Author: Голомедов А.В.
Tags: электротехника полупроводниковые устройства микроэлектроника радиотехника полупроводники полупроводниковые приборы в помощь радиолюбителю издательство радио и связь
ISBN: 5-256-00241-4
Year: 1989
Similar
Text
J
• РАДИО И СВЯЗЬ*
ТРАНЗИСТОРЫ СРЕДНЕЙ
И БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ
•
ТРАНЗИСТОРЫ
СРЕДНЕЙ
И БОЛЬШОЙ
МОЩНОСТИ
СПРАВОЧНИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ
ТРАНЗИСТОРЫ
СРЕДНЕЙ
И БОЛЬШОЙ
МОЩНОСТИ
Под редакцией А. В Голомсдова
(g)
МОСКВА ..РАДИО И СВЯЗЬ”
1989
ББК 32.852.3
П 53
УДК 621.382.3(03)
АВТОРЫ: А. Л. ЗАЙЦЕВ, Л. И. МИРКИН, В В. МОКРЯКОВ, В. М ПЕ1УХОВ,
А К ХРУЛЕВ
Редакция литературы по электронной технике
Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и
П 53 большой мощности: Справочник/А. А. Зайцев, А. И. Мирки»,
В. В. Мокриков и др.; Под рсд. А. В. Голомедова.—М.: Ра-
дио н связь, 1989.— 640 с.: ил.
ISBN 5-256-00241-4.
Приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полу провод-
никовых приборов — полевых и биполярных низкочастотных, высокочастотных и
свсрхвысокочастотиых транзисторов средней и большой мощности. Дается клас-
сификация, система обозначений, основные оандарты для приводимых в спра-
вочнике приборов Для конкретных типов приборов приводятся сведения об ос-
новном назначении, габаритных и присоединительных размерах, марчировке,
предельных эксплуатационных режимах и условиях работы.
Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, эксплуа-
тацией и ремонтом аппаратуры-
230203030022136 10S {J9 ББК 32,852.3
046(01)-89
Справочное издание
ЗАЙЦЕВ АНАТОЛИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, МИРКИН АЛЬБЕРТ ИЗРАИЛЕВИЧ.
МОКРЯКОВ ВЯЧЕСЛАВ ВЛАДИМИРОВИЧ и др.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
ТРАНЗИСТОРЫ СРЕДНЕЙ И БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ
Справочник
Заведсюший редакцией IO. Н. Рысев
Редактор Г. Н. А с т а ф у р о в
Переплет художника Н Л П а ш у р о
Художественный редактор Н С Ш е н и
Технический редактор Г. 3. Кузнецова
Корректор Г. В. Дземндович
ИБ 1901
Сдано в набор 29 12 88. Подписано в печать 8.06.89. Г 09997. Формат 60Х90’/ц.
Бумага бланочная Гарнитура литер Печать высокая. Уел. печ л. 40.0 Усл
кр-огт. 40,0 Уч.-изД л. 48.22. Гнраж 100 000 экз. Изд. А» 22»51. Заказ № 1004.
Цепе 2 р. 70 к.
Издательство «Радио и связь* 101000. Москва, Почтамт, а я 693
Областная ордена «Знак Почета» типография им Смирнова Смоленского облуправлення
издательств, полиграфии и книжной торговли, 214000. г Смоленск, проспект им |О Га-
гарина. 2.
ISBN 5-256-00241 4 © Издательство «Радио и связь» 1989
Содержание
Предисловие....................................................... 8
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ
ТРАНЗИСТОРАХ
Раздел первый Классификация биполярных и полевых транзисторов 9
1 1. Классификация и система обозначений .... ... 9
1.2 Классификация транзисторов по функциональному назначению . .11
1.3 . Условные графические обозначения . . . . ..,.11
1.4 Условные обозначения электрических параметров . . . .12
1.5 Основные стандарты на биполярные и полевые транзисторы . .14
1 6 Приборы для измерения параметров транзисторов . 16
Раздел второй Особенности исиопыования транзисторов в радио
электронной аппаратуре . ............. 18
ЧАСТЬ ВТОРАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДХННЫЕ ТРАНЗИСТОРОВ
Раздел третий Транзисторы биполярные низкочастотные , . 26
Транзисторы п-р-п ... . . .... 26
П701, П701 (А, Б)............................................. 26
11702, П702А....................................................28
КТ503 (А, Б, В, Г, Д Е).........................................29
2Т504 (А. Б) . ... .........................30
2Т504 (Л-5, Б-5) ... 4
2Т506 (А, Б.) КТ506 (Л. Б) .... 36
2Т704 (А, Б), КТ704 (А, Б В)................................... 40
ГТ705 (А. Б. В. Г, Д) ................................43
КТ710Л .... . 45
КТ715А ... ’47
КТ801 (Л Б) 49
КТ802А ...................... . ,0
2Т803Л, КТ803А Г1
КТ805 (Л, Б). КТ805 (AM, БМ, ВМ) . . . .53
КТ807 (Л, Б), К Г807 (AM, БМ) '4
2Т808А, 2Т808Л 2. КТ808А, КТ808 (AM, БМ. ВМ, Г.М) .... 55
2Т809А, КТ809А . 57
2Т812 (А, Б), КТ812 (Л, Б, В) . . ’59
КТ815 (А, Б В, Г) . . ' ' G1
КТ817 (Л, Б, В, Г)................ ’ ’ 63
2Т819 (А. Б, В), 2T8I9 (А2, Б2, В2), КТ819(Л, Б, В, Г). КТ819 (ЛМ.
