Text
                    ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ приборы:
диоды, тиристоры,
оптоэлектронные приборы


ПОЛУ- ПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы СПРАВОЧНИК Под общей редакцией Н II. ГОРЮНОВА гэ МОСКВА ЭНЕРГОИЗДАТ 1982
ББК 32.852 П53 УДК 621.382.21.3(035) Авторы: А. В. Баюков, А. Б. Гитцевич, Л. Л. Зайцев, В. В. Мокряков, В. М. Петухов, Л. К. Хрулев Рецензенты: Е. И. Крылов, В В. Павлов Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, П53 оптоэлектронные приборы. Справочник/ А. В. Баю- ков, А. Б. Г тцевич, А А Зайцев и др.; Под общ. род. Н. Н. Горюнова. — М.: Энергоиздат, 1982,— 744 с., ил. В пер.: 2 р. 60 к. Приведены электрические параметры, 1абаритные размеры, пре- дельные эксплуатационные данные и другие характеристики отече- ственных серийно выпускаемых полупроводниковых диодов, тиристоров, светодиодов и он громов широкого применения Для широкого крута специалистов ио электронике, автомат икс, измерительной и вычислительной технике, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры п 2403000000 265 201-82. ББК 32 852 051(01)-82 6Ф0.32 © Энергоиздат, 1982
СОДЕРЖАНИЕ Предисловие.......................................... 12 ЧАСТЬ ПЕРВАЯ ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДАХ, ТИРИСТОРАХ И ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ Раздел первый. Классификация диодов, тиристоров и опто- электронных приборов.............................. 13 1.1. Классификация и система обозначений.......... 13 1.2. Условные графические обозначения............. 22 1.3. Условные обозначения электрических параметров . . . 24 1.4 Основные стандарты в области полупроводниковых приборов....................................... 30 Раздел второй. Особенности использования полупроводни- ковых приборов в радиоэлектронной аппаратуре .... 31 ЧАСТЬ ВТОРАЯ СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Раздел третий. Диоды выпримительные............. 36 Д2 (Б, В, Г, Д, Е, Ж, И)..................... 36 МДЗ.......................................... 39 ДММЗ.............................................. 41 Д7 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж).......................... 43 Д9 (Б, В, Г, Д. Е, Ж, И, К. Л. М)................. 45 ДЮ, ДЮ (А, Б)..................................... 47 ДЮ1, ДЮ1А, ДЮ2, ДЮ2А. ДЮЗ, ДЮЗА.............. 49 ДЮ4, ДЮ4А, ДЮ5, ДЮ5А, ДЮ6, ДЮ6А.............. 51 Д206, Д207, Д208, Д209, Д2Ю, Д211................. 53 Д214, Д214 (А, Б), Д215, Д215 (А, Б).............. 54 МД217, МД218, МД218А.............................. 56 Д223, Д223 (А, Б)................................. 58 МД226, МД226А, МД226Е............................. 60 Д226, Д226А, Д226Е................................ 62 Д229 (А, Б)....................................... 64 Д229 (В, Г, Д, Е, И К, Л)...................... 66 Д231, Д231 (А, Б)( Д232, Д232 (А, Б). Д233, Д233Б 68 Д234Б............................................. 70 Д237 (А, Б В, Е, Ж)............................... 70 Д242, Д242 (А, Б), Д243, Д243 (А, Б), Д245, Д245 (А, Б , 72 Д246, Д246 (А, Б), Д247, Д247Б, Д248Б . . 72 3
Д302, ДЗОЗ, Д304, ДЗО5...................................... 74 2Д101А...................................................... 76 2ДМ101А..................................................... 77 2Д102 (А, Б), КД102 (А Б).................. 78 2Д103А, КД103 (А, Б)........................................ 80 2Д104А, КД104А..........*................................... 82 КД105 (Б, В, Г)........._\.................................. 83 2Д106А КД106А............................................... 85 ГД107 (А Б)................................................. 87 КД109 (А, Б В).............................................. 89 АД110А ..................................................... 90 АД112А.................................................... 91 ГД113А...................................................... 91 2Д115А-1.................................................... 92 2Д118А-1.................................................... 94 2Д201 (А, Б, В, Г).......................................... 95 2Д202 (В, Д, Ж, К, М, Р), КД202 (А, В. Д, Ж, К, М Р)..................................................... 97 2Д203 (А, Б, В, Г, Д), КД203 (А, Б, В. Г, Д). 99 2Д204 (А, Б, В), КД204 (А, Б, В)....102 КД205 (А, Б В Г, Д, Е Ж, И К, Л).104 2Д206 (А, Б, В) КД206 (А Б. В)....105 КД208 (А).................................................107 КД209 (А, Б, В)...........................................108 2Д210 (А, Б, В, Г), КД210 (А, Б, В, Г)......................109 2Д212 (А. Б), КД212 (А. Ь)................................111 2Д213 (А, Б В, Г), КД213 (А, Б, В, Г) . . . 113 2Д215 (А, Б В)............................................. 116 2Д216 (А, Б)................................................118 2Д217 (А, Б) . .120 2Д219 (А, Б)................................................122 2Д220 (А, Б В, Г, Д, Е, Ж, И)......123 Раздел четвертый. Выпрямительные столбы и блоки . . . 126 Д1004, Д1005 (А, Б), Д1006, Д1007, Д1008 ............ 126 Д1009, Д1009А, ДЮНА.........................................128 2Ц101А .........................................129 2Ц102 (А, Б. В).............................................131 2Ц1ОЗ (А, В)................................................132 1Ц104АИ.....................................................134 КЦ105 (А, Б, В, Г, Д)........................135 21Д106 (А, Б В, Г), КЦ106 (А, Б. В, Г. Д) ... . 136 2Ц108 (А. Б, В)............................................139 КЦ109А.............. .................. . 141 2Ц110 (А. Б)................................................142 2Ц111А-1....................................................144 2Ц112А......................................................146 2Ц113А-1....................................................147 КЦ201 (А. Б В, Г, Д, Е).................................148 2Ц202 (А, Б, В Г, Д, Е)................................ 149 2Ц203 (А, Б, В).............................................152 4
КЦ401 (А, Б)........................................154 КЦ402 (А, Б, В Г Д. Е, Ж, И), КЦ403 (А, Б В. I Д, Е, Ж, И), КЦ404 (А, Б, В, Г. Д. Е, Ж. И). КЦ405 (А Б, В, Г, Д, Е. Ж. И).............................156 КЦ407А..............................................158 КЦ409 (А, Б, В. Г, Д, Е, Ж, И)......................160 КЦ410 (А, Б, В) .... !.........................161 КЦ412 (А. Б В)......................................162 Раздел пятый. Диолы универсальные и имиздьсные . ... 163 Д18................................'................163 Д20.................................................165 Д219А Д220. Д220 (А. Б).............................166 Д310................................................168 Д311, Д311 (А Б)....................................170 Д312, Д312 (А, Б)...................................173 2Д401 (А, Б, В). КД401 (А. Б)......................176 1Д402 (Л. Б) ГД402 (А Б)........................178 ГД403 (А, Б В)......................................180 КЦ407Л..............................................181 КД409А..............................................182 2Д413 (А, Б) КД413 (А, Б)........................184 2Д502 (А. Б В. Г)...................................185 2ДМ502 (А. Б. В. Г).................................187 2Д503 (А Б) КД5ОЗ (А, Б)........................188 2Д504Л, КД504А......................................191 1Д507А. ГД507А......................................193 1Д5О8А, ГД508 (А. Б)................................195 2Д509А, КД509А .....................................196 2Д510А, КД510А......................................199 ГД511 (А Б, В)......................................202 КД512А.............................................203 КД513А.............................................204 КД514А.............................................206 КД518А................................. 207 КД519 (А, Б).......................................208 2Д520А, КД520А.....................................210 КД521 (А В Г)......................................211 2Д522Б, КД522 (А, Б)............................2 2 2Д524 (А, Б В).....................................215 АД516 (А, Б).....................................217 ЗА527 (А, Б).....................................219 ЗА529 (А, Б).....................................221 3A53O (А. Б) .....................................22} Раздел шестой Диодные сборки и Maiputibi..............224 КДС111 (А, Б, В)...................................2_4 2ДС408 (А-1, Б-1, В-1, Г-1)........................225 2ДС413 (А-1, Б-1), 2ДС414 (А-1, Б-1). 2ДС415 (А 1. Б-1 В-1, Г-1, Д-1 Е1). КДС413 (А Б, В). КДС414 (А. Б В), КДС415 (А, Б. В)................................228 2ДС523 (А. Б, В, Г), КДС523 (А, Б, В Г).............232 5
КДС525 (А. Б, В Г Д. E, Ж, И. К. Л)...................235 КДС526 (А Б В)........................................239 2ДС627А КДС627А.......................................240 2ДС628А, КДС628А......................................243 2Д901 (А-1. Б-1, В-1. Г-1), КД901 (А-1, Б 1, В-1, Г-1) 245 2Д903 (А. Б), КД903 (А Б).............................347 2Д904 (А 1 Б-1. В-1, Г 1, Д 1. Е-1). КД904 (А-1, Б-1. В-1. Г-1, Д-1, Е-1)...................................249 2Д906 (А. Б В), КД906 (А, Б. В Г. Д, Е)...............252 2Д907 (Б-1, Г-1), КД907 (Б-1, Г-1)....................254 2Д908А, КД908А 256 КД909А................................................259 2Д910 (А 1, Б1, В 1), КД910 (А-1, Б-1, В-1)...........260 2Д911 (А-1, Б-1), КД911 (А-1, Б-1)...........262 2Д912 (А-3, Б-3, В-3), КД912 (А-3, Б-3, В-3).........265 2Д913А-3, КД913А-3....................................268 КД914 (А Б В).........................................270 2Д917А, КД917А........................................271 2Д918 (Б-1, Г-1), КД918 (Б-1, Г-1)....................274 2Д919А КД919А.........................................276 2Д920А................................................278 Раздел седьмой Варикапы ........................... . . 281 Д901 (А, Б В, Г, Д, Е)................................281 Д902 ................................................ 283 КВ101А................................................284 2BI02 (А, Б. В, Г, Д. Е, Ж). КВ102 (А, Б В Г, Д) 285 2В103 (А Б), КВ103 (А, Б).............................286 2В104 (А, Б, В. Г, Д. Е), КВ104 (А, Б, В, Г, Д, Е) 288 2В105 (А, Б), KBI05 (А Б)..........................289 2В106 (А. Б), КВ106 (А Б)..........................291 КВ107 (А, Б В Г).................................292 КВ109 (А, Б, В, Г)................................293 2В110 (А. Б, В. Г, Д. Е), КВ110 (А. Б, В, Г, Д. Е) 295 КВС111 (А, Б).........................................297 2В112 (А-1, Б-1), KBI12 (А 1 Б-1)....................298 2В113 А, Б) КВ113 (А, Б).............................299 2В114 (А-1, Б-1), KBII4 (А-1. Б-1)...................301 KB1I5 (А Б В).......................................302 КВ116А................................................303 2В117А, КВ117 (А, Б)..................................304 2BC1I8 (А Б)..........................................305 КВ119А .........................................307 КВС120 (А Б)..........................................308 КВ121 (А Б).........................................309 КВ122 (А, Б, В).....................................311 КВ123А................................................312 Раздел восьмой. Диоды туннельные н бращенные . . 314 8.1. Усилительные диоды...............................314 ЗИ101 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И), АИ101 (А, Б, В, Д Е, Ж, И) . 314 6
1И102 (А. Б В, Г, Д, Е, Ж И К)................317 1И103 (А. Б В), ГИ103 (А, Б, В Г)................319 1И104 (А. Б, В. Г, Д, Е).........................321 8 2 Генераторные диолы...............................324 ЗИ201 (А, Б, В, Г. Д, Е, Ж, И. К. Л). АИ201 (А. В Г. Е. Ж. И. К, Л).......................................324 ЗИ202 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И, К)....................327 ЗИ2ОЗ (А. Б Г, Д, Ж, И)..............................330 8 3 Переключательные диоды.......................... 331 АИ301 (А, Б В Г)..................................331 1ИЗО4 (А, Ь), ГИ304 (А, Б).........................333 1И305 (А, Б), ГИЗО5 (А, Б).........................336 ЗИЗО6 (Г, Е, Ж, К, Л, М Н, Р, С) ................338 ГИ307А...............................................340 1ИЗО8 (А. Б. В, Г, Д, Е, Ж И, К) ....................341 ЗИЗО9 (Ж, И, К, Л, М, Н).............................344 8 4 Обращенные переключательные диоды................346 1И401 (А, Б), ГИ401 (А, Б)............346 ЗИ402 (А. Б, В. Г. Д, Е. И). АИ402 (А. Г, Е, И) 348 1И403А, ГИ403А.......................................351 1И404 (А, Б В).......................................353 Раздел девятый. Генераторы шума..........................356 2Г401 (А, Б, В), КГ401 (А, Б," В)....................356 Раздел десятый Диоды сверхвысокочастотные . . 359 10.1. Смесительные диоды.............................359 ДГ-С1, ДГ-С2.........................................359 ДК-С1М ДК-С2М........................................360 ДК-С7М...............................................360 Д402, Д404 ......................................... 361 Д403 (Б, В)..........................................362 Д405, Д405 (А, Б АП, БП).............................364 Д406 (А, АП).........................................366 Д407 ............................................... 367 Д408, Д408П..........................................368 Д409 (А, АП).........................................369 2А101 (А, Б) ....................................371 2А102А...............................................374 2AIO3 (А, Б)........................................375 2А104А, КА 104 (А, Б)................................377 2А105 (А, Б)........................................380 1А106 (А, Б В)......................................382 2AI07A...............................................384 2А108А...............................................386 2А109А...............................................390 ЗА 110 (А, Б)........................................393 ЗА111 (А, Б), АА111 (А, Б)...........................396 ЛА112 (А, Б), ЛАНЗ (А, Б)...........................399 10.2. Детекторные диоды..............................400 ДК-В1 ДК В2..........................................400 ДК-ВЗ, ДК-В4.........................................401 7
ДК-В5М ДК В6М, ДК-В7М.................................402 ДК В8.................................................403 ДКВ11.................................................403 ДК-И1М, ДК И2М .......................................404 ДЗ (А, Б).............................................405 Д602 (А, Б)...........................................406 Д603 407 Д604 408 Д605 410 Д606 ................................................ 411 Д607, Д607А...........................................411 Д608, Д608А...........................................413 Д609 415 2А201А................................................416 2А202А................................................418 2А203 (А, Б) . .......................................420 10.3. Параметрические диоды..........................422 1А401, 1А401 (А, Б, В), ГА401, ГА401 (А, Б, В) . . . 422 1А402 (А Б, В, Г), ГА402 (А, Б, В, Г).........424 1А403 (А, Б. В. Г. Д), ГА403 (А, Б, В, Г. Д) . . . . 426 1А404 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж).....................428 1А405 (А, Б).....................................429 1А408 (А. Б).....................................430 10.4. Переключательные и ограничительные диоды . . . 432 1А501 (А, Б, В. Г, Д. Е. Ж, И), ГА501 (А, Б, В, Г, Д. Е, Ж, И) 432 2А503 (А, Б ..........................................433 1А504 (А, Б), ГА504 (А, Б. В).........................435 2А505 (А, Б, В).......................................437 2А506 (А, Б В Г, Д)...................................439 2А507 (А. Б), КА507 (А. Б. В).........................441 2А508А, КА508А...................................... 443 2А509 (А, Б), КА509 (А, Б. В).........................444 2А510 (А, Б, В), КА510 (А, Б, В, Г. Д. Е) . . . . 447 2А511А................................................449 2А512 (А, Б)..........................................451 2А513 (А, Б), КА513 (А, Б)............................453 2А515А................................................455 2А516А................................................457 2A5I7 (А, Б), КА517 (А, Б)............................458 2А518 (А-4, Б-4)......................................459 2А519А................................................462 ’’А520А КА520 (А, Б)..................................464 2А521А................................................466 2А522А-2..............................................469 2А523 (А 4, Б-4)......................................471 2А524 (А-4. Б-4)......................................473 10.5. У множительные и пасчроечные диоды.............476 Д501 ..........'................................... 476 2А601А................................................477 2А602 (А Б, В Г, Д), КА602 (А Б, В, Г. Д) . . . . 478 8
ЗА6ОЗ (А Б. В Г). АА6ОЗ (А, Б, В, Г) .... 480 2А604 (А Б).............................481 2А605 (А. Б).............................483 КА606 (А Б).............................485 ЗА607А.................................................486 2А608, КА608 ......................................... 487 2А609 (А. Б).............................488 2А611 (А, Б), КА611 (А, Б).............................490 2А613 (А, Б).............................491 10.6. Генераторные диоды...............................493 3A703 (А. Б), АА703 (А, Б).............................493 1А704 (А, Б, В)........................................494 ЗА705 (А, Б), АА705 (А, Б).............................496 2А706 (А, Б, В, Г).....................................497 Раздел одиннадцатый. Стабилитроны и стабисторы . . . 499 11.1. Сi аби.чнтроны общего назначения.................499 Д808, Д809. Д810, Д811, Д813...........................499 Д814 (А, Б, В, Г, Д)...................................501 Д815 (А, АП. Б. БП В, ВП, Г, ГП, Д. ДП. Г ЕП, Ж, ЖП), Д816 (А, АП, Б, БП. В, ВП, Г, ГП, Д, ДП), Д817 (А, АП, Б, БП, В, ВП, Г, ГП)...................504 2С124Д-1, 2С127Д-1, 2С130Д-1, 2С133Д-1, 2С136Д-1, 2С139Д-1, 2С143Д-1.....................................510 2С127А-1...............................................513 2С133А. КС133А. 2С139А. КС139А, 2С147Л КС147/Х 2С156А, КС156А, 2С168А, КС168А.........................513 2С133Б, 2С139Б, 2С147Б, 2С156Б, 2С168Б.................516 2СМ133Б, 2СМ139Б, 2СМ147Б 2СМ156Б, 2СМ168Б. ... 519 2С133В, 2С133Г, КС133Г, КС139Г, 2С14'В 2С147Г, КС147Г, - 2С156В, 2С156Г, КС156Г.................................522 2С147Т-1, 2С147У-1, 2С151Т-1, 2С156Т-1, 2С156У-1 . ... 525 2С156Ф.................................................527 2С162Б-1, 2С162В-1.....................................528 2С168Х, 2С175Х, 2С182Х, 2С191Х 2С210Х, 2С21IX, 2С212Х 530 2С175Ж, КС175Ж, 2С182Ж КС182Ж, 2С191Ж КС191Ж, 2С210Ж, КС210Ж, 2С211Ж КС211Ж, 2С212Ж. КС212Ж, 2С213Ж, КС213Ж, 2С215Ж, КС215Ж, 2С216Ж. КС216Ж, 2С218Ж, КС218Ж 2С220Ж, КС220Ж, 2С222Ж, КС222Ж. 2С224Ж, КС224Ж.........................................532 2С175Ц, 2С182Ц, 2С19Щ, 2С210Ц, 2С211Ц, 2С212Ц . . . 539 2С180А, 2С190А, 2С210А, 2С211А 2С213А..................542 2СМ180А, 2СМ190А. 2СМ210А. 2СМ211А, 2СМ213А . . . 545 2С291А............................................548 2С433А, КС433А, 2С439А, КС439А, 2С447Л, КС447А, 2С456А, КС456А, 2С468А, КС468А....................549 2С482А, КС482А, 2С510А, КС510А, 2С512А КС512А, 2С515А, КС515А, 2С518А, КС518А, 2С522А, КС522А, 2С524А. 2С527А, КС527А, 2С530А, 2С536А............553 КС533А............................................557 2С551А, КС551А, 2С591А, КС591А, 2С600А КС600А ... 558 9
КС620 (А, АП), KC630 (А, АП), KC65O (А, АП), KC680 (А АП)........................................560 2C920 (А АП) 2C930 (А, АП), 2C950 (А, АП), 2C98O (А АП) 562 11.2. Стабилитроны прецизионные.....................565 Д818 (А, Б, В Г, Д, E)..............................565 2С164М-1, 2С168М-1..................................567 2С191 (М Н П Р), КС191 (М Н, П Р)...................569 2С191 (С, Т У Ф), КС191 (С, Т У, Ф).................571 КС211 (Б, В, Г, Д)..................................574 КС520В КС531В, КС547В, КС568В, КС596В...............575 11.3 Стабилитроны импульсные........................577 2С168К-1, 2С175К-1, 2С182К-1, 2С191К-1, 2С210К1, 2С211К-1, 2С212К-1..................................577 2С175Е, КС175Е, 2С182Е, КС182Е, 2С191Е, КС191Е, 2С210Е, KC2I0E, 2С211Е, КС211Е, 2С212Е, КС212Е, 2С213Е, KC2I3E......................................580 114. Стабилитроны двухаполныс.......................584 2С162А, КС162А, 2С168В, КС168В, 2С175А, КС175А, 2С182А, КС182А, 2С191А КС191А, 2С210Б, КС210Б, 2С211И, 2C2I2B, 2С213Б, КС213Б.....................584 2CI70A, КС170А......................................590 11 5. Стабисторы....................................591 Д219С, Д220С, Д223С.................................591 2С107А, КС107А......................................592 2С113А, КС113А 2С119А, КС119А.....................594 ЧАСТЬ ТРЕТЬЯ СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТИРИСТОРОВ Раздел двенадцатый. Тиристоры.......................... 596 Д235 (А, Б, В, Г).................................. 596 2HI02 (А Б В, Г, Д, Е, Ж И), КН102 (А, Б, В, Г, Д, Ж, И)........................................... 600 2У101 (А Б, Г, Д, Е, Ж. И), КУ101 (А, Б, Г, Е) 603 2У102 (А Б, В Г), КУ102 (А, Б В, Г).................607 2У1О.ЗВ, КУ103 (А, В)...............................611 2У 04 (А, Б, В, Г), КУ104 (А Б, В, Г)....613 2У105 (А, Б В Г, Д, Е), КУ 105 (А, Б В. Г. Д, Е) 617 2У106 (А, Б, В, Г)................................621 2У107 (А, Б, В Г, Д, Е)...........................625 КУ108 (В, Ж М Н, С, Т, Ф, Ц).....................628 КУ 109 (А Б, В, Г)..................................630 2У201 (А, Б, В Г Д, Е, Ж, И, К, Л), КУ201 (А, Ь. В, 1 Д, Е, Ж, И. К, Л)..................631 2У202 (Д, Е, Ж, И К, Л, М Н), КУ202 (А, Б В Г Д, Е, Ж И К Л, М, Н)..............................634 2У203 (А. Б В, Г Д, Е, Ж, И).................-638 2У204 (А Б, В), КУ204 (А, Б, В)..................643 2У205 (А Б В, Г)....................................646 2У206 (А Б В, Г)....................................650 2У207 (А, Б, В Г, Д, Е).............................654 2У208 (А, Б, В Г), КУ208 (А, Б, В, Г)...............658
ЧАСТЬ ЧЕТВЕРТАЯ СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ Раздел тринадцатый Излучающие диоды ИК диапазона 662 ЗЛ1ОЗ (А, Б), АЛ103 (А Б)......................662 АЛ106 (А, Б. В).................................664 ЗЛ107 (А, Б) АЛ107 (А, Б)......................666 ЗЛ108А, АЛ108А...................................668 ЗЛ109А-1, АЛ109А 1...............................670 ЗЛП5А, АЛ115А....................................672 ЗЛ118А...........................................673 ЗЛ119 (А, Б).....................................676 Раздел четырнадцатый. Светоизлучающие диоды. Зна- ковые индикаторы................................678 2Л101 (А, Б), КЛ101 (А Б В)..................678 ЗЛ102 (А, Б, Г), АЛ 102 (А, Б Г)............679 2Л105А...........................................681 АЛ 301 (А, Б)................................684 АЛ304 (А, Б В Г)...........................685 АЛ305 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И, К, Л)......687 АЛ306 (А, Б, В. Г, Д, Е, Ж И)..............690 АЛ307 (А, Б, В, Г).........................693 АЛС311А..........................................694 АЛС313А-5........................................697 ЗЛС314А, АЛС314А 698 АЛС317 (А, Б, В, Г)...........................700 АЛС318 (А, Б, В, Г)............................702 АЛС321 (А, Б).................................704 АЛС323А-5........................................707 АЛС324 (А, Б)..................................708 Раздел пятнадцатый. Оптопары. Оптоэлектронные ключи 711 ЗОДЮ1 (А Б В, Г). АОДЮ1 (А. Б, В, Г, Д) ... . 711 ЗОТЮ2 (А. Б, В Г, Д Е), АОТЮ2 (А, Б В Г, Д. Е) 713 АОУЮЗ (А, Б, В)..................................716 АОДЮ9 (А, Б, В Г Д, Е, Ж И)......................718 ЗОТНО (А Б, В, Г), АОТПО (А, Б, В Г).............720 АОД111А..........................................722 ЗОД120А-1, АОД120 (А-1 Б-1)......................724 ЗОД201 (А 1, Б-1, В-1, Г-1, Д-1, Е-1)............726 К249КН1' (А, Б, В Г, Д Е)........................728 К249КП1, К249КП2.................................731 249ЛП1 (А, Б, В).................................733 К262КП1 (А, Б)...................................736 295АГ1 (А, Б, В. Г Д)............................738 АОТ122 (А, Ь, В, Г)..............................740
ПРЕДИСЛОВИЕ В справочнике приводятся электрические и эксплуатационные характеристики и параметры диодов (выпрямительных, импульсных, варикапов, туннельных, сверхвысокочастотных), стабилитронов (обще- го назначения, прецизионных, импульсных, двуханодных, стабисторов), тиристоров, оптоэлектронных приборов, классификация современных полупроводниковых приборов, система парамо ров и условные обозна- чения, общие сведения по устойчивости к эксплуатационным воз- действиям, меры предосторожности при использовании в аппа- ратуре. От предшествующих настоящий справочник отличается полнотой справочных параметров и их зависимостей от режимов использова- ния. Справочные сведения о полупроводниковых приборах составлены на основе данных, зафиксированных в государственных стандартах и технических условиях на отдельные типы приборов. Авторами сохранена удачная форма представления данных, использовавшаяся в предыдущих изданиях аналотчных справочников издательства «Энергия»: приведены сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, важнейших параметрах, режимах измерения, предельных эксплуатационных режимах и зависи- мостях полупроводниковых приборов. Справочник предназначен для специалистов, занимающихся разра- боткой, ремонтом и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры, студентов и аспирантов радиотехнических факультетов вузов и широко- го круга радиолюбителей. Справочник подготовлен под общей редакцией Н Н. Горюнова авторами А В Баюковым, А. Б. Гитцевичем, А. А Зайцевым, В В Мокряковым, В. М Петуховым, А. К. Хрулевым. Отзывы и замечания о справочнике авторы просят направлять по адресу 113114, Москва, М-114, Шлюзовая наб., 10, Эиергоиздат. Авторы 12
Часть первая ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДАХ, ТИРИСТОРАХ И ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ Раздал первый К ЛАССИФИКАЦИЯ ДИОДОВ, ТИРИСТОРОВ И ОПТОЭЛЕК1 ройных приборов 1.1. КЛАССИФИКАЦИЯ И СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ Классификация современных полупроводниковых приборов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим пара мет рам. конструктивно-технологическим признакам, роду исходно- го полупроводникового материала находит отражение в системе условных обозначений их типов В соответствии с возникновением новых классификационных групп приборов совершенствуется и система их условных обозначений, которая на протяжении последних 15 лет трижды претерпевала изменения Система обозначений современнных полупроводниковых диодов, тиристоров и оптоэлектронных приборов установлена отраслевым стандартом OCT 11 336.038-77 и базируется на ряде классификаци- онных признаков этих приборов. В основу системы обозначений положен семизначный буквенно- цифровой код, первый элемент которого (буква — для приборов широкого применения, цифра — для приборов, используемых в уст- ройствах специального назначения) обозначает исходный полупровод- никовый материал, па основе которого изготовлен прибор. Второй элемент обозначения — буква, определяет подкласс приборов трегий элемент - цифра (или буква для оптопар), определяет один из основ- ных характеризующих прибор признаков (параметр, назначение или принцип дейсI вия). Четвертый, пятый и шестой элеменi ы — трехзначиос число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа прибора, седьмой элемент — буква, условно определяет класси- фикацию по параметрам приборов, изготовленных по единой тех- ноло ии В стандарте предусмотрено также введение в обозначение допол- нительных знаков при необходимости отметить отдельные сущест- венные конструктивно-технологические особенности приборов. 13
Для обозначения исходного материала используются следующие символы (первый элемент обозначения): Г или 1 — для германия или его соединений; К или 2 — для кремния или его соединений; А или 3 — для соединений галлия (например, для арсенида галлия ; И или 4 — для соединений индия (например, для фосфида индия) Для обозначения подклассов приборов используется одна из следующих букв (второй элемент обозначения): Д — для диодов выпрямительных, импульсных, магнитодиодов, термо диодов; Ц — выпрямительных столбов и блоков' В — варикапов; И — туннельных диодов; А — свсрхвысокочастотных диодов, С — стабилитронов (включая стабисторы и отраничители); Г — генераторов шума Л — излучающих оптоэлектронных приборов' О — оптопар, У — триодных тиристоров. Для обозначения наиболее характерного признака прибора исполь- зуются следующие символы применительно к различным подклассам приборов (третий элемент обозначения). Диоды (подкласс Д) 1 — для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А; 2 — для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока от 0,3 до 10 А; 3 — для магнитодиодов и термо диодов; 4 для импульсных диодов с временем восстановления обратного сопротивления более 500 нс; 5 — для импульсных диолов с временем воссгановлеиия от 150 до 500 нс, 6 — для импульсных диодов с временем воссгановлеиия от 30 до 150 нс; 7 — для импульсных диолов с временем восстановления от 5 до 30 нс; 8 — для импульсных диодов с временем восстановления от 1 до 5 ис; 9 — для импульсных диолов с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс. Выпрями тельные столбы н блоки (полкласс Ц) 1 — для столбов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А; 2 — для столбов с постоянным или средним значением прямого тока от 0,3 до 10 А 3 — для блоков с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А 4 для блоков с постоянным или средним значением прямого тока от 0,3 до 10 А 14
Варикапы (подкласс В) 1 — для построечных варикапов; 2 — для умножительных варикапов. Туннельные диоды (подкласс И) 1 — для усилительных туннельных диодов; 2 — для генераторных туннельных диодов; 3 — для переключательных туннельных диодов; 4 — для обращенных диодов. Сверхвысокочастотные диоды (подкласс А) 1 — для смесительных диодов; 2 — для детекторных диодов; 3 — для усилительных диодов; 4 — для параметрических диодов; 5 — для переключательных и ограничительных диодов; 6 — для умножительных и настроечных диодов; 7 — для генераторных диодов; 8 — для прочих СВЧ диодов Стабн итроны (подкласс С) I — для стабилитронов мощностью нс более 0,3 В с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В 2 — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации от 10 до 100 В 3 — для стабилитронов мощностью ие более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В; 4 — для стабилитронов мощностью от 0,3 до 5 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В; 5 - для стабилитронов мощностью от 0,3 до 5 Вт с поминальным напряжением стабилизации от 10 до 100 В 6 — для стабилитронов мощностью от 0,3 до 5 Вт с поминальным напряжением стабилизации более 100 В 7 — для стабилитронов мощностью от 5 до 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В 8 —для стабилитронов мощностью от 5 до 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации от 10 до 100 В; 9 — для стабилитронов мощностью от 5 до 10 Вт с поминальным напряжением стабилизации более 100 В Генераторы шума (подкласс Г) I — для низкочастотных генераторов шума; 2 — для высокочасто1ных генераторов шума. 15
Излучающие оптоэлектронные приборы (подкласс Л) Источники инфракрасного излучении 1 — для излучающих диолов; 2 — для излучающих модулей. Приборы визуального представ чення информации 3 — для светоизлучающих диодов: 4 — для знаковых индикаторов; 5 — для знаковых табло; 6 — для шкал; 7 — для экранов. Оптопары (подкласс О) Р — для резисторных оптопар; Д — для диодных оптопар; У — для тиристорных оптопар; Т — для транзисторных оптопар. Триодные тиристоры (подкласс У) Нсзапирасмые тиристоры 1 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не бозее 0,3 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А 2 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в 01 крытом состоянии от 0,3 до 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии от 15 до 100 А; 7 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А. Запираемые тиристоры 3 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднею тока в открытом состоянии не более 0,3 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии нс более 15 А; 4 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии от 0,3 до 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии от 15 до 100 А 8 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А пли с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А 16
Си иметричные тиристоры 5 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А; б — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии от 0,3 до 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии от 15 до 100 А; 9- для тиристоров с максимально допустимым значением среднего I тока в открытом состоянии более 10 А пли с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А, Для обозначения порядкового номера разработки используются двузначные числа от 01 до 99 (четвертый и пятый элементы обозначения), в качестве классификационной литеры (шестой элемент) используются буквы русского алфавита от А до Я. за исключе- нием букв, сходных по начертанию с цифрами 3 0 и 4 В качестве дополнительных элементов обовпачеппя используются следующие символы; буква С после второго элемента обозначения — для наборов в общем корпусе однотипных приборов, не соединенных электри- чески или соединенных одноименными выводами; цифра, написанная через дефис, после седьмого элемента обозна- чения — для бескорпусных приборов; цифры соответствуют следующим модификациям конструктивного исполнения 1 — с 2-е 3-е 4 — с 5 — с вы волов (кристалл); 6 — с контактными площадками па кристаллодержателе без выводов (кристалл па подложке); буква Р после последнего элемента обозначения — для СВЧ диодов с парным подбором, буква И после второго элемента обозначения — для импульсных тиристоров Таким образом, современная система обозначений позволяет по типу прибора получить значительный объем информации о свойствах прибора Приведем примеры обозначения некоторых приборов: КД215А — кремниевый выпрямительный диод с 0,3 А < 1пр < 10 А, предназначенный для устройств широкого применения; номер разра бот кг 15, группа А; 2ДС523Г — набор кремниевых импульсных диодов, предназна- ченных для устройств специального назначения, с временем установ- ления обратного сопротивления от 150 до 500 нс; д^ИКмШ^'ботки 23, группа Г; гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки); гибкими выводами на кристаллодержателе; жесткими выводами без кристаллодержателя; жесткими выводами па кристаллодержателе; контактными площадками без кристаллодержателя и без 17
Al 131 ОБ-2 — арссиид-таллисвый переключательный бескорпуспой туннельный диол с гибкими выводами па кристаллодержателе, пред- назначенный для устройств широкого применения; помер разработки 10, группа Б. Поскольку ОСТ 11 336.038-77 введен в действие в 1978 г., для обозначения большинства типов приборов, включенных в насто- ящий справочник, использована иная система обозначений. У прибо- ров, разработанных до 1964 г. и выпускаемых до настоящего времени, условные обозначения состоят из двух или трех элементов. Первый элемент обозначения — буква Д, характеризующая весь класс полупроводниковых диодов. Второй элемент обозначения - число (номер), которое указывает на область применения- от 1 до 100 — для точечных германиевых диодов; от 101 до 200 — для точечных кремниевых диодов; от 201 до 300 — для плоскостных кремниевых диодов; от 301 до 400 — для плоскостных германиевых диодов; от 401 до 500 — для смесительных СВЧ детекторов; от 501 до 600 — для умножительных диодов; от 601 до 700 — для видеодетекторов, от 701 до 749 — для параметрических германиевых диодов; от 750 до 800 — для параметрических кремниевых диодов; от 801 до 900 — для стабилитронов; от 901 до 950 — для варикапов; от 951 до 1000 — для туннельных диодов; от 1001 до 1100—для выпрямительных столбов. Третий элемент обозначения — буква, указывающая на разновид- ность групп однотипных приборов. Данная система обозначений содержала значительно меньшее количество классификационных признаков и зачастую не позволяла определить даже подкласс диода по его условному обозначению. Так, импульсный диод получил обозначение Д219А, стабистор — Д219С, триодный тиристор Д235А В 1964 г. была утверждена новая система обозначений полу- проводниковых приборов (ГОСТ 10862-64), действовавшая до 1973 г. В соответствии с этой системой вновь разработанным приборам присваивались обозначения из четырех элементов. Первый элемент обозначения — буква или цифра — определяет исходный материал: 1 или Г —германий; 2 или К — кремний, 3 или А — арсенид галлия или другие соединения таллия Второй элемент обозначения — буква, характеризующая подкласс приборов: Д — выпрямительные, универсальные, импульсные диоды ; •В — варикапы; А — сверхвысокочастотные диоды; Ф — фотоприборы; Н — диодные тиристоры (динисторы); У триодные тиристоры (тринисторы); 18
И — туннельные диоды; С — стабилитроны, II — выпрямительные столбы и блоки. Третий элемент обозначения — трехзначное число, указывающее назначение или электрические свойства прибора в пределах подкласса: Диоды низкой и высокой частоты Or 101 до 399 — выпрямительные; от 401 до 499 — универсальные. от 501 до 599 — импульсные Варикапы От 101 до 999 — все тины. Сверхвысокочастотиые диоды От 101 до 199 — смесительные; от 201 до 299 — видеодетекторы от 301 до 399 — модуляторные от 401 до 499 — параметрические, от 501 до 599 - переключающие; от 601 до 699 — умножите льные. Фотоприборы От 101 до 199 — фотодиоды, от 201 до 299 — фототрапзисторы. Диодные тиристоры От 101 до 199 — малой мощности; or 201 до 299 — средней мощности; от 301 до 399 — большой мощности Триодные тиристоры От 101 до 199 — малой мощности от 201 до 299 — средней мощности; от 301 до 399 — большой мощности. Туннельные диоды IO1 101 до 199 — усилительные; от 201 до 299 — генераторные, от 301 до 399 - переключающие; I от 401 до 499 — обращенные. 19
Стабилитроны: малой мощности (Р^О.З Вт) от 101 до 199—с напряжением стабилизации от 0 1 до 9,9 В от 210 до 299 — с напряжением стабилизации от 10 до 99 В; от 301 до 399 с напряжением стабилизации от 100 до 199 В; средней мощности (0,3 Вт < Р «5 5 Вт) от 401 до 499 —с напряжением стабилизации от 0,1 до 9,9 В; от 510 до 599 -с напряжением стабилизации от 10 до 99 В от 601 до 699 — с напряжением стабилизации от 100 до 199 В большой мощности (Р> 5 Вт) от 701 до 799 — с напряжением стабилизации от 0,1 до 9,9 В, от 810 до 899 — с напряжением стабилизации от 10 до 99 В’ от 901 до 999 — с напряжением стабилизации от 100 до 199 В. Две последние цифры соответствуют номинальному напряжению стабилизации стабилитронов данного типа например 2С162А — крем- ниевый стабилитрон малой мощности с 17ст ном = 6,2 В. Выпрямительные столбы и блоки От 101 до 199 — столбы малой мощности (711р ср 0,3 А); от 201 до 299 — столбы средней мощности (1пр ср > 0,3 А); от 301 до 399 — блоки малой мощности (/пр>ср 0,3 А); от 401 до 499 — блоки средней мощности (0,3 А < ср С 10 А); от 501 до 599 — блоки большой мощности (7пр ср > '0 А) Четвертый элемент обозначения — буква, указывающая на разно- видность типа из данной группы приборов. Начиная с 1973 г. и до введения ОСТ 11 336.038-77 вновь разрабатываемым приборам присваивались обозначения в соответствии с ГОСТ 10862-72. Обозначения состоят из четырех элементов. Первый элемент — буква или цифра, обозначающая исходный материал: 1 или Г — германий или его соединения; 2 или К — кремний или его соединения; 3 или А — соединения галлия. Второй элемент — буква, характеризующая подкласс прибор Д — диоды; Ц — выпрямительные столбы и блоки; А — диоды СВЧ В — варикапы; И — диоды туннельные и обращенные, Н тиристоры диодные, У — тиристоры триодные; Л — излучатели; Г — генераторы шума, Б - диоды Ганна; К — стабилизаторы тока; С — стабилитроны и стабисторы. Третий элемент — число, указывающее назначение и качественные свойства прибора, а также порядковый помер разработки. 20
Диоды От 101 до 199 выпрямительные малой мощности (7 < 0,3 А); от 201 до 299 — выпрямительные средней мощности (0,3 А < 7< с 10 А) от 401 до 499 — универсальные (f < 1 ГГц), от 501 до 599 — импульсные (7ВОС > 150 нс); от 601 до 699 — импульсные (30 нс < ZB0C < 150 нс); от 701 до 799 — импульсные (5 нс < Z„oc < 30 нс); от 801 до 899 — импульсные (1 нс < /вос < 5 нс); от 901 до 999 — импульсные (ZBOC < 1 пс). Выпрямительные столбы и блоки От 101 до 199 — столбы малой мощности (7 <0,3 А); от 201 до 299 — столбы средней мощности (0,3 Л<7< 10 А); от 301 до 399 — блоки малой мощности (/<0,3 А); от 401 до 499 — блоки средней мощности (0,3 А < / < 10 А). Диоды СВЧ От 101 до 199 — смесительные; от 201 до 299 — детекторные; от 401 до 499 — параметрические, от 501 до 599 — регулирующие от 601 до 699 - умножительные; от 701 до 799 — генераторные. Варикапы От 101 до 199 — подстроечные, от 201 до 299 - умножительные. Тиристоры диодные От 101 до 199 — малой мощности (/<0,3 А); от 201 до 299 — средней мощности (0,3 А < / < 10 А). Тиристоры триодные От 101 до 199 — пезапираемые маной мощности (/ < 0,3 А); от 201 до 299 — незапирасмые средней мощности (0,3 А < / < < 10 А); от 301 до 399 — запираемые малой мощности (7 < 0,3 А). от 401 до 499 - запираемые средней мощности (0,3 А < 7 < < 10 А): от 501 до 599 — симметричные незапирасмые малой мощности (7 <0,3 А); I от 601 до 699 — симметричные незапирасмые средней мощности (0 3 А < 7 < 10 А). 21
Излучатели От 101 до 199 — инфракрасного диапазона; or 301 до 399 — видимого диапазона с яркостью менее 500 кд/м2; от 401 до 499— видимого диапазона с яркостью более 500 щм2. Система условных обозначений стабилитронов, стабисторов, тун- нельных и обращенных диодов в ГОСТ 10862-72 аналогична системе в ГОСТ 10862-64. Четвертый элемент — буква, указывающая разновидность типа нз данной группы приборов (деление на параметрические группы). Наряду с приборами, условное обозначение которых соответствует описанным системам обозначений, в настоящем справочнике приведены сведения о некоторых типах диодов более ранних лет разработки, до сих пор находящих применение в аппаратуре и обозначаемых иными способами (смесительные диоды ДГ-С1, ДК-С7М, детекторные диоды ДК-В1, ДКВ-2, ДК И1М и некоторые другие). 1.2. УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ В технической документации и в специальной литературе следует применять условные графические обозначения полупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2.730-73. Графические обозначения полупроводниковых приборов, помещен- ных в данном томе справочника, приведены в табл. 1.1. Т а б. н ц а 1. I рафические обозначения полупроводниковых приборов
Продолжение там. 1.1 Наименопапия iip-.iGopoe Тирксчор нсзаиирасмый триодный: с управлением по аноду с управлением по каюду Тпрнстор запираемый: с управлением по аноду с управлением по кт оду Диод светоизлучающий Оптопары: диодная тприс горная транзисторная с однопсрсходпым транзистором 23
1.3 УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ (Упр постоянное прямое напряжение СОбр— постоянное обратное напряжение диола 1/оСр макс — максимально допустимое постоянное обратное напря- жение диода U, р Ц— импульсное прямое напряжение лиода 17обр,и— импульсное обратное напряжение диода ^обр.п.макс- максима 1ЫЮ допустимое импульсное обратное напря- жение лиода 17пр р- среднее прямое напряжение диода U„— напряжение пика туннельного диода 17в- напряжение впадины туннельного диода 17рр— напряжение раствора туннельного диода (1ВП — выпрямленное диодом напряжение 17в„г выпрямленное диодом напряжение при темпера гуре Т ^проб- пробивное напряжение 17опф т — напряжение в открытом состоянии тиристора 17у ОТ т — постоянное отпирающее напряжение па управляющем электроде тиристора ^у.от.и у — импульсное отпирающее напряжение на управляющем электроде тиристора ^у.неог т неотпирающее напряжение на управляющем электроде тиристора 1'нсог>и>т — импульсное неотпирающее напряжение тиристора Ця.и.т — импульсное отпирающее напряжение тиристора ^у,1и,и,т ~ импульсное незапирающее напряжение на управляю- щем электроде тиристора ^у,нз,т “Незапирающее напряжение на управляющем электроде тиристора Цкр, мин.т — минимальное напряжение в закрытом состоянии тиристора Цзр. зкр. макс, т ~ максимально допустимое постоянное прямое напряже- ние в закрытом состоянии тиристора Ы„р,зкр,и,макс.т — максимально допустимое импульсное прямое напря- жение в закрытом состоянии тиристора ^обр.у..макс.т максимально допустимое постоянное обратное напря- жение на управляющем электроде тиристора ^обр у и,макс.т ~ максимально допустимое импульсное обратное напря- жение на управляющем электроде тиристора dUm —1 критическая скорость нарастания напряжения в закры- кр том состоянии тиристора — максимально допустимая скорость нарастания иапря- макс же11ия в закрытом состоянии тиристора напряжение между базами 1 и 2 двухбазового диода 17ст— напряжение стабилизации ^ст.иом- номинальное напряжение стабилизации 617ст— временная нестабильность напряжения стабилизации ДСгст— температурный уход напряжения стабилизации 17ВЬ1Х, 17вых — выходное напряжение логического нуля, единицы ГПр— постоянный прямой ток диода 1Пр..макс— максимально допустимый постоянный прямой ток лиода 1цр. и- импульсный прямой ток диода 1цр |, кикс- максимально допустимый импульсный прямой ток диата 1„р ср— средний прямой ток диода ^пр.ср.чакс- максимально допустимый средний прямой ток диода 1„ от- амплитуда импульса тока одноразовой нерырузки стабилитрона Лф, и, олп — амплитуда импульса прямого тока одноразовой пере- 1рузки диода 1„р пер— постоянный перегрузочный прямой ток диода 1(1р.и.пср— импульсный перегрузочный прямой л ок диола 1Обр_ постоянный обратный ток диода loop,макс- макснмвлыю допустимый постоянный обратный ток диола 1Обр.и,макс— максимальный импульсный обратный ток диода 1Обр,ср— средний обратный ток диода 1<.,бр.пср— посюяиный обратный перегрузочный ток диода 1Отсч— юк, при котором производится отсчет времени восстановления обратного сопротивления диода 1ВП — выпрямленный ток диода 1вп,ср— средний выпрямленный ток диода 1вп.ср макс- максимально допустимый средний выпрямленный ток диода /„ — пиковый ток туннельного диода 1В — ток впадины туннельного диола 1П/1В— отношение токов туннельною диола 1ВК1 — ток включения тиристора 1уд — удерживающий ток тиристора Акр,т — ток в закрытом состоянии тиристора 1у от т — постоянный отпирающий ток управляющего электрода тиристора /у ог „ т - импульсный отпирающий ток управляющего электрода тиристора /у.„сот..] — неотпирающий ток управляющего электрода тиристора 1у з — запирающий ток управляющего электрода тиристора 1у з „ —импульсный запирающий ток управляющего электрода тиристора 1у.из,т — незапирающий ток управляющею электрода тиристора /отар т — ток в открытом состоянии тиристора 4>ткр,мин,т - минимальный ток в открытом состоянии тиристора /дин т — динамический ток включения тиристора 4>тир ср. макс, 7 — максимально допустимый средний ток в открытом состоянии тиристора 1Огкр, макс.т “ максимально допустимый постоянный ток в открытом состоянии тиристора 24 25
^откр dt /откр и т — импульсный ток в открытом состоянии тиристора 4ткр.и.ма«с т — максимально допустимый импульсный ток в открытом сое 1оянии 1иристора Alp у макс • —максимально допустимый постоянный прямой ток управляющего электрода тиристора 7Пр у в ,икс т — максимально допустимый импульсный прямой ток управляющего электрода тиристора /о5р j макс — максимально допустимый постоянный обратный ток управляющего электрода тиристора 4бр.>.и.мак.Т — максимально допустимый импульсный обратный тик управляющего электрода тиристора />.макс.т — максимально допустимый постоянный запирающий ток тиристора — максимально допустимая скорость нарастания тока в MJKC открытом состоянии тиристора /вкз— ток включения двухбазового диода ^ст.мив- минимально допустимый постоянный гок стабилизации ^сг.макс- максимально допустимый постоянный ток стабили- зации /ст и.ма«~ максимально допустимый импульсный ток стабили- зации 7МЛКС— максимально допустимый постоянный прямой ток стабилитрона qlK- накопленный заряд диода Qrr- заряд переключения диола /в, опг— входной ток оптопары /вых — выходной ток нагрузки, втекающий для приборов с цифровым выходом 7вых— выходной ток нагрузки, выiекающий для приборов с цифровым выходом /ут.вых- ток утечки на выходе онтопары 1т~ входной ток логического пуля, единицы Р„— рассеиваемая мощность варикапа /*„ мвкс — максимально допустимая рассеиваемая мощность ва- рикапа Рср д— средняя рассеиваемая мощность диода ^’сп.л.макс— максимально допустимая средняя рассеиваемая мощ- ность диода /\икс— максимально допустимая рассеиваемая мощность диода ^1'ас.макс— максимально допустимая рассеиваемая мощность СВЧ диода Ри,Макс— максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность диода Рн.рас чахс- максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность СВЧ диода Рт — рассеиваемая мощность тиристора ^ср.маге.т — максимально допустимая средняя рассеиваемая мощ- ное >ь тиристора 26
Рп макс — максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность тиристора Ру.ср.макс.! -максимально допустимая средняя мощность на управ- ляющем электроде тиристора и макс т — максимально допустимая импульсная мощность на управляющем электроде тиристора Ломакс- максимально допустимая непрерывная падающая СВЧ мощность Р„д— падающая на диод СВЧ мощность Лтх.мии- минимальная выходная непрерывная СВЧ мощность Рй — мощность 8-й гармоники Р3 — мощность 3-й гармоники ^евч и мак макс11мальио допустимая импульсная рассеиваемая СВЧ мощность Р ма макснмально допустимая непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность Р д ] макс~ максимально допустимая импульсная падающая СВЧ мощность Р — максимально допустимая импульсная рассеиваемая и. рас. макс J J 1 МОЩНОСТЬ Гвос— время восстановления обратного сопротивления диола fvci- время установления прямого напряжения диода Gicp- время переключения /нр т — время нарастания тиристора /выв । т — время выключения тиристора /Вк-|,-г • время включения тиристора tln — время задержки тиристора S.’t.t — время задержки по управляющему электроду тиристора fy.mci.T — время включения по управляющему электроду тирис- тора S.bhk.t.t _ время выключения по управляющему электроду ти- ристора Gn.T ~ время запаздывания тиристора время выхода стабилитрона на режт м t„- время нарастания импульса (тока, напряжения) гс— время спада импульса (тока, напряжения, излучения) 1ХВК,— время задержки распространения сигнала (включения) G.BbiK.T~ время задержки распространения сигнала (выключения) г„— длительность импульса тпсрсгр— длительность импульса перст рузки Тфр— длительность фронта импульса т, — длительность отпирающего импульса т2— длительность запирающего импульса ту,и т “длительность импульса по управляющему электроду тиристора т4> у.т “длительность фронта импульса по управляющему электроду тиристора гфт у.т ~ длительность фронта отпирающего импульса по управ- ляющему электроду тиристора т— постоянная времени 27
К|1Ср — отрицательное сопротивление перехода Ru— сопротивление нагрузки Кобр— обратное сопротивление диода ^г.кр-кор— тепловое сопротивление кристалл — корпус К,— общее тепловое сопротивление Кш— сопротивление шунта между управляющим электродом и катодом тиристора Ко,. рр— сопротивление между сегментами или разрятами прибора с перекрестной коммутацией (сопротивления сегмент — сегмент, разряд — разряд) R^,^ — статическое сопротивление стабилитрона R„ — сопротивление изоляции (сопротивление гальваничс- ской развязки) Кбб- межбазовос сопротивление </нСр— отрицательная проводимость перехода г„— сопротивление потерь диода г1ЮС— сопротивление нагрузки, включенное последовательно с диодом СВЧ г„р прямое сопротивление диода по постоянному току гобр обратное сопротивление диода по постоянному току гст— дифференциальное сопротивление стабилитрона гвь]х — выходное сопротивление СВЧ диода гш шумовое сопротивление СВЧ диода 1 тиф- дифференциальное сопротивление диода Сд— общая емкость диода Собш.-г — общая емкость тиристора Скор11— емкость корпуса диода С— полная емкость стабилитрона СЛСр— емкость перехода диода Сстр— емкость структуры Св— общая емкость варикапа С„ — номинальная емкость варикапа £л— индуктивность днода LB- последовательная индуктивность варикапа L— последовательная индуктивность стабилитрона В— яркость излучающего оптоэлектронного прибора /0— резонансная частота туннельного диода /1р— граничная частота генератора шума /— рабочая частота диода /у— частота следования импульсов по управляющему электроду тиристора сила света излучающего оптоэлектронного полупровод- никового прибора Iv— интенсивность излучения оптоэлектронного прибора сида излучения оптоэлектронного прибора нормированный коэффициент шума СВЧ диода К,п— шумовая постоянная туннельного диода Кпср/—коэффициент перетрузки диода по прямому току качество диода КИ1П— качество диола па низком уровне 28
Кв- качество диода па высоком уровне KctU- коэффициент стоячей волны по напряжению СВЧ диода Кс- коэффициент перекрытия по емкости варикапа К— относительный разброс яркости или силы света опто- электронного прибора К— коэффициент передачи тока — потери запирания Lnp— потери пропускания LnpC— потери преобразования смесительного диода Lnpi- т— потери преобразования при температуре Т М— коэффициент качества детекторного диода Mj— коэффициент качества детекторного диода при тем- пературе Т пш— шумовое отношение СВЧ диода Р — мощность излучения р — атмосферное дав icnnc Qn — добротное 1ь варикапа Q— добротность 5ШС,— спектральная плотность шума стабилиipona S— спектральная плотность напряжения генератора шума Т— температура окружающей среды Лике— максимальная температура окружающей среды 7МИ„— минимальная температура окружающей среды Тк— температура корпуса Тп— температура перехода Т^н- температура кристаллодержателя IV— волновое сопротивление а— угол излучения излучающего оптоэлектронного при- бора а,.,— средний температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона «ст io- средний температурный коэффициент напряжет ия ста- билизации стабилитрона при токе 10 мА ис — температурный коэффициент емкости варикапа ();— чувствительность по току детекторного диола Pfr— чувствительность но току детекторного диода при температуре Т Хм— длина волны, соответствующая максимуму спектраль- ной характеристики излучения А\— ширина спектральной характеристики излучения (на уровне 0.5 максимального значения) Звездочкой * отмечены параметры или их значения, приведенные в ТУ в разделах справочных данных. При производстве при- боров они могут не контролироваться В тех случаях, когда у предельно допустимых эксп туатационцых данных не указан интервал температур, эти данные i арантированы во всем интервале температур окружающей среды (корпуса). 29
1.4. ОСНОВНЫЕ СТАНДАРТЫ В ОБЛАСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ГОСТ 15133-77 ОСТ 11 336 038-77. ГОСТ 2.730-73. ГОСТ 18472-77. ГОСТ 23448-79. ГОСТ 19613-80 ГОСТ 18216-72. ГОСТ 18994-73 ГОСТ 20004-74 ГОСТ 20005-74. 1ОСТ 20331-74 ГОСТ 20332-74 ГОСТ 21154-75 ГОСТ 22274-76 ГОСТ 2.3562-79. ГОСТ 18986. ГОСТ 19138. Приборы полупроводниковые. Термины и опре- деления Приборы полупроводниковые. Система обозна- чений. Приборы полупроводниковые. Условные обозна- чения графические. Приборы полупроводниковые. Корпуса. Габарит- ные и присоечинитсльпые размеры. Приборы полупроводниковые излучающие. Ос- новные размеры. Диоды полупроводниковые. Столбы и блоки выпрямительные. Корпуса. Габаритные и присое- динительные размеры. Диоды туннельные. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения. Стабилитроны полупроводниковые. Электриче- ские параметры. Термины, определения и буквен- ные обозначения. Диолы полупроводниковые. Электрические пара метры общие. Термины, определения и буквен- ные обозначения. Диоды полупроводниковые. Варикапы Электри- ческие параметры. Термины, определения и бук- венные обозначения Диоды полупроводниковые сверхвысокочастот- ныс. Электрические параметры. Термины, опре- деления и буквенные обозначения. Тиристоры. Электрические параметры Термины, определения и буквенные обозначения. Дноды полупроводниковые. Генераторы шума. Электрические параметры Термины, определения и буквенные обозначения. Приборы полупроводниковые оптоэлектронные излучающие. Параметры. Термины, определения и буквенные обозначения. Оптопары. Термины определения и буквенные обозначения параметров Комплекс стандартов на методы измерения элекг рических параметров диодов Комплекс состоит из стандарта общих положений (ГОСТ 18986 0-74) и час I пых стандартов (ГОСТ 18986.1-73, ГОСТ 18986 2-73 и т. д.). Комплекс стандартов на методы измерения параметров тиристоров. Комплекс состоит из стандарта общих положений (ГОСТ 19138 0-74) и частных стандартов (ГОСТ 19138.1-73, ГОСТ 19138.2-73 и т. д ). 30
ГОСТ 19834. ГОСТ 22440. Комплекс стандартов на методы измерения параметров излучающих дполов Комплекс сос- тоит из стандарта общих положений (ГОСТ 19834.0-75) и частных стандартов (ГОСТ 19834.1- 74 ГОСТ 19834.2-74 и т. д.). Комплекс стандартов на методы измерения пара- метров оптоэлектронных переключателей Ком- плекс состоит из стандарта общих положений (ГОСТ 22440.0-77) и частных стандартов (ГОСТ 22440.1-77, ГОСТ 22440 2-77 и т. д). Комплекс стандартов па методы измерения пара- метров оптоэлектронных коммутаторов. Комп- лекс состоит из стандарта общих положений (ГОСТ 22604.0-77) и частных стандартов (ГОСТ 22604.1-77, ГОСТ 22604 2-77 и т д.). Комплекс стандартов-руководств по примене- нию полупроводниковых приборов. Комплекс состоит из стандарта общих положений (ОСТ 11 336.907 0-79) и частных руководств на каждую классификационную группу полупроводниковых приборов (ОСТ 11 336.907.1-79, ОСТ 11 336.907.2-79 и т. д.). ОСТ 11 П0.336 001. Приборы полупроводниковые бескорпусные. Ру- ГОСТ 22604. ОСТ 11 336.907. ководство по применению Разде I второй ОСОБЕННОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ В РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЕ Полупроводниковые приборы, сведения о которых приводятся в справочнике являю<ся приборами общею применения. Они могут работать в разнообразных условиях и режимах, характерных для раз- личных классов радиоэлектронной аппаратуры широкого, промышлен- ного и специального применения. Общие технические требования к приборам, предназначенным для аппаратуры определенного класса, содержатся в общих технических условиях (ОТУ) на эти приборы. Конкретные нормы па значения электрических параметров и специфические 1ребования к данному тину приборов излагаются в частных технических условиях (ЧТУ) и ГОСТ на приборы. Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры па полупро- водниковых приборах может быть обеспечена лишь при условии учета на сталии се проектирования, изютовления и эксплуатации следую- щих особенностей приборов: разброса значений параметров, их зависимости от режима и условий работы. 31
изменения значений параметров в течение времени хранения ити работы; необходимости хорошего отвода тепла от корпусов приборов; необходимости обеспечения запасов по электрическим, механиче- ским и другим нагрузкам на приборы в радиоэлектронной аппаратуре; необходимости принятия мер, обеспечивающих отсутствие пере- грузок приборов во время монтажа в сборки радиоэлектронной аппаратуры. Значения параметров приборов одного типа не одинаковы а лежач в некотором интервале. Этот интервал ограничивается минимальными или максимальными значениями, указанными в справочнике. Некою рыс параметры имею! двухстороннее ограничение значении. Приве- денные в справочнике вольт-амперные харак юристпки, зависимости параметров от режима и температуры являются усредненными для большого количеова экземпляров приборов данного типа. Эти зави- симости могут использоваться при выборе типа прибора для данной схемы и ориентировочного се расчета. Большинегво параметров полупроводниковых приборов значитель- но изменяется в зависимости от режима работы и температуры. Например, время восстановления обратного сопротивления импульс- ных диодов зависит от значения прямого тока, напряжения переклю- чения п сопротивления нагрузки; потери преобразования и коэффи- циент шума СВЧ диодов зависят от уровня подводимой мощности. Зиачтнельио изменяется в диапазоне температуры, указанном в тех- нических условиях, обратный ток диода В справочнике приводятся значения параметров, гарантируемых ТУ для соответствующих опти- мальных или предельных режимов использования. Применение и эксплуатация приборов должны осуществляться в соответствии с требованиями ТУ и ciандартами — руководствами но применению. При конструировании радиоэлектронной аппаратуры необходимо стремиться обеспечить ее работоспособность в возможно более широких интервалах изменений важнейших параметров прибо- ров. Разброс параметров приборов и изменение их значений во вре- мени при проекIировапии аппаратуры учи!ываются расчетными ме- тодами или экспериментально, например методом граничных ис- пытаний. Время, в течение которого полупроводниковые приборы могут работать в annapaiype (их срок службы), практически неограниченно. Нормативно-техническая докуметация на поставку приборов (ГОСТ, ТУ), как правило, гарантирует минимальную наработку не менее 15 000 ч, а в облегченных режимах и условиях эксплуашции — до 30000 ч. Однако теория и эксперименты показывают, что через 50 — 70 тыс. ч работы возрастания интенсивности отказов не наблю- дается. Тем не менее за время хранения и работы могут происходить изменения значений параметров приборов. У отдельных экземпляров эти изменения оказываются столь значительными, что происходит отказ аппаратуры. Для кошроля уровня надежности изготовляемых приборов используются такие показа юли, как гамма-процентный ресурс, га.мма-процешная сохраняемость, минимальная наработка (гарантийная наработка), интенсивность отказов при специальных 32
кратковременных испытаниях в форсированном режиме. Нормы на эти показатели устанавливаются в У на приборы. Для расчета надежности радиоэлектронной аппаратуры следует использовать количественные показатели надежности, устанавливаемые путем проведения специальных испытаний, обработки большого объема статистических данных о различных испьпаниях и эксплуатации при- боров в разнообразной аппаратуре. Экспериментально установлено, что интенсивность (вероятность) отказов приборов растет при увеличении рабочей температуры пере- ходов, напряжения на электродах и тока. В связи с повышением температуры ускоряются практически отказы всех видов: короткие замыкания, обрывы и значительные изменения параметров. Повышение напряжения значительно ускоряет отказы приборов с МДП структу- рами и с низковольтными переходами. Увеличение тока приводит, главным образом, к ускоренному разрушению контактных соединений и токовсдущих дорожек металлизации на кристаллах. Приближенная зависимость интенсивности отказов от нагрузки имеет вид ( U \г/ / \2 ~в( 1 - 1 ) О ~ ^(^п.макс- ^макс* ^макс) I V. I I _-I С Vn ^п.макс/, \ бмакс / \ 'макс / где Х(Тл макс, С'макс, 7макс) — интенсивность отказов при максимальной нагрузке (может быть взята из результатов кратковременных испы- таний в форсированном режиме). Значение В приблизительно равно 6000 К Для повышения надежности работы приборов в аппаратуре необ- ходимо снижать, главным образом, температуру переходов и крис- таллов, а также рабочие напряжения и токи, которые должны быть существенно ниже предельно допустимых. Рекомендуется устанавли- вать напряжения и токи (мощность) на уровне 0,5 —0,7 предельных (максимальных) значений. Эксплуатация полупроводниковых приборов при температуре, напряжении или токе, равных предельному значению, запрещается. Не допускается даже кратковременное (импульсное) превышение предельно допустимого режима при эксплуатации. Поэ- тому необходимо принимать меры по защите приборов от электри- ческих перегрузок, возникающих при переходных процессах (при вклю- чении и выключении аппаратуры, при изменении режима ее работы, подключении на1рузок, случайных изменениях напряжения источников питания). Режимы работы приборов должны контролироваться с учетом возможных неблагоприятных сочетаний условий эксплуатации аппара- туры (повышенная окружающая темпера iура. пониженное дав тение окружающей среды и др.). Если необходимое значение тока или напряжения превышает предельно допустимое для данного прибора значение, рекомендуется применение более мощного или высоковольтного прибора, а в случае диодов — их параллельное или последовательное соединение. При параллельном соединении необходимо выравнивать токи через диоды с помощью резисторов с небольшим сопротивлением, включаемых последовательно с каждым диодом. При последовательном включении 2 под ред. Н Н Горюнова 33
