2Тl18А. 2Т1186, KTll8A, КТ!186 2Tl 18В, КТ!! 8В при Т= 398 К: 2Тl 18А, 2ТI 186. КТ! ISA. КТ! 186 2Т! l8B, КТ! 18В при Т=213 К: 2Т118А,2Т1186. КТ118А, КТ!!86. 2Т1!8В. KTllSB. Ток закрытого к.1юча при Иээ = 30 В 2Т 118А, КТ J l 8A и при u3.3 = 15 В 2Tl186, 2Т1!8В, КТ1!8Б, КТ118В не более: приТ=298К приТ=398К при Т=213 К Наг:ряженнс на унравляющих переходах при Т = 298 К нfь=20мАнебо.1ее. Асимметр11я сопротивления открытого к.1ю··1а при Г = = 298К,/5=40мА./3=20мАнеболее. Обра гный ток кол.1ектор-база i, кот:ек 1ор-б:ва 2 11ри Т=29SКиИк=15Вне60,1сс. Время выключения тран·шс rорной структуры при R 11 = '" lкОм,li;=20мА.Е"1111=5Внеболее. Предельные J1>сплуатационщ.1е данные Напряжение у11равления межлу кш1.:ектором и ба:юй граюис.-орно1i с 1руК1ури при RкБ ,;;; 1О кОм и Т = 0,2 мВ o.1s ~1в 1,2 мВ 0,18 мВ 100 Ом 120 Ом 60 Ом 70 Ом 20 Ом 40 Ом 40 Ом 80 Ом 50 Ом RO Ом 0.1 мкА 5 мкА 0,1 мкА 1В' 20 ио 0,1 мкА 500 !!С =213~-398к... ]sв Постоякное напр:rJ!о:сннс 11и ч1кры 1ом к.1юче С\fежду эмит- терами при U)liP~o н 1' =213-:-3 ')8 К: 2ТI i8A, KTl ISA. 30В 2Тl18Б, 2Т118В, КТ118Б, KTl!8B 15В Постоянное напряжение эмиттер-база транзисторной структуры при Т -- 21 3 -;- 398 К: 2ТI lSA, КТ! 18А. 31В 126
2Тl18Б. 2Тl18В. КТ\!SБ. KTllSB. Постоянный ток ко.1.пектора при Т = 213 -с- 398 К . Постоянный ·1 ок каждоr о эмиттера при Г = 213 -с­ -:- 398 к. Постоянный ток каждой базы при Т = 213 -с- 398 К Постоянна~ рассеиваемая :vющнос 1ь: приТ=2~3·' 383К. приТ=.'\98К. Тен.ювое сопро 11Ш!iение 11ереход-окружающая среда Тем11ература окружсн,о•~:ей среды . 16в 50 мА 25 мА 25 мА 100 :v1Вт 62,5 мВт 0,4 К/мВт От 213 ДО39~К Пр и :v1 е чан ие. П<iй>:а ВЫБС,:\с111 ,~опускается на р~.сс 1ояннп не ченее 3 \,1М от корпуса транзпстора при темпср<нурс пайки нс бо.'1ее 523 К в тсчен1<е вре:v~ени не более 9 с. Пайка прою­ воднтся 11ая.1ьш:ко:-1 :-ющностью пе бо.1ес 60 Вт и на11ряже11ие~1 6-12 В. И·н 116 выводов ;.;оr1ус~ается на расстоянии не :v1енее 5 м:v1 от когпуса транзистора. }"\опускается о "\Норазовый и·11 иб вывс,,щ нu расс1 оян1!И 3 мм с радиусоr,_,r и·~гиfiа не менее U,5 м~"1. -т,~гru 1 -1 !lj 1000""4-+---+-t-11~=-мrtt'~- !11- 1 1001--1+--i- -+ --;,--r- i 10000 1 Зависимос1ь со11р:JТИВЛ\:НИ>1 от- 200 крытого к;пича от тока бал,1. Зависимость сопропш.1ения от­ крыто~·о к:ноча от тока базы. Зависимость падения напряже­ ния на открытом ключе от тока базы. 150 50 о 2Т118А-2Т118В \ ./ / \. "- ..-- -- 0,5 127
2Т118А-1, 2Т] i8Б-1 Трюлис горы кре-.1ниевые эпитаксиально-п,1анарные двух­ эмиттерные р-11-р перек,1юча­ те.<ьные ма.<омощные. Пре.:шазначены для рабо гы н качестве модуляторов в гер­ '.1етизированной апnара туре. Бескорпусные с гпбкисvrи выrю­ дами. Зми.ттер 1 Бгиа 1 Но1111ектор Вы11ускаются в со11роводи­ тельной таре. Обозш1чение типа приводится на этикетке. Масса транзистора пе бо.<ее 0,03 1. Э.1ектрические параметры Падение напряжения на открытом ключе при 16 = = 0,5мА,!6=1,5мАнеболее: приТ=298К приТ=358К при Т=213 К Сопротивление открытого к.1юча не бо.с~ее: при16=30мА,lэ=15мА: при Т=298 К приТ=358К. приТ=213К. при/Б=2мА,/з=2мА: приТ=298 К при Т=358 К . ври T=2l3 К . при/Б=40мА,fэ=20мА Ток закрытого ключа при Иээ = 30 В 2Т118А- 1 и при И" 3 = 15 В 2Tll8Б-l не более: приТ=298КиТ=213К. приТ=358К. Напряжение на управляющих перехо;щх при / 6 = 20 мА не более Асимме 1рия сопротвв.<ения огкрытого ключа при / 6 = =30мА,fэ=15мАнеболее. Обратный ток коллектор-база при Икr:;о = 15 В нс более. Время выключения при Rн = 250 Ом, Иэ = 20 мА. Епит = =5Внеболее. Предельные эксплуатационные данные Напряжение управления между коллектором и базой транзисторной структуры при RкБ = 10 кО:\-1 и Т = 0.3 мВ 1мВ 0,6 мВ 30 Ом 60 Ом 70 Ом 100 Ом 35 Ом 25 Ом 20 Оч 0.1 мкА 5 -.1кА 1в 2() uо 0,1 мкл 500 нс =213..; -358 К. l5B 128
Постоянное напряжение на эмиттерами при Иупр =О и 2Т118А-1 2Тl l~Б-1. закрытом ключе Т=213+358К: между Постоянное напряжение эмипер-база тра11зис юрной структуры при Т= 213 .;- 358 К: 2Т118А-1 2Тll8Б-1 Постоянный ток каждого -эмиттера при Т = 213 + +358к. Постоянный ток каждой базы при Т = 213 + 35R К . Постояннь:й ток кол.1ектора при Т = 213 + 358 К . Постоянная рассеиваемая :vющ1юсть коллектора при Т = = 213+358 к Импульсная рассеиваемая мощное 1 ь ко;~лектора при Ти.,,;;;500 мкс, Q~2И Т=298 К Температура окружающей среды . 30в 15в 31в 16в 25 мА 25 мА 50 мА 30 :-.181 50 мВт От 213 до35RК 11 р им е чан ие. Монтаж 1 ранзисторов осущес1 вляется приклей­ кой к тсп.1оотводящей поверхности. Допускается пайка или сварка выводов на расстоянии не менее 2 мм от транзистора. Те-.те­ ратура припоя не должна превыщать 533 К. Допускается пайка выводов на расстоянии 0,5 "1М от транзистора при темпсра1уре припоя не более 423 К. Время ш1й1:11 не Gолее 2 с. Нс до­ пускается прикладыва1ь к выводам вращающих усилий. Допускает­ ся изгиб выводов на расстоянии не менее 2 мм от транзи­ стора с радиусом закру1 .1ения 1,5 - 2 мм. При из1 ибе необходи:v.о обеспечить неподвижность участка вывода меж,tу местом изгиба и тры1зис1ором. При монтаже допускается обрезать выволы на рас­ стоянии не менее 2 мм от транзистора. При обрезке усилие не должно передава1ьея на место нриварки выво.С\а к кристаллу. КТ119А, КТ119Б Транзисторы кремниевые одноперехолные с базой 11-тила переключательные. Предназначены для работы в составе гибрилных пленочных микросхем, модулей, узлов и блоков радиоэлектронной rер:-.1е­ тизированной штаратуры. Бескор11усные с гибкими вы­ водами. Масса транзистора не более 0,01 г. 5 Полупроводниковые приборы '":.тm~>-1--Т ~~О,б <:> _t_ 1 ! ~1 Jt\l 1·" База 1 ба.за Z Jмиттер 129
Т•)К н;\--нсчt:-1:J1>~ 11p1i, r _·I,::h! = 10 В ~,1~ж~-,~i3ry~,:l' (l1;J('\C1iJ;в.н:н11c !ipli lr,:ь, -- =- i :..1:\ \'1:.i -. : _\1\i:J.\<J.H;15 --! ч,~l'Гt"lf(l :t::tc-p~tllr!lf Е'..:' \1Cr:I~(' l-!;J!1fi,~,J\:('!;c11..:H,J1_·rl[j[('~i-!51 !J!° ' llj ( j,= ],' -- Ji; Н. /) :::: JiJ \,;\ ... t--\::.. _· , ;ф1] ;·; ;~;1 ;.· !J1 !:Cp'.:.1_~': 1 f. f< ( ;['),·'\ К1i1'Ч: :·\\1' . ;t, 1: !i [' ,; f•.;:; 1 \fl· ~··; ь fk' 11.) \;; .: i! )"~ ';,~1.1:''; f:C1:IН . 1...>:1i~~1 1 f~\_н_' н·... ~··1_1;1,;·, ,~;-~: ·\~1l 1 :,'j ~j.\'),1 [{ 1,1.. _ 10Я:JH:ih p~~C'i."~'1 ~~.: 1 \f;l1~ \ll':!, :1p1I т· . = .: ~~!)~..; }< rip!i т" i --6 '>!КА -+ 1: кО\1 21J(J кГlr -,_, н 1' ''· : (1{1~ ~\1. IJ·:~ l•. •'' ' " ·\ :'\ \1\ \f) \ 1..}~ .-'ij в ~ив ~; \IB1 \!!) 1 i,,/,1B: Bt·U:З'-../.'i~).J. --~onyc1\at: 1 с;1 сr._1с1 н 1.;1:;,1 ), ta: t) tj,t !:'''.:(_ · L \" !ii 1J.1 i-н:: :"i"111;1,. ' м:-.1 cJT >.р~1>1 1~1с~11:пю«' ,;;":р:.rл·я •1р1\ 1,'\:r,er·:1 JУГ'~ 1;•,\ Сч_,_,,.,"1 _,, _, К. : г-к~~~А 1 , К;1~~Б t~ ..... " ~ 2f--"""t.>""""::+-~-i'=---i'----i "" :::, о1020JO Зона возможных положений за­ висимости напряжения насыще­ ния от макс.и:v~альноrо тока эмиттера. 130 318 т,к Зона воз:\!ожных положений за­ висимости предельной частоты генерации от темнературы.
КТ119А,КТ119Б "'!: ~ 6~~...:....,,--+-'--~+--~~ "' "'~ 1/ 1- .. D. --- .: :i>--. c-= -" 'f- .co:---1 ..._, 21----1---~-+--~-+----'-=-J DL-L-~-'-~-~--'-~~ 228 273 S18 Т,К "'!: "'~ ;; "' "' ..._, 5 КТ119А, -- 1/ ..... КТ119Б .... 3 ...., 2 U51,б2 = fOB ..... __ о 228 273 318 т,к Зона воз~южных положений :ш­ висИ'l-ЮС 1и тока выключения от те;..,шера гуры. Зона во·1можных положений за- висим ости тока включения от тем пера туры. КТ120А, КТ120Б, КТ120В Транзисторы кремниевые ·1питаксиа:1ьно-пла1Iарные р-п-р мало­ мощные низкочастотные. Предназначены для работы в усилительных и импульсных мик­ ромодулях и блоках 1ер>,1етизироваI1ной анпаратуры. Бескорпусные. без криста.1- лодержа 1еля. с ·1ащитным по­ крьпием лаком. с 1ибкими вы­ водами. Транзистор КТl 20Б предна·тачен д.1я диодного включения. поэто"1)' допускается выпуск без 1миттерного вывода. Обозначение гипа приводится на сопроводите.1ьной таре. Масса 1·ранзнс 1ора не более зми.ттер 0,02 r. Электрпческие параметры Граничная часто 1а ко·;ффициен 1а передачи тока в схеме собщейбазой при UкБ=5 В. lэ=1 мА КТ120А. КТ120В не менее . Коэффициент передачн тока в режиме ма.1оrо сигнала приИк6=5В,lэ=1мА: при Т = 298 К КТ120А, КТ120В . при Т= 338 К КТ120А, КТ120В при Т= 263 К КТ120А, КТ120В Напряжение насыщения коллектор-э"1иттср при / 6 = =0,6 мА I!e более: нри Iк = 10 мА КТ120А при /к= 17 мА KTI20B . 5* 1 МГц 20-200 20-480 10-200 0,5 в 2в 131
Емкость колдекторноrо перехода при Икь = 5 В, / = = 3 МГц КТ\20А, КТ\20В не более Обратный ток коллектора не более: 5пФ при ИкБ=60 В КТ\20Л . 0.5 мкА при ИкБ=30 В КТ\20Б . 0.5 мкА Обрашый rок эмиттера пrн UБ') = 10 В КТ120Л. КТ!20В . 1 мкА Пре;1.ельные эксnлуа 1ационные ,:~а:1ные Постоянное т~пряже1ше коллек гор-база: KTIJOA, КТ\20В . КТ120Б Постоянное напряжение коJ1лектор-·эм и 1тер , ;:; 10 кОм КТ120А КТ\20В Постоянный гок ко.1.1ектора Импульсный !ОК котгектора при Т11 ,, :; 40 ?:: 9 пр11 J',,IJ ,· L , Постоянная рассеиваемая мощность ко.1.1ек гора . Импу:1ьсная мощностr, ко.1лекгора при i:" ~ 40 Q ;:>- 9: КТ120А КТJ20Б. КТ120В Тем пера тура переход<: Теj,шература окружаюшей среды Rи.;; Q ;:>- мкс. 60в 30в 10в 10 мА 20 мА 10 с-лВг 15 чВт 35 мВт 35R К От 263 до328к ГТ124А, ГТ124Б, ГТ124В, ГТ124Г Транзис1оры германиевые р-11-р 1шзко,1асто1ныс усили 1с:J1ьные маломощные. Предназначены для работы в низко часто 1 пых ~ си.1итс.1ьных устройствах. Выпускаются в метал.1остсклянном корпусе с гибкими выво­ дами. Обозначение типа приводится на корпусе. 132 Масса транзистора не более 0,5 г. база Ко1111ектор Эм11ттер + ""~'(Э.I - +' ~ '& - - - ' 16' t-.,_ ~~~ "& - ""' - "' -~ "$ • 2,4 ~ т
Электрw1еские параметры ко·эффиниента пеrе;щ чи тока чА пе \!е11ее при Прс.1е,1ьш1я '1acro 1,1 Uп=5В./-э=! Стап!'iескнй ко]фф1;:01е1п передачи тока в cxe:v1e с общи\1 ·э.читтсрс:v~ прн С;.;)= 0.5 В. fэ = 100 мА: ГТ124А ГТ124Б гт 12.4!3 ГТ!24Г Напрh.жснне I-4~1!.,..J-,[1-l!t:l~И>! K\_)Л~[CI(TOp-ci~.~I!: : ev нrи lr:.. -: ::; = ](JO мл. !~ -~ l() '.IЛ НС бо.1ее . Обр:1тиый rок kО:Jтоо:тоrш при Икь = 15 В нс бо.1ее: ЩНI Т=2% к при т-~J18 к . Обра 111ый 1сж J:.ш1 ,~ра rrpи 1..: ,G = 5 В нс: Go.1ee Пос ~оя.нное на riГЯ~l·ceHi::' ко:1.1екто~-G:хи1 Постоянное H~lПp>I:-.:-~c 11:е э~iи 1тер-база . Импульсный ток колJ1ектоrа Пос гоянн<:~я расс.:иr.аС:\Iая !\10IIl.:!oc:1 ь ко.1.r;.:1'·то~•а: прн Т=-308 К . Пр!!]=333К Темпера 1ура ш:руr.«tЮЩСЙ сrеды 1 МГц 28-56 45-90 71-162 120-200 0.5 в 15 \11-.А ~{0 мк;\ !5 мкА 25в 10в 100 мА 75 ~.~R!· 25 :.1Вт 01 24~ до 3.13 к Пр и ~r е 'i d :iI и с. Пprr 11нйке выводов ;~("_·1ж~н ()1~1 rъ осущсстнле11 надежныi1 1cir.'1 0t) гnо,-~ между ~1сстом паiiки и корпусом транзи­ стора. те\шераrура п:~йки нс :ю.1жна превы:.иать 555 К в 1·ечение 5С. При вк.1ю•1сшш ный выrю;J. должен первым. - i ранзистора в '1лс:(трнчсс~) io llрИСО<.~;J.:НllЯТЬСЯ ЛОСЛСДНi~!\f, 11епь коллектор­ а отсоединяться ГТ125А, ГТ125Б, ГТ125В, ГТ125Г, ГТ125Д, ГТ125Е. :ГТ!25Ж, ГТ125И, ГТ125К, ГТ125Л Тр::шзнсторы rер~.шни~вые сплалные р-п-р юп1ш•1асто п1ые уснли­ тельные м:~ломощныс. Предназш: чены для pafio 1ъ1 в низкочастотных уситп ельных устройствах. Выпускаю ~-ся 13 мет ал.юстс;<лян ном корпусе с гибкими выво­ дами. Обозначснпе пшu прнводится на корпусе. Масса тран·шстора •1е более 2 r. 133
'3ле1;: 1рв<;еrю1е nара~,1стры Предельная частота КОJll;фнцпен 1.J. перс_1Jчн тока nри Uк5=SВ.J.J=5мЛнсчснсс Ко·1ффi1ци~нт 1к·ре,'t~~ч~1 i ока в рсжи\tс ма~1оr о сигнала прнUкё!=5В./.)=25мА: ГТl25А ГТ! 25Б ГТ125I3 ГТJ25Г (."'та тическнй ко ;ффиансн r !1cpc/ta !f!f r ока в с.\.С\1е с 0G- щ11~.1 Jмиттсро~1 11ри l'к·1 = 0,5 В, 11~ = 1()() ~1А. ГТ125Д. ГЛ25И . ГТ125Е. ГТ125К . ГТ125Ж. ГТ125Л Нащ1яжение насыщеншt кол.1ектор-Э'-llП тер при fк = = 300мА,lr;=30мАнеболее Обратный ток кол,1ектора не более: при L'кr; =0 35 В: ГТ125А, ГТ125Б. ГТ125В, ГТ125Г, ГП25Д, ГТJ25Е, ГТ125Ж . приИк6=70 В: ГТ125И, ГТ!25К, ГТ125Л Обратный ток эмиттера при Иэ = 20 В нс бо.1сс Преде;1ьные э1;сплуатацнонные данные Постоя~-:ное напряжение ко.1лек·1ор-баз·а: ГТ125А, ГТ125Б, ГТ125В, ГТ125Г, ГТ125Д, ГП25Е, ГТ!25Ж . ГТ125И, ГТ125К, ГТ125Л . Постоянное напряжение эмиттер-база . Импульсный ток коллектора при f = 50 Гц, Q = 2, 'tи = 10 МКС. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: при Т=2137308 К приТ=3087343К Температура окружающей среды 134 1 МГц 28- 56 45-90 71-140 120--200 ::~~ -·- 56 45-90 7!-140 0.3 в 50 ~1кА 50 мкА 50 мкА 35в 70в 20в 300 мА 150 мВт 45 мВт От 213 ДО343К
Пр им е чан и е. Минимальное расстояние от корпуса до места изгиба выводов 3 мм. Минимальное расстояние от корпуса до места пайки выводов 5 мм. Пайку прои·1водить при температуре не более 558 К в течение времени ие более 5 с. 2Т202А, 2Т202Б, 2Т202В, 2Т202Г, КТ202А КТ202Б, КТ202В, КТ202Г ' Тrанзисторы кремниевые эпитаксиа.,1ьно-планарные р-11-р маломощные. Предназначены для работы в уси.1ите.1ьных и импульсных микромоду.1ях в 1 ерметизиро­ ванной аппаrатуре. Бескорпус­ ные, без крисгаллодержателя, с защитным покрытием, с гиб­ кими выводами. Обозначение типа приводится на сопроводи­ тельной таре. Масса транзистора не более 0,01 г. 'Электрические параметры Граничная частота коэффициента передачи 110 току всхемесобщейбазойприИкБ=5В,lэ=1мА не менее . · · · · . · . Коэффиниент передачи тока в режиме малого сиг­ налаприИкБ=5В,13=1мА: при Т= 298 К: 2Т202А. 2Т202В, КТ202А, КТ202В 2Т202Б, 2Т202Г, КТ202Б, КТ202Г при Т= 358 К: 2Т202А, 2Т202В, КТ202 А, КТ202В 2Т202Б, 2Т202Г, КТ202Б, КТ202Г ври Т= 213 К: 2Т202А, 2Т202В, КТ202А, КТ202В 2Т202Б, 2Т202Г, КТ202Б, КТ202Г . Напряжение насыщения коллекгоr-эмиттер при fк = =10мА,IБ=1мАнеболее. Напряжение насыщения база-эмиттер при lк = 10 мА, /Б=1мАнеболее. Емкость коллекторного перехода при И = 3 В, f = =3МГцнеболее. 5 МГц 15-70 40-160 15-140 40-320 10-70 25- 160 0,5 в IB 25 пФ 135
Емкость эмиттер1юго перехода при ИэБ = 0.5 В . .f= =10МГцнеболее............. Время рассасывшшя при более..... · . . Zк=5 мА, /Б=1 мЛ не Преде.~ы1ые экс1~луа1·ац1ю1шые данные Пос~ ояшюс нанряженнс ко:1лектор-база · при Т= 213-;- 358 К: 2Т202А, 2Т202Б . 2Т202В, 2Т202Г . нрн Т=213 -;- 32/; К: КТ202А, КТ202Б КТ202В, КТ202Г при Т= 358 К: КТ202А, КТ202Б кт202в, кт202г Постоянное напряжение коллектор-Jмиттер: при Т=213-7- 358 К: 2Т202А, 2Т202Б . 2Т202В, 2Т202Г . при Т=213-7-328 К: КТ202А, КТ202Б КТ202В, КТ202Г при Т= 358 К: КТ202А, КТ202Б КТ202В, КТ202Г Постоянное напряжение эмиттер-база: при Т = 213 -' - 35 8 К 2Т202А, 2Т202Б, 2Т202В, 2Т202Г.......... .... при Т = 213 -7 - 328 К КТ202А, КТ202Б. КТ202В, КТ202Г ....... . при Т = 358 К КТ202А, КТ202Б, КТ202В, КТ202Г . . . ...... . Постоянный ток кол.>ектора . . . . . . . Постоянная р;:сссиваемая мощность кол.1ектора: при Т=213 -о- 308 К: 2Т202А, 2Т202Б, 2Т202В, 2Т202Г . КТ202А, КТ202Б, КТ202В. КТ202Г при Т= 358 К ....... . Импульсная рассеивщ~мая мощность коллектора при 't11 ,,;;; 10 мкс, Q 9' 10: 2Т202А, 2Т202Б, 2Т202В, 2Т202Г . . КТ202А, КТ202Б, КТ202В, КТ202Г Температура перехода . . . . Температура окружающей среды . . . 136 10 пФ 1 мкс 15в 30в 15в 30в 10.5 в 26.? в 15в зuв 15в 30в 10.5 в 26.5 в 10в 10в 5.5 в 20 мА 25 мВт 15 мВг 10 мВт 50 "1Вт 25 мВт 398 к От 213 ДО358К
hz1э КТ202А, КТ202В 601----~~+-~~+-~----i Uк5= 28 ..... --t---- --- .... , чо 1-----+- ---1-------1 о 1./- Iз,мА Зона во·:1:-.1ожных 110~1оя.;:сний -iа­ висимости коэффнщ1снп1 пере­ дачи тока в peжII.\IC ма.юго сиr- на;rа от 1ока Э\Hll тер а. Зона воз\южных 110.1ожений за­ висимосп1 ко·1фф11цисн га пере­ дачи тока в режи\fе малого сигна."Iа о г тока змпттера. Зона во·~мо,кных 110.·южений 1а­ висимосп1 ко·нj1фициен га пере­ дачи тока rз режи-.1е - . .1a.1oro сигнала о г тока 1мнттера. hг1э 11./-0 120 100 80 60 1./-0 а h21з 125 100 75 50 25 о кт202Б,кт2q2г .,,--, ....,, Uк5 128 .... _ l---- " --- / ---- - --- 2 1 1 2Т202А - 2Т202Г /-- !----- --- L--- ...... ...... - --- <--- ... _ / ...., [ик5=12в 0,5 1,0 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203д~ КТ203А, КТ203Б, КТ203В Тран1исторы кремниеные Jпитаксиально-планарныс р-п-р :-шло­ мощные. Предна·1ш;чепы для работы в усилите;1ьных и и\fпу.1ьсных схемах. ВыпускаютсУ. EJ метал.1остеклянно\f корпусе с r ибкнми вьшо­ дами. Обозначение пша нриводится на корпусе. Масса транзистора Iie Gолее 0.5 1. 137
'Электричссю1е параметры Гrаничная частота КО)ффициента передачи тока в схеме собщейбазойприUкь=5В.Г)=1мАнеменее: 2Т203А. 2Т20ЗБ. 2Т20ЗВ. КТ203А, КТ203Б, КТ203В.... . . . ...... . 2Т203Г, 2Т203Д . . . . . . . . . . . Коэффициент 11ередач11 тока в режиме мало1 о сигнала приИкБ=5В,lэ=1мА: при Т=298 К: 2Т203А. КТ203А не менее 2Т203Б 2Т203В 2Т203Г нс менее 2Т203Д КТ203Б КТ203В при Т= 398 К: 2Т203А, КТ203А не менее 2Т203Б 2Т203В 2Т203Г не менее 2Т20ЗД КТ203Б КТ203В приТ=213К: 2Т203А, КТ203А не менее 2Т203Б 2Т203В, КТ203Б 2Т203Г пе менее 2Т203Д КТ203В Входное сопротиЕление в схеме с общей базой в ре- жиме малого сигнала при /э = 1 мА не более: при ИкБ = 50 В 2Т203А, КТ203А при Ик 6 = 30 В 2Т203Б, КТ203Б при ИкБ = 15 В 2Т203В, КТ203В при Ик6 = 5 В 2Т203Г, 2Т203Д . Емкость коллекторного перехода пrи ИкБ = 5 В, / = = 10МГцнеболее.......... Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база: 138 при Т=2137348 К: 2Т203А, 2Т203Г, КТ203А . 2Т203Б, КТ203Б . . . . 2Т203В, 2Т203Д, КТ203В при Т= 398 К: 2Т203А, 2Т203Г, КТ203А 2Т203Б, КТ203Б . . . 2Т203В, 2Т203Д, КТ203В . 5 МГц 10 МГц 9 30-90 15-100 40 60-200 30-150 30-200 9 30-180 15-200 40 60-400 30-230 30-400 7 15-90 10-100 20 30-200 15-200 300 Ом 300 Ом 300 Ом 300 Ом 10 пФ 60в 30в 15в 30в 15в 10в 1 !