БМ, ВМ Г.М) . . . 65
KT82I (Л-1, Б 1, В-1) ' 69
КТ823 (Л-1, Б-1, В I).................. 70
2Г826 (А, Б, В), КТ826 (А Б В) . 71
2Т827 (Л, Б, В), КТ827 (А, Б, В) . . . '75
2Т828 (А, Б), КТ828 (А. Б) .... . .' 78
КТ829 (А, Б, В, I ) . 81
2Г831 (А, Б, В. Г), 2Т831 (В-1. Г-1) . . . 84
2Т834 (А, Б В), КТ834 (А Б В) . 88
КТ838А . . . . ’ ’ 91
2Т839А ...... 93
КТ840 (А, Б) . . J6
2T84I (Л, Б), 2T84I (AI Б1) . 98
2Т814Л. КТ844А . 103
3
2Т845А. КТ845А . ... 106
КТ846Л . ... 109
КТ847Л 112
КТ848А 114
КТ850 (А Б В) . . • • 116
КТ854 (Л, Б) • 119
2Т856(А, Б, В) . . • • 123
КТ857А 126
КТ858А . . . . 129
КТ859А . . . . 132
2Г861 (А, Б, В) . ... . . . . 134
2Т862 (А, Б, В 1 - • . . . . Icb
КТ863А . ..... 140
КТ864А . . . . . . 142
2Т866А . . ... 145
2Т867А ... . - 147
КТ872 (А, Б) . . ... 150
2Т882 (А, Б, В) • • 153
2Т884 (А, Б) 155
Транзисторы р-п-р ... 158
П201Э, П201АЭ. П202Э, П203Э loo
П210А, П210Ш ... . . . . 159
11213, П213 (А, Б), П214, П214 (А, Б. В. Г), П215 160
П216. П216 (А, Б, В, Г, Д), П217, П217 (Л, Б, В. I ) . . . . 163
П302. ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304. П306, П306А 165
П601И, 11601 (АН. БИ), П602И П602АИ ... . . . . 167
11605, П605А П606, Г1606Л 169
П607, П607А, П6О8, П608 (Л, Б), П609, П609 (А, Б) 171
КТ501 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И, К, Л, М) 174
КТ502 (А Б. В, Г Д Е) . 175
2Т505 (А, Б) 176
2Т509А 1 W
ГТ701А 182
1Т702 (А, Б. В) . . . . . . . 183
ГТ703 (А, Б, В, Г, Д) . . ... . . . . 184
2Т708 (А Б, В) ... . • • . . . ton
2Т709 (А, Б, В) . . . 1оУ
КТ712 (А, Б) 1УЗ
1Т806 (А, Б. В), ГТ806 (А, Б. В. Г. Д) 19.)
ГТ810А . . 19/
1Т813 (А, Б, В) 198
КТ814 (А, Б, В, Г) ... 200
KT8I6 (А, Б, В, Г) , „ 203
2Т818 (А, Б, В), 2Т818 (А2, Б2, В2), КТ818 (А.Ч, БМ, ВМ. IM),
КТ818 (Л, Б В, Г) 205
КТ820 (Л 1 Б 1. В-1) . . . 211
КТ822 (А 1 Б-1, В-I) „ ... 212
2Т825 (А, Б. В), 2Т825 (А2, Б2, В2), КТ825 (Г, Д. Е) . . . . 214
2Т830 (А, Б. В, Г), 2Т830 (В-1, Г-1) 218
КТ835 (Л, Б) 222
2Т836(А Б В) . . ... 223
2Т837 (А, Б, В, Г, Д Е) ... . . . - - 227
КТ837 (А, Б, В, Г, Д, Е. Ж, И, К, Л, М, Н, П, Р, С, Т, У, Ф) . 230
2Т842 (А, Б), 2'1'842 (А!, Б1) 231
К1851 (А Б, В) . ... . .... 236
КТ852 (А, Б, В, Г) . ... 239
КТ853 (А, Б. В, Г) 242
КТ855 (А, Б. В) .... . . . 246
21860 (А, Б. В) 250
КТ865Л • • 252
2Т883 (Л Б) 254
4
Раздел четвертый Транзисторы биполярные высокочастотные .257
Транзисторы п-р-п .... 257
КТ601А. KT60IAM ... 257
2Т602 (А. Б). 2Т602 (Л», БМ), КТ602 (ЛИ, БМ)....................258
2Т603 (А, Б, В. Г, И), КТ603 (Л, Б, В, Г, Д, Е)................ 260
КГ604 (А. Б), КТ604 (AM. БМ)..................................262
К1605 (А, Б), КТ605 (ЛМ. БМ)................................. 2G3
2Т608 (А. Б). КТ608 (А, Б)........................ ' 265
КТ611 (А, Б. В, Г). KT61I (AM. БМ)............................. 267
КТ616 (А Б) ....................... . >69
КТ617А . . 270
КТ618Л 271
2Т625 (А-2, К-2). 2TG25 (АМ-2, БМ-2), КТ625Л. КТ625ЛМ . . .271
2Т630 (Л. Б). КТ630 (А, Б. В, Г, Д. Е)..........................273
21632 (А, Б) . 275
2Т635Л, КТ635Б ...................... .276
2Т638А . 278
КТ645А ... ... .279
КТ616А . . ... 280
2Т652А, 2Т652А2 . . ... 281
21603 (А Б) . . . . . . . 282
КГ660 (А. Б) .... .......................284
RT902AM . . ....................286
2Т903(А Б). КТ903Л.................................. . 287
2Т908Л. К1908 (А, Б' ......................................... 289
2Т912 (А, Б). KT9I2 А, Б) . . . . 291
2Т920 (А, Б. В), КЗ920 (А, Б В, I) . . . . . . 293
2Т921Л, КТ921 (А. Б) .......................................... 296
2T92IA-4 ... 2.)8
21922 (А, Г В), К1922 ( А. Б В, Г. Д) ... . . 299
2Т926А, КТ926(А Б 5 .... . 302
КТ927 (А. Б. В) . . . 304
2Т928 (А Б), КТ928 (А, Б) . 05
2Т929Л, КТ929Л 307
21931 Л, К1931А..................................... ' ' ’ 309
2Т935А, КТ935А . . ’ 312
КТ936 (А Б) . . . ' ' 313
К 1940 (А Б, В [5
КТ943 (А Б. В, Г. Д)......................... . 316
2Г944А К1944А . ’ , [9
21945 (А, Б, В) КТ915Б ' ’ 3->1
2Т947А КТ947Л . ' 325
2Т950 (А, Б) . . . . . 327
2T95I (А, Б. В)................ ’ 330
2Т955А КТ955.А ............. ‘ 135
2Т956А. КТ956Л ... ...
2Т957А, К195, А ... ' 340
2Т958Л, КТЖ8А ................ ’ 342
КТ961 (А Б. В)............................................... ’ 345
2Г964А 146
21965А, КТ965А................. ’ .449
2Т966Л. KI966A ... . ..............351
2Г967А, КТ967А........................................... ....
2Т968А . - ,{_7
КТ969А . .... ’ ’ 560
2Т971А, КТ971А....................... ’ 362
КТ972 (А. Б) . ; . J64
2Т978 (Л, Б) . 166
2Т980 (Л, Б)................................................... J68
2 Г981Л, КТ981А............................. ’ 371
2191 ИЛ ..................................... . ‘ ' 374
5
Гранзисторы р-п-р . . ...
КГ626 (Л. Б, В. Г, Д) - • .................
2Т629А, КТ629.А . ..........................
КТ639 (Л, Б, В, Г, Д, Е , Ж Hi ..............................