диодов обратные напряжения на них выравниваются с помощью шунтирующих резисторов или конденсаторов. Рекомендуемые сопро- тивления и емкости шунтов обычно указываются в ТУ на диоды. Между последовательно или параллельно включенными приборами должна быть хорошая тепловая связь (например, все приборы уста- навливаются на одном радиаторе). В противном случае распределение нагрузки между приборами будет неустойчивым. При воздействии различных факторов (температуры, влати, хими- ческих, механических и других воздействий) параметры, характеристики и некоторые свойства полупроводниковых приборов могут изменяться. Для зашиты структур полупроводниковых приборов от внешних воз- действий служат корпуса приборов. Корпуса мощных приборов одно- временно обеспечивают необходимые условия отвода тепла, а корпуса СВЧ приборов — оптимальное соединение электродов приборов со схемой. Необходимо иметь в виду, что корпуса приборов имеют ограничения по герметичное ги и коррозионной устойчивости, поэтому при эксплуатации приборов в условиях повышенной влажности реко- мендуется покрывать их специальными лаками (например, типа У Р-231 или ЭП-730). Обеспечение оiвода тепла от полупроводниковых приборов яв- ляется одной из итавных задач при конструировании радиоэлектрон- ной аппаратуры. Необходимо придерживаться принципа максимально возможного снижения температуры переходов и корпусов приборов. Для охлаждения мощных диодов или тиристоров используются теплоотводящие радиаторы, работающие в условиях естественной конвекции или принудительного обдува, а также конструктивные элементы узлов и блоков аппаратуры, имеющие достаточную поверх- ность или хороший теплоотвод. Крепление приборов к радиатору должно обеспечивать надежный тепловой контакт Если корпус при- бора должен быть изолирован, то для уменьшения общего теплового сопротивления лучше изолировать радиатор от корпуса аппаратуры, чем диод или тиристор от радиатора. Отвод тепла улучшается при вертикальном расположении актив- ных поверхностей радиатора, так как при этом лучше условия конвекции Ориентировочные размеры тсплоотводящих радиаторов в форме вертикально ориентированных пластин из алюминия (квад- ратных или прямоугольных) в зависимости от рассеиваемой ими мощности, можно определить по формуле S - 40Р, где S — площадь одной стороны пластины, см2; Р — рассеиваемая в приборе мощность, Вт. Пластины площадью до 25 см2 могут иметь толщину 1—2 мм, площадью от 25 до 100 см2 2 — 3 мм, свыше 100 см2 — 3 4 мм. При заливке плат с полупроводниковыми приборами компаун- дами, пенопластами, пенорезиной необходимо учитывать изменение теплового сопротивления между корпусом прибора и окружающей средой, а также возможность увеличения дополнительного нагрева приборов от расположенных вблизи элементов схемы с большим тепловыделением. Температура при заливке не должна превышать 34
максимальной температуры корпуса прибора, указанной в ТУ. При заливке не должны возникать механические нагрузки на выводы, нарушающие целостность стеклянных изоляторов или корпусов приборов. В процессе подютовки и проведения монтажа полупроводнико- вых приборов в аппаратуру механические и климатические воздей- ствия на них не должны превышать значений, указанных в ТУ При рихтовке, формовке и обрезании выводов участок вывода около корпуса должен быть закреплен так. чтобы в проводнике нс возникали изгибающие или растягивающие усилия Оснастка и при- способления для формовки выводов должны быть заземлены. Расстоя- ние от корпуса прибора до начала изгиба вывода должно быть не менее 2 мм. Радиус изгиба при диаметре вывода до 0,5 мм должен быть не менее 0,5 мм, при диаметре 0,6—1 мм — не менее 1 мм, при диаметре свыше 1 мм — не менее 1,5 мм. Паяльники, применяемые для пайки выводов приборов, должны быть низковольтными. Расстояние от корпуса или изолятора до места лужения или пайки вывода должно быть не менее 3 мм. Для отвода тепла участок вывода между корпусом и местом пайки зажи- мается пинцетом с губками из красной меди. Жало паяльника должно быть надежно заземлено. Если температура припоя не превышает 533±5 К, а время пайки не более 3 с, то можно производи!ь пайку без теплоотвода или групповым методом (волной, погружением в припой и др.). Очистка печатных плат от флюса производится жидкостями, ко- торые не влияют на покрытие, маркировку или материал корпуса (например, спирто-бензиновой смесью). В процессе монтажа, транспортировки, храпения СВЧ приборов необходимо обеспечивать их защиту от воздействия сiэтического электричества. Для этого все измерительное, испытательное, монтаж- ное оборудование и инструменты надежно заземляются; для снятия заряда с тела оператора применяются заземляющие браслеты или кольца, используются антистатическая одежда, обувь, покрытия с го- лов рабочих мест. Диоды СВЧ необходимо предохранять от воздействия внешних электрических наволок и электромагнитных полей. Не следует хранить или даже кратковременно оставлять СВЧ диоды без специальной экранирующей упаковки. Перед установкой СВЧ диодов в аппаратуру последняя должна быть заземлена. Входы и выходы СВЧ тракта в нерабошющем или хранящемся блоке аппаратуры с использованием СВЧ диодов должны быть перекрыты металлическими заглушками. При эксплуатации аппаратуры должны быть приняты меры, пре- дохраняющие СВЧ диоды от электрических СВЧ перегрузок, которые могут привести либо к необратимому ухудшению (загрублению) па- раметров, либо к полному отказу (выгоранию) диодов. Для защиты от СВЧ перирузок в аппаратуре применяются резонансные разряд- ники, ферритовые oi раничители, газоразрядные аттенюаторы. 2* 35
Часть вторая СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Раздел третий ДИОДЫ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ Д2Б, Д2В, Д2Г, Д2Д, Д2Е, Д2Ж, Д2И Диоды германиевые точечные. Предназначены для преобразования и детектирования сигналов с частотой до 150 МГн в амплитудных н фазовых детекторах. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими ленточными выво- дами. Тип диода и схема соединения электродов выбиты на ленточном выводе Масса листа не более 0,3 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при температурах о г 298 до 343 К и прямых токах 5 мА для Д2Б, 9 мА - Д2В, 2 мА Д2Г, Д2Ж, Д2И, 4,5 мА Д2Д, Д2Е при температуре 213 К и прямых токах 0,6 мА для Д2Б, 1,5 мА — Д2В. 0,3 мА - Д2Г, Д2Ж, Д2И, 0,5 мА — Д2Д, Д2Е, не более........................ 1 В Постоянный обратный ток при £7о,-р = 1/о(;р мли., не более при 298 и 213 К Д2Б...........................................100 мкА Д2В, Д2Г Д2Д, Д2Е, Д2Ж, Д2И.................. 250 мкА при 343 К Д2Б.......................................... 400 мкА Д2В Д2Г, Д2Д . . . . . . 1,0 мА Д2Е, Д2И, Д2Ж................................0,7 мА Импульсное прямое напряжение при /1|р = 30 мА, нс более 7 В Время восстановления обратного сопротивления при 4р. и= Ю мА, Uo6p = 10 В, не более................. 3 мкс Емкость диода при 17оСр = 1,5 В, ие более...........0,2 пФ 36
Предельные эксплу атапиопные данные Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 308 К ’ Д2Б................................................ 10 В Д2В.............................................. 30 В Д2Г, Д2Д........................................ 50 В Д2Е, Д2И....................................... 100 В Д2Ж............................................. 150 В Импульсное обратное напряжение при температуре: от 213 до 308 К Д2Ь............................................ 30 В Д2В............................................ 40 В Д2Г.Д2Д........................................ 75 В Д2Е.Д2И....................................... 100 В Д2Ж........................................... 150 В при 343 К Д2Б.............................................. 30 В Д2В............................................ 40 В Д2Г.Д2Д........................................ 56 В Д2Е, Д2И....................................... 75 В Д2Ж........................................... 112 В Импульсный прямой ток: Д2Ж............................................... 25 мА Д2Б, Д2Г, Д2Д, Д2Е, Д2И..................... 50 мА Д2В.......................................... 78 мА Средний выпрямленный ток на частотах до 0,1 МГн Д2Ж................................................ 8 мА Д2Б. Д2Г Д2Д, Д2Е, Д2И..................... 16 мА Д2В.......................................... 25 мА Отношение среднею выпрямленного тока на частоте 100 МГц к току на частоте 0.1 МГц, нс менее: при нагрузке 1 кОм............................. при нагрузке 10 кОм............................ 0,3 при нагрузке 100 кОм........................... 0,5 Общее тепловое сопротивление..................... 460 К. Вт Средняя рассеиваемая мощность: Д2Б, Д2Г, Д2Д, Д2Е.................................16 мВт Д2В.........................................25 мВт Д2Ж............................................8 мВт Температура окружающей среды...................... От 213 до 343 К Примечания: 1. 7/оСр ма1[С в диапазоне температур от 308 до 343 К определяется по формуле 1/( 7) = 1/(343 К) + —(343 - 7Д[£7(Л08 К) - 1/(343 К)]. 37
2 Минимальное расстояние места пайки выводов — 5 мм от кор- пуса диода. При пайке выводов необходимо обеспечивать темпера- туру корпуса не более 343 К. Минимальное расстояние места пере- гиба выводов — 3 мм от корпуса. Вольт-амперная характеристика. Вольт-ампериая характеристика. 38
Вольт-амперная харак 1 ерист ика. мдз Диод германиевый точечный. Выпускается в стеклянном малогабаритном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на упаковке диодов. Масса диода не более 0,035 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение, не более: при 213 К при 711р = 5 мА................................... 1,0 В при /,,р = 2,5 мА.............................. 0,9 В при 298 и 343 К при Znp = 5 мА.................................. 1,0 В при Znp = 2,5 мА .... . ... 0,7 В Импульсное прямое напряжение при ZIlp „ = 20 мА, не более............................................... 3,5 В 39
Постоянный обратный ток, не более: от 213 до 298 К [/о6р= 15 В..........................100 мкА 343 К........................................... 250 мкА Время восстановления обратного сопротивления при 4Р, и = 20 мА, 1/обр = Ю В, не более.................0,1 мкс Емкость диода, нс более............................... 1 пФ Предельные эксплуатационные данные Обратное напряжение................................. 15В Прямой ток........................................ 12 мА Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс..............50 мА Температура окружающей среды.......................От 213 до 343 К Примечание. Пайку выводов производить па расстоянии не менее 5 мм от корпуса в течение 1—2 с припоем ПОС-61. Зависимость прямого тока напряжения. от Зависимость обратного тока от напряжения. Зависимость импульсного пря- мого напряжения от тока. Зависимость диода от общей емкости напряжения. 49
Зависимость прямою тока от частоты дммз Диод германиевый точечный. Предназначен для применения в за- ливных и капсулированных микромодулях. Выпускается па керамических микроплатах с распайкой выводов к пазам 1—6, 1 — 4 или 2 — 5 Тип диода указывается на мпкроплате. Положительный электрод диода соединен с пазом / или 2 микроплаты. Масса диола с микроплатой не более 0,35 г. 9,9 Электрические параметры Постоянное прямое напряжение, не ботее: при 213 К при 4р = 5 мА .................................... 10В при /Пр = 2,5 мА.............................. 0,9 В при 298 и 343 К при /пр = 5 мА ................................. 10В при /пр = 2,5 мА ............................. 0,7 В Импу льсное прямое напряжение при/пр „ = 20 мА, не более 3,5 В 41
Постоянный обратный ток при Uoc>p = 15 В не более: при 213 и 298 К....................................100 мкА при 343 К...................................... 250 мкА Время восстановления обратного сопротивления при 4р. и = 20 мА. С/о5р.и=10 В, не более...............0,1 мкс Емкость диода, не более........................... 1 пФ Предельные эксплуатационные данные Обратное напряжение............................... 15В Постоянный прямой ток............................... 12 мА Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс и скважности, равной 4.............................................50 мА Температураокрхжаюшейсреды...........................Or 213 до 343 К Примечание Диоды перед заливкой и герметизацией должны быть покрыты демпфирующей пастой КЛТ-30. Зависимость прямого тока от напряжения. Зависимость обратного тока от напряжения. Зависимость импульсного пря- мого напряжения от тока. Зависимость обшей емкости диода от напряжения 42
Зависимость прямою тока от частоты. Д7А, Д7Б, Д7В, Д7Г, Д7Д, Д7Е, Д7Ж Диоды германиевые сплавные. Выпускаются в металлостеклянно.м корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 2 г. Электрические параметры Среднее прямое напряжение при / , ср = 300 мА и ^обР= ^'обрд-акс- не более.......................... 0,5 В Средний обратный ток при Сойр = СоСр макс и /11р tp = 300 мА, не более.........................100 мкА Предельные эксплуатационные данные Обратное напряжение (амплитудное значение): от 213 до 293 К Д7А............................................ 50 В Д7Б........................................... 100 В Д7В........................................... 150 В Д7Г........................................... 200 В Д7Д........................................... 300 В Д7Е........................................... 350 В Д7Ж........................................... 400 В 43
при 323 К Д7А.......................................... 35 В Д7Б....................................... 80 В Д7В....................................... 90 В Д7Г....................................... 150 В Д7Д....................................... 200 В Д7Е....................................... 225 В Д7Ж....................................... 250 В при 343 К Д7А.......................................... 25 В Д7В....................................... 50 В Д7В....................................... 50 В Д7Г....................................... 100 В Д7Д....................................... 130 В Д7Е....................................... 140 В Д7Ж....................................... 150 В Средний прямой ток: от 213 до 323 К................................ 300 мА при 343 К......................................... 200 мА Прямой ток однократ ной перегрузки в течение 0,1 с . . . 1 А Частота без снижения режимов...........................2,4 кГц Температура окружающей среды............................От 213 до 343 К Примечания: I. При неизменных значениях подводимого пе- ременного напряжения и сопротивления нагрузки выпрямленное напря- жение снижается на частого 10 кГц па 20 % и на частоте 20 кГц на 50% по сравнению с напряжением на частоте 2,4 кГц. 2 Последовательное соединение допускается при условии шунти- рования диода сопротивлением 100 кОм на каждые 100 В. 3. Диоды допускают работу на емкостную нагрузку при условии, что среднее значение тока через диод не превышает 0,5 /пр, ср, махе- 4. Пайка и изгиб выводов допускаются на расстоянии не ближе 10 мм от корпуса. Зависимость допустимого об- ратного напряжения от тока. Зависимость допустимого об- ратного напряжения от темпе- ратуры. 44
в 300 200 100 ^ОБр, МО.КС 193 К АЗА згзк / 333 к зчзк 1лР» ср О 100 100 300 Ч00*А Зависимость допустимого об- ратного напряжения от тока. Зависимость допустимого об- ратного напряжения от тока. Зависимость допустимого об- ратного напряжения от тока. Зависимость допустимого об- ратного напряжения от тока. Д9Б, Д9В, Д9Г, Д9Д, Д9Е, Д9Ж, Д9И, Д9К, Д9Л, Д9М Диоды германиевые точечные. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются точками или кольцами на корпусе: Д9Б — красными, Д9В — оранжевыми, Д9Г — желтыми, Д9Д — белыми, Д9Е — голубыми, Д9Ж — зелеными, Д9И — двумя желтыми, Д9К — двумя белыми, Д9Л — двумя зелеными, Д9М — двумя голубыми Положительный вывод диода обозначается красной точкой. Масса диода не более 0,3 г. $2,35 SO Место Обозначение маркировки плюсового Вывода 45
Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр= 10 мА для Д9В, Д9Ж, 30 мА для Д9Г, Д9Е, Д9И, Д9Л, 60 мА для Д9Д, Д9К, Д9М, 90 мА для Д9Б, не более .... 1 В Постоянный обратный ток, не более: при макс Д9Б, Д9В Д9Г Д9Д, Д9Е, Д9Ж. Д9Л, Д9М . . 250 мкА Д9И..........................................120 мкА Д9К...........................................60 мкА при иоьр= 1 В для Д9М........................2,5 мкА Преде ьные эксплуатационные данные Импульсное обратное напряжение: от 213 до 308 К Д9Б. . . ............................ 10 В Д9В, Д9Г Д9Д, Д9И Д9К, Д9М .... 30 В Д9Е............................................ 50 В Д9Ж, Д9Л.................................. 100 В при 343 К Д9Б.......................................... 10 В Д9В, Д9Г, Д9Д, Д9И, Д9К, Д9М .................. 20 В Д9Е............................................ 30 В Д9Ж, Д9Л ... 45 В Импульсный прямой ток от 213 до 308 К Д9Ж, Д9Л..................................... 48 мА Д9В, Д9Е..................................... 62 мА Д9Г, Д9Д, Д9И, Д9К, Д9М...................... 98 мА Д9Б............................................125 мА при 343 К Д9Ж, Д9Л..................................... 38 мА Д9В, Д9Е..................................... 54 мА Д9Г, Д9Д, Д9И, Д9К, Д9М.................... 80 мА Д9Б............................................105 мА Средний выпрямленный ток: от 213 до 308 К Д9Ж, Д9Л......................................15 мА Д9В Д9Е.......................................20 мА Д9Г, Д9Д, Д9И, Д9К, Д9М.....................30 мА Д9Б...........................................40 мА при 343 К Д9Ж, Д9Л .....................................12 мА Д9В, Д9Е......................................17 мА Д9Г, Д9Д, Д9И, Д9К, Д9М.....................25 мА Д9Б...........................................34 мА Температура окружающей среды.......................От 213 до 343 К 46
Зависимость прямого импуль- сною напряжения oi тока. Зависимое it времени восстанов- ления обратного сопротивления от тока. Зависимость допустимого об- ратного напряжения от темпе- ратуры. Зависимость лоиуегцмого вы- прямленною тока от темпера- туры. ДЮ, Д10А, Д10Б Диолы германиевые точечные Выпускаются в мсталлостеклянпом корпусе с гибкими выводами. Диолы маркируются цветной точкой у положительного вывода: ДЮ — зеленой, Д10А — желтой, Д10Б — красной. Масса диода не более 1.3 г. 78 47
Электрические параметры Выпрямтеччччый юк при t/BX= 1,5 В, /= 70 МГц, Я„ = 0, не менее: ДЮ ... . .................... 3 мА Д10А......................................... 5 мА ДЮБ ..................................... 8 мА Постоянный обратный чок при — 10 В не более: при 213 и 298 К ДЮ..........................................0,1 мА Д10А, ДЮБ ..................................0,2 мА при 343 К ДЮ, ДЮА.....................................0,2 мА ДЮБ.........................................0,4 мА Емкость диода, не более........................... 1 пФ Предельные эксплуатационные чанные Обратное напряжение................................. 10 В Средний выпрямленный ток от 213 до 298 К................................. 16 мА при 343 К....................................... 10 мА Частота выпрямления.................................150 МГц Температура окружающей среды.........................От 213 до 343 К Зависимость обратного тока от температуры Зависимость допустимого пря- мого чока от температуры. 48
Д101, Д101А, ДЮ2, Д102А, ДЮЗ, ДЮЗА Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в видео- каналах телевизоров, в схемах АРУ и дискриминаторов ЧМ и AM приемников Выпускаются в металлостсклянном корпусе с гибкими ленточными выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на положительном выводе. Масса диода не более 13г Электрические параметры Постоянное прямое напряжение, не более Д101, Д102, ДЮЗ (/„р= 2 мА)...................... 2 В Д101А, Д102А, ДЮЗА (/np= 1 мА).................. 1 В Постоянный обратный ток при СОбР~ СоСр макс, не более. от 218 до 298 К ДЮ1, Д101А, Д102, ДЮ2А.......................10 мкА ДЮЗ, ДЮЗА.....................................30 мкА при 213 К Д101.Д101А....................................150 мкА ДЮ2, Д102А, ДЮЗ, ДЮЗА......................100 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное и импульсное обратое напряжение: Д101.Д101А. . . . . 75 В Д102.Д102А.................................. 50 В ДЮЗ, ДЮЗА................................... 30 В Средний прямой ток: от 218 до 298 К.................................30 мА при 373 К.................................... 8 мА Температура окружающей сре ды......................От 218 до 373 К 49
Зависимость прямого напряже- ния от температуры. Зависимость обратного тока от температуры. Зависимость прямого напряже ния от температуры Зависимость обратною тока от температуры. Зависимость допустимого пря- мого тока от температуры. Зависимость обратного тока от температуры 50
Д104, Д104А, ДЮЗ, ДЮЗА, ДЮ6, ДЮ6А Диоды кремниевые микросплавные. Выпускаются в метал лостеклян пом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 0,53 г. S0 Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при 1ар = 30 мА, не более: при 298 К Д104, Д105, Д106................................... 2 В Д104А, Д105А, Д106А................................ 1 В при 213 К Д104, Д105, Д106.................................. 2,3 В Д104А, Д105А, Д106А............................... 1,2 В Постоянный обратный ток при ^обр — 1А>бр.макс> НС бОЛСе при 298 К.............................................5 мкА при 398 К Д104, Д104А, Д105, Д105А, Д106 ............. 100 мкА Д106А..............................................50 мкА Емкость диода, не более: при Uo6p = 0,3 В для Д104А, Д105А, Д106А ... 0,7 пФ при t/o6p = 1,0 В для Д104, Д105, Д106.............0,7 пФ при l/o6P=10 В .......................~..........06 пФ Отношение выпрямленного тока на высокой частоте к выпрямленному току на частоте 0,15 МГц, не менее: при /= 5 МГц, Я„ = 1 кОм ............................ о 14 при f = 25 МГц, Ян — 10 кОм..................... 0 при /= 100 МГц, RK = 100 кОм........................... 0,1 Время восстановления обратного сопротивления, не более ...............................................®'5 мкс Предсльиые эксплуатационные данные Постоянное и импульсное обратное напряжение, от 213 до 305 К Д104, Д104А......................................... 1°° в Д105, Д105А............................ .... 75 В Д106, Д106А........................................... 30 В 51
при 398 К Д104, Д104А.................................... 50 В Д105, Д105А, Д106, Д106А..................... 20 В Средний выпрямленный ток: от 213 до 308 К ............................... 30 мА при 398 К.................................... . 8 мА Частота без снижения режимов ......................0,15 МГц Температура окружающей среды.......................От 213 до до 398 К Зависимость прямого тока от напряжения Зависимость обратного тока от напряжения. Зависимость выпрямленного тока от частоты. Зависимость допустимого пря- мого тока от температуры. 52
Д206, Д207, Д208, Д209, Д210, Д211 Диоды кремниевые сплавные. Предназначены для преобразования переменного напряжения в постоянное. Выпускаются в металлостскляниом корпусе с гибкими выводами Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 2 г. Электрические параметры Среднее прямое напряжение при /11р = 100 мА, ие более................................................ 1 В Средний обратный ток при 1/оСр = Собр макс, нс более: при 213 и 298 К ...............................50 мкА при 398 К .....................................ЮО мкА Предельные эксплуатационные данные Импульсное обратное напряжение Д206 ....................................... 100 В Д207 ....................................... 200 В Д208 ....................................... 300 В Д209 ....................................... 400 В Д210 ....................................... 500 В Д211........................................ 600 В Средний выпрямленный ток.........................100 мА Частота без снижения режимов...................... 1 кГц Температура окружающей среды......................От 218 до 398 К Примечание. При работе иа емкостную нагрузку эффектив- ное . значение прямого тока не должно превышать 1,5 /11р,ср.мак:- 53
Зависимое 1ь прямого то- ка or напряжения Зависимое!ь обратного тока от на- пряжения. Д214, Д214А, Д214Б, Д215, Д215А, Д215Б Диоды кремниевые диффузионные. Выпускаются в металлостскляшюм корпусе с жесткими вь водами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 12 г (с комплектующими деталями 18 г). 54
Электрические параметры Среднее прямое напряжение при /Пр.ср = Л1р.ср.макс, ^обр = ^обр.макс, не более. при 213 К Д214, Д215................................................ 1,2 В Д214А, Д215А.............................................. 1,0 В Д214Б, Д215Б.............................................. 1,5 В при 393 К................................................... 1,0 В Средний обратный ТОК при 17„бр = С/Обр.макс и 4р,ср = = 4р,ср, макс, не более.........................................3,0 мА Предельные эксплуатационные данные Обратное напряжение (амплитудное): Д214, Д214А, Д214Б................................. 100 В Д215, Д215А, Д215Б................................. 200 В Средний прямой ток при температуре-: от 213 до 403 К Д214А, Д215А......................................... Ю А от 213 до 348 К Д214, Д215........................................... Ю А Д214Б, Д215Б......................................... 5 А при 403 К Д214, Д215........................................... 5 А Д214Б, Д215Б......................................... 2 А Средний прямой ток перегрузки на частоте 50 Гц. в течение 20 мс при 1/^ < 0,2 1/обр.макс при 298 К Д214, Д214А, Д215, Д215А........................... 100 А Д214Б, Д215Б.................................... 50 А от 213 до 348 К Д214, Д214А Д215, Д215А............................. 50 А Д214Б, Д215Б........................................ 25 А при 403 К Д214А, Д215А........................................ 50 А Д214 Д215........................................... 25 А Д214Б, Д215Б......................................... Ю А в течение 1,5 с при (7о6р = Собр..макс от 213 до 348 К Д214, Д214А, Д215, Д215А . . ... 30 А Д214Б, Д215Б........................................ 15 А при 403 К Д214А, Д215А........................................ 30 А Д214, Д215.......................................... 15 А Д214Б, Д215Б 6 А Частота без снижения режимов..............................1,1 кГц 55
Температура окружающей среды.........................От 213 до 7, = 403 К Температура корпуса.................................. 403 К Пр и м е ч а н и е 11ри последовательном соединении диодов реко- мендуется шунтировать диод резистором с сопротивлением 10— 15 кОм на каждые 100 В амплитуды обратного напряжения. Зависимость допустимого среднего тока от темпе- ратуры корпуса. МД217, МД218, МД218А Диоды кремниевые диффузионные. Выпускаются в металлосгекляшюм корпусе с тибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе Масса диода не более 2 г Э тектрнчеекне параметры Среднее прямое напряжение при /пр ср = 100 мА, U^p — ='Побр-макс. не более: МД217 МД218.................................. МД218А..................... Средний обратный ток при 1/обр .= 4Zo6p,/пр,ср = = 100 мА, ие более: от 213 до 298 К.............................. при 398 К ................................... 1,0 В 1,1 В 50 мкА 150 мкА 56
Предельные эксплуатационные данные Импульсное обратное напряжение: МД217 ........................................ 800 В МД218 .... . ........... 1000 В МД218А...................................... 1200 В Средний прямой ток. от 213 до 358 К ..................................100 мА при 373 К..................................... 70 мА при 398 К..................................... 50 мА Частота без снижения режимов.....................До 1 кГц Температура окружающей среды......................От 213 до 398 К Примечания- 1 Допускается работа диодов на частотах выше 1 кГц при условии что значение среднего обратною тока на рабочей частоте будет пс более 500 мкА. 2. Допускается работа диодов па емкостную шнрузку. при этом эффективное значение прямого тока через диод нс должно пре- вышать 1,57 7пр.ср.мякс- Зависимость среднего прямо- го тока от напряжения. Зависимость среднего обратного тока от напряжения. 0 250 500 750 в Зависимость средне! о прямо- го тока от напряжения Зависимость среднего обратного тока от напряжения. 57
Зависимость среднего прямо- го тока от напряжения. Зависимость среднего обратного тока от напряжения. 1пр,ср, макс МД 217, МД218 M4Z18A I Т 193 133 173 313 353 к Зависимость предельного сред- него прямого тока о г темпе- ратуры. Зависимость допустимого пере- грузочною тока от темпе- ра! уры. Д223, Д223А, Д223Б Диоды кремниевые микросплавныс Выпускаются в металлосгеклянпом корпусе с гибкими вывода- ми. Тип диода и схема соединения электродов с выводами при- водятся на корпусе. Масса диода не более 0,53 г Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при 7пр = 50 мА, не более: при 298 и 393 К. . ... 1,0 В при 213 К.......................... . . . 1.25 В ПОСТОЯННЫЙ Обратный ТОК При 1/о6р = ^оор.мако ||е более при 213 и 298 К...................................10 мкА при 393 К.........................................50 мкА 58
Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение: Д223 ............................................ 50 В Д223А......................................... ЮО В Д223Б......................................... 150 В Выпрямленный ток: от 213 до 298 К..................................... 50 мА при 393 К........................................ 20 мА Импульсный прямой ток при т„ < 2 с................. 500 мА Предельная рабочая частота..........................20 МГц Температура окружающей среды........................От 213 до 393 К Примечание. /П1.СрЛ,а1с в диапазоне температур от 298 до 393 К определяется по формуле. ЦТ) = I (393 К) + 0,01(393 - Т) [/(298 К) - 7(393 К)] 0 W W 60 80 8 Зависимость прямого тока от напряжения Зависимость обратного тока от на- пряжения. Зависимость прямого тока Зависимость обратного тока от на- от напряжения. пряжения. 59
Зависимость прямого тока от напряжения Зависимость обратного тока от на- пряжения. МД226, МД226Л, МД226Е Дноды кремниевые, диффузионные. Выпускаются в металлостек.пянном корпусе с тнбкимп выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся па корпусе. Масса диода не более 2 г Электрические параметры Среднее прямое напряжение прн /пр ср = 300 мА и С'обр = “ Co6p<MJKC • Средний обратный ток при = (/ос,р.макс 11 4р.ср = — А|р,ср.макс» более при 213 и 298 К . .....................50 мкА при 353 К ............................................................100 мкА Предельные эксплуатационные данные Обратное напряжение (амплитудное значение) при темпе- ратуре до 323 К МД226 .................................. 400 В МД226А.................................. 300 В МД226Е.................................. 200 В 60
при 353 К МД226 ............................................ 300 В МД226А......................................... 200 В МД226Е......................................... 150 В Средний прямой ток’ от 213 до 323 К ....... 300 мА при 353 К...................... . . . 250 мА Апмлнтудное значение выпрямленного тока перегрузки в течение 3 — 4 периодов........................ 2,5 А Частота без снижения режимов.................... 1 кГц Температура окружающей среды....................От 213 до 353 К Температура корпуса............................. 358 К Примечание. Допускается работа диодов на емкостную нагрузку, при этом эффективное значение прямого тока не долж- но превышать 1,57 /пр.ср,ыак. Зависимость прямого тока от напряжения напряжения. Зависимость обратного тока от напряжения. 61
Зависимость прямого тока от частоты. Зависимость обратного тока от напряжения. Зависимость допустимого сред него прямого тока от темпе- ратуры. Зависимость допустимого об- ратного напряжения от темпе- ратуры. Д226, Д226А, Д226Е Диоды кремниевые сплавные. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 2 г 62
Электрические параметры Среднее прямое напряжение при 7,|р = 300 мА, Со6р = = 1/о6р.ма«, не более.................................... Средний обратный ток при U^p = Со6рмакс и 7гр.ср = ~ Лф.ср.мако нс более при 213 н 298 К ..................................... при 353 К ........................................... Преде |ьные эксплуатационные данные Импульсное обратное напряжение: от 213 до 323 К Д226 ......................................... Д226А......................................... Д226Е......................................... от 323 до 353 К 1 0 В 50 мкА 100 мкА 400 В 300 В 200 В Д226 ........................ 300 В Д226А .......... . 200 В Д226Е........................150 В Средний прямой ток: от 213 до 323 К................ 300 мА от 232 до 353 К................ 250 мА Амплитудное значение тока одноразо- вой перегрузки в течение 10 мс . . 2,5 А Частота без снижения режимов ... 1 кГц Температура окружающей среды . . . От 213 до 353 К Температура корпуса.................. 358 К Примечание Допускается работа диодов па емкостную нагрузку, при этом эффективное значение прямого тока не долж- но превышать 1 57 Aip.cp. макс* Зависимость прямого тока от напряжения. Зависимость обратного тока от напряжения Зависимость обратного тока от напряжения. 63
Зависимость обратного тока от напряжения (для Д226Е). Зависимость обратного тока от напряжения (для Д226А). Зависимое lb дот устимого сред- него прямого тока от темпе- ратуры. Зависимость допустимого об- ратного напряжения от темпе- ратуры (для Д226, Д226А, Д226Е соответственно). Д229А, Д229Б Диоды кремниевые диффузионные. Вь пускаются в металлостскляппом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 3,5 г. 64
Электрические параметры Среднее прямое напряжение при /|1р ср — 400 мА, (7сСр = = CoC,pMJKC, температуре от 213 до 398 К, не более ..................................................... Сред шй обратный ток при l/o6p = Co6p.v1Jla н /11рср = = 400 мА, не более: при 213 и 298 К ....................................... при 398 К ............................................. 1 В 50 мкА 250 мкА Предельные экси пат анионные данные Импульсное обратное напряжение Д229А......................................... 200 В Д229Б........................................ 400 В Средний прямой ток: от 213 до 373 К ................................... 400 мА от 374- до 398 К............................... 200 мА Одиночные импульсы прямого тока при ти < 10 мс (время между двумя импульсами нс менее 15 мин) и температуре от 213 до 358 К......................... 10А Частота без снижения режимов . 1 кГц Температура окружающей среды От 213 до 398 К Примечание. Допускается работа %дд диодов на емкостную нагрузку, при этом эффективное значение тока через диод не должно превышать значения 1,57 /iIp.tp. макс- 750 0 Зависимость прямою тока от напряжения. 0,1 0,4 0,6 В Зависимость обратного тока от напряжения. 3 под ред Н Н Горюнова Зависимое 1ь обратного тока от напряжения. 65
Зависимость допустимого среднего прямого тока от частоты Зависимость импульсного прЯМОГО тока от длительности импуЛЗДН. Зависимость допустимого сред- него прямою тока от темпе- ратуры Зависимость допустимой псре- грузки по прямому току от температуры Д229В, Д229Г, Д229Д, Д229Е, Д229И, Д229К, Д229Л Диоды кремниевые диффузионные. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выво- дами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами при- водятся на корпусе. Масса диода не ботее 3,5 г. 66
Электрические параметры Среднее прямое напряжение прн 7„р = Л1р.ср.ма»:> ,,е ботее................................................. IB Средний обратный ток прн 17о5р = 1/оСр.м.и.с- не более: от 213 до 298 К........................................50 мкА при 398 К......................................... 250 мкА Предельные эксплуатационные данные Импульсное обратное напряжение Д229В, Д229Ж............................................. 100 В Д229Г, Д229И 200 В Д229Д, Д229К....................................... 300 В Д229Е, Д229Л....................................... 400 В Средний прямой ток: от 213 до 323 К Д229В, Д229Г, Д229Д Д229Е....................... 400 мА Д229Ж, Д229И, Д229К, Д229Л...................... 700 мА прн 358 К Д229В, Д229Г. Д229Д, „Д229Е....................... 300 мА Д229Ж, Д229И. Д229К, Д229Л...................... 500 мА Частота бед снижения режимов.......................... 1 кГц Температура окружающей среды..........................От 213 до 358 К Примечание. Допускается работа диодов на емкостную на- грузку, при этом эффективное значение тока через диод не должно превышать значения 1,57 /„р,ср.макс- Зависимость среднего прямо- го тока от частоты. Зависимость среднего обратно- го тока от напряжения. Зависимость допустимою сред- него прямого тока от темпе- ратур! । 3* 67
Д231, Д231А, Д231Б, Д232, Д232А, Д232Б, Д233, Д233Б, Д234Б Диоды кремниевые диффузионные. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с винтом и жестки- ми выводами. Тип диода и схема соединения этектродов с вы- водами приводятся на корпусе. Масса диода не более 18 t (12 г без комплектующих де- талей). Электрические параметры Среднее прямое напряжение прн /рср - /прср,макс н Г'обр ^/обр макс* не более. от 213 до 298 К Д231, Д231А, Д232, Д232А, Д233 ............. 1 В Д231Б, Д232Б, Д233Б, Д234Б....................... 1.5 В при 393 К.......................................... 1,0 В Средний обратный ток при 1/о6р = СоСрл,лкс, /пр ср = — 4р,ср.макст от 213 до 393 К, не более:................3,0 мА Предельные эксн ту ат анионные данные Амплитудное обратное напряжение: Д231, Д231А, Д231Б.............................. 300 В Д232, Д232А, Д232Б.............................. 400 В Д233, Д233Б...................................... 500 В Д234Б............................................ 600 В Средний прямой ток при темпера!уре. от 213 до 403 К Д231А Д232А......................................... 10 А от 213 до 348 К Д231, Д232, Д233 ............................ 10 А Д231Б, Д232Б, Д233Б, Д234Б......................... 5 А при 403 К Д231, Д232, Д233 .................................... 5 А Д231Б, Д232Б, Д233Б, Д234Б......................... 2 А Средний прямой ток перегрузки на частоте 50 Гц: в течение 20 мс прн U^p = 0,2 С„Ср 68
-»егпрн 298 К U Д231, Д231А, Д232, Д232А, Д233 ............. 100 А Д231Б, Д232Б, Д233Б, Д234Б........................ 50 А от 213 до 348 К Д231, Д231А, Д232, Д232А, Д233 ............. 50 А Д231Б, Д232Б, Д233Б. Д234Б........................ 25 А при 403 К Д231А, Д232А........................................ 50 А Д231, Д232, Д233 .............................. 25 А Д231Б, Д232Б, Д233Б, Д234Б........................ 10 А в течение 1,5 с при 1/о6р = Б'сСрмакс; от 213 до 348 К Д231. Д231А, Д232, Д232А, Д233 ................... 30 А Д231Б. Д232Б, Д233Б, Д234Б........................ J5 А при 403 К Д231А, Д232А........................................ 30 А Д231, Д232, Д233 .............................. 15 А Д231Б, Д232Б, Д233Б, Д234Б......................... 6 А Частота без снижения режимов............................1,1 кГц Температура окружающей среды от 213 К до Тк = 403 К Температура корпуса.................................... 403 К Зависимость допустимого сред- него прямого тока о г темпе- ратуры. Зависимость допустимого им- пульсного прямого тока пере- трузки от температуры. Зависимость допустимого им- пульсного прямого тока пере- грузки от температуры А 60 50 40 30 го ю (>9
Д237А, Д237Б, Д237В, Д237Е, Д237Ж Диоды кремниевые диффузионные. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 2 г Электрические параметры Среднее прямое напряжение при /пр ср = /прср Лкс* <-'обр.и = 1/обр.и.маи:. температуре от 213 до 298 К. не более................................................. 1 В Средний обратный ток при Со6р11 = СО(-Г„ м.11чС 1 Aip ср “ 4 р сР. макс* оолее. при 213 и 298 К.............................. . 50 мкЛ при 398 К..........................................100 мкА Предельные эксплуатационные данные Импульсное обратное напряжение Д237А, Д237Е......................................... 200 В Д237Б, Д237Ж.................................... 400 В Д237В........................................... 600 В Ср дпий прямой ток: от 213 до 323 К Д237А, Д237Б...................................... 300 мА Д237В............................................100 мА от 213 до 373 К Д237Е, Д237Ж...................................... 400 мА от 324 до 358 К Д237А, Д237Б...................................... 200 мА Д237В............................................100 мА от 374 до 398 К Д237Е, Д237Ж...................................... 200 мА от 359 до 398 К Д237А, Д237Б, Д237В................................100 мА Импульсный прямой ток при температуре от 213 до 358 К. одиночные импульсы при т„ < 10 мс..................... 10 А периодические импульсы при ти < 30 мс . . . . 5 А (время между импульсами не менее 15 мин) 70
Частота без снижения режимов . 1 кГц Температура окружающей среды От 213 до 398 К Примечание. Допускается работа диодов па емкостную нагрузку, при этом эффективное значение тока через диод не должно превышать 1.57 /пр.ср>макс. Зависимость среднего прямого тока от на- пряжения. Зависимость среднего обратно- го тока от напряжения. Зависимость среднего обратного тока от напряжения. Зависимостх. среднего прямого Зависимость среднего обратного тока от частоты. тока от напряжения. 71
Зависимость допустимого им- пульсного тока от длительнос- ти импульса. Зависимость допустимого сред- него прямого тока от темпе- ратуры. Д242, Д242А, Д242Б, Д243, Д243А, Д243Б, Д245, Д245А, Д245Б, Д246, Д246А, Д246Б, Д247, Д247Б, Д248Б Диоды кремниевые диффузионные. Выпускаются в металлостекаянном корпусе с жесткими выводами Тип диода н схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 12 г (с комплектующими деталями 18 г). 44 Электрические параметры Среднее прямое напряжение при 7пр ср = /Пр,ср. макс и ^обр = “ ^обр,макс» не более от 213 до 348 К Д242А, Д243А, Д245А, Д246А........................ 1,0 В Д242, Д243, Д245, Д246, Д247 .................... 1,25 В Д242Б, Д243Б, Д245Б, Д246Б, Д247Б, Д248Б ... 1,5 В при 403 К............................................. 1 В Средний обратный ток прн Собр = 17о6р> макс, 7пр,ср = = 4р, ср, мако температуре от 213 до 403 К, не более ... 3 мА 72
Предельные эксплуатационные данные Обратное напряже не (амплитудное зна чение): Д242, Д242А, Д242Б............................... 100 В Д243, Д243А, Д243Б............................... 200 В Д245, Д245А, Д245Б............................... 300 В Д246, Д246А, Д246Б............................... 400 В Д247, Д247Б....................................... 500 В Д248Б............................................. 600 В Средний прямой ток: Д242А Д243А, Д245А, Д246А....................... 10 А Д242, Д243, Д245, Д246, Д247 (от 213 до 348 К) 10 А Д242Б, Д243Б, Д245Б, Д246Б, Д247Б, Д248Б .... 5 А Д242, Д243, Д245, Д246, Д247 (при 398 К) . . . 5 А Д242Б, Д243Б, Д245Б, Д246Б. Д247Б, Д248Б .... 2 А Средний прямой ток перегрузки в ечсннс 0,5 с . . . 3/11р ср Частота без снижения режимов.......................1,2 кГц Температура окружающей среды.......................От 213 до 398 К Температура корпуса................................ 398 К 1пр,ср макс Д2Ч1А, Дг93Л,Д2Ч5Л, дгчбл,дгчг,дгчз, - Д2Ч5 , Д246, Д247 Д2Ч56,Д246Б, \Д2Ч' Б, Д248Б i 1 ? Ц7 К Д243Б Тк А 1Z 10 В 6 Ч 2 0 333 343 353 363 373 383 353 403 К Зависимость допустимого среднего пря- мого тока от температуры. прямого тока от частоты. Зависимость среднего обрат- ного тока от напряжения. 73
Д302, ДЗОЗ, Д304, ДЗО5 Диоды германиевые сплавные. Выпускаются в металлостскляипом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода нс более 16 Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр = 7^, макс, не более: при 298 К ДЗО2, ДЗО4......................................0,25 В ДЗОЗ, ДЗО5..................................... 0,3 В при 213 К Д302 ........................................... 0,5 В ДЗОЗ........................................... 0,6 В Д304 .......................................... 0,8 В Д305 ............................................ 1 В Средний обратный ток при 1/о6р — 14, ,г макс, ие более: при 298 К Д302 ........................................... 0,8 мА ДЗОЗ........................................... 1,0 мА Д.304 ......................................... 2,0 мА ДЗО5............................................2,5 мА при 343 К' Д302 ........................................ 3,0 мА ДЗОЗ......................................... 4,0 мА Д304 ....................................... 10,0 мА Д305 ....................................... 20,0 мА Предельные экептуатационные данные Обратное напряжение (амплитудное значение) при темпе- ратуре от 213 до 298 К Д302 ........................................ ДЗОЗ......................................... ДЗО4......................................... Д305 ........................................ Обратное напряжение (амплитудное значение): при 313 К Д302 ........................................ ДЗОЗ ... . ................... 200 В 150 В 100 В 50 В 150 В 140 В 74
Д304 ............................. . . 100 В ДЗО5.................................... 50 В при 323 К Д302, ДЗОЗ................................ 120 В Д304 ..................................... 100 В ДЗО5.................................... 50 В при 333 К Д302, ДЗОЗ................................. 90 В Д304 .................................. 70 В Д305 .................................. 50 В при 343 К .................. . 50 В Средний прямой ток: от 213 до 298 К Д302 ............................... . . 1 А ДЗОЗ....................................... ЗА Д304 ........................................ 5 А ДЗО5........................................ 10 А при 313 К Д302 ..................................... 1 А ДЗОЗ.................................... ЗА Д304 ................................... 4 А Д305 ................................... 8 А при 323 К Д302 ......................................... 1 А ДЗОЗ....................................... 2,5 А Д304 .................................... ЗА ДЗО5....................................... 6,5 А при 333 К Д302 ..................................... 0,9 А ДЗОЗ.............................. . . 2 А Д304 ................................... 2,5 А Д305 .................... . . . 5 А прн 343 К Д302 ..................................... 0,8 А ДЗОЗ.................................... 1,5 А Д304 ................................... 1,8 А ДЗО5....................................... ЗА Средний прямой ток перегрузки в течение 0,5 с ДЗО2.........................................4 /пр>ср1МакС ДЗО ................ -1,5 /пр.ср,макс Д304....................................2,5 /Нр Cpt макс ДЗО5........................... .... 2 /пр, ср, макс Частота без снижения режимов................... 5000 Гц Температура окружающей среды от 213 до 343 К Температура корпуса.......................... 353 К Примечание. Допускается последовательное и параллельное соединение. При последовательном соединении каждый днод должен шунтироваться резистором с сопротивлением 10—15 кОм. Для па- раллельного соединения следует подбирать диоды с близкими зна- чениями прямого падения напряжения. 75
Зависимость допустимого об ратного напряжения от темпе- ратуры. Зависимость допустимого сред- него выпрямленного тока от температуры. 2Д101А Диод кремниевый микросплавной. Выпускается в мсталлостек- лянном малогабаритном корпусе. Тип диода приводится на его упа- ковке. С отрицательным электро- дом диода соединен приваренный вывод. Масса диода не более 0,05 г. Э. ектрнческие параметры Постоянное прямое напряжение при /гр 100 мА, не более 1 В Постоянный обратный ток при t/oCp = 30 В, не более: от 213 до 298 К.................................... 5 мкА при 358 К......................................25 мкА Предельные эксплуатационные данные Обратное напряжение любой формы.................. 30 В Средний прямой ток от 213 до 298 К.............................. 20 мА при 358 К ................................... 10 мА Импульсный прямой ток............................ 300 мА Температура окружающей среды...................... От 213 до 358 К Примечания: 1. Диоды в аппаратуре применяются с заливкой эмалью ЭП-274Т после монтажа на микроплату. 2. Пайка выводов допускается на расстоянии нс менее 1 м.м от корпуса; изгиб выводов диода не допускается. 76
Зависимость прямого тока от напряжения Зависимость обратного тока от напряжения. 2ДМ101А Диод кремниевый микросплав- нон. Предназначен для применения в залитых и капсулированных микромодулях. Выпускается на керамических микромодульных платах с рас- пайкой к пазам 1—6, 1—4 или 2—5. Тип диода приводится на микроплате Положительный элект- род диода соединен с пазами 1 или 2 микроплаты. Масса диода с микроплатой не более 0,4 г Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при 7пр = 100 мА, не более.............................................. 1 В Постоянный обратный ток при 17обр = 30 В, не более: от 213 до 298 К ................................... 5 мкА при 358 К.......................................25 мкА Предельные эксплуатационные данные Обратное напряжение любой формы . . . 30 В Средний прямой ток: от 213 до 298 К.......................... . . 20 мА при 358 К...................................... 10 мА Импульсный прямой ток.............................. 300 мА Температура окружающей среды от 213 до 358 К Примечания 1. Диоды в аппаратуре применяются в составе микромодуля с заливкой влагозащитным составом 2. Температура пайки пазов микроплаты не более 513 К в течение не более 1 с. 77
Зависимость прямого тока от напряжения. Зависимость обратного тока от напряжения. Зависимость допустимого сред- него прямого тока от темпе- ратуры. 2Д102А, 2Д102Б, КД102А, КД102Б Диоды кремниевые диффу- зионные. Выпускаются в пластмассовом корпусе с тибкнми выводами. Диоды маркируются цветными точками у положительного вывода: 2Д102А — желтой, КД102А — зеле- ной, 2Д102Б — оранжевой, КД102Б — синей Масса диода не более 0,1 г Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при 7пр = 50 мА, не более: при 298 К и Тмакс......................................... 1 В при 213 К............................................... 1,2 В 78
Постоянный обратный ток при С7о6р - 14>бр.Мате» нс более: при 298 К 2Д102А, КД102А ..................................0,1 мкА 2Д102Б, КД102Б.................................1,0 мкА ПРИ Тмахс 2Д1О2А КД102А....................................50 мкА 2Д102Б, КД102Б.................................75 мкА Предельные эксплуатационные чанные Постоянное обратное напряжение: 2Д102А КД102А..................................... 250 В 2Д102Б, КД102Б .................... 300 В Постоянный прямой или средний выпрямленный ток при температуре: от 213 до 323 К...................................100 мА при 373 К для КД102А, КД102Б................... 30 мА при 393 К для 2Д102А 2Д102Б....................30 мА Импульсный прямой ток при т„ « 10 мкс, Znp ср 30 мА: ог 213 до 363 К........................’.......... 2 А от 213 К до 7'мак.............................. 0,5 А Температура окружающей среды. 2Д102А 2Д102Б.....................................От 213 до 393 К КД102А, КД102Б...............................От 213 до 373 К Примечания. 1. Допускается работа диода на емкостную на- грузку при этом эффективное значение тока через днод нс должно превышать 1,57 /Г1р ср_ макс, а /пр< и нс более 6 /пр ср> макс. 2. Допускается параллельное и последовательное соединение дио- дов. При параллельном соединении последовательно с каждым диодом должен быть присоединен резистор с сопротивлением 30 Ом При последовательном соединении диодов каждый диод рекомендуется шун- тировать выравнивающим конденсатором. 79
Зависимость обратного тока от частоты. Зависимость допустимого сред- него прямого тока от темпе- ратуры 2Д103А, КД ЮЗА, КД103Б Диоды кремниевые диффузи- онные. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами Дио- ды маркируются цветной точкой у положительного вывода: 2Д103А — белой, КД ЮЗА — синей, КД103Б — желтой. Масса диода не более 0,1 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА, не более: при 298 К и Гча1;с 2Д1ОЗА. КД103А............................ 1 В КД103Б............................. 1,2 В при 213 К для 2Д103А................. 1,2 В Импульсное прямое напряжение, не ботсе: при /пр,н = 2 А....................... 2,5В при 4р,и = 0,5 А ..................... 1,5 В Время восстановления обратного сопротивления при 1-обр = 20 В, 1„р = 50 мА не более........ 4 мкс Емкость диода при бгобр = 5 В не более....20 пФ Постоянный обратный ток при С^бр = t/обр. макс, не более при 213 и 298 К........................... 1 мкА при Тмакс ................. 50 мкА 80
Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение. 2Д103А........................................ 75 В КДЮЗА, КДЮЗБ................................. 50 В Импульсное обра1ное напряжение через 20 мкс после окончания импульса прямого тока для 2Д103А .... 75 В Импульсное обратное напряжение через 10 мкс после окончания импульса прямого тока для 2Д103А ... 100 В Постоянный прямой ток. от 213 до 323 К...............................100 мА при 373 К для КД ЮЗА КД103Б и 398 К для 2Д103А 30 мА Импульсный прямой ток при тп < 10 мкс и температуре от 213 до 363 К при /Пр.ср = 30 мА............................ 2 А при 4р ср = 60 мА............................. 1 А Частота без снижения режимов......................20 кГц Темпера!ура окружающей среды 2ДЮЗА........................................От 213 до 398 К КД ЮЗА. КДЮЗБ................................От 213 до 373 К Примечания: 1. Диоды допускают работу на емкостную нагрузку, при этом эффективное значение тока через диод не должно превышать 1,57 7Пр.ср.макс» Aip.it не более 6 /цр.ср.макс. 2. Диоды допускают параллельное соединение, при этом последо- вательно с диодом должен быть включен резистор с сопротивлением 30 Ом Диоды допускают последовательное соединение с шунтирова- нием каждого диода выравнивающим конденсатором Зависимое гь прямого то- ка от напряжения. Зависимость обратного тока от напряжения 81
Зависимость обратного тока от частоты. Зависимость допустимого пря- мого тока от температуры. 2Д104А, КД104А Диоды кремниевые диффузи- онные. Выпускаются в пластмассовом корпусе с i ибкими выводами. Диоды маркируются цветной точ- кой у положительного вывода: 2Д104А — белой и КД104А — крас- ной. Масса диода не более 0,1 г Электрические параметры Постоянное прямее напряжение при J р — 10 мА, не более: при 298 и 343 К................................... 1 В типовое значение....................., . . . . 0,75 * В при 213 К....................................... 1,3 В Постоянный обратный ток при <7О6Р = 300 В, не более: от 213 до 298 К....................................... 3 мкА прн 343 К........................................100 мкА Время восстановления обратного сопротивления при 7пр = — 10 мА, Г/о6р — 20 В, не ботее........................4 мкс типовое значение...................................3 * мкс Предельные эксплуатационные данные Постоянное (импульсное) обратное значение........... 300 В Постоянный прямой ток или средний выпрямленный ток: до f— 10 кГц..........................................10 мА при f = 20 кГц.................................... 5 мА Импульсный прямой ток при 7„р ср = 50 мА в течение 1с.................................................... 1 А Частота без снижения режимов..........................20 кГц Температура окружающей среды от 213 до 343 К 82
i Примечания: 1 Диоды допускают параллельное соединение без добавочных резисторов. Диоды допускают последовательное соединение, при этом рекомендуется каждый диод шунтировать вырав- ди электри чсск ими комп аундами кивающим конденсатором о 2. Диоды допускают заливку Зависимость прямого то- ка от напряжения. Зависимость обратного тока от напряжения. КД105Б, КД105В, КД105Г Диоды кремниевые диффузионные. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами Диоды маркируются цветной точкой на поверхности- КД 105В — зеленой, КД105Г — красной; у диода КД105Б точка отсутствует. Поло- жительный вывод диода обозначается желтой полоской. Масса диода не более 0 5 г. 83
Электрические параметры Средт ее прямое напряжение при /11Р,СР = 300 мА, не ботее 1 В Средний обратный ток при 1/обр — Ц>бр,и,махс, не более: при 298 К...................................................100 мкА при 358 К.............................................. 300 мкА Предельные эксплуатационные данные Импульсное обратное напряжение при температуре: от 218 до 328 К КД105Б....................................... 400 В КД 105В...................................... 600 В КД105Г...................................... 800 В при 358 К КД105Б........................................ 300 В КД105В....................................... 450 В КД105Г....................................... 600 В Импульсный прямой ток (однократная перст рузка) при т„ « 20 мкс.................................... ] 5 А Средний прямой ток............................... 300 мА Частота без снижения режимов....................... 1 кГц Частота без снижения режимов................. 1 кГц Температура окружаю- щей среды...............От 218 до 358 К Примечание. При работе на емкостную нагрузку эффективное зна- чение прямою тока нс должно превы- шать 1,57 7пр с« v.aKC* Зависимость прямого тока от напря- жения. мкА 15 10 5 0 Зависимое>ь обра кого тока от Зависимость обратного тока от напряжения. напряжения. 84
Зависимость допустимого об- ратного напряжения от темпе- ратуры Зависимость обратного тока от напряжения 2Д106А, КД106А Диоды кремниевые диффузионные. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения э сктродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более I г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при Zip = 300 мА, не более: при 298 К и Тмли....................................... 1,0 В при 213 К . . ..................................... 1,5 В Постоянный обратный ток при t/ogp = 100 В, не более, от 213 до 298 К......................................... 10 мкА при Гмак«............................................ЮО мкА Емкость диода, не более : при <7обр = 5 В......................................150 пФ при 1/о6р = 100 В................................... 50 пФ Время восстановления обратного сопротивления, не более................................................0,45 мкс типовое значение................................. 0,385 мкс Предельные эксплуатационные данные Постоянное и импульсное обратное напряжение .... 100 В Постоянный прямой ток или средний выпрямленный ток: от 213 до 343 К................................ 300 мА при ............................................100 мА 85
Импульсный прямой ток при т„ С 500 мкс,200 Гц и температуре: от 213 до 343 К........................................ ЗА при Гмаке • .............• ‘ * 1А при t„ 100 мс и скважности более 1000 .... ЗА Средняя рассеиваемая мощность: от 213 до 343 К....................................... 750 мВт при 7\ыкс..........................................100 мВт Частота без снижения режимов: синусоидального напряжения..............................30 кГц меандра с Тф > 1 мкс................................10 кГц Тепловое сопротивление переход — среда.................140 К/Вт Температура окружающей среды 2Д106А..................................................От 213 до 398 К КД106А..............................................От 213 до 358 К Примечания 1 Диоды допускают разовые перегрузки им- пульсами обратного тока не более 3 А длительностью не более 50 мкс. 2. Допускается применение диодов в режиме меандра с дли- тельностью фронта переключения не менее 1 мкс на частотах до 50 кГц. 3 Допускается параллельное соединение диодов при условии обеспечения отсутствия перегрузки диодов по прямому току. Допуска- ется последовательное соединение диодов при условии, что обратное напряжение па каждом диоде не превышает допустимого значения. Зависимость прямот о тока напряжения. от Зависимость обратного тока от напряжения. 86
Зависимость общей емкости от напряжения. Зависимость допустимого пря- мою тока от температуры. ГД107А, ГД107Б Диоды германиевые точечные. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются цветной точкой у положительного вывода: ГД 107 А — черной, ГД107Б — серой. Масса диода не более 0,3 г Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр = 10 мА для ГД 107А и /пр = 1,5 мА для ГД107Б, не более: при 298 и 333 К ГД107А...................................... 1 В ГД107Б..................................... 0,4 В при 213 К ГД107А..................................... 1 В ГД107Б..................................... 0,7 В Постоянный обратный ток при t/ogp = 10 В для ГД107А и t/ogp = 20 В для ГД107Б, не более: от 213 до 298 К ГД107А.....................................20 мкА ГД107Б....................................100 мкА 87
при 333 К ГД107А..................................... 200 мкА ГД107Б...................................>000 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение ГД107А............................................ 15 В ГД107Б....................................... 20 В Средний прямой ТОК'' от 213 до 308 К...................................20 мА при 333 К ............... .....................17 мА Температура окружающей среды......................От 213 до 333 К Примечание В диапазоне температур о г 308 до 333 К 4р.ср.макс определяется по формуле 1(Т) = /(333 К) + 0,04(333 - 7)[/(308 К) - 7(333 К)]. Зависимость прямого тока от напряжения. Зависимость обратного тока от напряжения. Зависимость прямого тока от температуры. 88
КД109А, КД109Б, КД109В Диоды кремниевые диффузионные. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами Тип диода приводится на корпусе. Положительный вывод диода обозначается цветной точкой. Масса диода не более 1 г. Электрические параметры Среднее прямое напряжение при 7,!p,cp = 300 более...................................... 1,5 мА, не ... IB Средний обратный ток при Г/о6р = 1/о6рмакс, не более: от 23.3 до 298 К.............................................100 мкА при 358 К................................................... 300 мкА Прелетьиые эксплуатационные данные Импульсное обратное напряжение от 233 до 323 К КД109А....................................... 100 В КД109Б....................................... 300 В КД109В....................................... 600 В при 358 К КД 109А........................................ 70 В КД109Б....................................... 200 В КД 109В...................................... 400 В Средний и постоянный прямой ток: от 233 до 323 К .............................. 300 мА при 358 К..................................... 200 мА Температура окружающей среды.......................От 233 I пр, паке КД103 , г до 358 К ^овр, и,на.кс v КД105Я^ ,КД1С9Б , КД 109 в "т 273 Z93 313 333 353 К 113 Z93 313 333 353 К Зависимость допустимого пря- мого тока от температуры. Зависимость обратного напря- жения от температуры. 89
АД110А Диод арсенид-галлиевый мсза- диффузионный. Выпускается в металлокера- мическом корпусе с гибкими лен- точными выводами. Тип диода и схема соединения электродов с вы- водами приводятся на упаковке. Масса диода не более 0,15 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /||р = 10 мА не более: при 298 и 358 К .................................... 1,5 В при 213 К....................................... 1,8 В Постоянный обратный юк при (7о6р = 20 В, не более' от 213 до 298 К ...................................... 5 мкА при 358 К........................................100 мкА Емкость диода, не более............................... 3 пФ Дифференциальное сопротивление при Zllp = 10 мА, не более ................................................20 Ом Время восстановления обратного сопротивления при /пр = 10 мА, 1/о6р =10 В, не более....................10 мкс Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение.................... 30 В Импульсное обратное напряжение.................... 50 В Посюянпый прямой ток: ог 213 до 308 К...............................10 мА при 358 К..................................... 5 мА Частота без снижения режимов.................... . I МГц Тепловое сопротивление переход — среда............ 350 К/Вт Температура окружающей среды......................От 213 до 358 К Температура перехода.............................. 373 К 5-10 5-Юг 5-Ю3 5 10ч 5-Ю5 Гц Зависимость выпрямленного то- ка от частоты. АД НО А 0 I Ч 6 8 мА Зависимость времени восстанов- ления от тока. 90
Зависимость времени восстанов- ления от напряжения. АД112А Диод арссппд-галлисвый диф- фузионный. Выпускается в металлостсклян- ном корпусе с жесткими вывода- ми Тип диода и схема соедине- ния электродов с выводами при- водятся на корпусе. Масса диода не бо ее 1,5 г. Э тектрические параметры Постоянное прямое напряжение при 1„р = 300 мА, не более.............................................. ЗВ Постоянный обратный ток при i/OnP = 50 В. нс более: от 213 до 298 К....................................0.1 мА при 473 К......................................0,3 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное обра|ное напряжение...................... 50 В Постоянный прямой ток.............................. 300 м \ Температура окружающей среды.........................От 213 до 523 К ГД113А Диоды германиевые микросплавные. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения выводов с электродами приводятся на корпусе. Масса диода пс более 0,3 г 91
Электрические параметры Прямое напряжение при /,1р = 30 мА, ие более .... IB Обратный ток при C'„gp = ) В не более . . . 250 мкА Преде тьные эксплуатационные данные Амплитуда обратного напряжения: от 213 до 298 К.................................... 115 В при 333 К . ..................................... 45 В Импульсный выпрямленный ток от 213 до 298 К......................................48 мА при 333 К.........................................38 мА Средний выпрямленный гок от 213 до 298 К......................................15 мА при 333 К.........................................12 мА Температура окружающей среды..........................От 213 до 333 К 2Д115А-1 Диод кремниевый мезаплапар- ный. Предназначен для гашения ЭДС самоиндукции электромагнит- ных реле. Выпускается в бескорпусном исполнении без кристалле держате- ля с гибкими серебряными выво- дами. Широкий вывод соединен с отрицательным электрогом диода. Масса диода не более 0,05 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /[]р = 50 мА, не более при 213 К.......................................... 1,5 В от 298 до 398 К ............................... 1.0 В Постоянный обратный ток при Е/о6р — 100 В от 213 до 298 К...................................1,0 мкА при 398 К......................................30 мкА Время восстановления обратного сопротивления при Цйр = 40 В, /|р = 30 мА, не более. . . .... 1,6 мкс Емкость диода при C'„gp — 0, не более..............45 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение..................... 100 В Постоянный прямой ток: от 213 до 333 К...................................30 мА при 398 К...................................... 15 мА Импульсный прямой ток при т„ < 10 мс, f 10 Гц . . . 100 мА Температура окружающей среды от 213 до 398 К 92
Примечания: 1. Допускается присоединение выводов диода на расстоянии не менее 1,5 мм от защитного покрытия. При сварке (пайке) выводов необходим теплоотвод между местом сварки и диодом, обеспечивающий температуру диода не более 398 К 2 При монтаже должно быть обеспечено отсутствие натяжений выводов диола. Зависимость прямого тока от напряжения. Зависимость обратною тока от на- пряжения. Зависимость емкости от на- пряжения. Зависимость допустимо! о прямого то- ка от частоты. Зависимость допустимого пря- мого тока от температуры.
