Text
                    СПРАВОЧНИК
Диоды,
тиристоры,
транзисторы
и
микросхемы
широкого
применения.
Воронеж
Издательско-полиграфическая фирма "ВОРОНЕЖ"
1994г.

ББК32.852.3 С74 Составители: Б. Ф. Бессарабов, В. Д. Федюк, Д. В Федюк. Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения. Справочник. / Б.Ф.Бёссарабов, В.Д Федюк, Д.В. Федюк - Воронеж : ИПФ "Воронеж", 1994 г. В справочнике приведены электрические параметры, предельные эксплуатаци- онные данные, габаритные размеры и другие характеристики отечественныхсерий но выпускаемых, диодов, тиристоров, транзисторов и микросхем, применяемых в быговой радиоаппаратуре и радиолюбительской практике. Приведены зарубежные аналоги отечественных микросхем, а также таблицы зарубежных диодов и транзи сторов и их отечественные аналоги. Для телерадиомастеров и подготовленных ради олюбителей. q 23(М.О2ШО0Д111 без обьявл. Ж13(03)-94 I ISBN5-89981-030-0 © ИПФ ’Воронеж". © Б Ф Бессарабов, В.Д. Федюк, Д.В. Федюк (составление)
3 ПРЕДИСЛОВИЕ В справочнике приведены сведения о параметрах диодов, тиристоров, транзисторов и интегральных микросхем широкого применения. Справочник состоит из четырех са- мостоятельных разделов. Первый раздел включает в себя сведения о выпрямительных диодах со средним то- ком не более 10А, блоках и сборках «выпрямительных, выпрямительных столбах, уни- версальных и импульсных диодах, матрицах и сборках диодных, стабилитронах и ста- бисторах, варикапах, излучающих диодах, знакосинтезирующих индикаторах, фотодио- дах и оптопарах. Второй раздел посвящен тиристорам. В нем приводятся сведения по динисторам, запираемым тиристорам, незапираемым тиристорам, симисторам и оптронным тиристорам. В третьем разделе приведены сведения о параметрах биполярных и полевых тран- зисторов широкого применения, а также о фототранзисторах. Четвертый раздел по интегральным микросхемам включает в себя наиболее рас- пространенные в бытовой радиоаппаратуре и радиолюбительской практике серии циф- ровых и аналоговых микросхем. В начале каждого раздела дается краткая характеристика и классификация приво- димых приборов В приложении к каждому разделу приводятся габаритные чертежи. В разделах приводятся, известные авторам, зарубежные аналоги отечественных приборов. Для удобства пользования справочником обозначения приборов расположены в алфа- витно-цифровой последовательности. Сведения о параметрах приборов, не вошедших в данный справочник, можно найти в литературе, список которой приведен в конце спра- вочника. Справочник не заменяет технических условии, утверждаемых в установленном порядке, и не является юридическим документом для предъявления рекламации. Справочник рас читан на широким круг радиолюбителей и может быть полезен спе- циалистам. занимающимся разработкой, ремонтом и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры.
4 СПИСОК ОСНОВНЫХ СОКРАЩЕНИЙ ДМ - амплитудная модуляция АПЧ - автоматическая подстройка частоты АПЧФ - автоматическая подстройка частоты и фазы АРУ - автоматическая регулировка усиления АРУЗ - автоматическая регулировка усиления в канале записи БШН - бесшумная настройка ВЧ ~ высокая частота ГУН - генератор управляемый напряжением ДВ - длинные волны КВ *- короткие волны КСС - комплексный стереосигнал JI3 - линия задержки НЧ - низкая частота ООС - отрицательная обратная связь ОС - обратная связь, отклоняющая система ОУ - операционный усилитель 114 - промежуточная частота САР - система автоматического регулирования СВ - средние волны УВЧ - усилитель высокой частоты УКВ - ультракороткие волны УНЧ - усилитель низкой частоты УПЧ - усилитель промежуточной частоты УПЧЗ - усилитель промежуточной частоты звука УПЧИ - усилитель промежуточной частоты изображения ФАПЧ - фазовая автоматическая подстройка частоты ФНЧ - фильтр нижних частот ФПЧ - фильтр промежуточной частоты ЧМ - частотная модуляция NTSC - система цветного телевидения от National Television System of Colour PAI - система цветного телевидения co строчно-переменной фазой от Phase Alternating Line SECAM - система цветного телевидения с последовательной передачей и памятью от Systeme Sequentiel Coleurs a Memoire VHS - формат записи в бытовых видеомагнитофонах от Video Поте System
диоды 5 РАЗДЕЛ ПЕРВЫЙ I. ДИОДЫ Выпрямительные диоды - полупроводниковые диоды, используемые в электричес- ких устройствах для преобразования переменного тока в ток одной полярности. По вольтамперной характеристике известно, что значения прямого и обратного токов от- личаются на несколько порядков, а прямое падение напряжения не превышает единиц вольт по сравнению с обратным напряжением, которое может составлять сотни вольт. Поэтому диоды обладают односторонней проводимостью, что позволяет использовать их в качестве выпрямительных приборов. Выпрямительные блоки и сборки - это два, четыре или более диода, электрически независимых или соединенных в виде моста и размещенных в одном корпусе. Выпрямительные столбы - это совокупность выпрямительных диодов, соединенных последовательно и собранных в единую конструкцию с двумя выводами. Эти приборы характеризуются теми же параметрами, что и выпрямительные диоды и служат для вы- прямления переменного тока напряжением свыше нескольких киловольт. Универсальные и импульсные диоды - это диоды, которые могут быть использова- ны в выпрямителях на высокой частоте, модуляторах, преобразователях, формировате- лях импульсов, ограничителях и других импульсных устройствах. Диодные матрицы и сборки предназначены для использования в многоступенчатых диодно-резистивных логических устройствах, выполняющих операции И, ИЛИ, диодных функциональных дешифраторах, различных коммутаторах зека и других импульсных устройствах. Конструктивно они выполнены в одном корпусе и могут быть электрически соединены в отдельные группы или в одну группу (общий анод и раздельные катоды, общий катод и раздельные аноды), последовательно соединены или электрически изолированы. Стабилитрон - полупроводниковый диод, напряжение на котором в области элек- трического пробоя при обратном смещении слабо зависит от тока в заданном его диа- пазоне, предназначен для стабилизации напряжения. Существующие стабилитроны имеют минимальное напряжение стабилизации примерно до 3 в. Для получения мень- шего напряжения стабилизации используются стабисторы. Стабистор - полупровод- никовый диод, напряжение на котором в области прямого смещения слабо зависит от тока в заданном диапазоне, предназначен для стабилизации напряжения. Важным пара- метром стабилитронов и стабисторов является температурный коэффициент напряже- ния стабилизации (ТКН), который показывает на сколько процентов изменится напря- жение стабилизации при изменении температуры прибора на 1° С. Варикап - это полупроводниковый диод, в котором используется зависимость ем- кости р-п перехода от обратного напряжения. Варикапы удобны тем, что подавая на них постоянное напряжение смещения, можно дистанционно и практически без- инерционно менять их емкость и тем самым резонансную частоту контура, в который включен варикап. Варикапы применяют для усиления и генерации СВЧ сигналов, пе- рестройки частоты колебательных контуров или автоподстройки частоты. Принцип работы варикапа основан на свойствах барьерной емкости р-п перехода, причем при увеличении обратного напряжения на переходе его емкость уменьшается. Эта емкость имеет относительно высокую добротность, низкий уровень собственных шу- мов и не зависит от частоты, вплоть до миллиметрового диапазона. Излучающим диодом называют полупроводниковый прибор, излучающий кванты света при протекании через него прямого тока. По характеристике излучения из- лучающие диоды можно разделить на две группы: с излучением в видимой части спектра (светодиоды) и инфракрасной - диоды ИК излучения. Светодиоды выпуска-
6 диоды ются красного, оранжевого, зеленого, желтого цветов свечения, а также с пере- менным цветом свечения. Последние имений два электронно-дырочных перехода Об- щий цвет свечения зависит от соотношения токов, протекающих через эти перехо- ды. Светодиоды чаще всего используют как индикаторные устройства, а диоды с переменным цветом свечения применяют в качестве индикаторов изменения токовых режимов в электронных цепях. Областями применения диодов ИК излучения являются системы внешних устройств вычислительной техники, оптронные устройства комму- тации, оптические линии связи и различные узлы коммутации систем автоматики^ Знакосинтезирующие индикаторы - полупроводниковые приборы, состоящие из нескольких светоизлучающих диодов, предназначенных для использования в уст- ройствах визуального представления информации в качестве индикаторов различных знаков Фотодиод - фоточувствительный полупроводниковый диод с р-п переходом (между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом). При освещении р-п перехода в нем возникают электронно-дырочные пары Направление тока этих носителей совпадает с направлением обратного тока перехода. Фотодио- ды используют в фотодиодном и фотогальваническом режимах. В первом - р-п пере- ход смещается в обратном направлении и фототок является функцией освещенности Во втором режиме прибор работает в режиме генерации фото-ЭДС По сравнению с фотогальваническим, с|ю'годиодный режим обладает рядом достоинств, пониженной инерционностью, повышенной чувствительностью к длинноволновой части оптическо- го спектра, широким динамическим диапазоном линейности характеристик Основной недостаток этого режима - наличие шумового тока, протекающего через нагрузку. В ряде случаев, при необходимости обеспечения низкого уровня шума фотоприемника, фотогальванический режим может оказаться более выгодным, чем фотодиодный Оптопара - оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящим из изучаю- щего и фотоприемного элементов, между которыми имеется оптическая связь, обеспечивающая электрическую изоляцию между входом и выходом Буквенные обозначения параметров и их определения Lo6p ^обр,и Ь’ ^вых ^вх,обр ^вых,обр ииз L’KOM р изл ;.,р пр,и ‘пр.ср обр 1црг - постоянное прямое напряжен^ диода - постоянное обратное напряжение диода - наибольшее мгновенное значение обратного напряжение диода - прямое падение напряжения на диодах, соединенных по мостовой схеме и при коротком замыкании со стороны нагрузки - значение напряжения стабилитрона при протекании тока стабили- зации - значение рабочего напряжения фотодиода - значение входного напряжения оптопары - значение выходного остаточного напряжения оптопары - значение обратного входного напряжения - значение обратного выходного напряжения - значение напряжения изоляции оптопары значение коммутируемого напряжения - значение мощности излучения - постоянный прямой ток диода - наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая по- вторяющиеся и неповторяюшиеся переходные токи - среднее за период значение прямого тока диода - постоянный обратный ток диода - значение прямого тока выпрямительного диода, длительное
диоды 7 протекание которого вызвало бы превышение максимально допустимой температуры перехода, но который так ограничен во времени, что эта температура не превышается 'хх - значение обратного тока диодов, соединенных по мостовой схеме и отключенной нагрузке гот I - значение постоянного тока, протекающего через стабилитрон в ре- жиме стабилизации - значение темнового тока фотодиода 5* д’*1 я"" сГ 2 S Е * £ х х о 2ч 3 ОХ н - значение входного тока оптопары - значение постоянного выходного тока оптопары - значение максимально допустимой частоты - время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевой значение до момента достижения обратным током заданного значения а ст - отношение относительного изменения напряжения стабилизации стабилитрона к абсолютному изменению температуры окружающем среды при постоянном значении тока стабилизации 8 U ст - отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации ста- билитрона к начальному значению напряжения стабилизации за за- данный интервал времени С 0в - значение емкости варикапа - отношение реактивного сопротивления варикапа на задан- ной частоте к сопротивлению потерь при заданном значении емкости или обратного напряжения (добротность варикапа) Кс - значение коэффициента перекрытия по емкости варикапа 'с . - значение светового потока, излучаемого светодиодом, приходящегося на единицу телесного угла в направлении, перпендикулярном к плоскости излучающего кристалла L - величина, равная отношению силы света светодиода к площади све- X max тящейся поверхности (яркость светодиода) - значение длины волны светового излучения, соответствующая мак- симуму спектральной характеристики светодиода *нр,изл - интервал времени, в течение которого мощность излучения диода после включения изменяется от 0,1 до 0,9 максимального значения ’сп,изл - интервал времени, в течение которого мощность излучения диода ДХ после выключения изменяется от 0,9 до 0,1 максимального значения - значение диапазона спектральной характеристики фотодиода $1 ИНТ 1нс,сп - значение интегральной токовой чувствительности фотодиода - значение времени нарастания и спада выходного импульса оптопары Обеспечение отвода тепла от полупроводниковых приборов является одной из главных задач при конструировании аппаратуры. Необходимо придерживаться прин- ципа максимально возможного снижения температуры переходов и корпусов прибо- ров. Для охлаждения мощных приборов используются тепло проводящие- охладители, а также конструктивные элементы узлов и блоков аппаратуры, имеющие дос i а сочную поверхность или хороший теплоотвод. Крепление приборов к охладителю должно обеспечивать-надежный тепловой контакт. Если корпус прибора необходимо изо пи- ровать, то для уменьшения общего теплового сопротивления лучше изолировать ох- ладитель от корпуса аппаратуры, чем диод от охладителя. Рихтовка, формовка и обрезка участков выводов приборов должна произво-
8 . ч ДИОДЫ диться так, чтобы в выводах не возникали избыточна или растягивающие усилия- Расстояние от корпуса прибора до начала изгиба вывода должно быть не менее 2мм; радиус изгиба вывода не менее 0,5мм при его диаметре 0,5мм; 1мм - при диаметре 0,6мм, и не менее 1,5 мм при диаметре свыше 1мм. Расстояние от корпуса прибора до места пайки или лужения должно быть не менее Змм. Цветовая маркировка диодов приведена в приложении 1.1. Зарубежные диоды и их функциональные отечественные аналоги приведены в при- ложении 1.2. Габаритные чертежи диодов приведены в приложении 1.3.
диоды 9 1Л. Диоды выпрямительные со средним током не более 10 А Т а б п и ц а /. / Тип прибора 'пр. <.р шах, А(мА) ^обр.и ' max, В ^обр max. В ^ирг. А ^тах, МГц ‘ Unp. В ъос. обр, мкс Прило- жение 1.3 Д2Б (16) 30 10 - 150 1 3 Д2В <25> 40 30 - 150 1 3 Д2Г (16) 75 50 - 150 1 .3 Д2Д < 16) 75 50 - 150 1 3 Д45, Д2Е <161 100 100 - 150 1 3 Д99 Д2Ж (S) 150 150 150 1 3 Д2И (16) 100 100 150 1 3 Д7А 0.3 50 - 1 0,02 0,5 - Д7Б 0.3 100 - 1 0.02 0.5 - Д7В 0.3 150 - 1 0,02 0,5 - Д5а Д7Г 0.3 200 1 0,02 0.5 - Д7Д 0.3 300 - 1 0,02 0.5 - Д7Е 0.3 350 - 1 0,02 0,5 - Д7Ж 0.3 400 - 1 0.02 0.5 - Д9Б (40) 10 - V - 40 1 0.8 Д9В (20) 30 - - 40 1 0,8 Д9Г (30) 30 - - 40 1 0,8 Д9Д <3<» 30 - - 40 1 0.8 Д22, Д9Е <20> 50 - - 40 1 0,8 Д46 Д9Ж (15) 100 - - 40 1 0.8 Д9И (30) - 30 - - 40 1 0.8 Д9К (30) 50 - 40 1 0.8 Д9Л (15) 100 - - 40 1 0.8 Д9М (30) 30 - 40 1 0.8 дни (30) 75 75 - 150 9 - ДИНА (30) 75 75 - 150 1 - Д102 (30) 50 50 - 150 2 - Д4 Д102А (30) 50 50 150 1 - ДН13 (30) 30 30 - 150 2 - ДЮЗА . (30) 30 .30 - 150 1 Д104 (30) 100 100 - 0.15 2 0.5 Д104А (30) 100 100 - 0.15 1 0.5 Д105 (30) 75 75 0.1 5 2 0,5 Д4 Д105А (30) 75 75 - 0.1 5 1 0.5 ДНИ) (30) .30 30 - 0.15 2 0.5 Д106А (30) 30 .30 - 0.15 1 0.5
10 диоды Продолжение табл. 1.1 Тип прибора 'пр, ср max, А(мА) ^обр,и max, В иобр шах, В ^прг, А ^тах, МГц Lnp, в ’вое, обр, мкс Прило- жение 1.3 Д202 0,4 100 100 - 0,02 1 - - дгоз 0,4 200 200 - 0,02 1 Д101 Д204 0,4 300 300 - 0,02 1 - Д205 0,4 400 400 - 0,02 1 - Д206 од 100 - - 0,001 1 - Д207 од 200 - 0,001 1 - Д208 0,1 300 - - 0,001 1 - Д5а Д209 0,1 400 - - 0,001 1 - Д210 0,1 500 - - 0,001 I - Д2И 0,1 600 - - 0,001 1 - Д214 10 100 - 100 0,001 1 1,2 - Д214А 10 100 - 100 0,0011 1 - Д16 Д214Б 5 00 50 0,001 1 1 Д215 10 200 - 100 0,001 1 1,2 - Д215А 10 200 - 100 0,001 1 1 - Д16 г Д215Б 5 200 - 50 0.001 1 15 - ъ Д217 0,1 800 - - 0,001 1 - Д218 0,1 1000 - - 0.001 0,7 - Д5а Д223 0,05 - 50 0,5 - 1 - Д223А 0,05 - 100 0,5 - 1 - Д4 Д223Б 0,05 - 150 0,5 - 1 - Д226 о,з 400 - - 0,001 1 - Д226А 0,3 300 - 0,001 1 - Д5а Д226Е 0,3 200 - 0.001 4 Д229А 0,4 200 - 10 ,0,001 1 Д229Б 0,4 400 - 10 0,001 1 - Д229В 0,4 100х ЛОО 2 0.001 1 - дп Д229Г 0,4 200 \о - 0.001 1 * Д229Д 0,4 300 зоб - 0,001 1 - Д229Е 0,4 400 400 - 0 (ХИ 1 - Д229Ж 0,7 100 100 - 0,001 1 - Д229И 0,7 200 200 - 0,001 1 - Д229К 0,7 300 300 - 0,001 1 - Д229Л 0,7 400 400 - 0,001 1 -
ДИОДЫ и Продолжение табл. 1.1 Тип прибора Jnp, ср max, А (мА) ^обр,и max, В иобр max, ’ В 'прг, А ^тах, МГц Unp, В *вос, обр, мкс Прило- жение 1.3 Д231 10 300 - 100 0,001 1 - Д231А 10 300 - 100 0,0b 1 1,2 - Д231Б 5 ’ 300 - 50 0,001 1,5 - Д232 10 400 - 100 0,001 1 - Д232А 10 400 - 100 0,001 1,2 - Д1б Д232Б 5 400 - 50 0,001 1,5 - Д233 10 500 - 100 0,001 ' 1 - Д233Б 5 500 - 50 0,001 1,5 - Д234Б 5 600 50 0,001 1,5 - Д237А 0,3 200 10 0,001 1 Д237Б 0,3 400 - 10 0,001 I - Д237В 0,1 600 - 10 0,001 1 - Д5а Д237Е 0,4 200 - 10 0,001 1 - Д237Ж 0,4 400 - 10 0,001 I - Д242 ’ 10 100 - - 0,01 1,25 Д242А 10 100 - - 0,01 1 - Д242Б 5 Ц)0 - - 0,01 1,5 - Д243 10 200 • - 0,01 1,25 - Д243А 10 200 - - 0,01 1 - Д16 Д243Б 5 200 - - 0,01 1,5 - Д245 10 300 , - - 0,01 1,25 - Д245А 10 300 - - 0,01 1 - Д245Б 5 300 - - 0,01 1,5 - Д246 L0 400 - - 0,01 1,25 - Д246А 10 400 - - 0,01 1 - Д246Б 5 * 400 - - 0,01 1,5 - Д247 10 500 - - 0,01 1,25 - Д247Б 5 500 - - 0,01 1,5 - Д248Б 5 600 - - 0,01 1,5 - Д302 1 200 - 4 > 0,005 0,25 - ДЗОЗ 3 150 - 4,5 0,005 0,3 - Д14 Д304 5 100 - 12,5 0,005 0,25 - Д305 10 50 - 20 0,005 ' 0,3 - КД102А о,1 - 250 2 0,005 1 - КД102Б 0,1 - 300 2 0,005 1 - ДЗ КД103А 0,1 - 50 2 0,02 1 - КД103В 0,1 - 50 2 0,02 1,2 - КД104А (10) 300 300 1 0,02 1 4 ДЗ
12 ДИОДЫ Продолжение табл. 1.1 Тип прибора ®пр, ср шах, А(мА) Ц>бр,и max, В %бр max, В ^прг, А ^пах, МГц Unp, В *вос, обр, мкс Прило- жение 1.3 КД105Б 0,3 400 - 15 0,001 1 - КД105В 0,3 600 - 15 0,001 1 - Д8 КД105Г 0,3 800 - 15 0,001 1 - КД106А 0,3 100 100 3 0,03 1 0,45 Дб КД109А 0,3 100 - - - 1 - КД109Б 0,3 300 - - - 1 - Д7 КД109В 0,3 600 - - - 1 - КД126А 0,25 - 300 - 0,02 1,4 - КД127А 0,25 - 800 - 0,02 1,4 - КД202А 5 50 35 9 0,005 0,9 КД202Б 3,5 50 35 9 0,005 0,9 - КД202В 5 100 70 9 0,005 0,9 КД202Г 3,5 100 70 9 0,005 0,9 - КД202Д 5 200 140 9( 0,005 0,9 - КД202Е 3,5 200 140 9 0,005 0,9 - КД202Ж 5 300 210 9 0,005 0,9 - Д15 КД202И 3,5 300 210 9 0,005 0.9 - КД202К 5 400 280 9 0,005 0,9 - КД202Л 3,5 400 280 9 0,005 0,9 - КД202М 5 500 350 1 9 0,005 0.9 - КД202И 3,5 500 350 9 0,005 0,9 - КД202Р 5 600 420 9 0.005 0,9 - КД202С 3,5 600 420 9 0,005 0,9 - КД203А 10 600 420 50 0,001 1 - КД203Б 5 800 560 50 0,001 1 - КД203В 10 800 560 50 0,001 1 - Д16 КД203Г 5 1000 700 50 0,001 1 КД203Д 10 1000 700 50 0,001 1 - КД204А 0,4 400 400 0,8 0,05 1,4 1.5 КД204Б 0.6 200 200 1,2 0,05 1,4 1.5 Д12а КД204В 1 50 50 2 0.05 1,4 1-5 КД206А 10 400 400 100 0,02 1.2 10 КД206Б 10 500 500 100 0,02 1,2 10 Д12а КД206В 10 600 600 100 0,02 1.2 10
ДИОДЫ 13 Продолжение табл. 1.1 Тип прибора ^пр, ср max, А(мА) ^обр,и max, В ^обр max, В ^прг, А ^шах, МГц ипр, В 'вое, обр, мкс Прило- жение 1.3 КД208А 1,5 100 100 - 0,001 1 - КД209А 0,7 400 400 6 0,001 1 - Д8 КД209Б 0,5 600 600 6 0,001 1 - 1СД209В 0,5 800 800 6 0,001 1 - КД210А 5 800 - 25 0,005 2 КД210Б 10 800 - 50 0,005 2 - Д12а КД210В 5 1000 - 25 0,005 2 КД210Г 10 1000 - 50 0,005 2 - КД212А 1 200 200 50 0,1 1 0,3 КД212Б 1 200 200 50 0,1 1,2 0,5 Д13 КД212В 1 100 100 50 0,1 1 0,3 КД212Г 1 100 100 50 0,1 1,2 0,5 КД213А 10 200 200 100 0,1 1 0,3 КД213Б 10 200 200 100 0,1 1,2 0,17 Д17 КД213В 10 • 200 200 100 о,1 1,2 0,5 КД213Г 10 100 100 100 0,1 1,2 0,3 КД221А 0,7 100 100 7 0*001 1,4 1.5 КД221Б 0,5 200 200 5 0,001 1,4 1,5 Д44 КД221В 0,3 400 400 3 0,001 1,4 1,5 КД221Г 0,3 600 600 3 0,001 1,4 1,5 КД223А 2 200 200 - - 1,3 - ,'19 КД226А 1,7 100 100 10 0,035 1,4 0,25 КД226Б 1,7 200 200 10 0,035 1.4 0.25 Д9 КД226В 1,7 400 400 10 0,035 1,4 0,25 КД226Г 1,7 600 600 10 0.035 1.4 0,25 КД226Д 1.7 800 800 10 0,035 1.4 0.25 КД227А 5 150 100 - 0,001 1.6 - КД227Б 5е 300 200 - 0.001 1.6 - КД227В 5 450 300 - 0,001 1.6 - Д84а КД227Г 5 600 400 - 0,001 1.6 - КД227Д 5 700 500 - 0,00 1 1.6 - КД227Е 5 850 600 - 0.00 1 1,6 КД227Ж 5 1 200 800 - 0,001 1.6 . -
14 диоды Окончание табл. 1.1 Тип прибора *пр, ср max, А(мА) ^обр,и max, В иобр max, В *прг, А fmax, МГц и Н ипр, В *во.с, обр, мкс Прило- жение 1.3 КД257А 3 - 200 - 0,05 1,5 0,25 КД257Б 3 - 400 - 0,05 1,5 0,25 Д27 КД257В 3 - 600 - 0,05 1,5 0,25 КД257Г 3 - 800 - 0,05 1,5 0,3 КД257Д 3 - 1000 - 0,05 1,5 0,3 КД258А 1,5 - 200 - 0,05 1,5 0,25 КД258Б 1,5 - 400 - 0,05 1,5 0,25 КД258В 1,5 - 600 - 0,05 1,5 0,25 Д27 КД258Г 1,5 - 800 - 0,05 1,5 0,3 КД258Д 1,5 - 1000 - 0,05 1,5 0,3 1.2. Блоки и сборки выпрямительные Таблица 1.2 Тип прибора *пр, ср max, А ^обр.и max, В Чбр max, В ^прГ А ^шах’ кГц ’Jng.cp* *ХХ’ (1обр>’ мкА Прило- жение 1.3 КД205А 0,5 500 500 - 5 (1) ООО) КД205Б 0,5 400 400 - 5 (1) ООО) КД205В 0,5 300 300 - 5 (1) (100) КД205Г 0,5 200 200 - 5 (1) (100) Д10 КД205Д 0,5 100 100 - 5 (1) (100) КД205Е 0,3 500 500 - 5 (1) (100) КД2П5Ж 0,5 600 600 - 5 <1) ООО) КД205И 0,5 700 700 - 5 < 1 > (100) КД205К 0,7 юр 100 - 5 О) (100) КД205Л 0.7 200 200 - 5 (1) (100) КДС111А 0.2 300 - 3 20 (1,2) (3) Д53а КДС111Б 0,2 300 - 3 20 (1,2) (3) Д53б КДС111В 0,2 300 - 3 20 (1,2) (3) Д53в КЦ401А 0,4 500 - - 1 /2,5) (50) Д54 КЦ401Г 0,5 500 - - 1 (2,5) ,(50) Д52 КЦ402А 1 600 - 28 5 4 125 КЦ402Б I 500 - 28 5 4 125 Д60
диоды 15 Продолжение т а б л. 1.2 Тип прибора '’Р, ср max, А Цэбр-И max’ В ^обр max, В ^прГ А 'max’ кГц' *хх’ %бгЛ МкА Прило- жение 1.3 КЦ402В 1 400 28 5 4 4 125 КЦ402Г 1 300 - 28 5 4 125 КЦ402Д 1 200 - 28 5 4 125 Ц60 КЦ402Е 1 100 28 3 4 125 КЦ402Ж 0,6 600 - 28 5 4 125 КЦ402И 0,6 500 - 28 5 4 125 КЦ403А 1 600 - 28 ! 5 4 125 КЦ403Б 1 500 - 28 4 125 КЦ403В I 400 - 28 5 4 125 КЦ403Г 1 300 - 28 5 4 125 Д61 КЦ403Д 1 200 - 28 т 4 125 КЦ403Е 1 100 - 28 5 4 125 КЦ403Ж 0,6 600 - 28 5 4 . 125 КД403И 0.6 500 - 28 5 4 125 КЦ404А 1 600 - 28 5 4 125 КЦ404Б 1 500 - 28 5 4 125 КЦ404В 1 400 - 28 5 4 125 КЦ404Г 1 300 - 28 5 4 125 Д62 КЦ404Д 1 200 - 28 5” 4 > 125 KU404E 1 100 - 28 э 4 125 КЦ404Ж 0,6 600 - 28 5 4 125 КЦ404И 0,6 500 - 28 5 4 125 КЦ405А 1 600 - 28 5 4 125 КЦ405Б 1 500 - 28 ч 4 125 КЦ405В 1 400 - 28 л 4 125 КЦ405Г 1 300 28 5 4 125 2163 КЦ405Д 1 200 - 28 5 4 125 КЦ405Е 1 100 - 28 4 125 КЦ405Ж 0,6 600 - 28 J 4 125 КЦ405И 0,6 500 - 28 4 125 КЦ407А 0,5 400 - 3 • ?,v ' 2.5 5 Д48 К.Ц4.09А 3 600 - - 1 2,5 3 КЦ409Б 3 500 - - 2,5 3 КЦ409В 3 400 - 1 2,5 3 КЦ409Г 3 300 - - I 2,5 з Д67 КЦ409Д 3 200 Ч 1 2,5 3 КЦ409Е 3 100 - - 1 2,5 3
16 ДИОДЫ Окончание табл. 1.2 Тип прибора *пр, ср max, А ^'обр.и max, В Чбр max, В I прг- А Лпах’ кГц LK.r ’хх’ «обр»’ мкА Прило- жение 1.3 КЦ409Ж 6 200 - - 1 2,5 3 Д67 КЦ409И 6 100 - - 1 2,5 3 КЦ410А 3 50 - 45 1,2 < 10) КЦ410Б 3 100 - 45 - 1,2 (10) Д66 КЦ410В 3 200 - 45 - 1,2 (10) КЦ412А 1 50 - 15 - *,2 (50) КЦ412Б 1 100 - 15 - 1,2 (50) Д64 КЦ412В 1 200 - 15 - 1,2 (50) КЦ417А I 600 - 4 5 3 15 КЦ417Б 1 400 - 4 5 3 15 Д65 КЦ417В 1 200 - 4 5 3 15 1.3. Столбы выпрямительные , Г а б / и ца 1.3 Тип *пр, ср max, V «г оор,и max, 4>бр max. ^прг’ f max’ ьпр- ’вое' обр. 11рило- жение прибора мА кВ кВ А кГц в мкС 1.3 Д1004 100 2 1 5 Д1005А 50 4 - - 1 5 - Д1005Б 100 4 - - 1 10 - Д69 Д1006 100 6 - 1 10 - дюо, 75 8 - - i 10 - Д1008 50 10 - - 1 10 - Д1009 100 2 1 2.6 Д1009А 100 1 - - I 1,5 дюю 300 2 - - 1 8 - Д71. Д1010А 300 1 - - 1 5 - ДЮНА 300 0,5 - - 1 1.5 - КЦ105А 100 2 - - Г 3.5 . 3 КЦ105Б 100 4 - - 1 3,5 3 КЦ105В 100 6 - - I 7 3 Д70 КЦ105Г 75 8 - - I 7 3 КЦ105Д 50 10 - - i 7 3
диоды 17 Окончание т а б л. 1.3 Тип прибора ^Пр. ср max, мА Чэбр,и max, кВ Lo6p max, кВ *ирг’ Л ^тах’ кГц Ьпр’ в ’вое’ обр. мкС Прило- жение 1.3 Kill 06 А 10 4 т 1 20 35 3,5 КЦ106Б 10 6 - 1 20 35 3,5 КП106В 10 8 - 1 1 20 .35 3.5 Д68 КЦ106Г 10 10 - 1 20 35 3.5 КЦ106Д 10 2. - I ‘ 20 35 3.5 КЦ109А 300 6 1 15,6 7 1.5 Д 103 К1Ц17А 1300 10 - - 15,6 35 0.3 Д102 КЩ17Б 3000 12 - - 15,6 35 0.3 КЦ201А 500 2 - , 3 1 3 - Д1« КЦ201Б 500 4 - 3 1 3 - КЦ201В 500 6 - 3 1 6 - КЦ201Г 500 8 - 3 1 6 - Д19 КЦ201Д 500 10 - 3 I 6 - К Ц20 IE 500 15 - 3 1 10 - /120 1.4. /Диоды универсальные и импульсные Г а б 1 и ц а 14 Тип прибора ^обр max. В ^обр.и max. В 'пр- так. мА( А) 'пр- и max. А ^тах* Ml’it *BOC обр. ПС Lnp* В 11ри ло- же! 1ИС 1 .3 Д18 20 16 ’ 0.05 - 100 1 Д20 20 - 16 - 40 - 1 Д4 Д219А 70 - 50 0.5 - 500' 1 Д220 50 - - 50 0.5 - 500 1.5 Д4 Д220А 70 - 50 0.5 - 500 1.5 Д22ОБ 100 - 50 0.5 - 500 1.5 Л Д310 20 - (0.5) 0.8 - .300 0.55 Д311 30 - 40 0,5 - 50 0.4 Д311А зо, - 80 0.6 - 50 0.4 Я 4 Д312 100 - 50 0.5 - 500 0,5 Д312А , 75 50 0.5 - 500 0.5
18 ДИОДЫ П роде л ж е н и е т а б t. 14 Тип < г- оор ^обр.И ’пр’ пр’ ^max’ *вос Lnp’ При ю шах шах шах. и max. обр. жсние прибора В В м А< А) А Mill в 1 3 ГД 402 А 1 5 чо 0 1 100 0 45 .121 ГД402Б 1 5 30 0 1 100 - 0 45 ГД403А 5 5 - Г. 141В Б 5 - 5 U 1 140 Ш 5 5 - ГД5(ПД 20 30 16 0 1 100 0 5 ГД 508 А 8 10 И) 0 03 - - 0 7 121 ГТ. 508 Б 8 -.0 )О 0 tn - 0 65 ГТЧ1 А И 1 5 0 05 0 6 ГТ.511Б 1 2 1 5 0 05 0 6 .122 Г ,1511В 12 1 5 0.05 0 h К .1401 А 75 30 0.09 0 1 5 2000 1 л/ К 1401b 75 30 0 09 0 1 5 2000 1 К 141ПА 24 ^4 50 0 5 (21 -* К1409А 24 21 50 0 5 1254 КД410Д 1 000 50 ,3000 7 126 К 141ОБ 600 - 50 3000 2 К141 1 А - 4 700 () 1 00 0 03 2500 1 4 К 14(1 Б 600 \2) 100 0 03 1 500 1 4 128 К 1411 В 500 12> ИЮ 0 (В 2500 1 4 КД 41 1Г 400 <2) 100 0 0.3 1 500 2 К 1412 Л НЮ0 1 000 10) 100 0 02 1 5()0 э КД412Б 800 ><>!> ( 10) i оо 0 02 1 500 э 129 К ,14i 2В ЛОО 600 « 10) 100 б 02 1 500 7 КД41Л >00 400 ( 10) 100 0.02 1 500 К1413А 24 24 20 50 1 (23 К 141 ЗБ 24 24 20 50 - S К 1 1 - ОД 40 ’ 100 МИ) 1 5 0 0005 - 3 128 К 7416*5 ’•'П .'00 МИ) 1 5 0 0005 3 К .14 Г А 24 .... 20 ] 123
диоды 19 Продолжение табл. 1.4 Тип Прибора ^обр max, В ^обр,и max, В пр’ шах, мА( А) ’пр’ и шах, А ’max’ МГц 1вос’ обр, НС %’ В Прило- жение 1.3 КД419А 15 - 10 - 400 - 0,4 КД419Б 30 - 10 - 400 - 0,4 Д23 КД419В 50 - 10 - 400 - 0,4 КД419Г 15 - 10 - 400 - 0,4 КД424А 250 250 350 2 - 1000 1.1 Д47а КД503А 30 30 20 0.2 - Ю 1 Д21 КД503Б 30 30 20 0.2 - 10 1,2 КД504А 40 - 160 I - - 1,2 Д4 КД509А 50 70 100 1.5 - 4 1.1 Д21 КД510А 50 70 200 1.5 - 4 1,1 Д2 КД512А 15 - 20 0,2 - I 1 Д21 КД513А 50 70 100 1.5 - 4 1 1 Д24 КД514А 10 10 0.05 - I Д23 КД51ХА - - 100 1.5 - - 0,57 Д24 КД519А 30 40 30 0.3 - - 1.1 Д21 КД519Б 30 40 30 0.3 - - 1,1 К1520А 15 25 20 0.05 - 4 1 Д23 КД521 А 75 so 50 0.5 - $ 1 КД521Б 00 65 50 0.5 - 4 1 КД521В 50 55 50 0.5 4 1 Д2 КД521Г 30 35 50 0.5 - 4 1 КД521Д 12 15 50 0.5 - 4 1 КД522А 30 40 100 1.5 - 4 1.1 Д2 КД522Б 50 60 100 1.5 - 4 1.1 КД529 А - 2000 (S) - 0.005 2000’ 3.5 КД529Б - 2000 СК) - 0.005 3000 3.5 Д72
20 ДИОДЫ Окончание табл. 1.4 Тип прибора Lo6p max, В ^обр,и max, В *пр’ max, мА(А) пр’ и max, А ^тах’ МГц *ВОС’ обр, НС Unp’ В Прило- жение 1.3 КД529В - 1600 (8) - 0,005 2000 3,5 Д72 КД529Г - 1600 (8) - 0,005 3000 3,5 КД922А 18 18 50 0,1 1000 - 1 КД922Б 21 21 35 0,07 1000 - 1 Д73 КД922В 10 10 10 0,02 1000 - 0,55 КД923А 14 14 100 0,2 700 • ' - 0,34 Д1 1.5. Матрицы и сборки диодные Табл и и, а 1.5 Тип 1,обр max, Ц)бр,И max, •пр’ max, !пр’ и max, 'вОС’ обр, ипр- *обр’ Прило- жение прибора В В мА А нс в мкА 1.3 КДС523А 50 70 20 0,2 4 1 5 Д58 КДС523Б 50 70 20 0,2 4 1 5 КДС523В 50 70 20 0,2 4 1 5 Д59 КДС523Г 50 70 20 0,2 4 . 1 5 КДС525А 15 20 20 0,2 5 0,9 1 КДС525Б 15 20 20 * 0,2 5 0,9 1 КДС525В 15 20 20 0,2 5 0,9 1 КДС525Г 15 20 20 0,2 5 0,9 1 КДС525Д 15 20 20 0,2 5 . 0,9 1 Д50 КДС525Е 20 40 20 0,2 5 0,9 1 КДС525Ж 20 40 20 0.2 5 0,9 1 КДС525И 20 40 20 0,2 5 0,9 1 КДС525К 20 40 20 0,2 5 0,9 1 КДС525Л 20 40 20 0,2 5 0,9 1 КДС526А - 15 20 0,05 5 Ы - Д49а КДС526Б - 15 20 0,05 5 1,1 - Д496 КДС526В - 15 20 0,05 5 1,1 - Д49в КДС627А 50 (>0 200 1.5 40 1.3 2 Д83 КДС628 50 60 300 1,5 50 1,3 5 Д80
диоды 21 Окончание табл. 1.5 Тип прибора Uo6p max, В Ц)бр,и max, В 'пр' max, мА •пр- и max, А *ВОС’ обр, НС ипр' В ^обр’ мкА Прило- жение 1.3 КД903А.Б 20 30 75 0,35 150 1,2Х 0,5 Д51 КД906А 75 100 100 2 2000 1 2 КД906Б 50 75 100 2 2000 1 2 Д85а КД906В 30 75 100 2 2000 1 2 КД906Г 75 100 10Q 2 2000 1 2 КД906Д 50 75 100 2 2000 1 2 Д856 КД906Е 30 75 too 2 2000 1 2 КД908А 40 60 200 1,5 30 1,2 5 Д78а КД908АМ 40 60 200 1,5 30 1,2 5 Д79а КД909А 40 60 200 1,5 70 1,2 10 Д81 КД914А 20 - 20 0,05 - 1 1 Д49г КД914Б 20 - 20 0,05 - 1 1 Д49д КД914В 20 - 20 0,05 - 1 1 Д49е КД917А 40 60 200 1,5 10 1,2 5 Д786 КД917АМ 40 60 200 1,5 10 1,2 5 Д796 КД919А 40 40 loo 0,7 100 1,35 1 Д82а КД920А 40 40 100 0,7 100 1,5 1 Д826 1.6. Стабилитроны и стабисторы Таблица 1.6 Тип прибора Uct, НОМ, В ‘ст, НОМ, мА Р max, мВт “ст, %/»С ±бист, , (±8UCT10-2) /о ‘ст min, мА ‘ст max, мА Прило- жение 1.3 Д808 8 5 280 0,07 1 3 33 Д809 9 5 280 0,08 1 3 29 Д810 10 5 280 0,09 1 3 26 ДЗЗб Д811 11 5 280 0,095 - 1 3 23 Д813 13 5 280 0,095 1 3 20
22 ДИОДЫ Продолжение табл. 1.6 Тип прибора ист, ном, В ^ст, ном, мА р max, мВт “ст, %/°C ±suCT> (±8LCT10-Z) % ст min, мА ^ст max, мА Прило- жение 1.3 Д814А 8 5 340 0,07 1 3 40 Д814Б 9 5 340 0,08 1 3 36 Д814В 10 5 340 0,09 1 3 32 дззб Д814Г 11 5 340 0,095 I 3 29 Д814Д 13 5 340 0,095 1 3 24 Д815А 5,6 1000 8000 4,5 4 50 1400 Д815Б 6,8 1000 8000 5 4 50 1150 Д815В 8,2 1000 8000 7 4 50 950 Д815Г 10 500 8000 8 4 25 800 Д815Д 12 500 8000 9 4 25 650 Д815Е 15 500 8000 10 4 25 550 Д31 Д815Ж 18 500 8000 11 4 25 450 Д816А 22 150 5000 12 5 10 230 Д816Б 27 150 5000 12 5 10 180 Д816В 33 150 5000 12 5 10 150 Д816Г 36 150 5000 12 5 10 130 Д816Д 47 150 5000 12 5 10 1 10 Д817А 56 50 5000 14 6 5 90 Д817Б 68 50 5000 14 6 5 75 Д817В 82 50 5000 14 6 5 60 Д817Г 100 50 5000 14 6 5 50 Д818А 9 10 300 0,02 (0,11) 3 33 Д818Б 9 10 300 -0,02 (0,13) 3 33 Д818В 9 10 300 ±0,01 (0,12) 3 33 ДЗЗа Д818Г 9 10 300 ±0,005 (0,12) 3 33 Д818Д 9 10 300 ±0,002 (0,12) 3 33 Д818Е 9 10 300 ±0,001 (0,12) 3 33 КС107 0,7 10 125 -0,34 3,2 1 100 дззб КС108А 6,4 7,5 70 ±0,002 (0,05) 3 10 КС108Б 6,4 7,5 70 ±0,001 (0,05) 3 10 Д1 КС108В 6,4 7,5 70 ±0,0005 (0,05) 3 10 КС113А 1,3 10 200 -0,42 3,5 I 100 дззб КС119А 1,9 10 200 -0,42 5 1 100 КС133А 3,3 10 300 -0,1 1 1 3 81 дззб КС133Г 3,3 5 125 - - 1 37,5 Д1
диоды 23 Продолжение табл. 1.6 Тип прибора ист, ном, В ^ст, ном, мА р 1 max, мВт “ст, %/°C ±8ист, , (±8Сст10-2) % 'ст min, мА 'ст max, мА Прило- жение 1.3 КС139А 3,9 10 300 -0,1 1 3 70 дззб КС139Г 3,9 5 125 - - I 32 Д1 КС147А 4,7 10 300 -0,09 1 3 58 дззб КС147Г 4,7 5 125 - - 1 26,5 Д1 KC1S6A 5,6 10 300 ±0,05 1 3 55 дззб КС156Г 5,6 5 125 - - 1 22,4 Д1 КС162А 6,2 к 10 150 -0,06 1,5 3 22 Д34 КС168А 6,8 10 300 ±0,06 1 3 45 дззб КС168В 6,8 10 150 ±0,05 1,5 3 20 Д34 КС170А 7 10 150 ±0,01 1,5 3 20 Д34 КС175А 7,5 5. 150 ±0,04 1,5 3 18 Д34 КС175Ж 7,5 4 125 0,07 - 0,5 17 Д32 КС182А 8,2 5 150 0,05 1,5 3 17 Д34 КС182Ж 8,2 4 125 0,08 - 0,5 15 Д32 КС190Б 9 10 150 ±0,005 (0,02) 5 15 КС190В 9 10 150 ±0,002 (0,02) 5 15 ДЗЗа КС190Г 9 10 150 ±0,001 (0,02) 5 15 КС190Д 9 10 150 ±0,0005 (0,02) 5 15 КС 191А 9,1 5 150 0,06 1,5 3 15 Д34 КС191Ж 9,1 4 125 0,09 - 0,5 14 Д32 КС191М 9,1 10 150 ±0,005 (0,005) 5 15 КС191Н 9,1 10 150 ±0,002 (0.005) 5 15 ДЗЗа КС191П 9,1 10 150 ±0,001 (0,005) 5 15
24 ДИОДЫ Продолжение табл. 1.6 Тип прибора ист, ном, В ‘ст, ном, мА Р max, мВт “ст, . %/°C ±6п ст, <±8UCT10-2) % «ст min, мА ^ст шах, мА Прило- жение 1.3 КС191Р 9,1 . 10 150 ±0,0005 (0,005) 5 15 КС191С 9,1 10 200 ±0,005 - 3 20 КС191Т 9,1 10 200 ±0,0025 - 3 20 - КС191У 9,1 10 200 ±0,001 - 3 20 ДЗЗа КС191Ф 9,1 10 200 ±0,0005 - 3 20 КС210Б 10 5 150 0,07 1,5 3 14 Д34 КС210Ж 10 4 125 0,09 - 0,5 13 КС211Ж 11 4 125 0,092 - 0,5 12 Д32 КС212Ж 12 4 125 0,095 - 0,5 11 •КС213Б 13 5 150 0,08 1,5 3 10 Д34 КС213Ж 13 4 125 0,095 - 0,5 10 КС215Ж 15 4 125 0,1 - 0,5 8,3 КС216Ж 16 4 125 0,1 - 0,5 7,3 Д32 КС218Ж 18 4 125 0,1 - 0,5 6,9 КС220Ж 20 4- 125 0,1 - 0,5 6,2 КС222Ж 22 4 125 0,1 - 0,5 5,7 КС224Ж 24 4 125 0,1 - 0,5 5,2 КС291А 91 I 250 0,11 1,5 0,5 2,7 Д4 КС405А 6,2 0,5 400 ±0,002 0,1 0,1 60 ДЭ2 КС406А 8,2 15 500 0,09 1,5 0,5 35 КС406Б 10 12,5 500 0,11 1,5 0,5 28 КС407А 3,3 20 500 -0,08 1,5 1 100 Д32 КС407Б 3,9 20 500 -0,07 1,5 1 83 КС407В 4,7 20 500 -0,03 1,5 1 68 КС407Г 5,1 20 500 ±0,02 1,5 * 1 *59 КС407Д 6,8 18,5 500 0,05 1,5 .1 42 КС409А 5,6 5 -400 1,5 1 48 Д32 КС412А 6,2 5 400 1,5 1 55 * КС433А 3,3 30 1000 -о,1 1,5 3 191 КС439А 3,9 30 1000 -0,1 1,5 3 176 КС447А 4,7 30 1000 -0,08..+0,03 1,5 3 159 ДЗЗб КС456А 5,6 30 1000 0,05 1,5 3 139 КС468А 6,8 30 5 000 -0,065 1,5 3 1 19
диоды 25 Продолжение табл. 1.6 Тип прибора Uct, ном, В ^ст, ном, мА р max, мВт а ст, %/°C ±8U . ст, _ <±8UCT10-2) % ^ст min, мА ®ст max, мА Прило- жение 1.3 КС482А 8,2 5 1000 0,08 1,5 1 96 дззб КС508А 12 10,5 500 0,11 1,5 0,25 23 КС508Б 15 8,5 500 0,11 1,5 0,25 18 КС508В 16 ' 7,8 500 0,11 1,5 0,25 17 Д32 КС?508Г 18 7 500 0,11 1,5 0,25 15 КС508Д 24 5,2 500 0,12 1,5 0,25 11 КС509А 15 15 750 0,09 1,5 0,5 42 КС509Б 18 15 750 0,09 1,5 0,5 35 Д32 КС509В 20 10 750 . 0,09 1,5 0,5 31 КС510А 10 5 1000 0,1 1,5 1 79 КС512А 12 5 1000 0,1 1,5 1 67 ДЗЗа КС515А 15 5 1000 од 1,5 1 53 КС518А 18 5 1000 0,1 1,5 1 45 КС520В 20 10 500 ±0,01 (0,5) 3 22 Д35 КС522А 22 5 1000 0,1 1,5 1 37 ДЗЗа КС524Г 24 10 500 ±0,005 (0,5) 3 19 Д35 КС527А 27 5 1000 0,1 1,5 1 30 ДЗЗа КС531В 31 10 500 ±0,005 - 3 15 Д35 КС533А 33 10 640 0,1 3 3 17 Д34 КС539Г 39 10 720 ±0,005 0,5 3 17 Д36 К547В 47 10 500 ±0,01 3 10 Д35 КС551А 51 1,5 1000 ±0,12 1,5 1 14,6 ДЗЗа КС568В 68 10 720 ±0,01 (1) 3 .ю ДЗб КС582Г 82 10 720 ±0,01 (0,5) 3 8 КС591А 91 1,5 1000 ±0,12 1,5 1 8,8 ДЗЗа КС596В 96 5 720 ±0,01 (1) 3 7 Д36
26 ДИОДЫ Окончание табл 1.6 Тип прибора UCT, НОМ, В *ст, ном, мА Р max, мВт а ст, 7о/°с ±SL’ , ' ст, _ (±6UCT10-2) % ‘ст min, мА ‘ст max, мА Прило- жение 1,3 КС608А 100 1,5 1000 ±0,12 1,5 1 8,1 ДЗЗа КС620А 120 50 5000 0,2 5 5 42 КС630А 130 50 5000 0,2 5 5 38 Д31 КС650А 150 25 5000 0,2 5 2,5 33 КС680А 180 25 5000 0,2 5 2,5 28 1.7. Варикапы Таблица 1.7 Тип прибора с ном, пФ emln, пФ с max, пФ 4>бр, В QB Кс иобр шах, В Прило- жение 1.3 ДО01А 27 22 32 4 25 3,6...4,4 80 Д901Б 27 22 32 4 30 2,7...3,3 45 Д901В 33 28 38 4 25 3,6...4,4 80 ДЗЗ Д901Г 33 28 38 4 30 2,7...3,3 45 Д901Д 39 34 44 4 25 3,6...4,4 80 Д901Е 39 34 44 4 30 2,7...3,3' 45 Д902 9 6 12 4 30 2,5 25 Д4 КВ101 200 160 240 0,8 150 - 4 Д42 КВ102А 18,5 20 25 4 40 1,8 45 КВ102Б 24,5 19 30 4 40 1,8 45 Д32 КВ102В 32,5 25 40 4 40 1,8 45 КВ102Г 24,5 19 30 4 100 1,8 45 КВ102Д 24,5 19 30 4 40 1,8 80 КВ103А 20 18 32 4 50 - 80 Д12б КВ103Б 38 28 48 4 40 - 80 КВ104А 105 90 120 4- 100 2,1 45 КВ104Б 125 106 144 4 100' 1,8 45 КВ104В 160 128 192 4 100 1,8 45 Д41 КВ104Г 119 95 143 4 100 2,1 80 КВ104Д 160 128 192 4 100 2,1 80 КВ104Е 1 19 95 143 4 ISO 1,8 45
диоды 27 Продолжение табл. 1.7 Тип прибора с НОМ, пФ с . min, пФ ^тах, пФ U©6p, . В Кс иобр так, В Прило- жение 1.3 КВ 105 А 500 400 600 4 500 4 90 Д44 КВ105Б 500 400 600 4 500 3 50 КВ106А 35 20- 50 4 40 - 120 Д12б КВ106Б 25 15 35 4 60 - 90 КВ107А 25 10 40 2...9 20 - 16 КВ107Б 25 10 40 6...18 20 - 31 Д38 КВ 107В 47,5 30 65 2...9 20 - 16 КВ107Г 47,5 30 65 6... 18 20 - 31 КВ109А 2,45 2,24 2,74 25 300 4. .5,5 25 КВ109Б 2,15 2,0 2,3 25 300 4,5...6,5 25 КБ109В 2,5 1,9 3,1 25 160 4...6 25 Д25б КВ109Г 12.5 8 17 3 160 4 30 КВ109Д 1 1,5 7 16 3 30 2,2 30 КВ109Е 2,15 2 2,3 25 450 4,5...6 30 КВ110А 15 12 18 4 300 2,5 45 КВИОБ 18 14,4 21.6 4 300 2,5 45 КВ110В 22 17,6 26,4 4 300 2,5 45 Д21 КВ1ЮГ 15 . 12 18 4 150 2,5 45 квпод 18 14,4 21.6 4 150 2,5 45 КВ110Е 22 17,6 26,4 4 150 2,5 45 КВС111А 33 29,7 36.3 4 200 2,1 30 Д40 КВС111Б 33 29,7 36,3 4 150- 2,1 30 КВ113А 68 54,4 81.6 4 300 4,4 150 Д76 КВН ЗБ 68 54,4 81,6 4 300 3,9 115 КВ115А 400 100 700 0 - 100 КВ115Б 400 100 700 0 - - 100 дзз КВ115В 400 100 700 0 - 100 КВ117А 33 26,4 39,6 3 180 5...7 25 Д21 КВ117Б 33 26,4 39.6 3 150 4...7 25 КВ119А 210 168 252 1 100 18 12 Д1 КВС120А 275 230 320 1 100 .. 2 32 Д43 КВС120Б 275 230 320 1 100 2 32
28 ДИОДЫ Окончание табл. 1.7 Тип прибора с ном, пФ С • min, пФ с max, пФ Uo6p, В «с иобр max, В Прило- жение 1.3 КВС120А1 275 230 320 1 100 2 32 Д77 КВ121А 5,25 4,3 6 25 200 7,6 30 Д25б КВ121Б 5,25 4,3 6 25 150 7,6 30 КВ122А 2,55 2.3 2,8 25 450 4—5,5 30 КВ122Б 2,15 2,0 2,3 25 450 4,5...6,5 30 Д25б КВ 122В 2,5 1,9 3,1 25 300 4-6 30 КВ123А 3,2 2,6 3,8 25 250 6,8 28 Д39 КВ127А 255 230 280 1 140 20 32 КВ127Б 290 260 320 1 140 20 32 Д256 КВ127В 245 230 260 1 140 20 32 КВ127Г 275 230 320 1 140 20 32 КВ 128 А 25 22 28 1 300 1,9 12 Д746 КВ129А 9 7,2 10,8 4 . 504 25 КВ130А 4.1 3,7 4,5 28 300 12 28 Д25б КВ131А 485 440 530 1 130 18 14 Д75 КВ132А 33 26,4 39,6 2 300" 3,5 12 Д256 КВ134А 20 18 22 1 400 2 23 Д25б КВ135А 540 486 594 1 150 20 13 Д75 КВ138А 18 16 20 2 200 3,5 12 Д256 КВ138Б 19 17 21 2 200 3,5 12 КВ139А 560 500 620 1 160 18 16 Д75
диоды 29 1.8 Диоды излучающие 1.8.1 Диоды светоизлучающие Таблица 1.8.1 Тип прибора 'с. мккд (Ь,кд/м2) 'пр ном, мА ипр, в X max, мкм *пр max, мА Чэбр max, ^обр-И тах^ В Прило- жение 1.3 Красный цвет излучения АЛ102А 40 5 2,8 0,69 10 (2) АЛ102Б 100 20 2,8 0,69 20 (2) Д88а АЛ102Г 200 10 2,8 0,69 20 (2) АЛ112А (1000) 10 2 0,68 12 2 АЛ112Б (600) 10 2 0,68 12 2 Д87 АЛ112В (250) 10 2 0,68 12 2 АЛ112Г (350) 10 2 0,68 12 2 АЛ112Д (150) 10 2 0,68 12 2 АЛ112Е (1000) 10 2 0,68 12 2 Д886 АЛ112Ж (600) 10 2 0,68 12 ч 2 АЛ112И (250) 10 2 0,68 12 2 АЛ112К (1000) 10 2 0,68 12 2 АЛ112Л (600) 10 2 0,68 12 2 Д89 АЛ112М (250) 10 2 0,68 12 2 АЛ307А 150 10 2 0.666 20 2 АЛ307Б 900 10 2 0,666 20 2 Д91 АЛ307АМ 150 10 2 0.666 20 2 АЛ307БМ 900 10 2 0,666 20 2 Д92 АЛ307КМ 2000 10 2 0,666 20 2 АЛ310А 610 10 2 0,67 12 2 АЛ310Б 250 10 2 0,67 12 2 Д93 АЛ316А 800 10 2 0,67 20 2 АЛ316Б 250 10 2 0,67 20 2 Д95 А Л336А 6000 10 2 - 20 2 АЛ336Б 20000 10 2 - 20 2 ДЗО АЛ336К 40000 10 2 - 20 2
30 диоды Продолжение т а б л. 1.8. J Тип *с. !пр ипр, X *пр ^обр max, ГТрило- прибора мккд ном, max, max, ^обр.и тах^ жение (Ь.кд/м2) мА В мкм мА 1.3 Оранжевый цвет изл учения АЛ307И 400 10 2,5 0,56;0,7 22 2 АЛ307Л 1500 ю 2,5 0,56;0,7 22 2 Д91 Желтый цвет излучения КЛ101А (10) 10 5,5 0,64 10 - КЛ101Б (15) 10 5,5 0,64 20 - Д86 КЛ101В (20) 10 5,5 0,64 40 - АЛ307Д 400 10 2,8 0,56;0,7 22 2 АЛ307Е 1500 10 2,8 0,56;0,7 22 2 Д91 АЛ307ДМ 400 10 , 2,5 - 2? 2 . АЛ307ЕМ 1500 10 2,5 - 22 2 Д92 АЛ307ЖМ 3500 10 2,5 - 22 2 АЛ336Д 4000 10 2,8 - 20 2 АЛ336Е 10000 10 2,8 - 20 2 ДЗО АЛ336Ж 15000 10 2,8 - 20 2 Зеленый цвет излучения АЛ 102В 200 20 2,8 0,53 22 (2) АЛ102Д 400 20 2,8 0,53 22 (2) Д88а АЛ307В 400 20 2,5 . 0,566 22 2 АЛ307Г 1500 20 2,5 0,566 22 2 Д91 АЛ307ВМ 400 20 2,5 - 22 2 АЛ307ГМ 1500 20 2,5 - 22 2 Д.92 АЛ307НМ 6000 20 2,5 - 22 2 АЛ336В 4000 10 2,8 - 20 2 АЛ336Г 15000 . 10 2,8 - - 20 2 Дзо АЛ336И 20000 10 2,8 - 20 2 АЛ360А 300 10 1,7 - 20 - АЛ360Б 600 10 1,7 - 20 - Д97 к 7
диоды Окончание табл. i.8.1 Тип прибора 'с, мккд (1_,кд/м2) I яр ном, мА ипр, В .< S _ I - пр max, мА *"'обр max, ^обр.и пис? В - Прило- жение 13 КЛД901А 150 3 Синий цвет излучения 12 | 0,466 | 6 Д88б АЛС331А 600 Переменный | 20 цвет излучения от красного д 4 | 0,56,0,71 20 > зеленого Д94 1 8.2 Диоды излучающие ИК диапазона Т а б л и и, а 1.8 2 j Тип Р изл, ‘пр *нр,изл, *сн,изл, ипр ‘пр Ч,йр При то- ном. max, max. же ще Прибора мВт мА НС нс в мА В 1.3 АЛ 106 А 0,2 100 10 20 1,7 120 АЛ106Б 0,4 100 10 20 1.7 120 - АЛ 106В 0,6 100 t 10 20 1,7 120 - Д55 АЛ106Г 1 100 10 20 1,7 120 - АЛ 106 Д 1,5 100 10 20 1,7 120 - АЛ 107 А 6 100 - - 2 100 6 Д56 АЛ 107 Б 19 доо - - 2 100 6 АЛ 108 А 1 5 100 2400 2000 1,35 1 10 2 Д47 АЛ USA 10 50 '300 500 2 50 4 Д57 АЛ USA Z 50 100 150 1,7 50 1 АЛ119А 40 300 1000 1500 3 300 - ' АЛ119Б 40 300 350 1500 3 300 - Д90 АЛ 5 24 А 4 100 20 20 2 1 10 2 Д90 АТИ »2А 0,01 50 20 20 2 50 1 Д98 A'IS37А 0,22 50 7 7 3 60 5 Д100
32 ДИОДЫ Окончание табл. 1.8.2 Тип прибора р изл, мВт !пр ном, мА *нр,изл, нс *сн,изл, НС lJnp’ В !пр max, мА Uofip max, В Прило- жение 1.3 АЛ402А 0,05 10 25 45 - 12 - АЛ402Б 0,025 10 25 45 - 12 - Д96 АЛ402В 0,015 10 25 45 - 12 - 1.9 Знакосинтезирующие индикаторы Таблица 7.9 Тип прибора *с,мкд’ (Цкд/м2) !пр ном, мА Высота знаков, мм (число разр) Unp, В lJo6p max, В !пр max, мА р изл, мВт Прило- жение 1.3 Линейные шкалы АЛС317А 0,16 10 1,6 2 12 - АЛС317Б 0,35 10 1,6 2 - 12 - ЗИ1 АЛС317В 0,08 10 1,6 3 - 12 - АЛС317Г 0,16 10 1,6 3 - 12 - - АЛС345А 0,3 10 1,5 2,2 4 12 - АЛС345Б 0,2 10 1,5 2,2 4 12 - ЗИ2 Индикаторы красного цвета свечения АЛ113А (600) 5 3 2 - 5,5 - АЛ113Б (350) 5 3 2 - 5,5 - АЛ113В (120) 5 3 2 - 5,5 - ЗИП АЛ113Г (350) 5 3 2 - 5,5 - АЛ113Д (120) 5 3 2 - 5,5 - АЛ113Е (600) 5. 3 2 - 5,5 - АЛ113Ж (350) 5 - 3 2 - 5,5 - ЗИ12 АЛ113И (120) 5 3 2 - 5,5 - АЛ113К (600) 5 2 2 - 5,5 - АЛ 113Л (350) 5 2 2 - 5,5 - ЗИН АЛ113М (120) 5 2 2 - 5,5 - АЛ113Н (600) 5 2 2 - 5,5 - АЛ113Р (350) 5 2 2 - 5,5 - ЗИ12 АЛ113С (120) 5 2 2 - 5,5
диоды 33 Прада л-ж ение табл. 1.9 Тип прибора ^с,мкд, (Ь,кд/м2) пр ном, мА Высота знаков,мм (число разр) Unp, В иобр, max, В 'пр max, мА Р изл, мВт Прило- жение 1.3 КЛЦ201А . 2 20 18 4 10 25 750 КЛЦ201Б 0,5 20 18 4 10 25 750 ЗИ22 КЛЦ202А 0,5 20 18 4 10 25 750 АЛ304А (140) 5 3 7 - 1 1 264 АЛ304Б (320) 5 3 2 - 11 264 ЗИЗ АЛ304Г (350) 5 3 3 - 11 264 АЛ305А (350) 20 6,9 4 - 22 - АЛ305Б (200) 20 6,9 4 - 22 - АЛ305В (120) 20 6,9 6 - 22 - АЛ305Г (60) 20 6,9 ' 6 - 22 - ЗИ4 АЛ305Ж (350) 20 6,9 6 - 22 - АЛ305И (200) 20 6,9 6 - 22 - АЛ305К (120) 20 6,9 6 - 22 - АЛ305Л (60) 20 6,9 6 - 22 - АЛ306А (350) 10 8,9 2 - 11 792 АЛ306Б (200) ' 10 8,9 2 - 11 792 АЛ306В (350) - 10 8,9 3 - 11 1188 ЗИ5 АЛ306Г (200) 10 8,9 3 - 11 1188 АЛ306Д (120) 10 8,9 3 - 11 1188 АЛ306Е (60) 10 8,9 3 - 11 1188 АЛС311А 0,4 0,8 3(5) 2 6 5 * - ЗИ6 АЛ312А (350) 10 7 2 3 1 1 - ЗИ13 АЛ312Б (150) 10 7 2 3 1 1 - АЛС314А (350) 5 2,5 2 5 8 - ЗИ7 АЛС318А 0,95 5 2.5(9) '1,9 5 3 45 АЛС318Б 0,95 5 2,5(9) 1,9 5 3 45 .. ЗИ8 А ЛСЗ18В 0,95 5 2,5(9) 1.9 5 3 45 АЛС318Г 0,95 5 2,5(9) 1.9 5 3 45 АЛС320А 0,4 10 5 2 7 12 - ЗИ23 АЛС320Г 0,6 10 5 2 2 12 - АЛС324А 0,15 20 7,5 2.5 5 25 500 ЗИ24 АЛС324Б 0,15 20 7,5 2,5 5 25 500 2. Зак. 4971
34 ДИОДЫ Предо л ж е ние т а б л. 1.9 Тип прибора !с,мед, (Ь,кд/м^) *пр ном, мА Высота знаков, мм (число ра?р) Ц1р, . В Vo6p, max, В *np max, мА Ризл. мВт Прило- жение 1.3 АЛС326А,Б 0,15 20 7.5 2.5 5 25 375 ЗИ15 АЛС328А,Б 0,05 3 2,5(5) 1,85 5 5 - ЗИ16 АЛС328В,Г 0,05 3 3.75(5) 1.85 5 5 - АЛ СЗ 29 А, Б 0,05 3 2,5(4) 1.85 5 5 .. АЛС329В.Г 0,05 3 2.5(3) 1.85 5 5 - АЛС329Д,Е 0,05 3 2,5(3) 1.85 5 5 - ЗИМ АЛС329Ж.Г1 0,05 3 3.75(4) 1.85 5 5 - АЛС329К.Л 0,05 3 3,75(3) 1,85 5 5 - АЛС329М.Н 0,05 3 3,75(3) 1.85 5 5 - АЛС330А,Б 0.05 3 3.75(3) 1,85 5 5 АЛС330В.Г 0,05 3 3,75(2) 1.85 5 5 - АЛСЗЗОД.Е 0.05 3 3.75(2) 1.85 5 5 - 31118 АЛСЗЗОЖ 0,05 3 5(3) 1.85 5 5 - АЛСЗЗОИ.К 0,05 3 5(2) 1,85 5 5 - АЛСЗЗЗА.Б 0.2 20 1 1 э 5 25 400 ЗИ17 АЛСЗЗЗВ.Г 0,15 20 1 1 2 5 25 400 АЛС340А 0.125 10 9 2.5 4 1 1 550 ЗИЮ Индикаторы зеленого цвета свечения А Л304В (60) 10 ♦ 3 3 7 1 1 264 зиз АЛ305Д (120) 20 6,9 6 - тт - ЗИ4 АЛ305Е (60) 20 6.9 6 - 22 - АЛ306Ж (120) 10 -8.9 3 - 1 1 1 188 ЗИ5 АЛ306И (60) 10 8.9 3 1 1 1 188 АЛС320Б 0.1.< 10 5 3 5 12 - ЗИ23 АЛС320В 0,25 10 5 3 5 12 - АЛС335А.Б 0,25 20 1 1 3.5 5 25 660 ЗИ17 АЛС335В.Г 0,15 20 1 1 3,5 5 25 660 АЛС338А.Б 0,15 20 7,5 3.5 5 25 700 ЗИ 19 АЛС338В 0,15 20 7.5 3 5 5 25 525
диоды 35 Окончание табл. 1.9 Тип Прибора *С,МКД, (Цкд/м2) 1пр ном, мА Высота знаков,мм (число разр) Unp, В иобр, max, В fnp max, мА Р изл, мВт Прило- жение 1.3 АЛС356А.Б 0,04 10 2,5(9) 2,8 5 4 90 ЗИ20 Индикаторы желтого цвета свечения АЛС334А.Б 0,2 20 ' 11 3,3 5 25 660 ЗИ17 АЛС334В.Г 0,15 20 11 3,3 5 25 660 АЛС357А 0,04 10 8,9 4 4 10 550 ЗИ21 АЛС358 0,04 10 8,9 4 ’ 4 10 550 КЛЦ401А 0,5 20 18 6 10 25 1 130 КЛЦ402А 2 20 18 6 10 25 1 130 ЗИ22 КЛЦ402Б 0,5 20 ' 18 6 10 25 1 130 Индикаторы желто-зеленого цвета свечения АЛС321А.Б Q,12 20 7,5 3,6 5 25 720 ЗИ9 АЛС327А.Б 0,12 20 7,5 3,6 5 25 540 ЗИ15 1.10 Фотодиоды 1.10.1 Кремниевые фотодиоды Т а бл'и ца 1.10 1 Тип прибора Размеры фотоэлемента мм (кол., шт) Д1, мкм X ,тах мкм ь'р. в *т, мкА 1 инт, мА/лм (мкА/лк) П рило- жение 1.3 ФДК-1 0 1 0,5... 1,1 0,8...0,9 20 з, 3 ДЮ4 ФДК-,10 01 0,5 .1,1 0,8...0,9 0 3 3 ФД-ЗК 0 1,13 0,5... 1,1 0,8 „0,9 15 0,5 3 Д124 ФД-6К 1,9x1,9 0,4...1,1 0,82...0,86 20 1 (0,014) Д1 19 ФД-7К 0 10 0,4... 1,1 0,82...0,86 27 5 (0,47) Д120 ФД-8К 2x2 0,5...1,12 0,85...0,92 20 1 (0,006) Д121 2*
36 диоды Продаже ние табл. 1.10.1 Тип прибора Размеры фотоэлемента мм (кол., шт) АХ, мкм X ,тах мкм UP, в ’т. мкА $1.инт, мА/ям (мкА/лк) Прило- жение 1.3 ФД-9К 4,4x4,4 0,5... 1,12 0,85...0,92 10 10 3 ДН8 ФД-10К 1,9x1,9 0,5... 1,12 0,85...0,92 20 1 4,4(0,07) Д119 ФД-10КП 0 0,5 0,5... 1,05 0,82...0,92 10 0,005 3 Д121 ФД-11К 0 2,5 0,5... 1,15 0,88...0,94 10 0,2 5 Д122 ФД-17К 0 10 0,55... 1,1 0,82...0,92 15 10 (0,47) Д120 ФД-18К 0 10 0,47...1,1 0,85.„0,92 27 5 6 Д123 ФД-19КК 1x1(4) 0,5... 1,1 0,75...0,8 3 0,1 3,8 ДЮ5 ФД-20КП 2x2(4) 0,5... 1,1 0,85...0,92 7 0,1 4 Д126 ФД-20-ЗОК 1,5x1,5 (2)' / 0,5... 1,1 0,85...0,95 5 0,1 - Д129 ФД-20-31К 0 1,4 ’ 0,47... 1,1 7 0,78..,0,82 0;20 0,1 3,8 ДЮ7 ФД-20-32К 2x1,35 (2) 0,45... 1,06 0,78...0,92 t 3 0,1 4 Д128 ФД-20-ЗЗК 0,6x1,4(4) 0,45... 1,9 0,72... 1 5 0,05 4,5 ДНО ФД-21-КП 0 1,55. 0,4...1,1 0,72...0,85 10 0,017 3,3 ДЮ8 ФД-22-КП 1x1(4) 0,45...1,1 0,75...0,9 7 0,05 4,4 Д126 ФД-23К 1,9x1,9 0,5... 1,12 0,8...0,85 20 0,1 4,4 ДИ9 ФД-24К 0 10 0,47...!, 12 0*75...0,85 27 2,5 - .6 Д120 ФД-25К ФД-26К 1,9x1,9 1,9x1,9 0,4... 1,1 0,4... 1,1 0,8...0,9 0,8...0,95 20 20 1 3 (0,004) (0,004) Д108 ДЮ8 ФД-27К 1,9x1,9 0,4... 1,1 .0,8...0,95 20 1 (0,0075) Д121 ФД-28КП 1,24x1,24 0,4... 1,1 0,72...0,85 4 0,02 3,5 Д125
диоды 37 Окончание табл. 1.10.1 Тип прибора Размеры фотоэлемента мм '(кол., шт) Л)., мкм Х,тах мкм UP. в ч мкА ИНТ, мА/лм (мкА/лк) Прило- жение 1.3 ФД-К-142 0 13,7(4) 0,3... 1,1 0,72...0,85 120 1,5 10 Д127 ФД-К-155 05 0,4... 1,1 0,75...0,85 10 10 3,5 Д106 ФД-К-227 01,17 0,4... 1,1 0,78...0,88 10 0,1 3 Д131 ФД-246 • 12x0,3(12) 0,5... 1,1 0,75. ..0,9 0,2 1 , 3,5 Д132 ФД-252 ФД-252-01 0 0,6 0 0,3 0,4... 1,1 0,4... 1,1 0,76...0,88 0,78...0,88 24 24 0,01 0,01 - Д109 ФД 256 01,37 0,4... 1,1 0,75...0,9 10 0,005 6 ДНО ФД-265А ФД-265Б 1,4x1,4 1,4x1,4 0,4... 1,1 0,4... 1,1 0,75...0,9 0,75. „0,9 4 0 0,1 1 (0,0075) 0,006 •Д1Н 1.10.2 Германиевые фотодиоды Т а б л и ца 1.10.2 Тип прибора Размеры фотоэлемента мм (кол., шт) АХ мкм ,шах мкм UP, в 1т мкА SI ИНТ, мА/лм (мкА/лк) Прило- жение 1.3 ФД-1 0 5 0,4... 1,9 1,5... 1,6 20 30 6,6 Д112 ФД-2 01,3 0,4... 1,8 1,5... 1,6 .30 25 5 Д113 ФД-ЗА 0 2,45 0,4... 1,8 1,5... 1,6 10 10 6,5 ДП4 ФД-4Г 0 2,45 0,4... 1,8 1,5... 1,55 20 30 5 Д116 ФД-5Г 0 2,5 0,3... 1,8 1,5... 1,55 15 8 7 ДИ5 ФД-7Г 0 2,5 0,3... 1,8 1,5;.. 1,55 10 8 10 ДП7
38 ДИОДЫ 1.11. Оптопары Табл ица 1.11 Тип ^вх,опт, ^вх,опт,и <1вых>7 ^вх,обр, U £ вых,оор, Ubx, ‘ ИС С S *нр,сп, нс ' Прило- жение прибора мА мА в в В В (мкс) . 1.3 АОД101А 20 100 3,5 15 1,5 100 100 АОДЮ1Б 20 100 3,5 100 1,5 100 500 ОП1 АОД101В 20 100 ' 3,5 15 1,5 100 1000 АОДЮ1Г 20 100 3,5 15 1,5 100 500 АОД101Д 20 100 3,5 15 1,8 100 250 АОДЮ7А 20 - 2 15 1,5 - 500 ОП6 АОДЮ7Б 20 - 2 15 1,5 - 300 АОДЮ7В 20 - 2 15 1,5 - 300 АОДЮ9А 10 100 3,5 40 1,5 100 1000 опз АОДЮ9Б 10 100 3,5 10 1,5 100 500 АОД109В 10 100 3,5 40 1,5 100 1000 АОД109Г 10 100 3,5 40 1,5 100 1000 АОД109Д 10 100 3,5 40 1,5 100 1000 АОДИ19Е 10 100 3,5 40 1,5 100 1000 АОДЮ9Ж 10 10.0 3,5 40 1,5 100ч 1000 АОД109И 10 100 3,5 40 1,5 100 1000 АОД111А L 40 • 100 - 6 2 - - ОП8 АОД130А 20 100 3,5 30 1,5 1500 100 ОП7 АОТЮ1АС 20 50 1,5 (15) 1,6 1500 10000 ОП10 АОТ101БС 20 50 1,5 (15) 1,6 1500 10000 АОТ102А 40 150 - 30 'г 500 АОТЮ2Б 40 150 30 2 500 - АОТЮ2В 40 150 30 2 500 - ОП2 АОТЮ2Г . 40 150 - 30 2 500 - АОТ102Д 40 150 - 30 2 500 - АОТЮ2Е 40 150 - 30 2 500 - АОТ110А 30 100 0,7 (30) 2 100 .. ЛОТ 11 ОБ 30 100 0,7 (50) 2 100 - ОП5 АОТПОВ 30 100 0,7 (30) 2 100 - АОТНОГ 30 100 0,7 (15) 2 100 -
диоды 39 Тип прибора Чх,ОПТ, мА *вх,опт,и (1вых)- мА ^вх.обр, в ^вых.обр, ^ком>. В LBX. В г 1нр,сп. нс (мкс) Прило- 'жение 1.3 АОТ122А 15 85 - (50) 1.6 100 (6/100) АОТ122Б 15 85 (30) 1.6 100 (6/100) ОП4 АОТ122В 15 85 - (30) 1,6 100 (6/100) АОТ122Г 15 85 - (15) 1.6 100 (6/100) АОТ123А 30 100 0.5 (50) ч 100 (2) АОТ123Б 30 100 0.5 (30) т 100 (2) ОПП ЛОТ 123В 30 100 0.5 (30) 2 100 (2) А ОТ 123 Г 30 100 0.5 (15) 2 100 (2) АОТ126А 30 100 0.5’ (30) э 1000 (2) от 1 АОТ126Б 30 100 0.5 (15) 2 1000 (2) АОТ127А 15 100 1,5 (30) 1.6 1000 - 01112 АОТ127Б 15 100 1.5 (30) 1.6 1000 - АОТ127В 15 100 1.5 (15) 1.6 1000 - ЛОТ 128 А 40 100 0.5 (50) 1.6 1000 (5) от 2 АОТ128Б 40 100 0.5 (30) 1.6 1000 (5) АОТ128В 40 100 0.5 (30) 1.6 1000 (5) ЛОТ 128 Г 40 100 0.5 (15) 1.6 1000 (5) АОУ103А 55 (100) - - э 50 - АОУ103Б 55 (100) - - 2 200 - 0119 АОУ103В 55 (100) - 200 200 -
40 ДИОЛЫ. Приложение 11 Цветная маркировка диодов Д2 обозначается желтой точкой или полосой у положительного (анодного) вывода и цветной точкой или полосой: »Д2Б - белой. Д2Е - зеленой, Д2В - оранжевой. Д2Ж - . черной, Д2Г - красной. Д2И - серой. Д2Д - голубой. Д9 обозначается красной точкой или полосой у положительного вывода и цветными точками или полосами: Д9Б - красной. Д9Ж - зеленой. Д9В - оранжевой. Д9И - двумя желтыми. Д9Г - желтой. Д9К двумя белыми. лад - белой. Д9Л - двумя зелеными. Д9Е - голубой. Д9М - двумя голубыми. КД 102 обозначается цветной точкой у положительного вывода. КД102А - зеленой, КД102Б - синеи. КД 103 обозначается цветной точкой у положительного вывода: КД ЮЗА - синеи. КДЮЗБ - желтой. КД 104А обозначается красной точкой v положительного вывода. КД 105 обозначается желтой полосой у положительного вывода и цветной точкой* КД105Б - точка отсут с гвует. КД105Г - красной КД 105В - зеленой. КД208А обозначается красной полосой у положительного вывода КД2О9 обозначается красной полосой у положительного вывода и цветной точкой. КД209А - точка отсутствует, КД209В - красной КД209Б - зеленой. КД221 обозначается белой полосой у положительного вывода и* цветной точкой: КД221А - точка отсутствует. КД221В - зеленой. КД221Б -г белой. КД221Г - красной. КД226 обозначается цветным кольцом со стороны отрицательного вывода (катода): КД226А - оранжевым. КД226Г - желтым. КД226Б - красным. КД226Д - белым КД226В - зеленым. КД257. КД25Х обозначаются черном краской со стороны катодного вывода. КДС1 1 1 обозначается цветном точкой: КДС1 1 1А - красной КДС1 1 1В -желтой КДС11-1Б - зеленой.