Постоянное напряжение ко.1.1екгор-эмю-1ер при RБэ.:; .:: 2 кОм: нри Т= 213 -с- 348 К: 2Т203А. 2Т203Г, КТ203А 60В 2Т20ЗБ, КТ203Б 30В 2Т203В, 1Т203Д. КТ203В 15В при Т= 398 К: 2Т203А, 2Т203Г, КТ203А 30В 2Т203Б. КТ203Б 15В 2Т203В. 2Т203Д. КТ203В 10В По(; r ояшюс Нсl11rяж~н 11с 'J'ш г 1ер-ба->а, 2Т203А, 2т21вг. КТ203А 30В 2Т203Б. КТ20ЗБ . 15В 2Т203В. 2Т2ПЦ. КТ203В 10В I1остс•ЯПН!>IЙ 1ок ко,1лек t оrк1 И~Ш].lЬCllL!ii ТОК l<Oo1,1CKTOpi! При Tri,,:; 10 МКС, Q ~ ,?10. Постоянньrй ток э:.!и i 1~ra . Гlосrоянн.з.я р:,tсссI1вас~1ая чо11._1,J1осrь ко,1_г!екторt~_: пра Т=2!3-7- 348 К прнТ=398К. Тс·,шс-ратура псрсхощ1 Те\шература окружаюUJ~Й среды . КТ207 А, КТ207Б, KT2U7B 10 мА 50 мА 10 мА 150 мВт 60 мВт 423 к От 213 до398к Тран·3}1-.;1 оры кремн~Jеuые JП11тикс11й..г1ьно-п_'Iанарныс р-11-р маJ10- мощ11ыс. Прс;Jлазна~rсны д,1я pu.fiorы в качссгDс :~си_;итс_:1ьЕого элс­ мен ra м1шро:vюду.1сй и б.1оков в гермстнзиро1шнной аппарату­ ре. Бескорп;1сные, без крнста,'J­ ло;J.ержате~1я. с защитным по-Эмит­ крытием и контактными п:10- тер щадками д.1я прнсое;~инення в электрическую схему. Обозначе­ ние типа приво,1ится на груп- ~ Нолле,,.,_н~--1-' /;,,.i<'<I-- -' -+-l -+ - по вои таре, тор Масса тринзистора не более 0,001 l, /iлюч Э.тектрические параметры Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме собщим эмиттером при ИкБ=5 В, lэ=1 мА не менее. Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала приИкБ=5В,13=1мА,!=1кГц: КТ207 А не менее КТ207Б КТ207В 5 МГц 9 30-150 30-200 139
На11ря;кс;н11~ насыщения ко.'1,1ектор-J'>ШТ гер прп /к = = 1О r,!A. fь~1VIA не 60.·1се· КТ207 А. КТ207Ь . КТ207В Емкость коллек горного 11ере:,ода при Uкh = 5 В. / = = 1О кГц не 60:1ес . Вхо.1чое сонrо гив.1с1-1не u cxc!\,rc 1..: oбrцcii fia·н)if н рс- 1ки:-1е мг.лоr-о с-и1на.т1 прн [ 'кь = 5 В. !~) = 1 ·v1A не бо:;с·~ . ОGратны:·, ·(о:-: r~о:1.1(_·ктора н~ 60.1ес · прп U:.·~ = 6() J3 КТ207,\ о:г11 И~-;;; = 30 В КТ207Ь . 1Jрн Up; = 15 IJ КТ207В . Oбp'1..Tli_L1i"i I·~K :?-.:~нтсра нr~ G;:->~1C~: п;:т //·я; ~- 30 G КТ207 А llfEI 1>3 !; ~- : ) Б KT2li7Б нги:_~7;= 1ОSКТ207В . 1.::,; 207А к ·i-~07!> КТ207П Постоянt1сс КТ207А КТ207Б КТ207В Постоянное напрял;ение J:.[;~ттер-база: КТ207А КТ207Б КТ207J3 Постояпныii тсiс f\.JJI.1eктopa ИмпуJ:ьсz:ы1i 10;; t:o.'Jлerпopa при '",,; 100 .\1кс. Q? ~5 Посто!Тннан расссивае~1ая чоншость коллсr: 1ора . И 'v1Пу.1LС~'!Я рассеиваема» мощ1юсть ко.1.1ек 1ора Ти,,:; !00 МКС, Q?5 . Темr;сра гура перехс:1а . Темпсрзтурn оr,ружающсН сг1еды при 1в 0.5 в 10 нФ 0,05 чкЛ 0,05 мкА 0,05 м1:А мкА мкл мкА 60в 30в 15в 60в 30в 15в 3() в 15в J() Б 10 v.A 50 мА 15 мВт 50 мВт 373 к 01 228 доЗ5RК П р а ч с ч ан и с. Прп зксплуа rацпи тран·тс 1оров ;:;.о:rжен Gьп ь обеспсчеа 1Ещсжн 1,rii тсп.:юотвод от крнста;~:1а нс хуже. чеУ! тепло­ отвод в снободно~л воздухе. При монтаже и ·жсплуатации гран­ ·зис·1 о ров необхо;нr:vю принима гь меры ·1<> щиты от стати<rссс~;ого электричества. ~.1он1аж кр1:сrаллов н микросхемах до:1жсн осуL:J,еств;1яться в условиях микроклимата или r;онщщионировапных 11о:v·1ещс1шях с относительной Е\ш1жност;,ю не более 65 ~-~ и температурой (298 ± ±10)К. 140
1 кsо,А КТ207А' / 10_ч t--K_T_2_0_7~Б-c+----t-r---1 10-б ~_,.,""-+----+-----t Uкs=30 В 10-7 . __ _.1. .-- --- ,:' =-~ 213 27.) 333 Т,1< Зона 1ЮJl\ЮЖНЫ' 11()jюжений ·ш­ виси:vюсти о бра 1~юго тока кол­ лектор;t 01 темпсра1уры. hг1э r 1 КТ207Б /Г- - .. .. 80 / ........ ......... 'tO // -1-1--- -- / Икз=5В 1 о123't5Iз;мА Зона возможных по,·южений за­ висимости коэффиuиента пере­ дачи тока в режи:v~е малого сигнала от тока ·з:-,шттера. КТ207А 1 80/-- - -- о 2345I3,мА Зона 1ю1можных 11о:юже11ий за­ виси\юс пr коэфф:шиента пере­ ;щ чи тока в режиме ма.101 о сигнала о 1 rока эмнт 1·ера. hz1э КТ2078 200 ,/ / 160 120 80 'tO Икэ=sв ,.. - / -- / о 2345Iз;мА Зона возчожных -ноложений за­ висимосп1 коэффициента пере­ дачи 1 ока в режиме малого сигнала от тока эмитгера. 2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е, 2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, 2Т208Л, 2Т208М, КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208.Г, КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М Транзисторы кремниевые планарно-эпитаксиальные р-п-р мало- мощные. Предназначены для работы в усилите,-~ьных и генераторных схемах. 141
Выпускаются в мета.1лостекля111юм корпусе с гибкими выво­ дами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 0.6 г. 16' Электрические параметры Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Ию; = 5 В не менее: при /э = 5 мА 2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е. 2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, 2Т208Л, !/;2,5' 2Т208М.................5МГц при /э = 10 мА КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М................ 5 МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим ·~миттером при ИкБ = 1 В, lэ = 30 мА: 2Т208А, 2Т208Г, 2Т208Ж, 2Т208Л, КТ208А, КТ208Г, КТ208Ж,КТ208Л.............20-60 2Т208Б, 2Т208Д, 2Т208И, 2Т208М, КТ208Б, КТ208Д. КТ208И,КТ208М...... • . . . . . . 40- 120 Напряжение насыщения коллектор-Jмиттер при /к = =300мА,/6=60мАнеболее: 2Т208А. 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е, 2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, 2Т208Л, 2Т208М . . . . 0,3 В КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г, 2Т208Д, КТ208Е, КТ208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М . 0,4 В Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 300 мА. /Б=60мАнеболее...• . . . . . . . . 1.5 В Емкость коллекторного перехода не более: при ИкБ = 20 В 2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е, 2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, 2Т208Л, 2Т208М.................35пФ при ИкБ = 10 В КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е, К:Г208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М.................50пФ Емкость эмиттерного 11ерехода не более: 142 при U36 = 20 В 2Т208А. 2Т208Б, 2Т208В. 2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е, 2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, 2Т208Л, 2Т208М.................20пФ
• при ИзБ = 0,5 В КТ208А, КТ208Б. КТ208В. КТ208Г. КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж. КТ208И. КТ208К. КТ208Л. КТ208М..... · · · · . . . . . . . . 100 пФ Пре;щ.1ьные экс11.1}атац11шшыс данные Постояннnе напряжен не ко.1;1ектор-база: 2Т208А. 2Т208Б, 2Т208В. КТ2U8А. КТ208В 2Т208Г. КТ208Е 2Т208Д. 2Т208Е, КТ208Г. КТ208Б. КТ208Д, 2Т208Ж. 2Т208И. 2Т208К, КТ208Ж, КТ208И. 20в 30в КТ208К 45В 2Т208Л, 2ТЮ8М, КТ208Л. КТ208М . . 60В Постоянное напряжение .ко.1:1екгор--эмиттер при R 63 . ,, ;:; . , ,;:; 10 кО\1: 2Т208А. 2Т208Б, 2Т208В. КТ208А. КТ208Б. КТ208В 2Т208Г, 2Т208Д. 2Т208Е, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е 2Т208Ж. 2Т208И. 2Т208К. КТ208Ж. КТ208И, КТ208К 2Т20~.ГТ. 2Т208М. КТ208Л, КТ2nsм Постоянное напряженпе эмиттер-база . . Постоянный ток коллектора . . . 20в 30в 45в 60R 20в 150 мА Импу"1ьс11ый ток коллектора при т11 . , , ; :; 0,5 мс, Постояв пая рассепвас\,tая мощность ко;1лектора: Q?2 300мА при Т=213-'- 333 К приТ=398К.. Температура 11ерехо,1а . Те'>шература окружающей среды 200 мВт 5 мВт 423 к От 213 ДО398К КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М Транзисторы кре!l-!Ниевые эпитаксиа;1ьно-п.1анарные р-п-р мало­ мощные. Предназначены для работы в уси"•1пельных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами в двух вариантах. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 0,3 г. 143
Зпиттr:р Баи. НоллектDр Вариант 2 5,3 та,х -----4 ~Щ!!} !14 --! 'Электричесю1е параметры Граничная частота коэффициента передачи тока н схе­ "1е с общи"1 эмигтером при UкБ= 5 В, lк=10 мА неменее. . . . • . . . . . . . . . . . . Статичсск;;й ко')ффициент передачи тока в схе:,1е с общим :щиттером при Икэ = 1 В, lк = 30 мА: при Т= 298 К: КТ209А. КТ209Г. КТ209Ж, КТ209Л КТ209Б. КТ209Д, КТ209И, КТ209М КТ20':1В, КТ209Е КТ209К .......... . нри Т=373 К: КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л КТ209Б, КТ209Д, КТ209И. КТ209М КТ209В, КТ209Е КТ209К ......... . при Т= 228 К: КТ209А, КТ209Г. КТ209Ж, КТ209Л КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М КТ209В,КТ209Е........ КТ209К .......... . Напряжение насыщен11я колпектор-эмштср при fк = =300мА,/Б=30мАнсболее..... Напряжение юнъ1щсш1я база-эм~п тер при fк = 300 с-.1А, /Б=30мАнебо.•сс.......... 144 5 МГц 20-60 40-120 80-240 80-160 20- 120 40-240 80-480 80-320 10-60 20-120 40-240 40-160 0,4 в 1,5 в
Емкость коллекторного перехода при Ию;= 1О В. /= = 50()кГцнеGолее.... . . . . Емкое~ ь Jмиттерного Перехода нри = 1 МГц не 60.1ее .... Uэi;=0.5 В./= Предс.1ьные эксплуатац11онные данные Пос1оянное напряжение ко"1лектор-база: приТ=298 ·373 К: КТ209А. КТ209Б. КТ209В КТ209Г. КТ209Д. КТ209Е КТ209Ж. КТ209И. КТ209К КТ209Л. КТ209М . пр11 Т= 228 К: КТ209А. КТ209Б. КТ209В КТ209Г. КТ209Д. КТ209Е КТ209Ж. КТ209И. КТ209К КТ209Л. КТ209М Постоянное шшряжевие ко;1лектор-·iми1 тер 11ри Rr;э < < 10 кО~1: приТ=298с·373К: 50 пФ 100 пФ 15в 30в 45в 60в 10в 25в 40в 55в КТ209А. КТ209Б, КТ209В 15В КТ209Г. КТ209Д. КТ209Е 30В КТ209Ж. КТ209И. КТ209К 45В КТ209Л, КТ209М . 60В приТ=228К: КТ209А. КТ209Б. КТ209В 10В КТ209Г. КТ209Д. КТ209Е 25В КТ209Ж, КТ209И, КТ209К 40В КТ209Л. КТ209М . 55В Постоянное напряжение эми 1гер-база: при Т= 298 -'- 373 К: КТ209А, КТ209Б. КТ209В. КТ209Г, КТ209Д. КТ209Е . · . · · . . . . . 10В КТ209Ж, КТ209И. КТ209К. КТ209Л. КТ209М . . . 20 В при Т= 228 К: КТ209Л. КТ209Б. КТ209В. КТ209Г. КТ209Д. КТ209Е.... · · · · · · . . 10В КТ209Ж. КТ209И. КТ209К. КТ209Л, КТ209М. 15В Постоянный 1 ок кол;1ектора Импульсный ток кол.1сктора . Постоянный ток базы . . . . Постоянная рассеив8еv1ая мощность кол.-~ектора . 300 мА 500 мА 100 мА 200 мВт ·Температура персход:1 . . . . 398 к Температура окружающей среды . . . От 228 до373к 145
КТ210А, КТ210Б, КТ2108 Тра11 :11сторы крсчн11евыс эшпаксш1.1ыю-п.1анар11ы,с р-11-р низко­ частогныс усн.1иге.1ьныс \.нt.1омощные. БескорП)СВые с ·1 вср.Jым11 выuо.:rа~ш. Обозначеное гипа при­ J>.l'r,1НТ<.:Я на таре. Масса транзисп1ра не бо.1се 0.005 г. Грnвичпuя часrота КО]ффцuне1па пере.,~щt1а тока в схе­ м~ с обшн:-1 J:vштгеро~1 при UкБ= 5 В, Iз = 1 \.IЛ нс менее. 10 МГц Стати'Jескнii коJфrjнщиен r передачи тока в cxe:-. ,ic с обшю-1 Jм1птероч при Икr;= 5 В. 13 = 1 мА: КТ210А, КТ210Б . КТ2lОВ Напряжеш~с насыщения ко.-~лектор-·1:vшттср при lк = = 10мА./6=1мАнеболее. Напряжение насыщения ба Ш-J:-..нп тер прн lк = 1О мА. Ir,=lмА11ебо.-~се. Обрагный ток ко.ыектор-эмитгер при Икэ = Ик")_,шкс· RэБ = 10 кО\,1 нс более . Обратный ток ·змнттера при ИэБ = 10 В не более . Емкосгь кол.-~екторного перехода при Скь = 5 В. I = =3МГцнеболее Емкость эмиттерного перехода при Иэь = 0,5 В. / = =5МГцнеболее Предельные эксплуатацио11ные данные Постоянное напряжение коллектор-база при Т = 308 К: R0-240 40-120 0,5 в 1в 10 мкА 5 мкА 25 пФ !О пФ КТ210А 15В КТ210Б 30В КТ210В 60В 146
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RэБ = =!О кОм, Т= 308 К: КТ210А КТ21ОБ КТ210В Постоянное напряжение э"'1иттер-база при Т = 308 К . Постоя1111ый ток кол.1ектора при Т = 308 К . И"'1пу:1ьсный ток коллектора при Т = 308 К . Постоянная рассеиваемая мощность кол.1ектора при т = =308к. Импульсная рассеивае:v~ая мощность ко-·шек гора при т=308к Те:-.111ера1 ура перехода . КТ211А-1, КТ211Б-1, КТ211В-1 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р с нормированньш коэффициен­ том щума. Предназначены для приме­ нения во входных каскадах, ма­ лошумящих усилителях, в герме­ тизированной аппаратуре. Бескорпусные, без кристал- лодержателя, с защитным по- :J крьпием лаком, с гибкими вы- <f! водами. Обозначение типа при­ водится на возвратной таре. Масса транзистора не более 0,01 Г. Электрические параметры Граничная часто1а коэффициента перелачи тока в схеме собщимэмиттеромприИкБ=5В, lк=1мА не менее. Статический коэффиuие11т передачи тока в схеме с общим :щиттером при ИкБ = 1 В, lз = 40 мА: при Т= 298 К: КТ211А-1 КТ21 !Б-l. КТ21 !В-1 . при Т= 398 К: КТ211А-l КТ211Б-1. КТ2! IB-1. при Т= 213 К: KТ2l lA-l 15в 30в 60в 10в 20 мА 40 мА 25 мВт 40 мВт 398 к 0.5 10 МГц 40- !20 80-240 160-480 40-200 80-400 160-800 20-120 147
КТ211Б-1. КТ21 !В-1. Коэффициент шу:v1а 11р11 Икь = 5 В. Iэ 0= 40 мА. /'= = 1кГu.Rr=10кО~1нсбо.1ее. Обратный ·r ок ко:иектора при Uкь = 15 В нс Gi1cree . Еvrкость ко:!:1екторного нерехода при Ик 6 = 5 В. I = = 10 МГц 11е бо,1ес Е":;;ос1ь Jмит1·ерного псрсхоJ.а при ИэБ = 0,5 В. f'= !О МГц не болС'е Прсдг:1ьныс JКСШI}атащюш1ые данные Пос1 оя1тое 1шпряже11ае кол:1ектор-Gаза Постоянное напряжсане ЭVIИ пер-ба·ш . Постоянный ток коллекторt! . Импульсный ток коллектора ври 1: 11 . ,; ; 1О !1-Е<с, Q :;, :;, 10 . Постоянная рассеиваемая мощность ко.т1сктора: при Т= 213 ..,_ 308 К при Т=398 К . И'\1ну.1ьсная рассеиваемая мощность ко.!.:сктора прн 40-240 80-480 3дБ 10 чкА ::Ю 11Ф 15 пФ 15в 5в 20 .~1л 50 мА 25 мВт 5 чВ1 111G;:10мкс,Q?10. )1J ~lbT Темпера гура нерехода . 423 К Темпера~ ура окружающей срслы От 213 до398к Пр им сч ан и е. При монтаже тран·нrс горов в микросхему должны бьп ь приняты меры. 1кключающие нагрев кристал:~а более 423 К. Прп мою аж~ тра~писторов не J.опускасп:я изгиб выводов на расстояшrи "1епее 0.5 м:-.1 от :чсt.:та IJLixo;:i:a 1п защитного покрытия. Пайка и сварка выводов допускается на рассто1JН!Ш более 1 м:v1 от мес 1 а выхода вывода из защи1 ~юго покрытия. 1 КТ211А -1 , КТ211Б-1, кт211в-1 1 1 4 Uк5=3В, 3 hc---'lr---i 1э = 40 мА 21---+'"'-:--t-==-r""'-91-'-'--t--:~ 213 243 273 303 333 363Т,К Зона возможных положений за­ висимости коэффиuиента шума от температуры. 148 кт211в-1 hz1з 5001----+-~l---+---il---+-.,......../ 300f---+----l~""""--,--t_.,"i-----4 200f-7""-Ьо-~1"---+---.,1---+----1 213 24-3 273 303 333 363Т,К Зона возможных положений за­ висимости статического коэффи­ uиента передач11 тока от темпе- раrуры.