2Д118А-1 Диод кремниевый диффузионный. Предназначен для примене- ния в составе гибридных интегральных микросхем. Выпускав гея без корпуса с защитой пресс-ма терна лом ЭПФ-С н компаундом ЭКМ. Тип диода приводится на упаковке. Положи тельный вывод обозначается точкой Масса диода не более 0,5 г Элек грнческне параметры Постоянное прямое напряжение при Znp = 0,3 А. не более: при 213 К........................................... 12В при 298 и 373 К................................. 1,0 В Посюяпный обратный ток при t/o6p = 200 В, не более: от 213 до 298 К..................................... 50 мкА при 373 К....................................... 2000 мкА Время восстановления обратного сопротивления при 1пр = 1 A, t/oBp = 20 В, нс более...................0,3 мкс Предельные эксплуатационные данные Обратное напряжение................................. 200 В Постоянный прямой или средний выпрямленный ток при R, < 250 К,Вт. от 213 до 298 К .................................... 0,3 А при 373 К ... 0.1 А Импульсный прямой ток прн ти 1 мс и скважности, равной или менее 1000 .............................. 10 А Частота без снижения режима (в режиме меандра с Тф < 0,2 мкс с активной нагрузкой)..................100 кГц Тепловое сопротивление переход — подложка, не бо- лее ...............................................60 К/Вт Температура окружающей среды........................От 213 до 373 К Примечание. Установка диода в гибридную схему произво- дится путем приклейки на держатель или подложку с последую- щей припайкой выводов к контактным площадкам. 94
^пр,ср,махс 2Д118 ^'Z 3 Z-313 К з-зззк 11-353 К 5-313 К 1 f = 100 кГц ^"5 *L_ ^nf,Cp,MtLKC 2Д118 1-313к''"'^ 2 1-ЗЗЗК 3-353К -50 кГц 3 Ч-313К f= 50 100 150 ZOO К/Вт 50 100 150 ZOO К/Вт Зависимость допустимого вы Зависимость допустимого вы- прямленного тока oi теплово- прямленного тока от теплового го сопротивления сопротивления. 2Д201А. 2Д2О1Б, 2Д201В, 2Д201Г Диоды кремниевые диффузионные. Выпускаются в мстатлостеклянно.м корпусе с жесткими выво- дами. Тил диода и схема соединения электродов с выводами при- водятся на корпусе. Масса диода нс более 12 г (с комплектующими деталями 18 г). 95
Электрические параметры Среднее прямое напряжение при /цр.ср = Л1р.ср,мако ^обр = = СоВрЛикс. температуре от 213 до 393 К, не более.................................................... 'В Средний обра гный ток при U^p = СоВрЛ1акс, Aip.cp ~~ = Znp р>ма1к, температуре от 213 до 393 К, не более................................................. 3 мА Предельные эксплуатационные данные Обратное напряжение (амплитудное значение): 2Д201А, 2Д201Б........................................... 100 В 2Д201В, 2Д201Г....................................... 200 В Средний прямой ток: 2Д201А, 2Д201В............................................. 5 А 2Д201Б, 2Д201Г....................................... 10 Средний прямой ток перетрузки па частоте 50 Гц' в течение 0,5 с при t/oBp = .макс 2Д201А 2Д201В....................................... 15 А 2Д2О1Б, 2Д201Г...................................... 30 А в 1ечение 20 мс при СоВр = 0,2 Cn6pMaKt 2Д201А, 2Д201В........................................ 25 А 2Д201Б, 2Д201Г.................................... 50 А в течение 20 мс при (7оВр = 0,2 С/оВрлшкс и 328 К 2Д201А, 2Д201В ....................................... 50 А 2Д201Б, 2Д2О1Г..................................... 100 А Частота без снижения режимов.............................1100 Гц Температура окружающей среды..........................От 213 К до ?; = 403 К Температура корпуса...................................... 403 К Примечание. При последовательном соединении диодов ре- комендуется шунтировать диод резистором с сопротивлением 10 — 15 кОм на каждые 100 В амплитуды обратного напряжения. Зависимость прямого тока от напряжения. Зависимость обратного тока от на- пряжения. 96
2Д202В, 2Д202Д, 2Д202Ж, 2Д202К, 2Д202М, 2Д202Р, КД202А, КД202В, КД202Д, КД202Ж, КД202К, КД202М, КД202Р Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобра- зования переменного напряжения с частотой до 5000 Гн в постоянное. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с винтом и жестким выводом. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 7 г. Электрические параметры Среднее прямое напряжение при /пр,ср = 3 А. Со6р = = ^'обр.млкс 11 температуре от 213 до 398 К, не более ............................................... 1 В Средний обратный ток при = UcC,p макс и температуре о-т 213 до 398 К. не более............................. 1 мА Предельные эксплуатационные данные Обратное напряжение (амплитудное значение) КД202А............................................... 50 В 2Д202В. КД202В................................... 100 В 2Д202Д. КД202Д................................... 200 В 2Д202Ж, КД202Ж................................... 300 В 2Д2О2К, КД202К................................... 400 В 2Д202М, КД202М................................... 500 В 2Д202Р. КД202Р................................... 600 В Постоянное обратное напряжение....................0,7 (/оСр и макс Средний прямой ток для КД202А, КД202В, КД202Д, КД202Ж, КД202К, КД202М, КД202Р .... 5 А 4 пол рсд Н IT Горюнова 97
Импульсный прямой ток при т„ = 10 мс./= 50 Гц для 2Д202В. 2Д202Д. 2Д202Ж. 2Д202К, 2Д202М, 2Д2О2Р....................................... 30 А Импульсный прямой ток в течение 1,5 с, / = 50 Гц 2Д202В. 2Д202Д. 2Д202Ж. 2Д202К, 2Д202М, 2Д202Р ................................. 9 А Частота без снижения режимов................... 1,2 кГц Температура перехода диода .................... 423 К Температура окружающей среды.....................От 213 К до Тк = 403 К Температура корпуса диода...................... 403 К мк/1 100 150 100 50 О,г 0,4 0,Б 0,8 В 0 10 40 60 80 °/о Зависимое 1ь среднею прямого тока от напря- жения. Зависимость обрашого тока от напряжения. Зависимость обратного тока от частоты. Зависимость допустимого пря- мою тока от температуры. 98
Зависимое ль допустимого пря- мого тока oi температуры кор- пуса. 1 — для групп Л. В, Д. Ж, К. М, Р; 2 — для групп Б, Г. Е И. Л. Н. С. Зависимость допустимого пря- мого тока от час голы. Зависимость коэффициента до- пустимой перегрузки по прямо- му току от длительности им- пульса. 2Д203А, 2Д203Б, 2Д203В, 2Д203Г, 2Д203Д, КД203А, КД203Б, КД203В, КД203Г, КД203Д Диолы кремниевые диффузионные. Выпускаются в мсталлос1ек 1янном корпусе с жесткими выво- дами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводя 1ся на корпусе. Масса диода нс бопсс 18 г. 4* 99
Электрические параметры Среднее прямое напряжение при = /Пр.макс ^'обр — = l/обр.макс и температуре от 213 до 398 К, не более................. .............................. 1В Прямое постоянное напряжение при 7пр = /пр.макс и тем- пературе от 213 до 398 К, не более..................... 2 В Средний обратный ТОК при /гр = Л1р.макс> ^обр ^обр макс и температуре от 213 до 398 К, не более................15 мА Предельные эксплуатационные данные Обратное напряжение (амплитудное значение): 2Д203А, КД203А . . 600 В 2Д203Б КД203Б, 2Д203В, КД203В................ 800 В 2Д203Г КД203Г, 2Д203Д, КД203Д............... 1000 В Постоянное обратное напряжение: 2Д203А, КД203А...................................... 420 В 2Д203Б КД203Б 2Д203В, КД203В................ 560 В 2Д203Г, КД203Г, 2Д203Д, КД203Д................ 700 В Постоянный (средний) прямой ток: от 213 до 323 К....................................... 10 А при 373 К 2Д203А, КД2ОЗА, 2Д203В, КД203В, 2Д203Д, КД2ОЗД.......................................... 10 А 2Д2ОЗБ, КД2ОЗБ. 2Д203Г, КД203Г.................. 5 А при 403 К 2Д203А, 2Д203В. 2Д203Д.......................... 5 А 2Д2ОЗБ, 2Д203Г................................... 2 А Импульсный прямой юк при /= 50 Гц, т„ = 50 мс, Собр 0,2 Со5р>макс. при 298 К............................................ 100 А при Тк от 213 до 323 К............................ 50 Л при Тк = 373 К 2Д203А, 2Д203В 2Д203Д, КД203А, КД203В КД2ОЗД.......................................... 50 А 2Д203Б, 2Д203Г, КД203Б, КД203Г................. 25 А при Тк = 403 К 2Д203А, 2Д203В 2Д203Д........................ 25 А 2Д203Б, 2Д203Г.................................. 10 А при т„ = 1,5 с, Тк от 213 до 323 К................ 30 А при 7К= 373 К: 2Д203А, 2Д203В, 2Д203Д......................... 30 А 2Д203Б, 2Д203Г.................................. 15 А при Тк = 403 К: 2Д2ОЗА, 2Д203В, 2Д203Д........................ 15 А 2Д203Б, 2Д203Г................................... 6 А Частота без снижения режимов........................... 1 кГц Средняя рассеиваемая мощность* при 298 К .... 20 В г Тепловое сопротивление переход — корпус...............2.5 К/Вт Температура окружающей среды . . . От 213 К до Тк = 403 К 100
Температура корпуса: 2Д2ОЗА. 2Д2ОЗБ. 2Д2ОЗВ, 2Д203Г, 2Д203Д ... 403 К КД203А. КД203Б КД203В, КД203Г, КД203Д . . 373 К Температура перехода................................ 413 К Примечание. Прн работе диодов на емкостную нагрузку эффективное значение тока через диод не должно превышать 1 *57 Дф.ср.макс- Зависимость допустимого пря- мот о тока от температуры. Зависимость допустимого прямого тока от температуры корпуса. i„Pt я, ЩОЗСБ.О КД203(Б,ГУ __1И -50 нс. ^1^^0Бр,маКС 1=50Гц А |1лр,и,макс гД203(Д.8,Д),КД203(Л,В,Д) Z73 193 313 333 353 373 333 К Л 50 40 30 Z0 10 Z73 гзз 313 333 353 373 393 к Зависимость допустимого тока перегрузки о г температуры кор- Зависимость тока перегрузки от температуры корпуса. Зависимость тока перегрузки от Зависимость допустимого прямого длительности импульса. тока от частоты. 101
2Д204А, 2Д204Б, 2Д204В, КД204А, КД204Б, КД204В Диоды кремниевые диффузионные Предназначены для преобра- зова зия переменного напряжения частотой до 50 кГп в постоянное Выпускаются в металлост скляшюм корпусе с жесткими выводами Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся па корпусе. Масса диода не более 7,5 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при I р = 600 мА не более при 298 К............................................ 14В при 213 К........................................ 1,6 В Постоянный обратный ток при бо5р = t'o6piMdKC. нс более: от 213 до 298 К 2Д204А КД204А.................................150 мкА 2Д204Б КД204Б.................................100 мкА 2Д204В, КД204В .................................50 мкА при 358 К для КД2О4А. КД204Б, КД204В и 398 К тля 2Д204А, 2Д2О4Б. 2Д204В 2Д204А, КД204А .................................. 2000 мкА 2Д204Б, КД204Б..................................1000 мкА 2Д204В КД204В................................... 500 мкА Время восстановления обратною сопротивления при 1/оГ>р.и = 30 В /11р „ = 1 А, не более..................15 мкс Предельные эксплуатационные данные Постоянное и импульсное обратное напряжение 2Д204А, КД204А . . 400 В 2Д204 Б, КД2О4Б................................. 200 В 2Д204В, КД204В................................... 50 В Сред тий прямой ток: при / = 50 Гц 2Д204А КД204А 400 мА 2Д204Б, КД204Б..................................... 600 мА 2Д204В, КД204В.................................... 1000 мА 102
при f = 50 кГц 2Д2О4А, КД204А................................. 300 мА 2Д204Б, КД204Б................................. 600 мА 2Д204В, КД204В................................ 1000 мА Прямой ток перегрузки в течение 10 мкс............10 /11р ср макс ИМПУЛЬСНЫЙ ПрЯ.МОЙ ТОК При Тф > 1 мкс.............2 /|р :р макс Частота питающего напряжения при Тф > 1 мкс ... 50 кГц Температура корпуса: минимальная....................................... 213К максимальная КД204А, КД204Б, КД204В....................... 358 К 2Д204А, 2Д204Б, 2Д204В....................... 398 К Примечание. Допускается параллельное и последовательное вклю- чение диодов. При параллельном соединении должна отсутствовать перегрузка по прямому току. При последовательном включении каждый диод должен быть зашуптировап шунтом, обеспечивающим отсут- ствие перегрузки по напряжению. I 1 1 пр, ср, махе 1 358 К 1 — )Срадиатором S -^36с г 4 1 ШОЧБ 1 без р адиа тора. Z27 . _35в« ' 398 К~ - ~39в~!<~ f J) t - .к О 10 W 30 40 50 60 нГц Зависимость допустимого пря- мого тока от частоты Зависимость допустимою пря- мого тока от частоты. 1пр,ср,махс 2ДZ04A 351 К 2>Cj>adi сатиром 35 вк з радиатора 39 — 8К — - - 4-— 396 К ’ — f 0 10 10 30 40 50 60 кГц Зависимость допустимого пря- мого тока сиг частоты. Зависимость общей емкости от напряжения. 103
КД205А, КД205Б, КД205В, КД205Г, КД205Д, КД205Е, КД205Ж, КД205И, КД205К, КД205Л Блоки из кремниевых диффузноппых диодов. Выпускаются в пласт- массовом корпусе Тип диода, схемы расположе- ния диодов п соединения электродов с выводами приводятся па корпусе. Масса блока ис бо- лее 6 I. )лектрические параметры Среднее прямое напряжение при /ир ср =/пр. Р. чгк> ||с более ....................................................... 1.0 В Средний обратный ток прн = Соер,1ИКС, нс более 0,1 ,мА Предельные эксп лз ат анионные данные Импульсное обратное напряжение КД2С5А, КД205Е............................. 500 В КД2О5Б..................................... 400 В КД205В..................................... 300 В КД205 Г, КД205Л............................ 200 В КД205Д, КД205К............................. 100 В КД2О5Ж..................................... 600 В КД2О5И..................................... 700 В Средний прямой ток: КД205А КД205Б.КД205В КД205Г КД2О5Д, КД205Ж 500 мЛ КД205Е, КД205И............................. 300 мА КД205К КД205Л.............................. 700 мА Импульсный прямой ток при т„ <1 мкс........... 0,8 А Частота без снижения режимов..................50 кГц Темпера гура окружающей ере ы..................О г 233 до 358 К Зависимость допустимого пря- мою тока от гсмисрагуры 104
2Д206А, 2Д206Б, 2Д206В, КД206А, КД206Б, КД206В Диоды кремниевые мезаднффузпоппые лавинные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 20 кГц в noc t о явное. Выпускаю 1ся в металлостекляппом корпусе с жесткими выводами. Тип диода п схема соединения электродов с выводами привозятся на корпусе. Масса диода с комплектующими деталями не бо тес 9 I. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение, не более при /,,г = I А при 298 и 398 К...................................... 1.2 В прн 213 К......................................... 1,5 В при /Г1р = /1:р, miikv .......................... 1.5 В Постоянный обрашый ток при С'О(-,р = Uvf,p 4dKC. не более: от 213 ло 298 К...................................... 0.7 мА при 398 К..........................................1.5 мА Время восстановления обратною сопротивления* при 4р.и = 5 А. 1/О1-т = 1/обр.хикс, пс более..........10 мкс Время установления прямою сопротивления* при /|1р „ =100 А, не более............................10 мкс Пр тельные эксплу a i анионные данные Постоянное обратное напряжение: 2Д206А. КД206А................................ 400 В 2Д206Б, КД206Б................................ 500 В 2Д206В, КД206 В............................... 600 В Средний прямой ток: от 213 до 343 К для КД206А, КД206Б, КД206В 10 А от 213 до 358 К для 2Д206А, 2Д206Б, 2Д206В 5 А при 403 К для 2Д206А, 2Д206Б. 2Д2О6В .... 1 А 105
Импульсный прямой ток при т„ < 100 мкс. /С 1000 Гц. Jnp,cp “ от 213 ло 358 К................................... 100 А при 403 К........................................ 20 А Однократный импульс прямого тока при т,, С 1 с: от 213 до 358 К для 2Д206А. 2Д206Б. 2Д206В . . . 15 А при 403 К для 2Д206А. 2Д206Б. 2Д206В ... ЗА Импульсный обратный ток при т„ = 50 мкс: от 213 до 358 К 2Д206А................................................ 2 А 2 Д206 Б........................................ 1 А 2Д206В........................................ 0.5 А при 403 К 2Д2О6А.......................................... 0,4 А 2Д206Б........................................ 0.2 А 2 Д206 В...................................... 0,1 А Средняя рассеиваемая мощность: ог 213 ло 358 К 10 Bi при 403 К....................................... 1.5 Вт Частота без снижения режимов........................ 1 кГц Частога питающего напряжения........................До 20 кГц Температура окружающей среды........................От 213 К до Гк = 403 К Температура корпуса................................. 403 К Примечания: 1. Допускается последовательное соединение диодов без шунтирования до 40 кВ. 2. Допускается кратковременное превышение установленного пре- дельного обратного напряжения, при этом амплитуда перегрузочного обратного тока не должна превышать допустимых значений, а фронг импульса тока должен быть не менее 0,5 мкс При повторяющихся перегрузках значение средней перегрузочной мощности нс должно превышать 2 Вг при температуре корпуса 358 К и 0,4 Вт при 403 К. Зависимость допустимого вы прямленного тока от темпера- туры корпуса. Зависимость допустимого им- пульсного перегрузочного об- ратною тока от длительности импульса. 106
Зависимость импульсного пря- мою юка о г напряжения. Зависимость прямого тока oi напряжения. КД208А Диод кремниевый диффузионный. Предназначен для преобразо- вания переменного напряжения в постоянное. Выпускав 1ся в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип .диола указывается на корпусе Положительный вывод обозна- чается зеленой полоской на корпусе. Масса диода не более 0.7 i. Электрические иарамезры Постоянное прямое напряжение при /11р =1 А, не более: при 298 и 358 К....................................... IB при 233 К....................................... 1,3 В Постоянный образный ток при (7оРр = 100 В, не более: оз 213 до 298 К.....................................100 мкА при 358 К......................................1000 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное или импульсное образное напряжение . . . 100 В Постоянный или средний прямой ток................. 1,5 А Темпераз ура окружающей среды.......................Оз 233 до 358 К 107
КД209А, КД209Б, КД209В Диоды кремниевые диффузионные. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются цветной точкой' КД209Б — зеленой. КД209В — красной у диодов КД209А — отсутс1вует. Положитстытый вывод обоз- начается красной полосой. Масса диода не более 0,5 i Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр = /пр MJKC. нс более при 298 К............................... ... . 1 В при 213 К....................................... 1.2 В Постоянный обра1ный ток при 17о(;р = Сгг,бр маю |1с более: от 213 до 298 К........................" . . . . . 100 мкА при 358 К....................................... 300 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное и импульсное обратное напряжение: КД209А...................................... 400 В КД209Б...................................... 600 В КД209В...................................... 800 В Постоянный или средний прямой ток: КД209А.......................................... 700 мА КД209Б...................................... 500 мА КД209В до 328 К................................. 500 мА при 358 К................................ 300 мА Импульсный прямой ток при ти < 20 мкс............. 6 А Частота без снижения режимов...................... 1 кГц Температура окружающей среды......................От 213 до 358 К Примечания 1. При работе диодов на емкостную нагрузку эффективное значение прямого тока не должно превышать 1 57 / 'пр. ср, макс 2. Допускается работа диодов на частотах выше 1 кГц в режи- мах при которых средний обратный ток не превышает 500 мкА. 108
2Д210А, 2Д210Б, 2Д210В, 2Д210Г, КД210А, КД210Б, КД210В, КД210Г Диолы кремниевые диффузионные тавпнные. Выпускаются в мсталлосгеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода нс более 12 г (с комплектующими деталями 18 г). Электрические параметры Среднее прямое напряжение при /11р.ср = 10 Л 1'о5р = = t'oop.suKc 11 температуре от 213 К до 7"к макс, не более 1 В Средний обратный ток при Со6р = СоСр макс, /пр ср = 10 А, от 213 К до Тк_Matc, не более...........................15 мА Постоянный обратный ток при Сог>Р = С„'р М5КС, не более 4.5 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение 2Д210А. КД210А, 2Д210Б. КД210Б................ 800 В 2Д210В. КД210В. 2Д210Г. КД210Г................ 1000 В Наименьшее обратное пробивное напряжение* при 298 К. 2Д210А, 2Д210Б............................... 1000 В 2Д210В 2Д210Г.............................. 1250 В Постоянный иди средний прямой ток от 213 до 323 К: 10 Л при Тк = 373 К 2Д210А, 2Д210В................................. 5 А 2Д210Б, 2Д210Г................................ 10 А при Тк = 403 К 2Д210А. 2Д210В................................. 1 А 2Д210Б. 2Д210Г................................. 2 А Импульсный прямой ток при f 50 Гп, т„ = 50 мс, при Тк от 213 до 323 К................................ 50 Л при Т, = 373 К . 2Д210А, 2Д210В.................................. 25 А 2Д210Б, 2Д210Г.................................. 50 А 109
при Тк — 403 К 2Д210А, 2Д210В..................................... 5 А 2Д21ОБ, 2Д21ОГ.................................. 10 А при ти = 1,5 с, /= 50 Гц, Тк от 213 до 323 К . . . 30 А при Тк = 373 К 2Д210А 2Д210В.............................. 15 А 2Д210Б, 2Д210Г.............................. 30 А при У, = 403 К 2Д210А 2Д210В................................ ЗА 2Д210Б, 2Д21ОГ ............................. 6 А Импульсный обрашый юк перегрузки в течение 100 мкс: 2Д210А, 2Д210В .................................1.5 Л 2Д210Б, 2Д210Г................................. 1.2 А Частота без снижения режимов.........................1000 Гц Частота со снижением 1пр ср.......................... 5000 Гн Рассеиваемая мощность при Тк от 213 до 323 К . . . 20 Вт при Тк = 373 К 2Д210А, 2Д210В.................................... 10 Вг 2Д210Б, 2Д21ОГ.................................. 20 Вг при 7'к = 403 К 2Д210Л, 2Д210В.................................... 2 Вт 2Д210Б, 2Д210Г.................................. 4 Вг Тсмпера|ура окружающей среды: 2Д2 0Л, 2Д210Б, 2Д210В, 2Д2101...............От 213 К до Тк = 403 К КД210Л, КД210Б, КД210В, КД210Г...............От 213 К до Ук = 373 К Температура корпуса 2Д210А, 2Д21ОБ, 2Д210В, 2Д210Г..................... 403 К КД210А, КД210Б. КД210В. КД210Г............... 373 К Температура перехоти............................... 413 К Тепловое сопротивление кристалл — корпус...........3 К/Вг Примечание. Допускается последовательное соединение диодов без шунтирования до напряжения 30 кВ. Зависимость допустимого сред- нею прямого ока от темпе- ра уры корпуса. Зависимость среднего прямого тока перегрузки от температуры кор- пуса. НО
Зависимость допусчимой крат- ности перегрузки по прямому току о г длительности импульса. Зависимость среднего прямого тока перегрузки от температу- ры корпуса. Зависимость допустимого об- ратного тока перегрузки от дли- тельности импульса. 2Д212А, 2Д212Б, КД212А, КД212Б Диолы кремниевые диффузионные. Предназначены для преобразо- вания переменного напряжения повышенной часю1ы в постоянное. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими вывода- ми Тип диола указывается на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса. Масса диода не более 1.5 г. 28 3 Ч плоскость Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр = 1 А, ие более: при 298 и 398 К....................................... 1 В при 213 К....................................... 1,2 В 111
Постоянный обратный ток при 17^ = 200 В, не более: от 213 до 298 К......................................50 мкА при 398 К........................................... 2000 мкА Время восстановления обратного сопротивления при 7р = 2 А, Побр = 200 В для 2Д212А, КД212А и lap = 1 А, = 100 В для 2Д212Б, КД212Б, не более 300 нс Емкость диола*, не более при иоър = 1,0 В................................170 пФ типовое значение................................140 пФ при С/ойр = 100 В............................... 40 пФ типовое значение................................ 30 нФ Процельные эксплуатационные данные Постоянное или импульсное обратное напряжение: 2Д212А, КД212А.................................. 200 В 2Д212Б, КД212Б.................................. 100 В Постоянный прямой ток или средний выпрямленный ток: от 213 до 353 К.................................. 1 А при 398 К.................................... 0,2 А Импульсный прямой ток при т„ = 10 мс...............50 /|1р макс Частота без снижения режимов в меандре с Тф > 0,2 мкс при работе на активную нагрузку....................100 кГц Температура окружающей среды: 2Д212А 2Д212Б......................................От 213 до 398 К КД212Л. КД212Б.................................От 213 ло 358 К Температура перехода*.............................. 413 К Тепловое сопротивление кристалл — корпус *.........10 К/Вт Общее тепловое сопротивление*......................ПО К/Вт Примечай и с. Допускается параллельное и последовательное со- единение диолов. Зависимость прямот о тока о г напряжения. Зависимость обратного тока от напряжения. 112
Зависимость общей ем- кости оч напряжения Зависимость допустимого пря- мою тока от теплового сопро- тивления Зависимость допустимого пря- мого тока перегрузки о г дли- тельности импульса. Зависимость допустимо! о прямого тока перегрузки от длительности импульса. 2Д213Л, 2Д213Б, 2Д213В, 2Д213Г, КД213А, КД213Б, КД213В, КД213Г Диолы кремниевые диффузионные. Предназначены для прсоора- зования переменного напряжения повышенной частоты в постоянное. Выпускаются в металло- пластмассовом корпусе с гиб- кими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпу- се. Отрицательный электрод со- единен с металлическим ос- нованием корпуса. Масса диода не бо iee 4 г 113
Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /11р = 10 А. не более: при 298 К 2Д213А, 2Д213В КД213А, КД213В...................... 1 В 2Д21 Б 2Д213Г, КД213Б. КД213Г.................... 1,2 В при /пр = 5 А для 2Д213Б, 2Д213Г...................1,0* В при 213 К 2Д213А, 2Д213В................................... 1.5 В 2Д213Б 2Д213Г.................................... 1,7 3 при 398 К (7г1р = 3 А для 2Д213А, 2Д213В и /|1р = - 1 А для 2Д213Б, 2Д213Г)............................ 1 В Постоянный обратный ток при 17о5р = б'оор.млкс- 1|с более: от 213 до 298 К.........................................0,2 мА при 398 К 2Д213А, 2Д213В.................................... 10 мА 2Д213Б, 2Д213Г.....................................25 мА Время восстановления обратного сопротивления при Л1р.и = • А 17о5р = 20 В, нс более: 2Д213А, 2Д213В. КД213А, КД213В................ 300 нс 2Д213Б, 2Д213Г, КД213Б, КД213Г................ 170 нс Емкость дно а, не более: 11 ри б’обр ~ 100 В................................. 550 1Ф пр" 5 В.............................................1600 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное и импульсное обратное напряжение: 2Д213А, 2Д213Б, КД213А, КД213Б................... 200 В 2Д21 В 2Д213Г, КД213В, КД213Г.................... 100 В Постоянный и средний прямой тек- ст 213 до 358 К .................................... 10 А при 398 К 2Д213Л, 2Д21 В........................................ ЗА 2Д213Б, 2Д213Г................................. 1 А Импульсный прямой ток при т„ < 10 мс, Q = 1000 ... 100 А Импульсный обра1ный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при ти < 20 мкс....................... 10 Л Частота без снижения режимов в меандре с тф > 0,2 мкс при работе на активную патрузку.........................100 кГц Тепловое сопрэтивленис: переход - корпус.................................1,5 К/Вт переход - среда..................................70 К/Вг Температура окружающей среды- 2Д213А, 2Д213Б, 2Д213В, 2Д213Г.................От 213 до 398 К КД213А, КД213Б, КД213В КД213Г . . . . От 213 до 358 К 114
Температура перехода: 2Д213А, 2Д213В............................... 413 К 2Д213Б, 2Д213Г............................... 403 К Примечание. Изгиб выводов допускается только в направ- лении, перпендикулярном плоскости диода, на расстоянии не менее 3 мм от корпуса. Рекомендуется крепление ивания. Зависимость прямого тока о г напряжения. диода к теплоотводу методом прнкле- Зависимосзь обра1ного тока от на- пряжения. Зависимость времени восста- новления обратного сопро- тивления от напряжения. Зависимость допустимого прямого тока oi темпера- туры Зависимость допустимого прямого тока от длитель- ности импульса. А 10 В 6 0 г о 1пр,ср,макс 2Д213 35В К го 50 100 Z00 500 икс 115
2Д215А, 2Д215Б, 2Д215В Диоды кремниевые диффузионные. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Торец корпуса у положи тельного вывода маркируется красной точкой; на диоде 2Д213Б дополнительно нано- сится красная точка, диод 2Д215А точки не имеет, у диода 2Д215В на боковой по- верхности ставится буква В Масса диода нс более 0,5 г Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /|1р = 711рл1аК1.-, нс бо.тес: при 298 и 398 К 2Д215А, 2Д215Б....................................... 1,2 В 2Д215В............................................... 1,1 В при 213 К. 2Д215А, 2Д215Б....................................... 1,5 В 2Д215В............................................... 1,2 В Постоянный обратный ТОК при t/oSp = I оВр,м1кс> нс более: от 213 до 298 К..........................................50 мкА при 7\гакс..............................................100 мкА Предельные эксп. уатационные данные Постоянное п импульсное обратное напряжение: 2Д215А............................................. 400 В 2Д215Б........................................ 600 В 2Д215В........................................ 200 В Постоянный прямой гок: при R-, < 75 К'Вт от 213 до 333 К..............................1000 мА при 358 К 2Д215А, 2Д215Б.................. 850 мА при 398 К 2Д215А, 2Д215Б.................. 200 мА при Rf С 180 ЮВг- до 333 К ....................................... 500 мА при 358 К 2Д215А, 2Д215Б...................... 300 мА при 398 К 2Д215А, 2Д215Б.......................100 мА Импульсный прямой ток: одиночные импульсы с ти < 10 мкс и временем между двумя импульсами не менее 15 мин от 213 до 358 К 2Д215А, 2Д215Б................. 10 А от 358 до 398 К 2Д215А, 2Д215Б.................... ЗА 116
периодические колоколообразные импульсы т„ < 1300 мкс на уровне 0.1 и т„ < 300 мкс на уровне 0,9. / < 100 Гн при температуре от 213 до 328 К для 2Д215В .... 13 А Частота без снижения режима......................... 1 кГц Температура окружающей средь........................От 213 до 398 К Примечания: 1. Общее тепловое сопротивление менее 180 К/Вг обеспечивается при любом способе крепления диода при условии сохранения длины вывода не менее 20 мм. В качестве радиатора рекомендуется применять металлическую пластину разме- ром 10 х 15x2 мм2 для каждого вывода, припаянную па рас- стоянии 1 мм от корпуса диода. 2. При работе диодов па емкостную нагрузку эффективное значение прямого тока не должно превышать 1,57 7Пр.Ср.мак<;. Зависимость допустимого среднего прямого тока от частоты Зависимость допустимого импульсного прямого тока от длитель- ности импульса. 117
Зависимость допустимого пря- Зависимость допустимого по- мою тока перегрузки от тем- стоящим о прямого тока oi гем пера гуры. иературы. 2Д216А, 2Д216Б Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобра- зования переменного напряжения повышенной частоты в ноегояппос. Выпускаются в мста.тлостекляином корпусе с жесткими выводами. Тип диола и схема соединения электродов с выводами приводятся па корпусе. М юса диода нс 61 ice 3 г. Электрические параморы Постоянное прямое напряжение, не более при /„„= I А, 213 К.................................. 1.2 В при 298 К......................................... 1.0 В ПРИ 4р= 10 А, 213 К............................... 1.6 В при 298 К......................................... 1,4 В Постоянный обратный юк, не более, при С'о6р = = ^обр.макс- температуре or 213 до 298 К ... . 50 мкА Средний обрагный ток при (;о6р = 1/обр. ча1(с, не более: 448 К, /пр.ср = 0................................ 10 мА 358 К, /пр.ср=10 А..................... 2 мА Заряд переключения при t'c6p = 10 В, /,1р = 200 мА, нс более...............................................80 нКл Прете тьные эксплуатационные данные Постоянное и гмпуяьсное с Тф > 1 мкс обратное на- пряжение: 2Д216А................................................. ЮО В 2Д216Б............................................ 200 В 118
Постоянный и средний прямой ток..................... 10 А Импульсный прямой ТОК.............................3 /пр ср. макс Частота выпрямления.................................100 кГц Температура корпуса................................ 448 К Окружающая температура............................От 213 К до Тк = 448 К Температура перехода............................... 448 К Примечания: 1. Допускается работа диода при 1/обр = 1'обр,макс произвольной формы: с частотой до 50 кГц при тф > 0,3 мкс и /11р < /11р.срл,.,кс, »° не более 3 А; с частотой до 30 кГц при тф > 0,1 мкс и /пр.ср « /„р,Ср.макс, по не более 1 А 2. Допускается paooia диодов на емкостную нагрузку, при этом эффективное значение прямого тока не должно превышать 1>57 /пр.ср.макс 3. При монтаже диодов не допускаются механические воздей- ствия на остеклованную поверхность диода и крепление диода за эту поверхность или пайка по всей длине тонкого вывода диода; допускается ввинчивание диода. 4. Допускается последовательное соединение любого числа диодов одною типа при условии, чго обратное напряжение на каждом диоде не превышает максимально допустимого значения. Допускается параллельное соединение любого числа диолов од- ного типа при условии, что прямой ток через каждый диод нс должен превышать максимально допустимого Зависимость прямою тока от напряжения Зависимость обритого тока от напряжения. 119
Зависимость допустимого пря- мого тока о г температуры корпуса. 2Д217А, 2Д217Б Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобра- зования переменного напряжения повышенной частоты в постоянное. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с iнекими вывода- ми. Тип диода н схема соединения электродов с выводами при- во ятся на корпусе. Масса диода не более 1,5 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение, не более: при 7, = I А, 213 К.................................. 1.3 В при 7np= I А, 298 К.................................. 1.1 В при /,,р - 3 А, 298 К.................................. 1,3 В при /11р = 3 А, 213 К.................................. 1,5 В Постоянный обратный ток, не более' при б'обр = ^обр.макс и температуре от 213 до 298 К................................................... 50 мкА при 398 К......................................... 2000 мкА Средний обрашый ток при 1/орр = С'о5рмакс, f— 50 Гц, • /цр.ср = 1 A iipn 398 К, /прср = 3 А при 298 К . . . 2000 мкА Заряд переключения при 7„р = 200 мА, Uc6p =10 В. не более.............................................. 20 пК.ч 120
Прелельиье эксплуатационные тайные Постоянное и импульсное с Тф > 1 мкс обратное на- пряжение 2Д217А.......................................... 100 В 2Д217Б...................................... 200 В Постоянный и средний прямой ток- от 213 до 298 К ................................. ЗА при 398 К................................... I Л Импульсный прямой ток............................3 /Ир,ср Частота без снижения режимов....................100 кГц Темпера I >а окружающей среды....................От 213 до 39S К Примечания: 1. При распайке диодов на печатную плату толщиной 1.5 мм и расстоянии между точками крепления от 12.5 до 37,5 мм /|1рма1ж и. и 7„р.с,, 41hC при 298 К нс более 1.1 А. 2. Допускается работа диодов па емкостную натрузку, при этом эффективное значение прямого тока нс должно превышать 1,57 7.,ГСр. 3. Допускается работа диода при 1/о5р = Гобр маЕС произвольной формы. с частотой до 50 кГц при Тф > 0,3 мкс и /1|рср — 7ирсрл1а«< с частотой до 30 к Гн при тф > 0.1 мкс и /,,гср < / г.ср.ма1(с, но нс более I А. 4 Прн монтаже диодов нс допускаются механические воздей- ствия на остеклованную поверхность диода 5. Допускается пос.тедова тельное и парад, с.тьпос соединение лю- бою числа диолов Зависимость прямою тока от напряжения. Зависимость обратною тока от напряжения 121
Зависимость допустимого пря- мою тока от температуры. Зависимость допустимого пря мого тока от теплового со- противления переход — среда. 2Д219А, 2Д219Б Диоды кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки. Пред- назначены для работы в низковольтных вторичных источниках электропитания на час ютах ло 200 кГц. Выпускаются в металлостек тянном корпусе с жесткими выво- дами. Тип диода п схема соединения электродов с выводами при- водятся на корпусе. Масса диода не более 8 г. Электрические параметры Посюянное прямое напряжение, нс более: при /,,г = 10 А.......................................... 0,6 В при /пр = 5 А . ............................ 0,54 * В при /„J, = 35 Л........................................0,92* В Средний обратный юк, не более; при Содр СобрЧ1акс, /,рСр — 10 А, 358 К.......................75 мА ipn 0о£,р Собр,макс, Aip.cp = - А, э73 К..................75 мА Постоянный обратный ток при Со5р = С'ог,ГЛИКС, нс более. от 213 до 298 К .............................................. 20 мА при 373 К.................................................150 мА Предельные эксплу a i анионные данные Постоянное и импульсное обрапюс напряжение 2Д219А......................................................... 15 В 2Д219Б.................................................... 20 В 122
Постоянный и средний прямой ток: от 213 до 358 К.................................... 10 А при 373 К.......................................... 5А Импульсный прямой ток: одиночный импульс ти < 10 мс с периодом пов- торения нс менее 10 мии............................25 /11р.Срмакс серия импульсов (не более 90) ти < 10 мс, /= 50 Гц с периодом повторения серии не менее 10 мин ... 10 /Пр,ср.ма1гс Частота без снижения режимов............................. 200 кГп Наименьшая температура окружающей среды . . . . 213 К Наибольшая тех псратура корпуса.......................... 373 К Температура перехода .................................... 398 К Зависимость обратною тока от на- пряжения. Зависимость допустимого прямою то- ка от температуры. 2Д220А, 2Д220Б, 2Д220В, 2Д220Г, 2Д220Д, 2Д220Е, 2Д220Ж, 2Д220И Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для приме- нения в высокочастотных выпрямительных и преобразовательных устройствах. 123
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выво- дами. Диоды маркируются со стороны положительного (исрезьбо- вого) вывода двумя цветными точками. Первая точка обозначает диапазон частот работы диода: белая — от 1 до 50 кГц (2Д220А, 2Д220Б, 2Д220В 2Д220Г), красная - от 50 Гц до 20 кГц (2Д220Д, 2Д220Е, 2Д220Ж, 2Д220И). Вторая точка определяет тип диода: белая — 2Д220А и 2Д220Д; зеленая — 2Д220Б и 2Д220Е; желтая — 2Д220В и 2Д220Ж; голубая - 2Д220Г и 2Д220И. Масса диода не бо iee 3 г •4 <• Электрические параметры Постоянное прямое напряжение не более: при 4р = 1 А при 213 К 2Д220А. 2Д220Б. 2Д220В. 2Д220Г..................... 1.4 В 2Д220Д. 2Д220Е, 2Д220Ж, 2Д220И................... 1.3 В при 298 К 2Д220А, 2Д220Б, 2Д220В, 2Д220Г..................... 1,2 В 2Д220Д, 2Д220Е, 2Д220Ж. 2Д220И................... 1.1 В при 4Р= 3 А: при 298 К 2Д220А, 2Д220Б, 2Д220В, 2Д220Г.................. 1,5 В 2Д220Д, 2Д220Е, 2Д22ОЖ, 2Д220И.................. 1,3 В при 213 К 2Д220А, 2Д220Б, 2Д220В, 2Д220Г.................. 1,7 В 2Д220Д, 2Д220Е, 2Д220Ж, 2Д220И.................. 1,5 В Постоянный обратный ток при 1/о6р = ^обрликс’ не более: при 298 К............................................... 45 мкА при 398 К......................................... 1500 мкА Средний обрашый ток в режиме однополуперио.чного выпрямления синусоидального напряжения частотой 50 Гц при 1/обр = С/Обр.ма1х, Тк = 428 К, не более............................................... 2000 мкА Время восстановления обратного сопротивления при /|1р — I А, {7о6р = 5 В, не более: 2Д220А, 2Д220Б, 2Д220В, 2Д220Г........................0.5 мкс 2Д220Д, 2Д220Е, 2Д220Ж, 2Д220И..................... I мкс 124
Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение 2Д220А, 2Д220Д....................................... 400 В 2Д220Б, 2Д220Е................................. 600 В 2Д220В, 2Д220Ж................................. 800 В 2Д220Г, 2Д220И................................. 1000 В Импульсное обратное напряжение: в диапазоне частот от 1 до 50 Гц при Тф > 0,5 мкс 2Д220А............................................. 400 В 2Д220Б......................................... 600 В 2Д220В......................................... 800 В 2Д220Г......................................... 1000 В в диапазоне частот от 50 Гц до 20 кГц при Тф > 1 мкс 2Д220Д........................................... 400 В 2Д220Е......................................... 600 В 2Д220Ж......................................... 800 В 2Д220И.........................................1000 В Постоянный прямой ток при Тк от 213 до 398 К................................................ ЗА Средний прямой ток в режиме выпрямления напряжения любой формы со скважностью, равной или более 1,3: при Гк от 213 до 398 К, 10 кГц, Тф > 0,5 мкс для 2Д220А, 2Д220Б, 2Д220В, 2Д220Г............... ЗА при Тг от 213 до 398 К, /= 50 кГц, Тф > 0,5 мкс для 2Д220А, 2Д220Б, 2Д220Г..................... 0,5 А при Гк от 213 до 398 К, /=10 кГц, Тф > 1 мкс для 2Д220Д, 2Д220Е, 2Д220Ж, 2Д220И............... ЗА при Гк от 213 до 398 К, f = 20 кГц, Тф > 1 мкс для 2Д220Д, 2Д220Е, 2Д220Ж, 2Д220И................. 0,5 А Импульсный прямой ток при т„ < 10 мс (одиночный импульс) до 398 К и периодом повторения не менее 10 мин.............................................. 60 Л Частота без снижения режима..........................10 кГц Тепловое сопротивление кристалл — корпус..........3.5 К/Вт Температура корпуса диода............................От 213 до 428 К Температура перехода................................. 448 К Примечания: 1. При моншже диодов не допускаются креп- ление за остеклованную поверхность и механические воздействия на нес. 2. Прн установке диодов на теплоотвод рекомендуется приме- нение теплопроводной пасты КПТ-8 (ГОСТ 19783-74). 3. Допускается последовательное и параллельное соединение лю- бого числа диодов. 125
Зависимость допустимого пря- мого пока от температуры корпуса Зависимость допустимого им- пульсного прямого тока от час- то гы. Раздел четвертый ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ СТОЛБЫ И БЛОКИ Д1004, Д1005А, Д1005Б, Д1006, Д1007, Д1008 Столбы из кремниевых сплавных диодов. Выпускаются в пластмассовых корпусах с жесткими выводами. Тип прибо- ра и схема соединения электро- дов с выводами приводятся на корпусе. Масса столбов Д1004, Д1005А нс более 35 г, Д1005Б, Д1006, Д1007, Д1008 не бо- лее 60 г. 126
Э.тект ричсские параметры Среднее прямое напряжение при /пр ср = 100 мА для Д1004. Д1005Б, Д1006: 75 мА для Д1007: 50 мА для Д1005А, Д1008, не более: при 298 К Д1004. Д1005А.................................... 5 В Д1005Б. ДЮ06, Д1007. Д1008 ..................... 10 В при 213 К Д1004, Д1005А...................................... 6 В Д1005Б, Д1006, Д1007. Д1008 .................... 12 В Средний обратный ток при 1/„Рр = 2000 В для Д1004; 4000 В для Д1005А. Д1005Б: 6000 В для Д1006, 8000 В для Д1007: 10000 В для Д1008. нс более: при 298 К.........................................100 мкА при 398 К........................................ 250 мкА Пре ильные Зкстыуат анионные данные Импульсное обратное напряжение при температуре от 213 до 398 К: Д1004 ............................................. 2000 В Д1005А, Д1005Б..................................... 4000 В Д1006 ............................................. 6000 В Д1007 ............................................. 8000 В Д1008 .........................................10000 В Средний прямой ток. от 213 до 353 К Д1004, Д1005Б. Д1006 ...........................100 мА Д1005А, Д1008 .............................. 50 мА Д1007 .......................................... 75 мА при 373 К Д1004. Д1005 Б. Д1006 .......................... 60 мА Д1005А, Д1008 .............................. 30 мА Д1007 .......................................... 40 мА при 398 К Д1004. Д1005 Б. Д1006 .......................... 40 мА Д1005А, Д1008 ........................... 20 мА Д1007 .......................................... 30 мА Частота бел снижения режимов........................... 1 кГц Температура окружающей среды.......................От 213 до 398 К Температура корпуса..................................... 413К Примечания- 1. Допускается работа столбов на емкостную нат рузку при условии, что эффективное значение тока через столб не превышает 1,57 значения среднего прямого тока. 2. Допускается работа столбов на частотах выше 1 кГц при условии, что значение среднего обратного тока будет ие более 250 мкА. 3. Допускается ттерет рузка столбов но прямому току до 2,5 А в течение 3 4 периодов 127
4. Допускается параллельное и последовательное (до 50 кВ) соединение столбов одного типа. Прн последовательном соединении столб необходимо шунтировать конденсатором, емкость которого выбирается из условия С = 2,8 С3№, где Cj — емкость столбов относительно земли, N — число последовательно соединенных столбов. 5. При монтаже столбов долж- ны быть приняты меры по обес- печению электрической прочности изоляции, а также по обеспечению емкости столба относительно зем- ли менее 3 пФ. Для этого воз- душный промежуток между шасси и корпусом столба должен быть не мопсе 5 мм. Целесообразно располагать столбы вертикально по отношению к шасси для обес- печения минимальной емкости. 6. При давлениях ниже 5.3-104 Па выводы столбов н оголенные части подводящих про- водов должны быть защищены изо- Зависимость среднего прямого тока от температуры пирующими материалами для пре- дотвращения пробоя по по- верхности. Д1009, Д1009А, ДЮНА Столбы из кремниевых диффузионных диодов. Выпускаются в пластмассовом корпусе с заливкой эпоксидным компаундом с жесткими выводами. Тип прибора и схема соедине- ния электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса столба не более 53 г. Элеюрнческие параметры Среднее прямое напряжение при /прср = ^00 м^- ,1С более: при 298 К Д1009 .......................................... 2,6 В Д1009А, ДЮНА.................................. 1,5 В 128
при 213 К Д1009 ......................................... 3.3 В Д1009А, ДЮНА................................... 2,0 В Средний обратный ток прн 1/оСр „ = 2000 В для Д1009, 1000 В для Д1009А, 500 В для Д1011 А, /11р-ср = 300 мА. нс более: при 298 К.........................................100 мкА при 358 К........................................ 300 мкА Пре дельные эксп .ту а i анионные данные Импульсное обратое напряжение синусоидальной фор- мы при темпера! у ре oi 213 до 358 К. Д1009 ........................................... 2000 В Д1009А........................................1000 В ДЮНА ......................................... 500 В Средний прямой ток в режиме однонолупериодного выпрямления напряжения синусоидальной формы при температуре от 213 до 358 К....................... 300 мА Частота без снижения режимов........................ 1 кГц Температура окружающей среды........................От 213 до 358 К Температура корпуса................................ 373 К Примечания: 1. При монтаже допускается одноразовый из! иб выводов на расстоянии нс ближе 5 мм от корпуса столба. 2 . При давлениях ниже 0,54 104 Па выводы столбов и оголен- ные части подводящих проводов должны быть защищены изоли- рующими материалами для предотвращения пробоя по поверхности. Степень снижения предельных электрических режимов в зависимости от давления в диапазоне до 666 Па и ниже должна выбираться из условия, чтобы температура на корпусе в процессе работы нс превышала 373 К. 3 . Допускается работа столбов на частотах выше 1 кГц при условии, чго среднее значение обратного тока ие будет превышать 500 мкА. 4 Допускается работа столбов иа емкостную нагрузку при усло- вии, чго эффективное значение тока через столб не превышает 1,57 значения средне! о прямого тока. 5 Допускаются перегрузки по прямому току до 2.5 А в те- чение 3 4 периодов. 2Ц101А Столб из кремниевых сплавных диодов Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приво- дятся на корпусе. Положительный вывод отмечен точкой на торце прибора. Масса столба не более 2 г. 5 под род. Н Н Горюнова 129
Электрические параме ры Постоянное прямое напряжение при /пр = 50 мА, не более............................................... 8,3 В Постоянный обратный ток при 1/обр = 700 В, не более: при 298 К............................................ 10 мкА при 343 К . . . . ............... ... 100 мкА Пре тельные jKCii.iyai анионные данные Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 343 К .......................................... 700 В Постоянный прямой юк при температуре от 213 до 343 К................................................ 10 мА Средний выпрямленный ток (время усреднения нс более 10 с) при температуре от 213 до 343 К..................10 мА Импульсный прямой ток при температуре от 213 до 343 К................................................. 1 Л Средняя рассеиваемая мощност ь при темпер < гуре от 213 до 343 К .......................................... 0,3 В1 Частота без снижения режимов при температуре от 213 до 343 К ............................................20 кГц Температура окружающей среды.............................От 213 до 343 К Примечание. Столбы допускают последовательное соедине- ние без специального подбора при условии, что обратное напря- жение па них не превышает предельного значения. вольт-амперных характеристик. вольт-амперных характеристик. 130
Зона возможных положений вольт-амперных характеристик 2Ц102А, 2Ц102Б, 2Ц102В Сюлбы из кремниевых сплавных диодов. Выпускаются в пластмассовом корпусе е шбкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выво хами приво- дятся на корпусе. Масса столба не более 5 1. 0J Э 1ск । рическис иарамет ры Постоянное (среднее) прямое напряжение при /П|, ср = = 100 мА при 213 и 298 К, и 50 мА при 398 К. не более: при 298 н 398 К................................. 1.5 В при 213 К....................................... 2,0 В Постоянный (средний) обратный ток для 2Ц102Л при <4>с,р = 8ОО В, для 2Ц102Б — 1000 В. для 2Ц102В - 1200 В, нс более: при 298 К........................................90 мкА при 398 К........................................150 мкА при 213 К........................................50 мкА Предельные эксплуатационные чанные Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 398 К: 2Ц102А.............................................. 800 В 2Ц102Б............................................. 1000 В 2Ц102В............................................. 1200 В 5* 131
Постоянный (средний) прямой ток: при температуре от 213 до 358 К . . ... 100 мА при 373 К......................................70 мА при 398 К.................................. ... 50 мА Частота без снижения режимов....................... 1 кГц Температура окружающей среды.................. .... от 213 до 398 К Примечания 1. Допускается работа столбов па частотах, превышающих I кГц, при условии, что значение обратного тока на частоте и в режимах, ие превышающих предельные, будет не более 500 мкА среднего значения. 2. Столбы допускают перегрузки по прямому току, нс превышаю- щие 2,5 А, в течение 3—4 периодов. 3. Допускается последовательное соединение столбов при условии, что обратное напряжение иа каждом столбе не превышает предель- ного При последовательном соединении каждый из последовательно соединенных столбов рекомендуется шунтировать выравнивающим конденсатором. Зависимость среднего или по- сюянного прямого тока от тем- пературы. 2Ц103А, 2Ц103В Столбы из кремниевых диффузионных диодов. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на его корпусе. Положительный вывод отмечен точкой на торце корпуса прибора. Масса столба не более 2 г. 132
Электрические параметры Постоянное прямое панряжение при /1|р = 50 мА, не бо ice: при 298 К .................................... при 213 К .................................... Постоянный обратный ток при С'обр = 2000 В (для 2Ц103В при С'О5р = 1000 В), не более. при 298 К..................................... при 348 К..................................... 9 В 12 В 10 мкА 80 мкА Предельные экептуаг анионные данные Постоянное (или любой формы) обратное напряжение при температуре от 213 до 348 К: 2Ц103А............................................. 2000 В 2Ц1ОЗВ............................................ 1000 В Постоянный прямой ток или среднее значение прямого тока при leMiiepaiype от 213 до 348 К................ 10 мА Импульсный прямой ток при среднем значении тока за 2 с не более 50 мА и температуре 213 до 348 К................................................ I А Средняя рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 348 К.............................................0, 35 Вт Частота при синусоидальном сигнале без снижения режима при температуре от 213 до 348 К: при /вп.ср= 10 мА..................................50 кГц при /Ш1,ср = 5 мА................................100 кГц Тепловое сопротивление общее..........................150 K/Bi Температура окружающей среды..........................от 213 до 348 К Примечания: 1. Допу ека- ет ея работа столбов на емкое i- ную нагрузку при условии, что амплитуда обратного напряжения не превышает предельно! о значе- ния, а зарядный юк не превы- шает 1 Л при среднем значении за 2 с не белее 50 мА. 2. Допускается последователь- ное соединение столбов без спе- циального подбора при условии, что обратное напряжение на них ие превышает предельного зна- чения. Допускается параллельное со- единение столбов при условии от- сутствия перегрузок любого столба по прямому току. кГц 80 ВО 40 Z0 О Зависимость предельной часто- ты выпрямления от прямого тока. 133
1Ц104АИ Столб из германиевых диффузионных диодов. Предназначен для работы в импульсном режиме. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на его корпусе. Положительный вывод отмечен точкой на торце прибора. Масса столба нс более 5 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр — 50 мЛ. не более: при 298 К......................................От 5.5 до 8.0 В при 213 К...................................... 15 В Импу. ьснос прямое напряжение прн 7ир и = 20 мА, 1/60 Гц, не более............................. 17 В Постоянный обратный ток при (7оПр = 2000 В, нс более 150 мкА Время переключения при /Г|р = 30 мА. Собр и = 30 В. / < 700 Гц.......................................От 0.3 до 1,5 мкс Длительность среза импульса обратного тока при 7р = = 30 мА, Собр „ = 30 В, /<700 Гц, не более . . , 0,25 мкс Импульсный об мтный ток при Cc^p lI = 2000 В,1, 10 Гц н 343 К, нс более................................ 5 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение при температуре: от 213 до 308 К ....................................... 1000 В при 323 К........................................... 400 В при 343 К........................................... 200 В Импульсное обратное напряжение прн одиночных импуль- сах (с частотой следования нс бо юс 1/60 Гц), ти < 20 мкс и температуре от 213 до 343 К . . . . 2000 В Импульсное обратное напряжение в режиме переключения с прямого тока до 15 А и длительности импульса прямого тока до 30 мкс при температуре от 213 до 343 К (длительность импульса обратного напряжения не более 20 мкс)....................................... 1600 В 134
Постоянный прямой ток при температуре' от 213 до 343 К....................................... 10 мА при температуре о г 213 до 308 К в течение не более 10 с...........................................50 .мА Импульсный прямой ток при одиночных импульсах (с частотой следования нс более 1/60 Гц) длитель- ностью до 100 мкс..................................... 20 Л Частота выпрямления па активную нагрузку (форма тока — синусоидальная) при температуре от 213 до 343 К..................................................10 кГц Температура окружающей среды...........................От 213 до 343 К Примечания: 1. Допус- каегся параллельное соединение столбов при условии обеспече- ния отсутствия перегрузки но прямому току. 2. Допускается последова- тельное соединение столбов при условии, что обратное на- пряжение на каждом столбе нс превышает предельного. Зависимость обратною напря- жения от темпера гуры. КЦ105А, КЦ105Б, КЦ105В, КЦ105Г, КЦ105Д Столбы из кремниевых диффузионных диодов. Выпускаю 1ся в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приво- дятся на корпусе. Масса столбов КЦ105А, КЩ05Б не бо ice 10 г, КЦ105В, КЦ105Г, КЦ105Д не более 15 г 135
Электрические параме т ры Среднее прямое напряжение при /,1р сг 100 мА тля КЦ105А. КЦ105Б, КЦ105В; 75 мА для КЦ105Г; 50 мА для КЦ105Д, нс более. КЦ105Л КЦ105Б................................... 3.5 В КЦ105В, КЦ105Г. КЦ105Д.......................... 7.0 В Средний обратный гок при р „ = 2000 В для КЦ105А: 4000 В для КЦ105Б. 6000 В для КЦ105В; 7000 В для КЦ105Г 8500 В для КЦ105Д, нс более: прн 298 К.......................................100 мкА прн 358 К....................................... 200 мкА Время восстановления обратного сопротивления при Cpf.p и = 30 В, /,,р , = 1000 мА. /О1СЧ = 10 мА. нс более 3 мкс Предельные эксплуатационные данные Импульсное обратное напряжение КЦ105А ...................................... 2000 В КЦ105Б.................................... 4000 В КЦ105В .......................... 6000 В КЩ05Г..................................... 7000 В КЩ05Д..................................... 8500 В Средний прямой ток. КЦ105А, КЦ 05Б. КЦ105В...................100 мА КЦ105Г......................................75 мА КЦ105Д......................................50 мА Частота без снижения режимов................. 1 кГц Температура окружающей среды.................Ог 233 до 358 К 2Ц106А, 2Ц106Б, 2Ц106В, 2Ц106Г, КЦ106А, КЦ106Б, КЦ106В КЦН16Г, КЦ106Д Сюлбы из кремниевых диффузионных диодов. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами Тип прибора указывается па корпусе. Положительный вывод при- бора отмечен точкой на торце корпуса. Масса столба нс более 2,5 г 136
Элск|рнческне параметры Постоянное прямое напряжение при /,,р = 10 мА. не более- при 298 К......................................... 25 В прн 213 К (218 К для КЦ106А. КЦ106Б. КЦ106В КЦ106Г КЦ106Д)......................... 35 В Постоянный обратный ток при С'ойр - 4000 В для 2ЦЮ6А, КЦ106А, 6000 В для 2Ц106Б, КЦ106Б- 8000 В для 2Ц106В, КЦ106В 10000 В для 2Ц106Г, КЦ106Г; 2000 В дтя КЦ106Д, нс более: при 29S К.....................................10 мкА при 398 К для 2Ц106А, 2Ц106Б, 2Ц106В. 2Ц106Г........................................50 мкА прн 358 К для КЦ106А. КЦ106Б, КЦ106В. КЦ106Г. КЦ106Д........................................30 мкА Время воссщиовления обратною сопротивления при /,,р = 20 мА. „ = 500 В Я„ = 25 кОм, д.тшель- носги фронта переключения 0,2 мкс. не более .... 35 мкс Предельные экси.ту а i анионные данные Постоянное обратное напряжение (или амплитудное любой формы и периодичности) при температуре: от 213 до 358 К (от 218 К для КЦ106А. КЦ106Б. КЦ106В, КЦ106Г, КЦ106Д) 2Ц1О6А. КЦ106А................................ 4000 В 2Ц106Б. КЦ106Б ............................. 6000 В 2Ц106В. КЦ106В ............................. 8000 В 2Ц106Г. КЦ106Г..............................10000 В КЦ106Д...................................... 2000 В при 398 К 2Ц106А........................................1000 В 2Ц1О6Б...................................... 2000 В 2Ц106В...................................... 3000 В 2Ц106Г...................................... 4000 В Постоянный прямой ток при температуре: от 213 до 358 К (от 218 К для КЦ106А, КЦ106Б, КЦ106В, КЦ106Г, КЦ106Д).......................10 мА прн 398 К для 2Ц106А, 2Ц106Б, 2Ц106В. 2Ц106Г 1 мА Импульсный прямой ток при ти — 50 мкс, f = 1 имп/мпп работе на активную нагрузку и при форме питающего напряжения в визе симметричной синусоиды или сим- метричного меандра с фронтом переключения нс менее 5 мкс при температуре от 213 до 358 К (от 218 К для КЦ106А, КЦ106Б, КЦ106В КЦ106Г, КЦ106Д) 1 А Частота без снижения режимов.....................20 кГц 137
Температура окружающей среды 2Ц106А, 2Ц 06Б, 2Ц106В, 2Ц106Г......................От 213 до 398 К КЦ106А, КЦ106Б, КЦ106В КЦ106Г КЦ106Д. . . От 218 до 358 К Тепловое сопротивление общее........................120 К/Вт Температура перехода..................................413 К Примечания: 1. Допускается работа столбов на емкостную нагрузку при условии, что амплитуда тока заряда емкости не пре- вышает 60 мА, амплитуда обратною тока — 20 мА. 2. Рекомендуется изолировать поверхность потенциального выво- да. Допускается работа без изоляции потенциального вывода при давлениях: при (7обр= 10000 В 6,66-104 Па; прп 1/о6р = 8000 В 5,33- 10-» Па; при 1/о6р = 6000 В 5,0 10^ Па; при 1/обр = 4000 В 2,67 10* Па. 3 Столбы 2ЦЮ6Б, 2Ц106В, КЦ106Б, КЦ106В допускают работу в повторно-кратковременном режиме в емкостных схемах зажит ания. Ре- жим работы схемы: повторно-кратковременными циклами по 10 включений, длительность одного вк печения не более 1 мин, перерыв между включениями не менее 2 мни перерыв между циклами не менее 10 мин. 4 Обратные напряжения на столбах 2Ц106Б, 2Ц106В не должны превышать соответственно 6 и 8 кВ. Частота следования имтпльсов пе более 30 Гц. Фронт переключения с прямого тока па обратное напряжение не менее 200 мкс. Средний выпрямленный гок: до 40 мА для 2Ц106Б, до 30 мА для 2Ц106В. Допускается производить включение в течение 3 мин с перерывом нс менее 10 мин. Таких включений должно быть не более I “и общего количества одно- минутных включений. При температуре окружающей среды от 213 до 373 К количество одноминутных включений не более 5000. Зависимость максимально допустимого обратного на- пряжения от температуры. Зависимость максимально допустимого прямого тока от температуры. 138
нА ВО 60 40 го Зависимость среднего выпрям- ленного тока от час i си ы при температуре от 213 до 353 К при работе па акцизную па- I ру тку. Зависимое гь обратного тока исрарузки от длительности импульса перегрузки. Зависимость импульсного прямого тока от длительности импульса перегрузки. 2Ц108А, 2Ц108Б, 2Ц108В Столбы из кремниевых диффузионных диодов. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса столбов 2Ц108А, 2Ц108Б не более 20 г, 2Ц108В не более 25 г 139
Электрические параметры Среднее прямое напряжение прн среднем прямом токе 180 мА в режиме однополунсриоднот о выпрямления синусоидального на- пряжения часюгой 50 Гц, не более: при 298 К 2Ц1О8А, 2Ц108Б................................... 6 В 2Ц108В............................................ 10 В при 213 К 2Ц108А, 2Ц108Б.................................. 7,5 В 2Ц108В........................................... 12,0 В Средний обратный ток при импульсном обратном напряжении сн- пусондалыюи формы частотой 50 Гц для 2Ц108А 2000 В, 2Ц108Б 4000 В, 2Ц1О8В 6000 В, не более при 298 К и /„р.ср = 180 мА.........................150 мкА при 398 К и /пр,ср = 40 мА......................1000 мкА Время восстановления обратного сопротивления в режиме переключения с /11р „ = 1 А на С7овр „ = 30 В при со- против. енитт нагрузки 500 Ом.......................От 0,6 до 0,9 мкс Предельные эксплуатационные данные Импульсное обратное напряжение произвольной формы с крутизной фронтов не более 3000 В/мкс в диапазоне частот от 50 Гц до 50 кГц и температуре корпуса от 213 до 403 К: 2Ц108А...................................... 2000 В 2Ц108Б...................................... 4000 В 2Ц108В...................................... 6000 В Средний прямой ток в режиме выпрямления напряжения произволь- ной формы с частотой от 50 Гт до 50 кГц прн давлении от 10,1-104 до 666 Па, /яр „ < 3,14 /пр,ср: прн температуре корпуса от 213 до 373 К.......100 мА при температуре корпуса 403 К.................20 мА Импульсный перегрузочный прямой ток при длительности фронта импульса Тф > 1 мкс, т„ < 10 мс (не более 3 импульсов в течение 20 мин с интервалами между импульсами нс менее 1 мин): при температуре корпуса от 213 до 373 К .... 5000 мА при температуре корпуса 403 К.................... 1500 мА Температура окружающей среды.........................От 213 до 398 К Температура корпуса................................... 403 К Примечания: 1. Выводы столбов и оголенные части под- водящих проводов должны быть защищены изолирующими мате- риалами при давлениях ниже 1,6 • 104 Па для 2Ц108Б, 2Ц108В и ниже 0.4-104 Па для 2Ц108А, При давлениях ниже указанных пре- дельное импульсное обратное напряжение имеет следующие значения: 140
