/
Author: Шишков А.И.
Tags: радиотехника електротехника инженерство електроника радиоелектроника
Year: 1967
Text
Атанас Шишков
транзисторны
приемници
Централна станция на младите техници - София
АТАНАС ШИШКОВ
физик, радиоинженер
ТРАНЗИСТОРНЫ
ПРИЕМНИЦИ
Четвърто преработено и допълнено издание
ЦЕНТРАЛКА СТАНЦИЯ НА МЛАДИТЕ ТЕХНИЦИ
Големите предимства на полупроводниковое елементи и
тяхното многостранно приложение наложиха развитието на
редица нови клонове от науката и техниката. Понятията
транзистор, диод, фотосъпротивление, термистор и др. не
са вече „монопол“ само на специалистите от лаборато-
риите. С тях боравят широк кръг инженери, техници и ра-
диолюбители. Особеко голям е интересът на младежта към
транзисторните приемници, които със своята простота и
миниатюрност допадат извънредно много на юношеското
техническо творчество. Израз на този интерес е не само
бързото изчерпване на първите три издания от настоящата
книга, но и многото писма. които авторът получава. В тях
младите радиолюбители задават различии въпроси, свързани
с направата на любителски транзисторни приемници.
Настоящата книга представлява опит да се дадат в
най-достъпна форма необходимите знания както за работата
на транзистора, така и указания за направа на любителски
транзисторни приемници.
УВОДНИ БЕЛЕЖКИ
За съществуването на полупроводниците е било известно
твърде отдавна. Още Фарадей в 1833 год. забелязъл никои
интересни електрически свойства у кристалите на 'сребърния
сулфид. След него други учени открили, че редица елементи
като германий, силиций и селен, притежават особена електро-
проводимост, поради което те не могат да бъдат причислени
нито към проводниците, нито към изолаторите. Типичен пример
на полупроводник е употребяваният от начинаещите радиолю-
бители кристален детектор. Той представлява кристал от рудата
галенит (оловен сулфид), до който се допира метално острие.
Когато нагласим острието до подходяща точка от Кристала,
детекторът пропуска добре електрическия ток, от острието
към Кристала, а в обратна посока му оказва голямо съпротив-
ление. В 1922 год. съветскпят учен Лосев открил, че с крис-
талния детектор могат да се усилват електрическите трептения,
когато се използува специална схема на свързване. Обаче по-
ради бързото усъвършенствуване на електронните лампи, от-
критието на Лосел не получило широко разпространение. По-
късно, при конструирането на радарните инсталации, елек-
тронните лампи се оказали непригодни за високи честоти и
били заменени с кристални детектори. Успоредно с това нау-
ката за кристалния строеж на вешеството се развивала твърде
бързо и в 1948 год. Джон Бардин и Валтер Братейн констру-
ирали първия полупроводников триод, наречен транзистор.1
По такъв начин във основа на съвременните постижения на
физиката възникна нова облает в науката и техниката — по-
лупроводниковата електроника. За изумително кратко време
полупроводниковите диоди и транзистори намериха широко
приложение в редица апаратури и с голям успех заместват
радиолампите. Днес всеки от нас знае за транзисторните при-
емници, а мнозина са виждали и работили с тези малки „шап-
чици“ с три крачета, наречени транзистори. Понастоящем све-
товното производство на транзистори възлиза на около 1 ми-
лиард броя годишно.
1 От англ, transfer трансформирам; resistor — сьпротивление.
хиляди часове;
Кои са причините за бързото разпространение на транзи-
сторите? Каквопредставлява този „конкурент" на радиолампата ?
На фиг. 1 са показани за сравнение две радиолампи и два
транзистора. Виждаме, че транзисторите са малки, нямат цокъл
и изводите им се запойват направо. Техните главни предимства
са следните:
— не се изтощават и могат да се експлоатират десетки
— имат твърде малки
размери:
— притежават голяма
механическа издръжли-
вост;
— захранват се с нис-
ки напрежения (няколко
волта). Освен това тран-
зисторите имат висок ко-
ефициент на полезно
действие. Това означа-
ва, че по време на рабо-
та те изразходват далеч
по-малко енергия във
вид на топлинни загуби,
отколкото радиолампй-
те. Не е безинтересно
да се спомене, че един
обикновен лампов радиоприемник консумира от мрежата елек-
трическа мощност около 50 вата, а излъчената звукова мощ-
ност не надминава 0,5 вата, т. е. коефициентът на полезного
му действие е само 1 %. Следователно ламповите радиопри-
емници в по-голяма степей „отопляват" нашите стаи, отколкото
ги озвучават. В това отношение транзисторните приемничи са
десетократно по-икономични, благодарение на което могат да
се захранват е малки батерийки.
Наред с това транзисторите имат и никои недостатъци:
— свойствата им зависят от температурата;
— параметрите на отделяйте екземпляри от даден тип се
различават един от друг;
— собственият им шум е по-голям от този на лампите;
— засега още не се произвеждат транзистори за много
големи мощности.
Използуването на транзисторите води до намаляване теглото
и размерите на апаратурите и до икономия на електрическа
4
енергия. Не бива обаче да се смята, че транзисторите ще йз-
местят напълно радиолампите, защото последимте също така
се усъвършенствуват и развиват. Практиката показва, че в един
случаи е по-изгодно да се използуват транзистори, а в други
— радиолампа
Ако разполагаме с повреден транзистор, можем да проявим
любознателност и внимателно да отворим неговата обвивка.
Обаче в края на нашата „операция*1 ще бъдем разочаровани,
защото няма да открием нищо друго, освен малко кристалче,
към което са запоени две жички (фиг. 2). В това отношение
радиолампата е по-интересна, защото всичките електроди са
видими и е по-лесно да разберем нейното действие. При тран-
зистора виждаме само
едно кристалче, за кое-
то знаем, че се състои
от атоми. Обаче свой-
ствата му показват, че в
него стават интересни
явления, конто са неви-
дими дори и с микро-
скоп.
Но как може в такъв
нищожен обем да са . п
Фиг. 2
съсредоточени толкова
интересни свойства?
Този въпрос ни подсказва, че тук „действуващите лица4*
не са никакви решетки и аноди, а самите атоми на кристала,
конто са наредени по твърде сложен начин. Следователно, за
да разберем действието на транзистора, трябва да познаваме
строежа на веществото.
МАЛКО ФИЗИКОХИМИЯ
Веществото е изградено от атоми. Всеки агом притежава
положително наелектризирано ядро, около което обикалят елек-
трони. Движението на електроните става по строго определени
пътища, наречени орбити. Въпреки своята сложност атомът е
стабилен, защото центробежната сила на електроните се урав-
новесява със силата на привличането между разноименно на-
електриэираните ядра и електрони. В нормални случаи броят
на всички обикалящи електрони е равен на броя на положи-
телните товари (протоки), конто съдържа ядрото, и поради
вэаимната им неутрализация атомът е електрически неутрален.
5
На фиг. 3 са показани атомите на водорода, хелия и кисло-
рода. Електроните, които се намират в най-външната орбита,
са слабо свързани с ядрото и лесно могат да напуснат целия
атом. В такъв случай положителните заряди в ядрото няма да
са неутрализирани и атомът ще се наелектризира положително.
Възможно е не само откъсване, но и присъединяване на елек-
трони. Тогава атомът става отрицателен. Откъсването и при-
съединяването на електрони се нарича ионизация и няма
нищо общо с разбиването на атома, при което имамое изме-
нение структурата на атом ните ядра. Йонизира-
нето на атомите не е рядко явление и може да се предизвика
от нагряване, от триене, от облъчване със светлина, от електри-
ческо поле и т. н.
Нека сега разгледаме как отделните атоми се свързват един
с друг. Ние вече споменахме, че електроните от най-външната
обвивка на атома играят най-важна роля и именно те са при-
чина за здравите връзки между атомите. Като пример ще
обясним как два водородни атоми се свързват здраво и обра-
зуват молекула. На фиг. 4-67 са показани два несвързани водо-
родни атома, като всеки от тях се състои от положително ядро
и отрицателен електрон, който обикаля около ядрото. Когато
двата атома дойдат близко един до друг, електроните им за-
почват да обикалят по една и съща орбита, която става обща
за двата атома (фиг. 4-6). Със стрелки са показани силите на
привличане между всяко ядро и електроните и силите на от-
блъскване между двете ядра. Може да се докаже, че всички
сили се уравновесяват, поради което получената молекула
е устойчива.
6
()т този пример виждаме, че връзките, конто свързват ато-
мите в една молекула, не са нищо друго, освен о б щ и т е
е л е к т р о н и. На фиг. 5-я са показами условно два несвързани
водородни атома. Когато двата атома са свързани в молекула,
електроните им са общи и това условно е изобразено на
фиг. 5-6. По подобен начин в химията се изобразяват вален-
циите, които символично представят най-
външните (валентните) електрони на все-
ки атом. Тук искаме да обърнем вни-
мание върху още една особеност. На
фиг. 4-6епредставен пространствен
модел на водородна молекула, а на
фиг. 5-6 е изобразена същата тази моле-
кула, но вече чрез своя равнинен
модел, който е условен. Това опростя-
ванеи се прави за нагледност и ние по-
нататък ще го използуваме твърде често.
Молекулите на газовете се състоят
най-често от два атома. Самите молеку-
ли обаче не са свързани помежду си и
представляват самостоятелни частички.
Поради тази причина газовете нямат
собствена форма, а заемат формата на
ги поставили. При кристалните тела липсват молекули и
отделните атоми са свързани помежду си здраво, по твърде
сложен начин. Понастоящем като „суровина* за направа на
полупроводникови елементи се използуват изключително гер-
маний, силиций и селен, които имат кристален строеж и това
налога та разгледаме по-отблизо строежа на кристалите.
®—V
й)
Фиг. .5
съда, в който сме
СТРОЕЖ НА КРИСТАЛИТЕ
Често се мисли, че кристалите са красиви, рядко срещащи
се в природата камъни, различно оцветени, с причудливи и пра-
вилни форми. В действителност кристалите ни заобикалят на-
всякъде, защото повечето от твърдите тела, които са около
нас, имат кристален строеж. Всеки познава кристалите на сит-
ната захар, каменната сол, синия камък (меден сулфат), чугуна,
алуминия, гранита и т. н. Тези вещества се състоят от дребни
кристали здраво свързани помежду си и такава структура се
нарича поликристална. В природата обаче съществуват
и вещества, които се срещат във вид на единични кристали,
т. е. цялото тяло (например крарц) се състои само от един
единствен кристал. Такава структура се нарича монокрис-
та л на и за нейното образуване са необходими по-особени
условия. Получаваните напоследък по изкуствен начин кристали
от германий и силиций за нуждите на полупроводниковата
техника са именно монокристали, които никога не са съще-
ствували в природата. Предвид на тази особеност ние по-ната-
тък ще говорим за строежа само на монокристалите.
Най-характерната особеност на кристалите е тази, че части-
ците, от които те са изградени, са наредени правилно в про-
странство™. Съвкупността от тези правилно подредени елемен-
тарни клетки се нарича кристална решетка. При различ-
айте кристали редът на частиците е различен, поради което
8
съществуват различии кристални решетки. На фиг. 6 са по-
Казани кристалните решетки на графита и на германия. Топ-
четата изобразяват атомите, а линиите в действителност не
съществуват и са начертани само да обяснят на читателя про-
странственото разполо-
жение начастиците. Кри-
сталната решетка се
състои от елементарни
клетки, чрез многократ-
ного повторение на ко-
нто може да се получи
целият кристал. На фиг. 7
е показана елементарна-
та клетка на германия,
като за яс нота един
централен и четири съ-
седни атома са начерта-
ни плътно. За кристал-
ната решетка на герма-
ния е характерно това,
че всеки атом е свързан
с четири съседни атома,
от конто е отда-
лечен на еднакви
разстояния.
По-горе беше изяснено,
че връзките, конто задържат ато-
мите в кристалната решетка един към друг, не са нищо друго
освен валентните елек-
трони. На фигури 6-6
и 7 кристалната решет-
ка е начертана обемно
и съответствува на ре-
алното разположение на
атомите. Обаче тези фи-
гури биха станали много
претрупани и неясни, ако
на тях изобразим и ва-
лентните електрони. Его
защо за яснота на чер-
тежите ние по-нататък
ще си служим сравнинния моделна кристалната решет-
ка, при който всеки атом е свързан пак с четири съседни атома,
но всички атоми лежат в една равнина. На фиг. 8 е показан
9
равнинен модел на криоалната решетка на германия. Виждамс.
че всеки атом е евързан с четири съседни атома с общи
електрони.
Равнинният модел може да се представи още по-опростено,
като не се чертаят орбитите, а общите електрони се чертаят един
срещу друг така, както беше посочено на фиг. 5. По такъв начин,
се достига до олросте-
ния равнинен модел на
кристалната решетка, по-
казан на фиг. 9. На тази
фигура е изобразена
п идеалната “ германиева
решетка, която на прак-
тика не се среща по-
ради две причини. Пър-
вата причина е тази, че
и най-чистият германий
съдържа в себе си чуж-
ди атоми, а втората при-
чина е топлинното движение на атомите и електроните, поради
което някои електрони напускат местата си.
Всички знаем, че температурата влияе върху проводимостта
на обикновените проводници. Влиянието е такова, че при пови-
шение на температурата тяхното съпротивление се увеличава.
Но още по-силно е влиянието на температурата върху прово
димостта на полупроводниците. При тях с увеличаване
на температурата, съпротивлението им н а м а-
лява. Тази температурна зависимост е една от най-важните
особености на полупроводниковите прибори — транзистора,
диоди и т. н. Ето защо топлинното движение на електроните
ще бъде разгледано по-подробно.
ЕЛЕКТРИЧЕСКА ПРОВОДИМОСТ
За да разберем причините, поради които едни вещества са
добри проводници, а други — добри изолатори, нека се въоръжим
с един въображаем микроскоп, увеличаващ милиони и милиарди
пъти, и с иегова помощ да направим „екскурзия във веществото.
Първият обект, който ще изеледваме, ше бъде една тънка
медиа жичка. Характерното за медта е това, че най-външните
електрони са напуснали своите атоми и се намират в хаотично
Движение (фиг. 10). В движение се намират и самите атоми,
които трептят в произволни посоки, без обаче да напускат
10
местата си. В това отношение те приличат на листата на дър-
ветата, конто биват задвижвани от вятъра, но все пак оставят
върху клоните. Това движение на частиците зависи от темпе-
ратурата и се нарича
гермично движе-
ние. Така например,
ако започнем да изсту-
дяваме медната жичка,
движенията на частици-
те ще затихнат и при
минус 273° (абсолютната
нула) ще спрат всякакви
движения и трептения. фиг 10
При повишаване на тем-
пературата движенията
стават по-интензивни и при температура 1083° (температурата,
при която медта се топи) атомите напускат местата си. т. е.
връзките между тях се разкъсват и имаме преминаване от
твърдо в течно состояние.
При стайна температура всички валентни електрони
на медта се намират между атомите и образуват така наре-
чения „електронен газм. Медната жичка като цяло е неутрална,
защото отрицателният заряд на собствените електрони се не-
утрализира с положителния заряд на „изоставените* атоми.
Нека с помощта на
тази медиа жичка да
свържем двата полюса
на една батерия. В мо-
мента на свързването в
жичката възниква елек-
трическо поле, което има
посока от положителния
полюс на батерията към
отрицателния. От физи-
Фиг. И
ката знаем, че електри-
ческото поле действува на заредените частици и понеже
електроните имат отрицателен товар, те започват да се движат
към положителния полюс на батерията (фиг. 11). Това движе-
ние на електроните е именно електрическият ток. Трябва да
се подчертае, че при протичането на тока атомите оставит не-
подвижны. По-точно казано, атомите извършват само термични
трептения ив насочено движение не участвуват. Елек-
троните обаче извършват както термични зигзагообразни дви-
11
жения, така и насочено движение, което се предизвиква oi
електрическото поле. Образно казано, при притичане на електри-
ческия ток електроните са принудени „да се провират* между
атомите.
Ако започнем да нагряваме медната нишка, трептенията на
атомите стават по-интензивни, вле’дствие на което електроните
по трудно се „провират" между тях. И действнтелно опитът
показва, че при повйшаване на температурата проводимостта
на металите намалява, т. е. съпротивлението им расте. Обратно
— ако понижаваме температурата, трептенията на атомите по-
степенно затихват и това улеснява „провирането“ на електро-
ните. При абсолютната нула спира всякакво движение на части-
ците, благодарение на което при наличието на електрическо
поле електроните безпрепятствено извършват своето насочено
движение. В този случай е налице известното явление свръх-
проводимост, при което съпротивлението на металите става
нищожно малко.
Нека сега насочим нашия микроскоп към тънка нишка от
някой изолатор — например стъкло.
здраво свързани с ядрата и атомите
Тук всички електрони
са неутрални (фиг. 12)»
Ако в двата края на
нишката приложим елек-
трическо поле, няма да
се получи никакво дви-
жение на електрически-
те товари и ток няма
да тече.
В резултат на много
изследвания физиците
установили, че освен
двете големи групи на
проводници и изолатори съществуват елементи и вещества
— германий, силиций, селен, телур, бор, окисите на медта,
цинка, никела, мангана, оловото и др., които притежават
особена проводимост и не могат да бъдат причислени
нито към проводниците, нито към изолаторите. Тези елементи
и вещества били наречени полупроводниц и. Сребристо-
сивият германий е най-типичният представител на полупро-
водниците. Поради това, че той се използува най-често за
направата на транзистори, ние за улеснение ше продължим
нашия разказ, като разглеждаме свойствата само на германия.
При това читателят трябва да има предвид, че картината при
другите полупроводници е аналогична.
12
ГЕРМАНИЙ
И НЕГОВАТА ПРОВОДИМОСТ
В 1871 год. бележитият руски химик Д. И. ^Менделеев, въз
основа на открития от него периодичен закон на химическите
елементи, предсказал съществуването и дал подробно описание
на неоткрит още химически елемент, който нарекъл екасилиций.
Петнадесет години по-късно немският химик Винклер успял да
получи този химически елемент и го нарекъл германий в чест
на своята родина. И докато до четиридесетте години на нашето
столетие германият почти не се употребявал за нищо, днес той
е в центъра на внимание™ на стотици хиляди учени и техници.
Германият е химически елемент, рядко разпространен в при-
родата. Единствената му руда — германит, съдържа много по-
голям процент желязо, мед и цинк, отколкото германий. Ето
зато той се получава като страничен продукт при добива на
цинк. По външния си вид прилича на метал, но специфично™
му електрическо сопротивление е около 1 милион пъти по-
голямо от това на медта, т. е. той се доближава до изолато-
рите. Германият е твърд, крехък и трудно се поддава на обра-
ботка. Топи се при температура 958° и с редица метали лесно
образува сплави. Кристалният германий, оставен на въздуха, се
покрива с тънък окисен пласт. Поради тази причина дпо-
дите и транзисторите с а затворени херметиче-
чески. При получаването на германия се срещат главно две
трудности. Първата е свързана с това, че различните видове
руди съдържат нищожен процент германий. Втората трудност
е свързана с пречистването му. Както ще видим по-нататък,
при изготвянето на полупроводникови прибори, германият трябва
да има извънредно голяма чистота.
Най-ценното свойство на германия е неговата особена про-
водимост, която ще разгледаме по-подробно.
На фиг. 9 беше показана „идеалната“ кристална решетка на
германия. Тази решетка е „идеална*, защото отразява структу-
рата на съвършено чистия германий при много ниски темпера-
тури, където липсват термични движения. При стайна темпе-
тура трептенето на атомите е вече значително и някои Ва-
лентин електрони се откъсват от атомите и се превръщат в
свободни електрони. Местата, откъдето са откъснати тези
електрони, оставит положително наелектризирани и се наричат
дупки (фиг. 13). Както ще видим по-нататък, тези дупки
играят извънредно важна роля. Наличие™ на свободни елек-
13
трони между атомите (на фиг. 13 те са отбелязани със стрелки)
ни напомня за обикновените проводници и тук основателно въз-
Фиг. 13
никва въпросът: по как-
во се различава прово-
димостта на германия
от тази на добрите про-
водници — например на
медта ?
Първата разлика меж-
ду проводимостта на гер-
мания и на медта е тази,
че при стайна температу-
ра свободните електрони
на германия са далеч по-
малко от тези на медта.
Отделянето на един електрон от неговия атом може да
стане, ако електронът получи отвън допълнителна енергия и
увеличи скоростта си. Тази енергия може да бъде топлинна
(вследствие удар с други електрони), светлинна или енергия от
приложено електрическо поле. За отделянето на най-външните
електрони е необходимо най-малко енергия, ето защо само
външните електрони обуславят проводимостта на веществото.
В германиевия кристал атомите са толкова близко един до друг,
че валентните електрони попадат в сферата на привличане на
съседните атоми, с които образуват общи орбити (виж фиг. 8).
Тези орбити са устойчиви, т. е. електроните се намират в свър-
зано състояние. Но при стайна температура съществува известно
термично движение и вследствие на ударите някои електрони
получават допълнителна енергия, необходима за откъсването им
от собствените атоми. Откъснатите електрони стават свободни
електрони, т. е. могат свободно да се местят в Кристала като
носители на тока. Местата. откъдето тези електрони са се от-
къснали, остават положително наелектризирани и ние ги наре-
кохме дупки. При абсолютно чистия германий броят на дупките
е винаги равен на броя на свободните електрони.
При стайна температура вследствие на термичното движение
в 1 см8 чист германий има около 2.1013 двойка електрон-дупка.
Трябва да отбележим, че вследствие топлинното движение се
наблюдава и обратният процес, наречен рекомбинация,
при който електроните попадат обратно в дупките и нарушените
връзки се възстановяват. За полупроводниците е характерно
това, че при увеличаване на температурата все нови и нови
електрони стават достатъчно енергетични, откъсват се от ато-
14
мите и се превръщат в свободни електрони. Ето защо с увели-
чаване на температурата, проводимостта на полупроводниците
се увеличава много бързо (по експоненциален закон). Тяхната
способност да изменят рязко съпротивлението си при промяна
на температурата е важна тяхна особеност и по-нататък те
бъде разгледана от практически гледна точка.
При металите картината е по-друга. Както вече пояснихме,
при тях всички валентни електрони са свободни електрони и
техният брой не зависи от температурата. Така например в
1 см3 мед има около 1023 свободни електрони, т. е. двадесет
милиарда пъти повече, отколкото в чистия германий. При пови-
шаване на температурата броят на свободните електрони остава
един и същ, но поради по-интензивното термично движение на
всички частици, насоченото движение на електроните се затруд-
нява. И наистина всички знаем, че с увеличаване на темпера-
турата, съпротивлението на медта се увеличава.
Втората и по-важна разлика между проводимостта на медта
и германия се състои в самия начин, по който става провежда-
нето на електрическия ток. Докато при проводниците електри-
ческият ток се дължи само на движението на свободните елек-
трони, при германия електрическият ток се дължи както на дви-
жението на свободните електрони, така и на движението на
дупките. Последното твърдение може ла се стори на читате-
лите странно, защото дупките не са материални частици, а са
местата, където липсват електрони. Обаче това са места наелек-
тризирани положително и по своето действие са равносилии на
положително наелектризирани частици. Когато в двата края на
кристала приложим електрическо поле, електроните са отрица-
телни и се движат към положителния полюс, а дупките са
положителни и се движат към отрицателния полюс. Проводи-
мостта, която се дължи на движението на свободните елек-
трони, се нарича е лек трон на проводимое т, а тази,
която се дължи на движението на дупките - дупчеста
проводимое т.
За изясняване на дупчестата проводимост нека разгледаме
фиг. 14. Там е показан един и същ хоризонтален ред от крис-
талната решетка на германия. В момента а на кристала не дей-
ствува електрическо пеле и всички електрони са по местата си.
В момента б на кристала е приложено електрическо поле, вслед-
ствие на което най-левият електрон се е преместил към поло-
жителния полюс. На неговото място е останала дупка, която вед-
нага се заема от съседния електрон. В момента в дупката е
вече запълненй и не се намира в края на кристала, а се е пре-
местила надясно. В момента г тя се е преместила още по на-
дясно, а в момента д е дошла в най-дясната част на кристала.
Следователно свързаните електрони се движат „скокообразно“
наляво, а дупките — надясно.
я)
Фиг. 1 1
За да бъдем точки
грябва да добавим, че
както електронната, така
и дупчестата проводи-
мост се дължат на елек-
троните. Но докато елек-
тронната проводимост се
дължи на свободните
електрони (електронен
газ), то дупчестата про-
водимост се създава от
електроните, които с а
свързани с атоми-
те и скокообразно се
движат от един атом
на друг. На езика на
физиците тази особе-
ност се изразява така:
електронната проводи -
мост се дължи на тези
електрони, чиято соб-
ствена енергия е значи-
телна и те са се откъс-
нали от атомите и са се
превърнали в свободни
електрони; дупчестата
проводимост се дължи
на тези електрони, чиято собствена енергия не е много голяма,
поради което те не могат да напуснат атомите и само прес-
качат от един атом на друг.
На фиг. 14 ясно се вижда, че свързаните електрони се
движат от дясно на ляво, а дупките — от ляво на дясно.
В чистия германий броят на дупките е равен на броя на
свободните електрони. Когато в двата края на. кристала при-
ложим електрическо поле, то действува както на свободните
така и на свързаните електрони. Поради това проводимостта
на чистия германий се дължи както на свободните електрони,
така и на свързаните електрони т. е. на дупките. Тази прово-
16
димост на германия се нарича собствена проводимост и както
се спомена по-горе, тя е значително по-лоша от проводимостта
на обикновените метали — проводници. Изчисленията показват,
че при чистия германий при стайна температура на 5 милиарда
атома се пада само един свободен електрон и съответно
една дупка.
РОЛЯТА НА ПРИМЕСИТЕ
За направа на транзистори не се употребява чистият гер-
маний, защото по своите електрически свойства той се прибли-
жава до изолаторите. Обаче германият рязко изменя проводи-
мостта си, ако в него има примеси от други вещества. Нещо
повече: нищожно количество от примесното вещество подо-
брява проводимостта на германия стотици и хиляди пъти!
Ролята на примесите е такава, че те нарушават равнове-
сието между броя на свободните електрони и броя на дупките.
Така например, ако към германия се прибави примес арсен,
фосфор или антимон (всички от 5-та валенция), броят на сво-
бодните електрони става много по-голям от броя на дупките и
германият има вече електронна проводимост. Прибавим ли към
чистия германий примес от алуминий, индий или бор (всички
от 3-та валенция), броят на дупките става много по-голям от
броя на свободните електрони и германият придобива дупчеста
проводимост.
Примесите, които предизвикват преобладаване на свободни
електрони се наричат до нори, а примесите които предизвик-
ват преобладаване на дупките се наричат а к цеп тор и.
Нека към чистия германий да прибавим донора арсен и да
видим как ще се увеличи броят на свободните електрони. Ато-
мите на арсена ще участвуват в изграждането на кристалната
решетка наред с германиевите атоми. Арсенът е от 5-та ва-
ленция и само 4 от неговите валентни електрони ще се свър-
жат с 4 съседни атома, а петият валентен електрон остава не-
свързан, поради което се превръща в свободен елек-
трон (фиг. 15-а).
Ако към чистия германий прибавим акцептора алуминий,
неговите атоми също ще вземат участие в кристалната ре-
шетка на германия, като всеки алуминиев атом се свърже с
4 германиеви атома. Но алуминият е от 3-та валенция и една
от връзките ще липсва, което е равносилно на появяване на
дупка (фиг. 15-6).
2 Транансторни приемнвжм
17
Следователно електронната проводимост (проводимост тип п)
се създава от петвалентни примеси, а дупчестата проводимост
(проводимост тип р) се създава от тривалентни примеси.
а) 6)
Фиг. 15
Тук може да се зададе следният въпрос: щом „излишният
пети“ електрон (фиг. 15-а) напусне арсениевия атом, на негово
място не се ли получава дупка? За да отговорим на този въ-
прос ще повторим, че дупка се получава там, където се е
разкъсала валентна връзка, ав горния случай валент-
ните връзки не са нарушени.
Доста често се греши, като се мисли, че п — германият е
наелектризиран отрицателно, защото имал излишни електрони,
ар — германият е наелектризиран положително, защото имал
недостиг от електрони. Това не е вярно, защото и в двата типа
германий броят на всички електрони е равен на броя на всички
положителни заряди в ядрата.
Както вече се спомена, при производството на полупро-
водникови прибори се използва не чист германий, а германий
с п и р проводимост. Но производството на такъв германий е
сравнително трудна работа. Главната трудност идва оттам, че
процентът на примесите е нищожен. Като пример ще посочим,
че в кристалите на съвременните транзистори на 10 000000
германиеви атома се пада по един атом от примесното веще-
ство! Това означава, че първо трябва да се получи германий
в съвършенно чист вид, а след това да се спази нищож-
ната, но все пак точна .дозировка* на примесите.
18
Тук читателях може да запита: как може такъв нищожен
процент от примесното вещество, да промени рязко електри-
ческата проводимост на чистия германий? Не се ли налага
процентът на примесите да е по-голям, защото знаем, че всеки
техен атом „ражда“ или свободен електрон или дупка? Из-
численията показват, че дори при такъв нищожен процент на
примесното вещество, броят на свободните електрони (или
дупки) в един куб. см п или р-германий е около един ми-
лион милиарда т. е. имаме достатъчен брой токоносители.
ЕЛЕКТРОНН О-ДУПЧЕСТ ПРЕХОД
Действието на диодите и транзисторите се основава на ин-
тересните свойства, които притежава границата между р и п
тип германий. Поради това тази граница ще я разгледаме
по-подробно.
Както вече знаем, при германий с р проводимост основните
носители на тока са дупките, а при германий с п проводимост
— електроните. На фиг. 16-а са показани условно два герма-
ниеви кристала, първият от които има р проводимост, а вто-
Ф Фффффффффф
ФФФФФФФФФФФ
ФФФФФФФФФФФ
ФФФФФФФФФФФ
Ффффффффффф
р-германий
еееееееееее
еееееееееее
еееееееееее
еееееееееее
еееееееееее
п-германий
б)
©ффф©ф©ф©
© © © © ©
© © ф © ф
ф © ф © ф
tj? 'Sr fjr
®ф®
®ф®
®ф®
®еф
®;®
© о © © ® © е ее
©©©ее©©©
©©©©©ее©
O0GO0000
9000 ©00©
е
©
©
©
ф © © ©
© ф © ©
© © © ©
¥
о
о-германии
п-германии
Е
Фиг. 16
рият — п. Както вече споменахме, кристали с такава проводи-
мост са много добри проводници на електрическия ток. При
допирането на двата кристала веднага започва взаимно проник-
19
ване (дифузия) на дупки от левия кристал в десния и на елек-
трони от десния кристал в левия (фиг. 16-6). Това взаимно
проникване се дължи на различната концетра-
ция на дупки и електрони в двата кристала и
се получав а, без да е включен какъв да е вън-
шен източник на напрежение. Проникналите в „чужда
територия* дупки и електрони се групират от двете страни на
границата и създават електрическо поле £, което както всяко
електрическо поле има посока от положителните товари към
Фиг. 17
отрицтелните (виж фиг. 16-<5). Така образуваното поле възпре-
патствува движението на дупките от левия към десния кристал,
зящото те са положителни товари и се движат само по посока
на полето. Същото поле пречи и на електроните ла се движат
20
от деения кристал към левия, защото те са отрицателно аа-
електризирани частици и се движат само в посока, обратна на
полето. По такъв начин на границата между кристалите въз-
никва потенциална бариера, която възпрепятствува по-
нататъшното преминаване на дупки и електрони. Тази бариера
играе много важна роля и се нарича р-п преход. Главното
свойство на този преход се състои в неговата еднопосочна
проводимост. За да разберем как става това, ще разгле-
даме фиг. 17, където към двата кристала е свързан външен
източник на напрежение — например батерия.
В първия случай отрицателният полюс на батерията е свър-
зан с кристала р, а положителният — с кристала п. При това
свързване електрическото поле на батерията Е6 е еднопосочно
с полето на запорния слой -f, в резултат на което бариерата
се разширява (сравни фиг. П-а с фиг. 16-6). Разширената ба-
риера не пропуска през себе си преминаването на дупки от р
в я и на електрони от п в р, а това означава, че ток няма да
тече. Този начин на свързване между батерията и р—п прехода
се нарича свързване в обратна посока.
Нека свържем положителния полюс на батерията с кри-
стала р, а отрицателния — с кристала п (фиг. 17-6). Виждаме,
че полето на батерията Ев е противопосочно на полето на за-
порния слой Е, в резултат на което бариерата се стеснява
(сравни фиг. 17-6 с фиг. 16-6). Тясната бариера лесно пропуска
през себе си преминаването на дупки от р в п и на електрони
от п в р и при напрежение само 0,5—1 волта силата на тока
става много голяма. Този начин на свързване между батерията
и р—п прехода се нарича свързване в права посока.
От тези опити става ясно, че границата между два герма-
ниеви кристала с различна проводимост пропуска тока само
в една посока. Но за да бъдем по-точни, тук трябва да напра-
вим едно допълнение. Ние представихме р германия като кри-
стал, който съдържа само дупки, а п германия като кристал,
който съдържа само електрони. В действителност р германият
съдържа и малък процент електрони, а п германият — и малък
процент дупки. Или казано на езика на физиците, в р герма-
ния основните носители на тока са дупките, а неосновните но-
сители на тока са електроните. Също така в п германия основ-
ните носители на тока са електроните, а неосновните носители
са дупките. На фиг. 16-я за яс нота на чертежа във всеки кри-
стал са начертани само основните носители. И именно за основ-
ните носители на тока граничната зона представлява потен-
циална бариера, която пречи за тяхното преминаване от единия
21
кристал в другия. Обаче за неосновните носители на тока тази
бариера не е пречка, а напротив — известно улеснение, особено
ако тя е по-широка. Именно такъв е случаят при обратното
включване на батерията (фиг. 17-а). Тогава бариерата става по-
широка, полето, създавано от нея, е по-силно и неосновните
носители преминават както в едната, така и в другата посока,
В резултат на тяхното движение се получава така нареченият
обратен ток, който е твърде слаб, но който е от голямо
значение за качествата на р—п прехода.
ГЕРМАНИЕВИ ДИОДИ
Еднопосочната проводимост на р—п прехода намира при-
ложение при направата на полупроводниковите диоди. Те имат
по два извода и по външен вид напомнят на обикновените
съпротивления (фиг. 18-а). В зависимост от начина на образу-
ването на р—п прехода диодите биват точкови и плос-
ко с т н и.
Точковите диоди представляват германиев кристал с н про-
водимост, към който е запоено тънко волфрамово острие
(фиг. 18-6). След приготвянето на диода последният се формира,
като«^през него се пуска за кратко време силен електрически
Острие Кристол
Изплотор
Фиг. 18
ток. ^Под действието на топлината част от електроните се
откъсват от атомите на германия и в една малка облает около
острието се образуват дупки. По такъв начин част от п гер-
мания се превръща в р германий, а границата между тях пред-
ставляв:! р—п проход (фиг. 18-s)
22
Плоскостните диоди (фиг. 19 а) представляват германиев
кристал с п проводимост, към който е споена малка капка от
метала индий. След подходяща обработка тривалентният
индий служи като акцепторен примес и слоят германий, който
е около капката, добива р проводимост. По такъв начин в самия
кристал, който е с п проводимост, се образува облает с р про-
водимост, а между тях р—п преход.
Точковите диоди се използуват изключително като детектори,
т. е. като демодулатори на високочестотни сигнали. С оглед
на това те най-често изправят слаби токове (напр. 1—15 ма) и
сравнително ниски напрежения (напр. 1—50 в). В сравнение с
обикновените кристални детектори те са за предпочитане, за-
щото острието им е запоено веднаж завинаги и не се нуждае
от нагласяване, а освен това имат и малки размери. Благода-
рение на малките междуелектродни капацитети точковите
диоди могат да работят на честота до 150 мгхц (дължина на
вълната 2 м).
Плоскостните диоди
се използуват изключи-
телно като изправители
на мрежовото напреже-
ние, т. е. заместват токо-
изправителните лампи.
С оглед на това те са
пригодени да работят
при значителни напреже-
ния (напр. 300—400 в) и
могат да изправят силни
токове — от 0,1 а до
няколко десетки ампера.
За това спомага по-голя-
мата плоскост на допи-
ране между р германия
и л германия. Поради
по-големите междуелек-
тродни капацитети плос-
костните диоди могат да
работят на честоти до
2 кхц.
Всеки диод е годен за
Фиг. 19
работа, когато има ед-
нопосочна проводимост (фиг. 20). Това означава, че в права по-
сока той трябва да пропуска електрическия ток много добре,
23
Драбо повою
(Мрвтнаоовока
Фиг. 2U
т. е. да има малко съпротивление (напр. 5—500 ома). В обратна
посока диодът не трябва да пропуска тока, т. е. трябва да има
голямо съпротивление (над 100000 ома). Годността на диодите
се проверява най-добре с омметър (фиг. 21).
Фиг. 21
Означението на диодите става с цифри и букви. При стария
стандарт, съветските диоди се означаваха с три цифри и букви,
които имат следното значение: Д — диод, Г — германиев, Ц —
изправител, а цифрата показва норма на дадения тип. Пример:
24
ДГ-Ц7, ДГ-Ц24 и т. н. Съгласно новият съветски стандарт,
диодите се означават само с буквата Д, като след нея се до-
бавят допълнителни означения. Пример: Д2Б, Д7Ж, Д9А. На-
последък съветският стандарт препоръчва следните означения:
Германиеви точкови диоди Д1 4-Д100
Германиеви плоскостей диоди Д301 4-Д400
Силициеви точкови диоди Д101 <- Д200
Силициеви плоскостей диоди Д101 -т-Д300
Българските диоди се означават с буквите SFD и SFR, като
след тях следват цифри. Българските точкови диоди подходящи
за демодулация са SFD104-bSFD112. Диодите SFR135, SFR136
са мощни плоскостни диоди, които се употребяват в силови
токоизправителни устройства.
Точковите диоди не само заместват обикновените кристални
детектори, употребявани от радиолюбителите, но ги превъз-
хождат по това, че са по-малки и острието им е веднаж за-
винаги запоено и не се нуждае от нагласяване.
В следващата таблица са посочени най-употребяваните точ-
кови диоди, които ние препоръчваме на младите техници при
направата на транзисторните приемници, посочени в тази книга
Таблица 1
Точкови диоди
дг-ш Д1А I Д2А 1 Д9А SFD 104
ДГ-Ц2 Д1Б 1 Д2Б : Д9Б SFD 106
дг-цз Д1В 1 Д2В ДЭВ SFD 107
ДГ-Ц4 Д1Г Д2Г Д9Г SFD 108
ДГ-Ц5 Д1Д Д2Д Д9Д SFD110
ДГ-Ц6 Д1Е Д2Е ДЭЕ SFD111
ДГ-Ц7 Д1ж Д2Ж Д9Ж SFD111
ДГ-Ц8
ДГ-Ц9
ДГ-Ц10
ДГ-Ц12 i
дг-щз
ДГ-Ц14 1
Величините, които характеризират качествата и особеностите
на диодите се наричат техни параметри и се дават в спра-
вочниците и каталозите.
25
Един от важните параметри е макс имал но-допусти-
мого обратно напрежение, което може да издържи
даден диод. Това е максималното напрежение, което може да
се допусне да действува върху диода в посока на непропускане
на тока. Така напр. българският точков диод SFD106 има мак-
симално-допустимо обратно напрежение 25 в, а съветският плос-
костей диод Д7Ж има максимално-допустимо обратно напре-
жение 400 в. Ако това напрежение се превиши, диодът ще се
повреди поради разрушаване на р—п прехода. Някои радиолю-
бители често питат: какво напрежение може да издържи диодът
в права посока и зато този параметър не се дава в справоч-
ниците? Както беше споменато по-горе, съпротивлението на
диода в права посока е малко и при сравнително ниски напре-
жения (няколко волта) през диода протича значителен ток. Така
напр. при напрежение в права посока 0,35 в през българския
диод SFD106 протича ток със сила 1 ма, а при напрежение в
права посока 1,5 в, протича ток 20 ма. Този пример показва,
че при увеличаване на напрежението в права посока се увеличава
и токът през диода т. е. опасното в случая е не напреже-
нието, а токът, който то поражда, защото токът е този, който
би разрушил (вследствие топлината) р—п прехода. Така до-
стигнахме до друг важен параметър на диодите — макси-
мално-допустим ток в права посока. Вече е ясно,
че това е максималният изправен постоянен ток в права посока.
Така например българският диод SFD106 има максимално-до-
пустим ток в права посока 30 ма, докато силовият диод SFR135
има максимално-допустим ток 1000 ма.
Друг важен параметър на диодите е съпротивлението
в права посока. Тази величина е твърде важна и затова
ще се спрем на нея по-подробно, още повече че тя е във връзка
с входното съпротивление на транзисторите. Характерна осо-
беност на съпротивлението в права посока е това, че то нее
постоянна величина, а зависи от приложеното напре-
жение. Нека поясним това с един пример. Ако към диода
SFD106 приложим напрежение в права посока 0,1 в, токът през
диода ще е 0,01 ма, т. е. съпротивлението му е R = -^ =
= = Ю 000 ом. Ако приложим напрежение 0,2 в, токът ще
е 0,16 ма, а съпротивлението R = -^ = -0-^16 _ j 200 ом. При
напрежение 0,3 в, съпротивлението става 500 ом, а при напре-
жение 1 в, то намалява на 100 ом. Тази особеност на диода
26
личи най-добре от неговата волтамперна характеристика, изобра-
зена на фиг. 22. От нея можем да отчетем при дадено напре-
жение какъв ток ще протече през диода и да изчислим съот-
ветното му съпротивление. Волтамперната характеристика не е
права линия (както при обикновените съпротивления), т. е.
диодът е нелинеен елемент и като цяло не се подчинява на
Закона на Ом. Или казано по друг начин, токът през диода
не е пропорционален на приложеното напрежение, т. е. ако към
диода приложим синусоидално напрежение, токът през него
няма да е синусоидален. Именно
тази иегова особеност се използува
за демодулиране на високочестотни
модулирани колебания.
Броят на диодите, които се из-
ползуват по настоящем в практиката е
твърде голям. Данни за техните пара-
метри могат да се намерят в книгата
«Справочник по полупроводникови
диоди и транзистори" от П. Хинков
и Ал. Атанасов, издание на ДИ «Ме-
дицина и физкултура" — 1965 г.
За напредналите радиолюбители
ще дадем кратка характеристика на Фиг. 22
различните видове диоди.
Плоскостни диоди. Те се използуват най-често като
изправителни елементи в токозахранващите устройства. Във
връзка с това техният р—п преход има значителна повърхност,
а пробивното им напрежение може да достигне до няколко
стотици волта. Техният значителен вътрешен капацитет (напр.
10—500 пф) не оказва влияние върху работата им, защото те
се използуват при ниски честоти — най-често 50 хц. В зави-
симост от максималния ток в права посока, плоскостните токо-
изправителни диоди се разделят на маломощни (до 0,3 а)
средномощни (до 10 а) и мощни (над 10 а). Въз основа на из-
ползувания проводник те биват най-често германиеви и силициеви.
Точкови диоди. Това са високочестотни диоди с най-
различно предназначение. Използуват се за детектиране, моду-
ляция, ключови елементи и т. н. При тях р—п преходът има
минимална площ, а вътрешният им капацитет е под 1 пф. Про-
бивното напрежение на точковите диоди не е високо (напр.
30—50 в), а максималният ток в права посока е от порядъка
на 10—.100 ма. Точковите диоди намират широко приложение,
27
в електронно-изчислителните устройства, автоматиката и др.
Не е безинтересно да споменен, че една средно голяма елек-
тронно-изчислителна машина притежава около 50 000 точкови
диода! Въз основа на използувания полупроводник, точковите
диоди биват германиеви и силициеви.
Ценерови диоди. Наричат се още опорни диоди или
силициеви стабилитрони, защото се използуват изключително
за стабилизиране на напрежението. Съществуват специални
силициеви р—п преходи, при които увеличаването на обрат-
ного напрежение води до рязко нарастване на обратния ток.
Това явление се нарича ефект на Ценер и не води до повреж-
дане на диода. Ето [защо през диода може да протича раз-
лично силен ток, а';, напрежението в краищата му се запазва
почти постоянно. Понастоящем се произвеждат ценерови диоди
с напрежение на стабилизация от 5 до 50 в и работен ток от
5 ма до 1 а.
Тунелни диоди. При тези диоди преходът се прави
много тесен, благодарение на което при определени условия
може да възникне тунелен ефект. Най-важната особеност на
тунелния диод е отрицателният участък в неговата волт-амперна
характеристика. Това означава, че при увеличаване на напре-
жението, токът не нараства, а намалява. Тунелните диоди са
маломощни прибори, които намират приложение при генери-
рането и усилването на високочестотни колебания, а също
така в някои бързодействуващи ключови схеми. За направата
на тунелни диоди се използува галиев арсенид, силиций и
германий.
Фотодиод и. Главного свойство на тези диоди е способ-
ността им да преобразуват светлинната енергия в електрическа.