КТ644 (А, Б, В, Г) . ..........................
1Т901 (А, Б) ... .............
1Т905А, ГТ905 (А, Б)..................................... • •
1Т906\, ГТ906 ГТ906АМ..................................
1Т910АД .................
2Г932 (А, Б), КТ932 (Л, Б. В)................................
2Т933 (А, Б), КТ933 (А, Б) ..................................
КТ973 (А, Б) . . ....................................
КТ9115А............................................... . . .
Раздел пятый. Транжяюры биполярные сверхвы окочасгогные
Транзисторы п-р-п........................................
2Т606А, КТ606 (А, Б)............................... ...
2Т607А 4, КТ607 (А-4 Б 4) .... • ...
2Т610 (А, Б), KT6I0 (А. Б)................................
1 Г612А-4. ГТ612А4 ...................................
1Т614А ... ....
2Т621А-2, 2Т624ЛМ 2, КТ624Л 2, КТ624Л.Ч-2.................
2Г633А, КТ633Б . . . ................
2Т634А 2, КТ634Б 2 ....
2Т637А-2, КТ637 (А-2, Б 2) ...................
2Т640А-2, 2Т640А1 2, КТ640 (Л-2. Ь 2 В 2) . . .
2Т642А 2 • • ...................
2Т643А-2, КТ643А-2 .... ................
2Т647А-2 ........................ ....
2Т648А-2 ........................................
2Т904А, КТ904 (Л, Б) ....
2Т907А, КТ907 (А, Б) . . ................
2Т909 (А, Б), КТ909 (А, Б. В, Г) .........................
2Т911 (А. Б), КТ911 (А. Б. В Г) ..........................
2T9I3 (А, Б, В), КТ913 (А, Б В)...........................
2Т916А КТ916А .......................
КТ918 (А 2, Б-2) ... •
2Т919 (А, Б, В), 2Т919 (А-2, Б 2, В 2), KT9I9 (А. Б В, Г)
2Т925 (А, Б, В), К.Т925 (А, Б В Г)
2Т930 (А, Б), КТ930 (А, Б)
2Т934 (Л, Б, В), КТ934 (А. Б, В, ГД) . . •
21937 (А-2, Б-2), КТ937 (А-2, Б 2) - •
2Т938А-2, КТ938Б2 -
2 Г939Л, КТ939 (А, Б)
2Т942 (А Б), КГ942В ........................ • •
2Т946А, KT9I6A .................... •
2Т948 (Л, Б) КТ918 (А, Б)................................
2Т960А, КТ960Л ............. • •
2Т962 (Л, Б. В), КТ962 (А, Б. В).........................
21963 (А-2, Б-2) .... • • •
2Т970А, КТ970.Л ...
2Т975 (Л, Б)...................... ......................
2Т976А КТ976А............................................
2Т977А, КТ977А...........................................
2Т979А .... ...........................
2Т982А-2 ... ...
КТ983 (А, Б. В) .
2Т984А 2Т984Б . . ................
2Т986 (А, Б) . . ...................
2 988Л
2Т989 (А, Б) . . .................................
377
377
379
380
381
382
384
386
388
389
391
393
394
397
397
397
398
400
401
402
403
404
406
107
409
411
412
414
415
417
419
421
424
426
429
431
433
436
439
442
445
449
4 1
453
457
461
465
469
473
476
479
482
481
486
489
491
494
476
499
502
6
2Г994 (А, Б, В)...................... . 504
2Т996 (А 2 Б 2) . . . . ' 507
2T9103 (А-2 Б 2) . . 509
2Т9104 (А Б) ' 5U
2Т9109А................ • 5(5
219(14 (А, Б) .... ’517
2Т9118А..................................................... дю
2T9II9A-2.................................................. 5X2
2Т9122 (А, Б) . . ; 524
2T9I24A . . . 526
Транзисторы р п-р .... . 529
2Т658 (А 2, Б-2, В-2)....................................... '29
2Т914А, КТ914Л ... ............ ... 532
2Т941А . ................ 5 4
2Г974 (Л Б, В) . . . 535
Раздел шестой. Сборки биполярных транзисторов 40
Сборки транзисторов п-р-п 540
2TC6I3 (Л, Б), КТС613(Л Б. В, Г)............................ 540
КТС631 (А. Б. В, I) . . . . 544
2ТС843Л.................... . . 547
2Т985АС................................................. . . 550
2 T9101 АС . . 553
2T9I05AC . . . .... . . 555
Сборки транзисторов р п р 557
ITC609 (Л, Б, В), ГТС609 (А, Б. В) ’ 557
2ТС622 (Л, Б), КТС622 (А, Б) .... . . . ГЫ
Сборки транзисторов р-п-р и п р п ... 564
2TC94IA..................................................’ ' .64
Раздел седьмой. Транзисторы полевые . . 66
2П601 (А, Б), КП601 (А, Б) . . . .66
2П701 (Л, Б)............... ’ г.69
2П702А ... . . ’ ' 572
КП801 (А, Б) . . . .............575
2П802А ’ 577
2П803 (А Б) ‘ ‘ 579
2П901 (Л, Б), КП901 (А, Б).............................. ' ’ 81
2П902 (А Б), КП902 (А Б В) . . ’ 584
2П903 (А, Б, В), КП903 (А. Б, В) ... . ' .587
2П904 (Л, Б), КП9О4 (А, Б) . . . . .590
2П905 (А, Б), КП905 (А, Б В ................................ 522
2Г1907 (А Б), КП907 (Л Ь В) ‘ 595
2П908 (А. Б) * 598
2П909 (А, Б В, Г) ... . . ‘ ‘ 600
2П9Н(А, Б) 604
2П912 (А, Б) . .... . : ‘ ‘ 606
2П913 (А. Б) ............................ ' ‘ 609
2П914Л .... ‘ 612
2П918 (А, Б) ...... ’ 614
2П920 (А. Б) . . . . . ....
КГ1921Л ... 620
2П922 (Л, Б)..........................; ................622
2П92.3 (А, Б, В, Г) . . . ‘ ’ 623
ЗП602 (А-2, Б 2, В 2, Г 2, Д 2) . ......................627
ЗПбОЗ (А-2, Б-2), ЗПбОЗ (А1-2, Б1 2) ' 610
ЗП604 ( А 2. Б-2, В 2, Г 2) ’ 633
3! 1910 (А-2, Б 2) 635
ЗП915 (Л-2, Б 2).............. ’ ' 637
7
Предисловие
Усложнение радиоэлектронной аппаратуры, расширение выполняемых ею
функций вызывают появление новых типов полупроводниковых приборов Со-
вершенствование технологии производства приводит к изменению количества
типономиналов и значений параметров уже освоенных промышленностью прнбо
ров. Соответственно изменяется система нормативно технической документации.