hг1з КТ211Б-1 250 2001--~~~~=--+-~~~ 1501--.L._,,,,,._=--J.~+--+--~ 100t.-.<'--~J.-----l---~+-~-----1 Uк·s=1B, 50 '-----" -J 3 =ЧО мА- 1 L___~_Lj_~ 213 273 333 т,к Зо:ш но ;;-,10'!;,.t:~Jrx 1к•ложt'нвй 1а­ внси~\1us: LИ r1атиче\.:кого коэффн­ цнс111а г;с~сд~1чн 101\а от 1ем- псра·1уры. hг1з 150 120 90 60 30 1 КТ211А -1 / / ~"' _ ... ----- --- _/ --- - ---- - --- Uк 6 = 1 1B,lз=tDмA 213 273 333 т,к Зона возможных по.1ожеш1й за­ виснмосп1 статического коэффи­ цне111 а переда чн ·1 ока 01 тс~1- пера турь1. КТ214А-1, КТ214Б-1, КТ214В-1, КТ214Г-1, КТ214Д-1, КТ214Е-1 Трав·шсторы ЭПllT3KCHf1.. lf-,f.- 1 0-п.r1aнspны 1? р-п-р маломоuн1ыс у111шер.са.1ьны~. Предназна'1сны д-lЯ испо:1ь­ зования в ключевых и тшейных гибридных схемах, "1икромоду­ лях. у ~-·rax в 6_1оках рэ.диоэ"11ек i - ронной герме гнчной :шпdр<1- турь1. Бескорпусные, без криста;1- лодсржате.1н, с гибкн~ш выво­ дами, с З<1щнп1ы:ч покрытием. Обозначение тнш1 приво ..·~ится на возвр:л ной таре. Maccli транзистора не 60.1сс 0,0! г. Зле•~ 1ричесю1с параметры КоJффпuиснт 11срr-дачi! тока в режЕ:~.ле ~1ало1 о сигнала: приИэ:;~с5В./3~10мАнеменее: КТ2l4А-1 КТ21'1Б-! КТ214В-! . КТ2l4Г-!. при Ию; = 1 В. J., ~с 40 i\I•;A нс ~,1енее: КТ214Д-l КТ2!4Е-1. 20 30-90 40-120 40-120 80 40 149
Напряжение насыщения ~;о.1.1ектор-н11rгтер при /к= = 10 чА. Ir, = 1 мА КТ214Д-1. КТ214Е-1 нс бо.1ее. Напряжение насыщепия 6аза-эчи1 rep прн Iк = !О мА, IБ = 1 :viA КТ214Д-1. КТ214Е-1 не бо.1сс . Напряжен пс насышеш1я э~шл ер-ко:1.1ек 1ор при /Б = 1 ~1А. 13 =О КТ214Д-J. КТ214Е-1 . В\.0:1.1юс ссч1рогив.1~нriе в режиме ~!а.101 о стна.rа нр11 Lж=5В./з=2~JA,j=800Гн j и1I.:.,·!Зос ·~начснш.: . С,г,=0.5 В. /= 0.6 в 1,2 в От 0.7 ,-10 2.5 мВ От 1.2 .10 10 кОм ~-5 •!: КО\1 f: 'va:o::: 1Ь -~\Hf 1 терНОi О ncrcxoдa При = 50() KllI . 1 нновое значение . . 9.6··- iOO пФ 9,8 '' пФ [с.~кс)СТJ, K·'J.1.·1er;тr'p11oro ш:рс'.ода при l. КБ = 1О В. / '= = 500 ~-:Гц 9.5 - 50 пФ ТИГ.ОНСС '3Il'1 ЧeillIC . ()t)ратный rок Uкэ=30 В. Kl>.1.1cпop-J~111r 1ср при Rьэ = 10 кО\!. Г=358Кнебlые<". J1остоявнос напряжение ко.-t_·1еr..:тс;р-э:-.1н i 1ер при Т = 2337358к: 12*пФ 1 :-.IК.Л КТ214<\-1. КТ2l4Б-1 80В КТ2!4В-! 60В КТ214Г-! 40В КТ214Д-! 30В КТ2!4Е-1 20В Пос rотшос напряж·еш1с ·J\111ттер-ба:Ju пр11 Т = 233 -о- -о- 358 К: KT2l4A-l 30В КТ214Б-!, KT2l4B-1, КТ214Г-l, КТ214Д-1 7В КТ2!4Е-1 20В Постоянный ток кол.1сктора при Т = 233 -о- 358 К Импульсный ток кол;н:ктора при '" <;: 10 мс, Q;;,, ;;,,100,приТ=233-о-358К. Постоянная рассеивuемuя мощное-~ ь коллектора: при Т= 298 К. приТ=358К. Температура перехода не более Тепловое сопротивление персход-кристал;1 Температура окружающей среды . 50 мА 100 :\.!А 50 мВт 20 мВт 398 к 0,1 К/мВт От 233 до358к П р и меч ан и е. Допустимая температура монтажа транзисторов в гибридные схемы не должна превышать 433 К в течение 30 с. 150 r
КТ2МД-1 Кш,дБ 20~~-1-~~т----~-t--i 15 10 5L-~__j_~~'*-~~+--1 OL-':::::;.---L~~_._,,....-~....__. 10·- 2 10- 1 10а 13,МА Зависимость коэффициента шу­ ма от тока ·эмиттера. hz13 100 во Uк6 =58 ЦО~-'--+-I а= 1ОмА 20L--~~__I.-~-'-' 228 273 318 т,к Зависимость статического коэф­ фициента передачи тока от тем­ пературы. кт21цд-1 Кш,дБ 7,51--~~1--~~1--~-.J~ Uкs= 58 5 1----+ -I3 =цо мкА Rг= 10к0м Зависимость козффициента шу­ ма от частоты. hг1э 160 во '10 Зависимость статического коэф­ фициента передачи тока от тока :эмиттера. ГТ402А, ГТ402Б, ГТ402В, ГТ402Г Транзисторы германиевые сплавные р-11-р усилительные низко­ частотные маломощные. Предназначены д.1я применения в выходных каскадах усили- телей низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянпом корпусе с гибкими выво­ дами в двух вариантах. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора: вариант 1 - не более 5 r, вариант 2 - не более 2 r. 151
Вариант2 1"База 1/ 2 Э.1~ктр11чес~>:ис ш1ра,1·етры Статический ко1ффициент передачи тока в схе:,1с с общисv1 эмиттером ври Икь = 1 В. /э = 3 \1А: ГТ402А, ГТ402В . 30- 80 ГТ402Б, ГТ402Г . 60- 150 Коэффициент .'Iинейности К, = (11213 при /э = 3 \!А) '(112 1э при/3=300мЛ). 0.7 -1,4 Граничная частота коэффнuисн ra перс,1ачп тока в схеме собщимэмиттеромнриUкь=1 В, /э=3 мА не менее . l МГн Прямое падение напряжения на эчиттерrrом переходе при отк.1ючснном коллекторе при /э = 2 мА не более. 0,3 В Обратный ток ко.1лектора при Ию;= 10 В нс fioлee . 20 мкА Предельные эксn.1Jуатациоинме данные Постоянное ншrряженне кол.1ектор-·Jмнттер при Rьэ = = 200Ом,Т=328К: ГТ402А, ГГ402Б . ГТ402В, ГТ402Г . Постоянный ток коллектора нри Т = 233 - ' - 328 К . Постоянная рассеиваем:~я ~ющностъ коллектора пr>и Т = =233-'-298К: вар11ант 1 • вариант 2 . Температура перехо;щ Тепловое сопротивление переход-среда 25в 40в 0.5 А 0,6 Вт 0,3 Вт 358 к вариант 1 вариант 2 Темпсрагура окружающей среды 0,1 К/мВг . 0,15 К/мВт Or 233 до328к 152 r1
Пр им сч ан и я: 1. Максимально допустимая ностоянная рас­ сеиваемая мощность ко.1.1ектора, мВт. при Т = 298 -;- 32S К оаре;.(е­ ляется но формуле 2. Допускается 11роизводить соединения выво;.~ов тршписторов с элементами схемы на расстояпни нс ~1енсе 5 мм от корпуса .<юбым способом (пайкой. сваркой и т. н.) при ус.1онии соб.1 10- дения с.1едующих rребований: ·ш время соединения тсчпература в :нобой то•rке корпуса транзистора не до.1ж1щ нрсвышать !\IаК­ си.\1а,1ьно допусти:v1ую те!\111ературу окружающеii сре;1ь1. Темпера·~ ура пайки не ло:1жна превышать 558 К. Нс реко!\-1снлуе·1ся работа транзисторов при рабочих токах. сопз:v1еричых с нсуправ.'1яемы!\Ш обра1 ны\111 гоками во все:-.1 ;та­ пазоне 1е-.щератур. При включении транзисторов в э.1еК1рическую uепь ко.1лсктор­ ный контакт должен присоединяться пос.'Iедни!\1 и отсоединяться первым. 15 ,мА 81----1---+.#--++---+----1 о Вхо;.(ные характерисгики. 1 1 1 1 ГТL/02А-ГТL/О2~ ' 1 1 1 \ Iк =L/ООмА 0,8 .. .... ... 0,2 о 25 50. 75 10015,мА Зависимость сопротивления на­ сыщения от тока базы. h21э 80 L/O о 100 200 JOO L/00 I3,мА Зависи:vюс1 ь статичсскоr о коэф­ фиuиента пере;щчи тока от тока э:vшттера. 60 L/O ~20 ~10 ~6 ....... lf 2 1 С- ' '-ГТ/f02А - -ГТL/02Г / '1' 1 /, / / / 7 273 293 313 J33 353 т,к Зависимосгь обратного тока коллектора от lе:-.~пературы. ]53
1Т403А, 1Т403Б, 1Т403В, 1Т403Г, 1Т403Д, 1Т403Е, 1Т403Ж, 1Т403И, ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403В, ГТ403Г, ГТ403Д, ГТ403Е, ГТ403Ж, ГТ403И, ГТ403Ю Трапзисrоры германиевые Сn.'Jавные р-п-р уси.1ите:1ьные низко- частотные мало:vющные. П рс;щазна <1ен ы д.1я раб о r ы в cxe:vrax перек.1юче11ия. выходных каскадах усилите.1сй низкой ч<~стоты, прсобразовате.rях и с габили­ заторах посгоянного гока. Выпускаются в :v1стал.1ос·1еклянном корпусе с гибкими вывод<~ми. Обозначение типа 11риводится на корпусе. Macc<i транзистора не более 4 г. Jмиттер Коллектор ба,за, Ч,9 3 Э:1ектрические параметры Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при lк = =0.5А,/6=0,05Анебо.<ее.. . . . . . Напряжение насыщения бюа-эмиттер при lк = 0,5 А, /Б=0,05 А не более . • . _ . . . . . . . . Коэффициент персТ(ачи тока в режиме малого сигнала приИк6=5В,fэ=О,!А,f=50-:-300Гн: !Т403А, 1Т403В, 1Т40ЗЖ, ГТ403А, ГТ403В, ГТ403Ж .......•.... !Т403Б, !Т403Г, !Т403Д, ГТ403Б, ГТ403Г, ГТ403Д ........... . ГТ403Ю .......•.... Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Ик6 = 1 В, /э = 0,45 А !Т403Е, ГТ403Е, 1Т403И, ГТ403И не менее . • • . . . . Изменение коэффициента передачи тока в режиме ма­ лого сипшла !Т403А, !Т403Б, IT403B, !Т403Г, !Т403Д, IТ403ЖприИк6=5В, /э=0,1 А,f=50-:-300 Гц не более: 154 нриТ=343К при Т=213 К 0,5 в 0,8 в 20-60 50-150 30-60 30 ±30% -50/~ 11
г Изменение статического ко·нрфш~иента передачи rока в схеме с общим эмиттером 1Т403Е. 1Т403И при ИкБ=1В.I,=0,45Анебо"1ее: приТ=343К...... при T=2l3 К .... Граничнах частота КО)ффицпент:.~ пcpC'дat[II тока в схс;.. 1е с общиv1 Jчиттсром прп L·КБ =5 В. !-) =0.l А не ченее...... · · · · · · . . . . . . П.1авающес напряжение ·J~1нгтер-база при Ию;= 45 в 1Т403А. 1Т403Б; при Uкь = 60 В 1Т4СIЗВ. !Т403Г. lТ40.Щ. IТ403Е; врп Uкь = 80 В 1Т403Ж IТ403И при Т=343 К нс Go.:1ce • О6рап1ый ток ко.1.1сктора нри UкБ = Uкг,.\lакс нс бо;;ее: ll[Hf Т=298К: 1Т403А. 1Т403Б. IТ403В. 1Т403Г. 1Т40ЗД. l Т403Е. ГТ403А. ГТ403Б. ГТ40ЗВ. П403Г. ГТ403Д, ГТ403Е, ГТ403Ю .... · · · ... 1Т403Ж. !Т403И. ГТ4UJЖ. ГТ40ЗИ . . . . . .. приТ=343К............... Обратный 1ок э~шт1сра прп UБэ = 20 В !Т40ЗА. lТ403Б. 1Т403В, JТ403Г. !Т403Е. ГТ403А. ГТ403Б. ГТ40ЗВ. ГТ403Г. ГТ403Е. ГТ40Зf0. Иг,, = 30 В 1Т40ЗД. ГТ403Д не более: ври Т=2У8 К: !Т403Л. !Т403Б. !Т403В. IТ403Г. 1Т403Д. !Т-;,:JЕ, П40ЗА. ГТ403Б. ГТ403В. ГТ403Г. ГТ403Д. ГТ403I::. ГТ403Ю....... . 1Т403Ж. !Т403И. 1Т403Ж. ГТ403И ..... . прнТ=343К.............. Обратный ток кол.1сктор-Jмиттер при Ик::J = Икэ ""кс: 1Т403А. !Т403Б, !Т403В. 1Т403Г, !Т403Д, IТ403Е. ГТ403А. ГТ403Б. ГТ403В. ГТ403Г. ГТ403Д, ГТ403Е, ГТ403Ю ...... . 1Т403Ж, IТ403И. ГТ403Ж. ГТ403И . . Предспы1ые экс1иуата11ишшыс данные Постоянное напряжение ко~~лектор-эмигтер при Т = 213 .; - .;-343 К(при Т=218 К ГТ403): !Т403А, !Т403Б. ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403Ю . . . . 1Т403В, !Т403Е, ГТ403В, ГТ403Е, 1Т403Г, 1Т403Д, ГТ403Г,ГТ403Д........ . . . . IТ403Ж, !Т403И, ГТ403Ж, ГТ403И. . . . . Постоянное напряжение коллектор-база при Т = 213 .; - .;-343 К (при Т= 218 К ГТ403): 1Т403А, !Т403Б, ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403Ю .... 1Т403В, !Т403Е, !Т403Г, IТ403Д, ГТ403В, ГТ403Е, ГТ403Г, ГТ403Д . . . . . . . 1Т403Ж, !Т403И, ГТ403Ж. ГТ403И . . . . . . . ±30~~ + 50 о.о; -40(\, 8 кГц 0.3 в Sl) ~viкA 70 мкл ~0() \!КА 5() v1к,\ /()мкА 80() :v1кА 5 'vtA бмА 30в 45в 60в 45в 60в 80в 155
Посrояннос напряжение 'J!'v!иттер-база при Т = 213 -с- -с-343К(приТ=218КГТ403) . 20В 1Т403Д, ГТ403Д 30В Постоянный ток коллектора при Т = 213 -с- 343 К (при ос 218 К ГТ403) . Пос1оянный ток ба·щ при Т=213-с-343 К (нри Т= = 218 ГТ403\ . Постоянная рассеиваемая х1ощносп, ко;1лектора: 1,25 А 0.4 А с теолоотво;:юм . без теп.1оотвода . Тепловое сопро·111в,1епнс нерсход-корпус . (358 - T1J/Rт ""' Br \3511 - Т\: Rт п-с· Пт l 5 К/13т !Т403В, !Т403Е. ГТ403В. ГТ403Е . Теп.товое сопропшление 11ерсхо;1-среда Ге-..шсра 1ура перехода . Те\шература окружаюшсй средь~: !Т403 . ГТ403. 12 К/Вт 100 K/Br 358 к От 2!3 до343к От 21S до343к Пр и ч сч ан и е. Р;нрешается про1пво;:нпь 1п1 иб и пай1\у выво.~ов 11а расстоянии не менее 3 ~;м ог корнуса транзистора с тс.'Аnе­ ратурuй жа:rа паяльника нс более 533 К в течсн11е 3 с и груп­ повым н.1и мехэннзированны~1 спосоiiом пр1 те~шературе припоя не бо.rсе 533 К в те•1ение 5 с. hг1э ЦОt--~~~>----.~---.~-< 201---='-~~~~-+~~ 1ТЦОJЕ, 1ТIЮ3И, 10 1 ГТЦО3Е,ГТЦО3И .____. . __I.. . _ _!!..___.____. о 0,2 о)ц 0)6 0,8 Iк,А Зона возможных по.сюженнй за­ вис11мости СТil'Пf'!есксч о :кос)ф­ фиuнепта ~ока 01 тока кол.'Iек- тора. 156 hгп 1ТЦО3Б, 280 1Т403Г, 1Т!f03Д, 2ЦО ГТLfОJБ, ГТL/03Г, о
~. 15,мА uк3 =58 цо 30 1Тlf03A, 1ТЦО38, j го 1Тlf03Ж, ГТLfOJA, 10 ГТLf03В; ГТ!./03Ж о 0,2 O,if o,s 0,8 U63 ,8 Вхолные характеристики. l Iэ,А Uк5=О о,в 0,6 1Тlf03A, 1TlfOJB, O,Lf 1Tl./D3Ж, ГТ!./03А, 0,2 ГТ!./038, ГТ403Ж 1 о 0,2 О/+ 0,6 D,8U63,B Завпси:vюс 1ь тока J:-.шттера ст напряжения база-э\.111'1 1ср. 15,мА цо 30 20 10 о 0,2 0 ,4 0,6 O,BUsэ,B Входные характеристнкн. 13,А 0,8 Г----i--++--+-+-+---1 1Т!./03Б, 0,4 1----+-f--hf -- 1Т цо 3Г, 171./ОJД, t---A--F - -t -- ГТ 1./03Б, ГТ!./ОJГ,ГТ1.103Д 1 1 1 _J 0,2 0,1./ 0,6 0,8 U6 э,В Заш1С11\юсть 1 ока э:vнптсра от напряжсн1~я база-Э'v1иттср. ГТ405А, ГТ405Б, ГТ4058, ГТ 405Г Травзпсторы rср:v1аш1сс:ы~ cru1ai;ныe р-п-р уснлн 1е.1ы1ыс низко часто п1ые мапо!vющн ые. Предназначены :1сrя рабо·1 ы в схемах выходных каскадов усилителей ни-зкой часто·~ ы. Выпускаются в п.1астмассо­ вом корпусе с гибкими выво­ дами. Обозначение типа приво­ дится на корпусе. Масса транзистора не_ бо­ лее1r. 7,5 4,S 0,7 ~ 1,fi 157
Электр11чес1ше параметры Статпчсский коэффиuиенг передачи тока в схеме с оi)щи:1,1 ·Jмиттеро~1 при И ICJ = 1 В, /.э = 3 мА: при Т= 298 К: ГТ405А, ГТ405В ГТ405Б, ГТ405Г при Т=328 К: ГТ405А. ГТ405В ГТ405Б, ГТ405Г при Т= 233 К: ГТ405А. ГТ405В ГТ405Б, ГТ405Г Преде.1ьная частота коэффициента передачи тока при Икэ=1В. /э=3мА не менее Прямое падение напряжения эмиттер-база при / 6 = = 2 мА и отклю<rенном коллекторе не более . Обратный ток коллектора при ИкБ = 1О В не более. Преде.1ьные Jксп.~уатацнонные данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при R6э ,;:;; ,;:;; 200 Ом, Т= 233 7 328 К: ГТ405А. ГТ405Б ГТ405В, ГТ405Г . }.О-80 60-150 30-160 60- 300 15-80 30-150 1 МГн 0,35 в 25 мкА 25в 40в Постоянный ток коллектора при Т = 233 7 328 К 0,5 А Постоянная рассеиваемая '>!ощность коллектора при Т = =2337298К. 0,6 Вт Температура перехо/\а . 358 К Тепловое сопротивление переход-срс,1а О, 1 К/мВт Температура окружающей среды . От 233 до328к П р нм е чан и я: 1. Максимально допустимая постоянная рас­ сеиваемая мощность ко.1лектора, мВт, при Т = 298 7 328 К опре­ деляется по формуле Rкмакс = (358 - 1)/0, 1. 2. Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 10 мм и изгиб выводов на расстоянии не менее 3 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления не менее 1,5 мм. Обрезка выводов запрещается. 158
ГТЦОSА- ГТ цо5 r, ~--+---1 2 о 1---1 -- - - -+'~-+----т-t-----1 5 D 0,1 D,2 0,3 I5 ,мА 1,0t---1-----1~-+~-+-~ D 3dни~н \toc гь тока ·э:\1пттера от IIZiilpяжeHIIЯ fia·з;i-J:\1iIT1Cp. Вхо"щ ые :-;i.!рактсристнки. -, 2 о D,1 0,2 Вхо)щые харак 1еристнк11. ~..., "" ~'i 0,8 " ; 0,6 "' ::} ~ о,ц "'tl :i: ~ 0,2 "' ~о ......... rтJosAl 1 "\ гтчоsг->---- \. \ ' 293 313 333 353 373 т,к Зависимость относительного максимально допустимого на­ пряжения коллектор-эмиттер от температуры. hz1з 1 160 12 о f--t'"""l-~~""--1 80 о 100 200 JDO JfOOiк,мA Завпси:v1ости ста1 нческого ко1ф­ фицпен1i.l нерсдачи тока от тока ко.-1л~ктора. 10 8 Г!Jf05А­ ГТЦО5Г ~ 6 t------it-----+-1- - - -+-- - -+- - - -I ~ ~ ц 1-----!t---++- -+ -- -+- -- -I ...... "" 21-----1+--+- -+- - -+- - --I о..,..--'~-'---'---'---' 253 273 293 313 333 т,к Зависи:-.1ость обратного тока коллектора от температуры. IS9
г-........... ! 1 1 111 1 ' ГТ405А- ГТ'IОSГ т=1Jiв 1 k l'-r- --... ......... t'-.. .... ! '- ......... ~ 46 21./6 2 1./6 2 102 703 10" Заrшснмость относительного .\1акспл·I!.1льно лонус1 имого напряжения кол,1ектор-эмиттер 0·1 сопротив.1ен11я база-э!>.шттер. П406, П407 Транзисторы 1ермаrшевые сплавные р-11-р уннвсрса;~ьные ма,10- мощные. Предназначены для прнме1оения в усн.1иге;1ьных н генераторных каскадах высокой час1оты, а также в триггерных, к,1ючевых и дру­ гих импульсных каскалах радиоэ.1сктронных устройств. Выпускаюп:я в металлос 1ек.1янно"1 корпусе с гибкими вывалами. Обозначение типа приводrпся на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 2 1. 4-0 8 0,8 ф4,2 Эмиттер ~ Кшиектор t-... "" .,,,~ база '& Э.1ектрические параметры Предс.1ышя час гота коэффициен 1а передачи тока приUкь=6В,/э=1мАкеменее: П406 П407 Коэффицнент переда '!И тока в рсжи:v1е малого сиr нала при Ию;=б В. fэ=l мА,/=1 кГц: приТ=293Кнеменее. вриТ=343К От 20 до не более 2 значений приТ=293К при Т=213 К От 10 до не более 1/; зпачений приТ=293К 160 10 МГц 20 МГц 20
Сопротивление базы при UкБ = б В, lэ = 1 ':>.!А,/= 1 МГц нс более . Выходная по.тная проводпхюстп в режи~1с ча.того спгна!rа прп хо.1осточ ходе при Икг, = б В, 'э = 1 мА, f= 1 кГ11 не более: при Т=293 К приТ=213К. Обратный ток коллектора при UкБ = б В не бо.1сс: при Т=293 К пrи Т=343 К Обратный ток '1х1иттеrа прп l/.эь = 6 В нс бо­ _1ее . Е:wкость ко.1.1екторного перехода при Uкr; = б В, J= 1 МГп не более Предельные эксnлуатацион11ые данные Напряжение коллектор-эмиттер, кол.-1ектоr-база Обратное на.нряжсние эм1п ~·ер-база Ток ко.1лсктора . Ток '"ш' 1сра . Постоянная rасссиваемая мощность при т=213-0-343к 150 Ом 2 чкСм 5 мкСм 6 мкА 50 мкА 10 мкА 20 пФ бв бв 5мА 5мА 30 мВт Температура окружающей среды . . От213до343К КТ501А, КТ501Б, KTSDHJ, КТ501Е, KTSOOK, КТ5З1И, КТ501М КТ501Г, КТ501Д, КТ501К, КТ501Л, Транзисторы кремв11свыс ·тил1кснально-пла11арные р-11-р усили- те:1ьныс нJп::~уr:н.: готньrе :-..1а.10:\1оi11ныс. Прсдп~1::~~:;1 i~:l-IЫ д~~я прн:"/iсrrсния в усн~~н 1е~·rях низкой trастоты с нор,лиро~аЕНЫ)Л коэФ·=Jч!!IИен ro:\1 u1ума, 011ерuнионн1r.1х и дифферен­ циальных усн.-ште!!ЯХ, прсо3}~а-~шы 1eJ1~x. ~"шульсных схемах. Выпускаю 1 ся в х1ета.1.1остскля~;>101ч корпус~ с гибкими выво­ дами. Обозначение пша прrшоднтся rш кор11усе. Масса транзистора пе 60.1се 0,6 r. 1J, 5' 5',J 6 По.1упрово,:шнковые приборы 161
Э.1ек1рические параме1·ры Коэффrщисн r шума 11ри UKF. = 3 В. = З кОм, .f=1кГцнебо.1ее. типовое значение . Напряже1111е насыщения ко.т1ектор-·J:vшттер не 60:1ее: прнlк=0.3 А. Ir;=0,06 А . прпfк"=0.5 А, lr;=0.1 А . Напршкснне насыщения б:~за-т\шттер пр!! /к = 0.3 А. fь=0,06 А не бо:J,ее . Статr~ческиii коJффициент передачи i ока в схе.1е с общи:-.1 эмиттером: приUкэ=1В,lк=30:-лА: 4дБ 2* дБ 0.4 в 0.7 в l.5 в КТ501 А. КТ50!Г, КТSО!Ж, КТ501Л КТ501Б, КТ501Д. КТ501И, КТ501М . КТ501В, КТ501Е, КТ501К . приИк3=1В.Iк"=0,5Анеменее. .20 - 60 40-120 80-240 6 Граничная часто·~ а коэффиниента нереда чи тока в схеме с общи:v1 эмиттером при Uк,=5 В. fк=!О мА нс менее . ЕсУiкость коллекторного перехода при f=500 кГа не более . Емкость эми~терного перехода при U 5 э = 0.5 нс бо:~ее . Ик5=10 В, В,.f=500кГн Обратный ток ко;щектора при ИкэR = Uк>R "акс· R 5э = 10 кОм 5 МГц 50 11Ф 100 пФ не более '\1кА Обра rный ток эмиттера 11ри L'Бэ = U5э ""'с не бо- лее . мкА Предельные эксплуатаuионные дан11ые Постоянн"1е напряжения кол:~ектора -база и ко.1лектор- э:о.111ттср прн R5э ~ 1О кОм, Т = 298 -о- 398 К: КТ501А, КТ501Б, КТ501В . 15В КТ501Г, КТ50iД, КТ50!Е. 30В КТ501Ж, КТ501И. КТ501К 45В КТ50!Л, КТ501М . . 60В Постоянное напрr.жсние база-эмнттер прн Т = 213 -о- 398 К (при Т = 298 ~ 398 К КТ501Ж. КТ50iИ, КТ50\К. КТ501Л, КТ501М): КТ501А, КТ501Б, KTSO!B. КТ50!Г. KT50iE . КТ50!Д. КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, KTSOIM Постоянный ток коJJлектора при Т = 213 -о- 398 К Импульсный ток кол:1е1(тоμа при Т = 213 -о- 398 К . Постоянный ток базы 11рн Т = 213 -о- 398 К . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора т=2137308к...... при 10в 20в 0.3 А U.5 А O.J А 0,35 Вт 423 к Температура перехода . Температура окружающей среды .От 213 до 398 к 162