Таблица 41 А । мосферное давление, Па Импульсное образное на пряжение, В 2II1O8A 2Ц1О8Б 2UI0SB 1,6- км 2000 4000 6000 0,4-10-« 2000 2000 2600 666 1500 1500 1700 2. Допускается последовательное соединение двух столбов одною типа на напряжение до 8000 В для 2Ц108В и на напряжение до 5600 В для 2Ц108Б *-лр,и, НИКС 0,266 0533 0,8 1,01 1,33 -10 * Па 0 2S3 313 333 353 373 3S3 К В 5000 4000 3000 1000 1000 0 Зависимое 1Ь импульсного об- Зависимость среднего прямого ратного напряжения от атмос- и 1 мпульспого тока от темпе- ферного д вления ратуры корпуса КЦ109А Столб из кремниевых диффузионных диодов Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Положительный вывод прибора отмечен точкой на торне корпуса. Масса столба не более 0,18 г. 141
Электрические параметры Среднее прямое напряжение при /11р#ср = 300 мА, не более.................................................. 7 В Среднее значение обратного тока при t/o6p = 6000 В, не более ... . .............................10 мкА Предельные эксп. уатациониые данные Импульсное обратное тапряженис...................... 6000 В Среднее значение прямого тока........................ 300 мА Импульсный прямой юк при среднем значении прямого тока не более предельного и т„ < 55 мкс................ 1 А Температура окружающей среды..........................О г 228 до 358 К Зависимость среднего нря- Зависимое ь импульсного об- мого тока о1 температуры. разною напряжения от темпе- ратуры. 2Ц110А, 2ЦП ОБ Столбы из кремниевых диффузионных диодов. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса столба не более 15 г 142
Электрические параметры Среднее прямое напряжение на частоте 50 Гн, не более при 298 К и /,1р-(:р = 100 мА............................... 10 В при 398 К и /||рср = 25 мА.................................. 10 В при 213 К и /прср = 100 мА.................................. 12 В Средний обратный ток при t/c6p и = 10000 В для 2Ц110А и 15000 В для 2Ц110Б,/=50 Гц, не более: при 298 К и /пр,ср = Ю0 мА..................................100 мкА при 398 К и /пр.ср = 25 мА................................. 500 мкА Преле 1ьные эксплуатационные данные Импульсное обратное напряжение синусоидальной формы с /< 1 кГц при температуре от 213 до 398 К при давлении от 10,1 104 до 5,33-104 Па: ' 2Ц110А..........................................10000 В 2Ц110Б......................................... 15000 В при 666 Па.................................... 1500 В Средний прямой ток на частоте /XI кГп: при давлении от 10.1 -10-* до 5.33-104 Па и температуре от 213 до 343 К.................................100 мА при 398 К....................................... 25 мА при давлении 666 На и температуре оз 213 до 343 К .... '..............................20 мА при 398 К........................................ 5 мА Импульсный перегрузочный прямой ток при Тф > 5 мкс, интервал между импульсами >90 с: при т„ < 2 с...................................... 20 /1р при т„ « 0,02 с................................... 50 /пр Температура окружающей среды...........................От 213 до 398 К Температура корпуса.................................. 398 К Примечания: 1 Допускается кратковременная работа столбов 2Ц110Б (3 мин работа, 15 мни паузе) при (7о6р и = 16 000 В и Лтр.с₽. макс= ЮО мА при температуре от 213 до 328 К и 50 мА при 358 К. Наработка в этом режиме не более 60 часов 2. Крепление столбов осуществляется за выводь Монтаж столбов непосредственно на металлические шасси не допускается. При монтаже столбов должны быть приняты меры по обеспечению емкости столба относительно земли не более 3 пФ. 3. Допускается последовательное соединение двух столбов без выравнивающих элементов, при этом прямое напряжение не должно превышать 20 В 4. Допускается работа его тбов при давлении ниже 5,33-104 Па при Ц>бр.и= 10000 В для 2Ц110А и 15000 В для 2Ц110Б, при этом выводы столбов и оголенные части подводящих проводов должны быть защищены изолирующими материалами. 143
Зависимость импульсного об- ратного напряжения oi дав- ления. Завпенмоегь среднею прямого тока oi давления. Зависимое !ь средне! о прямого юка от давления. 2Ц111А-1 Столб из кремниевых диффузионных диодов Пре (назначен для не юльзоваппя в гер.мет изпрованной ai пара туре. Бескорпусиый с защитным покрытием с гибкими выводами. Тип прибора указывав гея на упаковке. Положительный электрод обозначав 1ся точкой на поверхности компаунда. Масса столба не более 5 мт. Э тектрическне параметры Постоянное прямое напряжение при /,р 1 мА, не более: при 298 К........................................ 12 В при 213 К........................................ 14 В 144
Постоянный обратный ток при G\<ip = 3000 В, нс более: при 298 К.........................................0,1 мкА при 333 К.....................................0.5 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 ло 333 К.................................... 3000 В Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 333 К..............................'.............. 1 мА Средний выпрямленный ток на частоте / < 400 Гц при емпературе от 213 до 333 К........................ 1 мА Импульсный прямой ток при дли тельное in импульса перегрузки ти < 100 мкс при температуре от 213 ло 333 К............................................. 1 Л Частота при среднем выпрямленном токе 200 мкА при температуре от 213 до 333 К.......................20 кГц Темпера 1 ура окружающей среды......................Oi 213 до 333 К Примечание. Допускас|ся работа столбов при любой форме питающею напряжения при скоросш изменения не более 3-IOs В/с. Зависимость импульсного прямого тока о г длите плюсти перегрузки. Зависимость импульсною прямого тока от длшслыюсги перегрузки. мА 1,0 0,8 0,6 0,4 0,Z Зависимость среднего выпрямлен- ного тока от частоты. 145
2Ц112А Сголб из кремниевых диффузионных диодов. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на этикетке. Вывод анода обозначае1ся точке । па горне корпуса. Масса столба не бо i :е 0,25 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр = 10 мА, не более: при 298 К...................................... 10В при 213 К...................................... 12 В Постоянный обратный ток при L/o6p = 2000 В, не более: при 298 К............................................10 мкА при 358 К........................................50 мкА Время восстановления обратною сопротивления при /пр и ~ 20 мА, 1/о6р „ — 50 В, пе более.............0,3 мкс Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение: от 213 до 358 К..................................... 2000 В при 398 К........................................ 600 В Постоянный прямой ТОК' от 213 до 358 К..................................... 10 мА при 398 К........................................ 3 мА Импульсный прямой ток при среднем значении тока за 2 с не более 50 мА от 213 до 358 К.................................. 1 А при 398 К при среднем значении тока за 2 с пе ботее 20 мА...................................... 0.5 А Темпера гура окружающей среды........................От 213 до 398 К Примечания: 1. Допускается последовательное соединение столбов без специального подбора при условии, что обратное напря- жение на них не превышает допустимого значения 2. Допускается параллельное соединение при условии отсутствия перегрузок по прямому току. 146
8 zooo 1000 1500 1000 500 О 213 253 2 93 333 373 К Зависимость постоян- ного обратного на- пряжения от темпера- туры. Зависимое lb постоян- ного прямого тока от температуры. Зависимость нмпуль- СПО1 о прямо! о тока от температуры. 2Ц113А-1 Сголб из кремниевых диффузионных диолов. Предназначен для использования в герметизированной аппаратуре. Бескорпуспый с защитным покрытием и гибкими выводами. Тип прибора указывается па упаковке. Потожиюльньш вывод прибора обозначается точкой па поверхности компаунда. Масса столба пе более 30 мг. Э.1ек|рнчсскнс параметры Постоянное прямое напряжение при 7пр = 0.5 мА. пе более: от 298 до 358 К...................................... 8 В прн 213 К........................................ 10 В Постоянный обрашый юк при t овр = 1600 В, не ботее: от 213 до 298 К....................................0.05 мкА при 358 К........................................1,5 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К..................................... 1600 В Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 358 К...............................'..............0,5 мА Средний выпрямленный ток на частоте 400 Гц при тем- пературе от 213 до 358 К...........................0,5 мА Импульсный прямой ток при длительности импульса перегрузки нс более 100 мкс при температуре от 213 ДО 358 К........................................... 1,5 А 147
Частота без снижения режимов при температуре от 213 до 358 К..............................'. 20 кГц Тсмпера1ура окружающей среды....................От 213 до 358 К Примечания' 1. Снижение импульсного прямого тока, А, при длительности перегрузки в интервале от 0,1 до 300 мкс опре- деляется но формуле _ 0,15 ^пр. к. га. = тн Снижение среднею выпрямленного тока, мА, на частотах выше 400 Гц определяется по формуле I ..ер, маке = 0,5-0.18 1g ~ , где f— частота, кГц. 2. Допускается работа столбов при любой форме питающего напряжения и скорости изменения напряжения ДС.'Лт < 3 • 10* В. с. 3 Не допускается монтаж столбов непосредственно на метал- лическую поверхность без диэлектрических прокладок. КЦ201А, КЦ201Б, КЦ201В, КЦ201Г, КЦ201Д, КЦ201Е Сто тбы кремниевые диффузионные. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами Тин прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса столбов КЦ201А, КЦ201Б нс более 40 г, КЦ201В, КЦ201Г, КЦ201Д не более 70 г, КЦ201Е не более 90 г. Электрические параметры Среднее значение прямого напряжения па частоте f 50 Гц при 4р,ср = 500 мА, пе-более: КЦ201А, КЦ201Б.................................... ЗВ КЦ201В, КЦ201Г, КЦ201Д............................ 6 В КЦ201Е....................................... 10 В 148
Среднее значение обратного тока на частоте /'=50 Гц пр« 14х>Р.и = 2000 В для КЦ201А, 4000 В для КЦ201Б. 6000 В для КЦ201В 8000 В для КЦ201Г, 10000 В дтя КЦ201Д. 15000 В для КЦ201Е, ие более: при 298 К и /1|р.Ср = 500 мА.......................................................100 мкА при 373 К и /|,р.ср = 500 мА...................................................... 250 мкА Предельные эксп.п a i анионные данные Импульсное обратное напряжение любой формы с дли гсльностью фронта импульса не менее 50 мкс,/'< 1 кГц и температуре от 213 до 373 К. КЦ201А......................................... 2000 В КЦ201Б......................................... 4000 В КЦ201В......................................... 6000 В КЦ201Г......................................... 8000 В КЦ201Д.........................................10000 В КЦ201Е........................................ 15000 В Среднее значение прямого тока любой формы е длшель- поегью фронта импульса не менее 50 мкс при /< 1 кГц. температуре oi 213 до 373 К........... 500 мА Имнун.снын перегрузочный ток при длигельпосш импульса перегрузки 100 мс при 298 К.................. ЗА Частота без снижения режимов.................... 1 кГц Темпера 1 ура окружающей среды..................Or 213 до 373 К 2Ц202А, 2Ц202Б, 2Ц202В, 2Ц2021, 2Ц202Д, 2Ц202Е Столбы кремниевые лавинные диффузионные. Выпускаются в плас!массовом корпусе. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе Масса столбов 2Ц202А, 2Ц202Б нс более 40 г. 2Ц202В, 2Ц202Г, 2Ц202Д — не бо lee 70 г, 2Ц2О2Е — не более 90 г 149
Э 1сктрические параметры Среднее значение прямого напряжения при /, ср = ^00 мА при 298 К и 100 мА для 2Ц202А, 2Ц202Б, 2Ц202В, 2Ц2О2Г, 2Ц202Д и 50 мА для 2Ц202Е при 398 К, не более 2Ц202А. 2Ц202Б.............................. ЗВ 2Ц202В. 2Ц202Г. 2Ц202Д.......................... 6 В 2Ц202Е......................................... 10 В при 213 К 2Ц202А, 2Ц202Б......................... 3,5 В 2Ц202В. 2Ц2О2Г 2Ц202Д.................. 7.0 В 2Ц202Е......................................... 12,0 В Среднее значение обратного тока при 1/о6р = 2000 В для 2Ц202А, 4000 В для 2Ц202Б, 6000 В для 2Ц202В. 8000 В для 2Ц202Г, 10000 В для 2Ц202Д, 15 000 В для 2Ц202Е. f— 50 Гц, не более: при 298 К.....................................100 мкА при 398 К 2Ц2О2Л. 2Ц202Б 2Ц202В 2Ц202Г, 2Ц202Д . . . 250 мкА 2Ц202Е...................................... 500 мкА Предельные эксплуатационные чанные Импульсное обратное напряжение любой формы с длительностью фронта импульса не менее 50 мкс, /С 1 кГц прн температуре от 213 до 398 К, давлении от 666 Па до 30.3-104 Па: 2Ц202А......................................... 2000 В 2Ц202Б ........................................... 4000 В 2Ц202В...................................... 6 000 В 2Ц202Г...................................... 8 000 В 2Ц202Д........................................ 10000 В 2Ц202Е.........................................15000 В Средний прямой юк любой формы с длительностью фронта импульса нс менее 50 мкс, f < 1 кГц (ампли- туда импульса не должна превышать 1,5 А): при давлении от 6,66-КН до 30.3 Ю4 Па: от 213 до 328 К .............................. 500 мА при 358 К 2Ц2О2А. 2Ц202Б. 2Ц202В. 2Ц202Г, 2Ц202Д . . . . 500 мА 2Ц202Е...................................... 300 мА при 398 К 2Ц2О2Л 2Ц202Б. 2Ц202В. 2Ц2021. 2Ц202Д ... 100 мА 2Ц202Е...................................... 50 мА при 666 Па or 213 чо 328 К.......................... 100 мА при 358 К 2Ц202А. 2Ц202Б, 2Ц 01В, 2Ц202Г, 2Ц202Д ... 100 мА 2Ц202Е...................................... 60 мА при 398 К 2Ц202А, 2Ц202Б, 2Ц2О2В, 2Ц202Г, 2Ц202Д ... 30 мА 150
21Д202Е........................................ 20 мА Средний прямой ток синусоидальной формы в цикли- чески повторяющемся режиме с частотой 1 кГц при работе в охлаждающей жидкости при 7Г < 343 К: в течение Зс........................................ 2А в течение 12 с.................................. 0,8 А Импульсный nepei рузочный прямой ток при переходных процессах при длиге.тыюс|н переходных процессов: нс более 1.5 с........................................12 /||р ир нс более 0,05 с...................................30 /,1р ср Средний прямой ток любой формы с длительностью фрош а импульса не менее 50 мкс при f С I кГн и амплитудой не более 2 А при работе в охлаждающей жидкоы и при 7"к < 343 К.............................. 1 2 А Температура окружающей среды..........................Ог 213 до 398 К Температура корпуса................................. 403 К Примечания: 1. Допускается параллельное соединение сюл- бов. Разрешается Поспелова тельное соединение столбов одного и того же типа до напряжения 30 кВ без применения шунтирующих элементов, 60 кВ с применением шунтирующих конденсаторов, емкое!ь кото- рых выбирается из ус ювия С — 2,8 С3А“ где С,— емкое!ь cioi6ob относи 1СЛЫЮ земли; А' — число последовательно соединенных столбов. При монтаже столбов должны бьнь приняты меры, исключающие воз.мож1ЮС1Ь электрического пробоя, а также обеспечивающие емкоечь столба С, < 3 пФ. 2 Прн давлении ниже 5,33-Ю4 Па выводы столбов и оголенные части подвсыящих проводов должны бьнь защищены изолирующими материалами для предотвращения пробоя по поверхности. 3. Допускается раоота в любых охлаждающих жидкостях, не разрушающих э.чемен!ы столба обладающих достаточной электри- ческой прочностью и обеспечивающих температуру корпуса столба не более 343 К. Зависимость среднего прямого тока от давления. Зависимость среднею прямого тока от давления 151
Зависимость среднего прямого гока от частоты. Зависимость средне) о прямого тока от частоты. 2Ц203А, 2Ц203Б, 2Ц203В Столбы кремниевые диф- фузионные Выпускаю 1ся в пластмас- совом корпусе с плоскими жесткими выводами. Тип при- бора и схема соединения элект- родов с выводами приводятся на корпусе. Масса столба пе ботее 50 г Электрические параметры Среднее значение прямого напряжения при f— 50 Гц, / р Ср 1000 мА, нс более: прн 298 К.......................................... 8 В при 213 К......................................... 10 В Среднее значение обратного гока при /= 50 Гн, „ = 6 000 В для 2Ц203А. 8000 В для 2Ц2ОЗБ, 10000 В для 2Ц203В, не более: при 298 К и /„р.ср 1000 мА............................100 мкА при температуре корпуса 403 К и /11₽ЛгГ = 100 мА......................................... 500 мкА Предельные эксплуатационные данные Импульсное обратное напряжение любой формы с длительпостЮо фронта импульса нс менее 50 мкс прн /с 1 кГц, температуре корпуса от 213 до 403 К: 2Ц203А.......................................... 6000 В 2Ц203Б......................................... 8000 В 2Ц203В..........................................10000 В Среднее значение прямого тока любой формы с длительностью фронта импульса нс менее 50 мкс при /С 1 кГц и температуре корпуса. 152
от 213 до 373 К.............................. 1000 мА 403 К........................................ 100 мА Импульсный iiepei рузочиый прямой ток (одна полуволна прямого тока синусоидальной формы f = 50 Гц с интср валом следования не .менее 1ч) ........ 30 /1|р.ср М.11С Импульсный перегрузочный прямой ток (три полуволны прямого тока синусоидальной формы f = 50 Гц с iinicp- валом следования пе менее 1 ч)...................10 / р ip Ы;1Л. Температура окружающей среды.....................Oi 213 до 398 К Температура корпуса.............................. 403 К Примечания 1. При давлениях ниже 0.93-10* 2 3 4 * Па выводы столбов и оголенные части подводящих проводов должны бьпь защищены изолирующими материалами. Разрешается применяв сюлбы при давлениях ниже 0.93 104 Па без дополнительной изоляции, при этом необходимо снижать предель- ное импульсное обратное напряжение в соответствии с данными следующей таблицы: Таблица 4 7 Дав 1СНИС. На Импульсное обратное напряжение. В 0,93 -10-» 666 10000 2500 2. Разрешается последовательное соединение сюлбов одного и loi о же типа до напряжения 3 1/оВр.п.макс без применения шунтирующих элементов. 3. Допускае1ся работа столбов на емкостную nai рузку при условии, что амплитуда „ на столбе не превышает I л-)р „ ыакс, а эффек тивпое значение тока через сголб нс превышас! 1,57 /|,p.tp,MJkk Зависимость импульсного об ратною напряжения от давле- ния Зависимость среднего прямого тока О1 1смнсрат)ры корпуса. 153
КЦ401А, КЦ401Б, КЦ401В, КЦ401Г, КЦ401Д Блоки IB кремниевых сплавных диолов. Внутри блоков диоды соединены по схеме моста (КЦ401Б) и по схеме удвоения напряжения (КЦ401А. КЦ401Б). Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса блока для КЦ401А не более 90 г для КЦ401Б — не более ПО । Схема- саеди.нени.я Зля цЗваи-теля напряжения КЦЧ01Г 154
КЦЧ013 Исполнения I Исполнения 1 Схемы соединений Э тек।рнчсскне параметры Постоянное прямое напряжение (при /Пр,ср.макс) ,,а каждом плече, не более.............................................. 2,5 В Постоянный обратный ток при б'СбРмакс 298 и 333 К, не более.......................................................ЮО мкЛ Табл и па 43 Тип блока Параметры КЦ401Л. КЦ40Н** КЦ401Д** KLUU1K, КЦ4ШВ КЦ401Б. КЦЮ11’*, КЦ401Д” Схема ЛВОСНИЯ Схема моста Средний выпрямлен- ный ток, мА 1-е плечо 2-е плечо Постоянное обратное напряжение, В 400, 500* 300, 500*, 400** 500 200 200 500 250, 500*. 400** 250, 500*, 400** 500 155
Предельные эксплуатационные данные Частота без снижения режимов....................... 1 кГц Температура окружающей среды.......................От 218 до 333 К Температура корпуса................................ 358 К КЦ402А, КЦ402Б, КЦ402В, КЦ402Г, КЦ402Д, КЦ402Е, КЦ402Ж, КЦ402И, КЦ403А, КЦ403Б, КЦ403В, КЦ403Г, КЦ403Д, КЦ403Е, КЦ403Ж, КЦ403И, КЦ404А, КЦ404Б, КЦ404В, КЦ404Г, КЦ404Д, КЦ404Е, КЦ404Ж, КЦ404И, КЦ405А, КЦ405Б, КЦ405В, КЦ405Г, КЦ405Д, КЦ405Е, КЦ405Ж, КЦ405И Б юки из кремниевых диффузионных диодов. Выпускаются в пластмассовых корпусах с жесткими выводами: КЦ402А, КЦ402Б, КЦ402В, КЦ402Г, КЦ402Д, КЦ402Е, КЦ402Ж, КЦ402И — однофазный мост; КЦ403А, КЦ403Б, КЦ403В, КЦ403Г, КЦ403Д, КЦ403Е, КЦ403Ж, КЦ403И — два электрически не соеди- ненных между собой однофазных моста для навесного монтажа, КЦ404А, КЦ404Б, КЦ404В, КЦ404Г, КЦ404Д, КЦ404Е, КЦ404Ж, КЦ404И - два электрически не соединенных между собой однофазных моста для навесного монтажа с держателями предохранителей типа ПМ; КЦ405А, КЦ405Б, КЦ405В, КЦ405Г, КЦ405Д, КЦ405Е, КЦ4О5Ж, КЦ405И — однофазный мост для монтажа на печатную плату. Обоз- начение типа и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса блоков не более. КЦ402А, КЦ402Б, КЦ402В, КЦ402Г, КЦ402Д, КЦ402Е, КЦ402Ж, КЦ402И - 7 г; КЦ403А, КЦ403Б, КЦ403В, КЦ403Г, КЦ403Д, КЦ403Е, КЦ403Ж, КЦ403И, КЦ404А, КЦ404Б, КЦ404В КЦ404Г, КЦ404Д, КЦ404Е, КЦ404Ж, КЦ404И - 15 г; КЦ405А, КЦ405Б КЦ405В, КЦ405Г, КЦ405Д, КЦ405Е, КЦ405Ж КЦ405И - 20 г. KU/tOZA-И КЦ^ОЗА-И 156
Электрические параметры Напряжение короткого замыкания прн максимальном среднем выпрямленном гоке, не более: при 298 К .................................... при 233 К .................................... Ток холостою хода при максимальном импульсном об- ратном напряжении, не более : при 298 К .................................... при 358 К..................................... 4 В 4,5 В 125 мкА 250 мкА Предельные эксплуатационные данные Импульсное обратное напряжение КЦ402А, КЦ402Ж, КЦ403А, КЦ403Ж, КЦ404А, КЦ404Ж, КЦ405А, КЦ405Ж.............. 600 В КЦ402Б, КЦ402И, КЦ403Б, КЦ403И КЦ404Б, КЦ404И, КЦ405Б, КЦ405И.............. 500 В КЦ402В, КЦ403В, КЦ404В, КЦ405В............... 400 В КЦ402Г, КЦ403Г, КЦ404Г, КЦ405Г............... 300 В КЦ402Д КЦ403Д, КЦ404Д, КЦ405Д............... 200 В КЦ402Е, КЦ403Е, КЦ404Е, КЦ405Е............... 100 В Средний выпрямленный ток на частоте /< 5 кГц КЦ402А КЦ402Б КЦ40: Г КЦ402Д КЦ402Е, КЦ403А, КЦ403Б, КЦ403Г, КЦ4ОЗД, КЦ403Е, КЦ404А, КЦ404Б, КЦ404Г, КЦ404Д, КЦ404Е, КЦ405А КЦ405Б, КЦ405Г КЦ405Д, КЦ405Е . . . 1000 мА КЦ402Ж, КЦ402И, КЦ403Ж, КЦ403И, КЦ404Ж, КЦ404И, КЦ405Ж, КЦ405И...................... 600 мА Частота без снижения режимов.................... 5 кГц Температура окружающей среды....................От 233 до 358 К 157
Зависимое гь среднего выпрям- ленного тока от температуры. Зависимость среднего выпрям- ленною юка от частоты Зависимость импульсного пря- мого тока перетру эки о г дли тельное I н импульса. КЦ407А Блок из кремниевых мезадиффузионных диодов. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводя 1ся на корпусе. Масса блока пе более 0,5 г 158
Электрические параметры Напряжение короткого замыкания при токе короткого замыкания 200 мА не более. при 298 К .................................... 2,5 В при 213 К..................................... 27В Ток холостого хода при напряжении холостою хода, равном 300 В нс более при 298 К . ......... ...... 5,0 мкА при 358 К.....................................100 мкА Время восстановления обратною сопротивления при 14>бр,и = 200 В, /|1р и 0,05 А, по более........ 5 мкс Преде ьные эксплуатационные данные при включении блока в качестве моста при работе иа активную натрузку Переменное напряжение на входе (амплитудное зна- чение) ........................................... 300 В Импульсное напряжение па входе.................... 400 В Средний выпрямленный ток па выходе от 213 до 328 К ...................... 500 мА при 358 К..................................... 300 мА Однократная перегрузка по значению выпрямленною тока на выходе (время между однократными импуль- сами не менее I ч): в течение 10 мкс.............................. ЗА в течение 1 мс................................ 1 А Частота без снижения режимов......................20 кГц Температура окружающей среды......................От 213 то 328 К Предельные эксплуатационные данные при включении блока выводами 1 (6) и 3 (4), выводы 2 н 5 изолированы Импульсное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К.................................... 500 В Постоянный (или средний) прямой ток: от 213 до 328 К ................. 300 мА при 358 К....................'................150 мА Импульсный прямой ТОК при Ти < 10 МКС, /др.ср = 200 мА.......................................... ЗА Однократная перегрузка но импульсному прямому току (время между однократными импульсами не менее I ч) при температуре от 213 до 358 К в течение 10 мкс.............................. ЗА в течение 1 мс.............. - • • 1 А Частота без снижения режимов......................20 кГц Температура окружающей среды......................От 213 до 358 К 159
10 Я1 Ю11 10sикс 213 153 2S3 333 К Зависимость имиуль- Зависимость среднего сного прямого тока от прямого тока о г тем- длитслыюстп нм- перат уры при работе пульса. матрицы в качеств моста. Зависимость среднего прямого тока от тем- пературы при включе- нии блока выводами 1(6) и 3(4), выводы 2 и 5 изолированы. КЦ409А, КЦ409Б, КЦ409В, КЦ409Г, КЦ409Д, КЦ409Е, КЦ409Ж, КЦ409И Блоки из кремниевых диф- фузионных диодов. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жеемкими выводами. Тип прибора н схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Диоды в блоке соб- раны по зрехфазной мостовой схеме. Масса блока не более 50 г. Электрические параметры Напряжение короткого замыкания при токе короткого замыкания 3 А для КЦ409А, КЦ409Б, КЦ409В, КЦ409Г, КЦ409Д, КЦ409Е и 6 А для КЦ409Ж, КЦ409И, не более.................................. 2,5 В Ток холостого хода при максимальном линейном напря- жении, нс более....................................3,0 мкА Предезьиые эксплуатационные данные Линейное напряжение на входе (амплитудное значение): КЦ409А............................................. 600 В КЦ409Б......................................... 500 В 160
КЦ409В................. 400 В КЦ409Г .................. 300 В КЦ409Д, КЦ409Ж .... 200 В КЦ409Е, КЦ409И .... 100 В Средний выпрямленный ток на выходе КЦ409А, КЦ409Б, КЦ409В, КЦ409Г, КЦ409Д, КЦ409Е .... ЗА КЦ409Ж, КЦ409И .... 6 А Частота без снижения режимов 1 кГц Температура окружающей среды От 233 до 358 К Зависимость среднею прямого тока от темпе- ратуры. КЦ410А, КЦ410Б, КЦ410В Блоки из кремниевых диф- фузионных диодов. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения элек|ролов с выводами приводятся ira корпусе. Диоды в блоке соб- раны по однофазной мостовой схеме. Масса блока не более 20 г. Электрические параметры Напряжение короткого замыкания при токе короткого замыкания 1,5 А, не более........................ 1,2 В Средний обратный ток холостого хода при максималь- ном импульсном обратном напряжении холостого хода, не более..........................................10 мкА Предельные эксплуатапионные данные Импульсное обратное напряжение холостого хода КЦ410А............................................... 50 В КЦ410Б.......................................... 100 В КЦ410В........................................ 200 В Средний выпрямленный ток при креплении прибора на печатную плату без теплоотвода..................... ЗА Средний прямой ток корщкою замыкания.............. 1,5 А Импульсный перегрузочный выпрямленный ток в течение одного периода частотой 50 Гц с интернатом с едо- вания не менее 1ч............................... 45 А Температура окружающей среды.......................От 233 до 358 К 6 под род. Н Н. Горюнова 161
Зависимоеi ь средне! о выпрямленного тока от температуры. КЦ412А, КЦ412Б, КЦ412В Ь Юки из кремниевых диффузионных диодов. Выпускаются в пласт- массовом корпусе с гибки- ми выводами. Тип прибора и схема соединения электро- дов с выводами приводятся на корпусе. Диоды в блоке собраны по однофазной мос- товой схеме Масса блока не бо- лее 6 г. Э тектрические параметры Напряжение короткого замыкания при токе короткого замыкания 500 мА, нс более.......................... 1 В Средний обратный ток холостого хода при максималь- ном импу тьсном обратном напряжении холостого хода, не бо тес.......................................... 50 мкА Предельные экспауат анионные тайные Зависимость среднего выпрямленного тока оз температуры. Импульсное обратное напряжение холос- того хода: КЦ41 А....................50 В КЦ412Б......................100 В КЦ412В ... . . 200 В Средний выпрямленный ток . I А Импульсный перегрузочный выпрям- ленный ток в течение олнот о периода частотой 50 Гц с интервалом следо- вания пе менее 1ч.... 15 А Температура окружающей среды От 233 до 373 К 162
Раздел пятый ДИОДЫ УНИВЕРСАЛЬНЫЕ И ИМПУЛЬСНЫЕ Д18 Диод германиевый 1 очечный. Выпускается в мсталлостекляпном корпусе с гибкими выводами. Тип диода укатывается на корпусе. Положи! ельный вывод диода обозначается красной точкой, отрицательный — желтой. Масса днода не более 0,6 г. БО Электрические параметры Посюянное прямое напряжение при /11р 20 мА. не ботее при 298 и 343 К . . .......... 1 В при 213 К..................................... 1,2 В Импульсное прямое напряжение при /пр „ = 50 мА, не более........................................... 5,0 В Посюянный обратный ток при </о6р 20 В, нс более: при 213 и 298 К ................................50 мкА при 343 К......................................150 мкА Время восстановления обратного сопротивления при /пр,и - 50 мА и 17о6р „ = 10 В, не более...........0,1 мкс Время усыновления прямого сопротивления прн /пр и = = 50 мА и С'обр.и “ЗВ ис более....................0,08 мкс Общая емкость диода при 1/оВр - 3 В, не более ... 0,5 пФ Предельные жстуатационные данные Постоянное обратное напряжение..................... 20 В Постоянный или средний прямой ток...................16 мА Импульсный прямой юк при ти <5 10 мкс п скважности более 4.............................................50 мА Темпера iypa окружающей среды.......................От 213 до 343 К 6* 163
Зависимость прямого тока от напряжения. Зависимое 1ь обратного тока от напряжения. Зависимость прямого тока от температуры. Зависимость прямого напряже- ния о г температуры. Зависимость времени восстанов- ления от напряжения. Зависимость времени восста- новления от тока. 164
Зависимое ib прямого напряже- ния от тока. Зависимость общеii емкости от напряжения Д20 Диол германиевый точечный. Выпускается в металлостекляппом корпусе с i пбкнмп выводами. Тип диода указывается на корпусе. Утолщенная часть положитсль- Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр = 20 .мА, не более............................................. 10В Постоянный обратный ток при 1/оСр = 10 В, не более ...............................................100 мкА Прямое сопротивление при 1/11р — 50 мА, не более . . . 100 Ом Общая емкость диода при 1/о(;р = 3 В, не более ... 0,5 пФ Выходное напряжение при работе в качестве ВЧ де- тектора на частоте f = 40 МГц при l/BX = 1 В, нс менее.............................................. 0,7 В Изменение выходного напряжения ВЧ детектора в диа- пазоне частот 30—40 МГц, не более.................... 5% Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение...................... 20 В Постоянный или средний прямой ток.................. 16 А Температура окружающей среды........................От 233 до 333 К 165
OtZ 0,4 0,6 0,8 1,0 8 Зависимость прямою то- Зависимость обратного тока от на- пряжения. ка oi напряжения. Зависимое 1ь выходною напря- жения дет ек юра от час юты. Зависимость обратною сопро- тивления от л штетьносш им- пульса. Д219А, Д22О, Д220А, Д220Б Диоды кремниевые мнкросилавныс Выпускаются в металлостекляпном корпусе с гибкими выводами Тип диода и схема соединения ыекгродов с выводами нрпволячея па корпусе. Масса диода не Co ice 0,53 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /11р — 50 мА, не Солее; Д219А при 298 К ............. 1-0 В при 373 К................................... 1,1В при 213 К...................................... 1,3 В Д220, Д220А, Д220Б при 298 К................................... 1.5 В при 373 К................................... 1,6 В при 213 К................................... 1,75 В 166
Постоянный обратный ток, не более: Д219А, Д220А при Сго6р = 70 В. 298 К н 213 К ... . 1 мкА при 373 К.......................................... 30 мкА Д220 при 1/оВр — 50 В 298 К п 213 К . . . . 1 мкА при 373 К...........................................20 мкА Д220Б при 1/о6р = 100 В 298 К п 211 К..................... 1 мкА при 373 К...........................................40 мкА Импульсное прямое сопротивление при /„ и = 50 мА. не более: Д219Л.................................................50 Ом Д220, Д220А, Д220Б....................................75 Ом Общая емкое ib диола при 1/Л-)р - 5 В, не более ... 15 пФ Время восстановления обратного сопротивления при Air» = 30 мА, С/обр.п — 30 В. /„тсч= 400 мкА. пс более................................................... 0 5 мкс Предельные эксплуатационные данные Постоянное или импульсное обратное напряжение при температуре от 213 до 373 Ю Д219А Д220А.................................... 70 В Д220 .......................................... 50 В Д220Б.......................................... 100 В Постоянный или средний прямой ток при температуре: от 213 до 308 К..............................50 мА при 373 К......................................20 мА Импульсный прямой ток при т„ С 10 мкс (бы превышения среднего прямого тока) при 308 К................... 500 мА Температура окружающей среды.........................От 213 до 373 К О 0,4 0,8 7,2 1,6 в Зависимость прямого тока oi О 0,4 0,8 7,2 1,6 в Зависимость прямого тока от напряжения напряжения. 167
Зависимость обратного тока от напряжения. Зависимость обратного тока от напряжения. Зависимости макси- мально допустимого постоянного (средне- го) прямого тока от температуры Диод термапиевый диффузионный. Выпускается в мсталлосгеклянном корпусе с гибкими выпотами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 0,5 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение прн /1|р = 0,5 А, нс более' при 298 К...........................................0,55 В при 213 К ....................... .............. 0, В Импульсное прямое напряжение при /,]рн = 0,8 А, ти = = 1 -т- 3 мкс, не более............................. 2,4 В типовое значение . ...............................0,9* В 168
Постоянный обратный ток, не более: при = 25 В...........................................30 мкА при 1/обр = 20 В 213 К н 298 К...................20 мкА при 343 К........................................150 мкА Общая емкость диода прн = 20 В, не более ... 15 пФ Время установления прямого сопротивления при /при = = 0,8 А, ти — 1 -? 3 цкс, f = 3 4- 6 кГц, не более . . . 0,15 мкс типовое значение..................................... 0 09* мкс Время восс га нов лени я обратного сопротивления при /,!р.и = 0,5 Л, 1/ойр,и = 20 В, т„ = 1 4- 3 мкс. /= = 3 4-10 кГц, не более...............................0 3 мкс типовое значение...................................0.09* мкс Прелс.ты1ые эксплуатационные данные Постоянное или импульсное обратное напряженке при температуре от 213 до 343 К......................... 20 В Аварийная перегрузка по обратному напряжению в те- чение не более 0,5 с при 298 К...................... 35 В Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 343 К............................................... 500 мА Импульсный прямой ток при ти С 10 мкс со скваж- ностью не менее 8 и температуре от 213 до 343 К ........................... .................. 800 мА Выпрямленный ток при температуре от 213 до 343 К ............... 250 мА Аварийная перегрузка по прямому току в течение нс более 0,5 с при 298 К............................... 1500 мА Средняя рассеиваемая .мощность при температуре от 213 до 298 К ....................................... 275 мВт Температура окружающей среды.........................Oi 213 до 343 К Примечание. Допускается импульсный прямой ток до 1500 мА при т„ < 5 мкс и среднем прямом токе не более 100 мА. Зависимость прямого тока от напряжения. Зависимость обратного тока от напряжения 169
Зависимость обратного тока от напряжения Зависимость обшей емкости от напряжения (заштрихована зо- на разброса трафиков зависи- мости) ДЗП, Д311А, ДЗНБ Диоды терманиевые меч а диффузно иные. Выпускаются в мета.тлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 0,6 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /,,р = 10 мА, не более ДЗП, Д311А при 298 и 343 К...................... 0,4 В Д311Б при 298 К................................. 0,5 В Д311, Д311А при 213 К . . 0,7 В Импу тьснос прямое напряжение при /,,рн 50 мА не более: ДЗП............................................ 1.25 В Д311А........................................... 1,0 В ДЗНБ............................................ 1,5 В Постоянный обратный ток при Ц,бР = 30 В. не более: ДЗП. Д311А при 213 н 298 К и ДЗНБ при 298 К............................................100 мкА Д311, Д311А при 343 К.......................... 1000 мкА Общая емкость диода при (7оСр = 5 В. не ботее Д311 . . .....................1 5 пФ 170
Д311А.............................................3.0 пФ ДЗНБ..............................................2.0 пФ Время восстановления обратною сопротивления прн Aip.и 50 мА, .бри I1 ® А>тсч ~ 1 мА, не бо- лее ...............................................0,05 мкс Предельные эксплуатационные данные Постоянное или импульсное обратное напряжение ДЗП, ДЗПА при температуре от 213 до 343 К и ДЗНБ при температуре от 233 до 333 К................ 30 В Постоянный или средний прямой ток при температуре от 233 до 308 К ДЗП.............................................40 мА Д311А...........................................80 мА ДЗНБ при температуре от 233 до ЗЗЗК и ДЗП, ДЗПА при 343 К...............................20 мА Импульсный прямой ток при т„ С 10 мкс (без превышения среднею прямого тока) при температуре от 213 до 308 К ДЗП........................................... 500 мА ДЗПА.......................................... 600 мА ДЗПБ при температуре от 233 до 293 К и ДЗП прн 343 К ... '............................. 250 мА ДЗПА при 343 К............................ 300 мА ДЗП прн 333 К................................. 200 мА Температура окружающей среды• ДЗП. ДЗПА...........................................Or 213 до 343 К ДЗНБ.............................................О г 233 до 333 К Температура перехода для ДЗП н ДЗПА............... 348 К Зависимость обратного тока от напряжения Зависимое!ь прямого тока от напряжения 171
Зависимость обратно о тока от напряжения. Зависимость обратного тока от напряжения. Зависимость общей емкости от напряжения. Зависимость максимально допусти- мого постоянного (среднего) и импульсного прямого тока от температуры. Зависимость времени восста- новления обратного сопротив- ления от прямого тока. Зависимость максимально допусти- мого импульсного прямого тока от температуры 172
Скважность Зависимость максимально до- пустимого импульсного прямо- го тока от скважности. Зависимость максимально до- пустимого импульсного прямо- го тока от скважности. Д312, Д312А, Д312Б Диоды германиевые диффузионные. Выпускаются в металл ос геклян ном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода пе более 0,6 г. Э тек । рнчсские параметры Постоянное прямое напряжение при / р = 10 мА, не более. Д^12, Д.312А, Д.312Ь при 298 К и Д312, Д312А при 343 К............................................ 0,5 В Д312, Д312А при 213 К............................ 1.0 В Импульсное прямое напряжение при /,р и — 50 мА, не более: Д312, Д312А......................................... 1,25 В Д312Б........................................ . 1,0 В Постоянный обратный юк не более ,н' Д312 при 1/обр = 100 В и Д312А при 1/оСр = 75 В при 298 К и 213 К.....................................100 мкА при 343 К...................................... 500 мкА 173
Д312Б при С'ойрЬ 100 В..................................10 мкА Общая емкость диода при С'^р = 5 В, не более ... 3 пФ Время воссгановлеиия обратною сопротивления при /1ри = 50 мА б'обр и = Ю В /о1<а, = 1 мА не более- Д312. Д312А..............................................0.5 мкс Д312Б..................................................0,7 мкс Предельные эксплуатационные данные Постоянное или импульсное обратное напряжение Д312 при температуре oi 213 до 343 К . . . . 100 В Д312Л при температуре от 213 до 343 К . . . . 75 В Д312Б при температуре от 233 до 333 К . . . . 100 В Посюяннын или средний прямой ток: Д312. Д.312А при температуре or 213 до 308 К и Д312Б при температуре от 233 до 293 К . . . 50 мА Д312, Д312Л при 343 К и Д312Б при 333 К . . . 20 мА Импульсный прямой ток при т„ С 10 мкс (без превыше- ния среднего прямого тока): Д312. Д312А при температуре ог 213 до 308 К и Д312Б прн температуре от 233 до 293 К . . . . 500 мА Д312. Д312Л при 343 К и Д312Б при 333 К . . . 200 мА Температура окружающей среды Д312? Д.312Л....................................От 213 до 343 К Д312Б...........................................О г 233 до 333 К Температура перехода для Д312, Д312А................ 348 К Зависимость прямого тока о г на- пряжения. Зависимость времени восста- новления обратного сопротив- ления от прямого юка. 174
Зависимоегь обратного тока oi напря- жения Зависимость импульсного пря- мою напряжения от импуль- сного прямо! о тока. Д312,Д3121 Д312Б /Т ptMQ.KC । -900 -200 I —дт.дзш' Д312Б Г 253 193 '""к Зависимость общей емкости от на- пряжения. Зависимость максимально до- пустимого постоянного (сред- него) и импульсного прямого тока от температуры. Зависимость максимально до- пустимого импульсного прямо- ю тока от скважнос>н. Скба-жность 175
2Д401А, 2Д401Б, 2Д401В, КД401А, КД401Б Диоды кремниевые микросплавные. Предназначены для детекти- рования высокочастотных сигналов. Выпускаются в мсталлостсклянном корпусе с 1ибкнми выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся па корпусе. Масса диода ис более 0,53 г 60 Электрические параме1 ры Постоянное прямое напряжение при /,,р = 5 мА для 2Д401А, КД401А, 2Д401В и /,1р = 10 мА для 2Д401Б, КД401Б. нс более: при 298 К....................................... 1,0 В при 213 К для 2Д401А, 2Д401Б, 2Д401В и при 218 К для КД401А, КД401Б........................ 1,2 В Постоянный обратный ток при 1/о6р = б'Рбр.не более: при 298 К............................................. 5 мкА при ?мажс......................................100 мкА Общая емкость диола при 1/оСр = 5 В. не более: 2Д401А, 2Д401В, КД401А................................ 1 пФ 2Д401Б КД401Б....................................1,5 пФ Время восстановления обратного сопротив гения при /11р = Ю мА, t,'o6p 30 В, не бо iee................... 2 мкс Предельные эксплуатационные данные Обратное напряжение (амплтудное значение): 2Д401А, 2Д401Б, КД401А, КД401Б................ 75 В 2Д401В...................................... 100 В Постоянный прямой ток: ог 213 (от 218 для КД401А. КД401Б) до 308 К . . . 30 мА । ри 373 К для КД401А, КД401Б................. 16 мА при 398 К Д1я 2Д4 IA, 2Д401Б, 2Д401В .... 8 мА Импульсный прямой юк: от 213 (от 218 для КД401А, КД401Б) до 308 К . . . 92 мА при 373 К для КД401А, КД401Б...................50 мА при 398 К для 2Д401А, 2Д401Б, 2Д401В .... 25 мА 176
Отношение значения выпрямленного тока к значению выпрямленного тока на частоте 0,15 МГц при вход- e oi ном напряжении 1,5 В, не хуже на частоте 5 МГн при Л„ = 1 кОм 2Д401 А, КД401 А, 2Д401В......................... 0,4 2Д401Б, КД401Б.................................. 0.5 на частоте 25 МГц при Л„ 10 кОм 2Д401А, КД401А, 2Д401В.......................... 0 15 2Д401Б. КД401Б................................... 0,5 на частоте 100 МГц при = 100 кОм 2Д401А, КД401А. 2Д401В....................... 0,1 2Д401Б, КД401Б................................... 0,5 Частота без снижения режимов........................0,15 МГц Температура окружающей среды: 2Д401А, 2Д401Б 2Д401В...........................От 213 до 398 К КД401А, КД401Б..................................От 218 до 373 К 2ДЧ01 КД 401 1пр= 5мА для 2ДЧ01А, 1ДЧО1В --------------- 1Пр-10мАдля 2ДЧО1Б В 1,0 0,5 0 213 253 2 93 333 К Зависимость прямого напряже- ния от температуры Ъвиснмость обратного тока от температуры. Зависимость вынрям тепното то- ка от частоты. Зависимость обшей емкости от напряжения. 177
Зависимость максимально до- пустимого прямого тока O1 темпера iypw. Записпмость максимально до- пусшмого импульсного прямо- ю тока от температуры 1Д402А, 1Д402Б, ГД402А, ГД402Б Диолы 1срманиевыс мнкросплавные. Предназначены для преобра- зона1слсй высокочастотных сигналов. Выпускаются в аек шипом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводяюя на корпусе. Масса диода нс более 0,21 г. Электрические параметры Носюяпное прямое напряжение ири /,|р — 15 мА, не ботее 0,45 В Дифференциальное сопро i пиление при /ир=15 мА. не более: при 298 К 1Д402А, ГД402А ................................4.5 Ом 1Д402Б, ГД402Б...................................6,0 Ом при 213 и 343 К 1Д402А, ГД402А.....................................6.0 Ом 1Д402Б ГД402Б....................................8,0 Ом Постоянный обратный ток при I7osp 10 В до 298 К................................................50 мкА при 343 К......................................... 200 мкА при 1/оСр =15 В и 298 К . . ...........150 мкА Общая емкость диода при = 5 В нс более 1Д402А, ГД402А.........................................0.8 иф 1Д402Б, ГД402Б.....................................0,5 пФ 178
Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение....................... 15 В Постоянный прямой ток: от 213 до 308 К.....................................30 мА при 343 К . ................20 мА Импульсный прямой юк (при среднем значении прямого тока нс более /пр.ср,ма1!С и ти < 10 мкс): от 213 до 308 К ................100 мА при 343 К ................50 мА Температура окружающей среды...........................Ог 213 до 343 К мкА 25 20 15 10 5 0 5 10 15 10 25 ЗОнА О 5 10 15 В Зависимость дифференциаль- ною сопротивления от тока. Зависимость обратного тока от напряжения. Зависимость максимально до- пустимою прямого гока от температуры. Зависимость диффереицна тыю- то сопротивления от частоты. 179
Зависимость общей емкости от напряжения. Зависимость значений реакшв нон сощавляюшей импеданса от частоты. ГД403А, ГД403Б, ГД403В Диоды германиевые микроепдавпые. Предназначены для работы в качестве детекторов амплитудно-модулироваиных сшналов в радио- вещательных приемниках. Выпускаются в мсталлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диола и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 0,6 г. Э тектричсские параметры Постоянный прямой ток при </пр = 0,5 В, не менее 5 мА Коэффициент передачи дстекюра в пределах: ГД403А .......................От 0 33 до 0.47 ГД403Б......................................О । 0,4 до 0,56 ГД403В .....................................Oi 0.47 до 0,66 Входное сопротивление детектора в пределах: ГД403А........................ .................От 15 до 30 кОм ГД403Б......................................От 11 до 24 кОм ГД403В .....................................От 8 до 20 кОм 180
Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение.................... 5 В Температура окружающей среды........................О г 248 до 328 К КД407Л Диод кремниевый эпитакснально-планарный. Предназначен для применения в схемах высокочастотных детекторов. Выпускается в стек. янном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводя гея па корпусе Масса диода по более 0,3 г. Электрические параметры Постоянный обратный ток при 17^ — 24 В, нс более: при 298 К..............................................0.5 мкА при 373 К...........................................10 мкА Общая емкость диода при 6^ — 5 В, не бочее . . . 1 пФ Дифференциальное сопротивление при /пр 10 мА, /= = 50 . 300 М Гц, нс более............................... 1 Ом Преле 1ьпые эксп туатат ионные данные Постоянное или импульсное обратное напряжение при температуре от 213 до 373 К............................ 24 В Постоянный ти средт ин прямой ток при температуре: от 213 до 308 К.........................................50 мА при 373 К...........................................25 мА 181
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс н скважности, равной или более 10, при температуре: от 213 до 308 К.................................. 500 мА при 373 К........................................ 250 мА Температура окружающей среды.........................Oi 213 до 373 К Ом 0,6 0,4 о,г 0 10 Z0 30 40мА Зависимость дифференциаль- ного СОПрОШВЛСПИЯ от пря- хою юка Зависимость дифференциально! о со- противления от температуры Зависимость заряда пере- ключения от прямою чока. Зависимость максимально допустимо- го постоянного (среднего) п импуль- сного тока от темпера еры. КД409А Диол кремниевый эпитак- сиальный. Предназначен для использования в селекторах тс- левн шопных каналов и схемах высокочастотных детекторов. Выпускается в пластмассе вом корпусе с гибкими выво- дами. Диод маркируется на кор- пусе желтой точкой. Масса диода ие более 0,16 i 182
Электрические параметры Постоянный обратный ток нри Со6р = 24 В, не более: при 298 К.........................................0,5 мкА при 373 К ... .......................10 мкА Общая емкость диола при = 15 В, нс более ... 2 пФ Дифференциальное сопротивление нри /пр = 10 мА, f= = 50 — 1000 МГц, не более........................... 1 Ом Преле 1Ы1ыс эксплуатационные данные Постоянное или импульсное обратное напряжение прн температуре от 213 до 373 К......................... 24 В Посюяпный или средний прямой ток при температуре oi 213 до 308 К.....................................50 мА нри 373 К.......................................25 мА Импульсный прямой ток нри т„ < 10 мкс и скважное in. большей или рапной 10, при температуре, от 213 до 308 К .................................... 500 мА при 373 К....................................... 250 мА Температура окружающей среды..........................От 213 до 373 К Зависимость дифференциаль- ного сопротивления от пря- мого тока. Записи чость дифференциального со- противления oi температуры. or напряжения. го постоянно! о нли среднего и им- пульсного прямого тока от темпе- ра ту ры 183
2Д413А, 2Д413Б, КД413А, КД413Б Диоды кремниевые эпитаксиальные со структурой типа p-i-n. Предназначены для применения в качестве управляемых высокочастот- на резистивных элементов. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды- маркируются цветными точками у положительного вывода: 2Д413А — зеленой, 2Д413Б зеленой и красной, КД41 ЗА — белой, КД413Б — белой и красной. Масса диола нс более 0,035 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /,,р = 20 мА, не более: 2Д413А, 2Д413Б при 298 и 398 К и КД41-ЗА, КД413Б прн 298 К . .................... 1,0 В 2Д413Л, 2Д413Б при 213 К........................ 1,2 В Дифференциальное сопротивление при /1р 2 мА на частоте 50 МГц 2Д413А, КД413А.................................. 30-48* - 60 Ом 2Д413Б, КД413Б.................................. 40 - 62*- 80 Ом Заряд переключения при /пр = 2 мА — 10 В . .2 — 2,5* — 3,8* нКл Общая емкость диода при 1/обр = 0, не более ... 0,7 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное импульсное обратное напряжение для 2Д413А, 2Д413Б при температуре от 213 до 398 К и для КД413А, КД413Б- от 213 до 353 К ... . 24 В Постоянный или средний прямой ток для 2Д413А, 2Д413Б при температуре от 213 до 398 К и для КД413А КД413Б - от 213 до 353 К.....................20 мА Рассеиваемая мощность для 2Д413А, 2Д413Б при темпе- ратуре от 213 до 398 К и для КД413А, КД4НБ— от 213 до 353 К.....................................20 мВт Температура окружающей среды: 2Д413А, 2Д413Б......................................От 213 до 398 К КД413А, КД413Б..................................От 213 до 353 К Температура перехода для 2Д413А, 2Д413Б............. 403 К 184
Зависимое! ь диффереициа тыюго сопротивления от прямою тока для образцов диодов с га = 30 Ом (/), 40 Ом (2), 60 Ом (3), 80 Ом (4) при /пр 2 мА Зависимость заряда пере- ключения от прямою тока. Зависимость общей емкост от напряжения. Зависимость выпрямленною тока от частоты. 2ДЯ02А, 2Д502Б, 2Д502В, 2Д502Г Диолы кремниевые микро- сплавные. Выпускаются в мсталлостск ляппом малогабаритном корпусе. Тип диола указывается на упа- ковке. С отрицательным электро- дом диода соединен приваренный вывод. Масса диода не более 0,05 г. 185
Электрические параметры Постоянное прямое напряжение для 2Д5О2А, 2Д5О2В при 1пр = 10 мА и 2Д5О2Б 2Д5О2Г при /пр = 50 мА, не более... • . . 1,0 В Импульсное прямое напряжение при /пр„ = 50 мА, нс более: 2Д502А, 2Д5О2В...................i............. 3.5 В 2Д5О2Б, 2Д502Г................................ 2,5 В Постоянный обратный ток при Б’обр = б'о6р макс, не более: от 213 до 298 К..................................... 5 мкА при 358 К 2Д502А, 2Д502Б................................25 мкА 2Д502В, 2Д502Г................................40 мкА Время восстановлен ия обратного сопротивления при ^обр 30 В /пр = 30 мА, не более...................0,5 мкс Предельные эксплуатационные данные Обра1нос напряжение: 2Д502А, 2Д502Б ......................... 30 В 2Д502В, 2Д502Г.............................. 100 В Средний прямой ГОК’ от 213 до 298 К.................................. 20 мА при 358 К..................................... Ю мА Импульсный прямой ток............................. 300 мА Температура окружающей среды......................Ог 213 до 358 К Примечания: 1. После монтажа па Miixpoiuiaiy диоды зали- ваются эмалью ЭП-274Т. 2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее I мм от корпуса, температура корпуса при пайке не выше 353 К 3 Изгиб выводов диода не допускается. Зависимость прямого тока от напряжения Зависимость обратного гока от напряжения. 186
Зависимость общей емкости от напряжения пФ 15 2ДМ502А-М, 2ДМ502Б-М, 2ДМ502В-М, 2ДМ502Г-М Диолы кремниевые мпкро- С11.т-.|виыс. Предназначены для при- менения в заливных и капсули- рованных мпкромолулях. Выпускаются на керамических платах с распайкой к пазам 1-6, 1 4 или 2-5. Тип диола приводится на мпкроплате. Поло житсльный э.чек|рол диота соеди- нен с пазами / или 2 Масса диода с .микроплат oii не более 0.4 i. Э 1ск । рическис параметры Постоянное прямое напряжение для 2ДМ5О2А 2ДМ502В при /,,р = Ю мА и 2ДМ502Б, 2ДМ502Г при /,,р = = 50 мА. не более...................................... 1 В Импульсное прямое напряжение при /,,г „ — 50 мА не более 2ДМ502А. 2ДМ5О2В................................... 3,5 В 2ДМ502Б, 2ДМ5О2Г................................. 2,5 В Постоянный обратный ток при UOKp = бобр,м.1кс: от 213 до 298 К....................................... 5 мкА при ''58 К 2ДМ502А, 2ДМ502Б.................................25 мкА 2ДМ502В, 2ДМ502Г.................................40 мкА Время восстав ов тения обратною conpoi пвлепня при 17о5р — 30 В, /|1р 30 .мА, ис более...................0,5 мкс 187
Предельные эксплуатационные данные Обратное напряжение: 2ДМ502А, 2ДМ5О2Б.............................. 30 В 2ДМ502В, 2ДМ502Г............................. 100 В Средний прямой ток. до 298 К.......................................20 мА при 358 К...................................... 10 мА Импульсный прямой юк............................ 300 мА Темпера гура окружающей среды....................От 213 до 358 К Примечание. Температура пайки пазов микрон та ili 513 К в течение не более 1 с. Зависимость прямою тока о г н тпряжепия Зависимость обратного тока от напряжения. 2Д503А, 2Д503Б, КД503А, КД503Б Диоды кремниевые эпитаксиально-п танарныс Выпускаются в щекшниом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода нс более 0,3 г 188
Электрические параме i ры Постоянное прямое напряжение при /, р = 10 мА 2Д5ОЗА и КД5ОЗА при 298 К........................0,72*- 0,8* — 1.0 В 2Д5ОЗБ и КД503Б при 298 К........................0,7*- 0,85 * - 1,2 В 2Д503А при 213 К и 398 К, не более .... 1.4 В 2Д503Б при 213 К и 398 К, нс более .... 1,6 В Импульсное прямое напряжение* при /пр и = 50 мА: 2Д503А, КД503А...................’ . 1,53 *-1,75 *-2,5 В 2Д503Б, КД5ОЗБ..................... 1,1 *-1,8 * 3,5 В Постоянный обратный ток при </оСр = 30 В, не более: 2Д503А, 2Д503Б при температуре от 213 до 298 К 4 мкА 2Д503А, 2Д503Б при 398 К.......................50 мкА КД503А, КД5ОЗБ при температуре от 233 до 343 К 10 мкА Заряд переключения при /,1р = 10 мА, </о6р и = Ю В для 2Д503Л, 2Д503Б.......................’.............25 * - 30 * - 120 пКл Общая емкооь диода при С/Оср = 0: 2Д5ОЗА, КД503А..........................1,45* - 1,5* - 5 пФ 2Д503Б, КД503Б..........................1,22* - 1,4* - 2,5 пФ Время восстановления обратного сопротивления при /11р,и = 10 мА (/о6р „ =Ю В, /отсч — 2 мА нс более 10 нс Предельные экептуатаниониые данные Постоянное пли импу 1ьсиое обратное напряжение для 2Д503А 2Д503Б при температуре от 213 до 398 К, для КД503А, КД5ОЗБ нри температуре or 233 до 343 К 30 В Постоянный или средний прямой ток: 2Д503А, 2Д5ОЗБ при температуре от 213 до 308 К и КД5ОЗА, КД5ОЗБ при температуре от 233 до 298 К 20 мА КД5ОЗА, КД503Б при 343 К........................ 15 мА 2Д503А, 2Д503Б при 398 К.........................10 мА Импульсный прямой ток нри тн < 10 мкс со скваж- ностью не менее 10: 2Д503А, 2Д503Б при температуре от 213 до 308 К и КД503А, КД503Б при температуре от 233 до 298 К 200 мА КД5ОЗА, КД5ОЗБ при 343 К........................150 мА 2Д5ОЗА, 2Д503Б при 398 К........................100 мА 189
Температура окружающей среды. 2Д503Л, 2Д503Б...................................От 213 до 398 К КД503А, КД503Б...................................Ог 233 до 343 К Зависимость прямого импуль- сного напряжения от импуль- сного тока Зависимость общей емкост от напряжения. Зависимость времени восста- новления обратного сопротив- ления от прямого тока. Зависимость максимально до- пустимого импульсного прямо- го тока от дли тельное ги им пульса. Зависимое гь максималь- но допустимого постоян- ного (среднего) и им- пульсного прямых токов от температуры. 190
2Д504А, КД504А Диоды кремниевые микросплавные Выпускаются в металтостскляппом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводя гея па корпусе. Масса диода пс ботее 0,7 г Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /по = 100 мА не более: 2Д504А, КД504А при 298 К и 2Д504А при 398 К 1,2 В 2Д504А при 213 К и КД5О4А при 233 К............... 1.4 В Импульсное прямое напряжение при /,,р н 500 мА. не более, 2Д504А при 298 К.............................. 20В Постоянный обрашый ток при 1/о6р 40 В, не более 2Д504А, КД504А при 298 К и 2Д504А при 213 К 2 мкА 2Д504А при 398 К и КД504А при 373 К . . . . 100 мкА Заряд переключения, не более: 2Д504А, КД504А при /пр = 300 мА, 30 В 1,5 10 е KJ 2Д504А при /пр = 500 мА, = 30 В................I • 10 9 Кл Обшая емкость диода при l/^p = 5 В, ие более......20 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение для 2Д504А при тем- пературе от 213 до 398 К и для КД504А при тем- пературе от 213 до 373 К . . 40 В Постоянный прямой ток для 2Д504А при температуре: от 213 до 308 К.................................... 300 мА при 398 К........................................100 мА Средний прямой ток для КД504А при т„ = 10 мкс и амплитуде импульса 2 А при 308 К............................................160 мА прн 373 К.........................................80 мА Средний выпрямленный или прямой ток для КД504А при ти < 10 мкс, амплитуде импульса 1 5 А и т„ > 10 мкс, амплитуде импульса 1,0 А при темпе- ратуре: от 213 до 308 К................................. 240 мА при 373 К.........................................80 мА 191
Импульсный прямой ток для 2Д504А при среднем токе 300 мЛ при 298 К и 100 мА при 398 К‘ при ти = 10 мкс................................ 1,5 А при т„ > 10 мкс............................... 1,0 А Импульсный прямой ток для 2Д504А при среднем токе 160 мА при 298 К и 80 мА при 398 К при Тн — 10 мкс....................................... 2 А Аварийная перегрузка для КД504А при однократном импульсе тока длительностью 0,5 с и при 298 К 1 А Температура окружающей среды. 2Д504А..............................................От 213 до 398 К Зависимость общей емкости от напряжения. Зависимость прямого импуль- сного напряжения от импуль- сного тока. Зависимое ib заряда переклю- чения от обратного напря- жения Зависимость времени воссза новления образного сопротив- ления от обратного напряже- ния. 192
1Д507А, ГД507А Диоды германиевые микросплавные. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе Масса диода не более 0,2 г Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр = 5 мА нс более • 1Д507А при 298 и 343 К и ГД507А при 298 и 313 К......................................... 0,5 В 1Д507А при 213 К и ГД5О7А при 233 К.......... 0,7 В 1Д507А при /пр = 20 мА и 298 К............... 0,8 В Импульсное прямое напряжение при /пр „ = 50 мА. не более 1Д507А .................................... 3,5 В ГД507А........................................ 4,0 В Постоянный обратный ток при Ua-_,p = 20 В нс более 1Д507А при 213 и 298 К и ГД507А при 298 К 50 мкА 1Д507А при 343 К.............................. 300 мкА Общая емкость диода при 1/обр = 5 В, не более .... 0.8 пФ Время восстановления обрагиого сопротивления при /np,B—Ю “А. 12обр.и = 20 В, /о сч = 1 мА, не более 0,1 мкс Предельные эксплуатационные данные Постоянное или импульсное обратное напряжение. ... 20 В Импульсное обратное напряжение при скважности ие менее 4 для 1Д507А при ти < 5 мкс и ГД507А при тн < 2 мкс..................................... 30 В Постоянный или средний прямой ток................16 мА Постоянный или средний прямой ток при снижении обратного напряжения до 12 В.....................35 мА Импульсный прямой ток (бет превышения среднего прямого тока): 1Д507А при т„ < I мкс........................ 200 мА ГД507А при т„ С 10 мкс.......................100 мА Температуры окружающей среды 1Д5О7А..........................................От 213 до 343 К ГД507А.......................................От 233 до 333 К 7 под ред. Н II Горюнова 193
Зависимое । ь обратного юка о г температуры. Зависимость импульсного пря- мого напряжения от импуль- сного тока Зависимость общей емкости от напряжения. Зависимость времени восста- новления обратного сопро- тивления от прямого тока. Зависимость максимально допустимого импульсного прямого тока от длитель- ности импульса. 15М
1Д508А, ГД508А, ГД508Б Диоды германиевые микросплавные Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 0,2 г Электрические параметрь! Постоянное прямое напряжение, нс более: при 1„р = I мА для 1Д508А...................... 0,4 В при 4р — Ю МА для 1Д508А при 343 К и ГД5О8А при 298 и 328 К .............................. 0,7 В ГД508Б при 298 и 328 К........................0,65 В 1Д5О8А при 213 К.............................. 09 В Импульсное прямое напряжение для 1Д5О8А при I „ „ = 30 мА и ГД5О8А, ГД5О8Б при Z )и=12 кА, ие более................................ 1,5 В Постоянный обратный ток при l/обр = 8 В. не более- 1Д508А при 213 и 298 К и ГД5О8А при 298 К 60 мкА ГД508Б при 298 К..................................100 мкА 1Д5О8А при 343 К и ГД508А при 328 К...........150 мкА ГД5О8Б при 328 К.............................. 200 мкА 1Д5О8А при 1/о6р = 5 В . ..........20* мкА Заряд переключения при /||р = 10 мА, 17обр.и 5 В, не более.......................... ..................20 пКл Общая емкость диода при U^p = 0,5 В, не более .... 0,75 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение ................... 8 В Импульсное обратное напряжение при ти < 5 мкс и скваж- ности нс менее 4.................................. 10 В Постоянный или средний прямой ток.................10 мА Импульсный прямой гок при т„ < 10 мкс (без превы- шения среднего прямого тока)......................30 мА Температура окружающей среды. 1Д508А............................................От 213 до 343 К ГД5О8А ГД5О8Б ... От 233 до 328 К Температура перехода для 1Д5О8А .................. 343 К 7* 195
Зависимость обратного тока от температуры. Зависимость общей емкости от напряжения. Зависимость заряда переключе- ния от прямого тока. 2Д509А, КД509А Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода нс более 0,25 г. Заряд переключения при 1пр= 50 мА, 1/обр,в = 10 В для 2Д509А, не более.................................... 400 пКл Общая емкость диода при С'о6р = 0 для 2Д509А, не более............................................4 0 пФ Время восстановления обратного сопротивления при /11р=10 мА, 1/о6р в = 10 В, /огсч = 2 мА для 2Д509А, ие более............................................. 4,0 нс Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение для 2Д509А при температуре от 213 до 398 К............................ 50 В Импульсное обратное напряжение при длительности им- пульса (на уровне 50 В) не более 2 мкс и скважности не менее 10 для 2Д5О9А при температуре от 213 до 398 К и КД509А при температуре от 218 до 358 К............................................ 70 В Постоянный или средний прямой ток 2Д5О9А прн температуре от 213 до 323 К и КД509А при 298 К....................................100 мА 2Д5О9А три 398 К и КД5О9А при 358 К.............50 мА Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс (без пре- вышения среднею прямого тока). 2Д509А при температуре от 213 до 323 К и КД509А при 298 К ............................ 1500 мА 2Д5О9А при 398 К и КД5О9А при 358 К........... 500 мА Температура окружающей среды 2Д5О9А . .'.....................................От 213 до 398 К КД509А........................................ От 218 до 358 К Температура перехода для 2Д509А................... 423 К Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр = 100 мА, не более: 2Д509А, КД509А при 298 К и 2Д509А при 398 К 1,1 В 2Д5О9А при 213 К и КД509А при 218 К.......... 1,5 В Постоянный обратный ток при U^p = 50 В, не более: 2Д509А, КД509А при 298 К и 2Д509А при 213 К 5 мкА 2Д509А при 398 К и КД509А при 358 К..........100 мкА Зависимость прямою тока от Зависимость обратного тока от напряжения. напряжения. 196 197