Действието им се основава на вентилния фотоефект, който се
появява при осветяване на р—п прехода. Електродвижещото
напрежение, което може да се получи от един фотодиод не
надвишава 0,3 в, а силата на тока при интензивно осветяване
достига 100 мка. Фотодиодите намират приложение в автома-
тиката, фототелеграфията и т. н.
Варикап и. Това са полупроводникови диоди, чиито соб-
ствен капацитет може да се измени в широки граници, ако
към диода е приложено в обратна посока различно външно
напрежение. В съвременните варикапи външното приложено
напрежение може да се изменя в граничите от 0 в до минус
20 в, при което капацитетът им се променя от 500 пф до 5 пф.
28
ТРАНЗИСТОРИ
Транзисторът представлява полупроводников прибор, в който
има два р—п прехода. Най-главното му свойство е това, че
той може да усилва слаби електрически сигнали, а също така
да произвежда (генерира) нови такива. Основната част на тран-
зистора представлява германиев кристал с р или п проводи-
мост, в двата края на който има области с противната прово-
димост. В зависимост от редуването на проводимостите разли-
чаваме два основни типа транзистори: р—п—р и п—р—п типа.
На фиг. 23-а е показан схематично транзистор от типа
р—п—р. Средната облает е с проводимост п и се нарича
база (б), а другите две области се наричат съответно е м и т е р
Фиг. 23
(г) и колектор (к). Двата р—п прехода са между емитера и
базата и между колектора и базата. На същата фигура е пока-
зано как се бележат в схемите транзисторите от типа р—п—р.
Ако вземем германиев кристал с р проводимост и в двата
му края създадем области с п проводимост, ще получим тран-
зистор от типа п—р—п (фиг. 23-6). Тук двата прехода са между
базата и емитера и между базата и колектора. На същата
фигура е показано как се бележат в схемите транзисторите
от типа п—р—п.
Следователно според това, каква проводимост има базата и
каква емитерът в колектора, различаваме два основни типа
транзистори р—п—р и п—р—п. Както ще видим по-късно,
двата типа транзистори имат еднакви свойства и се различава
само по полярността на захранващия токоизточник. Понасто-
ящем поради производствени съображения, по-шйроко разпро-
странение са получили транзисторите от типа р—п—р, поради
което по-нататък ще разглеждаме предимно техните свойства.
29
В зависимост от конструкцията си транзисторите се делят
на други два вида: точкови и плоскости и.
На фиг. 24 е показано устройството на един точков тран-
зистор. Той се състои от германиев кристал с определена про-
водимост, към който се допират две волфрамови остриета.
Кристалът представлява базата, а остриетата — съответно еми-
тера и колектора. Целият транзистор е поместен в метален
цилиндър, който най-често е свързан с базата, а емитерът и
колекторът са оформени като изводи. След направата му точ-
ковият транзистор се обормя както диодите, като се получават
Фиг. 24
два прехода. Точковите транзистори имат някои недостатъци
като напр. голям собствен шум, чувствителни са към претовар-
ване и др., поради което се използуват твърде рядко.
Понастоящем най-голямо приложение имат плоскостните
транзистори. На фиг. 25 е показан плоскостей транзистор, част
от обвивката на който е премахната, за да се вижда неговата
вътрешност. Цифрите имат следното значение: 1 германиев
кристал; 2 емитер; 3 кристалодържател — извод за базата;
4 вътрешен извод на емитера; 5 външен извод на емитера;
6 извод на базата, запоен за кристалодържателя; 7 външен
извод на колектора; 8 вътрешен извод на колектора; 9 ме-
тална обвивка; 10 стъклен изолатор. На фиг. 25-tf е показан
разрез, от който се вижда взаимното разположение на емитера,
базата и колектора.
30
По своего предназначение транзисторите биват високоче-
тотни и нискочестотни. Ние по-нататък ще изясним
от какво зависи граничната честотана даден транзистор,
но тук само ще подчертаем, че при по-високи честоти базисният
слой трябва да е колкото се може по-тънък. Именно при такава
конструкция неосновните носители ще могат за кратко време
да преминават през базата и освен това вредните капацитети
ще са минимални. Следователно при схематичною чертане на
транзисторите ние за яснота изобразяваме базите силно увеличени,
докато в действителност те представляват един тънък слой.
Фиг. 25
Един от известните начини за получаване на чисти и сплавни
вещества, необходими за производството на транзистори, е по
метода на изтегляне на монокристалите (естест-
веното нарастване на кристалите). В разтопен германий с р
проводимост, който има температура, близка до втвърдяването,
се потапя пръчка („зародит-) от същия кристал (метал). Понеже
пръчката има по-ниска температура, германият, който е в не-
посредствена близост, се втвърдява и се залепва за нея. При
бавно изтегляне и въртене на пръчката (скорост 3—4 см)ч и
1—2 обIмин) се образува германиев монокристал. Ако в даден
момент на изтеглянето добавим в разтопения германий опреде-
лено количество донорен примес, един тънък „резен" от кри-
стала ще има п проводимост. След това добавяме пак акцеп-
торе н примес, така че останалата част от кристала да има р
проводимост. Поради малката скорост на изтегляне на кристала
можем да получим много тънка п облает със строго опреде-
лена дебелина. На фиг. 26 е показано как от такъв монокри-
31
стал се изрязва малка „германиева торта*, от конто се нарязват
стълбчета със сечение 1—2 ям2, всяко от които съдържа три
слоя. Така приготвените кристали със сложна структура се
шлифоват, запойват се изводи, подлагат се на електролитно
Фиг. 26
пречистване и се монтират в подходящ корпус. Трудното в
технологията на този вид транзистори е припойването на изводи
на базата към /z-слоя, чиято дебелина е от порядъка на 20 ми-
крона (или 1/50 от мм).
Един по-нов начин за произвеждане на плоскостни транзи-
стори е сплавният метод, по който се произвеждат българ-
ските транзистори SFT 321 ч-323 и SFT 351—353, и също така
съветските транзистори П13, П14, П15 и т. н. При този метод
от двете страни на германиев кристал с л-проводимост се за
лепват две малки капки индий (фиг. 27-а). Следва загряване
във водородна атмосфера или вакуум (за да не се получи
окисляване), при което индият се разтопява и неговите атоми
проникват на неголяма дълбочина в герминия. По такъв начин
в германиевата пластинка се образува облает с висока конце-
трация на дупки т. е. р-германий. Германиевият кристал пред-
ставлява базата, а към двете индиеви капки се спояват съот-
ветно изводи за емитера и колектора.
При произвеждането на високочестотни транзистори (напр.
SFT 316-4-320, П 401-4-403 и др.) базата се прави с неравно-
мерна концентрация на основните носители на тока, като по
такъв начин в нея се създава допълнително поле Еб (фиг. 27 б).
32
Този тип транзистори се наричат дрейфов и, защото дупките
преминават през базата не само вследствие на дифузията (както
е при сплавните транзистори), но и вследствие на техния дрейф
(пълзене) в допълнителното поле Еб. Благодарение на това,
Фиг. 27
неосновните носители преминават през базата за извънредно
кратко време, а това е едно от физикалните изисквания, пред-
явени към високочестотните транзистори. Неравномерната кон-
центрация на основни носители в базата се постига посредством
технологии, основани на дифузията и поради това този тип
транзистори се наричат още дифузионни.
Освен споменатите типове транзистори, съществуват и по-
нови такива, чието устройство е по-сложно, но някои от па-
раметрите им са по-добри.
Така например транзисторите от типа р- -п—i—р имат дву-
слойна база, като базисният извод има форма на пръстен. Тези
транзистори имат следните особености: малко съпротивление
на прехода емитер-база, малък капацитет на колекторния пре-
ход, могат да работят при по-високи колекторни напрежения.
Към новите типове транзистори принадлежи и канал н и я т
транзистор, който по своето действие прилича на ламповия
триод (защото имаме управление на тока от напрежение), като
електроните се движат не във вакуум, а в германиева плас-
тинка. Неговите особености са следните: голямо входно и из-
ходно съпротивление — около 1 мом, добра температурна
стабилност. Главен недостатък е големият собствен шум.
Друг метод за направа на транзистори е повърхностно-
бариерният. При него от двете страни на германиевата
3 Транамторни приемники
33
пластинка по електролитен път се издълбават две трапчинки
и се нанасят тънки слоеве от друг метал — напр. цинк, към
който се запойват изводите за емитера и колектора. Механиз-
мът на образуването на преходите е аналогичен на този при
точковите транзистори. При тези транзистори базата може да
се изготви много тънка — няколко микрона. Главните особе-
ности на този вид транзистори са следните: висока гранична
честота, невисоко колекторно напрежение — напр. 2—3 в,
сравнително ниско ниво на шумовете.
КАК РАБОТИ ТРАНЗИСТОРЫ
Главного свойство на диода беше това, че от острието към
кристала пропуска добре електрическия ток, а в обратна по-
сока му оказва голямо съпротивление. Нека вземем два диода
и ги свържем противопосочно така, както е показано на
фиг. 28-а. Ако диодите обединим в един прибор с общ кристал
и двеж’остриета (фиг. 28-6), ще получим устройство, което
прилича на транзистора. И наистина тук имаме два р—п пре-
хода с противни посоки, което ни дава право да оприличим
транзистора на два диода с обща база (фиг. 28-*). Като знаем
Фиг. 28
свойствата на диода, можем да кажем, че съпротивле-
нието на транзистора в посока от емитера към
базата е малко, а в посока от базата към еми-
тера е голямо. Също така съпротивлението в по-
сока от колектора към базата е малко, а в по-
сока от базата към колектора — голямо. Тези
съпротивления са много важни и трябва да се запомнят добре.
34
За да разберем как работи транзисторът, нека разгледаме
фиг. 29. На нея е даден транзистор, между емитера и базата
на конто е включена батерията Бг в права посока, а между
базата и колектора батерията в обратна посока. Когато
ключът Кл е отворен (фиг. 29-а), в емитерната верига ток не
тече, а в колекторната върига тече нищожно слаб ток /ко, който
се нарича обратен колекторен ток. При маломощните
транзистори неговата сила е от порядъка на 1—30 мка и кол-
кото той е по-слаб, толкова транзисторът е по-
до бър. Обратният колекторен ток е много слаб, защото
съпротивлението в посока база — колектор е голямо. Ако вклю-
чим ключа Кл (фиг. 29-6), в емитерната верига ще протече зна-
чителен ток, защото съпротивлението в посока емитер — база
е малко. Но най-интересно е това, че колекторната верига като
Фиг. 29
че ли се „отпушва* и в нея също започва да тече значителен
ток и стрелката на милиамперметъра се отклонява. Ако изклю-
чим ключа Кл, колекторният ток спира да тече или, казано по-
точно, става пак нищожно слаб. От този опит следва важно
заключение: колекторният ток се влияе с и л н о от
емитерния ток и именно в това се състоят цен-
ните качества на транзистора. Тук веднага трябва да
35
поясним, че транзисторът не бива да се разглежда каго меха-
нически сбор от два диода и използуваното сравнение служи
само за улесняване на начеващите радиолюбители. И наистина
при механическото свързване на двата диода токът през единия
диод няма да влияе върху тока през другия, докато при тран-
зистора колекторният ток се влияе силно от емитерния.
За да обясним това влияние, трябва да разгледаме меха-
низма на токопренасянето в кристала на транзистора. На фиг. 30
е показано схематично действие на един плоскостей тран-
зистор от типа р—п—р, в емитера на който основни носители
са дупките, а в базата — електроните. При включване на бате-
рията Бг дупките от областта на емитера се насочват към
базата, а електроните от базата се насочват към емитера. Но
транзисторите се произвеждат така, че концентрацията на дупки
в емитера е по-голяма от концентрацията на електрони в ба-
зата, поради което през прехода I преминават повече дупки
Фиг. 30
надясно, отколкото електрони наляво. Това навлизане на дупки
от емитера в базата се нарича „инжектиране* на неосновни
носители на базата. Оттук е произлязло и името „емитер*,
което значи „излъчвател*. Инжектираните от емитера в базата
36
дупки се явяват неосновни носители и са подложени на два
процеса: процес на дифузията, благодарение на който те се
стремят да изпълнят цялата база, и процес на рекомбинация
(неутралазиране на електрони с дупки). Поради това, че базата
е тънка, по-голямата част от дупките не успяват да рекомби-
нират и достигнали до прехода //, те попадат в електрическото
поле на батерията Б* Посоката на това поле е такава, че то
ги задвижва към десния край на колектора, където те „за-
вършват своя живот", като рекомбинират с електроните, по-
стъпващи от батерията Б* Оттук е дошло названието „колек-
тор“, което значи „събирач". Местата на рекомбинациите са
означени с кръстчета (а). Както вече споменахме, незначителна
част от инжектираните в базата дупки рекомбинират с базис-
ните електрони (б) и образуват част от тока в базисния про-
водник. Другата част на базисния ток се създава от електро-
ните (в), които минават през прехода / и достигат до емитера.
Независимо от инжекциите броят на дупките в емитера не на-
малява, защото под действието на батерията Бг необходимото
число електрони постъпват наляво в съединителния проводник
на емитера и оставят след себе си нови дупки (г).
От всичко това става ясно, че колекторният ток се състои
от дупки, идващи от емитера и преминали през прехода Z/,
или което е все едно — от електроните, постъпили в*колек-
тора и рекомбинирали с тези дупки. Базисният ток се състои
от електоните, които са преминали от базата до емитера, плюс
тока от електроните, които рекомбинират с част от дупките.
Тук трябва да изтъкнем, че при добрите транзистори базисният
ток е колкото се може по-слаб. Именно затова базите се из-
готвят тънки и двуслойни, за да могат дупките малко време да
остават в базата и рекомбинацията да се намали до минимум.
Емитерният ток се състои от „новородените" дупки (или елек-
трони) плюс електроните, дошли от базата до емитера.
Токопроводният механизъм на транзистора може да се из-
рази накратко така: включването на батерията Б^ предизвиква
инжектиране на дупки в базата, които дупки достигат колек-
тора и създават неговия ток; колекторният ток се влияе силно
от емитерния, защото е резултат не на нещо друго, а на из-
лъчените от емитера дупки; базисният ток е много слаб в срав-
нение с емитерния и колекторния; токът на колектора има стой-
ност, близка до тока на емитера, но е винаги по-слаб от него.
Но щом колекторният ток е по-слаб от емитерния, защо
транзисторът усилва?
37
ТРАНЗИСТОРЪТ КАТО УСИЛВАТЕЛ
Преди да разгледаме усилвателните свойства на транзисто-
ра, трябва да поясним трите основни схеми на включване на
транзисторите.
Знаем, че всеки усилвател има „вход“, към който се пода’
ват слабите сигнали, и пизход“, от който с? получават усиле-
ните. Поради това, че транзисторът има само три извода, необ-
ходимо е един от тях да бъде общ. В зависимост от това,
кой извод е общ, различаваме три основни схеми на включване
на транзисторите: схема с обща база, схема с общ
емитер и схема с общ колектор (фиг. 31).
В практиката най-често се използува схемата с общ емитер,
която се счита като основна схема на включване. Схемата с
обща база се използува по-рядко, обаче начеващите радиолю-
бители могат да разберат най-лесно нейното действие и затова
ние първоначално се спираме на нея (виж фиг. 30). Схемзта с
общ колектор се използува рядко.
Най-характерната особеност за схемата с обща база е това,
че емитерният ток влияе силно върху колекторния. За да уста-
новим количествено това влияние, нека разгледаме практи-
ческата схема, показана на фиг. 32. В емитерната верига на
Фиг. 31
Общ кодек тар
транзистора П13А е включена в права посока батерията
Включването е направено с помощта на потенциометъра /?, който
позволява да подаваме на емитера различии напрежения £7ВХ
от 0 до 1,5 в. В колекторната верига сме включили батерия,
милиамперметър и товарно съпротивление /?т, в краищата на
което се получава усиленото напрежение t7ll3X. С помощта на
потенциометъра R можем да изменяме тока в емитерната ве-
рига, като го правим ту по-силен, ту по-слаб. В резултат на
това токът в колекторната верига също ще се увеличава и на-
38
малява. При тази схема колекторният ток има стойност, близка
до емитерния ток, но е винаги по-слаб от него. Да разгледаме
конкретни примери. Ко-
гато напрежението меж-
ду емитера и базата е
0,12 в, емитерният ток
е /е = 1,01 ма, а колек-
торният /к = 1 ма. Ко-
лекторният ток, като ми-
нава през товарного съ-
противление /?т, създава
в двата му края напре-
жение £/изх = Д. /?т =
= 0,001 . 2000 == 2 в.
Нека увеличим напреже-
нието между емитера и
базата от 0,12 в на 0,14 в,
т. е. само с 0,02 в. То-
гава емитерният ток до-
бива стойност Д — 2,02 ма, а колекторният /к = 2 ма.
Напрежението върху /?т ще бъде:
= /к Ят = 0,002.2000 = 4 в.
От този опит можем да направим следното важно заключе-
ние. При увеличаване на напрежението между емитер-база само
с 0,02 в напрежението върху товарното съпротивление /?т се
увеличава с 2 в, т. е. от 2 на 4 в. Следователно, ако във входа
на тази схема подадем слаби напрежения, в изхода те се явяват
усилени. За да намерим коефициента на усилване по напреже-
ние, трябва да пресметнем колко пъти изходното напрежение
е по-голямо от входното: 2:0,02 — 100 пъти. Виждддое, че схе-
мата с обща база дава много добро усилване по напрежение.
Нека сега разгледаме какво е съотношението между токо-
вете. За количествена оценка на това съотношение се въвежда
един нов параметър, т. нар. коефициент на усилване
по ток при схема с обща база, който се бележи с
гръцката биква а- Този коефициент показва колко пъти колек-
торният ток е по-силен от емитерния. Но от горния пример
видяхме, че колекторният ток е по-слаб от емитерния и следо-
вателно а ще има стойност, по-малка от единица. И наистина
за измененията на емитерния ток имаме: Д/е = 2,02—1,01 = 1,01.
Гръцката буква А (делта) означава малки изменения на силата
39
на тока. За измененията на колекторния ток имаме: Д/к = 2—
1=1. Тогава коефициентът ще бъде:
а = =____=____________!_= 0 99
А/е 2;02—1,01 1,01 ’
Коефициентът а е важен параметър (качествен показател)
на всеки транзистор и се дава в справочниците. Така например
транзисторът П13 има а = 0,92, транзисторът П15 има а = 0,95,
а българският транзистор SFT317 има а = 0,99.
Горният пример ни показва, че при схема с обща база няма
усилване по ток, защото колекторният ток е по-малък от еми-
терния, т. е. токът в изхода е по-слаб от тока във входа.
Обаче схемата с обща база е добър усилвател по напрежение.
Причината за това е, че емитерният преход работа в права по-
сока и приложеното напрежение е минимално (0,1—0,3 в), до-
като колекторният преход работи в обратна посока и се за-
хранва с по-високо напрежение — например 5—10 в. Нещо по-
добно имаме при крушките за джобно фенерче, през които
протича ток със сила 0,3 а при напрежение 4,5 в и при обик-
новените 40-ватови крушки за осветление, през които протича
ток със сила 0,2 а, но при напрежение 220 в.
Понеже токът в изхода и във входа е приблизително една-
къв, а напрежението в изхода е десетки пъти по-високо от това,
във входа, то ясно е, че мощността в изхода ще е много по-
голяма от тази във входа. Следователно транзисторът с обща
база е добър усилвател на мощност. Тук веднага трябва да
подчертаем, че мощността, която се получава в изхода, е за
сметка на батерията Б* (виж фиг 32), която е включена в ко-
лекторната верига. Така че когато един транзистор усилва, той
не произвежда енергия, а само преобразува енергията, която
се черпи от захраващата батерия.
На фиг. 33-а е показана схема на транзисторен усилвател с
обща база. Характерно тук е това, че в емитерната верига
липсва батерия. Нека разгледаме как ще работи този усилвател,
ако на неговия вход подадем синусоидално напрежение.
Когато на входа не е подаден сигнал (фиг. ЗЗ-б, участъка
А—Б), в емитерната верига ток не тече. Колекторният преход
е запушен (батерията Б е свързана в обратна посока) и колек-
торният ток също е на нула. На изхода нямаме напрежение
(фиг. 33-г, участъка А—Б).
Ако на входа подадем положителен полупериод (фиг. 32-6,
участъка Б—Б), напрежението между емитера и базата ще е в
права посока и ще протече емитерен ток. Този ток ще отпуши
40
колекторния преход и през колекторната верига nte протече
ток, който ще създаде в краищата на товарного съпротивление
/?т импулс. Този импулс ще мине през кондензатора С и на
изход ще се получи усилен положителен полупериод (фиг. 33-г
участъка Б—В).
Фиг. 33
При отрицателния полупериод на входния сигнал (фиг. 23-6,
участъка В—Г) ток в емитерната верига няма да протече, за-
щото напрежението ще действува в посока база-емитер, чието
съпротивление е голямо. Следователно няма кой да отпуши ко-
лекторния преход и токът в колекторната верига ще е нула.
Поради липса на ток изходното напрежение ще е нула.
От графиката г на фиг. 33 виждаме, че транзисторът ще
усилва само положителните полупериоди на подаденото напре-
жение, а отрицателните ще липсват. Следователно при горната
схема транзисторът се намира в режим детекция, т. е.
може да демодулира високочестотното напрежение, подадено,
на входа му. Характерного за този режим е това, че при липса
на входен сигнал, в емитерната, а също така и колекторната
верига ток не тече.
На фиг. 34-а е показана схема на транзисторен усилвател,
който има батерии както в емитерната, така и в колекторната
верига. Когато на входа липсва сигнал (фиг. 34-6, участъка А—Б),
в емитерната верига тече ток, защото батерията Бг е включена в
права посока и този так се ограничава от съпротивлението R.
Поради това колекторният преход е отпущен и в колектора
протича ток на покой /Кп, показано на фиг. 34-е, участъка А—Б.
Този ток създава върху товарного съпротивление /?т падение на
41
напрежението, но кондензаторът С2 не пропуска постоянная ток
и на изхода нямаме напрежение (фиг. 34-г, участъка А—Б).
Ако на входа подадем положителен полупериод (фиг. 34-6,
участъка Б—В), напрежението на импулса ще се сумира с
това на батерията Бг и емитерният ток ще се усили. Това ще
доведе до нарастване на колекторния ток и падението на на-
Фиг. 34
прежението върху товарното съпротивление /?т също ще се
увеличи. Това е равносилно на положителен импулс, който ще
премине през кондензатора С9 и ще се яви на изхода на усил-
вателя (фиг. 34-г, участъка Б—В).
През отрицателния полупериод на входния сигнал (фиг. 34-6,
участъка В—Г) напрежението на импулса ще се изважда от
това на батерията Бг и емитерният ток ще се намали. Това
означава намаление и на колекторния ток и падението на на-
прежението върху товарното съпротивление /?т ще се намали.
Това е всъщност отрицателен импулс, който ще премине през
кондензатора С2 и ще се яви на изхода на усилвателя (фиг. 34-г,
участъка В—Г).
От графиката г на фиг. 34 виждаме, че на изхода на усил-
вателя получаваме напрежение, което има същата форма като
напрежението, подадено на входа. Тук транзисторът работи в
режим на усилване, който се използува много често в
транзисторните приемници. Характерното за този режим е това,
че при липса на входен сигнал, в емитерната, а също така и
в колекторната верига протича определен ток на покой. Токът
на покой в емитерната верига може да се съэдаде от отделна
42
батерия (батерията Бг на фиг. 34-а) или по други начини, които
ще бъдат разгледани по-нататък.
Схемата с обща база се характеризира с някои особености.
При нея изходният и входният сигнали са във фаза. Или, ка-
зано с други думи, когато на входа действува положителният
полупериод на сигнала, на изхода се явява също положителен
полупериод. Входното съпротивление на схемата с обща база
е малко (20—100 ом), а изходното — голямо (100—1000 ком).
Малкото входно съпротивление означава, че в емитерната ве-
рига тече значителен ток (I —10 ма) при ниско напрежение —
напр. 0,1—0,3 в. Поради тази особеност, когато даден тран-
зистор трябва да се свърже към трептящ кръг, емитерната
верига не се включва към целия трептящ кръг, а примерно към
1/10 част от навивките му. В противен случай малкото входно
съпротивление ще шунтира кръга и неговите резонансни свой-
ства ще се влошат. Малкото входно съпротивление е причи-
ната, поради която свързващите кондензатори в транзисторните
приемници имат голям капацитет (5—20 мкф). Когато тран-
зисторите са свързани по схемата с обща база, те имат много
по-висока гранична честота, отколкото при схемата с общ еми-
тер. Граничната честота, която се дава’\в сnjpа-
вочниците, се отнася за схема с обща база.
СХЕМА С ОБЩ ЕМИТЕР
Както вече споменахме, схемата с общ емитер е най-разпро-
страненият начин на свързване на транзистори и затова ще се
спрем на него по-подробно.
Нека разгледаме по-внимателно схемата с обща база, пока-
зана на фиг. 35-а. Виждаме че както емитерният, така и ко-
лекторният ток протичат през проводника на базата. При това
те имат противни посоки и следователно базисният ток /б е
равен на тяхната разлика: /б = /е — /к. В това можем да се уве-
рим с помощта на милиамперметрите или като приложим пър-
вия закон на Кирхоф за точката а. И понеже емитерният и ко-
лекторният ток имат близки стойности, то следва, че базисният
ток е много по-слаб от тях. Така например, ако емитерният
ток на транзистора П15 е 3 ма, а колекторният 2,94 ма, ба-
зисният ток ще бъде 0,06 ма, т. е. 50 пъти по-слаб от еми-
терния. Тази особеност ни навежда на мисълта да използуваме
базисната верига като входна и така достигаме до схемата с
общ емитер, дадена на фиг. 35-6. При тази схема батерията Бх
43
е включена в права посока по отношение на прехода емитер —
база, като отрипателният й полюс е свързан с базата. Тази
особеност е важна и следва да се запомни. Батерията Б2 е
включена в колекторната верига, като плюсьт е на емитера,
Фиг. 35
а минусът — на колектора. Това свързване съответствува с
посоката на движение на положителните носители, за които
видяхме (фиг. 30), че се движат от емитера към колектора.
Най-важната особеност на тази схема е това,
че базисният ток влияе много силно върху ко-
лекторния ток. Когато в базисната верига ток не тече
преходът емитер-колектор е запушен и колекторният ток е
нула. Пуснем ли в базисната верига ток (в посока емитер—
база), колекторната верига се отпушва и в нея започва да
тече ток. По такъв начин слабият базисен ток „командува*
десетки пъти по-силния колекторен ток и в това се състоят
усилвателните качества на тази схема. За да изразим това
влияние количествен о, можем да си послужим с практи-
ческата схема, показана на фиг. 36. С помощта на потенциоме-
търа/? можем да подаваме различии напрежения (от Одо 1,5 в)
между емитера и базата и да получаваме различно силен ток
в базисната верига, който ток отпушва колекторната верига.
В колекторната верига са включени батерията Бъ милиампер-
метърът и товарного съпротивление , в краищата на което
се получава усиленото напрежение. Ето конкретните резултати
за транзистора П13А. Когато напрежението между емитер—база
44
е 0,11 в, токьт в базата
Д = 1 ма. Колекторният
противление /?т, създава
в двата му края напре-
жение (7ИЗХ = Л /?т =
= 0,001 . 2000 — 2 в.
Нека увеличим напреже-
нието между емитера и
базата от 0,11 в на 0,13 в,
т. е. само с 0,02 в. То-
гава базисният ток до-
бива стойност /6 — 0,03
ма, а колекторният ток
е /к = 2 ма. Напреже-
нието върху R т ще бъ-
де 4/„зх=/к./?1 =0,002.
.2000 = 4 в.
Опитът показва, че
е Л = 0,02 ма, а колекторният ток с
ток, като минава през товарното съ-
при увеличаване на входното напрежение само с 0,02 в напре-
жението върху товарното съпротивление се увеличава с 2 в.
За да намерим коефициента на усилване по напрежение,
трябва да разделим изходното напрежение на входното —
2:0,02= 100 пъти. Виждаме, че схемата с общ емитер дава
много добро усилване по напрежение.
Сега да разгледаме какво е съотношението между токо-
вете. Ние вече споменахме, че базисният ток е много по-слаб
от колекторния, т. е. имаме усилване по ток. За количествена
оценка на това усилване се въвежда параметърът р, който се
нарича коефициент на усилване по ток при схема
с общ емитер. Този коефициент показва колко пъти ко-
лекторният ток е по-силен от базисния. За нашия пример има-
ме : Д/б = 0,03 — 0,02 = 0,01: Д/к = 2 — 1 = 1. Тогава коефи-
циентът р ще бъде:
Д/к
ДА
1
3 =
-=100.
Този резултат показва, че схемата с общ емитер дава много
добро усилване не само по напрежение, но и по ток и това е
едно от предимствата на тази схема.
Коефициентът р е важен параметър за всеки един транзи-
стор и се дава в справочниците. При различните транзистори
неговата стойност се движи от 10 до 300. Колкото коефи-
45
циентът р е по-висок, толкова транзисторът е
по-добър усилвател.
Коефициентът на усилване по ток при обща база а и кое-
фициентът на усилване по ток при общ емитер (3 са свързани
помежду си с простите формули:
а
р
1 + 13
3
___а_
1 — а
С тяхна помощ можем лесно да намерим единия коефици-
ент, ако знаем другия. Това може да стане по-бързо с по-
мощта на номограмата, дадена на фиг. 37. Така например, ако'
В а
7000^0.9999
ООО
600
500
400
300
-- 0.996
200 - 0.995
150-.
-0,999
0,996
0,997
на един транзистор коефициентът а = 0,96, от
номограмата намираме, че коефициентът £ е
около 24.
При производство™ на някои транзистори
(напр. ГДР), техният коефициент 0 се измерва
в завода и в зависимост от неговата стойност,
върху транзистора се поставя цветна точка. По-
долу са дадени стойностите на коефициента (3
700 - 0,99
60 :
60-’:
50-'- 096
40
30- ’-0.97
20
75
0.96
0,95
в зависимост от цвета на точката:
червена — р е по-малко от 30
оранжева — ре между 30 и 40
жьлта — р е между 40 и 50
зелена — ре между 50 и 60
синя —ре между 60 и 80
виолетова — ре между 80 и 100
бяла —ре над 100.
Тези точки не бива да се смесват с точките,
които се поставят при транзисторите, чиито три
'в'--:09
6 :-0.д5
5
4 у 0,6
0.7
2-
- 0.6
11-0.5
Фиг. 37
терията. Този
извода са на равно разстояние един от друг
(напр. П401, П402 и др.). В този случай точките
служат за различаване на емитера и колектора.
Тук може да възникне въпросът: защо в
справочниците се дават коефициентите на усил-
ване по ток а и р? Не е ли по-добре да се
дават коефициентите на усилване по напреже-
ние, които пресметнахме по-горе.
Коефициентът на усилване по напрежение
не е характерен параметър само за транзистора,
защото зависи както от употребеното товарно
съпротивление, така и от напрежението на ба-
въпрос ще бъде разгледан по-подробно в раз-
дела „Графични характеристики".
46
На фиг. 38 е дадена схема на транзисторен усилвател с
общ емитер. В колекторната му верига е включена батерията Б
и товарного съпротивление /?т, в краищата на което се полу-
чава усиленото напрежение. Напрежението, което ще усилваме,
се подава на емитера по индуктивен път през трансформатор.
Базата е свързана с емитера чрез вторичната намотка на тран-
сформатора и в нейната верига няма батерия. Нека разгледаме
как ще работи този усилвател, ако на входа му подадем си-
нусоидално напрежение.
Когато на входа липсва сигнал, в базисната верига ток не
тече. Колекторната верига е запушена, в нея липсва ток и на
изхода нямаме напрежение (фиг. 38, участъка А—Б).
Когато на входа се подаде положителен полупериод, в
базисната верига не тече ток, защото съпротивлението в по-
сока база-емитер е голямо. Колекторната верига е запушена
и в нея също не тече ток. На изхода нямаме напрежение
(фиг. 38, участъка Б—В).
Фиг. 38
Когато обаче на входа действува отрицателният полупериод
на сигнала, в базисната верига протича ток, защото съпро-
тивлението в посока емитер-база е малко.1 Този ток отпушва
колекторната верига и в нея започва да тече ток, който съз-
дава в краищата на товарного съпротивление /?т импулс. Този
импулс ще мине през кондензатора С и на изхода ще се по-
лучи усилен положителен полупериод от сигнала. 1
1 Да се прави разлика между преходите база-емитер и емитер-база.
47
От графиката г виждаме, че транзисторът ще усилва само
отрицателнцте полупериоди на подаденото напрежение, а поло-
жителните ще липсват. Следователно при тази схема транзи-
сторът се намира в режим на детекция. Характерно за тази
схема е това, че при липса на сигнал в базисната, а също
така и в колекторната верига ток не тече. Подобно свързване
се употребява често в транзисторните приемници, когато искаме
да детектираме високочестотни сигнали.
На фиг. 39 е дадена схема на транзисторен усилвател, който
има батерия както в базисната, така и в колекторната си ве-
рига. Нека разгледаме как ще работи този усилвател, ако на
входа му подадем синусоидално напрежение.
Когато на входа липсва сигнал, в базисната верига тече ток,
защото батерията Бх е включена в права посока спрямо пре-
хода емитер-база. Съпротивленнето R служи за ограничаване на
този ток. Базисният ток отпушва колекторната верига и в нея
протича ток на покой /кп. Този ток създава върху товарного
съпротивление падение на напрежението, но кондензаторът С2
не пропуска постоянного напрежение и на изхода също няма
напрежение (фиг 39, участъка А—Б).
Ако на входа е подаден положителен полупериод, напреже-
нието на входния сигнал ще се изважда от напрежението на
батерията и базисният ток ще намалее. Това ще породи на-
маляване и на колекторния ток и падението на напрежението
върху товарного съпротивление ще се намали. Но това е отри-
цателен импулс, който ще премине през кондензатора Са и ще
се яви на изхода на усилвателя (фиг. 39, участъка Б—В).
48
Когато на входа действува отрицателният полупериод на
входния сигнал, неговото напрежение ще се сумира с напреже-
нието на батерията Бь и базисният ток ще се увеличи. Това
ще доведе до нарастване на колекторния ток. Падението на
напрежението върху товарното съпротивление също ще се уве-
личи. Това е равносилно на положителен импулс, който ще
премине през кондензатора С9 и ще се яви на изхода на усил-
вателя (фиг. 39, участъка В—Г).
От графиката г на фиг. 39 виждаме, че на изхода се полу-
чава напрежение, което има същата форма на напрежението,
подадено на входа, но усилено. Освен това забелязваме, че из-
ходното напрежение е противофазно на входното, т. е. когато
на входа имаме положителен полупериод, на изхода се полу-
чава отрицателен — и обратно. При тази схема транзисторът
работа в режим на усилване, който режим много често се из-
ползува в транзисторните приемници. Най-важното за този
режим е това, че в базисната верига трябва да протича опре-
делен ток на покой, който да породи съответно в колекторната
верига определен ток на покой. За тази цел на базата трябва да
се подаде отрицателно напрежение от отделна батерия
(батерията bL на фиг. 39) или по други начини, които ще бъдат
разгледани по-нататък. Базисният ток на покой трябва да има
точно определена стойност, защото от него зависи правилната
работа на транзистора. Определянето на базисния ток на покой
се нарича избор на работна точка на транзистора.
Поради неговата важност този въпрос ще бъде разгледан
отделно.
РАБОТНА ТОЧКА НА ТРАНЗИСТОРА
Разгледаните примери показаха, че когато транзисторът се
използува в усилвателен режим, в базисната му верига трябва
да протича начален базисен ток /бп, който се нарича още бази-
сен ток на покой. Стойността на този ток не може да е произ-
водна, а трябва да се избира въз основа на редица фактори
като: вид на транзистора, захранващо напрежение, големина на
входния и изходния сигнал и т. н. Най-малките изменения на
началния базисен ток оказват р-пъти по-големи промени в ко-
лекторния ток и променят целия режим на транзистора. На
практика определянето на подходящ базисен ток на покой става
чрез правилен избор на някои съпротивления в схемата и
именно това се нарича избор на работна точка на транзистора.
Без преувеличение може да се каже, че най-голямата трудност
4 Транзисторни приемници
49
при направата на транзисторни приемници радиолюбителите сре-
щат при осигуряването на подходяща работна точка за всеки
транзистор. Трудностите се дължат главно на две причини.
Първата причина е тази, че базисният ток на покой има незна-
чителна стойност (при маломощните транзистори от 5 мка до
100 мка) и измерването му може да стане само с много чувст-
вителен уред. От своя страна микроамперметрите са скъпи
уреди и не всеки радиолюбител може да притежава такъв
уред. Втората причина е свързана с един от основните недо-
статъци на транзисторите — големите разлики в параметрите
на транзисторите от един и същ тип.
Най-простият начин за получаване на начален базисен ток
беше показан на фиг. 39-а, където в базисната верига е вклю-
чена батерията Но от само себе си се разбира, че употре-
бата на две батерии не е удобно и в практиката се използу-
ват -такива схеми, при които базисният ток на покой се осигу-
рява от колекторната батерия.
На фиг. 40 е показан един начин за осигуряване на начален
базисен ток, където базата на транзистора е свързана посред-
ством едно съпротивление /?б с минуса на батерията. Двете
а)
схеми, посочени на фигурата са еднакви, но са начертани по
два различии начина, с цел читателят да привикне лесно към
четене на транзисторни схеми, като пътдт на базисният ток е
начертан с дебели линии. Този начин за създаване на начален
базисен ток с помощта на едно съпротивление свързано с ми-
нуса на батерията се нарича още; режим на фиксиран поляри-
зиращ ток. В този случай избирането на работната точка се
състои в правилното определяне големината на базисното
съпротивление /?б. За веригата начертана с дебели линии може
SO
да се приложи законът на Ом, като се пренебрегне съпро-
тивлението на прехода емитер-база:
Е Е Л
г г Р
7бп *кп
Такова пренебрегване е допустимо, защото съпротивлението
на прехода е от порядъка на стотици омове, а базисното съпро-
тивление има стойност от порядъка на няколко стотици хи-
ляди ома.
За да използваме горната формула, трябва да знаем напре-
жението на захранващата батерия Е и необходимия базисен ток
.на покой /бп, или напрежението на батерията Е, колекторният
ток на покой /кп и коефициента (3. Въпросът за избирането на
базисния ток и на напрежението на батерията се разглежда
по-подробно в раздела „Графични характеристики на транзис-
тора", ето защо тук ще разгледаме само един пример.
Пример. Да се намери големината на базисното съпро-
тивление в схемата, дадена на фиг. 40, ако напрежението на
батерията е 4,5 в, колекторният ток на покой трябва да е 1 ма,
а употребеният транзистор е SFT 352.
За да използваме горната формула, трябва да знаем (3 на
транзистора. От справочниците намираме че транзисторът SFT352
има р«50.
Е 4 5
Заместваме: /?б =-т— (3 = ^-^-50 = 225000 ом
*кп U,Uvl
Горният пример ни показва, че ако със сигурност знаем кое-
фициента (3 на даден транзистор, изчислението на базисното
съпротивление не представлява трудност. Обаче както вече се
спомена, можем да разполагаме с транзистор SFT 352, чиито
коефициент (3 може да има стойност както 40, така и 60. Из-
численията показват, че в първия случай базисното съпротив-
ление трябва да има стойност 180 ком, а във втория 270 ком.
Поради тази причина, много често в схемите базисното съпро-
тивление се бележи със звездичка. Това означава, че точната
стойност на съпротивлението трябва да се подбере конкретно
за всеки отделен екземпляр от употребените транзистори.
Практически това става, като вместо се включи потенцио-
метър (напр. 1 мгом), с помощта на който се регулира силата
на базисния (и съответно на колекторния) ток, като послед-
ният се измерва с милиамперметър (фиг. 41).
За улеснение на радиолюбителите, при избиране на подхо-
дяща работна точка, в някои транзисторни схеми колекторната
51
верига е пресечена с едно кръстче и до него е означена стой-
ността на необходимия колекторен ток (виж напр. схема № 16).
Сега нека разгледаме никои особености свързани с правилния
избор на работна точка на транзистора.
Още в раздела
„Германиеви дио-
ди* беше посочено,
че съпротивление-
то на диодите в
права посока не е
постоянна величи-
_ на, а зависи от при-
t ложеното напреже-
£ ние. Подобна за-
висимост имаме и
** при транзисторите,
защото преходът
емитер-база прили-
ча на диод (виж
_______________________ фиг. 28), и между
приложеното на-
Фиг. 41________________прежение £Дб и то-
кът /б има нели-
нейна зависимост. На фиг. 42-6/ е начертана зависимостта
между приложеното напрежение U и протичащия ток 1 през
едно обикновено съпротивление, което се подчинява на за-
кона на Ом. Виждаме, че графиката е една права линия и
затова съпротивлението се нарича линейно. От графиката се
вижда, че при напрежение 0,1 в (точка 1), токът през съпро-
тивлението е 0,5 ма, а съпротивлението има стойност 200 ом.
При напрежение 0,2 в (точка 2) токът нараства на 1,0 ма, а
съпротивлението е пак 200 ом. При напрежение 0,3 в (точка 3),
токът има стойност 1,5 ма, а съпротивлението има същата
стойност 200 ом. Или казано накратко при увеличаване на на-
прежението токът пропорционално нараства, а съпротивлението
остава непроменено.
При транзисторите положението е по-друго, защото зави-
симостта на базисния ток от базисното напрежение не е ли-
нейна и графически е показана на фиг. 42-6. От тази фигура
виждаме, че при напрежение 0,1 в (точка 1) токът е 0,02 ма,
а съпротивлението на прехода е 5000 ом. При напрежение
0,2 в (точка 2) токът е 0,4 ма, а съпротивлението на прехода
е 500 ом. При напрежение 0,3 в (точка 3) токът е 1,5 ма, а
52
съпротивлението на прехода е намаляло на 200 ом. Виждаме
че графиката не е права линия и затова съпротивлението се
нарича нелинейно. Графиката посочена на фиг. 42-6 се нарича
още входна характеристика на транзистора (виж раз-
Фил 42
дела „Входни характеристики) и може да се намери в спра-
вочниците. С помощта на
се намери напрежението
ще породи необходимия
базисен ток.
Пример. Какво на-
прежение трябва да дей-
ствува между емитера и
базата на транзистора
SFT 323, за да бъде ко-
лекторният му ток на
покой /кп = 10 ма?
От справочниците на-
входнага характеристика може да
между емитера и базата, което
мираме, че транзисторът о щ цг
SFT323 има (3 = 85. Сле-
дователно базисният му Фи1 • 43
ток на покой трябва да
има стойност /бп = ~ =0,00012 120 мка.
р оо
ната характеристика, дадена на фиг. 43, отчитаме
От вход-
че на този
базисен ток съответствува базисно напрежение = 0,22 в.
53
От фиг. 43 се вижда, че началният базисен ток и напре-
жението на базата са свързани помежду си и определят ра-
ботната точка А върху входната характеристика на транзи-
стора). Тази работна точка не бива да се смесва с работната
точка върху изходната
характеристика). По ана-
логия с ламповите схе-
ми, напрежението на ба-
зата често пъти се на-
рича базисно пред-
напрежение. При
транзисторните схеми
неговата стойност е от
порядъка на 0,1—0,3 в,
като базата трябва да
е отрицателна спря-
мо емитера.
Когато към входа на
транзистора подадем
променливо напрежение,
резултатното базисно на-
прежение ту нараства,
ту намалява, поради което
работната точка А (фиг.
44-а) се движи по входна-
та характеристика от поло-
жение 1 до положение 2
и чрез проекциите си дава
колебанията на базисния
ток. Този случай съответ-
ствува на правилен избор
на базисното съпротивле-
ние (виж фиг. 40).
Когато началният бази-
сен ток е слаб (което се
дължи на твърде малкото
базисно преднапрежение),
работната точка се намира
в лявата част на входната
характеристика (фиг. 44-6) и колебанията на базисния ток са
несиметрични т. е. имаме големи изкривявания. Това се получава
когато базисното съпротивление (виж фиг. 40) има твърде го-
ляма стойност.
54
Ако началният базисен ток е твърде силен (което се дължи
на значително базис но преднапрежение), работната точка се на-
мира в дясната част на входната характеристика (фиг. 44-5).
Силният базисен ток поражда р-пъти по-силен колекторен ток
и транзисторът се нами-
ра в неикономичен, а по-
някога опасен режим.
Това се получава в слу-
чайте, когато базисного
съпротивление има твър-
де малка стойност. Освен
това при този режим на-
стъпват допълнителни
промени (напр. намаля-
ване на входного съпро-
тивление и шунтиране
на предното стъпало)
които се отразяват лошо
върху цялото стъпало.
От трите случая, по-
казани на фиг. 44 се
вижда, че базисният ток
на покой трябва да е
малко по-голям (напр. 25%) от амплитудните стойности на про-
менливия базисен ток. Именно в този случай транзисторът се
намира в оптимален режим.
