Полупроводниковые приборы. Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник - Зайцев А.А., Баюков А.В., Гитцевич А.Б.

Author: Зайцев А.А. Баюков А.В. Гитцевич А.Б.
Tags: электротехника полупроводниковые устройства электроника автоматика радиоэлектроника измерительные приборы
Year: 1983
Similar
Справочник. Полупроводниковые приборы. Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы
Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры
Справочник. Полупроводниковые приборы. Диоды высокочастотные. Диоды импульсные. Оптоэлектронные приборы
Справочник. Полупроводниковые оптоэлектронные приборы
Text
                    ПОЛУ-
ПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ
Диоды, тиристоры,
оптоэлектронные
приборы
СПРАВОЧНИК
Под общей редакцией Н. Н. ГОРЮНОВА
МОСКВА ЭНЕРГОАТОМИЗДАТ 1983
ББК 32.852
П53
УДК 621.382.21.3(035)
Рецензенты: Е. И. Крылов, В. В. Павлов
Авторы: А. В. Баюков, А. Б. Гитцевич,
А. А. Зайцев, В. В. Мокряков, В. М. Петухов,
А. К. Хрулев
Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры.
П53 оптоэлектронные приборы. Справочник/А. В. Баю-
ков, А. Б. Гитцевич, А. А. Зайцев и др.; Под общ.
рсд. Н. Н. Горюнова. — М.: Энергоатомиздат, 1983.—-
744 с., ил.
В пер.: 2 р. 60 к.
Приведены элек1рические параметры, габаритные размеры, пре-
дельные эксплуатационные данные и другие характеристики отече-
ственных серийно выпускаемых полупроводниковых диодов, тиристоров,
светодиодов и оптронов широкого применения.
Для широкого круга специалистов по электронике, автоматике,
измерительной и вычислительной технике, занимающихся разработкой,
эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.
п 2403000000-078 201 -82.
051(01)-83
ББК 32.852
6Ф0.32
С Энергоиздат, 1982, с изменениями
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие.............................................. 12
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДАХ
ТИРИСТОРАХ И ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ
Раздел первый. Классификация диодов, тиристоров и опто-
электронных приборов..................................... 13
1.1.	Классификация и система обозначений .	13
1.2.	Условные графические обозначения.	'	22
1.3.	Условные обозначения электрических параметров . .	24
1.4.	Основные стандарты в области полупроводниковых
приборов...................................... эд
Раздел второй. Особенности использования полупроводни-
ковых приборов в радиоэлектронной аппаратуре ...	31
ЧАСТЬ ВТОРАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Раздел третий. Диоды выпрямительные .
дг (б, в, г, д, е, ж, и).........;; з6
МДЗ................................................. ’	39
ДММЗ.................................................  эу
Д7 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж)............................ ’	4‘
Д9 (Б, В, Г, Д, Е. Ж, И, К, Л, М) . .	‘	45
ДЮ, Д10 (А, Б)......................... ‘	47
ДЮЗ, Д101А, Д102, ДЮ2А, ДЮЗ, ДЮЗА . . .	49
Д104, Д104А, Д105, Д105А, Д106, Д106А . .	'	51
Д206, Д207, Д2О8, Д209, Д210, Д211 . . .	’	53
Д214, Д214 (А, Б), Д215, Д215 (А, Б) . .	’	54
МД217, МД218, МД218А................... •	• •
Д223, Д223 (А, Б)..................• • . . .
МД226, МД226А, МД226Е.................. •	• 
Д226, Д226А, Д226Е..................................   г,
до29 (а, Б)............................................64
Д229 (В, Г.	Д,	Е,	И,	К,	Л)........ ‘	66
Д231, Д231	(А,	Б),	Д232,	Д232	(А,	Б), Д233,	Д233б‘	68
Д234Б............................... ’	70
Д237 (А, Б,	В,	Е,	Ж)....... ’	'	70
Д242, Д242 (А, Б), Д243,	Д243 (А,	Б), Д245, Д245	(А	Б<	72
Д246, Д246 (А, Б), Д247, Д247Б, Д248Б . .	72
3
Д302, ДЗОЗ, ДЗО4, ДЗО5.............................. 74
2Д101А............................................. 76
2ДМ101А............................................. 77
2Д102 (А, Б), КД102 (А,	Б)........................ 78
2Д103А, КД103 (А, Б)................................ 80
2Д104А, КД104А..................................... 82
КД105 (Б, В, Г)..................................... 83
2Д106А, КД106А...................................... 85
ГД107 (А, Б)........................................ 87
КД109 (А, Б, В)..................................... 89
АД110А.............................................. 90
АД112А.............................................. 91
ГД113А.............................................. 91
2Д115А-1............................................ 92
2Д118А-1............................................ 94
2Д201 (А, Б, В, Г).................................. 95
2Д202 (В. Д, Ж, К, М, Р). КД202 (А, В. Д, Ж,
К, М, Р)............................................ 97
2Д203 (А, Б, В, Г, Д), КД203 (А, Б, В, Г, Д)........ 99
2Д204 (А,	Б,	В),	КД204 (А, Б,	В).......102
КД205 (А,	Б,	В,	Г,	Д, Е,	Ж.	И,	К,	Л).104
2Д206 (А, Б, В), КД206	(А, Б, В)....................105
КД208 (А)...........................................107
КД209 (А, Б, В).....................................108
2Д210 (А,	Б,	В,	Г),	КД210	(А,	Б,	В,	Г).109
2Д212 (А, Б), КД212 (А, Б)......................... 111
2Д213 (А,	Б,	В,	Г),	КД213	(А,	Б,	В,	Г)..ц3
2Д215 (А, Б, В).....................................116
2Д216 (А,	Б)......................................118
2Д217 (А,	Б)......................................120
2Д219 (А,	Б)......................................122
2Д220 (А.	Б,	В,	Г,	Д, Е,	Ж,	И).......123
Раздел четвертый. Выпрямительные столбы и блоки . . .	126
Д1004, Д1005 (А. Б), Д1006, Д1007, Д1008 .......... 126
Д1009. Д1009А, ДЮНА.................................128
2Ц101А..............................................129
2Ц102 (А, Б. В).....................................131
2Ц103 (А, В)........................................132
1Ц104АИ.............................................134
КЦ105 (А, Б, В, Г, Д)...............................135
2Ц106 (А, Б, В, Г), КЦ106 (А. Б, В, Г. Д) ... .	136
2Ц108 (А, Б, В).....................................139
КЦ109А............................................. 141
2Ц110 (А, Б)....................................... 142
2Ц111А-1............................................144
2Ц112А..............................................146
2Ц113А-1............................................147
КЦ201 (А, Б, В, Г, Д,	Е)........................148
2Ц202 (А, Б, В, Г, Д,	Е)........................149
2Ц203 (А, Б, В).....................................152
4
КЦ401 (А, Б)...................................... 154
КЦ402 (А, Б, В. Г, Д, Е, Ж, И), КЦ403 (А, Б, В Г
Д, Е, Ж, И), КЦ404 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж. И), КЦ405
(А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И)...............................
КЦ407А.................................................
КЦ409 (А, Б, В, Г, Д. Е, Ж, И).....................160
КЦ410 (А, Б, В)....................................161
КЦ412 (А, Б, В)........................................
Раздел пятый. Диоды универсальные и импульсные . ...	163
Д18....................................................
Д20................................................165
Д219А, Д220, Д220 (А, Б)...........................166
Д310...............................................168
Д311, Д311 (А, Б)..................................170
Д312, Д312 (А, Б)..................................173
2Д401 (А, Б, В), КД401	(А, Б)......................176
1Д402 (А, Б), ГД402 (А,	Б).......................178
ГД403 (А, Б, В)....................................180
K£407A.............................................181
КД409А.............................................182
2Д413 (А, Б). КД413 (А.	Б)........................184
2Д502 (А. Б. В, Г).................................185
2ДМ502 (А, Б. В, Г)................................187
2Д503 (А. Б), КД5ОЗ (А,	Б)........................188
2Д504А, КД504А.....................................191
1Д507А, ГД507А.....................................193
1Д5О8А, ГД508 (А, Б)...............................195
2Д509А, КД509А.....................................196
2Д510А, КД510А.....................................199
ГД511 (А, Б, В)....................................202
КД512А.............................................203
КД513А.............................................204
КД514А.............................................206
КД518А............................................ 207
КД519 (А, Б).......................................208
2Д520А, КД520А.....................................210
КД521	(А,	В, Г)...................................211
2Д522Б, КД522 (А,	Б)............................212
2Д524 (А, Б, В)....................................215
АД516	(А,	Б)......................................217
ЗА527	(А,	Б)......................................219
ЗА529	(А,	Б)......................................221
3A53O	(А.	Б)......................................222
Раздел шестой. Диодные сборки и матрицы...............224
КДС111 (А. Б. В)...................................224
2ДС408 (А-1, Б-1,	В-1, Г-1)........................225
2ДС413 (А-1, Б-1), 2ДС414 (А-1, Б-1), 2ДС415 (А-1, Б-1.
В-1, Г-1. Д-1, Е-1), КДС413 (А, Б, В), КДС414 (А Б,
В). КДС415 (А, Б, В)...............................228
2ДС523 (А, Б, В, Г), КДС523 (А, Б, В. Г).......... 23?
5
КДС525 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И, К, Л)..................235
КДС526 (А. Б, В).......................................239
2ДС627А. КДС627А.......................................240
2ДС628А, КДС628А.......................................243
2Д901 (А-1, Б-1, В-1, Г-1), КД901 (А-1. Б-1, В-1. Г-1)	245
2Д903 (А, Б), КД903 (А, Б).............................247
2Д904 (А-1, Б-1. В-1, Г-1. Д-1. Е-1), КД904 (А-1, Б-1.
В-1, Г-1, Д-1, Е-1)....................................249
2Д906 (А, Б. В), КД906 (А, Б,	В,	Г, Д, Е)............252
2Д907 (Б-1, Г-1). КД907 (Б-1, Г-1).....................254
2Д908А, КД908А.........................................256
КД909А.................................................259
2Д910 (А-1, Б-1, В-1), КД910 (А-1,	Б-1, В-1)...........260
2Д911 (А-1, Б-1), КД911 (А-1,	Б-1)....................262
2Д912 (А-3, Б-3. В-3), КД912 (А-3,	Б-3, В-3)...........265
2Д913А-3, КД913А-3.....................................268
КД914 (А, Б, В)........................................270
2Д917А, КД917А.........................................271
2Д918 (Б-1. Г-1), КД918 (Б-1,	Г-1)....................274
2Д919А, КД919А.........................................276
2Д920А.................................................278
Раздел седьмой. Варикапы..................................281
Д901 (А, Б, В, Г, Д, Е)................................281
Д902	  283
КВ101А.................................................284
2В102	(А, Б, В, Г, Д, Е, Ж). КВ102	(А,	Б,	В,	Г,	Д)	285
2В103	(А, Б), КВ103 (А, Б)............................286
2В104	(А, Б, В, Г, Д, Е), КВ 104 (А.	Б,	В,	Г,	Д,	Е)	288
2В105 (А,	Б),	КВ105	(А,	Б)...........................289
2В106 (А,	Б),	КВ106	(А,	Б)...........................291
КВ107 (А,	Б,	В, Г)..................................292
КВ109 (А.	Б,	В, Г)..................................293
2В110	(А, Б, В, Г, Д, Е), КВ110 (А.	Б.	В,	Г,	Д,	Е)	295
КВС111 (А, Б)..........................................297
2В112	(А-1, Б-1). КВ112 (А-1. Б-1)....................298
2В113	(А, Б), КВ113 (А, Б)............................299
2В114	(А-1, Б-1), КВ! 14 (А-1, Б-1)...................301
КВ115	(А, Б, В)......................................302
КВ116А.................................................303
2В117А. КВ117 (А,	Б)..................................304
2ВС118 (А, Б)..........................................305
КВ119А.................................................307
КВС120 (А, Б)..........................................308
КВ121 (А, Б)...........................................309
КВ122 (А, Б, В)........................................311
КВ123А.................................................312
Раздел восьмой.	Диоды туннельные и обращенные ...	314
8.1.	Усилительные	диоды.......................314
ЗИ101 (А,	Б,	В, Г,	Д,	Е. Ж, И), АИ101 (А, Б, В,
Д, Е, Ж, И)............................................314
6
1ИЮ2 (А, Б. В, Г, Д, Е, Ж, И, К).................... 317
1И103 (А, Б, В), ГИ103 (А, Б, В, Г)......................
1И104 (А, Б, В, Г, Д, Е).............................321
8.2.	Генераторные диоды..............................324
ЗИ201 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И, К, Л). АИ201 (А, В, Г,
Е, Ж, И, К, Л).......................................324
ЗИ202 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И, К)....................327
ЗИ2ОЗ (А, Б, Г, Д, Ж, И).............................ЗЗО
8.3.	Переключательные диоды......................... 331
АИ301 (А, Б. В, Г).................................’	зз!
1И304	(А,	Б).	ГИ304	(А,	Б)..........................333
1ИЗО5	(А,	Б),	ГИ305	(А,	Б)..........................336
ЗИЗО6	(Г,	Е,	Ж, К, Л,	М, Н, Р, С).................338
ГИЗО7А...................................................
1И308	(А,	Б,	В, Г,	Д, Е, Ж, И, К)..................341
ЗИЗО9 (Ж, И. К, Л, М, Н).................................
8.4.	Обращенные переключательные диоды . . .	346
1И401 (А, Б). ГИ401 (А, Б)...........................346
ЗИ4О2 (А, Б, В, Г. Д, Е, И), АИ402 (А, Г, Е. И) 348
1И403А, ГИ4ОЗА...........................................
1И404 (А, Б, В)..........................................
Раздел девятый. Геиераторы шума..............................
2Г401 (А, Б, В), КГ401 (А, Б, В).....................356
Раздел десятый. Диоды сверхвысокочастотиые..............359
10.1.	Смесительные диоды.................................
ДГ-С1. ДГ-С2.............................................
ДК-С1М, ДК-С2М...........................................
ДК-С7М...................................................
Д402, Д404 ......................................... 361
Д403 (Б, В)..........................................362
Д4О5, Д405 (А, Б, АП, БП)............................364
Д406 (А, АП).........................................366
Д407	  367
Д408, Д408П..........................................368
Д409 (А, АП).........................................369
2А101 (А, Б)........................................ 371
2AI02A...................................................
2А1ОЗ (А, Б).............................................
2А104А, КА104 (А, Б).....................................
2А105 (А, Б).............................................
1А106 (А, Б, В)..........................................
2А107А...................................................
2А108А...............................................386
2А109А...................................................
ЗА110 (А, Б).............................................
ЗА111 (А, Б), АА111 (А, Б)...............................
АА112 (А, Б), AAI13 (А. Б)...............................
10.2.	Детекторные диоды..............................4О0
ДК-В1, ДК-В2.............................................
ДК-ВЗ, ДК-В4.............................................
7
ДК-В5М, ДК-В6М, ДК-В7М.......................................402
ДК-В8........................................................403
ДК-В11...................................................... 403
ДК-И1М, ДК-И2М...............................................404
ДЗ (А, Б)....................................................405
Д602 (А. Б)..................................................406
Д603 ....................................................... 407
Д604 ....................................................... 408
Д605	  410
Д606	  411
Д607, Д607А..................................................411
Д6О8, Д608А..................................................413
Д609	  415
2А201А.......................................................416
2А202А.......................................................418
2А203	(А,	Б).......................................420
10.3.	Параметрические диоды.................................422
1А401,	1А401	(А,	Б, В),	ГА401, ГА401 (А,	Б, В)	.	.	.	422
1А402	(А,	Б,	В,	Г), ГА402 (А,	Б,	В,	Г)...424
1А403	(А.	Б,	В, Г, Д),	ГА403 (А,	Б,	В,	Г,	Д) .	.	.	.	426
1А404	(А,	Б,	В,	Г. Д,	Е, Ж)..............428
1А405	(А,	Б).......................................429
1А408	(А,	Б).......................................430
10.4.	Переключательные и ограничительные диоды . . .	432
1А501 (А, Б. В, Г, Д. Е, Ж. И), ГА501 (А, Б, В. Г, Д. Е. Ж. И) 432
2А503 (А, Б).................................................433
1А504 (А, Б), ГА504 (А, Б,	В)..............................435
2А505 (А, Б, В)..............................................437
2А506 (А, Б, В, Г, Д)........................................439
2А507 (А. Б), КА507 (А, Б, В)................................441
2А508А, КА508А...............................................443
2А509 (А, Б), КА509 (А, Б,	В)..............................444
2А510 (А, Б. В), КА510 (А,	Б. В. Г, Д, Е) . . . .	447
2А511А.......................................................449
2А512(А, Б)..................................................451
2А513 (Л, Б), КА513 (А, Б)...................................453
2А515А.......................................................455
2А516А.......................................................457
2А517 (А, Б), КА517 (А, Б)...................................458
2А518 (А-4. Б-4).............................................459
2А519А.......................................................462
2А520А, КА520 (А, Б).........................................464
2А521А.......................................................466
2А522А-2.....................................................469
2А523 (А-4, Б-4).............................................471
2А524 (А-4, Б-4).............................................473
10.5.	Умножительные и настроечные диоды.....................476
Д501	  476
2А601А.......................................................477
2А602 (А, Б, В, Г, Д), КА602	(А, Б. В, Г. Д) . . . .	478
8
ЗА603 (А, Б, В, Г), АА603 (А, Б, В, Г).................480
2А604 (А,	Б).............................481
2А605 (А,	Б).............................483
КА606 (А,	Б).............................485
ЗА607А.................................................486
2А608, КА608 ......................................... 487
2А609 (А,	Б).............................488
2А611 (А,	Б), КА611 (А, Б).............................490
2А613 (А,	Б).............................491
10 6. Генераторные диоды...............................493
ЗА7ОЗ (А, Б), АА703 (А, Б).............................493
1А704 (А, Б, В)........................................494
ЗА705 (А, Б), АА705 (А, Б).............................496
2А706 (А, Б, В, Г).....................................497
Раздел одиннадцатый. Стабилитроны н стабисторы . . .	499
11.1.	Стабилитроны общего	назначения...................499
Д8О8, Д809, Д810, Д811, Д813...........................499
Д814 (А, Б, В, Г, Д)...................................501
Д815 (А. АП, Б, БП, В, ВП, Г, ГП, Д, ДП, Е, ЕП,
Ж, ЖП), Д816 (А, АП, Б, БП, В, ВП, Г. ГП, Д, ДП),
Д817 (А, АП, Б, БП,	В, ВП, Г, ГП)...................504
2С124Д-1, 2С127Д-1,	2С13ОД-1,	2С133Д-1,	2С136Д-1,
2С139Д-1, 2С143Д-1.....................................510
2С127А-1...............................................513
2С133А, КС133А. 2С139А. КС139А, 2С147А, КС147А,
2С156А^ КС156А, 2С168А, КС168А.........................513
2С133Б, 2С139Б, 2С147Б, 2С156Б, 2С168Б.................516
2СМ133Б, 2СМ139Б, 2СМ147Б, 2СМ156Б, 2СМ168Б. ...	519
2С133В. 2С133Г, КС133Г, КС139Г, 2С147В, 2С147Г. КС147Г,
2С156В, 2С156Г, КС156Г.................................522
2С147Т-1, 2С147У-1. 2С151Т-1, 2С156Т-1, 2С156У-1 . ...	525
2С156Ф.................................................527
2С162Б-1. 2С162В-1.....................................528
2С168Х, 2С175Х. 2С182Х, 2С191Х, 2С210Х, 2С211Х, 2С212Х	530
2С175Ж, КС175Ж, 2С182Ж, КС182Ж, 2С191Ж, КС191Ж,
2С210Ж, КС210Ж. 2С211Ж, КС211Ж, 2С212Ж, КС212Ж,
2С213Ж КС213Ж. 2С215Ж. КС215Ж, 2С216Ж, КС216Ж,
2С218Ж^ КС218Ж 2С220Ж, КС220Ж. 2С222Ж, КС222Ж,
2С224Ж^ КС224Ж.........................................532
2С175Ц. 2С182Ц, 2С191Ц, 2С210Ц, 2С211Ц, 2С212Ц . . .	539
2С18ОА. 2С190А, 2С210А, 2С211А, 2С213А.................542
2СМ180А, 2СМ190А, 2СМ210А, 2СМ21IA, 2СМ213А . . .	545
2С291А.................................................548
2С433А,	КС433А.	2С439А,	КС439А,	2С447А,	КС447А,
2С456А КС456А, 2С468А, КС468А..........................549
2С482А	КС482А,	2С510А,	КС510А,	2С512А,	КС512А.
2С515А	КС515А.	2С518А,	КС518А,	2С522А,	КС522А,
2С524А^ 2С527А. КС527А. 2С530А.	2С536А...553
КС533А.................................................557
2С551А, КС551А, 2С591А, КС591А,	2С600А, КС600А . . .	558
9
КС620 (А, АП), KC630 (А, АП), KC650 (А, АП),
KC680 (А, АП)........................................560
2C920 (А, АП), 2C93O (А, АП), 2C950 (А, АП), 2C98O (А, АП) 562
11.2.	Стабилитроны прецизионные......................565
Д818 (А, Б, В, Г, Д,	Е)............................565
2С164М-1, 2С168М-1...................................567
2С191 (М, Н, П, Р), КС191 (М, Н, П, Р)...............569
2С191 (С, Т, У, Ф), КС191 (С, Т, У, Ф)...............571
КС211 (Б, В, Г, Д)...................................574
КС520В, КС531В, КС547В, КС568В, КС596В...............575
11.3.	Стабилитроны импульсные....................... 577
2С168К-1, 2С175К-1, 2С182К-1, 2С191К-1, 2С210К-1,
2С211К-1, 2С212К-1...................................577
2С175Е,	КС175Е,	2С182Е,	КС182Е,	2С191Е,	КС191Е,
2С210Е,	КС210Е,	2С211Е,	КС211Е,	2С212Е,	КС212Е,
2С213Е, КС213Е.......................................580
11.4.	Стабилитроны двухаиодные.......................584
2С162А,	КС162А,	2С168В,	КС168В,	2С175А,	КС175А,
2С182А,	KCI82A,	2С191А,	КС191А,	2С210Б,	КС210Б,
2С211И,	2С212В,	2С213Б,	КС213Б.....................584
2С170А,	КС170А....................................590
11.5.	Стабисторы.....................................591
Д219С, Д220С, Д223С..................................591
2С107А,	КС107А....................................592
2С113А,	КС113А,	2С119А,	КС119А.....................594
ЧАСТЬ ТРЕТЬЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТИРИСТОРОВ
Раздел двенадцатый. Тиристоры........................... 596
Д235 (А, Б, В, Г)................................... 596
2Н102 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И), КН102 (А, Б, В, Г,
Д, Ж, И)............................................ 600
2У101 (А, Б, Г, Д, Е, Ж. И). КУ101 (А, Б, Г, Е) 603
2У102 (А, Б, В, Г), КУ102 (А, Б, В, Г)...............607
2У103В, КУ103 (А, В).................................611
2У104	(А,	Б, В, Г), КУ104 (А, Б,	В, Г).............613
2У105	(А,	Б, В, Г, Д, Е), КУ105	(А, Б, В, Г, Д, Е) 617
2У106	(А,	Б, В, Г)................................ 621
2У107	(А,	Б, В, Г, Д, Е)...........................625
КУ 108	(В,	Ж, М, Н, С, Т, Ф, Ц).....................628
КУ109 (А, Б, В, Г)...................................630
2У201 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И, К, Л), КУ201
(А, Б,	В.	Г,	Д,	Е,	Ж,	И,	К,	Л).................. 631
2У202	(Д,	Е,	Ж,	И,	К,	Л,	М,	Н), КУ202 (А, Б, В,
Г, Д, Е, Ж, И, К, Л, М, Н)...........................634
2У203	(А,	Б,	В,	Г,	Д,	Е,	Ж,	И)...................638
2У204	(А,	Б,	В),	КУ204	(А,	Б,	В)...................643
2У205 (А, Б, В, Г)...................................646
2У206 (А, Б, В, Г)...................................650
2У207 (А, Б, В, Г, Д, Е).............................654
2У208 (А, Б, В, Г), КУ208 (А, Б, В, Г)...............658
ЧАСТЬ ЧЕТВЕРТАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
Раздел тринадцатый.	Излучающие диоды ИК диапазона 662
ЗЛЮЗ (А, Б). АЛ103 (А, Б)...........................
АЛ106 (А, Б, В).................................664
ЗЛ1О7 (А, Б), АЛ107	(А,	Б)......................666
ЗЛ108А, АЛ 108А.................................668
ЗЛ109А-1, АЛ109А-1..............................670
ЗЛ115А, АЛ115А..................................672
ЗЛ118А..........................................673
ЗЛ119 (А, Б)....................................676
Раздел четырнадцатый. Светоизлучающие диоды. Зна-
ковые индикаторы................................678
2Л101 (А. Б), КЛ101	(А,	Б,	В)...................678
ЗЛ1О2 (А, Б, Г), АЛ102	(А,	Б, Г)................679
2Л105А..........................................681
АЛ301	(А,	Б)...................................684
АЛ304	(А,	Б,	В,	Г).............................685
АЛЗО5	(А,	Б,	В,	Г,	Д,	Е,	Ж,	И, К, Л) . . . . . 687
АЛЗО6	(А,	Б,	В,	Г,	Д,	Е,	Ж,	И)................690
АЛЗО7	(А,	Б,	В,	Г)............................693
АЛС311А.........................................694
АЛС313А-5.......................................697
ЗЛС314А, АЛС314А................................698
АЛС317	(А,	Б, В,	Г)..........................700
АЛС318	(А,	Б, В,	Г)..........................702
АЛС321	(А,	Б)................................704
АЛС323А-5..........................................
АЛС324	(А,	Б)................................708
Раздел пятнадцатый. Оптопары. Оптоэлектронные ключи 711
ЗОДЮ1 (А, Б, В, Г), АОДЮ1 (А, Б, В, Г, Д) ... . 711
ЗОТЮ2 (А, Б, В, Г, Д, Е), АОТЮ2 (А, Б, В, Г, Д, Е) 713
АОУЮЗ (А, Б, В) '. .  ........................  716
АОД109 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И).................718
ЗОТПО (А, Б, В, Г), АОТПО (А, Б, В, Г)..........720
А ОДП 1А........................................722
ЗОД120А-1, АОД120 (А-1, Б-1)....................724
ЗОД201 (А-1, Б-1, В-1, Г-1, Д-1, Е-1)...........726
К249КН1 (А, Б, В, Г, Д, Е)......................728
К249КП1, К249КП2...................................
249ЛП1 (А, Б, В)................................733
К262КП1 (А, Б)..................................736
295АГ1 (А, Б, В, Г, Д)..........................738
АОТ122 (А, Б, В, Г).............................740
ПРЕДИСЛОВИЕ
В справочнике приводятся электрические и эксплуатационные
характеристики и параметры диодов (выпрямительных, импульсных,
варикапов, туннельных, сверхвысокочастотпых), стабилитронов (обще-
го назначения, прецизионных, импульсных, двуханодных, стабисторов),
тиристоров, оптоэлектронных приборов, классификация современных
полупроводниковых приборов, система параметров и условные обозна-
чения. общие сведения по устойчивости к эксплуатационным воз-
действиям, меры предосторожности при использовании в аппа-
ратуре.
От предшествующих настоящий справочник отличается полнотой
справочных параметров и их зависимостей от режимов использова-
ния.
Справочные сведения о полупроводниковых приборах составлены
на основе данных, зафиксированных в государственных стандартах
и технических условиях на отдельные типы приборов. Авторами
сохранена удачная форма представления данных, использовавшаяся
в предыдущих изданиях аналогичных справочников издательства
«Энергия»: приведены сведения об основном назначении, габаритных
и присоединительных размерах, маркировке, важнейших параметрах,
режимах измерения, предельных эксплуатационных режимах и зависи-
мостях полупроводниковых приборов.
Справочник предназначен для специалистов, занимающихся разра-
боткой, ремонтом и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры,
студентов и аспирантов радиотехнических факультетов вузов и широко-
го круга радиолюбителей.
Справочник подготовлен под общей редакцией Н. Н. Горюнова
авторами А. В. Башковым, А. Б. Гитцевичем. А. А. Зайцевым,
В. В. Мокряковым. В. М. Петуховым, А. К. Хрулевым.
Отзывы и замечания о справочнике авторы просят направлять
по адресу: 113114, Москва, М-114, Шлюзовая наб., 10, Энергоиздат.
Авторы
12
Часть первая
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
О ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДАХ,
ТИРИСТОРАХ И ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ
ПРИБОРАХ
Раздел первый
КЛАССИФИКАЦИЯ ДИОДОВ, ТИРИСТОРОВ
И ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
1.1.	КЛАССИФИКАЦИЯ И СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ
Классификация современных полупроводниковых приборов по
их назначению, физическим свойствам, основным электрическим
параметрам, конструктивно-технологическим признакам, роду исходно-
го полупроводникового материала находит отражение в системе
условных обозначений их типов.
В соответствии с возникновением новых классификационных
групп приборов совершенствуется и система их условных обозначений,
которая на протяжении последних 15 лет трижды претерпевала
изменения.
Система обозначений современнных полупроводниковых диодов,
тиристоров и оптоэлектронных приборов установлена отраслевым
стандартом OCT i 1 336.038-77 и базируется на ряде классификаци-
онных признаков этих приборов.
В основу системы обозначений положен семизначный буквенно-
цифровой код, первый элемент которого (буква — для приборов
широкого применения, цифра — для приборов, используемых в уст-
ройствах специального назначения) обозначает исходный полупровод-
никовый материал, на основе которою изготовлен прибор. Второй
элемент обозначения — буква, определяет подкласс приборов, третий
элемент — цифра (или буква для оптопар), определяет один из основ-
ных характеризующих прибор признаков (параметр, назначение или
принцип действия). Четвертый, пятый и шестой элементы — трехзначное
число, обозначающее порядковый номер разработки технологического
типа прибора, седьмой элемент — буква, условно определяет класси-
фикацию по параметрам приборов, изготовленных по единой тех-
нологии.
В стандарте предусмотрено также введение в обозначение допол-
нительных знаков при необходимости отметить отдельные сущест-
венные конструктивно-технологические особенности приборов.
13
Для обозначения исходного материала используются следующие
символы (первый элемент обозначения):
Г или 1 — для германия или его соединений;
К или 2 — для кремния или его соединений;
А или 3 — для соединений галлия (например, для арсенида
галлия);
И или 4 — для соединений индия (например, для фосфида индия).
Для обозначения подклассов приборов используется одна из
следующих букв (второй элемент обозначения):
Д — для диодов выпрямительных, импульсных, магнитодиодов,
термодиодов;
Ц — выпрямительных столбов и блоков;
В — варикапов;
И — туннельных диодов;
А — сверхвысокочастотных диодов;
С — стабилитронов (включая стабисторы и ограничители);
Г — генераторов шума;
Л — излучающих оптоэлектронных приборов;
О — оптопар;
У — триодных тиристоров.
Для обозначения наиболее характерного признака прибора исполь-
зуются следующие символы применительно к различным подклассам
приборов (третий элемент обозначения).
Диоды (подкласс Д)
i	— для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением
прямого тока не более 0,3 А;
2	— для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением
прямого тока от 0,3 до 10 А;
3	— для магнитодиодов и термодиодов;
4	— для импульсных диодов с временем восстановления обратного
сопротивления более 500 нс;
5	— для импульсных диодов с временем восстановления от 150 до
500 нс;
6	— для импульсных диодов с временем восстановления от 30 до
150 нс;
7	— для импульсных диодов с временем восстановления от 5 до 30 нс;
8	— для импульсных диодов с временем восстановления от 1 до 5 нс;
9	— для импульсных диодов с эффективным временем жизни неосновных
носителей заряда менее 1 нс.
Выпрямительные столбы и блоки (подкласс Ц)
1	— для столбов с постоянным или средним значением прямого
тока не более 0,3 А;
2	— для столбов с постоянным или средним значением прямого
тока от 0,3 до 10 А;
3	— для блоков с постоянным или средним значением прямого тока
не более 0,3 А;
4	— для блоков с постоянным или средним значением прямого тока
от 0,3 до 10 А.
14
Варисапы (подкласс В)
1	— для построечных варикапов;
2	— для умножительных варикапов.
Туннельные диоды (подкласс И)
1	— для усилительных туннельных диодов;
2	— для генераторных туннельных диодов;
3	— для переключательных туннельных диодов;
4	— для обращенных диодов.
Сверхвысокочастотные диоды (подкласс А)
1	— для смесительных диодов;
2	— для детекторных диодов;
3	— для усилительных диодов;
4	— для параметрических диодов;
5	— для переключательных и ограничительных диодов-
6	—для умножительных и настроечных диодов;
7	— для генераторных диодов;
8	— для прочих СВЧ диодов.
Стабилитроны (подкласс С)
} — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным
напряжением стабилизации менее 10 В,
2	— для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным
напряжением стабилизации от 10 до 100 В;
3	_ ддя стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным
напряжением стабилизации более 100 В;
4	- для стабилитронов мощностью от 0,3 до 5 Вт с номинальным
напряжением стабилизации менее 10 В;
5	- для стабилитронов мощностью от 0,3 до 5 Вт с номинальным
напряжением стабилизации от 10 до 100 В;
6	— для стабилитронов мощностью от 0,3 до 5 Вт с номинальным
напряжением стабилизации более 100 В;
7	— для стабилитронов мощностью от 5 до 10 Вт с номинальным
напряжением стабилизации менее 10 В;
8	— для стабилитронов мощностью от 5 до 10 Вт с номинальным
напряжением стабилизации от 10 до 100 В;
9__г[-(я стабилитронов мощностью от 5 до 10 Вт с номинальным
напряжением стабилизации более 100 В.
Генераторы шума (подкласс Г)
1	— для низкочастотных генераторов шума;
2	— для высокочастотных генераторов шума.
15
Излучающие оптоэлектронные приборы (подкласс Л)
Источники инфракрасного излучения
1	— для излучающих диодов;
2	— для излучающих модулей.
Приборы визуального представления информации
3	— для светоизлучающих диодов;
4	— для знаковых индикаторов;
5	— для знаковых табло;
6	— для шкал;
7	— для экранов.
Оптопары (подкласс О)
Р — для резисторных оптопар;
Д — для диодных оптопар;
У — для тиристорных оптопар;
Т — для транзисторных оптопар.
Триодные тиристоры (подкласс У)
Незапираемые тиристоры
1	— для тиристоров с максимально допустимым значением среднего
тока в открытом состоянии не более 0,3 А или с максимально
допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии
не более 15 А;
2	— для тиристоров с максимально допустимым значением среднего
тока в открытом состоянии от 0,3 до 10 А или с максимально
допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии
от 15 до 100 А;
7	— для тиристоров с максимально допустимым значением среднего
тока в открытом состоянии более 10 А или с максимально
допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии
более 100 А.
Запираемые тиристоры
3	— для тиристоров с максимально допустимым значением среднего
тока в открытом состоянии не более 0,3 А или с максимально
допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии
не более 15 А;
4	— для тиристоров с максимально допустимым значением среднего
тока в открытом состоянии от 0,3 до 10 А или с максимально
допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии
от 15 до 100 А;
8	— для тиристоров с максимально допустимым значением среднего
тока в открытом состоянии более 10 А или с максимально
допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии
более 100 А.
16
Симметричные тиристоры
5	— для тиристоров с максимально допустимым значением среднего
тока в открытом состоянии не более 0,3 .А или с максимально
допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии
не более 15 А;
6	— для тиристоров с максимально допустимым значением среднего
тока в открытом состоянии от 0,3 до 10 А или с максимально
допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии
от 15 до 100 А;
9	— для тиристоров с максимально допустимым значением среднего
тока в открытом состоянии более 10 А или с максимально
допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии
более 100 А.
Для обозначения порядкового номера разработки используются
двузначные числа от 01 до 99 (четвертый и пятый элементы
обозначения), в качестве классификационной литеры (шестой элемент)
используются буквы русского алфавита от А до Я, за исключе-
нием букв, сходных по начертанию с цифрами 3, 0 и 4.
В качестве дополнительных элементов обозначения используются
следующие символы:
буква С после второго элемента обозначения — для наборов
в общем корпусе однотипных приборов, не соединенных электри-
чески или соединенных одноименными выводами;
цифра, написанная через дефис, после седьмого элемента обозна-
чения — для бескорпусных приборов; цифры соответствуют следующим
модификациям конструктивного исполнения:
1	—с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);
2	—с гибкими выводами на кристаллодержателе;
3	—с жесткими выводами без кристаллодержателя;
4	—с жесткими выводами на кристаллодержателе;
5	— с контактными площадками без кристаллодержателя и без
выводов (кристалл):
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе без выводов
(кристалл на подложке);
буква Р после последнего элемента обозначения — для СВЧ
диодов с парным подбором;
буква И после второго элемента обозначения — для импульсных
тиристоров.
Таким образом, современная система обозначений позволяет по
типу прибора получить значительный объем информации о свойствах
прибора.
Приведем примеры обозначения некоторых приборов:
КД215А — кремниевый выпрямительный диод с 0,3 А < 1пр < 10 А,
предназначенный для устройств широкого применения; номер разра-
ботки 15. Iруппа А;
2ДС523Г — набор кремниевых импульсных диодов, предназна-
ченных для устройств специального назначения, с временем установ-
ления обратного сопротивления от 150 до 500 нс; номер разработки
23, группа Г;
17
АИ310Б-2 — арсенид-галлиевый переключательный бескорпуснон
туннельный диод с гибкими выводами на кристаллодержателе, пред-
назначенный для устройств широкого применения; номер разработки
10, группа Б.
Поскольку ОСТ 11 336.038-77 введен в действие в 1978 г.,
для обозначения большинства типов приборов, включенных в насто-
ящий справочник, использована иная система обозначений. У прибо-
ров, разработанных до 1964 г. и выпускаемых до настоящего времени,
условные обозначения состоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения — буква Д, характеризующая весь,
класс полупроводниковых диодов.
Второй элемент обозначения — число (номер), которое указывает
на область применения:
от 1 до 100—для точечных германиевых диодов;
от 101 до 200 — для точечных кремниевых диодов;
от 201 до 300 — для плоскостных кремниевых диодов;
от 301 до 400 — для плоскостных германиевых диодов;
от 401 до 500 — для смесительных СВЧ детекторов;
от 501 до 600 — для умножительных диодов;
от 601 до 700 — для видеодетекторов;
от 701 до 749 — для парахметрических германиевых диодов;
от 750 до 800 — для параметрических кремниевых диодов;
от 801 до 900 — для стабилитронов;
от 901 до 950 — для варикапов;
от 951 до 1000 —для туннельных диодов;
от 1001 до 1100 —для выпрямительных столбов.
Третий элемент обозначения — буква, указывающая на разновид-
ность групп однотипных приборов.
Данная система обозначений содержала значительно меньшее
количество классификационных признаков и зачастую не позволяла
определить даже подкласс диода по его условному обозначению.
Так, импульсный диод получил обозначение Д219А, стабистор —
Д219С, триодный тиристор — Д235А.
В 1964 г. была утверждена новая система обозначений полу-
проводниковых приборов (ГОСТ 10862-64), действовавшая до 1973 г.
В соответствии с этой системой вновь разработанным приборам
присваивались обозначения из четырех элементов.
Первый элемент обозначения — буква или цифра — определяет
исходный материал:
1	или Г — германий;
2	или К — кремний;
3	или А — арсенид галлия или другие соединения галлия.
Второй элемент обозначения — буква, характеризующая подкласс
приборов:
Д	— выпрямительные, универсальные, импульсные диоды;
В — варикапы;
А — сверхвысокочастотные диоды;
Ф — фотоприборы;
Н — диодные тиристоры (динисторы);
У — триодные тиристоры (тринисторы);
18
И — туннельные диоды;
С — стабилитроны;
Ц — выпрямительные столбы и блоки.
Третий элемент обозначения — трехзначное число, указывающее
назначение или электрические свойства прибора в пределах подкласса:
Диоды низкой и высокой частоты
От 101 до 399 - выпрямительные;
от 401 до 499 — универсальные;
от 501 до 599 — импульсные.
Варикапы
От 101 до 999 — все типы.
Сверхвысокочастотиые диоды
От 101 до 199 — смесительные;
от 201 до 299 — видеодетекторы;
от 301 до 399 — модуляторные;
от 401 до 499 — параметрические;
от 501 до 599 — переключающие;
от 601 до 699 — умножительные.
Фотоприборы
От 101 до 199 — фотодиоды;
от 201 до 299 — фототранзисторы.
Диодные тиристоры
От 101 до 199 — малой мощности;
от 201 до 299 — средней мощности;
от 301 до 399 — большой мощности.
Триодные тиристоры
От 101 до 199 — малой мощности;
от 201 до 299 — средней мощности;
от 301 до 399 — большой мощности.
Туннельные диоды
От 101 до 199 — усилительные;
от 201 до 299 — генераторные;
от 301 до 399 — переключающие;
от 401 до 499 — обращенные.
19
Стабилитроны:
малой мощности (Р<0,3 Вт)
от 101 до 199—с напряжением стабилизации от 0,1 до 9,9 В;
от 210 до 299 — с напряжением стабилизации от 10 до 99 В;
от 301 до 399 — с напряжением стабилизации от 100 до 199 В;
средней мощности (0,3 Вт < Р < 5 Вт)
от 401 до 499 — с напряжением стабилизации от 0,1 до 9,9 В:
от 510 до 599 — с напряжением стабилизации от 10 до 99 В;
от 601 до 699 — с напряжением стабилизации от 100 до 199 В;
большой мощности (Р > 5 Вт)
от 701 до 799 — с напряжением стабилизации от 0,1 до 9,9 В;
от 810 до 899 — с напряжением стабилизации от 10 до 99 В;
от 901 до 999 — с напряжением стабилизации от 100 до 199 В.
Две последние цифры соответствуют номинальному напряжению
стабилизации стабилитронов данного типа, например 2С162А — крем-
ниевый стабилитрон малой мощности с 6/ст ном = 6,2 В.
Выпрямительные столбы н блоки
От 101 до 199 — столбы малой мощности (/пр ср < 0,3 А);
от 201 до 299 — столбы средней мощности (Лр.ср > 0,3 А);
от 301 до 399 — блоки малой мощности (/пр,ср < 0,3 А);
от 401 до 499 — блоки средней мощности (0,3 А < 7пр ср < 10 А);
от 501 до 599 — блоки большой мощности (7пр ср > 10 А).
Четвертый элемент обозначения — буква, указывающая на разно-
видность типа из данной группы приборов.
Начиная с 1973 г. и до введения ОСТ 11 336.038-77 вновь
разрабатываемым приборам присваивались обозначения в соответствии
с ГОСТ 10862-72. Обозначения состоят из четырех элементов.
Первый элемент — буква или цифра, обозначающая исходный
материал:
1 или Г — германий или его соединения;
2 или К — кремний или его соединения;
3 или А — соединения галлия.
Второй элемент — буква, характеризующая подкласс прибора:
Д — диоды;
Ц — выпрямительные столбы и блоки;
А — диоды СВЧ;
В — варикапы;
И — диоды туннельные и обращенные;
И — тиристоры диодные;
У — тиристоры триодные;
Л — излучатели;
Г — генераторы шума;
Б — диоды Ганна;
К — стабилизаторы тока;
С — стабилитроны и стабисторы.
Третий элемент — число, указывающее назначение и качественные
свойства прибора, а также порядковый номер разработки.
20
Диоды
От 101 до 199 — выпрямительные малой мощности (/<0,3 А);
от 201 до 299 — выпрямительные средней мощности (0,3 А < / <
< 10 А);
от 401 до 499 — универсальные (f < 1 ГГц);
от 501	до	599	- импульсные	(1вос > 150 нс);
от 601	до	699	- импульсные	(30 нс < /ВГ1С с 150 нс);
от 701	до	799	- импульсные	(5 нс < /вос < 30 нс);
от 801	до	899	- импульсные	(1 нс < /пос <5 нс);
от 901	до	999	- импульсные	(1вос < 1 нс).
Выпрямительные столбы и блоки
От 101 до 199 —столбы малой мощности (/<0,3 А);
от 201 до 299 - столбы средней мощности (0,3 А</< 10 А);
от 301 до 399 - блоки малой мощности (/<0,3 А);
от 401 до 499 - блоки средней мощности (0,3 А </<10 А).
Диоды СВЧ
От 101 до 199 — смесительные;
от 201 до 299 - детекторные;
от 401 до 499 — параметрические;
от 501 до 599 - регулирующие;
от 601 до 699 — умножительные;
от 701 до 799 — генераторные.
Варикапы
От 101 до 199 — подстроечные;
от 201 до 299 - умножительные.
Тиристоры диодные
От 101 до 199 —малой мощности (/<0,3 А);
от 201 до 299 - средней мощности (0,3 А < / < 10 А).
Тиристоры триодные
От 101 до 199 — незапираемые малой мощности (/<0,3 А);
от 201 до 299 - незапираемые средней мощности (0,3 А < I <
< 10 А);
от 301 до 399 — запираемые малой мощности (/<0,3 А);
от 401 до 499 — запираемые средней мощности (0,3 А < / <
< 10 А);
от 501 до 599 — симметричные незапираемые малой мощности
(/<0,3 А);
от 601 до 699 — симметричные незапираемые средней мощности
(0,3 А < / < 10 А).
21
Излучатели
От 101 до 199 — инфракрасного диапазона;
ог 301 до 399 — видимого диапазона с яркостью менее 500 кд/м2;
от 401 до 499 — видимого диапазона с яркостью более 500 кд/м2.
Система условных обозначений стабилитронов, стабисторов, тун-
нельных и обращенных диодов в ГОСТ 10862-72 аналогична системе
в ГОСТ 10862-64.
Четвертый элемент — буква, указывающая разновидность типа из
данной группы приборов (деление на параметрические группы).
Наряду с приборами, условное обозначение которых соответствует
описанным системам обозначений, в настоящем справочнике приведены
сведения о некоторых типах диодов более ранних лет разработки,
до сих пор находящих применение в аппаратуре и обозначаемых
иными способами (смесительные диоды ДГ-С1, ДК-С7М, детекторные
диоды ДК-В1, ДКВ-2. ДК-И1М и некоторые другие).
1.2.	УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
В технической документации и в специальной литературе следует
применять условные графические обозначения полупроводниковых
приборов в соответствии с ГОСТ 2.730-73.
Графические обозначения полупроводниковых приборов, помещен-
ных в данном томе справочника, приведены в табл. 1.1.
Таблица 1.1. Графические обозначения полупроводниковых приборов
Наименования приборов
Диод выпрямительный. Столб выпрямительный.
Общее обозначение
Диод туннельный
Диод обращенный
Ста билитроны:
односторонний
двусторонний
Варикап
Тиристор диодный (динистор)
Обозначения
22
Продолжение табл. 1.1.
Наименования приборов
Тиристор незапираемый триодный:
с управлением по аноду
с управлением по катоду
Тиристор запираемый:
с управлением по аноду
с управлением по катоду
Диод светоизлучающий
Оптопары :
диодная
тиристорная
т
транзисторная
с однопереходным транзистором
23
1.3.	УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
Спр- постоянное прямое напряжение
Собр— постоянное обратное напряжение диода
^обр, макс — максимально допустимое постоянное обратное напря-
жение диода
Спр и— импульсное прямое напряжение диода
Собр и— импульсное обратное напряжение диода
Собр,и.макс— максимально допустимое импульсное обратное напря- .
жение диода
СПр1Ср— среднее прямое напряжение диода
Сп— напряжение пика туннельного диода
1/„— напряжение впадины туннельного диода
Срр— напряжение раствора туннельного диода
Свп- выпрямленное диодом напряжение
Um — выпрямленное диодом напряжение при температуре Т
С проб- пробивное напряжение
Соткр — напряжение в открытом состоянии тиристора
С/у от,т — постоянное отпирающее напряжение на управляющем
электроде тиристора
Су, от,и,т — импульсное отпирающее напряжение на управляющем
электроде тиристора
Су неот т — неотпирающее напряжение па управляющем электроде
тиристора
Снеот, и,т — импульсное неотпирающее напряжение тиристора
^от.и,т — импульсное отпирающее напряжение тиристора
Су,Н1.т - импульсное незапирающее напряжение на управляю-
щем электроде тиристора
^у.нз.т — незапирающее напряжение на управляющем электроде
тиристора
Сзкр мин — минимальное напряжение в закрытом состоянии
тиристора
Сцр. зкр.макс.т — максимально допустимое постоянное прямое напряже-
ние в закрытом состоянии тиристора
СПр. зкр.и,макс.т — максимально допустимое импульсное прямое напря-
жение в закрытом состоянии тиристора
Собр,у. макс.т — максимально допустимое постоянное обратное напря-
жение на управляющем электроде тиристора
^'обр.>, и. макс, т — максимально допустимое импульсное обратное напря-
жение на управляющем электроде тиристора
критическая скорость нарастания напряжения в закры-
кр том состоянии тиристора
— максимально допустимая скорость нарастания напря-
1КС жения в закрытом состоянии тиристора
^ы.Б2- напряжение между базами 1 и 2 двухбазового диода
17ст— напряжение стабилизации
Устном- номинальное напряжение стабилизации
&UCT— временная нестабильность напряжения стабилизации
dU^p
dt
24
Д[7СТ — температурный уход напряжения стабилизации
Ujuxi Дых — выходное напряжение логического нуля, единицы
7 - постоянный прямой ток диода
/пр макс-максимально допустимый постоянный прямой ток
диода
/пр,и- импульсный прямой ток диода
/пр и макс- максимально допустимый импульсный прямой ток
диода
/пр ср— средний прямой ток диода
/пр ср макс- максимально допустимый средний прямой ток диода
/и они — амплитуда импульса тока одноразовой перегрузки
стабилитрона
/Пр и от ~ амплитуда импульса прямого тока одноразовой пере-
грузки диода
/пр пер— постоянный перегрузочный прямой ток диода
/пр и пер— импульсный перегрузочный прямой ток диода
/обр- постоянный обратный ток диода
/обр макс- максимально допустимый постоянный обратный ток
диода
/обр и макс- максимальный импульсный обратный ток диода
/обр ср- средний обратный ток диода
/обр пер- постоянный обратный перегрузочный ток диода
/Отсч- ток, ПРИ котором производится отсчет времени
восстановления обратного сопротивления диода
7ВП - выпрямленный ток диода
/вп ср - средний выпрямленный ток диода
/вп ср макс— максимально допустимый средний выпрямленный ток
диода
/ — пиковый ток туннельного диода
/в- ток впадины туннельного диода
/п//в— отношение токов туннельного диола
I л -ток включения тиристора
/ —удерживающий ток тиристора
f'	_ гок в закрытом состоянии тиристора
7,	- постоянный отпирающий ток управляющего электрода
тиристора
7	- импульсный отпирающий ток управляющего электрода
тиристора
/	— неотпирающий ток управляющего электрода тиристора
“[ Г — запирающий ток управляющего электрода тиристора
7 ' и т —импульсный запирающий ток управляющего электрода
тиристора
А. нз,т
4>ткр.т
'откр. МИН. Т
Лшн.т
Аугкр, ср. макс, у
— незапирающий ток управляющего электрода тиристора
— ток в открытом состоянии тиристора
-	минимальный ток в открытом состоянии тиристора
—	динамический ток включения тиристора
—	максимально допустимый средний ток в открытом
состоянии тиристора
/откр макс — максимально допустимый постоянный ток в открытом
состоянии тиристора
25
/откр И т — импульсный ток в открытом состоянии тиристора
4ткр, и, макс т — максимально допустимый импульсный ток в открытом
состоянии тиристора
/Пр,у макс.-г — максимально допустимый постоянный прямой ток
управляющего электрода тиристора
/пр у.и макс т — максимально допустимый импульсный прямой ток
управляющего электрода тиристора
Лор У,макс.т - максимально допустимый постоянный обратный ток
управляющего электрода тиристора
4бр.у.и. макс т — максимально допустимый импульсный обратный ток
управляющего электрода тиристора
7-1. макс,т — максимально допустимый постоянный запирающий
ток тиристора
—Jy®-	— максимально допустимая скорость нарастания тока в
макс открытом состоянии тиристора
/вкл — ток включения двухбазового диода
7СТ мии~ минимально допустимый постоянный ток стабилизации
/ст макс - максимально допустимый постоянный ток стабили-
зации
/Ст,и,макс— максимально допустимый импульсный ток стабили-
зации
/макс — максимально допустимый постоянный прямой ток
стабилитрона
<jHK— накопленный заряд диода
2ПК— заряд переключения диода
7Вх.опт— входной ток оптопары
7ghIX — выходной ток нагрузки, втекающий для приборов с
цифровым выходом
/Вых~ выходной ток нагрузки, вытекающий для приборов с
цифровым выходом
Левых- ток утечки на выходе оптопары
/°,, /пх-входной ток логического пуля, единицы
Рв — рассеиваемая мощность варикапа
Рвмакс- максимально допустимая рассеиваемая мощность ва-
рикапа
РСр,д— средняя рассеиваемая мощность диода
Рср,д, макс - максимально допустимая средняя рассеиваемая мощ-
ность диода
РМ!1КС- максимально допустимая рассеиваемая мощность
диода
Ррас,макс- максимально допустимая рассеиваемая мощность СВЧ
диода
Ри макс- максимально допустимая импульсная рассеиваемая
мощность диода
Ри.рас.макс- максимально допустимая импульсная рассеиваемая
мощность СВЧ диода
Рт — рассеиваемая мощность тиристора
^ср,макст — максимально допустимая средняя рассеиваемая мощ-
ность тиристора
26
макс —максимально допустимая импульсная рассеиваемая
мощность тиристора
'	.. ~ — максимально допустимая средняя мощность на управ.,
уч ср, МИКС,	•* г
ляющем электроде тиристора
Pv макс — максимально допустимая импульсная мощность на
управляющем электроде тиристора
/>п„ махе- максимально допустимая непрерывная падающая СВЧ
мощность
/>пч-падающая на диод СВЧ мощность
рсых ннн- минимальная выходная непрерывная СВЧ мощность
' pg _ мощность 8-й гармоники
Р3— мощность 3-й гармоники
р — максимально допустимая импульсная рассеиваемая
свч. и, макс __ тт
СВЧ МОЩНОСТЬ
свч. макс
— максимально допустимая непрерывная рассеиваемая
СВЧ мощность
р — максимально допустимая импульсная падающая СВЧ
пл, и. макс
МОЩНОСТЬ
и, рас, макс
— максимально допустимая импульсная рассеиваемая
мощность
tBOC— время восстановления обратного сопротивления диода
tvcl— время установления прямого напряжения диода
г„ер- время переключения
(	— время нарастания тиристора
'выкл ~ ВРСМЯ выключения тиристора
?вкт г ~ время включения тиристора
Сзд - время задержки тиристора
tv зд — время задержки по управляющему электроду тиристора
?у вкл т ~ вРемя включения по управляющему электроду тирис-
тора
гу выкл т — время выключения по управляющему электроду ти-
ристора
гзп т — время запаздывания тиристора
<вых— время выхода стабилитрона на режим
?н- время нарастания импульса (тока, напряжения)
tc— время спада импульса (тока, напряжения, излучения)
t3 вкз- время задержки распространения сигнала (включения)
t3 вык1— время задержки распространения сигнала (выключения)
г,,-длительность импульса
тиерсгр” длительность импульса перегрузки
Тфр-длительность фронта импульса
гj—длительность отпирающего импульса
т2 — длительность запирающего импульса
ту и т — длительность импульса по управляющему электроду
тиристора
Тф у — длительность фронта импульса по управляющему
электроду тиристора
Тф, у — длительность фронта отпирающего импульса по управ-
ляющему электроду тиристора
т— постоянная времени
27
Кпер— отрицательное сопротивление перехода
R„— сопротивление нагрузки
Лобр— обратное сопротивление диода
RT кр - юр- тепловое сопротивление кристалл — корпус
К,—общее тепловое сопротивление
R,,,— сопротивление шунта между управляющим электродом
и катодом тиристора
Rc„pp — сопротивление между сегментами или разрядами
прибора с перекрестной коммутацией (сопротивления
сегмент — сегмент, разряд — разряд)
Лстат — статическое сопротивление стабилитрона
R„— сопротивление изоляции (сопротивление гальваниче-
ской развязки)
К6б— межбазовое сопротивление
йпер — отрицательная проводимость перехода
хп — сопротивление потерь диода
г1юс— сопротивление нагрузки, включенное последовательно
с диодом СВЧ
гпр д— прямое сопротивление диода по постоянному току
гОор.д— обратное сопротивление диода по постоянному току
гс. — дифференциальное сопротивление стабилитрона
гВЬ1Х — выходное сопротивление СВЧ диода
гш— шумовое сопротивление СВЧ диода
гяиф— дифференциальное сопротивление диода
Сд— общая емкость диода
Собщ, т — общая емкость тиристора
СКОрП— емкость корпуса диода
С— полная емкость стабилитрона
СПер— емкость перехода диода
Сстр — емкость структуры
Св— общая емкость варикапа
Сн — номинальная емкость варикапа
Лд— индуктивность диода
LB— последовательная индуктивность варикапа
L— последовательная индуктивность стабилитрона
В— яркость излучающего оптоэлектронного прибора
/0— резонансная частота туннельного диода
/гр— граничная частота генератора шума
f— рабочая частота диода
fy — частота следования импульсов по управляющему
электроду тиристора
IL — сила света излучающего оптоэлектронного полупровод-
никового прибора
интенсивность излучения оптоэлектронного прибора
1С— сила излучения онiоэлектропного прибора
Скорм- нормированный коэффициент шума СВЧ диода
К|П— шумовая постоянная туннельного диода
КПер. / — коэффициент перегрузки диода ио прямому току
Кд— качество диода
Книз — качество диода на низком уровне
28
Кв— качество диода на высоком уровне
Ксти — коэффициент стоячей волны по напряжению СВЧ диода
Кс — коэффициент перекрытия по емкости варикапа
К — относительный разброс яркости или силы света опто-
электронного прибора
К:- коэффициент передачи тока
L., - потери запирания
Lnp— потери пропускания
Ьпрб— потери преобразования смесительного диода
Тпр67— потери преобразования при температуре Т
М— коэффициент качества детекторного диода
M-f— коэффициент качества детекторного диода при тем-
пературе Т
пш- шумовое отношение СВЧ диода
Р — мощность излучения
р — атмосферное давление
£>в-добротность варикапа
Q- добротность
Sm ст- спектральная плотность шума стабилитрона
S— спектральная плотность напряжения генератора шума
Т— температура окружающей среды
Тмакс— максимальная температура окружающей среды
Тмин_ минимальная температура окружающей среды
Тк- температура корпуса
Тп— температура перехода
Тоа,- температура кристаллодержатсля
W— волновое сопротивление
а— угол излучения излучающего оптоэлектронного при-
бора
аС1 — средний температурный коэффициент напряжения
стабилизации стабилитрона
а. 10— средний температурный коэффициент напряжения ста-
билизации стабилитрона при токе 10 мА
--температурный коэффициент емкости варикапа
Р;— чувствительность по току детекторного диода
р;;_ чувствительность по току детекторного диода при
температуре Т
Xv— длина волны, соответствующая максимуму спектраль-
ной характеристики излучения
АХ— ширина спектральной характеристики излучения (на
уровне 0,5 максимального значения)
Звездочкой* отмечены параметры или их значения, приведенные
' в ТУ в разделах справочных данных. При производстве при-
боров они могут не контролироваться.
В тех случаях, когда у предельно допустимых эксплуатационных
данных не указан интервал температур, эти данные гарантированы
во всем интервале температур окружающей среды (корпуса).
29
1.4. ОСНОВНЫЕ СТАНДАРТЫ В ОБЛАСТИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
ГОСТ 15133-77. Приборы полупроводниковые. Термины и опре-
деления.
ОСТ 11 336.038-77. Приборы полупроводниковые. Система обозна-
чений.
ГОСТ 2.730-73.	Приборы полупроводниковые. Условные обозна- чения графические.
ГОСТ 18472-77.	Приборы полупроводниковые. Корпуса. Габарит- ные и присоединительные размеры.
ГОСТ 23448-79.	Приборы полупроводниковые излучающие. Ос- новные размеры.
ГОСТ 19613-80.	Диоды полупроводниковые. Столбы и блоки выпрямительные. Корпуса. Габаритные и присое- динительные размеры.
ГОСТ 18216-72.	Диоды туннельные. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения.
ГОСТ 18994-73.	Стабилитроны полупроводниковые. Электриче- ские параметры. Термины, определения и буквен- ные обозначения.
ГОСТ 20004-74.	Диоды полупроводниковые. Электрические пара- метры общие. Термины, определения и буквен- ные обозначения.
ГОСТ 20005-74.	Диоды полупроводниковые. Варикапы. Электри- ческие параметры. Термины, определения и бук- венные обозначения.
ГОСТ 20331-74.	Диоды полупроводниковые сверхвысокочастот- ные. Электрические параметры. Термины, опре- деления и буквенные обозначения.
ГОСТ 20332-74.	Тиристоры. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения.
ГОСТ 21154-75.	Диоды полупроводниковые. Генераторы шума. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения.
ГОСТ 22274-76.	Приборы полупроводниковые оптоэлектронные излучающие. Параметры. Термины, определения и буквенные обозначения.
ГОСТ 23562-79.	Оптопары. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.
ГОСТ 18986.	Комплекс стандартов на методы измерения элект- рических параметров диодов. Комплекс состоит из стандарта общих положений (ГОСТ 18986.0-74) и частных стандартов (ГОСТ 18986.1-73, ГОСТ 18986.2-73 и т. д.).
ГОСТ 19138.	Комплекс стандартов на методы измерения параметров тирисюров. Комплекс состоит из стандарта общих положений (ГОСТ 19138.0-74) и частных стандартов (ГОСТ 19138.1-73, ГОСТ 19138.2-73 и т. д.).
30
ГОСТ 19834.	Комплекс стандартов на методы измерения
параметров излучающих диодов. Комплекс сос-
тоит из стандарта общих положений (ГОСТ
19834.0-75) и частных стандартов (ГОСТ 19834.1-
74, ГОСТ 19834.2-74 и т. д.).
ГОСТ 22440.	Комплекс стандартов на методы измерения пара-
метров оптоэлектронных переключателей. Ком-
плекс состоит из стандарта общих положений
(ГОСТ 22440.0-77) и частных стандартов (ГОСТ
22440.1-77, ГОСТ 22440.2-77 и т. д.).
ГОСТ 22604.	Комплекс стандартов на методы измерения пара-
метров оптоэлектронных коммутаторов. Комп-
лекс состоит из стандарта общих положений
(ГОСТ 22604.0-77) и частных стандартов (ГОСТ
22604.1-77, ГОСТ 22604.2-77 и т. д.).
ОСТ 11 336.907. Комплекс стандартов-руководств по примене-
нию полупроводниковых приборов. Комплекс
состоит из стандарта общих положений (ОСТ 11
336.907.0-79) и частных руководств на каждую
классификационную группу полупроводниковых
приборов (ОСТ 11	336.907.1-79, ОСТ 11
336.907.2-79 и т. д.).
ОСТ И ПО.336.001. Приборы полупроводниковые бескорпусные. Ру-
ководство по применению.
Раздел второй
ОСОБЕННОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
В РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЕ
Полупроводниковые приборы, сведения о которых приводятся
в справочнике, являются приборами общего применения. Они могут
работать в разнообразных условиях и режимах, характерных для раз-
личных классов радиоэлектронной аппаратуры широкого, промышлен-
ного и специального применения.
Общие технические требования к приборам, предназначенным для
аппаратуры определенного класса, содержатся в общих технических
условиях (ОТУ) на эти приборы. Конкретные нормы на значения
электрических параметров и специфические требования к данному типу
приборов излагаются в частных технических условиях (ЧТУ) и ГОСТ
на приборы.
Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры на полупро-
водниковых приборах может быть обеспечена лишь при условии учета
на стадии ее проектирования, изготовления и эксплуатации следую-
щих особенностей приборов:
разброса значений параметров, их зависимости от режима и
условий работы;
31
изменения значений параметров в течение времени хранения или
работы;
необходимости хорошего отвода тепла от корпусов приборов;
необходимости обеспечения запасов по электрическим, механиче-
ским и другим нагрузкам на приборы в радиоэлектронной аппаратуре;
необходимости принятия мер. обеспечивающих отсутствие пере-
грузок приборов во время монтажа и сборки радиоэлектронной
аппаратуры.
Значения параметров приборов одного типа не одинаковы, а лежат
в некотором интервале. Этот интервал ограничивается минимальными
или максимальными значениями, указанными в справочнике. Некото-
рые параметры имеют двухстороннее ограничение значений. Приве-
денные в справочнике вольт-амперные характеристики, зависимости
параметров от режима и температуры являются усредненными для
большою количества экземпляров приборов данного типа. Эти зави-
симости могут использоваться при выборе типа прибора для данной
схемы и ориентировочного ее расчета.
Большинство параметров полупроводниковых приборов значитель-
но изменяется в зависимости от режима работы и температуры.
Например, время восстановления обратного сопротивления импульс-
ных диодов зависит от значения прямого тока, напряжения переклю-
чения и сопротивления нагрузки; потери преобразования и коэффи-
циент шума СВЧ диодов зависят от уровня подводимой мощности.
Значительно изменяется в диапазоне температуры, указанном в тех-
нических условиях, обратный ток диода. В справочнике приводятся
значения параметров, гарантируемых ТУ для соответствующих опти-
мальных или предельных режимов использования.
Применение и эксплуатация приборов должны осуществляться
в соответствии с требованиями ТУ и стандартами — руководствами
по применению. При конструировании радиоэлектронной аппаратуры
необходимо стремиться обеспечить ее работоспособность в возможно
более широких интервалах изменений важнейших параметров прибо-
ров. Разброс параметров приборов и изменение их значений во вре-
мени при проектировании аппаратуры учитываются расчетными ме-
тодами или экспериментально, например методом граничных ис-
пытаний.
Время, в течение которого полупроводниковые приборы могут
работать в аппаратуре (их срок службы), практически неограниченно
Нормативно-техническая документация на поставку приборов (ГОСТ.
ТУ), как правило, гарантирует минимальную наработку не менее
15 000 ч. а в облегченных режимах и условиях эксплуатации — до
30 000 ч. Однако теория и эксперименты показывают, что через
50 — 70 тыс. ч работы возрастания интенсивности отказов не наблю-
дается. Тем не менее за время храпения и работы могут происходи 1ь
изменения значений параметров приборов. У отдельных экземпляров
эти изменения оказываются столь значительными, что происходит
отказ аппаратхры. Для контроля уровня надежности изготовляемых
приборов используются такие показатели, как гамма-процентный
ресурс, гамма-процентная сохраняемость, минимальная наработка
(гарантийная наработка), интенсивность отказов при специальных
32
w*
кратковременных испытаниях в форсированном режиме. Нормы на
эти показатели устанавливаются в ТУ на приборы.
Для расчета надежности радиоэлектронной аппаратуры следует
использовать количественные показатели надежности, устанавливаемые
путем проведения специальных испытаний, обработки большого объема
статистических данных о различных испытаниях и эксплуатации при-
боров в разнообразной аппаратуре.
Экспериментально установлено, что интенсивность (вероятность)
отказов приборов растет при увеличении рабочей температуры пере-
ходов. напряжения на электродах и тока. В связи с повышением
температуры ускоряются практически отказы всех видов: короткие
замыкания, обрывы и значительные изменения параметров. Повышение
напряжения значшельпо ускоряет отказы приборов с МДП структу-
рами и с низковольтными переходами. Увеличение тока приводит,
главным образом, к ускоренному разрушению контактных соединений
и токоведчших дорожек \iei аллизации на кристаллах.
Приближенная зависимость ин 1енсивности отказов от нагрузки
имеет вид-
Х(ТП. и. 11 =	С’мзкс-
\ i t f Г,,,..) —интенсивность отказов при максимальной
нагрузке (может быть взята из результатов кратковременных испы-
таний в форсированном режиме). Значение В приблизительно равно
6000 К.
Для повышения надежности работы приборов в аппаратуре необ-
ходимо снижать, главным образом, температуру переходов и крис-
таттов а также рабочие напряжения и токи, которые должны быть
существенно ниже предельно допустимых. Рекомендуется устанавли-
вать напряжения и токи (мощность) на уровне 0.5-0.7 предельных
(максимальных! значении. Эксплуатация полупроводниковых приборов
при температуре, напряжении или токе, равных предельному значению,
запрещается. Не допускается даже кратковременное (импульсное)
превышение предельно допустимою режима при эксплуатации. Поэ-
тому необходимо принимать меры по защите приборов от электри-
ческих иеретрузок. возникающих при переходных процессах (при вклю-
чении н выключении аппаратуры, при изменении режима ее работы,
подключении нат рузок. случайных изменениях напряжения источников
питания).
Режимы работы приборов должны контролироваться с учетом
возможных неблагоприятных сочетаний условий эксплуатации аппара-
туры (повышенная окружающая температура, пониженное давление
окружающей среды и др.).
Если необходимое значение тока или напряжения превышает
предельно допссти.мое для данною прибора значение, рекомендуется
применение оолее мощью! о или высоковольтного приоора, и в случае
диодов - их параллельное или последовательное соединение. При
параллельном соединении необходимо выравнивав гоки через диоды
с помощью резисторов с небольшим conpoiивлением, включаемых
последовательно с каждым диодом. При последовательном включении
2 под ред Н Н Горюнова	33
диодов обратные напряжения на них выравниваются с помощью
шунтирующих резисторов или конденсаторов. Рекомендуемые сопро-
тивления и емкости шунтов обычно указываются в ТУ на диоды.
Между последовательно или параллельно включенными приборами
должна быть хорошая тепловая связь (например, все приборы уста-
навливаются на одном радиаторе). В противном случае распределение
нагрузки между приборами будет неустойчивым.
При воздействии различных факторов (температуры, влаги, хими-
ческих. механических и других воздействий) параметры, характеристики
и некоторые свойства полупроводниковых приборов могут изменяться.
Для защиты структур полупроводниковых приборов от внешних воз-
действий служат корпуса приборов. Корпуса мощных приборов одно-
временно обеспечивают необходимые условия отвода тепла, а корпуса
СВЧ приборов — оптимальное соединение электродов приборов со
схемой. Необходимо иметь в виду, что корпуса приборов имеют
ограничения по герметичности и коррозионной устойчивости, поэтом^
при эксплуатации приборов в условиях повышенной влажности реко-
мендуется покрывать их специальными лаками (например, типа
У Р-231 или ЭП-730).
Обеспечение отвода геттла от полупроводниковых приборов яв-
ляется одной и; главных задач при конструировании радиоэлектрон-
ной аппаратуры. Необходимо придерживаться принципа максимально
возможного снижения температуры переходов и корпусов приборов.
Для охлаждения мощных диодов или тиристоров используются
геплоотводящие радиаторы, работающие в условиях естественной
конвекции или принудительного обдува, а также конструктивные
элементы узлов и блоков аппаратуры, имеющие достаточную поверх-
ность или хороший теплоотвод. Крепление приборов к радиатору
должно обеспечивать надежный тепловой контакт. Если корпус при-
бора должен быть изолирован, то для уменьшения общего теплового
сопротивления лучше изолировать радиатор от корпуса аппаратуры,
чем диод или тиристор о г радиатора.
Отвод тепла улучшается при вертикальном расположении актив-
ных поверхностей радиатора, так как при этом .лучше условия
конвекции. Ориентировочные размеры теплоотводяших радиаторов
в форме вертикально ориентированных пластин из алюминия (квад-
ратных или прямоугольных) в зависимости от рассеиваемой ими
мощности, можно определить но формуле
5 = 40 Р,
где 5 - площадь одной стороны пластины, см2; Р — рассеиваемая
в приборе мощность, Вт. Пластины площадью до 25 см2 могут иметь
толщину 1-2 мм, площадью от 25 до 100 см2 2—3 мм. свыше
100 см2 — 3 — 4 мм.
При заливке плат с полупроводниковыми приборами компаун-
дами. пенопластами, пенорезиной необходимо учитывать изменение
теплового сопротивления между корпусом ггрибора и окружающей
средой, а также возможность увеличения дополнительного нагрева
приборов от расположенных вблизи элементов схемы с большим
тепловыделением. Температура при заливке не должна превышать
34
максимальной температуры корпуса прибора, указанной в ТУ. При
заливке не должны возникать механические нагрузки на выводы
нарушающие целостное 1Ь стеклянных изоляторов или корпусов
приборов.
В процессе подютовки и проведения монтажа полупроводнико-
вых приборов в аппаратуру механические и климатические воздей-
ствия на них не должны превышать значений, указанных в ТУ.
При рихтовке, формовке и обрезании выводов участок вывода
около корпуса должен быть закреплен гак. чтооы в проводнике нс
возникали изгибающие или растягивающие усилия. Оснастка и при-
способления для формовки выводов должны бьпь заземлены. Расстоя-
ние ог корпуса прибора до начала изгиба вывода должно быть не
менее 2 мм. Радиус изгиба при диаметре вывода до 0,5 мм должен
быть не менее 0.5 мм. при диаметре 0.6-1 мм - не менее I мм
при диаметре свыше 1 мм — не менее 1,5 мм.
Паяльники, применяемые для пайки выводов приборов, должны
быть низковольтными. Рассюянис от корпуса или изолятора до
места лужения или пайки вывода должно бьиь не менее 3 мм. Д ,я
отвода тепла участок вывода между корпусом и местом пайки зажи-
мается пинцетом с губками из красной меди. Жало паяльника должно
быть надежно заземлено. Если температура припоя не превышает
533±5 К. а время пайки не более 3 с. то можно производи! ь
пайку без (еплоогвода или групповым методом (волной, погружением
в припой и др.).
Очистка печатных пла! от флюса производится жидкое 1ями. ко-
торые не влияют на покрытие, маркировку или материал корпуса
(например, спирто-бензиновой смесью).
В процессе монтажа, транспортировки, хранения СВЧ приборов
необходимо обеспечивать их защиту ог воздействия статического
электричества. Для этого все измерительное, испытательное, монтаж-
ное оборудование и инструменты надежно заземляются; для снятия
заряда с тела оператора применяются заземляющие браслеты или
колыга. используются антистатическая одежда, обувь, покрытия сто-
лов рабочих мест.
Диоды СВЧ необходимо предохранять от воздействия внешних
электрических наволок и электромагнитных полей. Не следует хранить
или даже кратковременно ославлять СВЧ диоды без специальной
экранирующей упаковки. Перед установкой СВЧ диодов в аппаратуру
последняя должна быть заземлена. Входы и выходы СВЧ тракта
в неработающем или хранящемся блоке аппаратуры с использованием
СВЧ диодов должны оыть перекрыты металлическими заглушками
При эксплуатации аппаратуры должны быть приняты меры, пре-
дохраняющие СВЧ диоды от электрических СВЧ перегрузок, которые
могут привести либо к необратимому ухудшению (загрублению) па-
раметров. либо к полному отказу (вьп оранию) диодов. Для защиты
от СВЧ перегрузок в аппаратуре применяются резонансные разряд-
ники. ферритовые отраничители. газоразрядные аттенюаторы.
2
35
Часть вторая
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Разде.1 третий
ДИОДЫ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ
Д2Б, Д2В, Д2Г, Д2Д, Д2Е, Д2Ж, Д2И
Диоды германиевые точечные Предназначены ддя преобразования
и детектирования сш налов е частотой до 150 МГц в амплитудных
и фазовых детекторах
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами Диолы
маркируются цветной точкой у положительного вывода иди коль-
цевыми полосами: Д2Б — желтой и белой. Д2В - желтой и оранже-
вой. Д2Г - желтой и красной. Д2Д - желтой и т о.тубой. Д2Е - желтой
и зеленой. Д2Ж — желтой и черной. Д2И — жеттой н серой.
.Масса диода не более 0.3 т
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при температурах
от 298 до 343 К и прямых токах 5 мА для Д2Б.
9 мА - Д2В. 2 мА - Д2Г, Д2Ж. Д2И. 4.5 мА - Д2Д.
Д2Е; при температуре 213 К и прямых токах 0.6 мА
для Д2Б. 1.5 мА - Д2В. 0.3 мА - Д2Г. Д2Ж. Д2И.
0,5 мА — Д2Д. Д2Е. нс более......................... 1	В
Постоянный обратный ток при ГДвр - Г’рбр не более:
при 298 и 213 К
Д2Б............................................100	мкА
Д2В.	Д2Г.	Д2Д.	Д2Е.	Д2Ж.	Д2И............... 250	мкА
при 343 К
Д2Б........................................... 400	мкА
Д2В.	Д2Г,	Д2Д...............................1.0	мА
Д2Е.	Д2И,	Д2Ж...............................0.7	мА
Импульсное прямое напряжение ттри	/г1р	= 30 мА. не более "	В
Время восстановления обрат ноте сопротивления при
/,,г „ - 10 мА. IZpgp — Ю В. не более............... ?	мкс
Емкость диода при б/РбР - 1.5 В. не более............0.2	пФ
36
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное oopaiное напряжение при 1емпературе от 213
до 308 К	'
Д2Б.............................................. 10	В
Д2В.............................................. 30	В
Д2Г.	Д2Д....................................... 50	В
Д2Е.	Д2И....................................... 100	В
Д2Ж.............................................. 150	В
Импульсное обратное напряжение при темгтератхре:
от 213 до 308 К
Д2Б............................................ 30	В
Д2В............................................ 40	В
Д2Г. Д2Д....................................... 75	В
Д2Е.Д2И........................................ 100	В
Д2Ж............................................ 150	В
при 343 К
Д2Б................................................ 30	В
Д2В............................................ 40	В
Д2Г.Д2Д........................................ 56	В
Д2Е.Д2И............................................. ~5В
Д2Ж............................................ 112	В
Импульсный прямой ток:
Д2Ж.................................................. 25	мА
Д2Б. Д21 .	Д2Д,	Д2Е.	Д2И...................... 50	мА
Д2В............................................ 78	мА
Средний выпрямленный юк на частотах до 0.1 МГн:
Д2Ж................................................... 8	х, \
Д2Б, Д2Г.	Д2Д.	Д2Ь.	Д2И...................... 16	мЛ
Д2В............................................ 25	мА
Отношенье среднего выпрямдепнот о токгт па частоте
100 МГц к току на частоте 0.1 МГц. не менее:
при нагрузке 1 кОм............................... о.2
при нагрузке 10 кОм............................... 0.3
при нагрузке 100 кОм.............................. 0,5
Общее тепловое сопротивтеиие......................... 460	К Вт
Средняя рассеиваемая мощность
Д2Ь. Д21 . Д2Д.	Д2Е.............................16	мВт
Д2В.............................................25	мВт
Д2Ж............................................. 8	мВт
Температура окружающей среды.......................От 213 . ;о
343 К
Примечания: I. I \ x,Jkv в диапазоне температур от 308
до 343 К определяется по формуле
С'| 7 т - (.'"(343 К) - 1(343 - 7’)[7 (308 К) - С(343 К)].
37
2.	Минимальное рассюяние месма пайки выводов — 5 мм от кор-
пуса диода. При пайке выводов необходимо обеспечивать темпера-
туру корпуса не более 343 К. Минимальное рассюяние месча пере-
гиба выводов — 3 мм от корпуса.
Вольт-амперная характеристика.
Вольт-амперная характеристика.
SO W 10 0 0,4 0,8 3
Вольт-амперная характеристика.
38
Вольт-амперная характеристика.
мдз
Диол германиевый точечный.
Выпускается в стеклянном малогабаритном корпусе с гибкими
выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся па упаковке диодов.
Масса диода не более 0,035 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение, ие более.
при 213 К
при /„р = 5 мА..................................... | 0 В
при /,,р = 2,5 мА.................................... 0.9	В
при 298 и 343 К
при 4Р = 5 мЛ........................................ 1,0	В
при /лр = 2,5 мА..................................... 0,7	В
Импульсное прямое напряжение при /,,г „ = 20 мА, не
более.................................................... 3,5	В
39
Постоянный обратный ток. не более:
от 213 до 298 К 17о6р = 15 В..........................100	мкА
343 К............................................ 250	мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
^пр. и = -0 '•'А- О'обр = 1(| В, не более............0.1	мкс
Емкость диода, не более................................ 1	пФ
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение................................ 15 В
Прямой ток......................................... 12 мА
Импульсный прямой юк при т„ « 10 мкс...............50 мА
Температура окружающей среды.......................От 213 до
.<43 К
Примечание. Пайку выводов производи п> пи расстоянии не
мене., к мм 01 корпуса в течение 1—2 с припоем НОС-61.
Зависимость прямого тока от
напряжения.
Зависимость обратного тока от
напряжения.
Зависимость общей емкости
Зависимость импульсного пря-
мого напряжения oi юка.
диода от напряжения.
40
Зависимость прямою тока о г частоты
дммз
Диод германиевый точечный. Предназначен для применения в за-
ливных и капсулированных микромодулях.
Выпускается на керамических микронлатах с распайкой выводов
к пазам 1—6. 1 — 4 или 2 — 5. Тип диода указывается на микроплате.
Положительный электрод диода соединен с па зом I или 2 микроплазы.
Масса диола с микропдатой не более 0.35 г
Элекгрические параметры
Постоянное прямое напряжение, не более:
при 213 К
при	/,.г = 5	мА........................................... 1.0	В
при	/,,р - 2.5	мА......................................... 0.9	В
при 298 и 343 К
при	/,,р = 5 мА........................................... 1.0	в
при	/ир = 2.5	мА.......................................... 0.7	В
Импульсное прямое напряжение при /Щ1 ;| = 20 мА. ие бо.тее 3,5 В
41
1
Постоянный обратный ток при С'Обр = 15 В. не более:
при 213 и 298 К . ...................................100	мкА
при 343 К...................................... 250	мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр. „ = 20 мА, С-'обр. и= 1° В. не более............0,1	мкс
Емкость диода, не более............................ I пФ
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение................................ 15В
Постоянный прямой гок............................... 12	мА
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс и скважное in.
равной 4..............................................50	мА
Температура окружающей среды.........................От	213 до
343 К
Примечание. Диоды перед заливкой и герметизацией должны
быть покрыты демпфирующей пастой КЛТ-30.
Зависимость прямого тока о г
напряжения.
Зависимость обратного тока от
напряжения.
Зависимость импульсного пря-
мого напряжения от тока.
Зависимость общей емкости
диода от напряжения.
42
Зависимость прямого тока от частоты.
Д7А, Д7Б, Д7В, Д7Г, Д7Д, Д7Е, Д7Ж
Диоды германиевые сплавные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с 1ибкими выводами
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводя гея
на корпусе.
Масса диода не более 2 г.
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при ZIlp ср = 300 мА и
Собр = Со5р. VItlKC, не более . . . . '.............. 0.5	В
Средний обратный ток при Собр = Собр х|акс и
4р. сР = 300 мА. не более............................Ю0	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение (амплитудное значение):
от 213 до 293 К
Д7А.............................................. 50	В
Д7Б............................................. 100	В
Д7В............................................. 150	В
Д7Г. ........................................... 200	В
Д7Д............................................. 300	В
Д7Е............................................. 350	В
Д7Ж............................................. 400	В
43
при 323 К
Д7Л................................................... 35	В
Д7Б.............................................. 80	В
Д7В.............................................. 90	В
Д7Г............................................. 150	В
Д7Д............................................. 200	В
Д7Е............................................. 225	В
Д7Ж............................................. 250	В
при 343 К
Д7А........................................... 25 В
Д7Б...................................... 50 В
Д7В...................................... 50 В
Д7Г...................................... 100 В
Д7Д...................................... 130 В
Д7Е...................................... 140 В
Д7Ж...................................... 150 В
Средний прямой ток
от 213 до 323	К.............................. 300	мА
при 343 К................................... 200	мА
Прямой ток однократной перегрузки в течение 0,1 с . . .	1	А
Частота без снижения режимов..........................2,4	кГц
Температура окружающей среды...........................От	213 до
343 К
Примечания: 1. При неизменных значениях подводимого пе-
ременного напряжения и сопротивления натрузки выпрямленное напря-
жение снижается на частоте 10 кГц на 20 % и на частоте 20 кГц на
50 °,, по сравнению с напряжением на частоте 2,4 кГц.
2 Последовательное соединение допускается при условии шунти-
рования диода сопротивлением 100 кОм на каждые 100 В.
3.	Диоды допускают работу на емкостную нагрузку при условии,
что среднее значение тока черет диод не превышает 0,5 /пр ср макс.
4.	Пайка и изгиб выводов допускаются на расстоянии не ближе
10 мм от корпуса.
Зависимость допустимого об-
ратного напряжения от тока.
Зависимость допустимого об-
ратною напряжения от темпе-
ратуры.
44
Зависимость допустимого об-
ратного напряжения от тока.
Зависимос1ь допустимою об-
ратною напряжения от тока.
Зависимость допустимого об-
ратного напряжения от тока.
Зависимость допустимого об-
ратного напряжения от тока.
Д9Б, Д9В, Д9Г, Д9Д, Д9Е, Д9Ж, Д9И,
Д9К, Д9Л, Д9М
Диоды германиевые точечные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды
маркируются точками или кольцами на корпусе: Д9Ь красными,
Д9В — оранжевыми. Д9Г - желтыми, Д9Д - белыми. Д9Е - голубыми,
Д9Ж — зелеными, Д9И — двумя желтыми. Д9К — двумя белыми.
Д9Л — двумя зелеными, Д9М — двумя голубыми. Положительный
вывод диода обозначается красной точкой.
Масса диода нс более 0.3 i.
SO
Место Обозначение
маркировки плюсового
вывода
45
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр= 10 мА для
Д9В, Д9Ж, 30 мА для Д9Г, Д9Е, Д9И, Д9Л, 60 мА для
Д9Д, Д9К, Д9М. 90 мА для Д9Б, не более .... IB
Постоянный обратный ток. не более:
При	макс
Д9Б, Д9В. Д9Г, Д9Д. Д9Е, Д9Ж, Д9Л. Д9М ... 250 мкА
Д9И ..........................................120	мкА
Д9К............................................60	мкА
при Собр = 1	В для Д9М.........................2.5	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение:
от 213 до 308 К
Д9Б............................................ 10	В
Д9В, Д9Г, Д9Д,	Д9И,	Д9К,	Д9М................. 30	В
Д9Е............................................ 50	В
Д9Ж, Д9Л...................................... 100	В
при 343 К
Д9Б............................................... 10	В
Д9В. Д9Г, Д9Д.	Д9И,	Д9К,	Д9М................... 20	В
Д9Е............................................ 30	В
Д9Ж, Д9Л....................................... 45	В
Импульсный прямой ток:
от 213 до 308 К
Д9Ж, Д9Л............................................ 48	мА
Д9В, Д9Е.................................... 62	мА
Д9Г, Д9Д, Д9И,	Д9К.	Д9М........................ 98	мА
Д9Б............................................125	мА
при 343 К
Д9Ж, Д9Л........................................ 38	мА
Д9В, Д9Е....................................... 54	мА
Д9Г, Д9Д, Д9И,	Д9К.	Д9М...................... 80	мА
Д9Б............................................105	мА
Средний выпрямленный ток:
от 213 до 308 К
Д9Ж, Д9Л......................................... 15	мА
Д9В. Д9Е.......................................20	мА
Д9Г. Д9Д, Д9И.	Д9К,	Д9М...................... 30	мА
Д9Б............................................40	мА
при 343 К
Д9Ж. Д9Л . ...................................... 12	мА
Д9В, Д9Е....................................... 17	мА
Д9Г. Д9Д, Д9И,	Д9К,	Д9М........................25	мА
Д9Б............................................34	мА
Температура окружающей среды.....................От 213 до
343 К
46
Зависимость прямо! о импуль-
сною напряжения oi тока.
Зависимость времени восстанов-
ления обратного сопротивления
от тока.
Зависимость допустимого об-
ратного напряжения oi темпе-
ратуры.
Зависимость допустимого вы -
прямленною тока от темпера-
туры.
ДЮ, ДЮА, ДЮБ
Диоды германиевые точечные.
Выпускаются в мсталлосгсклянном корпусе с гибкими выводами
Диоды маркируются ивеiной точкой у положи 1елыюго вывода
ДЮ - зеленой. ДЮА - желтой. ДЮБ - красной.
Масса диода нс более 1.3 I.
78
47
Электрические параметры
Выпрямленный ток при Свх = 1.5 В. /’=70 МГн. Ян = 0,
ие менее:
ДЮ............................................ 3	мА
Д10А.......................................... 5	мА
Д10Б.......................................... 3	мА
Постоянный обратный ток при 7.’,,,-.., ~ Ю В. ие более:
при 213 и 298 К
ДЮ...........................................U.1	мА
Д10А. ДЮЬ....................................0.2	мА
при 3-43 К
ДЮ. ДЮА......................................0.2	мА
ДЮБ..........................................0.4	мА
Емкость диола, не более............................. 1	пФ
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение.................................. 10	В
Средний выпрямленный ток:
от 213 до 298 К....................'............. 16	мА
при 343 К........................................ 10	мА
Частота выпрямления..................................150	МГн
Температура окружающей среды..........................От	213 до
343 К
Зависимость обратно! о тока от
темпера т уры.
Зависимость допустимого пря
мото тока от температуры.
48
ДЮ1, ДИЛА, ДЮ2, Д102А, ДЮЗ, ДЮЗА
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в видео-
каналах телевизоров, в схемах АРУ и дискриминаторов ЧМ и
AM приемников.
Выпускаются в металлостек.тянном корпусе с гибкими ленточными
выводами. Тип диода я схема соединения электродов с выводами
приводятся на положительном выводе.
Масса диода не более 1.3 г.
Э.тектрн чсские пара метры
Постоянное прямое напряжение, не более:
Д101. ДЮЗ. ДЮЗ (/,1р = 3 мА)........ т в
ДЮ1 X. ДЮЗА. ДЮЗА (/, р= ] мА)............. ! в
Постоянный обратный ток при	,,1к . не ботсе
от 218 то 298 К
Д101. Д101 А. ДЮЗ. ДЮЗА................... |()	мкЛ
ДЮЗ. ДЮЗА.................................  30	мкА
при 213 К
ДЮ1.ДЮ1А.....................................)	so мкА
ДЮЗ. ДЮЗА. ДЮЗ. ДЮЗА........................... мкЛ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и и.мпс.тьсное обратное напряжение'
ДЮ1.ДЮ1А...................................'	75 в
ДЮЗ. ДЮЗА..................................... SOB
ДЮЗ. ДЮЗА..................................... 3() В
Средний прямой ток:
от 218 до 398 К..................................... ад мА
ПР» 373 К....................................... 8 мА
Темпера гура окружающей среды....................... qt	7|g до
373 К
49
Зависимость прямого напряже-
Зависимость обратного тока от
пня от температуры.
температуры.
Зависимость прямого напряже-
ния oi температуры.
Зависимость обратного тока о г
темпера гуры.
Зависимость допустимого пря-
мого гока от температуры.
Зависимость обратного тока от
температуры.
50
Д104, Д104А, Д105, Д105А, Д106, Д106А
Диоды кремниевые мнкросплавные.
Выпускаются в металлов екляппом корпусе с гибкими выводами
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на
корпусе.
Масса диода не более 0,53 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при = 30 мА, не
более:
при 298 К
Д104, Д105, Д106.................................... 2	В
Д104А, Д105А, Д106А............................... 1	В
при 213 К
Д104, Д105, Д106................................... 2,3	В
Д104А, Д105А, Д106А.............................. ],2	В
Постоянный обратный ток при С'о0р = Оо(-)р макс, не более:
при 298 К...........................................5 мкА
при 398 К
Д104, Д104А, Д105, Д105А, Д106	.............100	мкА
Д106А.............................................50	мкА
Емкость диода, не более:
при С'обр =	(’-3 В	для	Д104А, Д105А,	Д106А . , .	0,7	пФ
при С-’0бр =	1,0 В	для	ДЮ4, Д105, Д106..............0,7	пФ
при О’о6р =	10 В....................................0,6	пФ
Отношение выпрямленного тока на высокой часюте к
выпрямленному току па nacioie 0,15 МГц. нс менее:
при / = 5 МГц, Лн = 1 кОм............................. 0.14
при f = 25 МГц, = 10 кОм ......................... 0,15
при /= 100 МГц, = ЮО кОм......................... 0.1
Время восстановления обратною сопротивления, не
более ...............................................0,5 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Пооояпиос и импульсное обратное напряжение:
от 213 до 305 К
Д104, Д104А.......................................... 100	В
Д105, Д105А........................................... 75	В
Д106, Д106А........................................... 30	В
51
при 398 К
Д104, Д104А....................................... 50	В
Д105, Д105А. Д106, Д106А........................ 20	В
Средний выпрямленный ток:
от 213 до 308 К .................................. 30	мА
при 398 К.......................................... 8	мА
Частога без снижения режимов.........................0.15	МГц
Температура окружающей среды...........................От	213 до
до 398 К
Зависимость прямого тока
от напряжения.
Зависимость обратною ди от
напряжения.
0,1 0,2 0,5 1 2	5 10 20 МГц,
Зависимое 1 ь выпрямленного
юка от частоты.
Зависимость допустимого пря-
мою тока от температуры.
52
Д206, Д207, Д208, Д209, Д210, Д211
Диоды кремниевые сплавные. Предназначены для преобразования
переменного напряжения в постоянное.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тин диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 2 i .
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /пр = 100 мА. не
более ................................................ 1	В
Средний обратный юк при Сс,-,, = млк.с, нс
более:
при 213 и 298 К................................. 50	мкА
чри 298 к........................................  мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение
Д206 ............................................ loo	в
Д207 ....................................... 200	В
Д208.......................................... зоо	в
Д2«9 ....................................... 400	В
Д210 ....................................... 500	В
Д211........................................ 600	в
Средний выпрямленный гок.........................100 мА
Частота без снижения режимов..................... । кр
Температура окружающей среды.......................... 218
до 398 К
Примечание. При работе на емкостную нагрузку эффектна-
нос значение прямого тока не должно превышать 1,5 /пр ср
53
Зависимость прямою то-
Зависимость обратного тока от на-
ка от напряжения.
пряжения.
Д214, Д214А, Д214Б, Д215, Д215А, Д215Б
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 12 I (с комплектующими деталями 18 г).
54
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /пр ср /пр ср м.1Кс. собр =
= ^обр.макс» не
при 213 К
Д214' Д215......................................... 1,2	в
Д214А, Д215А............................... .	Л в
Д214Б, Д215Б........................................;’5	в
при 393 К............................................ |’о	в
Средний обратный jok при 1'обр = Го5рмакс и /лрср =
= 4р,сР. млк’ не более..................................    Ч1д
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение (амплитудное):
Д214. Д214Л, Д214Б................................. ЮО	В
Д215, Д215А. Д215Б................................ 200	В
Средний прямой ток при темпера iype:
от 213 до 403 К
Д214А. Д215А......................................... Ю	А
о г 213 до 348 К
Д214. Д215........................................... Ю	А
Д214Б, Д215Б........................................ 5	А
при 403 К
Д214, Д215........................................... 5	А
Д214Б. Д215Б........................................ 2	А
Средний прямой ток перегрузки на частоте 50 Гц;
в течение 20 мс при Со5р « 0.2 Со5р чакс
при 298 К
Д214, Д214А, Д215, Д215А.......................... 100	А
Д214Б. Д215Б................................... 50 А
от 213 до 348 К
Д214. Д214А, Д215. Д215А............................ 50	А
Д214Б, Д215Б....................................... 25	А
при 403 К
Д214А. Д215А........................................ 50	А
Д214, Д215......................................... 25	А
Д214Б, Д215Б ...................................... 10	А
в I ечение 1,5 с при СобР С0РрМакс
от 213 до 348 К
Д214, Д214А. Д215. Д215А........................... 30	А
Д214Б. Д215Б....................................... 15	А
при 403 К
Д214А, Д215А......................................... 30	А
Д214. Д215......................................... 15	А
Д214Б. Д215Б........................................ 6	А
Частота без снижения режимов..............................11	кГц
55
Температура окружающей среды.........................От	213 до
7К = 403 К
Температура корпуса .................................. 403	К
Примечание. При последовательном соединении диодов реко-
мендуется шунтировать диод резистором с сопротивлением 10 -
15 кОм на каждые 100 В амплитуды обратною напряжения.
Зависимость допус гимого
среднего тока oi темпе-
ратуры корпуса.
МД217, МД218, МД218А
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в мсталлостсклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 2 г.
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при Д1р.ср= Ю0 мА. 1о6р =
= Ссйрл..1кс, не более:
МД217, МД218........................................... 1.0	В
МД218А................................................. 1-1	В
Средний обратный ток при Сойр = С'обр.мак- Лпсг =
=- 100 мА, не более:
от 213 до 298 К...........................................50	мкА
при 398 К...............................................150	мкА
56
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение:
МД217 ....................................... 800	В
МД218 ........................................1000	В
МД218А........................................ 1200	В
Средний прямой ток:
от 213 до 358 К .................................100	мА
при 373 К..................................... 70	мА
при 398 К..................................... 50	мА
Частота без снижения режимов......................До	1 кГц
Темпера тура окружающей среды......................  л[3
до 398 К
Примечания: 1, Допускается работа диодов на частотах
выше i кГц при условии, чю значение среднего обратного тока
на рабочей частоте оудсг нс более 500 мкА. .
2. Допускается работа диодов на емкостную натру зкз. при этом
эффективное значение прямот о тока через диод не должно пре-
вышать 1.57 /||Р .р'.lakv
Зависимость среднего прямо-
го тока от напряжения.
Зависимость среднего обратного тока
ог напряжения.
Зависимость средне! о прямо-
го тока от напряжения.
Зависимость среднего обратного i
от напряжения.
57
Зависимость средне! о прямо-
ю тока от напряжения.
Зависимость среднего обратного тока
от напряжения.
/У?	233 273	313	353 К
733	233	213	313	353 К
Зависимость предельного сред-	Зависимость допустимо! о пере-
пето прямого тока от темпе-	труэочното тока от темпе-
ратуры.	ратуры.
Д223, Д223А, Д223Б
Диоды кремниевые микросплавные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вывода-
ми. Тип диода и схема соединения электродов с выводами при-
водятся на корпусе.
Масса диода не более 0,53 т.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА. не более:
при 298 и 393 К............................................ 1,0 В
при 213 К.............................................. 1,25 В
Постоянный обратный ТОК ттри t-'0(5p = б'оор.маке- нс
более:
при 213 и 298 К........................................1.0 мкА
при 393 К..............................................50 мкА
58
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
Л223 ............................................. 50 В
Д223А.......................................... юо в
Д223Б.......................................... 150 В
Выпрямленный ток:
213 ДО 29S К .................................. 50	мА
!1РИ 393 К........................................ 20	мА
Импульсный прямой ток при т„ < 2 с.............. 500 мд
Предельная рабочая частота............................... МГц
Температура окружающей среды.................... 0Т 213
до 393 К
Примечание. 7вп,ср,Макс в диапазоне температур от 298 до
393 К определяется по формуле.
J(T) = / (393 К) + 0,01(393 - Г) [7(298 К) - 7(393 К)].
Зависимость прямого тока Зависимое ib обратного тока от на-
от напряжения.	пряжения.
Зависимость прямого тока Зависимость обратною тока от на-
от напряжения.	пряжения.
59
Зависимость прямого тока
от напряжения.
Зависимость обратного юка oi на
пряжения.
МД226, МД226А. МД226Е
Диоды крехгнисвые, диффузионные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
па корпусе.
Масса дно га не ботсе 2 г
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /,,р .г = 300 мА и I =
= г	............................................ 1 В
' >О'?. • Jus .
Средний обратный юк при l'n,?p — I ,<>рЛМВС и Лр.ср =
 /np.cp.-.U!K- не бо гее:
при 21? и 20S К ...............................................50	мкА
при 353 К....................................................100	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обрагнос напряжение |амп пгтулнос гначсние) при гемне-
ратуре до 32? К.
МД226 .................................. 400	В
МД226А.................................. 300	В
МД226Е..................'............... 200	В
60
при 353 К:
МД226 .............................................. 300	В
МД226А........................................... 200	В
МД226Е........................................... 150	В
Средний прямой ток:
от 213 до 323 К ................................. 300 мА
при 35.3 К...................................250 мА
Апмлитулное значение выпрямленного тока перегрузки
в течение 3 — 4 периодов.......................... 2.5 А
Частота без снижения режимов...................... t крц
Темпераijpa окружающей среды..........................
до 353 К
Температура корпуса .............................. 358 к
Примечание. Допускается работа
диодов на емкостную на, рузку. при этом
эффекшвное значение Прямо: о тока не долж-
но превышав 1.5~ /,.р	,Ь|К..
Зависимое 1Ь прямого тока от напряжения.
Зависимость обратно: о тока от
напряжения.
Зависимость ооратного тока от
напряжения.
61
Зависимость прямою тока от Зависимость обршного тока oi
час готы.
напряжения.
Зависимость допустимою сред- Зависимость допустимого об-
нсто прямого тока от темпе- ратного напряжения от темпе-
ратуры.	ратуры.
Д226, Д226А, Д226Е
Диоды кремниевые сплавные.
Выпускаются в мета.тлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 2 i .
62
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при 7пр = 300 мА, U - =
- ^обр.макс* не более .................................
Средний обратный ток при Со6р = Со6р ма)(с и’ у* * J
— 4ip.ср.макс» не более.
при 213 и 298 К ............................
при 353 К ..................................
1.0 В
50 мкА
100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение:
от 213 до 323 К
Д226 ............................................ 400	В
Д226А............................................ 300	В
Д226Е............................................ 200	В
от 323 до 353 К
Д226	  300	В
Д226А........................... 200	В
Д226Е............................150	В
.Средний прямой ток:
от 213 до 323 К................. 300 мА
от 232 до 353 К................. 250 мА
Амплитудное значение тока одноразо-
вой перегрузки в течение 10 мс . .	2,5 А
Частота без снижения режимов ...	1 кГц
Температура окружающей среды . . . От 213
до .353 К
Температура корпуса .................... 358	К
П р и м е ч а н и е. Допускается работа
диодов на емкостную нагрузку, при этом
эффективное значение прямого тока не долж-
но превышать 1,57 /,,р. ср. макс.
Зависимость прямого тока от напряжения.
0 0,4	0,6 В
Зависимость обратного тока от
напряжения.
Зависимость обратного тока от
напряжения.
63
Зависимость oopairioto юка от
напряжения (для Д226Е)
Зависимость обритого тока с 
напряжения (для Д22бА)
Зависимость допустимого сред-
него прямо; о тока п| темпе-
ратуры.
Зависимость допустимого об-
ратного напряжения от темне
ратуры (для Д226,	Д226А.
Д226Е соответственно).
Д229А, Д229Б
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаююя в ме1а.1лос1еклянном корпусе с жесткими выводами
Тип диола и схема соединения электро юв с выводами приводятся на
корпусе.
Масса диода не более 3.5 г
64
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /,1р ср = 400 мА, {/о6р =
= t-'oop.MaKc. температуре от 213 до 398 К, не
более ....................................................................
Средний обратный ТОК при б обр ^-'оор.макс и ^пр.ср ~
= 400 мА. не более:
при 213 и 298 К .....................................................
при 398 К ...........................................................
1 В
50 мкА
250 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное oopaiHOe напряжение:
Д229А........................................ 200 В
Д229Б........................................ 400 В
Средний прямой ток:
от 213 до 373 К ............................... 400 мА
от 374 до 398 К................................ 200 мА
Одиночные импульсы прямою тока при ти < 10 мс
(время между двумя импульсами не менее 15 мин) и
температуре от 213 до 358 К......................... 10А
Частота без снижения режимов .	1 кГц
Температура окружающей среды От 213
до 398 К
Примечание. Допускается работа
диодов на емкостную нагрузку, при этом
эффективное значение тока через диод не
должно превышать значения 1.57 /|1р ср Mdlcc.
Зависимость прямого тока oi напряжения.
Зависимость обратного юка ог Зависимость обратного тока от
напряжения.	напряжения.
3 под pen Н. И Горюнова
65
Зависимость допустимого
среднего прямого тока oi
частоты.
Зависимость импульсною прямог*.-'
1ока от дли 1е.1ЬДос!и импульса.
Зависимость допустимого сред-
нею прямое о тока от темпе-
ратуры.
Зависимость допустимой нере-
I рузки но прямому току от
। емпературы.
Д229В, Д229Г, Д229Д, Д229Е, Д229И, Д22Ж, Д229Л
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в метал.(«стеклянном корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами при-
водятся на корпусе.
Масса диода не более 3,5 г.
66
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /пр = / х||к не
более............................................... |в
Средний обратный ток при СО1-)р = С'абр не более-
°Т 2'Зо 1° 298 К...................................... мкА
при 398 К........................................... мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратое напряжение:
Д229В, Д229Ж.................................... 100	в
Д229Г, Д229И.................................... э00	в
Д229Д. Д229К.................................... з00	В
Д229Е, Д229Л.................................i	400 в
Средний прямой юк:
от 213 до 323 К
Д229В, Д229Г. Д229Д, Д229Е...................... 400	мА
.Д229Ж. Д229И. Д229К, Д229Л......................700	мА
при 358 К
Д229В, Д229Г, Д229Д, Д229Е...................... 300	мА
Д229Ж. Д229И. Д229К. Д229Л...................... 500	мА
Частота без снижения режимов............................ ।	кр
Темпера!ура окружающей среды........................... 0Т	-,[3
до 358 К
Примечание. Допускается paooia диодов па емкостную на-
грузку, при этом эффективное значение тока через диод не должно
превышать значения 1,57 /ир.Ср,макс-
Зависимость среднего прямо-
го тока от часiо гы.
Зависимость среднего обратно-
го тока от напряжения.
Зависимость допустимого сред-
него прямого тока от темпе-
ратуры
3*
67
Д231, Д231А, Д231Б, Д232, Д232А, Д232Б, Д233, Д233Б.
Д234Б
Диолы кремниевые дифф) знойные.
Выпускаются в мсталлостекляппом корт се с випгом и жестки-
ми выводами. Тип диола и схема соединения эзектродов с вь!-
водами приводятся на корпусе.
Масса диода не бо >ее 18 : (12 1 без комилекi\ ющи\ де-
талей).
Электрические параме! ры
Среднее прямое напряжение при 7.,р ср =/,.р сг v н. 11
^обр ^обр макс’ более.
от 213 до 298 К
Д231. Д231А, Д232. Д232Л. Д233	.............. 1 В
Д231Б, Д232Б, Д233Б. Д234Б............................ 1.5	В
при 393 К............................................... 1.0	В
Средний обратный ток при Сойр = Cofip „!|КС. Лг =
= Aipср.макс- от 213 до 393 К. не более:....................-.0	мА
Предельные эксплуатационные данные
Амплитудное обратное напряжение:
Д231. Д231А. Д231Б....................,	. . .	300 В
Д232, Д232А,	Д232Б............................ 400	В
Д233, Д233Б..................................... 500	В
Д234Б........................................... 600	В
Средний прямой ток при температуре:
от 213 до 403 К
Д231А, Д232Л....................................... 10	А
от 213 до 348 К
Д231. Д232. Д233 ............................... Ю А
Д231Б, Д232Б. Д233Б. Д234Б........................ 5	А
при 403 К
Д231. Д232, Д233 ................................... 5	А
Д231Б, Д232Б. Д233Б. Д234Б........................ 2	А
Средний прямой ток иеретрузки на частоте 50 Гц
в течение 20 мс при Собр = 0,2 Собг.чаКс
68
при 298 К
Д231, Д231А, Д232, Д232А, Д233	............
Д231Б, Д232Б. Д233Б, Д234Б.....................
от 213 до 348 К
Д231, Д231А. Д232, Д232А, Д233	............
Д231Б, Д232Б, Д233Б. Д234Б.....................
при 403 К
Д231А. Д232А...................................
Д231, Д232. Д233	............................
Д231Б, Д232Б, Д233Б, Д234Б.....................
в течение 1,5 с при С;,5р = С;обРли1;с:
от 213 до 348 К
Д231, Д231А, Д232, Д232А, Д233 ................
Д231Б, Д232Б, Д233Б, Д234Б.....................
при 403 К
Д231А, Д232А...................................
Д231. Д232. Д233	............................
Д231Б, Д232Б, Д233Б, Д234Б.....................
Частота без снижения режимов..........................
Темпера,ура окружающей среды от 213 К до Г,- 403 К
Температура корпуса...................................
100 А
50 А
50 А
25 А
50 А
25 А
10 А
30 А
15 А
30 А
15 А
6 А
1,1 кГц
403 К
Зависимость допустимо, о сред-
него прямого тока от ,емпе-
ратуры.
Зависимость допустимого им-
пульсного прямою тока пере-
грузки ог температуры.
Зависимость допустимого им-
пульсного прямого тока пере-
грузки о, температуры.
Г
Д231А,
AZ3ZA
42336, дгзчв
-I___1 г
333 ЗЧЗ 353 363 373 383 393 К
69
Д237А, Д237Б, Д237В, Д237Е, Д237Ж
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в мекылосюкляпном корпусе с шбкими выводами
Тип диода и схема соединения элекчролов с выводами приводяюя
на корпусе.
Масса диода не более 2 i.
Элекч рические параметры
Среднее прямое напряжение при /пр ср = Лр.ср. .иь-
{\-бр.и = ^'обр.макс- темпера туре от 213 до 298 К. не
более ................................................ 1	В
Средний обратный ток при I о5р = Iр ,lahi
" А,р.сР - /„р.4,.«». не более:
при 213 и 298 К....................................   зО	мкА
при 398 К..........................................100	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение:
Д237А, Д237Е.......................................... 200	В
Д237Б, Д23ТЖ.................................... 400	В
Д237В........................................... 600	В
Средний прямой ток:
от 213 до 323 К
Д237А, Д237Б...................................... 300	мА
Д237В............................................100	мА
от 213 до 373 К
Д237Е, Д237Ж...................................... 400	мА
01 324 до 358 К
Д237А, Д237Б...................................... 200	мА
Д237В............................................100	мА
01 374 до 398 К
Д237Е, Д237Ж	. .	. . '....................... 200	мА
от 359 до 398 К
Д237А, Д237Б,	Д237В.............................100	мА
Импульсный прямой ток при температуре от 213 до 358 К:
одиночные импульсы при тн< 10 мс....................... 10	А
периодические импульсы при ти < 30 мс . . . .	5 А
(время между импульсами не менее 15 мин)
70
Частота без снижения режимов .	1 кГц
Температура окружающей среды От 213 до
398 К
Примечание. Допускается работа
диодов на емкостную нагрузку, при этом
эффективное значение тока через диод не
должно превышать 1.57 /пр ср макс.
Зависимость среднего прямот о тока от на-
пряжения.
Зависимость среднего обратно-
го тока от напряжения.
Зависимость среднего обратного
тока от напряжения.
Зависимость среднего прямого
тока о г частоты.
Зависимость среднего обратного
тока от напряжения.
71
пульспого 1ока от длительное- нею прямого тока oi те.мпе-
ти импульса.
ратуры.
Д242, Д242А, Д242Б, Д243. Д243А, Д243Б, Д245. Д245А.
Д245Б, Д246, Д246А, Д246Б, Д247, Д247Б, Д248Б
Диолы кремниевые диффузионные.
Выпускаются в металлостек.'тянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода ’те более 12 г (с комплектуюшими дстатями 18 г;
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /,|р ср = /ПР ср. ..,...кс и боСр —
обр. макс. не оо.тее.
от 213 до 348 К
Д242А. Д243А. Д245А. Д246А...................... 1.0	В
Д242. Д243, Д245. Д246. Д247 ...................1.25	В
Д242Б, Д243Б. Д245Б. Д246Б. Д247Б. Д248Б ...	1.5 В
при 403 К..........................................  1	В
Средний обратный ток при L= Со1-,р. м.1Кс- 4р ср =
= 4р. сР,макс. температуре от 213 до 403 К, не более . . .	3 мА
72
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение (амп.тиi удиое значение):
Д242. Д242А. Д242Б...............................
Д243. Д243А. Д243Б...........................
Д245. Д245А. Д245Б...........................
Д246. Д246А. Д246Б...........................
Д247. Д247Б..................................
Д-98Б........................................
Средний прямой ток:
Д242А. Д243А. Д245А. Д246А...................
Д242. Д243, Д245. Д246. Д247 ют 213 до 348
Д242Б. Д243Б. Д245Б. Д246Б. Д247Б. Д248Б . . .
Д242. Д243. Д245. Д246. Д247 (при 398 К) . .
Д242Б. Д243Б. Д245Б. Д246Б. Д247Б. Д248Б . . .
Средний прямой ток перекупки в течение 0.5 с . .
Частота бет снижения режимов.....................
Температура окружающей среды.....................
100 В
200 В
300 В
400 В
500 В
600 В
10 А
10 А
5 А
5 А
2 А
-Vnp.cn
1.2 кГц
От 213 до
398 К
398 К
Температура корпуса
Зависимость допустимо! о среднего пря-
мого тока от температуры.
прямого тока от частоты.
Зависимость среднего обрат-
ного тока от напряжения.
73
Д302, ДЗОЗ, ДЗО4, Д305
Диоды германиевые сплавные.
Выпускаются в мета.т.юстеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 16 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при	-/п„.макс- ие более:		
при 298	К	
Д302,	Д304 			0.25	В
ДЗОЗ,	ДЗО5			 0,3	В
при 213	К	
Д302			 0.5	В
ДЗОЗ			 0,6	В
Д304			 0.8	В
ДЗО5			 IB
Средний обратный ток при Со6 = (.-		ог.р.макс не более:
при 298	К:	
ДЗО2			
ДЗОЗ			 1,0	мА
Д304			2.0	мА
Д305			2.5	мА
при 343 к:		
ДЗО2			 3,0	мА
ДЗОЗ			
Д304				10,0	мА
ДЗО5			20.0	мА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение (амплитудное тначснис) при темпе-
ратуре от 213 до 298 К:
Д302 ........................................
ДЗОЗ.........................................
Д304 ........................................
Д305 ........................................
Обратное напряжение (амплитудное значение):
при 313 К
Д302 ........................................
ДЗОЗ.........................................
200 В
150 В
100 В
50 В
150 В
140 В
74
Д304	........................................... 100	В
Д305	............................................ 50	В
при 323 К
Д302,	ДЗОЗ....................................... 120	В
дзо4.....................................:	. . юо в
Д305	....................................... 50	В
пси 333 К
*Д302,	ДЗОЗ...................................... 90	В
Д304	....................................... 70	В
Д305	....................................... 50	В
при 343	К...................................... 50	В
Средний прямой ток:
от 213 до 298 К
ДЗО2............................................. 1 А
ДЗОЗ........................................... ЗА
Д304 .......................................... 5 А
Д305 .............................................. 10	А
при 313 К
Д302 ............................................ 1	А
ДЗОЗ........................................... ЗА
Д304 .......................................... 4	А
Д305 .......................................... 8	А
при 323 К
ДЗО2.................................................. 1	А
ДЗОЗ.............................................. 2.5	А
Д304 ................................................  ЗА
ДЗО5.............................................. 6,5	Л
при 333 К
Д302 ............................................... 0.9	А
ДЗОЗ................................................ 2	.А
Д304 ............................................. 2.5	А
Д305 ............................................... 5	А
при 343 К
Д.302 .............................................. 0,8	А
ДЗОЗ.............................................. 1.5	А
Д304 ............................................. 1.8	А
Д305 ................................................. ЗА
Средний прямой юк перегрузки в течение 0,5 с:
Д302	  4	7лр.Ср,мц1;с
ДЗОЗ.........................................  .1,5	/Пр ср.маьг
Д304 ..........................................2,5	7Пр.ср,макс
Д305	  2	7Пр, ср. макс
Частота без снижения режимов........................... 5000	Гц
Температура окружающей среды от 213 до 343 К
Температура корпуса.................................. 353 К
Примечание. Допускается последовательное и параллельное
соединение. При последовательном соединении каждый диод должен
шунтироваться резистором с сопротивлением 10-15 кОм/Для па-
раллельного соединения следует подбирать диоды с близкими зна-
чениями прямого падения напряжения.
75
Зависимоеib допустимого об- Зависимость допустимою сред-
рапюго напряжения от темпе- него выпрямленного тока ог
ратуры.	температуры.
2Д101А
Диод кремниевый микросплавной.
Выпускается в металлостек-
лянном малогабаритном корпусе.
Тип диода приводится на его упа-
ковке. С отрицательным электро-
дом диода соединен приваренный
вывод.
Масса диода нс более 0,05 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 100 мА. не более 1 В
Постоянный обратный ток при = 30 В. не более:
от 213 до 298 К...................................... 5	мкА
при 358 К..........................................25	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы.................... 30	В
Средний прямой ток:
от 213 до 298 К.................................... 20	мА
при 358 К....................................... 10	мА
Импульсный прямой юк.............................. 300	мА
Темпера:ура окружающей среды.......................От	213 до
358 К
Примечания: 1. Диоды в аппаратуре применяются с заливкой
эмалью ЭП-274Т после монтажа на микроплату
2. Папка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от
корпуса: изгиб выводов диода не допускается.
76
Зависимость обратного тока от
напряжения.
2ДМ101А
Диод кремниевый микросплав-
ной. Предназначен для применештя
в залитых и капсулированных
микромодулях.
Выпускается на керамических
микромодульных платах с рас-
пайкой к пазам 1—6. 1—4 или
2 — 5. Тип диода приводится на
микроилате. Положительный элект-
род диода соединен с пазами 1
или 2 микроплаты.
Масса диода с мнкроплагой
нс oo iee 0.4 г.
парамез ры
Электрические
Постоянное прямое напряжение при 7„р = 100 мД. не
более................................................ 1	В
Постоянный обратный ток при С'ерр = 30 В, нс более:
от 213 до 298 К...................................... 5	МкА
при 358 К........................................25	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы...................... 30	В
Средний прямой ток:
от 213 до 298 К......................................20	мА
при 358 К......................................... Ю	мд
Импульсный прямой  ................................. 300	мА
Температура окружающей среды от 213 до 358 К
Примечания: 1. Диоды в аппаратуре применяются в составе
микро.модуля с заливкой влагозащитным составом.
2. Температура пайки пазов микролла1ы не более 513 К в течение
не более 1 с.
77
ЛМ
ZOO
ISO
110
SO
w
0
0,1 0,4 0,6 0,8 1,0 7,2 5
Зависимость прямою тока oi
напряжения.
Зависимость обратного тока от
напряжения.
Зависимость допустимого сред-
него прямого тока о г темпе-
ратуры.
2Д102А, 2Д102Б, КД102А, КД102Б
Диоды кремниевые диффу-
зионные.
Выпускаются в пластмассовом
корпусе с гибкими выводами.
Диоды маркируются цветными
точками у положительного вывода:
2Д102А — желтой. КД102А — зеле-
ной,	2Д102Б — оранжевой,
КД 102Б - синей.
Масса диода не более 0.1 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /!1р = 50 мА. не более:
при 298 К и Тмакс............... 1	В
при 213 К..................... 1,2	В
78
Постоянный обратный ток при б''(,г-р ^обр.макс*, не более:
при 298 К
2Д102А, КД102А..................................0.1	мкА
2Д102Б. КД102Б..................................1,0	мкА
при TWKC
2Д102Л, КД102А...................................50	мкА
2Д102Б. КД102Б...................................75	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
2Д102А. КД102А..................................... 250 В
2Д102Б, КД102Б............................... 300 В
Постоянный прямой или средний выпрямленный ток при температуре:
or 213 до 323 К....................................100 мА
при 373 К для КД102А, КД102Б................... 30 мА
при 393 К для 2Д102А. 2Д102Б...................30 мА
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс, /пр ср < 30 мА:
от 21.3 до 363 К........................................ 2А
от 213 К до Гмакс.............................. 0,5 А
Температура окружающей среды:
2Д102А. 2Д102Б.....................................От 21.3 до
393 К
КД102А, КД102Б...............................От 213 до
373 К
Примечания. 1. Допускается работа диода на емкостную на-
грузку, при этом эффективное значение тока через диод не должно
превыше [ ь 1,57 7П., яж, а /1Тр.и — не более 6 /Пр.ср. макс-
2 Доплетается параллельное и последовательное соединение дио-
дов. При паеал.телыюм соединении последовательно с каждым диодом
должен быть присоединен резистор с сопротивлением 30 Ом. При
последова гельно.м соединении диодов каждый диод рекомендуется шун-
тировать выравнивающим конденсатором.
79
Зависимость oSpainoio тока от Зависимость допустимого сред-
частоты.	пего прямого тока о г темпе-
ра гуры.
2Д103А, КД103А, КД103Б
Диоды кремниевые диффузи-
онные.
Выпускаются в пластмассовом
корпусе с гибкими выводами. Дио-
ды маркируются цветной точкой у
положительного вывода: 2Д103А —
белой,	КД ЮЗА — синей.
КД103Б — желтой.
Масса диода не более 0,1 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА, нс более:
при 298 К и Гмакс
2Д103А, КДЮЗА..................................... 1	В
КД103Б.......................................... 1.2	В
при 213 К для	2Д103А............................. 1,2	В
Импульсное прямое напряжение, не более:
при 4Р. п = 2 А...................................... 2,5	В
при 4Р,и = 0,5 А.................................. 1.5	В
Время восстановления обрашого сопротивления при
(7обр = 20 В, 4Р = 50 мА, не более...................... 4	мкс
Емкость диода при С\,5р = 5 В. не более................ 20	пФ
Постоянный обратный ток прн L'opp = 0 РРр, не более:
при 213 и 298 К........................................ 1	мкА
при 7MJR.с..........................................50	мкА
80
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение.
2Д1ОЗА........................................... 75 В
КД103А. КДЮЗБ................................. 50 В
Импульсное обратное напряжение через _0 мкс после
окончания импульса прямого юка для 2Д1(ЪА ....	75 В
Импульсное обратное напряжение через 10 мкс после
окончания импульса прямою тока для 2Д103А ...	100 В
Постоянный прямой ток:
от 213 до 323 К.....................................100 мА
при 373 К для КД103А. КДЮЗБ и 398 К для 2Д1ОЗА 30 мА
Импульсный прямой ток при т„ < Ю мкс и температуре
от 213 до 363 К
при /,,р.Ср = 30 мА............................. 2 А
при /„р ,р = 60 мА.............................. I А
Частота без снижения режимов........................20 кГ ц
Температура окружающей среды
2ДЮЗА...............................................От 213 до
398 К
КД103А. КДЮЗБ.................................От 213 до
373 К
Примечания: 1. Диоды допускают работу на емкостную
нагрузку, при этом эффективное значение гока через диод не должно
превышать 1,5 7 Лтр.ср. макм Лр.11 не более 6 /пр.ср. млкс.
2 Диоды допускают параллельное соединение, при пом последо-
вательно с диодом должен быть включен резистор с сопротивлением
30 Ом. Диоды допускают последовательное соединение с шунтирова-
нием каждого диода выравнивающим конденсатором.
о 0,1 0,4 0,6 0,3 1,0 в
Зависимость прямого то-
ка от напряжения
Зависимость обратного тока
от напряжения.
81
Зависимость обратного тока о?
часто I ы.
Зависимость допустимого пря-
мого тока о г температуры.
2Д104А, КД104А
Диоды кремниевые диффузи-
онные.
Выпускаются в пластмассовом
корпусе с гибкими выводами.
Диоды маркируются цветной 1 оч-
ком у положительного вывода.
2Д104А — белой и КД104А - крас-
ной.
Масса диода ие белес 0.1 1.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 10 мА. не более:
при 298 и 343 К...................................... 1 В
типовое значение.................................0.75* В
при 213 К........................................ 1.3 В
Постоянный обратный ток при (. о6р = 300 В. не более:
О1 213 до 298 К...................................... 3 мкА
при 343 К........................................ЮО мкА
Время восстановления обратного сопротивления при /пр =
- 10 мА, Го6р = 20 В, нс более....................... 4 мкс
[иповое значение.................................3* мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное значение.......... 300	В
Постоянный прямой ток и-1и средний выпрямленный юк:
до /= 10 кГц..................................... Ю	мА
при /= 20 кГц.................................... 5	мА
Импульсный прямой ток при /пр ср = 50 мА в течение
I с.................................................  1	А
Частота без снижения режимов.........................20	кГц
Температура окружающей среды о г 213 до 343 К
82
Примечания: 1. Диоды допускают параллельное соединение
без добавочных резисторов. Диоды допускают последовательное
соединение, при этом рекомендуется каждый диод шунтировать вырав-
кивающим конденсатором.
2. Диоды допускают заливку диэлектрическими компаундами
прн температуре не более 393 К.
Зависимость прямого то-
ка от напряжения.
Зависимость обратного тока
ог напряжения.
тоты.
Зависимость выпрям-
ленного тока от час-
КД105Б, КД105В, КД105Г
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
Диоды маркируются цветной точкой на поверхности: КД105В -
зеленой. КД105Г - красной; у диода КДЮ5Б точка отсутствует. Поло-
жительный вывод диода обозначается желтой полоской.
Масса диола не более 0,5 г.
83
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /пр С1, - ЗОН мА. не бозее 1 В
Средний обратный ток при 4- 4.’.И>Р ,, ЧЮгС. не более:
при 298 ’<.......................................... 100	мкА
при 15S К........................................300	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение при rcMnepaivpe:
от 218 до 328 К
КД105Б.........................................   400	В
КД Ю5В.......................................... 600	В
КД105Г.......................................... 800	В
при 358 К
КД105Б.......................................... 300	В
КД 105В......................................... 450	Б
КД105Г.......................................... 600	В
Импульсный прямой ток (однократная перегрузка)
при т„ < 20 мкс...................................... 15	А
Средний прямой ток................................ 300 мА
Частота без снижения режимов...................... I кГц
Частота без снижения
режимов............... 1 кГи
Температура окружаю-
щей среды.............От 218 до
358 К
При м е ч а н н е. При работ е на
емкостную нагрузку эффективное зна-
чение прямого тока не должно превы-
шать 1.57 /пр ср ,,аи.
Зависимость прямо! о тока о г напря-
жения.
Зависимое ib обратно! о тока от
Зависимое гь обратного tok.i От
напряжения.
напряжения.
84
мА
воо
SOO
ЧОО
100
О
Зависимость допустимого об-
ратного напряжения от темпе-
ратуры.
Зависимость обратного юка от
напряжения.
2Д106А, КД106А
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более I г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 300 мА. не более:
при 298 К и Тмак...................................... 1,0	В
при 213 К......................................... 1,5	В
Постоянный обратный ток при Crogp = 100 В, не более:
от 213 до 298 К......................................... Ю	мкА
при Лике...........................................100	мкА
Емкость диода, не более:
при С о5р = 5 В...............'.....................150 пФ
при бо5р = 100 В................................... 50	пФ
Время восстановления обратною сопротивления,
не более..............................................0.45	мкс
типовое значение................................ 0,385	мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное обратное напряжение ....	100 В
Постоянный прямой ток пли средний выпрямленный ток:
от 21? до 343 К.................................... 300	мА
при .............................................100	мА
85
Импульсный прямой ток при т„ < 500 мкс. f < 200 Гц
и температуре:
от 213 до 343 К.......................................... ЗА
при 7\1ак.......................................... 1 А
при т„ 100 мс и скважности более 1000 .... ЗА
Средняя рассеиваемая мощность:
от 213 до 343 К......................................... 750	мВт
при 7\1акс..........................................100	мВт
Частота без снижения режимов:
синусоидального напряжения................................30	кГц
меандра с тф > I мкс.................................10	кГц
Тепловое сопро гивленис переход - среда.................140	К/Вт
Темпера!ура окружающей среды:
2Д106А....................................................От	213 до
398 К
КД106А...............................................Or	213 до
358 К
Примечания: I. Диоды допускают разовые перегрузки им-
пульсами обратного тока не более 3 А дли юльностью нс более
50 мкс.
2. Допускается применение диодов в режиме меандра с дли-
тельностью фронта переключения не менее 1 мкс на частотах до
50 кГц.
3. Допускается параллельное соединение диодов при условии
обеспечения отсутствия перегрузки диодов по прямому току. Допуска-
ется последовательное соединение диодов при условии. что обратное
напряжение на каждом диоде нс превышав! допустимою значения.
Зависимость прямого тока
напряжения.
от Зависимость обратно! о тока от
напряжения.
86
Зависимость допустимого пря-
Зависимость обшей емкости от
напряжения.
мого тока оз температуры.
ГД107А, ГД107Б
Диоды германиевые точечные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды
маркируются цветной точкой у положительного вывода: ГД107А —
черной, ГД107Б — серой.
Масса диода не более 0.3 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 7пр = 10 мА для
ГД107А и /пр= 1.5 мА для ГД107Б, не более:
при 298 и 333 К
ГД107А.......................................  1	В
ГД107Б...................................... 0.4	В
при 213 К
ГД107А........................................ 1	В
ГД107Б...................................... 0.7	В
Посюянный обратный юк при Б'обр = 10 В для ГД107А
и С/обр = 20 В для ГДЮ7Б. нс более:
от 213 до 298 К
ГД107А.....................................20 мкА
ГД107Б.....................................100 мкА
87
при 333 К
ГД107А......................................200	мкА
ГД107Б....................................1000 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
ГД107Л............................................. 15 В
ГД107Б..................‘.................... 20 В
Средний прямой ток:
от 213 до 308 К....................................20 мА
при 333 К...................................... 17 мА
Температура окружающей среды.......................От 213
до 333 К
Примечание. В диапазоне температур от 308 до 333 К
/цр.ср.ма^ определяется по формуле
/- Т, = /(333 К) + 0.04(333 - Г)[/(308 К) - /< 333 К}].
Зависимость прямого тока
от напряжения.
Зависимость обратного тока
от напряжения.
Зависимость прямот о
от температуры.
88
КД109А. КД109Б, КД109В
Днодь' кремниевые. диффузионные.
Выпускаются в плас । массовом корпусе
с гибкими выводами. Тип диода приводится
на корах ее. По. южи i единый вывод диода
обозначается цветной гонкой.
Масса диода iso более 1 г.
не
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /[!? .р = 30()
более........................................................... IB
Средний обратный ток при 7 Pcp - 7 .лр.-.мхе- не более:
oi 233 до 298 К .............................................IСЮ мкА
при 358 К................................................. 300	мкА
Импульсное
от 23? до
КД 109 А
КД 109 Б
КД 109 В
при 358 К
КД 109 А
КД109Б
КД 109В
Средний и постоянный прямой
от 233 до 323 К
при 358 К
Темпершура окружающей среды
Предельные эксплуатационные данные
обратное напряжение
323 К
............................................... 100	В
............................................... 300	В
............................................... 600	В
............................................... 70	В
.............................................. 200	В
.............................................. 400	В
ГОК .
300 мА
200 мА
Oi 233
до 358 К
Зависимое it допустимого пря-
мого тока от гемперагуры.
Зависимоегь обртнено напря-
жения ог гемпературы.
89
АД110А
Диод арсснид-га.т.т левый меза-
диффузионный.
Выпускается в металлокера-
мическом корпусе с гибкими лен-
точными выводами. Тип диода и
схема соединения электродов с вы-
водами приводятся на упаковке.
Масса диода не более 0.15 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 10 мА. не
более:
при 298 и 358 К <................................... 1,5	В
при 213 К....................................... 1.8	В
Постоянный обратный iок при С„бр = 20 В. не более:
от 213 до 298 К....................................... 5	мкА
при 358 К........................................100	мкА
Емкость диода, не более............................... 3	пФ
Дифференциальное сопротивление при /пр = 10 мА, не
более ................................................20	Ом
Время восстановления обратною сопротивления при
/[]р = 10 мА. Т-’о6р = 10 В, не более................ 10	мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение..................... 30 В
Импульсное обратное напряжение..................... 50 В
Постоянный прямой ток:
от 213 до 308 К................................... 10 мА
при 358 К...................................... 5 мА
Частота без снижения режимов....................... I МГц
Тепловое сопротивление переход — среда............. 350 К/Вт
Температура окружающей среды.......................01213
до 358 К
Температура перехода................................ 373	К
ка от частоты.	ления от тока.
90
Зависимость времени восстанов-
ления от напряжения.
АДП2А
Диод арсеннд-галлисвыи лл ф-
фузионный.
Выпускается в металлосгеклян-
ном корпусе с жесткими вывода-
ми. Тип диода и схема соедине-
ния электродов с выводами при-
водятся на корпусе.
Масса диода не более 1.5 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 7пр - 300 мА, нс
более................................................ зв
Постоянный обратный ток при с-’обр = 50 В. не более:
от 213 до 298 К....................................0.1	мА
при 473 К.......................................0.3	мА
Предельные эксплуа! анионные данные
Постоянное обратное напряжение....................... 50	В
Постоянный прямой ток............................... 300	мА
Температура окружающей среды..........................От	213
до 523 К
ГД113А
Диоды германиевые микросплавные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
диода и схема соединения выводов с электродами приводятся на
корпусе.
Масса диода не более 0,3 г.
91
Электрические параметры
Прямое напряжение при /пр = 30 мА. не более ....	1 В
Обратный юк при С'обр = 80 В, не более............. 250	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Амплитуда обратного напряжения:
от 213 до 298 К ................................... 115	В
при 333 К....................................... 45	В
Импульсный выпрямленный юк:
от 213 до 298 К......................................48	мА
при 333 К........................................38	мА
Средний выпрямленный ток:
от 213 до 298 К..................................... 15	мА
при 333 К....................................... 12	мА
Температура окружающей среды.........................От	213
до 333 К
2Д115А-1
Диод кремниевый мезапланар-
ный. Предназначен для гашения
ЭДС самоиндукции электромагнит-
ных реле.
Выпускается в бескорпусном
исполнении без крнсталлодержате-
ля с гибкими серебряными выво-
дами. Широкий вывод соединен с
отрицательным электродом диода.
Масса диода не более 0,05 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА, не
более:
при 213 К........................................ 1,5 В
от 298 до 398 К................................ 1,0 В
Постоянный обратный гок при 6..,;,Р = 100 В:
от 213 до 298 К....................................1,0 мкА
при 398 К......................................30 мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
{.'о6р ~ 40 В, /пр = 30 мА, не более...............1.6 мкс
Емкость диода при С'’обр = 0. нс более.............45 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение..................... 100 В
Постоянный прямой ток:
ог 213 до 333 К.................................... 30 мА
при 398 К...................................... 15 мА
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мс. 10 Гц . . .	100 мА
Температура окружающей среды от 213 до 398 К
Примечания: ]. Допускается присоединение выводов диола
на расстоянии не менее 1.5 мм от защитного покрытия. При
сварке (пайке) выводов необходим теплоотвод между местом сварки
и диодом, обесггсчивакяднй температуру диода не более 398 К.
2. При монтаже должно бьнь ооеспечено oicyiciaiie наг жжений
выводов диода
Зависимость прямою тока
01 напряжения.
Зависимость обратного тока
пряжения.
на-
Зависимое ib емкости о г на-
пряжения.
Зависимость допустимого прямого то-
ка от час юты.
Зависимость допустимою пря-
мою тока от темяераюры.
93
2Д118А-1
Диод кремниевый диффузионный. Предназначен для примене-
ния в составе гибридных интегральных микросхем.
Выпускается без корпуса с защитой пресс-материалом ЭПФ-С
и компаундом ЭКМ. Тип диода приводится на упаковке. Положи-
тельный вывод обозначается точкой.
Масса диода не более 0,5 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 0.3 А. не
более:
при 213 К............................................ 1.2	В
при 298 и 373 К..................................... 1.0	В
Постоянный обратный ток при Г'обр = 200 В, не более:
от 213 до 298 К.......................................... 50	мкА
при 373 К.......................................... 2000	мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
7,.,, = । А, С’о6р = 20 В, не более .	.............0,3 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение..................................... 200	В
Постоянный прямой или средний выпрямленный ток
при 7?т < 250 К/Вт:
от 213 до 298 К .................................... 0,3	А
при 373 К........................................... 0.1	А
Импульсный прямой ток при ти < 1 мс и скважности,
равной или менее 1000 .................................. 10	А
Частота без снижения режима (в режиме меандра с
Тф < 0,2 мкс с активной нагрузкой)......................100	кГц
Тепловое сопротивление переход — подложка, не бо-
лее ..................................................... 60	К/Вт
Температура окружающей среды..............................От	213
до 373 К
Примечание. Установка диода в гибридную схему произво-
дится путем приклейки на держатель или подложку с последую-
щей припайкой выводов к контактным площадкам.
94
<4
0,3
0,1
0,1
О
50	100
150	100 К/8 т
Iпр, ср, макс
ZA118
Зависимость допустимого вы-
прямленного тока от теплово-
го сопротивления.
Зависимость допустимою вы-
прямленного тока от тепловою
сопротивления.
Зависимее гт допустимого им-
пульсного тока перегрузки от д.ш-
телык.’ст и импульса.
2Д201А, 2Д201Б, 2Д201В, 2Д201Г
Диоды кремниевые диффумюппые.
Выпускаются в мста.тлостскляином корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода и схема соединения у юктродов с выводами при-
водятся на корпусе.
Масса диола нс оолее 12 г (с комплектующими деталями
18 г).
т 4
95
Электрические параметры
।
Среднее прямое напряжение при 4р.ср 4р.ср.макс- 4>бр
= ^' обр.макс- 1 ем пера гуре от 213 до 393 К, tie
более........................................................... 1	В
Средний обратный ток при С,,рр = ^обр.макс' 4р.ср =
= 4р.ср. макс,- температуре от 213 до 393 К, не
более........................................................... 3	мА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение (амплитудное значение);
2Д201А, 2Д201Б........................................... 100	В
2Д201В, 2Д201Г....................................... 200	В
Средний прямой ток:
2Д201А, 2Д201В......................................... 5	А
2Д201Б. 2Д201Г........................................ 10	А
Средний прямой ток перегрузки на частоте 50 Гц:
в [ечение 0.5 с при Со6р = Собр.макс
2Д201А, 2Д201В........................................ 15	А
2Д201Б, 2Д201Г . . . ............................... 30	А
в течение 20 мс при Со6р = 0,2 С'о6р.маКс
2Д201А, 2Д201В........................................ 25	А
2Д201Б, 2Д201Г...................................... 50	А
в течение 20 мс при С'^р = 0,2 Собр.макс и 328 К
2Д201А, 2Д201В........................................ 50	А
2Д201Б, 2Д201Г..................................... 100	А
Частота без снижения режимов.............................1100	Гц
Температура окружающей среды............................От	213 К до
ГЕ = 403 К
Температура корпуса...................................... 403	К
Примечание. При последовательном соединении диодов ре-
комендуется шунтировать диод резисюром с сопротивлением 10 —
15 кОм на каждые 100 В амплитуды обратного напряжения.
0,2	0,4-	0,6	8
Зависимость прямого тока
от напряжения.
Зависимость обратного тока ог на-
пряжения.
96
2Д202В, 2Д202Д, 2Д202Ж, 2Д202К, 2Д202М, 2Д202Р,
КД202А, КД202В, КД202Д, КД202Ж, КД202К, КД202М,
КД202Р
Диолы кремниевые диффузионные. Предна шачсны для преобра-
зования переменного напряжения с частотой до 5000 Гц в постоянное
Выпускакнся в ме1аллостек.тянно.м корпусе с винтом и жестким
выводом. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе.
Масса диода не более 7 1.
Элек i рические параметры
Среднее прямое напряжение при /прср = 3 А. Ооб =
= £обр.макс » температуре от 213 до 398 К. Рне
более ................................................... 1В
Средний обратный ток при Со6р = Со6р мак и температуре
от 213 до 398 К, не более.............................. ।	мд
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение (амплитудное значение).
КД202А...................................
2Д202В, КД202В.............................
2Д2О2Д. КД202Д.............................
2Д2О2Ж. КД202Ж.............................
2Д202К. КД202К...........................
2Д202М. КД202М.............................
2Д2О2Р. КД2О2Р.............................
Постоянное обратное напряжение...............
Средний прямой ток для КД202А, КД202В, КД202Д
КД202Ж, КД202 К, КД202М, КД202Р . . . .
4 под рел Н Н Горюнова
50 В
100 В
200 В
300 В
400 В
500 В
600 В
С, Г.р, и макс
5 А
97
Импульсный прямой юк при ти = 10 мс. /'= 50 Гц для
2Д202В, 2Д202Д. 2Д202Ж, 2Д202К,	2Д202М,
2Д202Р....................................
Импульсный прямой ток в течение 1.5 с, /'=50 Гц:
2Д202В. 2Д202Д. 2Д202Ж. 2Д202К. 2Д202М.
30 А
2Д202Р............................................ 9	А
Частота без снижения режимов.................... 1.2 кГц
Температура перехода диода ..................... 423 К
Температура окружающей среды......................От	213 К до
/к = 403 К
Температура корпуса диода....................... 403 к
0,1 0,4 0,6 0,8 В 0	10	40	60 80 °/о
Зависимость среднего
прямого тока ст напря-
жения.
Зависимость обратного тока
от напряжения.
5
4
3
I
1
173 2,93 313 333 353 3 73 333 К
Зависимость обратного тока от
частоты.
Зависимость допустимого пря-
мого тока от температуры.
98
Зависимость допустимого пря-
мого юка от [емпсратуры кор-
пуса.
] — для групп А. В, Д, Ж, К. М,
Р, 2 — для групп Б. Г. Е. И. Л,
Н, С
Зависимость допустимого пря-
мого тока от частоты.
Зависимость коэффиииента до-
пустимой перегрузки по прямо-
му току от длительности им-
пульса.
2Д203А, 2Д203Б, 2Д203В, 2Д203Г. 2Д203Д,
КД203А, КД203Б, КД203В, КД203Г, КД203Д
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в мсталлостсклянном корпусе е жесткими выво-
дами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе.
Масса диода не более 18 г.
4'
99
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /пр = 7пр макс. Содр =
= t/06p,MaKC и температуре от 213 до 398 К. не
более .............................................. 1 В
Прямое постоянное напряжение при /пр = 7прли)!С и тем-
пературе от 213 до 398 К, не более...................... 2	В
Средний обратный iok при /пр — 7прмакс. бобр Собрл1акс
н температуре от 21.3 до 398 К. не более...............1.5	мА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение (амплитудное значение):
2Д203А. КД203А....................................... 600	В
2Д203Б. КД203Б. 2Д203В, КД203В.................. 800	В
2Д203Г, КД203Г, 2Д203Д, КД203Д..................1000	В
Постоянное обратное напряжение:
2Д203А, КД203А....................................... 420	В
2Д203Б, КД203Б, 2Д203В. КД203В.................. 560	В
2Д203Г, КД203Г. 2Д203Д. КД203Д.................. 700	В
Постоянный (средний) прямой ток:
от 213 до 323 К....................................... 10	А
при 373 К
2Д203А, КД203А. 2Д203В. КД203В. 2Д203Д,
КД203Д........................................ 10 А
2Д203Б.	КД203Б.	2Д203Г. КД203Г ......	5	А
при 403 К
2Д203А,	2Д2ОЗВ.	2Д203Д............ 5	А
2Д203Б,	2Д203Г................................... 2	А
Импульсный прямой ток при j = 50 Гц. = 50 мс.
^обр	£7Обр макс.
при 298 К.......................................   100	А
при Гк от 213 до 323 К............................. 50	А
при Тк = 373 К
2Д203А. 2Д203В, 2Д203Д. КД203А, КД203В.
КД203Д........................................... 50	А
2Д203Б, 2Д203Г,	КД203Б,	КД203Г................. 25	А
при 7К = 403 К
2Д2ОЗА, 2Д203В,	2Д203Д	  25	А
2Д203Б. 2Д203Г................................... 10	А
при т„ = 1,5 с, Тк от 213 до	323	К................. 30	А
прн 7; = 373 К:
2Д203А, 2Д203В.	2Д203Д.......................... 30	А
2Д203Б, 2Д2ОЗГ................................... 15	А
прн Тк = 403 К:
2Д203А. 2Д203В,	2Д203Д......................... 15	А
2Д203Б. 2Д203Г.................................... 6	А
Частота без снижения режимов ........................... 1	кГц
Средняя рассеиваемая мощность* при 298 К . . . .	20 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус................2.5	К/Вт
Температура окружающей среды . •	. . От 213 К до Тк = 403 К
100
Температура корпуса:
2Д203А. 2Д2ОЗБ, 2Д203В. 2Д203Г. 2Д203Д	403 к
КД2ОЗА. КД203Б. КД2ОЗВ. КД203Г, КД2ОЗД . .	373 К
Температура перехода................................ 413	К
Примечание. При работе диодов на емкостную нагрузку
эффективное значение тока через диод не должно' превышать
I S7 I
'пр.ср.макс-
273 133 313 333 353 373 393 К
Зависимость допустимого прямого
тока от температуры корпуса.
Зависимость допустимого пря-
мого тока от температуры.
I,
2ДШ(*Б,П
~ КД Ш(Б,ГГ
__t" = 50 не.
asp,макс
/=50Гц I Г
‘пр, и, Ж03[ААДШ203Ш
А
50
40
30
W
10
2 73 293 313 333 353 373 393 К 273 293 313 333 353 373 393 К
Зависимость допустимого тока Зависимость тока перегрузки от
перегрузки от температуры кор-	температуры корпуса.
длительности импульса.	тока от частоты.
101
г
2Д2С4Л, 2Д204Б, 2Д204В, КД204А, КД204Б, КД284В
Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобра-
зования переменною напряжения частотой до 50 кГц в постоянное
Выпускаются в мета.ыостекляниом корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения >лек тропов с выводами пппводя гея
на корпусе.
Масса .диода нс более 7.5 т.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /,,р = 600 мА. не более:
при 298 К........................................ 1.4	В
при 213 К........................................ 1.6	В
Постоянный обратный ток при Г'о6р = б-'0бР. макс- ие более:
от 213 до 298 К
2Д204А, КД204А..................................150	мкА
2Д204Б. КД204Б..................................100	мкА
2Д204В. КД204В..............................  .	50 мкА
при .358 К для КД204А, КД204Б, КД204В и 398 К
для 2Д204А. 2Д204Б. 2Д204В
2Д2О4А. КД204А..............................   2000	мкА
2Д204Б, КД204Б.................................1000	мкА
2Д204В. КД204В................................. 500	мкА
Время восстановления обратною сопротивления при
(„ = 30 В. /|]р ,, = I А. не более....................1.5	мкс
Предельные жсплуат анионные данные
Постоянное и импульсное обратное напряжение:
2Д204А. КД204А................................... 400	В
2Д204Б, КД204Б................................... 200	В
2Д204В, КД204В.................................... 50	В
Средний прямой ток:
при /'= 50 Гц
2Д204А. КД204А..................................... 40(1	мА
2Д204Б, КД204Б.................................... 600	мА
2Д204В, КД204В................................... 1000	.мА
102
при / = 50 кГц
2Д204А, КД204А.................................. 300	мА
2Д204Б, КД204Б.................................  600	мА
2Д204В. КД204В..................................1000	мА
Прямой ток перегрузки в течение 10 мкс..............10 /11р ср мак
Импульсный прямой ток при Тф > 1 мкс................2 /,|р ср макс
Частота питающего напряжения при тф > 1 мкс ...	50 кГц
Температура корпуса:
минимальная........................................... 213	К
максимальная
КД204А. КД204Б. КДЗО4В.......................... 358	К
2Д204А, 2Д204Б, 2Д204В.......................... 398	К
Примечал и е. Допускается параллельное и последовательное вклю-
чение диодов. При параллельном соединении должна отсутствовать
перегрузка по прямому току. При последовательном включении каждый
диод должен быть зашунтирован шунтом, обеспечивающим отсут-
ствие перегрузки по напряжению.
Зависимость допустимо! о пря-
мого юка от частоты
Зависимость допустимою пря-
мого тока от частоты
0	10 10 30 40 50 00 кГц
Зависимость допустимою пря-
мого тока от частоты.
Зависимость общей емкости о г
напряжения.
103
КД205А, КД205Б, КД205В, КД205Г, КД205Д, КД205Е,
КД205Ж, КД 205 И. КД205К, КД205Л
Блоки из кремниевых
диффузионных диодов.
Выпускаются в nnaci-
массовом корпусе. Тип
диода, схемы расположе-
ния диодов и соединения
электродов с выводами
приводятся на корпусе.
Масса блока не бо-
лее 6 г.
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /пр ср =/пр. ср. маке- не
более ............................................... 1,0	В
Средний обратный ток при 0-ойр — Т'о6р хыкс. не более 0.1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение:
КД205А.	КД205Е............................ 500	В
КД2О5Б...................................... 400	В
КД205В...................................... 300	В
КД2О5Г,	КД2О5Л............................ 200	В
КД2О5Д,	КД205К............................ 100	В
КД2О5Ж...................................... 600	В
КД205И...................................... 700	В
Средний прямой ток:
КД205А. КД205Б. КД205В, КД205Г, КД205Д, КД205Ж 500 мА
КД2О5Е,	КД2О5И............................. 300 мА
КД205К.	КД205Л............................. 700 мА
Импульсный	прямой ток	при	т„ < I мкс.......... 0,8 А
Частота без	снижения	режимов...................50 кГц
Температура окружающей среды....................От	233 до
358 К
Зависимость допустимого пря-
мого тока от температуры.
104
2Д206А, 2Д206Б, 2Д206В, КД206А, КД206Б, КД206В
Диоды кремниевые мезадиффузионные лавинные. Предназначены
для преобразования переменного напряжения частотой до 20 кГц
в постоянное.
Выпускаются в метал.тостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода с комплектующими деталями не более 9 г.
77.5	7П
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение, не более:
при /„р = 1 А
при 298 и 398	К................................. 1.2	В
при 213 К.......................................... 1.5	В
при 7цр — Лтр. макс................................ 1.5	В
Постоянный обратный ток при Cofip = Lro6p ма|[с. не более:
от 213 до 298 К.........................................0,7	мА
при 398 К.........................................  1.5	мА
Время восстановления обратного сопротивления*
при /пр „ ~ 5 А,	Г(},-,р макс» не оолее.........]	0 мкс
Время установления прямого сопротивления*
при /нр. и - 190 А. нс более..............................10	мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
2Д206А. КД206А................................. 400	р
2Д206Б. КД206Б............................i	>00 В
2Д206В. КД206В................................. 600	в
Средний прямой ток:
от 213 до 343	К для КД206А.	КД206Б. КД206В	10	А
о г 213 до 358	К для 2Д206А.	2Д206Б, 2Д206В	5	А
при 403 К для	2Д206А, 2Д206Б,	2Д206В ....	|	д
105
Импульсный прямой ток при т„ < 100 мкс. /< 1000 Гц,
4тр, ср 2 А :
от 213 до 358 К................................ 100 А
при 403 К.................................... 20 А
Однократный импульс прямого тока при т„ Д I с:
от 213 до 358 К для 2Д206А, 2Д206Б. 2Д2О6В . . .	15 А
при 403 К для 2Д206А, 2Д206Б, 2Д206В ... ЗА
Импульсный обратный ток при т„ = 50 мкс:
от 213 до 358 К
2Д206А.............................................. 2	А
2Д206Б........................................ 1	А
2Д206В...................................... 0.5	А
при 403 К
2Д206А....................................... 0.4 А.
2Д206Б..................................... 0.2 А
2Д206В..................................... 0.1 А
Средняя рассеиваемая мощность:
от 213 до	358	К...,........................ 10 Вт
при 403 К.................................... 1.5 Вт
Частота без снижения	режимов.................... 1 кГц
Частота питающего напряжения......................До	20 кГц
Температура окружающей среды......................От	213 К до
Л = 403 К
Температура корпуса.............................. 403 К
Примечания: I. Допускается последовательное соединение
диодов без шунтирования до 40 кВ.
2. Допускается кратковременное превышение установленного пре-
дельною обратного напряжения, при этом амплитуда перегрузочного
обратного тока не должна превышать допустимых значений, а фронт
импульса тока должен быть не менее 0.5 мкс. При повторяющихся
перегрузках значение средней перегрузочной мощности не должно
превышать 2 Вт при температуре корпуса 358 К и 0,4 Вт при 403 К.
Зависимость допустимого вы-
прямленного тока от темпера-
туры корпуса.
Зависимость допустимого им-
пульсного персгрузочно! о об-
ратного тока от длительности
импульса.
106
Зависимость импульсного пря-
мого тока от напряжения.
Зависимость прямого тока от
напряжения.
КД208А
Диод кремниевый диффузионный. Предназначен для преобразо-
вания переменного напряжения в постоянное.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип диода указывается на корпусе. Положительный вывод обозна-
чается зеленой полоской на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /,,р = 1 А, не более:
при 298 и 358 К....................................... 1	В
при 233 К....................................... 1,3	В
Постоянный обратный ток при Т7обр = 100 В, не более:
от 213 до 298 К......................................100	мкд
при 358 К.......................................1000	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение . . . юр в
Постоянный или средний прямой ток.................... 1	5 А
Температура окружающей среды.........................qt	233 до
358 К
107
КД209А, КД209Б. КД209В
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
Диоды маркируются цветной точкой: КД209Б - зеленой. КД209В -
красной; у диодов КД209А - отсутствует. Положительный вывод обоз-
начается красной полосой.
Масса диода не более 0.5 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = /пр макс. не более:
при 298 К........................................ IB
при 213 К...................................... 1,2	В
Постоянный обра|ный юк при t/o6p = бгобр макс. не более:
от 213 до 298 К.....................................100	мкА
при 358 К...................................... 300	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное обратное напряжение:
КД209А..................................... 400	В
КД209Б..................................... 600	В
КД209В..................................... 800	В
Постоянный или средний прямой ток:
КД209А..................................... 700	мА
КД209Б..................................... 500	мА
К Д209В:
до 328 К.................................... 500	мА
при 358 К................................. 300	мА
Импульсный прямой ток при т„ < 20 мкс............ 6	А
Частота без снижения режимов..................... 1	кГц
Температура окружающей среды.....................От	213 до
358 К
Примечания: 1 При работе диодов на емкостную нагрузку
эффективное значение прямого тока не должно превышать
1,57 /пр ср, макс-
2. Допускается работа диодов на частотах выше 1 кГц в режи-
мах, при которых средний обратный гок не превышает 500 мкА.
108
2Д210А, 2Д210Б, 2Д210В, 2Д210Г, КД210А, КД210Б,
КД210В, КД210Г
Диоды кремниевые диффузионные лавинные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 12 i (с комплектующими деталями 18 г).
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /пр ср — Ю А, {.'о6р =
= ^обр.макс и температуре от 213 К до Тк макс. не более I В
Средний обратный ток при Со0р = Со6р макс’ Aip ср — 10 А.
от 213 К до Гк.макс, не более..........................1.5	мА
Постоянный обратный ток при Со6р = 1/о0р, макс. не более 4.5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
2Д210А.	КД210А,	2Д210Б,	КД210Б................. 800	В
2Д210В. КД210В.	2Д21ОГ. КД210Г...................1000	В
Наименьшее обратное пробивное напряжение* при 298 К:
2Д21ОА,	2Д21ОБ.................................. 1000	В
2Д210В,	2Д21ОГ..................................1250	В
Постоянный или средний прямой ток от 213 до 323 К:	10 А
при Тк = 373 К
2Д210А. 2Д210В..................................... 5	А
2Д210Б, 2Д210Г.................................. 10	А
при 7, = 403 К
2Д210А, 2Д210В................................ 1 А
2Д210Б, 2Д210Г . . . ............................ 2	А
Импульсный прямой ток при / = 50 Гц, ти = 50 мс.
при Тк от 213 до 323 К................................. 50	А
при 7К = 373 К
2Д210А. 2Д210В.................................. 25	А
2Д210Б, 2Д210Г.................................. 50	А
109
при Тк = 403 К
2Д210А, 2Д21ОВ..................................... 5	А
2Д21ОБ, 2Д210Г................................... 10	А
при ти = 1.5 с, f = 50 Гц, Гк от 21 3 до 323 К . . .	30 А
при Гк = 373 К
2Д210А.	2Д210В.............................. 15 А
2Д210Б,	2Д210Г............................. 30 А
при 7"к — 403 К
2Д210А,	2Д210В.............................. ЗА
2Д210Б.	2Д210Г............................. 6 Л
Импульсный обратный ток перегрузки в течение 100 мкс
2Д210А.	2Д210В . . . ......................... 1.5 А
2Д210Б. 2Д210Г.................................. 1.2	А
Частота без снижении режимов..........................1000	Гн
Частота со снижением /11р ср........................ 5000 Гц
Рассеиваемая мощность при Тк ог 213 до 323 К . . .	20 Вт
при Тк = 373 К
2Д210А, 2Д210В................................. 10 Bi
2Д21ОБ. 2Д210Г................................ 20 Вт
при Гк = 403 К
2Д210А. 2Д210В................................. 2 Вт
2Д210Б, 2Д210Г................................ 4 Вт
Температура окружающей среды:
2Д210А. 2Д21ОБ. 2Д210В. 2Д210Г................От 213 К до
7\ = 403 К
КД210А. КД210Б, КД210В, КД210Г................От 213 К до
Тк = 373 К
Температура корпуса:
2Д21ОА, 2Д210Б, 2Д210В. 2Д210Г................. 403 К
КД210А, КД210Б. КД210В, КД210Г................ 373 К
Температура перехода................................ 413 К
Тепловое сопротивление кристалл - корпус............3 К/Вт
П р и м е ч а н и е. Допускается последовательное соединение диодов
без шунтирования до напряжения 30 кВ.
Зависимость допустимого сред- Зависимость среднего прямого тока
него прямого тока от темне- перет рузки от температуры кор-
ратуры корпуса.	пуса.
110
Зависимость допустимой крат-
ности перегрузки по прямому
току от длительности импульса.
Зависимость среднего прямого
тока перегрузки от температу-
ры корпуса.
Зависимость допустимого об-
ратного тока перегрузки от дли-
тельности импульса.
2Д212А, 2Д212Б, КД212А, КД212Б
Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобразо-
вания переменного напряжения повышенной частоты в постоянное
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими вывода-
ми. Тип диода указывается на корпусе. Отрицательный электрод
соединен с металлическим основанием корпуса.
Масса диода не более 1,5 г.
Элек I рические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 1 А. не более:
при 298 и 398 К...................................... )	В
при 213 К....................................... 1,2	В
111
Посюянный обратный ток при С''Оор = 200 В, не более:
от 213 до 298 К..........................................50	мкА
при 398 К........................................... 2000	мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
/пг = 2 А, Ц,6р = 200	В	для	2Д212А,	КД212А	и
/,,р = 1 А, (,'обр = 100 В	для	2Д212Б.	КД212Б,	не	более	300	нс
Емкость диода*, не более:
при Б'о6р = 1,0 В..................................170	пФ
типовое значение.................................140	пФ
при С'о6р = 100 В................................ 40	пФ
типовое значение , .................................. 30	пФ
Предельные эксплуатационные данные
Посюянное или импульсное обра!ное напряжение:
2Д212А, КД212А................................... 200 В
2Д212Б, КД212Б................................. 100 В
Постоянный прямой ток или средний выпрямленный ток:
от 213 до 353 К.................................... I А
при 398 К...................................... 0,2 А
Импульсный прямой ток при т„= 10 мс................50 /[1р макс
Частота без снижения режимов в меандре с Тф > 0,2 мкс
при работе на активную нагрузку.....................100 кГц
Температура окружающей среды:
2Д212А, 2Д212Б.....................................От 213 до
398 К
КД212А, КД212Б.................................От 213 до
358 К
Температура перехода*.............................. 413 К
Тепловое сопротивление кристалл — корпус *.........10 К/Вт
Общее тепловое сопротивление*......................НО К/Вт
Примечание. Допускается параллельное и последовательное со-
единение диодов.
Зависимость прямо! о
Зависимость обратного тока от
тока от напряжения.
напряжения.
112
Зависимость обшей ем- Зависимость допустимого пря-
кости от напряжения. мого тока о г теплового сопро-
тивления.
Зависимость допустимого пря-
мого тока перегрузки от дли-
[ельпости импульса.
Зависимость допустимого
прямого тока перегрузки от
длительности импульса.
2Д213А, 2Д213Б, 2Д213В, 2Д213Г, КД213А, КД213Б,
КД213В, КД213Г
Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобра-
зования переменного напряжения повышенной частоты в постоянное.
Выпускаются в металло-
пластмассовом корпусе с гиб-
кими выводами. Тип диода и
схема соединения электродов с
выводами приводятся на корпу-
се. Отрицательный электрод со-
единен с металлическим ос-
нованием корпуса.
Масса диода не более 4 г.
113
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 16 А. не более:
при 298 К
2Д213А. 2Д213В, КД213А, КД213В........................... 1	В
2Д213Б, 2Д213Г, КД213Б, КД213Г.................. 1,2	в
при /пр = 5 А для 2Д213Б, 2Д213Г................ 1.0*	В
при 213 К
2Д213А. 2Д213В.................................. 1.5	В
2Д213Б, 2Д213Г.................................. 1.7	В
при 398 К (7пр = 3 А для 2Д213А. 2Д213В и /пр =
= 1 А для 2Д213Б, 2Д213Г).......................... 1	В
Посюянный обратный ток при Добр = Б'обр. макс- не более:
от 213 до 298 К.....................................  0,2	мА
при 398 К
2Д213А, 2Д213В................................... 10	мА
2Д213Б. 2Д213Г....................................25	мА
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр.и = 1 А, Т7обр = 20 В. не более:
2Д213А. 2Д213В,	КД213А,	КД213В............... 300	нс
2Д213Б, 2Д213Г.	КД213Б,	КД213Г............... 170	нс
Емкость диода, не более:
при С-о6р = 100 В..................................... 550	пФ
при 1/обр = 5 В...................................1600	пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное обратное напряжение:
2Д213А. 2Д213Б, КД213А, КД213Б.................. 200	В
2Д213В, 2Д213Г, КД213В, КД213Г.................. 100	В
Постоянный и средний прямой ток:
от 213 до 358 К.................................... 10 А
при 398 К
2Д213А, 2Д213В....................................... ЗА
2Д213Б, 2Д213Г................................ 1 А
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мс. Q = 1000 .	100 А
Импульсный обратный юк при температуре корпуса
от 213 до 358 К при ти '7 20 мкс....................... 10	А
Частота без снижения режимов в меандре с Тф > 0.2 мкс
при работе на активную нагрузку......................100	кГц
Тепловое сопротивление:
переход — корпус.....................................1,5 К/Вт
переход — среда.................................70 К/Вт
Температура окружающей среды:
2Д213А. 2Д213Б, 2Д213В, 2Д213Г................От 213 до
398 К
КД213А, КД213Б. КД213В. КД213Г................От 213 до
358 К
114
Температура перехода:
2Д213А, 2Д213В................................ 413 К
2Д213Б, 2Д213Г................................ 403 К
Примечание. Изгиб выводов допускается iолысо в направ-
лении. перпендикулярном плоскости диода, на расстоянии не менее
3 мм от корпуса.
Рекомендуется крепление диода к теплоотводу методом прикле-
ивания.
от напряжения.
пряженйя.
Зависимость времени восста-
новления обратного сопро-
тивления от напряжения
Зависимость допустимого
прямою тока oi темпера-
туры ,
Зависимость допустимого
прямого тока от длитель-
ности импульса.
115
2Д215А, 2Д215Б, 2Д215В
Диоды кремниевые диффузионные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с i ибкими выводами.
1 орец корпуса у положи-
тельного вывода маркируется
красной точкой; на диоде
2Д213Б дополнительно нано-
сится красная точка. диод
2Д215А точки не имеет, у
диода 2Д215В па боковой по-
верхности ставится буква В.
Масса диода не более 0,5 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = /ПрА1аЕс- не
более:
при 298 и 398 К
2Д215А,	2Д215Б................................ 1.2	В
2Д215В......................................... 1.1	В
при 213 К:
2Д215А,	2Д215Б................................ 1,5	В
2Д215В......................................... 1,2	В
Постоянный обратный ток при С7о6р = Бобр макс. не
более:
oi 213 до 298 К....................................50	мкА
при Гмакс.........................................100	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное обратное напряжение:
2Д215А................................................ 400	В
2Д215Б.......................................... 600	В
2Д215В.......................................... 200	В
Постоянный прямой ток:
при Л, < 75 К. Вт
oi 213 до 333	К.................................1000	мА
при 358 К	2Д215А.	2Д215Б.................... 850	мА
при 398 К	2Д215А.	2Д215Б.................... 200	мА
при Л, < 180 К, Вт:
до 33.3 К ..................................... 500 мА
при 358 К 2Д215А, 2Д215Б...................... 300 мА
при 398 К 2Д215А, 2Д215Б......................100 мА
Импульсный прямой ток:
одиночные импульсы с т„ < 10 мкс и временем между
двумя импульсами не менее 15 мин
от 213 до 358 К 2Д215А, 2Д215Б................ 10 А
от 358 до 398 К 2Д215А, 2Д215Б..................... ЗА
116
периодические колоколоооразные импульсы тн < 1300 мкс
на уровне 0.1 и ти < 300 мкс на уровне 0,9, /<100 Гц
при температуре от 213 до 328 К для 2Д215В ....	13 А
Частота без снижения режима......................... 1 кГц
Температура окружающей среды........................От 213
до 398 К
Примечания: 1. Общее тепловое сопротивление менее
180 К/Вт обеспечивается при любом способе крепления диода при
условии сохранения длины вывода не менее 20 мм. В качестве
радиатора рекомендуется применять металлическую пластину разме-
ром 10 х 15x2 мм- для каждого вывода, припаянную на рас-
стоянии 1 мм от корпуса диода.
2. При pa6oie диодов на емкостную нагрузку эффективное
значение прямого тока не должно превышать 1,57 /ирс.рмакс
Гnptcpt макс	_ЗЗЗК	3	С 75	Вт 2>	— 1215
	3588			—	
	333 8				
	358 К				
398 К	—		—				f
2	3 Ч 5	8 кГц
Зависимость допустимого среднего прямого тока от частоты.
Зависимость допустимою импульсною прямого тока от длитель-
ности импульса.
117
Зависимость допустимого пря-
мого тока перегрузки о г гем-
Зависпмость допустимого по-
стоянного прямого тока oi гем-
пературы.
пературы.
2Д216А, 2Д216Б
Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобра-
зования переменного напряжения повышенной частоты в постоянное.
Выпускаются в металлостекдянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 3 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение, не более:
при /пр = 1 А, 213 К............................. 1,2 В
при 298 К....................................... 1.0 В
при 7пр = 10 А, 213 К .......................... 1,6 В
при 298 К . .................................... 1.4 В
Постоянный обратный ток, не более, при С''обр =
= ^обр,макс< температуре от 213 до 298 К . . . . 50 мкА
Средний обратный ток при Со6р = [/о6р и макс, нс более:
448 К, /прср = 0.................'.............. 10 мА
358 К, Zllp cp=10 А............................. 2 мА
Заряд переключения при Совр =10 В. /пр = 200 мА,
нс более............................................80 иКл
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное с Тф > 1 мкс обратное на-
пряжение:
2Д216А.............................................. 100 В
2Д216Б.......................................... 200 В
118
Постоянный и средний прямой ток................... 10 А
Импульсный прямой ток ............................з j
Частота выпрямления...............................100 кГц
Температура корпуса.................................. 443	рг
Окружающая температура...............................  21	з	к	до
= 448 К
Температура перехода................................. 44g
Примечания: 1. Допускайся работа диода при Г'
1	л 1 'vp	wp.MaKL
произвольной формы:
с частотой до 50 кГц при Тф >0.3 мкс и 7пр < /г[р>срлга,сс. но
не более 3 А;
с частотой до 30 кГц при тф > 0,1 мкс и /пр,ср </пр,ср.™кс.
но не более 1 А.
2.	Допускается работа диодов на емкостную нагрузку, при этом
эффективное значение прямого тока не должно превышать
L57 /Пр,сР.макс-
3.	При монтаже диодов не допускаются механические воздей-
ствия на остеклованную поверхность диода и крепление диода за
эту поверхность или пайка по всей длине тонкого вывода диода;
допускается ввинчивание диода.
4.	Допускается послсдова!ельное соединение любого числа диодов
одного типа при условии, что обратное напряжение на каждом
диоде не превышает максимально допустимого значения.
Допускается параллельное соединение любого числа диодов од-
ного типа при условии, что прямой ток через каждый диод не
должен превышать .максимально допустимого.
Зависимость прямо! о
юка от напряжения.
Зависимость обратного тока от
напряжения.
1 19
п
Зависимость допустимого пря-
мого гока от температуры
корпуса.
2Д217А, 2Д217Б
Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобра-
зования переменного напряжения повышенной частоты в постоянное.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вывода-
ми. Тип диода и схема соединения электродов с выводами при-
водятся на корпусе.
Масса диода не более 1.5 г.
Место маркировки
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение, не более:
при /пр	=	1	А.	213	К..................................... 1.3	В
при /пр	=	1	А,	298	К..................................... 1,1	В
при 711р	=	3	А.	298	К..................................... 1.3	В
при /пр	=	3	А.	213	К..................................... 1.5	В
Постоянный обратный ток, не более:
при С'обр = Ц,бр.маке и температуре о г 213 до
298 К................................................... 50	мкА
при 398 К..............................................2000	мкА
Средний обратный ток при Т’обр = СобрЛ11|1(с. / = 50 Гц.
7ip.cp = । А ПРИ	398	К,	Тпр.ср	=	3	А	при	298	К	. . .	2000	мкА
Заряд переключения	при	/пр	=	200	мА.	Г'..г,Р =	10	В.
не более................................................... 20	нКл
120
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное с Тф 1 мкс обратное на-
пряжение :
2Д217А............................................. 100	В
2Д217Б.........................................  200	В
Постоянный и средний прямой ток:
от 213 до 298 К .................................. ЗА
при 398 К........................................ 1	А
Импульсный прямой ток.............................3 1„р с м<ик
Частота без снижения режимов......................J00 кГц
Темпера!ура окружающей среды.........................От	213
до 398 К
Примечания: 1. При распайке диодов на печатную плату
толщиной 1,5 мм и расстоянии между точками крепления от 12,5 до
37,5 мм 7Пр.макс или /Пр.сГ,макс ПРИ 298 К ие более 1.1 А,
2.	Допускайся работа диодов на емкостную нагрузку, при этом
эффективное значение прямого тока нс должно превышать
’57 /пг.ср.
3.	Допускайся работа диода при С’обр = Ь’о5р макс произвольной
формы:
с частотой до	50	кГц	при тф > 0.3	мкс и	/пр.ср = /пр.срл,акС:
с частотой до	30	кГц	при тф > 0.1	мкс и	7,1р.ср < Лр.ср.макс
но не более 1 А.
4.	При монтаже диодов не допускаются механические воздей-
ствия на остеклованную поверхность диода.
5.	Допускается последовательное и параллельное соединение лю-
бо! о числа диодов.
Зависимое !ь прямого
тока от напряжения.
Зависимость обратного тока
от напряжения.
121