Зависимость общей емкости от напряжения. Зависимость импу.тьснот о пря мото напряжения от импульсно- го тока. Зависимость заряда переключе- О I 4 6 810 Z0 40 Скважность ция от прямою юка Д 2,0 1,5 1,0 0,5 О 10~6 10 s 10~1 10~*с Зависимость максимально допустимо! о прямого им- пульсною тока от длитель- ности импульса» Завнсимость максимально ло- пустимого импульсного прямо» Зависимость максимально допустимо- го постоянно! о (среднего) и импу ib- сного прямых токов от темпера!уры 198
2Д510А, КД510А Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 0,7 г Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр = 200 мА, не бо ice 2Д510А при 298 и 398 К и КД510А при 298 и 358 К........................................ 1,1 В 2Д510А, КД510А при 213 К ...................... 1,5 В Постоянный обратный ток при 1/о6р = 50 В, нс ботсе: 2Д510А, КД510А при 298 и 213 К.....................5 мкА КД510А при 358 К ..............................100 мкА 2Д510А при 398 К...............................150 мкА Заряд переключения при /,,р = 50 мА, 1/оВр и = 10 В не более........................................... 400 пКл Общая емкость диода при Со6р = 0, нс более .... 4 пФ Время восстановления обратного сопротивления при /пр= Ю мА. 1/о6р>и= 10 В, 7ОТСЧ = 2 мА для 2Д510А, не более......................................... 4 нс Предельные эксплуатационные данные Постоянное, импульсное обратное напряжение (любой формы и периодичности) для 2Д510А при температуре от 213 до 393 К и КД510А при температуре от 213 до 358 К....................................... 50 В Импу ьсное обратное напряжение при длительности им- пульса (на уровне 50 В) не более 2 мкс и скваж- ности не менее 10 для 2Д51ОА при температуре от 213 до 393 К и КД510А при температуре от 213 до 358 К........................................... 70 В 199
Постоянный или средний прямой ток 2Д510А при температуре от 213 до 323 К и КД510Л при температуре от 213 до 298 К................ 200 мА 2Д510А при 393 К и КД510А при 358 К.............100 мА Импульсный прямой ток при тм < 10 мкс (без превы- шения среднего прямого тока): 2Д510А при температуре от 213 до 323 К и КД510А при температуре от 213 до 358 К............... 1500 мА 2Д510Л при 393 К............................... 500 мА Температура окружающей среды: 2Д510А...............................................От 213 до 393 К КД510А...........................................От 213 до 358 К Температура перехода для 2Д510А.................... 393 К Зависимость импульсного прямою напряжения от им- пульсною тока. Зависимость заряда переклю- чения от прямого тока. Зависимость прямого тока от напряжения. Зависимость обратного тока от напряжения. Зависимость максимально до- пустимого импульсного прямо- го тока от длительности им- пульса. 1пр,и,никс 213-323 К -2Д510А -КД510Л 213~35вК) / ( 393 К 1 Л 7,5 1,0 0,5 О 1 I Ч 0810 10 40 Скважность Зависимость максимально до- пустимого импульсного прямо- го тока от скважности. Зависимость общей емкости от напряжения. Зависимость обратного тока от напряжения. Зависимость максимально допустимого постоянною (среднего) и импульсного прямых токов от температуры 200 201
ГД511А, ГД511Б, ГД511В Диоды германиевые точечные. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются цветными точками у положительного вывода' ГД511А - двумя юлубыми. ГД511Б — голубой и желтой, ГД511В — голубой и оранжевой. Масса диода не более 0,3 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при 1„р = 5 мА, не более: при 298 К..................................... 0,6 В при 213 К.................................... 1.5 В Постоянный обратный ток при U^p = 10 В, не более: при 298 К ГД511Л........................................50 мкА ГД511Б.......................................100 мкА ГД511В...................................... 200 мкА при 343 К ГД511А....................................... 200 мкА ГД511Б...................................... 400 мкА ГД511В..................................... 600 мкА Заряд переключения при /пр = 10 мА, 1/о6р и = 10 В, не более: ГД511А ГД511В.....................................100 пКл ГД511Б.......................................40 пКл Общая емкость диода при L'o6p 5 В нс более .... I пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение............... . 12 В Средний прямой ток................................. 15 мА Импульсный прямой ток...............................50 мА Температура окружающей среды........................От 213 до 343 К 202
Зависимость прямого напряже- ния от температуры Зависимость обратного тока oi температуры КД512А Диод кремниевый эпитаксиалыю-планариый Выпускае1ся в стеклянном корпусе с ihGkiimh выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на кор- пусе. Масса диода не более 0,3 г Э тектричсские параметры Постоянное прямое напряжение при 7„р = 10 мА, не более. при 298 К....................................... В при 233 К....................................... 1,5 В Постоянный обратный ток при = 15 В не более, при 298 К...........................................5 мкА при 358 К.......................................100 мкА Заряд переключения при Znp = Ю мА Vo$p — 10 В, не более .......................................... ... 30 пКл Общая емкость диода при t/^p = 5 В не бо. ее........ 1 пФ Время восстановления обратного сопротивления при Л1Р,и = Ю мА, Uo6p „ = Ю В, /отсч = 2 мА, не более 1 нс Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение при температуре от 233 до 373 К........................................ 15 В Постоянный нли средний прямой ток при 233 и 308 К......................................20 мА при 373 К........................................10 мА 203
Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс при 233 и 308 К.................................. 200 мА при 373 К.........................................100 мА Температура окружающей среды.........................От 233 до 373 К Зависимость обшей емкости от ап ряжения. чсния от прямою тока. Зависимость максимально допустимого среднего и им- пульсного прямых токов от температуры КД513А Диод кремниевый эпитаксиально- планарный Выпускается в пластмассовом корпу- се. Тип диода и схема соединения э ектродов с выводами приволягся на корпусе. Масса диода не более 0,11 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при 7„р — 100 мА не более’ при 298 и 358 К.................................. 1,1 В при 213 К .................................... 1,5 В Постоянный обратный ток при [/^ — 50 В, не более: при 298 и 213 К.................................5 мкА при 358 К.......................................100 мкА Заряд переключения при 7пр = 50 мА, 1/<>бР1И—10 В, не более............................................40 пК 204
Общая емкость диода при С7обр = 0, не более .... 4 пФ Время восстановления обратного сопротивления при Znp = 10 мА, 10 В, не более................... 4 нс Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение..................... 50 В Импульсное обратное напряжение при ти = 2 мкс и скважности не менее 10............................. 70 В Постоянный или средний прямой ток при температуре от 213 до 308 К...................................100 мА при 358 К......................................50 мА Импульсный прямой ток при ти = 10 мкс и скважности не менее 20 без превышения среднего тока при тем- пературе- от 213 до 308 К.................................... 1,5 А при 358 К......................................0,5 А Температура окружающей среды.......................От 218 до 358 К »0 1000 Зависимост ь обшей ем- кости от напряжения. Зависимость импульсного пря- мого напряжения от прямого тока. Зависимость максимально допустимого среднего и импульсною прямых токов от температуры Зависимость заряда переключения ог прямого тока 205
КД514Л Диод кремниевый эпитаксиально-планарный. Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выво! ами приводятся на корпусе. Масса диода > е более 0,35 г Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при / р - 10 мА, не более: при 293 К ................................... при 233 и 343 К.............................. Постоянный обратный ток при t/o6p — 6 В и темпера- туре от 233 до 343 К, не более................... Общая емкость диода при </о6р = 0 не более . . . Дифференциальное прямое сопротивление при 711р — 10 мА, не более.............. .......................... 1,0 В 1,5 В 5 мкА 0,9 пФ 30 Ом Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение . . '.............. 10 В Постоянный прямой ток............................... 10 мА Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс при |ем- nepaiype: от 233 до 298 К....................................50 мА при 343 К........................................20 мА Температура окружающей среды.........................От 233 до 373 К Зависимость общей емкости от на- пряжения. Зависимость дифференциаль- ного coi роэивления от пря- мого тока. 206
Зависимость максимально допустимо- го импульсного прямого тока от тем- пературы. Зависимость допустимого прямого тока максимально импульсного о г скважности. КД518А Диод кремниевый эпитакеиачьно- плапарпый. Выпускается в пластмассовом кор- пусе. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода нс более 0,11 i Электрические параметрь Постоянное прямое напряжение, не более при Znp 1 мА при 298 К.......................................0,57 В при 358 К.......................................0,44 В при 213 К.......................................0,75 В при 7„р = 100 мА при 298 и 358 К................................. 1,1 В при 213 К....................................... 1,5 В Температурный коэффициент прямого напряжения в диа- пазоне температур от 213 до 358 К.................... 0,0022 В К Предельные эксплуатационные данные Постоянный или средний прямой ток: при 308 К.......................................100 мА при 358 К........................................50 мА 207
Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и скважности не менее 20 без превышения среднего прямого тока: при 308 К.................................... 1,5 А при 358 К....................................0,5 А Температура окружающей среды.......................От 213 до 358 К Завис» мое гь макси маль- по допустимого среднего и импульсного прямых токов от температуры. КД519А, КД519Б Диоды кремниевые эпитаксиалыю-планарные. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются цветной точкой у положительного вывода: КД519А — белой, КД519Б — красной. Масса диода не более 0,2 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при 2пр - 100 мА, не более: при 298 и 358 К................................... 1,1 В при 233 К . . . ........................... 1,5 В Постоянный обратный ток при 17обр = 30 В, не более: при 233 и 298 К...................................5 мкА при 358 К......................................100 мкА Заряд переключения при /пр = 50 мА, UO6p, и = Ю В, не более.............................................400 пК Общая емкость диода при Uo5p = 0, не более для КД519А........................................... 4 пФ для КД519Б........................................2,5 пФ 208
Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение................... 30 В Импульсное обратное напряжение при длитслы ости им- пульса 2 мкс и скважности не менее 10............ 40 В Постоянный или средний прямой гок................30 мА Импульсный прямой ток при ти = 10 мкс без превышения среднего прямого тока............................ 300 мА Температура окружающей среды.....................От 233 до 358 К Зависимость общей емкое и от напряжения. Зависимость импульсного прямо! о напряжения от им- пу 1ьсного тока. Зависимость заряда переключения от прямого тока. Зависимость допустимого прямого тока максимально импульсного г скважности. 209
2Д520А, КД520А Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные. Выпускаются в стеклянном корпусе с i ибкими выводами Мар- кировку наносят на упаковочной таре. На корпусе у положи- тельного вывода наносится желтая точка. Масса диода не более 0,2 i Электрические параме ры Постоянное прямое напряжение при /пр - 20 мА, не более: 2Д52ОА при 298 и 398 К, КД52ОА при 298 К . . . 1.0 В 2Д520А КД520А при 213 К........................ 1,2 В Постоянный обратный ток при 1/обр=15 В, нс более. 2Д520А при 213 и 298 К и КД520А при 298 К. . . 1,0 мкА КД520А при 373 К..............................20 мкА 2Д520А при 398 К .............................25 мкА Заряд переключения при 1пр = 10 мА, 1/обр.и = Ю В не более ..............................................100 и К л Общая емкость диода при 1/о6р — 5 В, не более .... 3 пФ Время восстановления обратного сопротивления при Zlip = 10 мА, 1/о6ри = 10 В /otc,= l мА для 2Д520А, не более........................................10 * нс Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение...................... 15 В Импульсное обратное напряжение...................... 25 В Постоянный и и средний прямой ток....................20 мА Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и скважности не менее 2 5.........................................50 мА Температура окружающей среды 2Д520А...............................................От 213 до 398 К КД520А ......................... • От 213 до 373 К Температура перехода для 2Д52ОА.....................403 К 210
Зависимость общей емкое!и oi напряжения Зависимое ib заряда переключе- ния oi прямого тока. Зависимое । ь пмпуЛьснО! о прямою напряжения от им- пульсною юка Зависимость максимально допус ГИМО1 О И МП) JlbCHOl о прямою тока oi длиiединое - 1п импульса. КД521А, КД521В, КД521Г Диоды кремниевые эпитаксиально-нланарныс Выпускаю 1ся в стеклянном корпусе с гибкими Диоды маркируются черными кольцевыми полосками на у положительного вывода КД521А — одним кольцом, КД521В кольцами, КД521Г — тремя кольцами. Масса диода не более 0,15 г выводами. корпусе двумя 211
Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /,,р = 50 мА. нс более.................................................. 1,0 В Постоянный обратный ток для КД521А при 1/о6р = = 75 В, КД521В при 1/о6р = 50 В, КД521Г нрн С'сбр = — 30 В, не более.....................................1.0 мкА Заряд переключения при /пр=10 мА, С70бр,и = 10 В 4tci — 1 мА, ,,е более.............................. 200 пКл Общая емкость диола при 1/оСр — 0, не более .... 4 пФ Время восстанопления обратного сопротивления при Aip ~ >0 мА, б/ойр,и ~ Ю В, 7О|СЧ = 1 мА, нс бо iee................................................ 4 не Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение: КД521А.............................................. 75 В КД521В...................................... 50 В КД521Г...................................... 30 В Импульсное обратное напряжение КД521А............................................. 100 В КД521В......................................... 75 В КД521Г...................................... 40 В Постоянный или средний прямой ток................50 мА Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс без превышения среднего прямого тока............................ 500 мА Температура окружающей среды.....................От 213 до 398 К 2Д522Б, КД522А, КД522Б Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются черными кольцевыми полосками на корпусе у положительного вывода : 2Д522Б — одним кольцом, КД522А — двумя кольцами, КД522Б — тремя кольцами. Масса диода не более 0,15 г. 212
Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр = 100 мА, не более: 2Д522Б при 298 и 398 К и КД522А, КД522Б при 298 К.............................................. 11В 2Д522Б прн 213 К и КД522А, КД522Б при 218 К . . . 1,5 В Постоянный обратный ток, не более. 2Д522Б и КД522Б при 1/оСр = 50 В 298 К и 2Д522Б при 1/о6р = 50 В, 213 К ... 5 мкА КД522А при 1/о6р = 30 В 298 К ............2 мкА 2Д522Б при 1/оГ1р = 50 В. 398 К...........100 мкА КД522Б при 1/обр = 50 В и КД522А при 17о6р = = 30 В, 358 К.................................50 мкА Заряд переключения при /,1р = 50 мА t/o(ipJ1 = *0 В /отс., = 2 мА. не бо iee........................ 400 пКл Общая емкость диода при 1/о6р = 0, не более........ 4 пФ Время восстановления обратною сопротивления при /пр = 10 мА, Со0р1| — 10 В /отс, — 2 мА, нс более ... 4 нс Предельные эксплуа анионные данные Постоянное обратное напряжение: 2Д522Б при 213 и 398 К и КД522Б при 218 и 358 К......................................... 50 В КД522А при 218 и 358 К........................ 30 В Импульсное обратное напряжение при скважности не менее 10: 2Д522Б при т„ < 2 мкс и 213 398 К . . 75 В КД522А при т„ < 10 мкс и 218 — 358 К . . . . 40 В КД522Б при т„ < 10 мкс и 218 — 358 К . . . 60 В Средний прямой ток: 2Д522Б при 213 32.3 К и КД522А КД522Б при 218 - 308 К ..................................100 мА 2Д522Б при 398 К и КД522А. КД522Б при 358 К . . . 50 мА Импульсный прямой ток прн ти С 10 мкс без превышения среднего прямого тока: 2Д522Б при 213-323 К и КД522А, КД522Б при 218- 308 К ........................................1500 мА 2Д522Б при 398 К.............................. 500 А КД522А. КД522Б при 358 К...................... 850 мА Температура окружающей среды 2Д522Б........................................От 213 до 398 К КД522А. КД522Б................................От 218 до 358 К . Температура перехода- 2Д522Б........................................ 4 3 К КД522А, КД522Б................................ 398 К 213
Зависимость обшей емкости от напряжения. Зависимость заряда псрсключе пня от прямою гока. Зависимое ib импульсного пря мого напряжения от импуль- сного прямого тока. Зависимость максимально до- пустимого импульсного прямо- го тока от скважное!и. Зависимость максимально допустимого среднего и импульсного пря- мых токов от температуры 214
2Д524А, 2Д524Б, 2Д524В Диоды кремниевые эпитаксиальные с накоплением заряда. Пред- назначены для использования в схемах формирователей импульсов. Выпускаются в металлокерамическом корпусе. Диолы маркируются пветной точкой: 2Д524Л — черной. 2Д524Б — зеленой, 2Д524В — жел- той. Положительный вывод диола имеет диаметр 3,7 мм Масса диода не более 0.21 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /ир = 40 мА: при 298 К .......................................0,85* 0,9* — 1,0 В при 213 К, не более.............................. 1,5 В при 398 К, пе бо iee........................... 1.0 В Постоянный обратный ток, не более- при 298 К и С/обр = 10 В............................2.0 мкА прн 213 К для 2Д524А при l/m-,p = 24 В, для 2Д524Б при и^р = 30 В, для 2Д524В при — = 15 В...........................................20 мкА при 398 К i |я 2Д524А при 1/о6р 24 В. для 2Д524Б при Uo6p = 30 В. для 2Д524В прн t/o6p = = 15 В......................................... 300 мкА Заряд переключения при /1р 10 мА, ^'обр.п Ю В. 2Д524А................................ 250-270 *-300 пКл 2Д524Б, 2Д524В...................... 300-330 *-350 пКл Общая емкость диода прн (/оСр = 0. 2Д524А ... . . 2* —2,5*—3 пФ 2Ц524Б..............................1,5* 1,9*-2,5 пФ 2Д524В.............................. 2.5 *-3,3*-4 пФ Емкость корпуса диола, не более .... 0,3 пФ Индуктивность корпуса диода, нс более. . . 0,7 нГн Время выключения при J р = 5 мА 1/обр и = = 10 В 2Д524А.............................. 100 * —130 * —150 пе 2Д524Б............................... 200* -250* -300 пс 2Д524В.............................. 80* 85* -100 пс 215
Эффективное время жизни неосновных носи- телем заряда: 2Д524А................................ 25 *-27* 30* нс 2Д524Б, 2Д524В........................ 30 *-33 *-35* нс Предельная частота, не менее.................. 100* ГГц Предельные эксплуатационные данные Постоянное импульсное обратное напряжение при темпе- ратуре от 213 до 398 К 2Д524А................................................. 24 В 2Д524Б............................................... 30 В 2Д524В............................................... 15 В Постоянный (средний) прямой ток при температуре- от 213 до 308 К.....................................40 мА при 398 К........................................20 мА Импульсный прямой ток при ти « 10 мкс и скважности, равной или более 10, при температуре от 213 до 308 К ................................. 400 мА при 398 К........................................ 200 мА Импульсный обратный ток при скважности, равной пли более 10: 2Д524А, 2Д524В........................................ 600 мА 2Д524Б...........................................1000 мА Рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 308 К..................................... 200 мВт при 398 К........................................50 мВт Температура окружающей среды.......................От213 до 398 К Примечание. Запрещается монтировать диоды в схему путем пг н или механическим способом при помощи цанг, транспортиро- вать диоды не в стан (артной упаковке, оставлять или перевозить радиотехнические устройства со вставленными в них диодами при наличии присоединенных к держателю диодов свободных проводников, которые могут принять на себя электрические заряды. пФ Ч 3 2 1 0 5 10 15 20 25 В Зависимость общей емкости от напряжения. пКл 600 500 400 300 200 0 5 10 15 10 25 В Зависимость заряда переключе- ния от образного напряжения. Зависимость заряда переключе- ния от прямого тока Зависимость импульсного пря- мого зока or длительности импульса. Зависимость максимально допустимого среднего и импульсного пря- мых токов от температуры АД516А, АД516Б Диоды арсен ид-таллиевые эпитаксиально-планарные. Предназна- чены для использования в импульсных схемах наносекундного диа- пазона. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выво- дами Тип диода и схема соединения электродов с выводами привозятся на корпусе. Масса диода не более 0,6 г. 216 217
Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр = 2 мА нс более при 298 и 373 К................................... 1,5 В при 213К...................................... 1.8 В Постоянный обратный ток при C7oGp = 10 В. не более: при температуре ог 213 до 298 К................... 2 мкА при 373 К.....................................100 мкА Заряд переключения при /пр = 5 мА, С/обрн = 10 В, не более . . .................................5 пКл Общая емкость диода при L -0, не более: АД516А ........................0 5 пФ АД516Б........................................0,35 пФ Время восстановления обратного сопротивления при /,1р = 5 мА, С/о6р.и = 10 В /отс = 0,1 мА, не более ... 1 нс Дифференциальное сопро гивление при /пр = 2 мА не более.............................................150 Ом Предельные жсплуатацнониые данные Постоянное обратное напряжение..................... 10 В Постоянный или средний прямой ток: при температуре от 213 ло 308 К................ 2 мА при 373 К...................................... 1 мА Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и скважности не менее 1000: прн температуре от 213 до 358 К . . . . 30 мА при 373 К ..................................... 15 мА Температура окружающей среды.......................От 213 ло 373 К Температура перехода............................... 373 К Зависимость обшей емкости от напряжения Зависимость максимально допус- тимого импульсного прямого то- ка от длительности импульса. 218
Зависимое п> заряда пере- ключения от напряжения Зависимость максимально допустимо- го среднего и имиульсно! о прямых токов от температуры ЗА527А, ЗА527Б Диоды арсснид-гаилиевые эпитак- сиально-планарные с барьером UJoi- тки Предназначены для использова- ния в импульсных схемах пико- и и аносекчндного ди a i ia зона. Выпускаются в металлокерамиче- ском корпусе с жесткими выводами. Диоды маркируется цветной точкой у положительного вывода: ЗА527А желтой ЗА527Б — двумя жепымн Масса диола нс более 0.5 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /|1р = 2 мА, не более: при 298 н 358 К ЗА527А....................................... 1,0 В ЗА527Б...................................... 1,1 В при 213 К ЗА527А....................................... 1.3 В ЗА527Б...................................... 14В Постоянный обратный ток при £7обр — 9 В, не более: при 213 и 298 К .................................20 мкА при 358 К.....................................20 мкА Общая емкость диода при 17^ — 0, не ботсе: ЗА527А...........................................0,5 пФ ЗА527Б......................................0,3 пФ Дифференциальное сопротивление при /пр — 2 мА, не более .............................. • .... 100* Ом Эффек инное время жиз! и неравновесных носителей за- ряда не более.................. ..................100* пс 219
Предельные желлуатанионные данные Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К.......................................... 9 В Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс и частоте нс более 1 кГц при температуре: от 213 до 308 К.....................................30 мА при 358 К......................................... 15 мА Средний прямой ток при температуре от 213 до 308 К....................................... 2 мА при 358 К.......................................... 1 мА Импульсная рассеиваемая мощность прн ти < 1 мкс и скважности, равной или более 1000, при температуре от 213 до 358 К......................................0,5 мВт Температура окружающей среды...........................От 213 до 358 К Примечание. Запрещается хранить диод без индивидуальной защитной упаковки Зависимость общей емкости о г напряжения Зависимость дифференциаль- ного сопротивления от пря- мою тока. Зависимость максимально допус Зависимость максимально допусти тимого импульсного прямого тока moi о среднего и импульсно1 о от длительности импульса. прямых токов от температурь! 220
3A529A, ЗА529Б 0 J,7 Диоды арсенид-галлиевыс эпитаксиальные с барьером Шопки. Предназначены для ис- пользования в схемах преобразования импуль- сных сигналов иико- и наносекундного диапа- зона. Выпускаются в металлокерамическом кор- пусе с жесткими выводами. Тип диола ука- зывается на групповой таре. Положительный вывод имеет диаметр 3,7 мм. Масса диода нс более 0,1 г Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр = 2 мА, нс более: при 298 и 358 К ЗА529А........................................ 09В ЗА529Б...................................... 1,0 В прн 213 К ЗА529А........................................ 1,2 В ЗА529Б...................................... 1,3 В Постоянный обратный ток при t/o6p = 5 В, не более: при 213 и 298 К..................................1,0 мкА при 358 К...................................50 мкА Общая емкость диода при 1/обр = 0 В, не более- ЗА529А..............................................0,4 пФ ЗА529Б......................................0,25 пФ Дифференциальное сопротивление при /11р = 2 мА, не более............................................70 * Ом Эффективное время жизни неравновесных носителей за- ряда, не более.............................................100* пс Предельные экептуат анионные данные Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К.......................................... 5 В Импульсное обратное напряжение при ти < 10 мкс и частоте не более 1 кГц при температуре: от 213 до 308 К..................................... 7 В при 358 К....................................... 3,5 В Средний прямой ток при температуре от 213 до 308 К .... ................................. 2 мА при 358 К......................................... 1 мА Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс и частоте не более 1 кГц при температуре ог 213 до 308 К..................................... 5 мА при 358 К........................................2,5 мА Импульсная рассеиваемая мощность при т„ < 1 мкс, скважное!и 1000 и температуре от 213 до 358 К . . . 0,5 мВт Темпера ура окружающей среды от 213 до 358 К Примечание. Запрещается хранить диод без индивидуальной защитной упаковки 221
Зависимость общей емкости oi напряжения Зависимость максимально допусти- мого импульсного обратного на- пряжения от температуры. Зависимость дифференциаль- ного сопротивления от пря- мого тока. Зависимость максимально доиус- 1имого среднего и импульсного прямых токов от Температуры 3A530A, ЗА530Б Диоды арсенид-таллиевые эпитаксиальные с барьером Шоттки Предназначены для нс пользования в схемах преобразования им- пульсных сигналов нико- и наносекундною диапазона. Выпускаются в метал покерам пческом кор- пусе с жесткими выводами. Тип диода ука- зывается на групповой таре. Положительны,! вывод имеет диаметр 3,7 мм. Масса диода не более 0,2 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр= 10 мА, не более: при 298 и 358 К ЗА53ОА.......................................... 10В ЗА53ОБ....................................... 12В 222
при 213 К 3A53OA......................................... 1.3 В ЗА530Б........................................ 1.5 В Постоянный обратный ток при С'овр= 30 В. не более: при 213 и 298 К.............................. 5 мкА при 358 К.......................................20 мкА Общая емкость диола при 1/обр = 0. не более: 3A53OA.............................................1,0 пФ ЗА530Б........................................0,75 пФ Эффек ивное время жизни неравновесных носителей заряда, не более . .............................100* пс Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение при темпера type от 213 до 358 К . . ................................. 30 В Постоянный । ти средний прямой ток при 1емпературе: ог 213 до 313 К.................................... 10 мА при 358 К....................................... 5 мА Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и скважности не менее 1000 при температуре: от 213 до 313 К.....................................50 мА при 358 К....................................... 15 мА Температура окружающей среды........................От 213 до 358 К Примечания: 1 Допускается подавать на диод обрапюе напряжение до 40 В при температуре от 213 до 313 К при условии, что через диод протекает обратный ток не ботее 5 мкА. 2. Запрещайся хранить диод без индивидуальной заппнноп уна ковки. Зависимость общей емкости от напряжения максимально допусш среднего прямого тока от гем пературы. Зависимость мого Зависимость максимально до- пустимого импульсного прямо ю гока от температуры. 223
Ра дел шестой ДИОДНЫЕ СБОРКИ И МАТРИЦЫ КДС111А, КДС111Б, КДС111В Сборки из двух кремниевых мезадиффузионных диодов. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Сборки маркируются цветной точкой: КДС111А красной, КДС111Б — зеленой, КДС111В — желтой. Масса сборки нс более 0,3 г. 035 Электрические параметры (каждого диода) Прямое напряжение при /,,р = 100 мА не более .... 1,2 В Обратный ток при (/о6р = Со6рмакс, нс более: при 298 К............... ..........................3,0 мкА при 358 К......................................50 мкА Предельные эксплуатационные данные (каждого диода) Постоянное обратное напряжение..................... 300 В Постоянный (средний вынрям. енный) ток до 328 К........................................... 200 мА при 358 К......................................100 мА Импульсный прямой ток: при ти < 10 мкс....................................... ЗА при ти < 1 мс.................................. I А Частота без снижения режимов.......................20 кГц Температура окружающей среды.......................От 213 К до 358 К 224
Зависимое 1 ь допустiimoi о прямого чока от темпера- туры. Зависимость допустимого пере- грузочного импульса прямого тока о 1 длитсльпосш импульса. 2ДС408Л-1, 2ДС408Б-1, 2ДС408В-1, 2ДС408Г-1 Диодные сборки, состоящие каждая из четырех кремниевых нланарпо-днффузнонных диодов с раздельными выводами. Пре наз- начены для использования в герметизированной аппаратуре. Бсскорпусиые с гибкими выводами и защитным покрытием Каждая сборка упаковывается в индивидуальную тару. Сборки мар- кируются цветной точкой на крышке инднвпдуа imioii тары: 2ДС408А-1 - красной, 2ДС408Б-1 - синей, 2ДС408В 1 - зеленой, 2ДС408Г-1 черной. Масса сборки не более 0,006 г. Вывод подложки Вывод подложки Электрические параме|ры Постоянное прямое напряжение при /11р = 0,01 мА: при 298 К ..........................................0,5-0,73 В при 358 К, нс менее.................................0,34 В при 213 К, нс более................................. 1,2 В 8 пол рсд. Н. Н. Горюнова 225
Постоянное прямое напряжение при 7пр= 0,1 мА . . .0,73—0,83 В Постоянное прямое напряжение при /пр = 1 мА, не более.............................................. 0,2 В Разность прямых шпряжст ий между диолами: при 1 р— 0,05 - 1 мА и 298 К нс более 2ДС408А-1...................................... 3 мВ 2ДС408Б-1.................................... 10 мВ 2ДС408В-1.................................... 5 мВ 2ДС408Г-1.................................... 15 мВ при /пр= 1 мА и 358 К, не более 2ДС408А 1...................................... 6 мВ 2ДС408Б-1.................................... 18 мВ 2ДС408В-1.................................... 9 мВ 2ДС408Г-1....................................27 мВ при /пр= * МА 1 213 К не более 2ДС408А-1......................................7,5 .мВ 2ДС408Б-1....................................21,5 мВ 2ДС408В-1....................................10,5 мВ 2ДС408Г-1....................................32.0 мВ Постоянный обратный ток при б'обр = 10 В, нс более: при 298 К 2ДС408А-1, 2ДС408Б-1 2ДС408В-1.............. 10 нА 2ДС408Г-1....................................100 нА при 358 К 2ДС408А-1, 2ДС408Б-1, 2ДС408В-1.............0,1 мкА 2ДС408Г-1....................................1,0 мкА Ток утечки между катодами диодов п выводом подложки при U = 20 В, нс более........................... 10 нА Об цая емкость диода при б ойр—0,5 В, нс более ... 1,3 пФ Емкость между катодами соседних диодов при t/o6p= 0 В, нс более...........................................2,5 пФ Время восстановления обратного сопротивления при Ц,бр.|| 5 В, /пр = 5 мА, не более.................. 40 нс Температурный кох]х|лщиеи1 разности прямых напряже- ний, нс более: 2ДС408А-1........................................30 мкВ, К 2ДС408Б-1....................................100 мкВ,К 2ДС408В-1....................................50 мкВ,'К 2ДС408Г-1....................................170 мкВ/К Предельные эксплуа анионные данные Постоянное или импульсное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К .......................... 12 В Постоянный прямой ток одного диода при температуре от 213 до 358 К........................................10 мА Импульсный прямой ток одною диода при длительности импульса ти < 10 мкс при температуре от 213 до 358 К 100 мА 226
Постоянный суммарный прямой ток всех диолов сборки при темпера- туре от 213 до 358 К................. Температура окружаю- щей среды............. 20 мА СИ 213 до 358 К Примечай и е. Защитное по- крытие Сборок ИЗГО1ОВЛС1Ю из эмали ЭП-91 (ГОСТ 15943-70). Зависимость прямого тока от на- пряжения. Зависимое 1ь обратного тока от напряжения (при 7 = 298 К). Зависимость обра кого тока от напряжения (при Т — 298 К). Зависимость времени восстанов- ления обратного сопро1ивле- ния от прямою тока Зависимость времени восс анов- ления обратного сопротивле ния от импульсного обратною напряжения. 8’ 227
Зависимость обратного тока от темпера туры. Зависимость обратного тока от темпера туры. Зависимость максимально до- пустимого импульсного трямо- го тока от длительности им- пульса. Зависимость тока утечки между катодами диодов и базовым выводом сборки от темпе- ратуры. 2ДС413А-1, 2ДС413Б-1, 2ДС414А-1, 2ДС414Б-1, 2ДС415А-1, 2ДС415Б-1, 2ДС415В-1, 2ДС415Г-1, 2ДС415Д-1, 2ДС415Е-1, КДС413А, КДС413Б, КДС413В, КДС414А, КДС414Б, КДС414В, КДС415А, КДС415Б, КДС415В Диодные сборки, состоящие каждая из десяти (2ДС413А-1, 2ДС413Б-1) и двенадцати (КДС413А, КДС413Б, КДС413В) кремниевых планарно-дифф з тонных диодов с общим катодом, десяти (2ДС414А 1, 2ДС414Б-1) и двенадцати (КДС414А, КДС414Б, КДС414В) диодов 228
с общим анодом, шести (2ДС415А-1. 2ДС415Б-1, КДС415А КДС415Б, КДС415В), пяти (2ДС415В-1. 2ДС415Г-1) и четырех (2ДС415Д-1 2ДС415Е-1) изолированных диодов. Предназначены для использования в дешифраторах, диодных функциональных преобразователях, умножительных схемах герме! нзи- ровапнон аппаратуры. Бескорпусные с ибкпми выводами и защитным покрытием. Сборки 2ДС413А-1, 2ДС413Б-1, КДС413А, КДС413Б, КДС413В, 2ДС414А-1. 2ДС414Б-1, КДС414А, КДС414Б, КДС414В имеют тринад- цать выводов. Вывод общего катода пли общего анода — тринад- цатый. Сборки 2ДС415А-1, 2ДС415Б-1. 2ДС415В-1, 2ДС415Г-1, 2ДС415Д-1, 2ДС415Е-1, КДС415А, КДС415Б, КДС415В имеют две- надцать выводов Выводы анодов нечетные, выводы катодов — после- дующие чешые. Сборки упаковываются и индивидуальную тару, на которую наносится обозначение типа. Выводы тарраковапиых диодов сборок 2ДС413А-1.2ДС413Б-1. 2ДС414А-1. 2ДС414Б-1. 2ДС415В-1, 2ДС4151-1, 2ДС415Д-1. 2ДС415Е-1 отмечаются цвечиой меткой через контактные о 1 вере 1 ня в иидивцдуалы1оп таре. Масса сборки - не более 0,02 г 229
Электрические параметры Постоянное прямое напряжение гри J„p - 1 мА и 298 К 0,6 — 0,75 В Разность прямых напряжений между диодами при одина- ковом постоянном токе в диапазоне значений от 0,1 до 1 мА, не более при 298 К 2ДС413А-1, 2ДС414А-1, 2ДС415А-1, 2ДС415В-1, 2ДС415Д-1 КДС413А КДС414А, КДС415А ... 5 мВ 2ДС413Б-1, 2ДС4 4Б-1, 2ДС415Б 1 2ДС415Г 1. 2ДС415Е-1, КДС41.3Б, 1 ДС414Б, КДС415Б. ... 15 мВ КДС413В КДС414В КДС415В......................20 мВ при 213 и 373 К 2ДС413А-1. 2ДС414А-1. 2ДС415А-1, 2ДС415В-1, 2ДС415Д-1,................................... Ю мВ 2ДС413Б-1. 2ДС414Б-1, 2ДС415Б-1, 2ДС415Г-1 2ДС415Е-1.................................... 25 мВ Постоянный обратный зек прн СоСр = 10 В, нс более: при 213 н 298 К 2ДС413А-1, 2ДС414А-1 2ДС415А-1, 2ДС415В-1, 2ДС415Д-1 ............................... 0,025 мкА при 298 К КДС413А КДС414А, КДС415А.......................0.01 мкА при 213 и 298 К 2ДС413Б-1, 2ДС414Б-1, 2ДС415Б-1 2ДС415Г-1. 2ДС415Е-1....................................0.1 мкА при 373 К 2ДС413Л-1, 2ДС414Л-1, 2ДС415А-1, 2ДС415В-1, 2ДС415Д-1....................................1.5 мкА при 373 К 2ДС413Б-1, 2ДС414Б-1, 2ДС415Б-1, 2ДС415Г-1, 2ДС415Е-1....................................2.0 мкА Общая емкость диода при Со6р = 0, не более .... 3 нФ Время восстановления обратного сопротивления при 4Р= 5 мА, Сойр = 10 В, /отсч= 1 мА, нс более ... 40 нс Сопротивление изоляции между изолированными диодами сборок 2ДС415А-1, 2ДС415Б-1, 2Д415В-1, 2ДС415Г-1, 2ДС415Д-1. 2ДС415Е 1 при напряжении 10 В. нс менее............................................ 200 МОм Температурный коэффициент разности прямых напряже- ний при /пр 0,1 -к I мА, не более: от 213 до 373 К...............................50 мкВ К 2ДС.413А-1, 2ДС414А-1, 2ДС415А-1, 2ДС415В-1, 2ДС415Д-1 при температуре от 213 до 298 К . . .130 мкВ/К 2ДС413Б-1, 2ДС414Б-1, 2ДС415Б-1, 2ДС415Г-1, 2ДС415Е-1 при температуре от 298 до 373 К . . .100 мкВ/К 230
Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение..................... 20 В Импульсное обратное напряжение при длительности им- пульса т„ < 2 мкс и скважности не менее 10 ... . 30 В Постоянный прямой (средний) ток одною диода ... 10 мА Постоянный прямой (средний) ток всех диодов сборки 20 мА Импульсный прямой ток одного диода при длительности импульса ти < 10 мкс и скважности нс менее 10 . , . 100 мА Рассеиваемая мощность всей сборкой.................16 мВт Температура окружающей среды для 2ДС413А-1, 2ДС413Б 1. 2ДС414А-1. 2ДС414Б-1 2ДС415А-1 2ДС415Б-1. 2ДС415В-1. 2ДС415Г-1 2ДС415Д-1. 2ДС415Е-1........................................От 213 ло 373 К Температура перехода для 2ДС413А-1, 2ДС413Б-1. 2ДС414А-1. 2ДС414Б-1. 2ДС415А 1 2ДС415Б-1. 2ДС415В-1. 2ДС415Г-1. 2ДС415Д-1. 2ДС415Е-1 . ... 398 К Температура окружающей среды для КДС413А, КДС413Б КДС413В, КДС414А КДС414Б. КДС414В. КДС415А КДС415Б КДС415В..........................От 213 до 358 К Примечания 1. Защитное покрытие сборки нзтотовлено из эмали ЭП 91 (ГОСТ 15943-70). 2. Запрещаются изгиб выводов ближе 0,3 мм от места выхода из защитного покрытия, соприкосновение выводов и граней кристалла сборки и перегиб вывода на инструменте с острыми краями. Рекомен- дуется обрывать выводы у неиспользуемых и забракованных диодов после установки сборки па плату без нарушения защитного покрытия 3. При установке сборки на теплоотвод должно обеспечиваться тепловое сопротивление переход — среза нс более 3 К/мВг. Зависимость разности прямых напряжений па диодах (даны зоны разброса) от температуры 231
Зависимость разности прямых напряжений на диодах (даны зоны разброса) от температуры Зависимость общей емкости Зависимость времени восстапов- (даны зоны разброса) от па- ления обратного сопрошвтения пряжения (даны зоны разброса) от пря- мою тока. 2ДС523А. 2ДС523Б, 2ДС523В, 2ДС523Г, КДС523А, КДС523Б, КДС523В, КДС523Г Диодные сборки, состоящие каждая из двух (2ДС523Л. 2ДС523Б КДС523А, КДС523Б) и четырех (2ДС523В 2ДС523Г, КДС523В, КДС523Г) кремниевых плаиарно-эпнгаксиальпых диолов с раздель- ными выводами Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Сборки 2ДС523Л, 2ДС523В, КДС523А. КДС523В маркируются цвет- ной точкой на корпусе. У сборок 2ДС523Б. 2ДС523Г, КДС523Б, КДС523Г цвет пая точка отсутствует. Масса сборок 2ДС523Л 2ДС523Б КДС523А КДС52.3Б не более 0,12 I , 2ДС523В, 2ДС523Г, КДС523В, КДС523Г — не более 0,24 г. 232
цветная точка 7 о------------[>|----------о 4 2 о---------Ы----------° ? 7 о---------И----------о 8 гдагзл, гдсьгзь КДС523А, КДС5236 2ДС5238,2ДС523Г КДС523В, КДС523Г Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр= 20 мА, не более: 2ДС523А 2ДС523Б 2ДС523В, 2ДС523Г при 298 и 398 К и КДС523А КДС523Б, КДС523В КДС523Г при 298 К ...................................... 10В при 213 К....................................... 1,2 В Разнос!l прямых напряжений между диодами прн оди- наковом постоянном токе в диапазоне значений от 0,05 до 2 мА, не более: 2ДС523А КДС523А.................................... 5 мВ 2ДС523В, КДС523В 10 мВ 2ДС523Б, 2ДС523Г, КДС523Б, КДС523Г .... 20 мВ Постоянный обратный ток при 1/Обр = 50 В нс более: 2ДС523А, 2ДС523Б, 2ДС523В, 2ДС523Г при 213 и 298 К и КДС523А. КДС523Б. КДС523В, КДС523Г .при 298 К ......................................5 мкА 2ДС523А, 2ДС523Б, 2ДС523В, 2ДС523Г при 398 К и КДС523А, КДС523Б, КДС523В, КДС523Г прн 373 К 150 мкА Заряд переключения при /,1р= 20 мА, UOGp „ 10 В для 2ДС523А, 2ДС523Б. 2ДС523В, 2ДС523Г, нс более . . . 150 пКл Общая емкое!ь диода при L'o(-,p=0.1 В, не ботее ... 2 пФ Время восс1а11овлення обратного сопротивления при /пр= 10 мА, L'( ,p, „ 10 В /0|с.,= 2 мА, не более ... 4 пс Пре i ьные экенлуа анионные данные Постоянное обратное напряжение для 2ДС523А, 2ДС523Б, 2ДС523В, 2ДС523Г при температуре от 213 до 398 К и КДС523А, КДС523Б, КДС523В, КДС523Г нрп темпе- ратуре от 213 до 373 К ................................ 50 В 233
Импульсное обратное напряжение при длительности импульса ти < 3 мкс для 2ДС523Л. 2ДС523Б. 2ДС523В, 2ДС523Г при температуре от 213 до 398 К и КДС523Л. КДС523Б КДС523В. КДС523Г при температуре oi 213 до 373 К . . . ........................... 70 В Постоянный или средний прямой ток одною диода при температуре от 213 до 358 К .........................20 мА Импульсный । рямоп ток одною диода при длительное ш импульса т„ < 10 мкс бел превышения среднего пря того юка при температуре от 213 до 358 К................ 200 мА Температура окружающей среды 2ДС523А, 2ДС523Б. 2ДС523В. 2ДС523Г...............От 213 до 398 К КДС523А. КДС523Б. КДС523В, КДС523Г...............От 213 до 373 К Примечание. Допускается папка выводов на расстоянии не менее I мм от корпуса сборки к металлической детали площадью не менее 7 мм- оловянно-евншювым припоем при температуре не выше 473 К при этом допускается затекание припоя до герметизи- рующего материала. Зависимое 1ь общей емкоеi и Зависимость заряда псрсключс- диода от напряжения ния от прямого тока Зависимость импу; ьсиого пря- мою напряжения от импульсно- го прямого тока. Зависимость импульсного пря .мою тока о г дли юльносги им- пульса. Зависимость paruociu прямых напряжений между диодами сборки при одинаковом постоянном токе в диапазоне от 0.05 до 2 мА от температуры. За< го Скважность го импуль НОС! 11. КДС525А, КДС525Б, КДС525В, КДС525Е, КДС525Ж, КДС525И, КДС525Г, КДС525Д, КДС525К, КДС525Л Диодные сборки состоящие каждая из деся ти или восьми кремние- вых диодов, объединенных в три группы по пять, три и два диола с общим анодом (КДС525А, КДС525Б) или с общим катодом (КДС525Е, КДС525Ж) и в три группы по четыре, два и два диода 234 235
с общим анолом (КДС525В, КДС525Г, КДС525Д) или с общим като- дом (КДС525И, КДС525К. КДС525Л). Диоды изготовлены методом ионно-лучевой ТСХНОЛО1 ин Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса сборки не более 0,7 г КДС525 ААМАЛЛ 113 1211 io 3 в 1 2 3 Ч 5 5 1, Л 1 у w у у у и КДС525Л 1 п ЬН- -IN МУ 7 О 5 Гс W O7J Z V TxJ •? - t-H J О J4J'— 1x1 O7Z и 7? 5 о-И—। —О—о?й КДС525Б 7о К] Н>-о rt 3 о Ю —0-0^2 * °—и— 0 77 5° К] Н>-о70 5 о—К -ОН’s 0 8 НДС525В НДС525Г КДС52ЧД КДС525И 7о r-KJ-ort 2о Й ——о 75 —КН> 2 7° [> о 77 КНо7С КДС525Н КДС525 Д —КЗ—0 14 Z U “1x1 О 7J Зо-Й— L—KI—0 72 о [21 —К)—о '0 6 0-01 2О-Й— о 8 236
Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /, г 0,2 мА. нс менее 0,5 В Постоянное прямое напряжение для КДС525А. КДС525Б. КДС525В. КДС525Г, КДС525Д прн / =2 мА п КДС525Е. КДС525Ж, КДС525И, КДС525К. КДС525Л при /|1р= 5 мА. не более......................... 0.9 В Пробивное напряжение на уровне обрапюго тока 5 мкА, не менее: КДС525А, КДС525Б КДС525В. КДС525Г, КДС525Д 20 В КДС 525Е, КДС525Ж КДС525И. КДС525К, КДС525Л 40 В Постоянный обратный ток при температуре 233 298 358 К для КДС525А. КДС525Б, КДС525В, КДС525Г, КДС525Д прн = 10 В и КДС525Е КДС525Ж, КДС525И. КДС525К. КДС525Л при [/обр = 20 В, нс более 1 мкА Общая емкость диола при бойр= 5 В. не более .... 8 пФ Время восстановления обратного сопротивления при ^обр. и= *0 В, /пр „= 10 мА, /отсч = 2 мА, не более ... 5 нс Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение’ КДС525А, КДС525Б, КДС525В, КДС525Г, КДС525Д 15 В КДС525Е, КДС525Ж КДС525И, КДС525К, КДС525Л 25 В Импульсное обратное напряжение при т„ < 10 мкс и скважности не менее 100: КДС525А. КДС525Б, КДС525В. КДС525Г, КДС525Д 20 В КДС525Е, КДС525Ж, КДС525И, КДС525К. КДС525Л 40 В Постоянный прямой юк одного диода при температуре: от 233 до 308 К.................................. 20 мА при 358 К..................................... 10 мА Импульсный прямой юк одного диода прн ти < 10 мкс н скважности не менее 100 прн температуре: от 233 до 308 К....................’........... 200 мА при 358 К.....................................100 мА Рассеиваемая мощность всей сборкой при температуре от 233 до 308 К КДС525А КДС525Б КДС525Г КДС525Ж ... 100 мВт КДС525В, КДС525Г, КДС525Д, КДС525И, КДС525К, КДС525Л............................80 мВт прн 358 К КДС525А, КДС525Б, КДС525Е, КДС525Ж .... 50 мВт КДС525В КДС525Г, КДС525Д, КДС525И, КДС525К, КДС525Л............................40 мВт Температура окружающей среды......................От 233 до 358 К 237
Зависимость времени восстанов- ления обратного сопротивления от прямого тока. Зависимость обшей емкости диода от напряжения. Зависимость максимально до- вустмого импульсного прямо- го пока of длительности им- пульса. Зависимое !Ь максимально до- пустимого среднего и импуль- сною прямых токов от темпе- ра I у ры. Зависимость максималь- но допуешмой мощности рассеивания сборки от температуры. 238
КДС526А, КДС526Б, КДС526В Диодные сборки, состоящие нз четырех (КДС526А), трех (КДС525Б), двух (КДС526В) диодов с общим анодом. Дноды изго- товлены методом ионно-лучевой технологии. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается па корпусе Масса сборки не более 0.3 г. KAC5Z6A НДС526 В 1 о—К)— 2 о----- 3 о—К)—. 5 0——— Электрические параметры Постоянное прямое напряжение: при /Ер= 5 мЛ не более при 298 К........................................ 1,1 В при 358 К...................................... 10В прн 233 К...................................... 1,8 В при 7пр 0,2 мА, нс менее при 233 и 298 К..................................0.55 В прн 358 К...................................... 0 45 В Общая емкость диода при С>’оер = 0, не более .... 5 пФ Время восстановления обратного сопротивления при 7„р = Ю б'обр, и= 10 В, 7ОТСТ= 2 мА, не более ". . . 5 пс Предеты ые эксплуатационные тайные Импульсное обратное напряжение........................ 15 В Постоянный нлн средний прямой ток одного диода при температуре- от 233 до 343 К ............................ ... 20 мА при 358 К .........................................10 мА 239
Импульсный прямой юк одного диода при т„ < 10 мкс без превышения среди, о прямого тока.................50 мА Рассеиваемая мощность всей сборкой при температуре: от 233 до 343 К............................• . . 50 мВт при 358 К.............. Температура окружающей среды 25 мВт От 233 до 358 К Зависимость общей емкости диода от напряжения. Зависимость максимально до- пустимого импульсного прямо- го тока oi дштслытостн им- и у тиса. Зависимость максималь- но допустимого среднего прямою тока одного дио- да и мощности рассеива- ния сборки от темпера- туры. 2ДС627Л, КДС627А Диодные матрицы, состоящие из восьми изолированных кремние- вых зштгаксналыю-планарпых диодов. Предназначены для использо- вания в коммутаторах тока и дру их импульсных схемах Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами Тин прибора указывается на корпусе Аноды диодов соединены с вы- водами 1-8, катоды соответствующих диодов — с 16 — 9 Масса матрины не более 0,6 г. 240
9 о i 66600000 123*5678 Э дектрическпе парами ры Постоянное прямое напряжение при 71|р = 200 мА 2ДС627А при 213 К ..................................0.95- 1.35 В при 298 К.......................................0.85—1,15 В при 398 К.......................................0,65-0,95 В КДС627Л при 298 К не более ....................... 1,3 В Постоянный обратный ток при t/oCp= 50 В, для 2ДС627А КДС627А не более: при 298 К.........................................2 мкА при 398 К.......................................100 мкА Общая емкость диода при L'o6p = 0 В, не более ... 5 нФ Время восстановления обратного сопротивления при /,1р= 200 мА б'(>Ср= 20 В /окч 10 мА, ис более . . . 40 нс Предельные эксплулт анионные данные Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 398 К............................................... 5° В Импульсное обратное напряжение при т„ < 2 мкс и скважности ис менее 10 при температуре от 213 до 398 К.................................................. 60 В Средний прямой ток черед любое число диодов или любой одиночный диод при температуре: от 213 до 323 К.................................... 200 мА при 398 К............................................80 мА 241
Импульсный прямой ток через любое число диодов или любой одиночный диод при т„ < 10 мкс без превыше- ния среднего прямого токл при температуре: от 213 до 323 К................................. 1500 мА при 398 К....................................... 750 мА Температура окружающей среды..........................От 213 до 398 К Температура перехода для 2ДС627А..................... 428 К Зависимость заряда переключе- ния ог прямо! о тока. Зависимость общей емкост и диода от напряжения. Зависимость импульсною пря- мою напряжения от импульсно- го прямою тока. Зависимость максимально допустимого среднего прямого тока от температуры. 242
Зависимость максимально допустимого импульсного прямого тока от темпера i у ры. 2ДС628А, КДС628А Диодные матрицы, состоящие из шестнадцати кремниевых эпи- таксиалыю-илапарных диодов. Вып}скаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса матрицы не более 0,7 г. Элек 1 рическне иарамет ры Постоянное прямое напряжение при /,|р = 300 мА. 2ДС628А при 213 К.....................................1,0 —1,4 В при 298 К..................................0,95-1,25 В прн 398 К...................................0,7 1,0 В КДС628А при 298 К, нс ботее..................... 1,3 В 243
Постоянный обратный ток при 1/о6р = 50 В, не более: 2ДС628А, КДС628А прн 298 К...........................5 мкА * 2ДС 628А при 213 К.....................................5 мкА при 398 К.....................................100 мкА Общая емкость дисыа при С'оБр= 0 В. не более ... 32 пФ Время восстановления oopanioi о сопротивления при Aip= ЭДО мА, 1/обр „= 30 В, /01сч= 10 мА, не более ... 50 нс Предельные эксплуа анионные данные Постоянное обратное напряжение при Температуре ог 213 до 398 К............................................ 50 В Импульсное обратное напряжение при ти < 2 мкс и скважности нс менее 10 при температуре от 213 до 398 К .... .............................................. 60 В Импульсный прямой ток через любое число диодов или любой одиночный диод при ти С 10 мкс без превы- шения среднею прямого тока при температуре: ог 213 до 323 К................................... 1500 мА при 398 К.......................................... 750 мА Средний прямой гок через любое число днодов пли лю- бой одиночный диод при /пр „ С 600 мА при темпе- ратуре : от 213 до 323 К.................................... 300 мА при 398 К............................................80 мА Средний прямой ток через любое чис. о диодов пли любой одиночный диод прн температуре: от 213 до 323 К при /11р „ = 1500 мА............... 200 мА при 398 К и /пр,„=750’ мА............................60 мА Температура окружающей среды.............................Oi 213 до 398 К Температура перехода для 2ДС628А....................... 428 К мА 1,6 V 0,8 0,4 О 0,15 0,3 0,45 0,6 0,75 0,9 1,05 1,2 А Зависимость импульсного прямого напряжения от импульсного пря- мого тока. 244
Зависимость максимально допустимого среднего прямого юка от температуры Зависимость максимально до- пустимого средне! о прямого то- ка от максимально допустимого импульсного прямого тока. Зависимость максимально до- пустимого среднего прямого то- ка от максимально допустимого импульсного прямого тока. Зависимость максимально допустимого импульсного прямою тока от температуры 2Д901А-1, 2Д901Б-1, 2Д901В-1, 2Д901Г-1, КД901А-1, КД901Б-1, КД901В 1, КД901Г-1 Диодные матрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов. Предназначены для работы в герметизированной аппаратуре. Ьескериусиые с защитным покрытием и гибкими выводами. Тип и полярность прибора приводятся па ярлыке, помещаемом в ииди- 245
видуальную тару. 31ак полярности располагается у общего вывода (катода) в окне тары. Масса матрицы нс более 10 мг 2Д307Я-7 гД901Б-1 КД301А-1 КД301Б-1 гдзо1в-1 гдзо1г-1 КД901В-1 КД301Г-1 Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /, р 10 мкА. пе менее: при 298 К............................... . ... 04В прн 358 К.......................................0.2.3 В Постоянное прямое напряжение при 7,|р = 1 мА, не более: прн 298 К......................................... 0.7 В прн 213 К........................................ 0,9 В Постоянный обрашый ток при (оГ1р 10 В. не более, при 298 К.............................................0.2 мкА при 358 К.........................................1.0 мкА Время восс 1НОВ.1СННЯ обратного сопротивления при исрс- к но юниц с 5 мА посто иного прямого тока на 10 В обратного напряжения при уровне отсчета обратною гока 2 мА, пе более................................... 20 нс Общая емкость при постоянном напряжении смещения 0,1 В. f 1 : 10 МГц, не ботее.......................... 4 пФ Нртдс.и.ные эксплуатационные данные Обратное напряжение любой формы и периодичное™ прн TCMnepaiype oi 213 до 358 К............................ 10 В Постоянны! прямой ток (суммарный ток всех диодов матрицы) при температуре от 213 до 358 К ... . 5 мА Импульсный прямой ток при т„ 10 мкс и /1р ср < 5 мА ври температуре от 213 до 358 К.......................100 мА Температура окружающей среды...........................От 213 до 358 К Примечания: 1 Расстояние от места пайки (сварки) до защит- ного покрытия должно быть нс менее 2 н не более 7 мм Нагрев кристалла и защитного покрытия при панке (сварке) не выше 358 К Расстояние места нзтмба от защитного покрытия не менее. 0,3 1мм 246
Не допускается соприкосновение выводов с кристаллом и перегиб выводов на инструменте с острыми краями 2. При включении матриц в измерительную или испытательную схему, находящуюся под напряжением, общий вывод (катод) должен присоединяться первым и отключаться последним 3. Защитное покрытие матриц изготовлено из эмали ЭП 91. 4. Допускается работа матриц при температуре 398 К, при этом типовое значение обраитого тока равно 1—3 мк/Х, а типовое значе- ние прямого напряжения 0,17 — 0,23 В. Зависимость импульсною нря мою тока от длительности им- пульса. Зависимость обшей емкости диода от напряжения 2Д903А. 2Д903Б, КД903Л, КД903Б Диодные матрицы, состоящие its кремниевых планарных диодов. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается па корпусе Матрицы 2Д903Н, КД903Б выпус- каются без выводов 12 и 13 Масса матрицы не более 0,5 г. 247
Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /,,р = 75 мА. нс более: от 298 до 343 К.................................... 1,2 В прн 213 К....................................... 1.3 В Постоянный обратный ток прн С'обр= 20 В. не более: от 213 до 298 К.....................................0.5 мкА при 343 К........................................5.0 мкА Время восстанов тения обратного сопротивления при Л1Р, и= 0.3 А, {/Обр. и= Ю В, 1ОКЧ = 1 мА, не более . . . 150 нс Общая емкость диода при С 6р= 5 В,/= 1 10 МГц, нс более.............................................. 10 пФ Импульсное прямое напряжение прн /пр „-0,3 Л, т„ = 3 мкс, нс более................................ 2,3 В Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 343 К......................................... 20 В Суммарный постоянный прямой юк через все диоды или через один любой при температуре от 213 до 343 К . . . 75 мА Импульсный прямой ток при т„ < 3 мкс, /пр ср= 75 мА и температуре от 213 до 343 К........................0,35 А Импульсное обратное напряжение при т„ С 3 мкс, скваж- ности не менее 10 и температуре от 213 до 343 К . . . 30 В Температура окружающей среды.........................От 213 до 343 К Зависимость обшей емкости диода от напряжения 248
Зависимость времени восстанов- ления обратною сопротивления от импульсною прямого гока. Зависимое 1ь импульсного пря- мого тока от длительности им- пульса. 2Д904А-1, 2Д904Б-1, 2Д904В-1, 2Д904Г-1, 2Д904Д-1, 2Д904Е-1, КД904Л-1, КД904Б-1, КД904В-1, КД904Г-1, КД904Д-1, КД904Е-1 Диодные матрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов. Предназначены дзя работы в герметизированной аппаратуре. Бескорнусные с защитным покрытием и гибкими выводами Тнп прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся па ярлыке, помещаемом в индивидуальную тару В матрицах 2Д904А-1, КД904А-1 один диод, 2Д904Б-1. КД904Б-1 - два, 2Д904В-1, 2Д904Д-1, КД904В-1, КД904Д-1 - три. 2Д904Г-1,2Д904Е 1. КД904Г-1. КД904Е-1 - четыре. Масса матрицы нс более 10 мг. гДЭ0ЧА~1 гД804Б-1 КД904Д-7 КД90ЧБ-7 гдзочв-ад-! 2Д90ЧГ-Ц-1 КДЭОЧВ-1^-1 КД90ЧГ-1,Е-1 249
Электрические параметры Постоянное прямое ширяжеиис при 1„р= 0.01 мА. не менее: при 298 К.........................................0.45 В прн 358 К.........................................0.31 В Постоянное прямое напряжение при /11р = I мА не более- при 298 К......................................... 0,8 В при 213 К......................................... 1.05 В Постоянный обратный ток при I7ofip= '0 В. не более: при 298 К...........................................0.2 мкА при 358 К.......................................10 мкА Разность прямых напряжений двух диодов из числа пер- вых трех диодов при /пр от 0,05 мА до 0,5 мА для 2Д904Д-1, 2Д904Е-1, КД904Д-1. КД904Е-1. не более 10 мВ Время восстановлення обратного сопротивления при 7пр = 5 мА, t'o6P, и= 5 В, не более................. 10 нс Общая емкость каждого диода при (7о6р 0.1 В, /= 1 — 10 МГц, нс более............................. 2 пФ Предельные эксплуатационные данные Обратное напряжение любой формы и периодичное-! и при температуре от 213 до 358 К........................ 10 В Импульсное обратное напряжение при т„< 2 мкс. скваж- ности не меиее 10 и температуре от 213 ло 358 К . . . 12 В Средний выпрямленный ток (суммарный ток всех диодов магрины) при температуре ог 213 до 358 К . . . . 5 мА Импульсный прямой ток при т„< 10 мкс и /пр tp<5 мА 100 мА Температура окружающей среды........................Ог 213 до 358 К Примечания: 1. Расстояние от меча пайки (сварки) до за- щитного покрытия должно быть ис менее 2 мм и не более 7 мм. Haiрев кристалла и защитного покрытия нри пайке (сварке) нс выше 358 К. 2 . Допускается изгиб вывода иа расстоянии ие менее 0,3 мм от защитного покрытия 3 Нс допускается соприкосновение выводов с кристаллом и перегиб выводов иа инструменте с ос рыми краями. 4 При включении матрицы в измерительную или испытательную схему, находящуюся под напряжением, общий вывод (анод) должен присоединяться первым и отключаться последним. 5 Защитное покрытие матриц изготовлено из эмачи ЭП-91 250
Зависимость заряда переключения от постоянного прямого тока. Зависимость заряда переключе- ния oi постоянного обратного напряжения. Зависимое! ь импульсною пря- мого юка о г длительное! и им- пульса. Зависимость импульсного пря- мого напряжения от импульспо го прямого тока прямоугольной формы с временем нарастания фронта 2 — 3 нс. диода от обратного напряжения. 251
2Д906А, 2Д906Б, 2Д906В, КД906А, КД906Б, КД906В, КД906Г, КД906Д, КД906Е Диодные матрицы, состоящие из кремниевых эпигаксиат .но- планарных диодов. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе: тины 2Д906А, КД906А обозначаются 2Д906, КД906; 2Д906Б, КД906Б — 2Д906, КД906 — с одной красной точкой, 2Д906В, КД906В - 2Д906. КД906 — с двумя красными точками Белая полоса и рельефный знак ставя юя у четвертого вывода. Масса мшрицы пс более 0.6 г. КП ЗОЕ Г-Е Э.ккчрические параметры Постоянное прямое напряжение при /|1р = 50 мА. пс бо ее: при 298 К............................................ 1 В при 213 К дтя 2Д906А, 2Д906Б. 2Д906В и при 218 К для КД906А. КД906Б, КД906В. КД906Г, КД906Д. КД906Е........................................ 1,2 В Импульсное прямое напряжение при /1|р „ = 2 А, /11р ср= 30 мА, т„= 10 мкс, пс более................. 5 В Постоянный обратный юк при </о5р = 75 В для 2Д906А, КД906А. КД9061 , бо5р= 50 В для 2Д906Б, КД906Б, КД906Д, t'o5p=30 В для 2Д906В, КД906В. КД9()6Е, пс более: при 298 К....................................... 2 мкА при 398 К для 2Д906А, 2Д906Б. 2Д906В .... 75 мкА при 358 для КД906А, КД906Б. КД906В, КД906Г, КД906Д, КД906Е..................................100 мкА В [тем я восстановления обратного сопротивления при 7цр, м=50 мА 1/о5р и= 20 В ис более.................. 2 мкс Время установления прямого сопротивления при /пр и = 2 А, /нр ср= 30 мА, т„= 10 мкс. не более.................. 1 мкс Общая емкость при 6/одр= 5 В, /=1 = 10 МГц, не более: 2Д906А, 2Д906Б, 2Д906В, КД906А, КД906Б, КД906В 20 пФ КД906Г, КД906Д, КД906Е...............................40 пФ 252
Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение при температуре oi 213 до 398 К для 2Д906А, 2Д906Б. 2Д906В и от 218 К до 358 К для КД906А, КД906Б. КД906В, КД906Г. КД906Д. КД906Е- 2Д906А, КД906А, КД906Г....................... 75 В 2Д906Б, КД906Б, КД906Д....................... 50 В 2Д906В, КД906В, КД906Е....................... 30 В Импульсное обратное напряжение при т„< 10 мкс (при подаче импульса о рицателыюй полярности не менее чем через 3 мкс после окончания импульса прямого тока) при темпера type от 213 до 398 К для 2Д906Л 2Д906Б, 2Д906В и oi 218 до 358 К для КД906А, КД906Б, КД906В. КД906Г, КД906Д. КД906Е. 2Д906А КД906А ................................ 100 В 2Д906Б, 2Д906В, КД906Б, КД906В, КД906Г, КД906Д. КД906Е........................................ 75 В Постоянный средний прямой ток пли выпрямленный ток для одного (любого) диода матрицы при температуре: от 213 до 323 К для 2Д906А, 2Д906Б, 2Д906В ... 200 мА при 398 К для 2Д906Л 2 1 'Об Ь 2Д906В .... 25 мА от 218 до 323 К для КД906А. КД906Б, КД906В, КД906Г. КД906Д. КД906Е........................100 мА при 358 К для КД906А, КД906Б, КД906В, КД906Г, КД906Д, КД906Е................................30 мА Импульсный прямой ток для одного (любого) дио*а матрицы при т„< 10 мкс: при /пр ср = 30 мА и температуре от 213 до 398 К для 2Д906Л. 2Д906Б, 2Д906В и от 218 до 358 К для КД906Л, КД906Б, КД906В. КД906Г. КД906Д. КД906Е 2 Л при /|1р Ср= 60 мА и температуре ог 213 до 363 К для 2Д906А, 2Д906Б. 2Д906В.................... 1 Л Частота без снижения режимов...................... 500 кГц Температура окружающей среды: 2Д906А, 2Д906Б. 2Д906В.........................От 213 до 198 К КД906А, КД906Б. КД906В, КД906Г, КД906Д, КД906Е.........................................От 218 до 358 К Примеч а п и я: 1. Допускае1ся параллельное соединение млрпн. При работе в качестве выирямшетыюго моста общий прямой ток не должен превышать 0.7 tilllp ср, где и чис ю иараллс н>ио соединен- ных матриц. 2. Допускается последовательное соединение матриц, при этом каждую из них рекомепд гтся шунтировать выравнивающим конден- сатором. 3. Допускаеюя пайка па расстоянии 1 мм от корпуса матрицы к металлической детали плошадыо не менее 7 мм2 отовяппо-евпп- цовым припоем при температуре нс выше 473 К 253
Зависимость постоянного пря- мого тока от температуры. 2Д907Ь-1, 2Д907Г-1, КД907Б-1, КД907Г-1 Диодные матрицы, состоящие из кремниевых эгнпаксиатьно-пла- париых диодов Предназначены для работы в герметизированной аппаратуре Бескорнусные с защитным покрытием и гибкими выводами Тип прибора и полярность указываются па крышке индивидуальной тары. Масса матрицы не более 5 мг. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр — 50 .мА' при температуре от 298 до 358 К........................... 0,75* 0,85* -1 В при 213 К, не более........................... 1,3 В 254
Постоянный обратный ток при [7о6р = 40 В и температуре от 213 до 298 К ..................... при 358 К, не более.................. Заряд переключения при /пр и = 50 мА ^обР.и=«0В..................’.......... Общая емкость при [7о6р =0. f = 1 -=- -F 10 МГц.............................. 0,05*-0,25*-5 мкА 50 мкА 100*-250*-500 нКл 1* —2,5* —5 пФ Прете 1ьные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К ..................................... 40 В Импульсное обратное напряжение при ти С 2 мкс. скваж- ности, большей или равной 10, н температуре от 213 до 358 К...................................... 60 В Суммарный средний прямой ток через все диоды или любой одиночный диод прн температуре: от 213 до 333 К ..............................50 мА при 358 К.....................................30 мА Суммарный импульсный прямой ток прн тн С 2 мкс, А1р.ср.макс через все диоды или любой одиночный диод прн температуре: от 213 до 333 К............................... 0,7 Л при 358 К..................................... 0,5 Л Температура окружающей среды......................От 213 до 358 К Температура перехода.............................. 378 К Примечания: I. Допускается изгиб выводов па расстоянии не ближе 1 мм от защитного покрытия с радиусом закругления нс менее 0,3 мм. Длина выводов от места выхода из защитно- го покрытия до места закрепления должна быть не бот ее 6 мм 2. Защитное покрытие матриц изготовлено из эмали ЭП-91. Зона возможных положении зави- симости установившегося прямого напряжения от импульсного пря- мого тока. 255
Зона возможных положений за- висимое ги 1ряла переключения от прямою тока. Зона возможпь х положений за- висимое ги обшей емкости диола о г напряжения. Зависимое 1ь среднего прямого тока от температуры Зависимость импульсного пря- мого тока от температуры. 2Д908А, КД908А Диодные матрицы, сосгоя| inc из кремниевых эппгаксиалыю- U (аиариых диодов. Предназначены для работы в импульсных пере- ключающих схемах с малым временем восстановления обратного сопротивления Выпускаются в металлостскляшюм корпусе с гибкими вывода- ми. Тип прибора указывае!ся на корпусе. Maipnna состои» из восьми диодов с общим катодом. Аноды диодов соединены с вы- водами 1 —8, выводы катода — 9—12. Масса матрицы не более 0,63 г 256
Электрические параметры Лостоятшое прямое напряжение при /пр = 200 мА, нс более, при темпера гуре: от 298 до 398 К для 2Д908А п от 298 до 358 К для КД908А....................................... 1,2 В при 213 К........................................ 1,5 В Постоянный обратный ток при t/OQp = 50 В. нс ботсс. прн температуре: от 213 до 298 К.................................... 5 мкА нри 398 К для 2Д908А и 358 К для КД908А . . . 100 мк?Х Время восстановления обратного сопротивления при /,,р = 200 мА, Со6р„ = 1 В, /отеч = 3 мЛ, не более .............................................. 30 нс Общая емкость одного диода при С’и5р = 0 В, f= = 1 — 10 МГц, пс более................................. 5 пФ Предельные эксп; уатапиониые данные Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 398 К дчя 2Д908Л........................ 50 В от 213 до 358 К для КД908А..................... 40 В Импульсное обратное напряжение при ти С 10 мкс скваж- ности нс менее 10 и температуре от 213 до 398 К для 2Д908А и от 213 до 358 К для КД908А................ 60 В Суммарный средний прямой ток через вес диоды пли любой одиночный диод при температуре от 213 до 323 К для 2Д908 и от 213 до 308 К для КД908А..................................... 200 мА при 398 К для 2Д908.А и 358 К для КД908Л.........................................100 мА Суммарный импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс бет превышения /„р.ср.Макс через все диоды или любой одиночный диат при температуре от 213 до 323 К для 2Д908 и от 213 до 308 К для КД908А..................................... 1500 мА при 398 К для 2Д908Л и 358 К для КД908А......................................... 750 мА Температура окружающей среды 2Д908А.............................................От 213 до 398 К 9 цод рад, Н Н Горюнова 257
КД908А.......................................От 213 до 358 К Температура перехода для 2Д908А.................. 423 К Зона возможных положений зави- симое in общей емкости лиода от обратною напряжения. Зона возможных положений за- висимости заряда переключения от постоянною прямою тока. Зависимость среднею прямою тока or температуры. Зона возможных положений за- висимости прямою yciaHo- вившегося напряжения от им- пульсного прямого тока. Зависимость импульсного пря- мою тока от температуры» КД909А Диодная матрица, состоящая из кремниевых эпитаксиально- планарных диодов. Выпускается в пластмассовом корпусе с i некими выводами. Тип прибора указывается mi корпусе. Матрица состоит из восьми диолов с общим катодом. Аноды диодов соединены с выводами 1 —S. выводы катода — 9—10. Масса матрицы не более 0 58 г. Электрические парамеI ры Постоянное прямое напряжение при /11р = 200 мА, нс более: прн 298 К......................................... 1,2 В при 213 К....................................... 1.5 В Посюяниый обратный ток при СоС1р = 40 В, не белее: при 213 и 298 К..................................... 10 мкА при 358 К.......................................100 мкА Время восстановления обратного conpoi ив 1ення при 500 мА, Со5р.„ 10 В, /о,с„ = 5 м\. не более ............................................ 70 нс Общая емкость при Со5р = 0 В, f= 1 : 10 МГн не более............................................... 5 нФ Пр цельные зкеплуатанионные данные Постоянное обратное напряжение....................... 40 В Суммарный постоянный прямой ток (и in среднее зна- чение) через все диоды пли через одни любой диод................................................. 200 мА Импульсный прямой ток при т„ < 3 мкс бет превышения предельного среднего тока при температуре: oi 213 до 298 К ................................. 1500 мА при 358 К........................................1200 мА Температура окружающей среды.........................От 213 до 358 К 258 9* 259
Зависимое ib импульсного пря- мою гока от температуры. Зависимость импульсного пря- мою тока от д/ипелыюстп им- пульса. 2Д910А-1, 2Д910Б-1, 2Д910В-1, КД910А-1, КД910Б-1, КД910В-1 Диодные матрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов. Предназначены для работы в герметизированной аппаратуре Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами Матрицы маркируются цветными точками 2Д910А-1, КД910А-1 — красной, 2Д910Б-1, КД910Б-1 — двумя красными, 2Д910В-1, КД9ЮН-1 - тремя красными. Гии н полярность прибора указыва- ются на ярлыке, помещаемом в ищшвидуадьпую тару. Масса матрицы не ботее 10 мг. Э юкгрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр = 0 05 мА, ис менее: при 298 К................................................. 0,5 В типовое значение........................................0,57* В прн 358 К...............................................0,34 В 260
Постоянное прямое напряжение при /пр = 1 мА, не более: при 298 К............................................ 0,8 В типовое значение.................................0,77* В прн 213 К........................................ 1,1 В Посюянный обратный юк при t'of-,p = 5 В, пс ботее: при 298 К........................................... 0,5 мкА типовое значение.................................0,02* мкА при 358 К..........................................Ю мкА Время воссишовлспня обратного сопротивления прн Aip. и — 5 мА, ^обр. и “ 5 В, /отст ~ мА, скважности пс менее 100, пс более........................... 5 пс Общая емкость при С'о5р = 0,1 В, f = —10 МГц, нс более ............................................1 . пФ Предельные эксплуатационные данные Импульсное обратное напряжение любой формы и пе- риодичности прн темперЛуре oi 213 до 358 К . . . 5 В Импульсный прях ой ток (суммарный ток всех диодов матрицы) при температуре: or 213 до 328 К ................................. 10 мА при 358 К......................................... 5 мА Температура окружающей ере ы..........................От 213 до 358 К Примечания: 1 Расстояние от места папки (сварки) до защитного покрытия должно быть нс менее 2 и нс ботее 7 мм. Нагрев кристалла и защитного покрытия не выше 358 К Рас- стояние места изгиба вывода от защитного покрытия не мепсс 0,3 мм. 2. Ilprt включении матрицы в из.мерщельпую пли испытатель- ную схему, находящуюся под напряжением, общий вывод (анод) должен присоедини।ься первым п отключаться последним. 3. Зашитое покрьппе изгоювлено из эмали ЭН 91. Зависимость заряда переключе- ния от прямого тока Зависимость заряда переключе- ния от обратного напряжения. 261
Зависимость импульсного пря- мою тока от длительное! и им- пульса. Зависимость импульсного пря- мого напряжения о г импульсно- го прямого тока с временем нарастания фронга 2 — 3 нс. Зависимость общей емкости диода от обратною напряжения. Зависимость импульсною пря- мого тока от температуры. 2Д911А-1, 2Д911Б-1, КД911А-1, КД911Б-1 Диодные матрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре. Бескорпусныс, с защитим покрытием и гибкими выводами. Количество диодов в матрице может быть i, 2 или 3 в зависи- мости от заявок потребителя. Тип прибора и схема соед| нения электродов с выводами приводятся па таре-спутнике. Матрицы мар- кируются цветным кодом’ 2Д9ИА-1, КД9НА-1 черной точкой у вывода катода, 2Д9НБ-1, КД911Б-1 — белой точкой. Масса матрицы нс более 10 мг 262
Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при 1„р 0.05 мА, нс менее: при 298 К 2Д9НА-1. КД911Л-1..............................0.62 В 2Д9ПБ-1. КД9ПБ-1 ..............................0.55 В при 358 К 2Д9ПА-1, КД9НА-1................................. 0.5 В 2Д9ИБ-1, КД9ИБ-1 .............................. 0.4 В Постоянное прямое напряжение при /1р = I мА. не бо тес: при 298 К для 2Д911А-1, 2Д9ИБ-1, КД911А I. КД9НБ-1..........................................0.85 В при 213 К для 2Д9ИА-1, 2Д9ИБ-1 и при 233 К для КД911А-1, КД911Б-1.......................... 1.15 В Постоянный обра1ный ток при {/обр = 5 В. не более. при 298 и 213 К для 2Д91IA I. 2Д91 lb I 298 К и 233 К для КД911А-1. КД911Б-1 .... 0.5 мкА при 358 К для 2Д911А-1, 2Д911Б I, КД9НА-1, КД911Б 1 ................... 10 мкА Время восстановления обратного сопротивления при /Пр и = 5 мА, Соор,и = 1.5 Б. Азтсч 5.5 мА. 2Д911А-1, КД911Л 1 ........................ 30-70*-140* нс 2Д911Б-1, КД911Б-1..................... 80-100*-180* нс Предельные жп туагациоииые тайные Постоянное обратное напряжение нри температуре от 213 К до 358 К для 2Д9ПА-1, 2Д9ПБ-1 и от 233 до 358 К для КД911Л-1, КД911Б-1................. Постоянный прямой ток (суммарный ток всех диодов матрицы) при температуре от 213 К до 328 К для 2Д911А-1. 2Д911Б-1 и от 233 до 328 К для КД911А-1, КД911Б I . . . . 10 мА при 358 К для 2Д911А1, 2Д911Б1, КД911А-1. КД911Б1............................................ 5 мА 263
Температура окружающей среды: 2Д911А- , 2Д911Б-1..................................От 213 до 358 К КД911А-1. КД91 Б-1..................................От 233 до 358 К Примечания: I. Защитное покрытие матриц изготовлено из эмали ЭП-91 2. При пайке выводов не допускается натрев кристалла и за- щитною покрытия свыше 373 К. 3. Минимальное расстояние от места пайки (сварки) до защит- ного покрытия должно быть нс менее 1 мм. 4. При эксплуатации матриц в аппаратуре должен быть обес- печен отвод теплоты от кристалла с общим тепловым сопро- тивлением нс более 3 К.мВт. 5. Допускается изгиб вывода на расстоянии не ближе 0,3 хм от защитного покрытия. 6 При включении диодных матриц в измерительную или испы- тательную схему, находящуюся под напряжением, базовый вывод (катод) должен присоединяться первым и отключаться последи им. Зависимость времени восста- новления обратною сопротив- ления от прямою тока. Зависимость времени восстанов- ления обратною соттротив. сипя от прямою тока Зависимость прямого тока от темпера гуры. 264
2Д912А-3, 2Д912Б-3, 2Д912В-3, КД912А-3, КД912Б-3, КД912В-3 Диодные матрицы состоящие из кремниевых планарных диодов. Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре. Бсскорпусные с жесткими выводами без криоа ьчолержателя. Число диодов в матрицах в зависимост от заявок потреби- телей — 1 (диагональный), 2, 3. Тип прибора указывается на ярлыке, прилагаемом к групповой таре. Вывод анода имеет боль.. диаметр. Масса матрицы не более 10 мг. ФО, 25 ФО,18 Э зскгрпчсские парамиры Постоянное прямое напряжение при /|1р 50 мкА. не менее: при 298 К 2Д912Л-3, КД912Л-3.................................. 0,5 В 2Д912Б-3. КД912Б-3................................0.62 В 2Д912В-3, КД912В-3................................0,55 В при 358 К 2Д912А-3. КД912А-3..................................0.35 В 2Д912Б-.3, КД912Б-3...............................0,47 В 2Д912В 3. КД912В 3................................ 0,4 В Постоянное прямое напряжение при /пр I мА. не более: при 298 К 2Д912А-3, КД912А-3.................................. 0,8 В 2Д912Б-3, 2Д912В-3, КД912Б-3, КД912В-3 . . . 0,85 В при 213 К 2Д912А-3, КД91 АЗ................................. 1.1 В 2Д912Б 3, 2Д912В-3, КД912Б-3, КД912В-3 . . . 1.15 В Постоянный обратный ток при (7о6р = 5 В. при 298 К.........................................0,2 мкА при 358 К.........................................5,0 мкА 165
при 213 К для 2Д912Б-3, 2Д912В-3, КД912Б-3, КД912В-3..............................................О 5 мкА Время восстановления обратного conpoi ив.тсния при I = 2 мА, 1/оГ)р.и=5 В /Отсч = 2 мА «с более: 2Д912А-3, КД912А-3....................................... 5 нс 2Д912Б-3, КД912Б-3.................................. 30 нс 2Д912В-3, КД912В-3.................................. 80 нс Общая емкость при Uw, =0,1 В f 1 10 МГц, не более...................................................1,8 пФ Предельные эксплуат анионные данные Посюянпос (или импульсное любой формы и периодич- ности) обратное напряжение при гемпсратуре or 213 до 358 К............................................. 5 В Импульсный прямой ток (суммарный ток всех диодов магрины) при температуре: от 213 до 328 К ................................... 10 мА при 358 К......................................... 5 мА Постоянный прямой ток, средний выпрямленный юк (суммарный ток всех диодов матрицы) при темпе- ратуре: от 213 до 328 К .................................3,5 мА прут 358 К........................................20 мА Температура окружающей среды..........................От 213 до 358 К Примечания I. При монтаже матриц допускается вомей- ствие на них температуры 573 К (2Д912А-3, КД912А-3) и 673 К (2Д912Б-3, 2Д912В-3, КД912Б-3 КД912В-3) не более 5 с при кон- тактировании с контактными площадками мпкроила гы. Допускается нагрев на воздухе до 503 К не более 3 мин, а до 423 К в течение 2 ч. 2 При эксплуатации диодных матриц должен бьпь обеспечен отвод теплоты с общим тепловым сопротивлением не более 3 К мВт. Зависимость импульсного прямого напряжения ог импульсного пря- мого тока с временем нарастания фронта 2 — 3 нс 266
Зависимое ib импульсного прямого тока ог .1 шге ibiioci и импульса. Зависимость общей емкости диола от напряжения Зависимое >ь времени восс1анов- лення oi пмпу тьсного обратно- го напряжения. Зависимость времени восстанов- ления oi импульсного обрат- ного напряжения. Зависимость прямого тока от Зависимость импульсного пря- мою тока от температуры. температуры 267
2Д913А-3, К I913A-3 Диодные матрицы, состоящие из трех кремниевых планарных инодов с обшим катодом. Предназначены для применения в гер- метизированной аппаратуре Бескорнусные с жеокпын без крпста.т.тодержа геля выводами. Тип прибора указывается на ярлыке, i рилагасмом к групповой таре. Общий вывод (катод) маркируется. Масса матрицы не бо iee 2 мг. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /1|р = = 10 мкА: при 298 К.............................. 0.4 0 45*-0,48* В при 358 К. не менее.................. 0,23 В Постоянное прямое напряжение прн /,|р — = 1 мА при 298 К............................ 0 61* —0.62* —0,7 В при 213 К нс более................... 0,9 В Разность посюяпных прямых напряжений диода при/пр1 = 10 мкА,/пр2 = I мА . . . 0.16* —0 17* —0.25 В Постоянный обратный ток при С'о,-,р = 10 В' при 298 и 213 К...................... . 0.001 *-0,002*-0.2 мкА при 358 К. не более.................. 1 .мкА Время воссгановлеиия обратного сопротив- ления при /при = 5 мА, 6/оСр.„ =10 В, /о,я = 2мА................................ 2* —2,5* — 10 нс Общая емкое!ь диода при 1/обр = 0,1 В f 1 = 10 МГц................................ 2* —2,6* —4 пФ Преле тьиые эксплуатационные данные Постоянное (или импульсное) обратное напряжение диода при температуре ог 213 ло 358 К......................... 10 В Суммарный прямой ток через все тиолы или через любой диод прн температуре от 213 до 358 К . . . 5 мА 268
Импульсный прямой ток диода прн т„ < 10 мкс без превышения /„р^акс при температуре: от 213 до 308 К ................................... 200 мА при 358 К...........................................120 мА Температура окружающей среды.............................От 213 до 358 К Примечания 1, При монтаже допускается однократный нагрев матрицы до 373 К в течение не более 6 с с подачей ультразвуковых колебаний и нормальным давлением на кристалл до 200 г. 2. Выводы матриц медные, покрытые припоем ПСрОСЗ-58. Зависимость импульсного пря- мот о напряжения от импульсно- го прямого тока. Зависимость общей емкости диода от напряжения. Зависимость заряда переключе- ния от импульсного прямого тока. Зависимость импульсного пря- мою тока от температуры. 269
КД914А, КД914Б, КД914В Диодные матрицы, состоящие из кремниевых диолов, изготов- ленных ПО ТДСКТрОИПО-ПОИНОЙ ТСХНОЛОТ ин Выпускаются в пластмассовом корпусе с т ибкимп выводами Тип прибора укатывается иа его корпусе. Масса матрицы не более 0,3 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /„р = 5 мА при 298 К тте более .... .......... 1 В при 358 К..........................................От 0,45 'Ю 1 В при /, -0.2 мА и 298 К. не менее................0,55 В Постоянный обратный ток при 1/^ = 20 В. не более: при 298 и 218 К.......................................1.0 мкА нри 358 К...........................................Ю мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение..................... 20 В Постоянный прямой ток..............................20 мА Импульсный ток при т„ < 10 мкс.....................50 мА Средняя рассеиваемая мощность при температуре: ог 218 до 343 К....................................50 мВт нри 358 К......................................25 мВт Температура окружающей среды.......................От 218 до 358 К 270
Зависимость времени восстановле- ния от постоянного прямоте тока. Зависимость импульсного пря- мого тока от длительности им- пульса. Зависимость средней рассеивае- мой мощности от температуры, 2Д917А, КД917А Диодные матрицы, состоящие из кремниевых щппаксиально- пдаиариых диолов Выпускаются в мега ллостекляниом корпусе с гибкими вывода- ми. Тип прибора указывается па его корпусе. Матрица состоит из восьми диодов с общим анодом. Катоды диолов соединены с выводами 1 8 выводы анода — 9— 12. Масса матрицы не более 0,63 г. 12 7 2 J Ч 5 б 7 в 11 10 9 271
Элсктри'ескис параметры Постоянное прямое напряжение при /пр= 200 мА: при 298 К 2Д917А..................................0,9-1,06*-1,2 В КД917Л. не более....................... 1.2 В при 398 К для 2Д917А....................От 0.8 до 1,2 В прн 213 К для 2Д917А....................От 1.05 до 1,2 В Постоянный обратный ток прн СоЕр = 50 В при 298 и 213 К............................0.01*-0.1*-5 мкА при 398 К для 2Д917А и 358 К для КД917А, не более.......... ............. 100 мкА Время восстановления обратного сопротивления: 2Д917А при /,,р „ = 200 мА, = Ю В, I 3 мА ..............................6* —11* —50 пс 'О1сч л ........................ КД917А при /,ри 10 мА, СоСр11 = 10 В /огсч = 2 мА. нс более................................. 10 нс Общая емкость диода при б,'(,ор= 03)5 В . . . . 2* —3,5* —6 пФ Общая емкость всех диодов прн l/oSp= 0,05 В, /=1 -10 МГц, нс более..................................... 40 пФ Заряд переключения с /,,р. „ 50 мА на „= 10 В для КД917А, не более............................. 1000 пКл Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение: 2Д917Л при температуре от 213 до 398 К . . . 50 В КД917А при температуре от 213 до 358 К. . . 40 В Импульсное обратное напряжение при ти< 10 мкс, скважности пс менее 10 (т„ определяется па уровне 4/о6р= 50 В) и температуре от 213 до 398 К для 2Д917А и от 213 до 358 К для КД917Л ... 60 В С ммарныи средний прямой ток через все диоды или любой один диод при температуре: от 213 до 323 К для 2Д917Л и от 213 до 308 К для КД917А............................ 200 мА при 398 К для 2Д917А и при 358 К для КД917А .... . - 100 мА Суммарный импульсный прямой ток при ти< 10 мкс без превышения /пр ер маж через все диоды или любой один диод при температуре: от 213 до 323 К для 2Д917А и от 213 до 308 К дтя КД917А........................... 1500 мА при 398 К для 2Д917А и при 358 К для КД917Л...................................... 750 мА Темпера тура окружающей среды: 2Д917А...................................От 213 до 398 К КД917А...................................От 213 до 358 К Температура перехода для 2Д917А................. 423 К Примечание. Допускается обрезка неиспользуемых анодных выводов на расстоянии пс ближе 0,3 мм от корпуса. 272
Зависимость общей емкости диода oi обратного напряжения Зависимость заряда переключе- ния or постоянною прямого тока. Зависимость импульсного пря- мого напряжения от импуль- сною прямого тока. Зависимость постоянного пря- мого тока от температуры Зависимость импульсною пря- мого тока от температуры. 273
2Д918Б-1, 2Д918Г-1, КД918Б-1, КД918Г-1 Диодные марины, состоящие из кремниевых эпшаксиально- планарных диолов. Пред ia шачсиы для применения в герметизиро- ванной аппаратуре. Бсскорпуспые с защитным покрытием и гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения элек родов с выводами приводя 1ся на крышке тары-сиу ника. Масса мприцы нс более 5 мг. 1(1) 2(3) 3(9) КД 918 Г-1, 2Д918Г 1 КД918Б-1, 2Д918Г-1 Электрические параморы Постоянное прямое напряжение при /11р = 50 мА, нс более: при 298 и 358 К.......................... 1 В нри 213 К 2Д918Б-1 2Д918Г-1............................. 1,3 в КД918Б-1, КД918Г-1..................... 1 5 В Посюяниый обратный ток прн б'(Лр = 40 В. не более: при 298 и 213 К 2Д918Б-1,2Д918Г 1 5 мкА КД918Б-1, КД918Г-1.......................... 6 мкА при 358 К 2Д918Б-1 2Д918Г 1........................... 50 мкА КД918Б-1, КД918Г-1......................... 100 мкА Заряд переключения при /, р „ 50 мА. ,,= 10 В. IIC 6°iee............................ . . . 850 нК.ч Общая емкость диола при С'оир= 0, f- I 10 МГц, ис более..................................... 6 пФ Время восстановления обра1ного сопротив |ения "РИ 4р,и=Ю мА, <7оСр.„ =10 В, /огсч = 2 мА, не более..................................... 4 нс 274
Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 ло 358 К............................. 40 В Импульсное обратное напряжение при т„< 2 мкс, скважное....... менее 10 и температуре от 213 до 358 К....................................... 60 В Суммарный средний прямой ток через все диады или любой одиночный диад при температуре. ог 213 до 333 К.............................. 50 мА при 358 К ................................... 30 мА Суммарный импульсный прямой юк через все диоды или любой диол при ти< 2 мкс, без превышения максимального среднею прямого тока при тем- пературе: or 213 до 333 К............................. 0,7 А при 358 К................................... 0,5 А Температура окружающей среды................Ог 213 до 358 К Температура перехода............................ 378 К Примечания; 1. Защитное покрытие нзючовтспо из Эмали ЭП-91. 2. При эксплуатации матриц в аппаратуре должен бьпь обеспечен отпад теплоты с общим тепловым сопротивлением нс более 0.5 К/мВт. Зависимость заряда переключения от постоянного прямою юка. Зависимость общей емкости диада от обратного напряжения. Зависимое i ь ус зановившег оси прямого напряжения от импуль- сного прямого тока. 0 0,1 0,4 0,6 0,8 1,0 А 275
Зависимость сре чисто прямого юка от температуры. Зависимость импульсного пря- мого тока oi температуры. 2Д919А, КД919А Диодные матрицы, состоящие из кремниевых планарных диодов. Выпускаются в мегаллопластмассовом корпусе с im6kh.mii выво- дами. Тип прибора указывается на его корпусе. Матрица состоит из 16 диодов с общим катодом. Аноды диодов соединены с выво- дами / 16, выводы катода — 17, 18. Масса матрицы нс более 1,2 г. Э тектричсские параметры Постоянное прямое напряжение диода при /пр= 100 мА. при 298 К.......................................От 0.85 до 1,35 В при 358 К...................................Ot 0,75 до 1,4 В при 213 К...................................От 0,95 до 1,4 В Постоянный обратный ток при t/oC, = 40 В, не более: при 298 и 213 К............................... ] МКА при 35^ К................................. Ю МКД Время восстановления образного сопротивления при Д,р. „= ЮО мА, t'o6p. „= Ю В, /О1СЧ= Ю мА, нс более......................................... 100 нс Общая cMKocib каждого днодз при ( об — 10 В. /=1-7-10 МГц. нс более............................ 6 пФ Посюяппый обратный зок диода при С/о5р= 60 В, не более.......................................... Ю0 мкА Установившееся прямое напряжение диола при /]р „= 400 мА, т„>0,5 мкс, нс более.............. 2,5 В Импульсное прямое напряжение диода при /11р , = 400 мА, 0.5 мкс пе более................ 9,4 В Время усыновления прямою напряжения диола, пе более.......................................... 40 нс Предельные эксплуатационные тайные Постоянное (или импульсное) обратное напряже- ние при температуре от 213 до 358 К . . . . 40 В Постоянный прямой ток матрицы или одною любою лиода при темпера! ре оз 213 до 308 К................................. 100 мА при 358 К....................................... 75 мА Импульсный прямой ток матрицы или одною лю- бого лиода при 10 мкс, скважное!и более 10, прн температуре, от 213 до 308” К................................... 700 мА при 358 К...................................... 500 мА Перегрузочный постоянный прямой зок диода в течение 30 мин (одноразовый)..................... 125 мА Средняя рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 358 К.................................... 180 мВт Температура окружающей среды....................От 213 до 358 К Зависимость времени восстанов- ления обратного сопротивления от постоянного прямого тока. Зависимость пос оянпого пря- мою тока от температуры 276 277
Зависимость общей емкости диода or напряжения. Зависимость обратного юка от темпера туры. Зависимость импульсною уста- новившегося прямого напряже- ния oi импульсною прямого тока. Зависимость постоянною пря- мою напряжения or постоянно- го прямою тока 2Д920А Диодная .матрица, состоящая из кремниевых планарных диодов. Выпускается в мсталлопластмассовом корпусе с т ибкнми выводами. Тип прибора указывается па его корпусе. Матрица состоит из 16 диодов с общим анолом. Катоды диодов соединены с выводами 7 — 76, выводы анода — 77, 18. Масса матрицы не ботес 1,2 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /11р= 100 мА при 298 К.......................................Ог 0.9 до 1,5 В при 358 К (7пр= 75 мА)......................От 0.85 ло 1,5 В при 213 К...................................От 0.95 до 1,55 В Постоянный обратный ток прн l/ogp = 40 В нс более при 298 и 213 К............................... 1 мкА при 358 К....................................... 10 мкА Время восстановления обратного сопротивления при 7пр— 100 мА, t/O6p>H= 17 В, /отсч Ю мА, не более...................................... 100 нс Общая емкость каждого диода при t/o5p= 10 В. /=1 — 10 МГц, не более.............................. 6 нФ Установившееся прямое напряжение при / в = 400 мА, пе более........................ 2,5 В Преде.1 ьиые эксплуатационные таниыс Постоянное или импульсное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К............... 40 В Постоянный прямой ток диода при температуре: от 213 до 308 К................................... 100 мА при 358 К....................................... 75 мА Импульсный прямой ток диода при т„< 10 мкс, скважности, большей или равной 10, при темпера- туре: 'от 213 до 308 К................................... 700 мА при 358 К...................................... 500 мА Перегрузочный постоянный прямой ток в течение 30 ............................................... 125 мА Средняя рассеиваемая мощность при температуре: от 213 до 308 К................................... 150 мВт при 358 К ................................ Температура окружающей среды....................Or 213 до 358 К 278
Зависимость импульсного пря- мого тока от темиершуры. Зависимое 1 ь ус i аиовившсюся импульсного прямого напряже- ния ОТ импу IbCHOI о прямого тока. Зависимость обшей емкости диода от напряжения Зависимость времени восстанов- ления обрапгого сопрогив |сиия от импульсного прямою тока. Зависимое 1ь времени восстанов- ления обратною сопро1пвления or импульсного обратного на- пряжения. Зависимость импульсного пря- мого тока oi дтитсчьпости им- пульса 280
Разд i седьмой ВХРИКАПЫ Д901А, Д901Б, Д901В, Д901Г, Д901Д, Д901Е Варикапы кремниевые сплавные. Выпускаются в металлостскляпиом корпусе с т ибкнми вывозами. Тип прибора и схема соединений электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса варикапа не более 1 г. Электрические парамст ры Емкость варикапа при t/oCp= 4 В,/=1<-10 МГц: Д901А, Д901Б...................................Or 22 до 32 пФ Д901В, Д901Г...............................От 28 до 38 пФ Д901Д. Д901Е...............................От 34 до 44 пФ Коэффициент перекрытия по емкости Д901А, Д901В, Д901Д при I оЯр = 4 -г 80 В..................................От 3,6 до 4,4 Д901Б. Д9011 , Д901Е при С/обр = 4-?45 В . . . От 2,7 до 3,3 Температурный коэффициент емкости. нс ботее при b'rfip=4 В............................... 500-IO"6 1.К при Го6р = 45 В.......................... 200 10 6 1 К Добротность при Бобр = 4 В, f - 50 МГц и 293 К. не менее. Д901А. Д901В. Д901Д...................... 25 Д901Б. Д901Г, Д901Е...................... 30 Постоянный обратный ток при 0'обр = Б’оСр ма(х, не бо тее * при 213 К.................................... 10 мкА при 298 К.................................... 1 мкА при 398 К.................................... 50 мкА Преде тытые эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение: Д901А, Д901В, Д901Д.......................... 80 В Д901Б, Д90Н , Д901Е...................... 45 В Рассеиваемая мощность* от 213 до 298 К.............................. 250 мВт при 398 К................................ 50 мВт Температура окружающей срсты...................От 213 до 398 К 281
Примечание Добрсяносгь варикапа при температуре выше 293 К определяется по формуле С(Г) = С(293)[1 - 6-10“ 3(Т-293)], где £>(293) — добротность при тем1ературе 293 К. Зависимость емкости от напря- жения. Зивпсимость добротности от на- пряжения. Зависимость добротное! и от температуры. Зависимость добротности от Зависимость допуш имой рассен- частоты. васмой мощности от темпера- туры. 282
Д902 Варикап кремниевый сплавной Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора н схема соединений элск1 ролов с выводами приводился на корпусе. Масса варнкана не более 0,6 г. Элек i рические параметры Емкость варикапа прн t/[j6p = 4 В,/=50 МГц . . . Oi 6 до 12 пФ Коэффициент перекрытия по емкости , не ме- нее ........................................ 2,5 Добротность при t/o(5p= 4 В. /=50 МГн, не менее 30 Постоянный обратный лок при t7o6p = UoCp маи. и 293 К, не более................................. 10 мкЛ Предельные эксилуа i анионные данные Постоянное обратное напряжение.............. Температура окружающей среды 25 В От 233 до 373 К 283
Зависимое! ь добро uiocui от час।о1 ы. КВ101Л ВI шкап кремниевый диффузионио-стшавпой Предназначен для рабо1ы в радиокапсула.х медицинской радиоэлектронной аппаратуры. Выпускается в виде табле1ки с гибкими выводами. Тип прибора указывается иа упаковке Положительный вывод маркируется черной точкой. М сса варикапа не более 0,05 г. Этектричсекпе параметры Emkocib варикапа при Т'о6р= 0.8 В.............. 200 пФ+20 % Добро1нос1ь при £/о6р = 0.8 В иа часюге, не менее: /-1 МГц.......................................... 150 J 10 МГц................................. 12 Постоянный обратный ток при (. о , -4 В. нс более: при 298 К........................................ 1 мкА при 328 К..................................... 2 мкА Предельные эксплуатационные данные Обратное напряжение.............................. 4 В Температура окружающей среды..................От 263 до 328 К 284
2В102А, 2В102Б, 2В102В, 2В102Г, 2В102Д, 2В102Е, 2В102Ж, КВ102А, КВ102Б, КВ 102В, КВ102Г, КВ102Д Варикапы кремниевые диффузионно-сплавные. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими вывозами. Тип прибора указывается на упаковке. Положительный вывод маркируется цветной точкой: 2BI02 оранжевой, КВ102 -белой. Масса варикапа не более 0.1 т. Электрические параметры Емкость варикапа при 17обр= 4 В./= 1 <-10 МГц: 2В1О2А...................................От 20 до 25 пФ КВ102А...................................От 14 до 23 пФ 2В102Б...................................От 22 до 27 пФ КВ 102В .................................От 19 до 30 пФ 2В102В...................................От 25 до 37 пФ КВ102В...................................Or 25 до 40 пФ 2В102Г...................................От 14 до 22 пФ КВ102Г...................................От 19 ло 30 пФ 2В102Д...................................От 19 до 28 пФ КВ102Д...................................От 19 до 30 пФ 2В102Е...................................От 25 до 37 пФ 2В102Ж...................................От 19 до 28 пФ Добротность при 1>'ейр= 4 В. /==50 МГц. не менее: 2В102А, KBI02A. 2В102Б. КВ102Б. КВ102В. КВ102Д....................................... 40 2BI02B, 2В102Г. 2В102Ж....................... 50 2В102Д. 2В102Е, КВ102Г...................... 100 Постоянный обратный ток при 1'обР= Ц>бр. макс" до 298 К................................... 1 мкА ПР» Умам................................ 100 мкА Претезытые эксплуатационные тарные Обратное напряжение: 2В102А. 2В102Б, 2В102В. 2В102Г, 2В102Д, 2В102Е КВ102А. КВ102Б. КВ102В. КВ102Г . . 45 В 2В102Ж, КВ102Д.................................. 80 В Рассеиваемая мощность: до 323 К......................................... 90 мВт ЧРИ ТМакс.................................... 20 мВт Температура окружающей среды 2В10 А - 2В102Ж...........................От 213 до 393 К KBI02A - КВ102Д...........................От 233 до 358 К 285
Зависимость емкости от напря- жения. Зависимость температурного коэффициента емкости от на- пряжения. Зависимость добротное пт от температуры. Зависимоегь т е.мпсра т урного коэффициента емкости ог тем- пературы. Z13Z93 313 333 353 373 393 К Зависимость допустимой рассей ваемоп мощности от те.мпсра- ту ры. 2В103/\, 2В103Б, КВ103\, КВ103Б Варикапы кремниевые эпитаксиальные Предназначены для приме- нения в схемах умножения час госы Выпускаются в мсгаллостсклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора п схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе Масса варикапа в комплекте с крепежом нс более 15 г. 286
Элек I рпческие параме I ры Емкость варикапа t'or,p = 4 В /— 1 — 10 MI ц: 2В103А. КВ103А...................................От 18 до 32 пФ 2В103Б, КВ103Б...............................От 28 ло 48 пФ Добротность при f 'O6p=4 В./=50 МГц, не мснсс: 2В103А, КВ ЮЗА................................. 50 2В103Б, КВ103Б.............................. 40 Постоянный обратный ток при Бобр = 80 В не бочее: до 298 К........................................ 10 мкА при /"маке.................................. 150 мкА Преде 1Ы1ЫС эксилуа анионные данные Постоянное обратное напряжение.................... 80 В Рассеиваемая мощность: от 213 до 323 К для КВ103А, КВ103Б и от 213 до 348 К для 2В103А 2В103Б ... 5 Вт при Лткс..................................... 1,5 Вт Температура корпуса: 2В103А 2В103Б.............................От 213 до 403 К КВ103А, КВ103Б............................От 233 до 358 К Примечание. При работе в предельных режимах отвод тепла от варикапа должен осуществляться радиатором, эквивалентным плас- тине с размерами 100x100x3 мм-’. Зависимость емкост и от напряжения. Зависимость допустимой рас- сеиваемой мощности ог тем- пературы. 287
2В104А, 2В104Б, 2В104В, 2В104Г, 2В104Д, 2В104Е, КВ104А, КВ104Б, КВ 104В, КВ104Г, КВ104Д, КВ104Е Варикапы кремниевые диффузионно-сплавные. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора укатывается на упаковке. Положительный вывод мар- кируется цветной точкой 2В104 — белой, КВ104 — оранжевой. Масса варикапа не более 0.2 г. Э.1ек|рические параметры Емкость варикапа при СоВр = 4 В. /= 1 -=- 10 МГц: 2В104А. KBI04A.........................От 90 до 120 пФ 2В104Б, КВ104Б......................От 106 до 144 пФ 2В104В, КВ104В......................От 128 до 192 пФ 2В104Г, КВ104Г......................От 95 до 143 пФ 2В104Д, КВ104Д.....................От 128 до 192 пФ 2В104Е. КВ104Е.....................От 95 до 143 пФ Добротность при б'„-,р=4 В,./=10 МГц, не менее: 2BI04A, 2В104Б 2В104В, 2В104Г, 2В104Д, KBI04A, КВ104Б, КВ104В. КВ104Г. КВ104Д 100 2BI04E, КВ104Е.......................... 150 Постоянный обратны! ток прн t'of)p = Uoop ,ик. до 298 К.............................. 5 мкА при T,IJKC .............. 150 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное oopai юе напряжение: 2В104А, 2В104Б. 2В104В. 2В104Е, КВ104Л, КВ104Б, КВ104В. КВ104Е............................ 45 В 2В104Г, 2В104Д. КВ104Г, КВ104Д.................... 80 В Рассеиваемая мощность: до 323 К............................................. 100 мВт при ТМ1КС......................................... 30 мВт Температура окружающей среды: 2В104 . . '......................................От 213 до 393 К КВ 104.......................................От 233 до 358 К 288
Зависимость емкости or на- пряжения Зависимость температурного коэффициента емкости от тем- пературы. Зависимость допустимой рассеи- ваемой мощности от темпера- туры. Зависимость добротности от темпера гуры. 2В105А, 2В105Б, КВ105А, КВ105Б Варикапы кремниевые диффузионно-ставные. Выпускаются в мсталлостскляппом корпусе с гибкими выводами. Тин прибора и схема соединений ттсктродов с выводами приводя гея на корпусе Масса варикапа не более 2,5 г. 10 пол рс;г.‘Н. Н. Горюнова 289
Электрические параметры Емкость варикапа при Ц>бр = 4 В,/= 1 МГц ... От 400 до 600 пФ Коэффициент перекрытия по емкости, пе менее: при t/oOp от 4 до 90 В для 2В105А, КВ105А 4 при Uofjp от 4 ло 50 В для 2В105Б, КВ105Б 3 Темпера!урный коэффициент емкости при СоСр —4 В, не более..................................... 5-10-4 1 К Добротность при t/o6p = 4 В, /= 1 МГц, не менее 500 Постоянный обратный ток при С'обр=б'обр макс, не более: от 213 до 298 К.......................... 20 мкА при .................................. 150 мкА Пределы 1ые эксплуа анионные данные Постоянное обратное напряжение: 2В105А, КВ105А.................................. 90 В 2В105Б, КВ105Б.................................. 50 В Рассеиваемая мощность: ло 323 К....................................... 150 мВт при Т агс ... ..................... 38 мВт Температура окружающей среды: 2В105А, 2В105Б..............................Oi 213 до 398 К КВ105Л, КВ105Б..............................От 213 до 373 К Зависимость cmkocih от напря- жения Зависимость добротност от температуры Зависимость допустимой рас- сеиваемой мо циос 1 и от тем перату ры. 290
2В106А, 2В106Б, КВ106А, КВ106Б Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные. Предназначе- ны для применения в схемах умножения частоты. Выпускаются в металлост екляштом корпусе с жесткими выводами. Тин прибора и схема соединений э чек! ролов с выводами приводятся иа корпусе. Масса варикапа в комплексе с крепежом не более 15 г. ФБ.35 Электрические парамсi ры Емкость варикапа при Со5р = 4 В. J — 1 : 10 МГц: 2BI06A, КВ106А....................................От 20 до 50 пФ 2В10СБ, КВ106Б.............................От 15 до 35 пФ Добротность при E'ofp — 4 В,/= 50 МГц, пе менее 2В106Л, КВ106Л..................... 40 2В106Б, КВ106Б................ 60 Постоянный обратный ток при Го6р = Б'о0р. макс- не более: от 213 до 298 К........................ 20 мкА ..„и т ........... 150 мкА При л макс.......... Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение: 2В106А. КВ106А...................................... 120 В 2В106Б, КВ106Б................................. 90 В Рассеиваемая мощность: от 213 до 348 К 2В106А, КВ 106А.................................. 7 Bl 2В106Б, КВ106Б.................................. 5 Вт ПрН 7 м;1Кс 2В106А, КВ106Л............................. 2В106Б КВ106Б............................ Температура корпуса: 2В106А, 2В106Б................................От 213 до 403 К КВ106А, КВ106Б..........................От 213 до 373 К 291 10*
Примечания: 1. Рекомендуемый диапазон рабочих частот ог 40 до 500 МГц для 2В106А, КВ106А и от 100 до 1000 МГц для 2В106Б, КВ106Б 2. Прн работе в схеме умножения с авгосмсщспис.м оптималь- ное значение выпрямленною прямого тока см 0,2 до 3 мА, Зависимость емкости от напряжения. Зависимость допустимой рас- сеиваемой мощное 1 и от тем- пературы. КВ107А, КВ107Б, КВ107В, КВ107Г Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные. Выпускаются в мсталлостекляииом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Положительный вывод мар- кируется красной точкой. Масса варикапа не более 1 т. Электрические параметры Емкость при (/обр = для КВ107А, КВ107Б.........................От 10 до 40 пФ прибор 1'я, для КВ107В. КВ107Г...................От 30 до 65 пФ Добротность прн f = 10 М! и, не менее................ 20 Постоянный обратный ток при t/O6pMaltvi не более: при 298 К........................................100 мкА при 343 К...................................... 2000 мкА прн 233 К...................................... 1500 мкА 292
Предельные эксплуат анионные данные Постоянное обратное напряжение KBI07A, КВ107В.................................1.5Гя| + + 2,5 В КВ107Б. КВ107Г.................................1.51/л, + + 4 В Рассеиваемая мощность: or 233 до 323 К....................................100 мВт при 343 К......................................S0 мВт Темпера тхра окружающей среды......................От 233 до 343 К Примечание. VR , (/^ — значения напряжений, начиная с ко- торых уменьшается емкость варикапа: для КВ107А. КВ107В L = 2 9 В; для КВ107Б, КВ107Г UK = 6 18 В К j <'2 Зависимость емкости от напря- жения. (Дана зона разброса.) Зависимость добротности or на- пряжения (Дана зона разброса.) КВ109А, КВ109Б, КВ109В, КВ109Г Варикапы кремниевые эпитаксиально-планарные. Выпускаются в пласт- массовом корпусе с гибки- ми ленточными выводами Варикапы маркируются цвет- ной точкой у положитслы- ного вывода: КВ109А бе- лой, КВ:09Б — красной, КВ109В — зеленой, КВ109Г не имеет маркировки. Масса варикапа нс бо- лее 0,06 ।. Маркировочная точкаег 293
Электрические параметры Емкость при /= I ч- 10 МГц: при ^обР = 3 В КВ109В............................. От 8 до 16 пФ КВ109Г. ..................... От 8 до 17 пФ при l/osp - 25 В КВ109Л............................. От 2,3 до 2.8 пФ КВ109Б............................. От 2,0 ио 2,3 пФ КВ109В .............................От 1,9 до 3,1 пФ Коэффициент перекрытия по емкости: КВ109А...................................... Ог 4 до 5.5 КВ109Б . ................ От 4.5 до 6,5 КВ109В................................. От 4 до 6 КВ109Г, не менее................ 4 Температурный коэффициент емкости . . . (500 + 300) • 10-6 1;К Добротность при Г’обр = 3 В и частоте /= 50 МГц. не менее: KBI09A, КВ109Б................................ 300 КВ109В. КВ109Г........................... 160 /=470 МГц для КВ109А, КВ109Б . . . 30 Постоянный обратный ток при 6/обр = 25 В, пс более................................... 0,5 мкА Индуктивность выводов диода на расстоя пин от корпуса до 1,5 мм, не более 4 нГн Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение .... 25 В Рассеиваемая мощность прн температуре до 323 К....................................... 5 мВт Температура окружающей среды............... От 233 до 358 К Примечание. В интервале температур о г 323 до 358 К рассеиваемая мощность снижается линейно па 0,05 *тВт/К. пряжения. пряжения 294
2В110А, 2В110Б, 2В110В, 2В110Г, 2В110Д, 2В110Е, КВ110А, КВ11ОБ, KB11OB, КВ11ОГ, КВ110Д, KB11OE Варикапы кремниевые эпитаксиально-планарные. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединений электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса варикапа не более 0.25 г '? ктрнческие параметры Емкость варикапа при 17обр = 4 В, /= 1 4- 10 МГц: 2B11GA, 2В110Г, КВ110А, КВ110Г . . . От 12 до 18 пФ 2BI10B, 2В110Д, КВПОБ. КВ110Д . . . От 14,4 до 21, 6 нФ 2В110В, 2В110Е КВ110В, КВ110Е ... От 17,6 до 26,4 пФ Добротность при L'o6p = 4 В,/= 50 МГц, не менее: 2В110А, 2В110Б, 2В110В, КБ110А. RB11GE, КВ110В.............................. 300 2В110Г, 2В110Д, 2B1I0E, КВ1101 КВ110Д, КВ110Е.............................. 150 Постоянный обратный ток при 6/обр = 45 В: при 298 К........................ 1 мкА при 213 К............. 15 мкА прн 398 К..................... ЮО мкА Емкость корпуса, не б ice...................... 0,1 пФ Индуктивность выводов на расстоянии 5 мм от корпуса.............................. Ю и! н Предельные экептуаташюнные данные Постоянное обратное напряжение . . . . Постояли тя рассеиваемая мощность при тем- пературе: от 213 до 323 К...................... при 398 К............................ Температура окружающей среды . . . 45 В 100 мВт 25 мВт От 213 до 398 К 295
Зависимость емкости от на- пряжения. Зависимость добро! НОС ГII от температуры. Зависимость добротности о, па пряжения. Зависимое 1 ь тсмпсрат урпог о коэффициента емкое!и от на- пряжения. Зависимость допустимой рассеи- ваемой мощности от темпера- туры. 296
КВС111А, КВС111Б Сборки из двух кремниевых варикапов с общим катодом. Пред- назначены для применения в УКВ блоках радиовещательных прием- ников Варикапы изготовляются ио эпитаксиально-планарной технологии. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Варикапы маркируются цветной точкой у отрицательного вывода: КВС111Л — белой, KBCI11Б — оранжевой Масса сборки нс более 0,2 г. Элек-i ричоскис варане т ры Емкость при Со,-,р = 4 В / = I МГц.................От 29,7 по 36.3 пФ Коэффициент перекрытия по емкости. не менее...... 2.1 Температурный коэффициент смкссти. не более . . . .500 10 6 1/К Добротность при б'обр * 4 В /—50 МГц, нс менее КВС 1 НА....................................... 200 КВС111Б........................................ 150 Постоянный обратный юк при СоЛр 30 В: до 298 К.......................................... 1 мкА при 328 К...................................... 5 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение....................... 30 В Температура окружающей среды...........................Ог 213 до 37.3 К Зависимость емкости от на- пряжения. 297
Зависимость добротное!и от на- Зав: сн.мость температурною коэф- пряжения. фициен 1 а емкости от емпературы. Зависимость е ткост от на- Зависимость емкости от на- пряжения. пряжения. 2В112А-1, 2В112Б-1, КВ112А-1, КВ112Б-1 Варикапы кремниевые эпитаксиально - планарные. Предназначены для приме- нения в гибридных интег- ральных микросхемах. Выпускаются без кор- пуса с защи гиым покрытием п । ибкими выводами. Тип прибора указывается иа упаковке. Положительный вывод имеет меныпнй диа- метр Масса варикапа не бо- лее 0,006 г Электрические параметры Емкость варикапа при Uo&p = 4 В,/ = I МГц: 2BII2A-I, KBII2A-1...................................Or 9,6 до 14.4 пФ 2В112Б-1, КВП2Б-1................................От 12,0 до 18,0 пФ Температурный коэффициент cmkociи при t/o6p - 4 — 25 В, не бо. ее...........................................5-10 4 I/K Коэффициент перекрытия по емкости при t/o6p = 4 ч- 25 В, не менее............................................ 1,8 Добротность при 6/обр = 4 В, f= 50 МГц, нс менее . . . 200 Постоянный обратный ток прн t/oCp = 25 В, не более: от 213 до 293 К.......................................I мкА при 398 К.........................................50 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное (импульсное) обратное напряжение .... 25 В Температура окружающей среды..........................От 213 до 398 К Зависимость добротности от иа- Зависимость le.Mirepa тури ого коэф- пряжения. фнциента емкости от температуры. 2В1134, 2В113Б, КВ113А, КВ113Б Варикапы кремниевые меза- эпитакснальные. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Положительный вывод маркирует- ся цвешой точкой. Масса варикапа не более 0,2 г. Электрические параметры Емкость варикапа при Сойр = 4 В, /= 1 МГц . От 54,4 до 81,6 пФ 298 299
Коэффициент перекрытия по емкости, не менее 2В113А. КВ113А при L’oCp от 4 до 150 В . 21111 ЗБ, КВ113Б при С’обр от 4 до 115 В . Температурный коэффициент емкости при 1/оСр Добротность при О'обр = 4 В f 10 МГц, не Постоянный обратный ток при бо,-)р температуре: от 213 до 298 К .............. прн 398 ... 4,4 ... 3,9 = 4 В 500 10 6 1/К менее ^обр, макс при 300 к 10 мкА 300 мкА Преде.тьиые эксплуатационные данные обратное напряжение: KB1I3A .... КВН ЗБ........... Постоянное 2В113А, 2В113Б. Постоянная рассеиваемая мощность: от 213 до 323 К................. при 398 К.................... Температура окружающей среды . 150 В 115 В 100 мВт 25 мВт Ог 213 до 398 К пряжения жения. Зависимость температурного коэффициента емкости от тем- пера гуры. Зависимость допустимой рас- сеиваемой мощности от темпе- ратуры. 300
2В114А-1, 2В114Б-1, КВ114А-1, КВ114Б-1 Варикапы кремниевые меза- эпнтаксиалытыс. Предназначены для применения в гибридных ин- тегральных микросхемах. Выпускаются без корпуса с защитным покрытием и гибкими выводами. Тип прибора указывает- ся на упаковке. Положи дельный вывод имеет меньший яиаме|р. Масса варикапа не более 0,04 г. Электрические параметры Емкость варикапа при 1/о6р = 4 В./= 1 МГц..............От 54,4 до 81,6 пФ Коэффициент перекрытия по емкост. пс менее: 2В114А-1, КВ114А-1 при По6рот4до 150 В............ 4,4 2В114Б-1, КВ114Б-1 при от 4 до 115 В.............. 3,9 Доброшоезь при 0^ = 4 В. f 10 МГц, не менее 300 110СТОЯПНЫЙ обратный ток при С'ос,Г1 = С/о5р мак от 213 до 298 К.......................................10 мкА при 398 К....................................... 300 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение: 2B114A-I, KB1I4A-1................................. 150 В 2В114Б-1, КВ114Б-1................................. 115 В Темпера ту pi окружающей среды ........................От 213 до 398 К Зависимость емкост oi на- пряжения 301
Зависимое!ь добротности от напряжения. Зависимое!ь температурного коэф- фициента емкости от температуры. КВ115А, КВ115Б, КВ115В Варикапы кремниевые сплавные. Выпускаются в металлостскляниом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора н схема соединения э.лек! родов с выводами при- водятся на корпусе. Масса варикапа не более 1 г Э. тек!рические параметры Емкость при С/сбр = 0.............................От 100 до 700 пФ Прямое напряжение при /,,р = 20 мА, нс более .... 1 В Обратный ток при С^обр = 50 В не более: КВ115А...........................................0,1 мкА КВ115Б......................................0,05 мкА КВН5В.......................................0,01 мкА Пре тельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение...................... 100 В Пост оянный прямой ток................................20 мА Температура окружающей среды..........................От 233 до 358 К 302
КВ116А Варикап кремниевый эпитаксиалыю-планарный. Предназначен для применения в гибридных интегральных микросхемах. Выпускается без корпуса с защитным покрытием и гибкими выводами Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на сопроводительной таре. Масса варикапа не более 0.006 г. Элект рические параметры Емкость при С/оЯр= 1 В /=1 МГц......................Or 168 до 252 нФ Коэффициент перекрытия по емкости, не менее .... Добротность при С/оСр =1 В f = I МГц, не менее 100 Постоянный обратный ток при t/o5p = 10 В. не более 1 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение..................... 10 В Температура окружающей среды........................От 213 до 358 К Зависимость емкости от на- Зависимость доброт ностп о г пряжения. напряжения. 303
Зависимость темиературиог о коэффициента емкости от тем- пера I уры Зависимость обратною тока от напряжения. 2В117А, КВ117А, КВ117Б Варикапы кремниевые эпитаксиально-планарные. с большим пе- рекрытием по емкости и резкой зависимостью емкости от на- пряжения. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся иа корпусе М icca варикапа нс бочсс 0,25 i Э. чек । рячсские параметры Емкость варикапа при С’О5р 3 В. / = = 1 10 МГц..............................От 26.4 до 39,6 пФ Коэффициент перекрытия по емкости при 3 -е- 25 В: 2В117А. KB1I7A.............................. От 5 яо 7 КВ117В.................................. От 4 до 7 Температурный коэффициент емкости иры Ц,Вр = 3 В, не более................. 600-10 5 I/K Добротность нри 1/обр 3 В. f 50 МГн, нс менее. 2В117А, КВ117А................................... 180 КВ117Б....................................... 150 Постоянный обратный ток нри Ue6v 25 В, пе более, от 213 до 298 К...............‘.................. I мкА при 7макс....................................10 мкА 304
Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение....................... 25 В Рассеиваемая мощность or 213 до 323 К..................................100 мВт при Лике.........................................7-5 мВг Температура окружающей среды: 2В117А................................ От 213 до 398 К КВ117А КВ117Б......................... От 213 до 373 К Зависимость допустимой рас- сеиваемой мощности от темпе- ратуры. Зависимость добротности от частоты 2ВС118А, 2ВС118Б Сборки из двух кремниевых мсзаэннтакснальиых варикапов. Выпускаются в металлостсктяпном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается па корпусе. Выводы /, 2 аноды ва- рикапов. Масса сборки нс более 1,7 г. 305
Электрические параметры Емкость варикапа при 1/с6р = 4 В,/= I МГц.................От 54,4 до 81,6 пФ Разброс емкости между элементами сборки, пс более. 2BCII8A при от 4 В до 100 В........................ 2.5 % 2ВС118Б при 6/о0р от 4 В до 50 В............... 2.5 % Коэффициент перекрытия по емкоети: 2BC1I8A при t/o5p от 4 до 100 В....................3,6-4,4 2ВСН8Б при t/o6p от 4 до 50 В..................2,7 3,3 Добротность при 6'^ = 4 В, f= 10 МГц, нс мспсс: 2BC1I8A............................................ 200 2ВС118Б ..................................... 250 Постоянный обратный ток прн Г/оСр = Г7о6р>макс, нс ботее: до 298 К........................................... I мкА при 398 К......................................150 мкА Предельные эксплуатационные данные Обратное напряжение: 2ВС11 А........................................ 115 В 2ПС118Б.......................................... 60 В Температура окружающей среды..........................От 21 3 до 398 К Зависимость емкости от на- пряжения. Зависимость температурного коэф- фициента емкости от температуры. 306
КВ119Л Варикап кремниевый эпитаксиально-планарный. Выпускается в метал тостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приво- дятся на корпусе. Масса варикапа нс более 0.53 г 60 Электрические параметры Емкость при С'орр = 1 В, f= — 10 МГн................О г 168 до 252 пФ Добротность при < сбр = • f— • МГц, нс менее 100 Постоянный обратный ток прн L -р = 10 В, нс более I мкА Предельные эксплуатационные данные Посюянное обратное напряжение....................... 12 В Температура ок ужато щей среды.......................От 213 до 373 К Зависимость емкости от напря- жения. Зависимость добротности от на- пряжения. 307
Зависимость температурною коэф- фициента емкости or температуры. Зависимое и. обра этого тока от напряжения. КВС120А, КВС120Б Сборки, состоящие из трех (КВС120А) и двух (КВС120Б) крем- ниевых эпитаксиально-планарных варикапов с общ тм кати том Выпускаются в мет а.тлостекляппо.м корпусе с тибкп.ми выводами. Тип прибора указывается иа корпусе. Масса варикапа не более 1,7 г. 1— катод орщий 2-5 —Аноды Электрические параметры Емкость при <.'о6р = I В, /= I 10 МГн................Or 230 до 320 пФ Коэффициент перекрытия по емкости, нс менее........ 2 Добротность прн Собр = I В, /=1 МГц, нс менее 100 Постоянный обратный ток при 0^=30 В, пе более 0,5 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение..................... 32 В Температура окружающей среды.........................От 228 до 358 К Зависимость емкости от на- Зависимость добротности от нанря- нряжения. ження. Зависимость темпсратурнот о коэффициента емкости от гем- перат уры. Зависимость обратного тока от напряжения KB12LX, КВ121Б Варикапы кремниевые эпитаксиально - планарные. Предназначены для примене- ния в селекторах телевизион- ных кама тов с электронным управлением. Выпускаются в пластмас- совом корпусе с гибкими ленточными выпотами Ва- рикапы маркируются цвет- ной точкой у положительно- го вывода. KB12IA синей, КВ121Б — желтой. Масса варикапа не ботсс 0.069 г. 308 309
Электрические параметры Emkocib при С'орр = 25 В, /= 1 -=- 10 МГц.........О г 4,3 по 6 0 пФ Коэффициент перекрытия ио емкости при t'o5p от 1,5 до 25 В не менее............................. 7.6 Добротность при f= 50 МГц, ис менее KB12IA........................................ 200 КВ121Б...................................... 150 Постоянный обратный ток нри Го5р 28 В. не более 0,5 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение..................... 30 В Температура окружающей среды.........................От 213 до 373 К Зависимость емкости от напря- жен ня Зависимость добротности ог на- пряжения. Зависимость температурною коэф- фициента емкое нт от температуры. Зависимость обратного тока oi Напряжения. 310
КВ122А, КВ122Б, КВ122В Варикапы кремниевые эпитаксиалыю-планарные. Предназначены для применения в селекторах телевизионных каналов с электронным управлением. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими ленточными выводами. Варикапы маркируются цветной точкой у положтельного вывода: KBI22A — оранжевой, КВ122Б — фиолетовой. КВ122В — корич- нев ой. Масса варикапа не более 0,069 г. Электрические параметры Емкость при С/о6р = 25 В. /= 1 МГц: КВ122А.................................. От 2,3 ло 2,8 пФ КВ122Б.............................. От 2,0 до 2,3 пФ КВ122В.............................. Ог 1,9 до 3,1 пФ Коэффициент перекрытия по емкости нри Го6р от 3 до 25 В: KBI22A.............................. Ог 4,0 до 5,5 КВ122Б.............................. От 4 5 до 6.5 КВ122В.............................. От 4,0 до 6.0 Добротность прн f 50 МГц, не менее' КВ122А, КВ122Б................................... 450 КВ 122В.......................................... 300 Постоянный обратный гок при Г'о6г = 28 В. нс более 0,2 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение .... 30 В Температура окружающей среды . . . . Ог 213 до 373 К 311
Элек । ричсские нарамет ры Емкость1 при бгобр = 25 В, /= 1 10 MI ц От 2.6 до 3.8 пФ Коэффициент перекрытия по емкости при в'обр °* 3 -4° 25 В- ,1с менее .... 6.8 Разброс ио емкости между- варикапами в ком- илек тс, нс ботее............................... 3 ' Температурный коэффициент емкое! и . . . (500 + 3001-10"6 1 К Добротность при /=50 МГц, нс менее................... 250 Постоянный обратный ток при бо6р - 25 В, не ботее 0,05 мкА Зависимость емкости от на- пряжения. Зависимое।ь добротост ог на- пряжения. Предельные эксп-iyai анионные данные Постоянное обратное напряжение.................... 28 В Импульсное обратное напряжение при т„ 200 мс ... 30 В Температура окружающей среды........................От 213 до 373 К Зависимость т емпературного коэффт цисты а емкости от тем- пературы Зависимость обратно! о т ока от напряжения. Зависимость емкости от на- пряжения. Зависимость добротности о г на- пряжения. КВ123А Маркировочная полоса со стороны анода Варикап кремниевый эпи- таксиально-п.танариыи. Пред- назначен для применения в се- лекторах те тевизиенпых капа лове электронным управлением Выпускается в пластмассо- вом корпусе с 1 ибкими лен- точными выводами Маркиру- ется белой полоской у поло- жи гетьнот о вывода. Варикапы КВГИД поставляются комплек- тами но 4 шт. Масса варикапа 0,06 т Зависимость температурною Зависимость обратного тока от коэффициента емкосыт от тем- напряжения псрат уры. 312 313
Разде.г восьмой ДИОДЫ ТУННЕЛЬНЫЕ И ОБРАЩЕННЫЕ 8.1. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ ЗИ101А, ЗИ101Б, ЗИ101В, ЗИ101Г, ЗИ101Д, ЗИ101Е, ЗИ101Ж, ЗИ101И, АИ101А, АИ101Б. АИ101В, АИ101Д, АИ101Е, АИ101Ж, АИ101И Диоды арссиид i аллиевые гуиистьиыс сплавные. Предназначены для расoiы в усилителях. Выпускаются в мет гллоксрамичсском корпусе с лент очными выво- дами. Топ цюда укатывается иа этикетке Диоды маркируются условными обозначениями па крышке прибора. ЗИ101А, АИ101 — УА; ЗИ101Б, АИ101Б - УБ: ЗИ101В, АН 101В - УВ; ЗИ101Г - УГ: ЗИ101Д, АИ101Д-УД: ЗИ101Е, АИЮ1Е-УЕ; ЗИ101Ж-УЖ; ЗИ101И, АН 101И УИ. Масса диода нс бо icc ( 15 г. 3 юк । ричсскис парамо ры Пиковый ток: ЗИ101А, ЗИ101Б мри 298 К ......................... при 373 К ....................... при 213 К........................ АИ101А. АИ101Б при 298 К.......................... при 358 К........................ при 213 К........................ ЗИ101Н. ЗИ101Г, ЗИ101Д при 298 К.......................... при 213 и 373 К.................. АИ101В, АИ101Д при 298 К.......................... 1 ри 358 К....................... при 213 К........................ ЗИ101Е, ЗИ101Ж, ЗИ101И при 298 К ......................... Or 0,75 до 1,25 мА От 0,5 до От 0 5 до' 1,25 мА 1,5 мА Or 0.75 до 1.25 > мА От 0.5 до 1,25 мА Or 0,5 до 1,5 мА Or 1.7 до 2,3 мА Oi 1,5 до 2,5 мА От 1,7 до 2,3 мА От 1,5 до 2,3 мА От 1,5 до 2,6 мА От 4,5 до 5,5 мА 314