1 Пр им е чан и е. При вк.-1ючении тр;шзнстора в це11ь, вахо­ дящуюся под напряжением, базовый конн1кт присоединяется первым и отклr.:Jчается 11оследНИ;"1Л. Расстояние 0·1 -.1еста изгиба до корпуса транзистора не менее 3 м:-.1 с ра;1иусо:-1 ·н1кругления l ,5- 2 мм. Пайка выnо;юв допус­ кается 11а расстоян11и не менее 5 мм от кор11уса транзистора. 0,6 0,5 0/1 D,1 1 КТ501 '\. '\ ''\ \,. "' о 2·73 253 293 333 373Т,К Завн.:.:;т~v,~ОСТL :\t(.H\Cii~·taЛЫ-fO до­ пустп~юй 11остоян11ой рассеивае­ мой мошносп1 кол~rектора от темпера туры. Зависимости :-~акснча.1ыrо до­ пустимых напряженнй коллек­ тор-эмиттер и кол;iектор-Gаза от те~;пера·rуры. 22,5 --i, 1 2Dr---+ -- -+ ---J -- -,j....--i 15 12,5 КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, --- КТ501Л, KT501iv1 - --+ 1 1о L---L_ _j ___ _l_ _L___J .Зависимость максимально до­ пустимо: о напряжения база­ эм\птер от температуры. 213 233 253 273 293 т,к КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е Транзисторы крс~11шевые эпита[(сиа.-~ыю-планарные 1н1-р уr<ивср­ сальные низкочас1отнгjrе мало~1ur_цные. Предназ1шчены для работы в ус11лите~1ях низкой частоты, опера­ ционных и диффсренцнальных уси.11пелях, 11реобразова1слях, импульс- ных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкимп вьню;щми. Обозна<rепие типа приводится на этикетке. Масса транзистора не более 0,3 г. 6* 163
Граничное напряжение пrи /э = 10 мА, '" <;; 30 :ч;;с, Q > IUO нс менее: КТ502А, КТ502Б КТ502В, КТ502Г КТ502Д КТ502Е Напряжение насыщения ко.-rлсктор-эмпттер при Iк = 1О мА, lь=1мАнебо.-rсс. типовое значение . Нанряженис насыщения /6=1мАнеболее. типовое 1наченне . база-эми1 1ер при Iк = 10 мА. Статический коэффиниепт псре1щ'IИ тока в схеме с эмиперо:-1 !!ри Икэ = 5 В, 11 = 10 мА: общпм 25в 40в 60в 80в 0,6 в 0.15* в 1.2 в 0,8* в КТ502А, КТ502В, КТ502Д. КТ502Е . КТ502Б. КТ502Г . . 40- 120 . 80-240 Граничная частота к0Jффшшен1·а передачи тока в схе:.1е собщимэмиттеромIJPHИк,=5В.Iэ=3мА,f= 1f-ЛГц не менее . 5 МГп Емкость коллектоrного перехода при ИкБ = 5 В. / = 465 кГц пе более . 20 пФ Обратный ток кш1.1сктора при ИКБ = UКБ.макс нс бо- лее . 1 мкА Предельные эксп.1уата1111онные данные Постоянное напряжение кол.оек 1·ор-6аза пр11 Т = = 2337358к: КТ502А, КТ502Б 40В КТ502В, КТ502Г 60В КТ502Д 80В КТ502Е 90В Постоянное напряжепне база-·Jмнттер при Т = =233-7-358к. Постоянный ток коллектора при Т = 233 -с- 358 В Импульсный ток ко.1лектора при т" ,;;, 10 мс. Q;;.100,т=233735~к. Постоянны!'~ ток базн при Т = 233 7 35~ В Постоянная rассеивасмая мощность ко.оле1:тора при т=233-7-298к 164 5в 0,15 А 0,35 л 0,1 А 0,35 Вт
г; Температура 398 к Температура перехода . окружающей среды •От233до358К 0,5 о,ц .... ~O,J <.> "' ~ 0,2 CJ...>C 0,1 о l11 КТ502А-КТ502Е \ 1\ \ r\ 233 273 313 353 393Т,К ЗависиУ!ость максима.-rьно до­ пустимой настоянной рассеивае­ мой мощности ко.-rлектора от 0,5 О/+ температуры. ~11---:Ь"""i=-t++-t~-t-IН 0 1 L ---'-2-11.L.-6L-JB,...1-=-o-=2-:::-o-11~0;-;1;-к,-мA Зависимость напряжения насы­ щения коллектор-эмиттер от тока ко.-rлектора. Примечание.Пайкувы­ водов разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть зазем- лено. Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с ра­ диусом закругления 1,5-2 мм, при этом должны приниматься меры, исключающие передачу усилий на корпус. Изгиб в плос­ кости выводов не допускается. 1,1 ~ 0,91----+-- -1- -<-+,.---+-->- -· ,_, .... . <.> ~ ~ О,81---+~1--1--+-1--+--1--1-Н ~ 0,71---+-l--l--+-l--+--l--Н- 0,6.__.__.__......_..___._--''--....... 1 2 ц 6810 20 LJOiк,мA Зависимость напряжения насы­ щения база-э:1-1иттер от тока кол­ лектора. hz1з 120 11 КТ502Б, КТ502~~ )- - 111 1 КТ502А- 100 во 60 1./ -0 20 о Uкз=5В / // - l/ v v v r\ КТ502Е- ·- 1 11 1\ l/ ~ r-. r'\ !'... Н'!' 1'\ ~ Г\.. 1 ..,... КТ502А,КТ502В, 1"'-' ~ rr502Д ,КТ502Е 11 0,01 0,01./ - 0 ,1 0,20,1./-0,б1 2 1./- б 10 20 1./-0БО100 200 600 I3 ,мА Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмит­ тера. 165
Разд е .1 четвертый ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОМОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЬIЕ п-р-п 2Т301Г, 2Т301Д, 2Т301Е, 2Т301Ж, КТ301Г, КТ301Д, КТ301Е, КТ301Ж Транзисторы кремниевые планарные 11-р-п универса.1ьныс вы­ сокочастотные ма:1омощные. Предназначены для при!\:lенения в уси.11пе.1ьных и генераторных схемах радиоэлектронной ап11аратуры. Выпускаются в мегаллостеклянном корпусе с гибкими выво­ дами. Обо1начсние типа приво,1и-~ся на корнусе. Масса транзис1ора не бо~-rее 0,5 г. 25 J Кошrектор ...., " ~ ""~ '$. -э. Электрические параметры Максималывя частота 1 енеранrш при Ик 6 = 1О В, 13 = 3 "1А неменее........... . . 60МГц Модуль коэффициента передачи тока при Ик·J = 10 В. Iэ=3мА,/=20МГ11неменее.. . . . . . 1,5 Постоянная временп цепи о бра гной связи при UкБ = 1О В, Iэ = 2 мА._/= 2 МГц не более: 2Т301Г, 2Т301Д, КТЗОlГ, КТЗОIД 2Т301i2, 2Т301Ж, КТЗОIЕ, КТ301Ж. Время рассасывания при Iк = 10 мА, / 6 = l '-IA более: 2ТЗО!Г, 2Т301Д, КТ301 Г, КТЗОlД 2Т301Е, 2ТЗО!Ж. КТЗО!Е, КТ301Ж . . [[е 4.5 нс 2.0 НС 5 мкс 8 'ЛКС Коэффициент nерслачи тока в схо1~ с общнм э\1и-~ тероч приИкБ=1ОВ,/э=3мА: 166 2ТЗО!Г. КТ301Г 2Т301Д, КТ301Д . 2ТЗОIЕ, КТ301Е . 2Т301Ж, КТЗО!Ж. !О- 32 . 20- 60 . 40- 120 . 80-300
Граничное напряжение при lэ = 10 мА, ти = 5 мкс менее: 2Т301 Г, 2Т30 IД . 2Т301Е, ПЗОIЖ . не 30в 20в Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, /Б=1 мА не более . 3В Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 1О мА, /Б=1мАнеболее. . 2,5 В Емкость ко.1лекторного перехода при ИкБ = 1О В, I = 2 МГц не более . 10 пФ Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = 0.5 В, f = 2 МГп не более . 80 пФ Обратный ток коллектора: при Т= 298 К, UкБ = ИкБ\1акс пе более: 2Т301Г. 2Т301Д, 2ТЗОIЕ, 2Т301Ж . КТ301 Г, КТ3901Д, КТЗОI Е, КТЗОIЖ. приТ=398К,ИкБ=10 В небо.<ее: 2ТЗОIГ. 2Т301д, 2Т301Е, 2Т301Ж Обратный ток эмиттера при ИэБ = 3 В нс лее: 2Т301 Г. 2Т30 IД. 2ТЗО 1Е, 2Т30 IЖ . КТЗОI Г. КТ301Д, КТЗОI Е, КТЗОIЖ . . . 5 мкА 10 мкА . 50 мкА бо- Выходная проводимость нри ИкБ = 1О В, Iэ = 3 мА, f = 1 не более . . . 50 мкА . . 10 мкА кГц . .3 .0 мкСм Предельные эксп.1уатациониые данные Постоянное напряжение коллелор-база и коллек- тор-эмиттер: 2Т301Г, 2Т301Д. КТЗОIГ, КТ301Д, КТЗОIЕ, КТ301Ж . 2Т301Е, 2Т301Ж .. Напряжение эУ1иттер-ба1а Постоянный ток кол.,ектора Импульсный ·1 ок кшrлектора при ти ,,,;; мкс. Q~2. Постоянная рассеиваемая мощность: при Т,,,;; 333 К . при Т= 398 К 2ТЗОIГ. 2Т301Д, 2Т301Е, 2ТЗОIЖ .. при Т= 358 К КТЗОIГ. КТЗОIД, КТ30!Е. КТЗОIЖ .. Температура перехода: 2ТЗОIГ, 2Т301Д, 2Т301Е, 2ТЗОIЖ. КТЗОIГ, КТЗОIД, КТ30!Е, КТЗО!Ж Общее тепловое сопротивление . 30в 20в 3в 10 мА 20 мА 150 мВт 42 мВт 58 мВт 423 к 393 к 0,6 К/мВт Температура окружающей среды: 2Т301Г, 2ТЗОIД, 2Т301Е, 2Т301Ж КТ301Г, КТЗОIД, КТ301Е, КТ301Ж. . От213до398К . От233до358К Пр им е чан и е. При монтаже допускается пайка выводов на расстоянии нс менее 5 мм от корпуса. Пайку следует производить 167
паяльником за время более 1О с. Температура пайкн не должна превышать 533 К. Необходимо осушсств.:~ять теп~1оотво.·1 между корпусом и местом пайки. Изгиб выводов допускае гся на р::сстоянш1 не \Iенее 5 мм от корпуса транзистора, при этом должны быть приняты ~н:ры предо­ сторожности, обеспечивающие не1юдвижность выводов мсж;1у \1естом из1·иба и стеклянным изолятором, чтобы не произошло нарушения спая вывала со стеклянным изолятором, ведущего к потере герме­ тичности транзистора. I5,мА 0,б 0,5 O,' .f. 0,3 О,2 0,1 о 2TJ01, KTJ01 o,,:r 0,5 0,7 0,9 U351 B Входные характерис1 нки. hzu 180 UюF10f 2Т301Ж, КТ301Ж 1чо1---+-__.~=----+---1~~---1 100 60 201--c -+c:=-+..--+- -..<="'--i -- -i о2ч Зависимость статического ко·;ф­ фициснта передачи тока от то!Са эмиттера. 13,мА 12 10 8 б ч 2 о 0,3 0,5 0,7 Зависимость тока JС11иттера от напряжения J;-.шттер-база. h2JЭ 18 о !----+-=~.,.._+= ~-1----1 11/0f----J .c=...-! " '=:...+- --" f-- -+--- -1 100 60 20 k;:~~~~~Z::::j О-__.,-~-~~-_._~ 2510152025Uк31В 3~ШИСН.\10СТЬ СТап1чеСКОГО Коэф­ фициента передачи тока от напряжения коллектор-э1>.нrттер. 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В, КТ312А, КТ312Б, КТ312В Транзисторы кремниевые эпитаксиалыю-планарные 11-р-11 универ­ сальные высокочастотные ма;юмощные. 168
Предназначены для применения в переключательных. усилите,-rь­ ных и генераторных схемах радиоэJ1ектронной аппаратуры. Выпускаются в мета.,-~лостсклянном корпусе с гибкиУ1н выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 1 г. Коллектор Эмиттер JO ц Электрические параметры Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Икэ = 10 В, Iэ = 5 мА не менее: 2Т312А, КТ312А . . 80 МГц .120 МГц В, 2Т312Б, 2Т312В. КТ312Б, KT3l2B . Моду.-rь коэффициента передачи тока при Uкэ = l О Iэ = 5 мА,/= 20 МГц нс менее: 2Т312А, КТ312А .. 2Т312Б, 2Т312В, КТ312Б, KT3L2B . Постоянная вrемени цепи обратной связи при Икэ = 10 В, Iэ=5мА,f=2МГцнеболее. Время рассасывания при lк = 10 мА, /Б = 2 мА не более: 2Т312А, КТЗL2А . 2ТЗ l 2Б, 2ТЗ 12В, КТЗ 12Б, КТЗ l 2В. схеме с общим эмиттером 4 6 500 пс 100 НС 130 НС Коэффициент передачи тока в п~=2 В, lэ=20 мА: 2Т312А...... КТ312А . 12- 100 .10- 100
Напряжение насышення база-эмиттер 11ри /к = 20 мА, 16=2мЛнеболее.. 1,1 В Емкость ко,шекторного перехода при ИкБ = 10 В, I = 2 МГц не более . 5пФ Емкость э:чи 1терно1 о перехода при UэБ = 1 В, f = 2 МГц не бОJ1ее . 20 пФ Обратны(r ток код~1ек ropa не более: при Т= 298 К: 2Т312А, 2ТЗ12Б, 2Т312В 11ри Ию;= 30 В 1 мкА КТ312А. КТ312В при ИкБ = 20 В и КТ312Б при ИкБ~35В . . . . 10 мкА при Т= 398 К 2ТЗ 12А, 2Т312Б, 2Т312В при Uк5 = = 30В. 10 мкА Обратный ток эмиттера при Иэ5 = 4 В не бо- лес.. Предельные эксплу:п:щ1ю11ные ланные Постояв ное напряжсн11е коллектор-ба·за: 2Т312А, 2Т3!2Б, 2Т312В КТ312А, КТ312В .. КТ312Б . Постоянное напряжение коллектор-·1м1птер прн RэБ,;:; 100 Ov1: 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В КТ312А, КТ312В .. КТ312Б ..... Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток коллектора . Импульсный ток кол.1ектора при т11 ~ 1 мкс, Q~10 Постоянная рассеиваемая мощность: при Т ~ 298 К КТ312А, КТ312Б. КТ312В; Т = 333 К 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В .. 11ри Т= 358 К КТ312Л, КТ312Б, КТ312В. при Т= 398 К 2Т312А, 2Т312Б. 2Т312В .. И мпу~1ьсная рассеиваеv1ая vюшность при т" ~ 1 Q~1О. Т~333К Температура перехода: КТ312А, КТ312Б, КТ312В 2Т312А, 2ТЗJ2Б. 2Т312В Обшее тенловое сопроrивление Тем11ература окружающей среды: при мкс~ 10 мкА 30в 20в 35в 30в 20в 35в 4в 30 мА 60 мА 225 мВт 75 мВт 60 мВт 450 мВт 388 к 423 к 0,4 К/v1Вт КТ312А, КТ312Б. КТ312В . 2Т312Л, 2Т312Б, 2Т312В .. . Or233до358К . От213до398К Пр им е чан и с. Изгиб выводов разрешае rся на расстоянии не менее 3 мм от корнуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм. Разрешается производить пайку выводов на расстоянии не менее 5 мм от корпуса путем погружения нс более чем па 5 с в расплавленный припой с темпера1)'рой не более 523 К. 170
16 ,мА 1,0 • о,в О,б о,ч- 0,2 2Т312, KTJ12 1 Uк=О- l Uк=SB .1 / "/~/ О 0,2 О,Ч- О,б 0,8 1,0 UзБ, В Вхо;:щые характеристики. 100~--1---+­ во 601---+-" - Ч-O L--....L---1~_!_-1----=-1-::--::~ 293313 333353373 393т,к Зависимость статического коэф­ фициента передачи тока от гемпературы. Jl---1-------1~~...d~-+----i 2 в 12 1б 20UкБ,В Зависимость емкости коллек­ торного перехода от шшряже­ . ния коллектор-база. hш 2Т312В, KTJ12B 100t---t -'r-t- -' -t:=-.....-+ - ....... . 80г--У~-+---!--+--+--i 60~--i--+~~l==::t::=~~ ч-o~+.,..,,~=t::::!:::j~ 20t-<~--+--,__--'~----1----I о Зависимость статического коэф­ фициента передачи тока от то­ ка кол:тсктор<:!. '·"г1эl 2TJ12, KTJ·f2 9t------l--+-__e_---1---1--! в Г-----t--+---+---+-_,...__-1 71---+--1--l----+--.!---l-I.--! б!-'----+---f = 2ОМГи,____,____.____. 5г----+---+----+--.!---I--! ц. ,___,__ _,__;_ _L__J...__..! О3б91215Iэ,мА ·Зависимость модуля коэффи­ циента передзчи тока от тока ·)1\Нrттерн. - ;::::- ... 1,Ч­ с::;:, '!,., 1,2 "' ~ ' ;:! 1,0 "'~ ~о,в ::} ~0,б "'о : о,ч- r-- Jо2}1; 1 2Т312 r- .. ' i'\. '......._ ._ _ _ , 2 .~ 10 10i' Зависимое·! ь относи гельного максима.'IЫЮ допустимого на­ пряжения ко.'Jлектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 171
КТ314А-2 Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный 11-р-11 универ­ сальный высокочастотный маломощный. Преднюначен д.1я работы в усилительных и персклю'~аю­ щих схемах герметизированной аппаратуры. Бескорпусный, с гибкими выводами и защитным покры­ тие:\!, на кристаллодержателе. Транзистор помещается в тару­ спутник. Обозначение типа при­ водится на основании тары­ спутника. У базового вывода ставится точка. Масса транзистора нс бо­ лее 0,1 г. Электрические параметры Граничное напряжение при I': "J = 5 мА не менее Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при fк = = 30мА,/Б=6мАпеболее. Статический коэффициент нередачи тока в схеме с общим эмиттером при Икэ = 5 В, Iэ = 0,25 мА: приТ=298К приТ=398К . при Т=213К . 45в 0,3 в 30- 120 30- 300 15-120 Модуль коэффициента передачи тока при Икэ = 10 В, Iк=10мА,f=100МГпнеменее. 3 Постоянная времени цепи обратной связи ври ИкБ = 5 В, Iк=10 мА,f=30МГц не более . 80 нс Емкость эмиттерного перехода при Иьэ = О В, f = =10МГц. типовое значение . Емкость коллекторного перехода при Икь = 5 В, f = = 1О МГц не более Времявключенияприlк= 1ОмА, Ir;= 1мА . типовое значение . Время рассасывания при lк = 30 мА, fь = 3 мА не более 8*-20*пФ 15* пФ 10 пФ 35* -45* нс 40* IIC 300 нс Время выклю<rения при Iк = 1О мА, Iь = 1 мА . типовое значение . . 80* - 120* нс 100* нс Обратный ток коллектора при лес: 172 приТ=298КиТ=213К приТ=398К Икь=55Внебо- 0,075 мкА 1,5 мкА т
Предельные эксrшуатациониые данные Постоянное напряжение ко:тлектор-э'\1иттср при R63=1ОкОм,Т=2137398К. 50в Постоянное напряжение коллектор-база при т = =2137398к. 55в Постоянное напряжение база-Jм~нтср при Т = 213 7 39~к. Импульсные напряжения кос1J1ектор-база и коллектор­ эмиттер при R6э = 1 кОм, 1:11 ,,; 100 мкс, Q ;;, 2, Т= 213 7398 К. Постоянный ток коллектора при Т = 213 7 398 К . Импульсный ток ко.1Jiектора при 1:11 ,,; 100 мкс, . Q>2, 7'=2137 .398 к Постоянная рассеиваемая мощное~ ь коллектора: при 7'=2137298 К приТ=398К. Температура перехода 4в 65в 60 мА 70 мА 0,5 Вт 0,1 Вт 423 к Температура окружаюЩсй среды. Тепловое сонротнвлепие переход-корпус . От213до398К 0,25 К/мВт Пр и '\1 е чан и я: 1. Максима,-rыю допустимая постоянная рас­ сеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 298 + 398 К определя­ ется по формуле Рк.чакс = (423 - Т)/0,25. 2. Минимальное расстояние от места пайки выводов до по­ верхности транзистора 3 ~1М. Изгиб выводов допускае1ся на рас­ стоянии не менее 0,5 мм от места выхода вывода из защитного покрытия. KT31l.iA-2 Is,MA KT31LJA -2 \ в 1 '\ r-.... гг---~г-----;-~-~~-1-----J o..._-"""--::::.J....~..J_~'---' 106 10 7 Rr,э,Ом 0,5 Зависимость относительного максимально допустимого ш~­ пряжепия кол:1ектор-э:\!иттер от сопро1 нвления база-Jмнттер. Входные характеристиrш. 173
' <\: >:: ::< 10 КТ314А-2 ~1(]1~~!--~t--~t----+1----i ~ w-гl--~~-~~A--+-----1 10- 3 --=--1--о'-=--,-'--' 213 253 293 J33 373Т,К Зависимость обратного тока ко;шектора o·r температуры. 801-1--+--+---+--f-----j 601-'---+--+--~~-f-----j цо.__~-~-~~"'--::-~ О 20 40 60 80Iк,мА Зависи"\юсть статического коэф­ фициента передачи ·1 ока от тока коллекюра. Jhг1э/ КТ314А-2 5~~+-~t--~t--~1----1 ~51-~+-~+-~1-"....-t---I 3~~~~~~~~~- 213 253 293 333 373 т,к Зависимость модуля коэффи­ циента передачи тока от темпе­ ра туры. 174 CQ 80 70 60 50 о кf314А-2 ~/ UкзL5в / / v-- / 23 Зависимость с1атическоr о коэф­ фипнента передачи тока от тока ко:шектора. ~1 KTj14AL2 I/ / v Iк/I5=10 ~ 0,9 <::! "' ~ о,вI/ 0,7 0,6 О 20 40 60 80Iк,мА Зависимость напряжения насы­ щения база-эмиттер от тока ко.шектора. 500 г--.-~-~---.-~ КТ314А -2 4001---+--+-~+----1~~ ~ 300 -i->'i200.-~t----,Y'-~1--1-__, 100 t---t- -+ --t ---!- --1 о"=--:-'=--'"'~~,.......·'--- 213 253 29J 333 37JТ,К Зависимость времени рассасыва­ ния от 1емпературы. т ·•
Зависимос1ь времени рассасыва­ ния от тока колл~ктора. 225 200 <.> 175 ""~ ~ 150 Q. ~ 125 100 10 20 30 цо 50Iк,мА КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315К, КТ315И Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарны~ тельные высокочастотные маломощные. п-р-п усили- Предназначены для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой час­ тоты. Выпускаются в пластмассо­ вом корпусе с гибкими выво­ дами. Обозначение типа при­ водится на этикетке. Масса транзистора не более 0,18 г. Э."Iектрические параметры Граничное напряжение при /э = 5 КТ315А, КТЗ15Б, КТЗ15Ж КТЗ15В, КТ315Д. КТ315И . КТ315Г. КТ315Е . мА нс менее: Напряжение насыщения кол;1ектор-э"1игтер при Iк = 20 мА, !Б=2 мА не более: 15в 30в 25в КТ315А, КТЗ15Б, КТ315В, КТЗ15Г 0,4 В КТ315д, КТ315Е . . 1В КТЗ15Ж....· 0,5 В Напряжение насыщения база-эмиттер при lк = 20 >.1А. !Б=2мАнеболее: KTЗISA, КТЗ15Б, КТ315В, КТЗ15Г КТ315д, КТ315Е . . .... . КТЗISЖ ...... · ... . Статический коэффициент передачи 1ока в схеме с общим эмиттеромприИкэ=10В,lк=1мА: IJВ 1,5 в 0,9 в КТЗ\5А,КТЗ15В,КТ315Д. . . . . . . . ...20 - 90 175
КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е КТ315Ж....... КТ315И не менее . . . . 50- 350 .30 -250 30 Постоянная времени цепи обратной связи на высокой •~астоте при ИкБ =!ОБ, Iэ = 5 мА не более: КТ315А....... КТ315Б, КТ315В, КТ315Г КТ3!5д, КТ315Е, КТ315Ж 300 нс 500 нс 1000 нс Моду:1ь коэффициента передачи тока при Икэ = 1О В, Iк=1мА.f=100МГцнеменее: КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315И..................2,5 1,5 КТ315Ж ................. . Емкость коллекторного перехода при Ик 6 = 1О В, f = 1О МГц не более: КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315И ... . КТ315Ж ... . 7пФ 10 пФ Входное сопротивление при Икэ= 10 В, Iк = 1 мА не менее...... . . . . Выходная проводимость при Икэ = 10 В, Iк = 1 :чА Обратный ток коллектора при ИкБ = 10 В не лее ............... . .. 40Ом . .0,3 мкСм бо- 1 мкА Обратный ток коллектор-эмиттер при RБэ = 10 кОм, Икэ = = Икэ.макс не более: КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТЗ15Е. 1 С\ША 10 мкА .100 мкА КТ315Ж ... . КТ315И ............. . Обратный ток эмиттера при ИБэ = 5 В: КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж . 30 мкА КТ315И..................50мкА Пре:"lедъные :жсплуагационные данные Постоянное напряжение ко:Ллектор-эмиттср при RБэ= 10кОм, Т=213-о-373К: КТ315А .... КТ315Б.... КТ315В, КТ315Д. КТ315Г, КТ315Е . КТЗ15Ж ... . КТ315И ... . Постоянное напряжение =2137373к.... база-эмиттер при Т= Постоянный ток коллектора при Т = 213 -о- 373 К: 176 КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ3!5Е.... КТ315Ж,КТ315И........... 25в 20в 40в 35в 15в 60в 6в 100 мА 50 мА :-0: .....