Предимството на горепосочения начин (виж фиг. 40) за
създаване на начален базисен ток е използуването само на
едно единствено съпротивление. Обаче тази схема има
незадоволителна температурна стабилност и освен това при
замяна на повреден транзистор изисква нов избор на базис-
ного съпротивление. Ето защо тя намира приложение само в
простите радиолюбителски конструкции. Нека обясним какво
трябва да разбираме под понятието температурна нестабил-
ност. Ние вече знаем, че свойствата на всички полупроводни-
кови елементи се влияят силно от температурата. Показателен
е в това отношение обратният колекторен ток (виж раздела
„Как да проверим изправността на диодите и транзисторите*),
който с увеличаване на околната температура с 10°, удвоява
стойността си. Този обратен ток протича през базата и пре-
дизвиква р-пъти по-силни колебания на колекторния ток. Така
например при посочената схема (фиг. 40) може да се случи през
зимата колекторният ток да е 1 ма, а през лятото да стане 3 ма.
Друг начин за създаване на начален ток е посочен на
фиг. 45. При него базисного съпротивление е свързано не към
минуса на батерията, а към колектора т. е. базисният ток про-
тича през товарного съпротивление (двете схеми на фиг. 45
са еднакви, но са начертани по различен начин). Пътят на по-
ляризиращия базисен гок е начертан с дебели линии. При тази
Фиг. 45
схема се получава отрицателна обратна връзка по напрежение,
която подобрява както стабилността., така и качествата на стъ-
палото. Нека обясним защо се получава отрицателна обратна
връзка. Ако по някаква причина колекторният ток стане по-
силен, спадът на напрежението върху /?т ще е по-голям и ко-
лекторното напрежение ще намалее. Но базата получава пред-
напрежение от колектора т. е. от точка, чието напрежение е
вече намаляло и поради това базисният ток също ще намалее.
Това от своя страна ще предизвика намаляване и на колек-
торния ток.
Ако по някаква причина колекторният ток стане по-слаб,
спадът на напрежението върху /?т ще е малък, напрежението
на колектора няма да* е толкова ниско, базисният ток ще е
значителен и ще предизвика усилване на колекторния ток.
Стабилизиращите качества на тази схема са толкова по-
добри, колкото товарного съпротивление е по-голямо.
Стойността на необходимого базисно съпротивление се из-
числява по формулата:
UKn E—Ry /кп
= -г—=-------т----(5
*6п *кп
Пример. Да се намери големината на базисного съпро-
тивление от схемата на фиг. 45, ако напрежението на бате-
56
рйята е 4,5 «; товарното съпротивление има стойност 3 ком,
колекторният ток на покой е 1 ма, а употребеният транзистор
е SFT353.
От справочниците намираме, че транзисторът има коефи-
циент (3 = 80. Заместваме във формулата:
D Е—/?Т/М1 . 4,5-3000.0,001 _яим1П
% = ----ц. -—дда—- 80= 120000 ом.
Като предимство на тази схема (фиг. 45) се счита използ-
ването само на едно единствено съпротивление. Освен това
при нея се получава както температурна стабилизация, така и
стабилизация вследствие разлики в параметрите на транзисто-
рите. Или казано по друг начин, при замяна на повреден тран-
зистор не винаги се налага нов подбор на базисното съпро-
тивление. Недостатък на схемата е отрицателната обратна
връзка по променлив ток, която намалява изкривяванията, но
едновременно с това намалява и коефициента на усилването
на стъпалото.
По-съвършен начин за подаване на подходящо отрицателно
преднапрежение на базата спрямо емитера (или което е все
едно: на положително напрежение на емитера спрямо базата)
Фиг. 46
е използването на делител на напрежението, образуван от двете
съпротивления и /?8 (фиг. 46). С дебели линии е показан
пътят на базисния ток, чиято сила зависи както от съпротив-
лението на прехода емитер-база /?еб, така и от съпротивле-
нията /?! и . Чрез подходящ подбор на тези две съпротив-
57
ления се получава необходимою преднапрежение което
от своя страна поражда желания базисен ток на покой /бп. На
фиг. 46-5 е начертана еквивалентната схема, като вместо тран-
зистора е поставено съпротивлението на прехода емитер-база
и освен това е начертан пътят на тока през делителя и ба-
зисния ток. Тази еквивалентна схема ни позволява да правим
количествени пресмятания, като използваме законите на Ом
и Кирхоф.
Пример. Да се определи стойността на съпротивлението
Rx в схемата, дадена на фиг. 46, ако употребеният транзистор
е SFT351 ((3 = 30); колекторният ток е /кп = 1 ма; товарною
съпротивление /?т =2 ком-, напрежението на батерията Е — 4,5 в.
Първо намираме необходимия базисен ток на покой:
/бп = в’огГ- ~ 0,000033(7 = 33 мка. След това ползваме от
р оО
справочниците входната характеристика на транзистора SFT351,
съответствуваща на колекторно напрежение UKe = 2,5 в (за-
щото спадът върху товарною съпротивление е 2 в). От харак-
теристиката отчитаме, че на базисен ток 33 мка съответствува
напрежение {/еб = 0,15 в. При това положение съпротивлението
на прехода емитер-база ще има стойност Re6 = =
/бп
015
= -qQQQQ33 = 4700 ома, или приблизително 5 ком. По такъв
начин съпротивлението между точките 1 и 2 (фиг. 46-5) ще
се състои от двете паралелно свързани сопротивления /?2 и
/?еб, чиито стойности са по 5 ком, т. е. общото съпротивление
между точките 1 и 2 ще е: Ro = 2 500 ом. От електротехни-
ката знаем, че напреженията и съпротивленията между точ-
ките 1, 2 и 3 са пропорционални, т. е. можем да напишем:
/?тз_ f/i3 и . /?о + /?х _4,5
/?12 “ U12 ИЛИ- Ro ~0,15
Решаваме горною уравнение спрямо неизвестною Rr и по-
лучаваме:
4 5
^~Ro — Ro = 30/?о — Ro = 29/?0 =29.2500 = 72 ком.
U, 1э
Изчисленията показват, че горната схема (фиг. 46) е тол-
кова по-стабилна, колкото токът през делителя RiR^ е по-
силен, спрямо началния базисен ток. Чрез пропорционално на-
маляване на съпротивленията Rx и R2, можем тока през дели-
теля да го направим твърде силен и по този начин да нама-
или:
58
лйм влиянието на съпротивлението /?еб, което именно е зави-
симо от температурата. Прекомерното намаляване на /?2 обаче
води до шунтиране на входа на транзистора по отношение на
променливия ток, а това както ще видим по-нататък (виж раз-
дела „Начисление на транзисторен приемник"), води до нама-
ляване коефициента на усилване на стъпалото. Поради тези
причини, в практиката се препоръчва токът през делителя Id да
е от 2 до 5 пъти по-силен от началния базисен ток. В такъв
случай формулите за стойностите на съпротивленията и /?2
са следните:
__ I-* гу _ £/еб
^“Zd + 4n
Пример. Да се изчислят стойностите на съпротивленията
/?1 и /?2 от схемата на фиг. 46, ако употребеният транзистор
е SFT322 (р = 50); колекторният ток трябва да е 1КЦ = 6 ма;
товарного съпротивление е 500 ом (напр. слушалка); напре-
напрежението на батерията е 4,5 в.
При тези данни базисният ток на покой ще има стойност
/бп = - — 0,00012 а = 120 мка. От входната ха-
р 50
рактеристика, съответствуваща на напрежение 1,5 в (спадът
върху товарного съпротивление е 3 в) отчитаме, че на бази-
сен ток /бп = 120 мка съответствува напрежение i7e6 = 0,21 в.
Избираме си ток през делителя /а = 4. Л>п = 4.120 500 мка =
= 0,0005 а. Заместваме във формулите:
„_£-£/еб_ 4,5-0,21 _ 4,29 f
Id + /вп 0,00054-0,00012 0,00062
D Ue6 0,21 on
~ ~ТГ~~ Д0005 ~ 420 0М'
Предимство на горната схема (фиг. 46) е това, че е по-
стабилна в сравнение схемата от фиг. 40, особено ако токът
през делителя е по-силен. Като недостатък се сочи това, че
имаме повишена консумация на електрическа енергия, дължаща
се на тока през делителя.
Още по-добра стабилност притежава схемата, дадена на
фиг. 47-а. Характерно за нея е това, че в емитерната верига е
включено съпротивлението /?е, чрез което се осъществява от-
рицателна обратна връзка по ток. Нека разгледаме действието
на това съпротивление. Знаем че в нормално състояние еми-
терът е положителен спрямо базата с 0,1 до 0,3 в. Ако по ня-
каква причина колекторният ток се увеличи (напр. от темпе-
59
ратурата иди от замяна на транзистора с друг с по-голямо р),
спадът на напрежението върху /?е също се увеличава, като
емитерът ще стане по«малко положителен спрямо базата. Това
е така, защото токът в съпротивлението /?е тече в посока от
по-високия потенциал към по-ниския (виж фиг. 47-а), или което
е все едно, напрежението между емитера и базата ще намалее.
Това ще предизвика намаляване на базисния ток, а от това
ще последва намаляване и на колекторния ток. Ако по-някаква
причина колекторният ток се намали, спадът на напрежението
върху /?е също се намалява и емитерът става по-положителен
спрямо базата. Вследствие на това, базисният ток се увеличава,
а това довежда до увеличение на колекторния ток. Или ка-
зано накратко: увеличението и намалението на колекторния
ток бива автоматически „подтискано* и следователно имаме
стабилизация. Обаче подобно „подтискане* ще имаме и на про-
менливия колекторен ток, когато на входа на стъпалото по-
дадем променливо напрежение. За да се избегне последното,
съпротивлението /?е се шунтира с кондензатор Се (фиг. 47-6),
който пропуска променливите токове със звукова или висока
честота, докато за промените, дължащи се на температурата
или замяната на транзистора, той не оказва влияние. Стабили-
зиращите качества на тази схема са толкова по-добри, колкото
съпротивлението /?е с по-голямо. Ако обаче, неговата стойност
е прекомерно голяма, спадът на напрежението върху него ще
е твърде голям и като се има предвид и спадът върху /?т, на-
прежението на колектора UtK може да се окаже твърде малко.
Ето защо в практиката се препоръчва /?е да има стойцости от
60
10 ома до 1000 ома. По-малките стойности се избират в слу-
чайте на по-високоомно товарно съпротивлеие (напр. 2-4-4 ком)
и по-ниско напрежение на батерията (напр. 2-НЗ в). По-големите
стойности за Re се избират в случайте, когато товарното съ-
противление е по-малко (напр. 200—1000 ом) и напрежението
на батерията е по-високо (напр. 9—12 в). Формулите за начис-
ление на съпротивленията и кондезатора, при условията посо-
чени по-горе са следните:
/?е = 104-1000 ом
Р ___Е ^кп о
Кб =-----г-----Р
2КП
г ___ г 30 000 пф -4- 100 000 пф за висока честота
Се I Юмкф-^- 100 мкф за ниска честота
Пример. Да се определят стойностите на /?е, Re и Се в
схемата, дадена на фиг. 47-6, ако употребеният транзистор е
SFT323 (р = 85); колекторният ток е Юма; товарното съпро-
тивление е 300 ом (например първична намотка на изходен
трансформатор); напрежението на батерията е 4,5 в; стъпалото
усилва ниска честота.
Въз основа на по-горните съображения избираме: /?е = 100 ом,
Се = 20 мкф. След това заместваме:
% = .85 = 30000 ом
кп C/,v 1 V
Една от най-стабил-
ните и най-често употре-
бявани в практиката схе-
ми е показано на фиг. 48.
Когато колекторният ток
се увеличи, имаме уве-
личение на спада върху
/?е, намаляване на на-
прежението емитер-база,
намаляване на базисния
ток и в резултат на
това — намаляване на
колекторния ток. Ако
пък колекторният ток се
намали, имаме намаля-
ване на спада върху /?е,
увеличаване на напреже-
Фиг. 48
61
нието емитер-база, увеличаванс на базисния ток и в резултат
на това — увеличаване на колекторния ток. Гореописаните
явления се отнасят за сравнително бавни промени на колек-
торния ток, дължащи се на температурата или замяна на
транзистора. За такива промени кондезаторът Се има извън-
редно голямо съпротивление т. е. все едно че липсва. При
бързи промени на колекторния ток (напр. при звукова или *ви-
сока честота), подобии явления не се наблюдават, защото в
такъв случай кондензаторът има много по-малко съпротивление
от /?е, т. е. променливите токове се дават накъсо през Се и
липсва отрицателната обратна връзка по променлив ток, а това
означава, че коефициентът на усилване не се намалява. Ста-
билността на тази схема е толкова по-добра, колкото /?е е по-
голямо, а и — по-малки. Изчислителните формули за
този случай са следните:
/?а = —}d/Kn /d=(24-5)/6n
~ ) 30 000 пф 4— 100000 пф за висока честота
Се 110 мкф-^- 100 мкф за ниска честота
В горните формули фигурира величината Оп, която при
стъпала, работещи при слаби сигнали може да има стойност
24—3 а, а в крайни стъпала има стойност 54— 7 в.
Пример. Да се изчислят стойностите на Rlf R%, Re и С, в
схемата, дадена на фиг. 48, ако Е=4,5 в; 0 = 50; /кп = 1 ма;
R7 = 200 ом (постоянно-токовото съпротивление на първичната
намотка на драйверния трансформатор).
Въз основа на горните съображения избираме 67ек = 3,5 в
и заместваме:
Re =
Е— /kuRt — £7ек
4,5 — 0,001.200 — 3,5
0,001
= 800 ом
След това изчисляваме базисния ток:
/бп — ^’22^ = 0,00002 а. За токът през делителя прие-
р оО
маме: /а = 5. /бП = 5.0,00002 = 0,0001 а. След това заместваме:
р & lunRe ____________
4,5 — 0,001.800
50.0,0001 +0,001
50 = 30 000 ом
62
0,0001 -------
на кондезатора Се избираме стойност
n Rtl™ 800.0.001
_ =--------------------
/d
За капацитета
G = 50 мкф.
НИСКОЧЕСТОТНИ
И ВИСОКОЧЕСТОТНИ ТРАНЗИСТОРИ
В радиотехниката под писка честота се разбират електри-
чески колебания (ток или напрежение), които имат честота от
20 до 20 000 херца. Тази честота се нарича още звукова, за-
щото токх с такава честота се получава от звука с помощта
на микрофон. Като знаем токът с ниска честота, като мине
през- слушалките или високоговорителя, се преобразува пак
в звук.
Освен електрическите колебания с ниска честата, в радио-
техниката се използуват и колебания с висока честота. Така
например обхватът на средните вълни се простора от
520000 херца (520 кхц\ до 1600 000 херца (1,6 мгхц). Естест-
вено тези колебания не могат „да се чуят“ от нашето ухо, но
затова пък те са удобни за получаване на радиовълни. Изве-
стно е, че радиовълните като срещнат приемната антена, по-
раждат в нея ток с висока честота, който е модулиран, т. е.
съдържа в себе си ток с ниска честота. Поради това, че на-
прежението в антената е слабо (напр. 1/10 000 части от волта),
при някои приемници имаме усилване на висока честота, след
което следва детекция (отделяне на ниската честота от висо-
ката). В такъв случай транзисторите, които ще усилват това
високочестотно напрежение трябва да са високочестотни, т. е.
да могат да работят добре при високи честоти. Детекцията
може да бъде извършена от точков диод или от транзистор,
който трябва да бъде високочестотен. Или казано накратко,
всички транзистори преди детекцията трябва да са високочес-
тотни, а след детекцията — нискочестотни.
Нека поясним разликата между нискочестотните и високо-
честотните транзистори. Както вече споменахме, трептенията на
високочестотния ток са стотици-хиляди и милиони в една се-
кунда. Това означава, че за нищожно кратко време, електроните
в транзистора трябва да се движат ту в една, ту в друга по-
сока, т. е. те трябва да имат огромна скорост. Но при тран-
зистора движението не става във вакуум, а в самия кристал,
поради което електроните трябва да се „провират“ между ато-
63
мите на кристала. С увеличаване на честотата това движение
трябва да става по-бързо и по-бързо. Поради тази особеност
при по-високи честоти усилването на транзистора започва да
намалява. За да се характеризира това намаляване на усилва-
нето, за всеки тип транзистори в справочниците се дава вели-
чината fa, която се нарича гранична честота на транзистора.
Младите радиолюбители често допускат грешки, като непра-
вилно разбират смисъла на тази величина. Те разсъждават така:
„В справочниците е посочено, че транзисторът П15 има гра-
нична честота fa == 2 мгхц. Понеже средновълновият обхват се
простира от 520 кхц до 1,6 мгхц, то следва, че транзисторът
П15 ще работа добре на средни вълни". В действителност по-
ложение™ е следното. Под граничната честота f на даден
транзистор се разбира не най-високата честота, при която кое-
фициентът а намалява с 30% спрямо стойността си при че-
стота 1 кхц. Следователно, когато в справочниците намерим, че
транзисторът П15 има fa = 2 мгхц a = 0,95, това означава, че
при честота 1 кхщ, транзисторът има коефициент на усилване
по ток при схема с обща база а = 0,95. Същият този коефи-
цент при граничната честота fa = 2 мгхц намалява с 30%, т. е.
става a = 0,66. От номограмата, дадена на фиг. 37 отчитаме,
че на a = 0,6fr съответствува (3 = 2. От този пример става ясно,
че в средновълновия обхват транзисторът П15 ще усилва
твърде слабо. Ето защо транзисторите ШЗ, П14 и П15 са
нискочестотни и не са подходящи за работа на средни вълни.
Тук трябва да отбележим, че посочената в справочниците гра-
нична честота се отнася за нейната минимална стойност, т. е.
най-лошите екземпляри от дадения тип имат тази гранична че-
стота. На практика често се срещат екземпляри, които имат
значително по-висока гранична честота. Именно чрез подбор на
такива транзистори (виж схема № 12) може да се построй
приемник за средни вълни с нискочестотни транзистори.
Видяхме, че с увеличаване на честотата коефициентът на
усилване по ток намалява. Една от причините за това е срав-
нително малката скорост, с която се движат токоносителите
в транзистора. При високи честоти може да се получи поло-
жение, при което полето да променя своя знак, преди всички
токоносители да са достигнали колектора. За намаляване вре-
мето на пробега, както вече споменахме, базата се прави много
тънка и с неравномерна концентрация на основни носители. По.
такъв начин в нея се създава допълнително поле (виж фиг. 27-d),
което ускорява неосновните носители.
64
Други фактори, които способствуват за намаляване на усил-
ването при високите честоти, са вътрешните капацитети на
транзистора. За намаляване на тези вредни капацитети транзи-
сторите се правят с малки размери. Ако обаче размерите са
пък много малки, това би ограничило мощността на транзистора.
Гореизброените физически особености на транзистора могат
да намерят количествен израз, като се използува така нарече-
ната заместителна (еквивалентна) схема. От тази схема ще стане
ясно, по какво се различават високочестотните от нискочестот-
ните транзистори. На фиг. 49-а е показана схема на включване
на транзистор с общ емитер. Тази схема е само принципна и
съвсем не е удобна за количествени пресмятания. Ето защо
тя може да бъде заменена с еквивалентна заместителна схема,
която се състои от съпротивления и кондезатори, чиито стой-
ности съответствуват на
вътрешните съпро-
тивления и капацитети
на транзистора. Заме-
стителната схема, пока-
зана на фиг. 49-5 е
твърде опростена, но
ние ще я използуваме
само за илюстрация на
входния и изходния им-
педанс на транзистора.
От схемата се вижда,
че ако на входа на тран-
зистора подадем п о -
с т о я н н о напрежение,
токът, който ще проте-
че във веригата, ще се
определи само от оми-
ческо входно съпро-
тивлеиие /?вх, а кондезаторът Свх може да се пренебрег не, за-
щото не пропуска постоянния ток.
Съвсем друго ще бъде положението обаче, ако на входа
на транзистора подадем променливо напрежение. Тогава
входният ток ще минава не само през /?вх, но и през Свх. При
това колкото честотата на тока е по-висока, толкова капаци-
тивното съпротивление на кондензатора ще е по-малко. Следо-
вателно входният импеданс, (който се състои от паралелно
свързаните /?ВХжи Свх) при високи честоти ще има толкова по-
малки стойности, колкото Свх е по-голямо.
0-
•0
Вход
r8t
р
изт
: Изход
0-
-0
Фиг. 49
5 Транзисторни приемници
65
Различните транзистори имат различии стойности за /?вх, Свх,
₽язх и С«зх. При това тези стойности не са постоянни величини,
а силно зависят от честота, при която работи транзисторът.
В долния пример са посочени данни за нискочестотния
транзистор П13 и високочестотния транзистор SFT317. Данните
се отнасят за колекторен ток /к = 1 ма.
От примера се вижда ясно, че входното съпротивление на
високочестотния транзистор е по-голямо от това на нискоче-
стотния и по-слабо се влияе от честотата. Входният к а п а-
Пример
При честота
Транзистор
f=10 кхц | f=100 кхц | f=l мгхц | f= 10 мгхц
П13 • /?вх == 800 ом Ст = 3000 пф 7?ИЗХ= 40 ком Сизх= 40 пф 600 ом 3000 пф 35 ком 40 пф 100 ом 3000 пф 3 ком 40 пф 80 ом 5000 пф 1 ком 100 пф
। А^ВХ = 3000 ом 3000 ом 3000 ом 200 ом
ЯРТ.Ч17 < | Си = 130 пф 130 пф 130 пф 100 пф
Ок- ЮН 1 /?изх= 5000 ком 5000 ком 800 ком 100 ком
I б?изх—— 3,5 пф 3,5 пф 4 пр 20 пф
цитет на високочестотния транзистор е много
по-малък от входния капацитет на нискочес-
тотния. При високи честоти това играе решаваща роля, за-
щото входният импеданс (импедансът е съпротивлението на ве-
ригата за променлив ток) се определи изключително от стой-
ността на Свх. Така например при честота 1 мгхц, входният
импеданс на транзистора П13 е около 30 ома, докато входнят
импеданс на транзистора SFT317 е около 1 000 ома. Следова-
телно, ако използуваме нискочестотния транзистор като усил-
вател на висока честота, неговият малък входен импеданс ще
шунтира предното стъпало и усилването ще бъде минимално.
Както беше споменато по-горе, в справочниците се дава ве-
личината /а, която представлява граничната честота на транзи-
стора при схема с обща база. При схема с общ емитер гра-
ничната честота /д е далеч по-ниска и се дава с
формулата:
66
За да изясним значението на тази зависимост, нека вземем
един пример. За нискочестотния транзистор SFT323 в справоч-
ниците е дадено, че има гранична честота при схема с обща
база fa = 2,6 мгхц и коефициент на усилване по ток при схема
с общ емитер 0 = Аги = 85. Ако искаме да използуваме този
транзистор в схема с общ емитер (на практика тази схема се
използува най-често), неговата гранична честота ще е:
. Д 2 600000 QO
р “ 85 “32 КХЦ'
Следователно още при честота 32 кхц, стойността на £ ще
спадне с 30 % от 85 на 60. При честота 500 кхц стойността
на р става вече 6, а при честота 1 мгхц намалява на 2,5.
От всичко казано до тук може да се направи следният прак-
тически извод: нискочестотните транзистори не могат да усил-
ват високи честоти и трябва да се употребяват само в ниско-
честотните стъпала на приемниците.
По своите честотни качества транзисторите се разделят на
следните видове:
Нискочестотни — fa<3 мгхц;
Средночестотни — 3 мгхц <fa<.30 мгхц;
Високочестотни — 30 мгхц <2fa<Z 120 мгхц;
Свръхвисокочестотни — faj> 120 мгхц.
Обръщаме внимание на това, че който да е нискочестотен
транзистор може да бъде заменен с викочестотен, обаче ви-
сокочестотните транзистори не могат да бъдат замествани от
нискочестотни. С оглед на тази особеност ние сме разделили
транзисторите в две таблици: нискочестотни и високочестотни
транзистори. В описанията на отделните схеми посочваме какъв
трябва да бъде всеки транзистор — нискочестотен или висо-
кочестотен, и в зависимост от възможностите си, младите тех-
ници могат да избират по желание кои да са нискочестотни и
кои да са високочестотни транзистори.
Таблица 2
Нискочестотни транзистори
П1А П1Б П1В ГИГ гид П1Е П1Ж П1И
П5А П5Б П5В П5Г П5Д
П6А П6Б П6В П6Г П6Д
П13 П13А П13Б П14 П15 П16 П16А П16Б
П20 П21 П21А . П25 П25А П25Б П26 П25А П26Б
ОС70 ОС71 ОС72 ОС602 ОС603 ОС604 ОС622
ОС623 ОС624 ОС8Ю ОС811 ОС815 ОС816 ОС821
SFT3J1 SFT322 SFT323 SFT351 SFT352 SFT353
67
Т а б л и ц a 3
Високочестотни транзистори
П401 П402 П403 П403А П406 П407 П410 П410А
П411 П411А Г1414 Г1414А Г1414Б Г1415 П415А П415Б
11416 П416А П416Б
0(144 ОС45 ОС46 ОС47 ОС612 ОС613 ОС614
ОС615 ОС870 ОС871 ОС872 SFT317 SFT319 SFT323
За да разпознаваме правилно изводите на транзисторите, на
фиг. 50 е даден външният вид на горепосочените транзистори
с означения на изводите им: емитер (е); база (б); колектор (к).
П1А-П1И П6А-П6Д
П2А-П25 ПК-Мб
пгопг;
П4О1-Л4ОЗ 0С8&0СШ
ОС7&ОС90
TG2~TG0
ПбА~П5Д
s х е
а*
e 5 я
SFT317-323
SFK51-353
SFT30&30B
К 5 f
3FT32I
SFT322
SFT323
SFTiSf
$тя
SFT353
SFTtU
SFTI25
SFTMO
5FTBI
SFT306
SFT3W
SFT396
SFF3I7
SF73S
SF7320
SF72K
SH213
SFT2H-
SFT2W
Фиг. 50
Обръщаме внимание на следното: изводът на базата се намира
по-близо до извода на емитера, обаче при някои транзистори
трите извода са на равно разстояние един от друг и тогава
трябва да съобразяваме къде се намира цветната точка. Новите
съветски нискочестотни транзистори (П20 до П26Б) имат съ-
щото разположение на изводите, както транзистора П13, а но-
68
вите високочестотни транзистори (11410 до П416Б) имат съ-
1ПОТО разположение на изводите, както транзистора П401.
За по-подробното запознаване с различните видове транзи-
стори препоръчваме книгата „Справочник по полупроводникови
диоди и транзистори“ от П. Хинков и А. Атанасов (издание
на ДИ „Медицина и физкултура“, София, 1964 г.).
КАК ДА ПРОВЕРИМ ИЗПРАВНОСТТА
НА ДИОДИТЕ И ТРАНЗИСТОРИТЕ
Преди да пристъпим към монтажа на избрания от нас ра-
диоприемник5 необходимо е да сме сигурни, че разполагаме с
изправни диоди и транзистори. За проверка на диодите е не-
обходимо да разполагаме с милиамперметър с максимално от-
клонение 10—20 мА и елемент (например от плоска батерийка)
с напрежение не повече от 1,5 в. При включване в права по-
сока (фиг. 20-а) уредът трябва да показва 1~10 мА. При
включване в обратна посока (фиг. 20-6) токът трябва да е тол-
кова слаб (10—30 мкА), че уредът да не се отклонява. Само
в този случай диодът е добър и може да бъде използуван.
Най-честите повреди на диода са тези, че той или в двете по-
соки не пропуска тока, или в двете посоки го пропуска добре.
Диодите могат да се проверят и с омметър. В права посока
(фиг. 21-а) диодът трябва да има съпротивление от 5 до
500 ома, а в обратна посока — над 100 000 ома (фиг. 21-6).
Само в този случай можем да сме сигурни, че диодът е годен
за употреба.
Права потока
Обратна посока
Малка сопротивление
Гоаямо сопротивление
Фиг. 51
Транзисторите се проверяват по два начина. Първият начин
се основава на познатите ни от фиг. 28 свойства на транзи-
стора. Спомняме си, че транзисторът може да се разгледа като
два диода с общ кристал. Следователно съпротивленията в по-
69
сока емитер-база и колектор-база трябва да са малки (фиг. 51-а) —
от порядъка на 5 до 500 ома. В посока база-емитер и база-
колектор, съпротивленията трябва да са големи — над
100000 ома (фиг. 51-6). За да получим по-пълна представа за
изправността на транзисторите, трябва да направим допълни-
телни измервания.
Важен параметър на транзисторите е токът, който тече в
колекторната верига, когато батерията е включена в обратна
посока, а емитерът е свободен (фиг. 52-а). Този ток е слаб и
се нарича обр’атен ток на колектора 1К0. При напре-
жение 4,5 волта този ток при добрите транзистори трябва да
е от 1 до 30 микроампера. Колкото този ток е по-малък, тол-
кова транзисторът е по-добър. Ясно е, че такъв слаб ток може
да се измери само с много чувствителен уред. Обратният ток
на колектора /к0 характеризира температурната стабилност на
избраната работна точка на транзистора. Нека поясним казаното
Фиг. 52
с един пример. В началото
на книгата беше подчерта-
но, че един от съществени-
те недостатъци на транзи-
сторите е силното влияние
на техните параметри от
температурата. Обратният
колекторен ток е параме-
тър, който удвоява стой-
ността си, ако температу-
рата се повиши с 10’. Така ако един транзистор при темпе-
ратура 17’ има обратен колекторен ток 20 мка, а при тем-
пература 27’ този ток ще стане 40 мка, а при температура 37’
ще достигне 80 мка. Но както се вижда от фиг. 52-я
това е ток, който тече през базата на транзис-
тора, и когато последният е свързан в схема с
общ емитер, този ток ще породи р-пъти по-си-
лен колекторен ток. Така например, ако температурного
изменение на обратния колекторен ток е 50 мка и транзисторът
има р = 20, това ще доведе до изменение на колекторния ток
с 1 ма, което не е желателно. За намаляване на това явление
се използуват схеми на температурна стабилизация
на работната точка на транзистора, и някои от
тях бяха разгледани по-горе.
Друг важен параметър на транзистора е началният ток
на колектора /кн, който при схема със заземен емитер се
измерва при нулево напрежение на базата, т. е. базата е съе-
70
динена накъсо с емитера (фиг. 52-0). Началният ток на колек-
гора има приблизително същите стойности, както юбратният
колекторен ток.
Измерването на колекторния ток при свободна (плаваща)
база (фиг. 52-е) не е нужно и е вредно за транзистора. При
подобно измерване колекторният ток може да нарасне много и
да затопли транзистора. Вследствие на температурата колектор-
ният ток още повече се увеличава и най-после настъпва пробив,
който прави транзистора негоден за работа.
Сега ще опишем едно просто устройство за измерване кое-
фициента р на транзисторите. За целта трябва да разполагаме
с чувствителен измерителен уред (напр. Ц-20), потенциометър
със стойност около 30 ком., плоска батерийка 4,5 волта и ня-
колко букси. На фиг. 53 е показана електрическата схема на
Фиг. 53
това устройство. Измерителният уред е начертан с пунктир,
което означава, че един и същ уред включваме първо между
букси 1 и 2, а след това между букси 3 и 4. На фиг. 53 е
показана монтажна плочка на устройството от лицевата и зад-
ната страна. Като измерителен уред може да се използува кой
да е комбиниран уред, стига да има обхвати 30 ма и 0,3 ма.
Практически коефициента на усилване р на даден транзистор
определяме по следния начин. Свързваме плоската батерия с
устройството, като съобразяваме плюса и минуса. Внимателно
поставяме изводите на измервания транзистор в трите букси е,
б, к. Измерителния уред Ц-20 поставяме на обхват 0,3 мА и
го включваме в буксите 3 и 4. Буксите / и 2 свързваме на
71
късо посредством огънат специалйо за целта дебел меден про-
водник (фиг. 54). Натискаме копчето К и с помощта на потен-
циометъра правим то-
кът през уреда да е
точно 100 микроам-
пера (0,1 мА). След
това пускаме копче-
то К, превключваме
уреда на обхват 30 мА
и го включваме
в букси 1 и 2, а
букси 3 и 4 даваме
накъсо. Без да се
движи потенциоме-
търът, натискаме коп-
чето К и отчитаме
показанията на уреда.
фиг’ 54 Ако той показва ток
8 милиампера, то
Р = 80; ако показва ток 15 милиампера, то р=150; ако по-
казва ток 20 милиампера, то 0 = 200 и т. н. Ако при това
второ измерване стрелката на уреда не застава на едно място,
а „пълзи", транзисторът е негоден за употреба.
На тези от читателите, които се интересуват по-подробно
от въпросите за измерване параметрите на транзисторите, пре-
поръчваме съветското списание „Радио" бр. 3/1961 год. Там
са дадени указания за направа на 5 вида прости измервателни
устройства.
КАКВИ БОБИНИ ДА ИЗРАБОТИМ
Дадена бобина е толкова по-добра, колкото съпротивлението
на проводника й е по-малко. Това означава, че бобината трябва
да се навие с по-дебел проводник. Но ако проводникът е много
дебел, тя ще има големи размери, а това е неподходяще, осо-
бен© за транзисторни радиоприемници. При високи честоти
силно се проявява повърхностният ефект (скин ефект), който
се изразява в това, че високочестотните токове текат предимно
по повърхността на проводника, т. е. вътрешността му остава
неизползувана, а това е равносилно на намаляване полезно се-
чение на проводника и увеличаване на съпротивлението му.
Този недостатък се избягва в значителна степей чрез употре-
72
бата на специален проводник — литцендрат. Той се състой от
снопче изолирани помежду си с лак проводници, обвито с
коприна.
Добрата бобина трябва да има малък собствен капацитет
между отделяйте навивки. Това се постига, когато отделните
навивки не са успоредни, а в известна степей се кръстосват.
Най-малък собствен капацитет имат боблните тип „универсал".
Те се навиват на машина и разположението на проводниците
им напомни навиването на конците в макарите за шевна ма-
шина. Цилиндричните бобини имат сравнително малък капа-
цитет, но заемат голям обем и не са подходящи за транзи-
сторни радиоприемници.
Фиг. 55
Качествата на бобината се подобряват, ако в нея се постави
високочестотна феритна сърцевина. Тази сърцевина представ-
лява пресовано тяло във вид на винт (фиг. 55-а), за да може
чрез въртене да се вкарва повече или по-малко в бобината.
Най-важното качество на високочестотните сърцевини е това,
че те увеличават няколкократно (от 2 до 10 пъти) индуктив-
ността на бобината. Така например, ако една бобина за средни
вълни без сърцевина трябва да има 200 навивки, то същата
бобина със сърцевина ще има само 60 навивки. Следователно
употребата на сърцевина води до намаляване дължината на
употребения проводник. А понеже по-късият проводник има
по-малко съпротивление, то ясно е, че загубите в бобината ще
са по-малки и нейните качества ще са по-добри. Индуктивността
на бобината може да се увеличи и с поставянето в нея на
парче обикновено меко желязо, обаче в такъв случай загубите
в самото желязо ще са толкова големи, че почти всичката
електромагнитна енергия, получена от антената, ще се израз-
ходва в желязото. Високочестотната сърцевина в това отно-
шение има спедиална структура и това осигурява минимални
загуби.
73
Като се изхожда от тези съображения, ние препоръчваме
при направата на описаните в тази книга приемници да се из-
ползува бобината, посочена на фиг. 55-6. Тя има много добри
качества, малка е по размери, лесно се навива; с нея и с един
променлив кондензатор с максимален капацитет 450 500 пф
се покрива целият средновълнов обхват. Както се вижда от
фигурата, върху високочестотното тяло се навиват направо
(сърцевината е изолатор) 60 навивки от проводник с лакова
изолация и диаметър 0,20 — 0,40 мм. Ако схемата изисква извод,
правим го от осмата навивка, считано от заземения край. Бо-
бината може да се свърже и без такъв извод, обаче като имаме
пред вид малкото входно съпротивление на транзисторите, свърз-
ването посредством извод дава по-добри резултати. Най-отгоре
увиваме бобината с няколко навивки тънък конец, за да не се
развива. Бобината ще има още по-добри качества, ако я навием
с литцендрат. В никои случаи се налага да изменяме самоин-
дукцията на бобината. На фиг. 55-я е показана бобина, чиято
самоиндукция може да се изменя. Макаричката й изработваме
от тънък картон и с такива размери, щото в нея да може да
се навива сърцевината. В този случай навивките трябва да са
80 с извод от десетата навивка. Проводникът има диаметър
0,20—0,40 мм и е с лакова изолация. Тази бобина не е необ-
ходимо да навиваме навивка до навивка, а е желателно отдел-
яйте навивки в известна степей да се кръстосват. По такъв
начин капацитетът на бобината ще е по-малък и нейните ка-
чества ще са по-добри. Ако разполагаме с готова фабрична
бобина за средни вълни (фиг. 55-г), можем да я използуваме
с успех при направата на транзисторни приемници.
ФЕРИТНА АНТЕНА
В някои от посочените в тази книга схеми е използувана
феритна антена. Най-често тази антена има вид на пръчка с
кръгло или правоъгълно сечение (фиг. 56). Върху феритната
антена се навива антенната бобина, която без феритна антена
би представлявала рамкова антена с незначителна площ. На
фиг. 57-а е показано взаимного разположение на бобинката
и предавателя. Виждаме, че през бобинката минават нищожен
брой силови магнитни линии и индуцираното в нея напрежение
е слабо. Когато в бобината е поставена феритна антена, послед-
ната увеличава индуктивността на бобината от 5 до 12 пъти.
Освен това феритната антена концентрира з себе си магнитните
силови линии от полето на предавателя и по този начин увели-
74
чава ефективността на тази рамкова антена. Това се вижда
добре от (фиг. 57-6), където феритната антена „улавя“ и „пре-
карва“ през бобинката значителен брой силови магнитни линии.
Поради това, напрежението индуцирано в бобинката е много
по-голямо, отколкото без феритна антена. Марката на феритната
антена характеризира нейните качества. Означението на съвет-
ските феритни антени се състои от число, показващо началната
магнитна проницаемост на материала и букви, съответствуващи
на предназначението на антената и химическия й състав. Ако
първата буква е „Ви, феритът е високочестотен (напр. 20—
100 мгхц), а ако е „//“ — феритът е средночестотен (напр.
1—10 мгхф). Ако втората буква е „Н“ феритът е никелово
съединение, а ако е „М“ — манганово. Пример: 600////(или
старо означение 600-Ф) означава ферит с начална магнитна
проницаемост 600, средночестотен, никелово съединение. За
средни вълни се препоръчват ферити е начална магнитна про-
ницаемост от 200 до 600, а за дълги вълни — от 600 до 2 000.
За къси вълни феритната антена има извънредно големи загуби
и не се употребява в любителските радиоприемници. Бобина за
средни вълни можем да си навием сами от проводник с лакова
изолация и диаметър 0,2—0,4 мм. Когато употребеният конден-
затор има максимален капацитет 500 пф, бобината трябва да
съдържа 40 навивки. В случай че употребим променлив конден-
затор с максимален капацитет 150 пф, тогава бобината трябва да
съдържа 80 навивки. Бобината навиваме в средата на ферит-
ната антена и я закрепваме неподвижно с помощта на ацето-
ново лепило. Ако навием бобината с проводник тип литцендрат,
нейните качества ще се подобрят значително. На фиг. 56-е е
75
показана и бобината за обратна връзка, която навиваме върху
подвижно пръстенче. Тази бобина съдържа 10—15 навивки от
проводник с емайлова изолация и дебелина 0,2—0,4 мм. Под-
ПредоЬател Чредобатрп
Фиг. 57
вижността на тази бобина дава възможност да изберем най-
подходящ режим за работа на приемника чрез различно разпо-
ложение на бобините по феритната антена.
Феритната антена не бива да се закрепва с метални скоби,
защото те биха представлявали навивки накъсо и в тях биха
се породили големи загуби. Ние препоръчваме антената да се за-
крепва с помощта на каучукови ленти (ластичета) или с конец.
Желателно е близо до феритната антена да не се разполагат
метални части. Ако по невнимание счупим феритната антена,
не бива да се безспокоим. Едно от нейните ценни качества е
това, че след внимателно залепване тя е пак годна за работа.
Препоръчваме да се залепва с ацетоново или друго лепило. Ако
в антената има отвор, добре е в него да поставим подходяща
пръчица от сухо дърво, за да се увеличи механическата якост
на залепената антена.
Младите радиолюбители трябва да помнят, че приемането
с феритна антена е няколко пъти по-слабо, отколкото с външна
антена. Предимството на феритната антена е това, че тя е
малка и може да се побира в транзисторния приемник.
76
ЕЛЕКТРОЛИТНИ КОНДЕНЗАТОРИ
В транзисторните приемници се използуват миниатюрни елек-
тролитни кондензатори поради малките им размери и значителен
капацитет (фиг. 58). Нека обясним тяхната роля като свързващи
кондензатори. От радиотехниката знаем, че предаването на
сигнала от предния транзистор на следващия става с помощта
на свързващ кондензатор или свързващ трансформатор. Обик-
новено свързващият кондензатор съединява колектора на пред-
ния транзистор с базата на следващия. Една особеност на тран-
зисторните приемници в сравнение с ламповите е това, че свър-
зващите кондензатори имат голям капа-
цитет — от 2 до 20 мкф. Обикновено
това са електролитни кондензатори с нис-
ко работно напрежение (до 30 волта)
и миниатюрни размери. Причината за г—
употребата на големи капацитети е __s
малкото входно съпротивле-
ние на транзисторите. За да обясним
това, нека разгледаме фиг. 59-я, където фиг-
е показана входната верига на тран-
зистор с общ емитер. Напрежението £7ВХ, което трябва да
бъде усилено, се подава от предния транзистор който, за да
не се усложнява фигурата, не е начертан. Преходът между еми-
тера и базата притежава известно съпротивление /?ВХ, което се
нарича входно съпротивление на транзистора и
което обикновено има стойност 100—3 000 ома. На фиг. 59-d е
показана схема, в която са дадени както свързващия конденза-
тор, така и входното съпротивление. Виждаме, че входното на-
прежение действува на един делител на напрежение, който се
състои от свързващия кондензатор и входното съпротивление
на транзистора. От фигурата става ясно, че напрежението, което
действува на самия транзистор £7тр, се получава в двата края
на входното съпротивление и е по-малко от подаденото напре-
жение. Най-благоприятният случай на прехвърляне на напреже-
ние ще бъде този, при който напрежението Uyp е почти равно
на подаденото от предния транзистор напрежение £7ВХ. Това би
се получило тогава, когато съпротивлението на кондензатора
за променлив ток е много по-малко от входното съпротивление
на транзистора. Или казано по друг начин, кондензатотът С
трябва да има много голям капацитет, за да може съпротивле-
нието му за променлив ток да е малко. Ето един пример. Ако
входното съпротивление на транзистора е /?вх=200 ома и упо-
77
требим неелектролитен кондензатор с капацитет С=10 000 пф,
то от подаденото напрежение от предния транзистор t7BX=l в
(при честота 1 кхц), на транзистора ще действува напрежение
{7тр=0,01 в т. е. 100 пъти по-слабо. Ако при същите условия
Фиг. 59
употребим С=10 мкф, на транзистора ще действува напреже-
ние £7тр=0,5 в т. е. само два пъти по-слабо. Този пример по-
казва, че при употребата на свързващи кондензатори с малки
стойности, ние губим това, което сме спечелили от усилването
на предния транзистор. От това следва^ че ако в дадена схема
свързващият кондензатор има капацитет 5 мкф, ние с успех мо-
жем да го заместим с кондензатор, имащ капацитет 10 или 15 мкф.
При монтажа на миниатюрните електролитни кондензатори,
трябва да внимаваме правилно да свързваме плюса и минуса,
съгласно означенията в схемата.
НАСТРОЙВАЩИ МИНИАТЮРНИ КОНДЕНЗАТОРИ
Най-важното изискване към настройващите кондензатори,
употребявани в транзисторните приемници, е да имат малки
размери. Въз основа на това много радиолюбители проявяват
творческа находчивост и конструират различии видове промен-
ливи кондензатори. Тук ние накратко ще поясним някои от
изискванията към миниатюрните кондензатори.
Максимален капацитет на един променлив кондензатор Скшах
наричаме най-големия капацитет, който се получава, когато пло-
чите на ротора се намират изцяло между плочите на статора.
Минималният капацитет на кондензатора CKmin се получава,
78
когато роторните плочи се намират извън статорните. Качеството
на един променлив кондензатор да покрива даден обхват зависи
от отношението на тези два капацитета. Колкото СКМИн е по-
малък, а СКтах е по-голям, толкова кондензаторът може да
покрива по-широк обхват.
На фиг. 60-я е показано входно устройство на транзисторен
приемник с феритна антена. Трептящият кръг е образуван от
Фиг. 60
бобината и кондензатора С±. Когато с помощта на конден-
затора Сг настроим трептящия кръг на някоя радиостанция, в
кръга започва да тече силен ток само от тази радиостанция.
В бобината А2 се поражда индуктивно високочестотен ток само
от тази радиостанция. Този ток протича в базисната верига на
транзистора и по-нататък се усилва и детектира.
