Text
СПРАВОЧНИК
МОЩНЫЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ
•
ТРАНЗИСТОРЫ
Под редакцией А. В. Голомедова
МОСКВА „РАДИО И СВЯЗЬ"
1985
ББК 32.852.3
М 87
УДК 621.382.3
Б. Л. Бородин, В. М. Ломакин, В. В. Мокриков,
В. М. Петухов, Л. К. Хрулев
Рецензенты К. М. Брежнева и Б. Л. Перельман
Редакция литературы по электронной технике
М 87
Мощные полупроводниковые приборы. Тран-
зисторы: Справочник / Б. А. Бородин, В. М. Ло-
макин, В. В. Мокриков и др.; Под ред. А. В. Го-
ломедова. — М.: Радио и связь, 1985. — 560 с.,
ил.
В пер.: 2 р.
Приводятся справочные данные по техническим, электриче-
ским и эксплуатационным характеристикам и параметрам совре-
менных мощных транзисторов, рассеиваемая мощность которых
превышает 1 Вт. Рассматриваются особенности использования
мощных транзисторов в аппаратуре.
Для широкого круга инженерно-технических работников.
1Ж 2403000000-027
М 046(01)-85 162'84
ББК 32.852.3
6Ф0.32
© Издательство «Радио и связь», 1985
Содержание
Предисловие............................................ 8
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИ-
СТОРАХ ..................................................9
Раздел первый. Классификация биполярных и полевых
транзисторов ........................................... 9
1.1. Классификация и система обозначений...............9
1.2. Классификация транзисторов по функциональному на-
значению .............................11
1.3. Условные графические обозначения................13
1.4. Условные обозначения электрических параметров . . 13
1.5. Основные стандарты на биполярные и полевые тран-
зисторы ............................................. 16
1.6. Приборы для измерения параметров мощных транзи-
сторов ...............................................19
Раздел второй. Особенности использования транзисто-
ров в радиоэлектронной аппаратуре . . . . . . -21
ЧАСТЬ ВТОРАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТРАНЗИСТОРОВ..........................34
Раздел третий. Транзисторы биполярные низкоча-
стотные ................................................34
п-р-п.
П701, П701А, П701Б....................................34
П702, П702А...........................................36
2Т504А, 2Т504Б........................................39
2Т504А-5, 2Т504Б-5....................................42
2Т506А, 2Т506Б......................................45
2Т704А, 2Т704Б, КТ704А, КТ704Б, КТ704В...........49
ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705В, ГТ705Г, ГТ705Д...........53
КТ801А, КТ801Б......................................55
КТ802А................................................57
2Т803А, КТ803А......................................59
КТ805А, КТ805Б, КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ ... 63
КТ807А, КТ807Б. КТ807АМ, КТ807БМ..............65
2Т808А, КТ808А......................................67
2Т809А, КТ809А........................................70
2Т812А, 2Т812Б. КТ812А, КТ812Б, КТ812В................73
3
KT8I5A, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г..........................77
КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г..........................79
2Т819А. 2Т819Б, 2Т819В, КТ819А, КТ819Б, КТ819В,
КТ819Г, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ . . 82
КТ821А-1, КТ821Б-1, КТ821В-1 ... .87
КТ823А-1, КТ823Б-1, КТ823В-1 .....' .89
2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В, КТ826А, КТ826Б, КТ826В . 91
2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В . 95
2Т828А, 2Т828Б, КТ828А, КТ828Б .... . . 98
КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г.......................102
2Т831А, 2Т831Б, 2Т831В, 2Т831Г............105
2Т832А, 2Т832Б.........................................109
2Т834Л, 2Т834Б, 2Т834В, КТ834Л, КТ834Б, КТ834В . .112
КТ838А.................................................116
2Т839А.................................................119
КТ840А, КТ840Б.......................................122
2Т841А, 2Т841Б 124
ТК135-16, ТК135-25. ТК142-40, ТК142-50, ТК142-63,
ТК152-80, ТК 152-100, ТК235-32, ТК235-40, ТК235-50,
ТК235-63 ..............................................128
р-п-р
П201Э, П201АЭ, П202Э, П203Э...........................141
П210А, П210Ш..........................................144
11213, П213А, П213Б, П214, П214А, П214Б, П214В, П214Г,
П215..................................................146
П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217, П217А,
П217Б, П217В, П217Г.................................149
П302, ПЗОЗ, ПЗОЗА, 11304, П306, П306А.................153
П601И, П601АИ, П601БИ, П602И, П602АИ..............156
2Т505А, 2Т505Б........................................159
КТ626А, КТ626Б, КТ626В, КТ626Г, КТ626Д..............163
ГТ701А................................................166
ГТ703А, ГТ703Б, ГТ703В, ГТ703Г, ГТ703Д..............168
2Т708А, 2Т708Б, ГТ708В................................171
2Т709А, 2Т709Б, 2Т709В................................175
1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В, ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В,
ГТ806Г, ГТ806Д........................................179
ГТ810А................................................182
1Т813А, 1Т813Б, 1Т813В . . 184
КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г . ...... 189
KT8I6A, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г........................192
2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ,
КТ818ГМ, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г .... 195
КТ820А-1, КТ820Б-1, КТ820В-1..........................200
КТ822А-1, КТ822Б-1, КТ822В-1..........................203
2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е . . 205
2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г........................209
2Т836А, 2Т836Б, 2Т836В................................212
КТ837А—КТ837Ж, КТ837И—КТ837Н, КТ837П—КТ837Ф 217
2Т842А, 2Т842Б........................................219
4
Раздел четвертый. Транзисторы биполярные высоко-
частотные .............................................223
п-р-п
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602А, КТ602Б,
КТ602АМ, КТ602БМ......................................223
* КТ611А, КТ611Б, КТ611В, КТ611Г . . . . . . .227
2Т625А-2, 2Т625Б-2, 2Т625АМ-2, 2Т625БМ-2, КТ625А,
КТ625АМ...............................................229
КТ646А................................................234
2Т653А, 2Т653Б........................................236
КТ902А................................................239
2Т903А, 2Т9ОЗБ, КТ903А, КТ903Б......................242
2Т908А, КТ908А, КТ908Б..............................245
2T9I2A, 2Т912Б, КТ912А, КТ912Б..........249
2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В, КТ920А, КТ920Б, КТ920В,
КТ920Г................................................252
2Т921А, КТ921А, КТ921Б..............................258
2Т922Л, 2Т922Б, 2Т922В, КТ922Л, КТ922Б, КТ922В,
КТ922Г, КТ922Д......................................262
2Т926А, КТ926А, КТ926Б..............................269
КТ927А, КТ927Б. КТ927В....................... ... 272
2Т928А, 2Т928Б, КТ928А, КТ928Б..........275
2Т929А, КТ929А.......................................278
2Т931А, КТ931А.......................................282
2Т935А, КТ935А.......................................286
КТ936А, КТ936Б......................................289
КТ940А, КТ940Б, КТ940В....................... . . .291
КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д .... 293
2Т944А, КТ944А . . . 296
2Т945А, 2Т945Б, 2Т945В, КТ945А.............299
2Т947А, КТ947А.......................................304
2Т950А, 2Т950Б.......................................307
2Т951А, 2Т951Б, 2T95JB.................311
2Т955А, КТ955А.......................................315
2Т956А, КТ956А...................................... 318
2Т957А, КТ957А.......................................322
2Т958А, КТ958А.......................................325
КТ961А, КТ961Б, КТ961В.................329
2Т964А . ......................................331
2Т967А, КТ967А.......................................334
2Т968А................................................338
КТ969А................................................341
2Т971А, КТ971А........................................343
2Т980Л................................................346
р-п-р
2Т629Л-2, КТ629А......................................349
КТ639А—КТ639Д.........................................353
КТ644Л—КТ644Г.........................................357
5
1Т901А, 1Т901Б..........................................3G0
1Т905Л, ГТ905А, ГТ905Б...............................362
IT906A, ГТ906Л, ГТ906АМ...............................367
1Т910АД........................ ........................370
2Т932А, 2Т932Б, КТ932А, КТ932Б, КТ932В..................372
2Т933А, 2Т933Б. КТ933А, КТ933Б ... . . 374
Раздел пятый. Транзисторы биполярные сверхвысокоча-
стотныс.................................................377
п-р-п
2Т606А, КТ606Л, КТ606Б................................377
2Т607А-4, КТ607Л-4. КТ607Б-4..........................381
2TG10A, 2Т610Б, КТ610А, КТ610Б........................384
2Т624Л-2, 2Т624ЛМ-2, КТ624А-2, КТ624АМ-2 . . . .387
2Т633А, КТ633Л........................................391
2Г634А-2, КТ634А-2....................................395
2Т635А, КТ635А........................................398
2Т637А-2..............................................401
2Т643А-2, КТ643А-2....................................405
2Т652Л-2..............................................409
2Т904А, КТ904Л, КТ904Б....................412
2Т907А, КТ907А. КТ907Б....................416
2Т909Л, 2Т909Б, КТ909А—КТ909Г................420
2Т911А, 2Т911Б, KT9I1A—КТ911Г................424
2Т913А—2Т913В, КТ913А—КТ913В..........................428
2Т916А, КТ916А........................................433
КТ918А, КТ918Б........................................436
2Т919А-2Т919В, КТ919Л—КТ919Г..........................439
2Т925А, 2Т925Б, 2Т925В, КТ925А КТ925Б, КТ925В,
КТ925Г................................................445
2Т930Л, 2Т930Б, КТ930А, КТ930Б........................450
2Т934Л, 2Т934Б, 2Т934В, КТ934А, КТ934Б, КТ934В,
КТ934Г, КТ934Д........................................455
2Т937А-2, 2Т937Б-2, КТ937Л-2, КТ937Б-2 . . . .462
2Т938А-2, КТ938А-2....................................467
2Т939А, КТ939Л........................................470
2Т942Л, 2Т942Б, КТ942В................................473
2Т946А, КТ946А........................................477
2Т948А, 2Т948Б, КТ948А, КТ948Б........................482
2Т960А, КТ960А........................................487
2Т962А, 2Т962Б, 2Т962В, КТ962А, КТ962Б, КТ962В . . .491
2Т963А-2, 2Т963Б-2....................................49G
2Т970Л, КТ970А........................................500
2Т975А, 2Т975Б........................................503
2Т976Л, КТ976Л ... . ................508
2Т977А.............................................. 511
2Т979А................................................514
р-п-р
2Т914А, КТ914А.....................................517
2Т974Л—2Т974В......................................520
6
Раздел шестой. Матрицы и сборки биполярных транзи-
сторов .................................................524
п-р-п
2ТС613А, 2ТС613Б, КТС613А, КТС613Б, КТС613В,
КТС613Г...............................................524
КТС631А, КТС631Б, КТС631В, КТС631Г....................530
р-п-р
1ТС609А, 1ТС609Б, ГГС609В, ГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В 533
2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622Л, КТС622Б....................537
Раздел седьмой. Транзисторы полевые.................542
2П901А, 2Г1901Б, КП901А, КП901Б......................542
2П902А, 2П902В, КП902А, КП902Б, КП902В .... 545
2П903А, 2П903Б, 2П903В, КП903А, К.П903Б, КП903В . . 548
2П904А, 2П904Б, КП904А, КП904Б.......................551
2П905А, 2П905Б, КП905А, КП905Б, КП905В . . . .554
Алфавитно-цифровой указатель транзисторов, помещенных
в справочнике ....................................... 556
Предисловие
Настоящий справочник представляет наиболее полное издание,
содержащее сведения о широкой номенклатуре отечественных бипо-
лярных и полевых транзисторов с рассеиваемой мощностью более
1 Вт.
В нем приводятся электрические и эксплуатационные характе-
ристики и параметры транзисторов, классификация и система обо-
значений, классификация транзисторов по функциональному назна-
чению, условные графические обозначения и условные обозначения
электрических параметров, показаны особенности использования
транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре.
Настоящий справочник отличается от подобных изданий пол-
нотой справочных параметров и их зависимостей от режимов экс-
плуатации.
Справочные сведения о полупроводниковых приборах составле-
ны на основе данных, зафиксированных в государственных стандар-
тах и технических условиях на отдельные типы приборов. Справоч-
ник содержит сведения об основном назначении, габаритных и при-
соединительных размерах, маркировке, важнейших параметрах,
режимах измерения, предельных эксплуатационных режимах тран-
зисторов, а также зависимости параметров от режимов и эксплуа-
тационных факторов.
Он предназначен для специалистов, занимающихся разработ-
кой, ремонтом и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры, сту-
дентов и аспирантов радиотехнических факультетов вузов и широ-
кого круга радиолюбителей.
Отзывы и замечания о книге авторы просят направлять по ад-
ресу: 101000, Москва, Почтамт, а/я 693, издательство «Радио и
связь», редакция литературы по электронной технике.
Авторы
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ
И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
Раздел первый
КЛАССИФИКАЦИЯ БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ
ТРАНЗИСТОРОВ
1.1. Классификация и система обозначений
Классификация транзисторов по их назначению, физическим свой-
ствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-техноло-
гическим признакам, роду исходного полупроводникового материала
находит свое отражение в системе условных обозначений их типов.
В соответствии с появлением новых классификационных групп тран-
зисторов совершенствуется и система их условных обозначений.
Система обозначений современных типов транзисторов установле-
на отраслевым стандартом OCT II 336.919—81 и базируется на ряде
классификационных признаков. В основу системы обозначений поло-
жен буквенно-цифровой кол.
Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый мате-
риал. на основе которого изготовлен транзистор.
Для обозначения исходного материала используются следующие
символы:
Г или I — для германия или его соединений;
К или 2 — для кремния или его соединений;
А или 3—для соединений галлия (практически для арсенида гал-
лия. используемого для создания полевых транзисторов);
И или 4 — для соединений индия (эти соединения для производст-
ва транзисторов пока в качестве исходного материала не применя-
ются).
Второй элемент обозначения — буква, определяющая подкласс
(или группу) тр-апзистора. Для обозначения подклассов используется
одна из двух букв: Т — для биполярных и П — для полевых транзи-
сторов.
Третий элемент — цифра, определяющая основные функциональ-
ные возможности транзистора (допустимое значение рассеиваемой
мощности и граничную либо максимальную рабочую частоту).
Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных при-
знаков транзисторов применяются следукуцие цифры.
Для транзисторов малой мощности (максимальная мощность, рас-
сеиваемая транзистором, не более 0,3 Вт):
1 — с граничной частотой коэффициента передачи тока или макси-
мальной рабочей частотой (далее граничной частотой) не более
3 МГц;
9
2 — с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
3 — с граничной частотой более 30 МГц.
Для транзисторов средней мощности (максимальная мощность,
рассеиваемая транзистором, более 0,3, но не более 1,5 Вт);
4 —с граничной частотой не более 3 МГц;
5 — с граничной частотой более 3, ио не более 30 МГц;
6 — с граничной частотой более 30 МГц.
Для транзисторов большой мощности (максимальная мощность,
рассеиваемая транзистором, более 1,5 Вт);
7 — с граничной частотой не более 3 МГц;
8 — с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
9 — с граничной частотой более 30 МГц.
Четвертый элемент— число, обозначающее порядковый номер раз-
работки технологического типа транзисторов.
Для обозначения порядкового номера используют двухзначные
числа от 01 до 99. Ес'ли порядковый номер разработки превысит чис-
ло 99, то применяют трехзначныс числа от 101 до 999.
Пятый элемент — буква, условно определяющая классификацию
по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.
В качестве классификационной литеры применяют буквы русского
алфавита (за исключением 3, О. Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э)
Стандарт предусматривает также введение в обозначение ряда до-
полнительных знаков при необходимости отмстить отдельные сущест-
венные конструктивно-технологические особенности приборов.
В качестве дополнительных элементов обозначения используют
следующие символы:
ци фра от 1 до 9 — для обозначения модернизаций транзистора,
приводящих к изменению его конструкции или электрических пара-
метров;
бу ква С — для обозначения наборов в общем корпусе однотипных
транзисторов (транзисторные сборки);
цифра, написанная через дефис, — для бсскорпусных транзисторов.
Эти цифры соответствуют следующим модификациям конструктив-
ного исполнения:
I— с гибкими выводами без крпсталлодсржателя (подложки);
2— с гибкими выводами па кристаллодержателе (подложке);
3 — с жесткими выводами без крпсталлодсржателя (подложки);
4— с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке);
5 — с контактными площадками без крпсталлодсржателя (подлож-
ки) и без выводов (кристалл);
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе (подлож-
ке). но без выводов (кристалл на подложке).
Таким образом, современная система обозначений позволяет по
наименованию типа получить значительный объем информации о
свойствах транзистора.
Примеры обозначения некоторых транзисторов:
КТ604А — кремниевый биполярный, средней мощности, низкоча-
стотный, номер разработки 04, группа А;
2Т920А — кремниевый биполярный, большой мощности, высокоча-
стотный, номер разработки 20, группа Л;
КТ937А-2 — кремниевый биполярный, большой мощности, высоко-
частотный, номер разработки 37, группа А, бескорпусный, с гибкими
выводами на кристаллодержателе;
10
2ПС202А-2 — набор маломощных кремниевых полевых транзисто-
ров, средней частоты, номер разработки 02, группа А, бескорпусный,
с гибкими выводами на кристаллодержателе.
Для большинства транзисторов, включенных в настоящий спра-
вочник, использована система обозначений согласно ранее действо-
вавшим ГОСТ 10862 -64 и ГОСТ 10862—72, которая в своей основе
не отличается от описанной. Однако у биполярных транзисторов,
разработанных до 1961 г. и выпускаемых до настоящего времени, ус-
ловные обозначения типа состоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения — буква 11. характеризующая класс
биполярных транзисторов, или две буквы МП для транзисторов в
корпусе, герметизируемом способом холодной сварки.
Второй элемент — одно-двух- или трсхзначнос число, которое оп-
ределяет порядковый номер разработки и указывает па подкласс
транзистора по роду исходного полупроводникового материала, зна-
чениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной (или пре-
дельной) частоты:
от 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзи-
сторы;
от 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзи-
сторы;
от 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзи-
сторы;
от 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы;
от 401 до 499—германиевые высокочастотные и СВЧ маломощ-
ные транзисторы;
от 501 до 599—кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные
транзисторы;
от 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные
транзисторы;
от 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные
транзисторы.
Третий элемент обозначения (у некоторых типов он может отсут-
ствовать)— буква, условно определяющая классификацию по пара-
метрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.
Примеры обозначения некоторых транзисторов:
П213Л—германиевый мощный низкочастотный, номер разработки
13, группа Л;
П702Л — кремниевый мощный высокочастотный, номер разработ-
ки 02, группа Л.
1.2. Классификация транзисторов по функциональному
назначению
В настоящем справочнике, наряду с нашедшей отражение в си-
стеме условных обозначений типов транзисторов классификацией,
приведена классификация биполярных транзисторов по частоте: низ-
кочастотные (/гр<30 МГц); высокочастотные (30 МГц<^гр<
< 300 МГц); сверхвысокочастотиые (/гр^-ЗОО МГц).
Биполярные транзисторы в соответствии с основными областями
применения подразделяются на следующие группы: универсальные
(низкочастотные и высокочастотные); усилительные (сверхвысоксча
11
Таблица I
Графические обозначения полупроводниковых приборов
Наименование
Транзистор типа р-п-р
Транзистор типа п-р-п с коллектором, электрически
соединенным с корпусом
Полевой транзистор с каналами типов п и р
Полевой транзистор с изолированным затвором с вы-
водом от подложки обогащенного типа с р-каналом
и обедненного типа с /t-каналом
Полевой транзистор с изолированным затвором обо-
гащенного типа с /t-каиалом и с внутренним соедине-
нием подложки и истока
Полевой транзистор с двумя изолированными затво-
рами обедненного типа с /t-каналом и с внутренним
соединением подложки и истока
Обозначение
12
стотные, высоковольтные, высокочастотные линейные); генераторные
(высокочастотные, сверхвысокочастотные, сверхвысокочастотные с
согласующими цепями); переключательные и импульсные (переклю-
чательные высоковольтные и импульсные высоковольтные).
По своему основному назначению полевые транзисторы делятся
на усилительные и генераторные.
Каждая из перечисленных групп характеризуется специфической
системой параметров и справочных зависимостей, отражающих осо-
бенности применения транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре.
Применительно к данной классификации транзисторов расположен
информационный материал в справочнике.
1.3. Условные графические обозначения
В технической документации и специальной литературе следует
применять условные графические обозначения полупроводниковых
приборов в соответствии с ГОСТ 2.730—73.
Графические обозначения полупроводниковых приборов, помещен-
ных в данном справочнике, приведены в табл. 1.
1.4. Условные обозначения электрических параметров
1/кэ —напряжение коллектор — эмиттер
UK9Q —постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
токе базы, равном нулю
Г/кэд —постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
заданном сопротивлении в цепи база — эмиттер
1/кэк —постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
—постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
заданном обратном напряжении база — эмиттер
£7кЭд „ —импульсное напряжение коллектор — эмиттер при
заданном сопротивлении в цепи база — эмиттер
^кэк, и —импульсное напряжение коллектор — эмиттер при
короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
£7КЭХ и —импульсное напряжение коллектор — эмиттер при
заданном обратном напряжении база — эмиттер
^КЭО проб — пробивное напряжение коллектор — эмиттер при
токе базы, равном нулю
^КЭЯ проб —пробивное напряжение коллектор — эмиттер при
заданном сопротивлении в цепи база — эмиттер
^КЭК проб —пробивное напряжение коллектор — эмиттер при
короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
^Кэх проб —пробивное напряжение коллектор — эмиттер при
заданном обратном напряжении база — эмиттер
^КЭ max —максимально допустимое постоянное напряжение
коллектор — эмиттер
^КЭ, и max — максимально допустимое импульсное напряжение
коллектор — эмиттер
4/кб —постоянное напряжение коллектор — база
и —импульсное напряжение коллектор — база
13
^КБО проб
КБ max
^КБ, и max
^ЭБО проб
^ЭБ
Д^БЭ
^ЭБ шах
уси
^ЗИ
^ИП
^СИ max
узи max
^зс max
^сп max
^ип max
узп max
и
Ек
/к
{Э
fS
1к.*
!Э. и
^Б, и
/К нас
^Б нас
/К max
max
^Б max
/к,и max
^Э, и max
/К нас max
^Б лас max
— пробивное напряжение коллектор — база
— максимально допустимое постоянное напряжение
коллектор — база
— максимально допустимое импульсное напряжение
коллектор — база
— пробивное напряжение эмиттер — база
— постоянное напряжение эмиттер — база
— падение напряжения на участке база — эмиттер
— максимально допустимое постоянное напряжение
эмиттер — база
— напряжение сток — исток
— напряжение затвор — исток
— напряжение исток — подложка
— максимально допустимое напряжение сток — исток
— максимально допустимое напряжение затвор —
исток
— максимально допустимое напряжение затвор —
сток
— максимально допустимое напряжение сток — под-
ложка
— максимально допустимое напряжение исток — под-
ложка
— максимально допустимое напряжение затвор —
подложка
— напряжение источника питания
— напряжение источника питания цепи коллектора
— напряжение источника питания цепи базы
— постоянный ток коллектора
— постоянный ток эмиттера
— постоянный ток базы
— импульсный ток коллектора
— импульсный ток эмиттера
— импульсный ток базы
— постоянный ток коллектора в режиме насыщения
— постоянный ток базы в режиме насыщения
— максимально допустимый постоянный ток коллек-
тора
— максимально допустимый постоянный ток эмиттера
— максимально допустимый постоянный ток базы
— максимально допустимый импульсный ток коллек-
тора
— максимально допустимый импульсный ток эмиттера
— максимально допустимый постоянный ток коллек-
тора в режиме насыщения
— максимально допустимый постоянный ток базы в
режиме насыщения
14
/с max /с ост /3 (пр) max (и) шах сг f Кпас Кст U 1 Р — максимально допустимый постоянный ток стока — остаточный ток стока — максимально допустимый прямой ток затвора — максимально допустимый импульсный ток стока — емкость генератора — частота — коэффициент насыщения — коэффициент стоячей полны по напряжению — длина выводов — постоянная рассеиваемая мощность биполярного (полевого) транзистора
Рср — средняя рассеиваемая мощность биполярного тран- зистора
РЛ — импульсная рассеиваемая мощность биполярного (полевого) транзистора
Рк Рк, ср Рнх — постоянная рассеиваемая мощность коллектора — средняя рассеиваемая мощность коллектора — входная мощность биполярного (полевого) тран- зистора
Рвх (по) — входная мощность в пике огибающей (средняя мощность однотонового сигнала с амплитудой, рав- ной амплитуде двухтонового сигнала в пике огиба- ющей)
Рпых (по) — выходная мощность в пике огибающей (средняя мощность однотонового сигнала с амплитудой, рав- ной амплитуде двухтонового сигнала в пике оги- бающей)
Р отр Р пад Р max — мощность отраженной волны СВЧ сигнала — мощность падающей волны СВЧ сигнала — максимально допустимая постоянная рассеиваемая
Ри max мощность биполярного (полевого) транзистора — максимально допустимая импульсная рассеиваемая
Рк max мощность биполярного (полевого) транзистора — максимально допустимая постоянная рассеиваемая
Рк, ср max мощность коллектора — максимально допустимая средняя рассеиваемая
Q Як мощность коллектора — скважность — сопротивление в цепи коллектор — источник пи- тания
Ябэ Яо Ян Яг — сопротивление в цепи база — эмиттер — сопротивление в цепи база — источник питания — сопротивление нагрузки — выходное сопротивление генератора при измере- ниях
Ят Яг п, к Яг и п, к — тепловое сопротивление — тепловое сопротивление переход — корпус — импульсное тепловое сопротивление переход — кор-
Яг И, с *$ЦЛ» *5цэ пус — тепловое сопротивление переход — среда — коэффициент отражения входной цепи соответст- венно в схеме ОБ и ОЭ
S|26 — коэффициент обратной передачи напряжения в схе- ме ОБ
15
|512о| —модуль коэффициента обратной передачи напряже-
ния в схеме ОБ
S21, —коэффициент прямой передачи напряжения в схе-
ме ОЭ
S22c —коэффициент отражения выходной цепи в схеме
ОБ
Т —температура окружающей среды
Тк — температура корпуса; для бескорпусных транзисто-
ров кристаллодсржателя (подложки)
Тп — температура р-п перехода
— коэффициент полезного действия коллектора
<р — фаза S-параметра
ти — длительность импульса
Тф — длительность фронта
Знаком * далее в тексте отмечены параметры или их значения,
приведенные в справочных данных ТУ. При производстве полупро-
водниковых приборов они могут не контролироваться.
Значения эксплуатационных данных, приведенных без указания
температурного диапазона, справедливы во всем интервале темпера-
тур окружающей среды для данного типа транзистора.
Значения электрических параметров, приведенные без специально-
го указания температуры окружающей среды (температуры корпуса),
справедливы для температуры 25 °C.
1.5. Основные стандарты на биполярные и полевые
транзисторы
ГОСТ 15133-77
ОСТ 11 336.919—81
ГОСТ 2.730-73
ГОСТ 18472—82
ГОСТ 20003-74
ГОСТ 19095-73
ГОСТ 18604.0-74
ГОСТ 18604.1-80
ГОСТ 18604.2—80
ГОСТ 18604.3—80
ГОСТ 18604.4—74
Приборы полупроводниковые. Термины и
определения.
Приборы полупроводниковые. Система ус-
ловных обозначений.
ЕСКД. Обозначения условные графические в
схемах. Приборы полупроводниковые.
Приборы полупроводниковые. Корпуса. Га-
баритные и присоединительные размеры.
Транзисторы биполярные. Электрические па-
раметры. Термины, определения и буквенные
обозначения.
Транзисторы полевые. Электрические пара-
метры. Термины, определения и буквенные
обозначения.
Транзисторы биполярные. Методы измере-
ния электрических паоаметров. Общие по-
ложения.
Транзисторы биполярные. Методы измере-
ния постоянной времени цепи обратной свя-
зи на высокой частоте.
Транзисторы биполярные. Метод измерения
статического коэффициента передачи тока.
Транзисторы биполярные. Метод измерения
емкостей коллекторного и эмиттериого пере-
ходов.
Транзисторы биполярные. Методы измере-
ния обратного тока коллектора.
16
ГОСТ 18604.5-74
ГОСТ 18604.6-74
ГОСТ 18604.7—74
ГОСТ 18604.8—74
ГОСТ 18 604.9—82
ГОСТ 18604.10—76
ГОСТ 18604.11—76
ГОСТ 18604.13—77
ГОСТ 18604.14—77
ГОСТ 18604.15—77
ГОСТ 18604.16—78
ГОСТ 18604.17—78
ГОСТ 18604.18—78
ГОСТ 18604.19—78
ГОСТ 18604.20—78
ГОСТ 18604.21—78
ГОСТ 18604.22—78
ГОСТ 18604.23—80
ГОСТ 18604.24—81
ГОСТ 18604.25—81
Транзисторы биполярные. Метод измерения
начального тока коллектора.
Транзисторы биполярные. Метод измерения
обратного тока эмиттера.
Транзисторы биполярные. Метод измерения
коэффициента передачи тока.
Транзисторы биполярные. Метод измерения
выходной проводимости.
Транзисторы биполярные. ^Методы определе-
ния граничной и предельной частот коэффи-
циента передачи тока.
Транзисторы биполярные. Метод измерения
входного сопротивления.
Транзисторы биполярные. Метод измерения
коэффициента шума на высоких и сверхвы-
соких частотах.
Транзисторы биполярные СВЧ генераторные.
Метод измерения выходной мощности и оп-
ределения коэффициента усиления по мощ-
ности и коэффициента полезного действия.
Транзисторы биполярные СВЧ генераторные.
Метод измерения модуля коэффициента об-
ратной передачи в схеме с общей базой на
высокой частоте.
Транзисторы биполярные СВЧ генераторные.
Методы измерения критического тока.
Транзисторы биполярные. Метод измерения
коэффициента обратной связи по напряже-
нию в режиме малого сигнала.
Транзисторы биполярные. Метод измерения
плавающего напряжения эмиттер — база.
Транзисторы биполярные. Методы измере-
ния статической крутизны прямой передачи.
Транзисторы биполярные. Методы измере-
ния граничного напряжения.
Транзисторы биполярные. Методы измере-
ния коэффициента шума на низкой частоте.
Транзисторы биполярные. Методы измере-
ния времени рассасывания.
Транзисторы биполярные. Методы измере-
ния напряжения насыщения коллектор —
эмиттер и база — эмиттер.
Транзисторы биполярные. Методы измере-
ния коэффициентов комбинационных состав-
ляющих.
Транзисторы биполярные высокочастотные
генераторные. Метод измерения выходной
мощности и определения коэффициента уси-
ления по мощности и коэффициента полез-
ного действия.
Транзисторы биполярные высокочастотные
генераторные. Метод определения граничной
частоты коэффициента передачи тока.
17
ГОСТ 20398.0—74
ГОСТ 20398.1—74
ГОСТ 20398.2—74
ГОСТ 20398.3^74
ГОСТ 20398.4—74
ГОСТ 20398.5—74
ГОСТ 20398.6—74
ГОСТ 20398.7—74
ГОСТ 20398.8—74
ГОСТ 20398.9—80
ГОСТ 20398.10—80
ГОСТ 20398.11—80
ГОСТ 20398.12—80
ГОСТ 20398.13—80
ОСТ 11 336.909.1—79
ОСТ 11 336.909.2—79
ОСТ 11 336.909.3—79
ОСТ 11 336.916—80
ОСТ 11 073.073—82
ГОСТ 2.117—71
ОСТ 11 аАО.336.013—73
ОСТ 11.336.907.0—79
ОСТ 11 336.907.8—81
Транзисторы полевые. Методы измерения
электрических параметров. Общие положе-
ния.
Транзисторы полевые. Метод измерения мо-
дуля полной проводимости прямой передачи.
Транзисторы полевые. Метод измерения ко-
эффициента шума.
Транзисторы полевые. Метод измерения
крутизны характеристики.
Транзисторы полевые. Метод измерения ак-
тивной составляющей выходной проводимо-
сти.
Транзисторы полевые. Метод измерения
входной, проходной и выходной емкостей.
Транзисторы полевые. Метод измерения то-
ка утечки затвора.
Транзисторы полевые. Метод измерения по-
рогового напряжения и напряжения отсечки.
Транзисторы полевые. Метод измерения на-
чального тока стока.
Транзисторы полевые. Метод измерения кру-
тизны характеристики в импульсном режиме.
Транзисторы полевые. Метод измерения на-
чального тока стока в импульсном режиме.
Транзисторы полевые. Метод измерения
спектральной плотности шумового напряже-
ния.
Транзисторы полевые. Метод измерения
остаточного тока стока.
Транзисторы полевые. Метод измерения со-
противления сток — исток.
Транзисторы биполярные мощные высоко-
вольтные. Методы измерения граничного на-
пряжения.
Транзисторы биполярные мощные высоко-
вольтные. Методы измерения временных па-
раметров.
Транзисторы биполярные мощные высоко-
вольтные. Методы измерения скорости на-
растания обратного напряжения.
Транзисторы полевые. Метод измерения вы-
ходной мощности, определения коэффициен-
та усиления по мощности, определения ко-
эффициента полезного действия стока.
Приборы полупроводниковые и микросхемы.
Методы контроля температуры полупровод-
никовых структур.
ЕСКД. Согласование применения покупных
изделий.
Приборы полупроводниковые. Методы защи-
ты от статического электричества.
Приборы полупроводниковые. Руководство
по применению. Общие положения.
Транзисторы биполярные. Руководство по
применению.
18
OCT 11 336.935-82
OCT И ГЮ.336.001
рсд. 1-71
Транзисторы полевые. Руководство по при-
менению.
Приборы полупроводниковые бсскорпуспые.
Руководство по применению.
1.6. Приборы для измерения параметров мощных
транзисторов
Для измерения параметров транзисторов промышленность выпу-
скает ряд измерительных приборов. Наибольшее распространение для
измерения параметров мощных биполярных и полевых транзисторов
получили приборы, приведенные в табл. 2.
Методы измерения основных электрических параметров транзисто-
ров установлены государственными стандартами. Для наблюдения
вольт-амперных характеристик транзисторов рекомендуется использо-
вать приборы, приведенные в табл. 3.
Таблица 2
Приборы для измерения параметров мощных трапзистороз
Тип, прибор Измеряе- мый па- раметр Предел измерения по шкале Режим измерения Габаритный размер, мм (масса, кг)
Л2-13 *2!Э 3- 1000
Измеритель статических S 0,1-30 А/В УКБ=1-20 В 630 X 360 X 340
параметров мощных °КЭ пас 0,1—10 В (при измерении 1 кпо до 150 В) (32 кг) Выносной
транзисторов УБЭ нас УКЭО гр ZKBO 0,1 — 10 в 2-150 В 10 мкА— 10 А /БС1 А пульт 180 X 200 X 210 (3 кг)
100 мА
/ЭБО 10 мкА—
100 мА
/КЭЯ 10 мкА- 300 мА
Л2-28 с„ 0,3—1000 пФ (/КБ = 0’25—99.9 В 495X215X365
Измеритель С, 0.3—1000 пФ (16 кг)
емкости р-п переходов /КБО 0.3—100 мкА СГЭБ= 0,25 -9.9 В
/=10 МГц
(при С<30 пФ) / = 0.3 МГц (при С<30 пФ)
Л2-34 ^£1И 0.3 30 пФ £/СИ = 2-29 В 400X216X355
Измеритель емкости С22И 0,3-30 пФ УЗИ1 = ‘-29 ° (16 кг)
полевых транзисторов С12И 0.03-30 пФ УЗИ2 = >-2° В /с =0, 3— 50 мА
19
Окончание табл. 2
Тип. прибор Измеряе- мый параметр Предел измерения по шкале Режим измерения Габаритный размер, мм (масса, кг)
Л2-42 А 713 5-500 УКБ=2-50 В 490 X 256 X 355
Измеритель статических параметров УКЭ нас 0,1-10 В 0,1—10 В (при измерении 1КБО А° в) (21 кг) Пульт 122 122X131X200
мощных ьс? нас </ЭБ=0,3- 10 в (2 кг)
транзисторов 7кбо 1 мкА—30 мА /к = 0, 1-20 А
*ЭБО 1 мкА—30 мА
;КЭО 1 мкА—30 мА /Б=0,03—5 А ₽ЭБ =0 — 1 кОм
Л2-46 s 0.01-30 А/В УСИ= 1 -200 в Блок измери-
Измеритель параметров п-ч пост с °н ч ими 0,01-3 А/В Узи1 =0,3-30 в тельный 480X490X255 Блок режимов
мощных zc 0,3—200 мА (73pj2 = 0• 3 — 30 В
транзисторов Z3 ут 0,3-10-"— 10-» А /с<200 мА 360X490X175 Блок измери-
0,3—30 В тельн ый
ЗИ пор 300 X 230 X 205
k ЗИ отс 0,3—30 в
^СИ отк 3—1000 Ом
1С, и 0,1-30 А
Л2-57 &21Э 5—2000 (7КЭ = 3 —299 В Блок измери-
Измеритель статических УКЭ нас 0,05—10 В иЭБ=о,з-зо В тельный 488X475X175
параметров мощных ^БЭ нас 0,05—10 В /к и = 0, 1 —99.9А (20 кг) Блок
транзисторов 7эбо 10-»—10-1 А /Б, „ = 0, 01 —30 А режимов
УКБО Ю-»—10-' А 488X475X175 (30 кг)
ZK3R 10-»—10-' А Блок генера- торов 488X475X175
(25 кг)
Устройство подключения 488X475x94
(15 кг)
Л2-58 Измеритель °’КЭО гр 100-2000 В УКБ, „ = 500- 480X555X160 (30 кг)
параметров высоковольт- ных транзи- *КБО 10-5—10-' А — 2000 В ц=:30 мА—0,99 А /Б> И=1 -300 мА
сторов
20
Таблица 3
Приборы для наблюдения вольт-амперных характеристик транзисторов
Тип. Режим по посто- янному току Режим ступенчатого сигнала Габаритный размер, мм (масса, кг)
ПНХТ-1 (7 = 0 — 20 В По току: 613 X 334 X 423
(при / = 1 — 10 А) (/=-0—200 В (при /^1 А) 1- 500 мкА/ступень, 1—200 мА/ступень (всего 17 фиксированных значений) По напряжению: 0.01—0.2 В/ступснь (всего 5 фиксированных значений) Число ступеней 4—12 (40 кг)
Л2-56 (7 = 0 — 16 В По току: 490 X 294 X 5G0
(ПНХТ-2) (при /^10 А) (7 = 0—80 В (при / = 0.4 —2 А) (7 = 0—400 В (при / = 0,4 — — 0.08 А) (7=0 —2000 В (при /<0.08 А) 50 иА/ступень. 20 мА/сту- пснь (всего 21 фиксирован- ное значение) По напряжению: 0.05—2 В/ступень (всего 6 фиксированных значений) Число ступеней 1 — 10 (4 0 кг)
Раздел второй
ОСОБЕННОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ
ТРАНЗИСТОРОВ В РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ
АППАРАТУРЕ
При разработке, изготовлении и эксплуатации полупроводниковых
приборов следует принимать во внимание их специфические особенно-
сти. Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть
обеспечена только при учете таких факторов, как разброс парамет-
ров транзисторов, температурная нестабильность и зависимость их
параметров от режима работы, а также изменение параметров тран-
зисторов в процессе эксплуатации.
Транзисторы, приведенные в справочнике, являются транзисторами
общего применения. Они сохраняют свои параметры в установленных
пределах в условиях эксплуатации и хранения, характерных для раз-
личных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуатации аппара-
туры могут изменяться в широких пределах. Эти условия характери-
зуются внешними механическими (вибрационными, ударными, цент-
робежными нагрузками) и климатическими воздействиями (темпера-
турными, атмосферными и др.).
Общие требования, справедливые для всех транзисторов, предна-
значенных для использования в аппаратуре определенного класса, со-
держатся в общих технических условиях. Нормы на значения элек-
трических параметров и специфические требования, относящиеся к
конкретному типу транзистора, содержатся в частных технических
условиях.
Под воздействием различных факторов окружающей среды неко-
торые параметры, характеристики и свойства транзисторов могут из-
меняться.
21
Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних
воздействий служат корпуса приборов. Конструктивное оформление
транзисторов рассчитано на их использование в составе аппаратуры
при любых допустимых условиях эксплуатации. Необходимо помнить,
что корпуса транзисторов в конечном счете имеют ограничение по
герметичности. Поэтому при использовании транзисторов в аппара-
туре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной
влажности, платы с расположенными на них транзисторами рекомен-
дуется покрывать лаком не менее чем в три слоя. Рекомендуется при-
менять лаки УР-231 (ТУ 6-10-863—79) или ЭП-730 (ГОСТ
20824—75).
Все большее распространение получают так называемые бескор-
пуспые транзисторы, предназначенные для использования в микросхе-
мах и микросборках. Кристаллы таких транзисторов защищены спе-
циальным покрытием, но оно не дает дополнительной защиты от воз-
действия окружающей среды. Защита достигается общей герметиза-
цией всей микросхемы.
Рассеиваемая мощность, а также возможность работы па СВЧ оп-
ределяются конструкцией транзисторов.
Чтобы обеспечить долголетнюю и безотказную работу радиоэлек-
тронной аппаратуры, конструктор обязан не только учесть характер-
ные особенности транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и
обеспечить соответствующие условия се эксплуатации и хранения.
Транзисторы — приборы универсального применения. Они могут
быть успешно использованы не только в классе устройств, для кото-
рых они разработаны, но и во многих других устройствах. Однако
набор параметров и характеристик, приводимых в справочнике, со-
ответствует основному назначению транзистора. В справочнике при-
водятся значения параметров транзисторов, гарантируемые ТУ для
соответствующих оптимальных или предельных режимов эксплуата-
ции. Рабочий режим транзистора в проектируемом устройстве часто
отличается от того режима, для которого приводятся параметры
в ТУ.
Значение большинства параметров транзисторов зависит от рабо-
чего режима и температуры, причем с увеличением температуры за-
висимость параметров от режима сказывается более сильно. В спра-
вочнике, как правило, приводятся типовые (усредненные) зависимо-
сти параметров транзисторов от тока, напряжения, температуры, ча-
стоты и т. д. Эти зависимости должны использоваться при выборе
типа транзистора и ориентировочных расчетах, так как значения па-
раметров транзисторов одного типа не одинаковы, а лежат в некото-
ром интервале. Этот интервал ограничивается минимальным или мак-
симальным значением, указанным в справочнике. Некоторые пара
метры имеют двустороннее ограничение.
При конструировании устройств необходимо стремиться обеспе-
чить их работоспособность в возможно более широких интервалах
изменений важнейших параметров транзисторов. Разброс параметров
транзисторов и их изменение во времени при конструировании могут
•быть учтены расчетными методами или экспериментально—методом
граничных испытаний.
В справочнике, как правило, нс приводятся выходные характери-
стики биполярных транзисторов ввиду их однотипности и возможно-
сти построения по приводимым данным.
22
Рис. 2.1. Выходные характеристики биполярного транзистора и об-
ласти работы при включении по схеме ОБ (а) и по схеме ОЭ (б).
На рис. 2.1 показаны выходные характеристики биполярного тран-
зистора с указанием областей работы для схем с общей базой (ОБ)
и общим эмиттером (ОЭ). Как видно, выходные характеристики в
схеме ОБ (рис. 2.1, а) напоминают анодные характеристики усили-
тельных пентодов, с тем различием, что коллекторный ток протекает
и при нулевом напряжении питания. В схеме ОЭ (рис. 2.1,6) выход-
ные характеристики идут из начала координат, имеют наклон к оси
напряжений.
Характерные особенности рабочих областей, показанных на
рис. 2.2 применительно к токам и напряжениям для р-п-р транзисто-
ра, приведены в табл. 4. Для п-р-п транзисторов знаки неравенств в
столбцах табл. 4 «Напряжение на коллекторе» и «Напряжение на
эмиттере» должны быть заменены на обратные.
Выходные вольт-амперные характеристики полевых транзисторов
(зависимость тока стока от напряжения на стоке при различных на-
пряжениях на затворе) напоминают характеристики усилительных
пентодов (рис. 2.3). На семействе этих характеристик можно выде-
лить три области: линейную (изменение тока стока пропорционально
изменению напряжения на стоке); область насыщения (ток стока сла-
бо зависит от напряжения на стоке); область пробоя (ток стока
резко возрастает при малых изменениях напряжения па стоке).
На рис. 2.4 приведены проходные вольт-амперные характеристики
(зависимость тока стока от напряжения на затворе при неизменном
напряжении на стоке) полевых транзисторов с управляющим р-п пе-
реходом с каналами п- и р-тнпов проводимости и схемные обозначе-
ния этих транзисторов. Проходные характеристики полевых транзи-
сторов с управляющим р-п переходом хорошо аппроксимируются вы-
ражением
^С = /С нач (! — ^зи/^'зи отс)"’
где 1с пач — начальный ток стока (ток стока при U3il = 0); Узи отс —
напряжение отсечки. Теоретическое значение показателя степени п=
= 2. Однако на практике п=1,5—2,5.
Таким образом, полевые транзисторы с управляющим р-п перехо-
дом работают в режиме обеднения канала носителями заряда (неза-
23
Рис. 2.2. Реальные выходные характеристики мощного германиево-
го транзистора и области максимальных режимов (заштрихованы).
Рис. 2.3. Выходные характери-
стики полевого транзистора.
Рис. 2.4. Проходные характери-
стики полевого транзистора с уп-
равляющим р-п переходом с ка-
налом п- и p-типов проводимо-
сти.
24
висимо от типа его проводимо-
сти) при изменении напряжения
затвор — исток от нулевого зна-
чения до напряжения отсечки то-
кз стока.
На рис. 2.5 приведены про-
ходные вольт-амперные характе-
ристики МДП-транзисторов и их
схемные обозначения. В отличие
от транзисторов с управляющим
р-п переходом, у которых рабо-
чая область составляет от
^ЗИ =0 до запирания, МДП-
транзисторы сохраняют высокое
входное сопротивление при любых
значениях напряжения на затво-
ре, которое ограничено напряже-
нием пробоя изолятора затвора.
При необходимости примене-
ния транзисторов для выполнения
функций, отличающихся от их осн
можностн их использования в этих
сле измерения параметров транзисторов в этих режимах, проведения
соответствующих испытаний и согласования их параметров в соответ-
ствии с ГОСТ 2.117—71.
Рис. 2.5. Проходные характе-
ристики МДП-транзистора с
каналом п- и р-типов проводи-
мости.
•вного назначения, вывод о воз-
режимах может быть сделан по-
Таблица 4
Характерные особенности рабочих областей при включении биполярных
транзисторов типа р-п-р по схемам ОБ и ОЭ
Рабочая об пасть Схема включения Напряжение на эмиттере Напряжение на коллекторе Ток коллектора Ток базы
Усиле- ОБ УЭБ>° УКБ<° /К = А21Б;Э /Б = ;К х
и не ОЭ уБЭ<0 "КЭ<» /К = Л21Э/Б Х(1 + й2|Б>/ а21Б>° /Б“/К/а21Э>п
Пасы- об УЭБ>УКБ УКБ>° /К<Л21Б/Э /Б>/К<1 + А2 1 Б>/
щенке ОЭ 1УБЭ|>|УКЭ| 1/кэ<° /К</,21Э/Б а21Б /Б>/К//*21Б
Отссч- ОБ 1/КБ<0 /КБК>/К>;КБО /Б<0
ОЭ ^БЭ>° укэ<0 /КЭО>/К>/КБО /Б<0
У м н о - ОБ ^ЭБ><> 6'КБ<° 'к^'г^э 'Б<'КХ
ОЭ ^БЭ<0 уКЭ<0 /К>Л21Э/Б X (1 +а2|Б)/Л2)б /Б</К/а21Э
25
Рис. 2.6 Рис. 2.7 Рис. 2.8 Рис. 2.9
Рис. 2.6. Устройство защиты транзистора с помощью последова-
тельной /?С'-цепн.
Рис. 2.7. Устройство защиты транзистора с помощью диода.
Рис. 2.8. Устройство зашиты транзистора с помощью стабилитрона.
Рис. 2.9. Комбинированная схема защиты транзистора.
В аппаратуре транзистор может быть использован в широком
диапазоне напряжений и токов. Ограничением служат значения пре-
дельно допустимых режимов, превышение которых в условиях экс-
плуатации не допускается независимо от длительности импульсов на-
пряжения или тока. Даже кратковременное превышение предельно
допустимых режимов может привести к пробою р-п перехода, сгора-
нию внутренних выводов и выходу прибора из строя. Поэтому при
применении транзисторов необходимо обеспечивать их защиту от
мгновенных изменений токов и напряжений, возникающих при пере-
ходных процессах (моменты включения, выключения, изменения ре-
жимов работы и т. д.), мгновенных изменениях питающих напряже-
ний. Не допускается также работа транзисторов в совмещенных пре-
дельных режимах (например, по напряжению и току).
Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих токах,
соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем диапазо-
не температур.
Существуют различные устройства защиты транзисторов от пере-
напряжения, основанные иа поглощении части накопленной индуктив-
ностью энергии или блокирующие транзистор от попадания в высо-
ковольтную область.
Устройство защиты с помощью последовательной /?С-цепи приве-
дено на рис. 2.6. Элементы цепи рассчитывают из соотношения
С > 27.££/(уй /?=), /?=«/» R„/(yr Ек),
где UM — разность между напряжением источника питания Ек и
максимально допустимым напряжением коллектор — эмиттер.
Устройство защиты от всплесков напряжений с использованием
шунтирующего диода приведено на рис. 2.7. Перепад напряжения в
этом случае равен прямому падению напряжения на диоде, т. е. прак-
тически отсутствует.
Для защиты усилителей от случайных напряжений и импульсных
перегрузок в устройствах с реактивной нагрузкой применяют стаби-
литроны. допускающие работу в ждущем режиме (рис. 2.8).
26
Рис. 2.10. Схемы параллельного включения транзисторов.
Устройство защиты, используемое в широкополосных усилителях,
приведено на рис. 2.9, где смещение транзистора выбирают меньшим
напряжения стабилизации стабилитрона.
Для транзисторов, предназначенных для работы на согласован-
ную нагрузку, при настройке аппаратуры необходимо принимать ме-
ры, исключающие возможность работы транзистора на рассогласован-
ную нагрузку. Если полностью это исключить невозможно, то на-
стройку следует осуществлять при пониженном напряжении питания
или пониженной мощности возбуждения.
Режимы работы транзисторов должны контролироваться с учетом
возможных неблагоприятных сочетаний условий эксплуатации аппа-
ратуры. При измерениях необходимо принимать во внимание колеба-
ния напряжений источников питания, значение и характер нагрузки
на выходе блока, колебания амплитуды и длительности выходных
сигналов, уровни внешних воздействующих факторов.
Для повышения надежности транзисторов при эксплуатации сле-
дует выбирать рабочие режимы с коэффициентами нагрузки по на-
пряжению и мощности в диапазоне 0,7—0,8, Однако следует учесть,
что применение транзисторов при малых рабочих токах приводит к
снижению устойчивости их работы в диапазоне температур и к не-
стабильности усиления во времени. Использование более высокоча-
стотных типов транзисторов в низкочастотных цепях нежелательно,
так как они дороги, склонны к самовозбуждению и обладают мень-
шими эксплуатационными запасами.
Для коэффициентов загрузки менее 0,5—0,6 надежность работы
транзистора практически не зависит от режима работы.
Для повышения надежности параллельно соединенных транзисто-
ров рекомендуется транзисторы располагать на общем теплоотводе,
в цепи эмиттеров и баз включать резисторы (рис. 2.10), обеспечи-
вать их работу при коэффициентах нагрузки по току 0,5—0,6.
Для повышения надежности последовательно соединенных транзи-
сторов рекомендуется коллектор — эмиттер шунтировать резисторами,
сопротивление которых в 2—3 раза меньше эквивалентного сопротив-
ления закрытого транзистора, или стабилитроном, допускающим ра-
боту в ждущем режиме, напряжение стабилизации которого не более
0,7—0,8 U Кэо (рис. 2.11).
При применении мощных транзисторов необходимо обеспечивать
правильный тепловой режим работы, чтобы температура корпуса
транзистора была минимальной и не превышала допустимой. Пре-
вышение предельной температуры может привести к тепловому про-
бою р-п перехода. Тепловой пробой возникает вследствие лавинооб-
27
-dU Л
-------Л
Рис. 2.11. Схемы последовательного включения транзисторов.
разного нарастания температуры р-п перехода. Во избежание тепло-
вого пробоя необходимо улучшать отвод тепла от транзистора. Пра-
вильный выбор теплового режима работы снижает интенсивность от-
казов транзисторов, а также обеспечивает стабильность выходных
параметров аппаратуры. Обеспечение оптимального теплового режи-
ма работы транзисторов играет первостепенную роль при создании
надежной аппаратуры.
Для учета зависимости параметров от температуры в справочнике
приводятся температурный диапазон применения транзисторов, зна-
чения параметров и режимов при различных температурах и их тем-
пературные зависимости.
В качестве теплоотвода для мощных транзисторов могут исполь-
зоваться специально сконструированные радиаторы или конструктив-
ные элементы узлов и блоков. При этом должна предусматриваться
специальная обработка мест крепления транзисторов.
Качественное соединение корпуса транзистора с теплоотводом до-
стигается шлифовкой поверх 'ости теплоотвода, смазкой места соеди-
нения специальной мастикой г ти невысыхающим маслом.
Для улучшения теплового контакта рекомендуется смачивать ниж-
нее основание транзистора полиметилсилоксановой жидкостью
ПМС-100 ГОСТ 13032—77 или теплоотводящей смазкой КПТ-8 ГОСТ
19783—74. Полезным оказывается использование тонких прокла-
док из фольги мягких металлов. Сверление больших отверстий в
радиаторе для выводов транзистора уменьшает эффективность отво-
да тепла.
Площадь теплоотвода приближенно можно вычислить по фор-
муле
5 (см»] ~ Ю00/(/?7-п с 6Г),
где RT п. с — требуемое тепловое сопротивление переход — окружаю-
щая среда, °С/мВт; бт — коэффициент теплопередачи от теплоотвода
в окружающую среду, равный 0,6—1,5 мВт/(см2-сС).
Для повышения эффективности отвода тепла за счет излучения
рекомендуется теплоотвод покрывать черной матовой краской (зачер-
нить) .
Принудительный обдув теплоотвода, помещение его в проточную
жидкость (вода, масло) значительно улучшает охлаждение транзи-
сторов и позволяет снимать с них большие мощности.
Крепление транзисторов к радиаторам должно обеспечить их на-,
дежный тепловой контакт. Особое внимание следует уделить надеж-
28
ному тепловому контакту при введении между корпусом транзистора
и радиатором изолирующих прокладок. Для уменьшения общего теп-
лового сопротивления лучше изолировать радиатор от корпуса аппа-
ратуры, чем транзистор от радиатора.
При необходимости электрической изоляции корпуса (коллектора)
транзистора от шасси или теплоотвода между корпусом и теплоот-
водом рекомендуется ставить прокладку из оксидированного алюми-
ния или слюды. Суммарное тепловое сопротивление переход — тепло-
отвод увеличивается при этом на 0,5 °С/Вт на каждые 50 мкм тол-
щины слюдяной прокладки или на 0,25 ’C/Вт на каждые 50 мкм тол-
щины слоя аксидированного алюминия.
При применении заливки плат компаундами следует учитывать
возможное ухудшение теплообмена между транзисторами и окружа-
ющей средой. Для заливки плат следует использовать компаунды, не
оказывающие отрицательного химического и механического влияния
на транзисторы.
Особенностью применения мощных биполярных транзисторов яв-
ляется работа этих приборов в режимах, близких к предельным по
температуре перехода. Для обеспечения надежной работы аппарату-
ры режимы использования мощных транзисторов должны выбирать-
ся таким образом, чтобы ток и напряжение не выходили за пределы
области максимальных режимов. На рис. 2.12 приведен типичный вид
области максимальных режимов мощного биполярного транзистора.
Сплошными линиями ограничена область статического режима рабо-
ты транзистора, а пунктирными — импульсного Область максималь-
ных режимов ограничена:
максимально допустимым током коллектора (постоянным и им-
пульсным) — область I;
максимально допустимой мощностью рассеивания (постоянной и
импульсной) —область II;
вторичным пробоем — область III;
граничным напряжением вольт-амперной характеристики при за-
данных условиях на входе — область IV;
максимально допустимым обратным напряжением коллектор —
эмиттер (постоянным и импульсным) —область V.
Область максимальных режимов в справочнике приводится, как
правило, при температуре корпуса Тк|, при которой обеспечивается
максимальная мощность рассеивания. При увеличении температуры
корпуса выше ГК1 мощность рассеивания определяется с помощью
графиков (рис. 2.13), а при их отсутствии — рассчитывается по фор-
муле
Ртах — (7 п~ Л<) /я7п. к’
где Тп — температура перехода; Тк—температура корпуса (напри-
мер, Гиг, Ткз и т. п.); Rm.к— тепловое сопротивление переход —
корпус.
При работе транзистора при температуре корпуса Т К1 или Ткз
(см. рис. 2.12) область II перемещается, что соответствует уменьше-
нию мощности рассеивания, определенной графическим путем или
рассчитанной по формуле.
При повышении температуры корпуса изменяется также положе-
ние области V. Значение предельно допустимого обратного напряже-
ния коллектор — эмиттер (постоянного или импульсного) при росте
29
Рис. 2.12. Область максималь-
ных режимов мощного бипо-
лярного транзистора.
Рис. 2.13. Зависимость досто-
янной рассеиваемой мощности
от температуры.
температуры уменьшается (рис. 2.14). Эта зависимость снимается
экспериментально.
При переходе от статического режима к импульсному и при
уменьшении длительности импульса границы области максимальных
режимов перемещаются в сторону больших значений тока и напря-
жения.
Максимально допустимая мощность рассеивания в импульсном
режиме связана с максимальной рассеиваемой мощностью соотноше-
нием
max (^шах ^Тп.к)/^'Ги п, к•
где Rt и к, и — импульсное тепловое сопротивление переход — корпус,
являющееся функцией длительности импульса и скважности
(рис. 2.15).
Рис. 2.14. Области максималь-
ных режимов при различных
температурах корпуса.
Рис. 2.15. Зависимость тепло-
вого сопротивления от дли-
тельности импульса.
30
Рис. 2.16. Эквивалентная схема мощного СВЧ транзистора в актив-
ном режиме.
Рис. 2.17. Вил спектра частот выходного сигнала при измерении
коэффициента комбинационных составляющих методом двухтоно-
вого сигнала:
/ — основной тон; 2 — комбинационные составляющие третьего порядка; 3 —
комбинационные составляющие пятого порядка.
Чем меньше длительность импульса и больше скважность, тем
больше импульсная мощность рассеивания, вызывающая разогрев
перехода до максимально допустимой температуры. Области макси-
мальные режимов II и III при этом перемещаются вправо — в об-
ласть больших значений токов и напряжений. Эти границы определя-
ются экспериментально.
Тепловое сопротивление переход—корпус зависит от конструкции
транзистора и может быть определено из области максимальных ре-
жимов. Например, для режима 77КЭ1, /К1 (см. рис. 2.12) тепловое
сопротивление
Яти. к I<“/Вт1 =(^п — ^к) (^'кэ 1 Гк\)-
Импульсное тепловое сопротивление переход—корпус связано с
тепловым сопротивлением в статическом режиме соотношением
^Ги п. к =(^ КЭ1 ^К1 /^КЭ И' 1К. н|) ^Гп. к’
Все мощные биполярные транзисторы СВЧ диапазона предназна-
чены для работы в режимах с отсечкой коллекторного тока. Допус-
тимые электрические режимы на постоянном токе (по напряжению и
мощности рассеивания), как правило, существенно отличаются от
динамических режимов работы. Приведенные в справочнике парамет-
ры мощных СВЧ транзисторов позволяют пользоваться типовой экви-
валентной схемой для оценки их эксплуатационных характеристик.
Эквивалентная схема транзистора в активном режиме показана на
рис. 2.16.
Параметры некоторых элементов, изображенных на схеме, в спра-
вочных данных отсутствуют. Это значит, что эквивалентная схема
может быть соответствующим образом упрощена. Например, если не
31
приводится эквивалентное последовательное сопротивление коллекто-
ра, то это означает малое влияние этого параметра на типовые экс-
плуатационные характеристики, и он может быть исключен из схемы.
Приводимое в справочнике значение емкости коллекторного перехода
СВЧ мощных транзисторов включает в себя значения емкостей ме-
таллизированных площадок в структуре транзистора и емкостей кор-
пуса. То же относится и к понятию «емкость эмиттерного перехода».
Линейные усилительные свойства мощных высокочастотных линей-
ных транзисторов характеризуются параметрами, методы измерения
которых основываются на использовании двухтонового сигнала, со-
стоящего из двух гармонических сигналов. Нелинейные свойства
транзисторов в этом случае оцениваются коэффициентом комбинаци-
онных составляющих третьего и пятого порядков, являющихся отно-
шением наибольших амплитуд соответствующих комбинационных со-
ставляющих спектра выходного сигнала (рис. 2.17) к амплитуде ос-
новного тона.
Между средней мощностью линейного двухтонового сигнала и
мощностью в пике огибающей существует соотношение Рвых =
= Рвых( по)У2. Это соотношение используется для расчета КПД кол-
лектора транзистора в режиме двухтонового сигнала.
В процессе монтажа транзисторов в устройство механические и
тепловые воздействия на них не должны превышать значений, ука-
занных в ТУ, так как это может привести к растрескиванию изоля-
тора и, следовательно, к нарушению герметичности корпуса транзи-
стора. При рихтовке, формовке и обрезке участок вывода у корпуса
транзистора должен быть закреплен таким образом, чтобы в месте
выхода вывода из корпуса (изолятора) он не испытывал изгибающих
или растягивающих усилий. Оснастка для формовки выводов должна
быть заземлена. Расстояние от корпуса транзистора до начала изги-
ба вывода при формовке должно быть не менее 2 мм, если оно не
оговорено в ТУ на конкретный тип транзистора. При диаметре выво-
да не более 0,5 мм радиус его изгиба должен быть не менее 0,5 мм;
при диаметре от 0,6 до 1 мм — не менее 1 мм; при диаметре более
1 мм — не менее 1,5 мм.
При лужении, пайке и монтаже транзисторов следует принимать
меры, исключающие возможность их повреждения из-за перегрева и
механических усилий. При лужении и пайке расстояние от корпуса
(изолятора) до места лужения и пайки должно быть не менее 3 мм,
если в ТУ на конкретный тип транзистора не указано иное.
Допускается пайка выводов без теплоотвода и групповым мето-
дом, если температура припоя не превышает 260±5 °C, а время пай-
ки не более 3 с. если в ТУ на конкретный тип транзистора не указано
иное.
Печатные платы очищают от флюсов жидкостями, не портящими
покрытие, маркировку и материал корпуса транзистора (рекоменду-
ется спиртобензоновая смесь).
В процессе монтажа, транспортировки, хранения ВЧ и СВЧ би-
полярных транзисторов и МДП полевых транзисторов необходимо
обеспечивать защиту их от воздействия статического электричества.
Способы защиты приведены в ОСТ 11 aA0.336.013—73.
К числу важнейших предупредительных мер относятся: хорошее
заземление оборудования и измерительных приборов; применение за-
земляющих браслетов (или колец) между телом оператора и землей,
антистатических халатов; использование низковольтных электропа^
32
яльииков с заземленным жалом. При включении транзистора в элек-
трическую цепь, находящуюся под напряжением, коллекторный кон-
такт должен подсоединяться последним и отсоединяться первым.
С целью предупреждения появления в процессе настройки цепи мгно-
венного напряжения на коллекторе, превышающего максимально до-
пустимое значение, рекомендуется проводить ее настройку при по-
ниженной входной мощности, постепенно достигая номинального зна-
чения.
Транзисторы МДП полевые обычно хранят и транспортируют при
наличии замыкателей на их выводах. Замыкатели удаляют непосред-
ственно перед включением (монтажом) транзистора в устройство.
При пайке все выводы МДП-транзистора должны быть закорочены.
Для сохранения минимальных значений тока затвора МДП-полевых
транзисторов необходимо применять меры, предохраняющие корпус
от попадания флюса и припоя. При выборе лаков или компаундов
для заливки плат с МДП полевыми транзисторами необходимо учи-
тывать влияние этих материалов на ток утечки затвора транзистора.
При применении МДП полевых транзисторов в радиоэлектронной
аппаратуре необходимо принимать меры для их защиты от электри-
ческих перегрузок.
2 Зак. 226
ЧАСТЬ ВТОРАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ
ТРАНЗИСТОРОВ
Раздел третий
ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ
НИЗКОЧАСТОТНЫЕ
п-р-п
П701, П701А, П701Б
Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные п-р-п усилитель-
ные. Предназначены для применения в усилительных и генераторных
каскадах радиоэлектронных устройств.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса транзи-
стора не более 12 г, с крепежным фланцем не более 16 г.
34
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное максимальное CQ СП 2, из /К <УБ). А
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ, МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 7 = 20 °C П701Б 7-25 °C П701 П701А. 7-125'С Г1701 П701А 7 55’С П701Б 7=-60°С П701 П701А Модуль коэффициента передачи то- ка на высокой частоте (/ = 5 МГц) Входное напряжение, В Напряжение насыщения коллек- тор — эмиттер. В Обратный ток коллектора. мА- П701. П701Б П701А Обратный ток коллектор — эмиттер (Rs,= 100 Ом). мА: 7—60 ->+25 °C П701, П701А 7 55 4 -1 20 °C П701Б 7-100 °C П701Б 7= 125 °C П701 П701А Обратный ток эмиттера, мА ^Гр Л21Э |л21э| UBX ^КЭ нас ;КБО 'кэн 7ЭБО 20 30 10 15 10 15 15 6 9 2.5 100 40 60 90 120 4 7 0.1 0. 1 0,5 0.5 5 3 3 3 10 20 10 40 60 50 50 50 35 50 (3) 0,5 0.5 0, 2 0.2 0.2 0.5 0.5 0. 2 0. 1 0.5 0,5 (0.1)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?г.:,СЮ0 Ом):
Т = ~60 4- +100°С> П701 .
П701А
Т=— 55 4- +Ю0°С П701Б...............
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (/к. и s£0,5 A, R6a< 100 Ом):
Г=—60 4- 4-100°C1 П701 . . .
П701А.............
Постоянное напряжение коллектор — база-
Т = -60 4- 4-100 °C1 П701
„ П701А...........
Т = —55 4- 4-100 °C П701Б . . .
40 В
60 В
40 В
30 В
50 В
40 В
60 В
40 В
2»
35
Постоянное напряжение эмиттер — база:
Т = —60 4- 4-80 °C П701, П701А ... 2 В
7' = —55 4-+80 °C П701Б......................... 2 В
Г = 80—120°С П701, П701А ... 18 В
Т=100°С П701Б............................. В
Постоянный ток коллектора........................ 0,5 А
Импульсный ток коллектора......................... 1 Л
Постоянный ток эмиттера.......................... 0,7 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора с теплоотводом1 2............................ 10 Вт
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора без теплоотвода3................. 1 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус 10°С/Вт
Тепловое сопротивление переход — среда . 85 °С/Вт
Температура р-п перехода.............. 150 °C
Температура окружающей среды:
11701, П701А................................ —60 4- +125 °C
П701Б....................................... —55 4-+100 °C
1 При температуре окружающей среды выше 100 °C напряжение
снижается на 10% на каждые 10 °C.
2 При температуре корпуса от 50 до 130°C Ришах ГВт! = (150—
Tk)/Rt „, к-
3 При температуре окружающей среды от 65 до 120 °C
Р« шах [Бт] ~ (150- T)/Rt и, с-
Пайку выводов транзистора рекомендуется производить на рас-
стоянии не менее 5 мм от корпуса. Температура пайки не более
280 °C, время касания вывода не более 3 с.
П702, П702А
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п усилительные.
Предназначены для применения в выходных • каскадах усилителей
низкой частоты, переключающих устройствах, в преобразователях и
стабилизаторах постоянного напряжения.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса транзи-
стора не более 24 г, с крепежным фланцем не более 34 г.
36
Электрические параметры
Значение Ре ж им измере- н ИЯ
Параметр Буквенное обозна- чение минимальное ! максимальное се S5 'к Пб>. а
Статический коэффициент переда- чи тока и схеме ОЭ: Тк=25 и 120 "С П702 П7О2А Т- -60 °C П702 П702А Модуль коэффициента передачи то- ка на высокой частоте (f=l МГц) Напряжение насыщения коллек- тор-эмиттер, В: П7О2 П702А Обратный ток коллектора. мА: Т 60-С и Т к -25 °C П702 П7О2А Тк-120 'С П702 П702А Обратный ток коллектор —эмиттер (77бо=ЮО Ом). мА: Т = -60 °C и Тк-25 °C П702 П702А 7=120 °C П702 П702А Обратный ток эмиттера, мА: Тк-25 °C Тк-120 °C Л21Э 1Л21э| УКЭ нас 'КБО 'КЭН 7ЭБО 25 10 1 0 4 2. 5 4 2,5 10 5 10 5 15 7,5 5 15 (10) 1 0 (70) (70) 3 1,1 1 1 (0.2) 1 (0.2)
37
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер и коллектор—база:
Т„ до 120 °C.........................
Тп = 150°С'..........................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Постоянный ток базы....................
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
с теплоотводом Тк до 50 °C
Г„=120°С* 2..........................
без теплоотвода Г до 20 °C
Т=120°С3.............................
Тепловое сопротивление переход — корпус .
Тепловое сопротивление переход — среда
Температура перехода ..................
Температура окружающей среды
60 В
30 В
3 В
2 Л
0,5 А
40 Вт
12 Вт
4 Вт
0,9 Вт
2,5 °С/Вт
33 °С/Вт
150 °C
от Т — —60 °C до
Т„ = 120°С
При температуре перехо-
да (7 п = 7'к-|_7?т п, кРк) от
120 до 150 °C напряжение сни-
жается линейно.
2 При температуре корпуса
ОТ 50 до 120 °C Рк тах [Вт] =
^(\50-TK)/RTn,K.
3 При температуре окружа-
ющей среды от 20 до 120 °C
Тактах [Вт] = ( 1 50— Т) /Rt п, с.
<^гиог in чл
Г П 702/1 0,5
•'’’"птого> /л
20'-----------------------------------
0 ю 20 30 12кз,в
38
2Т504А, 2Т504Б
Транзисторы кремниевые планарные п-р-п переключательные.
Предназначены для применения в высоковольтных ключевых стаби-
лизаторах напряжения и преобразователях.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса транзи-
стора нс более 2 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измере- ния
минимальное типовое максимальное со из 5 'К- А сп
Граничное напряжение (Ти=300 мкс. Q > 100, время нарастания напря- жения не .менее 1 мкс)1. В: 2Т5О4А 2Т5О4Б Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения база — эмиттер. В Статический коэффици- ент передачи тока в схе- ме ОЭ: Г-25 СС Г=125 °C Т= - G0 °C Время включения, мкс Время выключения, мкс Время рассасывания, мкс ^КЭО гр УКЧ цае нас Л21Э 'вил выкл fpac 250 150 0,2* 0.81* 15 8 7 0,043* 0.49* 0.4* 0.35* 0.92’ 21 • 0,06- 1 .5* 1,7’ 1 1.6 1 Do- О. 1 3.5 2.7 5 0.5 0,5 0.5 0.5 е.5 0.03 (0.1) (0.1) 0. 5 (0,05) (0,05) (0.05)
39
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое . максимальное СП О) 1С (С * Гд V ‘*/ 'из (Т) -«w
Граничная частота коэф- фициента передачи тока ^гр
в схеме ОЭ, МГн Емкость коллекторного 20 56* 82* 10 0,05
ск
перехода (/»ЮМГц), пФ 14* 16* 30 10
Емкость эмиттерного пе- 160-
рехода (/ — 300 кГц). пФ сз 238- 300 (0.5)
Обратный ток коллекто-
ра. мкА: Г=—60 -> +25 °C /КБО
2T50IA 0,005* 20* 1 00 4 00
2Т504Б 0,005* 50* 1 00 250
Т= 125 °C 2Т504А 1 000 250
2Т504Б 1000 1 50
Обратный ток эмиттера. мкА 'ЭБО 0,002* 1 1 • 100 (6)
1 При включении напряжений, меньших гр • допускается время нара-
стания напряжения не менее 0.2 мкс.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер' (/?fir»=s£ 100 Ом):
2Т504А..................................... 350 В
2Т504Б..................................... 200 В
Постоянное напряжение коллектор — база1:
2Т504А....................................... 400 В
2Т504Б..................................... 250 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 1 6 В
Постоянный ток коллектора 2 1 Л
Импульсный ток коллектора1-2 (ти^
^500 мкс, Q>2)................................ 2 А
Постоянный ток базы ’• 2...................... 0,5
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора:
с теплоотводом (от —60 °C до Тк =
= +25 °C3)........................ 10 Вт
без теплоотвода (Г = —60-? + 25°С3) . . 1 Вт
Температура перехода.................... 150 °C
Температура окружающей среды (корпуса) —60-?-+125 °C
1 При времени нарастания напряжения не менее 0,5 мкс.