Постоянная рассеивае~1ая мощность коллектора при Т=213-:-298 К: КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТЗ15Е . КТ315Ж, КТЗ15И Температура перехода Температура окружающей среды . От 150 мВт 100 мВт 393 к 213до373к Пр и м е чан и я: 1. Постоянная рассеиваемая мощность коллекто­ ра, мВт. при Т = 298 -:- 373 К определяется по формуле Рк.макс = (393 - 7)/0,67. Допускается эксплуатаrщя транзисторов в режиме Рк = 250 мВт приИкБ=12,5В,lк=20чА. 2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора. При включении транзистора в схему, находящуюся под напря­ жением, базовый вывод должен подсоединяться первым и отсоеди­ ияться последним. Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратны~ш токами во всем интер­ вале темпер:нур. hг1з 120 100 80 60 цо о20'1060 0,05 L--.!..-- -1----1---+ ----i о Завнсимость статического коэф­ фиц>rеrпа перс;~:ачи тока от тока эыиттсра. Зависимость напрттх~епия насы­ щения коллсктор-эмпттср от то­ ка коллек1ора. Запп:сп:.лость напря)!~епия нг.сы­ щ~ния бюа-эмнттср от тока базы. 0,9 CQ ;.:; 0,8 tl :.: <..; 07 ~) 0,6 0,5 о 1 KTJ15 1 v lк== 10I5 / / 1 ./ 2 6
2Т317А-1, 2Т317Б-1, 2Т317В-1, КТ317А-1, КТ317Б-1, КТ317В-1 Транзисторы кремниевые эпитаксиа-<ьно-планарные п-р-п универ­ сальные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в схемах усилителей высокой и низкой частоты, в переключающих и импульсных схемах герметизиро­ ванной аппаратуры. Бескорпусные, с гибкими вы­ водами, с защитным покрытием. Транзисторы помещаются в воз­ вратную тару, позволяющую без извлечения из нее транзисторов производить измерение электри­ ческих параметров. Обозначение типа и маркировочная точка кол­ лектора приводятся на крышке возвратной тары. Масса транзистора не бо­ лее 0,01 г. Электричесю1е параметры Напряжение насыщения кол.<ектор-эмиттер при /к = 1О мА, lь= 1,7 мА 2Т317А-1, КТ317А-1; при lь= 1 мА 2Т317Б-1, КТ317Б-l; при lь=r0,7 мА 2Т317В-1, KT3l7B-l не бо- лее . . . . . . . . . . . . . . . 0,3 В Напряжение насыщения база-эмиттер при lк = 10 мА, lь = l мА 2Т317А-1, КТ317А-1; при lь = 0,6 мА 2Т317Б-1, КТ317Б-1; при /ь=О,4 мА 2T317B-l , KT317B -l не бо- лее . . ... Статическ11й коэффиr1иент передачи в теромприИкэ=1В,lэ=1мА: при Т= 298 К: 2Т317А-1, KT3l7A-1 2Т317Б-l, КТ317Б-1 2Т317В-1, KT317B-l при Т= 358 К: 2Т317А-1, KT317A-l 2Т3! 7Б-1, КТ317Б-1 2ТЗ17В-1, КТ317В-1 при Т= 213 К: 2Т317А-1, КТ317А-1 2Т317Б-1, КТ317Б-\ 2Т317В-1, КТ317В-1 178 0,85 в схеме с общим эмит- . 25- 75 . 35-120 . 80-250 . 25-225 . 35-360 . 80- 750 . 9- 75 . 15- 120 .25 - 250
Модуль коэффициента передачи тока при Икэ = 1 В, Iк = =3мА,f=20МГцнеменее. . Времярассасывания при Икэ= 3 В, lк= 3 мА, /6= 1 мА ие более . Емкость кол.'!екторноrо перехода при ИкБ = 1 В, f = 1О МГц не более . Емкость э:\!иттерноr·о перехода при ИБэ = 1 В, f = 10 МГц не более Обратный ток коллектора при ИкБ = 5 В не ба- лее: при Т=298 К и Т=213 К приТ=358 К. Обратный ток колдектор-эмиттер при Икэ = 5 В, RБэ = 3 кОм ие более Обратный ток эмиттера при ИБэ = 3,5 В не бо- лее . . . 5 130 нс 11 пФ 22 пФ 1 мкА 10 мкА 3 мкА 10 мкА Постоянное напряжение эмиттер-база при Икэ = 2,5 В, Iэ=0,05мАнеменее. 0,5 в Постоянный ток базы при ИБЭ = 0,8 В, RБэ = = 600Ом. Предельные эксплуатационные цапиые Постоянные напряжения коллектор-база, коллектор-эмит­ тер при RБэ= 3 кОм, Т= 213-:- 358 К. Постоянное напряжение эмиттер-база при Т = = 213-:- 358 к. Постоянный ток коллектора при Т = 213 -:- 358 К . Импульсный ток коллектора при 'и ,,; 1О мкс, Q ;;,, 1о. 'Ф,,;100пс. Постоянная рассеиваема:~ '\ющпость КО.'!Лектора при Т= 213-:- 313 К . Импульсиая рассеиваемая мощно~ть коллектора ~:и,,; 10 мкс, Q;;,, 10, 'Ф,,; 100 пс Температура перехода . Температура окружающей среды. при От 130 до 460 мкА 5в 3,5 в 15 мА 45 мА 15 мВт 100 мВт 373 к От 213 до 358 к Пр им е чан и ::; : 1. Макснмалыю допустимая постоянная рас­ сеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 313 -:- 358 К определя­ ется по формуле Рк. макс = (373 - 7)/4. 2. Нс рекомендуется работа транзистора при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми токами во всем диапазоне температур окружающей с;:~сды. При пайке выводов должны быть приняты меры, исключающие возможность нагрева кристалла и смолы до температуры более 373 К. 179
10 8 "'< 6 "'~ Т=346К 1 Uк =0 2ТЗХ КТJП ._,.:о ц t------+--11---н--rT = 213 К r-t--+---'--I2981К 2 о 0,2 0,4 0,6 0,8 1U5з,В Входные характеристпки. /hг1эl в 1---+--т---+-- о 20 40 60 ВОf,МГц Зависимость модуля ко·;ффици­ ента передачи тока от частоты. Q:J ~ ~ 0,8 >------- >: n; ~ о, 71---t--~--+---t----1 0,61---1----+---+-"<---+--~ o,s.__---"..___.... _ _.__ _..__~ 213 253 293 333 373 т,к Зависимость напряжения насы­ щения база-·;мrнтер от темпе­ ратуры. 180 hг1з Uкэ=18 200t---+----+----~- 2T317B-U<~317B-f 150 U~==t:=:J:::::::::J-_J 100 50 ~--:6---Ф=:l=::::j::::::::::j о Зависимость статического коэф­ финиента пере;н1чи тока от тока эмиттера. 0,10 0,081-+--t-----::~=-+----Jf----1 ~ 0,0 61-----IЬ,....=t--+--+--1 :.: n; ~ о,оцг-~--+---+----+-~ 0,02 Iк f 1Ом,А 2Т317, КТ317 о....__~-----'--~-~ 213 253 293 333 373 Т,1< Заоиепмость напряжения насьr­ щсния коллектор-эми гтер от тем11ературы. hг1э 160 2Т317В-1 КТ317 В-1--А<~-+-~ 12 о t------+-----7 "9- ---- 801---,."--+--+.~--l---+----J ц о 1-7"'Ч--,....."1-- 0 ~~-~--'---'--~ 213 253 293 333 373 т,к Зависимость статического коэф­ фициента передачи тока от тем­ пературы.
2Т333А-3, 2Т333Б-3, 2Т333В-3, 2T333Bl-3, 2Т333Г-3, 2Т333Д-3, 2Т333Е-3, КТ333А-3, КТ333Б-3, КТ333В-3, КТ333Г-3, КТ333Д-3, КТ333Е-3 Транзисторы кремниевые планарные п-р-п переключательные вы­ сокочастотные маломощные. Предназначены д;1я применения в импульсных и переключа­ тельных схе:'У!ах герметизированной аппаратуры. Бескорпусные, с твердыми выводами, с защитным покрытием. Обозначение типа приводится на этикетке групповой тары. Масса транзистора не более 0,01 г. Комектор 4-контакта фО, 18 К0tтектор 0,0 'f Электрические параметры 0,3 Напряжение отпирания при lэ = 0,05 ;'v!A не менее: 2Т333А-3, 2Т333Б-3, 2Т333В-3. 2Т333В1-3, КТ333А-3, КТ333Б-3.КТ333В-3............0,57В 27333Г-3,. 2Т333Д-3, 2Т333Е-3, КТ333Г-3, КТ333Д-3, КТ333Е-3.....···· 0.55 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при !к = = 10мА,16=1мАнеболее: 2ТЗ33А-3, 2Т333Б-3, 2Т333В-3, 2Т333Вl-3, КТ333А-3, КТЗЗЗБ-3,КТ333В-3............ 0,27В 2Т333Г-3, 2Т333Д-3, 2Т333Е-3, КТ333Г-3, КТ333Д-Е, КТ333Е-3......·.. 0,33 В Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, /Б=1мАнеболее: 2ТЗ33А-3, 2Т333Б-3, 2Т333В-3, 2Т333Вl-3, КТ333А-3, КТ333Б-3,КТ333В-3......... 0,9 В 181
2ТЗ33Г-3, 2Т333Д-3. 2Т333Е-3. КТЗЗЗГ-3, КТ333Д-3. КТ333Е-3........ Время рассасывания при Iк= lО мА, IБ = 1 мА не более: 2Т333А-3, 2Т333Б-3, 2Т333В-3, КТ333А-3, КТ333Б-3. КТЗЗЗВ-3 . . . • . . . . . . . . . • • . 2ТЗЗЗГ-3. 2Т333Д-3, 2Т333Е-3, КТ333Г-3. КТ333Д-3, КТЗЗЗЕ-3....... • . . • . . . . . 2Т333Вl-3................ Статический коэфф1шиент перелачи тока в схеме с общн"1 эмиттеромприИкэ= J В.13= 10мА: 2ТЗЗ3А-3, 2Т333Г-3. КТ333А-3, КТ333Г-3 . . . 2ТЗЗЗБ-3, 2Т333Д-3, КТ333Б-3. КТ333Д-3 . . . . 2ТЗ33В-3, 2Т333В1-3, 2ТЗЗЗВl-3, КТЗ33В-3. КТ333Е-3............... Граничная часгота ко1ффициента передачи тока в схеме с общим эмиrтером при Икэ=2 В, !'Э=5 мА не менее: 2Т333А-3, 2Т333Б-3, 2ТЗ33В-3, 2Т333В1-3, КТ333А-3, 1.0 В ]5 нс 25 нс JO нс 30-90 50-150 70-280 КТ333Б-3,КТЗЗЗВ-3............450МГц 2ТЗ33Г-З. 2Т333Д-3, 2Т333Е-3, КТ333Г-3, КТ333Д-3, КТЗЗЗЕ-3........ 350 МГц Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В, f= 5 МГц не более: 2ТЗЗ3А-3, 2ТЗЗЗБ-3, 2Т333В-3. 2T333Bl-3 . КТ33ЗА-3, КТЗ33Б-3,КТ3ЗЗВ-3............3,5пФ 2Т333Г-3, 2ТЗЗ3Д-Е. 2ТЗЗЗЕ-3, КТЗЗЗГ-3, КТ33ЗД-3, КТЗ33Е-3 • . . . . . . . . . . . . . 4,5 пФ Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = О, f = 5 МГц не более: 2ТЗ33А-3, 2Т333Б-3, 2Т333В-3, 2Т3ЗЗВ1-3. КТ3ЗЗА-3, КТ333Б-3, КТ333В-3 . . . . . • . . . . . . 4пФ 2ТЗ33Г-3. 2Т333Д-3, 2Т333Е-3, КТЗ33Г-3, ЗТ333Д-3, КТЗЗЗЕ-3......... • . . . 5пФ Обратный ток коллектора при ИкБ = 1О В не более: приТ=298К.......... • 0,4 мкА приТ=358К........... 5 мкА Обратный ток эмппера при ИэБ = 4 В не более: при Т=298 К мкА приТ=358К........... 5 мкА Предельные эксплуатационные да1111ые Постоянное напряжение кол.<ектор-база . . Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБэ ,;;; <3кО"1.......... Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток ко.1лектора . . Импульсный ток коллектора при ти <;;; !О :v1кс. Q;;; 10 ........ . 182 10в 10в 3,5 в 20 мА 45 мА
Постоянная рассеиваемая мощность: приТ<:,328К. приТ=358К. Температура перехода . Общее тепловое сопротивление Температура окружающей среды 15 мВт 5 мВт 373 к 3 К/мВт От 213 до 358 к Пр им е ч а 11 и е. В процессе монтажа допускается нагрев тран­ зистора до температуры не более 573 К в течение 30 мин, не более 423 К в течение 1,5 ч. 2T333,KTJ33 Входные характеристики. 2Т333,КТ333 7,31-----1---.J.--J-+-t---I 1 2Т333,КТ333 Uкэ=1В /Т=358К 1 1 /29ЗК ....... 1 ~ 0,6 ~ -,, 1,v /213К- ~ 0,2 N - !::: / D2ЧВ810I3,мА Зависимость относительного статического· коэффициента пе­ редачи тока от тока эмиттера. t,о1----+-~2=т=33=з~,~2~т=33~-1-~ 1 1 ~ D,91---....:.i.-....j___Jк=1DмA ~ I6=1мА "' ~ ~Bt---J~-t-~~,_....+----11--~ 213 2ЧJ 273 303 333 383 т,к 213 21./-3 273 303 333 JВ3Т,К Зависимость относительного на­ пряжения насыщения коллектор­ эмиттер от температуры. Зависимость напряжения насы­ щения база-эмиттер от темпе­ ратуры. 183
2Т336А, 2Т336Б, 2Т336В, 2Т336Г, 2Т336Д, 2Т336Е, КТ336А, КТ336Б, КТ336В, КТ336Г, КТ336Д, КТ336Е Транзисторы кремниевые эпитаксиа.lьно-п.танарные 11-р-п перек.тю­ чательные высокочастотные маломощные. Предназначены д.lЯ работы в перек.тючательных и импульсных схемах герметизированной аппара­ туры. 511,311, Бескорпусные. с твердыми вы­ водами. без кристшшодержателя. Обозначение типа приво,~ится на групповой таре. Транзисторы по­ мещаются в спеuиа.lыrую герме­ тичную тару, в которую помеща­ ется влагопоглотитель, обеспечи­ вающий относите.тьную влажность внутри тары не более 65 ° "' а затем укладываются в групповую тару. Коллектор Эмиттер Масса транзистора не более 0.0005 г. Электрические параметры Напряжение насыщения коллсктор-J:v~иттер при Iк = = 10мА./Б=1:-.-1Анеболее. . Напряжение насыщения база-эмиттер нри Iк = 10 мА, Ir;=1мАнсболее.............. Сгатнческнй коэффициент JJередачи тока в схеме с общим эмиттеро:-..1 при Икэ = 1 В, lк = 10 мА: при Т= 298 К: 2Т336А. 2Т336Г. КТ336А, КТ336Г 2Т336Б, 2Т336Д, КТ336Б. КТ336Д 2Т336В, 2Т336Е. КТ336В, КТЗЗбЕ не менее . при Т=358 К: 2ТЗ36А. 2ТЗ36Г, КТЗЗбЛ. КТ336Г . . . . 2Т336Б, 2Т336Д, КТ336Б, КТЗЗбД . . . 2ТЗ36В, 2ТЗJ6Е, КТЗJ6В. КТ336Е не менее . при Т= 213 К (при Т= 218 К КТ336А. КТ336Б. КТ336В, КТЗЗбГ. КТ336Д. КТЗЗбЕ): 2Т336А, 2ТЗ36Г, КТ336А, КТ336Г . . . 2Т336Б, 2Т336Д, КТ336Б, КТ336Д . . . 2Т336В, 2Т336Е. КТ336В. КТ336Е нс менее. Mo;ry_lь ко·1ффнцненга 11ерс;rачн тока при Икэ = 2 В. [") = 5 :-.-1А. /= 100 МГц не :vieнce: 2Т336А. 2Т336Б, 2Т336В, КТ336А, КТ336Б, КТJЗбВ................ 2Т336Г. 2Т336Д. 2Т336Е. КТ336Г. КТЗЗбд, КТЗ36Е . . . . . . . . . ... 184 о.з в 0,9 в 20-60 40- 120 80 20- 120 40-240 80 8-60 16-120 32 2.5 4,5
Время рассасывания при lк = 10 мА, /Б = 1 мА не более: 2Т336А, 2Т336Б, 2Т336А, КТ336Б , 2Т336В, КТ336В . 2Т336Г, 2Т336Д, 2ТЗЗ6Е, КТ333Г, КТЗЗбД, КТ336Е · . Емкость коллектора при ИкБ = 5 В, f= 10 МГц не более . Ем1юсть эмиттера при ИБэ =О В, f = 10 МГц не более....· Напряжение отпирания при Икэ = 1 В, / 3 = 0,05 мА не более. . . . . Обратный ток коллектора при ИкБ = 10 В не более: при Т=29~ К и Т=213 К (при Т=218 К КТ336) при Т=358 К . Обратный ток эмиттера при ИБэ = 4 В не более . Предельные эксплуатащюнные данные Постоянные напряжения коллектор-эмиттер при RБэ .;; 3 кОм и коллектор-база при Т = = 213+358К(приТ=218ККТЗ36). Постоянное напряжение база-эмиттер при Т = = 213+358К(приТ=218ККТ336). 30 нс 50 нс 15 нс 5пФ 4пФ 0,55 в 0,5 мкА 10 мкА 1 мкА 10в 4в Постоянньiй ток коллектора при Т= 213-; .- 358 К (при Т= 218 К КТ336) . 20 мА Импульсный ток коллектора при ти.;; 10 мс, Q;;. 10, 'Ф;;. 10 мкс, при Т= 213 + 358 К (при Т= 218 К КТ336) . Постоянная рассеrшасмая мощно.сть: приТ=213+328К(приТ=218ККТЗЗб). приТ=358К• Температура перехода . Тепловое сопротив.-~ение переход-среда Температура окружающей среды • 50 мА 50 мВт 20 мВт 378 к 1 К/мВт От 213 (21'8 К КТ336) до 358 К П р и м е ч ан и я: 1. Максимально допустимая постоянная рас­ сеиваемая мощность, мВт, трэ.нзистора при Т = 328 + 358 К опреде­ ляется по форму.-~е Рмакс = 37S - Т. 2. Для устранения влняния статического электрич~ства на тран­ зистор рекомендуется работать только с заземленным монтажным, измерительным, испытательным оборудованием и приспосо6;1ениями, а также при:vrенять только антистатическую одежду для операторов. Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих токах, соизмеримых с обратными неуправляемыми токами во всем диапазоне температур. Монтаж транзисторов следует производить в инертной среде в течение не более 1 с при давлении на транзистор не более 50 г, при этом температура кристалла не должна превышать 523 К. 185
1,1 -- .... 1 1,05 "" ...... 11 "' ~ 095 "') "'" "' ~ 0,9 <'> } 0,85 о 111 2Т336, КТ336 v / v Uкэj 78 J /812 Зависимость относительного статического коэффипиента пе­ редачи тока от тока коллектора. Q:) ~11--~1---+--+--+-~ .:; ~ 1,051----14 ---l'-- ->"!i- --, ___- -I <..; ~ u <:! ~0,951--~'1--+-->,г+---+--~ ~ ~9.___.____.~.........= -- '- - -' 213 253 Зависи:v~ости напряжений насы­ , щения коллектор-эмиттер и ба­ за-э~шттер от температуры. Зависимость относительного на­ пряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. Зависи:v~ость относительного от­ пирающего напряжения база­ эмнттер от темнературы. Зависимость относительного статического коэффициента пе­ редачи тока от температуры. 1 2Т336,КТ336 1,1 \ \ '::; 0,9 ~~ 0,8 ::5" 0,7 0,6 0,1 1 \ \ -.. . 1,2 :::.:: ~ ~11----'lor----!i--'--l------11----1 ""11 t:. 1,0 l---+---''l.,---+---1---~ "1- ~ 0,9f--+--+---'..i.---+--~ ~...... __ ~ 0,81----+- --+- --+--" -+- --I " о:.; ~ ~7,___...__ _, _ _ _._ _ _,_ _ _. 213 253 293 33J 37:П,К КТ339А Транзисторы кремниевые эпитаксиа.1ьно-п;1анарные п-р-п усили­ тельные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в схемах уси:тения высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 0,4 г. 186
13,S s,з Змu.ттер "" _'L 11 J... ----' -_ _,_ ~~ "<;:; Электрические параметры Нолле11тор Выбад Коэффициент усиления по мощнрсти при Икэ = 1,6 В, fк=7,2мА,f=35МГцнеменее. 24 дБ Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттеромприИкБ=10 В,fэ=7мА не менее. 25 Модуль коэффициента передачи тока на f = 100 МГц при ИкБ=1ОВ,Iэ=5мАнеменее. . . 3 Постоянная времени цепи обратной связи на f = 5 МГц приИкБ=1ОВ,Iэ=7мАнебОJ1ее. 25 нс Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 В, f = 1О МГ11 не бо,-rее . 2пФ Предельные эксплуатащюниые дан11ые Постоянное напряжение коллектор-база при Т = =213-о-433 к. 408 Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Т = =213-о-43ЗК. 25В Постоянное напряжение эмиттер-база 433 к при Т= 213 -о- Постоянный ток кол,-rектора при Т = 213 -о- 433 К . Постоянная рассеиваемая мощность ко.'lлектора т=213-о-323к. при 4в 25 мА 260 мВт 448 к От 213 до 433 к Темпера·rура перехода . Температура окружающей среды 300 1 1 - ..... KTJ39A \ Примсчание. При вклю- 250 чении транзистора в цепь, на­ ходящуюся под напряжением, базовый контакт должен при­ соединяться первым и отсоеди­ няться последним. Расстояние от места изгиба до корпуса транзистора не менее 3 мм, радиус закругления не :vie- нee 1,5-2 мм. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора. f... \ \ \ ~ 200 ~ ~ 150 ~ "" Q; 100 50 273 313 353 393 IJ33Т,K Зависимость максимально до­ пусти:v~ой мощности рассеива­ ния коллектора от температуры. 187
КТ340А, КТ340Б, КТ340В, КТ340Г, КТ340Д Транзисторы кремниевые планарные п-р-п универсальные высоко- частотные маломощные. Предназначены для применения в перек;1ючательных, импу;1ьсных и усилительных высокочастотных схемах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не бо;1ее 0,5 г . .JO .f..3" Jмиттер - - ' 1 - - - ' <"> ct <::::,~ -s. !,-) '$. ...-- - -- - - .., о, ~~ "Э' V>2,J База Электрические параметры Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Икэ=5 В, Iэ= 10 мА, f= 100 МГц не менее . Время рассасывания при Iк = 5 мА не более: КТ340А КТ340Б, КТ340В, КТ340Г . . КТ340Д Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером: приИкэ=1В,Iк=10мА: КТ340А КТ340Б не менее . КТЗ40Д не менее . приИкэ=2В,Iк=200мАКТ340Внеменее приUкэ=2В,Iк=500мАКТ340Гнсменее Напряжение насыщения коплектор-эмиттср не более: приIк=10мА,IБ=JмА: КТ340А КТ340Б КТЗ40Д при Iки=200 мА, IБ=20 мА КТ340В при lк.и=500 мА, /Б=50 мА КТ340Г Постоянная Бремени цепи обратной связи на высокой час готе пе более: 188 КТ340А КТ340Б КТ340В, КТЗ40Г КТ340Д 300 МГц 10 ПС 15 пс· 75 пс 100-150 100 40 35 16 0,2 в 0,25 в 0,3 в 0,4 в 0,6 в 45 пс 40 ПС 85 пс 150 пс