За нас е важно да обясним връзката между индуктивността
на бобината Llf капацитета на кондензатора и обхвата, който
можем да покрием, т. е. станциите, които можем да приемаме.
Почти всички приемници, които са описани в тази книга, са за
средни вълни, а средновълновият обхват се простира от 520 кхц
до 1600 кхц. Следователно бобината и променливият конден-
затор трябва да са такива, че при отворен кондензатор (мини-
мален капацитет), трептящият кръг да е настроен на честота
/max =160 кхц, а при затворен кондензатор (максимален капа-
цитет) кръгът да е настроен на честота /min = 520 кхц.
Теоретическите изчисления показват, че за този случай е в
сила равенството:
Ад
/max
битах ~Р Ср
Скт!п 4"бо
79
Величината кл се нарича коефициент на покритие на
обхвата и неговата стойност за средновълновия обхват е
ka = 1600:520 = 3,1. Величините Сктах и CKmin са съответно
максималният и минималният капацитет на променливия конден-
затор. Величината Со е допълнителният капацитет, включен па-
ралелно към променливия кондензатор. При ламповите прием-
ници този допълнителен капацитет се състои от капацитета на
тримера, собствения капацитет на бобината, входния капацитет
на лампата и монтажния капацитет. Неговата стойност е около
40—50 пф и както показват изчисленията, за да получим необ-
ходимия коефициент на покритие, променливият кондензатор
трябва да има Стах=450—500 пф.
При транзисторните приемници положението е по-различно,
защото допълнителният Со се състои само от собствения капа-
цитет на бобината, който има стойност 4—5 пф. Влиянието на
монтажния капацитет См и входния капацитет на транзистора
Свх (фиг. 60-d) е нищожно и може да се пренебрегне, дори
когато тяхната стойност е 40—50 пф. Това е така, защото вне-
сеният капацитет в трептящия кръг L1C1 е равен на общия
капацитет См + Свх, разделен на квадрата на отношението между
навивките между бобините Ц и L*. На практика това отноше-
ние е около 10 и следователно сумата СМ4~СВХ трябва да се
раздели на 100, за да се получи внесеният капацитет.
Фиг. 61
Въз основа на те-
зи разсъждения може
да се направи изво-
дът, че ако промен-
ливият кондензатор
ИМа CKmin = 5 пф, той
трябва да има макси-
мален капацитет Сктах
около 100 пф, за да
се покрие с него це-
лият средновълнов
обхват. Ако промен-
ливият кондензатор има CKmin =20 пф, неговият максимален капа-
цитет*’трябва да е около 250 пф. При капацитет CKmin = 45 пф,
променливият кондензатор трябва да има максимален капацитет
Сктах = 500 пф, за да се покрие средновълновият обхват. Сле-
дователно едно от важните изисквания към миниатюрните про-
менливи кондензатори е те да имат колкото се може по-
малък Скпйп.
80
Ние препоръчваме като променливи кондензатори в тран-
зисторните приемници да се използуват съветските керамични
кондензатори КПК-100 и КПК-150 (фиг. 56-а). На тяхната под-
вижна част може да се залепи с ацетоново или друго подхо-
дящо лепило назъбена шайба от плексиглас (фиг. 61-6). При
монтажа малка част от тази шайба трябва да се показва извън
кутийката на приемника и чрез нея се осъществява настройката.
Напоследък в магазините за радиоматериали са пуснати в
продажба миниатюрни двойни променливи фабрични конденза-
тори (фиг. 61-я). Те са много удобни при направата на суперни
транзисторни приемници, а ако се цзползува само едната сек-
ция, подходящи са и за линейни приемници.
ВИСОКОЧЕСТОТНИ
ДРОСЕЛИ И ТРАНСФОРМАТОРИ
Много често в транзисторните приемници се използуват висо-
кочестотни дросели (виж схеми № 6, 7, 11, 12 и др.). Те пред-
ставляват малка бобина без специална сърцевина, съдържаща
300—400 навивки. Главното свойство на високочестотните дро-
сели е това, че имат значително съпротивление за токовете с
висока честота, а за токовете с ниска честота и за постоянния
ток имат съвсем малко съпротивление.
На фиг. 62 е показан самоделен високочестотен дросел. Той
съдържа 400 навивки от емайлиран проводник с диаметър
0,12—0,15 мм, навити върху мал-
ка макаричка от сухо дърво,
изработена с джобно ножче.
Индуктивността на един такъв
дросел е около 15 мхн и при че-
стота 1 мгхц (средата на средно-
вълновия обхват) неговото съ-
противление за високочестотния
променлив ток (импеданс) ще е Фиг. 62
около 10 ком. В същото време
съпротивлението му за токовете със звукова честота е около
30 ома, а съпротивлението му за постоянен ток — около 10 ома.
Въз основа на тази особеност можем и да си обясним ролята
на високочестотния дросел в схема № 6. В колекторната верига
на транзистора текат едновременно: ток със висока честота, ток
със звукова честота и постоянен ток. През слушалките трябва
да преминава само постоянен ток и токът със звукова честота.
6 Транзисторни приемеиии
81
Дроселът Др има голямо съпротивление за токовете с висока
честота и те през кондезатора С4 отиват в общия заземен
плюс. В същото време дроселът твърде добре пропуска по-
стоянния ток и токовете със звукова честота.
Нека сега поясним устройството и действието на високсь
честотните трансформатори. На фиг. 63 е показан високочесто-
тен трансформатор, навит върху
феритно пръстенче. Такова мо-
жем да си напРавим и сами от
wnWtn™ кръгла феритна пръчка с отвор,
Ир «О като с помощта на ножовка от-
---режем парченце дълго 5—6 мм.
Да се има пред вид, че ферит-
ната антена е крехка, но твърда
Фиг. 63 и рязането става много бавно.
Феритната пръчка не бива да се
стяга на менгеме, а по време на рязането да се държи с ръка.
Високочестотният трансформатор служи да прехвърли ви-
сокочестотиия сигнал от колекторната верига на даден тран-
зистор към детекторното стъпало или към следващия транзистор.
Един от основните въпроси в радиотехниката е съгласува-
нето между отделяйте стъпала. Знаем че енергията, която по-
стъпва в радиоприемниците, е нищожна и затова нейното пре-
хвърляне от едно стъпало към друго трябва да става при най-
благоприятни условия. Но от електротехниката е известно, че
за да имаме най-добро прехвърляне на енергия от един гене-
ратор към даден консуматор, необходимо е вътрешното съпро-
тивление на генератора да е равно на съпротивлението на кон-
суматора. Следователно в нашия случай е необходимо изход-
ното съпротивление на предното стъпало да е равно на вход-
ного съпротивление на следващото стъпало.
На фиг. 64-а е даден пример на свързване на транзисторно
стъпало с детектиращо стъпало посредством високочестотен
трансформатор LrL^ Изходното съпротивление на транзистора
е от порядъка на 50 ком, а входного съпротивление на детек-
тиращото стъпало е от порядъка на 5 ком. За да имаме
съгласуване по мощност, преводното отношение на в. ч. транс-
форматор трябва да е:
Ако в. ч. трансформатор се изработи с такова преводно отно-
шение, ние ще имаме максимално прехвърляне на мощност,
82
но поради нелинейною входно съпротивление на детектира-
щото стъпало ще се получат големи изкривявания на формата
на сигнала (виж. фиг. 81). Изчисленията и практиката показват,
че изкривяванията са малки и не дразнят ухото тогава, когато
изходното съпротивление на предното стъпало е 5—15 пъти
по-голямо от входного съпротивление на следващото стъпало.
Или казано по друг начин, за да имаме качествено възпроиз-
веждане, стъпалата не бива да се съгласуват по мощност. От
друга страна детекторного стъпало работи тол-
кова по-добре, колкото подаденото му напре-
жение е по-високо. Въз основа на тези съображения се
определи и преводното отношение на високочестотните транс-
форматора
Когато следващото стъпало е детектиращо, в. ч. трансфор-
матор има първична намотка с около 70—100 навивки от
емайлиран проводник с диаметър 0,08—0,10 лш, а вторичната
намотка съдържа 200—300 навивки от същия проводник.
Когато следващото стъпало е транзисторно (фиг. 64*d), в. ч.
трансформатор има първична намотка с около 200—300 на-
вивки от емайлиран проводник с диаметър 0,08—0,10 лог, а
вторичната намотка съдържа 70—100 навивки от същия про-
водник. Това е така, защото входною съпротивление на тран-
зистора при схема с общ емитер е от порядъка на 1000—
3 000 бш, т. е. далеч по-ниско от изходното му.
83
ЗАХРАНВАНЕ
НА ТРАНЗИСТОРНИТЕ ПРИЕМНИЦИ
От характеристиките на транзисторите става ясно, че по-
следните могат да работят дори при напрежение на токоиз-
точника 1 волт. Понастоящем в практиката се използуват след-
ните захранващи напрежения: 1,5 в; Зе; 4,5 я; 6 я; 9 в; 12 в.
Използуването на батерии е най-разпространеният начин за
захранване на транзисторните приемници. На фиг. 65 са пока-
зани няколко вида батерии, които имат различии напрежения
и различен капацитет.
Фиг. 65
Както е известно
батериите представля,
ват елемент на Ле-
кланше, който има за
положителен елект-
род въглен, а за от-
рицателен — цинк.
Електролитът им е
амониев хлорид (ни-
шадър), а за деполя-
ризатор служи манга-
нов двуокис. Н а -
прежението на
въглено - ц и н ко-
вия елемент не зависи от размерите му ие около
1,5 в. Чрез последователно свързване на няколко такива еле-
менти се получават батериите, които имат по-високо напрежение.
Капацитетът на една батерия зависи от размерите й и е
толкова по-голям, колкото е по-голям обемът й. Капацитетът
показва колко електрическа енергия можем да черпим от бате-
рията и се измерва с единицата амперчас {ач). Един ампер-
час означава, че можем да консумираме ток 1 ампер в про-
дължение на 1 час; или 0,1 а в продължение на 10 часа; или
0,05 а в продължение на 20 часа и т. н. Ако една батерия за
транзисторни приемници има капацитет 0,1 ач, това означава,
че от нея може да се консумира ток със сила 10 ма (0,01 а)
в продължение на 10 часа. Този пример е взет от практиката,
защото средната консумация на един транзисторен приемник е
около 10 ма.
Главният недостатък на всички батерии е този, че могат
да се използувт еднократно, след което са негодни за работа.
В това отношение голямо предимство имат акумулаторите.
които могат да се пълнят и разреждат десетки и стотици пъти,
84
Акумулаторът е вторичен източник на електрически ток.
Това означава, че пре ди да се използува, той трябва да бъде
зареден от външен токоизточник — напр. токоизправител. При
зареждането плюсът на акумулатора се включва към плюса, а
минусът — към минуса на токоизправителя. Желателно е във
веригата да се включи милиамперметър, с който да се конт-
ролира силата на зарядния ток, който нормално трябва да е
1/10 от капацитета на акумулатора.
За захранване на транзисторни приемници са особено удобни
миниатюрните дискови кадмиево-никелови акумулатори, които
са херметически затворени (фиг. 66-а). Значенията на цифрите
са следните:
1 — капак на корпуса; 2 — корпус от никелирана стомана; 3 — сепаратор;
4 — мрежа; 5 — пружина ; 6 — отрицателен електрод; 7 — уплътнител ;
8 — положителен електрод. В заредено състояние, електродвижещата сила на
една клетка е 1,25 в, а в разредено 1,0 а. Разреждането на клетката под 1 в
не бива да се допуска, защото скъсява живота й. При нормална експлоатация
дисковите акумулатори могат да издържат 300—500 зарядно-разрядни цикъла.
Съветските дискови акумулатори се означават Д-0,Об1;
Д-0,07; Д-0,12; Д-0,2. Буквата „Д“ означава „дисков акуму-
латор“, а цифрата означава капацитета в амперчасове.
Чрез последователно свързане на няколко дискови акуму-
латори се получава „акумулаторна батерия" (фиг. 66-/5), която
има същия капацитет както капацитета на една клетка, а
електродвижещата й сила е равна на сумата от електродви-
жещите сили на съставните клетки. Така например съветската
акумулаторна батерия 7Д-0,1 се състои от 7 дискови акумула-
тора, свързани последователно. В заредено състояние електро-
движещата сила на батерията е 8,75 в, а в разредено 7 в. Ка-
пацитетът е 0,1 ач. Зарядният ток на батерията е 10—12 ма
в продължение на 15 часа.
85
На фиг. 67 е дадена схема на малък токоизправител за
пълнене на акумулаторна батерия. Единият край на токоиз-
правителя се включва към мрежата, а към другия му край се
включва акумулаторната батерия от 9 в. Съпротивлението R
трябва да има мощност поне 4 вт, за да не се загрява. Ако
Фиг. 67
не разполагаме с та-
кова съпротивление,
можем да свържем
паралелно 4 сопро-
тивления от по 50
ком!\ вт. Конденза-
торът С може да има
капацитет 10—30 мкф.
Като такъв можем да
използуваме катоден
блок. Изправителят Д е една кръгла селенова клетка с диа-
метър 25 мм, или ако е квадратна — да има страна 20 мм.
Друг вид токоизправител е показан на фиг. 68. Двата диода
и Д9 са от типа Д7Ж и при монтажа трябва да се спазва
0----L I------Г—►!-----0
/?,-5к/^г 1Дг +
§ <4, 96
0----ill йГ
Фиг. 68
тяхната полярност. Токо-
изправителят може да се
монтира в малка сапунерка,
като за извод към зареж-
даната акумулаторна бате-
рия могат да се използуват
същите изводни пъпки от
стара изтощена 9 волтова
батерия.
Добре ще бъде токът в
зарядната верига на токо-
изправителя да се контро-
лира с милиамперметър, за да бъде в границите 10—12 ма.
При домашни условия е целесъобразно транзисторните прием-
ници да се захранват не с батерии, а от мрежата. На фиг. 69
Фиг. 69
86
е дадена схема на такъв токойзправител, който дава напреже-
ние 9 в. Сърцевината на трансформатора има сечение 4 см2.
Първичната намотка съдържа 2 500 навивки от емайлиран про-
водник с диаметър 0,12 мм. Вторичната намотка съдържа
135 навивки от емайлиран проводник с диаметър 0,40 мм. Осо-
беното в схемата са двата електролитни кондензатори с капа-
цитет по 1 000 мкф и работно напрежение 20 -ь 30 в. Ако ка-
пацитетът им е по-малък, филтрирането не е добро и в прием-
ника се явява брум. Като изправителни елементи можем да
употребим германиеви диоди от типа: ДГ-Ц21, ДГ-Ц22, ДГ-Ц23
или ДГ-Ц24 (Д7А, Д7Б, Д7В или Д7Г). Съпротивлението
участвува в изглаждащия филтър, а съпротивлението /?2 (с
мощност поне 2—3 e/п.) служи да стабилизира изходното напре-
жение при променлива консумация на приемника. През това
съпротивление тече допълнителен ток, но при мрежовото за-
хранване този разход не е от значение.
КАК ДА ЧЕТЕМ РАДИОСХЕМИТЕ
За начинаещите радиолюбители, които имат малък опит,
ще обясним накратко знаците, с които се отбелязват на схе-
мите отделните части. Радиосхемата представлява чертеж, на
който с помощта на условии знаци и линии са означени отдел-
ните радиочасти и начинът на тяхното свързване.
На фиг. 70-ак е показано свързването на една плоска бате-
Фиг. 70
рийка с една крушка. На същата фигура е показана и схемата
на това свързване. Виждаме, че батерийката и крушката са
означени със своите знаци, а свързващите ги проводници - с
прави линии (фиг. 70-6). При това тези линии не са наклонени,
а се чертаят или хоризонтални, или вертикални.
87
На фиг. 71 е показано как се свързват отделимте части на
един детекторен приемник. На същата фигура е дедена и схе-
мата на детекторния приемник. Виждаме, че всяка част си има
определен знак и от схемата можем да разберем как се свързват
помежду си отделимте части. Така например в антенната букса
са свързани единият край на променливия кондензатор, еди-
ният край на бобината и единият край на германиевия диод.
На фиг. 72-а е показана монтажна схема на транзисторен при-
емник, чиято принципна схема е дадена на фиг. 12-6. От фигу-
рата виждаме както самите радиочасти, така и тяхното озна-
чение на принципната схема. Обръщаме внимание на това, че
свързването на отделимте части трябва да става с изолиран
меден проводник. Освен това, след увиването, краищата на
проводниците, съпротивленията, кондензаторите, транзисторите
и т. н. трябва да се запоят с калай.
На фиг. 73 са показани някои радиочасти и техните схема-
тични означения. Обръщаме внимание как се означава кръстос-
ването на проводниците. Когато в схемата два проводника се
кръстосват, без да е поставена точка, това означава, че в дей-
ствителност проводниците не са свързани помежду си. Също
така електролитните кондензатори не се свързват производно,
а съобразно означенията плюс и минус. В противен случай те
могат да се повредят.
Много често поради липса на място в схемите, стойностите
на кондензаторите и съпротивленията се означават съкратено.
В тази книга са използувани следните съкращения:
С-50 — кондензатор с капацитет 50 пф\
С-500 — кондензатор с капацитет 500 пф\
88
C-ln — (или C-lx) — кондензатор с капацитет 1000 пф
(един нанофарад);
С-5п — (или С-5х) — кондензатор с капацитет 5 000 пф
(пет нанофарада);
С-20п — (или С-20х) — кондензатор с капацитет 20000 пф\
С-9,1 — кондензатор с капацитет 0,1 микрофарада;
С-5,0 — електролитен кондензатор с капацитет 5 микрофарада;
С-10,0 — електролитен кондензатор с капацитет 10 микрофарада;
R-27 — съпротивление 27 ома;
R-510 — съпротивление 510 ома;
R-1,2k — съпротивление 1 200 ома;
R-ЗОк — съпротивление 30 килоома;
R-0,1 — съпротивление 100 килоома;
R-1,0 — съпротивление 1 мегаом.
89
Много радиолюбители се интересуват, до каква степей
съпротивленията и кондензаторите, които те ще употребят,
могат да се различават от стой-
ностите, означени в схемата. По
принцип стойностите на съпроти-
вленията и кондензаторите могат
да се отличават от посочените
в схемата с 15—29%. Така на-
пример ако в схемата е озна-
чено С-680 пф, ние можем да
употребим кондензатор с капаци-
тет 600 или 800 пф. Ако дадено
съпротивление има стойност 30
ком, ние можем да употребим
съпротивление със стойност 27
ком. Когато, обаче, две съпро-
тивления образуват делител, в
средата на който е свързана
базата (виж схема № 16), тех-
ните стойности трябва да се
спазват строго-, защото в проти-
вен случай ще променим режима
на транзистора.
В никои схеми съпротивле-
нията, които свързват базата на
транзисторите с минуса на бате-
рията, са означени със звездичка
(например и в схема № 4).
Това означава, че стойностите
на тези съпротивления трябва
да се подберат опитно, защото
от тях зависи да се избере пра-
вилен режим на работа с тран-
зистора. Например в схема № 10
съпротивлението, което съеди-
нява базата на втория транзи-
стор с минуса на батерията има
стойност 47 ком. Добре ще
бъде, след като приемникът за-
почне да работи, да опитаме по-
големи (например 56 ком) или
по-малки (30 ком) стойности.
Именно чрез такива опити се
90
подбира такава стойност на съпротивлението, при което прием-
никът работи най-добре.
Добрият радиолюбител трябва да знае ролята на всяка ра-
диочаст и да е наясно какви токове и напрежения съществу-
ват във веригата на транзисторния приемник. В противен слу-
чай ние само ще запойваме отделните детайли, без да разби-
раме тяхното предназначение и при повреда ще изпаднем в
безизходно положение.
За улеснение на начеващите радиолюбители ще направим
кратък анализ на схема № 4 (вж. схемите в края на книгата).
Приемникът работи с външна антена, която е свързана с
трептящия кръг Lx С2 чрез антенния кондензатор Антената
би могла да се свърже направо с трептящия кръг, но в такъв
случай качествата на кръга ще се влошат. Всяка външна ан-
тена може да се разглежда като генератор на високочестотни
трептения. Както всеки генератор, така и антената притежава
собствен капацитет (около 200 пф) собствена индуктивност
(около 200 мкхн) и собствено активно съпротивление — около
25 ома. Когато антената е свързана направо с кръга, тя внася
в него допълнително активно съпротивление, което се прибавя
към активного съпротивление на трептящия кръг. Резултатът
е такъв, че качественият фактор на кръга намалява, резонанс-
ната му крива се притъпява и избирателността му (отделя-
нето на станциите) се влошава. Изчисленията показват, че този
кондензатор трябва да има стойност 5—100 пф, за да имаме
добро приемане.
Трептящият кръг LXC% може да се настройва на определена
радиостанция чрез променливия кондензатор С2. Кръгът трябва
да има висок качествен фактор — напр. 80—120. За да се по-
лучи такъв качествен фактор, активного съпротивление на
кръга трябва да е минимално (2—10 ома). Тук трябва да под-
чертаем, че под активно съпротивление се разбира омическото
съпротивление на бобината плюс загуби на токове на Фуко,
загуби в диелектрика на кондензатора и др. Следователно
върху доброкачествеността на трептящия кръг влияят много
фактори.
Когато кръгът е настроен в резонанс с трептенията на
определена радиостанция, в него започва да тече значителен
кръгов ток само от тази радиостанция (фиг. 74-а), а токовете,
породени от останалите станции, са хиляди пъти по-слаби.
Кръговият ток е толкова по-силен, колкото качественият фак-
тор на кръга е по-висок. Така например, ако кръгът има ка-
чествен фактор Q=100, токът, който тече в кръга, ще е 100
91
пъти по-силен отколкото токът, който тече от антената към
кръга. Кръговият ток е високочестотен и има същата че-
стота на приеманата радиостанция. По такъв начин около бо-
бината Lx се създава променливо електромагнитно поле, което
действува на бобината и индуцира в нея високочестотно
напрежение (фиг. 74-5). Диодът Д пропуска само в една по-
Фиг. 74
сока токовете с висока честота, а кондезаторът С3 „заглажда“
върховете на трептенията и в краищата на се получават
нискочестотни трептения. За да разберем това по-добре,
нека разгледаме случая по-подробно.
На фиг. 75-а е показан случаят, когато липсва диодът Д и
кондензаторът С8. По ординатната ос нанесено напрежението
t/изх, което се получава в краищата на съпротивлението /?г, а
по абцисата е нанесено времето. Виждаме, че при липса на
диод и кондензатор, изходното напрежение е високочестотно
модулирано.
Нека сега поставим диода Д, който пропуска тока само в
една посока. Напрежението на изхода е показано на фиг. 75-5.
Това са високочестотни импулси с различии амплитуди. Ако
паралелно на свържем кондензатора С3, той „заглажда"
върховете на импулсите и се получава напрежение, което се
състои от една постояннотокова съставна и променлива със-
тавна с ниска честота (фиг. 75-я). След поставянето на разде-
лителния кондензатор С4, изходно напрежение (което ще дей-
ствува на базата на транзистора), е променливо напрежение с
ниска честота (фиг. 75-г).
Нека сега разгледаме какви токове и напрежения същест-
вуват в транзисторите, когато на базата на първия транзи-
стор 1\ не действува нискочестотно напрежение.
92
В този случай в базисната верига на 7\ тече само постоя-
нен базисен ток на покой /бп> чиято сила се определи от стой-
ността на базисного съпротивление /?2 (Фиг- 76-п). Обикновено
Фиг. 75
този ток е твърде слаб и може да се измери с много чувст-
вителен уред. Ако транзисторът 7\ е /714, силата на този ток
е около 50 мка,
Както вече знаем, слабият базисен ток „отпушва“ колек-
торната верига и в нея протича значителен колекторен ток на
покой /Кп (фиг. 76-6). В нашия случай този ток е около 1 ма,
93
т. е. той е около 20 пъти по-силен от базисния ток на покой.
И наистина, ако разгърнем справочниците, ще видим, че трач-
зисторът /714 има коефициент на усилване по ток при зазе-
мен емитер р = 20. Колекторният ток протича през товарното
съпротивление /?8 и върху него се образува падение на напре-
жението. В нашия случай това падение е около 2,2 волта, за-
щото по закона на Ом: U = I.R = 0,001 .2200 = 2,2 в, Следо-
вателно върху колектора не действува напрежението на бате-
рията 4,5 в, а напрежение: 4,5—2,2 — 2,3 волта. Кондензаторът
Сб (виж схема № 4) не пропуска постоянен ток към базата на
Фиг 76
транзистора Т2 обаче в базисната му верига протича базисен
ток на покой /бП> чиято стойност се определи изключително от
големината на съпротивлението /?4. В нашия случай началният
базисен ток на втория транзистор е около 150 мка. Тази стой-
ност се намира лесно, като се приложи законът на Ом: / =
U:R = 4,5:27 000 = 0,00015 а = 150 мка. Слабият базисен ток
„отпушва" колекторната верига на транзистора Т2 и в нея
протича (3-пъти по силен ток. За транзистора П 14 колектор-
ният ток на покой /кп ще е около 3 ма, защото: /кп = 0
/бп = 20.0,00015 = 0,003 а = 3 ма.
Съпротивлението /?- служи за температурив стабилизация
на работната точка на транзистора Г2. Неговата роля беше из-
яснена в разделите „Работна точка на транзистора" (фиг. 47)
и „Как да проверим дали са изправни диодите и транзисто-
рите". Тук само ще добавим, че в нашия случай съпротивле-
нието /?б не е шунтирано с кондензатор и следователно имаме
отрицателна обратна връзка както на постоянната, така и
на променливата съставна на тока. На първия транзистор
такава отрицателна обратна връзка за температурната ста-
билизация не е приложена, защото при него токовете са
94
по-слаби и съответните температурим изменения са по-малки.
В простите радиолюбителей конструкции температурната
стабилизация не е строго необходима и в повечето от схемите
тя липсва.
Сега нека разгледаме какви токове ще текат в транзисто-
рите, когато между базата и емитера на 1\ действува н и с -
кочестотно напрежение.
Ние вече изяснихме (фиг. 75), че в краищата на съпротив-
лението Rx се получава постоянна съставяща на напрежението
с ниска честота. Кондензаторът С4 (съображенията за избора
на неговия капацитет са изяснени в раздела: „Електролитни
кондензатори* — фиг. 59) прегражда пътя на постоянната
съставяща и на базата на 7\ действува само нискочестотното
напрежение, което поражда базисната верига про-
менлив ток с ниска честота. Следователно в базисната
верига на 7\ текат едновременно два тока: постоянен ток
(на фиг. 77, отбелязан с прави стрелки) и променлив ток (на
същата фигура, отбелязан с вълнообразни стрелки). Както
вече знаем, базисният ток „поражда" в колекторната верига
ток, който има същия характер, но е (}-пъти по-силен. Следо-
вателно в колекторната верига на 7\ също протичат два тока:
постоянен и променлив. Тези два тока (фиг. 77) създават в
съпротивлението /?3 (точката „а") две напрежения: постоянно
напрежение и променливо напрежение с ниска честота. Посто-
янного напрежение е блокирано от кондезатора Сб, а промен-
ливото напрежение създава в базисната верига на транзистора
Т2 променлив ток. Следователно и в базисната верига на Га
95
тече както постоянен, така и променлив ток (фиг. 77). Подобии
токове, но р-пъти по-силни текат в колекторната верига на
и минават през високоговорителя, като променливият ток е
този, който създава звука. Ако високоговорителят има изходен
трансформатор, през първичната му намотка текат постоянен
и променлив ток, а във вторичната се индуцира само про-
менлив ток.
ГРАФИЧНИ
ХАРАКТЕРИСТИКИ НА ТРАНЗИСТОРИТЕ
Радиолюбителите, които имат значителен опит в транзи-
сторната техника, твърде често трябва да ползуват графичните
характеристики на транзисторите. Ето защо ние съвсем на-
кратко ще разгледаме какво представляват някои Jot графич-
ните характеристики на транзисторите и как те се използуват
в практиката.
На фиг. 78 са показани схематично токовете и напреже-
нията в транзистора при схема с общ емитер. Тези шест ве-
личини не могат да имат производна
стойност, а са свързани помежду си.
Така например колекторният ток /к за-
виси от напрежението £7ке между
емитера и колектора. Същият този
колекторен ток силно се влияе от
базисния ток /б и това, както видях-
ме, е една от най-важните особености
на транзистора.
Изчислението режима на транзи-
сторите може да стане с помощта
на формули, таблици и графики. Тук
ние съвсем накратко ще разгледаме
Фиг. 78 това изчисление с помощта на гра-
фичните характеристики.
За нас най-голям интерес представляват следните графични
характеристики:
— Зависимостта на базисния ток /б от входното напреже-
ние t/бе (вход на характеристика).
— Зависимостта на колекторния ток /к от напрежението
между емитера и колектора (изходна характеристика).
Съществуват и други характеристики на транзисторите (ха-
рактеристики на право и обратно предаване), но ние тук няма
да ги разглеждаме.
96
Понеже графичните характеристики биват статически и ди-
намически, трябва да припомним разликата между статичния и
динамичния режим на транзисторите.
При статичния режим в колекторната верига липсва то-
варно съпротивление (фиг. 79-а). Когато генераторът Ег работи,
колекторният ток /к става ту по-силен, ту по-слаб, но напре-
жението, приложено на колектора, не се про-
мен я и остава равно на напрежението на батерията.
При динамичния режим в колекторната верига е включено
товарно съпротивление /?т. Когато генераторът Ег работи, ко-
лекторният ток става ту по-силен, ту по-слаб и върху товар-
ното съпротивление се получава падение на напрежението.
Вследствие на това, напрежението на колектора е равно на на-
прежението на батерията минус падението в товарното съпро-
Фиг. 79
тивление. Оттук следва, че когато колекторният ток
е най-силен, падението върху /?те най-голямои
напрежението върху колектора енай-ниско. Ко-
гато колекторната верига е „запушена", през /?т не тече ток,
нямаме падение на напрежението и върху колектора действува
напрежение, равно на това на батерията.
В реалните радиоприемници транзисторите работят в дина-
мичен режим и въз основа на него трябва да се правят начи-
сления. Но тук възниква въпросът: „Зато тогава се разглежда
статичният режим, том като той е един несъществуващ в
практиката случай?"
В справочниците се дават статичните параметри и статич-
ните графични характеристики на транзисторите. Те характери-
7 Транзисторни приемници
97
зират свойствата на даден тип транзистор (и по-точно токовете
и напреженията в него) при липса на товарно съпротивление.
А динамичните характеристики зависят от това, какво товарно
съпротивление сме избрали. Но товарного съпротивление може
да бъде 2 к, 3 к, 4 к и т. н. и за всяка една от тези стойности
динамичната характеристика ще има различно положение, по-
ради което не се дава в справочниците.
ВХОДНИ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Както вече се спомена, статичните входни характеристики
при схема с общ емитер дават зависимостта на базисния ток
/б от напрежението между базата и емитера С4е при посто-
янна стойност на напрежението колектор-емитер UKe. На
фиг. 80-а е дадена схемата, с помощта на която се снемат
а)
Фиг. 80
входните статични характеристики. Виждаме, че напрежението
(7Ке остава постоянно (в случая — 1,5 волта), а с помощта на
/? се подават различии напрежения на входа, които се из-
мерват с миливолтметър м V. С помощта на милиамперметъра
мА се отчита съответният базисен ток /6. На фиг. 80-6 е на-
чертана статичната входна характеристика на транзистора П 13,
снета при напрежение UM = —1,5 в.
Най-важната особеност на тази характеристика е това, че
тя не е права линия, т. е. входната верига на транзистора не
се подчинява на закона на Ом. Входното съпротивле-
ние на транзистора не е постоянна величина, а
намалява с увеличаването на U^. Ако в базисната верига дей-
ствува генератор със синусоидална електродвижеща сила, то-
кът, който той ще породи във веригата, няма да е синусои-
98
дален и следователно ще се получат големи изкривявания
(фиг. 81). Изчисленията показват, че изкривяванията са
толкова по-малки, колкото вътрешното съпро-
тивление на генератора е по-голямо. Този извод има голямо
значение за практиката, което се заключава в следното. Ако.
съгласуваме две транзисторни стъпала, т. е. направим изход-
ното съпротивление на първото да е равно на входното съпро-
тивление на второто, ще имаме максимално прехвърляне на
мощност. Но в същото време изкривяванията ще бъдат далеч
над допустимите и за да се намалят последните, необходимо
е да нямаме пълно съгласуване. На практика изходното съпро-
тивление на първото стъпало се прави 5—15 пъти по-голямо
от входното съпротивление на второто стъпало. В този случай
прехвърянето на енергия не е много благоприятно, но изкри-
вяванията са в границите на допустимото. Въз основа на тази
особеност, когато две транзисторни стъпала се съгласуват чрез
трансформатор, за коефициента на трансформацията се изпол-
зува формулата:
п
начин съгласуването малко се нару-
в колекторната
ьИЗХ Т)тр
^?вх
но след това коефициентът п се избира по-малък от изчисле-
ната стойност. По такъв
шава, но за сметка на
това се намаляват както
нелинейните изкривява-
ния, така и индуктивно-
стта на първичната на-
мотка, което води до
намаляване размерите на
трансформатора.
Начертаната на фиг.
80-tf входна характери-
стика е с т а т и ч и а, за-
щото е снета при по-
стоянно напрежение на
колектора. За да снемем
и начертаем входната
динамична характе-
ристика на транзистора,
необходимо е в схемата
на фиг. 80-а да поста-
вим товарно съпротивление
стора със стойност 2—3 ком. Опитът показва, че така полу-
верига на транзи-
99
чената входна динамична характеристика е съвсем малко от-
местена надясно от статистичната характеристика. Ето зато
за практически изчисления входната статистична характери-
стика снета при напрежение UKe — —1,5 й, може да се по л-
зува като входна динамична характеристика на
транзистора в схема с общ емитер.
ИЗХОДНИ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Те изразяват графически зависимостта на колекторния ток
/к от колекторното напрежение £7ке при различии стойности
на базисния ток /б. При вход ните характеристики установихме,
че те не се отличават
много една от друга,
когато изменяме напре-
жението Z7Ke и затова на
фиг. 80-tf е начертана
само една характеристи-
ка. При изходните ха-
рактеристики отмества-
Фиг. 82 нето при различии стой-
ности на А е значител-
но и затова се получава семейство статични изходни харак-
теристики. За да получим тези характеристики, можем да изпол-
зуваме схемата, дадена
на фиг. 82. В базисната
верига с помощта на
можем да пускаме раз-
лично силни токове,
които измерваме с мили-
амперметъра мАх. Чрез
потенциометъра мо-
жем да подаваме на ко-
. ' лектора различии напре-
' ___________________^=о жения, които измерваме
i -г -3 -4 с волтметъра V,& чрез
' ’ милиамперметъра , лМя
можем да отчитаме ко-
фиг- 83 лекторния ток /к.
Първи опит. Съ-
противлението 7?! правим
толкова голямо, че в базисната верига да не тече никакъв ток,
т. е. /б = 0. Чрез потенциометъра /?я подаваме на колектора
100
различии напрежения UeK = 0, 1, 2, 3... 10 в и при всяко едно
от тези напрежения отчитаме какъв е колекторният ток 1К.
Установяваме, че колекторният ток е много слаб и при увели-
чаване на колекторного напрежение от 0 до 10 волта нараства
съвсем малко. Този резултат можем да нанесем в таблица
(фиг. 83-а) и получените данни да представляват точки от коор-
диыатната система като по абцисата нанасяме колекторното
напрежение, а по ордината-
та — колекторния ток (фиг.
83-6). Ако съединим тези
точки една с друга, полу-
чаваме линия, която се
нарича изходна харак-
теристика при нулев
базисен ток (фиг. 83-е).
Втори опит. Чрез
съпротивлението пра-
вим точка в базисната верига
циометъра подаваме на
t/eK — 0, 1, 2, 3 ... 10 е, и от1
Фиг. 84
/б — 0,1 ма. С помощта на потен-
колектора различии напрежения
итаме колекторния ток /к за всяко
едно от тези напрежения.
Установяваме, че колектор-
ният ток е нараснал, но
почти не се влияе от С/ке.
Тук също можем да нане-
сем данните в таблица, да
построим съответните точ-
и и сле,д като ги съединим
да получим изходната
характеристика при
базисен ток /б =0,1 ма
(фиг. 84).
По същия начин можем
да продължим нашите опи-
ти, като всеки опит се из-
вършва при постоянен ба-
зисен ток — напр. /б = 0,2, Фиг 85
0,3, 0,4... 0,8 ма. Така ние
получаваме цяло семейство от изходни характеристики. На
фиг. 85 са дадени изходните статични характеристики на тран-
зистора П 13, като всяка една от тях се отнася за определен
базисен ток. С помощта на тези характеристики могат да се
пресмятат всички токове и напрежения в транзистора, когато
101
той се намира в статичен режим, т. е. когато липсва товарно
съпротивление в колекторната верига. Нека вземем един пример,
който ще ни илюстрира казаното.
Пример: В схема, дадена на фиг. 82 напрежението на колектора да е
11ке = —4,5 в, а базисният ток да е. 1б =0,2 ма. Да се намери колекторният
ток к . Задачата решаваме лссно, като по абцисата >ърсим точка Une ~ —4,5 в
и от нея издигаме перпендикуляр, докато пресечем характеристиката 1=0,2 ма.
Така наричаме точката А (виж фиг. 85), която се нарича работна точка
на транзистора. През нея прекарваме хоризонтална права и виждаме,
че тя отсича от ординатната ос стойност 1б 5 ма. Следователно в колектор-
ната верига тече ток 5 ма.
Горният пример се отнася за случая, когато базисният ток
не е променлив и работната точка е неподвижна. Обаче ако
базисният ток е променлив (напр. синусоидален), то и колек-
торният ток ще е променлив и работната точка няма да е не-
подвижна, а периодически ще се мести в полето на характери-
стиките и ще описва една линия, която представлява именно
динамичната характеристика. Така например за схемата, да-
дена на фиг. 79-а, базисният ток е променлив, колекторният
ток също е променлив, но колекторното напрежение остава по-
стоянно, защото липсва товарно съпротивление.
Пример. В схемата, дадена на фиг. 79-я, захранващият токоизточник
има напрежение £=9 в, базисною съпротивление има стойност Re = 30 ком,
а генераторът поражда в базисната верига синусоидален ток с амплитуда
1бм =0,2 ма. Каква ще бъде амплитудата на колекторния ток, ако употребе-
ният транзистор е П 13.
Работната точка в положение на покой се определи от ко-
лекторното напрежение (което поради липса на товарно съпро-
тивление е равно на напрежението на батерията UKt — E~— 9 в)
и от базисния ток на покой — в случая
Е 9
/бп = -^~“ = “3000б-:=()’3 Ма-
За да намерим тази работна точка търсим по абсцисата точка
(7кев —9 ей от нея издигаме перпендикуляр, докато пресе-
чем характеристиката /б = 0,3 ма (фиг. 86). Така намираме ра-
ботната точка А в състояние на покой, на която съответствува
колекторен ток на покой /кп^ 8 ма. Но генераторът създава
в базисната верига променлив ток, чийто амплитуди ту се из-
важдат, ту се събират с базисния ток на покой. С други думи
най-слабият базисен ток ще бъде: Amin = /бп — /бт = 0,3 —
0,2 = 0,1 ма. а най-силният базисен ток ще бъде: /бтах = /б<1 +
-|-/6т = 0,3-(-0,2=0,5 ма. За да намерим положението на
работната точка при най-слабия и най-силния базисен ток, слу-
102
жим си със същия перпендикуляр издигнат от £/ке=—9*
(защото липсва товарно съпротивление и t/Ke не се променя) и
търсим къде той пресича характеристиките /6 = 0,1 ма и =
0,5 ма. Така намираме точките Ах и А2, през които ако прека-
раме хоризонтални прави, ще намерим минималната стойност
на колекторния ток /Kmin = 3 ма и максималната стойност на
колекторния ток /ктах = 13 ма. От същия чертеж се вижда,
че амплитудата на колекторния ток е 5 ма. Следователно по
време на работа, работната точка се мести периодически от Aj
до А2. В този случай линията АхААа представлява динамична
характеристика, която при липса на товарно съпротивление (по-
точно /?т=0) представлява вертикална права, минаваща през
точката U^ — E.
От фиг. 86 можем да намерим коефициента на усилване по
ток. Амплитудата на базисния ток е Ат = 0,2 ма, а амплиту-
дата на колекторния ток е /Кш = 5 ма. Тогава за коефициента
на усилване по ток ще имаме:
Н = 5 = 25.
Р /6т 0,2
Сега нека разгледаме как се построява динамичната харак-
теристика, когато в колекторната верига на транзистора е вклю-
чено товарно съпротивление /?т, което е чисто омическо,
т. е. не е ни го индуктивно, ни го капацитивно.
103
Пример. В схемата, дадена на фиг. 74 6, захранващият токоибточник
има напрежение Е = 9 в, базисното съпротивлание Re = 30 ком, а
генераторът поражда в бааисната верига синусоидален ток с амплитуда
1бм = 0,2 ма. В колекторна верига е включено товарно съпротивление
Rt == 750 ом Каква ще бъде амплитудата на колекторния ток и ампли-
тудата на колекторното напрежение, ако транзисторът е П13 ?
За решаването на задачата трябва да ползуваме семей-
ството изходни статични характеристики на транзистора, върху
които да начертаем динамичната изходна характеристика, която
в случая се нарича товарна права.
От геометрията знаем, че за построяването на една права
са необходими две точки. Едната точка т лежи на абсцисата
(фиг. 87) и е равна на напрежението на токоизточника UM = Е
Фин 87
= — 9 в. Физикално тя съответствува на случая, когато колек-
торният преход е „запушен*, колекторният ток е ну ла и па-
дение върху /?т нямаме, а напрежението на колектора е равно
на това на батерията. Втората точка п (фиг. 87) лежи на орди-
натата и се намира по закона на Ом:
104
Е 9
/к = -^ = -|7Г = 0,12а»12 ма.
/\т »О"
Тази точка съответствува на случая, когато колекторният пре-
ход е напълно „отпущен*, колекторното напрежение е нула, а
колекторният ток се определи по закона на Ом от напреже-
нието на батерията и товарното съпротивление.
При така намерените точки т и п прекарваме права линия,
която представлява изходната динамична характери-
стика или товарната права на транзистора. С нейна
помощ могат да се определят всички токове, напрежения и
мощности в транзистора и поради това тя се използува наши-
роко от радиоконструкторите.
За да намерим работната точка в покой Л, определяме
базисния ток на покой:
Е 9
^я = п^“^7Г7чп7Г = О,ОООЗа = О,3 ма.
/\б OU UUU
След това търсим къде товарната права пресича характеристиката
/б = 0,3 ма и така намираме точката А. Ако през нея прекараме
хоризонтална права, намираме колекторния ток на покой /кп=7 ма.
Ако пък прекараме вертикална права, намираме колекторното
напрежение на покой UKen = — 4 в. Но генераторът създава в
базисната верига променлив ток (вж фиг. 79-6), чиито амплитуди
/бы ту се събират, ту се изваждат от базисния ток на покой.
Най-силният базисен ток ще е Лт»х = /бп-|-/бм=0,3-f~ 0,2 = 0,5 ма,
а най-слабият Zemin = /бп — /бм=0,3 — 0,2 = 0,1 ма.
По време на работа работната точка се мести и за да на-
мерим нейното положение при най-силен базисен ток, търсим
пресечената точка на товарната права с характеристика /б = 0,5 ма
и така получаваме точка Аа. Ако през нея прекараме хориэон-
тална права, получаваме максималния колекторен /ктах — 11 ма.
Ако през Аа прекахаме вертикална права, намираме минимал-
ннто колекторно напрежение £/Kmin = — 1 в.
За да намерим положението на работната точка при най-
слаб базисен ток, търсим пресечната точка на товарната права
с характеристика /б=0,1 ма и така намираме Ах. Ако прека-
раме през нея хоризонтална права, получаваме минималния ко-
лекторен ток /ктах = 3 ма. Ако през Аг прекараме вертикална
права, намираме максималното колекторно напрежение 4/кетхх
= —7 в.
По време на работа работната точка А се мести периоди-
чески от Ai до Ая и правата АгААа представлява работник
участък на товарната права.
105
Сега да намерим коефициента на усилване по ток в дина-
мичен режим. От фиг. 87 се вижда, че амплитудата на базисния
ток е /бм = 0,2 ма. Тогава за динамичния коефициент на усил-
ване по ток ще имаме:
о _____________________ ^км __
Рдии - л п — tv.
6м Ц-
Внимателният читател сигурно е забелязал, че в по-горния
пример за коефициента 0 получихме стойност 25, а сега полу-
чаваме 20. Това е съвсем естествено, защото в първия случай
транзисторът се намира в статичен режим, а във втория — в
динамичен. Напомняме още веднаж, че статичният коефициент,
който се дава в справочниците, характеризира усилвателните
качества на самия транзистор, докато динамичният ха-
рактеризира усилвателните качества на стъпалото. Изчис-
ленията показват, че динамичният коефициент на усилване по
ток е винаги по-малък от статичния и стойността му за-
виси от режима (напрежение на батерията, работна точка,
товарно съпротивление и др.), при който работи транзисторът.