2 Без превышения значения постоянной рассеиваемой мощности
коллектора.
3 При температуре корпуса от 25 до 125 °C при использовании
транзистора с теплоотводом и при температуре окружающей среды
от 25 до 125 °C при использовании без теплоотвода рассеиваемая
мощность коллектора снижается линейно до 2,25 Вт с теплоотводом
и до 0,25 Вт без теплоотвода.
40
41
Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба и пайки
выпила не менее 3 мм.
2Т504А-5, 2Т504Б-5
Транзисторы кремниевые
планарные п-р-п переключа-
тельные. Предназначены для
применения в устройствах уп-
равления газоразрядными па-
нелями переменного тока, в вы-
соковольтных ключевых стаби-
лизаторах напряжения и пре-
образователях.
Оформление бескорпуспое
с контактными площадками
без крксталлодержателя, раз-
деленные или неразделенные
(на общей пластине) Масса
транзистора не более 0,002 г.
42
Электрические параметры
Знамение Режим измерения
Параметр Буквенное обозиаno- li ие минимальное типовое максимальное а /Э <'Б>. А
Граничное напряжение (Тж^ЗОО мкс, Q>100), 13: 2Т504А-5 2Т504Б-5 ^КЭО гр 2 50 150 0,03
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения база — эмиттер,* В Статический коэффици- КЭ нас БЭ нас 0,2* 0,81 0,35* 0,02 1 1.6 0.5 0,5 (0, I) (0,1)
ент передачи тока в схе- ме ОЭ: Г = 25 °C 7=125 °C Л21 Э 15 8 24 * 1 00* 5 0. 5
Т~-<М ’С 7
Время включения, мкс в кл 0,013* 0,06* 0, 07 0,5 (0.05)
Время выключения, мкс 1 пыкл 0,49* 1.5* 3 0,5 (0.05)
Время рассасывания*, 0, 4
мкс 'рас 1 . 7 2,25 0,5 (0,05)
Граничная частота коэф-
фицнента передачи тока в схеме ОЭ (/ = 5 МГц), МГц Im 40 56* 82* 1 0 0.05
Емкость коллекторного перехода* (/ = 50 МГц). пФ гр с,. 14 16 18 10
Емкость эмиттерного пе- рехода* (/ = 300 кГц), пФ Обратный ток коллекто- ра. мкА: Г-25 °C 2Т5О4А-5 сэ 160 0.005* 238 20* 300 100 (0.5) 400
2Т504Б-5 0.005* 50* 100 250
Г =125 С 2T504A-5 1 000 250
2Т504Б-5 1000 150
Обратный ток эмиттера, мкА /ЭБО 0,002* 1 1» 100 (6)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 1 (/?БЭ = 100 Ом):
2Т504А-5.........................
2Т504Б-5.........................
Постоянное напряжение коллектор — база1
2Т504А-5.........................
2Т504Б-5.........................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора 2
Импульсный ток коллектора 2 (ти ^500 мкс
Q>2)............................
Постоянный ток базы2 . . .
350 В
200 В
400 В
250 В
6 В
1 А
2 А
0,5 А
43
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора (Тп = — 60 Ч- +25 °C):
с теплоотводом 3......................
без теплоотвода4...............
Температура р-п перехода................
Температура окружающей среды
10 Вт
25 мВт
150 °C
-СО-:- +125 “С
1 При времени нарастания напряжения не менее 0,5 мкс.
2 Без превышения значения постоянной рассеиваемой мощности.
3 При температуре подложки от 25 до 125 °C для транзисторов
с теплоотводом PIlm„ [Вт] = (150 — T„)/Rn. u, где Тп — температу-
ра подложки; R„, п — тепловое сопротивление переход — подложка,
которое должно быть не более 12,5°С/Вт.
4 При тепловом сопротивлении переход — кристалл не более
При монтаже транзисторов в микросхему нагрев кристалла не
должен превышать 420 °C.
44
2Т506А, 2Т506Б
Транзисторы кремниевые планарные п-р-п переключательные.
Предназначены для работы в ключевых устройствах, импульсных
модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напря-
жения.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими
выводами. Масса транзистора не более 2 г.
45
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное Я •(Я>ТП) СМ/) я V ‘(е7) Я/ -С
Граничное напряжение, В 2Т506А 2Т506Б Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения база — эмиттер*, В Статический коэффици- ент передачи тока в схе- ме ОЭ: Т = 25 °C 7=125 °C Г = -60 °C Время включения*, мкс Время рассасывания*, мкс Время спада, мкс Граничная частота коэф- фициента передачи тока в схеме ОЭ, МГц Емкость коллекторного перехода, пФ Емкость эмиттерного пе- рехода, пФ Обратный ток коллекто- ра, мА: 7=25 СС 2Т506А 2Т506Б 7=125 °C 2Т506А 2Т506Б Обратный ток эмиттера, мА Пробивное напряжение коллектор — база, В: 2Т506А 2Т5О6Б УКЭО гр УКЭ нас УВЭ нас Л2 1Э 1 вкл *рас *сп <гр Ск сэ ^ЭБО ^КБОнроб 400 300 0,15* 0,74 30 30 10 0,08 0.8 0,2* 10 25* 940* 800 600 0,35ф 0,75 80* 0, 19 1,35 0,35* 17* 30* 980* 0,6 I 1 50 0,25 1 ,56 0,5 21* 40 1 1 00 1 0,2 0,2 0,2 1 (5) 200 200 200 (Ю) (5) (800) (600) (400) (300) 1 5 (0.03) 0,3 0. 3 (0,3) 1 1 1 (0,03) 0, 001 0,001 0, 03 0, 03 0.2 0,2 0,2
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т506А...................................... 800 В
2Т506Б.................................... 600 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (ЯвэСЮ Ом, dU/dt^l6Q0 В/мкс):
2Т506А...................................... 800 В
2Т506Б.................................... 600 В
46
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?б,^10 Ом, Тп<50 мкс, dU/dt^,
< 1600 В/мкс):
2Т506А..............................
2Т506Б..............................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора , . . .
Импульсный ток коллектора . . . .
Постоянный ток базы...................
Импульсный ток базы...................
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора 1 (Тк = -60-=- +25°С):
с теплоотводом .......................
без теплоотвода ....................
Температура перехода .................
Температура окружающей среды
800 В
600 В
5 В
2 А
5 А
0,5 А
1 А
10 Вт
0,8 Вт
150 °C
от —60 °C до
Т„=125 °C
1 Значение Рк, п гаах [Вт] ОПредСЛЯСТСЯ ПО формуле Рк, и тех —
— Рк max /К, где К — коэффициент, определяемый из графика.
47
48
Допустимое значение статического электричества составляет 1 кВ.
2Т704А, 2Т704Б, КТ704А— КТ704В
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п импульсные. Пред-
назначены для работы в импульсных модуляторах.
Корпус металлокерамический с жесткими выводами и винтом.
Масса транзистора не более 20 г.
При конструировании следует учитывать возможность самовоз-
буждения транзистора за счет паразитных связей.
Транзисторы крепят к панели гайками. Осевое усилие на винт
должно быть не более 120 кг. Пайка выводов допускается на рассто-
янии нс менее 2 мм от корпуса транзистора.
За температуру корпуса принимается температура любой точки
основания прибора диаметром не более 13 мм со стороны опорной
поверхности.
49
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
о о я А СО Ж X X X Ж максимальное я (едл) емл V ‘(37) м7
Напряжение насыщения коллек- тор — эмиттер. В Напряжение насыщения база — эмиттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Т-25 еС Т=125°С 2Т7О4А, 2Т704Б Т—60 СС 2Т704А, 2Т704Б Модуль коэффициента передачи то- ка на высокой частоте (/=1 МГц) Обратный ток коллектор — эмиттер </?бз= 10 Ом). мА Т-25 °C 2Т704А, КТ704А 2Т704Б. КТ704Б КТ704В Т 60 и +125 °C 2Т704А 2Т704Б Обратный ток эмиттера, мА UКЭ нас ^БЭ пас Л21Э 1Л2 1 Э| 'кэя ;ЭБО 10 6 6 3 5 3 1 00 300 100 5 б 5 10 10 100 15 1 0 15 15 1000 700 500 700 500 (4) 2,5 (1,5) 2.5 (1,5) 1 0.5 1 0.1
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер1 </?вэ=Ю Ом или смещение 1,5 В):
Г„== —10 4-4-80’С 2Т704А, КТ704А
2Т704Б, КТ704Б, КТ704В..............
Импульсное напряжение коллектор—эмит-
тер 2 (Лоа=Ю Ом или смещение 1,5 В, ти =
= 1 — 10 мс, Тф>10 мкс, Q^50 и ти
1 мс, Тф>10 мкс, 10):
Т„ = — 40 ч- +80 °C 2Т704А, КТ704А .
2Т704Б, КТ704Б .
КТ704В . . .
Тк = —60-г-+100 °C 2Т704А . . .
2Т704Б . . .
Постоянное напряжение база — эмиттер
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора (ти = 10 мс,
Q>2)..................................
Постоянный ток базы...................
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора 3:
Гк = — 60 ч- +50 °C 2Т704А, 2Т704Б . .
Гк = —45 ч- +50 °C КТ704А - КТ704В .
Температура перехода ....
500 В
400 В
1000 В
700 В
500 В
700 В
500 В
4 В
2,5 А
4 А
2 А
15 Вт
15 Вт
125 °C
50
Температура окружающей среды:
2Т704А, 2Т704Б . . . .
КТ7О4А - КТ7О4В . . .
от —60 °C до
Тк = 100 °C
от —45 °C до
Т« = 85 °C
1 При понижении температуры корпуса ниже —10 °C и при по-
вышеиии температуры корпуса свыше 80 °C (/кэ тах =350 В для
2Т704Б и 500 В для 2Т704Л во всем диапазоне температур корпуса.
2 При 7„ от —40 до —60°С и от 80 до 100°С 1>кэ „ п|ах сни-
жается линейно до 700 В для 2Т704А и до 500 В для 2Т704Б.
3 При температуре корпуса от 50 до 100 °C для 2Т704А, 2Т704Б
и от 50 до 85 'С для КТ 704 А — КТ 704 В Рк max (Вт) = (Г„ —
— Тк)/Лтп. к, где Тп — максимально допустимая температура пере-
хода; Гк—температура корпуса; R? п, к — тепловое сопротивление
переход — корпус, определяемое из области максимальных режимов.
51
ZT 706/1, ZT706 6, KT7O6/T~ KT7O6O
>
С„п<Р
500
600
JOO
200
100
° 1 2 J US3,B
100
80
60
60
20
20 60 60 U"B< в
T~ 1 1 1 2T706A, 2T1065, КТ106Я- KT106 0
it
'v
Г-— —
52
ГТ705А—ГТ705Д
Транзисторы германиевые сплавные п-р-п. усилительные. Предна-
значены для работы и усилителях мощности низкой частоты.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 15 г.
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозна- чение минимальное максимальное! Я ‘(ЯЯЛ) е»л | я ‘63л < V ‘Я/
Напряжение насыщения кол- лектор — эмиттер, В Напряжение насыщения ба- за — эмиттер В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: ГТ705А, ГТ705В ГТ705Б. ГТ705Г ГТ705Д Предельная частота коэф- фициента передачи тока в схеме ОЭ. кГц Линейность статического ко- эффициента передачи тока /«о 1 Э ПРН ®• О'* А к, Л21Э при /3 = 1 , 5 А Обратный ток коллектора. ГТ705А, ГТ705Б. ГТ705Д ГТ705В, ГТ705Г Обратный ток коллектор — эмиттер (Я<ы = 50 Ом). мА: ГТ705А. ГТ705Б ГТ705Д ГТ705В. ГТ705Г Обратный ток эмиттера. мА уКЭ„ас иЬЭ „ас Л21Э 'пред Ki ZKBO 'кэд ;ЭБО 30 50 90 1 0 0.6 1 2 70 1 00 250 1 .5 0.5 0,5 1 .5 1,5 0,3 । 2 (20) (30) 25 36 10 1 .5 1.5 (0,5) 0,5 0,1 о, 1
53
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит- тер (Рва = 50 Ом):
ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705Д ГТ705В, ГТ705Г 20 В 30 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит- тер (Рг,а = 50 Ом., Ти^З мс, QJ>10):
ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705Д 25 В
ГТ705В, ГТ705Г 35 В
Постоянный ток коллектора .... Постоянная рассеиваемая мощность колле’к- 3,5 А
тора 1 с теплоотводом при Гк = —40-?+40°С . 15 Вт
без теплоотвода при Т = —10-?+35 °C . 1,6 Вт
Температура перехода 85 °C
Тепловое сопротивление переход — корпус 3 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход — среда . 30 °С/Вт
Температура окружающей среды .... От —40 °C до Т„ = 55 °C
1 При Тк>40°С в транзисторах с теплоотводом Рк max [Вт] =
= (85 —Т„)/3, без теплоотвода при Г>35°С Рк max [Вт] =
= (85—Г)/30.
Допускается пайка выводов па расстоянии не .менее 6 мм от кор-
пуса любым способом (пайка, сварка, пайка погружением и т. л.)
при условии, что температура в любой точке корпуса не превышает
54
КТ801А, КТ801Б
Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные п-р-п переключа-
тельные. Предназначены для применения в каскадах кадровой и
строчной разверток, вторичных источниках питания.
Корпус мсталлостеклянный с гибкими выводами. Масса транзи-
стора не более 4 г.
0#
55
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
о X 1? га S X X X ж максимальное СП еп СО ГЪ £ в v М/
Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ, МГц Статический коэффициент f •гр 10 10 0.3
передачи тока в схеме ОЭ: Л21Э 5 1
КТ801А 13 50
КТ801Б 30 1 50
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В ^КЭияг 2 1 (0,2)
Обратный ток коллектор - эмиттер (Rc>.t < 100 Ом), мА: 'кэк
от Г = —40 °C до Гк — 25 °C КТ801А 10 «0
КТ801Б 10 60
Тк-85°С KT80IA 20 40
КТ801Б 20 30
Обратный ток эмиттера. мА 'ЭБО 2 (2.5)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 100 Ом):
от Т=— 40 °C до Т„ = 55С° К.Т801А 80 В 60 В
КТ801Б
Гк = 85°С КТ801А 40 В
КТ801Б 30 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 2,5 В
Постоянный ток коллектора 2 А
Постоянный ток базы . .... Постоянная рассеиваемая мощность коллек- тора: 0,4 А
от Т = — 40°С до Гн = 55 °C . . . 5 Вт
Т'к = 85°С| ... 2 Вт
Температура перехода .... 150 °C
Температура окружающей среды .... от -60 °C до Т„ = 85°С
1 При температуре корпуса от 55 до 85 °C напряжение и рассеи-
ваемая мощность снижаются линейно.
56
КТ802А
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п универсальные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, гене-
раторах строчной развертки, усилителях мощности, вторичных источ-
никах питания.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса транзи-
стора не более 22 г, с накидным фланцем не более 34 г.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от кор;
луса прибора. При пайке температура корпуса не должна превышать
100 °C.
57
Электрические параметры
Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
Параметр минималь- ное макси- мальное са S’ V ‘^г •*»
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ, МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения коллек- тор -- эмиттер. В Обратный ток коллектора. мА: от Т — 25 °C до Гкв25вС Гн = 100 °C frp Л21Э КЭ пас 7КБО 10 1 5 60 200 10 1 0 150 0.5 О 5 0.5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (ти^Ю мкс, Q>2)...................
Постоянный ток коллектора . . . .
Постоянный ток базы ... . .
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Ти до 25 °C1.................
Тепловое сопротивление переход—корпус
Температура перехода .................
Температура окружающей среды . . . .
150 В
3 В
130 В
5 Л
1 А
50 Вт
2,5 °С/Вт
150 °C
от —25°С
до Тк = 100°С
1 При температуре корпуса выше 25 °C Рк max [Вт] = (150—
— Тк)//?т П, к.
58
2Т803А, КТ803А
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п универсальные.
Предназначены для применения в усилителях, генераторах строчной
развертки, вторичных источниках питания.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса транзи-
стора не более 22 г, с накидным фланцем не более 34 г.
59
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Злаченне Режим измерения
минимальное типовое максимальное б'кэ- в 1 Ф 5, Ь а V ‘(3/) Я/
Модуль коэффициента пере- дач» тока (/=10 МГц) |а21э| Л21 э а21Э Л21Э иКЭ „ас У21Э 'вил 'выкл 'рас 'K3R 7КБО 1ЭБО Ск 2 3» 1.5’ 10 о, 5
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Тк=25вС 2Т803А КТ803А Т-—60 °C 2Т803А Отношение статического ко- эффициента передачи тока в схеме ОЭ (измеренного при ^КЭ = Ю В, /]<“1 А. Тк= = 125 °C к измеренному при 1/КЭ = Ю В. /к -5 А, Тк = = 25 °C) для 2Т8ОЗЛ Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Статическая крутизна пря- мой передачи в схеме ОЭ, А/В Время включения* (ти-0,5— !0 мкс), мкс Время выключения* (ти = =0.5—10 мкс), мкс Время рассасывания* (лнас=2, /?н=10 Ом, Тп = = 10 мкс), мкс Обратный ток коллектор — эмиттер (7?бэ=100 Ом), мА: Тк-25 СС 2Т803А, КТ803А Г—60 °C 2Т803А Тк = 125°С 2Т803А Обратный ток коллектора*, мА: 2Т803А КТ803А Обратный ток эмиттера*, мА: 2Т803А КТ803Л Емкость коллекторного пе- рехода* (/=0,3 МГц), пФ 1 0 10 6 0,5* 0. 1 0. 1 0,6 0.0025* 0. 1 1,5 0, 01* 0,01* 300 2 0* 1 ,75* 0,4* 30 100 2* 2* 400 50 70 50 3 2,5 0,3 0,4 2.5 5 5 15 300 600 20 50 500 10 I 0 4 0 4 0 70 70 60 1 0 G0 (4) 10 5 5 (1) 5 б 6 1.5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?бЭ=100 Ом) 1..................... 60 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (1/БЭ =2 В -п=10 мкс, Q>2') . . 80 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 4 В
Постоянный ток коллектора .... 10 А
60
Постоянная рассеиваемая мощность транзи-
стора при Ти до 50 °C1 2.............. 60 Вт
Тк = 100°С КТ803А................... 30 Вт
Тк=125°С КТ803А..................... 15 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус 1,66°С/Вт
Температура перехода.................. 150 °C
Температура окружающей среды:
2Т803А....................................от —60 °C
до ГК=125°С
КТ803А..................................от —40 °C
до Г,, = 100 °C
1 При температуре перехода от 100 до 150 °C напряжение сни-
жается линейно па 10% на каждые 10 °C. Температура перехода
рассчитывается по формуле Тп = Тк + RT п, кР.
2 При температуре корпуса выше 50 °C РШах [Вт] =60— (Тк —
-50)/RT п. .<•
61
Пайка выводов транзисторов должна производиться при темпера-
туре не выше 275 °C в течение не более 3 с на расстоянии ие менее
6 (2Т803А) и 5 мм (КТ803А) от корпуса транзистора.
Не допускается работа транзистора в инверсном режиме.
62
КТ805А, КТ805Б, КТ805АМ—КТ805ВМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные п-р-п переключательные.
Предназначены для применения в выходных каскадах строчной раз-
вертки, системах зажигания двигателей внутреннего сгорания и дру-
гих переключающих устройствах.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами (КТ805А,
КТ805Б) и пластмассовый с жесткими выводами (КТ805АМ—
КТ805ВМ). Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не бо-
лее 24 г, в пластмассовом не более 2,5 г.
Пайка выводов транзисторов в металлостеклянном корпусе долж-
на производиться на плоской части выводов при температуре не вы-
ше 260 °C в течение не более 10 с. Пайка выводов транзисторов в
пластмассовом корпусе — при температуре не выше 250 °C в тече-
ние не более 3 с на расстоянии не ближе 5 мм от корпуса. Изгиб в
плоскости выводов не допускается.
63
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
мннимапьное максимальное а Я и < Та х
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В: КЭ нас 2,5 5 (0, 5)
КТ805А, КТ805АМ
КТ805Б. КТ805БМ 5 5(0,5)
КТ805ВМ 2.5 2(0,2)
Напряжение насыщения ба- за — эмиттер, В: нас 2,5 5(0,5)
КТ805Л. КТ8О5АМ
КТ805Б, КТ805БМ, КТ805ВМ 5
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Л21Э 15 1 0 2
Г=25 ‘С
Г ==—60 °C 5
Модуль коэффициента пе- редачи тока на высокой ча- стоте (7=10 МГц) Обратный (импульсный) ток коллектор — эмиттер (Ябэ = = 10 Ом), мА: Т-25 °C |Л21э| 2 60 I 0 160 1
<КЭЯ. и
КТ805А, КТ805АМ КТ805Б. КТ805БМ, КТ805ВМ Т = 100 °C КТ805А. КТ8О5АМ КТ805Б. КТ805БМ, КТ805ВМ
70 60 135 160 135
70 100
(5)
Обратный ток эмиттера, мА 7ЭБО
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (ти^500 мс, Тф>15 мс, /?бз=Ю Ом,
7„<100 °C1):
КТ805А, КТ805АМ.....................
КТ805Б, КТ805БМ, КТ805ВМ . . .
Постоянное напряжение эмиттер — база2 .
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора (ти^200 мс,
<2 = 1,5).............................
Постоянный ток базы...................
Импульсный ток базы (тя^20 мс)
160 В
135 В
5 В
5 А
8 А
2 А
2,5 А
1 Для КТ805А, КТ805АМ в каскадах строчной развертки телеви-
зоров допускается увеличение импульсного напряжения до 180 В при
Гк sg:70 °C и THsg:i5 мс. При повышении Тк свыше 70 °C напряжение
снижается на 10% на каждые 10 °C.
2 В каскадах строчной развертки телевизоров допускается им-
пульсное напряжение до 8 В при ти^40 мс.
64
Средняя рассеиваемая мощность коллекто-
ра (Тк до 50 °C ')......................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ...................
Температура окружающей среды
30 Вт
3,3°С/Вт
150 °C
—60 4- +100 °C
1 При температуре корпуса выше 50 °C Ритах [Вт]= (150—
— Тк)IRt п, к.
КТ807А, КТ807Б, КТ807АМ, КТ807БМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п универсальные низ-
кочастотные. Предназначены для применения в генераторах кадровой
н строчной разверток,
усилителях низкой ча-
стоты, вторичных источ-
никах питания.
Корпус металлопла-
стмассовый (КТ807А,
КТ807Б) и пластмассо-
вый (КТ807АМ,
КТ807БМ) с гибкими
выводами. Масса тран-
зисторов КТ807А,
КТ807Б не более 2,5 г.
КТ807АМ, КТ807БМ не
22
75
8
более 1 г.
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозна- чение о О л 2 X X 2 максимальное ^КЭ В 'К ПБ). А
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ, МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 7=25 °C КТ807А, КТ807АМ КТ8О7Б. КТ307БМ Т -85 °C КТ807А, КТ807АМ КТ8О7Б. КТ807БМ Напряжение насыщения коллек- тор — эмиттер, В Обратный ток коллектор — эмиттер (Лбэ = 10 Ом), мА: 7=25 °C Г-85 °C Обратный ток эмиттера, мА frp Л21Э УКЭ пас ' КЭЛ ;ЭБО 5 1 5 30 20 45 45 100 60 150 1 5 15 15 5 100 (4) 0,5 0,5 (0,1 )
3 Зак. 225
65
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?яэ^10 Ом или /?бэ= 1 кОм, запира-
ющее напряжение эмиттер — база 0,5 В) . 100 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер „ ................................. 120 В
Постоянное напряжение коллектор — база 4 в
Постоянный ток коллектора .... 0,5 А
Импульсный ток коллектора (тн<1 мс,
скважность не менее 2)................. 1,5 А
Постоянный ток базы.................... 0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора (Т=— 40 4- +70 °C ') .... 10 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус 8°С/Вт
Предельная температура перехода . . . 150 °C
Температура окружающей среды . . . —40 4- +85 °C
1 При температуре окружающей среды выше 70 °C
РК max [Вт]=(150—T'IRt к.
66
Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба и пайки вы-
вода не менее 5 мм. Радиус изгиба 1,5—2 мм. Пайка выводов долж-
на производиться при температуре не выше 250 °C в течение не бо-
лее 3 с.
2Т808А, КТ808А
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п переключательные.
Предназначены для применения в ключевых устройствах, генерато-
рах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора без накидного фланца не более 22 г,
масса накидного фланца не более 12 г.
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозна- чен ие минимальное типовое максимальное <аКЭЛ). в н *езЛ -Si V ‘3/
Напряжение насыщения база — эмиттер, В Статический коэффици- ент передачи тока в схе- ме ОЭ: Г = 25 °C Г=125ОС 2Т808А Г=100еС КТ808А Г=-60 °C Модуль коэффициента передачи тока на высо- кой частоте (/ = 30.5 МГц) Время рассасывания ^Б1 = *Б2 = 2^Бгр. нас^’ мкс Емкость коллектора (/=1 МГц), пФ УБЭ пас л2 1 Э !А21э| 'рас ск !• 10 10 1 0 6 2.4 1 .4* 15* 20« 20* 10’ 2,5 50 150 150 50 2 500 3 10 15 10 б 6 (0.5) 6 0,6
3*
67
Окончание
Значение Режим измерения
Папаметэ Буквенное обозначе- ние минимальное типовое максимальное ^КЭ^КЭЯ)" в (П из ь ф * V -9/
Обратный ток коллек- тор — эмиттер (Ябэ= = 10 Ом). мА: Г = +25 и -60 °C 2Т808А КТ808А Т-125 °C 2Т808А Т=100°С КТ808А Обратный гок эмиттера, мА ' КЭЛ 7ЭБО 4* 3 3 20 20 50 (200) (120) (160) (120) 4
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 1 (/?бэ== 10 Ом, Тп до 100*0)
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер1 (/?ба=10 Ом или УБЭ =2 В, ти^
^500 мкс, Q>6, Тп до 100°С)
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора ....
Постоянный ток базы.....................
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора (Гк = — 60 4- +50 °C):
с теплоотводом .......................
без теплоотвода ......................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода . . .
Температура окружающей среды:
2Т808А................................
120 В
250 В
4 В
10 А
4 А
50 Вт
5 Вт
2°С/Вт
150 °C
от —60 °C до
Тк=125 °C
от —60 ° С до
Тк= 100 °C
КТ808А ........................
1 Постоянное и импульсное напряжение коллектор — эмиттер
при температуре перехода от 100 до 150 °C снижается линейно на
10% на каждые 10 °C. Температура перехода рассчитывается по
формуле Та = Тк + Rt и, к (Рк + Рэ)-
Механические усилия на выводы транзисторов не должны превы-
шать 19,62 И (2 кгс) в осевом и 3,43 Н (350 г) в перпендикулярном
направлениях к оси вывода.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 6 мм от кор-
пуса транзистора.
68
69
2Т809А, КТ809А
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п переключательные.
Предназначены для работы в ключевых и импульсных устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора без накидного фланца нс более 22 г.
Масса накидного фланца не более 12 г.
В импульсных режимах работы допускаются перегрузки по мощ-
ности рассеивания до 300 Вт в момент переключения. При этом дли-
тельность перегрузки должна быть не более 0,5 мкс, частота пере-
грузки не более 5 кГц, температура корпуса не выше 90 °C.
В импульсных режимах допускается обратное напряжение иБЭ
до 8 В. При этом ток через переход база — эмиттер не должен пре-
вышать 1 А, скважность должна быть не менее 2, частота не менее
30 кГц. Допускается использование транзистора с импульсным током
до 7 А при скважности не менее 2. Мгновенная мощность при пере-
ключении не должна превышать 100 Вт в течение не более 5 мкс и
скважности не менее 16.
Механические усилия на выводы транзисторов не должны превы-
шать 19,62 Н (2 кге) в осевом и 3,43 Н (350 г) в перпендикулярном
направлениях к оси вывода.
Пайка выводов допускается на расстоянии ие менее 6 мм от кор-
пуса транзистора.
70
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
<v о X с; X X X X ?. типовое максимальное 2, ф х Ъ са £ •*. < LQ
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В УКЭ нас 0,22* 0,6* 1,5 2 0.4
Напряжение насыщения 1,03* 2.3
база — эмиттер, В Статический коэффици- УБЭ цае 1 .3* 2 0.4
ент передачи тока в схе- ме ОЭ: h21Э 15 50* 5 2
Тк = 25 °C 1 00
Тх = 125 °C 15 50* 130
Тх=—60 °C 10 1 5* 100
Время включения*, мкс 'вил 0.2 0,25 0,3 2 0,5
Время спада*, мкс 'сп 0,2 0,25 0.3 2 0.5
Время рассасывания*, мкс Модуль коэффициента передачи тока на высо- 'рас 0,5 1,7 2 3 2 0.5
кой частоте (f=3 МГц) Емкость коллекторного перехода* (f=l МГц), |л21э| 220 5 0,5
190
пФ Обратный ток коллек- тор — эмиттер (Ябэ “ = 10 Ом). мА: ск 'кэя 270 5 400
Тк-+25 и -60 °C 3
Тк = 125 °C 10 300
Обратный ток эмиттера. мА 'ЭБО 50 П)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит
тер 1 (/?сэ = 10 Ом)...............
Постоянное напряжение база — эмиттер
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора (ти^400 мкс
<2>Ю)..............................
Постоянный ток базы................
Постоянная рассеиваемая мощность коллек
тора2 (Гк = — 60 4- +50 °C) . . .
Температура перехода...............
Температура корпуса ...............
Тепловое сопротивление переход—корпус
Температура окружающей среды
400 В
4 В
3 А
5 А
1,5 А
40 Вт
150 °C
125 °C
2,5 °С/Вт
от —60 °C
до ТК=125°С
* При температуре перехода от 100 до 150°C (7кэ mix снижает-
ся линейно на 10% на каждые 10 °C.
2 При температуре корпуса выше 50°C Рк max [Вт]=(Тп —
— TK)IRT п. к, где RT п. к — тепловое сопротивление переход —кор-
пус, определяемое из области максимальных режимов.
71
72
2Т812А, 2Т812Б,
КТ812А—КТ812В
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п импульсные. Пред-
назначены для работы в импульсных и ключевых устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 20 г.
73
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозна- чение О) о X ₽ ге 2 X X 2 типовое О о 3 2 X CJ 3 2 УКЭ 11 (уКБ)' В CQ 6 LQ 'К <;Б). А
Граничное напряжение (£ = 40 мГн), В Напряжение насыщения, коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения, база — эмиттер, В Статический коэффици- ент передачи тока в схе- ме ОЭ: Тк = 25 °C 2Т812А, 2Т812Б KT8I2A, КТ812Б КТ812В Тк=125 °C 2T8I2A, 2Т812Б Тк = -60 °C 2T8I2A, 2Т812Б Модуль коэффициента передачи тока на высо- кой частоте* (f=l МГц) иКЭО гр иКЭ нас УБЭ нас Л21Э |л21э1 350 1» 1.8* 5 4 10 4 3 3,5 450* 1,35* 2,2* 15» 80* 6,5 650 2,5 2,5 30 125* 8.4 3 2.5 5 3 3 10 0,1 8(1.6) 8(1,6) 8 8 5 5 8 0.2
Время спада, мкс (сп 0,22* 0,6* 1 , 3 250 4 5(2,5)
Емкость коллекторного перехода* (f—1МГц).пФ Емкость эмнттерного перехода* (/=1 МГц), пФ Обратный ток коллекто- ра . мА: Г-25 СС 2Т812А, КТ812А 2Т812Б, КГ812Б KT8I2B Г—125 °C 2Т812А 2Т812Б Т 60 *С 2Т812А 2Т812Б Обратный ток эмиттера, мА: 2Т812А, 2Т812Б KT8I2A, КТ812Б. КТ812В О о X m “ И и и * л 70 1300 85 1700 0.5* 0.5* 0.5* 5* 100 2300 5 5 5 10 10 10 10 50 150 (100) (700) (500) (300) (400) (300) (500) (400) 0 6 7
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер 1 закрытого транзистора 2Т812А,
2Т812Б (/?бЭ=10Ом, Ти^20мкс, Тф^Змкс,
Q3s3, Тк=—404-+85 °C), КТ812А—
КТ812В (/?0з=10 Ом, т„^1 мс, Q>10
или т«^50 мкс, Q^2):
2Т812А, КТ812А.........................
2Т812Б, КТ812Б.........................
КТ812В ................................
700 В
500 В
300 В
47
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер 2 закрытого транзистора (/?вэ= 10 Ом,
Ти^бОО мкс, ТфТ^О.З мкс, Q^2):
Т„ = — 40 4- +85 °C 2Т812Л, 2Т812Б . .
Постоянное напряжение эмиттер — база:
2Т812А, 2Т812Б ...................
КТ812А-КТ812В.......................
Постоянный ток коллектора:
2Т812А, 2Т812Б .... . .
КТ812Л — КТ812В.....................
Импульсный ток коллектора:
2Т812А, 2Т812Б т„^20 мкс, 10 . .
ти^20 мкс, <2^2.....................
КТ812А — К.Т812В т„<1 мс, Q> 10 или
Тп^50 мкс, Q^s2.....................
Постоянный ток базы:
2Т812А, 2Т812Б ...................
КТ812А-— КТ812В.....................
Импульсный ток базы:
2Т812А, 2Т812Б т„й=20 мкс, <2> 10 . .
ти^20 мкс, <2^2.....................
КТ812А — КТ812В T„sgl мс, <22*10 или
тя^50 мкс, <2^2.....................
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора *:
2Т812А, 2Т812Б (Гк = —60 4-+50 °C),
КТ812А —КТ812В (Л, = -45 4-+50 °C)
Температура перехода .................
Температура окружающей среды:
2Т812А, 2Т812Б ...................
КТ812А — КТ812В
350 В
6 В
7 В
10 А
8 А
17 А
12 А
12 А
4 А
3 А
7 А
5 А
4 А
50 Вт
150 °C
от -60 °C
до Т„=125°С
от —45 °C до
Тк = 85 °C
1 При понижении температуры корпуса от —40 до —60 °C и при
повышении от 85 до 100 °C </кэ, и max линейно снижается до 500
для 2Т812А и до 400 В для 2Т812Б; при повышении температуры
корпуса от 100 до 125 °C (УкЭ. к max линейно снижается до 400 для
2Т812А и до 300 В для 2Т812Б.
2 При коротком фронте при понижении температуры корпуса от
—40 до —60 °C и при повышении температуры от 85 до 125 °C ли-
нейно снижается до 300 В.
3 При повышении температуры корпуса выше 50 °C Рк max сни-
жается в соответствии с формулой Рк max [Вт] = (Т„-Гк)/Рг п. к
(RT п, к — определяется из области максимальных режимов).
При применении транзисторов в каскадах строчной развертки те-
левизоров допускается эксплуатация их с коэффициентом загрузки,
равным единице по 6\эр 11 ^к; ПРН этом температура корпуса не
должна превышать 100 °C.
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса 5 мм;
температура пайки не выше 250 °C в течение 3 с.
75
76
^kik/^kik
KT815A— КТ815Г
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные п-р-п
универсальные. Предназначены для работы в усилителях низкой ча-
стоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразова-
телях, импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора
не более 1 г.
77
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
минимальное О о о о с максимальное Я •(СЯ/7) e^n •>>.
Граничное напряжение
(ти 300 мкс. Q>100), В: КТ815А ^КЭО гр 25 (0,05)
КТ815Б 40
KT8I5B G0
КТ815Г Напряжение насыщения 80
коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения ба- УКЭ пас 0.2* о.б 0.5 0,05
за — эмиттер, В 0,9* 1 .2 0.5 0,05
Статический коэффициент
передачи тока в схеме ОЭ: Л о | я 2 0, 15
7-25 °C KT8I5A - КТ815В 40 70*
КТ815Г Т--40 °C 30 70*
КТ815А — КТ815В 30
КТ815Г 20
Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ, МГц 3 5 (0,03)
Емкость коллекторного по- р
рсхода (/ = 465 кГц), пФ ск 4 0* 60 5
Емкость эмиттерного перехо- да (/ = 465 кГц), пФ Входное сопротивление в ре- сэ G0* 75 (0.5)
жиме малого сигнала (/= «0.8 кГц). Ом Обратный ток коллектора, мкА: Л11э ;КБО 300* 0,0G* 800 50 5 40 0, 005
ТК-—10 и 1 25 'С
7к = 100 °C 5* 1000
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?,-,! = оо):
КТ815Л ............................... 25 В
КТ815Б............................... 40 В
КТ815В............................... 60 В
КТ815Г............................... 80 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 100 Ом):
КТ815А........................... 40 В
КТ815Б.......................... 50 В
КТ815В.......................... 70 В
КТ815Г............................ 100 В
Постоянное напряжение база—эмиттер . 5 В
Постоянный ток коллектора .... 1,5 Л
Импульсный ток коллектора (ТяСЮ мс,
100)..................................... ЗА
Постоянный ток базы.................... 0,5 А
78
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора 1 (Гк =-40-Ь +25 °C):
с теплоотводом............................... 10 Вт
без теплоотвода.............................. 1 Вт
Температура перехода......................... 125 °C
Температура окружающей среды ... от —40 °C до
___________ Тк = 100 °C
1 При температуре корпуса выше 25 °C Рк max уменьшается
линейно с теплоотводом на 0,1 без теплоотвода па 0,61 Вт/°С.
Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее
5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземле-
но. Разрешается производить пайку путем погружения выводов не
более чем на 2 с в расплавленный припой с температурой ие выше
250 ° С.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса транзистора с радиусом закругления 1,5 мм. При этом должны
приниматься меры, исключающие передачу усилий на корпус. Изгиб
в плоскости выводов не допускается.
КТ817А—КТ817Г
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиальпо-планарные п-р-п уни-
версальные. Предназначены для применения в усилителях низкой ча-
стоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразова-
телях и импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора
не более 0,7 г.
79
Электрические параметры
Параметр буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
минимальное ф о а О с максимальное Я Я ‘ед/7
Граничное напряжение (Tn=S 300 мкс. <2 >100), В: КТ817А КТ817Б КТ817В КТ817Г Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В ^КЭО гр 25 45 6 0 80 0,15- 0.6 (0.1) 1 0.1
Напряжение насыщения ба- за — эмиттер, В 0,83* 1.5 1 0,1
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Гк = 25 °C 7к = 100 °C Гк — 40 °C Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ, МГц Емкость коллекторного пе- рехода (/=1 МГц). пФ Емкость эмиттерного перехо- да (/=1 МГц). пФ Обратный ток коллектора, мкА: 7 =+25 и -40 °C Гк = 100 °C Л21Э 1гр ск сэ /КБО 25 25 15 3 30* 45* 25* 0.1* 40* 60 115 100 3000 2 10 (Ю) иКБ = “^КЭЯтах 0,5 (1) (0.25)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер (Яба = °о):
КТ817Л...................................... 25 В
КТ817Б.................................... 45 В
КТ817В.................................... 60 В
КТ817Г.................................... 80 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер кОм):
КТ817А.................................... 40 В
КТ817Б.................................... 45 В
КТ817В.................................... 60 В
КТ817Г................................... 100 В
Постоянное напряжение база — эмиттер . 5 В
Постоянный ток коллектора .... ЗА
Импульсный ток коллектора (ти=^20 мкс,
Q> 100)............................... 6 А
Постоянный ток базы.................. 1 А
80
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора 1 (Гк = -60 4- 4-25°C):
с теплоотводом . , . . .
без теплоотвода . . , . .
Температура перехода . .
Температура окружающей среды
25 Вт
1 Вт
150 °C
от —40 °C до
Т„ = 100 °C
При температуре корпуса выше 25 °C Рк ти уменьшается
линейно на 0,2 у транзисторов (с теплоотводом) и на 0,01 Вт/°С —
без теплоотвода).
Панку выводов разрешается проводить на расстоянии не менее
5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземлено.
Разрешается производить пайку путем погружения выводов не более
чем на Зев расплавленный припой с температурой не выше 250 °C.
Изгиб выводов допускается на расстоянии нс менее 5 мм от кор-
пуса транзистора с радиусом закругления 1,5—2 мм. При этом дол-
жны приниматься меры, исключающие передачу усилий на корпус.
Изгиб в плоскости выводов не допускается.
При монтаже транзисторов на теплоотвод крутящий момент при
нажиме не должен превышать 70 Н-см.
81
2Т819А—2Т819В, КТ819А—КТ819Г,
КТ819АМ-КТ819ГМ
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные п-р-п уни-
версальные. Предназначены для работы в линейных и ключевых уст-
ройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами (2Т819А — 2Т819В, КТ819АМ — КТ819ГМ) и пластмассо-
вый— с жесткими выводами (КТ819А — КТ819Г). Масса транзистора
не более 20 г для КТ819А - КТ819В, КТ819АМ - КТ819ГМ и не бо-
лее 2,5 г для КТ819А—КТ819Г.
82
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение минимальное иачен> о о а о с н максимальное Реже СЗ Й м изме эения < ch °*.
Граничное напряжение (тп <300 мкс. 100). В: 2T8I9A, КТ819Г. КТ819ГМ 2Т819Б. КТ819В. КТ819ВМ 2Т819В. КТ819Б, КТ819БМ КТ819А, КТ819АМ Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В: 2Т819А — 2T8I9B КТ819А - КТ819Г КТ819АМ — КТ819ГМ Напряжение насыщения ба- за — эмиттер. В: 2Т819А — 2Т819В КТ819Л - КТ819Г КТ819АМ - КТ819ГМ Статический коэффициент пе- редачи тока » схеме ОЭ: 2Т819А - 2T8I9B 7=25 и 125 °C 7=— СО "С 7 = 25 °C KT8I9A. КТ819В. KTSI9M. KT8I9BM КТ819Б. КТ819БМ КТ819Г. КТ819ГМ 7= 100 'С КТ819А. KT8I9B. КТ819АМ. KT8I9BM КТ819Б. КТ819БМ КТ819Г. КТ819ГМ 7=-40 °C KT8I9A. КТ819В. KT8I9AM. KT8I9BM КТ819Б. КТ819БМ КТ819Г. КТ819ГМ Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ*. МГц Время выключения*, мкс Емкость коллекторного пере- хода* (/=1 МГц). пФ Обратный ток коллектора (КТ819А - КТ819Г. KT8I9AM — КТ819ГМ). мА: 7=-40+ +25 °C 7= 100 °C Пробивное напряжение кол- лектор — эмиттер (Ябз<100 Ом). В: 2T8I9A 2Т819Б 2T8I9B иКЭО гр УКЭ нас ^БЭ пас Л21Э f гр (выкл с« ;КБО ^КЭЯпроб 80 60 4 0 25 0.7* 1 • 20 9 4* 15 20 12 15 2 0 1 2 10 15 7 3 360 I 00 80 60 I 00» 80* 60* 1 .5* 0,5* 2.2* 1,4* 16* 30* 30* 30* 60* 60* 60* 25* 25* 25* 5 600 130* 105 е 80* 1 10* 1 00* 80* 1 5* 2 4* 1.5. 5* 3 35* 12 2.5 1 000 1 10 200* 130* I 10* 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 40 (0.1) 2 0 5 15 5 20 5 5 5 20 5 5 5 5 5 5 5 (0,5) 5 0.001 0.5 4 0.5 3 0.5 4 0.5 0. 5
83
Окончание
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозна* чение о» о X «з Z X X X Я ф о оа О с X н максимальное в V *(е/) /Б- А
Пробивное напряжение кол- лектор — база. В: Т = —60 -Ь +25 “С 2T8I9A 2Т819Б 2Т819В Т=125вС 2Т819А 2Т819Б 2Т819В Пробивное напряжение эмиттер — база. В ^КБОпроб ^ЭБОпроб 100 80 60 100 80 60 5 0,001 0,005 0,005
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?6Э<ЮО Ом, Г^50°С):
2Т819А, КТ819Г, КТ819ГМ .... 2Т819Б 100 В 80 В
2Т819В 60 В
КТ819В КТ819ВМ 70 В
КТ819Б, КТ819БМ 50 В
КТ819А, КТ819АМ 40 В
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т819А 100 В
2Т819Б ... 80 В
2Т819В 60 В
Постоянное напряжение база — эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора:
2Т819А — 2Т819В, КТ819АМ — КТ819ГМ 15 Л
КТ819А —КТ819Г 10 Л
Импульсный ток коллектора (тя^10 мс,
100):
2Т819А - 2Т819В. КТ819АМ — КТ819ГМ 20 А
К.Т819А —КТ819Г 15 А
Постоянный ток базы 3 А
Импульсный ток базы 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора 1 (Тк 25 °C):
с теплоотводом
2Т819А — 2Т819В, КТ819АМ — КТ819ГМ 100 Вт
КТ819А —КТ819Г 60 Вт
без теплоотвода
2Т819А —2Т819В 3 Вт
КТ819А —КТ819Г . ... 1.5 Вт
КТ819АМ — КТ819ГМ 2 Вт
84
Температура перехода:
2T8I9A — 2Т819В ... . . .
КТ819Л - КТ819Г, КТ819АМ — КТ819ГМ
Температура окружающей среды:
2Т819Л —2Т819В . .
КТ819Л—КТ819Г, КТ819АМ —КТ819ГМ
150 °C
125 °C
от —60 °C до
Тк=125 °C
от —40 °C до
Т„ = 100 °C
1 При повышении температуры корпуса (окружающей среды)
выше 25 °C для 2Т819Л, 2Т819Б' 2Т819ВРКтах [Вт] = (Тп max —
— Гк)/1.25 для транзисторов С теплоотводом И Рк max— (Т„ max —
— Т)/41,6 — без теплоотвода; для КТ819А—KT8I9B, КТ819Г умень-
шается на 0,6 Вт/°С с теплоотводом и на 0,015 Вт/°С без теплоотво-
да, для КТ819АМ — КТ819ГМ — на 1 Вт,/°C с теплоотводом и на
0,02 Вт/"С без теплоотвода.
85
8G
КТ821А-1 —KT82JB-1
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарпые п-р-п уси
лительные. Предназначены для применения в усилителях низкой ча
стоты, операционных и диффе-
ренциальных усилителях, пре-
образователях и импульсных
устройствах герметизирован-
ной аппаратуры.
Оформление бескорпуснос,
с гибкими выводами, с защит-
ным покрытием. Каждый тран-
зистор упаковывается в инди-
видуальную тару. Масса тран-
зистора не более 0,02 г.
Электрические параметры
Знаменне Режим измерения
Параметр Буквенное обозна- чение минимальное типовое максимальное^ хес 5. - & -ч *-м V
Граничное напряжение (Ти <300 мкс, 100), В: КТ821А-1 КТ821Б-1 КТ821В-1 Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения ба- за —- эмиттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: КТ821А-1, КТ821Б-1 KT821B-I KT82IA-1 КТ821Б-1 КТ821В-1 Отношение статических ко- эффициентов передачи тока в схеме ОЭ при большом Й21Э max” малом h 21ЭШ1П значениях тока коллектора Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ, МГц Входное сопротивление транзистора в режиме мало- го сигнала* (/ = 0,8 кГц), Ом Емкость коллекторного пере- хода* (/-=465 кГц), пФ Емкость эмиттерного пере- хода* (/=465 кГц), пФ Обратный ток коллектора, мкА ^КЭО гр иКЭ нас б'БЭ нас Л21Э кг = _л21ЭШах 40 60 80 0.18» 0,8* 40 30 35 25 20 1 45 15 45 2 0,6 1.2 4 (2) (2) (2) (2) (2) 2 0,05 0,5 0,5 (0.15) (0.15) (0,5) (0,5) (0.5) (0,001—0,2) 0,05 0,05
л21Эт1п f гр Л11Э сж сэ ;КБО 3 160 45 45 5 0 50 800 65 65 30 5 5 (5) [0.5] (40) (0,03) 0,005
87
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер:
/?в,<100 Ом КТ821А-1.................
КТ821Б-1.................
КТ821В-1.................
/б=0А КТ821А-1.................
КТ821Б-1.................
КТ821В-1.................
Постоянное напряжение база — эмиттер
Постоянный ток коллектора 1
Импульсный ток коллектора (ти^10 мс,
Q>100)..............................
Постоянный ток базы....................
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора 2 в составе гибридной схемы (Г=
= —40 ч-+25 °C)........................
Температура перехода ..................
Тепловое сопротивление переход— кристалл
Температура окружающей среды
50 В
70 В
100 В
40 В
60 В
80 В
5 В
0,5 А
1,5 А
0,3 А
10 Вт
125 °C
Ю’С/Вт
-40 °C ч- +85 °C
1 Допускается /ктах = 1 А при условии непревышения мощно-
сти.
2 При Т = 25ч-85°С в составе гибридной схемы РКтах —
= (125—Т)/10.
Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 3 мм от за-
щитного покрытия.
88
КТ823А-1 — КТ823В-1
Транзисторы кремниевые мсза-
эпитаксиально-планарные п-р-п уси-
лительные. Предназначены для при-
менения в усилителях низкой часто-
ты, операционных и дифференциаль-
ных усилителях, преобразователях и
импульсных устройствах.
Оформление бескорпусное, с гиб-
кими выводами, с защитным покры-
тием. Каждый транзистор упаковы-
вается в индивидуальную тару. Мас-
са транзистора не более 0,03 г.
Электрические параметры
Параметр
Буквенное
обозна-
чение
Значение Режим измерения
Граничное напряжение
(гк <300 мкс, Q>100), В:
КТ823А-1
КТ823Б-1
КТ823В-1
Напряжение насыщения
коллектор — эмиттер, В
Напряжение насыщения ба-
за — эмиттер, В
иКЭО гр
^КЭ нас
УБЭ нас
45
60
80
0,15*
0,8»
0,6
1.5
(0,1)
1 0.1
1 0.1
89
Окончание
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное типовое Q С J с « S X и X И S н са to сп 'К <'э>* А | /Б- А
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 7к=25 °C Тк = 85 °C Тк = -40 °C Отношение статических ко- эффициентов передачи тока в схеме ОЭ при большом Л21Э «1= л21Этах 25 25 15 1 .6 30* ЗБ- 25* 2,5 4 2 1 0,001—1
^21Этахи малом ^21Эт1п значениях тока коллектора Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ. МГц Входное сопротивление транзистора в режиме мало- го сигнала (f — 0,8 кГц). Ом Емкость коллекторного пере- хода (f=l МГц), пФ Емкость эмиттерного перехо- да (/=1 МГц). пФ Обратный ток коллектора, мкА: Т = 25 С Г = 85 'С _1 X „П о 3- _ £ о « « м 3 250 35* 80* 500 60* 115* 1500 75 130 50 100 5 (10) (45) (4 0) 0,5 0,05 (0,03)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер:
кОм КТ823А-1 45 В
КТ823Б-1 .... 60 В
КТ823В-1 100 В
/6=0 А КТ823А-1 45 В
КТ823Б-1 .... 60 В
КТ823В-1 80 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 5 В
Постоянный ток коллектора 1 2 А
Импульсный ток коллектора (тп ^10 мс, 100) 4 А
Постоянный ток базы Постоянная рассеиваемая мощность коллек- 0,5 А
тора2 (Г= 404-+25 °C) 20 Вт
Температура перехода 125 °C
Тепловое сопротивление переход—кристалл 5 °С/Вт
Температура окружающей среды —40 °C 4- +85 °C
1 Допускается Л< шах=3 А при условии непревышения мощно-
сти.
2 При Т=25 —85°С в составе гибридной схемы Рк тч =
= (125 —Т„)/5.
90
2Т826А — 2Т826В,
КТ826А—КТ826В
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п переключательные.
Предназначены для работы в преобразователях постоянного напря-
жения, высоковольтных стабилизаторах, ключевых устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами п жесткими
выводами. Масса транзистора не более 17 г.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса транзистора.
91
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
минимальное о о X и W S о -У ^кэ «'кб). В УБЭ- В -< v -3/
Граничное напряжение (L — — 40 мГн), В: иКЭО гр 0,1
2Т826А, 2Т826В, КТ826Л, КТ826В 500
2Т826Б. КТ826В GOO
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения ба- за — эмиттер, В Статическим коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: иКЭнас ^БЭ нас h2 1Э 1 0 2,5 120 1 0 0, 5 0,5 0. 2 0,2
0. 1
Тк = 25 °C 7к=125 °C 2Т826А — 2Т825В
300
5
Гк= 100 °C КТ826А - KT82GB 5 300
Тк = -С0 гС 5 1 2 0
Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой ча- р21э|
стотс (/=1 МГц) 6 1 5 0, 1
Время спада, мкс: (сп 5 00 5 0,5 /Б|=0,2 А. 1^2 = 0,5 А
2Т826А. KT82GA 2Т826Б, КТ826Б 1 , 5 0,7
Емкость коллекторного пере- хода (7=1 МГц), пФ Емкость эмиттерного псрехо- Ск 25* (100)
да (7=1 МГц), пФ Обратный ток коллектор — сэ 250* 5
эмиттер (/?бэ= 10 Ом), мА: Гк=25 °C 'кэя 2 700
Гк = 125 °C 2T82GA — 2T82GB 5 300
7 к -100 °C КТ826А—KT82GB 5 300
7 „ = -б0 'С 4 5 00
Обратный ток эмиттера, мА 'ЭБО 3 5
i
Г
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер1 (foasglO Ом, Гк = — 60 4- +75°C) .
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер 1 (7?бэ<10 Ом, Tns£20 мс, Q>50, Тф>
>0,2 мкс, скорость нарастания фронта не
более 3,5 В/ис, Тк =—60 4-+75 °C)
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (Лва^Ю Ом, Тп^20 мкс, Тф>1,5 мкс,
скорость нарастания фронта не более
0,66 В/нс, Г» = 25 °C).................
700 В
700 В
1000 В
92
Постоянный и импульсный ток коллектора
Постоянный и импульсный ток базы
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора 1 2 (Тк = — 604- 4-50 °C)........
Температура перехода .................
Температура окружающей среды:
2Т826Л — 2Т826В.....................
КТ826А—КТ826В.......................
1 А
0,75 А
15 Вт
150 °C
от —60 °C до
Тк=125 °C
от —60 °C до
Т„ = 100°С
1 При температуре корпуса от 75 °C до максимально допустимой
постоянное и импульсное напряжение коллектор — эмиттер снижа-
ется линейно до 300 В.
2 При температуре корпуса свыше 50 °C Рк шах [Вт] = (150 —
— Tk)/Rt п. и. где Rr п, к — тепловое сопротивление переход — кор-
пус, определяемой из области максимальных режимов.
93
94
2Т827А—2Т827В,
КТ827А—КТ827В
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезаплаиарные состав-
ные п-р-п усилительные. Предназначены для работы в усилителях
низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных
усилителях мощности, повторителях, переключателях, электронных
системах управления защиты и автоматики.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 20 г.
95
Электрические параметры
Значение Режим измерения
о о о о —2
Буквенное 0)
Параметр обозна- ч о я Хз
ченне 2 X о се о ел < £
X с X я X СО
7. X 03 •—
Граничное напряжение. В: б'кэо гр НО* 0. 1
2Т827А. KTS27A 100 1 10*
2Т827Б. КТ827Б 80 90 • 100*
2Т827В, КТ827В Напряжение насыщения 60 70 80* 40 200
коллектор — эмиттер. В ^КЭ пас 1 • 1 .8* 1.45* 2.4* 2 3* 10 20
Напряжение насыщения ба- за — эмиттер. В Статический коэффициент БЭ н ас 2.6* 3 4 20 200
передачи тока в схеме ОЭ: Л21Э
Т„=25 "С 750 6000* 18000 3 10
I 00 700* 3500* 3 20
Тк = Тк шах 750 3 10
Г„ = —60 °C 1 00 3 10
Модуль коэффициента пе- редачи тока на высокой ча- стоте (f=10 МГц) |ft2 1 э | 0.4 3 10
Время включения*, мкс 'вил О.з 0.5 I 1 0 40
Время выключения*, мкс 'выкл 3 4 6 10 40
Время рассасывания*, мкс Емкость коллекторного пе- 'рас 2 3 4.5 400 10 40
рехода*. пФ ск 200 260 1 0
Емкость эмиттерного персхо- 1 60 350
да*. пФ Сэ 1 80 (5)
Входное напряжение база — эмиттер*. В и БЭ 1.6 2 2.8 3 10
Обратный ток коллектор — эмиттер (/?б:»=1 кОм). мА: б'кэо гр
'КЭЛ
Г„ = +25 н 60 еС 3
Тк = Тк max 5
Обратный ток эмиттера. мА 'ЭБО 2 (5)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т827Л, КТ827А . . . . .
2Т827Б, КТ827Б .... . .
2Т827В, КТ827В .... . .
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?<!,= 1 кОм):
2Т827Л. КТ827А . ..............
2Т827Б, КТ827Б . .
2Т827В, КТ827В........................
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (г*>0,2 мкс):
2Т827Л, КТ827А........................
2Т827Б, КТ827Б........................
2Т827В, КТ827В . ... I . .
Постоянное напряжение база—эмиттер
Постоянный ток коллектора
100 В
80 В
00 В
100 В
80 В
60 В
100 В
80 В
60 В
5 В
20 Л
96
Импульсный ток коллектора . . . .
Постоянный ток базы...................
Импульсный ток базы...................
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора 1 (Тк = — 60 <- +25 °C)..........
Температура перехода .................
Температура окружающей среды:
2Т827А — 2Т827В......................
КТ827А — КТ827В......................
10 А
0.5 А
0,8 А
125 Вт
200 °C
от —60 °C до
Т„= 125 °C
от —60 °C
до Тк = 100°С
1 При 7к>25 С Рк max [Вт] = (Тп—Tk)/Rt п, к. Rt п, к
определяется из области максимальных режимов; например
Rt п. к = 1,4°С/Вт при UK3 =10 В, /к = 12,5 А.
4 Зак. 225
97
2Т828А, 2Т828Б, КТ828А, КТ828Б
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п высоковольтные
импульсные. Предназначены для работы в источниках питания, вы-
соковольтных ключевых устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 20 г.
98
2ort)&t.l
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значени е Режим измерения
минимальнос типовое максимальное Я а V 4я/) Я/
Граничное напряжение (тн=$ 300 мкс, Q^-50), В: UКЭО гр 0.1
2Т828А, КТ828А 700
2Т828Б. КТ828Б Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В: 600 4.5(2)
Гк —25 ’С о. 5» 1» 3
Тк = —60 °C И +7'к max 5
Напряжение насыщения ба- за — эмиттер, В Статический коэффициент БЭ пас 0,95’ 1* 3 4.5(2)
передачи тока в схеме ОЭ Л21Э 2,25 •1 * 5 4.5
Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой ча-
стотс* (/=1 МГц) |Л21э| 4 7 20 0,1
Время спада, мкс 'сп 1 * 1 ,2 500 4 4 .5 (1,8)
Время включения*, мкс 'вкл 0,4 0.55 5(70 4.5 (1,8)
Время рассасывания*, мкс Обратный ток коллектора. мА: 'рас 1КБО 5 10 500 (1400) 4,5 (1 ,8)
2Т828А, КТ828А 1 • 5
2Т828Б, КТ828Б Обратный ток коллектор — эмиттер (/?бэ=10 Ом), мА: ;кэк 1 • 5 (1200)
7к = 125 “С 2Т828А 10 500
2Т828Б 10 400
Гк = —60 °C 2Т828А 5 800
2Т828Б 5 600
Обратный ток эмиттера, мА ЛЭБО !• 10 5
4*
99
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 1 (Ябэ= Ю Ом, Тк = -60++85 °C):
2Т828А, КТ828А............................ 800 В
2Т828Б, КТ828Б........................... 600 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер 2 (/?бэ= 10 Ом, т„^40 мкс, Тф^З мкс,
10), dU/dt <0,45 В/нс для 2Т828А,
КТ828А и <0,4 В/нс для 2Т828Б, КТ828Б
(Тк = — 40++85 °C) и 0,33 В/нс и 0,26 В/пс
соответственно при Тк ——60 ++Тц тох:
2Т828А, КТ828А •................... 1400 В
2Т828Б, КТ828Б................... 1200 В
Постоянное напряжение база—эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора .... 5 Л
Импульсный ток коллектора (тп^10 мс,
Q^2)............................... 7,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность (Тн —
= —60++50°C)3....................... 50 Вт
Температура перехода............... 150 °C
Температура окружающей среды:
2Т828Л, 2Т828Б...........................—60 ++125 °C
КТ828Л, КТ828Б.........................—60 ++100 °C
1 При температуре корпуса от 85 °C до Тк max Укэк и тахснн'
жастся линейно до 500 для 2Т828А, КТ828А и до 400 В для 2Т828Б,
КТ828Б.
2 При снижении температуры корпуса до —60 °C и повышении
до Тк max ^кэя.и max снижается линейно до 1000 для 2Т828Л,
КТ828А и до 800 В для 2Т828Б, КТ828Б. При Q>2, т,, <40 мкс,
Тф^О.З мкс (d(//d/<2,3 для 2Т828А, КТ828А, и <2 В/нс для
2Т828Б, КТ828Б) U к.эк, и п1ах снижается линейно до 700 для
2Т828А, КТ828А и до 600 В для 2Т828Б, КТ828Б при ТК = 85°С.
При Тк от 85 °C до Гк = Тк max снижается линейно до 500 для
2Т828Л, КТ828А и до 400 В для 2Т828Б, КТ828Б (<W/d/ = l,65 и
1,33 В/нс соответственно).
3 При Тк>50°С Рк max (Вт] = (150—Тк)//?тп, к, где Rt п, к
определяется из области максимальных режимов.
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
121828/1, 1218286
1618286, 1 If18286
^з’ов 58
8
0,4 0,6 0,6 1,0 1О'г 10-' 10° 1н,л
100
101
КТ829А—КТ829Г
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п составные усили-
тельные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты,
ключевых устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора
не более 2 г.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса транзистора. При этом температура корпуса не должна превы-
шать 85 °C.
102
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
минимальное максимальное ^КЭ В /1< Пб). л
Граничное напряжение, В: КТ829А УКЭО гр 100 0,1
КТ829Б 80
КТ829В 60
КТ829Г Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В КЭ нас 45 2 3,5 (14)
Напряжение насыщения ба- за — эмиттер, В Статический коэффициент 2,5 3,5 (14)
^БЭ нас
передачи тока в схеме ОЭ: Л21Э 3 3
Г=25--85 °C 750
Т=—40 °C Модуль коэффициента пе- 100
редачи тока на высокой ча- стоте (f=10 МГц) Обратный ток коллектор — |л21э| /КЭЯ 0.4 3 3
эмиттер (/?бэ 1 кОм). мА: уКЭДШах
Г=—40 и +25 °C Г = 85 °C 1 ,5 3
Обратный ток эмиттера, мА 7эбо 2 (5)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ829А ...............................
КТ829Б..............................
КТ829В..............................
КТ829Г .............................
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер кОм):
КТ829А .............................
КТ829Б .............................
КТ829В .............................
КТ829Г .............................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора (тп^0,5 мс,
Q>IO).................................
Постоянный ток базы...................
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора 1 (Тк=—40 4-25 °C, UK э =7,5 В,
/к =8 А)..............................
Температура перехода .................
Температура окружающей среды
100 В
80 В
60 В
45 В
100 В
80 В
60 В
45 В
5 В
8 А
12 А
0,2 А
60 Вт
150 °C
от —40 °C до
Т,< = 85 °C
1 При Тк = 25-г-85 °C Ркшах [Вт] = (150-Т„)/2,08.
103
104
2Т831А—2Т831Г
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные п-р-п
усилительные. Предназначены для работы в усилителях мощности,
преобразователях.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими
выводами. Масса транзистора не более 2 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное УКБ <УЭБ>. В V ‘ (е/) < 1Д *4 S § К
Граничное напряже- ние (Тж< 300 мкс, Q >100), В: 2Т831А 2Т831Б 2Т831В 2Т831Г Напряжение насыще- ния коллектор — эмиттер, В Напряжение насыще- ния база — эмиттер, В Статический коэффи- циент передачи тока в схеме ОЭ: Тк = 254-125 ’С 2Т831А —2Т831В 2Т831Г Т=—60 -с 2Т831А —2T83IB 2Т831Г Граничная частота коэффициента пере- дачи тока в схеме ОЭ*. МГц Время включения*, мкс иКЭО Гр УКЭ нас УБЭ нас Л21Э 'гр 'вкл 25 45 60 80 0,15» 0,8» 25 20 10 7 4 0,3 0,37* 0,95» 42» 23» 25 0,5 0,6 1.3 200» 150» 50 0,8 1 5 (0,1) 1 1 (1) <0,05) 1 0,1 0,1 0.1
105
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное 1 типовое < ! < i i ! U2 СО * а * ZB- А я о о IQ 'Л
Время выключения, мкс Емкость коллектор- ного перехода* (/ = = 1 МГц). пФ Емкость эмиттериого перехода* (/=1 МГц), пФ Пробивное напряже- ние коллектор — ба- за. В: Г=—60 и 4-25° С 2Т831А 2Т831Б 2T83IB 2Т831Г Г= 125 °C 2T83IA 2Т831Б 2Т831В 2Т831Г Пробивное напряже- ние эмиттер — база, В: 2Т831А 2Т831Б 2Т831Г Обратный ток кол- лектора*, мкА Обратный ток эмит- тера*, мкА 'выкл ск сэ ;'КБОпроб ^ЭБОрроб ZKBO Z3BO 1 35 60 35 60 80 100 35 60 80 100 12 5 0.1 20 1.5 41 230 10 500 2 150 350 100 1000 5 (0.5) 80 (5) 1 0,1 0.1 3 (1)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т831А 35 В
2Т831Б 60 В
2Т831В 80 В
2Т831Г 100 В
Постоянное напряжение коллектор—эмит- тер (/?бэС 1 кОм): 2Т831А 30 В
2Т831Б 50 В
2Т831В 70 В
2Т831Г 90 В
106
Постоянное напряжение эмиттер — база:
2Т831А .... 12 В
2Т831Б-2Т831Г............................ 5 В
Постоянный ток коллектора .... 2 А
Импульсный ток коллектора .... 4 А
Постоянный ток базы................. 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора 1 (Тк =—60-4-+25°C):
с теплоотводом........................ 5 Вт
без теплоотвода....................... 1 Вт
Температура перехода.................... 150 °C
Температура окружающей среды ... от —60 °C до
ТК = 125°С
1 При Тк (7) >25 °C Рк max определяется из графиков.
107
108
2Т832А, 2Т832Б
Транзисторы кремниевые планарные п-р-п усилительные. Предна-
значены для работы в стабилизаторах постоянного тока.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 20 г.
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозна- чение о о X га 2 X X я 2 типовое О) о к Л ч со 2 К О со 2 б'КБ (уБЭ>' В 'Э ('КБО*- мА
Граничное напряжение (Q >50. LC 4 мГн), В: 2Т832А 2Т832Б Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Г=25 °C Г=125°С Т=—60 *С Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой часто- те (/=2 МГц) Емкость коллекторного пе- рехода* (f=10 МГц). пФ Емкость эмиттерного пере- хода* (/=300 кГц), пФ Пробивное напряженке кол- лектор — база, В: Т—25 *С 2Т832А 2Т832Б Г=125°С 2Т832А 2Т832Б г=-«о°с 2Т832А 2Т832Б Пробивное напряжение эмиттер — база, В УКЭО гр h213 |Л21э| ск св ^КБОпроб ^ЭБОпроб 600 500 10 10 5 3 8 ПО 1000 800 900 700 900 700 7 1050* 1050* 23» 9,5* 12 155 1320* 1320* 13* 1150* 1150» 50» 12,5» 20 180 1460» 1460» 17» 10 10 5 (0,5) 5 30 30 (0,1) (0,1) ((В (0.5) (0,5) 0,1
109
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер (Явэ^Ю Ом, 7=25 °C, dU/dt^Z
^250 В/мкс):
2Т832А...............................
2Т832Б...............................
Постоянное напряжение коллектор — база
(7=25’0, dH/df<250 В/мкс):
2Т832А...............................
2Т832Б ..............................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . ,
Постоянный ток базы....................
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора транзистора1 (Тк — —60-г-+25 °C):
с теплоотводом ......................
без теплоотвода .....................
Температура перехода ..................
Температура окружающей среды
1000 В
800 В
1000 В
800 В
7 В
100 мА
100 мА
10 Вт
2 Вт
150 °C
от —60 °C до
7К = 125 °C
1 При Гк (7) >25 °C Рк max определяется из графиков.
ПО
Ill
2Т834А—2Т834В, КТ834А-КТ834В
Транзисторы кремниевые мсзапланарные п-р-п составные усили-
тельные. Предназначены для работы в регуляторах тока и напряже-
ния, в ключевых устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 22 г.
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозна- чение минимальное типовое максимальное сп иэ СП X а V Ч3/)
Граничное напряжение (1 = 25 мГн). В: 2Т834А. КТ834А 2Т834Б. КТ834Б 2Т834В, КТ834В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Тк —25 °C -гГк max Тк — Тк mln 7'к=25 “С Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой ча- стоте (1-1 МГц) Обратный ток коллектор — эмиттер (Лоа= 10 Ом). мА: 7*к=25 °C 2Т834А, КТ834А 2Т834Б, КТ834Б 2Т834В. КТ834В УКЭО гр кэ пас а21Э 1а2 1 э | 'кэя 400 350 300 1,2* 150 50 60 4 450* 375* 34 0* 1,5* 500* 250* 5* 0,2* 0,2* 0,2* 490* 440* 375* 2 3000* 1250* 7,8* 3 3 3 5 5 5 600 500 400 0.1 15 (1.5) 5 10 5
112
Окончание
Значения Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние О о X ч га S X X X S типовое максимальное а (езл) 'to *-Ч
Тк в Тк шах 2Т834А, КТ834А 2Т834Б, КТ834Б 2Т834В, КТ834В Тк — Тк mln 2Т834А, КТ834А 2Т834Б. КТ834Б 2Т834В, КТ834В Обратный ток эмиттера, мА Время спада, мкс ;БЭО fcn 0,25* 25* 0,6» 3 3 3 3 3 3 50 1,2 400 350 300 490 4 1 0 330 (5) 250 (5) 10(1)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер1 (/?вэ=100 Ом), Т„ = — 40-т- +85°С):
2Т834А, КТ834А........................
2Т834Б, КТ834Б.......................
2Т834В, КТ834В.......................
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (7?бэ= 100 Ом, Тф2>0,2 мкс):
2Т834А. КТ834А.......................
2Т834Б, КТ834Б.......................
2Т834В, КТ834В.......................
Постоянное напряжение база—эмиттер
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора (т„^0,5 мс,
Q>l00)................................
Постоянный ток базы...................
Импульсный ток базы (та^0,5 мс,
<2>100)...............................
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора2 (7'„=7'„ п>ш-г25 °C)
Температура перехода .................
Температура окружающей среды:
2Т834А —2Т834В.........................
КТ834А — КТ834В......................
500 В
450 В
400 В
400 В
350 В
300 В
8 В
15 А
20 А
3,5 А
7 А
100 Вт
150 °C
от —60 °C до
ТК = 125°С
от —40 °C до
ТК = 85°С
1 При Тк от —40 до —60 °C и от 85 до 125 °C П1ах сни-
жается линейно до 400, 350, 300 В.
2 При Т„>25°С Рк max [Вт] = (Тп — Тк)/Ргп, к, где Rr п, к
тепловое сопротивление переход — корпус, определяемое из области
максимальных режимов.
113
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер практически не зави-
сит от сопротивления в цепи база — эмиттер (в диапазоне до
10 кОм).
114
115
КТ838А
Транзистор кремниевый мезапланарпый п-р-п импульсный. Пред-
назначен для применения в каскадах горизонтальной развертки теле-
визоров и видеоконтрольных устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 20 г.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса паяльником, нагретым до температуры 250 °C, в течение не бо-
лее 3 с.