В справочнике приводятся электрические и эксплуатационные характеристи-
ки и параметры транзисторов средней п большой мощности, используемых в
выходных каскадах усилителей мощности, операционных, дифференциальных и
импульсных усилителях, генераторах кадровой и строчной разверток, низко-
вольтных н высоковольтных преобразователях и стабилизаторах постоянного
напряжения, электронных регуляторах напряжения, переключающих устройст-
вах, устройствах управления газоразрядными панелями переменного тока, уст-
ройствах зажигания двигателей внутреннего сгорания и др.
Настоящий справочник предъявляет собой первую книгу базового издания
по транзисторам. Во вторую книгу «Транзистор малой мощности» включены
сведения о транзисторах широкого диапазона частот — от низкочастотных до
сверхвысокочастотных.
Базовое издание по перечисленным типам приборов отличается от пред-
шествующих справочников расширенной номенклатурой приборов и большей
полнотой сведений о параметрах и их зависимостях от режимов применения
В него включены как вновь разработанные приборы, так и находящиеся в со-
ставе эксплуатируемой радиоэлектронной аппаратуры, но уже не рекомендо-
ванные к применению в новых разработках.
Справочные сведения составлены на основе данных, зафиксированных и го-
сударственных стандартах и технических условиях на конкретные типы при-
боров
Авторами сохранена форма представления данных в виде отдельных спра-
вочных листов па каждый тип прибора, а также зарекомендовавшая себя
положительно структура представления данных, принятая в более ранних из-
даниях аналогичных справочников приведены краткие сведения о технологии,
основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке,
значениях параметров и их зависимостях oi условий эксплуатации, режимах
измерения, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы при-
боров.
В части «Общие сведения* приводятся классификация приборов и система
их условных обозначений. Для полноты сведений о приборах, пометенных в
справочнике, дается перечень действующих стандартов.
Для некоторых типов транзисторов, сведения о которых публиковались в
вышедших ранее справочниках, с целью сокращения объема зависимости па-
раметров от электрических режимов не приводятся.
Для удобства пользования справочником обозначения приборов располо-
жены в цифроалфавцтпой последовательности
Справочник не заменяет технических условий, утверждаемых в установлен-
ном порядке, и не является юридическим документом для предъявления рекла-
маций.
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ.
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ
ТРАНЗИСТОРАХ
Раздел первый.
Классификация биполярных и полевых транзисторов
1.1. Классификация и система обозначений
Классификация транзисторов по их назначению, физическим свойствам, ос-
новным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам,
роду исходного полупроводникового материала находит свое отражение в си-
стеме условных обозначений их типов. В соответствии с появлением новых
классификационных групп транзисторов совершенствуется и система их услов-
ных обозначений.
Система обозначений современных типов транзисторов установлена отрасле-
вым стандартом OCT 1133G.919—81 и базируется па ряде классификационных
признаков. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, па ос-
нове которого изготовлен транзистор Для обозначения исходного материала
используются следующие символы
Г пли I —для германия или его соединений:
К или 2 —для кремния или его соединений;
А пли 3 — для соединений галлия (практически для арсенида галлия, ис-
пользуемого для создания полевых транзисторов);
И или 4—для соединений индия (эти соединения для производства тран-
зисторов пока в качестве исходного материала не применяются).
Второй элемент обозначения — буква, определяющая подкласс (или груп-
пу) транзисторов. Для обозначения подклассов используется одна из двух букв:
Т — для биполярных и П — для полевых транзисторов.
Третий элемент — цифра, определяющая основные функциональные возмож-
ности транзистора (допустимое значение рассеиваемой мощности и граничную
либо максимальную рабочую частоту).
Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков тран-
зисторов применяются следующие цифры
Для транзисторов малой мощности (максимальная мощность, рассеиваемая
транзистором, не более 0,3 Вт):
1—с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной
рабочей частотой (далее граничной частотой) не более 3 МГц:
2 — с граничной частотой более 3 но не более 30 МГц;
3 — с граничной частотой более 30 МГц.
Для транзисторов средней мощности (максимальная мощность, рассеивае-
мая транзистором, более 0,3. по не более 1.5 Вт):
4 -с граничной частотой не более 3 МГц;
5 — с граничной частотой более 3, ио не более 30 МГц;
6 — с граничной частотой более 30 МГц.
Для транзисторов большой мощности (максимальная мощность, рассеивае-
мая транзистором, более 1,5 Вт):
7 —с граничной частотой не более 3 МГц;
8 — с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
9 — с граничной частотой более 30 МГц
Четвертый элемент — число, обозначающее порядковый помер разработки
технологического типа транзисторов Для обозначения порядкового номера ис-
пользуют двузначные числа от 01 до 99 Если порядковый помер разработки
превысит число 99, то применяют трехзначные числа от 101 до 999
Пятый элемент— буква, условно определяющая классификацию по изра-
9
метрам транзисторов, изготовленных по единой технологии В качестве класси
фпкациоиной литеры применяют буквы русского алфавита (за исключением 3,
О Ч. Ы, Ш, Щ, Ю Ь, Ъ Э).
Стандарт предусматривает также введение в обозначение ряда дополни-
тельных знаков при необходимости отметить отдельные существенные конструк-
тивно-технологические особенности приборов
В качестве дополнительных элементов обозначения используют следующие
символы:
ци фра от 1 до 9 — для обозначения модернизаций транзистора, приводящих
к изменению его конструкции пли электрических параметров;
бу ква С — для обозначения наборов в общем корпусе однотипных транзн
сторов (зранзнсюрпые сборки);
цифра, написанная через дефис,— для беекорпусных транзисторов.
Эти цифры соответствуют следующим модификациям конструктивного ис-
полнения:
1— с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);
2— с гибкими выводами на крпсталлодержателе (подложке);
3— с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки);
4— с жесткими выводами на крпсталлодержателе (подложке);
5— с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без
выводов (кристалл);
6 — с контактными площадками на крпсталлодержателе (подложке), но без
выводов (кристалл на подложке).