Зависимость допустимого пря-
мого тока от температуры.
Зависимость допустимою пря-
мого тока от теплового со-
противления переход — среда.
2Д219А, 2Д219Б
Диоды кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки. Пред-
назначены для работы в низковольтных вторичных источниках
электропитания на частотах до 200 кГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жес1кими выво-
дами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами при-
водя 1ся на корпусе.
Масса диода не более 8 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение, не более:
при /„р=10 А............................................... 0.6 В
при /„]. = 5 Л...................................... 0.54* В
при 7пр = 35 А...................................... 0.92* В
Средний обратный ток. не более:
При Собр ~ ^обр.махс' Tip.ср ~ А -'-58 К................... ; "иТс
ИрИ ~ ^пбр.мак-с. Лр.ср = 5 А. К .	.	.	.	.	? .мА
Постоянный обратный юк при Coi-,p = (.'Л-,р.Г2,,г. не
более:
от 213 до 298 К ........................................... 20 мА
при 373 К........................................ 150 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное обратное напряжение
2Д219А......................................... 15	В
2Д219Б........................................ 20	В
?7
Постоянный и средний прямой ток:
or 213 до 358 К.......................................... 10	А
при 373 К............................................ 5	А
Импульсный прямой ток:
одиночный импульс ти < 10 мс с периодом пов-
торения не .менее 10 мин..........................25	/пр,ср.чак.с
серия импульсов (не более 90) ти -< 10 мс, f — 50 Гц
с периодом повторения серии не менее 10 мин . . .10 1Н с
Частота без снижения режимов........................... 200	кГц
Наименьшая температура окружающей среды ....	213 К
Наибольшая температура корпуса......................... 373	к
Температура перехода .................................. 398	К
Зависимость прямого тока
от напряжения.
Зависимость
ооратного тока от на-
пряжения.
Зависимость
допустимого прямою то-
ка oi температуры.
2Д220А, 2Д220Б, 2Д220В, 2Д220Г, 2Д220Д, 2Д220Е,
2Д220Ж, 2Д220И
Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для приме-
нения в высокочастотных выпрямительных и преобразовательных
устройствах.
123
Выпускаются в ме1аллостеклянном корпусе с жесткими выво-
дами. Диоды маркируются со стороны положительного (нерезьбо-
вого) вывода двумя цветными ючками. Первая точка обозначает
диапазон часюг работы диода: белая —ot 1 до 50 кГц (2Д220А.
2Д22ОБ, 2Д220В, 2Д22ОГ), красная — от 50 Гц до 20 кГц (2Д220Д.
2Д22ОЕ. 2Д220Ж. 2Д220И) Вторая точка определяет тип диода
белая — 2Д220А и 2Д220Д; зеленая — 2Д220Б и 2Д220Е: желтая —
2Д220В и 2Д220Ж; голубая - 2Д220Г и 2Д220И
Масса диода не более 3 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение не более:
при /пр = 1 А
при 213 К
2Д220А. 2Д220Б, 2Д220В, 2Д220Г............... 1,4 В
2Д220Д, 2Д220Е, 2Д220Ж. 2Д220И............... 1,3 В
при 298 К
2Д220А, 2Д220Б. 2Д220В, 2Д220Г............... 1,2 В
2Д220Д, 2Д220Е. 2Д220Ж, 2Д220И................ 1,1	В
при /пр = 3 А :
при 298 К
2Д220А, 2Д220Б,	2Д220В, 2Д220Г.............. 1.5	В
2Д220Д, 2Д220Е.	2Д220Ж, 2Д220И.............. 1.3	В
при 213 К
2Д220А. 2Д220Б.	2Д220В, 2Д220Г.............. 1,7	В
2Д220Д, 2Д220Е.	2Д220Ж. 2Д220И.............. 1,5	В
Постоянный обратный юк при С оаг = С01-1р .,а|и.. ие
более:
при 298 К.......................................... 45 мкА
при 398 К......................................! 500 мкА
Средний обратный ток в режиме однополупериодиого
выпрямления синусоидального напряжения часютой
50 Гц при С05р = БО0рМЛКС, Гк — 428 К, не
более ............................................. 2000	мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр = 1 А, Со5р = 5 В, не более:
2Д220А, 2Д220Б, 2Д220В, 2Д220Г.....................0,5	мкс
2Д220Д, 2Д220Е, 2Д220Ж. 2Д220И.................. I	мкс
124
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
2Д220А.	2Д220Д................................. 400	В
2Д220Б.	2Д220Е................................... 600	В
2Д220В.	2Д220Ж................................... 800	В
2Д220Г.	2Д220И................................. 1000	В
Импульсное обратное напряжение:
в диапазоне частот от 1 .то 50 Гц при тф > 0.5 мкс
2Д220А............................................... 400	В
2Д220Б........................................... 600	В
2Д220В........................................... 800	В
2Д220Г.......................................... 1000	В
в диапазоне частот от 50 Гц до 20 кГц при
т,,, > 1 мкс
2Д220Д........................................... 400	В
2Д220Е........................................... 600	В
2Д220Ж........................................... 800	В
2Д220И..........................................1000	В
Постоянный прямой ток при Тк от 213 до
398 К............................................... ЗА
Средний прямой ток в режиме выпрямления напряжения
любой формы со скважностью, равной или более 1,3:
при Гк от 213 до 398 К. f < 10 кГц. тф > 0.5 мкс
для 2Д220А, 2Д220Б. 2Д220В, 2Д220Г.................. ЗА
при Тх от 213 до 398 К, /= 50 кГц, тф Д 0.5 мкс
для 2Д220А, 2Д220Б, 2Д220Г..................... 0.5 А
при Тк от 213 до 398 К, /= 10 кГц. т,. > ] мкс
для 2Д220Д, 2Д220Е, 2Д220Ж. 2Д220И............. ЗА
при Тк от 213 до 398 К. /= 20 кГц, тф Д 1 мкс для
2Д220Д, 2Д220Е. 2Д220Ж, 2Д220И................. 0,5 А
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мс (одиночный
импульс) до 398 К и периодом повторения не менее
10 мин.............................................. 60 А
Частота без снижения режима........................щ крц
Тепловое сопротивление кристалл — корпус...........3 5 К/Вт
Температура корпуса диода..........................От т;з
до 428 К
Температура перехода............................... 448 К
Примечания: 1. При монтаже .диодов не допускаются креп-
ление за остеклованною поверхность и механические воздействия
на нее.
2. При остановке диодов на теплоотвод рекомендуется приме-
нение теплопроводной пас1ы КПТ-8 (ГОСТ 19783-74).
3. Допускается последовательное и параллельное соединение _тю-
бог о числа диодов
125
Зависимость допустимого пря-
мого тока от температуры
Зависимость допустимого им-
пульсного прямого гока от час-
тоты.
корпуса.
Раздел четвертый
ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ СТОЛБЫ И БЛОКИ
Д1004, Д1005А, Д1005Б, Д1006, Д1007, Д1008
Д1004-, Д1005
Д1005Б, Д100£, ДЮ07, Д1008
Сюлбы из кремниевых
сплавных диодов. Выпускаются
в пластмассовых корпусах с
жесткими выводами. Тип прибо-
ра и схема соединения электро-
дов с выводами приводятся на
корпусе.
Масса столбов ДЮ04,
ДЮ05А не более 35 i, Д1005Б,
Д1006. Д1007. Д1008 не бо-
лее 60 г.
126
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /пр ср = 100 мА для
Д1004. Д1005Б. Д1006: 75 мА для Д1007; 50 мА для
Д1005А, Д1008. не более:
при 298 К
Д1004. Д1005А.................................. 5 В
Д1005Б, Д1006, Д1007. Д1008 .................... 10	В
при 213 К
Д1004, Д1005А.................................. 6 В
Д1005Б. Д1006. Д1007. Д1008 .................... 12	В
Средний обратный ток при 6. Tip = 2000 В для Д1004;
4000 В для Д1005А. Д1005Б; 6000 В для Д1006:
8000 В для Д1007: 10 000 В для Д1008, не более:
при 298 К..........................................100	мкА
при 398 К........................................ 250	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение при температуре от
213 до 398 К:
Д1004 .............................................. 2000	В
Д1005А. Д1005Б................................ 4000	В
Д1006 ........................................ 6000	В
Д1007 ........................................ 8000	В
Д1008...........................................10000	В
Средний прямой ток:
от 213 до 353 К
Д1004, Д1005Б. Д1006 ............................100	мА
Д1005А, Д1008	  50	мА
Д1007 ........................................... 75	мА
при 373 К
Д1004. Д1005Б, Д1006 .......................... 60	мА
Д1005А, Д1008	............................. 30	мА
Д1007 ....................................... 40	мА
при 398 К
Д1004, Д1005Б, Д1006 ............................ 40	мА
Д1005А, Д1008	  20	мА
Д1007 .......................................... 30	мА
Частота без снижения режимов .......................... 1	кГц
Температура окружающей среды.......................От 213
до 398 К
Температура корпуса................................ 413 К
Примечания: 1. Допускается работа столбов на емкостную
нагрузку при условии, чю эффективное значение тока через столб
не превышает 1,57 значения среднего прямого тока.
2. Допускается работа столбов на частотах выше 1 кГц при
условии, что значение среднего обратного тока будет не более
250 мкА.
3. Допускается перегрузка столбов по прямому току до 2,5 А
в течение 3- -4 периодов.
127
4. Допускается параллельное
соединение столбов одного типа,
столб необходимо шунтировать
выбирается из условия С = 2.К
и последовательное (до 50 кВ)
При последовательном соединении
конденсатором, емкость которог.
С;А-. где емкосгь столбоь
относительно 5емли. X’ — число
Зависимость среднего прямого
Поспеловагельно соединенных столссщ
5. При монтаже столбов долж-
ны быть нринягы меры по обес-
печению электрической прочное гл.
изоляции, а также по обеспечении,
емкости столба относительно зем-
ли менее 3 пФ. Для этого воз-
душный промежуток между шасси
и корпусом столба должен быть
не менее 5 мм. Целесообразно
располагать столбы вертикально
по отношению к шасси для обес-
печения минимальной емкости.
6. При давлениях ниже
5,3 104 Па выводы столбов и
оголенные части подводящих про-
водов должны быть защищены изо-
пирующими материалами для пре-
дотвращения пробоя по по-
тока от температуры.
верхности.
Д1009, Д1009А, ДЮНА
Столбы из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корп>се с заливкой эпоксидным
компаундом с жесткими выводами. Тип прибора и схема соедине-
ния элек I родов с выводами приводятся на корпусе.
Масса столба не более 53 г.
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при = 300 мА, не более:
при 298 К
Д1009 ......................................... 2.6	В
Д1009А, ДЮНА................................... 1,5	В
128
при 213 К
Д1009 ....................................... 3,3 В
ДЮ09А, ДЮНА................................ 2,0 В
Средний обратный ток при Со6р.и = 2000 В для Д1009,
1000 В для Д1009А, 500 В для ДЮНА, /прср = 300 мА,
не более:
при 298 К....................................100 мкА
при 358 К.................................... 300 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение синусоидальной фор-
мы при температуре от 213 до 358 К:
Д1009 ...................................... 2000	В
ДЮ09А........................................1000	В
ДЮНА.......................................... 500	В
Средний прямой ток в режиме однополупериодного
выпрямления напряжения синусоидальной формы при
температуре от 213 до 358 К...................... 300 мА
Частота без снижения режимов..................... 1 кГц
Температура окружающей среды.....................От 213
до 358 К
Температура корпуса.............................. 373 К
Примечания: 1. При монтаже допускается одноразовый изгиб
выводов на расстоянии не ближе 5 мм от корпуса столба.
2. При давлениях ниже 0,54 Ю4 Па выводы столбов и оголен-
ные части подводящих проводов должны быть защищены изоли-
рующими материалами для предотвращения пробоя по поверхности.
Степень снижения предельных электрических режимов в зависимости
от давления в диапазоне до 666 Па и ниже должна выбираться
из условия, чтобы температура на корпусе в процессе работы не
превышала 373 К.
3. Допускается работа столбов на частотах выше 1 кГц при
условии, что среднее значение обратного тока не будет превышать
500 мкА.
4. Допускается работа столбов на емкостную нагрузку при усло-
вии, что эффективное значение тока через столб не превышает
1,57 значения среднего прямого тока.
5. Допускаются перегрузки ио прямому току до 2,5 А в те-
чение 3—4 периодов.
2Ц101А
Столб из кремниевых сплавных диодов.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приво-
дятся на корпусе. Положительный вывод отмечен точкой на торце
прибора.
Масса столба не более 2 г.
5 под ред. Н. Н. Горюнова
129
<w
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /п|, = 50 мА, не
более............................................... 8.3	В
Постоянный обратный ток при t/n6p = 700 В, не
более:
при 298 К.......................................... 10	мкА
при 343 К..........................................100	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 343 К ......................................... 700	В
Постоянный прямой ток при температуре от 213
до 343 К............................................... 10	мА
Средний выпрямленный ток (время усреднения не более
10 с) при температуре oi 213 до 343 К................ 10	мА
Импульсный прямой ток при температуре от 213
до 343 К..............................................   1	А
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от
213 до 343 К ......................................  0,3	Вт
Частота без снижения режимов при температуре от
213 до 343 К .......................................  20	кГц
Температура окружающей среды............................От	213
до 343 К
Примечание. Столбы допускают последовательное соедине-
ние без специального подбора при условии, что обратное напря-
жение на них не превышает предельного значения.
вольт-амперных характеристик.
вольт-амперных характеристик.
130
Зона возможных положений
вольт-амперных характеристик.
2Ц102А, 2Ц102Б, 2Ц102В
Сю.тоы из кремниевых сплавных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с
Тип прибора н схема соединения злек|родов
дятся на корпусе.
Масса столба не более 5 i .
гибкими выводами,
с выводами ириво-
Элекгрические параметры
Постоянное (среднее) прямое напряжение при /, ср =
— 100 мА при 213 и 298 К, и 50 м\ при 398 К, не
более:
при 298 и 398 К................................ 1.5 В
при 213 К...................................... 2,0 в
Постоянный (средний) обратный ток для 2Щ02А при
L'onp = 800 В, для 2Ц102Б - 1000 В, для 2Ц102В -
1200 В, не более:
при 298 К............................................ мкА
при 398 К.........................................  МкА
при 213 К.........................................  мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 398 К.
2Ц1О2А........................................... 800	В
2Ц102Б.......................................... 1000	В
2Ц102В.......................................... 1200	В
5
131
Постоянный (средний) прямой ток:
при температуре от 213 до 358 К.................100 мА
при 373 К....................................... 70 мА
при 398 К.......................................50 мА
Частота без снижения режимов........................ I кГц
Температура окружающей среды........................от 213 до
398 К
Примечания: I. Допускается работа столбов на частотах,
превышающих I кГц, при условии, что значение обрашого тока
на частоie и в режимах, не превышающих предельные, будет не
более 500 мкА среднего значения.
2. Столбы допускают перегрузки по прямому току, не превышаю-
щие 2,5 А. в течение 3 — 4 периодов.
3. Допускается последовательное соединение столбов при условии,
что обратное напряжение па каждом столбе не превышает предель-
ного. При последовательном соединении каждый из последова1ельно
соединенных столбов рекомендуется шунтировать выравнивающим
конденсатором.
Зависимость среднего или по-
стоянною прямого тока oi тем-
пературы.
2Ц103А, 2Ц103В
Столбы из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на его корпусе. Положительный вывод
отмечен точкой на торце корпуса прибора.
Масса столба не более 2 г.
132
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА, не
более:
при 298 К....................................... 9	в
при 213 К...................................... 12	В
Постоянный обратный ток при CoSp = 2000 В (для
2Ц103В при Го5р = Ю00 В), не более:
при 298 К.........................................  мкА
при 348 К.......................................80	мкА
Предельные эксплуатапиоииые данные
Постоянное (или любой формы) обратное напряжение
при температуре от 213 до 348 К:
2Ц103А........................................... 2000 В
2Ц103В...........................................1000 В
Постоянный прямой ток или среднее значение прямого
тока при температуре от 213 до 348 К................. 10 мА
Импульсный прямой ток при среднем значении тока
за 2 с не более 50 мА и температуре 213 до
348 К................................................ 1 А
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от 213
до 348 К.............................................0, 35 Вт
Частота при синусоидальном сигнале без снижения
режима при температуре от 213 до 348 К:
при /вп, ср = 10 мА.............................50 кГц
при /Вп.ср = 5 мА...............................100 кГц
Тепловое сопротивление общее.........................150 К/Вт
Температура окружающей среды.........................от 213 до
348 К
Примечания: 1. Допуска-
ется работа столбов на емкост-
ную нагрузку при условии, что
амплитуда обратного напряжения
не превышает предельного значе-
ния, а зарядный ток ие превы-
шает 1 А при среднем значении
за 2 с не более 50 мА.
2. Допускается последователь-
ное соединение столбов без спе-
циального подбора при условии,
что обратное напряжение на них
не превышает предельного зна-
чения.
Допускается параллельное со-
единение столбов при условии от-
сутствия перегрузок любого столба
по прямому току.
Зависимость предельной часто-
ты выпрямления от прямого
тока.
133
Щ104АИ
Столб из 1ерманиевых диффузионных диодов. Предназначен для
работы в импульсном режиме.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тин
прибора указывается на его корпусе. Положительный вывод отмечен
точкой на торце прибора.
Масса столба не более 5 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА, не
более:
при 298 К.........................................От 5.5 до
8,0 В
при 213 К......................................... 15	В
Импульсное прямое напряжение при /пп „ = 20 мА,
f < 1/60 Гц, не более................................. 17	В
Постоянный обратный ток при Г'обр = 2000 В. не более 150 .мкА
Время переключения при /пр = 30 мА, U0^p „ = 30 В,
/С 700 Гц..............................................От	0.3 до
1.5 мкс
Длительность среза импульса обратного тока при /пр =
= 30 мА, t/o6p н = 30 В, /<700 Гц, не более . . . 0,25 мкс
Импульсный обратный ток при 17о6р и = 2000 8. / < 1/10 Гц
и 343 К, не более...................................... 5	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре:
от 213 до 308 К..................................... 1000	В
при 323 К........................................ 400	В
при 343 К........................................ 200	В
Импульсное обратное напряжение при одиночных импуль-
сах (с частотой следования не более 1/60 Гц).
ти < 20 мкс и температуре от 213 до 343 К . . . .	2000 В
Импульсное обратное напряжение в режиме переключения
с прямого тока до 15 А и длительности импульса
прямого тока до 30 мкс при температуре от 213 до
343 К (длительность импульса обратного напряжения
не более 20 мкс)........................................ 1600	В
134
Постоянный прямой ток при температуре:
от 213 до 343 К......................................
при температуре от 213 до 308 К в течение не
более 10 с ......................................
Импульсный прямой ток при одиночных импульсах
(с частотой следования не более 1/60 Гц) длитель-
ностью до 100 мкс....................................
Частота выпрямления на активную нагрузку (форма
тока - синусоидальная) при температуре от 213 до
343 К................................................
Температура окружающей среды........................
10 мА
50 мА
20 А
10 кГц
От 213 до
343 К
Примечания: 1. Допус-
кается параллельное соединение
столбов при условии обеспече-
ния отсутствия перегрузки по
прямому току.
2. Допускается последова-
тельное соединение столбов
при условии, что обратное на-
пряжение на каждом столбе не
превышает предельного.
Зависимость обратного напря-
жения от температуры.
КЦ105А, КЦ105Б, КЦ105В, КЦ105Г, КЦ105Д
Столбы из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приво-
дятся на корпусе.
Масса столбов КЦ105А. КЦ105Б не более 10 г, КЦ105В,
КЦ105Г. КЦ105Д ие более 15 i.
135
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при /п ср = 100 мА для КЦ105А.
КЦ105Б. КЦ105В: 75 мА для КЦ105Г: 50 мА для КЦ105Д.
не более:
КЦ105А, КЦ105Б................................... 3.5 В
КЦ105В, КЦ105Г. КЦ105Д........................... 7.0 В
Средний обратный ток при Собр „ = 2000 В для КЦ105А: 4000 В
для КЦ105Б; 6000 В для КЦ105В; 7000 В для КЦ105Г: 8500 В
для КЦ10.5Д. не более:
при 298 К.........................................100	мкА
при 358 К........................................ 200	мкА
Время восстановления обратною сопротивления при
С(,Ср Ц = 30 В. /||р „ = 1000 мА. 7О1СЧ = 10 мА. не более 3 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение:
КЦ105А...................................... 2000 В
КЦ105Б...................................... 4000 В
КЦ105В...................................... 6000 В
КЦ105Г...................................... 7000 В
КЦ105Д...................................... 8500 В
Средний прямой юк:
КЦ105А,	КЦ105Б,	КЦ105В....................100 мА
КЦ105Г...................................... 75 мА
КЦ105Д......................................50 мА
Частота без	снижения	режимов................... 1 кГц
Температура окружающей среды.....................От	233 до
358 К
2Ц106А, 2Ц106Б, 2Ц106В, 2Ц106Г, КЦ106А, КЦ106Б,
КЦ106В, КЦ106Г, КЦ106Д
Столбы из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводах™.
Тип прибора указывается па корпусе. Положительный вывод при-
бора отмечен точкой на торце корпуса.
Масса ст олба не более 2,5 г.
136
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при / = Ю мА, не более-
при 298 К........................................ "’5 В
при 213 К (218 К для КЦ106А. КЦ106Б
КЦЮ6В, кцюбг. кцюбД).........................;	35 в
Постоянный обратный ток при [7о6 = 4000 В для
2Ц106А, КЦ106А: 6000 В для 2Ц106Б. КЦ106Б-
8000 В для 2Ц106В. КЦ106В; 10 000 В для 2Ц106Г
КЦ106Г: 2000 В для КЦ106Д. не более:
"Р11 298 к........................................ мкА
при 398 К для 2Ц106А,	2Ц106Б,	2Ц106В.
2ЦЮ6Г............................................. мкА
при 358 К для КЦ106А. КЦ106Б. КЦ106В, КЦ106Г.
кЦ|06Д........................................30 мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
Aip — 20 мА. б’О15р и — 500 В. = 25 кОм, длитель-
ности фронта переключения 0.2 мкс. не более ....	35 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение (или амплитудное любой формы
и периодичности) при темпера type:
от 213 до 358 К (ог 218 К для КЦ106А, КЦ106Б
КЦ106В, КЦ106Г. КЦ106Д)
2 Ц106А, КЦ106А............................... 4000	в
2Ц106Б, КЦ106Б................................ 6000	в
2Ц106В, КЦ106В................................... в
2Ц106Г, КЦ106Г................................юооо	В
КЦ106Д........................................ 2000	В
при 398 К
2Ц106А.........................................  1000	В
2ЦЮ6Б......................................... 2000	В
2Ц106В........................................ 3000	В
2Ц106Г........................................ 4000	В
Постоянный прямой ток при температуре:
от 213 до 358 К (от 218 К для КЦ106А, КЦ106Б
КЦ106В, КЦ106Г, КЦ106Д)......................\	10 мА
при 398 К для 2Ц106А, 2Ц106Б, 2Ц106В, 2Ц106Г I мА
Импульсный прямой ток при ги = 50 мкс, /= 1 имп/мин,
работе на активную нагрузку и при форме питающего
напряжения в виде симметричной синусоиды или сим-
метричного меандра с фронтом переключения не менее
5 мкс при температуре от 213 до 358 К (от 218 К
для КЦ106А, КЦ106Б, КЦ106В, КЦ106Г, КЦ106Д)	1 А
Частота без снижения режимов................... 20 кГц
137
Температура окружающей среды:
2Ц106А. 2Ц106Б, 2Ц106В. 2Ц106Г.......................От	213 до
398 К
КЦ106А. КЦ106Б. КЦ106В. КЦ106Г. КЦ106Д. . . От 218 до
.358 К
Тепловое сопротивление общее........................120	К/Вт
Температура перехода.................................. 4I3K
Примечания: I. Допускается работа столбов на емкостную
нагрузк} при условии, что амплитуда тока заряда емкости не пре-
вышает 60 мА, амплитуда обратного тока — 20 мА.
2.	Рекомендуется изолировать поверхность потенциального выво-
да. Допускается работа без изоляции потенциального вывода при
давлениях: при Со6р = 10000 В 6,66 Ю4 Па; при Т'обр = 8000 В
5,3.3  104 Па: при Г7о6р = 6000 В 5.0-104 Па; при С/о6р = 4000 В
2,67- 104 Па.
3.	Столбы 2Ц106Б. 2Ц106В, КЦ106Б, КЦ106В допускают работу в
повторно-кратковременном режиме в емкостных схемах зажигания. Ре-
жим работы схемы: повторно-кратковременными циклами по 10
включений, длительность одного включения не более 1 мин, перерыв
между включениями не менее 2 мин. перерыв между циклами не
менее 10 мин.
4.	Обратные напряжения на столбах 2ЦЮ6Б. 2Ц106В не должны
превышать соответственно 6 и 8 кВ. Частота следования импульсов
не более 30 Гц. Фронт переключения с прямого тока на. обратное
напряжение нс менее 200 мкс. Средний выпрямленный ток: до
40 мА для 2Ц106Б, до 30 мА для 2Ц106В. Допускается производить
включение в течение 3 мин с перерывом не менее 10 .мин. Таких
включений должно быть не более 1 общею количества одно-
минутных включений. При температуре окружающей среды от 213
до 373 К количество одноминутных включений нс более 5000.
Зависимость максимально
допустимого обратного на-
пряжения от температуры.
Зависимость максимально
допустимого прямого тока
от температуры.
138
Зависимость среднего выпрям-
ленного тока от частоты при
температуре от 213 до 353 К
при работе на активную на-
грузку.
Зависимость обратного тока
перегрузки о г длительности
импульса перегрузки.
Зависимость импульсного прямого юка от длительности импульса
перегрузки.
2Ц108А, 2Ц108Б, 2Ц108В
Столбы из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе. Масса столбов 2Ц108А, 2Ц108Б не более 20 г
2Ц108В не более 25 г.
ZU,108(A,6)
139
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при среднем прямом токе 180 мА
в режиме однополупериодного выпрямления синусоидального на-
пряжения частотой 50 Гц, не более:
при 298 К
2Ц108А,	2Ц108Б.................................... 6	8
2Ц108В............................................. 10	В
при 213 К
2Ц108А,	2Ц108Б................................... 7,5	В
2Ц108В............................................ 12,0	В
Средний обратный ток при импульсном обратном напряжении си-
нусоидальной формы частотой 50 Гц для 2Ц108А 2000 В, 2Ц108Б
4000 В, 2Ц108В 6000 В, не более:
при 298 К и /пр Ср = 180 мА..........................150 мкА
при 398 К и /пр,Ср = 40 мА.......................1000 мкА
Время восстановления обратного сопротивления в режиме
переключения с /пр и = 1 А на С'о6р и = 30 В при со-
противлении нагрузки 500 Ом..........................От 0,6 до
0,9 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение произвольной формы с крутизной
фронтов нс более 3000 В/мкс в диапазоне частот от 50 Гц до
50 кГц и температуре корпуса от 213 до 403 К:
2Ц1О8А........................................... 2000	В
2Ц108Б....................................... 4000	В
2Ц1О8В....................................... 6000	В
Средний прямой ток в режиме выпрямления напряжения произволь-
ной формы с частотой от 50 Гц до 50 кГц при давлении
от 10,1  104 до 666 Па, /пр „ < 3,14 /пр ср:
при температуре корпуса от 213 до 373 К........100 мА
при температуре корпуса 403 К..................20 мА
Импульсный перегрузочный прямой ток при длительности фронта
импульса Тф > 1 мкс, ти < 10 мс (не более 3 импульсов в течение
20 мин с интервалами между импульсами не менее 1 мин):
при температуре корпуса от 213 до 373 К.......... 5000	мА
при температуре корпуса 403 К.................... 1500	мА
Температура окружающей среды.........................От	213 до
398 К
Температура корпуса................................... 403	К
Примечания: 1. Выводы столбов и оголенные части под-
водящих проводов должны быть защищены изолирующими мате-
риалами при давлениях ниже 1,6-104 Па для 2Ц108Б, 2Ц108В и
ниже 0,4 104 Па для 2Ц108А. При давлениях ниже указанных пре-
дельное импульсное обратное напряжение имеет следующие значения:
140
Таблица 4.1
Атмосферное давление. Па	1!мп\тьснос обратное напряжение, В		
	21110S.A	2ЦШ	2Ц108В
1.6' 10-1	2000	4000	6000
0.4- 10-»	2000	2000	2600
666	1500	1500	1700
2. Допускается последовательное соединение двух столбов одного
типа на напряжение до 8000 В для 2Ц108В и на напряжение до
5600 В для 2Ц108Б.
Зависимость импульсного об-	Зависимость среднего прямого
ратного напряжения or атмос-	и импульсного тока от гемпе-
ферного давления.	ратуры корпуса.
КЦ109А
Столб из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе. Положительный вывод прибора
отмечен точкой на горце корпуса.
Масса столба не более 0,18 г.
141
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение при 7пр ср = 300 мА, не
более .................................................. 7	В
Среднее значение обратного тока при (7о6р = 6000 В, не
более...................................................10	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение....................... 6000	В
Среднее значение прямого тока......................... 300	мА
Импульсный прямой ток при среднем значении прямого
тока не более предельного и ти 55 мкс................... 1	А
Температура окружающей среды............................От	228 до
358 К
Зависимость среднею пря-
мого тока oi температуры.
Зависимость импульсного об-
ратною напряжения от 1емпе-
ратуры.
2Ц110А, 2Ц110Б
Столбы из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса столба не более 15 г.
142
Электрические параметры
Среднее прямое напряжение на частоте 50 Гц, не более:
при 298 К и 7„р,ср = ЮО мА..................................
при 398 К и Лр.ср = 25 мА...............................
при 213 К и /пр,ср = ЮО мА..............................
Средний обратный ток при Со5р и = 10000 В для 2Ц110А
и 15 000 В для 2Ц110Б, /= 50 Гц, не более:
при 298 К и /прл.р = 100 мА.............................
при 398 К и /пр,ср = 25 мА..............................
10 В
10 В
12 В
100 мкА
500 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение синусоидальной формы с/< 1 кГц
при температуре ог 213 до 398 К при давлении от 10 1 • 104 ло
5,33 104 Па:
2Ц110А........................................ 10000	В
2Ц110Б.........................................15000	В
при 666	Па.................................... 1500	В
Средний прямой ток на частоте/< 1 кГц:
при давлении от 10,1  104 до 5,33- 104 Па и температуре
от 213 до 343 К.................................100	мА
при 398 К....................................... 25	мА
при давлении 666 Па и температуре
от 213 до 343 К....................................20	мА
при 398 К........................................ 5	мА
Импульсный перегрузочный прямой ток при тф > 5 мкс. интервал
между импульсами > 90 с:
ПРИ ти < 2 с...................................... 20	/пр
при ти < 0,02 с................................... 5Q	i
Температура окружающей среды........................... 213Рдо
398 К
Температура корпуса................................. 39g
Примечания: 1. Допускается кратковременная работа столбов
2Ц110Б (3 мин работа, 15 мин пауза) при Собри= 16000 В
и 7пр,ср.макс = 100 мА ПРИ температуре от 213 до 328' К и 50 мА
при 358 К. Наработка в этом режиме не более 60 часов.
2.	Крепление столбов осуществляется за выводы. Монтаж столбов
непосредственно на металлические шасси не допускается. При монтаже
столбов должны быть приняты меры по обеспечению емкости столба
относительно земли не более 3 пФ.
3.	Допускается последовательное соединение двух столбов без
выравнивающих элементов, при этом прямое напряжение не должно
превышать 20 В.
4.	Допускается работа столбов при давлении ниже 5,33  104 Па
при С/о6р,и= 10000 В для 2Ц110А и 15000 В для 2Ц110Б, при этом
выводы столбов и оголенные части подводящих проводов должны
быть защищены изолирующими материалами.
143
Зависимость импульсного об-
ратного напряжения от дав-
ления.
Зависимость среднею прямого
юка oi давления.
Зависимость среднего прямою
тока от давления.
2Ц111А-1
Столб из кремниевых диффузионных диодов. Предназначен для
использования в герметизированной аппаратуре.	йг
Бескорпусный с защитным покрытием с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на упаковке. Положительный электрод
обозначается точкой на поверхности компаунда.
Масса сюлба не более 5 мг.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 1 мА. не более:
при 298 К........................................ 12	В
при 213 К........................................ 14	В
144
Постоянный обратный ток при С'о5р = 3000 В, не более:
при 298 К..........................................0,1	мкА
при 333 К......................................0.5	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 333 К............................... 3000 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
333 К............................................. 1 мА
Средний выпрямленный ток на частоте f < 400 Гц при
температуре от 213 до 333 К....................... 1 мд
Импульсный прямой ток при длительности импульса
перегрузки ти < 100 мкс при температуре от 213 до
333 К............................................. 1 А
Частота при среднем выпрямленном токе 200 мкА при
температуре от 213 до 333 К.......................20 кГц
Температура окружающей среды.........................  213	до
333 К
Примечание. Допускается работа столбов при любой форме
питающего напряжения при скорости изменения не более З Ю8 В/с.
Зависимость импульсного прямого
тока от длительности перегрузки.
0,8
Зависимость импульсного прямого	дд
тока от длительности перегрузки.	'
0,4
o,z
0
Зависимость среднего выпрямлен-
ного тока от частоты.	Д/	;	эд
145
2Ц112А
Столб из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускайся в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на этикетке. Вывод анода обозначается
точкой на торце корпуса.
Масса столба не более 0,25 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 10 мА, не более:
при 298 К...................................... 10 В
при 213 К......................................... 12В
Постоянный обратный гок при (/.,бр — 2 000 В. не более:
iipi-1 298 К..........................................10	мкА
при 358 К.........................................50	мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
/,,р и = 20 мА. Со5р „ = 50 В, не более..............0.3	мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
от 21.3 до' 358 К................................... 2 000 В
при 398 К....................................... 600 В
Постоянный прямой ток:
от 213 до 358 К..................................... 10 мА
при .398 К...................................... 3 мА
Импульсный прямой ток при среднем значении тока
за 2 с не более 50 мА:
от 213 до .358 К.................................. 1 А
при .398 К при среднем значении юка за 2 с не
более 20 мА..................................... 0,5 А
Температура окружающей среды........................От 213 до
398 К
Примечания: 1. Допускается последовательное соединение
столбов без специально! о подбора при условии, что обратное напря-
жение на них не превышает допустимого значения.
2. Допускается параллельное соединение при условии отсутствия
перегрузок по прямому току.
146
в
1000
2,000
1500
1000
500
О
ггз 253 293 333 373 К 213 253 2 93 333 373 К 213 253 293 333 373 К
Зависимость постоян-
ного обратно! о на-
пряжения от темпера-
i уры
Зависимость постоян-
ного прямою тока от
темпера туры.
Зависимое ib импуль-
сного прямого тока от
темпера гуры.
2Ц113А-1
Столб из кремниевых диффузионных диодов. Предпа шачеп для
использования в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусный с защитным покрытием и гибкими выводами.
Тип прибора указывается на упаковке. Положительный вывод прибора
обозначается точкой на поверхности компаунда.
Масса cio.ioa не более 30 mi. Длина прибора 4 мм
от 298 до 358 К....................................  8	В
при 213 К.......................................... К)	в
Постоянный обратный i ок при (	= 1600 В. нс более
oi 213 до 298 К...................................0.05	мкА
прн 358 К..........................................1.5	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обраыгое напряжение при 1емпературе oi
213 до 358 К........................................1600 В
Посюянный прямой гок при температуре о/ 213 до
358 К...............................................0.5 мА
Средний выпрямленный ток на nacioie 400 Гц при 1ем-
иерагуре от 21.3 до 358 К...........................0,5 МА
Импульсный прямой ток при длительное) и импульса
перегрузки не более 100 мкс при температуре от 213
до 358 К............................................ 1.5 А
147
Частота без снижения режимов при температуре
от213 до 358 К....................................... 20 кГц
Температура окружающей среды.....................от 213 до 358 К
Примечания: 1. Снижение импульсного прямого тока. А.
при длительности перегрузки в интервале от 0.1 до 300 мкс опре-
деляется по формуле
_ 0,15
Л1р. и. макс	
Снижение среднего выпрямленною г ока. мА, на частотах выше
400 Гц определяется по формуле
СП макс = °-5 — 0.18 1g .
Bl J, tp. М4М	* С q •
где f— частота. кГц.
2, Допускается работа столбов при любой форме питающего
напряжения и скорости изменения напряжения \1' Аг < 3 10s В.с.
3. Не допускается монтаж столбов непосредственно на метал-
лическую поверхность без диэлектрических прокладок.
КЦ201А, КЦ201Б, КЦ201В, КЦ201Г, КЦ201Д, КЦ201Е
Столбы кремниевые диффузионные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса столбов КЦ201А, КЦ201Б не более 40 г, КЦ201В.
КЦ201Г. КЦ201Д — не более 70 г. КЦ201Е — не более 90 г.
Электрические параметры
Среднее значение прямого напряжения па частоте /' = 50 Гц при
/пр.ср = 500 мА, нс более:
КЦ201А, КЦ201Б.................................. ЗВ
КЦ201В, КЦ201Г. КЦ201Д........................ 6	В
КЦ201Е..................................... 10 В
148
Среднее значение обратного тока на частоте /= 50 Гц
ПРИ Со6р и = 2000 В для КЦ201А. 4000 В для КЦ201Б,
6000 В для КЦ201В, 8000 В для КЦ201Г, 10 000 В
для КЦ201Д, 15000 В для КЦ201Е, не более:
при 298 К и 7прср = 500 мА.......................... мкА
при 373 К и 7пр;ср = 500 мА..................... 250	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение любой формы с дли-
тельностью фронта импульса не менее 50 мкс, /'< 1 кГц
и температуре от 213 до 373 К:
КЦ201А............................................. 2000	В
КЦ201Б............................................. 4000	В
КЦ201В............................................. 6000	В
КЦ201Г............................................. 8000	В
КЦ201Д............................................ 10000	В
КЦ201Е............................................ 15000	В
Среднее значение прямого тока любой формы с длитель-
ностью фронта импульса не менее 50 мкс при
f < 1 кГц, температуре от 213 до 373 К.............. 500	мА
Импульсный перегрузочный ток при длительности
импульса перегрузки 100 мс при 298 К.................. з	д
Частота без снижения режимов.......................... ।	крц
Температура окружающей среды..........................От	213 до
373 К
2Ц202А, 2Ц202Б, 2Ц202В, 2Ц202Г, 2Ц202Д, 2Ц202Е
Столбы кремниевые лавинные диффузионные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе. Тип прибора и схема
соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса столбов 2Ц202А, 2Ц202Б не более 40 г, 2Ц202В, 2Ц202Г,
2Ц202Д - не более 70 г, 2Ц202Е - не более 90 г.
М5 2 от в.
149
Электрические параметры
Среднее значение прямого напряжения при /пр, ср = 500 мА
при 298 К и 100 мА для 2Ц202А, 2Ц202Б, 2Ц202В,
2Ц202Г, 2Ц202Д и 50 мА для 2Ц202Е при 398 К,
не более:
2Ц202А, 2Ц202Б.............................. ЗВ
2Ц202В. 2Ц2О2Г. 2Ц202Д.......................... 6	В
2Ц202Е.......................................... 10	В
при 213 К
2Ц202А,	2Ц202Б................................ 3.5	В
2Ц202В,	2Ц202Г,	2Ц2О2Д........................ 7.0	В
2Ц202Е......................................... 12.0	В
Среднее значение обратного тока при 6',,,-1р = 2000 В для
2Ц202А, 4000 В для 2Ц202Б, 6000 В для 2Ц202В,
8000 В для 2Ц202Г, 10 000 В для 2Ц2О2Д, 15 000 В
для 2Ц202Е, f- 50 Гц, не более:
при 298 К.....................................100 мкА
при 398 К
2Ц202А, 2Ц202Б. 2Ц202В, 2Ц202Г. 2Ц202Д ... 250 мкА
2Ц202Е...................................... 500 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение любой формы с длительностью
фронта импульса не менее 50 мкс. /< 1 кГц при температуре
от 213 до 398 К, давлении от 666 Па до 30.3- 104 Па:
2Ц202А...................................... 2000 В
2Ц202Б......................................... 4	000	В
2Ц202В...................................... 6000 В
2Ц202Г......................................... 8	000	В
2Ц202Д........................................ 10	000	В
2Ц202Е........................................ 15	000	В
Средний прямой ток любой формы с длшельностью
фронта импульса не менее 50 мкс, /< I кГц (ампли-
туда импульса не должна превышать 1,5 А):
при давлении от 6.66 Ю4 до 30.3  104 Па:
от 213 до 328 К............................... 500 мА
при 358 К
2Ц202А, 2Ц202Б, 2Ц202В, 2Ц2О2Г. 2Ц202Д .... 500 мА
2Ц202Е...................................... 300 мА
при 398 К
2Ц202А, 2Ц202Б. 2Ц202В. 2Ц202Г. 2Ц202Д ...	100 мА
2Ц202Е........................................ 50	мА
при 666 Па:
от 213 до 328 К...............................100 мА
при 358 К
2Ц202А, 2Ц202Б, 2Ц202В, 2Ц202Г, 2Ц202Д ...	100 мА
2Ц202Е...................................... 60 мА
при 398 К
2Ц202А, 2Ц202Б, 2Ц202В, 2Ц202Г, 2Ц202Д ...	30 мА
150
2Ц202Е............................................ 20	мА
Средний прямой ток синусоидальной формы в цикли-
чески повторяющемся режиме с частотой 1 кГц при
работе в охлаждающей жидкости при Тк < 343 К:
в течение Зс.............................................. 2А
в течение 12 с................................... 0,8 А
Импульсный перегрузочный прямой ток при переходных
процессах при длительности переходных процессов:
не более 1|?5 с..................................12 7Пр,ср
не более 0,05 с..................................30 /пр ср
Средний прямой ток любой формы с длительностью
фронта импульса не менее 50 мкс при 1 кГц
и амплитудой не более 2 А при работе в охлаждающей
жидкое, и при Тк < 343 К.............................. 1,2 А
Температура окружающей среды.........................От 213 до
398 К
Температура корпуса.................................. 403 К
Примечания: 1. Допускается параллельное соединение стол-
бов. Разрешается последовательное соединение столбов одного и того
же типа до напряжения:
30 кВ без применения шунтирующих элеменюв;
60 кВ с применением шунтирующих конденсаторов, емкость кото-
рых выбираегся из условия С = 2,8 С3ДР, где С, - емкость столбов
относительно земли; N — число последовательно соединенных столбов.
При монтаже столбов должны быть приняты меры, исключающие
возможноегь электрического пробоя, а также обеспечивающие емкость
столба С3 < 3 пФ.
2. При давлении ниже 5.33  104 Па выводы столбов и оголенные
части подводящих проводов должны быть защищены изолирующими
ма।ериалами для предотвращения пробоя по поверхпоси.
3. Допускается работа в любых охлаждающих жидкостях, не
разрушающих элементы столба, обладающих достаточной электри-
ческой прочностью г. обеспечивающих температуру корпуса столба
не более 343 К.
Зависимость среднего прямого
тока от давления.
Зависимость среднего прямого
тока от давления.
151
Зависимость среднею прямого
тока 07 частоты.
Зависимос1ь среднего прямого
тока от частоты.
2Ц203А, 2Ц203Б, 2Ц203В
Столбы кремниевые диф-
фу знойные.
Выпускаются в пластмас-
совом корпусе с плоскими
жесткими выводами. Тип при-
бора и схема соединения элект-
родов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса столба не более 50 г.
Электрические параметры
Среднее значение прямого напряжения при f = 50 Гц,
/пр ср = Ю00 мА, не более:
при 298 К........................................ 8 В
при 213К....................................... 10В
Среднее значение обратного тока при /= 50 Гц. СОбр и = 6000 В
для 2Ц2ОЗА. 8 000 В для 2Ц203Б, 10 000 В для 2Ц203В, не более:
при 298 К и /пр.ср = 1000 мА.......................100 мкА
при температуре корпуса 403 К и Aip.cp =
= 100 мА....................................... 500 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение любой формы с длительностью
фронта импульса не менее 50 мкс при f < 1 кГц, температуре
корпуса от 213 до 403 К:
2Ц203А......................................... 6	000	В
2Ц203Б......................................... 8	000	В
2Ц203В.........................................10	000	В
Среднее значение прямого тока любой формы с длительностью
фронта импульса не менее 50 мкс при f И 1 кГц и температуре
корпуса:
152
от 213 до 373 К.................................. 1 000 мА
403 К............................................ 100 мА
Импульсный перегрузочный прямой ток (одна полуволна
прямого тока синусоидальной формы/'= 50 Гц с интер-
валом следования не менее 1ч).....................30 /пр. ср. макс
Импульсный перегрузочный прямой ток (три полуволны
прямого тока синусоидальной формы/= 50 Гц с интер-
валом следования не менее 1 ч) . .................10 /пр ср х]акс
Температура окружающей среды.........................Oi 213 до
398 К
Температура корпуса.................................. 403 К
Примечания: 1. При давлениях ниже 0,93-10* 2 3 4 Па выводы
столбов и оголенные части подводящих проводов должны оьпь
защищены изолирующими материалами.
Разрешается применять столбы при давлениях ниже 0.93 Ю4 Па
без дополнительной изоляции, при этом необходимо снижать предель-
ное импульсное обратное напряжение в соответствии с данными
следующей таблицы:
Таблица 4.2
Давление, На
Импульсное обратное напряжение. В
0.93- 104
666
10 000
2500
2. Разрешается последовательное соединение столбов одного и юго
же типа до напряжения 3 1/о6р.и.макс без применения шунтирующих
элементов.
3. Допускается работа столбов на емкостную нагрузку при условии,
что амплитуда Porjp. „ на столбе не превышает ГОбр. и макс. а эффек-
тивное значение тока через столб не превышает 1.57 /)1р.ср.макс.
В
10000
8000
6000
4000
to 00
о
а
Зависимость импульсного об-
ратного напряжения от давле-
Зависимость среднего прямого
тока от температуры корпуса.
ния.
153
КЦ401А, КЦ401Б, КЦ401В, КЦ401Г, КЦ401Д
Блоки из кремниевых сплавных диодов.
Внутри блоков диоды соединены по схеме моста (КЦ401Б)
и по схеме удвоения напряжения (КЦ401А, КЦ401Б). Выпускаются
в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора и схема
соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса блока для KLI401A не более 90 г. для КЦ401Б - не более
НО 1.
КЦЦ01А
кццо1Г
35
Ис.палиг.чсбе-г «Ц401Б Исполнгни.в I
Схема, соединен и.й
для удёоителя
5 3
154
КЦЦ01В
Исполнение 1
ИсполнениеL
КЦУ01 Схеме/ соединении
для	для удвоителя
моста.	напряскения
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение (при /11рср,чакс) на каждом
плече, не более.................................................................. 2.5	В
Постоянный обратный ток при 1/обр.макс- 298 и 333 К,
не более..........................................................................100	мкА
Табл и на 4.3
	Тип бтока		
Параметры	КЦ401А, КЦ401Г*. КЦ401Д**	КЦ401Б. КЦ401В	КЦ401Б. КЦ4011 *. КЦ401Д**
	Схема удвоения		Схема моста
Средний выпрямлен- ный ток, мА: 1-е плечо 2-с плечо Посюянное обратое напряжение, В	400, 500* 300, 500*, 400** 500	200 200 500	250, 500*. 400** 250, 500*, 400** 500
155
Предельные эксплуатационные данные
Частота без снижения режимов........................ 1 кГц
Температура окружающей среды........................От 218 до
333 к
Температура корпуса................................... 358	К
КЦ402А, КЦ402Б, КЦ402В, КЦ402Г, КЦ402Д, КЦ402Е,
КЦ402Ж, КЦ402И, КЦ403А, КЦ403Б, КЦ403В, КЦ403Г,
КЦ403Д, КЦ403Е, КЦ403Ж, КЦ403И, КЦ404А, КЦ404Б,
КЦ404В, КЦ404Г, КЦ404Д, КЦ404Е, КЦ404Ж, КЦ404И,
КЦ405А, КЦ405Б, КЦ405В, КЦ405Г, КЦ405Д, КЦ405Е,
КЦ405Ж, КЦ405И
Блоки из кремниевых диффузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовых корпусах с жесткими выводами:
КЦ402А, КЦ402Б, КЦ402В, КЦ402Г, КЦ402Д, КЦ402Е, КЦ402Ж,
КЦ402И — однофазный мост; КЦ403А, КЦ403Б, КЦ403В, КЦ403Г,
КЦ403Д, КЦ403Е, КЦ403Ж, КЦ403И — два электрически не соеди-
ненных между собой однофазных моста для навесного монтажа;
КЦ404А, КЦ404Б, КЦ404В, КЦ404Г, КЦ404Д, КЦ404Е, КЦ404Ж,
КЦ404И — два электрически не соединенных между собой однофазных
моста для навесного монтажа с держателями предохранителей типа
ПМ; КЦ405А, КЦ405Б, КЦ405В, КЦ405Г, КЦ405Д, КЦ405Е, КЦ405Ж,
КЦ405И — однофазный мост для монтажа на печатную плату. Обоз-
начение типа и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса блоков не более: КЦ402А, КЦ402Б, КЦ402В, КЦ402Г,
КЦ402Д, КЦ402Е, КЦ402Ж, КЦ402И - 7 г; КЦ403А, КЦ403Б,
КЦ403В, КЦ403Г, КЦ403Д, КЦ403Е, КЦ403Ж, КЦ403И, КЦ404А,
КЦ404Б, КЦ404В, КЦ404Г, КЦ404Д, КЦ404Е, КЦ404Ж, КЦ404И -
15 i; КЦ405А, КЦ405Б, КЦ405В, КЦ405Г, КЦ405Д, КЦ405Е.
КЦ405Ж, КЦ405И - 20 г.
KU/tOZA-И	КЦЫЗА-И
156
КЦ404А-И
КЦЧ-05А-И
Электрические параметры
Напряжение короткого замыкания при максимальном
среднем выпрямленном токе, не более:
при 298 К...................................... 4 В
при 233 К..................................... 4,5 В
Ток холостого хода при максимальном импульсном об-
ратом напряжении, не более:
при 298 К........................................125	мкА
при 358 К...................................... 250	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение:
КЦ402А,	КЦ402Ж,	КЦ403А,	КЦ403Ж,	КЦ404А,
КЦ404Ж,	КЦ405А,	КЦ405Ж....................... 600	В
КЦ402Б,	КЦ402И,	КЦ403Б.	КЦ403И,	КЦ404Б.
КЦ404И,	КЦ405Б,	КЦ405И........................ 500	В
КЦ402В,	КЦ403В,	КЦ404В.	КЦ405В............... 400	В
КЦ402Г,	КЦ403Г,	КЦ404Г.	КЦ405Г............... 300	В
КЦ402Д,	КЦ403Д,	КЦ404Д,	КЦ405Д............... 200	В
КЦ402Е,	КЦ403Е,	КЦ404Е.	КЦ405Е............... 100	В
Средний выпрямленный ток на частоте /<5 кГц:
КЦ402А.	КЦ402Б,	КЦ402Г.	КЦ402Д,	КЦ402Е,
КЦ403А.	КЦ403Б,	КЦ403Г,	КЦ403Д,	КЦ403Е.
КЦ404А,	КЦ404Б,	КЦ404Г.	КЦ404Д,	КЦ404Е,
КЦ405А, КЦ405Б, КЦ405Г. КЦ405Д. КЦ405Е . . . 1000 мА
КЦ402Ж.	КЦ402И.	КЦ403Ж.	КЦ403И,	КЦ404Ж.
КЦ404И, КЦ405Ж, КЦ405И...................... 600 мА
Частота без снижения режимов.................... s кГц
Температура окружающей среды....................От 233
до 358 К
157
°/°
80
60
40
го
о
348 353 358 36 3 368 К
Зависимость среднего выпрям-
ленного тока от температуры.
Зависимость средне, о выпрям-
ленною юка от частоты.
Зависимость импульсного пря-
мого тока перегрузки о, тти-
,ельности импульса.
КЦ407А
Блок из кремниевых мезадиффузионных диодов.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся
па корпусе.
Масса блока не более 0.5 1.
158
Электрические параметры
Напряжение короткого замыкания при токе короткого
замыкания 200 мА, не более:
при 298 К....................................... 2,5 В
при 213 К....................................... 2,7 В
Ток холостого хода при напряжении холостого хода,
равном 300 В, не более:
при 298 К.......................................5,0 мкА
при 358 К.......................................ЮО мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
Ц>бР.и = 200 В, 7пр „ = 0,05 А. не более.......... 5 мкс
Предельные эксплуатационные данные прн включении блока в качестве
моста при работе на активную нагрузку
Переменное напряжение на входе (амплитудное зна-
чение) ............................................. 300 В
Импульсное напряжение на входе...................... 400 В
Средний выпрямленный ток на выходе:
от 213 до 328 К................................. 500 мА
при 358 К....................................... 300 мА
Однократная перегрузка по значению выпрямленного
тока на выходе (время между однократными импуль-
сами не менее 1 ч):
в течение 10 мкс................................... ЗА
в течение 1 мс.................................. I А
Частота без снижения режимов........................20 кГц
Температура окружающей среды........................От 213 до
328 К
Предельные эксплуатационные данные при включении блока выводами
1 (6) и 3 (4), выводы 2 и 5 изолированы
Импульсное обратное напряжение при температуре от
213 до 358 К...................................... 500 В
Постоянный (или средний) прямой ток:
от 213 до 328 К................................. 300 мА
при 358 К.......................................150 мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс, /пр ср =
200 мА.............................................. ЗА
Однократная перегрузка по импульсному прямому току
(время между однократными импульсами не менее
1 ч) при температуре от 213 до 358 К:
в течение 10 мкс................................ ЗА
в течение 1 мс.................................. 1 А
Частота без снижения режимов........................20 кГц
Температура окружающей среды.........................От	213 до
358 К
159
Зависимость импуль-
сного прямого тока от
дли тельности	им -
пульса.
Зависимость среднего
прямого тока от тем-
пературы при работе
матрицы в качестве
моста.
Зависимость среднего
прямого тока от тем-
пературы при включе-
нии блока выводами
1(6) и 3(4), выводы
2 и 5 изолированы.
КЦ409А, КЦ409Б, КЦ409В, КЦ409Г, КЦ409Д, КЦ409Е,
КЦ409Ж, КЦ409И
Блоки из кремниевых диф-
фузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом
корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора и схема соединения
электродов с выводами приводятся
на корпусе. Диоды в блоке соб-
раны по трехфазной мостовой
схеме.
Масса блока не более 50 г.
Электрические параметры
Напряжение короткого замыкания при токе короткого
замыкания 3 А для КЦ409А, КЦ409Б, КЦ409В,
КЦ409Г, КЦ409Д. КЦ409Е и 6 А для КЦ409Ж,
КЦ409И, не более................... 2,5	В
Ток холостого хода при максимальном линейном напря-
жении, не более.....................3,0	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Линейное напряжение на входе (амплитудное значение):
КЦ409А.............................. 600	В
КЦ409Б.......................... 500	В
160
КЦ409В.................... 400	В
КЦ409Г.................... 300	В
КЦ409Д,	КЦ409Ж	....	200	В
КЦ409Е,	КЦ409И	....	100	В
Средний выпрямленный ток на выходе:
КЦ409А, КЦ409Б, КI (409В, КЦ409Г,
КЦ409Д, КЦ409Е ....	ЗА
КЦ409Ж, КЦ409И ....	6 А
Частота без снижения режимов 1 кГц
Температура' окружающей среды От 233
до 358 К
Зависимость среднего
прямого тока от темпе-
ратуры.
КЦ410А, КЦ410Б, КЦ410В
Блоки из кремниевых диф-
фузионных диодов.
Выпускаются в пластмассовом
корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения
электродов с выводами приводятся
на корпусе. Диоды в блоке соб-
раны по однофазной мостовой
схеме.
Масса блока не более 20 г.
Электрические параметры
Напряжение короткого замыкания при токе короткого
замыкания 1,5 А, не более........................
Средний обратный ток холостого хода при максималь-
ном импульсном обратном напряжении холостою хода,
не более.........................................
1,2 В
10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение холостого хода:
КЦ410А............................................... 50	В
КЦ410Б........................................... ЮО	В
КЦ410В.......................................... 200	В
Средний выпрямленный ток при креплении прибора на
печатную плату	без	теплоотвода.................... j	д
Средний прямой ток короткого замыкания.............. 1,5	А
Импульсный перегрузочный выпрямленный ток в течение
одного периода частотой 50 Гц с интервалом следо-
вания не менее 1ч............................... 45 А
Температура окружающей среды.......................От	233 до
358 К
6 под рсд Н. Н. Горюнова
161
Зависимость среднего
выпрямленного тока
от температуры.
КЦ412А, КЦ412Б, КЦ412В
Блоки из кремниевых
диффузионных диодов.
Выпускаются в пласт-
массовом корпусе с гибки-
ми выводами. Тип прибора
и схема соединения электро-
дов с выводами приводятся
на корпусе. Диоды в блоке
собраны по однофазной мос-
товой схеме.
Масса блока не бо-
лее 6 г.
Электрические параметры
Напряжение короткого замыкания при токе короткого
замыкания 500 мА, не более........................ 1.2	В
Средний обратный ток холостого хода при максималь-
ном импульсном обратном напряжении холостого хода,
не более........................................... 50	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Зависимость среднего
выпрямленного тока от
температуры.
Импульсное обратное напряжение холос-
того хода:
КЦ412А...................50	В
КЦ412Б...................100	В
КЦ412В.................. 200	В
Средний выпрямленный	ток	.	1 А
Импульсный	перегрузочный	выпрям-
ленный ток в течение одного периода
частотой 50 Гц с интервалом следо-
вания не менее 1ч....	15 А
Температура окружающей среды От 233
до 373 К
162
Раздел пятый
ДИОДЫ УНИВЕРСАЛЬНЫЕ И ИМПУЛЬСНЫЕ
Д18
Диод германиевый точечный.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода указывается на корпусе. Положительный вывод диода
обозначается красной точкой, отрицательный — желтой.
Масса диода не более 0,6 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при Znp=20 мА, не
более:
при 298 и 343 К..................................... 1	В
при 213 К......................................... 1,2	В
Импульсное прямое напряжение при /пр и = 50 мА, не
более .............................................. 5,0	В
Постоянный обратный ток при (/обр = 20 В, не более:
при 213 и 298 К....................................... 50	МкА
при 343 К..........................................150	мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
Лр.и = 50 мА и С/Обр,„=10 В, не более...............0,1	мкс
Время установления прямого сопротивления при /пр и =
= 50 мА и С/„бр,и = 3 В, не более ...... 0,08 мкс
Общая емкость диода при С/Обр = 3 В, не более ...	0,5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение.................. 20 В
Постоянный или средний прямой	ток................ 16	МА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и скважности
более 4...........................................50	мА
Температура окружающей среды......................От	213
 ЛсГгТч	.	до 343 К
6*	- /' 163
0,1 0,4 0,5 0,6 0,1 0,8 0,9 В
Зависимость прямого тока от
напряжения.
Зависимость обратного тока от
напряжения.
Зависимость прямого тока от
температуры.
Зависимость прямого напряже-
ния от температуры.
Зависимость времени восстанов-
ления от напряжения.
Зависимость времени восста-
новления от тока.
164
в
1,6
V
1,2
1,0
0,8
О 10 10 30 40 50 "Л
Зависимость прямого напряже-
ния от тока.
Зависимости общей емкости от
напряжения.
Д20
Диод германиевый точечный.
Выпускается в металлостеклянном Корпусе с гибкими выводами
Тип диода указывается на корпусе. Утолщенная часть положитель-
ного вывода окрашивается красной краской, отрицательного - зеленой
Масса диода не более 0,6 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при / = 20 мА, не
более ............................................... 1,0	В
Постоянный обратный ток при (7обр = 10 В, не
более ................................................100	мкА
Прямое сопротивление	при	(/пр = 50	мА, не более	...	100	Ом
Общая емкость диода	при	t/o6p = 3	В, не более	...	0,5	пФ
Выходное напряжение	при	работе	в качестве ВЧ де-
тектора на частоте	/'=40 МГц	при UBK =1	В, не
менее.............................................. 0,7	В
Изменение выходного напряжения ВЧ детектора в диа-
пазоне частот 30 — 40 МГц, не более.................... 5	°/д
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение........................ 20	В
Постоянный или средний прямой ток..................... 16	мд
Температура окружающей среды...........................qt	233
до 333 К
165
Зависимость прямого то-
Зависимость обратного тока от на-
ка о! напряжения.
пряжения.
Зависимость выходного напря-
жения детектора от частоты.
Зависимость обратного сопро^
тивления от длительности им
пульса.
Д219А, Д220, Д220А, Д220Б
Диоды кремниевые микросплавные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с тибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 0,53 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА, не
более:
Д219А
при	298	К........................................ 1,0	В
при	373	К........................................ 1,1	В
при 213 К......................................... 1,3	В
Д220, Д220А, Д220Б
при	298	К........................................ 1,5	В
при	373	К........................................ 1,6	В
при	213	К........................................ 1,75	В
166
Постоянный обратный ток, не более:
Д219А, Д220А
при г/Обр = 70 В, 298 К и 213 К .... .	1 мкА
"Ри 373 К......................................’	30 мкА
Д220
при t/O6P = 50 В, 298 К и 213 К ... .	[ мкА
ПРИ 373 К......................................20 мкА
Д22ОБ
при t/o6p=100 В, 298 К и 213 К................. ! мкА
при 373 К..........................................  мкА
Импульсное прямое сопротивление при /пр и = 50 мА
не более:
Д219А.................................................  Ом
Д220, Д220А, Д220Б....................................  Ом
Общая емкость диода при (/обр = 5 В, не более ...	15 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
Лтр,и 30 мА, £^обр,и 30 В, ^отсч= 400 мкА, не
более..............................................0.5 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение при
температуре от 213 до 373 К:
Д219А, Д220А..................................... 70 В
Д220 .......................................... 50 В
Д220Б.......................................... 100 В
Постоянный или средний прямой ток при температуре:
от 213 до	308 К................................50 мА
при 373 К......................................20 мА
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс (без превышения
среднего прямого тока) при 308 К................... 500 МА
Температура окружающей среды.......................От 213 до
373 К
Зависимость прямого тока от Зависимость прямого тока от
напряжения.	напряжения.
167
^ОБр			Д219А Д Z10 Д2ЮА Д22ОБ
			
			
			'313К
			U0Sp
О Z0 ЦО ВО 80 В
Зависимость обратного тока от
напряжения.
Зависимость обратного тока от
напряжения.
I пр, мане						Д219А Д22О дноа дно б	
							
							
							