при 373 К....................... От 4,0 до 5,5 мА при 213 К....................... От 4,0 до 6,2 .мА АИ101Е, АИ101И при 298 К....................... Ог 4,5 до 5,5 мА при 358 К....................... От 4,0 до 5,5 мА при 213 К....................... От 4,0 до 6,2 мА Отношение пикового тока к току впадины, нс менее" ЗИЮ1А, ЗИ101Б, АИЮ1А, АИ101Б при 298 К...................................... 5 ЗИ101В, ЗИ101Г, ЗИ101Д, ЗИ101Е, ЗИ101Ж, ЗИ101И. АИ101В, АИ101Д, ЛИМЕ, АИ101И прн 298 К 6 ЗИМА, ЗИ101Б при 373 К................................... 3 при 2I3K.................................. 4 ЗИ101В, ЗИ101Г, ЗИ101Д, ЗИМЕ, ЗИ101Ж, ЗИ101И при 373 К................................... 4 при 213 К................................. 5 Напряжение пика не более ЗИМА, ЗИ101Б, ЗИ101В, ЗИ101Г. ЗИ101Д . . . 0,16 В ЗИМЕ, ЗИ101Ж, ЗИ101И............................0,18 В ЛИМА, АИЮ1Б, АИ101В, ЛИ101Д.....................0,16 В АИЮ1Е, АИ101И...................................0,18 В Сопротивление потерь прн тн < 15 мкс, скважности не менее 100, не более; ЗИМА при /Оор>11 = 30 мА......................24 Ом АИ101Л при 30 мА..................... 18 Ом ЗИ101Б при 4йр.ц = 30 мА.......................22 Ом ЛИМБ при /о6р „ = 30 мЛ.......................16 Ом 311101В при /„0^ = 50 мЛ.......................18 Ом Л И101В при /Обг и = 40 мА....................... 16 Ом ЗИ101Г при /lHjp.H = 50 мЛ.......................16 Ом АИ101Д при „ = 40 мЛ.......................... 14 Ом ЗИ101Д при /оир,и = 50 мА.............. . . 16 Ом А И101Е при /оор ., = 80 м А.................. 8 Ом ЗИМЕ при /о5р>1, = 100 мА..................... 10 Ом ЛИ 101 И при /обр „ = 80 мА................... 7 Ом ЗИ101Ж при 7оГ)р,„= !00 мА.................... 8 Ом ЗИЮ!И при /о5р и= 100 мА...................... 7 Ом Общая емкость диода в точке минимума вольт-ам- перной характеристики при f 1 -г 10 МГн: ЗИ101Л, ЗИ101Е, не более...................... 3 нФ ЛИ101А, нс более.............................. 4 нФ ЗИ1О1Б........................................Oi 2 до 6 пФ Л И101Б.......................................От 2 до 8 пФ ЗИЮ В не ботсе................................... 2 пФ АИ101В, нс более................................. 5 пФ ЗИ101Г...........................................Or 1 до 3,7 пФ ЗИЮ1Д.........................................От 2,5 до 6 пФ 315
АИ101Д.........................................Or 2,5 до iO пФ ЗИ101Ж.........................................От 2 до 6 пФ АИЮ1Е, ис более................................ 8 пФ ЗИ101И.......................................От 4,5 до 10 пФ АН 101И......................................О г 4,5 до 13 нФ Емкость корпуса *, ие более......................0,8 пФ Индуктивность диода* ис более....................1,3 нГн Предельные эксплуатационные данные Постоянное прямое напряжение ЗИ101А, ЗИ101Б, ЗИ101В, ЗИ101Г, ЗИ101Д, ЗИ101Е, ЗИ101Ж. ЗИЮ И при температуре от 213 до 373 К 0,35 В АИЮ1Л, АИ101Б, АИ101В, АИ101Д, АИ101Е, АИ101И при температуре от 213 до 358 К . . . 0,5 —0,6 В Температура окружающей среды: ЗИЮ'Л ЗИ101Б, ЗИ101В ЗИ101Г. ЗИ101Д, ЗИ101Е, ЗИЮ1Ж, ЗИ101И....................................От 213 до 373 К АИ101А, АИ101Б ЛИЮ В, АИ101Д, АИ101Е, От 213 до ЛИ 101И....................................... 358 К Примечания: 1. Прн креплении приборов в зажимных приспо- соблениях допускается обрезать ленточные выводы без приложения механической нагрузки к корпусу прибора. Давление на крышку прибора, перпендикулярно ее плоскост, должно быть нс более 15 Н. 2. Не допускается проверка диодов тестером. 3. Допускается работа диодов иа первой восходящей ветви и на участке отрицательного сопротивления волы-амперной характеристики. рак герце тики. Зола возможных по- Зона возможных по- ложении зависимости ложспин зависимости пикового тока oi тем тока впадины oi тем- пературы исратуры. 316
1И102А, 1И102Б, 1И102В, 1И102Г, 114102% 1И102Е, 1И102Ж, 1И102И, 1И102К' Диоды германиевые туннс н>пые мезаентавные. Предназначены дчя работы в усилителях на частоте до 5 ГГц. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выво- дами. Диоды маркируются цветным кодом- 1И102А — одной крас- ной точкой, 1Ш02Б —двумя красными точками, IИ102В —тремя красными точками, 1И102Г — одной белой точкой, 1И102Д — двумя бе»ыми точками, 1И102Е —тремя белыми точками, 1И102Ж — одной черной точкой, 1И102И - двумя черными точками, 1И102К-тремя черными точками. Вывод анода имеет выдавку. Масса диола не более 0,08 г. Пиковый ток: при 298 К 1И102А, 1И102Б, 1И1О213 Oi 1,25 до 1,75 мА 1И102Г, 1И102Д, 1И102Е От 1,7 до 2.3 мА 1ИЮ2Ж, 1И102И, 1И 02К Ог 2,3 до 3,1 мА прн 343 К 1И102А 1И102Б, 1И102В От 1,25 ДО 1,9 мА 1ИЮ2Г, 1И102Д, 1И102Е От 1.7 до 2,55 мА 1И102Ж. 1И102И, 1И102К От 2,3 до 3,4 мА прн 213 К 1ИЮ2А 1И102Б, 1И102В От 0,9 ло 2.2 мА 1И102Г, 1И102Д, 1ИЮ2Е От 1,3 ДО 2,9 мА 1И102Ж, 1И102И, 1И102К .... Oi 2.3 до 4.0 мА Отношение ннкового юка к юку впадины, не менее: при 298 К............................. 5 при 213 и 343 К.............................. 3.5 Общая емкость диода в точке минимума ио тьт-амиернон характеристики при /'= = 1-10 МГц: 1И102А............................. От 0,9 до 1,8 пФ 1И102Б............................. От 1,4 до 2,2 пФ 1И102В............................. От 1,8 до 3.0 нФ 1И102Г............................. Oi 1,0 до 2,0 иФ 1И102Д.......................... 01 1,6 до 2,6 пФ 1И102Е............ . .... От 2,2 до 3,2 пФ 317
1И102Ж........................... От 1,2 до 2,2 пФ 1И102И........................... От 1,8 до 2,7 пФ 1И102К........................... От 2,3 до 3,5 пФ Сопротивление потерь при импульсном обратном токе для 1И102А, 1И102Б, 1И102В 20 мА, для 1И102Г, 1И102Д, 1И102Е-25 мА, для 1И102Ж, 1И102И, 1И102К - 30 мА, не более: 1И102А, 1И102Б, 1И102Г, 1И102Д, 1И102Ж.................................... 6 Ом 1И102В, 1И102Е.......................... 4,5 Ом 1И102И.................................. 4,0 Ом 1И102К.................................. 3,0 Ом Напряжение впадины *...................... От 320 до 400 мВ Отрицательное дифференциальное сопротив- ление* ................................... От 75 до 110 Ом Индуктивность корпуса *....................Ог 0,24 до 0,35 нГн Емкость корпуса *, не более................... 0,7 пФ Шумовая постоянная * прн /ьр = 0,4 /п . . . 1,6 Резонансная частота*, ке менее: 1И102А, 1И102Г, 1И102Ж........................10 ГГц 1И102Б, 1И102Д, 1И102И........................ 8 ГГц 1И102В. 1И102Е, 1И102К........................ 5 ГГц Предельные эксплуатационные данные Постоянный прямой ток......................... 2/п Постоянный обратный ток....................... 2/п Температура окружающей среды .... От 213 до 343 К Примечания: 1 Рекомендуется применять источники питания, имеющие напряжение холостого хода не более 1 В. 2. При вставлении диода в резонатор во избежание пробоя необ- ходимо свободной рукой коснуться резонатора. 3. Не рекомендуется располагать диоды вблизи нагревающихся Зависимость пиковот о тока от температуры. Зависимость отноше- ния пикового гока к току впадины от тем- пературы. Зависимость напряже- ния пика от темпера- туры 318
1И103А, 1И103Б, 1И103В, ГИ103А, ГИ103Б, ГИ103В, ГИ103Г Диоды германиевые туннельные мезасплавные. Предназначены для работы в усилителях на частотах до 10 ГГц. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вывода- ми. Диоды маркируются цветным кодом: 1Ш03А, ГИ ЮЗА —двумя голубыми точками, 1И103Б, ГИ103Б —двумя красными точками, 1И103В ГИ103В — двумя черными точками, ГИ ЮЗГ — двумя зелеными точками Отрицательный вывод диода имеет больший диаметр. Масса листа не более 0,08 г. Электрические парамст ры Пиковый ток: 1И103А, 1И103Б. 1И103В, ГИ103А, ГИ103Б. ГИЮЗВ...................... Or 1,3 до 1,7 мА ГИ103Г........................... . От» 1,3 до 2,1 мА Отношение пикового тока к току впадины при температуре от 213 до 343 К, не менее......................................... 4 Напряжение пика *...................... От 60 до 90 мВ Общая емкость диода при (/„р < 1 мВ, /= 10 МГц: 1И103А, ГИ103/\................... От 1,0 до 2,1 пФ 1И103Б, ГИ103Б.................... Ог 0.8 до 1,6 пФ 1И103В, ГИЮЗВ..................... От 0,7 до 1.3 кФ ГИ103Г............................. Ог 1,0 до 3,2 пФ Сопротивление потерь при т„ < 0,1 мкс, „ = 100 мА. не более: 1И103А, 1И103Б 1И103В, ГИ103А, ГИ103Б. ГИЮЗВ 6 Ом 1 И ЮЗГ.............................................. 7 Ом Резонансная частота*: 1И103А . »....................... ГИ103А........................... 1ИЮЗБ ........................... ГИ103Б.................... 1ИЮЗВ............................ 1И103Г ......................... Напряжение впадины *................. Индуктивность диода*............. . Шумовая пост оянная * .............. Отрицательная дифференциальная проводи- мость ............................... 10 ГГц От 8 до 14 ГГц Около 15 ГГц От 9 до 17 ГГц Около 20 ГГц Ог 5,5 до 13 ГГц От 350 до 430 мВ Ог 0,2 до 0,35 иГн От 1 0 до 1,5 От 17 до 10 мС.м 319
Емкость корпуса*........................ 0,42 — 0,5 — 0,58 пФ Температурный коэффициент отрицательной проводимости при температуре or 213 до 343 К не более............................. + 0,17 %/К Предельные эксплуатационные данные Постоянный прямой и обратный ток.................15 мА Постоянное прямое напряжение при температуре от 213 до 343 К......................................... 400 мВ Постоянное обратное напряженке при температуре ог 213 до 343 К...................................20 мВ Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность: прн 298 К 1ИЮЗА, ГИ103А...................................5 мВт 1И103Б, ГИЮЗБ.................................4 мВт 1ИЮЗВ, 1 И103В................................3 мВт ГИЮЗГ.........................................6 мВт при 343 К 1ИЮЗА, ГИ103А..................................2.5 мВт 1ИЮЗБ, ГИ103Б................................2,0 мВт 1И103В, ГИЮЗВ................................1,5 мВг ГИЮЗГ........................................3,0 мВт Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность: при ти = 0 1 мкс, /= 1 кГц при 298 К 1И103А, ГИ103А.................................... 200 мВт 1ИЮ^Б, ГИЮЗБ.................................150 мВт 1И103В, ГИЮЗВ................................100 мВт ГИЮЗГ....................................... 250 мВ । при 343 К 1И103А, ГИ103А................................100 мВт 1И103Б, ГИЮЗБ.................................75 мВт 1ИЮЗВ, ГИЮЗВ ................................ 50 мВт ГИЮЗГ........................................40 мВт при т„ = 1 мкс при 298 К 1ИЮЗА..........................................60 мВ| 1И103Б.......................................40 мВт 1ИЮ1В........................................30 мВт при 343 К 1И103А.........................................25 мВт 111ЮЗБ, 1ИЮЗВ ..............................20 мВт при т,. = 4 мкс и 298 К * 1И103 А........................................20 мВт 1И103Б.......................................15 мВт 1И103В.......................................10 мВт Температура окружающей среды .... От 213 до 343 К Примечания 1. Нс допускается проверка диодов тестером. 2. Величина сжимающего корпус усилия не должна превышать 15 Н, при этом давление пе должно прикладываться к углубленным или маркированным частям торцов. 320
Зона разброса вольт- ам верной характерис- тики. Зависимое I ь отрица- тельного сопротивле- ния перехода от по- стоянного прямого напряжения Зависимость шумовой постоянной о г по- стоянного прямого напряжения Зависимое ib пикового тока от температуры. Зависимость тока впа- дины от температуры. Зависимость напряже- ния пика от темпера- туры. 1И104А, 1И104Б, 1И104В, 1И104Г, 1И104Д, 1И104Е Диоды германиевые туннельные мсзасплавные. Предназначены для работы в усилителях в диапазоне длин воли от 2 до 10 см. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выво- дами Тип диола указывается па вкладыше. Отрицательный вывод диода имеет больший диаметр Масса диода не более 0,025 г 0/.J ----- 11 иод ред. Н Н Горюнова 321
Электрические параметры Пиковый ток............................ От 1,3 до 1,7 мА Отношение пикового тока к току впадины при температуре от 213 до 348 К не менее................................. 4 Общая емкость диода при нулевом смещении и /= 1 <- 10 МГц: 1И 04А................................. От о,8 до 1,9 пФ •И104Б........................... От 0,6 до 1,4 пФ И104В........................... Ог 0,5 до 1,1 пФ 1И104Г........................... От 0,45 до 1 нФ 1И104Д........................... От 0,4 до 0,9 пФ 1И104Е........................... От 0,4 до 0,8 пФ Сопротивление потерь, не более' 1И104А, 1ИЮ4Б.................................. 6 Ом 1И104В, 1И104Г, 1И104Д.................. 7 Ом 1И104Е................................... 8 Ом Напряжение пика........................ 60-80*- 100 мВ Напряжение впадины..................... 350 — 400 *- 450 мВ Индуктивность диода....................0J 0,11 * - 0,13 нГн Емкость корпуса........................ 0,25-0,3* 0,35 пФ Резонансная частота*: •И104А................................. Ог 11 до 25 ГГц 1И|04Е........................... От 15 до 27 ГГц 1И104В........................... От 17 до 31 ГГц 1ИЮ4Г............................ От 19 до 37 ГГц 1И104Д........................... От 21 до 45 ГГц 1И104Е;.......................... От 25 до 60 ГГц Температурный коэффициент проводимости при температуре, от 213 до 298 К........................От 0 до -0,25 %/К от 213 до 343 К.................... +0,14 %/К Предельные эксп туаташюииые данные Импульсная рассеиваемая мощное in, мВт, на частоте f= 1 к1 ц при 343 К 1И104А ти = 0,1 мкс 100 ти = 1 мкс 25 ти = 4 мкс 10 1И104Б 75 20 7,5 1И104В 50 15 5,0 1И104Г 25 10 4,0 1И104Д 20 6 3,5 1И104Е от 213 до 308 15 К 4 3,0 1И104Л 200 50 20 1И104Б 150 40 15 1И104В 100 30 10 1И104Г 50 20 8 1И104Д 40 12 7 1И104Е 30 8 6 322
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при 343 К 1И104А............................................2,5 мВт 1И104Б..........................................2,0 мВт 1И104В..........................................1,5 мВт 1И104Г, 1И104Д, 1И104Е..........................1,0 мВт от 213 до 308 К 1И104А............................................ 5 мВт 1И104Б...........................................4 мВт 1И104В.......................................... 3 мВт 1И104Г, 1И104Д, 1И104Е...........................2 мВт Постоянное прямое напряжение при температуре от 213 до 343 К............................................. 400 мВ Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 343 К . . ......................................20 мВ Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 343 К. 1И104А, 1И104Б 1И104В 1И104Г.................... 1 мА 1И104Д, 1И104Е..................................0,51 мА Постоянный обратный ток при температуре ог 213 до 343 К..............................................1,5 мА Температура окружающей среды........................От 213 до 343 К Примечания: I Не допускается проверка диолов тестером. 2 Прижимное усилие на диод при креплении должно быть не более 15 Н 3 . Разрешаются припайка и приварка ленточных выводов к кор- пусу диода, при этом нагрев диода не должен превышать 343 К. 4 При измерениях и работе с диолом необходимо брать его заземленным пинцетом или применять браслет д 1я снятия стагисти- ческого заряда. Вольт-амиерпая характе- рце гика Зона возможных по- ложений зависимости отрицательной про- водимости перехода от Зона возможных положений зависи- мости шумовой по- стоянной от по- постояппого прямот о напряжения. стояштого прямого напряжения. 11* 323
Зона возможных по- ложений зависимости пикового тока oi температуры Зона возможных по- ложен ий зав иен мост и тока впал ины от тем- пературы. Зона возможных по- ложений зависимости отрицательной прово- димости псрсхОгТа от тсмпсрат уры. 8.2. ГЕНЕРАТОРНЫЕ ДИОДЫ ЗИ201А, ЗИ201Б, ЗИ201В, ЗИ201Г, ЗИ201Д, ЗИ201Е, ЗИ201Ж, ЗИ201И, ЗИ201К, ЗИ201Л, АИ201А, АИ201В, АИ201Г, АИ201Е, АИ201Ж, АИ201И, АИ201К, АИ201Л Диолы арсспнд-галлиевыс туннельные сплавные. Предназначены для работы в генераторах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточ- ными выводами. Тип диода указывается па этикетке. Диоды марки- руются условными обозначения- ми на крышке прибора: ЗИ201А, АИ201-ГА; ЗИ201Б- ГБ, ЗИ201В. АИ201В- ГВ; ЗИ201Г, АИ201Г- ГГ; ЗИ201Д-ГД; ЗИ201Е, АИ201Е—ГЕ; ЗИ201Ж, АИ201Ж-ГЖ; ЗИ201И, АИ201И- ГИ; ЗИ201К. АИ201К-ГК; АИ201Л, АИ201Л - ГЛ. Масса диода не более 0,15 г Э юктрическне параметры Пиковый ток ЗИ201А ЗИ201Б, ЗИ201В при 298 К.......................... при 373 К........................ при 213 К........................ От 9 до 11 мА От 8 до 11 мА От 8 до 12,5 мА 324
АИ201А ЛИ201В при 298 К......................... при 358 К......................... при 213 К......................... ЗИ201Г, ЗИ201Д ЗИ201Е при 298 К ......................... при 373 К......................... при 213 К АИ201Г, АИ201Е при 298 К.......................... при 358 К......................... при 213 К ........................ ЗИ201Ж, ЗИ201И при 298 К при 373 К ........................ при 213 К ........................ АИ201Ж, АИ201И прп 298 К.......................... при 358 К ........................ при 213 К......................... ЗИ201К, ЗИ201Л при 298 К.......................... при 373 К......................... при 213 К ........................ АИ201К. АИ201Л прп 298 К.......................... при 358 К......................... при 213 К ........................ Отношение пикового тока к току впатипы, пс От 9 до 11 мА От 8 до 11 мА Ог 8 до 12 5 мА От 18 до 22 мА Ог 16 до 22 мА Oi 16 до 25 мА Oi 18 до 22 мА Ог 16 до 22 мА Oi 16 до 25 мА От 45 до 55 мА От 40 до 55 мА От 40 до 60 мА От 45 до 55 мА Or 40 до 55 мА От 40 до 60 мА От 90 до ПО мА От 80 до 110 мА От 80 до 120 мА От 90 до 110 мА От 80 до 110 мА От 80 до 120 мА менее: ЗИ201А, ЗИ201Б, ЗИ201В, ЗИ201Г, ЗИ201Д; ЗИ201Е, ЗИ201Ж, 314201 И. ЗИ201К, ЗИ201Л при 298 К................................... при 373 К при 213 К................................... АИ201А, АИ201В, АИ201Г, АИ201Б. АИ201Ж А14201И, АИ201К, АИ201Л....................... Напряжение пика, не ботее: 3I4201A, ЗИ201Д, ЗИ201Е, АИ201Г, АИ201Е . . . ЗИ201Б, ЗИ201В, АИ201А, A1I201B............... ЗИ201Г........................................ ЗИ201Ж. ЗИ201И АИ201Ж, АИ201И................. 3112О1К, ЗИ201Л, АИ201К, АИ201Л............... Сопротивление потерь, пс более: 311201 А, ЗИ201Б. ЗИ201В прн /о5р „ = 150 мА . . АН201А. AI4201B при 7оСр.и = 100 мА .... 311201 Г, ЗИ201Д при /обр.и = 150 мА.......... АИ201Г при /обР.и=1М ......................... ЗИ201Е при /ог>р.и Is® мА..................... АИ201Е при Icc>r „ = 100 мА .................. 314201Ж, 314201И при /<^.„ = 250 мА........... 10 6 8 10 0.2 В 0,18 В 0.21 В 0.26 В 0,33 В 8 Ом 8 Ом 5 Ом 5 Ом 4 Ом 4 Ом 2,5 Ом 325
АИ201Ж, АИ201И при I 51)j = 220 мА ... . 2.5 Ом ЗИ201К ЗИ201Л при /обР1„=250 мА..............2,2 Ом АИ201К, АИ201Л при 4бр и = 220 мА............2,2 Ом Общая емкость диода в точке минимума полы-амперной характе- ристики при /=1 — 10 МГц ЗИ201А, не более......................... 3,5 пФ АИ201А АИ201В не бо ice.................. 8.0 пФ ЗИ201Б............................ Or 2,5 до 6,0 пФ АИ201Г, не более.......................... 10 пФ ЗИ201В............................ Oi 4,5 до 10 пФ АИ201Е............................ От 6 до 20 пФ ЗИ201Г, не более........................... 4 пФ АИ2 Ж, не более........................... 15 пФ ЗИ201Д............................ От 3 ло 7 пФ ЗИ201Е............................ От 5 до 12 пФ ЗИ201Ж, пе более.......................... 8 пФ ЗИ201И............................ От 6 до 15 пФ АИ201И............................ Oi 10 ло 30 пФ ЗИ2О1К, не более......................... 15 пФ АИ201К по более......................... 20 пФ ЗИ201Л............................ Or 10 до 40 пФ АИ201Л............................ Or 10 до 50 пФ Емкость корпуса*, не fjp.iee......................0.8 пФ Индуктивность диода* не более.....................1,3 иГп Пре тельные экенлуа! анионные данные Постоянное прямое напряжение при температуре: or 213 до 373 К ЗИ201А, ЗИ2О1Б ЗИ2О1В............ 0,4 В ЗИ201Г, ЗИ201Д, ЗИ201Е, ЗИ201Ж, ЗИ201И................................... 0,45 В ЗИ201К, ЗИ201Л .................. 0,5 В or 213 до 358 К АИ201А, АИ201В, АИ201Г, АИ201Ж, АИ201И АИ2 1К, АИ201Л .... 0,5-0,6 В Температура окружающей среды• ЗИ201А. ЗИ201Б, ЗИ201В, ЗИ201Г, ЗИ201Д, ЗИ201Е, ЗИ2С1Ж, ЗИ201И, ЗИ201К, ЗИ201Л...................... Or 213 до 373 К АИ201А, АИ201В АИ201Г. АИ201Е, АИ201Ж, АИ201И, АИ201К АИ201Л Or 213 до 358 К Примечания: 1. При креплении приборов в зажимных приспо- соблениях допускается обреза!Ь ленточные выводы без приложения механической нагрузки к корпусу прибора. 2 Давление па крышку прибора, перпендикулярное ее плоскости, должно быть пе более 15 Н. 3 Не допускается проверка диодов теыером. 4. Допускается работа диодов па первой восходящей ветви и на участке от рицатсльного сопротивления вольт-амперной характеристики. 326
Вольт-амперные характерис- тики. Зона возможных положений зависимости пикового тока от температуры. Зона возможных положений зависимости тока впадины от температуры ЗИ202А, ЗИ202Б, ЗИ202В, ЗИ202Г, ЗИ202Д, ЗИ202Е, ЗИ202Ж, ЗИ202И, ЗИ202К Диоды арсен ил-таллиевые туннельные мела сплавные. Предназначены для генерирования ко- лебаний в диапазоне длин волн от 10 до 20 см Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Приборы маркируются ус- ловными обозначениями на крышке прибора’ ЗИ202А - ВА, ЗИ202Б ВБ, ЗИ202В - ВВ, ЗИ202Г-ВГ, ЗИ292Д-ВД, ЗИ202Е - BE, ЗИ2О2Ж - ВЖ, ЗИ202И - ВИ, ЗИ202К - ВК Масса диода не более 0,1 г. 327
Электрические параметры Пиковый ток: при 298 К ЗИ202А. ЗИ202Б. ЗИ202В................ Oi 9 до 11 мА ЗИ202Г. ЗИ202Д. ЗИ202Е............... От 18 ло 22 мА ЗИ202Ж, ЗИ2 2И....................... От 27 ло 33 мА ЗИ202К............................... От 45 до 55 мА при 213 и 358 К ЗИ202А. ЗИ202Б. ЗИ202В................ Ог 7.5 ло 12 мА ЗИ202Г, ЗИ202Д. ЗИ2О2Е............... Ог 15 ло 24 мА ЗИ202Ж, ЗИ202И....................... От 22 до 36 мА ЗИ2О2К............................... От 38 до 60 мА Отношение пиковою г ока к току впадт ы, ис менее: при 298 К.................................... 8 нри 213 и 358 К.............................. 7 На 1ряжспис пика: ЗИ202А, ЗИ202Б. ЗИ2О2В................ Ог 0.09 ло 0 2 В ЗИ202Г, ЗИ202Д. ЗИ202Е........... От 0.1 до 0.22 В ЗЙ202Ж, ЗИ202И................... От 0 1 ло 0.24 В ЗИ202К не более . ............. 0.26 В Общая емкость диода; ЗИ202А, не более . ............ 3 пФ ЗИ202Б.......... ...... От 1 5 до 3 нФ ЗИ202В........................... От 2,3 ло 4,8 пФ ЗИ202Г, не бо ice................ 4 пФ 311202Д......... ................ От 2 ло 4 пФ ЗИ202Е ... ................. От 3 ло 5 пФ ЗИ202Ж, не более................. 5 пФ ЗИ202И •......................... Ог 4 до 8 пФ ЗИ202К, не более................. 10 пФ Сопротивление потерь* при импульсном обратной! токе 250 мА, не более: ЗИ202А..................................... 5 Ом ЗИ202Б. ЗИ202В ЗИ2021.......... 4 Ом ЗИ202Д ЗИ202Е, ЗИ202Ж, ЗИ202И.. 3 Ом ЗИ202К..................................... 2 Ом На тряжение впадины* 3 4202А ЗИ202Б, ЗИ202В.....................0,58 В ЗИ202Г. ЗИ202Д, ЗИ202Е, ЗИ202Ж, ЗИ202Й . . . 0,62 В Резонансная частота*: ЗИ202А.....................................9,2 ГГц 3 И 202 Б....................................10,5 ГГц ЗИ202В..................................... 6.0 ГГц ЗИ202Г.....................................9.9 ГГц ЗИ202Д.......................................11,7 Пц ЗИ202Е.....................................9,0 ГГц ЗИ202Ж.......................................10,6 ГГц ЗИ202И.....................................6,1 ГГц ЗИ2О2К.....................................7.7 ГГц Индуктивность диода*, не бо ice............. . . .0.5-10"9 Гн 328
Предельные эксплуатационные данные Температура окружающей среды . . . . От 213 до 358 К Температура корпуса............................ 358 К Примечания: 1. Допускается работа диодов на первой восхо- дящей вс ran и па участке отрицательного сопротивления. Работа на второй восходящей ветви не допускается. 2. При креплении диодов в зажимных приспособлениях допуска- ется давление па крышку перпендикулярно ее плоскости не более 15 Н 3. Нс допускается проверка диодов тестером. Вотьт-ах первые харак те- рне I пкп Вольт-амперные характе- рне п.кп. Волы-амперные харак iс- ристики Во пл-амперные харакге риешки. 329 9
температуры. темпера гуры ЗИ2ОЗА, ЗИ2ОЗБ, ЗИ2ОЗГ, ЗИ2ОЗД, 2И203Ж, ЗИ2ОЗИ Диоды арсен ил-галлиевыс туннельные мстасплавные Предназна- чены для генерирования колебаний в диапазоне длин воли ог 6 до 10 см. , Выпускаю юя в металлоке- рамическом корпусе. Тип диола указывается па этикетке. Диолы маркируются условными обозначе- ниями на ЗИ2ОЗА Л, ЗИ2ОЗГ - Г, ЗИ2ОЗЖ - Ж; на 1Слы1ый больший диаметр. М icca (иода пе бо ice 0,065 г. 01,6 крышке прибора: ЗИ2ОЗБ Б ЗИ2ОЗД - Д; ЗИ2ОЗИ - И. Oipn- вывод диода имеет Пиковый ток: Электрические парамс гры при 298 К ЗИ203А, ЗИ2ОЗБ ЗИ2ОЗГ. ЗИ2ОЗД ЗИ2ОЗЖ, ЗИ2ОЗИ прп 358 К ЗИ2ОЗА. ЗИ2ОЗБ ЗИ2ОЗГ. ЗИ2ОЗД ЗИ2ОЗЖ. ЗИ2ОЗИ при 113 К ЗИ2ОЗА, ЗИ2ОЗБ ЗИ2ОЗГ, ЗИ2ОЗД ЗИ2ОЗЖ, ЗИ2ОЗИ ......................... От 9 до 11 мА ......................... От 18 до 22 мА ......................... От 27 до 33 мА .................Ог — 1,5 до /„ + 0,5 мА .................От /„ — 3.0 до /п + 1,0 мА .................От /„ — 4,5 до /„ + 1,5 мА .................От /„ — 1,0 до /„ + 0,5 мА . . . От— 2,0 до/„ + 1,0 мА .................От /„ — 3,0 до /„ + 1,5 мА От юшепис пикового тока к току впадины, пе мспсс: при 298 К...................................... 10 прп 213 и 358 К.......... ................... Напряжен ie пика не более. ЗИ203А, ЗИ2ОЗБ............................... 0,2 В 330
ЗИ2ОЗГ, ЗИ2ОЗД..............................0.22 В ЗИ2ОЗЖ. ЗИ2ОЗИ..............................0.24 В Общая сх кость диода при нулевом смещении, / = 1 60 МГц ЗИ203А, не более......................... 2 пФ ЗИ2ОЗБ, ЗИ2ОЗД...................... От 1,5 до 3 пФ ЗИ2ОЗГ, нс более....................... 2.5 пФ ЗИ-ОЗЖ. нс более....................... 3.0 пФ ЗИ2ОЗИ.............................. От 2.5 до 4.5 пФ Сопротивление потерь при 1 ;р , = 250 мА, пс более ЗИ20 А.....................’................... 6 Ом ЗИ2ОЗБ. ЗИ2ОЗГ................. 4 Ом ЗИ2ОЗД................................. 3,5 Ом 314203Ж.................................. 3 Ом 314203И................................ 2.5 Ом Индуктивность диода*, не более............... 0,3 нГн Емкость корпуса *......................... От 0 3 до 0,6 пФ Наг ряжение впадины *........................ 0,6 В Предельные эксплуатационные данные Постоянное прямое напряжение прн Температуре от 213 до 358 К ЗИ2ОЗА ЗИ2ОЗБ................................ 0,4 В ЗИ2ОЗГ, ЗИ2ОЗД, ЗИ203Ж. ЗИ2ОЗИ...............0.45 В Постоянный обратный ток: ЗИ2ОЗА ЗИ2ОЗБ................................. 5 мА ЗИ2ОЗГ, ЗИ2ОЗД.......................... 10 мА ЗИ203Ж, ЗИ2ОЗИ.......................... 15 мА Температура окружающей среды .... От 213 до 358 К Примечания: 1. При креплении диодов допускается давление па крышку перпендикулярно ее плоскости не более 30 Н и изги- бающее усилие не более 1 Н с.м. 2. Не допускается постоянное смещение рабочей точки диодов на вторую восхо яшую ветвь вольт-амперной характеристики. 3 Не допускается проверка диодов тестером. 8.3. ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ АИ301А, АИ301Б, АИ301В, АИ301Г Диолы арсенид-таллие- вые туннельные. Предназна- чены для работы в переклю- чающих схемах Выпускаются в металло- керамическом корпусе с т ибкими ленточными выво ами Тин диода указывается на этикетке Масса диода не более 0,15 т 331
Электрические параметры Пиковый ток при 298 К АИ301А.................................. Oi 1,6 до 2,4 мА АИ301Б, АИ301В..................... Ог 4,5 до 5,5 мА АИ301Г.......................... От 9,0 до 11 мА при 213 и 343 К АИ301А............................. От 1,3 до 2,6 мА АИ301Б, АИ301В..................... От 3,9 до 5,9 мА АИ301Г..............................От 7,7 до 11,6 мА Отношение пикового тока к току впадины, нс менее 8 Напряжение пика, не более........................0,18 В Напряжение раствора АИ301А, нс менее........................ 0,65 В АИ301Б............................. От 0,85 до 1,15 В АИ301В............................. От 1,0 до 1 3 В АИ301Г, не менее......................... 0,8 В Общая емкость диода в точке минимума вольт-амперной характе- ристики при /= 1 — 10 МГц, ис более: АИ301А........................................12 пФ АИ301Б АИ301В................................. 25 пФ АИ301Г........................................ 50 пФ Емкость корпуса, не более..........................0,8 пФ Индуктивность диода, не бо iee....................1,5 нГн Предельные эксплуатационные данные Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 343 К: АИ301А, АИЗО Б . . . . АИ301В................ АИ301Г................ Температура окружающей среды .....................1,2 мА .....................2,7 мА .....................5,5 мА от 213 до 343 К Примечания: 1 Пайка и изгиб выводов допускаются на расстоянии ие менее 3 мм от корпуса диода. При изгибе выво- да необходима жесткая фиксация его основания. Допускается укора- чивать длину выводов до 8,5 мм без приложения механической на- грузки к корпусу. 2. При креплении диодов до- пускается давление на крышку диода, перпендикулярное ее плос- кое in, не более 15 Н 3. Не допускается проверка диодов тестером. Зона возможных положений вольт- амперных характеристик. I
Зона возможных положений воль I -амперных характеристик. Зона возможных положений во 1ьт-а.мпсрных характеристик. Зона возможных положений за- висимости пикового тока от •температуры. Во тьт-амнерныс характерис- тики. 1И304А, 1И304Б, ГИ304А, ГИ304Б Диоды германиевые туннельные мезасплавпые. Предназначены для работы в быстродействующих переключающих схемах. Выпускаются в мсталлостскляшю.м корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке. Диоды маркируются цветной точкой: 1И304А, ГИ304А — черной иа положительном выводе, 1И304Б, ГИ304Б — черной на отрицательном выводе. Утлублепис положительного вывода окрашивается в красный цвет Масса диода не более 0,1 г. 333
Электрические параметры Пиковый ток; 1И304А при 298 К........................... От 4,6 до 5,2 мА при 213 и 343 К...................От 0,85 /„ до 1,05 1п ГИ304А при 298 К......................... От 4,5 до 5,1 мА при 333 К......................От 4,05 до 5,61 мА при 233 К.........................От 3,6 до 5,61 мА И304Б при 298 К.......................... Ог 4,8 до 5,4 мА при 213 и 343 К . . . . От 0,85 /п до 1,05 /п ГИ304Б при 298 К..........................От 4,9 до 5,5 м\ при 333 К.........................От 4,41 до 6,32 мА при 233 К .........................Oi 3,92 ло 6,05 мА Отношение пиковою тока к току впадины, не менее: 1И304А, 1И304Б при 298 К.................................... 8 при 213 и 343 К............................. 4 ГИ304А, ГИ304Б при 298 К.................................... 5 при 233 и 333 К............................. 4 Напряжение раствора- 1И304А, И304Б при 298 К, не менее...................... 400 мВ при 343 К, не менее..................... 0,85 Срр при 213 К, не более..................... 1,25 Б’рр 1 И304А. Г ИЗО4Б при 298 К не менее........................... 420 мВ при 333 К, не менее........................... 336 мВ при 233 К, нс более........................... 525 мВ Общая емкость диода в точке минимума вольт-амперной характеристики прн f— I — 10 МГц, не более .... 20 пФ Преде 1Ы1ые эксплуатационные данные Постоянный прямой и обратный ток: 1И304А, 1И304Б от 213 до 293 К............. 10 мА 334
при 343 К............. .................... ГИ304А, ГИ304Б 7,5 мА от 233 до 293 К . 10 мА при 333 К................................7,5 мА Температура окружающей среды: 1И304А. 1ИЗО4Б................. О 213 до 343 К ГИ304А ГИ304Б.................. Ог 233 до 333 К Примечания: 1. В диапазоне темпера!уры от 293 до 343 К для 1И304А, 1И304Б и от 293 до 333 К для ГИ304А, ГИ304Б значение постоянного прямого и 0,5 мА на каждые 10 К и на 0,5 мА на каждые 8 К соот- ветс темно 2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 2,5 мм от корпуса, при этом темпера:.ура корпуса не должна превышать 358 К * 3 При из! ибе вывода необхо- дима жесткая фиксация его ос- нования. 4 После установки в аппара- туре диоды должны заливаться изоляционным компаундом. обратного тока снижается на Вольт-ампериыс характерист икн 0 28 24 20 76 72 8 4 0 213 253 293 333 К Зона возможных поло- жений зависимости пи- кового тока о г тем- пературы. Зона возможных поло- жений зависимости отношения пикового тока к току впадины от температуры. Зона возможных по- ложений зависимости напряжения раствора от температуры. 335
1И305А, 1И305Б, ГИ305А, ГИ305Б Диоды германиевые туннельные мезасплавпыс Предназначены для рабо!Ы в переключающих схемах. Выпускаются в металлостсклянпом корпусе с гибкими выводами. Обо начение типа приводился на этикетке Диоды маркируются цветной точкой: 1И305Б, ГИ305Б — голубой на отрицательном выводе; 1ИЗО5А, ГИ305А — точка отсутствует. У>дубление положительного вывода окрашивается в красный цвет Масса диола не более 0,1 г. 'Электрические параметры Пиковый ток 1И 305А при 298 К.................................От 9,2 до 10,4 мА при 343 К...............................От 0,9 /п до 1., 1 /„ при 213 К...............................От 0,83 /п до 1,03 /п ГИ305А при 298 К.................................От 9,1 до 10,1 мА прн 333 К...............................От 8,19 до 11,61 мА ври 233 К...............................От 7,28 до 11,11 мА 1И305Б при 298 К...............................Ог 9,6 до 10.8 мА прп 343 К...............................Oi 0.9 /п до 1,1 1„ при 213К ........................От 0,83 1п до 1,03 /„ ГИ305Б при 298 К.................................От 9,8 до 11,1 мА — при 333 К...............................От 8,82 до 12,76 мА при 233 К...............................От 7,84 до 12,21 мА Отношение пикового тока к току впадины, не менее: 1И305А, 1И305Б при 298 К.................................. ... 8 от 213 до 343 К................................ 4 ГИ305А, ГИ305Б при 298 К........................................ 5 при 233 и 333 К................................ 4 336
Напряжение раствора: 1И 305А, 1И305Б при 298 К не менее......................... 400 мВ при 343 К............................Ог 0,85 до 1/рр при 213 К пе более...................... 1,25 (7рр ГИ305А, ГИ305Б при 298 К, не менее........................... 430 мВ при 333 К. не менее...................... . . 344 мВ при 233 К нс более............................ 537 мВ Напряжение пика, пс более: 1И305А, 1И305Б....................................70 мВ ГИ305А, ГИ305Б....................................85 мВ Общая емкость диода в точке минимума вольт-ампер- ной характерист ики,/= 1 10 МГц, не более .... 30 нФ Предельные эксплуатационные данные Постоянный прямой и обратный ток 1И305А, 1И305Б от 213 до 293 К................... при 343 К......................... ГИ305А, ГИ305Б от 233 до 293 К................... при 333 К ........................ Температура окружающей среды: 1И305А, 1И305Б .................... ГИ305А, I И305Б.................... Темпераiypa перехоча................... . . . . 20 мА . . . . 15 мА . . . . 20 мА . . . . 15 мА От 213 до 343 К От 233 до 333 К 348 К Примечания: 1. В чиапазопе температуры от 293 до 343 К для 1И305А. 1И305Б и oi 293 до 333 К для ГИ305А, ГИ305Б значение постоянного прямого п обрашого тока снижается линейно па 1 мА на каждые 10 К 2 . Панка приборов допускается на расстоянии нс менее 2.5 мм от корпуса, при этом температура корпуса нс должна превышать 358 К. 3 При изгибе вывода необходима жесткая фик- сация ею основания. 4 . Пос ie установки в апиара гуру диоды должны заливаться изоляционным компаундом. Волы-амперные характерис- тики. 337
Зона возможных поло- жений зависимости пи- кового тока от тем- пературы. Зона возможных поло- жений зависимости от- ношения пикового то- ка к току впадины от температуры. Зона возможных по- ложений зависимости пат ряжо ия раствора от температуры. ЗИЗО6Г, ЗИЗО6Е, ЗИЗО6Ж, ЗИЗО6К, ЗИЗО6Л, ЗИЗО6М, ЗИЗО6Н, ЗИЗО6Р, ЗИЗО6С Диоды арсенид-таллиевые туннельные сплавные. Предназначены для работы в т ереключающих схемах. Выпускаются в металлокерамическом корт усе с гибкими лен- точными выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются условными обозначениями на ЗИЗО6Г - ПГ, ЗИЗО6Е - ПЕ, ЗИЗО6Ж - ПЖ, ЗИЗО6Л ПЛ, ЗИЗО6М ПМ, ЗИЗО6Н - ПН, ЗИЗО6С - ПС. крышке прибора: ЗИЗО6К - ПК, ЗИЗО6Р - ПР, Масса диода не более 0,15 г. Электрические параметры Пиковой ток: при 298 К ЗИЗО6Г, ЗИЗО6Е..................... От 1,8 до 2,2 мА ЗИЗО6Ж, ЗИЗО6К, ЗИЗО6Р . . . . От 4,5 до 5,5 мА ЗИЗО6Л, ЗИЗО6М, ЗИЗО6Н, ЗИЗО6С От 9,0 до 11 мА при 373 К ЗИЗО6Г, ЗИЗО6Е...................... От 1,5 до 2,4 мА ЗИЗО6Ж, ЗИЗО6К, ЗИЗО6Р.............. От 3,9 до 5,9 мА ЗИЗО6Л, ЗИЗО6М, ЗИЗО6Н, ЗИЗО6С От 7,7 до 11,8 мА при 213 К ЗИЗО6Г, ЗИЗО6Е...................... От 1,5 до 2,4 мА ЗИЗО6Ж, ЗИЗО6К, ЗИЗО6Р .... От 3,8 до 5,9 мА ЗИЗО6Л ЗИЗО6М, ЗИЗО6Н, ЗИЗО6С От 7,6 до 11,8 мА Отношение пикового тока к току впадины, не меиее: при 298 К . . . * ............ 8 при 373 К........................................... 6 Напряжение пика, ие более: при 298 К.....................................0,17 В при 373 К.......................................... 0,2 В Напряжение раствора, нс менее: при 298 К.....................................0.85 В при 373 К..........................................0,72 В при 213 К.......................................... 0.8 В Общая емкость диода в точке минимума вольт-ампер- ной характеристики при /= 1 10 МГц: 3 ИЗО 61' не более......................... 8 нФ ЗИЗО6Е*......................... От 4 до 12 пФ ЗИЗО6Ж, пе более........................... 15 нФ ЗИЗО6К.......................... От 8 до 25 нФ ЗИЗО6Л, не более........................... 12 нФ ЗИ306М не более............................ 30 пФ ЗИЗО6Н.......................... От 15 до 50 пФ ЗИЗО6Р.......................... От 4 до 25 пФ ЗИЗО6С.......................... От 10 до 50 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянный прямой ток на второй восходящей ветви вольт-ампер- ной харак1српстики при температуре: от 213 до 298 К ЗИЗО6Г, ЗИЗО6Ж, ЗИЗО6Л. ЗИЗО6М 0,4 Z„ ЗИЗО6Е, ЗИЗО6К, ЗИЗО6Н, ЗИЗО6Р, ЗИЗО6С.................................. 0,9 4 при 373 К ЗИЗО6Г ЗИ306Ж, ЗИЗО6Л, ЗИЗО6М 0,15 4 ЗИЗО6Е. ЗИЗО6К, ЗИЗО6Н. ЗИЗО6Р ЗИЗО6С.................................. 0,5 4 Импульсный ток на второй восходящей ветви вольт-амперной харак- теристики при температуре: от 213 до 298 К ЗИЗО6Г, ЗИ306Ж, ЗИЗО6Л, ЗИ306М 0,4 /„ ЗИЗО6Е, ЗИЗО6К, ЗИЗО6Н, ЗИЗО6Р. ЗИЗО6С.................................... 1,2 4 при 373 К ЗИЗО6Г, ЗИ306Ж, ЗИЗО6Л, ЗИЗО6М.................... 0,3 /„ ЗИЗО6Е, ЗИЗО6К, ЗИЗО6Н ЗИЗО6Р, ЗИЗО6С ... 0,8 4 338 339
Постоянный обратный ток- ЗИЗО6Г, ЗИЗО6Е................................. 4 мА ЗИЗО6Ж, ЗИЗО6К, ЗИЗО6Р.................. 10 мА ЗИЗО6Л, ЗИЗО6М, ЗИЗО6Н. ЗИЗО6С 20 мА Температура окружающей среды.............. От 213 до 373 К Примечание. Допускается укорачивать выводы ло 8,5 мм без приложения механической нагрузки к корпусу прибора. Зона возможных положений за- висимости пикового тока оз температуры. Зона возможных положений за- висимости тока впадины oi тем- пературы. Зона возможных положений за- висимости напряжения paciBopa от температуры. ГИ307А Диод терманисвый туннельный мезасплавиой Предназначен для работы в переключающих схемах. Выпускается в металлостек ляшюм корпусе с гибкими ленточ- ными выводами. Тин диода ука- зывается на этикетке. Диод мар- кируется синей точкой у положи- тельного вывода. Масса диода не более 0,1 г. 340
Эзектрически параметры Пиковый ток при 298 К.............................................Ог 1,8 до 2,2 мА при 333 К..........................................От 1,62 ло 1,98 мА при 233 К..........................................От 1,67 до 2,09 мА Отношение пикового тока к tokv впадины, не менее: при 298 К.....................'..................... 7 при 233 и 333 К................................. 5 Напряжение пика, не менее..............................70 мВ Напряжение раствора при токе 2 мА, ис меиее: при 298 К........................................... 400 мВ при 233 и 333 К.................................. 340 мВ Общая емкость диода не более.......................... 20 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянный прямой и обратный ток................. 4 мА Импульсный прямой и обратый ток при т„ < 10 мкс и скважности не менее 2,5....................... 10 мА Темпера ура окружающей среды.....................От 233 до 333 К Во 1Ы -амперные характерис- тики 1И308А, 1И308Б, 1И308В, 1И308Г, 1И308Д, 1И308Е, 1И308Ж, 1И308И, 1И308К Диоды германиевые туннельные мезапланарные. Предназначены для работы в переключающих устройствах субнаиосекундиого диа- пазона. Выпускаются в метал окерамичсском корпусе с жесткими вы- водами. Тин диода указывается на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом: 1И308А — зеленой и черной точками, 1И308Б— зеленой и белой точками, 1И308В — красной и черной точками, 1И308Г —двумя красными точками, 1И308Д — красной и белой точ- 341
ками, 1И 081 — белой и черной точками, 1ИЗО8Ж — двумя белыми точками, 1ИЗО8И го убой и черной точками, 1И308К — голубой и белой точками. Ожидательный вывод имеет больший диаметр. Масса диода не более 0,1 г. Электрические параметры Пиковый ток 1И308А, 1И308Б.........................От 4.5 до 5,5 мА 1ИЗО8В 1ИЗО8Г 1ИЗО8Д...................От 9,0 до 11 мА 1ИЗО8Е, 1И308Ж.........................От 18 до 22 мА 1ИЗО8И, 1ИЗО8К.........................От 45 до 55 мА Отношение пикового тока к току впадины, нс менее: при 298 К...................................... 5 при 213 и 343 К................................ 4 Общая емкость диода в точке минимума вольт- амнерноп характеристики при /=1 — 10 МГц: 1И308А, 1ИЗО8Г........................От 1.5 до 5 пФ 1ИЗО8Б.................................О i 0,7 до 2 нФ 1ИЗО8В.................................Oi 4,0 до 10 пФ 1ИЗО8Д................................От 0,8 до 2 пФ 1И308Е...............................От 3.0 до 15 пФ 1И308Ж................................От 1,0 до 4 пФ 1И 08И ...........................От 5,0 до 20 нФ 1ИЗО8К...............................От 2,3 до 8 нФ Напряжение пика*. 1И308А................................От 70 до 100 мВ 1И308Б................................От 70 до НО мВ 1И308В................................От 60 до НО нВ 1ИЗО8Г...............................От 60 до 120 мВ 1И308Д...............................От 70 до 130 мВ 1И308Е...............................От 80 до 140 мВ 1ИЗО8Ж...............................О । 85 до 160 мВ 1ИЗО8И..............................От 1И308К..............................От Напряжение впадины*.......................От Напряжение раствора * От Температурный коэффициент пикового тока* при 100 до 150 мВ 100 до 180 мВ 350 до 480 мВ 510 до 630 мВ температуре, не хуже: от 273 до 333 К.......................... -0,35 %/К от 213 до 343 К.......................... — 0,25%/К 342
Температурный коэффициент тока впадины * при температуре от 213 до 343 К, не бо iee . . . 0,6 %/К Температурный коэффициент напряжения раст- вора* .................................... От 0,5 до 1,5 мВ/К Емкость корпуса *...........................От 0 42 до 0,58 пФ Индуктивность диода*.........................От 0,2 до 0,35 нГц Предельные эксплуатационные данные Постоянный прямой ток на второй восходящей ветви вольт- амперной характеристики при температуре- от 213 до 308 К 1И308А, 1И308Д........................................6 мА 1И308Б...............................................4 мА 1И308В. 1ИЗО8Е, 1И308К..............................20 мА 1И308Г 15 мА 1И308Ж...............................................8 мА 1И308И..............................................40 мА при 343 К I ИЗО8А..............................................2 мА 1ИЗО8В...............................................7 мА 1ИЗО8Г.......................................... 3 мА 1ИЗО8Е...............................................6 мА 1И308И..............................................15 мА Импульсный прямой ток на второй восходящей ветви во ibT- амнерной характеристики при температуре от 213 до 308 К (при час юге следования импульсов не более 105 Гц): т„ = 1 мкс 0,1 мкс 0,01 мкс 0.001 мкс 1ИЗО8А - . 12 20 30 50 мА 1ИЗО8Б 5 6 7 25 мА 1ИЗО8В 90 120 150 250 мА 1ИЗО8Г 30 45 60 100 мА 1ИЗО8Д ..... 10 12 15 50 мА 1И308Е 40 60 90 250 мА 1ИЗО8Ж. . . . 18 20 30 100 мА 1ИЗО8И 75 120 180 300 мА 1И308К 45 60 90 150 мА Температура окружающей среды . . . От 213 до 343 К • Примечания: 1. Значения постоянного и импульсного обрат- ного тока в 1,5 раза больше соответствующих значений прямого тока. 2 Диоды 1ИЗО8Б, 1ИЗО8Д при температуре оч 333 до 343 К и 1И308Ж, 1И308К при температуре от 323 до 343 К в стати- ческом режиме должны работать па первой восходящей ветви вольт- амперной характеристики 3 Величина прижимного усилия при креплении диода не до 1жна превышать 20 Н. 4 Не допускается проверка диодов тестером. 343
0,3 0,4 0,5 0,6 в Вольт-амперные характеристики Обратная ветвь вольт-амперной характеристики (напряжение указано в милливольтах). Зависимость пикового тока от температуры. Зависимое! ь прямого тока о г температуры. ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И, ЗИЗО9К, ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М, ЗИЗО9Н Диоды арсенид-! аллисвыс туннельные мезапланарные. Пред- назначены для работы в пере- ключающих схемах в герметизи- рованной аппаратуре. Бескорпусные с защитным по- крытием и гибкими выводами. Тип диода указывается на этикетке. Масса диода ие более 5 мг. 344
Электрические параметры Пиковый юк: при 298 К ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И. ЗИЗО9 К •.............Ог 4.5 до 5.5 мА ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М ЗИ.ЗО9Ц................Ог 9,0 до II мА при 373 К ЗИЗО9Ж ЗИЗО9И ЗИЗО9К.................От 3.9 до 5.9 мА ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М. ЗИЗО9Н................Oi 9.0 до 11 мА при 213 К ЗИЗО9Ж ЗИЗО9И. ЗИЗО9К..................От 3 8 до 5.9 мА ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М. ЗИЗО9Н.................От 7,6 до 11.8 мА Отношение пикового тока к току впадины, пе менее: при 298 К....................................... 8 ври 373 К....................................... 6 Напряжение пика, пс ботее. при 298 К ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И, ЗИЗО9К........................ 0.18 В ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М ЗИЗО9Н........................ 0,2 В при 373 К ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И, ЗИЗО9К.................... 0.2 В ЗИЗО9Л, 3H309M, ЗИ309Н................... 0.22 В Напряжение раствора, не мспсс: при 298 К......................................... 0.85 В при 373 К..................................... 0.72 В при 213 К...................................... 0.8 В Общая емкость диода в точке минимума во |ьт- амнерной характеристики при /=1 — 10 МГн: ЗИЗО9Ж.................................... Oi 2,2 до 4.7 пФ ЗИЗО9И..................................Ог 3.3 до 10 пФ ЗИЗО9К Ог 6,8 до 5 пФ ЗИЗО9Л..................................От 3,3 до 6.8 пФ 3H309M..................................Ог 4,7 до 15 пФ ЗИЗО9Н................................ . От 10 до 22 пФ Ilpc.ie тьиыс эксплуатационные данные Постоянный прямой гок на второй восходящей ВС1ВИ вольт-амперной характеристики при температуре, ог 213 до 298 К ЗИ309Ж, ЗИЗО9И, ЗИЗО9Л, ЗИ309М.................0.4 /„ ЗИЗО9К, ЗИЗО9Н .........................0.9 /„ при 373 К ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И, ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М.................0.2 /п ЗИЗО9К, ЗИ309Н....................................0,5 Z,, Импульсный прямой ток на второй восходящей ветви волы- ампсриой характеристики в режиме переключения при /> 50 Гц и температуре; ог 213 до 298 К ЗИ309Ж, ЗИЗО9И, ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М . ..................04 /п ЗИЗО9К, ЗИЗО9Н....................................1,2 /„ 345
при 373 К ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И, ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М.................0.3 /„ ЗИЗО9К, ЗИЗО9Н.................................0,8 /„ Постоянный обратный ток: ЗИЗО9Ж, ЗИЗО9И ЗИЗО9К......................10 мА ЗИЗО9Л, ЗИЗО9М, ЗИЗО9Н......................20 мА Температура окружающей среды.........................От 213 до 373 К 8.4 ОБРАЩЕННЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ 1И401А, 1И461Б, ГИ401А, ГИ401Б Диоды германиевые обращенные меэасплавпые. Предназначены для рабо!Ы в переключающих устройствах, детекторах, смесителях. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими летом иыми выводами. Диоды маркируются цветным кодом: 1И401А, ГИ401А красной точкой, 1И401Б. ГИ401Б синей точкой. Цветная точка наносится в углублении вывода и указывает па положитель- ный вывод. Масса диода нс более 0,1 г. 346
Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /„„ = 0,1 мА нс менее: нри 298 К...........................................330 мВ прн 343 и 213 К (1И401А 1И401Б)................ 280 мВ Постоянное обратное напряжение при /овр = 1 мА при 298 К........................................90+1? мВ нри 343 и 213 К (1И401А 1И401Б)..............1/0(,г + 15 мВ Общая емкость диода при путевом смещении нс более 1И401А, ГИ401А.....................................2,5 нФ 1И401Б, ГИ401Б................................5,0 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянный прямой ток при температуре от 213 (218 К для ГИ401А ГИ401Б): ло 298 К 1И401А, ГИ401А.................................0,3 мА 1И401Б, ГИ401Б.................................0,5 мА при 343 К 1И401А, ГИ401А...................................0,2 мА 1И401Б ГИ401Б..................................0,3 мА Постоянный обратный ток при температуре от 213 (218 К для ГИ401А ГИ401Б) до 298 К 1И401А, ГИ401А...................................4,0 мА 1И401Б. I И401Б................................5,6 мА при 343 К 1И401А, ГИ401А...................................2,4 мА 1И401Б, ГИ401Б ................................4,0 мА Температура окружающей среды: 111401 А, 1И401Б......................................От 213 до 343 К ГИ401А ГИ401Б .............................От 218 до 343 К Примечание. При работе в импульсном режиме независимо от длительности импульса токи не должны превышать значений, указанных для постоянных токов. 347
Вольт-а.м верные характерис- тики. ЗИ402А, ЗИ402Б, ЗИ402В, ЗИ402Г, ЗИ402Д, ЗИ402Е, ЗИ402И, АИ402Б, АИ402Г, АИ402Е, АИ402И Диоды арсенид-галлиевые обращенные мезасплавиые. Предназна- чены для работы в переключающих устройствах, детекторах, сме- сителях Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточ- ными выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды мар- кируются условными обозначениями на крышке прибора' ЗИ402А — ОА; ЗИ402Б, АИ402Б - ОБ, ЗИ402В - ОВ; ЗИ402Г, АИ402Г - ОГ; ЗИ402Д ОД ЗИ402Е, АИ402Е - ОЕ ЗИ402И, АИ402И - ОИ М<сса диода не более 0,15 г. Э текгричсские параметры Постоянное прямое напряжение при токе па второй восхо- дящей ветви 0,1 мА (ЗИ402А, ЗИ402Б, ЗИ402В, ЗИ402Г, АИ402Б АИ402Г); 0,2 мА (ЗИ402Д ЗИ402Е, АИ402Е); 348
0,4 мА (ЗИ402И, ЛИ402И), нс менее: при 298 К..........................................0,6 В при 373 К (ЗИ402А, ЗИ402Б, ЗИ4О2В. ЗИ402Г, ЗИ402Д, , ЗИ402Е, ЗИ402И)..................................0,4 В при 358 К (АИ402Б, АИ402Г, АИ402Е, АИ4О2И) ... 0,4 В при 213 К ЗИ402А, ЗИ402Б, ЗИ402В, ЗИ402Г, ЗИ402Д, ЗИ402Е, ЗИ402И..........................................0.6 В АИ402Б, АИ402Г, AH402F, АИ402И..................0,5 В Постоянное обратное напряжение при /о6р = I мА (ЗИ402Л, ЗИ402Б, ЗИ402В, ЗИ402Г, АИ402Б, ЛИ402Г); 2 мА (ЗИ4О2Д, 314402Е, ЛИ402Е); 4 мА (ЗИ402И, ЛИ492И), не более: при 298 К.......................................0,25 В при 373 К (ЗИ402А, ЗИ402Б, ЗИ4О2В, ЗИ402Г, ЗИ402Д, ЗИ402Е, ЗИ402И).................................0,29 В при 358 К (АИ402Б, АИ402Г, АИ402Е, ЛИ402И) . . 0,29 В при 213 К.......................................0,35 В Общая емкость диода: ЗИ402А, не более ..............................2 пФ ЗИ402Б.........................................От 1,5 до 3.5 пФ ЗИ402В...........................................Oi 2,7 до 5 пФ ЗИ402Г, ЗИ402И не более.........................6 пФ ЗИ402Д, не более ............................3.5 пФ ЗИ402Е...........................................От 2 до 6 пФ АИ402Б, не более...............................0,4 пФ АИ4О2Г, АИ402Е, не более........................8,0 пФ АП402И, пе бо.чее..............................10 пФ Сопротивление потерь,* не более ЗИ402А . . 18 Ом ЗИ402Б...........................................16 Ом ЗИ402В...........................................14 Ом Пиковый ток, не более АИ402Б. АИ402Г......................................0,1 мА ЛИ402Е.........................................0 2 мА АИ402Е..........................................0,4 мА Предельные эксплу а (анионные данные Постоянный обратный ток при температуре: от 213 до 373 К ЗИ402А, ЗИ402Б ЗИ402В, ЗИ402Г......................2 мА ЗИ402Д, ЗИ402Г....................................4 мА ЗИ402И............................................8 мА от 213 до 358 К АИ402Б, АИ402Г ....................................1 мА АИ402Е............................................2 мА АИ402И............................................4 мА 349
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 373 К: ЗИ4О2А ЗИ402Б, ЗИ4О2Г, ЗИ402Д, ЗИ402И .... 0,05 мА ЗИ4О2В. ЗИ402Е..................................0,1 мА Температура окружающей среды- ЗИ402А, ЗИ402Б, ЗИ402В ЗИ402Г. ЗИ402Д, ЗИ402Е, ЗИ402И...........................................От 213 до 373 К АИ402Б, АИ402Г, АИ402Е, АИ402И ..................От 213 до 358 К Примечания I. Реко- мендуется использовать диоды при постоянном прямом на- пряжении не более 0,5 В и постоянном обратном токе пс более 0,8 предельного. 2. Допускается укорачива!ь выводы до 8,5 мм без при- ложения механической нагрузки к корпусу прибора Вольт-амперные хара к герис- тики. Обратная ве!вь вольт-амперной характеристики. Зависимость пикового тока от температуры. 350
Зависимость постоянного пря мою напряжения от темпера- туры. Зависимость обратного напря- жения ог температуры. 1И403А, ГИ403А Диоды германиевые обращенные мезаенлавные. Предназначены для работы в быстродействующих переключающих устройствах. Выпуска отся в металлокерамическом корпусе с гибкими лен- точными выводами. Тип диода указывается на этикетке Диолы маркируются цветным кодом: зеленой точкой на о григга тельном выводе; углубление положительного вывода окрашивается в красный цвет. Масса диода не более 0,1 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр 0,1 мА, не менее: при 298 и 213 К (233 К для ГИ403А)............... 350 мВ при 343 К (1И403А) и 333 К (ГИ403А)............. 280 мВ 351
Постоянное обратное напряжение при /оСр = 3 мА, не более: при 298 К........................................120 мВ при 343 и 213 К (1И403А) и 333 и 233 К (ГИ4ОЗА).........................................135 мВ Пиковый ток, не более, при 298 К........................................100 мкА нри 333 К (ГИ403А)................................100 мкА прн 233 К (ГИ403А)................................150 мкА Общая емкоеih диода в точке минимума вольт-амперной характеристики при /=14-10 МГц, не более...............8 пФ Сопротивление потерь*, не более......................2,5 Ом Предельные эксплуатационные тайные Амплитуда переменного синусоидального прямого и обрат- ного тока с частотой не менее 50 Гц: 1И403А при температуре от 213 до 298 К..................................10 мА при 343 К......................................6 мА ГИ403А при температуре от 233 до 298 К ......................Ю мА ог 298 до 333 К................................6 мА Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и скважности пс менее 2: 1И403А при температуре от 213 до 298 К..................................14 мА при 343 К......................................9 мА ГИ403А при температуре от 233 до 298 К..................................10 мА от 298 до 333 К................................6 мА Температура окружающей среды- 1И403А...............................................От 213 до 343 К ГИ403А...........................................От 233 до 333 К Температура перехода для ГИ403А .... .... 343 К Примечания: 1. В диапазоне температуры от 298 до 343 К у приборов 1II403A значения предельных токов снижаются на 09 кА па каждые 10 К 2 По«.лс установки в аппаратуру диоды заливаются изоляцион- ным компаундом ЭК-16Б или другим изоляционным материалом 352
Вольт-амперные характерис- тики. Вольт-амперные характерис- тики (ток указан в микро- амперах). Обратная ветвь волы-ампер- ной характеристики. 1И404А, 1И404Б, 1И404В Диоды германиевые обращенные мезасплавные. Предназначены для работы в преобразователях и детекторах сантиметрового диапа- зона волн. Выпускаются в металлокера- мическом корпусе с жесткими вы- водами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом 1И404А корич невой точкой; 1И404Б — белой точ- кой- 1И404В зеленой точкой. От- рицательный электрод имеет боль ший диаметр, положительный маркируется цветной точкой Масса диода не более 0,08 г. цветная точка. + 353 12 под рсд. Н. Н. Горюнова
Электрические параметр^ Постоянное прямое напряжение при /11р = 0,5 мА, не менее: при 213 и 298 К.................................. 350 мВ при 343 К ................................... 300 мВ Постоянное обратное напряжение при = 3 мА при 298 К....................................От 75 до 105 мВ при 213 и 343 К...........................От Сойр - 15 мВ ло 1/обр+ 15 мВ Общая емкость диода в точке минимума вольт- амперной характеристики при /=1<-10 МГц 1И404Л.........................................От 0,5 до 1,0 пФ 1И404Б...................................От 0,8 до 1,5 пФ 1И404В...................................От 1,0 до 2,0 пФ Сопротивление потерь, пе более 1И404А............................................. 9 Ом 1И404Б....................................... 8 Ом 1И404В....................................... 7 Ом Индуктивность диода*..........................Or 0,2 до 0,35 нГн Емкость корпуса*..............................Or 0,45 до 0,55 пФ Температурный коэффициент обратного напряже- ния *, не более: от 298 до 343 К.............................. +0,1 мВ/К от 298 до 213 К.......................... +0,15 мВ/К Температурный коэффициент прямого напряже- ния *: от 298 до 343 К не хуже.................. Мв/К от 298 до 213 К не более.................... +1,5 мВ К Пиковый ток* .................................От 0,14 до 0 19 мА Предетьиые эксплуатационные данные Непрерывная рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 308 К 1И404А..............................................2 мВт 1И404Б........................................3 мВт 1И404В........................................5 мВт при 343 К 1И404А............................................1 мвг 1И404Б..........................................15 мВт 1И404В.........................................2,5 мВт Импульсная рассеиваемая мощность при ти = 1 мкс и тем псратуре: от 213 до 308 К 1И404А.................................................8 мВт 1И404Б..........................................30 мВт 1И404В..........................................50 мВт 354
при 343 К 1И404А..........................................4 мВт 1И404Б.......................................15 мВт 1И404В.......................................25 мВт Постоянный прямой тож при температуре от 213 до 308 К 1И404А........................................0,4 мА 1И4О4Б......................................0.6 мА 1И4О4В......................................0,8 мА при 343 К 1И404А........................................0,1 мА 1И404Б.......................................ОД мА 1И404В......................................0,3 мА Постоянный обратный ток при температуре: от 213 до 308 К 1И404А..........................................2 мА 1И404Б......................................3 мА 1И404В........................................4 мА при 343 К 1И404А 1 мА 1И404Б......................................1,5 мА 1И404В........................................2 мА Температура окружающей среды.......................От 213 до 343 К Примечания: 1 Величина прижимного усилия иа корпус не более 15 Н 2. Не допускается проверка диодов тестером. 3. При измерениях и работе с диодом необходимо брать его заземленным пинцетом или применять браслет для снятия стати- ческого заряда Вольт-амперные характерис- тики Зона возможных положений об- ратной ветви вольт амперной характеристики. 12* 355
Раздел девятый ГЕНЕРАТОРЫ ШУМА 2Г401А, 2Г401Б, 2Г401В, КГ401А, КГ401Б, КГ401В 05,34 04,55 Диоды кремниевые планар- ные. Предназначены для генери- рования шумов на частотах до 3,5 МГц. Выпускаются в метадло- стекляпном корпусе с гибкими выводами. Тип диода указывает- ся на корпусе. Положительный вывод диода маркируется крас- ной точкой. Масса диода не более 1 г. Электрические параметры Спектральная плотность напряжения генератора шума при токе 50 мкА, не менее: при 213 и 298 К 2Г401А, КГ401А 7 мкВ/j/nj 2Г401Б, КГ401Б . ... .3 мкВ/]/Гц 2Г401В, КГ401В . 30 мкВ/]/Гц при 343 К 2Г401А, КГ401А .... ... .3 мкВ/]/Гц 2Г401Б, КГ401Б 1,5 мкВ/]/Гц 2Г401В, КГ401В 15 мкВ/р'Тц Граничная частота генератора шума при токе 50 мкА не менее: при 298 и 343 К 2Г401А, КГ401А......................................2,5 МГц 2Г401Б, КГ401Б..................................3,5 МГц 2Г401В, КГ401В..................................1,0 МГц при 213 К 2Г401А, КГ401А....................................1,5 МГц 2Г401Б, КГ401Б..................................2,0 МГц 2Г401В, КГ401В..................................0,6 МГц Температурный коэффициент спектральной плотности на- пряжения генератора шума при токе 50 мкА, не хуже.................................................-1,1 %/К 356
Напряжение пробоя при токе 100 мкА: 2Г401А 2Г401Б, КГ401А, КГ401Б...........................От 6,5 до 9,5 В 2Г401В, КГ401В................................... От 6 до 10 В Предельные эксплуа анионные чанные Максимальный ток пробоя при температуре от 213 до 343 К....................................... 1 мА Минимальный ток пробоя при температуре от 213 до 343 К.......................................10 мкА Температура окружающей среды....................Ог213 до 343 К Примечания 1. Нижняя 1 ранила диапазона частот при не- равномерности спектральной плотности напряжения шума на уровне + 3 дБ 20 Гц. 2. Рекомендуемый режим работы генератора шума; ток через генератор шума 50 + 10 мкА, сопротивление нагрузочного резистора, включенного последовательно с генератором шума, не менее 100 кОм; входное сопротивление и емкость между точками схемы, к которым подключается генератор шума, — не менее 20 кОм и пс более 20 пФ соответственно. 3. При изменении тока через генератор шума на 5 мкА (на 10 мкА) от номинального тока 50 мкА спектральная плотность напряжения шума изменяется примерно на 2 % (5 "J, а граничная частота — на 8% (18 %) значений при номинальном токе. 4. Температурный коэффициент напряжения пробоя около 0,06 %/К. Зона возможных положений вольт-амперных характеристик. Зона возможных положений за- висимости спектральной плот- ности напряжения шума от об- ратного тока. 357
О W gO 110 160 мкА Зона возможных положений за- висимости спектральной плот- ности напряжения шума от обратного тока. Зона возможных положений за- висимости спектральной плот- ности напряжения шума от об- ратного тока. Зависимости спектральной плот- ности напряжения шума и гра- ничной частоты от сопротивле- ния нагрузки. Зависимости спектральной плот- ности напряжения шума н гра личной частоты от емкости на- грузки. Зона возможных положений зави- симости спектральной плотности напряжения шума от температуры. 358
Раздел десятый ДИОДЫ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ 10 1. СМЕСИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ ДГ-С1, ДГ-С2 Диоды ерманиевые точечные. Предназначены для работы в преобразователях частоты на длине волны 10 см. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы- водами Тип диола и схема соединения электродов с выводами приводятся на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом: ДГ-С! — двумя черными точками; ДГ-С2 — двумя черными точками и полоской черного цвета. Масса диода не более 0,7 г. Этекзрические параметры Потери преобразования при Рпл 0,5 мВт, X — 9 8 см, гпос 400 Ом, не более ДГ-С1..............................................8,5 дБ ДГ-С2.............................................6,5 дБ Выпрямленный юк при Рпл = 0,5 мВт. 7- = 9 8 см, не менее.............................................. .0,4 мА Шумовое отношение при Ргл 1 мВт, 1 = 3,2 см, гпос = = 150 Ом, не более.................................. 3 Коэффициент стоячей волны по напряжению при Ргл — = 0,5 мВт X = 9,8 см, гпос — 400 Ом, не более .... 3 Предельные эксплуатациоаиые данные Полная просачивающаяся импульсная мощность . . 80 мВт Энергия пика проса щвающейся мощности (среднее зна- чение, измеренное при многократной подаче им- пульсов) .........................................0,1 10“ Дж Температура окружающей среды.......................От 213 до 343 К 359