диоды 41 Приложение 1,1 КЦ117 обозначается цветной полосой у положительного вывода: КЦ117А - белой, ' КЦ117Б - *чериой. Д20 обозначается закрашиванием в зеленый цвет утолщенной части катодного вывода, а полярность - закрашиванием в красный цвет утолщенной части анодного вывода. КД409А обозначается желтой точкой на корпусе. КД410 обозначается цветной точкой у положительного вывода: КД410А - красной, КД410Б - синей. КД413 обозначается цветной точкой у положительного вывода: КД413А - белой, КД413Б - белой и красной. КД417А обозначается белой точкой со стороны положительного вывода. КД509А обозначается одной широкой и одной узкой полосами синего цвета со стороны катодного вывода, - КД510А обозначается одной широкой и одной узкой полосами зеленого цвета со стороны катодного вывода. КД514А обозначается желтой точкой со стороны положительного вывода. КД519 обозначается цветной точкой у положительного вывода: КД519А - белой, КД519Б - красной. КД520А обозначается желтой точкой у положительного вывода. КД521 обозначается одной широкой и двумя узкими полосами на корпусе со стороны положительного вывода. КД521А - синие, КД521Г - белые, КД521Б - серые, КД521Д - зеленые. КД521В - желтые, КД 522 обозначается черными кольцевыми полосами на корпусе со стороны положительного вывода: КД522А * - двумя, КД522Б - тремя. Стабилитроны группы ”А” обозначаются голубой кольцевой полосой со стороны катодного вывода и цветной полосой со стороны анодного вывода: КС 133 А - белая*. КС 156 А - оранжевая, КС 139 А - зеленая, КС 168 А - красная, КС 147 А - серая, ‘Стабилитроны группы ’Т” обозначаются желтой меткой на торце корпуса со стороны анодного вывода, и серой меткой со стороны катодного вывода, а также кольцевой полосой на корпусе со стороны катодного вывода: КС133Г - оранжевой, КС156Г - красной. КС 147 Г - зеленой.
42 ДИОДЫ Приложение 11 Стабилитроны группы "Ж", выпускаемые в корпусе КД-3, обозначаются условным цветным кодом, в состав которого входят цвет окраски корпуса и цвет кольцевой полосы со стороны анодного вывода: КС 175Ж КС 182Ж КС 1-9 1Ж КС210Ж - КС2 М Ж КС212Ж - КС213Ж КС215Ж КС216Ж КС218Ж КС220Ж КС222Ж КС224Ж корпус серый, полоса белая; корпус серый, полоса желтая: корпус серый, полоса красная. корпус серый, полоса зеленая; корпус серый, полоса синяя, корпус серый, полоса черная, корпус серый, полоса голубая; корпус черный, полоса белая; - корпус черный, полоса желтая: корпус черный’, полоса красная; корпус черный, полоса зеленая: корпус черный, полоса синяя: Kopnvc черный, полос.) голубая. КС405А обозначается цветным кодом: фоновая средняя полоса серого цвета, красная кольцевая по юса - со стороны катодного вывода, черная кольцевая полоса - со слоррны анодного вывода. КС406 обозначается цветным кодом - фоновая средняя полоса черного цвета и по одной цветной кольцевой полосе со стороны катодного и анодного выводов соотве тстве ино КС406А - серая и белая. КС406Б - бе тая и оранжевая. КС407 обозначается цветным кодом - фоновая средняя полоса черного цвета, красная кольцевая полоса со стороны катодного вывода и цветная потоса со стороны анодного вывода КС407А - голубая. КС4О7Г । - зеленая. КС407Б - оранжевая. К.С4О7Д - серая. КС407В же пая. КС50Х обозначается цветным кодом - фоновая средняя полоса черного цвета, и но одной цветной кольцевой полосе со стороны катодного и ано.рюго выводов соответственно. КС5О8А - оранжевая и зеленая. КС508Б - желтая и белая, КС508В - красная и зеленая. КС508Г - голубая и белая. КС508Д - зеленая и белая. КС509 обозначается цветным кодом - фоновая средняя полоса белого или серого цветов, голубая кольцевая полоса со стороны катодного вывода и цветная полоса со стороны анодного вывода' КС509А - красная. КС509В - зеленая. КС5О9Б - же п ая КВ 101 А. Тип варикапа указывается на упаковке. Положительный вывод обозначается черной точкой
диоды 43 Приложение 1.1 ш КВ 102. Тип варикапа указывается на упаковке. Положительный вывод обозначается белой точкой. КВ 104. Тип варикапа указывается на упаковке. Положительный вывод обозначается оранжевой точкой КВ 104 обозначается цветной точкой у положительного вывода: КВ 109 А - белой. КВ 109В - зеленой. КВЮ9Б - красной. КВ109Г - не имеет точки. К.ВС1 1 1 обозначается цветной точкой у отрицательного вывода: КВС1 1 1А - белой. КВС111Б - оранжевой. КВ1 13. Тип варикапа указывается на корпусе. Положительный вывод обозначается цветной точкой: КВ 11 ЗА желтой. КВ ИЗБ зеленой. КВ 121 обозначае гс я цветной точкой > положительного вывода' КВ 121 А - синеи. КВ 121Б желтой КВ 122 обозначается цветной точкой > / положительного вывода. КВ 122 А оранжевой. КВ 122В - коричневом КВ122Б - фиолетовой, КВ 123А обозначается бетой полосой у потожительного вывода. КВ 127 обозначается окраской поверхности корпуса со стороны отрицательного вывода: КВ 127 А - белого. КВ 127В - желтого, КВ127Б - красного, КВ127Г - зетеного. Отрицательный вывод обозначается цветной точкой на корпусе. КВ 127 АР-КВ 127ГР - комплекты, состоящие из двух варикапов; КВ 127АТ-КВ 127ГТ - комплекты, состоящие из трех варикапов; КВ 127АГ-КВ 127ГГ - комплекты, состоящие из четырех варикапов. КВ 128А обозначается красной точкой на корпусе у положительного вывода. КВ128АК - комплект, состоящий из шести варикапов. КВ 129 А обозначается черной точкой на корпусе у положительного вывода КВ 1ЗОА обозначается красной точкой на корпусе со стороны катода. КВ130АГ - комплект, состоящий из четырех варикапов. КВ132А обозначается белой точкой на корпусе со стороны положительного вывода. КВ132АР - комплект, состоящий из двух варикапов. КВ134А обозначается желтой точкой на корпусе со стороны отрицательного вывода.
44 ДИОДЫ Приложение 1.1 КВ 134АТ - комплект, состоящий из трех варикапов. КВ135А обозначается белой точкой на корпусе со стороны положительного вывода. КВ 135 АР - комплект, состоящий из двух варикапов. АЛ 107 обозначается точками на корпусе со стороны положительного вывода: АЛ 107 А - одной. АЛ107Б - двумя. АЛ 108А обозначается белой точкой. АЛ 1 1 5А обозначается белой точкой на корпусе со стороны положительного вывода. АЛ 1 18А обозначается черной точкой на корпусе со стороны положительного вывода. АЛ402 обозначается цветной точкой на корпусе: АЛ402А - красной. АЛ402В - синей. АЛ402Б - зеленой, АЛ 102 обозначается цветными точками: АЛ 102А - красной. АЛ102Б - двумя красными, АЛ 102В - тремя красными. АЛ1 12 обозначается цветными полосами и точками иа корпусе: АЛ112А. АЛ! 12Г - красной полосой, АЛ 112Б. АЛ 1 12Д - зеленой полосой, АЛ 112В - сииеи полосой, АЛ 1 12Е. АЛ И 2К - красной точкой, АЛ1 12Ж, АЛ1 |2Л - зеленой точкой, АЛ 112И, АЛ 1 12М - сииеи точкой. АЛ307 обозначается цветными точками на корпусе: АЛ307А, АЛЗО7В, АЛЗО7Д - одной черной, АЛЗО7Б. АЛЗО7Г, АЛЗО7Е двумя черными, АЛ307И - одной белой, АЛ307Л - двумя белыми. АЛЗО7АМ-АЛЗО7Н.М - обозначение приводится на групповой таре. АЛЗ10 обозначается цветной точкой на корпусе: АЛ310А - одной красной. АЛЗ1ОБ одной синей. АЛЗ 16 обозначается цветной полосой на корпусе: АЛЗ 16А - красной. АЛ316Б синей. АЛ336 обозначается цветными точками на корпусе: АЛ336А - одной красной, АЛ336Е - двумя желтыми. АЛ336Б - двумя красными, АЛ336Ж- тремя желтыми, АЛ336В - одной зеленой, АЛ336И - одной белой, АЛ336Г - двумя зелеными, АЛ336Д - одной желтой. АЛ336К - одной черной.
диоды 45 • Приложение 1.1 Полярность диодов АЛЗЗбА, АЛ336Б и АЛ336К указывается на чертеже. Диоды AJI336B - АЛ336И имеют обратную полярность. Плюсовой вывод фотодиодов обозначается на- корпусе знаком точкой или цветной меткой на вводе. При отсутствии меток выводы фотодиодов выполняются разной длины и плюсовым является более длинный вывод. Во всех остальных случаях тип Диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе-или на вкладыше в групповой таре. Для маркировки зарубежных малогабаритных полупроводниковых диодов вместо цифровых и буквенных обозначений используется цветовое кодирование по двум системам: Pro Electron и JEDEC. По системе Pro Electron первым двум буквам соответствует первая широкая полоса со стороны катода (ВА красная, АА - черная), третьей -букве соответствует вторая широкая полоса (Z - белая, Y - серая, X - черная, W - синяя, V - зеленая, Т - желтая, S - оранжевая). Узкие полосы соответствуют цифрам (О - черная, 1 - коричневая, 2 - красная, 3 оранжевая, 4 - желтая, 5 - зеленая, б - синяя или голубая, 7 - фиолетовая, 8 - серая, 9 - белая). Тип диода читается по цветным полоскам от катода. В отличие от системы Pro Electron, в системе JEDEC одна широкая полоса. При использовании цветового кода в обозначении диодов по системе JEDEC первая цифра ц и буква N опускаются. Следующий за буквой N типовой номер, состоящий из двух, трех или четырех цифр, обозначается цветными полосами по следующим правилам. 1 Номера, состоящие из двух цифр, обозначаются одной (первой) черной Полосой и двумя (второй и третьей) цветными, соответствующими цифрам. Если в обозначении имеется буква, то используется четвертая полоса. 2. Номера из трех цифр ’обозначаются тр<?мя цветными полосами соответствующими цифрам. Четвертая полоса обозначает букву. 3. Номера из четырех цифр обозначаются четырьмя цветными полосами и пятой черной. Если после цифр требуется обозначить букву, то используют пятую цветную Полосу (вместо черной). 4. Для обозначения полярности цветные полосы либо смещаются ближе к катоду, либо первая от катода делается более широкой (двойной ширины). 5. Тип диода читается по цветным полоскам от катода. В системе JEDEC цветное обозначение букв и цифр такое же, как в системе Pro Electron.
46 ДИОДЫ Приложение!.2 Зарубежные диоды и их функциональные отечественные аналоги Тип зарубежного диода Отечественный аналог Тип зарубежного диода - Отечественный аналог А2А4 КД204В АЕ150 Д223Б А2С4 КД205Г АМОЮ Д229Ж A2DI Д229К АМ030 Д229В A2D5 КД205В АМ12 Д229В A2D9 КД205В АМ42 Д229Е A2EI Д229Л АМ410 Д229В А2ЕЗ Д229Л АМ440 Д245 А2Е4 КД205Б AZ6,8 КС 168В А2Е5 Д229Л AZ7,5 КС 175 А А2Е9 Д229Л AZ8,2 КС182А A2F4 КД205А AZ9,I КС191А АЗВ1 Д229Ж AZ 10 КС210Б АЗВЗ Д229Ж AZ11 КС211Ж АЗВ5 . Д229Ж AZ13 КС213Б АЗВ9 Д229Ж AZ15 КС215Ж АЗС1 . КД205Л A2.22 КС222Ж АЗСЗ КД205Л AZX84S1 1 КС211Ж АЗС5 КД205Л B2D5 Д229К АЗС9 КД205Л B2D9 Д229К A3D1 Д229К B2E1 Д229Л A3D3 Д229К B2E5 Д229Л A3D5 Д229К B2E9 Д229Л A3D9 Д229К B3B5 Д229Ж АЗЕ! Д229Л B3B9 Д229Ж АЗЕЗ Д229Л B3CI КД205Л АЗЕ5 Д229Л B3C9 КД205Л ' АЗЕ9 Д229Л B3D1 Д229К A7BI КД208А B3D5 Д229К А7В5 КД208А B3D9 Д229К А7В9 КДЗО8А B3EI Д246Б AIOO Д229Ж B3E5 Д246Б А121-И КД2О8А B7B1 КД208А А132-И КД208А B7B5 КД208А А168-И КД208А B7B9 КД2О8А АЗОО Д229К 1500Sit КД208А А400 Д229Л B8OC3OO КД204Б АА112 ДЮ B250C300 КД201И АА112Р ДЮ BA 128 КД ЮЗА AAI13P ДЮ1 BA 147/220 Д207 АА137 Д9В BAI 47/300 Д208 AAI38 ДЮ BA 179 ДЮ2 AAY32 Д311 BAV54-30 КД521Г AAZIO Д9В BAW14 Д226В AAZ15 Д312А BAW14TF24 Д226В AD150 Д223Б BAW32B Д223Б
диоды 47 Приложение 1.2 Тип зарубежного диода Отечественный аналог Тип зарубежного диода Отечественный аналог BAW62 КД521А BY 158 Д229Л BAW63 КД 521Б BYX42/300 Д245 BAW63A КД521Г BYX42/600 КД206В ВАХ 13 КД509А BYX60-100 Д229В ВАХ1 ЗА КД509А BYX60-400 Д229Е ВАХ80 КД509А BYY67 Д245 BAX91C/TF102 КД521 BYY68 Д245 BAX95/TF600 КД521 BZ6.8 КС 165 А BAY21 Д226В BZ7,5 КС175А 3AY38 КД509А BZ8,2 КС182А BAY63 КД509А BZ9,1 КС191А BAY71 КД509А BZX29C4V7 КС447А BAY74 КД509А BZX29C5V6 КС456А BAY89 КД 105 А BZX29C35V6 Д246 BLVA168 КС 168 А BZX46C3V3 КС 133 А BLVA168A КС 168 А BZX55C3V3 КС 133 А BLVA168B КС 168 А BZX58C6V8 КС 168 А BLVA168C КС 168 А BZX59C1 1 Д811 BLVA195 КС196А BZX69C1 1 Д8П BLVA195A КС196А BZX83C3V3 КС 133 А BLVA195B КС196А BZX84C7V5 КС175А BLVA195C КС196А BZX84C7V8 КС 175 А BLVA468 КС 168 А BZX84C9V1 KC19IA BLVA468A КС 168 А BZX84C10 КС210Б BLVA468B КС 168 А BZX84C11 КС211Ж BLVA468C КС 168 А BZX85C4V7 КС447А BLVA495 КС196А BZX85C5V6 КС456А BLVA495A КС196А BZY56 КС 147 А BLVA595B КС 196 А BZY60 КС 168 А BLVA495C КС196А BZY83C4V7 КС 147 А BR22 КД2О5Г BZY83C6V 8 КС1 I68A BR24 КД205Б BZY83C11 . Д811 BR26 КД205Ж BZY83D4V7 КС 147 А BR41 Д229Ж BZY83D6V8 КС 168 А BR42 КД205Л BZY85B3V3 КС133А BR44 Д246Б BZY85C4V7 КС 175 А BR81D КД208А BZY85C11 Д811 BR1O1А Д242 BZY85C39 КС 139 А BR102A Д243 BZY88C33 КС 133 А BR104A Д246 C4010 ДЮ2 BR106A КД206В C6102 КС 133 А BR108A КД210Б CA50 ДЮ2 BR2O5 КД204В CA100 Д223А BSA71 КД5О9А CB50 ДЮ2 BY1 18 Д245Б CB100 Д223А BY 157 КД1О5Г CER68 ' Д229Ж
48 ДИОДЫ Приложение 1.2 Тип зарубежного диода Отечественный аналог Тип зарубежного диода Отечественный диалог * CER69 КД205Г DD056 КД205Б CER69G КД 105В DD236 Д246Б CER70 КД 105В DD266 ' Д246Б CER70B КД105 DD452I Д242 CER70B Д7Ж DD4523 Д243 CER70G КД205Б DD4526 Д246 CER71В КД 105В DK75I Д229Ж CER72C КД205Е DK752 КД205Л CER500B КД205Е DK753 Д229К CER500G КД205А DK754 Д229Л CER710 КД205Ж DR402 Д220Б CG84H КД503В DR464 ДЮ CGD309 МДЗА DR482 Д219А COD 1531 Д229Ж DR500 Д219А COD 1532 КД209Л DR695 Д209 • COD 1533 Д229Ж DR698 Д209 COD 1534 Д229Л DR699 Д208 COD 1554 Д7Ж DT230H1 Д226В COD 1555 КД205Е ЕЗВЗ Д304 COD 1556 КД 105В ЕЗСЗ Д243Б COD15314 КД208А ЕЗЕЗ Д245Б COD 15524 КД205Г ЕЗНЗ Д247Б COD 15534 КД205В ЕЗКЗ Е248Б COD 15544 КД205Б Е5АЗ Д305 COD 15554 КД2О5А Е6ВЗ Д242 COD 15564 КД205Ж Е6СЗ Д243 CTN100 КД208А Е6ЕЗ Д245 CTP100 КД208А E6G3 Д246 GY40 Д246Б Е6НЗ КД205Б GZ5.6 . КС456А Е6КЗ КД206Б D2D ДЮ1 Е6МЗ КД203Г D25C КД205Г E6N3 КД210Б D45C КД205Г ED304A Д229Л D65C КД205Ж EG 100 КД205Б D100 Д229Ж EG 1 ООН КД205А D200 ' КД205Л EPD300 КД205В D400 . Д229Л ER3I Д229К D1010 Д242 ER41 Д229Л D1646 Д229К ERD200 КД205Г DI 647 Д229Л ERD400 КД205Б D3010 Д245 ERD300 КД205В D4010 Д246 ERD500 КД205А D5010 КД206Б ERD600 КД205Ж D6010 КД206В ESP5100 Д304 D8010 КД210Б ESP5200 Д243Б DD003 КД205Г ESP53OO Д245Б DD006 КД205Б ESP5400 Д246Б
диоды 49 Приложение 1.2 Тип Отечественный Тип Отечественный зарубежного диода аналог зарубежного диода аналог EZ100 МД218 HGR30 КД 104 А F1C3 Д243Б HMG626A Д220 F1E3 Д245Б HMG662 Д220Б F1G3 Д246Б HMG662A Д220Б F1H3 Д247Б НМ6663 Д220Б F1K3 Д248Б HMG664 Д220Б F2B3 Д242 HMG844 Д220Б F2C3 Д243 HMG904 КД521Г F2E3 Д245 HMG904A КД521Г T2G3 Д246 HMG9O7 КД521Г F2H3 КД206Б HMG9O7A КД521Г F2K3 КД206В HMG3064 КД521А F2M3 КД203Г HMG3596 КД521Г F2N3 КД210Б HMG3598 КД521Г F3C3 Д243Б HMG36OO КД509А T3G3 Д246Б HMG3873 КД509А FD100 КД509А HMG3954 КД509А FD600 КД 521А HMG4147 КД503А FDN600 КД521А HMG4I50 КД509А FPZ5V6 КС456А HMG4319 КД521 А G4HZ Д246 HMG4322 КД509А G8HZ КД210Б HR1 1 Д811 G65HZ Д248Б HR9O Д818А G1010 Д242 HS033A КС 133 А G2010 Д243 HS033B КС'133 А G3010 Д245 HSI395 КД5ОЗА G4010 - Д246Б ИS2039 КС 139 А G5010 КД2О6Б HS2047 КС 147А G8010 КД 21 ОБ HS21 10 Д81 1 GD72E3 Д9В HS7O33 КС 133 А GD72E4 Д9Б HSQ009 КД509А GD72E5 ДЭВ HS9010 КД52Н GLA47A КС 147 А HS9501 КД521 А G1 А47В КС 147 А HS9504 КД 521 А GP33O КД521Г » HS9507 КД 521 А GP350 КД509А HSP100I Д207 GP360 КД512Б HGR30 КД 104 А GPM2NA Д9В J200 КД205Г GSM53 КЛЮЗА .1400 КД205Б Н100 Д229Ж .1600 КД205Ж Н200 КД205Д JAN 1N 633 Д22ОБ нзоо Д229К JAN 1 N3827A КС456А Н400 Д229Л JE2 КД205Б И6010 КД206В К2В5 Д229В HD4I01 КД503Л KSO33A КС 133 А HDS9009 КД509 Л KSO33B КС 133 А HDS9010 КД521Г KS77 КС 190 А
50 ДИОДЫ Пр иложение 1.2 Тип Отечественный Тип Отечественны й зарубежного диода аналог зарубежного диода аналог KS78 КС190А МВ260 КД205Л KS78B КС 190А МВ261 КД205В KS2039A КС 139 А МВ262 Д229К KS2O39B • КС139А МВ263 КД205Б KS2047A КС 147 А МВ 264 Д229Л KS2O47B КС 147 А МВ265 КД205А KS2O68A КС 168 А МВ 267 КД2О5Ж KS2O68B КС 168 А МВ270 Д229Ж KS2110А Д811 МВ271 КД205Л KS2110В Д81 I МВ272 Д229К LAC2002 КС 147 А МВ273 Д226Л LDD5 КД521Б МС030 Д226В LDD10 КД521Б МС030А Д226В LDD15 КД521Б МС51 Д226В LDD50 КД521Б МС52 КД521 А LDZ70/6A8 КС 168 А МС53 КД521Г LR33H КС 133 А МС55 КД521Б LZ8,2 КС182А МС58 КД5О9Л Ml 4 Д229В МС59 КД521Б М1В1 КД208А MCI 03 КД509А М 1В5 КД208А МС108 КД509А М1В9 КД 208А МС433 КД521А M4.HZ Д229Е МС903 КД509А М68 Д229Ж МС903А КД509 А М69 КД205Л МС905 КД521Г М69С КД205Г МС905А КД521Г М70В Д7Ж МС906 КД521Г М70С КД205Б МС906А КД521Г М71В Д21 1 МС908 КД509А М72В КД 105В , МС9О8А КД509А М500В КД 205Е МС5321 КД521Г М500С КД205 Л МС6010А КД 168 А МА215 КД205В МС6015А Д811 МА231 Д242 MCPD521A КД521Б МА232 Я 243 MCPD521B КД521Б МА240 Д243 MCPD521C КД521Б МА4303 КД509А MGD72 КД521Г МА4304 КД509А MGD73 КД521А МА4305 КД509 А MGLA39A КС 139 А МА4306 КД509А MGLA39B КС7139А МА4307 КД521А MHD61 1 КД521 А МА4308 КД521А MHD612 КД521 А МВ 23 6 КД 208 А MHD614 КД521А . МВ 253 Д229К MHD615 КД521А МВ254 ;(229л MHD616 КД509А МВ 258 Д229Ж ММС1001 КД521 А MB2S9 КД2051
диоды 51 Приложение 1.2 Тип зарубежного диода Отечественный аналог Тип зарубежного диода Отечественный аналог ММС1002 КД521А OAZ244 КС 168 А ‘ММС1003 КД521А Р2К5 Д2Ю ММС1004 КД521А Р2М5 Д2П ММС1005 , КД521А P4F5 КД204Б ММС1006 КД521А Р4Н5 Д7Ж ММС1007 КД521А P4HZ . Д246 MR39C-H КС 139 А Р4К5 КД205Е MR47C-H КС 147 А Р4М5 КД105В MR60 Д248Б P5D5 Д229В MR80 МД217 Р5Н5 Д229Е MR90 МД218 P6F5 КД205Г MR100 МД218 P6G5 КД205В MR1337-2 Д229Ж Р6Н5 КД205Б MR1337-4 Д229К P6HZ КД206В MR1337-5 Д229Л Р6К5 КД205А MS5 Д305 Р6М5 КД205Ж МТ020А КД205Г P7G5 Д229К мтозо КД205В Р7Н5 Д246Б МТ030А КД205Б P8HZ КД210Б МТ040 КД205В Р100А Д229Ж МТ040А КД205Б Р100В КД208А МТ050 КД205А PI50B КД208А МТ050А КД205А Р200А КД205Л МТ060 КД205Ж Р400А Д229Л МТ060А КД205Ж Р665 КД205В МТ14 Д229В Р1010 Д242 МТ44 Д229Е Р2010 Д243 МТ458 Д223Б Р3010 Д245 МТ462А КД ЮЗА Р4010 Д246 МТ705 КД521Б Р5010 КД206Б MZ4A КС 147 А Р6010 КД206В MZ6A КС 168 А Р8010 КД210Б MZ1009 Д818А РА05 Д305 MZ4622 КС 139 А PD116 МД218 MZ4624 КС L 47 А PD126 Д220Б MZC3,3A10 КС 133 А PD127 Д312А 0102 КД102А PD133 ДЮ1 0112 КД102А PD910 Д2О9 0502 Д226В PD911 Д210 0507 КД105Г PD912 Д211 0604 КД206В PD914 МД217 ОА90 Д9В PD915 МД218 ОА92 МДЗА PD916 МД218 OAZ200 КС 147 А PD6004A КС139А OAZ204 КС 168 А PD6006A КС147А OAZ240 КС 147 А PD6010A КС 168 А
52 ДИОДЫ Приложение 1.2 Тип зарубежного диода Отечественный аналог Тип зарубежного диода Отечественный аналог PD6045 КС139А RZ18 КС218Ж PD6047 'КС 147 А RZ22 КС222Ж PD6051 КС168А RZZ11 КС211Ж PD6056 Д811 RZZ18 КС218Ж PD6202 КС147А RZZ22 КС222Ж PD6206 КС168А S1A Д229Л РЕЮ Д304 S1AN12 Д242 РЕ20 Д243Б S 1,5-0,1 КД208А РЕ40 Д246Б S2A10 КД208А РЕ60 Д248Б S2AN12 Д243 PS12O КД205Г S2H1 КД208А PS130 КД205В S2E20 КД205Г PS140 КД205Б S2E60 КД205Ж PSL5O КД205А S3AN12 Д245 PS160 КД205Ж S4AN12 Д246 PS410 Д229В S5A1 Д304 PS440 Д229Е S5A2 Д243Б PS632 Д226В S5A3 Д245Б PS633 Д226В S5A4 Д2465Б PS2415 Д211 S5A5 Д247Б- PS2416 МД217 S5A6 Д248Б PS2417 МД218 S5AN12 КД206Б РТ520 КД205Л S5M2 Д229Л РТ530 Д229К S6AN12 КД206В РТ540 Д229Л S7AN12 КД203Г PZZ11 КС2ИЖ S8AN12 КД 21 ОБ Q12-200 КД521Д S11 КД208А Q12-200А КД521Д S15 КД205А Q12-200В КД521Д S16 КД205Б Q12-200C КД521Д S16A КД205Б Q12-200D КД521Д S16B Д229Л Q12-200T ВД521Д S17 /КД205Г Q12-300 КД521Д S17A КД205Г Q12-300А КД521Д S18 КД205А Q12-300B КД521Д S18A КД205А R421 Д243 S19 Д7Ж R602 Д243 S19A КД205Е R604 Д246 S20-06 Д248Б R606 КД 206В S23A КД205Ж R611 Д242 S26 Д229К R612 Д243 S28 КД105Г R614 Д246 S30 КД205Ж R616 КД206В S31 КД205В RPX50 Д220 SS1 Д229Ж RPX100 Д220Б S83 Д229К RPX100A Д220Б S84 Д229Ж
ДИОДЫ 53 При ложен и е 1.2 Тип зарубежного диода Отечественный аналог Тип зарубежного диода Отечественный аналог S91A Д229Ж SD94A Д229Л S92A КД205Л SD500 Д229Л S93A Д229К SE05A КД205Б S100 КД205Г SE05B КД205Ж S101 КД205Г SE05S КД205Г S102 Д229Е SE1,5 КД208А S105 КД205Б SE1.5SS КД208А S106 Д7Ж SED107 дю S108 КД2О5Б SFD43 КД521Г S125 КД206В SFD83 КД521Г S205 Д210 SG105 Д229В S206 Д211 SG221 Д219А S208 МД217 SG5100 КД509А S210 МД218 SG5200 КД521А S219 Д7Ж SG5250 КД521Г S222 КД205Г SG5260 КД521А S223 КД205В SG9150 КД503А S224 КД205Б SJ103E Д304 S234 КД105Г SJ103K Д304 S235 КД205Г SJI04E Д242 S243 Д229Л SJ104K Д242 S252 КД205Г • SJ203E Д243Б S253 КД205В SJ203K Д243Б S254 КД205Б SJ204E Д243 S255 КД205Ж SJ204K Д243 S256 КД205Ж SJ304E Д245 S420 Д242 SJ304K Д245 S423 Д246 SJ404E Д246 S425 КД206Б SJ404K Д246 S427 КД210Б SJ603E Д248Б SA1ANI2 Д242 SJ6O3K Д248Б SA1N12 КД20А SJ604E КД206В SA1M1 КД208А SJ604K КД206В SA4AN12 КД246 SKN5/04 Д246Б SA5AN12 КД2О6Б SL3 Д245Б SA6AN12 | КД206В SL103M Д245Б .SA8AN12 | КД210Б SM10 Д229Ж SD1 КД205Б SM20 КД205Л SD1A КД205Ж SM30 Д229К SD1Z КД205Г SM40 Д229Л - SD11F Д101 SM230 Д229К SD91A Д229Ж 1 SM240 Д229Л SD92A КД205 SR11 КД208А SD93 Д229К SRI IT КД208А SD93A Д229К SR20 Д305 SD94 Д229Л SV131 Д818А
54 ДИОДЫ Приложение 1.2 Тип зарубежного диода Отечественный аналог Тип зарубежного диода Отечественный аналог SV132 KC196A VT5105 Д305 SV134 Д811 VT6105 ДЗО5 SVM91 Д818А VB10 МД218 SVM905 Д818А VB100 КД 208 SVM9010 Д818А VG1 МД218 SVM9011 Д818А ' VRE400X Д246Б . SVM9020 Д818А VRF400X Д246Б SVM9021 Д818А XRG400X Д246Б SW05A ' КД205Б VZ33CH KC433A SW05B КД205Ж VZ39CH KC439A SW05S КД205Г VZ47CH KC447A SW1S Д229Ж VZ56CH KC456A SWISS КД205Л XS10 Д229Ж SZ9 Д818А XS17 КД205Л SZ11 Д811 XS17A КД205Л Т16 МДЗА Z1550 KC156A ТН4148 КД521А Z1555 KCI56A TF24 Д226В Z1560 KC1 56A ТК10 Д229Ж Z1565 KC156A. ТК20 КД205Л «1570 KC156A ткзо Д229К Z1A5 6 KC156A ТК40 Д229Л Z1A6.8 КС 168 A TKF20 КД205Г Z1A11 Д8Н TKF40 КД205Б Z1B5.6 KC156A TMD45 Д207 Z1B6.8 КС 168 A TMD50 КД509А Z1B11 Д81 Г TMD914 КД521А Z1CS,6 . KC156A TMD916 КД521А Z1C6.8 KC168A TR501 КД206Б Z1C11 Д811 TS1 Д229Ж Z1D4.7 KCI47A TS2 КД205Л Z1D5.6 KC156A TS4 Д229Л Z1D6.8 КС 168 A UP 12069 КД205Л Z3D3.3 КС433А UP 12069А КД205Л Z4A3.3 КС433А VP 12070 Д229Л Z4B3,3 КС433А VPI2070A Д229Л Z4A3.9 КС439А UR2I5 ДЗОЗ Z4A4,7 КС447А URE100X Д304 Z4B3,9 КС439А VRFIOOX Д304 Z4B4,7 КС447А VRG100X ' Д304 Z4C3,3 КС433А VSA55191/1 КД509А Z4C3,9 КС439А • UT112 Д229Ж Z4C4.7 КС447А UT113 КД205Л Z4D3,3 КС433А UTI14 Д229К Z4D4.7 КС447А VT1 15 Д229Л Z4,7 КС447А VT2I2 Д229К Z5A3,3 КС433А UT213 Д229Л Z5B3,3 КС133А
диоды 55 Приложение 1.2 Тип зарубежного диода Отечественный аналог Тип зарубежного диода Отечественный аналог Z5C3,3 х КС 133 A 1В539 Д229К Z5D3,3 КС 133 A IN74 ’ ДЮ1 Z6,8 KC168B 1N87T Д9В Z7,5 KCI75A IN113 Д245 Z8,2 KC182A 1N149 Д229Л Z9,1 KCI9IA 1N192 Д219А Z10 КС210Б 1N210 ДЮ2 Zll КС211Ж IN2H ДЮ2 Z13 КС213Б 1N212 ДЮ1 ZI5 КС215Ж 1N213 Д101 Z22 КС222Ж 1N2I9 КД 104 А Z47CH KC447A 1N22Q КД 104 А ZC53 Д226В 1N249 Д242 ZEC4,7 KC447A 1N250 Д243 ZF3,3 KC113A 1N255 Д229Е ZG3,3 KC133A 1N295X Д9В ZL103M КД208А 1N320 КД205Е ZM4.7 KC447A 1N324 Д229В ZP3,3 КС 133 A 1N324A Д229В ZR20 ДЗО5 1N332 Д229Е ZR61 Д229Ж 1N339 Д229В ZR62 КД205Л 1 XJ341 Д229Е ZR63 Д229К 1N348 Д229В ZR64 Д229Л 1N354 КДЮ4А ZR200 ДЗО5 TN365 МД218 ZS2I Д2О7 1N388 „ДЮ2 ZS22 Д208 1М389 Д102 ZS24 Д209 1N39I ДЮ1 ZS30A КД2О4В 1N427 КД 21 ОБ ZS3OB КД204В 1N440B Д229Ж ZS123 Д226В 1N441 КД204Б ZS140 КД512А 1N441B КД205Л ZS171 Д229Ж 1N442B Д229К ZS172 КД205Л 1N443 Д7Ж ZS174 Д229Л 1N443B •Д229Л ZS271 КД 208 Л 1N444 КД205Е ZZ6.8 КС 168В 1N445 КД 105В ZZ7.5 КС175А 1N458 Д223Б ZZ8,2 КС182А 1N483 КД ЮЗА ZZ9.1 КС191А 1N485 Д207 ZZ10 КС210В 1N486 Д207 Z71 1 КС21 1Ж 1N487 Д208 ZZ13 KC2I3B 1N487A Д226В ZZ15 КС215Ж 1N488 Д209 ZZ22 КС222Ж 1 V531 -КД2О4Б 1N533 КД205Б
56 ДИОДЫ Приложение 1.2 Тип * । зарубежного диода Отечественный аналог Тип зарубежного диода Отечественный аналог 1N534 КД205Е 1N908A КД509А 1N535 КД 105В 1N908AM КД509А 1N537 Д229Ж 1N914A КД521А 1N538 КД205Л 1N914B КД521А 1N539 Д229К 1N914M КД521А 1N540 Д229Л 1N916A, КД521 А 1N551 КД205Г 1N916B КД521А 1N552 КД205В 1N996 ДЗЮ 1N553 Д7Ж 1N1031 КД205Г 1N554 КД205А 1N1032 КД205В 1N555 КД205Ж 1N1033 КД205Б 1N560 КД105Г 1N1053 КД20КА 1N602 КД204Б 1N1059 Д304 1N602A КД204Б LN1061 Д243Б 1N604 Д7Ж 1N1062 Д245Б 1N605 КД205Е 1N1O63 Д246Б 1N605A КД205Е 1N1065 Д304 1N606 КД 105В 1N1067 Д243Б 1N606A КД 105В 1N1068 Д245Б . 1N627A Д312А 1N1O69 Д246Б 1N647 • Д229Е 1NI071 Д304 1N662 Д220Б IN1073 Д243Б 1N662A Д22ОБ 1N1074 Д245Б 1N663 Д220Б 1NI075 Д246Б 1N667 Д229В 1N1081A Д229Ж 1N673 Д229Е 1N1082A КД205Л 1N695 ДЗЮ 1N1083 КД205В 1N770 Дзю 1N1O83A Д229К 1N710A КС168А 1N1084 КД205Б 1N764-3 Д818А 1N1085 КД208А 1N777 Д312А 1N1089 ДЗО4 1N844 Д220Б 1N1089A Д304 1N873 Д2Ю 1N1090 Д243Б 1N874 Д211 1N1091 Д245Б FN876 МД217 1N1092 Д246Б 1N878 МД218 • 1N1092A Д246Б 1N903A КД509А 1N1115 КД208А 1N903AM КД509А 1N1169A КД205Б 1N903M КД509А 1N1219 КД521Г 1N904 КД521Г 1N1220 КД521Г 1N905A КД521Г 1N1251 КД204В 1N905AM КД 521Г 1N1253 КД205Г 1N905M КД521Г 1N1254 КД205В 1N906A КД521Г 1N1255 КД205Б 1N9O6AM КД521Г 1N1256 КД205Е . 1N906M КД521Г 1N1257 КД Ю5В 1N907 КД521Г. 1N1258 ВД205И
диоды 57 Приложение 1.2 Тип зарубежного диода Отечественный аналог Тип зарубежного диода Отечественный аналог 1 N 1259 КЛ105Г UN 1927 KCI39A IN 1407 МД217 IN 1984 КС 168В 1 N 1440 КД205Л IN I984A КС 168В IN 1441 Д229К IN 1984В КС 168В 1N 1446 КД208А 1N1985 КС182А IN 1450 КД208А IN 1985А КС182А IN 1473 КД521Г 1 N1985В КС.182А IN 1487 Д229Ж 1NI986 КС210Б IN 1488 КД205Л 1N1986A КС21ОБ 1 N 1489 КД205Л IN 1986В КС210Б 1 N 1490 ‘ Д229Л 1N1988 КС215Ж 1 N 15'20 A KC456A IN1988A КС215Ж 1N 1556 Д229Ж IN 1988В КС215Ж 1 N 1 557 КД205/1 IN 1989 . КС218Ж IN 1558' Д229К IN 1989А КС218Ж IN 1559 Д229Л IN 1989В КС218Ж IN 1563 КД208А IN 1990 КС222Ж 1NI613 Д304 IN 1990А КС222Ж INI6I3A Д304 INI99OB КС222Ж IN1614A Д243Б IN 2023 Д245 1NI615A Д246Б IN2025 Д246 1NI6I6 Д248Б I N2069A КД205Л IN1616A Д248Б 1N2070 Д229Л IN 1617 КД208А IN 2070A Д229Л IN 1621 1242 1 N2073 . Д229Ж IN 1622 Д243 1 N2O8O КД204В IN 1623 Д245 1N2082 КД205Г IN 1624 Д246 IN 2083 КД205В , IN16324 КД104А IN2084 КД205Б 1 N 1645 Д229Ж IN 2085 КД205А LN 1647 КД205Л 1N2086 КД205Ж 1 N 1649 Д229К IN209I Д229Ж IN1651 Д229Л IN 2092 КД20571 1 N 1694 Д229К IN 2093 Д229К 1N1695 Д229Я IN2094 Д229Л 1 N1703 КД204Б IN2104 Д229Ж I N 1706 КД205 Е 1N2I05 КД205Л 1 N 1709 КД205Г IN2106 Д229К 1NI710 КД205В IN2I07 Д229К LN 1711 КД205В IN 2230 Д243Б LN 1712 КД205А 1N223OA Д243Б IN 1763 КД205Б 1N2231 Д243Б I N 1764 КД205А IN2231A Д243Б 1N 1765 КС456А 1N2232 Д245Б 1N 1765A .КС456А 1N2232A Д245Б 1 N 1844 Д102 1N2233 Д245Б 4 N 1849 КД404А IN2233A Д245Б
58 ДИОДЫ FLp иложение 1.2 Тип зарубежного диода Отечественный аналог Тип зарубежного диода Отечественный аналог IN 2234 Д246Б 1N2373 Д211 1N2234A Д246Б 1N2374 МД218 ’ 1 N2235 Д246Б 1N2391 КД208А IN2235A Д246Б 1N2400 КД208А IN 2236 Д247Б 1N2409 КД208А 1 N2237 Д247Б IN2418 КД208А 1N2237A Д247Б IN 2482 КД205Л IN 2238 Д248Б IN 2483 Д229Л 1N2238A Д248Б IN 2487 Д229Л IN 2239 Д248Б IN 2505 КД105Г IN 2239A Д248Б IN2610 Д229Ж 1 N2246 Д305 1N261 1 КД205Л IN2246A Д305 IN26I2 Д229К 1 \'2247 ДЗО5 1N2613 Д229Л IN 2247A Д305 IN 2638 ' КД208А IN 2248 Д242 - 1N2786 Д243 IN 2248A Д242 IN 2793 Д305 IN 2249 Д242 IN 2837 КД208A IN 2249A Д242 IN 2859 Д229Ж IN 2250 Д243 IN 2860 КД205Л 1 N225OA Д243 1N2862 Д229Л 1N2251 Д243 IN2878 КД205И 1N2251A Д243 1N2879 КД205И 1N2252 Д245 1 N3063 КД521А 1N2252A Д245 1 N3064 КД509А IN 2253 Д245 IN3064M КД521А IN 2253A Д245 IN 3065 КД521А IN 2254 Д246 1 N3067 КД521Г 1 N2254A Д246 1 N3082 КД205Г IN 2255 Д246 1 N3083 КД205Б IN 2255A Д246 1N3I21 Д220 IN 2256 КД206Б IN3184 КД205A IN2256A КД206Б 1N3193 КД205Л IN 2257 КД206Б 1N3194 Д229Л IN 2257A КД206Б IN3228 КД205Г IN2258 КД206В 1N3229 КД205А 1 N2258A . КД206В 1 N3238 Д229Ж IN 2259 КД206В 1 N3239 КД205Л z IN 2259A КД206В 1N3240 Д229Л IN 2260 КД210Б 1N3253 КД205Л “TN2260A КД210Б 1N3254 Д229Л IN 2261 КД210Б IN3270 ' Д246Б, IN2289 КД208А 1N3277 КД205Л 1 N2289A КД208А 1N3278 Д229Л 1 N2290 ДЗО4 1N3282 МД218 1N2290A КД2О8А 1N3545 КД2О5Г IN 2350 ДЗОЗ 1 N3547 Д229Л
ДИОДЫ 59 Приложение 1.2 Тип зарубежного диода Отечественный аналог Тип s зарубежного диода Отечественный аналог 1N3600 КД509А 1N4817 КД208А 1 N3604 КД521А 1N5151 КД521А 1N3606 КД521А 1N5209 Д223Б 1N3607 КД521А 1N5215 КД205Г 1N3639 КД205Л 1N5216 КД205Б 1N3640 Д229Л 1N5217 КД205Ж 1N3656 КД205Л LN5318 КД521А 1N3657 Д229Л 1N5392 КД2О8А 1N3748 КД205Г- - 1N5518B КС133А 1N3749 КД205Б 1N5518C КС 133 А 1N3750 КД205Ж 1N5518D КС 133 А 1N3827 КС456А 1N5720 КД503А 1N3827A КС456А 1Р644 Д229В IN3873 КД509А 1Р647 Д229Е 1N3873H КД509А 1S020 КД208А 1N3954 КД509А 1S031 Д229Ж 1N4008 МДЗБ 1S032 КД205Л 1N4099 КС 168 А 1S034 Д229Л 1N4147 КД503А 1S40 'Д229Ж 1N4148 КД 521А 1S41 КД205Л 1N4149 КД521А 1S42 Д229К 1N4L53 КД521А 1S43 Д229Л 1N4305 КД521А 1S75 Д9В 1N4306 КД509А 1SIOO Д229Ж 1N4307 КД509А 1S10I КД205Л 1N4364 Д229Ж 1SI03 Д229Л 1N4365 КД205Л 1S113 Д229Е 1N4366 Д229К 1S148 Д229К 1N4367 Д229Л 1S161 Д241 1N4436 Д243 1S162 Д243 1N4437 Д246 1S163 Д245 1N4438 КД206В 1S164 Д246 1N4439 КД210Б 1S165 КД206Б 1N4446 КД521А 1S166 КД206В 1N4447 КД521А 1S206 Д210 1N4448 КД521А 1S240 Д242 1N4449 КД521А 1S307 Д18 1N4454 КД509А 1S3I2 КД205Г 1N453I КД521А 1S313 КД205В 1N4532 КД509А 1S314 КД205Б 1N4622 КС 139 А 1S315 КД205А 1N4624 КС 147 А 1S334 Д818А 1N4655 КС456А 1S421 Д243 1N4686 КС 139 А 1S423 Д246 1N4688 КС 147 А 1S425 КД206В 1N4734 КС456А 1S426 ДЮ 1N4734A КС456А
60 диоды Приложение 1.2 Тип зарубежного диода Отечественный аналог Тип зарубежного диода Отечественный аналог 1S427 КД210Б 2Т503 КД205В 1S442 КД202Б 2Т504 КД205Б 1S444 КД208А 2Т505 КД205А 1S472 КС190А 2Т506 КД205Ж 1S473 Д8П ЗС15 ДЗОЗ 1S544 КД210Б 3FDL21 МДЗА 1S 558 КД205А 3G8 Д229К 1S559 КД2О5В ЗТ502 КД205Г 1S751 Д243Б 3T503 КД205В IS1071 КД208А ЗТ504 КД205Б 1S1219 КД521Г ЗТ5О5 КД205А 1S1220 КД521Г ЗТ506 КД2О5Ж 1S1221 КД205Г 4D4 Д229Е 1S1224 Д211 4G8 Д229Л 1S1225A МД218 4Т502 КД205Г 1S1230 КД205Б 4Т503 КД205В 1S1231 КД205А 4Т504 КД205Б 1S1232 КД205Ж 4Т505 КД205А 1S1473 КД521Г 4Т306 КД205Ж 1S1660 дзоз 5BR1 Д304 1S1763 КД205Б 5D4 Д246Б 1S1849 КД208А 5Е1 Д229Ж 1S1942 КД205Г 5Е2 КД205Г 1S1943 КД205Б 5ЕЗ КД205В IS1944 КД205Ж 5Е4 КД205Б 1S2033 КС 133 А 5Е5 КД205А 1S2033A КС 133 А 5Е6 КД205Ж 1S2310 КД 105В 5J2 КД205Г 1S2352 Д211 5J3 КД205В 1S2354 МД21 5J4 КД205Б 1S7033 КС I33A 5J5 КД205А 1S7033A КС 133А 5J6 КД205Ж 1S7033B КС 133 А 5МА2 КД205Л 1Т502 КД205Г 5МА4 Д246Б 1Т503 КД205В 5РМ1 Д304 1Т504 КД205Б 5РМ2 Д243Б 1Т505 КД205А 5РМ4 Д246Б 1Т506 КД205Ж 5РМ6 Д248Б ITT44 КД509А 7Е1 Д229Ж 1ТТЗЗ КД512А 7Е2 КД205Л ITT3OO3 Д207 7ЕЗ Д229К 1WS1 КД 20 8 А 7Е4 Д229Л 1,5Е1 КД208А 7J1 Д229Ж 1,5Л КД208А 7J2 КД205Л 2А44 КС133А 7J3 Д229К 2G8 КД205Л 7J4 Д229Л 2Т502 КД205Г 10F5 Д304
диоды 61 Приложение 1.2 Тил зарубежного диода Отечественный аналог Тип зарубежного диода Отечественный аналог 10РМ1 Д242 366К Д247Б 10РМ2 Д243 366М Д248Б 10РМ4 Д246 367В Д242 10РМ6 КД206В 367D Д243 10РМ8’ "КД210Б 367F Д245 10R6B Д2И 367Н Д246 10R10B МД218 367К КД206Б 11R1S Д242 367М КД206В 11R2S Д243 407К Д247Б 11R3S Д245 407М Д248Б 11R4S Д246 408К КД206Б 14Р2 Д223Б 408М КД206В 20AS КД205Г 408Р КД203Г 2OSS КД205Г 408S КД210Б 24J2 Д223Б 500R1B Д304 26Р1 Д220 616С ДЮ2 3OAS КД205В 618С Д101 30F5 Д245Б 653C3 КС 168В 30S5 КД205В 653 С4 КС170А 40AS КД205Б 654С9 КС190А 40F5 Д246Б 655С9 КС210Б 40S5 КД205Б 1103 КС 133 А 50AS КД205А 1104 КС 147 А 50F5 Д247Б 1 106 КС 168 А 50J2P КД206Б 1111 Д811 • 5OLF Д247Б 5508 КС133А 50М КД205А 7708 КС433А 50S5 КД205А 9607 КС175А 60 AS КД205Ж 40109 Д242 60F5 Д248Б 40110 Д243 60LF Д248Б- 40111 Д245 60М КД205Ж 40! 12’ Д246 60S5 КД.205Ж 40113 КД206Б 62R2 Д243 40114 КД206В 64R2 Д246 . 40115 КД210Б 66R2 КД206В 40808 КД205Ж 66R1S КД206В 68R2 КД210Б 68R2S КД210Б 72R2B КД205Л 75R2B КД205Л 1 000 10 МД218 100К10 МД218 . 366В Д304 366D Д243Б 366F Д245Б 366Н Д246Б
62 ДИОДЫ
диоды 63 Приложение 1.3
64 ДИОДЫ
диоды 65 Приложение 1.3 3. Зак.*4971
66 диоды Приложение 1.3
диоды 67 Приложение 1.3 3*
68 ДИОДЫ Приложение 1.3
днидгн 69 Приложение 1.3
70 ДИОДЫ
диоды 71
72 ДИОДЫ
диоды 73 Д 78 Приложение 1.3 .,ЩШИ „щпш Д 7» „щши и П II >ю Д 80
74 ДИОДЫ Приложение 1.3
диоды 75 Приложение 1.3
76 ДИОДЫ
диоды 77 Пр иложение 1.3
78 ДИОДЫ
ДИОДЫ 79 Приложение 1.3
80 диоды Приложение 1*3
диоды 81 Приложение 1.3 '-ибчпиоя метка на дыдоде или длинный дыдод Плоскость фото'/удстди- тельного элемента ,5
82 ДИОДЫ Приложение 1.3
диоды 83
ДИОДЫ 84 Приложение 1.3
диоды 85 Приложение 1.3
86 ДИОДЫ Приложение L3
диоды 87
88 ДИОДЫ Приложение 1.3
диоды 89 Приложение L3
90 ДИОДЫ Приложение 1.3
диоды 91
92 ДИОДЫ Приложение 1.3 Ю,2 12 И J б 7 S 6 *
диоды 93
94 ДИОДЫ Приложение 1,3
диоды 95
96 ТИРИСТОРЫ РАЗДЕЛ ВТОРОЙ ч ’ 2. ТИРИСТОРЫ Тиристор - полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три и более р-п - переходов, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот. В зависимости от характера ВАХ и способа' управления, тиристоры подразделяются на динисторы; триодные тиристоры, не проводящие в обратном направлении, запираемые тиристоры, симметричные тиристоры, оптронные тиристоры. Динистор (диодный тиристор) имеет два вывода и переключается в открытое состояние импульсами напряжения заданной амплитуды. Триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении (тиристор), включается импульсами тока управления, а выключается либо подачей обратного напряжения, либо прерыванием тока в открытом состоянии. Запираемый тиристор выключается с помощью импульсов тока управления. Симистор (симметричный тиристор) является эквивалентом встречно- параллельного соединения двух тиристоров и способен пропускать ток в открытом состоянии как в прямом, так и в обратном направлениях. Включается симистор одно- и разнополярными импульсами тока управления. Оптронныи тиристор (оптотиристор) управляется с помощью светового сигнала от светодиода, расположенного внутри корпуса прибора. Термины и буквенные обозначения параметров тиристоров ^ос.ср max ^ос,д max - максимальный допустимый средний ток в открытом состоянии; - максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии (для симисторов). Ь,и запираемый импульсный ток (для запираемых тиристоров); *ос,п - повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: наибольшее мгновенное значение тока в открытом состоянии тиристора, включая все повторяющиеся переходные токи. 1ос,удр - ударный неповторяющиися ток в открытом состоянии: наибольший импульсный ток в открытом состоянии, протекание которого вызывает превышение максимально допустимой температуры перехода, но воздействие которого за время службы тиристора предполагается редким, с ограниченным числом повторении. •зс ^обр - постоянный ток в закрытом состоянии; f - постоянный обратный ток. 1у.от - отпирающий постоянный ток управления: наименьший постоянный ток управления, необходимей для включения тиристора; ^у.от,и 1у,3,И - отпирйющии импульсный ток управления: ч - запирающий импульсный ток управления: наименьший импульсный ток управления, необходимый для выключения тиристора; Чс,п - повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, наи- большее мгновенное значение напряжение в закрытом состоянии, прикладываемое к тиристору, включая только повторяющиеся пере- ходные напряжения; Чс - максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоя- нии.
ТИРИСТОРЫ 97 U - наименьшее значение прямого напряжения, необходимое для перек- лючения динистора из закрытого состояния в открытое; ^обр п “ повторяющееся импульсное обратное напряжение: наибольшее мгно- вениное значение обратного напряжения, прикладываемого к тирис- тору, включая только повторяющиеся переходные напряжения; U©6p ” максимально допустимое постоянное обратное напряжение; Uoc - постоянное напряжение в открытом состоянии; S от “ опирающее постоянное напряжение управления; Uy от и ” отпиРаю11>ее импульсное напряжение управления; Uy з и “ запирающее импульсное напряжение управления; - время включения; - время выключения; пЫгС! t - время нарастания; tcr| - время спада. Требования по охлаждению и монтажу тиристоров аналогичны требованиям к диодам. Габаритные чертежи приведены в приложении 2.1. 2.1. Динисторы Таблица 2.1 Тип прибора V, ср max, А *ос,п, А иот, в иобр, max, В Uoc, В ’зс, мкА ^обр, мА *выкл, мкс Прило жеиие 2.1 КН102А 0,2 10 20 10 1,5 • 80 0,5 40 КН102Б 0,2 10 28 10 1,5 80 0,5 40 КН102В 0,2 10 40 10 1,5 80 0,5 40 КН102Г 0,2 10 56 10 1,5 80 о,5 40 ТИ1 КН102Д 0,2 10 80 10 1,5 80 0,5 40 КН1025К 0,2 е 10 120 10 1,5 80 0,5 40 КН102И 0,2 10 150 10 1,5 80 0,5 40 2.2. Запираемые тиристоры Таблица 2.2 Тип ’з.и. ^ос,п, ЪЗС, 4>бр, *у,от,и, 1у,3,И, Uy,от, И Uy,3,H, *вкл 'выкл Прило прибора А А в в мА мА в В %>' мкС (,cn>J мкС жение 2.1 КУ102А 0,05 5 50 5 20 20 7 12 5 20 КУ102Б 0,05 5 100 5 20 . 20 7 12 5 20 ТИ2 КУ 102В 0,05 5 150 5 20 20 7 12 5 20 КУ102Г 0,05 5 200 5 20 20 7 12 5 20 4. Зак. 4971
98 ТИРИСТОРЫ Окончание табл. 2.2 Тип прибора !3,М, А ^ос,п, А изс В СобР, В ^у,от,и, мА Sw, мА Цу.от,и В иу,з,и, В 1вкл %)’ мкС 1выкл «сп>’ мкС Прило жение 2.1' КУ204А 2 12 50 20 150 360 5 40 (4) (5) КУ204Б 2 12 100 20 150 360 5 40 (4) (5) ТИ5 КУ204В 2 12 200 20 150 ' 360 5 40 <4) (5) 2.3. Незапираемые тиристоры Т а б ли ца 2.3 Тип прибора *ос,ср ГПЙХ,‘ А ^ос,п. А изс, <изс,п>, в Uo6p, ^об|Э,П^ 1у,от, ^у,от,и^, мА Uy,от, (UytoT,M\ В 1вкл’ мкС *выкл, %>, мкС Прило жение 2.1 Д235А 2 10 50 - 150 (5) 5 35 Д235Б 2 10 100 - 150 (5) 5 35 ТИ6 Д235В 2 10 50 50 150 (5) 5 35 Д235Г 2 10 100 too 150 . (5) 5 35 Д238А ю. 100 50 - 150 (8) 10 35 Д238Б 10 100 100 - 150 (8) 10 35 Д238В 10 100 150 - 150 (8) 10 35 ТИ18 Д238Г 10 100 50 50 150 (8) 10 35 Д238Д 10 100 100 100 150 (8) 10 35 Д238Е 10 100 150 150 150 (8) 10 35. КУ103А.Б - 0,001 150 150 40 (0,4...2) - - ТИ4 КУ104А 0,1 3 15 6 15 (2) 0,29 2,5 КУ104Б 0,1 3 30 6 15 (2) 0,29 2,5 ТИ2 КУ104В 0,1 3 60 6 15 (2) 0,29 2,5 КУ104Г о,! 3 100 6 15 (2) 0,29 2,5 КУ 105 А 0,05 2 30 30 (5) (2) 0,1 1,5 КУ105Б 0,05 2 15 . 15 (5) <2> 0,1 1,5 КУ105В 0,05 2 30 5 (5) (2) 0,1 1,5 тиз КУ105Г 0,05 2 15 5 (5) (2) 0,1 1,5 КУ105Д 0,05* 2 30 30 (5) (2) 0,1 1,5 КУ105Е 0,05 2 15 15 (5) (2) 0,1 1,5 КУ108В 5 150 1000 500 4500 (25) 35 (0,1) КУ108Ж 5 150 1000 500 4500 (25) 100 (0,1) ТИ8 КУ108М 5 150 800 400 4500 (25) 35 (0,1)
ТИРИСТОРЫ 99 Продолжение табл. 2.3 Тип прибора ^ос,ср max, А *ос,п, А U3€, ^зс,п\ В Llo6p, <Lo6j>,n> ^у,от,и\ мА ky,OT, ^у,от,и^, В 1ВКЛ’ мкС 1выкл, «нр>, мкС Прило жение 2.1 КУ108Н 5 150 800 400 4500 (25) 35 (0,3) ТИ8 КУ108С 5 150 800 400 4500 (25) 100 (0,1) КУ10ХТ 5 150 800 400 4500 (25) 100 (0,3) КУ10ХФ 5 150 600 300 4500 (25) 35 (0,3) КУ1рхц 5 150 600 300 4500 (25) 100 (0,3) КУ 109 А 1 12 (700) (50) 100 3(7) - 6 КУ Ю9 Б ! 12 (750) (50) 100 3(7) - 4 ТИ7 * КУЮ9В 1 12 (700) (50) 100 3(7) - 8 КУЮ9Г 1 12 (600) (50) 100 3(7) - - КУ110А 0,3 0,6 300 (10) 0,1 0,3 .0,6 1 40 ТИ19 КУ1ЮБ 0,3 0,6 200 (10) 0,1 0.3 .0,6 ! 40 КУИОВ 0,3 0,6 100 (10) 0,1 0,3...0,6 1 40 КУША 0,3 15 400 (400) (100) - - 20 ТИ2 КУШБ 0,3 15 200 (200) (100) - - 20 КУ 201А 2 30 25 - 200 10 2 35 КУ201Б 2 30 25 25 200 10 2 35 КУ201В 2 30 50 - 200 10 2 35 КУ201Г 2 30 50 50 200 10 2 35 КУ201Д 2 30 100 - 200 10 2 35 ТИ5 КУ 201Е 2 30 100 100 200 10 2 35 КУ201Ж 2 30 200 - 200 10 2 35 КУ201И 2 30 200 200 200 10 2 35 КУ 201К 2 30 300 - 200 10 2 35 КУ201Л 2 30 300 300 200 10 2 35 КУ202А 10 30 25 - 300 7 - 150 КУ202Б 10 30 25 25 300 7 - - 150 КУ202В 10 30 50 - 300 7 50 150 КУ202Г 10 30 50 50 300 7 50 150 КУ2О2Д 10 30 100 - 300 7 50 150 КУ202Е 10 30 100 100 300 - 7 50 150 КУ202Ж 10 30. 200 - 300 7 50 150 •ТИ5 КУ202И 10 30 200 200 300 7 50 150 КУ202К 10 30 300 - 300 7 50 150 КУ202Л 10 30 300 300 300 7 50 150 КУ202М 10 30 400 - 300 7 50 150 КУ202Н 10 30 400 400 300 7 50 150 КУ 203А 5 100 50 - (450) (10) 3 7 ТИ20 КУ203Б 5 100 100 - (450- (10) 3 7 4*
100 ТИРИСТОРЫ Продолжение табл. 2.3 Тип прибора *ос,ср max, А ^ос,п, А иС С ton w 4>бр, (Lo6^.n> 1у,ОТ, ^У,ОТ,и\ мА Uy,от, (UytOT,H>, В <ВКЛ’ мкС *выкл, (‘нр’, мкС Прило жеиие 2.1 КУ203В 5 100 150 - (450) (10) 3 7 КУ203Г 5 100 200 - (450) (10) 3 7 ТИ20 КУ203Д 5 100 50 50 (450) (10) 3 7 КУ203Е 5 100 100 100 (450) (10) 3 7 КУ2ОЗЖ 5 100 150 150 (450) (10) 3 7 КУ203И 5 100 200 200 (450) (10) 3 7 КУ210А 20 2000 (600) (600) 150 40 - 150 КУ210Б 20 2000 (500) (500) 150 40 - 150 ТИ17 КУ210В 20 2000 (400) (400) 150 40 - 150 КУ211А 10 200 800 800 600 - - 60 КУ211Б 10 200 800 800 600 - - 120 КУ211В 10 200 700 700 600 - - 60 КУ211Г 10 200 700 700 600 - - 120 ТИН КУ211Д 10 200 600 600 600 - - 60 КУ211Е 10 200 600 600 600 - - 120 КУ211Ж 10 200 500 500 600 - - 60 КУ211И 10 200 500 500 600 - - 120 КУ215А 5 250 (1000) (500) (4000) (50) - (0,25) КУ215Б 5 250 (800) (400) (4000) (50) - (0,3) ТИ10 КУ215В 5 250 (600) (300) (4000) (50) - (0,4) КУ218А 20 100 (2000) (2000) 500 7 - 250 КУ218Б 20 100 (2000) (1000) 500 7 - 250 КУ218В 20 100 (1800) (1800) 500 7 - 250 КУ218Г 20 100 (1800) (900) 500 7 - 250 ТИ11 КУ218Д 20 100 (1600) (1600) 500 7 - 250 КУ218Е 20 100 (1600) (800) 500 7 - 250 КУ218Ж 20 100 (1400) (1400) 500 7 - 250 КУ218И 20 100 (1400) (700) 500 7 - 250 КУ219А 20 1200 (1200) (1200) (3000) (40) - 100 КУ219Б*, 20 1200 (1000) (1000) (3000) (40) - 150 тип КУ219В 20 1200 (800) (800) (3000) (40) - 200 КУ220А 4 100 (1000) (2000) (40) 0,2 50 КУ220Б 4 100 (1000) -• (2000) (40) 0,2 75 КУ220В 4 100 (1000) - (2000) (40) 0,3 75 ТИ9 КУ220Г 4 100 (800) - (2000) (40) 0,3 50 КУ220Д 4 100 (800) - (2000) (40) 0,3- 75
ТИРИСТОРЫ 101 Окончание табл. 2.3 Тип прибора 1©С,Ср шах, А *ос,п, А , м оса □ Ьобр, <Со^>,п) *у,от, ^У,ОТ,и\ £ мА Uy,от, <UyjOT,n), В *вкл’ мкС *выкл, <w, мкС Прило жение 2.1 КУ221А 3,2 100 (700) (50) (150) (7) - 4,5 КУ221Б 3,2 100 (750) (50) (150) (7) - 6 КУ221В 3,2 100 (700) (50) (150) (7) - 2,4 ТИ7 КУ221Г 3,2 100 (600) (50) <150) <7) - 20 КУ221Д 3,2 100 (500) (50) (150) (7) - 20 КУ222А 20 400 (2000) - (5000) (50) - . 125 КУ222Б 20 400 (1600) - (5000) (50) - 125 ТИП КУ222В 20 400 (2000) - (5000) (50) - 250 КУ222Г 20 400 (1600) - (5000) (50) - 250 КУ224А 3,2 150 400. 50 100 3 - 10 ТИ7 2.4. Симисторы Таблица 2.4 Тип прибора !ос,д max, А <Ч,с>- В !ос,удр, А 1у,от, ^у,от,и^’ мА Uy,от, (Uy,от ,и^ ’ В *вкл’ мкС 1выкл’ %>’ мкС Прило жение 2.1 КУ208А 5 (100) 30 (160) (5) 10 150 КУ208Б 5 (200) 30 (160) (5) 10 150 ТИ5 КУ208В 5 (300) 30 (160) (5) 10 150 КУ208Г 5 (400) 30 (160) (5) 10 150 ТС106-10-1 10 100 70 75 3,5 9 (6) ТС106-10-2 10 200 70 75 3,5 9 (6) ТС106-10-3 10 300 70 75 3,5 9 (6) ТС106-10-4 10 400 70 75 3,5 9 (6) ТИ16 ТС106-10-5 10 500 70 75 3*5 9 (6) ТС106-10-6 10 600 70 75 3,5 9 (6) ТС106-10-7 10 700 70 75 3,5 9 (6) ТС106-10-8 10 800 70 75 3,5 9 (6) ТС112-10-1... 10 100 60 100 3 12 (7) ТС112-Ю-12 10 1200 60 100 3 12 (7) ТИ15 ТС112-16-1... 16 100 85 100 3 12 (7) ТС112-16-12 16 1200 85 100 3 12 (7)
102' ТИРИСТОРЫ Окончание табл 2.4 Тип прибора !ос,д шах, А изс,п- <изс), В !ос,удр, А ^у,от, ^у,от,и^’ мА Uy,ОТ, <иу,от,и>’ в *вкл* мкС *вык.т <‘нр>- мкС Прило жение 2.1 ТС122-20-1». 20 100 105 150 3,5 12 (7) ТС122-20-12 20 1200 105 150 3,5 12 (7) ТИ12 ТС122-25-1... 25 100 130 150 3,5 12 (7) ТС122-25-12 - 25 1200 130 150 3,5 12 (7) ТС132-40-1.. 40 100 210 200 4 12 (7) ТС132-40-12 40 1200 210 200 4 12 (7) ТИ14 ТС132-50-1.. 50 100 250 200 4 12 (7) ТС132-50-12 50 1200 250 200 4 12 (7) ТС 142-63-1... 63 100 350 200 4,5 12 (7) ТС 142-63-12 63 1200 350 200 4,5 12 (7) ТИ13 ТС 142-80-1... 80 100 390 200 4,5 12 (7) ТС 142-80-12 80 1200 390 ' 200 4,5 12 (7) 2.5. Оптронные тиристоры Таблица 2.5 Тип прибора !ос,д max, А Usc,n* <изЛ В ^ос,удр, А !у,от, (1у,от,и)? мА Uy,oT, ^у.оТ.И^ В *ВКЛ’ мкС *ВЫКЛ’ мкС Прило жение 2.1 ТО 125-12,5-1... 12,5 100 350 80 2,5 10 100 ТИ21 ТО125-12.5-14 12,5 1400 3J0 80 2,5 10 100 ТО132-25-6... 25 600 600 (150) (2,5) - - ТО132-25-12 25 1200 600 (150) (2,5) - - ТИ22 ТО132-40-6... 40 600 750 (150) (2,5) - - ТО132-40-12 40 1200 750 (150) (2,5) - - TO142-5D-6... 50 600 800 (150) • (2,5) -- - ТИ23 ТО142-50-12 50 1200 800 (150) (2,5) - -
тиристоры 103 Прило жсе н и е 2.1 Габаритные чертежи и цоколевка тиристоров
104 ТИРИСТОРЫ П р 1>л о ж е н и е 2.1
ТИРИСТОРЫ 105
106 ТИРИСТОРЫ Приложение 2.1
ТРАНЗИСТОРЫ 107 РАЗДЕЛ ТРЕТИЙ 3. ТРАНЗИСТОРЫ Биполярный транзистор - полупроводниковый прибор с двумя взаимодействую- щими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обус- ловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Работа би- полярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей. Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем. Действие полевого транзистора вызвано носителя- ми заряда одной полярности. Фототранзистор - фоточувствительный полупроводниковый приемник излучения, по структуре подобный транзистору и обеспечивающий внутреннее усиление сигнала В корпусе фототранзистора предусмотрено прозрачное окно, через которое световой по- ток попадает на одну из областей транзистора. Напряжение питания подводят так, что- бы коллекторный переход был. закрыт, а эмиттерный открыт. База может быть отклю- ченной. Для удобства пользования материал по биполярным транзисторам сгруппирован по классам, соответствующим принятому в ГОСТе делению транзисторов по мощности и частоте, а внутри классов по возрастанию номеров. Малой мощности - до 0,3 Вт. Средней мощности - от 0,3 до I,5 Вт. Большой мощности - более 1,5 Вт. Низкой частоты - не более 3 МГц. Средней частоты - от 3 до 30 МГц. Высокой и сверхвысокой частоты - более 30 МГц. Необходимо отметить, что в некоторых случаях фактическое значение мощности или граничной частоты не соответствует тому классу, к которому транзистор принад- лежит по его обозначению (например, иногда мощность указывается с теплоотводом). Такие транзисторы отмечены знаком *. Транзисторы с вводимым новым семиэлементным обозначением (например КТ81О1А, КТ8Ю2Б и др.) помещены в конце соответствующего класса Термины и буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов: Р, щах “ максимальная рассеиваемая мощность коллектора; UK3 тах - максимальное напряжение коллектор-эмиттер; шах " максимальнее напряжение коллектор-база; ^эб max ” максимальное напряжение эмиттер-база; UK3 нас - напряжение насыщения коллектор-эмиттер при постоянном токе ба- зы щах - максимальный постоянный ток коллектора; 1К и max ' максимальный импульсный ток коллектору; - обратный, ток коллектора при постоянном напряжении коллектор- база Ь21э “ статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером; fpp - граничная частота коэффициента передачи тока. Полевые транзисторы сгруппированы в классы по мощности- и принципам управ- ления носителями заряда. Малой мощности - до 0,3 Вт Средней мощности - от 0,3 до 1,5 Вт.