							т
Ш Z53	293	333 К
Зависимость макси-
мально допустимого
постоянного (средне-
го) прямого тока от
температуры.
Д310
Диод германиевый диффузионный.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 0,5 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 0,5 А, не
более:
при 298 К.............................................0.55	В
при 213 К......................................... 0,7	В
Импульсное прямое напряжение при /пр и = 0,8 А, ти =
= 1 ч 3 мкс, не более................................. 2,4	В
типовое значение . .................................0,9*	В
168
Постоянный обратный ток. не более:
при t/05P = 25 В........................................  мкА
при Собр = 20 В. 213 К и 298 К.....................20	мкА
при 343 К...........................................  мкА
Общая емкость диода при Собр = 20 В, не более . , .	15 пФ
Время установления прямого сопротивления при /„	=
= 0,8 А, т„ = I = 3 мкс. /= 3=6 кГц, не более . . . 0.15 мкс
типовое значение................................... 0 09* мкл
Время восстановления обратного сопротивления
при 7„р.и = 0,5 А. Со6р и = 20 В, ти = 1 т- 3 мкс, / =
= 3-г-10 кГц, не более..................................0	3 мкс
типовое значение................................... 0 09 * мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение при
температуре от 213 до 343 К.......................... 20	В
Аварийная перегрузка по обратному напряжению в те-
чение не более 0,5 с при 298 К......................... 35	В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
343 К................................................. 500	мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс со скваж-
ностью не менее 8 и температуре от 213 до
343 К................................................. 800	мА
Выпрямленный ток при температуре от 213 до
343 К................................................. 250	мА
Аварийная перегрузка по прямому току в течение не
более 0,5 с при 298 К................................ 1500	мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от
213 до 298 К.......................................... 275	мВт
Температура окружающей среды..........................От	213 до
343 К
Примечание. Допускается импульсный прямой ток до 1500 мА
при ти < 5 мкс и среднем прямом токе не более 100 мА.
Зависимость прямого тока от
напряжения.
Зависимость обратного тока от
напряжения.
169
Зависимость обратного тока от
напряжения.
Зависимость общей емкости от
напряжения (заштрихована зо-
на разброса графиков зависи-
мости).
Д311, Д311А, Д311Б
Диоды германиевые мезадиффузионные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 0,6 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 1пр = 10 мА, нс
более
Д311, Д311А при 298 и 343 К..................... 0.4	В
Д311Б при 298 К................................. 0,5	В
Д311, Д311А при 213 К........................... 0,7	В
Импульсное прямое напряжение при /пр „ = 50 мА, не
более:
Д311........................................... 1,25	В
Д311А........................................... 1,0	В
Д311Б........................................... 1.5	В
Постоянный обратный ток при 1/ойр = 30 В, не более:
Д311, Д311А при 213 и 298 К и Д311Б при
298 К............................................100	мкА
Д311,	Д311А при 343 К.......................... 1000	мкА
Общая емкость диода при 17обр = 5 В, не более:
Д311................................................1,5	пФ
170
Д311А...............................................3,0	пФ
ДЗНБ................................................2,0	пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
Л1р,и = 50 мА, Z7O6p,H = 10 В, /отсч = 1 мА, Не бо-
лее..................................................0,05	мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение Д311,
Д311А при температуре от 213 до 343 К и Д311Б
при температуре от 233 до 333 К . . . ,	. .
Постоянный или средний прямой ток при температуре
от 233 до 308 К:
.....................................OU
Д311Б при температуре от 233 до ЗЗЗК и Д311,
Д311А при 343 К..............................20 мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс (без превышения
среднего прямого тока) при температуре от 213 до
308 К.
ДЗИ.......................................... 500	мА
Д311А........................................ 600	мА
ДЗНБ при температуре от 233 до 293 К и Д311
при 343 К.................................... 250	мА
ДЗИА при	343 К............................ 300	мА
ДЗИ при 333	К............................. 200	мА
Температура окружающей среды:
ДЗИ, Д311А...................................От 213 до
343 К
ДЗНБ.................................. От 233
до 333 К
Температура перехода для Д311 и Д311А . . . . . .	343 к
171
Зависимость обратного тока от
напряжения.
Зависимость обратного тока от
напряжения.
Зависимое 1ь общей емкости от
напряжения.
Зависимость максимально допусти-
мого постоянного (среднего) и
импульсного прямого тока от
температуры.
Зависимость времени восста-
новления обратного сопротив-
ления от прямою тока.
Зависимость максимально допусти-
мого импульсного прямого тока
от температуры.
172
Зависимость максимально до-
пустимого импульсного прямо-
го тока от скважности.
Зависимость максимально до-
пустимого импульсного прямо-
го тока от скважности.
Д312, Д312А, Д312Б
Диоды германиевые диффузионные.
Выпускаются в мегаллостеклянном корпусе с хибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 0,6 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /Пр = Ю мА, не более:
Д312, Д312А, Д312Б при 298 К и Д312, Д312А
при 343 К....................................... 0,5 В
Д312, Д312А при	213 К............................ 1,0	В
Импульсное прямое напряжение при /при ~ 50 мА, не более:
Д312, Д312А...........................................  1,25	В
Д312Б.............................................. 1,0	В
Постоянный обратный ток не более:
Д312 при {7о6р = 1°0 В и Д312А при По6р = 75 В
при 298 К и 213 К.................................100	мкА
при 343 К...................................... 500	мкА
173
Д312Б при р = ЮО В....................................Ю	мкА
Общая емкость диода при J/o6p =5 В, не более ...	3 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
Лтр и = 50 мА, t/o5p и = 10 В, 7ОТС,, = I мА, не более:
Д312, Д312А .	................................0.5 мкс
Д312Б.................................................0,7	мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение:
Д312 при температуре от 213 до 343	К	.	.	.	.	100	В
Д312А при температуре от 213 до 343	К	.	.	.	.	75	В
Д312Б при температуре от 233 до 333	К	.	.	.	.	100	В
Постоянный или средний прямой ток:
Д312, Д312А при температуре от 213 до 308 К
и Д312Б при температуре от 233 до 293 К . . .	50 мА
Д312, Д312А при 343 К и Д312Б при 333 К . . .	20 мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс (без превыше-
ния среднего прямого тока):
Д312, Д312А при температуре от 213 до 308 К
и Д312Б при температуре от 233 до 293 К . . . . 500 мА
Д312, Д312А при 343 К и Д312Б при 333 К . . . 200 мА
Температура окружающей среды:
Д312, Д312А.......................................От	213 до
343 К
Д312Б.............................................От	233 до
333 К
Температура перехода для Д312, Д312А................... 348	К
Зависимость прямого тока от на-
пряжения.
Зависимость времени восста-
новления обратного сопротив-
ления от прямого тока.
174
Зависимость обратного тока от напря-
жения.
Зависимость импульсного пря-
мого напряжения от импуль-
сного прямого тока.
Зависимость общей емкости от на-
пряжения.
Зависимость максимально до-
пустимого постоянного (сред-
него) и импульсного прямого
тока от температуры.
Зависимость максимально до-
пустимого импульсного прямо-
го тока от скважности.
175
2Д401А, 2Д401Б, 2Д401В, КД401А, КД401Б
Диоды кремниевые микросплавные. Предназначены для детекти-
рования высокочастотных сигналов.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 0,53 i.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 5 мА
для 2Д401А, КД401А, 2Д401В и /пр = 10 мА для
2Д401Б, КД401Б, не более:
при 298 К....................................... 1,0	В
при 213 К для 2Д401А, 2Д401Б, 2Д401В и при
218 К для КД401А, КД401Б........................ 1,2	В
Постоянный обратный ток при С/обр = По6р макс, не более:
при 298 К....................................... 5	мкА
ПРИ Тмакс......................................100	мкА
Общая емкость диода при t/o6p = 5 В, не более:
2Д401А, 2Д401В, КД401А............................ 1	пФ
2Д401Б, КД401Б.................................. 1,5	пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр = 10 мА, t/o6p = 30 В, не более................. 2	мкс
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение (амплитудное значение):
2Д401А, 2Д401Б, КД401А, КД401Б................... 75	В
2Д401В......................................... 100 В
Постоянный прямой ток:
от 213 (от 218 для КД401А, КД401Б) до 308 К . . .	30 мА
при 373 К для КД401А, КД401Б..................... 16	мА
при 398 К для 2Д401А, 2Д401Б, 2Д401В ....	8 мА
Импульсный прямой ток:
от 213 (от 218 для КД401А, КД401Б) до 308 К . , .	92 мА
при 373 К для КД401А, КД401Б......................50	мА
при 398 К для 2Д401А, 2Д401Б, 2Д401В ....	25 мА
176
Отношение значения выпрямленного тока к значению
выпрямленного тока на частоте 0.15 МГц при вход-
ном напряжении 1.5 В, не хуже:
на частоте 5 МГц при Л„ = 1 кОм
2Д401А. КД401А. 2Д401В .	.................. 0,4
2Д401Б. КД401Б.................................... 0.5
на частоте 25 МГц при Ан = 10 кОм
2Д401А, КД401А.	2Д401В........................ 0,15
2Д401Б, КД401Б.................................... 0.5
на частоте 100 МГц при = 100 кОм
2Д401А, КД401А.	2Д401В......................... 0.1
2Д401Б, КД401Б....................................... 0.5
Частота без снижения режимов.........................0.15	МГц
Температура окружающей среды:
2Д401А. 2Д401Б. 2Д401В................................От	213 до
398 К
Зависимость прямот о папряже- Зависимость обратного тока от
ния or температуры.
температуры.
Зависимость выпрямленного то-
ка от частоты.
Зависимость общей емкости oi
напряжения.
177
Зависимость максимально до-
пустимо! о прямого тока от
температуры.
Зависимость максимально до-
пустимого импульсного прямо-
го тока от температуры.
1Д402А, 1Д402Б, ГД402А, ГД402Б
Диоды германиевые микросплавиые. Предназначены для преобра-
зователей высокочастотных сигналов.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на
корпусе.
Масса диода не более 0,21 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 15 мА, не более 0,45 В
Дифференциальное сопротивление при 7пр = 15 мА, не
более:
при 298 К
1Д402А, ГД402А.....................................4,5	Ом
1Д402Б, ГД402Б...................................6,0	Ом
при 213 и 343 К
1Д402А, ГД402А.....................................6,0	Ом
1Д402Б, ГД402Б...................................8,0	Ом
Постоянный обратный ток при По5р = 10 В
до 298 К...........................................50 мкА
при 343 К....................................... 200 мкА
при По6р =15 В и 298 К..........................150 мкА
Общая емкость диода при С7о6р = 5 В, не более:
1Д402А, ГД402А.....................................0,8 пФ
1Д402Б, ГД402Б..................................0,5 пФ
178
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение....................... 15 В
Постоянный прямой ток:
от 213 до 308 К..........................................  мА
при 343 К.......................................... 20	мА
Импульсный прямой ток (при среднем значении прямого
тока не более 711р,Ср,макс и ти < Ю мкс):
от 213 до 308 К....................................100 мА
при 343 К......................................... 50 мА
Температура окружающей среды...........................От	213 до
343 К
мкА
25
20
15
10
5
0	5	10 15 20 25 ЗОмА 0
Зависимость дифференциаль-
ного сопротивления от тока.
Зависимость обратного тока от
напряжения.
Зависимость максимально до-
пустимого прямого тока от
температуры.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от частоты.
179
Зависимость общей емкости от
напряжения.
Зависимость значений реактив-
ной составляющей импеданса
от частоты.
ГД403А, ГД403Б, ГД403В
Диоды германиевые микросплавные. Предназначены для работы
в качестве детекторов амплитудно-модулированных сигналов в радио-
вещательных приемниках.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 0,6 г.
Электрические параметры
Постоянный прямой ток при ипр = 0,5 В, не менее 5 мА
Коэффициент передачи детектора в пределах:
ГД403А.............................................От	0,33 до
0.47
ГД403Б.........................................От	0,4 до 0,56
ГД403В . .....................................От	0,47 до
0,66
Входное сопротивление детектора в пределах:
ГД403А.............................................Oi	15 до
30 кОм
ГД403Б.........................................От	11 до
24 кОм
ГД403В.........................................От	8 до
20 кОм
180
КД407А
Диод кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для
применения в схемах высокочастотных детекторов.
Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на
корпусе.
Масса диода не более 0.3 г.
Электрические параметры
Постоянный обратный ток при По0р = 24 В, не более:
при 298 К................................................0,5	мкА
при 373 К............................................10	мкА
Общая емкощь диода при С'ог-,р = 5 В, не более ...	1 пФ
Дифференциальное сопротивление при /пр = 10 мА, f =
= 50 -ь 300 МГц, не более................................ 1	Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение при
температуре от 213 до 373 К............................ 24	В
Постоянный или средний прямой ток при температуре:
от 213 до 308 К......................................... 50	мА
при 373 К...........................................25	мА
181
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и скважности, равной или
более 10, при температуре:
от 213 до 308 К..................................... 500 мА
при 373 К....................................... 250 мА
Температура окружающей среды...........................От	213 до
373 К
Зависимость дифференциаль-
ного сопротивления от пря-
мого тока.
Зависимость дифференциального со-
противления от температуры.
Зависимость заряда пере-
ключения от прямого тока.
Зависимость максимально допустимо-
го постоянного (среднего) и импуль-
сного тока от температуры.
КД409А
Диод кремниевый эпитак-
сиальный. Предназначен для
использования в селекторах те-
левизионных каналов и схемах
высокочастотных детекторов.
Выпускается в пластмассо-
вом корпусе с гибкими выво-
дами. Диод маркируется на кор-
пусе желтой точкой.
Масса диода не более 0,16 г.
182
Электрические параметры
Постоянный обратный ток при t/o6p = 24 В, не более:
ПРИ 298 К.......................................0,5	мкА
при 373 К.........................................  мкд
Обшая емкость диода при ?/„бр = 15 В, не более ...	2 пФ
Дифференциальное сопротивление при /пр = 10 мА, / =
= 50-? 1000 МГц, не более.......................... ।	qm
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение при
температуре от 213 до 373 К.......................... 24 В
Постоянный или средний прямой ток при температуре;
от 213 до 308 К.................................. 50 мА
при 373 К........................................25 мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и скважности, большей
или равной 10, при температуре:
от 213 до 308 К.................................. 500 мА
при 373 К........................................ 250 мА
Температура окружающей среды.........................От 213 до
373 К
Зависимость дифференциаль-
ного сопротивления от пря-
мого тока.
Зависимость дифференциального со-
противления от температуры.
от напряжения.	го постоянного или среднего и им-
пульсного прямого тока от темпе-
ратуры.
183
2Д413А, 2Д413Б, КД413А, КД413Б
Диоды кремниевые эпитаксиальные со структурой типа p-i-n.
Предназначены для применения в качестве управляемых высокочастот-
ных резистивных элементов.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды
маркируются цветными точками у положительного вывода: 2Д413А —
зеленой. 2Д41 ЗБ — зеленой и красной. КД41 ЗА — белой, КД413Б —
белой и красной.
Масса диода не более 0,035 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /,1р = 20 мА. не более:
2Д413А. 2Д413Б при 298 и 398 К и КД413А. КД413Б
при 298 К........................................... 1.0 В
2Д413А, 2Д413Б при 213 К........................ 1.2 В
Дифференциальное сопротивление при /пр = 2 мА на
частоте 50 МГц:
2Д413А, КД413А...................................... 30-48*-
60 Ом
2Д413Б, КД413Б.................................. 40-62*-
80 Ом
Заряд переключения при /пр = 2 мА, C’nf-,p 10 В . . . 2 — 2,5* —
3,8* нКл
Общая емкость диода при UOvp = 0, не более . . .	0,7 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное импульсное обратное напряжение для
2Д413А, 2Д413Б при температуре от 213 до 398 К
и для КД413А, КД413Б - от 213 до 353 К ... .	24 В
Постоянный или средний прямой ток для 2Д413А,
2Д413Б при температуре от 213 до 398 К и для
КД413А, КД413Б- от 213 до 353 К.....................20 мА
Рассеиваемая мощность для 2Д413А, 2Д413Б при темпе-
ратуре от 213 до 398 К и для КД413А, КД413Б-
от 213 до 353 К.....................................20 мВт
Температура окружающей среды:
2Д413А, 2Д413Б......................................От 213 до
398 К
КД413А, КД413Б..................................От 213 до
353 К
Температура перехода для 2Д413А, 2Д413Б............. 403 К
184
Зависимость дифференциального
сопротивления от прямого тока для
образцов диодов с гл = 30 Ом (/),
40 Ом (2), 60 Ом (3), 80 Ом (4)
при /пр = 2 мА.
Зависимость заряда пере-
ключения от прямого тока.
Зависимость выпрямленного тока
от частоты.
Зависимость общей емкости
от напряжения.
2Д502А, 2Д502Б, 2Д502В, 2Д502Г
Диоды кремниевые микро-
сплавные.
Выпускаются в металлостек-
лянном малогабаритном корпусе.
Тип диода указывается на упа-
ковке. С отрицательным электро-
дом диода соединен приваренный
вывод.
Масса диода не более 0.05 г.
185
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение для 2Д502А, 2Д5О2В
при /пр = 10 мА и 2Д5О2Б, 2Д5О2Г при /пр — 50 мА,
не более............................................ 1,0 В
Импульсное прямое напряжение при /пр и = 50 мА, не более:
2Д502А, 2Д502В....................i.............. 3,5 В
2Д502Б, 2Д502Г................................. 2,5 В
Постоянный обратный ток при Cogp = t/ogp макс, не более:
от 213 до 298 К........................................5	мкА
при 358 К
2Д502А, 2Д502Б....................................25	мкА
2Д502В, 2Д502Г..................................40	мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
f/ogp = 30 В, /пр = 30 мА. не более.................0,5 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение:
2Д502А, 2Д502Б..................................... 30 В
2Д502В, 2Д502Г............................... 100 В
Средний прямой ток:
от 213 до 298 К....................................... 20	мА
при 358 К......................................... 10	мА
Импульсный прямой ток................................ 300	мА
Температура окружающей среды.......................От 213 до
358 К
Примечания: 1. После монтажа на микроплату диоды зали-
ваются эмалью ЭП-274Т.
2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм
от корпуса, температура корпуса при пайке не выше 353 К.
3. Изгиб выводов диода не допускается.
Зависимость прямого тока от Зависимость обратного тока от
напряжения.
напряжения.
186
Зависимость обшей емкости от
напряжения.
2ДМ502А-М, 2ДМ502Б-М, 2ДМ502В-М, 2ДМ502Г-М
Диоды кремниевые микро-
сплавные. Предназначены для при-
менения в заливных и капсули-
рованных микромодулях.
Выпускаются на керамических
платах с распайкой к пазам
1—6, 1 — 4 или 2 — 5. Тип диода
приводится на микроплате. Поло-
жительный электрод диода соеди-
нен с пазами 1 или 2.
Масса диода с микроплатой
не более 0.4 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение для 2ДМ502А. 2ДМ502В
при /пр = ю мА и 2ДМ502Б, 2ДМ502Г при /пр =
= 50 мА, не более.................................. ।	g
Импульсное прямое напряжение при /пр и = 50 мА, не более-
2ДМ502А, 2ДМ502В................ё . . . ’ . .	35 в
2ДМ502Б, 2ДМ502Г...............................2,5	В
Постоянный обратный ток при £'„Ор = 1/о6р. макс:
от 213 до 298 К.................................... 5	мкА
при 358 К
2ДМ502А, 2ДМ502Б.............................. 25	мкА
2ДМ502В, 2ДМ502Г...........................\	40 мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
1/обр = 30 В, /1]р = 30 мА, не более..............0,5	мкс
187
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение:
2ДМ502А, 2ДМ502Б............................ 30 В
2ДМ502В, 2ДМ5О2Г............................ 100 В
Средний прямой ток:
до 298 К.........................................20	мА
при 358 К........................................ 10	мА
Импульсный прямой	ток............................. 300	мА
Температура окружающей среды.......................От	213 до
358 К
Примечание. Температура пайки пазов микроплаты 513 К
в течение не более 1 с.
Зависимость прямого тока
от напряжения.
Зависимость обратного тока от
напряжения.
Зависимость общей емкости от
напряжения.
2Д503А, 2Д503Б, КД503А, КД503Б
Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на
корпусе.
Масса диода не более 0,3 г.
188
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 10 мА:
2Д5ОЗА и КД503А при 298 К........................0,72*-
0.8 * —
1,0 В
2Д5ОЗБ и КД5ОЗБ при 298 К.........................0,7*-
0.85* -
1,2 В
2Д503А при 213 К и 398 К, не более ....	1,4 В
2Д5ОЗБ при 213 К и 398 К, не более ....	1,6 В
Импульсное прямое напряжение* при /при = 50 мА:
2Д5ОЗА, КД5ОЗА...................... 1,53 * - 1.75 * - 2 5 В
2Д503Б, КД5ОЗБ...................... 1,1 *-1,8 *-3,5 В
Постоянный обратный ток при Г7обр = 30 В, не более:
2Д503А, 2Д503Б при температуре от 213 до 298 К 4 мкА
2Д503А, 2Д503Б при 398 К.......................50 МкА
КД503А. КД5ОЗБ при температуре от 233 до 343 К 10 мкА
Заряд переключения при /пр = 10 мА, 1/о6р и = 10 В для
2Д503А, 2Д503Б.......................'...........25	*- 30*-
120 пКл
Общая емкость диода при С-'пг)р = 0:
2Д503А, КД5ОЗА.......................1,45 * - 1,5 * - 5 пФ
2Д5ОЗБ, КД5ОЗБ.........................1.22	*-1,4* - 2.5 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
4р.и = 10 мА. t/O6P.n=10 В, /отсч = 2 мА, не более 10 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение для
2Д5ОЗА, 2Д503Б при температуре от 213 до 398 К,
для КД5ОЗА, КД5ОЗБ при температуре от 233 до 343 К 30 В
Постоянный или средний прямой ток:
2Д5ОЗА, 2Д5ОЗБ при температуре от 213 до 308 К
и КД5ОЗА, КД5ОЗБ при температуре от 233 до 298 К 20 мА
КД5ОЗА, КД5ОЗБ при 343 К......................... 15	мА
2Д503А, 2Д503Б при 398 К......................... 10	мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс со скваж-
ностью не менее 10:
2Д503А, 2Д5ОЗБ при температуре от 213 до 308 К
и КД5ОЗА, КД5ОЗБ при температуре от 233 до 298 К 200 мА
КД503А, КД5ОЗБ при 343 К.........................150	мА
2Д5ОЗА, 2Д503Б при 398 К.........................100	мА
189
Температура окружающей среды:
2Д503А, 2Д5ОЗБ
КД5ОЗА, КД5ОЗБ
От 213 до
398 К
От 233 до
343 К
Зависимость прямого импуль-
Зависимость общей емкости
сного напряжения от импуль-
от напряжения.
сного тока.
Зависимость времени восста-
новления обратного сопротив-
ления от прямого тока.
Зависимость максимально до.
пустимого импульсного прямо,
го гока от длительности им.
пульса.
Зависимость максималь-
но допустимого постоян-
ного (среднего) и им-
пульсного прямых токов
от температуры.
190
2Д504А, КД504А
Диоды кремниевые микросплавные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 100 мА, не более:
2Д504А, КД504А при 298 К и 2Д504А при 398 К 1,2 В
2Д504А при 213 К и КД504А при 233 К............ 1,4 В
Импульсное прямое напряжение при /пр и = 500 мА, не
более, 2Д504А при 298 К........................... 2,0 В
Постоянный обратный ток при {7о6р = 40 В, не более:
2Д504А, КД504А при 298 К и 2Д504А при 213 К 2 мкА
2Д504А при 398 К и КД504А при 373 К . . . , 100 мкА
Заряд переключения, не более:
2Д504А, КД504А при /пр = 300 мА, С',Лр = 30 В 1,5-10-8 Кл
2Д504А при /,|р = 500 мА, Собр = 30 В..........1 • 10"’ Кл
Общая емкость диода при С’обр = 5 В, не более......20 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение для 2Д504А при тем-
пературе от 213 до 398 К и для КД504А при тем-
пературе от 213 до 373 К........................... 40 В
Постоянный прямой ток для 2Д504А при температуре:
от 213 до 308 К................................... 300 мА
при 398 К......................................100 мА
Средний прямой ток для КД504А при ти = 10 мкс и
амплитуде импульса 2 А:
при 308 К......................................160 мА
при 373 К......................................80 мА
Средний выпрямленный или прямой ток для КД504А
при ти < 10 мкс, амплитуде импульса 1,5 А и
ти > 10 мкс, амплитуде импульса 1,0 А при темпе-
ратуре:
от 213 до 308 К................................ 240 мА
при 373 К......................................80 мА
191
Импульсный прямой ток для 2Д504А при среднем токе
300 мА при 298 К и 100 мА при 398 К:
при ти = 10 мкс............................... 1,5 А
при тн > 10 мкс................................ 1,0 А
Импульсный прямой ток для 2Д504А при среднем токе
160 мА при 298 К и 80 мА при 398 К при
ти = 10 мкс...................................... 2 А
Аварийная перегрузка для КД504А при однократном
импульсе тока длительностью 0,5 с и при 298 К 1 А
Температура окружающей среды:
2Д504А..............................................От	213 до
398 К
Зависимость общей емкости от
напряжения.
Зависимость прямого импуль-
сного напряжения от импуль-
сного тока.
Зависимое гь заряда переклю-
чения от обратного напря-
жения.
Зависимость времени Boccia-
новления обратного сопротив-
ления от обратного напряже-
ния.
192
1Д507А, ГД507А
Диоды германиевые микросплавные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами Тип
диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на
корпусе.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 5 мА, не более:
1Д507А при 298 и 343 К и ГД507А при 298 и
313 К.......................................... 0,5	В
1Д507А при	213	К	и	ГД507А	при	233 К........... 0,7	В
1Д507А при	/пр	= 20	мА	и	298	К............... 0,8	В
Импульсное прямое напряжение при Znp и = 50 мА, не более:
1Д507А............................................. 3,5	В
ГД507А......................................... 4,0	В
Постоянный обратный ток при = 20 В, не более:
1Д507А при 213 и 298 К и ГД507А при 298 К 50 мкА
1Д507А при 343 К............................... 300	мкА
Общая емкость диода при С/обр = 5 В, не более ....	0,8 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр и = 10 мА, С/Обр, и = 20 В, /отсч = 1 мА, не более 0,1 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение . ...	20 В
Импульсное обратное напряжение при скважности не
менее 4 для 1Д507А при тн < 5 мкс и ГД507А при
ти < 2 мкс...................................... 30 В
Постоянный или средний прямой ток............... 16 мд
Постоянный или средний прямой ток при снижении
обратного напряжения до 12 В....................35 мд
Импульсный прямой ток (без превышения среднего
прямого тока):
1Д507А при ти < 1 мкс........................... 200 мА
ГД507А при ти 10 мкс........................100 мА
Температуры окружающей среды:
1Д507А..........................................От 213 до
343 К
ГД507А......................................От 233 до
333 К
7 под ред. Н. Н Горюнова
193
Зависимость обратного тока от
температуры.
Зависимость импульсного пря-
мого напряжения от импуль-
сного тока.
Зависимость общей емкости от
напряжения.
Зависимость времени восоа
новления обратного сопро-
тивления oi прямого гока.
Зависимость максимально
допустимого импульсного
прямого тока от длитель-
ности импульса.
194
1Д508А, ГД508А, ГД508Б
Диоды германиевые микросплавные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на
корпусе.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрические параметру
Постоянное прямое напряжение, не более:
при /пр = 1 мА для 1Д508А...................... 0,4 В
при /пр = 10 мА для 1Д508А при 343 К и ГД5О8А
при 298 и 328 К............................... 0,7 В
ГД508Б при 298 и 328 К........................0,65 В
1Д508А при 213 К.............................. 0,9 В
Импульсное прямое напряжение для 1Д508А при
4р,и = 30 мА и ГД508А, ГД508Б при /лр и= 12 мА,
не более........................................ 1,5 В
Постоянный обратный ток при С/Обр = 8 В, не более:
1Д508А	при	213 и	298 К	и	ГД508А при 298 К 60 мкА
ГД508Б	при	298 К..............................100	мкА
1Д508А	при 343 К и	ГД508А	при	328	К............150	мкА
ГД5О8Б	при	328 К............................. 200	мкА
1Д508А	при	<7обр =	5В.........................20*	мкА
Заряд переключения при /пр = 10 мА, (/обри = 5 В, не
более...............................................20	пКл
Общая емкость диода при С/обр = 0,5 В, не более .... 0,75 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение.................... 8 В
Импульсное обратное напряжение при т„ < 5 мкс и скваж-
ности не менее 4.................................. 10В
Постоянный или средний прямой ток................. Ю мА
Импульсный прямой гок при т„ < 10 мкс (без превы-
шения среднего прямого тока)......................30 мА
Температура окружающей среды:
1Д508А...........................................От 213 до
343 К
ГД508А, ГД508Б.................................От 233 до
328 К
Температура перехода для 1Д508А................... 343 к
7*
195
Зависимость обратного тока от
температуры.
Зависимость обшей емкости от
напряжения.
Зависимость заряда переключе-
ния от прямого тока.
2Д509А, КД509А
Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на
корпусе.
Масса диода не более 0,25 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /1|р = 100 мА, не
более:
2Д509А, КД509А при 298 К и 2Д509А при 398 К 1.1 В
2Д509А при 213 К и КД509А при 218 К........... 1,5 В
Постоянный обратный ток при С'о6р = 50 В, не более:
2Д509А, КД509А при 298 К и 2Д509А при 213 К 5 мкА
2Д509А при 398 К и КД509А при 358 К...........100 мкА
196
Заряд переключения при /пр = 50 мА, С/Обр и= 10 В для
2Д509А, не более...................................... 400	пКл
Общая емкость диода при Собр = ° для 2Д509А,
не более.............................................4,0 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр = 10 мА, аобр.11= ю В, /огсч = 2 мА для 2Д509А,
не более.............................................. 4,0	нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение для 2Д509А при
температуре от 213 до 398 К............................ 50	В
Импульсное обратное напряжение при длительности им-
пульса (на уровне 50 В) не более 2 мкс и скважности
не менее 10 для 2Д509А при температуре от 213
до 398 К и КД509А при температуре от 218 до
358 К............................................. 70	В
Постоянный или средний прямой ток:
2Д509А при температуре от 213 до 323 К и КД509А
при 298 К.......................................100	мА
2Д509А при 398 К и КД509А при 358 К..............50	мА
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс (без пре-
вышения среднего прямого тока):
2Д509А при температуре от 213 до 323 К и
КД509А при 298 К...............................1500	мА
2Д509А при 398 К и КД509А при 358 К............ 500	мА
Температура окружающей среды:
2Д509А...............................................От	213 до
398 К
КД509А...........................................От	218 до
358 К
Температура перехода для 2Д509А.................... 423	К
0	0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 в	0	20 40 60 80 в
Зависимость прямого тока от
Зависимость обратного тока от
напряжения.
напряжения.
197
Зависимость общей емкости от
напряжения.
0,05 0,1 0,1 0,5 1 2 Д
Зависимость импульсного пря-
мого напряжения от импульсно-
го тока.
Зависимость заряда перек.тюче-
о z ч е ew zo чо
Скважность
Зависимость максимально до-
ния от прямого тока.
Д
г,о
1,5
1,0
0,5
О
ю~6 10 s 10'Ц10~3 ю~г Ю~1С
Зависимость максимально
допустимого прямого им-
пульсного гока от длитель-
ности импульса.
пусчимого импульсного прямо-
го тока от скважности.
Зависимость максимально допустимо-
го постоянною (среднего) и импуль-
сного прямых токов ог темперагуры.
198
г
2Д510А, КД510А
Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
иа корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 200 мА, пе
более:
2Д510А при 298 и 398 К и КД510А при 298
и 358 К........................................ 1,1 В
2Д510А, КД510А при 213 К....................... 1,5 В
Постоянный обратный ток при С'ойр = 50 В, не более:
2Д510А, КД510А при 298 и 213 К.....................5 мкА
КД510А при	358 К................................100	мкА
2Д51ОА при	398 К................................150	мкА
Заряд переключения при /пр = 50 мА, С/обр и = 10 В,
ие более............................................. 400	пКл
Общая емкость диода при С’обр = 0, не более ....	4 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр = 10 мА, </обр,и=10 в> Л>тсч = 2 мА для 2Д510А,
не более........................................... 4 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное, импульсное обратное напряжение (любой
формы и периодичности) для 2Д510А при температуре
от 213 до 393 К и КД510А при температуре от
213 до 358 К....................................... 50 В
Импульсное обратное напряжение при длительности им-
пульса (на уровне 50 В) не более 2 мкс и скваж-
ности не менее 10 для 2Д510А при температуре от
213 до 393 К и КД510А при температуре от 213
До 358 К......................................... 70 В
199
Постоянный или средний прямой ток:
2Д510А при температуре от 213 до 323 К и КД510А
при температуре от 213 до 298 К............... 200 мА
2Д510А при 393 К и КД510А при 358 К...........100 мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс (без превы-
шения среднего прямого тока):
2Д510А при температуре от 213 до 323 К и КД510А
при температуре от 213 до 358 К ...... . 1500 мА
2Д510А при 393 К.............................. 500 мА
Температура окружающей среды:
2Д510А . .'.......................................От 213 до
393 К
КД510А........................................От 213 до
358 К
Температура перехода для 2Д510А................... 393 К
Зависимость прямого тока
Зависимость обра:ного тока
от напряжения.
от напряжения.
Зависимость общей емкости
от напряжения.
Зависимость обратного тока
от напряжения.
200
Зависимость импульсного
прямого напряжения от им-
пульсного тока.
Зависимость заряда переклю-
чения от прямого тока.
Зависимость максимально до-
пустимого импульсного прямо-
го гока о г длительности им-
пульса.
Зависимость максимально до-
пустимого импульсного прямо-
го тока от скважности.
Зависимость максимально допустимого постоянного (среднего) и
импульсного прямых токов от температуры
201
ГД511А, ГД511Б, ГД511В
Диоды германиевые точечные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды
маркируются цветными точками у положительного вывода: ГД511А —
двумя голубыми. ГД511Б — голубой и желтой, ГД511В — голубой
и оранжевой.
Масса диода не более 0,3 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 5 мА, не более:
при 298 К..................................... 0,6	В
при 213 К.................................... 1,5	В
Постоянный обратный ток при Ц>бр = Ю В, не более:
при 298 К
ГД511А........................................50 мкА
ГД511Б..........................................100	мкА
ГД511В......................................... 200	мкА
при 343 К
ГД511А........................................... 200	мкА
ГД511Б......................................... 400	мкА
ГД511В......................................... 600	мкА
Заряд переключения при /пр = Ю мА, Со6р „ = 10 В, не более:
ГД511А, ГД511В....................’..............100	пКл
ГД511Б.......................................40	пКл
Общая емкость диода при t/o6p = 5 В, не более ....	1 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение................... 12 В
Средний прямой ток............................... 15 мА
Импульсный прямой ток............................50 мА
Температура окружающей среды........................От	213 до
343 К
202
Зависимость прямого напряже- Зависимость обратного тока от
ния от температуры.	температуры.
КД512А
Диод кремниевый эпитаксиально-планарный.
Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на кор-
пусе.
Масса диода не более 0,3 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 10 мА, не более:
при 298 К...................................... 1 В
при 233 К...................................... 1,5 В
Постоянный обратный ток прн 0/одр = 15 В, не более:
при	298	К........................................ 5	мкА
при	358	К........................................100	мкА
Заряд переключения при 7рр 10 мА, t/O6P = 10 В, не
более	.............................................30	пКл
Общая емкость диода при 7/обр = 5 В, не более...... 1 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр,и=10 мА’ t/o5p.H = l° В, /отсч = 2 мА, не более 1 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
233 до 373 К...................................... 15	В
Постоянный или средний прямой ток:
при 233 и 308 К......................................20	мА
при 373 К........................................ 10	мА
203
Импульсный прямой ток при ти <
при 233 и 308 К . . . .
при 373 К .................
Температура окружающей среды
10 мкс:
...................... 200 мА
......................100 мА
....................... От	233 до
373 К
Зависимость общей емкости от
Зависимость заряда переклю-
чения от прямого тока.
напряжсния.
Зависимость максимально
допустимого среднего и им-
пульсного прямых токов от
температуры.
КД513А
Диод кремниевый эпитаксиально-
планарный.
Выпускается в пластмассовом корпу-
се. Тип диода и схема соединения
электродов с выводами приводятся на
корпусе.
Масса диода не более 0,11 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = Ю0 мА, не более:
при 298 и 358 К............................... 1,1 В
при 213 К.................................... 1,5 В
Постоянный обратный ток при 1/обр = 50 В, не более:
при 298 и	213 К.................................5	мкА
при 358 К.......................................100	мкА
Заряд переключения при /пр = 50 мА, 17обр,и=Ю В,
не более	....................................40	пКл
204
Общая емкость диода при t/o6p = 0, не более ....	4 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
Znp= 10 мА, 1/^,,= 10 В, не более................... 4	нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение...................... 50	В
Импульсное обратное напряжение при ти = 2 мкс и
скважности не менее 10.............................. 70	В
Постоянный или средний прямой ток при температуре:
от 213 до 308 К...................................  100	мА
при 358 К........................................50	мА
Импульсный прямой ток при ти = 10 мкс и скважности
не менее 20 без превышения среднего тока при тем-
пературе:
от 213 до 308 К................................. 1,5 А
при 358 К....................................... 0,5 А
Температура окружающей среды..........................От	218 до
Зависимость общей ем-
кости от напряжения.
Зависимость импульсного пря-
мого напряжения от прямого
тока.
Зависимость максимально допустимого
среднего и импульсного прямых токов
от температуры.
Зависимость заряда переключения от
прямого тока.
205
КД514А
Диод кремниевый эпитаксиально-планарный.
Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на
корпусе.
Масса диода не более 0,35 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 1пр = 10 мА, не более:
прн 293 К........................................ 1,0 В
при 233 и 343 К.............................. 1,5 В
Постоянный обратный ток при J7ogp = 6 В и темпера-
туре от 233 до 343 К, не более...................5 мкА
Общая емкость диода при 1/о5р = 0, не более . . .	0,9 пФ
Дифференциальное прямое сопротивление при 1пр = 10 мА,
не более.............. ..........................30 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение . . '.............. 10 В
Постоянный прямой ток............................... 10	мА
Импульсный прямой ток при ти 10 мкс при тем-
пературе :
от 233 до 298 К..................................50	мА
при 343 К........................................20	мА
Температура окружающей среды.........................От	233 до
373 К
Зависимость общей емкости от на-
пряжения.
Зависимость дифференциаль-
ного сопротивления от пря-
мого юка.
206
Зависимость максимально допустимо-
го импульсного прямого тока от тем-
пературы.
Зависимость максимально
допустимого импульсного
прямого тока от скважности.
КД518А
Диод кремниевый эпитаксиально-
планарный.
Выпускается в пластмассовом кор-
пусе. Тип диода и схема соединения
электродов с выводами приводятся на
корпусе.
Масса диода не более 0,11 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение, не более:
при 7пр = 1	мА
при 298	К.......................................0,57	В
при 358	К.......................................0,44	В
при 213	К.......................................0,75	В
при /пр = 1 00 мА
при 298 и 358 К................................... 1,1	В
при 213 К......................................... 1,5	В
Температурный коэффициент прямого напряжения в диа-
пазоне температур от 213 до 358 К.................... 0,0022	В/К
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный или средний прямой ток:
при 308 К.......................................100	мА
при 358 К........................................50	мА
207
Импульсный прямой ток при ти =g 10 мкс и скважности
не менее 20 без превышения среднего прямого тока:
при 308 К..................................... 1,5	А
при 358 К..................................... 0,5	А
Температура окружающей среды..........................От	213
до 358 К
Зависимость максималь-
но допустимого среднего
и импульсного прямых |
токов от температуры.
КД519А, КД519Б
Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды
маркируются цветной точкой у положительного вывода: КД519А —
белой, КД519Б — красной.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 100 мА, не
более:
при 298 и 358 К................................... 1,1 В
при 233 К..................................... 1,5 В
Постоянный обратный ток при £/обр = 30 В, не более:
при 233 и 298 К................................... 5 мкА
при 358 К.....................................100 мкА
Заряд переключения при /пр = 50 мА, [/о6р и = 10 В,
не более.............................................400	пКл
Общая емкость диода при = 0, не более:
для КД519А........................................... 4	пФ
для КД519Б.......................................2,5	пФ
208
1
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение...................... 30	В
Импульсное обратное напряжение при длительности им-
пульса 2 мкс и скважности не менее 10............... 40	В
Постоянный или средний прямой ток....................30	мА
Импульсный прямой ток при ти = 10 мкс без превышения
среднего прямого тока.............................. 300	мА
Температура окружающей среды.........................От	233
до 358 К
Зависимость общей емкости от
напряжения.
Зависимость импульсного
прямого напряжения от им-
пульсного тока.
Скважность
Зависимость заряда переключения
от прямого тока.
Зависимость максимально
допустимого импульсного
прямого тока от скважности.
209
2Д520А, КД520А
Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Мар-
кировку наносят на упаковочной таре. На корпусе у положи-
тельного вывода наносится желтая точка.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр — 20 мА, не
более:
2Д520А при 298 и 398 К, КД520А при 298 К . . .	1.0 В
2Д520А, КД520А при 213 К....................... 1,2 В
Постоянный обратный ток при t/ogp = 15 В, не более:
2Д520А при 213 и 298 К и КД520А при 298 К. . . 1,0 мкА
КД520А	при	373	К............................20 мкА
2Д520А	при	398	К............................25 мкА
Заряд переключения при /пр = Ю мА, Ц,бр,и = '0 В, не
более .............................................100 пКл
Общая емкость диода при t/06p = 5 В, не более ....	3 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
7пр = 10 мА, t/D6p,H = Ю В, /О1СЧ = 1 мА для 2Д520А,
не более.........................................10 * нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение................... 15 В
Импульсное обратное напряжение................... 25 В
Постоянный или средний прямой ток................20 мА
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс и скважности
не менее 2,5.....................................50 мА
Температура окружающей среды:
2Д520А...........................................От 213
до 398 К
КД520А.......................................От 213
до 373 К
Температура перехода для 2Д520А.................. 403 К
210
Зависимость заряда переключе
ния о, прямого тока.
пФ
1,5
1,0
1,5
'	1,0
О Z Ч 6	8	10 в
\	Зависимость общей емкости oi
напряжения.
Зависимость импульсною
прямого напряжения от им-
пульсного тока.
Зависимость
допустимого
прямого тока
максимально
импульсного
от длительнос-
ти импульса.
КД521А, КД521В, КД521Г
Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Диоды маркируются кольцевыми полосками (одной широкой и двумя
узкими) на корпусе у положительного вывода: КД521А — полосы
синего HBeta, КД521В - желтою. КД521Г - белого.
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА, не
более............................................... 1,0	В
Постоянный обратный ток для КД521А при (7о6р =
= 75 В. КД521В при С'о6р = 50 В. КД521Г при С'о6р =
= 30 В. не более..................................1,0	мкА
Заряд переключения при /|1р = 10 мА, 1/о6р>и = 10 В,
/О11.ч = 1 мА, не более............................. 200	пКл
Общая емкоеib диода при {/о6р = 0, не более ....	4	пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр=10 мА, 1обр.и=10 в- /01сч = 1 мА- не
более .............................................. 4	нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
КД521А............................................... 75	В
КД521В....................................... 50	В
КД521Г....................................... 30	В
Импульсное обратное напряжение:
КД521А.............................................. 100	В
КД521В....................................... 75	В
КД521Г....................................... 40	В
Постоянный или средний прямой ток................50 мА
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс без превышения
среднего прямого тока............................ 500 мА
Температура окружающей среды........................От	213 до
398 К
2Д522Б, КД522А, КД522Б
Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Диоды маркируются черными кольцевыми полосками на корпусе
у положительного вывода: 2Д522Б — одним кольцом, КД522А -
двумя кольцами, КД522Б — тремя кольцами.
Масса диода не более 0,15 г.
212
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /|1р = 100 мА, не
более:
2Д522Б при 298 и 398 К и КД522А, КД522Б при
298 К........................................... 1,1	В
2Д522Б при 213 К и КД522А, КД522Б при 218 К . . .	1,5 В
Постоянный обратный ток, не более:
2Д522Б и КД522Б при Со5р = 50 В, 298 К и
2Д522Б при	Со6р = 50	В,	213	К...................5	мкА
КД522А при	Собр = 30	В,	298	К...................2	мкА
2Д522Б при	t/o6p = 50	В,	398	К..................100	мкА
КД522Б при 1/о6р = 50 В и КД522А при Собр =
= 30 В, 358	К....................................50	мкА
Заряд переключения при /|1р = 50 мА, 1/обри=10 В,
/отсч = 2 мА, не более............................. 400 пКл
Общая емкость диода при С/о6р = 0, ие более........ 4 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр = 10 мА, С/обр.„ = 10 В, /отс,, = 2 мА, не более ...	4 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
2Д522Б при 213 и 398 К и КД522Б при 218 п
358 К.......................................... 50 В
КД522А при 218 и 358 К......................... 30 В
Импульсное обратное напряжение при скважности не
менее 10:
2Д522Б	при	т,. < 2 мкс и 213-398 К	,	.	.	.	75	в
КД522А	при	ти < 10 мкс и 218-358 К	.	.	.	.	40	В
КД522Б	при	ти < 10 мкс и 218 — 358	К	.	.	.	60	В
Средний прямой ток:
2Д522Б при 213 - 323 К и КД522А, КД522Б при
218 - 308 К....................................100 мА
2Д522Б при 398 К и КД522А, КД522Б при 358 К , . .	50 мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс без превышения
среднего прямого тока:
2Д522Б при 213-323 К и КД522А. КД522Б при 218 —
308 К..........................................1500 мА
2Д522Б при 398 К............................... 500 мА
КД522А, КД522Б при 358 К....................... 850 мА
Температура окружающей среды:
2Д522Б............................................Ог 213
до 398 К
КД522А, КД522Б.................................От 218
до 358 К
Температура перехода:
2Д522Б............................................ 423 К
КД522А, КД522Б................................. 398 К
213
Зависимость общей емкости от
напряжения.
Зависимость заряда переключе-
ния от прямого тока.
С книжность
мого напряжения от импуль-
сного прямого тока.
Зависимость максимально до-
пустимого импульсного прямо-
io нжа от скважное!и.
За виси мое ib максимально допустимою среднего и импульсною пря-
мых токов от температуры.
214
2Д524А, 2Д524Б, 2Д524В
Диоды кремниевые эпитаксиальные с накоплением заряда. Пред-
назначены для использования в схемах формирователей импульсов.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе. Диоды маркируются
цветной'точкой : 2Д524А - черной, 2 Д524Б - зеленой. 2Д524В - жел-
той. Положительный вывод диода имеет диаметр 3,7 мм.
Масса диода не более 0.21 г.
[L______________Вывод /
Вывод 1	Вывод Z
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 40 мА:
при 298 К.......................................0,85*	—
0,9* —
1.0 В
при 213 К, не более........................... 1,5	В
при 398 К. не более........................... 1.0	В
Постоянный обратный ток, не более:
при 298 К и Uo6p = Ю В............................2,0	мкА
при 213 К для 2Д524А при 1/обр = 24 В, для
2Д524Б при t/o6p = 30 В, для 2Д524В при (7обр =
= 15 В..........................................20	мкА
при 398 К для 2Д524А при (7обр = 24 В. для
2Д524Б при По6р = 30 В, для 2Д524В при б/о5р =
= 15 В........................................ 300	мкА
Заряд переключения при /пр = 10 мА,
^обр, и = 10 Б:
2Д524А............................... 250-270* -300 пКл
2Д524Б, 2Д524В.................... 300-330*-350 пКл
Общая емкость диода при {jo5p = 0:
2Д524А............................... 2* —2,5* —3 пФ
2Д524Б............................ 1,5 *-1,9 *-2,5 пФ
2Д524В............................ 2,5 *-3,3*-4 пФ
Емкость корпуса диода, не более ....	0.3 пФ
Индуктивность корпуса диода, не более ...	0,7 нГн
Время выключения при /пр = 5 мА, БоВр и =
= Ю В:
2Д524А...............................100 *-130*-150 пс
2Д524Б............................ 200 *-250*-300 пс
2Д524В............................ 80*-85*- 100 пс
Эффективное время жизни неосновных носи-
телей заряда:
2Д524А............................ 25 *-27 *-30* нс
2Д524Б. 2Д524В.................... 30*-33*-35* пс
Предельная частота, не менее................ 100*	ГГц
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное импульсное обратное напряжение при темпе-
ратуре от 213 до 398 К:
2Д524А.................................................. 24	В
2Д524Б.............................................. 30	В
2Д524В.............................................. 15	В
Постоянный (средний) прямой ток при температуре:
от 213 до 308 К......................................40 мА
при 398 К........................................20 мА
Импульсный прямой ток при т„ Ю мкс и скважности,
равной или более 10, при температуре:
от 213 до 308 К............................. 400 мА
при 398 К........................................ 200 мА
Импульсный обратный ток при скважности, равной или
более 10:
2Д524А, 2Д524В......................................... 600	мА
2Д524Б.............................................1000	мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К........................................ 200	мВт
при 398 К........................................50 мВт
Температура окружающей среды . . ....................От 213
до 398 К
Примечание. Запрещается монтировать диоды в схему путем
пайки или механическим способом при помощи цанг, транспортиро-
вать диоды не в стандартной упаковке, оставлять или перевозить
радиотехнические устройства со вставленными в них диодами при
наличии присоединенных к держателю диодов свободных проводников.
электрические заряды.
Зависимость общей емкости от
напряжения.
Зависимость заряда переключе-
ния от обратного напряжения,
216
Зависимость заряда переключе-
ния от прямого тока.
Зависимость импульсного пря-
мого тока от длительности
импульса.
1лр,макс 1лр,н,ма.кс
мА
40
30
Зависимость максимально допустимого среднего и импульсного пря-
мых токов от температуры.
АД516А, АД516Б
Диоды арсенид-!аллиевые эпитаксиально-планарные. Предназна-
чены для использования в импульсных схемах наносекундного диа-
пазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0.6 г.
217
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 2 мА, не
более
при 298 и 373 К................................ 1,5 В
при 213 К...................................... 1,8 В
Постоянный обратный ток при С'о6р = 10 В, не более:
при температуре от 213 до 298 К.................... 2 мкА
при 373 К.........................................100	мкА
Заряд переключения при /пр = 5 мА, ^о6ри = Ю В, не
более................................................. 5	пКл
Общая емкость диода при С’обр = 0. не более:
АД516А...............................................0,5	пФ
АД516Б...........................................0,35	пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр = 5 мА, С/Обри = 10 В, /отсч = 0,1 мА, не более ...	1 нс
Дифференциальное сопротивление при /пр = 2 мА, не
более..............................................150 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение..................... 10 В
Постоянный или средний прямой ток:
при температуре от 213 до 308 К................ 2 мА
при 373 К...................................... 1 мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и скважности
не менее 1000:
при температуре от 213 до 358 К . . . .	30 мА
при 373 К...................................... 15 мА
Температура окружающей среды.......................От 213 до
373 К
Зависимость общей емкости
от напряжения.
Зависимое|ь максимально допус.
ТИМОГО ИМПУЛЬСНОГО ПрЯМОГО ТО'
ка от длительности импульса.
218
Зависимость заряда пере-
го средне! о и импульсного прямых
токов от температуры
ключения от напряжения.
ЗА527А, ЗА527Б
Диоды арсенпд-галлиевые эпитак-
сиально-планарные с барьером Шот-
тки. Предназначены для использова-
ния в импульсных схемах пико- и
наносекундного диапазона.
Выпускаются в металлокерамиче-
ском корпусе с жесткими выводами.
Диоды маркируются цветной точкой
у положительною вывода: ЗА527А —
желтой. ЗА527Б — двумя желтыми.
Масса диода не более 0.5 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 2 мА. не
более:
при 298 и 358 К
ЗА527А.......................................... 1.0	В
ЗА527Б......................................... 1.1	В
при 213 К
ЗА527Д.......................................... 1.3	В
ЗА527Б......................................... 1.4	в
Постоянный обратный ток при б о5с = 9 В. не более:
при 213 и 298 К...................................    мкд
при 358 К........................................  мкА
Общая емкость диода при I 'о5р = 0. нс более:
ЗА527.А...........................................О у пф
ЗА527Б.......................................0.3 пФ
Дифференциальное сопротивление при 7пр = 2 мА. не
более..............................................100*	Ом
Эффективное время жизни неравновесных носителей за-
ряда, не более.....................................100*	нс
219
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 358 К............................................ 9	В
Импульсный прямой ток при т;1 < 10 мкс и частоте не
более 1 кГц при температуре:
от 213 до 308 К......................................30	мА
при 358 К.......................................... 15	мА
Средний прямой ток при температуре:
от 213 до 308 К......................................... 2	мА
при 358 К........................................... 1	мА
Импульсная рассеиваемая мощность при т„ < 1 мкс и
скважности, равной или более 1000, при температуре
от 213 до 358 К........................................0,5	мВт
Температура окружающей среды............................От	213
до 358 К
Примечание. Запрещается хранить диод без индивидуальной
защитной упаковки.
мото тока.
Зависимость максимально допус-
тимого импульсного прямого тока
от длительности импульса.
Зависимость максимально допусти-
мого среднего и импульсного
прямых токов от температуры.
220
ЗА529А, ЗА529Б
Диоды арсенид-таллиевые эпитаксиальные
<с барьером Шоттки. Предназначены для ис-
пользования в схемах преобразования импуль-
сных сигналов пико- и наносекундного диапа-
зона.
Выпускаются в металлокерамическом кор-
1 пусе с жесткими выводами. Тип диода ука-
зывается на групповой таре. Положительный
вывод имеет диаметр 3,7 мм.
Масса диода не более 0.1 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 7пр = 2 мА, не более:
при 298 и 358 К
ЗА529А......................................... 0,9	В
ЗА529Б....................................... 1,0	В
при 213 К
ЗА529А......................................... 1,2	В
ЗА529Б....................................... 1,3	В
Постоянный обратный ток при Со6р = 5 В, не более:
при 213	и 298 К..................................1,0 мкА
при 358	К..................................50 мкА
Общая емкость диода при Г'обр = 0 В, не более:
ЗА529А.............................................0,4 пФ
ЗА529Б.......................................0,25 пФ
Дифференциальное сопротивление при /пр — 2 мА, не
более..............................................70 * Ом
Эффективное время жизни неравновесных носителей за-
ряда, не более.....................................100* пс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 358 К....................................... 5 В
Импульсное обратное напряжение при ти 10 мкс и
частоте не более 1 кГц при температуре:
от 213 до 308 К.................................. 7 В
при 358 К...................................... 3,5 В
Средний прямой ток при температуре:
от 213 до 308 К.................................... 2 мА
при 358 К...................................... 1 мА
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс и частоте
не более 1 кГц при температуре:
от 213 до 308 К..................................... 5	мА
при 358 К........................................2,5	мА
Импульсная рассеиваемая мощность при ти 1 мкс,
скважности 1000 и температуре от 213 до 358 К . . . 0,5 мВт
Температура окружающей среды от 213 до 358 К
Примечание. Запрещается хранить диод без индивидуальной
защитной упаковки.
221
Зависимость обшей емкости
от напряжения.
Зависимость максимально допусти-
мого импульсного обрапюго на-
пряжения от хемпературы.
Зависимость дифференциаль-
ного сопротивления от пря-
мою тока.
Зависимость максимально допус-
шмого среднего и импульсного
прямых токов от температуры.
3A530A, ЗА530Б
Диолы арсенид-таллиевые эпитаксиальные
с барьером Шоттки. Предназначены для ис-
пользования в схемах преобразования им-
пульсных сигналов нико- и наносекундного
диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом кор-
пусе с жесткими выводами. Тип диода ука-
зывается на групповой таре. Положительный
вывод имеет диаметр 3,7 мм.
Масса диода tie более 0,2 1.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 10 мА, не более:
при 298 и 358 К
3A530A........................................ 1.0	В
ЗА530Б........................................ 1.2	В
222
при 213 К
ЗА53ОА........................................ 1.3 В
ЗА530Б...................................... 1,5 В
Постоянный обратный ток при Со5р= 30 В, не более:
при 213 и	298 К.............................. 5 мкА
при 358 К.....................................20 мкА
Общая емкосчь диода при I о6р = 0. не более:
3A530A...............................................1.0	пФ
ЗА530Б........................................0.75	пФ
Эффективное время жизни неравновесных носителей
заряда, не более....................................100*	пс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213
до 358 К.......................................... 30 В
Постоянный или средний прямой ток при температуре:
от 213 до 313 К................................... 10 мА
при 358 К..................................... 5 мА
Импульсный прямой ток при ти 10 мкс и скважности
не менее 1000 при температуре:
от 213 до 313 К.................................50 мА
при 358 К..................................... 15 мА
Температура окружающей среды......................От 213
до 358 К
Примечания: 1. Допускается подавать па диод обратное
напряжение до 40 В при температуре от 213 до 313 К при условии,
что через диод протекает обратный ток не более 5 мкА.
2. Запрещается хранить диод без индивидуальной защитной упа-
ковки.
среднею прямого тока oi тем-
пературы.
от напряжения.
Зависимость максимально до-
пустимого импульсного прямо-
1о тока от температуры.
223
Раздел шестой
ДИОДНЫЕ СБОРКИ И МАТРИЦЫ
КДС111А, КДС111Б, КДС111В
Сборки из двух кремниевых мезадиффузнойных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Сборки маркируются цветной точкой: КДС111Л - красной, КДС111Б —
зеленой. КДС111В — желтой.
Масса сборки не более 0.3 г.
КДСтв КДС1ПА
КДСШ6
0,3 5
Электрические параметры
(каждого диода)
Прямое напряжение при /пр = 100 мА, не более ....	1.2 В
Обратный ток при Со6р = Со0р чакс, не более:
при 298 К..........................................3,0	мкА
при 358 К.......................................50	мкА
Предельные эксплуатационные данные
(каждого диода)
Постоянное обратное напряжение..................... 300	В
Постоянный (средний выпрямленный) ток:
до 328 К....................................... 200	мА
при 358 К.......................................100	мА
Импульсный прямой ток:
при ти < 10 мкс.................................. ЗА
при ти < 1 мс.................................... 1	А
Частота без снижения режимов.........................20	кГц
Температура окружающей среды.........................От	213 К
до 358 К
224
Зависимое: ь дончсшмого
прямого юю Oi >емпера-
£ \ ПЫ
Зависимость допустимою перс-
[рузочно’о импхльса прямого
тока от длительности импульса
2ДС408А-1, 2ДС408Б-1, 2ДС408В-1, £ДС408Г-1
Диодные сборки, состоящие каждая из че!ырех кремниевых
планарно-диффузионных диодов с раздельными выводами. Предназ-
начены для использования в герметизированной аппаратуре.
Бескорпхсные с гибкими выводами и защитным покрытием.
Каждая сборка упаковывается в индивидуальную iapy. Сборки мар-
кирукмся цветной точкой на крышке индивидуальной 1ары:
2ДС408А-1 — красной. 2ДС4О8Б-1 — синей. 2ДС408В-1 — зеленой.
2ДС408Г -: - черной.
Масса сборки не более 0.006 г
Вывод подложки
вывод подложки
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /„г = Н.п] мА:
при 298 К...........................................0.5—0.73	В
при 358 К', не менее...............................0.34 В
при 213 К, не более................................ 1,2 В
8 под ред Н И Г СРК 
225
Постоянное прямое напряжение при /пр= 0,1 мА . . .0,73 — 0.83 В
Постоянное прямое напряжение при 7пр = 1 мА. не
более .............................................. 0.2 В
Разность прямых напряжений между диодами:
при -Лф= 0.05 -? 1 мА и 298 К, не более
2ДС408А-1.......................................... 3	мВ
2ДС408Б-1....................................... 10	мВ
2ДС408В-1........................................ 5	мВ
2ДС408Г-1....................................... 15	мВ
при [т = 1 мА и 358 К, не более
2ДС408А-1.......................................... 6	мВ
2ДС408Б-1....................................... 18	мВ
2ДС408В-1 ....................................... 9	мВ
2ДС408Г-1....................................... 27	мВ
при Др= 1 мА и 213 К не более
2ДС408А-1.......................................  7,5	мВ
2ДС408Б-1......................................21,5	мВ
2ДС408В-1......................................10,5	мВ
2ДС408Г-1......................................32.0	мВ
Постоянный обратный ток при Т'одр = 10 В. не более:
при 298 К
2ДС408А-1, 2ДС408Б-1.	2ДС408В-1............. 10 нА
2ДС408Г-1.....................................100 нА
при 358 К
2ДС408А-1, 2ДС408Б-1,	2ДС408В-1.............0.1 мкА
2ДС408Г-1.....................................1,0 мкА
Ток учечки между катодами диодов и выводом подложки
при Ь' — 20 В, не более............................. 10	нА
Общая емкость диола при Т'1)бр= 0.5 В, не более ...	1,3 пФ
Емкость между катодами соседних диодов при То„р = 0 В,
не более..............................................2.5	пФ
Время восстановленяя обратного сопротивления при
С',бр „ = 5 В, 7,р = 5 мА. не более................. 40	нс
Температурный коэффициент разности прямых напряже-
ний, нс более:
2ДС408Л-1...........................................30	мкВ К
2ДС408Б-1.......................................100	мкВ К
2ДС408В-1........................................50	мкВ;К
2ДС408Г-1.......................................170	мкВ К
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение при
температуре ог 213 до 358 К........................... 12	В
Постоянный прямой ток одного диода при температуре
от 213 до 358 К....................................... 10	мА
Импульсный прямой ток одного диода при длительности
импульса т„ л 10 мкс при температуре от 213 до 358 К 100 мА
226
Постоянный суммарный
прямой ток всех диодов
сборки при темпера-
туре от 213 до
358 К.................
Температура окружаю-
щей среды .....
20 мА
От 213
до 358 К
Примечание. Защитное по-
крытие сборок изготовлено из
эмали ЭП-91 (ГОСТ 15943-70).
Зависимость прямо! о тока от па
пряжения.
Зависимость обратною тока от
напряжения (при Г = 298 К).
Зависимость обратного тока от
напряжения (при Т = 298 К).
Зависимость времени восс!анов-
ления обратного сопротивле-
ния от прямого тока.
Зависимость времени восстанов-
ления обратного сопротивле-
ния от импульсного обратного
напряжения.
8*
227
Зависимое i ь оора г hoi »»	: ока
о i юмпераы.ры
Зависимость максимально до-
пустимо! о импульсного прямо-
го тока oi длительности им-
ихльса.
Зависимое 1ь юка утечки между
ка юлами диодов и базовых:
выводом сборки от темпе-
ратуры
2ДС413А-1, 2ДС413Б-1, 2ДС414А-1. 2ДС414Б-1,
2ДС415А-1,	2ДС415Б-1. 2ДС415В-1.	2ДС415Г-1.
2ДС415Д-1, 2ДС415Е-1. КДС413А, КДС413Б. КДС413В.
КДС414А, КДС414Б, КДС414В. КДС415А. КДС415Б.
КДС415В
Диодные сборки, состоящие каждая из десяти |2Д(413Д-;
2ДС413Б-1)и двенадцати (КДС413А. КДС413Б. КДС41 ?В» кремниевы -
планарно-днффузионных диодов с общим катодом, тесяти (2ДС414А-
2ДС414Б-1) и двенадцати (КДС414А. КДС414Б. КДС.414В1 диодов
228
с общим анолом. шее .и (2ДС415А-1. 2ДС415Б-1. КДС415А КДС4!5Б
КДС415В). ия.и (2ДС415В-1, 2ДС415Г-П и четырех (2ДС4!5Д-1
2ДС415Е-1 i изолированных диодов.
Предка юачеиы для использования в дешифраторах, диодных
функциональных среобразователях. умножительных схемах Герметизи-
рованной апиара .ры
Беск'Дрпусные с . ибки.ми выводами и защитным покрытием
Сборки 2ДС-)1?А-1. 2ДС413Б-), КДС413А. КДС4ВБ КДС413В
2ДС414А-!. ДК4АБ-1. КДС414А. КДС414Б. КДС414В имею, .рннад-’
цать выво-лв. Вывод оошсго катода или общего анода - трина т-
цатый. С’щ-щ 2ДС415Л-1. 2ДС415Б-1. 2ДС415В-!	ЗДМ''1'
2ДС415Д-1. 2ДС415Е-!. КДС415А. КДС415Б. КДС415В имеют две-
надцать вызолов Выводы анодов нечетные, выводы катодов - ноете-
дуюшие четные.
Сборки хпаковываются в индивидуальную .ару. на которую
наносится обозначение .ипн. Выводы забракованных диодов сбооок
2ДС413 А -1. 2ДС 4! ? Б-1 2ДС 414А-1. 2ДС414 Б-1, 2ДС415 В-1, 2ДСД15 Г-1
2ДС415Д-1. 2ДС415Е-1 отмечаются цветной меткой через контактные
отверстия в индивидуальной .аре.
Масса сборки — ие более 0.02 г
229
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 7пр= I мА и 298 К' 0.6- О."7? :
Разность прямых напряжений между диодами при одина-
ковом постоянном тоне в диапазоне значеттий от 0.!
до I мА., не более:
при 298 К
2ДС413А-1. 2ДС414А-1, 2ДС415А-1. 2ДС415Е-1.
2ДС415Д-1. КДС413Л, КДС414А, КДС415А ...	5 мВ
2ДС413Б-1. 2ДС414Б-1. 2ДС415Б-1. 2ДС415Г-1.
2ДС415Е-1. КДС413Б. КДС414Б. КДС415Б . . . .	15 мВ
КДС413В. КДС414В. КДС415В..................... 20 мВ
при 213 и 373 К
2ДС413А-1, 2ДС414А-1. 2ДС415Л-1. 2ДС415В-1,
2ДС415Д-1....................................... 10 мВ
2ДС413Б-1. 2ДС414Б-1, 2ДС415Б-1. 2ДС415Г-1,
2ДС415Е-1..................................... 25 мВ
Постоянный обратный ток при Со6р = 10 В. нс более:
при 213 и 298 К
2ДС413А-1. 2ДС411.А-1. 2ДС415А-1, 2ДС415В-1.
2ДС415Д-1 .  ....................................... 0.025 мкА
при 298 К
КДС413Л. КДС414А. КДС415А.......................0.01 мкА
при 213 и 298 К
2ДС413Б-1, 2ДС414Б-1, 2ДС415Б-1, 2ДС415Г-1.
2ДС415Е-1.......................................0.1 мкА
при 373 К
2ДС413А-1. 2.ДС414А-1. 2ДС415А-1. 2ДС415В-1.
2ДС415Д-1.......................................1.5 мкА
при 373 К
2ДС413Б-1. 2ДС414Б-1. 2ДС415Б-1. 2ДС415Г-1.
2ДС415Е-1.....................................2.0 мкА
Общая емкость диода при Со6о = ие более ....	3 пФ
Время восстановления обратною сопротивления при
/пр=5 мА. с'„бр= 10 В, Дгеч= 1 мА. не более ...	40 нс
Сопротивление изоляции между изолированными диодами
сборок 2ДС415А-1. 2ДС415Б-1. 2Д415В-1, 2ДС415Г-1,
2ДС415Д-1, 2ДС415Е-1 при напряжении 10 В. не
менее............................................... 200 МОм
Температурный коэффициент разности прямых напряже-
ний при /1го= 0.1 -к 1 мА, не более:
от 213 до 373 К.....................................50 мкВ К
2ДС413А-1, 2ДС414А-1. 2ДС415А-1, 2ДС415В-1,
2ДС415Д-1 при температуре от 213 до 298 К . . .130 мкВ К
2ДС413Б-1, 2ДС414Б-1. 2ДС415Б-1, 2ДС415Г-1.
2ДС415Е-1 при температуре от 298 до 373 К . . . 100 мкВ, К
230
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение...................... 20 В
Импульсное обратное напряжение при длительности им-
пульса ти 2 мкс и скважности не менее 10 ...	30 В
Постоянный прямой (средний) ток одного диода ... ю чд
Постоянный прямой (средний) ток всех диодов сборки 20 мА
Импульсный прямой ток одного диода при длительности
импульса т., О 10 мкс и скважности не менее 10 . . . ИЮ мд
Рассеиваемая мощность всей сборкой............... 16 р
Температура	окружающей	среды для	2ДС413А-!
2ДС413Б-1.	2ДС414А-1,	2ДС414Б-1.	2ДС415А-1'
2ДС415Б-1.	2ДС415В-1.	2ДС415Г-1.	2ДС415Д-]'
2ДС415Е-1.........................................О, 213 до
373 К
Температура перехода для 2ДС413А-1. 2ДС413Б-1
2ДС414А-1,	2ДС414Б-1,	2ДС415А-),	2ДС415Б-1
2ДС415В-1. 2ДС415Г-1. 2ДС415Д-1, 2ДС415Е-1 . . . ^ ти К
Температура окружающей среды для КДС413А
КДС413Б. КДС413В, КДС414А. КДС414Б. КДС414в’
КДС415А. КДС415Б, КДС415В......................От 213 до
358 К
Примечания: 1. Защитное покрытие сборки изготовлено ит
эмали ЭП-91 (ГОСТ 15943-70).
2. Запрещаются изгиб выводов ближе 0,3 мм от места выхода
из защитного покрытия, соприкосновение выводов и граней кристалла
сборки и перегиб вывода на инструменте с острыми краями. Рекомен-
дуется обрывать выводы у неиспользуемых и забракованных диодов
после установки сборки на плату осз нарушения защитного покрытия.
3 При установке сборки на теплоотвод должно обеспечиваться
тепловое сопротивление переход — среда нс более 3 К/мВг.
Зависимость разности прямых напряжений на диодах (даны тоны
разброса) от температуры.
231
ЗиВИСИ МОС ' I рИнЮМИ ДрТМЫХ напряжении на ЬкД.й i.iJbbl
рл юрос-jJ oi юмперапры
Зависимость обшей емкосш
(даны юны разброса) oi на-
пряжения
Зависимость времени восстапос
тения обратного соприпшдени
(даны юны разброса') oi пр?
мо! о тока
2ДС523А, 2ДС523Б. 2ДС523В. 2ДС52.3Г, КДС523А.
КДС523Б, КДС523В, КДС523Г
Диодные сборки, аккптяе каждая т дв\\ (2ДС523.А 2Д< 523!.
КДС523А. КДСЗЗЗЬ, и чс1ырс\ (2ДС523В 2ДС523Г	:<2Ю2.:В
КДС523Г) кремниевые п инарио- шитаксианьны', .шо.н-в ра , л -
нымн выводами.
Выпускаю 1 ся в u.iaci массовом корима с : иокими выводам'
С (Зорки 2ДС523А. 2ДС523В. КДС523 А. КДС523В маркиохю сч пив
пой 10чкой на корпусе. У сборок 2ДС523Б. 2.3(^231. КДС'2'Ь
КДС523Г пвегпая юч.ка oic\rctB\ei
Масса сборок 2ДС523А. 2ДС523Б. КДСО23Л. КДС523Б нс бакч
0.12 г. 2ДС523В. 2ДС523Г. КДС523В. КДС523Г - не бодсе 0.24 :
2 о------[>|------О 7
1 с------О--------о 8
2ДС8256,2ДС523Г
КДС523В, КДС523Г
7 о--------01-----о 4
2ДС525А, 2ДС5236
КДС523А, КДС5238
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /1р = 20 мА. не более:
2ДС523А. 2ДС523Б. 2ДС523В, 2ДС523Г, при 298 и
398 К и КДС523А. КДС523Б. КДС523В. КДС523Г
при 298 К....................................... 1.0 В
при 213 К....................................... 1.2 В
Разность прямых напряжений между диодами при оди-
наковом постоянном токе в диапазоне значений от 0.05
до 2 мА. не более:
2ДС523А. КДС523А................................... 5	мВ
2ДС523В. КДС523В................................... 10	мВ
2ДС523Б. 2ДС523Г. КДС523Б.	КДС523Г ....	20	мВ
Постоянный обратный ток при СЛ-,р = 50 В. не более:
2ДС523А. 2ДС523Б. 2ДС523В. 2ДС523Г при 213 и
298 К и КДС523А. КДС523Б. КДС523В. КДС523Г
• при 298 К'....................................5 мкА
2ДС523А. 2ДС523Б. 2ДС523В. 2ДС523Г при 398 К
и КДС523А. КДС523Б. КДС523В. КДС523Г при 373 К ;50 мкА
Заряд переключения при /,,= 20 мА. 6ойр ., = 10 В для
2ДС523А. 2ДС523Б. 2Д< ;2?В. 2ДС523Г. ие более . . . 150 nK.i
Общая емкость диода при I -,пР--0.1 В. не oo.iee ...	2 пФ
Время восстановления обратили’ сопротивления при
/пр= 10 мА. (	„ = J0 В. А,к,| = 2 мА. нс оо тес . .	4 ж
Предельные акси.иа|;птионные данные
Постоянное обратное напряжение для 2ДС523А. 2ДС523Б.
2ДС523В. 2ДС523Г при темпера туре от 213 до 398 К
и КДС523А. КДС523Б. КДСоЗЗВ. КДС523Г при темпе-
ратуре от 213 до 373 К ............................
50 В
233
Импульсное обратное напряжение при длительности
импульса ти < 3 мкс для 2ДС523А, 2ДС523Б. 2ДС523В,
2ДС523Г при температуре oi 213 до 398 К и КДС523А.
КДС523Б. КДС523В. КДС523Г при температуре от 213
до 373 К................................70 В
Постоянный или средний прямой ток одного диода при
температуре от 213 до 358 К.........................20 мА
Импульсный прямой ток одного диода при длительное!и
импульса т„ < 10 мкс без превышения средне: о прямого
тока при температуре от 213 до 358 К................ 200 мА
Температура окружающей среды:
2ДС523А, 2ДС523Б. 2ДС523В. 2ДС523Г...............От	213 до
398 К
КДС523А. КДС523Б. КДС523В. КДС523Г...............От	213 до
373 К
Примечание. Допускается пайка выводов на расстоянии не
менее I мм от корпуса сборки к металлической детали площадью
не менее 7 мм2 оловянно-свинповым припоем при температуре не
выше 473 К. при этом допускается затекание припоя до герметизи-
рующего материала.
Зависимость общей емкости Зависимость заряда переключе-
диода от напряжения.	ния от прямого тока.
Зависимость импульсного пря- Зависимоеи> импульсного пря-
мого напряжения от имиульсно- мого гока от длительности им-
го прямого тока.	пульса.
234
Зависимость разности прямых напряжений между диодами сборки
при одинаковом постоянном юке в дмагдиоле oi 0,05 до 2 мА
от температуры.
Зависимость максимально допустимо-
го среднего и импульсного прямых
токов от jeMnepaiypbi.
Зависимость максимально допустимо-
го импульсного прямого тока ог скваж-
ности.
КДС525А, КДС525Б, КДС525В, КДС525Г, КДС5?5Д
КДС525Е, КДС525Ж, КДС525И, КДС525К, КДС525Л
Диодные сборки, состоящие каждая из десяти или восьми кремние-
вых диодов, объединенных в три группы по пять, три и Два диода
с общим анодом (КДС525А, КДС525Б) или с общим катодом
(КДС525Е, КДС525Ж) и в три группы по четыре, два и два диода
235
- общим инодом (КДС52.5В. КДС525Г. КДС525Д) или с общим кате-
том (КДС525И. КДС525К. КДС525Л). Диоды изготовлены методом
ионно-лучевой технологии.
Выпускаю гея в n.iaci массовом корпусе с гибкими выводами Тип
прибора указывался на корпусе
Масса сборки не более 0.7 1
КДС525
КДС525Р.
-L 13 72 11 10 3 3 12 3 Ч 5 6 7	
W ф у у 'и1 13,5	
о 13
о 11
236
Электрические параметры
Постоянное т.рямое напряжение при /нр = 0.2 мА. не менее 0,5 В
Постоянное прямое напряжение для КДС525А. КДС525Б.
КДС525В. КДС525Г. КДС525Д при /лр= 2 мА и
КДС525Е. КДС525Ж. КДС525И. КДС525К. КДС525Л
при 5 мА. не более............................... 0.9 В
Пробивное напряжение на уровне обратного тока 5 мкА.
не менее.
КДС525А. КДС525Б. КДС525В. КДС525Г. КДС525Д	20 В
КДС525Е. КДС525Ж. КДС525И. КДС525К. КДС525Л	!0 В
Постоянный oopd 1иый юк при температуре 233. 298.
358 К дтя КДС525А. КДС525Б. КДС525В. КДС525Г.
КДС525Д при с;,бр= 10 в и КДС525Е. КДС525Ж.
КДС525И. КДС525К. КДС525Л при Со6р = 20 В. не более I мкА
Общая емкость диода при L сйр = 5 В- не более ....	8 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
1/обр ,1= ЮВ. /Рр. „=10 мА. /О1сч= 2 мА. не более ...	5 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
КДС52'А. КДС525Б. КДС525В. КДС525Г. КДС525Д	1.5 В
КДС525Е. КДС525Ж. КДС525И. КДС525К. КДС525Л	25 В
Импульсное обратное напряжение при т„ < 10 .мкс и
скважности не менее 100:
КДС525А. КДС525Б. КДС525В. КДС525Г. КДС525Д	20 В
КДС525Е. КДС525Ж. КДС525И. КДС525К. КДС525Л	40 В
Постоянный прямой ток одного диода при температуре:
от 233 до 308 К....................................21)	мА
при 358 К....................................... 10	мА
Импульсный прямой гок одною диода при т„ 10 мкс
и скважности не менее 100 при температуре:
от 233 до 308 К.................................... 200	мА
при 358 К.......................................109	мА
Рассеиваемая мощность всей сборкой при температуре'
от 233 до 308 К
КДС525А. КДС525Б. КДС525Е. КДС525Ж . . . 100 мВт
КДС525В. КДС525Г. КДС525Д. КДС525И.
КДС525К. КДС525Л................................80	мВт
при 358 К
КДО25А. КДС525Б. КДС525Е. КДС525Ж ....	50 мВт
КДС525В. КДС525Г. КДС525Д. КДС525И.
КДС525К. КДС525Л................................40	мВт
Температура окружающей среды.........................От	233 до
358 К
237
Зависимость времени восстанов-
ления обратного сопротивления
от прямою тока.
Зависимость общей емкости
диода от напряжения.
Зависимость максимально до-
пус I имого импульсного прямо-
го тока от длительности им-
пульса.
Зависимость максимально до-
пустимого среднего и импуль-
сного прямых токов от темпе-
ратуры.
Зависимость максималь-
но допустимой мощное I и
рассеивания сборки от
температуры.
238
КДС526А. КДС526Б, КДС526В
Диодные сборки, состоящие из че/ырсх (КДС526А), трех
(КДС525Б), двух (КДС526В) диодов с общим анодом. Диоды изго-
товлены метолом иошю-лучевой tcxhohoi ни.
Выпускаются в п шстмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса сборки не более 0,3 г.
КДС52?,А
7 О—«]--
2 о------
3 о—«}—->
д О—(О— (
5 0--.-
6 О—<]—
KAC5Z6S
1	о—К---
2	о------
3	О—К]---
5 О------
6 О—К---
KAC5ZS3
1	—
2	о	=.
з о—
5 О--- ~ -
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение:
при !„„ = 5 мА. не более
при 298 К............................................. 1.1	В
при 358 К.......................................... 1.0	В
при 233 К.......................................... 1.8	В
при /Пр= 0.2 мА. нс менее
при 233 и 298 К.......................................0.55	В
при 358 К..........................................0.45	В
Общая емкость диода при L 0,->р = 0. не более ....	5 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр= 10 мА. Гобр, и = 10 В' /отсч= - мА. не более ...	5 нс
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное обратное напряжение......................... 15	В
Постоянный или средний прямой ток одного диода при
температуре :
от 233 до 343 К.....................................20	мА
при 358 К.......................................... 10	мА
239
Импульсный прямой ток одного диода при ги < Ю мкс
без превышения среднего прямого тока...............50 мА
Рассеиваемая мотнос:ь всей сборкой при iемпераг\ре
от 233 до 343 К.....................................50 мВг
при 35S К......................................2 мВт
Тсмпсратчра окрчжаюшей среды .......................От 23? дс
35< К
Зависимость общей емкости
диода oi напряжения.
Зависимость максимально до-
пустимого импульсного прямо-
го гока от длительности им-
пчльса.
Зависимое! ь максималь-
но допустимого средней-
прямого тока одного дио-
да и мощное in рассеива-
ния сборки or темпера-
туры.
2ДС627А, КДС627А
Диодные матрицы, состоящие ич восьми изолированных кремние-
вых зпитаксиа. тьно-плапарпых' диодов Предназначены для использо-
вания в комм;талерах тока и других импульсных схемах
Выпуска к- лея в металлокерамическом корпусе с т некими выводами
Тип прибора указывается на корпусе. Аноды диодов соединены с вы
водами I— Л. катоды соответствующих диодов — с 16 — 9
Масса матрицы не более 0.6 т.
240
7<? О 7У о
4 ? i
°°АААААА
'	2	3	5 ff 7 в
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пг = 20(1 мА
2ДС627А при 213	К ............................0,95-1,35	В
при 298 К........................................0.85—1.15	В
при 398 К........................................0.65-0.95	В
КДС627А при 298 К. не более ....................... 1.3 В
Постоянный обратный юк при СОбр= 50 В. для
2ДС627А. КДС627А не более
при 298 К.......................................... 2 мк \
при 398 К..........................................100	мкА
Общая емкоС1Ь диода при (,’о6р = 0 В. не более ...	5 пФ
Время восстание тения oopaiHoro eonpoi ивления при
/пр= 200 мА. О1Ч-,р= 20 В. / ,... = 10 мА. не более ...	40 пс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при 1емиерат\ре от 2И
до 398 К................................................ 50	В
Импульсное обрагное напряжение при р. -s> 2 мкс и
скважное! и не менее 10 при le.Mnepaivpe or 213 де
398 К.................................................... 00	В
Средний прямой юк через любое чисто диодов или
любой одиночный диод при темпераыре
О1 213 до 323 К...................................... 200	мА
при 398 К............................................. 80	мА
241
1
Импульсный прямей ток через любое чисто диодов или
любой одиночный диод при т„ < 10 мкс без превыше-
ния среднего прямого г ока при температуре:
от 213 до 323 К.................................. 1'О|> мД
при 398 К.........................................  .	7,:i: мА
Температура окружающей среды.............................О. 21? .,
к
Температура перехода для 2ДС627А............................... к
Зависимое г ь заряда иерсключе- Зависимость общей емкости
пня от прямого тока.	диода от напряжения.
Зависимость импульсного поя
мою напряжения от импульсно-
го прямого тока.
Зависимое!ь максимально допустимого среднего прямого тока от
температуры.
242
Зависимость максимально допустимого импульсного прямого тока
от температуры.
2ДС628А, КДС628А
Диодные матрицы, состоящие из шестнадцати кремниевых эпи-
таксиально-планарных диодов.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса матрицы не более 0,7 г.
25,8
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр= 300 мА:
2ДС628А
при 213 К.......................................1,0- 1,4 В
при 298 К....................................0,95- 1,25 В
при 398 К....................................0,7—1,0 В
КДС628А при 298 К. не более..................... 1,3	В
243
Постоянный обратный ток при С.,,-.р - 50 В. не более:
2ДС628А. КДС628А при 298 К............................ 5	мкА
2ДС628А
при 213 К......................................  5	мкА
три 398 К........................................1	00 мкА
Общая емкоси, л пода при L 'i В. не более - . .	32 нФ
Время bocciuhob.;ения обратного сонрогив юння при
/ир= 300мА. Г,-,Р. ,,= ЗОВ. Д.с.(- ЮмА. неболее. . .	50 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при темпера i хре oi
213 до 398 К..........................................  50	В
Импульсное обратное напряжение при т„ 2 мкс и
скважное! и не менее 10 при температуре от 213 до
398 К.................................................. 60	В
Импульсный прямой ток через любое число диодов или
любой одиночный диод при т„ «1 10 мкс без превы-
шения среднего прямого тока при температуре:
от 213 до 323 К...................................1500	мА
нри 398 К..........................................750	мА
Средний прямой !ок через любое число диодов или лю-
бой одиночный диод при /лр и 4 600 мА при ге.мие-
рагуре:
о, 213 до 323 К....................................... 300	мА
при 398 К...........................................*0	мА
Средний прямой ток через любое число диодов или
любой одиночный диод нри температуре.
от 213 до 323 К при /,,р. и= 1500 мА.............. 200	мА
при 398 К и /чр „ = 750 мА..........................60	мА
Температура окружающей среды............................Oi	213 до
398 К
Температура перехода для 2ДС628А...................... 428	К
Зависимость импульсною прямого напряжения от импульсного пря
мого гока.
244
Зависимость максима.п и;
joii\uhimoto среднего прямоте' юка о
температуры
Зависимое । ь максимально до-
пушимого среднего прямого i о-
ка от максимально допустимого
импульсного прямого тока
Зависимость максимально до-
пустимого среднего прямого то-
кг! от максимально допустимого
импульсного прямого юка.
Зависимое i ь максимально допу с г имог о ими у льсног о прямот о i ока
ci температуры
2Д901Д-1, 2Д901Б-1, 2Д901В-1, 2Д901Г-1. КД901А-1,
КД901Б-1, КД901В-1. КД901Г-1
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов
Предназначены для работы в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с защитным покрытием и i пбкими выводами. Тип
и полярность прибора приводяюя на ярлыке, помещаемом в инди-