Таким образом, современная система обозначений позволяет по наименова-
нию типа получить значительный объем информации о свойствах транзистора
Примеры обозначения некоторых транзисторов:
КТ604/ —кремниевый биполярный, средней мощности, низкочастотный, но-
мер разработки 04, группа А;
2Т920А — кремниевый биполярный, большой мощности, высокочастотный,
номер разработки 20, группа А;
КТ937А 2 — кремниевый биполярный, большой мощности, высокочастотный,
номер разработки 37, группа А, бескорпуспый, с гибкими выводами па кристал-
лодержателе;
2ПС202А-2 — набор маломощных кремниевых полевых транзисторов сред-
ней частоты, помер разработки 02, группа А, бескорпуспый, с гибкими выводами
на крпсталлодержателе.
Для большинства транзисторов, включенных в настоящий справочник, ис-
пользована система обозначений согласно ранее действовавшим ГОСТ 10862—64
и ГОСТ 10862—72, которая в своей основе не отличается от описанной. Одиако
у биполярных транзисторов, разработанных до 1964 г. и выпускаемых до настоя-
щего времени, условные обозначения типа состоят из двух или трех элементов
Первый элемент обозначения — буква П, характеризующая класс бпполяр
пых транзисторов, или две буквы МП для транзисторов в корпусе, герметизи
русмом способом холодной сварки.
Второй элемент — одно-, двух- или грехзначное число, которое определяет
порядковый номер разработки и указывает на подкласс транзистора по роду
исходного полу проводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой
мощности и граничной (и и предельной) частоты:
от 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы;
от 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы,
от 201 до 299—германиевые мощные низкочастотные транзисторы;
от 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы;
от 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные тран-
зисторы;
от 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные тран-
зисторы;
от 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы;
от 701 до 799 —кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы
Третий элемент обозначения (у некоторых типов он может отсутс1вовать) —
буква, условно определяющая классификацию по параметрам транзисторов,
изготовленных по единой •технологии.
10
Примеры обозначения некоторых транзисторов:
П213А— германиевый мощный низкочастотный, номер разработки 13.
группа Л:
П702Л— кремниевый мощный высокочастотный, номер разработки 02,
группа Л.
1.2. Классификация транзисторов по функциональному
назначению
В настоящем справочнике наряду с нашедшей отражение в системе услов-
ных обозначений типов транзисторов классификацией приведена классификация
биполярных транзисторов по частоте: низкочастотные (ЬР<30 МГн); высоко-
частотные (30 МГЦ<Д.р<300 МГц); сверхвысокочастотиые (Д-р^ЗОО МГц).
Биполярные транзисторы в соответствии с основными областями примене-
ния подразделяются на следующие группы: усилительные (сверхвысокочастот-
ные, высоковольтные, высокочастотные линейные); генераторные (высокочастот-
ные, сверхвысокочастотиые, сверхвысокочастотиые с согласующими цепями);
переключательные и импульсные (переключательные высоковольтные и им-
пульсные высоковольтные).
По своему основному назначению полевые транзисторы делятся на уси-
лительные, генераторные и переключательные.
Каждая из перечисленных групп характеризуется специфической системой
параметров и справочных зависимостей, отражающих особенности применения
транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре. Информационный материал в
справочнике расположен применительно к данной классификации транзисторов.
1 3. Условные графические обозначения
В технической документации и специальной литературе следует применять
условные графические обозначения полупроводниковых приборов в соответствии
с ГОСТ 2.730—73
Графические обозначения полупроводниковых приборов, помещенных в дан-
ном справочнике, приведены в табл. 1.1.
Таблица II. Условные графические обозначения транзисторов
Наименование Обозначение
Транзистор тина р-п-р
Транзистор типа п р-п с коллектором, электрически со-
единенным с корпусом
Полевой транзистор с каналами типов пир
Полевой транзистор с изолированным затвором с выво-
дом от подложки обогащенного типа с р каналом и
обедненного типа с п каналом
Полевой транзистор с изолированным затвором обога-
щенного типа с n-каналом и с внутренним соединением
подложки и истока
Полевой транзистор с двумя изолированными затворами
обедненного типа с п каналом и с внутренним соеднпе
нисм подложки и истока
11
1.4. Условные обозначения электрических параметров
1]Кэ — напряжение коллектор — эмиттер
Ukso — постоянное напряжение коллектор — эмиттер при токе базы, рав
ном пулю
U кэп — постоянное напряжение коллектор — эмиттер при заданном со-
противлении в цепи база—Эмиттер
(Укэк — постоянное напряжение коллектор—эмиттер при короткозамкиу
тых выводах базы и эмиттера
Uk. л—постояннее напряжение коллектор—эмиттер при заданном об
I атпом напряжении база — эмиттер
I'K-in.u — импульсное напряжение коллектор—эмнтгер при заданном сопро-
TI влсипп в цепи база — эмиттер
Укэк.и -- импульсное напряжение коллектор — эмиттер при короткозамкну-
тых выводах базы и эмптте| а
Окэх.и—импульсное напряжение коллектор — эмнтгер при заданном обрат-
ном напряжении база — эмиттер
икэв.проб — пробивное напряжение коллектор — эмиттер при токе базы, рав
пом нулю
IJmn.npoc — пробивное напряжение коллектор — эмиттер при заданном сопро-
тпвленпн в цепи база—эмиттер
—пробивное напряжение коллектор — эмиттер при короткозамкнутых
вывозах базы и эмиттера
Укэх.пр.л — пробивное напряженке коллектор — эмиттер при заданном обрат-
ном nai ряжении база — эмиттер
Укэ.махс — максимально допустимое постоянное напряжение коллектор —
эмиттер
икв.п.махс—максимально допустимое импульсное напряжение коллектор —
эмиттер
17кв— постоянное напряжение коллектор — база
Uкб и — импульсное напряжение коллектор — база
икьэ.пр.,6—и обивное nai ряжение коллектор— база
I ki;..mo»c — максимально допустимое постоянное напряжение коллектор — база