Ако режимът не е избран правилно, може използуваният тран-
зистор да има 0 = 100, а усилването на стъпалото да е нищожно.
Тази особеност е много важна и трябва да се запомни добре.
Фигура 87 ни показва и колебанията на колекторното на-
прежение, което при покой има стойност UKen = — 4 в, а по
време на работа се колебае от — 1 до — 7 в, т. е. има ампли-
туда £/км = 3 в.
Но „удобствата", които ни предлагат графичните характе-
ристики, не свършват само с това. От фиг. 87 можем да опре-
делим постояннотоковата мощност, която се черпи
от батерията. За тази мощност имаме:
Ро = £./„,, = 9.0,007 = 0,063 вт — 63 мат
Също така можем да изчислим променливотоковата
мощност, която транзисторът отдава на товарното съпро-
тивление (полезната мощност):
L> ^км ^КМ __________ (-/км /км
V2 ' Г2 ~ 2
=—— = 0,006 в/п = 6 мет
Другата част от постояннотоковата мощност на батерията се
превръща в топлина и загрява както колектора, така и товар-
ното съпротивление. Мощността, която се разсейва върху ко-
лектора (загрява го), в режим на покой се намира от:
Рк = £/«• • /ка — 4.0,007 — 0,028 вт = 20 мет
104
По-рано беше споменато, че един от основните недостатъцй
на транзисторите е силното влияние на свойствата им от тем-
пературата. Мощността, която се отдели върху колектора, се
превръща в топлина и се получава загряване на целия транзистор,
който от своя страна отдава тази топлина на околния въздух.
За тази цел при мощните транзистори не базата, а колекторът
е свързан с корпуса на целия транзистор. Дори в някои случаи
транзисторът се прикрепва плътно към металическа плоскост
— радиатор, която улеснява топлоотдаването. Но какво ще
стане, ако загряването на транзистора е по-силно от неговото
охлаждане ? В този случай температурата му ще се повиши над
допустимте граници и транзисторът ще се повреди. За да не се
получи това нежелано явление, транзисторът не бива да се
претоварва и в справочниците се дава максималната мощ-
ност, която може да разсее (излъчи в околното про-
странство) колекторът му. Така напримар за транзистора П 13
намираме, че максималната мощност, която може да се разсее
от колектора е PKmax=I50 мет. Това е максимално допусти-
мата мощност, която в никой случай не бива да се надвишава.
В режим на покой при усилване клас Л, нагряването на
транзистора е по-силно, отколкото в колебателен режим, защото
в първия случай цялата правотокова мощност на батерията се
изразходва за загряване на колектора и на товарното съпро-
тивление, а във втория случай същата правотоковата мощност
отива за загряване на колектора, загряване на товарното съ-
противление и променливо-
токова мощност в товар-
ното съпротивление. Или
казано накратко, в колеба-
телен режим мощността,
разсеяна на колектора, се
намалява за сметка на про-
менливотоковата мощност
в товара. Следователно в
термично отношение най-
напрегнат за транзистора е
режимът на покой (отнася
се за усилватели, работещи
в клас ИЛ“). Това значи, че
работната точка А трябва
Фиг. 88
да се избира така, че мощността, отделяна на колектора при
покой, да е по-малка от величината PKinAx, която се дава в
справочниците.
107
Место пъти върху изходните статични характеристики, които
се дават в справочниците, е начертана с пунктирана линия една
парабола на максималнодопустимата разсеяна
м о щ н о ст (фиг. 88). За да не се прегрява транзисторът, ра-
ботната точка трябва да се намира винаги надолу и наляво от
параболата (точка 1 на фигурата) или в краен случай да лежи
върху нея (точка 2). Ако работната точка лежи нагоре и на-
дясно от параболата (точка 3), транзисторът ще се прегрява
и може да се повреди.
Но повреждането на транзистора може да стане и при
надвишаване максималнодопустимото напрежение на колектора,
а също и при надвишаване максималнодопустимия ток на
колектора. За транзистора П13 в справочниците е дадено,
че максималното допустимо напрежение на колектора е
— — 20 в, а максималнодопустимият ток на колектора е
/кш»х = 20 ма. Следователно работната точка трябва да се
избира така, че по време на работа тези стойности да не се
надвишават. Така например точка 4 (фиг. 88) е избрана наляро
от параболата и разсеяната мощност на колектора в режим на
покой е:
/жп= 4.0,024 = 0,096 лп = 96 мет,
която стойност е по-малка от максималнодопустимата за тран-
зистора П 13. Това може да ни заблуди, че работната точка 4 е
избрана правилно. Обаче в този случай колекторният ток на
покой е 24 ма, т. е. надвишава максимално допустимия ток за
транзистора П 13. Ето защо на фиг. 88 са прекарани две пунк-
тирани прави и Са, които съответствуват на максималнодо-
пустимия колекторен ток и на максималнодопустимото напре-
жение за транзистора П13. По такъв начин работната точка
може да се избира само в областта, ограничена от
параболата и тези две прави.
Много често режимът на транзистора се избира такъв, че
от него да получим максимална променлива мощност. Във връзка
с това нека изясним една особеност. В радиоприемната техника
е важно не понятието „максимална мощност, получена от тран-
зистора*, а понятието „максимална неизкривена мощност, полу-
чена от транзистора*. Това означава, че ако не обръщаме вни-
мание на изкривяванията, от транзистора може да се получи
значителна мощност, стига той да не се повреди. Но за нас е
важна онази максимална мощност, при която изкривяванията на
сигнала са малки и не дразнят ухото. Ето защо, когато се
стремим да получим от транзистора максимална мощност, трябва
да внимаваме да не се получат големи изкриявания на сигнала.
108
От всичко казано дотук става ясно, че изборът на работна
точка е от голямо значение за работата на транзистора. При
усилвателите на мощност, работещи в клас „А“, работната
точка трябва да се избира въз основа на следните по-важни
съображения:
— да бъде в средата на работния участък на товарната
права;
— при максимален входен сигнал, моментните стойности
на колекторния ток и колекторното напрежение да не достигат
нито до нулата нито да надвишават максимално допустимите
им стойности;
— товарната права да се намира наляво и надолу от пара-
болата на максимално допустимата мощност. При някои случаи
товарната права може да тангира параболата.
ОСОБЕНОСТИ НА ТРАНЗИСТОРНИТЕСТЪПАЛА
Знаем,че всеки линеен радиоприемник се състои от няколко
стъпала: входно устройство, усилвател на висока честота, де-
тектор, предусилвател и крайно стъпало. Всяко стъпало си
има характерни особености, произтичащи както от неговото
назначение, така и от свойствата на изполэваните транзистори
и диоди. В този раздел ще бъдат разгледани тези особености,
които са свързани с конструирането на линейни любителски
транзисторни приемници.
Входно устройство с феритна антена. Назначе-
нието на входното устройство в линейните приемници е да им
осигури необходимата избирателност. Това означава, че то
трябва да притежава резонансни свойства, които на практика
се постигат чрез използуването на трептящ кръг, състоящ се
от променлив кондензатор Ск и бобина LK, навита върху фе-
ритната пръчка. В този случай феритната пръчка служи не само
като ВЧ сърцевина, но и като антена, концентрираща силовите
магнитни линии на предавателите през бобината (виж фиг. 57).
Освен трептящия кръг, към входното устройство спадат и
някои свързващи елементи, които служат да предадат високо-
честотната енергия от кръга към следващото стъпало.
На фиг. 89-а е показана схема на входно устройство, със-
тоящо се от трептящия кръг LK Ск, свързващата бобина Lcri и
и кондензатора Cv Когато чрез Ск настроим кръга в резонанс
с честотата на даден предавател, в кръга. започва да тече срав-
нително силен висоцочестотен ток. Около £„ се образува про-
менливо магнитно поле, което въздействува на £с, и поражда в
109
нея високочестотно електродвижещо напрежение. В резултат на
последното, във веригата от £св, С{ и прехода емитер-база за-
почва да тече променлив високочестотен ток, отбелязан на
фиг. 89-а с вълнообразна линия. Независимо от това през пре-
хода емитер-база протича начален базисен ток, отбелязан със
стрелки. От взаимодействието на началния базисен ток /'«п
(фиг. 89-6) и високочестотния ток /ВЧ4 (фиг. 89-е), през прехода
започва да тече пулсиращ високочестотен ток 1б (фиг. 89-г),
който поражда аналогичен по форма, но р-пъти по-силен ко-
лекторен ток (фиг. 89-6). Кондензаторът ц служи да прегради
пътя на постоянния начален базисен ток. И наистина ако този
кондензатор липсваше, базата теше да бъде дадена накъсо
към общия плюс посредством £св, чието съпротивление е части
от Ома. Стойността на се избира такава (напр. 1000—
10 000 пф), че сравнително лес но да пропуска високочестотния ток.
Кръговата бобина LK се навива най-често от литцендрат
или емайлиран проводник с диаметър 0,20—0,40 мм. Искаме
да припомним, че качествата на трептящця кръг зависят из-
ключително от качествата на бобината,която трябва да има ми-
110
нималии загуби. В това отношение литцендрата (напр. 20 X
X *Х05 или 16 X 0,07) дава по-добри резултати. За начинаешите
радиолюбители нека изясним, че първото означава броя на жич-
ките, а второто — диаметъра на всяка една от тях. На фиг-90-д
е показана примерна резонансна характеристика на, трептяш
кръг, чиято бобина е навита с литцендрат. Отсечката 1 изра-
зява силата, с която се приема желаната радиостанция, а от-
сечката 2 — силата с която се приема съседната радиостанция
в същия момент т. е. без да изменяме капацитета на промен-
ливия кондензатор. На фиг. 90-6 о показана резонансната ха-
рактеристика на същия трептящ кръг, обаче бобината е навита
с обикновен проводник. От големината на отсечките Г и 2' виж-
даме, че съотношението между силата на приемането на двете
станции се е влошило, т. е. избирателността на кръга е нама-
ляла. Броят на навивките на LK за даден обхват - напр.
средновълновия — зависи както от вида и размерите на фе-
ритната антена, така и от максималния капацитет на промен-
ливия кондензатор. За средновълновия обхват ние препоръч-
ваме следните ориентировъчни данни, при дължина на анте-
ната 100 мм: 40 навивки при макс, капацитет на кондензатора
500 пф', 50 навивки при 300 пф', 80 навивки при 150 пф. Да
се има пред вид, че индуктивността на бобината LK е най-
голяма, когато е разположена в средата на пръчката и най-
малка, когато е в края на пръчката. Тази особеност може да
111
се използувд за допълнителна настройка на кръга. Ето зато
ние препоръчваме бобината LK да се навива върху подвижно
хартиено пръстенче.
Свързващата бобина Лсв се навива от емайлиран проводник
с диаметър 0,15—0,30 мм също върху подвижно хартиено
пръстенче, с цел да може да се измени разстоянието между
LK и Лев За навиване на LCB не се употребява литцендрат, за-
щото тя не участвува в трептящ кръг и към нея не се пре-
дявяват такива високи изисквания. Броят на навивките на Лсв
представлява най-често </Ю от броя на навивките на LK .На
пръв поглед изглежда, че колкото повече навивки има LCB, тол-
кова в базисната верига ще се индуцира по-високо напрежение,
защото Лк и Лев представляват един ВЧ трансформатор. Освен
това повърхностното разглеждане на въпроса може да доведе
до заблудата, че двете бобини трябва да са навити една върху
друга, за да се намали разсейването и да се осъществи по
добро предаване на енергията. Тези разсъждения биха били
правилни, ако от входното устройство се изискваше само мак-
симално прехвърляне на енергия. В действителност, обаче, ние
искаме то да притежава и избирателност т. е. резонансни свой-
ства. Теоретичното разглеждане на въпроса показва, че треп-
тящият кръг Лк Ск и веригата Лсв и прехода емитер-база си
влияят взаимно, като втората верига „внася" в кръга омическо
съпротивление, капацитет и индуктивност. Или казано по друг
начин, в кръга настъпват такива изменения, като че ли него-
вото загубно съпротивление се е увеличило, а капацитетът и
индуктивността му са се изменили. Това влияние е толкова
по-силно, колкото двете бобини са по.близко една до друга и
колкото навивките на LCB са повече. Внесеното съпротивление
намалява качествения фактор на кръга и притъпява резонан-
сната му характеристика. На фиг. 91 -а е показаза резонансната
характеристика на кръга за случая когато Лсв съдържа 1/10
част от навивките на Лк и с намира на известно разстояние
от нея. Отсечката 1 изразява силата, с която се приема жела-
ната радиостанция, а отсечката 2 изразява силата, с която се
приема съседната радиостанция в същия момент, при условие
че интензивността на полетата и на двете станции в точката
на приемането е еднаква. Ако двете бобини съдържат еднакъв
брой навивки и са навити една върху друга (силна връзка) ре-
зонансната характеристика на кръга се влошава и е показана
на фиг. 91-6. В този случай двете радиостанции имат почти
еднаква сила и ще се чуват едновременно поради лошата^ се-
лективност на кръга. Тук искаме да добавим, че колкото вход-
112
ното ^съпротивление на транзистора е по-малко спрямо резо-
нансного съпротивление на кръга, толкова £Св трабва да съ-
държа по-малък брой навивки спрямо LK (виж раздела „На-
числение на входното устройство44). Поради това в никои слу-
чаи Лев може да съдържа само 1—2 навивки (напр. ако тран-
зисторът работи по схема със заземена база и входното му съ-
противление е много малко).
На фиг. 92-а е показана практическа схема на входно
устройство, при което е предвидена възможност за работа и
с външна антена. След кондензатора С8 се получава усилено
високочестотно модулирано напрежение, което се подава към
следващото стъпало. Чрез подходящ избор на съпротивле-
нието се наглася режима на транзистора.
Схемата на фиг. 92-6 също така позволява да се работи и
с външна антена, като бобината £а се навива върху хартиено
пръетенче и съдържа 5—15 навивки от емайлиран проводник
с диаметър 0,15—0,30 мм. Особеното в тази схема е нали-
чие™ на съпротивлението Rv Нека обясним ролята му. Усил-
вателното стъпало на фиг. 92-6 е евързано към следващото
стъпало чрез високочестотния трансформатор £3£4, което поз-
волява много добро съгласуване и постигане на значителен
коефициент на усилване. При употреба на транзистор с го- 8
8 Транзисторни приемници
113
лямо р (напр. 100—150), коефициент на усилване по напреже-
ние на стъпалото може да нарастне до 50 и повече (докато
коеф. на усилване по напрежение на едно RC стъпало е 10—20).
При такова усилване съществуват условия за самовъзбуждане
Фиг. 92
на стъпалото, дължащо се на различии причини като: пара-
зитна обратна връзка през токозахранващата верига; пара-
зитна проводимост през токозахранващата верига; паразитна
проводимост през капацитета на прехода колектор-база; поло-
а)
Фиг. 93
жителна обратна връзка вследствие взаимодействието между
трептящия кръг LXCX и ВЧ трансформатор и т. н. Устой-
чивостта на стъпалото се повишава чрез включване в базис-
114
ната верига на съпротивлението със стойност от порядъка
на 50—500 ом. Това съпротивление увеличава загубите на па-
разитните колебания и по този начин ги предотвратява. Ако
говата стойност е по-голяма, то ще оказва забелижимо нама-
ление и на полезния сигнал, който подаваме от входното
устройство към базата.
На фиг. 93-67 е показано входно устройство с автотрансфор-
маторна връзка. Бобината L участвува цялата в трептящия
кръг, а напрежението, което се подава към базата на транзи-
стора се взема между долния й край и извода т. В практика-
та изводът т се прави от 4-та до 10-та навивка, броени от
долния край на L. Като неудобство на тази схема се сочи не-
възможността за подбор на оптимална връзка между трептя-
щия кръг и входната верига на транзистора.
Схемата на фиг. 93-6 се характеризира с това, че в ба-
зисната верига на транзистора е използван делител, състоящ
се от съпротивленията Rx и /?2. Кондензаторът С2 шунтира
съпротивлението /?2 и по такъв начин виокочестотният ток,
породен в двата края на бобината А2 минава през С2 и през
прехода емитер-база. Ако липсваше С2 високочестотният ток
щеше да минава и през съпротивлението /?2, в което щеше
да се губи значителна част от високочестотното напрежение.
Режимът на транзистора се нагласява чрез подходящ избор
на съпротивлението /?Р
Високочестотен усилвател. Чувствителността на
линейния приемник зависи от наличието и броя на високочес-
тотните стъпала. Както ще видим по-нататък, детекторното
стъпало работи добре, ако към него се подава сравнително
по-високо ВЧ напрежение (напр. 0,1 -0,5 в\ което се осигу-
рява именно от високочестотния усилвател. В радиолюбител-
ските линейни приемници се използват изключително аперио-
дични (ненастроени) ВЧ усилватели, които за разлика от резо-
нансните (настроените) ВЧ усилватели, имат просто устройство
На фиг. 92-67 и 93-67 заедно с входните устройства са по"
Казани и ВЧ усилвателни стъпала. По своята схема те прили'
чат на обикновени НЧ усилвателни стъпала, но имат свои осо“
бености. Кондензаторите С2 и С3 трябва да пропускат ВЧ
трептения и затова тяхната стойност е от порядъка 1 000—
10 000 пф, т. е. те не са електролитни. Друга особеност е ко-
лекторният ток, който при ВЧ усилвателни стъпала трябва да
е изобщо по-слаб (напр. 0,3—0,8 ма). При по-слаб колекторен
ток, коефициентът на усилване р на транзистора малко нама-
лява, и някои радиолюбители с основание ще запитат защо се
115
избира такъв режим. По-слабият колекторен ток съответствува
на по-слаб базисен ток на покой (базисните съпротивления
имат завишени стойности). Но ние вече знаем, че съпротивле-
нието на прехода емитер-база е по-голямо при по-слаб базисен
ток (виж фиг. 42-6), а това означава че входното съпротивле-
ние на транзистора е по-голямо. Последното се отразява бла-
гоприятно върху трептящия кръг, защото последният по-слабо
се шунтира и резонансните му свойства са по-добри. Трета
особеност на ВЧ стъпала от типа RC е тази, че по-слабият
колекторен ток позволява да подберем по-големи стойности за
товарните съпротивления (напр. 4—б ком), като все пак вни-
маваме напрежението на колектора да не намалява под 1,5 в.
Коефициентът на усилване по напрежение на едно такова
стъпало зависи най-вече от входното съпротивление на след-
ващото стъпало (виж раздела „Начисление на предусилвателно
стъпало") и на практика има стойност от 5 до 20.
В случайте когато е необходимо по-голямо усилване, може
да се използва многостъпален усилвател. На фиг. 94 е пока-
зана схема на двустъпален /?С-усилвател, входът на който
най-често се свързва с входното устройство на приемника, а
изходът — с детекторного стъпало. При използуване на тран-
зистори с голямо р, коефициентът на усилване по напрежение
на целия усилвател (фиг. 94) може^ да достигне до 200.
Конструирането на по-
вечестъпални /?С-усил-
ватели не се препоръчва,
защото опасността от
самовъзбуждане нара-
ства.
По-голям коефициент
на усилване може да се
получи от едно ВЧ тран-
зисторно стъпало, ако
в колекторната му ве-
рига се употреби ВЧ
трансформатор. Чрез
подходящо съотноше-
вторичната намотка, може
да се постигне много добро съгласуване между стъпалата и
съответно голям коефициент на усилване. На фиг. 92-6 и 93-6
са показани две такива схеми, заедно с входните устройства.
В този случай колекторният ток се препоръчва да има стой-
ност 0,5—1,0 ма, което се постига с подходящ избор на ба-
*
^,-44
SFT3I7
SFT3U
Фиг. 94
1-0
т
С " fn
&
ние на навивките в първичната и
116
эисните сопротивления. Централен въпрос при тези схеми е
направата на високочестотния трансформатор (виж раздела
„Високочестотни дросели и трансформатор^, където са да-
дени указания и данни). При добро съгласуване и употреба на
транзистор с голямо. 0, едно такова стъпало може да има кое-
фициент на усилване по напрежение 40—50. Като недостатък
на тези схеми се сочи тяхната склонност към самовъэбуждане.
Една от причините за това е паразитната обратна връзка през
веригага на токозахранването (това може да се срещне и при
RC — усилвателите). Освен това в стъпалата с индуктивен
товар, на високи честоти оказва вредно влияние вътрешната
проводимост в транзистора (през капацитета колектор-база) и
появяващата се по този начин обратна връзка между входа и
изхода на стъпалото. Нерядко самовъзбуждането се дължи на
магнитна връзка между ВЧ трансформатори и феритната ан-
тена, които не бива да се разполагат една до друга. Поради
горните причини, тези ВЧ усилватели се правят най-често едно-
стъпални.
Детекторно стъпало. Твърде често радиолюбителите
казват, че от всички стъпала в радиоприемника, най-важното
е детекторното. Причината за това е фактът, че упростените
транзисторни приемници може да не съдържат високочестотни
и нискочестотни усилвателни стъпала, но обезателно трябва да
съдържат детекторно стъпало, чиято задача е да преобразува
високочестотния модулиран сигнал в напрежение със звукова
честота. Детектирането се осъществява или с помощта на точ-
кови диоди, или с транзистори, работещи в режим на детек-
ция. В един от разделите на тази книга (виж фиг. 75) ние
разгледахме накратко Гпроцеса на детектирането иг тук ще до-
бавим само някои особености.
Както усилвателните стъпала се характеризират със свой
коефициент на усилване, така детекторното стъпало се харак-
теризира със свой коефициент на предавайе. Знаем,
че на входа на детекторното стъпало се подава високочестотно
модулирано колебание (фиг. 75-а), а на изхода му се получава
колебание със звукова честота (фиг. 75-г). Коефициентът на
предаване представлява отношението на изходното НЧ напре-
жение, към входното ВЧ напрежение с дълбочина на модула-
цията 30%. Коефициентът на предаване може да има стой-
ности както по-малки, така и по-големи от единица, и това
зависи от използваната схама. При уточняване схемата на де-
текторното стъпало, ние се стремим коефициентът на преда-
ване да е колкото се може по-голям.
117
Друг параметър на детекторного стъпало е неговото в х д н о
съпротивление, което трябва да е по възможност по-
голямо, за да не се шунтира предното стъпало.
Трети параметър на детекторного стъпало е неговият кое-
фициент на нелинейни изкривявания, който при любителските
транзисторни приемници има второстепенно значение.
На '
тектор
ние се
фиг. 95 е показана най-обикновена схема на диоден де-
с точков диод. Високочестотното модулирано напреже-
подава от транзистора към
диода посредством ВЧ тран-
сформатор А3Л4. Товар-
ного съпротивление на
детектора (по постоя-
нен ток) е съпротивле-
нието от което по-
тенциометрично може да
се вземе напрежение за
следващото стъпало. Ви-
сокочестотният транс-
форматор е повишаващ,
защото диодният детек-
тор работи толкова по-
добре, колкото подаде-
ното му ВЧ напрежение
е по-високо. Намотката
£8 съдържа 60—70 навивки от емайлиран проводник с диа-
метър 0,07—0,10 мм, а А4 съдържа 180—200 навивки от съ
щия проводник. Сърцевината представлява феритно пръстенче-
(виж фиг. 63) с размери: външен диаметър 6 -10 мм\ вътре-
шен диаметър 3—6 мм\ дължина 2 5 мм.
Основният недостатък на горната схема (фиг. 95) е малкият
коефициент на предаване напр. 0,05 -0,10. Нека изясним това.
Коефициентът на предаване на диодния детектор зависи
твърде много от това, каква стойност има високочестотното
напрежение подавано на входа. Ако това напрежение е твърде
слабо — напр. 0,01 в, детека иращият ефект е нищожен и кое-
фициентът на предаване е около 0,05. На фиг. 96-я е показан
в силно увеличен вид началният участък на диодната характе-
ристика от фиг. 22. Виждаме че когато високочестотното на-
прежение има малка амплитуда, то действува в почти линей-
ния участък на характеристиката, където еднопосочната про-
водимост на диода не е ярко изразена и токът във веригата
е почти синусоидален. В този случай нямаме „отрязване* на
отрицателните полупериоди и следователно нямаме детекция.
118
На фиг. 96-/5 е показан случая, когато входното ВЧ на-
прежение има по-големи амплитуди. Тук еднопосочната про-
водимост на диода се проявява по-силно и детектиращият
ефект е по-голям. Ако продължаваме да увеличаваме ВЧ на-
прежение, еднопосочната проводимост на диода ще се проя-
вява още по-силно, защото положителните амплитуди на диод-
ния ток ще са много по-големи от отрицателните. В такъв
случай детектиращият ефект е още по-добър и коефициентът
на предаване се увеличава.
Изводът от това е следния: при конструирането на тран-
зисторни приемници, не се препоръчва веднага след входното
устройство да следва диодният детектор, защото подаденият
му сигнал ще е слаб и коефициентът на предаване — малък.
Преди диодния детектор трябва да има поне едно ВЧ усил-
вателно стъпало, благодарение на което подаденият към ди-
одния детектор сигнал ше е по-силен и коефициентът на пре-
даване --- по-висок.
Съществува един начин за подобряване на детектиращия
ефект (и съответно коефициента на предаване) на диодния
детектор с точков диод, като работната точка в режим на
покой не се избира в началото на волтамперната характерис-
тика, а някъде по-надясно. Практически това се постига, като
през отделна верига на диода се подана напрежение в права
посока от порядъка на 0,10—0,15 в, и през него протича слаб
119
начален ток (виж фиг. 97 дебелите линии). Наличието на съ-
противлението /?9> както и протичането на слаб ток и през по-
тенциометъра /?! не се отразява върху качествата на схемата.
За да изясним дей-
ствието на тази схема,
нека разгледаме от*
ново (Ьиг. 22, като
обърнем внимание на
това, че волтампер-
ната характеристика
на диодите може да
се разглежда като
съставена от две ча-
сти: начален участък
с малка стръмност и
участък с по-голяма
стръмност. При схе-
мата от фиг. 95 точ-
ковият диод работи
без начален ток и ра-
ботната точка се на-
мира в началото на характеристиката, като самият процес на
детектиране е показан на фиг. 98-а. О г последната фигура се
вижда, че импулсите на диодния ток не са много големи, за-
щото се използува участък с малка стръмност и коефициен-
тът на предаване е малък.
При схемата от фиг. 97 положението е по-друго, защото през
диода протича начален ток на покой Zdn. Благодарение на това,
работната точка се намира около гънката на характеристиката
и импулсите на диодният ток са по-големи, защото използваме
участък с по-голяма стръмност (фиг. 98-6). От сравнението на
двата случая показани на фиг. 98 става ясно, че при подхо-
дящ избор на работната точка (което практически се постига
чрез подбор на съпротивлението /?2 — от фиг. 97), коефициентът
на предаване на диодния детектор може да се подобри зна-
чително. Тук трябва да добавим, че при разглеждането на ди-
одния детектор (фиг. 98) ние не взехме под внимание отрица-
телното преднапрежение, което получава анодът на точковия
диод вследствие протичането на постоянната съставна на ди-
одния ток през товарното съпротивление. Но при транзистор-
ните приемници товарното съпротивление е от порядъка на
5—10 ком, и едно такова пренебрегване е допустимо.
120
В любителските транзисторни приемници твърде често де-
текторното стъпало се прави по схема с удвояване на напре-
Фиг. 98
жението (фиг. 99), където на изхода се получава 1,5 до 1,7
пъти по-високо нискочестотно напрежение. Тази схема е осо-
бено удобна в случайте, когато предното стъпало е високоче-
стотен /?С-усилвател,
защото кондензато-
рът С?! служи не само
като свързващ еле-
мент, но участвува в
удвояването на на-
прежението. Неудоб-
ство на схемата е
употребата на два точ-
кови диода, чиято по-
лярност трябва дасе
спазва при монтажа.
Детекторните стъ-
пала могат да бъдат
изпълнени не само с
точкови диоди, но и
с високочестотни чраазистори. В този случай преходът емитер-
база служи като детектираща верига, в която протича ниско-
честотен ток, който от своя страна поражда р-пъти по-силен
121
колекторен ток. Поради тазй причина детекторните стъпала,
изпълнени с транзистори имат значително по-голям коефициент
на предаване — напр. 5—10. Едно такова стъпало е пока-
зано на фиг. 100-67. Характерна особеност на схемата е лип-
сата на базисно съпротивление и съответно на начален базисен
ток и именно затова транзисторът се намира в режим на де-
текция (виж фиг. 38). Както вече казахме, детекцията се из-
вьршва във веригата емитер-база, за която знаем че има свой-
сгвата на обикновен диод. Друга особеност на схемата е на-
личието на кондензатора Са (фиг. 100), чиято роля е да „за-
глажда“ високочестотните импулс-и (виж фиг. 75). На пръв
ноглед изглежда, че кондензаторът С2 (фиг. 100) има значи-
телен капацитет и би давал „на късо* ниската честота. В дей-
сгвителност това не става главно поради две причини: а) Сте-
нента на заглаждането зависи не само от стойността на този
кондензатор, но и от стойността на товарного съпротивление
(или по-точно от тяхното произведение). В транзисторните при.
емници товарните сопротивления имат сравнително малка стой.
Фин 100
ноет; б) Съпротивлението (за променлив ток) на веригат”, със-
гояща се от кондезатора С3 (фиг. 100) и входного съпротив-
ление на следващото стъпало, е по-малко от съпротивлението
н 1 С2 т. е. шунтиращото действие на С2 е слабо.
На фиг. 100-# е показано детекторно стъпало с транзистор,
който има базисно съпротивление, чиято стойност обаче е срав-
нително голяма напр. 1,5 мгом. При тази схема транзисторът
има твърде слаб начален базисен ток и колекторния ток е от
порядъка на 0,1—0,4 ма» Целта на този режим е същата както
122
на фиг. 98-6, а именно: да се избере такава работна то4ка от
входната характеристика, която да се намира в участък с по-
голяма стръмност. Точната стойност на съпротивлението Rr се
подбира опитно.
Нискочестотен усилвател. Задачата на тази част
от приемника е да усили сигнала, получен от детектора, за да
имаме на изхода необходимата мощност за задействуване на
слушалките или високоговорителя. Най-важният показател на
нискочестотния усилвател е неговата изходна мощност, която
при транзисторните приемници се измерва в миливати. Така на-
пример, слушалките работят добре при изходна мощност 1 мет.
а за задействуването на високоговорителя е необходима из-
ходна мощност поне 10—15 мет. Тук трябва да подчертаем,
че от нискочестотния усилвател може да се получи дадена
мощност само тогава, когато на неговия вход действува опре-
делено напрежение и ток. Начинаещите радиолюбители до-
пускат грешка, като разсъждават така: след детекторного стъ-
пало ще свържем един мощен транзистор (напр. 5F7214) и
по такъв начин ще получим на изхода мощност 2—3 вт. На
практика това не може да се реализира, защото мощният тран-
зистор трябва да се задействува със значителен ток и напре-
жение, които детекторного стъпало не може да осигури. Ето
защо за получаването на по-голяма изходна мощност, сигна-
лът от детекторного стъпало трябва да се усили от така на-
реченото предусилвателно стъпало и чак тогава да
постъпи в крайното стъпало.
На фиг. 101-а е показана схема на най-прост нискочестотен
усилвател, в колекторната верига на който са включени слу-
шалки. Изходната мощност на този усилвател достига няколко
миливата, което е достатъчно за задействуване на слушалките.
За получаването на тази мощност, сигналът получен от детек-
торного стъпало трябва да има амплитуда от порядъка на
10 мв. Добрата работа на този усилвател зависи от коефици-
ента (3 на транзистора, от избора на колекторния ток на по-
кой, от захранващото напрежение на батерията и от вида на
употребените слушалки.
В радиолюбителската практика винаги се препоръчва упот-
ребата на транзистори с по-голямо [3 (напр. за горната схема
е подходящ транзисторът 5ЛГ353, който има (3 = 80). Захран-
ващото напрежение е най-често 4,5 а, а по-рядко 3, 6 и 9 в.
Колекторният ток на покой се избира в зависимост от съпро-
тивлението на слушалките. Така например, ако употребим слу-
шалки със съпротивление 4 000 ом и захранващата батерия
123
има напрежение F=4,5tf, колекторният ток не грябва да е
повече от 0,75 ма (фиг. 101). Тук твърде често се допуска
грешка, като се иска в горната схема колекторният ток да е
няколко милиампера. Това не може да се получи никога, дори
Фиг. 101
и в случайте, когато базисното съпротивление е само няколко
десетки ома. Причината за това са високоомните слушалки,
които ако ги включим направо към полюсите на батерията
(без транзистор), през тях ще премине ток със сила около
1 ма. Ако в горната схема (чрез подбор на базисното съпро-
тивление) осигурим колекторен ток 1 ма, транзисторът ще се
окаже в неподходящ режим и няма да усилва, защото напре-
жението на колектора ще е едва 0,5 в, което е недостатъчно.
Да се запомни, че при тези схеми транзисторите работят добре,
ако постоянното напрежение на колектора е най-малко 1,5—
2 в, или с други думи — винаги трябва да преценяваме по-
стоянно токовия спад на напрежението в товарното съпротив-
леиие (слушалките).
На фиг. 101-6 е показана връзката между напрежението на
батерията Е, спадът на напрежението Ur върху товарното съ-
противление (слушалките) и напрежението UK което действува
на колектора. Въз основа на тази схема можем да напишем
зависимостта: Е= Ur + UK — /кп/?т 1,5. От тук намираме
какъв трябва да бъде колекторният ток на покой, когато в
колекторната верига са включени високоомни слушалки:
124
, __ £-1,5
/кп“ /?т
Нека покажем как се използува тази формула.
Пример. Какъв трябва да е колекторният ток на покой
(фиг. 101-а), ако слушалките имат съпротивление 600 ом, а
напрежението на батерията е 4,5 в ?
Дадените величини заместваме в горната формула:
г Е—4,5—1,5 ллп, _
Лп = —5----= —— = 0,005 а = 5 ма.
г\т vUU
Във връзка с употребата на различните видове слушалки,
можем да кажем следното. Обикновените радиослушалки със
съпротивление 4 000 ом са подходящи за прости транзисторни
приемници, съдържащи един-два транзистора. Причината за
това е високата им чувствителност: те се задействуват от ни-
щожни токове и напрежения. В случайте, когато желаем да ги
използваме като пвисокоговорител“ т. е. без да ги слагаме на
ушите, те не са подходящи. Тогава обаче, можем да ползваме
нискоомни слушалки (телефонен капсул) със съпротивление
20—600 ом. Ако капсулът има значително съпротивление —
Фиг. 102
напр. 300—600 ом, той е подходящ за включване по схемата от
фиг. 101-я? като колекторният ток може да се избере 6--10 ма.
В такъв случай обаче, сигналът получен от детекторного стъ-
пало се оказва недостатъчен и слушалката работи слабо. Теле-
125
фонният капсул може да се използва като „високоговорител*,
ако нискочестотният усилвател се направи двустъпален.
На фиг. 102 е показана схема на един двустъпален RC —
усилвател, като първото стъпало е предусилвателно, а вто-
рото — крайно. Колекторният ток на първия транзистор се
избира около 1 ма, а на втория — от 6 до 10 мм. Тази схема
работи добре при употребата на телефонен капсул със съпро-
тивление 100—200 ом, ако сигналът постъпващ от детектора
има амплитуда поне 20 мв, т. е. когато пред детектора имаме
ВЧ усилвателно стъпало.
На фиг. 103 е показана същата схема на двустъпалния RC-
усилвател, но с редица допълнителни елементи. Нека изясним
Фиг. 103
тяхното предназначение. Съпротивлението RA е потенциоме-
тър, чрез който можем да регулираме усилването. Конденза-
торът С4 и съпротивлението /?5 образуват развързващ филтър
за първия транзистор и по такъв начин предотвратяват евен-
туално самовъзбуждане. Кондензаторът Сб шунтира слушал-
ките, като пропуска през себе си токовете с по-високи честоти
от звуковата. Такива честоти се появяват вследствие нелиней-
ните изкривявания породени от нелинейните елементи (диода
и транзисторите). Съпротивлението /?6 служи както да стаби-
лизира правотоковия режим на транзистора, така и за отри-
цателна обратна връзка по ток, която подобрява£качествата на
усилвателя (виж фиг. 47). Ролята на кондензатора С6 е да пре-
дотврати самовъзбуждането на усилвателя, вследствие вътреш-
ното съпротивление на батерията.
126
На фиг. 104 е показан нискочестотен усилвател с непо-
средствена връзка между двата транзистора, като колекторът
на първия транзистор е свързан направо към общия минус.
Схемата може да се използува в случайте, когато разполагаме
с нискоомен капсул. Ето
някои данни за нейния jFT3n з'нзи
режим. При сигнал на
входа 70 мв, и употреба
на капсул със съпротив-
ление 64 ом, усилвателят
осигурява мощност око-
ло 15 мвтп. При употре-
ба на транзистори с
(3 = 50, колекторният ток
на 7\ трябва да е около
0,3 ма а на Г2 8—10 ма.
Установяването на тези
два тока става автома-
тично само чрез съпро- Фиг. 4
тивлението Изобщо
една такава схема може да даде много добри резултати при
подходящ подбор както на транзисторите, така и на съпро-
тивлението особено в случайте, когато младият радиолю-
бител притежава чувствителен уред за измерване колекторнитс
токове. В повечето случаи е достатъчно измерването на колек-
торния ток само на втория транзистор.
127
ИЗЧИСЛЕНИЕ
НА ТРАНЗИСТОРЕН ПРИЕМНИК
При напредналите радиолюбители твърде често възниква
въпросът: въз основа на какви съображения и формули се из-
числяват отделните елементи на транзисторните схеми? Подо-
бен въпрос вълнува и тези радиоконструктори, които по една
или друга причина трябва да направят някои изменения в из-
браната схема. За да можем да отговорим на горния въпрос, в
настоящий раздел ще направим изчисление на отделните стъ-
пала на малък транзисторен любителски приемник.
Когато се проектира и изчислява един приемник, винаги се
задават определени величини (така нареченото „Задание"). Въз
основа на тях, като се използуват редица формули и изисква-
ния се определят неизвестните величини.
Изчислението на радиоприемниците започва винаги от край-
него стъпало и постепенно се върви напред, като най-после се
изчислява входното устройство (трептящият кръг и антената).
Преди да пристъпим към изчисление, трябва да отбележим
че то не е абсолютно точно, а е приблизително, защото ре-
дица формули са опростени, за да станат достъпни и разби-
раеми за младите радиолюбители. Но като се имат пред вид
различията в параметрите на транзисторите от един и същи
тип, които понякога надминават 20%, точността е напълно до-
статъчна за радиолюбителската практика. Напомняме; че при
изчисленията всичги електрически величини се превръщат в
ампер, волт, ват, ом, фарад и хенри, и тогава се заместват във
форм улите.
Задание. Да се изчисли малък любителски транзисторен
приемник, въз основа на следните данни:
— да работи в средновълновия обхват 520—1600кх/{;
— да има полезна изходна мощност Ризх = 20 мет, при
съпротивление на бобината на високоговорителя /?г = 5 ом;
— да се захранва от батерия с напрежение Е=х9 в\
128
— най-ниската добре възпроизвеждана звукова честота да
бъде Л, =100 хц, а най-високата =2000 хц;
— да работи на външна антена;
— чувствителността и избирателността на приемника да са
такива, че да може да се приемат задоволително местните ра-
диостанции.
ИЗЧИСЛЕНИЕ НА КРАЙНОТО СТЪПАЛО
1. За усилвателя на мощност избираме схемата, дадена на
фиг. 105, която съдържа минимален брой части, и от нея може
да се получи необходимата мощност. Схемата е с един тран-
зистор, който работи в клас А. За нагаждане малкото съпро-
тивление на високоговорителя (5 ом) към значителното изходно
съпротивление на транзистора __________
(около 40 ком) е употребен из- I |7р
ходен трансформатор. Сигналът J, ,
от предното стъпало се по дава R I ofo4L
на базата на транзистора през 4 ___
96-~Е
прехвърлящия кондензатор Сб, а
работната точка на транзистора
се определи от стойността на 11 чк/
базисното съпротивление /?4. Вход
2. При избора на транзистор
трябва да имаме пред вид, че ™ “*
максималната мощност, която
той разсейва на колектора си, Фиг. 105
трябва да бъде три-четири пъ-
ти по-голяма от полезната мощност на усилвателя. Това е така,
защото КПД на изходния трансформатор е 0,8, а КПД на
транзистора в клас А при схема с общ емитер е 0,3 и следо-
вателно общият КПД е около 0,25. Спираме се на широкоиз-
ползувания от радиолюбителите нискочестотен транзистор П13,
който има максимална разсейвана мощност на колектора 150 мет.
3. С помощта на формула определяме най-подходящото то-
варно съпротивление на транзистора:
Намерената стойност е съпротивлението на първичната намотка
на изходния трансформатор за променлив ток и то за-
виси от съпротивлението на бобинката на високоговорителя
Rr и от преводното отношение п на трансформатора:
R, = л9/?г
9 Транзисторни приемници
129
Правотоковото съпротивление на първичната намотка е малко
и се пренебрегва т. е. в режим на покой напреже-
нието на колектора е равно на това на бате-
рията. Това е важно и трябва да се запомни.
4. С помощта на формула определяме колекторния ток на
покой: /кп = ^из-х- = —*3.9----=0,006 а = Ъма
с У
5. От справочниците намираме изходните графични харак-
теристики на транзистора П13 при схема с общ емитер и върху
тях трябва да начертаем товарната права (фиг. 106). точката
т лежи върху абцисата, но на разстояние равно на удвое-
ното напрежение на батерията:
[7ке =2.2? = 2.9=18 в. Физикално това съответствува на слу-
чая, когато колекторният преход се „запушва“ и колекторният
ток е нула, а напрежението на колектора е равно на напреже-
нието на батерията плюс положителната амплитуда
на променливото напрежение, което възниква
в краищата на първичната намотка на транс-
форматора вследствие нейната индуктивност.
Както вече се спомена по-горе, това е много важно, защото в
такъв момент напрежението на колектора нараства до удвое-
ното напрежение на батерията и при неправилен избор на ра-
ботната точка то може да надмине максимално-допустимото
напрежение на транзистора.
Втората точка на товарната права е работната точка Л,
чиито координата са колекторното напрежение на покой
[7кеп = Е = 9 в, и колекторният ток на покой /кп = 6 ма (тези
величини намерихме по-горе). След като знаем точките т и Л,
начертаваме през тях товарната права. Върху нея отбелязваме
точката Лх (мястото, където товарната права 'Пресича нулевата
базис на характеристика) точката Л2 (мястото, където правата
пресича прегъването на някоя от характеристиките — в случая
/б == 0,5 ма). Работният участък на товарната права е АГАА3.
На същата фигура са отбелязани минималните и максимални
стойкости на колекторното напрежение и ток.
6. Базисния ток на покой намираме, като видим коя гра-
фика на базисния ток минава през работната точка. От фиг. 106
виждаме, че през работната точка Л минава графиката Д = 0,25 ма9
т. е. базисният ток на покой е Д = 0,25 ма.
130
7. Стойността на необходимото базисно съпротивление на-
мираме, като използуваме закона на Ом:
Е 9
= - ДГ =”0Ж25~ = 36000 °М = 36 К0М
Приемаме стандартната стойност 33 кон, още повече че раз-
личите екземпляри транзисори имат различно (3 и тази стой-
ност подлежи на конкре-
тен избор за всеки упо-
требен екземпляр.
8. За да намерим стой-
ността на прехвърлящия
кондензатор Сб трябва да
знаем входното съпротив-
ление на транзистора (виж
фиг. 59). Връзката между
стойността на прехвърля-
щия кондензатор и вход-
ното съпротивление на
транзистора е изяснена в
раздела пЕлектролитни
кондензатори". Входното
съпротивление на транзис-
тора се дава с формулата:
Аивхтрз ==:
Фиг. 106
t7бетах t/gemin
7бтах
За намиране на горните величини трябва да разполагаме с
входната графична характеристика на транзистора П13,
(фиг. 107), която вземаме от справочниците. От изходните ха-
рактеристики (фиг. 106) вземаме следните данни: /бт1п= 0 (най-
долната характеристика) и /бтах == 0,5 на (най-горната характе-
ристика на фиг. 106). Тези данни нанасяме върху ординатата
на входната характеристика (фиг. 107) и съответно отчитаме,
че на ТЯХ отговарят: ^7бет1п=0,14 в И t/бетах = 0,28 в. Тези
стойности заместваме в горната формула и получаваме:
=0,28 — 0,14 OQn
/?вх™ ода 280 ом
9. За да имаме добро прехвърляне на напрежение от пред-
ния транзистор към базата на усилвателното стъпало, трябва
при най-ниската честота Еп= 100 хц съпротивлението на кон-
131
дензатора да бъде поне 10 пъти по-малко от входното съпро-
тивление на транзистора:
X ___ 1 __ Ю __
Лс“2яРиС6 10 ИЛИ-Сб“ 2nFnRmTpi~
2.3,14.100.280= 0’0000()6 $ = 6 мк$
Приемаме Св=10 мкф.