Емкость коллекторного перехода = 10 МГц не более: при UкБ=5В,!= КТ340А КТ340Б, КТ340В, КТ340Г КТ340Д Емкость эJ\шттерного перехода прп UэБ = 5 в нс более Обратный ТОК ко,-rлектора при UкБ = UкБ. макс не бо.'!ее. Преде.тьные эксплуатационные да.нные Постоянное напряжение коллектор-база и ко,1.i:Iектор­ эмиттер: КТ340А, КТ340В. КТ340Г, КТ340Д КТ340Б Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток коллектора:. КТ340А, КТ340Б, КТ3~0В, КТ340Д КТ340Г Импульсный ток кол.-rектора: КТЗ40В КТЗ40Г Постоянная рассеиваемая мощность Температура окружающей среды . КТ342А, КТ342Б, КТ342В 3пФ 3,7 пФ 6пФ 7пФ 1 мкА 15в 20в 5в 50 мА 75 мА 200 мА 500 мА 150 мВт От 263 до 358 к Транзисторы кремниевые эпитаксиально-н.:~анарпые 11-р-11 типа. Предназпа<1сны для усиления и генерирования сш·налов в широком диапазоне частот. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 0,5 г. 73, 5 S,3 ф2,S Коллектор ~ r=+==!-i·f-- --- - <!-- '& Э.тектрическне параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме с общимэмиттеромприUк=5В, lэ=1мА: при Т= 213 К: КТЗ42А . 25-250 189
КТЗ42Б . КТЗ42В . при Т= 298 К: КТ342А КТ342Б . КТ342В . при Т= 398 К: КТ 342А не менее КТ342Б не менее КТ342В не менее Модуль коэффициента передачи тока при Uк = 10 В, Iэ = 5 мА,/= 100 МГц не менее: КТ342А ..... КТ342Б. КТ342В Обратный ток коллектора не .более: при Т= 213 К: приUкБ=25ВКТ342А. при Ик6 = 20 В КТ342Б приUкБ=10вКТ342В. Пр!! т=298 К: при Ик6 = 25 В КТЗ42А при Uкь = 20 В КТ342Б I1ри Ик6 = 10 В КТЗ42В при Т= 398 К: при Икь = 25 В КТЗ42А при Икь = 20 В КТ342Б при ИК!;= 10 В КТ342В Обратный ток эмиттера при ИБэ = 5 В не более . Обратный ток коллектор-эмиттер при RБэ = !О кОм нс более: при Икэ = 30 В КТ342А при Икэ = 25 В КТЗ42Б при Икэ = 10 В КТЗ42В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер прп lк = =10мА,/6=1мАпеболее. Напряжение насыщенпя би.за-э:vшттер нри Iк = 10 мА, Zr,=1мАнеболее Граничное напряжение прп /э = 5 мЛ не менее: КТ342А КТ342Б .. КТ342В .. Емкость колпекторного перехода при Ик 6 = 5 В, f= 10 МГц не более Предельные эксплуатационные даш1ые Постоянное напряжt:нне коллектор-эмиттер при R6э= 10 кОм, lкэ= 30 мкА: при Т=2137373 К: 50-500 !00-1000 100-250 200-500 От 400-1000 100 200 400 2,5 3 мкА мкА мкА 0,05 мкА 0,05 мкА. 0,05 мкА 10 мкА 10 мкА 10 мкА 30 мкА 30 мкА 30 мкА 30 мкА 0.1 В 0,9 в 25в 20в 10в 8пФ КТ342А . 30В 190
КТ342Б . КТ342В . nри Т= 398 К: КТ342А КТ342Б . КТ342В . nрп Т = 373 -с- 398 К: КТ342Л, КТ342Б Граничное напряжение при lэ = 5 мА: при Т= 213 -с- 373 К: КТ342А КТЗ42Б . КТ342В . при Т= 398 К: КТ342А КТ342Б . КТ342В . при Т = 373 -с- 398 К КТ342А, КТ342Б . Постоянный ток коллектора . Импульсный ток коллектора при 1:11 '( 40 мкс, Q> 500 Постоянная рассеиваемая мощносгь коллектора: приТ=213-с-298К 11ри Т=398 К . приТ=298-с-398К Температура перехода Температура окружающей среды 100i-:----J---i--t-----t---i A=coпst hг1эГ КП/f2Б 25в JOВ 25в 20в 10в Снижается линейно 25в 20в JOВ 20в 15в 10в Снижается линейно 50 мА 300 мА 250 мВт 50 мВт Снижается линейно 423 к От 213 до 398 к 1 / / 200'----''------'----'----'---' о ц 8 Зона возможных положений за­ висимости статического коэффи­ _циента передачи тока от напря- жения коллектор-база. оцв Зона возможных положений за­ висимости статического коэффи­ циента передачи тока от напря- жения ко.-шектор-база. 191
hг1э 1000 L---+ ---1---!- -,,---,\.L- -I / 600 i....-::---1--__,_.."f'---+---+=~ ЦООl--=-'-'~+--+---+-----1 200L---+ ---1 ---!----lf-----i 13 =соп.>t о2 Зона возможных положений за­ висимости статического коэффи­ циента 11ередачи тока от на11ря- жения ко.тшсктор-база. hz13 6001---+-,,,.-,~::=.=:.;==--1--=~ 1 UкБ =58 2001L--+-~--l--f--_, 100L---+---'---'--'---' о 10 20 30 цоI3,мА hг1э 300 f-----1- -.L-+ ---+- -+- ---1 1 10о1----1---4----+---+---' 50.___.____._~-~-~ о102030 Зона возможных положений за­ висимости статического коэффи­ циента передачи тока от тока hг1э 1000 800 600 цоо 200 а эмиттера. _,,., - ,..._ ...... / r-. , , / 1 / i.. - -- / / ..... ----- -- ,__ __ -- КТ31+28 1 1 1 1 Uкs=581 10 20 .JO lfOI8,мA Зоны возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. hг13 500 цоо 1о о L...~-~:::__-'----1'--_, о ..... 213 253 293 333 373 Т,К hг1з KT3lf2Б / / Uк-= 58 о1 100 >-----+- - -+! 3= 1мА О'--~--'---'---'---' 213 253 293 33J 373 т,к Зоны возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от температуры. 192
hz13 КТ31./2В 10001-----1--+--+--+-7-t---i 800 2001--1--i--1--+----1~--i OL--L-.L-. -J..__. -:"::=-::';:;-:::: -:: 213 253 293 333 373 1./"13 т,к Зона возможных положений за­ висимости стап1ческого коэф­ фициента 11ередачи тока от тем- 600 500 300 200 о пературы. -- ---- --- --- -- / ~ КТ3/f2А, КТ342Б, КТ31./2В 1 ---- - ,,,. --- 1 r 31 sмA 1./ 8 Зона возможных положений за­ висймоспr граничной частоты от напряжения ко.rыектор-ба:за. КТ31./2А, 1Ог-----r---пч---f-КТJ1./2Б, КТ31./2В Зона возможных положений за­ внсимостн граничной частоты от тока эмиттера. Ск,пФ 10 >---+ -KTJl./2A, о КТ31./2Б, t-\-' .--t--K Т31./ 28___, _ _, ц 8 12 16 Uкs,B' Зона Е:отvюжпых положений за­ в11спмости с:.~коспr кол;1ектор­ но1 о перехода о г напряжения коллектор-база. 2Т348А-3, .2Т348Б-3, 2Т348В-3, КТ343А, КТ348Б, КТ348В Транзис1·оры кремниевые эпитаксп~ьно-планарные п-р-п универ­ сальные высокочастоп1ыс ма.;юмощные. 7 Полупро1юдн11козые приборы 193
l(оллехтор о,з5 Предназначены для при­ менения в импульсных, пере­ ключательных и усилительных высокочастотных схемах гер­ метизированной аппаратуры. Бескорпусные, с твердыми выводами, с защитным по­ крьпием. Обозначение типа приво­ дится на этикетке групповой тары. Зми.mmер l(оллвктор Масса транзистора не бо­ лее 0,01 г. Электрические параметры Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Икэ=]В, Iк=3 мА не менее. Время рассасывания при Икэ = 3 В, Iк = 3 мА не более. Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером приИкэ=1В,Iк=1мА: 2ТЗ48А-3, КТ348А 2ТЗ48Б-3, КТ348Б • 2Т348В-3, КТЗ48В . Напряжение эмиттер-база при Икэ = 2,5 В, / 3 = 0,05 мА не более . Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА и/Б= 1,7 мА 2Т348А-3;/Б=0,6мА 2Т348Б-3; /Б = 0,7 мА 2Т348В-3 не более . Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА и /Б= 1 мА 2ТЗ48А-3; !Б= 0,6 мА 2ТЗ48Б-3; /Б= = 0,4 мА 2ТЗ48В-З нс более . Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 1 В, f=5МГцнеболее Емкость эмиттерного перехода при ИэБ = 1 В, f=5МГц не более Обратный ток коллектора при ИкБ = 5 В не более: при Т=298 К . при Т=358 К . Обратный ток коллектор-эмиттер при Икэ = 5 В не более. Обратный ток эмиттера при ИэБ = 3,5 В не более . Предельные эксплуатациоипые дапиые 100 МГц 130 НС 25-' 15 35-120 80-250 0,5 в 0,3 в 0,85 в 11 пФ 22 пФ 1,0 мкА 10 мкА 3 мкА 10 мкА Постоянное напряжение коллектор-база . 5В Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБэ '( <3кОм. 5В 194
. '}\'• Постоянное наnряжение эмиттер-база . ·• 3,5 в 15 мА Постоянный ток коллектора . Импульсный ток коллектора nри <и.:;; 10 мкс, Q> 10 45 мА Постоянная рассеиваемая мощность: при Т<313 К . 15 мВт 3,75 мВт 100 мВт 373 к nри Т=358 К . Импульсная рассеиваемая мощность при Т .:;; 298 К . Температура перехода . Общее теnловое сопротивление . Темnература окружающей среды 4 К/1'1Вт От 213 до 358 к Пр им е чан и е. Снособ крепления транзистора в аппаратуре должен обесnечивать фиксацию положения кристалла и выводов. При монтаже должны быть приняты меры, исключающие возможность нагрева кристалла и смолы до температуры более 373 К. 15 ,мА 0,012 2Т3Ч8, КТ34-8 о, 01 l--+---1--1~*--1->;---i Uкз=~В 1 ~008'---l-~..+--4-,f+--t---1 о, 006 l--+-- -i- --++--+-!- -t-- -1 о, 004- 1---1--1--1!......i.J~+---+---I h21З Uкз=1В 24-0t---t--+---+--+---+----1 1 200 2Т3ЧВВ-3,КТ3ЧВВ 150~-+--+-----+--+--===+~ 120 80 ~~Ь:~!::=~ 0,002 '+О 1--1 --+- -+-' -- +-- -+-- -1 OO,L2-D,.L3...L..0.:!/+-· -0::-,'::5--::О~,6::-;0;-;,7;-U;-;-з-'Б ,В 0 51015202513,мА ВходнL~С характеристики. Зависимость статического козф­ фиЦиснта пср~да'Ш гока от тока эмиттер<~. Зависимость обрагного гока коллектора от ·1емпературы. 7* 1 2Т3Ч8, ~ КТЗ48 ~о, о5 i---+- -! -1-+ - 1 -+-----+----1 ~ U1; 6 =58 "' '-1 1 о, о25 Г--+--+-~-1--+----J o'-:- _, __,_ __;_ _1 ---1 -_J 213 24-J 273 303 333 353 т,к 195
КТ358А, КТ358Б, КТ358В Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили­ тельные высокочастотные маломощные. Предназначены для применения в усилительных и генераторных схемах радиоэлектронной аппа,ратуры. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 0,2 г. Место IJnя маркиро8ки \ 0,3 ~ - ч., - .. ;j. - -- ~~ - 72,7 4,4 2,S Электрпческпе параметры Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме собщим эмиттером при ИкБ= 10 В, /3=5 мА нс менее; КТ358А . КТ358Б, КТ358В Постоянная времени непи обратной связи на высокой частоте не бо;1ее . Коэффициент передачи тока в схеме с общи~ эмитте- ромприИк3=5,5В,13=20мА; КТЗ58А КТ358Б КТ358В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при fк = = 20мА,JБ=2мАнсболее. Напряжение насыщения база-эмил ер 11ри lк = 20 мА, !Б=2мАнеболее. Обратный ток ко;1лсктора при ИкБ = 15 В КТ358А, КТЗ58В; при ИкБ = 30 В КТ358Б не более . Обратный ток э~иттера при U3Б = 4 В не более . Предельные эксплуатацнопные даш1ые Постоянное напряжение коллектор-база: КТЗ58А, КТЗ58В . КТ358Б . Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБ 3 ,;;;; ,;;;; 100 Ом: 80 МГц 120 МГц 500 ПС !0-100 25-100 50-280 0,3 в l,J в 10 мкА 10 мкА 15в 30в КТЗ58А, КТ358В. 15В КТЗ58Б . 30В 196
Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток кол;1ектора . Импульсный ток кол.>ектора . Постоянная рщ;сеиnаемая мощность 4в 30 мА 60 мА 100 мВт 200 мВт Импульсная рассеиваемая мощность при ти .;; 1 мкс . Температура перехода . 393 к 0,7 К/Вт От 233 до 358 к Общее тепловое сопротивление . Температура окружаюшей среды Пр и л~ с ч а и и е. Разрешается трех1,ратный изгиб выводов на расстояшш не менее 3 мм от корпуса с радиусом закругления не менее 1 мм. При изгиGе nыводов должна быть обеспечена не­ подвижность вь1водоD на участке от корпуса до места изгиба и исключена возмо;хность псрс.~ачи усилия на место присоединения вывода к корпусу, наруше"1-1я конструкции и гер:о.1етич!iости тран­ зистора. Пайка 'выаодов допускается на расстоянии не менее 5 мм от пластмассового корпуса транзистора. Пайку произ~од;п:, в п:чение не бо.>ее JО с (температура пайки пе должна прспыш:пь 523 К), приняв меры, исключающие возможность перегрева транзисторов. 16 ,мА 10 8 в lf 2 о о,в D,7 0,8 hг1э u 1 , 3 = 5,fiB 200 -г.~=н 160 l---+ --.,.1----r-- J({J58ii 120 1 1-1·- во IКТ358А) t\T35fJS·I 1 '--j-...L~ ЧО~..::+-~1---t-~1~-т-~ о Входные- характеристики. Зависимость статичссr-:01·0 коэф­ фпциента псре.',\а'щ то"а от тока э;,;нттсра. Заапсимость максимально до­ пустимого напряжешш коллек­ тор-эмиттер от сопрот11вле1;ия база-::>миттср. 100 Rsз,кОм i97
КТ359А, КТ359Б, КТ359В Транзисторы кремниевые пл:анарные п-р-11 высокочастотные уси­ лительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 20 МГц. Бескорпусные с твердыми выводами. Обозначение типа нриводит­ ся на этикетке. Масса транзистора нс более 0,005 г. 4быв. ФО,18 Коллекгпор б12 за, о,7 Электрические параметры 0,25 О,04 Граничная частота при Икэ = 2 В, /3 = 5 мА не м~=. . Постоянная времени цепи обратной связи при Икь = 2 В, Iэ=2мА,/=5+30МГцнеболее. КоэффициентшумаприИкэ= 2В,fэ= 1мА,f=20МГц не более. Статический коэффициент передачи тока в схеУ.е с общим эмиттером при ИкБ= 1В, /э= 10 мА: КТ359А КТЗ59Б КТ359В Напряжение насыщения колл:ектор-эмиттер при fк = = 10мА,lь=1мАнеболее. Обратный ток кол:1ектора пр11 Икь = 15 В не более . Обратный ток эмиттера при ИэБ = 3,5 В нс более Емкость коллекторного перехода при Икь = 5 В нс более. Емкость эмиттерного перехода прн Изь = О, l В не более. Прсде.-~ьuые эксn.1уапщно:шые дап11ые 300 МГц 100 ПС бдБ 30-90 50-150 70-280 0,7 в 0.5 мкА l :\1КА 5пФ Постоянное напряжение коллектор-база . 15В Постоянное fiапряжение коллектор-эмиттер при Rэь = =3кОм Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток коллектора . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора . Температура перехода . J5в 3.5 в 20 мА 15 мБт 373 к Температура окружающей среды . 0т223ДО358К 198
КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1, КТ369В, КТ369В-1, КТ369Г, КТ369Г-1 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-плапарные п-р-п переклю­ чательные высокочастотные ма:1омощныс. Бескорпусные. с гибкими выводами. с защитным покрытием. Обозначение пша приводится па этикетке. Масса транзистора пе более 0,02 r. z Б CLЗCL 8 а,риСLнт 1 Нол.лснтор -Jr·щттер 8арц,а,нт Z 3 Ноллентор Jмu,mmcp Электричесюrе параметры Граннчная частота при ИкБ = 10 В, lэ = 30 ·мА не менее.... · · · · · · · · · · · · · · · Статическнй коJффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером: приИкэ=2В,lэ=150мА: КТ369А, КТ369А-1 . . . КТ369Б, КТ369Б-1 . . . приИкэ=3В,lэ=1ОмА: КТ369В, КТ369В-1 КТ369Г, КТЗ69Г-1 . . . 200 МГц 20-100 40-200 20- IUO 40-200 199
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при lк = = 200мА,/Б=10мАнеболее: КТЗ69А, КТЗ69А-1, КТ369Б, КТ369Б-1 . КТ369В, КТЗ69В-1, КТ369Г, КТ369Г-1 . Напряжение насыщения база-эмиттер при lк = 250 мА. JБ=50мАнеболее... Обратный ток коллектора не бо;тее: при ИкБ = 45 В КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТЗ69Б-1 при ИкБ = 65 В КТЗ69В, КТ369В-1, КТЗ69Г. КТ369Г-1 Обратный ток эмиттера при ИэБ = 4 В не бо;1се Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 10 В не более: КТЗ69А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1 . . . К.:ГЗ69В, КТЗ69В-1, КТ369Г, КТЗ69Г-1 . . . Емкость эмиттерного перехода при UэБ =О нс более; КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1 . КТ369В, КТЗ69В-1, КТ369Г, КТЗ69Г-1 .. Предельные эксnлуатацнонuые данные Постоянное напряжение ко;шектор-база: КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1 КТ369В, КТЗ69В-1, КТ369Г, КТ369Г-1 Постоянное напряжение коллектор-эмиттер 11ри RэБ = = 1кОм: КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1 КТЗ69В, КТЗ69В-1, КТ369Г, КТ369Г-1 Постоянное напряжение эмиттер-база . . Постоянный ток коллектора . . Импульсный ток коллектора при ти '( ] О :икс, Q>5. . ... Постоянная рассеиваемая мощность коллектора . Импульсная рассеиваемая мощность кол;:~ектора при Ти'([0МКС,Q>5, Температура перехода . . . Температура окружающей среды 0,8 в 0,5 в 1,6 в 7 мкА 10 мкА 10 :икА 15 пФ 10 пФ 50 пФ 40 пФ 45в 65в 45в 65в 4в 250 мА 400 ~1А 50 мВт 1,6 Вт 423 к 01 213 ДО 358 к КТ373А, КТ373Б, КТ373В, КТ373Г Транзисторы кре:v~нисвые эпитаксиа.1ьно-планарные п-р-п универ­ сальные высокочастотные мало:иощные. Предназначены для работы в с.](ема:х переключения и усиления высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 0,2 г. 200
О,5 R0,5 -1- ~~ кмпек- тор 4-,5 Электрические параметры Граничное напряжение при /э = 5 мА не менее: КТ373А, КТ373Г КТ373Б.... КТЗ73В .... 1 Напряжение насыщения колс1сктор-эмиттер при fк = =10мА,/6=1мАнеболее. Напряжение насыщения база-эмиттер при lк = 10 мА, lь=1мАнеболее........ Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Ию;= 5 В, /э = 1 мА: при Т= 298 К: КТ37ЗА КТЗ73Б КТ373В КТ373Г при Т= 358 К: КТ37ЗА КТ373Б КТ373В КТ373Г при Т= 233 К: КТ373А КТ373Б КТ373В КТЗ73Г Модуль коэффициента· передачи тока при ./= 100 МГц, ИкБ=5В.Iэ= 1мА не менее ........ . Постоянная времени цепи обратной связи при I = 5 МГц, ·Икь=5В.lк=1мАвеболее: КТ373А КТ373Г КТ373Б КТ373В.... Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 5 I= 10 МГц нс более Обратный ток кол.1ектора ври Икь = Икэ. "акс: при Т= 298 К. приТ=358К. В, (,., 25в 20в 10в 0,1 в 0,9 в 100-250 200-600 500-1000 50-125 100-750 200-1800 500-3000 50-375 25-250 50-600 125-1000 12-125 3 200 пс 300 пс 700 пс 8пФ 0,05 мкА 10 мкА 201
Обратный ток коллектор-эмиттер при Икэ = Икэ.макс не более: КТ373А, КТ373Б, КТ373В . КТ373Г Обратный ток эмиттера при ИБэ =r 5 В не более Предельные эксп:1уатацнонные данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБэ = =10 кОм, Т=233-;-358 К: 30 мкА 100 мкА 30 мкА КТЗ73А 30В КТ373Б 25В КТ373В 10В КТ373Г 60В Постоянное напряжение база-эмиттер при Т = 233 -;- 358 к. 5в Постоянный ток коллектора при Т = 233 -;- 358 К . Импульсный ток ко.'Iлектора при tи ,;;;; 50 мкс, Q ;;;, 500, т= 233-;-358 к . Постоянный ток коллектора в режиме насыщения . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при т=233 -;-328к. Температура перехода . Температура окруж<~ющей среды 50 мА 200 мА 100 мА 150 :viBт 423 к От 223 до 358 к Пр им е чан и я: 1. Максиммьно до11ус п1:.~ая 1юстоянная рассеи­ ваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 328 -; - 358 К опреде­ ляется по формуле Рк макс= (423 - Т)/0,61. 2. Пайка выводов доnускае·1ся на расстоянии не менее 5 мм от корпуоа транзистора. Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих ток<~х, соиз­ меримых с неуправ.1яемыми обратными токами. Изгиб выводов допускается на расстояшш не менее 3 мм m, корпуса транзистора, радиус изгиба не менее 2 :.1м. в 6 ц ~г ~ 7[j5 в ~6 ~ц г 1а6 LктJ73А 1 КТ373Г С7 / v ./ / ' / ик5 == 1sв- 213 253 293 33.3' 373 Тп,К Зависимость обратного тока коллектора от температуры пе­ рехода. 202 о 10 го 30 l/Оiк,мА Зависимость статического коэф­ фициента передачи ток<~ о• 101ш коллектора. г