116
Окончание
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерен ня
минимальное типовое максимальное УКЭ (уКБ>. В а to V -3/ _ —
7=25 °C 7-—45 и +100 °C Напряжение насыщения база — эмиттер. В Модуль коэффициента передачи тока на высо- кой частоте (f=l МГц) Время рассасывания, мкс Время спада, мкс УКЭ нас нас |Л2 1 э | *рас t. 3* 10* 0,7* 5 5 1,5 1 ,5 1 1 20 500 500 5 5 4,5 4,5 4,5 0,3 4.5 4,5 2 3 2 1.8 1.8
Емкость коллекторного перехода, пФ Емкость эмиттерного пе- рехода, пФ Постоянное напряжение эмиттер — база, В Обратный ток коллек- тор — эмиттер, мА: 7=25 °C 7= -45 и + 100 °C Г « вп -Р < (и СП Е X О 5 7 17 0* 2200* (Ю) 1500 11 00 5 0 0 0 0 0,01 0. >
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер1 (7?сз^ 10 О.м, ти=g20 мкс, Тф^2мкс, Q>4): Т„ = —45 ч- +75 °C 1500 В
Тк=100°С 1100 В
Постоянный ток коллектора 5 А
Импульсный ток коллектора 7,5 А
Постоянный ток базы .... 0,1 А
Импульсный ток базы .... 3,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность лектора 2 (Т« =—45-?+95 °C) кол- 12,5 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность лектора (тц^4,5 мкс, Q$:14, = —45 4- +95 °C): ^КЭ =150 В кол- Гк = 250 Вт
UK3 =200 В • • 200 Вт
с/кэ =300 В 150 Вт
£/кэ =400 В 120 Вт
UK3 =600 В 70 Вт
Температура перехода .... 115 °C
Температура окружающей среды от —45 °C до
7K = 100°C
1 При Тк от 75 до 100 °C (7КЭК и тах снижается линейно.
2 При Тк от 95 до 100 °C Рк max [Вт] = (Тп — Т«)/Лт п, к, где
Rt п, к — тепловое сопротивление, определяемое из области макси-
мальных режимов.
117
118
2Т839А
Транзистор кремниевый мезапланарный п-р-п импульсный. Предна-
значен для работы в высоковольтных ключевых устройствах и вто-
ричных источниках питания.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 20 г.
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное Я Я ‘едЛ V ‘^7 < th
Граничное напряжение (1 = 40 мГн. /Кнас= -300 мА). В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения база — эмиттер, В Статический коэффици- ент передачи тока в схе- ме ОЭ: Тк=25 °C Гк=—60 и + 100*С Модуль коэффициента передачи тока на высо- кой частоте (/=! МГц) Время рассасывания, УКЭО гр УКЭ нас ^ЕЭ нас Л21Э |'‘21э| 700 5 2 7* 5» 1 .5 1.5 10 10 20 о,1 4 4 4 4 0,3 2 2
мкс (рас 10* 500 5 4,5 1 .8
Время спада, мкс Емкость коллекторного перехода, пФ Емкость эмиттерного пе- рехода, пФ Обратный ток коллекто- ра, мА: Т-25 °C Т« = -60 и +100 °C Обратный ток эмиттера, и* о о и £ a R О 2 СП ц О о 240’ 4000» 1.5* 1 1 10 500 (Ю) (1500) (1100) 5 5 5 4.5 1.8
119
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база1:
Т„=— 40 4-+75 °C Тк=— 40 4-— 60 и 75 4- 100°С . . . 1500 В 1100 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер 1 2 (/?оэ=10 Ом):
Тк = —40 4- +75 °C 1500 В
Т„ = —40 4-—60 и 75 4-ЮО’С . . . 1100 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 5 В
Постоянный ток коллектора .... 10 А
Импульсный ток коллектора .... 10 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора3 (Тк——604-+25 °C) . . 50 Вт
Температура перехода . . . . 125 °C
Температура окружающей среды от —60 °C до
Т„ = 100 °C
1 При Тк от —40 до —60 и от 75 до 100 °C (УКБ П1ах снижается
линейнс
2 При Тк от —40 до —60 и от 75 до 100 °C t/R3R> и тах снижа-
ется линейно при Тф>3 мкс. При Тф<3 mkcI/K3R_ н тах снижа-
ется до 700 В.
3 При Тк от 25 до 100 °C Рк шах [Вт] = (Тп — Тк)/Ят п, к, где
Рт п, к — определяется из области максимальных режимов.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса транзистора паяльником с температурой не выше 260 °C в тече-
ние не более 10 с.
120
121
КТ840А, КТ840Б
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п переключательные.
Предназначены для работы в ключевых и импульсных устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 20 г.
122
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение
Граничное напряжение*. В: УКЭО гр
КТ840А КТ8ЮБ
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер*. В Напряжение насыщения ба- ^КЭ нас
за — эмиттер. В Статический коэффициент ^БЭ нас
передачи тока в схеме ОЭ* h2l3
Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой ча- стоте * (/=1 МГц) |Л21э|
Время рассасывания, мкс 'рас
Время спада, мкс 'ci
Время включения*, мкс
Обратный ток коллектора. мА: 'кБО
•oSg а । - о IIII je х х
Значение Режим измерения
с*
о
X - из
л ч
2 о I
х О У X с * Ф 5 х 2 о * чг из
2 ь 2 X со - -
0. 1
400 450
350 375
0.4) 3 4 1.25
1 .2« 1 . 4* 1.6 4 1.23
10 30 100 (5) 0.6
1 0 (5) 0. 1
8 12 15 1 0 0.2
0,4* 0.8’ 3.5 200 2.5°-5: 1
0,15* 0.3« 0.6 200 2.5°’S: 1
0.08 0. 1 0.2 200 2 5 0.5: 1
(иКБ. и max)
0.1 * 0.5 * 3
0,5* 1.5* 5»
0,5* 1.5* 5*
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?«:,= 100 Ом)
КТ840А . . .
КТ840Б ... . .
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер 1 (У»г. = 1,5 В, Ти^80 мкс. Тф>1 мкс):
КТ840Л = —20-? +100 °C . . . .
КТ840Б Т« = — 20 -г- + 90°С . . . .
Импульсное напряжение коллектор — база 1
(т„^80 мкс, Тф> 1 мкс):
КТ840А Тк = —20 4-+100 °C . .
КТ840Б Гк = —20 4- +90 °C . .
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора (т„С20 мкс,
<?>3).......................
Постоянный ток базы
Импульсный ток базы (ти^20 мкс, (?^3)
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
400 В
350 В
900 В
750 В
900 В
750 В
6 А
8 Л
2 А
3 А
1 Для транзисторов КТ840А при Г,.= —20+ + 45 °C <7КЭХ. „ |1их t
^КБ к шах снижаются линейно до 750 В; для транзисторов КТ840Б
при 7'к = 90-? 100 °C напряжения снижаю ся линейно до 700 и при
Гк = 20— +45 °C до 600 В.
123
лектора1 (<7КЭ ^30 В, Т,: =—454-+50°С)
Температура перехода .................
Температура окружающей среды
60 Вт
150 °C
от —45 °C до
Г,, = 100 °C
1 При >50 С Рк max [Вт] — (1 50 — TK)/Rr п, к, где Rt и, к —
тепловое сопротивление переход — корпус, определяемое из области
максимальных режимов; например при ^кэ=30 В, /,< = 2 А,
Rt п. ,< = 1,67 °С/Вт.
2Т841А, 2Т841Б
Транзисторы кремниевые планарные п-р-п переключательные.
Предназначены для работы в ключевых устройствах, импульсных мо-
дуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах на-
пряжения.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 20 г.
124
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
минимальное типовое а 7 S о ай « 7 о О ^КЭ РКБ), В 3 *едл 'к. А < из S
Граничное напряжение. В: 2T84IA 2Т841Б Напряжение насыщения коллектор—эмиттер, В Напряжение насыщения база — эмиттер*, В Статический коэффици- ент передачи тока в схеме ОЭ: Т — 25 °C Г = -60 и +125 °C Граничная частота ко- эффициента передачи то- ка п схеме ОЭ (f = 1 МГц). МГц Время рассасывания*, мкс Время включения*, мкс Время спада*, мкс Емкость коллекторного перехода * (/ = 0.3 МГц). пФ Емкость эмиттерного пе- рехода* (/=0.1 МГц), пФ Напряжение коллек- тор-эмиттер* , (Ти = = 1 мкс). В Обратный ток коллекто- ра. мА: 7 » -60+ +25 °C 2T84IA 2Т841Б Т- 125 °C 2Т841А 2Т841Б Обратный ток эмиттера. мА УКЭО гр UКЭ нас б' БЭ нас Л21Э frp 'рас вкл 'сп Ск Сэ иКЭ 'КБО 'ЭБО 350 250 0,25* 0.95 1 2 6 10 0,43 0,06 0.06 185 3000 440* 370» 0.6» 1 . 1 20* 20* 0,8 0,08 0, 1 220 3800 0,04» 0.04* 510* 450* 1 .5 1 ,6 45* 25* 1.2 0,1 0.5 300 5000 20 3 3 5 5 10 5 (Ю) 200 200 200 (Ю) (600) (4 00) (600) (400) 1 5 о. 1 5 5 5 (0.2) 5 5 8 1 1 1 1 1
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база1:
2Т841А..................................... 600 В
2Т841Б........................'«..... 400 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер1 (1/БЭ =1.5 В):
2Т841Л....................................... 600 В
2Т841Б..................................... 400 В
1 При Тф>0,3 мкс; Тф ие ограничивается до (7КЭО гр-
125
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер 100 Ом. Ти=0,5 мкс, Тф^О.З мкс:
2Т841А.................................
2Т841Б..............................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора (т„^10 мс,
Q>2)...................................
Постоянный ток базы....................
Импульсный ток базы (t«s610 мс, <2^2)
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора :
с теплоотводом Т„ =—60-? 4-25°C
без теплоотвода Т =—60 4-4-25 °C
Температура перехода ..................
Температура корпуса ...................
Температура окружающей среды
500 В
350 В
5 В
10 А
15 А
2 А
4 А
50 В
3 Вт
150 °C
125 °C
от —60 °C до
Т„ = 125°С
126
1.0b
1,02
1
0,38
0,36
о,зь
o,sz
-60 -20 20 60 TK‘C
UK3R проб!икбОпроЬ
127
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса транзистора.
При эксплуатации, монтаже должны быть приняты меры, исклю-
чающие воздействие статического электричества выше 1 кВ.
ТК135-16, ТК135-25, ТК142-40, ТК142-50,
ТК142-63, ТК152-80, ТК152-100, ТК235-32,
ТК235-40, ТК235-50, ТК235-63
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-мезапланарные п-р-п пе-
реключательные. Предназначены для применения в преобразователях,
переключающих и усилительных устройствах. Выпускаются восьми
классов по напряжению (от 0,5 до 4) и трех групп по напряжению
насыщения коллектор — эмиттер.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса транзи-
сторов ТК135-16, ТК135-25 не более 17,6 г; ТК235-32, ТК135-40,
TKI35-50, ТК235-63 не более 25 г; ТК142-40. TKI42-50. ТК142-63 нс
более 35 г; ТК152-80, ТК152-100 не более 56 г.
21А
128
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное типовое ф о X га X X то S 0 (дадемд 'к ('б). а
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В: для групп 1 II III Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ для классов: 0,5—2 2,5-4 Время включения (/вкл = =/зд + /пар), мкс Время задержки, мкс УКЭ нас 'вил 'зд 10 8 10 0,6 1 ,5 2 100 1 0,3 5 <^КЭО °-5 ‘к, II max (0.08 ^К.итах) ° ® 'К, н max °-5 УК, н max (°.°8 /К,итах)
Время нарастания, мкс 'нар 0,7
Время выключения 0»ыкл = = fpac 4- fen), мкс ТК135, ТК235. ТК142 ТК152 Время рассасывания, мкс ТК135. ТК235, ТК142 ТК152 Время спада, мкс 'выкл 'рас 'сп 3 4 2 3 1 <укэо °-5 'к, и max (0.08/к<н max)
Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ, МГц: ТК135 ТК235, ТК142 ТК152 Обратный ток коллектора, мА 'гр 'КБО 6 4 2 10 К Б Отах
Предельные эксплуатационные данные
Импульсный ток коллектора (тя = 10 мс,
Q = 2, /Б =0,25 /к.ншах, Тк<50°С):
ТК135-16..............................
ТК 135-25 ...........................
ТК235-32 ...........................
ТК235-40, ТК142-40 .................
ТК235-50, ТК142-50 .................
ТК235-63, ТК142-63 .................
ТК152-80 .............................
ТК152-1О0.............................
Постоянный ток коллектора (Тк^бО’С):
ТК135-16...................7 . . .
ТК 135-25 ...........................
ТК235-32 .............................
16 А
25 А
32 А
40 А
50 А
63 А
80 А
100 А
10 А
16 А
20 А
5 Зак. 225
129
ТК235-40, ТК142-40 25 А
ТК235-50, ТК142-50 32 А
ТК235-63, ТК142-63 40 А
ТК 152-80 ............................ 50 А
ТК152-100 .................................. 63 А
Импульсный ток базы (тя = 10 мс, Q = 2,
Т„<50°С):
ТК135-16........................................ 4 А
ТК135-25 ............................ 7 А
ТК235-32 ............................ 8 А
ТК235-40, ТК142-40 10 А
ТК235-50, ТК142-50 13 А
ТК235-63, ТК142-63 16 А
TKI52-80 ............................ 20 А
ТК152-100 .................................. 25 А
Постоянный ток базы (Тк<50°C):
ТК135-16....................................... 3,5 А
ТК 135-25 ............................ 5 А
ТК235-32 ............................ 6,5 А
ТК235-40, ТК142-4О.......................... 8 А
ТК235-50, ТК142-50 . 10 А
ТК235-63, ТК142-63 13 А
ТК152-80 ............................ 16 А
ТК152-100 .................................. 20 А
Импульсное напряжение коллектор — база
для классов:
0 5 ................ 50 В 2,5 ................ 250 В
1 .... 100 В 3 .............. 300 В
],5................150 В 3,5 ................ 350 В
2 200 В 4 400 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит
тер (/Б =0) для классов:
0,5...............ЗОВ 2,5...................150 В
1.................60 В 3.....................180 В
15 ...........90 В 3,5...................210 В
2.................120 В 4 .............. 240 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
классов:
0 5 .......... 45 В 2,5 ................... 225 В
I . . 90 В 3 .............. 270 В
15...............135 В 3,5....................315 В
2................180В 4 .............. 360В
Импульсное напряжение эмиттер — база 4 В
Температура перехода...................... 150 °C
Тепловое сопротивление переход — корпус:
ТК135-16, ТК135-25 1,5*С/Вт
ТК235-32, ТК235-40, ТК 142-40 . . - 1,1°С/Вт
ТК235-50, ТК142-50 0,7‘С/Вт
ТК235-63, ТК142-63 0,5*С/Вт
ТК152-80, ТК152-100 ................... 0,35’С/Вт
130
Рассеиваемая мощность коллектора
(7„<50°С):
ТК135-16, ТК135-25 .............
ТК235-32, ТК235-40, ТК142-40 . .
ТК235-50, ТК142-50 ....
ТК235-63, ТК142-63 . . . .
ТК152-80, ТК152-100 . . . .
Температура окружающей среды
80 Вт
ПО Вт
175 Вт
250 Вт
350 Вт
от —60 °C до
Т„=150°С
h113
5*
131
132
133
134
135
136
б ------Г
138
139
140
Значение крутящего момента при монтаже транзистора ТК142-63
на теплоотвод должно быть не менее 7±1 Нм, ТК152-100 не менее
9±1 Нм.
Транзисторы ТК135-25, ТК235-63, ТК142-63 крепят прижатием
фланца корпуса к теплоотводу с крутящим моментом затяжки винтов
не менее 0,4 Нм.
р-П-р
П201Э, П201АЭ, П202Э, П203Э
Транзисторы германиевые сплавные р-п-р универсальные. Предна-
значены для применения в переключателях, выходных каскадах уси-
лителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса транзи-
стора не более 12 г.
141
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное С с : с 3 <- it 3 а а * а 'аел < £ < th
Напряжение насыщения коллектор эмиттер. В: П201АЭ. П202Э, П202Э Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: П2Э1Э, П202Э П201АЭ Статическая крутизна пря- мой передачи в схеме ОЭ, А/В: Г = 25 °C П203Э Г = —60 °C П203Э Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОБ. кГц: П201Э, П202Э П201АЭ, П203Э Обратный ток коллектора. мА: Г = 25 °C П201Э, П201АЭ П2О2Э, П203Э Т = 70 °C П201Э, П201АЭ П202Э. П203Э Обратный ток эмиттера, мА: Г=25 °C Г=70 “С УКЭ нас h123 Г21 Э frp 'КБО ;ЭБО 20 40 1 ,2 0.8 100 200 2t 1. I , 0. 0. 2 2 0, 2, 5 8 4 4 4 4 5 10 28 10 20 30 20 30 10 2 0.2 0.2 0.3
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (Яг,эС50 Ом):
Г <20 °C П201Э, П202Э, П201АЭ .... П203Э 30 В 50 В
7 = 50 °C П201Э, П201АЭ .... 22 В
П202Э. П203Э 30 В
Постоянное напряжение коллектор — база:
7<20 °C П201Э, П201АЭ . . . 45 В
П202Э, П203Э 70 В
7 = 50 °C П201Э. П201ЛЭ .... 30 В
П202Э, П203Э 55 В
Постоянный ток коллектора:
П201Э, П-201 АЭ .... 1,5 А
Г1202Э, П203Э 2 Л
142
Импульсный ток коллектора:
П201АЭ..............................
П202Э, П203Э ....
Постоянная рассеиваемая мощность:
с теплоотводом (Тк^20’С) . .
(Т„=70’С) . . .
без теплоотвода (7^25 ®С) .
Импульсная рассеиваемая мощность
(т„<5 с, Q^3, Тк^70С) ....
Переключаемая мощность ....
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ...............
Температура окружающей среды
2 А
2.5 А
10 Вт
4,3 Вт
1 Вт
10 Вт
30 Вт
3,5 °С/Вт
85 °C
от —60 °C
до Тк = 70°С
143
П210А, П210Ш
Транзисторы германиевые сплавные р-п-р универсальные. Предна-
значены для применения в переключателях, выходных каскадах уси-
лителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса транзисто-
ра не более 37 г. с наконечниками выводов и коепежным фланцем не
более 48,5 г.
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное 4> О СП О С S ь максимальное да сЬ * да да х Ь- Н ‘96Л 'К (/К. и)- А | /э, А
Граничное напряжение, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: П210А П210Ш Статическая крутизна пря- мой передачи в схеме ОЭ, А/В: П210А П210Ш Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОБ, кГц Плавающее напряжение эмиттер — база. В: П210А П210Ш Обратный ток коллектора. мА: Г = 25 °C П210А П210Ш Г-70 °C П210А П210Ш Обратный ток эмиттера, мА: П210Ш иКЭО гр Й21 Э У21Э frp УЭБ пл /КБО 50 15 15 6,6 6,5 100 70* 19* 23* 9* 10» 60 1.5 0,15 8 8 50 12 3 10 2 1 2 1 20 40 45 65 45 65 15 35 (2,5) 5 7 5 7 0.1
144
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер:
П210А (С/БЭ >1,5 В)..................
П210Ш ({/БЭ >0,5 В) . . . .
Постоянное напряжение коллектор — база-
П210А..................................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора в режиме на-
сыщения: П210А ....................
Импульсный ток коллектора в режиме на-
сыщения (тф^15 мкс): П210Ш
Постоянная рассеиваемая мощность:
7,,^ 25 °C ....
Т„ = 70°С...................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход — среда
Температура перехода . .............
Температура окружающей среды
65 В
64 В
65 В
25 В
12 А
9 Л
60 Вт
15 Вт
1 °С/Вт
40’С/Вт
85 °C
от —60 °C
до Т„ = 70°С
Пайку выводов разрешается производить на расстоянии ие менее
20 мм от корпуса в течение не более 10 с. Расстояние от корпуса до
начала изгиба вывода должно быть не менее 20 мм.
П213, П213А, П213Б, П214,
П214А—П214Г, П215
Транзисторы германиевые сплавные р-п-р универсальные. Предна-
значены для применения в переключателях, выходных каскадах уси-
лителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса транзи-
стора не более 12,5 г, масса крепежного фланца не более 4,5 г.
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное максимальное Л Ф X CQ 1П Я ,3еЛ /к. А V
Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОБ, кГц ^гр 150 10 о,1
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В: П213 П214. П214А, П214Б, П215 П213Б — П214Г УКЭ нас 0.5 0.9 2.5 3 3 2 0, 37 0,37 0,3
Напряженке насыщения ба- за — эмиттер, В: П213 П214. П214А, П215 П214Б и БЭ нас 0.6 0,75 1.2 0.9 2,5 0,37
146
Окончание
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное о X ч га X X о X я ж а ‘€^л 23 CQ * сс 23 Л V */ СД *-•
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: П213 П213А, П214В П213Б П214 П214А П214Б, П215 h21 Э 20 20 40 20 50 20 50 60 150 150 5 5 5 5 5 5 1 0 2 0.2 0.2 0.2 0.2
Статическая крутизна пря- мой передачи в схеме ОЭ П214Г («и=36 Ом. 1-270 Гц). А/В У2 1Э 1.4 2,1 28
Плавающее напряжение эмиттер — база, Г = 70°С, В: П213 П213А. П213Б Г1214. П214А. П214Б П214В. П214Г П215 иЭБ пл О.з 0.5 0.3 0.5 0.3 45 45 60 60 80
Обратный ток коллектора. Т = 20 °C П21.Т П213А. П213Б П214, П214А П214Б - П214Г П215 Г = 70°С П213 П213А. П213Б П214. П214А П214Б П214В. П214Г П215 ZKBO 0.15 1 0.3 1.5 0.3 2 4.5 2.5 2 5 2,5 45 45 60 60 80 45 45 60 60 60 80 •
Обратный ток коллектор — эмиттер (/б=0). мА: П213 П214. П214А. П214Б 11214В. П214Г П215 ;кэо 20 30 30 30 30 45 55 60
Обратный ток коллектор — эмиттер' (Яс»=50 Ом). мА: П213А. П213Б П214В. П214Г Обратный ток эмиттера, мА: Г = 20 °C П213. Г1214, П214А. П214Б, 11215 П213А. П213Б. П214В. П214Г 7 = 70 °C П213. П214Б П214, П214А. П215 П213А. П213Б П214В. П214Г 'кэя Z3EO 10 10 0.3 0.4 2 2.5 4.5 5 30 55 15 10 15 15 1 0 10
147
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/Б =0):
П213 30 В
П214, П214Б................................ 45 В
П215....................................... 60 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?-,э^50 Ом):
П213А, П213Б........................ 30 В
П213................................ 40 В
П214, П214А —П214Г ... . 55 В
П215....................................... 70 В
Постоянное напряжение коллектор — база:
П213, П213А, П213Б......................... 45 В
П214, П214А —П214Г......................... 60 В
П215....................................... 80 В
Постоянный ток коллектора .... 5 А
Постоянный ток базы................... 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность:
Гк<45°С П213А, П213Б, П214, П214А,
П214В, П214Г, П215........................ 10 Вт
П213, П214Б............................... 11,5 Вт
Тк = 70°С П213А, П213Б, П214, П214А,
П214В, П214Г, П215....................... 3,75 Вт
П213, П214Б............................... 4,3 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус:
П213, П214Б......................... 3,5’С/Вт
П213А, П213Б, П214, П214А, П214В,
П214Г, П215......................... 4 °С/Вт
Температура перехода.................. 85 °C
Температура окружающей среды . . . от—60°C до
Тк = 70°С
148
Изгиб выводов при пайке допускается только на их плоской части.
П216,
П216А—П216Д,
П217,
П217А—П217Г
Транзисторы германиевые сплавные р-п-р универсальные. Предна-
значены для применения в переключателях, выходных каскадах уси-
лителей низкой частоты, преобразователях постоянного напря-
жения.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса транзи-
стооа не более 12.5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Электрические параметры
Значение Режим измерен»».
Параметр Буквенное обозначе- ние 1 минимальное максимальное я -емл а я '9Сл V ‘Я/ /Б. а
Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОБ. кГц ^гр 1 00 10 о. 1
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер В: П216. П216А П217. П217А, П217Б. П217Г П216Б. П216В. П216Д. П217В иКЭ нас 0.75 1 0.5 4 4 2 0,5 0.5 0,3
Напряжение насыщения ба- за — эмиттер. В- П216. П217 П217Б П217Г ^БЭ нас 0.6 1 .5 0.9 0 8 3.5 0.5
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме ОЭ- П216А П216Б П216В П216Г П216Д П217А П217Б П217Г h2 1 э 20 10 30 5 15 20 20 15 80 30 60 40 5 3 3 3 3 5 5 3 1 2 2 1 I
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: П216 П217 Л2| Э 18 !5 0 75 1 4 4
Плавающее напряжение эмиттер — база. В: П216. П216А П216Б. П216В П216Г. П216Д П217. П217А. П217Б П217В. П217Г ^ЭБ пл 0.3 0.5 0.5 0.3 0.5 40 35 50 60 60
Обратный ток коллектора, м А 7 = 20 "С П216. П216А П216Б П216В П216Г П216Д П217. П217А. П217Б П217В. П217Г 7 = 70 ’С П216. П216А П216Б. П216В П216Г. П216Д П217. П217А. П217Б П217В, П217Г 'КБО 0.5 1 .5 2 2.5 2 0.5 3 4,5 7,5 7.5 5 7.5 10 35 35 50 50 60 60 40 3 5 5 0 60 60
150
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное максимальное а СП а 'ЭМл а а сп £ а
Обратный ток коллектор — эмиттер (/g=0). мА: /кэо 4 0 30
П216. П216А
П217. П217А. П217Б 50 4 5
Обратный ток коллектор — эмиттер (/?бэ=0). мА: 'кэк
112166. П216В 20 35
П216Г 50 50
П216Д 20 50
П217В. П217Г 20 60
Обратный ток эмиттера. мА; /ЭБО 15
Г—20 *С П216. П216А. П217. П217А. 0.4
П217Б П216Б - П216Д, П217В. П217Г 0,75
Г = 70 ’С П216. П216А. П217, П217А. 4
П217Б П216Б —П216Д. П217В. П217Г 7
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
и коллектор — эмиттер (₽г,э = 0):
П216, П216А ... . . . .
П216Б, П216В . . . .
П216Г, П216Д . . . . .
П217, П217Л —П217Г . . . .
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/ Б = 0):
П216, П216А........................
П217. П217А, П217Б..............
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора
Постоянный ток базы , . .
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора:
Т„^25°С П216. П216Л, П217, П217Л,
П217Б...........................
П216Б-П216Д, П217В, П217Г . .
Т,, = 70°С П216, П216А, П217, П217А,
П217Б.....................
П216Б— П216Д, П217В, П217Г .
Тепловое сопротивление переход1—корпус1
П216. П216А, П217, П217А, П217Б
П216Б — П216Д, П217В, П217Г .
40 В
30 В
50 В
60 В
30 В
45 В
15 В
7,5 Л
0.75 А
30 Вт
24 Вт
7.5 Вт
6 Вт
2 °С/Вт
2.5 °С/Вт
151
Температура перехода-
Температура окружающей среды
85 °C
от —60 °C до
Тн = 70 "С
152
П302, ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304, П306, П306А
Транзисторы кремниевые сплавные р-п-р усилительные. Предна-
значены для применения в усилителях низкой частоты н преобразова-
телях постоянного напряжения.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 10 г.
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние .минимальное максимальное X S са 'к ('э)- А /Б. А
Сопротивление насыщения коллектор — эмиттер, Ом: Г = 25 °C ПЗОЗ, ПЗОЗА Г» —60 и +120 °C гкэ нас 20 30 0,15 0,05
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Г = 25 "С П302 ПЗОЗ, ПЗОЗА П301 П306 П306А Т=—60 "С П302 ПЗОЗ, ПЗОЗА П304 П306 П306А Л21 Э 10 6 5 7 5 6 3,5 3 4 3,5 25 35 (10) (0,12) (0,12) (0,06) (0,1) (0,05) (0,12) (0,12) (0,06) (0, 1) (0,05)
Предельная частота коэф- фициента передачи тока, кГц: П302 ПЗОЗ. ПЗОЗА П304 fh 41 200 200 50 (20) (0,12) (0,12) (0,12)
153
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное <У о а С га S X о ж га 7 ^кэ (^кбЬ В % < ta
П306 П306А Входное напряженке. В: П302 увх 50 50 6 (10) (0.1) (0.05) 0.3
ПЗОЗ. П304 ПЗОЗА П304 П306А 10 4 6 4 (10) (10) 15 15 0.3 0.3 0.3 0,2
Обратный ток коллектора. мкА: 7 = 25 °C П302 ПЗОЗ. ПЗОЗА. П304, П306 П306А 7=120 °C П302 ПЗОЗ. ПЗОЗА. П304, П306 ПЗО6А 'КБО too 1 00 100 1500 1500 1500 (35) (60) (80) (30) (50) (65)
Обратный ток коллектор — тмнттер. мА: Г = 25"С (Л?вэ=1 кОм) П302 ПЗОЗ. ПЗОЗА. П306 П304. ПЗО6А Т = 120 °C (Яба = 100 Ом) П302 ПЗОЗ. ПЗОЗА, П306 П304 П306А 'кэя 1 1 1 б 6 6 6 40 70 100 30 50 65 60
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит
тер (/?ба<100 Ом) и коллектор-база1:
Гп = —60 +20°С П302 . . . ЗОВ
ПЗОЗ, ПЗОЗА . 50 В
П304 65 В
Та = 20-7-100 °C П302 35 В
ПЗОЗ, ПЗОЗА, П306 60 В
П304, П306А ... 80 В
Гп= 150°С П302 18 В
ПЗОЗ, ПЗОЗА . . 30 В
П304 40 В
ГП = 25°С П306 60 В
П306Л .... 80 В
Т„ = —60°С П302 50 В
П306А .... 70 В
Постоянный ток коллектора:
П302 — П304, ПЗОЗА . . . . . . 0,5 Л
П306, П306А . . ... • 0.4 А
154
Постоянный ток эмиттера П306, П306А
Постоянный ток базы...................
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора 1 2:
с теплоотводом Тк = — 60 ч- +50 °C П302
ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304, П306, П306А . .
Г„=120°С П306, П306А . .
Та =120 °C П302 -П304, ПЗОЗА . .
Г«=90 °C ПЗО6, П306А . .
без теплоотвода Т = —60 Ч-+50 °C
Т=120°С . . . . .
Температура перехода ...
Тепловое сопротивление переход — окружа-
ющая среда .
Тепловое сопротивление переход—корпус
Температура окружающей среды
0,5 А
0,2 А
7 Вт
10 Вт
2 Вт
3 Вт
3 Вт
1 Вт
0,3 Вт
150 °C
100°С/Вт
10°С/Вт
-60 ч- +120 °C
1 При температуре перехода выше 100 С иКЭЛ тах и с/КБ шах
снижаются на 10% на каждые 10 °C. Температура перехода опреде-
ляется по формуле Тп = Тк + Rt а,кРк.
2 При Тк>50 °C для транзисторов с теплоотводом и при
7>20°С для транзисторов без теплоотвода Рк шах снижается ли-
нейно.
Пайка подводящих проводов
допускается только к крючкам
выводов транзистора в течение ре
более 10 с. При пайке не допуска-
ются изгибы и боковые натяже-
ния выводов.
П601И, П601АИ, П601БИ, П602И,
П602АИ
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р универ-
сальные. Предназначены для применения в усилительных, импульсных
и переключающихся каскадах радиоэлектронных устройств.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами с гибкими
(вариант 1) и жесткими (вариант 2) выводами. Масса транзистора
не более 12,5 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
<и о = сч S X X X S макси- мальное ^кэ(укб), СП А СО Ъ (1Э)- А «С
Граничное напряжение (Тя=5 мкс. /=1 кГц). В: ПЫЛИ. П602АИ ПЫЛАЙ, ПЫЛБИ, П602И Напряжение насыщения коллектор — эмиттер*, В УКЭО гр УКЭ нас 20 2Б 2 (0,3) 0,12 0,06
156
Окончание
Парамсп Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
в> о ж ч СО Я X X X S 0> о S я X X о X я Я я (ЯМЛ)емл CQ СП из А. Щ
Напряжение насыщения ба- за — эмиттер*, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 7=20 °C П601И П601АИ, П602И П601И. П602АИ 7=70 °C П601И. П601БИ, П6О2АИ П601АИ, П602И Т=—60 °C П601И П601АИ, П601БИ, П602И, П602АИ Постоянная времени цепи обратной связи (/=5 МГц), ПС Модуль коэффициента пе- редачи тока на высокой ча- стоте (/=10 МГц): П601И, П601АИ, П701БИ П602И, П6О2АИ Время нарастания, мкс П601И П601АИ, П601БИ, П6О2И, П6О2АИ Время рассасывания, мкс: П601И П601АИ, П602И П601БИ, П602АИ Емкость коллекторного пере- хода (/=5 МГц). пФ Емкость эмиттерного перехо- да* (/=5 МГц), пФ Обратный ток коллектора, мкА: 7=20 °C П601И П601АИ, П602И П601БИ, П602АИ П601И П602АИ П601АИ, П601БИ, П602И 7=70 °C Обратный ток эмиттера, мА уБЭ нас Й21Э тк | Л21 э! *нар *рас ск сэ /КБО 'ЭБО 20 40 80 40 10 2 3 1.5 100 200 250 100 0,5 Й21 Э при 7= = 20»С 750 0.4 0,4 6 4 5 170 2500 200 100 130 2000 1500 1500 3000 1 3 (20) (10) (20) (Ю) (Ю) (10) (25) (25) (30) (Ю) 0,5 0,5 0,5 0,5 (0,05) (0.05) 0.5 0.5 0,25 0,06 0,03 0,06 0,03 0,03
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение коллектор — эмиттер
(/?6э<100 Ом, Т = 20°С):
П601И, П602АИ.............................. 25 В
П601АИ, П601БИ, П602И .... 30 В
157
Напряжение коллектор — база (Т=20°С)
П601И, П602АИ........................
П601АИ, П601БИ, П602И . . .
Напряжение эмиттер — база
Г = 20°С...........................
Т = 70’С.........................
Импульсный ток коллектора
Постоянная рассеиваемая мощность кол
лектора 1:
без теплоотвода Т=—60 4-+60 °C
с теплоотводом Гц = 25 °C
Тк=70°С .
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход — среда
Температура перехода ..............
Температура окружающей среды
25 В
30 В
0,7 В
0,5 В
1.5 А
0,5 Вт
3 Вт
0,75 Вт
15°С/Вт
50°С/Вт
85 °C
от —60 °C до
Тк = 70"С
1 При Г>60°С для транзисторов без теплоотвода Рк max
[Вт] = (85— Т)/50; для транзисторов с теплоотводом при Тк>25°С
2Т505А, 2Т505Б
Транзисторы кремниевые планарные р-п-р переключающие. Пред-
назначены для применения в переключающих устройствах и вторич-
ных источников питания.
Корпус металлический с гибкими выводами. Масса транзистора
не более 2 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе• ние Значение Режим измерения
минимальное О о са о с я максимальное а ‘е>1л IQ (Д X /К. А v (3/)е/
Граничное напряже- ние (тж <300 мкс. Q> 100): 2Т505А 2Т505Б УКЭО гр 250 200 270* 230» 0,01
159
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное ш о а о с S н максимальное ей X b П) 10 2, 'io °-. < То 'cn
Напряжение насыще- УКЭ нас 0,15 0.7* 1.8* 0,t5 (0.1)
ния коллектор — эмиттер, В
Напряжение насыще- ния база—эмиттер, В ^БЭ нас 1,35 1.6* 1.8* 0,5 (0.1)
Статический коэффи- циент передачи тока в схеме ОЭ: h213 10 0.5
Г=25 °C 25 120* 140*
Т= 125 °C 18
Г =-60 °C 1 5
Время включения, мкс *вкл 0,2* 0,25* 0,3 40 0,2 0,02
Время выключения, мкс *выкл 1,7* 2,7* 3,5 40 0.2 0,02
Время рассасывания, *рас 0,7* 1,6* 2,6 40 0.2 0,02
МКС
Граничная частота коэффициента пере- 1гр 20 30* 40* 10 0,05
дачи тока в схеме ОЭ. МГц
Емкость коллекторно- го перехода*, пФ Ск 27 50 70 5
Емкость эмнттерного перехода*. пФ Сэ 320 420 500 (0.5)
Обратный ток кол- лектора, мкА /КБО
7=25 °C 2Т505А 100 300
2Т505Б 100 250
7=125 °C 2Т505А 2Т5О5Б 500 500 250 200
Обратный ток эмит- тера, мкА 1ЭЪО 100 (5)
Пробивное напряже- ния коллектор—база* ^КБОпроб
(/КБО мА), В: 2Т505А 300 320 -
2ТБ05Б УЭБО проб 250 280
Пробивное напряже- ние эмиттер — база* 5 6
(/ЭБО=0.5 мА), в
160
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 1 100 Ом):
2Т505А...................................... 300 В
2Т505Б ..... ............................... 250 В
Постоянное напряжение коллектор — база1:
2Т505Л...................................... 300 В
2Т505Б...................................... 250 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 5 В
Постоянный ток коллектора 2 1 А
Импульсный ток коллектора3 (ти^2 мс,
<?>2).......................................... 2 Л
Постоянный ток базы2.......................... 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора:
с теплоотводом (от 7" = —60 °C до Тк —
= 55°C’).............................. 5 Вт
без теплоотвода (7 = —60 4- 4-25 °C 4) 1 Вт
Тепловое сопротивление переход — среда . 1204-150 °С/Вт
Температура перехода.................... 175 °C
Температура окружающей среды . . . —60 4- 4-125 °C
1 Скорость нарастания обратного напряжения ~) 250 10—в
\ dt /шах
В/с.
2 Без превышения значения постоянной рассеиваемой мощности
коллектора.
3 При Q 2 /к, и тах = 7к maxQ-
‘ При температуре корпуса от 55 до 125 °C при использовании
транзистора с теплоотводом и при температуре окружающей среды
от 25 до 125 °C при использовании без теплоотвода рассеиваемая
мощность коллектора снижается линейно в соответствии с графи-
ками.
6
Зак. 225.
161
162
КТ626А—КТ626Д
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р универ-
сальные. Предназначены для применения в переключателях и усили-
телях мощности КВ диапазона.
Корпус мсталлопластмассовый с гибкими выводами. Масса тран-
зистора не более 1 г.
Допускается изгиб выводов на расстоянии не менее 3 мм от кор-
пуса с радиусом закругления 1,5—2 мм. Пайку выводов допускается
производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса.
6*
163
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- н не Значение Режим измерения
ф о X ц то 2 2 ф О ТО X ТО 2 0 X а Й й Л Zd < •«М V ('-!/) е/
Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ. МГц: КТ626Б КТ626А, КТ626В-КТ026Д 'гр 75 4 5 10 0,03
Постоянная времени цепи обратной связи* (/-5 Mfu), ПС тк 500 (10) 0,03
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер. В: КТ626А. КТ626Б КТ626В КТ626Д С/КЭ нас 1 1 0.5 (0,05) (0,1)
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 7 = 25 °C КТ626А КТ626Б КТ626В КТ626Г КТ626Д Т = -40 ЭС КТ626А КТ626Б KT62GB КТ626Г КТ626Д 7 = 85 “С КТ626А КТ626В КТ626В КТ626Г КТ626Д '"21 Э 4 0 30 15 15 40 20 15 8 8 20 40 30 15 15 40 250 100 4 5 60 250 250 100 4 5 60 250 500 200 90 120 500 0. 15
Обратный ток коллектора, мкА: Т= +25 ’С. -10 'С КТ626А КТ626Б. КТ626В КТ626Г. КТ626Д Г —85 ’С КТ626А КТ626Б. КТ626В КТ626Г. КТ026Д 'КБО 10 150 1 50 100 1500 2000 (30) (30) (20) (30) (30) (20)
Обратный ток эмиттера*. мкА: КТ626А КТ626Б — КТ626Д /ЭБО 10 300 4
Емкость коллекторного пере- хода* (/=5 МГц), пФ ск 150 (Ю)
164
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер з^ЮО Ом), коллектор — база:
КТ626А ..............................
КТ626Б ..............................
КТ626В ..............................
КТ626Г, КТ626Д.......................
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора . . . .
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора :
от Т = — 40’С до Гк = 60°С‘ . . . .
Гк =85 °C............................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ..................
Температура окружающей среды
45 В
60 В
80 В
20 В
0,5 А
1,5 Л
6,5 Вт
4 Вт
10°С/Вт
125 °C
от —40 °C до
Г,<=85 °C
1 11ри Г к 60 °C Р к max | Вт| — (125 — Tv) /Rt п, к
165
ГТ701А
Транзистор германиевый сплавной р-п-р универсальный. Предна-
значен для работы в системах зажигания двигателей внутреннего
сгорания, а также в преобразователях напряжения. Допускается при-
менять в условиях импульсных перегрузок по напряжению и мощ-
ности.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими вы-
водами. Масса транзистора не более 25 г. Масса крепежного флан-
ца не более 7,5 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое ф о X S X и X CQ X Я ’(яуемд /К ('э). л S3 ф S3
Граничное напряжение, В: Г =25 °C ^КЭО гр 100 (2,5) 1
Тк 55 и + 70=С 90
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ А21 Э 10 15* 2 5
Предельная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ, кГц Обратный ток коллектора. мА: <h 2 1Э 50 (20) 0,1
1 КБО
Т = 25 °C 0.0002* 6 (60)
Гк- -55 и +70 ’С 0,0002» 30 (60)
Обратный ток коллектор — эмиттер. мА 1 кэх 50 100 1.5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер (Т„ = — 60 + +85 °C).............
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (4/БЭ =0,5 В, Ти = 1 мс, 10. Тп =
= -60-г+85 °C).......................
55 В
100 В
166
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (U Бэ =0,56 В, ти = 0,3 мс. QjsslO,
Т„ =-60 4- +85 °C)................... 140 В
Постоянное напряжение база—эмиттер
(Гп = -604-+85°С).................... 15 В
Постоянный ток коллектора (ТП =—60 4-
+85 °C).............................. 12 Л
Постоянный ток базы в режиме выключе-
ния (Г,, = —60 4-+85 °C)............. 0,15 Л
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора.
Т = 25°С . . .... 50 Вт
Гн = 55 °C . . .... 25 Вт
Гк = 70°С . . .... 8.3 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность кол-
лектора (Ти=1 мс, QjslO):
Г = 25 °C............................... 1200 Вт
ГК = 75°С............................... 700 Вт
Температура перехода....................... 85 °C
Тепловое сопротивление переход — корпус 1,2°С/Вт
Температура окружающей среды . . . —55 4-+70 °C
167
ГТ703А—ГТ703Д
Транзисторы германиевые сплавные р-п-р усилительные. Предна-
значены для работы в усилителях мощности низкой частоты.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами с жесткими
выводами. Масса транзистора не более 15 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное У о> .£ о X максимапьное = rt В ‘(9МЛ)€>1Л Убэ- в X к измерс /Б. А !
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения ба* за — эмиттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Г ==25 °C ГТ7ОЗА, ГТ703В ГТ703Б, ГТ703Г ГТ703Д 7=55 °C ГТ703А, ГТ703В ГТ703Б, ГТ703Г ГТ703Д Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ. кГц Линейность статического коэффициента передачи то- ка /»21Э ПРН /э=0,05А к, Л21 Э ПРИ ^Э= 1.5 А Обратный ток коллектора, ГТ703А, ГТ703Б ГТ7ОЗВ - ГТ703Д Обратный ток эмиттера, мА СКЭ нас ^БЭ нас Л21 9 'гр Ki 'КБО 'ЭБО 30 50 20 30 50 20 10 0,6 0.6 1 70 100 45 100 150 70 1 .5 0,5 0,5 0,5 1 о (20) <30) 10 3 3 0,05 0,5 0,225 0,225
168
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?бэ = 50Ом):
ГТ703Л, ГТ703Б........................
ГТ703В, ГТ703Г........................
ГТ703Д................................
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?<5э = 5О Ом, Тя = 1 мс, QjslO):
ГТ703А, ГТ703Б........................
ГТ703В, ГТ703Г........................
ГТ703Д................................
Постоянный ток коллектора . . . .
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора *:
с теплоотводом (Гк =—40 4-+40 °C)
без теплоотвода (Тк = — 40 4- +35 °C)
Температура перехода ..................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход — среда
Температура окружающей среды
20 В
30 В
40 В
25 В
35 В
50 В
3,5 А
15 Вт
1,6 Вт
85 °C
3 °С/Вт
30 °С/Вт
от —4 0 °C до
Гн = 55 °C
1 При Тв>40 °C для транзисторов с теплоотводом
Рк ш.1х[Вт] — (85—Т„)/3, при Т>35°С для транзисторов без тепло-
ОТВОДЗ Рк max [Вт] = (85—Т)/30.
169
h2!3
- “ —— —- — — — 0170J ~~~~ А -ГТ71 ис
— — —- — - — — .
О 0,2 0.6 0.6 0.0 1,0 1,2 13.И
h2t3
60 -JO -20 -10 0 10 20 JO T„,°C
Допускается пайка выводов па расстоянии не менее о мм от кор-
пуса любым способом (пайкой, сваркой, пайкой погружением и т, д.)
при условии, что температура в любой точке корпуса не превышает
предельно допустимой температуры окружающей среды. При вклю-
чении транзисторов в электрическую цепь коллекторный контакт дол-
жен присоединяться последним и отсоединяться первым.
170
2Т708А—2Т708В
Транзисторы кремниевые мезапланарные р-п-р составные переклю-
чательные. Предназначены для применения в переключающих и ли-
нейных устройствах.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса транзи-
стора не более 2 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения.
минимальное типовое максимальное а ‘амл ZK (z3) [zBj, А ун '(ifO/) оаМ/ S О U3 (Т>
Граничное напряжение (Ти < 300 мкс, Q >100), В: 2Т708А 2Т708Б 2Т708В Напряжение насыщения ^КЭО гр ^КЭ нас 80 60 40 1.1* 90* 70* 50* 1.4* 100» 80* 60* 2 (0,05) 2 (0,01)
коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения УБЭ нас I ,7* 2* 2.5 2 (0,01)
база — эмиттер, В Статический коэффици- ент передачи тока в схе- ме ОЭ: 7—25 ’С 2Т708А 2Т708Б, 2Т708В Т=-60 "С 2Т708А 2Т708Б, 2Т708В 7=125 °C 2Т708А 2Т708Б. 2Т708В Статический коэффици- ент передачи тока в схеме ОЭ*: 2Т708А 2Т708Б. 2Т708В Й21Э Й21Э 500 750 150 200 400 600 150 250 400 600 5 10 (2) (5)
171
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное Я ПбЬ А yw 09 >1 / г 6
Время включения* 'вил 0,5 0,8 1 2 (0,01]
(Ти = 25 мкс), мкс Время выключения* (Ти=25 мкс), мкс 1 .8 2,3 4 > [0,01]
'выкл
Граничная частота коэф- фициента передачи тока в схеме с ОЭ*, МГц Пробивное напряжение 1 гр 3 5 (0.1) (1)
коллектор — эмиттер* (Ябэ 1 кОм). В:
2Т708А 100 130 150
2Т708Б 80 88 100
2Т708В 60 72 80
Пробивное напряжение коллектор база, В: КБОпроб
Г==25 °C 2Т708А 1 00 1 30* 150» 1
2Т708Б 80 88* 100’ 1
2Т708В 60 75» 80* 1
Т=-60'С 2Т708А 100 1
2Т708Б 80 1
2Т708В 60 1
Т=\25 °C 2Т708А 100 5
2Т708Б 80 5
2 Т708В 60 5
Пробивное напряжение эмиттер — база, В ^ЭБО проб 5 6* 10* 5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (Я«Э*С1 кОм, от Г = —60 °C до Тк =
= 55 °C1):
2Т708Л.................................... 100 В
2Т708Б..................................... 80 В
2Т708В..................................... 60 В
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т708А..................................... 100 В
2Т708Б..................................... 80 В
2Т708В..................................... 60 В
Постоянное напряжение эмиттер — база: 5 В
Постоянный ток коллектора2 .... 2,5 А
Импульсный ток коллектора (тя^2 мс,
Q > 22-3).................................... 5 А
Постоянный ток базы2..................... 0,1 А
Импульсный ток базы (тп^2 мс,
Q>22-3)..................................... 0,16 А
172
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора:
с теплоотводом (от 7=—60 °C до Г„ =
= 25’СП.............................. 5 Вт
без теплоотвода (от Т——60 °C до Тк =
= 25 °C И............................ 0,7 Вт
Температура перехода................... 150 °C
Температура окружающей среды . . . от—60 °C
до ТК=125°С
1 При температуре корпуса выше 55 °C напряжение снижается
линейно в соответствии с графиком.
2 Без превышения значения постоянной рассеиваемой мощности
коллектора.
3 При Q<2 Ik, и max [А] =/к maxQ, I Б и тах {А] =/Б 1Tlax Q-
4 При температуре корпуса от 25 до 125 °C при использовании
транзистора с теплоотводом и при температуре окружающей среды
от 25 до 125 °C при использовании без теплоотвода рассеиваемая
мощность коллектора снижается линейно в соответствии с приве-
денными графиками.
173
При включении питающих на
пряжений, а также при переход
пых процессах не допускаете!
превышения области максималь
пых режимов. При работе с пико-
вой мощностью при длительности,
промежуточной для значений,
приведенных на области макси-
мальных режимов, нс рекоменду-
ется превышать границы области
максимальных режимов для бли-
жайшего большего значения дли-
тельности. Расстояние от корпуса
до начала изгиба вывода не ме-
нее 3 мм.
174
2Т709А—2Т709В
Транзисторы кремниевые мезапланарные р-п-р составные усили-
тельные.
Предназначены для работы в линейных и ключевых устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 9 г.
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное О о а □ X <и О 3 к са 3 X о X со S 'г? из * CS 'КБО^КЭЯ), мА 'к('э)- А /Б. А
Граничное напряжение (тм<300 мкс, Q>100), В: 2Т709А 2Т709Б 2Т709В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения база — эмиттер, В Статический коэффици- ент передачи тока в схе- ме ОЭ: Г = 25—125 °C 2Т709А 2Т709Б, 2Т709В Г=-60 °C 2Т709А 2Т709Б, 2Т709В Г = 25 °C 2Т709А 2Т709Б, 2Т709В Граничная частота ко- эффициента передачи то- ка в схеме ОЭ*, МГц Время включения*, мкс Время выключения*, мкс УКЭО гр ^КЭ нас ^БЭ нас ^гр (вк.т 'выкл 80 60 40 1,1» 1.8» 500 750 200 300 200» 300» 3 0.8 2 90» 70» 50» 1.4» 2» 500» 600» 1.4 3 100» 80» 60» 9 3 2 4,5 5 5 5 S 5 5 5 0.1 5 5 (5) (5) (5) (5) (10) (Ю) (0,5) 5 5 0.02 0,02 0,02 0,02
175
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- н не Значение Режим измерения
миннмальное Q С а О С X ь максимальное СП а О? съ X О из < /Б. А |
Емкость коллекторного ск 150 230 5
перехода* (f—300 кГц). пФ
Емкость эмиттерного пе- рехода* (/ = 300 кГц). пФ Пробивное напряжение коллектор — база. В: сэ БОпроб 2 50 460 (0.5)
Г——60 ~ -4-25 °C 2Т709А 100 120’ 150’ 1
2Т709Б 80 90* 100* 1
2Т7О9В 60 70* 80’ I
7=125 °C 2Т709А 100 5
2T709G 80 о
2Т709В 60 5
Пробивное напряжение коллектор — эмиттер* (Ябэ < 1 кОм). В: ^КЭЯпроб (1)
2Т709А 100 120 1 50
2Т709Б 80 90 100
2Т709В 60 70 «0
Пробивное напряжение база — эмиттер. В ^ЭБОнроб 5 0,005
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т709Л.................................
2Т709Б...............................
2Т709В...............................
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?<,»<! кОм, Тк= —60ч-+55 4С):
2Т709А...............................
2Т709Б...............................
2Т709В...............................
Постоянное напряжение эмиттер — база:
Постоянный ток коллектора..............
Импульсный ток коллектора 1 (ти <2 мс,
<?Э=2) .............................
Постоянный ток базы....................
Импульсный ток базы (ти^2 мс, Q5>2) .
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора (Г,. = — 60 ч- +25 °C):
с теплоотводом ......................
без теплоотвода......................
Температура перехода ..................
Температура окружающей среды
1 При Q^2 /к.» max [А] =/к maxQ,
100 в
80 В
60 В
100 В
80 В
60 В
5 В
10 А
20 А
0,2 А
0,3 А
30 Вт
2 Вт
150 °C
от —60 °C до
Тк = 125 °C
176
UftiR max I
177
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса транзистора.
178
1Т806А— 1Т806В, ГТ806А—ГТ806Д
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р переклю-
чательные. Предназначены для работы в импульсных устройствах,
преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 28 г.
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние о о X « 3 S X X максимальное а ,&ял со (Ь О) to
Граничное напряжение (Ти <50 мкс, /=20—50 Гц), В: 1Т806А 1Т806Б 1Т806В Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В: 1Т806А — 1T80GB ГТ806А - ГТ806Д Напряжение насыщения ба- за — эмиттер, В: IT806A — 1Т806В ГТ806А - ГТ806Д Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ (на границе насыщения): 7'к = 25 °C Тк = 70 °C IТ806А — 1Т806В Гк = 55 °C ГТ806А - ГТ806Д Т«х—60 °C 1Т806А—1Т806В Т 55 °C ГТ806А— ГТ806Д Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ, МГц Время выключения, мкс УКЭО гр ^КЭ нас ^БЭ нас Л21 Э ^гр ^выкл 40 65 80 10 10 10 10 8 10 0,6 0,6 0,8 1 100 100 200 150 100 30 5 45 (3) 20 1S 20 15 10 5 5 10 10 1 5 2 2 2 2 0,25
179
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное максимальное а ‘6M/J Я *6®Л * •«ч V ,3/
Обратный ток коллектор — эмиттер, мА: ;кэх 1
Гк = -60 + +25 °C 1T80GA 12 75
1Т806Б 12 100
1T80GB Гк = 25’С 12 120
ГТ806А 15 75
ГТ806Б 15 100
ГТ806В 15 120
ГТ806Г 15 50
ГТ806Д Тк=70 °C 15 140
1T80GA 25 75
1Т806Б 25 100
1Т806В Обратный ток эмиттера: /ЭВО 25 120
1Т806А - IT80G3 5 2
ГТ806А — ГТ806Д 8 1.5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер ({/БЭ =1 В):
1Т806А, ГТ806А.............................. 75 В
1Т806Б, ГТ806Б............................. 100 В
1Т806В, ГТ806В............................. 120 В
ГТ806Г.............................. . 50 В
ГТ806Д..................................... 140 В
Постоянное напряжение база — эмиттер:
1Т806А— 1Т806В................................ 2 В
ГТ806А — ГТ806Д..................... . 1,5 В
Постоянный ток коллектора н режиме на-
сыщения:
1Т806А — 1Т806В...................... 20 А
ГТ806А — ГТ806Д...................... 15 А
Импульсный ток коллектора в режиме на-
сыщения (ти^1 мс, <25=2, Кпас>1):
1Т806А— 1Т806В......................... 25 А
Постоянный ток базы.................... ЗА
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора ’ при ТК=ТК min-i-25°C:
с теплоотводом 30 Вт; без теплоотвода 2 Вт
Температура перехода................... 85 °C
Тепловое сопротивление переход — корпус 2°С/Вт
Тепловое сопротивление переход — среда . 30°С/Вт
Температура окружающей среды:
1T80GA — 1Т806В......................—60 +70 °C
ГТ806А — ГТ806Д......................—55 -е- +55 °C
1 При Тк>25 °C Рк max [Вт}= (85—Тх)//?! п.к для транзисторов
с теплоотводом и 7?кшах[Вт]= (85—7’1<)//’тв,с — без теплоотвода.
180
п213
181
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 6 мм от кор-
пуса транзистора.
ГТ810А
Транзистор германиевый диффузионно-сплавной р-п-р усилитель-
ный. Предназначен для работы в выходных каскадах блоков строчной
развертки телевизионных приемников.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 12 г.
13
26
182
Электрические параметры
Значение Режим измерения
о о О
Буквенное о X иГ <
Параметр обозначе- ч
ние я У. О с X X CQ
мини о с и X я Ж * сс (Э X п
Напряжение насыще- ^КЭ нас 0,2* 0,4* 0.7 10 1
ння коллектор — эмиттер, В
Напряжение насыще* ^БЭ нас 0,44* 0.5* 0,8 10 1
ния база — эмиттер, и
Статический коэффи- циент передачи тока в схеме ОЭ Л21Э 15 10 5
Модуль коэффнциеп- 1 Л21э 1 3 10 1
та передачи тока на высокой частоте (/= = 5 МГц) Время рассасывания, мкс Обратный ток коллек- тора. мА: 5 30 5 0,5
*рас ZKEO
Г=25 °C 20 (200)
7=55 "С 20 (100)
7 =-55 ’С 20 (200)
Обратный ток эмит- тера, мА 1 ЭБО 0,5* 4* 15 1 ,4
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — Саза1
(Т=—55 4-+30 °C).......................
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер1 (^бэ^1-4 В. Гк = — 55 4- +30°C)
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (Upg ^1,4 В, ти^20 мкс, Q>3,
Т=25°С)................................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора . . . .
Постоянный ток базы....................
Импульсный ток базы (ти^500 мкс, Q>2)
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора 2:
с теплоотводом (Гц = 27,5 °C)
без теплоотвода......................
Температура перехода...................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход — среда
Температура окружающей среды
200 В
200 В
250 В
1,4 В
10 Л
10 А
1,5 Л
1,5 А
15 Вт
0,75 Вт
65 °C
2,5 °С/Вт
50°С/Вт
от —55 °C до
Тк = 55 °C
1 При 7>30°С £7кб гпах и (7КЭ шах определяются по формуле
17(B) =200—4 (Г — 30°C).
2 При 7К, Г>27,5 °C для транзисторов с теплоотводом
Рк max [Вт] = (65—Тк)/2,5, без теплоотвода Рк max [Вт] — (65—
-Г)/50.
183
1Т813А-1Т813В
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р пеоеклю-
чательные. Предназначены для работы в переключателях.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 28 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное 1 с; о X ц <0 2 X о X со S а 'еял я 'еал V 4е/) */ Й
Граничное напряжение (Ти < < 50 мкс, /= 20—50 Гц), В: 1Т813А 1Т813Б 1Т813В Напряжение насыщения коллек- тор — эмиттер. В Напряжение насыщения база — эмиттер, В Статический коэффициент пере- дачи тока в схеме ОЭ (на гра- нице насыщения): Гк =25 °C Гн = 70 °C Тк = — 60 °C Время выключения, мкс: 1T8I3A 1Т813Б. 1Т813В Обратный ток коллектор—эмит- тер. мА: Г„==—60 + +25 °C 1Т813А 1Т813Б 1Т813В Тк = 70 °C 1Т813А 1Т813Б 1Т813В Обратный ток эмиттера. мА УКЭО гр УКЭ нас б'БЭ нас h213 ^выкл 'кэх /ЭБО 60 75 80 10 10 10 0,8 0,8 60 60 120 3 5 16 16 16 25 25 25 40 30 100 1 25 150 80 100 120 1 2 (3) 30 30 20 10 20 30 3 3 5
184
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
ТФ (1>бэ =1 В):
Гк = —60 4-+30 °C 1Т813А . . . 100 В
1Т813Б .... 125 В
1Т813В . . 150 в
Т„ = -60ч-+70°С 1Т813Л . 80 в
1Т813Б .... 100 в
1Т813В .... 120 в
Постоянное напряжение база — эмиттер
(Гк = —60 4-+85 °C) . 2 в
Импульсное напряжение база—эмиттер (Т„ = -60 4- +85 °C):
ти^1 мс, Q^2 4 в
Ти<5 мкс, Q^3 6 в
Постоянный ток коллектора (Тк=—60 4-
+85 °C) ... 30 А
Импульсный ток коллектора (Тк=—60 4-
+85 °C, т„С1 мс, Q^2) . . . 40 А
Постоянный ток базы (7\ = — 60 4- +85 °C) 5 А
Импульсный ток базы (Г,, = —60 4-+85 °C,
ти^1 мс, <?>2) 10 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол- лектора (Т„ = —60 4- +25 °C):
с теплоотводом 50 Вт
без теплоотвода 1,5 Вт
Температура перехода 85 °C
Температура окружающей среды
от —60 °C до
Г„ = 70 °C
185
281
V'*! OZ SI 01
0
to
г‘о
u —— —* **”*
OZ^gI
‘a’ctaii- vsign
h'O
s'о
g'30ut>,n
в .WMf,
981
os он oe ог oi о Qi- oz- Q£- °*- oe~
h'0
f'O
90
— — — L U —
а нал -a si an US^J yoe - vi VU
д'ЗВН'»Л
1„.я
4.*
188
Не допускается отключать базу при наличии напряжения между
коллектором и эмиттером. Запрещается использовать транзистор в
устройствах, у которых цепь базы разомкнута по постоянному току
При напряжении икэ >20 В и ЯЕЭ >5 Ом рекомендуется запирать
транзистор положительным смещением 0,5 Вг^(7Бэ^2 В. Эксплуа-
тация транзисторов за пределами областей максимальных режимов
(открытое состояние), в том числе с учетом процессов, происходящих
при включении и выключении, запрещается.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 6 мм от кор-
пуса.
KT8I4A—КТ814Г
Транзисторы кремниевые мсза-эпитаксиально-планарныс р-п-р уни-
версальные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты,
операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях,
импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора
нс более 1 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное С с а « 2 3 с 3 « со (П иэ X а to
Граничное напряжение (ти < 300 мкс, 100), В: KT8I4A КТ814Б КТ814В КТ814Г Статический коэффициент пере- дачи тока в схеме ОЭ: KT8I4A — KT8I4B КТ814Г иКЭО гр Й21 Э 25 40 G0 80 40 30 2 (50) (150)
189
Окончание
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние а о 3 ге ВС X максимальное (зе^яУ!/, /кПэ)- мЛ /g, мА
Напряжение насыщения база — эмиттер, В Напряжение насыщения база — эмиттер. В Граничная частота коэффициен- та передачи тока на высокой частоте. МГц Емкость эмиттерного перехода (f = 465 кГц), пФ Емкость коллекторного перехо- да (/ = 465 кГц), пФ Обратный ток коллектора: 7’к = -40~ +25 °C Тк = 100 °C КЭ нас ^БЭ нас f гр С:у С,< 3 0,6 1,2 75 60 50 1000 5 (0,5) 5 40 4 0 500 500 (30) 50 50
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/Б =0):
КТ814А .............................
КТ814Б .............................
КТ814В .............................
КТ814Г .............................
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (ЛБэ Ом):
КТ814?..............................
КТ814Б .............................
КТ814В..............................
КТ814Г..............................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора (ти^10 мс,
Q^lOO).............................
Постоянный ток базы...................
Постоянная рассеиваемая мощность-, кол-
лектора (Гк = —40-г-+25 °C)1:
с теплоотводом . .............
без теплоотвода ....................
Температура перехода .................
Температура окружающей среды
25 В
40 В
60 В
80 В
40 В
50 В
70 В
100 В
5 В
1,5 А
3 А
0,5 А
10 Вт
1 Вт
125 °C
от —40 °C до
Гк = 100°С
1 При температуре корпуса от 25 до 100 °C Рк max снижается
линейно на 0,01 без теплоотвода и на 0,1 Вт/°С с теплоотводом.
190
191
Пайку выводов разрешается производить иа расстоянии не менее
5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземлено.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса транзистора с радиусом закругления 1,5—2 мм. При этом долж-
ны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилии
на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.
КТ816А-КТ816Г
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные р-п-р
универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой
частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразо-
вателях и импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора
не более 0.7 г.
192
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
1 минимальное О 0 я л Ч S а а 1 иКБ (б'ЭБ), 1 ® 'К. ('э)> А /Б. л
Граничное напряжение (Ти 300 мкс, Q> 100), В: KT8IGA КТ816Б КТ816В КТ816Г Напряженно насыщения коллек- тор — эмиттер, В Напряжение насыщения база — эмиттер, В Статический коэффициент пере- дачи тока в схеме ОЭ: Гк=25-100 °C Тк = —40 °C Граничная частота коэффициен- та передачи тока в схеме ОЭ, МГц Емкость коллекторного перехода (/ = 465 кГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (/ = 465 кГц), пФ Обратный ток коллектора, мкА: 7 к =25 °C KT8I6A KT8I6B KT8I6B КТ816Г тк=юо °C KT8IGA КТ816Б KT8IGB КТ816Г 6’кэо гр иКЭ нас ^БЭ пас h213 G-p Ск Сэ 'КБО 25 45 60 80 25 15 3 0. 6 1,5 60 115 100 100 100 100 3000 3000 3000 3000 2 10 10 (0,5) 25 45 60 100 25 45 60 100 (0,1) 3 3 2 0,25 0.3 0,3
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/Б = °):
КТ816А..................................... 25 В
КГ816Б.................................... 45 В
КТ816В.................................... 60 В
КТ816Г ... 80 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер кОм).
КТ816А . . "........ 40 В
КТ816Б........................... 45 В
КТ816В........................... 60 В
КТ816Г.......................... 100 В
Постоянное напряжение база — эмиттер . 5 В
Постоянный ток коллектора .... ЗА
Импульсный ток коллектора (т„=С20 мс,
z 100)................................... 6 А
Постоянный ток базы................... 1 А
7 Зак. 225
193
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора (Гк=—40 4-4-25 °C)1:
с теплоотводом 25 Вт
без теплоотвода ............................. 1 Вт
Температура перехода.......................... 125 °C
Температура окружающей среды . . . от—40 °C до
____________ Тк = 100 °C
1 При температуре выше 25 °C Рк max уменьшается линейно па
0,2 Вт/°С при использовании транзисторов без теплоотвода.
Пайку выводов разрешает-
ся проводить па расстоянии не
менее 5 мм от корпуса. При панке
жало паяльника должно быть за-
землено. Изгиб выводов допуска-
ется на расстоянии не менее 5 мм
от корпуса транзистора с радиу-
сом закругления 1,5—2 мм. При
этом должны приниматься меры,
исключающие возможность пере-
дачи усилий на корпус. Изгиб в
плоскости выводов не допускает-
ся. При монтаже транзисторов на
теплоотвод крутящий момент при
нажиме нс должен превышать
70 Н-см.
194
2Т818А—2T8I8B, КТ818АМ—КТ818ГМ,
КТ818А—КТ818Г
Транзисторы кремниевые меза-эпнтаксиально-планарные р-п-р
универсальные. Предназначенные для работы в линейных и ключевых
устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами (2Т818А — 2Т818В, КТ818АМ — К.Т818ГМ) или пластмас-
совый с жесткими выводами (КТ818А — КТ818Г). Масса транзисто-
ра не более 20 г для 2Т818А—2Т818В. КТ818АМ—КТ818ГМ и не
более 2.5 г для КТ818А — К.Т818Г.
КТ818А—КТ818Г
7*
195
2Т818А—2Т818В, КТ818AM—КТ818ГМ
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минималь- ное типовое максима- льное । а —ч й
Граничное напряжение (Тж<300 мкс. Q 2=100). В: 2Т818А. КТ818Г. КТ818ГМ 2Т818Е, КТ818В, KT8I8BM 2Т818В, КТ818Б, КТ818БМ КТ818А, КТ818АМ Напряжение насыщения коллектор — эмиттер. В: 2Т818А — 2T8I8B КТ818А - КТ818Г, KT8I8AM - КТ818ГМ 2T8I8A — 2Т818В KT8I8A — КТ818Г. КТ818АМ — КТ818ГМ Напряжение насыщения ба- за — эмиттер. В: 2Т818Л — 2Т818В КТ818А — КТ818Г. KT8I8AM — КТ818ГМ 2Т818А — 2Т818В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 2Т818Л—2Т818В Г-25 и 125 °C Т=-60 ’С Г = 25 °C Т = 25 и 100 'С КТ818А. КТ818В. КТ818АМ. КТ818ВМ КТ818Б. КТ818БМ КТ818Г. КТ818ГМ Г = —40 °C КТ818А. КТ818В. КТ818АМ. KT8I8BM КТ818Б. КТ818БМ КТ818Г. КТ818ГМ Граничная частота коэффи циента передачи тока в схе ме ОЭ*. МГц GK3O гр ^КЭ нас ^БЭ нас h213 f гр 80 60 40 25 0,7* 0.7* 1.6* 20 9 4» 15 20 12 10 15 7 3 100’ 80’ 60’ 1.5’ 1.5’ 2,3’ 7’ 4,5 150* 1 00» 80* 1 2 •1* 5* 1.5 3 5* 15* 7 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 (0.1) 5 5 20 20 5 20 5 20 5 5 5 5 5 (0,5) 0,5 0, 5 5 5 0,5 0,5 5
196
Окончание
Буквенное обозначе- ние Значение Режим изме- рения
Параметр минималь- ное типовое макси- мальное 1 CQ LQ £ v •(£/) X/ /g. А
Время выключения*, мкс Емкость коллекторного пе- рехода* (/=! МГн), пФ Обратный ток коллектора (KT8I8A - КТ818Г. KT8I8AM- КТ818ГМ), мА 7’= -40 4- 4-25 °C Т== 100 °C Пробивное напряжение кол- лектор — эмиттер <100 Ом). В: 2T8I8A 2Т818Б 2Т818В Пробивное напряжение кол- лектор — база, В: Г = —60 4-+25 °C 2T8I8A 2Т818Б 2T8I8B Г=125 =С 2Т818А 2Т818Б 2Т818В Пробивное напряжение эмиттер — база, В *выкл Ск ;КБО ^K3R проб иК ВО проб ^ЭБО проб 400 100 80 60 100 80 60 100 80 60 5 G00 14 0* 105* 80* 130* 1 00» 80* 8* 2,5 ЮиО 1 10 180* 120* 1 10* 200* 120* 100* 30* 5 40 40 5 0,001 0,001 0,005 0.005 0,5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (Яба<100 0м):
Г = —60 4-+ 80 °C 2Т818А . . . .
2Т818Б . . . .
2Т818В . . . .
7 = — 404- +25°С КТ818А, КТ818ЛМ .
КТ818Б, КТ818БМ .
КТ818В, КТ818ВМ .
КТ818Г, КТ818ГМ .
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т818А.................................
2Т818Б ...............................
2Т818В ...............................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора:
2Т818Л — 2Т818В, КТ818АМ — КТ818ГМ
КТ818Л — КТ818Г.......................
Импульсный ток коллектора (ти<10 мс,
Q>100):
2Т818А — 2Т818В, КТ818АМ - КТ818ГМ
КТ818А — КТ818Г.......................
100 В
80 В
60 В
40 В
50 В
70 В
90 В
100 В
80 В
60 В
5 В
15 А
10 А
20 Л
15 Л
197
Постоянный ток базы.................
Импульсный ток базы.................
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора (Тк= Гк min-r-25 °C) >:
с теплоотводом 2Т818А— КТ818В,
КТ818АМ—КТ818ГМ...................
КТ818А—КТ818Г..................
без теплоотвода 2Т818А — 2Т818В
КТ818АМ —КТ818ГМ...............
КТ818А—КТ818Г.....................
Температура перехода:
2Т818А — 2Т818В....................
КТ818АМ —КТ818ГМ, КТ818Л—КТ818Г
Температура окружающей среды:
2Т818А — 2Т818В....................
КТ818АМ - КТ818ГМ, КТ818А—КТ818Г
3 А
5 А
100 Вт
60 Вт
3 Вт
2 Вт
1,5 Вт
150 °C
125 °C
от —60 до
Гц =125 °C
от —40 °C до
Л, = 100 °C
1 При температуре корпуса (окружающей среды) выше 25 °C
для 2Т818А — 2Т818В Рк max [Вт] = (Та max — Тк)/!,25 (с теплоот-
водом), Рк max [Вт] = (Тп max — Т)/41,6 (без теплоотвода); для
КТ818Л — КТ818Г Рк. max уменьшается на 0,6 с теплоотводом и па
0,015 Вт/°С без теплоотвода; для КТ818АМ — КТ818ГМ на 1 с теп-
лоотводом и на 0,02 Вт/°С без теплоотвода.
198
199
Пайка выводов допускается ла расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса транзистора.
КТ820А-1 — КТ820В-1
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные р-п-р
универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой
частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразо-
вателях и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Оформление бескорцусное, с гибкими выводами, без кристаллодер-
жателя, с защитным покрытием. Каждый транзистор упаковывается
в индивидуальную тару. Масса транзистора не более 0,02 г.
200
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное максимальное «X £ а 9 'еаЛ V •»/ V *а/
Граничное напряжение (Тн <300 .мкс. <?>100), В: KT820A-I КТ820Б-1 KT820B-I Напряжение насыщения УКЭО гр б'кэ нас 4 0 60 80 0,5 0,05 0.5 0,05
коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения ба- 1.2 0,5 0, 05
за — эмиттер. В Статический коэффициент передачи тока и схеме ОЭ: KT820A-I. К.Т820Б-1 KT820B-I Граничная частота коэффи- циента передачи тока, МГц Емкость коллекторного пере- хода </ = 465 кГц), пФ Емкость эмнттериого пере- хода (/ = 465 кГц). пФ Обратный ток коллектора Л21Э frp ск сэ ;КБО •10 30 3 65 65 30 2 (5) 5 40 0,5 0, 15 0,03
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (^«.,<100 Ом):
КТ820А-1.............................