Uki-..u «чкс—максимально допустимое импульсное напряжение коллектор — база
l7OK1„p6- пробивное напряжение эмиттер — база
Use -постоянное напряжение эмпгтер — база
АС7вэ- падение напряжения па участке база — эмиттер
Ujii.Maxc—максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер — база
Vcu — напряженно сток — исток
Vsn — напряжение затвор — исток
Unn — напряжение исток — подложка
Uch,.гаке — максимально допустимое напряжение сток — исток
U: и лаке—максимально допустимое напряжение затвор — исток
Usc.xaxc—максимально допустимое напряженно затвор — сток
Uin..vaxc — максимально допустимое напряженно сток — подложка
Unn.MUKc — максимально допустимое напряжение исток — подложка
U311 ляхе — максимально допустимое напряжение затвор — подложка
/к — постоянный ток коллектора
1я—постоянный ток эмиттера
1в — постоянный ток базы
1 к,и — импульсный ток коллектора
/э.и — импульсный ток эмиттера
—импульсный ток базы
1к,кас — постоянный ток коллектора в режиме насыщения
hi.unc — по тояш ый ток базы в режиме насыщения
/к,махе — максимально допустимый постоянный ток коллектора
/э.мпхе — макс имально допустимый постоянный ток эмиттера
/с я 1>:с — максимально допустимый постоянный ток базы
1к.и.махе — максимально допустимый импульсный ток коллектора
1э.« м кс — максимально допустимый импульсный ток эмиттера
12
1к,нас,макс — максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме
насыщения
1г,.нас,макс — максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насы-
щения
1с.макс—максимально допустимый постоянный ток стока
/с.ост—остаточный ток стока
/з<пР1.локс — максимально допустимый прямой ток затвора
I С.а.макс—максимально допустимый импульсный ток стока
С. —емкость генератора
j — частота
Кнас — коэффициент насыщения
Кети — коэффициент стоячей волны по напряжению
/ — длина выводов
Р— постоянная рассеиваемая мощность биполярного (полевого) тран-
зистора
Рср — средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора
Р„— импульсная рассеиваемая мощность биполярного (полевого) тран-
зистора
Рк — постоянная рассеиваемая мощность коллектора
Ркср — средняя рассеиваемая мощность коллектора
Рвх—входная мощность биполярного (полевого) транзистора
Р»х(п<>)—входная мощность в пике огибающей (средняя мощность одното-
нового сигнала с амплитудой, равной амплитуде двухтопового
сигнала в пике огибающей)
Рвыхшо} — выходная мощность в пике огибающей (средняя мощность одпото-
пового сигнала с амплитудой, равной амплитуде двухтонового
сигнала в пике огибающей)
Л,гР — мощность отраженной волны СВЧ сигнала
Рпад—мощность падающей волны СВЧ сигнала
Рм-.кс—максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность би-
полярного (полевого) транзистора
Рч макс—максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность би-
полярного (полевого) транзистора
Рк.макс—максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность
коллектора
Рк ср.макс — максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность кол-
лектора
Q— скважность
Rk—сопротивление в цепи коллектор — источник питания
R —сопротивление в цепи база — эмиттер
Re— сопротивление в цепи база — источник питания
Rn— сопротивление нагрузки
Re—выходное сопротив.х'м -в генератора при измерениях
Rt—тепловое сопротивление
₽т(п-и)—тепловое сопротивление переход — корпус
Rt и(п-х) — импульсное тепчовое сопротивление переход — корпус
Rr(n-cy — тепловое сопротивление переход — среда
Лги, Л2;э — статический коэффициент передачи тока в режимах малого и боль-
шого сигнала
Sue, S!ls — коэффициент отражения входной цепи в схемах ОБ и ОЭ соот-
ветственно
S:2i—коэффициент обратной передачи напряжения в схеме ОБ
|Sl2o| — модуль коэффициента обратной передачи напряжения в схеме ОБ
S21J—коэффициент прямой передачи напряжения в схеме ОЭ
S22- .— коэффициент отражения выходной цепи в схеме ОБ
Т— тех пература окружающей среды
Тк—температура корпуса; для бсскорпусных транзисторов крнсталло-
держателя (подложки)
Тп—температура р-п перехода
т]« — коэффициент полезного действия коллектора
1)г— коэффициент полезного действия стока
13
<1— фаза .$ параметра
/„ — длительность импульса
—длительность фронта импульса.
Звездочкой в тексте отмечены параметры или их значения, приведенные в
справочных данных ТУ При производстве полупроводниковых приборов они
могут не контролироваться.
Значения эксплуатационных данных, приведенных без указания темпера-
турного диапазона, справедливы во всем интервале температер окружающей
среды для дайною типа транзистора
Значения электрических параметров, приведенные без специального ука-
зания температуры окружающей среды (температуры корпуса) справедливы
для температуры + 25° С
Па графиках с изображением зоны возможных положений зависимости
параметров сплошной линией обозначена типовая зависимость
1.5. Основные стандарты на биполярные и полевые транзисторы
ГОСТ 15133-77
ОСТ 11 336.919—81
ГОСТ 2730—73
ГОСТ 18472—82
ГОСТ 20003—74
ГОСТ 19095—73
ОСТ 11.336.907.0—79
ОС! 11 336.907.8—81
OCT II 336.935—82
ОСТ 11 0272—86
OCT II 073.062—76
OCT II 073.073—82
OCT II 336 003—74
OCT II 706 000—79
Приборы полупроводниковые. Термины и определении
Приборы полупроводниковые Система условных обо-
значений
Обозначения условные графические в схемах. Приборы
полупроводниковые
Приборы полупроводниковые. Основные размеры
Транзисторы биполярные. Термины, определения и бук
венные обозначения параметров
Транзисторы полевые Термины, определения и бук-
венные обозначения параметров
Приборы полупроводниковые. Руководство по приме-
нению. Общие положения
Транзисторы биполярные. Руководство по применению
Транзисторы полевые. Руководство по применению
Интегральные микросхемы, приборы полупроводниковые
бескорпуспые. Руководство по применению
Микросхемы интегральные и приборы полупроводнике
вье Требования и методы защиты от статического
электричества в условиях производства и применения
Контроль иеразрушающий. Методы контроля темпера
туры биполярных транзисторов и интегральных микро-
схем
Приборы полупроводниковые. Методы отвода тепла
Радиаторы охлаждения полупроводниковых приборов.
Технические условия.