108 ТРАНЗИСТОРЫ Большой мощности - более 1,5 Вт. Термины и буквенные обозначения параметров полевых транзисторов: P шах ^си, шах ^зс, max ^зи, max ^зи, отс max Ч нач S С11м - максимальная рассеиваемая постоянная мощность; - максимальное напряжение сток-исток; - максимальное напряжение затвор-сток; - максимальное напряжение затвор-исток; - напряжение отсечки; - максимальный*постоянный ток стока; - начальный ток стока; - крутизна характеристики; - входная емкость; - проходная емкость. 12и Термины и буквенные обозначения параметров фототранзисторов: ир - постоянное напряжение, приложенное к фототранзистору, при котором обеспечиваются номинальные параметры при длительной его работе; - максимально допустимая рассеиваемая мощность; - интервал длины волны спектральной характеристики фототранзистора, в котором его чувствительность равна 10% и более от своего максималь- ного значения; - длина волны максимума спектральной чувствительности; '» - ток, протекающий через фототраизистор при заданном напряжении на нем в отсутствии потока излучения; - отношение фототока к значению мощности (или освещенности) потока излучения с заданным спектральным составом, вызвавшего появление фототока (интегральная чувствительность); - коэффициент усиления фототока. В процессе монтажа транзисторов в схемы механические и тепловые воздействия на них не должны превышать значений, указанных 8 ТУ, так как это может привести к растрескиванию изолятора и, следовательно, к нарушению герметичности корпуса р max ЛХ ^тах Si инт. транзистора. При рихтовке, формовке и обрезке участок вывода у корпуса транзистора должен быть закреплен таким образом, чтобы в месте выхода вывода из корпуса (изолятора) он не испытывал изгибающих или растягивающих усилий. Оснастка для формовки выво- дов должна быть заземлена. Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба вывода при формовке должно быть не менее 2 мм, если в ТУ на конкретный тип транзистора не указано иное. При диаметре вывода не более 0,5 мм радиус его изгиба должен быть не менее 0,5 мм, при диаметре от 0,6 до I мм - не менее 1 мм, при диаметре более 1 мм - ие менее 1,5 мм. При лужении, пайке и монтаже транзисторов следует принимать меры, исклю- чающие возможность их повреждения из-за перегрева и механических усилий. В процессе'выполнения операций лужения и пайки расстояние от корпуса (изолятора) до места лужения и пайки должно быть не менее 3 мм, если в ТУ на конкретный тип транзистора не указано иное. Пайку выводов биполярных транзисторов можно выполнять с применением стан- дартного паяльника мощностью 40 Вт, рассчитанного на непосредственное включение в электросеть напряжением 220 или 127 В. При монтаже аппаратуры с полевыми тран- зисторами следует применять низковольтный паяльник с регулируемой температурой нагрева. Включают такой паяльник через понижающий трансформатор, заземляя его вторичную обмотку Применение автотрансформатора недопустимо! Процесс пайки должен быть кратковременным - не более 8 сек. Повторную пай- ку того же соединения (при необходимости) можно проводить не раиее, чем через 3...4 мин Выводы транзистора во время пайки необходимо держать плоскогубцами или ис-
ТРАНЗИСТОРЫ 109 пользовать какой-либо теплоотвод, иначе возможен перегрев элементов, что может привести к необратимому ухудшению их параметров. Поскольку полевые транзисторы могут быть повреждены электрическими зарядами небольшого потенциала, при их монтаже необходимо принимать следующие дополни- тельные меры защиты: а) работу проводить на столе, поверхность которого покрыта хлопчатобумажным материалом или антистатическим линолеумом; б) применять деревянные стулья с матерчатой (не синтетической!) обивкой й электропроводящие настилы под ногами, обувь на кожаной подошве и одежду из хлоп- чатобумажной ткани; в) заземлять надежно рабочий инструмент (жало паяльника, пинцет и т.п.) и кор- пус (общую шину) монтируемого устройства, панели; использовать заземляющий браслет; г) исключать возможность соприкосновения выводов полевых транзисторов с пред- метами, для которых свойственна возможность сильной электризации, например, с предметами вуз синтетических материалов. Цветовая‘маркировка транзисторов приведена в приложении 3.1. Зарубежные транзисторы и их функциональные отечественные аналоги приведены в приложении 3.2. Габаритные чертежи и цоколевка транзисторов приведены в приложении 3.3.
110 ТРАНЗИСТОРЫ 3.1. ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ ill! 3.1.1. Транзисторы малой мощности низкой частоты Т а б л и ц а 3.1.1. Тип Тип Рк Чэ Ь'кб иэб ’к Чи Ь21э Чэ ^кбо, ч>, Прило- прибора Пров. шах, шах, шах, max, max, max, нас, жение мВт в в В мА мА В мкА МГц 3.3 1 МП16 р-п-р 200 15 15 15 100 300 20...35 0,15 25 i ТР16 1 МП16А 200 15 15 15 100 300 30...50 0,15 25 1 МП16Б 200 15 15 15 100 300 45... 100 0,15 25 2 МП20 150 30 50 50 .100 300 50... 150 0,3 50 1 ТР16 MII21 р-п-р 150 35 70 50 100 300 20...60 0,3 50 1 МП21А 150 35 70 50 100 300 50... 150 0,3 50 1 МП21Б 150 40 70 50 100 300 20...80 0,3 50 0,5 МП25 200 40 60 40 150 400 10...25 - 75 0,25 ТР16 МП25А 200 40 60 40 150 400 20...50 - 75 0,25 МП25Б р-п-р 200 40 60 40 150 400 30...80 - 75 0,5 МП26 200 70 100 70 150 400 1O...25 - 75 0,25 МП26А 200 70 100 70 150 400 20...50 - 75 0,25 МП26Б 200 70 100 70 150 400 ЗО...8О - 75 0,5 1 П27 30 5 5 - 6 - 20...90 - 3 1 ТР2 П27А р-п-р 30 5 5 - 6 - 20...60 3 1 П27Б 30 5 5 - 6 - 42... 126 - 3 3 1128 30 5 5 - 6 - 33... 100 - 3 5 МП35 150 15 15 - 20 150 13... 125 - 30 0,5 ИВ МП36А 150 15 15 - 20 150 15...45 - 30 1 МП37 150 15 15 - 20 150 15...30 - 30 1 П МП37А п-р-п 150 30 30 - 20 150 15...30 - 30 • 1 ТР16 МП37Б 150 30 30 - 20 150 25...50 - 30 1 М МП38 150 15 15 - 20 150 25...S5 - зо 2 мп“д 150 15 15 - 20 150 45... 100 - 30 2 МП39 150 15 15 10 30 1-50 12 - 15 0,5 МП39Б 150 15 15 10 30 150 20...60 - 15 0,5 | I I МП40 р-п-р 150 15 15 10 30 150 20...40 - 15 1 ТР16 МП40А 150 30 30 5 20 150 20...80 - 15 1 III МП41 150 15 15 10 30 150 30...60 15 1 МП41А 150 15 15 10 io 150 50... 100 - 15 1 [. 1 МП101 150 20 20 20 20 100 I0...30 - 3 0,5 ТР2 МП101А п-р-п 150 10 10 10 20 100 I0...30 - 1 0,5 1ДД МП101Б 150 20 20 20 20 100 15 45 - 3 0,5 1 I
i I ТРАНЗИСТОРЫ in Продолже н и е табл 5.L1. Тип Тип Pk Чсэ икб 4,6 V I Чс,и? Ь21э Чсэ •кбо. %, Прило- прибора пров. max, max, max, max, max, max, нас, жение мВт В В В мА мА В мкА МГц 3.3 MI 1102 n-p-n 150 10 10 10 20 100 15...45 3 0,5 МП103 150 10 10 10 20 100 15.. 45 3 1 ТР2 МП103А 150 10 10 10 20 100 10...30 - 3 1 Mil.104 p-n-p 150 60 60 30 10 50 9 0,1 МП105 150 30 30 15 10 50 9.. 45 - - ол ТР16 MI 1106 1 150 15 15 10 1О 50 15 ЛОО - - 0,5 КТЮ4А 150 30 30 10 50 - 9...36 0,5 1 5 КГ104Б p-n-p 150 15 15 10 50 - 20...80 0,5 1 5 ТР6 KT104B 150 15 15 10 50 - 40... 160 0,5 1 5 ' КТ104Г 150 30 30 10 50 - 15...60 0,5 1 5 ГТ108А 75 - 5 - 50 20 ..50 10 0,5 ГТ108Б p-n-p 75 - 5 - 50 - 35...80 - 10 1 ТР8 ГТ108В 75 - 5 - 50 - 60... 130 - 10 1 ГТ108Г 75 - 5 - 50 - 110. .250 - 10 1 ГТ109А 30 6 10 20 - 20...50 5 1 ГТ109Б 30 6 10 - 20 - 35...8O - 5 1 ГТ109В 30 6 10 - 20 - 60... 130 - 5 1 ГТ109Г p-n-p 30 6 10 - 20 - ПО...250 - 5 1 ТР10 ГТ109Д 30 6 10 - 20 - 2O...7O - 9 3 ГТ109Е 30 6 10 - 20 - 50...100 - 1 5 ГТ109Ж 30 6 10 - 20 - 20...50 - 1 1 ГТ109И 30 6 10 - 20 - 20...80 - 5 1 МП111 150 20 20 5 20 100 10...25 3 0,5 МП1Т1А 150 10 10 5 20 100 . 10...30 - 1 0,5 МП111Б n-p-n 150 20 20 5 20 100 15..45 - 3 0,5 ТР2 MI 1112 150 10 10 5 20 100 15...45 - 3 0,5 МП113 150 10 10 5 20 100 15...45 - 3 1 МП 113 A 150 10 10 5 20 100 35... 105 - 3 1,2 МП114 p-n-p 150 60 60 10 10 50 9 10 ол Mill 15 150 30 30 10 10 50 9...45 - 10 0,1 ТР!б МП116 150 15 15 10 Го 50 15..100 - 10 0,5 ГТ115А 50 20 20 30 20...80 40 1 ГТ115Б p-n-p 50 - 30 20 30 - 20...80 - 40 1 ГТ115B 50 - 20 20 30 - 60 .Л50 - 40 1 ТРЗ- ГТ115Г 50 - 30 20 30 - 60...150 - 40 1 ГТ115Д 50 20 20 30 - 125...250 - 40 1
112 ТРАНЗИСТОРЫ Окончание табл. 3.1.1. Тип прибора Тип Пров. Рк шах, мВт икэ max, В икб max, В иэб max, В 1к max, мА ^к,и max, мА Ь21э нас, В ^кбо, мкА гр, МГц Прило- жение 33 ГТ122А п-р-п 150 35 35 - 20 150 15...45 - 20 1 ГТ122Б 150 20 20 - 20 150 15...45 - 20 1 ТР2 ГТ 122В 150 20 20 - 20 150 30...60 - 20 2 ГТ122Г 150 20 20 - 20 150 30...60 - 20 2 ГТ124А 75 20 25 10 50 100 28...56 0,5 15 1 ГТ124Б р-п-р 75 20 25 10 50 100 45,..90 0,5 15 1 ТРЗ ГТ124В 75 20 25 10 50 100 71...162 0,5 15 1 ГТ124Г 75 20 25 10 50 100 120...200 0,5 15 1 ГТ125А 150 30 35 20 100 300 28...56 0,3 50 1 ГТ125Б 150 30 35 20 100 300 45...90 0,3 50 1 ГТ125В 150 30 35 20 100 300 71... 140 0,3 50 1 ГТ125Г 150 30 35 20 100 300 120... 200 0,3 50 1 ТР16 ГТ125Д р-п-р 150 30 35 20 100 300 2S...56 0,3 50 1 ГТ125Е 150 30 35 20 100 300 45...90 0,3 50 1 ГТ125Ж 150 30 70 20 100 300 71...140 0,3 50 1 ГТ125И 150 . - 20 20 100 300 28...56 0,3 • 50 1 ГТ125К 150 - 20 20 100 300 45...90 0,3 50 1 ГТ125Л 150 - 20 20 100 300 71. ..140 •0,3 5в 1 3.1.2. Транзисторы малой мощности средней частоты Т а бл и ца 3.1.2. Тип прибора Тип Пров. Рк max, мВт икэ max, В икб max, В я" са 1к max, мА 1 к,и max, мА Ь21э икэ нас, В ^кбо, мкА f МГц Прило- жение 3.3 П29 р-п-р 30 10 12 12 50 100 20...50 0,2 4 5 П29А 30 10 12 12 50 100 40... 100 0,2 4 5 ТР2 ПЗО 30 10 12 12 50 100 80... 180 0,2 4 10 КТ201А 150 20 20 20 30 100 20...60 0,5 10 КТ201Б 150 20 20 20 30 100 ЗО...9О - 0,5 10 КТ201В п-р-п 150 10 10 10 30 100 30.. 90 - 0,5 10 ТР4 КТ201Г 150 10 10 10 30 100 7О...2Ю - 0,5 10 КТ201Д 150 10 10 10 30 100 ЗО...9О - 0,5 10 КТ203А 150 60 60 30 10 50 9 - 1 5 ТР4 КТ203Б р-п-р 150 30 30 15 10 50 30... 150 1 1 5 КТ203В 150 15 15 10 10 50 30...200 0,5 1 5
ТРАНЗИСТОРЫ 113 Окончание табл. 3.1.2. Тип прибора Тип пров. рк шах, мВт икэ шах, В икб max, В Ьэб max, В 'к шах, мА «к,и max, мА Ь21э Чсэ нас, В ’кбо, мкА МГц Прило- жение 3.3 КТ 208 А 200 20 20 20 150 300 20...60 0,4 5 КТ208Б 200 20 20 20 150 зоо 40... 120 0,4 - 5 КТ208В 200 20 20 20 150 300 80..240 0,4 - 5 КТ208Г 200 30 30 20 150 300 20...60 0,4 5 КТ208Д 200 30 30 20 150 300 40... 120 0,4 - 5 ТРПб КТ208Е р-п-р 200 30 30 20 150 300 80...240 0,4 - 5 КТ208Ж 200 45. 45 20 150 300 2O...6O 0.4 - 5 КТ208И 200 45 45 20 150 •зоо 40... 120 0.4 - 5 КТ208К 200 45 45 20 150 300 80...240 0,4 - 5 КТ208Л 200 60 60 20 150 зоо 20...60 0.4 - 5 КТ208М 200 60 60 20 150 зоо 40... 120 0,4 - 5 КТ209А 200 15 15 10 300 500 2O...6O 0,4 5 КТ209Б 200 15 15 10 300 500 40... 120 0,4 - 5 КТ209В 200 15 15 10 300 500 80.240 0,4 - 5 КТ209Г 200 30 30 10 300 500 20 .60 0.4 - 5 КТ209Д 200 30 30 10 300 500 40... 120 0.4 5 ТР26а КТ209Е р-п-р 200 30 30 10 300 500 80 .240 0,4 - 5 ТР53а КТ209Ж 200 45 45 20 300 500 20..60 0,4 5 <* КТ209И 200 45 45 20 300 500 40.. 120 0,4 - 5 КТ209К 200 45 45 20 300 500 80...240 0.4 - 5 КТ209Л 200 60 60 20 300 500 20.60 0,4 - 5 КТ209М 200 60 60 20 300 500 40... 120 0.4 - 5 -П307 250 80 80 3 30 120 16...50 - 3 20 - II307B п-р-п 250 60 60 3 30 120 50... 150' - 3 20 ТР1а П308 250 120 120 3 30 120 30. .90 - 3 20 II309 250 120 120 3 30 120 16...50 - 3 20 - 11406 р-п-р 30 6 6 - 5 - 20 - 6 10 ТР5 П407 .. р-п-р 30 6 6 - 5 - 20 - 6 20 ТР5
114 ТРАНЗИСТОРЫ 3.1.3. Транзисторы малой мощности высокой и сверхвысокой частоты Т а б л и ц а 3.1.3. Тип прибора Тио прев. Рк max, мВт Чсэ max, В max, В иэб max, В «к max, мА 1к,И max, мА Ь21э Ькэ нас, В *кбо, мкА ГР. МГц Прило- жение 3.3 КТ301 150 20 20 3 10 20 20...60 3 10 20 КТ301А 150 20 20 3 10 20 40. .120 3 ю 20 КТ301Б 150 30 30 3 Ю 20 10..32 3 10 20 КТ301В п-р-п 150 30 30 3 10 20 20-60 3 10 20 ТР7 КТ301Г 150 30 30 3 10 20 10...32 3 10 30 КТ301Д 150 30 30 3 10 20 20-60 3 10 30 КТ301Е 150 30 30 3 . 10 20 40... 120 3 10 30 КТ301Ж 150 20 20 3 10 20 80...300 3 10 30 \ КТ302А 100 15 15 4 10 - 110...250 1 - КТ302Б п-р-п 100 15 15 4 10 - 90... 150 - 1 - ТР9 КТ302В 100 15 15 4 10 - 11O...25O - 1 - КТ302Г 100 15 15 4 10 - 200...800 - 1 - ГТ305А 75 12 15 1,5 40 100 25... 80 . 0,5 6 140 ГТ305Б р-п-р 75 12 15 1,5 40 100 60.. 180 0,5 6 160 ТР15 ГТ305В 75 12 15 1,5 40 100 40... 120 0,5 6 160 КТ306А 150 10 15 4 30 50 20...60 0,3 0,5 300 КТ306Б 150 10 15 4 30 50 40...120 0.3 0,5 500 КТ306В п р-п 150 10 15 4 30 50 20... 100 0,3 0,5 300 ТР12а КТ306Г 150 10 15 4 30 50 40.. 200 0,3 0,5 500- ктзобд 150 10 15 4 30 50 30... 150 0,3 0,5 200 • ГТ308А 150 15 20 3 50 120 25-75 1,5 5 100 ГТ308Б р-п-р 150 15 20 3 50 120 50... 120 1,2 5 120 ТР18 ГТ308,В 150 15 20 3 50 120 80... 150 1 2 5 120 ГТ308Г 150 15 20 3 50 120 90. 200 1,2 5 120 ГТ309А 50 10 - - 10 - 20.70 - 5 120 ГТ309Б 50 10 - - 10 - 60.. 180 - 5 120 ГТ309В р-п-р 50 10 - - 10 - 20...70 5 80 ТР6 ГТ309Г 50 10 - - 10 - 60 .. 1 80 - 5 80 ГТ309Д 50 10 - - 10 - 20...70 - 5 40 ГТ309Е 50 10 - 10 - 60 180 - 5 40
ТРАНЗИСТОРЫ 115 Продолжение табл. 3.1.3. Тип прибора Тип Пров. Рк max, мВт икэ max, В икб max, В иэб max, В А max, мА ’к,и max, мА Ь21э Скэ нас, В •кбо, мкА f гр, МГц Прило- жение 3.3 ГТЗЮА 20 10 12 - 10 20...70 160 ГТ310Б 20 10 12 - 10 - 60... 180 - 160 ГТ310В р-п-р 20 . 10 12 - : 10 - 20...70 - - 120 ТР10 ГТ310Г 20 10 12 - 10 - 60. .180 120 ГТ310Д 20 10 12 - 10 - 2O...7O - 100 ГТ310Е 20 10 12 - 10 - 60... 180 - - 100 ГТ311А 150 12 12 2 50 - 15... 180 0,3 5 300 * ГТ311Б 150 12 12 2 50 - 30... 180 0,3 5 300 ГТ311В 150 12 12 2 50 - 150...300 0,3 5 600 ГТ311Г п-р-п 150 12 12 2 50 - 15...50 0,3 5 450 ТР17 ГТ311Д 150 12 12 2 50 - 30...80 0,3 5 450 ГТ311Е 150 12 12 2 50 - 60... 180 0,3 5 600 » гтзиж 150 12 12 2 50 - 15... 80 0,3 5 250 ГТ311И 150 10 10 1,5 50 - 100...300 0,3 10 450 КТ312А п-р-п 225 20 20 4 30 60 10...100 0,8 10 80 ТР126 КТ312Б 225 35 35 4 30 60 25... 100 0,8 10 120 КТ312В 225 20 20 4 30 60 50...280 0,8 10 120 КТ313А р-п-р 300 5 6 5 35 - 30... 120 0,5 0,5 200 TPlla КТ313Б 300 5 6 5 35 - 80...300 0,5 0,5 200 ГТ313А р-п-р 100 15 15 0,7 30 - 20...250 0,7 5 900 ГТ313Б 100 15 15 0,7 30 - 2O...25O 0,7 5 900 ТР17 ГТ313В 100 15 15 0,7 30 - 30. .170 0,7 5 900 КТ315А 150 25 25 6 100 20.190 0,4 1 250 КТ315Б 150 20 20 6 100 - 50...350 0,4 1 250 КТ315В 150 40 40 6 100 - 20...90 0,4 1' 250 КТ315Г п-р-п 150 35 35 6 100 - 5O...35O 0,4 1 250 ТР13 КТ315Д 150 40 40 6 100 - 20...90 1 1 250 КТ315Е 150 35 35 •6 100 - 5O...35O 1 1 250 КТ315Ж 100 15 15 6 50 - ЗО...25О 0,5 1 250 КТ315И 100 60 60 6 50 - 30 - 1 250 КТ316А 150 10 10 4 50 50 20...60 0,4 0,5 600 КТ316Б 150 10 10 4 50 50 40... 120 0,4 0,5 800 КТ316В п-р-п 150 10 10 4 50 50 40... 120 0,4 0,5 800 ТР16а КТ316Г 150 10 10 4 50 50 20... 100 0,4 0,5 600 ктззбд 150 10 10 4 50 50 60...300 0,4 0,5 800
116 ТРАНЗИСТОРЫ Продолжение табл. 3.1.3. Тип прибора Тип пров. Рк max, мВт Скэ max, В икб max, В иэб max, В 'к max, мА •к.И max, мА Ь21э икэ нас, В *кбо, мкА fn>, МГц Прило- жение 3.3 ГТ320А р-п-р 200 12 20 3 150 300 2O...8O 9 10 80 ГТ320Б 200 1 1 20 3 1150 300 50... 120 9 10 120 ТР24 ГТ320В 200 9 20 3 150 300 80...250 2 10 200 KT32IA 210 50 60 4 200 2000 20...60 2,5 100 60 КТ321Б 210 50 бо 4 200 2000 40... 120 2,5 100 60 КТ321В р-п-р 210 50 60 4 200 2000 80... 120 2,5 100 60 ТР20 КТ321Г 210 40 50 4 200 2000 20... 60 2,5 100 60 КТ321Д 210 40 50 4 200 2000 40... 120 2,5 100 60 КТ321Е 210 40 50 4 200 2000 80...200 2,5 100 60 ГТ321А 160 40 50 4 200 2000 20...60 2,5 500 60 ГТ321Б 160 40 50 4 200 2000 40... 120 2,5 500 60 ГТ321В р-п-р 160 40 50 4 200 2000 80...200 2,5 500 60 ТР24 ГТ321Г 160 30 40 2,5 200 2000 20...60 2,5 500 60 ГТ321Д 160 30 40 2,5 200 2000 40... 120 2,5 500 60 ГТ321Е 160 30 40 2,5 200 2000 80...200 2,5 500 60 ГТ322А 50 10 25 - 10 30 30... 100 4 80 ГТ322Б 50 6 25 - 10 30 50... 120 - 4 80 ГТ322В р-п-р 50 10 25 - 10 30 20... 120 - 4 50 ТР19 ГТ322Г 50 15 15 - 5 - 50... 120 - 4 50 ГТ322Д 50 15 15 - 5 - 20...70 - 4 50 ГТ322Е 50 15 15 5 - 50... 120 - 4 50 - КТ325А п-р-п 225 15 15 4 30 60 30...90 - 0,5 800 КТ325Б 225 15 15 4 30 60 70...210 - 0,5 800 ТР14 КТ325В 225 15 15 4 30 60 160...400 - 0,5 1000 КТ326А р-п-р 200 15 20 4 50 - 20...70 1,2 0,5 400 ТРПа КТ326Б 200 15 20 4 50 - 45... 160 1,2 0,5 400 КТ326АМ р п-р 200 15 20 5 50 - 20...70 0,3 0,5 250 ТР26в КТ326БМ 200 15 20 5 50 - 45... 160 0,3 0,5 250 ГТ328А р-п-р 50 15 15 0,25 10 - 20... 200 - 10 400 ТР16а ГТ328Б 50 15 15 0,25 10 - 40... 200 - 10 300 ГТ328В 50 15 15 0,25 10 - 10...50 - 10 300 ГТ329А 50 5 10 0,5 20 - 15...300 - 5 1200 ГТ329Б п-р-п 50 5 10 0,5 20 - 15...300 - 5 1700 ТР22 ГТ329В 50 5 10 1 20 - 15...300 - 5 1000 ГТ329Г 50 5 10 0,5 20 - 15...300 - 5 700
ТРАНЗИСТОРЫ 117 II р о д о л ж е ние т а б л. 3. /. 3. Тип прибора Тип прок Рк max, мВт LK3 шах. В Скб max, В max, В ’к max, мА 'к,и max, мА Ь21э нас, В ^кбо мкА frp. МГц Прило- жение 3.3 гтззад п-р-п 50 - 10 1.5 20 30...400 0,3 5 500 гтззож 50 - 10 1.5 20 - 30...400 0,3 5 1000 ТР21 гтззои 50 - 10 1.5 20 10 400 0.3 5 500 ГТ335А 200 13 - 20 3 150 250 40...70 2 10 80 ТР1а ГТ335Б р-п-р 200 13 20 3 150 250 60... 100 2 10 80 ГТ335В 200 10 20 3 150 250 40.. 70 7 10 80 ГТ335Г 200 10 20 3 150 250 60... 100 1.5 10 300 ГТ335Д 200 10 20 А 150 250 50.. 100 1.5 10 300 КТ337А р-п-р 150 6 6 4 30 30... 70 0,2 1 500 ТР1 1а КТ337Б 150 6 6 4 30 - 50.75 0,2 1 600 КТ337В 150 6 6 4 30 - 70... 120 0,2 1 600 КТ339А 260 25 40 4 25 - 25 - 1 300 ТР166 КТ339Б п-р-п 260 12 25 4 25 15 - 1 250 КТ339В 250 25 40 4 25 - 25 - 1 450 КТ339Г 260 25 40 4 25 - 40 1 250 КТ339Д 260 25 40 4 25 - 15 - 1 250 КТ339АМ п~р~п 260 25 40 4 25 - 25 - 1 300 ГР266 KT34UA 150 15 15 5 50 200 100 .150 0.2 1 300 КТ3411Б п-р-п 150 20 20 5 50 200 100 0,25 1 300 ТР4 КТ340В 150 15 15 5 50 200 35 0,4 1 300 КТ340Г 150 15 15 5 75 500 16 0,6 1 300 КТ340Д 150 15 15 5 50 200 40 0,3 1 300 ГТ341А п-р-п 35 5 10 0.3 10 - 15. .300 - 5 1500 ТР25 ГТ 341Б 35 5 10 0,3 10 - 15...300 - 5 2000 Г1341В 35 5 10 0,5 10 - 15. 300 - 5 1500 КТ342А 250 30 5 50 300 100.. 250 0,1 1 250 КТ342Б п р-п 250 25 - 5 50 300 200 .500 0.1 1 300 ТРИа КТ342В 250 10 5 50 300 100.. ЮОО од 0,05 300 КТ342Г 250 60 - 5 50 300 50. 125 0,2 0,05 300 КТ343А 150 17 20 4 50 150 30 0,3 1 300 КТ343Б р-п-р 150 17 20 4 50 150 50 0,3 1 300 ТР11а КТ343В 150 9 20 4 50 150 30 0,3 1 300 КТ343Г 150 17 20 4 50 150 20 0,3 I 300
118 ТРАНЗИСТОРЫ Продолжение табл, 3.1.3. Тип прибора Тип Пров. рк тах, мВт икэ max, В икб max, В иэб max, В 'к max, мА ^к,и max, мА Ь21э икэ нас, В ^кбо, мкА frp. МГц Прило- жение 3.3 КТ345А р-п-р 100 20 20 4 200 300 20. .60 0,3 ' 1 350 ТР29 КТ345Б 100 20 20 4 200 300 50...85 0,3 1 350 КТ345В 100 20 20 4 200 300 70... 105 0,3 1 350 ГТ346А р-п-р 50 15 20 0,3 10 - 10... 150 - 10 700 ТР16а ГТ346Б 50 15 20 0,3 10 - 10... 150 - 10 . 550 ГТ346В 50 15 20 0,3 10 , - 10... 150 - 10 550 КТ347А, р-п-р 150 15 15 4 50 ПО 30...400 0,3 1 500 TPlIa КТ347Б 150 9 9 4 50 ПО 30...400 0,3 1 500 КТ347В 150 6 6 4 50 ПО 50...400 0,3 1 500 КТ349А р-п-р 200 15 20 4 10 40 20...80 1,2 1 300 ТРИа КТ349Б 200 15 20 4 10 40 40.. Л 60 1,2 1 300 КТ349В 200 15 20 4 10 40 12О...ЗЗО 1,2 1 300 КТ350А Р-п-р 300 15 20 5 60 600 ^0. .200 1 1 100 ТР29 KT3S1A р-п-р 300 15 20 5 50 400 20...80 0,6 1 200 ТР29 КТ351Б 300 15 20 5 50 400 50...200 0,6 1 200 КТ352А р-п-р 300 15 20 5 50 200 25... 120 0,6 1 200 ТР29 КТ352Б 300 15 20 5 50 200 70...300 0,6 1 200 КТ355А п-р-п 225 . 15 15 4 30 60 80...300 - 0,5 1500 ТР32а КТ357А 100 6 6 3,5 40 80 20... 100 0,3 5 300 ТР536 КТ357Б р-п-р 100 6 6 3,5 40 80 бф... 300 0,3 5 300 КТ357В 100 20 20 3,5 40 80 20.2; 100 0,3 5 300 КТ357Г 100 20 20 3,5 40 80 бо...3оо 0,3 5 300 КТ358А п-р-п 100 15 15 4 30 60 ю... ion 0,8 10 80 ТР536 КТ358Б 100 30 30 4 30 60 25... 100 0,8 10 120 КТ358В 100 15 15 4 30 60 50...280 0,8 10 120 КТ361А* 150 25 25 4 50 20...90 0,4 1 250 КТ361Б 150 20 20 4 50 - 50...350 0,4 1 250 КТ361В р-п-р 150 "40 40 4 50 - 40.. .160 0,4 1 250 ТР13а КТ361Г 150 35 35 4 50 - 50...350 0,4 1 250 ктзб1Д 150 40 40 4 50 - 20 ..90 1 1 150 КТ361Е 150 35 35 4 50 - 50.. 350 1 1 150
ТРАНЗИСТОРЫ 119 Про др лже нив табл. 3.1.3 Тип прибора Тип пров. Рк max, мВт 4э max, В 4б max, иэб max, В 1к max, мА I К,и max, мА Ь21э 4э нас, В •кбо, мкА frp> МГц Прило- жение 3.3 ГТ362А п-р-п 40 5 5 0,2 10 - 10...200 - 5 2400 ТР21 ГТ362Б 40 5 5 0,2 10 - 10...250 - 5 2400 КТ363А р-п-р 150 15 15 4 30 50 20...70 0,35 0,5 1200 ТР11а КТ363Б 150 12 15 4 30 50 40.. 120 0,35 0,5 1500 КТ368А п-р-п 225 15 15 4 30 60 50.. 300 - 0,5 900 ТР16а КТ368Б 225 15 15 4 30 60 50...300 - 0,5 900 КТ368АМ п-р-п 225 15 15 4 30 60 50 .450 - 0,5 900 ТР29 КТ368БМ 225 15 15 4 30 60 50...450 - 0,5 900 КТ371А п-р-п 100 10 10 3 20 40 30...240 - 0,5 3000 ТР28 КТ372А п-р-п 50 15 15 3 10 - 10 - 0,5 2400 ТРЗОа КТ372Б 50 15 15 3 10 - 10 - 0,5 3000 КТ372В 50 15 15 3 10 - 10 - 0,5 2400 КТ373А 150 30 - 5 50 200 100.. 250 0,1 0,05 250 КТ373Б п-р-п 150 25 • 5 50 200 200...600 0,1 0,05 300 ТР31 КТ373В 150 10 - 5 50 200 500 ..1000 0,1 0,05 300 КТ373Г 150 60 - 5 50 200 50... 125 0,1 0,05 250 KT37SA п-р-п 200 60 60 5 100 200 10... 100 0,4 1 250 ТР36 КТ375Б 200 30 30 5 100 200 50...280 0,4 1 250 ГТ376А р-п-р 35 7 7 0,25 10 - 10... 150 - 5 1000 ТР16а КТ382А п-р-п 100 10 15 3 20 40 40...330 9 0,5 1800 ТР28 КТ382Б 100 10 15 3 20 40 40...330 2 0,5 1800 1 КТ399А п-р-п 150 15 15 3 -20 40 40 - 0,5 1800 TP 16а П401 р-п-р 100 10 - 1 20 - 16...3OO - 10 30 ТР24 П402 р-п-р 100 10 - 1 20 - 16...250 - 5 60 ТР24 П403 р-п-р 100 10 1 20 30 ..100 - 5 120 ТР24 1141)3 А 100 10 - 1 20 16 .200 - 5 120
120 ТРАНЗИСТОРЫ Продолжение pi а б л. 3.1.3. Тип прибора Тип пров. Рк max, мВт °кэ max, В икб max, В иэб max, В 'к max, мА ^к,и max, мА Ь21э Чо нас, В кбо, мкА frp, МГц Прило- жение 3.3 П414 р-п-р 100 10 10 1 10 30 25-100 - 4 60 ТР42 1Г414А 100 10 .10 I 10 30 60... 120 - 4 60 П414Б 100 10 10 1 10 30 100...200 4 60 П415 р-п-р 100 10 10 1 10 30 25...100 - 4 120 ТР42 П415А 100 10 10 1 10 30 60... 120 - 4 120 П415Б 100 10 10 1 10 30 100...200 - 4 120 П416 р-п-р 100 12 15 3 25 120 20...80 7 5 40 ТР24 П416А 100 12 15 3 25 120 60... 125 1,7 5 60 П416Б 100 12 15 3 25 120 90...200 1,7 5 80 П417 р-п-р 50 8 - 0,7 10 - 24... 100 - 3 200 ТР34 П417А 50 8 - 0,7 10 - 65...200 - 3 200 П418Г 50 7 10 0,3 10 - 8...7O - 3 400 П418Д 50 7 10 0,3 10 - 8...70 - 3 400 П418Е 50 6,5 10 0,3 10 - 60... 170 - 3 400 П418Ж р-п-р 50 6,5 10 0,3 10 - 60-170 - 3 400 ТР38 П418И 50 6,5 - 0,3 10 - 60... 170 - 3 200 П418К 50 6,5 - 0,3 10 - 60. .170 - 3 200 П418Л 50 7 - 0,3 10 - 8...7O - 3 200 П418М 50 7 - 0,3 10 - 8... 70 - 3 200 П412 р-п-р 100 10 - - 20 - 24... 100 - 5 50 ТР24 П423 р-п-р 100 10 - - 20 - 24... 100 - 5 100 ТР24 КТ3102А 250 50 50 5 100 200 100 ..250 - 0,05 100 КТ3102Б 250 50 50 5 100 200 200...500 - 0,05 100 КТ3102В п-р-п 250 30 30 5 100 200 200...500 - 0,015 100 ТР11а КТ3102Г 250 20 20 5 100 200 400... 1 000 - 0,015 100 КТ3102Д 250 30 30 5 100 200 200..,500 - 0,015 100 КТ3102Е 250 50 50 5 100 200 400... 100С - 0,015 100 КТ3102АМ 250 50 50 5 100 200 1OO...25O - 0,0$ 100 КТ3102БМ 250 50 50 5 100 200 200...500 - 0,05 100 КТ3102ВМ 250 30 30 5 100 200 200...500 - 0,015 100 КТ3102ГМ п-р-п 250 20 20 5 100 200 400... 100С - 0,015 100 ТР29 КТ3102ДМ 250 30 30 5 100 200 200...500 - 0,015 100 КТ3102ЕМ 250 50 50 5 100 200 400... 1001 - 0,015 100 КТ3102Ж1У 250 50 50 5 100 200 100...250 - 0,05 100
ТРАНЗИСТОРЫ 121 Окончание табл. 3.1.3. Тип прибора Тип пров. рк max, мВт Чсэ max, В Lk6 max, В иэб max, В max, мА ж,и max, мА Ь21э икэ нас, В ^кбо, мкА frp, МГц Прило- жение 3.3 КТ3102ИМ п-р-п 250 50 50 5 100 200 200...500 - 0,05- 100 ТР29 КТ3102КМ 250 30 30 5 100 200 200...500 0,015 100 КТ3107А 300 45 50 5 100 200 70... 140 6,5 0,1 200 КТ3107Б 300 45 50 5 100 200 120...220 0,5 <М 200 КТ3107В 300 25 30 5 100 200 70... 140 0,5 о,1 200 КТ3107Г 300 25 30 5 100 200 120...220 0,5 0,1 200 ТР29 КТ3107Д р-п-р 300 25 30 5 100 200 I80...460 0,5 0,1 200 КТ3107Е 300 20 25 5 100 200 120...220 0,5 0,1 200 КТ3107Ж 300 20 25 5 100 200 180...460 0,5 0,1 200 КТ3107И 300 45 50 5 100 200 180...460 0,5 0,1 200 КТ3107К 300 25 30 5 100 200 38O...8OO 0,5 0,1 200 КТ3107Л 300 20. 25 5 100 200 380...800 0,5 0,1 200 КТ3108А р-п-р 300 60 60 5 200 - 50... 150 0,25 0,2 250 ТРИа КТ3108Б 300 45 45 S 200 - 50... 150 0,25 0,2 z 250 - КТ3108В 300 45 45 5 200 - 100...300 0,25 0,2 300 КТ3109А р-п-р 170 25 30 3 50 - 20... 120 - 0,1 2000 ТР28 КТ3109Б 170 20 25 3 50 - 20... 120 - 0,1 2000 КТ3109В 170 20 25 3 50 - 20... 120 - о,1 600 КТ3117А п-р-п 300 50 60 4 400 800 40...200 0,6 10 200 ТРИа КТ3120А п-р-п 100 15 15 3 20 . 40 40 - 0,5 1000 ТР28 КТ3126А р-п-р 150 20 20 3 20 - 25... 150 1,2 1 600 ТР23 КТ3126Б 150 20 20 3 20 - 60... 180 1,2 I 600 КТ3127А р-п-р 100 20 20 3 20 - 25... 150 - 1 600 ТР16а КТ3128А р-п-р 100 20 20 3 20 - 15... 150 - 1 800 ТР16а КТ3144А п-р-п 150 15 15 3 - - 40 - 0,5 1800 ТР29 — 1
122 ТРАНЗИСТОРЫ 3.1.4. Транзисторы средней мощности низкой частоты Таблица 3.1.4 Тип прибора Тип Пров. рк max, мВт ГС CQ Е икб max, В 1эб max, В >к max. мА •к,и max, мА Ь21э Чсэ нас, В *кбо, мкА МГц Прило- жение 3.3 ГТ402А-1 600 25 - - 500 - 30. .80 - 20 1 ГТ402Б-1 р-п-р 600 25 - - 500 - 60... 150 - 20 1 ТР37 ГТ402В-1 600 40 - - 500 30...80 - 20 1 ГТ402Г-1 600 40 - - 500 - 60...150 - 20 I ГТ402А-2 300 25 - - 500 - 30...80 - 25 1 ГТ402Б-2 р-п-р 300 25 - - 500 - 60... 150 - 25 1 ТР35 ГТ402В-2 зоо 40 - - 500 - 30... 80 - 25 1 ГТ402Г-2 зоо 40 - - 500 - 60... 150 25 I ГТ403А 650 30 45 20 1250 - 20... 60 0,5 50 0,008 ГТ4ПЗБ 650 30 45 20 1250 - . 50... 150 0,5 50 0,008. ГТ4ПЗВ 650 45 60 20 1250 - 20...60 0,5 50 0,008 ГТ403Г 650 45 60 20 1250 - 50... 150 0.5 50 0,006 ГТ403Д р-п-р 650 45 60 30 1250 - 50... 150 0,5 50 0,006 ТР27 ГТ403Е 650 45 60 20 1250 - 30 0.5 50 0,008 ГТ403Ж 650 60 80 20 1 250 - 20 .60 0.5 70 0,008 ГТ403И 650 60 80 20 1250 • 30 0,5 70 0,008 ГТ403Ю 650 30 45 20 1250 - 30 .60 0,5 50 0,008 ГТ404А-1 600 25 500 - 30. 80 - 25 1 ГТ404Б -1 п-р-п 600 25 - - 500 - 60.. 150 - 25 1 ТР37 ГТ404В-1 600 40 - - 500 - 30...80 25 I ГТ404Г-1 600 40 - - 500 - 60. .150 - 25 1 ГТ404А-2 ЗОО 25 - 500 - 30...80 - 25 I ГТ404Б-2 п-р-п 300 25 - - 500 - 60. . 150 - 25 I ТР35 ГТ404В-2 ЗОО 40 - - 500 - 30 .80 - 25 1 ГТ4П4Г-2 300 40 - - 500 - 60... 150 - 25 1 ГТ405А 600 25 - - 500 30. .80 - 25 I ГТ405Б рп-р 600 25 - 500 - 60. 150 - 25 1 ТР44 ГТ405В 600 40 - 500 30 80 - 25 1 ГТ405Г 600 40 - - 500 60 150 - 25 1
ТРАНЗИСТОРЫ 123 3.1.5. Транзисторы средней мощности средней частоты Т аблица 3.1.5 Тип прибора Тип пров. Рк max, мВт Чэ max, В и 1 *с о\ 'й * я гс га J Е к max, мА к,и max, мА Ь21э Чэ нас, В кбо, мкА кр, МГц Прило- жение 3.3 КТ501А 350 15 15 10 300 500 20...60 0,4 1 5 КТ501Б 350 15 15 10 300 500 40. . 120 0,4 -1 • 5 КТ501В 350 15 15 10 300 500 80 ..240 0,4 1 5 КТ501Г 350 30 30 10 300 500 20 .60 0,4 1 5 КТ501Д 350 30 30 10 зоо 500 40... 120 0,4 1 5 ТР116 КТ501Е р-п-р 350 30 30 10 300 500 80.. 240 0,4 1 5 КТ501Ж 350 45 45 , 20 300 500 20...60 0,4 1 5 КТ501И 350 45 45 20 300 500 40... 120 0,4 1 5 КТ501К 350 45 45 20 300 500 SO. .240 0,4 1 5 КТ501Л 350 60 60 20 300 500 20... 60 0,4 1 5 КТ501М 350 60 60 20 300 500 40. 120 0,4 1 5 КТ502А 350 25 40 5 150 350 40 ..120 0,6 1 5 КТ502Б 350 25 40 5 150 350 80...240 0,6 1 5 КТ502В р-п-р 350 40 60 5 150 350 40... 120 0,6 1 5 ТР26а КТ502Г 350 40 60 5 150 350 SO. .240 ' 0,6 1 5 КТ502Д 350 60 80 5 150 350 40... 120 0,6 1 5 КТ502Е 350 80 90 5 150 350 40... 1 20 0,6 1 5 КТ503А 350 25 40 5 150 350 40... 120 0,6 1 5 КТ503Б 350 25 40 5 150 350 80. .240 0,6 I 5 КТ503В п-р-п 350 40 60 5 150 350 40... 120 0,6 1 5 ТР26а КТ503Г 350 40 60 5 150v 350 80...240 0,6 1 5 КТ503Д 350 60 80 5 150 350 40... 120 0,6 1 5 КТ503Е 350 80 100 5 150 350 40... 120 0,6 1 5 3.1.6. Транзисторы средней мощности высокой и сверхвысокой частоты Таблица 3.1.6 Тип прибора Тип пров. Рк max, Вт Чэ max, В Чб max, В Чб max, В к max, мА к,и max, мА Ь21э Чэ нас, В . ^кбо, мкА frp, МГц Прило-' жение 3.3 КТ6П1А п-р-п 0,5 100 .100 2 30 - 16 - 500* . 40 j ТР1а' КТ601АМ 0,5 100 100 2 30 - 16 - 500 40 ТРЗЗ
124 ТРАНЗИСТОРЫ Продолжение табл. 3.1.6 Тип прибора Тип пров. Рк max, Вт Чо max, В икб max, В иэб max, В 'к max, мА ^к,и max, мА h213 икэ нас, В *кбо, мкА %7 МГц Прило- жение 3.3 *КТ602А 2,8 70 120 5 75 500 20... 80 3 70 *150 •КТ602Б п-р-п 2,8 70 120 5 75 500 50...220 3 70 150 ТР41а ’КТ602В 2,8 70 80 5 75 500 15...80 3 70 150 »КТ602Г 2,8 70 80 5 75 500 50 3 70 150 *КТ602АМ п-р-п 2,8 70 120 5 75 500 20...80 3 70 150 ТР45 *КТ6П2БМ 2,8 70 120 5 75 500 50...220 3 70 150 КТ603А 0,5 30 30 3 300 600 10...80 1 10 200 КТ603Б 0,5 30 30 3 300 600 60 I 10 200 КТ603В п-р-п 0,5 15 15 3 300 , 600 10...80 1 5 200 ТР40 КТ603Г 0,5 15 15 3 300 600 60 I 5 200 • КТ603Д 0,5 10 10 3 300 600 20...80 1 1 200 КТ603Е 0,5 10 10 3 300 600 60...200 1 1 200 КТ604А п-р-п 0,8 250 300 5 200 - 10.. .40 8 100 40 ТР41а КТ604Б 0,8 250 300 5 200 - 30... 120 8 100 40 КТ604АМ п-р-п 0,8 250 300 5 200 - 10...40 8 100 40 ТР45 КТ604БМ 0,8 250 300 5 200 - 30... 120 8 100 40 КТ605А п-р-п 0,4 250 300 5 100 200 10...40 8 20 40 ТР1а КТ605Б 0,4 250 300 5 100 200 30... 120 8 20 40 КТ605АМ п-р-п 0,4 250 300 5 100 200 10...40 8 20 40 ТРЗЗ КТ605БМ 0,4 250 300 5 100 200 30... 120 8 20 40 *КТ606А П-рА1 2,5 60 60 4 400 800 - 1 1500 350 ТР60 *КТ606Б 2,5 60 60 4 400 800 - 1 1500 300 КТ608А п-р-п 0,5 60 60 4 400 800 20...80 1 100 200 ТР1а КТ608Б 0,5 60 60 4 400 800 40... 160 1 100 200 КТ610А п-р-п 1,5 20 20 4 300 - 50...300 .500 1000 ТР46 КТ610Б 1,5 20 20 4 300 - 20...300 - 500 700 КТ611А 0,8 180. 200 3 100 - 10..40 8 100 60 КТ611Б п-р-п 0,8 180 200 3 100 - 30... 120 8 100 60 ТР41а КТ611Б 0,8 150 180 3 100 - 10...40 8 100 60 КТ611Г 0,8 150 180 3 100 - 30... 120 8 100 60
ТРАНЗИСТОРЫ 125 Продолжение табл. 3.1.6 Тип Тип Рк Чсэ Ькб ^эбч *к ’к,и h213 Ькэ ^кбо, frp. Прило- прибора пров. max, шах, max, max. max, max, нас, жение Вт В В В мА мА В мкА МГц 3.3 КТ611АМ п-р-п 0,8 180 200 3 100 - ю.:.4О 8 100 60 ТР45 КТ611БМ 0,8 180 200 3 100 - 30... 120 8 100 60 КТ616А п-р-п 0,3 20 20 4 400 600 40 0,6 12 100 ТР39 КТ616Б 0,3 20 20 4 400 600 25 0,6 12 100 КТ617А п-р-п 0,5 20 30 4 400 600 30 0,7 5 100 ТР39 КТ618А п-р-п 0,5 250 300 5 100 - 30 - 50 40 ТР39 КТ620А р-п-р 0,22 50 50 3 200 - 100 1 5 200 ТР1а КТ620Б 0,22 20 50 4 200 - 30...100 I 5 200 «КТ626А 6,5 45 45 - 500 1500 40...250 1 150 75 *КТ626Б р-п-р 6,5 60 60 - 500 1500 30... 100 1 150 75 ТР45 *КТ626В 6,5 80 80 - 500 1500 15...45 1 150 45 *КТ626Г 6,5 20 20 - 500 1500 15... 80 1 150 45 *КТ626Д 6,5 20 20 - 500 1500 40...250 I 150 45 КТ630А 0,8 120 120 7 1000 2000 40... 120 0,3 1 50 КТ630Б 0,8 120 '120 7 1000 2000 80...240 0,3 1 50 КТ630В п-р-п 0,8 150 150 7 1000 2000 40... 120 0,3 1 50 ТР43 КТ630Г 0,8 100 100 7 1000 2000 40... 120 0,3 I 50 КТ630Д 0,8 60 60 7 1000 2000 80...240 0,3 1 50 КТ630Е 0,8 60 60 7 1000 2000 160...480 0,3 1 50 КТ632Б р-п-р 0,5 100 - 5 100 - 30 0,8 10 200 ТР43 КТ633А п-р-п 1,2 15 30 4,5 200 500 40... 140 0,5 3 500 ТР14 КТ633Б 1,2 15 30 4,5 200 500 20... 160 0,6 10 500 КТ635А п-р-п 1,5 45 60 4 1000 1200 25... 150 0,5 10 250 ТР14 КТ635Б 1,5 35 60 5 1000 1200 20... 150 0,9 30 200 КТ639А 1 45 45 5 1500 2000 40... 100 0,5 0,1 80 КТ639Б I 45 45 5 1500 2000 63... 160 0,5 0,1 80 КТ639В 1 45 45 5 1500 2000 100...250 0,5 0,1 80 КТ639Г р-п-р I 60 60 5 1500 2000 40...100 0,5 0,1 80 ТР45 КТ639Д I 60 60 5 1500 2000 63... 160 0,5 0,1 80 КТ639Е I 100 - 5 1500 2000 40... 100 0,5 0,1 80 КТ639Ж I 100 - 5 1500 2000 63... 160 0,5 0,1 80 КТ639И 30 30 5 1500 2000 180. 400 0,5 0,1 80
126 ТРАНЗИСТОРЫ Окончание табл. 3.1.6 Тип прибора Тип пров. Рк max, Вт Чсэ max, В Чсб max, В иэб тз£' в'*’ *к -max, мА >к,и max, мА И21э Чэ нас, В ^кбо, мкА Ггр, МГц Прило- жение 3.3 КТ644А 1 60 60 5 600’ 1000 40... 120 0,4 0,1 200 КТ644Б р-п-р 1 60 60 5 600 1000 100. .300 0,4 0,1 200 ТР45 КТ644В 1, 40 60 5 600 1000 -40... 120 0,4 од 200 КТ644Г 1 40 60 5 600 1000 100 .300 0,4 0,1 200 КТ645А п-р-п 0,5 50 60 4 300 600 20...200 0,5 10 200 ТР23 КТ645Б 0,5 40 40 4 300 600 80 0,5 10 700 КТ646А п-р-п 1 ' 50 60 4 1000 1200 40...200 0,85 10 200 ТР45 КТ646Б 1 40 40 4 1000 1200 150...200 0,85 10 200 КТ659А п-р-п 1 50 80 6 1200 - 35 0,96 0,5 300 ТР43а КТ668А р-п-р 0,5 45 50 5 100 75... 140 о,3 15 200 ТР26а КТ668Б 0,5 45 50 5 100 - 125..;250 0,3 15 200 КТ668В 0,5 45 50 5 100 - 220...475 0,3 15 200 ЗЛ.у. Транзисторы большой мощности низкой частоты Таблица 3.1.7 Тип прибора Тип пров. Рк max, Вт Чэ max, В икб max, В Чб max, В 1к max, А 1к,и max, А Ь21э Чэ нас, В ^кбо, мА Ч МГц Прило- жение 3.3 П202Э р-п-р 10 55 70 - 2 2,5 20 2,5 0,4 о,1 ТР71 П210 60 60 12 - 15 - 12 о,1 П210А 60 50 65 25 12 - 15 0,6 8 0,1 ТР55 П210Б р-п-р 45 50 65 25 12 - 10 - 15 0,1 П210В 45 40 45 25 12 - 10 - 15 0,1 П210Ш 60 50 - 25- - 9 15...60 - 8 0,1 П213 р-п р 11,5 30 45 15 5 - 20...50 0,5 0,15 0,15 ТР62 П213А 10 30 45 10 5 - 20 - 1 0,15 П213Б 10 30 45 10 5 - 40 2,5 I 0,15 П214 10 45 60 15 5 - 20...60 0,9 0,3 0,15 П214А р-п-р to 45 60 15 5 - 50... 150 0,9 0,3 0,15 ТР62 П214Б 11,5 45 60 15 5 - 20... 150 0,9 0,15 0,15
ТРАНЗИСТОРЫ 127 Продолжение табл. 3.1.7 Тип прибора Тип Пров. рк max, Вт Чсэ max, В Ькб max, В Ьэб max, В !к max, А ^К,и max, А Ь21э икэ нас, В •кбо, мА *гр, МГц Прило- жение 3.3 П214В р-п-р 10 55 60 10 5 - 20 2,5 0,15 ТР62 П214Г 10 55 60 10 5 - - 2,5 1,5 0,15 П215 р-п-р 10 60 80 15 5 - 20. .150 0,9 0,3 0,15 ТР62 П216 30 30 40 15 7,5 18 0,75 40 0,1 П216А 30 30 40 15 7,5 - 20... 80 0,75 40 0,1 П216Б р-п-р 24 35 35 15 7,5 - 10 0,5 1,5 0,1 ТР62 П216В 24 35 35 15 7,5 - 30 0,5 2 0,1 П216Г 24 50 50 15 7,5 - 5 - 2,5 0,1 П216Д 24 50 50 15 7,5 - 15...30 0,5 2 0,1 П217 30 45 60 15 7,5 - 15 1 50 0,1 П217А р-п-р 30 45 60 15 7,5 - 20...60 I 50 0,1 ТР62 П217Б 30 45 60 15 7,5 - 20 1 50 0,1 П217В 24 60 60 15 7,5 - 15...40 0,5 3 0,1 П217Г 24 60 60 15 7,5 - 15...40 1 3 0,1 П302 р-п-р 7 35 35 - 0,5 - 10 - 0,1 0,2 ТР57 пзоз р-п-р 10 60 60 - 0,5 - 6 - 0,1 0,1 tP57 ПЗОЗА 10 60 60 - 0,5 - 6 - 0,1 0,1 П304 р-п-р 10 80 80 - 0,5 - 5 - 0,1 0,05 ТР57 П306 р-п-р 10 60 60 - 0,4 - 7. .30 - 0,1 0,05 ТР57 П306А 10 80 80 - 0,4 - 5...50 - 0,1 0,05 ГТ701А р-п-р 50 55 - 15 12 - 10 - 6 0,05 ТР49 ГТ703А 15 20 - - 3,5 - 30...70 0,6 0,5 0,01 ГТ703Б р-п-р 15 20 - - 3,5 - 50... 100 0,6 0,5 0,01 ТР54 ГТ703В 15 30 - - 3,5 - 30...70 0,6 0,5 0,01 ГТ7ОЗГ 15 30 - - 3,5 - 50... 100 0,6 0,5 0,01 ГТ7ОЗД 15 40 - 3,5 - 20. .45 0,6 0,5 0,01 КТ704А п-р-п 15 500 4 2,5 4 10...100 5 5 3 ТР78 КТ704Б 15 400 - 4 2,5 4 10... 100 5 5 3 KT704JB 15 400 - 4 2,5 4 10... 100 5 5 3
128 ТРАНЗИСТОРЫ Окончание табл. 3.1.7 Тип прибора Тип Пров. Рк max, ЛВт икэ max, В икб max, В Ьэб щах, В ’к max, А ‘к,и max, А h213 икэ нас, В ^кбо, мА %, МГц. Прило- жение 3.3 ГТ705А 15 20 - 3,5 - 30...70 1 1,5 0,01 ГТ705Б п-р-п 15 20 - - 3,5 - 55... 100 1 1,5 0,01 ТР54 ГТ705В 15 30 - - 3,5 - 30...70 I 1,5 0,01 ГТ705Г 15 30 - - 3,5 - 50... 100 1 1,5 0,01 ГТ705Д 15 20 - - 3,5- - 90...250 I 1,5 0,01 3.1.8. Транзисторы большой мощности средней частоты Таблица 3.1.8 Тип прибора Тип пров. Рк max, Вт икэ max, В э е Сэб max, В *к max, А 'к,и max, А Ь21э икэ нас, В *кбо, мА fl’p, МГц Прило- жение 3.3 П701 п-р-п 10 40 40 2 0,5 - 10...40 7 0,1 20 ТР51 П701А 10 60 60 2 0,5 - 15...60 7 0,1 20 П701Б 10 35 35 2 0,5 - 30... 100 7 0,1 20 П702 п-р-п 40 60 60 3 2 - 25 2,5 5 4 ТР48 П702А 40 60 60 3 2 - 10 4 2,5 4 КТ801А п-р-п 5 80 - 2,5 2 - 13...50 2 10 10 ТР416 КТ801Б 5 60 - 2,5 2 - 20... 100 2 10 10 КТ802А п-р-п 50 - 150 3 5 - 15...35 2 60 10 ТР48 КТ803А п-р-п 60 60 - 4 10 - 10...70 2,5 2,5 20 ТР48 ГТ804А р-п-р 15 100 - - 10 - 20... 150 0,4 12 10 ТР77 ГТ804Б 15 140 - - 10 - 20... 150 0,5 12 10 ГТ804В 15 190 - - 10 - 20... 150 0,6 12 10 КТ805А п-р-п 30 160 - 5 5 8 15 2,5 0,1 20 ТР48 КТ805Б 30 135 - 5 5 8 15 5 0,1 20 КТ805АМ п-р-п 30 160 - 5 5 8 15 2,5 0,1 20 ТР56а КТ805БМ 30 135 - 5 5 8 15 5 0,1 20 КТ805ВМ 30 135 - 5 5 8 15 2,5 0,1 20
ГИАНЗИСТОРЫ 129* Пр одолжение табл. 3.1.8 Тип Тип Рк икэ икб иэб *к «к,и h213 UK3 ^кбо, Прило- прибора пров. max, max, max, max, max, max, нас, жение Вт В в В А А В мА МГц 3.3 ГТ806А 30 75 75 1,5 15 - 10... 100 0,6 15 Ю| ГТ806Б р-п-р 30 100 100 1,5 15 - Ю...Ю0 0,6 15 ю- ТР48 ГТ806В 30 120 120 1,5 15 - ю... юо 0,6 15 10 ГТ806Г 30 50 50 1,5 15 - 10... 100 0,6 15 10 ГТ806Д 30 140 140 1,5 15 - 10... 100 0,6 15 10 КТ807А п-р-п 10 100 - 4 0,5 1,5 15...45 1 5 5 ТР45, КТ807Б 10 100 - 4 0,5 1,5 зо... юо 1 5 5 ТР65 КТ808А п-р-п 50 120 - 4 10 - 10...50 - 3 8,4 ТР48 КТ808АМ 60 130 250 5 10 12 20... 125 2 2 10 КТ808БМ п-р-п 60 100 160 5 10 12 20... 125 2 2 10 ТР50 КТ808ВМ 60 80 135 5 10 12 20... 125 2 2 10 КТ808ГМ 60 70 80 5 10 12 20... 125 2 2 10 КТ809А п-р-п 40 400 - 4 3 5 15... 100 1,5 3 5,5 ТР48 ГТ810А р-п-р 15 200 200 *,4 10 10 15 0,7 20 15 ТР52, ТР62 КТ812А п-р-п 50 350 - 7 8 12 4 2,5 5 3,5 ТР50 КТ812Б 50 350 - 7 8 12 4 2,5 5 3,5 КТ812В 50 350 - 7 8 12 10...125 2,5 5 ’ 3,5 КТ814А 10 25 - 5 1,5 3 40 0,6 0,05 3 ТР45 КТ814Б р П-р 10 40 - 5 1,5 3 40 0,6 0,05 3 КТ814В 10 60 - 5 1,5 3 40 0,6 0,05 3 КТ814Г 10 80 - 5 1,5 3 30 0,6 0,05 3 1 КТ815А 10 25 - 5 1,5 3 40 0,6 0,05 3 ТР45 КТ815Б п-р-п 10 40 - 5> 1,5 3 40 0,6 0,05 3 КТ815В - 10 60 - 5 1,5 3 40 0,6 0,05 3 КТ815Г 10 80 - 5 1,5 3 30 0,6 0,05 3 — . - КТ816А 25 25 5 3 5 25 0,6 0,1 3 КТ816Б КТ816В Р-п-р 25 25 45 60 - 5 5 3 3 5 5 25 25 0,6 0,6 0,1 0,1 3 3 ТР45 КТ816Г 25 80 - 5 3 5 25 0,6 о,1 3 КТ817А КТ817Б п-р-п 25 25 25 45 - 5 5 3 3 5 5 25 25 0,6 0,6 0,1 0,1 3 3 _ ТР45 Зак. 4971
130 ТРАНЗИСТОРЫ П родолже ние т а б л. 3.1.8 •Тип Тип Рк 1кб ц,б ’к Jk,h h213 LK-> ^кбо, frp, Прило- прибора Пров. тах^ max, max, max, max, max, нас, жение Вт В В В А А В мА МГц 3.3 КТ817В п-р-п 25 60 5 3 5 25 0,6 0,1 3 ТР45 КТ817Г 25 80 - 5 3 5 25 0,6 0,1 3 КТ818А 60 25 - 5 10 15 15 2 1 3 КТ818Б р-П-р 60 40 - 5 10 15 20 2 1 3 ТР56а КТ818В 60 60 - 5 10 15 15 2 1 3 КТ818Г 60 80 - 5 10 15 12 2 1 3 КТ818АМ 100 25 - 5 15 20 15 2 1 3 КТ818БМ р-п-р 100 40 - 5 15 20 20 2 1 3 ТР50 КТ818ВМ 100 60 - 5 15 20 15 2 1 3 КТ818ГМ 100 80 - 5 15 20 12 2 I 3 КТ819А 60 25 - 5 10 15 15 2 1 3 КТ819Б п-р-п 60 40 - 5 10 15 20 2 1 3 ТР56а КТ819В 60 60 - 5 10 15 15 2 1 3 КТ819Г 60 80 - 5 10 15 12 2 1 3 КТ819АМ 100 25 - 5 15 20 15 2 1 3 КТ819БМ п-р-п 100 40 - 5 15 20 20 2 1 3 ТР50 КТ819ВМ 100 60 - 5 15 20 15 2 1 3 КТ819ГМ 100 80 - 5 15 20 12 2 1 3 КТ825Г р-п-р 125 70 - 5 20 30 750 2 - 4 ТР50 КТ825Д 125 45 - 5 20 30 750 2 - 4 КТ825Е 125 25 - 5 20 30 750 2 - 4 КТ826А п-р-п 15 500 - - 1 I 10... 120 2,5 2 6 . ТР50 КТ826Б 15 600 - - 1 I 10... 120 2,5 2 6 КТ826В 15 500 - - 1 1 10... 120 2,5 2 6 КТ827А п-р-п 125 100 100 5 20 40 750... 18000 2 - 4 ТР50 КТ827Б 125 80 80 5 20 40 750*.. 18000 2 - 4 КТ827В 125 60 60 5 20 40 750... 18000 2 - 4 КТ828А п-р-п 50 700 - 5 5 7,5 2,25 3 5 4 ТР50 КТ828Б 50 600 - 5 5 7,5 2,25 3 5 4 КТ829А 60 100 100 5 8 12 750 2 - 4 КТ829Б п-р-п 60 80 80 5 8 12 750 2 - 4 ТР75 КТ829В 60 60 60 5 8 12 750 2 - 4 КТ829Г 60 45 45 5 8 12 750 2 - 4
ТРАНЗИСТОРЫ 131 Ц-родолжение табл. 3.1.8 Тип прибора Тип Пров. Рк max, Вт LIK3 max, В икб max, < В иэб max, В 'к max, А *к,и max, А Ь21э- икэ нас, В ^кбо, мА- Ч>, МГц Прило- жение 3.3 КТ834А п-р-п 100 400 - 8 15 20 150...3000 2 4 ТР50 КТ834Б 100 350 - 8 15 20 150...3000 2 - 4 КТ834В 100 300 - 8 15 20 150...3000 2 - 4 КТ835А р-п-р 25 30 30 4 3 -- 25 0,35 0,1 3 ТР56а КТ835Б 25 30 45 4 7,5 - 10... 100 0,5 0,15 3 КТ837А 30 60 80 15 7,5 - 10...40 2.5 0,15 КТ837Б 30 60 80 15 7,5 - 20...80 2,5 0,15 - . КТ837В 30 60 80 15 7,5 - 50... 150 2,5 0,15 - КТ837Г 30 45 60 15 7,5 • - 10...40 0,9 0,15 - КТ837Д р-п-р 30 45 60 15 7,5 - 20..80 0,9 0,15 - КТ837Е 30 45 60 15 7,5 - 50... 150 0,9 0,15 - ТР56а КТ837Ж 30 30 45 15 7,5 - 10...40 0,5 0,15 - КТ837И 30 30 45 15 7,5 - 2O...8O 0,5 0,15 - КТ837К 30 30 45 15 7,5 - 50... 150 0,5 0,15 - КТ837Л 30 60 80 5 7,5 - 10...40 2,5 0,15 - КТ837М 30 60 80 5 7,5 - 20...80 2,5 0,15 - КТ837Н 30 60 80 5 7,5 - 50... 150 2,5 0,15 - KT837II 30 45 60 5 7,5 10...40 0,9 0,15 - КТ837Р 30 45 60 5 7,5 - 20...80 0,9 0,15 - КТ837С 30 45 60 5 7,5 - 50.. 150 0,9 0,15 - КТ837Т 30 30 45 5 7,5 - 10...40 0,5 0,15 - КТ837У 30 30 45 5 7,5 - 20... 80 0,5 0.15 КТ837Ф 30 30 45 5 7,5. - 50 ...150 0,5 0,15 -• КТ838А п-р-п 12,5 700 - - 5 7,5 - 5 - 3 ТР50 КТ839А п-р-п 50 1500 1500 5 10 - 5 1,5 1 5 ТР50 КТ840А п-р-п 60 400 900 6 8 10... 100 3 3 8 ТР50 КТ840Б 60 350 750 - 6 8 10... 100 3 3 8 КТ841А п-р-п 50 - 600 5 10 - 12...45 1,5 5 13 ТР50 КТ844А п-р-п 50 250 250 4 10 16 10...50 2,5 3 1 ТР50 К.Т845А п-р-п 40 400 - 4 5 - 15...100 1,5 3 5,1 ТР50 КТ846А с п-р-п 12 1500 - - 5 - -- 1 1 2 ТР50 КТ847А п-р-п 125 650 - 8 15 - 8...25 1,5 3 15 ТР50 5*
132 ТРАНЗИСТОРЫ Продолжение табл. 3.1,8 Тип прибора Тип пров. Рк шах, Вт max, В Чсб max, В иэб max, В •к max, А •к,и max, А Ь21э икэ нас, В ^кбо, мА МГц Прило- жение 3.3 К1848А п-р-п 35 400 - 15 15 - 20 2 3 - ТР50 КТ850А п-р-п 25 200 250 5 2 3 40...200 1 0,1 20 ТР566 КТ850Б 25 250 300 5 2 3 20...200 1 0,5 20 КТ850В 25 150 180 5 2 3 20...200 1 0,5 20 КТ851А р-п-р 25 200 250 5 2 3 40...200 1 0,1 20 ТР566 КТ851Б 25 250 300 5 2 3 20...200 1 0,5 20 КТ851В 25 150 180 5 2 3 20...200 1 0,5 20 КТ852А • 50 100 100 5 2,5 - 500 2,5 1 7 ТР566 КТ852Б р-п р 50 80 80 5 2,5 - 500 2,5 I 7 КТ852В 50 60 60 5 2,5 - 500 2,5 I 7 КТ852Г 50 45 45 5 2,5 - 500 2,5 1 7 KT8S3A 60 100 100 5 8 - 750 2 0,2 7 ТР566 КТ853Б р-п-р 60 80 80 5 8 - 750 2 0,2 7 КТ853В 60 60 60 5 8 - 750 2 0,2 7 КТ853Г 60 45 45 5 8 -- 750 2 0,2 7 КТ854А п-р-п 60 500 600 5 10 - 20 2 3 10 ТР566 КТ854Б 60 300 400 5 10 - 20 2 3 10 КТ855А р-п-р 40 250 250 5 5 - 20 1 1 5 ТР566 КТ855Б 40 150 150 5 5 - 20 I 1 5 КТ855В 40 150 150 5 5 - 15 I 1 5 КТ857А п-р-п 60 250 250 5 7 - 7,5 I 5 10 ТР566 КТ858А п-р-п 60 400 400 5 7 - 10 1 5 10 ТР566 КТ859А п-р-п 40 800 800 10 3 - 10 1,5 I 25 ТР566 КТ864А п-р-п 100 160 200 6 10 - 40...200 2 0,1 15 ТР50 КТ865А р-п-р 100 160 200 6 10 - 40...200 2 0,1 15 ТР50 КТ872А п-р-п 100 700 - - 8 15 - I I 7 ТР83 КТ872Б 100 700 - - 8 15 - 5 1 7
ТРАНЗИСТОРЫ 133 Окончание табл. 3.1.8 Тил прибора Тип Пров. Рк. max, Вт икэ шах, В а 1 “ 4,6 max, В ’к max, А >к,и max, А ~Ь21э UK3 нас, В ‘кбо, мА Ч>, МГц Прило- жение 3.3 КТ8101А КТ8101Б п-р-п 150- 150 200 160 200 160 6 6 16 16 25 25 80... 180 80... 180 2 2 1 1 10 10 f ТР83 КТ8102А КТ8102Б р-п-р 150 150 200 160 200 160 6 6 16 16 25 25 80.,. 180 80... 180 2 2 1 1 10 10 ТР83 3.1.9. Транзисторы большой мощности высокой и сверхвысокой частоты Таблица 3.1.9 Тип прибора Тип пров. Рк. max, Вт 05 | ХС max, В иэб max, В 'к max, А ^к,и max, А Ь21э кэ нас, В кбо, мА frp, МГц Прило- жение 3 3 КТ902А п-р-п 30 110 65 5 5 - 15 15 2 35 ТР48 КТ902АМ п-р-п 30 НО 65 5 5 - 15 15 2 35 ТР56а КТ903А п-р-п 30 60 60 4 3 10 15...70 2,5 10 120 ТР48 КТ903Б 30 60 60 4 3 10 40..^0 2,5 10 120 КТ904А п-р-п 5 40 60 4 0,8 1.5 10...60 0,6 1.5 350 трбо .JKT904B 5 40 60- 4 0,8 1,5 10...60 0,6 1,5 300 ГТ905А р-п-р 6 65 75 - 3 - 35... 100 0,5 2 60 ТР52 ГТ905Б 6 65 60 - 3 - 35... 100 0,5 2 60 ГТ906А р-п-р 15 75 75 1,4 10 - 30... 150 0,5 8 - ТР77 КТ907А п-р-п 13,5 60 - 4 1 3 10...80 0,65 3 350 ТР60 КТ907Б 13,5 60 - 4 1 3 10...80 0,65 3 300 КТ908А п-р-п 50 100 140 5 10 8...60 1.5 25 30 ТР48 КТ908Б 50 60 140 5 10 - 20 1,5 25 30 КТ909А 27 , 60 3,5 2 4 0,3 30 360 КТ909Б п-р-п 54 60 3.5 4 8 - 0.3 60 500 ТР85 КТ909В 27 60 - 3,5 э 4 - 0,3 30 300 КТ909Г 54 60 - 3.5 4 8 - 0,3 60 450
134 ТРАНЗИСТОРЫ Продолжение табл. 3.1.9 Тип прибора Тип пров. Рк max, _ Вт икэ max, В 'кб max, В иэб max, В max, А >к,и max, А Н21э икэ нас, В ^кбо, мА %, МГц Прило- жение 3.3 КТ911А 3 40 55 3 0,4 - 15...80 5 750 КТ911Б п-р-п 3 40 55 3 0,4 - 15...80 - 5 600 ТР86 КТ911В 3 30 40 3 0,4 - 15...80 - 5 750 КТ911Г 3 30 40 3 0,4 - 15...80 - 5 600 КТ912А п-р-п 35 70 - 5 20 - 10...50 50 90 ТР76 КТ912Б 35 70 5 20 - 20... 100 - 50 90 КТ913А п-р-п 4,7 55 - 3,5 0.5 1 0,45 25 900 ТР46 КТ913Б 8 35 - 3,5 1 2 - 0,45 50 900 КТ913В 8 55 - 3,5 1 2 - 0,45 50 900 КТ914А р-п-р 7 65 - 4 0,8 1,5 10...60 0,6 2 350 ТР60 КТ916А п-р-п 30 55 - 3.5 2 4 35 0,4 25 1 100 ТР46 КТ918А п-р-п 2.5 - 30 2.5 0.25 - 2 800 ТР58 КТ918Б 2.5 - 30 2,5 0.25 - - - 2 1000 КТ919А 10 - 45 3,5 0.7 1,5 - 10 1350 КТ919Б п-р-п 5 - 45 3,5 0,35 0,7 - - 5 1350 ТР64 КТ919В 3,25 - 45 3,5 0,2 0,4 - - 2 1350 КТ919Г 10 - 45 3.5 0.7 1,5 • - - 10 1350 КТ920А 5 36 - 4 0.5 1 - 2 400 КТ920Б п-р-п 1'0 36 -. 4 1 2 - - 4 400 ТР84 КТ920В 25 36 - 4 3 7 - - 7,5 400 КТ920Г 25 36 - 4 3- 7 - - 7,5 350 КТ921А п-р-п 12.5 65 - 4 3.5 - 10.. 80 10 90 ТР60 КТ921Б 12.5 65 - 4 3.5 - 10...80 - 10' 90 КТ922А 8 65 - 4 0.8 1,5 10... 150 - 5 300 КТ922Б п-р-п 20 65 - 4 1.5 4,5 10... 150 - 20 300 ТР84 КТ922В 40 65 - 4 3 9 10... 150 - 40 300 КТ922Г 20 65 - 4 1.5 4,5 10... 150 - 20 250 КТ922Д 40 65 - 4 3 9 10... 150 - 40 250 КТ925А 5.5 36 36 4 0.5 1 8...70 - 7 500 КТ925Б п-р-п 1 1 36 36 4 I 3 10...55 - 12 500 ТР84 КТ925В 25 36 36 3.5 3.3 8,5 17...15Р - 30 450 КТ925Г 25 36 36 3.5 3.3 8,5 50 - 30 450