10. По формула определяме сечението на сърцевината на
изходния трансформатор:
5 = 20\/ 2-Риз* = 201/ 2-°>02 =0 4 См*
V Л. F 100
11. По формула определяме броя на навивките в първичната
намотка на изходния трансформатор:
4000 Е 4000.9 ОПЛ
Л. .S = 100.0,4 = 900 —ки
12. По формула определяме диаметъра на проводника на
първичната намотка на изходния трансформатор:
<4=0,7|/г /кп =0,7 У о,ОО6 = 0,05 мм
Избираме практически по-удобния за навиване проводник с
диаметър </1 = 0,08 мм.
13. Определяме броя на навивките във вторичната намотка
на изходния трансформатор:
— — 900 * /—5— = 55 навивки
V <7т V 1350
14. Определяме диаметъра на проводника във вторичната
намотка на изходния трансформатор
dt • 0,7\/Ризх = 0,7 \/-0’02 = 0,28 мм
V с/г V 5
75. От входната графична характеристика дадена на фиг. 107
виждаме, че разликата U6tmn — £7«emin = 0,14 в представлява
удвоената амплитуда на променливото напрежение, което трябва
да действува на базата. От тук изчисляваме, че амплитудата
на входното напрежение е:
О 14
г/.хтр2»= СА». = = 0,07 в = 70 мв
132
Следователно, за да получим от крайното стъпало изходна
мощност Рнзх = 0,02 вт, на базата на 7'2 трябва да подадем
променливо напрежение с амплитуда — 0,07 в.
16. За да намерим кое-
фициента на усилване по
мощност на стъпалото,
трябва да намерим каква
мощност се изразходва във
входа му, т. е. каква мощ-
ност трябва да получим от
предното стъпало, за да има-
ме на изхода Ртх — 0,02 вт.
От входната графична ха-
рактеристика дадена на
фиг. 107 виждаме, че разли-
Ката /битах Zsmin == 0,5
0,0=0,5 ма—0,0005а пред-
ставлява удвоената амплитуда
плитуда ще бъде:
1,2
1,0
0.6
0.6
L
°таг
0,2
I&min
16 С" a]
О -0,1 I -0,2 -0.3 -0,4 и6е[в,
! ।
Ufa max
Фиг. 107
на входния ток, а самата ам-
г _ / _ °>0005
вхтр2 — «62 — ; 2—
= 0,00025 a
За входната мощност ще намерим:
Рвхтр2 = Ахтр, = 0,07.0,00025 =00000088
£ £•
Числото 2 в горната формула се явява, защото входното на-
прежение и ток са дадени не с ефективните си, а с ампли-
тудните си стойности. За коефициента на усилване по мощ-
ност на крайното стъпало имаме:
К* = = 0,0000088 = 2 300 ПЪТИ
От изчислението на крайното стъпало можем да направим
следните заключения.
Транзисторът Г2 трябва да е нискочестотен, а мощността
разсейвана на колектора му да е 3—4 пъти по-голяма от из-
ходната мощност, която трябва да получим от стъпалото.
Изходният трансформатор е необходим, за да съгласува
малкото съпротивление на бобинката на високоговорителя със
значителното изходно съпротивление на транзистора. Сечението
на сърцевината на изходния трансформатор зависи от изход-
ната мощност на стъпалото и от най-ниската възпроизвеждана
133
звукова честота. При по-голяма изходна мощност, сечението
трябва да е по-голямо. Също така ако усилвателят трябва да
е по-качествен (да възпроизвежда добре ниските честоти и да
има малки изкривявания), сечението на сърцевината трябва да
е по-голямо.
Стойността на базисното съпротивление /?4 се определи от
напрежението на батерията и от началния базисен ток, който
съответствува на избраната работна точка. Обикновено базис-
ният ток на крайното стъпало (когато работи в клас „А*) се
избира такъв, че колекторният ток да е 5—10 ма. Ето защо
базисното съпротивление на крайния транзистор има от 2—10
пъти по-малка стойност от базисните съпротивления на оста-
налите транзистори в приемника.
Стойността на прехвърлящия кондезатор С6 се избира та-
кава, че за най-неблагоприятния случай (най-ниската звукова
честота) капацитивното му съпротивление да е поне 10 пъти
по-малко от входното съпротивление на транзистора Т2. Сле-
дователно колкото кондензаторът има по-голям капацитет
(напр. 20—30 мкф), толкова усилването ще е по-голямо.
Коефициентът на усилване по мощност на стъпалото зависи
от коефициента на усилване по ток на транзистора. При по-
голямо р, коефициентът на усилване по мощност ще е по-голям.
ИЗЧИСЛЕНИЕ НА ПРЕДУСИЛВАТЕЛНОТО СТЪПАЛО
1. Схемата на предусилвателното стъпало е дадена на
фиг. 108. Тя представлява един RC — усилвател с общ емитер.
Кондензаторът С4 е прехвърлящ, базисното съпротивление
определи работната точка, a R3 е товарното съпротивление на
транзистора по постоянен ток. Думата „постоянен ток“
подчертахме, защото, както ще видим по-нататък, товарното
съпротивление на транзистора Тх за променлив ток съвсем не
е равно на /?3.
2. Избираме транзистор Г114. От справочниците намираме
(напр. „Справочник радиолюбителя* — 1961 г. стр. 196) стой-
ността на А-параметрите на транзистора П14 при схема с общ
емитер. Това са четири величини, които характеризират свой-
ствата на даден тип транзистор и които участвуват в редица
формули. Параметрите на транзистора П14 са следните: Аиг =
775 ом; h^e = 0,0003; Апе = 3 = 24; А^ = 0,00002 мо.
134
<3. На практика товарного
/?3 се избира в граничите от
вестно, че колкото товар-
ното съпротивление е по-
голямо, толкова усилването
е по-голямо, възниква въ-
просът: защо за R3 да не
изберем по-голяма стой-
ност — например 20 ком?
Установено е, че транзис-
торът П14 усилва най-до-
бре, когато колекторният
му ток е около 1 ма, а на-
прежението между колек-
тора и емитера UM да не
е по-малко от 1 в. Ако из-
берем за товарното съпро-
тивление стойност /?3 = 8,5
съпротивление за постоянен ток
1 ком до 5 ком. Понеже е из-
ком, тогава при протичане на
ток 1 ма, падението на напрежението върху това съпроти-
вление ще бъде t/=/к= 0,001.8500 = 8,5 в, а за напре-
жението между колектора и емитера ще остане само UKe =
= 9—8,5=0,5 в. С други думи за да осигурим на транзистора
колекторен ток 1 ма при голямо товарно съпротивление, трябва
токоизточникът (батерията) да има по-високо напрежение —
напр. 20 в. Ето защо стойността на /?3 се избира такава, че да
се получи така нареченият тип,ов режим, който за мало-
мощните транзистори се характеризира с колекторен ток /к =
— 1 ма и напрежение между колектора и емитера не по-малко
от 1 в. Именно за този типов режим се дават редица данни в
справочниците (вж. напр. справочника „Транзисторы и полу-
проводниковы диоды", под редакцията на И. Ф. Николаевский —
1963 г. стр. 172 най-долу). От всичко това следва, че ако на-
прежението на токоизточника е 9 в, товарното съпротивление
трябва да има стойност най-много 4 ком. Но както ще видим
по-нататък, усилването на стъпалото е пропорционално на то-
варното съпротивление на транзистора за променлив ток (екви-
валетно съпротивление), вкоетоучаствува не само R3,
нои входното съпротивление на следващотостъ-
пало. За да разберем това по-добре, нека разгледаме фиг. 109.
Там с вълнообразни стрелки е показан пътят на изходния про-
менлив ток на предусилвателното стъпало. Виждаме, че една
част от променливия колекторен ток минава през R3, а друга
част като мине през Сб (той има капацитет 10 мкф и извън-
135
редно лесно пропуска променлив ток) се разклонява през /?4
и през входното съпротивление на транзистора Т2. Така начер-
таната схема е нагледна, но не дава възможност да преценим
през кое разклонение какъв ток ще протича. Ето защо тази
схема ще заменим с нейната еквивалентна схема (това
се прави много често от инженерите-конструктори), която ще
ни даде възможност да правим
количествени пресмятания. На
еквивалентната схема (фиг. 110-а)
е премахната батерията, която
за променлив ток има
нищожно съпротивление,
и съпротивленията Rt и R± са
свързани с общата верига, през
която протича променлив ток.
Понеже прехвърлящият конден-
затор Съ има съвсем малко съ-
противление за променлив ток (5—10 ома), той може също да
се пренебрегне и така получаваме още по-упростената схема,
дадена на фиг. 110-6. Тази схема ни показва, че товарното
съпротивление на транзистора 7\ за променллв
ток се състои от паралелно свързаните съпро-
тивления Rt, Ri и 5ВХТР2. От електрониката знаем, че
когато имаме три съпротивления свързани паралелно, тяхното
резултатно (еквивалентно) съпротивление е по-малко от стой-
ността на най-малкото съпротивление. Да видим какво ще е
еквивалентното съпротивление /?е (фиг. 110-е), ако товарното
съпротивление изберем Rs = 3 ком. Тогава като използуваме
формулата за три паралелно свързани съпротивления, и като си
припомним от предния раздел, че /?4 = 36 ком, а /?вхтр = 280 ом
— 0,28 ком, намираме:
Rg .R. /?вхтр2
р__________|у»,|у' '\вхтр2_____ 3.36.0,28_____=250ом
“ ад + RgR^m + адхтр2 з. 36+3.0,28+36.0,28
Сега вече става ясно, че малката стойност на входното съпро-
тивление на следващото стъпало RBi-rp = 280 ом е причината, по-
ради която еквивалентното товарно съпротивление на Тх за про-
менлив ток има малка стойност Re = 250 ом (или както често
се казва: следващото стъпало има малко входно съпротивле-
ние и шунтира предното стъпало).
Изводът от горните разсъждения е следиият: еквивалент-
ното съпротивление за променлив ток на стъпалото се опре-
дели изключително от стойността на /?вхтр2 и увеличаването на
/?! указва нищожно увеличение на Re и не донася полза.
136
Въз основа на това избираме R3 = 3 ком.
4. За определяне стойността на базисното съпротивление
изхождаме от съображението, че да имаме типов режим колек-
торният ток на 7\ трябва да е /к = 1 ма. Тогава базисният
ток трябва да има стойност:
/б - = - °’??1 = 0,000042 а = 42 мка
Р 24
По закона на Ом намираме че:
Е 9
= /б = 0,000042 = 250 К0М
Но понеже различните екземпляри транзистори П14 имат раз-
лично р, следва че получената стойност трябва да се уточни
за всеки употребен транзистор
така, че колекторният му ток
да е 1 ма. За /?2 ние избираме
стандартната стойност 220 ком.
5. За да намерим входното
съпротивление на стъпалото из-
ползуваме формулата:
/?вхтр1 — ^це — 775 ом
6. Свързващият кондензатор
С4 трябва да има такава стой-
ност, че на най-ниската често-
та от звуковия обхват FH =
100 хц да има капацитивно съ-
противление поне 10 пъти по-
малко от /?bxtpi. За намирането
на неговата стойност се изпол-
зува познатата формула:
Фиг. (110
Ci гл/^Явхтр! 2.3,14.100.775 '2мК$
Избираме С4 = 2 мкф.
7. Коефициентът на усилване по напрежение на стъпалото
се дава с формулата:
= ^-250 = 8 пъти
*aie Лце 77 О
137
Полученият резултат показва, че реалното усилване йа стъпа-
лото е няколко пъти по-малко от стойността на коефициента 0.
За да е по-голямо усилването, трябва входното съпротивле-
ние на следващото стъпало да е по-голямо. Ако употребим
транзистор с по-голямо р, коефициентът на усилване по напре-
жение почти няма да се увеличи, защото транзисторите, които
имат голямо р, имат и по-голяма стойност на параметра А11е.
Така например ако употребим българския високочестотен тран-
зистор 5FT317 (А11е =3000; Аа1е = р = 100) ще получим усил-
ване по напрежение:
к= 250 = 8,5 пъти
oUUU
Следователи© погрешно е да се мисли, че коефициентът на
усилване по напрежение се определи само от р. За да имаме
по-голямо усилване най-важна роля играе входното съпротив-
ление на следващото стъпало, което трябва да е по възмож-
ност по-голямо.
8. В точка 15 на предния раздел установихме, че за да по-
лучим от крайното стъпало изходна мощност 0,02 вт, на ба-
зата на транзистора Та трябва да подадем променливо напре-
жение с амплитуда = 0,07 в. Но това напрежение се
осигурява от транзистора Тг и е равно на изходното му на-
прежение т. е. £7Иэхтр1 = 0,07 в. Въз основа на този резултат,
като използуваме формулата
is ^Лзхтр!
-----------
<“'ВХТР1
можем да намерим каква амплитуда трябва да има променли-
вото напрежение, подадено на входа на транзистора 1\ (за да
получим от приемника зададената изходна мощност):
f/вхтр! = = 0,01 в = 10 Мв
IX о
Това напрежение трябва да се осигури от детекторното стъпало.
ИЗЧИСЛЕНИЕ
НА ДЕТЕКТОРНОТО СТЪПАЛО
/. Схемата на детекторното стъпало е показана на фиг. 111.
Връзката на стъпалото с трептящия кръг е избрана трансфор-
маторна, тъй като по такъв начин твърде лесно можем да на-
гадим малкото входно съпротивление на детектора към значи-
138
А
Фиг. 111
се характеризират с коефи-
телнОто резонансно съпротивление на кръга. Диодът Д е обик-
новен точков диод от типа Д9Д. В права посока съпротивле-
нието на диода е около А?пр = 150 ом, а в обратна посока —
около /?обР = 300 ком. Това са ориентировъчни данни, защото
тези съпротивления не са постоянни, а зависят от приложеното
напрежение върху диода. Съпротивлението Ri (фиг. 111) е то-
варно съпротивление на
детектора по постоянен
т о к, а кондензаторът С8 е фил-
триращ (Ролята на този конден-
затор е изяснена на фиг. 75).
2. Преди да начислим стойност-
та на товарното съпротивление
трябва да изясним някои осо-
бености на детекторното стъпало.
Както усилвателните стъпила
циент на усилване, така детекторното стъпало се характеризира
с коефициент на предаване. Ако към входа на детек-
торното стъпало подадем високочестотно напрежение 1 в, на
изхода му никога не се получава 1 в нискочестотно напреже-
ние, а винаги по-малко. При добрите детектори на изхода ще
се получи около 0,9 в, а в някои любителски схеми може да
се получи напрежение под 0,1 в. Следователно детекторното
стъпало не усилва, а намалява подаденото му напрежение и
това намаление зависи най-вече от товарното съпротивление.
За да имаме слабо намаление на сигнала (или както се казва
детекторът да има голям коефициент на предаване), товарното
съпротивление трябва да има по-голяма стойност. При лампо-
вите приемници товарното съпротивление има стойност
0,5—1,0 мгом, обаче при транзисторните приемници неговата
стойност е по-малка, защото то е шунтирано от ниското входно
съпротивление на следващото стъпало. В предния раздел ние
намерихме, че А’ВхтР1 = 775 ом. Следователно дори и да избе-
рем за 7?! голяма стойност, еквивалентното товарно
съпротивление на детектора за променлив ток
ще има малка стойност. В теорията на радиоприемниците се
доказва, че за да имаме дачествено детектиране трябва да са
изпълнени следните условия:
— детекторът работи толкова по-добре, колкото по-голямо
напрежение се подава на входа му;
— товарното съпротивление на детектора за постоянен ток
да не е много по-голямо от товарното му съпротивление за
променлив ток.
139
Въз основа на Тези съображения, за Rx се избира стойност
5—15 ком. Ние избираме ^=10 ком.
3. Стойността на филтриращия кондезатор С3 зависи от
стойността на товарното съпротивление Rt и от най-високата
звукова честота F3 = 2000 хц, която приемникът трябва да
възпроизвежда. Тази зависимост се дава с формулата:
Сз~ Fb./?! = 2000.10000 # = 50000
Избираме стойност С8= 10000 пф.
4. За да определим броя на навивките на бобината Ц,
необходимо е да знаем входното съпротивление на детектора.
То зависи от товарното съпротивление на детектора за промен-
лив ток /?детпР и от обратного съпротивление на диода А?ОбР.
Товарното съпротивление на детектора за променлив ток се
състои от паралелно свързаните Rx и /?Вхтр1 (и тук, както в
предния раздел, може да се направи Эквивалентна схема като
се пренебрегне кондензаторът С,). Следователно неговата
стойност ще е:
о ж _ Ю000-775 _
^детпр ^4-^вхтр! “ 10000+ 775 “
Виждаме че товарното съпротивление на детектора за промен-
лив ток има малка стойност, вследствие шунтиращото действие
на следващото стъпало.
За да намерим входното съпротивление на детектора, из-
ползуваме формулата:
О _____ ^?детир. Яобр _ 750.300000
*“дет~ рдетпр^2. /?обр “750 + 2.300000
Въз основа на тази стойност, в следващия раздел ще бъде
определен броят на навивките на бобината £3.
750.300000
ИЗЧИСЛЕНИЕ
НА ВХОДНОТО УСТРОЙСТВО
1. Входното устройство се състои от трептящ кръг LvCa
антенен кондензатор и свързваща бобина La (фиг. 112).
Връзката на кръга с антената е избрана капацитивна. Ако ан-
тената се свържеше към кръга директно (без антенен конден-
затор), качоственият фактор на кръга силно намалява поради
140
Фиг. 112
внесените от антената загуби, в резултат на което избирател-
ността на приемника силно се влошава.
2. С помощта на кондензатора Са
трябва да можем да покрием средно-
вълновия обхват: /т1п = 520 кхц;
/тах г= 1600 кхц. Избираме променлив
кондензатор с твърд диелектрик и ка-
пацитети: Cmin= 15 пф; Стах=500 пф.
3. Индуктивността на бобината Lr
определяме от условието, че при за-
творен кондензатор (Стах = 500 пф)
индуктивността трябва -да е такава,
че кръгът да е настроен на най-нис-
ката честота от обхвата. За целта мо-
жем да използуваме формулата на
Томсон, но тя не е много удобна,
защото трябва да превръщаме капа-
цитета и индуктивността във фаради
и хенри. За намиране на индуктив-
ността ще използуваме формула, в
която честотата е дадена в мгхц, капацитета в пф, а индук-
тивността се получава в мкхн".
, 25300 25 300
—— лд л — л г 0g глл 180 МКХН
/min • Cmax 0,528.500
4. За да има приемникът необходимата избирателност (да
отделя станциите), трептящият кръг трябва да има висок каче-
ствен фактор Q. Практически това се постига, като бобината
се навие с литцендрат направо върху феритна сърцевина
(виж фиг. 55). В такъв случай пълното загубно съпротивление
на кръга г ще е около 8 ома. Нека поясним, че пълното за-
губно съпротивление на кръга е сума от: омическото съпротив-
ление на проводника на бобината, загубите в диелектрика на
променливия кондензатор, загубите вследствие повърхностния
ефект, загубите вследствие токовете на Фуко, загубите в сър-
цевината и.загубите внесени от антената. Тези величина трудно
се подават на изчисление с формула, и затова пълното загубно
съпротивление не се изчислява, а се измерва качествения фак-
тор на кръга. Качественият фактор на кръга Q при празен ход
(при липса на бобината £2) се изчислява за долния край на
обхвата от формулата:
п W-b/i. 2.3,14.0,52.10е.180.10^ оп
Ч —-----2-----<—------------S------------= ov
8
141
5. Броят на навивките на кръговата бобина зависи от
необходимата индуктивност и от вида на високочестотната сър-
цевина. За избраната от нас сърцевина (фиг. 55) можем да
ползуваме следната формула:
1^=^ 20 £1МКХн =V 20.180 = 60 навивки
6. Резонансното съпротивление на кръга в долния край на
средновълновия обхват се изчислява по формулата:
/?ое= 1000 Q J = 1000.80 \/—= 48 000 ом
^2пф V OUU
7. Броят на навивките U72 на бобината £2 зависи от броя
на навивките на бобината £1; от резонансното съпротивление
на кръга и от входното съпротивление на детекторното стъ-
пало. За целта използуваме формулата:
""'"v = 5 —
S. Стойността на антенния кондензатор Сх се избира в
границите 5-100 пф. Ако изберем по-голяма стойност, внесеното
съпротивление от антената ще е по-голямо, качественият фак-
тор на кръга ще намалее и избирателността на приемника ще
се влоши. Ако изберем по-малка стойност, коефициентът на
предаване на входното устройство ще бъде по-малък. С оглед
на това стойността на Сх избираме компромисно: Сг = 50 пф.
На фиг. 113 е дадена пълната схема на изчисления от нас
Фиг. 113
приемник, която се получава чрез свързване на схемите на
отделяйте стъпала.
142
От направеното изчисление се вижда, че стойностите на
отделните елементи (съпротивления, кондензатори, навивки и др.)
се определят или чрез формули, или ориентировъчно въз основа
на определени съображения. Едновременно с това се вземат
под внимание и редица изисквания, свързани както с качест-
ве ното възпроизвеждане на звука, така и с технологията на
отделните детайли. Ето защо проектирането и изчислението
на транзисторен приемник е сравнително трудна работа, която
изисква много знания и опит.
УКАЗАНИЯ ЗА НАПРАВА
НА ТРАНЗИСТОРНИ ПРИЕМНИЦИ
/.Общи с в е д е и и я. Оыцествува мнение, че направата
на любителски транзисторни приемници трябва да бъде пред-
шествувана от сериозно запознаване с теорията на транзистора
и транзисторните схеми. Други считат, че младият радиолюби-
тел може да започне своята дейност с конструирането на прости
транзисторни приемници, без да се запознаят с теорията на
полупроводниците. Според нас горните мнения са твърде край-
ни. Опитът е показал, че добри резултати се получават тогава
когато теорията и практиката вървят заедно. Ето защо ние
препоръчваме на начеващите радиолюбители едновременно и
постепенно запознаване с теорията на транзисторите и кон-
струиране на прости транзисторни приемници. По такъв начин
самата практика поражда въпроси, които трябва да бъдат обя-
снени от теорията. А придобитите теоретични знания намират
материален израз и проверка в собственоръчно изработените
конструкции. Някои млади радиолюбители се увличат само от
практиката, и без да познават устройството и действието на
транзистора, пристъпват към направата на по-сложни транзис-
торни приемници. И много често се случва така: всички части
са по местатата си, токозахранващият източник е включен, а
приемникът не работи. И което е най-печално, начеващият ра-
диолюбител не знае къде е повредата и как може да я от-
страни. Авторът на тази книга е получавал много писма от
радиолюбители, които задават различии въпроси свързани с на-
правата на транзисторните приемници. И в много от писмата
се задават такива въпроси, чиито отговори се намират... в
тази книга. Това показва, че някои радиолюбители прибързано
пристъпват към направата на транзисторните приемници, описани
в края на тази книга, без да са прочели нещо за устройството
и действието на транзистора.
143
Начеващият радиолюбител трябва да споделя своя опит и
да търси помощта на по-опитни другари. В това отношение
голяма полза допринасят кръжоците по радиотехника в учили-
щата, пионерските домове и клубовете на ДОСО. Освен това
ние препоръчваме ползването на редица книги и списания, които
могат да се намерят в библиотеките и книжарниците. Особено
полезни за младите радиолюбители са следните книги:
— Атанасов Ал. „Прост транзисторен приемник"
— Калоянов Ст. „Любителски джобен приемник"
— Шишков Ат. „Как работи транзисторът"
— Румянцев М. „Транзисторни приемници за наче-
ващи радиолюбители"
— Борисов В. „Млад радиолюбител"
— Илиев М. „Радиолюбителем опит"
— Рачев Д. „ Лаборатория на радиолюбителя"
2. Собствена лаб оратория. Тук не става дума за
някакво помещение богато обзаведено с апаратура, а за малка
радиолюбителска лаборатория, която се състои от една маса
и определен брой инструмента и материали. Ако успее да си
„издействува' един ъгъл от стаята, в който да постави маса
или още по-добре някое старо бюро с чекмеджета, радиолюби-
телят вече притежава своя лаборатория. Ние препоръчваме в
задния край на масата да се постави малка етажерка, която
ще побере редица уреди и материали. В близост до масата
(или на самата маса) могат да се монтират 2—3 контакта от
електрическата мрежа за захранване на поялника и апаратите.
В единия край на масата може да се монтира малко менгеме
(на пазаря струва 7 лв) за извършване на някои шлосерски
операции. Ние трудно можем да изброим всички инструменти
и материали необходими за радиолюбителска работа, още по-
вече че това зависи и от материалните възможности на радио-
любителя и затова ще споменем само най-важните.
Инструменти и уреди: Измерителен комбиниран уред
(напр. амперволт-ом метър); електрически поялник; клещи ком-
бинирани; отвертки — малка и средна; чукче ; пенсети; ножче;
ножовка; ръчна бормашина — малка; шило; център; бургии —
различен диаметър; триъгълник; ножица за ламарина и т. н.
Обръщаме внимание, че още при ;закупуване на електрическия
поялник, радиолюбителят трябваТда му направи стойка, в про-
тивен случай опасността от пожар е голяма.
Материали: Калай; тинол; колофон; медей проводник с
лакова изолация (ПЕЛ) с различии, диаметри'; меден проводник
с копринена изолация (ПЕЛКЕ) с различии диаметри; литцен-
драт (ВФЛ) с размер 20X^0,05; монтажей проводник с вини-
144
литова (пластмасова) изолация {ПМВ) с диаметри 0,5 и 0,8 мм
в различии Цветове; гъвкав многожилен проводник с винилитова
изолация (ПМКВ Гу, ширмован (екраниран) проводник (ПМКВГЕ)
с външен диаметър 2 мм-, ламарина — различна; гетинаксови
плочки с различна дебелина и размери; фолиран гетинакс де-
бел 1,5 мм-, прешпан (електрокартон) дебел 1 мм-, изолационни
тръбички (шлаухи) с различен диаметър и цвят; плексогласови
плочки с различна дебелина и размери; лепила — различии;
ламели за трансформатори (напр. Ш10, Ш16, Ш20, LU28 и др.);
високочестотни феритни сърцевини; феритни антенн; конденза-
тори — различии; съпротивления — различии; потенциометри —
различии; превключватели — различии; диоди — различии; тран-
зистори — различии; драйверни и изходни трансформатори;
високоговорители и т. н.
3. Пробно шаси. При работа с транзистори се препо-
ръчва особенно много пробното шаси, върху което първона-
чално се извършва монтажът на всеки любителски транзисторен
приемник. Едва след като приемникът започне да работи и
правилно се подберат режимите на транзисторите, чак тогава
се уточнява окончателната схема. След това се избира подхо-
дяща кутийка и монтажна плочка и се начертава план с раз-
положтнието на отделните детайли. Пробното шаси трябва да
бъде такова, че да позволява бързото монтиране и експеримен-
тиране на различии схеми. На фиг. 114 е показано пробно шаси
от гетинаксова плоча с размери 250 /150/3 мм. Върху плочата
пробиваме 84 отвора с диаметър 3 мм, като разстоянието
10 Транзисторни приемници
145
между тях е 20 мм. След това с алуминиеви нитчета (или винт-
чета и гайки) закрепваме монтажни ушички. При липса на та-
кива можем да си послужим с габъри за подвързване на учеб-
ници (виж фиг. 114 ляво), като главичките им предварително
почистваме със шкурка и ги калайдисваме, а след поставянето
ги закривяваме отдолу. Върху плочата можем да пробием и други
отвори за закрепване такива детайли като феритна антена про-
менлив кондензатор, трансформатори, високоговорители и др.
На фиг. 115 е показана част от пробно шаси, върху което
са монтирани някои детайли. Обръщаме внимание на това, че
при пробния монтаж краищата на различните детайли' не бива
да се подрязват.
Фиг. 115
Обикновен монтаж. Преди да разгледаме печатния
монтаж, който за сега е най-съвършенния начин за изработка
на транзисторни приемници, ще се спрем на обикновения мон-
таж върху гетинаксова плочка. При обикновения монтаж (на-
рича се още плосък монтаж) всички детайли са разположени
146
от едната страна на плочката. Закрепването на детайлите става
с помощта на техните изводи, които са промушени в предва-
рително пробити отвори. Свързването на детайлите става само
от долната страна на плочката. Когато два детайла са близко
един да друг, техните краища се запойват един за друг и то-
гава се подрязват. В случайте когато детайлите са отдалечени
свързването извършваме с монтажей проводник с диаметър
0,5 мм. При този монтаж кръстосването на проводници не
може да се избегне и това налага употребата на шлаухи, за да
предотвратим късо съединение от допиране. На фиг. 116-а е
показана схема на транзисторен приемник (виж схема № 36),
147
а на фиг. 116-6 е дадено разположението на детайлите върху
гетинаксовата плочка. Виждаме че в горния край на плочката
е закрепена феритна антена. а в ляво е разположена батерията.
В дясно от батерията са монтирани две пластинки (5г), в които
допира телефонният капсул, който служи за високоговорител.
В дясната част на плочката е монтиран променливият конден-
затор Съ върху оста на който е закрепена назъбена шайба с
деления. Закрепването на някои детайли — напр. високочестот-
ният трансформатор Z,3Z,4 става с помощта на лепило, а закреп-
ването на променливия кондензатор С\ се извършва с по-
мощта на винтчета. Най-отговорният момент при този монтаж
е рационалното подреждане на детайлите върху плочката. За
целта след като дадена схема е експериментирана на пробното
шаси и са уточнени евентуалните изменения в нея, разпойваме
всички детайли и ги нареждаме върху парче бял картон, голямо
колкото гетинаксовата плочка. Самото подреждане на детай-
лите трябва да стане не прибързано, а да се опитат няколко
комбинации и се избере най-добрата от тях. След уточня-
ване на разположението на детайлите, с помощта на мо-
лив начертаваме върху картона техните контури и с помощта на
шило пробиваме малки отвори непосредствено до краищата на
детайлите. Така оразмерения картон поставяме върху гетинаксо-
вата плочка и с шило отбелязваме местата, където трябва да се
пробият отвори. Самите отвори можем да пробием с шило или
с бормашина, на която е поставена бургия с диаметър 1,5 мм,
5. Печатен монтаж. За направата на печатен монтаж,
трябва да разполагаме с плочка фолиран гетинакс, т. е. гети-
накс дебел 1,5 мм от едната страна, на който е залепена тънка
медиа ламарина, наречена фолио. При този монтаж всички де-
тайли са разположени от горната страна на платката, като за-
крепването им става с помощта на техните изводи. За целта
на определени места по платката се пробиват отвори и в тях
се промушват изводите на детайлите. Ролята на съединителни
проводници играе медното фолио, за което се запойват изводите
на детайлите. Преди запойването, медното фолио се ецва (раз-
яжда) на определени места така, че да се образуват съединителни
ивици, съответствуващи на схемата. Както виждаме, печатният
монтаж прилича много на обикновения монтаж, описан в пред-
ната точка. Едновремено с това обаче, той се различава от
обикновения монтаж по съединителните ивици, които не мо-
гат да се кръстосват. Изработката на печатен монтаж
може да се раздели на следните три основни операции: а) под-
реждане на детайлите и уточняване на връзките между тях;
148
б) ецване на медното фолйо; в) запойване на детайлите. Пър*
вата операция е най-трудна и върху нея ще се спрем по-по-
дробно.
а)Подреждане на детайлите. Най-важната особе-
ност при подреждането на детайлите е тази, че съединител-
ните ивици фолио, намиращи се от долната страна на платката
не могат да се кръсто-
сват. Втора особеност е
тази, че към общия плюс
се свързват най-много
детайли и е логично той
да заема най-голяма част
от всички ивици, т. е.
основното фолио. На
фиг. 117-а е дадена схе-
ма на транзисторен при-
емник (виж схема
№ 43), която желаем да
изпълним на печатен
монтаж. От схемата се
вижда, че всички де-
тайли, с изключение на
батерията и слушалките
могат да се разположат
на платката. От бял тъ-
нък картон изрязваме
силуетите на всички де-
тайли (в мащаб 1:1) и
върху лист хартия за-
почваме да ги подреж-
даме по най-рационален
начин. Едновременно с
това гледаме схемата и
с молив съвсем леко
чертаем връзките меж-
ду детайлите, като пом-
ч
ним, че тези връзки не Фиг. 117
са нищо друго, освен
съединителните ивици от медното фолио от долната страна
на платката. Тази операция е най-продължнтелна и изисква
голяма съобразителност и търпение, докато окончателно под-
редим детайлите (фиг. 117-6). След като всичко е готово, пра-
вим последна проверка и с помощта на игла пробиваме в хар-
149
Тията отвори непосредствено до изводите на детайлите (тези
отвори на фиг. 117-6 са отбелязани с кръгчета). Така надуп-
чената хартия обръщаме от опъката страна и изхождайки от
схемата (фиг. 117-а) съединяваме с молив отделните отвори
така, както е показано на фиг. 118. Върху така получения
чертеж поставяме парче полупрозрачна хартия и очертаваме
контурите на съединителните ивици от медното фолио, както
е показано на фиг. 119. С това първата операция е завършена.
6) Ецване на фолиото. С помощта на ножовка или
резбарско трионче изрязваме плочка фолиран гетинакс с под-
Фиг. 118
ходящи размери и с индиго прекопирваме върху метализира-
ния слой чертежа даден на фиг. 119. Копират се само конту-
рите на проводящите ивици и с няколко щрихи се означават
кои части от фолиото трябва да останат след обработката.
Тези места от фолиото, които трябва да останат, за да играят
роля на съединителни провдници, се покриват с помощта на
четчица внимателно с асфалтов лак. Този лак може да се по-
лучи от разтварянето на асфалт (битуми, кабелмаса) в бензин,
спирт или терпентин. След като лакът изсъхне, извършваме
корекция с помощта на бръснарско ножче и потапяме плат-
ката във вана (или друг плосък съд), в който предварително
сме приготвили разтвор от железен трихлорид (Fe CZ3) с плът-
ност 1,3. Такава плътност можем да постигнем, ако във водна
150
чаша разтворим 150 г. железен трихлорид. През време на
разтварянето ваната трябва да се разклаща или разтворът да
се разбърква внимателно, да не повредим лака, като целият
прочее трае 40—60 минути. След разтварянето, платката се из-
мива обидно с вода, подсушава се и ненужният лак се пре-
махва с парче плат, напоено в бензин, спирт или терпентин.
Накрая с шило пробиваме отвори съгласно фиг. 119, като вни-
маваме техният диаметър да. съответствува на изводите на де-
тайлите. С това втората операция е завършена.
Фиг. 119
в)3апойване на детайлите. Със ситна шкурка по-
чистваме внимателно медните ивици около отворите, където
ще стане запойването. След това краищата на всеки детайл
почистваме също със шкурка и с клещи (или пенсети), внима-
телно ги подгъваме на 90° в една посока. Въз основа на
фиг. 111-6 монтираме детайлите от лицевата страна на плат-
ката, като ги притискаме да лягат плътно върху гетинакса.
При това положение внимателно подрязваме от другата страна
на платката техните краища така, че да се подават над фо-
лиото около 0,5—1 мм и ги запояваме. Обръщаме внимание,
че докато размяната на краищата на съпротивленията не е
фатално, при запойването на диоди и електролитни конденза-
тори трябва да спазваме полярността им съгласно фиг. 117-л.
151
6. Направа на кути я. Напоследък по пазаря са пуснатй
кутии от българския транзисторен приемник „Ехо“. Те са много
удобни за монтирането на любителски транзисторни приемници,
още повече, че в тях има специално място за високоговорител,
батерии, потенциометър, променлив кондензатор и т. н.
Младият радиолю-
бител може и сам да
си направи подходя-
ща кутия, като изпол-
зува плексиглас (ор-
ганично стъкло) или
плоски парчета поли-
стирол — напр. от раз-
личии домакински съ-
дове и кутии, които
се продават по мага-
зините. Плексигласът
лесно се обработва
механически, а след
нагряване до 100°—
120° се обработва и
пластично (лесно се огъва). Термопластичните материали (плек-
сиглас, полистирол винидур и др.) се залепват с лепило, йз-
работено от същите
материали, разтворени
в бензол, ксилол и др.
Плексигласови детай-
ли се залепват с
5 % разтвор на плек-
сигласови стружки в
оцетна киселина. Пле-
ксигласът се лепи
много добре направо
с хлороформ. Поли-
стиролът се лепи с
полистиролов лак —
10% полистиролови
стружки, разтворени
в бензол или ксилол
Фиг. 121
На фиг. 120—122 са показани няколко вида самоделни
кутии за любителски транзисторни приемници, изработени от
известния съветски радиолюбител М. Румянцев.
152
След като кутията бъде готова, тя трябва да се полира.
Това се постига чрез шлайфане с фина (дребнозърнеста)
шкурка, след което с помощта на сукно или кече, паста за
зъби и растително масло окончателно изгладим повърхностите.
7. Няколко съ-
в е т а. Преди да започ-
нете направата на да-
ден транзисторен при-
емник, проверете год-
ността на диодите и
транзисторите, с които
ще работите.
— При замяна на
транзистори трябва да
се спазва следното:
а) Коефициентът на
усилване на новия
транзистор да е по-
голям или равен на Фиг. 122
коефициента на усил-
ване на стария. б) Граничната честота на новия транзистор да
е по-висока или равна на граничната честота на стария тран-
зистор. Да се прави разлика между гранична честота при
схема с обща база и гранична честота при схема с общ еми-
тер. в) Максималнодопустимата мощност на новия транзистор
да е по-голяма или равна на мощността на стария транзистор.
г) При монтирането на новия транзистор, базисното съпротив-
ление се подбира наново така, че колекторният ток да бъде
същия както при стария транзистор.
— Двата транзистора употребени в крайното стъпало трябва
да се подберат с еднакви параметри (най-вече коефициент на
усилване по ток и обратен колекторен ток), за да имаме ми-
нимум изкривявания.
— В предусилвателните нискочестотни стъпала е най-добре
да се използуват транзистори от типа 5Fr351—353, които
имат малък собствен шум. За намаляване на общите шумове,
тези транзистори могат да се поставят в облекчен режим (напр.
колекторен ток 0,3—0,5 ма и колекторно напрежение 1,5—2 в).
Намаляването на колекторния ток се постига с подходящ под-
бор на базисното съпротивление (виж фиг. 41), а понижава-
нето на колекторното напрежение може да стане с развърз-
ващ филтър (виж съпротивлението /?б и кондензатора С6 в
схема № 13).
153
— В усилвателите на висока честота, а също така и в
преобразователните стъпала трябва да се използуват такива
транзистори, чиято гранична честота е 5—10 пъти по-висока
от честотата на стъпалото (виж раздела «Нискочестотни и
високочестотни транзистори").
— Изводите на транзисторите не бива да се подгъват не-
посредствено до тялото, а на 3—4 мм от него. Практически
това става с пенсети, с които хващаме извода, а с ръка вни-
мателно извършваме самото подгъване.
— Ако монтираме транзисторен приемник с феритна антена
в метална кутия, приемникът няма да работи, защото металът
действува екраниращо и не пропуска радиовълните до ферит-
ната антена.
— По-късата феритна антена има по-малка ефективност.
Ето защо не се препоръчва феритните поръчки да се чупят
на по-малки парчета. Ако поради малко място антената трябва
да бъде къса, препоръчваме антената да се счупи на две ед-
накви части, да се допрат двете парчета едно до друго и така
да се навие бобината.
154
СХЕМИ
променлив кондензатор С3 и
Схема № 1 В този приемник е използуван само един
транзистор, който детектира високочестот-
ните трептения и ги усилва. Ето защо тук може да използу-
ваме кой да е високочестотен транзистор, посочен в таблица 3.
Трептящият кръг се състои от
бобината L. Последната се със-
тои от 60 навивки емайлиран
проводник с деблина 0,2—0,3 мм,
навити върху високочестотна
сърцевина. От 8-та навивка бро-
ено от долния край, правим из-
вод, който свързваме с базата
на транзистора. Това се прави,
защото входното съпротивление
на транзистора е малко и ако
базата се включи в горния край
на бобината, влошават се каче-
ствата на трептящия кръг и при-
емането е по-слабо. Конденза-
торът Сх служи за връзка между
и намалява разстройката, която
кръга. Желателно е слушалките
имат съпротивление 2000—4000 ома. Приемникът работи добре
само с висока външна антена и приема местните радиостанции.
антената и трептящия кръг
антената причинява върху
да са високоомни, т. е. да
върху високочестотна сърцевина.
Схема № 2 В предлаганата схема е използуван точков
диод като детектор и нискочестотен тран-
зистор като усилвател на звуковата честота. Точковият диод
може да бъде един от
диодите, посочени в
таблица 1, а транзисто-
рът — един от ниско-
честотните транзистори,
посочени в таблица 2.
Кондензаторът С2 е про-
менлив, с твърд диелек-
трик. Бобината L се съ-
стои от 60 навивки от
емайлиран проводник с
дебелина 0,2—0,3 мм, навити
Изводът на бобината е направен от 8-та навивка, броено от
долния край. Съпротивлението R служи да подаде подходяще
отрицателно напрежение на базата и стойността му се под-
бира опитно. Кондензаторът Сг намалява влиянието на анте-
ната върху трептящия кръг. Кондензаторът С3 прехвърля зву-
ковите трептения на базата на транзистора. Ако липсваше той
базата нямаше да може да получи отрицателно напрежение и
батерията щеше да е накъсо свързана през долната част на
бобината, диодът и съпротивлението. Слушалките трябва да
са високоомни, т. е. да имат съпротивление 2000—4000 ома.
Приемникът работи добре с висока и дълга външна антена.
Схема № 3 Когато не разполагаме с миниатюрни елек-
тролитни кондензатори, можем да използу-
ваме тази схема, в която двата транзистора са свързани дирек-
тно. Кондензаторът Сх служи да прехвърля високочестотните
трептения от антената към трептящия кръг и същевременно
да намалява вредното влияние, което антената оказва върху
качествата на този трептящ кръг. Кондензаторът С2 е промен-
лив с твърд диелектрик. Бобината
L се състои от 60 навивки
от емайлиран проводник с
дебелина 0,2—0,3 мм и с
отвод от 8-та навивка, бро-
ено от долния край. Боби-
ната е навита върху висо-
кочестотна сърцевина. Пър-
вият транзистор детектира
и усилва трептенията от
трептящия кръг. Ето защо
той трябва да е високочес-
тотен. За такъв можем да
използуваме кой да е ви-
сокочестотен транзистор от
таблица 3. Вторият транзистор усилва ниската честота и може
да бъде кой да е от транзисторите, посочен в таблица 2. Съ-
противлението R служи едновременно като товарно съпротивление
на първия транзистор и като съпротивление за подаване необхо-
димо™ напрежение на базата на втория транзистор. Неговата
стойност определяме опитно. Слушалките трябва да са високоомни,
т. е. да имат съпротивление 2000—4000 ома. Приемникът ра-
боти добре с висока и дълга външна антена и заземяване.
Схема №4 В този приемник са употребени два ниско-
честотни транзистори и един точков диод.
Високочестотните трептения от антената попадат в трептящия
156
кръг през кондензора Сг. Неговата роля е да пропуска тези
трептения, а едновременно с това да намалява влиянието на
антената върху трептящия кръг. Кондензаторът С2 е промен-
лив с твърд диелектрик и служи да настройваме трептящия
кръг АхС2 на желаната станция. Бобините и Л2 са свързани
индуктивно и високочестотната енергия се прехвърля на детек-
тора. Точковият диод Д детектира високочестотните трепте-
ния и през електролитния кондензатор С4 звуковите трептения
се подават на базата на първия транзистор за усилване. След
това през кондензатора Сб звуковите трептения се усилват още
веднаж от транзистора Г2 и се възпроизвеждат от високого-
ворителя, Бобината Lr се състои от 60 навивки от емайлиран
проводник с дебелина 0,20—0,30 мм (или литцендрат), навити
върху високочестотна сърцевина. Върху тази бобина поставяме
пласт тънка хартия и отгоре навиваме бобината £2, която се
състои от 6 навивки от емайлиран проводник с дебелина 0,15—
0,25 мм. Съпротивленията /?2 и определят преднапрежението
на всеки транзистор. Ето защо техните стойности се подбират
опитно. В приемника можем да използуваме малък високого-
ворител или телефонии слушалки. И двата транзистора са нис-
кочестотни; за такива можем да използуваме кои да са два
от транзисторите, посочени в таблица 2. За детектиране мо-
жем да употребим кой да е точков диод, посочен в таблица 1.
Слушалките трябва да са високоомни. Ако употребяваме ви-
сокоговорител, той се включва към крайния транзистор по-
средством изходен трансформатор. Данни за изходния транс-
форматор са дадени на стр. 132 от тази книга. Приемникът ра-
боти с висока и дълга външна антена и добро заземяване.