ни :i> ю :ap). Знак полярности располагав гея у обитого вывода
(катола) в окне тары.
\!i'.Tp.fим :ic более 10 xir
3 iCkfричсские параметры
Постоянное прямое напряжение при /,,р = 10 мкА. не менее:
при	298	К........................................ 0.4	В
при	358	К...................................... 0.23	В
Постоянное прямое напряжение нои /,,р= 1 мА. нс более:
ири	298	К........................................ 0.7	В
при	213	К....................................... 0,9	В
Постоянный обратный ток при t„6p= 10 В. не более:
при 298 К . . .  .....................................0.2	мкА
при 358 К.......................................  1.0	мкА
Время восстановления обратного сопротивления при пере-
ключении с 5 мА ПОС1ОЯННО1О прямого тока на 10 В
обратною напряжения при уровне отсчета обратного
Юла 2 мА, не более.................................... 20	нс
Общая емкость при постоянном напряжении смещения
0,1 В. /= I -г 10 МГн. не более........................ 4	пФ
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и периодичности при
температуре от 21.3 до 358 К........................... 10	В
Постоянный прямой ток (суммарный ток всех илотов
матрицы; при температуре от 213 до 358 К . . . .	5 мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и /пр сп < 5 мА
при температуре от 213 до 358 К......................  100	мА
Температура окружающей среды............................От	213
до 358 К
Примечания: 1. Расстояние от места пайки (сварки) до защит-
нот о покрытия должно быть не менее 2 и не более 7 мм. Натрев
кристалла и защитного покрытия при пайке (сварке) ие выше 358 К.
Расстояние места изгиба от защитного покрытия не менее 0,3 мм.
246
Не допускается соприкосновение выводов с кристаллом и перегиб
выводов на инструменте с острыми краями.	и
2.	При включении матриц в измерительную или испытательную
схему, находящуюся под напряжением, общий вывод (катод) должен
присоединяться первым и отключаться последним.
3.	Защитное покрытие матриц изготовлено из эмали ЭП-91
4.	Допускается работа матриц при температуре 398 К при этом
типовое значение обратного тока равно 1-3 мкА. а типовое значе-
ние прямого напряжения 0.17 — 0,23 В.
Зависимость импульсного пря-
мого тока от длительности им-
пул ьса.
Зависимость общей емкости
диода of напряжения,
2Д903А, 2Д903Б, КД903А, КД903Б
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе. Матрицы 2Д903Б. КД9ОЗБ выпус-
каются без выводов 12 и 13.
Масса матрицы не более 0,5 i.
247
Электрические параметры
11 ос 1 ояипое прямое напряжение при 1 ,Р= мА. не бо iee
oi 298 .io 543 К................................... 1.2	В
при 213 К....................................... 1.3	В
Постоянный обра1ный iок ::рн i 23 В. не более
oi 21- до 298 К.....................................3.8	мкА
при 545 К . .	.	.	.	.	.........'I мкА
Время восе 1 лпов. iei / ия обрамю!? соиро г иь.тенпя при
/... -- 1 > 3 А. I v -р , - н) В. / . — ’ м А. не - >о iee	I 50 in
Общая емкость диола при I ?г = 5 В. ' = 1 -- iО МГц. не
бо iee ........................................... 10 пФ
Импульсное прямое напряжение при „--0.3 А.
т„ = 3 мкс. не бо iee.............................. 2,3	В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при 1емпер.1турс от
213 до 343 К.................................................. 20	В
Суммарный постоянный прямой ток через все диоды или
через один любой при температуре от 21 3 до 343 К . . .	75 ч..\
Импульсный прямой ток при ги < 3 мкс. /;ф. ср=75 мА
и ,'емперагуре oi 213 до 343 К..........................0.35 А
Импульсное обратное напряжение при т„ «1 3 мкс. скваж-
ности не .менее 10 и температуре от 213 до 343 К . . .	30 В
Темпера ।ура окружающей среды........................От	21?
до 343 К
Зависимость обшей емко
диола oi напряжения
248
Зависимость времени воесинов-
ления обратного сонрснивления
от импхльсного прямого тока
Зависимость импульсного пря-
мою тока ci длительности им-
пульса.
2Д904А-1, 2Д904Б-1, 2Д904В-1, 2Д904Г-1, 2Д904Д-1,
2Д904Е-1, КД904А-1. КД904Б-1, КД904В-1, КД904Г-1.
КД904Д-1. КД904Е-1
Диодные хкырииы. состоящие и* кремниевых планарных диодов.
Предназначены для работы в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с Мишиным покрытием и гибкими выводами Тип
прибора и схема соединения глектродов с выводами приводятся на
ярлыке, помещаемом в индивидуальною тар} В матрицах 2Д904А-1.
КД904А-! один диол- 2Д904Б-1. КД904Б-1 - два. 2Д904В-1. 2Д904Д-1.
КД904В-1. КД904Д-1 - ipn. 2Д904Г-1. 2Д904Е-1. КД994Г-1. КД904Е-1 -
четыре.
Масса матрицы не 6о ice ID mi.
2ДЭ09Д-1 2Д9ОЧБ-1
КД 9094-^ КД90ЧБ-1
2Д3099-;д<-1 гдзачг-ц-1
КД909В-1,Д-1 КД90ЧГ-1,Е-1
249
Электрические параметры
Пос юянное прямое напряжение при /пр= 0.01 мА. не менее :
при 298	К........................................... 0,45	В
при 358	К...........................................0.31	В
Постоянное прямое напряжение при /ир = I мА. не более:
при 298	К . . . .................................... 0.8	В
при 213	К........................................... 1.05	В
Постоянный обратный ток при С'Опр= Ю В. не более:
при 298 К.............................................0.2 мкА
при 358 К.........................................1.0 мкА
Разность прямых напряжений двух диодов из числа пер-
вых трех диодов при /,р от 0.05 мА до 0,5 мА для
2Д904Д-1, 2Д904Е-1, КД904Д-1. КД904Е-1, не более 10 мВ
Время восстановления обратного сопротивления при
/||р= 5 мА. Со6г, „= 5 В, не более.................... 10 нс
Общая емкость каждого диода при б'т-р=0.1 В.
/=1д1() МГц. не более................................. 2 нФ
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и периодичности при
температуре от 213 до 358 К........................... 10В
Импульсное обратное напряжение при ти2 мкс. скваж-
ности не менее 10 и температуре от 213 до 358 К . . .	12 В
Средний выпрямленный ток (суммарный ток всех диодов
матрицы) при температуре от 213 до 358 К . . . .	5 мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и	мА 100 мА
Температура окружающей среды........................От	213 до
358 К
Примечания: 1. Расстояние от места пайки (сварки) до за-
щитного покрытия должно быть нс менее 2 мм и не более 7 мм.
Нагрев кристалла и защитною покрытия при пайке (сварке) не выше
358 К.
2.	Допускается изгиб вывода на расстоянии не менее 0.3 мм от
защитного покрытия.
3.	Не допускается соприкосновение выводов с кристаллом и перст иб
выводов на инструменте с острыми краями.
4.	При включении матрицы в измерительную пли испытательную
схему, находящуюся под напряжением, общий вывод (анод) доджей
присоединяться первым и отключаться последним.
5.	Защитное покрытие матриц изготовлено из эмали ЭП-91.
250
пКл
75
70
65
60
55
50
О 1 г з 5 мА
Зависимость импульсного пря-
мого напряжения от импульсно-
го прямого тока прямоугольной
формы с временем нарастания
фронта 2 — 3 нс.
Зависимость заряда переключения
ог постоянного прямого тока.
Зависимость заряда переключе-
ния от постоянного обратного
напряжения.
Зависимость импульсного пря-
‘•лого тока от д.Тг! ic.TbHuv. и им-
пульса.
Зависимость общей емкости
диода от обратного напряжения.
251
2Д906А, 2Д906Б, 2Д906В, КД906А, КД906Б, КД906В,
КД906Г. КД906Д. КД906Е
Ди;' iные матрицы, состоящие из кремниевых знитаксиальис-
цтаиарн!.;--. аиоаоь.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с : некими выводами Тин
крит'ора укауываек-я на корпусе- типы 2Д90БА. КД906А обозначаются
2Д9!).-'.. КДчОб: 2Д906Б. КД906Б — 2Д9оо. КД9О6 -- с одной красной
। очной ; 2. [9<)('В. КДч’И'В - 2Д9(.тц КДчон - с двумя красными точка.ми
Бс.ня ТО.1Л,, и ре тьериый шаь ставятся у четверт с о вывода
Мае.::, .матриц;., не ~\iee O.f- :
Э. <ек грическне иараме i ры
Постоянное прямое напряжение при I„~= 5б мА. не более
при 29S К.......................................... IB
при 213 К для 2Д9О6А. 2Д9(т6Б. 2Д906В и при 21s К
для КД906А. КД906Б, КД906В. КД906Г. КД906Д.
КД906Е.......................................... 1.2 В
Импульсное прямое напряжение при = 2 А.
с„ = 30 мА. т,, = 10 мкс. не более................. 5 В
Постоянный обратный ток при I = ~5 В для 2Д9О6А.
КД9О6А. К'Д906Г.	= 50 В для 2Д906Б. КД906Б.
КД906Д. С?.-г=30 В для 2ДОО6В. КД906В. КД906Е.
ие белее
при 29s К......................................... 2 мкА
при 39S К для 2Д996.А. 2Д906Б. 2Д9О6В .... мкА
при 35s для КД90РА. КД906Б. КД9О0В. КД906Г.
КД9О6Д. КД906Е..................................ЮР мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
/,,г ,,= 50 мА. ("мр„=20 В. не более................ 2 мке
Время усыновления прямого сопро 1 явления при /пр ,, = 2 А.
/,.р ,.?=30 мА. т„ = Ю мкс. не более.............. I мкс
Обшая емкость при I „6,,= 5 В. / = 1 - 10 МГц. не более.
2Д906Л. 2Д906Б. 2Д906В. КД906А. КД906Б. КД906В 20 пФ
КД906Г. КД906Д. КД906Е.......................... 40 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Посюяниое oopaiHoe напряжение при температуре ог 223
до 39^ К для 2Д906А. 2Д9О6Б. 2Д906В и от 2'8 К
до 358 К для КД906А. КД906Б. КД906В. КД906Г.
КД906Д. КД906Е:
2Д906А. КД906А. КД9О6Г.............................. 7<	в
2Д9О6Б. КД906Б. КД906Д................ .	' ’	<0 в
2Д906В. КД906В. КД906Е ....	' '	. в
Импульсное обратное напряжение при т. \ 10 мкс (при
подаче имп\ гьса отрицательной полярноечг не 'юнее
чем через 3 мки после окончания импхльса прямого
тока) при темпера гуре от 213 до 398 К для 2Д906Л,
2Д906Б. 2Д9О6В и от 218 до 358 К для КД906А.
КД906Б. КД906В. КД906Г. КД906Д. КД906Е
2Д9О6А. КД906А.................................. 190 В
2Д906Б. 2Д906В, КД906Б. КД906В. КД906Г. КД906Д.
КД906Е......................................... 75В
Постоянный средний прямой ток или выпрямленный ток
для одного (любого) диода матрицы при 1емпературе:
от 213 до 323 К для 2Д906А. 2Д906Б. 2Д906В . . . 200 мА
при 398 К для 2Д906А. 2Д906Б. 2Д906В ....	25 мА
от 218 до 323 К для КД906А. КД906Б. КД906В.
КД906Г. КД906Д. КД906Е.........................100 мА
при 358 К для КД906А. КД906Б. КД906В. КД9О6Г.
КД906Д. КД906Е................................. 30 мА
Импульсный прямой ток для одного (любого) диод;:
матрицы при 10 мкс:
при /гр ср= 30 мА и темпера :уре о г 213 до 398 К
для 2Д906А. 2Д906Б. 2Д906В и от 218 до 358 К для
КД906А. КД906Б. КД906В. КД906Г. КД906Д. КД906Е 2 А
при Л1р ср = 60 мА и температуре от 213 до 363 К
для 2Д906А. 2Д906Б. 2Д906В..................... 1 а
Частом: без снижения режимов...................... 500 кГц
Температура окружающей среды.
2Д906А. 2Д906Б. 2Д9О6В..........................От	213 до
398 К
КД9О6А. КД9О6Б. КД9О6В. КДООбГ. КД906Д.
КД906Е......................................... От	218 до
358 К
Примечания: 1 Доп у скается парт, цельное соединение ма грин
При работе в качестве выпрямительною моста общий прямой юк
не должен превышать О.'7 нА P.vr. г ле " - число парад ле :ьно юединеп-
ных матриц
2. Допхскашся Поспелова гельное соединение магрпц. лрн мэм
каждую и? них рекомендуется шыпирова iь выравнивающим конден-
сатором.
3, Допхскаегся пайка ла расстоянии 1 мм oi корпуса матрицы
к мегалличсской детали площадью не менее 7 мм- оловянио-свин-
цовым припоем при температуре не выше 473 К.
253
Зависимость постоянного пря
мен о юна от 1емпературы.
2Д907Б-1, 2Д907Г-1, КД907Б-1, КД907Г-1
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых эпитаксиально-пла-
нарных диодов с общим катодом. Предназначены для работы в гер-
мез изироваиной аппаратуре.
Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами. Тип
прибора и полярность указываются па крышке индивидуальной тары.
Масса матрицы не более 5 mi .
2Д30тг-1, кддтг-1
2Д9Р76-1 ,ЛЛ9О7й-Т
>5.',	3/9: - выводы кагода:
Г' I:. 2(3). 3<7. 4'8. — выводы ано.ш
В скобках — номера штырьков тары.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /п; = 50 мА
при температуре:
о। 298 до 358 К........................... 0.75*	-0.85* - I В
при 213 К. не более ............................ 1.3	В
254
Постоянный обратный гок при = 40 В
и температуре:
от 213 до 298 К.......................... 0.05*-	0,25*- 5 мкА
при 358 К. ие более...................... 50 мкА
Заряд переключения при /,,р, u = 50 мА.
^обр.и = Ю В............................... 100*-250*-500 пКл
Общая емкость при С oSp = 0,	f = I -?
тЮ МГц.....................................1»	- 2,5* _ 5 1|ф
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 358 К ....................................... 40 В
Импульсное обратное напряжение при ти < 2 мкс, скваж-
ности, большей или равной 10. и температуре от
213 до 358 К ....................................... 50 g
Суммарный средний прямой ток через все диоды или
любой одиночный диод при 1емиературе:
от 213 до 333 К .................................50 мА
при 358 К............................................ мД
Суммарный импульсный прямей ток при т,, -' 2 мкс
Лф.ср.макс через все диоды или любой одиночный диод
при те.мпературе:
oi 213 до 333 К ................................. 0.7 А
при 358 К . .................................... 0 5 А
Температура окружающей среды .......................От ?13
до 358 К
Температура перехода ... ........................... 378 К
Примечания: 1. Допускас1ся изгиб выводов на расстоянии
не ближе 1 мм oi защитного покрытия с радиусом закпчтления
не менее 0.3 мм. Длина выводов от меси выхода из защитно-
го покрытия до места закрепления должна сыть не более 6 мм.
2. Защитное покрытие мазриц из: словлено из эмали ЭП-91.
Зона возможных положений зави-
симости установившегося прямого
напряжения от импульсного пря-
мого тока.
255
ЗОНД ВОЗМОЖНЫХ положений ?d-
виси мости ырялл переключения
о: прямого- тока
Зона возможных положений
внепмоимт обшей емкости anch-
or напряжения.
Зависимость среднего прямо! о
тока от температуры.
Тпр, и, макс	2Д907(б-ЬГ-1), КД907(б-1 Г-11
! I j ]	\ ! ’
!	
! 1		1—1	
О j	---------- --------------
Z13 253 253 333 373 413 К
Зависимость импульсного пря-
мого тока от температурь;
2Д908А, КД908А
Диодные матрины. состоящие из кремниевых эпитаксиально -
планарных диодов. Предназначены для работы в импульсных пере-
ключающих схемах с малым временем восстановления обратной
сопротивления
Выпускаются в мегаллостеклянном корпусе с iнекими выво^.-
мп. Тип прибора \казывае!ся на корпусе Матрица состоит и;
восьми диодов с обшим катодом. Аноды диодов соединены с не-
водами 1 - выводы катода — 9— 12.
Масса матрицы не бодее 0.63 г
256
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 200 мА, не
более, при температуре:
от 298 до 398 К для 2Д908А и от 298 до 358 К
для КД908А........................................ 1,2	В
при 213 К......................................... 1,5	В
Постоянный обратный ток при 6of-)p = 50 В, не более,
при температуре:
от 213 до 298 К..................................... 5	мкА
при 398 К для 2Д908А и 358 К для КД9О8А . . . 100 мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
/пр = 200 мА, ^оор.и = 1 в- 4тсч = 3 мА. не
более ............................................... 30	нс
Общая емкость одного диода при Г,К5р = 0 В, ]' =
= 1 -ь 10 МГц. не более................................. 5	пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре:
от 213 до 398 К для 2Д908А.....................  .	50 В
от 213 до 358 К для КД908А..................... 40 В
Импульсное обратное напряжение при т„ s: 10 мкс, скваж-
ности не менее 10 и температуре от 213 до 398 К для
2Д908А и от 213 до 358 К для КД908А............... 60 В
Суммарный средний прямой ток через все диоды или
любой одиночный диод при температуре
от 213 до 323 К для 2Д908 и от 213 до 308 К
для КД908А......................................... 200 мА
при 398 К для 2Д908Л и 358 К для
КД908А.........................................100 мА
Суммарный импульсный прямой ток при г., s 10 мкс
без превышения /Пр.ср.макс через все диоды или любой
одиночный диод при температуре:
от 213 до 323 К для 2Д908 и от 213 до 308 К
для КД908А.....................................1500 мА
при 398 К для 2Д908А и 358 К для
КД908А......................................... 750 мА
Температура окружающей среды:
2Д908А .	..................................От 213
до 398 К
9 под ред. Н. Н Горюнова
257
КД908А.......................................От 213
до 358 К
Температура перехода для 2Д908А.................. 423 К
Зона возможных положений зави-
симости общей емкости диода от
обратного напряжения.
Зона возможных положений за-
висимости заряда переключения
от постоянного прямого тока.
Зона возможных положений за-
висимости прямого устано-
вившегося напряжения от им-
пульсного прямого тока.
Зависимость средне, о прямого
тока от температуры.
Зависимость импульсного пря-
мого тока от температуры.
258
КД909А
Диодная матрица, состоящая из кремниевых эпитаксиально-
планарных диодов.
Выпускайся в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается па корпусе. Матрица состоит из восьми
диодов с общим катодом. Аноды диодов соединены с выводами
1 — 8. выводы катода - 9—10.
Масса матрицы не более 0.58 г.
13 9 5 В 7 Я
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /||р = 200 мА. не
более:
при 298 К......................................... 1,2	В
при 213 К......................................... 1,5	В
Постоянный обратный ток при Су^р = 40 В. не более:
при 213 и 298 К ................................... Ю мкА
при 358 К..........................................100	мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
4Р,и = 500 мА. Со6р.и= 10 В,	= 5 мА. не
более............................................. 70 пс
Общая емкость при <7обр = 0 В, /= I -у 10 МГц. не
более............................................... 5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение....................... 40 В
Суммарный постоянный прямой ток (или среднее зна-
чение) через все диоды или через один любой
диод................................................. 200 мА
Импульсный прямой ток при ти 3 мкс без превышения
предельного среднего тока при температуре:
от 213 до 298 К .................................1500 мА
при 358 К........................................1200 мА
Температура окружающей среды.........................От 213
до 358 К
9*
259
Зависимость и мнульсного пря-
мою юка от темпера I уры.
Зависимое! ь импульсного пря
мого тока от длительности им
пульса.
2Д910А-1, 2Д910Б-1, 2Д910В-1, КД910А-1, КД910Б-1,
КД910В-1
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов
Предназначены для работы в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами
Матрицы маркируются цветными точками: 2Д910А-1. КД910А-1 -
красной, 2Д910Б-1.	КД910Б-1 — двумя красными. 2Д910В-1
КД910В-1 — тремя красными. Тип и полярность прибора указыва-
ются на ярлыке, помещаемом в индивидуальную iapy.
Масса матрицы не более 10 мг.
7	t 1
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 0.05 мА. не
менее:
при 298	К............................................. 0.5	В
типовое	значение.....................................0.57*	В
при 358	К.............................................О.Зй	В
260
Постоянное прямое напряжение при /пр = 1 мА, не
более:
прн 298 К.............................................. 0,8 В
типовое значение.....................................0,77* В
при 213 К........................................ 1,1	В
Постоянный обратный ток при ёотр = 5 В, не более:
при 298 К..........................................0,5 мкА
типовое значение...............................0,02* мкА
при 358 К ... ......................................10	мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
7пр и ~ 7 мА, L оор, и 7 В.	— мА, скважности
не менее 100. не более................................ 5	нс
Общая емкость при t o6p = 0,l В. f= I ~ 10 МГц. не
более .................................................1,5	пФ
Предельные экыыуатационные данные
Импульсное обратное напряжение любой формы и пе-
риодичности при температуре от 213 до 358 К . . .	5 g
Импульсный прямой ток (суммарный ток всех диодов
матрицы) при температуре:
от 213 до 328 К ................................. 10	мА
при 358 К......................................... 5	мА
Температура окружающей среды..........................От	213
до 358 К
Примечания: 1. Расстояние от места пайки (сварки) до
защитного покрытия должно быть не менее 2 и не более 7 мм.
Нагрев кристалла и защитного покрытия не выше 358 К. Рас-
стояние места изгиба вывода от защитного покрытия не менее
0,3 мм.
2. При включении матрицы в измерительную или испытатель-
ную схему, находящуюся под напряжением, общий вывод (анод)
должен присоединяться первым и отключаться последним.
3. Защшное покрытие изготовлено из эмали ЭП-91.
Зависимость заряда перекдюче- Зависимость заряда переключе-
ния от прямого тока.	ния от ооратного напряжения.
261
Зависимость импульсного пря-
мого тока от длительности им-
пульса.
Зависимость импульсного пря-
мого напряжения от импульсно-
го прямого тока с временем
нарастания фронта 2 — 3 нс.
Зависимость общей емкости
диода от обратного напряжения.
Зависимость импульсного пря-
мого тока от температуры
2Д911А-1, 2Д911Б-1, КД911А-1, КД911Б-1
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные, с защитным покрытием и гибкими выводами
Количество диодов в матрице может быть i, 2 или 3 в зависи-
мости от заявок потребителя. Тип прибора и схема соединения
электродов с выводами приводятся на таре-спутнике. Матрицы мар-
кируются цветным кодом: 2Д911А-1, КД911А-1 — черной точкой у
вывода катода. 2Д911Б-1, КД911Б-1 - белой точкой.
Масса матрицы не более 10 мг.
262
1
1
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /нр = 0.05 мА, нс
менее:
при 298 К
2Д911А-1. КД911А-1................................0,62	В
2Д911Б-1, КД911Б-1	 0,55	В
при 358 К
2Д911А-1, КД911А-1................................ 0,5	В
2Д911Б-1, КД911Б-1	  0,4	В
Постоянное прямое напряжение при /]1р = | мА. не
более:
при 298 К для 2Д911А-1. 2Д911Б-1, КД9ПА-1.
КД911Б-1........................................0,85 В
при 213 К для 2Д911А-1, 2Д911В-1 и при 233 К
для КД9НА-1. КД911Б-1........................... f,15 В
Постоянный обратный ток при С'о6р = 5 В. нс
более:
при 298 и 213 К для 2Д91 1А-1. 2Д911Б-1 298 К
и 233 К для КД911А-1, КД911Б-1	....	0,5 мкА
при 358 К для 2Д911А-1,	2Д911Б-1.
КД9НА-1, КД911Б-1	..................... 10 мкА
Время восстановления обратного сопротивления
при /пр и ~ 5 мА, б'о(5р<и = 1,5 В, /отсч = а,5 мА.
2Д911А-1, КД911А-1 ...................... 30 —70*— 140* нс
2Д911Б-1, КД911Б-1....................... 80—100’ —180* нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 К до 358 К для 2Д911А-1, 2Д911Б-1 и от 233
до 358 К для КД911А-1, КД911Б-1....................... 5	В
Постоянный прямой ток (суммарный ток всех диодов
матрицы) при температуре:
от 213 К до 328 К для 2Д911А-1, 2Д911Б-1 и
от 233 до 328 К для КД911А-1, КД911Б-1 ....	10 мА
при 358 К для 2Д911А-1. 2Д911Б-1, КД911А-1,
КД911Б-1............................................ 5	мА
263
Температура окружающей среды.
2Д911А-1. 2Д911Б-1............................От	213
до 355 К
КД911А-1. КД9НБ-1.......................  .	От 233
до 35S К
Примечания' 1. Защитное покрытие матриц изготовлен,
из эмали ЭП-91.
2.	При пайке выводов не допускается нагрев кристалла и за-
щитного покрытия свыше 373 К.
3.	Минимальное расстояние от места пайки (сварки) до защит-
ного покрытия должно быть не менее 1 мм
4.	При эксплуатации матриц в аппарате ре должен быть обес-
печен отвод теплоты от кристалла с общим тепловым сопро-
тивлением не более 3 К мВт.
5.	Допускается изгиб вывода на расстоянии не ближе 0.3 мм
от защитно! о покрытия.
6.	При включении диодных матриц в измерительную или испы-
тательную схему, находящуюся под напряжением, базовый вывод
(катод) должен присоединяться первым и отключаться последним
Зависимость времени восста-
новления обратного сопротив-
ления от прямого тока.
Зависимость времени восстанов-
ления обратного сопротивления
от прямого тока.
Зависимость прямою юка
темпера т \ры.
264
2Д912А-3, 2Д912Б-3, 2Д912В-3, КД912А-3, КД912Б-3
КД912В-3
Диодные магрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре."
Бескорпусные с жесткими выводами без кристаллодержателя
Число диодов в матрицах в зависимости от заявок потреби-
телей - 1 (диагональный). 2, 3. Тип прибора указывается на ярлыке,
прилагаемом к групповой таре. Вывод анода имеет больший диаметр"
Масса матрицы не более 10 мг.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /Iip — 50 мкА. не
менее:
при 298 К
2Д912А-3. КД912А-3.................................. 0,5	В
2Д912Б-3. КД912Б-3................................0.62	В
2Д912В-3. КД912В-3................................0.55	В
при 358 К
2Д912А-3. КД912А-3................................. 0.35	В
2Д912Б-3. КД912Б-3................................0,47	В
2Д912В-3. КД912В-3................................ 0,4	В
Постоянное прямое напряжение при /,,р = 1 мА. не
более:
при 298 К
2Д912А-3. КД912А-3.................................. 0.8	В
2Д912Б-3, 2Д912В-3. КД912Б-3. КД912В-3 . . .	0.85 В
при 213 К
2Д912А-3. КД912А-3................................ 1.1	В
2Д912Б-3. 2Д912В-3. КД912Б-3, КД912В-3	. . .	1.15 В
Постоянный обратный ток при 6-'овр = 5 В:
при 298 К.............................................0.2	мкА
при 358 К..........................................5.0	мкА
265
при 213 К для 2Д912Б-3, 2Д912В-3. КД912Б-3.
КД912В-3.............................................0.5	мкА
Время восстановления обратного сопротивления при
Л1р и =:: -- мА, £Зобр,н = 5 В. /отсч = 2 мА. не более.
2Д912А-3, КД912А-3...................................... 5	нс
2Д912Б-3, КД912Б-3................................. 30	нс
2Д912В-3. КД912В-3	  80	нс
Об!цая емкость при б'ойр = 0,1 В. / = 1 -? 10 МГц. не
более .................................................. 1.8	пФ
Предельные эксплуа iанионные данные
Постоянное (или импульсное любой формы и периодич-
ности) обратное напряжение при температуре от 213
до 358 К............................................... 5	В
Импульсный прямой ток (суммарный ток веек диодов
матрицы) при температуре:
от 213 до 328 К .................................. 10	мА
при 358 К.......................................... 5	мА
Постоянный прямой ток, средний выпрямленный юк
(суммарный ток всех диодов матрицы) при темпе-
ратуре :
от 213 до 328 К ..................................3,5	мА
при 358 К.........................................2.0	мА
Температура окружающей среды...........................О:	213
до 358 К
Примечания: 1. При монтаже матриц допускается воздей-
ствие на них температуры 573 К (2Д912А-3, КД912А-3) и 673 К
(2Д912Б-3, 2Д912В-3. КД912Б-3. КД912В-3) не более 5 с при кон-
тактировании с контактными площадками микроплаты. Допускается
нагрев на воздухе до 503 К не более 3 мин, а до 423 К в
течение 2 ч.
2. При эксплуатации диодных матриц должен быть обеспечен
отвод теплоты с общим тепловым сопротивлением не более 3 К,'мВт.
Зависимость импульсного прямою
напряжения от импульсного пря-
мого тока с временем нарастания
фронта 2 — 3 нс.
Зависимость импульсного прямого
тока от длтельности импульса.
Зависимость общей емкости
диода от напряжения.
Зависимость времени восстанов-
ления от импульсного обратно-
го напряжения.
Зависимость времени восстанов-
ления от импульсного обрат-
ного напряжения.
Зависимое гь импульсного пря-
Зависимость прямого тока от
мого тока от температуры.
температуры.
267
2Д913А-3, КД913А-3
Диодные матрицы, состоящие из трех кремниевых планарных
диодов с общим катодом. Предназначены для применения в гер-
метизированной аппаратуре.
Бескорпусныс с жесткими без крис[аллодержателя выводами.
Тип прибора указывается на ярлыке, прилагаемом к групповой
таре. Общий вывод (катод) маркируется.
Масса матрицы не более 2 мг.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр =
= 10 мкА:
при 298 К.............................0.4 —0.45*— 0.48* В
при 358 К. ие менее................. 0.23 В
Постоянное прямое напряжение при /п? =
= 1 мА:
при 298 К.............................0.61*-0.62*-0.7 В
при 213 К, не более................. 0.9 В
Разность постоянных прямых напряжений
диода при /пр! = 10 мкА, /пр2 = 1 мА . . . 0.16* — 0.17* — 0.25 В
Постоянный обратный ток при Lp- =10 В:
при 298 и 213 К..................... 0.001 *-0.002*-0,2 мкА
при 358 К. не более................. I мкА
Время восстановления обратного сопротив-
ления при /нр „ = 5 мА, 6 обр. и =Ю В.
/О1СЧ = 2 мА.......................... 2*—2.5* — 10 нс
Общая емкость диода при 1обр=0.1 В.
./ = 1 -т- 10 МГн..................... 2*-2.6*-4 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (или импульсное) обратное напряжение диода
при температуре от 213 до 358 К......................... 10	В
Суммарный прямой ток через все диоды или через
любой диод при температуре от 213 до 358 К . . .	5 мА
268
Импульсный прямой ток диода при ти < 10 мкс без
превышения /Пр..макс ПРИ температуре:
oi 213 до 308 К................................... 200	мА
при 358 К..........................................120	мА
Температура окружающей среды...........................От	213
до 358 К
Примечания: 1. При монтаже допускается однократный
нагрев матрицы до 373 К в течение не более бес подачей
ультразвуковых колебаний и нормальным давлением на кристалл до
200 г.
2. Выводы матриц медные, покрытые припоем ПСрОСЗ-58.
Зависимость импульсного пря-
мого напряжения от импульсно-
го прямого тока.
Зависимость общей емкости
диода от напряжения.
Зависимое [ь заряда переключе-
ния от импульсного прямого
гока.
Зависимость импульсного пря-
мого гока от темпера гуры.
269
КД914А, КД914Б, КД914В
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых диодов, изготов-
ленных по электронно-ионной технологии.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тил прибора указывается на его корпусе.
Масса матрицы не более 0,3 !.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 5 мА:
при 298 К. пе более................................... 1	В
при 358 К.........................................От	0,45
до 1 В
при 7пр — 0,2 мА и 298 К, не менее...............0,55	В
Постоянный обратный ток при Т'о6р = 20 В. не более:
при 298 и 218 К......................................1,0	мкА
при 358 К.........................................10	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение.................... 20 В
Постоянный прямой ток.............................20 мА
Импульсный ток при ти с 10 мкс.................... 50 мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре:
от 218 до 343 К ..............................50 мВт
при 358 К.....................................25 мВт
Температура окружающей среды......................От 218
до 358 К
270
Зависимость времени восстановле-
ния от постоянного прямого тока.
Зависимость импульсного пря-
мого тока от длительности им-
пульса.
Зависимость средней рассеивае-
мой мощности от температуры
2Д917А, КД917А
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых эпитаксиально-
планарных диодов.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вывода-
ми. Тип прибора указывается на его корпусе. Матрица состоит
из восьми диодов с общим анодом. Катоды диодов соединены
с выводами 7 —выводы анода— 9 — 12.
Масса матрицы не более 0,63 г.
1,15
271
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 7пр= 200 мА:
при 298 К
2Д917А.................................0.9- 1,06*-1.2 В
КД917А. не более........................... 1,2	В
при 398 К для 2Д917А.....................От 0.8 до 1,2 В
при 213 К для 2Д917А.....................От 1.05 до 1,2 В
Постоянный обратный ток при С’о5р=50 В:
при 298 и 213 К..........................0.01*—0.1 * —5 мкА
при 398 К для 2Д917А и 358 К для
КД917А, не более............................. 100	мкА
Время восстановления обратного сопротивления:
2Д917А при /пр и = 200 мА. СобР.и=10 В.
/отсч = -3 мА............................6*-11*-50 нс
КД917А при /пр.и= 10 мА, Собр.и = 10 В,
/отсч = 2 мА. не более........................ 10	нс
Общая емкость диода при С,'о6р= 0.05 В . . . . 2* —3,5* —6 пФ
Общая емкость всех диодов при СОРр=0,05 В,
/= I 10 МГц. не более............................. 40	пФ
Заряд переключения с /пр и= 50 мА на Собр. „= 10 В
для КД917А. не более............................ 1000	пКл
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
2Д917А при температуре от 213 до 398 К . . .	50 В
КД917А при температуре от 213 до 358 К . . .	40 В
Импульсное обратное напряжение при ти< 10 мкс.
скважности не менее 10 (тн определяется на уровне
Собр = 50 В) и температуре от 213 до 398 К для
2Д917А и от 213 до 358 К для КД917А ...	60 В
Суммарный средний прямой ток через все диоды
или любой один диод при температуре'
от 213 до 323 К для 2Д917А и от 213 до
308 К для КД917А............................. 200	мА
при 398 К для 2Д917А и при 358 К для
КД917А....................................... 100	мА
Суммарный импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс
без превышения /||р ср макс через все диоды или
любой один диод при температуре:
от 213 до 323 К для 2Д917А и от 213 до
308 К для КД917А............................ 1500	мА
при 398 К для 2Д917А и при 358 К для
КД917А....................................... 750	мА
Температура окружающей среды:
2Д917А . . '.............................От 213 до 398 К
КД917А...................................От 213 до 358 К
Температура перехода для 2Д917А.................. 423	К
Примечание. Допускается обрезка неиспользуемых анодных
выводов на расстоянии не ближе 0.3 мм от корпуса.
Зависимость обшей емкости
диода от обратного напряжения.
О 0,3 0,6 0,9 7,2 1,5 А
Зависимоичь заряда переключе-
ния or постоянною прямого
юка.
Зависимость импульсного пря
мого напряжения от импуль-
сного прямого тока.
Зависимость постоянного пря-
мого тока от температуры.
Зависимость импульсного пря-
мого тока от температуры.
273
2Д918Б-1, 2Д918Г-1, КД918Б-1, КД918Г-1
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых эпитаксиально-
планарных диодов с общим анодом. Предназначены для применения
в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами. Тип
прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на
крышке тары-спутника.
Масса матрицы не более 5 мт.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 7пр = 50 мА,
не более:
при 298 и 358 К............................. 1 В
при 213 К
2Д918Б-1, 2Д918Г-1.......................... 1,3 В
КД918Б-1. КД918Г-1........................ 1,5 В
Постоянный обратный ток при t'o6p= 40 В, не более:
при 298 и 213 К
2Д918Б-1, 2Д918Г-1.......................... 5 мкА
КД918Б-1,	КД918Г-1....................... 6 мкА
при 358 К
2Д918Б-1,	2Д918Г-1............................ 50	мкА
КД918Б-1,	КД918Г-1............................ 100	мкА
Заряд переключения при /пр и= 50 мА, Т!обр, и = '0 В,
не более............................................ 850	пКл
Общая емкость диода при С'Рбр= 0, /= 1 4-10 МГц.
не более....................................... 6 пФ
Время восстановления обратного сопротивления
при /Г|р н = 10 мА, Гоцр н =10 В, 7ОТСЧ = 2 мА,
нс более..................................... 4 нс
274
[,	Предельные эксплуатационные данные
I
Постоянное обратное напряжение при температуре
от 213 до 358 К.................................... 40	В
Импульсное обратное напряжение при та«2 мкс,
скважности нс менее 10 и температуре от 213
до 358 К........................................... 60	В
Суммарный средний прямой ток через все диоды
или любой одиночный диод при температуре:
от 213 до 333 К.................................... 50	мА
при 358 К....................................... 30	мА
Суммарный импульсный прямой ток через все диоды
или любой диод при тн< 2 мкс, без превышения
максимального среднею прямого тока при тем-
пературе :
от 213 до 333 К...............................  0.7	А
при 358 К...................................... 0,5	А
Температура окружающей среды...................От	213 до 358 К
Температура перехода ............................. 378	к
Примечания: 1. Защитное покрытие изготовлено из эмали
ЭП-91.
2. При эксплуатации матриц в аппаратуре должен быть обеспечен
I отвод теплоты с общим юпловым сопротивлением не более 0,5 К/мВт.
Зависимость заряда переключения
от постоянного прямого тока.
Зависимость общей емкости
диода от обратного напряжения.
Зависимость установившегося
прямого напряжения от импуль-
сною прямого юка.
Зависимость среднего прямого
Зависимость импульсно! о при-
тока о г температуры.
мого тока от температуры.
2Д919А, КД919А
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выво-
дами. Тип прибора указывается на его корпусе. Матрица состоит
из 16 диодов с общим катодом. Аноды диодов соединены с выво-
дами 1 — 16. выводы катода — 17. 18.
Масса матрицы не более 1,2 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение диода при
/пр= 100 мА:
при 298	К.................................От 0.85	до	1.35	В
при 358	К.................................От 0.75	до	1,4	В
при 213	К.................................От 0.95	до	1.4	В
Постоянный обратный ток при = 40 В, не более:
при 298 и 213 К..................................... 1	мкА
при 358 К...................................... 10	мкА
27b
Время восстановления ооратного сопротивления
при /Пр, и = 100 мА- ^’обр. и= 10 В- /Отеч= 10 мА,
не более......................................
Обшая емкость каждого диода при С'обр = 10 В,
/= 1 10 МГц, не более.........................
Постоянный обратный ток диода при Собр = 60 В,
не более......................................
Установившееся прямое напряжение диода при
/пр, и= 40° мА, °’5 мкс, не более.............
Импульсное прямое напряжение диода при
/пр, и= 400 мА. ти> °-5 мкс- не более.........
Время установления прямого напряжения диода,
не более .....................................
100 нс
6 пФ
100 мкА
2.5 В
9,4 В
40 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (или импульсное) обратное напряже-
ние при температуре от 213 до 358 К . . . .	40 В
Постоянный прямой ток матрицы или одного
любого диода при температуре:
от 213 до 308 К................................ (00	мА
при 358 К....................................... 75	мА
Импульсный прямой ток матрицы или одного лю-
бого диода при ти< 10 мкс, скважности более
10. при температуре:
от 213 до 308 К................................ 700	мА
при 358 К...................................... 500	мА
Перегрузочный постоянный прямой ток диода
в течение 30 мин (одноразовый)..................... [25	мд
Средняя рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 358 К.................................... 180	мВт
Температура окружающей среды....................От	213 до 358 К
Зависимость времени восстанов-
ления обратного сопротивления
от постоянного прямого тока
Зависимость постоянного пря-
мого тока от температуры.
277
Зависимость общей емкости
диода от напряжения.
Зависимость импульсного уста-
новившегося прямого напряже-
ния от импульсного прямого
тока.
Зависимость обратного тока от
температуры.
Зависимость постоянного пря-
мого напряжения от постоянно-
го прямого тока.
2Д920А
Диодная матрица, состоящая из кремниевых планарных диодов.
Выпускается в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на ею корпусе. Матрица состоит из
16 диодов с общим анодом. Катоды диодов соединены с выводами
1 — 16, выводы анода — 17, 18.
Масса матрицы не более 1,2 г.
278
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 100 мА:
при 298 К...........................................От	0,9 до 1,5 В
при 358 К (/пр = М'А)..........................От	0,85 до 1,5 В
при 213 К......................................От	0.95 до 1,55 В
Постоянный обратный ток при Сг,г,р = 40 В, не более:
при 298 и 213 К.............................. 1 мкА
при 358 К................................ 10 мкА
Время восстановления обратного сопротивления
при /11р= 100 мА, С'Обр, и= В. /01СЧ= 10 мА,
не более..................................... 100 нс
Общая емкость каждого диода при J7o6p= 10 В.
/=1 = 10 МГц, не более....................... 6 пФ
Установившееся прямое напряжение при
/пр „= 400 мА, не более...................... 2.5 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное или импульсное обратное напряжение
при температуре от 213 до 358 К..................... 40	В
Постоянный прямой ток диода при температуре:
от 213 до 308 К.................................... 100	мА
при 358 К....................................... 75	мА
Импульсный прямой ток диода при т„ = 10 мкс,
скважности, большей или равной 10, при темпера-
туре:
от 213 до 308 К.................................... 700	мА
при 358 К...................................... 500	мА
Перегрузочный постоянный прямой ток в течение
30 мин............................................. 125	мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К.................................... 150	мВт
при 358 К...................................... 120	мВт
Температура окружающей среды....................От	213 до 358 К
279
Зависимость импульснси о пря-
мого тока от температуры.
Зависимость установившегося
импульсного прямого напряже-
ния ОТ импульсного Прямо; Т
тока.
Зависимость общей емкости
диода от напряжения.
Зависимость времени восстанов-
ления обратного сопротивления
от ИМПУЛЬСНОГО прямого ток.,
Зависимость времени восстанов-
ления обратного сопротивления
•л импульсного обратного на-
пряжения.
Зависимость импульсното пря-
мою тока oi длительности им
пульса.
280
Разде.1 седьмой
ВАРИКАПЫ
Д901А, Д901Б, Д901В, Д901Г, Д901Д, Д901Е
Варикапы кремниевые сплавные.
Выпускаются в металлосгеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединений электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса варикапа не более 1 г.
Электрические параметры
Емкость варикапа при t’o6p = 4 В. /=1н-10 МГц:
Д901А. Д901Б ..............................От	22	до	32лпФ
Д901В, Д901Г...............................От	28	до	38 пФ
Д901Д. Д901Е...............................От	34	до	44 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости:
Д901А. Д901В. Д901Д при Го6р =
~ 4 — 80 В.................................От 3,6 до 4,4
Д901Б. Д901Г. Д901Е при 1/о6р = 4-у45 В . . . От 2Д до 3.3
Температурный коэффициент емкости, не более
при б’о6р= 4 В............................. 500- 10~6 1 К
ПРИ 1'обр = 45 в........................... 200- JO-6 I.K
Добротность'при Г обр = 4 В. / = 50 МГн и 293 К.
не менее:
Д901А. Д901В. Д901Д  ...................... 25
Д901Б. Д901Г. Д901Е........................ 30
Постоянный обратный ток при t'..5p L
не более:
при 213 К...............................  .	In мкА
при 298 К......................................  ’	мкА
при 398 К...................................... 56	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение
Д901А. Д901В. Д901Д............................. к	С- В
Д901Б. Д901Г. Д901Е............................ 45	В
Рассеиваемая мощность:
от 213 до 298 К............................... 250	мВт
при 398 К...................................... 50	мВт
Температура окружающей среды....................От	213 до 398 К
Примечание. Добротность варикапа при [емпературс выше
293 К определяется по формуле
0(73 = 2(293)[ 1-6 40“ V-293)],
где £91293) — доброгность при !емпературе 293 К.
Зависимооь емкоои oi напря-
жения.
Зависимость добротности от г.,-
пряжеиия.
Зависимость добротное in
I емлера i уры.
Зависимость добротности от
частоты.
Зависимость допустимой рассеи-
ваемой мощности от темпера-
туры.
282
Д902
Варикап кремниевый сплавной.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединений электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса варикапа не более 0,6 г.
Электрические параметры
Емкость варикапа при t/o6p = 4 В,/=50 МГц . . . От 6 до 12 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости, не ме-
нее ......................................... 2,5
Добротность при По6р=4 В, /=50 МГц, не менее 30
Постоянный обратный ток при t/c,ljp= чакс и
293 К, не более.................................. 10	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение................... 25	В
Температура окружающей среды...................От	233 до 373 К
Зависимость емкости от напря- Зависимость емкости от напря-
жения.	жения.
283
Зависимость добротности oi
температуры.
Зависимость добротности о;
час । о гы.
КВ101А
Варикап кремниевый диффузионно-сплавной. Предназначен для
работы в радиокапсулах медицинской радиоэлектронной аппаратуры
Выпускается в виде таблетки с гибкими выводами. Тип прибора
указывается на упаковке. Положительный вывод маркируется черной
точкой.
Масса варикапа не более 0,05 г.
Элек [рнческне параметры
Емкость варикапа при Со5р=0,8 В................. 200	пФ ±20 °,,
Добротность при С'орр=0.8 В на частоте, не менее:
Г=1 МГц........................................... 150
./=10 МГц.................................. 12
Постоянный обратный юк при Оо5р = 4 В. не
более:
при 298 К......................................... 1	мкА
при 328 К...................................... 2	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение.................................. 4	В
Температура окружающей среды...................От	263 до 328 К
284
2В102А, 2В102Б, 2В102В, 2В102Г, 2В102Д, 2В102Е,
2В102Ж, КВ102А, КВ102Б, КВ102В, КВ102Г, КВ102Д
Варикапы кремниевые диффузионно-сплавные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается на упаковке. Положительный вывод маркируется
цветной точкой: 2В102 — оранжевой. KBI02 —белой.
Масса варикапа не более 0.1 г.
Электрические параметры
Емкость варикапа при То6р= 4 В, /=1-г10 МГц:
2В102А..................................От	20 до	25	пФ
КВ102А..................................От	14 до	23	пФ
2В102Б..................................От	22 до	27	пФ
КВ102Б .................................От	19 до	30	пФ
2В102В..................................От	25 до	37	пФ
КВ102В..................................От	25 до	40	пФ
2В102Г..................................От	14 до	22	пФ
КВ102Г..................................От	19 до	30	пФ
2В102Д..................................От	19 до	28	пФ
КВ102Д..................................От	19 до	30	пФ
2В102Е..................................От	25 до	37	пФ
2В102Ж..................................От	19 до	28	пФ
Добротность при СОбр= 4 В. /—50 МГц, не менее:
2В102А. КВ102А. 2В1О2Б. КВ102Б. КВ102В.
КВ102Д......................................... 40
2В102В. 2В102Г. 2В102Ж......................... 50
2В102Д. 2В102Е. КВ102Г........................ 100
Постоянный обратный ток при Vобр	обр макс 
до 298 К...................................... 1	мкА
при Т^як..................................... 100	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение:
2В102А. 2В102Б, 2В102В. 2В102Г. 2В102Д.
2В102Е. КВ102А. КВ102Б. КВ102В. КВ102Г . .	45 В
2В102Ж. КВ102Д.................................... 80	В
Рассеиваемая мощность:
до 323 К.......................................... 90	мВт
при Тмакс...................................... 20	мВт
Температура окружающей среды
2BJ02A - 2В102Ж...............................От 213 до 393 К
КВ102А - КВ102Д............................От 233 до 358 К
Зависимость емкости от напря-
жения.
Зависимость температурно! о
коэффициента емкости от на-
пряжения.
Зависимость добротности oi
температуры.
113 293 313 333 333 313 393 К
Зависимость температурного
коэффициента емкости от тем-
пературы.
Зависимость допустимой рассеи-
ваемой мощности от темпера-
туры.
2В103А, 2В103Б, КВ103А, КВ103Б
Варикапы кремниевые эпитаксиальные. Предназначены для приме-
нения в схемах умножения частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса варикапа в комплекте с крепежом не более 15 г.
286
Электрические параметры
Емкость варикапа Е70&р = 4 В, /= ] <- 10 МГц:
2В103А, КВ103А..................................От	18 до 32 пФ
2В103Б, КВ103Б..............................От	28 до 48 пФ
Добротность при С'обр= 4 В, /=50 МГц, ие менее:
2В103А, КВ103А................................. 50
2В103Б, КВ103Б............................. 40
Постоянный обратный ток при Г/о6р = 80 В, не
более:
до 298 К....................................... 10 мкА
при Тмакс.................................. 150 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение................. 80 В
Рассеиваемая мощность:
от 213 до 323 К для КВ103А, КВ103Б и от
213 до 348 К для 2В1ОЗА, 2В103Б ...	5 Вт
при Тмакс.................................. 1,5 Вт
Температура корпуса:
2В103А. 2В103Б..................................От	213 до 403 К
КВ103А. КВ103Б..............................От	233 до 358 К
Примечание. При работе в предельных режимах отвод тепла
от варикапа должен осуществляться радиатором, эквивалентным плас-
тине с размерами 100x 100x3 мм3.
Зависимость емкости от напряжения.
Зависимость допустимой рас-
сеиваемой мощности от тем-
пературы.
287
2В104А, 2В104Б, 2В104В, 2В104Г, 2В104Д, 2В104Е,
КВИНА. КВ 104Б. КВ 104В, КВ104Г. КВ104Д. КВ104Е
Варикапы кремниевые диффузионно-сплавные.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на упаковке. Положительный вывод мар.
кируется цветной точкой 2В104 — белой, КВ104 — оранжевой.
Масса варикапа не более 0,2 г.
Электрические параметры
Емкость варикапа при бо6р = 4 В, / = 1	10 МГц:
2В104А. КВ104А............................. От	90	до	[20	пФ
2В104Б, КВ104Б..............................От	106	до	144	пФ
2В104В, КВ104В..............................От	128	до	192	пФ
2В104Г, КВ104Г..............................От	95	до	143	пФ
2В104Д, КВ104Д............................От 128 до 192 пФ
2В104Е, КВ104Е............................От 95 до 143 пФ
Добротность при СОбр= 4 В. /=10 МГц, не менее:
2В104А. 2В104Б.	2В104В,	2В104Г.	2В104Д.
КВ104А. КВ104Б.	КВ104В.	КВ104Г,	КВ104Д	100
2В104Е, КВ104Е................................... 150
Постоянный обратный ток при 6,,,^=	:
до 298 К.................................. 5 мкА
при Гт|К.................................. 150 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
2В104А, 2В104Б. 2В104В. 2В104Е. КВ104А.
КВ104Б. КВ104В. КВ104Е.......................... 45	В
2В104Г, 2В104Д. КВ104Г, КВ104Д.................. 80	В
Рассеиваемая мощность:
до 323 К........................................... 100	мВт
при Тмакс....................................... 30	мВт
Температура окружающей среды:
2В104...........................................От	213 до 393 К
КВ104........................................От	233 до 358 К
288
Зависимость емкости от на- Зависимость температурного
ппяжеиия.	коэффициента емкости от тем-
пературы.
Зависимость допустимой рассей- Зависимость добротности от
ваемой мощности от темпера-	температуры,
туры.
2В105А, 2В105Б, КВ105А, КВ 105Б
Варикапы кремниевые диффузионно-сплавные.
Выпускаются в мета.тлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединений электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса варикапа не более 2,5 г.
10 под реп Н H Горюнова
289
Электрические параметры
Емкость варикапа при С/обР= 4 В, f = 1 МГц ... От 400 до 600 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости, не менее:
при Е'о6р от 4 до 90 В для 2В105А, КВ105А	4
при Го6р от 4 до 50 В для 2В1О5Б, КВ105Б	3
Температурный коэффициент емкости при С/о6р = 4 В,
не более.................................... 5- 10-4 1/К
Добротность при Го6р = 4 В, /=1 МГц, не менее 500
Постоянный обратный ток при Го5р = Го6р макс,
не более:
от 213 до 298 К......................................... 20	мкА
при Тмакс.............................................. 150	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
2В105А, КВ105А.............................
2В105Б, КВ105Б.............................
Рассеиваемая мощность:
до 323 К...................................
ПРИ ^макс..................................
Температура окружающей среды:
2В105А, 2В105Б.............................
КВ105А, КВЮ5Б..............................
90 В
50 В
150 мВт
38 мВт
От 213 до 398 К
От 213 до 373 К
Зависимость емкости от напря-
жения.
Зависимость добротности от
температуры.
Зависимость допустимой рас-
сеиваемой мощности от тем-
пературы.
290
2В106А, 2В106Б, КВ106А, КВ106Б
Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные. Предназначе-
ны для применения в схемах умножения частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора и схема соединений электродов с выводами
приводятся на корпусе.
Масса варикапа в комплекте с крепежом не более 15 г.
Электрические параметры
Емкость варикапа при {/обр = 4 В, /= 1 -ь 10 МГц:
2В106А, КВ106А.................................От	20 до 50 пФ
2В106Б, КВ106Б...........................От	15 до 35 пФ
Добротность при 17с5р = 4 В, /= 50 МГц, не менее
2BI06A, КВ106А............................... 40
2В106Б, КВ106Б.......................... 60
Постоянный обратный ток при Г'о6р = С'обр макс,
не более:
от 213 до 298 К................................... 20	мкА
при Гмакс................................................. 150	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
2BI06A, КВ106А.................................
2В106Б, КВ106Б...........................
Рассеиваемая мощность:
от 213 до 34S К
2В106А, КВ106А.............................
2В106Б, КВ106Б...........................
при Тмакс
2В106А, КВ106А...........................
2В106Б, КВ106Б...........................
Температура корпуса:
2В106А, 2В106Б.................................
КВ106А, КВ106Б...........................
120 В
90 В
7 Вт
5 Вт
3 Вт
2 Вт
От 213 до 403 К
От 213 до 373 К
10*
291
Примечания: 1. Рекомендуемый диапазон рабочих частот от
40 до 500 МГц для 2В106А, КВ106А и от 100 до 1000 МГц для
2В106Б, КВ106Б.
2. При работе в схеме умножения с автосмещением оптималь-
ное значение выпрямленного прямого тока от 0,2 до 3 мА.
Зависимость емкости от напряжения.
Зависимость допустимой рас-
сеиваемой мощности от тем-
пературы.
КВ107А, КВ107Б, КВ107В, КВ107Г
Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе. Положительный вывод мар-
кируется красной точкой.
Масса варикапа не более I г.
Электрические параметры
Емкость:
при Гобр — Um для КВ107А, КВ107Б......................От	10 до
40 пФ
при = Гд2 для КВ 107В, КВ107Г.....................От	30 до
65 пФ
Добротность при /= 10 МГц, не менее................ 20
Постоянный обратный ток при Гобрма1К. не более:
при 298	К......................................100	мкА
при 343	К..................................... 2000	мкА
при 233	К..................................... 1500	мкА
292
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
КВ107А, КВ107В..................................1.51/Я| +
+ 2,5 В
КВ107Б. КВ107Г..................................1,5^ +
+ 4 В
Рассеиваемая мощность:
от 233 до 323 К......................................100 мВт
при 343 К.......................................80 мВт
Температура окружающей среды.........................От 233 до
343 К
Примечание. UR UR- значения напряжений, начиная с ко-
торых уменьшается емкость варикапа: для КВ107А KBI07B
UB = 2 ~ 9 В; для КВ107Б, КВ107Г U„ = 6	18 В
Зависимость емкости от напря- Зависимость добротности от на-
жения. (Дана зона разброса.) пряжения. (Дана зона разброса.)
КВ109А, КВ109Б, КВ109В, КВ109Г
Варикапы кремниевые
эпитаксиально -планарные.
Выпускаются в пласт-
массовом корпусе с гибки-
ми ленточными выводами.
Варикапы маркируются цвет-
ной точкой у положитель-
ного вывода: КВ109А — бе-
лой, КВ109Б — красной,
КВ 109В - зеленой. К В109Г
не имеет маркировки.
Масса варикапа не бо-
лее 0,06 г.
293
Электрические параметры
Емкость при /=1 + 10 МГц:
при Го6р = 3 В
КВ109В................................... От	8 до 16 пФ
КВ109Г............................. От	8 до 17 пФ
при 1/о6р = 25 В
КВ109А............................. От	2,3	до	2.8	пФ
КВ109Б............................. От	2,0	до	2,3	пФ
КВ109В............................. От	1,9	до	3.1	пФ
Коэффициент перекрытия по емкости:
KBI09A....................,........... От 4 до 5,5
КВ109Б............................. От	4,5 до 6,5
КВ109В.......................... От 4 до 6
КВ109Г, не менее................ 4
Температурный коэффициент емкости . . . (500 + 300)- 10 6 | /К
Добротность при Гобр = 3 В и частоте
/= 50 МГц, не менее:
КВ109А, КВ109Б...................... 300
КВ 109В, КВ109Г................. 160
/= 470 МГц для КВ109А, КВ109Б . . .	30
Постоянный обратный ток при (7о6р = 25 В,
не более.............................. 0,5 мкА
Индуктивность выводов диода на расстоя-
нии от корпуса до 1.5 мм, не более	4 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение ....
Рассеиваемая мощность при температуре
до 323 К................................
Температура окружающей среды............
25 В
5 мВт
От 233 до 358 К
Примечание. В интервале температур от 323 до 358 К
рассеиваемая мощность снижается линейно на 0,05 мВт/К.
Зависимость емкости от на-
пряжения.
Зависимость обратного тока от на-
пряжения.
294
2В110А, 2ВП0Б, 2ВП0В, 2В110Г, 2В110Д, 2В110Е,
КВН О А, КВИОБ, КВ11ОВ, КВ11ОГ, КВ11ОД, КВ11ОЕ
Варикапы кремниевые эпитаксиально-планарные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора и схема соединений электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса варикапа не более 0.25 г.
Электрические параметры
Емкость варикапа при £/обр = 4 В, /= 1 - 10 МГц:
2В110А, 2В110Г, КВ110А, КВ110Г . . . От 12 до 18 пФ
2В110Б, 2В110Д, КВИОБ, КВ110Д ... От 14,4 до 21, 6 пФ
2В110В, 2В110Е, КВ110В, КВ110Е ... От 17,6 до 26,4 пФ
Добротность при (7^ = 4 В,/=50 МГц, не менее:
2В110А, 2В110Б, 2В110В,	КВ110А,
КВИОБ, КВ110В....................... 300
2В110Г,	2В110Д, 2В110Е,	КВ110Г,
КВ110Д, КВ110Е...................... 150
Постоянный обратный ток при = 45 В:
при	298	К.................................. I	мкА
при	213	К.................................. 15	мкА
при	398	К................................. 100	мкА
Емкость	корпуса, не более.................... 0,1	пФ
Индуктивность выводов на расстоянии 5 мм
от корпуса.............................. 10 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение ....	45 В
Постоянная рассеиваемая мощность при тем-
пературе :
от 213 до 323 К............................ 100	мВт
при 398 К................................... 25	мВт
Температура окружающей среды................ От	213 до 398 К
295
Зависимость емкости от на-
пряжения.
Зависимость добротности от
температуры.
Зависимость добротности от на-
пряжения.
Зависимость температурного
коэффициента емкости от на-
пряжения.
Зависимость допустимой рассеи-
ваемой мощности от темпера-
туры.
296
КВС111А, КВС111Б
Сборки из двух кремниевых варикапов с общим катодом. Пред-
назначены для применения в УКВ блоках радиовещательных прием-
ников.
Варикапы изготовляются по эпитаксиально-планарной технологии.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Варикапы маркируются цветной точкой у отрицательного вывода:
КВС111А - белой, КВС111Б - оранжевой.
Масса сборки не более 0,2 г.
Электрические параметры
Емкость при Сойр = 4 В, /= I МГц....................От	29,7 до
36,3 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости, не менее......... 2,1
Температурный коэффициент емкости, не более . . . .500- 10“# 1/К
Добротность при Со6р = 4 В, /= 50 МГц, не менее:
КВС111А................................................... 200
КВС111Б......................................... 150
Постоянный обратный ток при UoSp = 30 В:
до 298 К..........................................   1	мкА
при 328 К........................................5	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение........................ 30	В
Температура окружающей среды........................От	213 до
373 К
Зависимость емкости от на-
пряжения.
Зависимость добротности от на-
пряжения.
Зависимость температурного коэф-
фициента емкости от температуры.
2В112А-1, 2В112Б-1, КВ112А-1, КВ112Б-1
Варикапы кремниевые
эпитаксиально - планарные.
Предназначены для приме-
нения в гибридных интег-
ральных микросхемах.
Выпускаются без кор-
пуса с защитным покрытием
и гибкими выводами. Тип
прибора указывается на
упаковке. Положительный
вывод имеет меньший диа-
метр.
Масса варикапа не бо-
лее 0,006 г.
Электрические параметры
Емкость варикапа при £7^ = 4 В, /= 1 МГц:
2В112А-1, KB112A-I....................................От	9,6 до
14,4 пФ
2В112Б-1, КВ112Б-1................................От	12,0 до
18,0 пФ
Температурный коэффициент емкости при Т'ойр = 4 -ь 25 В,
не более...............................................5	 10 4 1/К
Коэффициент перекрытия по емкости при £7о6р = 4 4- 25 В,
не менее............................................... 1,8
Добротность при £7о6р = 4 В, f = 50 МГц, не менее ...	200
Постоянный обратный ток при £/о6р = 25 В, не более:
от 213 до 293 К....................................... 1	мкА
при 398 К.........................................50	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряжение ....	25 В
Температура окружающей среды..........................От	213 до
398 К
298
пФ
20
10
8
5
3
0,1	0,5 1 2 Ч Ю в 0,1	0,5 1 2 Ч 10 В
Зависимость емкости от на- Зависимость емкости от на-
пряжения.	пряжения.
Зависимость добротности от на- Зависимость температурного коэф-
пряжения.	фициента емкости от температуры.
2В113А, 2В113Б, КВ113А, КВ113Б
I	Варикапы кремниевые меза-
эпитаксиальные.
Выпускаются в пластмассовом
корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Положительный вывод маркирует-
ся цветной точкой.
Масса варикапа не более 0,2 г.
!
Электрические параметры
Емкость варикапа при (./обр = 4 В, /— 1 МГц .
. От 54,4 до
81,6 пФ
299
Коэффициент перекрытия по емкости, не менее:
2В113А,	КВ113А при	U&p от	4 до	150	В	. . . .	4,4
2В113Б,	КВ113Б при	t/ogp от	4 до	115	В	... .	3,9
Температурный коэффициент емкости при = 4 В500 10"61/К
Добротность при 1/о6р =	4 В, /= 10	МГц,	не менее	300
Постоянный	обратный ток при	С'„бр	=	макс при
температуре:
от 213 до 298 К..................................10	мкА
при 398 К...................................... 300	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
2В113А, КВ113А................................... 150 В
2В113Б, КВ113Б................................... 115 В
Постоянная рассеиваемая мощность:
от 213 до 323 К......................................100 мВт
при 398 К........................................25 мВт
Температура окружающей среды.........................От 213 до
398 К
Зависимость емкости от напря-
жения.
Зависимость добротности от на-
пряжения.
Зависимость допустимой рас-
сеиваемой мощности от темпе-
ратуры.
Зависимость температурного
коэффициента емкости от тем-
пературы.
300
2В114А-1, 2В114Б-1, КВ114А-1, КВ114Б-1
Варикапы кремниевые меза-
эпитаксиальные. Предназначены
для применения в гибридных ин-
тегральных микросхемах.
Выпускаются без корпуса с
защитным покрытием и гибкими
выводами. Тип прибора указывает-
ся на упаковке. Положительный
вывод имеет меньший диаметр.
Масса варикапа не более 0,04 г.
Электрические параметры
Емкость варикапа при = 4 В, f = 1 МГц.....................От	54 4 до
81,6 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости, не менее:
2BII4A-I, KB114A-I при {/Оброт4до 150 В............ 4,4
2В114Б-1, КВ114Б-1 при t/o6p от 4 до 115 В..... 3,9
Добротность при С-'uop = 4 В, /= 10 МГц, не менее 300
Постоянный обратный ток при С'о6р = Г'обр макс:
от 213 до 298 К.......................................Ю	мкд
при 398 К.................................. .	. 300 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
2В114А-1, КВ114А-1................................... 150	В
2В114Б-1. КВ114Б-1................................... 115	В
Температура окружающей среды............................От	213 до
398 К
Зависимость емкости от на-
пряжения.
Зависимость добротности от
напряжения.
Зависимость температурного коэф-
фициента емкости от температуры.
КВ115А, КВ115Б, КВ115В
Варикапы кремниевые сплавные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами при-
водятся на корпусе.
Масса варикапа не более 1 г.
Электрические параметры
Емкость при Ео6р = 0...............................От	100 до
700 пФ
Прямое напряжение при /пр = 20 мА, не более ....	1	В
Обратный ток при (7а6р = 50 В. не более:
КВ115А............................................0,1	мкА
КВ115Б.......................................0,05	мкА
КВ115В.......................................0.01	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение.................... 100 В
Постоянный прямой ток.............................20 мА
Температура окружающей среды........................От	233 до
358 К
302
КВ116Л
Варикап кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для
применения в гибридных интегральных микросхемах.
Выпускается без корпуса с защитным покрытием и гибкими
выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами
приводятся на сопроводительной таре.
Масса варикапа не более 0,006 г.
Электрические параметры
Емкость при {/„ер = 1 В, /= 1 МГц...................От	168 до
252 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости, не менее ....	18
Добротность при Uo6p = 1 В, f= 1 МГц, не менее	100
Постоянный обратный ток при Го6р = 10 В, не более 1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение...................... 10	В
Температура окружающей среды.........................От	213 до
358 К
Зависимость емкости от на-
Зависимость добротности от
напряжения.
пряжения.
303
313 Z33 Z53 Z73 193 313 333 К
Зависимость температурного
коэффициента емкости от тем-
пературы.
Зависимость обратного тока от
напряжения.
2В117А, КВ117А, КВ117Б
Варикапы кремниевые эпитаксиально-планарные, с большим пе-
рекрытием по емкости и резкой зависимостью емкости, от на-
пряжения.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса варикапа не более 0.25 г.
Электрические параметры
Емкость варикапа при Г'о6р =3 В. f =
= I ч- 10 МГц................................От	26,4 до 39,6 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости при Г'обр = 3 -г 25 В:
2В117А, КВ117А............................. От	5 до 7
KBI17Б.................................. От	4 до 7
Температурный коэффициент емкости при
1/о6р = 3 В, не более...................... 600	10 6 1/К
Добротность при Гобр = 3 В, f = 50 МГц. не менее:
2В117А, КВ117А.................................. 180
КВ117Б....................................... 150
Постоянный обратный ток при Г’О1-)р = 25 В, не более:
от 213 до 298 К................................. 1 мкА
при Тмакс....................................10 мкА
304
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение....................... 25	В
Рассеиваемая мощность
от 213 до 323 К..................................100	мВт
при .............._..............................7.5	мВт
Температура окружающей среды:
2В117А................................. От	213 до 398 К
“ KB1I7A, КВ117Б........................... От	213 до 373 К
Зависимость емкости от на-
пряжения.
Зависимость обратного тока от
напряжения.
сбиваемой мощности от темпе-
частоты.
ратуры.
2ВС118А, 2ВС118Б
Сборки из двух кремниевых мезаэпитаксиальных варикапов.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе. Выводы /, 2 — аноды ва-
рикапов.
Масса сборки не более 1,7 г.
305
Электрические параметры
Емкость варикапа при = 4 В,/= 1 МГц................От 54,4 до
81,6 пФ
Разброс емкости между элементами сборки, не более:
2ВС118А при [/обр от 4 В до 100 В.................. 2,5 %
2ВС118Б при [/„бр от 4 В до 50 В............... 2,5 %
Коэффициент перекрытия по емкости:
2ВС118А при [/о6р от 4 до 100 В....................3,6-4,4
2ВС118Б	при [/„бр от 4 до 50 В................2,7-3,3
Добротность при [/о6р = 4 В, /= 10 МГц, не менее:
2ВС118А................................................ 200
2ВС118Б............................................ 250
Постоянный обратный ток при [7обр = обр. макс, не более:
до 298 К........................................... 1 мкА
при 398 К......................................150 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение:
2ВС118А............................................ 115 В
2ВС118Б........................................ 60 В
Температура окружающей среды.......................От 213 до
398 К
Зависимость емкости от на-
пряжения.
Зависимость температурного коэф-
фициента емкости от температуры.
306
КВ119А
Варикап кремниевый эпитаксиально-планарный.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приво-
дятся на корпусе.
Масса варикапа не более 0.53 г.
Электрические параметры
Емкость при С’обр = 1 В, f~ 1 Ю МГц..................От	168 до
252 пФ
Добротность при Гобр = 1 В, f= I МГц, не менее 100
Постоянный обратный ток при U„F:p = 10 В, не более	1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение...................... 12 В
Температура окружающей среды.........................От	213 до
373 К
Зависимость емкости от напря-
жения.
Зависимость добротности от на-
пряжения.
307
Зависимость температурного коэф-
фициента емкости от температуры.
Зависимость обратного тока от
напряжения.
КВС120А, КВС120Б
Сборки, состоящие из трех (КВС120А) и двух (КВС120Б) крем-
ниевых эпитаксиально-планарных варикапов с общим катодом.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса варикапа не более 1,7 г.
2-5 — Аноды
Электрические параметры
Емкость при Г'ойр =1 В, /= I -г 10 МГц..............От	230 до
320 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости, не менее........ 2
Добротность при Собр = 1 В, /= 1 МГц. не менее 100
Постоянный обратный ток при t/o6p = 30 В, не более 0.5 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение..................... 32 В
Температура окружающей среды........................От	228 до
358 К
308
Зависимость емкости от на-
пряжения.
Зависимость добротности от напря-
жения.
тока от
Зависимость температурного
коэффициента емкости от тем-
пературы.
Зависимость обратного
напряжения.
КВ121А, КВ121Б
Варикапы кремниевые
эпитаксиально - планарные.
Предназначены для примене-
ния в селекторах телевизион-
ных каналов с электронным
управлением.
Выпускаются в пластмас-
совом корпусе с гибкими
ленточными выводами. Ва-
рикапы маркируются цвет-
ной точкой у положительно-
го вывода: КВ121А - синей,
КВ121Б — желтой.
Масса варикапа не более
0,069 г.
309
Электрические параметры
Емкость при С'обр = 25 В. /= I ч- 10 МГц............Or	4,3 до
6.0 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости при <.!аоР от 1.5
до 25 В,	не менее............................ 2.6
Добротность при/= 50 МГц. не менее
КВ121А........................................... 200
КВ121Б............................................ 150
Постоянный обратный ток при Гобр = 28 В, не более 0.5 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение *.................... 30 В
Температура окружающей среды..........................От	213 до
373 К
Зависимость емкости от напря-
жения.
Зависимость добротности от на-
пряжения.
Зависимость температурного коэф-
фициента емкости от температуры.
Зависимость обратного тока от
напряжения.
310
КВ122А, КВ122Б, КВ122В
Варикапы кремниевые эпитаксиально-планарные.
Предназначены для применения в селекторах телевизионных
каналов с электронным управлением.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими ленточными
выводами. Варикапы маркируются цветной точкой у положительного
вывода : КВ122А - оранжевой, КВ122Б - фиолетовой, КВ122В - корич-
невой.
Масса варикапа не более 0,069 г.
Электрические параметры
Емкость при б’обр = 25 В, /= I МГц:
КВ122А.................................. От	2,3	до	2,8	пФ
КВ122Б.............................. От	2,0	до	2,3	пФ
КВ122В.............................. От	1,9	до	3,1	пФ
Коэффициент перекрытия по емкости при б'о6р	от	3	до	25 В:
КВ122А.................................. От	4,0	до	5,5
КВ122Б.................................. От	4,5	до	6,5
КВ122В.................................. От	4,0	до	6,0
Добротность при f= 50 МГц, не менее:
КВ122А, КВ122Б.............................. 450
КВ122В...................................... 300
Постоянный обратный ток при t'o6p = 28 В, не более 0,2 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение
Температура окружающей среды
30 В
От 213 до 373 К
311
Зависимость емкости от на-
пряжения.
Зависимость добротности от на-
пряжения.
Зависимость температурного
коэффициента емкости от тем-
пературы.
Зависимость обратного тока от
напряжения.
КВ123А
Маркиробочная полоса
со стороны анода
Варикап кремниевый эпи-
таксиально-планарный, Пред-
назначен для применения в се-
лекторах телевизионных кана-
лов с электронным управлением.
Выпускается в пластмассо-
вом корпусе с гибкими лен-
точными выводами. Маркиру-
ется белой полоской у поло-
жительного вывода. Варикапы
КВ123А поставляются комплек-
тами по 4 шт.
Масса варикапа 0,06 г.
312
Электрические параметры
Емкость1 при С'о6р = 25 В, f= 1 4- 10 МГц
Коэффициент перекрытия по емкости при
(7о6р от 3 до 25 В. не менее . . . .
Разброс по емкости между варикапами в ком-
плекте, не более .....................
Температурный коэффициент емкости . . .
Добротность при f= 50 МГц, не меиее
Постоянный обратный ток при Го6р = 25
От 2,6 до 3,8 пФ
6.8
(500 + 300)  10“6 I К
............. 250
В, не более 0,05 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение..................... 28 В
Импульсное обратное напряжение при т„ с 200 мс . . .	30 В
Температура окружающей среды........................От	213 до
373 К
1 Может производиться поставка варикапов с разбивкой по
емкости в пределах от 2,6 до 3,0 и от 2,9 до 3,8 пФ.
Зависимость емкости от на- Зависимость добротности от на-
пряжения.	пряжения.
Зависимость температурного
коэффициента емкости от тем-
Зависимость обратного тока от
напряжения.
пературы.
313
Раздел восьмой
ДИОДЫ ТУННЕЛЬНЫЕ И ОБРАЩЕННЫЕ
8.1. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ
ЗИ101А, ЗИ101Б, ЗИ101В, ЗИ101Г, ЗИ101Д, ЗИ101Е,
ЗИ101Ж, ЗИ101И, АИ101А, АИ101Б, АИ101В, АИ101Д,
АИ101Е, АИ101Ж, АИ101И
Диоды арсенид-галлиевые туннельные сплавные. Предназначены
для работы в усилителях.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с ленточными выво-
дами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются
условными обозначениями на крышке прибора: ЗИ101А, АИ101 - УА;
ЗИ1О1Б, АИ101Б -- УБ; ЗИ101В. АИ101В - УВ; ЗИ101Г- УГ; ЗИ101Д.
АИ101Д-УД; ЗИ101Е. АИ101Е-УЕ: ЗИ101Ж-УЖ; ЗИ101И.
АИ101И - УИ.
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические параметры
Пиковый ток:
ЗИ101А, ЗИ101Б
при 298 К..........................
при 373 К........................
при 213 К........................
АИ101А, АИ101Б
при 298 К..........................
при 358 К........................
при 213К ........................
ЗИ101В, ЗИ101Г, ЗИ101Д
при 298 К..........................
при 213 и 373 К..................
АИ101В, АИ101Д
при 298 К..........................
при 358 К .......................
при 213 К........................
ЗИ101Е, ЗИ101Ж. ЗИЮ1И
при 298 К..........................
От 0.75 до 1,25 мА
От 0,5 до 1,25 мА
От 0,5 до 1,5 мА
От 0,75 до 1,25 мА
От 0,5 до 1,25 мА
От	0.5	до	1,5	мА
От	1.7	до	2,3	мА
От	1,5	до	2,5	мА
От	1,7	до	2,3	мА
От	1,5	до	2,3	мА
От	1,5	до	2,6	мА
От	4,5	до	5,5	мА
314
при	373	К...................... От	4,0	до	5,5	мА
при	213К....................... От	4,0	до	6,2	мА
АИ101Е, АИ101И
при	298	К...................... От	4,5	до	5,5	мА
при	358	К...................... От	4,0	до	5,5	мА
при 213К......................... От 4,0 до 6,2 мА
Отношение пикового тока к току впадины, не менее:
ЗИ101А, ЗИ101Б, АИ101А, АИ101Б
при 298 К...................................... 5
ЗИ101В, ЗИ101Г, ЗИ101Д, ЗИ101Е, ЗИ101Ж, ЗИ101И,
АИ101В. АИ101Д, АИ101Е, АИ101И при 298 К 6
ЗИ101А, ЗИ101Б
при	373	К.................................. 3
при	213	К................................ 4
ЗИ101В, ЗИ101Г, ЗИ101Д, ЗИ101Е, ЗИ101Ж, ЗИ101И
при	373	К.................................. 4
при	213К................................. 5
Напряжение пика не более
ЗИ101А,	ЗИ101Б,	ЗИ101В, ЗИ101Г, ЗИ101Д . . .	0,16	В
ЗИ101Е,	ЗИ101Ж,	ЗИ101И........................0.18	В
АИ101А,	АИ101Б,	АИ101В, АИ101Д................0.16	В
АИ101Е,	АИ101И................................0,18	В
Сопротивление потерь при ти < 15 мкс, скважности не
менее 100, не более:
ЗИ101А при JO6p, и = 30 мА........................24	Ом
АИ101А при /Обр.и = 30 мА........................ 18	Ом
ЗИ101Б при	/Обр. и = 30	мА......................22	Ом
АИ101Б при	/ОбР.и = 30	мА..................... 16	Ом
ЗИ101В при	/Обр,и = 50	мА...................... 18	Ом
АИ101В при	/обр,и— 40	мА...................... 16	Ом
ЗИ101Г при	/обр, и = 30	мА..................... 16	Ом
АИ101Д при	/Обр.и = 40	мА..................... 14	Ом
ЗИ101Д при	/обр, И = 50	мА..................... 16	Ом
АИ101Е при /Обр,и=80	мА...................... 8	Ом
ЗИ101Е при /о5р,и= 100	мА................... 10	Ом
АИ101И при Ц и = 80	мА................... 7	Ом
ЗИ101Ж при /обр.и= 100	мА........................ 8	Ом
ЗИ101И при /о6р.и = ЮО	мА........................ 7	Ом
Обшая емкость диода в точке минимума вольт-ам-
перной характеристики при /= 1 -г 10 МГц:
ЗИ101А, ЗИ101Е,	не более.......................... 3	пФ
АИ101А, не более.................................. 4	пФ
ЗИ101Б.......................................От 2 до 6 пФ
АИ101Б.......................................От 2 до 8 пФ
ЗИ101В, не более.................................. 2	пФ
АИ101В, не более.................................. 5	пФ
ЗИ101Г............................................От	1 до
3,7 пФ
ЗИ101Д............................................От	2,5 до
6 пФ
315
АИ101Д........................................От 2,5 до
10 пФ
ЗИ101Ж...........................................От	2 до
6 пФ
АИ101Е, не более................................. 8	пФ
ЗИ101И........................................От 4,5 до
10 пФ
АИ101И........................................От 4,5 до
13 пФ
Емкость корпуса *, не более.........................0,8	пФ
Индуктивность диода*, не более......................1,3	нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение:
ЗИ101А, ЗИ101Б, ЗИ101В, ЗИ101Г, ЗИ101Д, ЗИ101Е,
ЗИ101Ж, ЗИ101И при температуре от 213 до 373 К 0,35 В
АИ101А, АИ101Б, АИ101В, АИ101Д, АИ101Е,
АИ101И при температуре от 213 до 358 К . . . 0,5 —0,6 В
Температура окружающей среды:
ЗИ101А, ЗИ101Б, ЗИ101В, ЗИ101Г, ЗИ101Д, ЗИ101Е,
ЗИ101Ж, ЗИ101И................................От 213 до
373 К
АИ101А, АИ101Б, АИ101В, АИ101Д, АИ101Е, От 213 до
АИ101И........................................ 358 К
Примечания: 1. При креплении приборов в зажимных приспо-
соблениях допускается обрезать ленточные выводы без приложения
механической нагрузки к корпусу прибора. Давление на крышку
прибора, перпендикулярно ее плоскости, должно быть не более 15 Н.
2. Не допускается проверка диодов тестером.
3. Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на
участке отрицательного сопротивления вольт-амперной характеристики.
рактеристики.
Зона возможных по-
ложений зависимости
пикового тока от тем-
пературы.
Зона возможных по-
ложений зависимости
тока впадины от тем-
пературы.
316
1И102А, 1И102Б, 1И102В, 1И102Г, 1И102Д, 1И102Е,
1И102Ж, 1И102И, 1И102К
Диоды германиевые туннельные мезасплавные. Предназначены
для работы в усилителях на частоте до 5 ГГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выво-
дами. Диоды маркируются цветным кодом: 1И102А-одной крас-
ной точкой 1И102Б - двумя красными точками, 1И102В - тремя
красными точками, 1И102Г- одной белой точкой, 1И102Д-двумя
белыми точками, 1И102Е - тремя белыми точками, 1И102Ж - одной
черной точкой, 1И102И - двумя черными точками, 1И102К- тремя
черными точками. Вывод анода имеет выдавку.
Масса диода не более 0,08 г.
Пиковый ток:
при 298 К
1И102А, 1И102Б. 1И102В			От 1,25 до От 1,7 до			1,75 мА 2,3 мА 3,1 мА	
1И102Г, 1И102Д, 1И102Ж, 1И102И,	1И102Е	 1И102К						
		От	2,3	до		
при 343 К						
1И102А, 1И102Б,	1И102В		От	1,25	ДО	1,9	мА
1И102Г, 1И102Д,	1И102Е 		От	1,7	до	2,55	мА
1И102Ж, 1И102И,	1И102К		От	2.3	до	3.4	мА
при 213 К						
1И102А, 1И102Б,	1И102В 		От	0,9	до	2,2	мА
1И102Г, 1И102Д,	1И102Е 		От	1,3	до	2,9	мА
1И102Ж, 1И102И	1И102К ....	От	2,3	до	4,0	мА
Отношение пикового тока к току впадины,
не менее:
при 298 К............................. 5
при 213 и 343 К.......................... 3.5
Общая емкость диода в точке минимума
вольт-ампериой характеристики при / =
= 1-=-10 МГц:
1И102А............................... От	0.9	до	1,8	пФ
1И102Б............................... От	1,4	до	2,2	пФ
1И102В.........................  .	От 1,8 до 3,0 пФ
1И102Г............................... От	1,0	до	2,0	пФ
1И102Д............................... От	1,6	до	2.6	пФ
1И102Е............................... От	2.2	до	3,2	пФ
317
1И102Ж........................... От	1,2	до	2,2	пФ
1И102И.............................. От	1,8	до	2,7	пФ
1И102К.............................. От	2,3	до	3,5	пФ
Сопротивление потерь при импульсном обратном	токе для 1И102А,
1И102Б, 1И102В 20 мА, для 1И102Г. 1И102Д, 1И102Е - 25 мА,
для 1И102Ж, 1И102И, 1И102К — 30 мА. не более:
1И102А, 1И102Б, 1И102Г, 1И102Д.
1И102Ж.................................... 6	Ом
1И102В, 1И102Е.......................... 4,5	Ом
1И102И.................................. 4,0	Ом
1И102К.................................. 3,0	Ом
Напряжение впадины *...................... От	320 до 400 мВ
Отрицательное дифференциальное сопротив-
ление *................................. От	75 до 110 Ом
Индуктивность корпуса *....................От	0,24 до 0,35 нГн
Емкость корпуса *, не более................... 0,7	пФ
Шумовая постоянная* при /пр = 0,4 /п . . .	1,6
Резонансная частота*, не менее:
1И102А,	1И102Г,	1И102Ж......................10	ГГц
1И102Б,	1И102Д,	1И102И...................... 8	ГГц
1И102В,	1И102Е,	1И102К...................... 5	ГГц
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток................... 2/,.
Постоянный обратный ток................. 2/п
Температура окружающей среды . . . . От 213 до 343 К
Примечания: 1. Рекомендуется применять источники питания,
имеющие напряжение холостого хода не более 1 В.
2. При вставлении диода в резонатор во избежание пробоя необ-
ходимо свободной рукой коснуться резонатора.
3. Не рекомендуется располагать диоды вблизи надевающихся
Зависимость пикового
тока о г температуры.
Зависимость отноше-
ния пикового тока к
току впадины от тем-
пературы.
Зависимость напряже-
ния пика от темпера-
туры.
318
1И103А, 1И103Б, 1И103В, ГИ103А, ГИ103Б, ГИ103В,
ГИ103Г
Диоды германиевые туннельные мезасплавные. Предназначены
для работы в усилителях на частотах до 10 ГГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вывода-
ми. Диоды маркируются цветным кодом: 1И103А, ГИ103А — двумя
голубыми точками, 1И103Б, ГИ103Б — двумя красными точками,
1И103В, ГИ103В - двумя черными точками, ГИ103Г - двумя зелеными
точками. Отрицательный вывод диода имеет больший диаметр.
Масса диода не более 0,08 г.
Электрические параметры
Пиковый ток:
1И103А, 1И103Б. 1И103В. ГИ103А,
ГИ103Б. ГИ103В..................... От 1.3 до 1.7 мА
ГИ103Г............................. От 1.3 до 2.1 мА
Отношение пикового тока к току впадины
при температуре от 213 до 343 К, не
менее........................................... 4
Напряжение пика*....................... От 60 до 90 мВ
Общая емкость диода при (7пр < 1 мВ, f = 10 МГц:
1И103А,	ГИ103А..................... От	1,0	до	2,1	пФ
1И103Б,	ГИ103Б..................... От	0,8	до	1,6	пФ
1И103В,	ГИ103В..................... От	0,7	до	1,3	пФ
ГИ103Г............................. От	1,0	до	3,2	пФ
Сопротивление потерь при т„ < 0,1 мкс, 7о6р и = 100 мА. не более'
1И103А, 1И103Б, 1И103В, ГИ103А, ГИ103Б, ГИ103В 6 Ом
ГИ103Г............................................... 7	Ом
Резонансная частота *:
1И103А.............................
ГИ103А.............................
1И103Б ............................
ГИ103Б.............................
1И103В.............................
1И103Г ............................
Напряжение впадины *...................
Индуктивность диода *..................
Шумовая постоянная *................
Отрицательная дифференциальная проводи-
мость .................................
10 ГГц
От 8 до 14 ГГц
Около 15 ГГц
От 9 до 17 ГГц
Около 20 ГГц
От 5,5 до 13 ГГц
От 350 до 430 мВ
От 0,2 до 0,35 нГн
От 1,0 до 1,5
От 17 до 10 мСм
319
Емкость корпуса*....................... 0,42	— 0,5 — 0,58 пФ
Температурный коэффициент отрицательной
проводимости при температуре от 213 до
343 К, не более........................... ±0,17	“//К
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой и обратный ток...................1,5	мА
Постоянное прямое напряжение при температуре от 213
до 343 К.......................................... 400	мВ
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 343 К..................................... 20	мВ
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность:
при 298 К
1И103А, ГИ103А................................ 5	мВт
1И103Б, ГИ103Б.................................4	мВт
1И103В, ГИ103В................................ 3	мВт
ГИ103Г.........................................6	мВт
при 343 К
1И103А, ГИЮЗА..................................2,5	мВт
1И103Б, ГИ103Б...............................2,0	мВт
1И103В, ГИ103В...............................1.5	мВт
ГИ103Г.......................................3,0	мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность:
при ти = 0,1 мкс. f = I кГц при 298 К
1И103А, ГИЮЗА.................................. 200	мВт
1И103Б, ГИ103Б...............................150	мВт
1И103В, ГИ103В...............................100	мВт
ГИ103Г...................................... 250	мВт
при 343 К
1И103А, ГИЮЗА..................................100	мВт
1И103Б, ГИ103Б................................ 75	мВт
1ИЮЗВ, ГИ103В................................. 50	мВт
ГИЮЗГ.........................................40	мВт
при т„ = I мкс
при 298 К
1ИЮЗА...........................................60	мВт
1ИЮЗБ.........................................40	мВт
1ИЮЗВ.........................................30	мВт
при 343 К
1ИЮЗА...........................................25	мВт
1ИЮЗБ,	1И103В...............................20	мВт
при ти = 4 мкс и 298 К *
1ИЮЗА...........................................20	мВт
1И103Б........................................15	мВт
1ИЮЗВ..........................................Ю	мВт
Температура окружающей среды .... От 213 до 343	К
Примечания: 1. Не допускается проверка диодов тестером.
2. Величина сжимающего корпус усилия не должна превышать
15 Н. при этом давление не должно прикладываться к углубленным
или маркированным частям торцов.
320
Зона разброса вольт-
амперной характерис-
тики.
Зависимость отрица-
тельного сопротивле-
ния перехода от по-
стоянного прямого
напряжения.
Зависимость шумовой
постоянной от по-
стоянного прямого
напряжения.
Зависимость пикового
тока от температуры.
Зависимость тока впа-
дины от температуры.
Зависимость напряже-
ния пика от темпера-
туры.
1И104А, 1И104Б, 1И104В, 1И104Г, 1И104Д, 1И104Е
Диоды германиевые туннельные мезасплавные. Предназначены для
работы в усилителях в диапазоне длин волн от 2 до 10 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода указывается на вкладыше. Отрицательный вывод
диода имеет больший диаметр.
Масса диода не более 0,025 г.
11 под ред. Н. Н. Горюнова
321
Электрические параметры
Пиковый ток............................... От	1,3 до 1,7 мА
Отношение пикового тока к току впадины
при температуре от 213 до 348 К, не
менее........................................... 4
Общая емкость диода при нулевом смещении и /=14-10 МГц:
1И104А...........................
1И104Б...........................
1И104В...........................
1И104Г ..........................
1И104Д...........................
1И104Е...........................
Сопротивление потерь, не более:
1И104А, 1И104Б...................
1И104В, 1И104Г, 1И104Д...........
1И104Е...........................
Напряжение пика........................
Напряжение впадины.....................
Индуктивность диода....................
Емкость корпуса........................
Резонансная частота*:
От 0,8 до 1,9 пФ
От 0,6 до 1,4 пФ
От 0,5 до 1,1 пФ
От 0,45 до 1 пФ
От 0,4 до 0,9 пФ
От 0,4 до 0,8 пФ
6 Ом
7 Ом
8 Ом
60 - 80* - 100 мВ
350-400* - 450 мВ
0,1-0,11 * - 0,13 нГн
0,25-0,3* - 0,35 пФ
1И104А............................. От	11	до	25	ГГц
1И104Б............................. От	15	до	27	ГГц
1И104В............................. От	17	до	31	ГГц
1И104Г............................. От	19	до	37	ГГц
1И104Д............................. От	21	до	45	ГГц
1И104Е............................. От	25	до	60	ГГц
Температурный коэффициент проводимости при температуре:
от 213 до 298 К...........................От	0 до -0,25 %/К
от 213 до 343 К................... ±0,14 %/К
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность. мВт, на частоте /= 1 кГц:
при 343 К
	ти = 0,1 мкс	ти = 1 мкс	т„ = 4 мкс
1И104А	100	25	10
1И104Б	75	20	7,5
1И104В	50	15	5,0
1И104Г	25	10	4,0
1И104Д	20	6	3,5
1И104Е	15	4	3,0
от 213 до 308	К		
1И104А	200	50	20
1И104Б	150	40	15
1И104В	100	30	10
1И104Г	50	20	8
1И104Д	40	12	7
1И104Е	30	8	6
322
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность:
при 343 К
1И104А...........................................2,5	мВт
1И104Б.........................................2,0	мВт
1И104В.........................................1,5	мВт
1И104Г, 1И104Д, 1И104Е.........................1,0	мВт
от 213 до 308 К
1И104А............................................ 5	мВт
1И104Б.......................................... 4	мВт
1И104В.......................................... 3	мВт
1И104Г, 1И104Д, 1И104Е...........................2	мВт
Постоянное прямое напряжение при температуре от 213
до 343 К............................................ 400	мВ
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213
до 343 К............................................. 20	мВ
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 343 К:
1И104А, 1И104Б, 1И104В, 1И104Г...................... 1мА
1И104Д, 1И104Е.................................0,51 мА
Постоянный обратный ток при температуре от 213 до
343 К..............................................1,5 мА
Температура окружающей среды..........................От	213 до
343 К
Примечания: 1. Не допускается проверка диодов тестером.
2.	Прижимное усилие на диод при креплении должно быть
ие более 15 Н.
3.	Разрешаются припайка и приварка ленточных выводов к кор-
пусу диода, при этом нагрев диода не должен превышать 343 К.
4.	При измерениях и работе с диодом необходимо брать его
заземленным пинцетом или применять браслет для снятия статисти-
ческого заряда.
Вольт-амперная характе- Зона возможных по- Зона возможных
ристика.	ложений зависимости положений зависи-
отрицательной про- мости шумовой по-
водимости перехода от стоянной от по-
постоянного прямого стоянного прямого
напряжения.	напряжения.
И*
323
Зона возможных по-
ложений зависимости
пикового тока от
температуры.
Зона возможных по-
ложений зависимости
тока впадины от тем-
пературы.
Зона возможных по-
ложений зависимости
отрицательной прово-
димости перехода от
температуры.
8.2. ГЕНЕРАТОРНЫЕ ДИОДЫ
ЗИ201А, ЗИ201Б, ЗИ201В, ЗИ201Г, ЗИ201Д, ЗИ201Е,
ЗИ201Ж, ЗИ201И, ЗИ201К, ЗИ201Л, АИ201А, АИ201В,
АИ201Г, АИ201Е, АИ201Ж, АИ201И, АИ201К, АИ201Л
Диоды арсенид-таллиевые туннельные сплавные. Предназначены
для работы в генераторах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточ-
ными выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды марки-
руются условными обозначения-
ми на крышке прибора.
ЗИ201А.	АИ201 — ГА.
ЗИ201Б- ГБ:	ЗИ201В.
АИ201В1В.	ЗИ2О1Г.
АИ201Г-ГГ. ЗИ201Д- ГД.
ЗИ201Е.	АИ201Е — ГЕ
ЗИ201Ж,	АИ201Ж - ГЖ.
ЗИ201И. АИ201И-ГИ:
ЗИ201К.	АИ201К-ГК.
АИ201Л. АИ201Л - ГЛ.
Масса диода не более 0.15 :
Электрические параметры
Пиковый ток:
ЗИ2О1А. ЗИ201Б, ЗИ201В
при 298 К.........................
при 373 К.......................
при 213 К.......................
От 9 до 11 мА
От 8 до 11 мА
От 8 до 12,5 мА
324
АИ201А, АИ201В
при 298 К........................
при 358 К........................
при 213 К .......................
ЗИ2О1Г. ЗИ2О1Д, ЗИ201Е
при 298 К .........................
при 373 К........................
при 213 К........................
АИ201Г, АИ201Е
при 298 К..........................
при 358 К........................
при 213 К . . ...................
ЗИ201Ж, ЗИ2О1И
при 298 К..........................
при 373 К........................
при 213 К .......................
АИ201Ж, АИ201И
при 298 К .........................
при 358 К .......................
при 213 К .......................
От 9 до И мА
От 8 до 11 мА
От 8 до 12,5 мА
От 18 до 22 мА
От 16 до 22 мА
От 16 до 25 мА
От 18 до 22 мА
От 16 до 22 мА
От 16 до 25 мА
От 45 до 55 мА
От 40 до 55 мА
От 40 до 60 мА
От 45 до 55 мА
От 40 до 55 мА
От 40 до 60 мА
ЗИ2О1К, ЗИ2О1Л
при 298 К.........................
при 373 К.......................
при 213К .......................
АИ201К, АИ201Л
при 298 К.........................
при 358 К ......................
при 213 К.......................
От 90 до
От 80 до
От 80 до
От 90 до
От 80 до
От 80 до
110 мА
ПО мА
120 мА
110 мА
110 мА
120 мА
Отношение пикового тока к току впадины, не менее:
ЗИ201А. ЗИ201Б. ЗИ201В, ЗИ2О1Г. ЗИ201Д; ЗИ201Е. ЗИ201Ж,
ЗИ2О1И. ЗИ2О1К, ЗИ2О1Л
при	298	К.................................... Ю
при	373	К.................................... 6
при	213	К.................................... 8
АИ201А. АИ201В, АИ201Г. АИ201Б, АИ201Ж.
АИ201И, АИ201К, АИ201Л........................ 10
Напряжение пика, не более:
ЗИ201А, ЗИ201Д, ЗИ201Е. АИ201Г. АИ201Е .	...	0,2	В
ЗИ201Б, ЗИ201В, АИ201А. АИ201В...............0,18	В
ЗИ2О1Г.......................................0,21	В
ЗИ201Ж, ЗИ2О1И, АИ201Ж, АИ201И...............0,26	В
ЗИ2О1К, ЗИ201Л, АИ201К, АИ201Л...............0,33	В
Сопротивление потерь, не более:
ЗИ201А, ЗИ201Б. ЗИ2О1В при 1^ ,, = 150 мА	.	.	.	8	Ом
АИ201А, АИ201В при /о5р.„ = 100 мА............ 8	Ом
ЗИ201Г, ЗИ201Д при /^^ = 150	мА................ 5	Ом
АИ201Г при /о6р.„= 100 мА........................ 5	Ом
ЗИ201Е при /обр,и — 150 мА....................... 4	Ом
АИ201Е при /^р и = 100 мА........................ 4	Ом
ЗИ2О1Ж, ЗИ201И при l^p.» = 250	мА..............2,5	Ом
325
АИ201Ж, АИ201И при /<^.„ = 220 мА ... . 2,5 Ом
ЗИ201К, ЗИ201Л при 7обр,„ = 250 мА............2,2 Ом
АИ201К, АИ201Л при /^р.и = 220 мА.............2,2 Ом
Общая емкость диода в точке минимума вольт-амперной характе-
ристики при f— 1 н- 10 МГц:
ЗИ2О1А, не более........................... 3,5	пФ
АИ201А, АИ201В, не более.................... 8.0	пФ
ЗИ201Б............................ От 2,5 до 6,0 пФ
АИ201Г, не более............................. 10	пФ
ЗИ2О1В............................ От 4,5 до 10 пФ
АИ201Е............................. От 6 до 20 пФ
ЗИ201Г, не более........................... 4	пФ
АИ201Ж, не более............................. 15	пФ
ЗИ201Д............................. От 3 до 7 пФ
ЗИ201Е............................. От 5 до 12 пФ
ЗИ201Ж, не более........................... 8	пФ
ЗИ201И............................. От	6	до	15	пФ
АИ201И............................. От	10	до	30	пФ
ЗИ2О1К, не более............................. 15	пФ
АИ201К, не более........................... 20	пФ
ЗИ201Л............................. От	10	до	40	пФ
АИ201Л............................. От	10	до	50	пФ
Емкость корпуса *, не более........................0,8 пФ
Индуктивность диода*, не более.....................1,3 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение при температуре:
от 213 до 373 К
ЗИ2О1А, ЗИ2О1Б,	ЗИ201В........... 0,4	В
ЗИ2О1Г. ЗИ201Д, ЗИ201Е. ЗИ201Ж,
ЗИ201И................................... 0,45	В
ЗИ201К, ЗИ2О1Л.................... 0,5	В
о, 213 до 358 К
АИ201А, АИ201В, АИ201Г, АИ201Ж,
АИ201И, АИ201К, АИ201Л ....	0.5-0.6 В
Температура окружающей среды:
ЗИ201А, ЗИ201Б, ЗИ2О1В, ЗИ201Г,
ЗИ201Д, ЗИ201Е, ЗИ2О1Ж, ЗИ201И,
ЗИ201К. ЗИ201Л...................... От	213 до 373 К
АИ201А, АИ201В, АИ201Г, АИ201Е,
АИ201Ж, АИ201И, АИ201К, АИ201Л От 213 до 358 К
Примечания: 1.При креплении приборов в зажимных приспо-
соблениях допускается обрезать ленточные выводы без приложения
механической нагрузки к корпусу прибора.
2.	Давление на крышку прибора, перпендикулярное ее плоскости,
должно быть не более 15 Н.
3.	Не допускается проверка диодов тестером.
4.	Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на
участке отрицательного сопротивления вольт-амперной характеристики.
326
г
Вольт-амперные характерис-
тики.
Зона возможных положений
зависимости пикового тока
от температуры.
Зона возможных положений
зависимости тока впадины от
температуры.
ЗИ202А, ЗИ202Б, ЗИ202В, ЗИ202Г, ЗИ20ЗД, ЗИ202Е,
ЗИ202Ж, ЗИ202И, ЗИ202К
Диоды арсенид-галлиевые туннельные меза-
сплавные. Предназначены для генерирования ко-
лебаний в диапазоне длин волн от 10 до 20 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе
с жесткими выводами. Приборы маркируются ус-
ловными обозначениями на крышке прибора:
ЗИ202А - ВА, ЗИ202Б - ВБ, ЗИ202В - ВВ,
ЗИ202Г - ВГ, ЗИ292Д - ВД, ЗИ2О2Е - BE,
ЗИ202Ж - ВЖ, ЗИ202И - ВИ, ЗИ202К - ВК.
Масса диода не более 0,1 г.
327
Электрические параметры
Пиковый ток:
при 298 К
ЗИ202А. ЗИ202Б, ЗИ202В.............. От	9 до II мА
ЗИ202Г. ЗИ202Д,	ЗИ202Е.............. От	18	до	22	мА
ЗИ2О2Ж, ЗИ2О2И...................... От	27	до	33	мА
ЗИ202К.............................. От	45	до	55	мА
при 213 и 358 К
ЗИ202А. ЗИ2О2Б,	ЗИ202В.............. От	7,5	до	12	мА
ЗИ202Г, ЗИ202Д,	ЗИ2О2Е.............. От	15	до	24	мА
ЗИ202Ж. ЗИ2О2И...................... От	22	до	36	мА
ЗИ202К.............................. От	38	до	60	мА
Отношение пикового тока к току впадины, не менее:
при 298 К.................................... 8
при 213 и 358 К.............................. 7
Напряжение пика:
ЗИ202А, ЗИ2О2Б. ЗИ202В.......... От 0,09 до 0,2 В
ЗИ202Г, ЗИ202Д, ЗИ202Е.......... От 0.1 до 0,22 В
ЗИ202Ж, ЗИ2О2И.................. От 0,1 до 0,24 В
ЗИ202К не более................. 0,26 В
Общая емкость диода;
ЗИ202А, не более......................... 3	пФ
ЗИ202Б.......................... От 1,5 до 3 пф
ЗИ202В.......................... От 2.3 до 4,8 пФ
ЗИ202Г. не более......................... 4	пФ
ЗИ202Д.......................... От 2 до 4 пФ
ЗИ2О2Е.......................... От 3 до 5 пФ
ЗИ2О2Ж, не более......................... 5	пФ
ЗИ202И.......................... Ог 4 до 8 пФ
ЗИ202К. не более........................ 10	пФ
Сопротивление потерь* при импульсном обратном токе 250 мА.
не более:
ЗИ202А..................................... 5 Ом
ЗИ2О2Б. ЗИ202В, ЗИ202Г..................... 4 Ом
ЗИ2О2Д, ЗИ202Е, ЗИ2О2Ж.	ЗИ202И............ 3 Ом
ЗИ202К..................................... 2 Ом
Напряжение впадины*:
ЗИ2О2А. ЗИ2О2Б, ЗИ202В...........................0.58 В
ЗИ2О2Г. ЗИ202Д. ЗИ202Е. ЗИ202Ж. ЗИ202И . . .	0.62 В
Резонансная частота*:
ЗИ202А...........................................9.2 ГГц
ЗИ202Б.....................................10.5 ГГц
ЗИ202В.....................................6.0 ГГп
ЗИ202Г.....................................9.9 ГГц
ЗИ202Д.....................................11.7 ГГп
ЗИ2О2Е.....................................9.0 ГГп
ЗИ2О2Ж.....................................10.6 ГГп
ЗИ202И.....................................6.1 ГГц
ЗИ2О2К.....................................7.7 ГГп
Индуктивность диода*, не более........ . . .0.5-10 Гн
328
Предельные эксплуатационные данные
Температура окружающей среды .... Or 213 до 358 К
Температура корпуса............................ 358	К
Примечания: 1. Допускается работа диодов на первой восхо-
дящей ветви и на участке отрицательного сопротивления. Работа
на второй восходящей ветви не допускается.
2. При креплении диодов в зажимных приспособлениях допуска-
ется давление на крышку перпендикулярно ее плоскости не более 15 Н.
3. Не допускается проверка диодов тестером.
Волы-амперные характе-
ристики.
Вольт-амперные характе-
ристики.
Волы-амперные характе-
Вольт-амперные характе-
ристики.
рист ики.
329
температуры.
температуры.
ЗИ2ОЗА, ЗИ2ОЗБ, ЗИ2ОЗГ, ЗИ2ОЗД, 2И203Ж, ЗИ2ОЗИ
Диоды арсенид-галлиевые туннельные мезасплавные. Предназна-
чены для генерирования колебаний в диапазоне длин волн от 6 до
10 см.
91,S
Выпускаются в металлоке-
рамическом корпусе. Тип диода
указывается на этикетке. Диоды
маркируются условными обозначе-
ниями на крышке прибора:
ЗИ2ОЗА - А,	ЗИ2ОЗБ - Б,
ЗИ2ОЗГ - Г,	ЗИ2ОЗД-Д;
ЗИ2ОЗЖ - Ж; ЗИ2ОЗИ - И. Отри-
цательный вывод диола имеет
больший диаметр.
Масса диода не более 0,065 i.
Электрические параметры
Пиковый ток:
при 298 К
ЗИ2ОЗА, ЗИ2ОЗБ
ЗИ2ОЗГ, ЗИ2ОЗД
ЗИ2ОЗЖ, ЗИ2ОЗИ
при 358 К
ЗИ2ОЗА, ЗИ2ОЗБ
ЗИ2ОЗГ, ЗИ2ОЗД
ЗИ2ОЗЖ, ЗИ2ОЗИ
при 213 К
ЗИ2ОЗА,
ЗИ2ОЗГ,
ЗИ2ОЗЖ,
ЗИ2ОЗБ
ЗИ2ОЗД
ЗИ2ОЗИ
........................... От	9	до	11 мА
........................... От.18	до	22 .мА
........................... От	27	до	33 мА
........................От	/п — 1,5 до 1П + 0.5 мА
.......................От	7П	—	3,0	до	7П + 1,0 мА
.......................От	/п	—	4,5	до	1„ + 1,5 мА
.......................От	!п	—	1,0	до	/п + 0,5 мА
.......................От	/п	—	2,0	до	/п + 1,0 мА
.......................От	1П	—	3,0	до	+	1,5	мА
Отношение пикового тока к току впадины, не менее:
при 298 К........................................ 10
при 213 и 358 К................................... 7
Напряжение пика, не более:
ЗИ2ОЗА, ЗИ2ОЗБ...................................... 0,2	В
330
ЗИ2ОЗГ, ЗИ2ОЗД.................................0,22	В
ЗИ2ОЗЖ, ЗИ203И.................................0,24	В
Общая емкость диода при нулевом смещении, /= 1	ч- 60 МГц:
ЗИ2ОЗА, не более.......................... 2	пФ
ЗИ2ОЗБ, ЗИ2ОЗД................... От 1,5 до 3 пФ
ЗИ2ОЗГ, не более........................ 2,5	пФ
ЗИ2ОЗЖ, не более........................ 3,0	пФ
ЗИ2ОЗИ........................... От 2,5 до 4,5 пФ
Сопротивление потерь при /обР1 „ = 250 мА, не более:
ЗИ2ОЗА.................................. 6	Ом
ЗИ2ОЗБ,	ЗИ2ОЗГ............... 4	Ом
ЗИ2ОЗД................................ 3,5	Ом
ЗИ2ОЗЖ.................................. 3	Ом
ЗИ2ОЗИ................................ 2,5	Ом
Индуктивность	диода *, не более............. 0,3	иГи
Емкость корпуса *....................... От	0,3 до 0,6 пФ
Напряжение впадины*......................... 0,6	В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение при температуре от 213 до 358 К:
ЗИ2ОЗА, ЗИ2ОЗБ................................. 0,4	В
ЗИ2ОЗГ, ЗИ2ОЗД, ЗИ2ОЗЖ, ЗИ2ОЗИ.................0,45	В
Постоянный обратный ток:
ЗИ2ОЗА, ЗИ2ОЗБ.................................. 5	мА
ЗИ2ОЗГ, ЗИ2ОЗД............................ Щ	мА
ЗИ2ОЗЖ, ЗИ2ОЗИ........................... 15	мА
Температура окружающей среды .... От 213 до 358 К
Примечания: 1. При креплении диодов допускается давление
на крышку перпендикулярно ее плоскости не более 30 Н и изги-
бающее усилие не более 1 Н  см.
2. Не допускается постоянное смещение рабочей точки диодов
на вторую восходящую ветвь вольт-амперной характеристики.
3. Не допускается проверка диодов тестером.
8.3. ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ
АИ301А, АИ301Б, А ИЗО 1 В, А ИЗО! Г
Диоды арсенид-таллие-
вые туннельные. Предназна-
чены для работы в переклю-
чающих схемах.
Выпускаются в металло-
керамическом корпусе с гибкими
ленточными выводами. Тип
диода указывается на этикетке.
Масса диода не более 0,15 г.
j
Электрические параметры
Пиковый ток:
при 298 К
АИ301А..........................
АИ301Б, АИ301В.................
АИ301Г.........................
при 213 и 343 К
АИ301А..........................
АИ301Б, АИ301В.................
АИ301Г.........................
Отношение пикового тока к току впадины,
Напряжение пика, не более............
Напряжение раствора:
АИ301А, не менее...............
АИ301Б.........................
АИ301В.........................
АИ301Г, не менее...............
От 1,6 до 2,4 мА		
От От	4,5 9,0	до 5,5 мА до 11 мА
От	1,3	до 2,6 мА
От	3.9	до 5,9 мА
От 7,7 до 11,6 мА
не менее 8
....	0,18 В
0,65 В
От 0,85 до 1,15 В
От 1,0 до 1,3 В
0,8 В
Общая емкость диода в точке минимума вольт-амперной характе-
ристики при f= 1 -ь 10 МГц, не более:
АИ301А............................................ 12	пФ
АИ301Б, АИ301В................................. 25	пФ
АИ301Г......................................... 50	пФ
Емкость корпуса, не более............................0,8	пФ
Индуктивность диода, не более........................1,5	нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
343 К:
АИ301А, АИ301Б.............................1,2	мА
АИ301В.....................................2,7	мА
АИ301Г.....................................5,5	мА
Температура окружающей среды
от 213 до 343 К
Примечания: 1. Пайка и
изгиб выводов допускаются на
расстоянии не менее 3 мм от
корпуса диода. При изгибе выво-
да необходима жесткая фиксация
его основания. Допускается укора-
чивать длину выводов до 8,5 мм
без приложения механической на-
грузки к корпусу.
2. При креплении диодов до-
пускается давление на крышку
диода, перпендикулярное ее плос-
кости, не более 15 Н.
3. Не допускается проверка
диодов тестером.
Зона возможных положений вольт-
амперных характеристик.
волы-амперных характеристик.
Зона возможных положений
вольт-амперных характеристик.
Зона возможных положений за-
висимое) и пиковою тока от
температуры.
Вольт-амперные характерис-
тики.
1И304А, 1И304Б, ГИ304А, ГИ304Б
Диоды германиевые туннельные мезасплавные. Предназначены
для работы в быстродействующих переключающих схемах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на этикетке. Диоды маркируются
цветной точкой: 1И304А, ГИ304А - черной на положительном выводе.
1И304Б, ГИ304Б — черной на отрицательном выводе. Углубление
положительного вывода окрашивается в красный цвет.
Масса диода нс более 0,1 г.
333
Электрические параметры
Пиковый ток:
I И304А
при 298 К........................
при 213 и 343 К..................
ГИ304А
при 298 К........................
при 333 К........................
при 233 К........................
1И304Б
при 298 К .......................
при 213 и 343 К..................
ГИ304Б
при 298 К........................
при 333 К........................
при 233 К........................
Отношение пикового тока к току впадины, не менее:
1И304А, 1И304Б
От 4,6 до 5,2 мА
От 0,85 /„ до 1,05 /„
От 4.5 до 5.1 мА
От 4,05 до 5,61 мА
От 3.6 до 5,61 мА
От 4.8 до 5,4 мА
От 0,85 /п до 1,05 /„
От 4,9 до 5,5 мА
От 4.41 до 6,32 мА
От 3.92 до 6,05 мА
при 298 К...................................... 8
при 213 и 343 К................................ 4
ГИЗЭ4А, ГИ304Б
при 298 К...................................... 5
при 233 и 333 К................................ 4
Напряжение раствора:
1И304Л, 1И304Б
при	298	К,	не	менее..................... 400	мВ
при	343	К,	не	менее.................... 0,85	Срг
при	213	К,	не	более.................... 1.25	Грр
ГИ304А, ГИ304Б
при 298	К,	не	менее............................ 420	мВ
при 333	К,	не	менее............................ 336	мВ
при 233	К,	не	более........................... 525	мВ
Общая емкость диода в точке минимума вольт-амперной
характеристики при / = 1 4- 10 МГц, не более ....	20 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой и обратный ток:
1И304А. 1И304Б
от 213 до 293 К.............
10 мА
334
при 343 К.....................................7,5	мА
ГИ304А, ГИ304Б
от 233 до 293 К................................. 10	мА
при 333 К.....................................7,5	мА
Температура окружающей среды:
1И304А, 1И304Б............................ От	213 до 343 К
ГИ304А, ГИ304Б........................ От	233 до 333 К
Примечания: 1. В диапазоне температуры от 293 до 343 К
для 1И304А, 1И304Б и от 293 до 333 К для ГИ304А, ГИ304Б
значение постоянного прямого и обратного тока снижается на
0,5 мА на каждые 10 К и иа
0.5 мА иа каждые 8 К соот-
ветственно.
2.	Пайка выводов допускается
на расстоянии не менее 2,5 мм
от корпуса, при этом температура
корпуса не должна превышать
358 К.
3.	При изгибе вывода необхо-
дима жесткая фиксация его ос-
нования.
4.	После установки в аппара-
туре диоды должны заливаться
изоляционным компаундом.
Вольт-амперные характеристики.	0
213 2S3 Z93 333 X
28
24
20
16
12
8
V
о
213 253 293 333 X
Зона возможных поло- Зона возможных поло- Зона возможных по-
жеиий зависимости пи- жений зависимости ложений зависимости
кового тока от тем- отношения пикового напряжения раствора
пературы. тока к току впадины от температуры,
от температуры.
335
1И305А, 1И305Б, ГИ305А, ГИ305Б
Диоды германиевые туннельные мезасплавные. Предназначены для
работы в переключающих схемах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на этикетке. Диоды маркируются
цветной точкой: 1ИЗО5Б, ГИЗО5Б — голубой на отрицательном выводе;
1ИЗО5А, ГИЗО5А — точка отсутствует. Углубление положительного
вывода окрашивается в красный цвет.
Масса диода не более 0,1 г.
Электрические параметры
Пиковый ток:
1И305А
прн 298 К..................................От	9,2 до 10,4 мА
при 343 К..................................От	0,9 /„ до 1,1 4
при 213 К..................................От	0,83 4 до 1,03 1„
ГИЗО5А
при 298 К................... ...	От 9,1 до 10,1 мА
при 333 К...................... . .	От 8,19 до 11,61 мА
при 233 К..................................От	7,28 до 11,11 мА
1ИЗО5Б
при 298 К..................................От	9,6 до 10.8 мА
при 343 К..................................От	0,9 /п до 1,1 4
при 213 К..................................От	0,83 /п до 1,03 4
ГИЗО5Б
при 298 К . . . .	............От 9,8 до 11,1 мА
при 333 К..................................От	8,82 до 12.76 мА
при 233 К..................................От	7,84 до 12.21 мА
Отношение пикового тока к току впадины, не менее:
1ИЗО5А, 1ИЗО5Б
при	298	К...................................... 8
от 213	до	343	К.............................. 4
ГИ305А, ГИЗО5Б
при	298	К...................................... 5
при	233	и	333	К.............................. 4
336
Напряжение раствора:
1ИЗО5А, 1ИЗО5Б
при 298 К, не менее......................... 400	мВ
при 343 К...............................От	0,85 С/рр до С/рр
при 213 К, не более........................ 1,25	t/pp
ГИ305А, ГИЗО5Б
при	298	К,	не	менее............................. 430	мВ
при	333	К.	не	менее.............................. 344	мВ
при	233	К,	не	более............................. 537	мВ
Напряжение пика, не более:
1ИЗО5А, 1ИЗО5Б................................. 70	мВ
ГИЗО5А, ГИЗО5Б.................................. 85	мВ
Общая емкость диода в точке минимума вольт-ампер-
ной характеристики,/ = 1	10 МГц, не более ....	30 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой и обратный ток:
1ИЗО5А, 1ИЗО5Б
от 213 до 293 К..................................20	мА
при 343 К..................................... 15	мА
ГИЗО5А, ГИЗО5Б
от 233 до 293 К..................................20	мА
при 333 К..................................... 15	мА
Температура окружающей среды:
1И305А, 1И305Б . ГИ305А, ГИЗО5Б .		 От	213 до 343 К 	 От	233 до 333 К
Температура перехода . Примечания: 1		 348	К . В диапазоне температуры от 293 до 343 К
для 1ИЗО5А, 1ИЗО5Б и от 293 до 333 К для ГИЗО5А. ГИЗО5Б
значение постоянного прямого и обратного тока снижается линейно
на 1 мА на каждые 10 К.
2. Пайка приборов допускается на расстоянии не менее 2.5 мм
от корпуса, при этом температура корпуса не должна превышать
358 К.
3. При изгибе вывода
необходима жесткая фик-	м А
сация его основания.	,2
4. После установки в
аппаратуру диоды должны	10
заливаться изоляционным
В
компаундом.	Q
6
О
Z
Вольт-амперные характерис-
тики.	0	100 100 300 000 500 нв
337
Зона возможных поло-
жений зависимости пи-
кового тока от тем-
пературы.
Зона возможных поло-
жений зависимости от-
ношения пикового то-
ка к току впадины от
температуры.
Зона возможных по-
ложений зависимости
напряжения раствора
от температуры.
ЗИЗО6Г, ЗИЗО6Е, ЗИЗО6Ж, ЗИЗО6К, ЗИЗО6Л, ЗИЗО6М,
ЗИЗО6Н, ЗИЗО6Р, ЗИЗО6С
Диоды арсенид-галлиевые туннельные сплавные. Предназначены
для работы в переключающих схемах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими лен-
точными выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды
маркируются условными обозначениями на крышке прибора:
ЗИЗО6Г - ПГ, ЗИЗО6Е - ПЕ, ЗИЗО6Ж - ПЖ,	ЗИЗО6К - ПК,
ЗИЗО6Л - ПЛ, ЗИЗО6М - ПМ, ЗИ306Н - ПН,	ЗИЗО6Р - ПР,
ЗИЗО6С - ПС.
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические параметры
Пиковой ток:
при 298 К
ЗИЗО6Г, ЗИЗО6Е....................... От	1,8 до	2,2	мА
ЗИЗО6Ж, ЗИЗО6К, ЗИЗО6Р............... От	4,5 до	5,5	мА
ЗИЗО6Л, ЗИЗО6М, ЗИЗО6Н,	ЗИЗО6С	От	9,0 до	11	мА
338
при 373 К
ЗИЗО6Г, ЗИЗО6Е...................... От 1,5 до 2,4 мА
ЗИЗО6Ж, ЗИЗО6К, ЗИЗО6Р............ От 3,9 до 5,9 мА
ЗИЗО6Л,	ЗИЗО6М,	ЗИЗО6Н.	ЗИЗО6С	От 7,7	до	11,8	мА
при 213 К
ЗИЗО6Г,	ЗИЗО6Е................. От	1,5	до	2,4	мА
ЗИЗО6Ж,	ЗИЗО6К,	ЗИЗО6Р ....	От 3,8	до	5.9	мА
ЗИЗО6Л,	ЗИЗО6М,	ЗИЗО6Н.	ЗИЗО6С	От 7,6	до	11,8	мА
Отношение пикового тока к току впадины, не менее:
при 298 К...................................... 8
при 373 К...................................... 6
Напряжение пика, не более:
при 298	К.......................................0,17	В
при 373	К....................................... 0,2	В
Напряжение раствора, не менее:
при 298	К........................................0,85	В
при 373	К.......................................0,72	В
при 213	К....................................... 0,8	В
Общая емкость диода в точке минимума вольт-ампер-
иой характеристики при f= 1 -ь 10 МГц:
ЗИЗО6Г, не более................................. 8 пФ
ЗИЗО6Е............................ От 4 до 12 пФ
ЗИ306Ж, не более............................. 15	пФ
ЗИЗО6К............................ От 8 до 25 пФ
ЗИЗО6Л, не более............................. 12	пФ
ЗИ306М, не более............................. 30	пФ
ЗИЗО6Н............................ От 15 до 50 пФ
ЗИЗО6Р............................ От 4 до 25 пФ
ЗИЗО6С............................ От 10 до 50 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток на второй восходящей ветви вольт-ампер-
ной характеристики при температуре:
от 213 до 298 К
ЗИЗО6Г,	ЗИЗО6Ж.	ЗИЗО6Л,	ЗИ306М	0,4	/„
ЗИЗО6Е,	ЗИЗО6К,	ЗИЗО6Н.	ЗИЗО6Р,
ЗИЗО6С...................................... 0.9	/п
при 373 К
ЗИЗО6Г, ЗИЗО6Ж, ЗИЗО6Л, ЗИЗО6М	0,15 1„
ЗИЗО6Е, ЗИЗО6К. ЗИЗО6Н. ЗИЗО6Р,
ЗИЗО6С..........................  •	0,5 /п
Импульсный ток на второй восходящей ветви вольт-амперной харак-
теристики при температуре:
от 213 до 298 К
ЗИЗО6Г.	ЗИ306Ж.	ЗИЗО6Л.	ЗИ306М	0,4	/„
ЗИЗО6Е,	ЗИЗО6К,	ЗИЗО6Н,	ЗИЗО6Р,
ЗИЗО6С...................................... 1,2	/п
при 373 К
ЗИЗО6Г, ЗИЗО6Ж, ЗИЗО6Л, ЗИЗО6М.................. 0,3 /„
ЗИЗО6Е, ЗИЗО6К, ЗИЗО6Н, ЗИЗО6Р, ЗИЗО6С . . .	0,8 1„
339
Постоянный обратный ток:
ЗИЗО6Г. ЗИЗО6Е............................ 4	мА
ЗИЗО6Ж. ЗИЗО6К. ЗИЗО6Р................... 10	мА
ЗИЗО6Л. ЗИЗО6М. ЗИЗО6Н.	ЗИЗО6С	20	мА
Температура окружающей среды.............. От	213 до 373 К
Примечание. Допускается укорачивать выводы до 8,5 мм
бет приложения механической нагрузки к корпусу прибора.
Зона возможных положений за-
висимое, и пикового тока о,
температуры.
Зона возможных положений за-
висимое , и тока впадины от тем-
пературы.
Зона возможных положений за-
висимости напряжения раствора
от температуры.
ГИ307А
Диод германиевый туннельный
мезасплавной. Предназначен для
работы в переключающих схемах
Выпускается в металлосгек-
лянном корпусе с гибкими ленточ-
ными выводами. Тип диода ука-
зывается на этикетке. Диод мар-
кируется синей точкой у положи-
тельного вывода.
Масса диода не более 0,1 г
34г
Электрические параметры
Пиковый ток:
при 298 К.............................................От	1,8
до 2,2 мА
при 333 К.........................................От	1,62
до 1,98 мА
при 233 К.........................................От	1,67
до 2,09 мА
Отношение пикового тока к току впадины, не менее:
при 298 К.......................................... 7
при 233 и 333 К................................ 5
Напряжение пика, не менее............................ 70	мВ
Напряжение раствора при токе 2 мА, не менее:
при 298 К........................................... 400	мВ
при 233 и 333 К................................. 340	мВ
Общая емкость диода, не более........................ 20	пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой и обратный ток................. 4 мА
Импульсный прямой и обратный ток при ти < 10 мкс
и скважности не менее 2,5........................ 10 мА
Температура окружающей среды.....................От 233
до 333 К
Вольт-амперные характерис-
тики.
1И308А, 1И308Б, 1И308В, 1И308Г, 1И308Д,
1И308Е, 1И308Ж, 1И308И, 1И308К
Диоды германиевые туннельные мезапланарные. Предназначены
для работы в переключающих устройствах субнаносекундного диа-
пазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются
Цветным кодом: 1И308А - зеленой и черной точками, 1И308Б-
зеленой и белой точками, 1И308В — красной и черной точками,
1И308Г —двумя красными точками, 1И308Д — красной и белой точ-
341
ками, 1ИЗО8Е — белой и черной точками, 1И308Ж —двумя белыми
точками, 1И308И — голубой и черной точками, 1И308К — голубой
и белой точками. Отрицательный вывод имеет больший диаметр.
Масса диода не более 0,1 г.
03.7
Электрические параметры
Пиковый ток:
1ИЗО8А, 1ИЗО8Б.........................От 4,5	до	5,5	мА
1ИЗО8В, 1И308Г, 1ИЗО8Д.................От 9,0	до	11	мА
1ИЗО8Е, 1ИЗО8Ж.........................От 18	до	22	мА
1ИЗО8И, 1ИЗО8К.........................Ог 45	до	55	мА
Отношение пикового тока к току впадины, не
менее:
при 298 К ...................................... 5
при 213 и 343 К................................. 4
Общая емкость диода в точке минимума вольт-
амперной характеристики при /= 1 -ь 10 МГц:
1И308А, 1ИЗО8Г.............................От 1,5 до 5 пФ
1ИЗО8Б.................................От 0,7 до 2 пФ
1ИЗО8В................................От	4,0	до	10	пФ
1И308Д................................От	0,8	до	2	пФ
1ИЗО8Е................................От	3,0	до	15	пФ
1ИЗО8Ж................................От	1,0	до	4	пФ
1ИЗО8И................................От	5,0 до 20 пФ
1ИЗО8К................................От	2,3 до 8 пФ
Напряжение пика *:
1ИЗО8А................................От	70	до	100	мВ
1ИЗО8Б.................................От	70	до	110	мВ
1ИЗО8В.................................От	60	до	ПО	мВ
1ИЗО8Г.................................От	60	до	120	мВ
1ИЗО8Д.................................От	70	до	130	мВ
1ИЗО8Е.................................От	80	до	140	мВ
1ИЗО8Ж.................................От	85	до	160	мВ
1ИЗО8И..............................От
1ИЗО8К...............................От
Напряжение впадины *	 От
Напряжение раствора *.....................От
Температурный коэффициент пикового тока * при
100 до 150 мВ
100 до 180 мВ
350 до 480 мВ
510 до 630 мВ
температуре, не хуже:
от 273 до 333 К............................... — 0,35 %/К
от 213 до 343 К..................................... -0,25	%/К
342
Температурный коэффициент тока впадины * при
температуре от 213 до 343 К, не более . . .	0,6 %/К
Температурный коэффициент напряжения раст-
вора* .....................................От 0,5 до 1,5 мВ/К
Емкость корпуса *.........................От 0,42 до 0,58 пФ
Индуктивность диода*......................От 0,2 до 0,35 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток на второй восходящей ветви вольт-
амперной характеристики при температуре:
от 213 до 308 К
1И308А, 1И308Д......................................6	мА
1И308Б............................................4	мА
1И308В, 1И308Е. 1ИЗО8К...........................20	мА
1ИЗО8Г...........................................15	мА
1ИЗО8Ж............................................8	мА
1И308И	 40	мА
при 343 К
1И308А..............................................2	мА
1И308В............................................7	мА
1ИЗО8Г............................................3	мА
1ИЗО8Е............................................6	мА
1ИЗО8И...........................................15	мА
Импульсный прямой ток на второй восходящей ветви вольт-
амперной характеристики при температуре от 213 до 308 К
(при частоте следования	импульсов не	более	105 Гц):		
	ти = 1 мкс	0,1 мкс 0.01 мкс 0,001			мкс
1ИЗО8А		12	20	30	50	мА
1ИЗО8Б .	...	5	6	7	25	мА
1И308В		90	120	150	250	мА
1И308Г		30	45	60	100	мА
1И308Д	....	10	12	15	50	мА
1И308Е		40	60	90	250	мА
1И308Ж		18	20	30	100	мА
1И308И		75	120	180	300	мА
1ИЗО8К		45	60	90	150	мА
Температура окружающей среды . . .			. От 213	до 343 К	
Примечания: 1. Значения постоянного и импульсного обрат-
ного тока в 1,5 раза больше соответствующих значений прямого
тока.
2.	Диоды 1И308Б, 1ИЗО8Д при температуре от 333 до 343 К
и 1И308Ж, 1И308К при температуре от 323 до 343 К в стати-
ческом режиме должны работать на первой восходящей ветви вольт-
амперной характеристики.
3.	Величина прижимного усилия при креплении диода не должна
превышать 20 Н.
4.	Не допускается проверка диодов тестером.
343
В
Я
1,2
1,0
о,в
0,6
0,4
о, г
0,3	0,4	0,5	0,8 В
Вольт-амперные характеристики.
Обратная ветвь вольт-амперной
характеристики (напряжение
указано в милливольтах).
Зависимость пикового тока от
температуры.
Зависимость прямого тока от
температуры.
213 233 253 273 293 313 333 353 К
ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И, ЗИЗО9К, ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М, ЗИЗО9Н
Диоды арсенид-галлиевые
туннельные мезапланарные. Пред-
назначены для работы в пере-
ключающих схемах в герметизи-
рованной аппаратуре.
Бескорпусные с защитным по-
крытием и гибкими выводами Тип
диода указывается на этикетке.
Масса диода не более 5 мг.
344
Электрические параметры
Пиковый ток:
при 298 К
ЗИЗО9Ж. ЗИЗО9И.	ЗИЗО9 К................От	4.5 до 5,5	мА
ЗИЗО9Л. ЗИЗО9М.	ЗИЗО9Н.................От	9,0 до 11	мА
при 373 К
ЗИ309Ж, ЗИЗО9И.	ЗИЗО9К.................От	3,9 до 5,9	мА
ЗИ309Л. ЗИЗО9М,	ЗИЗО9Н.................От	9,0 до 11	мА
при 213 К
ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И, ЗИЗО9К.................От 3,8 до 5.9 мА
ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М, ЗИЗО9Н.................От 7,6 до 11,8 мА
Отношение пикового тока к току впадины, не
менее:
при 298 К .................................... 8
при 373 К .................................... 6
Напряжение пика, не более:
при 298 К
ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И, ЗИЗО9К..................... 0.18	В
ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М. ЗИЗО9Н...................... 0.2	В
при 373 К
ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И. ЗИ309К...................... 0.2	В
ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М, ЗИЗО9Н..................... 0.22	В
Напряжение раствора, не менее:
при 298 К .................................. 0.85	В
при 373 К .................................. 0.72	В
при 213 К ................................... 0,8	В
Общая емкость диода в точке минимума вольт-
амперной характеристики при /= 1	10 МГц:
ЗИ309Ж...................................От	2.2	до	4.7	пФ
ЗИЗО9И...................................От	3.3	до	10	пФ
ЗИЗО9К...................................От	6.8	до	15	пФ
ЗИЗО9Л...................................От	3.3	до	6.8	нФ
ЗИЗО9М...................................От	4.7	до	15	пФ
ЗИЗО9Н...................................От	10	до	22	пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток на второй восходящей ветви
вольт-амперной характеристики при 1емпературе:
от 213 до 298 К
ЗИ309Ж. ЗИЗО9И.	ЗИЗО9Л.	3H309M..................0.4	1„
ЗИЗО9К. ЗИЗО9Н.....................................0.9	/„
при 373 К
ЗИ309Ж. ЗИЗО9И.	ЗИ309Л.	ЗИ309М.................0,2	/п
ЗИ309К. ЗИЗО9Н.....................................0.5	/п
Импульсный прямой ток на второй восходящей ветви вольт-
амперной характерист ики в режиме переключения при
/ > 50 Гц и температуре:
от 213 до 298 К
ЗИ309Ж. ЗИ309И, ЗИЗО9Л. ЗИЗО9М.....................0,4	1„
ЗИЗО9К, ЗИ309Н.....................................1,2	Д,
345
при 373 К
ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И, ЗИЗО9Л. ЗИЗО9М...................0,3	1„
ЗИЗО9К, ЗИЗО9Н.................................0.8	/„
Постоянный обратный ток:
ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И, ЗИЗО9К................................10	мА
ЗИЗО9Л. ЗИЗО9М. ЗИЗО9Н..........................20	мА
Температура окружающей среды..........................От	213
до 373 К
Зависимость пикового тока от
температуры.
Зависимость тока впадины от
температуры.
Зависимость напряжения пика от
температуры.
8.4. ОБРАЩЕННЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ
1И401А, 1И401Б, ГИ401А, ГИ401Б
Диоды германиевые обращенные мезасплавные. Предназначены
для работы в переключающих устройствах, детекторах, смесителях.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточ-
ными выводами. Диоды маркируются цветным кодом: 1И401А,
ГИ401А - красной точкой, 1И401Б, ГИ401Б — синей точкой. Цветная
точка наносится в углублении вывода и указывает на положитель-
ный вывод.
Масса диода не более 0,1 г.
346
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 0,1 мА, не
менее :
при 298 К........................................... 330	мВ
при 343 и 213 К (1И401А, 1И401Б)................ 280	мВ
Постоянное обратное напряжение при /о6р = 1 мА:
при 298 К..........................................90 ± 15 мВ
при 343 и 213 К (1И401А, 1И401Б)...............С/о6р	+ 15 мВ
Общая емкость диода при нулевом смешении, не более:
1И401А. ГИ401А.......................................2,5	пФ
1И401Б, ГИ401Б.................................5,0	пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре от 213
(218 К для ГИ401А. ГИ4О1Б):
до 298 К
1И401А, ГИ401А....................................0,3	мА
1И401Б, ГИ401Б..................................0,5	мА
при 343 К
1И401А, ГИ401А....................................0,2	мА
1И401Б, ГИ401Б..................................0.3	мА
Постоянный обратный ток при температуре:
от 213 (218 К для ГИ401А. ГИ401Б)
до 298 К
1И401А, ГИ401А....................................4,0	мА
1И401Б, ГИ401Б..................................5.6	мА
при 343 К
1И401А, ГИ401А....................................2,4	мА
1И401Б, ГИ401Б..................................4,0	мА
Температура окружающей среды:
1И401А, 1И401Б.........................................От	213
до 343 К
ГИ401А, ГИ401Б .............................От 218
до 343 К
Примечание. При работе в импульсном режиме независимо
от длительности импульса токи не должны превышать значений,
указанных для постоянных токов.
347
Вольт-амперные характерис-
тики.
ЗИ402А, ЗИ402Б, ЗИ402В, ЗИ402Г, ЗИ402Д, ЗИ402Е,
ЗИ402И, АИ402Б, АИ402Г, АИ402Е, АИ402И
Диоды арсенид-таллиевые обращенные мезасплавные. Предназна-
чены для работы в переключающих устройствах, детекторах, сме-
сителях.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточ-
ными выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды мар-
кируются условными обозначениями на крышке прибора: ЗИ402А—
ОА; ЗИ402Б, АИ402Б - ОБ; ЗИ402В - ОВ; ЗИ402Г. АИ402Г - ОГ.
ЗИ402Д - ОД; ЗИ402Е, АИ402Е - ОЕ: ЗИ402И, АИ402И - ОИ.
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при токе на второй восхо-
дящей ветви 0,1 мА (ЗИ402А, ЗИ402Б, ЗИ402В, ЗИ402Г.
АИ402Б, АИ402Г); 0,2 мА (ЗИ402Д, ЗИ402Е. АИ402Е);
348
0,4 мА (ЗИ402И. АИ402И). не менее:
при 298 К............................................0,6	В
при 373 К (ЗИ402А, ЗИ4О2Б. ЗИ402В, ЗИ402Г. ЗИ402Д.
ЗИ402Е. ЗИ402И).......................................0.4	В
при 358 К (АИ402Б, АИ402Г, АИ402Е, АИ402И) ... 0,4 В
при 213 К
ЗИ402А, ЗИ402Б. ЗИ402В, ЗИ402Г, ЗИ402Д. ЗИ402Е.
ЗИ402И...............................................0,6	В
АИ402Б. АИ402Г. АИ402Е, АИ402И.......................0,5	В
Постоянное обратное напряжение при 7о6р = 1 мА (ЗИ402А.
ЗИ402Б, ЗИ402В, ЗИ402Г, АИ402Б, АИ402Г); 2 мА
(ЗИ402Д. ЗИ4О2Е, АИ4О2Е); 4 мА (ЗИ402И. АИ402И),
не более:
при 298 К........................................0,25 В
при 373 К (ЗИ402А. ЗИ402Б, ЗИ402В, ЗИ4О2Г, ЗИ402Д,
ЗИ402Е, ЗИ402И)..................................0,29 В
при 358 К (АИ402Б, АИ402Г, АИ402Е, АИ402И) . . 0,29 В
при 213 К........................................0,35 В
Общая емкость диода:
ЗИ402А. не	более ...............................2	пФ
ЗИ402Б...........................................От	1,5
до 3,5 пФ
ЗИ402В...........................................От	2,7
до 5 пФ
ЗИ402Г. ЗИ402И. не	более.............................6	пФ
ЗИ402Д. не более	..................................3,5	пФ
ЗИ402Е................................................От	2
до 6 пФ
АИ402Б. не более.....................................0.4	пФ
АИ402Г, АИ402Е.	не	более...........................8.0	пФ
АИ402И. не более......................................10	пФ
Сопротивление потерь ,* не более
ЗИ402А..................................................18	Ом
ЗИ402Б................................................16	Ом
ЗИ402В................................................14	Ом
Пиковый ток. не более:
АИ402Б, АИ402Г...................................0,1	мА
АИ402Е...........................................0,2	мА
АИ402Е...........................................0,4	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный обратный ток при температуре:
от 213 до 373 К
ЗИ402А,	ЗИ402Б. ЗИ402В, ЗИ402Г...................2	мА
ЗИ402Д.	ЗИ402Е...................................4	мА
ЗИ402И............................................8	мА
от 213 до 358 К
АИ402Б.	АИ402Г...................................1	мА
АИ402Е............................................2	мА
АИ402И............................................4	мА
349
Постоянный прямой ток при температуре от 213
до 373 К:
ЗИ402А, ЗИ402Б, ЗИ402Г, ЗИ402Д, ЗИ4О2И .... 0,05 мА
ЗИ402В. ЗИ402Е...................................0,1 мА
Температура окружающей среды:
ЗИ402А, ЗИ402Б, ЗИ402В, ЗИ402Г. ЗИ4О2Д, ЗИ402Е,
ЗИ402И...................................................От	213
до 373 К
АИ402Б, АИ402Г, АИ402Е. АИ402И....................От	213
до 358 К
Примечания: 1. Реко-
мендуется использовать диоды
при постоянном прямом на-
пряжении не более 0.5 В и
постоянном обратном токе не
более 0.8 предельного.
2. Допускается укорачивать
выводы до 8,5 мм без при-
ложения механической нагрузки
к корпусу прибора.
Волы-амперные характерис-
тики.
Обратная ветвь вольт-амперной Зависимость пикового тока от
характеристики.	температуры.
350
Зависимость постоянного пря-
мого напряжения от темпера-
туры.
Зависимость обратного напря-
жения от температуры.
1И403А, ГИ403А
Диоды германиевые обращенные мезасплавные. Предназначены
для работы в быстродействующих переключающих устройствах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими лен-
точными выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды
маркируются цветным кодом: зеленой точкой на отрицательном
выводе; углубление положительного вывода окрашивается в красный
цвет.
Масса диода не более 0,1 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при /пр = 0,1 мА, не
менее:
при 298 и 213 К (233 К для ГИ403А)................ 350	мВ
при 343 К (1И4ОЗА) и 333 К (ГИ403А)............... 280	мВ
351
Постоянное обратное напряжение при /о6р = 3 мА, не
более:
при 298 К.............................................120	мВ
при 343 и 213 К (1И403А) и 333 и 233 К
(ГИ403А)..........................................135	мВ
Пиковый ток, не более:
при 298 К.............................................100	мкА
при 333 К (ГИ403А)................................100	мкА
при 233 К (ГИ403А)................................150	мкА
Общая емкость диода в точке минимума вольт-амперной
характеристики при /= 1 -? 10 МГц, не более.............8	пФ
Сопротивление потерь *, не более......................2,5	Ом
Предельные эксплуатационные данные
Амплитуда переменного синусоидального прямого и обрат-
ного тока с частотой не менее 50 Гц:
1И403А при температуре
от 213 до 298 К...................................10	мА
при 343 К.........................................6	мА
ГИ403А при температуре
от 233 до 298 К...................................10	мА
от 298 до 333 К...................................6	мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и скважности
не менее 2:
1И403А при температуре
от 213 до 298 К...................................14	мА
при 343 К.........................................9	мА
ГИ403А при температуре
от 233 до 298 К...................................10	мА
от 298 до 333 К...................................6	мА
Температура окружающей среды:
1И403А.................................................От	213
до 343 Г
ГИ403А.............................................От	233
до 333 К
Температура перехода для ГИ403А...................... 343	К
Примечания: 1. В диапазоне температуры от 298 до 343 К
у приборов 1И403А значения предельных токов снижаются на
0,9 мА на каждые 10 К.
2. После установки в аппаратуру диоды заливаются изоляцион-
ным компаундом ЭК-16Б или другим изоляционным материалом
352
Вольт-амперные характерис-
тики.
Вольт-амперные характерис-
тики (ток указан в микро-
амперах).
Обратная ветвь вольт-ампер-
ной характеристики.
1И404А, 1И404Б, 1И404В
Диоды германиевые обращенные мезасплавные. Предназначены
для работы в преобразователях и детекторах сантиметрового диапа-
зона волн.
Выпускаются в металлокера-
мическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на
этикетке. Диоды маркируются
Цветным кодом: 1И404А — корич-
невой точкой; 1И404Б — белой точ-
кой; 1И404В — зеленой точкой. От-
рицательный электрод имеет боль-
ший диаметр, положительный
маркируется цветной точкой.
Масса диода не более 0,08 г.
353
12 под ред. Н. Н. Горюнова
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при 7пр = 0,5 мА,
не менее:
при 213 и 298 К................................ 350 мВ
при 343 К ................................. 300 мВ
Постоянное обратное напряжение при /обр = 3 мА:
при 298 К ........................От 75 до 105 мВ
при 213 и 343 К.............................От	£7обр — 15 мВ
до 1/обр + 15 мВ
Общая емкость диода в точке минимума вольт-
амперной характеристики при / = 1	10 МГц:
1И404А..................................  От	0,5	до	1,0	пФ
1И404Б....................................От	0,8	до	1,5	пФ
1И404В....................................От	1,0	до	2,0	пФ
Сопротивление потерь, не более:
1И404А........................................... 9	Ом
1И404Б...................................... 8	Ом
1И404В...................................... 7	Ом
Индуктивность диода*.........................От	0,2 до 0,35 нГн
Емкость корпуса*.............................От	0,45 до 0,55 пФ
Температурный коэффициент обратного напряже-
ния*, не более:
от 298 до 343 К........................... +0,1 мВ/К
от 298 до 213 К........................... +0,15 мВ/К
Температурный коэффициент прямого напряже-
ния *:
от 298 до 343 К не хуже................... —1,5 мВ/К
от 298 до 213 К не более.................. +1,5 мВ/К
Пиковый ток* ............................От	0,14 до 0,29 мА
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К
1И404А......................................2	мВт
1И404Б......................................3	мВт
1И404В......................................5	мВт
при 343 К
1И404А..........................................1	мВт
1И404Б.......................................1,5	мВт
1И404В.......................................2,5	мВт
Импульсная рассеиваемая мощность прн ти = 1 мкс и тем-
пературе :
от 213 до 308 К
1И404А..........................................8	мВт
1И404Б........................................30	мВт
1И404В.....................................50	мВт
354
при 343 К
1И404А..........................................4	мВт
1И404Б.......................................15	мВт
1И404В.......................................25	мВт
Постоянный прямой ток при температуре:
от 213 до 308 К
1И404А........................................0,4	мА
1И404Б......................................0,6	мА
1И404В......................................0,8	мА
при 343 К
1И404А........................................0,1	мА
1И404Б......................................0,2	мА
1И404В......................................0,3	мА
Постоянный обратный ток при температуре:
от 213 до 308 К
1И404А..........................................2	мА
1И404Б........................................3	мА
1И404В........................................4	мА
при 343 К
1И404А..........................................1	мА
1И404Б......................................1,5	мА
1И404В........................................2	мА
Температура окружающей среды.......................От	213
до 343 К
Примечания: 1. Величина прижимного усилия на корпус не
более 15 Н.
2. Не допускается проверка диодов тестером.
3. При измерениях и работе с диодом необходимо брать его
заземленным пинцетом или применять браслет для снятия стати-
ческого заряда.
Вольт-амперные характерис-
тики.
Зона возможных положений об-
ратной ветви вольт-амперной
характеристики.
12*
355
Раздел девятый
ГЕНЕРАТОРЫ ШУМА
2Г401А, 2Г401Б, 2Г401В, КГ401А, КГ401Б, КГ401В
Диоды кремниевые планар-
ные. Предназначены для генери-
рования шумов на частотах до
3,5 МГц.
Выпускаются в металло-
стеклянном корпусе с гибкими
выводами. Тип диода указывает-
ся на корпусе. Положительный
вывод диода маркируется крас-
ной точкой.
Масса диода не более 1 г.
Электрические параметры
Спектральная плотность напряжения генератора шума
при токе 50 мкА, не менее:
при 213 и 298 К
2Г401А, КГ401А..................................7	мкВ/[/Гц
2Г401Б, КГ401Б..................................3	мкВ/|/Гц
2Г401В, КГ4О1В.................................30	мкВ/|/Тц
при 343 К
2Г4О1А, КГ401А....................................3	мкВ/[/Т%
2Г4О1Б, КГ401Б................................1,5	мкВ/|/Гц
2Г401В, КГ401В.................................15	мкВД/Тц
Граничная частота генератора шума при токе 50 мкА,
не менее:
при 298 и 343 К
2Г401А, КГ401А..................................2,5	МГц
2Г401Б, КГ401Б..................................3,5	МГц
2Г401В, КГ401В..................................1,0	МГц
при 213 К
2Г401А, КГ401А.....................................1,5	МГц
2Г401Б, КГ401Б..................................2,0	МГц
2Г401В, КГ401В..................................0,6	МГц
Температурный коэффициент спектральной плотности на-
пряжения генератора шума при токе 50 мкА, не
хуже..................................................-1,1	%/К
356
Напряжение пробоя при токе 100 мкА:
2Г401А, 2Г401Б, КГ401А, КГ401Б........................От	6,5
до 9,5 В
2Г401В, КГ401В.................................. От	6
до 10 В
Предельные эксплуатационные данные
Максимальный ток пробоя при температуре от 213
до 343 К......................................... 1	мА
Минимальный ток пробоя при температуре от 213
до 343 К ... ....................................10	мкА
Температура окружающей среды......................От	213
до 343 К
Примечания: 1. Нижняя граница диапазона частот при не-
равномерности спектральной плотности напряжения шума на уровне
±3 дБ 20 Гц.
2.	Рекомендуемый режим работы генератора шума: ток через
генератор шума 50+10 мкА; сопротивление нагрузочного резистора,
включенного последовательно с генератором шума, не менее 100 кОм;
входное сопротивление и емкость между точками схемы, к которым
подключается генератор шума, — не менее 20 кОм и не более 20 пФ
соответственно.
3.	При изменении тока через генератор шума на 5 мкА (на
10 мкА) от номинального тока 50 мкА спектральная плотность
напряжения шума изменяется примерно на 2 % (5 %), а граничная
частота - на 8 % (18 %) значений при номинальном токе.
4.	Температурный коэффициент напряжения пробоя около
0,06 %/К.
Зона возможных положений
вольт-амперных характеристик.
Зона возможных положений за-
висимости спектральной плот-
ности напряжения шума от об-
ратного тока.
357
Зона возможных положений за-
висимости спектральной плот-
ности напряжения шума от
обратного тока.
Зона возможных положений за-
висимости спектральной плот-
ности напряжения шума от об-
ратного тока.
Зависимости спектральной плот-
ности напряжения шума и гра-
ничной частоты от сопротивле-
ния нагрузки.
Зависимости спектральной плот-
ности напряжения шума и гра-
ничной частоты от емкости на-
грузки.
Зона возможных положений зави-
симости спектральной плотности
напряжения шума от температуры.
358
Раздел десятый
ДИОДЫ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ
10.1. СМЕСИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ
ДГ-С1, ДГ-С2
Диоды германиевые точечные. Предназначены для работы в
преобразователях частоты на длине волны 10 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом:
ДГ-С1 — двумя черными точками; ДГ-С2 — двумя черными точками
и полоской черного цвета.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при = 0,5 мВт, X = 9,8 см,
гпос = ^00 Ом, не более:
ДГ-С1..............................................8,5	дБ
ДГ-С2............................................6,5	дБ
Выпрямленный ток при Рпд = 0,5 мВт, X = 9,8 см, не
менее................................................0,4	мА
Шумовое отношение при Рвд = 1 мВт, X = 3,2 см, гпос =
= 150 Ом, не более................................... 3
Коэффициент стоячей волны по напряжению при =
= 0,5 мВт, X = 9,8 см, гпос = 400 Ом, не более ....	3
Предельные эксплуатационные данные
Полная просачивающаяся импульсная мощность ...	80 мВт
Энергия пика просачивающейся мощности (среднее зна-
чение, измеренное при многократной подаче им-
пульсов) .........................................0,1  10~7 Дж
Температура окружающей среды..........................От	213
до 343 К
359
ДК-С1М, ДК-С2М
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в пре-
образователях частоты на длине волны 10 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 2,5 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 1 мВт, X = 9,8 см,
гпос = 400 Ом, не более:
ДК-С1М............................................8,5	дБ
ДК-С2М..........................................6,5	дБ
Выпрямленный ток при Р[1Л = I мВт, X = 9,8 см, гпос =
= 350 Ом, не	менее................................0,4	мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рт = 1 мВт,
X = 9,8 см, гпос = 350 Ом, не более:
ДК-С1М......................................... 3,5
ДК-С2М......................................... 3
Шумовое отношение Рт = 1 мВт. X = 3,2 см, не более:
ДК-С1М....................................... 2,7
ДК-С2М......................................... 2
Постоянный обратный ток, не более:
ДК-С1М............................................150 мкА
ДК-С2М........................................250 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 373 К................................. 300	мВт
Энергия импульса при температуре от 213 до
373 К..........................................0,З Ю"7 Дж
Температура окружающей среды......................От	213
до 373 К
ДК-С7М
Диод кремниевый точечный. Предназначен для работы в пре-
образователях частоты в диапазоне волн от 3 до 12 см.
Выпускается в метал-
локерамическом корпусе с
жесткими выводами. Тип
диода указывается на кор-
пусе.
Масса диода не бо-
лее 0,7 г.
360
'TF
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 0,7 мВт, X = 3,2 см,
гпос = 400 Ом:
при 298 К, не более................................ 7,5	дБ
при 213 и 358 К..............................£npfi	+ 1,2 дБ
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Ли = 0,7 мВт, X = 3,2 см, гПос = 50 Ом, не более:
при 298 К........................................... 2
при 213 и 358 К................................. 2,5
Шумовое отношение при Рпд = 0,7 мВт, X = 3,2 см,
гпос = 50 Ом, не более.............................. 2
Выходное сопротивление при Рпд = 0,7 мВт, X =
= 3,2 см............................................... От	250
до 700 Ом
Постоянный обратный ток, не более.................... 250	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при ти < 1 мкс,
скважности, большей или равной 1000, температуре
от 213 до 358 К.....................................100 мВт
Энергия одиночного импульса при температуре от
213 до 358 К .......................................0,3  10~7 Дж
Постоянный прямой ток при температуре от 213
до 358 К............................................ 3 мА
Температура окружающей среды...........................От213
до 358 К
Д402, Д404
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в
преобразователях частоты СВЧ диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Диоды выпускаются подобранными в пары: Д402Р, Д404Р.
Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 10 г.
361
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпа = 1 мВт, гпос = 400 Ом,
не более:
при 298 К
Д402 .................................................. 10	дБ
Д404 ........................................... 8,5	дБ
при 213 и 358 К
Д402 ............................................. 12,5	дБ
Д404 ............................................ 11	дБ
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Рпд = 1 мВт, гпос = 100 Ом, не более:
Д402 ................................................ 3
Д404 ........................................... 2,5
Выходное сопротивление прн Рпд = 1 мВт, гпос = 100 Ом:
Д402 ...............................................От 250
до 650 Ом
Д404 .........................................От 280
до 520 Ом
Шумовое отношение при Р1Ш = 1 мВт, гаж = 100 Ом,
не более............................................ 2,5
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более.......................1 дБ
Выпрямленный ток, ие более ...........................10 %
Выходное сопротивление, не более......................50 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при скваж-
ности 500—3000, температуре от 213 до
358 К............................................ 15 мВт
Энергия СВЧ импульсов прн температуре от 213
до 358 К.........................................0,02	10“7 Дж
СВЧ мощность плоской части импульса, просачи-
вающегося через разрядник, при температуре от
213 до 358 К..................................... 10 мВт
Температура окружающей среды..................... От 213
до 358 К
Д403Б, Д403В
Диоды германиевые точечные. Предназначены для работы в
преобразователях частоты в диапазоне длин волн от 3 до 12 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип днода указывается на корпусе. Диоды выпускаются
подобранными в пары: Д403БР, Д4ОЗВР.
Масса диода не более 0,7 г.
362
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 1 мВт, X = 3,2 см,
гпос = 400 Ом для Д403Б. не более......................8,5	дБ
Выпрямленный ток при Рпп =1 мВт, гпос = 100 Ом,
л = 1,95; 2; 2.5 см для Д403В, не менее................0.4	мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд =
= 1 мВт, гпос = 100 Ом, 7-.= 1,95; 2; 2,25 см для
Д403В, нс более..................................... 3
Выходное сопротивление при Рпл = 1 мВт, /. = 3,2 см . . . От 200
до 600 Ом
Нормированный коэффициент шума Д403В, не более. . . 11 дБ
Шумовое отношение при Рпд = 1 мВт, А. = 3,2 см, гпос =
= 50 Ом для Д403Б. не более............................ 3
Разброс электрических параметров в паре
Выпрямленный ток, не более .............................30	%
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность прн температуре
от 213 до 343 К........................................150	мВт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213
до 343 К..............................................0,3  10~7 Дж
Температура окружающей среды......................  .	От 213
до 343 К
Зависимость потерь преобра-
зования от температуры.
Зависимость коэффициента
стоячей волны по напряже-
нию от температуры.
363
Д405, Д405А, Д405Б, Д405АП, Д405БП
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в
преобразователях частоты диапазона волн 3 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе. Диоды Д4О5. Д405А, Д405Б — прямой по-
лярности, Д405АП, Д405БП — обратной полярности. Диоды выпус-
каются подобранными в пары: Д405АР, Д405БР. Д405АПР. Д405БПР.
Масса диода не более 2,5 г.
Вывод 1
Вывод 2	Вывод! Вывод!
20,8
Вывода	'вывод 2
ДляДвОв ДпяДЫдАП
ДвОВА --------
ДМ5БП
ДЫ5Б
Электрические параметры
Потери преобразования при Р^ = 1 мВт, =
= 3,2 см, гпос = 350 Ом:
при 298 К
Д405, не более......................... 7 дБ
Д405А, Д405АП, не более................... 6,5	дБ
при 373 К
Д405 ..................................От 5 до 9 дБ
Д405А, Д405АП..........................От 4,5 до 8,5 дБ
при 213 К
Д405 ..................................От 5,5 до 8,5 дБ
Д405А, Д405АП .........................От 5 до 8 дБ
Выпрямленный ток при Рпл = 1 мВт, к = 3,2 см,
гпос 50 Ом, ие менее.............................. 1	мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Род = 1 мВт, к = 3,2 см, гпос = 50 Ом, не более:
Д405 ..........................•........... 2
Д405А, Д405АП.......................... 1,7
Д405Б, Д405БП.......................... 1,4
Выходное сопротивление при Рвд = 1 мВт, к =
= 3,2 см, гпос = 100 Ом:
Д405 ......................................От	250	до	550	Ом
Д405А, Д405АП ..........................От	300	до	500	Ом
Д405Б, Д405БП...........................От	300	до	450	Ом
Нормированный коэффициент шума для Д405Б,
Д4О5БП, не более............................. 8,5 дБ
Шумовое отношение при Рвд = 1 мВт, к = 3,2 см,
гпос = 100 Ом, не более:
Д405 .................................... 2,2
Д405А, Д405АП............................ 2,0
364
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более.........................1 дБ
Выпрямленный ток, не более.................................  у
Выходное сопротивление, не более..........................  Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная падающая СВЧ мощность при температуре
от 213 до 373 К...................................... 300 мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при 373 К
для Д405, Д405А, Д405АП..............................20 мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температу-
ре от 213 до 373 К для Д405Б, Д405БП.................5 мвт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до
373 К.............................................0,3-10~7 Д:
Температура окружающей среды...................... От 213
до 373 К
0,3 0,6 0,5 1,1 1,5мВт
Зависимость потерь преобразо-
вания от непрерывной падаю-
щей СВЧ мощности.
Зависимость выпрямленного то-
ка от непрерывной падающей
СВЧ мощности.
Зависимость коэффициента
стоячей волны по напряжению
от непрерывной падающей СВЧ
мощности.
Зависимость выходного сопро-
тивления от температуры.
365
Д406А, Д406АП
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в
преобразователях СВЧ диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе. Диоды Д406А - прямой полярности,
Д406АП — обратной полярности. Диоды выпускаются подобранными
в пары: Д406АР, Д406АПР.
Масса диода не более 1,5 г.
Выбод 1
Д^ОбА ДЬОбАП
Электрические параметры
Потери преобразования прн Рпд = 1 мВт, гпос = 350 Ом,
не более:
при 298 К........................................... 7 дБ
прн 213 и 373 К.................................. 8 дБ
Выпрямленный ток при Рпд = 1 мВт, гпос = 100 Ом,
не менее............................................0,7 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Лш = 0,5 мВт, спос = 100 Ом, не более ....	2
Выходное сопротивление при Рпд = 1 мВт, гпос =
= 100 Ом............................................От 240
до 460 Ом
Шумовое отношение при Рпд = 1 мВт, гпос = 100 Ом,
не более............................................ 2
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более..................... 1 дБ
Выпрямленный ток, не более.......................... Ю%
Выходное сопротивление, не более....................30 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре от 213 до 373 К................................100 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность прн кратко-
временном воздействии (не более 20 мин) при тем-
пературе от 213 до 373 К............................ 300 мВт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213
до 373 К...........................................0,2	10-’ Дж
Температура окружающей среды........................От 213
до 373 К
366
Д407
Диод кремниевый
точечный. Предназначен
Для работы в преобра-
зователях частоты СВЧ
Диапазона.
Выпускается в ме-
таллокерамическом кор-
пусе с жесткими выво-
дами. Тип диода указы-
вается на корпусе.
Масса днода не бо-
лее 12,1 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпл = 1 мВт, тпос = 600 Ом,
не более:
при 298 К .....................................
прн 358 К .....................................
при 213 К......................................
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпа =
= 1 мВт, гпос = 100 Ом, не более...................
Выходное сопротивление при Рпл = 1 мВт, тпос =
= 100 Ом...........................................
12 дБ
14,5 дБ
13,5 дБ
3
От 400
до 1500 Ом
Шумовое отношение прн Рпд = 1 мВт, т11ос = 100 Ом,
не более................................................ 6
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при скваж-
ности 500—3000 н температуре от 213 до
358 К.............................................. 20	мВт
Энергия СВЧ импульса при температуре от 213
до 358 К..........................................0,02	10 7 Дж
Температура окружающей среды......................... От	213
до 358 К
Зависимость потерь преобразо-
вания от температуры.
Z13 Z53 Z93 333 373 413 К
367
Д408, Д408П
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в
преобразователях частоты в диапазоне волн 10 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе. Диоды Д408 — прямой полярности,
Д408П — обратной полярности. Диоды выпускаются подобранными
в пары: Д408Р, Д408ПР.
Масса диода не более 2,7 г.
ВыВод 1 ВыВод 7
ДЧ08 ДШП
Электрические параметры
Выпрямленный ток при Рпд = 0,5 мВт, 1=10 см,
гпос = 100 Ом, не менее...............................0,8	мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд =
= 0,5 мВт, 1=10 см, гпос = 100 Ом, не более ...	1,3
Выходное сопротивление при Ргл = 0,5 мВт, 1=10 см,
''пос = ЮО Ом .......................................От	290
до 390 Ом
Нормированный коэффициент шума при Р,ш = 0,5 мВт,
1 = 10 см, спос = 100 Ом:
при 298 К, не более.................................7,5	дБ
при 398 К, не более............................... 13	дБ
при 213 К......................................... От	6
до 9 дБ
Разброс электрических параметров в паре
Выпрямленный ток, не более............................ 10	%
Выходное сопротивление, не более......................25	Ом
Нормированный коэффициент шума, не более ....	0,5 дБ
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная падающая СВЧ мощность при ти < 7 мкс,
скважности, большей или равной 100, температуре
от 213 до 398 К.......................................500	мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 398 К..........................................ЮО	мВт
Энергия СВЧ импульсов при ти 7 мкс, скважности,
большей или равной 100, температуре от 213
до 398 К................................................0,5-10'Дж
Температура окружающей среды..........................От213
до 398 К
368