КТ820Б-1 . ................
КТ820В-1.............................
Постоянное напряжение база — эмиттер
Постоянный ток коллектора..............
Импульсный ток коллектора (т„<10 мс,
(?> 100)...............................
Постоянный ток базы....................
50 В
70 В
100 В
5 В
0,5 Л
1,5 А
0,3 А
201
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора в составе гибридной схемы 1 (Т =
= -40 4-+25 °C)............................... 10 Вт
Температура перехода......................... 125 °C
Температура окружающей среды . . . —40 -4- +85 °C
1 В составе гибридной схемы при Т = 25-4-85°С Рк max |Вт1 =
= (125 — Т)/10.
202
КТ822А-1 —КТ822В-1
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные р-п-р
универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой
частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразо-
вателях и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Оформление бескорпусное, с гибкими выводами, без кристаллодер-
жателя, с защитным покрытием. Каждый транзистор упаковывается
в индивидуальную тару. Масса транзистора не более 0,03 г.
203
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное о О а О С ь максималь- ное из * Л С5 'к ('э)- А V -(e^n) 3/
Граничное напряжение (ти 300 мкс, Q >100), В: KT822A-I КТ822Б-1 KT822B-I Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения ба- за — эмиттер. В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 7=25 °C 7 = 85 °C 7=-40 РС Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ. МГц Емкость коллекторного пере- хода (/ = 465 кГц). пФ Емкость эмиттерного пере- хода (/ = 465 кГц), пФ Обратный ток коллектора, мкА: 7 = 25 °C Г = 85 °C Входное сопротивление транзистора в режиме мало- го сигнала* (/=0.8 кГц). кОм Линейность статического коэффициента передачи то- ка’: ,121Э при ^Э=°.001 А к. — — *2 13 при /э= 1 А УКЭО гр УКЭ нас U БЭ нас *813 fpp Ск Сэ Л 11Э Ki 45 60 80 0.1* 0.8* 25 2 5 15 80* 1 10* 0. 15 I .5 0,2* 0,9* 40* 4 1 * 35* 90* 125* 0,36 2,75 0,6 1 .5 1 15 150 50 100 1 4 2 5 (5) (40) (40) 5 (0.1) 1 1 1 1 1 0,05 0. 03 0. 1 о, I (0,5)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 1 кОм):
КТ-822А-1................................... 45 В
КТ822В-1.................................... 60 В
КТ822Б-1...................... 100 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер = °):
КТ-822Л1.................................... 45 В
КТ822Б-1.................................... 60 В
КТ822В-1........................... . 80 В
Постоянное напряжение база — эмиттер . 5 В
Постоянный ток коллектора 1 2 А
Допускается /ктн=3 Л при условии не превышения мощности.
204
Импульсный ток коллектора (ти^20 мс,
(?>100)................................
Постоянный ток базы....................
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора 1 в составе гибридной схемы (7' =
= —40 4- +25 °C).......................
Температура перехода ..................
Температура окружающей среды
4 Л
0,5 Л
20 Вт
125 °C
—40 4- +85 "С
1 При 7-к>25’С Рктпх [Вт] = (!25-Т„)/5.
2Т825А—2Т825В, КТ825Г—КТ825Е
Транзисторы кремниевые мезапланарные р-п-р составные универ-
сальные. Предназначены для применения в линейных и ключевых
устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами. Масса тран-
зистора не более 20 г.
205
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное 0 в 0 максимальное 5 'к СэУ А Vй -Я/
Граничное напряжение (Ти <300 мкс, Q>100), В: 2Т825А 2Т825Б 2Т825В. КТ825Д КТ826Г КТ825Е Напряжение насыщения коллектор — эмиттер. В Напряжение насыщения ба- за — эмиттер. В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 7=25 °C 2Т825Л 2Т825Б, 2Т825В КТ825Г - КТ825Е Т =125 °C 2Т825А 2Т825Б. 2Т825В Г = —60 сс 2Т825А 2Т825Б. 2Т825В 7 = 25 °C 2Т825А—2Т825В Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала* (/=5 кГц): 2Т825А - 2Т825В Время включения, мкс Время выключения, мкс Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой ча- стоте (/=1 МГц) Емкость коллекторного пере- хода (/=100 кГц). пФ Емкость эмиттерного пере- хода (/=100 кГц), пФ Пробивное напряжение кол- лектор — эмиттер. В: 7 = 25 °C 2Т825А 2Т825Б 2Т825В. КТ825Д КТ825Г КТ825Е 7=125 °C 2Т825А 2Т825Б 2Т825В 7- -60 СС 2Т825А 2Т825Б 2Т825В Пробивное напряжение эмиттер — база, В ^КЭО гр 6'КЭ нас 6БЭ нас Л21Э Л21Э ’вил 'выкл 1Л21э | Ск с3 ^КЭХ проб ^ЭБО проб «0 60 45 70 25 500 750 750 400 600 100 150 100- 130 4 100 80 60 90 30 80 60 50 100 80 60 5 1 500* 0,4* 3’ 350* 4 00* 2 3* 3 4* 18000 18000 25000 25000 18000 18000 60000 1 4.5 600 600 10 10 3 3 10 (3) (1,5) (1,5) (1,5) (0.1) 10 20 10 20 (Ю) (20) (10) 10 10 (Ю) 0,001 0,005 0,005 (0,002) 40 200 40 200 40 40
206
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (Яв,С1 кОм или (7бэ =1,5 В, Тк =
= 7" m । п -г + 55 °C):
2Т825А.............................. ЮО В
2Т825Б.............................. 80 В
2Т825В, КТ825Д............................ 60 в
КТ825Г.................................... 90 В
КТ825Е.................................... 30 В
Постоянное напряжение Саза — эмиттер . 5 В
Постоянный ток коллектора .... 20 А
Импульсный ток коллектора:
2Т825А — 2Т825В............................ -10 А
КТ825Г—КТ825Е............................. 30 А
Постоянный ток базы................... 0,5 Л
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора :
с теплоотводом 2Т825А — 2Т825В (Тк =
==—60-г-4-25’С)..................... 160 Вт
КТ825Г-КТ825Е (Гк=—40 Ч-+25 °C) 125 Вт
без теплоотвода (Г = 25 °C) .... 3 Вт
Температура корпуса:
2Т825А — 2Т825В...................... 125 °C
КТ825Г — КТ825Е..................... 100 °C
Температура перехода:
2Т825А — 2Т825В................... . 175 °C
КТ825Г — КТ825Е..................... 150 °C
Температура окружающей среды:
2Т825А — 2Т825В................ .от —60 °C до
Г„=125 °C
КТ825Г — КТ825Е .... . . от-40'С до
7\= 100 °C
207
208
2Т830А—2Т830Г
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные р-п-р
универсальные. Предназначены для применения в усилителях мощно-
сти, вторичных источниках питания, преобразователях.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими
выводами. Масса транзистора не более 2 г.
209
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное 0) о к о D О о X п X X л S 0 ‘(ЯСЛ) S О Ц2 < * /б. а
Граничное напряже- ние (ти <300 мкс, > 100), В: 2Т830А 2Т830Б 2Т830В 2Т830Г Напряжение насы- щения коллектор — эмиттер, В Напряжение насыще- ния база—эмиттер. В Статический коэффи- циент передачи тока в схеме ОЭ: Г=20—125 °C 2Т830А — 2Т830В 2Т830Г Г = -60 °C 2Т830А - 2Т830В 2Т830Г Граничная частота коэффициента пере- дачи тока в схеме ОЭ. МГц Время рассасывания, мкс Время включения, мкс Время выключения, мкс Емкость коллектор- ного перехода (/= = 1 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (/ = 1 МГц), нФ Обратный ток кол- лектора*. мкА Обратный ток эмит- тера*. мкА Пробивное напряже- ние коллектор — ба- за. В: 7'= -00 + +25 °C 2Т830А 2Т830Б 2Т830В 2Т830Г Г =125 °C 2Т830А 2Т830Б 2Т830В 2Т830Г Пробивное напряже- ние эмиттер —база, В: 2Т830А 2Т83ОБ 2Т830В 2Т830Г УКЭО п> УКЭ нас ^БЭ нас Л21Э frp *рас *вкл ^выкл ск Сэ 'КБО /ЭБО ^КБОпроб ^ЭБОпроб 25 45 60 80 0,25’ 0,9* 25 20 20 18 4 0,3* I 63* 88* 0, 1 20 35 60 80 1 00 35 60 80 100 12 5 5 5 0,35* 0,92* 30* 23* 9* 0,5* 1 ,5* 67* 95* 10 500 0,6 1 ,з 55* 50* 13* 1 0,8 2 150 200 100 1 000 1 5 5 (0,5) 80 (5) 0,1 о, 1 0, 1 0,1 3 3 3 3 (0,1) 1 I (!) (0.05) 1 1 1 (0.001) 0,1 0,1 0,1 0, 1 0,1
210
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
2Т830А .............................
2Т830Б............................
2Т830В............................
2Т83ОГ ...........................
Постоянное напряжение коллектор — эмит
тер С1 кОм):
2Т830А .............................
2Т830Б ...........................
2Т830В ...........................
2Т830Г ...........................
Постоянное напряжение эмиттер — база:
2Т830А .............................
2Т830Б — 2Т830Г...................
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора
Постоянный ток базы.................
Постоянная рассеиваемая мощность кол
лектора (Тк = —60 4-+25 °C):
с теплоотводом .....................
без теплоотвода ..................
Температура перехода ...............
Температура окружающей среды
35 В
60 В
80 В
100 В
30 В
50 В
70 В
90 В
12 В
5 А
2 А
4 Л
1 А
5 Вт
1 Вт
150 °C
от —60 °C
до Тк= 125 °C
211
Без теплоотвода.
2Т836А—2Т836В
Транзисторы кремниевые планарные р-п-р переключательные.
Предназначены для работы в ключевых усилителях мощности, вто-
ричных источниках питания.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими
выводами. Масса транзистора не более 2 г.
212
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние а с 3 а 3 3 3 типовое максимальное Та X Ъ СП * Ь СО я 'е9Л 'к('э). А V '9/ 1
Граничное напряже- ние. В: 2Т83СА 2Т836Б 2Т836В Напряжение насы- щения коллектор —• эмиттер. В: 2Т836А 2Т836Б 2Т836В Напряжение насы- щения база—эмит- тер. 3: 2Т836А 2Т836Б 2Т836В Статический коэффи- циент передачи тока в схеме ОЭ: Гк=25 -г 125 СС Гн=—60 сС Граничная частота коэффициента пере- дачи тока в схеме ОЭ. МГц Время рассасывания, мкс Время включения, мкс Время выключения, мкс Время спада иКЭО гр f/K Э нас ^ЭБ нас Л21Э fpp 'рас 'вкл 'выкл 'сп 80 80 40 0,25* 0,25* 0.25* 0,95* 0, 9* 0,95* 2 0 10 4 0,2* 0, 25» 0,31 ♦ 0.1» 1 00* 90* 60* 0.45» 0,29* 0,3’ 1* 1* 1* 30е 0.6* 0.4* 0,9* 0.4* 125* 110* 80* 0,6 0,35 0,45 1.3 1 .2 1 .3 40* I 0,6 I ,6 0.6 <5) (S) 85 85 85 85 (0,1) 2 2 2 2 2 2 (2) (0,05) 2 2 2 2 0,2 0.08 0.2 0.2 0.08 0.2 0,08 0.08 0,08 0,08
213
Окончание
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное о о п о с X F максимальное ^КЭ <аКБ>’ В а V '(е/> V ‘9/
Емкость коллектор- ного перехода (/= = 1 МГц), пФ Ск 340* 350* 370 (5)
Емкость эмяттерного перехода (/=1 МГц), пФ сэ 150* 220* 250 0,5
Обратный ток кол- лектора, мА: 7'к = —60 + +25 °C Гн = 125 °C 1КБО 0, 1 3 иК БОтах
Обратный ток эмит- тера, мА 'ЭБО 1 5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т836А.................................
2Т836Б...............................
2Т836В ..............................
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (Явэ< ЮО Ом):
2Т836А ...........................
2Т836Б ..............................
2Т836В ..............................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора (ти^100 мс,
0^2) ..............................
Постоянный ток базы....................
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора (7'к = —60 +-+25 °C):
с теплоотводом ......................
без теплоотвода ...................
Температура перехода ......
Температура окружающей среды
90 В
85 В
60 В
90 В
85 В
60 В
5 В
3 А
4 А
1 А
5 Вт
0,7 Вт
150 °C
от —60 °C до
ТК=125°С
214
UКЗ нас В
2,Ь
г
ц
1,2
0.6
Q<t
о
-60 -20 20 60 Т*С
2Т8366
1
1 1 1 1^2А
1 1 1в ‘0,088
V
—
215
216
КТ837А—КТ837Ж, КТ837И-КТ837Н,
КТ837П — КТ837Ф
выходных
усилителей
преоб-
Транзисторы кремниевые
КТ837Р — КТ837Ф) и
КТ737П) р-п-р усили-
тельные. Предназначены
для применения в пере-
ключателях,
каскадах
низкой частоты,
разователях постоянного
напряжения.
Корпус пластмассо-
вый с жесткими вывода-
ми. Масса транзистора
не более 2,5 г.
планарные (КТ837А — КТ837Е,
эпитаксиально-планарные (КТ837Ж —
217
Электрические параметры
Параметр Значе- ние Режим измерения
из * X CQ Увэ- в 1а
Буквенное обозначе- ние миинма- I льное максима- льное^
Напряжение насыщения нас
коллектор — эмиттер, В- КТ837А — КТ837В, КТ837Л - КТ837Н КТ837Ж. КТ837И. КТ837К, КТ837Т, КТ837У. КТ837Ф КТ837Г - КТ837Е, КТ837П — КТ837С Напряжение насыщения ба- б 53 нас
за — эмиттер, В Статический коэффициент Л21Э
передачи тока в схеме ОЭ: КТ837А, КТ837Г. КТ837Ж, КТ837Л, КТ837П. КТ837Т КТ837Б. КТ837Д, КТ837И, КТ837М. КТ837Р. КТ837У КТ837В, КТ837Е, КТ837К, КТ837Н. КТ837С. КТ837Ф Обратный ток коллектора. 'КБО
мА Обратный ток коллектор — ' КЭЯ
эмиттер (/?бэС 50 Ом), мА Обратный ток эмиттера. мА /ЭБО
2.5 3 (0,37)
0.5 2 (0,3)
0.9 3 (0,37)
1 .5 2 (0,5)
5 •2
10 40
2 0 80
50 150
и,15 (б к Б max)
10 б'К ЭЯ max
0.3 ^БЭ max
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ837А—КТ8.37В, КТ837Л — КТ837Н .
КТ837Г — КТ837Е, КТ837П - КТ837С .
КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Т —
КТ837Ф ..........................
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер:
Я.-,эС50 Ом КТ837А - КТ837В
КТ837Л — КТ837Н..................
КТ837Г — КТ837Е. КТ837П — КТ837С .
КТ837Ж, КТ837И, КТ837К. КТ837Т —
КТ837Ф ........
/?«.,=оо КТ837А - КТ837В, КТ837Л —
КТ837Н ..........................
КТ837Г — КТ837Е. КТ837П — КТ837С .
КТ837Ж. КТ837И, КТ837К, KT837I -
КТ837Ф .......................
Постоянное напряжение база — эмиттер:
КТ837А - КТ837Ж, КТ837И, КТ837К .
КТ837Л — КТ837Н, КТ837П — КТ837Ф .
Постоянный ток коллектора..........
Постоянный ток базы................
80 В
60 В
45 В
70 В
55 В
40 В
60 В
45 В
30 В
15 В
5 В
7,5 А
1 А
218
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора:
с теплоотводом* (ТК<25°С) . . . .
без теплоотвода (7'^25°С) . . . .
Температура перехода ..................
Тепловое сопротивление переход—корпус
Температура окружающей среды
30 Вт
1 Вт
125 °C
3,33 °С/Вт
от —60 °C до
Тк=100°С
При Тк>25°С Рк шах [Вт] = (125—Тк)/3.33.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса. Допускается одноразовый изгиб выводов на угол не более 90°
от первоначального положения в плоскости, перпендикулярной плос-
кости корпуса, и па расстоянии не менее 1,5 мм. При этом должны
приниматься меры, исключающие передачу усилия на корпус. Изгиб
в плоскости выводов не допускается.
Шероховатость поверхности радиатора в месте крепления транзи-
стора не более 2,5, неплоскостность должна быть не более 0,02. Не-
допустима плохо притертая поверхность, царапины, пыль, грязь.
2Т842А, 2Т842Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р переклю-
чательные. Предназначены для работы в мощных преобразователях,
линейных стабилизаторах напряжения.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 18 г.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса транзистора.
219
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное максимальное а ‘зМл сэ О) из < In Й
Граничное напряжение, В: 2Т842А 2Т842Б Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения ба- за — эмиттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Тк=25 + 125 °C Тк = -60 °C Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ, МГц Емкость коллекторного пе- рехода* (f=0,3 МГц), пФ Обратный ток коллектора, мЛ: Т = — G0-г +25 °C 2Т842Л 2Т842Б 7= 125 °C 2Т842А 2Т842Б Обратный ток эмиттера, мА ^КЭО гр иКЭ нас УБЭ нас Л21Э Ск ^КБО 1 ЭБО 250 150 15 10 20 180 1 ,8 1,8 300 1 1 3 3 5 15 15 5 10 300 2 00 300 200 5 (0,03) 5 5 5 (I) 1 1
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база1:
2Т842А ...............................
2Т842Б ... ......................
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер1 10 Ом):
2Т842А..............................
2Т842Б .............................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора.............
Импульсный ток коллектора . . . .
Постоянный ток базы...................
Импульсный ток базы...................
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора 2:
300 В
200 В
300 В
200 В
5 В
5 А
8 А
1 А
2 А
1 Скорость нарастания напряжения ^250 В/мкс.
2 При 7'к>50°С для транзисторов с теплоотводом Рк max [Вт] =
= (Г., — Z„)/2,5 при Г>25°С без теплоотвода Рк max [Вт] = (Гп —
—7)/50; Р,, „ ,„„ = РК max 'К, где А -коэффициент, определяемый
из гпафиков.
220
с теплоотводом (7’к = —60 4--)-50сС)
без теплоотвода (7= — 604-4-25 °C)
Температура корпуса ................
Температура перехода ...............
Температура окружающей среды
50 Вт
3 Вт
125 °C
175 °C
от —60 °C до
Л. = 125 °C
КЗ нас, В
Ч
J
г
1
о
0.1 0,2 0,5 1 2 О 1Н,Я
^НЭнас> В
10
в
6
4
2
О
0,1 0,2 0/f 0,60,81 1б,/1
6из
-so -w -го о го чо во во юо 120 тк,°с
221
222
Раздел четвертый
ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ
п-р-п
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ,
КТ602А, КТ602Б. КТ602АМ, КТ602БМ
Транзисторы кремниевые планарные п-р-п универсальные, пред-
назначены для применения в усилителях и генераторах высокой ча-
стоты.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими
выводами (2Т602А, 2Т602Б, КТ602А, КТ602Б) или пластмассовый с
жесткими выводами (2Т602А.Ч, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ).
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 5 г, в пласт-
массовом не более 1 г.
Для транзисторов в металлическом корпусе разрешается изгиб
выводов на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с ра-
диусом закругления не менее 1,5 мм; в пластмассовом корпусе до-
пускается одноразовый изгиб выводов на угол не более 90° и на рас-
стоянии не менее 5 мм от корпуса с радиусом изгиба не менее 1,5 мм.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от кор-
пуса транзистора при температуре 260 °C в течение 10 с.
22 3
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное = as = максимальное •= Ре> сп •z са кнм и СР СП из X & V" ‘(е/) я НЯ •л
Граничное напряжение (Ти = =-5 мкс. f = 2 кГц). В Напряжение насыщения коллек- тор — эмиттер, В Напряжение насыщения база — эмиттер. В Статический коэффициент пере- дачи тока в схеме ОЭ: Г=25 °C 2Т602Л, 2Т602ЛМ. КТ602Л. КТ6О2ЛМ 2Т602Б, 2Т602БМ КТ6О2Б, КТ602БМ 7-—85 °C КТ602Л. КТ602АМ KTG02B. КТ602БМ у— (25 2Т602Л, 2Т602АМ 2Т602Б. 2Т602БМ Т — -40 еС КТ602А, КТ602АМ КТ602Б. КТ602БМ Т — GO °C 2Т602А, 2Т602ЛМ 2Т602Б, 2Т602БМ Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (f — = 100 МГц) Постоянная времени цепи обрат- ной связи на высокой частоте (f — 2 МГц), пс Емкость коллекторного перехода (/ — 2 МГц). пФ Емкость эмнттерного перехода (/ — 2 МГц). пФ Обратный ток коллектора. мкА: Г=Г.п(п 4-25 °C 2Т602А. 2Т602Б, 2Т602ЛМ. 2Т602БМ КТ602А. КТ602Б, KTG02AM, КТ602БМ 7 = 85 °C КТ602А. КТ602Б. KTG02AM. КТ602БМ Т — 125 °C 2Т602А. 2Т602Б. 2Т602АМ. 2Т602БМ Обратный ток коллектор — эмиттер (Ябэ = 10 Ом), мкА: Т = Гп11п - 25 °C 2Т602 Л. 2Т602Б. 2TG02 А М. 2Т602БМ КТ6П2А, КТС02Б, КТ602АМ, КТ602БМ Т г.85 ч: КТ602А. КТ602Б. KTG02AM. КТ602БМ Т— 125 "С 2Т602А. 2Т602Б. 2Т602АМ. 2Т602БМ Обратный ток эмиттера. мкА ^КЭО гр ^КЭ нас ^БЭ нас Л21э 1А21э| Тк Ск Сэ ZKBO 'кэт? /ЭВО 70 20 50 50 16 40 20 50 5 12 5 12 1.5 3 3 80 200 220 240 24 0 5 00 80 80 200 300 4 25 10 70 1000 1 00 1 0 100 1000 1 00 50 (Ю) 10 (10) (50) (120) (120) (100) (ЮО) 100 1 00 80 60 0 (50) 50 50 (Ю) 10 5
224
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база1:
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ
Тв = —60 4- 4-100 °C................. 120 В
Л, = 150 °C.......................... 60 В
КТ602А, КТ602Б, КТ602ЛМ, КТ602БМ
Г„ = — 40 4- 4-70 °C................. 120 В
7,,= 120 °C.......................... 60 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 1 1 кОм):
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602ЛМ, 2Т602БМ
Т„ = —60 ч-4-100 °C....................... 100 В
7„=150°С................................... 50 В
КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ, КТ602БМ
7„ = -40ч-4-70'С.......................... 100 В
7„=120°С................................... 50 В
Импульсное напряжение коллектор — база*
(Ти < 1 мкс, 10):
2Т602А, 2Т602Б, 2Т502АМ, 2Т602БМ
Т„ = —60 ч-4-100 °C.................. 160 В
7„=150°С............................. 80 В
КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ, КТ602БМ
7В = —40 4- 4-70°C .................. 160 В
Постоянное .напряжение эмиттер — база 5 В
Постоянный ток коллектора.................. 75 мА
Постоянный ток эмиттера.................... 80 мА
Импульсный ток коллектора (тв^1 мкс,
Q^7).................................. 500 мА
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора:
с теплоотводом2 2Т602Л, 2Т602Б,
2Т602АМ, 2Т602БМ
Тк = —60 4- 4-25 °C.................. 2,8 Вт
Гк=125°С............................. 0,55 Вт
КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ, КТ602БМ
Тк = -40 4- 4-25 °C.................. 2,8 Вт
7К = 85°С............................ 0,65 Вт
без теплоотвода5 2Т602А, 2Т602Б,
2Т602АМ, 2Т6О2БМ
т = —60 4- 4-25 °C .................. 0,85 Вт
7= 125 °C............................ 0,16 Вт
КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ, КТ602БМ
Т= —40 4- 4-25 °C................ 0,85 Вт
7 = 85 °C............................ 0,2 Вт
8 Зак. 225 225
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход — среда
Температура перехода:
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ
КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ. КТ602БМ
Температура окружающей среды:
2Т602Л, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ
КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ, КТ602БМ
45 °С/Вт
150’С/Вт
150 °C
120 °C
—60 Ч- +125 °C
-40 Ч- +85 °C
। При Т„ выше 70 °C для КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ, КТ602БМ
и 100 °C для 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ напряжения ли-
нейно уменьшаются
= При Т„>25°С Рк max (Вт] = (7„—Т«)/45 (с теплоотводом).
3 При 7" >25 °C Рк max [Вт] = (7'„-Т)/150 (без теплоотвода).
2Т602А, 2 Т6026, 2Т602ЛМ, z Т6026М, КТ602fl КТ6026, КТ602АМ, КТ6026М
/♦
12
10
в
6
Ч
2
О 20 4/7 60 ик6,в
226
Шероховатость поверхности радиатора в месте крепления транзи-
стора в пластмассовом корпусе нс менее 1,5, неплоскостность должна
быть не более 0,02. При креплении транзистора в пластмассовом кор-
пусе к радиатору необходимо применять в качестве прокладки меж-
ду крепящим винтом и корпусом транзистора шайбу 3 (ГОСТ
9649—66). Крутящий момент при прижиме должен быть 60—70 Н-см
(6—7 кгс-см).
КТ611А—КТ611Г
Транзисторы кремниевые планарные п-р-п усилительные. Предна-
значены для усиления и генерирования напряжения в диапазоне вы-
соких частот.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими вы-
водами. Масса транзистора не более 5 г.
8»
227
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
с с максимальное (П * и а ,езл ун •(£/) Я/ /б- мА
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/== = 20 МГц) Постоянная времени цепи об- ратной связи на высокой часто- те (/ = 2 МГц), пс Статический коэффициент пере- дачи тока в схеме ОЭ: 7 = 25 °C KT61IA. KT6IIB КТ611Б. КТ611Г 7=100 °C KT6IIA. KT6I1B КТ611Б, КТ611Г 7 = -25 °C КТ611А, КТ611В КТ611Б, КТ611Г Напряжение насыщения коллек- тор — эмиттер, В Емкость коллекторного перехо- да (Z = 2 МГц), пФ Обратный ток коллектор— эмит- тер (Яб:»=0), мкА: KT61IA. КТ611Б KT6IIB. КТ611Г Обратный ток эмиттера, мкА: КТ611А — КТ611Г 1Л21э| тк Й21 Э ^КЭ пас Ск 7КЭК 'ЭБО 3 10 30 10 30 5 15 200 40 120 80 24 0 40 120 8 * 5 100 100 100 40 (20) 40 (40) 180 150 3 (20) (20) 20 20 2
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 1 (Яоэ = 1 кбм).
Г„ = — 2Ь-т- +100°С КТ611А, КТ611Б 180 В
КТ611В, КТ611Г 150 В
Т„=150°С КТ611А, КТ611Б 90 В
КТ611В, КТ611Г 75 В
Постоянное напряжение коллектор — база1:
Т„ = -25 -г +100°С КТ611А, КТ611Б 200 В
КТ611В, КТ611Г 180 В
Г,, = 150 °C КТ611А. КТ611Б 100 В
КТ611В, КТ611Г 90 в
Постоянное напряжение база — эмиттер1:
Т„ = — 25 ч- +100°С КТ611А — КТ611Г ЗВ
Гп = 150°С КТ611А-КТ611Г 1,5 В
Постоянный ток коллектора . . 100 мА
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора:
без теплоотвода 2 Г = 25 °C2 0,8 В
7= 100°C 0,33 Вт
с теплоотводом3 ТК = 25°СЛ . 3 Вт
Т„ = 100°С . . . 1,25 Вт
228
Тепловое сопротивление переход — окружа-
ющая среда . .......................
Тепловое сопротивление переход—корпус
Температура перехода ..................
Температура окружающей среды
150 °С/Вт
40’С/Вт
150 °C
—25 4- +100 °C
1 При повышении температуры пере-
хода от 100 до 150 °C напряжение
уменьшается линейно.
2 При температуре окружающей сре-
ды от 25 до 100 °C Рк max [Вт] = (150—
— T)/Rт п с (без теплоотвода).
3 При температуре на корпусе от
25 до 100 °C Рк max [Вт] = (150—Тк)/
Рг п к (с теплоотводом).
2Т625А-2, 2Т625Б-2, 2Т625АМ-2,
2Т625БМ-2, КТ625А, КТ625АМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п импульс-
ные. Предназначены для применения п быстродействующих импульс-
ных устройствах, системах памяти ЭВМ герметизированной аппара-
туры.
229
Оформление бескорпусное на кристаллодержателе с защитным
покрытием и гибкими выводами: 2Т625А-2, 2Т625Б-А, КТ625Л па
керамическом (1.9Х1.Э мм) кристаллодержателе (масса не более
0,015 г); 2Т625АМ-2, 2Т625БМ-2, КТ625АМ на металлическом (ЗХ
XI мм) кристаллодержателе (масса не более 0,04 г).
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
о о X я S 2 типовое максимальное ^КЭ (^КБ), В CQ сп to CQ /Б. А
Граничное напряжение (Ти<30 мкс. Q>50). В: 2Т625А-2. 2Т625АМ-2. КТ625А. КТ625АМ 2Т625Б-2. 2Т62БМ-2 Напряжение насыщения коллектор — эмиттер. В: 2Т625А-2. 2Т625АМ-2 2Т625Б-2. 2Т625БМ-2 КТ625А. КТ625АМ Напряженке насыщения база — эмиттер. В: 2Т625А-2. 2Т625АМ-2 2Т625Б-2. 2Т625БМ-2, КТ625А, КТ625АМ Статический коэффици- ент передачи тока а схе- ме ОЭ: 2Т625А-2. 2Т625АМ-2 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 КТ625А. КТ625АМ Модуль коэффициента передачи тока на высо- кой частоте (/=100 МГц) ГКЭО гр УКЭ нас УБЭ нас h2I Э I Л21 э | 40 30 0,33* 0,2* 0,8* 0,8* 30 20 20 2 -18* 37* 0.49* 0,37* 0,95* 0. 95» 48* 48* 3.5* 60* 54* 0, 65 0. 7 1.2 1 .2 1.5 120 120 200 5,5* 1 10 0,01 0. 5 0.5 0.5 0.05 0,05 0,05
2 Зв
Окончание
Значение
Режим измерения
Параметр
Буквенное
обозначе-
ние
'К (;Э)-
Время рассасывания, нс: 2Т625А-2. 2Т625АМ-2 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 КТ625А, КТ625АМ 'рас 15* 15* 30* 48* 60 60 60 0.5 0,05
Емкость коллекторного перехода (/=10 МГц), пФ Ск 5* 7* 9 (10)
Емкость эмиттерного пе- рехода (/=10 МГц), пФ Св 40» 63* 90 0
Обратный ток коллекто- ра. мкА: Г = -60 + +25 “С 2Т625А-2. 2Т625Б-2, 2Т625АМ-2, 2Т625БМ-2 Г=125“С (а составе микросхемы) 2Т625А-2, 2Т625Б-2. 2Т625АМ-2, 2Т625БМ-2 Т=—45 + +85 °C КТ625А, KTG25AM 'КБО 30 100 30 (60) (45) (60)
Ооратный ток коллек- тор — эмиттер (Явэ= 0) 2Т625А-2, 2Т625Б-2, 2Т625АМ-2, 2Т625БМ-2: ^кэк
Т=-60 + +25 °C Т= 125 °C (в составе микросхемы) Обратный ток эмиттера, мкА: Т= —60 + +25 °C 2Т625А-2, 2Т625Б-2, 2Т625АМ-2, 2Т625БМ-2 Г=125°С (в составе микросхемы) 2Т625А-2. 2Т625Б-2, 2Т625АМ-2, 2Т625БМ-2 Г=25 °C КТ625А, КТ625АМ /ЭБО 60 200 (60) (45)
100 200 100 5 5 4
Предельные эксплуатационные данные 1
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т625А-2, 2Т625Б-2, 2Т625АМ-2,
2Т625БМ-22
7'к = —60 4-+100 °C..................... 60 В
ТК = 125°С............................. 45 В
КТ625Л, КТ625АМ
Т„ = -45 + +85 °C...................... 60 В
231
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (Re., = 5 кОм): К.Т625А, КТ625ЛМ . . 40 В
Постоянное напряжение эмиттер — база:
2Т625А-2, 2Т625Б-2, КТ625АМ 2,
2Т625БМ-2.................................. 5 В
КТ625А, КТ625АМ............................ 4 В
Постоянный ток коллектора .... 1 А
Импульсный ток коллектора (ти^5 мкс,
10)......................................... 1,3 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора:
2Т625А-2, 2Т625Б-2, 2Т625АМ-2,
2Т625М-23
7„ = — 60 ч- +85 °C . . ... 1 В
7'к = 125°С.......................... 0,2 Вт
КТ625А, КТ625АМ
Гк = —45 4-+70 °C.................... 1 Вт
ГК = 85°С............................ 0,7 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус 50°С/Вт
Температура перехода:
2Т625А-2, 2Т625Б-2, 2Т625АМ-2,
2Т625БМ-2................................. 135 °C
КТ625А, КТ625АМ........................... 120 "С
Температура окружающей среды:
2Т625А-2, 2Т625Б-2, 2Т625АМ-2,
2Т625БМ-2............................—60-г+125 °C
КТ625А, КТ625АМ.......................—45 4- +85 °C
1 В составе микросхемы.
2 Напряжение снижается линейно.
3 При температуре корпуса от 85 до 125 °C Рк max [Вт]
(Т’п—Тк) /Rr и, к.
232
233
Защитное покрытие транзисторов — эмаль КО-97 (ТУ-6-10-542-75)
и компаунд (ГТ-7 ЫУО.037.002 ТУ).
Монтаж транзисторов осуществляется следующим образом: ме-
сто монтажа смачивается спирто-канифольным флюсом (10—30%
канифоли ГОСТ 19113—73, спирта 70—90% ГОСТ 18300—72), затем
укладывается фольга припоя ПОС-61 ГОСТ 1499—70 толщиной
30 мкм, размером 3X3 мм. Температура пайки 200 °C, время пайки
10 с. В момент пайки транзистор притирается к месту монтажа пин-
цетом. Пайка (сварка) выводов допускается не ближе 2 мм от места
выхода вывода из защитного покрытия.
Статическое электричество не более 1 кВ.
КТ646А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный п-р-п усилитель-
ный. Предназначен для работы в усилителях высокой частоты, им-
пульсных и переключательных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора
не более 1 г.
234
Электрические параметры
Значение
Режим измерении
Параметр
Буквенное
обозначе-
ние
'К (7Э)
Напряжение насыщения коллек- тор — эмиттер, В ^КЭ нас 1 0,5 0,05
Напряжение насыщения база — эмиттер, В ^БЭ нас 1.2 0,5 0,05
Статический коэффициент не- Л21 Э 40 200 (5) (0,2)
редачи тока в схеме ОЭ
Модуль коэффициента передачи тока „а высокой частоте (/= |Л21э 1 2 (Ю) (0,03)
= 100 МГц) Постоянная времени цепи об- т 1 20 (5) (0,05)
ратной связи на высокой часто-
те (f = 5 МГц), лс Емкость коллекторного перехо- ск 10 (10)
да (/«10 МГ ц). пФ
Емкость эмиттерного перехода сэ 80 0
(/=10 МГц). пФ
Обратный ток коллектора, мкА ;КБО 10 60
Обратный ток эмиттера, мкА ;ЭБО 10 4
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение эмиттер — база 60 В
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер:
Явэ = 0 .......... 60 В
/?«э=1 кОм.......................... 50 В
Постоянное напряжение база — эмиттер 4 В
Импульсное напряжение база — эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора........ 0,5 А
Импульсный ток коллектора .... 0,7 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора ......................... 1 Вт
235
Импульсная рассеиваемая мощность кол-
лектора .................................... 1,2 Вт
Температура окружающей среды . . . --45 4- 4-85 °C
2Т653А, 2Т653Б
Транзисторы кремниевые планарные п-р-п переключательные.
Предназначены для работы в ключевых и линейных преобразовате-
лях и вторичных источниках питания.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими
выводами. Масса транзистора не более 2 г.
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние ф о X ч СО X X X X 2 типовое максимальное СП X со со Л ю 2 X *“ч а th
Граничное напряже- ние (тя € 300 мкс, <? >100). В: 2Т653А 2Т653Б УКЭО гр 120 100 150* 130* 170* 140* (30)
Напряжение насыще- ния коллектор—эмит- тер, В ^КЭ нас 0.3* 0,35* 0.5 150 15
Напряжение насыще- ния база—эмиттер, В УБЭ нас 0,8* 0,85* 1.1 150 15
Статический коэффи- циент передачи тока в схеме ОЭ: Т=25 °C 2Т653А 2Т653Б Л21 Э 40 80 100* 150* 150 250 (10) (150)
236
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное ш с О е а н ф о X «5 сэ 2 а а «3 2 £> со со 2 2 /Б, мА
7=125 °C 2Т653А 2Т653Б Т = —60 лс 2Т653А 2Т653Б Граничная частота коэффициента пере- дачи тока в схеме ОЭ*. МГц Время включения, мкс Время выключения, мкс Емкость коллектор- ного перехода (/ = —10 МГц), пФ Емкость эмнттерного перехода* (/== =0.3 МГц), пФ Пробивное напряже- ние коллектор—эмит- тер (Ябэ^З кОм), В Обратный ток кол- лектор — эмиттер (/?бэ С 3 кОм), мкА: 7=-60 4- -| 25 °C 2Т653А 2Т653Б 7=125 °C Обратный ток эмит- тера, мкА /гр ^вкл 'выкл ск <4 ^КЭЯпроб ' КЭЙ УЭБО 40 80 15 15 50 0,018* 0,4* 6,5* 35 130 120 0,05» 0,58» 10* 4 0 160* 0.1* 0,5» 0,08* 300 500 I ь0 250 180 0,1 1 20 80 200* 10 10 30 0, 1 (10) 100 100 (10) УКЭО гр 0,5 5 (25) 200 200 0,1 40 40
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база1 130 В
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер * кОм)..................... 130 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 7 В
Постоянный ток коллектора................... 1 А
Импульсный ток коллектора (t;1sJ10 мс,
<?^2)...................................... 2 А
Постоянный ток базы........................ 0,2 А
237
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора:
с теплоотводом Тк = —60 4- 4-40 °C .
Гк = 85°С..............
без теплоотвода Г = — 60 4- 4-25 °C .
Температура перехода ......
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура окружающей среды
5 Вт
3 Вт
0,8 Вт
150 °C
25 °С/Вт
от —60 °C до
Т„=125 °C
1 Допустимая скорость нарастания
с: 1600 В/мкс.
напряжения
dU/dt^
238
При эксплуатации и монтаже должны быть приняты меры, исклю-
чающие воздействие статического электричества выше 1 кВ.
КТ902А
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности КВ диапазо-
на при напряжении питания 28 В.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса транзи-
стора не более 25 г
239
Электрические параметры
Значение Режим измерения
ф ф о •
Буквенное X л со <
Параметр обозначе• нне с; со 2 <0 X X 2^ сс •(Я/
X X X я ф * ф &
X 2 Ъ сс
Выходная мощность (/=10 МГц), Вт р пых 20 28
Коэффициент усиления по мощ- ности (/=10 МГц. Рвых=10Вт) Кур 7 28 10
Статический коэффициент пере- дачи тока в схеме ОЭ Л21 Э 15 2 2(0,4)
Напряжение насыщения коллек- тор — эмиттер, В ^КЭ нас ^БЭО 2 10
Прямое напряжение база—эмит- тер. В Модуль коэффициента передачи 3.5 2 2 1
10
Ih21э |
тока на высокой частоте (/=
= 10 МГц) Обратный ток коллектора. мА /КБО 10 70
Обратный импульсный ток кол- лектор — эмиттер (/?бэ = 50 Ом), 7 и. КЭЯ 60 1 10 (имп.)
мА Обратный ток эмиттера, мА ЛЭБО 100 5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
(ГП<125°С)'........................ . 65 В
Импульсное напряжение коллектор—эмит-
тер (/?бэ^50 Ом, ти<15 мкс, Т„^\25°С)' 110 В
Постоянное напряжение эмиттер — база
(ТПС125ОС)'................................ 5 В
Импульсное напряжение эмиттер — база
(ти^40 мкс)................................ 8 В
Постоянный ток коллектора .... 5 А
Постоянный ток базы ... . . 2 А
240
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора2 (Тк^50°С)....................
Тепловое сопротивление переход—корпус
Температура перехода .................
Температура корпуса ..................
Температура окружающей среды
30 В
3,3 °С/Вт
150 °C
125 °C
от —60 °C до
Тк=125 "’С
* При Тп>125°С напряжение снижается линейно до 0,5 зна-
чения при Тп=150°С.
2 При Тк>50°С Рк max [Вт] = (150 — Тк)/3,3.
Пайка выводов допускается на плоской части выводов транзисто-
ров и осуществляется в течение не более 10 с. Температура плавле-
ния припоя, применяемого для пайки, не должна превышать 250 °C.
Необходимо осуществлять теплоотвод между корпусом транзисто-
ра и местом пайки. Запрещается кручение выводов вокруг оси. Изги-
бы и боковые натяжения выводов не допускаются.
2Т903А, 2Т903Б,
КТ903А, КТ903Б
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности и автогене-
раторах.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса транзи-
стора не более 24 г.
242
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
(U о X 5 S X X X я типовое а С : а 9 i г ф CQ CQ Q Ф Тд
Выходная мощность (/= = 50 МГц. Гк=50°С), Вт Коэффициент усиления по мощности (/=50 МГц, Рвых=10 Вт) Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 2Т903А, КТ903А 2Т903Б, КТ903Б Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В: 2Т903А, 2Т903Б КТ9ОЗА. КТ903Б Напряжение насыщения ба- за — эмиттер, В Прямое напряжение база — эмиттер. В: 2Т903А, 2Т903Б КТ903А, КТ9ОЗБ Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой часто- те (/=30 МГц) Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/=2 МГц), пс Емкость коллекторного пс- ₽вых *Ур Л21 Э иКЭ нас УБЭ нас и БЭ | Л2 1 Э 1 тк Ск 10 3 15 40 4 50* 70 180 2 2.5 2 2.5 3 500 180 30 30 10 10 10 (30) (30) 2 2 (0.4) 2 (0.4) 2 0.5 0,1
рехода (1 = 2 МГц), пФ Обратный ток коллектор — эмиттер. мЛ: 7 = 25’С (Roa=IOO Ом) 2Т903А. 2Т903Б КТ903А. КТ903Б 7 = 85’С (₽вэ=0 Ом) КТ903А. КТ9ОЗБ 7= 125’С («бэ=О Ом) 2Т903А. 2Т903Б Обратный ток эмиттера, мА: 2Т9ОЗА. 2Т903Б КТ903А. КТ903Б Индуктивность эмиттериого вывода’. иГн 'кэя 'ЭБО 2 10 30 10 30 50 10 70 70 60 60 4
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер (Лбэ^ЮО Ом)|,г...................
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (Лг,э<Ю0 Ом, тн<1 мкс, Q> 100)1
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора:
тя^1 мкс, Q^lOO....................
т„а£10 мкс, 10.....................
60 В
80 В
4 В
3 А
10 А
5 А
243
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора:
2Т903А, 2Т903Б (Тк<50'С)3 . . . .
КТ903А, КТ903Б (ГК^25’С)< . . .
Импульсная рассеиваемая мощность кол-
лектора (ти<10 мкс, Q>10, <30 В):
2Т903А, 2Т903Б (Г,<<50°С) ? . . .
КТ903А, КТ903Б (Т„<25 °C) . . . .
Температура перехода:
2Т903А, 2Т903Б.......................
КТ9ОЗА, КТ903Б.......................
Температура корпуса:
2Т9ОЗЛ, 2Т903Б.......................
КТ903Л, КТ9ОЗБ.......................
Температура окружающей среды:
2Т903А, 2Т903Б.........................
КТ903А, КТ903Б.......................
30 Вг
30 Вт
60 Вт
60 Вт
150 °C
115 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
Тк= 125 °C
от —40 °C до
Гк = 85 °C
1 При Т„>70°С (КТ903А, КТ903Б), Тп>100°С (2Т903А,
2Т903Б) Укэ max снижается на 10% на каждые 10 °C.
2 При работе в ВЧ генераторах и усилителях с AM допускается
мгновенное значение напряжения звуковой частоты до 70 В.
3 При Тк>50°С Рк тах [Вт] = (150—Тк)/3,33.
4 При Тк>25°С Рквах [Вт] = (115 — Т„)/3.
Допускается пайка только к плоским частям выводов паяльником
50—60 Вт в течение не более 10 с с теплоотводом между корпусом
и местом пайки.
244
2Т908А, КТ908А, КТ908Б
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п переключательные.
Предназначены для работы в ключевых стабилизаторах и преобразо-
вателях напряжения, импульсных модуляторах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора без накидного фланца не более 22 г.
Масса накидного фланца не более 1Й г.
245
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
о о X ч СС X 5 X X X О о № О 5 максимальное иКЭ (УКБ), В а СП IQ X •*»
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер. В: 2Т908А, КТ908А 2Т908А КТ908Б УКЭ нас 1.5 0.8» 1 ю (2) 5(1) 4(0,4)
Напряжение насыщения ба- за — эмиттер, В: 2Т908А, КТ908А, КТ908Б 2Т908А ^БЭ нас 0,7» 2,3 1.6» Ю (2) 5(1)
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Гк=25 °C 2Т908А. КТ9О8А КТ908Б Т„ = —60 °C 2Т908А, КТ908А КТ908Б Й21Э 8 20 6 10 60 60 2 4 2 4 10 4 10
Отношение статического ко- эффициента передачи тока в схеме ОЭ при 7’к = 125°С к статическому коэффициен- ту передачи тока при Гк = =25 °C: 2Т908А КТ908А КТ908Б Й21 Э ПРН 1 25’ С
Й21 Э ПРИ 25’ С 3 5 5 2 2 4 5 5 3
Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой ча- стоте (f=10 МГц): 2Т908А КТ908А. КТ908Б |й21 э| 5 3 10 1
Время включения*, мкс *вкл 0.1 0 2 0,3 5 (1)
Время рассасывания*, мкс *pac 0,6 2 2.6 5 (1)
Время спада*, мкс (сп 0,1 0 2 0.3 5(1)
Емкость коллекторного пере- хода (f = 0,3 МГц), пФ ск 500» 700 (Ю)
Обратный ток коллектор — эмиттер, мА: Тк =60- 25 °C 2Т908А, КТ908А </?вэ= = 10 О.м) КТ908Б (Ror. = 250 Ом) Гк=125°С («бэ=10 Ом) 2Т908А КТ908А КТ908Б Обратный ток эмиттера, мА ' КЭЛ 'ЭБО 25 50 50 75 150 300 100 60 80 80 60 5
246
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер • (Гп = -60 4- +100 °C):
2Т908А, КТ908А (Яв,= 10 Ом) . . .
КТ908Б (Я»э = 250 Ом)................
Постоянное напряжение коллектор — база1
(Гп = —60 4-+100°С)....................
Постоянное напряжение база—эмиттер
Постоянный ток коллектора . . . .
Постоянный ток базы....................
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора2 * * * * * В (Гк = — 60 4- +50°С) . .
Температура перехода ..................
Температура корпуса ...................
Температура окружающей среды
100 В
60 В
140 В
5 В
10 А
5 А
50 Вт
150 °C
125 °C
от —60 °C до
Т„ = 125 °C
1 При температуре перехода от 100 до 150 °C ^кэЛтах и
^квотах [В]. снижаются линейно па 10% на каждые 10 °C. Тем-
пература перехода рассчитывается по формуле:
ТП = ТК + Rt п, к (Рк + Рэ). где ^к, рэ —мощности, рассеива-
емые коллектором и эмиттером.
2 При Гк>50°С Рк max [Вт] = (7%—TK)/RTa. к, где Rt п. к—
определяется из области максимальных режимов (например, при
</кэ =10 В, /к =5 A, RT а, к = 2°С/Вт).
При эксплуатации транзисторов в условиях механических воздей-
ствий их необходимо крепить за корпус. Механические усилия на вы-
воды транзисторов в контактном приспособлении при испытаниях и
измерениях параметров не должны превышать 2 кг в осевом и 350 г
в перпендикулярном направлениях к оси вывода.
Допускается производить распайку паяльником, нагретым до тем-
пературы не более 275 °C в течение 3 с на расстоянии не менее 6 мм
от корпуса транзистора.
В импульсных устройствах допускают-
ся перегрузки по мощности рассеивания до
400 Вт в момент переключений. При этом
длительность перегрузки должна быть не
более 0,5 мкс (по уровню 0,5), частота пе-
регрузок не более 5 кГц, ГкС90°С. При
запертом транзисторе в импульсных уст-
ройствах допускается использование тран-
зистора с напряжением источника питания
100 В (напряжение на транзисторе
100±3 В, длительность импульса ag3 мкс,
скважность ^25). При пусковых переход-
ных процессах допускается импульс тока
коллектора длительностью ^5 мкс, ампли-
тудой г£30 А (импульс тока базы г^Ю А).
247
248
2Т912А, 2Т912Б,
КТ912А, КТ912Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили-
тельные. Предназначены для применения в линейных усилителях
мощности на частотах 1,5—30 МГц при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с жесткими выводами. Внутри
корпуса имеется полупроводниковый диод — датчик температуры.
Масса транзистора нс более 45 г.
249
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
V о S S X X X S типовое максимальное CQ & а о о из tn S со '"а Q
Выходная мощность (в пике огибающей двухтопового сигнала) (/=30 МГц), Вт Коэффициент усиления по мощности (/=30 МГц, Рвых (по) = 70 Вт) Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (/= — 30 МГц. Рвых (по)==70 Вт, % Коэффициент комбинацион- ных составляющих третьего порядка (двухтоновый сиг- нал / — 30 МГц, Рвых (по)" -50 Вт). дБ Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 2T9I2A, КТ912А 2Т912Б, КТ912Б Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой часто- те (/=30 МГц) Обратный ток коллектор — эмиттер (₽б»=10 Ом), мА: 7 = 25 °C 7 = 85 °C КТ912А. КТ912Б 7-(25 °C 2Т912А. 2Т912Б Обратный ток эмиттера, мА Постоянный обратный ток диода, мА Постоянное прямое напря- жение диода, В рвых (по) *Ур ”к Л4, h2l Э |Л21э| 'кж /ЭБО ^обр Unp 70 10 50 -30» 10 20 3 0.3 13* 80* - 28» 20» 28» 5,5» 2» 24» -25 50 100 7.6» 50 75 75 2 50 1 1 27 27 27 27 to 10 10 70 70 70 5 (5) 5 5 3 (0,02)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 10 Ом):
2Т912А, 2Т912Б ГП=125°С .... 70 В
7’п = 150°С .... 35 В
КТ912А. КТ912Б ГК = 75°С .... 70 В
ТК = 85,>С .... 56 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (УЭБ=—1,5 В):
2Т912А, 2Т912Б Т„^125°С .... 80 В
Тп=150°С .... 60 В
КТ912А, КТ912Б TKsg75eC .... 80 В
ТК = 85°С .... 60 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 5 В
Постоянный ток коллектора .... 20 А
Постоянный ток базы......................... 10 А
250
КТ912А, КТ912Б
500
ООО
ЗОН
200
100
0
0,2 0,0 0,6 0,8 1/б}18
600
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Укэ ^28 В- Т'К<85°С1)
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ...................
Температура корпуса:
2Т912А, 2Т912Б .....................
КТ912А, КТ912Б.........................
Температура окружающей среды:
2Т912А, 2Т912Б ....................
1 При Гк>85°С для 2Т912А, 2Т912Б Рк,
— Тк)/1,42.
1Л2/?1
г тэнл, г T9 не,
КТЭиЛ, КТ912Б
т..= ов
35 Вт
1,42°С/Вт
150 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
Тк=125 °C
от —45 °C до
Гн = 85 °C
cp max [Вт] — (150 —
Допускается производить пай-
ку выводов на расстоянии не ме-
нее 2 мм от корпуса паяльником,
нагретым до температуры 250 °C
в течение не более 10 с. Допуска-
ется пайка выводов на расстоя-
нии менее 2 мм от корпуса тран-
зистора и в том случае, если обес-
печен отвод тепла от корпуса, при
котором температура корпуса пе
превышает 125 °C. Диод включа-
ется в устройство в прямом на-
правлении и служит датчиком
температуры корпуса.
251
2Т920А—-2Т920В, КТ920А— КТ920Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности, ум-
ножителях частоты и автогенераторах на частотах 50—200 МГц при
напряжении питания 12,6 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Масса
транзистора не более 4,5 г.
Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба и пайки
вывода не более 3 мм. Пайка выводов должна производиться при
температуре не выше 250 °C в течение не более 5 с.
252
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное типовое максимальное 0 ‘(ЯЯ/)) а ,зел V V ‘а/
Выходная мощность 12,6
(/=175 МГц, 40 °C). Вт:
2Т902А, КТ920А 2
2Т920Б 7
КТ920Б 5
2Т920В. КТ920В 20
КТ920Г 1 5
Коэффициент усиления по мощности (/= Кур 12,6
-175 МГц):
2Т920А. КТ920А 7 12* 35*
(Р,ых=2 Вт) 2Т920Б, КТ920Б 6 9* 12»
(Ряых=5 Вт) 2Т920Б </'пых = 7 Вт) 4 8* 11*
2Т920В. КТ920В 3 4* 5*
(Ряых=20 Вт) КТ920Г (Р»ых = 15 Вт) 3
Коэффициент полезного действия коллектора, %: ”к 60 12,6
2Т920Л — 2Т920В 70*
КТ920А - КТ920Г 55
Статический коэффици- ент передачи тока в схе- ме ОЭ*: h213 10 100
2Т920А 30 5 0,05
2Т920Б 10 40 100 5 0.1
2Т920В 10 25 100 5 0.25
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер*. В: ^КЭ нас 0,05
2Т920А 0,] 0,3 0,75 0,01
2Т920Б 0,1 0,4 0,75 0,1 0,02
2Т920В 0,15 0,45 0,81 0,25 0,05
Модуль коэффициента 1 '*21 э |
передачи тока на высо- кой частоте (/=100 МГц): 10
2Т920А. К.Т920А 4 7,5* 9* 0,2
2Т920Б, КТ920Б 4 7* 12* 10 0,4
2Т920В. КТ920В 4 4 ,5* 7* 10 1
КТ920Г 3,5 4* 10 1
Критический ток коллек- тора 100 МГц), А: 'кр 0.8 10
2Т920А. КТ920А 1 *
2Т920Б, КТ820Б 1»5 2*
2Т920В. КТ920В 4 ,5 7*
КТ920Г 4
Постоянная времени це- пи обратной связи на вы- сокой частоте (/=5 МГц), Тк
пс: 2Т920А, 2Т920Б, 5* 7» 20 10 о.оз
КТ920А. КТ920Б 10
2Т920В, КТ920В, КТ920Г 4* 9* 20
253
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние 0J с X ч ге У X X X 2 — типовое — максимальное ^КЭ (С'КБ), в CQ УЗ £ V ‘3/
Емкость коллекторного перехода (/=5 МГц). пФ: 2Т920Л. КТ820А 2Т920Б, КТ920Б 2Т920В, КТ920В, КТ920Г Ск 8 12 40 10» 16» 50« 15 25 75 (10)
Емкость эмиттерного пе- рехода (/=5 МГц), пФ: 2Т920А 2Т920Б 2Т920Г сэ 36 81 230 45* 95* 350* 55 100 4 10
Обратный ток коллек- ток — эмиттер (1?бэ = = 100 Ом). мА: 7=25 “С 2Т920А 2Т920Б, КТ920А 2Т920В КТ820Б КТ920В. 2Т920Г 7=125 °C 2Т920А 2Т920Б 2Т920В ;КЭЯ 0.1* 0.25* 1,0* 1 2 5 4 7.5 2 4 10 36
Обратный ток эмиттера, 2Т920А, 2Т920Б 2Т920В 'ЭБО 0,25 2 4
Индуктивность эмиттер- ного вывода (/=1 мм)*. нГн: 2Т920А, КТ92ОА 2Т920Б, КТ920Б 2Т920В. КТ920В. КТ920Г 1.7 1.2 1
Индуктивность коллек- торного вывода (/= = 1 мм)*, нГн ч 2.4
Индуктивность базового вывода (1=1 мм)*, нГн: 2Т920А 2Т920Б 2Т920В L6 2.9 2,6 2,4
Емкость эмиттер — кор- пус*, пФ Сэк 1 .84
Емкость коллектор — корпус*, пФ скк 1,53
Емкость база — корпус*, пФ Сбк 0.96
254
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит- тер (Яоз< 100 Ом) 36 В Постоянное напряжение эмиттер — база . 4 В Постоянный ток коллектора: 2Т920А, КТ920А 0,5 А
2Т920Б, КТ920Б 1,0 А 2Т920В, КТ920В, КТ920Г 3,0 А Импульсный ток коллектора (т»^20 мкс, Q>50): 2Т920А, КТ920А 1,0 А 2Т920Б, КТ920Б .... . . 2,0 А 2Т920В, КТ920В, КТ920Г 7,0 А Постоянный ток базы: 2Т920А, КТ920А . . .... 0,25 А 2Т920Б, КТ920Б 0,5 А 2Т920В, КТ920В, КТ920Г 1,5 А Импульсный ток базы (та^10 мкс, >100):
2Т920А, КТ920А ... ... 0,5 А 2Т920Б, КТ920Б 1,0 А 2Т920В, КТ920В, КТ920Г 3,5 А Средняя рассеиваемая мощность в динами- ческом режиме (ТкС50°С)’: 2Т920А, КТ920А ... ... 5 Вт 2Т920Б, КТ920Б . 10 Вт 2Т920В, КТ920В, КТ920Г . . . . 25 Вт Тепловое сопротивление переход — корпус: 2Т920А, КТ920А 20°С/Вт 2Т920Б, КТ920Б . . .... 20 °С/Вт 2Т920В, КТ920В, КТ920Г 10°С/Вт
Температура перехода 150 °C у
Температура корпуса: 2Т920А—2Т920В 125 °C
КТ920А—КТ920Г 85 °C Температура окружающей среды: 2Т920А—2Т920В . от —60 до ТК=125°С
КТ920А — КТ920Г . 1 При Тк>50°С Рк т< . . . . от —45 °C до Т„=85 °C 1Х [Вт] = (150 — Tk)IRt п к.
255
256
9 Зак. 225
257
2Т921А, КТ921А, КТ921Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили-
тельные. Предназначены для применения в линейных усилителях
мощности КВ и УКВ диапазонов при напряжении питания 27 В.
Корпус металлокерамический с жесткими выводами и монтажным
винтом. Масса транзистора не более 6,5 г.
258
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
Е i ! типовое максимальное ^КЭ^КБ), В со Ф V *И/
Выходная мощность (/= -60 МГц). Вт Коэффициент усиления по мощности (/=60 МГц. Рвых = 12,5 Вт): 2T92IA. KT92IA КТ921Б Коэффициент полезного действия коллектора (/= -60 МГц. Рвых=12,5 Вт). %: 2Т921А. KT92IA КТ921Б Коэффициент комбинацион- ных составляющих третьего порядка (двухтоновый сиг- нал, / = 60 МГц, Рвых (оп) ~ -12.5 Вт), дБ Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой часто- те (/ = 30 МГц) Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/=10 МГц), пс Емкость коллекторного пе- рехода (/ = 10 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехо- да (/=10 МГц), пФ: 2Т921А КТ921А. КТ921Б Обратный ток коллектор — эмиттер (Явэ= 10 Он), мА: Т-25 °C Т=125°С Обратный ток эмиттера. мА Индуктивность эмиттерного вывода*. иГн Индуктивность коллектор- ного вывода', нГн Индуктивность базового вы- вода*. нГи ^вых *Ур ”к М, Й21 Э |Л21э| тк Ск Сэ 1 кэя /ЭБО L3 LK ’ L6 12,5 8 5 50 40 — 40* 10 3 40' 300' 65» -33* 45» 7,5» 1» 2» 3 3,5 3.5 76» -30 80 10, 5» 22 50 210 4 50 10 50 20 27 27 27 27 10 10 10 (20) 70 65 3 3 4 1 0,4 1
9*
259
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (КбэС Ю Ом):
ТП=125°С...........................
Тп = 150°С.........................
Импульсное напряжение коллектор—эмит-
теР (йкэ =—1.5 в):
7„=gl25°C.................. . .
7п=150°С...........................
Постоянное напряжение эмиттер — база .
Постоянный ток коллектора . . . .
Постоянный ток базы . - . . .
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Тк^75°С1 2, ^28 В)
Тепловое сопротивление переход—корпус
Температура перехода ................
Температура корпуса .................
Температура окружающей среды:
2Т921Л........................ . .
КТ921А, КТ921Б ..............
65 В
32 В
80'В
60 В
4 В
3,5 А
1,0 А
12,5 Вт
6 °С/Вт
150 °C
125 °C
от —60 до
ТК=125°С
от —45 °C до
Л, = 125 °C
1 При ТК>75°С Рк.сршах [Вт] = (150 — 7’1,)/6.
Пайку выводов допускается производить на расстоянии не менее
2 мм от корпуса транзистора паяльником, нагретым до температуры
250 °C, в течение нс более 3 с. Допускается пайка выводов на рас-
стоянии менее 2 мм от корпуса при условии, что температура кор-
пуса не превышает 100 °C.
260
261
2Т922А—2Т922В, КТ922А—КТ922Д
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности, ум-
ножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 50 МГц при
напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и монтаж-
ным винтом. Масса транзистора не более 4,5 г.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от кор-
пуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и гер-
метичности транзисторов. Пайку производить при температуре не вы-
ше 270 °C в течение времени не более 5 с.
262
Элскiрвчсские параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Г) эончгекиннк 1зчени< О о ь максимальное £ я о ‘(дял)бмл изме| щ СП е и и я <
Выходная мощность (/ = -175 .МГц. Тк-40°С), Вт: 2Т922А, КТ922Л 2Т922Б. KT922D КТ922Г КТ922Д 2Т922В, КТ922В Коэффициент усиления по мощности (/“175 МГц): 2Т922А. КТ922А (Рвых=5 Вт) 2Т922Б. КТ922Б (Рвых =20 Вт) КТ922Г (Рвых = 17 Вт) КТ922Д (Рвых =35 Вт) 2Т922В. КТ922В (Рвых=40 Вт) Коэффициент полезного дей- ствия коллектора. %: 2Т922А — 2Т922В КТ922А—КТ922Д Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ*- 2Т922А 2Т922Б 2Т922В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер*, В: 2Т922А 2Т922Б 2Т922В Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой ча- стоте (/=100 МГц): 2Т922А, КТ922А 2Т922Б. КТ922Б, КТ922Г 2Т922В. КТ922В КТ922Д Критический ток коллектора (/= 100 МГц). А: 2Т922А. КТ922А КТ922Г 2Т922Б. КТ922Б КТ922Д 2Т922В. КТ922В Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/ = 5 МГц), не: 2Т922А. КТ922А 2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г 2Т922В. КТ922В. КТ922Д Емкость коллекторного пере- хода (/ = 5 МГц), пФ: 2Т922А, КТ922А 2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г 2Т922В. КТ922В. КТ922Д ^вых кУр ’’к Л21Э УКЭ нас 1 Л21э 1 /1<Р тк Ск 5 20 1 7 35 40 10 5.5 5 3,5 4 55 50 10 10 10 0, 15 0, 1 5 0,15 3 3 3 2,5 0,6 I ,8 2.0 4,5 5,0 5* 6* 6* 5* 15* 40* 20* 10* 6* 65* 50 50 50 0,3 0,35 0.4 7* 6.5* 4,5* 1 ,2* 3,0* 6,5* 7.5* 8* 20* 8* 20* 50* 30* 15* 9* I 50 1 50 150 0,55 0,7 0,6 10* 9* 6* 1.5* 4,0* 8.0* 20 20 25 15 35 65 28 28 28 5 5 5 10 10 10 10 10 10 1 0 10 (28) 0. 1 0,25 0,5 0.1 0,25 0.5 0.02 0.05 0. 1 0.4 1.5 3,0 з.о 0,04 0, 15 0.3
263
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное ^кэ (ук б) , В S 'зеГ) 1 /К- А
Емкость эмиттерного пере- хода (1 = 5 МГц)*, пФ: 2Г922А, КТ922А 2Т922Б. КТ922Б, КТ922Г 2Т922В. КТ922В. КТ922Д Обратный ток коллектор — эмнт-ер (Лбэ=100 Ом), мА: 7 = 25 ‘С 2Т922А КТ922А 2Т922Б 2Т922В. КТ922Б. КТ922Г КТ922В. КТ922Д 7 = 85 °C КТ922А КТ922Б. КТ922Г КТ922В. КТ922Д 7=125 "С 2Т922А 2Т922Б 2Т922В Обратный ток эмиттера, 7 = 25 °C 2Т922А КТ922А 2Т922Б 2Т922В КТ922Б К1922 Г КТ922В. КТ922Д 7 = 85 °C КТ922А КТ922Б КТ922В. КТ922Д КТ922Г 7= 125 °C 2Т922А 2Т922Б 2Т922В Индуктивность эмиттерного вывода (/ = 1 мм) *, нГн: 2Т922А, КТ922А 2Т922Б. КТ922Б. КТ922Г 2Т922В, КТ922В. КТ922Д Индуктивность коллектор- ного вывода 0=1 мм)*, нГн Индуктивность базового вы- вода (7=1 мм)*. нГн: 2Т922А, КТ922А 2Т922Б. 2Т922Б. КТ922Г 2Т922В. КТ922В. КТ922Д Емкость эмиттер — корпус*, пФ Емкость коллектор — кор- пус*. пФ Емкость база — корпус,* пФ Сэ 'кэя ' ЭБО Ч ьк £б сэ-к Скк Сб-К 45 160 350 75 200 500 0.1* 1.0* 5.0* 0,01* 0.05* 0.1* 1 . 7 1.1 0.9 2.4 2.9 2.5 2.4 1,84 1.53 0,96 100 350 700 2 5 10 20 40 10 20 40 4 20 40 0,25 0.5 1 .0 2,5 3,0 4.0 6.0 1.0 6,0 12 8 0,5 2,0 5,0 65 0 4
264
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?Сэ=100 Ом)1...................... 65 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 4 в
Постоянный ток коллектора:
2Т922А, КТ922А............................ 0,8 А
2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г.................... 1,5 А
2Т922В, КТ922В, КТ922Д.................... 3,0 А
Импульсный ток коллектора (тя^20 мкс,
<?5=50):
2Т922А, КТ922А........................ 1,5 А
2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г .... 4,5 А
2Т922В, КТ922В, КТ922Д................ 9 А
КСВН коллекторной цепи 2............... 2
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (7'i, sg40 °C)3:
2Т922А, КТ922А................................. 8 Вт
2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г..................... 20 Вт
2Т922В, КТ922В, КТ922Д..................... 40 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2Т922А, КТ922А............................. 15°С/Вт
2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г .... 6°С/Вт
2Т922В. КТ922В, КТ922Д . ... 3 °С/Вт
Температура перехода.................... 160 °C
Температура корпуса:
2Т922А - 2Т922В......................... 125‘С
КТ922А — КТ922Д....................... 85 °C
Температура окружающей среды:
2Т922А — 2Т922В . . . . . от—60 °C до
Т„=125°С
КТ922А, КТ922Б, КТ922В, КТ922Г, от —45 °C до
КТ922Д................................ Гн = 85 °C
1 При Гв = Tmm У кэ д тах — 55 В.
2 Допускается работа при любых значениях КСВН (по модулю
и фазе) при напряжении питания не более 28 В±10% пР_и условии
не превышения предельных эксплуатационных значений Рк max,
'к-тах, "кЭтах, ^ЭБ max (постоянные составляющие).
’При Т„>40°С Рк.ср. тах = (160-Т„)//?тп.к.
265
266
267
268
2Т926А, КТ926А, КТ926Б
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п импульсные. Пред-
назначены для работы в импульсных модуляторах.
Корпус металлокерамический. Масса транзистора не более 20 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
8 3 со Z S 2 OJ с 3 3 S st « 3 СО to ь ф X из •м
Напряжение насыщения коллек- тор — эмиттер. В: 2Т926А, КТ926А 2Т926А КТ926Б Напряжение насыщения база — эмиттер. В: 2Т926А. КТ926А КТ926Б Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ (ти=500 мкс. Q> 50): Тк = 25 ’С 2Т926А КТ926Б КТ926А Тк = 100'С КТ926А. КТ926Б Тк — Тк mln 2Т926А КТ926А КТ926Б Отношение статического коэффици- ента передачи тока в схеме ОЭ при Гк = 125°С к статическому коэффи- циенту при Гк = 25°С: 2Т926А Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте </= =30 МГц) Обратный ток коллектор — эмиттер (Лсэ=10 Ом). мА: Гг = Гкш1п 4- 25 °C Т*к — Тк max Обратный ток эмиттера, мА и КЭ нас УБЭ нас Л21Э Л21Э(125«С 1л21э| 'кэя ;ЭБО 0,4* 0,5’ 12 10 10 5 8 8 -)/л21Э 1.7 0.1* 0.2* 2.5 !• 2.5 2,5 2.5 60 60 60 200 60 60 60 (25°С) 3 25 80 300 7 7 5 5 7 7 S 7 10 150 120 (5) 15 15 10 15 10 15 15 5 5 15 15 7 15 1 3 2 3 1.5 1.5
269
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер * 1 (/?«□= 10 Ом)..................
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (Ти^0,5 мс, Q>50)..................
Постоянное напряжение база —эмиттер
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора (ти^0,5 мс,
Q>50)..................................
Постоянный ток базы....................
Импульсный ток базы (ти^0,5 мс,
Q5s=50)................................
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора2 (ТК = ТК min — 50°С) . . . .
Импульсная рассеиваемая мощность
2Т926А (Ти<0,5 мс, <?>50, Г,< = 25—80 °C)
Температура перехода ..................
Температура корпуса ...................
Тепловое сопротивление переход — корпус
(£/кэ <10 В, /к<5 Л) . . . . ' .
150 В
200 В
5 В
15 А
25 А
7 А
12 А
50 Вт
450 Вт
150 °C
125 °C
2 °С/Вт
Температура окружающей среды:
2Т926А...............................от - 60 °C до
Т„=125 °C
КТ926А, КТ926Б......................от —45 °C до
_____ Г„ =100 °C
1 7% <100 °C, 17кэ niax |В] в диапазоне температур перехода
от 100 до 150 °C уменьшается линейно на 10% на каждые 10 °C.
2 При Тк7> 50 С Рк шах [^И] (^*п—к) /Rt и, к, ГДС Rt п, к
определяется из области максимальных режимов (например, при
Vk3=10 В и /к=5 A, Rt в. к = 2°С/Вт).
При конструировании схем следует учитывать возможность само-
возбуждения транзисторов за счет паразитных связей. Крепление
транзисторов к панели осуществлять с помощью гайки. Осевое усилие
на винт должно быть не более 120 кг. Допускается распайка транзи-
сторов паяльником с температурой 275 °C в течение 3 с на расстоянии
не менее 2 мм от корпуса транзистора.
270
0.5 I 1,5 2 2,5 1в,л
^КЗтах.» &
О 200 ООО 600 П1з,0м
Рк,и тих'&т
0 25 50 75 ТК,'С
ю'
10°
IO''
ю'г\
10° 10' икз,в
271
КТ927А-КТ927В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили-
тельные. Предназначены для применения в линейных усилителях
мощности на частотах 1,5—30 МГц при напряжении питания 28 В
Корпус пластмассовый с жесткими выводами и монтажным вин
том. Внутри корпуса имеется полупроводниковый диод — датчик тем
пературы. Масса транзистора не более 10 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе кие Знаменке Режим намерения
минимальное типовое максимальное 0 •(зхл) 8 'зеЛ V '(3/) X/
Выходная мощность (/== = 30 МГц). Вт р V.1A*
Коэффициент усиления по мощности (/=30 МГц. Р*ых(по ) = 75 Вт)
Коэффициент полезного действия коллектора (/== =30 МГц. Ряых <ло)в75 Вт), %
Коэффициент комбинацион- ных составляющих третьего порядка (двухтоновый сиг- нал) на ?=30 МГц. Рвых (по) = 75 Вт м,
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: КТ927А КТ927Б КТ927В *413
Напряжение насыщения кол- лектор — эмиттер. В УКЭ нас
75 28
13.4 Н 5* 16* 28
40 50* 52- 28
39* 32* 30 28
15 30* 50 6 S
25 з о- 75 б 5
40 00» 100 6 &
0,35* 0.5- 0.7 10
272
Окончание
Параметр Буквенное обозначе ние Значение Режим измерения
минимальное 1 о с X •- максимальное ^КЭ^КБ)' в g ‘ЗЕ/) v
Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой часто- те (/ = 30 МГц) Емкость коллекторного пере- хода (/=10 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехо- да (/=10 МГц). пФ Активная составляющая пол- ного входного сопротивления (/=30 МГц. Рвых=75 Вт). Ом Обратный ток коллектор — эмиттер (Лба - 0). мА: 7=25 °C 7-125 °C Обратный ток эмиттера, мА » П О О £ - « х £ 3.5 120» 1700* 5,0* 150* 2300* 2.65* 4* 0.1* 7,0* 190 2850 40 120 40 28 (28) 28 70 65 3.5 1
Прямое напряжение диода (/ор= 10 мА), В Упр 0.6* 0.7 0.8
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?вэ = О) ... . .