ТРАНЗИСТОРЫ 135 Продолжение табл. 3.1.9 Тип прибора Тип пров. рк max, Вт икэ max, В max, В Чб max, В ‘к max, А ‘к,и max, А Ь21э Чэ нас, В *кбо, мА fn>, МГц Прило- жение 3.3 КТ926А п-р-п 50 150 - 5 15 25 10...60 2,5 25 50 ТР78 КТ926Б 50 150 - 5 15 25 10...60 2,5 25 50 КТ927А п-р-п 83,3 35 - 3,5 10 30 15.. .50 0,7 40 105 ТР73 КТ927Б 83,3 35 - 3,5 10 30 25...75 0,7 40 105 КТ927В 83,3 35 - 3,5 10 30 40... 100 0,7 40 105 КТ928А п-р-п 2 40 60 5 0,8 1,2 20... 100 -1- 1 250 ТР59 КТ928Б 2 40 60 5 0,8 1,2 50...200 1 1 250 КТ929А п-р-п 6 30 30 3 0,8 1,5 25...50 - 5 400 ТР84 КТ930А п-р-п 75 50 - 4 6 - 15... 100 - 20 450 ТР74 КТ930Б J20 50 - 4 10 - 10... 100 - 100 600 КТ931А п-р-п 150 60 - 4 15 - 5... 100 0,16 30 250 ТР74 КТ932А р-п-р 20 80 80 4,5 2 - 5.. 80 1,5 1,5 80 ТР60 КТ932Б • 20 60 60 4,5 2 - 30... 120 1,5 1,5 80 КТ932В 20 40 40 4,5 2 - 40 1,5 1,5 80 КТ933А р-п-р 5 80 80 4,5 0,5 - 15...80 1,5 0,5 75 ТР48 КТ933Б 5 60 60 4,5 0,5 - 30... 120 1,5 0,5 75 КТ934А 7,5 60 - 4 0,5 - 5... 150 0,35 7,5 500 КТ934Б п-р-п 15 60 - 4 1 - 5... 150 0,3 15 500 ТР84 КТ934В 30 60 - 4 2 - 5... 150 0,3 30 500 КТ934Г 10 60 4 1 - 5... 150 0,4 15 450 КТ934Д 30 60 - 4 2 - 5... 150 0,3 30 450 КТ935А п-р-п 60 70 - 5 20 30 20... 100 1 30 50 ТР78 КТ939А п-р-п 4 18‘ 30 3,5 0,4 - 40...200 - 1 2500 ТР46 КТ939Б 4 30 30 3,5 0,4 - 20...200 - 2 1500 КТ940А п-р-п 10 300 300 5 0,1 0,3 25 1 - 90 ТР45 КТ940Б 10 250 250 5 0,1 0,3 25 I - 90 КТ940В 10 160 160 5 0,1 0,3 25 1 - 90 КТ942В п-р-п 25 - 45 3,5 1,5 3 - - 20 1950 ТР64
136 ТРАНЗИСТОРЫ Продолжение табл. 3.1.9 Тип прибора Тип пров. Рк max, Вт икэ max, В Чсб max, В иэб max, В 'к max, А *к,и max, А Ь21э Чсэ нас, В ^кбо, мА *гр> МГц Прило- жение 3.3 КТ943А 25 45 45 5 2 6 40...200 0,6 0,1 30 ТР45 КТ943Б 25 60 60 5 2 6 40... 160 0,6 0,1 30 КТ943В П-р-П 25 80 100 5 2 6 40... 120 1,2 1 30 КТ943Г 25 80 100 5 2 6 20...60 Г,2 1 30 КТ943Д 25 ' 60 too 5 2 6 зо„ лоо 1,2 I 30 КТ944А п-р-п 55 100 - 5 12,5 20 I0...80 2,5 80 105 ТР69а КТ945А п-р-п 50 150 - 5 15 25 10...60 2,5 25 50 ТР60 КТ946А п-р-п 37,5 - 50 3,5 2,5 5 - 50 720 ТР72 КТ947А п-р-п 200 100 - 5 20 50 10...80 - 100 75 ТР69а КТ948А п-р-п 40 - 45 2 2,5 5 - - 35 1950 ТР81 КТ948Б 20 - 45 2 1,2 2,5 - - 15 1950 КТ955А п-р-п 20 70 - 4 6 - I0...80 - 10 (00 ТР88 KT9S6A п-р-п 70 100 - 4 15 - 10...80 - 80 100 ТР68 КТ957А п-р-п 100 60 - 4 20 - I0...80 - 100 100 ТР68 KT9S8A п-р-п 85 36 - 4 10 - 10...250 0,J5 25 300 ТР74 КТ960А п-р-п 70 36 - 4 7 - - 0,15 -20 600 ТР74 КТ961А п-р-п 12,5 80 100 5 1,5 2 40... 100 0,5 0,01 50 ТР45 КТ961Б 12,5 60 80 5 1,5 2 63... 160 0,5 0,01 50 КТ961В 12,5 45 60 5 1,5 2 100. .250 0.5 0,01 50 КТ962А п-р-п 17 - 50 4 1,5 - - - 20 750 ТР84 КТ962Б 27 - 50 4 2,5 - - - 50 750 КТ962В 56 - 50 4 4 - - - 30 600 КТ965А п-р-п 30 36 - 4 4 - 10...60 - 10 100 ТР88 КТ966А п-р-п 70 36 - 4 8 - 10.. 70 - 15 100 ТР88 КТ967А п-р-п 100 36 - 4 15 - 10... 100 - 20 180 ТР68
ТРАНЗИСТОРЫ 137 Окончание табл. 3.1.9 Тип прибора Тип пров. Рк- max. Вт Ькэ max, В lk6 max, В Чб max, В 'к max. А >к,и max, А Ь21э икэ нас, В ^кбо, мА МГц Прило- жение 3.3 КТ969А п-р-п 6 250 300 5 0.1 0,2 50...250 1 - 60 ТР45 КТ970А п-р-п 170 50 - 4 13 - - - 100 600 ТР70- КТ971А п-р-п 200 50 - 4 17. - - - 60 220 ТР70 КТ972А п-р-п 8 60 60 5 4 - 750 1.5 200 ТР45 КТ972Б 8 45 45 . 5 4 - 750 1,5 - 200 КТ973А p-n-D 8 60 60 5 4 - 750 1.5 - 200 ТР45 КТ973Б 8 45 45 5 4 - 750 1,5 - 200 КТ976А п-р-п 75 - 50 4 6 - - - 60 750 ТР84 КТ977А п-р-п 200 - 50 3 - 8 - - 25 600 ТР72 KT98IA п-р-п 70 36 - 4 10 10 - 10 - ТР88 КТ984А п-р-п 1.4 - 65 4 - 7 - - 30 720 ТР47 КТ984Б 4,7 - 65 4 - 16 - 80 720, КТ9115А р-п-р 10 300 300 5 0.1 0.3» 25...250 1 0.0005 90 ТР45 3.2, ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ 3.2.1. Транзисторы малой мощности (Р<0,3 Вт) с р-п - переходом и каналом р-типа Таблица 3.2.1. Тип прибора р max, мВт Чи max, В U,C max, В з Г. Ш a W 'с max, мА Чи отс, В S, мА/В >с нач, мА С11и, пФ С12и, пФ Прило- жение 3.3 Knioir 50 10 10 10 2 5 0,15 0,3 12 - TPI 1в КП101Д 50 10 10 10 5 10 0,3 0,3 12 - КП101Е 50 10 10 10 5 10 0,3 0,3 12 -
138 ТРАНЗИСТОРЫ Окончание табл. 3.2.1. Тип прибора р max, мВт 'си max, В '-ЗС max, В Чи max, В max, мА отс, В S, мА/В нач, мА С11и. пФ С12и, пФ Прило- жение 3.3 КП102Е - 15 15 10 0,55 2,8 0,25...0,7 0,18 10 5 ТР136, КШ02Ж - 15 15 10 1 4 0,3-0,9 0,4 10 5 ТРбба КГП02И - 15 15 10 1,8 5,5 0,35...! 0,7 10 5 КП102К - 15 15 10 3 7,5 0,45... 1,2 1,3 10 5 ТР136, КП102Л - 15 15 10 6 10 0,65... 1,3 2,4 10 5 ТРбба КП ЮЗЕ 7 10 15 - - 0,4... 1,5 0,4... 2,4 0,3-2,5 20 8 TP6I КП ЮЗЕР 7 10 15 - - 0,4... 1,5 0.4...2,4 0,3-2,5 20 8 ТР63 КП103Е1 7 10 - - - 0,4... 1,5 0,4—2,4 2,5 20 - ТР61 КП103Ж 12 10 15 - - 0,5-2,2 0,5-3,8 0,35...3,8 ' 20 8 ТР61, КПЮЗЖР 12 10 15 - - 0,5...2,2 0,5...3,8 0,35. .3.8 20 8 ТР63 КП103Ж1 12 10 - - - 0,5...2,2 0,5-3,8 3,8 20 - ТР61 КП ЮЗИ 21 12 15 - - 0,8—3 0,8—2,6 0,8, .1,8 20 8 TP6I, КПЮЗИР 21 12 15 - 0,8 ..3 0,8...2,6 0,8...1,8 20 8 ТР63 кпюзи! 21 12 - - - 0,8.. 3 0,8 ..2,6 1,8 20 TP6I КП103К 38 10 15 - - 1,4...4 1...3 1...5.5 20 8 TP6I, КПЮЗКР 38 10 15 - - 1,4...4 1...3 1...5.5 20 8 ТР63 КШ03К1 38 10 - - - 1,4...4 1...3 5,5 20 - ТР61 кшозл 66 12 ч - - 2—6 1,8...3,8 1,8...6,6 20 8 TP6I, КП103ЛР 66 12 17 - - 1,8-3,8 1,8—6,6 20 8 ТР63 КШОЗЛ 1 66 12 - - 2.. 6 1,8.. 3,8 6,6 20 - ТР61 кшозм 120 10 17 - - 2,8—7 1,3...4,4 3...I2 20 8 ТР61, КП103МР 120 10 17 - - 2,8...7 1,3...4,4 3 12 20 8 ТР63 КШ03М1 120 10 - - - 2,8-7 1,3.„4,4 12 20 - ТР61
ТРАНЗИСТОРЫ 139 3.2.2. Транзисторы малой мощности (Р<0,3 Вт) с р-п - переходом и каналом п-типа Та блиц а 3.2.2. Тип р LCH Uac U3h ‘с изи S, ‘с С11и, Сп 12и, Прило- прибора шах max, max; max, max, отс, нач, жение мВт В В в мА В мА/В мА пФ пФ 3.3 КП302А 300 20 20 10 24 5 5 3 20 8 КП302Б ЗОО 20 20 10 43 7 7 18 20 8 ТР666 К11302В зоо 20 20 10 43 10 5 33 20 8 КП302Г 300 20 . 20 10 65 7 7 15 14 8 КПЗОЗА 200 25 30 30 20 0,5-3 1-4 0,5-2,5 6 2 КПЗОЗБ 200 25 30 30 20 0.5...3 1-4 0,5...2,5 6 2 К11303В 200 25 30 30 20 1...4 2-5 1,5—5 6 2 кпзозг 200 25 30 30 20 8 3...7 3...12 6- 2 ТР666 кпзозд 200 25 30 30 20 8 2,6 3...9 6 2 КПЗОЗЕ 200 25 30 30 20 8 4 5...20 6 2 кпзозж 200 25 30 30 20 0,3.„3 1-4 0,3-3 6 2 кпзози 200 25 30 30 20 0,5...2 2...6 1,5...5 6 2 КП307А 250 25 27 27 25 0.5...3 4...9 3...9 5 1,5 КП307Б 250 25 27 27 25 1...5 5... 10 5... 15 5 1,5 КП307В 250 25 27 27 25 1...5 5... 10 5...15 5 1,5 КП307Г 250 25 27 27 25 1,5...6 6... 12 8...24 5 1,5 ГРббб КП307Д 250 25 27 27 25 1,5-6 6... 12 8-24 5 1,5 КП307Е 250 25 27 27 25 2,5 3...8 1,5-5 5 1,5 КП307Ж 25b 25 27 27 25 7 4 3...25 5 1,5 КП312А 100 ' 20 25 25 25 8 4 8 4 1 ТРЗОб КП312Б 100 20 25 25 25 6 2 1,5 4 I КП314А 200 .35 30 30 - - 4 2,5...20 6 2 ТР11В
140 ТРАНЗИСТОРЫ 3.2.3. Транзисторы малой мощности (Р<0тЗ Вт) с изолированным затвором и каналом р-типа Таблиц а 3.2.3. Тип р Ни Нс Ни Л Ни S, •с С11и, С12и, Прило- прибора max, max, max, max, max, отс, нач, жение мВт В В В мА В мА/В мкА пФ пФ 3.3 КП301Б 200 20 - 30 15 2,7...5,4 I 0,5 3,5 I ТРббв КП301В 200 20 - 30 15 2,7...5,4 2 0,5 3,5 I КП301Г 200 20 - 30 15 2,7...5,4 0,5 0,5 3,5 I КП304А 200 25 30 30 30 5 4 0,2 9 2 ТРббг 3.2.4. Транзисторы малой мощности (Р<0,3 Вт) с изолированным затвором и каналом п типа Т а б л и ц а 3.2.4. Тип прибора р max, мВт Ни max, В Нс max, В Ни max, В •с max, мА Ни отс, В S, мА/В 'с нач, мА С11и, пФ С(П 12и, пФ Прило- жение 3.3 КП305Д 150 15 15 15 15 6 5,2... 10,5 5 0,8 КП305Е 150 15 15 15 15 6 4...8 - 5 0,8 ТРббг КП305Ж 150 15 15 15 15 6 5,2... 10,5 5 0,8 КП305И 150 15 15 15 15 6 4... 10,5 - 5 0,8 КП313А 75 15 15 10 15 6 1,5-10,5 - 7 0,9 ТР13в КП313Б 75 15 15 10 15 6 4,5... 10,5 - 7 0,9 КП313В 75 15 15 10 15 6 4,5... 10,5 - 7 0,9 3.2.5. Транзисторы большой мощности (Р>1,5 Вт) с р-п - переходом и каналом п-типа Т а б л и ц а 3.2.5. Тип прибора Р max, Вт Ни max, В изс max, В Ни max, В •с max, А Ни отс, В S, мА/В 'с нач, мА С11и, пФ С.п 12и, пФ Прило- жение 3.3 КП601А 2 20 - 15 - 4..9 40...87 400 - 6 ТР326 • КП601Б 2 20 - 15 - 6.. 12 40.. 87 400 - 6
ТРАНЗИСТОРЫ 141 Окончание табл. 3.2.5. Тин прибора р шах, Вт Сси max, В изс max, В Сзи max, В «с max, А % ото, В S, мА/В ‘с нач, мА С11и, пФ С12и, пФ Прило- жение 3.3 КП801А 60 65 100 -35 5 -25 600 - ТР67 КП801Б ; 30 65 100 -35 2,5 -25 220 - f - КП805А 6₽ 600 600 20 ' 8 - 3500 2 1300 40 ТР89 КП805Б 60 600 600 20 8 - 3500 2 1300 40 КП8И5В 60 500 500 20 8 - 3500 2 1300 40 КП903А 6 20 20 15 0,7 5... 12 85... 140 700 18 15 ТР87а КП903Б 6 20 20 15 0,7 1...6,5 50... 130 480 18 15 КП903В 6 20 20 15 0,7 1...10 60... 140 600 18 15 3.2.6. Транзисторы большой мощности (Р>1,5 Вт) с изолированным затвором и каналом п-типа Таблица 3.2.6. Тип прибора р max, Вт иси max, В max, В Чи max, В < е отс, В S, мА/В *с нач, мА С11и, пФ С12и, пФ Прило- жение 3.3 КП709 75 600 - ±20 4 - 2000 0,5 650 70 ТР67 КП901А 20 70 85 30 4 _ • 50... 160 200 100 10 ТР876 КП901Б 20 70 85 30 4 - 60... 170 200 100 10 КП902А 3,5 50 - 30 0,2 - 10...25 10 11 0,6 ТР87б КП902Б 3.5 50 - 30 0,2 - 10...25 10 11 0,6 КП902В 3,5 50 - 30 0,2 - 10...25 10 11 0,8 КП904А 75 70 90 30 16 250...520 350 - - ТР696 КП904Б 75 70 90 30 5 250...510 350 - - КП905А 4 60 - 30 - - 18 20 7 - КП905Б 4 60 - 30 - • - 18 20 11 - ТР82 КП905В 4 60 - 30 - - 18 20 13 - КП907А 11 60 70 30 2,7 - 110...200 100 - 3 КП907Б 11 60 70 30 1,7 - 110...200 100 - 3 ТР82 КП907В 1 1 60 70 30 1,3 - 80... 110 100 - 3
142 ТРАНЗИСТОРЫ Окончание табл, 3.2.6. Тип прибора р max, Вт Чи max, В Чс max, В Чи шах, В 'с max, ' А Чи отс, В S, мА/В 'с нач, мА С11и, пФ С12и, пФ Прило- жение 3.3 КП912А 40 100 1 10 20 20 - 800...2000 0,1...20 - 16 ТР67 КП912Б 40 60 70 20 25 - 800...2000 0,1...20 - 16 КП921А 15 45 - 40 10 - 1500 2,5 - - КП922А 60 100 100 30 10 - 1000 2 - - ТР89 КП922Б 60 100 100 30 10 - 1000 2 - - 3.2.7. Транзисторы малой мощности (Р<0,3 Вт) с двумя изолированными затвороми и каналом п-типа Т а б л и ц а 3.2.7. Тип прибора Р max, мВт Чи max, В Чс max, В Чи max, В *с max, мА Чи отс, В S, ‘ мА/В «с нач, мА С11и, пФ С12и, пФ Прило- жение 3.3^ КП306А 150 20 20/20 20/20 20 0,8...4 3...8 - 5 0,07 КП306Б 150 20 20/20 20/20 20 0,2...4 3...8 - 5 0,07 ТРббд КП306В 150 20 20/20 20/20 20 13...6 3...8 - 5 0,07 КП322А 200 20 - 20/20 - 2,2... 12 3,2...6,3 42 6 - ТР79а КП327А 200 18 21/6 6/- - 2,7 11 10 2,5 0,04 - КП327Б 200 18 21/6 6/- - 2,7 11 10 2,5 0,04 - КП350А 200 15 21/15 15/15 30 0,7...6 6...13 3,5 6 0,07 КП350Б 200 15 21/15 15/15 30 0,7...6 6... 13 3,5 6 0,07 ТРббд КП350В 200 15 21/15 15/15 30 0,7...6 6... 10 6 6 0,07 3.2.8. Транзисторные сборки малой мощности (Р<0,3 Вт) с р-п - переходом и каналом п-типа Таблица 3.2.8. Тип прибора р max, мВт Чи max, В Чс max, В В5 | wC >с max, мА ^зи отс, В S, мА/В ’с нач, мА С11и, пФ С12и, пФ Прило- жение 3.3 КЦС104А 45 —s— 25 30 0,5 - 0,2... 1 0.35 0,1. .0,8 4,5 1,5 ТР796
ТРАНЗИСТОРЫ 143 Окончание табл. 3.2.8. Тип прибора р max, мВт иси шах, В изс шах, В Чи max, В >с max, мА Чш отс, В S, мА/В >с нач, мА С11 и, пФ С12и, пФ Прило- жение 3.3 КТК1С4Б 45 25 30 0,5 - 0,2...! 0,35 0,1...0,8 4,5 1,5 ТР796 КПС104В 45 25 30 0,5 - 0,4... 1 0,65 0,35...!,5 4,5 1,5 КПС104Г 45 25 30 0,5 - 0.8...3 1 0,1...3 4,5 1,5 КПС104Д 45 25 30 ’ 0,5 - 0,8...3 1 0,1...3 4,5 1,5 КПС104Е 45 25 30 0,5 - 0,4.,.2 0,65 0,1...3 4,5 1,5 - КПС315А 300 25 30 30 - 1...5 2,8 1...20 8 - ТР80 КПС315Б 300 25 30 30 - 0,4...2 1...5 1 ...20 8 - 33. ФОТОТРАНЗИСТОРЫ 3.3.1. Фототранзисторы кремниевые (п-р-п) Т а б л и и, а 3.3.1. Тип Прибора V Площадь фотоэле- мента, мм^ АХ мкм max, мкм LP, В *т, мкА С 1 ИНТ, мА/ лм (мкА/лк) Чф р max, мВт Прило- жение 3.3 ФТ-1К(гр-1) 2 0,4... 1,12 0,8...0,9 5 3 (0,4) - 25 ТР90 ФТ-1К(гр-2) 2 0,4... 1,12 0,8...0,9 5 1 (0,2) - 25 ФТ 2К(гр.1) 2 0,5... 1,1 2 0,85,..0,9 5 3 (0,4) - 25 ФТ-2К(гр.2) 2 0,5... 1,12 0,85...0,9 5 1 (0,2) - 25 ФТ7Б 1,21 0,4... 1,1 0,8...0,9 2...30 0,1 40...400 до 800 150 ТР92 ФТ7Б-01 1,21 0,4...1,1 0,8.„0,9 2...30 0,1 350 до 800 150 ФТ-8К 2 0,5...1,1 0,85...0,9 5 0,2 (2) - 25 ТР94
144 ТРАНЗИСТОРЫ 3.3.2. Фототранзисторы германиевые (р-п-р) Таблица 3.3.2. Тип Площадь ДЛ X max, UP, *Т, ИНТ, Ку.ф. Р max, Прило- прибора фотоэле- мента, мм^ мкм мкм В мкА мА/лм (мкА/лк) мВт че 3.3 ФТ-1 2 0,4... 1,8 1,5... 1,6 3 300 200...500 20 50 ТР96 ФТ-1Г 3 0,4... 1,8 1,5... 1,6 5 300 200 20 50 ТР97 ФТ-2Г 1 0,4... 1,8 1,5... 1,6 24 500 2000 20 50 TP9I ФТ-ЗГ 3 0,4... 1,8 1,5..1,6 12 10000 2000...7000 100 50 ТР93 ФТТ-1 3 0,4... 1,7 1,5... 1,6 15 1000 2000... 10000 100 50 ФТГ-3 3 0,4... 1,9 1,5... 1,55 5 50 1000 40 45 ТР95 ФТГ-4 3 0,4... 1,8 1,5... 1,55 5 40. 3000 40 45 ФТГ-5 3 0,4... 1,8 1,5...!,55 5 50 1000 50 45
ТРАНЗИСТОРЫ 145 Приложение 3.1. ЦВЕТОВАЯ МАРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРОВ Для некоторых типов транзисторов ГОСТом предусмотрена цветная маркировка. КТ502 обозначается желтой точкой на боковой поверхности, а буквенный индекс - цветной точкой на торце корпуса. КТ502А - красной. , КТ502Г - голубой, КТ502Б - желтой, КТ502Д- синен. КТ502В - зеленой, КТ5О2Е - белой. КТ503 обозначается белой точкой на боковой поверхности, а буквенный индекс - Цветном точкой на торце корпуса: КТ503А - красной, КТ503Г - го лубой, КТ503Б - желтой, КТ5ОЗД - синеи. КТ503В - зеленом, КТ503Е - белой. KT3IO2 обозначается темно-зеленой точкой на боковой поверхности, а буквенный индекс - цветной точкой на торце корпуса: КТ31О2АМ - темно- красном. КТ31О2ГМ - голубой. #КТ3102БМ - желтой. КТ3102ДМ - синеи. КТ3102ВМ - тем но-зеленой. КТ31О2ЕМ - белой. КТ3102ЖМ - темно-коричнево и. КТЗ 102 ИМ - светло-табачной. КТ310?КМ - серой. КТ3107 обозначается голубой точкой на боковой поверхности, а буквенный индекс - цветной точкой на торце корпуса: КТЗ107 А - розовой, КТ3107Е - цвета электрик. КТ3107Б - желтой. КТЗ 107 Ж - салатовой. КТЗ 107В - емнеи. КТЗ107И - зеленой. КТЗ 1071 - бежевой. КТ3107К - красной. КТ3107Д - оранжевой, КТ31О7Л - серой. КТ3109 обозначается белой точкой на корпусе у вывода базы, а буквенный индекс - цветной точкой там же: КТЗ109А - розовом, КТ3109Б - желтой. КТ3109В -синеи. КТ3144А обозначается белой полосой на плоской боковой стороне корпуса. Транзисторы КТ315 и КТ361 выпускаются в одинаковых корпусах. Различить их по надписи на корпусе можно следующим образом. У КТ361 на боковой поверхности кор- пуса в первой строке проставляется только буквенным индекс, а у КТЗ 15 рядом с бук- венным индексом наносится графическое обозначение завода-изготовителя. Во второй строке проставляются месяц и последние две цифры года изготовления. В остальных случаях тип транзистора обозначается на корпусе или приводится на этикетке, сопровождающей транзисторы.
146 ТРАНЗИСТОРЫ П риложе н. и е 3.2 Зарубежные транзисторы и мх отечественные аналоги Транзистор Аналог Транзистор Аналог АС 107 ГТ1 15А AD 1 55 1Т403Е АС1 16 VHI25A AD161 ГТ705Д ЛС1 17 ГТ402И AD162 ГТ703Г АС121 МП 20 А AD163 П217 АС 122 ГТ115Г AD164 ГТ403Б АС 124 ГТ402И ADI69 ГТ403Е АС 1 25 МП20Б AD262 П213 AC 126 МП20Б AD263 П214А АС 127 ГТ404Б AD301 ГТ7ОЗГ АС 128 ГТ402И AD302 П216 АС 132 МП20Б. ГГ402Е AD3O3 П217 AC 1 38 ГТ4О2И AD304 П217 АС 139 ГТ402И AD312 П216 АС141 ГТ404Б AD313 П217 АС141В ГТ404Б AD314 П217, ГТ701А АС 142 ГТ402И AD325 П217. ГТ701А AC 1 50 МГТ108Д AD431 П213 AC 152 1Т402И AD436 П213 АС 160 П28 AD438 П214А ACITO МГТ1081- AD439 П215 АС 171 МГТ108Г AD457 П214А АС 176 ГТ404А AD465 П213Б АС181 ГТ404Б AD467 П214А АС 182 МП20Б AD469 П215 АС 183 МП36А. МП38А AD542 П217 ГТ701А AC 1 84 ГТ402И AD545 П210Б AC 1 85 ГТ404Г ADI202 П213Б АС 187 ГГ404Б AD12O3 П214Б АС 188 ГТ402Е ADP665 ГТ403Б АС540 МП 39 Б ADP666 ГГ403Г АС541 МП39Б ADP670 П201АЭ АС542 МП39Б, МП41А ADP671 П.201АЭ АСУ 24 МП26Б ADP672 П202Э ACY33 ГТ402И ADY27 ГТ703В AD130 П217 AF106 ГГ328Б AD131 П217 / AF106A ГТ328В AD132 П2Г7 AFI09 ГТ328А AD138 П216 AF139 ГТ346Б AD139 П213 AF178 ГТ309Б AD142 П210Б AF200 ГТ328А AD143 П210В AF201 ГТ328А AD145 П210В, П216В AF2O2 ГТ328А AD148 ГТ7ОЗВ AF239 ГТ346А AD149 ГТ703В AF239S ГГ346А AD150 ГТ703Г AF240 ГТ346Б AD152 ГГ403Б AF25I ГТ346А
ТРАНЗИСТОРЫ 147 Приложение 3.2 Транзистор Аналог Транзистор Аналог AF252 ГТ346А АС 108 ГТ806Б AF253 ГТ328А АС 110 ГТ806Д AF256 ГТ348Б АС1 13 ГТ810А AF260 П29А AVYI0 П6О8А, ГТ905А AF261 ПЗО AVY18 П214А AF266 МП42Б, МП20А AUY19 П217 AF27I ГГ322В ACY20 П217 AF272 ГТ322В AUY21 П210Б AF275 ГТ322Б AUY21A П210Б AF279 ГТЗЗОЖ AUY22 П210Б AF280 ГТЗЗОИ AVY22A П210Б AF426 ГТ322Б AUY28 П217 AF429 ГТ322Б AUY35’ ГТ806А AF430 ГТ322В AUY38 ГТ806В AFY11 ГТ313А ВСП/16 КТ638 AFY12 ГТ328Б ВС100 КТ605А AFY13 ГТ305В ВС101 КТ301Е AFY15 ПЗО ВС 107 А КТ342А. AFY29 ГТ305Б ВС 107 АР KT3I02A AFZI1 ГТ309Б ВС 107В КТ342Б AL1OO ГТ806В ВС107ВР КТ3102Б AL102 ГТ806В ВС 108 А КТ342А AL1O3 ГТ806Б ВС 108 АР КТ3102В ASX11 МП42Б ВС108В КТ342Б ASX12 МП42Б ВС108ВР КТ3102В ASY26 МП42А, МП20А ВС108С КТ342В ASY31 МП42А ВС108СР КТ3102Г ASY33 МП42А, МП20А ВС 109В КТ342Б ASY34 МП42А, МП20А ВС109ВР ктзюад ASY35 МП42Б, МП20А ВС109С КТ342В ASY70 МП42 ВС109СР KT3I02E ASY76 ГТ403Б ВС140 КТ630Г ASY77 ' ГТ403Г ВС141 КТ630Г ASY80 ГТ403Б ВС147А КТ373А ASZ15 П217А, ГТ701А ВС 147В КТ373Б ASZ16 П217А ВС148А КТ373А ASZ17 П217А ВС148В КТ373Б ASZ18 П217В, ГТ701А ВС 148С КТ373В ASZI015 П217В ВС 149В КТ373Б ASZ1016 П217В ВС149С КТ373В ASZ1017 П217В ВС 157 КТ361Г ASZ1018 П217В ВС158А КТ349В АТ270 МП42Б, МП20А ВС 160-6 КТ933Б АТ275 МП42Б, МП20А ВС161-6 КТ933А АС 103 ГТ810А ВС167А КТ373А АС 104 ГГ810А ВС 167В КТ373Б АС 107 ГТ810А ВС168А КТ373А
148 ТРАНЗИСТОРЫ Приложение 3.2 Транзистор Аналог Транзистор Аналог ВС 168В КТ373Б ВС237А КТЗ102А ВС168С КТ373В ВС237В КТ3102Б ВС 169В КТЗ 73 Б ВС238А КТЗ 102А, КТЗ 102В ВС169С КТЗ 73В ВС238В КТЗ 102В ВС170А КТ375Б ВС238С КТ3102Г ВС 170В КТ375Б ВС239В КТ3102Д ВС171А КТ373А ВС239С КТ3102Е ВС171В КТ373Б ВС250А КТ361А ВС172А КТ373А ВС250В КТ361В ВС 172В КТ373Б ВС285 П308 ВС172С КТ373В ВСЗОО КТ630Б ВС 173В КТ373Б ВС307А КТ3107Б ВС ПЗС КТ373В ВС307В КТ3107И ВС 174 КТЗ 102 ВС308А КТ3107Г ВС 177 АР КТЗ107А ВС308В КТ3107Д BC177VIP КТ3107Б ВС308С КТ3107К ВС178А КТ349В ВС309В КТЗ 107Ж ВС178АР КТЗ107В ВС309С КТЗ 107 л ВС178ВР КТ3107Д ВС320А КТ3107Б BC178V1P КТЗ 107В ВС32ОВ КТ3107Д ВС 179 АР КТ3107Е ВС321А КТ3107Б ВС179ВР КТ3107Ж ВС321В КТ3107И ВС182А КТЗ102А ВС321С КТ3107К ВС182В КТЗ1026 ВС322В КТЗ 107Ж ВС182С КТ3102Б ВС322С КТЗ 107Л , ВС183А КТ3102А ВС328 КТ313 ‘ ВС 183В КТ3102Б ВС337 КТ3102Б BCL83C КТ31О2Б, КТ3102Г ВС338 КТ645, КТ646 BCI84A КТ3102Д ВС355 КТ352Б ВС 184В КТ3102Е ВС355А КТ352А ВС192 КТ351Б ВС382В КТ3102Б ВС212А КТ3107Б ВС382С КТ3102Г ВС212В КТЗ 107И ВС383В КТ3102Д ВС212С КТ3107К , ВС383С КТ3102Е ВС213А КТ3107Б ВС384Е КТ3102Д ВС213В КТЗ 107 И ВС384С КТ3102Е ВС213С . КТ3107К ВС440 КТ630 ВС216 КТ351А ВС451 КТЗ 102В ВС216А КТ351А ВС453 КТ3102Д ВС218 КТ340Б ВС454А КТ3107Б ВС218А КТ340Б ВС454В КТ3107И ВС226 КТ351Б ВС454С КТ3107К ВС226А КТ351Б ВС455А КТ31О7Г ВС234 КТ342А ВС455В КТ3107Д ВС234А КТ342А ВС455С КТ3107К ВС235 КТ342Б ВС456А КТ3107Е ВС235А КТ342Б ВС456В КТ3107Ж
ТРАНЗИСТОРЫ 149 Приложение 3.2 Транзистор Аналог Транзистор Аналог ВС456С КТЗ 107 Л BCY79 КТ3107Б ВС513 КТ345А BCY90 КТ208Е ВС527 КТ342Б, КТ342В BCY90B КТ501Г ВС528 КТ342В BCY91 КТ208Е ВС547А КТ3102А BCY91В КТ501Г ВС547В КТ3102Б BCY92 КТ208Е ВС547С КТ3102Г BCY92B КТ501Д ВС548А КТ31О2А BCY93 КТ208К ВС548В КТЗ 1.02В BCY93B КТ501Л ВС548С КТ31О2Г BCY94 КТ2О8К ВС549А КТ3102Д BCY94B КТ5О1.7 ВС549В КТ3102Д BCY95 КТ208К ВС549С КТЗ102Е BCY95B КТ501М ВС557 КТ361Д BD109 КТ805Б ВС639 КТ645А BDI21 КТ9О2А ВСР627А КТ373А ВЫ 23 КТ902А, КТ805Б ВСР627В КТ373Б BDI31 КТ943В ВСР627С КТ373В BD135-6 КТ343А ВСР628А КТЗ 73 А ВЫ 36 КТ626А ВСР628В КТ373Б BD137-6 КТ943Б ВСР628С КТ373В BD138 КТ926Б BCW47 КТ373А BD139-6 КТ943В BCW48 КТ373Б, КТ373В BD140 КТ626В BCW49 КТ373Б. КТ373В BD148 КТ8О5Б BCW57 КТ361Г BD149 КТ805Б BCW58 КТ361Е BD165 КТ815А BCW62A КТ361Г BD166 КТ814Б BCW63A КТ361Г BDI67 КТ815Б BCYIO КТ208Е BD 168 КТ814В BCY11 КТ208Д BD169 КТ815В BCY3O. КТ2О8Л BD170 КТ814Г BCY31 КТ208М BD175 КТ817Б BCY32 КТ208М BD176 КТ816Б BCY33 КТ208Г BDI77 КТ817В BCY34 КТ2О8Г BD178 КТ816В "bcY38 КТ501Д BDI79 КТ817Г BCY39 КТ501М BD180 КТ816Г BCY40 КТ501Д BD181 КТ819БМ BCY42 КТ312Б BD182 КТ819ВМ BCY43 КТЗ 12В BD183 KT819IV BCY54 КТ5О1К BD201 КТ819В BCY56 КТЗ 12В BD202 КТХ18Б BCY58A КТ342А BD203 КТ819Г BCY58B КТ342Б BD204 КТ818В BCY58C КТ342Б BD2I6 КТ809А BCY58D КТ342В BD223 КТ837Н BCY59 КТЗ102А BD224 КТ837Ф BCY69 КТ342В BD225 КТ837С
150 ТРАНЗИСТОРЫ П р и л о ж е н и е 3.2 Транзистор Аналог Транзистор Аналог BD226 КТ943А BD6I9 КТ817Г BD227 КТ639Б BD62O КТ816Г BD228 КТ943Б BD813 КТ815А BD229 КТ639Д BD814 КТ814А BD230 КТ943В BD815 КТ815Б BD233 КТ817Б BD816 КТ814В BD234 КТ816Б BD817 КТ815В BD235 КТ817В BD818 КТ814Г BD236 КТ816В BD825 КТ646А BD237 КТ817Г BD826 КТ639Б BD238 КТ816Г BD827 КТ646А BD239 КТ817В BD828 КТ639Д BD239A КТ817В BD840 КТ639В BD240 КТ816В BD842 КТ639Д BD240A КТ816В " BD933 КТ817Б BD240B КТ819Г BD934 КТ816Б BD246 КТ818АМ BD935 КТ817В BD253 КТ8О9А BD936 КТ816В BD291 КТ819А BD937 КТ817Г BD292 КТ818А BD938 КТ816Г BD293 КТ819Б BD944 КТ 83 7 Ф BD294 КТ818Б BD946 КТ837Ф BD295 КТ819В BD948 КТ837Ф BD296 КТ818В BD949 КТ819Б BD375 КТ943А BD950 КТ818Б BD377 КТ943Б BD951 КТ819В BD379 КТ943В BD952 КТ818В BD386 КТ644Б BD953 КТ819Г BD433 КТ817А BD954 КТ818Г BD434 КТ816А BDT91 КТ819Б BD435 КТ817А BDT92 КТ818Б BD436 КТ816А BDT93 КТ819В BD437 КТ817Б BDT94 КТ818В BD438 КТ816Б BDT95 ' КТ819Г BD439 КТ817В BDT96 КТ818Г BD440 КТ816В BDV91 i КТ819Б BD441 КТ817Г £DV92 КТ818Б BD442 КТ816Г BDV93 КТ819В BD466 КТ973Б BDV94 КТ818В BD61 1 КТ817А BDV95 КТ819Г BD612 КТ816А BDV96 КТ818Г BD613 КТ8Т7А BDX25 КТ8О5Б, КТ8О8А BD614 КТ816А BDX77 КТ819Г BD615 КТ817Б BDX78 КТ818Г \ BD616 КТ82-6Б BDX91 КТ819БМ BD617 КТ817В BDX92 КТ818БМ BD618 КТ816В BDX93 КТ819ВМ
ТРАНЗИСТОРЫ 151 Приложение 3.2 Транзистор Аналог Транзистор [ Аналог BDX94 КТ818ВМ BF459 КТ940А BDX95 КТ819ГМ BF469 КГ940Б BDX96 КТ818ГМ BF471 КТ605БМ, КТ940А BDY12 КТ805Б BF494 КТ339АМ BDY13 КТ805Б BF6I5 КТ940Б BDY23 КТ8ОЗА BF617 КТ940А BDY24 КТ8О8А BFJ57 КТ602Б BDY25 КТ812В BFJ7O КТ339В BDY72 КТ805А BFJ93 КТ324Б BDY78 КТ805Б BFJ98 КТ611Г BDY79 КТ8О5А BFP177 КТ611В BDY90 КТ945А, КТ9О8А BFP178 КТ6ПГ BDY9I КТ945А, КТ9О8А BFPI79A КТ611Г BDY92 КТ908А, КТ9О8Б BFPI79B КТ611Б BDY93 КТ812А. КТ828А BFPI79C KT6I8A BDY94 KT8I2A, КТ7О4Б BFP719 КТ315А BDY95 КТ704Б BFP72O КТ315Б BF111 KT6I 1А •BFP721 КТЗ15В BF1 14 КТ611Г BFP722 КТ315Г BF137 КТ611Г BFR34 КТ372Б BF140A KT61IB BFR34A КТ372Б BF173 КТ339В BFWI6 KT6JOA BF177 КТ6О2А BTW45 КТ61 11 BF178 КТ611Г BFW89 КГ351Б BF179B KT611Б BFW90 КТ351Б BFI79C КТ618А BFW91 КТ351Б BF186 КТ611Г BFX12 КТ326А ВГ197 КТ339Г BFX13 КТ326Б BFI99 КТ339АМ BFX44 КТ340В BF2O8 КТ339А BFX73 КТ368А BF223 КТ339В BFX89 КТ355А ВГ24О КТЗ 12В BFX94 KT3II7A BF254 КТ339АМ BFY19 КТ326Б BF257 КТ611Г BFY34 КТ630Г BF258 КТ6О4В BFY45 КТ611Г BF259 КТ604Б BFY46 КТ630Д BF273 КТ339А BFY5O ктбзог BF291 КТ611Г BFY51 КТ630Д BF297 КТ940В BFY52 КТБЗОД BF298 КТ940Б BFY53 КТ630Д BF299 КТ940А BFY55 КТ63ОГ BF336 КТ61 1Г BFY56 КТ630Г BF337 КТ604Б BFY56A КТ630Г BF338 КТ604Б BFY65 КТ611Г BF419 КТ940А BFY66 КТ355А ВГ457 КТ940В BFY78 КТ368А BF458 КТ94ОБ BFY80 П308, КТ601А
152 ТРАНЗИСТОРЫ П р и ложе н и е 3.2 Транзистор Аналог Транзистор Аналог BLWJ8 КТ920Б BSY26 КТ340В ELW24 КТ922Г BSY27 КТ340В BLX92 . КТ913А BSY34 КТ608А BLX93 КТ913Б BSY38 КТ340В BLY47 КТ8О8А BSY39 КТ340Б BLY47A KT80SA BSY40 КТ343А BLY48 КТ808А BSY41 КТ343Б BlY48A КТ808А BSY58 КТ608А BIY49A КТ8О9А BSY62 КТ616Б BLY50 КТ8О9А BSY72 КТ352А BI.Y50A КТ809А BSY73 КТЗ12Б BLY63 КТ92ОГ BSY95 КТ340В BLY88A КТ920Г BSY95A КТЗ40В BSJ36 КТ351Б BSYP62 КТ340В BSJ63 КТ340Б BSYP63 КТЗ40В BSV49A КТ351В BSZ1O КТ104Б BSV59-V 1 1 1 КТ3117А BSZ1 1 КТ104Б BSW19 КТ343Б BSZ12 КТ203А BSW20 КТ361Г BL106 КТ812Б BSW21 КТ343Б BL1O8 КТ839А BSW27 КТ928А ВБ 120 КТ809А BSW36 КТ6ОЗБ ВБ 123 КТ802А BSW41 КТ616А BL126 КТ7О4Б.КТ828А BSW88A КТ375Б BL129 КТ809А BSX2I ПЗО8 ВБ132 КТ704А BSX32 КТ635АЛТ625А ВБ 133 КТ704Б,КТ828А BSX38A КТ340А BL204 КТ838А BSX51 КТ340В BL205 - КТ838А BSX52 КТ34ОВ BL207 КТ838А BSX53A КТ340А BL2O7A КТ838А BSX59 КТ928А В L'208 КТ838А BSX60 КТ928А BL’32fe КТ828А BSX61 КТ928А BU3 26А КТ828А.КТ840А BSX62 КТ801Б BLX82 КТ812А BSX63 КТ801А BLX83 КТ812А BSX66 КТ306А, КТ306Д BCY43 П702 BSX67 КТЗО6А, КТЗО6Д BVY46 П702А BSX8O КТ375Б BUY55 КТ808А BSX81A КТ375Б BUYP52 КТ802А BSX89 КТ616А BLYP53 КТ802А BSX97 КТЗИ7А BБYP54 КТ802А BSXP59 КТ928А BVX49 КТ8О7А,КТ63ОА BSXP60 КТ928А D41D1 КТ626А BSXP61 КТ928А D41D4 КТ626Б BSXP87 К7340В D41D7 КТ626В BSY17 КТ616Б EFT212 П216 BSY18 КТ616Б EFT2I3 П216
ТРАНЗИСТОРЫ 153 ПриложениеЛ2 Транзистор Аналог Транзистор Аналог EFT214 П217 GDI 60 П213Б EFT250 П217 GD170 П213Б EFT3O6 МП 40 GDI 75 П213Б EFT3O7 МП40 GDI 80 П214А EFT368 КТ208Б GD240 П213 EFT311 МП20А GD241 П213 EFT312 МП 20 А GD242 П214А EFT3I3 МП20Б GD243 П214А EFT317 И 401 GD244 П215 EFT3J 9 П401 GD607 ГТ404Г EFT32O П401 GD60S ГТ404Б EFT32I МП 20 А GD609 ГТ404Б ЕГТ322 МП 20 А GD617 П201АЭ EFT323 МП20Б GD618 П201АЭ EFT33 J МП 20 А GD619 П2ОЗЭ EFT332 МП 20 А GF 126- 1Т309Г EFT333 МГ120Б GF 128 ГТ309Б CFT341 МГ121Д GF 130 ГТ309Д EFT342 МП21Д GF J 45 ГТ346А EFT343 МП21Д GF 147 ГТ346А GC100 ГТ 109 А GF50I ГТ313Б GC10J ГТ109А GF5O2 ГТ313А GC112 МП 26 А GF503 IT3I3I1 GC1 16 МГТ108Д GF504 ' ГТЗ J3A GC1 17 МГТ108Д GF505 ГТ328Б GC1 18 МГТ108Д GF506 ГТ328Б GC121 МП20А. МП39Б GF 507 ГТ346Б GC122 МП20А GF514 IT322A. 1ПГ313Б GC 1 23 МП21Г GF515 ГТЗ 22 А GC500 ГТ4О2Д GF516 ГТЗ 22 А GC501 ГТ402Е GF517 ГТ322Б GC502 ГТ402И GFY50 ГТ322Б GC507 МП 30 А GS109 МП42А GC5O8 МП20Б GS1 1 1 МП42Б GC509 МП 21Г GS1 12 МП25А GC510K IT403 Е GS121 МП42 GC5 J 2 К ГТ403Е КС 147 КТ373А. КТ373Б GC515 МП 20 А КС 148 КТ373А. КТ373Б GC516 МП20А КС 149 КТ373Б КТ373В GC517 МП ЗОБ KC507 КТ342Б GC518 МП ЗОБ KC508 КТ342Б GC5 19 МП20Б KC509 КТ342Б GC525 МП36А. М Г135А KD601 КТ8ОЗА GC526 МП36А, Ml 137 А KD6O2 КТ808А GC527 МП36А. МП38А KF 173 КТ339В GCM55 МП 20 А KF5O3 КТ602Б GCN56 МП21Г KF504 КТ611Г
154 ТРАНЗИСТОРЫ П р и л о ж е н и е 3.2 Транзистор Аналог Транзистор Аналог KF507 КТ617А MPSW1 А КТ8О7Б KFY18 КТЗ1ЗА MPSU05 КТ807Б KSY21 КТ616Б MPSUO6 КТ807Б KSY34 КТ608А MPSU07 KTS07A KSY62 КТ616Б MPSU51 КТ626А KSY63 КТ616Б MPSL5IA КТ626А KSY8I КТ347Б MPSU55 КТ626Б KL601 КТ801Б MPSU56 КТ626Б КБ'602 KT80I А MSA7505 КТ9О7А KU605 KT8I2B NE1010E-28 КТ91 ЗБ KU606 КТ8О8А NKT1 1 МГГ108Г KL607 КТ812В NKT73 МГТ108Б KU61 1 КТ801Б ОС25 П216 KL6I2 KT80LA ОС26 ГТ703Д KUYI2 КТ812В ОС27 ГТ7ОЗГ МА909 МП 26 А ОС28 П217 МА910 МП26А осзо П201Э MJ42O KT6I8A ОС35 П217 MJ48O КТ8ОЗА OC4I П29 MJ481 КТ8ОЗА ОС42 П29А М <2501 КТ825Г ОС57 ГТ 109 А MJ300I КТ827Б ОС58 ГТ109Б MJ3O55 КТ819Б ОС59 ГТ 109В MJ3480 КТ839А ОС60 ГТ 109В MJE52O КТ943А ОС70 МП40А ММ 404 МП42Б ОС71 МП40А ММ 1748 КТ316А ОС75 МП40А, МП41А ммзооо КТ602А ОС76 МП40А MM300I КТ602Б, КТ611В ОС77 МП26Б ММ3375 КТ904Б ОС 169 ГГ322Б MPS404 КТ209Е' ОС 170 ГГ309Г, ГТ322Б MPS404A КТ209К OCI71 ГТ309Г MPS706 КТ375Б ОС200 КТ104Г MPS7.06A КТ375Б ОС201 КТ104Б MPS3638 КТ351А ОС202 КТ 104В MPS3638A КГ351А ОС203 КТ203А MPS3639 КТ357А . ОС204 КТ208Г MPS3640 КТ347Б ОС205 КТ208Л MPS3705 КТ645А ОС206 КТ208Г MPS6530 КТ645А ОС207 КТ208А MPS6532 КТ645А ОСЮ16 IT7O3B MPS6562 КТ350А ОС 1044 ГТ109Е MPS6563 КТ350А ОС 1045 ГТ109Д MPS-H37 КТ339АМ ОС 1070 МП40А MPSL07 КТ363А * OC107I МП40А7 МП39Б MPSL08 КТЗ 63 А ОС 1072 МП41А, МП39Б MPSUOi КТ807Б ОСЮ74 МП20А
ТРАНЗИСТОРЫ 155 Приложение 3.2 Транзистор Аналог Транзистор Аналог ОС 1075 МП41А, МП39Б SFI36F КТ342В ОС 1076 МП42Б, МП20А SF137D КТ342А ОС 1077 МП21Г SF137E КТ342Б ОС 1079 МП20А SF137F КТ342В PBCI07A КТ373А SF150B КТ611Г PBCI07B 1 КТ373Б SF150C КТ611Г РВС108А КТ373А SF215C КТ375Б, КТ373А РВС108В КТ373Б SF215D КТ373А РВС108С КТ373В SF2I5E КТ373Б РВС 109В КТ373Б SF216C КТ375А, КТ373Г PBCI09C КТ373В SP216D КТ373А РТ6670 КТ9О9Г SF216E КТ373Б РТ668О КТ9О9В SF240 КТ339АМ RFD401 КТ606Б SFTI24 KT50IE RFD4I0 KT9I3A SFTI25 KT50IE RFD420 КТ913Б SFT130 KT50IE RFO421 КТ904А SFTI31 КТ501Е SC206D КТ373А SFT163 . П423 SC206E ' КТ373Б •SFT187 КТ6О2А SC206F КТ373В SFT212 ГТ7ОЗГ SC2O7D КТ373А SFT213 ГТ7ОЗГ SC2O7E КТ373Б SFT214 П217 SC2O7F КТ373Б SFT223 МП20Б SDT3207 КТ9О8Б SFT238 П216 SDT32O8 КТ908А SFT239 П217 SDT70L2 КТ908Б SFT240 П217 SDT7O13 КТ908А SFT25O П217, ГТ702А SE5O35 КТ339А SFT251 МП 20А, МП39Б SF21 КТ617А SFT252 МП20А, МП39Б SF22 KT6I7A SFT253 МП20А, МП39Б SF23 КТ608А SFT306 МП39Б SFI2IA КТ617А SFT3O7 КТ208В SF12IB КТ617В SFT308 КТ208В SF122A КТ617А SFT316 П422 SF122B KT6I7A SFT319 П416 SFI23A КТ602В SFT320 П416 SF123B КТ602Г SFT321 МП20А SF123C КТ602Г SFT322 МП20Б SF126A КТ617А SFT323 МП20Б SF126B KT6I7A SFT325 ГГ4О2И SF126C КТ617А SFT351 МП39Б SFI3IE КТЗ102В SFT352 МП39Б SF13IF КТЗ102Г SFT353 МП39Б SFI32E КТЗЮ2Б SFT354 П422 SF132F КТ3102Г SFT357 П422 * SF136D' КТ342А SFT358 П423 SF136E КТ342Б SFT377 ГТ404Ж
156 ТРАНЗИСТОРЫ П р ило же ние 3.2 Транзистор Аналог Транзистор Аналог • SS1O6 КТ340В TIP41C КТ819Г SS1O8 КТ340В Т1Р61. КТ815А SS1O9 КТ340В TIP6IA КТ815Б SSI2O КТ608А Т1Р61В KT8I5B SS125 КТ617А Т1Р61С КТ815Г SS126 КТ6О8А Т1Р62 KT8I4A SS2I6 КТ375Б,1 КТ340Г TlР62А ' । КТ814Б SS218 КТ375Б, КТ340Г Т1Р62В КТ814В SS219 КТ375Б, КТ340Г Т1Р62С КТ814Г T321N МП38, МП37А TIPI46 КТ825Г T322N МП37Б Т1ХМ101 ГТ341А T323N МП38А Т1ХМЮЗ ГТ362А , Т354Н П403, П416А TIXMI04 ГТ341В Т357Н П403А Т1X3024 ГТ341Б Т358Н П403 ZT2475 КТ316Б ТСН98 КТ208Е 2SA49 ГГ109Е ТСН98В КТ501К 2SA50 ПЗО ТСН99 КТ208К 2SA52 ГТ109Е ТСН99В КТ501М 2SA53 ТТ109Д TG2 МГТ108А 2SA58 ГТ322Б TG3A МГТ108В 2SA60 ГТ322Б TG3F МГТ108Г 2SA69 ГТЗО9Е TG4 МГТ108А 2SA7O 1Л309Е TG5 ГТ115Б 2SA71 ГТ309Е TG5E ГТ115А, П27 2SA72 ГТ322В TG50 МП20А 2SA73 ГТ322В TG5I МП21Г 2SA78 ГТ321Д TG52 МП20А 2SA92 ГТ322Б TG53 МП20А 2SA93 ГТ322В TG55 МП20А 2SAI01 ГТ322В Т1Р29 KT8I5A 2SAI02 ГТ322В TIP29A КТ815Б 2SAI03 ГТ322В Т1Р29В КТ815В 2SAI04 ГТ322Б Т1Р29С КТ815Г 2SAI05 ГТ310Е Т1РЗО КТ814А 2SA106 ГТ310Е tipsob КТ814В 2SA107 ГТЗ 1 ОД T1P3I КТ817А 2SAIO8 П422 TIP31A КТ817Б 2SA109 П422 Т1Р31В КТ817В 2SAI 10 П422 TIP31C КТ817Г 2SA111 П422 Т1Р32 КТ816А 2SAI12 П422 TIP32A КТ816Б 2SAI16 ГТЗ 10В TIP32B КТ816В 2SA1L7 ГТЗ 1 од Т1Р32С КТ816Г 2SAII8 ГТЗ! ОД Т1Р4Т КТ819А 2SA219 ГТ322В T1P4IA КТ819Б 2SA22I ГТ322Б TJP4IB КТ819В 2SA223 1Т322В
ТРАНЗИСТОРЫ 157 Приложение 3.2 Транзистор Аналог 1 Транзистор Аналог 2SA229 ГТ313А 2SA495 КТ357Г 2SA23O ГТ313А 2SA496 КТ639Б 2SA234 ГТЗО9Б 2SA5OO КТ352А 2SA235 ГТЗО9Б 2SA5O4 КТ933А 2SA236 ГГ322В 2SA5O5 КТ639Д 2SA237 ГТ322В 2SA522 КТ326Б 2SA246 , ГТЗО5В 2SA555 КТ361Г 2SA254 ГТ1О9Е 2SA556 КТ361Е 2SA255 ГТ1О9Д • 2SA559 КТ352А 2SA256 ГТ322Б 2SA561 КТ31О7Б 2SA257 ГТ322В 2SA564 КТЗ КПД, КТ3107К 2SA258 ГГ322В 2SA564A КТ3107И 2SA259 ГГ322В 2SA568 КТ345В 2SA260 ГТ31ОА 2SA603 КТЗ 1 ЗБ 2SA266 ГТЗО9Г 2SA628 КТ357Г 2SA267 ГТЗО9Г 2SA64O КТ31О7К, КТЗ ЮТИ 2SA268 ГТЗО9Д 2SA641 КТ3107Л 2SA269 ГТЗО9Д 2SA671 КТ816Б 2SA27O ГТЗО9Г 2SA712 КТ632А 2SA27I ГТ309Г 2SA718 КТЗ1 ЗБ 2SA272 ГТЗО9А 2SA719 КТ35ОА 2SA279 П416Б, ГГЗО5Б 2SA733 КТ3107И 2SA285 ГТ322Б 2SA75O КТ3107К 2SA286 ГТ322Б 2SA999 КТЗ юти 2SA287 ГТ322Б 2SA999L КТЗ 107 И 2SA32I ГТ322В 2SA1O15 КТ31О7Б 2SA322 ГГ322В 2SA1O9O КТЗ 1 ЗБ 2SA338 ГТ322В 2SB32 МП39А 2SA339 ГГ322Б 2SB33 МП41А 2SA340 ГТ322Б 2SB37 МП41А 2SA34I ГГ322Б 2SB39 ГТ115А 2SA342 ГТ322Б 2SB40 МП42Б 2SA343 ГТЗО9Б 2SB47 МГТ108Д, МГТ108Г 2SA35O П422 2SB54 МГТ108Д, МГТ108Г 2SA351 П422 2SB57 МГТ108Б 2SA352 П42.2 2SB6O МП41А 2SA354 П422 2SB61 МП41А 2SA355 П422 2SB9O ГТ109Г 2SA374 П609А 2SB97 ГТ109В 2SA400 ГГЗО9Г 2SB120 МП41А 2SA412 ГТЗО8Б 2SBI3O П201А 2SA416 П605А 2SB136 МП25А, МП20Б . 2SA422 ГГ346Б 2SB136A МП25А, МП20Б 2SA440 ГТ313А 2SB17O МП39А, МП40А 2SA467 КТ351Б 2SB171 МП40А 2SA473 КТ639А 2SB172 МП20А, МП25Б 2SA494 КТ349В 2SB173 МП39А
158 ТРАНЗИСТОРЫ Приложение 3.2 Транзистор Аналог Транзистор Аналог 2SB175 МП41А 2SC68 КТ340В 2SBI76 МП25Б, МП20Б 2SC10J А КТ902А 2SB18OA П201 А 2SC105 КТЗ12Б 2SB181А П202 2SC109A КТ928Б 2SB200 МП25Б, МП20А 2SCJ3J КТ616Б 2SB201 МП25Б, МП20А 2SCI32 КГ616Б 2SB261 ГТ115А 2SC133 КТ616Б 2SB262 ГТ1 15В 2SC134 КТ616А. КТ342А 2SB263 МП25Б 2SC135 КТ616А 2SB3O2 ГТ109Е 2SC137 КТ616Б 2SB3O3 m 15Г 2SC170 КТ306Д 2SB335 МП'108В 2SC171 КТЗО6Д 2SB336 МГТ108В 2SC172 КТ306Д 2SB361 ГТ806А 2SC188 КТ617А 2SB362 ГТ8О6Б 2SC247 КТ602Г 2SB367 П201А 2SC249 КТ602Б 2SB368 П201 А 2SC253 КТЗ25А 2SB400 МГТ1О8Г 2SC281 КТЗ 12В 2SB434 КТ837Р 2SC282 КТЗ 12 В 2SB434G КТ837Р 2SC306 КТ630Д 2SB435 КТ837У 2SC307 КТ630Г 2SB435G ’ КТ837Р 2SC308 КТ630Г 2SB439 МП41А. МГ139Б 2SC309 КТ630А 2SB440 МП41А. МП39Б 2SC3 10 КТ630В 2SB443A МГТ108Г 2SC366G КТ645 А 2SB443B МГТ108Г 2SC367 КТ645А 2SB444A МГТ1О8Г 2SC370 КТ375Б 2SB444B МГТ108Г 2SC371 КТ375Б 2SB448 П201 А 2SC372 КТ375Б 2SB456 П202 2SC390 КТ368А 2SB466 П201 А 2SC395A КТ616А 2SB467 11202 2SC400 ктзобв 2SB468. ГТ810А 2SC401 КТ358В . 2SB473 П201А 2SC402 КТ358В 2SB48! П201А 2SC403 КТ358Б 2SB497 МГТ108Б 2SC404 КТ358В 2SB558 КТ818 ГМ 2SC481 КТ630Д 2SC33 КТЗ122Б 2SC482 , КТ617А 2SC4O КТ316Г ъ 2SC493 КТ8ОЗА 2SC4J КТ802А 2SC497 КТ630Б 2SC42 КТ8О2А 2SC498 КТ630Б 2SC43 КТ8О2А * 2SC5O3 КТ630Г 2SC44 КТ803А - 2SC5O4 КТ630Г 2SC64 КТ601А 2SC5O5 КТ618А 2SC65 КТ6 ив 2SC506 КТ611Б 2SC66 КТ611Г 2SC507 КТ632А 2SC67 КТ340В 2SC508 КТ802А
ТРАНЗИСТОРЫ 159 Приложение 3.2 Транзистор Аналог Транзистор Аналог 2SC5I0 КТ630В 2SC850 КТ209М, КТ501М 2SC51 2 КТ630Г 2SC853 КТ2О9М 2SC517 КТ903А 2SC893 П701А 2SC519A КТ802А 2SC900 КТ3102Г 2SC520A КТ802А , 2SC923 КТ3102Г 2SC521А КТ8ОЗА 2SC936 КТ826А 2SC525 П701А 2SC945 КТ3102Д 2SC526 КТ611Б 2SC959 КТ63ОБ 2SC538 КТ31О2Г 2SC976 КТ9ИГ 2SC538A КТ31О2Б 2SC977 KT9I3A 2SC543 КТ907Б 2SC978 КТ913Б 2SC549 КТ904Б 2SC988B КТ399А 2SC553 КТ907Б 2SC1000QTM КТ31О2Б 2SC563 КТ339Г 2SC1008 КТ630Д 2SC583 КТ368Б 2SCI008A КТ63ОБ 2SC589 КТ611Б 2SC1044 КТ355А 2SC598 КТ904А 2SC1056 КТ6О5Б 2SC6O1 КТЗО6Б 2SC106IK КТ817Б 2SC612 КТЗ 25В 2SC1O9O КТ372А 2SC618 КТ325А 2SC1 129 КТ339А 2SC618A КТ325А - 2SCU72 КТ839А 2SC62O КТ375А 2SC1172А КТ839А 2SC633 КТ315Б 2SC1172В КТ839А 2SC634 КТЗ15Г 2SCJ 173 КТ943А 2SC635 КТ904Б 2SC12J0 КТ645А 2SC641 КТ315Г 2SC12J 1 КТ645А 2SC642 КТ904А 2SC1317 КТ645А 2SC68O КТ802А 2SC1 406 КТ646А 2SC691 КТ904А 2SCI440 КТ945А 2SC712 КТ375Б 2SC1504 КТ809А 2SC722 КТ339АМ 2SCI550 КТ940Б 2SC727 ПЗО7Б 2SC1566 КТ940Б 2SC728 КТ618А. КТ940Б 2SC1569 КТ940Б 2SC752TM КТ645А 2SC1576 КТ81 2А, КТ828Б 2SC776 КТ646А 2SCI617 КТ812Б 2SC779 KTSO9A 2SC1618 КТ808А 2SC788 КТЫ8А 2SC1619 КТ8О8А 2SC790 КТ817Б 2SC1619A КТ808А 2SC793 КТ8ОЗА 2SCJ624 КТ943В 2SC796 КТ603А 2SC1625 КТ943В 2SC8O9 КТ325Б 2SC1815 КТ3102Б 2SC815 КТ645А 2SC1846 КТ645А 2SC825 КТ8О9А 2SC1X94 КТ839А 2SC828 КТЗ102В 2SC1895 КТ839А 2SC828A. КТЗ102Б 2SCI896 • КТ839А 2SC829 КТ358Б 2SC1983 КТ817Г 2SC848 КТ342Б. КТЗ 102А 2SC2001 КТ645А
160 ТРАНЗИСТОРЫ П риложе ние 3.2 Транзистор Аналог Транзистор Аналог 2SC2O68 КТ940А 4NU72 ГТ403Б 2SC212L КТ828А 5NU72 ГТ403Е 2SC2137 КТ812А, КТ828Б 2NU73 ГТ7ОЗБ 2SC2138 KT8I2A 3NL73 ГТ703Г 2SC2258 КТ940Б 4NU73 ГТ7ОЗД 2SC2314 КТ646А 5NU73 П213 2SC2431 К‘Г945А 6NU73 П215 2SC26I 1 КТ604Б.М 7NU73 П215 2SD31 МП35 101N70 МП35 2SD32 МПЗ 8 А 1O2N7O МП35 2SD33 МП38А 103N70 МП37 2SD37 МП37А 104N70 МП36А 2SD47 КТ908А 105N70 МП36А 2SD68 КТ902А 106N70 МП36А, МП37А 2SD72 ГТ404И 107N70 МП36А, МП38А 2SD75 МП38, МП36А 152N70 МП36А, МП38 2SD75A МП37А, МП36А 153N7O МП36А 2SD127 ГТ404Е 154N70 МП38 2SD128 ГГ404И 155N7O МП38А 2SDI28A ГТ404И 2NU74 ГТ701А, П21ОА 2SDL46 П7О2А 3NU74 ГТ7О1 А, П210А 2SDI47 П702 4NU74 ГТ7О1А, П21ОА 2SDL48 П7О2 5NV74 ГТ7О1А, П21ОА 2SD177 КТ819ГМ 6NL74 П210Б, ГТ7О1А 2SD195 МП38А 7NU74 П21ОБ, ГТ7О1А 2SD2O1 КТ8О8А 2N43. МП25Б 2SD202 КТ8О8А 2N44 МП25Б 2SD203 КТ8О8А 2N44A МП40А 2SD234 KT8I7B 2N45 МП40А 2SD235 КТ817Б 2N45A МП40А 2SD292 КТ817В 2N59 МП20А, МП20Б 2SD438 КТ63ОБ 2N59A МП20А, МП20Б 2SD526 КТ817Г 2N59B МП21Д 2SD640 КТ828Б 2N59C МП21Д 2SD668 KT6I 1БМ 2N60 МП20Б 2SD668A КТ611БМ • 2N60A МП21В 2SD675A КТ945А 2N60B МП21Д 2SD820 КТ839А 2N60C -МП21Г 2SD821 КТ839А 2N6! МП20А 2SD822 КТ839А 2N61A МП 20В 2SD88O ' КТ817В - 2N6IB МП21Д 2Т3531 ПЗО8, КТ602А 2N6IC МП21Г 2Т3674 КТ355А 2N65 МП20А 2T384I КТ343А 2N77 ГТ 109 Б 2NU72 КТ4ОЗБ 2N94 МП38 3NU72 ГТ4ОЗБ 2NI04 МП40А
ТРАНЗИСТОРЫ 161 Приложен и е 3.2 Транзистор Аналог Транзистор Аналог 24105 ГТ109Б 24 502А ГТ313А 24107 ГТ 115А 24502В ГТ313А 24109 МП20Б 24503 ГТ310Б 24123 МП42Б 24506 ГТ1 15Б 24128 ГТ310Д 24535А ГТ115В 24130 МГТ108А 24535В ГГ115В 24131 МГТ108Б 24536 ГТ115Г 24131А МГТ108Б 24554 11216В 24132 МГТ108В 24555 П216В 24132А МГГ108В 24560 . П307В 24133 МГТ108Б 24581 МП 42 А 24139 1Т109Е 24591 ГТ115Г 24175 П27 24602 П416 2NI7S П216Б 24603 П416 2NI86A МП25Б. МП20А 24604 П416А 24189 МП25А 24653 МП 20 А 24190 МП 25 А 24654 МП20А 24191 МП25Б 24655 МП20Б 24193 МП38 24696 ' КТ630Д 24206 МГТ108А 24697 КТ630Д 24207 МГТ108Г 24698 КТ630А 24207А мт 081 , 24699 КТ630А 24207В МГТ108Г 24700 ГТ313Б. ГТ376А 2N215 МП40А 24700А ГТ376А 24218 ГТ109Е 24702 КТЗ12А 24220 1I27A 24703 КТЗ 12В 2N237 МП40А 24705 ГТ320В 24 265 МГТ108Г 24706 КТ340В 2N273 МП39А 24708 КТ340В 24283 МП40А 2N709 КТ316Б 1 24326 ГТ705В 2N709A КТ316Б 2N33I МП39Б 2N710 ГТ320В 24368 МП40А 2N711 ГТ320В . 24369 МП41А 2N7IIA ГТ320Б 24404 МД42Б 2N711В ГТ320Б 2N405 МП39А 24726 КТ349А 24406 МП39А 24727 КТ349Б 2N444 .МП35 24728 КТЗ 12В 24444А МП35 24729 ' КТ312Б 24445 МП38 2N734 ПЗО7. КТ601А 24445А М.П37 24735 П307А. КТ601А 24456 П210В 24735А КТ601А, П307А 24457 П210Б 24738 П309 24458 П-21 ОБ 2N739 ПЗО8 2.4499А ГТ305А 2N74I ГТ313В 24501 ГТЗО5А/ 24741А ГТ313А 6. Зак. 4694
162 ТРАНЗИСТОРЫ П р и л о ж е н и е 3 2 Транзистор Аналог' Транзистор Аналог 2N743 КТ340В 2N 1 204 ГГ321Г 2N744 КТ340В 2N 1204А ГТ321Г 2N753 КТ340Б -2N1218 ГТ7О5Г 2N754 ПЗО7В 2N1219 КТ104Г 2N755 11308 2N 1220 КТ 104 А 2N78O КТЗ12Б 2N1221 КТ104Г 2N784A КТ340В 2N1222 КТ104А 2N794 ГТЗО8А . 2N1223 КТ104А 2N795 ГТЗО8А 2N1292 ГТ705В 2N796 ГТЗО8Б 2N1300 П'308А 2N797 ГТЗ11И 2N1301 ГТЗО8А 2N834 КТ340В 2N13O3 МП20А 2N835 КТ340В 2N1321 ПГ705В 2N842 К1301Д 2N1329 ГТ7О5В 2 N 8'43 КТ301В, КТ301Ж 2N1353 МП42А 2N844 ПЗО7В KT60IA 2N1354 МП42Б 2N845 ПЗО8, КТ601А 2N 1 384 ГГ321Д 2N869 КГ352А 2N1387 КТ301Б 2N869A КТ347А 2N139O КТ301Д 2N914 КТ616Б 2N1413 МП39Б, МП20А 2N915 КТ342Г 2N1414 МП39Б, MII20A 2N916 КТ342А 2NI415 МП39Б. МП20А 2N9 1 7 КТ368Б 2N1420 КТ630Е 2N91 8 КТ368Л 2N1494 ГТ321Г 2N919 КТ340В 2NI494A ГГ321Г 2N920 КТ340В 2N1499A ГГ305А 2N923- КТ2ОЗБ 2N1499В ГТ305Б 2N924 КТ203Б 2N1500 ГТЗО5Г 2N929 КТ342А 2N1507 КТ63ОЕ 2N930 КТ342А 2N1524 П422 2N943 КТ2ОЗБ 2NI526 П422 2N944 КТ2ОЗБ 2N1565 КТ601А 2N955 ггзии 2N1566 ПЗО7Б, КТ602Г 2N955A ГТ31 1И 2N1566A КТ602Б 2N978 КТ350А 2NI572 ПЗО9 2N979 ГТЗО5А 2N1573 ПЗО8 2N980 ГТ305А 2N1574 ПЗО8 2N987 ГТ322Б 2N1585 ГГ311Ж 2N990 ГТ322В 2N1613 КТ630Г 2N991 z ГТ322В 2N1643 КТ 104 А 2N993 ГТ322В 2N1681 МП42Б 2N995 КТ352А 2N 1 683 ГТЗО8Б 2N996 • КТ352А 2N1700 КТ801Б 2N1024 КТ104Б 2N1701 J17O2, 2N1027 КТ104Б 2N1702 КТ8ОЗА 2N1028 КТ 104 А 2N171I КТ63ОЕ, КТ63ОГ 2N1175 МП20Б 2N1714 П701А
ТРАНЗИСТОРЫ 163 П р и л о ж е н и е 3.2 Транзистор Аналог Транзистор Аналог 2NI716 П701А 2N2195 ктбзод 2N1726 П417А 2N2199 ГТЗО5А 2NI727 П417 2N2200 КТ305Б 214 1728 П417А 2N2217 КТ928А ’ 2N1742 ГТЗ 1 ЗБ 2N2218 КТ928Б 2NI743 ГТЗ I ЗА 2N2218A КТ928Б 2N1745 ГТ305Б 2N2219 КТ928Б 2N1746 П417 2N2219A КТ928Б 2N1747 П417 2N222I КТ3117А 2N 1748 ГТЗО5В 2N2221A КТЗ! 17А 2N1752 П417 2N2222 КТ31 17А 2N1754 ГТ305А 2142224 КТ608-Б 2N1785 П417А 2N2236 КТ617А 2N1786 П417 2 N2237 КТ603Б, КТ608Б 2N1787 П417 2N2242 КТ340В 2N1838 КТ617А 2N2243 КТ63ОА 2N1839 КТ617А 214 2243А КТ630А 2141840 КТ617А 2N2270 КТ630Д 2N1854 1Т308Б 2N2273 ГТ305Б 2N I 864 П417 2N2274 КТ2ОЗБ 214 1865 П417Б 2N2275 КТ2ОЗБ 2N1889 КТ630Г 2N2276 КТ203В 2N 1890 КТ630Б 2142277 КТ2ОЗВ 2N 1893 КТ630А 2N2297 КТ63ОГ 2N1924 МП21Г 2N236O ГТ376А 2NI925 МП21Г 2142361 ГТ376А 2NI926 . МП21Д 2142372 КТ201В * 2N1958 КТ608А 2N2373 КТ201В 2N1959 КТ608Б 2142400 ГТ308Б 2N2020 КТ3117А 2N2405 КТ63ОБ 2N2O48 ГТЗО8Б 2N2410 КТ928А 214 2048 А ГТЗО8Б 2N2411 КТ352А 2N2089 П403. П416А 2N2412 КТ352А 2142102 КТ630А 2N2415 ГТ376А 2N21O2A КТ630А 2142416 ГТ376А 2N2137A ГТ701А 2142428 МП41А 2N2I38A ГТ701А 2N2432 КТ201Б 2N2142A ГТ701А 214 2432А КТ201Б 2N2143 ГТ701А 2N2475 КТ316Б 2N2147 ГТ905А 2N2482 ГТ311И 2142148 ГТ905Б 2N2537 КТ928Б 2142192 КТ63ОЕ 2N2538 КТ928Б • 2N2192A КТ63ОЕ 2N2539 КТ3117А 2N2193 КТ630Г 2N2615 КТ325А 2N2I93A КТ630Г 2N2616 КТ325Б 2142194 КТ630Д 2N2617 КТ201А 2N2194A КТ630Д 2N2635 ГТ320В 6*
164 ТРАНЗИСТОРЫ Приложение 3.2 Транзистор Аналог Транзистор Аналог 2N2659 П214А 2N3249 КТ345Б 2N2660 П2+15 2N3250 КТ3132Б 2N2661 П-215 2N3250A КТЗ 1 ЗБ 242665 П214А 2N3267 ГТ376А 2N2666 П214А 2N3279 ГТ328А 2N2667 П215 2N3280 ГТ328А 2N2696 КТ351А 2N3281 ГТ328Б 2N2708 КТ325Б 2N3282 ГТ328В 2N271I КТ315Ж 2N3283 ГТ328А 2N2712 КТ315Б 2N3284 ГТ328Б 2N2784 КТ316Б 2N3286 ГТ328Б 2N28I1 'КТ908Б 2N3299 КТ608Б 2N2813 КТ908А 2N3301 КТ3117А •2N2835 П213 243304 КТЭ37А 2N2836 ГТ703Д 2N3375 КТ904А 2N2868 ктбзод 2N339O КТ373В 2N2890 КТ801А 2N3391 КТ373Б 2N2891 КТ801А 2N3392 КТ373А 2N2894 КТ347Б 2N3393 КТ37ЭА 2N2906 КТЗ 1 ЗА 2N3394 КТ373Г 2N2906A КТ313А 2N3397 КТ315Е 2N2907 КТЗ1 ЗБ 2N3399 ГТ346Б 2N2907A КТЗ 1 ЗБ 2N3440 КТ604Б 2N2947 КТ903А 2N3441 КТ805А 2N2948 КТ903А 2N3442 КТ945А 2N2958 КТ608Б 2N3451 КТ337А 2N2999 ГТ341В 2N3545 КТ343Б 2N3010 КТ316Б 2N3546 КТ363А 2N3O12 КТ347Б 2N3576 КТ347А 2N3015 КТ928А 2N3584 КТ809А 2N3019 КТ630В 2N3585 КТ704А, КТ704Б 2N3O2O ктбзов 2N3600 КТ368А 2N3053 КТ630Д, КТ608Б 2N36O5 КТ375Б 2N3054 КТ8О5Б 2*43606 КТ375Б 2N3054A КТ803А 2N3607 КТ375Б 2N3055 КТ819ГМ 2N36I 1 ГТ701А 2N31O7 КТ630Б 2N3613 ГТ701А 2*43108 КТ63ОГ 2N3702 КТ345Б 2N31O9 КТ630Б 2N3704 КТ3117А, КТ928Б 2N3110 КТ63ОГ 2N3707 КТ3102А 2N31 14 КТ611Г 243709 КТ358А, КТ373А 2N3121 КТ351А 2N3710 КТ358В, КТ373А 2*43127 ГТ328А. ГТ376А 2N371 1 КТ373Б 2N3134 КТ646А 2N37I2 КТ61 1Г 2*43209 КТ347А 2N3716 КТ819ГМ 2N321O КТ616Б 2N3722 КТ608Б 2*43248 KT35I А 2N3724 КТ608Б
ТРАНЗИСТОРЫ 165 Приложение 3.2 Транзистор Аналог Транзистор Аналог 2N3730 . ГТ810А 2N4915 КТ8О8А 2N3732 ГТ905А 2N4922 КТ817Г 2N3733 КТ9О7А 2N4924 КТ611Г 2N3738 КТ809А 2N4925 КТ611Г 2N3739 КТ8О9А 2N4926 КТ604Б 2N3741 КТ816Б 2N4927 КТ604Б 2N3742 КТ604Б 2N4960 КТ928Б 2N3766 КТ8О5Б 2N4976 КТ911А 2N3767 КТ805Б 2N5043 ГТ329Б 2N3883 ГТ320Б 2N5044 ГТ329А 2N3903 КТ375А 2N5050 КТ802А 2N3904 КТ375А, КТ375Б 2N5O51 КТ802А 2N3905 КТ361Г 2N5052 КТ8О2А 2N3906 КТ361Г 2N5056 КТЭ47Б 2N4030 КТ93ЭБ 2N5O67 КТ803А 2N4031 КТ933А 2N5068 КТ803А 2N4034 КТ326Б, КТ347А 2N5069 КТ803А- 2N4036 КТ933А 2N5070 КТ912А 2N4037 КТ933Б 2N5090 КТ606А 2N4077 ' ГТ7О5Д 2N5177 КТ909А 2N4125 КТ361Б 2N5I78 КТ9О9Б 2N4127 КТ922Г 2N5188 КТ6ОЗБ 2N4128 КТ922Д 2N5209 КТ31О2Д 2N4138 КТ2О1Б 2N5210 КТ31О2Е 2N4207 КТ337Б 2N5219 КТ375Б 2N4208 КТ337Б 2N522I KT35IA 2N4222 КПЗО2А 2N5223 КТ375Б 21N423 I П702 2N5226 КТ350А 2N4232 П702 2N5228 КТ357А 2N4233 П702 2N5239 КТ812Б 2N4237 КТ801А 2N5240 КТ812А 2N4238 КТ8О1Б 2N5313 КТ908А 2N4239 КТ801А 2N5315 КТ9О8А 2N4240 КТ704А. КТ704Б 2N5317 КТ9О8А 2N4260 КТ363А 2N5319 КТ908А 2N426I КТ363Б 2N5354 КТ351А 2N4301 КТ9О8А 2N5365 КТ351А 2N4314 КТ933А 2N5366 КТ351Б 2N4429 КТ911Б 2N5427 КТ8О8А 2N4430 КТ913А 2N5429 КТ8О8А 2N4431 КТ913Б 2N5447 КТ345Б 2N4440 КТ9О7Б 2N5481 КТ911А 2N4910 Г17О2А 2N5490 КТ819Б 2N49 I 1 П702 2N5492 КТ819Б 2N4912 П702 2N5494 КТ819В 2N4913 КТ8О8 2N5496 КТ819Г 2N4914 КТ8О8А 2N5641 КТ922Л
166 ТРАНЗИСТОРЫ Приложение 3.2 Транзистор Аналог Транзистор Аналог 2N5642 КТ922Б 2N6385 КТ827Б 2 N5643 КТ922В 2N6469 КТ818БМ 2N5652 КТ372В 2N6470 КТ819БМ 2N5681 КТ630Г 2N6471 КТ819ВМ 2N5682 КТ63ОА 2N6472 КТ819ГМ - 2N5764 КТ913А 40675 КТ912Б 2N5765 КТ913Б 2N5842 КТ355А 2N5851 КТ355А 2N5852 КТ355А 2N5887 IT701A, П216 2N5888 ГТ701А, П216 2N5889 ГТ701А, П216 2N5890 ГТ701А, П216Г •2N5891 ГТ701А, П217 2N5995 КТ920Г 2N5996 КТ920Г 2N6077 КТ812Б 2N6078 КТ812Б 2N6079 КТ812А 2N6080 КТ920Б 2N6O81 КТ92ОГ 2N6093 КТ912Б 2N6099 КТ819В 2N610I КТ819Г 2N6124 КТ-839Ф 2N6125 КТ839С 2N6126 КТ839Н 2N6129 КТ819Б 2N6130 КТ819В 2N6131 КТ819Г 2N6132 КТ818Б 2N6133 КТ818В 2N6134 КТ818Г 2N6135 КТ610А 2N6246 КТ8 1 8ВМ 2N 6247 КТ818ГМ 2N6248 КТ818ГМ 2N6253 КТ819БМ 2N6288 КТ819А 2N6289 KT8I9A 2N6290 КТ819В 2N6291 КТ819В 2N6292 КТ819Г 2N6293 КТ819Г 2N6371 КТ819БМ 2N6383 КТ827В
ТРАНЗИСТОРЫ 167 Приложение 3'3 Габаритные чертежи и цоколевка транзисторов
16« ТРАНЗИС1ОРЫ Приложение 3.3
ТРАНЗИСТОРЫ 169 Приложение 3.3
ТРАНЗИСТОРЫ 70 Приложение 3.3
ТРАНЗИСТОРЫ 171
172 ТРАНЗИСТОРЫ Приложение 3.3
ТРАНЗИСТОРЫ 173 Приложение 3,3 ?-Wh 5-П, 4-JJ. f л«Л». »-мт. 1-CI. 8-П
174 ТРАНЗИСТОРЫ