Зависимость нормированного коэф-
фициента шума от непрерывной
падающей СВЧ мощности.
Зависимость выпрямленного то- Зависимость нормированного коэф-
ка от непрерывной падающей фициента шума от температуры.
СВЧ мощности.
Д409А, Д409АП
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в
преобразователях частоты в диапазоне волн 3 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приво-
дятся на корпусе. Диоды Д409А — прямой полярности, Д409АП —
обратной полярности. Диоды выпускаются подобранные в пары:
Д409АР, Д409АПР.
Масса диода не более 3 г.
1,3
Вывод 1
5,2
20,8
Л	вывод 1	Вывод 7
Вывод2 ,	।	I
4,8
вышг
Д403А
Вывод 2
ДООЭАП
Электрические параметры
Потери преобразования прн Рпд = 0.2 мВт, л
= 3,2 см, гпос = 100 Ом, не более:
прн 298 К ..............................
7,5 ДБ
369
1
при 373 К ....................................... 10,5	дБ
прн 213 К ....................................... 11,5	дБ
Выпрямленный ток при Раа = 0,2 мВт, X = 3,2 см,
гпос = 100 Ом:
прн 298 К .................................От 0,2 до 0,5 мА
при 373 К..................................От 0.1 до 0,75 мА
при 213К...................................От 0,05 до 0,875 мА
Выходное сопротивление при Рпд = 0,2 мВт, X =
= 3,2 см, гпос = ЮО Ом.........................От 350 до 575 Ом
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Рпд = 0,2 мВт, X = 3,2 см, Гпос = ЮО Ом, не
более.............................................. 1,7
Шумовое отношение на промежуточной частоте
10 кГц при РП1 = 0,2 мВт, X = 3,2 см, гпос =
= 100 Ом, не более.................................. 21
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более......................... 1	дБ
Выпрямленный ток, не более............................0,06	мА
Выходное сопротивление, не более....................... 50	Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная падающая СВЧ мощность при температуре
от 213 до 373 К....................................... 300	мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 2 ч) при температуре
от 213 до 373 К.........................................30	мВт
Энергия импульсов при температуре от 213 до
373 К................................................0,3-10~7Дж
Температура окружающей среды............................От	213
до 373 К
Зависимость потерь преобразо-
вания от температуры.
Зависимость выпрямленного то-
ка от температуры.
370
Зависимость выпрямленного то-
ка от непрерывной падающей
СВЧ мощности.
Зависимость потерь преобразо-
вания от непрерывной падаю-
щей СВЧ мощности.
2А101А, 2А101Б
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в
преобразователях частоты СВЧ диапазона.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе.
Масса диода не более 1,5 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при Р„л = 1 мВт, гпос = 100 Ом,
гм = 400 Ом, не более:
при 298 К
2А101А.......................................... 10	дБ
2А101Б......................................... 9	дБ
при 213 и 373 К
2А101А.......................................... 11	дБ
2А101Б........................................ 10	дБ
Выпрямленный ток при Л,д = 1 мВт, гпос = 100 Ом,
не менее............................................0,5	мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд =
= 1 мВт, гпос = 100 Ом, не более.................... 3
Шумовое отношение при Р„л = 1 мВт, гпос = 100 Ом,
371
не более............................................... 2
Выходное сопротивление при Рпд = 1 мВт, гпос = 100 Ом:
2А101А...............................................От 250
до 550 Ом
2А101Б........................................От 150
до 300 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная падающая СВЧ мощность при ти = 1 мкс,
скважности, большей или равной 1000, и темпера-
туре от 213 до 373 К:
2А101А..................................... 150	мВт
2А101Б..................................... 250	мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 20 мин) при
ти = 1 мкс, скважности, большей или равной 1000,
и температуре от 213 до 373 К:
2А101А....................................... 200	мВт
2А101Б....................................... 300	мВт
Мощность плоской части просачивающегося через
разрядник импульса при температуре от 213 до
373 К:
2А101А........................................ 30	мВт
2А101Б........................................ 60	мВт
Энергия острой части пика просачивающегося через
разрядник импульса при температуре от 213 до
373 К:
2А101А.....................................0,06- 10 7 Дж
2А101Б.....................................0,2 ДО’7 Дж
Температура окружающей среды....................... От	213
до 373 К
Зависимость выпрямленного то-
ка от температуры.
372
Зависимость потерь преобразо-
вания от температуры.
F
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от
температуры.
Зависимость выходного со-
противления от температуры.
Зависимость шумового отноше-
ния от температуры.
Зависимость потерь преобразо-
вания от непрерывной падаю-
щей СВЧ мощности
Зависимость выпрямленного то-
ка от непрерывной падающей
СВЧ мощности.
Зависимость шумового отноше-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности.
373
2А102А
Диод кремниевый точечный. Предназначен для работы в пре-
образователях частоты в диапазоне длин золн от 10 до 30 см.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода и схема соединения злек. родов с выводами
приводятся на корпусе.
Масса диода не более 2,5 i.
Электрические параметры
Коэффициент шума при Рпд = 0,5 мВт, X = 10 см,
W = ЮО Ом:
при 298 К, не более  ..........................8,5 дБ
при 213 и 373 К ...............................От 7,2
до 9.8 дБ
Выпрямленный ток при Ргл = 1 мВт, X = 15,5 см, гпос =
- 100 Ом, не менее.................................1,2 мА
Выходное сопротивление при Рлд— 1 мВт. Х = 15,5 см,
гпос = 100 Ом .....................................От 250
до 450 Ом
Коэффициент стоячей волны напряжения при Рпд = 1 мВт,
X — 15,5 см, тпос = 100 Ом, не более............... 1,5
Потери преобразования* при Рпл = 0,5 мВт, Х= 10 см,
не более...........................................6,0 дБ
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре от 213 до 373 К................................... 500	мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 10 мин) при темпе-
ратуре от 213 до 373 К .................................. 6	Вт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температу-
ре от 213 до 373 К.......................................30	мВт
Температура окружающей среды.............................От	213
до 373 К
374
!¥
Зависимость потерь преобра-
зования от температуры.
Зависимость коэффициента
стоячей волны по напряже-
нию от непрерывной падаю-
щей СВЧ мощности.
2А103А, 2А103Б
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в
преобразователях частоты СВЧ диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе.
Масса диода не более 1,65 г.
Вывод 1	вывод 31 корпус)	ю. Вывод 2
Электрические параметры
Потери преобразования при Рлд = 1 мВт, гПОС = 400 Ом,
не более:
при 298 К
2А103А.......................................... 10	дБ
2А103Б......................................... 9	дБ
при 213 и 373 К
2А103А........................................... И	дБ
2А103Б........................................ 10	дБ
Выпрямленный ток при Рпд = 1 мВт, гпос = 100 Ом,
не менее............................................0,5	мА
Выходное сопротивление при Рпа = 1 мВт, гпос =
= 100 Ом.............................................От	200
до 550 Ом
375
Шумовое отношение при Рдд = 1 мВт, гпос = 100 Ом,
не более........................................... 2
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рдд =
= 1 мВт, тпос = 100 Ом. не более................... 3
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при темпера-
туре от 213 до 373 К:
2А103А....................................... 10	мВт
2А103Б....................................... 15	мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 10 мин) при
температуре от 213 до 373 К:
2А103А....................................... 75	мВт
2А103Б.................................... 100 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при ти < 1 мкс,
скважности, большей или равной 1000, и темпера-
туре от 213 до 373 К:
2А103А...................................... 150	мВт
2А103Б...................................... 250	мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 10 мин) при
ти < 1 мкс, скважности, большей или равной 1000,
и температуре от 213 до 373 К:
2А103А...................................... 200	мВт
2А1ОЗБ...................................... 300	мВт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213
до 373 К:
2А103А....................................0,06-IO”7 Дж
2А103Б....................................0,2-10~7Дж
Мощность плоской части просачивающегося импульса
при температуре от 213 до 373 К:
2АЮЗА..................................... 30	мВт
376
Зависимость потерь преобразо-
вания от температуры.
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от
температуры.
Зависимость выходного сопро-
тивления от температуры.
Зависимость шумового отноше-
ния от температуры.
2А104А, КА104А, КА104Б
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в
преобразователях частоты в диапазоне длин волн от 8 до 60 см.
ыпускзются в	остеклянном корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются
цветным кодом: 2А104А, КА 104А - красной полоской у положитель-
ного электрода, КА104Б — синей полоской. Диоды, подобранные в: пары,
обозначаются 2А104АР.
Масса диода не более 0.15 г.
377
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 0.5 мВт. /. = 8 см.
гпос = 400 Ом, не более:
при 298	К......................................6,5	дБ
при 398	К......................................9,0	дБ
при 213	К......................................7,0	дБ
Выпрямленный ток при Рпд = 0,5 мВт, X = 8 см,
гпос = 100 Ом, не менее..............................0,5	мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Р,а = 0.5 мВт, Л = 8 см, гдос = 100 Ом, не более	1,5
Выходное сопротивление при Рпд = 0.5 мВт, X = 10 см,
''пос = Ю0 Ом.......................................От	340 до
560 Ом
Нормированный коэффициент шума при Fym < 1,5 дБ,
не более.............................................8,5	дБ
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более.......................0,5	дБ
Выпрямленный ток, не более............................0,1	мА
Выходное сопротивление, не более.......................50	Ом
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре
от 213 до 398 К......................................20	мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковре-
менном воздействии (не более 10 мин) при темпера-
туре от 213 до 398 К...................................150	мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при ти < 1 мкс,
f < 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К . . . 300 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковре-
менном воздействии (не более 1 ч) при ти < 1 мкс,
f -< 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К . . . . 500 мВт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до
398 К................................................. 0,5	х
Мощность плоской части импульса, просачивающегося
через разрядник, при температуре от 213 до 398 К
Температура окружающей среды.......................
х 1(Н Дж
100 мВт
От 213 до
398 К
Зависимость потерь преобразо-
вания от непрерывной падаю-
щей мощности.
378
о 1	2	3 ч 5 нВт
Зависимость выпрямленного то-
ка от непрерывной падающей
СВЧ мощности.
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от
непрерывной падающей СВЧ
мощности.
Зависимость шумового отноше-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности.
Зависимость потерь преобразо-
вания от температуры.
Зависимость выпрямленного то-
ка от температуры.
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от
температуры.
379
2А105А, 2А105Б
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в пре-
образователях частоты в диапазоне волн от 3 до 8 см.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выво-
дами. Тип прибора указывается на этикетке. Диоды маркируются
цветным кодом: 2А105А —двумя красными полосками у положи-
тельного электрода (вывод 1), 2А1О5Б - двумя красными полосками
и точкой. Диоды выпускаются подобранными в пары: 2А105АР,
2А105БР.
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические параметры
Потери преобразования прн Р„д = 1 мВт, X = 3,2 см,
гпос = 350 Ом, не более:
при 298 К
2А105А........................................... 7	дБ
2А105Б..........................................6,7	дБ
при 213 и 398	К................................. 9	дБ
Выпрямленный ток при Р^ = 1 мВт, X = 3,2 см,
гпос = ЮО 0м’ не	менее...............................0,8	мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд =
= 1 мВт, X = 3,2 см, гпос = 100 Ом, не более:
2А105А.......................................... 1,7
2А105Б....................................... 1,5
Выходное сопротивление при Рпд = I мВт, к = 3,2 см,
гпос = ЮО Ом:
2А105А.............................................От 250 до
500 Ом
2А105Б.......................................От 250 до
450 Ом
Шумовое отношение при Рпл = 1 мВт, к = 3,2 см, не более:
2А105А.............................................. 1,7
2А105Б........................................ 1,6
Нормированный коэффициент шума (расчетный), не более:
2А105А............................................... 10	дБ
2А105Б.......................................... 9	дБ
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не	более.....................0,5	дБ
Выпрямленный ток, не более............................0,1	мА
Выходное сопротивление, не	более.....................50	Ом
380
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при темпера-
туре от 213 до 398 К.................................20	мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковре-
менном воздействии (не более 10 мин), при темпе-
ратуре от 213 до 398 К.................................  мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при тн < 1 мкс,
f С 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К .... . зоо мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковре-
менном воздействии (не более 5 мин), ти <, 1 мкс,
f < 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К............ 500	мВт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до
398 К...............................................0,5 10-7 дж
Мощность плоской части импульса, просачивающегося
через разрядник, при температуре от 213 до 398 К 100 мВт
Температура окружающей среды.........................От	213 до
398 К
Зависимость потерь преобразо-
вания от непрерывной падаю-
щей СВЧ мощности.
Зависимость выпрямленного то-
ка от непрерывной падающей
СВЧ мощности.
Зависимость выпрямленного то-
ка от температуры.
Зависимость коэффициента
стоячей волны по напряжению
от температуры.
381
1А106А, 1А106Б, 1А106В
Диоды германиевые микросплавные. Предназначены для ра-
боты в преобразователях частоты в диапазоне волн 2 — 3 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе. Тип прибора и схе-
ма соединения электродов с выводами приводятся на этикетке.
Диоды маркируются цветным кодом: 1А106А — одной желтой точ-
кой, 1А106Б —двумя желтыми точками, 1А106В —тремя желтыми
точками. Диоды выпускаются подобранные в пары: 1А106АР,
1А106БР. 1А106ВР.
Масса диодов не более 0,6 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при Рп, = 200 мкВт, г1|ос = 100 Ом,
гм = 230 Ом, не более:
при 298 К
1А106А, 1А106Б.................................13,5 дБ
1А106В.......................................12,5 дБ
при 213 и 343 К
1А106А,	1А106Б.................................. 15	дБ
1А106В........................................... 14	дБ
Выпрямленный ток при Рпд = 200 мкВт, гпос = 100 Ом, не менее:
1А106А,	1А106Б..................................0,1	мА
1А106В..........................................0,12	мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рт = 200 мкВт,
гиос ~ ЮО Ом, гы — 230 Ом, не более:
1А106А................................................ 1,2
1А106Б........................................... 3
1А106В........................................... 2
Выходное сопротивление при Рпд = 200 мкВт,
гпос = 100 Ом......................................От 160 до
300 Ом
Нормированный коэффициент шума (расчетный) на промежуточной
частоте 10 кГц, не более:
IA106A................................................. 22	дБ
1А106Б, 1А106В................................... 19	дБ
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования,	не	более.......................0,5	дБ
Выпрямленный ток, ие	более..........................0,05	мА
Выходное сопротивление, не более...................25 Ом
382
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпе-
ратуре от 213 до 343 К..............................б МВТ
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 5 мин), при темпе-
ратуре от 213 до 358 К..............................30 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 5 мин), ти = 1 мкс,
/= 1000 Гц и температуре от 213 до 358 К............ЮО мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность....................40 мВт
Энергия СВЧ импульсов...............................0,05 х
х IO"7 Дж
Температура окружающей среды........................От 213 до
343 К
Зависимость выходного сопро-
тивления от температуры.
Зависимость потерь преобразо-
вания от температуры.
Зависимость коэффициента
стоячей волны по напряжению
от температуры.
Зависимость выпрямленного то-
ка от температуры.
383
Зависимость нормированного	Зависимость нормированного
коэффициента шума от темпе- коэффициента шума от непре-
ратуры.	рывной падающей СВЧ мощ-
ности.
2А107А
Диод кремниевый микросплавной. Предназначен для работы в
преобразователях частоты в диапазоне волн 2 см.
Выпускается в металлокерамическом корпусе. Тип прибора и
схема соединения электродов с выводами приводятся на этикетке.
Диоды выпускаются подобранными в пары: 2А107АР.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпл = 0,5 мВт. СС.-.р = 0,25 В.
гпос ~ ЮО Ом, А, = 350 Ом, не более:
при 298 К......................................7,5	дБ
при 213 и 398 К................................. 9	дБ
Выпрямленный ток при Риа = 0,5 мВт, Содр = 0,25 В,
гпос = ЮО Ом, не менее............................0,3	мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
/’пл = 0.5 мВт, Со5р = 0.25 В. тпос = 100 Ом, не более 1.5
Выходное сопротивление при Рпл = 0,5 мВт. С/о6р = 0,25 В,
г,юс = 100 Ом......................................От	175 До
375 Ом
Нормированный коэффициент шума диода (расчетный),
не более........................................... 9	дБ
384
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более........................0,5	дБ
Выпрямленный ток, не более............................0,05	мА
Выходное сопротивление, не более........................30	Ом
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре от 213 до 358 К....................................20	мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 3 ч)....................50	мВт
Температура окружающей среды............................От	213 до
373 К
Примечания. 1. При установке диода в диодную камеру сле-
дует предварительно касаться рукой заземленного устройства.
2. Допускается использование диодов без внешнего смещения при
мощности гетеродина 1 — 1,5 мВт.
3. Допускается применение диодов при воздействии импульсной
падающей СВЧ мощности 300 мВт в течение 400 ч при 298 К,
Рпа < 1,5 мВт, ти < 4 мкс, скважности, большей или равной 200, при
этом значение нормированного (расчетного) коэффициента шума
сохраняется до < 10 дБ.
тока от температуры.	вания от температуры.
тивления от температуры.	ния от температуры.
13 под ред. н. Н. Горюнова
385
Зависимость нормированного
коэффициента шума от темпе-
ратуры.
Зависимость непрерывной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
температуры.
2А108А
Диод кремниевый микросплавной. Предназначен для работы
в преобразователях частоты в диапазоне волн 10 см.
Выпускается в металлокерамическом корпусе. Тип прибора и
схема соединения электродов с выводами приводятся на этикетке.
Диоды выпускаются подобранными в пары: 2А108АР.
Масса диода не более 0,15 г.
Для работы в диапазоне частот 1 — 100 МГц диоды выпускают-
ся одиночными, подобранными в пары и квартеты.
Масса диода не более 0,26 г.
Вывод 7
Дли работы на f=l!:IOO МГц
Выбод 1	Вывод 2
выводг
386
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпа = 1 мВт, гпос = 100 Ом,
гм = 500 Ом. не более:
при 298 К......................................... 5 дБ
при 213 и 398 К...............................  .	6,5 дБ
Выпрямленный ток при Рщ = 1 мВт, гпос = 100 Ом, не
менее................................................0,7 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Рпл = 1 мВт, тпос = 100 Ом, не более................. 15
Выходное сопротивление при Р„а = 1 мВт, гпос = 100 Ом От 425 до
575 Ом
Нормированный коэффициент шума (расчетный), не более 6,5 дБ
Разброс электрических параметрон в паре
Потери преобразования, не более......................0,5 дБ
Выпрямленный ток, не более...........................0,05 мА
Выходное сопротивление, не более.....................30 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность................ 1 мвт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 15 мин)..............Ю0 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при
ти = 0,5 ч- 1 мкс, скважности, большей или равной 1000,
и температуре от 213 до 373 К......................50 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 15 мин),
ти = 0,5 ч- 1 мкс, скважности, большей или равной 1000,
и температуре от 213 до 373 К........................Ю0 мВт
Температура окружающей среды.........................От 213 до
398 К
Электрические параметры при работе в диапазоне частот 1 — 100 МГц
Постоянное прямое напряжение:
ПРИ 4р = 0,005 мА, не менее....................... 0,3	В
при /пр = 0,5 мА, не более........................0,55	В
при /пр = 10 мА, не более......................... 0,7	В
Постоянное обратное напряжение, не менее............... 0,8	В
Коэффициент шума, не более............................. 7,0	дБ
Коэффициент передачи, не менее....................... 0,6
Выходное сопротивление...............................От 50 до
180 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Постоянное прямое напряжение, не более............... 15 \,в
Постоянное обратное напряжение, не более............. 0,5 В
Выходное сопротивление...............................От 50 до
180 Ом
13
387
Разброс электрических параметров в квартете
Постоянное прямое напряжение, не более.................. 20	мВ
Постоянное обратное напряжение, не более............... 0,5	В
Выходное сопротивление...................................От	50 до
180 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение гетеродина:
при 298 К................................................. |в
при 358 К в течение 100 ч.............................. 1	В
от 213 до 358 К........................................ 0	4 g
Примечания: 1. При установке диода в диодную камеру
следует предварительно касаться рукой заземленного устройства.
2. Допускается применение диодов с внешним смещением 0.2 —
0,4 В при мощности гетеродина 0,5—1 мВт.
Зависимое)ь выпрямленного то-
ка от температуры.
Зависимость потерь преобразо-
вания от температуры.
^50 к—т-
500 -----
050 -----
000 -----
3 50\-----
213 293 293 333 373 013 К
Зависимость выходного сопро-
тивления от температуры.
388
Зависимость шумового отноше- Зависимость нормированного
пня от температуры.	коэффициента шума от темпе-
ратуры.
Зависимость выпрямленного то-
ка от непрерывной падающей
СВЧ мощности.
Зависимость потерь преобразо-
вания от непрерывной падаю-
щей СВЧ мощности.
Зависимость выходного сопро-
тивления от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности.
Зависимость шумового отноше-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности.
О 0,5 1,0 1,5 Z,0 Z,5m8t
Зависимость непрерывной рас-
сеиваемой СВЧ мощности oi
темпера гуры.
Зависимость нормированного
коэффициента шума от непре-
рывной падающей СВЧ мощ-
ности.
2А109А
Диод кремниевый точечный. Предназначен для работы в преоб-
разователях частоты в диапазоне волн 3 см.
Выпускается в металлостеклянном корпусе. Тип диода указы-
вается на этикетке. Диод маркируется красной точкой у положи-
тельного электрода (вывод 7). Диоды выпускаются подобранными
в пары: 2А109АР.
Масса диода не более 0,15 г.
вывод 1
вывод I
Электрические параметры
Потери преобразования при Рил = 1 мВт, гпос = 350 Ом,
не более:
при 298 К.......................................6,5	дБ
при 213 и	398 К................................8,0	дБ
Выпрямленный ток при Р.лл = 1 мВт. гпос = 100 Ом.
не менее..........................................0.9	мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
= 1 мВт, гпос = 100 Ом, не более............. 1,6
Выходное сопротивление при Рпд = 1 мВт, гпос = 100 Ом От 220 до
380 Ом
Нормированный коэффициент шума при Рут = 1,5 дБ,
не более............................................8,5	дБ
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более.......................0,5	дБ
Выпрямленный ток, не более............................0,1	мА
Выходное сопротивление, не более.......................50	Ом
390
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при темпе-
ратуре :
от 213 до 358 К................................. 20 мВт
при 398 К.................................. Ю мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 1 ч) при тем-
пературе от 213 до 398 К......................... ЮО MfjT
Импульсная падающая СВЧ мощность при ти
< 0,5 -г 1 мкс, f =5 1000 Гц и температуре от 213
до 398 К...................................... 300 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 5 мин), ти =?
< 0,5 4- 1 мкс, 1000 Гц и температуре от 213
До 398 К......................................... 500 мВт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до
398 К............................................0,З Ю"7 Дж
Мощность плоской части импульса, просачивающего-
ся через разрядник, при температуре от 213 до
398 К............................................ ЮО мВт
Температура окружающей среды....................От 213 до
Примечание, Диоды вы-
держивают воздействие температу-
ры 428 К в течение 15 мин и
воздействие непрерывной СВЧ
мощности 150 мВт в течение
10 мин.
Зависимость потерь преобразова-
ния от температуры.
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от
температуры.
Зависимость выходного сопро-
тивления от температуры.
391
г
I
Зависимость нормированного
коэффициента шума от темпе-
ратуры.
Зависимость выпрямленного то-
ка от температуры.
Зависимость шумового отноше-
ния от температуры.
Зависимость потерь преобразо-
вания от непрерывной падаю-
щей СВЧ мощности.
алс				2Л109А	
			\		
					
					
					Г
113 153 193 333 313 Ц13 К
дБ
в
7
5
5
9
О 0,5 1,0 1,5 1,0 2,5мВт
Зависимость нормированного
коэффициента шума от -непре-
рывной падающей СВЧ мощ-
ности.
Зависимость непрерывной па-
дающей СВЧ мощности oi
температуры.
392
ЗА110А, ЗА110Б
Диоды арсенид-галлиевые планарно-эпитаксиальиые с барьером
Шоттки. Предназначены для работы в преобразователях частоты
диапазона длин волн 2 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе. Тип диода и его
полярность приводятся на этикетке. Диоды маркируются кодом:
первая цифра — указывает на тип диода (для ЗА110А-6, для
ЗА110Б-7), вторая - квартал выпуска диода, третья - последняя циф-
ра — год выпуска диода. Диоды выпускаются подобранными в пары:
ЗА 1 ЮАР, ЗА110БР.
Масса диода не более 0,15 г.
ВыВод1
Вывод!
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпд = 3 мВт, - 2 см, не более:
при 298 К
ЗА110А................................... 6,5	дБ
ЗА110Б.................................... 6	дБ
при 213 и 398 К
ЗА110А.................................... 8	дБ
ЗА110Б................................... 7,5	дБ
Выпрямленный ток при Р1(Д = 3 мВт, X = 2 см От 0,9 до 2,2 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд = 3 мВт,
Х = 2 см, не более:
ЗА110А............................. 2
ЗА110Б............................. 1,6
Выходное сопротивление при Рт = 3 мВт, X = 2 см:
ЗА110А.............................От 200 до 500 Ом
ЗА110Б.............................От 210 до 490 Ом
Нормированный коэффициент шума при Рпд =
= 3 мВт, X = 2 см, не более:
ЗА110А............................. 8 дБ
ЗА110Б............................. 7,5 дБ
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не более.................. 0,5	дБ
Выпрямленный ток, не более...................... 0,15	мА
Выходное сопротивление, не более.................. 30	Ом
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при
температуре от 213 до 373 К........................ 50	мВт
393
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при
кратковременном воздействии (не более 3 ч)
и температуре от 213 до 358 К.................. 100	мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при
температуре от 213 до 373 К, тн « 4 мкс,
/< 1000 Гц...................................... 150	мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при крат-
ковременном воздействии (не более 3 ч),
ти « 4 мкс, f« 1000 Гц и температуре ог
213 до 358 К.................................... 300	мВт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от
213 до 358 К.................................. 0,2	- 10-7 Дж
Температура окружающей среды..................От	213 до 373 К
Кратковременное воздействие температуры (не
более 20 мин)................................... 398	К
Примечание. Допускается применение диодов в режиме с внеш-
ним положительным смещением, не превышающим 0,5 В.
Зависимость выпрямленного то-
ка от непрерывной падающей
СВЧ мощности.
Зависимость потерь преобразо-
вания от непрерывной падаю-
щей СВЧ мощности.
Зависимость выходного сопро-
тивления от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности.
Зависимость нормированного
коэффициента шума от непре-
рывной падающей СВЧ мощ-
ности.
394
Зависимость выпрямленного то*
ка от температуры.
аБ
6,00
5,75
5,50
5,15
5,00
Z13 ZS3 Z93 333 313 413 К
Зависимость потерь преобразо-
вания от температуры.
Зависимость выходного сопро-
тивления от температуры.
Зависимость нормированного
коэффициента шума от темпе-
ратуры.
Зависимость непрерывной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
Зависимость импульсной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
температуры.
температуры.
395
г
ЗА111А, ЗА111Б, АА111А, АА111Б
Диоды арсенид-галлиевые планарно-эпитаксиальные с барьером
Шоттки. Предназначены для работы в преобразователях частоты
диапазона волн 3 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды выпускаются подо-
бранными в пары: ЗА111АР, АА111АР, ЗА111БР, АА111БР — одной
полярности, ЗА111ААР, АА111ААР, ЗА111ББР, АА111ББР — разной
полярности. На корпусе диода с обратным включением ставится
зеленая точка.
Масса диода не более 0,2 г.
Зеленая тачка для диодов
с обратным включением
Электрические параметры
Потери преобразования при РПД = 3 мВт, X = 3,2 см, не более:
при 298 К
ЗА111А, АА111А................................... 6	дБ
ЗА111Б, АА111Б...................................5,5	дБ
при 213 и 398 К
ЗА111А............................................ 7	дБ
ЗА111Б...........................................6,5	дБ
Выпрямленный ток при Рпд = 3 мВт, X = 3,2 см . . . . От 1 до
2,5 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Рпя = 3 мВт, X = 3,2 см, не более................ 1,5
Выходное сопротивление при РЛЯ = 3 мВт, X = 3,2 см От 300 до
560 Ом
Нормированный коэффициент шума при Рпя = 3 мВт,
X = 3,2 см, не более:
ЗА111А, АА111А.................................. 7,5	дБ
ЗА111Б, АА111Б................................... 7	дБ
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования, не	более........................0,5	дБ
Выпрямленный ток, не более............................0,15	мА
Выходное сопротивление.................................30	Ом
396
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре от 213 до 373 К..................................50	мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковре-
менном воздействии (не более 10 мин)................ 500	мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при ти < 1 мкс,
/< 1000 Гц и температуре от 213 до 358 К . . . . 550 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 10 мин), ти < 1 мкс.
/<1000 Гц........................................... 750	мВт
Непрерывная рассеиваемая мощность при кратковремен-
ном воздействии (не более 24 ч)....................... 300	мВт
Температура окружающей среды............................От	213 до
373 К
Примечание. Допускается кратковременное (не более 20 мин)
воздействие температуры окружающей среды 398 К.
Зависимость импульсной рассе-
иваемой СВЧ мощности от
длины волны.
Зависимость импульсной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
температуры.
Зависимость выпрямленного то-
ка от непрерывной падающей
СВЧ мощности.
Зависимость потерь преобразо-
вания от непрерывной падаю-
щей СВЧ мощности.
397
г
Зависимость выходного сопро-
тивления от непрерывной па-
дающей СВЧ мощности.
Зависимость нормированного
коэффициента шума от непре-
рывной падающей СВЧ мощ-
ности.
Зависимость выходного сопро-
тивления от температуры.
Зависимость нормированного
коэффициента шума от темпе-
ратуры.
Зависимость выпрямленного то-
ка от температуры.
Зависимость потерь преобразо-
вания от температуры.
398
АА112А, АА112Б
Диоды арсенид-галлиевые планарно-эпитаксиальные. Предназна-
чены для работы в преобразователях на длине волны 3 см в гер-
метизированной аппаратуре.
Выпускаются в стеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип
диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на
индивидуальной таре. Диод АА112Б выпускается подобранным в
пары: АА112БР.
Масса диода не более 0,035 г.
Электрические параметры
Потери преобразования при РП1 = 3 мВт, X = 3,2 см, не
более........................................... 6 дБ
Выпрямленный ток при РПд = 3 мВт, X = 3,2 см........От	1 до
2,5 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпл =
= 3 мВт, X = 3,2 см, не более:
АА112А........................................... 1,3
АА112Б....................................... 1,8
Коэффициент шума при Р„я = 3 мВт, X = 3,2 см, не
более............................................... 7	дБ
Выходное сопротивление при Рал = 3 мВт, X = 3,2 см От 440 до
640 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре от 213 до 373 К.................................
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпе-
ратуре от 213 до 373 К...............................
Температура окружающей среды.........................
300 мВт
20 мВт
От 213 до
373 К
АА113А, АА113Б
Диоды арсенид-галлиевые пла-
нарно-эпитаксиальные. Предназна-
чены для работы в преобразо-
вателях сантиметрового и де-
циметрового диапазонов волн в
герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с гибкими вы-
водами. Тип диода и схема
соединения электродов с выво-
дами приводятся на индивидуаль-
ной таре.
Масса диода ие более 0,002 г.
7
399
Электрические параметры
Потери преобразования при Рпл = 3 мВт, 7. = 3,2 см, не более:
АА113А........................................... 6	дБ
АА113Б........................................6,5 дБ
Выпрямленный ток при Р„д = 3 мВт, л = 3,2 см . . . . От 0,7 до
2,5 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при
Рдд = 3 мВт, 7. = 3,2 см, не более............. 3,5
Сопротивление диода в нулевой точке, не менее .... 1000 Ом
Коэффициент шума при Рпд = 3 мВт. X = 3.2 см, не
более:
АА113А..........................................7,5 дБ
АА113Б........................................ 9 дБ
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпе-
ратуре от 213 до 373 К...................................50	мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии и температуре от 213 до
373 К.................................................. 200	мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре
от 213 до 373 К.........................................100	мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии и температуре от 213 до
373 К.................................................. 400	мВт
Температура окружающей среды............................От	213 до
373 К
10.2. ДЕТЕКТОРНЫЕ ДИОДЫ
ДК-В1, ДК-В2
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для детектиро-
вания сигналов в диапазоне волн 10 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
400
Электрические параметры
Чувствительность по току при PV!l = 0,2 мВт. X = 9,8 см,
гпос = ЮО Ом, не менее:
ДК-В1............................................0,8	А/Вт
ДК-В2............................................1,2	А/Вт
Дифференциальное сопротивление в нулевой точке, не
более:
ДК-В].............................................15	кОм
ДК-В2..............................................Ю	кОм
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре oi
213 до 343 К........................................50	мВт
Температура окружающей среды...........................От	213
до 343 К
ДК-ВЗ, ДК-В4
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для детектирования
сигналов в диапазоне волн 3,2 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 0.7 г.
Электрические параметры
Чувствительность по току при Рш = 0,02 мВт, А = 3,2 см,
гпос — ЮО Ом. нс менее:
ДК-ВЗ............................................0,4	А/Вт
ДК-В4............................................0.8	А/Вт
Дифференциальное сопротивление в нулевой точке, не
более:
ДК-ВЗ.............................................15	кОм
ДК-В4.............................................10	кОм
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 343 К.....................................50	мВт
Температура окружающей среды..........................От	213
до 343 К
401
4
ДК-В5М, ДК-В6М, ДК-В7М
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для детектирования
сигналов в диапазоне волн 3 см (ДК-В7М) и 10 см (ДК-В5М,
ДК-В6М).
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 2,5 г.
Электрические параметры
Чувствительность по току при Pm = 0,02 мВт, гпос =
= 50 Ом, не менее:
ДК-В5М, ДК-В6М при X = 9,8 см.................0,8	А/Вт
ДК-В7М при X = 3,2 см......................0,4	А/Вт
Дифференциальное сопротивление в нулевой точке:
ДК-В5М, ДВ-В7М, не более.......................10	кОм
ДК-В6М..................................... От	5
до 25 кОм
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре от
213 до 373 К......................................... 200	мВт
Температура окружающей среды.......................... От	213
до 373 К
Температура окружающей среды при кратковременном
воздействии (не более 20 мин)........................ 398	К
Зависимость чувствительности
по току от температуры.
402
г
ДК-В8
Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования
сигналов в диапазоне волн от 1,8 до 3,2 см.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Дифференциальное сопротивление в нулевой точке, не
более.............................................. 1500 Ом
Коэффициент качества при Рад = 0,01 мВт, = 3,2 см,
не менее...........................................15 Вт1'2
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд =
= 0,01 мВт, Х.= 1,8; 2,4; 3,2 см; гпос = 20 Ом, не бо-
лее ................................................. 3
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная	рассеивае-
мая мощность	при тем-
пературе от	213
до 343 К .	. . . .	50 мВт
Температура	окру жато -
щей среды .	.... От 213
	до 343 К
Зависимость коэффициента ка-
чества от температуры.
ДК-В11
Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования
СВЧ сигналов.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
BtiloSI	вгчВад 2 §|
3 I t |  J | 8bi8o3Z
403
Электрические параметры
Чувствительность по току при />„, = 0,02 мВт, тпос =
= 100 Ом. не менее...................................1,5	А/Вт
Дифференциальное сопротивление в нулевой точке, не
более..................................................10	кОм
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпл =
= 0,02 mBi, не более................................2,5
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 343 К........................................50	мВт
Температура окружающей среды...........................От	213
до 343 К
ДК-И1М, ДК-И2М
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для детектирования
сигналов в диапазоне волн 10 см (ДК-И1М) и 3 см (ДК-И2М)
Выпускаю 1ся в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 2.5 г.
8М1
выВ>д2.
Электрические параметры
Чувствительность по току при Рпа — 0,02 мВт, тпос =
= 1000 Ом, не менее:
ДК-И1М при X = 9,8 см........................0,5	А/Вт
ДК-И2М при л = 3,2 см........................0,2	А/Вт
Выпрямленный ток при Рпд = 0,5 мВт, X = 9,8 см для
ДК-И1М и Рт = 1 мВт, X — 3,2 см для ДК-И2М,
не менее......................................0,4	мА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 373 К...................................... 200	мВт
Температура окружающей среды...........................От	213
до 373 К
Температура окружающей среды при кратковременном
воздействии (не более 20 мин)....................... 398	К
404
г
Зависимость чувствительности
по току от температуры.
ДЗА, ДЗБ
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для детектирования
сигналов в диапазоне волн от 2,9 до 30 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Коэффициент качества при Рпа = 20 мкВт, г11ОС = 20 Ом,
не менее:
ДЗА при X = 3,1 см..................................22	Вт'1'2
ДЗБ при 7, = 9,8 см.................................40	Вт-1’’2
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпа =
= 20 мкВт, 7, = 2,9 см (ДЗА) и 7. = 8 см (ДЗБ). не
более............................................... 2,5
Разброс полного входного сопротивления при Рпд =
= 20 мкВт, гпос = 20 Ом, 7, = 2,9; 5,4 см (ДЗА) и
7. = 8; 30 см (ДЗБ), не более........................2,5	от. ед.
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре от 213 до 343 К................................50	мВт
Температура окружающей среды..........................От	213
до 343 К
405
Зависимость коэффициента качест-
ва от температуры.
Д602А, Д602Б
Диоды германиевые точечные. Предназначены для детектирования
сигналов в диапазоне воли от 2,7 до 60 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Чувствительность по току при Рщ, = 0,02 мВт, X = 3,2 см,
/лр = 150 мкА, не менее.............................1,5 А/Вт
Дифференциальное сопротивление при 7пр = 150 мкА . . От 200 до
600 Ом
Коэффициент качества при Рт — 0,02 мВт. X = 3,2 см,
7пр = 150 мкА, пе менее:
Д602А.............................................15 Вт”1/2
Д602Б...........................................20 Вт"1/2
Эквивалентное шумовое сопротивление при /пр = 150 мкА,
не более............................................12 кОм
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд =
= 0,02 мВт. л = 3,2 см, гпос = 20 Ом, 7|1р = 150 мкА,
не более............................................ 3,2
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре от
213 до 358 К........................................50 мВт
Температура окружающей среды........................От 213
до 358 К
406
Д603
Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования
сигналов в диапазоне волн от 6 до 60 см.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся иа корпусе.
Масса диода не более 3 г.
Электрические параметры
Чувствительность по току при и = 4 мкВт, Л = 10 см,
/пр = 50 мкА, гпос = 15 Ом и температуре от 213 до
373 К, не менее......................................4	А/Вт
Дифференциальное сопротивление при 7пр = 50 мкА ... От 300
до 900 Ом
Коэффициент качества, не менее......................45	Вт”1/2
Шумовое отношение при /пр = 50 мкА, не более ...	10
Коэффициент стоячей волны по напряжению при и =
= 4 мкВт, X = 10 см, /пр = 50 мкА, гпос = 15 Ом, не
более:
при 298 К...................................... 2
при 213 и 373 К................................ 2,2
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при ти = 1 мкс,
f= 1000 Гц и температуре от 213 до 373 К , . . . 200 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 1 мин), ти = 1 мкс,
/= 1000 Гц и температуре от 213 до 373 К................ 2	Вт
Температура окружающей среды.........................От	213
до 373 К
Пр имечание. Разрешается применение диода при постоянном
прямом токе от 0 до 150 мкА. Температура окружающей среды
при кратковременном воздействии (не более 20 мин) 398 К.
407
г
Зависимость чувстви- Зависимость коэффи- Зависимость коэффи-
тельности по току от циента качества от по- циснта качества от
постоянного прямою стоянного прямого то- температуры,
тока.	ка.
Д604
Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования
сигналов в диапазоне волн от 2,7 см и более.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами при-
водится на корпусе.
Масса диода не более 3 г.
Выбод /
74,7
20,8
Выбод 2
Т Вь/бод 7
Выбод 2
Электрические параметры
Чувствительность по току при Р,л7,л = Ю мкВт, А = 3,2 см,
/пр = 50 мкА, г|ЮС = 20 Ом, не менее:
при 213 и 298 К..................................2,5	А/Вт
при 373 К.......................................2,0	А/Вт
Дифференциальное сопротивление при /11р = 50 мкА ... От 500
до 900 Ом
Коэффициент качества, не менее.......................35	Вт-1/2
Шумовое отношение при /|1р = 50 мкА. не более ...	8
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Р,ш и =
= 10 мкВт, X = 3,2 см, /пр = 50 мкА, гпос = 20 Ом. не
более:
при 298 К....................................... 1,8
при 213 и 373 К................................ 2
408
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при ти = 1 мкс.
/= 1000 Гц и температуре от 213 до 373 К............. 300	мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при ти = 1 мкс,
f= 1000 Гц и температуре от 213 до 373 К в течение
10 мин............................................... I	Вт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при 373 К . .	к.) мВт
Температура окружающей среды............................ 213
до 373 К
Примечания: 1. Разрешается применение диода при постоян-
ном прямом токе от 0 до 150 мкА.
2. Предельная температура окружающей среды при кратковре-
менном воздействии (не более 20 мин) 398 К.
Зависимость коэффициента ка-
чества от постоянною прямо-
го тока.
Зависимость коэффициента ка-
чества от температуры.
Зависимость чувствительности
но току от постоянного прямо-
го тока.
409
Д605
Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования
импульсных амплитудно-модулированных колебаний, индикации им-
пульсной мощности на частотах до 15 500 МГц.
Выпускается в металло-
керамическом корпусе с жест-
кими выводами. Тип диода
и схемы соединения электро-
дов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не бо-
лее 3,5 г.
Электрические параметры
Чувствительность по напряжению при Рпд,и = *50 мВт,
X = 3,2 см, гпос = 10 кОм, не менее......................14	В/Вт
Выпрямленное напряжение при Рпд, и — 60 мВт, X = 3,2 см,
гПОс = Ю кОм:
при 298 К............................................От	10,5
до 16 В
при 373 К, не менее.................................. 5	В
при 213 К, не менее.................................. 8	В
Предельные эксплуатационные данные
Выпрямленное напряжение на г „ос = Ю кОм и темпера-
туре от 213 до 373 К, не менее:
при X = 3,2 см........................................ 10,5	В
при Л = 2 см........................................... 7	В
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временных перегрузках и температуре от 213 до
373 К ... ................................................. 2	Вт
Зависимость выпрям-
ленного напряжения от
непрерывной падающей
СВЧ мощности.
Зависимость выпрямленного напряже-
ния от температуры.
410
Д606
Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования
СВЧ импульсных амплитудно-модулированных сигналов, индикации
импульсной СВЧ мощности.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 10 г.
Вывод 1
Электрические параметры
Чувствительность по напряжению при Рпд = 20 мВт, не
менее...........................................14 В/Вт
Выпрямленное напряжение при РПД = 60 мВт, гпос = 10 кОм,
не менее:
при 298 К..................................... 5.2 В
при 358 К...................................... ЗВ
при 213 К..................................... 3,5 В
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при температуре от
213 до 358 К..........................................100	мВт
Температура окружающей среды...........................От	213
до 358 К
Температура окружающей среды при кратковременном
воздействии в течение 20 мин......................... 373	к
Д607, Д607А
Диоды кремниевые точечные. Предназначены для детектирования
СВЧ сигналов.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 1,4 г.
\ вы вод 1
\вывод 2
411
Электрические параметры
Дифференциальное сопротивление при /пр = 50 мкА ... От 400
до 1200 Ом
Коэффициент качества при Рпд = 15 мкВт, /11р = 50 мкА.
не менее:
при 298 К.......................................30 Вт”1/2
при 213 и 398 К................................15 Вт”12
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд =
= 15 мкВт, /1|р = 50 мкА, не более................. 3
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при ти — 1 мкс,
f= Ю00 Гц и температуре от 213 до 398 К . . . . 100 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковре-
менном воздействии (не более 20 мин), ти = 1 мкс,
J — 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К........... 300	mBi
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 20 мин) и температуре
от 213 до 398 К......................................... 5	мВт
Температура окружающей среды............................От	213
до 398 К
чества от постоянного прямого го сопротивления от постоян-
тока.
Зависимость шумового сопро-
тивления от постоянного пря-
Зависимость чувствительности
по току от постоянного пря-
мого тока.
мого тока.
412
Зависимость чувствительности Зависимость коэффициента ка-
по току от температуры.	чества от постоянного прямого
тока.
Д608, Д608Л
Диоды кре.мпиевые точечные. Предназначены для детектирования
СВЧ сигналов.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода нс более 1.4 г.
4- [Вывод 7
— [вывод 2
Электрические параметры
Дифференциальное сопротивление при /пр = 50 мкА ... От 400
до 1200 Ом
Коэффициент качества при Рпл = 15 мкВт. /,|р = 50 мкА,
не менее:
при 298 К.........................................30	Вт-1/2
при 213 и 398 К...................................15	Вт~1/2
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпа =
= 15 мкВт, /пр = 50 мкА, не более...................... 3
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность при ти = 1 мкс,
f= 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К:
Д608 ............................................150	мВт
Д608А........................................... 200	мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при кратковременном
воздействии (не более 20 мин). ти = 1 мкс, j = 1000 Гц
и температуре от 213 до 398 К....................... 500	мВт
413
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 20 мин) и температуре
от 213 до 398 К..................................... 7	мВт
Температура окружающей среды..........................От	213
до 398 К
Зависимость коэффициента качест-
ва от постоянного прямого тока.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления ст постоян-
ного прямого тока.
Зависимость шумового сопро-
тивления от постоянного пря-
мого тока.
Зависимость чувствительности Зависимость чувствительности
по току от постоянного прямо-	по току от температуры.
го тока.
414
Д609
Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования
СВЧ сигналов.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе.
Масса диода не более 1,5 г.
Электрические параметры
Дифференциальное сопротивление при 7пр = 20 мкА ... От 1000
до 2000 Ом
Коэффициент качества при Рпд = 10 мкВт, гпос = 60 кОм,
7пр = 20 мкА, не менее................................. Вт 1/2
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рта =
= 10 мкВт, не более................................. 1,6
Изменение чувствительности по току при Рвд = 10 мкВт,
гпос = 60 кОм, 7Пр = 20 мкА:
при 373 К......................................... ±40%
при 213 К....................................... ±25%
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 3 мин).............. 250 мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 20 мин) и темпе-
ратуре от 213 до 373 К..............................2 мВт
Температура окружающей среды от 213 до 373 К
Зависимость дифференциально- Зависимость коэффициента ка-
го сопротивления от темпера-	чества от температуры,
туры.
415
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению ог
температуры.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от постоян-
ного прямого тока.
Зависимость коэффициента ка- Зависимость коэффициента стоя-
чества от постоянного прямого чей волны по напряжению от
тока.	постоянного прямого тока.
2А201А
Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования
сигналов в диапазоне волн от 8 до 60 см.
Выпускается в металлостсклянном корпусе. Тип диода указывается
на этикетке. Диод маркируется красной точкой у положительного
вывода.
Масса диода не более 0,15 г.
416
Электрические параметры
Чувствительность по току при Рпл — 5 мкВт, Z = 8 см I =50 мкА
тпос < 30 Ом:	п₽
при 298 К, не менее........................ 6,5	А/Вт
при 398 К..............................От	3,25 до 9,75 А/Вт
при 213 К..............................От	4,55 ДО 8,4 А/Вт
Дифференциальное сопротивление при /пр =
= 50 мкА....................................От	400 до 1000 Ом
Коэффициент качества, не менее ....	80 Вт ~1,1
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Рпд = 5 мкВт. X = 8 см, /„р = 50 мкА,
не более................................... 1,5
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при
температуре от 213 до 398 К.................... 20	мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при
ти < 1 мкс, f < 1 000 Гц и температуре
от 213 до 398 К............................... 300	мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при
кратковременном воздействии (не более
20 мин), ти < 1 мкс, f < 1 000 Гц и темпе-
ратуре от 213 до 398 К..................
Температура окружающей среды .
500 мВт
От 213 до 398 К
Зависимость чувствительности
по току от постоянного пря-
мого тока.
Зависимость коэффициента ка-
чества от постоянного прямого
тока.
14 под. ред. Н. Н- Горюнова
417
Зависимость чувствительности
по току от температуры.
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от
температуры.
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от
постоянного прямого тока.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от постоян-
ного прямого тока.
2А202А
Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования
сигналов в диапазоне волн от 3 до 8 см.
Выпускается в металлостеклянном корпусе. Тпп диода указывается
на этикетке. Диод маркируется двумя красными точками у поло-
жи (ельного вывода.
Масса диода не более 0,15 г.
14,4
418
Электрические параметры
Чувствительность по току при />пд =
= 10 мкВт, X = 3,2 см, /пр = 50 мкА,
г ,„,с< 30 Ом:
при 298 К, не менее..................
при 398 К............................
при 213 К ...........................
2,5 А/Вт
От 1,25 до 3,75 А/Вт
От 1,75 до 3,25 А/Вт
Дифференциальное сопротивление при /лр =
= 50 мкА...........................
От 400 до 1000 Ом
Коэффициент качества, не менее . . .
40 Вт-'/-’
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Р:г, = 10 мкВт, л = 3,2 см, /пп = 50 мкА,
г ид	’	7	’ up	1
гпос < 30 Ом, не более............................ j	5
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при
температуре от 213 до 398 К . . . ,
Импульсная падающая СВЧ мощность при
т„ < 1 мкс, /< 1000 Гц и температуре
от 213 до 398 К........................
Импульсная падающая СВЧ мощность при
кратковременном воздействии (не более
5 мин), ти < 1 мкс, f =4 1000 Гц и темпе-
ратуре от 213 до 398 К.................
Температура окружающей среды . . .
20 мВт
300 мВт
500 мВт
От 213 до 398 К
Зависимое! ь чувствительности
по току от температуры.
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от
температуры.
14*
419
Зависимость чувствительности
по г оку от постоянного пря-
мого тока.
Зависимость коэффициента ка-
чества от постоянного прямого
тока.
2А203А, 2А203Б
Диоды кремниевые микросплавные. Предназначены для детекти-
рования сигналов в диапазоне волн 2 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются
условным кодом: цифрой 4 — 2А203А. цифрой 5 — 2А203Б.
Масса диода не более 1 г.
Электрические параметры
Чувствительность по току при Рид = 0,01 мВт.
/,,р = 20 мкА, гпос = 30 Ом, не менее:
при 213 и 298 К
2А2ОЗА................................... 3,8	А/Вт
2А203Б	  3,8	А/Вт
при 398 К................................ 1.5	А/Вт
Дифференциальное сопротивление при /||р =
— 20 мкА.................................От	1000 до 2000 Ом
Коэффициент качества при Р||Д = 0,01 мВт,
7 = 20 мкА. гпос = 30 Ом. нс менее:
2А203А..................................... 120	Вт
2А203Б	........................ 100 Вт'
Коэффициент стоячей волны по напряжению
при Лтд = 0,01 мВт. /пг. = 20 мкА.
r,.ot = 30 Ом, не более:
2А203А..................................................  1.6
2А203Б..............................................  2.5
420
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при гпос < 100 Ом и тем-
пературе :
от 213 до 358 К......................................20	мВт
при 398 К.......................................... 5	мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при гпос <
< 100 Ом, кратковременном воздействии (не более 3 я)
и температуре от 213 до 358 К........................50	мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при ти < 4 мкс,
/С 1000 Гц, гпж < 10 кОм и температуре от 213 до
358 К . . .	...................................100 мВт
Температура окружающей среды...........................От	213 до
358 К
Примечание. Допускается
токе не более 100 мкА.
применение диодов при прямом
Зависимость шумового сопро-
тивления от постоянного пря-
мого тока.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от постоян-
ного прямого тока.
Зависимость чувствительности
по току от постоянного пря-
мого тока.
Зависимость коэффициента стоя-
чей волны по напряжению от
постоянного прямого тока.
421
г
Зависимость чувствительности
по току от температуры.
Зависимость непрерывной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
температуры.
Зависимость непрерывной
рассеиваемой СВЧ мощ-
ности от сопротивления
нагрузки.
10.3. ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ ДИОДЫ
1А401,1А401А, 1А401Б, 1А401В, ГА401, ГА401А, ГА401Б,
ГА401В
Диоды германиевые диффузионные. Предназначены для работы
в параметрических усилителях в диапазоне волн от 6 до 60 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами при-
возятся на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом: 1А401,
ГА401 — четырьмя красными точками у отрицательного электрода,
1А401А, ГА401А — одной красной точкой, 1А401Б, ГА401Б — двумя
красными точками, 1А401В, ГА401В -- гремя красными точками.
Масса диода не более 0,7 г.
422
I
I
Электрические параметры
Постоянная времени при Г70яр =10 В, /= 2 000 + 200 МГц, не более:
1А401, ГА401....................................... 2,2	нс
1А401А, ГА401А..................................... 2.0	пс
1А401Б, ГА401Б..................................... 1,8	пс
1А401В, ГА401В..................................... 1’7	ПС
Пробивное напряжение при /о6р = 10 = 20 мкА, не менее:
при 298 К............................................... 20	В
при 213 К........................................... 15	В
Постоянный обратный ток при Б'обр =10 В, не более:
при 298 К...............................................0,5	мкА
при 343 К...........................................4,0	мкА
Емкость перехода при C/ofip =10 В, 30 МГц:
1А401, ГА401................................От	0,45	до	0,87	пФ
IA401A, ГА401А..........................От	0,36	до	0,55	пФ
1А401Б, ГА401Б..........................От	0,26	до	0,44	пФ
1А401В, ГА401В..........................От	0,12	до	0,33	нФ
Емкость корпуса.............................От	0.18	до	0,25	пФ
Индуктивность диода, не более.................... 2	нГн
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре
от 213 до 343 К.................................... 200 мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковремен-
ном воздействии (не более 5 мин) и температуре
от 213 до 343 К...................................... 400 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при ти < 4 мкс.
скважности, большей или равной 1000, и температуре
от 213 до 343 К...................................... 5 Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковремен-
ном воздействии (не более 5 мин), ти < 4 мкс, скваяс-
ности, большей или равной 1000, температуре от 213
до 343 К............................................. 10 Вт
Температура окружающей среды.........................От 213 до
343 К
Примечания: I. Допускается применение диодов для умно-
жения и деления частоты в режимах, не превышающих предельно
допустимые. Длина волны в этом режиме может быть короче
3 см.
2. Не разрешается подача обратного напряжения более 19 В
и прямого тока более 30 мА.
3. Емкость перехода остается неизменной при. температуре окру-
жающей среды от 213 до 343 К.
423
Зависимость пробивного
напряжения от темпера-
туры.
Зависимость емкости
структуры от постоянно-
го обратного напряжения.
1А402А, 1А402Б, 1А402В, 1А402Г, ГА402А, ГА402Б,
ГА402В, ГА402Г
Диоды германиевые диффузионные. Предназначены для работы
в параметрических усилителях в диапазоне волн от 3 до 6 см.
Выпускаются в металлокерамическом коаксиальном корпусе с жест-
кими выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды марки-
руются цветным кодом: 1А402А, ГА402А — одной красной точкой
у положительного электрода, 1А402Б, ГА402Б —двумя красными
точками, 1А402В, ГА402В — одной красной полоской. 1А402Г.
ГА402Г — двумя полосками.
Масса диода не более 0,6 г.
Электрические параметры
Постоянная времени при Б'о6р =10 В. f = 2000 + 200 МГц, не более:
1А402А, ГА402А............................. 1,2	нс
1А402Б, ГА402Б............................. 0,9	пс
1А402В, 1А402Г, ГА402В, ГА402Г . , .	0,75 пс
Постоянный обратный ток при t/oSp = 10 В, не более:
при 298 К...................................... 0,5	мкА
при 343 К..................................   3	мкА
Изменение пробивного напряжения при 213 К,
нс более......................................... I	5 %
Емкость пепехода нри Г'о6р =10 В, / =
= 30 МГц:
1А402А, ГА402А, не более..................... 0.3	пФ
424
1А402Б. 1А402Г, ГА402Б, ГЛ 402Г, не
белее....................................... 0,16	пф
1Л402В, ГД4О2В......................... От	0,13 до 0,3 пФ
Емкость корпуса.............................От	0,23 до 0.29 пФ
Индуктивность диода, не более.................... 2	нГн
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при
температуре от 213 до 343 К . . . .	50 мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при
кратковременном воздействии (не более
5 мин) и температуре от 213 до
343 К................................... 100 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при
ти < 4 мкс, скважности, большей или рав-
ной 1000, и температуре от 213 до
343 К................................... 2,5 Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность при
кратковременном воздействии (не более
5 мин), ти < 4 мкс, скважности, большей
или равной 1000, и температуре от 213
до 343 К................................ 5 Вт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от
213 до 343 К.......................... 0,7-10-7 Дж
Мощность просачивающегося импульса при
температуре от 213 до 343 К . . .	200 мВт
Температура окружающей среды .... От 213 до 343 К
Примечания: 1. Допускается применение диодов для умноже-
ния и деления частоты в режимах, не превышающих предельно
допустимые. Длина волны в этом режиме может быть короче 3 см.
2. Не разрешается подача обратного напряжения более 14 В
и прямого тока более 30 мА.
Зависимость емкости Зависимость пробив-
структуры от постоян- него напряжения от
ною обратного напря- температуры,
жен ия.
Зависимость прямого
сопротивления потерь
от температуры.
425
1А403А, 1А403Б, 1А403В, 1А403Г, 1А403Д, ГА403А.
ГА403Б, ГА403В, ГА403Г, ГА403Д
Диоды германиевые диффузионные. Предназначены для работы
в параметрических усилителях с увеличенной линейностью амплитуд-
ной характеристики в умножителях, делителях частоты и модуля-
торах в сантиметровом и дециметровом диапазонах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе. Тип диода и схема
соединения электродов с выводами приводятся на этикетке. Диолы
маркируются цветным кодом в центре баллона: 1А403А, ГА403А --
одной красной точкой, 1А403Б, ГА403Б — двумя красными точками.
1А403В, ГА403В — тремя красными точками, 1А403Г. ГА403Г — одной
красной полоской, 1А403Д, ГА403Д — двумя красными полосками.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Постоянная времени при Т'Обр = 20 В, /= 2000±200 МГц, не более:
1А403А. ГА403А........................................ 2	пс
1А403Б, 1А4ОЗВ, 1А403Г, ГА403Б, ГА403В, ГА403Г 1,6	пс
1А403Д, ГА403Д................................. 1,3	пс
Пробивное напряжение при /обр = 10 -=- 20 мкА. не менее:
при 298 К............................................  50	В
при 213 К......................................... 40	В
Постоянный обратный ток при 6/обр = 20 В, не более:
при 298 К
1А403А, ГА4ОЗА.................................2 мкА
1А403Б. 1А403В. 1А4ОЗГ, 1А403Д. ГА403Б, ГА403В.
ГА4ОЗГ, ГА403Д............................... 1 мкА
при 343 К
1А403А, ГА403А.................................10 мкА
1А403Б, 1А403В. 1А403Г. 1А403Д, ГА403Б, ГА403В,
ГА403Г, ГА403Д............................... 5 мкА
Емкость перехода при <7оьр = 20 В, / = 30 МГц:
1А4ОЗА.	ГА403Л.................... От	0,32	до	0.5	пФ
1А403Б,	ГА403Б.................... От	0,26	до	0.4	пФ
1А403В,	ГА403В.................... От	0,18	до	0.3	пФ
1А403Г,	1А403Д, ГА4ОЗГ, ГА403Д От	0.08	до	0.22	пФ
Емкость корпуса.......................... От 0,2 до 0,25 пФ
Индуктивность диода...................... От 1,0 до 2,0 нГн
426
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная- падающая СВЧ мощность при температуре
от 213 до 343 К..................................... 400	мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковремен-
ном воздействии (не более 5 мин) и температуре
от 213 до 343 К....................................... 600	мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при т„ < 4 мкс,
скважности, большей или равной 1000, и температуре
от 213 до 343 К........................................ 15	Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковремен-
ном воздействии (не более 5 мин), ти < 4 мкс, скваж-
ности, большей или равной 1000, и температуре от
213 до 343 К........................................... 25	Вт
Температура окружающей среды............................От	213 до
343 К
Примечания: 1. Не разрешается подача обратного напряже-
ния более 49 В и прямого тока более 30 мА.
2. Емкость перехода остается неизменной при температуре от
213 до 343 К.
Зависимость обратного тока от
температуры.
Зависимость пробивного напря-
жения от температуры.
Зависимость постоянной време-
ни от температуры.
Заяисимость емкости структуры
от постоянного обратного на-
пряжения.
427
1А404А, 1А404Б, 1А404В, 1А404Г, 1А404Д, 1А404Е,
1А404Ж
Диоды германиевые планарные. Предназначены для рабогы в па-
раметрических усилителях, умножителях и делителях частоты в диапа-
зоне волн 3 см и более.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вывода-
ми. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводя гея
на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом: 1А404А — одной
красной точкой, 1А404Б — двумя красными точками, 1А404В — тремя
красными точками, 1А404Г — четырьмя красными точками, 1А404Д —
одной красной полоской, 1А404Е — двумя красными полосками,
1А404Ж — тремя красными полосками.
Масса диода не более 0,7 г.
Электрические параметры
Постоянная времени ггри (7о6р = 5 В, /=2 + 2,5 ГГц.
не более..............................................0,85	ис
Изменение постоянной времени в интервале температур
от 213 до 343 К при 6/о6р = 5 В, /'= 2 : 2.5 ГГц,
не более............................................. 22	° „
Пробивное напряжение при /обр = 100 мкА, не менее:
при 298	К......................................... 10	В
при 213	К.......................................... 8	В
Постоянный обратный ток при С/Обр = 5 В, не более:
при 298 К..............................................0,2	мкА
при 343 К..........................................2,5	мкА
Емкость перехода при С/обр = 5 В, /= 60 МГц:
1А404А, не более.................................... 0,11	пФ
1А404Б.................................От	0,09 до 0,14 пФ
1А404В...........................От	0,11	до	0,16	пФ
1А404Г...........................От	0,13	до	0,23	пФ
1А404Д...........................От	0,17	до	0,28	пФ
1А404Е...........................От	0,22	до	0,36	пФ
1А404Ж........................... От	0,3	до	0,45	пФ
Емкость корпуса.......................... От	0,2 до 0,26 пФ
Индуктивность диода...................... От	1,2 до 1,8 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность
при температуре от 213 до 343 К . . .	40 мВт
428
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность
при кратковременном воздействии (не более
5 мни) и температуре от 213 до 343 К
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность
при ти < 1 мкс.1000 Гц и температ уре
от 213 до 343 К.........................
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность
при кратковременном воздействии (не более
5 мин), ти < 1 мкс, /С 1000 Гц и темпе-
ратуре от 213 до 343 К..................
Энергия СВЧ импульсов при температуре
от 213 до 343 К.........................
Импульсная падающая СВЧ мощнос1ь при
температуре от 213 до 343 К ............
Температура окружающей среды............
60 мВт
I Вт
2 Вт
O.3 1O 7 Дж
150 мВт
От 213 до 343 К
Зависимость емкости
структуры от постоянно-
го обратного напряжения.
Зависимость постоянной
времени от температуры.
1А405А, 1А405Б
Диоды германиевые мезадиффузионные. Предназначены для рабо-
ты в параметрических усилителях, генераторах шума в диапазоне
волн 3 см и более.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на этикетке. Диоды маркируются цветными кодом:
1Л405А - одной красной точкой. 1А405Б — двумя красными точками.
Масса диода не более 0,7 г.
429
Электрические параметры
Постоянная времени при С/обр = 5 В, / =
= 2 ч- 2,5 ГГц, не более....................... 1,2	нс
Пробивное напряжение при / , = 70 4- 100 мкА:
при 298 К............................... От 8 до 15 В
при 213 К, не менее......................... 6	В
Постоянный обратный ток при 17о6 = 5 В, не более:
при 298 К...................................... 0,2	мкА
при 343 К................................. 3,5	мкА
Емкость перехода при = 5 В, /= 60 МГц:
1А405А.....................................От	0,18 до 0,25 пФ
От 0,22 до 0,4 пФ
От 0,19 до 0,25 пФ
От 1 до 2 нГц
1А405Б.............................
Емкость корпуса........................
Индуктивность диода....................
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре
от 208 до 343 К......................................0,5 Вт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковре-
менном воздействии (не более 5 мин) и температуре
от 208 до 343 К................................... 1,0 Вт
Мощность просачивающегося импульса..................25 мВт
Температура окружающей среды........................От 208 до
343 К
Максимальная температура окружающей среды при крат-
ковременном воздействии (не более 30 мин) ....	358 К
Зависимость емкости структуры от
постоянного обратного напряжения.
1А408А, 1А408Б
Диоды германиевые диффузионные планарно-эпитаксиальные.
Предназначены для работы в параметрических усилителях сантимет-
рового и дециметрового диапазонов.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на групповой таре. Диоды марки-
руются цветным кодом: 1А408А — одной белой точкой, 1А408Б —
одной черной точкой.
Масса диода не более 0,7 г.
430
г,z J гл, I,г
Электрические параметры
Постоянная времени при — 10 В, f —
= 7,5 ч- 7,7 ГГц и 77 К, не более ...	0,6 пс
Пробивное напряжение при — 100 мкА
и 77 К, не менее.................... 12В
Постоянный обратный ток при U= 10 В
и 77 К, не более........................... 0,05	мкА
Общая емкость диода при t/ogp = 10 В, /=
= 10 МГц:
1А408А.................................От	0,5 до 0,56 пФ
1А408Б.................................От	0,54 до 0,62 пФ
Емкость корпуса............................От	0,3 до 0,34 пФ
Индуктивность диода........................От	0,45 до 0,65 нГи
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность
при температуре от 77 до 298 К . . .	40 mjjt
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при
тн 1 мкс, f < 1000 Гц и температуре
от 77 до 298 К......................... 1 Вт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при
кратковременном воздействии (не более
5 мин), ти < 1 мкс, f < 1000 Гц и темпера-
туре от 77 до 298 К...................... 2 Вт
Энергия СВЧ импульсов при температуре
от 77 до 298 К........................... 0,3-10~7 Дж
Импульсная падающая СВЧ мощность при
температуре о г 77 до 298 К.............. 150 мВт
Температура окружающей среды............... От	77 до 298 К
ПС
0,8
o,s
М
S3 133 173 213 253 193 К
Зависимость постоянной вре-
мени от температуры.
Зависимость емкости струк-
туры от постоянного обрат-
ного напряжения.
431
10.4. ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ ОГРАНИЧИТЕЛЬНЫЕ
ДИОДЫ
1А501А,	1А501Б,	1А501В,	1А501Г,	1А591Д,	1А501Е,
1А501Ж,	1А501И,	ГА501А,	ГА501Б,	ГА501В,	ГА5011,
ГА501Д,	ГА501Е,	ГА501Ж,	ГА501И
Диоды германиевые диффузионные. Предназначены для применения
в переключающих устройствах в диапазоне волн 3 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются
цветным кодом: 1А501А, ГА501А — одной точкой у положительного
вывода, 1А501Б, ГА501Б — двумя точками, 1А501В, ГА501В — тремя
точками, 1А501Г, ГА501Г — одной полоской, 1А501Д. ГА501Д — двумя
полосками, 1А501Е, ГА501Е—тремя полосками, 1А501Ж, ГА501Ж —
одной полоской и одной точкой, 1А501И, ГА501И — одной полоской
и двумя точками.
Масса диода не более 0,6 г.
Электрические параметры
Потери пропускания при / = 20 мА. Р|1Д = I мВт,
К = 3,2 см (1А501А, 1А501Б, 1А501В. 1А501Ж, 1А501И,
ГА501А, ГА501Б, ГА501В, ГА501Ж, ГА501И) и при
X = 3,9 см (1А501Г, 1А501Д, 1А501Е, ГА501Г, ГА501Д,
ГА501Е), не более......................................0,8	дБ
Качество диода при 6/о5р — 12 -г 18 В для 1А501А,
1А501Г, ГА501А, ГА501Г, при [/о6р = 8 = 13 В для
1А501Б, 1А501Д, ГА501Б, ГА501Д, при ЬоСр = 4=9 В
для 1А501В, 1А501Е, ГА501В. ГА501Е, при {/об =
= 2,2 = 4,2 В для 1А501Ж, ГА501Ж, при 6/о6р = 0,5 =
2,5 В для 1А501И, ГА501И, при Р11Я = I мВт и /.=
= 3,2 см для 1А501А, 1А501Б, 1А501В, 1А501Ж, 1А501И,
ГА501А, ГА501Б, ГА501В, ГА501Ж, ГА501И, К =
= 3,9 см для 1А501Г, 1А501Д, 1А501Е. ГА501Г, ГА501Д,
ГА501Е, не менее.................................. 150
Емкость корпуса......................................От	0,12 до
0,18 пФ
Постоянный обратный ток при С'’с,5р =10 В, не более:
при 298 К............................................0,5	мкА
при 343 К........................................3,0	мкА
Пробивное напряжение, не менее......................... 19	В
432
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная падающая СВЧ мощность при скважности,
большей или равной 1000, тн < 2 мкс и температуре
от 213 до 343 К.....................................	2.5 Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность при воздействии
не более 5 мии. скважности, большей или равной 1000,
ти < 2 мкс и температуре от 213 до 343 К . . . .	5,0 Вт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре от 213 до 343 К:
1А501А, 1А501Б. 1А501Г, 1А501Д, 1А501Е, ГА501А,
ГА501Б, ГА501Г, ГА501Д. ГА501Е....................100	мВт
1А501В, ГА501В.................................. 50 мВт
1А501Ж, 1А501И, ГА501Ж, ГА501И..................... 1	мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при /пр = К) —
30 мА и температуре от 213 до 343 К.................... 1	Вт
Мощность просачивающегося импульса при температуре
от 213 до 343 К...................................... 450	мВт
Энергия просачивающегося импульса при температуре
от 213 до 343 К.......................................0.5	10~7 Дж
Импульсная падающая СВЧ мощность в течение 50 ч
при Т < 343 К, т,. < 0.15 мкс, скважности, большей
или равной 3000 .................................... 50	Вт
Температура окружающей среды...........................От	213 до
343 К
Примечания: 1. Допускается применение диодов в коммута-
ционных устройствах при длинах волн более 3 см.
2. Не разрешается подача обрат-
ною напряжения более 18 В и
прямого тока более 30 мА для 1А501А,
1А501Б, 1А501Г. 1А501Д. 1А501Е
и 20 мА для 1А501В,	1А501Ж,
1А501И.
Зависимость потерь запирания от тем-
пературы.
2А503А, 2А503Б
Диоды кремниевые сплавные с p-i-n структурой. Предназначены
для применения в переключающих устройствах, модуляторах, фазо-
вращателях, аттенюаторах сантимет-	0Т,25
рового и дециметрового диапазонов.	р______~~1
Бескорнуспые с жесткими выво-	в
дами. Тип диода указывается на	5!	|
индивидуальной таре.	:________
Масса диода не более 0,00214 i.	1	'
433
Электрические параметры
Прямое напряжение при /11р = 100 мА и тем-
пературе от 213 до 398 К, не более	0,3 В
Прямое сопротивление потерь при /пр =
= 100 мА, Рт > 5 мВт, f = 3000 МГц, не
более:
2А503А................................ 3,3 Ом
2А503Б.............................. 5,0 Ом
Емкость перехода при //д > 5 мВт, f =
= 3000 МГц:
2А5ОЗА..................................От	0,365 до 0,435 пФ
2А5ОЗБ.................................От	0,33 до 0,425 пФ
Прямое сопротивление потерь при 1РХ> = 0,
Рпд > 5 мВт, /= 3000 МГц, не менее	1500 0м
Время установления прямого сопротивления
при /лр = 100 мА, Рпд» 1 мВт, / =
= 3000 МГц, не более.................. 6 мкс
Время восстановления сопротивления при
/пр = 0, Рпа > 1 мВт, /= 3 000 МГц, не
более................................. 60 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность............................ 1	Вт
Импульсная рассеиваемая мощность в линии
с волновым сопротивлением 50 Ом ...	1 кВт
Температура окружающей среды . . . .	От 213 до 398 К
Температура перехода........................... 398	К
Примечание. При включении диода в линию с волновым
сопротивлением W, отличным от, 50 Ом, допустимая импульсная
рассеиваемая мощность определяется по формуле
А,, рас, макс( ^0 ~ рас, макс*
Зависимость прямого со-
противления потерь от по-
стоянного прямого напря-
жения.
Зависимость
противления
постоянного
прямого со-
потерь от
прямого
тока.
434
1А504А, 1А504Б, ГА504А, ГА504Б, ГА504В
Диоды германиевые диффузионные. Предназначены для работы
в переключающих устройствах сантиметоового и дециметрового
диапазонов волн.
Выпускаются в металлокерамическом коаксиальном корпусе с жест-
кими выводами. Диоды маркируются цветной точкой на керами-
ческой части корпуса: 1А504А, ГА504А - красной, 1А504Б, ГА504Б -
черной, ГА504В - желтой. Схема соединения электродов с выводами
приводится на керамической части корпуса.
Масса диода не более 1 г.
Электрические параметры
Потери пропускания при /|1р = 50 мА, Рт = I мВт,
X = 3,9 см, не более:
1А504А...........................................0,5 дБ
1А504Б...........................................0,8 дБ
Качество диода при /пр = 50 мА, С/обр = 50 В, Рпд =
= 1 мВт, X = 3,9 см, не менее, при температуре:
от 213 до 298 К
1А504А, ГА504А................................... 500
1А504Б, ГА504Б................................... 200
ГА504В........................................... 100
при 343 К
1А504А. ГА504А................................... 350
1А504Б, ГА504Б................................... 150
Общая емкость диода при С’,-,бР = 50 В:
1А504А, 1А504Б. ГА504А, ГА504Б...................От 0,5
до 0,8 пФ
ГА504В...........................................От 0,45
до 1,0 пФ
Постоянный обратный ток при (70бр = 50 В, не более,
при температуре:
от 213 до 298 К..................................100 мкА
при 343 К........................................ 500 мкА
Время переключения при С;ойр = 50 В, Рпд = 2,5 Вт,
X = 3.9 см, не более............................... 40 нс
Емкость корпуса при Пойр = 50 В......................От 0,3
до 0,4 пФ
435
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре корпуса:
от 213 до 308 К......................................0.5 Вт
при 343 К........................................0.3 Вт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность в течение
I мин при температуре корпуса от 213 до 358 К для
1А504А. 1А504Б.....................................0.6	Вт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре:
от 213 до 308	К................................2,5	Вт
при 343 К........................................ 1.5	Вт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратко-
временном воздействии (не более 1 мин) и темпера-
туре от 213 до 343 К................................. 3.0 Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 343 К......................................... 50 В
Постоянный прямой ток при температуре от 2’3 до
343 К................................ .'............. 50 мА
Температура окружающей среды.........................От 213
до 343 К
Температура корпуса.................................. 358 К
Примечания: 1 Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность свя-
зана с непрерывной СВЧ мощностью в линии передачи Р-, соот-
ношениями :
2фТп-1)
в состоянии пропускания Рсвч —	—г:,,
^-1:
2 (1/тч — 1)
я состоянии запирания Рсвч = —’—------Рл,
где L„ — потери пропускания волноводного устройства с диодом,
определяемые отношением падающей СВЧ мощности к прошедшей
при номинальном /пр;
L, — потери запирания волноводного устройства с диодом, опре-
деляемые отношением падающей СВЧ мощности к прошедшей при
номинальном (/обр.
2. Общая емкость диода не зависит в диапазоне СВЧ от
напряжения смещения (от нуля до максимально допустимого об-
ратного напряжения).
Зависимость непрерывной рассеивае-
мой СВЧ мощности от температурь:
корпуса.
436
2А505Л, 2А505Б, 2А505В
Диоды кремниевые сплавные со структурой n-i-p-i-n. Пред-
назначены для работы в переключающих устройствах, модуля-
торах. фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметро-
вого диапазона в герметизированной аппаратуре.
Бсскорпусные с гибкими выводами. Тип диода и схема соеди-
нения электродов с выводами приводятся на индивидуальной таре.
Масса диода не более 0.05 г.
Вывод 2
Вывод Г
Вывод 2
Электрические параметры
Потери пропускания при /пр = 0, Рпд » 1 мВ г, W —
= 250 Ом, /'= 9000 ч- 9800 МГп, не более:
при 298 К
2.А505А. 2А505Б....................................0,25	дБ
2А505В...........................................0,4 дБ
при 213 и 398 К
2А505А, 2А505Б.....................................0,55	дБ
2А505В...........................................0.7 дБ
Потери запирания при /11р = 100 мА, Рпц > 1 мВт, И' =
= 250 Ом, f = 9000 ч- 9800 МГц, не менее:
2А505А............................................ 25 дБ
2А505Б, 2А505В................................... 21 дБ
Время восстановления сопротивления при > I мВт.
/ = 9000 ч- 9800 МГц, не более.......................60 мкс
Время установления прямого сопротивления при Рпя S--
>1 мВт, 7пр = 100 мА, /= 9000 ч- 9800 МГц, не
более ............................................. 6 мкс
Предельные эксплуатационные даииые
Импульсная падающая СВЧ мощность в линии с W =
= 250 Ом при ти = 1 мкс и скважности 500:
Aip — 0-
в Н-образном волноводе и полосковых линиях ...	5 кВт
в резонансной щели................................... 2	кВт
7пр = 100 мА........................................100	кВт
Рассеиваемая мощность.................................... 2	Вт
437
Обратное напряжение................................... 100	В
Температура окружающей среды...........................От	213
до 398 К
Примечания: 1. Допускается воздействие температуры окру-
жающей среды 413 Кв течение 30 мин.
2.	Потери запирания практически неизменны в интервале тем-
пературы от 213 до 398 К.
3.	При включении диода в линию с волновым сопротивлением,
отличным от 250 Ом, допустимая импульсная СВЧ мощность опре-
деляется по формуле
Лтд. и, макс ( ^0
250 р
гпд, н. макс*
W
Зависимость постоянного пря-
мого тока от напряжения.
Зависимость потерь запирания
ог постоянного прямого тока.
Зависимость потерь пропуска-
ния от температуры.
Зависимость потерь пропуска-
ния от импульсной падающей
СВЧ мощности.
438
2А506А, 2А506Б, 2А506В, 2А506Г, 2А506Д
Диоды кремниевые сплавные. Предназначены для работы в
переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюа-
торах сантиметрового диапазона в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные. с гибким выводом. Тип диода указывается на
корпусе. Положительный вывод диода — гибкий.
Масса не более 2,5 г (2А506А, 2А506Б, 2А506В, 2А506Г) и
2 г (2А506Д).
1,мм L,mm
2А50Е^-Г) 25	54-
2А506Д	21	52
Вывод 1
вывод 2
Электрические параметры
Потери пропускания при Р„а > 1 мВт, /пр = 0, W =
= 250 Ом, не более:
при 298 К
2А506А, 2А506Б (/= 9800 + 50 МГц)................0,4	дБ
2А506В, 2А506Г (/'= 9100 ± 50 МГц) ....	0,4 дБ
2А5О6Д (/ = 13 700 + 50 МГц).....................0,7	дБ
при 213 и 398 К
2А506А, 2А506Б, 2А506В, 2А506Г...................0,7	дБ
Потери запирания при Рпд > 1 мВт, /пр = 100 мА, W =
= 250 Ом, не менее:
2А506Б, 2А506Г.................................... ]8	дБ
2А506А, 2А506В, 2А506Д........................... 22	дБ
Время восстановления сопротивления при Рпл > 1 мВт,
не более:
2А506А, 2А506Б (/= 9800 ± 50 МГц).................60	мкс
2А506В, 2А506Г «=9100 ±50 МГц)....................60	мкс
Время установления прямого сопротивления при Рпа >
> 1 мВт, /пр = 100 мА, не более:
2А506А, 2А506Б (/ = 9800 + 50 МГц) . • . . •	6 мкс
2А506В, 2А506Г (/'= 9100 + 500 МГц)............... 6	мкс
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная падающая СВЧ мощность в линии с W =
= 250 Ом при ти = 1 мкс и скважности 500:
ПРИ 4р = 0.......................................... 2	кВт
при /,|р = 100 мА..................................100	кВт
439
Рассеиваемая мощность................................... 2	Вт
Обратное напряжение................................... 100	В
Температура окружающей среды............................От	213
до 398 К
Примечания: 1, Допускается кратковременное Бездействие
температуры окружающей среды 413 К в течение 30 мин.
2.	При включении диода в линию с волновым сопротивлением,
отличным от 250 Ом, допустимая импульсная СВЧ мощность опре-
деляется по формуле
р
J пд. и. макс
пд, и, макс-
v И7
3.	Потери запирания в интервале температур от 213 до 398 К
практически остаются неизменными.
Зависимость постоянного пря-
мого тока от напряжения.
Зависимость потерь запирания
от постоянного прямого тока.
Зависимость потерь пропуска-
ния от температуры.
Зависимость потерь пропуска-
ния от непрерывной падающей
СВЧ мощности.
440
2А507А, 2А507Б, КА507А, КА507Б, КА507В
Диоды кремниевые эпитаксиальные с p-i-n структурой. Пред-
назначены для работы в переключающих устройствах сантиметро-
вого и дециметрового диапазонов.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются
цветным кодом: 2А507А, КА507А — черной точкой, 2А507Б. КА5О7Б —
желтой точкой, КА507В — двумя красными точками. Положительный
вывод — со стороны крышки.
Масса диода не более 1,3 г.
выбод 2
Электрические параметры
Пробивное напряжение при = 10 мА. / = 5 кГц,
ти = 3 мкс не менее
2А507А. КА507А................................... 500 В
2А5О7Б, КА507Б. КА507В........................ 300 В
Критическая частота при /пр = 100 мА. С'обр = 100 В,
Рп . = 1 мВт. X = 7 см не менее
при 298 К:
2А507А, 2А507Б,	КА5О7А.	КА5О7Б............ 200	ГГц
КА507В........................................150	ГГц
при 213 и 373 К:
2А507А, 2А507Б.	КА5О7А.	КА5О7Б............180	ГГц
Накопленный заряд при !и? = 100	мА не более .... 200	нКл
Прямое сопротивление потерь при /пр = 100 мА. Рпл =
= 1 мВт, X = 7 см не более
2А507А. 2А507Б, КА507А, КА507Б................1.5 Ом
КА507В........................................2.5 Ом
Общая емкость при С'обР = 100 В
2А5О7А. 2А507Б, КА507А, КА507Б.....................От 0,8
до 1,2 пФ
КА5О7В........................................От 0.65
до 1.2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность при температуре корпуса
от 213 до 308 К......................................... 5	Вт
при 373 К...........................................  2	Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре кор-
пуса от 213 до 373 К................................... 290	В
441
Мгновенное обратное напряжение при температуре кор-
пуса от 213 до 373 К
2А507А, КА5О7А...................................... 500	В
2А507Б, КА507Б, КА5О7В.......................... 300	В
Постоянный прямой ток при температуре корпуса от
213 до 373 К.........................’................ 200	мА
Температура окружающей среды..........................  От	213
до 373 К
Примечания: 1. Расчетная индуктивность диода 0,5 нГн.
2. Общая емкость диода не зависит в диапазоне СВЧ от
обратного напряжения (от нуля до максимально допустимого зна-
чения напряжения).
213 253 293 333 К
90 SO
Зависимость рас-
сеиваемой мощ-
ности от темпе-
ратуры корпуса.
Зависимость времени
восстановления от
постоянного обратно-
го напряжения.
Зависимость накоп-
ленного заряда от
постоянного пря-
мого тока.
Зависимость прямого со-
противлештя потерь от по-
стоянного прямого тока.
Зависимость обратного со-
противления потерь от по-
стоянного обратного напря-
жения.
442
2А508А, КА508А
Диоды кремниевые, изготовленные на основе ионного легиро-
вания со структурой n-i-p-i-n. Пре,".назначены для работы
в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, ат-
тенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов в герме-
тизированной аппаратуре.
Бескорпусные с гибким выводом. Тип диода указывается на
таре.
Масса диода не более 0,05 г.

Электрические параметры
Потери пропускания при /при =100 мА, Рпд = 1 Вт,
f = 9370 МГц, не более:
при 298 К..........................................0,4 дБ
при 213 и 398 К (2А5О8А)..........................0,6 дБ
Качество при Рпд = 1 Вт. f = 9370 МГц, не менее . . .	600
Время установления при /пр и = 100 мА, f= 1000 Гц,
ти=100 мкс, гпос = 1 кОм, не более................... 6 мкс
Время восстановления при /ПР1И = 100 мА, /= 1000 Гц,
тк = 100 мкс, гпос = 100 Ом, не более................40 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213
до 333 К для 2А508А и от 213 до 308 К для
КА508А........................................... 1,5 Вт
Коммутируемая импульсная СВЧ мощность при ти =
= 1 мкс, скважности 1000 в резонансной щели ...	0,8 кВт
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 358 К....................................... 100 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
353 К.............................................. 500 мА
Тез.гиерагура окружающей среды:
2А5О8А  ...........................................От 213
до 398 К
КА508А.........................................От 213
до 358 К
Примечания: 1. При постоянном прямом токе допускается
импульсная мощность 50 кВт при ти = 1 мкс, скважности 1000 при
условии, что мощность, рассеиваемая в диоде, не превышает до-
пустимого значения.
2. При впайке диодов в модули должен использоваться припой
ПОИн-50.
443
Зависимость качества диода от
постоянного прямого тока.
Зависимость времени восстанов-
ления от постоянного обрат-
ного напряжения.
Зависимость рассеиваемой СВЧ
мощности от температуры.
Зависимость потерь пропуска-
ния от температуры.
Зависимость качества диода от
температуры.
2А509А, 2А509Б, КА509А, КА509Б, КА509В
Диоды кремниевые эпитаксиальные с p-i-n структурой. Пред-
назначены для работы в переключающих устройствах сантиметро-
вого н дециметрового диапазонов.
444
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на вкладыше, который помещается
с диодом в индивидуальную тару. Диоды маркируются цветным
кодом: 2А509А. КА509А - красной точкой, 2А509Б, КА509Б - синей
точкой. КА509В — черной точкой. Положительный вывод — со стороны
крышки. Масса диода не более 1.3 г.
вывод /
Электрические параметры
Прямое сопротивление потерь при /пр = 25 мА. Рсвч =
= 1 мВт. Л = 7 см. нс более:
2А509А, 2А509Б, КА509А. КА509Б...................1.5 Ом
КА509В........................................ 2,5 Ом
Критическая частота при /пр = 25 мА. С'обр = 100 В.
Лвч = 1 мВт. л = 7 см. не менее:
при 298 К
2А509А, 2А509Б.	КА509А.	КА509Б................150	ГГц
КА509В............................................100	ГГц
при 373 К
2А509А, 2А509Б,	КА509А,	КА509Б................160	ГГц
Накопленный заряд при 7„р = 25	мА. нс более ....	25	лКл
Пробивное напряжение при импульсном обратном гоке
10 мА. /=5 кГц, т„ = 3 мкс, не менее............... 200 В
Общая емкость диода при Гг>'п = 100 В:
2А509А, КА509А  ...............................От 0,9
до 1.2 пФ
2А509Б. КА509Б................................. От 0,7
до 1,0 пФ
КА509В.........................................От 0.5
до 1.2 пФ
Емкость корпуса...................................... От 0.3
до 0.45 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность при температуре корпуса:
от 213 до 308 К.................................. 2 Вт
при 373 К........................................ 1 Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре кор-
пуса от 213 до 373 К................................ 150 В
Мгновенное напряжение при температуре корпуса от
213 до 373 К........................................ 175 В
Постоянный прямой ток при температуре корпуса от
213 до 373 К........................................100 мА
445
Температура окружающей среды .	. . От 213
до 373 К
Температура корпуса................................... 373	К
Примечание. Общая емкость диода не зависит в диапазоне
СВЧ от обратного напряжения (от нуля до максимального зна-
чения напряжения).
Зависимость рассеиваемой мощ-
ности о г температуры корпуса.
Зависимость накопленного заря-
да от постоянного прямого тока.
Зависимость прямого сопротив-
ления от постоянного прямого
тока.
О Z5 50 75 100 1Z5 В
Зависимость обратного сопро-
тивления от постоянного обрат-
ного напряжения.
Зависимость времени восстанов-
ления от постоянного обрат-
ного напряжения.
446
2А510А, 2А510Б, 2А510В, КА510А, КА510Б, КА510В,
КА510Г, КА510Д, КА510Е
Диоды кремниевые планарно-эпитаксиальные. Предназначены для
работы в устройствах ограничения и стабилизации мощности, за-
щиты входных цепей приемников в сантиметровом и дециметровом
диапазонах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип днода указывается на этикетке. Диоды маркируются
цветными точками: 2А51ОА, КА510А — одной черной точкой, 2А510Б,
КА510Б — зеленой, 2А510В, КА510В — желтой, КА510Г — черной и зе-
леной, КА510Д — черной и желтой, КА510Е — зеленой и желтой.
Масса диода не более 0,15 г.
Вывод 7
\&ывод 2
Электрические параметры
Сопротивление диода при высоком значении СВЧ мощ-
ности и 7пр = 100 мА, не более:
2А510А, 2А510Б, 2А51ОВ, КА510А, КА510Б,
КА510В.........................................1,5 Ом
КА510Г, КА510Д, КА510Е.........................2,5 Ом
Сопротивление диода при низком значении СВЧ мощ-
ности Рпя = 1 мВт, /= 4,5 10’ МГц, не более:
при 213 и 298 К
2А51ОА, КА510А................................... 15 Ом
2А51ОБ, КА510Б................................. 9 Ом
2А510В, КА510В................................. 5 Ом
при 398 К
I	2А510А, КА510А ............................. 25 Ом
2А510Б,	КА510Б.................................. 15	Ом
2А510В,	КА510В.................................. 8	Ом
Общая емкость диода при нулевом смещении:
2А510А,	КА510А..................................От	0,7
j	до 1,4 пФ
2А510Б,	КА510Б, КА510Д..........................Ог	1,2
:	до 2,4 пФ
i	2А510В, КА510В.................................От 2,2
до 3,4 пФ
!	КА510Г.........................................От 0,6
до 1,4 пФ
КА510Е.........................................От 2,2
до 3,6 пФ
447
Накопленный заряд в режиме переключения с /пр =
= 100 мА на Со6р и = 20 В, не более...................10	пКл
Пробивное напряжение, не менее.......................... 30	В
Индуктивность диода	*.............................От 0.6
до 0,8 иГн
Емкость корпуса *........................................От	0,25
до 0,3 пФ
Время установления*,	не	более......................... 1	пс
Время восстановления *, не более....................... 230	нс
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре корпуса:
от 213 до 323 К....................................... 1 Вт
при 398 К........................................0.25 Вт
Рассеиваемая импульсная СВЧ мощность при ти = 1 мкс,
f = 1 кГц и температуре от 213 до 308 К . . . .	40 Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 398 К......................................... 25 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
398 К................................................ 200 мА
Температура	окружающей	среды......................От 213
до 398 К
Температура	перехода .............................. 423 К
Зависимость импульсной падающей
СВЧ мощности от температуры кор-
пуса в двухрезонаторной камере на
/ = 1 ГГц (/i = 100 Гц, /2 = 1000 Гц,
/3 = 10000 Гц, W = 75 Ом).
Зависимость непрерывной
падающей СВЧ мощнос-
ти от температуры кор-
пуса.
448
Зависимость непрерывной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
температуры корпуса.
Зависимость импульсной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
температуры корпуса.
2А511А
Диод кремниевый диффузионный. Предназначен для работы в
переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюа-
торах сантиметрового и дециметрового диапазонов.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на этикетке.
Масса диода не более 0,25 г.
Электрические параметры
Качество (на низком уровне мощности) на частоте
/= 3000 МГц при исы = 50 В, 7пр = 500 мА, W = 50 Ом,
Рги < 1 Вт, не менее:
при 298	К....................................... 2500
при 398	К....................................... 1500
при 213	К....................................... 1750
Качество (на высоком уровне мощности) при Рвд <
<10 кВт, /пр = 500 мА, Тсч = 50 В, W = 50 Ом, не
менее................................................ 700
Прямое сопротивление потерь на частоте f — 3000 МГц
при /пр = 500 мА, Рвд < 1 Вт, не более.............. 2 Ом
Общая емкость диода при Г„Ср = 200 В, Рп;, < 1 Вт,
/= 10 ч- 30 МГц.....................................От 0,55
до 0,75 пФ
Накопленный заряд при 7/см =100 В, /пр = 100 мА,
/ = 1 кГц, ти = 10 мкс, не более.................... 350 нКл
15 под ред. Н. Н. Горюнова
449
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная падающая СВЧ мощность в коаксиальной
линии с W = 50 Ом.................................10	кВт
Постоянное напряжение................................. От	50
до 200 В
Постоянный прямой ток................................ 700	мА
Температура окружающей среды...........................От	213
до 373 К
Примечание. При включении диода в липшо, волновое
сопротивление которой отличается от 50 Ом, импульсная мощ-
ность определяется по формуле
Зависимость прямого
сопротивления потерь
от постоянного пря-
мого тока.
Зависимость обратно-
го сопротивления по-
терь от постоянного
обратного напряже-
Зависимость обратно-
го сопротивления по-
терь от импульсной
падающей СВЧ мощ-
Зависнмость обратно-
го сопротивления по-
терь от постоянного
обратного напряже-
ния.
Зависимость накоплен-
ного заряда от по-
стоянного прямого
тока.
450
2А512А, 2А512Б
Диоды кремниевые сплавные с p-i-n структурой. Предназначены
для работы в переключающих устройствах, фазовращателях деци-
метрового и длинноволновой части сантиметрового диапазона в
герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с жесткими выводами. Тип диода указывается на
о [рица тельном выводе 2.
Масса диода не более 3 г.
Электрические параметры
Качество на высоком уровне мощности при /пр = 500 мА,
f/обр = 200 В. не менее................................ 1200
Качество на низком уровне мощности при P[la = 1 Вт,
/пр = 500 мА, С'о5р = 200 В, не менее:
при 213 и 298 К.................................... 4000
при 358 К.......................................... 3000
Прямое сопротивление потерь при /пр = 500 мА, С''оРр =
= 200 В, = 1 Вт, температуре от 213 до 358 К,
не более...........................................2,5 Ом
Общая емкость диода при СоРр = 200 В, / = 30 МГц . . . От 0,45
до 0,85 пФ
Постоянное прямое напряжение при/пр = 500 мА . . . . От 1,15
до 1,9 В
Время восстановления при /пр = 500 мА, = 30 В,
= I Вт, не более.....................................40 мкс
Время установления прямого напряжения *..............3,6 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 358 К......................................... 200 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213
до 358 К............................................. 0,5 А
Постоянный обратный ток при С/обр = 200 В и темпе-
ратуре от 213 до 358 К............................... 500 мкА
Импульсный обратный ток при температуре от 213
до 358 К............................................. 12 мА
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре от 213 до 358 К................................. 4 Вт
Температура окружающей среды.........................От 213
до 358 К
Температура перехода................................. 373 К
15*
451
			2А512(А,6)		
					
	^Т = 258К				
	^.358«				
					
					^пр
0 0,Z 0,0 0,6 0,8 1,0 мА
Зависимость прямого сопротив-
ления потерь от постоянного
Зависимость качества диода (на
низком уровне) от постоянного
прямого тока.
6000
5000
0000
3000
1000
1000
прямого тока.
Р:ач,ма.К1>			2А512(А,5)		
					