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер (/?б, = оо) .... . .
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора
Прямой ток диода
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (ГК^75°С|) . . . .
Тепловое сопротивление переход—корпус
Температура перехода . . . . .
Температура корпуса . . . . .
Температура окружающей среды
70 В
35 В
3,5 В
10 А
30 Л
100 мА
83,3 Вт
1,5’С/Вт
200 °C
150 °C
от —60 °C до
Г« = 150 °C
• При Тк>75 °C Рк СР max (200—Гж)/1,5 [Вт]
273
274
2Т928А, 2Т928Б, КТ928А, КТ928Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п импутьс
ные. Предназначены для работы в импульсных и переключающих
схем ах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими вы-
подами. Масса транзистора не более 3 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное a‘(ax,,) СО 2 ь ‘к (7э). мА d -ч
Граничное напряжение. В Напряжение насыщения кол- лектор — эмиттер. В: 2Т928А, 2Т928Б КТ928А. КТ928Б Напряжение насыщенна ба- за — эмиттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 7=25 "С 2Т928А 2Т928Б. КТ928Б КТ928А 7=125 ’С 2Т928А 2Т928Б 7=—60 ’С 2Т928А 2Т928Б Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схеме ОЭ (/=100 МГц). МГц: 2Т928А. 2Т928Б КТ928А. КТ928Б ^КЭО гр с'кэ нас ^БЭ нас h213 1 гр 40 30 50 20 30 50 15 25 300 250 0,17* 0.9* 65* 110* ПО* 170* 4 0* 65* 0,6 1 1.5 100 200 100 200 400 100 200 (3) 10 (20) 300 300 (ISO) 50 30 30
..
275
Окончание
Параметры Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
о о X я 2 X X X 2 типовое максимальное УКЭ (уКБ). В 1/Бэ. в V" (е/> V« -Я/
Время рассасывания, нс: 2Т928А. 2Т928Б КТ928А, КТ928Б Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/=10 МГц), пс Емкость коллекторного пере- хода (/=10 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехо- да (/=10 МГц), пФ: 2Т928А, 2Т928Б КТ928А, КТ928Б Обратный ток коллектора, мкА 7=25 °C 7=125 °C 2Т928А. 2Т928Б 7 = 85 °C КТ928А, КТ928Б 7 = — 60 °C 2Т928А, 2Т928Б Обратный ток коллектор — эмиттер (Ябэ = 100 Ом), мкА Обратный ток эмиттера, мкА: 7 = 25 °C 7= 125 °C 2Т928А, КТ928Б 7-—60 °C 2Т928А, 2Т928Б *рас тк Ск Св 'КБО ;K9R 'ЭБО НО* 6,9* 60* 0,01* 0,08* 0,01* 0,01* 0,05* 225 250 100 10 90 100 1 50 60 1 10 1 50 1 10 (Ю) (60) 60 0 5 300 50 30
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?бэ = 0).......................... 60 В
Постоянное напряжение коллектор — база 60 В
Постоянное напряжение база — эмиттер . 5 В
Постоянный ток коллектора .... 0,8 А
Импульсный ток коллектора (ти^Ю мкс,
Q3s50).................................. 1.2 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора:
с теплоотводом 1
T = Tmin 25 °C....................... 2 Вт
Т = Т„ ,„ах 2Т928А, 2Т928Б .... 0,4 Вт
КТ928А. КТ928Б .... 0,96 Вт
без теплоотвода 2
T=Tmi„ 4-25 °C........................ 0,5 Вт
Т = Тк max 2Т928А, 2Т928Б .... 0,1 Вт
КТ928А, КТ928Б .... 0,24 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность кол-
лектора (Ти«£10 мкс, Q^50)2 для 2Т928А,
2Т928Б:
Г=—60 + 4-25 °C....................... 3,6 Вт
7= 125°C . . . ....................... 3,2 Вт
Температура перехода.................... 150 °C
276
Температура окружающей среды:
2Т928Л. 2Т928Б..........................—60 - +125 °C
К.Т928Л. КТ928Б..........................-45 4-+185 °C
1 Рк max [Бт] при 7'i: = 25 — Г1;шах линейно снижается на
16 мВт на градус.
2 Рк max. Рк.июах [Вт] при Г == 25 4-Тт ах линейно снижается
на 4 мВт на градус.
30
во
70
60
50
30
О 200 300 600
277
Допускается проводить пайку выводов при температуре 250 °C в
течение 10 с на расстоянии не менее 3 мм от корпуса. Расстояние от
корпуса до начала изгиба не менее 3 мм. Статический потенциал не
более 1000 В.
2Т929А, КТ929А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности, ум-
ножителях частоты и автогенераторах на частотах более 50 МГц при
напряжении питания 8 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами к монтаж-
ным винтом. Масса транзистора не более 4.5 г.
278
5,8, _ 4 O.t5
----Д1-ГТ-’
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальноеj а То 5^ * ъ а й сз X
Выходная мощность (/ = = 175 МГц. Тк^ 40 *С). Вт Коэффициент усиления по мощности (/=175 МГц): 2Т929А (Рвых =2 Вт) КТ929А (Р.ых = 2 Вт) Коэффициент полезного дей- ствия (/=175 МГц. Рвых — -2 Вт). %: 2Т929А КТ929А Статический коэффициент р вых Ку р Чк Л21Э 2 10 8 60 55 25 1 1.5* 72* 40 14* 78* 50 8 8 8 5 0.7
передачи тока в схеме ОЭ* Модуль коэффициента перс- PubI 4 8* 11* 8 0.3
дачи тока на высокой часто- те (/=100 МГц) Критический ток коллектора 'кр 1 2.5 2,8 8
(/=100 МГц)*. А Постоянная времени цепи тк 5* 9* 25 8 0.05
обратной связи на высокой частоте (/ = 5 МГц), пс Емкость коллекторного перс- Ск 10* 15* 20 (8)
хода 11 — 5 МГц). пФ Обратный ток коллектор — эмиттер (£<••:>= 100 Ом). мА: 7 = 25 'С 7 = 85 "С КТ929А 7=125СС 2Т929А Обратный ток эмиттера. мА: 7 = 25 *С 7 = 85 "С КТ929А 7= 125‘С 2Т929А Индуктивность эмнттерного вывода*, нГн Индуктивность коллектор- ного вывода*. нГн 'кэ R 7ЭБО S 0.5* 0,5» 1.2 2,4 5 10 I 0 5 10 10 30 3
279
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное О о в о С X н максимальное я •(Я Мл) я ,зел /к. В
Индуктивность базового вы- вода*. нГн Емкость эмиттер — корпус*. пФ Емкость коллектор — кор- пус*. пФ Емкость база — корпус*. пФ Lo сэ-к Ск-к ССк 2.6 1.84 1,53 0,96
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база 30 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
теР (Ябэ ООО Ом)...................... 30 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 3 В
Постоянный ток коллектора .... 0,8 А
Импульсный ток коллектора .... 1,5 А
КСВН коллекторной цепи*............... 10
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Тк<40°С)1 .... 6 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус 20°С/Вт
Температура перехода........................ 160 °C
Температура корпуса:
2Т929А.................................... 125 °C
КТ929А..................................... 85 °C
Температура окружающей среды: от —60°C до
2Т929А..............................ТК = 125°С
КТ929А..............................от —40 °C до
_________ Т„ = -85 °C
280
i^/j!
гтзгэл, ктзгэл
f ‘ ЮО МГц ицэ • 6 В
|йш|
11
10
3
8
7
S
S
0 0,1 0,Z 0,3 0,4 1п,Л
Шероховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть
не менее 1,6. Неплоскостпость контактной поверхности теплоотвода
не более 0,04 мм. Панка выводов допускается на расстоянии нс ме-
нее 3 мм от корпуса по методике, не приводящей к нарушению кон-
струкции и герметичности транзистора. Пайку производить при тем-
пературе не выше 270 °C в течение времени не более 5 с.
2Т931А, КТ931А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в широкополосных усилите-
лях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах
50—200 МГц при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Внутри
корпуса имеется согласующее £С-звено. Масса транзистора не бо-
лее 7 г.
282
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
i 1 ш о с о с я н 1 максимальное 1 Та а со 6 in сП
Выходная мощность (/= = 175 МГц), Вт Коэффициент усиления по мощности (f=|75 МГц, Рвых = 80 Вт): 2T93IA KT93IA Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (/= = 175 МГц. Рвых=80 Вт). % Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ* Напряжение насыщения кол- лектор — эмиттер*, В Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой ча- стоте (/=100 МГц) Критический ток коллекто- ра* (/=100 МГц), А Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/=5 МГц*), пс Емкость коллекторного пе- рехода (/ = 30 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехо- да (/ = 5 МГц*). пФ Обратный ток коллектор — эмиттер (/?бэ—10 Ом), мА: 7=25 °C 2Т931А КТ931А 7 = 85 °C KT93IA 7= 125 °C Т931А Обратный ток эмиттера, мА: 7=25 °C 7 = 85 °C КТ931А 7= 125 °C 2T93IA Индуктивность внутреннего LC-звена, нГн Емкость внутреннего LC- звена*, пФ Индуктивность эмиттерно- го вывода (1 = 1 мм)*. нГн Индуктивность коллекторно- го вывода (/=1 мм)*, нГн Индуктивность базового вы- вода (/=1 мм)*, нГн ^вых Кур Л21Э УКЭ нас 1 '’ll? 1 'кр тк ск Сэ гкэя /ЭБО L3 сз ч LK L6 80 4 3.5 50 5 0,06 2.5 18 11 165» 2800* 1500 5,5* 60* 25 0,09 4* 22 18 190* 3200* 4* !• 0,43 1600 0,29 1.6 1.47 8* 70* 100 0,16 5.5* 30 32 240 3800 20 30 60 40 10 20 20 1700 28 28 28 5 10 10 10 (28) 60 0 4 4 4 0.5 0.5 (0.1) 5 0,5
283
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 10 Ом).............................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
ВЧ входная мощность....................
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Тк^40°С)1 . . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ..................
Температура корпуса:
2Т931А ..............................
КТ931А ..............................
Температура окружающей среды:
2Т931А.................................
КТ931А.................................
60 В
4 В
15 Л
20 Вт
150 Вт
0,8 °С/Вт
160 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
Тк=125 °C
от —40 °C до
Т„ = 85°С
1 При Г., >40 С Рк, ср max [Вт] = (160-7.3/0,8,
285
Шероховатость контактной по-
верхности теплоотвода должна
быть не менее 2,5. Неплоскост-
ность контактной поверхности
теплоотвода должна быть не бо-
лее 0,04 мм. Тепловое сопротив-
ление корпус — теплоотвод при
нанесении теплоотводящей пасты
типа КПТ-8 на поверхность теп-
лоотвода транзистора не более
0,3 °С/Вт.
Пайка выводов допускается
на расстоянии не менее 1 мм от
корпуса по методике, не приводя-
щей к нарушению конструкции и
герметичности транзисторов. Пай-
ку производить при температуре
не выше 270 °C в течение времени
не более 3 с.
2Т935А, КТ935А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-меза-планарные п-р-п пе-
реключательные. Предназначены для работы в переключателях и
импульсных устройствах.
Корпус металлокерамический с жесткими выводами. Масса тран-
зистора не более 20 г.
286
Электрические параметры
• Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное иКЭ (уКБ), в 1/БЭ . В —ч
Граничное напряжение, В УКЭО гр 70 1
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В УКЭ нас 0,75* 1 15 (3)
Напряжение насыщения ба- за — эмиттер, В БЭ нас 1.3» 1.7 15 (3)
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Л2’Э
7к = 25°С 20 30» 100 4 15
7’к = 125°С 2Т935А 150 5 3
Тк = —60°С 2Т935Л 10 100 4 15
Модуль коэффициента пе- редачи тока на высокой ча- стоте (/=30 МГц) 1 А21Э 1 1 ,7 10 1
Время включение* мкс *вкл 0,25 ю (2)
Время выключения*, мкс *выкл 0,7 Ю (2)
Емкость коллекторного пе- Ск 800 (10)
рехода* (/=1 МГц), пФ 3500
Емкость эмиттерного перехо- да* (/= 1 МГц), пФ Обратный ток коллектор — Сэ /КЭ« 4
эмиттер (/?вэ=10 Ом), мА: 30 80
Т’к = Ткт!п -г 25 “С
7 к = Тк max 60 60
Обратный ток эмиттера, мЛ /ЭБО 300 4
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер1 (/?бэ= 10 Ом, r„<100°C) . . . .
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?бэ= 10 Ом, ти^50 мкс, ТфЭг15 мкс,
<?>20)..................................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Импульсное напряжение эмиттер — база
(тя^50 мкс, Q;>20)......................
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора2 (т«^1 мс,
О>2)....................................
Постоянный ток базы....................
Импульсный ток базы (ти^1 мс, Q;>2) .
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора3 (ТК = ГК min -г- 50 °C) . . . .
80 В
100 В
5 В
6 В
20 А
30 А
10 А
15 А
60 Вт
287
Температура перехода
Температура корпуса:
2Т935А................
КТ935А . . .
Температура окружающей среды:
2Т935А . ...
КТ935А
150 “С
125 °C
100 “С
от —60 °C до
Гн = 125 °C
от —45 °C до
ГК = 100‘С
1 ^кэ R max 1В1 ПРИ Та от до 15° °C снижается линейно
до 40 В.
* Допускается при включении аппаратуры выброс тока коллек-
тора до 50 А в течение 1 мс, далее ток коллектора спадает до 20 А
в течение 2 мс.
’При 7’к>50°С Ркшах [Вт] = (Гп—Тк)/Лт п, ж определяется
из области максимальных режимов (например, при Ькэ =6 В, !•& =
= 10 A, Rt п, к=1,67 °С/Вт).
При конструировании схем следует учитывать возможность само-
возбуждения транзисторов за счет паразитных связей. Крепление к
панелям осуществлять с помощью гайки. Осевое усилие на винт дол-
жно быть не более 120 кг Допускается пайка паяльником, нагретым
до 250 °C, в течение 3 с на расстоянии не менее 2 мм от корпуса
транзистора. Допускается пайка в торец винта корпуса. Время пайки
не более 20 с.
288
КТ936А, КТ936Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили-
тельные. Предназначены для применения в широкополосных линей-
ных усилителях мощности в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные, выпускаются в двух конструктивных исполнениях
с жесткими выводами: КТ936А — на круглом кристаллодержателе,
КТ936Б — на прямоугольном кристаллодержателе с диодом-датчиком
температуры. Масса транзистора КТ936А не более 0,2 г, КТ936Б не
более 0,6 г.
10 Зак. 22S
289
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
мини- мальное макси- мальное а СП X CQ СО сп V ‘^1
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Л21Э 6 3 0, I
Обратный ток коллектор — эмиттер (/?бэ = 0), мА: 1 КЭЛ 60
КТ936А 1 0
КТ936Б Обратный ток эмиттера, мА: 7эбо 30 3,5
КТ936А 15
КТ936Б 40
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?6э = 0)............................... 60 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/g =0) ................................... 35 В
Постоянное напряжение коллектор — база 60 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 3,5 В
Прямой ток диода.................... 0,1 А
Постоянный ток коллектора:
КТ936А.............................. 3,3 А
КТ936Б............................. 10 А
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (ГК^75°С)':
КТ936А................................. 28 Вт
КТ936Б..................................... 83,3 Вт
290
Тепловое сопротивление переход — корпус:
КТ936А................................. 4,5 °С/Вт
КТ936Б............................... 1,5’С/Вт
Температура перехода........................ 200 °C
Температура кристаллодержателя . . . 100 “С
Температура окружающей среды . . от —60 °C до
Тк= 100 °C
1 При 7\ > 75 °C Рк, ср mix = (200 — Tk)/Rt п. к, Вт
КТ940А— КТ940В
Транзисторы кремниевые меэапланарные п-о-п усилительные.
Предназначены для работы в выходных каскадах видеоусилителей
телевизионных приемников цветного и черно-белого изображения.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзисторов
не более 0,7 г.
10*
291
Эле^трячесхме параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
V я £ 1 я я Я О я л ч « 3 У S Я to X Ь, т х Ъ и CQ Л £ V" ‘Х/ 3 1Д
Граничная частота коэффициен- та передачи тока в схеме ОЭ, МГц Статический коэффициент пере- дачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения коллек- тор — эмиттер, В Емкость коллекторного перехо- да (/=1 МГц), пФ Обратный ток коллектора, нА: КТ940А КТ940Б КТ940В Обратный ток эмиттера, нА 1гр *21Э ^КЭ вас ск ^КБО ;ЭБО 90 25 1 5,5 50 50 50 50 10 10 (30) (250) (160) (100) 3 15 30 30 6
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
(Гк = -45 4- +45 °C)-
КТ940А 300 В
КТ940Б 250 В
КТ940В ... . ... 160 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит- тер (/?бз<10 кОм, Тк=— 45 4- +45°С): КТ940А 300 В
КТ940Б . 250 В
КТ940В 160 В
Постоянное напряжение база — эмиттер (Тк=—45 4- +45’С) 5 В
Постоянный ток коллектора (Тк=—45 4- +45°С) 100 мА
Импульсный ток коллектора (ти = 30 мкс, Q^10, Тк=—45 4-4-45°C) . . . . 300 мА
Постоянный ток базы (Тж=—45 4-+45 °C) 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность кол- лектора: без теплоотвода1 (Т=—45 4-+25 °C) 1,2 Вт
с теплоотводом2 (Тк=—45 4-+45 °C f/K3=100B) 10 Вт
Тепловое сопротивление переход — среда . 104°С/Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус 10 °С/Вт
Температура перехода 150 °C
Температура окружающей среды —45 4- +85 °C
1 При 7=25 °C Рхт„ [Вт] = (150 — 7)/104.
2 Рк max [Вт] При Тк>45°С н UK3 >100 В определяется из
рисунка.
292
КТ943А—КТ943Д
Электрические параметры
Параметр
Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устрой-
ствах.
Корпус пластмассовый
ие более 0,8 г.
с жесткими выводами. Масса транзистора
Граничное напряжение. В:
КТ943А
КТ943Б. КТ943Д
КТ943В. КТ943Г
Напряжение насыщения коллек-
тор — эмиттер. В:
КТ943А - КТ943В
КТ943Г, КТ943Д
Буквенное обозначе- ние минимальное Л О X максимальное =
УКЭО гр °’КЭ нас 45 60 80 0.6 1.2
Режим измерения
CQ S3
(П Л
X
S CQ
ж
100
1000
ж
100
293
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное 8 Z к: л 2 S я га 2 б'кэ (^кбБ в м ф ю /К- “А Iб» мА
Статический коэффициент пере- дачи тока в схеме ОЭ’ 7к = 25°С КТ943А КТ943Б КТ943В КТ943Г КТ943Д 7-к = 85°С КТ943Д КТ943Б КТ943В КТ943Г КТ943Д Ги = —45 °C КТ943А — КТ943В КТ943Г, КТ943Д Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/= = 10 МГц) Обратный ток коллектора, мА: Тк = -454- 25 °C КТ943А - КТ943В КТ943Г, КТ943Д Гк = 85 °C КТ943А — КТ943В КТ943Г. КТ943Д Обратный ток эмиттера, мА: КТ943А — КТ943В КТ943Г, КТ943Д Й21 Э |й21э| 'КБО /ЭБО 40 40 40 20 30 40 40 40 20 30 15 5 3 200 160 120 60 100 400 320 250 200 300 0, 1 1 0,3 3 1 5 2 10 ^КБщах 5 150 250
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ943А...................................... 45 В
КТ943Б.................................... 60 В
КТ943В - КТ943Д..................... 100 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?ба=Ю Ом или /?бэ=1 кОм):
КТ943А...................................... 45 В
КТ943Б, КТ943Д............................ 60 В
КТ943В, КТ943Г............................ 80 В
Импульсное напряжение коллектор—эмит-
тер (/?бэ= 10 Ом):
КТ943А...................................... 50 В
КТ943Б.................................... 75 В
КТ943Д.................................... 80 В
КТ943В, КТ943Г........................... 100 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 5 В
Постоянный ток коллектора . • . 2 А
294
Импульсный ток коллектора (тя^1 мс,
Q^50).................................
Постоянный ток базы...................
Постоянная рассеиваемая мощность1 кол-
лектора (Гк=—45-j-4-25 °C) . . . .
Температура перехода .................
Температура окружающей среды
б Л
0,3 А
25 Вт
150 °C
от —45 °C до
Ти =85 "С
1 При Тк — -J-25 4 f-85 С Рк max [Вт]—0,2(150 — 7*к). Разре-
шается использование транзисторов в схемах кадровой развертки те-
левизоров при Ти=ю мс, Q^2, /к и тах^З Л,
295
Допускается пайка выводов паяльником с температурой 250 °C в
течение не более 3 с на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При
эксплуатации транзистора следует учитывать возможность его само-
возбуждения за счет паразитных обратных связей монтажа.
2Т944А, КТ944А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили-
тельные. Предназначены для применения в линейных широкополос-
ных усилителях мощности на частотах 1,5—30 МГц при напряжении
питания 28 В.
Корпус металлокерамический с жесткими выводами и монтажным
винтом. Масса транзистора не более 40 г.
295
Электрические параметры
| Значение Режим измерения
Параметр Буквенное О X л о X £
ине S X X X X О о а О с X ь X X и X <□ X СО а П) 'а X
Выходная мощность (/= = 30 МГц, Гк<45*С), Вт 100 28
Коэффициент усиления по мощности (/==30 МГц, Р«ыт = 70 Вт) Кур 10 13» 28
Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (f-ЗО МГц, Рвых = 100 Вт), % ”и 60 28
Коэффициент комбинацион- ных составляющих 3-го и 5-го порядков на /=30 МГц (двухтоновый сигнал) при Раых (ло) = 70 Вт, дБ М,_ м,. -30 28
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Л21Э 5 10
7=25 ’С 10 80
7 = -60 °C 2Т944А 8 80
7= 125'С 2Т944А 250
Модуль коэффициента пере- дачи тона на высокой ча- стоте (/=30 МГц) 1Л21э| 3.5 4,5» 10 2
Напряженно насыщения коллектор — эмиттер*, В ^КЭ нас 1.5* 2.5 Ю (2)
Емкость коллекторного пере- хода. пФ Ск 350 28
Емкость эмиттерного пере- хода. нФ Сэ 1500
Обратный ток коллектор — эмиттер (R бэ=,° Ом). мА 'кэк 80 100
Обратный ток эмиттера. мА 1 ЭБО 150 5
297
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер Ю Ом) *:
Т„ < 100 °C..........................
Т„ = 175°С‘..........................
Импульсное напряжение коллектор -- эмит-
тер (Кбэ «£ 100 Ом)...................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора .
Импульсный ток коллектора (т„ 1 мс,
Q^2.5)................................
Постоянный ток базы...................
Импульсный ток базы (тн С1 мс,
Q>2,5)................................
Степень рассогласования нагрузки
(Рвих (по) = 70 Вт) в течение 1с...
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Г„<100°С)
Постоянная рассеиваемая мощность
(4/кэ^25 В, Тк С90°С)1 2..............
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода .................
Температура корпуса:
2Т944А.........................
КТ944Л .....................
Температура окружающей среды:
2Т944А.................................
КТ944А ........................
100 В
50 В
100 В
5 В
12,5 А
20 А
5 А
10 А
30 : 1
70 Вт
55 Вт
1,67’С/Вт
175 °C
125 °C
100 °C
от —60 до
Т„=125 °C
от —45 до
Т„=100°С
1 Б диапазоне температур от 100°C до 175°C снижается ли-
нейно.
2 При 7'к>90°С Pkitui снижается линейно.
298
2Т945А—2Т945В, КТ945А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п переклю-
чательные. Предназначены для работы в ключевых и импульсных
устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами. Масса транзистора не более 20 г.
299
Электрические параметры
Параметр t.v-- "^>1?'' Буквенное обозначение Значение Режим измерения
минимальное о О с . о Е максимальное Я (ЗХ/7) (Т) 1 7к (;б)- -А
Граничное напряжение (L== — 40 мГн. /кпас=03 А), В: УКЭО гр о. 1
2Т945А 200
2Т945Б. 2Т945В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В: 2Т945А. 2Т945Б, КТ945А КЭ нас 1 50 2.5 2.5 15(3) 10(2)
2Т945В
Напряжение насыщения ба- ^БЭ нас
за — эмиттер. В: 3 1 5 (3) 10(2)
2Т945А, 2Т945Б, КТ915А 2Т945В 3
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: h2 1 Э
7к = 25 'С 10 G0 1 5
2Т915А. 2Т945Б. ХТ945Л 10 60 7 10
2Т945В 5 180 7 15
Тк = Ти max 5 180 10
2Т945А. 2Т945Б 2Т945В КТ945А h2l Э, ЮО'С/ h21 Э. 25°С 3 7
Т к = т к mln 5 80 7 1 5
2Т945А. 2Г945Б 5 80 7 10
2Т945В 7 15
КТ945А
Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой часто- те (/ = 30 МГц) |Л21э| 1.7 10 1
Время нарастания*, мкс 'ир 0,052 0, 08 1 00 4 Ю (2)
Время рассасывания*, мкс *рас 0,75 1 , 1 100 4 Ю (2)
Время спада*, мкс *сп 0.14 0,24 100 4 Ю (2)
Емкость коллекторного пе- рехода (f=l МГц), пФ ск 1 20 150 200 (30)
Обратный ток коллектор — эмиттер (/?бэ=10 Ом), мА: ;КЭ/?
Т"" Т mln 25 X 2Т945Л 25 200
2Т945Б. 21'915В. КТ945А 25 1 50
Т к = Т к шах 2Т945А 50 200
2Т945Б. 2Т945В 50 1 50
КТ945А 80 150
Обратный ток эмиттера, мА 'ЭБО 300 5
300
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (Явэ= 10 Ом):
2Т945А....................... 200 В
2Т945Б, 2Т945В, КТ945А.............. 150 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?бэ= 10 Ом):
2Т945А.............................. 200 В
2Т945Б, 2Т945В, КТ945А.............. 150 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 5 В
Постоянный ток коллектора
2Т945А, 2Т945Б, КТ945А.............. 15 А
2Т945В.............................. Ю Л
Импульсный ток коллектора:
2Т945А, 2Т945Б, КТ945А.............. 25 А
2Т945В ............................. 20 А
Постоянный ток базы .... . 7 А
Импульсный ток базы................... 12 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора1 (ТК = ТК mm — 50°С) .... 50 Вт
Температура корпуса:
2Т945А — 2Т945В..................... 125 °C
КТ945А.............................. 100’С
Температура перехода:
2Т945А — 2Т945В..................... 175 °C
КТ945А.............................. 150 °C
Температура окружающей среды:
2Т945А — 2Т945В......................... от —60 до
Тк=125 ’С
КТ945А.................................. от —45 до
Г„=100 °C
1 При Тн>50оС Рк max [Вт] = (Тп—Гк)/Ят и, к, где Рт п. к —
тепловое сопротивление, определяемое из областей максимальных
режимов.
30]
302
Допускается пайку выводов производить паяльником с темпера-
турой 250 °C в течение не более 3 с на расстоянии не менее 5 мм от
корпуса транзистора.
2Т947А, КТ947А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности, ум-
ножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,1—1,5 МГц при
напряжении питания 27 В.
Корпус металлокерамический, с жесткими выводами и монтажным
винтом. Масса транзистора не более 35 г.
304
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние о = i X X X X X типовое максимальное X 2 Л & ^) сз Я 'зе/1 V •*/
Выходная мощность (/= = 1.5 МГц), Вт ^вых 260 27
Коэффициент усиления по мощности (/=1.5 МГц. Р»ых = 250 Вт) кУр 10 27
Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (/= = 1,5 МГц, Рвых-250 Вт), % чк 55 60* 75* 27
Статический коэффициент передачи тока в схеме 9Э: Г=25 “С Г = — 60 °C 2Т947А Г=125°С 2Т947А ft213 10 5 5 35’ 80 160 80 5 20
Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой часто- те (/ = 30 МГц) |Л21э | 2.5 3.3» 10 4
Емкость коллекторного пе- рехода, пФ Ск 400° 680* 850 27
Обратный ток коллектор — эмиттер (Рбэ=Ю Ом), мА: * ZK3R
Г=25 °C Г=12Б°С 2Т947А Обратный ток эмиттера, мА Z3BO 5* 3 0« 100 160 150 100 90 5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (Лбэ< 10 Ом):
ТП<100°С . .
Тп = 200°С*
Постоянное напряжение эмиттер — база
100 В
70 В
5 В
305
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора:
f= 100 кГц, <?>2......................
ти = 300 мкс, QJ&6....................
Постоянная рассеиваемая мощность
(Тк<50°С)2 . . ’........................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ...................
Температура корпуса:
2Т947Л................................
КТ947А ...............................
Температура окружающей среды:
2Т947А .................................
К.Т947А...............................
20 А
50 А
40 А
200 Вт
0,75 °С/Вт
200’С
125 °C
100 °C
от —60 °C до
Тк=125 °C
от —60 °C до
r„=ioo°c
1 В диапазоне температур 100—200 °C снижается линейно.
2 При Тк>50°С Рк Шах [Вт] = (200 — Тк)/0,75.
306
При пайке выводов температура корпуса не должна превышать
125 °C. При отсутствии контроля температуры корпуса напайка про-
изводится паяльником, нагретым до температуры 250 °C, в течение
времени не более 3 с. Пайка выводов допускается на расстоянии не
менее 2 мм от корпуса транзистора. Допускается осевое усилие на
винт не более 1200 Н (120 кГ).
2Т950А, 2Т950Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили-
тельные. Предназначены для применения в широкополосных линей-
ных усилителях мощности в диапазоне частот Т.5—30 МГц (2Т950Б)
и 30—80 МГц (2Т950А) при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с гибкими полосковыми выводами.
Масса транзистора не более 6 г.
307
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Звачевме Режим измеасния
1 1 л 3 S ! i Г типовое ! 1 1 i а 'е5,л ^ЭБ. В * /к<'в>. а
Выходная мощность, Вт: 2Т950А (/=80 МГц) 2Т95ОБ (/=30 МГц) Коэффициент усиления по мощ- ности : 2Т950А (/=80 МГц, Р«ых = -70 Вт) 2Т950Б (/=30 МГц, Рвых = ₽вых КУ р 70 50 7 10 8,5* 17* 11 9.S ♦ • 28 28 28
= 50 Вт) Коэффициент полезного дейст- вия коллектора, %: 2Т950А (/=80 МГц. Рвых = = 70 Вт) 2Т950Б (/ = 80 МГц. Рвых = = 50 Вт) Коэффициент комбинационных составляющих 3-го и 5-го поряд- ков (двухтоновый сигнал), дБ: 2Т950А (/=80 МГц, Рчых (по) = 50 Вт) 2Т950Б (/=30 МГц, Рвых (по) = 50 Вт) Статический коэффициент пере- дачи тока в схеме ОЭ: 2Т950А 2Т950Б Сопротивление насыщения кол- лектор — эмиттер*, Ом Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (f = = 30 МГц): 2Т950А 2Т950Б Емкость коллекторного перехо- да, пФ: 2Т950А 2Т950Б Емкость эмиттерного перехода, пФ Полное входное сопротивление*. Ом: 2Т950А (/=80 МГц, Рвых = = 70 Вт) 2Т950Б (/=30 МГц, Рвых = -50 Вт) Обратный ток коллектор — эмиттер (Лбэ = 10 Ом), мА: 1 = 25 °C Г-125 °C Обратный ток эмиттера, мА £ X МОП » J ет ф ю ® х « £ ю - я ° л ° 5 £ 65 40 -30» -30» 15 10 0,1 5 3 130» 130» 1 000» 77» 50» 40» 0, 15 7.5» 7.5» 150» 150» 1100» 0.6+ +/1 1.4 + +/1.3 15» 6 83» — 27 -30 100» 100» 0,2 12» 165 200 1200 30 50 100 28 28 28 28 10 10 28 28 28 28 60 0 4 5 10(2) 2
Индуктивность эмиттерного вы- вода (/ = 5 мм)*, нГн Индуктивность коллекторного вывода (Z=5 мм)*, нГн Индуктивность базового вывода ((=5 мм)*, нГн Емкость коллектор — корпус*, пФ Емкость база — корпус*, пФ п - ст Я Г4 > F ох® я я 2,1 4 2,3 2,2 1,15
308
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (U ЭБ =-1,5 В):
2Т950Л...................................... 60 В
2Т950Б...................................... 65 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 4 В
Постоянный ток коллектора:
2Т950Л........................................ Ю Вт
2Т950Б...................................... 7 Вт
ВЧ входная мощность.
2Т950Л..................................... 10 Вт
2Т950Б...................................... 5 Вт
Степень рассогласования нагрузки в тече-
ние 1 с при РВЫх^70 Вт (2Т950Л) и
Р„ ,4x^50 Вт (2Т950Б)................... 30:1
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Ги^ЗО'С)’:
2Т950А ..................................... 84 Вт
2Т950Б..................................... 60 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2Т950А.................................. 1,25°С/Вт
2Т950Б................................ 1,75°С/Вт
Температура перехода........................ 200 °C
Температура корпуса:
2Т950Л, 2Т950Б.............................. 125 °C
Температура окружающей среды:
2Т950А, 2Т950Б............................от —60 °C до
Т„=125 °C
1 При Тц>30°С Рк, ершах снижается линейно до 36 Вт для
2Т950А и 25 Вт для 2Т950Б (Т>,= 125 °C).
309
2T950fl
UH3 * 26 в
РВы» z70Br
310
Допускается работа транзистора 2Т950А на частотах выше
80 МГц и в диапазоне частот 1,5—30 МГц. При работе на частотах
ниже 30 МГц значения РВых и Рк, ср снижаются на 40%. Допуска-
ется работа транзистора 2Т950Б на частотах выше 30 МГц. Пайку
выводов допускается производить на расстоянии не менее 1 мм от
корпуса транзистора при температуре 260 °C в течение времени не
более 8 с.
Конструкция транзистора 2Т950Б обеспечивает отпайку фланца от
корпуса и не менее чем трехкратную перепайку транзистора на мон-
тажную поверхность гибридных схем при температуре напайки не
выше 200 °C в течение времени не более 8 с на каждую пайку. Для
отпайки фланца от корпуса проводят локальный подогрев винта
фланца, используемого для крепления транзистора только при изме-
рении параметров.
2Т951А—2Т951В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили-
тельные. Предназначены для применения в широкополосных линей-
ных усилителях мощности в диапазоне частот 1,5—30 МГц (2Т951Б)
и 30—80 МГц (2Т951А, 2Т951В) при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с гибкими полосковыми выводами.
Масса транзисторов не более 3,5 г.
Значение
Параметр
Буквенное
обозначе-
ние
Режим
измерения
Выходная мощность. Вт:
2Т951Б (/=30 МГц)
2Т951А (/ = 80 МГц)
2Т951В (/ = 80 МГц)
Коэффициент усиления по мощно-
сти:
2Т951Б (Рвых = 20 Вт, f=30 МГц)
20
25
3
28
28
28
28
311
•л# Ч'Л." - »м- 4-J-X'. ri Окончание
Значение Режим
. измерения
Буквенное ное о “ 5 -
Параметр обоаначе- V £ £
о ж
ние X о X <
X с
я ж b -С
2Т951А (Р.ых=25 Вт. / = 80 МГц) 8,3 20* 25* 28
2T95IB (Р.мх=3 Вт, f=80 МГц) 15 30* 40* 28
Коэффициент полезного действия, %: к
2Т951Б (/>.ыж = 20 Вт. f=30 МГц) 40 28
2Т951А (Р,мх=25 Вт. f = 80 МГц) 60 70* 80* 28
2Т951В (Р,Ы1=3 Вт. f=80 МГц) 50 58* 60* 28
Коэффициент комбинационных со- Мл
ставляющих 3-го и 5-го порядков
(двухтоковый сигнал). дБ:
2Т951Б (Раых(по)=20 Вт, f= -30
-30 МГц)
2T95IA (Рвых(по)=15 Вт, f= -35* -27
-80 МГц)
2T95IB (Р.ых(по)=2 Вт). f = -33* -27
-80 МГц)
Статический коэффициент передачи Й21Э
тока в схеме ОЭ:
2Т951А 15 50* 100* 10 2
2Т951Б 10 40* 1 00* 10 2
2T95IB 30 100* 200* 10 0,4
Модуль коэффициента передачи |л21э|
тока на высокой частоте (f=
= 30 МГц):
2T95IA 5 10* 14* 10 1
2Т951Б 3 10* 14* 10 1
2Т951В 5 н* 18* 10 0.2
Емкость коллекторного перехода, С
пФ:
2Т951А, 2Т951Б 60* 68* 70 28
2Г951В 9* 9,5* 12 28
Емкость эмиттерного перехода. пФ: С-
2Т951А. 2Т951Б 600* (0)
2Т951В 70* 80* 90 (0)
Полное входное сопротивление*, ZBX 28
2Т951Б (Рвых = 20 Вт, f = 30 МГц) 3.5+/ 5
2Т951А (Р.ых = 70 Вт, f=80 МГц) 0.8+ +/2.2
2Т951В (Р.ых=3 Вт. f=80 МГц) 2+/2
Обратный ток коллектор — эмиттер, /иЭ R 60
(Ябэ= 10 Ом). мА:
7 = 25 *С
2T95IB. 2Т951Б 8* 20
2Т951В 0,05* 5
7=125 °C
2Т951А. 2Т951Б 40
2T95IB 10
Обратный ток эмиттера. А: /дко (О
2Т951А, 2Т951В 2Ф 40
2Т951В 0, !• 10
Индуктивность эмиттерного вывода Ба 3,8
(Z —5 мм)*, нГн
Индуктивность коллекторного вы- Е 3,2
вода (/ = 5 им)*, нГн
Индуктивность базового вывода Ln 3, 2
<1 = 5 мм)*. нГн °
Емкость коллектор — корпус/ пФ Ск к 1. о
Емкость база — корпус*, пФ Cg к 0.8
312
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (Оэб=-1,5В):
2Т951А, 2Т951Б.............................. 60 В
2Т951В...................................... 65 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 4 В
Постоянный ток коллектора:
2Т951А........................................ 5 А
2Т951В......................................... ЗА
2Т951В................................ 0,5 А
ВЧ входная мощность:
2Т951А........................................ 3 Вт
2Т951Б...................................... 2 Вт
2Т951В..................................... 0,2 Вт
Степень рассогласования нагрузки в тече-
ние 1 с при Рвых = 25 Вт (2Т951А),
Р»ыхС20 Вт (2Т951Б), РвыхСЗ Вт
(2Т951В)................................ 30 ; 1
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Т’к<30°С)1:
2T95IA........................................ 45 Ь,
2Т951Б...................................... 30 Вт
2Т951В..................................... 6,3 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2Т951А.................................... 2,83°С/Вт
2Т951Б.................................. 4,25’С/Вт
2Т951В................................ 12,1 °С/Вт
Температура перехода.................... 200 °C
Температура окружающей среды:
2Т951А —2Т951В..........................от—60°C до
Т = 125 °C
КТ951А—КТ951В.........................от—60 °C до
Ти = 100°С
1 При Тк>30°С Рк, ср шах снижается линейно до 18 Вт для
2Т951А, до 12 Вт для 2Т951Б и 2,8 Вт для 2Т951В (Т„=125°С).
Рв.цс, Вт
313
314
Допускается работа транзисторов 2Т951А, 2Т951В на частотах
выше 80 МГц, а также в диапазоне частот 1,5—30 МГц. При работе
на частотах ниже 30 МГц значения РВых и Рк, ср снижаются на 40%.
Допускается работа транзистора 2Т951Б на частотах выше 30 МГц.
Пайку выводов допускается производить на расстоянии не менее
1 мм от корпуса при температуре 260 °C в течение не более 8 с.
Конструкция транзистора 2Т951Б обеспечивает отпайку фланца от
корпуса и не менее чем трехкратную перепайку транзистора на мон-
тажную поверхность гибридных схем при температуре напайки не
выше 200 °C в течение времени не более 3 с на каждую пайку. Для
отпайки фланца от корпуса проводят локальный подогрев винта
фланца, используемого для крепления транзистора только при изме-
рении параметров.
2Т955А, КТ955А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили-
тельные. Предназначены для применения в линейных широкополос-
ных усилителях мощности на частотах 1,5—30 МГц при напряжении
питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Масса
транзистора не более 6 г.
315
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначение Значение Режим измерения
минимальное типовое CJ С Я ч от S ь от S а То Тп а (П V •'Л/
Выходная мощность (/= = 30 МГц), Вт Коэффициент усиления по мощ- ности (/ = 30 МГц, двухтоновый сигнал, Роых (по) = 10 Вт) Коэффициент полезного дейст- вия коллектора (/=30 МГц, двухтоновый сигнал, Рвых(по) = = 10 Вт). % Коэффициент комбинационных Рвых '<Ур М ., Л1, 20 20 25 -42* -38- -33 28 28 28 28 0,66 0,66 0,66
составляющих 3-го и 5-го по- рядков. (/=30 МГц, двухтоно- вый сигнал, Рпых(по)=10 Вт), дБ Статический коэффициент пере- дачи тока в схеме ОЭ: 7 = 25 °C Т = —60°С 2Т955А Т=125°С 2Т955А Модуль коэффициента передачи Л21Э 1л21э| 10 5 10 3,3 35* 1 0* 80 80 250 13* 5 5 1 1
тока на высокой частоте (/ = =30 МГц) Емкость коллекторного перехода (/=1 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (/=1 МГц). пФ Полное входное сопротивление (/ = 30 МГц, Рвых(по)=10 Вт)*, Ом Обратный ток коллектор — эмит- тер (/?бэ=Ю Ом), мА: 7 = 25 °C 7=125 °C 2Т955А Обратный ток эмиттера, мА Индуктивность эмиттерного вы- вода. нГн Индуктивность коллекторного вывода, нГн Индуктивность базового выво- да, нГн Сн Сэ 7'вх 'КЭ R /ЭБО LK L6 50* 160* 60* 200* 0,75+ +/1.2 2* 1 ,5* 2* 2,6* 2.4* 75 320 10 20 10 (28) 28 60 4 4
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (Ябэ^ 10 Ом).......................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Постоянный ток базы....................
Степень рассогласования нагрузки
(/’вых (по) = 20 Вт) в течение 1с.
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Гкг£ 100 °C)1 . . . .
Тепловое сопротивление переход—корпус
70 В
4 В
6 А
2 А
30 : 1
20 Вт
6,07 °С/Вт
316
Температура перехода ...... 200 °C
Температура корпуса:
2Т955А...................................... 125 °C
КТ955А.............................. 85 °C
Температура окружающей среды:
2Т955А...................................от —60 “С до
Г» = 125 °C
, КТ955А..................................от —45 °C до
Ти = 85 °C
* При Тк> 100 ?С Рк, ср max снижается линейно.
При пайке выводов температура корпуса не должна превышать
125 °C. При отсутствии контроля температуры корпуса пайка произ-
водится паяльником, нагретым до температуры 250 °C. в течение вре-
мени не более 8 с.
2Т956А, КТ956А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили-
тельные. Предназначены для применения в линейных широкополос-
ных усилителях мощности на частотах 1,5—30 МГц при напряжении
питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми-выводами и монтаж-
ным винтом. Масса транзистора не более 15 г.
318
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим из- мерения
минимальное типовое максимальное
а '(^п) CQ 10 СП ь
Выходная мощность (/=30 МГц), Вт Коэффициент усиления по мощно- сти (/=30 МГц. двухтоновый сиг- нал. Рвых (по) = 80 Вт) Коэффициент полезного действия кбллектора (/=30 МГц. двухтоно- вый сигнал. Рвых(ло) = 80 Вт), % Коэффициент комбинационных со- ставляющих 3-го и 5-го порядков (/=30 МГц, двухтоновый сигнал, Рвых(по) = 80 Вт), дБ Статический коэффициент ередачи тока в схеме ОЭ: Г=25 °C Т’=-60°С 2Т956А Г=125°С 2Т956А Модуль коэффициента передачи то- ка на высокой частоте (/“30 МГц) Емкость коллекторного перехода (/=1 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (/=1 МГц), пФ Полное входное сопротивление (/= =30 МГц, Рвых(по) = 80 Вт)*, Ом Обратный ток коллектор — эмиттер (/?бэ=10 Ом). мА: Г=25 °C Г-125 °C 2Т956А Обратный ток эмиттеоа, мА Индуктивность эмиттерного вывода, нГн Индуктивность коллекторного вы- вода, нГн Индуктивность базового вывода. нГн - р вых кУр ”к м,. м, h21 Э 1 Л2 1 Э 1 СК СЭ ZBX ;КЭЯ ^ЭБО Ч Ч. Ч> 100 20 45 -40* 10 5 10 3.3 340* 800* 30» -36* 5,2* 380* 1200* 1,44-/2,4 30* 5* 2,8* 2.6* 2,8* 4 35* -33 80 80 250 6.5* 400 1600 80 100 30 28 28 28 28 5 28 100 0,5 0,5 0.5 0,5 4
319
Предельные эксплуатационные данные ( .
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (Яв»< 10 Ом) ...................... 100 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 4 В
Постоянный ток коллектора ... . 15 А
Постоянный ток базы.................... 5 А
Степень рассогласования нагрузки
(Р»ых = 70 Вт) в течение 1с. . . . 30:1
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (ГкС 100°C)* ... 70 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус 1,68°С/Вт
Температура перехода................... 200 °C
Температура корпуса:
2Т956А................................. 125 °C
КТ956Л .... . . . 85 °C
Температура окружающей среды:
2Т956А.................................от—60°C до
Т ___1 О'» °C
КТ956А...............................от -45 °C до
Гк = 85 °C
1 При Тк> 100 °C Рк. ср max снижается линейно.
При пайке выводов температура корпуса не должна превышать
125 °C. При отсутствии контроля температуры корпуса пайка произ-
водится паяльником, нагретым до температуры 250 °C в течение вре-
мени не более 8 с на расстоянии не менее 1 мм от корпуса. Допус-
кается изгиб выводов на расстоянии не менее 3 мм от корпуса.
320
11 Зак. 225
321
2Т957А, КТ957А
Транзисторы кремниевые эпнтаксналыю-планарные п-р-п усили-
тельные. Предназначены для применения в линейных широкополос-
ных усилителях мощности на частотах 1,5—30 МГц при напряжении
питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и монтаж-
ным винтом. Масса транзистора не более 15 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обоз- начение Значение Режим измерения
минимальное О о а О Е X »- О О 5 Ч Q х и X га X со X СП X Ь а га со V '*/
Выходная мощность (/=30 МГц), Вт Р вых 125 28
Коэффициент усиления по мощ- ности (/=30 МГц, двухтоновый сигнал Роых (по) = 150 Вт) кУр 17 28 0.45
Коэффициент полезного дейст- 50 28 0,45
вия коллектора (/=30 МГц, двухтоновый сигнал, Рвых (во) =
= 150 Вт), % Коэффициент комбинационных составляющих 3-го и 5-го по- рядков (/=30 МГц, двухтоио- вый сигнал, Риих<по)=150 Вт), дБ М, . Л», -33 28 0.45
Статический коэффициент пере- Л21 3 10 50* 80 5 5
дачи тока в схеме ОЭ Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/ = 3,3 5 5
h21 Э
= 30 МГц) Емкость коллекторного перехо- ск 450* 500* 600 (28)
ла (/= 1 Ml ц), пФ
Емкость эмиттерного перехода Сэ 1000* 1900* 2250 4
(/ = 1 МГц). пФ
322
Окончание
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначение минимальное типовое максимальное То * X Л а ьа (П Ь V
Полное входное сопротивление (/=30 МГц, Рвых (по)=> 150 Вт)*, Ом Обратный ток коллектор —эмит- тер (Яба=10 Ом), мА: 7*=25 °C Г=125°С 2Т957А Обратный ток эмиттера. мА Индуктивность вывода эмитте- ра*, нГн Индуктивность вывода коллек- тора*. нГн Индуктивность вывода базы*, нГн ZBX ;КЭЯ 'ЭБО ч ч L6 0.64-/0.5 10* 5* 1,4 2 2.2 100 200 30 60 4
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор — эмит
тер (ЛвэС Ю Ом).....................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора ....
Постояшцф ток базы..................
Степень рассогласования нагрузки
</’»ых (по) = 70 Вт) в течение 1с.
Средняя рассеиваемая мощность в динами
ческом режиме (Ги^ЮО’С)1
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ...............
Температура корпуса:
2Т957А ...........................
КТ957А ...........................
Температура окружающей среды:
2Т957А .............................
КТ957А ...........................
60 В
4 В
20 А
7 А
30: 1
100 Вт
1,42 °С/Вт
200 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
Гк=125 °C
от —45 °C до
Т„ = 85 °C
При Тк> 100 °C Рк, ср max снижается линейно.
При пайке выводов температура корпуса не должна превышать
125 °C. При отсутствии контроля температуры корпуса пайка про-
изводится паяльником, нагретым до температуры 250 °C, в течение
времени не более 8 с на расстоянии не менее 1 мм от корпуса. До-
пускается изгиб выводов на расстоянии не менее 3 мм от корпуса.
11
323
324
2Т958А, КТ958А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п гене-
раторные. Предназначены для применения в широкополосных уси-
лителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на ча-
стотах 50—200 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Внутри
корпуса имеется согласующее ЛС-звено. Масса транзистора не бо-
лее 7 г.
Шероховатость контактной поверхности теплоотводов должна
быть не менее 2,5. Неплоскостность контактной поверхности теплоот-
вода должна быть не более 0,04 мм. Тепловое сопротивление кор-
пус — теплоотвод при нанесении теплоотводящей смазки типа КТП-8
на.поверхность теплоотвода транзистора не более 0,3°С/Вт.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от кор-
пуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и гер-
метичности транзисторов. Пайку производить при температуре не
выше 270 °C в течение времени не более 5 с.
325
Электрические параметры
Параметр
Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
о о я Л 2 3 X 2 типовое максимальное акэ (^КБ), В а 'эеп 'к ('ъ), А
Выходная мощность (/= = 175 МГц. 7х<40°С), Вт ₽вых 40 12.6
Коэффициент усиления по мощ- ности (/=175 МГц, Рвых = = 40 Вт) Кур 4 6‘ и* 12,6
Коэффициент полезного дейст- вия коллектора (/=175 МГц, Рвих = 40 Вт), % ”к 50 75» 90* 12,6
Статический коэффициент пере- дачи тока в схеме ОЭ Л21Э 10 55 250 8 0,5
Напряжение насыщения коллек- тор — эмиттер*. В УКЭ нас 0.05 0,08 0.15 0.5 (0,1)
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/ = = 100 МГц): 2Т958А КТ958А |Л21Э1 4 3 7* 9.2’ 10 3.5
Критический ток коллектора (/ = 100 МГц)*, А 7кр 12 20 29 10
Постоянная времени цепи об- ратной связи на высокой часто- те (/ = 5 МГц)* пс 9.5 12 35 5 0,05
Емкость коллекторного перехо- да (/ = 30 МГц). пФ Си 100* 130* 180 (12)
Емкость эмиттерного перехода (/ = 5 МГц).*. пФ Сэ 1770 1920 2 100 0
Обратный ток коллектор—эмит- тер (Ябэ=10 Ом), мА: 7=25 °C 2Т958А КТ958А 7 = 125 °C 2Т958А 'КЭЯ 3» 15 25 30 36
Обратный ток эмиттера, мА: 7 = 25 °C 7=125 'С 1ЭБО 15« 10 20 4
Индуктивность внутреннего LC-звена*, нГи ч 0,52
Емкость внутреннего LC-звена* нФ Сз 1250 1400 1550
Индуктивность эмиттерного вывода (/=1 мм)*, нГн ч 0,44
Индуктивность коллекторного вывода (Z=l мм)*, нГн Индуктивность базового вывода (1 — 1 мм)*, иГн LK Le 1.6 0.6
326
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (Лвэ^Ю Ом)......................... зб в
Постоянное напряжение эмиттер — база 4 В
Постоянный ток коллектора.............. 10 Л
ВЧ входная мощность*................... 10 Вт
КСВН коллекторной цепи (РОЫх = 30 Вт,
Тк = 40°С)............................. 5
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Тк^40°С)1 .... 85 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус 1,4°С/Вт
Температура перехода ...... 160 °C
Температура корпуса:
2Т958А............................ 125 °C
КТ958А......................... 85 °C
Температура окружающей среды:
2Т958А..................................от —60 °C до
Тк=125°С
КТ958А..................................от —40 °C до
7'к = 85 ‘С
1 При Тк>40°С Рк. ср max [Вт] = (160 - Тк)/1,4.
327
328
КТ961А— КТ961В
Транзисторы кремниевые планарные п-р-п усилительные. Пред-
назначены для работы в усилительных и импульсных схемах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора
не более 0,8 г.
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное эончь'смиэмем ^кэ (с/кб) , В а ‘еа/; 1 к (;э)- мА V» 'Я/
Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ, МГц, Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: KT96IA КТ961Б КТ961В Граничное напряжение, В: КТ961А КТ961Б КТ961В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Обратный ток коллектора, мкА Обратный ток эмиттера, мкА Gp Л2 1 Э УКЭО гр ^КЭ нас 'кво ;ЭБО 50 10 63 1 00 80 60 45 1 00 1 60 2 50 0,5 10 1 00 (Ю) 2 (60) 5 (30) 1 50 20 500 50
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база'
КТ961А................................... 100 В
КТ961Б...................................... 80 В
КТ961В...................................... 60 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер I кОм, /к 1 мА):
КТ961А ............................. 100 В
КТ961Б............... . . . 80 В
КТ961В................................ 60 В
КТ961Л (/?Сэ = оо) ... ... 80 В
КТ961Б (Ябэ=оо) ... ... 60 В
КТ961В (/?Сэ=оо)............................ 45 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 5 В
Постоянный ток коллектора.................... 1,5 А
Импульсный ток коллектора (т»^30 мкс,
<2>10)........................................ 2 А
Постоянный ток базы.......................... 0.3 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора (8 BsjL'K3 12,5 В):
с теплоотводом Г,< = —45-4-4-40°С 1 . . 12,5 Вт
без теплоотвода Т——45 --+40 °C 2 . . I Вт
Температура перехода.................... 150 °C
Тепловое сопротивление переход — корпус 10°С'Вт
Тепловое сопротивление переход — окружа-
ющая среда ............................. 110°С/Вт
Температура окружающей среды ... от —45 °C до
7’„ = 85°С
1 При Т„>40°С Рк max [Вт] = (150—Тк)/Ю (с теплоотводом).
2 При 7">4О°С Ритах (Вт] = (150—Г)/110 (без теплоотвода).
330
2Т964А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили-
тельные. Предназначены для применения в линейных широкополос-
ных усилителях мощности на частотах 30—80 МГц при напряжении
питания до 40 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и монтаж-
ным винтом. Масса транзистора не более 10 г.
Электрические параметры
Параметр 1 Буквенное обоз- начен ие Значение Режим измерения
мниимальное О о аз О Е н максимальное а И из £
Выходная мощность (/« = 80 МГц). Вт Коэффициент усиления по мощ- ^вых кУр 150 5 6* 8* 40 40
мости (/“80 МГ ц, /’вых(по)- — 150 Вт) Коэффициент полезного деЛст- Пк 40 50* 60* 40
вия коллектора (/—80 МГц. Рвых (ио) = 150 Вт). % Коэффициент комбинационных Л1,. -33* — 30* — 27 40
составляющих 3-го и 5-го поряд- ков (/ = 80 МГц, Рвых (по) = -150 Вт). дБ Статический коэффициент перс- Л21 Э 10 15* 50* 1 0 5
дачи тока в схеме ОЭ Статический коэффициент пере- дачи тока в схеме ОЭ в инверс- ном режиме* Граничная частота коэффвцнен- Л2 1 Э 2 150 210* 300* 20 0,5 2 2
та передачи тока. МГц Емкость коллекторного перехода 220* 240* 290 40
(/ = | МГц). пФ Емкость эмиттерного перехода (/=t МГц). пФ Полное входное сопротивление (/ = 80 МГц, Рвых (по) = -150 Вт)*. Ом и : о я О N 0.78 + +/ 0.62 1000 40 0
331
Окончание
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначение о о ё ГЗ S X S типовое максимальное 0 а U3 Ф /к • А
Обратный ток коллектор —эмит- тер (/?б;»=10 Ом), мА: 7=25 °C 7=125 °C Обратный ток эмиттера, мА Индуктивность эмиттерного вывода*, нГн Индуктивность коллекторного вывода*. нГн Индуктивность базового выво- да*, .мГн 'K3R 'эьо ч Ч L6 10* 50* 25* 200* 2,8 1.6 1.9 100 1 5 0 500 80 80 4
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (ЯяО<10 Ом)......................... 80 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 4 В
Постоянный ток коллектора .... 10 А
ВЧ входная мощность..................... 40 Вт
Степень рассогласования нагрузки в тече-
ние 1 с (Я,Ы1 (по)С 100 Вт) .... 30:1
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (7'к<50°С1) . . . . 200 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус 0,75 °С/Вт
Температура перехода.................... 200 °C
Температура корпуса..................... 125 °C
Температура окружающей среды ... от —60 °C до
___________ ТК = 125°С
1 При Гк>50°С Рк. ершах [Вт] = (200—Тк)/0,75.
332
Пайка выводов допускается на
пуса при температуре не выше 26(
расстоянии не менее 2 мм от кор-
1°С в течение не более 8 с.
333
2Т967А, КТ967А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили-
тельные. Предназначены для применения в линейных широкополос-
ных усилителях мощности в диапазоне частот 1,5—30 МГц при на-
пряжении питания 12,6 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и мон-
тажным винтом. Масса транзистора не более 16 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим из- мерения
о О я S X X S & о а С н 0 2 е; га У X и X га У. сс 03 -9 X а 1Z ч
Выходная мощность (/ = 30 МГц). Вт Выходная мощность (/ = 30 МГц. двухтоновый сигнал). Вт Коэффициент усиления но мощно- р пых ^вых (по) А'У р АУ р(по) П,. 90 70 18 30* 40* 12.6 12,6 12.6
сти (/=30 МГц. Рвых=90 Вт) Коэффициент усиления по мощно- 20 35* 50* 12,6
сти (/ = 30 МГц, двухтоновый сиг- нал. Рвых(по) = 70 Вт) Коэффициент полезного действия 60 70* 80* 12.6
коллектора (/ = 30 МГц. Р»ых = -90 Вт). % Коэффициент полезного действия пк 38 50* 60* 12,6
коллектора (/ = 30 МГц, Рпых(по) = -70 Вт). % Коэффициент комбинационных со- ЛЬ. ль — 10- -36* — 32 12,6
ставляющих 3-го и 5-го порядков (/=30 МГц. Роых(по) = 70 Вт. двух- тоновый сигнал). дБ Статический коэффициент передачи л21Э 10 30* 100 5 5
тока в схеме ОЭ Модуль коэффициента передачи то- Гма1 ск 6 8* 10* 5 1
ка на высокой частоте (/=30 МГц) Емкость коллекторного перехода 200* 350* 500 12.6
(/— | МГц). пФ
334
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
мини мальное о 0> О с t- максимальное ^КЭ ^ЭБ)’ в V •»/
Емкость эмиттерного перехода (/ — с. 700* 1 500- 2500 <4>
= 1 МГц), пФ
Обратный ток коллектор — эмиттер 10 Ом), мА ;КЭ я 1 .0- 20 36
Обратный ток эмиттера, мА 'ЭБО 10* 150 (4)
Полное входное сопротивление* (/ = 30 МГц,. /,вых(пи) = 70 Вт), Ом 7 их 0.9 12,G
4-/1.1
Индуктивность эмиттерного выво- да*. нГн Ч 2,0
Индуктивность базового вывода*, к Гн 'б 2,2
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит- тер (R.,g 10 Ом) 36 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 4 В
Постоянный ток коллектора 15 А
ВЧ мощность на входе Степень рассогласования нагрузки в теме- 8 Вт
ние 1 с (/ = 30 МГц. Р„,.,^90 Вт) Средняя динамическая мощность в дина- 30: 1
мическом режиме (Тк^Зб’С1) 100 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус 1,7°С/Вт
Температура перехода Температура корпуса: 200 °C
2Т967А 125 °C
КТ967А Температура окружающей среды: 100 °C
2Т967А от —60 °C до Т„ = 125 °C
КТ967А от —45 °C до Т„= 100 °C
1 При Г,. >35 °C Р„. „рта, [Вт] = (200 - TK)/i ,7.
Пайка выводов допускается
чуса при температуре нс выше
на расстоянии не менее 2 мм от кор-
260 °C в течение не более 8 с.
335
дес
t/'*r г i о
- 9
- 9
- L
- 9
- е
- 01
|f«4|
9££
-ig'cwwdos оь ос
ес-
90-
LC-
90-
90-
ьс-
сс-
9P'SW'CW
2Т968А
Транзистор кремниевый планарный п-р-п усилительный. Пред-
назначен для работы в широкополосных линейных усилителях.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими
выводами. Масса транзистора не более 1,5 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
о о is £5 I S типовое макси- мальное со £ ^БЭ1 в я
Граничное напряжение. В ^КЭО гр 250 10
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В °'КЗ нас 0,12е 0,22- 1 30 (6)
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: Л21 Э 30
Т = —60 + +25 “С 35 75* 220* 10
7=25 °C 25 40* 150’ 10
Гк = 125’С 20 10 30
Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ^гр 90 1 29* 180’ 10 15
мс ОЭ, МГц Время включения*, мкс ^ВЦЛ 0,2 50 30 (6)
Время выключения*, мкс (выкл = = ,рас + 14-0.5 50 30 (6)
+ гсп 2,2*
Емкость коллекторного пе- си 2* 2,8 (30)
рехода, пФ Емкость эмиттерного перехо- да, пФ Обратный ток коллектор — эмиттер (Лбэ=1 кОм), мкА: сэ 7КЭ R 30 250 3
Г = —60 + +25 "С 0.5
Тк=125 "С 1 250
Обратный ток коллектора. 1КБО 0,05* 0.5 (250)
мкА 0.04* 1 00 (300)
Обратный ток эмиттера, мкА /ЭБО 0. 5 100 3 5
338
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер (Лоэ=1 кОм)........................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора . . . .
Постоянный ток базы.....................
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
с теплоотводом1 (Тк=—60-i-40 °C)
без теплоотвода 2 (Тк——60 4-25 °C)
Температура перехода ..................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход — среда .
Температура окружающей среды
300 В
250 В
5 В
100 мА
200 мА
50 мА
4 Вт
0,8 Вт
150 °C
27,5°С/Вт
156°С/Вт
от —60 °C до
Т„=125 °C
1 При Тк>40 °C Рк max [Вт] — (150 — Тк)/Рт п, к, где Rt п, к =
= 27,5 °C при (7КЭ ^140 В /?т п. к при {7КЭ >140 В рассчитыва-
ется из области максимальных режимов.
2 При Г>25’С Ритах [Вт1=(150-7-)/Ртп. С.
hZ13
340
КТ969А
Транзистор кремниевый планарный п-р-п усилительный. Предна-
значен для работы в выходных каскадах видеоусилителей телевизи-
онных приемников.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора
не более 0,8 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
£ а Е «а 3 я X X a типовое максимальное УКЭ<УКБ>' 2 д 2 я
Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ, МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: Г=25+85 °C Т=—45 °C Граничное напряжение, В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Емкость коллекторного пере- хода (Г=1 МГц), пФ Обратный ток коллектора: 7=—45 + +25 °C,нА Т=85 °C, мкА Обратный ток эмиттера, нА frp h213 иКЭО гр УКЭ вас ск /КБО 7ЭБО 60 50 25 250 0,2* 1.4* 1* 1* 100* 100» 0,25* 1.5* 3* 2* 250* 1 1.8 50 20 50 10 10 (30) (200) 3 15 15 10 15 (3)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база 300 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?б, = оо).............................. 250 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 5 В
341
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора (т«<100 мс,
<2>100)................................
Постоянный ток базы....................
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
с теплоотводом’ (Тк =—45 ч-4-25 °C)
без теплоотвода 2 (Т——45 4-4-25 °C)
Температура перехода ..................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход — среда .
Температура окружающей среды
100 мА
200 мА
50 мА
6 Вт
1 Вт
150 °C
21 °С/Вт
125 °С/Вт
-45 4- 4-85 °C
’ При Г„>25°С max [Вт] = (150-Тк)/21.
2 При Т>25°С Рн max [Вт] = (150 — Г)/125.
342
1к,мй
Разрешается производить пайку выводов при температуре 250 °C
в течение не более 3 с на расстоянии не менее 6 мм от корпуса тран-
зистора. Изгиб выводов осуществляют на расстоянии не менее 5 мм
от корпуса только в направлении, перпендикулярном плоскости вы-
водов. Радиус изгиба не менее 1,5 мм.
При эксплуатации транзисторов следует учитывать возможность
их самовозбуждения как высокочастотных элементов.
2Т971А, КТ971А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности, ум-
ножителях частоты и автогенераторах на частотах 50—200 МГц при
напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Внутри
корпуса имеется согласующее LC-звено. Масса транзистора не более
г.
Изгиб выводов транзистора допускается на расстоянии не менее
3 мм от корпуса. Пайка выводов допускается на расстоянии не ме-
нее 1 мм от корпуса при температуре 260 °C в течение 4 с.
343
Электрические параметры
Параметр Буквенное лЛлочatinti ио Значение Режим измерения
«1 о 3 5 X 5 31 S 38 типовое максимальное а СО ih (П V **/
Выходная мощность (/= = 175 МГц. 7к<40”С), Вт Коэффициент усиления по мощ- ности (/=175 МГц, Раых = -150 Вт) Коэффициент полезного дейст- вия коллектора (/=175 МГц. Рвых=150 Вт), % Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/= = 100 МГц) Критический ток коллектора (/=100 МГц). А Постоянная времени цепи об- ратной связи на высокой часто- те (/=5 МГц), пс Емкость коллекторного перехо- да (/=30 МГц). пФ Обратный ток коллектор —эмит- тер (Яэв=10 Ом), мА: 7=25 'С 7=85 *С КТ971А 7= 125'С 2Т971А Обратный ток эмиттера, мА: 7=25 'С 7=85 “С КТ971А Т= 125 ’С 2Т971А Индуктивность внутреннего LC-звена*. нГн Емкость внутреннего LC-звена*, пФ Индуктивность эмиттерного вы- вода*. нГн Индуктивность коллекторного вывода*, нГн Индуктивность базового выво- да*. иГн ₽вых KV р *>к Л21э *кр *Ж Ск 'кэя ^ЭБО Ч сз Ч LK L6 150 3 55 2.2 30 13* 200* 5» 75* 4* 40» 20* 240* 8» 4» 0,35 2000 0, 18 0. 1 0,56 9* 84* 5.7* 50* 40 330 60 120 120 30 60 60 28 28 28 10 1 0 10 28 50 4 8 0.5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (Яов^Ю Ом)..........................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
ВЧ входная мощность.....................
КСВН коллекторной цепи (1/кэ^24В,
Г„^50°С, /=175 МГц):
Риы1^85 Вт (в течение 3 с) . . . .
Рвых<90 Вт (длительное) . . . .
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Гк^40°С) 1
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ...................
50 В
4 В
17 А
50 Вт
10
3
200 Вт
0,6 °С/Вт
160 °C
344
Температура корпуса:
2Т971Л ..........................
2Т971А..............................
Температура окружающей среды:
2Т971А..............................
2Т971А..............................
125 °C
85 °C
от —60 °C до
7’к=125 'С
от —40 °C до
Тк = 85 °C
1 При Тк >40 °C Рк max [Вт] = (160 — Тк)/0,6.
Кур, 05
24
20
16
12
8
4
0
50 75 100 125 )50 f .МГц
2 Т 371/1, НТ 371/1
РЗых ‘ 1КОВТ
и„3 26 В
345
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили-
тельные. Предназначены для применения в линейных широкополос-
ных усилителях мощности в диапазоне частот 1,5—30 МГц при на-
пряжении питания до 50 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и монтаж-
ным винтом. Масса транзистора не более 11 г.
346
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Буквенное о О <L> о X L3
Параметр обозначе- сч
О 2
ние S X о X и ф
X 3 я 4- 2 а
Выходная мощность (/ = Р 250 50
=30 МГц). Вт
Коэффициент усиления по мощ- Яу р 25 50
кости (/=30 МГц, Рвых (по)=
-250 Вт) Коэффициент полезного дсйст- ’’к 35 50
пия коллектора (/=30 МГц, Рвых (по) = 250 Вт), % Статический коэффициент пе- редачи тока в схеме ОЭ Л21Э 15 150 20* 60* 10 5
Граничная частота коэффицисн- 210* 270- 20 9
та передачи тока. МГц 50
Граничное напряжение, В ^КЭО гр 0.2
Емкость коллекторного персхо- Ск 450 50
да (/=1 МГц), пФ
Емкость эмиттерного перехода сэ 15000 (0)
(/ = 3 кГц), пФ Полное входное сопротивление (/ = 30 МГц. Рвых (по) = 250 Вт), ч ZBX 0,624-/0.37 50
70 Обратный ток коллектор —эмит- тер. (Яба=10 Ом). мА: 'кэя 60‘
Г = 25 °C 1 0* 1 00 I 00
7=125 °C 200 100
Обратный ток эмиттера. мА /ЭБО 500 (<»
Индуктивность эмиттерного вы- вода*, нГн Ч 1.6
Индуктивность коллекторного LK 2.8
вывода*, нГн Индуктивность базового выво- да*, нГн ч> 1.9
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит
тер 10 Ом)...........................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора
ВЧ входная мощность..................
Степень рассогласования нагрузки в тече
нис 1 с (f ==30 МГц, Р,ык (В0)С ЮО Вт .
Средняя рассеиваемая мощность в динами
ческом режиме (Гк^30°С) 1
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ................
Температура окружающей среды
100 В
4 В
10 А
16 Вт
30: 1
300 Вт
0,57 °С/Вт
200 °C
от —60 °C до
Г,< = 125 °C
1 При Г„>30°С Рк, ср так [Вт] = (200 — Тк)/0,57.
Панка выводов на расстоянии не более 2 мм от корпуса произ-
водится при температуре не более 260 °C в течение не более 8 с. На
расстоянии менее 2 мм температура пайки выводов не более 150 °C.
347
200 220 240 260 280 M0Plu>ln,),8r 44 45 46 47 48 49U„3,8
348
р-п-р
2Т629А-2, КТ629А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р импульс-
ные. Предназначены для работы в быстродействующих импульсных,
переключающих схемах и в усилителях высокой частоты в составе
герметезированной аппаратуры. Бескорпусные с защитным покры-
тием на керамической подложке с гибкими выводами. Масса тран-
зистора нс более 0,02 г.
Защитное покрытие — лак ПАИ-1 ТУ6-05-211-804-72. Не допуска-
ется воздействие на транзисторы в момент монтажа в интегральную
схему температуры более 200 °C, время воздействия температур не
более 100 с. Минимальное расстояние от места пайки (сварки) до
поверхности транзистора 2 мм, изгиба не ближе 0,5 мм от места вы-
хода вывода из защитного покрытия. При монтаже рекомендуется
использовать припой ПОС-61.
349
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное типовое максимальное CQ М X (Т) * (/Бэ. В Th из *м.