МИКРОСХЕМЫ 175 РАЗДЕЛ ЧЕТВЕРТЫЙ 4. МИКРОСХЕМЫ Микросхема - это микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования, обработки сигнала и (или) накапливания информации и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов и кристаллов. Под плотностью упаковки понимается отношение числа элементов и компонентов микросхемы, в том числе содержащихся в составе компонентов, к объему микросхемы без учета объема выводов. Микросхемы являются основной элементной базой современной радиоэлектронной аппаратуры - от сложнейших устройств автоматического управления, связи, вычислительной техники, систем контроля, до бытовых приборов (телевизоров, магнитофонов и др.). Внедрение микросхем в различные радиолюбительские устройства позволяет уменьшить габаритные размеры, массу, упростить разработку, повысить качество и надежность аппаратуры, уменьшить потребление мощности от источников питания В зависимости от технологии изготовления микросхемы делятся на: полупроводниковые, пленочные и гибридные Полупроводниковая микросхема - это микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме и на поверхности полупроводника. Пленочная микросхема - это микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в виде пленок. Вариантами технического исполнения пленочных микросхем являются: тонкопленочные - толщина пленки до 1 мкм, все элементы нанесены на подложку с помощью термовакуумного осаждения и катодного распыления; .толстопленочные - толщина пленки более 1 мкм, элементы МС изготовлены преимущественно методом шелкографии с последующим вжиганием. Гибридная микросхема - микросхема, содержащая кроме элементов простые и сложные компоненты .(например, кристаллы микросхемы полупроводниковых микросхем). Одним из видов гибридной микросхемы является многокристальная микросхема. По степени интеграции микросхемы характеризуются числом содержащихся в них элементов и компонентов. Интегральной схемой 1-й степени интеграции является микросхема, содержащая от 1 до 10 элементов и компонентов включительно Микросхемы (2,..6)-й степеней интеграции содержат соответственно И...100, 101...1000, 1001...10000, 10001...100000, 100001 ...1000000 элементов и компонентов. Микросхема, содержащая 500 и более элементов, изготовленных по биполярной технологии, 1000 и более элементов, изготовленных по МДП-технологии, называется большой интегральной схемой (БИС). В зависимости от функционального назначения интегральные микросхемы делятся на цифровые и аналоговые. Цифровая микросхема - это микросхема, преобразующая и обрабатывающая сигналы, изменяющиеся по закону дискретной функции. Частным случаем цифровых микросхем является логическая микросхема, выполняющая операции с двоичным кодом, которые'описываются логической алгеброй. Условное обозначение микросхем состоит из четырех элементов (1533JIA3, 555ТМ8). Первый элемент - цифра, указывающая на конструктивно-технологическое исполнение: 1, 5, 6, 7 - полупроводниковые; 2, 4, 8 - гибридные; 3 - прочие микросхемы.* Второй элемент - две-три цифры, обозначающие порядковый номер разработки данной серии микросхем. Номер серии образуется цифрами первого и второго элементов.
176 МИКРОСХЕМЫ Третий элемент - две буквы, обозначающие функциональную классификацию микросхемы, при этом первая буква обозначает подгруппу, а вторая - вид микросхемы. Четвертый элемент - порядковый номер разработки по функциональному признаку микросхемы. Эч^гг номер может состоять из одной или нескольких цифр. Для микросхем широкого применения в начале условного обозначения указывается буква ”К", например К555ТМ8. В конце условного обозначения микросхемы может быть буквенный индекс (от А до Я), характеризующий отличие микросхемы данного типа по численному значению одного или нескольких параметров, например К140УД8А отличается от К140УД8Б. Микросхемы с шагом выводов корпуса 2,54 мм или 1,27 мм, предназначенные для экспорта, имеют в условном обозначении перед буквой ”К” букву ”Э”. Корпуса микросхем выполняют ряд' функций, основные из которых следующие’ защита микросхемы от климатических и механических воздействий; для соединения ее с внешними электрическими цепями с помощью выводов; экранирование от помех; унификация по габаритным и установочным размерам. Конструкция корпусов во многом определяет надежность микросхем, плотность монтажа аппаратуры и технологичность ее изготовления. По конструктивно-технологическому признаку различают корпуса: металлостеклянные, металле пол и мерные, металлокерамические, керамические, пластмассовые. Каждый вид корпуса характеризуется габаритными и присоединительными размерами, числом выводов и расположением их относительно плоскости основания корпуса. Выводы микросхем могут лежать в плоскости основания корпуса (планарные выводы) или быть перпендикулярными ему (штыревые выводы). Планарные выводы по сечению, как правило, прямоугольные, штыревые - круглые или п рямоугол ьные. В соответствии с ГОСТ 17467-79 приняты пять типов корпусов: Тип 1 - прямоугольный с выводами, перпендикулярными плоскости основания и расположенными в пределах проекции тела корпуса на плоскость основания; Тип 2 - прямоугольный с выводами, перпендикулярными плоскости основания корпуса и выходящими за пределы проекции тела корпуса на плоскость основания (тип ДИП); , Тип 3 - круглый с выводами, перпендикулярными основанию корпуса и расположенными в пределах проекции тела корпуса на плоскость основания; Тип 4 - прямоугольный с выводами, расположенными параллельно плоскости основания и выходящими за пределы проекции его тела на плоскость основания; Тип 5 - прямоугольный плоский ’’безвыводныи корпус”, электрическое соединение микросхемы, размещенной в таком корпусе, осуществляется с помощью металлизированных контактных площадок по периметру корпуса. _ По габаритным и присоединительным размерам сходные по конструкции корпуса подразделяются на типоразмеры. Шаг выводов для корпусов 1-го и 2-го типов - 2,5 мм (для подтипа 22 - 1,25 и 2,5 мм); для корпусов 3-го типа - 360°/^; типа 4 - 1,25 и 0,625 мм; типа 5 - 1,25 мм Выводы могут иметь сечение круглой, квадратной или прямоугольной формы. Условное обозначение корпуса состоит из шифра типоразмера микросхемы, включающего подтип корпуса и двузначное число, обозначающее порядковый номер типоразмера, цифрового Индекса, определяющего действительное число выводов и порядкового регистрационного номера Например, корпус 2106.16-2 - это прямоугольный корпус подтипа 21, порядковый номер типоразмера 06, с 16 выводами, регистрационный номер два Нумерация выводов микросхемы на поверхности корпуса нс наносится. Для определения номера вывода пользуются известным правилом отсчета выводов На корпусе имеется ключ в виде ,вывода специальной формы или маркировочной метки.
МИКРОСХЕМЫ ' t 177 обозначающей вывод с номером один. Отсчет остальных выводов производят от первого вывода против часовой стрелки, если смотреть на микросхему со стороны крышки корпуса. Корпуса микросхем, разработанные до 1980 года и широко применяющиеся* в настоящее время имеют условное обозначение по ГОСТ 17467-72. Пример прежнего обозначения корпуса: 421.48-1. Цифровой индекс 421 - шифр типоразмера корпуса; первая цифра 4 уквзывает на тип корпуса, две другие цифры - 21 указывают на порядковый номер типоразмера. Второй элемент - цифровой индекс 48 - указывает на число выводов. Третий элемент - цифровой индекс 1 - указывает порядковый регистрационный номер разработки корпуса. Для надежной работы аппаратуры, смонтированной с использованием микросхем, необходимо строгое соблюдение требований по установке, монтажу и пайке микросхем. Микросхемы необходимо устанавливать на печатных платах на возможно большем удалении от компонентов аппаратуры, выделяющих большое количество тепла, вне магнитных полей постоянных магнитов, трансформаторов и дросселей. Между корпусом микросхемы и монтажной платой должен быть зазор: для микросхем в корпусах со штырьковыми выводами - 1 мм; с планарными выводами - не менее 0,5 мм; микросхему в круглом корпусе необходимо устанавливать на печатную плату с зазором не менее 3,5 мм. Перед установкой микросхемы на печатную плату необходимо произвести формовку (изгибание) и обрезку выводов микросхемы. Формовку и обжатие выводов следует производить с помощью монтажного инструмента, исключая механические нагрузки на месте крепления выводов к корпусу. Радиус изгиба вывода должен быть не менее двойной толщины (диаметра) вывода, а расстояние от корпуса до центра окружности - не менее 1 мм. Длина выводов после формовки и обрезки при толщине печатной платы 1 мм должна быть 5,4 мм, а при увеличении толщины платы на 0,5; 1 и т.д. длина вывода должна увеличиваться на то же значение. Большинство микросхем не терпят нагревания, поэтому при пайке их выводов используют припои ПОСВ-33, ПОСК-50 и ПОС-61 с пониженной температурой плавления (130... 182°С) с применением спиртоканифольного флюса. Паяльник для монтажа и демонтажа микросхемы должен иметь мощность не более 40 Вт и пониженное напряжение питания (12..36 В). Целесообразно снабдить паяльник набором сменных жал различных размеров и форм. Время касания паяльника к каждому выводу - не более 3 с, минимальное расстояние от тела корпуса микросхемы до границы припоя по длине вывода - 1 мм, а интервал времени между пайками соседних выводов - не менее 3 с. Жало паяльника должно быть заземлено (переходное сопротивление заземления не более 5 Ом). Для того, чтобы уменьшить вероятность перегрева микросхемы, не следует паять подряд выводы, расположенные рядом. Один из рекомендуемых вариантов последовательности пайки четырнадцативыводной микросхемы таков: 10-14-3-9-13-4-8-12-5-1-11-6-2-7. 4.1. Цифровые микросхемы Цифровые микросхемы включают в себя логические и арифметические устройства, триггеры, запоминающие , устройства и микропроцессорные комплекты. В основу классификации цифровых микросхем положены следующие признаки: вид компонентов логической схемы (биполярные, униполярные), способ соединения полупроводниковых приборов в логическую схему и вид связи между логическими схемами. По этим трем признакам логические микросхемы можно классифицировать следующим образом: РТЛ-схемы, входная логика которых осуществляется на резисторных цепях; РЕТЛ-схемы с резисторно-емкостными связями; ДТЛ-схемы, входная логика которых осуществляется на диодах; ТТЛ и ТТЛШ-схемы, входная логика
178 МИКРОСХЕМЫ которых выполняется многоэмиттерным транзистором; ЭСЛ-схемы со связанными эмиттерами; НСТЛМ-схемы с непосредственными связями на МОП-структурах; И^Л- схемы с совмещенными транзисторами (интегрально-инжекционные логические). В настоящее время наиболее широко используются микросхемы серий ТТЛ, ТТЛШ и КМОП типов. Основным преимуществом для ТТЛ и ТТЛШ серий является высокое быстродействие, а для КМОП серий - малая потребляемая мощность. В настоящее время выпускается несколько серий микросхем ТТЛ. Все серин совместимы по входам и выходам: выходное напряжение логического нуля 0,4 В; входное напряжение логического нуля 0,4 В; выходное напряжение логической единицы 2,4 В; входное напряжение логической единицы 2,4 В. При использовании микросхем различных серий в одном устройстве следует учитывать взаимную нагрузочную способность. Все серии содержат кроме элементов со стандартным выходом элементы с повышенной нагрузочной способностью (буферы) .В таблице 4.1 первое число указывает нагрузочную способность для элемента со стандартным выходом, а второе - для буфера Таблица 4.1 Выход микросхем серий Вход микросхем серий К155 К531 К555 КР1531 КР1533 К155 10/30 8/24 40/120 26/80 80/240 К531 12/30 10/24 50/120 30/100 100/240 К555 5/15 4/12 20/60' 13/40 40/120 КР1531 12/40 10/25 50/150 30/100 100/250 КР1533 5/15 4/12 20/60 13/40 40/120 КМОП микросхемы характеризуются малым потреблением мощности в статическом режиме и большей помехоустойчивостью по сравнению с ТТЛ микросхемами. Микросхемы серий К176, К561 и КР1561 имеющие одинаковые названия, выполняют одинаковые функции и совпадают по разводке внешних выводов. При построении схем на микросхемах часто используются не все их входы. Исходя из логики работы схемы, на эти входы следует подать либо логический уровень нуля, либо единицы. Логический уровень нуля как в ТТЛ, так и в КМОП микросхемах подается подключением неиспользуемого входа к корпусу. Логический уровень единицы подается на неиспользуемые входа подключением их к источнику напряжения питания, однако входы ТТЛ-микросхем рекомендуется подключать к источнику через токоограничивающий резистор Для защиты от скачков напряжения, возникающих, например, при включении питания. Логический уровень единицы можно также подать с выхода элемента НЕ, вход которого заземлен. У многовходовых логических элементов неиспользуемые входы можно подключить к используемым. Если вход ТТЛ микросхемы не подключен ни к корпусу, ни к* источнику питания, то микросхема будет работать так, как будто на этот вход подан уровень логической .единицы, но надежность работы будет низка (импульсные помехи, вызванные переключениями соседних входов и выходов, могут привести к непредусмотренному срабатыванию микросхемы), В КМОП- микросхемах нельзя оставлять неподключенным ни одного неиспользованного входа.
МИКРОСХЕМЫ К155 179 4,1.1 Серия К155, КМ 155 Широкое применение для построения устройств автоматики -и вычислительной техники находят цифровые микросхемы серии К155. которые изготовляются по стандартной технологии .биполярных микросхем транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ). Все микросхемы серии К155 имеют напряжение питания +5 В i 5%. Интегральные микросхемы выпускаются в пластмассовых корпусах -четырех типов, отличающихся количеством выводов (8,14,16,24) и размерами, и имеют диапазон рабочих температур от -10 до +70°С. Часть микросхем выпускается также в керамических корпусах и имеют обозначение КМ 155. Температурный диапазон микросхем в керамических корпусах от -45 до +85°С. Интегральные микросхемы серии К155 имеют выходной уровень логического нуля не более 0.4 В (типовое значение 0,1...0.2 В), выходной уровень логической единицы не менее 2,4 В (типовое значение 3,2...3,5 В), типовую нагрузочную способность t - 10 входов микросхем той же серии. Средняя, потребляемая одним логическим элементом, мощность - 10 мВт, средняя задержка распространения сигнала - 20 нс. Напряжение питания подводят к. выводу микросхем с максимальным номером, кроме микросхем: К155РУ1. К155ИМ2, К155ТМ5 - у них напряжение питания подводится к выводу 4 и К155ИД1. К155ИЕ2, К155ИЕ4. К155ИЕ5, К155ИМЗ. К155РУЗ. К155ТМ7 - у них напряжение питания подводится к выводу 5. Общий провод подводят к выводу с вдвое меньшим номером, чем напряжение питания, крокСё микросхем: К155РУ1, К155ИЕ2, К155ИЕ4, К155ИЕ5 - у них общий провод подводится к выводу 10; К155ИМ2, К155ТМ5 - у них общий провод подводится к выводу II и К155ИД1, К155ИМЗ, К155РУЗ, KI55TM7 - у них общий провод подводится к выводу 12. Неиспользуемые входы микросхем можно никуда не подключать, т.е, подпаивать к контактной площадке минимальных размеров, к которой (это важно) не подключены проводники. При этом несколько уменьшается быстродействие микросхем. Возможно подключать неиспользуемые входы к используемым входам того же элемента, но это увеличивает нагрузку на микросхему, которая является источником сигнала, что также ведет к снижению быстродействия. Неиспользуемые входы триггеров можно подключать к инверсным выходам тех же триггеров, а входы К - к прямым выходам. Это очень удобно, так как указанные выводы триггеров обычно расположены рядом. Можно подключать неиспользуемые входы к выходу неиспользуемого элемента И-НЕ, входы которого при этом надо соединить с общим проводом. Наконец, можно объединять неиспользуемые входы микросхем и подключать их к источнику питания +5 В через резистор 1 кОм (до 20 входов к одному резистору). Последние два способа не снижают быстродействия микросхем. Недопустимо подключать ко входу микросхемы проводник, который во время работы может оказаться неподключенным к выходу источника сигнала, например при управлении от кнопки или переключателя. Такие проводники обязательно следует подключать к источнику +5 В через резистор 1...10 кОм. На печатных платах с использованием микросхем серии К155 необходимо устанавливать блокировочные конденсаторы между цепью +5 В и общим проводом. Их количество определяется одним-двумя конденсаторами емкостью 0,02...0,15 мкФ на каждые пять микросхем, конденсаторы следует располагать на плате равномерно. Их необходимо также установить рядом со всеми микросхемами £ мощным выходом (К1-55ЛА6, К155ЛА7 и др.) или с потребляемой мощностью более 500 мВт. Основная номенклатура микросхем серии К155, КМ 155 приведена в таблице 4.1.1. В скобках после функционального назначения некоторых микросхем первая цифра обозначает число информационных входов, вторая цифра - число выходов, букаы ОК -
180 МИКРОСХЕМЫ К155 наличие выхода с открытым коллектором, буква. Z - возможность переключения выходов в высокоимпедансное состояние, буквы ОЭ - наличие выхода с открытым эмиттером. Знаком * обозначается зарубежный аналог отличной от SN74 серии микросхем. Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхем серии К155 Максимальное напряжение питания +6 В Максимальное напряжение на входе +5,5 В Максимальное напряжение, приложенное к выходу закрытой микросхемы +5,25 В Минимальное напряжение на входе -0,4 В Максимальная емкостная нагрузка 200 пФ. Обозначение электрических параметров Pjiuix" значенис мощности, потребляемой микросхемой в предельном режиме потребления; 1ЗХр~ интервал времени, равный полусумме времени задержки распространения сигнала при включении и выключении цифровой микросхемы. Условное графическое обозначение функциональных схем серии К155 приведено на рис. 4.1. Таблица 4.1.1. К155 KMI55 Функциональное назначение Число ВЫВО- ДОВ Р max, мВт *з.ср, нс Аналог серии SN74 АГ1 Одновибратор с логическим элементом 14 200 75 121 на входе АГЗ Два одновибратора 16 330 40 123 АП1 Формирователь разрядной записи, . усилитель воспроизведения и устрой- ство установки нуля 14 175 55 ИВ1 Приоритетный шифратор (8->3) 16 300 20 148 ИД1 Высоковольтный дешифратор управле- ния газоразрядными индикаторами 16 132 141 идз Дешифратор (4-М 6) 24 280 31 154 ИД4 Два дешифратора (2-*4) 16 210 27 155 ИД8 Дешифратор для управления непол- ной матрицей 7x5 на дискретных светодиодах (ОК) 24 325 - - ИД9 Дешифратор для управления неполной матрицей 7x4 на дискретных свето- диодах (ОК) 24 325 - - идю Дешифратор (4-+10; ОК) 16 350 50 145 иди Дешифратор (3-*8) для управления шкалой с заполнением (ОЭ) 16 850 - - ИД12 Дешифратор (3-^8) для управления шкалой со сдвигом одной точки (ОЭ) 16 300 - X ИД13 Дешифратор (3—>8) для управления шкалой со сдвигом двух точек (ОЭ) 16 350 - - иди Дешифратор для управления линейной шкалой с общими анодами 16 • 250 130 - ИЕ1 Декадный счетчик с фазоимпульсным -представлением информации 14 150 10 -
МИКРОСХЕМЫ К155 181 Продолжение табл. 4.1 1. К155 КМ155 Функциональное назначение Число выво- дов Р max, мВт *з.ср, нс Аналог серии SN74 ИЕ2 Четырехразрядный асинхронный двоично-десятичный счетчик 14 265 100 90 ИЕ4 Четырехразрядный асинхронный счетчик-делитель на 12 14 255 100 92 ИЕ5 Четырехразрядный асинхронный двоичный счетчик 14 265 135 93 ИЕ6 Четырехразрядный реверсивный двоич- но-десятичный счетчик с предуста- новкой 16 510 24 192 ИЕ7 Четырехразрядный реверсивный двоич- ный счетчик с предустановкой 16 510 24 193 ИЕ8 Делитель частоты с переменным коэф- фициентом деления 16 600 30 97 ИЕ9 Четырехразрядный синхронный двоич- но-десятичный счетчик с предуста- новкой 16 505 35 160 ИЕ14 Асинхронный двоично-десятичный счетчик с предустановкой 14 295 39 196 ИМ1 Одноразрядный двоичный полный сумматор 14 175 51 80 ИМ2 Двухразрядный двоичный полный сумматор 14 290 34 82 имз Четырехразрядный двоичный полный сумматор 16 640 43 83 ИП2 Восьмиразрядное устройство контро- ля четности и нечетности 14 294 53 180 ИПЗ АЛУ для обработки двух четырех- разрядных слов 24 580 56 181 ИП4 Устройство ускоренного переноса для АЛУ 16 378 20 182 ИР1 Четырехразрядный универсальный сдвиговый регистр 14 410 35 95 ИР13 Восьмиразрядный универсальный, синхронный реверсивный сдвиговый регистр 24 580 28 198 ИР 15 Четырехразрядный регистр хранения (Z) 16 360 37 173 ИР17 Двенадцатиразрядный регистр после- довательного приближения для АЦП 24 620 33 DM2504* АТ2504* КП1 Селектор-мультиплексор (16-М) со стробированием 24 360 26 150 КП2 Два селектора-мультиплексора (4-М) со стробированием и общими адрес- ными входами 16 315 27 153 КП5 Селектор-мультиплексор (8—>1) с инверсией 14 230 17 152
182 МИКРОСХЕМЫ К155 Продолжение табл. 4.1.1. К155 Функциональное Число Р max, Ч.ср, Аналог КМ 155 назначение выво- серии ДОВ мВт нс SN74 КП7 Селектор-мультиплексор (8 —>1> с 16 260 17 151 прямым и инверсным выходами, со стробирован ие м ЛД1 Два элемента 4И-НЕ 14 78 19 20 ЛА2 Элемент 8И-НЕ 14 21 19 30 ЛАЗ Четыре элемента 2И-НЕ 14 78 19 00 ЛА4 Три элемента ЗИ-НЕ 14 57 19 10 ЛА6 Два буферных элемента 4И-НЕ 14 92 19 40 ЛА7 Два элемента'4И-НЕ (ОК) 14 79 22 22 ЛА8 Четыре элемента 2И-НЕ (ОК) 14 79 22 01 ЛАЮ Три элемента ЗИ-НЕ (ОК) 14 82,5 30 12 ЛАП Четыре высоковольтных элемента 2И-НЕ (ОК) 14 1 10 21 26 ЛА12 Четыре буферных элемента 2И-НЕ 14 270 19 37 ЛА13 Четыре буферных элемента 2И-НЕ (ОК) 14 270 19 38 ЛА18 Два элемента 2И-НЕ с мощным выходом (ОК) 8 355 21 75452* ЛД1 Два четырехвходовых логических расши- рителя по ИЛИ 14 20 5 60 лдз Восьмивходовой логический расширитель по ИЛИ 14 20 5 - ЛЕ1 Четыре элемента 2ИЛИ-НЕ 14 135 19 02 ЛЕ2 Два элемента 4ИЛИ-НЕ со стробированием на одном элементе и возможностью расши- рения по ИЛИ на другом 16 95 19 23 ЛЕЗ Два элемента 4ИЛИ-НЕ со стробированием 14 95 19 25 ЛЕ4 Три элемента ЗИЛИ-НЕ 14 130 19 27 ЛЕЗ Четыре буферных элемента 2ИЛИ-НЕ 14 285 19 28 ЛЕ6 Четыре элемента 2ИЛИ-НЕ (магистральный усилитель) 14 285 19 "128 ЛИ1 Четыре элемента 2И 14 165 23 08 ЛИЗ Два элемента 2И с мощным выходом (ОК) 8 325 21 75451* ЛЛ1 Четыре элемента 2ИЛИ ' 14 190 19 32 ЛЛ2 Два элемента 2ИЛИ с мощным выходом (ОК) 8 340 21 75453* ЛН1 Шесть элементов НЕ 14 165 19 04 ЛН2 Шесть элементов НЕ (ОК) 14' 165 35 05 ЛНЗ Шесть высоковольтных буферных элемен- тов НЕ 14 155 12,5 06 ЛН5 Шесть буферных элементов НЕ (ОК) 14 155 12,5 16 ЛН6 Шесть элементов НЕ (Z) 16 385 27 366 ЛП4 Шесть буферных повторителей (ОК) 14 126’ 13 17 ЛП5 Четыре двухвхчЮВЫХ элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ 14 262 26 86 ЛП7 Два элемента 2И-НЕ с общим входом и два мощных транзистора 14 55 21 75450*
МИКРОСХЕМЫ К155 183 Продолжение табл. 4.1.1. К155 "KM1S5 Функциональное назначение Число выво- дов р шах, мВт f3.cp, нс Аналог серии SN74 ЛП8 Четыре буферных повторителя (Z) 14 270 10 125 ЛП9 Шесть буферных повторителей (ОК) 14 150 13 07 ЛП10 Шесть повторителей (Z) 16 425 27 365 лип Шесть повторителей с раздельным уп- равлением по входу (Z) 16 425 27 367 ЛР1 Два элемента 2И-2ИЛИ-НЕ, один рас- ширяемый по ИЛИ 14 58 19 50 ЛРЗ Элемент 2-2-2-ЗИ-4ИЛИ-НЕ с рас- ширением по ИЛИ 14 47 . 19 53 ЛР4 Элемент 4-4И-2ИЛИ-НЕ с рас- ширением по ИЛИ 14 58 19 55 ПП5 Преобразователь двои чно-десяти чного кода в сигналы семиэлементного кода полупроводникового индикатора с общим анодом 14 235 150 49 ПР6 П реобразовател ь дво ично-десятичного кода в двоичный 16 520 40 184 ПР7 Преобразователь двоичного кода в двоично-десятичный 16 520 35 185 РЕЗ ПЗУ иа 256 бит (32x8) с устройствами управления 16 550 50 N 8223)5* РЕ21 ПЗУ на 1024 бит, преобразователь дво- ичного кода в код знаков русского алфавита 16 650 60 187 . РЕ22 ПЗУ иа 1024 бит, преобразователь дво- ичного кода в код знаков латинского алфавита 16 650 60 187 РЕ23 ПЗУ на 1024 бит, преобразователь дво- ичного кода в код арифметических знаков и цифр 16 S 650 60 187 РЕ24 ПЗУ на 1024 бит, преобразователь дво- ичного кода в код знаков, отсутствующих в РЕ21-РЕ23 16 650 60 187 РШ (ИР32) Шестнадцати разрядное регистровое ЗУ (4x4; ОК) 16 525 23 170 РИЗ Ш естнадцатиразряд ное регистровое ЗУ (8x2; Z) 24 850 45 172 РУ1 ОЗУ на 16 бит (16x1) с устройствами управления 14 * 60 81 РУ 2 ОЗУ на 64 бита (16x4) с произволь- ной выборкой 16 525 60 89 РУЗ ОЗУ на 16 бит (16x1) с двумя до- полнительным и входами усилителей записи 16 455 60 84 ! РУ5 ОЗУ на 256 бит (256x1) с устройствами управления (ОК) 16 700 60 F93410C*
184 МИКРОСХЕМЫ К155 Окончание табл. 4.1.1. К155 КМ 155 функциональное 1 назначение Число выво- дов р max, мВт t з.ср, нс Аналог серии SN74 РУ 7 ОЗУ на 1024 бнт (1024xl;Z) 16 850 45 F93425* • ТВ1 Универсальный Л£-триггер с логикой ЗИ на входе 14 105 ,40 72 ТВ15 Два универсальных JK-триггера , 16 150 40 109 ТЛ1 Два триггера Шмитта с элементом 4И-НЕ на входе 14 160 25 13 ТЛ2 Шесть триггеров Шмитта с инверто- рами на входе 14 300 15 14 тлз Четыре триггера Шмитта с элемен- том 2И-НЕ на входе 14 200 15 132 ТМ2 Два D-триггера 14 158 55 74 ТМ5 Четыре D-триггера с попарно объеди- ненными тактовыми входами . 14 265 20 77 ТМ7 Четыре D-триггера с попарно объеди- ненными тактовыми входами и прямыми и инверсными выходами 16 265 26 -75 ТМ8 Счетверенный D-триггер с прямыми и инверсными выходами 16 225 30 175 ХЛ1 Многофункциональный элемент для ЭВМ 14 500 35 -
МИКРОСХЕМЫ КР531 185 4.1.2. Серия КР531 При необходимости увеличения быстродействия, рекомендуется использовать мик- росхемы серии КР531. Стандартные статические параметры микросхем серии КР531 имеют следующие значения: максимальный уровень логического нуля на выходе при втекающем токе 20 мА равен 0,5 В, минимальный уровень логической единицы при вытекающем токе 1 мА на выходе 2,7 В, входной ток при уровне логического нуля на входе - не более 2 мА, а при уровне логической единицы на входе - не более 50 мкА, что обеспечивает нагрузочную способность 10 входов микросхем той же серии. Средняя потребляемая одним логическим элементом мощность - 19 мВт, средняя задержка распространения сигнала - 5 ис. Микросхемы серии К.Р531 выпускаются в пластмассовом корпусе, о чем сообщает буква ”Р” в обозначении. Ранее микросхемы серии КР531 не имели в обозначении бук- вы ”Р”, но в конце его ставилась буква ”П”, например, К531ЛАЗГТ. Температурный интервал работоспособности микросхем серии КР531 - от -10до + 70°С. Напряжение питания микросхем серии КР531, равное +5 В ^*5%, подводят к вы- воду с максимальным номером, общий провод - к выводу с номером, вдвое меньшим. Микросхемы этой серии требуют особого внимания к разводке цепей питания и общего провода. При изготовлении промышленных устройств на микросхемах этой серии обычно используют многослойные печатные платы, один из слоев которой служит об- щим проводом, другой - проводом питания. Если же применяют двусторонние платы, то проводник питания и общий провод выполняют навесными в виде латунных полос Шириной около 5 мм. Керамические блокировочные конденсаторы емкостью 0,047 - 0,15 мкФ подпаивают непосредственно к этим полосам (один конденсатор на одну - две микросхемы). В радиолюбительских конструкциях одну сторону двусторонней печатной платы можно использовать для общего провода, а другую - для сигнальных цепей и провода питания. Основная номенклатура микросхем серии КР531 приведена в таблице. Большинст- во их после номера серии имеют цифро-буквенные сочетания, совпадающие с обозна- чением микросхем серий К155, К555, КР1531 или КР1533. Как правило, совпадает н логика их работы. В таблице после функционального назначения в скобках буквы ”ОК” обозначают наличие у микросхемы выхода с открытым коллектором, буква ”Z” свиде- тельствует о возможности перевода в высокоимпедансное (Z) состояние, первая цифра указывает число информационных входов, вторая цифра - число выходов. Знаком * обо- значается зарубежный аналог отличной от SN74S серии микросхем. Основные правила использования микросхем серии КР531 те же, что и микросхем серии К155. Входы микросхем этой серии нельзя оставлять свободными - их нужно подключать к проводнику напряжения питания через резистор сопротивлением 1 кОм (До 20 входов к одному резистору) или непосредственно к общему проводу, в зависи- мости от логики работы микросхемы. Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхем серии КР531 Максимальное напряжение питания +6 В Максимальное напряжение на входе +5 В Максимальное напряжение, приложенное к выходу закрытой схемы +5,25 В Минимальное напряжение на входе -0,4 В Максимальная емкестная-нагрузка 200 пФ
186 МИКРОСХЕМЫ КР531 Обозначение электрических параметров Ртах ” значение мощности, потребляемой микросхемой в предельном режиме потребления Чср ~ интервал времени, равный полусумме времени задержки распростране- ния сигнала при включении и выключении цифровой микросхемы . Условное графическое обозначение функциональных схем серии КР531 приве- дено на рис. 4.1 Таблица 4.1.2. КР531 Функциональное назначение Число выво- дов р max, мВт Ч.ср, нс Аналог серии SN74S АП2 Двунаправленный усилитель-формирова- тель 16 675 40 - АПЗ Два четырехканальных формирователя с инверсией (Z) 20 725 7 240 АП4 Два четырехканальных формирователя (Z) 20 850 9 241 ВГ1 Четырехразрядный элемент микроуправ- ления 20 - 482 ГГ1 Два генератора, управляемых нвпряже- нием 16 750 - 124 ИД7 Двоичный дешифратор (декодер) (3-»8) 16 370 11 138 ИД14 Два дешифратора-демультиплексора (2-»4) 16 450 14 139 ИЕ9 Четырехразрядный синхронный десятичный счетчик 16 635 15 160 ИЕ10 Четырехразряднын синхронный двоичный счетчик 16 635 19 161 ИЕ11 Двоично-десятичный счетчик 16 800 20 162 ИЕ14 Двоично-десятичный счетчик с пред- установкой > 14 600 37 196 ИЕ15 Двоичный счетчнк с предустановкой 14 600 37 197 ИЕ16 /Четырехразрядный двоично-десятичный р?аерсивный счетчик 16 800 1-2 168 ИЕ17 Четырехразрядный двоичный реверсивный счетчик 16 800 12 169 ИЕ18 Двоичный счетчик с синхронными пред- установкой и сбросом 16 800 20 163 ИК1 Схема быстрого умножения 2x4 разряда 24 935 34 AM25S05* ИК2 ИПЗ Четырехразрядное АЛУ АЛУ для записи двух четырехразрядных 24 800 34 381 слов 24 1100 16,5 181 ИП4 Четырехразрядная схема ускоренного переноса 16 750 10 182 ИП5 Девяти разрядная схема контроля четности 14 525 20 280 ИП10 Девяти разрядная схема контроля четности 16 - AM93S48 ИР11 Четырехразрядный универсальный сдвиго- вый регистр 16 575 17 194 ИР12 Четырехразрядный паралллельный сдвиго- вый регистр 16 545 17 195
МИКРОСХЕМЫ КР531 187 Продолжение табл. 4.12. КР531 Функциональное назначение Число выво- дов Р max, мВт 1з,ср, нс Аналог серии SN74S ИР18 Шестиразрядный регистр хранения 16 720 14,5 AM25S07’ ИР19 Четырехразрядный регистр хранения 16 480 14,5 AM25S08/ ИР20 Четырехразрядный двухвходовый регистр 16 600 14,5 AM25S09* ИР21 Четырехразрядный сдвиговый регистр (Z) 16 425 18,5 AM25S10* ИР22 Восьмиразрядный регистр хранения (Z) 20 700 19 3.73 ИР23 Восьмиразрядный регистр хранения (Z) 20 ' 700 19 374 ИР24 Восьмиразрядный реверсивный регистр (Z) 20 1125 20 299 ИР25 Четырехразрядный паралллельный регистр 16 - - 3.95 сдвига КП2 Два мультиплексора (4~»1) 16 300 32 153 КП7 Мультиплексор (8+1) 16 350 18 . 151 КПП Четырехразрядный селектор (2-*1 ;Z) 16 450 16 257 КП12 Двухразрядный четырехканальный комму- татор (Z) » 16 350 18 253 КПП Четырехразряд^ый селектор (2*1;Z) с инверсией 16 400 16 258 КП15 Мультиплексор (8-*l;Z) 16 425 19 251 КШ6 Четырехразрядный селектор-мультиплек- сор (2*1) 16 420 16 157 КП 18 Четырехразрядный селектор-мультиплек- сор (2-»1) с инверсией 16 400 16 158 ЛА1 Два элемента 4И-НЕ 14 40 5 20 ЛА2 Элемент 8И-НЕ 14 50 6,5 30 Лаз Четыре элемента 2И-НЕ 14 180 5 00 ЛА4 Три элемента ЗИ-НЕ 14 . 135 5 10 Ла7 Два элемента 4И-НЕ (ОК) 14 60 7,5 22 Ла9 Четыре элемента 2И-НЕ (ОК) 14 125 7,5 03 Л£12 Четыре буферных элемента 2И-НЕ 14 290 6,5 37 Ла 13 Четыре буферных элемента 2И-НЕ (ОК) 14 290 10 38 Ла 16 Два элемента 4И-НЕ с мощным выходом 14 155 6,5 140 ЛА17 Два элемента 4И-НЕ (Z) • 14 185 10 - ЛА19 Элемент 12И-НЕ (Z) 16 74 7 134 ЛЕ1 Четыре элемента 2ИЛИ-НЕ 14 190 5,5 02 ЛЕ7 Два элемента 5ИЛИ-НЕ 14 185 6 260 ЛИ1 Четыре элемента 2И 14 220 7,5 08 ЛИЗ Три элемента ЗИ 14 170 8 1 1 ЛЛ1 Четыре элемента 2ИЛИ 14 250 7 32 ЛН1 Шесть элементов НЕ 14 195 5 04 ЛН2 Шесть элементов НЕ (ОК) 14 185 7,5 05 ЛП5 Четыре двухвходовых элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ 14 190 10 86 ЛР9 Элемент 2И+2И+ЗИ+4И+ИЛИ-НЕ 14 80 5,5 64 ЛР10 Элемент 2И+2И+ЗИ+4И+ИЛИ-НЕ (ОК) 14 80 8 65 ЛР11 Два элемента 2И+2И-ИЛИ-НЕ 14 1 10 5 5 51 РУ8 ОЗУ 16x4 16 577 35 189
188 МИКРОСХЕМЫ КР531 Окончание табл. 4.1.2. КР531 Функциональное назначение Число выво- дов Р max, мВт 'з.ср, нс Аналог серии 'SN74S РУ9 ОЗУ 16x4 16 551 35 289 РУ 10 ОЗУ 16x4 24 630 40 225 РУП ОЗУ 16x4 18 550 40 DM85S68 СП! Четырехразрядная схема сравнения чисел 16 575 17,5 85 ТВ9 Два JK-триггера с установкой выходов в 1 и 0 16 250 7 112 ТВ 10 Два JK-триггера с установкой 1 14 250 7 1 13 ТВ11 Два JK-Тригтера с установкой 1, общей установкой 0 и синхронизацией 14 250 7 1 14 тлз Четыре триггера Шмитта 2И-НЕ 14 340 12 132 ТМ2 Два D-триггера 14 250 7 74 ТМ8 Четырехразрядный регистр хранения 16 480 15 175 ТМ9 Шестиразрядный регистр хранения 16 720 15 174 ХЛ1 Многофункциональный элемент для ЭВМ 16 900 20 -
МИКРОСХЕМЫ К555 189 4.1.3. Серия К555 На смену микросхемам серии К155 промышленность сейчас выпускает микросхе- мы серии К555, отличающиеся существенно меньшей потребляемой мощностью, кото- рые изготавляются по стандартной технологии ТТЛШ. Все микросхемы серии К555 имеют напряжение питания +5 В +5%. Микросхемы выпускаются в пластмассовых корпусах и имеют диапазон рабочих температур от -10 до +70°С. Часть микросхем выпускается также в керамических корпусах и имеют обо- значение КМ555. Температурный диапазон микросхем в керамических корпусах от -45 до +85°С. Микросхемы серии К555 имеют уровень логического нуля не более 0,4 В, выходной уровень логической единицы не менее 2,6 В, типовую нагрузочную способность - 20 входов микросхем той же серии. Средняя, потребляемая одним логическим элементом, мощность - 2 мВт, средняя задержка распространения сигнала -20 нс. Напряжение питания подводят к выводу микросхемы с максимальным номером, кроме микросхем: К555ИЕ2, К555ИЕ5, К555ТМ7 - у них напряжение питания подводится к выводу 5. Общий провод подводят к выводу микросхем с вдвое меньшим номером, чем на- пряжение питания, кроме микросхем: К555ИЕ2, К555ИЕ5 - у них общий провод под- водится к выводу 10; К555ТМ7 - у нее общий провод подводится к выводу 12. Основные правила использования микросхем серии К555 - такие же, что и серии К155, Следует, однако, иметь в виду, что они менее помехоустойчивы, а потому кри- тичны к взаимному расположению сигнальных цепей. Более существенно влияет на их работу и индуктивность цепей питания, поэтому последние обязательно должны быть зашунтированы керамическими конденсаторами емкостью 0,02...0,15 мкФ на каждые 3...5 .микросхем и расположены на плате равномерно. Входы микросхем нельзя остав- лять свободными. Их следует соединить с используемыми входами того же элемента или подать на них уровень логической единицы, подключив через резистор сопротив- лением 1 кОм к источнику напряжения +5 В или к выходу инвертирующего логического элемента, входы которого соединены с общим проводом. Неиспользуемые входы эле- ментов ИЛИ и ИЛИ-HE также соединяют с общим проводом. При соблюдении указанных правил микросхемы серий К555 и К155 взаимозаме- няемы. Однако при их совместном применении следует помнить, что нагрузочная способность микросхемы серии К555 на входы элементов серии К155 равна 5. Основная номенклатура микросхем серий К555, КМ555 приведена в таблице. В скобках после функционального назначения некоторых микросхем первая цифра обо- значает число информационных входов, вторая цифра - число выходов, буквы '"ОК” - наличие выхода с открытым коллектором, буква ”Z" - возможность переключения вы- ходов в высоко импедансное состояние. Знаком * обозначается зарубежный аналог от- личной от SN74LS серии микросхем. Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхем серии К555 Максимальное напряжение питания +5,25 В Максимальное напряжение на входе +4,5 В Максимальное напряжение, приложенное к выходу закрытой схемы +5,25 В Минимальное напряжение на входе -0,4 В Максимальная емкостная нагрузка 150 пФ
190 МИКРОСХЕМЫ К555 Обозначение электрических параметров р max *з.ср У слов рис. 4.1. - значение мощности, потребляемой микросхемой в предельном режиме потребления - интервал времени, равный полусумме времени задержки распространения сигнала при включении и выключении цифровой микросхемы. юе графическое обозначение функциональных схем серии К555 приведено на Т а б Л и и, а 4.1.3 К555 КМ555 Функциональное назначение Число выво- дов р max, мВт 'зхр, НС Аналог серии SN74LS АГЗ Сдвоенный одновибратор с повторным запуском 16 1 10 41 123 АГ4 Сдвоенный мультивибратор с триггером Шмитта 16 - - 221 АПЗ Два четырехканальных формирователя с. инверсными выходами (Z) 20 220 18 240 АП4 Два четырехканальных формирователя с прямым и инверсным управлением (Z) 20 230 18 241 АЛ5 Два четырехканальных формирователя с инверсным управлением (Z) 20 230 18 244 АП6 Восьмиканальный двунаправленный фор- мирователь (Z) 20 450 23 245 ВЖ1 Шестнадцатиразрядная схема контроля по коду "Хэмминга" 28 - . - 630 ИВ1 Приоритетный шифратор (8->3) 16 102 48 148 ивз Приоритетный шифратор (9-»4) 16 100 33 147 идз Дешифратор-демультиплексор (4~> 16) 24 56 31 154 ИД4 Два дешифратора (2-44) 16 50 29 155 ИД5 Два дешифратора (2->4; ОК) 16 50 29 156 ИД6 Двоично-десятичный дешифратор (4410) 16 65 30 42 ИД7 Двоичный дешифратор на восемь на- правлений 16 50 34 138 ИД 10 Дешифратор (4410; ОК) 16 65 50 145 ИД18 Дешифратор двоично-десятичного кода в код семисегментного индикатора 16 65 100 247 ИЕ2 Четырехразрядйый асинхронный двоично- десятичный счетчик 14 75- 49 90 ИЕ5 Четырехразряднын асинхронный двоичный счетчнк 14 75 70 93 ИЕ6 Четырехразрядный реверсивный двоично- десятичнын счетчик с предустановкой 16 170 43,5 192 ИЕ7 Четь)рехразрядный реверсивный двоичный счетчик б предустановкой 16 170 43,5 193 ИЕ9 Десятичный синхронный счетчик 16 176 31 160 ИЕ10 Четырехразрядный двоичный счетчик 16 176 35 161 ИЕ13 Паралллельнын реверсивный двоичный счетчнк 16 175 42 191
МИКРОСХЕМЫ К555 191 Продолжение табл. 4.1.3. К555 КМ555 Функци опальное назначение Число выво- дов р max, мВт ‘з.ср; НС Аналог серии SN74LS ИЕ14 Асинхронный двоично-десятичный счет- чик с предустановкой 14 150 4г 196 ИЕ15 Асинхронный двоичный счетчик с пре- дустановкой 14 150 45 197 ИЕ18 Четырехразрядный двоичный синхронный счетчик 16 160 35 163 ИЕ19 Два четырехразрядных двоичных счетчика 14 130 60 393 имв Двоичный полный сумматор с ускоренным переносом 14 85 23 183 ИМ6 Четырехразрядный двоичный полный сум- матор с ускоренным переносом 16 190 24 283 ИМ7 Четырехразрядный сумматор-вычитатель 24 375 30 385 И ИЗ АЛУ для записи двух четырехразрядных слов 24 120 56 181 И114 Схема ускоренного переноса для АЛУ 16 80 22 182 ИП5 Девятиразрядная схема контроля четности 14 ‘ 135 50 280 ИП6 Четырехшинный приемопередатчик с инверсными выходами 14 130 16 242 ИП7 Четырехшйнный приемепередатчик 14 130 18 243 ИП8 Параллельный двоичный умножитель 2x4 разряда 16 200 40 261 И119 Восьмиразрядный последовательно-парал- лельный двоичный перемножитель 16 200 32,5 384 ИР8 Восьмиразрядный последовательный сдви- гающий регистр 14 135 34 164 ИР9 Восьмиразрядный параллельный сдви- говым регистр 16 180 40 165 ИР1(Р Восьмиразрядный параллельный сдви- говый регистр 16 190 35 166 ИР11А Четырехразрядный реверсивный регистр сдвига 16 115 31 194 ИР15 Четырехразрядный регистр хранения (Z) 16 100 30 173 ИР16 Четырехразрядный универсальный регистр сдвига 14 115 65 295 ИР22 Восьмиразрядный регистр хранения (Z) 20 200 42,5 373 ИР23 Восьмиразрядный регистр хранения (Z) 20 235 42,5 374 ИР26 Накопительный регистр 4x4 (Z) 16 250 42,5 670 ИР27 Восьмиразрядный регистр с разрешением записи 20 154 '30 377 ИРЗО Восьмиразрядный регистр хранения с ад- ресацией 16 180 34 259 ИР32 Четыре ^разрядный регистр (ОК) 16 200 42,5 170 ИР35 Восьмиразрядный регистр с установкой нуля 20 150 30 273 КП2 Два мультиплексора <4—>1) со стробиро- ванием 16 50 33,5 153
192 МИКРОСХЕМЫ K55S Продолжение табл. 4.1.3. KSSS KMS5S Функциональное назначение Число выво- дов Р max, мВт *з.ср, нс Аналог серии SN74LS КП7 Мультиплексор (8-М) со стробиро- ванием 16 50 24 151 КПП {Четырехразрядный селектор (2-»1; Z) 16 66 21 257 КП12 Двухразрядный четырехканальный комму- татор (Z) 16 59 31 253 КП13 Четыре мультиплексора (2-М) с памятью 16 116 29,5 298 . КП14 Четыре мультиплексора (2-М) с инвер- сией (Z) 16 60,5 258 КП15 Селектор-мультиплексор (8-Я; Z) 16 60,5 28 251 КП16 Четырехразрядный мультиплексор (2-Я) 16 80 25 157 КШ7 Сдвоенный инверсный селектор-мульти- плексор (4-М; Z) ч 16 65 26 353 ЛА1 Два элемента 4И-НЕ 14 11 20 20 ЛА2 Элемента 8И-НЕ 14 5,5 27,5 30 ЛАЗ Четыре элемента 2И-НЕ 14 22 20 00 ЛА4 Три элемента ЗИ-НЕ 14 13,5 20 10 ЛА6 Два буферных элемента 4И-НЕ •• 14 33 24 40 ЛА7 Два элемента 4И-НЕ (ОХ) 14 12 30 22 ЛА9 Четыре элемента 2И-НЕ (ОК) 14 16,5 30 03 ЛАЮ Три элемента ЗИ-НЕ (ОК) 14 13 30 12 ЛАП Четыре высоковольтных Элемента 2И-НЕ (ОК) 14 22 30 26 ЛА12 Четыре буферных элемента 2И-НЕ 14 38,5 24 37 ЛА13 Четыре буферных элемента 2И-НЕ (ОК) 14 38,5 30 38 ЛЕ1 Четыре элемента 2ИЛИ-НЕ 14 ’ 34 20 02 ЛЕ4 Три элемента ЗИЛИ-НЕ 14 32,5 15 Т1 ЛИ1 Четыре элемента 2И 14 36,5 24 08 ЛИ2 Четыре элемента 2И (ОК) 14 37.4 35 09 ЛИЗ Три элемента ЗИ 14 28 35 11 ЛИ4 Три элемента ЗИ (ОК) 14 25,5 *35 15 ЛИ6 Два элемента 4И 14 18,7 24 21 ЛЛ1 Четыре элемента 2ИЛИ 14 44 22 32 ЛН1 Шесть элементов НЕ 14 25 20 04 ЛН2 Шесть элементов НЕ (ОК) 14 25 30 05 ЛП5 Четыре двухвходовых элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ 14 55 23 86 ЛП8 Четыре буферных повторителя (Z) 14 55 17 125 ЛП12 Четыре элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ 14 50 30 136 ЛРЗ Элемент 2-2-2-ЗИ-4ИЛИ-НЕ с возмож- ностью расширения по ИЛИ 14 10 20 ЛР4 Элемент 4-4-2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ 14 7,1 20 55 ЛР11 Элемент 2-2И-2ИЛИ-НЕ и элемент _ 3-ЗИ-2ИЛИ-НЕ 14 14 20 51 ЛР13 Элемент 2-3-3-2И-4ИЛИ-НЕ 14 • 10 20 54 РЕ4 ПЗУ знакогенератора 16Кх1 24 170 110 6275-1*
МИКРОСХЕМЫ К555 193 Окончание табл. 4.1.3. К555 КМ555 Функциональное назначение Число ВЫВО- ДОВ Р max, мВт *з.ср, нс Аналог серии SN74LS CII1 Четырехразрядная схема сравнения чисел 16 110 33 85 ТВ6 Два JK-триггера со сбросом 14 40 . 25 107 ТВ9 Два JK-триггера с установкой выходов в 1 и 0 16 40 25 112 ТЛ2 Шесть триггеров Шмитта с инверторами на входе 14 80 22 14 ТМ2 Два D-триггера 14 40 32,5 74 ТМ7 Четыре D-триггера с прямыми и инверс- ными выходами 16 60 27,5 75 ТМ8 Счетверенный D-триггер со сбросом 16 90 32,5 175 ТМ9 Шесть D-триггеров со сбросом 16 130 32,5 174 ТР2 Четыре RS-тригтера-защелки 16 35 24 279 1. Зак. 4694
194 МИКРОСХЕМЫ КР1531 4.1.4: "Серия КРГ531 Наибольшим быстродействием среди схем ТТЛ обладают микросхемы серии КР1531 (функциональный аналог SN74F), созданные на основе модернизированного технологического-процесса, позволяющего получать, транзисторы с очень высокой, хо- рошо управляемой скоростью переключения и малыми ^паразитными свойствами. Час- тота переключения у этих схем достигает 5 ГГц. Эти микросхемы не только более быс- тродействующие по сравнению со схемами ТТЛ, но и менее подвержены влиянию ем- кости и имеют стабильное значение задержки распространения при переключении схе- мы, которое изменяется всего на 0,5 нс в широком диапазоне значений емкости нагруз- ки. Стандартные статические параметры микросхем серии КР1531 имеют следующие значения. Максимальный уровень логического нуля на выходе равен 0,8 В, минималь- ный уровень логической единицы 2,0 В, входной ток при уровне логического нуля на входе - не более 0,6 мА, а при уровне логической единицы на входе - не более 20 мкА, что обеспечивает нагрузочную способность 30 входов микросхем той же серии. Средняя потребляемая одним логическим элементом мощность - 4 мВт, средняя задержка рас- пространения сигнала - 3,8 нс. Микросхемы серии КР1531 выпускаются в пластмассовом корпусе, о чем сообщает буква ”Р” в обозначении. Температурный интервал работоспособности микросхем серии КР1531 - от -10 до +70°С. Напряжение питания микросхем серии KP153I, равное +5 В +5%, поДводят к вы- воду с максимальным номером, общий провод - к выводу с иомером, вдвое меньшим. На печатных платах с использованием микросхем серии КР1531 необходимо уста- навливать блокировочные конденсаторы между цепью +5 В и общим проводом. Их ко- личество определяется одним конденсатором емкостью 0,47...0,15 мкФ на каждые три- пять микросхем, конденсаторы следует располагать на плате равномерно. Основная номенклатура микросхем серии КР1531 приведена в таблице. Большинс- тво их после номера серии имеют цифро-буквенные сочетания, совпадающие с обозна- чением микросхем других серий ТТЛ. Как правило, совпадает и логика их работы. Основные правила использования микросхем серии КР1531 те же, что и микро- схем серии КР531. Входы микросхем этой серии нельзя оставлять свободными - их нужно подключать к проводнику напряжения питания через резистор сопротивлением 1 кОм (до 20 входов к одному резистору) или непосредственно к общему проводу, в за- висимости от логики работы микросхемы. ч Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхем серии КР1531 Максимальное напряжение питания „ +5,25 В Максимальное напряжение на входе ' - +4,5 В Максимальное напряжение, приложенное к выходу закрытой схемы +5,25 В Минимальное напряжение на входе -0,5 В Максимальная емкостная нагрузка ' ’ 200 пФ Обозначение электрических параметров f*max - значение мощности, потребляемой микросхемой в предельном режиме потребления f3.cp - интервал времени, равный полусумме времени задержки распростране- ния сигнала при включении и выключении цифровой микросхемы. Условное графическое обозначение функциональных схем серии KPI531 приведе- но на рис. 4.1.