			\		
					
					
					г
213 253 203 333 373 013 К
Зависимость непрерывной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
ратного тока от температуры.
О 200 000 600 800 1000мА
Зависимость качества диода
(на высоком уровне) о г по-
стоянного прямого тока.
Зависимость времени восстанов-
ления обратного сопротивления
от постоянного обратного на-
пряжения.
452
2А513А, 2А513Б, КА513А, КА513Б
Диоды кремниевые с переходами, изготовленными на основе
ионного легирования со структурой n-i-p-i-n. Предназначены для
работы в поглощающих переключателях в диапазоне от 0,8 до
2 см в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с гибкими выводами. Тип диода указывается
на таре.
Масса диодов не более 0,075 г (2А513А, КА513А) и 0 06 г
(2А513Б, КА513Б).
Электрические параметры
Выводя
выводе
Потери запирания при Рт = 1 Вт, /пр ~ 10 -t- 100 мА,
не менее:
2А513А, КА513А (f = 30 000 - 37 500 МГц) ....	27 дБ
2А513Б, КА513Б «= 15000 - 20000 МГц) ....	25 дБ
Потери пропускания при = 1 Вт,/ = 30000 — 37 500 МГц
(2А513А, КА513А) и /= 15000 - 20000 МГц (2А513Б,
КА513Б), не более:
при 298 К........................................  0,7	дБ
при 213 и 398 К....................................0,9	дБ
Время установления при /ПРт11 = Ю0 мА, /= 1000 Гц,
тн = 100 мкс, RH = 100 Ом, нс более..................... 6	мкс
Время восстановления при /при = 100 мА, f= 1000 Гц,
ти = 100 мкс, Л„ = 100 Ом, не более.....................ЮО	мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 358 К...................................... 150 В
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре от 213 до 358 К:
2A5I3A, КА513А.................................... 2 Вт
2А513Б, КА513Б.................................. 1,5 Вт
Импульсная падаюшая СВЧ мощность при тн = 1 мкс,
/= 1000 Гц:
2А513А, КА513А в Н-волноводе с И7 = 150 Ом . . .	75 Вт
2А513Б, КА513Б в Н-волноводе с W = 80 Ом . . ,	140 Вт
Температура окружающей среды для 2А513А,
2А513Б..............................................От 213
до 398 К
453
TV, для KA513A, КА513Б............................От 213
до 358 К
Примечания; 1. При включении диода в линию с волновым
сопротивлением IV,, отличным от W, допустимая импульсная па-
дающая СБЧ мощность определяется по формуле
2.	Потери запирания остаются практически неизменными при
температуре от 213 до 398 К. Потери пропускания не зависят от
постоянного обратного напряжения в пределах от 0 до 300 В.
3.	При впайке диодов в модули должен использоваться при-
пой ПОИн-50
Зависимость потерь пропуска-
ния от температуры.
Зависимость потерь запирания
от постоянного прямого тока.
Зависимость времени восста-
новления от постоянного об-
ратного напряжения.
454
Зависимость времени установ-
ления от импульсного прямого
тока.
Зависимость времени восстанов-
ления от импульсного прямого
тока.
Зависимость непрерывной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
температуры.
2А515А
Диод кремниевый эпитаксиальный с p-i-n структурой. Предназначен
для работы в переключающих устройствах коротковолновой части
сантиметрового диапазона.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода указывается на вкладыше, помещаемом в инди-
видуальную тару. Диод маркируется зеленой точкой на корпусе.
Положительный вывод — со стороны крышки.
Масса диода не более 1,3 г.
Электрические параметры
Пробивное напряжение при /обр,и — 10 мА, f — 5 кГц,
ти = 3 мкс, не менее................................. 100	В
Общая емкость диода при Г'о6р = 50 В...................От	0,4
до 0,7 пФ
Критическая частота при 7пр = 25 мА, t/o6p = 50 В, не
менее:
при 298 К.............................................100	ГГц
при 213 и 398 К....................................70	ГГц
Накопленный заряд при /пр = 25 мА, не более ....	15 нКл
455
7
Прямое сопротивление потерь при /пр - 25 мА, не
более.................................................2,5	Ом
Емкость корпуса........................................От	0,3
до 0,45 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность при температуре корпуса:
от 213 до 308 К.....................................0,5	Вт
при 398 К...........................................0,3	Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре кор-
пуса от 213 до 398 К.................................... 75	В
Мгновенное напряжение при температуре корпуса от
213 до 398 К............................................ 85	В
Постоянный прямой ток при температуре корпуса от
213 до 398 К............................................100	мА
Температура окружающей среды.......................От	213
Зависимость накопленного за-
ряда от постоянного прямого
тока.
Зависимость прямого сопротив-
ления потерь от постоянного
прямого тока.
0	10 40 ВО ВО 100мЯ
Зависимость обратного сопро-
тивления потерь от постоянно-
го прямого тока.
Зависимость рассеиваемой мощ-
ности от температуры корпуса.
456
2А516А
Диод кремниевый сплавной с p-i-n структурой. Предназначен
для работы в переключающих устройствах, модуляторах, фазовраща-
телях, аттенюаторах сантиметрового
и дециметрового диапазонов в гер-
метизированной аппаратуре.
Бескорпусной с жесткими вывода-
ми. Тип диода указывается на упа-
ковке. Полярность диода определяется
reciepo.vi.
Масса диода не более 1,3 г.
Электрические параметры
Прямое сопротивление потерь при /[|р = 100 мА, не более:
при 298 К...........................................5,5 Ом
при 213 и 398 К.................................6,5 Ом
Сопротивление диода в нулевой точке при Рпд < 5 мВт.
не менее............................................3 000 Ом
Время установления прямого сопротивления при f =
= 3000 МГц, Рпд » 1 мВт, т„ = 40	120 мкс, /„ = 100 мА,
не более.......................................... 6 мкс
Время восстановления обратного сопротивления при
/ = 3000 МГц, Рдд > 1 мВт, т„ = 40 4- 100 мкс, не более 45 мкс
Общая емкость диода при нулевом смещении, не более 0,18 пФ
Критическая частота*................................70 ГГц
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 398 К 1 Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность при W — 50 Ом,
скважности 200—1000, ти = 1 -г- 5 мкс и температуре
от 215 до 398 К..................................... 1 кВт
Постоянный прямой ток...............................100 мА
Постоянное обратное напряжение...................... 200 В
Температура окружающей среды........................От 213 до
398 К
Температура перехода................................ 398 К
Зависимое 1Ъ прямого conpoi явле-
ния потерь oi постоянного пря-
мого напряжения.
т
Зависимость прямого сопротив-
ления нс.’,от постоянного
Зависимость прямого сопротив-
ления потерь от температуры.
гр-т лого тока.
14517А, 2А517Б, КА517А, КА517Б
Диоды кремниевые эпитаксиаль-
ные. Предназначены для работы в
переключающих устройствах СВЧ
диапазона в герметизированной ап-
паратуре.
Выпускаются в микрокорпусном
оформлении с гибким выводом. Тип
диода указывается на этикетке. По-
ложительный электрод имеет гибкий
вывод.
Масса диода не более 0,01 г.
Электрические параметры
Пробивное напряжение, не менее....................... 300 В
Общая емкость диода при Uoqp = 100 В:
2А517А. КА517А........................................От	0,15 до
0,3 пФ
2А517Б, КА517Б....................................От	0,25 до
0,4 пФ
Накопленный заряд при /лр = 10 мА....................От 8 до
25 нКл
Критическая частота при /пр = 10 мА, Рпд = 1 ч- 10 мВт,
А. = 7 см, (7о6р = 20 В, не менее...................75 ГГц
Прямое сопротивление потерь при /пр = 10 мА, Рпд =
= 1 ч- 10 мВт, X = 7 см, не более................... 5 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 398 К........................................ 150 В
Мгновенное обратное напряжение при температуре от
213 до 398 К........................................ 270 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
398 К...............................................100 мА
458
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре основания диода:
от 213 до 308 К.................................0,5 Вт
при 398 К........................................0,2 Вт
Температура окружающей среды..........................От	213 до
398 К
Зависимость непрерывной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
температуры основания диода.
Зависимость прямого сопро-
тивления потерь от прямого
тока.
Зависимость прямого сопро-
тивления потерь от обратного
напряжения.
Зависимость накопленного за-
ряда от прямого тока.
2А518А-4, 2А518Б-4
Диоды кремниевые диффузионные с p-i-n структурой. Предназна-
чены для работы в переключающих устройствах дециметрового
и сантиметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с жесткими выводами на кристгтллодержателе. Тип
диода указывается на таре.
Масса диода не более 0,4 г.
459
Вывод f
i+
' BbiBoSl
Электрические параметры
Критическая частота на низком уровне мощности при Рлз = 30 мВт,
f = 2000 МГц, /пр = 100 мА, £/обр = 100 В, не меиее:
при 213 и 298 К
2А518А-4.............................................130	ГГц
2А518Б-4........................................90	ГГц
при 373К.......................................... 70	ГГц
Критическая частота на высоком уровне мощности при
Рга=15 кВт, /пр = 100 мА, /7о6р = 100 В, не менее:
2А518А-4............................................70	ГГц
2А518Б-4........................................50	ГГц
Прямое сопротивление потерь, на низком уровне мощ-
ности при Рпд = 30 мВт, /= 2000 МГц, /пр = 100 мА,
не более:
при 213 и 298 К
2А518А-4.......................................... 1	Ом
2А518Б-4........................................ 2	Ом
при 373 К
2А518А-4.........................................1,5	Ом
2А518Б-4........................................ 2	Ом
Прямое сопротивление потерь на высоком уровне мощ-
ности при Рпд = 15 кВт, /пр = 100 мА, не более:
2А518А-4............................................ 1	Ом
2А518Б-4 . :.................................... 2	Ом
Общая емкость диода при Г’оор = 100 В, /= 30 МГц От 0,6 до
0,8 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при
Р11Д = 30 мВт, / = 1500 МГц, /пр = 100 мА, /7о6р =
= 100 В, не более:
2А518А-4......................................... 6	мкс
2А518Б-4........................................2,5	мкс
Время установления прямого напряжения при Рпд =
= 30 мВт, /= 1500 МГц, /„р = 100 мА, (/о6р =
= 100 В, не более:
2А518А-4........................................2,5	мкс
2А518Б-4........................................1,0	мкс
Индуктивность диода....................................От	0,5 до
0,8 нГн
460
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 358 К........................................ 200 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
358 К............................................... 500 мА
Импульсная падающая СВЧ мощность при т„ < 8 мкс,
./=100 Гп, И’=50 Ом при температуре от 213 до
358 К............................................... 15 кВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре
от 213 до 358 К..................................... 2 кВт
Температура окружающей среды.........................От 213 до
358 К
Температура перехода................................. 398 К
Примечания: 1. При включении диода в линию с волновым
сопротивлением W. отличным от 50 Ом, допустимая импульсная
падающая СВЧ мощность определяется по формуле
и.	макс (	...^пд. и, макс-
W
2. Крепление диодов производится за металлический цилиндри-
ческий держатель.
0	200 400 600 800 1000мА
Зависимость прямого сопротив-
ления потерь от постоянного
прямого тока.
Зависимость качества от по-
стоянного обратного напря-
жения.
Зависимость качества от им-
пульсной падающей СВЧ мощ-
ности.
Г
10 —
'А
8
0	100 200 000 400 500 8
2А518(А-4' Б-ч)
U0SB
На. Высоком
уро Вне
----мощности.
----На. низком___
уровне
мощности.
461
Зависимость прямого сопротив-
ления потерь от температуры.
Зависимость качества от тем-
пературы.
Зависимость времени восстанов-
ления обратного сопротивления
от постоянного прямого тока.
Зависимость времени установле-
ния прямого напряжения от
постоянного прямого тока.
2А519А
Диод кремниевый эпитаксиальный. Предназначен для применения
в устройствах ограничения и управления мощностью в сантиметровом
и дециметровом диапазонах.
Выпускается в металлокерамическом корпусе. Тип диода указы-
вается на вкладыше, помещаемом в индивидуальной упаковке вместе
с диодом. Положительный вывод — со стороны крышки.
Масса диода не более 0,1 г.
462
Электрические параметры
Прямое сопротивление потерь при высоком значении
СВЧ мощности и /пр = 100 мА, не более..............2,2 Ом
Прямое сопротивление потерь при низком значении СВЧ
мощности,/= 9,4 ГГц, Гпд — I мВт, не более:
при 298 и 213 К................................20 Ом
при 398 К......................................25 Ом
Общая емкость при нулевом смещении ...... От 0,5 до
0,9 пФ
Постоянный обратный ток при С'о5р = 20 В, не более 100 мкА
Граничная мощность* ...............................От 10 до
1000 мВт
Время восстановления обратного сопротивления *, не более 200 нс
Накопленный заряд при /пр = 100 мА, не более ....	8 нКл
Емкость корпуса....................................От 0,2 до
0,3 пФ
Индуктивность диода*, не более.....................0,7 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Рассеиваемая мощность при температуре корпуса:
от 213 до 353 К................................0,3 Вт
при 398 К......................................0,1 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при скважности, большей или
равной 1000, ти< 1 мкс и температуре корпуса:
от 213 до 353 К................................ 30 Вт
при 398 К...................................... 10 Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре корпуса
от 213 до 353 К.................................... 10 В
Постоянный прямой ток при температуре корпуса от
213 до 353 К.....................................100 мА
Температура окружающей среды.......................От 213 до
398 К
Температура перехода............................... 423 К
Примечание. Диоды не подлежат пайке.
Зависимость рассеиваемой мощ-
ности от температуры корпуса.
463
Зависимость импульсной рас-
сеиваемой мощности от темпе-
ратуры корпуса.
Зависимое 1ь прямого сопротив-
ления потерь при высоком зна-
чении СВЧ мощности от по-
стоянного прямого тока.
Зависимость общей емкости
диода от температуры корпуса.
Зависимости постоянного пря-
мого и обратного токов от
температуры корпуса.
2А520А, КЛ520А. КА520Б
Диоды кремниевые эпитаксиальные с p-i-n структурой. Предназна-
чены для работы в переключающих устройствах СВЧ диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на этикетке.
Масса диода не более 1,3 г.
464
Электрические параметры
Пробивное напряжение, не менее:
2А520А, КА520А......................................... 800	В
КА520Б........................................... 600	В
Общая емкость диода при („бр = 0.......................От	0,4 до
1,0 пФ
Критическая частота при 100 мА, </обр =100 В,
Р,а > 1 мВт, X = 7 = 4,5 см, не менее:
ггри 298 К
2А520А. КА520А................................... 200	ГГц
КА520Б..........................................150	ГГц
при 213 и 398 К
2А520А. КА520А....................................170	ГГц
Накопленный заряд при /пр = 100 мА, не более . . . 300	нКл
Прямое сопротивление потерь при Znp = 100 мА, Рпд >
> 1 мВт, к = 7 = 4,5 см, не более:
при 298 К
2А520А, КА520А.................................... 2	Ом
КА520Б.......................................... 3	Ом
при 213 и 398 К
2А520А, КА520А....................................2,3	Ом
Индуктивность выводов...............................0,45	нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 398 К.......................................... 300	В
Мгновенное обратное напряжение при температуре от
213 до 398 К.......................................... 750	В
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температу-
ре корпуса:
от 213 до 308 К......................................... 4	Вт
при 398 К........................................  1,3	Вт
Температура окружающей среды..........................От	213 до
398 К
Примечание. Допускается кратковременный (в течение 0,5 мин)
нагрев диода до 473 К.
Зависимость накопленного заряда
от постоянного прямого тока.
465
г
Зависимость прямого сопротив-
ления потерь от постоянного
прямого тока.
Зависимость прямого сопротив-
ления потерь от постоянного
обратного напряжения.
Зависимость импульсной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
длительности импульса.
Зависимость непрерывной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
температуры корпуса.
2А521А
Диод кремниевый диффузионный. Предназначен для работы в пере-
ключающих устройствах, фазовращателях дециметрового и длинновол-
новой части сантиметрового диапазонов.
Выпускается в металлическом корпусе с жесткими выводами.
Тип диода указывается на цилиндрической поверхности. Положитель-
ный вывод — со стороны конического прижимного контакта.
Масса диода не более 3 г.
466
Электрические параметры
Критическая частота при Рпд = 30 мВт, k = 15 см,
71|р = 100 мА, Со6р = ЮО В, не менее:
при 213 и 298 К......................................90	ГГц
при 358 К..........................................55	ГГц
Прямое сопротивление потерь при Р||д = 30 мВт,
Х= 15 см, 1пр = 100 мА, пе более:
при 213 и 298 К.....................................1,5	Ом
при 358 К.........................................2,0	Ом
Критическая частота при Рпд и = 16 кВт, /пр — 100 мА,
Рпд, и = 2,5 кВт, Собр = ЮО В, не менее.................80	ГГц
Прямое сопротивление потерь при Рпд,в = 16 кВт,
7пр = 100 мА, не более.................................1,5	Ом
Накопленный заряд при Znp = 100 мА, Uo6p = 80 В,
Рпд = 30 мВт, не более................................ 900	нКл
Общая емкость диода при £Уобр =100 В, Р||д = 30 мВт,
k = 15 см.............................................От	0,63 до
0,77 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Импульсная падающая СВЧ мощность при ти < 7 мкс,
f = 100 Гц, W = 25 Ом (диод включен параллельно
в линию, работающую на согласованную нагрузку)
и температуре от 213 до 298 К.......................Ю kjjt
Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре
от 213 до 298 К..................................... 20 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при ти < 7 мкс,
/= 100 Гц, W = 25 Ом................................ 6 кВт
Рассеиваемая мощность при температуре от 213 до
298 К............................................... 3 Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 358 К........................................От 50 до
200 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
358 К...............................................От 0,1 до
1,5 А
Постоянный обратный ток при = 200 В.................150 мкА
Температура окружающей среды........................От 213 до
358 К
Температура перехода................................ 398 К
Примечания: 1. При включении диода в линию с волновым
сопротивлением, отличным от 25 Ом, допустимая импульсная падающая
СВЧ мощность определяется по формуле
Тпд, и, макс (^) —	Л1Д, и, макс 
2. Крепление диодов производится за металлический цилиндри-
ческий держатель.
467
Зависимость прямою сопротивле-
ния потерь от постоянного пря-
мого тока.
Зависимость прямого сопротив-
ления потерь от непрерывной
падающей СВЧ мощности.
Зависимость прямого сопротив-
ления потерь от температуры.
Зависимость прямого сопротив-
ления потерь от постоянного
прямого юка.
Зависимость обратного сопро-
тивления потерь от постоянно-
го обратного напряжения.
468
Зависимость обратного сопро-
тивления потерь от темпера-
туры.
Зависимость обратного сопро-
тивления потерь от импульсной
падающей СВЧ мощности.
Зависимость обратного сопро-
тивления потерь от импульсной
падающей СВЧ мощности.
Зависимость обратного сопро-
тивления потерь от длины
волны.
2А522А-2
Диод кремниевый меза-
эпитаксиальный. Предназначен
для применения в ограничи-
тельных. устройствах сантимет-
рового и дециметрового диапа-
зонов в герметизированной ап-
паратуре.
Бескорпусной с гибкими
выводами на кристаллодержате-
ле. Тип диода указывается на
этикетке.
Масса диода не более 4 мг.
Электрические параметры
Дифференциальное сопротивление при /пр = 100 мА, не
более.............................................1,8 Ом
Общая емкость диода при Г[)6р = 0....................От	0,35 до
0,75 пФ
Прямое сопротивление потерь диода при низком значении
СВЧ мощности,/= 4,28 ГГц. не более:
при 213 и 298 К.................................. 12	Ом
при 398 К....................................... 17	Ом
Постоянное обратное напряжение при = 100 мкА,
не более............................................ 70	В
Накопленный заряд при 7пр = 50 мА, не более ...	10 нКл
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре осно-
вания диода:
от 213 до 358 К................................... 5 В
при 398 К............................................ ЗВ
Постоянный прямой ток при температуре основания
диода:
от 213 до 358 К...................................100 мА
при 398 К.........................................50 мА
Рассеиваемая мощность при температуре основания диода:
от 213 до 308 К.......................................0,3 Вт
при 398 К.........................................0,08 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при ти < 1 мкс,
/< 1 кГц и температуре основания диода:
от 213 до 308 К................................... 40 Вт
при 398 К......................................... 8 Вт
Температура окружающей среды............................От	213 до
398 К
Зависимость постоянного обратно-
го напряжения от температур:-!
основания диода.
470
Зависимость постоянного пря- Зависимость рассеиваемой мощ-
мого тока от температуры ос- ности от температуры основа-
нования диода.	ния диода.
Зависимость импульсной рас-	Зависимость импульсной рас-
сеиваемой мощности от темпе-	свиваемой мощности от дли-
ратуры основания диода.	тельности импульса.
2А523А-4, 2А523Б-4
Диоды кремниевые диффузионные с p-i-n структурой. Предназна-
чены для работы в переключающих устройствах сантиметрового
и дециметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с жесткими выводами на кристаллодержателе с за-
щитным покрытием. Тип диода указывается на таре. Диод 2А523А-4
маркируется одной черной точкой у
2А523Б-4 — двумя черными точками.
Масса диода не более 0,15 г.
положительного электрода,
+ ЪыЬод 1
— I йыйод 2
471
г
I
Электрические параметры
Критическая частота при Рпд < 30 мВт, X = 10 см,
/пр = 50 мА, 6'обр = 10 В, не менее:
при 298 К.......................................... 200	ГГц
при 213 и 398 К....................................170	ГГц
Прямое сопро1ивление потерь при Р„и < 30 мВт, X =
= 10 см, /пр = 50 мА, не более.........................0,5	Ом
Общая емкость диода при t/oSp = 100 В. f = 10 ~ 30 МГц:
2А523А-4...................  .	. ......................От	0,9 до
1,5 пФ
2А523Б-4............................................От	1,0 до
2.0 пФ
Накопленный заряд при /пр = 50 мА, Собр = 100 В, не
более................................................. 220	пКл
Пробивное напряжение при /обр < 30 мкА, не менее:
2А523А-4 ............................................. 500	В
2А523Б-4 ......................................... 600	В
Тепловое сопротивление.................................4,5	К/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 398 К.......................................... 200	В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
398 К................................................. 300	мА
Рассеиваемая мощность при температуре на держателе
Диода:
от 213 до 298 К...................................... 20	Вт
при 398 К........................................... 7	Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при ти = 300 мкс,
скважности 5 и температуре иа держателе диода 298 К 100 Вт
Температура окружающей среды............................От	213 до
398 К
Примечания: 1. Допускается применять диоды при постоянных
обратных напряжениях меньше 40 В и амплитуде напряжения СВЧ
ие более 20 В.
2. Допустимая амплитуда СВЧ
напряжения иа диоде Uce4 опре-
деляется по формуле
Нсвч ^проб ^"обр-
Зависимость прямого сопротивле-
ния потерь от постоянного пря-
мого тока.
472
тивления по 1ерь в параллель- ряда от постоянного прямого
Зависимость теплового сопро- Зависимость рассеиваемой мощ-
тивления от длительности им-	ности от температуры,
пульса.
2А524А-4, 2А524 Б-4
Диоды кремниевые диффузионные с p-i-n структурой. Предназ-
начены для применения в переключающих устройствах, модуляторах,
фазовращателях, аттенюаторах и других устройствах сантиметрового
и дециметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные на кристаллодержателе с жесткими выводами с за-
щитным покрытием. Тип диода указывается на таре. Диод 2А524А-4
маркируется одной красной точкой у положительного электрода,
2А524Б-4 - двумя красными точками.
Масса диода не более 0,15 г.
Вывод ?
Вывод I
473
Электрические параметры
Критическая частота при Раз < 30 mBi, /||р = 150 мА,
Сорр — 30 В, не менее:
при 213 и 298 К..................................... 200	ГГц
при 398 К..........................................160	ГГп
Прямое сопротивление потерь при Р1и < 30 мВт. /нр =
= 150 мА, не более.....................................0,5	Ом
Общая емкость диода при С;обр = 100 В, / = 10 -? 30 МГн:
2А524А-4............................'...................От	0,7 до
1.2 пФ
2А524Б-4..........................................От	0,5 до
0,8 пФ
Накопленный заряд при /пр — 150 мА. С’о5р = 100 В.
не более.............................................. 400	нКл
Пробивное напряжение при /о5р = 100 мкА, не менее:
2А524А-4 ...................................... 400	В
2А524Б-4 .................................... 300	В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при .температуре от
213 до 398 К....................................От 30 до
100 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
398 К............................................ 500 мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 358 К.................................. 1,5 Вт
при 398 К..................................... 1,0 Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность при Собр = 100 В,
температуре от 213 до 358 К в параллельной схеме
с W = 50 Ом...................................... 3 кВт
Температура окружающей среды......................От 213 до
398 К
Примечание. При включении диода в линию с волновым
сопротивлением, отличным от 50 Ом, максимально допустимая им-
пульсная падающая СВЧ мощность определяется по формуле
50
__Р
,,z 1 пд. и, макс •
W
Зависимость обратного сопро-
тивления потерь в параллель-
ной схеме от посюянного об-
ратного напряжения на низком
уровне мощности.
474
Зависимость накопленного за-
ряда от постоянного прямого
тока.
Зависимость прямого сопротив-
ления потерь от постоянного
прямого тока иа низком уровне
мощности.
Зависимость обратного сопротивления потерь от импульсной падаю-
щей СВЧ мощности.
Зависи?иость импульсной падаю-
щей СВЧ мощности от темпе-
Зависпмость рассеиваемой мощ-
ности от температуры.
ратуры.
475
Зависимость импульсной падаю-
щей СВЧ мощности от обрат-
ного напряжения.
10.5. УМНОЖИТЕЛЬНЫЕ И НАСТРОЕЧНЫЕ ДИОДЫ
Д501
Диод кремниевый точечный. Предназначен для работы в умно-
жителях частоты дециметрового диапазона.
Выпускается в металлокерамическом корпусе. Тип диода и схема
соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 3,5 г.
Электрические параметры
Мощность 8-й гармоники на X, = 25,6 см, гпос = 100 Ом,
не менее:
при 298 К (Р1Ш = 130 мВт)......................... 300	мкВт
при 373 К (.P,^ = 100 мВт)......................'.	100 мкВт
при 213 К (P,^ =130 мВт)...........................100	мкВт
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре
от 213 до 373 К........................................100	мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковремен-
ном воздействии (не более 30 мин) при температуре
от 213 до 373 К......................................  200	мВт
Температура окружающей среды............................От	213 до
373 К
476
Зависимость мощности 8-й
гармоники от непрерывной
падающей СВЧ мощности.
Зависимость мощности 8-й
гармоники от температуры.
2А601А
Диод кремниевый точечный. Предназначен для работы в умножи-
телях частоты.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса диода не более 3,5 г.
Электрические параметры
Мощность 3-й гармоники при Р:1, мВт,/= 2940 МГц.
гпос = 300 Ом, не менее:
при 298 К......................................... 7 мВт
при 213 и 373 К................................. 5 мВт
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре
от 213 до 373 ................. ....................75 мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковре-
менном воздействии (не более 30 мин) при темпе-
ратуре от 213 до 373 К..............................150 мВт
Температура окружающей среды........................От 213
до 373 К
477
Зависимость мощности
3-й гармоники от непре-
рывной падающей СВЧ
мощности.
Зависимость мощности
3-й гармоники от темпе-
ратуры.
2А602А, 2А602Б, 2А602В, 2А602Г, 2А602Д, КА602А,
КА602Б, КА602В, КА602Г, КА602Д
Диоды кремниевые планарно-эпитаксиальные. Предназначены для
работы в умножителях частоты.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе.
Масса диода не более 2,5 г.
Электрические параметры
Предельная частота при = 6 и 9 В, не менее:
при /= 3 ГГц
2А602А, КА602А......................................15 ГГц
2А602Б, КА6О2Б................................25 ГГц
2А602В, КА602В................................35 ГГц
при / = 5 ГГц
2А602Г, КА602Г...................................50 ГГц
2А602Д, КА602Д................................60 ГГц
Общая емкость диода при (7^ = 6 В. f= 10 МГц:
2А602А, КА602А......................................От 4,7
до 8,7 пФ
2А602Б, КА602Б.................................От 2,7
до 4,7 пФ
2А602В, КА602В.................................От 1,7
до 2,7 пФ
478
2А602Г, КА602Г.....................................От	1,2
до 1,7 пФ
2А602Д, КА602Д.....................................От	1,0
до 1,3 пФ
Пробивное напряжение при 7о6р — 100 мкА при темпе-
ратуре от 213 до 373 К, не менее:
2А602А, 2А602Б,	КА602А,	КА602Б.................... 60	В
2А602В, 2А602Г,	КА602В,	КА602Г ....	45	В
2А6О2Д, КА602Д.................................... 30	В
Емкость корпуса..........................................От	0,5
до 0,7 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре корпуса:
от 213 до 333 К
2А602А, КА602А.................................  2,5	Вт
2А602Б, КА602Б................................... С5	Вт
2А602В, КА602В.................................. 1,0	Вт
2А602Г, КА602Г...................................0,7	Вт
2А602Д, КА602Д...................................0,5	Вт
при 373 К
2А602А, КА602А.................................. 1,0	Вт
2А602Б, КА602Б...................................0,6	Вт
2А602В, КА602В...................................0,4	Вт
2А602Г, КА602Г...................................0,3	Вт
2А602Д, КА602Д...................................0,2	Вт
Пробивное напряжение при температуре корпуса от
213 до 373 К:
2А602А, 2А602Б, КА602А, КА602Б................... 60	В
2А602В, 2А602Г, КА602В, КА602Г................... 45	В
2А602Д, КА602Д................................... 30	В
Температура окружающей среды............................От	213
до 373 К
Зависимость непрерывной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от тем-
пературы корпуса.
479
213 г S3 193 333 373 к
пФ
15
12
9
6
3
О 6	12	13	24	8
Зависимость предельной часто-
ты от температуры корпуса.
Зависимость общей емкости
диода от напряжения.
3A603A, ЗА6ОЗБ, 3A603B, ЗА6ОЗГ, АА603А, АА603Б,
АА603В, АА603Г
Диоды арсенид-галлиевые
эпитаксиальные. Предназначены
для работы в умножителях час-
тоты в диапазоне волн 3 см.
Выпускаются в металлокера-
мическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на
корпусе.
Масса диода не более 0,65 г.
Электрические параметры
Предельная частота при /= 2300 ± 400 МГц, не менее:
3A603A,	АА6ОЗА.................................100	ГГц
ЗА6ОЗБ,	АА6ОЗБ.................................150	ГГц
ЗА6ОЗВ,	АА6ОЗВ................................ 200	ГГц
ЗА6ОЗГ,	АА603Г................................ 250	ГГц
Постоянное обратное напряжение при /о<-,р = 50 мкА, нс
менее:
прн 298 К
3A603A,	ЗА6ОЗБ,	АА6ОЗА,	АА603Б............... 20	В
ЗА6ОЗВ,	АА603В................................ 10	В
ЗА6ОЗГ,	АА603Г...............................  15	В
при 213 и 358 К
ЗА6ОЗА,	ЗА6ОЗБ,	АА6ОЗА,	АА603Б............... 15	В
3A603B,	АА6ОЗВ................................. 7	В
ЗА6ОЗГ,	АА6ОЗГ................................ 10	В
480
Общая емкость диода при f/06P = 0, f= 30 МГц:
ЗА6ОЗА, АА603А.........................................От	0,5
до 1,5 пФ
ЗА6ОЗБ, ЗА6ОЗВ, ЗА6ОЗГ, АА603Б, АА603В.
АА603Г..................................................От	0,5
до 1.2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 358 К:
ЗА6ОЗА, ЗА6ОЗБ, АА6ОЗА.	АА603Б.................0,4	Вт
ЗА6ОЗВ, АА603В...................................0,16	Вт
ЗА6ОЗГ, АА603Г...................................о’25	Вт
Постоянное обратное напряжение:
при 298 К
3A603A, ЗА6ОЗБ.	АА603А, АА603Б.................. 20	В
ЗА6ОЗВ, АА603В.................................... 10	В
ЗА6ОЗГ, АА603Г.................................... 15	В
при 213 н 358 К
3A603A, ЗА6ОЗБ,	АА603А, АА603Б.................... 15	В
3A603B, АА603В..................................... 7	В
ЗА6ОЗГ, АА603Г.................................... 10	В
Температура окружающей	среды..........................От	213
до 358 К
Зависимость общей ем-
кости диода от напря-
жения.
2А604А, 2А604Б
Диоды кремниевые мезаэпи-
гаксиальпые. Предназначены для
работы в умножителях частоты в
диапазоне волн 3 см.
Выпускаются в металлокера-
мическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается
на групповой таре. Диоды марки-
руются белой точкой на керами-
ческой втулке.
Масса диода 2А604А нс более
0,3 г, 2А604Б не более 2,5 г.
16 под ред Н Н Горюнова
481
Электрические параметры
Предельная частота при Сойр = 6 и 9 В, /=5 ГГц,
РП[ = 3 мВт:
2А604А......................................100-180* ГГц
2А604Б.................................... 80-140* ГГц
Общая емкость диода при Спйр = 6 В, /= 10 МГц:
2А604А.................................................От	0.8
до 1,1 пФ
2А604Б............................................. От	1
до 1,3 пФ
Пробивное напряжение при /о6р=10 мкА, не менее:
при 298 и 398 К....................................... 35	В
при 213 К.......................................... 30	В
Время восстановления обратного сопротивления при
/,,р = 10 мА, Сойр = Ю В, не более.................... 0,3	нс
Эффективное время жизни неосновных носителей заряда
при /|1р = 10 мА, Собр = Ю В, не менее................. 10	нс
Емкость корпуса:
2А604А.................................................От	0,35
до 0,45 пФ
2А604Б..............................................От	0,6
до 0,7 пФ
Индуктивность диода при /пр = 100 мА, f= 1.5 ГГц:
2А604А.................................................От	0.45
до 0,65 нГн
2А604Б..............................................От	1,6
до 1.8 нГн
Предельные эксплуатационные данные
рассеиваемая СВЧ мощность в течение
Непрерывная
10 000 ч при температуре корпуса:
от 213 до 343 К..................................
при 398 К ......................................
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность в течение
3000 ч при !емпературе корпуса:
от 213 до 343К . . .
при 398 К . . . .
Температура окружаю-
щей среды..............
0,5 Вт
0,15 Вт
1 Вт
0,3 Вт
От 213
до 398 К
Зависимость непрерывной рассеи-
ваемой СВЧ мощности от темпе-
ратуры корпуса.
482
Зависимость предельной часто-
ты от температуры корпуса.
Зависимость общей емкости
диода от напряжения.
2А605А, 2А605Б
Диоды кремниевые мезаэпитаксиальные. Предназначены для ра-
боты в умножителях частоты в диапазоне волн 3 см.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются
цветным кодом: 2А605А - черной точкой, 2А605Б - красной точкой.
Положительный вывод диода — со стороны крышки.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрические параметры
Предельная частота при {/ogp = 6 В, не менее:
2А605А при /= 5 ГГц'.........................100 ГГц
2А605Б при /=7,5 ГГц..........................130 ГГц
Общая емкость диода при С'обр = 6 В, /= 10 МГц:
2А605А.............................................От 0,85
до 1,45 пФ
2А605Б........................................От 0,55
до 0,95 пФ
Постоянный обратный ток при Crogp = 30 В и темпе-
ратуре от 213 до 398 К, не более...................100 мкА
Емкость корпуса....................................От 0,2
до 0,3 пФ
Индуктивность диода, не более......................0,7 нГн
16*
483
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпе-
ратуре корпуса:
от 213 до ЗЗЗК
2А605А........................................ 1 Вт
2А605Б.......................................0.7 В1
при 373 К
2А605А.......................................... 0.4	Вт
2А605Б..........................................0.3	В г
при 398 К
2А605А..........................................0,07	Bi
2Л605Б.........................................0,06	Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре кор-
пуса от 213 до 398 К.................................. 30	В
Температура окружающей среды.......................От 213
до 398 К
Температура перехода............................... 398 К
Зависимость непрерывной рассеи-
ваемой СВЧ мощности от тем-
пературы корпуса.
Зависимость предельной часто-
ты от температуры корпуса.
Зависимость емкости структу-
ры от напряжения.
484
КА606А, КА606Б
Диоды кремниевые мезаэпи-
гаксиальные. Предназначены для
работы в умножителях частоты
сантиметрового и дециметрово-
го диапазонов в герметизирован-
ной аппаратуре.
Бескорпусные с гибкими
выводами с защитным покры-
тием. Тип диола указывается
на иикегке. Диоды маркируют-
ся цветной точкой; КА 606А —
черной у отрицательною вы-
вода. КА606Б — зеленой у от-
рицательною вывода.
Масса диода не более 0.03 г.
Электрические параметры
Общая емкость диода при б',,,-.р = 6 В, /= 10 МГц:
КА606А...............................................От 0,5
до 1.2 пФ
КА606Б.........................................От 0,3
до 0,7 пФ
Дифференциальное сопротивление при /пр = 100 мА, f —
5 кГц, не более:
КА606А...........................................1,5 Ом
КА606Б......................................... 1,0 Ом
Постоянный обратный ток при Собр = 30 В, не более,
при температуре:
от 213 до 333 К..................................100	мкА
при 398 К........................................ 200	мкА
Предельная частота*, не менее:
КА606А.........................................100	ГГц
КА606Б.........................................130	ГГц
Контактная разность потенциалов*..................... 0,6 В
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре держателя:
от 213 до 333 К
КА606А..........................................0.8	Вт
КА606Б..........................................0,6	Вт
от 333 до 398 К
КА606А.........................................0.25	Вт
КА606Б.........................................0,15	Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 398 К..................................... 30 В
Температура окружающей среды.......................От 213
до 398 К
485
Зависимость непрерывной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
температуры держателя.
Зависимость общей ем-
кости диода от напря-
жения.
ЗА607А
Диод аргенид-галлиевый эпитаксиальный. Предназначен для ра-
боты в умножителях частоты в диапазоне волн 2 см.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на корпусе.
Масса диода не более 0,65 г.
Предельная частота при /= 2300 + 400 МГц, ие
менее................................................100	ГГц
Постоянное обратное напряжение при /адр = 100 мкА,
не менее:
при 298 К............................................ 30	В
при 213 и 358 К.................................. 20	В
Общая емкость диода при £/обр = 6 В, / = 30 МГц ... От 0,8
до 1,9 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение:
при 298 К........................................... 30	В
при 213 и 358 К.................................. 20	В
Выпрямленный ток в режиме умножения................... 5	мА
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре корпуса от 213 до 358 К.......................... I	Вт
Температура окружающей среды..........................От	213
до 358 К
486
Зависимость постоянного обрат-
ного напряжения от темпера-
туры.
2А608, КА608
Диод кремниевый эпитаксиальный. Предназначен для работы
в умножителях частоты в диапазоне волн 3 см. На частотах
6 — 7 ггц диод позволяет получить Рсвч = 1,5 Вт в режиме умноже-
ния на 4.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип днода указывается на этикетке. Положительный вы-
вод со стороны крышки.
Масса диода не более 0,3 г.
Электрические параметры
Предельная частота при f/обр = 6 В, /= 2000 МГц, не
менее...............................................60 ГГц
Общая емкость диода при С/обр = 6 В,/ = 1 4- 30 МГц . . , От 1,25
до 3,5 пФ
Постоянный обратный ток, не более:
при 298 К, t/дбр = 45 В...............................[00 мкА
при 213 и 398 К, С.'обр = 30 В для 2А608 .... 100 мкА
Емкость корпуса, не более.............................0.45 пФ
Индуктивность диода при /пр = 30 мА,/ = 3000 + 500 МГц,
не более..............................................1,5 нГн
Тепловое сопротивление *, не более....................24 К/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре корпуса:
от 213 до 358 К......................................... 4	Вт
при 398 К............................................. 1	Вт
487
Постоянное обратное напряжение:
при 298 К........................................... 45	В
прн 213 и 398 К................................... 30	В
Выпрямленный ток в режиме умножения.................. 5	мА
Температура окружающей среды.........................От	213
до 398 К
213 253 293 333 373 413 К
Зависимость непрерывной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
температуры корпуса.
Зависимость постоянного обрат-
ного напряжения ог 1емпера-
туры.
Зависимое th общей емкости
диода от напряжения.
2А609А, 2А609Б
Диоды кремниевые мезаэпитаксиальные. Предназначены для ра-
боты в умножителях частоты сантиметрового диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются
цветным кодом: 2А609А — поперечной черной полоской на керами-
ческой втулке. 2А609Б — красной полоской.
Масса диода не более 0,2 г.
488
Электрические параметры
Предельная частота при С'обр = 6 В, /=5 ГГц . . . От 150
до 370 * ГГц
Общая емкость диода при |ГГг!-1р = 6 В. / = 10 МГц:
2А609А................................................От 1.1
до 1.8 пФ
2А609Б..........................................От 0.8
до 1.3 пФ
Постоянный обратный ток при Гобр = 40 В, не более:
при 213 и 298 К.......................................100 мкА
при 398 К.........................................1000 мкА
Время выключения при /пр = 5 мА, Собр и = 10 В , . . От 0,1 *
до 0,25 нс
Эффективное время жизни неосновных носителей заряда
при /пр = 10 мА, Сойр,„ = 10 В:
2А609А................................................... Oi	30
до 72 * нс
2А609Б, не	более................................. 25	нс
Емкость корпуса..........................................От	0.2
до 0.3 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпе-
ратуре корпуса:
от 213 до 343 К
2А609А................................................... 2	Вт
2А609Б............................................. 1	Вт
нри 398 К
2А609А...............................................0,4	Вт
2А609Б.............................................0,3	Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре кор-
пуса:
от 213 до 348 К....................................... 40 В
от 348 до 398 К................................... 30 В
Температура окружающей среды...................От	213 до 398 К
Температура перехода.................................. 428 К
Зависимость емкости структуры от
напряжения.
213 253 293 333 313 К
Зависимость предельной
частоты от температуры
корпуса.
489
Зависимость непрерывной рас-
сеиваемой СВЧ мощности от
температуры корпуса.
2А611А, 2А611Б, КА611А, КА611Б
Варикапы кремниевые мезаэпитаксиальные диффузионные. Пред-
назначены для работы в устройствах перестройки частоты или
фазы в сантиметровом диапазоне.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе. Тип диода ука-
зывается на групповой таре. Положительный вывод — со стороны
крышки.
Масса диода не более 0,1 г.
Электрические параметры
Постоянное обратное напряжение при 7о6р=10 мкА,
не менее:
при 298 и 398 К................................. 50 В
при 213 К....................................... 40 В
Общая емкость диода при С'ойр = 6 В. f= 1,0 ГГц:
2А611А, КА611А......................................От 3,1
до 4,7 пФ
2А611Б, КА611Б..................................От 1,4
до 2,2 пФ
Коэффициент перекрытия по емкости при U^p = 0 и
50 В:
2А611А, КА611А...................................... От 6
до 7*
2А611Б, КА611Б................................... От 5
до 5,5*
Добротность днода при С7обр = 6 В, f= 1 ГГц:
2А611А, КА611А...................................... От 30
до 45 *
2А611Б, КА6НБ................................... От 45
до 65 *
490
Емкость корпуса при /= 1 ГГц ...	..........От ojg
до 0,25 пФ
Индуктивность диода при/„р = 30 ± 10мА,/= 3 + 0,5 ГГц,
не более............................................ 1 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпе-
ратуре от 213 до 398 К.............................ЮО	мВт
Постоянное обратное напряжение при температуре:
от 283 до 398 К...................................... 50	В
при 213 К......................................... 40	В
Выпрямленный ток......................................30	мА
Температура окружающей среды..........................От	213
до 398 К
Зависимость общей емкости
диода от напряжения.
Зависимость добротности от
постоянного обратного напря-
жения.
Зависимость температурного
коэффициента емкости от по-
стоянного обратного напряже-
ния.
2А613А, 2А613Б
Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для работы
в умножителях частоты метрового и дециметрового диапазонов.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются
цветным кодом: 2А613А — синей точкой, 2А61 ЗБ — красной точкой.
Положительный вывод со стороны крышки.
Масса диода не более 2 г.
491
Электрические параметры
Предельная частота при С'ойр = 6 В, f = 2000 МГц:
2А613А............................................. От 10
до 40* ГГц
2А613Б....................................... От 25
до 60* ГГц
Общая емкость диода при С-'обР = 6 В, /= I н-30 МГц:
2А613А................................................. От	4
до 8	пФ
2А613Б........................................... От	3
до 5	пФ
Постоянный обратный ток при (7ойр = 80 В для 2А613А
и 70 В для 2А613Б, не более:
при 298 К........................................10 мкА
при 213 и 398 К................................100 мкА
Емкость корпуса, не более..........................0,85 пФ
Индуктивность диода при /пр = 30 мА. /= 3000 МГц,
не более........................................... 5 нГн
Время выключения при /пр = 5 мА, 17о6р =10 В, не
более ............................................. 3 * нс
Эффективное время жизни неосновных носителей при
/нр = 5 мА, С'обр = 10 В, ие более.................50* нс
Общее тепловое сопротивление, не более.............12 К/Вг
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера-
туре корпуса:
от 213 до 353 К
2А613А........................................... 10	Вт
2А613Б.......................................... 8	Вт
при 398 К
2А613А.......................................... 2.5	Вт
2А613Б.......................................... 2	Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 до 398 К:
2А613А............................................... 80	В
2А613Б......................................... 70	В
Температура окружающей	среды........................От	213
до 398 К
492
рассеиваемой СВЧ мощнос-
ти от температуры.
диода от напряжения.
10.6. ГЕНЕРАТОРНЫЕ ДИОДЫ
3A703A, ЗА7ОЗБ, АА703А, АА703Б
Диоды Ганна арсенид-таллиевые эпитаксиальные. Предназначе-
ны для работы в генераюрах сантиметрового диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается па корпусе. Отрицательный вывод —
со стороны крышки.
Масса диода не более 0,65 г.
Вывод:
Электрические параметры
Минимальная выходная непрерывная СВЧ мощность на
одной из частот диапазона 8.24—12.5 ГГц при по-
стоянном номинальном напряжении 8,5 В, не менее:
3A703A, АА703А..................................10	мВт
ЗА7ОЗБ, АА703Б..................................20	мВт
Постоянный рабочий ток при постоянном номинальном
напряжении 8,5 В, нс более:
при 298 К
3A703A, АА703А................................ 270	мА
ЗА7ОЗБ, АА7ОЗБ................................ 320	мА
при ЗЗЗК
3A703A, АА703А................................ 220	мА
ЗА7ОЗБ, АА703Б................................ 270	мА
493
при 213 К
ЗА7ОЗА, АА703А................................... 340	мА
ЗА7ОЗБ, АА7ОЗБ................................. 390	мА
Сопротивление диода при постоянном токе 10 мА ... От 3
до 20 Ом
Индуктивность диода, не более.........................1,7	нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение при температуре от 213 до
333 К................................................ 8,5	В
Температура окружающей среды...........................От	213
до 333 К
Примечания: 1. Схема и конструкция выводов цепи сме-
щения должна обеспечивать надежный отвод теплоты от поло-
жительного вывода диода, плавную подачу напряжения питания
на диод, предусматривать защитную цепь, предохраняющую диод от
выбросов напряжения.
2. Пайка выводов не допускается; следует применять цанговое
крепление диодов в резонаторе.
1,1
1,0
0,3
0,9
0,7
0,6
0,5
6,0 6,5 7,0 7,5 9,0 В
Зависимость выходной
мощности от напряжения
питания.
Зависимость частоты
генерируемых колебаний
от напряжения питания.
1А704А, 1А704Б, 1А704В
M,S
ffd/W 1
1-----L
!. 2.3
Вывод?
Диоды германиевые планарно-
диффузионные лавинно-пролетные.
Предназначены для работы в гене-
раторах в диапазоне частот 6 —
10 ГГц.
Выпускаются в металлокера-
мическом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на
групповой таре.
Масса диода не более 0,7 г.
494
Электрические параметры
Минимальная выходная непрерывная СВЧ мощность
при рабочем токе от 15 до 50 мА, не менее:
при 298 К
1А704А	(/= 6 -г 6,7	ГГц)....................10	мВт
1А704Б	«= 6,7 -г 8,3	ГГц)....................30	мВт
1А7О4В	«= 8,3 + 10	ГГц)....................20	мВт
при 343 К
1А704А.......................................... 6	мВт
1А704Б.......................................18	мВт
1А704В.......................................12	мВт
Обратное напряжение при рабочем токе от 10 до 15 мА,
температуре 298 и 213 К, не более................... 60 В
Общая емкость диода*................................От 0,75
до 1,07 пФ
Емкость корпуса*....................................От 0,23
до 0,29 пФ
Индуктивность диода*................................От 0,82
до 1,02 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Рабочий ток при температуре корпуса 353 К и кратко-
временном воздействии (ие более 100 ч)............0 77 у
Рабочий ток при температуре 298 К и кратковремен-
ном воздействии (не более 2 ч)........................ 1,4	Z
Температура окружающей среды...........................От	213
до 333 К
Примечания: 1. Рабочий ток /р указывается в паспорте на
диод.
2.	Источник питания диода должен быть стабилизированным
источником тока с внутренним сопротивлением более 2 кОм и
емкостью менее 10 пФ. Напряжение на зажимах источника тока
при разрыве цепи питания диода не должно превышать более
чем на 15 В напряжения при замкнутой цепи питания и уста-
новлении на диоде рабочего режима. Пределы регулирования
тока источника от 15 до 50 мА. Максимальный ток диода с уче-
том выбросов не должен превышать 1,2/р (для 1А704А, 1А704Б)
и 1,4/р (для 1А704В). В этом режиме допускается работа диода
не более 3 мин.
3.	Не допускается проверка годности диодов с помощью при-
бора, который может задавать прямой ток более 50 мА.
4.	Допускается работа диода в импульсном режиме при токе
в импульсе [и < Гр любой длительности и скважности.
5.	Допускается работа диодов 1А704В в диапазоне частот
6 — 8,3 ГГц, 1А704Б в диапазоне 6-6,7 ГГц.
495
Зависимость выходной мощ-
ное г и от постоянного рабо-
Зависнмость выходной мощ-
ности от частоты.
чего тока.
ЗА705А, ЗА705Б, АА705А, АА705Б
вывод 1
вывод I
Диоды Ганна арсенид-галлиевые эпитаксиальные. Предназначены
для работы в генераторах сантиметрового диапазона.
Выпускаются в металлоке-
рамическом корпусе с жестки-
ми выводами. Тип диода ука-
зывается на корпусе. Отрица-
тельный вывод — со стороны
крышки.
Масса диода не
лее 0.65 г.
бо-
Электрические параметры
Минимальная выходная непрерывная СВЧ мощность на
одной из частот диапазона 5,2 —8,2 ГГц при Сном =
= 10 В, не менее:
ЗА705А, АА705А..................................20	мВт
ЗА705Б, АА7О5Б..................................50	мВт
Постоянный рабочий ток при 1/ном =10 В, не более:
при 298 К
ЗА705А. АА705А................................ 280	мА
ЗА705Б, АА705Б................................ 300	мА
при 213 К
ЗА705А, АА7О5А................................ 350	мА
ЗА705Б, АА705Б................................ 370	мА
при 333 К
ЗА705А, АА705А................................ 230	мА
ЗА705Б. АА705Б................................ 250	мА
Сопро|ивление диода при постоянном токе 10 мА ... Oi 3
до 15 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение при темпера iype oi 213 до
333 К................................................ 10	В
496
Рассеиваемая мощность:
при 213 К
ЗА7О5А, АА705А................................... 3,5	Вт
ЗА7О5Б, АА705Б................................... 3.7	Вт
при 298 К
ЗА7О5А, АА7О5А....................................2,8	Вт
ЗА7О5Б, АА705Б.................................... 3	Вт
при 333 К
ЗА705А, АЛ705А................................ 2,3 Вт
ЗА7О5Б, АА705Б................................2,5 Вг
Зависимость выходной мош-
iioci и от напряжения пи-
тания.
Зависимое 1ь частоты гене-
рируемых колебаний от на-
пряжения питания.
2А706А, 2А706Б, 2А706В, 2А706Г
Диоды кремниевые мезадиффузионныс
назначены для работы в leireparopax и
волн 3 см в непрерывном режиме.
Выпускаются в металлокерами-
ческом корпусе с жесткими вы-
водами. Тип диода указывается на
таре. Диоды маркируются цветной
точкой: 2А706А — красной на торце
отрицательно! о вывода, 2А706Б —
синей, 2А706В - белой. 2А706Г —
черной.
Масса диода не более 0.2 I.
лавинно-пролетные. Пред-
усилителях в диапазоне
Электрические параметры
Минимальная выходная непрерывная СВЧ мощность при
рабочем токе, указанном на индивидуальной таре, в
заданной полосе частот, не менее:
2А706А. 2А706Б.....................................ЮО	мВт
2А706В, 2А706Г..................................'	50 мВт
497
Рабочий диапазон частот:
2А706А, 2А706В........................ От	8,5 до 10 ГГц
2А706Б, 2А706Г.........................От	10 до 11,5 ГГц
Пробивное напряжение при токе 5 мА и
температуре от 213 до 343 К , . . . От 60 до 120 В
Общая емкость диода при пробивном на-
пряжении *.............................. От	0,4	до	0,6	пФ
Емкость корпуса *......................... От	0,2	до	0,6	пФ
Индуктивность корпуса*.................... От	0,2	до	0,5	нГн
Тепловое сопротивление переход — корпус *...........От 25 до
50 К/Вт
Коэффициент полезного действия *....................От 3,5
ДО 6%
Рабочий ток диода *................................. От 30
до 60 мА
Рабочее напряжение *.............................  .	От 70
до 120 В
Спектральная плотность шума в полосе 1 Гц на рас-
стоянии 1 кГц от несущей:
АМ-шумы...................................Около
130 дБ
ЧМ-шумы...................................Около
80 дБ
Предельные эксплуатационные данные
Рабочий ток при температуре корпуса:
от 213 до 298 К......................................Указывается
на индиви-
дуальной
Зависимость выходной мощ-
ности от постоянного рабо-
чего тока диода.
Зависимость выходной мощ-
ности от частоты.
498
Раздел одиннадцатый
СТАБИЛИТРОНЫ И СТАБИСТОРЫ
11.1. СТАБИЛИТРОНЫ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ
Д808, Д809, Д810, Д811, Д813
Стабилитроны кремниевые сплавные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами при-
водятся на корпусе.
Масса стабилитрона не более 1 г.
Электрические параметры
Разброс напряжения стабилизации при
/С1 = 5 мА:
при 298 К
Д808 ............................. От 7.0 до 8,5 В
Д809 ............................. От 8.0 до 9,5 В
Д810.............................. От 9,0 до 10,5 В
Д811.............................. От 10,0 до 12,0 В
Д813.............................. От 11,5 до 14,0 В
при 213 К
Д808	........................... От 6,0 до	8,5 В
Д809 ............................. От 7,0 до	9,5 В
Д810.............................. От 8,0 до	10,5 В
Д811	........................... От 9,0 до 12,0 В
Д813.............................. Ог 10.0 до 14,0 В
при 398 К
Д8О8.............................. От 7,0 до 9,5 В
Д809.............................. От 8,0	до 10,5	В
Д810.............................. От 9,0	до 11,5	В
Д811.............................. От 10,0	до 13,5	В
Д813.............................. От 11,5	до 15,5	В
Средний температурный коэффициент напря-
жения стабилизации при температуре от
303 до 398 К, не более:
Л8О8 ............................. 0,07 7JK
Д809	........................... 0,08 °/JK
Д810.............................. 0,09 %/К
Д8Н, Д813 ........................ 0,095 “//К
499
Временная нестабильность напряжения ста-
билизации ...................................... ±	1 °о
Уход напряжения стабилизации через 5 с
после включения, не более:
за первые 5 мин
Д808...................................... 170	мВ
Д809 .................................... 190	мВ
Д810..................................... 210	мВ
Д811..................................... 240	мВ
Д813 .	.	............................... 280	мВ
за последующие 10 мни...................... 20	мВ
Постоянное прямое напряжение при /пр =
— 50 мА, не более............................. 1	В
Постоянный обратный ток при 298 К. (7обр =
= 1 В, не более............................. 0,1	мкА
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К. 4, = I мА
Д808 ..................................... 12	Ом
Д809 ..................................... 18	Ом
Д810...................................... 25	Ом
Д811...................................... 30	Ом
Д813...................................... 35	Ом
при 298 К. 4. = 5 мА
Д808 ...................................... 6	Ом
Д809...................................... 10	Ом
Д810...................................... 12	Ом
Д811.............................. 15	Ом
Д813...................................... 18	Ом
нри 398 К. 4т = 5 мА
Д808 ............................. 15	Ом
Д809 ..................................... 18	Ом
Д810...................................... 25	Ом
Д811...................................... 30	Ом
Д813...................................... 35	Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный гок стабилизации........................ 3	мА
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 323 К
Д808 ............................................   33	.мА
Д809 ........................................... 29	мА
Д810............................................26	мА
Д811............................................ 23	мА
Д813............................................ 20	мА
при 398 К
Д808 .......................................... 8	мА
Д809 .......................................... 7,5	мА
Д810............................................6.5	мА
Д811............................................6,0	мА
Д813............................................5,0	мА
500
Постоянный прямой ток.................................50	мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 323 К..................................... 280	мВт
при 398 К..........................................  мВт
Температура окружающей среды..........................От	213
до 398 К
Зависимое; ь дифференциально-
го сопротивления от темпера-
туры.
Зависимость среднего темпера-
турного коэффициента напря-
жения стабилизации от тока.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
Зависимость среднего темпера-
турио! о коэффициента напря-
жения стабилизации от тока.
Д814А, Д814Б, Д814В, Д814Г, Д814Д
Стабилитроны кремниевые сплавные.
Выпускаются в мсталлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами при-
водятся на корпусе.
Масса стабилитрона не более 1 г.
501
г
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К,
/ст = 5 мА:
Д814А.......................................  8,0	В
Д814Б....................................... 9,0	В
Д814В.................................. 10,0 В
Д814Г.................................. 11,0 В
Д814Д.................................. 13,0 В
Разброс напряжения стабилизации /ст = 5 мА:
при 298 К
Д814А..................................От 7,0 до 8,5 В
Д814Б................................От 8,0 до 9,5 В
Д814В................................От 9.0 до 10,5 В
Д814Г...............................От 10.0 до 12,0 В
Д814Д...............................От 11,5 до 14,0 В
при 213 К
Д814А..................................От 6,0 до 8,5 В
Д814Б................................От 7,0	до 9,5	В
Д814В................................От 8,0	до 10,5	В
Д814Г................................От 9,0	до 12,0	В
Д814Д................................От 10,0	до 14,0	В
при 398 К
Д814А..................................От 7,0 до 9,5 В
Д814Б.................................От 8,0	до 10,5	В
Д814В.................................От 9,0	до 11,5	В
Д814Г................................От 10,0	до 13,5	В
Д814Д................................От 11,5	до 15,5	В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при
температуре от 303 до 398 К, не более:
Д814А.......................................... 0,07	%/К
Д814Б........................................ 0,08	%/К
Д814В........................................ 0,09	%/К
Д814Г, Д814Д................................ 0,095	%/К
Временная нестабильность напряжения стабилиза-
ции ............................................. ±	1 %
Постоянное прямое напряжение при 298 К, 7пр =
= 50 мА, не более................................. 1	В
Постоянный обратный ток при 298 К, С/о6р = 1 В,
не более........................................ 0,1	мкА
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К, 7СТ — 5 мА
Д814А......................................... 6	Ом
Д814Б...................................... 10	Ом
502
%
Д814В..............................
Д814Г..............................
Д814Д..............................
при 213 и 398 К, /ст = 5 мА
Д814А..............................
Д814Б..............................
Д814В..............................
Д814Г..............................
Д814Д..............................
при 298 К, 1„ = 1 мА
Д814А..............................
Д814Б..............................
Д814В..............................
Д814Г............ .................
Д814Д..............................
12 Ом
15 Ом
18 Ом
15 Ом
18 Ом
25 Ом
30 Ом
35 Ом
12 Ом
18 Ом
25 Ом
30 Ом
35 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации...................... 3 мд
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 308 К
Д814А.............................................40	мА
Д814Б.......................................36	мА
Д814В.......................................32	мА
Д814Г.......................................29	мА
Д814Д.......................................24	мА
при 398 К
Д814А........................................11,5 мА
Д814Б.......................................10,5	мА
Д814В.......................................9,5	мА
Д814Г.......................................8,3	мА
Д814Д.......................................7,2	мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К................................... 340 мВт
при 398 К.....................................100 мВт
Температура окружающей	среды....................От 213
до 398 К
Температура перехода.............................. 398 К
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
503
Зависимость среднего темпера-
турного коэффициента напряже-
ния стабилизации ог тока.
Зависимоегь дифференциально-
го сопротивления от темпера-
туры.
Зависимость максимальной рас-
сеиваемой мощности от 1емие-
ратуры.
Зависимость максимального то-
ка стабилизации от темпера-
туры.
Д815А, Д815АП, Д815Б, Д815БП, Д815В, Д815ВП,
Д815Г, Д815ГП, Д815Д, Д815ДП, Д815Е, Д815ЕП,
Д815Ж, Д815ЖП, Д816А, Д816АП, Д816Б, Д816БП,
Д816В, Д816ВП, Д816Г, Д816ГП, Д816Д, Д816ДП,
Д817А, Д817АП, Д817Б, Д817БП, Д817В, Д817ВП,
Д817Г, Д817ГП
Стабилитроны кремниевые диффузионные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выво-
дами. Тип диода указывается на корпусе. У стабилитронов, в обоз-
начении которых отсутствует буква П, корпус является отрица-
тельным электродом. У стабилитронов, имеющих в обозначении
букву П, полярность обратная.
Масса стабилитрона не более 6 г.
504
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К:
при /с[ ,|ОМ = 1000 мА
Д815Л, Д815АП................................ 5.6	В
Д815Б. Д815БГ1............................... 6.8	В
Д815В, Д815ВП................................ 8.2	В
при /ст иом 500 мА
Д815Г. Д815ГП................................. 10	В
Д815Д. Д815ДП................................. 12	В
Д815Е, Д815ЕП................................. 15	В
Д815Ж, Д815ЖП................................. 18	В
при /ст.ном =150 мА
Д816А, Д816АП..................................... 22	В
Д816Б, Д816БП.................................... 27	В
Д816В, Д816ВП................................... 33	В
Д816Г. Д816ГП.................................... 39	В
Д816Д, Д816ДП................................... 47	В
при /С1 ном = 50 мА
Д817А, Д817АП..................................... 56	В
Д817Б, Д817БП.................................... 68	В
Д817В, Д817ВП................................... 82	В
Д817Г, Д817ГП.................................. 100	В
Разброс напряжения стабилизации при 298
Л| ,воч 
Д815Л. Д815АП.......................
Д815Б, Д815БГ1......................
Д815В. Д815ВП.......................
Д815Г, Д815ГП.......................
Д815Д, Д815ДП.......................
Д815Е, Д815ЕП.......................
Д815Ж, Д815ЖП.......................
Д816А, Д816АП.......................
Д816Б. Д816БП.......................
Д816В. Д816ВП.......................
Д816Г. Д816ГП.......................
Д816Д. Д816ДП.......................
Д817А. Д817АП.......................
Д817Б, Д817БП.......................
Д817В, Д817ВП.......................
Д817Г, Д817ГП.......................
К.
- От 5.0	до 6.2 В
. От 6.1	до 7.5 В
. О г 7.4	до 9.1 В
. От 9.0	до 11,0 В
• От 10.8	до 13,3 В
• От 13.3	до 16,4 В
.О) 16,2	до 19.8 В
. От 19.6	до 24,2 В
. От 24.2	до 29,5 В
. От 29,5 до 36 В	
. От 35	до 43 В
. От 42,5	до 51,5 В
• От 50,5	до 61.5 В
. От 61	до 75 В
. От 74	до 90 В
. От 90	до 110 В
505
Средний температурный коэффициент напряжения
стабилизации при температуре от 213 до 398 К,
не более:
Д815А. Д815АП............................. 0,045	%/К
Д815Б. Д815БП............................. 0,050	%/К
Д815В, Д815ВП............................. 0,070	%/К
Д815Г. Д815ГП............................. 0,080	%/К
Д815Д, Д815ДП............................. 0,090	%/К
Д815Е, Д815ЕП............................. 0,100	%/К
Д815Ж, Д815ЖП.......................... 0,110 %/К
Д816А, Д816АП, Д816Б, Д816БП, Д816В,
Д816ВП. Д816Г. Д816ГП. Д816Д. Д816ДП. .	0,120%/К
Д817А, Д817АП, Д817Б, Д817БП, Д817В,
Д817ВП, Д817Г. Д817ГП. Д817Д, Д817ДП. .	0,140%/К
Временная нестабильность напряжения стабилиза-
ции, не более:
Д815А,	Д815АП,	Д815Б,	Д815БП,	Д815В,
Д815ВП,	Д815Г,	Д815ГП,	Д815Д,	Д815ДП,
Д815Е, Д815ЕП,	Д815Ж, Д815ЖП	....	4%
Д816А,	Д816АП,	Д816Б,	Д816БП,	Д816В,
Д816ВП,	Д816Г,	Д816ГП,	Д816Ж,
Д816ДП	.............................. 5%
Д817А,	Д817АП,	Д817Б,	Д817БП,	Д817В,
Д817ВП.	Д817Г,	Д817ГП...................... 6%
Постоянное прямое напряжение при 298 К, /пр =
= 500 мА, не более................................ 1,5	В
Постоянное обратное напряжение при 298 К,
/о6р = 50 мкА, не более:
Д816А, Д816АП................................ 15	В
Д816Б. Д816БП................................ 19	В
Д816В, Д816ВП................................ 23	В
Д816Г, Д816ГП................................ 27	В
Д816Д, Д816ДП................................ 33	В
Д817А, Д817АП................................ 39	В
Д817Б, Д817БП................................ 47	В
Д817В, Д817ВП................................ 57	В
Д817Г. Д817ГП................................ 70	В
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К, = /СТЛ1ОМ
Д815А, Д815АП............................... 0,6	Ом
Д815Б, Д815БП............................... 0,8	Ом
Д815В, Д815ВП............................... 1,0	Ом
Д815Г, Д815ГП............................... 1,8	Ом
Д815Д, Д815ДП............................... 2,0	Ом
Д815Е, Д815ЕП............................... 2,5	Ом
Д815Ж, Д815ЖП............................... 3,0	Ом
Д816А, Д816АП............................... 7,0	Ом
Д816Б, Д816БП............................... 8,0	Ом
Д816В, Д816ВП.............................. 10,0	Ом
Д816Г, Д816ГП.............................. 12,0	Ом
506
Д816Д, Д816ДП............................. 15,0	Ом
Д817А, Д817АП............................. 35,0	Ом
Д817Б, Д817БП............................. 40,0	Ом
Д817В, Д817ВП............................. 45,0	Ом
Д817Г, Д817ГП............................. 50,0	Ом
при 298 К, 7СТ = 50 мА
Д815А, Д815АП................................. 20	Ом
Д815Б, Д815БП............................... 15	Ом
Д815В, Д815ВП................................ 8	Ом
при 298 К, /ст = 25 мА
Д815Г, Д815ГП................................. 15	Ом
Д815Д, Д815ДП............................... 20	Ом
Д815Е, Д815ЕП............................... 25	Ом
Д815Ж, Д815ЖП............................... 30	Ом
при 298 К, 1„ = 10 мА
Д816А, Д816АП................................ 120	Ом
Д816Б, Д816БП, Д816В, Д816ВП, Д816Г,
Д816ГП, Д816Д, Д816ДП...................... 150	Ом
при 298 К, /ст = 5 мА
Д817А, Д817АП, Д817Б, Д817БП ....	200 Ом
Д817В, Д817ВП, Д817Г, Д817ГП............... 300	Ом
при 213 и 393 К, /ст = 50 мА
Д815А, Д815АП................................. 30	Ом
Д815Б, Д815БП............................... 20	Ом
Д815В, Д815ВП............................... 12	Ом
при 213 и 393 К, 7СТ = 25 мА
Д815Г, Д815ГП................................. 20	Ом
Д815Д, Д815ДП............................... 30	Ом
Д815Е, Д815ЕП............................... 40	Ом
Д815Ж, Д815ЖП................................ 50	Ом
при 213 и 393 К, /ст =10 мА:
Д816А, Д816АП................................. 150	Ом
Д816Б, Д816БП............................... 180	Ом
Д816В, Д816ВП.............................. 200	Ом
Д816Г, Д816ГП.............................. 250	Ом
Д816Д, Д816ДП.............................. 300	Ом
при 213 и 393 К, 7СТ = 5 мА
Д817А, Д817АП, Д817Б, Д817БП ....	400	Ом
Д817В, Д817ВП.............................. 600	Ом
Д817Г, Д817ГП.............................. 800	Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации:
Д815А,	Д815АП,	Д815Б,	Д815БП,	Д815В,
Д815ВП........................................50 мА
Д815Г, Д815ГП, Д815Д, Д815ДП, Д815Е, Д815ЕП,
Д815Ж, Д815ЖП.................................25 мА
Д816А, Д816АП, Д816Б, Д816БП, Д816В. Д816ВП,
507
Д816Г, Д816ГП, Д816Д, Д816ДП.................. 10 мА
Д817А. Д817АП, Д817Б, Д817БП, Д817В, Д817ВП,
Д817Г. Д817ГП................................. 5 мА
Максимальный ток стабилизации:
при Тк « 348 К
Д815А.	Д815АП..................................1400	мА
Д815Б,	Д815БП..................................1150	мА
Д815В.	Д815ВП.................................. 950	мА
Д815Г.	Д815ГП.................................. 800	мА
Д815Д.	Д815ДП................................. 650	мА
Д815Е.	Д815ЕП.................................. 550	мА
Д815Ж.	Д815ЖП................................. 450	мА
Д816А.	Д816АП................................. 230	мА
Д816Б,	Д816БП...................................180	мА
Д816В.	Д816ВП...................................150	мА
Д816Г.	Д816ГП...................................130	мА
Д816Д,	Д816ДП..................................ПО	мА
Д817А.	Д817АП.................................. 90	мА
Д817Б,	Д817БП...................................75	мА
Д817В.	Д817ВП...................................60	мА
Д817Г.	Д817ГП...................................50	мА
при Тк = 403 К
Д815А.	Д815АП.................................. 360	мА
Д815Б,	Д815БП................................. 300	мА
Д815В, Д815ВП................................... 250	мА
Д815Г, Д815ГП................................... 200	мА
Д815Д, Д815ДП....................................170	мА
Д815Е. Д815ЕП....................................135	мА
Д815Ж. Д815ЖП....................................110	мА
Д816А, Д816АП....................................90	мА
Д816Б, Д816БП....................................75	мА
Д816В. Д816ВП....................................60	мА
Д816Г. Д816ГП....................................55	мА
Д816Д, Д816ДП....................................45	мА
Д817А. Д817АП....................................35	мА
Д817Б. Д817БП....................................30	мА
Д817В. Д817ВП, Д817Г, Д817ГП.....................25	мА
Постоянный прямой ток.............................. 1 А
Перегрузка по току стабилизации в течение 1 с:
при Тк 348 К
Д815А,	Д815АП................................. 2800	мА
Д815Б.	Д815БП.................................. 2300	мА
Д815В,	Д815ВП.................................1900	мА
Д815Г.	Д815ГП..................................1600	мА
Д815Д.	Д815ДП................................. 1300	мА
Д815Е,	Д815ЕП.................................1100	мА
Д815Ж,	Д815ЖП................................. 900	мА
Д816А.	Д816АП................................. 460	мА
Д816Б.	Д816БП................................. 360	мА
Д816В,	Д816ВП................................. 300	мА
508
Д816Г, Д816ГП.................................
Д816Д, Д816ДП.................................
Д817А, Д817АП.................................
Д817Б. Д817БП.................................
Д817В. Д817ВП.................................
Д817Г. Д817ГП.................................
при = 403 К
Д815А. Д815АП.................................
Д815Б, Д815БП.................................
Д815В, Д815ВП.................................
Д815Г, Д815ГП.................................
Д815Д. Д815ДП.................................
Д815Е, Д815ЕП.................................
Д815Ж, Д815ЖП.................................
Д816А, Д816АП.................................
Д816Б, Д816БП.................................
Д816В. Д816ВП.................................
Д816Г, Д816ГП.................................
Д816Д, Д816ДП.................................
Д817А. Д817АП.................................
Д817Б, Д817БЛ.................................
Д817В, Д817ВП, Д817Г. Д817Г11.................
Рассеиваемая мощность:
260
220
180
150
120
100
мА
мА
мА
мА
мА
мА
720 мА
600 мА
500 мА
400 мА
340 мА
270 мА
220 мА
180 мА
150 мА
120 мА
НО мА
90 м А
70 мА
60 мА
50 мА
при Гк 348 К
Д815А. Д815АП, Д815Б, Д815БП, Д815В. Д815ВП
Д815Г, Д815ГП. Д815Д. Д815ДП, Д815Е. Д815ЕП
Д815Ж, Д815ЖП.............................
Д816А Д816АП, Д816Б, Д816БП, Д816В, Д816ВП
Д816Г, Д816ГП, Д816Д, Д816ДП, Д817А. Д817АП
Д817Б, Д817БП, Д817Г. Д817ГП..............
при Тк = 403 К.............................
Температура окружающей среды минимальная .
Температура перехода...........................
Температура корпуса............................
8 Вт
5 Вт
2 Вт
213 К
413 К
403 К
Зависимость дифференциаль-
ною сопротивления от тока.
509
2С124Д-1, 2С127Д-1, 2С130Д-1, 2С133Д-1, 2С136Д-1,
2С139Д-1, 2С143Д-1
1,6	_ 1,0
Стабилитроны кремниевые
планарные. Предназначены для
стабилизации напряжения в
герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с защитным
покрытием и гибкими выво-
дами. Тип прибора указывается
на ярлыке, помещаемом в
индивидуальную тару.
Масса стабилитрона не бо-
лее 0,01 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
303 Ki 1„ = 3 мА:
2С124Д-1.................................. 2,4	В
2С127Д-1.................................. 2,7	В
2С13ОД-1.................................. 3,0	В
2С133Д-1.................................. 3,3	В
2С136Д-1.................................. 3.6	В
2С139Д-1.................................. 3,9	В
2С143Д-1.................................. 4.3	В
Разброс напряжения стабилизации при /ст =
= 3 мА:
при 303 К
2С124Д-1........................... О г	2.2	до	2.6	В
2С127Д-1............................... От	2.5	до	2,9	В
2С130Д-1............................... От	2,8	до	3,2	В
2С133Д-1............................... От	3,1	до	3,5	В
2С136Д-1............................... От	3,4	до	3,8	В
2С139Д-1............................... От	3,7	до	4,1	В
2С143Д-1............................... От	4,0	до	4,6	В
при 213 К
2С124Д-1............................... От	2,2	до	2,8	В
2С127Д-1............................... От	2,5	до	3,1	В
2С13ОД-1............................... От	2.8	до	3,4	В
2С133Д-1............................... От	3,1	до	3,8	В
2С136Д-1............................... От	3,4	до	4,1	В
2С139Д-1............................... От	3,7	до	4,4	В
2С143Д-1............................... От	4,0	до	4,9	В
при 398 К
2С124Д-1............................... От	2,0	до	2,6	В
2С127Д-1............................... От	2,3	до	2,9	В
2С130Д-1............................... От	2,6	до	3,2	В
510
2С133Д-1.............................. От	2,9	до 3,5	В
2С136Д-1.............................. От	3,2	до 3,8	В
2С139Д-1.............................. От	3,5	до 4,1	В
2С143Д-1.............................. От	3,8	до 4,6	В
Средний температурный коэффициент напря-
жения стабилизации при температуре от
213 до 398 К, не менее:.
2С124Д-1,	2С127Д-1,	2С130Д-1,
2С133Д-1 ................................ -0,075	%/К
2С136Д-1 ................................ -0,070	%/К
2С139Д-1 ................................ -0,065	%/К
2С143Д-1................................. -0,060	%/К
Временная нестабильность напряжения стаби-
лизации ........................................ ±	1,5 %
Постоянное прямое напряжение при 298 К,
/пр = 10 мА, не более........................... 0,9	В
Постоянный обратный ток при 298 К, не
более:
при Со6р = 1 В
2С124Д-1.................................... 7,5	мкА
2С127Д-1.................................. 5,0	мкА
2С130Д-1.................................. 4,0	мкА
2С133Д-1.................................. 2,0	мкА
2С136Д-1.................................. 1,0	мкА
2С139Д-1.................................. 0,8	мкА
при Собр = 1,5 В для 2С143Д-1 ...	7,5	мкд
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 213 К, 298 К, 398 К, 1„ =
= 3 мА........................................ 180	Ом
при 298 К, 7СТ = 0,25 мА
2С124Д-1 ................................... 1200	Ом
2С127Д-1 ................................. 1250	Ом
2С130Д-1 ................................. 1300	Ом
2С133Д-1 ................................. 1400	Ом
2С136Д-1 ................................. 1500	Ом
2С139Д-1 ................................. 1600	Ом
2С143Д-1 ................................. 1650	Ом
Спектральная плотность шума в диапазоне
частот от 20 Гц до 1 МГц при /ст =
= 0,25 мА, не более........................ 0,3	мкВ/|/Гц
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации........................0,25 мА
Максимальный ток стабилизации при теплоотводе, обеспе-
чивающем Я, 1 K/мВт при температуре:
от 213 до 308 К
2С124Д-1..........................................20,8	мА
2С127Д-1........................................18,5	мА
2С130Д-1........................................16,7	мА
2С133Д-1........................................15,2	мА
511
2С136Д-1.........................................13,9	мА
2С139Д-1.........................................12,8	мА
2С143Д-1.........................................11,6	мА
при 398 К
2С124Д-1........................................7,5	мА
2С127Д-1..........................................6,7	мА
2С130Д-1.......................................6,0	мА
2С133Д-1.......................................5.5	мА
2С136Д-1.......................................5,0	мА
2С139Д-1.......................................4,6	мА
2С143Д-1.................. ....................4,2	мА
Рассеиваемая мощность при гемплоотводе, обеспечива-
ющем Rr < I K/мВт при температуре:
от 213 до 308 К.....................................50 мВт
при 398 К.......................................18 мВт
Тепловое сопротивление общее*.......................3 К/мВт
Температура окружающей среды........................От 213 до
398 К
Зависимость среднего темпера-
турного коэффициента напря-
жения стабилизации от тока.
D 12	3	4	5	6 6
Зависимость общей емкости
диода от напряжения.
Зона возможных положений за-
висимости дифференциального
conpoi явления от тока.
512
2С127А-1
Стабилитрон кремниевый диффу-
зионно-сплавной. Предназначен для
стабилизации напряжения в гермети-
зированной аппаратуре.
Бескорпусной с защитным по-
крытием и гибкими выводами. Вы-
пускается в индивидуальной таре. Тип
прибора указывается на этикетке. Вы-
вод стабилитрона, подключаемый в
режиме стабилизации к отрицательно-
му полюсу источника питания, при
расположении тары выводами вниз со
стороны крышки находится справа.
Масса стабилитрона не бо-
лее 0,02 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К,
/с, = 3 мА......................................... 2,7 В
Разброс напряжения стабилизации прн 298 К, /С1 =
= 3 мА ................................................±10%
Средний температурный коэффициент напряжения стаби-
лизации при температуре от 213 до 358 К, не менее —0,2 %/К
Дифференциальное сопротивление при /ст = 3 мА, не
более:
от 298 до 358 К.......................................  180	Ом
при 213 К......................................... 330	Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации........................ 1	МА
Максимальный ток стабилизации....................... 6	мА
Рассеиваемая мощность...............................20	мВт
Темпершура окружающей среды................ От	213 до 358 К
2С133А, КС133А, 2С139А, КС139А, 2С147А, КС147А,
2С156А, КС156А, 2С168А, КС168А
Стабилитроны кремниевые
сплавные.
Выпускаются в металлостек-
лянном корпусе с гибкими выво-
дами. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса стабилитрона не бо-
лее 1 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
298 К, 7С1 =10 мА:
2С133А, КС133А................................ 3,3	В
17 под род. Н, Н. Горюнова
513
2С139А,	КС 139A........................ 3,9	В
2С147А,	КС147А......................... 4,7	В
2С156А,	КС156А......................... 5,6	В
2С168А,	КС168А......................... 6,8	В
Разброс напряжения стабилизации при /с| = 10 мА:
при 298 К............................. ±10%
при 213 К
2CI33A...........-............... От 3,0 до 4,1 В
2С139А........................... От	3,5	до	4,8	В
2С147А........................... От	4,0	до	5,6	В
2С156А........................... От	4,7	до	6,6	В
2С168А........................... От	5,6	до	8,0	В
при 398 К
2С133А............................ От	2,6	до	3,7	В
2С139А........................... От	3,1	до	4,3	В
2С147А........................... От	3,7	до	5,5	В
2С156А........................... От	4,7	до	6,6	В
2С168А........................... От	5,6	до	8,0	В
Средний температурный коэффициент напря-
жения стабилизации в диапазоне рабочей
температуры:
2С133А,	КС133А,	не	хуже	....	-0,11 ",/К
2С139А,	КС139А,	не	хуже	....	— 0,10 й,./К
2С147А, КС147А ........ От -0.09 до 0,01 %/К
2С156А,	КС156А ................. ±0.05 %/К
2С168А,	КС168Л.................. ±0.06 %/К
Временная несгабильност» напряжения стаби-
лизации 2С133А, 2С139А, 2С147А, 2С156Л,
2С168А.............................. ± I %
Постоянное прямое напряжение при 298 К,
/пр = 50 мА, не более................ IB
Постоянный обратный ток* при 298 К,
• Собр = 0,7 ком для 2С133А, 2С139А,
2С147А, 2С156А, 2С168А, не более ...	1 мА
Дифференциальное сопротивление, нс более:
при 298 К, 7СТ = 10 мА
2С133А,	КС133А.......................... 65	Ом	‘
2С139А,	КС139А.......................... 60	Ом
2С147А,	КС 147А......................... 56	Ом
2С156А,	КС156А.......................... 46	Ом
2С168А,	КС168А.......................... 28	Ом
при 213 и 398 К, /ст = 10 мА
2С133А,	2С139А.......................... 85	Ом
2С147А................................... 80	Ом
2С156А................................... 60	Ом
2С168А................................... 39	Ом
при 298 К, /ст = 3 мА
2С133А,	КС133А,	2С139А,	КС139А	180	Ом
2С147А,	КС147А,	2С156А,	КС156А	160 Ом
2С168А,	КС 168А....................... 120	Ом
514
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации..................... 3	мд
Максимальный ток стабилизации при темпе-
ратуре :
от 213 до 323 К
2С133А,	КС133А........................... 81	мА
2С139А,	КС 139А.......................... 70	мА
2С147А,	КС147А........................... 58	мА
2С156А,	КС156А........................... 55	мА
2С168А,	КС 168А.......................... 45	мА
при 398 К
2С133А.................................... 27	мА
2С139А.................................... 23	мА
2С147А.................................... 19	мА
2С156А.................................... 18	мА
2С168А.................................... 15	мА
Импульсный прямой ток * при ти < 1 с (ава-
рийная перегрузка):
2С133А, КС133А........................... 162	мА
2С139А, КС139А........................... 140	мА
2С147А, КС147А........................... 116	мА
2С156А, КС156А............................ ПО	мА
2С168А, КС 168А........................... 90	мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 323 К............................ 300	мВт
при 398 К (2С133А, 2С139А, 2С147А,
2С156А, 2С168А)............................ 100	мВт
Температура окружающей среды:
2С133А, 2С139А, 2С147А, 2С156А,
2С168А..............................  От	213 до 398 К
КС133А, КС139А, КС147А, КС156А,
КС168А.......................  .	. От 213 до 373 К
Зависимость дифференциаль-
ного сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
17*
515
%/*
0,03
0,01
0,01
о
-0,01
-0,01
0	5	10	15 ю 15 ЗОНА
 Зависимость дифференциаль-
ного сопротивления от тока.
Зависимость среднего температур-
ного коэффициента напряжения
стабилизации от тока.
2С133Б, 2С139Б, 2С147Б, 2С156Б, 2С168Б
Стабилитроны кремниевые сплавные с диффузионным экраном
микромодульные бескорпусные. Предназначены для стабилизации
напряжения в цепях постоянного тока
не менее 3 мА в составе гермети-
зируемых микромодулей монолитной
и капсулированной конструкции.
Стабилитроны маркируются цвет-
ными точками: 2С133Б — двумя белы-
ми, 2С139Б —двумя черными,
2С147Б — двумя желтыми, 2С156Б —
двумя зелеными, 2С168Б — двумя го-
лубыми.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
298 К, 7СТ = 10 мА:
2С133Б...................................... 3,3	В
2С139Б.................................. 3,9	В
2С147Б.................................. 4,7	В
2С156Б.................................. 5,6	В
2С168Б.................................. 6,8	В
Разброс напряжения стабилизации при /ст =
= 10 мА:
при 298 К
2С133Б................................ От	3,0 до 3,7 В
516
2С139Б................................ От	3,5	до	4,3	В
2С147Б................................ От	4,1	до	5,2	В
2С156Б................................ От	5,0	до	6,4	В
2С168Б................................ От	6,0	до	7,5	В
при 213 К
2С133Б................................ От	3,0	до	4,1	В
2С139Б................................ От	3,5	до	4,8	В
2С147Б................................ От	4,0	до	5,6	В
2С156Б................................ От	4,6	до	6,7	В
2С168Б................................ От	5,5	до	7.5	В
при 398 К
2С133Б................................ От	2,6	до	3,7	В
2С139Б................................ От	3.1	до	4,3	В
2С147Б ............................... От	3,7	до	5,5	В
2С156Б................................ От	4,7	до	6,9	В
2С168Б................................ Oi	6.0	до	8,1	В
Средний температурный коэффициент напря-
жения стабилизации при температуре от
303 до 398 К:
2С133Б, 2С139Б, не хуже ....	—0,10 %/К
2С147Б...........................От —0.08 до +0,02 %/К
2С156Б...........................От -0.04 до + 0,07 %/К
2С168Б, не хуже.................. + 0,07 %/К
Временная нестабильность напряжения стаби-
лизации ....................................... +1	%
Постоянное прямое напряжение при 298 К.
/пр = 50 мА, не более.......................... 1	В
Дифференциальное сопротивление,не более:
при 298 К, /ст = 3 мА
2С133Б,	2С139Б, 2С147Б.................. 180	Ом
2С156Б................................... 160	Ом
2С168Б..................................... 40	Ом
при 298 К, /С1 = 10 мА
2С133Б.................................... 65	Ом
2С139Б.................................... 60	Ом
2С147Б.................................... 56	Ом
2С156Б.................................... 45	Ом
2С168Б.................................... 15	Ом
при 213 и 398 К, /С1 = 10 мА
2С133Б, 2С139Б............................. 85	Ом
2С147Б..................................... 80	Ом
2С156Б..................................... 70	Ом
2С168Б..................................... 25	Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации.......................... 3	мА
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 323 К
2С133Б...........................................30	мА
2С139Б...........................................26	мА
517
2С147Б..........................................21	мА
2С156Б.......................................... 18	мА
2С168Б......................................... 15	мА
при 398 К
2С133Б............................................21	мА
2С139Б.......................................... 18	мА
2С147Б.......................................... 15	мА
2С156Б.......................................... 12	мА
2С168Б.......................................... 10	мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 323 К..................................100	мВт
при 398 К......................................... 70	мВт
Температура окружающей среды:
для стабилитронов в составе микромодулей капсули-
рованной конструкции..............................От	213 до
398 К
для стабилитронов в составе микромодулей залитой
конструкции
с предварительной защитой эластичным компаундом От 213 до
398 К
без предварительной защиты эластичным компаун-
дом *.........................................От 213 до
343 К
Температура перехода *.............................. 398	К
П р и м е ч а и и е. При работе в режиме максимально допустимой
мс-щпости необходимо применять теплоотвод для обеспечения усло-
вий теплообмена, соответствующих стабилитронам типов 2СМ133Б,
2СМ139Б. 2СМ147Б, 2СМ156Б, 2СМ168Б.
Зависимость среднего температур-
ного коэффициента напряжения
стабилизации от тока.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
518
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально- Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.	го сопротивления от тока.
2СМ133Б, 2СМ139Б, 2СМ147Б, 2СМ156Б, 2СМ168Б
Стабилитроны кремниевые сплавные с диффузионным экраном
микромодульные. Предназначены для стабилизации напряжения в цепях
постоянного тока при токе не менее 3 мА в составе герметизиру-
емых микромодулей монолитной и капсулированной конструкции.
Выпускаются напаянными на керамическую микромодульную
плату. Маркируются цветной точкой на плате около паза II;
2СМ133Б — красной, 2СМ139Б — черной, 2СМ147Б — желтой,
2СМ156Б — зеленой, 2СМ168Б — голубой.
Масса стабилитрона не более 0,5 г.
519
Электрические параметры
Напряжение шабилизации номинальное при
298 К, /ст =10 мА :
2СМ133Б ................................. 3,3	В
2СМ139Б.............................. 3.9	В
2СМ147Б.............................. 4.7	В
2СМ156Б.............................. 5,6	В
2СМ168Б.............................. 6.8	В
Разброс напряжения стабилизации при /сг =
= 10 мА:
при 298 К
2СМ133Б............................ От	3,0	до	3,7	В
2СМ139Б........................... От	3,5	до	4,3	В
2СМ147Б........................... От	4,1	до	5,2	В
2СМ156Б........................... От	5,0	до	6,4	В
2СМ168Б........................... От	6,0	до	7.5	В
при 213 К
2СМ133Б............................ От	3,0	до	4,1	В
2СМ139Б........................... От	3,5	до	4,8	В
2СМ147Б........................... От	4,0	до	5,6	В
2СМ156Б..........................  От	4,6	до	6,7	В
2СМ168Б........................... От	5,5	до	7,5	В
при 398 К
2СМ133Б............................ От	2,6	до	3,7	В
2СМ139Б........................... От	3,1	до	4,3	В
2СМ147Б........................... От	3,7	до	5,5	В
2СМ156Б........................... От	4,7	до	6.9	В
2СМ168Б........................... От	6.0	до	8,1	В
Средний температурный коэффициент напря-
жения стабилизации при температуре от
303 до 398 К:
2СМ133Б, 2СМ139Б, не хуже . . . .	-0,10 %/К
2СМ147Б........................От	-0,08 до + 0,02 “о/К
2СМ156Б........................От	-0,04 до + 0,07 %/К
2СМ168Б, не хуже................... +0,07	%/К
520
Временная нестабильность напряжения ста-
билизации ........................... ± 1 %
Постоянное прямое напряжение при 298 К,
7пр = 50 мА, не более................ 1 В
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К, 7СТ = 3 мА
2СМ133Б,	2СМ139Б, 2СМ147Б ...	180	Ом
2СМ156Б................................ 160	Ом
2СМ168Б......................... 40 Ом
при 298 К, 7СГ = 10 мА
2СМ133Б................................. 65	Ом
2СМ139Б................................. 60	Ом
2СМ147Б................................. 56	Ом
2СМ156Б................................. 45	Ом
2СМ168Б................................. 15	Ом
при 213 и 398 К, /„ = 10 мА
2СМ133Б, 2СМ139Б......................... 85	Ом
2СМ147Б................................. 80	Ом
2СМ156Б................................. 70	Ом
2СМ168Б................................. 25	Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации...................... 3	мд
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 323 К
2СМ133Б...................................... 30	мА
2СМ139Б......................................26	мА
2СМ147Б......................................21	мА
2СМ156Б..................................... 18	мА
2СМ168Б..................................... 15	мА
при 398 К
2СМ133Б........................................21	мА
2СМ139Б..................................... 18	мА
2СМ147Б..................................... 15	мА
2СМ156Б...................................... 12	мА
2СМ168Б...................................... 10	мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 323 К..............................100	мВт
при 398 К..................................... 70	мВт
Температура окружающей среды:
для стабилитронов в составе микромодулей капсу-
лированной конструкции........................От	213 до
398 К
для стабилитронов в составе микромодулей залитой
конструкции:
с предварительной защитой эластичным компаундом От 213 до
398 К
без предварительной защиты эластичным компаун-
дом * ...........................................От	213 до
343 К
521
Температура перехода *............................ 398 К
Пр имечание. Зависимости основных параметров от режима
те же, что и для стабилитронов 2С133Б — 2С168Б.
2С133В, 2С133Г, КС133Г, КС139Г, 2С147В, 2С147Г,
КС147Г, 2С156В, 2С156Г, КС156Г
Стабилитроны кремниевые диффузионно-сплавные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся
на корпусе.
Масса стабилитрона не более 0,5 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
= 5 мА:
при 298 К
2С133Г, КС133Г	 КС139Г	 2С147Г, КС147Г	 2С156Г, КС156Г	 при 303 К 2С133В 	 2С147В	 2С156В	 Разброс напряжения стабилизации при 7СТ = = 5 мА: при 298 К 2С133Г	 КС133Г	 КС139Г	 2С147Г, КС147Г	 2С156Г, КС156Г	 при 303 К 2С133В	 2С147В	 2С156В	 при 213 К 2С133В	 2С133Г	 2С147В	 2С147Г		3,3 В 3,9 В 4,7 В 5,6 В 3,3 в . 4,7 В 5,6 В От 3,0 до 3,6 В От 2,95 до 3,65 В От	3,5	до	4,3	В От	4,2	до	5,2	В От	5,0	до	6,2	В От	3,1	до	3,5	В От	4,5	до	4,9	В От	5,3	до	5,9	В От	3,1	до	3,8	В От	3,0	до	4,0	В От	4,5	до	5,3	В От	4,2	до	5,5	В
522
2С156В............................... От	5,0	дс	5,9	В
2С156Г............................... От	4,7	до	6,2	В
при 398 К
2С133В............................... От	2,8	до	3,5	В
2С133Г............................... От	2,7	до	3,6	В
2С147В............................... От	4,1	до	4,9	В
2С147Г............................... От	3,9	до	5,2	В
2С156В............................... От	5,3	до	6,3	В
2С156Г............................... От	5,0	до	6,6	В
Средний температурный коэффициент напря-
жения стабилизации при температуре от
213 до 398 К:
2С133В, 2С133Г....................От -0,10 до -0,02 “„/К
2С147В, 2С147Г, не хуже........... -0.07 %/К ’
2С15СВ, не 6o.iee................. + 0,05 %/К
2С156Г, не более.................. + 0,07 %/К
Временная нестабильность напряжения стаби-
лизации для 2С133В. 2С133Г, 2С147В,
2С156В, 203563................................... ±1.5%
Постоянное прямое напряжение при 298 К,
/пр = 50 мА’для 2С133В. 2С133Г. 2С147В,
2С147Г, 2С156В, 2С156Г, не батее . ...	1 В
Постоянный обратный ток* при 293 К,
6%-р = С,7+с1 1№i для 2С1338, 2С133Г,
2С1"72. 2С147Г. 2CI563. 2С156Г. не более 300 мкА
Диф.	те сотртдлжр не бэ.тее:
2С135В. 2С133 Г. 2С147В, 2С147Г . . .	680 Ом
1+63, 2С156Г.......................... 4/0	Ом
при 298 К. /ст = 5 мА
КС133Г, КС139Г, КС147Г..................... 150	Ом
КС156Г...........................-	100 Ом
при %, =5 мА и температуре от 213 до
398 С
2С1333, 2С133Г, 2С147В, 2С147Г. . .	150 Ом
2С156В, 2С156Г............................. 100	Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации........................... 1	мА
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 308 К
2С133В, 2С133Г,	КС133Г..........................37,5	мА
КС139Г........................................... 32	мА
2С147В, 2С147Г,	КС147Г..........................26,5	мА
2С156В, 2С156Г,	КС156Г..........................22,4	мА
при 398 К
2С133В,	2С133Г.................................. 15	мА
2С147В,	2С147Г.................................. 10	мА
2С156В,	2С156Г................................... 9	мА
523
от 213 до 308 К и р = 665 Па
2С133В,	2С133Г.................................. 18	мА
2С147В,	2С147Г.................................13,2	мА
2С156В,	2С156Г.................................11,2	мА
при 398 К и р = 665 Па
2С133В, 2С133Г.................................7,5	мА
2С147В, 2С147Г................................. 5	мА
2С156В, 2С156Г.................................4,5	мА
Прямой ток при переходных процессах для 2С133В.
2С133Г, 2С147В, 2С147Г, 2С156В, 2С156Г ....	50	мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К....................................125	мВт
при 398 К для 2С133В, 2С133Г, 2С147В, 2С147Г,
2С156В, 2С156Г....................................50	мВт
от 213 до 308 К и р = 665 Па
2С133В, 2С133Г, 2С147В, 2С147Г, 2CI56B, 2С156Г 63 мВт
при 398 К и р = 665 Па
2С133В, 2С133Г, 2С147В, 2С147Г. 2С156В, 2С156Г 25 мВт
Температура окружающей среды..........................От	213 до
398 К
Температура перехода* для 2С133В, 2С133Г, 2С147В,
2С147Г, 2С156В, 2С156Г................................ 423	К
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
Зависимость среднего темпера-
турного коэффициента напряже-
ния стабилизации от напря-
жения.
Зависим ость среднего темпера-
турного коэффициента напряже-
524
2С147Т-1, 2С147У-1, 2С151Т-1, 2С156Т-1, 2С156У-1
Стабилитроны кремниевые
планарные бескорпусные с гиб-
кими выводами. Тип прибора
и схема соединения электродов
с выводами приводятся на
этикетке.
Масса стабилитрона	не
более 0.01 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
303 К. !„ = 3 мА:
2С147Т-1.	2С147У-1......................... 4,7	В
2С151Т-1..................................... 5,1	В
2С156Т-1,	2С156У-1......................... 5^6	В
Разброс напряжения стабилизации при /с., =
= 3 мА:
при 303 К
2С147Т-1................................. От	4,4	до	4,9	В
2С147У-1............................... От	4,2	до	5,2	В
2С151Т-1............................... От	4,8	до	5,4	В
2С156Т-1............................... От	5,3	до	5,9	В
2С156У-1............................... От	5,0	до	6,2	В
при 213 К
2С147Т-1............................... От	4,6	до	5,4	В
2С147У-1............................... От	4,4	до	5,6	В
2С151Т-1............................... От	4,8	до	5,8	В
2С156Т-1............................... От	5,0	до	5,8	В
2С156У-1............................... От	5,6	до	6,0	В
при 398 К
2С147Т-1................................. От	3,9	до	4,8	В
2С147У-1............................... От	3,7	до	5,1	В
2С151Т-1............................... От	4,5	до	5,5	В
2С156Т-1............................... От	5,2	до	6,3	В
2С156У-1............................... От	4,8	до	6,6	В
Средний температурный коэффициент напря-
жения стабилизации при температуре от
213 до 398 К
2С147Т-1. 2С147У-1, не хуже . . .	-0,08 %/К
2С151Т-1..............................От	-0,06 до 0,03 %/К
2С156Т-1, 2С156У-1....................От	-0,04 до 0,06 %/К
Временная нестабильность напряжения стаби-
лизации ..................................... ±1,5%
Постоянный обратный ток* при t/o6p =
= 0,7 Сст и работе в режиме /ст =
= 1ч-5 мА, не более......................... 300	мкА
525
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К, /ст = 1 мА............................ 560	Ом
при 213 и 298 К, /ст = 3 мА
2С147Т-1,	2С147У-1 ....................... 220	Ом
2С151Т-1................................... 180	Ом
2С156Т-1,	2С156У-1 .......	160	Ом
при 398 К, /ст = 3 мА
2С147Т-1,	2С147У-1 ....................... 240	Ом
2С151Т-1	................. 220	Ом
2С156Т-1,	2С156У-1................. 180	Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации'. ...	1 мА
Максимальный ток стабилизации при монта-
же с R-, < 1 K/мВт при температуре:
от 213 до 308 К
2С147Т-1,	2С147У-1....................... 10,6	мА
2С151Т-1.................................... 10	мА
2С156Т-1,	2С156У-1.......................... 9	мА
при 398 К
2С147Т-1,	2С147У-1....................... 3,75	мА
2С151Т-1.................................. 3,55	мА
2С156Т-1,	2С156У-1....................... 3,15	мА
Рассеиваемая мощность при монтаже с R, <
< 1 K/мВт при температуре:
от 213 до 308 К . . . . при 398 К	 Тепловое сопротивление общее*, Температура окружающей среды Температура перехода .... «Л	\1х,одк	1С1ЧТТ-1 Z50	\	I	2С1Ч7Ч-1	— Ч	1С 151 Т-1 Ш		 U 156 Т-1	— К 2С156 7-1 750	— юн	— 50	 | | | I I 0 Q,t5 0,5 0,15 1,0 1,25нс Зависимость амплитуды одно- разовой нагрузки от длитель- ности импульса.	не более	3 К/мВт .... От 213 до 398 К ....	423 К Он 1	। Z50		\J=I13K J	 Ц ^.гсютт-1, ШЧ7У-1 200	1 | 1 5°	Tv ZC156 Т-1,2C156 5-1 100 —	 50 — чАгЧ;-	 0 Z 4	6	8 10 нА Зависимость дифференциально- го сопротивления от тока.
Зависимость дифферснциально-
ю сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
2С156Ф
С габили |рон кремниевый планарный.
Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на
корпусе.
Масса стабилитрона не более 0,7 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
ЗОЗК,/ст = 5мА................................. 5.6	В
Разброс напряжения стабилизации при — 5 мА:
при 303 К................................. От	5,3	до	5,9	В
при 213 К............................... От	5,0	до	5,9	В
при 398 К............................... От	5,3	до	6,3	В
Средний температурный коэффициент напря-
жения стабилизации при температуре от
213 до 398 К, нс более......................... +	0,04";,/К
Временная нестабильность напряжения стаби-
лизации ..................................... ±0,25	%
Уход напряжения стабилизации* за 10 мин
через 5 с после включения при токе
стабилизации от 1 до 3 мА...................... +	0,03 %
Дифференциальное сопротивление:
при 298 К, ICI = 1 мА........................От	170 до 290 Ом
при 213 и 298 К, 7СТ = 5 мА, не
более....................................... 30	Ом
при 398 К, 7СТ = 5 мА, не более . . .	100 Ом
527
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации.......... 1 мА
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 308 К...................... 20 мА
при 398 К......................... 8 мА
от 213 до 308 К и /> = 670 Па ...	10 мА
при 398 К и р = 670 Па ...	4 мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К...................... 125 мВт
при 398 К......................... 50 мВ г
от 213 до 308 К и р — 670 Па ....	62 мВт
при 398 К и р = 670 Па............ 25 мВт
Температура окружающей среды............ От	213 до 398 К
Температура перехода.................. 423 К
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
Зависимость среднего температур-
ного коэффициента напряжения ста-
билизации от тока.
2С162Б-1, 2С162В-1
Стабилитроны кремниевые планарные. Предназначены для ста-
билизации напряжения в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с защитным по-
крытием и гибкими выводами. Тин
прибора указывается на этикетке.
Выпускаются в индивидуальной та-
ре. Вывод стабилитрона, подклю-
чаемый в режиме стабилизации к
отрицательному полюсу источника
питания, при расположении тары
выводами вниз со стороны крыш-
ки — второй слева.
Масса стабилитрона не бо-
лее 0,005 г.
528
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное прн 298 К,
/С1 = 3 мА....................................... 6,2 В
Разброс напряжения стабилизации при 298 К, /ст = 3 мА:
2С162Б-1............................................ ± 5 %
2С162В-1....................................... ± Ю %
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при
температуре от 213 до 358 К, не более:
2С162Б-1.........................................0,06	%/К
2С162В-1 ...................................... 0,006	%/К.
Временная нестабильность напряжения стабилизации при
температуре от 293 до 333 К.............................. ±	1 ”»
Дифференциальное сопротивление при /ст = 3 мА, не более:
при 2i3 и 298 К
2С162Б-1............................................ 15	Ом
2С162В-1...........................................25	Ом
при 358 К
2С162Б-1.............................................20	Ом
2С162В-1...........................................33	Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации....................... 1 мА
Максимальный ток оабилизации.......................34 мА
Рассеиваемая мощность..............................21 мВт
Температура окружающей среды.......................От 213 до
358 К
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
Зависимость среднего температур-
ного коэффициента напряжения ста-
билизации от тока.
529
2С168Х, 2С175Х, 2С182Х, 2С191Х, 2С210Х, 2С211Х,
2С212Х
Стабилитроны кремниевые планарные. Предназначены для стаби-
лизации напряжения в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с жесткими выводами. Тип прибора и схема
соединения электродов с выводами приводятся на этикетке.
Масса стабилитрона не более 0,005 г.
Элегс < рнческие параметры
Напряжение стабилизация номинальное при 303 К, /ст = 0,5 м\:
2С168 X......................... б, 3 В
2С175Х..................................  7,5	В
2С182Х.................................. 8,2	В
2C19IX................................. 9,1	В
2С210Х................................... 10	В
2С211Х................................... 11	В
2С212Х................................... 12	В
Разброс напряжения стабилизации при /ст = 0,5 мА:
при 303 К
2С168Х............................. От	6,5 до 7,1 В
2С175Х............................. От	7,1 до 7,9 В
2С182Х............................ От	7,8 до 8,6 В
2С191Х............................. От	8,6 до 9,6 В
2С210Х............................. От	9,5 до 10,5	В
2С211Х............................. От	10,4 до 11,6	В
2С212Х............................. От	11,4 до 12,6	В
при 213 К
2С168Х............................. От	6,2 до 7,1 В
2С175Х	....................... От 6,7 до 7,9 В
2С182Х.......................... От 7,2 до 8,6	В
2С191Х.......................... От 8,0 до 9,6	В
2С210Х.............................. От	8,7	до	10,5	В
2С211Х.............................. От	9,5	до	11,6	В
2С212Х.............................. От	10,4	до	12,6	В
530
при 398 К
2С168Х............................. От	6,5	до	7,5	В
2С175Х........................... От	7,1	до	8,4	В
2С182Х........................... От	7,8	до	9,3	В
2С191Х........................... От	8,6	до	10,3	В
2С210Х........................... От 9,5	до	11.4 В
2С211Х........................... От 10,4	до	12,6 В
2С212Х........................... От 11,4	до	13,8 В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при
температуре от 213 до 398 К, не более:
2С168Х........................... 0,050 %/К
2С175Х........................... 0,065 %/К
2С182Х........................... 0,075 %/К
2С191Х........................... 0,080 %/К
2С210Х........................... 0,090 %/К
2С211Х, 2С212Х................... 0,095 %/К
Временная нестабильность напряжения ста-
билизации ............................. ±1,5%
Дифференциальное сопротивление при /ст = 0,5 мА, не более, при
температуре:
213 и 298 К...................... 200 Ом
при 398 К........................ 300 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации........... 0,5 мА
Максимальный ток стабилизации при тем-
пературе:
от 213 до 308 К
2С168Х............................. . 3 мА
2С175Х............................ 2,65 мА
2С182Х............................ 2,5 мА
2С191Х......................................2,24 мА
2С210Х...................................... 2 мА
2С211Х......................................1,8 мА
2С212Х......................................1,7 мА
при 398 К
2С168Х........................................0,95 мА
2С175Х......................................0,9 мА
2С182Х............................................0,8	мА
2С191Х...........................................0,71	мА
2С210Х...........................................0,67	мА
2С211Х............................................0,6	мА
2С212Х...........................................0,56	мА
Рассеиваемая мощность при температуре
от 213 до 308 К:...................................20	мВт
при 398 К..........................................6,6	мВт
Тепловое сопротивление общее*, не более..........3 К/мВт
Температура окружающей среды.....................От 213 до
398 К
Температура перехода максимальная................ 423 К
531
Ом
80
75
60
05
30
15
О 0,5 1,0 1,5 1,0 1,5мЯ
Зависимость амплитуды одно-
разовой нагрузки от длитель-
ности импульса.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
о 0,5 1,0 1,5 г,о 1,5» я
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
2С175Ж, КС175Ж, 2С182Ж, КС182Ж, 2С191Ж, КС191Ж,
2С210Ж, КС210Ж, 2С211Ж, КС211Ж, 2С212Ж, КС212Ж,
2С213Ж, КС213Ж, 2С215Ж, КС215Ж, 2С216Ж, КС216Ж,
2С218Ж, КС218Ж, 2С220Ж, КС220Ж, 2С222Ж, КС222Ж,
2С224Ж, КС224Ж
Стабилитроны кремниевые планарные.
Стабилитроны выпускаются в стеклянных корпусах с гибкими
выводами КД-2, КД-3, КД-4. У стабилитронов в корпусе КД-4
тип прибора и схема соединения электродов с выводами приво-
532
дятся на корпусе. Стабилитроны в корпусе КД-3 маркируются
цветным кодом, в состав которого входят цвет окраски корпуса
и цвет кольцевой полосы у положительного вывода (анода):
КС175Ж — корпус серый, полоса белая,
КС182Ж — корпус серый, полоса желтая,
КС191Ж — корпус серый, полоса красная,
КС210Ж — корпус серый, полоса зеленая,
КС211Ж — корпус серый, полоса синяя,
КС212Ж — корпус серый, полоса черная,
КС21ЗЖ — корпус серый, полоса голубая,
КС215Ж — корпус черный, полоса белая,
КС216Ж — корпус черный, полоса желтая,
КС218Ж — корпус черный, полоса красная,
КС220Ж — корпус черный, полоса зеленая,
КС222Ж — корпус черный, полоса синяя.
КС224Ж - корпус черный, полоса голубая.
Стабилитроны в корпусе КД-2 маркируются цветным кодом,
в состав которого входят юлубая метка у отрицательного вывода
(катода) и цвет кольцевых полос:
2С175Ж — белая у катода,
2С182Ж — желтая у катода.
2С191Ж — голубая у катода,
2С210Ж - зеленая у катода.
2С211Ж — синяя у катода.
2С212Ж - оранжевая у катода.
2С213Ж —	черная	у	катода.
2С215Ж —	черная	у	анода	и	белая у	катода,
2С216Ж —	черная	у	анода	и	желтая	у катода,
2С218Ж -	черная	у	анода	и	голубая	у катода.
2С220Ж —	черная	у	анода	и	зеленая	у катода.
2С222Ж —	черная	у	анода	и	синяя у	катода,
2С224Ж — черная у анода и оранжевая у катода.
Масса стабилитронов не более 0,3 г.
533
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 303 К:
при /С1 = 4 мА
2С175Ж, КС175Ж . . . .
2С182Ж. КС182Ж . . . .
2С191Ж, КС191Ж . . . .
2С210Ж, КС210Ж . . . .
2С211Ж, КС211Ж . . . .
2С212Ж. КС212Ж . . . .
2С213Ж, КС213Ж . . . .
при /с, = 2 мА
2С.215Ж. КС215Ж .. . . .
2С21оЖ. КС216Ж . . . .
2С218Ж. КС218Ж . . . .
2С720Ж, КС22ОЖ . . . .
2С222Ж. КС222Ж . . . .
2С224Ж. КС224Ж . . . .
брсс напрдд-еддя стабплизашн
ПРИ 303 К. = 4 мА
277175717, КС175Ж . . . .
2С 182'14'
.А'ВЧЖ, КС191Ж . . .
КС212Ж ....
2С213Ж, КС213Ж .
при 303 К, /ст = 2 мА
КС215Ж ....
2С216Ж	....
КС216Ж ....
2С218Ж ....
КС218Ж ....
2С220Ж, КС220Ж -
2С222Ж ....
КС7.22Ж ....
2С224Ж, КС224Ж .
при 213 К. /сг = 4 мА
2С175Ж, КС175Ж .
КС182Ж ....
2С182Ж	....
2С191Ж, КС191Ж .
КС210Ж ....
2С210Ж	....
2С211Ж, КС211Ж .
КС212Ж ....
7,5 В
8,2 В
9,1 В
10	В
11	в
12	В
13	в
15	В
16	В
18 В
20 В
22 В
24 В
От 7,1 до 7,9 В
Ст 7.8 до 8,7 В
Or 7,4 до 9 В
От 8,6 до (\б В
О г 9,5 до 10.5 В
Ст 9 дз 1  В
О: 10.4 до 11,6 В
От 11.4 до 12,6 В
От 10,8 до 13,2 В
От 123 до 13,7 В
От 1А2 до 15,8 В
От 13.5 до 16,5 В
От 15,2 до 17 В
От 15,2 до 16,8 В
От 17 до 19 В
От 16,2 до 19,8 В
От 19 до 21 В
От 20,9 до 23,1 В
От 19,8 до 24,2 В
От 22,8 до 25,2 В
От 6,4 до 7,9 В
От 6,8 до 9 В
От 7,0 до 8,7 В
От 7,7 до 9,6 В
От 8,2 до 11 В
От 8,5 до 10,5 В
От 9,3 до 11,6 В
От 9,8 до 13,2 В
534
2С212Ж......................... От 10,3 до 12,6 В
2С213Ж, КС213Ж................. От 11 до 13,7 В
при 213 К, /ст = 2 мА
КС215Ж.......................... От	12,2	до	16,5	В
2С215Ж......................... От	12,8	до	15,8	В
КС216Ж......................... От	13,7	до	16,8	В
2С216Ж......................... От 13,7 до 17 В
КС218Ж......................... От 14,7 до 19,8 В
2С218Ж......................... От 15,8 до 19 В
2С220Ж, КС220Ж................. От 17,2 до 21 В
КС222Ж......................... От	17,8 до	24,2	В
2С222Ж......................... От	18,9 до	23,1	В
2С224Ж, КС224Ж................. От	20,6 до	25,2	В
при 398 К, /ст = 4 мА
2С175Ж, КС175Ж................. От	7,1	до	8,6	В
КС182Ж......................... От	7,4	до	9,7	В
2С182Ж......................... От	7,8	до	9,5	В
2С191Ж, КС191Ж................. От	8,6	до	10,4	В
КС210Ж......................... От 9 до 12 В
2С210Ж......................... От 9,5 до 11,4 В
2С211Ж, КС211Ж................. От	10,4	до	12,6 В
КС212Ж......................... От	10,8	до	14,4 В
2С212Ж......................... От	11,4	до	13,7 В
2С213Ж, КС213Ж................. От	12,3	до	14,9 В
при 398 К, /ст = 2 мА
КС215Ж.......................... От	13,5	до	18,1 В
2С215Ж......................... От	14,2	до	17,3 В
2С216Ж, КС216Ж................. От	15,2	до	18,6 В
КС218Ж......................... От	16,2	до	21’8 В
2С218Ж......................... От 17 до 20,8 В
2С220Ж, КС220Ж................. От 19 до 23 В
КС222Ж . ...................... От	19,8 до	26,6	В
2С222Ж......................... От	20,9 до	25,3	В
2С224Ж, КС224Ж................. От	22,8 до	27,6	В
Средний температурный коэффициент на-
пряжения стабилизации при температуре
от 213 до 398 К, не более:
2С175Ж, КС175Ж...................... 0,07	%/К
2С182Ж, КС182Ж...................... 0,08	%/К
2С191Ж, КС191Ж,	2С210Ж,	КС210Ж	0,09 %/К
2С211Ж, КС211Ж..................... 0,092	%/К
2С212Ж, КС212Ж,	2С213Ж,	КС213Ж	0,095 %/К
2С215Ж, КС215Ж, 2С216Ж, КС216Ж,
2С218Ж, КС218Ж, 2С220Ж, КС220Ж,
2С222Ж, КС222Ж, 2С224Ж, КС224Ж 0,1 %/К
Временная нестабильность напряжения ста-
билизации .......................... ±1,5%
Постоянное прямое напряжение при 298 К, /пр = 50 мА
для 2С175Ж, 2С182Ж, 2С191Ж, 2С210Ж, 2С211Ж,
2С212Ж, 2С213Ж, 2С215Ж, 2С216Ж, 2С218Ж, 2С220Ж’
2С222Ж, 2С224Ж, не более.........................2	В
535
Постоянный обратный ток* при 298 К, Со6р = 0,7[/ст ном
для 2С175Ж, 2С182Ж, 2С191Ж, 2С210Ж, 2С2ПЖ,
2С212Ж, 2С213Ж, 2С215Ж, 2С216Ж, 2С218Ж, 2С220Ж,
2С222Ж, 2С224Ж, не более...........................20	мкА
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К, 1„ = 0,5 мА
2С175Ж, 2С182Ж,	2С191Ж,	2С210Ж,	2С211Ж,	200 Ом
2С212Ж, 2С213Ж .				
2С215Ж. 2С216Ж,	2С218Ж,	2С220Ж,	2С222Ж,	
2С224Ж .... при 298 К, /сг = 4 2С182Ж, КС182Ж, КС210Ж, 2С211Ж,	мА для 2С191Ж, КС211Ж,	2С175Ж. КС191Ж, 2С212Ж,	КС175Ж, 2С210Ж, КС212Ж,	300 Ом
2С213Ж, КС213Ж . при 298 К, /с, = 2 2С216Ж. КС216Ж,	мА для 2С218Ж,	2С215Ж, КС218Ж,	КС215Ж, 2С220Ж,	40 Ом
КС220Ж, 2С222Ж, при 213 К, = 4 2С182Ж, КС182Ж. КС210Ж, 2С211Ж,	КС222Ж. мА для 2С191Ж, КС211Ж,	2С224Ж, 2С175Ж, КС191Ж, 2С212Ж,	КС224Ж КС175Ж, 2С210Ж, КС212Ж,	70 Ом
2С213Ж, КС213Ж при 213 К, 7СТ = 2 2С216Ж, КС216Ж,	мА для 2С218Ж,	2С215Ж, КС218Ж,	КС215Ж, 2С220Ж,	70 Ом
КС220Ж, 2С222Ж, при 398 К, /С1 = 4 2С182Ж, КС182Ж, КС210Ж, 2С211Ж,	КС222Ж, мА для 2С191Ж, КС211Ж,	2С224Ж, 2С175Ж, КС191Ж, 2С212Ж,	КС224Ж КС175Ж, 2С210Ж, КС212Ж,	90 Ом
2С213Ж, КС213Ж при 398 К, /ст = 2 2С216Ж, КС216Ж,	мА для 2С218Ж,	2С215Ж, КС218Ж,	КС215Ж, 2С220Ж,	80 Ом
КС220Ж, 2С222Ж, КС222Ж, Спектральная плотность шума в 20 Гц до 1 МГц при 298 К,		2С224Ж, КС224Ж полосе частот от /ст = 0,5 мА для		125 Ом
2С175Ж, 2С182Ж, 2С191Ж, 2С210Ж, 2С211Ж, 2С212Ж,
2С213Ж, 2С215Ж, 2С216Ж, 2С218Ж, 2С220Ж,
2С222Ж,’ 2С224Ж ’.	.........10 мкВ/]/Гц
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации.......................0,5	мА
Максимальный ток стабилизации при температуре
от 213 до 308 К:
2С175Ж,	КС175Ж.............................. 17	мА
2С182Ж.	КС182Ж.............................. 15	мА
2С191Ж,	КС191Ж.............................. 14	мА
2С210Ж,	КС210Ж.............................. 13	мА
2С211Ж,	КС211Ж.............................. 12	мА
2С212Ж.	КС212Ж............................ 11	мА
2С213Ж,	КС213Ж.............................. 10	мА
2С215Ж.	КС215Ж..............................8,3	мА
2С216Ж........................................7,8	мА
536
КС216Ж................................  .	7,3 мА
2С218Ж,	КС218Ж............................6,9	мА
2С220Ж,	КС220Ж............................6,2	мА
2С222Ж,	КС222Ж............................5,7	мА
2С224Ж,	КС224Ж............................5^2	мА
при 398 К
2С175Ж,	КС175Ж............................ 7	мд
2С182Ж,	КС182Ж............................6,4	мА
2С191Ж,	КС191Ж.........................5^8	мА
2С210Ж,	КС210Ж.........................5,5	мА
2С211Ж.	КС211Ж.........................4,5	мА
2С212Ж,	КС212Ж.........................4 2	мА
2С213Ж,	КС213Ж............................ 4	мА
2С215Ж. КС215Ж...........................	3.3 мА
2С216Ж.	КС216Ж...........................3,1	мА
2С218Ж.	КС218Ж.........................2 7	мА
2С220Ж.	КС220Ж...........................2’5	мА
2С222Ж,	КС222Ж.........................2 2	мА
2С224Ж,	КС224Ж............................£1	мА
от 213 до 308 К, р = 665 Па
2С175Ж...................................8,5 мА
2С182Ж...................................7,5 мА
2С191Ж................................... 7 мА
2С210Ж...................................6,5 мА
2С211Ж................................... 6 мА
2С212Ж...................................5,5 мА
2С213Ж................................... 5 мА
2С215Ж......................................4.2	мА
2С216Ж......................................3.9	мА
2С218Ж......................................3,5	мА
2С220Ж......................................3,1	мА
2С222Ж......................................2,9	мА
2С224Ж......................................2,6	мА
при 398 К, р = 665 Па
2С175Ж.......................................3,5	мА
2С182Ж.......................................3,2	мА
2С191Ж . . . . :.............................2,9	мА
2С210Ж.......................................2,7	мА
2С211Ж.......................................2,2	мА
2С212Ж.......................................2.1	мА
2С213Ж.................................... 2 мА
2С215Ж.......................................1.7	мА
2С216Ж.......................................1.6	мА
2С218Ж.......................................1,4	мА
2С220Ж.......................................1,3	мА
2С222Ж.......................................1,1	мА
2С224Ж.................................... 1 мА
Прямой ток при переходных процессах для 2С175Ж,
2С182Ж, 2С191Ж, 2С210Ж, 2С211Ж, 2С212Ж, 2С213Ж,
2С215Ж, 2С216Ж. 2С218Ж, 2С220Ж, 2С222Ж, 2С224Ж	50 мА
537
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К.....................................125	мВт
при 398 К........................................50	мВт
от 213 до 308 К при /> = 665 Па для 2С175Ж,
2С182Ж, 2С191Ж, 2С210Ж, 2С211Ж, 2С212Ж, 2С213Ж,
2С215Ж,	2С216Ж,	2С218Ж,	2С220Ж,	2С222Ж,
2С224Ж.............................................62	мВт
при 398 К, /> = 665 Па для 2С175Ж, 2С182Ж, 2С191Ж,
2С210Ж, 2С211Ж, 2С212Ж, 2С213Ж, 2С215Ж, 2С216Ж,
2С218Ж, 2С220Ж, 2С222Ж, 2С224Ж.....................25	мВт
Температура окружающей среды.........................От	213 до
398 К
Зона возможных положений за-
висимости дифференциального
сопротивления от тока.
Зона возможных положений за-
висимости дифференциального
сопротивления от тока.
Зона возможных положений за-
висимости дифференциального
сопротивления от тока.
Зона возможных положений за-
висимости дифференциального
сопротивления от тока.
538
Зона возможных положений за-
висимости дифференциального
сопротивления от тока.
Зона возможных положений за-
висимости дифференциального
сопротивления от тока.
2С175Ц, 2С182Ц, 2С191Ц, 2С210Ц, 2С211Ц, 2С212Ц
Стабилитроны кремниевые планарные.
Выпускаются в стеклянных корпусах с |ибкими выводами КД-2
и КД-4. 'Гид прибора и схема соединения элекгродез с выводами
для стабилитронов, выпускаемых в корпусе КД-4, приводятся на
корпусе. Стабилитроны в корпусе КД-2 маркирую ь;л	кодом,
В СОСГсй кОГОрОГО БХС’Лл! иСЛЛЯ МСТКЙ IIU. TOpi..,' птоз, у ОТ-
рипательного вывода (катода): желтая кольцевая голоса у вывода
катода и цвет кольцевой полосы у положительного вывода (анода):
2С175Ц — белый. 2С182Ц — красный, 2С191Ц — голубой, 2С210Ц — зеленый.		Корпус КД-^		
				
				
2С211Ц — синий. 2С212Ц — оранжевый. Масса стабилитрона не более 0,2 г в корпусе КД-2 и не более 0,3 г в корпу- се КД-4.			Ы	 корпус кд-у	_ 23	
				
				
	28	7,5	гв	
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 303 К, /ст = 0,5 мА:
2С175Ц................................. 7,5	В
2С182Ц................................. 8,2	В
2С191Ц................................. 9,1	В
2С210Ц................................... Ю	В
2С211Ц.................................. 11	В
2С212Ц.................................. 12	В
539
Разброс напряжения стабилизации при /„=0,5 мА:
при 298 К
2С175Ц........................... От	7,1	до	7,9	В
2С182Ц........................... От	7.8	до	8,6	В
2С191Ц........................... От	8.6	до	9,6	В
2С210Ц........................... От	9,5 до 10,5 В
2С211Ц........................... От	10,4 до 11,6 В
2С212Ц........................... От	11,4 до 12,6 В
при 213 К
2С175Ц. . ;....................... От 6,7 до 7,9 В
2С182Ц........................... От 7.2 до 8,6 В
2С191Ц........................... От 8 до 9,6 В
2С210Ц........................... От	8.7 до 10,5 В
2С211Ц........................... От	9.5 до 11,6 В
2С212Ц........................... От	10,4 до 12,6 В
при 398 К
2С175Ц............................ От 7,1 до 8,4 В
2С182Ц........................... От 7,8 до 9,3 В
2С191Ц........................... От	8,6	до	10,3 В
2С210Ц........................... От	9,5	до	11,4 В
2С211Ц........................... От	10,4	до	12,6 В
2С212Ц........................... Ог	11,4	до	13,8 В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при
температуре or 213 до 398 К, не более:
2С175Ц................................ + 0,065 %/К
2С182Ц........................... +0,070 %/К
2С191Ц............................... +0,080	%/К
2С210Ц, 2С211Ц, 2С212Ц........... +0,085 %/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации ±1,5 °,,
Постоянное прямое напряжение при 298 К. /пр = 50 мА,
не более........................................ 2 В
Постоянный обратный ток при 298 К, 6'%оР =
= 0,76% ном, не более.........................5 мкА
Дифференциальное сопротивление, не более:
при	298	К,	/сг = 0,1 мА..................... 820	Ом
при	213	и	298 К, %т — 0,5	мА................. 200	Ом
при	398	К,	/ст = 0,5 мА....................... 300	Ом
Спектральная плотность шума в диапазоне частот от
20 Гц до 1 МГц при 298 К, /С|. = 0,1 мА, не
более ........................................20 мкВД/Тц
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации....................0,1 мА
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 308 К
2С175Ц......................................... 17	мА
2С182Ц.......................................... 15	мА
2С191Ц..........................................14	мА
2С210Ц.........................................12,5	мА
540
2С21Щ.....................................
2С212Ц....................................
при 398 К
2С175Ц....................................
2С182Ц....................................
2С191Ц....................................
2С210Ц....................................
2С211Ц....................................
2С212Ц....................................
от 213 до 308 К
11,2 мА
10,6 мА
6,7 мА
6 мА
5.6 мА
5 мА
4,5 мА
4 мА
при р = 665 Па
2С175Ц.......................................8,5	мА
2С182Ц.....................................7,5	мА
2С19Ш...................................... 7	мА
2С210Ц.....................................6,2	мА
2С211Ц.....................................5,6	мА
2С212Ц.....................................5,3	мА
при 398 К и р = 665 Па
2С175Ц.......................................3,4	мА
2С182Ц..................................... 3	мА
2С191Ц.....................................2.8	мА
2С210Ц.....................................2.5	мА
2С21Щ......................................2.3	мА
2С212Ц..................................... 2	мА
Прямой ток при переходных процессах длительностью
не более 1с..........................................50	мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К.................................. .	. 125 мВт
при 398 К...........................................50	мВт
от 213 до 308 К и р = 665 Па . *....................63	мВт
при 398 К и р = 665 Па..............................25	мВт
Температура окружающей среды............................От	213 до
398 К
Зона возможных положений за-
висимости дифференциального
сопротивления от тока.
Зона возможных положений за-
висимости дифференциального
сопротивления от тока.
541
I
/ ^макс			
2C175U			
2.С191Ц			
ZCZ10H 2С211 И			
2С212И >			
	I	 	I				Р
10 5 10~J 10 110 103 10s Па
Зависимость максимальной рас-
сеиваемой мощности от давле-
ния.
2С180А, 2С190А, 2С210А, 2С211А, 2С213А
Стабилитроны кремниевые сплавные с диффузионным экраном
микромодульные бескорпусные. Предназначены для стабилизации на-
пряжения в цепях постоянного тока
при токе не менее 3 мА в составе
герметизированных микромодулей
монолитной и капсулированной
конструкции.
Стабилитроны маркируются
цветной точкой: 2С180А — белой,
2С190А — черной, 2С210А — жел-
той, 2С211А — зеленой, 2С213А —
голубой.
Масса стабилитрона не бо-
лее 0,03 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К, /ст = 5 мА:
2С18ОА.......................... 8	В
2С190А.......................... 9	В
2С21ОА.......................... 10	В
2С211А . . . ,.................. ПВ
2С213А.......................... 13	В
Разброс напряжения стабилизации при 1„ = 5 мА:
при 298 К
2С180А................................ От	7 до 8,5 В
2С190А.............................. От	8 до 9,5 В
2С210А.............................. От	9 до 10,5 В
2С211А.............................. От	10 до 12 В
2С213А.............................. От	11,5 до 14 В
при 213 К
2С180А................................ От	6 до 8,5 В
2С190А.............................. От	7 до 9,5 В
542
2С210А.............................. От	8 до 10,5 В
2С211А.......................... От 9 до 12 В
2С213А.......................... От 10 до 14 В
при 398 К
2С180А.......................... От 7 до 9,5 В
2С190А.............................. От	8 до	10,5	В
2С210А.............................. От	9 до	11,5	В
2С211А.............................. От	10 до	13,5	В
2С213А.............................. От	11,5 до 15,5 В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при
температуре от 303 до 398 К, не более:
2С18ОА................................. +0,07	%/К
2С190А................................. +0,08	%/К
2С210А................................. +0,09	%/К
2С211А. 2С213А........................ +0,095	%/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации ±1,5%
Уход напряжения стабилизации* через 10 мин после включения
за последующие 5 мин, не более:
2С180А......................................... 40	мВ
2С190А......................................... 45	мВ
2С210А........................................   50	мВ
2С211А......................................... 55	мВ
2С213А......................................... 65	мВ
Постоянное прямое напряжение при 298 К. /пр = 50 мА.
не более......................................... 1 В
Дифференциальное сопропиление, не более:
при 298 К, /ст = 1 мА
2С180А......................................... 15	Ом
2С190А.........................................22	Ом
2С210А........................................  32	Ом
2С211А.........................................36	Ом
2С213А.........................................44	Ом
при 298 К, /сг = 5 мА
2С180А..................................... 8	Ом
2С190А...........................'	. . . .	12 Ом
2С210А......................................... 15	Ом
2С211А......................................... 19	Ом
2С213А.........................................22	Ом
при 213 и 398 К. % = 5 мА
2С180А..........................................20	Ом
2С190А..........................................25	Ом
2С210А..........................................30	Ом
2С211А..........................................40	Ом
2С213А..........................................45	Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации..................... 3 мА
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 323 К
2С180А...................................... 15 мА
543
2С190А......................................... 13	мА
2С210А......................................... Н	мА
2С211А......................................... 10	мА
2С213А......................................... 9	мА
при 398 К
2С180А........................................... 8	мА
2С19ОА.........................................7,5	мА
2С210А.........................................6,5	мА
2С211А......................................... 6	мА
2С213А......................................... 5	мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 323 К...................................125 мВт
при 398 К.....................................70 мВт
Температура окружающей среды:
для стабилитронов в составе микромодулей капсу-
лированной конструкции........................От 213 до
398 К
для стабилитронов в составе микромодулей залитой конструк-
ции :
с предварительной защитой эластичным ком-
паундом ........................................От	213 до
398 К
без предварительной защиты эластичным ком-
пазндом *.......................................От	213 до
343 К
Температура перехода*.................................. 398	К
Примечание. При работе в режиме максимально допустимой
мощности необходимо применять теплоотвод для обеспечения ус-
ловий теплообмена, соответствующих стабилитронам типов 2СМ180А,
2СМ190А. 2СМ210А, 2СМ211А. 2СМ213А.
Зависимость среднего температур-
ного коэффициента напряжения ста-
билизации от тока.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
544
Зависимость дифференциально- Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.	го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
Зависимость диффсренциально-
। о сопро । явления от t ока.
2СМ180А, 2СМ190А, 2СМ210А, 2СМ211А, 2СМ213А
Стабилитроны кремниевые сплавные с диффузионным экраном
микромодульные. Предназначены для стабилизации напряжения в
цепях постоянного тока при то-
ке не менее 3 мА в составе
герметизированных микро моду-
лей монолитной и капсули-
рованной конструкции.
Выпускаются напаянными
на керамическую микромодуль-
ную ила iy. Стабилитроны мар-
кируются цветной точкой иа
плате около паза 2 : 2CMI80A —
красной. 2СМ190А — черной,
2СМ210 - желтой, 2СМ211А -
зеленой, 2CM2I3A - голубой.
Масса стабилитрона не
более 0,5 г.
545
18	. л; pe_i Н Н Горюноаа
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К, /с, =5 мА:
2СМ180А.............................. 8	В
2СМ190А.............................. 9	В
. 2СМ210А........................... 10	В
2СМ211А............................. 11	В
2СМ213А............................. 13	В
Разброс напряжения стабилизации при 7СГ —
=- 5 мА:
при 298 К
2СМ180А........................ От 7 до 8.5 В
2СМ190А...................... От 8 до 9,5 В
2СМ210А...................... От 9 до 10,5 В
2СМ211А...................... От 10 до 12 В
2СМ213А...................... От 11,5 до 14 В
при 213 К
2СМ180А........................ От 6 до	8,5	В
2СМ190А...................... От 7 до	9,5	В
2СМ210А.......................... От	8 до	10,5	В
2СМ211А.......................... От	9 до	12,0	В
2СМ213А...................... От 10 до 14 В
при 398 К
2СМ180А........................ От 7 до 9,5 В
2СМ190А...................... От 8	до	10,5	В
2СМ210А...................... От 9	до	11.5	В
2СМ211А...................... От 10	до	13.5	В
2СМ213А...................... От 11.5 до 15,5 В
Средний температурный коэффициент напряжения С1абиличации при
температуре от 303 до 398 К. нс более:
2CMI80A...................... + 0,07 %/К
2СМ190А...................... +0,08 %/К
2СМ210А...................... +0,09 %/К
2СМ211А, 2СМ213А............. + 0,095 %,-К
Временная !?естабильнос1 ь напряжения стабилизации + 1,5%
Уход напряжения стабилизации * через 10 мин после включения
за последующие 5 мия, не более:
2СМ180А..................................... 40	мВ
2СМ190А..................................... 45	мВ
2СМ210А..................................... 50	мВ
2СМ211А..................................... 55	мВ
2CM2I3A..................................... 65	мВ
Постоянное прямое напряжение при 298 К, /П|1 = 50 мА.
не более.........................................  1	В
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К. 7СТ = 1 мА
2СМ180А...................................   15	Ом
2СМ190А......................................22	Ом
2СМ210А..................................... 32	Ом
546
2СМ211А................................... 36 Ом
2СМ213А...................................44 Ом
при 298 К, /ст = 5 мА:
2СМ18ОА...................................... 8	Ом
2СМ190А...................................... 12	Ом
2СМ210А...................................... 15	Ом
2СМ211А...................................... 19	Ом
2СМ213А......................................22	Ом
при 213 и 398 К, /С1 = 5 мА:
2СМ180А......................................20	Ом
2СМ190А......................................25	Ом
2СМ210А......................................30	Ом
2СМ211А......................................40	Ом
2СМ213А......................................45	Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный гок стабилизации...................... 3	мА
Максимальный гок стабилизации при температуре:
от 213 до 323 К
2СМ18ОА....................................... 15	мА
2СМ190А...................................... 13	мА
2СМ210А...................................... И	мА
2СМ211А...................................... 10	мА
2СМ213А...................................... 9	мА
при 398 К
2CMI80A....................................... 8	мА
2СМ190А...................................7,5 мА
2СМ210А...................................6,5 мА
2CM2I 1А..................................... 6	мА
2СМ213А...................................... 5	мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 323 К.............................125 мВт
при 398 К...................................70 мВт
Температура окружающей среды:
для стабилитронов в составе микромодулей капсу-
лированной конструкции......................От 213 до
398 К
для стабилитронов в составе микромодулей залитой конструкции:
с предварительной зашитой эластичным ком-
паундом ....................................От 213 до
398 К
без предварительной защиты эластичным ком-
паундом* .................................От 213 до
343 К
Температура перехода*.......................... 398 К
Примечание. Зависимости основных параметров от режима
те же. что и для стабилитронов 2С180А — 2С213А.
18*
547
2С291А
Стабилитрон кремниевый планарный.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими вывода-
ми. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами при-
водятся на корпусе.
Масса стабилитрона не более 0.7 г.
Электрические iiapavieipbi
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К.
I„ = 1 мА ...................................... 91В
Разброс напряжения стабилизации при L, = 1 мА:
при 298	К.....................................01	86 до 96	В
при 213	К.....................................От	76 до 96	В
при 398	К.....................................От	86 до 106	В
Средний температурный коэффициент напряжения
стабилизации при темпера гуре oi 213 до 398 К.
ле более........................................ 0.11 ' „/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации,
не более........................................ 1.5
Постоянный обратный ток* при 298 К. I о6р =
= 0,7(/ст 1|ом, не более........................ 20 мкА
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К. = 1 мА.................................. 700	Ом
при 213	К.	/ст	= 1 мА.......................... 1.8	кОм
при 398	К,	/с|	= 1 мА............................ 2	кОм
при 213	К.	/с|	=0.5 мА*.......................... 3	кОм
при 398	К.	/с[	= 0.5 мА *........................ 4	кОм
Спектральная плотность шума в полосе частот от
20 Гц до I МГц прн /ст = 0.5 мА. не	__
более...........................................15	мкВ/] Гц
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации........................0.5 мА
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 308 К ...................................2 л мА
при 398 К.......................................1.1 мА
от 213 до 308 К. при р = 665 Па.................1.3 мА
при 398 Кир - 665 Па............................0.55 мА
Прямой гок при переходных процессах.................50 мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К ..................’................ 250 мВ г
при 398 К.......................................100 мВт
548
от 213 до 308 К и р = 665 Па.......................125	мВт
при 398 К и р = 665 Па............................. 50	мВт
Температура окружающей среды............................От	213
до 398 К
Температура перехода.................................. 423	К
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
Зависимость среднего коэф-
фициента напряжения стабили-
зации от тока.
2С433А, КС433А, 2С439А, КС439А, 2С447А, КС447А,
2С456А, КС456А, 2С468А, КС468А
Стабилитроны кремниевые сплавные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вывода-
ми. Тип прибора и схема, соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе.
Масса ст абилитрона не более 1 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное
при 298 К:
2С433А при 4Т.НОИ	=60	мА	....	3.3	В
КС433А при ZCT,fIOM	= 30	мА	....	3,3	В
2С439А при	= 51	мА	... .	3.9	В
КС439А при /сг.„ом	= 30	мА	....	3,9	В
549
2С447А при /ст.„ом = КС447А при 7С,.Н„„ = 2С456А при 7СТ.НОМ = КС456Л при 7СТ ном = 2С468А при /стном = КС468А при /С1НОМ =	43 мА .... 30 мА . . . . 36 мА .... 30 мА .... 29 мА .... 30 мА ....	4,7 В 4,7 В 5,6 В 5,6 В 6,8 В 6.8 В
Разброс напряжения стабилизации при /... = +		г. ном 
при 298 К . . . .		± :о %
при 213 К		
2С433А. КС433А .		От 2,97 до 3.80 в
2С439А, КС439А		От 3,52 до 4.59 В
2С447А. КС447А .		От 4 до 5,3 В
2С456А. КС456Л .		От 4,82 до 6.16 В
2С468А. КС468А .		От 5,78 до 7,48 В
при 373 К		
КС433А ....		От 2,66 до 3.63 В
КС439А ....		Ot 3,15 до 4,29 В
КС447А ....		От 3,87 до 5.33 В
КС456А ....		От 5,04 до 6.49 В
КС468А ....		От 6,12 до 8 В
при 398 К		
2С433А	....		От 2,66 до 3,63 В
2С439А	....		От 3,15 до 4,29 В
2С447А	....		От 3,87 до 5,33 В
2С456А			От 5,04 до 6,49 В
2С468А		 Средний температурный коэффициент напря- жения стабилизации в диапазоне рабочих		От 6,12 до 8 В
температур:
2С433А. КС433А. 2С439А. КС439А, не
хуже .............................
2С447А, КС447А...................От
2С456А, КС456А. нс более ....
2С468А. КС468А. не более ....
Временная нестабильность напряжения
стабилизации..........................
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К, 7СГ = /сг h0V,
2С433А	........................
КС433А, КС439А....................
2С439А	........................
2С447А, КС456А....................
КС447А............................
2С456А	........................
2С468А, КС468А....................
при 213 К, 7СТ = /С1 ном
КС433А, КС439А....................
КС447А............................
2С433А............................
2С439А	........................
-0,1 %/К
-0,08 до + 0.03 %/К
0,05 %/К
0,065 ° „/К
1,5
14 Ом
25 Ом
12 Ом
10 Ом
18 Ом
7 Ом
5 Ом
25 Ом
20 Ом
17 Ом
14 Ом
550
2С447А, КС456А.......................... 12	Ом
2С456А................................. 8,5	Ом
2С468А, КС468А......................... 6.5	Ом
при 373 К, = /ст,ном
КС433А, КС439А............................ 35	Ом
КС447А.................................. 30	Ом
КС456А.................................. 25	Ом
КС468А.................................. 17	Ом
при 398 К, 4, = Л, ном
2С433А	   29	Ом
2С439А	  2?	Ом
2С447А	  24	Ом
2С456А	  21	Ом
2С468А	  17	Ом
при 298 К, 1СТ = 3 мА
2С433А, КС433А. 2С439А, КС439А.
2С447А, КС447А......................... 180	Ом
2С456А, КС456А......................... 145	Ом
2С468А. КС468А.......................... 70	Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации....................... 3	мА
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 308 К
2С433А. КС4.33А..............................191	мА
2С439А, КС439А..............................176	мА
2С447А. КС447А................................ 159	мА
2С456А, КС456А..............................139	мА
2С468А. КС468А..............................119	мА
от 213 до 323 К
КС433А........................................191	мА
КС439А......................................176	мА
КС447А......................................159	мА
КС456А......................................139	мА
КС468А......................................I 19	мА
при 373 К
КС433А.........................................60	мА
КС439А........................................51	мА
КС447А........................................43	мА
КС456А........................................36	мА
КС468А........................................30	мА
при 398 К
2С433А.........................................60	мА
2С439А........................................51	мА
2С447А........................................43	мА
2С456А........................................36	мА
2С468А........................................29	мА
Импульсный ток одноразовой перегрузки для двух им-
пульсов с т„ = 1 с и интервалом между ними 1 мин:
551
при 298 К
2С433А. КС433А................................... 382	мА
2С439А, КС439А................................. 352	мА
2С447А. КС447А..................................318	мА
2С456А. КС456А................................. 278	мА
2С468А, КС468А................................. 238	мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К для 2С433А. ’ 2С439А, 2С447А,
2С456А. 2С468А..................................... I	Вт
от 213 до 323 К для КС433А. КС439А, КС447А,
КС456А. КС468А..................................... I	Вт
при 373 К для КС433А. КС439А, КС447А, КС456А,
КС468А........................................... 0,2	Вт
при 398 К для 2С433А. 2С439А. 2С447А, 2С456А.
2С468А............................................0.2	Вт
Температура окружающей среды:
2С433А, 2С439А. 2С447.А. 2С456А. 2С468А .... От 213
до 398 К
КС433А. КС439А. КС447А. КС456А. КС468А . . . Oi 213
до 373 К
Температура перехода для 2С433А. 2С439А. 2С447А.
2С456А. 2С468А....................................... 423	К
Зависимость ухода напряжения
стабилизации от темпера |уры.
Зависимость среднего темпера-
турного коэффициента напряже-
ния стабилизации oi юка.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления oi юка.
552
2С482А, КС482А, 2С510А, КС510А, 2С512А, КС512А,
2С515А, КС515А, 2С518А, КС518А, 2С522А, КС522А,
2С524А, 2С527А, КС527А, 2С530А, 2С536А
Стабилитроны кремниевые планарные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса стабилитрона не более 1 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
303 К. /с, = 5 мА:
2С482А. КС482А................................. 8.2	В
2С51ОА, КС510А.................................. 10	В
2С512А, КС512А.................................. 12	В
2С515А, КС515А.................................. 15	В
2С518А, КС518А.................................. 18	В
2С522А. КС522А.................................. 22	В
2С524А.......................................... 24	В
2С527А, КС527А.................................. 27	В
2С53ОА.......................................... 30	В
2С536А.......................................... 36	В
Разброс напряжения стабилизации при /ст = 5 мА:
при 303 К
2С482А. КС482А. 2C5I0A. КС510А, 2С512А,
КС512А, 2С515А. КС515А. 2C5I8A. KC5I8A.
2С522А. КС522А, 2С527А. КС527А . . .	±10"„
2С524А. 2С530А. 2С536А.................. + 5",,
при 213 К
2С482А. КС482А............................От	6,9 до 9 В
2С510А. КС510А............................От	8.2 до I I В
2С512А.	КС512А...........................О,	9.9	то	13.2	В
2С515Л.	КС515А...........................Oi	12.3	до	16.5	В
2С518А.	КС518А...........................От	14.7	до	19,8	В
2С522А.	КС522А...........................Ог	17,9	до	24.2	В
2С524А....................................От	20.5	до	25.2	В
2С527А.	КС527А...........................Oi	22,0	до	29,7	В
2С53ОА..................................  .От	25.8	до	31,5	В
553
2С536А.................................От	30,8 до 37,8 В
при 373 К
КС482А..................................От	7,4 до 9,7 В
КС510А.................................От	9.0	до	12,0	В
КС512А.................................От	10.8	до	14,5	В
КС515А.................................От	13.5	до	18,1	В
КС518А.................................От	16.2	до	21,7	В
КС522А.................................От	19.8	до	26,6	В
КС527А.................................От	24.3	до	32,6	В
при 398 К
2С482.А..................................О	। 7.4 до 9,7 В
2С510А............................. От 9 до 12 В
2С512А.................................От	10.8	до	14,5	В
2C5I5A.................................От	13.5	до	18.1	В
2С518А.................................От	16.2	до	21.7	В
2С522А.................................От	19.8	до	26,6	В
2С524А.................................От	22.8	до	27,9	В
2С527А.................................От	24.3	до	32,6	В
2С530А.................................От	28.5	до	34,6	В
2С536А.................................От	34,2	до	42,0	В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации в
диапазоне рабочих температур, не более:
2С482А, КС482А .	................ 0,08 %/К
2С510А, КС510А, 2С512А, КС512А, 2С515А,
КС515А. 2С518А. KC5I8A, 2С522Л, КС522А,
2С524А.	2С527А,	КС527А,	2С530А,
2С536А................................ 0,1 %/К
Временная нестабильность напряжения стабили-
зации ..................................... ± 1.5 %
Постоянное прямое напряжение при 298 К,
/1!р = 50 мА, не более........................... IB
Постоянный обратный ток * при 298 К, Со5р =
= 0.7ССТНОМ для 2С482Л. 2С510А. 2С512А.
2С515Л, 2С518А. 2С522А. 2С524А, 2С527А.
2С530А, 2С536А, не более....................... 20	мкА
Дифференциальное сопротивление, нс более:
при 298 К. /ст = 1 мА
2С482А, КС482А, 2C5I0A, КС510Л. 2С512А,
КС512А, 2С515А. КС515А, 2C5I8A, KC5I8A,
2С522А, КС522А. 2С524А, 2С527А. КС527А,
2С530А.................................... 200	Ом
2С536А..................................   240	Ом
при 298 К, /С1 = 5 мА
2С482А. КС482А. 2C5I0A, КС510А, 2C5I2A,
КС512А,	2С515А.	КС515А,	2C5I8A,
КС518А,	2С522Л, КС522А..................... 25	Ом
2С524А..................................... 30	Ом
2С527А, КС527А............................. 40	Ом
2С530А..................................... 45	Ом
2С536А .	Л........................... 50	Ом
554
при 213 К, /ст = 5 мА
*2С482А. 2С510А, 2С512А, 2С515А, 2С518А,
2С522А, КС482А, КС510А, КС512А. КС515А,
КС518А,	КС522А.......................... 50	Ом
2С524А.................................... 60	Ом
2С527А,	КС527А.......................... 80	Ом
2С53ОА.................................... 90	Ом
2С536А.................................... 100	Ом
при 373 К, 1СТ = 5 мА
КС482А.	КС510А,	КС512А.	КС515А,
КС518А, КС522Л............................ 50	Ом
КС527Л.................................... 65	Ом
при 398 К, Л- = 5 мА
2С482А, 2С510А, 2С512А, 2C5I5A, 2С518А,
2С522А, 2С524А............................ 50	Ом
2С527А.................................... 65	Ом
2С530А.................................... 70	Ом
2С536А.................................... 75	Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации....................... 1	МА
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 308 К
2С482А.........................................96	мА
2С51ОА.........................................79	мА
2С512А.........................................67	Ом
2С515А.........................................53	мА
2С518А.........................................45	мА
2С522А.........................................37	мА
2С524А.........................................33	мА
2С527А.........................................30	мА
2С530А.........................................27	мА
2С536А.......................................  23	мА
от 213 до 323 К
КС482А.........................................96	мА
КС510А.........................................79	мА
КС512А.........................................67	мА
KC5I5A.........................................53	мА
КС518А.........................................45	мА
КС522А.........................................37	мА
КС527А........................................ 30	мА
при 373 К
КС482А.........................................20	мА
КС510А........................................ 16	мА
КС512А........................................ 14	мА
КС515А........................................ 11	мА
КС518А......................................... 9	мА
КС522А........................................7.5	мА
КС527А......................................... 6	мА
555
при 398 К
2С482А..........................................20	мА
2С510А........................................ 16	мА
2С512А........................................ 14	мА
2С515А........................................ И
2C5I8A......................................... 9	мА
2С522А........................................7,5	мА
2С524А......................................... 7	мА
2С527А......................................... 6	мА
2С530А........................................5,5	мА
2С536А......................................... 5	мА
от 213 до 308 К при р = 665 Па
2С482А........................................... 48	мА
2С510А........................................39.5	мА
2С512А........................................33,5	мА
2С515А........................................26,5	мА
2С518А.......................................22.5	мА
2С522А.......................................18,5	мА
2С524А.......................................16,5	мА
2С527А........................................ 15	мА
2С530А......................................13,5 мА
2С536А.......................................11,5	мА
при 398 К, р = 665 Па
2С482А......................................... 10	мА
2C5I0A......................................... 8	мА
2С512А......................................... 7	мА
2С515А........................................5,5	мА
2С518А........................................4.5	мА
2С522Л........................................3,8	мА
2С524А........................................3,5	мА
2С527А......................................... 3	мА
2С530А........................................2,7	мА
2С536А........................................2,5	мА
Рассеиваемая мощносгь при 1емпературе:
от 213 до 308 К для 2С482А. 2C5I0A. 2C5I2A.
2С515Л. 2С518А.	2С522А.	2С527А,	2С530А,
2С536А......................................... 1	Вт
от 213 до 323 К для КС482А. КС510А.
КС512Л. КС515А. КС518А, КС522А. КС527А . .	1 Вт
при 373 К для КС482А, KC5I0A. КС512А.
КС515А. КС518А, КС522А. КС527А............... 0.2	Bi
при 398 К для 2С482А, 2С510А, 2С512А, 2С515А.
2С518А,	2С522А.	2С524А.	2С527А,	2С530А,
2С536А........................................0.2	Вт
от 213 до 308 К, при р = 665 Па для 2С482А.
2С51ОА, 2С512А. 2С515А. 2С518А, 2С522А, 2С524А.
2С527А. 2С530А, 2С536А....................... 0.5	Вт
при 398 К, /1 = 665 Па для 2С482А, 2C5I0A.
2С512А, 2C5I5A. 2С518А, 2С522Л. 2С524А. 2С527А.
2С530А. 2С536А................................0.1	В г
556
Температура окружающей среды:
2С482А, 2С510А, 2С512А, 2С515А. 2С518А, 2С522А,
2С524А, 2С527А, 2С530А, 2С536А...................От	213
до 398 К
КС482А. КС510А, КС512А, КС515А. КС518А,
КС522А. КС527А...............................’	От 213
До 373 К
Температура перехода* для 2С482А, 2С51ОА, 2С512А,
2C5I5A, 2С518А, 2С522А, 2С524А, 2С527А, 2С530А,
2С536А............................................. 423	К
Зависимость дифференциалы
го сопротивления от тока.
Стабилитрон кремниевый
диффузионный.
Выпускается в пластмассовом
корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора и схема соединения
иектродов с выводами приводят-
ся на корпусе.
Масса стабилитрона не бо-
лее 0.3 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное .при 298 К,
/ст = 10 мА........................................... 33	В
Разброс напряжения стабилизации при 298 К.
/С1 = 10 мА............................................От	29,7
до 36,3 В
Средний температурный коэффициент напряжения стаби-
лизации. не более.....................................0,1	"JK
Постоянное прямое напряжение при /г.р = 50 мА. не
более.................................................. 1	В
Дифференциальное сопротивление при 298 К, не
более:
при /С1 = 3 мА.....................................100	Ом
при /ст = 10 мА.................................... 40	Ом
557
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации....................... 3 мА
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 233 до 323 К ................................... 17 мА
при 358	К........................................ 10	мА
Одноразовая перетрузка по току стабилизации в те-
чение 1с.............................................. 20	мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 233	до	323	К............................... 640	мВ	г
при 358	К...................................... 360	мВт
Температура	окружающей среды.........................От	233
до 358 К
Температура перехода............................... 373 К
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
2С551А, КС551А, 2С591А, КС591А, 2С600А, КС600А
С1 абилитроны крем-
ниевые планарные.
Выпускаются в ме-
таллостеклянном корпу-
се с гибкими выводами.
Тип прибора указывается
на корпусе.
Масса стабилитрона
нс более I г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К.
/ст = 1.5 мА:
2С551А, КС551А.................................... 51	В
2C59IA, КС591А................................ 91	В
2С600А. КС600А............................... 100	В
Разброс напряжения стабилизации при /ст = 1.5 мА:
при 303 К
2С551А, КС551А..............................От	48 до 54 В
558
2С591А, КС591А............................От	86 до 96 В
2С600А, КС600А............................От	95 до 105 В
при 213 К
2C55IA....................................От	42 до 54 В
2С591А.................................От 76	до	96 В
2С600А...................................От	84	до	105 В
при 398 К
2С551А.....................................От	48	до	61 В
2С591А...................................От	86	до	107 В
2С600А...................................От	95	до	117 В
Средний температурный коэффициент напряжения
стабилизации при температуре от 213 до 398 К
для 2C55IA, 2С591А, 2С600А, не более . . .	±0,12 %/К
Временная нестабильность напряжения стабилиза-
ции для 2С551А, 2С591А, 2С600А..................... +	1 s °
Постоянное прямое напряжение при 298 К, /г|р =
= 50 мА для 2С551А,	2С591А, 2С600А,
не более......................................... 1	В
Постоянный обратный ток* при 298 К, С7обр =
= 0,7С’ет,„ом для 2С551А, 2С591А. 2С600А,
не более......................................... 5	мкА
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К, /ст = 1,5 мА
2С551А, KC55IA............................... 200	Ом
2С591А. КС591А............................. 400	Ом
2С600А. КС600А............................. 450	Ом
при 213 К, /ст = 1,5 мА
2С551А....................................... 260	Ом
2С591А..................................... 520	Ом
2С600А..................................... 600	Ом
при 398 К, Г„= 1.5 мА и 298 К, /С| = 1 мА
2С551А....................................... 300	Ом
2С591А..................................... 600	Ом
2С600А..................................... 700	Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации........................... 1	мА
Максимальный ток стабилизации при температуре от
213 до 308 К
2С551А, КС551А...................................14,6	мА
2С591А, КС591А.................................. 8,8	мА
2С600А, КС600А.................................. 8,1	мА
при 398 К
2С551А...........................................3.4	мА
2С591А.......................................... 1,9	мА
2С600А...........................................1,6	мА
от 213 до 308 К. при р = 665 Па
2С551А............................................9,1	мА
2С591А...........................................5.5	мА
559
I
!
2С600А.........................................5.0	мА
при 398 К, р = 665 Па
2С551А........................................... 2	мА
2С591А, 2С600А.................................. I	мА
Постоянный прямой	ток.............................  50	мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К.............’................... 1	Вт
при 398 К для 2C55IA, 2C59IA, 2С600А ....	0.2 Вт
от 213 до 308 К. при р = 665 Па для 2C55IA,
2С591А, 2С600А...............................0.62 Вт
при р = 665 Па, Т = 398 К для 2С551А, 2С591А.
2С600А.......................................0.12 Вт
Температура окружающей среды.......................От 213
до 398 К
0	1.5 5,0 9,5 6.С 7.5 3,0мА
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления oi тока.
КС620А, КС620АП, КС630А, КС630АП, КС650А,
КС650АП, КС680А, КС680АП
Стабилитроны кремниевые сплавные.
Выпускаются в мета.тлостеклянпом корпусе с жесткими выво-
дами. Тип прибора укатывается на корпусе. У стабилитронов, в
обозначении типа которых отсутствует буква П, корпус является
560
отрицательным электродом. У стабилитронов, имеющих в обозначе-
нии буквы П, полярность обратная.
iMacca стабилитрона пе более 6 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К:
ПРИ 4т.ном = 50 мА
КС620А, КС620АП.................................. 120	В
КС630А, КС630АП................................. 130	В
при 4т,ном = 25 мА:
КС650А, КС650АП.................................. 150	В
КС680А, КС680АП................................. 180	В
Разброс напряжения стабилизации при 298 К, /ст =
= 4т.ном ........................................... ±15%
Средний температурный коэффициент напряжения стаби-
лизации при температуре от 213 до 343 К. не
более .............................................+ 0,2 %/К
Постоянное прямое напряжение при 298 К, /пр = 500 мА,
не более........................................... 1.5 В
Постоянный обратный гок при 298 К, (%5р =
= 0,77%,НОМ, не более..............................0,5 мА
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К, %, = /ст.нои
КС620А, КС620АП...................................150	Ом
КС630А, КС630АП..................................180	Ом
КС650А, КС650АП................................. 255	Ом
КС680А. КС680АП................................. 330	Ом
при 213, 298 и 373 Кт /С1 = 5 мА
КС620А. КС620АП................................. 1000	Ом
КС630А. КС630АП.................................1600	Ом
при 213. 298 и 373 К. /ст = 2.5 мА
КС650А. КС650АП.................................. 2400	Ом
КС680А. КС680АП................................. 3000	Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный гок стабилизации:
КС620А, КС620АП, КС630А. КС63О.АП ....	5 мА
КС650А. КС650АП. КС680А, КС680АП .... 2.5 мА
561
Максимальный ток стабилизации при 1емпературе
корпуса:
от 213 до 343 К
КС620А, КС620АП..............................  42	мА
КС630А, КС630АП................................38	мА
КС650А, КС650АП................................33	мА
КС68ОА. КС680АП..............................  28	мА
при 373 К
КС620А,	КС620АП........................... 16	мА
КС630А,	КС630АП........................... 15	мА
КС650А,	КС650АП........................... 13	мА
КС680А,	КС680АП......................... 11	мА
Постоянный прямой ток.............................. I	А
Перегрузка по току стабилизации в течение 1 с:
КС620А, КС620АП.............................
КС630А, КС630АП.............................
КС650А, КС650АП.............................
КС680А, КС680АП.............................
Рассеиваемая мощность при температуре корпуса:
от 213 до 343 К ..................................
при 373 К......................................
Температура корпуса ..............................
84 мА
76 мА
66 мА
56 мА
5 Вт
2 Вт
От 213
до 373 К
Зависимое! ь среднего темпера-
турного коэффициента напря-
жения стабилизации от тока.
2С920А, 2С920АП, 2С930А, 2С930АП, 2С950А,
2С950АП, 2С980А, 2С980АП
Стабилитроны кремниевые диффузионные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими вывода
ми. Тип прибора указывается
на корпусе. У стабилитронов,
в обозначении типа которых
отсутствует буква П. корпус
является отрицательным элект-
родом. У стабилитронов, имею-
щих в обозначении букву П.
полярность обратная.
Масса стабилитрона не
более 6 г.
562
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К:
при /СТпН0М — 50 мА
2С920А.	2С920АП.................................... 120	В
2С930А.	2С930АП..................................... 130	В
при /ст,ном = 25 мА
2С950А.	2С950АП.................................... 150	В
2С980А,	2С980АП ............................ 180	В
Разброс напряжения стабилизации при 298 К,
2С920А. 2С920АП..........................От	108	до	132	В
2С930А. 2С930АП..........................Or	117	до	143	В
2С950А, 2С950АП..........................Oi	136	до	164	В
2С980А. 2С980АП..........................От	162	до	198	В
Средний температурный коэффициент напряжения
стабилизации при температуре от 213 до
393 К, не более............................... +0.16”0/К
Временная нестабильность напряжения стабилиза-
ции, не более........................................... 4	%
Постоянное прямое напряжение при 298 К. =
= 500 мА. не более................................ 1,5	В
Постоянное обратное напряжение при 298 К,
/,,,-р = 0,2 мА. не более:
2С920А, 2С920АП...................................... 84	В
2С930А. 2С930АП................................ 91	В
2С950А. 2С950АП............................... 105	В
2С980А, 2С980АП............................... 126	В
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К, /ст = /рт.яом
2С920А, 2С920АП...............................  100	Ом
2С930А. 2С930АП................................ 120	Ом
2С950А. 2С950АП................................ 170	Ом
2С980А. 2С980АП...............................  220	Ом
при 298 К. /С1 = 5 мА
2С920А. 2С920АП................................ 500	Ом
2С930А, 2С930АП................................ 800	Ом
при 298 К, /ст — 2,5 мА
2С950А,	2С950АП............................  1200	Ом
2С980А,	2С980АП............................. 1500	Ом
при 213 и 393 К, ZCT = 5 мА
2С920А.	2С920АП............................. 1000	Ом
2С930А,	2С930АП............................. 1600	Ом
при 213 и 393 К, /с| = 2,5 мА
2С950А.	2С950АП............................. 2400	Ом
2С980А,	2С980АП............................. 3000	Ом
563
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации:
2С920А. 2С920АП. 2С930А, 2С930АП.................. 5	мА
2С950А. 2С950АП, 2С980А. 2С980АП.................2.5	мА
Максимальный ток стабилизации при температуре кор-
пуса :
от 213 до 348 К
2С920А.	2С920АП................................42	мА
2С930А.	2С930АП................................ 38	мА
2С950А.	2С950АП.................................33	мА
2С980А.	2С980АП.................................28	мА
при 403 К
2С920А.	2С920АП................................ 16	мА
2С930А,	2С930АП................................ 15	мА
2С950А,	2С950АП................................ 13	мА
2С980А,	2С980АП.............................. 11	мА
Постоянный прямой гок................................. 1	А
Перегрузка по току стабилизации в течение 1 с при
температуре корпуса:
от 213 до 348 К
2С920А, 2С920АП..................................84	мА
2С930А, 2С930АП..................................76	мА
2С950А, 2С950АП..................................66	мА
2С980А, 2С980АП..................................56	мА
при 403 К
2С920А, 2С920АП................................. 32	мА
2С930А. 2С930АП..................................30	мА
2С950А. 2С950АП..................................26	мА
2С980А. 2С98ОАП..................................22	мА
Рассеиваемая мощность при температуре корпуса:
от 213 до 348 К................................... 5	Вт
при 403 К......................................... 2	Вт
Температура корпуса максимальная.................... 403	К
Температура окружающей	среды	минимальная . . . .	213	К
Температура перехода................................ 413	К
О W 10 30 40 50мА
Зависимое । ь дифференциально-
го сопротивления от тока.
564
11.2. СТАБИЛИТРОНЫ ПРЕЦИЗИОННЫЕ
Д818А, Д818Б, Д818В, Д818Г, Д818Д, Д818Е
Стабилитроны кремниевые диффузионно-сплавные прецизионные.
Предназначены для применения в качестве источника опорного
напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вывода-
ми. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе.
Масса стабилитрона не более 1 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
298 К, /„=10 мА........................
Разброс напряжения стабилизации при 298 К,
/ст = 10 мА:
Д818А, не более...................
Д818Б, не хуже....................
Д818В.............................
Д818Г, Д818Д, Д818Е...............
Средний температурный коэффициент напря-
жения стабилизации при температуре от
213 до 398 К':
Д818А, не более...................
Д818Б, не хуже....................
Д818В . - ’.......................
Д818Г.............................
Д818Д.............................
Д818Е.............................
Температурный уход напряжения стабилиза-
ции при температуре от 213 до 398 К:
Д818А, не более...................
Д818Б, не хуже....................
Д818В.............................
Д818Г.............................
Д818Д.............................
Д818Е.............................
Временная нестабильность напряжения стаби-
лизации :
Д818А.............................
9 В
+ 15%
-15%
±Ю%
+ 0.020 %/К
- 0,020 %/К
±0,01 %/К
±0.005 %/К
+ 0.002 %/К
±0.001 %/К
+ 320 мВ
-32(1 мВ
+ 160 мВ
+ 80 мВ
±32 мВ
+ 16 мВ
±0.11 %
565
Д818Б.................................... ±0,13%
Д818В, Д818Г, Д818Д, Д818Е . . .	±.0,12%
Дифференциальное сопротивление, не более:
при	213	и	298 К, % =	10 мА ...	18	Ом
при	398	К,	/с| = 10 мА.................. 25	Ом
при	298	К,	= 3 мА.................. 70	Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации......................... 3	мА
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 323 К................................. 33	мА
при 398 К....................................... 11	мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 323 К................................ 300	мВт
при 398 К.......................................100	мВт
Температура окружающей среды.........................От	213 до
398 К
Температура перехода............................... 398	К
Зависимость среднего темпера-
турною коэффициента напряже-
ния стабилизации от тока.
Зависимость среднего темпе-
ратурного коэффициента на-
пряжения стабилизации от тока.
Зависимость ухода напряжения
стабилизации от тока.
566
Зависимость дифференциаль-
ного сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от темпера-
туры.
2С164М-1, 2С168М-1
Стабилитроны кремниевые
планарные прецизионные. Пред-
назначены для применения в
качестве источника опорного
напряжения в герметизирован-
ной аппаратуре.
Бескорпусные с защитным
покрытием и гибкими выво-
дами. Тин прибора указывается
на индивидуальной таре.
Масса стабилитрона не
более 0,01 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
298 К, =1.5 мА:
2С164М-1.............................
2С168М-1..........................
Разброс напряжения стабилизации при тем-
пературе от 213 до 398 К. 7.г = 1.5 мА:
2С164М-1................................
2C168M-I..........................
Средний температурный коэффициент напря-
жения стабилизации при температуре от
213 до 398 К:
6,4 В
6.8 В
От 6 до 6,7 В
От 6,4 до 7,1 В
2C164M-I.........................
2С168М-1.........................
Температурный уход напряжения стабилиза-
ции при температуре от 213 до 398 К:
2C164M-I . . '.........................
2С168М-1.........................
±0.005 %/К
±0.01 %/К
±60 мВ
±120 мВ
557
Временная нестабильность напряжения стаби-
лизации ................................
Дифференциальное сопротивление при /ст =
= 1.5 мА, не более:
при 213 и 298 К.....................
при 398 К ..........................
Спектральная плотность шума при /ст =
= 1,5 мА, не более ...	............
±0.5
120 Ом
150 Ом
0,5 мкВ/].'Гн
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации.........................0.5	мА
Максимальный ток стабилизации при темперагуре:
от 213 до 308 К....................................	3 мА
при 398 К........................................1.5	мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К......................................20	мВт
при 398 К.................
Тепловое сопротивление общее *
TeMnepaiypa окружающей среды
10 мВт
Зависимость дифференциально-
....................... 1300 K/Bi
.......................О г 213 до
Зависимость дифференциально-
го сопротивления оз тока.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от часю!ы.
разовой нагрузки oi л.гибель-
ное in импульса.
568
2С191М, 2С191Н, 2С191П, 2С191Р, КС191М, КС191Н,
КС191П, КС191Р
Стабилитроны кремниевые эпитаксиальные прецизионные. Пред-
назначены для применения в качестве источника опорного напря-
жения.
Выпускаются в мета.тлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приво-
дятся на корпусе.
Масса стабилитрона не более 1 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
298 К. = 10 мА........................
Разброс напряжения стабилизации при 29# К,
% = 10 мА.............................
Средний температурный коэффициент напря-
жения стабилизации при температуре:
от 213 до 393 К
2С191М...........................
2CI91H...........................
2С191П...........................
2С191Р ..........................
от 213 до 333 К
КС191М...........................
КС191Н...........................
КС191П...........................
КС191Р...........................
Температурный уход напряжения стабилиза-
ции при температуре:
от 213 до 393 К
2C19IM...........................
2С191Н...........................
2С191П...........................
2С191Р...........................
oi 213 до 333 К
КС191М...........................
КС191Н...........................
КС191П...........................
КС191Р...........................
9.1 В
±5 %
+ 0.005 %/К
±0.002 %/К
±0.001 %/К
+ 0.0005 %/К
±0,005 %/К
±0.002 %/К
± 0,001 %/К
±0.0005 %/К
±90 мВ
±36 мВ
± 18 мВ
±9 мВ
+ 55 мВ
±22 мВ
± 11 мВ
±6 мВ
569
Временная нестабильность напряжения стаби-
лизации за 5000 ч в установившемся теп-
ловом режиме при /сг = +0.0005 мА для
КС191М, КС191Н, КС19Ш, КС191Р . . .	+ 0.5 мВ
Временная нестабильность напряжения стаби-
лизации для 2С191М. 2С191Н. 2С191П.
2С191Р:
при /С1 = 10 мА за 5 000 ч и темпера-
туре
от 213 до 333 К................... +0.5 мВ
от 213 до 398 К................... ±2 мВ
в установившемся тепловом режиме при
/С1'= ±0.0005 мА, Гокр= ±0.15 К*, не
более
через 2 ч после включения
за	1	ч........................... 0.001
за	8	ч........................... 0,002
через I ч после включения
за	1 ч.................................. 0,002%
за	8	ч........................... 0,003 %
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К. /сг = 10 мА
2С191М,	2С191Н,	2С191П.	2С191Р	15	Ом
КС191М,	КС191Н,	КС191П,	КС191Р	18	Ом
при 298 К. /С1 = 5 мА
2С191М.	2С191Н.	2С191П.	2CI91P	30	Ом
КС191М,	КС191Н,	КС191П,	КС191Р	39	Ом
при 213 К, /ст = 10 мА
2С191М,	2С191Н.	2С191П,	2С191Р	15	Ом
КС191М,	КС191Н,	КС191П,	КС191Р	18	Ом
при 398 К,	ZCT= 10	мА для	2С191М.
2С191Н, 2С191П, 2С191Р...................... 25	Ом
при 373 К, /с| = 10 мА для КС191М,
КС191Н. КС191П, КС191Р...................... 25	Ом
Время выхода на режим *. не более ...	30 мин
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации......................... 5	мА
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 333 К................................. 15	мА
при 373 К для КС191М, КС191Н. КС191П, КС191Р 10 мА
при 398 К для 2С191М. 2С191Н, 2С191П. 2С191Р 10 мА
в аварийном режиме в течение 1 мин в диапазоне
рабочей температуры..............................20	мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 333 К.................................150 мВт
при 373 К для КС191М. KCI91H, КС191П, КС191Р 100 mBi
при 398 К для 2С191М,	2C19IH,	2С191П.
2CI91P...........................................ЮО	мВт
Тепловое сопротивление общее для КС191М, КС191Н,
КС191П, КС191Р, не более.............................100	К/Вт
570
Температура окружающей среды:
2С191М, 2С191Н. 2С191П. 2С191Р..................От	213 до
398 К
КСТ91М. КС191Н. КС191П. КС191Р...................От	213 до
373 К
Температура перехода:
2CI91M, 2С191Н, 2С191П, 2С191Р..................... 408	К
КС191М. КС191Н, КС191П, КС191Р*................ 383	К
Ом
10
15
10
5
О
1,5 5,0 7,5 10 11,5мА	0 1,5 5,0 7,5 10 11,5 15 17,5нА
Зависимость дифферен-
циального сопротивления от
тока.
Зависимость среднего температурно-
। о коэффициента напряжения стабили-
зации от тока.
Зависимость дифференциаль-
ного сопротивления от тем-
пературы.
Зона возможных положений зависи-
мости ухода напряжения стабилизации
от температуры.
2С191С, 2C191T, 2С191У, 2С191Ф, КС191С, KC191T,
КС191У, КС191Ф
Стабилитроны кремниевые эпитаксиальные прецизионные. Пред-
назначены для применения в качестве источника опорного напря-
жения.
571
Выпускаются в ме-
таллостеклянном корпусе
с гибкими выводами. Тип
прибора и схема соеди-
нения элек гродов с вы-
водами приводятся иа
корпусе. Масса стабили-
трона не более 1 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
298 К. /ст = 10 мА....................
Разброс напряжения стабилизации при 298 К,
/ст = 10 мА...........................
Средний температурный коэффициент напря-
жения стабилизации при температуре:
от 213 до 393 К
2С191С...........................
2С191Т...........................
2С191У ..........................
2С191Ф...........................
от 213 до 333 К
КС191С...........................
КС191Т...........................
КС191У...........................
КС191Ф...........................
Температурный уход напряжения стабилиза-
ции при температуре:
от 213 до 393 К
2С191С ..........................
2С191Т...........................
2С191У...........................
2С191Ф...........................
or 213 до 333 К
КС191С...........................
КС191Т...........................
КС191У...........................
КС191Ф...........................
Временная нестабильность напряжения стаби-
лизации при 4т - 'О мА -1ТЯ 2С191С.
2С191Т. 2С191У, 2С191Ф:
за 2 000 ч.........................
за 8 ч. не более...................
Временная нестабильность напряжения ста-
билизации за 2000 ч при Г= ±0.2 К.
/С1 = +0.005 мА для KC19IC. КС191Т.
КС191У. КС191Ф.......................
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К. /сг = 3 мА.................
при 298 К, /ст = 10 мА.............
9,1 В
+ 5 °
Л. о
±0,005 %/К
±0,0025 %/К
±0,001 %/К
±0,0005 %/К
±0,005 %/К
+ 0,0025 %/К
±0,001 %/К
+ 0,0005 %; К
+ 90	мВ
+ 45	мВ
±18	мВ
±9	мВ
±56	мВ
+ 28	мВ
+ 11	мВ
± 6	мВ
±2 мВ
0.005 %
+ 2 мВ
70 Ом
18 Ом
572
при 213 К, /С1 = 10 мА..................... 18	о.м
при 373 К, 1„ = 10 мА для КС191С,
КС191Т, КС191У, КС191Ф..................... 25	Ом
при 398 К. /С1 = 10 мА для 2С191С,
2С191Т. 2С191У. 2С191Ф..................... 25	Ом
Время выхода на режим * с временной ста-
бильностью напряжения стабилизации
0,02 ° 0 за 2000 ч для 2С191С, 2С191Т,
2С191У. 2С191Ф......................... От 5 до 20 мин
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации......................... 3	мд
Максимальный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 333 К для 2С191С, 2С191Т, 2С191У,
2С191Ф.......................................;	20 мА
от 213 до 323 К для КС191С. КС191Т. КС191У
КС191Ф...........................................20	мА
при 398 К для 2С191С. 2С191Т, 2С191У, 2С191Ф 11 мА
при 373 К для КС191С, КС191Т, КС191У, КС191Ф 11 мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 333 К для 2С191С, 2С191Т. 2С191У,
2С191Ф......................................... 200	мВт
от 213 до 323 К для КС191С, КС191Т. КС191У,
КС19>Ф......................................... 200	мВт
при 373 К для КС191С, KCI91T, КС191У. КС191Ф 100 мВт
при 398 К для 2С191С. 2С191Т. 2С191У, 2С191Ф 100 мВт
Температура окружающей среды:
2С191С, 2С191Т, 2С191У, 2С191Ф...................От	213 до
398 К
КС191С, 2С191Т, 2СТ91У. 2С191Ф...................От	213 до
373 К
Температура перехода для 2С191С. 2С191Т. 2С191У.
2С191Ф........................................... 408	К
Зависимость дифференциаль-
ного сопротивления от тока.
Зависимость среднего 1емпера1урного
коэффициента напряжения стабилиза-
ции от тока.
573
Зависимость дифференциаль-
ного сопротивления от тем-
пературы.
Зона возможных положений зависи-
мости ухода напряжения стабилиза-
ции от температуры.
КС2ПБ, КС211В, КС211Г, КС211Д
Стабилитроны кремниевые
сплавные прецизионные. Пред-
назначены для применения в ка-
честве источника опорного на-
пряжения.
Выпускаются в пластмассовом
корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора и схема соединения элект-
родов с выводами приводятся на
корпусе.
Масса стабилитрона не бо-
лее 13 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
298 К, /ст = 10 мА....................
Разброс напряжения стабилизации при /и —
= 10 мА:
при 298 К
КС211Б...........................
КС211В...........................
КС211Г. КС211Д...................
при 213 и 398 К
КС211Б............................
КС211В...........................
КС211Г, КС211Д...................
И В
От 11 до 12.6 В
От 9.3 до 11 В
От 9,9 до 12.1 В
От 11 до 13,2 В
От 8,8 до 11 В
От 9,35 до 12,65 В
574
Средний температурный коэффициент напря-
жения стабилизации:
КС211Б,	ие	более................. + 0,02	%/К
КС211В,	не	луже................. -0.02	%/К
КС211Г............................. ±0,01	%/К
КС211Д............................. ±0,005	%/К
Дифференциальное сопротивление при 298 К.
не более:
при % = 5 мА................................ 30	Ом
при 7СТ = 10 мА............................. 15	Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации........................ 5 мд
Максимальный ток стабилизации:
от 213 до 298 К.................................33 мА
при 398 К....................................... 8 МА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 323 К................................. 280 мВт
при 398 К....................................... 70 мВт
Температура окружающей среды........................От 213 до
398 К
Зависимость среднего температур- Зависимость дифференциально-
ного коэффициента напряжения ста- го сопротивления от тока.
билизации от тока.
КС520В, КС531В, КС547В, КС568В, КС596В
Стабилитроны кремниевые диффузионно-сплавные прецизионные.
Предназначены для применения в качестве источников опорного
напряжения.
Выпускаются в пластмассовых корпусах с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приво-
дятся на корпусе.
Масса стабилитронов КС520В. КС531В. КС547В нс более 0,8 г.
КС568В, КС596В — не более 1.3 г.
575
Электрические парамолы
Напряжение стабилизации номинальное при
298 К:
при /с[ = 5 мА
КС520В........................... 20	В
КС547В......................... 47	В
КС568В......................... 68	В
КС596В......................... 96	В
при /с| = 10 мА для КС531В ....	31В
Разброс напряжения стабилизации:
при 298 К, 4г = 5 мА
КС520В........................... От 19 до 21 В
КС547В............................От	44,65 до 49,35 В
КС568В......................... От 64,6 до 71,4 В
КС596В.........................От 91,2 до 100.8 В
при 298 К, 4, = 10 мА для КС531В От 29,45 до 32.55 В
при 373 К, /С1 = 5 мА
КС520В........................... От	18,8 до 21.2 В
КС547В............................От	44.25 до 49,75 В
КС568В......................... От 64.1 до 71,9 В
КС596В.........................От 90.4 до 101,5 В
при 373 К, /с, = 10 мА для КС531В От 29,33 до 32,67 В
Средний темпера 1урный коэффициент напря-
жения стабилизации при температуре от
328 до 373 К:
КС520В. КС547В. КС568В, КС596В + 0.001 "„/К
КС531В......................... + 0.005 °,,;К
Дифференциальное сопротивление при 298 К,
не более:
при 4г = - мА
КС520В........................... 210 Ом
КС531В........................... 350 Ом
КС547В......................... 490 Ом
КС568В......................... 700 Ом
КС596В......................... 980 Ом
прн 4т = 5 мА
КС520В........................... 120 Ом
КС547В......................... 280 Ом
КС568В......................... 400 В
КС596В......................... 560 Ом
при 4т = Ю мА для КС531В ....	50 Ом
I
576
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный	ток	стабилизации....................... 3	мд
Максимальный ток стабилизации:
КС52ОВ..........................................22	мА
КС531В......................................... 15	мА
КС547В,	КС568В............................... 10	мА
КС596В.......................................... 7	мА
Рассеиваемая мощность при температуре от 218 до
323 К:
КС520В. КС531В. КС547В........................ 500	мВт
КС568В. КС596В................................ 720	мВт
Температура окружающей среды..........................От	218 до
373 К
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
Зависимость среднего темпера-
турного коэффициента напря-
жения стабилизации от тока.
11.3. СТАБИЛИТРОНЫ ИМПУЛЬСНЫЕ
2С168К-1, 2С175К-1, 2С182К-1, 2С191К-1, 2С210К-1,
2С211К-1, 2С212К-1
Стабили фоны кремниевые
планарные импульсные. Пред-
назначены для стабилизации
постоянного и импульсною на-
пряжения и oi раничения им-
пульсов напряжения при токе
не менее 0,5 мА в герметизи-
рованной аппаратуре.
Бескорпусные с защитным
покрытием и гибкими вывода-
ми. Тип прибора указывается
на ярлыке, помещаемом в ин-
дивидуальную тару.
Масса стабилитрона не
более 0,01 г.
577
19 под ред. Н. Н. Горюнова
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
298 К, /ст = 0,5 мА:
2С168К-1...........................
2С175К-1...........................
2С182К-1...........................
2С191К-1...........................
2С210К-1...........................
2С211К-1...........................
2С212К-1...........................
Разброс напряжения стабилизации при /сг =
0,5 мА:
при 298 К
2С168К-1...........................
2С175К-1...........................
2С182К-1.............................
2С191К-1...........................
2С210К-1...........................
2С211К-1...........................
2С212К-1...........................
при 213 К
2С168К-1...........................
2С175К-1...........................
2С182К-1...........................
2С191К-1...........................
2С210К-1...........................
2С211К-1...........................
2С212К-1...........................
при 398 К
2С168К-1...........................
2С175К-1...........................
2С182К-1...........................
2С191К-1...........................
2С210К-1...........................
2С211К-1...........................
2С212К-1...........................
Средний температурный коэффициент напря-
жения стабилизации при температуре от
213 до 398 К, не более:
2С168К-1...........................
2С175К-1...........................
2С182К-1...........................
2С191К-1...........................
2С21ОК-1...........................
2С211К-1, 2С212К-1.................
Временная нестабильность напряжения ста-
билизации ...............................
Постоянный обратный ток при 298 К, не
более....................................
57»
6,8 В
7,5 В
8,2 В
9,1 В
10 В
11 В
12 В
От	6,46	до	7,14	В
От	7,13	до	7,88	В
От	7.79	до	8,61	В
От	8,65	до	9,56	В
От 9,5 до 10,5 В
От 10,45 до 11,55 В
От	11,4	до	12.6	В
От	6,16	до	7,14	В
От	6,69	до	7,88	В
От	7,24	до	8,61	В
От 8 до 9,56 В
От 8,7 до 10,5 В
От 9,52 до 11.55 В
От 10.38 до 12,6 В
От 6,46 до 7,49 В
От 7,13 до 8,39 В
От 7,79 до 9,25 В
От	8,65	до	10,32	В
От	9,5	до	11,44	В
От	10,45	до	12,64 В
От	11.4	до	13,79	В
0,05 %/К
0,065 %/К
0,075 %/К
0,08 %/К
0,09 %/К
0.095 "„.К
+ 1,5%
50 мкА
при обратном напряжении:
для 2С168К-1................................. 4,8	В
2С175К-1..................................... 5,3	В
2С182К-1..................................... 5,7	В
2C19IK-1..................................... 6,4	В
2С210К-1....................................... 7	В
2С211К-1..................................... 7,7	В
2C2J2K-1..................................... 8,4	В
Дифференциальное сопротивление при /гт =
0,5 мА, не более:
при 213 и 298 К.............................. 220	Ом
при 398 К.................................... 300	Ом
Общая емкость при lfoSp — 0,1 В, не более	15 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации............ 0,5 мА
Максимальный постоянный ток стабилизации
при 1 емпературе:
от 213 до 308 К
2С168К-1................................... 2,94	мА
2С175К-1.................................. 2,66	мА
2С182К-1.................................. 2,44	мА
2С191К-1................................... 2,2	мА
2С210К-1..................................... 2	мА
2С211К-1.................................. 1,8	мА
2С212К-1.................................. 1,7	мА
при 398 К
2С168К-1................................... 0,88	мА
2С175К-1.................................. 0,8	мА
2С182К-1.................................. 0,73	мА
2С191К-1.................................. 0,66	мА
2С210К-1.................................. 0,6	мА
2С211К-1, 2С212К-1........................ 0,55	мА
Максимальный импульсный ток стабилизации
при ти < 10 мкс и температуре:
от 213 до 308 К
при Q = 100 ...................... 30 мА
при 2=10.......................... 10 мА
при 398 К
при Q = 100....................... 10 мА
при Q = 10........................ 5 мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К..................... 20 мВт
при 398 К........................... 6,6 мВт
от 213 до 308 К и кратковременной
работе (до 100 ч)................... 33 мВт
Тепловое сопротивление общее* ....	3000 К/Вт
Температура окружающей среды . . . . От 213 до 398 К
19*
579
I asp, и, макс				20	168 К-1 1В2 К-1 175 К-1	
				Lit ZG		
				20191 К-1 20 210 К-1 20 211 К-1 20212 К-1		
0 = 100						
0=10						
						