157
Схема № 5 Характерного за този приемник е, че той е
с фиксирана настройка. Това означава, че
приемникът е настроен само на една станция — например на
най-близката и мощна радиостанция. По този начин е избяг-
ната употребата на променлив кондензатор, който заема срав-
нително голям обем и не позволява да монтираме приемника
в малка кутийка. Освен това приемникът работи с феритна
антена, върху която е навита бобината L, Трептящият кръг се
състои от кондензатора Q, който е обикновен блокконденза-
тор, и бобината L. Феритната антена представлява пръчка, на-
правена от материал с голяма магнитна проницаемост, който
концентрира през себе си магнитните силови линии от полето
на предавателя. Бобината L се състои от 60 навивки от лит-
цендрат (или емайлиран проводник с диаметър 0,20—0,30 мм)
с отвод от 8-та навивка, броено от долния край. Желателно е
бобината да се навие на хартиено пръстенче така, че то да
може да се мести по феритната пръчка. С това се осъщест-
вява фината настройка на трептящия кръг на предварително
избраната радиостанция. Стойността на кондензатора Q под-
бираме опитно в зависимост от станцията, която искаме да
приемаме. След направата на приемника може да се наложи
да развием няколко навивки от горния край на бобината. При-
емникът, изработен от нас, беше настроен за приемане на ра-
дио София — 362 м. Кондензаторът имаше стойност 200 пф.
Бобината имаше общо 39 навивки, а дължината на феритната
антена беше 8 см. Съпротивленията R* /?8 /?4 подбираме опитно.
158
Слушалките са високоомни. Желателно е приемникът да се
монтира в малка кутия от пластмаса. Монтажа можем да из-
вършим върху тънка гетинаксова плоча, върху която закреп-
ваме отделимте части. И двата транзистора са нискочестотни,
т. е. можем да използуваме кои да са два транзистора, посо-
чени в таблица 2. За диод можем да използуваме кой да е
точков диод от таблица 1.
/Й J
Схема № 6 Приемникът с обратна връзка притежава по-
добри качества от линейния приемник,' но в
замяна на това установяването на добра обратна връзка изисква
повече старание и опит от младите радиолюбители. В схемата,
която препоръчваме, е използуван само един високочестотен
транзистор. За такъв можем да изберем кой да е от транзи-
сторите, посочени в таб-
лица 3. В построения от
нас приемник използу-
вахме съветския транзи-
стор П402. Кондензато-
рът С2 е променлив с
твърд диелектрик. Бо-
бината Lr се състои от
40 навивки от литцен-
драт (или емайлиран про-
водник с дебелина 0,20—
0,30 мм). Бобината е
навита върху феритна
антена. От 8-та навивка,
броено от долния край,
правим извод, който
свързваме с емитера на
се навие върху хартиено
се мести по феритната антена. Проводникът се закрепва върху
хартиеното пръстенче с помощта на ацетоново или друго под-
ходяще лепило. Бобината за обратна връзка А2 се състои от
15 навивки, от проводник с емайлова изолация и дебелина
0,15—0,25 мму навити върху друго подвижно хартиено пръс-
тенче. Това е необходимо, за да можем да изменяме взаимното
разположение на бобините, като ги местам на различии места
по феритната антена. Ако след завършването на монтажа и
включването на приемника в слушалките не се чуе характер-
ният за обратната връзка шум, трябва да разменим краищата
на бобината за обратна връзка. Дроселът Др служи да пре-
транзистора. Бобината трябва да
пръстенче така, че то да може да
159
гради високочестотните трептения да не отиват към слушал-
ката. Той се състои от 300 навивки от емайлиран проводник
с дебелина 0,10—0,15 мм, навити върху малка макариЧка
от сухо дърво. Макаричката можем да си изработим сами с
помощта на джобно ножче. Съпротивлението /?2 подбираме
опитно. Тук трябва да внимаваме много защото от неговата
стойност зависи правилният режим на транзистора. При спо-
лучливо подбрана обратна връзка и добра външна антена ние
успяхме да приемем вечерно време около 10 радиостанции.
Схема № 7 Тази схема се отличава от схема № 6 по
това, че е прибавен един транзистор за усил-
ване на ниска честота. Следователно първият транзистор е ви-
сокочестотен и за такъв можем да употребим кой да е от
транзисторите, посочени в таблица 3. Вторият транзистор е
нискочестотен и за такъв можем да употребим кой да е тран-
зистор от таблица 2. Данните за бобините и за дросела са
същите, както в схема № 6. Обръщаме внимание на това, че
първият транзистор работи със заземена база, а вторият —
със заземен емитер. Съпротивленията /?2 и /?4 се подбират
опитно. Слушалките трябва да са високоомни. При добре под-
брана обратна връзка приемникът трябва да приема местния
предавател само с феритна антена. При добра външна антена
приемникът приема вечерно време сравните л но добре около
15 радиостанции.
160
Схема № 8 Описания? приемник работи само на феритна
антена и съдържа четири транзистора. Бо-
бината Lr се състои от 60 навивки от литцендрат (или емай-
лиран проводник с дебелина 0,20—0,30 мм). Кондензаторът Ct
е полупроменлив керамичен кондензатор с максимален капа-
цитет 150 пф. Бобината се състои от 6 навивки от про-
водник с емайлова изолация и дебелина 0,20—0,30 мм. И двете
бобини навиваме върху отделни хартиени пръстенчета, които
могат да се местят по феритната антена. Първият транзистор
е високочестотен; за такъв можем да използуваме кой да е
от транзисторите, посочени в таблица 3. Бобините Л3 и Д4 на-
виваме върху малко пръстенче с дължина 3—4 мм, което от-
рязваме от феритната антена с помощта на ножовка за же-
лязо. Бобината L* съдържа 200 навивки от емайлиран провод-
ник с дебелина 0,08 мм, а бобината £4 се състои от 100 на-
вивки от същия проводник. Бобините навиваме една върху
друга много внимателно; за целта можем да счупим пръстен-
чето на две части, а след това да го залепим наново с аце-
тоново или друго лепило. При това не бива да се страхуваме,
че счупената и наново залепена сърцевина има по-лоши каче-
ства от здравата. Диодът е точков; за такъв можем да из-
ползуваме кой да е от диодите, посочени в таблица 1. По-
следните три транзистора са нискочестотни; могат да се из-
ползуват кои да са три транзистора от таблица 2. Съпротив-
ленията /?6 и подбираме опитно, защото от тяхната стой-
ност зависи правилният режим на транзисторите. Високогово-
вителя включваме към последняя транзистор посредством из-
ходен трансформатор, данни за който могат да се намерят ца
стр. 132 от тази книга.
11 Транзисторни ариемницм
161
Схема № 9 Този приемник работи по рефлексна схема.
Това означава, че някои от транзисторите
извършва две функции. И наистина в приемника са употре-
бени два транзистора и един диод. Първият транзистор 7\
усилва прехвърлените от трептящия кръг Lx Сг в бобината
високочестотни трептения. Посредством високочестотния транс-
форматор £8 £4 тези трептения постъпват в диода, който ги
детектира, т. е. получава се ниска честота. Последната през
съпротивлението се подава отново на базата на първия
транзистор, който в този случай действува като усилвател на
ниската честота с товарно съпротивление /?3. През ^онденза-
тора С5 нискочестотните трептения се подават на оазата на
втория транзистор и оттам се възпроизвеждат от високогово-
рителя. Виждаме, че транзисторът Тх усилва едновременно
висока и ниска честота. Феритната антена е дълга 120 мм.
Бобината Lx съдържа 80 навивки от проводник с лакова изо-
ляция и дебелина 0,20—0,30 мм (или литцендрат) навити върху
хартиено пръстенче, което може да се движи по феритната
пръчка. Бобината съдържа 20 навивки от емайлиран про-
водник с дебелина 0,15—0,25 мм, навити върху друго под-
вижно хартиено пръстенче. Кондензаторът Q е полупроменлив
кондензатор с керамичен диелектрик и максимален капацитет
150 пф, Първият транзистор е високочестотен — П402, но
вместо него може да бъде използуван кой да е транзистор от
таблица 3. Вторият транзистор е П14, но вместо него може
да бъде използуван кой да е нискочестотен транзистор от
таблица 2. Високочестотния трансформатор А3Л4 навиваме върху
162
феритно колелце, което отрязваме от единия край на ферит-
ната пръчка с помощта на ножовка за желязо. Колелцето има
дължина 3—4 мм, L3 съдържа 100 навивки от емайлиран про-
водник с дебелина 0,08 мм, a L± — 300 навивки от същия
проводник. За по-лесно навиване, колелцето счупваме внима-
телно на две части, които след навиването на бобините залеп-
ваме с ацетоново или друго лепило. Диодът е точков; като
такъв можем да използуваме кой да е диод от таблица 1.
Слушалките са високоомни. Приемникът работи с феритна антена.
Схема № 10 Този приемник работи по рефлексна схема.
Транзисторът Тг работи едновременно като
усилвател на висока и на ниска честота. Като първи транзи-
стор можем да употребим кой да е от транзисторите, посо-
чени в таблица 3. Препоръчваме един от транзисторите П401,
П402, I140S и ч П403А, които ще дадат най-добри резултати.
Кондензаторът С2 е променлив с твърд диелектрик. Бобината
съдържа 60 навивки от литцендрат, навити върху хартиено
пръстенче, което може да се движи по феритната антена. Бо-
бината съдържа 8 навивки от емайлиран проводник, навити
върху хартиено пръстенче, което може да се движи по фе-
ритната пръчка. Бобините L3 и представляват високочес-
тотни дросели. Те са еднакви и съдържат по 300 навивки от
емайлиран проводник с дебелина 0,10—0,12 мм, навити върху
тяло от сухо дърво, което можем да си направим сами с по-
163
мощта на джобно ножче. За правилния режим на първия тран-
зистор е необходимо колекторният му ток, т. е. токът през
бобината да е 1 ма. Това постигаме чрез подходящ подбор
на съпротивлението Също така опитно подбираме и съ-
противлението /?6. Слушалките трябва да са високоомни. При-
емникът работи с феритна антена, но може да се включва и
на външна антена. Кондензаторът в долния край на схемата
има стойност 10 мкф.
Схема № 11 Този приемник работи по схемата с обратна
връзка, регулирането на която се осъще-
ствява чрез изменяне разстоянието между бобините Lr и £2.
Кондензаторът Са е променлив с твърд диелектрик. Бобината
Lr съдържа 60 навивки от дитцендрат (или емайлиран про-
водник с дебелина 0,20—0,30 мм), с отвод от 8-та навивка,
броено от долния край. Бобината навиваме върху хартиено
пръстенче, което може да се мести по феритната антена. Бо-
бината А2 съдържа 10 навивки емайлиран проводник с дебе-
лина 0,15—0,25 мм, навити също върху подвижно хартиено
пръстенче. Освен с феритна антена, приемникът може да ра-
боти и с външна антена. Транзисторът 7^ е високочестотен;
като такъв може да използуваме кой да е транзистор от таб-
лица 3. Дроселът Др съдържа 300 навивки от емайлиран про-
водник с дебелина 0,10—0,15 мм, навити върху макаричка от
сухо дърво, което можем да си изработим с помощта на
джобно ножче. Вторият и третият транзистор са нискочес-
тотни; за такива можем да използуваме кои да са два тран-
зистора от таблица 2. Съпротивленията и /?7 подбираме
164
опитно, тъй като от техните стойности зависи режймът на
транзисторите. Изходния трансформатор навиваме върху же-
лязна сърцевина със сечение 1 см*. Първичната намотка съ-
държа 1 000 навивки от емайлиран проводник с дебелина
0,10—0,12 мм. Вторичната намотка съдържа 80 навивки от
емайлиран проводник с дебелина 0,30—0,50 мм.
Схема № 12 Този приемник има три транзистора и ра-
боти само с феритна антена, дълга 9 см.
Схемата е разработена в Централната станция на младите
техници — София, където даде много добри резултати. При-
емникът е с фиксирана настройка — приема само София II - 362 м,
на слушалки. Кондензаторът Сг е блоккондензатор с капацитет
200 пф, а бобината А, съдържа 58 навивки от литцентрат с
отвод от 8-та навивка, броено от долния край. За приемането
на някоя друга станция ще са необходими блоккондензатор с
друг капацитет и бобина с повече или по-малко навивки. Сле-
дователно точните стойности на капацитета и на навивките
ще се определят от станцията, която желаем да приемаме.
Ако се използува променлив кондензатор, със същата бобина
може да се покрие целият средновълнов обхват. Бобината £2
е навита върху подвижно хартиено пръстенче и съдържа 50
навивки от емайлиран проводник с диаметър 0,30 мм. Боби-
ната Lx съдържа 10 навивки от емайлиран проводник с де-
белина 0,20 мм, навити въвху подвижно в хартиено пръстенче.
Дроселът Др съдържа 300 навивки от емайлиран проводник
с дебелина 0,10 мм. навити върху малка макаричка от сухо
165
дърво. Първият транзистор е П14, но по-добре е да се изпол-
зува и кой да е транзистор от таблица 3. Вторият и третият
транзистор са съответно ОС816 и ОС821, но с успех може да
се използуват кои да са два транзистора от таблица 2. Стой-
ностите на съпротивленията /?4 и /?б се подбират опитно, за-
щото от тях зависи режимът на транзисторите. Благодарение
на използуваната обратна връзка чувствителността на прием-
ника е много голяма. Бяха направени проби в здания с бетонни
конструкции, а също така и в мазета — приемникът рабо-
теше нормално.
Схема № 13 Тази схема се отличава от схема № 9 само
по това, че е прибавен още един транзис-
тор. Приемникът работи само с феритна антена. Бобината Lr
съдържа 80 навивки от литцендрат (или емайлиран проводник
с дебелина 0,20—0,30 мм). Кондензаторът Сх е керамичен, по-
лупроменлив, с максимален капацитет 150 пф. Бобината
съдържа 20 навивки от емайлиран проводник с дебелина 0,15—
0,25 мм. И двете бобини са навити върху подвижни хартиени
пръстенчета. Първият транзистор П402 може да бъде заменен
с кой да е транзистор от таблица 3. Диодът е точков; за
такъв може да ни послужи кой да е диод от таблица 1. Ви-
сокочестотният трансформатор А3Д4 има същата конструкция
като в схема № 9. Транзисторите Т.2 и Т3 са нискочестотни;
за такива можем да използуваме кои да са два транзистора
от таблица 2. Съпротивленията R3 и /?7 подбираме опитно, за-
щото от тяхната стойност зависи режимът на работа на по-
сле дните два транзистора. Изходящия трансформатор навиваме
върху желязна сърцевина със сечение 1 см2. Първичната на-
мотка съдържа 1 000 навивки от емайлиран проводник с де-
166
белина 0,10—0,12 мм. Вторичната намотка съдържа 80 на-
вивки от емайлиран проводник с дебелина 0,30—0,50 мм. Раз-
бира се, приемникът може да работи и със слушалки, които
включваме на мястото на първичната намотка на изходния
трансформатор.
Схема № 14 Описаният транзисторен приемник работи
по рефлексна схема. Бобината Lr съдържа
80 навивки от литцендрат (или емайлиран проводник с дебе-
лина 0,20—0,30 мм), навити върху подвижно хартиено пръс-
тенче. Бобината съдържа 9 навивки от емайлиран про-
водник с дебелина 0,15—0,25 мм, навити също върху под-
вижно хартиено пръстенче. Двете пръстенчета трябва да се
движат свободно върху феритната антена. Като първи тран-
зистор освен П15 можем да използуваме кой да е транзистор
от таблица 3. Като втори и трети транзистор освен посоче-
ните можем да използуваме кой да е транзистор от таблица 2.
Бобината А3 представлява дросел, който съдържа 300 навивки
от проводник с дебелина 0,10— 0,15льи, навити върху малка
макаричка, изработена от сухо дърво с джобно ножче. Като
Диод можем да използуваме кой да е точков диод от таб-
лица 1. Трансформатора Трг навиваме върху желязна сърце-
вина със сечение 1 см2. Първичната намотка съдържа 1 800
навивки от емайлиран проводник с дебелина 0,08—0,12 мм.
Вторичната намотка съдържа 300 навивки от емайлиран про-
водник с дебелина 0,08—0,12 мм. Трансформатора Тр2 нави-
ваме върху желязна сърцевина със сечение 1 см2. Първичната
намотка съдържа 1 000 навивки от емайлиран проводник с де-
белина 0,10—0,12 мм. Приемникът работи добре с феритната
антена, но е предвидена и възможност за включване на вън-
шна антена през кондензатор 50 пф.
167
Схема № 15 В тази схема са йзползувани два бисоко-
честотни и два нискочестотни транзсистора.
Приемникът работи по схемата с положите л на обратна връзка,
която е свързана не с първия, а с колектора на втория тран-
зистор. Употребената феритна антена е дълга 150 мм. Боби-
ната Lx съдържа 45 навивки от литцендрат (или емайлиран
проводник с дебелина 0,20—0,30 мм), навити върху подвижно
хартиено пръстенче. Отвода правим от 12-та навивка, броено
от долция край. Бобината съдържа 10 навивки от емай-
лиран проводник с дебелина 0,15—0,25 мм, навити също върху
подвижно хартиено пръстенче. Вместо първите два транзи-
стора можем да използуваме кои да са два транзистора от
таблица 3. Вместо последните два транзистора можем да упо-
требим кои да са два транзистора от таблица 2. Съпротивле-
нията /?3 и /?4 подбираме опитно в зависимост от избра-
ните транзистори. Изходния трансформатор навиваме върху
желязна сърцевина със сечение 1 см2. Първичната намотка
съдържа 1 000 навивки от емайлиран проводник с дебелина
0,10—0,12 мм. Вторичната намотка съдържа 80 навивки от
емайлиран проводник с дебелина 0,30—0,50 мм. Вместо висо-
коговорител на мястото на първичната намотка могат да бъдат
включени високоомни слушалки. Предвидена е възможност и
за работа с външна антена, която се включва през конденза-
тора — 5 пф.
Схема № 16 С този приемник само на феритна антена
се приемат вечерно време много добре по-
вече от европейските радиостанции. Бобината Lx съдържа 65
168
навивки от литцендрат (или емайлиран проводник с дебелина
0,20—0,30 Л£Л/), навити върху подвижно хартиено пръстенче.
От 6-та навивка, броено от долния край, правим извод който
свързваме с базата на първия транзистор. Бобината Л2 съдържа
10 навивки от емайлиран проводник с дебелина 0,15—0,25 мм,
навити върху хартиено пръстенче. Употребената феритна ан-
тена е дълга 75 мм. Вместо транзистора П401 можем да упо-
требим кой да е транзистор от таблица 3. Дроселът Дрх съ-
държа 300 навивки от емайлиран проводник с дебелина 0,08—
0,12 мм, навити върху малка макаричка, която сами можем ла
си приготвим от сухо дърво с помощта на джобно ножче.
Схемата работи с положителна обратна връзка, която нагла-
сяваме чрез взаимното разположение на бобините Lr и и
полупроменливия кондензатор С2. Тук детектирането се из-
вършва с два диода, които удвояват нискочестотното напре-
жение и наново го подават на базата на първия транзистор,
т. е. схемата е рефлексна. За дирди освен посочените можем
да използуваме кои да са два диода от таблица 1. Като втори
и трети транзистор можем да използуваме кои да са два тран-
зистора от таблица 2. В такъв случай ще се наложи съпро-
П401 ОС71 0C3U
тивленията /?3 и /?6 да подберем опитно с оглед в колектор-
ните вериги на двата транзистора да имаме ток съответно 1 ма
и 4 ма. Приемникът може да работи със слушалки, които
трябва да са високоомни. Ако желаем да включим високого-
ворител, изходния трансформатор навиваме върху желязна с'ър-
цевина със сечение 1 см?. Първичната намотка съдържа 1 000
навивки от емайлиран проводник с дебелина 0,08—0,12 мм.
Вторичната намотка съдържа 140 навивки от емайлиран про-
водник с дебелина 0,30—0,50 мм. Както се вижда от схемата,
предвидена е възможност и за работа с външна антена, която
се включва през кондензатор от 10 пф.
169
Схема № 17 Описаната схема представлява регенеративен
приемник с възможност за фино регулир-
ване на обратната връзка. Приемникът работи rfa средни вълни
с феритна антена, като е предвидена възможност за включ-
ване и на външна антена. Бобините Lr, и навиваме върху
хартиени пръстенчета, които могат да се местят по феритната
антена. Броят на навивките е посочен на схемата. Бобините
L% и L3 навиваме от литцендрат, а останалите две от емай-
лиран проводник с дебелина 0,20 - 0;30 мм. Бобината £б е
високочестотен дросел, който съдържа 300 навивки от про-
водник с емайлова изолация и дебелина 0,08—0,12 мм. Нави-
ваме я върху малка дървена макаричка, която можем да си
направим сами от сухо дърво с помощта на джобно ножче.
Като първи транзистор, освен посочения, можем да използу-
ваме кой да е транзистор от таблица 3. Диодът е точков;
вместо него можем да употребим кой да е диод от таблица 1.
Като втори и трети транзистор освен посочените можем да
употребим кои да са два транзистора от таблица 2. Изходния
трансформатор навиваме върху желязна сърцевина със сече-
ние 1 см2. Първичната иамотка съдържа 1 000 навивки от
емайлиран проводник с дебелина 0,08—0,12 мм. Вторичната
намотка съдържа 80 навивки от емайлиран проводник с дебе-
лина 0,30-0,50 мм.
Схема № 18 Тази схема съдържа един високочестотен
усилвател, който е свързан по рефлексна
схема и едновременно усилва и ниската честота. Трите по-
следни транзистора представляват нискочестотен усилвател.
Приемникът работи както с феритна, така и с въщпна антена.
170
За подобряване на селективността му е употребена положй-
телна обратна връзка, която се пегулира чрез променлив кон-
дензатор с капацитет 350 пф. Бобината на трептящия кръг Lr
е навита върху хартиено пръстенче, което може да се движи
по феритната антена. Тази бобина съдържа 50 навивки от лит-
цендрат (или емайлиран проводник с дебелина 0,20—0,30 мм),
като точно от средата й правим отвод. Бобината Д2 съдържа
8 навивки от същия проводник, навити върху подвижно хар-
тиено пръстенче. Детектирането се, извършва от два диода по
схемата на удвояване на напрежението. Ето защо е важно да
се спази тяхната полярност. Като първи транзистор авторът е
използувал ОС871, но той може да бъде заменен с кой да е
транзистор от таблица 3. Останалите транзистори са ОС810,
ОС811 и ОС821. Те също могат да бъдат заменени с кои да
са три транзистора от таблица 2. Изходния трансформатор на-
виваме върху желязна сърцевина със сечение 1 см2. Първич-
ната намотка съдържа 1 000 навивки от емайлиран проводник
с дебелина 0,08—0,12 мм. Вторичната намотка съдържа 80
навивки от емайлиран проводник с дебелина 0,30—0,50 мм.
Съпротивленията, които свързват базите на последните три
транзистора с минуса на батерията, се подбират опитно.
Схема № 19 Този приемник може да работи както с фе-
ритна, така и с външна антена. Бобината Lr
съдържа 75 навивки от литцендрат (или емайлиран проводниц,
с дебелина 0,20—0,30 мм), навити върху подвижно хартиено
пръстенче. От седмата навивка, броено от долния край, пра-
вим извод. Бобината Д2 съдържа 8 навивки от емайлиран про-
водник с дебелина 0,15—0,25 мм., навити също върху под-
вижно хартиено пръстенче. Феритната антена е дълга 100 мм.
Вместо употребения първи транзистор П401 можем да упо-
требим кой да е транзистор от таблица 3. Високочестотният
171
трансформатор L3 навиваме върху бакелитова тръбичка с
диаметър 8 мм (основата за входните бобини на българските
радиоприемници) и с феритна сърцевина. Двете бобини нави-
ваме на куп между картонени шайбички, като всяка бобина
има широчина 4 мм, а разстоянието между бобините е 6 мм.
Бобината L3 има 250 навивки от емайлиран проводник с дебе-
лина 0,08—0,12 мм, а бобината Л4 — 90 навивки от същия
проводник. Вместо последните четири транзистора можем да
употребим кои да са други, четири транзистора от таблица 2.
Освен посочения точков диод можем да използуваме кой да е
диод от таблица 1. Трансформатора Трг навиваме върху же-
лязна сърцевина със сечение 1 см2. Първичната му намотка
съдържа 2800 навивки от емайлиран проводник с дебелина
0,05 мм. Вторичната му намотка съдържа 2 X 350 навивки от
емайлиран проводник с дебелина 0,05 мм. Трансформатора 7р,
навиваме върху желязна сърцевина със сечение 1 см2. Пър-
вичната му намотка съдържа 2 X 485 навивки от емайлиран
проводник с дебелина 0,08 мм. Вторичната му намотка съдържа
45 навивки от емайлиран проводник с дебелина 0,40 мм.
Схема Ха 20 За любителите на миниатюрни транзисторни
приемници препоръчваме тази схема, в която
са употребени четири транзистора и малък брой части. Пър-
вият транзистор работи като усилвател на висока честота и
като регенератор (положителна обратна връзка). Вторият тран-
зистор детектира високочестотните колебания, като в неговата
колекторна верига е свързана бобината за обратна връзка £3.
Третият и четвъртият транзистори са усилватели на ниска че-
стота. Ако вместо първите два транзистора (които са всъщ-
ност нискочестотни) използваме кои да са два транзистора от
172
пи ли тз тз
Llf като съответните разстояния се
таблица № 3, приемникът ще работи по-добре. Двете бобини
са навити върху феритна пръчка с дължина 100 мм. Бобината
Lx съдържа 75 навивки от проводник с лакова изолация и диаметър
0,2—0,3 мм. Тя се навива
в средата на антената и се
закрепва с лепило. Боби-
ната съдържа 12 на-
вивки от същия проводник,
навити върху подвижно
хартиено пръстенче. Боби-
ната за обратна връзка
съдържа 10 навивки от
същия проводник, навити
върху друго подвижно хар-
тиено пръстенче. Бобините
и се разполагат от
двете страни на бобината
определят опитно. Променливият кондензатор Сг представлява
полупроменлив керамичен кондензатор с максимален капаци-
тет 100—150 пф. Като високоговорител може да се употреби
телефонна слушалка с омическо съпротивление 200—500 ома
или още по-добре съветския микрофонен капсул ДЕМ—4М.
Захранването може да стане както с плоска батерия, така и с
три броя миниатюрни акумулаторчета. В последний случай
приемникът може да се монтира в много малка кутийка.
Схема № 21 Този приемник съдържа три транзистора.
Първият транзистор детектира високочестот-
ните трептения, ето защо той трябва да е високочестотен.
Като такъв можем да използуваме кой да е транзистор от
таблица № 3. Вторият и третият транзистор са нискочестотни
173
и могат да бъдат кои да са два транзистора от таблица № 2.
Приемникът работи с външна антена. Кондензаторът С2 е про-
менлив с твърд диелектрик и с него настройваме трептящия
кръг Lr С2 на желаната станция. Бобината се състои от 60
навивки от емайлиран проводник с диаметър 0,2—0,3 мм, на-
вити върху високочестотна сърцевина. Върху тази бобина по-
ставяме пласт тънка хартия и върху нея навиваме бобината
Z,2, която има 6 навивки от същия проводник. Стойностите на
съпротивленията /?2 и определяме опитно, защото от тях
зависи работната точка на транзисторите. Колекторният ток на
втория транзистор трябва да е 1 ма. В приемника могат да
се използуват слушалки със съпротивление повече от 500 ома,
или високоговорител, който се свързва чрез изходен трансфор-
матор. Данни за изходен трансформатор, са дадени на стр. 132
от настоящата книга. Захранването на приемника става с обик-
новена плоска батерия.
Схема № 22 Описаният приемник съдържа три транзи-
стора и един точков диод. С помощта на
променливия кондензатор Сх настройваме трептящия кръг на
желаната радиостанция. Този кондензатор е керамичен с мак-
симален капацитет 100—150 пф. Бобината Lx съдържа 70 на-
вивки от емайлиран проводник с диаметър 0,2—0,3 мм (или
литцендрат), навити неподвижно в средата на феритната антена,
която има дължина 100 мм. Бобината съдържа 10 навивки
от същия проводник, навити върху подвижно хартиено пръс-
тенче. Високочестотният трансформатор Трх представлява фе-
ритно пръстенче, на което са навити бобините £3 и А4. Боби-
ната съдържа 70 навивки от емайлиран проводник с диа-
метър 0,1 мм, а бобината Z,4 съдържа 200 навивки от същия
174
проводник. Нискочестотният трансформатор Тр* осигурява
много добро прехвърляне на напрежение между втория и тре-
тий транзистор. Неговата желязна сърцевина има сечение
0,5 см2. Първичната му намотка съдържа 3 500 навивки от
емайлиран проводник с диаметър 0,07 мм. Вторичната му на-
мотка съдържа 700 навивки от същия проводник. Приемни-
кът работи с високоговорител, който се включва чрез изходен
трансформатор. Като първи транзистор можем да употребим
кой да е високочестотен транзистор от таблица № 3. Вместо
точковия диод Д1Е можем да използваме кой да е точков
диод от таблица № 1. Като втори и трети транзистор можем
да употребим кои да са два транзистора от таблица № 2. При-
емникът се захранва от обикновена плоска батерия.
Схема № 23 Настоящият приемник работи на феритна
антена и има пет транзистора и един точков
диод. Кондензаторът Сг е керамичен полупроменлив конден-
затор. Бобината Lx съдържа 60 навивки от емайлиран провод-
ник с диаметър 0,2—0,3 мм, навити неподвижно в средата на
феритната антена, която има дължина 16Э мм. Бобината £3
съдържа 10 набивки от същия проводник, навити върху под-
вижно хартиено пръстенче. Високочестотният трансформатор
А4А5 е навит върху феритно пръстенче. Намотката Lx съдържа
300 навивки от емайлиран проводник с диаметър 0,1 мм, а
намотката А5 съдържа 60 навивки от същия проводник. Ви-
сокочестотният трансформатор е навит също върху
феритно пръстенче. Намотката съдържа 300 навивки от
емайлиран проводник с диаметър 0,1 мм, а намотката £7 съ-
държа 120 навивки от същия проводник. ВмесФо първите два
транзистора можем да употребим кои да са два високочес-
тотни транзистора от таблица № 3. Диодът Д1Е може .да
бъде заменен с кой да е точков диод от таблица № 1. По-
следните три транзистора могат да бъдат заменени с които и
175
да са три транзистора от таблица № 2. Приемникът се за-
хранва от една плоска батерия и работи на високоговорител,
който се включва чрез изходен трансформатор.
Схема № 24 Този приемник е построен по рефлексна
схема и разработен от младите съветски ра-
диолюбители Валерий Алексеев — уч. от X кл. и Александър
Фадеев — уч. от IX кл. — гр. Саратов. Първият транзистор
първоначално е усилвател на висока честота. След това дио-
дът детектира усиления сигнал, който през кондензатора С3
неново постъпва в базата на първия транзистор т. е. имаме
усилване на ниската честота. Двата последни транзистора също
така усилват ниската честота. Променливият кондензатор Сх
е керамичен палупроменлив кондензатор. Бобината £1 съдържа
60 навивки от емайлиран проводник с диаметър 0,2—0,3 мм
и е закрепена неподвижно в средата на феритната антена,
която има дължина 100 мм. Бобината £2 съдържа 15 навивки
от същия проводник, навити върху подвижно хартиено пръстенче.
Високочестотният трансформатор се навива върху феритно пръ-
стенче с диаметър 10 мм. Намотката L3 съдържа 70 навивки от
емайлиран проводник с диаметър 0,1 мм, а бобината £4 съдържа
240 навивки от същия проводник. Приемникът работи с микрофо-
не н капсул ДЕМ—4, но може да работи както с високоомни слушал-
ки, така и с високоговорител, включен чрез изходен трансформатор.
Схема № 25 Описаният приемник работи по рефлексна
схема, като първият транзистор усилва както
висока, така и ниска честота. Кондензаторът Сх е променлив
176
с твърд диелектрик и максимален капацитет 250—300 пф.
Бобината Ц съдържа 65 навивки от емайлиран проводник с
диаметър 0,15- 0,20 мм, а бобината £, съдържа 5 навивки от
същия проводник. И двете бобини са навити върху хартиени
пръстенчета, за да могат да се движат по феритната антена,
която има дължина 80—100 мм. Високочестотните дросели £3
и £< са еднакви. Всеки един от тях се навива върху мака*
ричка от картон Рили сухо дърво и съдържа 300 навивки от
емайлиран проводник с диаметър 0,10—0,15 мм. Особеното в
схемата е това, че крайният транзистор ПЗБ може да даде
мощност до 1 cam. За целта първите два транзистора се за-
хранват с напрежение 4,5 в, а крайният транзистор — с на-
прежение 9 в. Изходния трансформатор навиваме върху же-
лязна сърцевина със сечение 2 см*. Първичната намотка съ-
държа 1000 навивки от емайлиран проводник с диаметър
0,15 мм, а вторичната съдържа 80 навивки от емайлиран про-
водник с диаметър 0,3 мм. Чрез съпротивлението /?7, колек-
торният ток на крайняя транзистор се регулира на около 15 ма.
Вместо първия транзистор, можем да употребим кой да е
транзистор от таблица № 3. Вместо втория транзистор можем
да употребим кой да е транзистор от таблица № 2. Третият
транзистор може да бъде заменен с кой да е транзистор от
таблица № 2, но тогава изходната мощ е по-малка.
Схема № 26 Настоящият приемник е разработен от Ди-
митър П. Попов — ученик от X кл. гр. Си-
листра. Той беше пред ставен по тема № 24 от Тематичния
конкурс МК — 1963 год., обявен от Централната станция на
младите техници — София. Комисията прегледа готовия при-
емник и определи награда за автора му в размер на 40 лв. От
схемата се вижда, че приемникът съдържа пет транзистора и
един диод. Кондензаторът Сх е полупроменлив керамичен кон-
12 Траниисторяи приемници
177
дензатор от типа КПК— 2. Бобината Lx съдържа 70 навивки
от емайлиран проводник с диаметър 0,15 мм. Тя е закрепена
неподвижно в средата на феритната антена. Бобината £, съ-
държа 10 навивки от същия проводник, навити върху под-
вижно хартиено пръстенче. Феритната антена има дължина
ПО мм и диаметър 10 мм. Високочестотният трансформатор
£8£4 е навит върху феритно пръстенче. Намотката £, съдържа
280 навивки от емайлиран проводник с диаметър 0,1 мм, а
намотката съдържа 70 навивки от същия проводник. Ви-
сокочестотния дросел навиваме върху малка в. ч. сърцевина.
Той съдържа 200 навивки от емайлиран проводник с диаметър
0,10—0,12 мм. Драйверният трансформатор Тр е навит върху
желязна сърцевина със сечение 0,25 см2. Първичната намотка
съдържа 1300 навивки от емайлиран проводник с диаметър
0,10 мм, а вторичната намотка съдържа 260 навивки от същия
проводник с извод в средата. Като високоговорител е изпол-
зуван микрофонен капсул ДЕМ, чиито бобини са пренавити от
2X18 ома на 2X40 ома със среден край. Това означава,
че всяка бобина съдържа по 600 навивки от емайлиран про-
водник с диаметър 0,10 мм, като между двете бобини е на-
правен извод. За добрата работа на приемника имат голямо
значение стойностите на съпротивленията Rb Rit R6, Re и /?7,
които трябва да се подберат опитно. Вместо първите два тран-
зистора могат да се употребяват които и да са два транзи-
стора от таблица № 3. Диодът Д1Д може да се замени с
кой да е диод от таблица № 1, Последните три транзистора
178
могат да се заменят с които и да са три транзистора от таб-
лица № 2. Приемникът се захранва с една плоска батерия и
има размери 125 X 83 X 38 мм.
Схема № 27 Тази схема съдържа пет транзистора и един
диод. Приемникът работи на феритна антена. Крайното стъ-
пало е противотактно и осигурява не само качествено възпро-
извеждане, но и консумира минимален ток по време на мъл-
чане. Настройващият кондензатор е променлив с максима-
лен капацитет 500 пф. Бобината Lx съдържа 60 навивки от
емайлиран проводник с диаметър 0,2 мм. Тя е навита непод-
вижно в средата на феритната антена. Бобината £2 съдържа
12 навивки от същия проводник и е навит на подвижно хар-
тиено пръстенче. Високочестотният трансформатор е навит на
феритно пръстенче. Бобината му Ая съдържа 70 навивки от
емайлиран проводник с диаметър 0,10 мм, а бобината Z,4 съ-
държа 280 навивки от същия проводник. Драйверният транс-
форматор е навит на желязна сърцевина със сечение 0,8—
1,0 см*. Първичната му намотка съдържа 1300 навивки от
емайлиран проводник с диаметър 0,10 мм, а вторичната му
намотка съдържа 260 навивки от същия проводник с извод
в средата. Изходният трансформатор 7ра е навит върху же-
лязна сърцевина със сечение 1 см*. Първичната му намотка
съдържа 700 навивки от емайлиран проводник с диаметър
0,15 мм с извод в средата. Вторичната намотка съдържа 80
навивки от емайлиран проводник с диаметър 0,3 мм. Първият
транзистор може да бъде заменен с кой да е транзистор от
таблица № 3. Точковият диод Д1А може да бъде заменен с
кой да е диод от таблица № 1. Четирите последни транзи-
стора могат да бъдат заменени с които и да са четири тран-
зистора от таблица № 2. При това да се има предвид, че за
179
правилната работа на противотактното стъпало, последните
два транзистора трябва да имат еднакви параметри.
Т-П14
Схема № 28 Това е един
малък транзи-
сторен нискочестотен усилвател.
Той може да бъде използуван
като усилвател към детектор-
ния приемник. Вместо посочения
транзистор можем да използу-
ваме кой да е транзистор от
таблица 2. Съпротивлението
подбираме опитно, тъй като от
неговата стойност зависи пра-
вилният режим на транзистора.
Слушалките трябва да са ви-
сокоомни.
Схема № 29 Предлаганият нискочестотен усилвател се съ-
стои от два транзистора, към последния от
които могат да бъдат включвани високоомни слушалки или
ивходен трансформатор с високоговорител. Освен посочените
транзистори можем да използуваме които и да са два'ниско-
Tr-/7/J
т-тз
честотни транзистора от таблица 2. Изходния трансформатор
навиваме върху желязна сърцевина със сечение 1 слс3. Пър-
вичната намотка съдържа 1 000 навивки от емайлиран провод-
ник с дебелина 0,08—0,12 мм. Вторичната намотка съдържа
180
80 навивки от емайлиран проводник с дебелина 0,30—0,50 мм.
Съпротивленията Rx и /?3 подбираме опитно.
Схема № 30 Тозинис-
кочесто-
тен усилвател съдържа
два транзистора. Освен по-
сочените транзистори мо-
жем с успех да използу-
ваме които и да са два
транзистора от таблица 2.
Съпротивленията Rv и
подбираме опитно, тъй като
от тяхната стойност зави-
си правилният режим на транзисторите. Слушалките трябва да
са високоомни. Усилвателят може да бъде използуван като
нискочестотен усилвател към детекторен приемник или към
транзисторни приемници.
Схема № 31 Характерного за този нискочестотен усилва-
тел е това, че той се захранва от батерия,
която има напрежение само 1,5 волта. Освен посочените тран-
зистори с успех можем да използуваме които и да са три
0С810 0С8Ю 0Св2!
транзистора от таблица 2. Съпротивленията Rx, Re и R6 под-
бираме опитно, тъй като те определят правилния режим на
транзисторите. Слушалките трябва да са високоомни. Усилва-
телят е удобен за усилвател на кристален микрофон, тъй като
може да се помести в малък обем.
Схема № 32 На тази схема е представено едно двутактно
крайне стъпало, в което не се използува
драйверен трансформатор. Токоизточникът има напрежение
181
4,5 волта. Посочените транзистори могат да бъдат замененй
с които и да са три транзистора от таблица 2. При смяната
обаче на транзисторите ще трябва да подберем съответни
стойности за съпротивленията Rt и /?7. Максималната му из-
ходяща мощност е 70 мет; консумираният ток при мълчание
е 12 ма, а при пълна мощност — 54 ма. Чувствителността
на входа е 0,4 волта. Данните за изходния трансформатор
са: сечение за желязната сърцевина 0,6 см?. Първичната на-
мотка съдържа 500 навивки от емайлиран проводник с дебе-
лина 0,15 мм и с извод от средата. Вторичната намотка съ-
П13 2*П13
държа 115 навивки от емайлиран проводник с дебелина 0,3—
0,5 мм. Схемата е удобна за нискочестотен усилвател на тран-
зисторен приемник, който работи с миниатюрен високоговорител.
Схема № 33 Изходящата мощност на предлагания усил-
вател е 100 мет, а чувствителността му на
входа е 25 мв. Консумираният ток по време на мълчание е
2,5 ма, а при пълна мощност — 20 ма. Трансформаторът Трг
е навит на желязна сърцевина със сечение 1 см?. Първичната
му намотка съдържа 1 500 навивки от емайлиран проводник с
дебелина 0,10 мм, а вторичната му намотка съдържа 1000
навивки с извод от средата от същия проводник. Трансфор-
матора Tpt навиваме върху желязна сърцевина със сечение
1 см9. Първичната му намотка съдържа 1 000 навивки от емай-
182
лиран проводник с диаметър 0,15—0,18 мм и с извод от сре-
дата. Вторичната намотка съдържа 100 навивки от емайлиран
проводник с дебелина 0,30—0,40 мм. От втората навивка, бро-
ено от долу, правим извод. Вместо означените транзистори мо-
жем да използуваме които и да са три транзистора от таб-
лица 2. Усилвателят е удобен за транзисторен приемник, който
работи с високоговорител.
Схема № 34 Това е един нискочестотен усилвател с че-
тири транзистора и изходна мощ 0,3 вт. Усил-
вателят може да служи за най-различни цели, между които и
усилвател за грамофон. Усилвателят се захранва от две плоски
батерии и по време на работа консумира средно 15—20 ма.
183
Или с един комплект захранващи
около 30 часа. Всички употребени
Схема 35
батерии може да работи
транзистори са от типа
П13А, но може да се
употребят четири ко-
нто и да са транзи-
стора от таблица № 2,
които имат р не пс-
малко от 40. После/-
ните два транзистора
трябва да имат една! -
ви параметри. ДраГ,-
верният трансформа-
тор Трх има желязна
сърцевина със сечение
1,5 см*. Първичната
му намотка съдържа
2 500 навивки от емай-
лиран проводник с ди-
аметър 0,1 мм. Вто-
ричната му намотка
съдържа 2 000 навив-
ки от същия провод-
ник с извод в средата.
Трансформаторът 7ра
има желязна сърце-
вина със сечение
1,5 см*, като първич-
ната намотка съдър-.
жа 700 навивки от
емайлиран проводник
с диаметър 0,18 мм
с извод в средата, а
вторичната намотка
съдържа 100 навивки
от емайлиран провод-
ник с диаметър 0,27—
0,30 мм. Усилвателят
има отрицателна об-
ратна връзка, която
подобрява неговите
качества и се регу-
лира с потенциоме-
търа R. Това изис-
184
ква, краищата на вторичната намотка на трансформатора 7ра
да се свържат правилно.
Схема № 35 Настоящият приемник работи само на фе-
ритна антена и съдържа четири транзистора.
Първият и вторият транзистор служат за усилване на висока
честота и като такива можем да използуваме които и да са
два високочестотни транзистора от таблица № 3. Детектира-
нето се извършва от два точкови диода. Като такива можем
да употребим които и да са два точкови диода от таблица
№ 1. Като трети и четвърти транзистор можем да употребим
които и да са два нискочестотни транзистора от таблица № 2.
Бобината £х съдържа 80 навивки от емайлиран проводник с
диаметър 0,2—0,3 мм и е закрепена неподвижно в средата
на феритната антена, която има дължина 100 мм. Бобината
£а съдържа 15 навивки от същия проводник, навити върху
подвижно хартиено пръстенче, за да може опитно да се под-
бере най-добрата връзка между тях. Променливият кондензатор
Сг е керамичен полупромеилив кондензатор от типа ПКК. При-
емникът може да работи както на слушалки, така и на висо-
коговорител. Ако се употребят високоомни слушалки, стойно-
стта на съпротивлението /?8 трябва да се подбере опитно и
ще е от порядъка на 0,1—0,2 мом. Ако се използува високо-
говорител, чието съпротивление на бобината е 5 ом, налага
се употребата на изходен трансфортатор със следните данни:
сечение на сърцевина 0,5—1,0 см2; първична- намотка 450 на-
вивки от емайлиран проводник с диаметър 0,08 мм; вторична
намотка 65 навивки от емайлиран проводник с диаметър
0,30 жж/Базисното съпротивление Т?8 трябва да има стойност
от порядъка на 10 ком, за да получим колекторен ток 10—12 ма.
Схема № 36 Характерного за този приемник е това, че
то йработи по рефлексна схема, защото пър-.
вият транзистор усилва както висока, така и ниска честота.
Кондензаторът Сх е полупромеилив керамичен от типа на КПК.