МИКРОСХЕМЫ КР1531 195 Таблица 4. 1.4. КР1531 Функциональное назначение Число ВЫВО- ДОВ Р max, мВт *з.ср, НС Аналог серии SN74F АПЗ Два четырехканальных формирователя с инверсными выходами (Z) 20 450 8 240 АП4 Два четырехканальных формирователя (Z) 20 450 8,5 241 АПЗ Два четырехканальных формирователя с инверсным управлением (Z) ?о 450 7 244 АП6 Восьмиканальный двунаправленный фор- мирователь (Z) 20 600 6 245 ИЕ6 Четырехразрядный реверсивный двоично- десятичный счетчик с предустановкой 16 302 11,5 192 ИЕ7 Четырехразрядиый реверсивный двоичный счетчик с предустановкой 16 302 11,5 193 ИЕ10 Двоичный синхронный счетчик 16 275 11 161 ИМ6 Четырехразрядный двоичный полный сум- матор с ускоренным переносом 16 275 - 283 ИПЗ АЛУ для записи двух четырехразрядных слов 24 350 22,5 181 ИП4 Схема ускоренного переноса для АЛУ 16 200 12,5 182 ИР11 Четырехразрядный универсальный сдвиго- вый регистр 16 230 7 194 ИР22 Восьмиразрядный регистр хранения (Z) 20 275 6 373 ИР23 Восьмиразрядный регистр хранения (Z) 20 430 8,5 374 КП2 Два мультиплексора (4->1) 16 100 9 153 КП7 •Мультиплексор, (8-Я) 16 105 8,5 151 КПП Четырехразрядный селектор (2->1; Z) 16 115 9 257 КПП Двухразрядный четырехканальный комму- татор (Z) \ 16 115 9 253 КП15 Селектор-мультиплексор (8-И; Z) 16 220 9,5 251 КП17 Сдвоенный мультиплексор (4—*1) с инверсией (Z) 16 115 8 353 КП19 Сдвоенный мультиплексор (4-Я) с инвер- сией (Z) 16 100 7,5 352 ЛА1 Два элемента 4И-НЕ 14 13,4 3,9 20 ЛАЗ Четыре элемента 2И-НЕ 14 51 4,3 00 ЛА4 Три элемента ЗИ-НЕ 14 13,5 3,8 10 ЛЕ1 Четыре элемента 2ИЛИ-НЕ 14 17,1 4,2 02 ЛИ1 Четыре элемента 2И 14 16,9 5,3 08 ЛИЗ Три элемента ЗИ 14 17 5,3 11 ЛЛ1 Четыре элемента 2ИЛИ 14 20,3 5,3 32 ЛН1 Шесть элементов НЕ 14. 13,4 3,7 04 ЛП5 Четыре двухвходовых элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ 14 125 6 86 ЛР9 Элемент 2И+2И+ЗИ+4И-ИЛИ-НЕ 14 23,5 5,5 64 ЛР11 Два элемента 2И+2И-ИЛИ-НЕ 3-ЗИ-2ИЛИ-НЕ 14 • 100 5,5 51 7*
196 МИКРОС ХЕМЫ КР1531 Окончание табл. 4.1.4. КР1531 Функциональное назначение Число выво- дов р max, мВт *з.ср, нс Аналог серии SN74F ТВ9 Два Ж-триггера с установкой выходов в 1 и 0 16 95 - 112 ТВ10 Два Ж-тригтера с установкой 1 14 95 - ИЗ ТВ11 Два JK-триггера с установкой 1, общей установкой 0 и синхронизацией 14 95 - 114 ТЛ2 Шесть триггеров Шмитта с инверторами на входе 14 50 5 14 ТМ2 Два D-тригтера 14 85 4 74 ТМ8 Четыре D-триггера со сбросом 16 170 7,5 175 ТМ9 Шесть D-триггеров со сбросом 16 225 9 174
МИКРОСХЕМЫ KPI533 197 4.1.5. Серия КР1533 Дальнейшим развитием микросхем серии К555 можно назвать разработку микро- схем серии КР1533. Основное эксплуатационное отличие микросхем этой серии от се- рии К555 - меньшая (в 1,5 ...2 раза) потребляемая мощность при сохранении и повы- шении быстродействия.- Стандартные статические параметры микросхем серии КР1533 имеют следующие значения: максимальный уровень логического нуля на входе - 0,5 В при втекающем входном токе 8 мА, минимальный уровень логической единицы на выходе 2,5 В при вы- текающем входном токе 0,4 мА, входной ток при уровне логического нуля на входе - не более 0,2 мА, при уровне логической единицы на входе - не более 20 мкА, что обеспе- чивает нагрузочную способность до 40 входов микросхем той же серии. Средняя по- требляемая одним логическим элементом мощность - 1,2 мВт, средняя задержка рас- пространения сигнала - 4 нс. Микросхемы серии КР1533 выпускаются в пластмассовом корпусе, о чем сообщает буква ”Р” в обозначении. Температурный интервал работоспособности микросхем серии КР1533 - от -10 до +70°С. Напряжение питания микросхем серии КР1533, равное +5 В +5%, подводят к вы- воду, имеющему максимальный номер, общий провод - к выводу с вдвое меньшим но- мером, кроме микросхемы КР1533ИР31, у нее наоборот: напряжение питания - к выво- ду 14, общий провод - к выводу 28, Основные правила использования микросхем серии КР1533 в основном те же, что и дЛя серии К555. Неиспользуемые входы микросхем этой серии нельзя оставлять сво- бодными - их нужно подключить к общему проводу или к источнику питания без ре- зисторов. Цепи питания должны быть зашунтированы керамическими конденсаторами емкостью 0,02...0,15 мкФ на каждые 5.. 10 микросхем и расположены на плате равно- мерно. Основная номенклатура микросхем серии КР1533 приведена в таблице. Большинс- тво микросхем после номера серии имеют такие же буквенно-цифровые обозначения, что и микросхемы серии К155 или К555. Логика работы однотипных микросхем этих серий одинакова. В скобках после функционального назначения некоторых микросхем первая цифра обозначает число информационных входов, вторая цифра - число выхо- дов, буквы ”ОК” - наличие выхода с открытым коллектором, буква "Z” - возможность переключения выходов в высоко импедансное состояние. Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхем серии КР1533 Максимальное напряжение питания +5,25 В Максимальное напряжение на входе +4,5 В Максимальное напряжение, приложенное к выходу закрытой схемы +5,25 В Минимальное напряжение на входе -0,4 В Максимальная емкостная нагрузка 50 мкФ Обозначение электрических параметров Р шах t з.ср . - значение мощности, потребляемой микросхемой в предельном режиме потребления - интервал времени, равный полусумме времени задержки распростране- ния сигнала при включении и выключении цифровой микросхемы. Условное графическое обозначение функциональных схем серии КР1533 приведено на рис. 4.1.
198 МИКРОСХЕМЫ КР1533 Таблица 4.1.5. KP1S33 Функциональное назначение Число выво- дов Р max, мВт *з.ср, нс Аналог серии SN74ALS АПЗ Два четырехканальных формирователя с 20 125 9 240 АП4 инверсными выходами (Z) Два четырехканальных формирователя 20 150 И 241 АП5 с прямым и инверсным управлением (Z) Два четырехканальных формирователя с 20 135 10 244 АП6 инверсным управлением (Z) Восьмиканальный двунаправленный фор- 20 290 20 245 ИДЗ мирователь (Z) Дешифратор-демультиплексор 0-416) 24 75 33 154 ИД4 Два дешифратора (2-44) 16 35 28 155 ИД7 Двоичный дешифратор на восемь на- 16 50 19,5 138 ИД17 правлений Дешифратор состояний 28 450 12 ИЕ6 Четырехразрядный реверсивный двоично- 16 110 23 192 ИЕ7 десятичный счетчик с предустановкой Четырехразрядный реверсивный двоичный 16 110 23,5 193 ИЕ9 счетчик с предустановкой Десятичный синхронный счетчик 16 105 27 160 НЕЮ Двоичный синхронный счетчик 16 105 27 161 ИЕН Десятичный синхронный счетчик с синх- 16 105 24,5 162 ИЕ18 ронными предустановкой и сбросом Двоичный счетчик с синхронными пре- 16 105 27 163 ИПЗ дустановкой и сбросом АЛУ для записи двух четырехразрядных 24 ио 80 181 ИП4 слов Схема ускоренного переноса для АЛУ 16 75 35 182 ИП5 Девяти разрядная схема контроля четности 14 100 42,5 280 ИП6 Четырехшинный приемопередатчик с 14 135 11 242 ИП7 инверсными выходами Четырехшинный приемопередатчик 14 160 и 243 ИР22 Восьмиразрядный регистр хранения (Z) 20 135 26,5 373 ИР23 Восьмиразрядный регистр хранения (Z) 20 155 16 374 ИР24 Восьмиразрядный реверсивный сдвигающий 20 200 22 299 ИР31 регистр (Z) Двадцатичетырехразрядный последователь- 28 200 100 - ИРЗЗ ный регистр сдвига Восьмиразрядный регистр.хранения <Z) 20 135 14 573 ИР34 Два четырехразрядный регистра хранения 24 135 16 873 ИР37 (Z) Восьмиразрядный регистр хранения (Z) 20 155 20 - ИР38 Два/четырехразрядных регистра хранения 24 155 13,5 - ИР39 (Z) БИС регистров общего назначения с много- 42 600 25 - КП2 канальным доступом Два мультиплексора (4->1) 16 - 70 29 153 КП7 /Мультиплексор (8->1) 16 60 30,5 1У1 . ,/
МИКРОСХЕМЫ КР1533 199 Окончание табл. 4.1.5. КР1533 Функционал ьное назначение Число выво- дов Р шах, мВт ‘з.ср, нс Аналог серии SN74ALS КИНА Четырехразрядный селектор (2-М; Z) 16 45 26 257 КП12 Двухразрядный четырехканальный комму- татор (Z) 16 70 15,5 253 КП 13 Четыре мультиплексора (2-Я) с памятью 16 50 30 . 298 КП14А Четыре мультиплексора (2->1) с инверсией (Z) 16 37/ 17 258 КП15 Селектор-мультиплексор (8-И, Z) 16 70 19 251 КП16 Четырехразрядный мультиплексор (2-М) 16 75 18 157 КП17 Сдвоенный мультиплексор (4-М) с инвер- сией (Z) 16 60 18,5 353 КШ8 Четыре мультиплексора (2-М) с инвер- сией 16 50 10 158 КП19 Сдвоенный мультиплексор С4-М) с инвер- сией (Z) 16 50 18,5 . 352 ЛА1 Два элемента 4И-НЕ 14 7,5 18,5 20 ЛА2 Элемент 8И-НЕ 14 4,5 18,5 30 ЛАЗ Четыре элемента 2И-НЕ 14 15 12 00 ЛА4 Три элемента ЗИ-НЕ 14 7 10,5 10 ЛА7 Два элемента 4И-НЕ (ОК) х 14 6,5 31,5 22 ЛА8 Четыре элемента 2И-НЕ (ОК) 14 15 41 01 ЛА9 Четыре элемента 2И-НЕ (ОК) > 14 15 38 03 ЛЕ! Четыре элемента 2ИЛИ-НЕ 14 20 10 02 ЛИ! Четыре элемента 2И 14 16 12 08 ЛН1 Шесть элементов НЕ 14 12,3 12 04 ЛН2 Шесть элементов НЕ (ОК) 14 19 34 05 ЛН7 Шесть мощных инверторов (Z) 16 37,5 6,5 ЛН8 Шесть мощных инверторов 14 50 14,5 - лпз Три мажоритарных клапана 16 35 37,5 - ЛП5 Четыре двухвходовых элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ 14 29,5 14,5 86 ЛР4 Элемент 4И+4И-ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ 14 6 27,5 55 ЛР11 Элемент ЗИ+ЗИ-ИЛИ-НЕ и элемент 2И+2И-ИЛИ-НЕ 14 11, 20 51 ЛР13 Элемент ЗИ+2И+ЗИ+2И-ИЛИ-НЕ 14 8 20 54 СП1 Четырехразрядная схема сравнения чисел 16 55 40 85 ТВ15 Два Ж-триггера 16 20 16,5 109 ТМ2 Два D-триггера 14 20 15,5 74 TMS Четырехразрядный регистр хранения 16 70 20 175 ТМ? Шестиразрвдный регистр хранения 16 95 20 174 ТР2 Четыре RS-триггера 16 27.5 22 279 ХЛ! Многофункциональный элемент для ЭВМ 14 55 40 -
200 МИКРОСХЕМЫ ТТЛ Рис. 4.1 КР531АПЗ К555АПЗ КР1531АПЗ КР1533АПЗ КР531АП4 К555АЛ4 ’ КР1531АП4 КР1533АП4 К555АП5 КР1531АП5 КР1533АП5 К555АП6 КР1531АП6 КР1533АП6
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ 201 Рис. 4.1 К155ИДЗ К555ИДЗ КР1533ИДЗ К155ИВ1 КР531ГГ1 47 г а. £&ле а -4 be, а£ 47 74 К155ИД4 К555ИД^ КР1533ИД4 К555ИД6
202 МИКРОСХЕМЫ ТТЛ Рис. 4.1 я., %2 0-4 !Я8 К155ИД9 л/х Ж® @ Й® ® >® ® «н® © В1®®®® К155ИД12 7J /2 Н К155ИД13 с о S f £ I 2 J 4 ‘5 'Г 2 £ ИЮ0< 2' J. I 2 КР531ИД14 г
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ 203 Рис. 4.1 . КР1533ИД17 6 10 9 a 7 13 5 IS и 3 г 17 19 1» -ачсз 00 01 02 03 00 05 05 т 01 50 001 002 СОЗ 02 SYH СОН ос 001 001 002 002 тко СТО! СТ02 сто 2i 20. И 25 27 V U 2Z К555ИД1В ’I? 2 б 8 2 ♦ ЬС Е01 СО а b с tf е f 13 Н О к л К155ИЕ1 ст 2 V л К155ИЕ6 К155ИЕ7 К555ИЕ7 ' КР1531ИЕ7 КР1533ИЕ7 К155ИЕ8 о « Л 1 2 3 СПб а о 1 и. 4 17 И-н I и 15 2 L 2 е_ . з 2 3 h 5 12 10. cm НМ6 с_ у 6 zM- ’ К155ИЕ9 КР531ИЕ9 К555ИЕ9 КР1533ИЕ9 3_ 4 5 2 3 ст а о № и 2 и г ю п Е J и IS КР531ИЕ10 К555ИЕ10 КР1531ИЕ10 КР1533ИЕ10 S 2 3 2_. i1 СПб п е а о к о 2 п 3 п п£
204 МИКРОСХЕМЫ ТТЛ Рис. 4.1 КР531ИЕ11 КР1533ИЕ11 ЯНк Л 2 t z 4г г* г-ч - W — К155ИЕ14 КР531ИЕ14 К555ИЕ14 КР531ИЕ15 К555ИЕ15 КР531ИЕ16 КР531ИЕ18 К555ИЕ18 КР1533ИЕ18 КР531ИЕ17 J. 4 5 / 2 ста 0 0 /С £ J 1 IL л •L 2 !? 2_ >С J Н- 7 Ю п г 4 F4 К555ИЕ19 ста 0 .1 >С О / 4 2 /? J X. /J >с m а 0 11 2? 2 J 9 КР531ИК1 ! КР531ИК2 К155ИМ1 SM C/'U
205 МИКРОСХЕМЫ ТТЛ Рис. 4.1 К555ИМ6 КР1531ИМ6 ЭД fS у 82 SM а SJ ю 2 В! М ВО а с я $0- К155ИПЗ КР531ИПЗ КР531ИП5 К555ИП5 К555ИП8
206 МИКРОСХЕМЫ ТТЛ Рис. 4.1 К555ИП9 К155ИР1 К555ИР8 К555ИР9 Я Л6 t /4 1 1 7 г а. 1 Cl С2 и Z5 • К555ИРК) КР531ИР11 К555ИР11А КР1531ИР11 1 4 I 1 ? J Кб- 0 0 7 Hl п_ >с 2 11 1 2 к J 0 J fZ 9_ 11 1 R КР531ИР12 К155ИР13 • К155ИР15 К555ИР15 К555ИР16
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ 207 Рис. 4.1 К155ИР17 КР531ИР19 КР531ИР23 К555ИР23 КР531ИР21 I 4 Т £ 5 0 2 3 W 1 6 к/ 0 2 3 11 /4 3 // £ т 2 Ж КР531ИР22 К555ИР22 КР1531ИР22 КР1533ИР22 2 У 4 1 00 1 8_ 2 J 0 1 2 5 и 4 2 b S 5 j .4!.. // S 6 7 4 5 5 12 и 16 11 L 7 Л КР1531ИР23 КР1533ИР23 КР531ИР20 20 21 о о ! 2 3 2_ 7 W s 74 И 30 31 КР531 ИР24 КР1533ИР24 я 11 IK 7 0 RS 00 V {i. п к ГВ 0 7 /5 ! Тя1 но 1 2 2 /4 4 7 л •р т 5 б 11 4 А5 2 ot 4L Q1 Т7 КР 531 ИР 25 К555ИР27 К555ИР30
208 МИКРОСХЕМЫ ТТЛ Рис. 4.1 КР1533ИР31 КР1533ИР34 К155ИР32 К555ИР32 КР15ЭЗИРЗЗ и 'R I ЯС U К555ИР35 КР1533ИР37 КР1533ИР38
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ 209 Рис. 4.! К155КП1 К155КП2 КР531КП2 К555КП2 КР1531КП2 КР1533КП2 К155КП5 К155КП7 КР531КП7 К555КП7 КР1531КП7 КР1533КП7 КР531КП12
210 МИКРОСХЕМЫ ТТЛ Рис. 4.1 К555КП13 КР1533КП13 J Z г 01 с 0 а т 10 п мин / 9 20 21 2 а 7 Т J/ J а КР531КП14 К555КП14 КР1533КП14А КР 531 КП 15 К555КП15 КР1531КП15 КР1533КП15 я J № с ilt s КР531КП16 К555КЛ16 КР1533КП16 i 01 XIX 0 r L a il 2 9_ a. n % 7/ 3 12. 7 E К555КП17 КР1531КП17 КР1533КП17 4-х $DZ J-DJ HS lz -7 H5 ts_ ^7 77 КР531КП18 КР1533КП18 КР1531КП19 КР1533КЛ19 6 T 7 7 X w 02 0} MS 2 2. s 10\ TL w DI MS DI DJ JJ Is к 1 f К155ЛА1 КР531 ЛА 1 К555ЛА1 КР1531ЛА1 КР1533ЛА1 К155ЛА2 КР531ЛА2 К555ЛА7 КР1533ЛА2 f г~- 1 К155ЛАЗ КР531ЛАЗ К555ЛАЗ КР1531ЛАЗ КР1533ЛАЗ К155ЛА4 КР531ЛА4 К555ЛА4 КР1531ЛА4 КР1533ЛА4 К155ЛАЙ К555ЛА6
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ 211 Рис.4.1 К155ЛА7 КР531ЛА7 К555ЛА7 КР1533ЛА7 К155ЛА8 НР1533ЛА8 2 £1 1 3 S у 6 в £&. ю в 11 &SL 13 12 КР531ЛА9 К555ЛА9 КР1533ЛА9 К155ЛА10 К555ЛА 10 1 г 12 13 3 •t Sit 6 5 S 10 Sit 8 11 К155ЛА11 К555ЛА11 К155ЛА12 К155ЛА13 КР531 ЛА 12 ' KP53J ЛА 13 К555ЛА12 К555ЛА13 КР531ЛА17 К155ЛА18 КР531ЛА19 К155ЛД1
21? МИКРОСХЕМЫ ТТЛ Рис. 4.1 К155ЛДЗ К155ЛЕ1 КР531ЛЕ1 К555ЛЕ1 К155ЛЕ2 КР1531ЛЕ1 Z 1 s КР1533ЛЕ1 -|i 3 1 t 7 E 6 1 V 75 5 E 9 1 к i 7 s 11 - % $ 1 /3 ~ 12 p 12 — f К155ЛЕЗ К155ЛЕ4 К555ЛЕ4 г » 3 ь 3 S - л и К155ЛЕ5 К155ЛЕ6 J г 1 J- J г 1 11 КР531ЛЕ7 Ы” 1 1 4 s 5 1 t 4 1. 1 z. -K- n t5 8 9 11 12 1 1 to f3 8 9 // 12 1 1 . to t3 s. ir 2 11 £ К155ЛИ1 КР531ЛИ1 К555ЛИ1 КР1531ЛИ1 КР531ЛИЗ
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ 213 Рис. 4.1 К155ЛЛ1 КР531ЛЛ1 К555ЛЛ1 К555ЛИ6 КР1531ЛЛ1 К155ЛН1 КР531ЛН1 К555ЛН1 КР1531ЛН1 КР1533ЛН1 5 1 \ е К155ЛН2 КР531ЛН2 К155ЛН6 КР 1533ЛН7 КР1533ЛН8 2 2 н /!> /С> 4 А & />. КР 1533ЛПЗ
214 МИКРОСХЕМЫ ТТЛ Рис. 4.1 К155ЛЛ5 КР531ЛП5 К555ЛП5 К155ЛП4 КР1531ЛП5 К155ЛП9 К155ЛП7 К155ЛП10 К555ЛП12 8 10 12 13 -1&. 3 6 8 11 К155ЛР1 К155ЛП8 К555ЛЛ8 1 £ $ £ й п К155ЛП11 К155ЛРЗ К555ЛРЗ iff а
МИКРОСХЕМЫ ПЛ 215 Рис 4 1 КР531ЛР9 КР1531ЛР9 К155ЛР4 2 У ff К555ЛР13 КР1533ЛР13 К155ПП5 К155ПР6 К155ЛР7
216 МИКРОСХЕМЫ ТТЛ Рис. 4.1 К155РЕЗ К155РЕ21 № С СО К155РЕ22 KI55PE23 К155РЕ24 К155РЛЗ е ВОЕ Т 9 W о I 2 ЛИ 22 кк ЕВ 21 5 IS № 17 IL' ч DIB о f 7в ВОВ К155РУ2
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ 217 Рис. 4.1 К155РУЗ £ J. 2. / *1 хг Хз Хч о^ч flfix Ч) в_ 2. £ в. *1 Гг Уз Уч Si 14 So 13 10 11_ Ча Ч» 1В 11 Ча К155РУ7 КР531РУ8 КР531РУ9 КР531РУ11 т О 1 S- г'-i Зп- КР531СП1 К555СП1 КР1533СП1 К155ТВ1
218 МИКРОСХЕМЫ ТТЛ Рис. 4.1 К555ТВ6 КР531ТВ9 К555ТВ9 КР1531ТВ9 КР531ТВ10 КР1531ТВ10 4 т 5 1 - 1 J 6 ус к zd -J т 9 и J 8 Е к К155ТВ15 КР1533ТВ15 КР531ТВ11 КР1531ТВ11 К155ТЛ1 К155ТЛ2 К555ТЛ2 КР1531ТЛ2 К155ГЛЗ К155ТМ2 КР531ТМ2 K55STM2 КР1531ТМ2 КР1533ТМ2
МИКРОСХЕМЫ ТТЛ 219 Рис. 4.1 К155ТМ7 К155ТМ8 КР531ТМ8 KP53ITM9 К555ТР2 KPI533TP2 KP53IХЛ1 КР1533ХЛ1
220 МИКРОСХЕМЫ К176 4.1.6. Серия К176 Микросхемы серии К176 изготавливаются по технологии комплементарных транзисторов структуры металл-окисел-полупроводник (КМОП). Основной особенностью микросхем является ничтожное потребление тока в статическом режиме - 0,1..Л00 мкА. При работе на максимальной рабочей частоте 1...5 МГц потребляемая мощность увеличивается и доходит до значения потребляемой мощности наименее мощных ТТЛ-микросхем. Микросхемы выпускаются в пластмассовых корпусах с 14, 16 и 24 выводами. Номинальное напряжение питания микросхем серии К176 +9В+5%, однако они сохраняют работоспособность в диапазоне питающих напряжений 5... 12В. Диапазон рабочих температур микросхем серии К176 - -10,..+70°С. Выходные уровни микросхем при работе на однотипные микросхемы практически не отличаются от напряжения питания и потенциала общего провода. Максимальный выходной ток большинства микросхем не превышает единиц миллиампер, что несколько затрудняет непосредственное согласование микросхем серии К176 с какими- либо индикаторами и микросхемами других серий. При монтажных работах для исключения случайного пробоя за счет статического электричества потенциалы монтируемой платы, паяльника и тел^ монтажника должны быть уравнены. Для этого на ручку паяльника можно намотать несколько витков неизолированного провода или укрепить жестяную пластинку и соединить через резистор 100.,.200 |фм с металлическими частями паяльника. Конечно, обмотка паяльника не должна иметь контакта с его корпусом. При монтаже свободной рукой следует касаться шин питания монтируемой платы. Если микросхема лежит в металлической коробке или ее выводы упакованы в фольгу, прежде чем взять микросхему, следует дотронуться до коробки или фольги. Применение микросхем серии К176 имеет свои особенности. Ни один из входов микросхемы не может быть оставлен неподключенным, даже если логический элемент в микросхеме не использован. Свободные входы элементов должны быть или соединены с используемыми входами того же элемента, или подключены к шине питания или общему проводу в соответствии с логикой работы микросхемы. Напряжение источника питания должно подаваться ранее или одновременно с подачей входных сигналов. Напряжение питания подводят к выводу с наибольшим номером-^общи hi i ровод подключают к выводу с вдвое меньшим номе м, кроме микросхем К176ПУ1, К176ПУ2, КГ76ПУЗ и К1 7БПУ 5, имеющих дополнительное питание +5В, у первых трех микросхем подводят к выводу один, а у К176ПУ5 - к выводу пятнадцать. Номенклатура микросхем серии К176 указана в таблице. В скобках посЛе функционального назначения некоторых микросхем первые цифры обозначают число информационных входов, вторые цифры - число выходов, буква Z - возможность переключения выходов в высокоимпедансное состояние, буквы ОС - обозначают наличие у микросхемы выхода с открытым стоком. Обозначения электрических параметров 1ПОТ значение тока, потребляемое микросхемой в статическом режиме. интервал времени, равный Полусумме времени задержки распространения сигнала при включении и выключении цифровой микросхемы. з.ср. ^хпах " максимальная частота следования импульсов входного напряжения. Условное графическое обозначение функциональных схем серии К176 приведено на рис.4.2.
МИКРОСХЕМЫ К176 221 Т а б л и ц а 4.1.6 К176 / Функциональное назначение Число ВЫВО- ДОВ *пот, мкА ^шах, МГц *з.ср, нс Аналог ИД1 Дешифратор с прямыми выходами (4-»10> 16 ню - 350 CD4028E ИД2 Преобразователь двоично-десятичного кода в код семисегментного индикатора 16 100 - 850 MCI 4543 ИДЗ Преобразователь даоично-десятичного кода в код семисегментного индикатора (ОС) 16 100 - 850 - ИЕ1 Шестиразрядный двоичный счетчик 14 20 1 - CD4024E ИЕ2 Пятиразрядный двоичный и десятич- ный счетчик 16 100 2 - ТА-5971 ИЕЗ Счетчик-делитель на 6 с выходами . на семисегментный индикатор 14 250 1 - ИЕ4 Декада с выходами на семисегмент- ный индикатор 14 250 1 - CD4026E ИЕ5 Кварцевый генератор и делитель частоты на 32768 14 250 1 - CD4033E ИЕ8 Десятичный счетчик с дешифратором 16 100 2 - CD4017F ИЕ12 Кварцевый генератор н делитель частоты на 32768 и 60 16 25 1,2 - - ИЕ13 Счетчик для часов с будильником 16 50 1,2 - - ИЕ17 Счетчик-календарь 16 600 0,03 - - ИЕ18 Кварцевый генератор и делитель частоты на 32768 и 60 16 50 - - - ИМ1 Четырехразредный полный сумматор 16 20 - 600 CD4008E ИР2 Два четырехразрядных сдвигающих регистра 16 100 2 - CD4015E ИРЗ Четырехразрядный сдвигающий регистр 14 100 2 - CD40115Е ИР10 Восемнадцати разрядный сдвигающий регистр 16 100 2 - CD4006E КТ1 Четыре двунаправленных переклю- чателя 14 0,4 - 250 CD4016Е ЛА7 Четыре элемента 2И-НЕ 14 0,3 1 200 CD401 1Е Л АХ Два элемента 4И-НЕ 14 0,3 1 200 CD4012E ЛА9 Три элемента ЗИ-НЕ 14 0,3 1 200 CD4023E ЛЕ5 Четыре элемента 2ИЛИ-НЕ 14 0,3 1 200 CD4001E ЛЕ6 Два элемента 4ИЛИ-НЕ 14 0,3 1 200 CD4OO2E ЛЕЮ Три элемента ЗИЛИ-НЕ 14 0,3 1 200 CD4O25E ЛИ1 Элемент 9И и НЕ 14 0,4 - 250 - ЛП1 Шесть транзисторов 14 0,3 1 200 CD4OO7E ЛП2 Четыре элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ 14 10 - 500 CD4030E ЛП4 Два элемента ЗИЛИ-НЕ и элемент НЕ 14 0,3 1 200 CD4000E ЛП11 Два элемента 4ИЛИ-НЕ и Элемент НЕ 14 0,3 - 200 - ЛП12 Два элемента 4И-НЕ и элемент НЕ 14 0,3 - 200 -
222 МИКРОСХЕМЫ К176 Окончание табл. 4.1.6 К176 Фуньщиональное назначение Число выво-- Дов ^пот, мкА ffflax, МГц *з.ср, нс Аналог ЛС1 Три элемента ЗИ-ИЛИ 14 20 - 600 - ПУ1 Пять преобразователей уровня КМОП-ТТЛ с инверсией 14 0,7 - 250 - ПУ2 Шесть преобразователей уровня КМОП-ТТЛ с инверсией 16 5 - 120 CD4009E ПУЗ Шесть преобразователей уровня ♦ КМОП-ТТЛ 16 5 - 120 CD4010E ПУЗ Четыре преобразователя уровня ТТЛ-КМОП (Z} 16 0,1 - 265 РМ1 Матрица-накопитель ОЗУ на 16 бит 14 10 - - CD4005E РУ2 ОЗУ на 256 бит (256x1) 16 500 , - - - ТВ1 Два JK-триггера 16 10 2 - CD4027E ТМ1 Два D-триггера 14 3 1 - CD4003E ТМ2 Два D-триггера с установкой 0 и 1 14 3 1 - CD4013E
МИКРОСХЕМЫ К561 223 4.1.7. Серия К561 Микросхемы серии К561 во многом аналогичны микросхемам серии К176 построены на комплементарных транзисторах структуры металл-окисел-полупроводник (КМОП), потребляют ничтожно малую мощность в статическом режиме, имеют очень небольшой определяемый лишь токами утечки входной ток. . । Микросхемы выпускаются в пластмассовых корпусах с 14, 16 и 24 выводами. Напряжение питания может находиться в пределах от 3 до 15В. Номинальное напряжениеz +10Bil0%. Микросхемы серии К561 обеспечивают большие быстродействия и выходные токи, они ориентированы преимущественно на применение в цифровых вычислительных машинах, не имеют разновидностей, специализированных на использование в электронных часах. Диапазон рабочих температур микросхем серии К561 -45. .+85°С. Выходные уровни микросхем при работе на однотипные микросхемы практически не отличаются от напряжения питания и потенциала общего провода Максимальный выходной ток большинства микросхем не превышает единиц миллиампер. Меры предосторожности, которые необходимо применять при монтаже и налаживании устройств на микросхемах серии K56L такие же, как и для микросхем серии К176. Применение микросхем серии. К561 имеет свои особенности. Ни один из входов микросхем не может быть оставлен неподключенным, даже если логический элемент в микросхеме не использован Свободные* входы элементов должны быть или соединены с используемыми входами того же элемента, или подключены к шине питания или общему проводу в соответствии с логикой работы микросхемы. Напряжение источника питания (очжно подаваться ранее или одновременно с подачей входных сигналов. При конструировании аппаратуры на микросхемах серии К561 необходимо учитывать, что емкость связи между проводниками, соединяющими передатчики с приемниками информации, является емкостью нагрузки для микросхем, передающих информацию. Увеличение емкости приводит к возрастанию динамического тока потребления. Для исключения влияния перекрестных помех между одиночными проводниками в асинхронных устройствах, емкость связи не должна превышать 100 пф. При конструировании аппаратуры на микросхемах серии К561 необходимо предусматривать защиту от попадания импульсных помех на щины «питание» и «общая», для чего в цепях питания рекомендуется устанавливать низкочастотные и высокочастотные конденсаторы. Типы конденсаторов и их емкости выбираются в зависимости от конструкции аппаратуры. Ориентировочно емкость конденсаторов можно выбрать из расчета: низкочастотный электролитический - не менее 0,03 мкФ на одну микросхему; высокочастотный керамический - 0,068 мкФ на каждые 50 микросхем. Напряжение питания подводят к выводу с наибольшим номером, общий провод К1одключаюг“к~выводу с вдвое меньшим номером^ кроме микросхем К561КП1, К561КП2 и"К5?ПТГУТ У'Пчих общий провод подводят к выводу восемь. Напряжение питания микросхемы К561ПУ4 подводят к выводу один. Напряжение питания микросхем K561K11I и К561КП2- подводят к выводам шестнадцать и семь. Диапазон рабочих температур микросхем серии К561 -45...+85°С. Номенклатура микросхем серии К561 указана в таблице. В скобках после функционального назначения некоторых микросхем первые цифры обозначают число информационных входов, вторые цифры - число выходов, буква Z - возможность Переключения выходов в высокоймледансное состояние.
224 МИКРОСХЕМЫ К561 Обозначения электрических параметров ^пот ” значение тока5 потребляемого микросхемой в статическом режиме; t3 Ср - интервал времени, равный полусумме времени задержки распростра нения сигнала при включении и выключении цифровой микросхемы; ^тах ” максимальная частота следования импульсов входного напряжения. Условное графическое обозначение функциональных схем серии К561 приведено на рис. 4.2. ' Таблица 4.1.7 К 561 Функциональное назначение Число выво- дов *пот, мкА ^тах, МГц Ч.ср, нс Аналог ИЛ1 Дешифратор с прямыми выходами (4—>10) 16 100 - 230 CD4028AE ИЕ8 Десятичный счетчик с дешифра- тором 16 20 - 350 CD4017AE ИЕ9 Двоичный счетчик с дешифратором 16 100 - 3150 CD4O22AE ИЕ10 Два четырехразрядных двоичных счетчика 16 100 - 500 MCI 4520АР ИЕ11 Четырехразрядный двоичный реверсивный счетчик 16 20 - 400 МС14516АР ИЕ14 Четырехразрядный десятичный реверсивный счетчик 16 100 - 320 CD4029AE ИЕ15 Делитель частоты с переключае- мым коэффициентом деления 24 50 - 180 CD4O59AE ИЕ16 Четырнадцати разрядный десятич- ный реверсивный счетчик 16 20 - 340 CD4020AE ИЕ19 Счетчик с переключаемым коэф- фициентом деления 16 50 - 350 CD4018AE ИК1 Три мажоритарно-мультиплек- сорных элемента 16 100 - 150 - ИМ1 Четырехразрядный полный сумматор 16 20 - 140 CD4008AE ИП2 Четырехразрядная схема сравнения двух чисел 16 100 - 1400 МС14585АР ИП5 Универсальный двухразрядный умножитель 16 100 - 900 МС14554АР ИР2 Два четырех разрядных сдвигающих регистра 16 100 - 380 CD4O15AE ИР6 Восьмиразрядный сдвигающий регистр (Z) 24 100 - 620 CD4034AE ИР9 Четырехразрядный сдвигающий регистр 16 20 - 298 CD4035AE ИР11 Многоцелевой регистр (8x4) 24 800 - 450 МС1458ОАР ИР12 Многоцелевой регистр (4x4) 24 400 - 2250 МС1458ОАР кт Два мультиплексора (4->1) 16 20 - 600 CD4052AE КП2 Мультиплексор (8-Я) 16 100 - 400 CD4051AE КТЗ Четыре аналоговых ключа 14 5 - 25 CD4066AE ЛА7 Четыре элемента 2И-НЕ 14 2 - 80 CD401 1АЕ
(МИКРОСХЕМЫ К561 225 Окончание табл. 4.1.7 К561 Функциональное ' назначение Число выво- дов *пот, мкА ^тах, МГц *з.ср, нс Аналог ЛА8 Два элемента 4И-НЕ 14 2 - 80 CD4012AE ЛА9 Три элемента ЗИ-НЕ 14 5 - 125 CD4023AE ЛЕ5 Четыре элемента 2ИЛИ-НЕ 14 5 - 123 CD4001АЕ ЛЕ6 Два элемента 4ИЛИ-НЕ 14 5 - 123 С04002АЕ ЛЕЮ Три элемента ЗИЛИ-НЕ 14 5 - 135 CD4025AE ЛН1 Шесть элементов НЕ (Z) 16 10 - 405 МС14502АР ЛН2 Шесть элементов НЕ 14 2 - 70 CD4069AE лнз Шесть повторителей (Z) 16 - - 70 р PD45O3BC ЛП2 Четыре элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ 14 10 - 70 CD4O3OAE лшз Три мажоритарных элемента 14 20 - 160 - ЛС2 Четыре элемента И-ИЛИ 16 100 - 190 CD4O19AE ПУ4 Шесть преобразователей уровня КМОП-ТТЛ 16 5 - 75 CD405OAE ПУ7 Шесть преобразователей уровня ТТЛ-КМОП с инверсией 14 20 - ПО - ПУ8 Шесть преобразователей уровня ТТЛ-КМОП 14 20 - 1 10 - РУ2А Статическое ОЗУ (256x1) 16 10 - 800 CD4O61AE РУ2Б Статическое ОЗУ (256x1) 16 200 - 1300 CD4061AE СА1 Тринадцати входовый сумматор по модулю 2 16 100 - 900 MCI 453 IBP ТВ1 Два JK-тригтера 16 20 - 240 CD4027AE ТЛ1 Четыре триггера Шмитта И-НЕ 14 2 2 300 CD4093AE ТМ2 Два D-триггера с установкой 0 и 1 14 20 - 150 CD4O13AE ТМЗ Четыре D-триггера 16 20 - 560 CD4042AE ТР2 Четыре RS-триггера (Z) ъ 16 20 - 360 CD4043AE 8- Зак. 4694
226 МИКРОСХЕМЫ KPI561 4.1.8. Серия КР1561 Микросхемы серии КР1561 структуры КМОП во многом преемственны микросхемам серии К176 и К561. Они тоже потребляют чрезвычайно малый ток в статическом режиме (доли микроампера), их входные токи определяются только токами утечки, а выходные напряжения практически равны нулю или напряжению питания при работе на другие микросхемы структуры КМОП Отличительная особенность серии КР1561 - наличие буферных элементов на входах и выходах всех микросхем не зависимо от их сложности, а не только на выходах сложных, как в сериях К176 и К.561 В результате большинство микросхем этой серии имеют примерно одинаковые выходные характеристики и одну и ту же входную емкость. Кроме того, микросхемы серии КР1561 защищены от перегрузок как по входу, так и по выходу (в выходные цепи добавлены токоограничительные резисторы) Напряжение питания микросхем может находиться в пределах от 3 до 18В. Однако при изготовлении микросхемы контролируют только при напряжениях 5, 10 и 15В, для которых и гарантированы их параметры. Микросхемы серии КР1561 имеют следующие статические нагрузочные характеристики. При уровне логического нуля на выходе микросхемы и контрольных напряжениях питания 5, 10 и I5B выходной втекающий ток равен не менее 0,44; 1,1 и 3 мА при выходных напряжениях 0,4; 0,5 и 1,5В соответственно. Т$ же нормы существуют и для вытекающих токов при входных напряжениях 4,6; 9,5 и 13,5В уровня логической единицы на выходе. Кроме того, гарантируется, что при напряжении питания 5В и выходном напряжении 2,5В уровня логической единицы выходном вытекающий ток равен не' менее 1,36мА. Реальные выходные токи микросхем серии КР1561 значительно больше. Ток короткого замыкания при напряжении питания 5В равен 10мА при уровне логического нуля и около 6мА при уровне логической единицы, что позволяет подключать практически любые светодиоды к выходам микросхем этой серии бе i ограничительных резисторов. При напряжении питания 10 или 15В ток короткого замыкания может достигать 2О...6ОмА, поэтому включение ограничительных резисторов необходимо. Выходной ток 0,44мА при напряжении питания 5В и выходном напряжении 0,5В уровня логического нуля гарантирует нормальную работу микросхем серии КР1561 на один вход микросхем серии К5.55. Однако, так как реальный выходной ток больше, их можно нагружать и на несколько входов микросхем серии К555 или даже на один вхо i микросхемы серии К155. Номенклатура микросхем серии КР 1561, указанная в таблице, пока невелика. В скобках после функционального назначения некоторых микросхем первые цифры обозначают число информационных входов, вторые цифры - число выходов, буква Z - возможность переключения выходов в высокоимпедансное состояние. Если буквенно- цифровое обозначение после номера серии совпадает с обозначением микросхем серии К176 или K56L то полностью совладает и логика их работы. Однако в серии KPI561 есть микросхемы, имеющие аналоги в сериях К176 и К561 с несовпадающими буквенно-цифровыми обозначениями (например, КР1561ЛГ114 - аналог микросхем К176ЛП2 и К561ЛП2), ест* и оригинальные микросхемы, отсутствующие в ранее выпускавшихся сериях. Простые логические микросхемы с буквами ЛА, ЛЕ, ЛИ и другими в обозначениях этой серии имеют максимальную задержку распространения сигнала около 250, 120 и 90 нс при напряжениях питания 5, 10 и 15В соответственно, сложные микросхемы - больше указанных.
МИКРОСХЕМЫ КР1561 227 Микросхемы1 серии КР1561 имеют пластмассовые корпуса с 14 или 16 выводами, их конструкции н размеры аналогичны корпусам серий К176 и К561. Напряжение питания подводят к выводу с наибольшим номером, общий провод подключают к выводу с вдвое меньшим номером, кроме микросхем КР1561КП1 и КР1561ПУ4. У них общий провод подводят к выводу восемь. Напряжение питания микросхемы КР1561ПУ4 подводят к выводу один. Напряжения питания микросхемы КР1561КП1 подводят к выводам шестнадцать и семь. Диапазон рабочих температур микросхем серии КР 1561 -45..+85°С, Обозначения электрических параметров Irot ' значение тока, потребляемого микросхемой в статическом режиме; !з ср " интеРвал времени, равный полусумме времени задержки распростра нения сигнала при включении и выключении цифровой микросхемы; ?тах - максимальная частота следования импульсов входного напряжения. Условное графическое обозначение функциональных схем серии КР1561 приведено на рис 4 .2. Таблица 4.1.8 КР1561 • Функциональное назначение Число ВЫВО- ДОВ ^пот, мкА ^тах, МГц *з.ср, нс Аналог АП Два одновибратора 16 4 - 250 CD4O98BE ИД6 Два дешифратора с прямыми выходами (2-»4) 16 L00 - 140 МС14555ВР ВД7 Два дешифратора с инверсными выходами (2-*4) 16 100 - 140 МС14556ВР ИЕ10 Два четырехразрядных двоичных счетчика 16 - - 160 CD4520BE ИЕ20 Двенадцати разрядный двоичный счетчик 16 80 - 1400 МС14040ВР ИЕ21 Синхронный двоичный счетчик с предустановкой 16 80 - ?50 МС14194ВР ИР 14 Четырехразрядный регистр хранения (Z) 16 - - - МС14076ВР ИРК Реверсивный четырехразрядный регистр 16 80 - 170 КП1 Два мультиплексора (4->1) 16 - - 200 CD4052BE КП2 Мульти плексор (8-41) 16 80 - 170 CD4051BE КТЗ Четыре аналоговых ключа 14 4 - 15 CD4066BE ЛА7 Четыре элемента 2И-НЕ 14 2 - 25 CD401IBE ЛА8 Два элемента 4И-НЕ 14 2 - 25 CD40I2BE ЛАО Три элемента ЗИ-НЕ 14 4 - 90 CD4023BE ЛЕ5 Четыре элемента 2ИЛИ-НЕ 14 5 - 25 CD4001BE ЛЕ6 Два элемента 4ИЛИ-НЕ 14 5 - 25 CD4002BE ЛЕЮ Три элемента ЗИЛ И-НЕ 14 5 - 25 CD4025BE ЛИ 2 Четыре элемента 2И 14 5 - 90 CD408IBE 8»
228 МИКРОСХЕМЫ KPlSbi Окончание табл. 4.1.8 КР1561 Функциональное назначение Число выво- дов I * пот, мкА 'max, МГц *з.ср, НС Аналог ЛП14 Четыре элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ 14 10 - 32 ПУ4 Шесть преобразователей уровне КМОП-ТТЛ 16 16 - 45 CD4050BE ТВ1 Два JK-триггера 16 - - 80 CD4027BE ТЛ1 Четыре триггера Шмитта 14 16 - 240 CD4093BE
МИКРОСХЕМЫ КМОП 229 Рис. 4.2 КР1561АГ1 К176ИДЗ /АО Ар 4 В С о Е F G 9 и_ Й U 15 И К176ИЕЗ К176ИЕ4 К176ИЕ5 К176ИЕ8 >с g А В С В в F В э_ 10_ и Й U. / н Iе* F 8 а 3 2 2_ Z'. >с т 0 4 3_ в If 5 £ 0V 5 Q ms № J X 12 6i И W л К561ИЕ8 t то 0 2. ос 1 4 а О > 2 3 4 1. С2 5 б 7 £ 8 У 9 II R й &
230 МИКРОСХЕМЫ КМОП Рис. 4.2 К561ИЕ9 К561ИЕ1О КР1561ИЕ10 CTS DC ОД / С! а т > 0 0 / 2 J 1 =° 1 Й^- 1 ст > 0 0 / 2 3 К561ИЕ15 К176ИЕ13 К561ИЕ14 То DO О 4 СТ И м од и 74 Й СТ №/Ю 1 — 1 Л 4 5| б_ I 20 !7 И IL -Ц>с II К561ИЕ16
МИКРОСХЕМЫ КМОП 231 Рис. 4.2 К176ИЕ18 К561ИК1 К561ИЕ19 КР1561ИЕ21 & т е /9 . 3 /7 1 D1 DZ пч м £ р 15 с i Е % 12 П *2 №Ц DO 1 а j 4 11 21 22 23 2 3. S 7Г 7 12 33 3 3. 7_ 9_ 1 2 К176ИМ1 К561ИМ1 13 зм Bl а /4 i п В2 S3 Л. £ AI BI S2 12 SI АО 2 11 SO Ю со К176ИР2 К561ИП5 КР1561ИЕ20 К561ИЛ2 К561ИР6
232 МИКРОСХЕМЫ КМОП Рис. 4.2 К561ИР11 К561ИР9 2 — К176ИР10 дг 0 те а 0J BS 1 DS 2 п С 0 /3 № О ,23 а jj 34 К5Й1ИР12 КР1561ИР14 П ш HZ —п ft КР1561ИР15
МИКРОСХЕМЫ КМОП 233 Рис. 4.2 К561КП1 КР1561КП1 К561КП2 КР1561КП2 К176КТ1 К561КТЗ КР1561КГЗ К176ЛА7 К561ЛА7 КР1561ЛА7 К176ЛА8 К561ЛА8 КР1561ЛА8 К176ЛА9 К561ЛА9 . КР1561ЛА9 К176ЛЕ5 К561ЛЕ5 КР1561ЛЕ5 К176ЛЕ1О К176ЛЕ6 К561ЛЕ10
234 МИКРОСХЕМЕ! КМОЦ , Рис 4,2 КР1561ЛИ2 К176ЛИ1 КР1561ЛИ1 £ 12 13 К561ЛН! К561ЛН2 К561ЛНЗ К176ЛП1 К176ЛП2 К561ЛП2 2 =/ 3 5 6 =/ 8 —/ 12 13 =/ 11 К176ЛП4 К176ЛП! 1 К176ЛП12 2 £
МИКРОСХЕМЫ КМОП 235 Рис. 4.2 КР1561ЛП14 К561ЛП13 К176ЛС1 2 1, 0 >1 лиг 3_ 7 12 и, 57 $ тх £ А пих 8_ 7 К561ЛС2 К176ПУЗ К561ПУ4 КР1561ПУ4 К176ПУ2 К176ПУ5 ♦5S 4SB 4W
36 МИКРОСХЕМЫ KMOfl К176РЛА K176TBI Рис. 4 2 <561 РУ. bw 7 6 2.. 2. // 2 3 4 5 f & K56ICA1 Ж \М2 г 1 12. и Ж И И J& Г5- *44- К561ТЛ1 '«Л К176ТМ2 К561ТМ7 ГО К561ТМЗ я а, 4 2 1 2 ir п \9 7 1frK 44 И К176ТМ1 5 •HP 1 4 9_ п 12 л г с К561ТР2 ±1 о к г /5 « 57 Я/ Z 52 9_ «г 12 S3 54 5 74 10
МИКРОСХЕМЫ К537 237 4,1.9. Серия К537 Статические ОЗУ на МОП-транзисторах, несмотря на среднее быстродействие, получили широкое распространение, что объясняется существенно большей плотностью размещения ячеек на кристалле, чем у биполярных ОЗУ. Наиболее развитым функциональным составом из серии КМДП-микросхем обладает серия К537, функциональный ряд серии включает более 15 типов микросхем, отличающихся информационной емкостью, организацией, быстродействием, уровнем потребляемой мощности. Имеются отличия и в системе управляющих сигналов и в конструктивном оформлени И. Общими свойствами микросхем серии К.537 являются: единое напряжение питания +5В, ТТЛ-уровни входных и выходных сигналов, выход с тремя состояниями, высокая помехоустойчивость, допустимая значительная емкость нагрузки (200пФ и более), небольшое энергопотребление, причем при хранении почти на три порядка меньше, чем при обращении, способность сохранять записанную информацию при пониженном др 2...3 В напряжении питания. В устройствах памяти иа микросхемах серии' К537 для снижения потребляемой мощности следует предусмотреть возможность автоматического переключения питания микросхем в режиме хранения с основного источника +5В на маломощный буферный источник напряжения, который обеспечивает питание только микросхем ОЗУ на уровне, достаточном для сохранения информации. Для микросхем К537РУ1, КР537РУ8 допускается снижать напряжение до ЗВ, для микросхем КР537РУ6, К537РУ9 - до 3,3В, для микросхем КР537РУ4, КР537РУ13, К537РУ14 - до 2,2В. Наименьшую мощность от низковольтного источника питания потребляют микросхемы КР537РУЗА (11 .мкВт). КР537РУ6А (1 15 мкВт), К537РУ13 и К537РУ14 <100 мкВт). Микросхемы на МДП-транзисторах любого типа чувствительны к воздействию статического электричества из-за высокого входного сопротивления. Даже кратковременное повышение входного напряжения с недопустимо высоким уровнем может вызвать электрический пробои тонкого слоя подзатворного диэлектрика. Для защиты от вредного воздействия перенапряжения все входы микросхем защищают Диодно-резистивными цепями, встроенными внутрь кристалла. Для многих типов КМДП-микросхем. и в частности для микросхем серии К537, существует опасность теплового пробоя р-п переходов в кристалле из-за "тиристорного эффекта". Сущность этого явления заключается в том, что при повышении напряжения в шиие питания, до 1 1 ..12 В из-за бросков тока при включении и влияния индуктивностей шин. а также при превышении входным сигналом напряжения питания кнутри кристалла активизируются паразитные биполярные р-п-р-n структуры и из-за наличия положительной обратной связи по цепям токов утечки может появиться эффект неуправляемого нарастания тока стока, близким по механизму к аналогичному явлению в тиристорах в момент их переключения. Поскольку в КМДП-структурах отсутствуют токоограничивающие резисторы нагрузки, то нарастание тока приводит к развитию теплового пробоя в кристалле и, как следствие, к неисправности микросхемы. С повышением уровня интеграции микросхем опасность возникновения в них тиристорного эффекта увеличивается. В некоторых типах микросхем рассмотренный рффект практически не наблюдается. В структурах этих микросхем сформированы так называемые "охранные кольца", шунтирующие паразитные транзисторы и за счет этого устраняющие тиристорныи эффект Для тех микросхем, у которых защита отсутствует, необходимо предусматривать конструктивные меры предупреждения v тиристорного эффекта снижать индуктивность шин питания, не допускать бпмиодго расположения с сильноточными микросхемами и т.д.
238 МИКРОСХЕМЫ К537 При* Применении микросхем памяти серии К537 необходимо соблюдать порядок включения питания и подачи входных сигналов: вначале должно быть включено напряжение питания. При выключении блока ОЗУ следует снять входные сигналы (адресные, управляющие и информационные) и затем отключить источник напряжения питания. Необходимо обеспечить также выполнение условия, по которому напряжение сигналов не должно превышать напряжения питания микросхемы Микросхемы серии К537 работают в режимах записи, считывания и хранения Сравнение динамических параметров микросхем показывает, что в серии К537 наибольшим быстродействием обладают микросхемы КР537РУ10 и К537РУ14 Микросхемы К537РУ14 и КР537РУ13 являются асинхронными. За этим исключением все микросхемы серии К537 являются тактируемыми: в режимах записи и считывания необходимо сигнал CS подавать импульсом, а сигнал W/R может иметь форму уровня напряжения или импульса. Микросхемы КР537РУ8 и КР537РУ10 имеют дополнительный управляющий сигнал ОЕ (Разрешение по выходу)- при подаче этого сигнала одновременно с сигналом CS отсчет времени появления сигнала ведется от отрицательного перепада сигнала *CS=OE. Существует возможность стробирования выходной информации сигналом ОЕ подаваемым с некоторой задержкой относительно сигнала CS. В этом случае при ОЕ~ 1. т.е. до момента подачи этого сигнала, выходы находятся в третьем состоянии даже при CS=O. Только в момент поступления сигнала ОЕ выходы переходят в функциональное состояние. Предельные режимы эксплуатации микросхем серии К537 Максимальное напряжение питания - +6В Максимальное напряжение на входе - +6В Максимальное напряжение на выходе- +6В Максимальная емкость нагрузки - 200 пФ Обозначения электрических параметров Ртах “ максимальная потребляемая мощность в режиме обращения; tB - время выборки адреса; 1цЗП (сч)" время цикла записи (считывания) Условное графическое обозначение функциональных схем серии К.53.7 приведено на рис. 4.3. Т а б л и ц а 4.1.9 Тип микросхемы Емкость бит Число выводов Р max, мВт 'в.а., нс *ц.зп.(сч), нс Зарубежный аналог К537РУ1А IKxl 16 14 1100 1300 НМ65О81 К537РУ1Б IKxl 16 14 1700 2000 HM6508I К537РУ1Б IKxl 16 14 3400 4000 HM6508I КР537РУ2А 4Кх1 18 28 410 500 НМ6504-3 КР537РУ2Б 4Кх1 18 28 580 670 НМ6504-4 КР537РУЗА 4Кх1 18 1 10 320 290 HMC6504N
МИКРОСХЕМЫ К537 239 Окончание табл. 4.1.9 Тип микросхемы Емкость бит Число выводов Р max, мВт- *в.а., нс *ц.зп. (сч), НС Зарубежный, аналог КР537РУЗБ 4Кх1 18 1 10 220 210 HMC6504N КР537РУЗВ 4Кх1 18 1 10 320 290 HMC6504N КР537РУ6А 4Кх1 18 - 240 340 - КР537РУ6Б 4Кх1 18 - 420 530 КР537РУ8А 2Кх8 24 160 270 350 НМ6516-2 КР537РУ8Б 2Кх8 24 160 470 530 НМ6516-2 КР537РУ9А 2Кх8 24 - 240 400 - КР537РУ9Б 2Кх8 24 - 420 580 КР537РУ10 2Кх8 24 300 170 180 НМ 6516-9 КР537РУ13 !Кх4 18 75 200 200 НМ6514 К537РУ14А 4Кх! 18 225 135 1 10 TC5504AD К537РУ14Б 4Кх! 18 225 215 180 TC5504AD
240 МИКРОСХЕМЫ К537 Рис. 4.3
МИКРОСХЕМЫ К537 241 Рис. 4.3
242 МИКРОСХЕМ!.! КР556 4.1.10. Серия КР556 Среди микросхем, используемых в" цифровой и вычислительной технике, существует многочисленный класс приборов, выполняющих функции долговременного и оперативного хранения информации. В микросхемах запоминающих устройств информация хранится в двоичном виде и при запросе поступает на выходы микросхем. Если при отключении питания информация в ЗУ не пропадает, а при подаче напряжения ее можно считывать, то такое ЗУ называется постоянным запоминающим устройством - ПЗУ. По способу занесения информации ПЗУ разделяются на программируемые изготовителем (масочные ПЗУ) и на программируемые потребителем. Операция программирования заключается в разрушении (пережигании) части плавких перемычек на поверхности кристалла импульсами тока амплитудой 30...50 мА. Технические средства для выполнения этой операции достаточно просты и могут быть построены самим пользователем. Выпускаемые отечественной промышленностью микросхемы ППЗУ в большинстве своем изготовлены по ТТЛШ-технологии, и среди них преобладающее положение занимает серия КР556. Функциональный состав серии включает микросхемы емкостью до 64 Кбит со словарной, четырех и восьмиразрядной организацией с временем выборки 45...85 нс и уровнем потребляемой мощности от 0,6 до 1 Вт. Напряжение питация микросхем серии КР556 +5В+5% подается на вывод £ максимальным—номером, а общий провод - на вывод с вдвое меньшим номером. Уровень логического нуля составляет 0,4В, а логической единицы 2,4В, однотипные выходы, либо с тремя состояниями (Z), либо с открытым коллектором (ОК). Микросхемы серии КР556 выпускаются в пластмассовых корпусах с количеством выводов 16, 18, 24 и 28 и диапазоном температур ~10...+70°С. Предельные режимы эксплуатации микросхем серии КР556 Максимальное напряжение питания - +6,0В Максимальное входное напряжение - +5,5В Максимальный входной ток - 5мА Максимальная емкость нагрузки - 100 пФ Обозначения электрических параметров Рпот ~ максимальная мощность, потребляемая микросхемой; tB а - время выборки адреса. Условное графическое обозначение функциональных схем серии КР556 приведено на рис 4 4. Таблица 4.1 10 Тип микросхемы Чис чо выводов Емкость бит 'в.а, нс рпог. мВ г Исходное состояние Зарубежный ана чог КР556РТЦОК) 28 пям 70 ’ 850 1920 N82S101 KP556PT2(Z) 28 плм 80 950 1920 N82S100 КР556РТ4(ОК) 16 256x4 70 690 0 13601
МИКРОСХЕМЫ КР556 243 Окончание табл 4.1.10 Тип микросхемы Число выводов Емкость бит fB.a., нс Р пот., мВт Исходное состояние Зарубежный аналог КР556РТ4А(ОК) 16 256x4 45 690 0 13601 КР556РТ5(ОК) 24 512x8 80 1000 1 13604 KP556PT6CZ) 24 2Кх8 80 900 0 N82S19O КР556РТ7(ОК) 24 2Кх8 80 900 0 N82S191 KP556PT11(Z) 16 256x4 45 650 0 93427С КР556РТ12(ОК) 18 1Кх4 60 740 0 N82S136 KP556PT13(Z) 18 1Кх4 60 740 0 N82S137 КР556РТ14(ОК) 18 2Кх4 60 740 0 DM82SI84 KP556PT15(Z) 18 2Кх4 60 740 0 DM82S185 KP556PT16CZ) 24 8Кх8 85 1000 0 НМ76641 KP556PT17(Z) 24 512x8 50 900 1 3624А KP556PT18(Z) 24 2Кх8 60 950 0 НМ76161 KP556PT2U(Z) 24 2Кх8 30 960 । 0 AM27S35C
244 МИКРОСХЕМЫ КР556 Рис. 4.4 КР556РТ1 КР556РТ2 9 В 7 6 5 А 0 1 2 J 9 PLH £ по с IB 5 17 3 6 16 I7 7 3 15 в 13 тГ ю 5 12 23 и 21 20 11 !Z и 6 7 Осс It 10 28 0Е- й / PR 0V КР556РТ4 5 А РРОП /л Л Е 0 V t 00 12 г о 3 3 t и 2 5 г 10 / 15 в 3 9 7 13 CSf fS ^сс CS2 0V 8 9 8 х Е 5 Ч 3 2 1L 2S ~г5 IV 23 22 21 20 19 7_ А 0 1 2 3 9 5 6 7 8 9 10 II 12 !3 /♦ !5 06 PR PLM G 00 0 1 2 3 9 5 Б 7 Осс 0V te /7 16 15 13 12 11 10 28 Hl КР556РТ5 8 7 23 !8 ~7У 20 Т 0 t 2 3 <1 5 6 7 в CS! CS2 CS3 ы PR071 9Н £ по 0 1 г 3 9 5 6 7 Осс 0Y 9 10 11 1У 75" /Г 17 2<в 22 12 КР556РТ6 КР556РТ7
МИКРОСХЕМЫ КР556 245 Рис. 4.4
Z4O МИКРОСХЕМЫ КР556 Рис. 4.4 КР556РТ18 8 2Dt 19_ IB A 0 I V 5 S 7 8 9 W OS/ DSZ CSS PPOPf !6К § DO О / z 16 17 2h 12 9 10 Н f3 1Ь
МИКРОСХЕМЫ КР565 247 4.1.11. Серия КР565 Микросхемы ОЗУ по типу элементов памяти разделяют на статические и динамические. В микросхемах статических ОЗУ в качестве элемента памяти применены статические триггеры на биполярных или МДП-транзисторах. Как известно, статический триггер способен при наличии напряжения питания сохранять свое состояние неограниченное время. Число состояний, в которых может находиться триггер, равно двум, что и позволяет использовать его для хранения двоичной единицы информации В микросхемах динамических ОЗУ элементы памяти выполнены на основе электрических конденсаторов, сформированных внутри полупроводникового кристалла. Такие элементы памяти не могут долгое время сохранять свое состояние, определяемое наличием или отсутствием электрического разряда, и поэтому нуждаются в периодическом восстановлении (регенерации). Микросхемы динамических ОЗУ отличаются от микросхем статических ОЗУ большей информационной емкостью, что обусловлено меньшим числом компонентов в одном элементе памяти и, следовательно, более плотным их размещением в полупроводниковом кристалле. Однако динамические ОЗУ сложнее в применении, поскольку нуждаются в организации принудительной регенерации, и в дополнительном оборудовании, и в усложнении устройств управления. Для изготовлдения микросхем динамических ОЗУ в основном применяют п^МДП-технологию, которая позволяет повышать быстродействие и уровень интеграции микросхем, обеспечивать малые токи утечки и за этот счет увеличивать время сохранения заряда на запоминающем конденсаторе. Микросхемы динамических ОЗУ отечественного производства представлены в основном серией КР565. Она включает в свой состав ряд микросхем, отличающихся не только своими характеристиками, но и использованными в них структурными решениями. В состав серии КР565 входит также микросхема статического ОЗУ КР565РУ2, которая в таблицу не включена. Микросхема К565РУЗ выпускается в металлокерамическом корпусе, а остальные выпускаются и в пластмассовых корпусах с 16 и 22 выводами и диапазоном температур ~10...+70°С. Общий провод подводится к выводу с? максимальным номером, а напряжение питания +5Bi5% подается на вывод с вдвое меньшим номером. Кроме того у микросхемы КР565РУ1 на вывод один подается напряжение -5В±10%, а на вывод восемнадцать напряжение +12BilO%. У микросхемы К565РУЗ напряжение -5В+10% подается на вывод один, а напряжение +12В±10% - на вывод восемь. Первым подключают источник -5В, а отключают последним. Задержка - 100 мс. Предельные режимы эксплуатации микросхем серии К556 и КР565 Максимальные напряжения питания - + 13,5В; +6В и -4В. Максимальное входное напряжение - +6,5В. Максимальный входной ток - 30мА Максимальная емкость нагрузки - 200 пФ Обозначения электрических параметров Рпот _ максимальная мощность, потребляемая микросхемой; t|( (сч ) “ время цикла записи (считывания);
248 МИКРОСХЕМЫ КР565 tRAS " время выборки относительно сигнала RAS; Т г " "ериод регенерации. Условное графическое обозначение функциональных схем серии КР565 приведено на рис. 4.5. . Т а б л и ц а 4.1.11 Тип микросхемы Число выво- дов Емкость бит *ц.зп (сч.), НС ‘ras, НС Рпот, мВт Т per мс Зару- бежный аналог обра- щение хране- ние КР565РУ1А 22 4Кх1 5оо 400 400 20 7 I2107A-4 КР565РУ1Б 22 4Кх1 900 590 400 20 2 12107А-6 К565РУЗА 16 16Кх1 510 300 460 40 7 МК4116Р 4 К565РУЗБ 16 16Кх1 510 300 - 460 40 1 МК4116Р-4 К565РУЗВ . 16 16Кх1 410 250 460 . 40 7 МК41 161'4 К565РУЗГ 1’6 16Кх1 370 200 460 40 2 МК4Ц6Р-4 КР565РУ5Б 16 64Кх1 230 120 250 22 2 4164 КР565РУ5В 16 64Кх1 280 150 195 22 2 4164 КР565РУ5Г 16 64Кх1 360 200 185 22 2 4164 КР565РУ5Д 16 64Кх1 460 250 160 21 1 4164 КР565РУ5Д1* 16 32Кх1 460 250 160 21 1 - КР565РУ5Д2** 16 32Кх1 460 250 160 21 1 - КР565РУ5ДЗ* 16 16Кх1 460 250 160 21 1 - КР565РУ5Д4**- 16 16Кх1 460 250 160 21 ’ 1 - КР565РУ6Б 16 16Кх1 230 120 150 20 2 12118 КР565РУ6В 16 16Кх1 280 150 140 20 2 12118 КР565РУ6Г 16 16Кх1 360 200 130 20 2 12118 КР565РУ6Д 16 16Кх1 460 250 120 20 1 12118 КР565РУ7В 16 256Кх1 340 150 350 35 8 MB8I256 КР565РУ7Г 16 256Кх1 410 200 350 35 8 МВ81256 * - А7 = О ** - А7 = 1
МИКРОСХЕМЫ КР565 249 Рис. 4.5 КР565РУ1 з ч 5 6 7 8 9 10 11 РГ CS с W/R ХАНЯ УХ
250 МИКРОСХЕМЫ К573 4.1.12. Серия К573 Многократно программируемые ПЗУ серии К573 выполнены по ЛИЗМОП технологии Вариант элементов памяти на структуре ЛИЗМОП с двойным затвором представляет собой n-МОП транзистор, у которого в подзатворном однородном диэлектрике окисла кремния сформирована изолированная проводящая область из металла или поликристалл ического кремния Этот затвор получил название ’’плавающего”. В режиме программирования на управляющий затвор, исток и сток подают импульс напряжения 21...25В положительной полярности. В обратно смещенных р-п переходах возникает процесс лавинного размножения носителей заряда и часть электронов инжектирует на ’’плавающий затвор”. В результате накопления на "плавающем затворе" отрицательного заряда передаточная характеристика транзистора смещается в область высокого порогового напряжения, что соответствует записи логического нуля. Стирание записанной информации, т.е. вытеснение заряда с плавающего затвора, в структурах ЛИЗМОП осуществляют двумя способами: в РПЗУ-ЭС электрическими сигналами, в РПЗУ-УФ с помощью ультрафиолетового облучения. В структурах со стиранием электрическими сигналами импульсом положительного напряжения на управляющем затворе снимают заряд электронов с плавающего затвора, восстанавливая низковольтный уровень порогового напряжения, что соответствует логической единице В структурах с ультрафиолетовым облучением электроны рассасываются с плавающего затвора в подложку в результате усиления теплового движения за счет полученной энергии от источника ультрафиолетового излучения. Отличие между микросхемами групп ЭС и УФ состоит в способе реализации режима стирания. Для микросхем РПЗУ группы ЭС в режиме общего стирания на управляющие входы подают соответствующие сигналы, в том числе напряжение программирования Lp^ e 22В. Процесс стирания начинается с момента подачи импульса ЕР, который должен иметь длительность 50 мс. По окончании стирания вис элементы памяти матрицы переходят в состояние, соответствующее логическому нулю. В этом режиме сигналы на адресных и информационных выводах могут - иметь произвольные значения. Для микросхем РПЗУ группы УФ в режиме общего стирания необходим источник ультрафиолетового излучения. Для стирания записанном информации микросхему извлекают из контактного устройства, но тогда надо отключить напряжения питания и сигналы. Типовые источники стирающего излучения - дуговые ртутные лампы и тампы с парами ртути в кварцевых баллонах: ДРТ-220 ДРТ-375, ДБ-8. ДБ-6() и др Излучение проникает к полупроводниковому кристалл} РПЗУ через прозрачное окно в крышке корпуса. Время стирания информации составляет 30...60 мин. Расстояние от корпуса до баллона лампы должно быть 2.5 см Очевидно, необходимо обеспечит чистоту стекла крышки, так как в противном случае стирание будет неполным. Недостатками микросхем РПЗУ-УФ является малое число циклов перепрограммирования (от 10 до 100). что обусловлено быстрым старением диэлектрика под воздействием ультрафиолетового излучения, необходимость изъятия из аппаратуры для стирания информации, большое время стирания, высокая чувствительность к освещению и возможность случайного стирания информации Вместе с тем у микросхем этой группы есть и существенные достоинства, сравнительно высокое быстродействие. большое разнообразие вариантов исполнения по информационном емкости, невысокая стоимость и доступность Эти свойства микросхем РПЗУ-УФ обуславливают их широкое применение в радиолюбительских разрлост ах.