h21э 10001---+--+-+--t-~ оц.8 Зависимость статического коэф­ фициента nередачи тока от наnряжения коллектор-база. hz1з 800 КТ373В 600 2001---4=---ь=-f"'=--J---J OL--'-~--'-~_.__---::'::'::-~ 213 253 293 333 373 т,к Зависимость статического коэф­ фициента передачи тока от тем­ nературы. 0,9 ~ 0,8~"-l=::--t---t---r-~ "d "'~ 0,7 ::::. 0,61---1-----1--+---t---j o,5.__L-__.:-=--:;'::-:;--:;';;~:-7. 213 253 293 333 J73T,K Зависимость наnряжения насы­ щения база-эмиттер от тсмнера­ туры. hz1з 500 t--t - -+-+ ' IOD 30Dг---r--i719+---t--+-+++-+--+-1-t-1 2DO~t----+-t-++---+-+-+I:~~ 100 t=t~;i;+H-=t=::m о ~:!:-~~--'':--..L..!....U.---':___._ .... .. .. . . 2 ц68 10 Зависимость статического коэф­ фициента передачи тока от тока коллектора. КТ373А -КТ373Г ~91---1----1--+---+---I ~ о,в i---t --:o:;;l-=t--+--i "d "' ..; 0,7 ~-1-----1--+--+---1 ~ <tJ O,Бt---t----f--+--+--1 0,5~~'----'~--L~......L.~-' О 10 20 30 ЦОIк,МА Зависимость наnряжения насы­ щения база-эмиттер от тока коллектора. 0,25 0,2 КТ373А -KT37J[ ~ 0,15 I JIБ J10--+ ---+-- --t с.; =:} 0,1t---it--+=--"""f~-+-~ о 10 20 30 l/Оiк,мА З::шисимос 1ъ напряжения насы­ щенш1 коллектор-эмиттер от тока коллектора. 203
q:i О,125 0,1 ~ О,075 :о: ~ 0,05 0,025 о iт37J1-кт}73Г 1 Iк/I6 = 10 --- -- .. .- / / ~ 1,05 " ~~ ~~ О,95 ~.,,~ ~ 0,9 -..... <J ~ О,85 ~ n)ов 1 1 1 КТ373А-КТJ73Г \ \ \ 213 253 293 333 3737,К .....~ ,1023 '-' 10 704 105 106 R53,Ом Зависимость напряжения насы­ щения коллектор-эмиттер от температуры. Зависимость относительного максимально допустимого на­ пряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. КТ375А, КТ375Б Транзпсторы кремниевые эпитаксиально-нтшарные п-р-11 универ­ сальные высокочастотные маломощные. Предназначены д.'!я работы в переключательных и уси.штель­ ных схемах высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корнусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится в этикетке. Масса транзистора не более 0,25 г. 13,5 5,2 Коn11ектор база ~=::::::::=!- Электрические пара,V1етры Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = =10мА,/Б=1мАнебо.•ее. Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мЛ, /Б=1мАнеболее. Статический коэффициент 11ередачи 1 ока в схеме с об­ щим эмиттером при Икэ = 2 В, /э = 20 :.1А: 204 при Т= 298 К: КТ375А КТ375Б 0,4 в Jв 10-100 50-280
'"· при Т= 358 К: КТ375А КТ375Б при Т= 228 К: КТ375А КТ375Б Модуль коэффициента передачи тока при f = 100 МГц, Икэ=10В,/к=5 :viAнеменее. . . Постоянная времени цепи обратной связи при f= 2 МГц, ИКБ=10В,lэ=5мАнеболее Емкость коллекторного перехода при Ик 6 = 10 В, f=2МГцнеболее. Емкость эмиттерного нерехода при ИБэ = 1 В . .f = 2 MГLI не более. Обратный ток коллектора при ИкБ = ИкБ. "акс не более: при Т=298 К . приТ=358 К . Обратный ток эмиттера ври ИБэ = 5 В не бо:1ее Постоянные эмиттер при КТ375А КТ375Б Предельные эксплуатацно1111ыс данные напряжения коллектор-база, коллектор­ R6э<100Ом, Т=228-с-358К: Постояннь~й ток ко:шектора при Т = 228 -; - 358 К . Импу.1ьс11ый ток кол.<ектора при <и < 1 мкс и условии, что средняя мощность за 11ер11од н~ превышает по­ стоянную рассеиваемую мощность ко.<лектора, Т = = 2287358к Постоянная рассеиваемая мощность кол;1ек1ора при 10-200 50-560 8-100 25-280 2,5 300 пс 5пФ 20 пФ 1 мкА 10 мкА 1 "1кА 60в 30в 100 мА 200 :viA Т=228-с-298К. 200 :viBт Импульсная рассеиваемая -..ющность коллектора при Ти <;; 1 мкс. и условии. что ср~Д!!ЯЯ МОll{НОСТЬ за перио;_t пе превышает постоянную рассеиваемую мощ­ ность коллектора . Темнература перехода . Температура окружающей среды 400 мВт 398 к От 228 до 358 к Пр им е чан и я: 1. Максимально допустимая ностоянная рuс­ сеиваемая мощность коллектора. мВт. при Т = 298 -;- 358 К опре­ деляется по формуле Рк макс = (398 - 7)/0,5. 2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транз11стора. Допускается тр<:'хкратный изгиб выводов на расстоянии не менее 3 мм от корпуса с радиусом закругления не "'епее J мм. Следует учитывать возможность самовозбуждения транзисторов, как высокочастотных элементов с большим коэффиниснтом усиления. 205
100 во ~ 601----1----1---J------<-I-----< ~ ._. ~ цо1---+---+-----+<>----+-1-----< 20+-------< - -- -4 --1 -+ --+ - -+- - -1 0L--.....J...-::::t:::..-'1.~_j___J 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1U53,8 Входные характеристики. 0,95 0,9 1 КТ375А, КТ375Б q:i ;; 0,851-----1---1----1----f--,.~ <:1 "' ~ a,в 1---+---J ----, ," """ 1r-----<-----< 0,751---"'+---l - - -r - - -- -<- - -- -< О/ '---' ---'- ---'' -----' ---' Зависимость статичес1юrо коэф­ фициента 11ередачи тока от тока эмиттера. О,95 КТ375А, КТ375Б ~751---t---t--~t------<r-----< ~7'---'---'--__J'----'~--' а 10 20 30 цоIк,мА 213 253 293 333 373Т,К Зависимость напряжения насы­ щения база-эмиттер от тока кол,-~ектора. 5 11 '--~'--'--'- , --~--+--+--1 <Х) ~ 31---+ ---+ ---+ ---+<r-----< <:1 "' ~ 21----1- -- -1- -- -+F---+- -- -! о 10 20 30 1/Оiк,мА Зависимость напряжения насы­ шения коллектор-эмиттер от тока ко;IЛектора. 206 q:i Зависимость напряжения насы­ щения база-эмиттер от те:-..111е­ ратуры. а,35 0,3 ~ ~251---1---1--.,..q1------<!-----1 ~ ~ о,21--~1---+---1---1------< 0,151-----+- -+- - -+- - -+- - о,1'---'----'---'---'---J 213 253 293 333 37JТ,К Зависимость на11ряжсния насы­ щения коллектор-эмиттер от тс:-..шературы.
КТ379А, КТ379Б, КТ379В, КТ379Г Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п универ­ сальные высоко'lастотные маломощные. Предназна'!ены для работы в схемах усиления высокой '!астоты и переклюqения гер:v~етизировапной аппаратуры. Бескорпусные с твердыми выводами. Транзисторы помещаются в гермети'lную заводскую упаковку. Обознаqение типа приводится в паспорте. Масса транзистора не более 0,0 l г. Электрические параметры Грани'!ное напряжение при /э = 5 мА не менее; КТ379А, КТ379Г. КТ379Б КТ379В ... Напряжение насыщения ко;шектор-эмиттер при fк = = 10мА,/6=1мАнеболее: КТ379А, КТ379Б, КТ379В . . КТ379Г Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 10 мА, /6=1мАнеболее: КТ379А, КТ379Б, КТ379В . . КТ379Г . Стати'!еский коэффициент переда'IИ тока в схеме с общим эмиттеромприИкБ=5В,lк= 1мА: при Т= 298 К: КТ379А КТ379Б КТ379В КТ379Г при Т= 358 К: КТ379А КТ379Б КТ379В КТ379Г при Т= 228 К: КТ379А 25в 20в 10в 0,1 В 0,2 в 0,9 в 1,1 в 100-250 200-500 400-1000 50-125 100-750 200-1500 400-3000 50-375 25-250 207
КТ379Б КТ379В КТ379Г Модуль коэффициента передачи тока при .f = 100 МГц, Ик6=2В,/э=5мАнеменее: КТ379А, КТ379Г . КТ379Б, КТ379В . Ьмкuоъ коллекторного перехода при ИкБ = 5 В, f=10 МГц нс более Обратный ток коллектора при Ию; = Икэ макс не более: приТ=228КиТ=298К. при Т=358 К . Обратный ток коллсктор-:1мнлер при R 6 э = 10 кОм, Икэ = Икэ."акс не более: КТ379А. КТ379Б, КТ379В . КТ379Г Обратный ·1ок Jмиттера при U 63 = 5 В не Gолее . Предельные эксплуапщишшые данные Постоянное ни11ряжен11е коллектор-э:.~иттср при Rьэ = = 10 кОи, Т=228-;-- 358 К: 50-500 100-1000 12-125 2.5 3 8пФ 0,05 мкА 1 мкА 30 :.~кА 100 "'кА 30 мкА КТ379Л 30В КТ379Б 25В КТ379В 10В КТ379Г 60В Постоянное напряжение база-эм1л 1ер 11ри Т = 228 -;- 358к. .~. Постоянный ток коллектора при Т = 228 -;- 358 К . И:v~пу:1ьсный ток коллектора при ти ,;;;; 100 мкс, Q ~ 5, т=2287358к. Постоянная рассеивас..,~ая мощносгь коллектора: при Т= 298 К. прн Т=358 К . Импульсная рассеиваемая мощность кол~-~ектора Ти,;;;;IGOМКС,Q::>5,Т=2287358К Тсмпср:~тура 11срехода . при 5в 30 мл 100 :-.1А 25 мВт 10 мВт 75 мI3т 373 к Тепловое сопротивлен11е переход-среда Температура окружаюшей среды . 3 К/мВт От 228 до 358 к Пр и :vr е чан и я: 1. !vfat-:c11:vraльнo допустимая 11остояшн1я р:~с­ сеиваемая мощность коллектора, мВг, при Т= 298-;-- 358 К опреде­ ляется по формуле Ркчакс = (373 - Т)/J. 2. При пайке выводе о допускается 11агрев 1 ранзис ropa ;щ тем­ пера туры 573 К в течение 1 :-.шн, до гсм11сrмтуры 423 К в тече­ ние 1,5 ч. При включеюш транзн_стора ·н цепь, находящуюся по:1 1шпряже- 11исм, базовый контакт нсоGходи:-.ю нрисоединять 11ервым и от­ соединять последпи:v~. Не рекомсн,1уется эксп.-~уатащ1я транзисторов 203
с отключенной базой no 11остоянно:-,,1у току. Необходимо nршшмать меры защиты от статического заряда. Не рекомендуется работа nри токах, сонз~1еримых с неуправ­ ляемымп обратпы:v~и тока!>ш во всем диапазоне температур. I5,мА КТ:J79А-КТ379Г 0,02 ~_J--+--t--г+-- 0,015 58 ~01"-----'-~+---1+-+--t----J 0,005 о Входные характерисп1к11. hz13 Uк6=5В hz13 800 500 650 J./.00 500 300 350 200 200 100 50 О О 8 12 16Iк1мА ~ 21-------l-- . L--l-- -i- --I \ 10-3 ~ 8 f==:E=;;;t:=:f==E=~ h..J' ° ' Б 11 2 f--,'-~-l--·-1---1----< 10-4 213 253 293 333 373Т,К Зависимость обратного тока кол.1ек·1 ор:1 от те~тературы. 1 2 J./. r;[] 2 11 8 2 !.f.Iк,мА 70 100 Зависимость статического козс;'.фнцнента пеrе,..\ачн тока ог тока ко:1лсктора. ~ с:5 1,2 ~ 1,1 11 "' С>:.'О '-..:.. Заnиснмссть макси).-:Еlл~но .г~~.н::устн: .::ого пn­ пряженпя: 1~0.:"{~r.-:i~тor:-YMti Iтср от coпpo'rI!B_'1i...'a~!Я ;J~за-:-;:-.лrтт .... р. ,_ С!:] ~50 '-' >: tj tfO :.; о..." Заnпс.1·_!.J-:::ть l\::_·_~·.::и;.1~~J;:l-:10 "---:о­ пустны:.:~i; а~-iиу.:1:.,,с1~ой мо:цно­ с п1 от 1:::1.-т~те"1Lност11 пr.1пульса. 209
2Т385А-2, 2Т385АМ-2, КТ385А, КТ385АМ Транзисторы кремниевые эпитаксиа.1ьно-п:1анарные 11-р-11 пере- ключательные :v1аломощные. Предназначены для применения в гер:vrетизированпой аппаратуре в импульсных, переключающих схе..,1ах наносекундного диапазона. Бескорпусные, с гибки:-111 выво,~ами, защитным покрытием на кера:v1ическо:v1 (2Т385А-2, КТ385А - вариант 1) и метал.1ическо:v1 (2Т385АМ-2. КТ385АМ - вариант 2) криста.ыодержателях. Поставляются в сопроводите.<ьной таре, позволяющей без извле­ чения из нее транзисторов проводить измерения их электрических параметров. Обозначение типа приводится на сопроводите:1ыюй таре. Масса транзистора на керамическом кристал.юдержателе не более 0,015 г, на металлическом не более 0,004 г. Кш111ектор .J Кошrехтор 210 Вариант 1 О,б7 Эмиттер Вариант 2 ' Эмиттер -~- 1
Электрические параметры Граю1<шое напряжение при lк = 10 мА, 'tи ,,;;; 30 мкс и Q ;;: 50 2Т385А-2, 2Т385АМ-2 . . . ти11овое зна<1ение . Напряжение насыщен11я ко.-~лектор-эмиттер при /к= = 150мА,/6=15мА,ти,,;;;30мксиQ;;:50: 2Т385А-2. 2Т385АМ-2 . типовое значение . . . . КТ385А. КТ385АМ не более Напряжение насыщения база-э.читтер при fк = 150 мА, /Б = 15 -"!А, ти,,;;; 30 мкс И Q ;о,, 50 2Т385А-2, 2Т385АМ-2 типовое значение . Время рассасывания 11ри /к = 150 мА, / 6 = 15 мА, 'tи ,,;;; 30 .'\,IKC. Q?: 50: 2Т385А-2. 2Т385АМ-2 . типовое значение . КТ385А, КТ385АМ не более Статический к0Jффи11иен·1 передачи тока в схеме с общим эмиттером при Икэ = 1 В, fк = 150 мА: 2Т385А-2, 2Т385АМ-2 . типовое значение* . КТ385А. Kl.385AM . Моду.-~ь коэффициента передачи тока при Икэ = 10 В, fк= 50 .'\,IA, .f= 100 МГн . ти1ю1юе значение* Обратный ток кол.1ектора нс более: 2Т385А-2. 2Т385АМ-2: при Uк 6 =60 В и Т=213-о-298 К приИк6=55ВиТ=398К. КТ385А, КТ385АМ при ИкБ = 60 = 298к. Обратный ток эмиттера не более: 2Т385А-2, 2Т385М-2 при Ик 6 = 5 В: при Т= 213- '.- 298 К приТ=398 К. КТ385А. КТ385АМ 11ри Ик 6 .= 4 =298к Обра·1ный ток коллектор-эмнттер при более: 2Т385А-2, 2Т385АМ-2: при Ик 6 =60 В и Т=213-о-298 К приИкБ=55ВиТ=398К. Емкость коллекторного перехода при Г = 1О МГп 2Т385А-2, 2Т385АМ-2 . типовое значение виТ= виТ= RБэ=0 нс ИкБ= 10 В, Емкость эмиттерного перехода при U-, i; = О В, / = = 10 МГп 2Т385А-2, 2Т385АМ-2 типовое значение . 40-60* в 48* в 0,32* -0,65 в 0,39* в 0.8 в 1,О*-1,2 В 1,1* в 15*-60 нс 30* НС 60 ПС 30-150 60 20-200 2.0-5,6* 3,5 10 чкА 50 ;,,1кА 10 мкА 10 мкА 50 мкА 10 мкА 10 мкА 100 мкА 2.5* -4 пФ 3,3* пФ 13*-25 пФ 15* пФ 211
Предельные эксп.1уатацнонныс данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБ::i = = 5,0 кОм КТЗ85А, КТ385АМ при Тк = 228 с- 358 к. Постоянное напряжение ко.1лектор-база: 2Т385А-2, 2Т385АМ-2 при т.=213-;-373 К . прит.=398К. КТ385А, КТЗ85АМ nри т. = 228 -;- 358 К Постоянное напряжение эмиттер-база: 2Т385А-2, 2Т385АМ-2 при Т, = 213 + 398 К КТ385А, КТ385АМ при Тк = 228 -;- 358 К Пос[ оянный ток кол;1ектора при Рк .;; Рк ""кс: 2Т385А-2. 2Т385АМ-2 при т. = 213 с- 398 К КТ385А. КТ385 при т. = 228 с- 358 К . Импульсный ток коллектора при 'и .;; 5 :-.-1кс. Q;;,, JO и Ркср.;; Р: 2Т385А-2, 2Р385АМ-2 при Тк = 213 с- 398 К . КТ385А. КТ385АМ нри т. = 228 + 358 К . Постоянная рассеиваемая :-.-ющность ко.•лектора: 2Т385А-2, 2Т385АМ-2: при Тк=2l3с-373 К прит.=398К КТ385А, КТ385АМ: при Тк=228 -;-343 К при т.""'358 К . Тепловое сопротивление переход-подложка . Температура р-п перехола: 2Т385А-2. 2ТЗ85АМ-2 . КТ385А. КТЗ85АМ . Температура окружающей среды: 2Т385А-2, 2ТЗ85АМ-2 КТ385А. КТ385ЛМ . 40в 60в 55в 60в 5,0 в 4,0 в 0,3 А 0,3 А 0.5 А 0,5 А 0,3 Вт 0,06 Вт 0.3 Вт 0.2 Вт 110 К/Вт 408 к 393 к От 213 до 398 к От 228 до 358 к Примечания: 1. Для 2Т385А-2, 2Т385АМ-2 при Т= 373 с- 398 К максимально допустимая посгоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, рассчитывается по формуле 408- т•. 2. Монтаж транзисторов в микросхемы осуществляется сле­ дуюшим образом. Место монтажа в микросхеме смачивается спирто­ канифольным флюсо:-.-1 ( 10-30 ~; канифоли, 90- 70 °0 сnирта). Затем ук.1адывается фольга припоя ПОС-61 (ГОСТ 21931-76) толщиной 30 мкм, размером 1,9 х 1,9 мкм. Микросхема нагревается до темпе­ ратуры (373 ± 5) К в течение 10 с. В момент лайки транзистор прижимается к месту монтажа пинuето'-'!. Усилие прилагается к боковы-"' поверхностям криста.;1лодержателя. 212 rl
Допускаются другие методы монтажа транзисторов в микро­ схемы, обеспеqивающие надежный тепловой контакт под;южки тран­ зистора с корпусо!V! микросхе!V!ы и целостность конструкции траи­ зистора. При монтаже транзисторов в микросхемы до:1жны быть приняты меры, исклю'!ающие перегиб и соприкосновение выводов и кристал­ ла транзистора с острыми краями элементов микросхемы. Рекомен­ дуется выводы транзисторов и место термокомпрессии или пайки покрывать лака:-,ш. При это:-,1 не допускается использо11ание ма­ териа:юв, вступающих в химическое и Э,"Jектрохимическое взаимодей­ ствие с защитным покрытием и другими )Лемента:.~и конструюши транзистора. hz1э 2TJB5A-2 ,2TJB5AM-2 , 100 во 60 '+О 20 О КТ3В5А,КТ385АМ- - 1 Uкэ=1В /~ """ - - 100 200 300 '-100 500 Iк,мА Зависимость стати'Iеского коэф­ фициента псрсда'!и тока от тока кол.1ектора. 0,8 2Т3В5А-2,2Т3В5АМ-2, О7 КТЗ85А,1----+- - .1"---1 ' KTJB5AM ll:i D,B :; ~~51---1--+~-У--t-~г--~ а; ~ О'+ l---J-~.E--1-;---1--::-t---1 ) ~Jl----Y---1---t---t~-i----; D,ZO 100 200 ЗОО 1/-00 5СDiк,мА Зависимость напряжения наtы­ щения ко~"Iлсктор-J~-шттер от тока ко,;лсктора. hz1э 100 2Т385А-2,2ТJВ5Ам-'-г, ~кт3В5А, KTJB5AM ' -- во 60 4-0 20 О , 1 J".- - Iк =150мА 2Lf6В10Uкз,В Зависи"1ость статического коэф­ фшщента пср~дачн тока от напряжения кол-'ектор-змпттер. 1,5 2TJB5A-2,2TJB5AM -21 1,4- КТ385А, ' 1 КТ385АМ ~ 1,J l----l--+--+--..д::.--1----1 ,, <! :, 1)2t----! --+- -,"'+--+- - -L--1 "' :::, 11 --J--."--+---1--.c__.._::.__,___,J ) 1,0 r---+--+--+---1--+--; 0,9____ ---~ О 1СО 200 300 '-100 500Iк,мА Зависимость напряжеиия насы­ щения база-зын гтер от тока ко~•лектора. 213
/h21э 1 2TJ85A-2, 2TJ85AM -2, 5,0 KTJ85A ,KTJ85AM ~01------+--+--+-----+--+----; J,O hl"--+ -+ --+ --- -t ..:: ---+ --- -i 2,0 1,0 t----+--+--+----+--+----< о 50 100 150 200 250Iк,мА Зависимость :-,юдуля коэффющ­ ента 11ередачи тока от тока кол.1ектора. IJO 35 ....- 25 " "'- .,.., 20 15 10 1 2TJ85A-2 ,2T385AM -2 >--КТ385А, КТ385АМ f--- 1 - .............. r--. .... Iк/16 =10 ~ lh21al 2TJ85A-2 ,2T385AM-2 , 5,0 KTJ85A ,KTJ85AM ~Of---t----lf---+:~i--9===! J,O t----j,.e-+ -t - -t -+- -- -1 2,0 1----+- -+ 1,0 t----+- -+--+ ----+ --+ ----1 о'1В121620Uкз,В Зависи:v~ость модуля коэффици­ ента nередачи тока от наnря­ жения коллектор-эмиттер. ><: 1,2 1,1 1,0 ::::.~ 0,9 ~~ о,в ::::. 0,7 2Т385А-2}2тза5АМ1-Z - KTJ B5 A,KTJ85AM- - --, "'" ""'- ... - О 50 100 150 200 250Iк,мА Зависимость времени рассасы­ вания 0·1 тока ко.1лектора. Ск,пФ 2тJв5Аl2, 10r--+ · --t - 2TJ85AM-2 в1---+--+--+--+--+----1 б 11 1---+-~-.с--т-----т---r- 2 t-----+- - о Зависимость емкости коллек­ торного nерехода от наnряже- 1шя коллектор-база. 214 Зависимость относительного на­ пряжения коллектор-э:v~иттер от соnротивления база-эмиттер. с3 ,пФ 201-----+- -+ 16~--+·~-t--+---+--+----l f =10МГи, о Зависимость емкости эмиттер­ ного перехода от напряжения эмиттер-база. l
КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е Транзисторы кремниевые Jпитаксиально-планарные п-р-п усили­ тельные высокочастотные маломощные с нормированным коэффи­ циентом шума на частоте 1 кГ11. Предназначены для применения в уси.-~ительных и генераторных схемах высокой частоты. яв.'Jяются комплементарными транзисто­ рами КТ3107А - КТ3107Л. Выпускаются в мега.'1.-rостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозна'Iение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса тран-шстора не бо.-~ее 0,5 г. 13,5 5,3 Электрические параметры Постоянная времени цепн обратной связи при Икэ = = 5В./э=10мА,/=30МГпнеболее Моду.1ь коэффиниента передачи тока при Ик 6 = 5 В, /3 = 10 мА,/= lOO МГп не менее: КТ3102Л. КТ3102Б, KT3l02B, КТ3102Д КТ3102Г. КТ3102Е Статический коэффн11иент передачи тока в схеме с общим э!v!иттером при ИкБ = 5 В, /э = 2 мА: при Т= 298 К: KT3l02A . КТ3l02Б. КТ3102В. КТ3102Д. КТ3l02Г, KT3l02E при Т= 233 К: КТ3l02Л . КТ3102Б, КТЗ102В, КТ3102Д KT3lU2Г, КТЗl02Е при Т=358 К: КТ3102А не :.~енее КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д нс менее КТ3102Г, KT3l02E []е менее 100 нс 1,5 3,0 100-250 200-500 400- 1000 25-250 50-500 lOO- 1000 lOO 200 400 215
Ко-эффициент шума при Икэ = 5 В. ·/к = 0,2 мА, .f = = 1кГц,Rг=2кОмнеболее: КТЗ102А, КТ3102Б. КТ3102В. КТ3l02Г . КТ3102Д. КТ3102Е . Граничное напряжение при /э = lO мЛ не !\1енсс: КТ3102А, КТ3l02Б KT3l02B, КТ3l02Д . КТ3102Г, КТ3102Е . Обратный ток ко;1лектор-эмиттер не более: КТ3102А, КТЗl02Б при Uкэ = 50 В . KT3l02B, КТ3102Д при Икэ = 30 В и КТ3102Г, КТ3102Е при Ик-э=20 В . . Обратный ток кол,1ектора не более: КТ3l02А. КТ3102Б при ИК!;= 50 В: приТ=298К.. приТ=358 К . КТ3102В, КТ3102Д при Uкэ = 30 В и КТ3l02Г, КТ3102Е при Икэ = 20 В: приТ=298К. 11риТ=358К. Обратный ток эмиттера при Иьэ = 5 В не более . Емкость коллекторноr о перехода при UкБ = 5 В. f=lOМГ11неболее. Предельные эксплуатационные данные На11ряжение кол:1ектор--эмиттер, ко.1лектор-база (любой формы и периодичности): 10 дБ 4дБ 30в 20в 15в 0,l :v1KA 0,05 !\!КА 0.05 мкА 5.0 мкА 0,015 мкА 5,0 "1кА 10.О :...~кА 6,0 пФ КТ3102А, КТЗJ02Б, КТ3!02Е 50В КТ3102В, КТЗ lОЩ . 30В КТЗ102Г. 20В Напряжение ·J:...~иттер-база (.1юбой формы и периодич­ ности) Постоянный ток коллектора . Импульсный ток кол,1ектора при '" ,;;; 40 мкс и Q;;,, 500 . Постоянная рассеиваемая мощность при 298 к. Тепловое сопротюыение переход-среда Температура р-п перехода . . . Температура окружающей среды . т= 233-;. 5,0 в 100 мА 200 мА 250 мВт 0,4 К/мВт 398 к 01 233 ДО 358 к Пр им е чан и е. При Т > 298 К максимально допустимая постоян~ ная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, рассчитывается по формуле Рк. макс= (398 - Т)/ Rт п-с· 216
г1,2~ 0,б 0,5 <:tJ 0,4- KTJ~o2)- 1L· 1, о ~--J----+-f+---ilt---1--1 KTJ102A- 0,8 KTJ102E -1-+ --l -+ ----+ ----1 "§ ~ 0, б 1------1----+--++-Н--+-------1 ~о'Ц-l----1--l--l--+-l-+--l-----I о' 2 !----+ -+- -+-+F--+---t- ----1 ~ ~ 0,J "' ~ 0,2 о,1 1 KT3f02EI 1 1 : Iк =10мА \1 \ i -- - о 0,2 0,4- 0,б 0,8 1,0 UБЗ ,В о 2 34- 5Кна.с Входные характеристики. hг1з 1()00 в о о 1~...p-.....1:::--1;--r 600 f----+-----+-+-~d-t---t 4-00l---~::=t=~,,__~:---t="---1 200 о 10 20 30 lf.O I3,мА Зависимость ста тичсского ко-эф­ финиента передачи тока от тока -эмиттера. Зависимость напряжения насы­ щения ко.1лектор-эмит гер от коэффициента насыщения. hz1з Uк6 =58 1о00 г-+-+++tt----1--+-+-++-+-+-++1 800 500 lf.001----1-+~~-++ц--+-+++1 2001-7'1'::....++-Нr+-+-с~~-:Ы-Н о ~Цff::t1JILUШ г 1/68 102 Iэ ,мкА Зависимость статического ко-эф­ финиента передачи тока от тока эмнпера. КТ3117А Транзисторы крс'\-1ниевыс -эшпаксиалыю-н;шнарные 11-р-11 пере­ ключателы~ые высокочас 1·от11ые маломощные. Выпускаются в мета.1:10стекля11ноы корпусе с гибкими выво­ дами. Обозначение тина приводи 1·ся на корпусе. Масса транзистора не более 0.5 г. 4 "<> с,.,~ ~~ "& -- - <{: г '& Jм 73,5 5,З ~~ Ф2,5 ., шптер Ко1111ектор База 217
Электрические параметры Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Икэ=10 В; lк=30 мА не менее . Статический коэффипиент передачи тока в схеме с общимэмиттеромприИкэ=5В, lэ=200мА. Нанряжение насыщения кол.1ектор-эмиттер при lк = = 500мА,/Б=50мАнебо;1ее• Напряжение насыщения эмиттер-база при !к = 500 мА, IБ=50 мА не более . Обратный ток коллектора при ИкБ = 60 В не более . Емкость коллекторного 11ерехода при Ик 6 = J О В, f = =10МГцнеболее. Емкость эмиттерного перехода при ИэБ =О,/= 10 МГп не более . Предельные эксп.1уатацноииые данные Постоянное напряжение =308к коллектор-база при Т = Постоянное = 1кОм, Постоянное =308к напряжение коллектор-эмиттер при RэБ = Т=308 К. напряжение эмиттер-база при Т= Постоянный ток коллектора при Т = 308 К . Импульсный ток кол;1е1пора при Ти ,,;;; l мкс, Q ?> 10, т=308к Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 200 МГц 40-200 0,6 в l,2 в 10 мкА l5 пФ lOO пФ 60в 50в 4в 400 мА 800 мА · Т=308К 300 мВт Имнульсная рассеиваемая мощность коллектора 'tи<;;lМКС,Q?>10,Т=308К Температура перехода . Температура окружаюшей среды при П504, П504А, П505, П505А 800 мВт 423 к От 228 до 358 к Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные п-р-п универсаль­ ные маломощные. Предназначены для применения в уси.1ите:1ьных и генераторных схемах высокой частоты, а также в переключающих схемах радио­ электронных устройств. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Вывод эмиттера на буртике корпуса маркируется цветной точкой. Масса транзистора /Ie более 2 г. 218
r32 8 Точка эмиттера 'Электрические параметры Пос 1·оянная времени цепи обратной связи при ИкБ = = 10В.lэ=5мА,/=5МГцП505,П505Анебо- лее.. . . . . . ... КоJффициент нереда'!и тока в режиме малого сигна- лаприИКБ=lOВ,lэ=5мА,f=50+1500Гц: при Т= 298 К: П504 П504А П505 П505А при Т= 393 К: П504. П505А . 1500 пс 10- 35 25- 80 40-150 20- 60 От0,8ДО2 значений при Т=298К П504А. П505 . .От0,8до2,5 значения при т=298к Моду.1ь коэффициента передачи тока при ИкБ = 10 В, lэ = 5 мА,/= 20 МГц не менее: П504, П504А. · · · · · 2,5 П505, П505А . . · · · . 4.7 Выходная полная проводимость в режиме малого сигна- ла при холостом ходе при ИкБ= 10 В, /э=5 мА, f= 50-;- 1500 Гц не более ... Обратный ток коллектора не более: П504, П504А при ИКБ = 30 В: приТ=298КиТ=213К приТ=393К. П505, П505А при ИкБ = 20 В: приТ=298КиТ=2l3К приТ=393К... Обратный ток эмиттера при ИэБ = 2 В не более . Емкость коллекторного перехода при ИкБ = 10 В, f = 5 МГц не более ........ . 2 мкСм 2 мкА 120 мкА 2 мкА 120 мкА 20 мкА 7пФ 219
Предельные э1•сп.1уатацноп11ыс данные Напряжение кол,-rектор-эмиттер при RБэ ;:;; lO кОм: П504, П504А . ТТ505, П505А . Напряжение кол.-rектор-база П504, П504А . П505, П505А . Постоянное напряжение эмиттер-база . Импульсное напряжение эмиттер-база Ти;:;;20МКС• Ток кол.-rсктора в режиме усп.-rения . Ток кол.-rектора в режиме перек.1юче11ия Постоянная рассеивае:чая мощное гь =213-: -333 к. Температура р-п перехода Температура окружающей среды . при 11ри Т= .От 30в 20в 30в 20в 2в 4в 10 мА 20 ~1А l50 :чВт 423 к 2l3до393к Пр и :ч е чан и е. При Т = 333 -:- 393 К максима.·1ьно цопустн'v!ая постоянная рассеивас:-,~ая '\1ошность ко.rцектора, мВт. рассчитывается по форму;1е При 11авленни на30':0• Рк.макс = (423 - 7) ! 0,6. 5330 Па рассеиваемая :v~ощность снижается КТ601А, КТ601АМ Транзииоры кремнпевые д11ффузионныс 11-р-11 усилительные вы­ соко'!астотны::: м:iломощпьr:о. Предназначены для пр~lмененпя в схемах радиовенщтельных и телевизионных прие:-,шнков. Выпускаю~ся в металлостсклянно:-,1 (КТбО!А) н в пласт!l-1ассовом (КТбО!АМ) корпусах с гибкп:-,ш вывода:1111. Обозш~ч;;т;~ типа нриводится на корпусе. Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 2 г, в пластмассовом не более 0,7 г. 220 8а.рц,а.нт 1 8 Хо.ллехтор
z, 54 ~--r-- Ва,ри.ант Z З,8 ----1----j Jмu.mmep 1 !1а.ллектор\\ \ 1 ф 3,05 ---т ,,.,1-~=-=--1 1 ::+- c:=J-~....,__ _ _J \ ~1 "'~ c:::~_-_-1..:t-- 5ащ 1 1 '--~~-'-~~_J__ 2'~ - ------:оЕЕ---1_1_с,_1__~,~А1 'Э.1ектр11ческие пара:wетры Коэффициент передачи тока в режиме малого сш- нала 11ри Uк,=20 В. 1,= 10 мА нс ме- нее Гранич11ая частога коэффициента 11ерсдачи тка в схеме с общим эмиттером 11ри Ик 3 = 20 В. /3=1мАнеменее. Емкость кол.·1екторного перехода при ИкБ = 20 В. /=2 МГц не более . Постоянная времени цепи обратной СВЯ'Н! при Ик,=50 В. /3=6 мА./=2 МГu не бо- лее Обратный ток ко,1лектор-эмиттер при Ик, = 100 В. R5·э = 1О кОм не бо.1ес Обратный ток э'1иrтера при с"Б = 2 не более Предельные эксп.1уатаuнuнные данные Постоянное напряжение кол.1ектор-база . Постоянное 11апряже11ис ко.1.1ектор-эмиттер R63 ,;; 10 кО:v1 . Постоянное нuпряжсние Jмиттср-база Постоянный ток коллек·1 ора . Постоянный ток базы . при Z,8 н 16 40 МГц 15 пФ 600 пс 500 мкА 100 :'v1KA 100 в 100 в 2в 30 :'v1A 30 мА Постоянная рассеиваемая мощное: ь: без теплоотвода 11ри т,;; 328 К п с теплоотводом при Т, ,;; 328 К Температура перехода . Т, ,;; 348 \( 250 :'v18T 500 :v1Вт 423 к Температура 01,ружающей среды. . От233до358К Пр им е чан и е. Для транзисторов в мета-1~1ос1 склянно:v1 корпусе изгиб выводов допускается на расстоянии не ~1енее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом изгиба не менее 3 м:v1. при этом должны быть приняты меры предосторожносп1, обеспечивающие ненодвиж­ ность вывода :'v!ежду местом изгиба и стеклянным изолятором. 221
Для транзисr оров в пластмассовом корпусе изгиб выводов до­ пускается под уr.1ом не более 90 · в плоскости, перпендикулярной плоскости основания корпуса, и на расстоянии не менее 3 мм от корпуса с радиусом изгиба не менее 1,5 м. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корнуса транзистора. Пайку следует проrrзводить в те•rение не бо­ _'!ее 5 с. Температура пайки нс должна вревышать 533 К, при этом необходимо обеспечить надежный тсплоотвол между кор11усом тран­ зистора и местом пайки. ~ 1,21-----1-- --. , , f<' -- ---I ~[~1,01-----'-----+------1 ~ . ;!!. "" ~ ~81--_,_--+----1---~ ... ..... "" ~ 06' О.._____. _ _ _~--~ 10 20 I3,мА Зависимость относите.1ь.ного ко­ эффициента передачи тока от тока эмиттера. 100 "':( "' НТбОtА, КТ601АМ 10l----i'---+- - -+- -- - - -1 :::;; 11---1--------lf---~ .,; .., "" ....... о,11------1- - -+- - - -+- -- - -1 0,01~~~~--'~~~~_, 25J 27J 293 313 т,к Зависимость обратнш·о тока коллектор-эмиттер от темпера­ туры. с;- 1,1 11 КТ601А, IБ,мА КТ601А, ~ 1,0 ~ ~ 0,91----1 -".--+ ---t- -----J d ::;; ~ 0,8!----1----'Ч<---t------J ~;:; 0,7 ~ «бl----+---+---Г---~ "" КТ601АМ О,61--~-~----1--+-1--,-~ ~ 0,5'-----'-::---,-,,.,,---:-,,-,::~ ::::> 10 102 103 104 RБ3,Ом О 0,2 О,'+ 0,6 0,8 1,0U35,B Зависимость максима.1ьно до­ пустимого напряжения коллек­ тор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. Входные характеристики. 2Т602А, 2Т602Б, КТ602А, КТ602Б Транзисторы кремниевые планарные п-р-п универсальные мало­ мощные. Предназначены для применения в схемах генерирования 11 уси­ ления сигналов радиотехнических устройств. 222
г Выпушюоо•о "'''°'""'"'"'ом "''Р"У", О6оз11ачение типа приводится на корпусе. гибкими выводами. Масса транзистора не более 5 г. 4а 1 JZ д ф1Z 1 !--)~· ~ ... ... $ $1 - -- "' i ,,;- z,4 $• "' Электрические параметры Змиттвр Ф& Граничное напряжение при /э = 50 мА. <и = 5 мкс, f = 2 кГц не менее . Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 50 мА, /6=5мАнеболее. Напряжение насыщения база-эмиттер при /к = 50 мА, /Б=5мАнеболее. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим 70в 3в 3в эмиттером при UкБ = 1О В. Iэ = 1О мА: 2Тб02А, КТ602А . 2Т602Б. КТ602Б не менее . 20- 80 . 50-200 50 Постоянная времени цепи обратной связи при UкБ = 10 В. /к=10мА,f=2МГцнебо.1ее. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с 300 пс общи:-.1 эмиттером при Uкэ = 10 В, lк = 25 мА нс менее. .150 МГц Емкость коллекторного перехода при UкБ = 50 В, f = 2 МГц не более . 4пФ Емкость эмиттерного перехода при UэБ = О, f = 2 МГц не более . 25 пФ Обратный ток коллектора: приТ=298К,UКБ= 120Внсболее: 2Т602А, 2Тб02Б. КТ602А, КТ602Б при Т= 398 К, UкБ = 100 В 2Тб02А, 2Т602Б более Обратный ток ко.1лсктор-J:vнптер: приТ=298 К. Икэ=100 В, RЭБ=10 Ом .1ее: . 10 мкА . 70 мкА не . 50 мкА не ба- 2Тб02А, 2Тб02Б КТ602А, КТ602Б при Т=398 К. Uкэ=80 В, 2Тб02Б не более l.G мкА .1 00 мкА RэБ = 10 Ом 2Тб02А, . 50 мкА 223
Предельные эксплуаташюнные данные Постоянное напряжение коллектор-база: 2Тб02А, 2Т602Б: при Т.;;373 К . при Т= 423 К. КТ602А. КТ602Б: при Т<343 К . при Т=393 К . Импу.1ьсное напряже1ше ко.1лек юр-база: 2Т602А. 2Т602Б: прпТ.;;373К. . при Т=423 К . КТ602А, КТ602Б при Т.;; 343 К Пос гоянное напряже~ше ко.1лектор-эмнттер RБэ.;; 1 кОм: 2Т602А, 2Тб02Б: при Т.;;373 К . при Т=423 К . КТ602А, КТ602Б: при Т<343 К . при Т=343 К . Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток коллектора Импу.1ьсный ток Q>7.. коJlлектора при Ти .;; 1 Постоянный ток эмиттера . Постоянная рассеuваемая мощность: б~з теплоотвода: при Т.;; 293 К при Т = 398 К 2Т602А, 2Т602Б при Т = 358 К КТ602А, КТ602Б с теплоотводом: т.;;т•.;;293к.. при т. = 398 К 2Т602А, 2Т602Б при т. = 358 К ЕТ602А, КТ602Б Те-,,тера тура перехода: 2Т602А, 2Т602Б . КТ602А. КТ602Б . Общее тепловое сопротивление: переход-корпус переход-01Сружающая среда . Температура окружающей среды: 2Т602А, 2Т602Б . КТ602А. КТ602Б . при мкс, .От .От 120 в 60в 120 в 60в 160 в 80в 160 в 100 в 50в 100 в 50в 5в 75 :1,1А 500 мА 80 мА 0,85 Вт 0,16 Вт 0,2 Вт 2,8 Вт 0,55 Вт 0,65 Вт 423 к 393 к 45 К/Вт 150 К/Вт 213до398к 233ДО358К Пр им е чан и е. При постоя1шс_й рассеиваемой мощности более 0,85 Вт транзистор необходимо крепить за корпус к теплоотводя­ щей rrансли. Пайка и изгиб подводящих проводов при монтаже допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. Радиус закругления при ' 224
•i"' ~- i 1 1 1 изгибе 1,5 - 2 мм. Пайку следует производить в течение нс более 10 с (температура пайки не должна превышать 533 К). При пайке необходимо осуществлять теплоотвод между корпусом транзистора и местом пайки. 1601.-L_L_:.__-+--"-<-11---+--i 12 о L-..k::::t::::::i:.,._J--:~--1 80 Ч-0. _LJ_-1.--_..!.-+=""f--1 о10 50Iк/.tA Записимость статического коэф­ фициента передачи тока от тока коллектора. hz13 200 1501--..c....-..!.---+--+--+---i 120 1--. -1- -__ ., ,, .+ 80'-- _L:.:.L.---1- - -1- --,,P"J Ч-0 о 273 2Т602А, КТ602.~ 293 31JJ33 т,к Зависимость статического коэф­ фициента передачи тока от тем­ пературы. 2Тб02,КТбт fOLL_L--'-~г f=2МГц о Зависимость емкости коллек­ торного перехода от напряже­ ния коллектор-база. 8 П олупроводннковые приборы hг1з I к= 10мА 2001--~--'-~-1--~_;_---1 160 801----+~~-1--=--~-+---1 Ч-0 О 10 20 30 Ч-0 50Uкз,В Завиеимость статического коэф­ фициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер. 3 2 1 о 2Т602} t- ........... КТ602 / ~ Uкз= 108 J f == 100МГц 5 10 15 20 2513,МА Заnисимо:::ть модуля коэффи­ циента передачи тока от тока эмиттера. С;з,пФ 25 20 15 10 5 о 1 2Т602, КТ602 1" 1 f=2МГц ........... r-- .. 1 Зависимость емкости эмиттер­ ного перехода от напряжения эмиттер-баз а. 225
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И, КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е Транзисторы кремниевые эпитаксиалыю-планарные п-р-п уни­ версальные высокочастотные ма.1омощные. Пре,:~:назначены для применения в импульсных, переключатель­ ных и усилительных высокочастотных схемах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2 г. 42 в ~ Эмиттер 2..- <:::.~ '&. " - -- !:'-.. " .. .: - - "" '- -- - -s. 'а / / 1 1<01111ектор База Э.'lектр1tческне пара:wетры Напряжение насыщения коллектор-Jмиттер: приIк=150мА,lr;=15мА: 2Т603А, 2Т603Б, 2Т60ЗВ, 2Т603Г не бо.-~ее типовоезначение....... . . . . КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ60ЗД, КТбОЗЕ неболее............... при/к=350мА,/Б=50мА2Т603Инсболее. Напряжение насыщения база-эмиттер: приlк=150мА,/Б=15мА: 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, КТ60ЗА. КТ603Б, КТбОЗВ, КТбОЗГ, КТ603д, КТбОЗЕ нс более . . типовоезначение........... при !к= 350 мА, /Б = 50 мА 2Т603И не более TИПiJB 1JC значение . . . . . Статнчсо:r:ий коэффициент передачи тока эмrптс;ром: в схеме с общим 226 приUкэ=2В.fэ=150~1А: 2Тб03А. 2Т603В, КТ603Д КТ603А, КТ603В . . . . 2Т603Б, 2Т603Г . . . . КТ603Б, КТ603Г нс :1-1енее КТ603Е. . ... 0,8 в 0,2* в 1.0 в 1.2 в 1.5 в 0.9* в 1.3 в 1.0* в 20- 80 10- 80 60 -- 180 60 60-200
приИкэ=2В,lэ=350мА2Т603Инеменее. типовоезначение........... Время рассасывания при Iк = 150 мА, /Б = 15 мА: 2Тб03А, 2Тб03Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И не лее . . . . . . . . . . . . .. .. бо- 20 50* 70 нс типовоезначение.······.... 40* нс КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е неболее....