Граничное напряженке, В 2Т692А2 КТ629А Напряжение насыщения коллектор — эмиттер. В: 2Т629А-2 КТ629А Напряжение насыщения база — эмиттер. В: 2Т629А-2 КТ629А Статический коэффици- ент передачи тока и схе- ме ОЭ: Г=25 °C 2TG29A-2 КТ629А Г=125°С 2Т629А-2 Г = -60 °C 2Т629Л-2 Модуль коэффициента передачи тока на высо- кой частоте (f~ 100 МГц) Время рассасывания, нс Время включения*, нс Время выключения*, нс Постоянная времени це- пи обратной связи па вы- сокой частоте* (/ = = 30 МГц), нс Емкость коллекторного перехода (/=10 МГц), и Ф: 2Т629А-2 КТ629А Емкость эмиттерного перехода (/=10 МГц), нФ: 2Т629А-2 КТ629Л Обратный ток коллекто- ра. мкА: Т = 25 “С Г=125°С 2Т629А-2 Г=--60°С 2Т629А-2 Обратный ток коллек- тор — эмиттер (/?бэ = = 1 кОм). мкА Обратный ток эмиттера. мкА УКЭО гр и КЭ нас УБЭ нас Л21Э 1Л21Э| *рас 'вил *выкл тк Ск сэ 'КБО 'КЭ R 'ЭБО 50 40 25 25 25 10 2.5 15 20 90 30 75 120 0.8 1 1.5 1 .2 80 150 Г 50 80 90 50 90 200 20 25 100 120 5 10 5 5 5 (1.2) (5) (1.2) (1.2) 5 (10) (10) (50) 50 0,5 4.5 (0.01) 0.5 0.5 (0.5) (0.2) (0.5) (0.5) 0.05 0. 5 0. 5 0.5 (0.05) 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05
350
Предельные эксплуатационные данные
Достоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 1 кОм)................................... 50 В
Постоянное напряжение коллектор — база 50 В
Постоянное напряжение база — эмиттер . 4.5 В
Постоянный ток коллектора .... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора
Т = --60 -г +80 °C.......................... 1 Вт
Г =125 °C 2Т629А-2....................... 0,18 Вт
Температура перехода........................ 135 °C
Тепловое сопротивление переход — корпус
микросхемы................................... 55 °С/Вт
Температура окружающей среды . . —60 ч-+125 °C
1 В диапазоне температур 80—125 °C Рк шах [Вт] снижается по
линейному закону.
351
f,2!3
НО
120
100
80
60
40
20
О 5 10 15 UnB, в
,^T629fil КТ629*
s'
-0,5/1
^s'
352
КТ639А-КТ639Д
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р универ-
сальные. Предназначены для применения в усилителях низкой ча-
стоты, усилителях мощности, видеоусилителях различного назначе-
ния, устройствах автомобильной электроники, импульсных и переклю-
чающих схемах, в оконечных устройствах ЭВМ.
Корпус пластмассовый с гибкими выводами. Масса транзистора
не более 1.0 г.
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса 5 мм.
Температура пайки не более 250 °C, время пайки не более 10 с. Ми-
нимальное расстояние от корпуса до места изгиба вывода 5 мм, ра-
диус изгиба 1,5—2 мм. При изгибе необходимо принимать меры,
исключающие передачу усилий на пластмассу. Кручение выводов за-
прещается.
12 Зак. 225
353
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерении
минимал!ное О е О С S ь максимальное а из ъ То i Л •*-. ж 50 50 50
Модуль коэффициента передачи тока на высо- кой частоте (/ — 20 МГц) Граничное напряжение, В: КТ639А - KTG39B КТ639Г. КТ639Д Статический коэффици- ент передачи тока в схе- ме ОЭ: КТ639А. KTG39T КТ639Б. КТ639Д КТ639В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения база — эмиттер, В Время рассасывания*, нс Емкость коллекторного перехода (/ — 5—10 МГц), пФ Емкость эмиттерного пе- рехода* (/ = 5—10 МГц). пФ Обратный ток коллекто- ра. нА Обратный ток эмиттера, нА 1Л21 э| иКЭО гр л2 1Э иКЭ нас иБЭ нас *рас Ск Сэ 'КБО 'ЭБО 4 45 60 40 25* 30* 63 25» 30» юо 25* 30* 90 40* 45* 80* 85* 120* 125* 200 120 100 160 250 0,5 1,25 50 200 100 100 5 2 2 10 2 2 10 о 2 10 10 (0.5) 30 (5) 30 50 500 500 500 1 50 5 1500 150 5 1500 150 5 1 500
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ639Л — КТ639В ...... 45 В
КТ639Г, КТ639Д..................... 60 В
Постоянное напряжение эмнттер — база . 5 В
Постоянный ток коллектора ... 1,5 Л
Импульсный ток коллектора1 (т,^10 мкс,
35=2) . . 2 А
Постоянный тек базы................. 0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора (—60< Т< 4-35 *С) 2 .... 1 Вт
354
Импульсная рассеиваемая мощность (тя^
^10 мкс, Q>2. Т„С25’) 1
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход—среда .
Температура перехода ...................
Температура окружающей среды
60 Вт
Ю’С/Вт
115°С/Вт
150 °C
—60 4- +125 °C
1 При условии испревышения Рк max-
2 При использовании транзистора без теплоотвода при ТК>35’С
Рк max (Вт| = (150-7)/РТп, с.
12'
355
KT6J9A- КТ63ЭД
3 = 5-:омг»
Сн.п<Р
60
50
40
30
20
10
0 12 3 4 5U3S,B
356
КТ644А-КТ644Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р универ-
сальные. Предназначены для применения в усилителях низкой часто-
ты, усилителях мощности, видеоусилителях различного назначения,
импульсных и переключающих схемах, в оконечных устройствах
ЭВМ.
Корпус пластмассовый с гибкими выводами. Масса транзистора
не более 1,0 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное ть То / » мА V« ‘(9/)е/
Модуль коэффициента пе» |*21 »1 2.0 2.8* 1.2* 5 30
родами тока на высокой ча- стоте (/=100 МГц) Граничное напряжение. В: 60 10
°'кэо гр
КТ644А. КТ644Б
КТ644В. КТ644Г 40
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: КТ644А. КТ644В Л21Э 20» 10 0.1
25» 1 0 1 . о
35* 10 1 0
40 120 10 150
20» 10 500
КТ644Б. КТ644Г 100 0,18* 0,55» 300 10 150 500 150 150
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В УКЭ вас 0.14е 0.45* 0. 4 1 .6* (1 5) (50) (15)
Напряжение насыщения ба- БЭ нас 1 . з
за — эмиттер, В Время рассасывания, нс (рас сэ «0е I 10* ! 80 (0) 150 (15)
Время эмиттерного перехо- да (/=5— ю МГц), пФ 50 100
50
Обратный ток коллектора. /КБО
Обратный ток эмиттера, нА /ЭБО 100 (5)
357
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора1 (Ти<10 мкс,
Q2j2)...................................
Постоянный ток базы.....................
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора (—60 < Г <35 °C)2 3 * 5............
Импульсная рассеиваемая мощность (Ти<
<10 мкс, Q>2, Гп<25 °C)1,3 . . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход — среда .
Температура перехода ... . .
Температура окружающей среды
60 В
5 В
0,6 А
1,0 Л
0,2 А
1,0 Вт
20 Вт
10°С/Вт
115’С/Вт
150 °C
—60-^+125 °C
1 При условии непревышения Рк шах-
2 При использовании транзистора без теплоотвода при Т,<>35°С
Рк них [Вт| = (150 — Т)IRtu, с.
3 При использовании транзистора с теплоотводом при Т,<>25°С
Рк max [Вт] = (150 - Тц)/Лтп, и.
Минимальное расстояние ме-
ста пайки выводов от корпуса
5 мм. Температура пайки не
более 250 "С, время пайки нс
более 10 с. Минимальное рас-
стояние от корпуса до места из-
гиба вывода 5 мм, радиус из-
гиба 1.5—2 мм. ПР" изгибе не-
обходимо принимать меры, ис-
ключающие передачу усилий на
пластмассу. Кручение выводов
запрещается.
358
1Т901А, 1Т901Б
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р переклю-
чательные. Предназначены для применения в переключающих и им-
пульсных усилительных каскадах радиоэлектронных устройств.
Корпус металлостекляниый с гибкими выводами. Масса транзи-
стора не более 25 г. Масса крепежного фланца не более 10 г.
13 30
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе* н ие Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное С2 X гс х я 'е9л /К</К. и) • А X ГС < th
Граничное напряже- ние. В: иКЭО гр (5)
7=25 °C IT90IA •10 51 • 53*
1Т901Б 7=-60, +70 °C 30 47* 51*
1T90IA, 1Т901Б Напряжение насыще- ния коллектор — эмиттер. В: УКЭ вас 30 5 1
7=25 "С 0.3* 0,4* 0,6
7=-60 “С 0,7
7 = 70 °C 1 .8
Время нарастания, мкс 'нр 0,5* 0,7 10 0.5 (5)
Время спада, мкс *сн 0.2* 0.7 10 0.5 (5)
Граничная частота f 30 10 0, 5
коэффициента пере- дачи тока*. МГц Статический коэффи-
Л21Э 10 (5)
цнент передачи тока в схеме ОЭ:
7=25 °C IT901A 20 33* 50
1Т901Б 7-=—60 °C 40 72* 100
1Т901А 20 60
1Т901Б 40 120
360
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное * X СР Ь'ЬЭ. в ' X * 1э('э. и). А (Д
7=70 "С 1Т901А 1 4 60
1Т901Б Статический коэффи- циент передачи тока h213 28 1 20 10 (0.1)
в ОЭ: 7 = 25 °C 1Т901А 10 19- 25» (40)
Обратный ток кол- лектора. мА: ;КБО
7 = 25 °C 7=—60 °C 8 60
Т=70 °C Обратный ток кол- /кэх 50 0.5
лектор —эмиттер. мА: Г=25 °C 1.5° 3,5* 15 - • -
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное тер Рэб = |Т901А . 1Т901Б . напряжение 0,5 В): коллектор — эмит- 50 40 В В
Постоянное 1Т901А . 1Т901Б . напряжение коллектор — база’: 50 40 в в
Постоянный ток коллектора .... 10 А
Постоянный ток базы 2 А
Постоянная или средняя рассеиваемая мощность Т = —60’Т до Г„ = 37.5' Температура перехода Тепловое сопротивление (за период 1 мс) транзистора (от ’С1 2) .... переход — корпус 15 Вт 75 °C 2.5 °С/Вт
Температура окружающей среды от —60 °C до Т„=70 °C
до 10 мкс
формуле
1 Допускается выброс напряжения длительностью
для 1T90IА до 50 В, для 1Т901Б до 40 В.
2 При ГК>37.5°С Рк или Рк. ср рассчитывается по
Ро..« [Вт] = (75 — Тк)/2,5.
361
Пайка выводов транзистора
должна производиться паяльни-
ком мощностью не более 60 Вт
в течение не более 10 с на рас-
стоянии не менее 20 мм от корпу-
са. Расстояние от начала гибкой
части составного вывода до нача-
ла изгиба вывода не менее 5 мм.
Запрещается использование
транзисторов без теплоотвода.
Чистота обработки поверхности
теплоотвода в месте установки
транзистора не хуже 1,6.
1Т905А, ГТ905А, ГТ905Б
25.5
ГТ905А, ГТ905Б
Транзисторы германиевые диф-
фузионно-сплавные р-п-р универ-
сальные. Предназначены для при-
менения в переключателях и им-
пульсных усилительных устройст-
вах. в выходных каскадах усили-
телей мощности низкой частоты.
Корпус металлостеклянный
(1Т905А) и металлопластмассо-
вый (ГТ905А, ГТ905Б) с жестки-
ми выводами. Масса транзисторов
1Т905А не более 4.5 г (с крепеж-
ным фланцем не более 6 г),
ГТ905А. ГТ905Б не более 7 г.
362
1Т905А
Электрические параметры
Значение
Режим измерения
Параметр
Буквенное
обозпаче-
я
S
ине
S
Vi.
о
2
Граничное напряжение (ти=60 мкс к > 8000 или Та =30 мкс и <?> 4000). В: 1Т905А. ГТ905А. ГТ905Б Напряжение насыщения коллектор — эмиттер. В: иКЭО гр иКЭ нас 65 74* 78* 3 (3) 0.5
7=25 ’С IT905A, ГТ905А, ГТ905Б 0.14* 0,24* 0,5
7=-60 °C IT9O5A 0.5
7=70'С 1Т905А 0.8
Напряжение насыщения база — эмиттер, В UБЭ нас 0,46* 0.54- 0.7 3 0,5
I рапичная частота ко- 10 0.5
эффициепта передачи то- ка п схеме ОЭ*. МГц: IT905A Модуль коэффициента 30 0.5
10
передачи тока на высо- кой частоте (f —20 МГц): ГТ905Б Постоянная времени цс- 3, 5 30 0.03
тк
пи обратной связи (/ = = 10 .МГц), нс: 500*
IT905A ГТ9О5Б 300
Статический коэффицн- Л21Э 10 3
епт передачи тока в схе- ме ОЭ:
Г-25 °C 1Т9О5А. ГТ905А. ГТ905Б 35 64,4* 100
7 = -60°С 1Т905А 35 100
7=70 °C 1Т9О5А 20 11 0
Время включения (Ти = = 20 мкс. /-50 Гц), мкс: (вкл 30 (0.5)
IT905A 0,012- 0.018- 0.2
Время нарастания (ти = ‘нр 30 (0.5)
= 20 мкс. / = 50 Гц), мкс:
ГТ905А 0. 15
363
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Знамение Режим измерений
минимапьное типовое максимальное аз Та еъ Гэ со V •(” '6/)е/ 'бПб. и)’ а
Время спада (Ти = = 20 .мкс, f = 50 Гц), мкс: 1Т905А, ГТ905Л Время рассасывания (Тп = 20 мкс, / = 50 Гц), мкс: 1Т905А. ГТ905А Обратный ток коллекто- ра. мА: Г=25 °C IT905A ГТ905А ГТ905Б Г = 60 °C 1Т905А, ГТ905А ГТ905Б 7 = 70 °C 1Т905А ГТ905А ГТ9О5Б Обратный ток эмиттера, м А Емкость коллекторного перехода (/=10 МГц), пФ: IT905A ГТ905А. ГТ905Б Емкость эмиттерного пе- рехода (/=10 МГц), пФ: 1Т905А (сп (ра с 'КБО /ЭБО Ск СЭ 0,012* 1.5* 0,09* 0,01* 0.053’ 2.4’ 0,35» 0.18’ 0,3 1,0 2.0 2,0 2,0 2,0 2,0 8,0 16 16 5,0 250* 200 8000 30 30 75 75 60 75 60 75 75 60 (0.4) 30 (0,4) (0. 5 (0.5)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер Ом, 1/ЭБ =0,4 В) . . .
1Т905А, ГТ905А.......................
ГТ905Б ..............................
Импульсное напряжение коллектор—эмит-
тер в переключающем или импульсном ре-
жиме (ти:> 10 мкс).....................
закрытого транзистора (ти^20 мкс и
<Э>3), ГТ905А, ГТ905Б..................
Постоянное напряжение коллектор — база-
1Т905А, ГТ905А.......................
ГТ905Б ..............................
Постоянный, импульсный (в режиме пере-
ключения) ток коллектора ..............
Импульсный ток коллектора в режиме пере-
ключения для 1Т905А (тк<20 мкс) и для
ГТ905А, ГТ905Б (ти^20 мкс, Q^3)
60 В
75 В
60 В
60 В
130 В
75 В
60 В
3 А
7 А
364
Постоянный (прямой или обратный) ток
базы..................................
Импульсный (прямой или обратный) ток
базы..................................
Постоянная, средняя (за период ие более
2 мс и ти^10'3 с) рассеиваемая мощность
коллектора с теплоотводом 1 (от —60°C
до Гк <4-30 °C).......................
Постоянная, средняя (за период не более
2 мс) рассеиваемая мощность транзистора
без теплоотвода2 (Г = —60+25 °C) .
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора (т„^10-3 с, /<5 Гц, С/Кэ sJ32 В,
запирающий ток базы не менее 0,1 А и от
— 60°C до Т„С30°C3)...................
Тепловое сопротивление переход—корпус
Тепловое сопротивление переход—среда
Температура перехода .................
Температура окружающей среды
0,6 А
1,0 А
6 Вт
1,2 Вт
60 Вт
9 °С/Вт
50 °С/Вт
85 °C
от —60 °C до Т
или Тк=70°С
'При Тк>30°С Pmal [Вт] = (85 — Гк)/9.
2 При Г>25°С Ртах [Вт] = (85 —Т)/50.
3 При 4/кэ >32 В, Тн>30°С и при /Б 3s 0.1 А, т„< 10'3 с,
Л. <5 Гц импульсная рассеиваемая мощность снижается линейно в
соответствии с приведенными далее зависимостями, а при 5 Гц^
^/п^Ю3 Гц дополнительно снижается в соответствии с формулой
Рк , и max (f) = РК, и max (/ <15 Гц) ( 1 — С ), Где Г ПСрИОД,
МС.
365
366
1Т906А, ГТ906А, ГТ906АМ
'< * * I I ,
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р псреклю
нательные. Предназначены для применения в преобразователях на
пряжения, переключающих и им-
пульсных усилительных каскадах
радиоэлектронных устройств.
Корпус металлостеклянный
(1Т906А, ГТ906А) и металлопла-
стмассовый (ГТ906АМ) с жестки-
ми выводами. Масса транзисторов
1Т906А, ГТ906А не более 4,5 г
(с крепежным фланцем не более
6 г). ГТ906АМ нс более 7г.
ГТ906АМ
IT906A, ГТ906А
Электрические параметры
Знамен не ’ежи» измерены;
Параметр Букпенное обозначе- ние минимальное максимальное аз th V .И •», СП X из
Граничное напряжение, В IT906A 50 мкс. Q > 2000) ГТ9О6А. ГТ906АМ (Ти$25О мкс, 7и = 1 — 2 Гц) Напряжение насыщении коллектор — эмиттер. В: 7 = 25 "С IT906A, ГТ906А. ГТ9О6АМ 7=—60‘С 1Г906А 7 = 70’С 1Т906А ^КЭО гр ^КЭ нас 65 7.5 0.5 0,5 1 ,0 5 5 0,5
367
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное о О X я <3 я г со 'ф СО из ф v '<•»/ X СП •ч X СО
Напряжение насыщения база — эмиттер. В: IT906A ГТ906А, ГТ90САМ О'вэ нас 0.6 0.7 5 0.5
Время нарастания (Ги = = 20 мкс, /“50 Гц, Ru — = 6 Ом), мкс: 1Т906А '|<Р 1 30 0.5 0,5
Время включения (Тм = = 20 мкс, / = 50 Гц, Ru = = 6 Ом), мкс: ГТ906А. ГТ906АМ Время рассасывания (тм=20 мкс. / = 50 Гц. /?>!=--6 Ом), мкс 'пкл 'рас 1 5 30 30 0. 5 0.5 0,5
Статический коэффици- ент передачи тока в схе- ме ОЭ: 7 = 25 °C 1Т906А. ГТ906А. ГТ906АМ Т = -Ь0°С IT906A 7 = 70 °C IT906A й21Э 30 30 2 0 I 50 1 70 150
Обратный ток коллек- тор — эмиттер. мА: 7= +25, -60 °C IT906A. ГТ906А, ГТ906АМ 7 = 70 °C IT906A ГТ906А. ГТ906АМ 'К ЭХ 8 15 30 (75) 0.5
Обратный ток эмиттера. мА: IT906A ГТ906А. ГТ9О6АМ ;ЭБО 8 15 1 .4
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение коллектор — эмиттер:
1Т906А ((/БЭ =0,5 —1.4 В) . . . .
ГТ906А, ГТ906АМ (С/БЭ =0,4-1,4 В)
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер закрытого транзистора (0БЭ =0,4—
1,4 В, т„^20 мкс, Q^3):
ГТ906Л, ГТ906АМ....................
Напряжение коллектор — база . . . .
Напряжение база—эмиттер . . . .
75 В
75 В
130 В
75 В
1,4 В
368
Постоянный или импульсный ток коллекто-
ра в режиме насыщения 1.................
Постоянный ток коллектора в режиме пере-
ключения:
1Т906Л ...............................
ГТ906А, ГТ906АМ.......................
Ток коллектора в режиме переключения:
1Т906А (Укэ В- выбросы напря-
жения до 45 В, Ти^Ю мкс) . . . .
ГТ906А, ГТ906ЛМ (при напряжении на
коллекторе закрытого транзистора не бо-
лее 25 В).............................
Постоянный или средний ток базы:
1Т906Л (за период не более 2 мс)
ГТ906А, ГТ906АМ (т„<с2 мс, Q>3) .
Постоянная или средняя рассеиваемая мощ-
ность коллектора при температуре корпуса
не более 37,5 °C1.......................
Импульсная рассеиваемая мощность транзи-
стора:
TnSglO мкс............................
ти^200 мкс, Укэ ^60 В, /п^5 Гц
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход — среда .
Температура перехода ...................
Температура окружающей среды
10 А
7 А
1,5 А
1,5 А
15 Вт
375 Вт
300 Вт
2,5 °С/Вт
50°С/Вт
75 °C
от —60 °C до Т
или 7’к = 70°С
5 А
6 А
7 А
1 Выключение транзистора производить при токе коллектора не
более 5 Л для 1Т906А и 6 А для ГТ906А, ГТ906АМ.
2 При 7’К>37,5°С Рк max [Вт] = (75— Тк)/2,5 (при использова-
нии транзистора с теплоотводом); Рк max [Вт] = (75 — 7)/50 (при
использовании транзистора без теплоотвода).
369
1Т910АД
Транзисторы германиевые
диффузионно-сплавные р-п-р
переключательные. Предназна-
чены для применения в мосто-
вых преобразователях напря-
жения и других переключаю-
щих каскадах радиоэлектрон-
ных устройств.
Корпус металлопластмассо-
вый с гибкими выводами. Вы-
вод эмиттера отмечен синей
точкой на корпусе. Масса тран-
зистора не более 5 г.
370
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное О м О с X максимальное CQ 2" х ь ф * V •" ‘Я/ X (Т)' X
Граничное напряжение, в ^КЭр гр 25 28 • 31» 5
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер. В: УКЭ нас
Г=25 °C 0, 15- 0, 1 9* 0.6 10 1
0,22- 0,2 5 * 0,8 20 2
Т=—60 ’С 0,6 1 1 0 1
7=70 °C 10 1
Время нарастания, мкс <‘ПР 0,6- 1* 1 ,5 10 5
Время спада, мкс 0.5- 0. 8- 1 10 5
Граничная частота коэф- фициента передачи тока, МГц Статический коэффици- f 1 гр а21Э 30
ент передачи тока в схе- ме ОЭ.
7=25 ‘С 50 223* 320* 10 20
50 167* 320 10 10
30 70 • 104- 10 0.1
7=-60 °C 35 320 10 16
Т = 70 °C Обратный ток коллекто- ра. мА: ZKBO 35 10 0,1
7=25 °C 0,42» 1 , 2* 6 (40)
7 ——60 °C 6 (4 0)
7=70 °C 20 (40)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (Убэ =0-4 В)'.....................
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора
Постоянный ток базы...................
Импульсный ток базы...................
Средняя (за период не более 1 мс) рассеи-
ваемая мощность коллектора (Тк^20°С):
с теплоотводом 1 2....................
без теплоотвода 3...................
Температура перехода .................
Тепловое сопротивление переход—корпус
Температура окружающей среды
32 В
33 В
10 А
20 А
3 А
6 А
35 Вт
0,9 Вт
85 °C
1,85 °С/Вт
от —60 °C до
Тк = 70°С
1 Допускается выброс напряжения до 37 В длительностью не бо-
лее 10 мкс.
2 При 7’к>20 °C Рк, ср т„ [Вт} = (85—Тк) / 1,85.
3 При Т>20°С Рк, ср max [Вт] = (85—Т) / 70.
371
2Т932А. 2Т932Б, КТ932А—КТ932В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-п усили-
тельные. Предназначены для применения в широкополосных усилите-
телях мощности и автогенераторах.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса транзи-
стора не более 20 г.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер и коллектор — база:
2Т932А, КТ932А............................. 80 В
2Т932Б, КТ932Б............................. 60 В
КТ932В..................................... 40 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 4,5 В
Постоянный ток коллектора . . . 2 А
372
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
Тк <50 °C1 2Т932А, 2Т932Б, КТ932А—
КТ9Э2В................................ 20 Вт
ТК = 125°С 2Т932А, 2Т932Б .... 5 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус 5°С/Вт
Тепловое сопротивление переход — среда 42°С/Вт
Температура перехода.................. 150 °C
Температура окружающей среды:
2Т932А, 2Т932Б...........................от —60 °C до
р __125 °C
КТ932А - КТ932В.....................отК-60 °C до
Тк=Ю0оС
1 При Тк>50°С Рк шах [Вт] — (150— TK)/RT п, к (при исполь-
зовании транзистора с теплоотводом), при Т>50°С Рк max [Вт]=
= (150—Г)/Ртп, с (при использовании транзистора без теплоот-
вода).
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное 1 типовое максимальное со X ь ф X < 3» X & V °<a/)®Z
Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ. МГц: 2Т932А 2Т932Б КТ932А КТ932Б СтатическиЯ коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 7=25 °C 2Т932А, КТ932А 2Т932Б, КТ932Б КТ932В Т-— 60 °C 2Т932А 2Т932Б 7=125 °C 2Т932А 2Т932Б ^гр Л21Э 30 50 80 100 15 30 40 10 20 15 30 45» 70* 30° 45» 80* 100* 80* 120* 3 3 1.5 1
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Обратный ток коллектор — эмиттер (Яво=100 Ом), В: 7=25 °C 2Т932А, КТ932А 2Т932Б, КТ932Б КТ932В 7=—60 °C 2Т932А 2Т932Б 7= 125 °C 2Т932А 2Т931Б Емкость коллекторного пере- хода (/=5 МГц), пФ УКЭ нас /КЭЯ Ск 0,2* 110- 0,4» 0,1’ 0,1» 0.1» 160» 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 20 20 300 80 60 40 80 60 80 60 (20) (1.5) (0,25)
373
2Т933А, 2Т933Б, КТ933А, КТ933Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р усили-
тельные. Предназначены для применения в широкополосных усили-
телях мощности и автогенераторах.
Корпус металлостеклянный с гибкими (2Т933Л, 2Т933Б) и жест-
кими (КТ933А, КТ933Б) выводами. Масса транзисторов 2Т933А,
К1 ЭООЛ, I\1 3JJD
374
2Т933Б не более 1,5 г, КТ933А, КТ933Б не более 24 г без накидного
фланца (масса накидного фланца не более 12 г).
6.6 _ 23
2Т933А, 2Т933Б
Электрические параметры
Значение Режим измерения
1
Буквенное о о
Параметр обозначе- 5 ч ч *"х <
н не S о й 2 Гз из
X X О с X и X га ф *
2 ь 2 ъ
Граничная частота коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ. МГц Статический коэффициент frp Л21Э 75 100* 120* 3 0.4
передачи тока в схеме ОЭ:
Г-=25 'С 2Т933А. КТ933А 15 30* 80* 3 (0.4)
2Т933Б. КТ933Б 30 45* 1 20*
7 =-60 ’С 2Т933А 10
2Т933Б 20
Т=125 "С 2Т933А 15
2Т933Б 30
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Обратный ток коллектор — иКЭ нас ' КЭЛ 9,2* 0,4* 1.5 (0.4) (0.05)
эмиттер (Z?0o=IOO Ом). мА:
7=4-25. —60'С 2Т933А. КТ933А 0. 5 80
2Т933Б, КТ933Б о. 5 60
7=125 °C 2Т933А 5 80
2Т933Б 5 60
Емкость коллекторного пере- Ск (20)
хода (/ = 5 МГц). пФ:
2Т933А, 2Т933Б 50* 60« 100
КТ933А, КТ933Б 70
375
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер и коллектор — база:
2Т933А, КТ933А...................... 80 В
2Т933Б, КТ933Б...................... 60 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 4,5 В
Постоянный ток коллектора .... 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
Л, <50 °C1 2Т933А, 2Т933Б, КТ933А,
КТ933Б............................... 5 Вт
ГК=125°С 2Т933Л, 2Т933Б .... 0,2 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус 20°С/Вт
Тепловое сопротивление переход—среда
2Т933А, 2Т933Б........................... 125°С/Вт
Температура перехода.................. 150 °C
Температура окружающей среды:
2Т933А, 2Т933Б.......................от -60 °C до
Тк = 125 °C
КТ933А, КТ933Б.......................от—60 °C до
Тк=100 °C
1 При Тк>50°С Ркшах [Вт] = (150—Тк)/Ят п,к (при исполь-
зовании транзистора с теплоотводом), при Т>5О°С Рк max (Вт)=
= (150—Т)//?тп. с (при использовании транзистора без теплоот-
вода).
376
Раздел пятый
ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ
п-р-п
2Т606А, КТ606А, КТ606Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц
при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с жесткими выводами и монтаж-
ным винтом. Масса транзистора не более 6 г.
377
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
* 3 • « 3 3 3 типовое максимальное СП Й X Ф CQ СО (П 'К- А
Выходная мощность (/= = 400 МГц). Вт: 2Т6О6А, КТ606А КТ606Б Коэффициент усиления по мощности (/ = 400 МГц) Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (/ = = 400 МГц). % Напряжение насыщения коллектор — эмиттер*. В Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой ча- стоте (/=100 МГц): 2T60GA. КТ606А КТ606Б Критический ток коллектора (/=100 МГц). А Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/ = 5 МГц), нс: 2TG06A. КТ606А 2Т606Б Емтсость коллекторного пе- рехода (/ = 5 МГц). пФ Емкость эмиттерного пере- хода (/ = 5 МГц), пФ Обратный ток коллектор — эмиттер (Ябэ=10 Ом), мА: 7 = 25 °C 2Т606А КТ6О6А. КТ606Б 7 = 85’С КТ6О6А. КТ606Б Г-125 °C 2Т606А Обратный ток эмиттера. мА: 2Т6О6А КТ606А. КТ606Б Раых «У/, Ь'кэ нас 1Л21 э| ;кр тк Ск сэ 7 КЭЛ /ЭБО 0.8 0.6 2.5 35 3,5 3 0.1 3» 1.0 10 1 2 10 27 1 1.5 3,0 2,0 0,1 0.3 28 28 28 10 10 10 (28) 65 0 4 0,2 0. 1 0.03 0,04
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 100 Ом)..................... . 65 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер 100 Ом):
2Т606Л............................ 75 В
КТ606А, КТ606Б.................... 70 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 4 В
Постоянный ток коллектора .... 0,4 А
Импульсный ток коллектора .... 0,8 Л
Постоянный ток базы................ 0,1 А
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Гк^40°С)1 .... 2,5 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус 44°С/Вт
378
Температура перехода:
2Т606А...................................... 150 °C
КТ606Л, КТ606Б............................ 120 °C
Температура корпуса.
2Т606Л.............................. . 125 °C
КТ606Л. КТ606Б..................... . 85 °C
Температура окружающей среды:
2Т606А........................... . • . от —60 °C до
Тк=125°С
КТ606А, КТ606Б . ..........от -40 °C до
Г.-= 85 °C
1 При Тк > 40 С Рк, ер max [Вт] = (7’п —Т к) /44.
гтеоел, НТ 60 в л
ох - -- — f *ЪООМГц
7-2| гтвобл.
КГ6О6Н
Ut Uj Utl rg* t о r
1.2
1,0
0.8
0.6
0.6
0.2
° ♦ 8 12 16 инэ.в
379
380
Чистота контактной поверхности теплоотводов должна бить нс
менее 2,5. Неплоскостность контактной поверхности теплоотвода дол-
жна быть не более 0,03 мм.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от кор-
пуса транзистора паяльником, нагретым до температуры не более
250 °C в течение времени не более 3 с. Целесообразно осуществлять
теплоотвод между корпусом и местом пайки.
2Т607А-4, КТ607А-4, КТ607Б-4
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности, ум-
ножителях частоты и автогенераторах на частотах до 1 ГГц при
напряжении питания 20 В в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные, с гибкими выводами. Масса транзистора не более
381
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
миннмальное типовое максимальное со * ь из X н ‘аел /К. А
Выходная мощность (/“ = 1 ГГц. медианное значе- ние), Вт Р«ых 0.85* 1 .0 1.2* 20 0.1 1
Коэффициент усиления по мощности (f—l ГГц, меди- КУ р
энное значение), дБ:
2Т6О7А-4. КТ6О7А-4 3 2- 4 4 .7* 20 о.н
КТЫ)7Б-4 Коэффициент полезного дей- Пк 3
ствия коллектора (/ = = 1 ГГц. медианное значе- ние). %:
2ТОО7А-4. КТ6О7А-4. (Р„- 38* 45 50* 20 0.11
=0.4 Вт) КТ607Б-4 (Рвх=0,5 Вт)
Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой ча- 1Л21Э| 7 9* 15* (Ю) о.ов
стоте (/ = 100 МГц) Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте <f = 5 МГц), пс: тк 6* 10е 18 10 0.03
2Т6О7А-4. КТ6О7А-4 КТ607Б-4 25 10
Емкость коллекторного пере- Ск
хода (f=l0 МГц). пФ:
2Т607А-4. КТ607А-4 3, 2* 3,6* 4
КТ6О7Б-4 4.5
Обратный ток коллектора, мкА: 1 кг>о
Г = 25’С 2Т607А-4. КТОО7А-4 0.3- 1 . о 40
КТСО7Б-4 Г — 85 °C 0.3* 1 .0 30 40
КТ607А-4 5
КТ6О7Б4 5 30
Г=125*С 2Т607А-4 3 40
Обратный ток эмиттера. мкА: 'ЭБО 4
Г «25 °C 0.1е 0.5
7 = 85 °C 3
КТ607Л 4. KTG07E-4 Т = 125 °C 2Т607А-4 3
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?(•,„< 10 Ом):
2Т607А-4....................
КТ607А-4..............................
К.Т607Б-4.............................
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т607А-4....................
КТ607А-4....................
КТ607Б-4.................
25 В
35 В
30 В
30 В
40 В
30 В
3S2
Постоянное напряжение эмиттер—база:
Т 85 °C ................ 4 в
7= 125 °C 2Т607А-4.............................. ЗВ
Постоянный ток коллектора:
Т^85 °C................................. 150 мА
7=125 °C 2Т607А-4..................... 125 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
7,<^40°С 2Т607Л-4..................... 1 5 Вт
7„С50°С КТ607А-4, КТ607Б-4 ... 1£ Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус
микросхемы............................... 73 °С/Вт
Температура перехода......................... 150 °C
Температура корпуса микросхемы:
2Т607Л-4...................................... 125 °C
КТ607А-4. КТ607Б-4................... 85 °C
Температура окружающей среды:
2Т607А-4................................от—60 °C до
7К = 125 °C
КТ607А-4, КТ607Б-4....................от“-50 °C до
7К = 85 'С
1 При повышении температуры Рцп,х [Вт] = (150 — 7К)/73.
383
Крепление транзистора производится приклеиванием или напай-
кой. Максимально допустимая температура припоя не более 160 °C.
Время напайки нс более 3 с. Нажимное усилие на торце каждого
вывода не должно превышать 400 г.
2Т610А, 2Т610Б, КТ610А, КТ610Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили-
тельные. Предназначены для применения в линейных усилителях
мощности и напряжения.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и мон-
тажным винтом. Масса транзистора не более 2 г.
384
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное со "ф СО из (Т) Zd
Выходная мощность (/= = 400 МГц), Вт: 2Т610Б Коэффициент усиления по мощности (/ = 400 МГц): 2Т610Б Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (/ = = 400 МГц). %: 2Т610Б Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 2TGI0A 2Т610Б KTGI0A КТ610Б Неравномерность коэффи- циента передачи тока в схе- ме ОЭ (в режиме малого сигнала): 2TGI0A, КТ610Б Модуль коэффициента пере- дачи тока (/=100 МГц): 2T6I0A, КТ610А 2TG10B, КТ610Б Коэффициент шума (/= =2-7-200 МГц)*. дБ Постоянная времени цепи обратной связи по высокой частоте (/ = 30 МГц), пс: 2Т610А 2Т610Б КТ610А КТ610Б Граничное напряжение, В Емкость коллекторного пере- хода (/=10 МГц), пФ: 2Т610Л. 2Т610Б KTG10A, КТ610Б Емкость эмиттерного пере- хода (/=10 МГц), пФ Обратный ток коллектора, мА: Г = 25 °C Г=85 °C KTG10A. КТ610Б Т= 125 °C 2TG10A, 2Т610Б Обратный ток эмиттера, мА: Г=25 °C Т=125°С 2Т610Л, 2Т61ОБ Индуктивность эмиттерного вывода,* нГн Индуктивность коллектор- ного вывода*, нГн рвых Кур ”к Л21Э ^213 max 'Чю mln |л21 э 1 Кщ тк УКЭ гр ск Сэ 1КБО ;ЭБО Ч LK 1 6,3 45 50 20 50 20 10 7 4 4* 3* 21 8 20 2.7* 2* 16* 8* 50» 150* 60* 12* 11* 6 20* 7.5* 24* 3.2* 17* 0,08* 0.01* 1.28 2,38 12* 65* 250 250 300 300 2, 3 16* 15* 8 35 18 55 22 30* 4, 1 4. 1 21 0,5 5 1.5 0.1 0,5 12,6 12.6 12,6 (Ю) (Ю) 10 1 0 10 26 0,034-0,27 0 4 0. 15 0,03 0,03 0, 05
•З Зак. 225
385
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (ЛбэС 100 Ом).......................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Гц sg50 °C)1 . . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ...................
Температура корпуса:
2Т610А, 2Т610Б ....................
КТ610А, КТ610Б .......................
Температура окружающей среды:
2Т610А, 2Т610Б .....................
КТ610А, КТ610Б........................
26 В
4 В
0,3 А
1,5 Вт
65 °С/Вт
150 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
ТК = 125°С
от —45 °C до
ГК = 85°С
1 При Тк 50 С Рк, ср max [Вт] = (150 — Тк) /65.
386
2Т624А-2, 2Т624АМ-2, КТ624А-2,
КТ624АМ-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п им-
пульсные. Предназначены для работы в импульсных устройствах, в
устройствах памяти ЭВМ в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные. с защитным покрытием и гибкими выводами. Тран-
зисторы 2Т624А-2, КТ624А-2 изготавливают на керамическом кри-
сталлодержателе размером 1,ЭХ 1,9 мм, транзисторы 2Т624АМ-2,
КТ624АМ-2 на металлическом кристаллодержателе размером ЗХ
XI мм. Масса транзисторов 2Т624А-2, КТ624А-2 не более 0,015 г,
транзисторов 2Т621АМ-2, КТ624АМ-2 не более 0,04 г.
13*
387
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Буквенное <12 О о а
Параметр обозначе- ние я S <У о 00 я S а Ь С2 <
СП СП
X X я IQ К (Ь
Z ь 2 121
Граничное напряжение ^ КЭО гр 12 22* 35» 30
(1«<30 мкс Q ^50) В
Напряжение насыщения коллектор — э.миттор. В: УКЭ нас 1000 100
2Т624А-2. 2Т624АМ 2 0,58* 0.62* 0, 87
КТ624А-2. КГ624АМ-2 0.58* 0.62» 0, 9
Напряжение насыщения ^БЭ и ас 1 .05* 1 .2* 1.7 1000 1 00
база — эмиттер, В Статический коэффици- 30 70* 180 0.5 300
Л 2 1Э
ент передачи тока в схе- ме ОЭ Модуль коэффициента передачи тока на высо- 4,5 9,7» 12» 5 100
|Л21э|
кой частоте (f - 100 МГц) Время рассасывания, нс: fpac
2Т624А-2. 2Т624АМ-2 6» 11 » 15 100 1 оо
2Т624А-2. КТ624АМ-2 1 8 100 100
Емкость коллекторного перехода (/=10 МГц), Ск 7* 7.2* 15 (5)
пФ
Емкость эмиттерного пе- рехода (/=10 МГц). пФ сэ 27» 30» 50 0.5
Обратный тик коллекто- ра. мкА: ;КБО
7 = ГпНп и 25"С 100 (30)
Тк = Тк max 1000 (20)
Обратный ток коллек- тор — эмиттер (^бэ=0), мкА: 'кэк
Г = -60 и +25 'С 2Т624А-2, 2Т624АМ-2 200 30
Тк— 125 °C .2Т624А-2, 2TG24AM-2 1200 20
Обратный ток эмиттера, мкА: 7эбо 4
Г = Гт!п и 25 °C 7к=125 °C 1 00
2Т624А-2, 2Т624АМ-2 1000
388
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
7\. = -60ч- +100 °C 2Т624Л-2, 2Т624АМ-2
ГК = 125°С 2Т624А-2, 2Т624АМ-21 . .
Гк = —45ч- +85 °C КТ624А-2, КТ624AM-2
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (Лба = 5 кОм) КТ624А-2, КТ624ЛМ-2
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора (тп«^5 мкс,
<23э=Ю) ........................
Постоянная рассеиваемая мощность2:
2Т624А-2, 2Т624АМ-2
Т„ = —60 4- +85 °C . . . .
f =125 °C
КТ624А-2, КТ624АМ-2
Тк=— 45-г +70 °C . .
7’„ = 85 °C
Температура перехода:
2Т624А-2, 2Т624АМ-2 . . . . .
КТ624А-2, КТ624АМ-2...................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура окружающей среды:
2Т624Л-2, 2Т624АМ-2...................
КТ624Л-2, КТ624АМ-2 ...
30 В
20 В
30 В
30 В
4 В
1 А
1,3 А
1 Вт
0,2 Вт
1 Вт
0,7 Вт
135 °C
120 °C
50 °С/Вт
от —60 °C до
Г„ = 125 °C
от —45 °C до
7’„ = 85 °C
' ^квотах в Диапазоне температур
125 °C снижается линейно.
2 Рк max [Вт] = (Тп - Тк)/Лт и. к.
корпуса от 100 до
389
r.zi-------
2Т62Ы-2,2762^ Я М2 ктб2Ь-г, ктег^лм-г
—
.«в»--
-60 -20 20 60 100 Т,’С
390
Монтаж транзисторов осуществляется следующим образом: место,
монтажа смачивается спирто-канифольным флюсом (10—30% кани-
фоли ГОСТ 19113—73, спирта 70—90% ГОСТ 18300—72), затем
укладывается фольга припоя ПОС-61 ГОСТ 21931—76 толщиной
30 мкм, размером 3X3 мм. Температура пайки 200±5°С, время пай-
ки 10 с. В момент пайки транзистор притирается к месту монтажа
пинцетом. Допустимый статический потенциал не более 1000 В.
2Т633А, КТ633А
Транзисторы кремниевые эпитакснально-планарпые п-р-п им-
пульсные. Предназначены для работы в импульсных переключающих
устройствах.
Корпус металлический с изоляторами и гибкими выводами. Мас-
са транзистора не более 3 г.
391
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Буквенное ф о X CJ О X S3
Параметр обозначе- ние ч га S X X S ф о а о с X н 5 S и га 2 из X 2, "<Ъ ь CQ из Ъ In * IQ
Граничное напряжение, В УКЭО гр 15 (10)
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Напряжение насыщения база — эмиттер*, В Статический коэффици- ент передачи тока в схе- ме ОЭ: 7=25 °C 7= 125 °C 2Т633А 7= —60Х 2Т633А Граничная частота коэф- фициента передачи тока в схеме ОЭ, МГц Время рассасывания, нс УКЭ нас <^БЭ нас Л21Э 'гр <рас 0, 15* 0,79* 40 40 20 500 3* 0,3» 0,85* 70» 600* 6* 0,5 1.5 140 280 '.40 950* 13 (1) 10 100 100 (Ю) 100 10 10 10 10
Время включения*, нс * вил 8 9 12 1.5 10 3
Время выключения*, нс *выкл 10 13 18 1.5 10 3
Емкость коллекторного перехода (f = 10 МГц). пФ Емкость эмиттерного пе- рехода (/ = 10 МГц), пФ Коэффициент шума (/ = -20 МГц). дБ Постоянная времени це- пи обратной связи на высокой частоте (/ = = 5 МГц), нс Обратный ток коллекто- ра. мкА: 7=25 °C 7 = 125 X 2TG33A 7-=-60Х 2Т633А Обратный ток эмиттера, мкА: 7=25 °C 7= 125 °C 2Т633А 7=-60 X 2TG33A Обратный ток коллек- тор — эмиттер. мкА £ X н X О О g ст х Е J х ° О 3* 4* 5* 3,3» 6* 10» 0,09* 4,5 25 8 25 1 50 1 (10) (5) (Ю) (30) 0» 5 4,5 (5) 30
<кэк 0,01* 0,09* 1 50 1 1 30
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база 30 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 4,5 В
Постоянный ток коллектора .... 0,2 А
Импульсный ток коллектора (ти^10 мкс,
<25=50)..................................... 0,5 А
Постоянный ток базы......................... 0,12 А
392
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора':
без теплоотвода 2Т633А 7=—604- 4-25 °C 0,36 Вт
7= 125 °C .... 0,072 Вт
КТ633А Т= -45-4-25 °C 0,36 Вт
7 = 85 °C.................. 0,187 Вт
с теплоотводом 2Т633А 7К = —60— 4-25 °C 1,2 Вт
7,,= 125°С .... 0,24 Вт
КТ633А 7„ = —45—4-25°С 1,2 Вт
7,< = 85°С . . . . 0,625 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность1 2
(TusglO мкс, Q>50, T=Tmia — 50°C) 7,2 Вт
Температура перехода........................ 150°С
Тепловое сопротивление переход — окружа-
ющая среда................................. 347,22 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус 1О4,17°С/Вт
Температура окружающей среды:
2Т633А....................................—60 — 4-125 °C
КТ633А....................................—45 - 4-85°С
1 При 25 С <£ 7 7,t max (7 max) Р К max
/?Т п, к (7?Т п. С) .
2 Рк. и max [Вт] в интервале температур
снижается линейно на 5,7 mBt,”C.
[Вт] = [7>i—7В(7) |/
от 25 °C до 7тах
Допустимый статический потенциал не более 1000 В.
393
394
2Т634А-2, КТ634А-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах 1—5 ГГц при
напряжении питания 20 В в герметизированной аппаратуре.
Корпус металлокерамический с гибкими полосковыми выводами
Масса транзистора не более 0,15 г.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т634А-2 Гн 5г 25 °C...................
7„ = -60°С'..........................
КТ634А-2.............................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора ....
Постоянный ток базы...................
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (7„<25°С)1 2 . . . .
Постоянная рассеиваемая мощность
(Тк С 25 ° С) 2.......................
Тепловое сопротивление переход—корпус
Тепловое сопротивление переход—корпус в
динамическом режиме...................
Температура перехода . . . . .
Температура корпуса:
2Т634Л-2...............................
КТ634А-2................ . . .
Температура окружающей среды:
2Т634А-2...............................
КТ634А-2 ... .............
50 В
25 В
30 В
3 В
0.15 А
0,25 А
0,075 А
1.8 Вт
1,2 Вт
100°С/Вт
70 °С/Вт
150 °C
125 °C
100 °C
от —60 °C до
Тк=125 °C
от —45 °C до
7к = 100°С
1 При 7к от +25 °C до —60 °C снижается линейно.
2 При 7„>25°С Рк max [Вт] = (150-Тк)/Ят.
395
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим изме- рения
минимальное Л) О е о Е Н максимальное 25 * а съ V '*/
Выходная мощность (/ = = 5 ГГц). Вт: Р вых
2Т631А-2 0.35* 0.2 0,45 0,68* 20 0.1
КТ634А-2 20 0.1
Коэффициент усиления по мощ- ности (/=5 ГГц, Рвх=0,2), Вт Ку р 1.75* 2.2 3.4 20 0.1
Коэффициент полезного дейст- вия коллектора (/ = 5 ГГц, /’вх=0.2 Вт). % 17,5* •22,5 34* 20 0. 1
Граничная частота коэффициен- та усиления по току, МГц fpp 1500 2000* 10 0,1
Постоянная времени цепи об- ратной связи на высокой часто- тк 0.5* 0,85* 2 и 0.03
те (/=100 МГц), пс Емкость коллекторного перехо- Ск 1.5* 1.9* 2.5 15
да ([= 10 МГц), пФ Емкость эмнттерного перехода (/=10 МГц). пФ Обратный ток коллектора, мА: со 'КБО 0. 1* 8 30 0
7 = 25 СС 7 = 125 °C Обратны!! ток эмиттера. мкЛ: 0.5 5 50 3
;ЭБО
7 = 25 ”С 0.1*
7=125 “С 500
Индуктивность эмнттерного вы- вода*, и Гн Ч 0,3 0,5
Индуктивность коллекторного вывода*, нГн LK
0,11
Индуктивность базового выво- да*. нГн L6
Емкость эмиттер -- база*, пФ 0,44
Емкость коллектор — база*. пФ скб 0,61
Емкость коллектор — эмиттер*. пФ скэ 0. 03
396
397
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от дер-
жателя при температуре не более 220 °C в течение ие более 10 с.
2Т635А, КТ635А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п пере-
ключательные. Предназначены для работы в быстродействующих
переключательных устройствах.
Корпус металлический с изоляторами и гибкими выводами. Мас-
са транзистора не более 3 г.
Допустимый статический потенциал не более 1000 В.
398
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
о о 3 а С К а> о я о Е X Н максимальное) иКЭ<УКБ>- в я ‘е9л 'сП 12 V -3/
Граничное напряжение, В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В Статический коэффици- ент передачи тока в схе- ме ОЭ Граничная частота ко- эффициента передачи то- ка в схеме ОЭ. МГц Время выключения, нс Емкость коллекторного перехода (/“10 МГц). пФ Емкость эмиттерного пе- рехода (/=10 МГц), пФ Постоянная времени це- пи обратной связи на высокой частоте* (/ = = 5 МГц), пс Обратный ток коллекто- ра. мкА: 7= 7 min и 25 ГС 7= 125 °C 2Т635А Обратный ток коллек- тор — эмиттер. мкА 7 = 7min и 25 ®С 7= 125 °C 2Т635А Обратный ток эмиттера, мкА: 7=7min и 25 еС 7= 125 °C 2TG35A иКЭО гр УКЭ нас Л21Э ^гр (выкл Ск сэ 'к ZKBO 'кэк ;ЭБО 45 0,26* 25 250 35* 7,2* 23* 7 52* 0,4* 40» 400- 45» 7,4» ТО- 25 70* 0,5 150 700* 60 10 90 58 10 1 00 10 1000 10 100 1 10 (Ю) (10) (60) 60 0 5 (0,01) 0,5 0,5 0,05 0.5 (0.03) 0,05 0,05
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база 60 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 5 В
Постоянный ток коллектора .... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:
T = 7’rain4-25°C.................... 0.5 Вт
ТК = ТК га1„-=-25°С.................... 1,5 Вт
Температура перехода:
2Т635А................................... 150 °C
КТ635Л................................. 125 °C
Тепловое сопротивление переход — окружа-
ющая среда:
2Т635А................................. 250 °С/Вт
КТ635А................................. 190’С/Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2Т635А................................... 83,3 °С/Вт
КТ635А................................. 63 ”С/Вт
399
Температура окружающей среды:
2Т635Л................................—60 4-+125 °C
КТ635А................................—45 -? +85°С
1 При 25 С Т 7* m ах ( Тц max
--Т (Г,;)] / /?Т п с (/?Т П к).
)Рк. max [Вт] = [Т„-
2Т635Я,
П T6J5/1
О -t в /’ 16 К„ас
2Т637Л-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности
умножителях частоты и автогенераторах на частотах до 3 ГГ’ц при’
напряжении питания 20 В в герметизированной аппаратуре.
Корпус металлокерамический с гибкими полосковыми выводами.
Масса транзистора не более 0,15 г.
6 , 4,/
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Буквенное о о QJ О
Параметр обозначе- £ « ф о <8 са са
ине са • <
= С * U3 X ib Г)
ь Z Z)
Выходная мощность ([ — =3 ГГц. медианное значе- ние). Вт Р вых 0,4 • 0,5 1 .0* 20 0. 1
Коэффициент усиления по мощности (/ = 3 ГГц. КУ р 2* 2.5 5,0* 20 0. 1
Рвых—0.5 Вт) Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Л21Э 30 90* 140 5 0,05
Модуль коэффициента пере- |'*21Э| 4 7* 10* 10 о. 1
дачи тока на высокой ча- 3,2 10 0,2
стоте (/ — 300 МГц) Критический ток коллектора /,,п 0,2 0,45’ 0,6* 10
0 = 300 МГц). Л
Постоянная времени цепи 0,7’ 1 .0» 3 10 0,03
обратной связи на высокой
частоте (/=100 МГц), пс Емкость коллекторного пере- Сн 2.4* 2.7* 4.5 15
хода. пФ
Емкость эмиттерного пере- сэ 10.5» 12.5’ 17 0
хода, пФ Полное входное сопротивле- ZBX 10+ 20 0. 1
кие (/ = 3 ГГц, Рвх = = 200 мВт)*, Ом +/I5
401
Окончание
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное V С m О X н максимальное са * А ib S
Обратный ток коллектора. мА: 7 = 25 °C 7=125 °C Обратный ток эмиттера. мА: 7 = 25 °C 7=125 еС Индуктивность вывода эмит- тера*. нГн Индуктивность вывода кол- лектора*. нГн Индуктивность вывода ба- зы*, нГн <КБО ;ЭБО ч La 0,3 0,5 0.1 12 0. I 1 ,о 0, I 1 ,0 30 2,5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора (ти^10 мкс
<?5*50).............................
Постоянный ток базы.................
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (/^800 МГц, 7'KsS25°C)1
Импульсная рассеиваемая мощность
(т„г£10 мкс, Q^50, Т„<25°С)2 . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус
микросхемы................................
Температура перехода .....................
Температура корпуса ......................
Температура окружающей среды
30 В
2,5 В
0,2 А
0,3 Л
0,1 Л
2 Вт
2,5 Вт
62,5 °С/Вт
150 °C
100 °C
от —60 °C до
Т„ =100 °C
1 При 7’„>25°С Рк. «ртах [Вт] = (150—Г,,) / 62,5.
2 При Л. >25 °C Рнишах [Вт] = (150 — 7’к)/83,3.
402
403
404
При монтаже и пайке транзистора допускается температура не
выше 200 °C в течение времени не более 3 с с усилием прижима 5 Н.
Пайка выводов эмиттера и коллектора допускается на расстоянии
не менее 3 мм от керамического основания в течение времени не бо-
лее 3 с. Допускается производить пайку на расстоянии нс менее
I мм от керамического основания при температуре в месте пайки
200 °C в течение времени не более I с.
2Т643А-2, КТ643А-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах 2—8 ГГц при
напряжении питания 15 В в герметизированной аппаратуре. Выпу-
скаются на металлокерамическом держателе с гибкими полоско-
выми выводами. Обозначение типа приводится на держателе марки-
ровкой синей точкой (одна для 2Т643Л-2 и две для КТ643Л-2). Мас-
са транзистора не более 0,2 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- Н ИС Значение Режим измерения
GJ О X со 7 = X 7 типовое О о 3 СЗ 7. о X СЗ S
CQ X < 2
Выходная мощное-’**- (/ = =7 ГГц). Вт Коэффициент усиления по мощности (f = 7 ГГц. Рвх=200 мВт) Граничная частота коэф- фициента передачи тока, ГГц Критический ток коллек- тора (/=1 ГГц)*. Л р вых КУ р frp ;кр 150* 3.8* 2.3 500 2.5 5.2* 4.5* 0,14 550* 15 1 5 5 5 0.09 0.09 0.05 0.13
405
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное о с за Е X t- максимальное Я ЯХ/7 £ —-
Фаза коэффициента не- аге(Л21Б) 9.5* 10.5* 15 5 0,05
редачи тока на высокой частоте (/=1 ГГц), гра- дус 13* 16* 25 5 0, 13
Модуль коэффициента обратной передачи на- пряжения (/=100 МГц) Постоянная времени це- ни обратной связи на высокой частоте*, нс |sI2B| тк 0.4 • 10-3* 0,5-10“3* 0,5 1.5- 10~3 5 5 0,05 0,05
Емкость коллекторного перехода (/=10 МГц), пФ Емкость эмнттерного пе- рехода (/=10 МГц). пФ Обратный ток коллекто- ра. мА: 7 = 25 °C 7=125 °C Обратный ток эмиттера. мА: 7 = 25 °C Т= 125 °C Индуктивность эмиттер- ного вывода (внутрен- няя)*, нГн Индуктивность коллек- торного вывода (внут- ренняя)*. нГн Индуктивность базового вывода (внутренняя)*, нГн Емкость эмиттер — кор- пус*. пФ Емкость коллектор — корпус*, пФ с к сэ гКБО 7эбо La LK Ч> сэ.к ск.к 1 . 2* I ,з* 1.5* 0, 1 * 0,02* 0.6 0,5 0,3 0.2 0,3 1 ,8 7 1 .0 10 0, 1 10 15 25 (3)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме Ги^50°С'..................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ................. .
Температура корпуса 2Т643А-2
Температура окружающей среды
25 В
3 В
0,12 А
1,1 Вт
90 °С/Вт
150 °C
125 °C.
от —60 °C до
Г„=125 °C
1 При Г,, >50 °C [Вт] = (150— Г„)/90.
406
407
________€«
27643
0,0040^(1/^ *5в)
0,6 н Гн
<J,1nV(lfK3-5B)
0,25пЧ>
нТ
4 - 700м
г6ал
0,5 нГн
02
Югр
Г& ..С*2
С6л
-L ci
“ГU,2nV
С} 10п<Р |
1,5 ~Z0
0,3 С
нГн С
L6
0,3 пФ
Монтаж транзисторов осуществляется припайкой металлизирован-
ного основания держателя к теплоотводу при 150°C. Пайка вы-
водов производится на расстоянии не менее 2 мм от держателя при
7'^260 °C. Допускается пайка выводов на расстоянии до 0,5 мм от
держателя при Т 150 °C в течение времени нс более 3 с.
Допускается использование транзисторов в диапазоне частот
10 МГц — 2 ГГц в усилителях и генераторах мощности при напряже-
нии питания не более 10 В.
408
2Т652А-2
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный п-р-п пере-
ключающий. Предназначен для работы в переключающих и усили-
тельных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные, на керамической подложке, с защитным покрыти-
ем и гибкими выводами. Выпускаются в таре, позволяющей произво-
дить измерение электрических параметров. Масса транзистора не бо-
лее 0,015 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное со (О X ь а 'езл /к» мА 7g, мА
Граничное напряжение (ти СЗО мкс, 50), В иКЭО гр 36 50» 58* 10
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, В иКЭ нас 0. 16- 0,28* 0.89» 0,65 500 50
Напряжение насыщения база — эмиттер, В ^БЭ нас 0,86* 1.2 500 50
Статический коэффици- ент передачи тока в схе- а21Э 25 47е 100 3 500
ме ОЭ Граничная частота коэф- frn 200 900* 1000* 10 50
фициента передачи тока
в схеме ОЭ, МГц Время рассасывания, нс 'рас 35» 45» 100 500 50
Емкость коллекторного Ск 6» 7,2* 12 (10)
перехода (/=10 МГц), пФ
Емкость эмиттерного пе- сэ 65» 77* 110 0
рехода (/=10 МГц), пФ
Обратный ток коллекто- ра. мкА: 'КБО (30)
7 = — 60 + +25 °C 7=125 °C 0,01* 30 300
Обратный ток эмиттера, мкА: ^ЭБО 4
7=—60 + + 25'С 1» 100
7=125 °C 300
409
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?бэС500 Ом) .......
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора (Ти^5 мкс,
Q >30)...................................
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
с теплоотводом1 Тк =—60-?+50 °C
Г,.-= 125 °C . . . .
без теплоотвода2 Т=—60-?+50 °C
Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора3 (ти^бмкс, Q>30, Гк = —60-?+50°С)
Температура перехода ....................
Температура окружающей среды
50 В
45 В
4 В
1 А
2 А
1 Вт
0,25 Вт
0,5 Вт
1,5 Вт
150 °C
-60 = +125 °C
1 При Гк>50°С max снижается линейно на 10 мВт/°С.
2 При 7,>50°С Рк max снижается на 4 мВт,/°C.
3 При Тк>50°С Рк, и max снижается линейно на 15 мВт/°С.
410
411
Монтаж транзисторов осуществляется следующим образом. Ост-
рым режущим предметом, например скальпелем, отрезать выводы от
сварных точек тары. Нанести иглой на монтажную площадку платы
каплю теплопроводящего клея ЭЧТ ЫУО.О28.О5Й ТУ. Взять пинцетом
транзистор, поместить его на клей и осторожно прижать по пери-
метру керамического держателя (прижимающее усилие не должно
превышать 5 Н) к плате и сушить при температуре 145 °C в течение
45 мни. Сварка выводов допускается не ближе 2 мм от места выхода
вывода из защитного покрытия.
2Т904А, КТ904А, КТ904Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100—400 МГц
при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с жесткими выводами и монтажным
винтом. Масса транзистора не более 6 г.
412
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
О о S га S К К S S типовое максимальное и Ь 0) из СП /к. А V ,3/
Выходная мощность, Вт’ 2Т904А, КТ904А (/=' = 400 МГц) КТ9О4Б (/ = 400 МГц) 2Т904А (/=100 МГц) Коэффициент усиления по мощности: 2Т9О4А. КТ904А (/= = 400 МГц, Рвиг=3 Вт) КТ904В (/ = 400 МГц. Гл их =2,5 Вт) Коэффициент полезного дей- ствия коллектора, %: / = 400 МГц /=100 МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ* Грапичное напряжение*, В Напряжение насыщения коллектор — эмитетр*. В Напряжение насыщения ба- за — эмиттер*. В Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой ча- стоте (/=100 МГц): 2Т904А, КТ9О4А КТ904Б Критический ток коллектора (/=100 МГц). А: 2Т904А. КТ904А КТ904Б Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/ = 5 МГц), пс: 2Т904А. КТ004А КТ904Б Емкость коллекторного пере- хода. пФ Емкость эмитерного перехо- да", пФ Обратный ток коллектор — эмиттер (/?оа—100 Ом). мА: 7=25 °C 2Т9О4А КТ904А КТ904Б 7=85 °C КТ904А. КТ904Б 7= 130 °C 2Т904А Обратный ток эмиттера, мА: 7 = 25 °C 2Т904А КТ904А, КТ904Б 7= 85 °C КТ904А. КТ904Б 7= 130 °C 2Т904А Индуктивность вывода*, нГц ^вых Ку р ”к Л21Э иКЭ гр УКЭ нас ^БЭ нас |Л21Э| Zkp 'к Ск сэ ;КЭ R 'ЭБО L3> LK> L6 3 2.5 2.5 2 30 65* 10 40 0.2 0,85 3,5 3 0,4 0,3 90 8* 40* 73* 30 0,3 6.9 0.8* 130 40 60* 80* 60 0,6 0,95 1 . 0* 15 20 12 170 1 1,5 4,5 2,0 0. 1 0,3 0.9 0.2 28 28 28 5 28 10 (Ю) (28) 65 60 60 60 4 0,25 0,2 0, 25 0,25 0. 2 0, 05 0,05 0,03
413
Окончание
Значение Режим измерен ия
Параметр Буквенное обозначе- ние о о х ч га S X X о е о Е максимальное * ^ЭБ- в < £
Емкость пФ Емкость эмиттер — корпус’, база — корпус*, пФ сэ.к С0.к 1.3 1.3
Емкость пус*. пФ коллектор — кор- Ск к 1,8
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер 100 Ом):
2Т904А .............................
КТ904А, КТ904Б...................
Импульсное напряжение коллектор—эмит-
тер (fjs 100 МГц):
9TQO4 Л
КТ904А, КТ904Б
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора .
Постоянный ток базы...................
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Тк^40°С)’:
2Т904А .... .............
КТ904А, КТ904Б......................
Тепловое сопротивление переход—корпус
Температура перехода:
2Т904А..............................
КТ904А, КТ904Б......................
Температура корпуса:
2Т904А................................
КТ904А, КТ904Б......................
Температура окружающей среды:
2Т904А................................
65 В
60 В
75 В
70 В
4 В
0,8 А
1,5 А
0,2 А
КТ904Л, КТ904Б
7 Вт
5 Вт
16°С/Вт
150 °C
120 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
Тк= 125 °C
от —40 °C до
Т„ = 85 °C
1 При Тк>40°С Рк. ершах [Вт] = (Тп-Тк)/16.
Допускается пайка выводов па расстоянии не менее 1 мм от кор-
пуса. Усилие, перпендикулярное оси вывода, нс более 0,5 Н. Запре-,
щается изгиб и кручение выводов.
414
415
2Т907А, КТ907А, КТ907Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах па частотах 100- 400 МГц
при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с жесткими выводами и монтажным
винтом. Масса транзистора не более 6 г.
416
Элежтрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние
Выходная мощность (f — Р
= 400 МГц. 7и-40°С), Вт: 2Т907А. КТ907А КТ907Б
Коэффициент усиления по мощности (/ = 400 МГц): 2Т907А. КТ907А КТ907Б КУ р
Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (/ = = 400 МГц), % ”|<
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ* Л21Э
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер*. В ^КЭ нас
Напряжение насыщения ба- за — эмиттер*, В ^БЭ нас
Граничное напряжение кол- лектор — эмиттер*. В аКЭ гр
Модуль коэффициента пере- дачи тока па высокой ча- стоте (f— 100 МГц): 2Т907Л. КТ907А КТ907Б |Л21э|
Критический ток коллектора (/=100 МГц). А: 2Т907А. КТ907А КТ907Б 7кр
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/==5 МГц), пс: 2Т907А. КТ907А КТ907Б тн
Емкость коллекторного пере- хода (7 = 5 МГц). пФ ск
Емкость эмиттерного перехо- да (7 = 5 МГц). пФ сэ
Обратный ток коллектор - эмиттер (Rfa—100 Ом), мА: 7 = 25 °C 2Т9О7А КТ907А. КТ907Б 7 = 85 °C КТ907А. КТ907Б 7= 130 °C 2Т907А ZK3R
Обратный ток эмиттера. мА: 7=25 °C 2Т907А КТ907А, КТ907Б 7 = 85 °C КТ907А. КТ9О7Б 7= 130 °C КТ907А 'ЭБО
Индуктивность коллектор- L
кого вывода*. нГн
Индуктивность базового вы- вода*, нГи '-о
Емкость коллектор — кор- пус*. пФ ск
Емкость база — корпус*, пФ со
Значение Режим измерения
о О <и О X са
ГС S X X X S О о а О С X ь максималь из * Я '9еЛ
8 6 10 8 28
2 1 . 5 4 5 65* 70* 2 8 28
10 50» 80 5 0.4
0. 15 0,85 40 0,35 0,9 0.65 0,95 0.25 (0.05) 0,25 (0,05) 0.2
28 0.4
3.5 3 10
1 .0 0,8 1 .8* 2.5* (10) 0,03
15
25
20 (30)
190* 22 0* 250
2 3 6 4 65 60 G0 65
0,25 0,35 0,7 0,25 4 4 4 4
4
4
5
1,3
14 Зак. 225
417
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (ЯсаС 100 Ом).
2Т907А ..............................
КТ907А, КТ907Б .....................
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер:
2Т907А .... .................
КТ907А, КТ907Б.......................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора (т«^
10 мкс,
Постоянный ток базы....................
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Гк^25°С)1:
2Т907А ...............................
КТ907А, КТ907Б........................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода:..................
2Т907А ...............................
КТ907А, КТ907Б.......................
Температура корпуса:
2Т907А ...............................
КТ907А, КТ907Б ......................
Температура окружающей среды:
2Т907Л' ..............................
КТ907А, КТ907Б .
65 В
60 В
75 В
70 В
4 В
1 А
3 А
0,4 А
16 Вт
13,5 Вт
7,5 °С/Вт
150 °C
125 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
Тк=125 °C
от —40 °C до
Т„ = 85 °C
При 7,<>25 °C для 2Т907А Рк. ср max [Вт’ = (150 — Тк)/7,5;
для КТ907А, КТ907Б Як. ср max [Вт] = (125 - Г)/7,5.
418
I
РвЫХ’вТ
2Т907А, ПТ307 fl
f -‘/ООМ Гц
О 10 20 UK3,B
2Т301А, КТЭ01Д
^3 =
° 0,2 O.h 0,6 0,8 1ц,/1
14*
419
Пайка выводов допускается на расстоянии нс менее 1 мм от
корпуса.
2Т909А, 2Т909Б, КТ909А—КТ909Г
1ранзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100—500 МГн
при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Масса
транзистора не более 4 г.
420
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
0/ О К л S X S Е типовое максимальное а из X я ,аел сд
Выходная мощность (f = = 500 МГц. Гк = 40’С), Вт: 2Т909А 2Т9О9Б КТ909Л КТ909Б КТ909В КТ900Г Коэффициент усиления по мощности (/ = 500 МГц): 2Т909А. КТ909Л (Рвых= -17 Вт) 2Т909Б. КТ9О9Б (Р.ых = = 35 Вт) КТ9О9В КТ909Г Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (/= = 500 МГц). %: 2Т909Л. 2Т909Б. КТ909Л. КТ909Б КТ909В. КТ9О9Г Напряжение насыщения коллектор — эмиттер’. В: 2Т909А. КТ909Л. КТ909В 2Т9О9Б. КТ909Б. КТ9О9Г Напряжение насыщения ба- за — эмиттер*. В: 2Т909А. КТ909А. КТ909В 2Т909Б. КТ909Б. КТ909Г Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой часто- те (/=100 МГц): 2Т909А. КТ909А 2Т9О9Б. КТ909Б КТ909В КТ909Г Критический ток коллектора (/=100 МГц). А: 2Т9О9А. КТ909А 2Т909Б. КТ909Б КТ909В КТ909Г Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/=5 МГц), пс: 2Т909А. КТ909Л 2Т909Б. КТ909Б КТ9О9В КТ909Г Емкость коллекторного пе- рехода (/=5 МГц)’. пФ: 2Т909Л. КТ909А 2Т909Б. КТ909Б. КТ909Г КТ909В Емкость эмнттерного перехо- да’ (/ = 5 МГц). пФ: 2Т909А. КТ909А. КТ909В 2Т909Б. КТ909Б. КТ909Г р вых КУ р ^КЭ нас ^БЭ нас 1ЛМэ1 7кр тк ск сэ 17 35 17 35 1 2 30 1.7 1.75 1.2 1 .5 45 40 0,12 0.12 0.65 0,65 3,6 5 3 4.5 3 3 2.5 5 170 350 24 42 20 40 15 35 55* 55’ 0,18 0.18 0,85 0,85 6,5’ 6.5’ 4* 8» 30 60 35 250 500 75’ 0.3 0.3 0.9 0.9 8.0’ 9.0’ 20 20 30 30 350 700 28 28 28 10 10 10 10 10 (Ю) (Ю) (10) (10) (28) 0 0.5 1.0 0,5 1 .0 1.8 3,0 1.5 3. 0 0,15 0.3 0.15 0,3 о, 1 0, 2 0.1 0,2
421
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное W а чек» й> о в о с 2 н п максимальное Ре ±3 1С X * и | н '9ел измер * п /б. а = 2
Обратный ток коллектор — эмиттер (₽бэ=10 Ом), мА: 7=25 °C 2Т909А КТ909А. КТ909В 2Т909Б КТ909Б, КТ909Г 7*= 85 °C КТ909А. КТ909В КТ909Б. КТ909Г 7=125 °C 2Т909Л 2Т909Б Обратный ток эмиттера, мА: Г=25 °C 2Т909А КТ909А, КТ909В 2Т909Б КТ9О9Б. КТ909Г 7=85 °C КТ909Л. КТ909В КТ909Б. КТ909Г 7=125 °C 2Т909А 2Т909Б Индуктивность коллектор- ного вывода (/=3 мм)*, нГ Индуктивность базового вы- вода (/=3 мм)*. нГ Емкость эмиттер — база*, пФ Емкость коллектор — база*. пФ Емкость коллектор — эмит- тер*. пФ 'кэ К 7эбо Ч Lo ^э.б ск.О ск-э 2 2.5 0. 85 0,35 1 . 7 25 30 50 60 30 60 25 50 4 6 8 10 6 10 4 8 60 3.5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?,->, Ю Ом)’.....................
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?бэС 10 Ом).......................
Постоянное напряжение эмиттер — база •
Постоянный ток коллектора:
2Т909Л, КТ909Л, КТ909В................
2Т909Б, КТ909Б. КТ909Г................
Импульсный ток коллектора (ти^20 мкс,
Q>50):
2Т909Л, КГ909А, КТ909В................
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г................
Постоянный ток базы:
2Т909Л, КТ909А, КТ909В................
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г................
60 В
60 В
3.5 В
2 А
4 А
4 А
8 А
1 А
2 А
422
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Тк«£40°С)1 2:
2Т909А, КТ909А. КТ909В................
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г................
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2Т909А, КТ909А. КТ909В ....
2Т909Б. КТ909Б. КТ909Г ....
Температура перехода:
2T909.V 2Т909Б......................
КТ909А, КТ909Б, КТ909В, КТ909Г .
Температура корпуса:
2Т909А. 2Т909Б......................
КТ909А, КТ909Б, КТ909В, КТ909Г .
Температура окружающей среды:
2Т909А, 2Т909Б......................
КТ909А, КТ909Б, КТ909В, КТ909Г .
27 Вт
54 Вт
5 °С/Вт
2.5 °С/Вт
160 °C
120 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
Т,< = 125 °C
от —40 °C до
Т„=85 °C
1 При Т = Т„ щш L/K3 R max — 50 В.
2 При Тк>40°С Рк.сртах [Вт] = (Тп — Тц)//?г п, к.
423
Допускается пайка выводов на расстоянии нс менее 3 мм от кор-
пуса в течение времени не более 10 с при температуре пайки не
более 260 °C. Обрезание выводов допускается на расстоянии не менее
5 мм от корпуса.