ДК-Cl М, ДК-С2М Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в пре- образователях частоты на длине волны 10 см. Выпускаются в металл окерамическом корпусе с жесткими вы- водами. Тип диода указывается на корпусе. Масса диода не более 2,5 г. + I ВыВод1 Вывод 2 Электрические параметры LT Потерн преобразования прн Р„л = 1 мВт, X = 9,8 см, гпос = 400 Ом, не более: ДК-С1М............................................8,5 дБ ДК-С2М..........................................6,5 дБ Выпрямленный ток при Р11Д = 1 мВт, X = 9,8 см, г11ос = = 350 Ом, не менее.................................0,4 мА Коэффициент стоячей волны по напряжению прн Р^ = 1 мВт, X = 9,8 см, гпос = 350 Ом, не более: ДК-С1М..........................................3,5 ДКС2М.......................................... 3 Шумовое отношение РПД = 1 мВт, X = 3.2 см, не более ДК-С1М....................................... 2,7 ДК-С2М......................................... 2 Постоянный обратный ток, не более: ДК-С1М...........................................150 мкА ДК-С2М........................................250 мкА Предельные эксплуатационные данные Импульс! ая рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 373 К ................................. 300 мВт Энергия импульса при температуре от 213 до 373 К.........................................0,3-10-7Дж Температура окружающей среды...................От 213 до 373 К ДК-С7М Диод кремниевый точечный. Предназначен для работы в пре- образователях частоты в диапазоне волн от 3 до 12 см. Выпускается в метал- локерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на кор- пусе. Масса диола не бо- лее 0,7 г. 360
Электрические параметры Потери преобразования прн Рпд = 0,7 мВт, X — 3,2 см, ''пос = 400 Ом при 298 К, не более.............................. 7,5 дБ при 213 и 358 К.............................£пр(3 + 1,2 дБ Коэффициент стоячей волны по напряжению при Ли = 0,7 мВт, X — 3,2 см, Гпос — 50 Ом, не более: прн 298 К.......................................... 2 прн 213 и 358 К................................ 2,5 Шумовое отношение при Рпд = 0,7 мВт, X — 3,2 см, гпос = 50 Ом, не более.............................. 2 Выходное сопротивление при Р„„ = 0,7 мВт, X = = 3,2 см............................................. От 250 до 700 Ом Постоянный обратный ток, нс более................... 250 мкА Предельные эксплуатационные данные Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при т„ < 1 мкс, скважности, большей или равной 1000, температуре от 213 до 358 К.....................................100 мВт Энергия одиночного импульса прн температуре от 213 до 358 К........................................0,3-10~7Дж Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 358 К............................................ 3 мА Температура окружающей среды........................От 213 до 358 К Д402, Д404 Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в преобразователях частоты СВЧ диапазона. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы- водами. Диоды выпускаются подобранными в пары: Д402Р, Д404Р Тип диода указывается на корпусе. Масса диода не более 10 г. Вывод 1 361
Электрические параметры Потери преобразования при Рпд = 1 мВт, гпос = 400 Ом, нс более: при 298 К Д402 ........................................... 10 дБ Д404 .......................................... 8,5 дБ при 213 и 358 К Д402 ............................................ 12,5 дБ Д404 ........................................... 11 дБ Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпя = 1 мВт, гпос = 100 Ом, не более- Д402 ............................................... 3 Д404 .......................................... 2,5 Выходное сопротивление при Р1д= 1 мВт, гпос= 100 Ом Д402 ..............................................От 250 до 650 Ом Д404 ........................................От 280 до 520 Ом Шумовое отношение при = 1 мВт, — 100 Ом, пе более........................................... 2,5 Разброс электрических параметров в паре Потери преобразования, не более..........................1 дБ Выпрямленный ток, не более..............................10 % Выходное сопротивление, не более........................50 Ом Предельные эксплуатационные данные Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность прн скваж- ности 500 — 3000, температуре от 213 до 358 К......................................... 15 мВт Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до 358 К........................................0,02 10“7 Дж СВЧ мощность плоской части импульса, просачи- вающегося через разрядник, при температуре о г 213 до 358 К.................................... 10 мВт Температура окружающей среды.................... Ог 213 до 358 К Д403Б, Д403В Диоды германиевые точечные. Предназначены для работы в преобразователях частоты в диапазоне длин волн от 3 до 12 см. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы- водами. Тип диода указывается на корпусе. Диоды выпускаются подобранными в пары. Д403БР, Д403ВР. Масса диода не более 0,7 г. 362
Электрические параметры Потери преобразования при Рпл — 1 мВт, X = 3,2 см, 'пос - 400 Ом для Д403Б, не более...................8,5 дБ Выпрямленный ток при Рпл 1 мВт, г11ОС = 100 Ом, X = 1,95; 2; 2,5 см для Д4ОЗВ, не менее...............0 4 мА Коэффициент стоячей волны по напряжению при Р^ = = 1 мВт, Гпос =>00 Ом, Х=1,95; 2; 2,25 см для Д403В, не более................................... 3 Выходное сопротивление при Рпа = 1 мВт, X = 3,2 см . . .От 200 до 600 Ом Нормированный коэффициент шума Д403В, не более . . . 11 дБ Шумовое отношение при Рш = 1 мВт, X = 3,2 см, гпос = = 50 Ом для Д403Б, не более . 3 Разброс электрических параметров в паре Выпрямленный ток, не более 30 % Предельные эксплуатационные данные Импульсная рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 343 К........................................150 мВт Энергия СВЧ импульсов при температуре oi 213 до 343 К............................................0,3 Ю"7 Дж Температура окружающей срезы.............................От 213 до 343 К Зависимость по ерь преобра- зования oi температуры. Зависимость коэффициента стоячей волны по напряже- нию от температуры. 363
Д405, Д405А, Д405Б, Д405АП, Д405БП Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в преобра»ователях частоты диапазона волн 3 см. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы- водами Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Диоды Д405, Д405А, Д405Б — прямой по- лярности, Д405АП. Д405БП — обратной полярности. Диоды выпус- каются подобранными в пары: Д405АР, Д405БР Д405АПР, Д405БПР. Э кктрическнс параметры Потери преобразования при Р„л = 1 мВт, X = = 3,2 см, гпос = 350 Ом: при 298 К Д405, не более.......................... 7 дБ Д405А, Д405АП, не более................... 6,5 дБ при 373 К Д405 ..................................От 5 до 9 дБ Д405А, Д405АП..........................От 4,5 до 8,5 дБ прн 213 К Д405 ...................................От 5,5 до 8,5 дБ Д405А Д405АП ..........................От 5 до 8 дБ Выпрямленный ток при Р11Л = 1 мВт, X = 3,2 см, тпос = 50 Ом, нс менее....................... 1 мА Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рвд = 1 мВт, X = 3,2 см, гпос = 50 Ом, не более: Д405 ..........................•.......... Д405А Д405АП........................... 1,7 Д405Б, Д405БП.......................... 1,4 Выходное сопротивление прн Рпя = 1 мВт, X = = 3,2 см, г„ж = 100 Ом: Д405 .....................................От 250 до 550 Ом Д405А. Д405АП .........................От 300 до 500 Ом Д405Б, Д405БП..........................От 300 до 450 Ом Нормированный коэффициент шума для Д405Б, Д405БП, не более............................. 8,5 дБ Шумовое отношение при Рвд = 1 мВт, Х= 3,2 см, Гпос = 100 Ом, не более: Д405 ..................................... 2,2 Д405А, Д405АП ........................... 2,0 364
Разброс электрических параметров в паре Потери преобразования, не более..........................1 дБ Выпрямленный ток, не более..............................10 % Выходное сопротивление, не более........................30 Ом Предельные эксплуатационные данные Импульсная падающая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К..................................... 300 мВт Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при 373 К для Д405, Д405А, Д405АП.............................20 мВт Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность прн температу- ре от 213 до 373 К для Д405Б, Д405БП .... 5 мВт Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до 373 К...............................................0.3-КГ7 Дж Температура окружающей среды........................ От 213 до 373 К Зависимость потерь преобразо- вания от непрерывной падаю- щей СВЧ мощности. Зависимость выпрямленного то- ка от непрерывной падающей СВЧ мощности. Зависимость коэффициента стоячей волны по напряжению от непрерывной падающей СВЧ мощности. Зависимость выходного сопро- тивления от температуры. 365
Д406А, Д406АП Диоды кремниевые очечные. Предназначены для работы в преобразователях СВЧ диапазона. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы- водами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе Диоды Д406А — прямой полярности. Д406АП — обратной полярности. Диоды выпускаются подобранными в пары Д406АР, Д406АПР Масса диода нс более 1.5 г. Э |ектрические параметры Потери преобразования при Рпя = 1 мВ г, гпос = 350 Ом, не более при 298 К........................................... 7 дБ при 213 и 373 К................................. 8 дБ Выпрямленный ток при Ргз = 1 мВт, г„ж - 100 Ом, не менее.................... 0,7 мА Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рцд = 0,5 мВт, гпос = 100 Ом, не более .... Выходное сопротивление при Рш = I мВт, = 100 Ом............................................От 240 до 460 Ом Шумовое отношение при Рпл — 1 мВт, гпос = 100 Ом, пс более ........................................... Разброс электрических параметров в паре Потери преобразования, не более..................... 1 дБ Выпрямленный ток, не более.......................... 10°. Выходное сопротивление, не более....................30 Ом Предельные эксплуатационные данные Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера- туре от 213 до 373 К ...............................100 мВт Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко- временном воздействии (не более 20 мин) при тем- пературе ог 213 до 373 К ........................... 300 мВт Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до 373 К............................................0,2 101 Дж Температура окружающей среды........................От 213 до 373 К 366
Д407 Диод кремниевым точечный. Предназначен для работы в прсобра зова гелях частоты СВЧ диапазона Выпускается в ме- таллокерамическом кор- пусе с жесткими выво- дами Тип диода указы- вается на корпусе Масса диода нс бо- лее 12,1 г. Электрические параметры Потери преобразования при Рга = 1 мВ г, гпос = 600 Ом, не более: прн 298 К ..................................... прн 358 К ..................................... при 213 К . . ........................... Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпз — = 1 мВ г, гиос= 100 Ом, не ботее................... Выходное сопротивление при Рю 1 мВт, гпос = 100 Ом........................................... 12 дБ 14,5 дБ 13,5 дБ 3 Ог 400 до 1500 Ом Шумовое отношение прн Рпя 1 мВт, г11ос 100 Ом, не более............................................. 6 Предельные эксплуатационные данные Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при скваж- ности 500 — 3000 и температуре от 213 до 358 К.............................................. 20 мВт Эпсргия СВЧ импульса при температуре от 213 до 358 К...........................................0,02- 10"7 Дж Температура окружающей среды......................... От213 до 358 К Зависимость потерь преобразо- вания от температуры 367
Д408, Д408П Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в преобразователях частоты в диапазоне волн 10 см. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы- водами Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Диоды Д408 — прямой полярности, Д408П — обратной полярности. Диоды выпускаются подобранными в пары Д408Р Д408ПР. Масса диода не более 2,7 г. Выбод 1 ВыВод 7 ДЬ08 Д408П Электрические параметры Выпрямленный ток при Рпя = 0,5 мВт, 1 = 10 см, гпос = Ом, пе менее..................................0,8 мА Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпл = = 0,5 мВт, X 10 см гпос = 100 Ом, не более ... 1,3 Выходное сопротивление при Р1М = 0,5 мВт, 1=10 см, гпос - 100 Ом ......................................От 290 до 390 Ом Нормированный коэффициент шума при Р,1Д = 0,5 мВт, 1=10 см, гпос = 100 Ом при 298 К, не более..............................7,5 дБ при 398 К, не более.............................. 13 дБ прн 213 К........................................ От 6 до 9 дБ Разброс электрических параметров в парс Выпрямленный ток, не более.......................... 10% Выходное сопротивление, не более.......................25 Ом Нормированный коэффициент шума, не более .... 0,5 дБ Преде ьные эксплуатационные тайные Импульсная падающая СВЧ мощность при ти < 7 мкс, скважности большей ияи равной 100, температуре от 213 до 398 К ..................................... 500 мВт Импульсная рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 398 К.......................................100 мВт Энергия СВЧ импульсов при ти < 7 мкс, скважности, большей или равной 100, температуре от 213 до 398 К............................................0,5-10-7Дж Температура окружающей среды...........................От 213 до 398 К 368
Зависимость нормированного коэф- фициента шума от непрерывной падающей СВЧ м |щности. Зависимость выпрямленного то- Зависимооь нормированного коэф- ка от непрерывной падающей фипнента шума от температуры. СВЧ мощности. Д409А, Д409АП Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в преобразователях частоты в диапазоне волн 3 см. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приво- дятся на корпусе Диоды Д409А — прямой полярности, Д409ЛП — обратной полярности Диоды выпускаю 1ся подобранные в пары: Д409АР, Д409АПР. Масса диода не более 3 г. Электрические параметры Потери преобразования прн Р„п 0,2 мВт Л. = — 3,2 см, гпск 100 Ом, не более: при 298 К ................................. 7,5 дБ 369
при 373 К...................................... 10,5 дБ при 213 К...................................... 11,5 дБ Выпрямленный ток при Рдд = 0,2 мВт, Л = 3,2 см, Пис - ЮО Ом: при 298 К................................От 0,2 до 0 5 мА при 373 К..............................От 0,1 до 0,75 .мА при 213 К.............................От 0,05 до 0,875 мА Выходное сопротивление при Рпд = 0,2 мВт, 1 = = 3,2 см, гвос = 100 Ом.......................От 350 до 575 О.м Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рта = 0,2 мВт, X = 3,2 см гпос = 100 Ом, не более............................................ 1.7 Шумовое отношение на промежуточной частоте 10 кГц при Рпа — 0,2 мВт 1=3,2 см, гпос — 100 Ом не более.................................. 21 Разброс электрических параметров в паре Потери преобразования, не более....................... 1 дБ Выпрямленный ток, не более..........................0,06 мА Выходное сопротивление, не более.................... 50 Ом Предельные эксплуатационные данные Импульсная падающая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К...................................... 300 мВт Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко- временном воздействии (не более 2 ч) при температуре от 213 до 373 К......................................30 мВт Энергия импу ьсов при температуре о г 213 до 373 К.................................................0,3 10~7 Дж Температура окружающей среды.......................... От 213 до 373 К Зависимость потерь преобразо- вания от температуры. Зависимость выпрямленного то- ка от температуры. 370
Зависимость выпрямленного то- ка от непрерывной падающей СВЧ мощности. Зависимость потерь преобразо- вания от непрерывной падаю- щей СВЧ мощности. 2А101А, 2А101Б Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в преобразователях частоты СВЧ диапазона. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жещкими выво- дами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 1,5 г. 16 Электрические параметры Потери преобразования при Р„а — 1 мВт, г1юс = 100 Ом, гм 400 Ом. не более при 298 К 2А101А......................................... Ю дБ 2А101Б......................................... 9 дБ при 213 и 373 К 2А101А........................................... И ДБ 2А101Б......................................... Ю дБ Выпрямленный ток при Рпд = 1 мВт, rnot = 100 Ом, не менее..............................................® 5 мА Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд = = 1 мВт, гпос - 100 Ом, не более.................. 3 Шумовое отношение прн Рпд = 1 мВт, гпос = 100 Ом, 371
не более............................................... 2 Выходное сопротивление при Рпд= 1 мВт, г ос = 100 Ом: 2А101А..................................................От 250 до 550 Ом 2А101Б...........................................От 150 до 300 Ом Предельные эксплуатационные данные Импульсная падающая СВЧ мощность при ти = 1 мкс, скважности, большей или равной 1000, и темпера- туре от 213 до 373 К 2А101А..................................... 150 мВт 2А101Б..................................... 250 мВт Импульсная падающая СВЧ мощность при кратко- временном воздействии (не более 20 мин) при ти = 1 мкс, скважности, большей или равной 1000, и температуре от 213 до 373 К 2А101А....................................... 200 мВт 2А101Б....................................... 300 мВт Мощность плоской части просачивающегося через разрядник импульса при температуре от 213 до 373 К: 2А101А........................................ 30 мВт 2А101Б........................................ 60 мВт Энер 'ия острой части пика просачивающегося через разрядник импульса при гемпературе от 213 до 373 К: 2А101А.....................................0,06 -10“7 Дж 2А101Б.....................................0,2-10-7Дж Температура окружающей среды....................... От 213 до 373 К Зависимость выпрямленного то- ка от температуры 372 Зависимость потерь преобразо- вания от температуры.
Зависимость коэффициента стоя- чей волны по напряжению от температуры. Зависимость выходного со- противления от температуры. Зависимость шумового отноше- ния от температуры. Зависимость noiepb преобразо- вания от непрерывной падаю- щей СВЧ мошнос I и. Зависимость выпрямленного то- ка от непрерывной падающей СВЧ мощности Зависимость шумового отноше- ния от непрс ывной падающей СВЧ мощности. 373
2А102А Диод кремниевый точечный. Предназначен для работы в пре- образователях частоты в диапазоне длин волн от 10 до 30 см. Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вы- водами Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе Масса диола не более 2,5 г Электрические параметры Коэффициент шума при /*^ = 0,5 мВт X 10 см, Гпос — ЮО Ом при 298 К, пе более...........................8.5 дБ при 213 и 373 К...............................От 7,2 до 9,8 дБ Выпрямленный ток прн Рвя = 1 мВт, Х = 15,5 с.м, гпос = = 100 Ом, не менее................................12 мА Выходное сопротивление при РН1 = 1 .мВт, Х=15,5 см, гПос — ЮО Ом .....................................От 250 до 450 Ом Коэффициент стоя гей волны напряжения при Рпд = 1 мВт, Х = 15,5 см г11ОС = 100 Ом. пс более................ 1,5 Потери преобразования* при Рпд 0,5 мВт X- 10 см, не более..........................................6,0 дБ Предельные эксплуатационные данные Импульсная рассеиваемая СВЧ мощноегь при темпера- туре от 213 до 373 К.................................. 500 мВт Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко- временном воздействии (нс более 10 мин) при темпе- ратуре от 213 до 373 К ................................. 6 Вт Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температу- ре от 213 до 373 К......................................30 мВт Температура окружающей среды............................От 213 до 373 К 374
Зависимость потерь преобра- зования от температуры За висимосгь коэффицисп г а стоячей волны по напряже- нию от непрерывной падаю- щей СВЧ мощности. 2А103А, 2А103Б Диоды кремниевые [очечные. Предназначены для работы в преобразовате ях частоты СВЧ диапазона. Выпускаются в метал токерамичсско.м корпусе с жесткими вы- водами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 1,65 г. Эле трические параметры По 1ери преобразования при Р11Я — 1 мВт, г11ос = 400 Ом, [с более: при 298 К 2А103А....................................... 10 дБ 2А103Б........................................ 9 дБ при 213 и 373 К 2А103А..........................................11 дБ 2А103Б....................................... 10 дБ Выпрямленный ток при Р„л = 1 мВт, г11ОС = 100 Ом, не менее..........................................0,5 мА Выходное сопротивление при Р^ 1 мВт, гпос = 100 Ом.............................................От 200 до 550 Ом 375
Шумовое отношение при Рпд — 1 мВт, гпос = 100 Ом, не более........................................... 2 Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпл = — 1 мВт, гпос = 100 Ом, не более................... 3 Предельные эксплуатационные данные Непрерывная падающая СВЧ мощность при темпера- туре от 213 до 373 К 2А103А....................................... 10 мВт 2А103Б................................... 15 мВт Непрерывная падающая СВЧ мощность прн кратко- временном воздействии (не более 10 мин) при температуре от 213 до 373 К: 2А103А............................................ 75 мВт 2А103Б................................... 100 мВт Импульсная падающая СВЧ мощность при т„ < 1 мкс, скважности, большей или равной 1000, и темпера- туре от 213 до 373 К 2А103А......................................... 150 мВт 2А103Б................................... 250 мВт Импульсная падающая СВЧ мощность при кратко- временном воздействии (не более 10 мин) при ти < 1 мкс, скважности, большей или равной 1000, и температуре от 213 до 373 К 2А103А......................................... 200 мВт 2А1ОЗБ................................... 300 мВт Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до 373 К: 2А103А...................................0,06-10-7Дж 2А103Б...................................0,2 IO"7 Дж Мощность плоской части просачивающегося импульса при температуре от 213 до 373 К: 2А103А....................................... 30 мВт 2А103Б................................... 60 мВт Температура окружающей среды................... От 213 до 373 К Зависимость выпрямленного то- ка от температуры. 376
Зависимость noiept преобразо- вания от температуры Зависимость коэффициента стоя- чей волны по напряжению от температуры. Зависимость выходного сопро- тивления от температуры. Зависимость шумового отноше- ния от температуры. 2А104А, КА104А, КА104Б Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в преобразователях частоты в диапазоне длин волн от 8 до 60 см. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выво- дами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом- 2А104А, КА104А — красной полоской у положитель- ного электрода, КА 104Б — синей полоской. Диоды, подобранные в пары, обозначаются 2А104АР Масса диода не более 0,15 Г 377
Электрические параметры Потери преобразования при Р = 0,5 мВт, X = 8 см, гпос 400 Ом, нс ботее: при 298 К - . .............. 6,5 дБ при 398 К....................................90 дБ при 213 К....................................70 дБ Выпрямленный зок при Рт = 0,5 мВт, X = 8 см, гпос = 100 Ом, не менее.......................0.5 мА Коэффициент стоячей во тяы по напряжению при 7>IU = 0,5 мВт. Х = 8 см, г11ос = 100 Ом, не более 1,5 Выходное сопротивление при Р , = 0,5 мВт, 7 = 10 см. г11ОС = 100 Ом . . . . ’......................От 340 до 560 Ом Нормированный коэффициент шума при Р\т < 1,5 дБ не более.......................................8.5 дБ Разброс электрических параметров в паре Потери преобразования, не более......................0.5 дБ Выпрямленный ток, не более...........................0,1 мА Выходное сопротивление не более.......................50 Ом Предельные эксплуатационные данные Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре от 213 до 398 К......................................20 мВт Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковре- менном воздействии (не ботее 10 мин) при темпера- туре от 213 до 398 К..................................150 мВт Импульсная падающая СВЧ мощность при ти < 1 мкс, f < 1000 Гц и температуре от 213 ло 398 К . . . 300 мВт Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковре- менном воздействии (не более 1 ч) прн т„ < 1 мкс /< 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К . . . . 500 мВт Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до 398 К................................................ 0,5 х Мощность плоской части импульса, просачивающегося через разрядник, при температуре от 213 до 398 К Температура окружающей среды....................... х 10'7 Дж 100 мВт От 213 до 398 К Зависимость потерь преобразо- вания от пепрерывтой падаю- щей мощности 378
Зависимость выпрямленного то- ка от непрерывной падающей СВЧ мощности. Зависимость коэффициента стоя- чей волны по напряжению от непрерывной падающей СВЧ мощности. Зависимость шумового от ноше ния от непрерывной падающей СВЧ мощности. Зависимость потерь преобразо- вания от температуры. Зависимость выпрям тсниого то- ка от температуры. Зависимость коэффициента стоя- чей волны по напряжению от температуры 379
2А105А, 2А105Б Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в пре- образователях частоты в диапазоне волн от 3 до 8 см. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выво- дами. Тип прибора указывается на этикетке. Диоды маркируются цветным колом 2А105А — двумя красными полосками у положи- тельного электрода (вывод 7), 2А105Б —двумя красными полосками и точкой Диоды выпускаются подобранными в пары: 2А1О5АР 2А105БР Масса диода не более 0,15 г Электрические параметры Потери преобразования при Р11Д = 1 мВт, 7. = 3,2 см, гпос = 350 Ом, не более. при 298 К 2А105А....................................... 7 дБ 2А105Б.....................................6,7 дБ нри 213 и 398 К . . ................... 9 дБ Выпрямленный ток при Рпл = 1 мВ г, 2 3,2 см, гпос = 100 Ом, не менее...........................0,8 мА Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпл = = 1 мВт X = 3,2 см, г„„ 100 Ом, ие более. 2А105А...................................... 1,7 2А105Б...................................... 1,5 Выходное сопротивление при = 1 мВт, 2, = 3,2 см, Пюс 100 Ом' 2А105А..........................................От 250 до 500 Ом 2А105Б.......................................От 250 ло 450 Ом Шумовое отношение прн Рпд = 1 мВт, 2, = 3,2 см, не более: 2AI05A.......................................... 1.7 2А105Б...................................... 1,6 Нормированный коэффициент шума (расчетный), не более: 2А105А............................................. 10 дБ 2А105Б....................................... 9 дБ Разброс электрических параметров в паре Потери преобразования, не более........................0 5 дБ Выпрямленный ток, не более.............................0,1 мА Выходное сопротивление, не более........................50 Ом 380
Предельные эксплуатационные данные Непрерывная падающая СВЧ мощность при темпера- туре от 213 до 398 К...............................20 мВт Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковре- менном воздействии (не более 10 мин), при темпе- ратуре от 213 до 398 К .............100 мВт Импульсная падающая СВЧ мощность при тн < 1 мкс, 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К.............. 300 мВт Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковре- менном воздействии (ие более 5 мин), ти < 1 мкс, / < 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К.......... 500 мВт Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до 398 К..............................................0,5-10 1 Дж Мощность плоской части импульса, просачивающеюся через разрядник, при температуре от 213 до 398 К 100 мВт Температура окружающей среды.......................От 213 до 398 К Зависимость потерь преобразо- вания от непрерывной падаю- щей СВЧ мощности Зависимость выпрямленного то- ка от непрерывной падающей СВЧ мощности Зависимость выпрямленного то- ка от температуры. Зависимость коэффициента стоячей волны по напряжению от температуры. 381
1А106А, 1А106Б, 1 Al 06В Диоды германиевые микросплавные Предназначены для ра- боты в преобразователях частоты в диапазоне волн 2 — 3 см. Выпускаются в металлокерамическом корпусе. Тип прибора и схе- ма соединения электродов с выводами приводятся на этикетке. Диоды маркируются цве ным кодом. 1А106А — одной желтой точ- кой, 1А106Б — двумя желтыми точками, 1А106В тремя желтыми точками. Диоды выпускаются подобранные в пары: 1А106АР, 1А106БР 1А106ВР. Масса диодов не более 06 г. В tBod! вывод Z Электрические параметры Потери преобразования при Рпя = 200 мкВт. гпос = 100 Ом, гм = 230 Ом, не более: при 298 К 1А106А, 1А106Б...............................13,5 дБ 1А106В........................................12,5 дБ при 213 и 343 К IA106A, 1А106Б................................ 15 дБ 1А106В......................................... 14 дБ Выпрямленный ток при Р1Ш — 200 мкВт, гпос = 100 Ом, не менее 1А106А, 1А106Б................................0,1 мА 1А106В........................................0,12 мА Коэффициент стоячей волны по напряжению при Р^ — 200 мкВт, гпос = 100 Ом, гм 230 Ом, не более 1А106А................................................ 1.2 1А106Б........................................... 3 1А106В........................................... 2 Выходное сопротивление при Рпд = 200 мкВт, г11ос = 100 Ом....................................От 160 до 300 Ом Нормированный коэффициент шума (расчетный) на промежуточной частоте 10 кГц, не более 1AI06A............................................ 22 дБ 1А106Б, 1А106В .......................... 19 дБ Разброс электрических параметров в паре Потери преобразования, не более ........ 0.5 дБ Выпрямленный ток, не более........................ 0,05 мА Выходное сопротивление не более.......................25 Ом 382
Предельные эксплуатационные данные Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпе- ратуре от 213 до 343 К..............................6 мВт Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность прн кратко- временном воздействии (не более 5 мин), при темпе- ратуре от 213 до 358 К..............................30 мВт Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко- временном воздействии (не более 5 мин) т„ = 1 мкс, /= 1000 Гц и температуре от 213 до 358 К............100 mBi Импульсная падающая СВЧ мощность ....... 40 мВт Энергия СВЧ импульсов ..............................0.05 х х 10“7 Дж Температура окружающей среды........................От 213 до 343 К Зависимость выходного сопро- тивления от температуры Зависимость потерь преобразо- вания от температуры. Зависимость коэффициента стоячей волны по напряжению от температуры. Зависимость выпрямленного то- ка от температуры 383
Зависимость нормированного коэффициента шума от темпе- ратуры. Зависимость нормированного коэффициента шума от непре- рывной падающей СВЧ мощ- ност и. 2А107Л Диод кремниевый микросплавной. Предназначен для pauoiu в преобразователях частоты в диапазоне волн 2 с.м. Выпускается в металлокерамическом корпусе Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на этике!ке. Диоды выпускаются подобранными в пары: 2А107ЛР Масса диода не более 0.2 г Элек рические парамс ры Потери преобразования при Рпа = 0,5 мВт, Cogp 0,25 В, гпос = 100 Ом гм = 350 Ом, нс более: при 298 К.........................................7,5 дБ при 213 и 398 К.................................. 9 дБ Выпрямленный ток при Р11Л = 0,5 мВт, 1/о6р = 0,25 В, к,юс = ЮО Ом, не менее................................0 3 мА Коэффициент стоячей волиы по напряжению при Р„л 0,5 мВт, 1/обр 0,25 В, г|1ОС = 100 Ом, не более 1,5 Выходное сопротивление при Рпл = 0,5 мВт, £7обр = 0,25 В, гпос = 100 Ом........................................От 175 де 375 Ом Нормированный коэффициент шума диода (расчетный), не более............................................. 9 дБ 384
Разброс электрических параметров в парс Потери преобразования, не более......................0,5 дБ Выпрямленный ток, не более...........................0,05 мА Выходное сопротивление, не более.....................30 Ом Пре тельные эксплуатационные данные Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность прн темпера- туре от 213 до 358 К.................................20 мВт Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко- временном воздействии (не более 3 ч).................50 мВт Температура окружающей среды.........................От 213 до 373 К Примечания: 1. При установке диода в диодную камеру сле- дует предварительно касаться рукой заземлеппо!о устройства. 2. Допускается использование диодов без внешнего смещения при мощности гетеродина 1 — 1.5 мВт. 3. Допускается применение диолов прн воздействии импульсной падающей СВЧ мощности 300 мВт в течение 400 ч при 298 К, Рцд < 1,5 мВт, т„ < 4 мкс скважное!и, большей или равной 200, при этом значение нормированного (расчетного) коэффициента шума сохраняется до < 10 дБ. тока or температуры вапия от температуры. тивленпя от температуры. ния от температуры. 13 под рсд. Н. Н. Горюнова 385
Зависимость нормированного коэффициента шума от темпе- ратуры. Зависимость непрерывной рас- сеиваемой СВЧ МОЩИОС1Н от температуры. 2А108А Диод кремниевый микросплавной. Предназначен для работы в преобразователях частоты в диапазоне волн 10 см. Выпускается в металлокерамическом корпусе. Тип прибора и схема соединения электро юв с выводами приводятся на этикетке. Диоды выпускаются подобранными в пары: 2А108АР. Масса диода не более 0,15 г. Для работы в диапазоне частот 1 — 100 МГц диоды выпускают- ся одиночными, подобранными в пары и квартеты. Масса диода не более 0.26 г. Для работы на f ИГООМГц Вывод 1 Вывод Z Вывод 1 386
Э тек I ричсскнс парамо ры Потери преобразования при Рпл = 1 мВт. г11ОС = 100 Ом. гм = 500 Ом, не более: при 298 К............................................ 5 дБ при 213 н 398 К....................................6.5 тБ Выпрямленный ток при Р11д = 1 мВт, г11ос = 100 Ом, не менее...............................................0 7 мА Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпп = 1 мВт. гпос= 100 Ом, не более.............. . 1.5 Выходное сопротивление при Р, = I мВт, гпос — 100 Ом Oi 425 до 575 Ом Нормированный коэффициент шума (расчетный). не более 6.5 дБ Разброс электрических параметров в паре Потери преобразования, нс более........................0.5 дБ Выпрямленный ток. не более............................0.05 мА Вымкшос сопротивление, нс более.........................30 Ом Предельные эксплуатационные данные Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность................ 1 мВт Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко- временном воздействии (ис ботее 15 мин)...............100 мВт Импу ьсная рассеиваемая СВЧ мощность прн т„ = 0,5 - 1 мкс, скважности, большей или равной 1000, и reMiiepaiype от 213 до 373 К.........................50 мВт Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность прн кратко- временном воздейшвии (не более 15 мин), ти = 0,5 1 мкс, скважности, большей пли равной 1000. и температуре от 213 до 373 К........................100 мВт Температура окружающей среды............................От 213 до 398 К Электрические параметры нри работе в диапазоне частот I 100 МГн Постоянное прямое напряжение* при /|1р = 0,005 мА, не менее..................... 0,3 В при 1пр 0,5 мА, не более..........................0,55 В при /|,р = 10 мА, не бо iee..................... 0.7 В Постоянное обратное напряжение, не менее.............. 0,8 В Коэффициент шума, нс более..............................7.0 дБ Коэффициент передачи, нс менее....................... 0.6 Выходное сопротивление..................................От 50 ло 180 Ом Ра рос электрических параметров в паре Постоянное прямое напряжение, не более................. 15 мВ Постоянное обратное напряжение, не более.............. 0,5 В Выходное сопротив епие..................................От 50 до 180 Ом 13; 387
Разброс электрических параметров в квартете Постоянное прямое напряжение, не более..................20 мВ Постоянное обратное напряженно, нс более.............. 0,5 В Выходное сопротивление..................................От 50 до 180 Ом Предельные jkcii.iv a i анионные данные Напряжение ieiepo.ni на: при 298 К............................................... 1 В при 358 К в течение 100 ч............................ 1 В oi 213 до 358 К ... 04 В Примечания 1 При установке диода в диодную камеру следует предварительно каса!ься рукой заземленного устройства. 2. Допускается применение диодов с внешним смещением 0 2 — 04 В при мощное™ гетеродина 0,5—1 мВт. Зависимость выпрямленного то- ка от температуры. Зависимость потерь преобразо- вания от температуры. Зависимость выходного сопро- тивления от температуры. 388
Зависимость шумовою отноше- ния от температуры Зависимость нормированного коэффициента шума oi темпе- ратуры Зависимость выпрямленного то- ка ог непрерывной падающей СВЧ мощности. Зависимость потерь преобразо- вания ог непрерывной падаю- щей СВЧ мощности. Зависимость выходного сопро- тивления от непрерывной па- дающей СВЧ мощности. Зависимость шумового отноше- ния от непрерывной падающей СВЧ мощности. 389
Зависимость нормированного коэффициента шума от непре- рывной падающей СВЧ мощ- Зависпмость непрерывной рас- сеиваемой СВЧ мощности от температуры. пости. 2А109А Диод кремниевый точечный Предназначен ,чтя работы в преоб- разователях частоты в диапазоне воли 3 см. Выпускается в мсталлостскаянном корпусе. Тип диода указы вается на этикетке. Диод маркируется красной очкой у положи- тельного электрода (вывод /). Диоды выпускаются подобранными в пары. 2А109АР. Масса диода не более 0 15 г Электрические параметры Потери преобразования при Рп1 1 мВт, т1)М = 350 Ом, не более: при 298 К........................................6,5 дБ прп 213 и 398 К................................8,0 дБ Выпрям зстшый ток при РП1 — 1 мВт, г|1ОС = 100 Ом не менее...........................................0 9 мА Коэффициент стоячей во пты по напряжению при P1U = 1 мВт, гпос 100 Ом. не более................... 16 Выходное сопротивление при = 1 мВт гпос - 100 Ом От 220 до 380 Ом Нормированный коэффициент шума при К>пч=1,5 дБ, не более...........................................8 5 дБ Разброс электрических параметров в паре Потери преобразования, нс более....................0,5 дБ Выпрямленный ток, не более.........................0,1 мА Выходное сопротивление, не более...................50 Ом 390
Предельные эксплуа! анионные данные Непрерывная падающая СВЧ мощность прп темпе- ра гуре. от 213 до 358 К................................ 20 мВт при 398 К....................................... Ю мВт Непрерывная падающая СВЧ мощность прп кратко- временном воздействий (пе более 1 ч) при тем- пературе от 213 до 398 К........................... ЮО мВт Импульсная падающая СВЧ мощность прп т„ < <0,5— 1 мкс, /< 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К........................................ 300 мВт Имну । .сная падающая СВЧ мощнос!ь при кратко- временном воздействии (не более 5 мин). ти < <0,5 4- 1 мкс, 1000 Гц и температуре от 213 До 398 К....................................... 500 мВт Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до 398 К...........................................0,3 10~7Дж Мощность плоской части импульса, просачивающего- ся через разрядник, при температуре от 213 до 398 К............................................. ЮО мВ( Темпера iypa окружающей среды....................От 213 до Примет а п и е. Диоды вы- держивают воздействие температу- ры 428 К в течение 15 мин и воздействие непрерывной СВЧ мощности 150 мВт в течение 10 мин. Зависимость потерь преобразова- ния от темпера |уры. Зависимость коэффициента стоя- чей волны по напряжению от т смпсрату ры. Зависимость выходного сопро- тивления от температуры. 391
Зависимость нормированного коэффициента шума от темпе- ратуры. Зависимость выпрямленного то- ка от температуры. Зависимость шумовою отноше- ния от темпера гуры Зависимость потерь преобразо- вания от непрерывной падаю- щей СВЧ мощности. Зависимость нормированного коэффициента шума от -непре- рывной падающей СВЧ мощ пости. Зависимость непрерывной па- дающей СВЧ мощности от температуры. 392
ЗА ПОЛ, ЗЛ110Б Диоды арсенид-таллиевые пданарпо-эпигаксиальпые с барьером Шоттки. Предназначены для работы в преобразователях частоты диапазона длин волн 2 см Выпускаются в метал,юксрамичсском корпусе. Тич диода и его полярность приводятся на этикетке. Диоды маркируются кодом' первая цифра — указывает на тип диода (для ЗА110А-6, для ЗА И ОБ-7), вторая — квартал выпуска диода, третья — последняя циф- ра — юд выпуска диода. Диоды выпускаются подобранными в пары ЗА 1 ЮАР. ЗА110БР. Масса диода не более 0,15 г. I вы бод 1 ф 18б водг Электрические параметры Потери преобразования при Р„д = 3 мВт, Х=2 см. не более при 298 К ЗА1ЮЛ.......................................... 6.5 дБ ЗА110Б..................................... 6 дБ при 213 и 398 К ЗА110А....................................... 8 дБ ЗА110Б.................................... 7.5 дБ Выпрямленный ток нри Рпч = 3 мВт, Х = 2 см От 0.9 до 2,2 мА Коэффициент стоячей войты по напряжению при Рпд - 3 мВт, X = 2 см, нс более: ЗА110А.................................. 2 ЗА110Б.............................. 16 Выходное сопротивление нри Рп1 = 3 мВт, Х=2 см: ЗА110А.....................................От 200 до 500 Ом ЗЛ110Б................................От 210 до 490 Ом Нормированный коэффициент шума при Рпд = — 3 мВт, X = 2 см, не более• ЗА110А.............................. 8 дБ ЗА110Б.............................. 7,5 дБ Разброс электрических параметров в парс Потери преобразования, нс более.................. 0,5 дБ Выпрямленный ток, не более...................... 0,15 мА Выходное сопротивление, не более.................. 30 Ом Предельные »ксп.латационные данные Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К.................. 50 мВт 393
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощное ib при кратковременном воздеГствпи (не более 3 ч) и юмпсратуре ог 213 до 358 К.................... 100 мВт Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К, т„ < 4 мкс. /< 1000 Гн...................................... 150 мВт Импульсная падающая СВЧ мощное ib при краг ковремспном воздействии (не бо iee 3 ч), г„ < 4 мкс. f < 1000 Гц и темпера iype от 213 до 358 К.................................... 300 мВт Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до 358 К . '............................... 0.2- 10 7 Дж TeMiiepaiypa окружающей среды.................От 213 до 373 К Кра1ковремспное воздейщвие leMiiepaiypbt (не более 20 мин)................................... 398 К Примечание. Допускав гея приме ie ше диодов в режиме с внеш- ним по । >жше 1ьным смешением, не превышающим 0.5 В. Зависимость выпрямленного ю- ка от непрерывной па чающей СВЧ мощности. Зависимость потерь преобразо- вания от непрерывной падаю- щей СВЧ мощности. Зависимость выходного сопро- тивления от непрерывной па- дающей СВЧ мощности. Зависимость нормированного коэффициента шума от непре- рывной падающей СВЧ мош- ност и. 394
1вп ЗА110(Л,Ъ) т Z13 253 293 333 373 К Зависимость выпрямленного то- ка от температуры Зависимоеib потерь преобразо- вания от температуры Зависимость выходного сопро- тивления от температуры. Зависимость нормирование! о коэффициента шума oi Темпе- ратуры. Зависимость непрерывной рас Сбиваемой СВЧ мощности от температуры. Зависимость импульсной рас- сеиваемой СВЧ мощности от температуры. 395
ЗЛ111А, ЗА111Б, ЛАША, АА111Б Диоды арсснид-галлневыс планарно-эпитаксиальные с барьером Шоттки Предназначены для работы в преобразователях частоты диапазона волн 3 см Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы- водами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды выпускаю 1ся подо- бранными в пары ЗА111АР, АЛ111АР, ЗА111БР, АА111БР — одной полярности, ЗА111ААР. АА111ААР, ЗА111ББР, АА1И ББР — разной полярности На корпусе диода с обратным включением ставится зеленая точка Масса диода не более 0.2 г. Зеленая тонка дня диодсВ с обратным включением В парном подборе Э тек I рнческие параметры Потери I реобразования при РП1 3 мВт. 1 = 3.2 см, нс более при 298 К ЗА111А, АА111А................................. 6 дБ ЗА111Б, ААН1Б..................................5,5 дБ при 213 и 398 К ЗА111А............................................ 7 дБ ЗА111Б .........................................6.5 дБ Выпрямленный ток при Рпд 3 мВт, 1 = 3,2 см . . . . От 1 до 2,5 мА Коэффициент стоячей волны по напряжению при Р1Щ — 3 мВт, 1 = 3,2 см, не более................ 1,5 Выходное сопротивление при — 3 мВт, 1=3,2 см От 300 до 560 Ом Нормированный коэффициент шума при Рпд = 3 мВт, 1 = 3,2 см, не более: ЗА111А, АА111А................................7.5 дБ ЗА111Б. АА111Б................................ 7 дБ Разброс электрических параметров в парс Потери преобразования, не более.......................0,5 дБ Выпрямленный ток, нс более...........................0,15 мА Выходное сопротивление................................30 Ом 396
Предельные jkcii туатаппоштые данные Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера- туре от 213 до 373 К....................................50 мВт Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность прн кратковре- менном воздействии (нс более 10 мин).................. 500 мВт Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при ти < 1 мкс, /< 1000 Гц и температуре от 213 до 358 К . . . . 550 мВт Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко- временном воздействию! (нс более 10 мин), т„ < 1 мкс, /<1000 Гц............................................. 750 мВт Непрерывная рассеиваемая мощность при кратковремен- ном воздействии (не более 24 ч)....................... 300 мВт Температура окружающей среды............................От 213 до 373 К Примечание. Допускается кратковременное (ис более 20 мни) воздействие температуры окружающей среды 398 К Зависимость импульсной рассе- иваемой СВЧ мощности от длины волны. Зависимость импульсной рас- сеиваемой СВЧ мощности от темпера т уры. Зависимость выпрямленного то- ка от непрерывной падающей СВЧ мощности. Дб 6,00 5,15 5,50 5,15 5,00 1 Z 3 Ч 5 6 нВт Зависимость потерь преобразо- вания от непрерывной падаю- щей СВЧ мощности. 397
Зависимое 11. выходного coitpo- Iпаления oi непрерывной па- дающей СВЧ мощности. Зависимость нормированного коэффициента шума от непре- рывной падающей СВЧ мощ- ности. Зависимость выходного сопро- тивления от температуры. Зависимость нормированного коэффициента шума от темпе- ратуры. Зависимость выпрямленного то- ка от температуры. Зависимость потерь преобразо- вания от температуры. 398
АА112Х, АА112Б Диоды арсенид-галл новые планарно-эпитаксиальные Предназна- чены для работы в преобразователях на длине волны 3 см в гер- метизированной аппаратуре. Выпускаются в стеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на индивидуальной таре. Диод АА112Б выпускается подобранным в пары АА112БР Масса диода не более 0,035 г. Электрические параметры Потерн преобразования при Рпл = 3 мВт, 1 = 3.2 см, нс более............................................ 6 дБ Выпрямленный ток при Р„я = 3 мВт, 1 = 3,2 см........О г I до 2.5 мА Коэффициент стоячей во.пты но напряжению при Pt 3 мВт 1 = 3,2 см нс более АА112А........................................ 1.3 АА112Б...................................... 1.8 Коэффициент шума при Рпл = 3 мВт, 1=3,2 см, пе более............................................ 7 дБ Выходное сопротивление при Рпя — 3 мВт, 1=3,2 см От 440 до 640 Ом Пре тельные эксплуатационные данные Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера- туре ог 213 до 373 К................................. Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпе- ратуре от 213 до 373 К............................... Температура окружающей среды......................... 300 мВ, 20 мВт Ог 213 до 373 К АА113А, AA113I. Диоды арсспнд-тазлиевыс пла- нарно-эпитаксиальные. 11редназна- чсны для работы в преобразо- вателях сантиметровою и де- циметрового диапазонов воли в । ермс I изированной аппарат у ре. Бескорпусныс с гибкими вы- водами. Тип диода и схема соединения электродов с выво- дами приводятся па индивидуаль- ной таре. Масса диода пе более 0,002 г. 399
Электрические параметры Потери преобразования при Pni = 3 мВт, л = 3,2 см, не более: ААПЗЛ............................................ 6 дБ АА113Б........................................6,5 дБ Выпрямленный ток при Рил = 3 мВт, к — 3,2 см . . . . От 0,7 до 2,5 мА Козффипиент стоячей волны по напряжению при Р„л = 3 мВт, >. = 3.2 см, не более.................. 3,5 Сопротивление диода в пулевой точке, не менее .... 1000 Ом Коэффициент шума при Р,а = 3 мВт, Z. = 3.2 см, не более АА113А........................................7,5 дБ АА113Б........................................ 9 дБ Предельные эксн туат ациоштые данные Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпе- ратуре от 213 до 373 К............................50 мВт Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко- временном воздействии и температуре от 213 до 373 К............................................. 200 мВт Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К...................................100 мВт Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко- временном воздействии и температуре от 213 до 373 К............................................. 400 мВт Температура окружающей среды......................От 213 до 373 К 10.2. ДЕТЕКТОРНЫЕ ДИОДЫ ДК-В1, ДК-В2 Диоды кремниевые точечные. Предназначены для детектиро- вания сигналов в диапазоне волн 10 см. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы- водами. Тип диода указывается па корпусе. Масса диода не более 0,7 г. 400
Электрические параметры Чувствительность по чоку при Р11Л = 0 2 мВт X = 9,8 см, *',ioc = *00 Ом, не менее: ДК-В1............................................0 8 А/Вт ДК-В2............................................12 А/Вт Дифференциальное сопротивление в нулевой точке, пс более: ДК-В1............................................15 кОм ДК-В2............................................10 кОм Предельные эксплуатационные данные Импульсная рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 343 К.......................................50 мВт Температура окружающей среды.........................От 213 до 343 К ДК-ВЗ, ДК-В4 Диоды кремниевые точечные Предназначены для детектирования chi налов в диапазоне волн 3.2 см Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы- водами. Тип диола указывается на корпусе Масса диода пс более 0,7 г. Электрические параметры Чувствительность ио току при Рпд = 0,02 мВт, 'к = 3,2 см, 'пос = 100 Ом, не менее: ДК ВЗ.............................................0,4 A/Bi ДК-В4............................................0.8 А/Вг Дифференциальное сопротивление в нулевой точке не более: ДК-ВЗ.............................................15 кОм ДК-В4.............................................10 кОм Предельные эксплуатационные данные Импульсная рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 343 К......................................50 мВт Температура окружающей среды..........................От 213 до 343 К 401
ДК-В5М, ДК-В6М, ДК-В7М Диоды кремниевые точечные. Предназначены для детектирования сигналов в диапазоне волн 3 см (ДК-В7М) и 10 см (ДК-В5М, ДК-В6М). Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы- водами Тип диода указывается на корпусе. Масса диода пе более 2,5 г. Э тектрические парамет ры Чувствительноеib по току при Рпд — 0.02 мВт, гпос = = 50 Ом, не менее: ДК-В5М, ДК В6М при X. — 9,8 см...............0,8 Л/Вг ДК-В7М при к = 3,2 см.......................0.4 А/Вт Дифференциальное сопротивление в нулевой точке: ДК В М, ДВ В7М не более.........................10 кОм ДК В6М...................................... От 5 до 25 кОм 1 Ipele I ьные эксплу а анионные данные Импульсная рассеиваемая мощность при icMiiepai /ре от 213 до 373 К......................................... 200 mBi Температура окружающей среды.......................... От 213 до 373 К Температура окружающей среды при кратковременном воздействии (ие более 20 мин)....................... 398 К Зависимое! ь чувствительное i и по току от температуры. 402
ДК-ВХ Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования сигналов в диапазоне волн от 1,8 до 3,2 см. Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вы- водами. Тип диода указывается на корпусе. Масса диода не более 0,7 г Электрические параметры Дифференциальное сопротивление в нулевой точке, не более............................................. 1500 Ом Коэффициент качества при Рпд = 0,01 мВт, X = 3,2 см, ис менее..........................................15 Вт1/- Коэффиписпт стоячей вотпы по напряжению при Р„с = = 0.01 мВт, Х = 1,8; 2,4; 3,2 см; гпос = 20 Ом, не бо- лее................................................ 3 Предельные экен.п ат анионные данные Импульсная рассеивае- мая мощность при тем- перагуре от 213 до 343 К . . . . . 50 мВт Температура окружато- шей среды . . От 213 до 343 К Зависимость коэффициента ка- чества от температуры. дк-ви Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования СВЧ сигналов. Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами Тип диода указывается на корпусе. Масса диода не ботее 0,7 г 403
Электрические параме ры Чувствительность по току при Р|и = 0,02 мВт, т|10С = 100 Ом, не менее....................................1,5 А/Вт Дифференциальное сопротивление в пулевой точке, не более..................................................10 кОм Коэффициент стоячей волны по напряжению при Ргл — — 0,02 мВт, пе более.................................2.5 Предельные эксплуатационные данные Импульсная рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 343 К........................................50 мВт Температура окружающей среды...........................От 213 до 343 К ДК-И1М, ДК-И2М Диоды кремниевые точечные. Предназначены для детектирования сигналов в диапазоне воли 10 см (ДК-И1М) и 3 см (ДК-И2М). Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы- водами. Тип диода указывается па корпусе Масса диода ие более 2,5 г. Электрические параметры Чувствительность по току при Рпл = 0,02 мВт, г11ос = = 1000 Ом, не мспее. ДК-И1М при >, = 9,8 см.............................0,5 А/Вт ДК И2М при X = 3,2 см..........................0,2 А/Вт Выпрямленный ток при Рцд = 0,5 мВт, X = 9,8 см для ДК-И1М и Р„л=1 мВт, X = 3,2 см для ДК-И2М, пс менее.........................................0,4 мА Предельные эксплуатационные данные Импульсная рассеиваемая мощность при температуре от’ 213 до 373 К................................... 200 мВт Температура окружающей среды..........................От213 до 373 К Температура окружающей среды при кратковременном воздействии (не более 20 мин)...................... 398 К 404
Зависимость чувствительности по току от температуры ДЗА, ДЗБ Диоды кремниевые точечные. Предназначены для детектирования сигналов в диапазоне воли от 2,9 до 30 см. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы- водами. Тип диода указывается на корпусе Масса диода не более 0,7 г Выбод 1 Выбод 2 J I S 5 Выбод) *- Выбод 2 Э тек грнческие параме i ры Коэффициент качества при Рпл 20 мкВт, гпос 20 Ом, ис менее: ДЗА при X = 3,2 см................................22 Вт 12 ДЗБ при X — 9.8 см................................40 Bi 1,2 Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рал — = 20 мкВт, X = 2,9 см (ДЗЛ) и X = 8 см (ДЗБ), не более............................................. 2,5 Разброс полного входного сопротивления при Рпл = = 20 мкВт, глос = 20 Ом, Х = 2,9; 5,4 см (ДЗА) и Х = 8; 30 см (ДЗБ), не более.......................2,5 от. ед. Предельные эксплуатационные данные Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность прп темпера- туре от 213 до 343 К..................................50 мВт Температура окружающей среды..........................Ог 213 до 343 К 405
Зависимость коэффициента качест- ва от темпера «уры. Д602А, Д602Б Диоды германиевые точечные. Предназначены для детектирования сигналов в диапазоне волн oi 2 7 до 60 ем. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выво- дами. Тип диода указывается на корпусе. Масса диода не более 0,7 г. Вьбод! Выбод 2 Этектрнческие парамезры Чувствительность но току при Рпл = 0,02 мВт. X = 3 2 см, /|1р = 150 мкА, не менее.............................1,5 А/Вт Дифференциальное сопротивление при /пр - 150 мкА . . От 200 до 600 Ом Коэффициент качества при Рил = 0.02 мВт, X = 3,2 см, 711р = 150 мкА нс менее. Д602А.............................................15 В. 'I- Д602Б.............................................20 Вт Эквивалентное шумовое сонрогивтемне нри /пр - 150 мкА, ие более............................................ 12 кОм Коэффициент стоячей волны по напряжению при Р,1А = 0,02 мВт, X — 3,2 см, гпос 20 Ом, /,,р = 150 мкА, не более.......................................... 3 2 Предельные эксплуатационные данные Импульсная рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 358 К .........................................50 мВт Температура окружающей среды..........................От 213 до 358 К 406
Д603 Диод кремниевый точечный. Предназначен для де1ек1проиания сигналов в диапазоне волп от 6 до 60 см Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вы- водами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 3 г. Вывод1 ButoSl 4.1ВыбеЗ1 —ГВыВоЗ! Электрические параметры Чувствительность по току при Рпл„ 4 мкВт, к = 10 см. /11р 50 мкА, тпос=15 Ом и температуре от 213 до 373 К, ие менее..................................4 А/Вт Дифференциальное сопрот ив тенис при/пр = 50 мкА . . . От 300 до 900 Ом Коэффициент качества, не менее.....................45 Вт 12 Шумовое отношение при /пр = 50 мкА, не более ... 10 Коэффициент стоячей волны по напряжению нри Р1ЩИ = 4 мкВт, >.= 10 см /пр = 50 мкА, гпос — 15 Ом, не более при 298 К . . ................................. 2 при 213 и 373 К................................ 2,2 Прсде тытые эксплуатационные данные Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при ти = 1 мкс, /= 1000 Гц и температуре ог 213 до 373 К . . 200 мВт Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко- временном воздействии (нс более 1 мин), т„ = 1 мкс, / = 1000 Гц и температуре от 213 до 373 К............... 2 Bi Температура окружающей среды.............................От 213 до 373 К Примечание. Разрешается применение диода при постоянном прямом токе от 0 до 150 мкА. Температура окружающей среды при кратковременном воздействии (не более 20 мин) 398 К. 407
Зависимость чувстви- тельное in по току ог постоянного прямого тока. Зависимость коэффи- циента качества от по- сюяппого прямого io- ка. Зависимость коэффи- циента качссэ на от температуры. Д604 Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования сигналов в диапазоне волн от 2,7 см и более. Выпускается в металлокерамическом кортусе с жесткими выво- дами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами при- водится па корпусе. Масса диода нс более 3 г. Выбод 1 Выбод 2. Электрические параме т ры Чувствительность по току при РПЛ11 = 10 мкВ г, 2. = 3,2 см, 7лр = 50 мкА, гпос = 20 Ом, не менее при 213 и 298 К..................................2,5 А/Вт при 373 К.......................................2,0 А/Вт Дифференциальное со трот ивление при /,,р — 50 мкА ... От 500 до 900 Ом Коэффициент качества, не менее......................35 В г Шумовое отношение при /пр = 50 мкА, не более ... 8 Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд „ = = 10 мкВт, X = 3,2 см, 711р = 50 мкА, г11ос = 20 Ом, ис бо тее при 298 К......................................... 18 при 213 и 373 К................................ 2 408
Предельные эксплуатационные данные Импульсная рассеиваемая мощное!ь при тп = I мкс, j = Ю00 Гц н температуре от 213 до 373 К............. 300 мВт Импульсная рассеиваемая мощность при тн = 1 мкс f= 1000 1ц н температуре ог 213 до 373 К в течение 10 мин............................................... I Bi Непрерывная падающая СВЧ мощное 1ь прн 373 К . . . 10 мВт Температура окружающей среды...........................От 213 до 373 К Примечания: I. Разрешается применение диода при посюяп- иом прямом токе от 0 до 150 мкА. 2 Предельная температура окружающей среды прн кратковре- менном воздействии (нс более 20 мин) 398 К Зависимое ib коэффициента ка- чества от постоянного прямо- го тока. Зависимость коэффициента ка- чества от температуры. Зависимость чувствительности по току от постоянного прямо- го ТОКЦ. 409
Д605 Диод кремниевый точечный Предназначен для детектирования импульсных амплитудпо-модулированных колебаний, индикации им- пульсной мощности на частотах до 15 500 MI ц. Выпускается в металло- керамическом корпусе с жест- кими выводами. Тип диода и схемы соединения электро- дов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не бо- лее 3,5 г. Вывод 2 Вывод 1 Элек । рические параметры Чувствительность по напряжению при Рпд„ = 150 мВт, I. = 3.2 см, спос — 10 кОм, не менее.......................14 В/Вг Выпрямленное напряжение при 60 мВт, X = 3,2 с.м, *'пос = Ю кОм: при 298 К..............................................От 10,5 до 16 В при 373 К, не менее.................................... 5 В при 213 К, пе менее.................................... 8 В Предельные эксплуатационные данные Вы 1рямленное напряжение иа г11ОС = 10 кОм и темпера туре от 213 до 373 К, не менее: при X = 3,2 см........................................ 10,5 В при X — 2 см......................................... 7 В Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратко- временных перегрузках и температуре от 213 до 373 К.................................................... 2 Вт Зависимость выпрям- ленного напряжения от непрерывной падающей СВЧ мощности. Зависимость выпрямленного напряже- ния от температуры. 410
Д606 Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования СВЧ импульсных амплитудпо-модулированных сигналов, индикации импульсной СВЧ мощности Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вы- водами. Тип диода указывается на корпусе Масса диода не более 10 г. Вывод 7 Элек I рические параметры Чувствительность ио напряжению при = 20 мВт. не менее..............................................14 В/Вт Выпрямленное напряжение при Р11Л = 60 мВт, г11ос = 10 кОм, нс менее: при 298 К....................................... 5,2 В при 358 К.......................................... ЗВ при 213 К....................................... 3,5 В Предельные эксплуаанионные данные Импульсная рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 358 К.......................................100 мВт Температура окружающей среды........................От213 до 358 К Температура окружающей среды прн кратковременном воздействии в течение 20 мии....................... 373 К Д607, Д607А Диоды кремниевые точечные. Предназначены д 1я делегирования СВЧ сш налов. Выпускаются в мсталлосгеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается па корпусе. Масса диача пе более 1,4 г 411
Э тектрические параметры Дифференциальное сопротивление при 7лр = 50 мкА . . . От 400 ло 1200 Ом Коэффициент качества при Р„я = 15 мкВт, /,|р = 50 мкА, пс менее- при 298 К......................................30 Вт"' при 213 и 398 К................................15 Вт Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпя = = 15 мкВт, 7пр = 50 мкА, нс более . .... Предельные эксплуатационные данные Импульсная рассеиваемая мощность при т„ = 1 мкс, /= 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К . . . . Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковре- менном возчействии (не более 20 мин), т„ — 1 мкс, f = 1000 Гц и температуре от 213 до 398 К............ Нс трерывиая рассеиваемая СВЧ мощность при кратко- временном воздействии (не более 20 мин) и температуре от 213 до 398 К...................................... 100 мВт 300 mBi 5 мВт го сопротивления от постоян- чества от постоянного прямого тивлення от постоянною пря- мого тока по току от постоянного пря- мого тока. 412
Зависимость чу вс гви i ельнос ги по току от температуры. О 10 го 30 40 50 mA Зависимость