МИКРОСХЕМЫ К573 251 Функциональный состав серии К573 включает микросхемы емкостью до 256К бит со словарной, восьми и шестнадцатиразрядной организацией, с временем выборки 300...450 нс и уровнем потребляемой мощности от 0,45 до 1,1 Вт. Напряжение питания микросхем серии К573 +5В±5% подается на вывод с максимальным номером, а общий провод - на вывод с вдвое меньшим номером, кроме микросхемы К573РФ4, у которой напряжение +5В подается на вывод 26, а напряжение +12В - на вывод 28. У микросхемы К537РФ1 напряжение +5В подается на вывод 24, напряжение + 12В - на вывод 19, а напряжение -5В подается на вывод 21. Уровень логического нуля составляет 0,4В, а логической единицы 2.4В, выходы с тремя состояниями. Микросхемы серии К573 выпускаются в пластмассовых или металлокерамических корпусах с количеством выводов 24 или 28 и диапазоном температур -1О...+7О°С. Предельные режимы эксплуатации микросхем серии К573 Максимальное напряжение питания - Максимальное входное напряжение Максимальная емкость нагрузки +6В; + 13,2В; -4,5В. +6В 100,1000 пФ Обозначения электрических параметров РПот ~ максимальная мощность, потребляемая микросхемой; tg - время выборки адреса; Unp - напряжение программирования; tnp - время программирования указано в расчете на всю емкость микросхемы. Условное графическое обозначение функциональных схем серии К573 приведено на рис 4.6. Таблица 4.1.12 Тип микро- схемы Чис- ло ВЫ- ВО- ДОВ Емкость бит Гв а нс р ПОТ., мВт 9 Unp, В 1пр, С Задей- ство- ванные раз- ряды Задейст- вованные адреса Зару- беж- ный ана- ‘ лог К573РР2 24 2Кх8 350 620 22 100 Все Все 12816 К573РР21 24 1Кх8 350 620 22 100 Все Все, A j о=0 - К573РР22 24 1Кх8 350 620 22 100 Все Все, A iq=1 - К573РФ1 24 1Кх8 450 1100 26 300 Все Все 12708 К573РФ11 24 512x8 450 1100 26 300 Все Все,А^=0 - К573РФ12 24 512x8 450 1100 26 300 Все Все,А^=1 - К573РФ13 24 1Кх4 450 1100 26 300 2,3,4,6 Все - К537РФ14 24 1Кх4 450 1100 26 300 1,2,3,6 Все - К573РФ2 24 2Кх8 450 580 25 100 Все Все 12716, К573РФ21 24 1Кх8 450 580 25 100 Все Все, А1 Q=0 - К537РФ22 24 1Кх8 450 580 25 100 Все Все,А^0=1 К537РФ23 24 2Кх4 450 580 25 100 2,3,4,6 Все - К537РФ24 24 2Кх4 450 580 25 100 1,23,6 Все - ' К537РФЗ 24 4Кх16 450 450 18 40 Все Все - К537РФ31 24 2Кх16 450 450 18 40 Все Bce,Aj2~l -
252 МИКРОСХЕМЫ К573 Окончание табл. 4.1,12 Тип микро- схемы Чис- ло ВЫ- ВО- ДОВ Емкость бит 1в.а., нс Р пот., мВт Спр, В ч, с Задей- ство- ванные раз- ряды Задейст- вованные адреса Зару- беж- ный ана лог К537РФ32 24 2Кх16 450 450 18 40 Все Все, А12^ К537РФЗЗ 24 1Кх16 450 450 18 40 Все Все,А !2=1,А| |=1 - К537РФ34 24 1Кх16 450 450 18 40 Все Все,А । у=0,А । । =0 - К537РФ4А 28 8Кх8 300 700 25 800 Все Все 12764 К537РФ4Б 28 8Кх8 500 700 25 800 Все Все 12764 К537РФ41 28 4Кх8 500 700 25 800 Все Все,А^=0 - К537РФ42 28 4Кх8 500 700 25 800 Все Все,А^=1 - К537РФ43 28 8Кх4 500 700 25 800 3,4,5,7 Все - К537РФ44 28 8Кх4 500 700 25 800 2,3,4,7 Все - К537РФ5 28 2Кх8 450 580 25 100 Все Все 12716 К537РФ6А 28 8Кх8 300 870 19 400 Все Все 12764 К537РФ6Б 28 8Кх8 450 870 19 400 Все Все 12764 К537РФ8А 28 32Кх8 300 600 18 1600 Все Все 127256 К537РФ81А 28 16Кх8 300 600 18 1600 Все Все,А|д=О 127128
МИКРОСХЕМЫ К573 253 Рис. 4.6 К573РФ1 К573РР2 К573РР21 К573РР22 К573РФП К573РФ12 К573РФ13 АО А1 А! АЗ А4 AS А6 Al At АО А» (РИМ К573РФ14 К573РФ2 К573РФ21 К573РФ22 К573РФ23 К573РФ24 К573РФЗ К573РФ31 К573РФ32 К573РФЗЗ
254 МИКРОСХЕМЫ К573 Рис. 4.6 10 —L 1 6 5- 4 3 32 24 21 23 2 22 20 10 9 8 1 В 5 4 3 24 21 23 2 22 20 К573РФ4 К573РФ41 К573РФ42 К573РФ43 К573РФ44 AD Al A2 A3 44 AS A6 Al A8 A9 AID All A12 CS EFRON e DOO 101 102 103 004 105 106 101 Uwr II 12 13 13 IB 19 21 26 NO -2- Utt OB К573РФ6 AO Al A2 A3 A 4 A5 AG Al AB A9 AW All 412 EPROM e 100 001 102 103 004 105 006 101 OS 28 14 12 13 15 Uwr NO Urt Vrt 00 21 28 28 14 AO A2 A3 A4 A5 A6 Al AB A9 A10 22 19 20 JUtS 10 9 В 6 ? 3 25 24 ~ 21 23 ____2_ 26 21 22 К573РФ5 EPROM AO Al A2 A3 A4 $ ООО 101 102 103 104 105 106 101 UH Ucc OB К573РФ8 К573РФ81 EPROM $ 9 10 II 13 14 15 16 11 21 24 12 AS Al A8 A9 AID All A12 A13 AI4 100 001 102 103 104 105 101 — 12 13 15 16 11 18 19 UH---- Utcl-Д- 08 28 14
МИКРОСХЕМЫ ОУ 255 4.2. Аналоговые микросхемы 4.2.1. Операционные усилители Операционный усилитель (ОУ) - это усилитель, предназначенный для выполнения различных (в том числе математических) операций над аналоговыми сигналами при использовании его в схеме с обратной связью (ОС). Основное назначение ОУ - по- строение устройств с фиксированным коэффициентом усиления и точно синтезиро- ванной передаточной функцией. Благодаря своей универсальности и возможности мно- гофункционального использования с помощью ОУ могут быть сделаны УПЧ видео- усилители, УЗЧ и гетеродины радиоприемников, активные'фильтры, генераторы сиг- налов, стабилизаторы источников питания, АЦП и ЦАП, ограничители, сумматоры, пе- ремножители, масштабирующие, логарифмические, дифференцирующие, интегрирую- щие и другие усилители. Область применения ОУ, выполненного в виде микросхемы очень широка. Поэтому в настоящее время под ОУ принято понимать микросхему - усилитель постоянного тока, позволяющий строить узлы аппаратуры, функции и тех- нические характеристики которых зависят только от свойств цепи ОС, в которую он включен. Так как ОУ в подавляющем большинстве случаев своего применения работают в ре- жиме с ОС, то необходимо обеспечение устойчивости ОУ (устранение самовозбужде- ния). Устойчивость ОУ достигается применением цепей частотной коррекции, которые могут быть внешними (например в ОУ серий К153 и К553) или внутренними, то есть выполненными прямо на кристалле (например большинство ОУ серии КИО). ОУ реализуется в виде микросхемы со значительным числом транзисторов, харак- теристики которых имеют разброс по параметрам, что приводит к появлению постоян- ного напряжения на выходе (напряжение смещения нуля) в отсутствие сигнала на вхо- де. В большинстве ОУ предусматриваются выводы, через которые осуществляется ком- пенсация (балансировка) напряжеиия смещения нуля с помощью внешнего подстроеч- ного (балансировочного) резистора. Возможности изменения ОУ зависят от его электрических параметров. Основны- ми из которых являются: 1. Коэффициент усиления напряжения при разомкнутой ОС - отношение при- ращения выходного напряжения к вызвавшему его приращению входного напряжения. В настоящее время Kjj некоторых ОУ по постоянному току достигает 10?. Однако его зна- чение уменьшается с ростом частоты входного сигнала. 2. Частота единичного усиления fj - значение частоты входного сигнала, при ко- тором значение коэффициента усиления по напряжению равно единице. Этот пара- метр определяет максимально реализуемую полосу усиления ОУ. У современных ОУ f । достигает значения 50 МГц. 3. Максимальное выходное напряжение UBblx тах - максимальное значение выход- ного напряжения, при котором искажения не превышают заданного значения. Этот па- раметр измеряется относительно нулевого потенциала как в положительную, так и в отрицательную сторону + Его значение, как правило, на 1...5 В ниже напря- г вых шах жения питания. 4. Скорость нарастания выходного напряжения V^j вых - наибольшая скорость из- менения выходного напряжения ОУ при воздействии на его вход импульса максималь- ного входного напряжения прямоугольной форм&, то есть отношение изменения UBbJX от 10 до 90% от своего максимального значения ко времени за которое произошло это изменение. У большинства ОУ Vjj вЫх составляет 0,1... 100 В/мкс
256 МИКРОСХЕМЫ ОУ 5. Напряжение смещения нуля UCM - значение постоянного напряжения, которое необходимо подать на вход ОУ, чтобы напряжение на выходе было равно нулю. Значе- ние этого параметра у большинства ОУ лежит в пределах 0,1...50 мВ. 6. Входной ток 1ВХ - среднее арифметическое значение входных токов, протекаю- щих через входные контакты ОУ. Эти токи обусловлены базовыми токами входных би- полярных транзисторов .и токами утечки затворов для ОУ с полевыми транзисторами на входе. Входные токи, проходя через внутреннее сопротивление источника входного сигнала, создают падения напряжений, которые могут вызвать появление напряжения на выходе ОУ в отсутствие сигнала на входе. 7. Разность входных токов А 1 - разность значений токов, протекающих через вхо- ды ОУ. Входные токи могут отличаться друг от друга на 10...20%. Зная разность вход- ных токов, можно легко подобрать номинал балансировочного резистора. Все параметры ОУ изменяют свое значение - дрейфуют с изменением температу- ры. Особенно важными дрейфами являются: 8. Температурный коэффициент напряжения смещения (дрейф напряжения сме- щения) TKUCM - отношение максимального изменения напряжения смещения к выз- вавшему его изменению окружающей температуры в диапазоне температур от мини- мальной до максимальной. 9. Температурный коэффициент разности входных токов (дрейф разности входных токов) ТК А 1ВХ - отношение максимального изменения разности токов к вызвавшему его изменению окружающей температуры в оговоренном диапазоне значений. 10. Максимальное синфазное входное напряжение 0сф тах - наибольшее значение напряжения, прикладываемого одновременно к обоим входным выводам ОУ относи- тельно нулевого потенциала, превышение которого нарушает работоспособность при- бора. 11. Максимальное дифференциальное входное напряжение ^диф тах - наибольшее значение напряжения, прикладываемого между входными выводами ОУ, превышение которого ведет к выходу параметров за установленные границы или разрушению при- бора. 12. Коэффициент ослабления синфазного сигнала KQC сф - отношение коэффици ента усиления для дифференциального напряжения (приложенного между входами ОУ) к коэффициенту усиления для синфазного напряжения (общего для обоих входов ОУ). Или же отношение приращения синфазного входного напряжения к приращению диф- ференциального, вызывающих одно и то же приращение выходного напряжения ОУ. 13. Входное сопротивление Rgx - сопротивление между входными выводами ОУ, равное отношению приращения входного напряжения ОУ к приращению активной -сос- тавляющей входного тока при заданном значении частоты сигнала. У большинства ОУ значение этого параметра составляет 0,01...10^ МОм. 14. Минимальное сопротивление нагрузки RH m-n - определяется максимальным значением выходного тока ОУ 1ВЫХ, при котором гарантируется работоспособность при- бора. Помимо перечисленных параметров, существенное значение имеют и шумовые па- раметры ОУ. Шумовые свойства ОУ характеризуются эквивалентными генераторами ЭДС шумов Еш и тока шумов Напряжение шумов Ещ измеряется на выходе ОУ в режиме короткого замыкания на обоих входах и приводится ко входу. Шумовые токи по инвертирующему -1Ш и неинвертирующему +1Ш входам определяются в режиме хо- лостого хода на одном входе и короткого замыкания на другом. ОУ согласно классификации по ГОСТ 4.465-86 делятся на следующие группы: 1. Универсальные (общего применения) - наиболее многочисленная группа ОУ, универсальных по использованию, со средними значениями параметров. У этих ОУ K(J = 1О3...1О5 fj = 1...10 МГц (К140УД1 - К140УД9, К140УД14, К140УД18, К153УД1- К153УДЗ, К553УД1- К553УДЗ и др.).
МИКРОСХЕМЫ ОУ 257. 2. Прецизионные (инструментальные), обладающие повышенной точностью уста- новки передаточной функции, большим значением коэффициента усиления Kjj>O,5xl()6 и подавления синфазного сигнала, гарантированным малым напряжением смещения ну- ля UCM 0,5 мВ и его дрейфом, малыми уровнями шумов, большим входным сопро- тивлением. Эти ОУ предназначены для применения в контрольно-измерительной ап- паратуре (К140УД17, К140УД21, К140УД24 - К140УД27, К153УД5, К551УД1 и др.). 3. Быстродействующие (широкополосные), имеющие повышенную скорость нарас- тания выходного напряжения VjjBbIX ^-20 В/мкс, широкую полосу пропускания fj=5...3O МГц и малое время установления (К1.40УД10, К140УД1 1-, К140УД23, К154УД2- К154УД4, К544УД2, К574УД1 и др.). 4. Микромощные (регулируемые), характеризуемые малой потребляемой мощ- ностью 1пот 5 1 мА, а также возможностью внешней регулировки тока потребления, та- кие ОУ называют программно-управляемыми. Потребляемый ток можно регулировать не только путем изменения напряжения питания, но и с помощью внешнего тока сме- щения, задающего ток покоя транзисторов ОУ/ При этом обычно изменяются в определенных диапазонах и другие параметры ОУ, например, Vjj fBX, 1вх, fj и др. Для регулировки параметров эти ОУ имеют специальный вывод, который обычно подключается через резистор определенного номинала к выводам питания или общему выводу (К140УД12, К153УД4, серия К1407, К1423УД1 и др.). Кроме названных групп в отдельные группы можно выделить многоканальные ОУ (К140УД20, К157УД2, К551УД2, серия К1401, К1416УД1, К1423УД2 и др.) и ОУ с повышенными выходными характеристиками U_LIV и L ,v (1D.,V " I А, К157УД1, К1408УД1, К1422УД1 и др.). Микроэлектронные ОУ, как и цифровые микросхемы выпускают преимущественно сериями, причем обычным стало объединение в одну серию усилителей, значительно отличающихся по принципу построения, назначению и характеристикам. Примерами серий с широко развитой номенклатурой микросхем ОУ могут служить К140, К153 и КД53 (аналог серии К153, но в прямоугольном пластмассовом корпусе). Конструктивно ОУ выполнены в следующих типах корпусов: круглый металло- стеклянный 301.12-1 (К140УД1-К140УД5, К140УД9), круглый металлостеклянный 301.8 -2 (К140УД6, К140УД7, К140УД10-К140УД17, серии К153, К154 и др.), прямоугольный пластмассовый 201.14-1 (КР140УД1, КР140УД9, КР140УД20, К157УД2, серия К553 и др.), прямоугольный пластмассовый 2101.8-2 (КР140УД608, КР140УД708, КР140УД8, КР140УД1101, КР140УД22, КР544УД1, серия КР574 и др.). Кроме этих типов корпусов некоторые ОУ выпускаются в прямоугольном пластмассо- вом корпусе с лепестками для крепления к теплоотводу 201.9-1 (К157УД1). Буквы Р и М, поставленные в обозначении микросхем ОУ после буквы К, указывают на материал корпуса (Р - пластмасса, М - керамика). Электрические характеристики ОУ сведены в таблицу. Указайные в ней значения параметров измерены при температуре окружающей среды 25+10°С и номинальных на- пряжений питания и сопротивлений нагрузки. В таблице приняты следующие обозна- чения: U пит ^ПИТ ном *пот ки исм ТКисм 1 Л1вх U л, диф max исф max - напряжение питания (диапазон значений); - номинальное напряжение питания; - потребляемый ток; - коэффициент усиления напряжения; - напряжение смещения нуля; - температурный коэффициент напряжения смещения нуля; - входной ток; - разностный входной ток; - максимальное значение дифференциального входного напряжения; - максимальное значейие синфазного входного напряжения; 9. Зак. 4694
258 МИКРОСХЕМЫ ОУ Кос сф - коэффициент ослабления Синфазного сигнала; f - частота единичного усиления; ^Свых ” СКОРОСТЬ нарастания выходного напряжения; i^Bbix max " максимальная амплитуда выходнЬго напряжения; RH т|п - минимальное сопротивление нагрузки; RgX - входное сопротивление. На рис.4.7 показана цоколевка микросхем ОУ с элементами частотной коррекции и установки нуля. В необходимых случаях рядом даны сведения о параметрах корректи- рующих цепей^ Согласно ЕСКД на рисунке использованы следующие обозначения: +U и -U - выводы для подключения двухполярного напряжения питания; FC - вывод для подсоединения элементов частотной коррекции; NC - вывод Для подключения элементов балансировки ОУ; СС - вывод для подключения элементов регулирования ОУ (в программно-управляемых ОУ). Операционный усилитель серии ^ПИТ’ В ^ПИТ. ном, в ^ПОТ’ мА КихЮЗ UCM. мВ тки,., см мкВ/°C ’вх’ нА К140УД1А, +(3...7> +6,3 6 0,5 5... 10 20 5000 КР140УД1А К140УД1Б. +(7...13> ±12,6 12 1,3 5... 10 20 8000 КР140УД1Б К140УД1В, КР140УД1В +(7... 13) +12,6 12 8 5... 10 20 8000 +С7...13) +12,6 16 35 5 20 700 К140УД2 К140УД5А1) +(6...13) +12 12 0,5 10 35 5000 К140УД5БО +(6...13) +12 12 1 7 10 10000 К140УД6, +<5...2О) +15 3 30 8 20 50 КР140УД608, К140УД7, КР140УД708 +(5...20> +15 2,8 30 9 10 400 К140УД8. +(12... 16) +15 5 20... 20... 50 0,2 КР140УД8 (А-В) ...50 ...50 К140УД9 +(9...18) +12,6 8 35 5 20 350 К140УД10 +(5... 18) +15 10 50 5 20 250 К140УД11. КР140УДД101 1 + 00 +15 8 30 10 50 500 К140УД12, + (1,5...18) +3/ 0,03/ 25/50 6 5/6 10/50 ?КР14вУД12(1»2) - * /15 /0,17 К140УД13 +(9...М> +1Л 1...2 10 " 0,05 , 0,5 р,5 К140УД14, +(5...М) +15 1 25... 5 20 • 5 КР140УД1408(А,Б) ...50 К140УД17, +(3...18) +15 5 120... 0,1... 1,3 4... 12 КР140УД17(А,Б) ...200 ...0,25 КР140УД18 +(6...18) + 15 4 25...50 10 - 0,2 К140УД20. КР140УД20(А,Б) +(5...2О) +15 3 25...50 3...6 2 100 К140УД21 - + 15 5,5 1000 0,06 0,5 0,5 К140УД22, К140УД2201 +(13,5... 16,5) +15 10 50 10 10 0,2
МИКРОСХЕМЫ ОУ 259 Таблица 4.2,1 Д1ВХ' [ нА идиф: max, В %, max, В Кос. сф., Дб fl МГц ' 11вых, В/мкс ±ивых. max, В *н ' min, кОм Rbx„ мОм Зарубежный аналог 1500 1,5 3 60 3 0,2 2,8 5 0,004 |Х А702 1500 1.5 6 60 8 0,5 5,7 5 0,004 |Х А7О2 1500 1,5 6 60 8 0,5 5,7 5 0,004 р А702 200 4 6 80 2 0,12 10 5 0,3 /1 А723 1000 3 6 50 5 6 6,5 5 0,05 САЗОЗО 5000 3 6 60 10 6 6,6 5 0,003 САЗОЗО 15 30 11 70 1 2 12 1 1 MCI 456 200 20 15 70 0,8 0,3 10,5 2 0,4 р А741 0,1... ...0,15 6 10 70 1 2 10 2 10 р А740 100 4 7 80 1 0,2 10 1 0,3 р А709 70 4 6 70 15 30 12 2 0,4 LM118 200 10 11 70 15 50 12 2 0,4 LM318 6/28 - 1,2/ /12 70 0,2/1 0,1/ /0,8 2/12 5 50/5 |Х А776 0,2 - 1 90 0,01 - 1 5 50 - 1 13 13 85 0,5 о,1 12 1 30 LM3O8 2... ...6 15 13 100 0,4 6,1 12 2 30 ОР07Е 0.2 - 16 80 2,5 5 11 2 10б LF-355 30 10 12 70 0,5 0,3 11 1 0,4 . |Х А747 - 10 1 10 10,5 2 - ХА2900 0,05 20 10 80 5 12 10 2 - LF336 9*
260 МИКРОСХЕМЫ ОУ Операционный усилитель серии ипит.« В и пит. ном, В ^пот* ?лА KjjXl03 UCM- мВ TKUcm мкВ/°С нА К140УД23 - +15 7,5 50 5 0,1 К140УД24 - +5 3,5 1000 0,005 0,05 0,01 К140УД26А +(13,5.. 16,5) +15 4,7 1000 0,025 0,6 35 К140УД26Б +(13,5... 16,5) +15 4,7 1000 0,06 1,3 50 К140УД26В +(13,5... 16,5) +15 4,7 700 0,1 1,8 75 К140УД27А +(13,5... 16,5) +15 4,7 1000 0,025 0,6 35 К140УД27Б +(13,5... 16,5) +15 4,7 1000 0,06 1,3 50 К140УД27В +(13,5. .16,5) +15 4,7 700 0,1 1,8 75 К153УД1 +(9... 18) +15 6 20...80 7,5 30 1500 К153УД2 +(5... 18) + 15 3 25. ..50 7,5 30 1500 К153УДЗ +(9. .18) +15 6...8 25...35 2...5 15 200 К153УД4 +G...9) +6 0,2... ...0,7 5...10 5 50 400 К153УД5 +(5..16) ±15- 3,5 500... ...1000 1...2 10 100 К153УД6 +(5. 18) +15 3 50 2 15 75 К154УД1 +(4... 18) +15 0,15 100.. ...200 5 30 40 К154УД2 +(5...18) +15 6 10 2 20 100 К154УДЗ +(5... 18) +15 7 8... 10 10 30 200 К154УД4 +(5 ..17) ±15 7 8...10 6 50 1200 К157УД1 +(3...20) +15 9 50 5 50 500 К157УД2 +(3...18) +15 7 50 10 50 500 К544УД1. КР544УД1 (А,Б) +(3...20) ±15 3,5 50 20 50 о,1 К544УД2, КР544УД2 (А-В) +(8...16) +15 7 20 50 50 0,5 К551УД1 (А,Б) +(5...16,5) +15 5 500 1,5 10 120 КМ551УД1 (А.Б) +(5...16,5) + 15 5 500 2 10 120 К551УД2, КР551УД2 (А,Б) +(5.. 16,5) +15 10 500 5 20 2000 К553УД1 (А-В) +(9...18) +15 6 10... 20 7,'5 30 200 К553УД2 +(5... 18) +15 3 20 7,5 30 1500 К553УДЗ +(9..,18) +15 4 30 2 15 200 К574УД1, +(13,5... 16,5) + 15 8 50 50 50 0.5
МИКРОСХЕМЫ ОУ 261 Продолжение табл. 4.2.1 ^ВХ* нА U ж ДИф. max, В исф. max, В Кос. сф., Дб МГц VUbhx, В/мкс шах, В я s *Чх., мОм Зарубежный аналог - - - 10 30 10,5 2 ’ - LF157 - - 2 120 2 2,5 4,7 10 - ICL7650 - - 11 114 - - 12 2 - ОР37 - - 11 114 - - 12 ’ 2 - ОР37 - - 11 114 - - 11,5 2 - ОР37 - - И 108 - - 12 2 ОР27 - - И 100 - - z 12 2 - ОР27 - - и 94 - - 11,5 2 - ОР27 500 5 8 70 /1 0,2 10 2 0,2 J1A709 500 30 12 70 1 0,5 10 2 0,3 LM101 50 5 8 80 1 0,5...2 10 2 0,4 р А709А 150 2 5 70 0,7 0,15 .4 5 0,2 WCCI88 20 5 13 100 0,2 0,01 10 2 1 рА725 10 30 12 80 0,7 0,5 10 2 0,3 LM301A 20 10 10 80 1 • 10 11 2 1 НА27О0 20 10 10 70 15 +1503) -75 10 2 0,5 НА2530 50 10 10 80 15 80 10 2‘ 1 AD509 300 - 10 70 30 400 10 2 1 НА2520 150 - 20 70 0,5 0,5 12 0,02 1 - 150 - 18 70 1 0,5 13 0,3 0,5 2xLM301 0,05 10 10 80 1 3 10 2 ’ 10 р А740 0,1 10 10 70 ' 15 20 10 2 10 САЗ 130 35 5 13 100 0,8 0,01 12 2 1 - 35 5 13 100 0,8 0,01 12 2 1 ц А725 1000 5 / 8 70 1 0,25 12 2 0,5 р А739 60 5 8 65 1 0,2 10 2 0,2 ц А7О9С 500 30 12 70 1 0,5 10 2 0,3 LM301 50 5 8 80 1 0,2 10 2 0,3 р А709А 0,2 10 30 80 10 50 10 2 10 AD513
161 МИКРОСХЕМЫ ОУ Операционный усилитель серии ^ПИТ.’ В ^ПИТ. ном, в ^ПОТ’ мА Ких103 исм- мВ ™см мкВ/°С ^Х’ нА КР574УД1 (А-В) К574УД2, +(13,5... 16,5) +1.5 10 25 50 30 1 КР574УД2 (А-В) К574УДЗ, КР574УДЗ +(13,5... 16,5) +15 7 20 5 •5 0,5 КФ1032УД14) + (1...1,5) + 1,2 1,2 25 5 - 50 К1401УД1 +(2..,15) + 15 8,5 2 5 30 150 К1401УД2А +(1,5... 16,5) +15 3 50 5 30 150 К1401УД2Б 3...16.5 5 2 25 7,5 30 150 К1401УДЗ +(1,5... 16,5) +15 2,5 50 6 - 250 К1401УД4 +(5...15> +15 11 50 7,5 - - К1407УД1, КР1407УД1 +(3...12) +5 8 10 10 50 10000 К1407УД2, +(1,2... 13,2) + 12 0.1 50 5 - 150 КР1407УД2 К1407УДЗ, КР1407УДЗ +(2..,12) +6 2 10 5' . 20 5000 КФ1407УД4 +(1,5...6) +1,5 2 3 5 - 2000 К1408УД1, +(7...4О) +27 5 70 8 12 40 КР1408УД1 К1408УД2 +(5...2О) +15 2,8 50 4 - 200 К1409УД1 (А.Б) +(5... 15) +15 6 20 15 - 0,05 К1416УД1 - +6 8 5 5 - 5000 К1422УД1 - +15 25 50 5 - 500 К1423УД1Я +(0,9...8) +1,3/- 0,01/1 10/10 5/5 - 0,001/ /0,001 К1423УД2 +(2,5... 15) +15 2,5 25 7 - 250 К1423УДЗ - +12 - 3 15 - - К1426УД1 6) + (6... 18) ±18 4 60 3 - 2000 К1427УД1 - +15 4 200 - - 800 К1429УД1 +(0,9...5,5) ±5 14 10 15 - 0,05
МИКРОСХЕМЫ ОУ 263 Окончание табл. 4.2.1 Г Л1ВХ’ нА ^Диф. max, В исф. max, В Кос. сф., . Дб fl МГц ^Евых, В/мкс i^BbJX. max, В Rh min, кОм ^вх., мОм Зарубежный аналог 0,5 10 10 60 2 10 10 10 103 TL0837 0,2 - 10 80 15 30 10 10 103 LF151 20 / 1,5 70 1 - 0,7 - - TAB 1042 - 12 13 70 2,5 0,5 12,5 0,1 LM2900 30 12 13 70 1 0,35 12 - 0,2 LM324 60 2 3,5 70 0,7 6,35 3 - 0,2 LM324 100 12 13 70 2,5 - 12 - 0,2 TDB0146 - 12 13 75 2,5 - 10 - - MSLP-347 2000 2,5 4 70 20 10 3 I - - 50 2,5 10 70 3 0,5 10 2 - LM4250 1000 2,5 4 75 5 5 3 2 - EK-41 500 2,5 1,5 . 70 1 1 0,65 0,25 - TAB 1042 10 43 21 70 0,5 1,5 19 5 I LM343 70 - 15 70 0,8 0,7 11,5 2 0,4 • g A747C 0,03 10 Ю 70 1 4 12 2 106 CA3140 - - - - - 5 2,5 - - - - - - - - 12 - j - p. A79I 0,0005/ - - 70/ 0,044/ 0,016/ 1,2/- - - ICL7612 /0,0005 /70 /1,4 /1,6 13 2 -- 50 - - - - - 10,5 - - LM392 400 14 14 80 - 5 16 10 - N1M2043 - - - - 2 3 10,5 - - NE5517 3 - - - - 4,5 100 L272
264 ' МИКРОСХЕМЫ ОУ I) Эти микросхемы имеют две пары входных выводе®: высокоомный вход - 8 и I L, ни<- коомный - 9 и 10. Параметры для К140УД5Б указаны для низкоомного входа (вывод 8 соединен с 9, 10 с II). 2) Параметры указаны для двух значений управляющего тока 1уПр-1,5/15 мкА. 3) Значение параметра для положительного перепада выходного напряжения и отрица- тельного неодинаковы. 4) Содержит два ОУ и два компаратора напряжения. > Параметры указаны для двух значений управляющего тока 1уПр"Ю/ ЮООмкА. Q Микросхема предназначена для построения усилителя-корректора магнитной головки звукоснимателя.
МИКРОСХЕМЫ ОУ 265 Рис. 4.7 К140УД1 (КР140УД1) 9(10) Ш 9/5)\ 1 > сю FC FC *и -и MZL .12(12) II & II 1 718) «П П1) т ос М.кОн Ct, nV / 0,02 10000 0,2 1000 (00 2 юс м=зооо* сьшоопФ С2=0,С15нкФ СЗ-1000 пф К140УДЗА (К140УД5Б) К140УД6 КР140УД608 К140УД7 КР140УД708 М 51к ^ос a, nv 02, nV 05,nV 1 >10 10(15) 51(15) 10(15) <150 К140УД8 (КР140УД8)
266 МИКРОСХЕМЫ ОУ Рис. 4.7 К140УД10 К140УД11 (КР140УД1101) К140УД12 К140УД14 К140УД17 КР140УД17 КР140УД18 К140УД20 КР140УД20
МИКРОСХЕМЫ ОУ 267 Рис. 4.7 К140УД22 К140УД2201 К140УД23 t М40УД2Ь К140УД27 К153УД1 (К553УД1) Кос R1,K0n а,пФ 02,пФ 1 1,5 5100 200 10 1,5 510 20 ЮО 1,5 110 3 1000 0 10 3 К153УД2 (К553УД2) Кос 1 10 100 01,пФ 30 .5 3 К153УДЗ (К553УДЗ) Кос R1,n0n 01,пф 02,пФ 1 1,5 5100 200 10 1,5 510 20 100 1,5 110 3 1000 0 10 3
268 МИКРОСХЕМЫ ОУ Рис. 4.7 ...ЛЗУД4 5 ос С1, пФ С2,пФ 1...Ю ^150/Кос •‘50/КОС >,10 15 5,1 К153У.Д5 ^ос 1 10 100 1000 R^Om C2tn<P 10 moo 27 moo 47 10000 Ц70 1000 R3,0m С1,пФ 39 22 270 1.5 ~~ - К153У.Д6 5 oc ' 1 10 Ю0 Ct,пФ 30 5 3 При Кос<*3 С1*5,6пФ; при Кос>3 С1 снять. К154УДЗ К154УД2 Г1 3. 10- 5 ОС C2,n<P 4.3 30/КОС >3 10
MkiAгосАЁхМЫ ОУ 205» Рис. 4.7 К154УД4 К157УД1 К157УД2 01*02 <30 пФ К544УД1 КР544УД1 К551УД1 КМ551УД1 К544УД2 КР544УД2 При Кос4,2О 01* “(1...50) пФ или со- единить выводы 1и8 при К0с>20 01 Дос 1 10 too 1000 R9,0m 10 27 97 970 С2,пФ тоо 97000 10000 1000 R3,0n С1,пФ 39 22 270 1.5 - -
270 МИКРОСХЕМЫ ОУ К551УД2 КМ551УД2 Рис. 4.', Кос 1 10 ЮО а,пч> 10 %s — Kt, Ом %7 33 150 СЗ.мкФ 0,1 0,01 0,001 К574УД1 (КР574УД1) При КОс4-6 С1"'(30/Кос),пФ-, при Крс>6 С1“5пФ К574УД2 (КР574УД2) К574УДЗ (НР574УДЗ)
МИКРОСХЕМЫ ОУ 271 Рис, 4,7 К1407УД2 (КР1407УД2) К1407УД1 (КР1407УД1) Byfjp*(2Unnm~^J В)^1уПр; 1упр*10-8...1(Г*А. К140>УДЗ (КН4р7УДЗ) 5500 Купр Rynp'lZUnHrrrO, 7 Bjflynp; 1упр=0,01-0.15мА.
272 МИКРОСХЕМЫ ОУ Рйс. 4.7 К1408У Д2 К1408УД1 (НР1408УД1) К14О9УД1 К1423УД1 К1423УД2
МИКРОСХЕМЫ ОУ 273 Рис. 4.7 К1426УД1 Типовая схема включения микросхемы КР1426УД1 К1427УД1 К1429УД1
274 МИКРОСХЕМЫ К142 4.2.2.Микросхемы серии К142 Микросхемы серии К142 и КР142 - стабилизаторы напряжения, выполненные ме- тодом полупроводниковой технологии на основе биполярных транзисторов с изоляцией элементов р-п переходом и диэлектриком. Предназначены для построения источников вторичного электропитания. В состав серии входят: К142ЕН1А - К142ЕН1Г, КР142ЕН1А - КР142ЕН1Г - стабилизаторы напряжения с выходным напряжением, регулируемым в пределах 3...12 В, и током нагрузки до 150 мА; К142ЕН2А -- К142ЕН2Г, КР142ЕН2А - КР142ЕН2Г - стабилизаторы напряжения с выходным напряжением, регулируемым в пределах 12...3O В, и током нагрузки до 150 мА; К142ЕНЗА, К142ЕНЗБ, КР142ЕН4А, КР142ЕН4Б - стабилизаторы напряжения повышенной мощности с регулируемым выходным напряжением в пределах 3...30 В и максимальным током нагрузки 0,75...! А, системой защиты от перегрева и перегрузки по току; К142ЕН5А - К142ЕН5Г, КР142ЕН5А - КР142ЕН5Г - стабилизаторы напряжения с фиксированным выходным напряжением +5 и +6 В, током нагрузки до 3 А: К142ЕН6А - К142ЕН6Е - двухполярный стабилизатор напряжения с фиксирован- ным выходным напряжением + 15 В и током нагрузки до 200 мА на каждом выходе; К142ЕН8А - К142ЕН8Е - стабилизаторы напряжения, с фиксированным выходным напряжением +9, +12 и +15 В и током нагрузки 1 и 1,5 А; К142ЕН9А - К142ЕН9Г - стабилизаторы напряжения с фиксированным выходным напряжением +20, +24 и +27 В и током нагрузки I и 1,5 А; К142ЕН10 - стабилизатор напряжения с выходным напряжением, регулируемым в пределах 3...30 В и током нагрузки до 1 А; К142ЕНП - стабилизатор напряжения с выходным напряжением, регулируемым в пределах 1.2...37 В и током нагрузки до 1,5 А; К142ЕН12 - стабилизатор напряжения с выходным напряжением, регулируемым в пределах 1,3...37 В и током нагрузки до 1 А; К142ЕН15 - двухполярный стабилизатор напряжения с фиксированным выходным напряжением + 15В и током нагрузки до 200 мА иа каждом выходе, системой защиты от перегрева и перегрузки по току; К142ЕП1А, К142ЕП1Б - устройства управления импульсными стабилизаторами напряжения. я ч К142ЕШ А, К142ЕШБ. К142ЕН1В, К142ЕШГ, КР142ЕН1А, КР142ЕН1Б. КР142ЕШВ, КР142ЕШ, K14JEH2A, К142ЕН2Б, К142ВН2В, К142ЕН2Г, КР142ЕН2А, КР140ЩЖЖП42ЕН2В, K.R142EH2T Микросхемы представляют собой регулируемые стабилизаторы напряжения. Микросхемы К142ЕН1А-К142ЕН1Г, К142ЕН2А-К142ЕН2Г имеют корпуса типов 402.16-7 й 4112.16-15: КР142ЕН1А-КР142ЕЖГ, КР142ЕН2А-КР142ЕН2Г - типа 2102.14-1. Микросхемы в корпусах 402.16-7, 4112.16-15 предназначены только для экспериментальных работ, в корпусах 2102.14-1 - для применения в серийной аппаратуре. Обозначение типов микросхем в корпусе 2102.14-1 приводится на корпусе; на микросхемы в корпусе 402.16-7 Заносится сокращенное обозначение: К142ЕН1А, К142ЕН2А-КЕН1 А, КЕША; К142ЕН1Б, К142ЕН2Б-КЕН1 Б, КЕН2Б; К142ЕН1В, К142ЕН2В-КЕН1В, КЕН2В; К142ЕН1Г, К142ЕН2Г-КЕН1Г, КЕН2Г; на микросхемы в корпусе 4112.16-15 наносится двухзначный код с буквой ”К”:
МИКРОСХЕМЫ К142ЕН1, К142ЕН2 275 К142ЕН1А-КО6; К142ЕН1Б-К07; К142ЕН1В-К27; К142ЕН1Г-К28; К142ЕН2А-К08: К142ЕН2Б-КО9; К142ЕН2В-К29; К142ЕН2Г-К30. Масса микросхем в корпусах 402.16-7 и 4112.16-15 не более Г,4 г, в корпусе 2102.14-1 не более 1,2г. Зарубежный аналог: р А723С. Назначение выводов: в корпусах 402.16-7 и 4112.16-15: 2 - фильтрация; 4 - вход 2; 6 - опорное напря- жение- 8 - общий (-Un); 9 - выключатель; 10,11 - защита по току; 12 - регулировка вы- ходов; 13 - выход 1; 14 - выход 2; 16 - вход 1; в корпусе 2102.14-1: 1,2 - защита по току; 3 - обратная связь; 4 - вход дифферен- циального усилителя; 5 - опорное напряжение; 6,9 - не используются; 7 - общий <-Un>; 8 - выход 1; 10 - выход 2; 11 - вход 2; 12 - вход Г, 13 - коррекция; 14 - выключатель. Электрические параметры Выходное напряжение при Ц^-10 В, 1вых“ 50 мА, Т - -45...+85° С: КР142ЕН1А - КР142ЕН1Г, К142ЕН1А - К142ЕН1Г........................3...12 В КР142ЕН2А - КР142ЕН2Г, К142ЕН2А - К142ЕН2Г........................12...30 В Ток потребления при UBX-20 В, Ц^-12 В для К142ЕН1А-К142ЕН1Г, КР142ЕН1А- КР142ЕН1Г и UBX-40 В , Ьвых-30 В для К142ЕН2А-К142ЕН2Г, КР142ЕН2А- КР142ЕН2Г, Т - +25° С, не более......................................„4 мА Дрейф напряжения за 24 ч при Свх” 20 В для К142ЕН2А - К142ЕН2Г, UBX ” 40 В для К142ЕН2А - К142ЕН2Г, 1^- 50 мА, Т - +25° С ие более..................0,5 % Минимальное падение напряжения при *вых“^° мА, Т " -45°С, не более: схемы с совместным питанием......................................4,5 В схемы с раздельным питанием..............;.......................2,5 В Коэффициент нестабильности по напряжению при ^вх“ 20 В, ^вых“12 В для К142ЕН1 и Ue - 40 В, Ue - 30 Б для К142ЕН2, не более: вх вых при Т - +250 с (1вых- 50 мА ): КР142ЕН1А, КР142ЕН2А, К142ЕН1А, К142ЕН2А......................0,3%/В КР142ЕН1Б, КР142ЕН2Б, К142ЕН1Б, К142ЕН2Б......................0,1%/В КР142ЕН1В, КР142ЕН1Г, КР142ЕН2В, КР142ЕН2Г, К142ЕН1В, К142ЕН1Г, К142ЕН2В, К142ЕН2Г........................0,5%/В при Т - +85 и -45° С <1вых- 35 мА при Т - +85° С, 1вых~ 50 мА при Т - -45° С: КР142ЕН1А, КР142ЕН2А, К142ЕН1А, К142ЕН2А......................0,5%/В КР142ЕН1Б, КР142ЕН2Б, К142ЕН1Б, К142ЕН2Б..................... 0,2%/В КР142ЕН1В, КР142ЕН1Г, КР142ЕН2В, КР142ЕН2Г, К142ЕН1В, К142ЕН1Г, К142ЕН2В, К142ЕН2Г............................................0,8%/В Коэффициент нестабильности по току при UBX - 16,5 В, UBbJX " 12 В, Т “ +25° С, не более: КР142ЕН1А, КР142ЕН2А.К142ЕН1 А, К142ЕН2А.....................11.1%/А КР142ЕН1Б, КР142ЕН2Б, К142ЕН1Б, К142ЕН2Б......................4,4%/А КР142ЕН1В, КР142ЕН2В, К142ЕН1В, К142ЕН2В.....................44,4%/А КР142ЕН1Г, КР142ЕН2Г, К142ЕН1Г, К142ЕН2Г.....................22,2%/А Температурный коэффициент напряжения при 1>вх- 12 В, Т - -45...+85° С, не более: КР142ЕН1А, КР142ЕН1Б, К142ЕН2А, КР142ЕН2Б, К142ЕН1А, К142ЕН1Б, К142ЕН2А, К142ЕН2Б, КР142ЕН1В, К? 142ЕН1Г, КР142ЕН2В, КР142ЕН2Г, К142ЕН1В, К142ЕН1Г, К142ЕН2В, К142ЕН2Г......................... 0,05%/С Предельные эксплуатационные данные Входное напряжение при Т - -45...+85° С: КР142ЕН1А - КР142ЕН1Г, К142ЕН1А - К142ЕН1Г.......................20 В КР142ЕН2А - КР142ЕН2Г, К142ЕН2А -К142ЕН2Г........................40 В Минимальное входное напряжение при Т - -45...+85° С для КР142ЕН1А - КР142ЕН1Г, vI47F.H1A - К142ЕН1Г....................................................9 В
276 МИКРОСХЕМЫ К142ЕН1, Ка42Еп. Выходной ток (с учетов внешнего делителя) во всем диапазоне входных и выходных на- пряжений................................................................150 мА Рассеиваемая мощность *. при Т - -45. +55° С......f...........................................0,8 Вт при Т - +850 Q................................................. ... 0,55 Вт Импульсная рассеиваемая мощность при tM " 1 с, Q — 5..................^^рас max Температура окружающей среды..................................45° С...Т*" +85° С Примечание: 1 .Допускается соединение с общим выводом аппаратуры как положи- тельного, так и отрицательного выходного напряжения микросхемы: при этом ”+’’ и входного напряжения (аккумулятора, выпрямителя, фильтра и т.д.) должны быть изо- лированы от общего вывода аппаратуры. 2. Разрешается производить монтаж микросхемы 2 раза, демонтаж 1 раз. 3. При эксплуатации минимальный ток делителя 1,5 мА. 4. Разрешается использовать микросхемы К142ЕН1А - К142ЕН1Г при UBXmjn - 5,5 В в схеме с дополнительным источником питающего напряжения, превышающим 9 В. Разрешается использовать микросхемы К142ЕН2А - К142ЕН2Г при Свхп]|п - 9 В; при этом электрические параметры остаются в пределах, указанных для диапазона Ч,ЫХ-12..3ОВ 16 4 13 K1W1 Г — Л. 01 HL R2 1,6к |Л/ \22к+ СЗт^Т 5,0 0.1 8 Типовая схема включения микросхемы К142ЕН1 и К142ЕН. Схема включения K142EHI и KI42EH2 в состав стабилизатора с использованием внут- ренней схемы защиты от коротких замыканий в цепи нагрузки (Rl, R2 - делитель в це- пи базы транзистора защиты; R5 - резистор- датчик схемы защиты; Rl “ ? (V + 0,5 В)/ 0,3 мА, кОм; R5 - 0,5 В/1„ЛП, А, Ом), выл пор (1) При Т “ +55...+85° С Р„„ изменяется линейно. рас,шах
-iMivrOCXEMbl K142EH1, K142EH2 277 Принципиальная схема стабилизатора напряжения отрицательной полярности На- пряжение стабилитрона VD1 выбирается, для К142ЕН1 от 7 до 17 В, для К142ЕН2 от 7 до 37 В. Ток, протекающий через резисторы R6, R7, R8, должен быть не менее 1,5 мА. Среднее значение нестабильности по напряжению стабилизатора 0,015 %, по току 0,025 % Принципиальная схема стабилизатора с улучшенными характеристиками. Принципиальная схема стабилизатора напряжения с повышенной нагрузочной спо- собностью. При указанных» номиналах резисторов и токе нагрузки 0,5 А напряжение ’•жл выводами 10 и 1 1 равно 0,04 В. Устройство защиты устойчиво срабатывает при
278 МИКРОСХЕМЫ К142ЕНЗ, К142ЕН4 Inop " 1»15 А; в этот момент выходное напряжение стабилизатора скачком уменьшается до 5 В и уже при токе нагрузки 1н - 1,1 А стабилизатор автоматически возвращается в рабочий режим (1КЗ «• 70 мА, нестабильность по напряжению 0,2% при 1н - 0,5 А) Принципиальная схема стабилизатора напряжения с регулируемым выходным на- пряжением в широких пределах (обеспечивает регулировку выходного напряжения от нуля до максимального значения, установленного для данных микросхем). К142ЕНЗА, К142ЕНЗБ, К142ЕН4А, К142ЕН4Б Микросхемы представляют собой регулируемые стабилизаторы напряжения с сис- темой защиты от перегрева и перегрузки по току.-Они допускают выключение внешним управляющим сигналом. При срабатывании системы защиты от перегрузки по току вы- ходное напряжение уменьшается почти до 0. В случае срабатывания системы тепловой защиты повторное включение стабилизатора возможно только после остывания микро- схемы. Корпус типа 4116.8-2. Масса не более 3 г. Зарубежный аналог:ЕМ317. Назначение выводов; 2 - вход системы защиты; 4 - вход сигнала обратной связи; 6 - цепь выключения; 8 - общий вывод, электрически соединен с фланцем; 11, 17 - кор- рекция; 13 - выход; 15 - вход. Электрические параметры Выходное напряжение при Т " +25° С: при ивх " 25 В’ ^вых " 10 мА для К142ЕНЗА, К142ЕН4А......................3...30 В ПРИ " 40 В, I™, “ Ю мА для К142ЕНЗБ, К142ЕН4Б......................ф....5.„30 В вх вых Дрейф напряжения (за сутки) при Т - +40° С, не более: при Unv " 45 в’ " 30 + A U В, 1 - 10 мА для К142ЕНЗА, К142ЕН4А..0,15% ВА вых вых при Uov - 40 В, L' - 30 + Ди В, - 10 мА для К142ЕНЗБ, К142ЕН4Б..0,15% ВА ВЫЛ — ВЫХ Минимальное падение напряжения при Т - +-25° С, не более: при UBX - 19 В, ивых - 16В для К142ЕНЗА, К142ЕН4А....................3 В ПРИ Ч. " 19 В, U - 15В для К142ЕНЗБ, К142ЕН4Б....................4 В Вл вых Коэффициент нестабильности по напряжению, не более: . Т - +25° С: при U - 45 В, U -ЗОВ и U - 12В, U В. 1вых - 10 мА для ВА оЫЛ ВА ВЫА ВЫЛ К142ЕНЗА, К142ЕН4А...........................................0,05%/В при U - 40 В, U -30 В и U - 12,5 В, UBblx - 5 В, I - 10 мА для
МИКРОСХЕМЫ К142ЕНЗ, К142ЕН4 279 К142ЕНЗБ, К142ЕН4Б............................................. 0,05%/В Т - +85 и -45° С при и - 45 В, и - 30 + ДО В, 1 - 10 мА для Ю42ЕН’Л, ИЛ t>D!A ИЕ>1Л К142ЕН4А......................................;.................. О,Т%/В п₽» " 40 в- “ 3° + AU, " 1° мА для К142ЕНЗБ, К142ЕН4Б...........................................................0,1 %/В Коэффициент нестабильности по току при U_v - 19В, U v*= I5B, +25° С, не бо- вх вых лее: К142ЕНЗА, К142ЕН4А.....................!.........................0,25%/В К142ЕНЗБ, К142ЕН4Б...............................................0,33%/В Температурный коэффициент напряжения при U0X - 20 В, Ъ'вых *= 5 + Д U В, 1ВЬ1Х " 1° мА, Т “ +85...-45° С, не более: К142ЕНЗА, К142ЕН4А.................................................0,01 %/С К142ЕНЗБ, К142ЕН4Б.................................................0,02%/С Ток потребления при Т " +25° С, не более: при ивх " 45 В- Цвых " 30 в ли» К142ЕНЗА, К142ЕН4А.................10 мА при ивх " 40 В’ ивых “ 30 В для К142ЕНЗБ, К142ЕМ4Б.................10 мА Примечание: ДО определяется значением опорного напряжения микросхемы и па- раметрами делителя выходного напряжения. Предельные эксплуатационные данные Входное напряжение при Тк — -45...+85° С: К142ЕНЗА, К142ЕН4А................................................... 45 В К142ЕНЗБ, К142ЕН4Б................................................... 40 В Минимальное входное напряжение при Тк - -45...+85° С: К142ЕНЗА, К142ЕН4А......................................................9 В К142ЕНЗБ, К142ЕН4Б....................................................9.5 В Выходной ток (с учетом тока делителя): при Т - -45...+85° С: К142ЕНЗА, К142ЕН4А......................................................1 А К142ЕНЗБ, К142ЕН4Б...................................................0,75 А при Тк - +100° Си1)вх< 30 В: К142ЕНЗА, К142ЕН4А................................................... 0,5 А К142ЕНЗБ, К142ЕН4Б....................................................0,4 А при Тк - +100° С и U8X > ЗОВ: К142ЕНЗА, К142ЕН4А...................................................0,25 А К142ЕНЗБ, К142ЕН4Б.................................................. 0,2 А Рассеиваемая мощность: при Т “ -45.+85° С U 30 В..................................................................6 Вт вх , UBX > 30 В..............................................................4 Вт при Тк-+Ю0° С: UBX<:30 В...........................................................2ЛВт ивх > 30 В................v.......................................... 13 Вт Температура окружающей среды.......„..л....'.................:..............-45° С...ТК “= +100° С ' Примечание: 1. Допускается соединение с общим выводом аппаратуры ”+” или выходного напряжения микросхемы: при э*.'ом корпус микросхемы должен быть изоли- рован от общего вывода аппаратуры. 2. При выборе делителя выходного напряжения следует руководствоваться следую- щим: минимальный ток делителя 1,5 мА; сопротивления резисторов R1 и R2 выбира- ются из‘условия U„.,v - UURl + R2)/R2, где U„ - 2,6 В напряжение - обратной J ВЫХ О.<- v.u связи на выводе 4.
280 МИКРОСХЕМЫ К142ЕНЗ, К142ЕН4 3. Разрешается производить монтаж микросхемы в аппаратуре 2 раза, демонтаж 1 раз. 4. Разрешается эксплуатация микросхем при U . - 8,5 В; при этом Кь<0,15%/В.. ВХга,П 5 Емкость входного конденсатора С| > 2,2 мкФ, а расстояние от конденсатора до микросхемы не более 70 мм. При эксплуатации микросхем с включенной внутренней защитой от перегрузок по току допускается не включать резистор R5; при этом UBX 20 В и TR ^+100° С. Допускается также не включать резисторы R5 и R7; при этом UBX 1-5 В и тк^+юо° С. 6. Допустимое значение статического потенциала 2 кВ. С2 Типовая схема включения микросхем К142ЕНЗ (А,Б), К142ЕН4 (А,Б): Rl, R2 - дели тель выходного напряжения; CI - входной конденсатор емкостью не менее 2,2 мкФ; С2 - корректирующий конденсатор емкостью не менее 0,01 мкФ, СЗ - выходной конденса= тор емкостью не менее 0,68 мкФ. Схема включения микросхем К142ЕНЗ (А,В) и К142ЕН4 (А,В) с использованием внут- ренней схемы защиты от перегрузок по току: R4£5,4k0m - ограничительный резистор регулировки тепловой защиты; R3 - ограничительный резистор регулировки токовой защиты: R3 [Ом]-{М - N - 0,023 (LI -U )}/! , где М - 1,25 В; N - 0,51: ИА НЕмА ilup ЧМр 1 пор^1 ’^вых.тах'
МИКРОСХЕМЫ К142ЕН5 281 _0/ ~10fi КН2ЕНЗМ т2ЕМ(А,Е) в С} 1,0 tf|/7| 11\U Скема включения микросхем'К 142ЕНЗ (А,Б), К142ЕН4 (А,Б) с использованием внут- ренней тепловой защиты : R3 - ограничительный резистор для регулирования порога срабатывания тепловой защиты в диапазоне температур корпуса +65...+100° С: R3 = 1 (xOm)((KTk-6,65)/(1-0,42KTk)J, где К-0,037° С'1 02 0,/ J VTI K1SQ5A IS _0/ 70,0 4 KU2EH3M [к КШЕШ(А,Б) ф IW 0J 1,0 = R1 02 Схема включения микросхем К142ЕНЗ (А.Б), К142ЕН4 (А,Б) с дополнительным’тран- зистором для увеличения выходного тока. К142ЕН5А. К142ЕН5Б, К142ЕН5В, К142ЕН5Г. КР142ЕН5А. КР142ЕН5Б, КР142ЕН5В, КР142ЕН5Г Микросхемы представляют собой стабилизаторы напряжения с фиксированным вы- ходным напряжением и защитой от перегрузок по току. Корпус микросхем К142ЕН5А - К142ЕН5Г типа 4116.4-2, КР142ЕН5А - КР142ЕН5Г типа КТ-28-2. Микросхемы в ме- таллокерамическом корпусе (41 16.4-2) предназначены только для экспериментальных работ, в металле пол и мерном (КТ-28-2) - для применения в серийной радиоаппаратуре. Масса микросхем в корпусе 4116.4-2 не более 3 г., в корпусе КТ-28-2 не более 2,5г Зарубежный аналог: К142ЕН5А, КР142ЕН5А, К142ЕН5В, КР142ЕН5В -рА7805С; К142ЕН5Б, КР142ЕН5Б, К142ЕН5Г, КР142ЕН5Г - р. А7806С Назначение выводов: 2 - выход; 8 - общий; 17 - вход. Электрические параметры Выходное напряжение при UBX“ 10 В, 1ВЫХ “ Ю мА, Т “+25° С: К142ЕН5А, КР142ЕН5А...............................................5+0,1 В К142ЕН5Б, КР142ЕН5Б.............v................................6+0,12 В К142ЕН5В, КР142ЕН5В...-.......................................-...5+0,18 В К142ЕН5Г, КР142ЕН5Г..Д........................................ .6+0,21 В
282 МИКРОСХЕМЫ К142ЕН5 Ток потребления при L’BX - 15 В, Т в +25° С, не более................................................................ ...10 мА Дрейф напряжения (за 500ч) при LJ - 15 В, I v - 0,5 А, Т - +100® С, не бо- / вх вых к лее:..........................................................................1,5 % Коэффициент нестабильности по напряжению при С’вх “ 10 В, 1вых - 10 мА, Т “ -45...+85° С, не более....................................................0,05%/ В Предельные эксплуатационные данные Входное напряжение при TR “ -45...+100° С.........................................15 В Минимальное входное напряжение при- - -45...+100° С: К142ЕН5А, К142ЕН5В, КР142ЕН5А, КР142ЕН5В..................................7,5 В К142ЕН5Б, К142ЕН5Г, КР142ЕН5Б, КР142ЕНН5Г.................................8,5 В Входной ток I; при Тк - -45 и +100° С: К142ЕН5А, К142ЕН5Б, КР142ЕН5А, КР142ЕН5Б....................................2 А К142ЕН5В, К142ЕН5Г, КР142ЕН5В, КР142ЕН5Г..................................1,5 А при Тк - -20...+40° С: К142ЕН5Л, К142ЕН5Б, КР142ЕН5А, КР142ЕН5Б.......................................3 А К142ЕН5В, К142ЕН5Г, КР142ЕН5В, КР142ЕН5Г,.....................................................2 А Коэффициент нестабильности по току при Т - +25° С, не более: при UBX - 8,3 В для К142ЕН5А, KI42EH5B, КР142ЕН5А, КР14...................1%/А при UBX - 9,3 В для К142ЕН5Б. К142ЕН5Г, КР142ЕН5Б, КР142ЕН5Г..............1%/А Температурный коэффициент напряжения при Свх -10 В, 1В-Ь1Х“,° МА, Т* • -45...+85° С, не более: К142ЕН5А, К142ЕН5Б, КР142ЕН5А, КР142ЕН5Б......................................0,02%/ С К142ЕН5В, К142ЕН5Г, КР142ЕН5В, КР142ЕН5Г..................................0,03%/ С Коэффициент сглаживания пульсаций при UBX в 10 В, f - 1 кГц, Т - +25° С, не ме- нее...............................................................................60 дБ Рассеиваемая мощность 1 (с теплоотводом): при Тк - -45...+70° С...........................7......................10 Вт Тк - +100° С............................................................5 Вт Температура окружающей среды..................................... -45...+1000 С Примечания: 1. Разрешается производить монтаж микросхем 2 раза, демонтаж 1 раз. 2. Допускается подача напряжения на выход микросхемы до 8 В при отсутствии на- пряжения на входе. Допускается увеличение входного напряжения до 20 В при условии, что разность напряжений между входом и выходом микросхемы находится в пределах 2,5... 10 В, а Р « Р ’ ’ рас к рас.тас КН2ЕН5(А-Г) ШН5(АгГ) Типовая схема включения микросхемы К142ЕН5(А - Г) и КР142ЕН5(А - Г) 1 При “ +40...+1000 С, 1_. _av и изменяются линейно. К ВЫл,«Пал р<Ю,1ЦаХ
МИКРОСХЕМЫ К142ЕН6 283 3. Емкость входного конденсатора должна быть не менее 2,2 мкФ, а расстояние от конденсатора до микросхемы не более 70 мм. В этих условиях гарантируется отсутствие генерации на входе с амплитудой, превышающей U^xmax. 4. Допустимое значение статического потенциала 2 кВ. Схема включения микросхем К142ЕН5(А - Г) и КР142ЕН5(А - Г) для повышения вы- ходного напряжения; RI - 300 Ом; R2 - (UBX - UBbJX>Rl/ (Ц^ + 1ПОТ RD К142ЕН6А, К142ЕН6Б, К142ЕН6В, К142ЕН6Г, К142ЕН6Д, К142ЕН6Е Микросхемы представляют собой двухполярный стабилизатор напряжения с фиксированным выходным напряжением. Корпус типа 4116.8-2. Масса не более 3 г. Зарубежный аналог: SG15O1. Назначение выводов: 2 - регулировка; 4 - выход (-); 6 - вход (-); 8 - общий; II - коррекция (+); 13 - выход (+)£ 15 - вход (+); 17 - коррекция (-). Электрические параметры Выходное напряжение при +USX - 20 В, +1рых “ 5мА, Т - +25° С: KI42EH6A, К142ЕИбБ~............................................. +15+0,3 В К142ЕН6В, К142ЕН6Г...................................... .+15+0,5 В К142ЕН6Д, KI42EH6E.............................................+15+1 В Ток потребления по положительному и отрицательному выходу при UBX - 30 В, !вых " Тк " +25° С’не болес.............;...........................18 мА Дрейф напряжения (за 500 ч) при +^вх “ + 30 В, +1ВЫХ “75 мА и +UBX - +25 В, +1ВЫХ - Ю4 мА, Тк - +85° С, не более.................................1 % Минимальное падения напряжения при TR • +25° С, не более: на положительном входе при Ах - Аых! + ипд.тщ. Ах - -20 В- ±'вых - 5 мА:' К142ЕН6А. К142ЕН6Б, К142ЕН6Д, К142ЕН6Е..........................2,3 В KI42EH6B, К142ЕН6Г...............................................2,7 В на отрицательном входе при +UBJ£ - +20 В, -UBX - + ипд min. +1вых - 5 мА: К142ЕН6А, К142ЕН6Б, К142ЕН6Д, К142ЕН6Е........................... 3 В К142ЕН6В, К142ЕН6Г.............................................. 3.2 В Коэффициент нестабильности по напряжению при +<JBX “ 20 В, -UBX - -20 В, 1*вых ” 5 мА' нс ®олее; при Т - +23° С: К142ЕН6А.........;.....................................0.0015%/ В К142ЕН6Б, К142ЕН6Д, К142ЕН6Е.............................0,003%/ В К142ЕН6В.................................................0,0025%/ В К142ЕН6Г.................................................0,0075%/ В
284 МИКРОСХЕМЫ К142ЕН6 при Т “ -45 и +85° С К142ЕН6А......................................................0,003%/ В К142ЕН6Б, К142ЕН6Д, К142ЕН6Е...................................0,01%/ в К142ЕН6В................................................... 0,005%/ В К142ЕН6Г......................................................0,015%/ В Коэффициент нестабильности по току при +UBX - 20 В, -UBX - -20 В, +1вых “ 5 мА, Т - +25° С, не более: К142ЕН6А, К142ЕН6Б, К142ЕН6Д, К142ЕН6Е..........Г...............0,2%/ А К142ЕН6В, К142ЕН6Г..............................................0,3%/ А Температурный коэффициент напряжения при +U„„ “ 20 В, -U “ -20 В, +! “ 5 мА, Вл ВХ ВЫХ Т - -45...+85° С: К142ЕН6А, К142ЕН6Б, К142ЕН6Д, К142ЕН6Е, не более......................0,01%/ С типовое значение..................................................0,003%/ С К142ЕН6В, К142ЕН6Г, не более................................. 0,03%/ С типовое значение..................................................0,01%/ С Коэффициент сглаживания пульсаций при +UBX - 20 В, -UBX “ -20 В, +1вых - 5 мА, Т “ +25° С, ие менее..................................................30 дБ Предельные эксплуатационные данные Входное напряжение на каждом входе при Тк “ -45...+85° С: К142ЕН6А, К142ЕН6Б, К142ЕН6Д, К142ЕН6Е............................40 В К142ЕН6В, К142ЕН6Г.............................................. .30 В Напряжение между входами при Тк - -45...+85° С: К142ЕН6А, К142ЕН6Б, К142ЕН6Д, К142ЕН6Е.............................60 В К142ЕН6В, К142ЕН6Г....................................................50 В Выходной ток на кождом выходе при Тк “ -45...+85° С..................200 мА Рассеиваемая мощность I при тк - -45...+70° С: К142ЕН6А, К142ЕН6Б, К142ЕН6Д, К142ЕН6Е..................................5 Вт К142ЕН6В, К142ЕН6Г..................................................4 Вт при Тк - +850 с................................................. 2,5 Вт Температура окружающей среды..............................-45° С,..ТК - +85° С Примечания*. 1. При эксплуатации микросхем допускается подключение нагрузки к одному любому каналу или к двум каналам одновременно. Общие шины источника входного напряжения должны быть подключены к выводу 8. При подключении нагрузки только к положительному каналу входное напряжение на отрицательном канаЛе должно быть |-UBX| > |-^вых1 + I -^вх-вых.шш । • При подключении нагрузки только к отрицательному каналу входное напряжение на положительном канале должно быть уменьшено до 10 В. При подключении нагрузки одновременно к двум каналам допускается эксплуата- ция микросхем как при несимметричном входном напряжении на каналах, так и при их несимметричной нагрузке выходным током; при этом максимальные значения входного напряжения, выходного тока и рассеиваемой мощности не должны превышать предель- но допустимых, а VBX>n - Свых + min. 2. Разрешается производить монтаж микросхем 2 раза, демонтаж 1 раз. 3. Допустимое значение статическо!’о потенциала 2 кВ. 1 При Tv -• +70 ,.+85°С Р „ изменяется линейно г к рас,max
iPOCXEMbl К142ЕН6 285 о> Типовые схемы включения микросхем К142ЕН6 iA E) а - Cl C2e С5 С6 1 15 мкФ; СЗ - С4 - 0,01..0,1 мкФ; б - Cl, С2 J. 1 мкФ; С5, С6 > 2 мкФ; СЗ-С4- 0,01...0,1 мкФ
286 МИКРОСХЕМЫ К142ЕН6 б) Принципиальные схемы регулируемых стабилизаторов напряжения. Диапазон регу- лировки +15...+25 В для K14ZEH6 (А, Б, Д, Е) и +I5...+20 В для К142ЕН6В, К142ЕН6Г. а-Cl -С2-С5 -С6 - 1...I5 мкФ; СЗ - С4 - 0,001...0,2 мкФ; R > 6,8 кОм; б-Cl - С2 М мкФ; С5 - С6 » 2 мкФ; СЗ - С4 - 0,01...0,1 мкФ; R - 2...700 кОм 6) Принципиальные схемы регулируемых стабилизаторов напряжения на микросхемах К142ЕН6 (А - Е). Диапазон регулировки +5...+15 В:а -Ri 6,8 кОм; б - R - 2...700 кОм
МИКРОСХЕМЫ К142ЕН8 28, К142ЕН8А, К142ЕН8В, К142ЕН8В, К142ЕН8Г, К142ЕН8Д, К142ЕН8Е, КР142ЕН8А. КР142ЕН8Б, КР142ЕН8В, КР142ЕН8Г, КР142ЕН8Д. КР142ЕН8Е Миркосхемы представляют собой стабилизаторы напряжения с фиксированным вы- ходным напряжением и защитой от перегрузок по току. Корпус микросхем К142ЕН8А - KI42EH8E типа 4116.4-2; KPI42EH8A - KPI42EH8E типа КТ-28-2. Микросхемы в ме- таллическом корпусе (4116.4-2) предназначены только для экспериментальных работ, в . еталлопблимерном (КТ-28-2) - для применения в серийной аппаратуре. Масса микросхем в корпусе 4116.4-2 не более 3 г, в корпусе КТ-28-2 не более 2,5 г. Зарубежный аналог: К142ЕН8А, КР142ЕН8А, К142ЕН8Г, КР142ЕН8Г - SC78O8K К142ЕН8Б, КР142ЕН8Б, К142ЕН8Д, КР142ЕН8Д - SG78I2K KI42EH8B, KPI42EH8B, KI42EH8E, КР142ЕН8Е - SC7815K Назначение выводов: 2 - выход; 8 - общий; 17 - вхда. Электрические параметры Выходное напряжение при UBX - 20 В, 1вых - 10 мА, Т - +25° С: > К142ЕН8А, КР142ЕН8А.......................а......................9+0.27 В К142ЕН8Б, КР142ЕН8Б........................................... 12+0,36 В К142ЕН8В, КР142ЕН8В.............................................15+0.45В К142ЕН8Г, КР142ЕН8Г..............................................9+0,36 В К142ЕН8Д, КР142ЕН8Д.............................................12+0,48 В К142ЕН8Е, КР142ЕН8Е..............................................15+0,6 В Ток потребления при UBX - 35 В для К142ЕН8А - К142ЕН8В и Ugx - 30 В для К142ЁН8Г - К142ЕН8Е, Т - +25° С, не более...............................10 мА Дрейф напряжения (за 500 ч) при l^j^- 0,5 А, Тх - +100° С, не более: при UBX- 18,6 В для К142ЕН8А, КР142ЕН8А......................,.....'.....1 % при UBX - 21,6 В для К,142ЕН8Б, КР142ЕН8Б..........................1 % при UBX - 24,5 В для К142ЕН8В, KPI42EH8B..............................1 % при UBX - 18,6 В для К142ЕН8Г, КР142ЕН8Г............................1.5 % при UBX - 21,6 В для 1<142ЕН8Д, КР142ЕН8Д...........................1.5 % при UBX - 24,5 В для 14142ЕН8Е, КР142ЕН8Е...........................1,5 % Коэффициент нестабильности по напряжению при UBX - 20 В, 1ВЫХ "10 мА, не более: Т-+25...850 С: К142ЕН8А - К142ЕН8В, КР142ЕН8А - КР142ЕН8В.......................0.05%/ В К142ЕН8Г -К142ЕН8Е, КР142ЕН8Г -КР142ЕН8Е............,.............0,1%/ В * при Т - -450 С: । К142ЕН8А - К142ЕН8В, КР142ЕН8А - КР142ЕН8В........................0,1%/ В К142ЕН8Г -К142ЕН8Е, КР142ЕН8Г - КР 142ЕН8Е...'.................. 0,2%/ В Минимальное падение напряжения при 1>вх - 11вых - +2,5 В, Т - +25° С, не бо- лее................................................................ 2,5 В Температурный коэффициент напряжения при Ugx - 20 В, 1вых - 10 мА, Т - -45...+85О С, не болея: г , КМ2ЕН8А - К142ЕН8В, КР142ЕН8А а КР142ЕН8В............. ,..........0.02%/ С к142ЕН8Г'-К142ЕН8ГЕ, КР142ЕН8Г - КР142ЕН8Е.........................0,03%/ С Коэффициент сглаживания пульсаций при UBX - 20 В, 1вых - 10 мА, Т - +25° С, не Менее.....................................................................30 дБ Коэффициент нестабильности по току при Т - +25° С, не более: при ивх - 12 В дляI К142ЕН8А, КР142ЕН8А...................... 0,67%/ А при UBX - 15 В для К142ЕН8Б, КР142ЕН8Б........................0,67%/ А при UBX - 18 В для К142ЕН8В, КР142ЕН8В........................0.67%/ А при UBX - 12 В для К142ЕН8Г, КР142ЕН8Г.........................1.5%/ А при UBX - 15 В для К142ЕН8Д, КР142ЕН8Д.........................1,5%/ А при UBX - 18 В для К142ЕН8Е, КР142ЕН8Е........................ 1,5%/ А
288 МИКРОСХЕМЫ К142ЕН9 Предельные эксплуатационные данные Входное напряжение при Тк - -45... 100° С’: К142ЕН8А - KI42EH8B, КР142ЕН8А - КР142ЕН8В............................35 В К142ЕН8Г - К142ЕН8Е. КР142ЕН8Г - КР142ЕН8Е.,........................30 В Выходной ток: при Тк - -25...+700 С: KI42EH8A - К142ЕН8В.................................................1,5 А К142ЕН8Г - К142ЕН8Е..................................................*..1 А при Тк - -45 и +100° С..............................................0.5 А Рассеиваемая мощность 1 при Тк - -45...700 С..................................................8 Вт при Тк - +100° с.....................................:................5 Вт Температура окружающей среды...............................-45° С..ТК - +1000 С Примечания: 1. В качестве вывода "Общий" рекомендуется использовать (наряду с выводом 8) корпус микросхемы.' 2. Допускается подача напряжения на выход микросхемы до 15 В при отсутствии напряжения на входе. 3. Разрешается производить монтаж микросхем 2 раза, демонтаж 1 раз. 4. Емкость входного конденсатора должна быть не менее 0,33 мкФ, а расстояние от коцдесатора до микросхемы не более 50 мм. При этом гарантируется отсутствие гене- Типовая схема включения микросхем KI42EH8, КР142ЕН8, К142ЕН9 (С1 i- О,ЗЗмкФ, С2- 1 мкФ). К142ЕН9А, К142ЕН9Б, К142ЕН9В, К142ЕН9Г, К142ЕН9Д, К142ЕН9Е Микросхемы представляют собой стабилизаторы напряжения с фиксированным вы- ходным напряжением. Принципиальная схема соответствует приборам К142ЕН8А - К142ЕН8Е. Корпус типа 4116.4-2. Масса не более 3 г. Зарубежный аналог: KI42EH9A, К142ЕН9Г - SG78I8K К142ЕН9Б, К142ЕН9Д - SG7824K К142ЕН9В, К142ЕН9Е - LAS1528 Назначение выводов: 2 - выход; 8 - общий; 17 - вход. .* ПриТк"+70...+100ОСРра£ тах изменяется линейно.