						Т
293 313 333 353 373 393 413 К
О 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5мА
Зависимость импульсного об-
ратного тока от температуры.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
2С175Е, КС175Е, 2С182Е, КС182Е, 2С191Е, КС191Е,
2С210Е, КС210Е, 2С211Е, КС211Е, 2С212Е, КС212Е,
2С213Е, КС213Е
Стабилитроны кремниевые планарные импульсные. Предназна-
чены для применения в схемах стабилизации постоянного и им-
пульсного напряжения и ограничения импульсов напряжения с дли-
тельностью фронта не менее 5 нс.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами
(2С175Е, 2С182Е, 2С191Е, 2С210Е, 2С211Е, 2С212Е, 2С213Е) и
металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора
и схема соединения электродов с выводами для стабилитронов в
металлостеклянном корпусе приводится на корпусе. Стабилитроны
в стеклянном корпусе маркируются цветным кодом, в состав ко-
торого входят зеленая метка на торце корпуса у вывода катода
и цвет кольцевой полосы у вывода
катода:
2С175Е, КС175Е - белый,
2С182Е, КС182Е - желтый,
2С191Е, КС191Е - голубой.
2С210Е, КС210Е — зеленый.
2С211Е, КС211Е-синий,
2С212Е,	2С212Е-оран-
жевый,
2С213Е, КС213Е — черный.
Масса стабилитрона не
более 0,2 г в стеклянном кор-
пусе и не более 0,7 г в
металлостеклянном корпусе.
580
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 303 К, /ст = 5 мА:
2С175Е,	КС175Е............................. 7,5	В
2С182Е.	КС182Е............................. 8,2	В
2С191Е,	КС191Е............................. 9,1	В
2С210Е,	КС210Е............................. 10	В
2С211Е,	КС211Е............................. 11	В
2С212Е,	КС212Е............................. 12	В
2С213Е,	KC2I3E............................. 13	В
Разброс напряжения стабилизации при /ст = 5 мА:
при 303 К
2С175Е............................ От 7,15	до 7,9	В
2С182Е.......................... От 7,8	до 8,6	В
2С191Е.......................... От 8,6	до 9,5	В
2С210Е.......................... От	9,5	до	10,5	В
2С211Е.......................... От	10,5	до	11,6	В
2С212Е.......................... От	11,4	до	12,6	В
2С213Е.......................... От	12,4	до	13,7	В
КС175Е.......................... От 7,1 до 7,9 В
КС182Е.......................... От 7,4 до 9 В
КС191Е.......................... От 8.6 до 9,6 В
КС210Е.......................... От 9 до 11 В
КС211Е.......................... От	10,4	до	11,6	В
КС212Е.......................... От	10,8	до	13,2	В
КС213Е.......................... От	12,3	до	13,7	В
при 213 К
2С175Е............................ От	5,9 до	7,9	В
2С182Е.......................... От	6.6 до	8,6	В
2С191Е.......................... От	7,4 до	9,5	В
2С21ОЕ.......................... От	8,3 до	10,5	В
2С211Е.......................... От	9,2 до	11,6	В
2С212Е.......................... От	10,6 до	12,6	В
2С213Е.......................... От	11,2 до	13,7	В
при 398 К
2С175Е............................ От 7,15 до 9,2 В
2С182Е.......................... От 7,8 до 10 В
2С191Е.......................... От	8,6 до	10,9	В
2C2I0E.......................... От	9,5 до	11,8	В
2С21............................ Ог	10,5 до	12,9	В
2С212Е.......................... От	11,4 до	13,9	В
2С213Е.......................... От 12,4 до 15 В
Средний температурный коэффициент напряжения стаби-
лизации в рабочем диапазоне температуры, не более +0,1 °О/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации для
2С175Е, 2С1.72Е, 2С191Е, 2С210Е. 2С211Е, 2С212Е,
2С213Е................................................±1.5"',,
Постоянное прямое напряжение при 298 К, /пр = 20 мА
для 2С175Е, 2С182Е, 2С191Е, 2С210Е. 2С211Е, 2С212Е,
2С213Е, нс более........................................... 1,5	В
581
Постоянный обратный ток при 298 К, при обратном
напряжении для 2С175Е 6 В, 2С182Е 6,5 В, 2С191Е
7 В, 2С210Е 8 В, 2С211Е 8,5 В, 2С212Е 9,5 В,
2С213Е 10 В, не более.................................50	мкА
Дифференциальное сопротивление-при /ст = 5 мА, не более:
при 298 К..........................................   30	Ом
при 213 К для 2С175Е, 2С182Е, 2С191Е, 2С21ОЕ,
2С211Е. 2С212Е. 2С213Е........................... 30	Ом
при 398 К для 2С175Е, 2С182Е. 2С191Е, 2С210Е,
2С211Е. 2С212Е. 2С213Е............................60	Ом
Общая емкость для 2С175Е, 2С182Е, 2CI9IE, 2С21ОЕ,
2С211Е, 2С212Е, 2С213Е, не более:
при 7-'о6р = 0,1 В............................... 15	пФ
при С'обр = 5 В................................... 7	пФ
Время спада переходной характеристики* для 2С175Е,
2С182Е, 2С191Е, 2С21ОЕ, 2С211Е, 2C2I2E. 2С213Е,
не более:
при переключении с /пр = 20 мА на предпробой-
ный участок..................................... 0,8	нс
при переключении с /пр = 50 мА иа предпробойный
участок......................................... 0.9	нс
при переключении с /пр = 50 мА иа участок ста-
билизации, /с1 = 15 ч- 100 мА................... 1.4 нс
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации.......................... 3	мА
Максимальный постоянный ток стабилизации при температуре:
от 213 до 308 К
2С175Е..............................................20	мА
2С182Е........................................ 18	мА
КС175Е........................................17	мА
2С191Е........................................ 16	мА
2С210Е,	КС182Е.............................. 15	мА
2С211Е,	КС191Е.............................. 14	мА
2С212Е,	КС210Е............................... 13	мА
2С213Е,	КС211Е.............................. 12	мА
КС212Е......................................... 11	мА
КС213Е........................................ 10	мА
при 398 К
2С175Е......................................... 13	мА
2С182Е......................................... 12	мА
2С191Е......................................... II	мА
2С210Е........................................ 10	мА
2С211Е.......................................... 9	мА
2С212Е.......................................... 8	мА
2С213Е.........................................7,5	мА
Максимальный импульсный ток стабилизации * при ти <
< 10 мкс, Q = 10 ч- 100 при температуре:
от 213 до 308 К для 2С175Е, 2С182Е, 2С191Е,
2С210Е, 2С211Е, 2С212Е, 2С213Е.................. 200	мА
582
при 398 К
2С175Е.............................................100	мА
2С182Е,	2С191Е...............................90	мА
2С210Е,	2С211Е............................... 80	мА
2С212Е,	2С213Е...............................70	мА
Постоянный прямой ток............................... 20	мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К:
2С175Е, 2С182Е. 2С191Е, 2С21ОЕ. 2С211Е, 2С212Е,
2С213Е........................................150 мВт
КС175Е, КС182Е, КС191Е, КС210Е, КС211Е,
КС212Е, КС213Е................................125 мВт
при 398 К для 2С175Е, 2С182Е, 2С191Е, 2С210Е,
2С211Е, 2С212Е. 2С213Е..........................100 мВт
Температура окружающей среды........................От 213 до
398 К
Температура перехода* для 2С175Е. 2С182Е, 2С191Е,
2С21ОЕ. 2С211Е. 2С212Е, 2С213Е...................... 423 К
Зона возможных положений за-
висимости дифференциального
сопротивления от тока.
Зависимость импульсного тока
стабилизации от длительности
импульса.
Зависимость амплитуды одно-
разовой нагрузки от длитель-
ности импульса.
Л
2,5
1,0
1,5
1,0
0,5
InfC	ДН г~ 2С 2С ZC	Т=296К 115Е, гс 191Е, ZC 211Е, 2С 2CZ13 Е		1SZE НОЕ Z12E	
					
					
					
О 0,15 0,5 0,15 1,0 1,25нс
583
11.4. СТАБИЛИТРОНЫ ДВУХАНОДНЫЕ
2С162А, 2С168В, 2С175А, 2С182А, 2С191А, 2С210Б,
2С211И, 2С212В, 2С213Б, КС162А, КС168В, КС175А,
КС182А, КС191А, КС210Б, КС213Б
Стабилитроны кремниевые сплавные двуханодные. Предназначены
для применения в схемах стабилизации и двухстороннего ограни-
чения напряжения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса сталибитрона не более 0,3 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К:
при 7СТ = 10 мА
2С162А, КС162А.................................. 6.2	В
2С168В, КС168В................................. 6,8	В
при /ст = 5 мА:
2С175А, КС175А................................. 7,5	В
2С182А, КС182А................................. 8,2	В
2С191А, КС191А................................. 9,1	В
2С210Б, КС210Б.................................. 10	В
2С211И.......................................... 11	В
2С212В.......................................... 12	В
2С213Б,	КС213Б................................. 13	В
Разброс напряжения стабилизации:
при 298 К. /ст = 10 мА
2С162А.......................................+0,31	В
2С168В.......................................±0,34	В
КС162А.......................................±0,40	В
КС168В.......................................+0,50	В
при 298 К, /ст = 5 мА
2С175А.......................................+ 0,37	В
2С182А.......................................+0,41	В
2С191А........................................+0,45	В
2С210Б, КС175А.................................±0.5	В
2С211И.......................................±0.55	В
2С212В, КС182А, КС191А.........................±0,6	В
2С213Б.......................................±0,65	В
584
КС210Б.....................................+ 0,7 В
КС213Б.....................................±0,9 В
при 213 К, /ст = 10 мА
2С162А.......................... От	5,66 до	7,13	В
2С168В.......................... От	5,94 до	7,73	В
при 213 К, /ст = 5 мА
2С175А........................... От	6,55 до	8,54	В
2С182А.......................... От	7,19 до	8,95	В
2С191А.......................... От	7.79 до	9,98	В
2С210Б..........................От	8,61 до	10,92	В
2С211И..........................От	9,34 до	12,06	В
2С212В..........................От	10,19 до	13,1	В
2С213Б..........................От	11,1 до	14,24	В
при 218 К, 7СТ = 10 мА
КС162А.......................... От	5,5	до	7,2	В
КС 168В......................... От	5,8	до	7,9	В
при 218 К, 7СТ = 5 мА
КС175А.......................... От	6,5	до	8,6	В
КС182А.......................... От	6,9	до	9,1	В
КС191А.......................... От	7,7 до 10,1	В
КС210Б.......................... От	8,3 до 11,1	В
КС213Б.......................... От	10,7 до 14,4	В
при 373 К, 1„ = 10 мА
КС162А.......................... От	5,3	до	6,9	В
КС168В.......................... От	5,8	до	7,9	В
при 373 К, /ст = 5 мА
КС175А.......................... От	6,4	до	8,6	В
КС182А.......................... От	7,3	до	9,5	В
КС191А.......................... От 8,1 до	10,5 В
КС210Б.......................... От 8,9 до	11,7 В
КС213Б.......................... От 11,6 до	15,4 В
при 398 К, 1„ = 10 мА
2С162А.......................... От 5,20 до 6,74 В
2С168В.......................... От 5,8 до 7,8 В
при 398 К. /ст = 5 мА
2С175А.......................... От 6,4 до 8,6 В
2С182А.......................... От 7,49 до 9,4 В
2С191А.......................... От	8,25	до 10,7	В
2С210Б.......................... От	9,12	до 11,7	В
2С211И.......................... От 9,98 до 13 В
2С212В..........................От	10,94	до 14,2	В
2С213Б..........................От	11,91	до 15,5	В
Несимметричность напряжения стабилизации, не более:
при /сг = 10 мА
2С162А.........................................0,24	В
КС 162А........................................0,25	В
2С168В.........................................0,26	В
КС 168В........................................0,27	В
при /ст = 5 мА
2С175А.........................................0,28	В
585
КС175А........................................ 0,3	В
2С182А.............................................0,31	В
КС182А........................................0,33	В
2О91А.........................................0,35	В
КС191А........................................0,36	В
2С210Б........................................0,38	В
КС210Б........................................ 0,4	В
2С211И........................................0,42	В
2С212В........................................0,46	В
2С213Б........................................0.49	В
КС213Б........................................0.52	В
Средний температурный коэффициент напряжения ста-
билизации в рабочем диапазоне температуры:
2С162А, КС 162А, не хуже....................-0,06 %/К
2С168В, КС168В..............................±0,05 %/К
2С175А, КС175А..............................±0,04 %/К
2С182А, не более............................+0,04%/К
КС 182А, не более...........................+0,05 %/К
2С191А, КС191А, 2С210Б, не более............+ 0,06 %/К
2С211И, КС210Б, не более....................+0,07 %/К
2С212В, 2С213Б. не более.................... 0,075 %/К
КС213Б, не более............................+ 0,08 %'К
Временная нестабильность напряжения стабилизации:
2С162А, 2С168В. 2С175А, 2С182А, 2С191А, 2С21ОБ,
2С211И, 2С212В, 2С213Б...................... +1%
КС162А, КС168В, КС175А. KCI82A, KC19IA,
КС210Б, КС213Б...................................±1,5%
Уход напряжения стабилизации после установления теп-
лового равновесия за 5 мин, не более:
КС162А.........................................93	мВ
КС168В.........................................102	мВ
КС175А........................................112,5	мВ
КС182А.........................................123	мВ
КС191А........................................136,5	мВ
КС210Б.........................................150	мВ
КС213Б.........................................195	мВ
Постоянный обратный ток при 298 К, C'ofip =
= 0,8Сстном, не более 2CI62A, КС162А.............0,5 мА
2068В, КС 168В.................................0,4	мА
2С175А, КС175А.................................0,3	мА
2С182А, КС182А.................................0.1	мА
2С191А, КС191А, 2С212В, 2С213Б, КС213Б. . . . 0.08 мА
2С210Б, КС210Б................................0,06	мА
2С211И......................................0,07 мА
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К, /ст = 10 мА
2С162А, КО 62А.................................35	Ом
20 68В, КС 168В................................28	Ом
при 298 К, /ст = 5 мА
2С175А, КС175А................................. 16	Ом
586
2С182А, КС182А................................. 14	Ом
2С191А, КС191А................................. 18	Ом
2С210Б, КС210Б.................................22	Ом
2С211И.........................................23	Ом
2С212В.........................................24	Ом
2С213Б,	КС213Б.........................25	Ом
при 298 К, /ст = 3 мА
2С162А.........................................160	Ом
КС162А.........................................150	Ом
2С168В,	КС168В.........................120	Ом
2С175А,	КС175А.........................70	Ом
2С182А,	КС182А, 2С191А, КС191А.................30	Ом
2С210Б,	КС210Б.........................35	Ом
2С211И.........................................40	Ом
2С212В,	2С213Б, КС213Б.....................45	Ом
при 373 К, = 10 мА
КС162А.........................................60	Ом
КС168В.........................................50	Ом
при 373 К, /ст = 5 мА
КС175А,	КС191А.........................35	Ом
КС 182А........................................30	Ом
КС210Б.........................................40	Ом
КС213Б......................................... 50	Ом
при 398 К, /ст = 10 мА
2С162А..........................................60	Ом
2С168В......................................... 50	Ом
при 398 К, /С1 = 5 мА
2С175А,	2С191А.................................35	Ом
2С182А.........................................30	Ом
2С210Б,	2С211И.........................40	Ом
2С212В,	КС213Б.........................50	Ом
Общая емкость при Ссйр 0. не более:
2CI62A.............................................. 690	пФ
2С168В........................................ 620	пФ
2С175А........................................ 540	пФ
2С182А........................................ 480	пФ
2С191А........................................ 420	пФ
2С210Б........................................ 370	пФ
2С211И........................................ 340	пФ
2С212В........................................ 300	пФ
2С213Б........................................ 280	пФ
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный	ток стабилизации.................... 3	мА
Максимальный постоянный ток стабилизации при тем-
пературе :
не более 323 К:
2С162А, КС 162А..............................22 мА
2С168В, КС168В...............................20 мА
587
2С175А.	КС175А................................ 18	мА
2С182А,	КС182А................................ 17	мА
2С191А,	КС191А................................ 15	мА
2С210Б,	КС210Б................................ 14	мА
2С211И......................................... 13	мА
2С212В......................................... 12	мА
2С213Б, КС213Б................................. 10	мА
при 373 К:
КС162А........................................... 11	мА
КС168В......................................... 10	мА
КС175А......................................... 9	мА
КС182А......................................... 8	мА
KCI9IA,	КС210Б................................ 7	мА
КС213Б......................................... 5	мА
при 398 К
2С162А........................................... 11	мА
2CI68B......................................... 10	мА
2С175А......................................... 9	мА
2С182А......................................... 8	мА
2С191А,	2С21ОБ................................ 7	мА
2C211И,	2C2I2B................................ 6	мА
2С213Б......................................... 5	мА
Эффективное значение синусоидального тока в режиме
двухстороннего ограничения на частоте 50 Гц и при
температуре:
от 213 до 323 К
2С162А...........................................22	мА
2С168В.........................................20	.мА
2С175А......................................... 18	мА
2С182А......................................... 17	мА
2С191А......................................... 15	мА
2С21ОБ ........................................ 14	мА
2C2I 1И........................................ 13	мА
2С212В......................................... 12	мА
2С213Б......................................... 10	мА
при 398 К
2С162А........................................... II	мА
2С168В...................................... 10	мА
2С175А...................................... 9	мА
2С182А...................................... 8	мА
2С191А,	2С210Б............................. 7	мА
2С211И, 2С212В................................. 6	мА
2С213Б...................................... 5	мА
Рассеиваемая мошнооь при температуре:
не более 323 К................................150 мВт
при 373 К для КС162А. KCI68B, KCI75A. КС182А,
КС191А, КС210Б, КС213Б........................75 мВт
при 398 К для 2С162А, 2CI68B, 2CI75A, 2С182А,
2С191А, 2С210Б, 2С211И, 2С212В, 2С213Б ....	75 мВт
588
г
Тепловое сопротивление общее для 2С162А,	2С168В
2С175А, 2С182А, 2С191А, 2С210Б, 2С211И, 2С212В,’
2С213Б, не более.................................. 340	к/Вт
Температура окружающей среды:
2С162А, 2С168В, 2С175А, 2С182А, 2С191А, 2С210Б
2С211И, 2С212В, 2С213Б..........................От	213 до
398 К
КС162А, КС168В, КС175А, КС182А, КС191А,
КС210Б, КС213Б...............................’	От 218 до
373 К
Температура перехода для 2С162А, 2С168В, 2С175А,
2С182А, 2С191А, 2С210Б, 2С211И, 2С212В, 2С213Б	423 К
Зависимость среднего темпера-
турного коэффициента напряже-
ния стабилизации от напряже-
ния.
Зависимость среднего темпера-
турного коэффициента напря-
жения стабилизации от напря-
жения.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
589
2С170А, КС170А
Стабилитроны кремниевые сплавные двуханодные. Предназначены
для применения в качестве опорного элемента, в схемах стабили-
зации и двухстороннего ограничения напряжения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе. Вывод, подключаемый к отри-
цательному полюсу источника питания, обозначается точкой на бо-
ковой поверхности корпуса.
Масса стабилитрона fie более 0,3 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
298 К, /С] = 10 мА............................ 7	В
Разброс напряжения стабилизации при /ст =
= 10 мА:
при 298	К............................. От	6,65 до 7,35	В
при 213	и 398	К	для	2С17ОА	....	От	6,37 до 7,66 В
при 218	и 373	К	для	КС170А	....	От	6,33 до 7, 68 В
Несимметричность напряжения стабилизации при /ст = 10 мА, не
более:
2С170А.................................. 0,27	В
KCI70A.................................. 0,28	В
Средний температурный коэффициент на-
пряжения стабилизации в рабочем диапа-
зоне температур............................. +0,01	"„/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации:
2С170А............................................ ±1%
КС170А........................................±1,5%
Уход напряжения стабилизации после установления теп-
лового равновесия за 5 мин для КС170А, не более 105 мВ
Постоянный обратный ток при 298 К, ^р=5.6 В,
не более.............................................0,04	мА
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К, /ст = 10 мА
2С170А............................................ 18	Ом
КС 170А.........................................20	Ом
590
при 298 К, /ст = 3 мА
2С170А.....................................100 Ом
КС 170А.......................................90	Ом
при 373 К,	7СТ=Ю	мА	для	КС170А...............40	Ом
при 398 К,	/сг	=	10	мА для	2С170А.............35	Ом
Полная емкость при J7o6p = 0 для 2С170А, не более 590 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации......................... 3	мА
Максимальный постоянный ток стабилизации при температуре:
от 213	до	323	К................................20	мА
при 373	К	для	КС170А.......................... 10	мА
при 398	К	для	2С170А......................... 10	мА
Эффективное значение максимально допустимого синусоидального
тока в режиме двухстороннего ограничения на частоте 50 Гц для
2С170А при температуре:
от 213 до 323 К......................................20	мА
при 398 К....................................... 10	мА
Рассеиваемая мощность при температуру:
от 213 до 323 К.....................................150	мВт
при 373 К для КС170А.............................75	мВт
при 398 К для 2С170А..........................75 мВт
Тепловое сопротивление общее для 2С170А, не
более ............................................. 340 К/Вт
Температура окружающей среды:
2С170Л...............................................От	213 до
398 К
КС170А.........................................От	218 до
373 К
Температура перехода для 2С170А.................... 423	К
11.5. СТАБИСТОРЫ
Д219С, Д220С, Д223С
Стабисторы кремниевые микросплавные. Предназначены для ста-
билизации постоянного н импульсного напряжения и ограничения
импульсов напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приво-
дятся на корпусе.
Масса стабистора не более 0,5 г.
591
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение:
при /ст = 1 мА, не менее
при 298 К
Д219С.........................................0,57	В
Д220С, Д223С.................................0,59	В
при 213 К........................................ 0,7	В
при 393 К
Д219С.........................................0,35	В
Д220С, Д223С.................................0,36	В
при /ст = 50 мА, не более
при 298 К
Д219С, Д223С.................................. 1 В
Д220С........................................ 1,5 В
при 213 К
Д219С, Д223С.................................. 1,3 В
Д220С.......................................... 1,75	В
при 393 К
Д219С, Д223С.................................. 1,1 В
Д220С.............’.......................... 1,9 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный или средний прямой ток при температуре:
от 213 до 298 К................................50 мА
при 393 К......................................20 мА
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс.............. 500 мА
Однократный импульс прямого тока при 298 К,
ти = 0,5 с (аварийная перегрузка).................. 200 мА
Температура окружающей среды.......................От 213 до
393 К
2С107А, КС107А
Стабисторы кремниевые сплавные. Предназначены для работы
в стабилизаторах напряжения и в качестве термокомпенсирующих
элементов.
Выпускаются в металлостек-
лянном корпусе с гибкими вы-
водами. Тип прибора указывается
на корпусе.
Масса стабистора не бо-
лее 1 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
298 К, /ет = 10 мА......................
Разброс напряжения стабилизации:
при 298 К, /ст = 10 мА..................
при 298 К, /ст = 1 мА для 2С107А
0,7 В
±Ю°»
От 0.57 до 0,73 В
592
при 213 К, /ст = 10 мА для 2С1О7А	От 0,63 до 1,05 В
при 398 К, /С| = 10 мА для 2С1О7А	От 0,41 до 0,77 В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при
температуре:
от 303 до 398 К:
2С107А, не хуже...................... — 0,34 “//К
КС107А, не хуже......................... -0,3	“„/К
от 213 до 398 К для 2С107А ... От -0,45 до —0,1 %/К
Временная нестабильность напряжения ста-
билизации для 2С1О7А............................. ±3,2%
Постоянный обратный ток* при 323 К. С1Х-,р = 1 В для
2С107А, не более.....................................1,5	мкА
Дифференциальное сопротивление при /С1	10 мА. не более:
при	213	и 298 К для 2С107А....................... 7	qm
при	398 К для 2С107А............................. Ц	qm
при	298	К, /ст = 1 мА для 2С107А.................50	qm
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации.......................... I	мА
Максимальный постоянный ток стабилизации:
2С107А...............................................120	мА
КС107А...........................................100	мА
Импульсный прямой ток при /|1р.Ср « 50 мА, времени усред-
нения 1с............................................ 500	мА
Однократный импульс прямого тока при 298 К.
ти < 0,5 с (аварийная перегрузка)..................... 1	Д
Постоянное обратное напряжение при переходных про-
цессах для 2С107А..................................... 1	В
Рассеиваемая мощность для 2С107А.....................125	мВт
Тепловое сопротивление общее*....................... 300	К/Вт
Температура окружающей среды..........................От	213 до
398 К
Температура перехода* 2С107А........................ 398	к
О Z Ч S 8	10 11 нА
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
Зависимость среднего темпера-
турного коэффициента напряже-
ния от тока.
593
2С113А, КС113А, 2С119А, КС119А
Стабисторы кремниевые диффузионно-сплавные. Предназначены
для работы в стабилизаторах напряжения и в качестве термоком-
13
пенсирующих элементов.
Выпускаются в металлостек
лянном корпусе с гибкими вы-
водами. Тип прибора указывается
на корпусе.
Масса стабистора не бо-
лее 1 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при
298 К, /С1 = 10 мА:
2С113А. КС113А....................... 1.3 В
2С119А. КС119А.................... 1.9 В
Разброс напряжения стабилизации при /ст =
= 10 мА:
при 298 К.................................. ±10%
при 213 К
2CI I3A........................... От 1.17	до	1,8	В
2С119А............................ От 1.71	до	2.6	В
при 398 К
2С113А............................. От 0.72	до	1.43	В
2CII9A............................ От 1.16	до	2,09	В
Средний температурный коэффициент на-
пряжения стабилизации при температуре:
от 213 до 398 К
2С113А, 2С119А.......................От	0.42 до -0.2 %/К
КС 11 ЗА. не хуже...................... -0,3	%/К
КС119А. не хуже........................ -0,4	%/К
от 323 до 398 К
2С113А...............................От	-0,42 до -0.31 %/К
2С119А..............................От	-0,42 до 0,3 %/К
Временная нестабильность напряжения ста-
билизации для 2С113А. 2С119А ....	±3,5%
Постоянный обратный ток* при 298 К,
<7о6р = 1 В для 2С113А, 2С119А, не
более...................................... 0,1	мкА
Дифференциальное сопротивление, не более:
при 298 К. /ст = 1 мА
2С113А......................................... 80	Ом
2С119А............................ 130 Ом
при 298 К. /ст = 10 мА
2С113А,	КС113А........................ 12	Ом
2С119А,	КС119А........................ 15	Ом
при 213 К, /С1 = 10 мА
2С113А................................... 12	Ом
2С119А................................... 15	Ом
594

при 398 К, ZCT = 10 мА
2С113А............................
2С119А	.......................
18 Ом
25 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации......................... 1	мд
Максимальный постоянный ток стабилизации............100	мА
Импульсный прямой ток при /прср < 50 мА, ти -< 100 мкс
для 2С113А, 2С119А, КС119А......................... 200	мА
Постоянное обратное напряжение при переходных про-
цессах для	2С113А, 2С119А.......................... 1	В
Рассеиваемая мощность:
2С113А............................................180	мВт
2С119А......................................... 260	мВт
Температура окружающей среды.........................От	213 до
398 К
Температура перехода * 2С11 ЗА. 2С119А............. 398	К
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока.
Зависимость дифференциально-
го сопротивления от тока. .
Зависимость среднего темпе-
ратурного коэффициента на-
пряжения стабилизации от тока.
Зависимость напряжения стаби-
лизации от температуры.
595
Часть третья
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТИРИСТОРОВ
Раздел двенадцатый
ТИРИСТОРЫ
Д235А, Д235Б, Д235В, Д235Г
Тиристоры кремниевые диффузионно-сплавные р-п-р-п триодные
незапираемые. Предназначены для работы в качестве ключей сред-
ней мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 16 г.
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при /откр = 2 А,
Л.от = 50 мА. не более:
при 298 К....................................... 2 В
при 213 К....................................... 2,5 В
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем
электроде при T'llp JKp = 10 В. Т = 213 К. не более ...	5 В
Ток в закрытом состоянии при максимальном напря-
жении. не более:
при 298 и 213 К................................. 2 мА
при 373 К....................................... 3 мА
Постоянный отпирающий ток управляющего электрода
при О’лр.зир = 10 В. не более:
при 298 К....................................... 30 мА
при 213 К....................................... 50 мА
Импульсный отпирающий ток управляющею электрода
ПРИ ^пр,зкр = Ю В:
при 213 К, не более............................. 250 мА
596
f
при 373 К, не менее............................0,5	мА
Обратный ток при максимальном напряжении, не более:
при 298 и 213 К.................................... 2	мА
при 373 К....................................... 3	МА
Время включения по управляющему электроду при
£ пр.зьр = -- В. Z0Tkp = 2 А, Л.от.и ЮО мА. тф } — 0,3 мкс,
f\ = 50 <-100 Гц. т„ = 15 мкс, не более............ 5	мкс
Время включения при /огкр = 2 А. длительности про-
текания прямого тока 50 мкс. частоте следования
импульсов отпирающего тока 50 100 Гп, амплитуде
контрольного импульса 25 В, скорости нарастания
контрольною импульса 5 В/мкс, длительности спада
основного тока 0.2-0,4 мкс, сопротивлении ограни-
чительного резистора 15 Ом, полном сопро гивлснии
цепи управления не более 30 Ом, не более ....	35 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение на управляющем элек-
троде ............................................. 1 В
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
при 298 К
Д235А, Д235В..................................... 50	В
Д235Б, Д235Г.................................... 100	В
при 213 и 273 К
Д235А. Д235В...................................... 40	В
Д235Б. Д235Г..................................... 80	В
Постоянное обратное напряжение:
при 298 К
Д235В.............................................. 50 В
Д235Г............................................ ЮО	В
при 213 и 373 К
Д235В............................................. 40	В
Д235Г............................................ 80	В
Постоянный ток в открытом состоянии при температуре
корпуса от 213 до 343 К............................ 2 А
Импульсный ток в открытом состоянии при среднем
токе до 1 А и длительности импульса до 10 мс . . . .	10 А
Импульсный ток в открытом состоянии при единичных
импульсах длительностью до 50 мкс.................. 60 А
Постоянный прямой ток управляющею электрода при
температуре корпуса от 213 до 373 К................150 мА
Импульсный прямой ток управляющего электрода при
длительности импульса 50 мкс, температуре корпуса
от 213 до 373 К.................................... 350 мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре кор-
пуса от 213 до 343 К............................... 4 Вт
Температура корпуса ...............................От 213
до 343 К
Примечания: 1. Максимально допустимый постоянный гок,
А, в открытом состоянии при температуре корпуса от 343 до
597
373 К определяется по формуле
_ 375 - Гк
/О1кр,макс	, ,
10
2.	Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность.
Вт, при температуре корпуса от 343 до 373 К определяется по
формуле
D _ 375 - Гк
^ср. макс “ о
о
3.	Для повышения надежности тиристоров рекомендуется шун-
тирование цепи управления резистором сопротивлением 51 Ом.
4.	Подача на управляющий электрод постоянного обратного
напряжения выше 1 В запрещается.
Зависимость импульсного отпи-
рающего тока управляющего
электрода от длительности от-
пирающего импульса.
Зависимость импульсного от-
пирающего напряжения на уп-
равляющем электроде от дли-
тельности отпирающего им-
пульса.
Зависимость импульсного отпи-
рающего тока управляющего
электрода от температуры.
Зависимость импульсного отпи-
рающего напряжения на управ-
ляющем электроде от темпера-
туры.
598
Зависимость прямого напряже-
ния от времени.
Зависимость времени выключе-
Зависимость времени включения
по управляющему электроду от
Зависимость времени выключе-
Зависимость импульсного на-
пряжения в открытом состоя-
нии от тока.
Зависимость времени задержки
по управляющему электроду от
импульсного отпирающего тока
управляющего электрода.
2Н102А, 2Н102Б, 2Н102В, 2Н102Г, 2Н102Д,
2Н102Е, 2Н102Ж, 2Н102И, КН102А, КН102Б,
КН 102В, КН102Г, КН102Д, КН102Ж, КН102И
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п диодные. Предна-
значены для работы в импульсных устройствах в качестве комму-
тирующих элементов.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса тиристора не более 2 г.
выЗод I
ВыВоЗ t
30
Вывод 1
Электрические параметры
Минимальный ток в открытом состоянии
при 213 К........................................ 15 мА
при 373 К.....................................0.1 мА
Напряжение в открытом состоянии при /о1кр = 200 мА,
не более.......................................... 1,5 В
Время выключения при максимальном напряжении. /отк-р и —
1 А, ти = 10 мкс, не более........................40 мкс
Общая емкость при Г/обр = 0 В, f= 1 ч- 10 МГц. не
более............................................. 80 пФ
Ток в закрытом состоянии при максимальном напря-
жении, не более:
при 298 К.........................................80 мкА
при 373 К.....................................150 мкА
Обратный юк при (70бр = 10 В, не более............0.5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
2Н102А,	КН102А................................. 5	В
2Н102Б,	КН102Б................................ 7	В
2Н102В,	КН102В................................ 10	В
2Н102Г.	КН102Г................................ 14	В
600
2Н102Д, КН102Д............................... 20	В
2Н102Е, 2Н102Ж.	КН102Ж..................... 30	В
2Н102И, КН102И............................... 50	В
Импульсное отпирающее напряжение при Л„ < 500 Ом,
длительности фронта не более 0,6 мкс. ти > 2 мкс:
2Н102А, КН 102А.................................... 20	В
2Н102Б. КН102Б............................... 28	В
2Н102В, КН102В............................... 40	В
2Н102Г, КН102Г............................... 56	В
2Н102Д, КН102Д............................... 80	В
2Н102Е....................................... 75 В
2Н102Ж, КН102Ж............................... 120 В
2Н102И, КН102И............................... 150 В
Импульсное неотпирающее напряжение при = 500 Ом,
Тфр > 0,6 мкс, ти < 2 мкс:
2Н102А, КН102А.................................. 2 В
2Н102Б, КН102Б.................................... ЗВ
2Н102В, КН102В............................... 4 В
2Н102Г, КН102Г............................... 6 В
2Н102Д, КН102Д............................... 8 В
2Н102Е....................................... 7,5 В
2Н102Ж, КН102Ж................................. 12	В
2Н102И. КН102И . ... ........................ 15 В
Постоянное обратное напряжение....................... 10	В
Средний ток в открытом	состоянии.................. 200	мА
Импульсный ток в открытом состоянии
при ти< 10 мс........................................ 2	А
при т„ < 10 мкс.................................. 10	А
Температура корпуса:
2Н102А, 2Н102Б, 2Н102В, 2Н102Г, 2Н102Д, 2Н102Е,
2Н102Ж, 2Н102И................................ 383 К
Температура окружающей среды:
2Н102А. 2Н102Б, 2Н102В, 2Н102Г, 2Н102Д, 2Н102Е,
2Н102Ж, 2Н102И....................................От 213
до 373 К
КН102А, КН102Б, КН102В. КН102Г. КН102Д,
КН102Ж, КН102И...............................От 233
до 343 К
Примечания: 1. Напряжение в открытом состоянии при
температуре 213 К не более 3 В. при 233 К не более 1.7 В.
2. Допускается работа тиристоров при эквивалентном сопро-
тивлении нагрузки до 9 кОм.
3. Емкость монтажа по отношению к выводам тиристора
при отключенных тиристоре и генераторе импульсов не должна
превышать 15 пФ; индуктивность монтажа, включенная последо-
вательно с тиристором, не должна превышать 5 мкГн.
601
Зависимость времени выключс-
Зависимость времени выключе-
ния от температуры.
пряжения в открытом состоя-
нии от длительности фронта.
ния от импульсного тока.
фронта отпирающего импульса
от температуры.
7
Зависимость импульсного на-
6
5
Ч
3
2
1
113 153 Z33 333 373 413 К
Зона возможных положений за-
пряжения в открытом состоя-
нии от импульсного тока.
висимости минимального тока
в открытом состоянии от тем-
пературы.
602
Зона возможных положений за-
висимости импульсного напря-
жения в открытом состоянии от
температуры.
Зона возможных положений за-
висимости импульсного напря-
жения в открытом состоянии от
длительности фронта отпираю-
щего импульса.
2У101А, 2У101Б, 2У101Г, 2У101Д, 2У101Е, 2У101Ж,
2У101И, КУКЛА, КУПИВ, КУ101Г, КУПЛЕ
Тиристоры кремниевые диффузионно-сплавные /)-типа триодные
незапираемые. Предназначены для работы в переключающих уст-
ройствах.
Выпускаются в металлостсклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 2,5 г.
Электрические параметры
Постоянное отпирающее напряжение управляющего элек-
трода при t/„p,31!p = 10 В:
при 298, 398 и 213 К
2У101А, 2У101Б, 2У101Д...................................От	1,5
до 8 В
603
2У101Г, 2У101Е, 2У101Ж, 2У101И...............От 0,25
до 4.5 В.
при 298, 358 и 213 К
КУ101А, КУ101Б, КУ101Г, КУ101Е...................От 0,25
до 10 В
Постоянный отпира(ощий ток управляющего электрода
при Е'прлкр = 10 В:
при 298, 398 и 213 К
2У101А, 2У101Б. 2У101Г, 2У101Д, 2У101Е. 2УТ01Ж,
2У101И...........................................От 0,1
до 5 мА
при 298, 358 и 213 К
КУ101А. КУ101Б, КУ101Г, КУ101Е...............От 0.05
до 7,5 мА
Импульсный отпирающий ток управляющего элекгрода
при E'np.JKp= 10 В, не более....................... 14 мА
Ток утечки в закрытом состоянии при максимальном
напряжении, не более:
при 298 К......................................0,15 мА
при 398 (358 для КУ101А. КУ101Б. КУ101Г, КУ101Е)
и 213 К........................................0,5 мА
Обратный ток при максимальном напряжении, не более:
при 298 К..........................................0,15 мА
при 398 (358 для КУ101А, КУ101Б, КУ101Г, КУ101Е)
и 213 К........................................0,5 мА
Время включения при бгпр зкр = 25 В, /1|р = 50 мА,
Лр.у = 20 мА, Т = 298 К, не более.................. 2 мкс
Время выключения при С'11р.ЗКр = 25 В, /пр = 50 мА, пе
более:
при 298 К..........................................35 мкс
при 398 К (358 К для КУ101А, КУ101Б. КУ101Г.
КУ101Е)........................................70 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом со-
стоянии :
2У101А, 2У101Б. 2У101Ж. 2У101И. КУ101А.
КУ101Б....................................... 50	В
2У101Г. КУ101Г............................... 80	В
2У101Д, 2У101Е,	КУ101Е..................... 150	В
Постоянное обратное напряжение:
2У101А, 2У101Ж,	КУ101А..................... 10	В
2У101Б, 2У101И..	КУ101Б...................... 50	В
2У101Г, КУ101Г............................... 80	В
2У101Д, 2У101Е.	КУ101Е..................... 150	В
Постоянное обратное напряжение на управляющем
электроде:
2У101Г, КУ101Г................................ 2	В
604
Постоянный или средний ток в открытом состоя-
нии при температуре:
от 213 до 343 К (до 323 К для КУ101А,
КУ101Б, КУ101Г, КУ101Е)........................ 75	мА
от 343 (323 для КУ101А. КУ101Б, КУ101Г,
КУ101Е) до 398 К (до 358 К для КУ101А,
КУ101Б, КУ101Г, КУ101Е).....................—	(	--L мд
0,75
Импульсный ток в открытом состоянии:
При ти < 0,05 с, 7откр < 50 мА..................... 300	мА
при ти < 10 с, 7откр < 50 мА.................. 150	мА
при тн< 10 с, 7откр < 5 мА...................... 1	мА
Средний прямой ток управляющего электрода . . .	15 МА
Импульсная мощность на управляющем электроде:
при ти < 10 мкс, Ру ср =? 25 мВт................... 0,5	Вт
при ти < 20 мкс, Ру ср 25 мВт................. 0,2	Вт
Средняя рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 323 К.................................... 150	мВт
от 323 до 398 К (до 358 К для КУ101А, □go/qss'i т
КУ101Б, КУ101Г, КУ101Е)..........................J----'-мВт
0,5
Скорость нарастания напряжения в закрытом со-
стоянии ............................................ 100	В/мкс
Минимальное прямое напряжение в закрытом со-
стоянии ............................................. 10	В
Температура окружающей среды:
2У101А, 2У101Б, 2У101Г, 2У101Д, 2У101Е,
2У101Ж, 2У101И...................................От	213 до 398 К
КУ101А, КУ101Б, КУ101Г, КУ101Е ... От 213 до 358 К
0 Z0 ЦО 60 80 100 мА
Зависимость времени выключе- Зависимость времени включения
ния от тока.	от тока.
605
Зависимость импульсного отпи-
Ul,aT,K,T Z13K Z98K 398 К
К1101А} К11015
— Z1101A, 111016,21101 А —
- Z11011} 21101И ,21101 Е _
К1101Г, К1101Е	213К 298 К
В
S
5
Ч
3
Z
1
0	1 Ч 6	8	10 мкс
Зависимость импульсного от-
пирающего напряжения управ-
ляющего электрода or времени
включения по управляющему
рающего тока управляющего
электрода от времени включе-
ния по управляющему элект-
Зависимость напряжения в от-
Зависимость времени выключе-
пряжения управляющего элект-
ка управляющего электрода от
температуры.
рода от температуры.
606
г
Зависимость запирающего тока
управляющего электрода от
температуры.
ния от отпирающего гока уп-
равляющего электрода.
2У102А, 2У102Б, 2У102В, 2У102Г, КУ102А, КУ102Б,
КУ102В, КУ102Г
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п триодные запи-
раемые. Предназначены для работы в импульсных переключающих
устройствах малой мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 1,2 г.
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при /о,кр = 50 мА,
Д от = 20 мА, Г =213 (233 для КУ102А, КУ102Б,
КУ 102В, КУ102Г) и 298 К, не более............ 2,5	В
Импульсное запирающее напряжение на управляющем
электроде при максимальном напряжении, /откр = 50 мА,
1000 Гц, т, = 20 мкс, Г = 298 и 343 К, не более . . .	12 В
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем
электроде при Z0TKn = 30 мА, 1/пр,зхр = 10 В,/у < 1000 Гц,
Г[ = 5 мкс, Т = 298 и 213 К (233 К для КУ102А,
КУ102Б, КУ102В, КУ102Г). не более.................. 7	В
Незапирающее напряжение на управляющем электроде
при t/np lKp = 10 В, 70ТКр = 30 мА, /у < 1000 Гц, т2 =
20 мкс, Т = 333 К, не менее...................... 0,2	В
607
Неотпирающее напряжение на управляющем электроде
при 7откр = 50 мА, максимальном напряжении, /у -а
< 1000 Гц, т, = 5 мкс, Г= 373 К (358 К для КУ102А,
КУ102Б, КУ102В, КУ102Г). не менее............... 0,2 В
Ток в закрытом состоянии при максимальном напря-
жении, не более:
при 213 (233 для КУ102А, КУ102Б, КУ102В,
КУ102Г) и 298 К...............................0.1 мА
при 383 К (358 К для КУ102А. КУ102Б, КУ102В,
КУ102Г).......................................0,5 мА
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода
при 0гпрзкр = 10 В, /откр = 30 мА, /у < 1000 Гц, т, =
5 мкс, Т=213 К (233 К для КУ102А, КУ102Б,
КУ102В, КУ102Г) и 298 К. не более...............20 мА
Импульсный запирающий ток управляющего электрода
при максимальном напряжении, /откр = 50 мА. /у ч
1000 Гц, Т; = 20 мкс, Т = 298 и 343 К, не более ...	20 мА
Незапирающий ток управляющего электрода при Г'11р,кр =
10 В, /О|кр = 30 мА./у ч 1000 Гц, ъ = 20 мкс, Т= 213 К
(233 К для КУ102А, КУ102Б, КУ102В, КУ102Г),
не менее........................................0,5 мА
Неотпирающий ток управляющего электрода при макси-
мальном напряжении. /откр — 50 мА, А Ю00 Гц,
Т| = 5 мкс, Г = 373 К (358 К для КУ102А, КУ102Б.
КУ 102В, КУ102Г), не менее.....................0,2 мА
Удерживающий ток при С;пр 1кр = 20 В, /у от = 20 мА.
Т= 213 К (233 К для КУ102А, КУ102Б, КУ102В.
КУ102Г), не более...............................20 мА
Время включения по управляющему элекфоду при
максимальном напряжении, /откр = 50 мА. /у „т и = 20 мА,
тФ,у = 0,5 мкс, /у У 1000 Гц, Г| = 5 мкс, Т = 298 К,
не более.......................................... 5 мкс
Время выключения по управляющему электроду при
максимальном напряжении, /у 3 и = 20 мА. /откр = 50 мА,
т; = 20 мкс, ц = 70 мкс. /’ У 1000 Гц, Т= 298 К.
не более........................................20 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
2У102А. КУ102А.................................... 50	В
2У102Б, КУ102Б................................... 100	В
2У102В, КУ102В................................... 150	В
2У102Г, КУ102Г................................... 200	В
Постоянное обратное напряжение........................ 5	В
Импульсное обратное напряжение на управляющем элек-
троде при дли[ельностн импульса, равной или меньшей
25 мкс............................................ 20 В
Постоянный запираемый ток.........................50 мА
Импульсный обратный ток управляющею электрона при
длительности импульса, равной или меньшей 25 мкс . .	20 мА
608
Импульсный ток в открытом состоянии при частоте
следования импульсов до 50 Гц, Т = 298 К:
при ти =5 10 мкс................................... 5 А
при ти « 100 мкс................................... ЗА
при ти < 1000 мкс.................................. 0,5	А
Импульсный прямой ток управляющего электрода при
длительности импульса, равной или меньшей 25 мкс . .	100 мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от
213 (от 233 К для КУ102А, КУ102Б, КУ102В, КУ102Г)
до 343 К.............................................0,16	Вт
Импульсная мощность на управляющем электроде при
длительности импульса, равной или меньшей 25 мкс,
^у.ср.макс 33 мВт . . ................................. 1	Вт
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом
состоянии............................................ 200	В/мкс
Температура окружающей среды:
2У102А. 2У102Б, 2У102В, 2У102Г.........................От	213
до 383 К
КУ102А, КУ102Б, КУ102В, КУ102Г.......................От	233
до 358 К
Примечания: 1. Максимально допустимый постоянный за-
пираемый ток, мА, при температуре от 343 до 383 К определяется
по формуле
383 - Т
Д.макс	+25.
2. Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность,
мВт, при температуре от 343 до 383 К определяется по формуле
Зависимость напряжения в от-
крытом состоянии от темпера-
туры.
20 под ред, Н. Н. Горюнова
Зависимость тока в закрытом
состоянии от температуры.
609
Зависимость удерживающего
Зависимость неотпирающего то-
ка управляющего электрода от
Зависимость запираемого тока
от температуры.
Зависимость импульсного от-
пирающего тока управляющего
длительности отпирающего им-
пульса.
Л
5
Ч
3
г
1
1цткр,и,1			2У10Ш ку юг(я	-г) -П
				
			1000 мкс	
		Г при. 1Пр Эл 500mks при.1Пр		и.
				
			Скважность	
О ЧОО 800 ПОО 1600 юоо
Зависимость времени нараста-
ния от тока.
Зависимость импульсного тока
в открытом состоянии от скваж-
ности.
610
Зависимость импульсного запи-
рающего напряжения управляю-
щего электрода от тока.
Зависимость импульсного запи-
рающего тока управляющего
электрода от тока.
Зависимость импульсного запи-
рающего тока управляющего
электрода от длительности за-
пирающего импульса.
Зависимость незапирающего то-
ка управляющего электрода от
длительности запирающего им-
пульса.
2У103В, КУ103А, КУ103В
Тиристоры кремниевые мезапланарные p-типа, триодные, незапи-
раемые. Предназначены для работы в качестве ключей малой мощ-
ности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 2,5 г.
20*
611
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при /01кр и = 1 мА,
{7пр.зКр,и = 300 В,/у от = 10 мА,/= 50 Гц, не более. ... ЗВ
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем
электроде при /0|Кри = 1 мА, Ц]р1Ер„ = 300 В, /у,от =
10 мА, /’=50 Гц, при 213, 298 и 343 К (233 и
358 К для КУ103А. КУ103В).........................От 0,4
до 2 В
Общая емкость при 17лр1кр = 0, f = 5 МГц, не более ...	50 пФ
Ток в закрытом состоянии при Спр зкр = 300 В, не
более:
при 298 К.....................................0.2 мА
при 213 и 343 К (233 и 358 К для КУ ЮЗА,
КУ103В).......................................0,3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное прямое напряжение в закрытом состоянии
и обратное напряжение:
2У103В. КУ103В................................... 300	В
КУ103А........................................... 150	В
Импульсное обратное напряжение на управляющем элек-
троде ................................................ 2	В
Импульсный ток в открытом состоянии............... 1 мА
Обратный ток...................................... 1 мА
Средний прямой ток управляющего электрода ....	40 мА
Средняя рассеиваемая мощность.....................150 мВт
Диапазон рабочих частот коммутируемых сигналов . . . От 50
до 10000 Гц
Температура перехода.............................. 398 К
Температура окружающей’среды:
2У103В........................................От 213
до 343 К
КУ103А, КУ103В................................От 233
до 358 К
Примечание. Для повышения устойчивости работы необходимо
предусматривать включение между управляющим электродом и ка-
тодом шунта сопротивлением не более 1 кОм.
612
Зависимость напряжения в от-
крытом состоянии от темпе-
ратуры.
2У104А, 2У104Б, 2У104В, 2У104Г, КУ104А, КУ104Б,
КУ104В, КУ104Г
Тиристоры кремниевые эпитаксиально-планариые р-п-р-п триодные
незапираемые. Предназначены для работы в качестве ключей малой
мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 1,2 г.
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при /откр = 100 мА,
ZV0T = 25 мА, Г = 213 К (233 для КУ104А, КУ104Б.
КУ 104В, КУ104Г) и 298 К, не более.................. 2	В
Неотпирающее напряжение на управляющем электроде
при максимальном напряжении, от и = 0,9Zy от
/у = 50 Гц. г, = 3 мкс, Т = 398 К (358 К для КУ104А,
КУ104Б, КУ104В, КУ104Г), не менее.................... 0,1	В
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем
электроде при С/„рзкр = 10 В, /откр = 25 мА, fv = 50 Гц,
т, =3 мкс, Т= 213 К (233 К для КУ104А,’ КУ104Б,
КУ104В. КУ104Г), не более............................ 2	В
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряже-
нии. нс более:
при 213 и 398 К (233 и 358 К для КУ104А,
КУ104Б, КУ104В, КУ104Г).......................0,5	мА
при 383 К для 2У104А, 2У104Б,	2У104В,	2У104Г.	.	.	0,4	мА
при 343 К для 2У104А, 2У104Б.	2У104В,	2У104Г .	.	.	0,2	мА
при 298 К.....................................0,12	мА
613
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода
при ^пр.зкр=10 в- Лгкр = 25 мА. Л = 50 Гц. т, =
3 мкс. не более:
при 213 К (233 К для КУ104А. КУ104Б. КУ104В.
КУ104Г)........................................20 мА
при 298 К...................................... 15 мА
Неотпирающий ток управляющего электрода при мак-
симальном напряжении. /' = 50 Гц. Т] = 3 мкс. Г =
398 К (358 К для КУ104А. КУ104Б. КУ104В, КУ104Г),
не менее..........................................0.02 мА
Удерживающий ток при ( пр ,кр = 10 В. /уот = 25 мА.
Т= 213 К (233 К для КУ104А. КУ104Б. КУ104В.
КУ104Г), не более...............................20 мА
Время включения по управляющему электроду при
максимальном напряжении. /откр=Ю0 мА. /уо| ,, =
15 мА; /у = 50 Гц, т, = 3 мкс, гф1у =4 150 не. Т =
298 К, не более...................................0.29 мкс
Время нарастания при максимальном напряжении, /о|кр =
100 мА, /у.от.и =45 мА, f = 50 Гц, Т] = 3 мкс, Тфу =
150 нс, t = 298 К, не более.....................0.08 мкс
Время выключения при максимальном напряжении, /откр =
100 мА, /у,от.„ = 15 мА. fy = 50 Гц. = 3 мкс,
ь' 10 В/мкс, Т = 298 К, не более......2.5 мкс
dt кр
Предельные эксплуатационные данные
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом
состоянии при /= 50 Гц............................10 В/мкс
Импульсный прямой ток управляющего электрода при
длительности импульса до 10 мкс. частоте 50 Гц,
при температуре:
от 213 до 343 К (от 233 К для КУ104А. КУ104Б.
КУ104В, КУ104Г)...............................30 мА
от 343 до 383 К для 2У104А, 2У104Б, 2У104В,
2У104Г........................................20 мА
Импульсный ток в открытом состоянии при частоте
следования импульсов до 50 Гц:
при ти =4 10 мкс.................................. ЗА
при ти =4 100 мкс............................. 1 А
при ти =4 1000 мкс............................ 0,5 А
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
2У104А,	КУ104А............................. 15	В
2У104Б,	КУ104Б............................. 30	В
2У104В,	КУ104В............................. 60	В
2У104Г,	КУ104Г............................. 100	В
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии
при испытании в ждущем режиме при температуре:
от 213 до 343 К (от 233 К для КУ104А, КУ104Б,
КУ104В, КУ104Г)
614
2У104А,	КУ 104A................................ 15	В
2У104Б,	КУ104Б................................. 30	В
2У104В,	КУ104В................................. 60	В
2У104Г,	КУ104Г................................ 100	В
от 343 до 383 К
2У104А............................................ 15	В
2У104Б.......................................... 20	В
2У104В.......................................... 40	В
2У104Г.......................................... 75	В
Постоянное обратное	напряжение........................ 6	В
Напряжение в закрытом	состоянии...................... 10	В
Средний ток в открытом состоянии при температуре
от 213 до 343 К (от 233 К для КУ104А, КУ104Б,
КУ104В, КУ104Г).......................................100	мА
при 383 К (358 К для КУ104А, КУ104Б, КУ 104В,
КУ104Г)...........................................27	мА
Ток в открытом состоянии..............................25	мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от
213 до 343 К (от 233 К для КУ104А, КУ104Б,
КУ 104В, КУ104Г)................................... 200 мВт
при 383 К (при 358 К для КУ104А, КУ104Б,
КУ104В, КУ104Г)................................54 мВт
Температура перехода 2У104А,	2У104Б,	2У104В,
2У104Г........................................... 398 К
Температура окружающей среды:
2У104А, 2У104Б, 2У104В, 2У104Г.....................От 213
до 398 К
КУ104А, КУ104Б, КУ104В, КУ104Г.................От 233
до 358 К
Примечания: 1. Максимально допустимый средний ток, мА,
в открытом состоянии при температуре от 343 до 383 К опреде-
ляется по формуле
4ткР,сР,Макс = (398 - П/0,55
2. Максимально допустимая
мВт, при температуре от 343 до
средняя рассеиваемая мощность,
383 К определяется по формуле
Лр,«аКс = (398 - 73/0,275.
3. Для повышения надеж-
ной работы рекомендуется шун-
тирование цепи управления ре-
зистором сопротивлением
200 Ом — 1 кОм.
Зависимость импульсного на-
пряжения в открытом состоянии
от тока.
Uotkp,h,T			гу-юч(я-г)		
			КЗ		д-г;
					
					
					
				^откр,и,1	
О Ц 8 1Ъ 16 10 А
615
Зависимость импульсного отпи-
Зависимос1ъ импульсного отпи-
рающего напряжения управляю-
щего электрода от температуры.
рающего тока управляющего
электрода от длительности от-
Зависимость импульсного отпи- Зависимость удерживающего то-
рающего тока управляющего
электрода от температуры.
Зависимость времени нараста-
ния от прямого напряжения в
ния от тока.
закрытом состоянии.
616
Зависимость максимального им-
пульсного тока в открытом со-
стоянии от скважности.
Зависимость максимального
прямого напряжения в закры-
том состоянии от температуры.
2У105А, 2У105Б, 2У105В, 2У105Г, 2У105Д, 2У105Е,
КУ105А, КУ105Б, КУ105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е
Тиристоры кремниевые планарно-эпитаксиальные п-р-п-р триодные
незапираемые. Предназначены для работы в качестве ключей малой
мощности в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с защитным покрытием с гибкими выводами. Тип
прибора и его цоколевка приводятся на индивидуальной упаковке.
Масса тиристора не более 0.1 г.
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при /откр — 50 мА,
не более:
при 298 К..................................... 1,1 В
при 213 К (233 К для КУ105А, КУ105Б, КУ105В,
КУ105Г, КУ105Д. КУ105Е)....................... 1,35 в
Постоянный отпирающий ток управляющего электрода
при ^np, up = 10 В, не более :
при 298 К....................................... 4 мА
617
при 213 К (233 К для КУ105А, КУ105Б, КУ105В,
КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е)....................... 7 мА
Минимальный ток в открытом состоянии при Спр зкр = 10 В,
Т=213 К (233 К для КУ105А. КУ105Б,' КУ105В,
КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е)........................... 10 мА
Время выключения при 7откр — 50 мА, Zy от = 3 мА,
максимальном напряжении, не более...............1,5 мкс
Время включения при /откр = 50 мА, 7у от = 3 мА,
максимальном напряжении, не более...............0.1 мкс
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода
при Спр зкр = 10 В, не более...................... 5 мА
Импульсное отпирающее напряжение управляющего элек-
трода при С-пр 1кр = 10 В, не более............. 2 В
Неотпирающий ток управляющего электрода при
С'„р зкр = 10 В.................................0.01 мА
Неотпирающее напряжение управляющего электрода при
^пр,з«р= Ю В.................................... 0.1 В
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии
при максимальном напряжении, не менее.............10 В/мкс
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряже-
нии, не более:
при 298 и 213 К (233 К для КУ105А. КУ105Б,
КУ105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е)...............1 мкА
при 343 К.....................................20 мкА
Обратный ток при максимальном напряжении, не более:
при 298 и 213 К (233 К для КУ105А, КУ105Б,
КУ105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е)
2У105А, 2У105Б,	КУ105А,	КУ105Б...............  3	мкА
2У105В, 2У105Г,	КУ105В,	КУ105Г...............30	мкА
при 343 К
2У105А, 2У105Б,	КУ105А,	КУ105Б...............60	мкА
2У105В, 2У1О5Г,	КУ105В,	КУ105Г.............. 600	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии
при температуре:
от 213 до 343 К (от 233 до 323 К для КУ105А,
КУ105Б, КУ105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е)
2У105А. 2У105В, 2У105Д, КУ105А. КУ105В,
КУ105Д...................................... 30 В
2У105Б, 2У105Г. 2У105Е, КУ105Б, КУ105Г,
КУ105Е...................................... 15 В
от 343 до 398 К (от 323 до 358 К для КУ105А,
КУ105Б, КУ105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е)
2У1О5А, 2У105В, 2У105Д, КУ105А, КУ105В,
КУ105Д...................................... 20 В
2У105Б, 2У105Г, 2У105Е, КУ105Б, КУ105Г, КУ105Е 10 В
618
Обратное напряжение при температуре:
от 213 до 343 К (от 233 до 323 К для КУ ЮЗА, КУ 105Б,
КУ105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е)
2У105А, КУ105А.............................................. 30	В
2У105Б, КУ105Б....................................... 15	В
2У105В, 2У105Г, КУ105В,	КУ105Г................ 5 В
от 343 до 398 К (от 323 до 358 К для КУ105А, КУ105Б,
КУ105В, КУ105Г, КУ105Д. КУ105Е)
2У105А, КУ105А....................................... 20	В
2У105Б, КУ105Б....................................... 10	В
2У105В. 2У105Г, КУ105В.	КУ105Г................ 5 В
Средний ток в открытом состоянии при температуре от
213 до 343 К (от 233 до 323 К для КУ105А,
КУ105Б, КУ105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е) ....	50 мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 343 К
(от 233 до 323 К для КУ105А, КУ105Б, КУ105В, КУ105Г, КУ105Д,
КУ105Е):
при Яткристалл-воздух < 4 К/мВт......................  15	мВт
при RT	< 0,8 К/мВт......................75 мВт
1 кристалл-корпус
Импульсный ток в открытом состоянии при /= 50 Гц:
при	ти < 10 мкс..................................... 2	А
при	ти < 100 мкс..................................... 1	А
при	ти < 1000 мкс.................................. 0,5	А
Температура окружающей среды:
2У105А, 2У105Б, 2У105В, 2У105Г, 2У105Д, 2У105Е От 213 до
398 К
КУ105А, КУ105Б, КУ105В, КУ105Г. КУ105Д.
КУ105Е..............................................От	233 до
358 К
Примечания: 1, Максимально допустимый средний ток, мА,
в открытом состоянии при температуре от 343 до 398 К (от
323 до 358 К для КУ105А. КУ105Б, КУ105В, КУ105Г, КУ105Д,
КУ105Е) определяется по формуле
398 (358)- Т
Ачкр.ср, Т -	
2. Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность,
мВт, при температуре от 343 до 398 К (от 323 до 358 К для
КУ105А, КУ105Б, КУ105В, КУ105Г, КУ105Д, КУ105Е) определяется
по формуле
р = 398(358)^Т_ для
ср’г	0,746	’
„	398(358) - Т	_	„
Рсп т = ---------------- для Rv < 4 К/мВт.
ср’т	3,66
3. Для 2У105Д, 2У105Е, КУ105Д, КУ105Е допускается кратковре-
менная подача обратного напряжения амплитудой не более 5 В,
619
состоянии от температуры.	температуры.
Зависимость отпирающего то- Зависимость отпирающего на-
ка управляющего электрода от пряжения управляющего элект-
температуры	рода от температуры.
Зависимость минимального то-
ка в открытом состоянии от
Зависимость напряжения в от-
крытом состоянии от темпера-
температуры.
туры.
620
Зависимость импульсного отпи-
рающего тока управляющего
электрода от длительности им-
пульса.
Зависимость импульсного отпи-
рающего напряжения управляю-
щего электрода от длительности
импульса.
Зависимость времени выключе-
ния от тока.
2У106А, 2У106Б, 2У106В, 2У106Г
Тиристоры кремниевые планарные р-п-р-п гибридные триодные
незапираемые пороговые. Предназначены для использования в релакса-
ционных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 1,5 г.
621
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при
/отер = ЮО мА. 298. 213. 343 К. не более	2 В
Коэффициент передачи однопереходного транзистора при CE|b2 = Ю В:
при 298 К
2У106А. 2У106В........................ От	0,5 до 0.7
2У106Б. 2У106Г........................ От	0,65 до 0,85
при 343 К
2У106А, 2У106В........................ Oi	0.45 до 0,7
2У106Б, 2У106Г........................ От	0,6 до 0.85
при 213 К
2У106А, 2У106В........................ От	0,5 до 0,75
2У106Б, 2У106Г........................ От	0,65 до 0.9
Межбазовое сопротивление:
при 298 К............................... От	4 до 12 кОм
при 213 К............................... От	2 до 12 кОм
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряжении, не
более:
при 298 и 213 К.................................10 мкА
при 343 К.......................................100 мкА
Постоянный отпирающий ток управляющего электрода
при Unp ,кр = 10 В. не более........................ 10 мА
Минимальный ток в закрытом состоянии, не более 10 мА
Ток утечки эмиттерного перехода однопереходного тран-
зистора при Т’ыБг = 30 В, не более.................. 1 мкА
Ток включения однопереходного транзистора при
Ц51Б2 = Ю В, не более.............................20 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Межбазовое напряжение................................. 30	В
Обратное напряжение между эмиттером и базой 2	30 В
Постоянный ток эмиттера в открытом состоянии при
температуре от 213 до 308 К............................ 50	мА
Средний ток тиристора в открытом состоянии при тем-
пературе от 213 до 308 К...............................100	мА
Ток эмиттера однопереходного транзистора при
ти < 10 мкс, скважности, большей или равной 200,
Яш = 20 Ом, температуре от 213 до 308 К . . . .	1 А
Импульсный ток тиристора в открытом состоянии при
т„ < 500 мкс, скважности, большей или равной 20,
температуре от 213 до 308 К............................. 1	А
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от
213 до 308 К.......................................... 400	мВт
622
Скорость нарастания напряжения в закрытом сзстоядии
при ЙП| — 200 Ом.................................... В/мкс
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
2У106А,	2У106Б............................... 50 В
2У106В.	2У106Г............................... 100 В
Время включения триодного тиристора при 298 К, нс
более............................................. 1 мкс
Время выключения триодного гирисгора при 298 К,
Яш = 200 Ом, не более.............................25 мкс
Неотпирающее напряжение на управляющем электроде
триодного тиристора, не более..................... 0,4 В
Постоянный ток управляющего электрода триодного ти-
ристора ............................................100	мА
Обратное напряжение управляющего электрода тиристора 3 В
Обратное напряжение на триодном тиристоре ....	10 В
Примечания: 1. Средняя рассеиваемая мощность, мВт, при
температуре от 308 до 398 К определяется по формуле
, (408 - Л
0,25
2. Температурная зависимость межбазового сопротивления
ТКС^Б1Б2 = °’1 ^°’9%/К,
— ^Б1Б2макс ~ ЯБ1Б2МИН 100 %
^Б1Б2	\г
у'Б1Б2ср
где ЯБ1Б2макс — межбазовое сопротивление при максимальной тем-
пературе: Яб1Б2мин - межбазовое сопротивление при минимальной
температуре:
^Б1Б2макс + ^Б1Б2мин
йБ1Б2ср “ “--- 2--------------’
Д7" = ТМЛКС — Тмин.
3. Температурная зависимость коэффициента передачи однопе-
реходного транзистора находится в пределах
ТКг] = — 0,05—0,1 %/К;
Пмакс — Пмин Ю0 /о
ТКп = ------------------- •
Пмакс + Имин
Пер	,
гДе Пмакс. Пмин - коэффициенты передачи при максимальной и ми-
нимальной температуре.
623
Зависимость минимального тока
в открытом состоянии от тем-
пературы.
Зависимость тока включения от
температуры.
Зависимость напряжения в от-
крытом состоянии от темпера-
туры.
в
Зависимость минимального тока
открытом состоянии от темпе-
ратуры.
Л
оо
Зависимость отпирающего тока
управляющего электрода от
температуры.
Зависимость отпирающего тока
управляющего электрода от вре-
мени задержки.
624
2У107А, 2У107Б, 2У107В, 2У107Г, 2У107Д, 2У107Е
Тиристоры кремниевые планарные p-типа триодные незапираемые.
Предназначены для работы в качестве ключей малой мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 2,5 г.
Электрические параметры
Постоянное отпирающее напряжение на управляющем электроде при
^пр.экр = 10 В:
при 298 К................... .....................От 0,35 до
0, 55 В
при 398 К, не менее.............................0,05	В
при 213 К, не более............................. 0,8	В
2У107А, 2У107Б при температуре от 213 до 358 К,
не более........................................ 0,6	В
Постоянный отпирающий ток управляющего электрода при
^пр, зкр =Ю В:
при 298 К.....................................От -20 до
10 мкА
при 213 К.....................................От -20 до
20 мкА
Напряжение в открытом состоянии при максимальном
токе, 298 и 213 К, не более......................... 1,5	В
Минимальный ток в открытом состоянии не более:
при 298 и 213 К
2У107А............................................0,3	мА
2У107Б..........................................0,6	мА
2У107В..........................................0,5	мА
2У107Г. 2У107Д..................................1,0	мА
при 298 К	для	2У107Е...........................0,06	мА
при 213 К	для	2У1О7Е...........................0,15	мА
Время выключения при максимальном токе, CZ, JKp = 10 В.
не более.........................................40 мкс
Импульсное напряжение в открытом состоянии при
/откр, и = 20 А, не более:
2У107А, 2У107Б.................................. 30	В
2У107В, 2У107Г, 2У107Д, 2У107Е.................. 25	В
625
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии в режиме
переключения, не менее:
2У107А,	2У107Б............................. 350 В
2У107В,	2У1О7Г............................. 200 В
2У107Д,	2У107Е............................. 75 В
Обратный ток при максимальном обратном напряжении,
не более:
при 298 К
2У107А, 2У107Б, 2У107В,	2У107Г.................23	мкА
2У107Д, 2У107Е..................................18	мкА
при 398 К
2У1О7А, 2У107Б, 2У107В,	2У107Г..................57	мкА
2У107Д, 2У107Е..................................37	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
2У107А, 2У107Б............................... 250 В
2У107В, 2У107Г............................... 150 В
2У107Д, 2У107Е............................... 60 В
Постоянное обратное напряжение..................... 10 В
Постоянное обратное напряжение на управляющем
электроде.......................................... 10 В
Средний ток в открытом состоянии при температуре
от 213 до 338 К......................................100	мА
Средний прямой ток управляющего электрода при темпе-
ратуре от 213 до 338	К............................40	мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от
213 до 338 К.....................................	200 мВт
Импульсный ток в открытом состоянии при
/огкр ср = 100 мА, т„ -< 5 мс и температуре от 213
до 338 К...........................................600	мА
Импульсный ток в открытом состоянии при темпера-
туре от 213 до 338 К:
2У107А, 2У107Б, при/2; = 0,02 А2-с............ 25	А
2У107В, 2У107Г, 2У1О7Д. 2У107Е при Г-t =
= 0,05 А2-с.................................... 45	А
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии:
2У107А.........................................106	В/с
2У107Б, 2У1О7В, 2У107Г, 2У107Д, 2У1О7Е ....	102 В/с
Температура окружающей среды..........................От	213 до
398 К
Примечание. В интервале температур от 338 до 398 К средняя
рассеиваемая мощность снижается на 12 мВт/5 К, средний ток
в открытом состоянии на 4 мА/5 К, средний прямой ток управляю-
щего электрода на 1,5 мА/5 К, импульсный ток в открытом со-
стоянии на 25 мА/5 К. импульсный ток в открытом состоянии
для 2У107А, 2У107Б (при I-t = 0,02 А2 с) на 1,6 А/5 К (по току)
и на 0.0013 А2с/5 К (по Г-t), для 2У107В, 2У107Г, 2У1О7Д,
2У1О7Е на 2 А/5 К (по току) и на 0,032 А2 • с (по I-t).
626
ратного тока управляющего
Зависимость напряжения в от-
крытом состоянии от среднего
тока.
Зависимость напряжения в от-
крытом состоянии от темпера-
туры.
627
г
Зависимость отпирающего на-	Зависимость отпирающего тока
пряжения управляющего элект-	управляющего электрода от
рода от температуры.	температуры.
Зависимость времени включения
от температуры.
Зависимость импульсного на-
пряжения в открытом состоянии
от импульсного тока.
КУ108В, КУ108Ж, КУ108М, КУ108Н, КУ108С, КУ108Т,
КУ108Ф, КУ108Ц
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п, триодные незапи-
раемые. Предназначены для работы в качестве ключей большой
Катод Анод
мощности.
Выпускаются в ме-
таллокерамическом кор-
пусе. Тип прибора ука-
зывается на корпусе.
Масса тиристора не
более 45 г, в сборе с
прижимным устройством
и радиатором не бо-
лее 220 г.
628
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при /откр = 5 А, не более 4 В
Импульсное напряжение в открытом состоянии при
4ткр,и=50 А, /у,от,и = 4’5 А, не более....... 50 В
Ток в закрытом состоянии при максимальном напря-
жении, не более................................2,5 мА
Обратный ток при максимальном обратном напряжении,
не более......................................... 3 мА
Время включения при максимальном напряжении, /откр и = 50 А,
/y.OT.„ = 4,5 A, dU^jdt = 20 В/мкс, не более:
КУ108В, КУ108М, КУ108Н, КУ108Ф................35 мкс
КУ108Ж, КУ108С, КУ108Т, КУ108Ц................ЮО мкс
Время задержки при максимальном напряжении,
4>ткр.и = 50 А, не более.........................0,5 мкс
Время нарастания при максимальном напряжении, /откр и = 50 А,
не более:
КУ108В, КУ108Ж, КУ108М, КУ108С ...... 0,1 мкс
КУ108Н. КУ108Т, КУ108Ф, КУ108Ц................0,3 мкс
Удерживающий ток при {7пр зкр = 50 В, не более....150 мА
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем
электроде при /у,От. и = 4-5 А, не более...... 25 В
Неотпирающее напряжение управляющего электрода, не
менее.......................................... 0,1 В
Неотпирающий ток управляющего электрода, не менее 5 мА
Общая емкость при t/np.3ICp = 600 В, не более..... 500 пФ
Тепловое сопротивление кристалл — корпус, не более 6 К/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
КУ108В,	КУ108Ж........................ 1000 В
КУ108М, КУ108Н. КУ108С, КУ108Т................ 800 В
КУ108Ф,	КУ108Ц........................ 600	В
Постоянное обратное напряжение:
КУ108В,	КУ108Ж........................ 500	В
КУ108М,	КУ108Н, КУ108С, КУ108Т................ 400	В
КУ108Ф, КУ108Ц................................ 300 В
Минимальное напряжение в закрытом состоянии ....	25 В
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 20 В/мкс
Импульсный ток в открытом состоянии............... 150 А
Минимальный импульсный ток в открытом состоянии 2 А
Скорость нарастания тока в открытом состоянии . . . 500 А/мкс
Постоянное обратное напряжение на управляющем
элек|роде....................................... 0,5 В
Импульсный прямой ток управляющего электрода . . .	4,5 А
Скорость нарастания прямого тока управляющего элек-
трода ..........................................45 А/мкс
Импульсная мощность на управляющем электроде ...	150 Вт
Длительность импульса тока управляющего элект-
рода от 0,8 до 2 мкс
629
Частота следования импульсов при длительности тока
в открытом состоянии 0,55 мкс...................... 2000	Гц
Длительность импульса тока в открытом состоянии 0,5 мкс
Температура окружающей среды..........................От	233 до
353 К
Примечание. При эксплуатации тиристора в режиме с током
в открытом состоянии более 50 А прямое напряжение на тиристор
должно прикладываться не ранее чем через половину периода сле-
дования импульса в открытом состоянии.
Зависимость максимального то-
ка в открытом состоянии от
температуры корпуса.
Зависимость максимального им-
пульсного тока в открытом со-
стоянии от температуры.
Зависимость импульсного тока
в открытом состоянии от час-
тоты.
КУША, КУ109Б, КУ109В, КУ109Г
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п триодные незапира-
емые. Предназначены для работы в качестве ключей.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими вывода-
ми. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 7 г.
630

Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при 70ТКр =150 мА,
7у от = 0,7 мА, не более......................... 1 В
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряже-
нии, не более...................................0,3 мА
Отпирающий ток управляющего электрода при
^пр,зкр= 1° В- не более.........................100 мА
Отпирающее напряжение на управляющем электроде
при /у от < ЮО мА, не более.................... ЗВ
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем
электроде при f7np>3Kp = 440 В, не более........ 7 В
Время выключения при 7ОТКР1И	= 12 А, не более:
КУ109А при	Тпр зкр = 440	В.................. 6	мкс
КУ109Б при	U„p зкр = 360	В.................. 4	мкс
КУ109В при	17пр;ир = 440	В.................. 8	мкс
Предельные эксплуатапиоииые данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
КУ109А, КУ 109В................................ 700 В
КУ109Б........................................ 750 В
КУ109Г.......................................... 600	В
Постоянное обратное напряжение.................... 50 В
Постоянное обратное напряжение на управляющем
электроде............................................. 30	В
Импульсный ток в открытом состоянии.................. 12	А
Средний ток в открытом состоянии..................... 1	А
Импульсный прямой ток управляющего электрода ...	2 А
2У201А, 2У201Б, 2У201В, 2У201Г, 2У201Д, 2У201Е,
2У201Ж, 2У201И, 2У201К, 2У201Л, КУ201А, КУ201Б,
КУ201В, КУ201Г, КУ201Д, КУ201Е, КУ201Ж, КУ201И,
КУ201К, КУ201Л
Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные р-п-р-п триодные
незапираемые. Предназначены для работы в качестве ключей средней
мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Масса тиристора не более 18 г.
it
i
631
14	Управляющий
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при /откр = 2 А, не более:
при 298 К.......................................... 2 В
при 213 К...................................... 2,5 В
Постоянное отпирающее напряжение управляющего элек-
трода при 7у от= 100 мА, Г=213 К, не более 6 В
Постоянный отпирающий ток управляющего электрода
при С/„р(ЗКр = Ю В:
при 213 К, не более...............................100 мА
при 383 К (при 358 К для КУ201А, КУ201Б,
КУ201В. КУ201Г, КУ201Д, КУ201Е, КУ201Ж,
КУ201И, КУ201К, КУ201Л), не менее............ 2 мА
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряже-
нии и температуре 293, 213, 383 К (358 К для
КУ201А. КУ201Б, КУ201В, КУ201Г, КУ201Д, КУ201Е,
КУ201Ж, КУ201И, КУ201К, КУ201Л), не более ...	5 мА
Обратный ток при максимальном обратном напряжении
и температуре 293, 213, 383 К (358 К для КУ201А,
КУ201Б, КУ201В, КУ201Г, КУ201Д, КУ201Е, КУ201Ж,
КУ201И, КУ201К, КУ201Л), не более............... 5 мА
Время включения при максимальном напряжении,
70ткр = 2 А, не более..............................10 мкс
Время выключения при максимальном напряжении,
/ОТкр = 2 А, не более..............................100 мкс
Минимальный ток в открытом состоянии при Спр JKp = 10 В,
не более...........................................100 мА
Предельные эксплуатационные данные
Прямое напряжение на управляющем электроде ....	10 В
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 5 В/мкс
Постоянный ток в открытом состоянии при температуре
корпуса до 343 К.................................... 2А
Импульсный ток в открытом состоянии при ти < 10 мс,
/откр « 1 А, Тк < 343 К........................... 10 А
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
2У201А. 2У201Б, КУ201А. КУ201Б.............. 30 В
2У201В, 2У201Г,	КУ201В,	КУ201Г................ 60	В
2У201Д, 2У201Е,	КУ201Д,	КУ201Е............... 120	В
2У201Ж, 2У201И,	КУ201Ж,	КУ201И............... 240	В
2У2О1К, 2У201Л,	КУ201К,	КУ201Л............... 360	В
Постоянное обратное напряжение:
2У201Б, КУ201Б......................................... 25	В
2У201Г. КУ201Г................................... 50	В
2У201Е, КУ201Е.................................. 100	В
2У201И, КУ201И.................................. 200	В
2У201Л. КУ201Л.................................. 300	В
Импульсный прямой ток управляющего элеырода 200 мА
при т„ =; 50 мкс.................................... 350 мА
Обратный ток управляющего электрода................ 5 мА
Скорость нарастания тока в открытом состоянии .... 3 А,'.мкс
Средняя рассеиваемая мощность при температуре корпу-
са до 343 К......................................... 4 Вт
Средняя рассеиваемая мощность при температуре кор-
пуса до 383 К для 2У201А, 2У201Б, 2У201В,
2У201Г. 2У201Д. 2У201Е, 2У201Ж, 2У201И. 2У201К,
2У201Л..............................................0,25 Вт
Мгновенное значение мощности на управляющем
электроде........................................... 1 Вт
Температура корпуса:
2У201А, 2У201Б, 2У201В. 2У201Г. 2У201Д, 2У201Е,
2У201Ж, 2У201И, 2У201К, 2У201Л.....................От 213 до
383 К
КУ201А. КУ201Б, КУ201В, КУ201Г, КУ201Д,
КУ201Е, КУ201Ж, КУ201И, КУ201К, КУ201Л От 213 до
358 К
Примечания: 1. При эксплуатации тиристоров между като-
дом и управляющим электродом должен быть включен шунтирую-
щий резистор сопротивлением 51 Ом.
2. При отрицательном напряжении на аноде подача тока уп-
равления не допускается.
Зависимость максимального
среднего тока в открытом со-
стоянии от температуры кор-
пуса.
633
Зависимость отпирающего тока
управляющего электрода от
температуры.
Зависимость отпирающего тока
управляющего электрода от
длительности импульса.
в
300
250
200
150
100
50
О
Uпр,зкр,Т
23201К
23201Л
К 3201К
К32О1Л
Z3Z01A, 132015
- КУ201Д ,К3201Е
23201Д, 23201Е
23201Ж,23201И,
К3201Ж,
'К3201И
232018,232015
К3201В,
К32О1Г
K3Z01A,
.K3Z015
273 2 93 313 333 353 373 393 К
Зависимость напряжения в закры-
том состоянии от температуры.
Зависимость импульсного то-
ка в открытом состоянии от
длительности импульса.
2У2О2Д, 2У2О2Е, 2У202Ж, 2У202И, 2У202К, 2У202Л,
2У202М, 2У202Н, У202А, КУ202Б, КУ202В, КУ202Г,
КУ202Д, КУ202Е, КУ202Ж, КУ202И, КУ202К, КУ202Л,
КУ202М, КУ202Н
Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные р-п-р-п триодные
незапираемые. Предназначены для работы в качестве ключей средней
мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 25 г.
634
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при /о =10 А, не более:
при 298 К....................................... 1,5 В
при 213 К..................................... 2 В
Постоянное отпирающее напряжение управляющего
электрода при /уот =S 200 мА, Т = 213 К, не более 7 В
Постоянный отпирающий ток управляющего электрода
при ипр>экр = 10 В, Т= 213 К, не более.......... 200 мА
Ток в закрытом состоянии при максимальном напря-
жении, 298 и 383 К (358 К для КУ202А, КУ202Б.
КУ202В, КУ202Г, КУ202Д, КУ202Е, КУ202Ж, КУ202И,
КУ202К, КУ202Л, КУ202М, КУ202Н), не более ...	10 мА
Обратный ток при максимальном обратном напряжении
и температуре 298 и 383 К (358 К для КУ202А, КУ202Б,
КУ202В, КУ202Г, КУ202Д, КУ202Е, КУ202Ж, КУ202И,
КУ202К, КУ202Л, КУ202М, КУ202Н), не более ...	10 мА
Время включения при С'пр. зкр = 50 В (25 В для КУ202А,
КУ202Б), /откр = 10 А, не более................10 мкс
Время выключения при максимальном напряжении,
/откр = ю А, не более..........................150 мкс
Минимальный ток в открытом состоянии при
^пр,зкр=10 В, не более.......................... 300 мА
Импульсное отпирающее напряжение управляющего элек-
трода при /у от и =S 200 мА, ти > 10 мкс, Т = 213 К,
не более........................................ 7 В
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода
при НПр,зкр=10 В, ти > 10 мкс, Т=213 К, не более 200 мА
Неотпирающее напряжение на управляющем электроде
при максимальном токе, Т = 383 К (358 К для
КУ202А, КУ202Б, КУ202В, КУ202Г, КУ202Д, КУ202Е,
КУ202Ж, КУ202И, КУ202К, КУ202Л, КУ202М,
КУ202Н), не менее............................... 0,2	В
Неотпирающий ток управляющего электрода при мак-
симальном напряжении, Т = 383 К (358 К для КУ202А,
КУ202Б, КУ202В, КУ202Г, КУ202Д, КУ202Е, КУ202Ж,
КУ202И, КУ202К, КУ202Л, КУ202М, КУ202Н), не
менее.................................................2,5	мА
Общая емкость при С/пр зкр = 0, не более............... 800	пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
КУ202А, КУ202Б................................. 25	В
КУ202В, КУ202Г................................. 50	В
2У202Д,	2У202Е,	КУ202Д,	КУ202Е . . .	. . .	120 В
2У202Ж,	2У202И,	КУ202Ж,	КУ202И , . .	. . .	240 В
2У202К,	2У202Л,	КУ202К,	КУ202Л . . .	. . .	360 В
2У202М.	2У202Н,	КУ202М,	КУ202Н . . .	. . .	480 В
Постоянное обратное напряжение на управляющем
электроде........................................ 10 В
Прямое напряжение на управляющем электроде ....	10 В
Постоянный ток в открытом состоянии при Тк < 343 К	10 А
Импульсный ток в открытом состоянии при ти =5 10 мс,
4ткр.ср < 5 А, Гк < 343 К....................... 30 А
Импульсный ток в открытом состоянии при единичных
импульсах, ти =S 50 мкс,/ = 50 Гц, =S 343 К...... 50 А
Импульсный прямой ток управляющего электрода при
Гк < 343 К....................................... 300 мА
Импульсный прямой ток управляющего электрода при
тн < 50 мкс, Тк =? 343 К......................... 500 мА
Обратный ток управляющего электрода.............. 5 мА
Средняя рассеиваемая мощность при Тк =S 343 К . . . .	20 Вт
Средняя рассеиваемая мощность при Тк < 383 К (353 К
для КУ202А, КУ202Б, КУ202В, КУ202Г, КУ202Д,
КУ202Е, КУ202Ж, КУ202И, КУ202К, КУ202Л, КУ202М,
КУ202Н).......................................... 1,5 Вт
Импульсная мощность иа управляющем электроде при
тн < 10 мкс, Ц ог.и < 20 В, Тк >1 343 К.......... 20 Вт
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 5 В/мкс
Импульсная мощность на управляющем электроде при
ти =S 50 мкс, Тк < 343 К.........................2,5 Вт
Температура корпуса
2У202Д, 2У202Е, 2У202Ж, 2У202И, 2У202К, 2У202Л,
2У202М, 2У202Н................................От 213 до
383 К
КУ202А, КУ202Б, КУ202В, КУ202Г, КУ202Д, КУ202Е,
КУ202Ж, КУ202И, КУ202К, КУ202Л, КУ202М, КУ202Н От 213 до
358 К
Примечания: 1. При использовании тиристоров между ка-
тодом и управляющим электродом должен быть включен шунти-
рующий резистор сопротивлением 51 Ом.
2. При отрицательном напряжении на аноде тиристора подача
тока управления не допускается.
3. При креплении тиристоров к теплоотводу усилие затяжки
должно быть 20 — 25 кг-см.
636
открытом состоянии от темпе-
ратуры корпуса.
управляющего электрода от
температуры корпуса.
пряжения управляющего элект-
ка управляющего электрода от
пряжения управляющего элект-
рода от температуры корпуса.
управляющего электрода от
длительности импульса.
0пр,знр,т
L3ZOZH^lOZH,K3ZOZ»f
K3Z0ZH -----
Z3ZOZJ\,K3ZOZK,
K320ZJI ----
11Z0Z и,
K3Z0ZJK
K3Z0ZH
H3ZQIA.H3Z0ZE
1Ы02 К
Z3Z0Z7K.
Z3Z0ZA,
Z3Z0ZЕ
213 153 233 333 373 913 К
в
500
ЧОО
300
zoo
100
о
Z93 313 333 353 373 393 К
Зависимость напряжения в за-
крытом состоянии от темпера-
туры корпуса.
Зависимость времени включения
от температуры корпуса.
Зависимость времени выключе-
ния от температуры корпуса.
Зависимость скорости нараста-
ния напряжения в закрытом со-
стоянии от температуры кор-
пуса.
2У203А, 2У203Б, 2У203В, 2У203Г, 2У203Д, 2У203Е,
2У203Ж, 2У203И
Тиристоры кремниевые диффузионно-сплавные р-п-р-п триодные
незапираемые. Предназначены для работы в качестве ключей средней
мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 41,5 г.
638
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при 7откр = 10 А,
1у.от = 350 мА, не более:
'при 213 К..................................... 2,5 В
при 298 К..................................... 2 В
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем электроде при
fy = 50 гн, Т] = 3 мкс, не более:
при 213 К, /у от „ =S 1000 мА.................... ЮВ
при 298 К. 7у.„,и =S 450 мА.................. 5 В
Неотпирающее напряжение на управляющем электроде
при 1/„р зкр = 10 В, Т] = 3 мкс, Г=393 К, не менее 0,1 В
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряжении,
/ЛЬ, < 20 В/мкс. не более:
при 298 К..................................... 10 мА
при 393 К......................................20 мА
Обратный ток при максимальном обратном напряжении, I dt/..K^dt =;
< 20 В/мкс, не более:
при 298 К..................................... 10 мА
при 393 К......................................20 мА
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода при
7/пр зкр = 10 В- Л = 50 Гц. т, = 3 мкс. не более:
при 298 К . '.................................. 450 мА
при 213 К......................................1000 мА
Неотпирающий ток управляющего электрода при
1/пр зкр = 10 В, Tj = 3 мкс, Т = 393 К. не менее ....	2 мА
Время включения по управляющему электроду при t/np зкр = 50 В
(25 В для 2У203А. 2У203Д), 70ткр = 10 А, ,/у = 50 - 100 Гц.
Т] = 15 мкс, Тф у < 0,3 мкс, не более:
при 298 К, 7у от и = 450 мА.................. 3 мкс
при 213 К, /у от. и = 1000 мА................ 7 мкс
Время выключения при 70ткр = 10 А, длительности про-
текания прямого тока 50 мкс, частоте следования
импульсов отпирающего тока 50—100 Гц, амплитуде
контрольного импульса 25 В, скорости нарастания
контрольного импульса 5 В/мкс, = 30 В, длитель-
ности спада основного тока 0,2 —0,4 мкс, сопротивле-
нии ограничительного резистора 15 Ом, полном со-
противлении цепи управления не более 150 Ом ....	7 мкс
639
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом
состоянии при максимальном напряжении, /= 50 Гц,
Т = 298 К..........................................20 В/мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии
при температуре корпуса от 213 до 393 К:
2У203А, 2У203Д........................................ 50	В
2У203Б, 2У203Е................................... 100	В
2У203В, 2У203Ж................................... 150	В
2У203Г, 2У203И................................... 200	В
Постоянное обратное напряжение при температуре кор-
пуса от 213 до 393 К:
2У203Д.............................................. 50	В
2У203Е............................................ 100	В
2У203Ж............................................ 150	В
2У203И............................................ 200	В
Импульсное прямое напряжение на управляющем электро-
де при длительности импульса 3 мкс..................... 10	В
Средний ток в открытом состоянии в режиме пере-
ключения при максимальном напряжении, fy = 50 Гц,
Гк =S 333 К............................................ 5	А
Импульсный прямой ток управляющего электрода при
длительности импульса 50 мкс.........................1200	мА
Постоянный прямойток управляющего электрода. . . .	0,35 А
Импульсный ток в открытом состоянии при длитель-
ности импульса 50 мкс и среднем токе в открытом
состоянии не более 0,5 А............................. 100	А
Постоянный ток в открытом состоянии при температуре
корпуса до 333 К...................................... 10	А
Средняя мощность на управляющем электроде............1,75	Вт
Средняя рассеиваемая мощность при температуре корпуса
до 333 К.............................................. 20	Вт
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 20 В/мкс
Температура корпуса................................От 213 до
393 К
Примечания: 1. Для 2У203А, 2У203Б, 2У203В, 2У203Г до-
пускается 1/обр макс = 2 В при Лкр < 30 мА.
2.	Максимально допустимый постоянный ток, А, в открытом
состоянии при температуре корпуса выше 333 К определяется по
формуле
Лткр.макс = (393 - ГД/6.
3.	Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность.
Вт, при температуре корпуса от 333 до 393 К определяется по
формуле
/’ср.макс = (393 - Тк)/3.
4.	При эксплуатации тиристоры необходимо крепить за корпус
при помощи прижимного фланца. При этом допустимое усилие
прижима на каждое ушко фланца должно быть не более 16 кг.
640
Зависимость времени задержки
по управляющему электроду от
импульсного отпирающего тока.
Зависимость времени выключе-
ния от тока.
Uоткр,и,Т			гзгоз(л-и)		
					