2Т911А, 2Т911Б, КТ911 А—КТ911Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах па частотах более 400 МГц
при напряжении питания 28 В.
Корпус металлопластмассовый с полосковыми выводами и мон-
тажным винтом. Масса транзистора не более 6 г.
424
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное о с е О = максимальное °'КЭ (^КБ). В я '9ел < £
Выходная мощность (Гк = 40°С), Вт: /=1.8 ГГц KT91IA 2Т911А. KT9I1B /=1.0 ГГц КТ911Б 2Т911Б. КТ9НГ Коэффициент усиления по мощ- ности: /=1.8 ГГц КТ911А (Рвых-1.0 Вт) /=1,8 ГГц 2Т911А, КТ911В (/’пых— 0,8 Вт) / = 1.0 ГГц КТ911Б 2Т911Б. КТ911Г Коэффициент полезного дейст- р пых Л'у р Пк 1 . 0 0.8 1 ,0 0,8 2,5 2 2,5 2 23 40* 60* 28 28 28
пия коллектора. % Статический коэффициент пере- Й21Э 15 4 0 80 5 0,2
дачи тока в схеме ОЭ* Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/ = = 300 МГц): 2T91IA 2Т911Б KT9IIA. KT9I1B Критический ток коллектора (/ = 300 МГц)*. мА: 2T91IA. КТ911А 2T91IB. КТ911Б КТ911В КТ911Г Постоянная времени цепи об- ратной связи на высокой часто- те (/ = 5 МГц), пс: 2Т9НА, 2Т911Б, KT9IIA, КТ911Б KT9IIB КТ911Г 1Л«э1 /кр тк 3,34 2,8 2.5 170 1 50 160 140 3,0* 220 22 0 4,0* 32 0 300 25 50 1 00 10 10 (Ю) 0, 1 0,03
425
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное о с X о максимальное а Я <9ел
Емкость коллекторного перехо- да (f = 5 МГц). пФ Емкость эмнттерного перехода (f = 5 МГц)*. пФ Обратный ток коллектора. мА: Ск с 'КБО 1 0 4 • 18 10 25 (28) 0
7=25 “С 2T91IA. 2Т911Б KT9I 1А. КТ911Б KT9IIB. КТ911Г Г =85 "С KT9I1A. КТ911Б KT9IIB. КТ911Г 7=125 "С 2T9IIA. 2Т911Б Обратный ток эмиттера, мА: Z3BO 3 5 10 10 ю (5 5) (55) (10) (55) (40) (55) 3
2T91IA. 2Т911Б KT9IIA. КТ911Б. KT9IIB. КТ911Г 1 2
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т911А, 2Т911Б. КТ911А, КТ911Б . . 55 В
КТ911В, КТ911Г............................. 40 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (Лба^ 100 Ом):
2T9I1A, 2Т911Б, К.Т911А, КТ911Б 40 В
КТ911В. КТ911Г............................. 30 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 3 В
Постоянный ток коллектора .... 400 мА
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме:
Г1(г£50оС' 2Т911А, 2Т911Б .... 3 Вт
ГК<25ОС1 КТ911А, КТ911Б, КТ911В.
КТ911Г...................................... 3 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус 33°С/Вт
Температура перехода:
2Т911А, 2Т911Б.............................. 150 °C
KT9I1A. КТ911Б, KT9I1B. КТ911Г . . 120’С
Температура корпуса:
2Т911А, 2Т911Б.............................. 125 °C
KT9I1A, КТ911Б. KT9I1B, КТ911Г . . 85°С
Температура окружающей среды:
2Т911 Л, 2Т911Б.......................от —60 °C до
f _ J 25 °C
КТ911А, КТ911Б, КТ911В. КТ911Г . . отЬ-40оСдо
Тк=85 °C
1 При большей температуре Рк.срти [Вт] = (Гп ш«х—
- Гк)/33.
426
рвых>Вг
0,8 i,0 1,2 /,♦ 1,6f,ГГц
427
Запрещается при установке транзистора на теплоотвод скручи-
вающие усилия прикладывать к пластмассовой части корпуса. Шеро-
ховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть не ме-
нее 2,5. Неплоскостность контактной поверхности теплоотвода долж-
на быть не более 0,03 мм.
Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 2 мм от кор-
пуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции транзи-
сторов. Пайку проводить паяльником при температуре не более
260 °C в течение не более 6 с. Необходимо осуществлять теплоотвод
между корпусом и местом пайки.
2Т913А—2Т913В, КТ913А—КТ913В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200—1000 МГц
при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и мон-
тажным винтом. Масса транзистора не более 1,6 г.
428
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- пне Значение Режим измерения
минимальное о о а с с X ь максимальное U- а а и
Выходная мощность (/ = 28
= 1 ГГц), Вт:
2Т913А, KT9I.3A 3 3.5* 4.5*
2Т913Б, КТ913Б 5 6* 7 *
2T9I3B. KT9I3B 1 0 1 1 • 1 2*
Коэффициент усиления по мощности (/=1 ГГц): КУ р 28
2Т913Л (/'пых=3 Вт) •> 9 Г» 2,5* 3.5-
КТ913А (/'ьых=3 Вт) 2
2Т913Г. (Рпых = 5 Вт) 2.25 2,5* 3.5*
КТ913Б (/'пых =5 Вт)
KT9I3B (/'.ых = 10 Вт) 2,25 2,5* 3,5*
KT9I3B (Рпых = 10 Вт) 2
Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (/= 1 ГГц), %: "к 28
2T9I3A. KT9I3A (Р.ых = 40 4 5 * 55*
=3 Вт) 2Т913Б, КТ913Б (Рвых = 40 45* >5*
= 5 Вт) 2T9I3B, КТ913В (/'пых-— = 10 Вт) 50 55* 65 *
Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой ча- 1 Л21Э 1
стоте (/=100 МГц): 10
2Т913А. KT9I3A 9 10- 0.2
2Т913Б. 2T9I3B. КТ913Б, КТ913В 9 11 • 1 6 ♦ 10 0,4
Напряжение насыщения ;КЭ нас 0, 15 0,28 0.15 0.25
коллектор — эмиттер*, В <0.03)
Напряжение насыщения ба- ^БЭ нас 0.86 1 . 0 I .2 0, 25
за — эмиттер*, В <0.03)
Граничное напряжение кол- 6 КЭО гр 30 40 50 0.075
лектор — эмиттер*, В 10
Критический ток коллектора {/=100 МГц). А: 'кр
2Т913А. КТ913А 0,4 0,6- 0,8-
2Т913Б, КТ913Б 0,8 1,2* 1 .6*
2T9I3B. 2T9I3B 1.6 2.0* 2.5’
429
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
о X ге 7 7 о С£ О Е Р максимальное (7кэ(гкб). в я V (М М/
Постоянная времени цепи обратной святи на высокой частоте (/ = 30 МГц), пс: 2Т913А КТ913А 2Т913Б. 2T9I3B КТ913Б. КТ913В Емкость коллекторного пере* хода (f=10 МГц), пФ: 2T9I3A КТ913А 2Т913Б КТ913Б 2T9I3B KT9I3B Емкость эмиттерного перехо* да (/=10 МГц), пФ: 2T9I3A KT9I3A 2Т913Б. 2Т913В КТ913Б. КТ913В Полное входное сопротивле- ние (/=) ГГц)*, Ом: 2T9I3A (Р.ых=3 Вт) 2Т913Б (Рвых =5 Вт) 2Т913В (Р.ых=10 Вт) Обратный ток коллектор — эмиттер (Р«а=10 Ом>. мА: 2T9I3A КТ913Л 2Т913Б. 2Т913В КТ913Б. КТ913В Обратный ток эмиттера. 2T9I3A. 2Т913Б. 2Т913В КТ913А. КТ913Б, KT9I3B Индуктивность эмиттерного вывода при заземлении обо- их выводов (у основания вывода)*. нГн: 2Т913А. KT9I3A 2Т913Б. 2Т913В. КТ913Б, KT9I3B Индуктивность коллектор- ного вывода (1 — 3 мм)*. нГн Индуктивность базового вы- вода (1=3 мм)*. нГн: 2Т913А. КТ913А 2Т913Б. 2Т913В. КТ913Б. КТ913В Емкость коллектор — эмит- тер*. пФ: 2Т913Л. КТ913А 2Т913Б, 2Т913Б 2T9I3B. КТ913В ’к с« С; гвх 'кэя 'ЭБО Ч LK L6 ск э 8* G* 1.5* 3.4* 3.5* G.8* 9» 25 * 50' 60* 1 1 ♦ 1 2* 8* 8* 4 . 25» 7.7* 10.1» 40* 50* 80» 100* 34-/20 1.2 4 /16 1.2 4- - /14 4.4* 8* 0,5* 0.7» 0,55 0,25 1.95 3 2.5 0,7 1 .5 1,5 15 18 1 2 1 5 6 10 1 2 1 2 1 4 G0 75 I 20 150 1 0 20 50 1 .0 1 .5 (10) (28) 28 55 0 3.5 0,05
430
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер < 10 Ом)1 55 В
Импульсное напряжение коллектор —эмит-
тер (Лва<10Ом) 55 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 3,5 В
Постоянный ток коллектора:
2Т913А, КТ913А 0,5 А
2Т913Б. 2Т913Б, 2Т913В, КТ913В . . 1,0 А
Импульсный ток коллектора-
2T9I3A, КТ913А 1,0 А
2Т913Б, КТ913Б, 2T9I3B, КТ913В 2,0 А
Постоянный ток базы:
2Т913А, KT9I3A 0,25 А
2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В. КТ913В . . 0,5 А
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме:
Г,, С 55 °C2 2Т913А, КТ913А . . . 4,7 Вт
7',,^ 70 °C2 2Т913Б. КТ913Б . . . 8 Вт
Т„^25°С2 2Т913В, КТ913В .... 12 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2T9I3A, КТ913А 20°С/Вт
2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В, KT9I3B . . 10°С/Вт
Температура перехода 150 °C
Температура корпуса:
2T9I.3A — 2Т913В . . . 125 °C
КТ913А —КТ913В 85 °C
Температура окружающей среды:
2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В от —60 °C до
7’,,= 125 °C
КТ913А, КТ913Б, КТ913В от —45 °C до
ТК = 85°С
1 В диапазоне температур 25°С —T0,lpmm снижается линейно
до 45 В.
2 Для 7„>55°С (2Т913А, КТ913А), Тк>70°С (2Т913Б,
КТ913Б) 7„>25°С (2Т913В, КТ913В) РК.С1, гаа1 [Вт] = (150-
— Т|<) / Лт 11, К.
431
I h2l)l
При присоединении (пайке) выводов температура корпуса в лю-
бой его точке не должна превышать 85 °C. Изгиб и обрезание выво-
дов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса.
432
2Т916А, КТ916А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200—1000 МГц
при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и мон-
тажным винтом. Масса транзистора не более 2 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
.минимальное и □ а 3 с Е максимальное| * * и а СП < IQ
Выходная мощность (/ = = 1 ГГц), Вт Рвых 20 28
Коэффициент усиления по мощности (/=1 ГГц, Рвых=20 Вт) Ку р 2.25 2. 5* 3* 28
Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (/=! ГГц, Рвых —20 Вт), % 45 55» 60* 28
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ* Л21Э .3 5 0,25
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер*, В ^КЭ нас 0.1 0,2 0,4 0.25 0.03
Напряжение насыщения ба- за — эмиттер*. В иБЭ нас 0.8 0.98 1.0 0,25 0,03
Модуль коэффициента пере- дачи тока па высокой часто- те (/=100 МГц) 1 Л21э । 11 8 14* 10 10 1,5 2,6
Критический ток коллектора (/=100 МГц)*. А /1<Р 2.6 2,8 4.2 10
433
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное о а о с максимальное! Я со V /Б, а
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/ = 30 МГц), нс тк 3* 4* 10 10 о, 1
Емкость коллекторного пере- хода, пФ Ск 12* 14* 20 (30)
Емкость эмиттерного перехо- да*, пФ С8 190 0
Полное входное сопротивле- ние (/=1 ГГц, Рвых = = 20 Вт)*, Ом Полное сопротивление на- грузки (/=1 ГГц, Рвых = = 20 Вт)’, Ом Обратный ток коллектор — эмиттер (/?бэ==10 Ом), мА Обратный ток эмиттера, мА Zn 'K3R <ЭБО 2.2 + + /17 2+/6 25 4 28 28 55 3.5
Индуктивность эмиттерного вывода (при симметричном заземлении у основания корпуса)*, иГн Индуктивность коллектор- ного вывода (у основания корпуса)*, нГн Индуктивность базового вы- вода (у основания корпуса)*, нГн L3 LK L0 0,35 0.6 1 . 0
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит
тер (Ruj'Z 10 Ом)...................
Импульсное напряжение коллектор — эмит
тер.................................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора (Тц^5 нс
<25*10).............................
Постоянный ток базы.................
Средняя рассеиваемая мощность в динами
веском режиме (ГКС25°С)1
Тепловое сопротивление переход — корпус
55 В
55 В
3,5 В
2 А
4 А
1 А
30 Вт
4,5 °С/Вт
434
Температура перехода:
2Т916А...................................... 160 °C
КТ916А.................................... 125 °C
Температура корпуса:
2Т916А...................................... 125 °C
КТ916А..................................... 85 °C
Температура окружающей среды:
2Т916А................................от—60°C до
Т — 125 °C
КТ916Л...............................от'—40 °C до
Гн =85 °C
1 При Гк>25°С Рк, ср max [Вт] = (Г„ - Гк)/4,5.
435
vK,nc
KT918A, КТ918Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности, ум-
ножителях частоты и автогенераторах на частотах 1—3 ГГц при
напряжении питания 20 В в герметизированной аппаратуре.
Корпус металлокерамический с частичной герметизацией с лен-
точными выводами. Масса транзистора не более 0,15 г.
436
Электрические параметры
Значокне Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное типовое ф о X г X о X со 2 СП * * U СП я ‘аел V
Выходная мощность (/«3 ГГц). Вт. KT9I8A КТ918Б Коэффициент усиления по мощ- ности (/=3 ГГц): КТ918А (Рвых=0.25 Вт) КТ918Б (Рвых=0,5 Вт) Граничная частота коэффициен- та передачи тока п схеме ОЭ. ГГц: KT9I8A КТ918Б Постоянная времени цепи об- ратной связи на высокой часто- те (/ = 100 МГц), нс: КТ918А КТ918Б Емкость коллекторного перехо- да (/ = 10 МГц). пФ Емкость эмиттерного перехода (/=10 МГц). пФ Обратный ток коллектора. мА Обратный ток эмиттера, мА Рвых кУр ^гр тк Ск са ;КБО ЛЭБО 0.8 1 .0 0,4* 0.5- 3.7* 0,25 0,5 2 2 15 4 4,2 15 2 0. 1 20 20 (Ю) 10 15 30 0 2.5 0.1 0,03
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме <ТК С25 °C) ’)
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода . . . .
Температура корпуса ... . .
Температура окружающей среды
30 В
2,5 В
0,25 А
2,5 Вт
50 °С/Вт
150 °C
85 °C
от —45 °C до
Тк = 85 °C
' При Г|(>25°С Рк.сршах [Вт] = (150 — Тк)/50.
Монтаж транзистора в микросхему осуществляется припайкой
корпуса транзистора к теплоотводящей поверхности. Максимально,
допустимая температура припоя при монтаже в микросхему не более
200 °C. Время пайки не более 3 с.
Теплоотвод, на который монтируется транзистор, должен быть
облужен оловом или серебром толщиной 10 мкм. Основание корпуса
перед пайкой необходимо обезжиривать этиловым спиртом с помо-
щью ватного тампона.
437
В качестве припоя можно использовать сплавы с температурой
плавления менее 150 °C. Например, индий — серебро (3%) или ин-
дий— олово (48%). Припой прокатывается толщиной 0.05—0,07 мм
и нарезается на прямоугольники размером 2,6X4 мм, обезжиривает-
ся кипячением в четыреххлористом углероде. Место посадки транзи-
стора на теплоотводе смачивается спиртом, раствором канифоли и
на него приготовленный припой и транзистор. Применение других
флюсов не допускается.
25 50 75 1к,мА 5 10 15 UN6,B
438
Пайка транзистора на теплоотвод производится в печи с инерт-
ной атмосферой при температуре не более 200 °C с усилием прижима
около 0,5 кГ. Пайка выводов эмиттера и коллектора производится
с помощью микропаяльника мощностью не более 15 Вт на расстоя-
нии 3 мм от корпуса. Время пайки порядка 3 с. Допускается пайка
выводов на расстоянии менее 3 мм от корпуса, если при этом тем-
пература корпуса не превысит 140 °C.
Допускается монтаж путем прижима транзистора к теплоотводя-
щей поверхности. Прижимное усилие должно быть до 2 кг. Шерохо-
ватость контактной поверхности теплоотвода должна быть не хуже
10. Изгиб выводов допускается на расстоянии не более 3 мм от кор-
пуса транзистора с радиусом закругления 1,5—2 мм. При изгибе
должна быть обеспечена неподвижность участка вывода между
местом изгиба и корпусом прибора.
2Т919А-2Т919В, КТ919А—КТ919Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,7—2,4 ГГц
при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Транзи-
сторы КТ919А, КТ919Б, КТ919В имеют дополнительную пластмассо-
вую оболочку. Масса транзистора не более 2,2 г.
439
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначс- н ие
Выходная мощность (/ = Р
=2 ГГц), Вт: 2Т919А. КТ919Л 2Т919Б, КТ919Б 2T9I9B. KT9I9B КТ919Г вых
Коэффициент усиления по мощности (1 = 2 ГГц)*: 2T9I9A. KT9I9A (Рвых = = 3,5 Вт) 2Т919Б, КТ919Б (Рвых = = 1.6 Вт) 2T9I9B. КТ919В (Рвых = =0.2 Вт) КТ919Г (Р.их = 1 Вт) Кур
Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (1=2 ГГц), %: 2T9I9A. КТ919А (Рвых = = 1 Вт) 2Т919Б. КТ919Б (Рвых = = 0.5 Вт) 2Т919В. КТ919В (Рвых = = 0.2 Вт) КТ919Г (Рвих = 1 Вт) Чк
Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой ча- стоте (/ = 300 МГц): 2Т919А, КТ919А, КТ919Г 2Т919Б, КТ919Б 2T9I9B, KT9I9B 1 А2!Э |
Критический ток коллектора (/ = 300 МГц). А: 2Т919А, КТ919А 2Т919Б. КТ919Б 2Т919В. KT9I9B КТ919Г /1<Р
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/=30 МГц), пс: 2Т919А 2Т919Б 2Т919В КТ919А - КТ919Г тк
Емкость коллекторного пере- хода (/=10 МГц), пФ: 2Т919Л, КТ919А 2Т919Б, КТ919Б 2T9I9B. КТ919В КТ919Г Ск
Емкость эмиттерного перехо- да (f=IO МГц)*. пФ: 2Т919А КТ919А. КТ919Г 2Т919Б КТ919Б 2T9I9B КТ919В Сэ
Значение Режим измерения
ф с -
минималып типовое максимальн С/КБ (^КЭ) В я 'зел 'к- А
28
3.5 1 ,6 0.8 3,0 4,4* 2,0* 1,0* 3. 5* 28
3. 5
3,2
4
3 33 35* 28
30 42*
25 42*
30 42*
4,5 4,5 •1,5 6,2* 7,4* 7.5* 7* 7,8* 8* (10) (10) (Ю) (10) 0,5 0,25 0, 1
1,1 0,5 0,22 1.0 1 .7* 0,7* 0,3* 2, !* 0,8* 0,4* 10 0,05
1,1* 0,9* 0.6* 0,75* 1 .25* 1 , о* 0,8* 0.8* 2,2 2,2 2,2 2.2 28
7,5» 5, 2* 3,3* 8* 5.3* 4,0* 7.0* 10 6.5 4,5 12 0
50 60 25 30 12 15
440
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное о с а с с н максимальное ^КБ (°'кэ). В а /К- А
Полное входное сопротивле- ние (f — 2 ГГц)*, Ом: 2Т919Л (Рвых = 3.5 Вт) Полное сопротивление на- грузки (/ = 2 ГГц)* 2T9I9A (Рвых=3,5 Вт), Ом Обратный ток коллектора, мА: 7=25 °C 2Т919А, КТ919А, КТ919Г 2Т919Б. КТ919Б 2Т919В. KT9I9B 7=100 ’С KT9I9A. КТ919Г КТ919Б KT9I9B 7=125 'С 2Т919А 2Т919Б 2Т919В Обратный ток эмиттера. мА: 7=25 °C 2T9I9A. КТ919А, КТ919Г 2Т919Б. КТ919Б 2Т919В. KT9I9B 7=100 "С KT9I9A. КТ919Г КТ919Б KT9I9B 7= 125 *С 2Т919А 2Т919Б 2T9I9B Индуктивность базового вы- вода (у основания вывода)*, и Г Емкость эмиттер — корпус*. пФ Емкость коллектор — кор- пус*. пФ Емкость коллектор — эмит- тер*. пФ: 2T9I9A, КТ919А. КТ919Г 2Т919Б. КТ919Б 2T9I9B. KT9I9B Индуктивность эмиттерного вывода (у основания выво- да)*, нГ Индуктивность коллектор- ного вывода (у основания вывода)*. иГ ZBX Zh ;КБО ;ЭБО L6 Сзк Ск.к Ск.э S Lk 2,24- 4/16 2,1 — -/2.5 0,2* 0,12* 0, 1* 0,14 2,7 1 ,9 0,4 0.2 0, 1 0,7 1,9 10 5 2 50 25 15 50 25 15 2 1 0.5 20 10 5 20 10 5 28 28 45 3. 5
441
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база1 45 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 3,5 В
Постоянный ток коллектора:
2Т919А, КТ919А, КТ919Г .... 0,7 А
2Т919Б, КТ919Б 0,35 А
2Т919В, КТ919В 0,2 Л
Импульсный ток коллектора (т..^20 мкс. (?5s50): 2Т919А, КТ919А, КТ919Г ....
1,5 А
2Т919Б, КТ919Б 0,7 А
2Т919В, КТ919В 0,4 А
Постоянный ток базы:
2Т919А, КТ919А, КТ919Г .... 0.2 А
2Т919Б, КТ919Б 0,1 А
2Т919В, КТ919В 0,05 А
КСВН коллекторной цепи
(Рк. ср^Ри. ср max) 3
Средняя рассеиваемая мощность в динами- ческом режиме (7'к<25 °C)2:
2Т919А, КТ919А, КТ919Г .... 10 Вт
2Т919Б, КТ919Б 5 Вт
2Т919В, КТ919В 3,25 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус: 12°С/Вт
2Т919А, КТ919А, КТ919Г ....
2Т919Б, КТ919Б 25 °С/Вт
2Т919В, КТ919В . . .... 40°С/Вт
Температура перехода 150 °C
Температура корпуса: 125 °C
2Т919Л —2Т919В .... . .
КТ919А —КТ919Г 100 °C
Температура окружающей среды:
2Т919Л — 2Т919В от —60 °C до ТК = 125°С
К.Т919А — КТ919Г от —45 °C до Л. = 100 °C
1 В диапазоне температур
+254-ГОкл min снижается ли-
нейно до 40 В.
2 При Q Рк ср max
[Вт] =(150—Тк) / Rt ... к.
Допускается пайка выводов
на расстоянии менее 3 мм от
корпуса при Г150 °C не бо-
лее 3 с.
442
РВых.Вт
443
444
2Т925А—2Т925В, КТ925А— КТ925Г
i л ? . • • , ’ * '' 1 ;
; Транзисторы кремниевые этштаксиально-планарныс п-р-п генера-
торные. Предназначены для' применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200—400 МГц
при напряжении питания 12,6 В.
Корпус металлокерамический с г'хн'гковыми выводами и монтаж-
ным винтом. Масса транзистора нс бо.де 4,5 г.
Электрические параметры
Параметр L I Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное X Zd сс £2 Ю V '^1
Выходная мощность (/ = -320 МГц. 7к<65‘С). Вт: 2Т925А. КТ925Л КТ925Б 2Т925Б КТ925Г 2Т925В. КТ925В Коэффициент усиления по мощ- ности (/ = 320 МГц): 2Т925А. КТ925Л (Райх =2 Вт) КТ925Б (Рпых=5 Вт) 2Т925Б (Р.и1 = 7 Вт) 2Т925В. КТ925В (Ряих=20 Вт) КТ925Г (/’пых = 15 Вт) Коэффициент полезного дейст- вия коллектора (/ = 320 МГц), % ‘ 2Т925Л. 2Т925Б 2Т925В КТ925А - КТ925Г Статический коэффициент пере- дачи тока в схеме ОЭ*: 2Т925Л. КТ925А 2Т925Б 2Т925В. КТ925В ^вых кУр ’’к Й21Э 2 5 7 1 5 2 0 6.3 5 4 3 2.5 60 60 55 8 10 1 7 5,3* 6* 3.2* 2,6* 63* 70* 20 30 80 9.5* 8. 5* 4 * 72- 84* 70 55 1 50 12.6 12,6 12,6 5 0. 2
445
Продолжение
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное р £* со Я 'зеП V
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/ = 1Й21Э1
= 100 МГц): 11» 10
2Т925А 6 2: 0,6
КТ925А 5 17* 22* 10 0.6
2Т925Б 6 10 0,8
КТ925Б 5 15» 10 0,8
2Т925В 5 J0* 10 1 .0
КТ925В. КТ925Г 4.5 10 1 ,0
Критический ток коллектора (/=100 МГц). А: ;кр 0,8 1 0
2Т925А. КТ925А
2Т925Б, КТ925Б 1 .0
2Т925В. КТ925В 4 . 5
КТ925Г 4 .0
Постоянная времени цепи об- ратной связи на высокой часто- те (f = 5 МГц), вс: тк 20
2Т925Л, КТ925А 3.8* 8* 10 0,03
2Т925Б. КТ925Б 7.2* 22* 35 10 о.оз
2Т925В. КТ925В. КТ925Г 1 2* 15* 40 10 0, 1
Емкость коллекторного перехода (/ = 5 МГц). пФ: ск 4,5* 1 5 (12.fi)
2Т925А. КТ925А 9.5-
2Т925Б. КТ925Б 1 2* 16* 30
2Т925В, КТ925В. КТ925Г 32* 1 4* 6 0
Обратный ток коллектор —эмит- тер (/?6;j=!00 Ом), мА: 1 К 3R
7=25 °C 2Т925А 0.5* 5 36
КТ925А 1 .0* 7
2Т925Б 2,5* 1 0
КТ925Б 1,8* 1 2
2Т925В. КТ925В. КТ925Г 4 , 5* 30
7 = 85 °C КТ925А 0,9* 14
КТ925Б 1 .6* 2 4
КТ925В. КТ925Г 7= 125 °C 2,0* 60 10
2Т925А
2Т925Б 20
2Т925В Обратный ток эмиттера, мА: ;ЭБО 60
7=25 °C 2Т925А 0,2* 2 4
КТ925А 0,5* 4 4
2Т925Б 5 4
КТ925Б 8 3,5
2Т925В 1,5* 5
КТ925В, КТ925Г 7 = 85 °C 1 0 3,5
КТ925А 8 4
КТ925Б 1 6 4
КТ925В. КТ925Г 7=125 °C 20 3,5
2Т925А 4 4
2Т925Б 1 0 4
2Т925В 1 0 3,5
4 46
окончание
Значение Рсжи М измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние ф о я е; СЧ ? X Л о о 03 О X X н CJ С X л ч сс 7. .-з 7. ^кэ(^кб), в U ЭБ, в
Индуктивность эмнттерного вы- вода*. нГн: 2Т925А. КТ925А 2Т925Б. 2Т925В, КТ925Б- КТ925Г ч 1 .2 1.0
Индуктивность коллекторного вывода*. нГн Ч 2,4
Индуктивность базового выво- да*. нГн: 2Т925А. КТ925А 2Т925Б. 2Т925В, КТ925Б- КТ925Г Ч> 2,6 2.4
Емкость эмиттер — корпус*, пФ сэ.н 1 .84
Емкость коллектор — корпус*, нФ ск-к 1 , 53
Емкость база — корпус*, нФ сб.к 0,96
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение [коллектор — эмит- тер (/?вэ< 100 Ом) Постоянное напряжение коллектор — база 36 В 36 В
Постоянное напряжение эмиттер—база: 2Т925А, КТ925А, 2Т925Б, КТ925Б . . 2Т925В. КТ925В, КТ925Г Постоянный ток коллектора: 4 В 3,5 В
2Т925А, КТ925А 2Т925Б, КТ925Б 2Т925В, КТ925В. КТ925Г Импульсный ток коллектора при косинусо- идальной форме импульса: 0.5 А 1,0 А 3,3 А
2Т925А, КТ925Л ' 2Т925А, КТ925Б 2Т925В, КТ925В. КТ925Г Средняя рассеиваемая мощность в динами- ческом режиме (7’к^4О°С)1: 2Т925А, КТ925А ... 2Т925А, КТ925Б 2Т925В, КТ925В. КТ925Г . ... 1,0 А 3,0 Л 8,5 А 5,5 Вт 11 Вт 25 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус: 2Т925А, КТ925Л 2Т925А, КТ925Б .... 2Т925В, КТ925В, КТ925Г . . . 20°С/Вт 10°С/Вт 4,4 ”С/Вт
447
Температура перехода ................ 150 °C
Температура корпуса:
2Т925А — КТ925В............................ 125 °C
КТ925Л — КТ925Г ..... 85 °C
Температура окружающей среды:
2Т925Л — 2Т925В.................... от—60 °C до
Т,<=125 °C
КТ925Л — КТ925Г ......................от —45 °C до
ГК=85’С
' При Г,:>40°С Рк mat [Вт] = (150-T,:)fRr „
Чистота контактной поверхности теплоотвода должна быть нс
менее 1,6. Неплоскостность контактной поверхности теплоотвода дол-
жна быть не более 0,01 мм.
448
fгр. МГц
15 Зак. 225
449
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм'от кор-
пуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и гер-
метичности транзистора. Панку проводить при температуре не выше
270 °C не более 5 с.
2Т930А, 2Т930Б, КТ930А, КТ930Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100—400 МГц
при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Внутри
корпуса имеется согласующее £С-звено. Масса транзистора не бо-
лее 7 г.
450
Электрические параметры
Параметр Буквенное обоз- начение Значение Режим измерения
мкниммльное > с X максимальное я ‘(а»/7)ехл са ib Ф b 7К. А
Выходная мощность (/ = 4=400 МГц. 7к<40‘С). Вт: 2Т930А. КТ930А 2Т93ОБ. КТ930Б ^вых 40 75 28
Коэффициент усиления по мощ- ности (f = 400 МГц): 2Т930А (Р.ых = 40 Вт) КТ930А (Paui = 40 Вт) 2Т930Б (Р»ых = 75 Вт) КТ930Б (Рвых = 75 Вт) Хур 6 5 4 3, 5 7,2* 5.8* 10,2* 10* 28
Коэффициент полезного дейст- вия коллектора (f=400 МГц), %: 2Т930А, КТ930А (Рвых=40 Вт) 2Т930Б, КТ930Б (Рвых=75 Вт) ”к 50 50 65* 58* 76е 65* 28
Статический коэффициент пере- дачи тока п схеме ОЭ*: 2Т930А. КТ930А 2Т930Б, КТ930Б Л21Э 1 5 10 40 50 1 00 100 5 0.5
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/ = =300 МГц): 2Т930А. КТ930А 2Т930Б. КТ930Б | л21Э1 1.5 2 3. 3» 2* 4.5* 4.0* 10 10 2.5 5
Критический ток коллектора (/=300 МГц)*, Л: 2Т930А. КТ930А 2Т930Б, KT930D 7кр 7 16 8 20 10 24
Постоянная времени цепи об- ратной связи на высокой часто- те (/ = 5 МГц), пс: 2Т930А, КТ930А 2Т930Б, КТ930Б ’к 7* 9» 8* 1* 1 2 15 10 0.5
Емкость коллекторного перехо- да (/ = 30 МГц). нФ: 2Т930А. КТ930/Х 2Т930Б. КТ930Б СК 52* 1 20* 62* 130* 80 I 70 (28)
Емкость эмиттерного перехода (/=30 МГц). пФ: 2Т930А, КТ930А 2Т930Б. КТ930Б Сэ 750* 1800* 800* 2000* 930 2100 0
Обратный ток коллектор —эмит- тер (Яс3=10 Ом), мА: 7 = 25 *С 2Т930А. КТ930А 2Т930Б, КТ930Б 7 = 85 *С КТ930А КТ930Б 7=125 *С 2Т930А 2Т930Б 1КЭЯ 1 6. 1* 5* 20 100 40 200 50 200 50
15*
451
Окончание
Параметр Буквенное обоз« качение Значение Режим измерения
с < « 3 s 3 s типовое максимальное * 1'ЭБ- В А
Обратный ток эмиттера. мА: 7 = 25 'С 2Т930А. КТ930А 2Т93ОБ. КТ930Б 7=85 'С КТ930А КТ930Б 7=125 ’С 2Т930А 2Т930Б Индуктивность внутреннего LC-звена*. нГн: 2Т930А. КТ930А 2Т930Б. КТ930Б Емкость внутреннего LC-звена*: 2Т930А, КТ930А 2Т930Б. КТ930Б Индуктивность эмиттерного вывода (/=1 мм)*. нГн: 2Т930А, КТ93ОА 2Т930Б, КТ930Б Индуктивность коллекторного вывода (/=1 мм)* нГн Индуктивность базового выво- да (/=1 мм)*, вГн: 2Т930А. КТ930А 2Т930Б, КТ930Б 7ЭБО ч Сз Ч Ч L6 400 600 0,4 5* 0,92* 0.44 0,26 450 650 0,35 0,24 1.6 1.57 1.42 10 20 20 40 20 40 500 700 4
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмит-
тер (Лоэ^ЮО 6м).............................. 50 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 4 В
Постоянный ток коллектора:
2Т930А, КТ930А............................. 6 А
2Т930Б, КТ930Б.................... 10 А
452
СВЧ входная мощность.
2Т930А, КТ930А . . . . .
2Т930Б, КТ930Б .......................
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Тк^40°С)’:
2Т930А, КТ930А........................
2Т930Б, КТ930Б........................
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2Т930А............................ . .
КТ930А ............................
2Т930Б ...............................
КТ930Б ...............................
Температура перехода ...................
Температура корпуса:
2Т930А, 2Т930Б ....
КТ930А, КТ930Б........................
Температура окружающей среды:
2Т930А, 2Т930Б ...
КТ930А, КТ930Б . .
7 Вт
18,5 Вт
75 Вт
120 Вт
1,6 °С/Вт
1,8 °С/Вт
1,0°С/Вт
1,2’С/Вт
160 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
7’„=125°С
от —40 °C до
Г„ = 85 °C
1 При 7,1(>4О°С Рк. ершах [Вт| = (160 — Тк)/Рг п. к.
Шероховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть
не менее 1,6. Неплоскостность контактной поверхности теплоотвода
должна быть „е более 0,04 мм. Тепловое сопротивление корпус — теп-
лоотвод при нанесении теплопроводящей смазки типа К.ПТ-8 на
поверхность теплоотвода транзистора не более 0,3 °С/Вт.
Пайка выводов допускается на расстоянии нс менее 1 мм от кор-
пуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и гер-
метичности транзистора. Пайку производить при температуре не вы-
ше 270 °C не более 3 с.
453
454
2Т934А-2Т934В, КТ934А—КТ934Д
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителял частоты и автогенераторах на частотах 100—400 МГц.
при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и монтаж-
ным винтом. Масса транзистора не более 4,5 г.
Шероховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть
не менее 2,5. Неплоскостность контактной поверхности теплоотвода
не более 0,04 мм. Для уменьшения контактного теплового сопротив-
ления между корпусом и теплоотводом следует применять теплоот-
водящие смазки.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от кор-
пуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и гер-
метичности транзистора. Пайку производить при температуре не
выше 270 °C.
455
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное 1 С X « 3 ^кэ (ккб), В а ,аел v Ч3/) Я/
Выходная мощность (/ = = 400 МГц. Гх<40’С). Вт: 2Т934А, КТ934А КТ934Г 2Т934Б, КТ934Б КТ934Д 2Т934В, КТ934В Коэффициент усиления по мощности (/=400 МГц): 2Т934А. КТ934А (Р.ых- =3 Вт) 2Т934Б, КТ934Б (Раых = = 10 Вт) 2Т934В. КТ934В (Р.ых = = 25 Вт) КТ934Г (Р.ых = 10 Вт) КТ934Д (Райх =20 Вт) Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (/= = 400 МГц), % Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ*: 2Т934А. КТ934А 2Т934Б, КТ934Б 2Т934В. КТ934В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер*. В: 2Т934А 2Т934Б 2Т934В Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой ча- стоте (/=100 МГц): 2Т934А. КТ934А 2Т934Б. КТ934Б 2Т934В, КТ934В КТ934Г КТ934Д Критический ток коллектора (/=100 МГц). А: 2Т934А. КТ934А 2Т934Б. КТ934Б 2Т934В, КТ934В КТ934Г КТ934Д Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/=5 МГц), пс: 2Т934А, КТ934А 2Т934Б, КТ934Б 2Т934В. КТ934В КТ934Г КТ934Д ?вых Чв h213 УКЭ нас |Л21Э | 7ир ’к 3 10 12 20 25 6 4 3 3.3 2.4 50 Б 5 5 0, 15 0,08 0,08 5 5 5 4.5 4,5 0. 23 1.0 2,0 0,9 1.8 3* 3» 3* 9* 5.5* 4* 65* 50 50 50 0,2 0. 16 0.12 8.5* 9* 9» 8» 8* 0.32* 1.5* 3,2* 1.4* 2,5* 5* 5* 5* 5* 5» 15* 7* 6* 150 1 50 1 50 0,35 0,3 0.2 14* 14* 14* 0.6* 2,0* 4,0* 10 20 20 25 25 28 28 28 5 5 5 10 10 10 10 10 10 -3 0,1 0,15 0,25 0. 1 (0.02) 0,15 (0.03) 0,25 (0.05) 0,15 0.6 1 .2 0.6 1 . 2 0.1 0,15 0.2 0,15 0.2
456
Окончание
Параметр Буквенное обозна- чение минимальное Знамен о о Е X о максимальное Ре ж и So ж СП а м изм со to ъ1 ерення So •— X
Емкость коллекторного пе- рехода (/ = 5 МГц). пФ: 2Т934А. КТ934А 2Т934Б. КТ934Б. КТ934Г 2Т934В. КТ934В, КТ934Д Емкость эмиттерного пере- хода (/ = 5 МГц). пФ: 2Т934А. КТ934А 2Т934Б. КТ934Б. КТ934Г 2Т934В. КТ934В. КТ934Д Обратный ток коллектор — эмиттер (Я<1»=10 Ом). мА: Т-25 "С 2Т934А КТ934А 2Т934Б КТ934Б. КТ934Г 2Т934В КТ934В. КТ934Д Т = 85 °C КТ934А КТ934Б. КТ934Г КТ934В. КТ934Д 7=125 “С 2Т934А 2Т934Б 2Т934В Обратный ток эмиттера. мА: 7-25 ’С 2Т934А 2Т934В КТ934А. КТ934Б. КТ934Г КТ934В. КТ934Д 7 = 85 *С КТ934А. КТ934Б. КТ934Г КТ934В. КТ934Д 7=125 °C 2Т934А 2Т934В Индуктивность эмиттерно- го вы иода*, и Гн: 2Т934А. КТ934А 2Т934Б. КТ934Б. КТ934Г 2Т934В. КТ934В. КТ934Д Индуктивность коллектор- ного вывода*, нГн Индуктивность базового вы- вода*. нГн: 2Т934А. КТ934А 2Т934Б. КТ934Б. КТ934Г 2Т934В. КТ934В. КТ934Д Емкость эмиттер — корпус*. пФ Емкость коллектор — кор- пус*. пФ Емкость база корпус*. пФ Ск С а 'K3R 'ЭБО L. а '-К 'б Сэк С Сб.к 5* 7* 16* 15* 70* 120* 6.5* 10* 22* 30* 100* 200* 0.2* 0.5* 2.5* 0.2* 1 .3 1 . 2 1 . 0 2.5 3. 1 3,1 2.8 1.84 ! . 53 0.96 9 16 32 60 160 300 5 7.5 10 15 20 30 1 5 30 60 10 30 40 5 7.5 8 7.5 8 10 (28) 60 0 4
457
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмит
тер 10 Ом)'.........................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора:
2Т934А, КТ934А....................
2Т934Б, КТ934Б. КТ934Г ....
2Т934В, КТ934В, КТ934Д ....
КСВН коллекторной цепи (Т11^40°С):
2Т934А, КТ934А (Р,ых=3 Вт) . .
2Т934Б. КТ934Б (Рв,.,х = 6 Вт) . .
2Т934В, КТ934В (Р„ых = 12 Вт) . .
Средняя рассеиваемая мощность в динами
ческом режиме (ТК^25°С)1 2:
2Т934А, КТ934А....................
2Т934Б, КТ934Б. КТ934Г ....
2Т934В, КТ934В, КТ934Д ....
Тепловое сопротивление переход—корпус:
2Т934А, КТ934А......................
2Т934Б, КТ934Б, КТ934Г ....
2Т934В, КТ934В. КТ934Д ....
Температура перехода ...............
Температура корпуса:
2Т934А — 2Т934В...................
КТ934Л — КТ934Д...................
Температура окружающей среды:
2Т934А — 2Т934В ....................
КТ934А - КТ934Д...................
60 В
4 В
0,5 Л
1,0 А
2,0 А
10
10
10
7,5 Вт
15 Вт
30 Вт
17,5°С/Вт
8,8 °С/Вт
4.4 °С/Вт
160 °C
125 °C
85 ’С
от --60°С до
7,.= 125 °C
от —40 °C до
Т„=85°С
1 При Тк — Тв пин^кз я тах —50 В.
2 При Тк>25°С Рк.сртах |Вт] = (160 — Тк)//?т <1. к
458
459
1Л2/э/
460
461
Допускается пайка выполов па расстоянии не менее 1 мм от кор-
пуса по методике, нс приводящей к нарушению конструкции и гер-
метичности транзистора. Пайку производить припоем ПОС-61.
ПОССу61-0,5 не более 3—4 с при температуре нс выше 220 °C с теп-
лоотводом между корпусом и местом пайки. Необходимо защищать
корпус прибора от попадания па него брызг флюса и припоя.
2Т937А-2, 2Т937Б-2, КТ937А-2,
КТ937Б-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,9—5 ГГц при
напряжении питания 21 В в герметизированной аппаратуре. Выпус-
каются на металлокерамическом держателе с гибкими полосковыми
выводами.
Обозначение тина приводится па держателе для 2Т937А-2— бук-
ва А и зеленая маркировочная точка; для 2Т937Б-2 — буква Б и бе-
лая маркировочная точка; для КТ937Л-2 и КТ937Б-2 — по две мар.
кировочныс точки соответствующего цвета. Масса транзистора нс
более 2 г.
462
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чен не минимальное Знамени а» о £ С с н макс нмальное £S я -(ae/j) = КИМ >ения
Выходная мощность (/ = 5 ГГц), Вт 2Т937А-2. КТ937А-2 2Т937Б-2 КТ937Б-2 Коэффициент усиления ио мощ- ности (/ = 5 ГГц): 2Т937А-2. КТ937А-2 (Р.х-1 Вт) 2Т937Б-2 (Рвх = 2 Вт) КТ937Б-2 (Р.«=2 Вт) Коэффициент полезного дейст- вия коллектора (/ = 5 ГГц). %: 2Т937А-2. КТ937А-2 (/’.х-1 Вт) 2Т937Б-2. КТ937Б-2 (Рвх-2 Вт) Модуль коэффициента обратной передачи напряжения (f = - 100 МГц): 2Т937А-2. КГ937А-2 2Т937Б-2. КТ937Б-2 Фаза коэффициента передачи тока на высокой частоте (f= = 1 ГГц), град: 2Т937А-2. КТ937А-2 2Т937Б-2, КТ937Б-2 Граничная частота коэффициен- та передачи тока*. ГГц: 2Т937А-2. КТ937А-2 2Т937Б-2. КТ937Б-2 Критический ток коллектора 0=1 ГГц). А: 2Т937А-2. КТ937А-2. КГ937Б-2 2Т937Б-2 Емкость коллекторного перехода 0=10 МГц). пФ: 2Т937А-2, КТ937А-2 2Т937Б-2. КТ937Б-2 Емкость эмиттерного перехода (/=10 МГц), пФ: 2Т937А-2. КТ937А-2 2Т937Б-2. КТ937Б-2 Обратный ток коллектора. мА: Т = 25 “С 2Т937А-2. КТ937А-2 2Т937Б-2. КТ937Б-2 Т= 125 "С 2Т937А-2. КТ937А-2 2Т937Б-2. КТ937Б-2 Обратный ток эмиттера. мА: 7 = 25 ’С 2Т937А-2. КТ937А-2 2Т937Б-2, КТ937Б-2 Полное входное сопротивление* 0=4 ГГц. Р.ыж=3.6 Вт), Ом: 2Т937А-2, КТ937А-2 Полное сопротивление нагруз- ки* (/ = 4 ГГц. Рвых—3.6 Вт). Ом !> пых ЛУр 1к Is! 26 1 аг8(Ьг,б) ^гр 'кр Ск с., 'кко /ЭБО 2вх 2н 1.6* 3.6» 1 .6» 1 .8* 35* 38* 0.84 • 10-3* 0.58* 10-3* 7.7* 7,7* 200 100 2.2* 4 ,2* 7,5* 22.5* 4 3,8 2 I .9 43 4 1 0.98- ю-з* 0,75- ю- 3* 8.5* 9* 6. 5 6.5 400* 800* 3.0* 4.5* 8.5* 27* 0.05* 0.1* 0,05* 0.1* 0.54 /15 34-/1 2.5* 4.7* 2.5* 2.35* 53* 49* 2.1- 10“3 2- 10-3 17 16 550* 950* 5,5 7.5 25 50 5 20 30 0,2 0.5 ii 21 21 21 21 10 10 5 5 5 5 20 (0) 25 (2,5) 0 05 0.08 0,15 0,3 0.15 0.3
463
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора:
2Т937А-2, КТ937А-2.....................
2Т937Б-2. КТ937Б-2.....................
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (ТВ<25°С)':
2Т937А-2, КТ937А-2.....................
2Т937Б-2. КТ937Б-2.....................
Постоянная рассеиваемая мощность
(Т„<25°С)':
2Т937А-2. КТ937А-2 (1/КБ <6.5 В)
2Т937Б-2, КТ937Б-2 (1>КБ <5 В) . .
Тепловое сопротивление переход — корпус в
динамическом режиме:
2Т937А-2, КТ937А-2.....................
2Т937Б-2, КТ937Б-2.....................
Тепловое сопротивление переход — корпус
в статическом режиме:
2Т937Л-2, КТ937А-2.....................
2Т937Б-2, КТ937Б-2.....................
Температура перехода ....................
Температура корпуса:
2Т937А-2, 2Т937Б-2.....................
КТ937А-2, КТ937Б-2.....................
Температура окружающей среды:
2Т937А-2, 2Т937Б-2 ....
КТ937А-2, КТ937Б-2.....................
25 В
2.5 В
0,25 А
0,45 А
3.6 Вт
7.4 Вт
1,44 Вт
2.25 Вт
34,5 °С/Вт
17,0’С/Вт
45 °С/Вт
22,2 °С/Вт
150 °C
125 °C
100 °C
от —60 °C до
Гн =125 °C
от —60 °C до
Г„ = 85 °C
1 При Тк>40°С Ркт.к [Вт] == (150 — Гк)//?т
464
465
3
13
0,7 пФ
2Т937
G„, О.бпф
050»
01 2пФ |
'кГ
0,8 нГн
C. 28пФ
0,30м
[2JnP
Корпус
L6
0,25иГп
LH 1,5 нГп
ЛЛг» К
02 1,6nV
б
466
Не рекомендуется напряжение питания 2Т937А-2, КТ937Л-2 более
14 В и 2Т937Б-2, КТ937Б-2 более 15 В и диапазоне частот 0,9 —
1.4 ГГц; для всех типов транзисторов более 18 В в диапазоне частот
1,4—2,5 ГГц. Статический режим допускается при б'к | о В и
/к <50 мА.
Пайка выводов допускается на расстоянии более 3 мм от корпуса
при температуре пайки 2G0°C и 1 мм от корпуса при температуре
пайки 125 °C и времени пайки не более 3 с.
2Т938А-2, КТ938А-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах до 5 ГГц при
напряжении питания до 20 В в герметизированной аппаратуре.
Корпус на металлокерамическом держателе
ми выводами. Масса транзистора не более 0,15
с гибкими полосковы-
г.
Электрические параметры
Параметр
Значение Режим измерения
В ы ходи а я мощность (/-5 ГГц).
Вт
Коэффициент усиления но мощ-
ности (/ = 5 ГГц. Рвых = ! Вт)
Коэффициент полезного дсйст-
н и я коллектора (/ = 5 ГГц.
Рвих=1 Вт). %
Граничная частота коэффициен-
та передачи тока. МГц
Постоянная времени цепи об-
ратной связи на высокой ча-
стоте (/ = 100 МГц), пс
Критический ток коллектора
(/ = 300 МГц). А
0.15
467
Окончание
Л Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обо наченне о X ч я Z X X X типовое максимальное ш из Ъ CQ (П * •ч
Емкость коллекторного перехо- да (/ = 10 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (/=10 МГц), пФ Обратный ток коллектора. мА: Г=25 °C 7=125 °C Обратный ток эмиттера, мА: 7=25 °C 7 = 125 °C Индуктивность эмиттерного вы- вода (внутренняя)*, нГн Индуктивность коллекторного вывода (внутренняя)*. нГн Индуктивность базового вывода (внутренняя)*, нГн Емкость эмиттер — база*. пФ Емкость коллектор — база, пФ пФ Емкость коллектор - эмиттер*. пФ ск са УКБО 'ЭБО S LK L6 ^.б СК.б ск.э 2.2° 5,2° 2,6* 7.5° 0.5е 0.02е 0.3 0.5 0.17 0,35 0.5 0,5 4 12 1 .0 10 0. 1 1 .0 20 28 2.5 2.5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база 28 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 2,5 В
Постоянный ток коллектора . . 0,18 А
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Гк^Зб’С)* 1 . . 2.5 Вт
Постоянная рассеиваемая мощность
(^кб sg 10 В. ГиСЗО’С)'................ 1,5 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус 80°С/Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус
в динамическом режиме . . . . 50°С/Вт
Температура перехода . , 150°С
Температура корпуса:
2Т938АЗ ... . . 125 °C
КТ938А-2............................. 85 °C
Температура окружающей среды:
2Т938А-2...............................от —60 °C до
Т м 125 °C
КТ938А-2 .... ... от —45 °C до
_________ Гн = 85 °C
1 При Тк>25°С Рк max [Вт] = (150—Гк) , /?т.
Держатель транзистора припаивается к теплоотводу при Гк^
^200 °C за время не более 3 с.
468
Пайку выводов допускается производить на расстоянии нс менее
3 мм от держателя при Г150 °C. Допускается пайка выводов на
расстоянии I мм при условии жесткой фиксации основания вывода
относительно держателя.
469
2Т939А, КТ939А
Транзисторы кремниевые эпитаксиальио-планариыс п-р-п усили-
тельные. Предназначены для работы в усилителях класса Л с повы-
шенными требованиями к нелинейным искажениям.
Корпус металлокерамический с гибкими полосковыми выводами.
Масса транзистора нс более 2 г.
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Буквенное = -а
Параметр обозна- X
некие « о а Э со X X О Q = Е X X х СО а ь а 5, 05 я Л TL- bi ta => a *
Граничная частота коэффи* цнента передачи тока в схе- ме ОЭ (/=300 МГц), ГГц ^гр 2.5 3.06* 3.3* 2 * 12 200 15 50
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Й21Э 40 ИЗ» 200 35* 200* 12 200 5 50
Неравномерность коэффи- циента передачи тока в ре- жиме малого сигнала Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/=30 МГц), пс Емкость коллекторного пе- рехода (/=10 МГц), пФ Емкость эмнттерного перехо- да* (/=10 МГц), пФ Граничное напряжение. В Обратный ток коллектора. Гк==_60 -т-+25 °C Тк=125вС Обратный ток эмиттера. мА: Тк = -60 4-+25*С 7к=125 °C ^2 1Э max Zt2 1 Э min тк Ск сэ УКЭО гр /КБО 1,04* 1.25* 1.5 4.6* 9 3.5* 3.9* 5.5 15 17,5 23 18 28* 34* ! 5 0.5 2.5 12 4 0 — 400 (10) (50) (12) 0 (30) (30) 3,5
470
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер ' (Леас 10 Ом, Г«- 25-5-125 °C) . .
Постоянное напряжение коллектор — база 1
(Л.=254-125 °C).........................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
Постоянная расеиваемая мощность коллек-
тора2 (Гк = — 60 4- +25 °C) . . . .
Температура перехода ...................
Температура окружающей среды
30 В
30 В
3,5 В
400 мА
4 Вт
150 °C
от —60 °C до
Г,, = 125 °C
' ^КЭЛтах, УКБ max 1В1 ПРН Т« от +25 °C ДО —60 °C СНИЖЭ
ется линейно до 25 В.
2 Рк max при Тк>25°С снижается линейно на 0,032 Вт/°С.
471
Допускается изгиб выводов на расстоянии не менее 3 мм от кор-
пуса. Допускается соединение выводов любым видом пайки (кроме
ультразвуковой и электрической сварки) при условии, что за время
пайки температура в любой точке корпуса, включая точки контакта
вывода с корпусом, не должна превышать 150 °C. Пайка выводов
допускается на любом расстоянии от корпуса по методике, нс приво-
дящей к нарушению конструкции и герметичности транзистора.
При проектировании устройств должны быть приняты меры, ис-
ключающие возникновение паразитной генерации. Допустимый стати-
ческий потенциал 1000 В. При работе транзистора на частотах ниже
500 МГц рекомендуется контролировать максимальное напряжение
на коллекторе в процессе отработки и наладки устройств.
Осевое усилие прижима транзистора к теплоотводу должно ле-
жать в пределах 0,04 —0,045 кгс-м. Неплоскостность контактной по-
верхности теплоотвода должна быть не более 0,04 мм. Разрешается
обрезать выводы на расстоянии не менее 3 мм от корпуса. Оба элек-
трических вывода должны быть симметрично соединены в схеме.
472
2Т942А, 2Т942Б, КТ942В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,7—2 ГГц при
напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Обозна-
чение типа приводится на корпусе для 2Т942А — буква А, для
2Т942Б — буква Б, для КТ942В — буква В и красная точка. Масса
транзистора не более 2 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
и О с =; га 7. К S S 7. типовое Ф о X К га S X а га 2
а а “ ьй Л г> V ‘^1
Выходная мощность (f=2 ГГц), Вт: 2Т942А, КТ942В 2Т942Б Коэффициент усиления по мощ- ности (/=2 ГГц): 2Т942А. КТ942В (Рвых = 9 Вт) 2Т942Б (Рвых = 7 Вт) Коэффициент полезного дейст- вия коллектора (f—2 ГГц), %: 2Т942А, КТ942В (Рвых=4 Вт) 2Т942Б (Рвых=3 Вт) ^вых кУр ”к 8* 6* 9 7 2.5 2.5 30 25 28 28 28 28
473
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измере- ния
минимальное типовое максимальное
0 ‘(Э£л) ЗХ/7 *
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/= =300 МГц) Критический ток коллектора (7=300 МГц). А: 2Т942А 2Т942Б, КТ942В Постоянная времени цепи об- раткой связи на высокой часто- те (f—ЗО МГц), пс: 2Т942А 2Т942Б КТ942В Емкость коллекторного перехо- да (/=10 МГц). пФ: 2Т942А 2Т942Б КТ942В Емкость эмиттерного перехода (/=10 МГц). пФ Емкость коллектор — эмиттер. пФ Полное входное сопротивление (Рвх-3 Вт). Ом: 2Т942А /=1.5 ГГц /=1.7 ГГц Полное сопротивление нагрузки (Рвх-3 Вт). Ом: 2Т942А /-1,5 ГГц /=1.7 ГГц Обратный ток коллектора. мА: Т=25 *С Т=125 ”С Обратный ток эмиттера, мА: Г=25 °C Г=125 °C Индуктивность эмиттерного вы- вода* (в корпусе)*, нГн Индуктивность коллекторного вывода (в корпусе)*, нГн Индуктивность базового вывода (в корпусе*), нГи Емкость эмиттер — корпус*, пФ Емкость коллектор — корпус*. пФ 1^21э | ZKP тк С« Сэ Скэ ?вх /КБО ^ЭБО Ч LK L6 сэ к Ск к 6.5 1.6 1.5 15» 15 11.4» 2,7» 2,5» 1.5» 1.8» 16.5» 16,5 16.5 ПО» 2.5» 0.7+/7» 0.84-/9» 0.5» 0,8 '.5 0.14 2,7 1.9 13» 3,5» 3» 2,2 2.5 3 20 22 25 3-/4 2.5-/6 20 100 10 50 10 10 10 28 (0) 28 28 45 (3.5) 1,2 0,15
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
5= 25 С........................... 45 В
Т к = Т к m I п . . . . . . . . 40В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 3,5 В
Постоянный ток коллектора .... 1,5 А
474
Импульсный ток коллектора (ти^10 мкс,
Q 3=100)...............................
Постоянный ток базы....................
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (7",<^25°C)
2Т942А, КТ942В.......................
2Т942Б ..............................
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2Т942А, КТ942В.........................
2Т942Б ..............................
Температура перехода ..............
Температура корпуса:
2Т942А, 2Т942Б ....................
КТ942В ..............................
Температура окружающей среды:
2Т942А, 2Т942Б.........................
КТ942В ..............................
3 А
0,5 А
25 Вт
22 Вт
7 °С/Вт
8°С/Вт
200 °C
125 °C
100 °C
от —60 °C до
Г,, = 125 °C
от —45 °C до
Т„= 100 °C
При Тц >25 С Рк max [Вт] — (200 — Тk)!Rt п,
475
С„, 2,5 пф
476
Допускается работа транзистора в импульсных режимах класса
А при Тк=Ю мкс и в непрерывных режимах при U КБ С? В и
Рк^4,9 Вт (ГК^25’С)
Пайка выводов допускается на расстоянии более 3 мм от корпу-
са при температуре пайки 260 °C и I мм от корпуса при температуре
пайки не более 125 °C при времени пайки не более 3 с.
2Т946А, КТ946А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности, ум-
ножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,4—1,5 ГГц при
напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Масса
транзистора не более 2 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение
Выходная мощность (/ = = 1 ГГц), Вт Коэффициент усиления по мощности (/ = 1 ГГц, РвыД» =27 Вт) Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (/=1 ГГц, Рвх = 6.5 Вт), % р пых *Ур
Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное
со tn's V ‘^1
27 4 30 7 40* 8* 28 28
50 55 70- 28
477
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим из- мерения
минимальное О о а О а н макси мальнос
m и “ а 2,
Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой ча- стоте (/=300 МГц) Критический ток коллектора (/=300 МГц). А Модуль коэффициента об- ратной передачи напряже- ния на высокой частоте (/=100 МГц) Емкость коллекторного пе- рехода (/=10 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехо- да (/ = 3 МГц), пФ Полное входное сопротивле- ние (/=1 ГГц. Pdux-ЗО Вт)*. Ом Полное сопротивление на- грузки (/=! ГГц. Рвых = «30 Вт). Ом Обратный ток коллектора, мА: 7=25 °C 7=125 °C Обратный ток эмиттера, мА: 7=25 °C 7=125 СС Индуктивность эмиттерного вывода (внутреняя)*, нГн Индуктивность коллекторно- го вывода (внутренняя)*, нГн Индуктивность базового вы- вода (внутренняя)*, нГн Емкость эмиттер — корпус*, пФ Емкость коллектор — кор- пус*. пФ 1 *2161 7кр 1 S126 | Ск с» 2 ИХ 1 ИБО 1 ЭБО Ч Ч Сз.к ск.к 2,4 6 2- К)-3‘ 34» 260* 3» 8» 4- 10-3* 38» 280» 0,454-/3,5 4 .9—/7.1 10» 1 • 0.3 0,35 0,06 4.5 4 5* 10* 10»10-3 50 310 50 100 1 0 100 10 10 10 10 28 28 50 (3.5) 4 0, 1
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
ТК^25°С................... .
Г* = -60 °C1.......................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . ,
50 В
45 В
3,5 В
2,5 А
478
Импульсный ток коллектора (ти^10 мкс,
020)................................... 5 А
Постоянный ток базы.................... I А
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (ГК^25°С)1 2 .... 37,5 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус 4°С/Вт
Температура перехода........................ 175 °C
Температура корпуса:
2Т946А.................................... 125 °C
КТ946Л..................................... 85 °C
Температура окружающей среды:
2Т946Л....................................от —60 °C до
ТК = 125°С
КТ946А..................................от —45 °C до
Т„ = 85 °C
1 В диапазоне температур +25°Сч--60 °C снижается линейно
2 При 7„>25°С Рк, ср max [Вт] = (175 — Тк)/4.
479
480
16 Зак. 225
481
При работе в импульсном режиме при тж<20 мкс и 10 напря-
жение источника питания должно быть не более 40 В. В статическом
режиме при напряжении источника питания 28 В ток коллектора не
должен превышать 30 мА.
Под фланец корпуса рекомендуется прокладка из свинца или из
сплава индий — олово толщиной 50—100 мкм.
Допускается обрезка и пайка выводов на расстоянии 1 мм от
корпуса при температуре не более 150 °C и времени не более 3 с.
Усилие при этом не должно передаваться на корпус. Допускается
изгиб и пайка выводов на расстоянии не менее 3 мм от корпуса при
температуре не более 250 °C.
2Т948А, 2Т948Б,
КТ948А, КТ948Б
Транзисторы кремниевые эпи-
таксиально-планарные п-р-п гене-
раторные. Предназначены для
применения в усилителях мощ-
ности, умножителях частоты и ав:
тогснераторах на частотах 0,7—
2,3 ГГц при напряжении питания
28 В.
Корпус металлокерамический с
полосковыми выводами. Масса
транзистора не более 2 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе* НИС Значение Режим измерения
1 i ! а> о и о с X t- 8 3 з ч X X J * ч S а из * £ а '3€Л £
Выходная мощность (/-2 ГГц), Вт: 2Т948А, КТ948А 2Т948Б, КТ948Б Коэффициент усиления по мощ- ности 0 = 2 ГГц): 2Т948А. КТ948А (Рвых = 18 Вт) 2Т948Б, КТ948Б (РВЫх=9 Вт) Коэффициент полезного дейст- вия коллектора (/=2 ГГц): 2Т948А, КТ948А (Р.мх = 18 Вт) 2Т948Б, КТ948Б (Рвых-9 Вт), % Рвых кУр ч'к 15 8 30» 19» 11» 3 3 35 24» 15* 4 5» 28 28 28
482
Окончание
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное о о е О с 1- максимальное со со * Н '3€Л V ‘
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/ = = 300 МГц): 2Т948А. КТ948А 2Т948Б. КТ948Б Критический ток коллектора (/ = 300 МГц). Л: 2Т948А. КТ948А 2Т948Б, КТ948Б Емкость коллекторного перехо- да (/=10 МГц). нФ: 2Т948А. КТ918А 2Т948Б. КГ948Б Обратный ток коллектора. мА: 7 = 25 ‘С 2Т948А КТ948А 2Т948Б. КТ918Б 7=125 “С 2Т948А. КТ948Л 2Т948Б. КТ948Б Обратный ток эмиттера, мА: 7 = 25 ‘С 2Т948А КТ948А 2Т948Б. КТ948Б 7= 125 ”С 2Т948Б. КТ948Б 2Т948Б. КТ948Б |Л24Э| 'кр Ск ;КБО ;ЭБО G.5 6,5 2 1 20* 1 1 • 10* 10* 3,5* 1 . 5* 22* 13* 1 0* 4* 3* 3* 13* 13* 5,5* 2.7* 30 17 30 35 1 5 150 75 20 35 10 100 5 0 5 5 5 28 45 2 1.5 0,8
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора:
2Т948А, К.Т948Л........................
2Т948Б, К.Т948Б........................
Импульсный ток коллектора (та^20 мкс,
2Т948А, КТ948А.........................
2Т948Б. КТ948Б.........................
Постоянный ток базы:
2Т948А, КТ948А.........................
2Т948Б. КТ948Б.........................
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (ГИ^25.°С)1:
2Т948А, КТ948А.........................
2Т948Б, КТ948Б.........................
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2Т948А. КТ948А..........................
2Т948Б, КТ948Б.........................
Температура перехода ....................
Температура корпуса:
45 В
2 В
2.5 А
1.2 А
5 А
2.5 А
1 А
0,5 А
40 Вт
20 Вт
4.5 °С/Вт
9,0‘С/Вт
200 °C
16»
483
2Т948А, 2Т948Б . . .
КТ948Л, КТ948Б ....
Температура окружающей среды:
2Т948А, 2Т948Б ....
КТ948А. КТ948Б ....
125 °C
100 °C
от —60 °C до
Л, = 125 °C
от —45 °C до
Тк=100 °C
1 При 7’„>25°С Рк шах [Вт] = (200—Тк)//?т п, к-
Изгиб выводов при монтаже допускается на расстоянии более
I мм от корпуса.
484
485
Тип гб’ Ом Аг, Ом гк’ Ом 'с. Ом СВХ’ пФ Сэк' пФ СК1’ пФ пФ
2Т948А 0,15 0,3 0,45 0,15 40 6 1 >5 14
2Т948Б 0,3 0,6 0,9 0,3 20 3,5 0,75 7
Тип С,, пФ С.. пФ Сэ. пФ Ч- иГи Ч- М. нГи и* М, иГн Ч- нГн
2Т948А 1 1.6 200 0,78 0,23 0,32 0,14 0,51
21948Б 1 1.6 100 1.2 0,39 0,54 0,19 0,73
2Т960А, КТ960А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в широкополосных усили-
телях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на часто-
тах 100—400 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Внутри
корпуса имеется согласующее LC-звено. Масса транзистора не бо-
лее 7 г.
487
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое 8 X c я s X и ж я Я ш Ь Ф X Ъ са Ф *
Выходная мощность (7= = 400 МГц), Вт Коэффициент усиления по мощности (7 = 400 МГц, Рвых = 40 Вт) Коэффициент полезного дей- ствия (/ = 400 МГц, Рвых = -40 Вт). % Напряжение насыщения коллектор — эмиттер*, В Модуль коэффициента пере- дачи тока на высокой часто- те (7 = 300 МГц) Критический ток коллекто- ра*. А Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/ = 5 МГц)*, пс Емкость коллекторного пе- рехода (7=30 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехо- да (7 = 5 МГц)*, пФ Обратный ток коллектор — эмиттер (Рбэ = 10 Ом), мА: 7 = 25 °C 7=125 * 2T9G0A Обратный ток эмиттера, мА: 7=25 °C 7—125 °C 2Т960А Индуктивность внутреннего LC-звена*, нГн Емкость внутреннего LC- звена*. пФ Индуктивность эмиттерного вывода (/=1 мм)*, нГн Индуктивность коллектор- ного вывода (1-1 мм)*, нГн Индуктивность базового вы- вода (7=1 мм)*, нГн _ о О о о х 35- х ~ - х х х о го и » <J -J j и Л ₽• ГО " н U <J bj го -J о. X x: — » " a 40 2,5 60 0. 05 2 15 11 7. 5- 860 560 3,5- 65 • 0,08 4* 22 12.5 82* 1 200 1.8* 0.7» 0,33 610 0,38 1.6 0,49 5,5 75 0, 15 5- 30 25 120 1200 20 40 10 20 660 12,6 12,6 12,6 10 10 5 (12) 36 0 4 0,5 (0,1) 0,5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит
тер (ЯсэСЮ Ом).......................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора ....
СВЧ входная мощность ....
КСВН коллекторной цепи (Рвых ^40 Вт
Гк^40°С):
в течение 3 с .......................
в непрерывном режиме ....
Средняя рассеиваемая мощность в динами
ческом режиме (Г1,^40°С)1
Тепловое сопротивление переход — корпус
36 В
4 В
7 А
16 Вт
10
3
70 Вт
1,75 °С/Вт
488
Температура перехода...................... 160°С
Температура корпуса:
2Т960А................................. 125 °C
КТ960А............................... 85 °C
Температура окружающей среды:
2Т960А....................................от —60 ’С до
Т ___125 °C
2Т960А..................................от "-4 О °C до
Гц = 85 °C
1 При Т„>40°С Рк. ср шах [Вт] = (160-Т,.)/!,75.
Шероховатость контактной поверхности теплоотводов должна
быть не менее 2,5. Нсплоскостность контактной поверхности теплоот-
вода должна быть не более 0,04 мм.
Тепловое сопротивление корпус — теплоотвод при нанесении теп-
лоотводящей смазки типа КПТ-8 на поверхность теплоотвода транзи-
стора не более 0,3°С/Вт.
489
490
Пайка выводов допускается на расстоянии нс мснсс 1 мм от кор-
пуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и гер-
метичности транзистора. Пайку производить при температуре не вы-
ше 270 °C в течение времени на более 5 с.
2Т962А—2Т962В, КТ962А—КТ962В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах 400—1000 МГц
при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и монтаж
винтом. Внутри корпуса имеется согласующее ЛС-звено. Масса тран-
зистора не более 5 г.
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначение минимальное типовое максимальное СП П) X X со СП V 1
Выходная мощность (/= = 1000 МГц, Тк<40°С). Вт: 2Т962А. КТ962А 2Т902Б. КТ962Б 2Т962В, КТ962В Коэффициент усиления по мощ- ности (7=1000 МГц): 2Т962А, КТ962А (Р»ых=10 Вт) 2Т962Б. КТ962Б (Р»ых«20 Вт) 2Т962В. КТ962В (Рвых=40 Вт) Коэффициент полезного дейст- вия коллектора (7=1000 МГц), %: 2Т962А, КТ902А 2Т962Б. КТ962Б 2Т962В, КТ962В рвых Кур ”х 10 20 40 4 3,5 3 36 40 40 4.7* 6« 5,1* 43* 51» 49* 6* 8» 6,1» 49* 60» 55* 28 28 28
491
Окончание
Параметр Буквенное обозначение минимальное Знамен о с ей О С X о максимальное Реж! со ф X 'сЬ X М ИЗМ( со {О :рения
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/= =300 МГц): 2Т962А. KT9G2A 2Т962Б. KT9G2B 2Т962В. КТ962В Критический ток коллектора (/ = 300 МГц). Л: 2T9G2A. KT9G2A 2Т962Б, KT9G2B 2Т962В, КТ962В Постоянная времени цепи об- ратной связи на высокой часто- те (/ = 5 МГц), пс: 2T9G2A. KT9G2A 2Т962Б. КТ962Б 2T9G2B, KT9G2B Емкость коллекторного перехо- да (/ = 30 МГц). пФ: 2T9G2A, KT9G2A 2T962D, КТ962Б 2T9G2B. КТ962В Обратный ток коллектора. мА: 7 = 25 °C 2T9G2A. KT9G2A 2Т962Б. КТ962Б 2Т962В. KT9G2B 7=125 °C 2T9G2A. 2Т962Б 2T9G2B Обратный ток эмиттера: 7 = 25 °C 2T9G2A. KT9G2A. 2Т962Б. 2Т962Б 2Т962В. KT9G2B Индуктивность внутреннего LC- звена”, нГн: 2Т962А, KT9G2A 2Т962Б. КТ962Б 2Т962В. КТ962В Емкость внутреннего LC-звсна*, пФ: 2T9G2A. КТ962А 2Т962Б. КТ902Б 2Т962В. КТ962В Индуктивность эмиттерного вы- вода ((=1 мм)*. нГн: 2Т962А. КТ962А 2T9G2B. КТ962Б 2Т962В, KT9G2B Индуктивность коллекторного вывода (1—1 мм)*. мГн Индуктивность базового вывода (Z=l мм)*, нГн: 2Т962А. КТ962А 2Т962Б, КТ962Б 2Т962В, КТ962В /Л21э| ZHP тк с,; 'КБО 'ЭБО (:з L6 2.5 2,5 2.0 2,7 4 . 2 7,4 9* 4 , 2* 3,7* 1 1 • 17* 32* 4,4* 3.8* 3.5* 3.7* 5.7* 9.9* 1 0* 8.2* 6.6* 1 2* 19* 33* 0.8* 1 . 23* 1 .8* 0.2* 0.25* 0.78 0,54 0.26 50 73 1 28 1 ,43 1 . 24 0.92 1 , 55 0,23 0. 1 2 0,06 4.6* 4 , 2* 4.5* 5.3* 7,9* 14 16 16 16 20 35 50 20 20 30 40 60 5 10 (10) (10) (10) (10) (10) (10) 5 28 50 4 1 . 5 1 .8 3.0
492
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база 50 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 4 В
Постоянный ток коллектора:
2Т962Л, КТ962А . . .... 1,5 А
2Т962Б. КТ962Б . . .... 2,5 А
2Т962В, КТ962В . . .... 4,0 А
ВЧ входная мощность:
2Т962А, КТ962А . . .... 2,5 Вт
2Т962Б, КТ962Б............................... 5,7 Вт
2Т962В, КТ962В............................... 13,3 Вт
КСВН коллекторной цепи в течение 1 с
(l/KD С 24 В):
2Т962А, КТ962А (Р„их<10 Вт)
2Т962Б. КТ962Б (Р„,.,х< 16 Вт)
2Т962В. КТ962В (Pn,4x=g26 Вт) . . .