Бобината съдържа 80 навивки от емайлиран проводник с
диаметър 0,2—0,3 жж и е навита в средата на феритната ан-
тена, която е дълга 100 мм. Бобината на £а съдържа 15 на-
вивки от същия проводник и е навита върху хартиено пръс-
тенче, за да може опитно да се подбере най-добрата връзка
между тях. Като първи транзистор можем да използуваме кой
да е високочестотен транзистор от таблица № 3, който има
0 = 50—120. Високочестотният трансформатор £8£4 е навит
върху малко феритно пръстенче. Намотка £8 съдържа 70 на-
185
вивки От емайлиран проводник с диаметър 0,08 мм, a съ-
държа 200 навивки от същия проводник. Диодът Д е точков
и можем да употребим кой да е диод от таблица № 1. Тран-
зисторите Т2 и Т3 са нискочестотни и можем да употребим
които и да са два транзистора от таблица № 2, които имат
0 = 40 — 80. Приемникът работи само на високоговорител. Ако
бобинката на високоговорителя има съпротивление 5 ома, из-
ходният трансформатор има следните данни: сечение на сър-
цевината 0,5—1,0 сл«2; първична намотка 900 навивки емайли-
ран проводник с диаметър 0,08 мм', вторична намотка 55 на-
вивки от емайлиран проводник с диаметър 0,30 мм.
Схема № 37 За любителите на транзисторни приемници с
малък брой части даваме настоящата схема.
Приемникът съдържа четири транзистора — един високочес-
тотен (кой да е от табл. 3) и три нискочестотни (които и да
са от табл. 2). Феритната антена е дълга 100—160 мм и в
средата е навита бобина Lb която съдържа 80 навивки от
емайлиран проводник с диаметър 0,2—0,3 мм. Бобината L3 съ-
държа 15 навивки от същия проводник и е навита върху под-
вижно хартиено пръстенче за опитно подбиране на връзката.
Кондензаторът е керамичен полупроменлив кондензатор от
типа КПК. Високочестотният трансформатор £3 £4 е навит върху
малко феритно пръстенче с външен диаметър 8—10 мм, дъл-
жина 5—6 мм и отвор 4—6 мм. Намотката L3 съдържа 80
навивки от емайлиран проводник с диаметър 0,08—0,10 мм, а
намотката £4 съдържа 160 навивки от същия проводник. Дио-
дът Д е точков и можем да използуваме кой да е диод от
186
таблица № 1. Съпротивлението Ra в някои случаи може да
липсва, и затова е начертано с пунктир. Изходният трансфор-
матор има сыците данни, както в схема № 35.
Схема № 38 Характерното за този приемник е това, че
крайното му стъпало работи по противо-
тактна схема, която дава пс-голяма мощност и е много по-
икономична от еднотактната. Така например, приемникът от
схема № 36 при силно свирене и при слабо свирене консу-
мира в крайното си стъпало около 10 ма. Настоящият прием-
ник при слабо свирене консумира в крайното си стъпало около
6 ма, а при силно свирене — около 20—25 ма. Бобината
съдържа 80 навивки от емайлиран проводник с диаметър 0,2—
0,3 мм и е навита в средата на феритната антена, която има
187
дължина 100 мм. Бобината А2 съдържа 15 навивки от същия
проводник и е навита върху подвижно хартиено пръстенче.
Кондензаторът е полупроменлив, керамичен с максимален
капацитет 150 пф. Високочестотният трансформатор LtLt е
същият както в схема № 36. Вместо първия транзистор
можем да употребим кой да е такъв от таблица № 3. Дио-
дът Д е точков (кой да е диод от таблица № 1). Останалите
четири транзистора са нискочестотни и е желателно да имат
3 = 40 и повече. Вместо тях можем да употребим които и да
са четири нискочестотни транзистори от таблица № 2. Драй-
верният трансформатор Трг е навит върху желязна сърцевина
със сечение 0,25 см* и има данни: първична намотка 1 300
навивки от емайлиран проводник с диаметър 0,10 мм и вто-
рична намотка 260 навивки от същия проводник с извод в
средата. Изходният трансформатор 7ра е навит върху желязна
сърцевина със сечение 0,5 см* и има данни: първичната на-
мотка 500 навивки от емайлиран проводник с диаметър 0,12 и
извод в средата и вторична намотка 80 навивки от емайлиран
проводник с диаметър 0,3 мм. Високоговорителят е фабричен
със съпротивление на бобинката 5 ома.
Схема № 39 Радиолюбителите с повече опит в транзис-
торната техника не се задоволяват с линей-
ните приемници и за тях даваме схема на прост суперхетеро-
динен приемник с три транзистора. Приемникът съдържа пре-
образователно стъпало, усилвател на междинна честота, детек-
торно стъпало, верига на АРУ и усилвател на ниска честота.
Бобината Ц съдържа 60 навивки от емайлиран проводник с
диаметър 0,2—0,3 мм и е навита в средата на феритната ан-
тена, която има дължина 100 мм. Бобината £а съдържа 10
навивки от същия проводник и е навита върху подвижно хар-
188
тиено пръстенче. Двойният променлив кондензатор С9С6 е фа-
бричен (напр. от
„Гауя", „Нева",
„Чайка", „Ехо" и
др.). Осцилаторни-
те бобини £3£3 и
междинночестотни-
те трансформатори
£б£6 и Л7А8 са съ-
що от фабричните
приемници, но мо-
жем да си навием
сами. За целта са
ни необходими три
броя полистироло-
ви трисекционни
тела с феритни
сърцевини. На пър-
вото тяло навива-
ме осцилаторните
бобини, като на-
мотката нави-
ваме само в една-
та секция и тя съ-
държа 15 навивки
от емайлиран про-
водник с диаметър
0,15 мм. Намотка-
та L3 съдържа 104
навивки от същия
проводник, като
всички навивки раз-
полагаме в трите
секции равномерно.
Извод правим от
4-та навивка, счи-
тано от заземения
(левия по схемата)
край. На второто и
третото тела нави-
ваме междинноче-
стотните трансфор-
матори. Намотката
съ
Схема 40
189
L6 навиваме само в едната секция и тя съдържа 20 навивки
от емайлиран проводник с диаметър 0,15 мм. Намотката Ав
съдържа 155 навивки от емайлиран проводник с диаметър
0,10 мм, като всички навивки разполагаме равномерно в трите
секции. Извод правим от 90-та навивка, считано от горния (по
схемата) край. Намотката £8 навиваме в едната секция и тя
съдържа 45 навивки от емайлиран проводник с диаметър
0,15 мм. Намотката £7 съдържа 155 навивки от емайлиран
проводник с диаметър 0,10 мм, като всички навивки са раз-
положени равномерно в трите секции. Извод правим от 90-та
навивка считано от горния (по схемата) край. Кондензаторите
Q и С6 служат за изравняване капацитета на двата промен-
ливи кондензатора и представляват керамични полупроменливи
кондензатори от типа КПК с максимален капацитет 15 пф.
Диодът Д е точков и можем да употребим кой да е диод
от таблица № 1. Приемникът може да работи както на слу-
шалки, така и на високоговорител. В първия случай стойността
на съпротивлението трябва да се подбере опитно и ще е
от порядъка на 0,1 мом. Ако се използува високоговорител
изходният трансформатор има същите данни както в схема
№ 36. Настройката на приемника може да стане „на слух”,
но е по-добре да се извърши със сигналгенератор. Да се има
предвид, че транзисторът Та работи в рефлексен режим, т. е.
усилва висока и ниска честота.
Схема № 40 Този суперхетеродинен приемник се разли-
чава от предишния само по това, че вторият транзистор не
работи в рефлексен режим, в замяна на което схемата съдържа
четири транзистора. Стойностите и конструкцията на всички
бобини са същите както в схема № 39. Тук е предвиден по-
тенциометър /?6, който може да се комбинира с ключа К. За
постигане добро спрягане на осцилаторния с входния кръг
може да се наложи промяна в стойността на кондензатора С7.
Настройката на приемника е желателно да се извърши със
сигналгенератор, като първо се настроят междинните транс-
форматори, а след това се спрегнат осцилаторните и входни
кръгове.
Схема № 41 Използуването на положителна обратна връзка
води до многократно увеличаване чувстви-
телността на транзисторния приемник. Положителната обратна
връзка действува така, че компенсира загубите в трептящия
кръг, т. е. напрежението в двата края на кръга по време на
резонанс става много голямо. Главната трудност при тези схеми
190
(виж схеми № № 6, 7, 11, 12, 15, 16, 17, 18) произтича от
това, че усилването е най-голямо тогава, когато се намираме
съвсем близо до прага на генерациите, и регулирането на об-
ратната връзка е „най-деликатният“ въпрос от целия радиопри-
емник. В настоящата схема регулирането на положителната
обратна връзка се извършва плавно с помощта на потенцио-
метъра /?2. Приемникът работи на външна антена и именно в
този случай резултатите са най-добри. При приемане на близък
предавател приемникът може да работи и само на феритна
антена. Бобината Lr е навита върху феритна антена, дълга
100 мм и съдържа 80 навивки от литцендрат 20\0>05 или
емайлиран проводник с диаметър 0,3 мм. Бобината е на-
вита върху подвижно хартиено пръстенче и залепена с аце-
тоново или друго лепило. Тя съдържа 10 навивки от същия
проводник. Използуваният транзистор трябва обезателно да е
високочестотен, т. е. може да ползваме кой да е транзистор
от таблица № 3. Слушалките трябва да са високоомни. С такъв
приемник и добра външна антена ние приемахме вечерно време
добре около 10 радиостанции. Ако при първата проба не въз-
никнат генерации при движение на плъзгача на и бобината
£а, налага се да разменим краищата на бобината L*
Схема № 42 Тазиь схема се различава от предишяата по
това, че е прибавено едно нискочестотно
усилвателно стъпало. Това позволява приемникът да работи
191
само на феритна антена. Данните за бобините и феритната
антена са същите както в горната схема. Колекторният ток
на втория транзистор се нагласява чрез подбор на базисното
съпротивление /?3. При употреба на слушалки със£съпротив-
ление 4 000 ом, колекторният ток на Т2 трябва да е 0,7 ма.
Когато слушалките имат съпротивление 500—2 000 ом, колек-
торният ток може да бъде 1 ма. Ако при първата проба не
възникнат генерации (характерни за приемниците с положи-
телна обратна връзка), налага се да разменим краищата на
бобината £а. Добрата работа на приемника зависи в голяма
степей от взаимното разположение на бобините и Ла.
Схема Ув 43 Приемникът построен по тази схема е пред-
назначен да приема само една станция —
напр. близкия предавател, като донастройката се извършва
чрез месте не на бобината по феритната антена. Ако вместо
кондензатора С\ поставим променлив кондензатор с максима-
лен капацитет 200—300 пф, ще можем да приемаме всички
станции от средновълновия обхват. Бобината L е навита върху
подвижно хартиено пръстенче и съдържа 58 навивки (с извод
от 8-та навивка) от литцендрат 20X0,05. При движение на
бобината от средата до края на феритната антена, индуктив-
ността на бобината намалява близо 2 пъти и именно така се
извършва настройката на приемника. В посочената схема при-
емникът е предвиден за предавателя „Вакарел" (827 кхц). Ако
радиолюбителят желае да приема други предавател, трябва
съответно да измени броя на навивките на бобината L. Пър-
192
вият транзистор работи в рефлексен режим, като усилва както
високата, така и ниската честота, а вторият транзистор е усил-
вател на ниска честота. Сигналът от трептящия кръг постъпва
на базата на първия транзистор и се усилва от него, като в
този случай товар-
ното съпротивление srrj/7
по висока честота е
дроселът Др. Той съ-
държа 300 навивки
от емайлиран провод-
ник с диаметър 0,15
мм, навити за удоб-
ство върху високоом-
но съпротивление —
напр. 1 мгом. Усиле-
ният високочестотен
сигнал се подава чрез
С2 за детектиране. Де-
текторного стъпало е
изпълнено с два дио-
SFT353
да по схемата с удвоя-
ване на напрежението,
която схема дава близо 1,7 пъти по-високо нискочестотно на-
прежение. Нискочестотният сигнал се подава отново на базата
на TD но в този случай товарното съпротивление по ниска че-
стота не е дроселът (за ниската честота неговото съпротивле-
ние е малко), а е съпротивлението Усиленият нискочесто-
тен сигнал през кондензатора С3 се подава на базата на и
се възпроизвежда от слушалките. Добрата работа на прием-
ника зависи от подбора на съпротивленията /?2 и /?3. Построе-
ният от нас приемник работеше отлично и „озвучаваше" на
слушалки цялата стая.
Схема № 44 Този приемник е построен по рефлексна схема
като първият транзистор усилва както ви-
сока, така и ниска честота. Приемникът работи на външна
антена, но при наличието на близък предавател той може да
работи и на феритна антена дълга 100 мм. Бобината е на-
вита върху феритната антена и съдържа 80 навивки от лит-
цендрат 20x0,05 или емайлиран проводник с диаметър 0,3 мм.
Бобината е навита върху подвижно хартиено пръстенче и
съдържа 10 навивки от емайлиран проводник с диаметър
0,2—0,3 мм. Високочестотният трансформатор е навит върху
13 Транзисторни приемници
193
феритно пръстенче с външен диаметър 10—12.и.и. И двете на-
мотки навиваме с емайлиран проводник с диаметър 0,08 мм,
като Lt съдържа 70 навивки, а Д съдържа 200 навивки. Ко-
лекторният ток на Т1 трябва да е 0,7—1,0 ма и това се по-
стига чрез подбор на съпротивлението /?х. Колекторният ток
на Г2 зависи от вида на употребените слушалки. Ако слушал-
ките имат съпротивление 4000 ом, колекторният ток трябва
да бъде 0,7—0,8 ма. Ако съпротивлението на същите е по-
малко (напр. 500—2000 ом), коле'кторният ток може да бъде
1 — 1,5 ма. Това се постига чрез подбор на съпротивлението R,.
Схема № 45 В радиолюбителската литература тази схема
се нарича „транзисторен приемник без захранване“, защото
вместо захранваши батерийки се използува енергията на мест-
ния предавател. Особеното в случая е това, че за работата на
приемника са необходими две външни антени, Антената Аг
заедно с трептящия кръг £ХС8 служи за получаване на висо-
кочестотен сигнал, който се детектира от диода Лх и се усилва
от транзистора. Антената А3 служи като „токоизточник* за за-
хранване на приемника. За целта трептящият кръг LaCe се на-
стройва на близкия предавател. Получените високочестотни
колебания се изправят от диода Див двата края на филт-
риращия кондензатор С6 се получава постоянно напрежение,
194
което е толкова по-високо, колкото е по-добра антената Л8.
В построения от нас приемник антената Д9 имаше дължина
20 ле и височина над земята 15 м. В двата края на С6 включ-
ваме чувствителен волтметър (напр. уред Ц20 на обхват 1,5 в)
и с помощта на променливия кондензатор С6 търсим макси-
мум. Добре ще бъде бобината £2 да се направи с няколко из-
вода, с оглед оптимално натоварване на кръга. При нашите
SfT353
опити полученото напрежение от предавателя „Вакарел" беше
близо 1 в. Бобината Lx е навита върху високочестотна феритна
сърцевина и съдържа 60 навивки от литцендрат 20x0,05 с из-
вод от 6-та навивка броено от долу. Бобината £а се навива
по същия начин, като изводът се подбира опитно. Добрата
работа на приемника зависи от подбора на съпротивленията
/?2 и /?3.
Схема № 46 След направата на транзисторен радиопри-
емник със слушалки, у младия радиолюби-
тел възниква естествен© желание да си построй транзисторен
приемник с високоговорител. За целта е достатъчно на мяс-
тото на слушалките да се постави товарно съпротивление 2—
3 ком, а колекторът на последния транзистор да се свърже
чрез електролитен кондензатор 5—10 мкф с входа на един
нискочестотен усилвател. Настоящата схема представлява нис-
кочестотен усилвател с изходна мощност 0,1 вт и чувствител-
ност около 10 мв. На чертежа са означени колекторните то-
195
кове на транзисторите, които се нагласяват чрез подбор на ба-
зисните съпротивления /?0 и /?я. Първият транзистор трябва
да има коефициент на усилване (3 най-малко 90 а втория 70.
При използуването на транзистори с по-малък коефициент на
усилване, чувствителността на усилвателя ще намалее. Край-
ните транзистори трябва да имат еднакви коефициенти на
усилване и тяхната стойност да бъде поне 40. Високоговори-
телят и двата трансформатора са от българските приемници
„В- Търново" или „Прогрес*. Захранването на усилвателя става
с две плоски батерии по 4,5 в.
Схема № 47 Този приемник е конструира<н от съветския
радиолюбцтел И. Моков (виж сп. „Радио"
бр. 1 от 1965 г.) и въпреки своето просто устройство дава
много добри резултати, Схемата е рефлексна и по своето дей-
ствие се равнява на петтранзисторен приемник. Високочестот-
ният сигнал индуциран от трептящия кръг в бобината А2 се
усилва от транзисторите 7\ и Посредством високочестот-
ния трансформатор Z3Z,4, високочестотният сигнал се детектира
от диода и се подава отново на транзисторите 7\ и Т& които
този път работят като усилватели на ниска честота. Двата по-
следни транзистора са свързани галванически и техният режим
се определя само от стойността на съпротивлението /?3. Това
съпротивление се подбира така, че колекторният ток на край-
няя транзистор да е 8 ма. Феритната антена е дълга 100 мм
и върху нея са навити бобините Lr и Бобината съдържа
60 навивки от литцендрат 20x0,05 или емайлиран проводник
196
с диаметър 0,3 мм. Бобината £2 е навита върху подвижно
хартиено пръстенче и има 6 навивки от емайлиран проводник
с диаметър 0,2—0,3 мм Високочестотният трансформатор
SFT308 XFT 388 S FT 323
се навива върху иэолационно тяло с диаметър 10—12 мм, в
което има високочестотна сърцевина (напр. от бобинен блок
на „Комсомолец*, „Маестро* и др.). Бобините £3 и се на-
виват една върху друга, като £3 има 100 навивки от емайли-
ран проводник с диаметър 0,1 мм, а съдържа 300 навивки
от същия проводник. Този трансформатор може да се навие и
на феритно пръстенче с външен диаметър 10—12 мм и тогава
L3 ще има 70 навивки от емайлиран проводник с диаметър
0,08 мм, L± ще има 200 навивки от същия проводник. Изход-
ният трансформатор е от българските транзисторни приемници
„Прогрес*, „В. Търново* или „Ехо“, като се използува само
половината от първичната намотка на трансформатора. Високо-
говорителят е от българския приемник „Ехо“.
Схема № 48 Особеното в тази схема е рефлексният ре-
жим на първите два транзистора и директ-
ната връзка между тях. Феритната антена има дължина 100 мм.
Бобицата е навита в средата на антената и съдържа 80 на-
вивки от литцендрат 20 х 0,05, или емайлиран проводник с диа-
метър 0,3 мм. Бобината е навита върху подвижно хартиено
пръстенче и съдържа 10 навивки от емайлиран проводник, с
диаметър 0,2—0,3 мм. Колекторните токове на транзисторите
са означени на схемата и тяхното нагласяване става чрез под-
197
ходящ подбор на съпротивленията /?, и /?7. Поради директ-
ната връзка, колекторните токове на пързите -два транзистора
се нагласяват едновременно само със съпротивлението A*3. Ви-
сокочестотният трансформатор £3£4 е навит върху феритно
пръстенче с външен 10-12 мм, като £3 съдържа 70 навивки
от емайлиран проводник с диаметър 0,08 мм, а А4 съдържа
200 навивки от същия проводник. При употреба на слушалки
със съпротивление 4 000 ом, колекторният ток на крайняя
транзистор трябва да е 0,7 ма. Ако желаем приемникът да
работи на високоговорител, трябва да използуваме изходен
трансформатор (напр. от „Прогрес**), като в този случай ко-
лекторният ток трябва да е 6—8 ма.
Схема № 49 За любителите на транзисторни приемници
„без захранване** препоръчваме тази интересна схема. Прием-
никът работи само при добра външна антена и близък преда-
вател, защото захранването се извършва от енергията получена
в антената. Както е известно, след детекцията се получава
както звукова честота, така и постояннотокова съставна, която
минава през слушалките и захранва веригата емитерколектор.
Звуковата честота действува през електролитния конденсатор
във веригата емитер-база и по такъв начин колекторният ток
съдържа както постояннотокова, така и променливотокова със-
тавна със звукова честота. В направения от нас приемник из-
ползувахме за Lx и £а две еднакви средновълнови бобини тип
„универсал**, съдържащи по 120 навивки от литцендрат 20 x 0,05,
198
навити върху тяло с високочестотна сърцевина (напр. от бо-
бинен блок на „Пионер* и др.). Разстоянието между двете бо-
бини се подбира опитно. С помощта на променливите кон-
дензатори Сг и С3 настройваме и двата трептящи кръга в ре-
зонанс с местния предавател и именно тогава приемането е
най-силно. Интересно е да се подчертае, че при пълен резонанс,
напрежението което, получихме след диода беше около 2 в,
т. е. достатъчно за захранване. на транзистора (измерването
беше направено с лампов волтметър). Напрежението база-еми-
тер беше 0,3 в, а колекторният ток възлизаше на 150 .та.
Както предавателят „Вакарел", така и „Павлово" се чУваха
много добре. Слушалките трябва да са високоомни.
Схема № 50 Това е един качествен нискочестотен усил-
вател с изходна мощност 2 вт, подходящ
за усилване на сигнали от грамофон, магнетофон или любител-
ски радиоприемник. Чувствителността на усилвателя е 1 мв, а
честотната му лента е от 70 хц до 10000 хц. При тази мощ-
ност клирфакторът е 3 %. Захранващото напрежение е 16 в и
може да бъде получено от акумулатори или от електричес-
ката мрежа чрез съответен токоизправител. Използуването на
плоски батерийки не е възможно, защото усилвателят работи
в клас „Л* (т. е. не е икономичен) и консумира ток около
600 ма. Първото и второто стъпало са предусилвателни, като
в емитерната верига на вторил транзистор е приложена отри-
цателна обратна връзка посредством емементите Rl0R15. Тре-
тото стъпало е емитерен повторител, като базата на транзи-
1Н')
стора 5/7Г125 е свързана директно с колектора на предния
транзистор. В крайното стъпало е употребен мощния транзи-
стор SFT213, който трябва да се монтира на алуминиева плоча-
охладител с размери 150x150x2 мм, като след монтирането
на транзистора, плочата се боядисва черна (напр. с нитроцелу-
лозен емайл лак) за по-добро охлаждане. При монтирането
транзисторът трябва да легне плътно върху охладителната
плоча за по-добро топлоотдаване. Ако тези мерки не се вземат,
транзисторът ще се загрее, а това ще доведе до изкривявания
и евентуална повреда. Колекторният ток на крайняя транзистор
трябва да е около 500 ма. Този режим може най-лесно да се
постигне, като вместо включим потенциометър от 1 ком. След
установяване на режима, измерваме стойността на потенцио-
метъра (виж фиг. 41) и на негово място поставяме постоянно
съпротивление. Изходният трансформатор е навит на желязна
сърцевина със сечение 4 см2. Първичната намотка съдържа
220 навивки от емайлиран проводник с диаметър 0,55 мм.
При употреба на високоговорител с импеданс на бобинката
5 ом, вторичната намотка съдържа 100 навивки от емайлиран
проводник с диаметър 0,8 мм. Навиването извършваме така:
най-отдолу навиваме половината на първичната намотка; след
това навиваме вторичната намотка; най-отгоре навиваме вто-
рата половина на първичната намотка. Неспазването на тези
указания води до стесняване лентата на възпроизвеждане на
усилвателя.
200
НЯКОИ ДАННИ
ЗА БЪЛГАРСКИТЕ ТРАНЗИСТОРИ И ДИОДИ
SFT124 j Средномощни сплавни транзистори, предназначени
| за усилване на ниски честоти при силен сигнал.
Могат да се използуват в крайни стъпала клас А
SFT125 j и & Имат мощност на разсейване 350 мвт.
SFT130 Средномощни сплавни транзистори, предназначени
за усилване на ниски честоти при силен сигнал. Мо-
гат да се използуват в крайни стъпала клас А и
SFS131 в. Имат мощност на разсейване 550 мвт.
SFT212
SFT213
SFT214
SFT306
SFT307
SFT308
SFT317
SFT319
SFT320
SFT321
SFT322
SFT323
Мощни сплавни транзистори, предназначени за усил-
ване на ниски честоти при силен сигнал. Могат да
се използуват в крайни стъпала клас А и В, в ко-
мандни кръгове (управление на контакта, релета й
др.), в преобразувателите на постоянно напрежение
(трансвертери). При употреба на радиатори имат
мощност на разсейване до 30 вт.
Маломощни сплавни транзистори, предназначени за
усилване на средновисоки честоти. Могат да се из-
ползуват в междинночестотните и осцилаторните
стъпала. Имат мощност на разсейване 150 мвт.
Маломощни дрейфови транзистори, предназначени за
усилване на високи честоти. Могат да се използуват
във високочестотни, осцилаторни и междинночестот-
ни стъпала. Имат мощност на разсейване 150 мвт.
Маломощни сплавни транзистори, предназначени за
усилване на ниски честоти при силен сигнал. Могат
да се използуват в крайни стъпала клас А и В.
Имат мощност на разсейване 200 мвт.
201
SFT351 Маломощни сплавни транзистори, предназначени за
SFT352 усилване на ниски честоти при слаб сигнал. Могат да се използуват в предусилвателни и драйверни стъпала. Имат малък шум (Fm = 8 дб) и мощност
SFT353 на разсейване 200 мвт.
SFD104 SFD 106 SFD 107' SFD 108 SFD 110 SFD1U SFD112, SFD 115 SFD117 Германиеви точкови диоди с малка мощност с общо • предназначение (детекторни стъпала, видеодетектори импулсни схеми и т. н.).
20?
Параметри на българските и съветски транзистори
Таблица № 4
Тип £4е в /к ма Рк мет Ао мка А мгхц Аце ОМ А12е 3 Аг1е А22е МО
SFT124 —24 500 350 20 1 220 30
SFT125 —24 500 350 20 2 500 70
SFT130 —24 500 550 20 1 220 30
SFT131 —24 500 550 20 2 500 70
SFT212 —30 3000 3000 1000 0,2 11 40
SFT213 —40 3000 3000 1000 0,2 11 40
SFT214 —60 3000 3000 1000 0,2 11 40
SFT306 —18 100 150 10 3 1200 28
SFT306A —16 100 150 10 3 1200 25
SFT306C —10 100 150 10 3, 1200 25
SFT307 —18 100 150 10 7 1200 40
SFT307A —16 100 150 10 7 1200 40
SFT307C —10 100 150 10 7 1200 40
SFT308 -18 100 150 10 13 1300 70
SFT308A — 16 100 150 10 13 1300 70
SFT308C —10 100 150 10 13 1300 70
SFT317 —20 10 150 15 40 3000 100
SFT317A —12 10 150 10 40 3000 100
SFT317C — 9 10 150 10 40 3000 100
SFT119 —20 10 150 15 30 80
SFT319A —12 10 150 10 30 80
SFT319C — 9 10 150 15 30 80
SFT320 —20 10 150 15 35 80
SFT320A —12 10 150 10 35 80
SFT320C - 9 10 150 10 35 80
SFT321 —24 250 200 15 1.3 1100 0,00027 30 0,000020
SFT321B —18 250 200 20 1,3 30
SFT321C —12 250 200 15 1,3 30
SFT322 -24 250 200 15 1,6 1600 0,00032 50 0,000026
SFT322B — 18 250 200 20 1,6 50
SFT322C —12 250 200 15 1,6 50
SFT323 —24 250 200 15 2,0 2400 0,00040 85 0,000042
SFT323B —18 250 200 20 2,0 85
SFT323C —12 250 200 15 2,0 85
SFT351 —24 150 200 15 1,2 1000 0,00027 30 0,000010
SFT351B — 18 150 200 20 1,2 30
203
SFT351C — 12 150 200 15 1,2 30
SFT352 —24 150 200 15 1,6 1550 0,00032 50 0,000027
SFT352B -18 150 200 20 1,6 50
SFT352C —12 150 200 15 1,6 50
SFT353 —24 150 200 15 Ю 23 0 0,00038 80 0,000010
SFT353B — 18 150 200 20 2,0 80
SFT <53C —12 150 200 15 2,0 80
П1А —20 5 50 30 0,1 10
П1Б —20 5 50 30 0,1 13
П1В —20 5 50 15 0,1 13
П1Г -20 5 50 30 0,1 24
П1Д —20 5 50 15 0,1 16
П1Е —20 5 50 30 0,5 16
П1Ж 20 5 50 20 1,0 18
П1И -20 5 50 20 1,6 24
П2А —50 5 250 200 10
П2Б —25 10 250 200 10
ПЗА —25 130 3500 500 2
ПЗБ -25 130 3500 250 2
ПЗВ —25 130 3500 250 2
П4А —26 1000 30 вт 500 5
П4Б -26 1000 30 вт 400 15
П4В -26 1000 30 вт 400 10
П4Г —26 1000 30 вт 400 15
П4Д —26 1000 30 вт 400 30
П5А —10 30 25 30 0,3 13
П5Б — 10 30 25 15 0,3 18
П5В -10 30 25 15 0,3 32
П5Г — 10 30 25 15 0,3 32
П5Д -10 30 25 10 0,3 18
П6А -30 30 150 30 0,1 10
пев -30 30 150 15 0,5 10
П6В —30 30 150 15 0,5 16
П6Г —30 30 150 15 1,0 32
П6Д -30 30 150 15 0,5 10
П7 — 13 45 45 30 0,1 32
П8 20 30 150 30 0,1 10
П9 20 30 150 15 0,5 10
П9А 20 30 150 15 0,5 15
mo 20 30 150 15 1,0 15
nil 20 30 150 15 1,6 25
П11А 20 30 150 15 1,6 45
204
П13 -15 20 15Р 30 0,5 0,00050 14 0,000033
П13А — 15 20 150 30 0,5 0,00060 40 0,000020
П14 -15 20 150 30 1,0 775 0,00030 24 0,000020
П15 — 15 20 150 30 2,0 40
П16 -15 10 150 1,0 18
П16А -15 10 150 1,0 32
П16Б -15 10 150 1,0 48
П17 —40 10 150 0,2 10
П17А -40 10 150 0,2 16
П17Б -40 10 150 0,2 32
П18' -70 10 1'50 0,2 10
П18А —70 10 150 0,2 16
П18Б -70 10 150 0,2 32
П20 —50 500 150 50 1,0 10
П21 —70 500 150 50 1,0 10
П21А -70 500 150 50 1,0 10
П22 —40 10 100 25 1,0 1,2
П23 -35 10 100 25 3,0 1,2
П25 -30 6 200 100 0,2 10
П25А -30 6 200 100 0,2 16
П25Б —30 6 200 100 0,2 32
П26 i —50 6 200 100 0,2 10
П26А -50 6 200 100 0,2 16
П26Б -50 6 200 100 0,2 32
П27 — 5 6 30 3 1,0 20
П27А - 5 6 30 3 1,0 20
П28 - 5 6 30 3 5,0 20
П29 — 12 100 30 4 5,0 25
П29А -12 100 30 4 5,0 45
ПЗО —12 100 30 4 10,0 160
П42А -15 150 200' 25 ГО 30
П42Б -15 150 200 25 1,0 45
П101 20 20 150 50 0,2 10
П101А 10 20 150 50 0,2 10
П102 10 20 150 50 0,5 14
П103 10 20 150 50 1,0 10
П104 100 10 150 50 0,1 10
П105 45 10 150 50 0,2 10
П106 45 10 150 50 0,5 10
П201 —22 1500 10вт 400 0,1 20
П201А —22 1500 Ювт 400 0,2 40
П202 —30 1500 Ювт 400 0,2 20
205
П203 —30 1500 Ювт 400 0,2 20
11207 —40 25 а ЮОвт Юма 16
П207А —40 25 а 100вт Юма 16
П208 -60 25 а ЮОвт Юма 16
П208А -60 25 а ЮОвт. Юма 16
П209 —40 12 а 60 вт 8ма 15
П209А —40 12а 60 вт 8ма 15
П210 —60 12 а 60 вт Юма 15
П210А —60 12а 60 вт Юма 15
П211 —50 500 750 50 1,0 50
П212 —70 500 750 50 1,0 2Э
П212А —70 500 750 50 1,0 50
П302 —35 500 8 вт 100 0,2 10
пзоз —60 500 Ювт 100 0,1 6
ПЗОЗА —60 500 Ювт 100 0,1 6
П304 —80 500 Ювт 100 0,05 5
П401 —10 10 50 10 30 35
П402 — 10 10 50 5 60 40
П403 —10 10 50 5 120 70
П403А —10 10 50 5 120 40
П404 — 4 5 10 5 10 14
П404А — 4 4 10 2 10 14
П405 - 4 4 10 5 30 24
П405А — 4 4 10 2 30 24
П406 — 6 5 30 2 10 24
П407 — 6 5 30 2 20 24
П408 —20 30 30 1 10 18
П409 —20 30 30 1 20 18
П410 — 6 20 100 2 200,0 32
П410А — 6 20 100 2 200,0 100
П411 — 6 20 100 2 400,0 32
П411А — 6 20 100 2 400,0 100
П414 -10 10 100 2 60 25
П414А — 10 10 100 2 60 60
П414Б — 10 10 100 2 60 100
П415 —10 10 100 2 120 25
П415А —10 10 100 2 120 60
П415Б —10 10 100 2 120 100
П416 -15 15 100 2 120 18
П416А —15 15 100 2 120 32
П416Б —15 15 100 2 120 50
П420 —10 10 50 10 30 12
206
П421 - 10 10 50 10 30 15
П422 — 10 10 50 5 60 30
П422А — 10 10 50 5 60 15
П423 — 10 10 50 5 120 30
П423А -10 10 50 S 120 15
П501 20 10 150 100 10 10
П501А 20 10 150 100 10 18
П502 20 10 150 100 30 10
П502А 20 10 150 100 30 18
П502Б 20 10 150 100 30 10
П502В 20 10 150 100 30 10
П503 20 10 150 100 60 10
П503А 20 10 150 100 60 18
П601 —25 1 a 5 вт 200 20 80
П601А —30 1 a 5 вт 100 20 50
П601Б —25 1 a 5 вт 130 20 120
П602 -30 1 a 5 вт 100 20 80
П602А —25 1 a 5 вт 130 20 120
П605 -45 1,5 a Звт 2ма 20 40
П605А -45 1,5 a Звт 2ма 20 80
П606 -3) 1,5 a Звт 2ма 20 40
П606А —45 1,5 a Звт 2ма 20 80
207
Параметри на някои европейски транзистори
Таблица № 5
Тип i/ке в 4 ма Я мвт А 3 Предназначение
АС 107 -15 5 50 15 кхц 35-160 безшумен предусилвател
АСИ 6 —30 100 145 15 ккц 55—140 драйвер
АС122 —30 100 90 15 кхц 40—240 драйвер
АС 123 —45 100 145 15 кхц 55—140 драйвер
АС 125 -32 200 500 17 кхц 80-160 мощен драйвер
АС126 -32 200 330 20 кхц 130-300 мощен драйвер'
АС 150 —30 50 100 15 кхц 55-140 безшумен предусилвате i
АС151 —32 200 500 15 кхц 30-250 предусилвател и драйвер
АС 160 А -15 10 30 20 кхц 35—120 безшумен предусилвате i
АС160В —15 10 30 20 кхц 100—200 безшумен предусилвате i
АС162 —32 200 150 17 кхц 80—170 мощен драйвер
АС 163 —32 200 150 17 кхц 130—300 мощен усилвател
АС 170 —32 100 90 17 кхц 80—170 предусилвател и драйвер
АС171 —32 100 90 17 кхц 130—300 предусилвател и драйвер
АС172 -32 10 10 20 кхц 45-110 безшумен предусилвател
АС124 —45 1000 900 11 кхц 60 крайно стъпало
АС131 -45 1О00 900 10 кхц 68 крайно стъпало
АС 132 -32 200 330 17 кхц 40-200 крайно стъпало
АС152 -32 100 500 15 кхц 75 крайно стъпало
АС117 -32 1000 900 10 кхц 83 крайно стъпало
AF106 —25 10 60 220 мгхц 65 УКВ, УВЧ, Смесител
AF109 —25 12 60 220 мгхц 100 УКВ, УВЧ, Смесител
AF114 —32 10 60 75 мгхц 150 УКВ, УВЧ, Смесител
AF115 -32 10 60 75 мгхц 150 УКВ, УВЧ, Смесител
AF116 —32 10 60 75 мпхц 150 УКВ, УВЧ, Смесител |
AF117 —32 10 60 75 мгхц 150 УКВ, УВЧ, Смесител
AF124 —32 10 60J 75 мгхц 150 УКВ, УВЧ, Смесител
AF125 —32 10 60 75 мгхц 150 УКВ, УВЧ, Смесител
AF126 -32 10 60 75 мгхц 150 AM ЧМ, МЧУ
AF127 —32 10 60 75 мгхц 150 AM, МЧУ
AF134 —25 10 60 55 мгхц 110 УКВ предусилвател
AF135 -25 10 60 50 мгхц 100 УКВ смесител
AF136 —25 10 60 40 мгхц 80 КВ смесител
AF137 —25 10 60 35 мгхц 60 АМЧМ, МЧУ
AF138 —25 10 60 40 мгхц 100 регулируеми AM ЧМ, МЧУ
AF139 —20 8 60 500 мгхц 100 УКВ смесител, осцилатор
208
Сравнителна таблица на транзистори, произведени в различии страни
Къде се използуват Българ- ски Съветски | Телефун- кен Валво Сименс ТКД Интер- метал Тесла ГДР WBN Японски
1 2 3 4 5 6 1 7 8 9 10 11
1) Мошни нч, в проти- вотакт над 10 вт изходя- ща мощност Мощни повдигачи на напрежение SFT212 SFT213 SFT214 П201, П202, П203,. П4А—Д — — TF80/30 TF80/60 TF99 3008 2N268 СТР1Ш — — —
2) Средномощни нч, в противотакт до 4 вт из- ходяща мощност SFT124 SFT125 SFT130 SFT131 ПЗА-Г OD603 OD604 OD605 ОС26 ОС27 ОСЗО ОС16 TF77 ТЕ78 TF80 GFT2006 GFT4012 2N258 СТР Н04 СТР1108 СТР1109 30NU70 31NL 70 32NU70 — —
3) Маломощни нч, в противотакт под 1 вт из- ходяща мощност SFT321 SFT322 SFT323 П2А, П2Б П7 ОС604 spez. ОС72 ОС74 ОС79 TF70* TF71* TF75* GFT32 ОС307 0 :308 ОС430 12NU70 130NU70 ОС820 ОС821 ОС822 ОС823 2Т63
4) НЧ усилвател на слаби сигнали — преду- силватели, маломощни драйвери SFT351 SFT352 SFT353 П1А-Д П6А, П8 П5А-Д П13 ОС605 ОС60? ОС604 ОС70 ОС71 ОС72 ОС75 ОС76 ОС77 TF65 GFT20 GFT21 ОС302 ОСЗОЗ ОС304 1NU70. 2NU70 3NU70 1O1NU70* 102NU70* 103NU70* ОС8Ю О 811 ОС815 ОС816 2Т65 2Т66 HJ15 Ш17
5) МЧ усилватели SFT306 SFT307 SFT308 П1Е, П1Ж П6А—Д, П13А, П13Б, П9\ П9*А, П14, П15 ОС612 ОС45 TF45 GFT45 ОСЗЗ ОСЗЗ ОС390 51—53NU70 153NU7U* 2Т76 2Т52 2Т522 HJ22
14 1 ранзисторни приемници
209
1 2 | з 1 4 1 5 I 1 6 7 | 8 9 1 10 I 11
б) ВЧ усилватели, хе- теродини, самоосцилира- щи смесители за сред- ни вълни П1Е, П1Ж, ШИ, П6Г Г110\ ПИ- П404А, П405, П405А ОС613 ОС44 ОС45 TF44 GFT44 ОС34 ОС400 ОС4Ю 152NU70* 154NU70* — 2Т51 2Т63 2Т512 HJ23
7) ВЧ усилватели, хе- тероидни, самоосцилира- щи смесители за къси вълни — до 30 мгхц УКВ/МЧ усилватели — 10,7 мгхц SFT317 SFT319 SFT320 П12 П406, П407 П401, П402, П403 ОС614 АС 105 ОС 170 GFT43
8) УКВ усилватели, са- моосцилиращи смесители до около 100 мгхц П403, П321 П322 ОС615 ОС171 — GFT42 — — — —
9) Маломощни повди- гачи на напрежение SFT124 SFS125 SFT130 SFT131 — ОС602 spez. ОС75 ОС76 ОС77 — — ОС307 ОС308 ОС309 — — —
10) Миниатюрни и свръхминиатюрни тран- зистори за слухови апа- рати. Загубна мощност до 30 мвт П5А—Д ОС622 ОС623 ОС624 ОС51 ОС58 ОС59 ОС60 ОС65 ОС66 TF65 ОС320 ОСЗЗО ОС340 ОС350 ОС360
3 а б е л е ж к a : Всички транзистори са от типа р—п—р. Означените със звездички са от типа п—р—п.
211
ЙЗПОЛЗУВАНА ЛИТЕРАТУРА
1. А. Шишков — Как работи транзисторът.
2. А. Шишков — Транзисторите в практиката на младия радиолюбител.
3. К. Сакалян — Любителски транзисторни приемници.
4. П. Хинков — Справочник по полупроводникови диоди и транзистори.
5. В. X о м и ч — Приемни феритни антенн.
6. И. Лобанова — Полупроводниковые диоды и триоды.
7. В. Лабутин — Простейшие конструкции на транзисторах.
8. М. Лугвин — Радиолюбительские конструкции транзисторных при-
емников.
9. В. Яковлев — Приемники на транзисторах.
10. М. Румянцев — Любительский карманный приемник.
11. М. Румянцев — Практика налаживания любительских карманных при-
емников.
12. М. Румянцев — Транзисторни приемници за начеващи радиолюбители.
13. В. Бурлянд — Хрестоматия радиолюбителя.
14. В. Зотов — Разиолюбительские приемники на транзисторах.
15. П. Попов — Характеристики транзистора.
16. Е. Гумеля — Выбор схем транзисторных приемников.
17. П. Попов — Расчет транзисторных усилителей звуковой частоты.
18. Я. Федотов — Основы физики полупроводниковых приборов.
19. Я. Трохименко — Радиопримные устройства на транзисторах.
20. Л. Н е д е л ч е в — Полупроводникови диодй и транзистори.
21. Г. Бялик — Усилители звуковой частоты на транзисторах.
22. И. Акулов — Теория и расчет основных радиотехнических схем на
транзисторах
23. И. Волошин — Полупроводники и их применение в технике.
24. М. Соминский — Полупроводники.
25. Й. К а с а б о в — Полупрововодници и полупроводникови прибори.
26. Г. Л е н а р т ц — Конструирование схем на транзисторах.
27. Д. Линде — Радиолюбительский справочник.
28. Р. Малинин — Справочник начинающего радиолюбителя.
29. сп. .Радио и телевизия*.
30. сл. .Радио*.
С Ъ Д Ъ Р Ж А Н И Е
стр.
1. Уводни бележки.................................................... 3
2. Малко физикохимия................................................. 5
3. Строеж на кристалите.............................................. 8
4. Електрическа проводимост......................................... 10
5. Германий и неговата проводимост.................................. 13
6. Ролята на примесите.............................................. 17
7. Електронно-дупчест преход........................................ 19
8. Германиеви диоди................................................. 22
9. Транзистори...................................................... 29
10. Как работи транзисторът......................................... 34
11. Транзисторът като усилвател.................. ... .... 38
12. Схема с общ емитер.............................................. 43
13. Работна точка на транзистора . . ............. 49
14. Нискочестотни и високочестотни транзистори. .................... 63
15. Как да проверим изправността на диодите и транзисторите ... 69
16. Какви бобини да изработим....................................... 72
17. Феритна антена................ .............................. 74
18. Електролитни кондензатори .... .... 77
19. Настройващи миниатюрни кондензатори............................. 78
20. Високочестотни дросели и трансформатори . . 81
21. Захранване на транзисторните приемници.......................... 84
22. Как да четем радиосхемите..................................... 87
23. Графични характеристики на транзисторите........................ 96
24. Входни характеристики........................................... 98
25. Изходни характеристики......................................... 100
26. Особености на транзисторните стъпала. 109
27. Изчисление на транзисторен приемник .... ... . . 128
28. Изчисление на крайното стъпало................................. 129
29. Изчисление на предусилвателното стъпало. .... 134
30. Изчисление на детекторното стъпало............................. 138
31. Изчисление на входното устройство . . ............. 140
32, Указания за направа на транзисторни приемници.................. 143
33. Схеми......................... . . . . .......... 155
34, Някои данни за българските транзистори и диоди................. 201
35. Параметри на българските и съветски транзистори................ 203
36. Параметри на някои европейски транзистори ..................... 208
37. Сравнителна таблица на различии транзистори.................... 209
38. Използувана литература......................................... 213
Атанас Иванов Шишков
Транзисторни приемници
Четвърто преработено и допълнено издание
с приложение схеми на приемнипи и устройства
Дадена за набор на 30.1. 1967 г. Излязла от печат на 25. XII. 1967
Формат : 1| 16 от 59|84 Тираж : 15.С
Печатни коли 13,5 Изд. коли 1)
Цена 0,89
София, 1967
_________Издава Централна станция на младите техници — тем. № 28—2911967 г.___
Печатница при Централната станция на младите техници пор. М 22|1967
Цена 0,89 не.