Методы
ГОСТ 78604.0—83
IOCT 18604.1—80
Г СТ 18604.2—80
ГОСТ 18604.3—80
ГОСТ 18604.4—74
ГОСТ 18604 5—74
ГОСТ 18604.6—74
ГОСТ 18604.7—74
ГОСТ 18604.8—74
измерения параметров биполярных транзисторов
Транзисторы биполярные. Общие требования при изме
рении электрических параметров
Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной
времени цепи обратной связи на высокой частоте
Тра гзпеторы биполярные. Метод измерения стати неко-
го коэффициента передачи тока
Транзисторы биполярные Метод измерения емкостей
коллекторного и эмиттерпого переходов
Транзисторы. Метод измерения обратного тока кол-
лектора
Транзисторы Методы измерения обратного тока кол-
лектор — эмиттер
Транзисторы Метод измерения обратного тока эмит-
тера *
Транзисторы. Метод измерения коэффициента передачи
тока
Транзисторы Метод измерения выходной проводимости
14
ГОСТ 18604.9— 82
ГОСТ [8604.10—76
ГОСТ 18604.11—76
ГОСТ 18604.13—77
ГОСТ 18604 14—77
ГОСТ 18604 15—77
ГОСТ 18604.16—78
ГОСТ 18604.17—78
ГОСТ 18604.18—78
1ОСТ 18604.19—88
ГОСТ 18604.20—78
ГОСТ 18604 22—78
ГОСТ 18604.23—80
ГОСТ 18604 24-81
ГОСТ 18604.26—85
OCT II 336.909.3—79
Методы
ГОСТ 20398 0—83
ГОСТ 20398.1—74
ГОСТ 20398.2—74
ГОСТ 20398 3—74
ГОСТ 20398.4—74
ГОСТ 20398 5—74
ГОСТ 20398 6—74
ГОСТ 20398.7—74
ГОСТ 20398 8—74
ГОСТ 20398 9-80
Транзисторы биполярные. Методы определения гранич-
ной и предельной частот коэффициента передачи тока
Транзисторы биполярные. Метод измерения входного
сопротивления
Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффици-
ент» шума на высоких п сверхвысоких частотах
Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Метод
измерения выходной мощности и определение коэффи-
циента усиления по мощности и коэффициента полез-
ного действия коллектора
Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Метод
измерения модуля коэффициента обратной передачи
напряжения в схеме с обшей базой на высокой частоте
Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы
измерения критического тока
Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффици-
ента обратной связи по напряжению в режиме малого
сигнала
Транзисторы биполярные. Метод измерения плавающе-
го напряжения эмиттер — база
Транзисторы биполярные. Методы измерения статиче-
ской крутизны прямой передачи
Транзисторы биполярные. Методы измерения гранич-
ного напряжения
Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффи-
циента шума на низкой частоте
Транзисторы биполярные. Методы измерения напряже-
ния насыщения коллектор — эмиттер и база — эмиттер
Транзисторы биполярные Метод измерения коэффици-
ентов комбинационных составляющих
Транзисторы биполярные высокочастотные генератор-
ные. Метод измерения выходной мощности и опреде-
ление коэффициента усиления ио мощности и коэффи-
циента полезного действия коллектора
Транзисторы биполярные. Методы измерения времен-
ных параметров
Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Ме-
тоды измерения скорости нарастания обратного напря-
жения.
измерения параметров полевых транзисторов
Транзисторы нолевые. Общие требования при измере-
нии электрических параметрон
Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной
проводимости прямой передачи
Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента
шума
Транзисторы полевые Метод измерения крутизны ха-
рактеристики
Транзисторы полевые Метод измерения активной со-
ставляющей выходной проводимости
Транзисторы полевые. Метод измерения входной, про-
ходной и выходной емкостен
Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки
затвора
Транзисторы полевые. Метод измерения порогового на-
пряжения и напряжения отсечки
Транзисторы полевые. Метод измерения начального
тока стока
Транзисторы полевые Метод измерения крутизны ха-
рактеристики в импульсном режиме
15
ГОСТ 20398 10—80
ГОСТ 20398 11—80
ГОСТ 20398 12—80
ГОСТ 203 8 13 -80
ОСТ 11 336 916—80
Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в
импульсном режиме
Транзисторы полевые Метод измерения ЭДС шума
Транзисторы полевые Метод измерения остаточного то-
ка стока
Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления
сток — исток
Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощ-
ности, определение коэффициента усиления по мощно-
тн и коэфф и еша нолевного действия стока
1.6. Приборы для измерения параметров транзисторов
Для измерения парамеция* транзисюров промышленность выпускает ряд
измерительных приборов Наибольшее распространение для измерения нар,
метров мощных биполярных и полевых транзисторов получили приборы, при
Веденные и таил. 1.2
Т аблица 1.2 Приборы для измерения параметров мощных транзисторов
Тип приОории ИJMvpHv- ммй НН [hl Mt 1р 11рсЛ<Л измерения по шкале Режим измерения Габаритные пая- меры, мм (масса, кг)
JV 13 (нвмерн- тсль стагнче*. ^21 & 3 .1000 Дкь=1...2О В (при измерении 630X360X340 (32 Ki)
квх параметров 8 0 1 30 А В до 150 В) Выносной пулы
Мищных тран ^ки.нас 0,1 10 в /к=10 А, 180X 200X210
Зп торов) КО.нас U КОО, гр / К U) /эь.1 / коп 0,1 .10 в 2. «50 В 10 мкА 100 мА 10 кА 100 мА 10 мкА 300 мА /в=1 А (3 кг)
«Л 2 28 (измери Ск 0.3...'000 пФ (/кв-0,25... 495X215X365
гель емкости Св 0.3... 1000 пФ 99,9 В (16 кг)
р и переходов/ IК UQ 0.3..100 мкА (7аь-»0,25... -9.9 В, /=10 МГц (при Сг=:30 пФ)
Д2-31 (измери- С ! 1 и 0,3 30 нФ ) = 0.3 МГн 490X216X355
тель емкости ^22^ 0,3 30 пФ (при С’^ЗО пФ) (16 кг)
Гилевых тран- зисторов) С ;2и 0,03 30 пФ /7си = 2 29 В йЛИ| = 1..29 В, ^зи2= 1 29 В, 7с=0,3-50 мА
JI2-42 (измери- тель статичес- Л2|О 5. .500 С/кв=2...5О В (при измерении 490X256X355 (21 кг)
них параметров U КО,нас 0,1 10 В до 100 В), Пульт
мошных гран- UКО яос 0,1.10 В £/вв=0,3 .Ю В 122X131X200
зисторов) /квэ /эБо /кво 1 мкА. .30 мА 1 мкА 30 мА 1 мкА 30 мА /к =0,1 20 А, /11=0,03 .5 А. R;,l. -0 I кОм (2 кг)
<112-46 (измери- $НЧ.имп 0,01 .30 А/В 6'с« = 1. 200 В, Б чок измери-
к-дь пара мет Sh4.iu>ct 0,01. 3 А/В Дэн, =0.3 .30 В тельный
ров мощных 1с 0,3 ..200 мА /Лют=0,3 30 В 480X490X255.