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (7’к^40°С)1:
2Т962Л, КТ962А, КТ962А ....
2Т962Б. КТ962Б........................
2Т962В, КТ962В........................
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2Т962А. КТ962А..........................
2Т962Б, КТ962Б........................
2Т962В. КТ962В........................
Температура перехода . . . . .
Температура корпуса:
2Т962А — КТ962В.......................
КТ962А — КТ962В.......................
Температура окружающей среды:
2Т962А — КТ962В.......................
КТ962Л - КТ962В . . ...
25
17 Вт
27 Вт
66 Вт
7 °С/Вт
4.4 *С/Вт
1.8 °С/Вт
160 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
ТК=125°С
от —40 °C до
Гн = 85 °C
При Т и 40 С Рк, ср max | Вт] — (160 — Ты)/Rt d. к
493
г « в р6х,вт
4?4
495
Внутреннее согласующее LC-звено оптимизировано для работы в
диапазоне 600—1000 МГц.
Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 1 мм от
корпуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и
герметичности транзистора, при температуре не выше 250 °C с тепло-
отводом между корпусом и местом пайки.
Чистота контактной поверхности теплоотвода должна быть не
менее 1,5, а ее неплоскостность не более 0,04 мм.
2Т963А-2, 2Т963Б-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах 2—10 ГГц при
напряжении питания 12—15 В в герметизированной аппаратуре.
Корпус на металлокерамическом держателе с гибкими ленточ-
ными выводами. Обозначение типа приводится на держателе для
2Т963А-2 — буква А и белая точка, для 2Т963Б-2 — буква Б и зеле-
ная точка. Масса транзистора не более 2 г.
496
Электрические параметры
Параметры Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерении
минимальное типовое макс имальное CQ То Ф из * i -ч
Выходная мощность (/= = 10 ГГц). Вт: 2Т963А-2 2Т963Б-2 Коэффициент усиления по мощности (/ = 10 ГГц): 2Т963А-2 (Р.х=0.25 Вт) 2Т963Б-2 (/>.х=0,45 Вт) Коэффициент полезного дей- ствия коллектора (f= = 10 ГГц). %: 2Т963А-2 (/’х=0,25 Вт) 2Т963Б-2 (Р.х-0,45 Вт) Фаза коэффициента переда- чи тока на высокой частоте (/=1 ГГц), град Модуль коэффициента об- ратной передачи напряже- ния (/ = 100 МГц) Емкость коллекторного пе- рехода (/=10 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехо- да (/ = 10 МГц). пФ Обратный ток коллектора. мА: Г=25 ’С Г= 125 °C Обратный ток эмиттера, мА: Г = 25’С 7= 125 °C ^вых КУ р ”и а^(\1б) |512б| Ск С.э 'КБО 'ЭБО 0,8 0.5 3 3 30 27,8 5» 0,6-1«—3* 0.9 3,4* 38* 6* а.8.1»-3‘ 1 .5* 4.8* 0.1* 0.1* 1,05* 3.7* 42* 1 1 1 • ю—3 1.0 10 0.4 10 15 12 15 12 15 12 5 5 5 (0) 18 (1.5) 0.17 0. 15 0,17 0. 15 0,17 0.15 0. 1 0.1
497
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер—база
Постоянный ток коллектора:
2Т963А-2..............................
2Т963Б-2..............................
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (Л, ^25 °C)1
2Т963А-2..............................
2Т963Б-2..............................
Постоянная рассеиваемая мощность
(^КБ в- ТК^25°С)'.......................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход — корпус
для динамического режима:
2Т963А-2..............................
2Т963Б-2 •............................
Температура перехода ...................
Температура корпуса ....................
Температура окружающей среды
18 В
1,5 В
0,21 А
0,185 А
2,1 Вт
1,55 Вт
1,1 Вт
140°С/Вт
74 °С/Вт
ЮО’С/Вт
180 °C
125 °C
от —60 °C до
ТК=125°С
1 При 7„>25°С Рк. max IBtJ = (180 — Тк)//?т.
Допускается применение транзисторов в диапазоне частот
10 МГц — 2 ГГц при У и ит ^8 В.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от дер-
жателя. Пайка выводов производится на расстоянии 1 мм от держа-
теля при температуре 260 °C в течение 3 с, на расстоянии 0.5 мм при
температуре не выше 150 °C.
498
499
2ТЭ63
Cn3 0.2пФ
R
3
4-5 Ом
C
50n<P'
L
0,5nfn
Cl
0,4 пФ
At ”h i< г
0,18 пФ
(^S'’0B)
£« Л
34,4пФ
(U^-O)
' Ck 1
rS =
2,5 Ом
0,50м
- (Г1ОГГц,иК6чов)
C„2
0,55 пФ
L6 (.UKe-JOB)
0,24 пГп
cz
0,4 пФ
5
2T970A, KT970A
Транзисторы кремниевые
эпитаксиально-планарные n-pn
генераторные. Предназначены
для применения в усилителях
мощности, умножителях часто-
ты и автогенераторах па часто-
тах 100—400 МГц при напря-
жении 28 В.
Корпус металлокерамиче-
ский с полосковыми выводами.
Внутри корпуса имеется двух-
звенная £С-иепь. Масса тран-
зистора нс более 9 г
500
Электрические параметры
- Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
V о X го S X = X 2 типовое максимальное co To co l£ /K. A
Выходная мощность (f — ==400 МГц. Гх-40вС), Вт Коэффициент усиления по мощ- ности (/ = 400 МГц, Р>ых^ -100 Вт) Коэффициент полезного дейст- вия коллектора (/ = 400 МГц. Рвых = 100 Вт), % Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/ = -300 МГц) Критический ток коллектора (/ = 300 МГц), А Постоянная времени цепи об- ратной связи на высокой часто- те (/ = 5 МГц), пс Емкость коллекторного перехо- да (/ = 30 МГц). пФ Обратный ток коллектор—эмит- тер (Лэб=1О Ом), мА: Г = 25 °C Г = 85 °C КТ907А 7= 125’С 2Т970А Обратный ток эмиттера, мА; 7=25 °C 7 = 85*С КТ970А Т=125вС 2Т970А Индуктивность 1-го внутреннего LC-звена*, нГн Индуктивность 2-го внутреннего LC-звена*. нГн Емкость 1-го внутреннего LC- звена*. пФ Емкость 2-го внутреннего LC- звена*. пФ Индуктивность эмиттерного вы- вода*. и Гн ИндуктивнЪсть коллекторного вывода*. нГн ^вых КУ р ”к /КР тк Ск 'КЭ R 'ЭБО L3i L32 C3t C3i Ч LK i 00 4 50 2 1 6 7.3* HI* 7* 55* 4 * 24* I J* 125* 11* 3* 0,39 0.2 310 620 0.2 0,87 13* 65* G* 30* 25 180 100 200 200 30 60 60 28 28 28 1 0 1 0 (10) (28) 50 4 5 0,5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (Rea10 Ом)..........................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . . .
ВЧ входная мощность ...
КСВН коллекторной цепи (U =g24 В,
Гк<50’С, / = 400 МГц):
Рви 1 = 80 Вт (в течение 3 с)
РВ11 х = 70 Вт (длительно)
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (7„^40°С)1 . . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус
50 В
4 В
13 Л
25 Вт
10
3
170 Вт
0,7 °С/Вт
501
Температура перехода...................... 160 °C
Температура корпуса:
2Т970А..................................... 125 °C
КТ970А........................... 85 °C
Температура окружающей среды:
2Т970А............................ от —60 °C до
Т =125 °C
КТ970А . . ....................от—40 °C до
Л, = 85 °C
1 При Г,,>40°C Рко.ах [Вт] = (160 — Тк)/0.7.
Изгиб выводов транзистора допускается на расстоянии не ме-
нее 3 мм от корпуса. Пайка выводов допускается на расстоянии не
менее 1 мм от корпуса при температуре 260°C в течение 4 с.
50
ЬО
30
20
10
5
0 5 10 15 20 lf„3,8
отэтоо, кт это л
f ‘300МГц
502
2Т975А, 2Т975Б
Транзисторы кремниевые эпи-
таксиально-планарные п-р-п гене-
раторные. Предназначены для
применения в импульсных усили-
телях мощности и генераторах на
частотах 1,4—1,6 ГГц при напря-
жении питания до 45 В.
Корпус металлокерамический
с полосковыми выводами. Внутри
корпуса имеются двухзвенные со-
гласующие £С-звенья на входе и
Выходе. Масса транзистора не бо-
лее 6 г.
эОЗ
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное б'КБ- в CQ Щ Л
Выходная мощность (/=1,5 ГГц, Тя=10 мкс, Q = 100), Вт: 2Т975А 2Т975Б Выходная мощность (/=1,5 ГГц, Тн=10 мкс, Q” 100), Вт: 2Т975А 2Т975Б Коэффициент усиления по мощно* сти (/= 1,5 ГГц). дБ: 2Т975А (Рвых. ж = 75 Вт) 2Т975Б (Рвых. ж = 45 Вт) Коэффициент усиления по мощно- сти (/=1,5 ГГц), дБ: 2Т975А (Рвых, и =200 Вт) 2Т975Б (Рвых, «=100 Вт) Коэффициент полезного действия коллектора (/ = 1.5 Г Гц), %: 2Т975Л (Рвых =75 Вт) 2Т975Б (Рвых =45 Вт) Коэффициент полезного действия коллектора (/=1.5 ГГц). %: 2Т975А (Рвых. я =200 Вт) 2Т975Б (Рвых. = 100 Вт) Обратный ток коллектора, мА; 7 = 25 *С 2Т975А 2Т975Б 7=125’С 2Т975А 2Т975Б Обратный ток эмиттера. мА: 7 = 25 °C 2Т975А 2Т975Б 7=125 “С 2Т975А 2Т975Б РК. и РК. и КУ р. и КУ р. и Чк / К БО ^ЭБО 75 45 200 100 3.3 4 .0 6 6 25 30 30 35 220* 130* 7* 7* 36* 36* 24 0* 140* 8, 5* 8.5* 38’ 38* 50 25 100 50 50 25 1 00 50 35 -15 35 45 35 45 45 3
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Импульсный ток коллектора (Ти^Ю мкс,
ОЮО, ГкСвб'С)':
2Т975А ..............................
2Т975Б ..............................
Импульсная рассеиваемая мощность в ди-
намическом режиме (ти^Ю мкс, 100,
Г„^85 °C)’:’
2Т975А .......................
2Т975Б ..............................
50 В
3 В
15 А
7 А
500 Вт
200 Вт
504
Температура перехода
Температура корпуса
Температура окружающей среды
180 °C
125°
от —60 °C до
Л, = 125 °C
При ТВ>85°С для 2Т975А /к. и max [А] = (180— Тк)/6,4,
для 2Т975Б /к. и max [А] = (180 — Тк)/13,6.
2 При Тк85 С Рк, s шах [Вт] = (180 — Тк)/Rt, и.
3 Импульсное тепловое сопротивление переход — корпус при
тя^ 10 мкс, 100 рассчитывается в соответствии с соотношени-
ями:
505
506
Тип L,. нГн L3, нГн L0. нГн нГн М, нГн с,, пФ пФ С4 пФ,
2Т975А 0.4 0,06 0, 01 0,3 0.4 1,5 — 2,5 1.5 — 2,5 200
2Т975Б 0,6 0, 12 0,02 0,45 0,6 1.5- 2,5 1,5- 2,5 100
Тип С,. пФ СК2> пФ СК1 пФ Сэ- пФ СКЭ' пФ г„ Ом гб.°м гк. Ом
2Т975А 40 19 6 500 7,5 0,03 0,15 0, 15
2Т975Б 20 10 3 250 4 0. 06 0.3 0.3
Допускается пайка выводов на расстоянии 1 мм от корпуса при
температуре пайки не более 150 “С.
507
2Т976А, КТ976А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах до 1000 МГц в
схеме ОБ при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и мон-
тажным винтом. Внутри корпуса имеется согласующее £С-звено.
Масса транзистора не более 5 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
о с х т X Z 1 S типовое максимальное х л 0 ‘аел V ‘Я 1
Выходная мощность (/ = = 1000 МГц. Гк<40°С). Вт Коэффициент усиления по мощ- ности (/=1000 МГц. Рвых = «60 Вт) рвых КУ р 60 2 2,4* 2.8’ (28) (28)
Коэффициент полезного дейст- вия коллектора (/=1000 МГц. Рвы ж =60 Вт). % 45 65’ 61’ (28)
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/= = 300 МГц) 1 Л21Э 1 2, 5 4* 4.7* 10 7
Критический ток коллектора (/ = 300 МГц), А 7кр 16 25’ 30’ 10
Постоянная времени цепи об- ратной связи на высокой часто- те (/ = 5 МГц), пс *м 3.6* 10* 25 (10) 1
Емкость коллекторного перехо- да (/=30 МГц). пФ Полное входное сопротивление (Рвых=50 Вт)*, Ом Полное сопротивление нагрузки (Рвых = 50 Вт)*, Ом Обратный ток коллектора, мА: 7=25 СС 7=85’С КТ976А 7= 125 °C 2Т976Л и ° X » X “ U N N S4 47* 50’ 6.9 + + /I3 5+/10 10» 70 60 120 120 (28) (28) (28) 50
508
Окончание
Параметр . . - Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное типовое о С t сч 3 о 3 (А * (Г) X со а сп V '^1
Обратный ток эмиттера, мА: Т=25 °C Г=85 °C КТ976А T=I25°C 2Т976А Индуктивность внутреннего LC- звена*, нГн Емкость внутреннего LC-звсна*. пФ Индуктивность эмиттерного вывода (/=! мм)*, нГн Индуктивность коллекторного вывода (4=1 мм)*, нГн Индуктивность базового вывода (/= 1 мм)*. нГн ;ЭБО Ч Сз Ч LK L(j 7* 0,26 140 0,92 1 ,55 0,66 20 40 40 4
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база
ВЧ входная мощность...................
КСВН коллекторной цепи (U^E С24 В,
Гк^50°С, /—1000 МГц) в течение 3 с:
Г*пых^Зэ Вт ........
Рных^ЗО Вт..........................
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (7'к^40°С)1 . . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода .................
Температура корпуса:
2Т976А..............................
КТ976А .............................
Температура окружающей среды:
2Т976А.............................
КТ976А . ................
50 В
4 В
30 Вт
3
5
75 Вт
1,7°С/Вт
160 °C
125 °C
85 °C
от —60 °C до
ГК=175°С
от —40 °C до
Г„ = 85°С
1 При Тк>40°С Рк max [Вт] = (160 —Тк)/1,6.
Пайку выводов транзистора допускается производить на рас-
стоянии не менее 1 мм от корпуса. Температура пайки не выше
270 °C в течение не более 5 с.
509
510
2Т977А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в автогенераторах в схеме
ОК на частотах 0,6—1,6 ГГц при напряжении питания 32 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Масса
транзистора не более 2 г.
511
Электрические параметры
1 V V г Г- " 1 Значение Режим
1 . . ; i .* Буквенное измерения
Параметр обозначе- ние Св Ж X овое . 8 5з й й ОЭ
§8 е х =; « со bi Л
Ж X »• 2 2
Выходная мощность (/=1.5 ГГц, Тк=10 мкс, Q = 100). Вт Р 'вых,и 35 32 40
Выходная мощность (/ = 1,5 ГГц, Тж=10, Q-100), Вт Р вых, и 50 15 70* 80°
32
Коэффициент полезного действия ’’к
коллектора (/=1.5 ГГц. Рвых, ж=
=35 Вт). % Коэффициент полезного действия ’’к 20 25» 30* 40
коллектора (/=1.5 ГГц. Р«ых. к = = 50 Вт). % Обратный ток коллектора, мА: /КБО
7=25 °C !• 25 45
7=125 ’С Обратный ток эмиттера, мА: /ЭБО 5 0 45
7=25 ’С 1* 30 3
7= 125 °C 60 3
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Импульсный ток коллектора (ти^10 мкс,
Q>100, Т„^85’С)‘........................
Средняя рассеиваемая мощность в импульс-
ном режиме (тяСЮ мкс, Q^lOO,
ТК<85’С)2’3.............................
Температура перехода ...................
Температура корпуса ....................
Температура окружающей среды
50 В
3 В
8 А
200 Вт
175 °C
125 °C
от —60 °C до
Т„ = 125’С
' При 7’к>85°С /китах (А) = (175 - Т«)/11,2.
2 При ТК>85°С Рк и max [Вт] = (175 - Tk)/Rt. и.
4,8 / 0,86 \ , ,--
3 *т, и=“^+0-139 l 2 3 Ч“ т» ’°С/Вт1'
Ч \ V Ч /
Допускается пайка выводов на расстоянии 1 мм от корпуса при
температуре не более 150’0.
512
2Т979А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-
торные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножи-
телях частоты и автогенераторах на частотах 0,7—1,4 ГГц при на-
пряжении питания 28 В в непрерывном режиме и 35—40 в импульс-
ном режиме.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и мон-
тажным винтом. Внутри корпуса имеются согласующие двухзвенные
ГС-звенья на входе и выходе транзистора. Масса транзистора не
более 5 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозн аче- н ие Значение Режим измерения
мини- мальное □ 0 е 0 Е 3 3 а 2 О X я S я 'а>|п Я ‘9еЛ
Выходная мощность 0=1,3 ГГц). Вт Коэффициент усиления по мощно- сти. дБ: /=1.3 ГГц. Рвых = 50 Вт / = 1.3 ГГц, Р»ых = 30 Вт Коэффициент полезного действия коллектора (/ = 1.3 ГГц, Р»ых = -50 Вт). % Обратный ток коллектора. мА: Г = 25 ’С Г=125°С Обратный ток эмиттера, мА рвых *Ур ”к 'КБО 'ЭБО 50 30 6 4 45 60* 7* 52» 8,5* 100 200 30 28 20 28 20 28 ЬО 3,5
514
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор —- бала.
7,^25 °C...............................
Гк = -60°С...........................
Постоянное напряжение эмиттер база
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора (т«^20 мкс,
<?>Ю)..................................
Постоянный ток базы ...................
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (7,^25 °C)1 . . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ..................
Температура корпуса ...................
Температура окружающей среды
50 В
45 В
3,5 В
5 А
10 А
2 А
75 Вт
2 °С/Вт
175 °C
125 °C
от —60 °C до
Т„= 125 °C
При Т,,>25°C /’к.срт... (Вт] = (175-Тк)/2.
17*
515
Пайка выводов допускается па расстоянии от корпуса 3 мм при
7X260 °C и 1 мм при — 7X150 °C.
516
р-п-р
2Т914А, КТ914А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности, ум-
ножителях частоты и автогенераторах на частотах до 400 МГц при
напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с жесткими выводами и монтажным
винтом. Масса транзистора не более 6 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
минимальное о о а О с я максимальное * СЪ * сс £С СТ) 'К. А из
Выходная мощность. Вт: /=100 МГц f = 400 МГц Коэффициент усиления по мощности: /=100 МГц. -7.2 Вт /—400 МГц. Ряых= -2.5 Вт Коэффициент полезного действия коллектора. % 24*914 А (/=100 МГц, Р.ых=3 Вт) 2T9I4A (f —400 МГц. Рвых^З Вт) KT9I4A (/ = 400 МГц. Риых = 2,5 Вт) р вы X Кур % 7.2 2,5 7,5 65 40 30 8* 3.2 * 73* 50* 9* 3.5* 80*. 60* 28 28 28
Статический коэффици- ент передачи тока в схе- ме ОЭ* 621Э 1 0 30 60 о 0,25
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер*. В (/КЭ нас 0.2 0.3 0,6 0, 25 0,05
Напряжение насыщения эмиттер — база*. В ^БЭ нас 0.65 0.9 0.95 0.25 0,05
517
Окончание
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное типовое максимальное уКЭ(йКБ), В 22 LQ О) U 'к. А УЗ
Модуль коэффициента передачи тока на высо- кой частоте (/=1и0МГц) Критический ток коллек- тора (f=l00 МГц), А: 2Т914А KT9I4A Постоянная времени це- пи обратной связи на вы- сокой частоте (/ = 5 МГц), нс: 2Т914А КТ914А 1Лл;.1 'кр Гк 3 0.4 0,25 0.8* 1 .0’ 1 5 20 28 10 (Ю) 0.2 0,03
Емкость коллекторного перехода (/ — 5 МГц), пФ Емкость эмиттерного пе- рехода (/ = 5 МГц)*. пФ Обратный ток коллек- тор — эмиттер (/?бл = =—100 Ом). мА: Г = 25 °C 7= 125 °C 2T9I4A KT9I4A Ск Сэ 7КЭ R 90 1 30 0.2* 1 2 170 о 2 (28) 65 0
Обратный ток эмиттера. мА: 7 = 25 °C 7=125 °C 2Т914А 'ЭБО 0.01* 0. 1 0.2 4
Индуктивность .эмиттер- ного вывода*. нГн Индуктивность коллек- торного вывода*. нГн Индуктивность базово- го вывода*. нГн Емкость эмиттер — кор- пус*, пФ Емкость коллектор — корпус*. пФ Емкость база корпус*. пФ Л, 3 ч- 'б f3.K сб.к 4 4 4 1,3 1 .8 1 . 3
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер .................................. 65 В
Импульсное напряжение коллектор—эмит-
тер ......................................... 75 В
Постоянное напряжение эмиттер база 4 В
Постоянный ток коллектора .... 0,8 А
Импульсный ток коллектора (т„ < 100 мкс
10)...................................... 1.5 А
Постоянный ток базы ... . 0.2 А
518
Средняя рассеиваемая мощность в динами-
ческом режиме (ТиС40°C)1
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура перехода ................
Температура корпуса .....................
Температура окружающей среды
7 Вт
16°С/Вт
150 °C
125 °C
от —60 °C до
Г,. = 125 °C
' При Г„>40°С Рк, cnmax [Вт| = (150-Л<)/16.
519
Доп ускается пайка выводов на расстоянии не менее I мм от кор-
пуса. Усилие, перпендикулярное осп вывода, нс более 0.5 II. Запре-
щается изгиб и кручение выводов.
2Т974А —2Т974В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р усили-
тельные. Предназначены для работы в импульсных и линейных уси-
лителях и преобразователях.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими
выводами. Масса транзистора нс более 1.5 г
При установке в аппаратуру транзистор должен прижиматься к
теплоотводу. Шероховатость контактирующей поверхности теплоот-
вода должна быть не более 1,6. 11еплоскостность контактирующей
поверхности теплоотвода должна быть не более 0,02 мм. Для умень-
шения контактного сопротивления между корпусом и теплоотводом
следует применять смазки, например КПТ-8. Допускается заливка
транзистора компаундом ВТ25-200.
Допускается изгиб выводов на расстоянии не менее 3 мм от кор-
пуса с радиусом изгиба не менее 1,5 мм.
520
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначс* и ие минимальное о о CS о с S максимальное 1 Н •(емп)дмп я ‘еал * V ,д/
Напряжение насыще- ния коллектор — эмиттер. В: 2Т974А. 2Т974В 2Т974Б Напряженно насыще- ния база — эмиттер, с'кэ нас 6'БЭ нас 0,3* 0.25* 0,5* 0,3* 1 0.G 1 1 0.2 0,2
2Т974А 2Т974В 2Т974Б Статический коэффи- циент передачи тока в схеме ОЭ: 2Т974Л-2Т974В 2Т974А, 2Т974В 2Т974Б Й21Э 0.9* 0,9* 10 5 5 1 . 2- 1 • 40* 30* 30* I .5 I .2 1 20* 50- 50* (5) (») (5) (1) (5) (7)
Модуль коэффициен- та передачи тока на высокой частоте (/ = 300 МГц) 1 А21Э 1 1 . 5 3* 4,5* 1 0 (О
Время рассасывания, мкс Время включения, мкс Емкость коллектор- ного перехода (/ = = 10 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (/«10 МГц), пФ Обратный ток кол- лектора, мА: Г=-60 4-+25 °C 7=125 °C Обратный ток кол- лектор — эмиттер* <^БЭ =Ю0 Ом). мА. 'рас ПК. I ск са 7КБО 7 КЭЛ 0.04* 0.012* 20* 85* 0,01* 0.08* 0,015* 50* 130* 0,5* 0.2 0.05 80 160 5 5 0 30 К Б max 0.5 1 1 0,2 0,2
2Т974А 2Т974Б 2Т974В Обратный ток эмит- тера, мА 7ЭБО 0,01 0,01 0.01 0.01 • 0,5 0,5 0.5 0.5* 5 5 5 70 50 40 3
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
2Т974А . ... 80 В
2Т974Б . .............. 60 В
2Т974В ... 50 В
521
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (Ябэ ^ЮО Ом):
2Т974А . . . ;......................... 70 В
2Т974Б ..................................... 60 В
2Т974В...................................... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 3 В
Постоянный ток коллектора .... 2 Л
Импульсный ток коллектора (ти#С10 мкс,
0100).................................. 10 А
Постоянный ток базы ... . . 0,5 А
Импульсный ток базы- (Tus£10 мкс,
Q 2s 100).............................. 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора1 (Тн = — 60 4- +50°С) .... 5 Вт
Температура перехода................... 150 °C
Температура окружающей среды ... от —60 °C до
Т„=125 °C
1 При Тк>50°С Рк, max [Вт] = (150 — Тк)/20.
522
г * s i),я
^2U
г « s i3/i
523
При пайке жало паяльника должно быть заземлено. Допускается
минимальное расстояние от корпуса до места пайки 1 мм при усло-
вии, если температура корпуса нс превышает 150 °C.
Раздел шестой. МАТРИЦЫ И СБОРКИ
БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
п-р-и
2ТС613А, 2ТС613Б, КТС613А— КТС613Г
Транзисторные матрицы, состоящие из четырех электрически изо-
лированных кремниевых эпитаксиально-планариых п-р-п переключа-
ющих сверхвысокочастотных транзисторов, предназначены для приме-
нения в быстродействующих импульсных устройствах и переключа-
524
телях, различных каскадах вычислительных машин и другой радио-
электронной аппаратуры.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса матрицы
не более 4 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
<и с X п сс а X 7 типовое максимальное 9 ‘(9СЛ) I к, мА VK ‘(9/) е/
Модуль коэффициента пере- дачи тока (/=100 МГц) Напряжение насыщения коллектор — эмиттер. В: 2TCG13A. 2ТС613Б КТС613А — КТС623Г Напряжение насыщения ба- за — эмиттер, В Статический коэффициент передачи тока и схеме ОЭ: Г=25 °C 2ТС613А. КТС613А 2ТС613Б. КТС613Б КТС613В КТС613Г Т=-60 °C 2ТС613А 2ТС613Б 1А»1Э 1 ^КЭ нас (^БЭ нас Л21Э 2 0,3* 0,9° 25 40 20 50 12 20 2.9» 0.5» 0,5» 1.1* 45» 85» 5,8» I , 0 1 . 2 2,0 1 00 200 1 20 300 1 00 200 10 5 400 400 30 (80) (80) 200
525
Окончание
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное типовое максимальное CD са е VK “Я/ 1Э ( 7Б), мА
Г=85 ’С
КТС613А КТС613Б КТС613В КТС613Г 20 30 15 4 0 200 300 250 450
Г =125 "С
2ТС613А 2ТС613Б KTC6I3A. КТС613Б Время рассасывания, нс 'рас 20 30 12* 45* 200 300 100 150 (15)
Граничное напряжение, В: УКЭО гр 50
2ТС613А. КТС613Б Емкость коллекторного пере- хода (/=10 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехо- да (/=10 МГц), пФ Обратный ток коллектора, мкА: Г=25 °C 2ТС623А. 2ТС613Б KTC6I3A. КТС613Б КТС613В, КТС013Г Г=-60 °C 2ТС613А, 2ТС613Б 7=85 °C KTC6I3A, КТС613Б КТС613В. КТС613Г 7= 125 °C КТС613А, КТС613Б Обратный ток эмиттера, мкА Ск сэ 7кэо 7 ЭВО 40 10* 0.01* 0,01* 8* 30* 1* 5* 15 50 5 10 10 5 100 100 50 10 10 (0) 60 60 4 0 60 50 34 45 (4)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер1 (/?вл = 0):
2ТС613А, 2ТС613Б Тп=—60 4- -f-100 °C 60 В
ТП=125°С . . . 45 В
7,п=150°С . . . 30 В
КТС613А, КТС613Б Та = -45 4- 4-70 °C 60 В
7’п=120°С . . . 30 В
КТС613В, КТС613Г Тп=—45 4- 4-70 °C 40 В
7’п = 120°С . . . 20 В
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер1 (Кг.э^ 1 кОм):
2ТС613А, 2ТС613Б Гп = —60 4- 4-ЮО °C 50 В
7,,= 125 °C . . . 37 В
Тп = 150°С . . . 25 В
526
КТС613А, КТС613Б Тп = —45 ч-+70°С 50 В
Т __1 9П °C ОС D
КТС613В, КТС613Г Тп=—45 ч-+70 ’С ЗОВ
Тп=120°С ... 15 В
Постоянное напряжение коллектор — база':
2ТС613А, 2ТС613Б Тп = —60 ч- +100 °C 60 В
ТП=125ОС ... 45 В
Тп=150°С ... ЗОВ
КТС613А, КТС613Б Г„=—45 Ч-+70°С 60 В
Тп = 120°С ... 30 В
КТС613В, КТС613Г Тп = —45 Ч-+70°С 40 В
Тп=120°С ... 20 В
Импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер кОм, ТиСЮ мкс, Q^2):
2ТС613А, 2ТС613Б, КТС613А, КТС613Б 70 В
КТС613В, КТС613Г.................. 50 В
Импульсное напряжение коллектор — база1
(ти^ 10 мкс, Q>2):
2ТС613А, 2ТС613Б Т„ = — 60 Ч- +100°С 80 В
ТП=125°С ... 65 В
In = 150 °C ... 40 В
КТС613А, КТС613Б Гп = —45 Ч-+70 °C 80 В
Тп=120°С ... 40 В
КТС613В, КТС613Г Г„ = —45 Ч-+70°С 60 В
Tn = 120 °C ... ЗОВ
Постоянное напряжение эмиттер — база2 . 4 В
Постоянный ток коллектора:
Г = —60 ч-+125 °C 2ТС613А, 2ТС613Б
7 = —45 ч-+85 °C КТС613А —КТС613Г 400 мА
Импульсный ток коллектора (ти^10 мкс,
Q>2):
Г =-60 ч-+125 °C 2ТС613А, 2ТС613Б
Т=—45 Ч-+85 °C КТС613А —КТС613Г 800 мА
Постоянная рассеиваемая мощность всех
структур матрицы
2ТС613А, 2ТС613Б 7 = -60ч-+50°С . 0,8 Вт
7= 125 °C ... 0,2 Вт
КТС613А—КТС613Г 7 = — 45ч-+50°С 0,8 Вт
7 = 85 °C .... 0,2 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность всех
структур матрицы4 (ти^10 мкс, Q^2):
2ТС613А, 2ТС613Б Т = -60ч-+50°С . 3,2 Вт
7= 125 °C ... 0,8 Вт
КТС613А—КТС613Г Т=—45 ч-+50°С 3,2 Вт
7 = 85 °C .... 0,8 Вт
Постоянная рассеивамая мощность коллек-
тора одной структуры матрицы4:
7 = —60 ч-+50°С 2ТС613А, 2ТС613Б и
7=—45 + +5о °C КТС613А — КТС613Г 0,5 Вт
7= 125 °C 2ТС613А, 2ТС613Б . . . 0,125 Вт
527
Импульсная рассеиваемая мощность кол-
лектора одной структуры матрицы4
(ти 10 мкс, Q^2):
Т = — 60 = +50°С 2ТС613А, 2ТС613Б и
Т = — 45-т- +50 °C КТС613А —КТС613Г
Т=125°С 2ТС613А, 2ТС613Б . .
Тепловое сопротивление переход—корпус
(общее для всех структур)............
Тепловое сопротивление переход — среда
(общее для всех структур)
Температура перехода;
2ТС613Л, 2ТС613Б .............
КТСОГЗА—КТС613Г . .
Температура окружающей среды:
2ТС613А, 2ТС613Б ............
КТС613А—КТС613Г....................
2 Вт
0,5 Вт
60 °С/Вт
125°С/Вт
150 °C
120 °C
60 °C = +125 °C
—45 °C ~ +85 °C
‘ При 7,„>100°С для 2ТС613А, 2ТС613Б и Т„>70°С для
КТС613Л — КТС613Г напряжение снижается линейно.
2 Допускается импульсное превыщение напряжения при условии:
ТиСЮ мкс, Q>2, /Э1| г£20 мА.
3 При 7 > 50 С Т’шах [Вт] = 0,2 + (125 — Т) !Rt и, с для
2ТС613А, 2ТС613Б и Р1пах [Вт] =0,2+ (85 - T)IRr „ с для
КТС613А-КТС613Г.
4 При Т>50°С рассеиваемая мощность снижается линейно.
528
18 Зак. 225
529
Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее
3 мм от корпуса матрицы. Температура пайки не более 250 °C. Вре-
мя пайки не более 5 с. Изгиб выводов допускается на расстоянии не
менее 3 мм от корпуса матрицы с радиусом закругления не менее
1,5 мм.
КТС631А—КТС631Г
Транзисторные сборки, состоящие из четырех электрически изоли-
рованных кремниевых эпитаксиально-планарных п-р-п. универсальных
сверхвысокочастотных транзисторов. Предназначены для применения
в дифференциальных усилительных, быстродействующих импульсных
устройствах, различных каскадах вычислительных машин и другой
радиоэлектронной аппаратуры.
Корпус мсталлостеклянный жесткими выводами. Масса сборки
не более 4 г.
2.69,И-коллектор
1,5,312-база
5,4,10,14-эпц-пер,
9,11 - свободный
!5-корпус
530
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние о о 3 с S S 3 максимальное X О) X ‘о а CQ в Ф ;к. мА 'э('б). «А
Граничная частота коэффициен- та передачи тока в схеме ОЭ, МГц: KTC63IA, КТС631Б КТС631В, КТС631Г Постоянная времени цепи об- ратной связи (/=5 МГц), нс Напряжение насыщения коллек- тор — эмиттер. В: KTCG3IA, КТС631Г КТС631Б, KTC63IB Напряжение насыщения база — эмиттер, В: КТС631А, КТС631Г КТС631Б, КТС631В гр тк ^КЭ нас ^БЭ нас 35 0 200 0,3* 0,21 ♦ 0,9* 0,8* 4 0 1,2 1 ,2 2 2 10 10 450 100 450 100 50 30 (45) (Ю) (45) (Ю)
Время рассасывания, нс: zpac 150 (15)
КТС631А, КТС631Б KTCG31B, КТС631Г Статический коэффициент пере- дачи в схеме ОЭ: КТС631А. КТС631Г КТС631Б, КТС631В Обратный ток коллектора, мА: h213 /KDO 7,5* 20* 20 20 30 60 115* 125* 1 1 300 150
Т=— 45 -у+25 °C КТС631А КТС631Б KTC63IB КТС631Г 7=85 °C КТС631А КТС631Б КТС631В КТС631Г Обратный ток эмиттера, мА: ;ЭБО 0,2 0,05 0,05 0.2 1.0 0.5 0,5 1,0 (30) (30) (60) (60) (20) (20) (10) (Ю)
7=45 ++25 °C 7 = 85 °C Емкость коллекторного перехода (/изм—— 10 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (/ним—— 10 МГц), пФ Си сэ 0. 1 0,5 15 100 (Ю) 4 4 0,5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?Сз = 0):
7 = —45 4- 4-70 °C КТС631А, КТС631Б . 30 В
КТС631В, КТС631Г . 60 в
7 = 85 °C КТС631А, КТС631Б . 24 В
КТС631В, КТС631Г . 50 В
18*
531
Постоянное напряжение коллектор—база-
Т = — 45 4- +70°С КТС631А, КТС631Б 30 В
КТС631В, КТС631Г . 60 В
7 = 85 °C КТС631А, КТС631Б . 24 В
КТС631В, КТС631Г . 50 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 4 В
Постоянный ток коллектора:
КТС631А, КТС631Г..................... 1 А
КТС631Б. КТС631В.................... 0,3 А
Импульсный ток коллектора (ти^10 мкс,
Q>50):
КТС631А, КТС631Г..................... 1,3 А
КТС631Б, КТС631В..................... 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность тран-
зисторной матрицы:
7 = —45 4-+55 °C..................... 1 Вт
7 = 85°С'-3.......................... 0,5 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность тран-
зисторной матрицы (тя=£10 мкс, Q>50,
7 =-45 4- +55 °C)...................... 4 Вт
7 = 85°С2’3 КТС631А, КТС631Г . . . 1,5 Вт
КТС631Б, КТС631В ... 0,9 Вт
Температура перехода .................. 120°С
Температура окружающей среды . . . —45 °C 4-+85 °C
3 При температуре окружающей
ность снижается линейно.
1 Постоянная рассеиваемая
мощность коллектора одной
транзисторной структуры при
7 = —45 4-+55°С
КТС631А, КТС631Г . 0,7 Вт
КТС631Б, КТС631В . 0,3 Вт
7 = 85 °C
КТС631А, КТС631Г . 0,2 Вт
КТС631Б, КТС631В . 0,15 Вт
2 Импульсная рассеива-
емая мощность коллектора од-
ной транзисторной структуры
при 7 = 454- +55 °C
КТС631А, КТС631Г . 2,1 Вт
КТС631Б, KTC63IB . 0,9 Вт
7 = 85 °C
КТС631А, КТС631Г . 0,6 Вт
КТС631Б, КТС631В . 0,45 Вт
среды от 55 °C до 85 °C мощ-
532
^кзнас^
р-п-р
1ТС609А—1ТС609В, ГТС609А—ГТС609В
Транзисторные матри-
цы, состоящие из четырех
электрически изолирован-
ных германиевых сплавно-
диффузионных р-п-р пере-
ключающих сверхвысоко-
частотных транзисторов.
Предназначены для при-
менения в переключающих
схемах.
Корпус металлостек-
ляниый с гибкими вывода-
ми. Масса матрицы не бо-
лее 4 г.
533
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
о о S с 2 ж X 2 О о сэ о с X максимальное я • (•И'Я п) Е'Я п Я ‘зе/7 < °". /э А(/б, мА)
Граничная частота 60 3 0,5
коэффициента пере- дачи тока в схеме ОЭ*. МГц УКЭО гр
Граничное напряжс- 30 40* 54» 0,5
ние, В Напряжение насы- щения коллектор — эмиттер, В: и КЭ нас
1ТС609А, ГТС609А 0,24* 0,74» 1,6 0.5 (7 0)
1ТС609Б. 1ТС6О9В, 0.24* 0,74* 1.6 0.5 (40)
ГТС609Б, ГТ С609В Напряжение насыще- ^БЭ нас
ния база — эмиттер,
1ТС609А, ГТС609А 0.34» 0.57» 1.1 0,5 (7 0)
1ТС609Б. 1ТС609В, 0,34* 0,57* 1,1 0,5 (40)
ГТС609Б, ГТС609В Статический коэффи- Л21Э
циент передачи тока в схеме ОЭ:
7 = 20 'С 1ТС609А 33 100 (3) 0.5
1ТС609Б 53 — 160 (3) 0,5
1ТС609В 40 — 1 20 (3) 0,5
1ТС609А 33 (3) 0,25
1ТС609Б 53 (3) 0.25
ITC609B 80 (3) 0.25
1ТС609А — ITC609B 15 100 (5) 0.7
ГТС609А 30 — (3) 0,5
ГТС609Б 50 — 160 (3) 0,5
ГТС609В 7=-60 °C и + 70 °C 80 — 240 2й21Э (3) 0,5
1ТС609А—1ТС609В 0,5Л21э (3) 0,5
7=—40°С и +60 °C
ГТС609А - ГТС609В При при
7=20 °C 7=20°С
Время включения, 'вил
ITC6O9A, ГТС6О9А 0,021» 0,048* 0, 1 0,5 (70)
1ТС6О9Б. 1ТС609В 0,021* 0,048* о, 1 0,5 (40)
ГТС609Б, ГТС609В Время рассасывания.
1ТС609А, ГТС609А 1ТС609Б, ITC609B 0.122» 0.122» 0.438» 0.438» 0.7 0.7 0,5 0,5 (70) (40)
ГТС609Б. ГТС609В
Емкость коллекторно- го перехода (/ = с« 17 19,8» 50 (10)
= 5 МГц), пФ Емкость эмнттерного С3 63 111.6» 250 0,5
перехода (f-5 МГц), пФ
534
Окончание
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное j 0 а 0 С X максимальное Я CQ СО 2 (в (0
Обратный ток кол- лектора. мкА: 7=20 °C 1ТС609А - 1ТС609В ГТС609А — ГТС609В Т=—60 °C 1ТС609Л — 1ТС609В 7=60 °C ГТС609А — ГТС609В 7 = 70 °C ITC609A — 1ТС609В Обратный ток эмит- тера, мкА: 7=20 *С 1ТС609А — ITC609B ГТС609А — ГТС609В 7=—60 °C 1ТС609А — 1ТС609В 7=60 °C ГТС609А - ГТС609В 7=70 °C 1ТС609А — 1ТС609В 'КБО /ЭБО 5* 1,1* 8, 2, 3* 9* 30 4 0 3 0 600 500 100 200 100 1000 500 (30) (30) (30) (30) (30) 2.5 2,5 2.5 2.5 2.5
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (t/эв =0.5—0.7 В).................. 50 В
Постоянное напряжение коллектор — база 50 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 2,5 В
Импульсное напряжение эмиттер — база
(ти^Ю мкс, Q>2)‘....................... ЗВ
Импульсный ток коллектора (ти^10 мкс,
Q>2)1 2................................ 0,7 А
Импульсный .ток базы (ти^Ю мкс,
Q>2)2.................................. 0,1 А
Постоянная рассеиваемая мощность всех
структур матрицы (7‘^43’С)3 . . . 500 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность одного
транзистора матрицы (ти<10 мкс) . . 5 Вт
Тепловое сопротивление переход — среда . 0,084 °С/мВт
Температура перехода..................., 85 °C
Температура окружающей среды:
1ТС609Л — 1ТС609В....................—60 4- +70 °C
ГТС609Л — ГТС609В....................—40 4- +60 °C
1 Сумма постоянного и импульсного напряжений эмиттер —
база не должна превышать 3 В.
2 Значение тока для одного элемента матрицы при условии
непрсвышення мощности, рассеиваемой матрицей.
3 При 7>43СС [мВт] = (85-Т)//?т п. с-
535
536
2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А, КТС622Б
Транзисторные матрицы, состоящие из четырех электрически изо-
лированных кремниевых эпитаксиально-планарных р-п-р переключа-
ющих сверхвысокочастотных транзисторов, предназначены для при-
менения в быстродействующих импульсных и переключающих уст-
ройствах.
Корпус металлокерамический с гибкими выводами. Масса матри-
цы не более 0.4 г.
/4 13 12 11 10 9 8
иш
1 21 J1 4 1 У 61 7 1
Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее
1 мм от корпуса.
537
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Буквенное с о о *
—
Параметр обозна- -
чеиие те 7. о е * < to
О Л) аз
X * X Oi **.
* г- а =
Модуль коэффициента передачи тока (/ = = 100 МГц): 1Л21э 1 10 30
2ТС622А. 2ТС622Б, 2 4.5» 5.8*
КТС622А КТС622Б 1.5
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер. В: ^КЭ нас 400 (80)
2ТС622Л. 2ТС622Б, КТС622А 0.7* 1,3
КТС622Б 0
Напряжение насыщения база — эмиттер. В: БЭ нас 400 80
2ТС622А. 2ТС622Б, 1,1’ 2.2
КТС622А КТС622Б 2.5
Статическим коэффици- Л21Э 5 200
сит передачи тока п схе- ме ОЭ:
7 = 25 °C 2ТС622Л, 2ТС622Б, КТС622А 25 7 0* 150
КТС622Б 10
7 = -60 'С 2ТС622А. 2ТС622Б 7=125 °C 10 1 50
2ТС622А. 2ТС622Б 25 250
Постоянная временя це- пи обратной связи на вы- тк 1 0 30
сокой частоте*, нс: 22 60
2ТС622А, 2ТС622Б 8
Время включения*, нс: 2ТС622А, 2ТС622Б 'вил 18 26 35 200 (20)
Время рассасывания, нс: 'рас 12- 65* 120 200 (20)
2ТС622А. КТС622Л
2ТС622Б. КТС622Б 65» 140* 200
Емкость коллекторного перехода* (/=2 МГц), пФ Ск 6 20 9 1 5 1 0
Емкость эмиттерного пе- ремола* (/=2 МГц), пФ сэ 60 (0)
Обратный ток коллекто- ра. мкА: ZKBO
7=- 60 +25 °C 2ТС622А. 2ТС622Б 7=—45 + +25 °C КТС622А 0. 1 * 10 45
0.01 • 10
КТС622Б 45
7 = 85 °C 0,01- 20 35
КТС622А 1 оо 30
КТС622Б Т=125°С 200 100 20
2ТС622Л. 2ТС622Б 30
Обратный ток эмиттера. мкА /ЭБО 0,1* 20 (4)
538
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмит-
тер (/?<•,, <1 кОм)':
7„< 70 °C КТС622А 45 В
КТС622Б 35 В
7„<Ю0°С 2ТС622Л, КТС622Б . . . 45 в
7,,= 120 °C KTCG22A 30 в
КТС622Б 20 в
7„ = 150°С 2ТС622А, 2ТС622Б . . . 22 в
Импульсное напряжение коллектор — эмит- тер (/?0,<1 кОм. ТиСЮ мкс, 10):
2ТС622А, 2ТС622Б. КТС622Л .... 60 в
КТС622Б 50 в
Постоянное напряжение коллектор—база1:
7„ <70 °C КТС622А 45 в
КТС622Б 35 в
7„<100°С 2ТС622Л, 2ТС022Б 45 в
7„ = 120°С КТС622А 30 в
КТС622Б 20 в
7„=150°С 2ТС622А, 2ТС622Б . . . 22 в
Импульсное напряжение коллектор — эмит- тер (т„ <10 мкс, 10):
2ТС622А. 2ТС622Б, КТС622А .... 60 в
КТС622Б 50 в
Постоянное напряжение эмиттер — база 4 в
Импульсное напряжение эмиттер — база
(т„< 10 мкс. 10) 6 в
Постоянный ток коллектора 2 .... 0.4 А
Импульсный ток коллектора2 (ти<10 мкс,
<?>Ю) 0,6 А
Постоянная рассеиваемая суммарная мощ- ность коллекторов рабочих элементов мат- рицы3:
7<25 °C КТС622А, КТС622Б . . 0.4 Вт
7<60’С 2ТС622Л, 2ТС622Б 0.4 Вт
Импульсная рассеиваемая суммарная мощ- ность рабочих элементов матрицы (т„ <
<10 мкс. <2>Ю. 7 = 25 °C) . . 10 Вт
Тепловое сопротивление переход среда 218° С/Вт
Температура перехода: 120 °C
КТС622А, КТС622Б
2ТС622А. 2ТС622Б ... 150 °C
Температура окружающей среды:
КТС622А. КТС622Б ... . . —45 ч- + 85 °C
2ТС622А. 2ТС622Б —60 Ч- + 125 °C
‘ При Г„>70°С для К.ТС622А, КТС622Б и 7„>100°С для
2ТС622А, 2ТС622Б напряжение -снижается линейно.
2 Значение тока для одного элемента матрицы при условии нс-
превышепия мощности, рассеиваемой матрицей.
5 При 7>25°С для КТС622А, КТС622Б и 7>60°С для
2ТС622А, 2ТС622Б
Рк т.,х [Вт] =0.24+(85-7) IRt „ с для КТС622А. КТС622Б.
Рк „,.х [Вт] =0,1 +(125 — T)/Rt с для КТС622А, 2ТС622Б.
539
540
541
Раздел седьмой
ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ
2П901А, 2П901Б,
КП901А, КП901Б
Транзисторы кремниевые
планарные полевые с изолиро-
ванным затвором и индуциро-
ванным каналом n-типа. Пред-
назначены для применения в
усилительных и генераторных
каскадах в диапазоне частот
коротких и ультракоротких
длин волн.
Корпус металлокерамиче-
ский с жесткими выводами.
Масса транзистора не более
6 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
минимальное типовое макс нмальное О а со 6
Выходная мощность в не- прерывном режиме* If — = 100 МГц). Вт: 2П901А, КП901А 2П901Б. КП901Б Коэффициент усиления по мощности* (Рпых = 10 Вт). дБ: 2П901А. КП901А (/= = 100 МГц) 2П901А. КП901А = 60 МГц) Коэффициент полезного дей- ствия* (Рпых=10 Вт и f — =G0 МГц). %: 2П9О1А. КП901А Ток стока. А: 2П901А, КП901А 2П901Б. КП901Б Крутизна характеристики, мА/В: 7 = 25 “С 2П901А. КП901А 2П901Б, КП901Б 7=—со °с 2П901А, КП901А 2П901Б, КП901В 7= 100’С КП901А КП901Б 7=125 ”С 2П901А 2П901Б ' вых *Ур П 'с S 1 0 6.7 7 10 35 1 .6 0.8* 50 60 30 4 0 20 30 20 30 8.9 10 13 •10 2,3* 1 .4 • 110* 130» 9,9 12.5 16 14 3,7* 1 .8* !60- 17 0* 50 50 50 20 20 0 0 0 20 0.5
542
Окончание
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние минимальное о О S о Е X Ь максимальное ^СИ« В 1 со СП | 'с- А
Начальный ток стока. мА: нач 20 0
Т = 25 °C 2П901А. 2П901Б. KI190IA. КП901Б Т=-60 °C 2П9О1А. 2П901Б. КП901А. КП901Б Т=100°С КП901А. КП901Б Г =125 °C 2П901А, 2П901Б Остаточный ток стока. мА ^С ост 15* 3* 50* 7* 200 500 400 4 00 50 20 — 20
Емкость затвор — исток при разомкнутом выводе стока (/изм==10 МГц), пФ Проходная емкость (/изм = = !0 МГц). пФ ^зио С12Н 15* 1.5* 50* 4* 100 10 25 — 30 -15
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток 70 В
Импульсное напряжение сток — исток (ти^1 мс) 85 В
Напряжение затвор — сток 85 В
Импульсное напряжение затвор — сток (t„s£1 мс) 100 В
Напряжение затвор — исток ..... 30 В
Постоянный ток стока 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность (ТК^25°С)’ 20 Вт
Температура окружающей среды: 2П901А, 2П901Б от —60 °C до
Т„ = 125 °C
КП901А, КП901Б........................от —60 °C до
Тк = Ю0 °C
' При ГК>25°С Ртах [Вт] =20 [1 —(Гк — 25) ' 125].
При работе с транзисторами необходимо принимать меры защиты
от статического электричества. Пайка выводов производится на рас-
стоянии не менее 1 мм от корпуса. В момент пайки все выводы тран-
зистора должны быть закорочены. Транзистор прижимается к тепло-
отводу тарированным ключом осевым усилием 24±5 кг. Чистота
контактной поверхности теплоотвода 1,6, неплоскостность 0,03 мм.
Запрещается изгиб выводов и вращение их вокруг оси..
При подаче на сток отрицательного напряжения ток стока не
должен превышать I мА.
543
З.мЛ/В
2П901А, 2П9016, КП 901 fl, КП9016
_ .—• • — •— _ •—- _
'/
-7 / t иси =20 в i—i \
0 ’ 0,2 0,0 0,6 0,8 l'c,fl
60 -00 0 00 60 Т,°С
544
2П902А, 2П902Б, КП902А-КП902В
Транзисторы кремниевые
планарные с изолированным
затвором и каналом п-типа.
Предназначены для примене-
ния в присмоусилительных и
передающих устройствах в
диапазоне частот до 400 МГц.
Корпус металлокерамиче-
ский с жесткими выводами.
Масса транзистора не более
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозна- чение минимальное О о « о с t- максимальное CQ X и CQ X со Ь /с. мА
Коэффициент шума. дБ: 50 50
/=250 МГц 2П902А. КП902А КП902В / = 100 МГц 2П902А 3.4* 4.3* 5* 4,6* 6 8 4,9*
Коэффициент усиления по мощности*. дБ: /=250 МГц /=400 МГц. Рвх-0,3 Вт Кур 6,6 1.7 13 2,9 15,4 4 50 50 0 50
Максимальная отдаваемая мощность* (Рвх—0,3 Вт, f— =60 МГц), Вт рвых 0.8 1,2 1 .8 50 0
Крутизна характеристики. мА/В: Г“25°С 2П902А, 2П9О2Б КП902А-КП9О2В Т 45 °C КП902А—КП902В Т 60 °C 2П902А, 2П902Б Гк = 85°С КП9О2А—КП902В Г-125 °C 2П902А. 2П902Б S 10 10 10 10 8 8 19* 19* 25* 25* 14* 17* 25» 25» 30» 30» 22» 22» 20 50 50 20 50 20 50 50 50 50 50 50
Активная составляющая выходной проводимости*, мкСм ®2211 12 30 190 50 50
Начальный ток стока, мА: Г “25 °C 2П902А. 2П902Б КП902А-КП902В Т 45 °C КП902А-КП902В Г“-60°С 2П902А, 2П901Б Г-85 °C КП902А-КП902В 7= 125 °C 2П902А, 2П902Б ^С нам 0.001* 0,001» 0,15» 1.5» 10 10 10 10 15 15 50 0
Остаточный ток стока, мА 1С ост 0,001» 0,03» 0.5 60 -10
545
Окончание
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначе- ние О1 с X X ч <ч 2 X X X 2 о о а с с X ь максимальное Уси> в со X СО £ 2 6
Ток утечки затвора. нА 13 ут 0,02* 0. 05* 3 0 — 30
Входная емкость = 10 МГц). пФ: 2П902Л. 2П9О2Б КП902А - КП902В (/= Спи 4* 6.5* 10* 11 и 25 0
Выходная емкость = 10 МГц). пФ: 2П902А. 2П902Б КП902А — КП902В (/= С22И 3,9* 8» 5,5» 8,5» и 11 25 0
Проходная емкость = 10 МГц). пФ: 2П902А. 2П902Б. КП902Б КП902В (/= КП9О2А, С12И 0,31* 0,5* 0.6 0.8 25 0
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток — исток:
2П902А, 2П902Б 50 В
Постоянное напряжение сток — исток
(1/3и=°) 60 В
Импульсное напряжение сток — исток
(тя^1 мс, Q^IOO) 70 В
Напряжение затвор — исток .... 30 В
Постоянный ток стока (ТК^25°С)1 200 мА
Постоянная рассеиваемая мощность
(7КС25°С)2 3,5 Вт
Температура окружающей среды:
2П901А, 2П903Б от —60 °C до
Т„=125 °C
КП902А — КП902В от —45 °C до
7„ = 85 °C
1 При 25 °C <Т„< 125 °C для 2П902А, 2П902Б и 25°C<7„s£
^85 °C для КП902А — КП902В постоянный ток стока снижается
линейно до 130 мА.
2 При 25 °С<7'к^ 125 °C для 2П902Л, 2П902Б постоянная рас-
сеиваемая мощность снижается линейно до 1 Вт, а для КП9О2А—
КП902В при 25 °C <7,<^85 °C —до 2,5 Вт.
546
Кур' &
При работе с транзистора-
ми необходимо принимать ме-
ры защиты от статического
электричества, мгновенных пе-
регрузок и самовозбуждения их
как высокочастотных элемен-
тов. Пайка выводов произво-
дится на расстоянии ие менее
1,5 мм от корпуса. При пайке
жало паяльника должно быть
заземлено. Транзистор прижи-
мается к теплоотводу тариро-
ванным ключом осевым усили-
ем 24±5 кг. Чистота контакт-
ной поверхности теплоотвода
1,6, иеплоскостность 0,03 мм.
Запрещается изгиб выводов и
вращение их вокруг оси. Мак-
симальное
50 г.
Г(/г Ю^.МГц
усилие на вывод
перпендикулярно его
оси не более
547
2П903А—2П903В,
КП903А—КП903В
Транзисторы полевые крем-
ниевые эпитаксиально-планар-
ные с затвором на основе р-п
перехода и каналом п-типа.
Предназначены для примене-
ния в приемопередающих и пе-
реключающих устройствах в
диапазоне частот до 30 МГц.
Корпус металлокерамиче-
ский с жесткими выводами.
Масса транзистора не более
6 г.
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозна- чение Значение Режим измерения
минимальное типовое о £ S X а 2 РЗ т? it X о £2 т? СП 5^ X со yw О/
Электродвижущая сила шу- ма (/=100 кГц). нВ/КГц: 2П903А 2П9ОЗБ 2П903В КП903А - КП903В Выходная мощность* в схе- ме резонансного усилителя в режиме класса A (f = =30 МГц), мВт £ш ^вых 0,5* 0,5* 90 0,7* 1, о* 4 50 1,0 2,5 4,6* 5,0 600 10 (10) 0 10
548
Окончание
Параметр Буквенное обозначе- ние Значение Режим измерения
а С S 1 1 типовое максимальное я '(э3) ИЭЛ я ‘(эел) иеЛ yw О/
Коэффициент усиления по мощности* в схеме резонанс- ного усилителя в режиме класса А (/=30 МГц), дБ Сопротивление сток — исток в открытом состоянии, Ом: Т=25 °C 2П903А. КП903А 2П903Б, КП903Б 2П903В, КП9ОЗВ Т=—60 °C 2П9ОЗВ, КП903В Т= 100 °C КП903В 7= 125 °C 2П903В Крутизна характеристики (/=1 — 10 кГц), мА/В: 7=25 °C 2П903А, КП903А 2П903Б, КП903Б 2П903В, КП903В 7=-60 °C 2П903А, КП903А 2П903Б, КП903Б 2П 903В, КП903В 7= 100'С КП903А КП903Б КП903В Г= 125 °C 2П903А 2П903Б 2П903В Начальный ток стока, мА: 2П903А, КП903А 2П9ОЗБ, КП9ОЗБ 2П903В, КП903В Ток утечки затвора, мкА Обратный ток перехода за- твор — сток, мкА Остаточный ток стока, нА: 2П903В, КП903В Напряжение отсечки, В: 2П903А, КП903А 2П903Б, КП903Б 2П903В. КП903В Емкость затвор — сток (f= =0,1—10 МГц), пФ Емкость затвор — исток (f— =0,1—10 МГц), пФ Кур «СИ отк S нач г3 ут 1ЗС О 1с ост ^ЗИ отс Сзсо ^зио 7.6 3* 2» 2» 85 50 60 85 50 60 50 30 4 0 50 30 40 120- 60» 90» 5» 1» 1» 12» 14» 11 5» 5» 5» 125» 115» 115» 450» 250» 450» 6» 2» 3» 13» 15» 16 9,8» 21» 10 10 10 18 140» 130» 14 0» 700 480» 600» 0.1 1 50 12 6,5 10 15 18 10 0,2 10 10 10 5 5 0 0 0 0 -15 -20 -15 —20 -15 0,01
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток*.................. 20 В
Напряжение затвор — сток.................. 20 В
Напряжение затвор —исток .... 15 В
Постоянный ток стока..................... 0,7 А
549
Прямой ток затвора . . . . .
Постоянная рассеиваемая мощность
(Гк^25°С)г......................... .
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура структуры (перехода):
2П903А — 2П903В......................
КП903Л — КП903В......................
Температура окружающей среды:
2П903Л — 2П903В........................
КП903А — КП903В......................
[5 мЛ
6 Вт
25 °С/Вт
155 °C
150 °C
от —60 °C до
Гн = 125 °C
от —60 °C до
Т„ = 100 °C
1 При увеличении напряжения на затворе свыше 10 В
^СИ тах = 1/си“(1 УЗИ 1“10)-
2 При Тк>25 °C Ргаах [Вт] = (Tn - TK)/Rr п. К.
550
Cjco>n,p Сзи0ъпСр
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса 1 мм.
Жало паяльника заземляется обязательно. Запрещается изгиб выво-
дов и вращение их вокруг оси. При установке транзисторов на теп-
лоотвод чистота контактной поверхности теплоотвода должна быть
не менее 1,6, иеплоскостность контактной поверхности не более
0,03 мм.
При работе с транзисторами необходимо принимать меры защиты
от воздействия статического электричества.
2П904А, 2П904Б, КП904А, КП904Б
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным
затвором и индуцированным каналом n-типа. Предназначены для
применения в усилительных, преобразовательных и генераторных кас-
кадах приемопередающих устройств в диапазоне частот до 400 МГц.
Корпус металлокерамический с жесткими выводами. iMacca тран-
зисторов 2П904А, 2П904Б не более 35 г, КП904А, КП901Б не более
45 г.
551
12.5
Электрические параметры
Значение Режим измерения
Параметр Буквенное обозначение минимальное О о п о с X н V о X ч га 2 X X « S СО X О СО X со 0 •м
Выходная мощность* (/= =60 МГц). Вт: 2П9О4А, КП9О4А 2П904Б. КП904Б Коэффициент усиления по мощ- ности* в режиме класса В (Р.ых>50 Вт, f=60 МГц), дБ Коэффициент полезного дейст- вия* (/=60 МГц), % Крутизна характеристики, и 3 £ <0 0.” * 50 30 11 49 13 51 75 40 14 53 55 55 55 20 0 0 1
Г=25 °C 2П904А, 2П9О4Б КП904А, КП904Б Г = —60 °C 2П9О4А. 2П904Б, КП904А, КП904Б 7=100 °C КП904А. КП9О4Б 7= 125 °C 2П904А, 2П904Б Начальный ток стока, мА: 7=25 °C 2П904А. 2П901Б КП904А, КП904Б 7=—60 °C 2П904А, 2П904Б, КП904А. КП904Б 7= 100 °C КП904А, КП9О4Б 7= 125 °C 2П904А. 2П904Б Остаточный ток стока, мА 'С нач ост 250 250 150 100 100 1» 6* 440» 390* 50* 70* 10* 520* 510* 350 350 500 500 500 200 20 100 0 - 20
Емкость затвор — исток при разомкнутом выводе стока (/изм=1 МГц), пФ с зио 200» 300 30
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток
Импульсное напряжение
(тн1 мс, Q;>2)
Напряжение затвор — сток
Импульсное напряжение
(ти<1 мс, Q^2)
сток — исток
затвор — сток
70 В
100 В
90 В
120 В
552
Напряжение затвор — исток . . . .
Постоянная рассеиваемая мощность
(Т,< ^25 °C)1..........................
Температура окружающей среды:
2П904А, 2П904Б.......................
КП9О4А, КП9О4Б
30 В
75 Вт
от —60 °C до
Тк=125°С
от —60 °C до
Тк=100°С
1 При ГИ>25°С Pm.i [Вт] =75 [1—(Тк — 25)/125J.
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса 1,5 мм.
В момент пайки все выводы должны быть закорочены. Жало паяль-
ника заземляется обязательно. Запрещается формовка выводов и вра-
щение их вокруг оси. При установке на теплоотвод неплоскостность
должна быть не более 0,03 мм.
При работе с транзисторами необходимо принимать меры защиты
от воздействия статического электричества и учитывать возможность
их самовозбуждения как высокочастотных элементов.
553
2П905А, 2П905Б, КП905А—КП905В
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным за-
твором и каналом n-типа. Предназначены для усиления и генериро-
вания сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Масса
транзистора не более 3,0 г.
554
Электрические параметры
Параметр Буквенное обозначение Значение Режим измерения
минимальное типовое максимальное лз jj CQ X СО V»
Выходная .мощность’ (/= = 1000 МГц). Вт: 2П905А. КП905А р вых 1.0 I . 4 50 0
Коэффициент усиления по мощ- ности (/ = 1000 МГц), дБ: 2П905А. KI190SA 2П 905Б. КП905Б КП9О5В Кур 8 6 4 - 15* 10* 8* 50 - 30
Коэффициент шума (/= = 1000 МГц). дБ 2П905А 2П905Б, КП905Б «ш 6* 6.5 50 30
Крутизна характеристики, мА/В: 7 = 25 ’С 2П905А, 2П905В, КП905А — КП 905 В 7 = -40°С КП9О5А — КП9О5В 7 = —60°С 2П905А, 2П905Б 7 = 85 °C КП905А — КП9О5В 7= 125 °C 2П905А. 2П905Б S 18 13 18 1 2 1 2 29* 39’ 20 50
Ток стока. мЛ: 2П905А, KII905A 2П905Б, КП905Б КП9О5В 'с 225 1 50 1 20 — 350* 350* 350* 20 20
Остаточныц ток стока, мА !с ост 0.06* 0, !• 1 60 - 10
Начальный ток стока, мА: 7 = 25 °C 2П9О5А. 2П 905Б. КП905А КП905В 7 = -40 н +85 °C КП905А - КП905В 7= —60 °C 2П905А, 2П 905Б 7= 125 °C 2П9О5А. 2П9О5Б нач 0.5" 4* 20 20 20 30 20 0
Емкость входная (/изм = = 10 МГц). нФ: 2П905А. КП905А 2П905Б. КП905Б КП905В СИИ 3* 7* 1 !• 5» 7 1 1 13 25 0
Емкость выходная (/жаи = = 10 МГц). пФ: 2П905А. 2П 905Б. КП9О5А. КП9О5Б КП9О5В с»и 1 .4* 3,4* 2* 4* 4 6 25 - 5
Емкость проходная (/жзи = = 10 МГц). пФ: 2П905А. 2П905Б, КП905А. КП905Б КП905В 0,14* 0. 16* 0,25* 0,28* 0,6 0.8 25 0
555
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток — исток .
Постоянное напряжение затвор — сток
Напряжение затвор—исток . . . .
Постоянная рассеиваемая мощность
(Т„^25°С)' .........
Температура окружающей среды:
2П905А, 2П905Б ...................
КП905А — КП905В.....................
60 В
70 В
±30 В
4 Вт
от —60 °C до
Тк=125 °C
от —40 °C до
Тк = 85 °C
1 При Тк<25°С Рт„ [Вт] = 4[1.05 (Тк-25) 125| для 2П905А,
2П905Б и Р„,ах [Вт] =4(1,05—(Тк—25)/85] для КП905А-КП905В.
S, мЯ/в
556
В момент панки все выводы должны быть закорочены. Жало па-
яльника заземляется обязательно.
Запрещается формовка выводов и вращение их вокруг оси. При
установке транзисторов на теплоотвод чистота контактной поверхно-
сти теплоотвода должна быть не менее 2.5, неплоскостность контакт-
ной поверхности не более 0,03 мм.
При работе с транзисторами необходимо принимать меры защиты
от воздействия статического электричества и учитывать возможность
их самовозбуждения как высокочастотных элементов.
557
Алфавитно-цифровой указатель транзисторов,
помещенных в справочнике
Тип транзистора Стр. Тип транзистора Стр.
1T80G 179 2Т839 119
1Т813 184 2Т841 124
1Т901 360 2Т842 219
1Т905 362 2Т903 242
IT906 367 2Т904 412
IT910 370 2Т907 416
1ТС609 533 2Т908 245
2П901 542 2Т909 420
2П902 545 2Т911 424
2П903 548 2Т912 249
2П904 551 2Т913 428
2П905 554 2Т914 517
2Т504 39 2Т916 433
2Т505 159 2Т919 439
2Т506 45 2Т920 252
2Т602 223 2Т921 258
2T60G 377 2Т922 262
21607 381 2Т925 445
2Т610 384 2Т926 269
2Т624 387 2Т928 275
2Т625 229 2Т929 278
2Т629 349 2Т930 450
2Т633 391 2Т931 282
2Т634 395 2Т932 372
2Т635 398 2Т933 374
2Т637 401 2Т934 455
2Т643 405 2Т935 286
2TG52 409 2Т937 462
2Т653 236 2Т938 467
2Т704 49 2Т939 470
2Т708 171 2Т942 473
2Т709 175 2Т944 296
2Т803 59 2Т945 299
2Т808 67 2Т946 477
2Т809 70 2Т947 304
2Т812 73 2Т948 482
2Т818 195 2Т950 307
2Т819 82 2Т951 311
2Т825 205 2Т955 315
2Т826 91 2Т956 318
2Т827 95 2Т957 322
2Т828 98 2Т958 325
2Т830 209 2Т960 487
2Т831 105 2Т962 491
2Т832 109 2Т963 496
2Т834 112 2Т964 331
2Т836 212 2T9G7 334
558
Тип транзистора Стр. Тип транзистора Стр.
2Т968 338 КТ814 189
2Т970 500 КТ815 77
2Т971 343 КТ816 192
2Т974 520 КТ817 79
2Т975 511 КТ818 195
2Т976 508 КТ819 82
2Т977 511 КТ820 200
2Т979 514 КТ821 87
2Т980 346 КТ822 203
2ТС613 524 КТ823 89
2ТС622 537 КТ825 205
ГТ 701 166 КТ826 91
ГТ 703 168 КТ827 95
ГТ705 53 КТ828 98
ГТ806 179 КТ829 102
ГТ810 182 КТ834 112
ГТ905 362 КТ837 217
ГТ906 367 КТ838 116
ГТС609 533 КТ840 122
КП901 542 КТ902 239
КП902 545 КТ903 242
КП903 548 КТ904 412
КП904 551 КТ907 416
К11905 554 КТ 908 245
КТ 602 223 КТ 909 420
КТ606 377 КТ911 424
КТ607 381 КТ912 249
КТ610 384 КТ913 428
КТ611 227 КТ914 517
КТ624 387 КТ916 433
КТ625 229 КТ918 436
КТ626 163 КТ919 439
КТ629 349 КТ920 252
КТ633 391 KT92I 258
КТ634 395 КТ922 262
КТ635 398 КТ925 445
КТ637 409 КТ926 269
КТ639 353 КТ927 272
КТ643 405 КТ928 275
КТ644 357 КТ929 278
КТ646 234 КТ930 450
КТ 704 49 КТ931 282
КТ801 55 КТ932 372
КТ802 57 КТ933 374
КТ803 59 КТ934 455
КТ805 63 КТ935 286
КТ807 65 КТ936 289
КТ808 67 КТ937 462
КТ809 70 КТ938 467
КТ812 73 КТ939 470
559
Тип транзистора Стр. Тип транзистора Стр.
КТ940 291 П214 146
КТ942 473 П215 146
КТ943 293 П216 149
КТ944 296 П217 149
КТ945 299 П302 153
КТ946 477 ПЗОЗ 153
КТ947 304 П304 153
КТ948 482 П306 153
КТ955 315 П601 156
КТ956 318 П602 156
КТ957 322 П605 349
КТ958 325 П606 349
КТ960 487 П607 353
КТ961 329 П608 353
КТ962 491 П609 353
КТ967 334 11701 34
КТ969 341 П702 36
КТ970 500 ТК 135—16 128
КТ971 343 ТК135 25 128
КТ976 508 ТК! 42- 40 128
КТС613 524 ТК142-50 128
КТС622 537 ТК142- 63 128
КТС631 530 ТК152 80 128
П201 141 ТК 152-100 128
П202 141 ТК235 -32 128
П203 141 ТК235—40 128
П210 144 ТК235—50 128
П213 146 ТК235-63 128
БОРИС АЛЕКСАНДРОВИЧ БОРОДИН
ВИКТОР МИХАИЛОВИЧ ЛОМАКИН.
ВЯЧЕСЛАВ ВЛАДИМИРОВИЧ МОКРЯКОВ.
ВЛАДИМИР МАТВЕЕВИЧ ПЕТУХОВ.
АРКАДИИ КВИНТИЛИАНОВИЧ ХРУЛЕВ
МОЩНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ТРАНЗИСТОРЫ
Редакторы И В Ефимова Т В Жукова
Художественный редактор Р А Клочков
Переплет художника В В Третьякова
Технический редактор Г 3 Кузнецова Корректор Л А Буланцева
И Б № 301
Сдано в набор 14.03.84 Подписано в печать 26 10.84 Т-21134
Формат 81ХЮ8'/з2- Бумага кн. журнальная офсетная Гарнитура литературная
Печать высокая. Усл нсч. л 29.4. Усл. кр. отт 29.4 Уч изд л 33.0
Доп тираж 70.000 экз Изд № 20128. Зак. № 225 Цена 2 р.
Издательство «Радио и связь» 101000 Москва. Почтамт, а/я 693
Московская типография № 4 Союзполиграфпрома при Государственном коми-
тете СССР по делам издательств, полиграфии и книжной торговли
129041 Москва Б Переяславская. 46