					
		Т„= 3- 10 мкс			
					
			1откр,и,т 	1	1		
40 80 110 160 100 Л
Зависимость времени включения
по управляющему электроду от
тока.
В
10
8
6
Ч
Z
о
Зависимость импульсного на-
пряжения в открытом состоянии
от импульсного тока.
Зависимость импульсного отпи-
рающего тока управляющего
электрода от температуры.
Зависимость отпирающего на-
пряжения управляющего элект-
рода от тока.
'/221 под ред. Н. Н. Горюнова
641
пряжсния в открытом состоя-
нии от длительности отпираю-
щего импульса.
рающего напряжения управляю-
щего электрода от импульсного
отпирающего тока.
пирающего тока управляющего
электрода от длительности от-
рающего напряжения управляю-
щего электрода от длительности
средней рассеиваемой мощности
ния от температуры корпуса.
от температуры корпуса.
642
2У204А, 2У204Б, 2У204В, КУ204А, КУ204Б, КУ204В
Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные триодные запи-
раемые. Предназначены для работы в импульсных переключающих
устройствах средней мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 18 г.
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при /откр = 2 А,
не более:
при 213 К для 2У204А, 2У204Б, 2У204В и 248 К
для КУ204А, КУ204Б, КУ204В................... 4 В
при 298 К...................................... ЗВ
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода
при ^пр зкр = 20 В, тн = 10 мкс, не более:
при 213 К для 2У204А, 2У204Б, 2У204В............ 200	мА
при 248 К для КУ204А, КУ204Б, КУ204В .... 150 мА
Импульсный запирающий ток управляющего электрода при макси-
мальном напряжении, /ОТкр,ср = 2 А, ти = 10 мкс, не более:
при 333 К........................................  400	мА
при 298 К...................................... 360	мА
Импульсное отпирающее напряжение управляющего
электрода при /у огп < 200 МА, не более:
при 213 К для 2У204А, 2У204Б, 2У204В ....	7 В
при 248 К для КУ204А, КУ204Б, КУ204В .... 5 В
Импульсное запирающее напряжение управляющего
электрода при /у,з,и = 360 мА, Т = 333 К, не более 40 В
Неотпирающее напряжение на управляющем электроде
при Uaр зкр = 60 В, максимальном токе Т = 383 К
(343 К 'для КУ204А, КУ204Б, КУ204В), не менее 0,1 В
1/21*
643
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии
при максимальном напряжении, не менее..............20 В/мкс
Общая емкость при С1|р.,кр = 0 В, не более......... 500 пФ
Незапирающее напряжение на управляющем электроде
при Спр ,кр = 20 В, /откр =1 А, Т= 213 К (248 К для
КУ204А, КУ204Б, КУ204В), не менее................ 0,3 В
Незапирающий ток управляющего электрода при
с1|р. зкр = 20 В, /ОТКр = 1 А, Г =213 К (248 К для
КУ204А, КУ204Б, КУ204В), не менее................ 3 мА
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряжении,
213 К (248 К для КУ204А, КУ204Б, КУ204В) и
298 К, не более.................................. 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии:
2У204А, КУ204А....................................... 50	В
2У204Б, КУ204Б.................................. 100	В
2У204В, КУ204В.................................. 200	В
Неотпирающее напряжение на управляющем электроде
при Лш = 51 Ом, Тк = 383 К (343 К для КУ204А,
КУ204Б, КУ204В)...................................0,15 В
Запирающее напряжение на управляющем электроде 100 В
Минимальное напряжение в закрытом состоянии ...	20 В
Постоянный ток в открытом состоянии при Тк = 2^2 К 2 А
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода
при ти < 10 мкс................................... 0,6 А
Мгновенное значение тока одиночного импульса в от-
крытом состоянии при ти < 10 мкс.................. 12 А
Минимальный ток в открытом состоянии при 213 К
(248 К для КУ204А, КУ204Б, КУ204В)................ 1 А
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от
213 (248 К для КУ204А, КУ204Б, КУ204В) до 298 К 8 Вт
Мгновенная мощность отпирающего импульса:
при ти > 10 мкс................................... 1,7 Вт
при ти <5 10 мкс...........................1,21	4,ОТПЦ.ОТ
Мгновенная мощность запирающего импульса при
ти > 50 мкс....................................... 18 Вт
Минимальная длительность запирающего импульса при
7у>3 и//у з и 50 мкс = 2,5........................30 мкс
Максимальная длительность запирающего импульса 120 мкс
Температура корпуса:
2У204А, 2У204Б, 2У204В............................От 213 до
383 К
КУ204А, КУ204Б, КУ204В........................От 248 до
343 К
Температура перехода 2У204А, 2У204Б, 2У204В ....	393 К
644
Зависимость максимального и максимального среднего токов в от-
щего тока управляющего электро-
да от температуры корпуса.
пряжения в закрытом состоянии
О 5	10 15 гонке
Зависимость отпирающего тока уп-
равляющего электрода от дли-
тельности отпирающего импульса.
Зависимость импульсного запи-
рающего тока управляющего
электрода от импульсного тока.
21 под ред. Н. Н. Горюнова
Зависимость импульсного запи-
рающего тока и напряжения
управляющего электрода от
времени запирания.
Зависимость мгновенной мощ-
ности запирающего импульса ог
длительности запирающего им-
пульса.
Зависимость напряже-
ния в открытом со-
стоянии от температу-
ры корпуса.
Зависимость частоты от длительности
импульса.
2У205А, 2У205Б, 2У205В, 2У205Г
Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные р-п-р-п триодные
незапираемые. Предназначены для работы в качестве ключей средней
мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 16 г.
646
Элек грические параметры
Постоянное отпирающее напряжение управляющего
электрода при /у от = 150 мА, не более..................... ЗВ
Постоянный отпирающий гок управляющего электрода
при Спр зкр = Ю В, Г=213 К, не более . . ... . 250 мА
Ток в закрытом состоянии при максимальном напря-
жении, 298 и 383 К, не более........................ 5 мА
Обратный ток при максимальном обратном напряжении,
383 К, нс более....................................... 5 мА
Время включения при 7откри,Макс = ЮО А, не более:
2У205А при С/„р. зкр, макс = 400 В..................0,5 мкс
2У205Б при Тгпр зкр макс = 600 В..................0,35 мкс
2У205В, 2У2О5Г при (.•;1|р,зкр.макс = 800 В.......0,2 мкс
Время выключения при /окр, и, макс = Ю0 A, dU^'idt < 30 В/мкс, не
более:
2У205А при £/пр, зкр. макс = 400 В...................45	мкс
2У205Б при Uap зКр макс = 600 В......................30	мкс
2У205А, 2У205Г при Спр, зкр, макс	800 В . . . .	30	мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии при тем-
пературе корпуса 358 К:
2У205А ."....................................... 400	В
2У205Б.......................................... 600	В
2У2О5В, 2У205Г.................................. 800	В
Неотпирающее	напряжение иа управляющем электроде 0,1	В
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 30 В/мкс
Постоянное обратное напряжение:
2У205А, 2У2О5Б.................................. 100	В
2У205В.......................................... 400	В
2У205Г.......................................... 800	В
Минимальное напряжение в закрытом состоянии ....	10	В
Постоянное обратное напряжение на управляющем
электроде............................................ 1	В
21*	647
Импульсное обратное напряжение на управляющем
электроде при ту и < 30 мкс...................... 4 В
Постоянный ток в открытом состоянии при частоте
следования 50—1000 Гц, амплитуде не более 5 А,
температуре корпуса 358 К............................. 2А
Импульсный ток в открытом состоянии при темпера-
туре корпуса 358К.................................... 100	А
Минимальный ток в открытом	состоянии.............. 0,5	А
Максимальная частота следования импульсов анодного
тока............................................. 1000	Гц
Мгновенная мощность управляющего импульса:
при ту и « 3 мкс.................................... 80	Вт
при ту и > 3 мкс................................1,5	4- 236
Ъ.и
Импульсный ток управляющего электрода при
Ту н = 1 -г 2 мкс.................................... 2	А
Средняя мощность управляющего импульса.............. 1,5	Вт
Время установления импульсного тока управляющего
электрода:
при /откр.„>25 А...............................0,1 мкс
при /откр.и<25 А..............................0,25 мкс
Температура корпуса..................................От	213 до
373 К
Температура перехода................................ 393	К
Примечания: 1. Категорически запрещается при монтаже при-
лагать к изолированным выводам усилие более 0,1 кг.
2. При эксплуатации и измерениях параметров между управляю-
щим электродом и катодом должен быть включен резистор сопро-
тивлением 50 Ом.
Зависимость максимального на- Зависимость максимального им-
пряжения в закрытом состоя- пульсного тока в открытом со-
нии от температуры корпуса. стоянии от температуры кор-
пуса.
648
Зависимость максима тьного
тока в открытом состоянии от
температуры корпуса.
Зависимость длительности им-
пульса от импульсного тока.
а го чо so so too л
Зависимость длительности им-
пульса от импульсного тока.
Зависимость длительности им-
пульса от импульсного тока.
от прямого напряжения в за-
от температуры перехода.
крытом состоянии.
649
Зависимость импульсного от-
пирающего напряжения управ-
ляющего электрода от длитель-
ности импульса.
Зависимость импульсного отпи-
рающею тока управляющего
электрода от длительности
импульса.
Зависимое! ь времени выключе-
ния от температуры перехода.
Зависимость импульсного на-
пряжения в открытом состоянии
от импульсного тока.
2У206А, 2У206Б, 2У206В, 2У206Г
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п триодные запи-
раемые. Предназначены для работы в импульсных переключающих
схемах средней мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 4 г.
650
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при /откр = 350 мА,
213 и 293 К, не более............................. 4	В
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода при
^’пр.зкр = 20 В, /откр = 100 мА, г, = 3 мкс, /у < 1000 Гц. не более:
при 213 К...........................................50	мА
при 298 К.......................................35	мА
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем
электроде при 1/пр,31!р = 20 В, /откр = 100 мА,
Т] = 3 мкс, /у < 1000 Гц, Т = 213 К. не более ....	2,5 В
Импульсный запирающий ток управляющего электрода
при /откр = 350 мА, т2 = 7 мкс, /у < 1000 Гц, макси-
мальном напряжении, Т = 343 и 298 К. не более 70 мА
Ток в закрытом состоянии при максимальном напря-
жении, не более:
при 383 К.....................................1,5	мА
при 298 К......................................0,3	мА
Время включения по управляющему электроду при мак-
симальном напряжении, 70ткр = 350 мА, Д от и =
= 50 мА, Т[ = 3 мкс, /у < 250 Гц, не более ....	3 мкс
Время выключения по управляющему электроду при
максимальном напряжении, Д)1Кр = 350 мА, Д.от „ =
= 50 мА, Д,3.и = 70 мА, = 3 мкс, т2 = 7 мкс.
т„ = 70 мкс, fy < 250 Ги, не более............... 7	мкс
Импульсное запирающее напряжение на управляющем
электроде при максимальном напряжении, /откр =
= 350 мА, т2 = 7 мкс, fy < 1000 Гц, 343 К. не более 25 В
Неотпирающий ток управляющего электрода при мак-
симальном напряжении, /о|Ер = 350 мА, т, = 3 мкс,
fy < 1000 Гц, не менее............................0,1	мА
Неотпирающее напряжение на управляющем электроде
при максимальном напряжении, Д, от. и <45 мА,
Дкр < 0,3 мА. = 3 мкс, fy < 1000 Гц, не менее 0,1 В
Удерживающий ток при С'„рчвр = 20 В, 213 К, не более 90 мА
Незапирающий ток управляющего электрода при
СДР. зкр = 20 В, Д,кр = 100 мА, т2 = 7 мкс, Д < 1000 Гц,
не менее........................................0,5	мА
651
Незапирающее напряжение на управляющем электроде
при Спр зкр = 20 В, /о6р = 100 мА. т2 = 7 мкс,
fy < 1000 Гц, не менее...........................0.05	В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии
при температуре от 213 до 383 К
2У206А.............................................. 50	В
2У206Б.......................................... 100	В
2У206В.......................................... 150	В
2У206Г.......................................... 200	В
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии
в ждущем режиме при температуре от 213 до 343 К:
2У206А............................................ 50	В
2У206Б.......................................... 100	В
2У206В.......................................... 150	В
2У206Г.......................................... 200	В
Постоянное обратное	напряжение........................ 5	В
Минимальное напряжение	в	закрытом состоянии ....	20	В
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоя-
нии .................................................. 200	В/мкс
Постоянный запираемый ток при температуре:
от 213 до 343 К.......................................... 350	мА
от 343 до 383 К................................... 399	~ гк
0.16
Минимальный ток в открытом состоянии при 213 К 100 мА
Постоянный ток в открытом состоянии при 383 К 100 мА
Импульсный прямой ток управляющего электрода при
длительности импульса от 3 до 20 мкс. /у = 50 Гц
и температуре:
от 213 до 343 К............................... 200 мА
от 343 до 383 К...............................100 мА
Импульсный обратный ток управляющего электрода при
длительности импульса от 7 до 20 мкс, /у = 50 Гц.
при температуре:
от 213 до 343 К...................................100 мА
от 343 до 383 К...............................90 мА
Импульсный ток в открытом состоянии при 4 — 50 Гц:
ти < 10 мкс....................................... 20 А
ти < 100 мкс.................................. 4 А
ти < 1000 мкс................................. 2 А
Средняя рассеиваемая мощность при температуре корпуса
от 213 до 343 К................................... 1.4 Вт
Тепловое сопротивление переход	— корпус...........40 К/Вт
Температура перехода.............................. 398 К
Температура корпуса...............................От 213
до 383 К
Примечание. Для повышения надежности необходимо шун-
тировать цепь управления резистором сопротивлением 20 Ом.
652
Зависимость максимального
прямого напряжения в закрытом
состоянии от температуры кор-
пуса.
О 5	10 15	20 мкс
Зависимость импульсного за-
пирающею напряжения управ-
ляющего электрода ог длитель-
ности запирающего импульса.
Зависимость импульсного от-
пирающего тока и напряжения
управляющего электрода от
длительности отпирающего им-
пульса.
ракмцего тока управляющего рающего напряжения управляю-
электрода от запирающего тока. щего электрода от запирающе-
го тока.
653
Зависимость удерживающего то-
ка от температуры.
Зависимость импульсного запи-
рающего напряжения управляю-
щего электрода от температуры.
Зависимость импульсного отпи-
рающего тока управляющего
электрода от температуры.
Зависимость тока в закрытом
состоянии от температуры.
2У207А, 2У207Б, 2У207В, 2У207Г, 2У207Д, 2У207Е
Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п триодные нсзапи-
раемые. Предназначены для работы в импульсных переключающих
устройствах: большой мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса тиристора не более 40 г.
654
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при /откр = 10 А,
не более:
при 298 К....................................... 2,5	В
при 213 К....................................... 3,5	В
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода
ПРИ ^пр-зкр = Ю В, /откр = 10 А, не более:
при 298 К........................................ 300	мА
при 213 К....................................... 500	мА
Ток в закрытом состоянии при максимальном напря-
жении, не более:
при 298 К......................................... 5	мА
при 383 К........................................ 10	мА
Обратный ток 2У207Б, 2У207Г, 2У207Е при максималь-
ном обратном напряжении, не более:
при 298 К......................................... 5	мА
при 383 К........................................ 10	мА
Время включения 2У207Д, 2У207Е при ППр зхр = 300 В,
Л,от,и= 150 мА, Г] = 10 мкс, 7откр = 10 А, ие более 0,5 мкс
Время выключения при максимальном напряжении
Л.от.и= 150 мА, т2 = 10 мкс, 70ткр = 10 А, не более 15 мкс
Импульсное отпирающее напряжение управляющего элек-
трода при С к = Ю В, /j.ot.m - 300 мА, т, = 10 мкс,
не более............................................. 10	В
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии
при максимальном напряжении, не менее...............10	В/мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии
при температуре от 213 до 383 К:
2У207А, 2У207Б................................... 100	В
2У207В, 2У207Г................................. 200	В
2У207Д, 2У207Е................................. 300	В
Постоянное обратное напряжение при температуре от
213 по 383 К:
2У207Б........................................... 100	В
2У207Г......................................... 200	В
2У207Е......................................... 300	В
2У207А. 2У207В, 2У207Д..........................Не	допуска-
ется
Постоянный ток в открытом состоянии при темпера-
туре корпуса от 213 до 308 К....................... 10А
Постоянный ток в режиме переключения при макси-
мальном напряжении,/= 50 Гц и температуре корпуса
от 213 до 343 К.................................. 5А
655
Импульсный ток в открытом состоянии при
/0|Кр.ср < 0,5 А, ти < 50 мкс и температуре корпуса
от 213 до 34.3 К.................................... 100 А
Средняя рассеиваемая мощность при температуре кор-
пуса от 213 до 308 К................................ 20 Bi
Импульсный прямой ток управляющего электрода при
температуре от 213 до 383 К............................. 2А
Постоянное обратное напряжение на управляющем
электроде................................................. 1	В
Температура окружающей среды..............................От	213
до 383 К
Примечания: 1. Постоянный ток, А, в открытом состоянии
при температуре корпуса от 308 до 383 К определяется по формуле
/ОТкр = (383 - Гк)/7,5.
2.	Постоянный ток, А, в открытом состоянии в режиме пере-
ключения при температуре корпуса от 343 до 383 К определяется
по формуле
/ОГКР = (383 - TJ/8.
3.	Импульсный ток, А, в открытом состоянии при температуре
корпуса от 343 до 383 К определяется по формуле
/откр, И = (383 - Гк)/0.4.
4,	Средний ток, А, в открытом состоянии при максимальном
импульсном токе и температуре корпуса от 343 до 383 К опреде-
ляется по формуле
/откр, ср = (383 — Гк)/80.
5.	Средняя рассеиваемая мощность. Вт, при температуре от
308 до 383 К определяется по формуле
Рср = (383 - Гк)/3,75.
Зависимость времени выключе- Зависимость времени выключе-
ния от температуры корпуса.	ния от импульсного тока.
656
Зависимость импульсного отпи-
рающего напряжения управляю-
щего электрода от длитель-
ности отпирающего импульса.
Зависимость импульсного отпи-
рающего тока управляющего
электрода от длительности от-
пирающего импульса.
Зависимость времени включения
от импульсного тока.
Зависимость времени включения
от прямого напряжения в за-
крытом состоянии.
Зависимость времени включения Зависимость неотпирающего то-
ст импульсного отпирающего ка управляющего электрода от
тока управляющего электрода.	температуры корпуса.
657
^и,неот,Т			2У207(Г,Д)		
					
					
					
					
в
1,00
0,15
0,50
0,Z5
О
213 253 2 93 333 3 73 913 К
Зависимость неотпирающего на-
пряжения управляющего элект-
рода от температуры корпуса.
Зависимость минимального тока
в открытом состоянии от тем-
пературы корпуса.
Зависимость импульсного отпи-
рающего тока управляющего
электрода от длительности от-
пирающего импульса.
Зависимость напряжения в от-
крытом состоянии от темпера-
туры корпуса.
2У208А, 2У208Б, 2У208В, 2У208Г, КУ208А, КУ208Б,
КУ208В, КУ208Г
Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные п-р-п-р-п триодные
незапираемые. Предназначены для работы в качестве симметричных
ключей средней мощности для устройств автоматического регули-
рования и коммутации
цепей силовой автомати-
ки на переменном токе.
Выпускаются в ме-
таллостеклянном корпусе
с жесткими выводами.
Тип прибора указывается
на корпусе.
Масса тиристора не
более 18 г.
Ф21.5
658
Электрические параметры
Напряжение в открытом состоянии при Zor = 5 А
298 и 213 К, не более............................... 2	В
Постоянный отпирающий ток управляющего электрода
при </пР1 зкр = 10 В, не более:
при 298 К
2У208А, 2У208Б, 2У208В, 2У208Г.................150	мА
КУ208А, КУ208Б, КУ208В, КУ208Г.................160	мА
при 213 К для 2У208А, 2У208Б, 2У208В, 2У208Г 250 мА
Постоянное отпирающее напряжение управляющего
электрода, не более:
при 298 К для КУ208А, КУ208Б, КУ208В, КУ208Г	5 В
при 213 К для 2У208А, 2У208Б, 2У208В, 2У208Г	7 В
Ток в закрытом состоянии при максимальном напря-
жении и температуре 213 и 383 К (358 К для КУ208А,
КУ208Б, КУ208В, КУ208Г), не более..................... 5	МА
Время включения при максимальном напряжении,
/откр = 5 А, не более................................10	мкс
Время выключения при максимальном напряжении,
/откр = 5 А, не более...............................150	мкс
Минимальный ток в открытом состоянии при
С„р.-,кр =10 в, не более.............................150	мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии
(постоянное обратное напряжение):
2У208А,	КУ208А................................ 100	В
2У208Б,	КУ208Б................................ 200	В
2У208В,	КУ208В................................ 300	В
2У208Г,	КУ208Г................................ 400	В
Импульсное прямое напряжение на управляющем элект-
роде при ти «' 50 мкс, температуре корпуса от 213
до 383 К (358 К для КУ208А, КУ208Б, КУ208В,
КУ208Г)............................................... Ю	В
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоя-
нии при температуре корпуса от 213 до 383 К
(до 358 К для КУ208А, КУ208Б, КУ208В, КУ208Г):
КУ208А, КУ208Б, КУ208В, КУ208Г...............10 В/мкс
2У208А, 2У208Б, 2У2О8В, 2У208Г...............15 В/мкс
Постоянный ток в открытом состоянии при темпера-
туре:
от 213 до 343 К.................................... 5А
при 383 К для 2У208А, 2У208Б, 2У208В, 2У208Г	0,5 А
Импульсный ток в открытом состоянии при температуре:
от 213 до 343 К
2У208А, 2У208Б, 2У208В, 2У208Г.................. 15	А
КУ208А, КУ208Б, КУ2О8В, КУ208Г.................. 10	А
при 383 К для 2У208А, 2У208Б, 2У2О8В, 2У208Г	1,5 А
659
Импульсный перегрузочный ток в открытом состоянии
в течение одного полупериода при температуре:
от 213 до 343 К.................................. 30 А
при Тк = 383 К для 2У208А, 2У208Б. 2У208В,
2У208Г......................................... ЗА
Импульсный прямой ток управляющего электрода при
температуре от 213 до 383 К (до 358 К для КУ208А,
КУ2О8Б, КУ208В, КУ208Г)............................ 500 мА
Импульсный прямой ток управляющего электрода при
ти < 50 мкс, температуре от 213 до 383 К (до 358 К
для КУ208А, КУ208Б, КУ208В, КУ208Г).............. 1 А
Средняя рассеиваемая мощность при температуре кор-
пуса :
от 213 до 343 К.................................. 10 Вт
при 383 К для 2У208А, 2У208Б, 2У208В, '2У208Г	1 Вт
Импульсная мощность управляющего электрода при
т„ < 50 мкс, fy «' 400 Гц при температуре корпуса от
213 до 343 К..............................".	. .	5 Вт
Предельная частота................................. 400 Гц
Температура корпуса:
2У208А, 2У208Б, 2У208В, 2У208Г.................От 213
до 383 К
КУ208А, КУ208Б, КУ208В, КУ208Г.................От 213
до 358 К
пряжение анода
Примечание. Нормальная работа тиристора обеспечивается
при следующих полярностях анодного и управляющего напряжений:
Напряжение управляющего
электрода
+
Зависимость максимального
тока в открытом состоянии от
температуры корпуса.
Зависимость отпирающего тока
управляющего электрода от
температуры.
660
1
отпирающего напряжения управ-
ляющего электрода от тем-
пирающего тока управляющего
электрода от длительности им-
пературы.
4пр,зкр,ма.№,Т Vi208(.A-r)					
1 2У208Г				4U01	H I /
1 zyzoss					
ЗУЗОВб					
' 1 2У288А .					
					7
213 253 293 333 373 413 К
Зависимость максимального
Зависимость напряжения в от-
прямого напряжения в закрытом
состоянии от температуры.
Зависимость времени включения
и выключения от импульсного
крытом состоянии от темпера-
и выключения от температуры.
тока.
661
Часть четвертая
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ
ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
Раздел тринадцатый
ИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ ИК ДИАПАЗОНА
ЗЛ1ОЗА, ЗЛ1ОЗБ, АЛ103А, АЛ103Б
Излучающие диоды арсенид-галлиевые эпитаксиальные бескор-
пусные. Предназначены для работы в качестве источников излучения
в ближнем ИК диапазоне. Тип диода указывается на вкладыше,
помещаемом вместе с диодом в упаковку.
Масса диода не более 0,1 г.
Электрические и излучательные параметры
Полная мощность излучения при/пр = 50 мА,
не менее :
АЛ ЮЗА, ЗЛ1ОЗА.......................
АЛ103Б, ЗЛ1ОЗБ.......................
Постоянное прямое напряжение при
/пр = 50 мА, при температуре от 233 до
358 К, не более .......................
Типичное значение длины волны в максиму-
ме спектральной .характеристики излучения
Ширина спектральной характеристики излу-
чения на уровне 0,5......................
Время нарастания импульса излучения
Время спада импульса излучения...........
1 мВт
0,6 мВт
1,6 В
0,95 мкм
От 10 до 50 нм
От 200 до 300 нс
500 нс
662
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой юк................................52	мд
Обратное импульсное напряжение ....	2 В
Температура окружающей среды:
АЛ103А, АЛ103Б........................ От	233 до 358 К
ЗЛ1ОЗА. ЗЛ1ОЗБ........................ От	213 до 358 К
зависимости мощности излу-
чения от длины волны.
симости мощности излучения от
длины волны.
Зона возможных положений зави-
симости мощности излучения от
длины волны.
Зоны возможных положений
зависимости мощности излу-
чения от тока.
663
Диаграмма направленности излучения.
АЛ106А, АЛ106Б, АЛ106В
Излучающие диоды фосфид-галлиевые мезадиффузионные в пласт-
массовой заливке. Предназначены для работы в качестве источни-
ков инфракрасного излучения с длиной волны 0,93 мкм.
Масса диода не более 0,5 г.
Место
маркировка
Отрацателб-
ный вывод
Место маркировки
типа диода
Электрические и излучательные параметры
Полная мощность излучения при /пр = 100 мА. не
менее:
АЛ106А............................................0,2	мВт
АЛ106Б...........................................0,4	мВт
АЛ106В...........................................0,6	мВт
Постоянное прямое напряжение при /пр = 100 мА, не
более:
от 298 до 358 К................................. 1,7	В
при 213 К....................................... 1,9	В
Типичное значение длины волны излучения в макси-
муме спектральной характеристики при /1|р = 100 мА От 0,92 до
0,935 мкм
664
Ширина диаграммы направленности на уровне 0,5*	25°
Время нарастания импульса излучения между уровнями
0,1 и 0,9*.............................................. 10	нс
Время спада импульса излучения между уровнями
0,9 и 0.1*.............................................. 20	нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток:
при 298 К.........................................120	мА
при 358 и 213 К...................................100	мА
Температура окружающей среды..........................От	213
Зоны возможных положений
зависимости мощности излу-
Зона возможных положений вольт-ам-
перной характеристики.
Зависимость мощности излу-
чения от длины волны.
чения ог тока.
а
Диаграмма направленности из-
лучения (7. 2 — возможные по-
ложения оси диаграммы на-
правленности).
мА
ПО
115
110
105
100
2.13 153 Z93 333 313 к
Зависимость прямого тока от
температуры.
ЗЛ107А, ЗЛ107Б, АЛ107А, АЛ107Б
Излучающие диоды арсенид-галлиевые мезаэпитаксиальные. Пред-
назначены для работы в качестве источников инфракрасного из-
лучения.
Конструктивно диоды оформлены в пластмассовой оболочке.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрод 1	Электрод Z
Тил Виода.:	../р
А Л107А -одна, точка.,
АЛ 107S-дВе точки.	'
. _ \
Cj I 1 яя- ।	1	~
6,3 §9
Электрод 1
“/•'''ЭлектраВ 2
Электрические в излучательные параметры
Полная мощность излучения при температуре oi 213 до
298 К. 7„р = 100 мА, не менее:
АЛ107А, ЗЛ107А....................................60	мВт
АЛ107Б. ЗЛ1О7Б...................................И)	мВт
Импульсная мощность излучения* при ,'hp „ = 0.8 А
и т„ = 50 мкс, не менее:
AJI107A, ЗЛ1О7А................................. 300	мВт
АЛ107Б, ЗЛ1О7Б...................................50	мВт
666
Постоянное прямое напряжение при /пр = 100 мА,
не более:
при 298 К........................................... 2 В
при 213 К......................................... 2,5 В
Длина волны излучения в максимуме спектральной ха-
рактеристики при /пр = 100 мА и температуре от
213 до 358 К..........................................От	0,9 до
1.2 мкм
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре:
от 213 до 308 К.......................................ЮО мА
при 358 К.........................................80 мА
Импульсный прямой ток при длительности импульса не
более 50 мкс, скважности 20 и температуре:
от 213 до 308 К................................... 0,8 А
при 358 К.........................................0,65 А
Температура окружающей среды..........................От 213
до 358 К
Примечание. При температуре 358 К мощность излучения
снижается не более чем в 2 раза.
1пр, и,ма.кс	Т=ЦЗКдля 3/1101(8,6),	
|		308К Зля 88101(8,6)
Т=358К		1 1	L_
		3/1101(8,6)
		88101(8,6)
		Скбажность |
0	5	10 15 20 25 30 35 40 45
Зависимость максимального импульсного прямого тока от скваж-
ности.
Л
0,8
0,6
0,4
0,2
0
10 20	50 100 too 500 1000мм
Зависимость максимального импульсного
прямого тока от длительности импульса.
Зависимость мощности излучения от дли-
880 900	S40	980 нм	ны волны.
667
SO'
Диагра.мма направленности излуче-
ния (1 — 3— возможные положения
оси диаграммы направленности).
Зона возможных положений
вольт-амперной характеристики.
Зависимость прямого тока от темпе-
ратуры.
ЗЛ108А, АЛ108А
Излучающие диоды арсенид-галлиевые эпитаксиальные в пласт-
массовом корпусе. Предназначены для работы в качестве источника
инфракрасного излучения с длиной волны 0.94 мкм. Диоды мар-
кируются белой точкой.
Масса диода не более 0,15 г.
Полная мощность излучения при /пр =
= 100 мА. не менее............................ 1,5	мВт
Постоянное прямое напряжение при /пр =
= 100 мА. не более............................ 1,35	В
668
I
Типичное значение длины волны в максиму-
ме спектральной характеристики излучения
ПРИ /11р = 100 мА........................... 0,94	мкм
Температурный коэффициент положения мак-
симума спектра................................. 2,3	нм/К
Полуширина спектра излучения при темпе-
ратуре от 213 до 358 К..................... От	35 до 70 нм
Прямое импульсное напряжение при /пр „ =
= 4 А...................................... От	2.5 до 3,2 В
Дифференциальное сопротивление при
Лр.и = 0,5 А, нс более......................... 1	Ом
Время нарастания импульса	излучения	От	0.4	до	2.4 мкс
Время спада импульса излучения............. От	1,0	до	2.0	мкс
Общая емкость диода........................ От	100	до	400	пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре
от 213 до 358 К................................. НО	мА
Импульсный прямой ток при длительности
импульса не более 20 мкс и температуре
от 213 до 358 К..................	. .	4 А
Постоянное обратное напряжение при темпе-
ратуре от 213 до 358 К.......................... 2	В
Температура окружающей среды................ От	213 до 358 К
Зависимость мощност и излуче-
ния от длины волны.
Диаграмма направленности из-
лучения (/, 2 — возможные по-
ложения оси диаграммы на-
правленности).
669
Зона возможных положений за-
висимости прямого напряжения
от температуры.
Зона возможных положений за-
висимости мощности излучения
от температуры.
Зона возможных положений за-
висимости мощности излучения
от импульсного тока.
Зависимость мощности излу-
чения от частоты.
ЗЛ109А-1, АЛ109А-1
Излучающие диоды арсенид-галлиевые эпитаксиальные бескор-
пусныс. Предназначены для использования в оптоэлектронных гиб-
ридных микросхемах, имеющих герметичный корпус. Обозначение
типа диода приводится на этикетке.
Масса диода не более 0,06 г.
670
Электрические и излучательные параметры
Полная мощность излучения при /пр = 20 мА, не
менее................................................0.2	мВт
Постоянное прямое напряжение при /пр = 20 мА, не
более.................................................. 1.2	В
Типичное значение длины волны в максимуме спект-
ральной характеристики излучения при /||р = 20 мА 0,93 мкм
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
353 К................................................22	мА
Температура окружающей среды............................От	213
до 353 К
Зависимость мощности
Диаграмма направленности излучения.
излучения от длины вол-
ны.
Зона возможных положений зависи-
мости мощности излучения от пря-
мого тока.
ЗЛ115А, АЛ 1 ISA
Излучающие диоды арсенид-галлиевые мезаэпитаксиальные в
защитной пластмассовой оболочке. Предназначены для работы в ка-
честве источников инфракрасного излучения с длиной волны
0,95 мкм. Тип диода указывается на групповой таре. Положи-
тельный вывод отмечается белой точкой.
Масса диода 0,2 г.
Электрические и излучательные параметры
Полная мощность излучения при /пр = 50 мА. не
менее.................................................10	мВт
Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА, не
более................................................. 2	В
Дифференциальное сопротивление при /пр = 50 мА, не
более................................................. 3	Ом
Длина волны излучения в максимуме спектральной ха-
рактеристики 41 при /г1р = 50 мА...................... Около
0,95 мкм
Ширина cneKipa излучения* на уровне 0,5 при
/11р = 50 мА, не более...............................0,05	мкм
Ширина диаграммы направленности * на уровне 0,5,
не более..............................................90	i рад
Коэффициент полезного действия *, не менее............ 10	%
Параметры импульса излучения*:
время включения, не более........................... 300	нс
время выключения, не более....................... 500	нс
Постоянный обратный ток при t/o6p = 4 В, не более 100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток АЛ115А при температуре от
233 до 358 К и ЗЛ115А при температуре от 213
до 358 К.............................................50	мА
Постоянное обратное напряжение......................... 4	В
Рассеиваемая мощность.................................100	мВт
Температура окружающей среды:
АЛ115А.................................................От	233
до 358 К
ЗЛ115А.............................................От	213
до 358 К
672
3
Зона возможных положений вольт-
амперной характеристики тока от на-
пряжения.
Зона возможных положений
зависимости мощности излу-
чения от тока.
Диаграмма направленности из- Зависимость мощности излуче-
лучения.	ния от длины волны.
ЗЛ118А
Излучающие диоды арсенид-галлиевые эпитаксиальные в защит-
ной пластмассовой оболочке. Предназначены для работы в качестве
источников непрерывного или импульсного инфракрасного излучения
с длиной волны 0,93 мкм. Тип диода указывается на групповой
таре. Положительный вывод маркируется черной точкой.
Масса диода не более 0,2 г.
;	673
1
Электрические и излучательные параметры
Полная мощность излучения при /пр = 50 мА, не
менее................................................. 2 мВт
Импульсная мощность излучения при /1|ри = 0,5 А и
температуре 298 К, не менее...........................10 мВт
Постоянное прямое напряжение при /гр = 50 мА, не
более................................................. 1,7 В
Длина волны излучения в максимуме спектральной
характеристики........................................От 0,91
до 0,95 мкм
Время нарастания импульса излучения при /при = 50 мА,
ти < 500 нс, не более................................. 100 нс
Время спада, не более................................. 150 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре от 213
до 358 К...............................................50	мА
Импульсный прямой ток при длительности импульса
50 мкс и скважности не менее 20 при темпера-
туре 298 К.......................................... 0,5	А
Постоянное обратное напряжение при токе /о5р = 100 мкА
и температуре 298 К.................................... 1	В
Температура окружающей среды............................От	213
до 358 К
Зона возможных положений за-
висимости мощности излучения
от темпера гуры.
674
Диаграмма направленности иэлу-
ния от тока.
Зависимость мощности излуче-
чения.
Зона возможных положений
зависимости импульсного
прямого тока от импуль-
сного прямого напряжения.
Зависимость импульсного прямого
тока от скважности.
675
I
ЗЛ119А, ЗЛ119Б	g
Излучающие диоды арсенид-галлиевые мезаэпитаксиальные в W
металлостеклянном корпусе. Предназначены для работы в качестве
источников инфракрасного излучения с длиной волны 0.95 мкм.
Обозначение типа наносится на групповую тару.
Масса диода не более 0,3 г.
Электрические и излучательные параметры
Полная мощность излучения в угле U0J при /пр =
= 300 мА, не менее...................................40 мВт
Постоянное прямое напряжение при /пр = 300 мА. не
более ............................................... ЗВ
Длина волны излучения в максимуме спектральной
характеристики.......................................От 0,93
до 0,96 мкм
Время нарастания импульса излучения, не более:
ЗЛ119А..................................................  1	мкс
ЗД119Б.............................................0,35	мкс
Время спада импульса	излучения....................... 1,5	мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре окружающей
среды:
от 213 до 308 К ................................. 300 мА
при 358 К...................................... 200 мА
Температура окружающей среды.......................От213
до 358 К
676
Зона возможных положений за-
висимости прямого тока от на-
пряжения.
Зона возможных положений за-
висимости прямого напряжения
от температуры.
Зона возможных положений за-
висимости мощности излучения
от тока.
Зона возможных положений за-
висимости мощности излучения
от температуры.
Зона возможных положений зави-
симости длины волны от темпе-
ратуры.
Зависимость прямого тока от
температуры.
677
Раздел четырнадцатый
СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ,
ЗНАКОВЫЕ ИНДИКАТОРЫ
2Л101А, 2Л101Б, КЛЮЗА, КЛ101Б, КЛ101В
Светоизлучающие дио-
ды карбидокремниевые жел-
того цвета свечения в ме-
таллическом корпусе. Пред-
назначены для визуальной
индикации, а также для
использования в устройствах
автоматического регулирова-
ния. Тип диода указывается
на групповой таре.
Масса диода не бо-
лее 0,03 г.
Электрические и излучающие параметры
Яркость, не менее:
при 298 К
2Л101А, КЛ101А................................10	кд/м2
2Л101Б, КЛ101Б................................15	кд/м2
КЛ101В........................................20	кд/М2
при 343 К
2Л101А, КЛ101А, КЛ101Б.........................4	кд/м2
2Л101Б, КЛ101В.................................6	кд/м2
при 263 К
2Л101А, КЛ101А.................................4	кд/м2
2Л101Б, КЛ101Б................................ 6	кд/м2
КЛ101В.........................................8	кд/м2
Постоянное прямое напряжение при максимальном
токе, не более:
при 298 и 343 К
2Л101А, 2Л101Б..................................... 5	В
КЛ101А, КЛ101Б, КЛ101В......................... 5,5	В
при 263 К
2Л101А, 2Л101Б, КЛ101А, КЛ101Б, КЛ101В . .	10 В
Цвет свечения.......................................Желтый
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре от 263 до
343 К:
2Л101А, КЛ101А...................................... 10	мА
2Л101Б, КЛ101Б..................................20	мА
КЛ101В..........................................40	мА
Температура окружающей среды..........................От	263
до 343 К
678
Зона возможных положений зависимости
яркости от тока.
Зависимость яркости от
температуры.
Зона возможных положений зависи-
мости яркости от длины волны.
ЗЛ102А, ЗЛ102Б, ЗЛ102Г, АЛ102А, АЛ102Б, АЛ102Г
Светоизлучающие диоды фосфид-галлиевые эпитаксиальные в
металлостеклянном корпусе красного цвета свечения. Предназначены
для визуальной индикации.
Диоды маркируются цветными точками. АЛ 102А — красной,
АЛ102Б —двумя красными, АЛ102Г —тремя красными, ЗЛ102А —
черной, ЗЛ102Б —двумя черными, ЗЛ102Г — тремя черными.
Масса диода не более 0,25 г.
679
Электрические и световые параметры
Сила света, не менее:
АЛ102А при /пр = 5 мА и 298 К...................40 мккд
ЗЛ102А при /пр = 5 мА
при 298 и 213 К..............................40 мккд
при 343 К...................................25 мккд
АЛ102Б при /пр = 20 мА и 298 К...............100 мккд
ЗЛ1О2Б при /пр = 20 мА
при 298 и 213 К..............................100 мккд
при 343 К...................................40 мккд
АЛ102Г при 7пр = 10 мА и 298 К............... 200 мккд
ЗЛ102Г при /пр = 10 мА:
при 298 и213К................................ 200 мккд
при 343 К...................................100 мккд
Постоянное прямое напряжение, ЗЛ102А и АЛ102А при
1пр = 5 мА, ЗЛ102Б и АЛ102Б при /пр = 20 мА,
ЗЛ102Г и АЛ102Г при /пр = 10 мА, не более ....	2,8 В
Цвет свечения....................................Красный
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
323 К:
АЛ102А, АЛ102Г,	ЗЛ102А, ЗЛ102Г ..................10	мА
АЛ102Б, ЗЛ102Б	.................................20	мА
Постоянный прямой ток при температуре от 323
до 343 К.............................................. 10	мА
Обратное напряжение постоянное или импульсное при
длительности импульса до 20 мкс и частоте до
1 кГц.................................................. 2	В
Температура окружающей среды...........................От	213
до 343 К
Зона возможных положений зависи-
мости прямого тока от напряжения.
680
Зависимость силы света от тока.
Зависимость яркости от
длины волны.
Зона возможных положений зави-
симости силы света от темпера-
туры.
Диаграмма направленности.
2Л105А
Знаковый индикатор карбидокремниевый желто-оранжевого цвета
свечения в пластмассовом корпусе. Предназначен для визуальной
индикации.
Индикатор имеет семь элементов, излучающих свет при подаче
прямого тока. Различные комбинации элементов, обеспечиваемые
внешней коммутацией, позволяют воспроизвести цифры от 0 до 9.
Отрицательный вывод маркируется цветной точкой на торце цифро-
вого индикатора у общего вывода 1. Размер цифры 5 мм.
Масса не более 0,8 г.
22 под ред. Н. Н. Горюнова
681
5-орг 3-Ojli
Отрицательный Выёсдобозначается цветной
точкой на торце цисрроВого индикатора
и общего Вывода (N-1).
в
7
6
5
1 — катод общий; 2 — анод С; 3 — анод D; 4 — анод Е; 5 — анод F; 6 — анод А:
7 — анод G; 8 — анод В.
Таблица 14.1
Порядок подключения выводов злакового индикатора
для получения изображения цифры
Воспроизводимые цифры	Выводы
0 1	2, 3, 4, 5, 6, 8 2, 8 или 4, 5
2 3 4 5 6 7 8 9	3, 4, 6, 7, 8 2, 3, 6, 7, 8 или 3, 4, 5, 6, 7 2, 5, 7, 8 или 2, 4, 5, 7 2, 3, 5, 6, 7 2, 3, 4, 5, 6, 7 или 2, 3, 5, 6, 7. 8 2, 6, 8 или 3, 4, 5 2, 3, 4, 5, 6. 7, 8 2, 3, 5, 6, 7, 8 или 2, 3. 4, 5. 6. 7
Электрические и световые параметры
Яркость при /пр = 10 мА через каждый элемент,
не менее......................................
Коэффициент изменения яркости, не менее:
при 343 К ....................................
при 213 К ................................
Постоянное прямое напряжение:
при 293 К ....................................
15 кд/м2
0,5
0,25
От 2,2 до 6 В
682
при 343 К
при 213 К
Цвет свечения
...................................От	1.8 до 6 В
.........................................От	2,2 до 10 В
.........................................От	желтого
до оранже-
вого
Предельные эксплуатациенные данные
Прямой ток через элемент при температуре корпуса от
213 до 358 К ........................................ 12	мА
Прямое напряжение, нри котором отсутствует свечение
при температуре от 213 до 343 К......................... 1	В
Температура окружающей среды .  ........................От	213
до 343 К
Зона возможных положений за-
висимости прямого тока от на-
пряжения.
Зона возможных положений за-
висимости яркости от тока.
Z13 233 ZS3 Z13 Z93 313 333 353 К
Зона возможных положений за-
висимости яркости от темпера-
туры.
Зона возможных положений за-
висимости интенсивности излу-
чения от длины волны.
22*
683
АЛ301А, АЛ301Б
Светоизлучающие диоды фосфид-галлиевые эпитаксиальные бес-
корпусные. Предназначены для использования в индикаторах, опто-
парах. гибридных микросхемах.
Диоды маркируются цветным кодом: АЛ301А — одной красной
точкой, АЛ301Б — двумя красными точками.
Масса диода не более 9 мг.
Электрические и световые параметры
Яркость излучения, не менее:
АЛ301А при /„р = 5 мА..................................25	мккд
АЛ301Б при /,,р = 10 мА...........................100	мккд
Постоянное прямое напряжение для АЛ301А при 1ир =
= 5 мА, АЛ301Б при /11р = 10 мА. не более ...	2,8 В
Цвет свечения.........................................Красный
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
343 К................................................. 11	мА
Темпера'ура окружающей среды...........................От	213
до 343 К
Зависимость мощности излуче-
ния от длины волны.
684
Зона возможных положений за- Диаграмма направленности из-
впсимости силы света от тем-	лучения.
перагуры.
Зона возможных положений за- Зависимость яркости от тока.
висимости силы света от тем-
пературы.
АЛ304А, АЛ304Б, АЛ304В, АЛ304Г
Знаковые индикаторы арсенид-фосфид-i аллиевые эпитаксиально-
планарные красного и зеленого цвета свечения в пластмассовом
корпусе. Предназначены для отображения цифровой информации.
Индикатор имеет семь элементов и децимальную точку, излу-
чающие свет при подаче прямого тока. Различные комбинации
элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют вос-
произвести цифры от 0 до 9 и децимальную точку.
Размер цифры 3 мм. Масса прибора не более 0,25 г.
685
Исполнение 7
Исполнение 2
остальное-см. исполнение!
АЛ304А, АЛ304Б, АЛ304В: 1 -
анод Е; 2- анод D; 3, 8 -
катод общий; 4 — анод С; 5
анод Я; 6 -- анод В; 7 — анод А;
9 - анод G;	10 - анод F;
АЛ304Г: / — катод Е; 2 - ка-
тод D; 3, 8 — анод общий; 4 —
катод С; 5 — катод !!: 6 —
катод В’. 7 — катод А: 9 — ка-
тод G; 10 — катод F.
Электрические и световые параметры
Яркость при токе через элемент 5 мА, не менее:
АЛ304А............................................140 кд/м2
АЛ304Б........................................... От	80
до 320 кд/м2
АЛ304В (при токе через элемент 10 мА) ....	60 кд/м2
АЛ304Г.......................................... 350	кд/м2
Допустимое отклонение яркости......................... —	60 %
Постоянное прямое напряжение, не более:
при температуре	298	и	343	К	для	АЛ304А,
АЛ304Б....................................... 2	В
при температуре 213 К	для	АЛ304А,	АЛ304Б . . .	2.4	В
при температуре	298	и	343	К	для	АЛ 304В,
АЛ304Г......................................... ЗВ
при температуре 213 К для АЛ304В, АЛ304Г ...	3,6 В
Цвет свечения:
АЛ304А, АЛ304Б, АЛ304Г..........................Красный
АЛ 304В.........................................Зеленый
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток через каждый элемент при
температуре от 213 до 343 К........................ 11	мА
Постоянный прямой ток через все элементы при тем-
пературе от 213 до 343 К..............................88	мА
Мощность, рассеиваемая при температуре от 213 до
343 К............................................... 264	мВт
Температура окружающей среды.......................От 213
до 343 К
686
Зона возможных положений
зависимости прямого тока
висимости яркости от тока.
Зона возможных положений
зависимости прямого тока
от напряжения.
перат уры.
АЛ305А, АЛ305Б, АЛ305В, АЛ305Г, АЛ305Д, АЛ305Е,
А.Л305Ж, АЛ305И, АЛ305К, АЛ305Л
Знаковые индикаторы арсенид-фосфид-галлиевыс красного и зе-
леного цвета свечения в пластмассовом корпусе. Предназначены
для визуальной индикации.
Индикатор имеет семь элементов и децимальную точку, излу-
чающие свет при подаче прямого тока. Различные комбинации
элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют вос-
произвести цифры от 0 до 9 и децимальную точку.
Индикаторы маркируются цветным кодом, приведенным ниже.
Размер цифры 6,9 мм. Масса прибора не более 1,5 г.
687
АЛ305А-АЛ305Е: 7 - катод А; 2 — катод F; 3, 9, 14 — анод общий: 6-
катод Н; 7 —катод 8 — катод D: /0 — катод С: II — катод G; 13 — ка-
тод В, АЛ305Ж —АЛЗО5Л: / — анод А; 2 — анод F; 3, 9, /4 — катод общий;
6 — анод Н: 7 — анод Е; 8 — анод D, /0 — анод С, // — анод G: 13 —
анод В.
Таблица 14.2
Маркировка приборов
Тип прибора	Цвет	точки
	а	
АЛЗО5А	Белый	Белый
А Л305Б	»	--
Л Л 30? В	Красный	Красный
АЛ305Г		—
АЛ305Д	Синий	Синий
АЛЗО5Е	»	—
АЛЗО5Ж	Черный	Черный
АЛЗО5И	/)	—
АЛЗО5К	»	Белый
АЛЗО5Л	-	—
Электрические и световые параметры
Яркость при токе 20 мА, не менее:
АЛ 305А, АЛ305Ж............................. 350	кд/м^
АЛ305Б, АЛЗО5И.................................. 200	кд/м2
АЛЗО5В, АЛЗО5Д,	АЛ305К..........................120	кл/хС
АЛ305Г, АЛЗО5Е,	АЛЗО5Л...........................60	кд/м2
Допустимое отклонение яркости:
АЛ305А, АЛЗО5В, АЛ305Ж............................ -60%
688
АЛЗО5Б, АЛЗО5Г, АЛ305Е. АЛЗО5И, АЛЗО5К,
АЛЗО5Л........................................... ±60%
А Л305Д.......................................... -50%
Постоянное прямое напряжение при токе 20 мА. не
более:
АЛЗО5А, АЛЗО5Б................................ 4 В
АЛЗО5В, АЛЗО5Г, АЛ305Д. АЛЗО5Е, АЛ305Ж,
АЛЗО5И, АЛ305К, АЛЗО5Л.......................’	6 В
Цвет свечения:
АЛЗО5А, АЛ305Б, АЛЗО5В, АЛЗО5Г.................Красный
АЛЗО5Д, АЛЗО5Е.................................Зеленый
АЛ305Ж. АЛЗО5И, АЛ305К. АЛ305Л.................Красный
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный ток через каждый элемент при температуре
окружающей среды от 213 до 343 К..................22 мА
Температура окружающей среды......................От 213
до 343 К
Зависимость яркости от темпера-
зависимости прямого юка от
туры.
Зона возможных положений
зависимости яркости от тока.
О 5	10	15	10 25 мА
Зона возможных положений зави-
симости яркости от тока.
689
АЛ306А, АЛ306Б, АЛЗОбВ, АЛ306Г, АЛ306Д, АЛ306Е,
АЛ306Ж, АЛ306И
Знаковые индикаторы арсенид-фосфид-галлиевые (АЛ306А,
АЛЗОбБ), арсенид-галлий-алюминиевые (АЛЗОбВ —АЛ ЗО6Е) и фссфидо-
галлиевые (АЛ306Ж —АЛ306И). состоящие из дискретных элементов,
изготовленных по планарной технологии. Предназначены для ви-
зуальной индикации.
Индикаторы имеют 35 + 1 элементов, соединенных в матрицу
с перекрестной коммутацией, излучающих свет при подаче через
соответствующие элементы прямого тока. Различные комбинации
элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют вос-
произвести цифры от 0 до 9 и буквы А, Б, Г, Е, 3, Н, О,
П, Р. С, У, ч.
Масса прибора не более 1,5 г.

Таблица 14.3
Маркировка приборов
Тип прибора	Цвет	точки		Цвет точки	
	а			1	
АЛЗО6А	Белый	Белый	АЛ306Д	Зеленый	Зеленый
АЛ306Б	»	—	АЛ306Е	»	—
АЛЗОбВ	Черный	Черный	АЛЗО6Ж	Красный	Красный
АЛ306Г	»	—	АЛ306И	»	—
690
Таблица 14.4 Определение полярности			Таблица 14.5 Определение полярности		
.Nb выводов	Ряд. колонка	Полярное ib	№ вывода	Ряд, ко тонка	Полярность
1	Колонка 3	—	1	Колонка 3	+
2	Ряд 1	+	7	Ряд 1	
3	Ряд 3	+	3	Ряд 3		
4	Ряд 4	+	4	Ряд 4		
5	Колонка 2	—	5	Колонка 2	+
6 7	Отсутствует Колонка 1		6 7	Отсутствует Колонка 1	+
8	Колонка 4	—	8	Колонка 4	+
9	Ряд 7	+	9	Ряд 7	
10	Ряд 6	+	10	Ряд 6		
11	Ряд 5	+	11	Ряд 5		
12	Ряд 2	+	12	Ряд 2	—
13	Колонка 6	—	13	Колонка 6	+
14	Колонка 5	—	14	Колонка 5	+
Электрические и световые параметры
Постоянное прямое напряжение при токе 10 мА, не
более:
АЛ306А, АЛ306Б............................... 2 В
АЛ306В, АЛ306Г, АЛ306Д, АЛ306Е, АЛ306Ж,
АЛ306И....................................... ЗВ
Яркость при токе 10 мА, не менее:
АЛ306А, АД306В................................ 350	кд/м2
АЛ306Б, АЛ306Г............................... 200	кд/м 2
АЛ306Д, АЛ306Ж................................120	кд/м2
АЛ306Е, АЛЗО6И.................................60	кд/м2
Допустимое отклонение яркости от среднего для данного
прибора значения:
АЛ306А, АЛ 306В.................................... -60%
АЛ306Б, АЛ306Г, АЛ306Д, АЛ306Е, АЛ306И , . .	±60%
АЛ306Ж...........................................   -50%
Цвет свечения:
АЛ306А, АЛ306Б, АЛ306В, АЛ306Г, АЛ306Д,
АЛ306Е...........................................Красный
АЛ306Ж, АЛЗО6И...................................Зеленый
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный ток через каждый элемент при температуре
окружающей среды от 213 до 343 К.........................ц	МА
Импульсный прямой ток через элемент при температуре
окружающей среды от 213 до 343 К и скважности
не менее 30 .......................................... 300	мА
691
Рассеиваемая прибором мощность при температуре от
213 до 343 К:
А Л306А, АЛЗО6Б................................... 792	мВт
АЛЗО6В, АЛ306Г, АЛ306Д, АЛ306Е, АЛ306Ж,
АЛ306И...........................................1188	мВт
Температура окружающей	среды........................От	213
до 343 К
Зависимость яркости от тем-
Зона возможных положений
пературы.
зависимости яркое! и от тока.
Зона возможных положений
зависимости яркости от тока.
Зона возможных положений зави-
симости прямого тока от напря-
жения.
692
АЛ307А, АЛ307Б, АЛ307В, АЛ307Г
Светоизлучающие диоды арсенид-галлий-алюминневые в пласт-
массовом корпусе красного и зеленого цвета свечения. Предназначе-
ны для визуальной индикации.
Диоды маркируются цветными точками: АЛ307А — одной черной,
АЛ307Б — двумя черными, АЛ307В — одной черной, АЛ307Г — двумя
черными.
Масса диода не более 0,25 г.
Электрические и световые параметры
Сила света, не менее:
АЛ307А при	/пр=	10	мА..................0.15	мкд
АЛ307Б нри	/пр =	10	мА..............0,9	мкд
АЛ307В при	/пр =	20	мА..............0.4	мкд
АЛ307Г при	7пр =	20	мА ..........	1.5	мкд
Постоянное прямое напряжение, не более:
АЛЗО7А. АЛ307Б при /,,, = 10 мА.........  2,0	В
АЛЗО7В, АЛЗО7Г при 7„р = 20 мА........... 2.8	В
Цвет свечения:
АЛ307А. АЛ307Б............................Красный
АЛ307В, АЛ307Г............................Зеленый
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до
343 К:
АЛ307А, АЛ307Б.....................................20	мА
АЛ307В, АЛ307Г...................................22	мА
Обратное напряжение.................................. 2	В
Температура окружающей	среды.......................От	213
до 343 К
693
30° 10° 10° 0° 10° 10° 30°
Зона возможных положении за-
висимости силы света от тем-
пературы.
Диаграмма направленности из-
лучения.
Зависимость мощности излучения
от длины волны.
Зависимость силы света от тока.
АЛС311А
Сборка светоизлучающих арсенид-фосфнд-галлиевых планарно-
эпитаксиальных диодных индикаторов с общим ка годом в пласт-
массовом корпусе. Верхняя часть корпуса выполнена в виде линз,
расположенных над кристаллами соответствующих индикаторов. Каж-
дый кристалл представляв! собой восьмиэлемсптный индикатор,
излучающий красный свет. Предназначена для использования в
мультиплексном режиме работы в качестве табло, о i отражающем
цифровую информацию в радиоэлектронных устройствах, в час,-
ности в электронных калькуляторах.
Масса прибора не более 5 г.
694
/ — разряд 1, катод; 2 — сегмент Е, анод; 3 — сегмент С, анод; 4 —
разряд 3, катод; 5 — сегмент Н. анод; 6 — сегмент D, анод; 7 — разряд 5,
катод; 8 — сегмент G, анод; 9 — разряд 4, катод; 10 — сегмент F, анод;
// — разряд 3, катод; /2 — сегмент В, анод; 13 — разряд 2, катод: 14 — сег-
мент Л, анод.
Электрические и световые параметры
Количество разрядов................................. 5
Постоянное прямое напряжение при /пр = 4 мА. не
более .............................................. 2 В
Сила света разряда при среднем токе 0.8 мА через
каждый элемент и скважности 16, не менее .... 400 мккд
Длина волны максимума спектральной характеристики
излучения *.........................................От 650
до 660 нм
Отношение силы света наиболее яркого и наименее
яркого элементов в приборе, не более................ 2,5
Цвет свечения.......................................Красный
Предельные эксплуатационные данные
Импульсный ток через элемент (при длитель-
ности импульса 1 мс) при температуре:
695
от 263 до 308 К.................................. 110	мА
от 308 до 323 К............................../примаке	= 110-
- 3,67(7- 308), мА
Средний прямой ток через элемент при тем-
пературе:
от 263 до 308 К......................................... 5	мА
от 308 до 323 К............................ /пр,ср,макс = 5-
— 0.167(7-— 308), мА
Обратное напряжение любой формы на элемен-
те (пиковое значение) при температуре от
263 до 323 К............................................. 5	В
Температура окружающей среды.......................От	263 до 323 К
Зона возможных положений зави-
симости импульсного прямого тока
Зависимость прямого напряже-
ния от температуры.
от напряжения.
696
I
АЛС313А-5
Знаковый индикатор планарно-эпитаксиальный бескорпусной семи-
элементный. Предназначен для отображения цифровой и буквенной
информации, в частности в электронных наручных часах.
Масса индикатора не более 0,01 г.
Электрические и излучающие параметры
Сила света элемента при токе 5 мА, не менее .... 50 мккд
Разброс силы света элементов, не более.................. 30	%
Прямое напряжение на элементе при прямом токе
5 мА, не более.....................................
Типовое значение длины волны максимума спектра
излучения *.........................................
Цвет свечения.......................................
1,65 В
660 +10 нм
Красный
Предельные эксплуатационные данные
Импульсный прямой ток через элемент при
семи включенных элементах, /„ = 100 Гц и
температуре:
от 263 до 308 К...........................'	20 мА
от 308 до 333 К........................20	- 0,2(Г- 308), мА
Средний прямой ток через элемент при семи
включенных элементах при температуре:
от 263. до 308 К.......................... 5 мА
от 308 до 333 К.........................5	- 0,04(Г- 308), мА
Обратное напряжение любой формы и перио-
дичности ................................. 5 В
697
Температура окружающей среды...................От	263 до 333 К
Примечание. Сила света элемента определяется как усред-
ненная по всем элементам индикатора. Разброс силы света эле-
ментов определяется как отношение (в процентах) разности силы
света наиболее яркою элемента и силы света наименее яркого
элемента индикатора к сумме этих значений.
Зона возможных положений зависи-
мости силы света от температуры.
Зависимость прямого тока от
напряжения.
Зависимость силы света от
тока.
ЗЛС314А, АЛС314А
Знаковый яндикаюр арсенид-фосфид-iаллиевый эпитаксиально-
планарный красного цвета свечения в пластмассовом корпусе. Пред-
назначен для визуальной индикации.
Индикатор имеет семь элементов и децимальную точку, излу-
чающие свет при подаче прямого тока. Различные комбинации
элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют вос-
произвести цифры от 0 до 9 и децимальную точку.
Размер цифры 2,5 мм. Масса прибора 0,25 г.
698
f*
/ — анод E; 2 — анод D\ 3, 8 — катод общий; -/ — анол С: 5 — анод Н,
6 — анод В; 7 — анод А; 9 — анод G; 10 — анод F.
Электрические и световые параметры
Яркость при /пр = 5 мА через элемент, не менее
350 кд/м2
Разброс яркости между отдельными элементами ин-
дикатора .......................................    .	±50",
Постоянное прямое напряжение на каждом элементе
при /1|р = 5 мА......................................... 2	Б
Длина волны максимума спектральной характеристики
излучения...............................................От	650
до 6"0 нм
Цвет свечения..........................................Красный
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и периодич-
ности ................................................. 5	В
Постоянный прямой ток через каждый элемент при
температуре окружающей среды:
от 213 до 308 К .................................. 8	мА
при 343 К......................................... 5	мА
Постоянный прямой ток через все элементы при тем-
пературе окружающей среды:
от 213 до 308 К ..................................64	мА
699
при 343 К........................................40	мА
Температура окружающей среды.........................От	213
до 343 К
Зависимость яркости от тем-
пературы.
Зона возможных положений за-
висимости яркости от тока.
Зона возможных положений за-
висимости прямою юка от на-
пряжения.
АЛС317А, АЛС317Б, АЛС317В, АЛС317Г
Полупроводниковые приборы, состоящие из пят и светоизлучаю-
щих диодов с общим катодом (АЛС317А. АЛС317Б) и общим
анодом (АЛС317В, АЛС317Г) в пластмассовом корпусе. Предназна-
чены для использования в световых шкалах.
Приборы АЛС317А выпускаются в красном корпусе, марки-
руются одной цветной точкой, АЛС317Б —в красном корпусе, мар-
кируются двумя цветными точками, АЛС317В — в зеленом корпусе,
маркируются одной цветной точкой. АЛС317Г—в зеленом корпусе,
маркируются двумя цветными точками.
Масса прибора не более 3 г.
700
АЛСЗП(Д,5)
Off
АЛС317(В,Г)
<?S
113^5
АЛС317А, АЛС317Б: 1 - анод А; 2 - анод В; 3 - анод С; 4 - анод D; S -
анод £'; 6 — Катод общий; АЛС317В, АЛС317Г. 7 —катод А; 2 — катод В;
3 — катод С; 4 — катод D; 5 — катод Е; 6 — анод общий.
Электрические и световые характеристики
Сила света при /1|р = 10 мА, не менее:
АЛС317А.........................................  150	мккд
АЛС317Б...................................... 350	мккд
АЛСЗ17В.......................................80	мккд
АЛС317Г.......................................160	мккд
Прямое напряжение при /11р = 10 мА. не более:
АЛС317А, АЛС317Б............................... 2 В
А ЛСЗ 17В, АЛС317Г............................ ЗВ
Цвет свечения:
АЛС317А, АЛС317Б...................................Красный
АЛС317В, АЛС317Г...............................Зеленый
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток через элемент при температуре
окружающей среды от 213 до 343 К...................... 12	мА
Температура окружающей среды...........................От	213
до 343 К
701
Зависимость силы света
Зависимость мощности излучения от
от тока.
длины волны.
Зависимость силы света от
температуры.
Зона возможных положений зави-
симости прямого тока от напря-
жения.
АЛС318А, АЛС318Б, АЛС318В, АЛС318Г
Девятиразрядные цифровые индикаторы арсенид-фосфид-гал-
лиевые планарные красного цвета свечения.
Индикаторы состоят из девяти кристаллов, каждый из которых
содержит семь сегментов и точку. Различные комбинации сегмен-
тов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют воспроизвести
цифры от 0 до 9.
Масса прибора не более 7,7 г.
702
АЛС318А, АЛС318В: 1 - катод разряда 1; 2 - анод элементов С; 3 - катод
разряда 2:4 — анол элементов Н; 5 - катод разряда 3; 6 - анод элементов А:
7 - катод разряда 4: 8 - анод элементов £: 9 - катод разряда 5; 10-
анод элементов D: 11 — катод разряда 6; 12 — анод элементов G; 13 —
катод разряда 7; 14 - анод элементов В, 75 - катод разряда 8; 16 - анод
элементов F; /7 - катод разряда 9: АЛС318Б, АЛС318Г; / -катод разряда 1;
2 — анод элементов	С	разрядов	2 — 9;	3 —	катод	разряда	2;	4 — анод	эле-
ментов С разряда 1, анод элементов Н разрядов 2-9; 5 - катод разряда 3;
6 — анод элементов	А	разрядов	2 — 9;	7 —	катод	разряда	4;	8 — анод	эле-
ментов Е разрядов	2-9. анол элемента F	разряда 1; 9 -	катод разряда 5;
10- анод элементов	D	разрядов	2 — 9;	11 —	катод	разряда	6;	12 — анод	эле-
ментов G разрядов 2-9; 13 - катод разряда 7; 14 - анод элементов В
разрядов 2-9; анод элемента ,4 разряда 1; 15 - катод разряда 8; 16-
аноз элементов F разрядов 2—9; анод элемента G разряда 1; /7 —катод
разряда 9.
Электрические и световые параметры
Сила света разряда при импульсном прямом токе через
каждый сегмент или точку 5 мА.................... 950	мккд
Постоянное прямое напряжение на сегменте или точке
при постоянном токе 5 мА, не более . ............ 1,9	В
Обратный ток при £/обР = 3 В на каждом сегменте или
точке, не более.....................................Ю	мкА
703
Сопротивление сегмент — сегмент. разряд — разряд, не
менее......................... .......................2 кОм
Цвет свечения	............................Красный
Предельные эксплуатационные данные
Импульсный ток через сегмент или точку при
частоте следования импульсов 100 Гц при
любом количестве включенных сегментов и
температуре:
от 248 до 308 К............................. 40	мА
от 308 до 328 К........................40-1.2(7’-	308). мА
Средний прямой ток через сегмент или точку
при любом количестве включенных сегментов
при температуре:
от 248 до 308 К.............................. 3	мА
от 308 до 328 К........................3	- 0.12(Г- 308), мА
Рассеиваемая на знаке мощность при включен-
ных семи сегментах и точке и температуре:
от 248 до 308 К............................. 45	мВт
от 308 до 328 К.......................45	- 1,8(Т - 308), мВт
Обратное напряжение любой формы и периодич-
ности ......................................... 5	В
Температура окружающей среды .............От 248 до 328 К
Примечания: 1. Сила света первою разряда приборов
АЛС318В. АЛС318Г не менее 400 мккд.
2. Отношение силы света наиболее яркого разряда к силе света
наименее яркого разряда не более 2.
Зона возможных положений зависи-
мости силы света от температуры.
Зона возможных положений
зависимости прямо: о напря-
жения от температуры.
АЛС321А, АЛС321Б
Знаковые индикаторы фосфид-галлисвые жслто-зеленог о цвета
свечения в пластмассовом корпусе. Предназначены для визуальной
индикации.
Индикатор имеет семь элементов и децимальную точку, излу-
чающие свет при подаче прямого тока. Различные комбинации
704
элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют воспро-
извести цифры от 0 до 9 и децимальную точку. У индикаторов
АЛС321А элементы имеют общий катод, у АЛС321Б — общий анод.
Размер цифры 7,5 мм. Масса прибора не более 2 г.
АЛС321А: 1 - анод F-, 2 - анод G, 4. 72 - катод общий: б - анод Е: 7-
ано 1 Г>\ S - анод С; 9 — анод И; /3 — анод В. 14 - анод Л; АЛС321В:
7- катод Л: 2- каюл F; 3 9 14 - анод общий; б-катод II. 7 - катод £;
8 - каюд D: И) - катод С; 11 - катод G; 13 - катод В.
Электрические и световые параметры
Сила света при постоянном прямом токе 20 мА
через элемент или точку, не менее:
для элемента................................. 0,12	мкд
для децимальной точки........................ 0,02	мкд
Отношение силы света любых двух элементов инди-
катора, не более................................... 3
Постоянное прямое напряжение на элементе или де-
цимальной точке при 7пр = 20 мА, не более ...	3,6 В
Цвет свечения..................................Желто-зеленый
705
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и пе-
риодичности при температуре окружающей
среды от 213 до 343 К............................ 5	В
Постоянный прямой ток через элемент при
температуре окружающей среды:
от 213 до 308 К............................... 25	мА
от 308 до 343 К......................	25 — 0.5: Г - 308). мА
Рассеиваемая мощность при гемперагург
окружающей среды:
от 213 до 308 К.............................. 720	мВ:
от 308 до 343 К..................... 720	- 14.4(Г- 308). мВт
Температура окружающей среды .... От 213 до 343 К
Зависимость силы стета or
темпера-
туры.
G 1	2	3 S
Зона возможных положе-
ний зависимости прямот--
тока от напряжения.
Зависимость силы света от /глины
волны.
Зона возможных положе-
ний зависимости силы
света от тока.
706
АЛС323А-5
Индикатор светодиодный планарно-эпитаксиальный бескорпусной
знаковый. Предназначен для отображения цифровой и буквенной
информации, в частности, в электронных наручных часах.
Масса индикатора нс более 0,01 г.
Электрические и световые параметры
Сила света элемента при токе 3 мА, не менее .... 50 мккд
Разброс силы света элементов, не более................ 30 °/
Прямое напряжение на элементе при прямом токе
3 мА, не более...................................... 1,65 В
Типовое значение длины волны максимума спектра
излучения*............................................660 + 10 нм
Цвет свечения...........................................Красный
Предельные эксплуатационные данные
Импульсный прямой ток через элемент при
семи включенных элементах, /и = 100 Гц и
температуре:
от 263 до 308 К...................................... 20	мА
от 308 до 333 К............................20	- 0,2(Г - 308), мА
707
Средний прямой ток через элемент при семи
включенных элементах и температуре:
от 263 до 308 К................................. 4	мА
от 308 до 333 К..........................4	- 0,04(7 - 308), мА
Обратное напряжение любой формы и пе-
риодичности ..................................... 5	В
Температура окружающей среды................От 263 до 333 К
Примечания: 1. Сила света элемента определяется как усред-
ненная по всем элементам индикатора.
2.	Разброс силы света элементов определяется как отношение
(в процентах) разности силы света наиболее яркого элемента и
силы света наименее яркого элемента инднка юра к сумме этих
значений.
Зона возможных положе-
ний зависимости силы
света от температуры.
Зависимость пря-
мого тока от на-
пряжения.
Зависимость силы
света от ток?..
АЛС324А, АЛС324Б
Знаковые индикаторы арсенид-фосфид-галлиевые красного цвета
свечения в пластмассовом корпусе. Предназначены для визуальной
индикации.
Индикатор имеет семь элементов и децимальную точку, излу-
чающие свет при подаче прямого тока. Различные комбинации
элементов, обеспечиваемые внешней коммутацией, позволяют вос-
произвести цифры от 0 до 9 и децимальную точку. У индикато-
ров АЛС324А элементы имеют общий катод, у АЛС324Б — общий
анод.
Размер цифры 7,5 мм. Масса прибора не более 2 г.
708
1,35 ± 0,2
2,25*0,г
Вид А
АЛС324А
Ь	22
в \в
цве^ия B\~ic
тачка	' “ I
АЛС321А: /-анод F: 2 -	анод	G; 4, 72 - катод общий:	б -	анод	Е
7 - анод D: б - анод С; 9 -	анод	Н-. 73 - анод В; 14 - анод .4. АЛС321Б
1 — катод А ; 2 — катод F\ 3,	9, 14 — ап од общий; б — ка год Н;	7 —	каiод	Е
8 - катод D , 10 — катод	С: 1! - катод G; 13 - катод	В.
Электрические и световые параметры
Сила света при прямом токе 20 мА через элемент,
не менее:
для элемента..........................................0.15	мкд
для децимальной точки.............................0.05	мкл
Постоянное прямое напряжение на каждом элементе
или децимальной точке при токе 20 мА. не
более ................................................ 2.5	В
Отношение силы света любых двух элементов инди-
катора. нс более....................................... 3
Длина волны в максимуме спектральной характеристики
излучения*.............................................От'	650
до 670 нм
Цвет свечения .........................................Красный
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение любой формы и пе-
риодичности при температуре окружающей
среды от 213 до 343 К............................ 5	В
709
Постоянный прямой ток через элемент при
температуре окружающей среды:
от 213 до 308 К ......................
от 308 до 343 К ......................
Импульсный прямой ток при ти < 10 мс и
Лр.ср -5 мА.............................
Рассеиваемая мощность при температуре
окружающей среды:
от 213 до 308 К ......................
25 мА
25 - 0,5(Г- 308), мА
300 мА
500 мВт
от 308 до 343 К.....................  .	500 - 10(Т - 308). мВт
Температура окружающей среды . . . От 213 до 31.3 К
Зависимость силы сына от темпе-
ратуры.
Зона возможных положе-
ний зависимости прямого
тока от напряжения.
Зависимость силы света от длины
волны.
Зона возможных положе-
ний зависимости силы
света от тока.
710
Раздел пятнадцатый
ОПТОПАРЫ, ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ
ЗОДЮ1А, ЗОДЮ1Б, ЗОДЮ1В, ЗОДЮ1Г, АОДЮ1А,
АОДЮ1Б, АОДЮ1В, АОДЮ1Г, АОДЮ1Д
Оптопары, состоящие из излучающего диода на основе арсенид-
галлий-алюминия и кремниевого фотодиода, в металлическом кор-
пусе. Предназначены для гальванической развязки электрических
цепей, между которыми осуществляется информационная связь.
Масса прибора не более 1,1 г.
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока при /пр = 10 мА, не менее:
АОДЮ1А, АОДЮ1Д, ЗОДЮ1А..................
АОДЮ1В, ЗОДЮ1В..........................
АОДЮ1Б, ЗОДЮ1Б, ЗОДЮ1Г..................
АОДЮ1Г..................................
Входное напряжение при 7пр = 10 мА, нс более:
АОДЮ1А, АОДЮ1Б, АОДЮ1В, АОД101Г, ЗОДЮ1А,
ЗОДЮ1Б, ЗОДЮ1В, ЗОДЮ1Г..................
АОДЮ1Д..................................
Время нарастания и спада выходного импульса при
импульсе входного тока 20 мА, не более:
АОДЮ1А, ЗОДЮ1А..........................
АОДЮ1Д..................................
АОДЮ1Б, АОДЮ1Г, ЗОДЮ1Б, ЗОДЮ1Г ....
АОДЮ1В, ЗОДЮ1В..........................
Сопротивление гальванической развязки при напряжении
между входом и выходом 100 В, не менее:
АОДЮ1А, АОДЮ1Б, АОДЮ1В, АОДЮ1Д. ЗОДЮ1А,
ЗОЮ1Б, ЗОДЮ1В, ЗОД101Г..................
АОДЮ1Г..................................
Емкость между входом и выходом, не более ....
0.7 %
1,5 В
1,8 В
100 нс
250 нс
500 нс
1000 нс
10’ Ом
5 -109 Ом
2 пФ
711
Постоянный обратный ток фотодиода при максималь-
ном обратном напряжении, не более:
АОДЮ1А, АОДЮ1В, ЗОДЮ1А, ЗОДЮ1В,
ЗОДЮ1Г....................................... 2	мкА
АОДЮ1Б, ЗОДЮ1Б............................... 8	мкА
АОДЮ1Г.......................................10	мкА
АОДЮ1Д....................................... 5	мкА
Предельные эксплуатационные данные
Обратное напряжение на фотодиоде при темпера iype
окружающей среды от 213 до 343 К:
АОДЮ1А, АОДЮ1В, АОДЮ1Г. АОДЮ1Д.
ЗОДЮ1А, ЗОДЮ1В................................ 15	В
АОДЮ1Б, ЗОДЮ1Б...........................   100	В
ЗОДЮ1Г........................................ 40	В
Импульсное обратное напряжение па фотодиоде при
длительности импульса не более 100 нс и скважности
нс менее 2:
ЗОДЮ1А,	ЗОДЮ1В............................... 20	В
ЗОДЮ1Б..................................... 120	В
ЗОДЮ1Г........................................ 60	В
Постоянный или средний входной ток при температуре
окружающей среды от 213 до 343 К................20	мА
Входной импульсный ток при температуре окружающей
среды от 213 до 343 К и длительности импульса
не более 100 мке...............................100	мА
Напряжение между входом и выходом при температуре
окружающей среды от 213 до 343 К................. 100	В
Обратное входное напряжение........................ 3,5	В
Температура окружающей среды....................От	213
до 343 К
Зона возможных положений
зависимости входного напря-
жения от входного тока.
712
Зависимость коэффициента пе-
Зависимость выходного тока от
ВХОДНО1 о.
редачи тока от температуры.
Зона возможных положений за-
висимости выходного напря-
жения от тока нагрузки.
Зависимость времени нараста-
ния и времени спада от темпе-
ратуры.
ЗОТЮ2А, ЗОТЮ2Б, ЗОТЮ2В, ЗОТЮ2Г, ЗОТ102Д,
ЗОТЮ2Е, АОТЮ2А, АОТ102Б, АОТЮ2В, АОТЮ2Г,
АОТЮ2Д, АОТ102Е
Оптопары, состоящие из излучающего диода на основе арсенид-
галлий-алюмнния и кремниевого однопереходного транзисюра. в
металлическом корпусе. Предназначены для использования в ап-
паратуре управления и устройствах автоматики для гальванической
развязки электрических цепей.
Масса прибора не более 1,5 г.
23 пол рел. Н. Н. Горюнопа
713
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока:
ЗОТЮ2А, АОТЮ2А................................От	0.5	до	0,55
ЗОТЮ2Б, АОТЮ2Б............................От	0,54	до	0,6
ЗОТЮ2В, АОТЮ2В............................От	0,59	до	0,66
ЗОТЮ2Г, АОТЮ2Г............................От	0,64	до	0,71
ЗОТЮ2Д, АОТЮ2Д............................От	0,7	до	0,78
ЗОТЮ2Е, АОТЮ2Е............................От	0.77	до	0,85
Изменение коэффициента передачи тока, нс менее:
при 7ВХ= 15 мА................................... 10%
при 1т = 40 мА.......................... 20 %'
Ток утечки эмиттерного перехода при = 30 В.
не более.................................... 1 мкА
Остаточное напряжение при /э = 50 мА, не
более....................................... 4 В
Межбазовое сопротивление......................От	4 до 12 кОм
Ток выключения при	= 20 В, не
менее..................................... 1 мА
Прямое напряжение на входе при токе 15 мА. .	2 В
Сопротивление изоляции между входом и выходом,
не менее.................................... 10>; Ом
Предельные эксплуатационные данные
Межбазовое напряжение при температуре от 228
до 328 К................................................ 30	В
Обратное напряжение между эмиттером и второй базой
при температуре от 228 до 328 К......................... 30	В
Постоянный ток эмиттера в открытом состоянии при
температуре от 228 до 308 К.............................50	мА
Амплитуда эмиттерного тока при максимальной дли-
тельности импульса 10 мкс и минимальной скважности
200, при температуре от 228 до 308 К.................... 1	А
Рассеиваемая мощность при температуре окружающей
среды от 228 до 308 К................................  300	мВт
Входной ток при температуре от 228 до 308 К. . . .	40 мА
714
Амплитуда входного тока при длительности импульса
10 мкс и скважности 200 при температуре от
228 до 308 К ........................................150 мА
Напряжение между входом и выходом при давлении
от 2,7 104 до 3-105 н/м2 ............................ 500 В
Температура окружающей среды.........................От 228
до 343 К
Примечание. Рассеиваемая мощность при температуре от
308 до 343 К определяется по формуле
Лик-с = ^(398 - Л.
гд£ RT = 3 мВт/ С.
Зона возможных положений
зависимости межбазового
сопротивления от напря-
жения.
Зона возможных положений зави-
симости коэффициента передачи то-
ка от температуры.
Зона возможных положений
зависимости коэффициента
передачи тока от входного
Зона возможных положений зави-
симости прямого напряжения от
температуры.
тока.
23*
715
АОУЮЗА, АОУЮЗБ, АОУЮЗВ
Оптопары тиристорные, состоящие из излучающего диода на
основе арсенид-галлий-алюмипия и кремниевого тиристора, предназна-
чены для использования в качестве управляемого ключа в узлах
радиоэлектронной аппаратуры, в которых требуется гальваническая
развязка между выходной цепью и цепями управления.
Электрические параметры
Прямое напряжение выходной цепи, не менее:
АОУЮЗА...................................... 50	В
АОУЮЗБ, АОУЮЗВ............................. 200	В
Обратное напряжение выходной цепи, не менее:
АОУЮЗВ......................................... 200	В
АОУЮЗА. АОУЮЗБ............................Не	нормируется
Номинальный входной ток включения при прямом
напряжении на запергом тиристоре 10 В:
АОУЮЗА, АОУЮЗВ................................ 20	мА
АОУЮЗБ...................................... 50	мА
Ток выключения, не более....................... 10	мА
Остаточное напряжение, не более................. 2	В
Ток утечки в выходной цепи запертою тиристора.
не более......................................... 100	мкА
Время включения, не более............................. 15	мкс
Время выключения, не более........................... 100	мкс
Предельные эксплуатационные данные
Входной юК при TCMnepaiype от 213 до 343 К ...	55 мА
Входное напряжение при 1емпературе от 213 до
343 К................................................ 2 В
Ток помехи при температуре от 213 до 343 К .	0.5 мА
Постоянный прямой ток в выходной цепи при тем-
пературе :
от 213 до 323 К .................................J00 мА
при 34.3 К....................................... 20 мА
Скорость изменения напряжения, прикладываемого к
выходной цепи, нс более............................5 В/мкс
Температура окружающей среды.........................От 213
до 343 К
716
Зона возможных положений за-
Зона возможных положений за-
висимости входного тока от
входного напряжения.
висимости напряжения в откры-
том состоянии от температуры.
Зона возможных положений за-
висимости тока удержания от
(емпературы.
Зона возможных положений за-
висимости времени включения
от входного тока.
213 233 233 213 233 313 333 Н
Зона возможных положений за-
висимое! и отпирающего тока
управляющего электрода от
температуры.
Зона возможных положений за-
висимости времени выключения
от выходного тока.
717
АОДЮ9А, АОДЮ9Б, АОД109В, АОД109Г, АОД109Д,
АОДЮ9Е, АОД109Ж, АОД109И
Многоканальные оптоэлектронные приборы, состоящие из трех
отдельных оптопар, в металлокерамическом корпусе. Каждая оптопа-
ра образована излучающим диодом на основе арсенид-галлий-
алюминия и кремниевым фотодиодом. Предназначены для исполь-
зования в радиоэлектронной аппаратуре управления и устройствах
автоматики для гальванической развязки электрических цепей.
Масса прибора не более 0,49 г.
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока при входном токе 10 мА,
^обр.вых = 5 В. не менее:
АОДЮ9А, АОДЮ9В, АОДЮ9Г, АОДЮ9Д, АОДЮ9Е.
АОДЮ9Ж, АОДЮ9И.............................. 1,2
АОДЮ9Б...................................... 1,0%
Входное напряжение при /вх = 10 мА. не бо-
лее .......................................... 1,5 В
Обратный гок фотодиода при 7ВХ = 0, 17о6р = 35 В для
АОДЮ9А, АОДЮ9В, АОДЮ9Г, АОДЮ9Д, АОДЮ9Е,
АОДЮ9Ж, АОДЮ9И и при С/обр = 8 В для АОДЮ9Б,
не более....................................2 мкА
Количество каналов в оптопаре:
АОДЮ9А, АОДЮ9Б................................ 3
АОДЮ9В, АОДЮ9Г, АОДЮ9Д..................... 2
АОДЮ9Е, АОДЮ9Ж, АОДЮ9И..................... 1
Время нарастания и спада выходного импульса тока
при /вх = 10 мА, 17o6piBbIX = 10 В, не более:
АОДЮ9А, АОДЮ9В, АОДЮ9Г, АОДЮ9Д. АОДЮ9Е,
АОДЮ9Ж, АОДЮ9И............................. 1 мкс
718
АОДЮ9Б...........................................0,5	мкс
Сопротивление изоляции при напряжении 100 В между
входом и выходом, не менее.........................109	Ом
Емкость между входом и выходом каждой оптопары и
между оптопарами, не более......................... 2	пФ
Предельные эксплуатационные данные
Обратное входное напряжение на излучателе ....	3,5 В
Обратное напряжение на фотодиоде:
АОДЮ9А, АОДЮ9В, АОДЮ9Г, АОД109Д, АОДЮ9Е,
АОД109Ж, АОДЮ9И.............................. 40	В
АОДЮ9Б....................................... 10	В
Напряжение между	входом и выходом.................. 100	В
Входной ток......................................... 10	мА
Импульсный входной ток при длительности импульса
не более 100 мкс и скважности более 5..........100 мА
Температура окружающей среды.....................От 213
ДО 343 К
Зависимость коэффициента
передачи тока от обратного
напряжения.
Зависимость коэффициента
передачи юка от обратного на-
пряжения
Зависимость коэффициента
передачи тока от температуры.
719
Зависимость темнового тока
фотодиода от обратного на-
пряжения.
Зависимость максимального
импульсного входного юка о г
длительности импульса.
ЗОТПОА, ЗОТНОБ, ЗОТ1ЮВ, ЗОТПОГ, АОТНОА,
АОТПОБ, АОТПОВ, АОТ1ЮГ
Оптопары, состоящие из излучающего диода и составною фою-
транзисюра, в металлическом корпусе. Предназначены для исполь-
зования в качестве переключа1еля в iальванически развязанных
электрических цепях радиоэлектронной аппаратуры.
Масса прибора не более 1,5 г.
Электрические параметры
Входное напряжение при входном токе 25 мА. не
более................................................. 2	В
Ооаточное (выходное) напряжение при /вх 25 мА для
АОТПОБ, АОТПОВ, ЗОТПОБ, ЗОТ1ЮВ при выходном
токе /вь,, 100 мА, для AOTilOA. АОТ1 ЮГ. ЗОТ! 10А,
ЗОТПОГ при выходном токе /ВЬ1Х = 200 мА, не
более ............................................. 1.5	В
720
Ток утечки на выходе при /вх = 0 и температуре 298 К
при напряжении коммутации: АОТНОГ, ЗОТНОГ 15 В
АОТИОА, АОТНОВ, ЗОТНОА, ЗОТНОВ. АОТНОБ,
ЗОТ1ЮБ 50 В, не более...........................ЮО	мкд
Сопротивление изоляции при напряжении между входом
и выходом 100 В, не менее........................109	qm
Примечание. Работоспособность приборов обеспечивается при
подключении резистора сопротивлением 0.1-1 МОм между выво-
дами 3 и 5. Измерение параметров производится при сопро-
тивлении 1 МОм.
Предельные эксплуатационные данные
Коммутируемое напряжение при температуре от 213
до 343 К:
АОТИОА. АОТНОВ, ЗОТНОА,	ЗОТНОВ........... 30	В
АОТНОБ, ЗОТНОБ.............................. 50	В
АОТНОГ, ЗОТНОГ ............................. 15	В
Напряжение между входом и выходом............... 100	В
Входное обратное напряжение..................... 0,7	В
Входной постоянный ток при температуре окружающей
среды от 213 до 308 К........................... 30 мА
Амплитуда входного юка при длительности импульса
не более 10 мкс и температуре окружающей среды
от 213 до 308 К.................................100 мА
Амплитуда выходного тока при длительности импульса
не более 10 мс и температуре окружающей среды
от 213 до 343 К:
АОТИОА, АОТНОГ. ЗОТНОА, ЗОТНОГ .... 200 мА
АОТНОБ, АОТНОВ, ЗОТНОБ, ЗОТНОВ..............100 мА
Выходной постоянный ток при температуре окружающей
среды от 213 до 308 К:
АОТИОА. АОТНОГ, ЗОТНОА. ЗОТНОГ.............. 200 мА
АОТНОБ, АОТНОВ, ЗОТНОБ, ЗОТНОВ..............100 мА
Средняя рассеиваемая мощность при температуре окру-
жающей среды от 213 до 308 К.................... 360 мВт
Температура окружающей среды....................От 213
до 343 К
Примечания: 1. При температуре окружающей среды выше
308 К предельно допустимые электрические режимы эксплуатации
рассчитываются, исходя из допустимой рассеиваемой мощности,
определяемой по формуле
Рсрмак= —(353 — Г). )Де Кт = 8.0 мВт-К-1.
Кт
2. Максимальный входной пос: оянный ток при температуре ок-
ружающей среды от 308 до 343 К снижается линейно с коэффи-
циентом 0,43 мА/К.
721
3.	Допускается эксплуатация приборов АОТИОБ при напряжении
источника питания 48 В + 10%.
4.	При изменении длительности импульса от 10 ‘ до 10-2 с
и температуры окружающей среды от 308 до 343 К
Дх.и.макс’ МА, определяется по формуле
/Вх.ил.акс = <^lg ‘° 2 — 7+45).
3	7
Зона возможных положений за-
висимости входного напряже-
ния от входного тока.
Зона возможных положений за-
висимости тока утечки от тем-
пературы.
АОД111А
Оптрон диодный с одним
арсенид-таллиевым излучателем и
двумя кремниевыми фотоприемни-
ками. Изготовляется в металло-
керамическом корпусе с оптическим
окном. Используется в качестве
датчика положения близких к
нему предметов, отражающих из-
лучение диода. Применяются в
качестве датчика пульса в элект-
ронных пульсметрах.
Масса прибора нс более 0,5 г.
722
Электрические параметры
Постоянное входное напряжение при /пр = 10 мА и Т =
298 К, не более..................................... 2 В
Приращение выходного тока (при приближении к опти-
ческому окну отражающей металлической поверхности),
не менее............................................ 1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный или средний входной ток при температуре
от 283 до 333 К.....................................40 мА
Импульсный входной ток при длительности импульса
10 мкс и скважности не менее 20 .................... 100 мА
Обратное выходное напряжение любой формы и перио-
дичности ........................................... 6 В
Температура окружающей среды........................От 283 до
333 К
Зависимость входного на-
пряжения от входного тока.
Зависимость выходного тока о г
обратного напряжения.
Зависимость обратного тока
фотодиода от обратного на-
пряжения.
723
ЗОД120А-1, АОД120А-1, АОД120Б-1
Оптопары диодные бескор-
пусные, состоящие из излучаю-
щего диода из арсенид-галлий-
алюминия и кремниевого диод-
ного фотоприемника. Предназ-
начены для гальванической
развязки элементов в составе
гибридных оптоэлектронных
микросхем.
Масса прибора не «бо-
лее 0.02 г.
Электрические параметры
Коэффипиен! передачи тока при входном токе 10 мА
и обратном напряжении на фотодиоде 5 В, темпе-
ратуре окружающей среды 298 К, не менее:
ЗОД120А-1. АОД120А-1........................
АОД120Б-1...................................
ЗОД120А-1 при 358 К.........................
ЗОД120А-1 при 213 К.........................
Входное напряжение при входном токе 10 мА, не более:
при 218 и 358 К ..................................
при 213 К ....................................
Время нарастания и спада выходного импульса тока
при 7ВХ = 10 мА, t/o6p = 10 В и температуре 298 К,
ие более:
ЗОД120А-1 и АОД120А-1.......................
АОД120Б-1...................................
Время задержки включения, не более:
ЗОД120А-1, АОД120А-1........................
АОД120Б-1...................................
Емкость между входом и выходом при температуре
окружающей среды от 213 до 358 К, нс более . . .
Постоянный обратный выходной ток при = 0. С'обр =
-8 В. не более:
ЗОД120А-1, АОД120А-1, АОД120Б-1 при 298 К . . .
ЗОД120А-1 при 358 К...........................
ЗОД120А-1 при 213 К...........................
Сопротивление изоляции при напряжении между входом
и выходом 200 В и температуре 298 К. не менее
0.4%
0.6%
1,7 В
1,9 В
30	НС
50	НС
50	НС
70	НС
2	пФ
2 мкА
20 мкА
2 мкА
101“ Ом
Предельные эксплуатационные данные
Входное обратное напряжение.......................... 3,5	В
Напряжение между входом и выходом.................... 200	В
Импульсное напряжение фглительностью менее 1 с при
скважности не менее 2) между входом и выходом 400 В
Обратное напряжение на выходе оптопары................ 10	В
724
г
Постоянный или средний входной ток при температуре:
от 213 до	343 К...................................20	мА
при 358 К........................................... 4	мА
Импульсный входной ток при длительности импульса
100 мкс.................................................100	мА
Температура окружающей среды от 213 до 358 К
Примечание. В диапазоне температур от 343 до 358 К
максимально допустимый входной ток, мА, определяется по фор-
муле
Ал, макс
Зона возможных положений за-
висимости входного напряжения
от входного тока.
Зависимость коэффициента
передачи тока от температуры.
= 360 - Т.
Зависимость выходного i ока от
0	5	10 8
Зависимость времени нараста-
ния и спада от обратного
напряжения.
импульсного входного тока от
длительности импульса.
725
ЗОД201А-1, ЗОД201Б-1, ЗОД201В-1, ЗОД201Г-1,
ЗОД201Д-1, ЗОД201Е-1
Он । опары, состоящие из арсенид-галлий-алюминиевого излучаю-
щего диода, кремниевого фотоприемника и иммерсионной среды
между ними, бескорпусные. Предназначены для применения в сощаве
гибридных микросхем.
Масса прибора не более 0,05 г.
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока при входном
токе 5 мА:
ЗОД201А-1 и ЗОД201Г-1.................. От	0,6 до 1,3 "о
ЗОД201Б-1 и ЗОД201Д-1.................. От	0.9 до 2 %
ЗОД201В-1 и ЗОД201Е-1.................. От	1,5 до 3,5
Входное напряжение при входном токе 10 мА:
при 298 К................................. От	1,1 до 1,5 В
при 343 К.............................. От	1,0 до 1,5 В
при 213 К
ЗОД201А-1, ЗОД201Б-1, ЗОД201В-1 . . От 1,1 до 1,85 В
ЗОД201Г-1, ЗОД201Д-1,	ЗОД201Е-1 Oi 1,1 до 1,65 В
Время нарастания и спада выходного импуль-
са тока при импульсе входного тока 25 м
и температуре 298 К, не более:
ЗОД201А-1, ЗОД201Б-1, ЗОД201В-1	100 нс
ЗОД201Г-1, ЗОД201Д-1. ЗОД201Е-1	800 пс
726
Сопротивление изоляции при напряжении
между входом и выходом 100 В и 298 К,
и температуре не менее....................... 1010	ом
Емкость между входом и выходом, не более	1,8 пФ
Постоянный обратный ток при t/o6p = 6 В
и температуре 298 К, не более ...	2 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Входное обратное напряжение....................... 3,5 В
Напряжение между входом и выходом................. 100 В
Обратное напряжение на фотоприемнике.............. 6 В
Входной ток . . .г................................ 20 мА
Импульсный входной ток............................100 мА
Температура окружающей среды......................От 213 до
343 К
Зависимость времени нараста-
ния и спада от температуры.
положений зависимос-
ти входного напряже-
ния от входного тока.
Зона возможных положений зависимости со-
противления нагрузки от температуры.
727
Зависимость коэффициента
передачи тока от обратного
напряжения.
Зависимость коэффициента
передачи тока от входно! о
тока.
К249КН1А, К249КН1Б, К249КН1В, К249КН1Г,
К249КН1Д, К249КН1Е
Полупроводниковые оптоэлектронные микросхемы, состоящие из
оптопар и управляемых ими транзисторных прерывателей, в метал-
лическом корпусе. Предназначены для использования в качестве
оптоэлектронных ключей, коммутирующих аналоювые электрические
сшналы при необходимости гальванической изоляции между цепями
управления и аналогового сигнала.
Масса прибора нс более 2,5 г.
728
Таблица 15.1
Тип прибора	Количество опюпдр	Количество микросхем	Дейс1в>ю- щнй ОЛК	Выводы	
				Вход	Выход
K249KHIA	4	Р	I, II	8, 10;	7. 5;
				12, 14	.3. 1
К249КН1Б	О	1	I	8, 10	7, 5
К249КН1В	1	1	II	12, 14	3. 1
К249КН1Г	4		I. II	8. 10; 12. 14	7, 5; 3, 1'
К249КН1Д	2	1	I	8. 10	7, 5
К249КН1Е	э	1	II	12. 14	3, 1
					
	Электрические параметры				
Выходное остаточное напряжение нри входном гоке
20 мА. не более:
при 298 К....................................... 200	мкВ
при 343 К....................................... 350	мкВ
при 213 К
К249КН1А, К249КН1Б. К249КН1В................. 700	мкВ
К249КН1Г, К249КН1Д, K249KHIE................. 750	МКВ
Время задержки включения, не более................... Ю	мкс
Время задержки выключения, не более................. 10	мкс
Сопротивление изоляции при напряжении между входом
и выходом 100 В. не менее............................Юч	Ом
Емкость между входом и выходом, не более............. 5	пФ
Входное напряжение при входном токе 20 мА. не более:
при 298 К....................................... 3.5	В
при 343 К
К249КН1А.	К249КН1Б,	К249КН1В.............. 3.5	В
К249КН1Г,	К249КН1Д,	К249КН1Е.............. 3,6	В
при 213 К......................................... 4	В
Сопротивление выходное в открытом состоянии:
К249КН1А. К249КН1Б, К249КН1В при входном токе
20 мА и тоже коммутации 0.5 мА, нс более
при	298	К..................................... 200	Ом
при	343	К..................................... 300	Ом
при	213	К..................................... 400	Ом
K249KHIF. К249КН1Д. К249КН1Е при входном гоке
20 мА и токе коммутации 0,1 мА, не более
при 298	К...................................... 200	Ом
при 343	К...................................... 300	Ом
при 213	К..................................... 400	Ом
Ток утечки между эмиттерами при /вх = 0. напряжении
коммутации 30 В, не более:
при 298 К
К249КН1А, К249КН1Б. К249КН1В................... 50	нА
К249КН1Г. К249КН1Д. К249КН1Е...................100	нА
ври 343 и 213 К................................. 200	нА
729
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение между входом и выходом при температуре
от 213 до 343 К................................. 100 В
Коммутируемое напряжение............................ 30	В
Входное обратное напряжение..................... 3,5 В
Входной импульсный ток при ти < 100 мкс ....	100 мА
Коммутируемый ток при температуре 298 К . . . . 500 мкА
Входной ток при температуре от 213 до 308 К . . . .	30 мА
Температура окружающей среды.......................От	213 до
343 К
Примечание. В диапазоне температур от 308 до 343 К значение
4х. макс, мА, вычисляется по формуле
2
4х, макс = (40 - у Г).
Зависимость напряжения и со-
противления в открытом состоя-
нии от входного тока.
		/Цтз1-з2ИЗК				
			К249КН1/			
						
						
						Т
213 233 253 273 293 313 333 К
				К2Ч9КН1		
^вкл		^ВЫклМЗи)				
						
						
						Т
213 233 2 53 273 293 313 333 К
Зависимость тока утечки между
эмиттерами от температуры.
Зависимость времени включе-
ния и времени выключения от
температуры.
730
Зона возможных положений за-
висимости входного напряжения
от входного тока.
Зона возможных положений за-
висимости выходного сопро-
тивления в открытом состоянии
от входного тока.
К249КП1, К249КП2
Оптоэлектронные ключи, состоящие из излучающего диода на
основе арсенид-галлий-алюминия и кремниевого фототранзистора.
Предназначены для гальванической развязки узлов, между которыми
передаются сигналы управления.
Прибор К249КП1 состоит из двух транзисторных оптопар.
В приборе К249КП2 работоспособность второй оптопары не гаран-
з ируется или она отсутствует.
У приборов К249КП1 первый вывод — вывод с ключом; у при-
боров К249КП2 первый вывод обозначается точкой, отсчет выводов
Против часовой стрелки.
Масса прибора не более 2 г.
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока при = 10 В, /вх = 10 мА,
/?„ = 1,2 кОм. не менее........................... 0,э"„
Темновой ток фотоприемника при С/ком = 30 В, не более 100 мкА
Напряжение насыщения фототрапзистора при /вх = 10 мА
и токе коммутации 2 мА. не более.................. 0,4	В
Сопротивление изоляции при напряжении между входом
и выходом 100 В, нс менее..........................5	 10ь Ом
731
Время задержки включения:
при Лн =	100 Ом, С\.ом = 10 В. /вх =	10	мА, не более	4	мкс
при Л„ =	1 кОм, /ком = 2 мА, 7ВХ =	10	мА. не более	8	мкс
Время задержки выключения не более:
при Л„ =	100 Ом, t/K0V1 = 10 В, /вх	=	10 мА ...	4	мкс
при Кн =	1000 Ом, /ком = 2 мА, /,,,	=	10 мА ...	25	мкс
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение между входом и выходом................. 100 В
Обратное напряжение на входе...................... 2,5 В
Коммутируемое напряжение на выходе................ 30 В
Постоянный коммутируемый ток на выходе............ 5 мА
Постоянный входной ток............................ 10 мА
Импульсный входной ток:
при длительности импульса не более 10 мс, скважно-
сти 2......................................... 15 мА
при длительности импульса 0,1 мс, скважности 10	20 мА
Рассеиваемая транзистором мощность при температуре
от 228 до 328 К.................................20 мВт
Рассеиваемая мощность всем прибором при температуре
от 228 до 328 К...................................34 мВт
Температура окружающей среды......................Ог 228 до
328 К
0	40	80 кОм
Зона возможных положений
зависимости времени задержки
включения от сопротивления
база — эмиттер.
Зона возможных положений за-
висимости коэффициента пе-
редачи тока от входного тока.
Зависимость коэффициента пе-
редачи тока от температуры.
0	3 S 9	11 15 18мА
732
213 233 253 273 233 313 3 33 А
Зона возможных положений за-
висимости входного тока от
входного напряжения.
Зона возможных положений за-
висимости коэффициента пере-
дачи тока от сопротивления
база — эмиттер.
249ЛП1А, 249ЛП1Б, 249ЛП1В
Оптоэлектронные коммутаторы логических сигналов, состоящие из
арсепид-галлиевого излучателя, кремниевого фотодиода и интеграль-
ного усилителя, обеспечивающего выходные уровни напряжения для
запуска ТТЛ микросхем.
Предназначены для пе-
редачи логических сиг-
налов между узлами при
необходимости обеспече-
ния между ними гальва-
нической развязки.
Масса прибора не
более 0,4 г.
733
Электрические параметры
Напряжение питания......................... 5	В + 10%
Потребляемая мощность, не более ....	5 мВт
Входное напряжение при входном токе 10 мА:
при 298	К.......................... От	1,1	до	1,5	В
при 343	К........................... От	1,0	до	1,5	В
при 213	К........................... Or	1,1	до	1.9	В
Выходное напряжение логического нуля при
7ВХ = 10 мА и токе нагрузки (втекающем)
1,8 мА, не более.................... 0,3 В
Выходное напряжение логической единицы
при /вх = 1 мА и вытекающем токе в на-
грузку 0,12 мА, не более............ 2.3 В
Время задержки включения при входном
токе 10 мА, не более:
249ЛП1А
при	298	К............................ 500	нс
при	213	и	343	К...................... 900	нс
249ЛП1Б
при	298	К............................ 300	нс
при	213	и	343	К...................... 600	нс
249ЛП1В
при	298	К................................ 1000	ис
при	213	К................................ 1500	нс
при	343	К................................ 1200	нс-
Время задержки выключения при входном
токе 10 мА, не более:
249ЛП1А
при 298 и213К...................... 900 нс
при 343 К........................ 500 нс
249ЛП1Б
при	298	и 213 К......................... 600	нс
при	343 К............................... 300	нс
249ЛП1В
при	298	К....................... 1200	нс
при	213	К....................... 1300	нс
при	343	К....................... 1000	нс
Сопротивление изоляции при напряжении
между входом и выходом 100 В. не менее	109 Ом
Емкость между входом и выходом, не более	2 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение между входом и выходом................. 100 В
Обратное входное напряжение....................... 3,5 В
Входной ток....................................... 20 мА
Входной импульсный ток при длительности импульса
10 мкс............................................100 мА
734
Минимальный входной ток при температуре окружающей
среды от 213 до 343 К:
249ЛП1А........................................ 5	мА
249ЛП1Б, 249ЛП1В............................... 8	мА
Выходной вытекающий ток...........................1,5	мА
Выходной втекающий ток............................1,8	мА
Температура окружающей среды.......................От	213 до
343 К
Зона возможных положений за-
висимости входного напряжения
от входного тока. ,
Зависимость времени задержки
включения от входного тока.
Зависимость времени задержки
выключения от входного тока.
735
К262КП1А, К262КП1Б
Полупроводниковые он i оэлектронные микросхемы с диодной опто-
парой на входе и интегральным усилителем, обеспечивающим на
выходе уровни сигналов для запуска ТТЛ микросхем. Предназначены
для передачи логических сигналов при необходимости обеспечения
между узлами гальванической развязки.
Масса прибора не более 2,5 г.
Электрические параметры
Напряжение питания..................................5 В + 10 °,
Время задержки включения и выключения при входном
I оке 10 мА и емкости нагрузки 40 пФ. не более:
К262КП1А.......................................... 700 нс
К262КП1Б........................................ 350 нс
Выходное напряжение логического нуля, не более . . .	0.3 В
Выходное напряжение лот ической единицы, не менее 2.3 В
Выходной гок логической единицы (вытекающий), не
более............................................... 1 мА
Входное напряжение логической единицы...............От 0.8 до
1.7 В
Входной юк логической единицы, не более............. 10 мА
Ток по1реб.:ения. не более.......................... 5 мА
Сопротивление изоляции при напряжении между входом
и вызолом 100 В. не менее...........................10' Ом
Емкоеib между входом и выходом, нс более............ 5 нФ
736
Предельные эксплуатационные данные
Выходной ток логического нуля (втекающий)............... Ю	мА
Скорость нарастания напряжения между входом и выходом 10 В/мкс
Время нарастания и спада входного импульса, не более 100 нс
Температура окружающей среды............................От	228 до
328 К
Зона возможных положений зави-
симости выходного напряжения ло-
1ичсскою нуля от [емператхры.
4
Зона возможных положений за-
висимости входного напряже-
ния от температуры.
Зона возможных положений за-
висимости выходного напряже-
ния ло[ической единицы от
температуры.
' 'вчспмость времени задержки
’’'еидя ог напряжения ис-
; очника питания.
З'лвлслмос । ь времени задержки
выключения ог напряжения ис-
точника питания.
737
295АГ1А, 295АГ1Б, 295АГ1В, 295АГ1Г, 295АГ1Д
Интегральные оптоэлектронные микросхемы, содержащие тири-
сторную оптопару, тиристор и одпопереходный |ранзистор, в метал-
лическом корпусе. Предназначены для использования в качестве
одновибраторов в схемах, в которых требуется гальваническая раз-
вязка цени запуска от выходной цепи.
Масса прибора не более 2,5 г.
Электрические параметры
Напряжение источника питания:
295АГ1А.............................................. 12	В
295АГ1Б. 295АГ1В................................. 27	В
295АГ1Г. 295АГ1Д................................. 48	В
Напряжение включения при входном импульсном токе
50 мА (295АГ1А, 295АГ1Б), 100 мА (295АГ1В, 295АГ1Г)
и 200 мА (295АГ1Д). не более:
при 298	К..................................... 3.6	В
при 263	К..................................... 5.2	В
при 343	К	и выходном импульсном токе 50 мА	4,6	В
738
1
f Ток утечки на выходе, не более:
при 298	К......................................10	мкА
при 263	К......................................50	мкА
при 343	К......................................50	мкА
Ток включения, нс более.............................20	мА
j Остаточное напряжение при выходном импульсном токе
50 мА (295АГ1А, 295АГ1Б), 100 мА (295АГ1В, 295АГ1Г)
и 200 мА (295АГ1Д), не более.............................. 2,5 В
Сопротивление изоляции между входом и выходом, не
менее...............................................108 Ом
«
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение источника питания, не более:
295АГ1А................................................. 13.2	В
295АГ1Б, 295АГ1В..................................29,7	В
295АГ1Г, 295АГ1Д.................................. 52^8	В
Напряжение включения................................. 5,25	В
Напряжение между входом и выходом..................... 100	В
Выходной импульсный ток при т„ < 2 мкс, температуре
окружающей среды от 263 до 308 К:
295АГ1А, 295АГ1Б................................... 50	мА
295АГ1В. 295АГ1Г...................................100	мА
295АГ1Д........................................... 200	мА
Рассеиваемая мощность при температуре 298 К ... . 500 мВт
Скорость нарастания напряжения источника питания при
температуре окружающей среды от 263 до 343 К 50 В/мкс
Температура окружающей среды
.........................От	263 до
343 К
Зона возможных положений зави-
симости напряжения включения от
температуры.
739
Зоны возможных положений за-
висимости входного тока от
темпера 1 уры.
Зона возможных положений за-
висимости напряжения в откры-
том состоянии от I ем пера |уры.
Зона возможных положений
зависимости тока ячейки 01
температуры.
Зависимость рассеиваемой мощ-
ности от температуры.
AOT122A, АОТ122Б, AOT122B, АОТ122Г
Оптопары транзисторные, состоящие из кремниевою эпи [ак-
сиально-планарного транзисторного приемника и арсенндгаллисво! >
ме «эпитаксиального инфракрасного диодною излучателя.
Предназначены для бесконтактной коммутации цепей постоян-
ного тока с гальванической развязкой между входом и выходом
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса оптопары нс более 0.6 г.
740
/4 МВыбодой
Электрические параметры
Входное напряжение нри ir- —5 мА:
7 = 298 К...........................................Oi	I до 1.6 В
Г 353 В' не более..................................... 1,6	В
Т= 213 К не более..................................... 1,8	В
741
Выходное остаточное напряжение при ZBX = 5 мА. ZBMX =
= 15 мА для АОТ122А. АОТ122В. АОТ122Г и ZBbIX =
= 25 мА для АОТ122Б не более:
Т = 298 и 353 К.................................. 1.5 В
Г= 213 К......................................... 1.9 В
Выходное остаточное напряжение при ZBX = I мА, ZBb:x =
= 1 мА для AOTI22A. ZBbIX = 3 мА для AOTI22B,
АОТ122Г ZBbIX = 5 мА для АОТ122Б не более ....	1.5 В
Ток утечки на выходе при ZBX = О, С/Ком =50 В для
АОТ122А, 0;ом = 30 В для АОТ122Б, AOTI22B. =
= 15 В для АОТ122Г не более..........................10 мкА
Сопротивление изоляции при Сиз =100 В не менее ...	10’-' Ом
Время нарастания* при ZBX = 5 мА, R. = 100 кОм.
Ь'гач =Ю В не более................................ 6 мкс
Время спада* при ZBX = 5 мА. R„ = 100 кОм, Ском =
= 10 В не более......................................100 мкс
Примечание. Измерение параметров производи юя при внеш-
нем резисторе сопротивлением 1 МОм между выводами 10 и 11.
Предельные эксплуатационные данные
Коммутирующее напряжение при R = 1 МОм между вы-
водами 10 и 11:
АОТ122А.................................... 50 В
АОТ122Б, АОТ122В........................... ЗОВ
ЛОТ122Г.................................... 15 В
Напряжение изоляции .......................... 100 В
Входной юк.................................... 15 мА
Импульсный входной юк при ти С 10 мкс.........85 мА
Выходной импульсный юк при R = 1 МОм между вы-
водами 10 и 11
АОТ122А. АОТ122В. АОТ122Г.................. 15 мА
АОТ122Б....................................25 мА
При изменении длительности импульса от 10 5 до 10 - с
импульсный входной ток, мА, определяется по формуле

70 , 10~2
1g-------
л т„
742
Допускается изгиб выводов на расстоянии 1 мм от корпуса,
пайка выводов на расстоянии не менее 2 мм от корпуса при
температуре не более 523 К в течение 3 с.
Допускается применение оптопар АОТ122А при напряжении
питания 48 В.
Допустимое значение статического потенциала 500 В.
Зависимость времени спада от
сопротивления база — эмиттер.
Зависимость выходного тока от
сопротивления база — эмиттер.
АЛЬБЕРТ ВАЛЕНТИНОВИЧ БАЮКОВ
АЛЕКСАНДР БОРИСОВИЧ ГИТЦЕВИЧ
АНАТОЛИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ ЗАЙЦЕВ
ВЯЧЕСЛАВ ВЛАДИМИРОВИЧ МОКРЯКОВ
ВЛАДИМИР МАТВЕЕВИЧ ПЕТУХОВ
АРКАДИЙ КВИНТИЛИАНОВИЧ ХРУЛЕВ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ:
Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы
Редакторы издательства Г. Н. А с т а ф у р о в.
А. Н. Г у с я ц к а я
Технические редакторы Н. Н. Хоту лева.
Г. Г. Самсонова
Корректор Г. А. Полонская
ИБ № 2682
Сдало в набор 18.09.-S1. Подписало в печазь 07.01.83. Т-057ЦУ Формы
84 х 1081 ... Бумага кн.-журн Гарнитура Таймс. Псч;пь высокая
Уел нем. .1 39,06. Уел. кр.-oi i 39.06 Уч.-изд. .1. 45.96. Дон. зираж
100000 зкз Заказ 746 Цена 2 р. 60 к.
Энсргоатомизда i. 113114. Москва. М-114. Ill позовая наб. 10.
Ордена Окзябрьской Революции, ордена Трудовою Красною Знамени
Ленинградское производственно-техническое объединение «Печатный
Двор» имени А. М. Горькою Союзполиграфпрома при Государствен-
ном комите ie СССР по делам издательств, полиграфии и книжной
торговли. 197136, Ленинград, П-136. Чкаловский пр., 15.
Диоды предназначены для преобразования электрических сигналов
наносекундного диапазона длительностей в оптическое излучение
ИК-Диапазона и могут использоваться в контрольно-измерительной,
пускорегулирующей аппаратуре, в датчиках физических величин, а так-
же в волоконно-оптических системах связи и передачи информации.
ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ
АЛИЯ
Дюдш/й Зб/ЗЗд ЗЗагподмь/й Зь/Зод
АЛ 129
^24-0,25
---»•—
ТЕХНИЧЕСКАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА
Наименование параметра	АЛ118	АЛ 124	АЛ 129
Длина волны излучения, мкм	0,8—0,9	0,87+0,03	0,87+0,03
Мощность излучения, мВт	2	4	5
Прямой ток, мА	50	100	200
Время иарастання (спада), нс	100	20	10
Угол излучения, град.	90	120	90
Диапазон рабочих температур, °C	-60 + +85	-60 - +85	-60 -т- +85
Габариты, мм	02,4	03,8	02,4
	Н = 6,3	Н=7,2	Н=4,8
	1вЫВ.~2$	резьба М2	1выв. = 14
Все приборы созданы на основе двойных гетероструктур в системе
GaAlAs, что позволило обеспечить высокий внешний квантовый выход,
уменьшить длительность переходных процессов излучения и обеспечить
стабильность параметров при воздействии внешних факторов. Приборы
выполнены в пластмассовом (АЛ118, АЛ129) и металлостекляпном кор-
пусах (АЛ 124), защищены а. с. №№ 531431, 686566.
Плоская конструкция кристалла (АЛ118, АЛ129) позволяет осу-
ществлять эффективный отвод тепла от активной области через медный
держатель и в сочетании с линзой из герметизирующего оптического
компаунда обеспечивает необходимый уровень мощности в угле 90°.
Мезакопструкция кристалла (АЛ 124) обеспечивает высокую яркость
излучения и малые размеры излучающей площадки, что является необ-
ходимым условием использования прибора в волоконно-оптических
системах связи.
Эффект от внедрения быстродействующих излучающих диодов
АЛ 118, АЛ124, АЛ 129 — в расширении частотного диапазона соот-
ветствующей аппаратуры и в повышении ее быстродействия. Внед-
рение излучающего диода АЛ 124 позволило создать первые промышлен-
ные системы волоконно-оптической связи. Годовой экономический эф-
фект от внедрения АЛ118 — 500 тыс. руб., АЛ 124 — 245 тыс. руб.
НООНТН ЦНИИ «ЭЛЕКТРОНИКА»
КЗО'21»(). Формат Ы)Х90';+. Тираж 2000 чкз. Закят № ООО.
СЕРИЯ СВЕРХБЫСТРОДЕЙСТ-
ВУЮЩИХ ИМПУЛЬСНЫХ диодов
НА ОСНОВЕ КОНТАКТА
МЕТАЛЛ - АРСЕНИД ГАЛЛИЯ АА539
АД516
АА529
АА530
АА538
Диоды предназначены для преобразования электрических сигналов
субнаносекундного и пикосекундного диапазонов длительностей и могут
быть использованы в схемах смесителей, формирователей, компараторов,
стробоскопических преобразователей при разработке целого ряда им-
пульсных измерительных устройств (измерители временных интервалов,
фазометры, рефлектометры, пробники, вольтметры, стробоскопические
осциллографы, импульсные генераторы и др.).
ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ
ЛД516
Техническая характеристика диодов
Наименование параметра	А А.538	АА529	АД.510	АА530	ЛА539
Постоянное прямое напряжение. В. при прямом токе: 2 мА	1,0	1.0	1.0		
10 мА				1.0	1.0
Постоянный обратный ток, мкА. при максимальном напряжении:					
5 В		1.0			
9 В	1,0				
10 В			2,0		
20 В					1.0
40 В				5,0	
Емкость диода при нелепом смеще- нии, пФ	0,17	0,25	0.35	0.7.5	0.6
.Аффективное время жизни носиге- '1си заряда, пс	40	.50	80	100	100
Габариты, мм: диаметр	1,3	2.3	3,8	2.3	.3,0X1,5X1.а
ВЫСО1 ,1	1.2 мета.	2,9 докерами1	9,5 еские ко[	6,9 пуса	совый кор нус с гиб КИМИ 111,1 BO/J1MII
Все приборы созданы на основе барьера Шоттки (контакта ме-
।a.i.'i— арсенид галлия), что позволило значительно уменьшить дли-
тельности переходных процессов переключения, определяющих инер-
ционность и быстродействие диодов, по сравнению с импульсными дио-
дами на р-п-переходах.
Выпрямляющие контакты всех диодов созданы электрохимическим
осаждением металлов (палладии, вольфрам) или сплавов (молибден—
никель) в окна определенного диаметра, вскрытые методом оптической
фотолитографии в пленке двуокиси кремния, нанесенной па поверх-
ность эпитаксиальных структур арсенида галлия типа п " -п.
Предложенная в а. с. № 674581 от 22.03.79 и а. с. № 762566 от
12.07.74 структура барьера Шоттки обеспечивает высокую стабильность
параметров диодов в различных условиях их эксплуатации.
Наиболее близким аналогом данной серии диодов является крем-
ниевый импульсный диод КД514, замена которого на диод АА538 в
стробоскопическом преобразователе напряжения типа В9-5 позволила
в три раза расширить полосу пропускания и в два раза уменьшить
погрешность измерений. Применение в измерителе параметров импуль-
сов типа И4-5 вместо диодов КД514 диода АА530 позволило снизить
погрешность измерении в два раза. Использование сверхскоростных
импульсных арсепидогаллисвых диодов позволило разработать измерш
тельную технику, обладающую принципиально новыми качествами—
возможностью цифрового отсчета и программного управления.
АА530
АА539
Годовой экономический эффект от внедрения диода ЛА516 в про-
изводство стробоскопических осциллографов С7-7, С7-8, ('7-9, ('.7-11.
('7-12 составил 10 млн. рублсц. От внедрения диода АА538 в производ-
ство стробоскопических осциллографов типа Cl-91/111—IV и С9-9 —
16,5 млн. рублей. От внедрения диода АЛ529 в производство стробо-
скопического осциллографа С7-13 — 940 тыс. рублен
Производительность труда при работе с осциллографом повыси-
iaci> в 5 10 раз.
ЦООНТИ ЦНИИ «ЭЛЕКТРОНИКА»
K302I8H. Формат 60X90 '/Тк Тираж 2000 -жз. Заказ ,\v 96].
‘ АА715
АРСЕНИДОГАЛЛИЕВЫЕ ДА?16
СВЧ-ДИОДЫ НА ЭФФЕКТЕ
ГАННА	АА726
Предназначены для работы в качестве активных элементов малой и
средней мощности в аппаратуре широкого применения: гетеродинах,
измерительных генераторах, усилителях, источниках накачки пар р
ческих усилителей и т. д.
ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ
АА715, АА725, АА726
Konci py ктивпо диоды выполнены в виде малогабари тного металле»-'
керамического корпуса с вмонтированным в пего активным элементом.
Акшвный элемент выполнен из эпитаксиального многослойного арсенида
галлия.
Диоды типа АА715, АА716, АА725, АА726 являются первыми оте-
чественными арсепидогаллневыми СВЧ-дподами и по своим основным
характеристикам соответствуют лучшим зарубежным аналогам.
Годовой экономический эффект от использования одного диода,
например тина АА716. составляет 700—1500 руб. в зависимости от
конкретных типов аппаратуры, в которой эти диоды используются.
Техническая характеристика
Наименование 1_____________________________Тип диода_________
па рам ci ра	АА715А- М	АЛ716А И	АЛ725А--Д	АА726А-Е
Рабочий диапазон частот, ГГц	8 - 12.5	18--25.86	5-8.24	12—16,7
Минимальная вы-				
ходкая мощность в	100. 200. 300	150. 250	200, 300	100, 200
полосе частот \f, мВт	( \f= 1.5 ГГц)	( \f = 2.0 ГГц)	(Л1=1,0 ГГц)	( \f = 1.5 ГГц)
Рабочее напряже- ние, В	9.5	1,0—6.3	11,0	
Рабочий ток при				5.0 8,0
рабочем напряженки, Л. не более	1.5	2.0	2,0	2,0
Габариты, мм	0 3,7	0 3,7	0 3.7	0 3.7
	Н = 4	И = 6	Н = 4	11 = 4
ЦООНТИ ЦНИИ «ЭЛЕКТРОНИКА»
К302189. Формат 60X90 /Д. Тираж 2000 зкз. Заказ М 961