МИКРОСХЕМЫ К142ЕН9 289 Электрические параметры Выходите напряжение при Пвх — 35 В для KI42EH9A - К142ЕН9В, и UBX - 30 В для К142ЕН9Г - К142ЕН9Е, 1вых - 10 мА, Т -+25° С: К142ЕН9А....................................................................20+0,4 В К142ЕН9Б................................................................ 24+0,48 В К142ЕН9В.................................................................27+0,54 В К142ЕН9Г................................................................. 20+0,6 В К142ЕН9Д............................................................... 24+0,72 В KI42EH9E.................................................................27+0,81 В Ток потребления при UBX - 40 В для KI42EH9A - К142ЕН9В, и UBX - 35 В для К142ЕН9Г - К142ЕН9Е, 1ВЫХ - О , Т - +25° С, не более: KI42EH9A- К142ЕН9В...............................................................1 мА К142ЕН9Г - К142ЕН9Е.....................................................1,5 мА Дрейф напряжения (за 500 ч) при UBX “ 40 В для К142ЕН9А - К142ЕН9ВГ и — 35 В для К142ЕН9Г - К142ЕН9Е, Т - +100® С, не более: К142ЕН9А - К142ЕН9В.......................................................... 1 % К142ЕН9Г - К142ЕН9Е....................................................... 1,5 % Коэффициент нестабильности по напряжению при <JBX - 35 В для К142ЕН9А - KJ42EH9B и U - 30 В для К142ЕН9Г - К142ЕН9Е. 1 - 10 мА, не более: ВХ ВЫЛ при Т - +25...+85° С: К142ЕН9А - К142ЕН9В................................................... 0,05%/В К142ЕН9Г - К142ЕН9Е......................................................0,1%/В при Т — -45° С: К142ЕН9А - К142ЕН9В......................................................0,1%/В К142ЕН9Г - К142ЕН9Е......................................................0,2%/В Минимальное падение напряжения при UBX - UBb|X “ +2,5 В, Т — +25° С, не бо- лее............................................................................2,5 В Температурный коэффициент напряжения при UBX - 35 В, для К142ЕН9Л - К142ЕН9В и UBX - 30 В для К142ЕН9Г - KI42EH9E, Т - -45...+85° С, не более: К142ЕН9А - К142ЕН9В........................................................ 0,02%/°С К142ЕН9Г - К142ЕН9Е....................................................0,03%/°С Коэффициент сглаживания пульсаций при UBX - 35 В для К142ЕН9А - К142ЕН9В и U-3OB для К142ЕН9Г - KI42EH9E, - 10 мА, Т - +25° С, не КЭЛ ВЫЛ • менее................................................___________.......................ЗО дБ Коэффициент нестабильности по току при UBX - 23 В для К142ЕН9А, К142ЕН9Г, Ubx “ 27 В для К142ЕН9Б, К142ЕН9Д и UBX - 30 В для К142ЕН9В, К142ЕН9Е, Т - +25° С, не более: KI42EH9A - К142ЕН9В....................................................0,67%/А К142ЕН9Г-К142 9Е........................................................1,5%/А Предельные эксплуатационные данные Входное напряжение при Тк “ -45...+100° С: К142ЕН9А - К142ЕН9В................................................................40 В • К142ЕН9Г - KI42EH9E........................................................ -35 В Выходной ток 1; при Тк - -20...+700 С: К142ЕН9А - К142ЕН9В..........................................................1.5 А К142ЕН9Г - К142ЕН9Е..............................+.............................1 А при Тк- -45° С.................................................................................................... ......05 А при Тк - +100° С.......................................................... -0,5 А —------------- 1 При Тк - +70’...+100°С 1вых тах и Ppacm3x изменяются линейно. Ю. Зак. 4694
290 МИКРОСХЕМЫ К142 Рассеиваемая мощность >: Тк - -45...+700 С............................................................ 6 Вт Тк - +100° С......................................,1...........................3 Вт Примечания . I. В качестве вывода ’’Общий” рекомендуется использовать (наряду с выводом 8) корпус микросхемы. 2. Допускается подача напряжения на выход микросхемы до 27 В при отсутствии напряжения на входе. 3. Разрешается производить монтаж микросхем 2 раза, демонтаж 1 раз. 4. Емкость входного конденсатора должна быть не менее 0,33 мкФ, а расстояние от конденсатора до микросхемы не более 50 мм. При этом гарантируется отсутствие гене- рации на входе с амплитудой UBX max. Схема включения: типовая схема включения [см. К142ЕН8 (А - Е)]. К142ЕН10 Микросхема представляет собой регулируемый стабилизатор напряжения отрица- тельной полярности с системой защиты от перегрузок по току. Она допускает выклю- чение внешним управляющим сигналом. Корпус типе 4116.8-2; Масса не более 3 г. Зарубежный аналог: pA78G. Назначение выводов: 2 - общий (+Un); 4 - вход сигнала обратной связи; 6,11,16 - не используются; 8 ▼ вход, электрически соединен с фланцем; 13 - выход; 15 - вход сиг- нала выключения. - Электрические параметры Выходное напряжение при UBX - 25 В, Т - +25° С.........................3...30 В Ток потребления при UBX - 40 В, Т - +25° С, не более..;...................7 мА Дрейф напряжения (за 500 ч) при UBX - 40 В, Т* - 100° С, не более....«....1 % Минимальное падеиие напряжения при UBX “ 20 В, UBblJ£ " 17,5 В, Т - +25° С, не более ................................................................ 2.5«В Коэффициент нестабильности по напряжению при UBX “ 40 В, Т - +25° С, не более .......................................................... .0,05% /В Коэффициент нестабильности по току при UBX - 20 В, UBWX * 17,5 В, Т = +25° С, не более ..................................................................1% /А Температурный коэффициент напряжения при UBX - 20 В, Т - -60 . .+ 100° С, не более............,.............................................. 0.01% /° С Коэффициент сглаживания пульсаций при UBX - 40 В, f - 1кГц, Т - +25° С, не менее .....................„.......«....................................40 дБ Предельные эксплуатационные данные Входное напряжение при Тк“ -60...+I250 С..................................40 Б Минимальное входное напряжение при Тк" -60...+125° С............................9 Б Выходной ток (с учетом тока делителя): при Тк - -20...+I00O С.................................................1 А Рассеиваемая мощность: _при Тк - -20...+100О С.......... „.......... -......................5 Вт • при Тк - +125° С.................................:......................2 Вт Температура окружающей среды............................ ......-60..-+1250 С 1 При Тк - +70...+100ОС 1вых max и PpaCtinax изменяются линейно.
МИКРОСХЕМЫ К142 291 Примечания: 1. Разрешается производить монтаж микросхемы 2 раза, демонтаж 1 раз. 2. При выборе делителя выходного напряжения следует руководствоваться следую- щим: минимальный ток делителя 1,5 мА; сопротивления резисторов R1 н R2 выбира- ются из условия Свых" UOC<1+R1/R2), где Uoc « -2,3 В - напряжение обратной связина выводе 4, Ufibix - напряжение на выходе стабилизатора. 3. Емкость входного конденсатора С1 должна быть не менее 2,2мкФ, а расстояние от конденсатора до микросхемы не более 70 мм. Емкость выходного конденсатора С2 должна быть не менее 1 мкФ. 4. Допустимое значение статического потенциала 2 кВ. Типовая схема включения микросхемы К142ЕН10: Rl, R2 - делитель выходного напря- жения, С1 - входной конденсатор, С1 2,2 мкФ, С2 - выходной коденсатор, С2 > 1 мкФ Принципиальная схема стабилизатора напряжения с управлением от внешнего сигна- ла: R3 - UBbJKJ|/iBbJK7] - RaH; кОм, где UBbljaj »3 В - напряжение источника внешнего выключающего напряжения, 1выкл > 1Л мА - ток, потребляемый от источника выключе- ния, RfiH « 1,5 кОм - сопротивление внутреннего резистора микросхемы. К142ЕН11 Микросхема представляет собой регулируемый стабилизатор напряжения отрица- тельной полярности с системой защиты от перегрузок по току. Она содержит встроен- ный источник образцового напряжения. Корпус типа 4116,4-2. Масса не более 3 г. Зарубежный аналог: LM137K. Назначение выводов: 2 - вход сигнала обратной связи; 8 - вход, электрически со- единен с фланцем; 1 I - выход 1; 17 - выход 2. Электрические параметры Выходное напряжение при UBX ” 30 В, Т " +25° С.................. 1.2...37 В Ток потребления при UBX “ 45 В, Т “ +25° С, не более................. 7 мА Дрейф напряжения (за 500 ч) при Ufix “ 45 В, TR - 100° С, не более.......1 % 10*
292 МИКРОСХЕМЫ К142 Минимальное падение напряжения при и*х - 20 В, Ивых - 16,5 В, Т - +25° С, не более.............................................Л.„.....................3,5 в Коэффициент нестабильности по напряжению при. UBX « 45 В, Т — +25° С, не более ........................................................ 0,02% /В Коэффициент нестабильности по току при UBX — 20 В, UBbJX - 16,5 В, Т — +25° С, не более......................................................... ..0,33% /А Температурный коэффициент напряжения при UBX - 20 В, Т - -60 ...+100° С, не более..................................................... „.....0,02% /<>С Коэффициент сглаживания пульсации при UBX - 45 В, f - 1кГц, Т - +25° С, не менее .................................................. ’........50 дБ .Предельные эксплуатационные данные Входное напряжение при Тк" -60...+1250 С....................,...........45 В Минимальное входное напряжение при Тк* -60...+125° С.........................5 В Выходной ток (с учетом тока делителя): при Тк - -20...+100° С...........1,5 А Рассеиваемая мощность: * * при Тк - -20...+100° С................Л..............................8 Вт при Тк-+125о С.......................................................4 Вт Температура окружающей среды............................... -60...+1250 С. Примечания: 1. Разрешается производить монтаж микросхемы 2 раза, демонтаж 1 раз. 2. При выборе делителя выходного напряжения следует руководствоваться следую- щим: минимальный ток делителя 1,5 мА; сопротивления резисторов R1 и R2 выбира- ются из условия UBblx “ Uogp(l+R2/Rl), где LTogp * -1,25 В - образцовое напряжение, формируемое внутренним источником микросхемы; UBbJX - напряжение на выходе ста- билизатора, R1 — 120 Ом. 3. Емкость входного конденсатора С1 должна быть не менее 2,2 мкФ, а расстояние от конденсатора до микросхемы не более 70 мм. Емкость выходного конденсатора С2 должна быть не менее 1 мкФ. 4. Допустимое значение статического потенциала 2 кВ. Типовая схема включения микросхемы К142ЕН11: Rl, R2 - делитель выходного напря- жения, С1 - входной конденсатор, С1 > 2,2 мкФ, С2 - выходной конденсатор, С2 > 1 мкФ КР142ЕН12А, КР142ЕН12Б Микросхемы КР142ЕН12А, КР142ЕН12Б представляют собой регулируемый ста- билизатор напряжения компенсационного типа. Они выполнены по планарной диффу- зионной технологии с изоляцией р-п переходом. Стабилизатор работает с внешним де- лителем напряжения в измерительном элементе, что позволяет регулировать выходное напряжение в очень широких пределах - от 1,3 до 37 В. Регулирующий элемент стаби- лизатора включен в плюсовой провод питания. Выходной ток (ток нагрузки)-до 1 А.
МИКРОСХЕМЫ К142 293 Эти микросхемные стабилизаторы относятся к самым "высоковольтным” в серии К142. Они устойчивы к импульсным перегрузкам по мощности, оснащены системой защиты от перегрузок по выходному току. , Приборы оформлены в пластмассовом корпусе КТ-28-2. Со стороны одной из ши- роких граней в корпус вмонтирован удлиненный теплоотводящий фланец с крепежным отверстием. Масса прибора - не более 2,5 г. Зарубежный аналог: LM117HVH. Электрические параметры при Токр ср - 25° С Минимальное выходное напряжение, при входном напряжении 5 В и токе нагрузки 5 мА, не более.................................................... 1,3 В Минимальное падение напряжение, при входном напряжении 18,5 В, не более.................................................................3.5 8 Нестабильность выходного напряжения по входному напряжению при увеличен» < и входного напряжения от исходного значения 20 В, выходном напряжении 15 В и выход- ном токе 5 мА, не более, для КР 142ЕН12А V....................................................(ЦП % / КР142ЕН12Б......\ ...............................................0,03% / « Нестабильность выходного напряжения по выходному току при входном напряжении 20 В, выходном 15 В и увеличении выходного тока от исходного значения 5 мА, нс бо- лее .................................................................0,2% /А Температурный коэффициент выходного напряжения, при входном напряжении 5 В, минимальном выходном напряжении и выходном токе 5 мА, не более......0,02% /С Изменение выходного напряжения за 500 ч работы, при входном напряжении 45 В, вы- ходном 15 В и выходном токе 23 мА, не более.............................1 % Предельные эксплуатационные данные Входное напряжение.................................................5...4S Б Выходное напряжение................................................. 37 В Выходной ток.............................................-..»..........1 А Мощность, рассеиваемая микросхемой без теплоотвода, при температуре окружающей среды (-10...+40)° С.................................................. 1 Вт +700 с.............................................................0,7 Вт КТ-28-2
294 МИКРОСХЕМЫ К142 Температурный рабочий интервал.....................................-10...+70О с Микросхема рассчитана на работу с теплоотводом; крепление к теплоотводу винтом с гайкой. Мощность, рассеиваемая микросхемой с тепл>м/пюдом, не должна превышать 10 Вт. В качестве заменителя теплоотвода может быть использована печатная плата. Теплоотводящий фланец микросхемы электрически соединен с выв. 2: это необходимо учитывать при монтаже теплоотвода на плате илй на кожухе аппарата. Типовая схема включения микросхем КР142ЕН12А и КР124ЕН12Б показана ниже. Резисторы R1 и R2 образуют внешний регулируемый делитель напряжения, входящий в измерительный элемент стабилизатора. Значения сопротивления резисторов должны быть связаны формулой ^вых " ^вых min <1 + R1/R2) + R2 • I ft э, ГДе 1и э - ток через резисторы R1 и R2 измерительного элемента; минимально допус- тимое значение этого тока - 55 мкА. Типовая схема включения микросхем КР142ЕН12А, КР142ЕН12Б Для снижения уровня фона при выходном напряжении, близком к минимальному, рекомендуется в измерительный элемент стабилизатора включать сглаживающий кон- денсатор С2. Емкость этого конденсатора должна быть достаточной для эффективного сглаживания (обычно около 10 мкФ). Емкость конденсатора С1 - не менее 0; 1 мкФ, СЗ - не менее 1 мкФ. * При выходном напряжении, превышающем 25 В, если возможно замыкание вход- ной цепи стабилизатора, следует при наличии конденсатора С2 ввести в стабилизатор диоды VD1 (КД510А) и VD2 (КД521А); при отсутствии конденсатора С2 достаточно одного диода VD1, когда емкость конденсатора СЗ больше, или равна 25 мкФ. Если не исключено замыкание только выходной цепи стабилизатора, достаточно при наличии конденсатора С2 включения только диода VD2, При наличии "сглаживающего фильтра на входе стабилизатора в том случае, когда между иыхолным конденсатором фильтра и микросхемой нет коммутирующих устрой- ств, приводящих к относительно медленному увеличению входного напряжения, и когда длина соединительных проводников между фильтром и микросхемой не превышает 70 мм, входным конденсатором стабилизатора может быть выходной конденсатор фильтра. Если выходной конденсатор фильтра керамический и его емкость менее 1 мкФ, или ес- ли он алюминиевый и его емкость менее 10 мкФ, то необходимо включение конденса-
МИКРОСХЕМЫ К142 295 тора С1 емкостью не менее 0,1 мкФ, причем располагать его следует на расстоянии не более 70 мм от микросхемы. Для максимальной реализации стабилизирующих качеств микросхемы необходимо подключать резистивный делитель напряжения R1R.2 и выходной конденсатор СЗ как можно ближе к ее выходу, а саму микросхему монтировать в непосредственной близос- ти к нагрузке. КР142ЕН15А, КР142ЕН15Б Микросхемы представляют собой двухполярные стабилизаторы напряжения с фик- сированным значением выходного напряжения +15 В и максимальным током нагрузки до 100 мА (КР142ЕН15А) и до 200 мА (КР142ЕН1 5Б). Предусмотрена возможность регулировки выходного напряжения в пределах +(8 . 23)В и имеется встроенная тепло- вая защита и защита по току Корпус типа 201.14-1 1. Масса не более 1,5 г. Зарубежный аналог: LM325. Назначение выводов: I - общий; 2 - установка напряжения U ВЬ1Х’ 3, 12 - частотная коррекция; 4 - первый выходки вых; 5 - второй выход U вых; 6, 9, 13 - не использо- ваны; 7 - вход U 8 - вход U , • |0 - второй выход U 11 - первый выход U„._ • ВЛ ВХ ВЫХ ВЫХ 14 - установка напряжения U вых- Электрические параметры Выходное напряжение при UBX ”+20 В, • 1 мА: Т - +25° С ..............~...................................+(15+0.5) В Т - +70° С .....................................................15+1) В Ток потребления при UBX ” +30 В, 1н - 1 мА, Т - +25° С, не более положительным каналом ......................................'...........5 мА отрицательным каналом . ... . .....................................6 мА Ток нагрузки при L’ “ + 18,5 В, L’ v “ +15 В, Т ” +25° С. вх вых — КР142ЕН15А ................................................... 1...100 мА КР142ЕН15Б......................................................1...200 мА Нестабильность по напряжению при U_v ” +20 В, ” 1 мА, Т “ -40 . +70° С. не бо- ВЛ " — выл лее ...............................................................0,(11 %/ В Нестабильность по току при Т = -40, .+70° С для КР142ЕН15А при Нвхв+(Ьвых+3) В, 1 - 1 ,.100мА и КР142ЕН15Б при U -+(Ь' , +3,5) В, I “ 1.. 200мА, не бо- Н вх ™ вых н да .......................................... .................... 4%/ А Температурный коэффициент напряжения при UBX - +20В, 1н = 1гаА, Т - -40...+70° С, типовое значение............................................. 0,01%/° С Минимальное падение напряжения на регулирующем элементе при Т” +25° С’ КР142ЕН15А при 1Н “ 1. .100 мА ................................... .. ЗВ КР142ЕН15Б при 1н ~ 1.. 200 мА ................................... 3,5 В Коэффициент сглаживания пульсаций при UBX ” +20 В, +1вых “ 1 мА, Т “ -40...+70° С, f = 100 Гц, не менее . ............................... ’..........70 дБ Примечание. Значения всех параметров (за исключением тока потребления) даны Для каждого канала. Предел ьн ыё эксплуатационные да иные Выходное напряжение фиксированное.. .... .. ............................... .... ...... ......+(14,5... 15.5) В регулируемое .. .. .. ............................. ... .. +С8...23) В Входное напряжение............. .... ...... .. ,.. .... ....+(10...30) В МезкеимаЛысый ток нагрузки. КР142ЕН15А . ........................ . ........................... .100 мА
296 МИКРОСХЕМЫ К142 КР142ЕН15Б.........................................................200 мА Тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда, не более..........140° С/ Вт Максимальная рассеиваемая мощность h при Т — -10...+400 С.............................................ц...0,8 Вт при Т - +40...+70° С.................................................0,5 Вт Температуратура окружающей среды..................................-40...+70О С Примечания: 1. При эксплуатации микросхем допускается подключение нагрузки к одному любому каналу или к двум каналам одновременно. Общие шины источника входного напряжения должны быть подключены к выводу 1. 2. Разрешается производить монтаж микросхемы 2 раза, демонтаж 1 раз. 3. Допустимое значеиие статического потенциала 2 кВ. -- Типовая схема включения микросхем КР142ЕН15 (А,Б): Cl - С4 > 0,01 мкФ; С5, С6 > 1 мкФ, при этом рекомендуется выдерживать соотношение С5/СЗ — С6/С4 - 50... 100. Сопротивления резисторов R1 и R2 выбираются из условия R1 “ Спд/1вых; R2 - Спд / 1ВЫХ‘ Схема включения микросхем КР142ЕН15 (А,Б) с регулируемым выходным напряжени - ем: Cl - С4 >0,01 мкФ; С5, С6 > 1 мкФ, при этом рекомендуется выдерживать соот- ношение С5/СЗ - С6/С4 - 50... 100. Сопротивления резисторов R1 и R2 выбираются из условия R, - R2 - иПд/1вых. * В диапазоне температур +40.. +70° С рассеиваемая мощность снижается линейно
МИКРОСХЕМЫ К142 297 Принципиальная электрическая схема мощного двухполярного стабилизатора напряже- ния с регулировкой уровня выходного напряжения. Сопротивления резисторов R3 и Й4 выбираются из условия R3 “ R4 ~ U__„/kLlv. пд вых К142ЕП1А, К142ЕП1Б Микросхемы представляют собой устройство управления импульсными стабили- заторами напряжения. Корпус типа 402.16-7. Масса не более 1,4 г. Зарубежный аналог: LM100. Назначение выводов: 1 - база VT2; 2 - коллектор VT2; 3 - коллектор VT3; 4 - база VT3; 5 - питание (+Un[); 6 - эмиттер VT1; 7 - база VT1; 8 - общий; 9 - опорное на- пряжение; 10- питание (+Un2); П - выход порогового устройства; 12, 13 - входы уп- равления; 14, 15 - входы синхронизации; 16 - эмиттер VT2. Электрические параметры Номинальное напряжение питания: Unl ...*.........................................................10.„40 В ип2 ...............................,..............................«~7 В Ток закрытой микросхемы при Un । — 40 В, UK0M “ 40 В, не более: при Т — +25...-45° С........-.....*...............................100 мкА при Т - +85° С....................................... .Т.........200 мкА Ток потребления узла опорного напряжения при Un| я40 В, Ти +25° С, не более: К142ЕП1А ..........*................................................2 мА К142ЕП1Б......................................................... 3 мА Ток потребления узла порогового устройства при U . “ 40 В, f - 50 Гц; Т - +25° С, не более. К142ЕП1А........................................................ 9 мА К142ЕП1Б..................................................... 12 мА Опорное напряжение при U . - 40 В, L' “ 40 В, +25° С, не более: К! 1 КОМ К142ЕП1А................................................. 1.7...2.2 В К142ЕП1Б ................................................ 1,65-2,3 В Напряжение гистерезиса при Un । « 40 В, UKQM - 40 В, 1вых = 50 мА, Т = +25° С, не более: К142ЕП1А.......ж....’............................................ 5 мВ К142ЕП1Б.......................................................... 6 мВ Остаточное напряжение при Un “ 40 В. не более:.
298 МИКРОСХЕМЫ К142 при Т = +25° С, 1вх - 200 мА: К142ЕП1А................................................ 1,8 В К142ЕП1Б................................................ 1,9 В при Т - -45° С, 1вх - 200 мА: К142ЕП1А..................................................2,2 В К142ЕП1Б 2,3 В при Т - +850 с, 1вх - 50 мА: К142ЕП1А ч................................................ 1,8 В К142ЕП1Б.................................................. 2 В Температурный коэффициент опорного напряжения при ЬП, - 40 В, не более...................................................................0,05% /°C Коэффициент нестабильности опорного напряжения по напряжению питания при Unl “ 40 В’ СКом “ 40 В’ нс более.......................1................ п-03% /В Коэффициент нестабильности по напряжению при работе в режиме широтно-импуль- сной модуляции: при Т - +25° С: U - 20 В, ивых - 5 В, С - +5 В; 1и “ 0,5 А....................0,02...0,29% /В МА МЕ51А МЛ г* Свх - 40 В, U_„v “ 30 В, L' - +5 В; 1м 0,5 А.................0,001...0,03% /В МЛ МЫЛ МЛ “ Г1 при Т - -45° С: U - 20 В, С - 12 В, U - +5 В; 1„ - 0,2 А........................0.01...0,02% /В Мл ММ1Л Мл — от при Т - +85° С: Свх - 20 В, Свых - 12 В, Свх - +5 В; 1и - 0,2 А, не более..............0,03% /В Коэффициент нестабильности по току при работе в режиме широтно-импульсной мо- дуляции: при Т - +25° С: Чх ” 20 В- Чых " 5 ₽ >н “ °.5 А' 'н "-°-5 'н.тах.................... 0,002-0.016% /А UBX " 4fl В- ивых " 30 В-.’н “ °’5 А’ >н - °'5 ‘„.max...........0.001.„0,003% / А при Т * -45° С: С “ 20 В, и 12 В, 1 - 0.2 А, I - 0,5 I ............................,0,05...0.09% / А МЛ ВЫЛ И И rt.lliaA при Т и +85° С: и 20 В, и 12 В, I - 0,2 А, I - 0,5 I ............................0,08...0,14% / А* _ МЛ МЕИЛ Г1 Г1 П.1НПЛ Длительность фронта импульса выходного тока при - 40 В, 1вых в 50 мА, f “ 100 кГц, Т “ +25° С, не более ..........„.................................. 0,2 мкс Длительность среза импульса выходного тока при L'nl “40 В, Двых “ 50 мА, f “ 100 кГц, Т “ +25° С, не более ........................... .0,2 мкс Предельные эксплуатационные данные Входное коммутируемое напряжение ....................................... 40 В Напряжение питания узла опорного напряжения......,..,..... ........................ 10...40 В узла порогового устройства ..............г......... .... ............- 5...7 В Амплитуда импульсов синхронизирующего напряжения .. ---------., ----------- . Z...4 В Выходной ток ............... ........................... ..... ..............200 мА Рассеиваемая мощность при р “6,7 х 104 - 3 х 10* Н/м^; при Т = -45 +550 с ............................... ............... ...0.8 Вт при Т - +85° С . . ................................................. 0,55 Вт при р = 6.7 х 1()2 н/м2 и Т “ -45. +85° С .............................0,2 Вт Частота коммутации ... .... ..... ..................... —...... ....... 100 кГц Температура окружающей среды .................................. -4S...+85® С * При Т “ +55, +85»С Р„__ изменяется линейно. рас max
МИКРОСХЕМЫ К142 299 Схема включения микросхем К142ЕП1 (А,Б) в состав устройств защиты для контроля напряжения по верхнему и нижнему предельным значениям: Rl^ 40 кОм при ^111 ^0 В; при LfJ| < 20 В резистор не включается; Р - реле постоянного тока Схема включения микросхем К142ЕП1 (А,Б) в состав стабилизатора напряжения, ра- ботающего в режиме широтно-импульсной модуляции с внешней синхронизацией
300 МИКРОСХЕМЫ К142 'Примечания: 1 Не допускается контакт корпуса микросхемы с токопроводящими и заземленными элементами аппаратуры. 2. Разрешается производить монтаж микросхемы 2 раза, демонтаж I раз. 3. Не допускается „отсутствие напряжения на выводе 5 при поданном напряжении питания порогового устройства и соединительных выводах би 10; при этом напряже- ние на выводе 5 должно быть равно или больше напряжения на выводе 10, но не выше 40 В. 4. Запрещается подведение каких-либо электрических сигналов и в том числе шин ’’Питание”, "Общий” к незадействованным выводам корпуса микросхемы. 5. Ток внешнего резистивного делителя не менее 1,5 мА. 6. Входное управляющее напряжение, прикладываемое между выводами 12-8 или 13-8 микросхемы, не должно превышать''г, 8 В. 7. Допустимое значение статического потенциала 2 кВ.
МИКРОСХЕМЫ К157 301 4.2.3. Микросхемы серии К157 Микросхемы серии К157 предназначены для применения в стереофонической ап- паратуре магнитной записи первого и второго классов со сквозным или универсальным каналом записи-воспроизведения. Выполнены по планарно-эпитаксиальной технологии с разделением элементов р-п переходом. Конструктивно оформлены в пластмассовых корпусах с двухрядным расположением жестких выводов. В состав сёрии входят: К157ДА1 - двухканальный двухполупериодный выпрямитель среднего значения сигналов; К157УД1 - операционный усилитель средней мощности; К157УД2 - двухканальный операционный усилитель; К157УЛ1А, К157УЛ1Б - дву/канальные предварительные усилители воспроизведе- ния; К157УН1А, К157УН1Б - трехкаскадные'предварительные усилители низкой часто- ты; К157УП1А, К157УП1Б - двухканальные микрофонные усилители и двухканальные предварительные усилители записи; К157УП2А, К157УП2Б - двухканальные микрофонные усилители и двухканальные предварительные усилители записи; К157ХА1А, К157ХА1Б - универсальные высокочастотные усилители-преобразова- тели; К157ХА2 - усилитель промежуточной частоты с АРУ и амплитудным детектором; К157ХП1 - двухканальное пороговое устройство управления приборами индикации пиковых уровней записи с выпрямителем для системы АРУЗ; К157ХП2 - стабилизатор напряжения с электронным управлением и элементы ге- нератора токов стирания и подмагничивания; К157ХПЗ - адаптивный противошумный процессор, действующий по принципу динамической фильтрации; . К157ХП4 - динамический шумопонижающий фильтр для аппаратуры магнитной записи с автономным питанием. ‘ К157ДА1 Микросхема представляет собой двухканальный двухполупериодный выпрямитель среднего значения сигналов для управления приборами индикации средних уровней за- писываемого сигнала в стереофонических магнитофонах. Может быть использован в различных устройствах в качестве преобразователя напряжения в полосе рабочих частот до 100 кГц. Выходные напряжения на нагрузке каждого канала микросхемы имеют положительную полярность. Уровни выходных напряжений соответствуют с высокой степенью точности средним выпрямленным значениям входных сигналов в Диапазоне входных напряжений не менее 50 дБ. Корпус типа 201.14 - I. Масса не более 1,5 г. Зарубежный аналог отсутствует. Функциональный состав? 1 « буферный усилитель; II - преобразователь двухпо- лярного сигнала; III - стабилизатор-рабочих режимов. Назначение выводов: 1 - обратная связь, первый канал; 2 - вход буферного усили- теля первого канала; 3 - вход сигнала-обратной связи первого канала; 4 -питание <-Un); 5 - вход сигнала обратной связи второго канала; 6 - вход буферного усилителя второго канала; 7 - обратная связь, второй канал; 8 - выход делителя обратной связи второго ка- нала; 9 - вывод детектора второго канала; 10 - выход второго канала; 11.- питание (+Un); 12 - выход Первого канала; 13 - вывод детектора первого канала; 14 - выход де-
302 МИКРОСХЕМЫ К157 К157ДА1 лителя обратной связи первого канала. Электрические параметры Номинальное напряжение питания ..........*..............................+15 В Ток потребления в отсутствии сигнала (по двум каналам) при Un — +15 В, Т — +25°С, не более..........................................л.....................1,6 мА Коэффициент усиления напряжения при Un “+3...+15 В, UBX • +100 мВ, ивых “ ОД...!,° В, Т - +25° С............Z.....7.........7...........7...10 Выходное напряжение при Un -+15 В, UBX~+1500 мВ, Т -+25° С, не менее.....9 В Выходное напряжение покоя при Un - +15 В, UBX"О В, Т “ +25° С, не более.50 мВ Входной ток каждого канала при Un — +15 В, Т — +25° С, не более.........200 нА Выходной ток каждого канала при Un “ +15 В, UBX “ +500 мВ, Т — +25° С, не менее.........................................................2,5...б мА Верхняя граничная частота при U„ - +15 В, - 1 В, UDUIV - 4,5,.. 10 В, Т - +25° С, не менее .................................................................100 кГц Предельные эксплуатационные данные Напряжение питания..................................................+3...+18 В Максимально допустимая рассеиваемая мощность при Т “ -25...+25° С, не более.................. :.......................................500 мВт Температура окружающей среды.......................................-25...+700 С Принципиальная схема индикатора уровня записи стереофонического магнитофона с газоразрядным индикатором
МИКРОСХЕМЫ К157 303 а> яг пк б) Принципиальные схемы индикаторов уровня записи для стереофонического магнита фона: а - с двухполярным питанием; б - с однополярным питанием; (СЗ, С4 -10,0 х 15 В, С5, С6 - 100,0 х 15 В, Pl, F2 - М4761)
304 МИКРОСХЕМЫ К157 К157УД1 Микросхема представляет собой универсальный операционный усилитель средней мощности с максимальным выходным током до 300 мА Предназначена для применения в аппаратуре магнитной записи и воспроизведения звука. Микросхема имеет ограни- чители пиковых значений выходного тока, предотвращающие выход усилителя из строя при переходных процессах или кратковременных замыканиях на выходе Корпус типа 201 9-1. Масса не более 1,5 г. Зарубежный аналог: отсутствует. Назначение выводов. 1, 4, 5 - коррекция; 2 - питание 3 - подложка-тепло- отвод; 6 - выход усилителя; 7 - питание (+Un); 8 - инвертирующий вход (-); 9 - неин- вертирующий вход (+) Электрические параметры Номинальное напряжение питания ................,..........................+15 В Ток потребления при RH - 0,2 кОм, не более: при Un - + 15 В, Т- +25 и +70° С......................................9 мА Т== -25 ° С...........................................................11 мА при О “ + 18 В, Т » +25° С...................................... 10 мА при L’n “ + 3 В, Т =“ +25° С................................... 8 мА Коэффициент усиления напряжения при RH “ 0,2 кОм, f = 0.. 50 Гц, не менее: при ип = +15 В, Т = +25 и -25° С............................... 5х1С4 Т“<70"С ...................................................... 3xlU4 при U - + 18 В, Т = +25° С......................................... 5х104
МИКРОСХЕМЫ К157 305 ПРИ Ln “ ± 3 В, Т - +25» с....................................Зх1()4 Выходное напряжение при R^ — 0,2 кОм, не менее: при 0п “ +15 В, Т - +25 и +700 С.....................................+12 В Т-+25° С.........................................................±11,5 В при Un “±18 В, Т-+25О С..........................................+15 В |при Un “ + 3 В, Т - +250 с..........................................+1,2 В Напряжение смещения нуля при RH - 0,2 кОм, не более: при Un “ +15 В, Т - +25° С............................................±5 мВ Т - +70 и-25° С...................................................±8 мВ при U,, “ +18 В, Т “ +25° С.......................................+8 мВ при Un “ ± 3 В, Т - +250 с.......................................+6 мВ Входной ток при RH - 0,2 кОм, не более: при Un - +15 В, Т - +250 с..........................................500 нА Т - +70° С........................................................600 нА Т - -25° С.......................................................1500 нА при Un - +18 В, Т - +25° С........................................500 нА при Ил - ±3 В, Т - +250 с........................................ 600 нА Разность входных токов при RH “ 0,2 кОм, не более: при Un - +15 В, Т - +250 с...........................................150 нА Т - +70° С .......................................................200 НД Т - -25° С ...................................................... 500 нА при Un - +18 В, Т “ +25° С.......................................200 нА при Un - + 3 В, Т - +25° С.......................................300 нА Ток короткого замыкания при Ип и+5 В, ^“0, Т“ +25° С...........400...1000 мА Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений при Un — +15 В, RH “ 0,2 кОм, Т “ +25° С, не менее:............................... ...70 дБ Частота среза АХЧ при Un " +15 В, RH “ 0,2 кОм, Т “ +25° С, не менее:.0,5 МГц Скорость нарастания выходного напряжения при Un “ +15 В, R^ — 0,2 кОм, Т - +25° С, не менее:.......7..................................................0,5 В /мкс Температурный дрейф напряжения смешения нуля при Un — +15 В, RH — 0,2 кОм, Т - -25...+70° С, не более: ....................................±80 мкВ /°C Температурный дрейф разности входных токов при Un “ +15 В, R,( — 0,2 кОм, Т - -25...+70° С, не более:.......................................±10 НА /°C Предельные эксплуатационные данные Напряжение питания..............................................+3...+20 В Максимально допустимые синфазные напряжения.........,................±20 В +15В Типовая схема включения микросхемы К157УД1
306 МИКРОСХЕМЫ К157 Максимально допустимый выходной ток ................................ 300 мд Максимально допустимая рассеиваемая мощность в интервале температур Т - -25...+25O С, не более.......................................0,5 Вт*. 1Вт* ** Температура окружающей среды...................................-25...+7O0 С*** « 10,0*15 А/ 11 к KZ 11 к 7+ W 10 С1330 А7 5,0к 05\\ 82 СО* 220 С7 W о + ОВ К157УД1 05 10к_ 1/1 КЗ Щ910 Ki ио .+ 03 330 " ___,08 2, in Г^~ -К- W, П2 КД312 ИЮ* 1В В1 С х кн ггок Г ?пп I* Bio 0,01 ~Г1,9 wu ’ напряжения ~и поОиагничидания Принципиальная схема генератора стирания и подмагничивания магнитофона с авто- номным питанием Принципиальная схема усилителя для стереофонических телефонов: IG, • R3/ R1 Без внешнего теплоотвода. ** С внешним тел-тоогиодом площадью поверхности не менее 18 см^_ *** При Т > +25° С рассеиваемая мощность, Вт, рассчитывается по формулам Ррзс “ 125° С - Т / 200° С/Вт (без теллоотвода); ррас -l25° с " T/25QO С/Вт + 125° С/150« С/Вт - Тк (с теплоотводом).
[ИКРОСХЕМЫ К157 307 К157УД2 Микросхема представляет собой двухканальный операционный усилитель универ- сального назначения, обладающий низким уровнем собственных шумов, большим диа- пазоном входных дифференциальных напряжений; имеет защиту от коротких замыка- ний на выходе. Большой коэффициент усиления операционных усилителей во всем ди- апазоне звуковых частот и линейность амплитудной характеристики в широком диапа- зоне выходных напряжений позволяют использовать эту микросхему в самых разнооб- разных устройствах стереофонической аппаратуры. Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,2 г. Зарубежный аналог: 2 х LM301. Назначение выводов: 1, 14 - коррекция первого канала; 2 - вход неинвертирующий пер- вого канала (+); 3 - вход инвертирующий первого канала (-); 4 - питание (-Un); 5 - вход’ инвертирующий второго канала («); 6 * вход неинвертирующий первого канала (+); 7, 8 - коррекция второго канала; 9 - выход второго канала; 11 - питание (+Un); 13 - выход первого канала. Электрические параметры Номинальное напряжение питания .......,................................ +15 В Ток потребления при 1^ — 0,2 кОм, не более: при Un “ +15 В, Т - +25 и +700 С.................................7 мА при Un - +15 В, Т - -25° С....................................9 мА при Un “ + 18 В, Т - +25о С....................................9 мА при Un “ + 3 В, Т - +25° С....................................7 мА Коэффициент усиления напряжения при RH 0,2 кОм, не менее: при ип - + 15 В, Т - +25 и -25° С....................................5.10-» ! при Un-+15 В, Т —+70° С.............................................2*104 при ип-+!8 В, Т-+25° С.............................................5-Ю4 | при Un- + 3 В, Т-+25°С.............................................3*10-» Выходное напряжение при RH — 0,2 кОм, не менее1 при Un = +15 В, Т,- +25° С........'................................ .+13 В при Un = +15 В, Т - -25 и +70°_С...1...............................+12,5 В при Un -+18 В, Т “+25° С.......................................... +15,5 В при Un - + 3 В, Т - +25° С......................................... +1,8 В Напряжение смешения нуля при RH “ 0,2 кОм, не более: при Un -+15 В, Т = +25° С........................................... +10 мВ при Un - +15 В Т - -25 и +700 с...........................„......+12 мВ при Un - +18 В, Т - +25° С..................................... +12 мВ при Un - + 3 В, Т - +25° С...........................................+10 мВ Входной ток при R^ “ 0,2 кОм, не более: при Un-+I5B, Т- +25 и +70° С........................................ 500 нА при Un -+15 В, Т- -25° С...................................... 1000 нА при Un - +18 В, Т - +250 с.......................................500 нА при Un - + 3 В, Т - +25° С.......................................800 нА Разност входных токов при RH “ 0,2 кОм, ие более: при Un - +15 В, Т - +25 и +700 с................................ 150 нА при Un - +15 В, Т - -250 с......................................300 нА при Un -+18 В, Т = +25° С...........................................150 нА при Un - + 3 В, Т = +250 с..........................................300 нА Ток короткого замыкания при Un и +5 В, RH — 0, Т — +25° С, не более. .45 мА Коэффициент ослабления,синфазных входных напряжений при Un “+15 В, “ 0,2 кОм, Т — +25° С, не менее:...................................70 дБ Частота среза АХЧ при Un — +15 В, RH — 0,2 кОм, Т - +25о С, не менее.;. ,1 МГц
308 МИКРОСХЕМЫ К157 Скорость нарастания выходного напряжения при Un “ +15 В, RH “ 0,2 кОм, Т = +25° С, не менее: ........................................................0,5 В/ мкс Температурный дрейф напряжения смещения нуля при UfI — +15 В, RH “ 0,2 кОм, ' Т - -25_+70° С, не более: ........................................+50 мкВ/° С Температурный дрейф разности входных токов при Vn “ +15 В, RH “ 0,2 кОм, Т » -25...+70° С, не более: ......................................+5 нА/о С Коэффициент ослабления сигнала соседнего канала при Оп —+15 В, RH == 0,2 кОм, Т » +25° С, не более:............................................... -80 дБ Предельные эксплуатационные данные Напряжение питания............................................. +3...+18 В Максимально допустимые синфазные напряжения...........................+18 В Максимально допустимая рассеиваемая мощность в интервале температур Т = -25...+25° С, не более .................................... !.....0,5 Вт 1 Температура окружающей среды...................................-25...+7С0 С Принципиальная схема инвертирующего усилителя: К у *• R3/R1 -15 В Принципиальная схема неинвертирующего усилитеЛя: Ку у “ 1 R1/R2 1 При Т > +25.° С рассеиваемая мощность» Вт, рассчитывается по формуле Ррас - 125° С - Т / 220° С/Вт .
МИКРОСХЕМЫ К157 309 Принципиальная схема генератора синусоидального напряжения со стабилизатором ам- п хитуды f = 1/2 ЯКС Принципиальная схема усилителя воспроизведения портативного стереофонического Кассетного магнитофона
316 МИКРОСХЕМЫ К157 звукосни мателя К157УЛ1А, К157УЛ1Б Микросхемы представляют собой двухканальный предварительный усилитель вос- произведения для стереофонического магнитофона. В пределах своего назначения они относятся к разряду малошумящих, обладают низким уровнем шумов типа 1/f. Спект- ральная плотность напряжения шумов в диапазоне частот 10... 100 Гц не более 4 нВ^Ги. Приведенное ко входу напряжение шумов в полосе частот 2ОГц...2О кГц составляет нс более 0,5 мкВ, что позволяет получить отношение сигнал-шум не менее 54 дБ. Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,5 г. Зарубежный аналог: отсутствует. Функциональный состав: I - входной каскад, II - промежуточный каскад основного усиления; III - выходной каскад, IV - стабилизатор режима работы. Назначение выводов. 1 - обратная связь первого канала; 2 - вход первого канала; 3 - общий вывод первого канала; 5 - общий вывод второго канала; 6 - вход второго канала, 7 - обратная связь второго канала, 8 - емкость фильтра второго канала, 9 - выход второго канала; 10 - питание второго канала (+Цр, 12 - питание первого канала (+0^), 13 - выход первого канала; 14 - емкость фильтра первого канала. Электрические параметры Номинальное напряжение питания ...............................................9 В Ток потребления по двум каналам при Un “9 В, Тм +25° С, не более..........3...6 мА Коэффициент усиления напряжения в полосе частот 20 Гц...20 кГц без ООС при (Un “9 В, UBX “0,1 мВ, Т - +250 С.................................. 8000...13000 Входное сопротивление при Un 9 В, Тв +25° С, не менее ..................60 кОм
[ИКРОСХЕМЫ К157 ЗИ К157УЛ1(А,Б) Выходное сопротивление при Un “ 9 В, Т +25° С, ие менее..........300 Ом Коэффициент гармоник при Un — 9 В, Чвых — 1 В, f “ 400 Гц, Т “ +25° С, не более........................................................:..0,2 % Коэффициент ослабления сигнала соседнего канала при Un “ 9 В, Ьвых “ I В, f - 400 Гц, Т - +250 с, не менее....................................70 дБ Напряжение шумов, приведенное ко входу, в полосе частот 20 Гц..,20 кГц при 1^-10 Ом, Un “ 9 ВЛНЧ - 3180 мкс,Хвч - 70 мкс, Т -+25° С, не более К157УЛ1А ......................................................... 0,3 мкВ с; = 5Ю...12Х -UZS нВ -0,25иВ Cl'c=z 5Ю... 12X . 03,^700 KI SI КЗ Vik 20hk*1SB.— j 2Dkx-1SB ‘ ! тЧ!1------ s KI' ISOrn KZ'SI ЭД 13 12 Ki 5№к \ -СЗ—X а IOOhk'ISB ЮОпк* 1SB КС SSOn KSi.7x KI . св /,г* ,0^'5S ВыкоВЛК K7 WO + ll _______ВьиоВЛК №' IOhk^SB ~130kB RS'i.lx KB' , I.Zk l/Wx н г Ю ---- 7 s о Принципиальная схема усилителя воспроизведения кассетного стереофонического маг- ни^офонз
312 МИКРОСХЕМЫ К157 К157УЛ1Б..................................................л..........0,6-1 мкВ Приведенный ко входу шумовой ток при Rj,— 10 Ом, Vn — 9 В, Т “ +25° С, не более: К157УЛ1А.................................................................120 пА К157УЛ1Б.........................................'...................,140 пА Спектральная плотность напряжения шумов в диапазоне частот 10... 100 кГц при 9 В, Т * +25° С, не более: К157УЛ1А.....................................v.................... .4hB/V?U К157УЛ1Б ...................................................... 5-7 нВ/^ГЦ Предельные эксплуатационные данные Напряжение питания...............................................,.......8,1...20 В Максимальный выходной ток .................. ...............................5 мА Максимальный входной ток......................................................1 мА Максимальная рассеиваемая мощность.......................................250 мВт Температура окружающей среды........................................ -25...+7O0 С Принципиальная схема усилителя записи кассетного магнитофона К157УН1А, К157УН1Б Микросхемы представляют собой трехкаскадный предварительный усилитель низ- кой частоты для переносных и автомобильных радиоприемников и другой радиоэлек- тронной аппаратуры. Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,5 г. Зарубежный аналог: отсутствует. Назначение выводов: 1 - обратная связь; 2 - регулировка усиления, 3 - вход уси- лителя; 4 - общий вывод, питание (-Vn); 5, 11 - смещение, б, !0 - коррекция; 7 - выход усилителя, 9 - питание (+Un) \ Электрические параметры Номинальное напряжение питания: К157УН1А ...................................................................... 9 В К157УН1Б ...............................................................................12 В Ток потребления при Т * +25° С, не более: при Un - 9 В для К157УН1А ....................................................... 5 мА при Un - 12 В для К157УН1Б..................................................... б мА Выходное напряжение при RH “ 6,5 Ом, Т * +25° С, не менее:
МИКРОСХЕМЫ К157 313 1,8 В’ .'...3 В’ 9 В для К ШУША . 12 В для К157УН1Б. 15...31 мВ’ при Ц п при Чувствительность по входу на частоте 1 кГц при Rh — 6,49 Ом, Т — +25° С: при 1)вых - 1,8 В, Un - 9 В для К157УН1А...................... при ивых - 3 В, Оп - 12 В для К157УН1Б......................25...50 мВ1 Полоса пропускания при неравномерности коэффициента усиления +6. дБ, U 1 Un ном, RH “ 6,49 Ом, Овх - 2 мВ ........................ 50... 15000 Гц Коэффициент гармоник на частоте 1 кГц при RH " 6,49 Ом, не более: К157УН1А: при Т - +25° С, Оп “ 9 В: ивых“2-2В ивых-'-8В......................................... Vn-5,6B, UBbIX-I,3B............................... при Т - +700 С, ип - 10 В: ивь.х-2’2В........................................ приТ- -25° С, Un “ 5,6 В,ивь,х-1В................. К157УН1Б: при Т - +25° С, Un - 12 В, СВЬ|Х - 3 В............ при Т - +700 с, U - 9 В, U - 1,8 В................ 11 DD1А при Т “ 25° С, 1’п 9 В, Свь,х-1В................ Потребляемая мощность при RH “ 6,49 Ом, Т — +25° С, не более: при Un “9В для К157УН1А............................... при ип « 12 В для К157УН1Б........................ Предельные эксплуатационные данные Напряжение питания: К157УН1А.............................................. К157УН1Б.......................................... ...0,3* % Дз* % .50* мВт .90* мВт ....5.6...10 В ......9... 15 В Максимальное напряжение на выводах 1 и 7: К157УН1А..............................:...-..........................юв К157УН1Б ..................................................... .15 В Максимально допустимый ток нагрузки по выводу 7...................... 15 мА Максимальная выходная мощность ..................................... 30 мВт Температура окружающей среды................................ -25-..+700 С Принципиальная схема усилителя низкой частоты с выходной мощностью 0,5.. 1 Вт Значения указанных параметров приведены для типовой схемы включения.
314 МИКРОСХЕМЫ К157 К157УП1А, К157УШБ, К157УП2А, К157УП2Б Микросхемы представляют собой две модификации двухканального микрофонного усилителя, конструктивно совмещенного с двухканальным предварительным усилите- лем записи. Предназначены для применения в высококачественной аппаратуре магнит- ной записи. Микрофонный и предварительный усилители записи обладают малым уровнем соб- ственных шумов н обеспечивают усиление сигналов от 160 мкВ и 10 мВ, подводимых к микрофонному входу и входу предварительного усилителя записи соответственно, до стандартного уровня линейного выхода магнитофона, равного 250 мВ. Высокая перегру- зочная способность по микрофонному входу свыше 36 дБ, а по входу предварительного усилителя записи 16 дБ позволяет ^спользовать микросхемы в НЧ трактах с автома- тической регулировкой усиления. Отличие микросхем К157УП1 от К157УП2 заключается в том, что первая требует применения регулирующих элементов АРУ, управляемых положительным напряжени- ем, а вторая - отрицательным. Микросхемы различаются также цоколевкой. Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,5 г. Зарубежный аналог: отсутствует. I Функциональный состав: I - микрофонный усилитель, II - предварительный уси - литель записи Назначение выводов: 1 - вход предварительного усилителя записи первого канала; 2 - выход микрофонного усилителя первого каната, 3 • вход микрофонного усилителя
МИКРОСХЕМЫ К157 315 первого канала; 4 - общий вывод, питание первого какала (-Un); 5 - общий вывод, пи- тание второго канала <-Un>; 6 - вход микрофонного усилителя второго канала; 7 - выход микрофонного усилителя второго канала; 8 - вход предварительного усилителя записи второго канала; 9 - К157УП1А, К157УП1Б - выход предварительного усилителя записи второго канала; К157УП2А, К157УП2Б - вывод для АРУ второго канала; 10 - К157УП1А, К157УП1Б - вывод для АРУ второго канала; К15.7УП2А, К157УП2Б - вы- ход предварительного усилителя записи второго канала; 11 - напряжение питания (+Un); 12 - К157УП1А, К157УП1Б - вывод для АРУ первого канала, К157УП2А, К157УП2Б - не подключен; J'S - выход предварительного усилителя записи первого ка- нала; 14 - К157УП1А, К157УП1Б - не подключен, К157УП2А, К157УП2Б - вывод для АРУ первого канала. Электрические параметры Номинальное напряжение питания..............................................12 В Ток потребления при Un — 12 В, Т “ +25° С ..........................5...9,5 мА Коэффициент усиления напряжения микрофонного усилителя прн L!n — 12 В, Свх- б мВ, Свых- 540... 1080 мВ, f - 1000 Гц, Т - +25° С.............100... 165 Коэффициент усиления напряжения предварительного усилителя записи при Un“l2 В, Ьвх " 60 мВ’ ивых " 1080 • 1840 мВ, f - 1000 Гц, Т - +25° С............19,5...28 Коэффициент гармоник микрофонного усилителя при Un “12 В, UBfcJX “ 800 f - 1000 Гц, Т - +25° С, не более..................................... 0,2 % Коэффициент гармоник предварительного усилителя записи при Un “12 В, ивых " 1600 мВ’ f " 1000 Гц* Т * +25° С’ 140 607,60....................03 % Напряжение шумов, приведенное ко входу микрофонного усилителя в полосе частот 20 Гц...20 кГц при сопротивлении источника сигнала 200 Ом, Un “ 13,2 В, Т “ +25° С. не более; К157УП1А, К157УП2А................................................0,6 мкВ К157УП2Б, К157УП2Б................................................. 1 мкВ Напряжение шумов, приведенное ко входу предварительного усилителя записи в полосе частот 20 Гц...20 кГц при сопротивлении источника сигнала 16 кОм, Un - 13,2 В, Т “ +25° С, не более: К157УШ А, К157УП2А.................................................3,2 мкВ К157УП1Б, К157УП2Б......................„.....:....................5.2 мкВ Входное сопротивление микрофонного усилителя при Un “ 12 В, f “ 1000 Гц, Т - +25° С........................................................1.6...2.4 кОм Входное сопротивление предварительного усилителя записи при Un “12В, f - 1000 Гц, Т - +25° С...........................................160...240 кОм Выходное сопротивление микрофонного усилителя при “ 12 В, ивых “ 540-1080 мВ, Т “ +25° С, не более ............................... 5 кОм ’ Выходное сопротивление предварительного усилителя записи при Un “12 В, Свых " 270~460 мВ» Т " +25° с’ и® 607,60..................................1 кОм Коэффициент Ослабления выходного сигнала соседнего канала при ивых " Ю00... 1700 мВ, Un - 12 В, Т - +25° С, не менее.................. 70 дБ Верхнее значение полосы рабочих частот при L!n “ 12 В, Т " +25° С, не менее.50 кГц Предельные эксплуатационные двнные Напряжение питания.......................................%....... 3...15 В Максимальный выходной ток: микрофонного усилйтел.я.................................... 3 мА предварительного усилителя записи................................ 3 мА Максимально допустимая рассеиваемая мощность -------------------......250 мВт Температура окружающей среде»!..................................-25..+70° С
И6 МИКРОСХЕМЫ К157 Вход предо, усил. . Кб ВОб'к записи (ЛК) ЛТ'дайсГ^Н-Еа— *’----—---(7 Выход кикроу/. усил. (лк) ‘Ц Вход никршр.^ у сил. (Л К) КИОк К71В0к Rail JUL isT Hi ZIk М' 22к Вход nикр. усы, (пн) Выход никр. [ усы. (ПК) £gi * КЗ7 ZC.4ZZ пн Виод npeSO. L —r RS'UO, Кб'воех Схема включения микросхем К157УП! (К157УП2/ в канале записи стереофонического магнитофона. В скобках указана нумерация выводов для микросхемы К1.57УП2. К157ХА1А, К137ХА1Б Микросхемы представляют собой универсальный высокочастотный усилитель пре образователь для переносных радиоприемников СВ и КВ диапазонов. В состав микрос хемь. К157ХА1 входят высокочастотный усилитель, гетеродин и балансный смеситель. В зависимости от верхней граничной частоты полосы припускания микросхемы де- лятся на группы А и Б. Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,5 г. Зарубежный аналог: отсутствует. Назначение выводов: I - вход усилителя высокой частоты; 2 - эмиттер транзистора усилителя высокой частоты; 5 - выход гетеродина; 6, 8 - коррекция; 7 - общий вывод гетеродина и смесителя, питание (-Un); 9 - питание гетеродина н смесителя (+Un); 10, 12 - выход напряжения промежуточной частоты; И - вход смесителя; 13 - питание усилителя высокой частоты (+Un); 14 - выход усилителя высокой частоты. Электрические параметры Номинальное напряжение питания..............................................5 В Ток потребления при Un “ 5 В, Т — +25° С, не более.......................3,3 мА Коэффициент усиления в режиме преобразования на частоте входного сигнала 150 кГц: при Сп - 5 В, Т - +25о с..................................w....150...350 При Un - 6 В, Т - +70° С.........................................100...400 при Un - 3,6 В, Т - -25° С.......................................100...4Ш) Снижение коэффициента усиления в режиме преобразования при Un «5 В, Т* +25° С. К157ХА1Ана частоте 15 МГц ...........................................5 дБ К157ХА1Б на частоте 25 МГц...........................................5 дБ Диапазон рабочих частот по уровню АХЧ - 5 дБ при U "5 8. Т = +25° С: K157XAIA......................................... ?.............15 МГн К157ХА1Б ........................................................ 25МГн
МИКРОСХЕМЫ К157 317 I Коэффициент шума! в режиме преобразования на частоте 150 кГц при С'п “5 В, Т " +25° С, не более.......................................................6 дБ Напряжение гетеродина на частоте 15 МГц на эквивалентном сопротивлении контура гетеродина 4 кОм, включенного между выводами 5 и 8 при Un “= 5 В, Т - +25° С .........................................................300...450 мВ Предельные эксплуатационные данные Напряжение питания .............................................. 3.6...6 В Максимальный ток по выводу 14, не более.................................. 10 мА Температура окружающей среды................................... ..-25...+700 С и 780 мГн С2 „ К* ZJ |/Пц ~ ^65 кГц выход ПУ R2 100 Вход АРУ 22001 150 Ж) /♦ 13 11 11 10 9 8 62к 01 вход 7200 сигнала -•—|Г“*“ fz* 0,15+15(25) МГц *'Й К157Ш(!ША1Б) 13 3*507 Св9 0,033 +58 +58 . Принципиальная схема усилителя-преобразователя частоты малогабаритного СВ - КВ радиоприемника. 1 Коэффициент шума определяется по формуле кш - 201g 8m Кд Свх иш / ^«4^. где m 0,3 - глубина модуляции входного сигнала; К — 0,1 - коэффициент переда- чи делителя на входе микросхемы; С!вх - напряжение входного сигнала, мкВ; Д f “ 10,5 + 0,5 кГц - полоса пропускания тракта УПЧ и контура смесителя; * 0,576 кОм - со- противление шумового резистора (между выводами 1 и 14 микросхемы); Ц, - макси- мальный выходной сигнал на выходе УПЧ; Сш - напряжение шума на выходе УПЧ при отключенной модуляции несущей частоты.
318 МИКРОСХЕМЫ К157 К157ХА2 Микросхема представляет собой усилитель промежуточной частоты с автомати- ческой регулировкой усиления и амплитудным детектором. Предназначена для приме- нения в малогабаритных переносных и автомобильных радиоприемниках. Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,5 г. ' Зарубежный аналог: отсутствует. Функциональный состав: 1 - регулируемый усилитель; И - основной усилитель; Ш - амплитудный детектор; IV - усилитель напряжения АРУ. Назначение выводов 1 - вход регулируемого усилителя; - 2, 6, 10 - коррекция; 3 - общий вывод, питание (-Un>; 4 - регулировка усиления; 5 - вход основного усилителя; 9 - выход амплитудного детектора; 11 - питание <+Un); 12 - емкость фильтра; 13 - вы- ход усилителя АРУ; 14 - выход регулируемого усилителя. Электрические параметры Номинальное напряжение питания.............................................. 5 В Ток потребления прн — <» , UBX " 0, не более: при Un - 5 В, Т - +25° с..................................................4 мА при Un - 6 В, Т - +70° С.....................................:....................5.5 мА • Изменение выходного сигнала при изменении входного в пределах 50 мкВ...З мВ, m - 30%. f - 465 кГц, fm - 400 Гц, Un - 5 В, Т - +25° С, не более .._.....6 дБ Глубина регулировки АРУ при RH — ««о , f " 465 кГц, f " 1 кГц, m " 0,3, не менее: при Un - 5 В, UBX - 0,5...30 мВ, Т - +25° С.................................120 дБ при Un - 6 В, UBX - 5...300 мВ, Т - +700 С..................................120 дБ при Un - 5 В, UBX - 0,5...30 мВ, Т - -25° С.................................150 дБ Коэффициент гармоник при L’ - 5 В, LI — 0,3 мВ, f " 465 кГц, f " 1 кГц, го " 0,8, п вх ш Т - +25° С, не более ....................................................... 3 % Входное сопротивление при Нп “ 5 В, f " 465 кГц, Т " +25°................0,43... 1 кОм Предельные эксплуатационные данные Напряжение питания ............................................... 3.6...6 В Максимально допустимое напряжение между выводами 10 и И, не более............1,75 В Максимальный ток усилителя АРУ (вывод 13), не более....................... 1,5 мА Температура окружающей среды...........................................-25...+700 С
МИКРОСХЕМЫ KI S'? 319 +55 "08 0,1 выход АРУ мчо 070,015 М1.2К выход НУ dH^Fr^* Н 13 12 11 W 9 8 К157ХА2 1 2 3 У 5 6 Т Принципиальная схема усилителя промежуточной частоты с детектором для малогаба- ритного радиоприемника. Рабочую точку (постоянное напряжение 0,25 В на выводе 9) устанавливают резис- тором R! при входном напряжении, равном нулю Для обеспечения устойчивой работы и улучшения характеристик УПЧ на микросхеме К157ХА2 в его состав рекомендуется включать одиночный колебательный контур или полосовой фильтр. Одиночный контур включается между выводами 14, 3 и 5. Схема подключения одиночного контура к микросхеме KI57XA2
320 МИКРОСХЕМЫ KI 57 К157ХП1 Микросхема представляет собой двухканальное устройство, каждый канал которого состоит из предварительного усилителя с амплитудным дискриминатором на входе и усилителем индикации, включающего в себя формирователь временных интервалов и усилитель мощности. Общим для обоих каналов является режимное устройство, за- дающее .образцовое напряжение для двух усилителей, и выпрямитель системы авто- матической регулировки уровня записи, обрабатывающий сумму сигналов двух каналов. Предназначена для управления приборами индикации пиковых уровней сигналов в ка- нале записи стереофонических магнитофонов и формирования сигналов управления для системы автоматической регулировки уровня записи. Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,5 г. Зарубежный аналог: отсутствует. К157ХП1 Функциональный состав: I - предварительные усилители; П - усилители индика- ции; Ш - источник образцовых и смещающих напряжений; IV - выпрямители системы ДРУЗ. Назначение выводов: 1 - выход предварительного усилителя первого канала; 2 - вход усилителя индикации первого канала; 3 - выход усилителя индикации первого ка- нала; 4, 9 - общий вывод, питание (-Un); 5 - выход усилителя индикации второго ка- нала; 6 - вход усилителя индикации второго канала; 7 - выход предварительного уси- лителя второго канала; 8 - вход предварительного усилителя второго канала; 10 - не- инвертирующий выход АРУЗ; 11 - питание (+Un); 12 - инвертирующий выход АРУЗ;- 13 - выход источника опорного напряжения; 14 • вход предварительного усилителя первого канала. Электрические параметры Номинальное напряжение питания..................................... ..15 В Ток потребления при Un * 15 В, Uynp " 4 В, Т — +25° С, не более: ......S...9 мА Напряжение срабатывания по выходу усилителя индикации и системы АРУЗ при Un - 15 В, Uynp - 0,8... 1,6 В, Т - +250 С.............................1... 1,45 В Выходное эталонное напряжение при Un — 15 В, иупр "О , Т - +25° С....I.2...1,35 В Напряжение Опускания по выходу усилителя индикации и системы АРУЗ при Un - 15 В. Uynp - 0,8... 1,6 В, Т - +250 с, не менее......................0,9 В Выходное напряжение предварительного усилителя при Un - 15 В, U — 4 В, Т-+25°С................................................................ 5ЛФВ Выходкой ток предварительнрго усилителя при Un - 15 В, U “ 4 В, Т - +25° с.............................................................4... 10 мА Выходной ток покоя усилителя индикации при — 15 В, 1’ ,Пр — О , Т - +250 с...........................................................35...65 мкА
МИКРОСХЕМЫ KI57 321 _------------------------------------------------------------------------------ Выходной ток закрытого усилителя индикации при Un - 18 В, Т « +25° С, не более.......................,...................................... 1 мкА Выходной ток покоя выпрямителя системы АРУЗ при С’п - 18 В, U - 0 , Т “ +25° С, не более.................................*.................. 30 нА Входной ток предварительного усилителя при Un “15 В, ^уПр “ 4 В, Т ш +25° С, не более......................................................................2 мкА Предельные эксплуатационные данные Напряжение питания.............................................. 7.2...20 В Напряжение на входах предварительного усилителя, не более ..................+7 В Выходной ток, не более: по вывода^ 3 и 5......................................................70 мА по выводам 10 и 12.................................................г. 10 мА Максимально допустимая рассеиваемая мощность '......... ............... 250 мВт । Температура окружающей среды ............................ ........-25...+700 С 01* 10,0*25 г~ 2 -f>f—(ZZJ— j ♦ -bi—CZZ}— 5 YD1 АЛ501 VD2 АЛМ7 CZ 10,0*25 Принципиальная схема измерителя пиковых уровней в канале записи со свето- диодными индикаторами В этой схеме емкости конденсаторов С1 и С2 определяет значение постоянной вре- мени индикации, сопротивления резисторов R3 и R4 определяются из условия R- (Пп - i,2B)/IVD1 (2)ном‘ К157ХП2 Микросхема представляет собой стабилизатор напряжения с электронным управ- лением и содержит элементы генератора токов стирания и подмагничивания. Предназ- начена для применения в аппаратуре магнитной записи звука. В состав микросхемы входят источник образцового напряжения с устройством управления, усилитель сигнала рассогласования, регулирующий элемент с токовой и тепловой защитой, выходной де- литель и отдельные транзйсторные структуры с цепями смещения для создания гене- ратора токов стирания и подмагничивания (ГСП). Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,5 г. Зарубежный аналог: отсутствует. Функциональный состав: I - выходной делитель; II - регулирующий элемент с то- ковой и тепловой защитой|; III - усилитель сигнала рассогласования; IV - источник об- разцового напряжения с устройством управления временем включения и выключения; VT30, VT29 - транзисторные структуры для ГСП с цепями смещения RI6 и RI7. 11. Зак. 4694
322 МИКРОСХЕМЫ К157 К157Ш Назначение выводов: I - общий эмиттер транзисторных структур для ГСП; 2 - ба- за транзистора VT30; 3 - коллектор транзистора VT30; 4, 5 - выводы для установки вы- ходного напряжения Стабилизатора; 6 - вход усилителя сигнала рассогласования; 7 - общий вывод, питание (-Un); 8 - вывод источника опорного напряжения, подключение в рем «задающего конденсатора к устройству управления временем включени