нолевых трап- 0,3 10 |г... /,^200 мА Блок режимов
зисторов) 311 .иге U1H RcM.ovk 1с,и ...10-6 А 0,3. 30 В 0 3. 30 В 3 .1000 Ом 0,1. 30 А 360X490X175. Блок измери- тельный 300X230X205
16
Продолжение
Тип приборов Измеряе- мый параметр Предел измерения но шкале Режим измерения Iабмритныс- раз- меры, мм (масса, кг)
Л2-57 (измери /<2|Э 5 2000 (7кэ=3..299 В. Блок измери-
тель стагнче ских парамет U КН нас U ЬЭ,нас 0.05... 10 В 0,05.. 10 В 77эг=0.3 30 В /к.и=0,1 тельный 488X475X175
ров мощных 1»ВО 10-»..10-> А ...99.9 А, (20 кг).
транзисторов) /кь<| 1 кии 1О-8...1О-’ А 1 '-8.,.10 А /в.,,» 0 01... ...30 А Блок режимов 488X475X175 (30 кг). Блок генерато ров 488X475X175 (25 кг) Устройство подключения 488X475X94 (15 кг)
Л2-58 (измери Пкэа.гр 100 2000 В 7/кв ,,—500.. 480X555X160
тель парамет- ров высоко- вольтных тран зпеторов) 7kev 10-5...10-| А .. 2000 В 1 к к =30 мА... .. 0,99 А /ь.«=1. 300 мА (30 кг)
Методы измерения основных электрических параметров транзисторов ус-
тановлены государственными стандартами. Для наблюдения волы амперных
характеристик транзисторов рекомендуется использовать приборы, приведенные
в табл 1 3
Таблица 1.3 Приборы для наблюдения вольт-амперных
характеристик транзисторов
Гии прибора Режим по по- стоянному ТОК} Режим ступенчатиго сигнала I абаритные размеры, мм (масса, кг)
ПНХ1 I
77=0. .20 В
(при 1=1
...10 Л)
77=0 200 В
(при /^1 А)
По току;
I 500 мкА/сгупень,
1 .200 мЛ/ступень
(всего 17 фиксированных зна-
чений).
По напряжению:
0 01 .0,2 В/степень
(всего пять фиксированных
значений).
Число ступеней 4—12
643X334X423
(10 кг)
Л2 56
(ПХН1 2)
(7=1 . 16 В
По току:
(при / 10 А) 50 иА/стунень,
77^=0 80 В 20 мЛ/стуиень
490X294X560
(40 кг)
(всего 21 фиксироваг
ченне).
По напряжен!
0,05. .2 В/стут
(всего шесть
значений).
(при 7 0,4...
2 Л)
77 = 0 400 В
(при I 0 4
.0,08 Л)
7/ 0...2000 В
(при 7^0,08 А) Число ступеней
:1 IS- V
фиксироийн ных.
ИМСП.ту _•
kjqaK2_.-, -
«кх
2 Зака* № 1004
17
Раздел второй.
Особенности использования транзисторов
в радиоэлектронной аппаратуре
При разработке, изготовлении и эксплуатации полупроводниковых прибо-
ров следует принимать во внимание их специфические особенности Высокая
надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть обеспечена только при
учете таких факторов, как разброс параметров транзисторов, их температур-
ная нестабильность и зависимость параметров от режима работы, а также из-
менение параметров транзисторов в процессе эксплуатации.
Граизнсторы сохраняют своп параметры в установленных пределах в ус-
ловиях эксплуатации и хранения, характерных для различных видов и клас-
сов аппаратуры Условия эксплуатации аппаратуры могут изменяться в широ-
ких пределах. Эти условия характеризуются внешними механическими (вибра-
ционными, ударными, центробежными нагрузками) и климатическими воздей-
ствиями (температурными, атмосферными и др).
Общие требования, справедливые для всех транзисторов, предназначенных
для использования в аппаратуре определенного класса, содержатся в общих
технических условиях. Нормы на значения электрических параметров и спе
цпфнческие требования, относящиеся к конкретному типу транзистора, содер-
жатся в частных технических условиях.
Под воздействием различных факторов окружающей среды некоторые па-
раметры, характеристики и свойства транзисторов .могут изменяться.
Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних воздействий
служат корпуса приборов. Конструктивное оформление транзисторов рассчитано
на их использование в составе аппаратуры при любых допустимых условиях
эксплуатации. Необходимо помнить, что корпуса транзисторов в конечном счете
имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании транзисторов
в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влаж-
ности, платы с расположенными на них транзисторами рекомендуется покрывать
лаком не менее чем в три слоя. Рекомендуется применять лаки УР 231
(ТУ 6—10—863—79) пли ЭП 7.30 (ГОСТ 20824—75)
Все большее распространение получают так называемые бескорпусиые
транзисторы, предназначенные для использования в микросхемах и мнкросбор-
ка.х. Кристаллы таких транзисторов защищены специальным покрытием, ио оно
не даег дополнительной защиты от воздействия окружающей среды. Защита
достигается обшей герметизацией всей микросхемы.
Чтобы обеспечить долголетнюю и безоткатную работу радиоэлектронной
аппаратуры, конструктор обязан не только учесть характерные особенности
транзисторов па этапе разработки аппаратуры, но и обеспечить соответствую-
щие условия ее эксплуатации и хранения.
Транзисторы приборы универсального применения. Они могут быть ус-
пешно использованы не только в классе устройств, для которых они разрабо-
таны, но и во многих других устройствах. Однако набор параметров и харак-
теристик, приводимых в справочнике, соответствует основному' назначению
транзистора В справочнике приводятся значения параметров транзисторов, га-
рантируемые ТУ для соответствующих оптимальных или предельных режимов
эксплуатации. Рабочий режим транзистора в проектируемом устройстве часто
отличается от того режима, для которого приводятся параметры в ТУ.
Значения большинства параметров транзисторов зависят от рабочего ре-
жима и температуры, причем с увеличением температуры зависимость пара-
метров от режима сказывается более сильно В справочнике приводятся, как
правило, типовые (усредненные) зависимости параметров траншеторов от тока,
напряжения, температуры, частоты и т п. Эти зависимости должны использо-
ваться при выборе типа транзистора и ориентировочных расчетах, так*как зна-
чения параметров транзисторов одного типа не одинаковы, а лежат в некотором
интервале. Этот интервал ограничивается минимальным или максимальным зна-
чащем, указанным в справочнике. Некоторые параметры имеют двустороннее
от раниченне.
18
Рис. 2.1. Выходные ха-
рактеристики биполярно-
го транзистора и обла-
сти работы при вклю
чении по схеме ОБ (а)
и по схеме ОЭ (б)
При конструировании устройств необходимо стремиться обеспечить их ра
ботоспособиость в возможно более широких интервалах изменений важнейших
параметров транзисторов. Разброс параметров транзисторов и их изменение во
времени при конструировании могут быть учтены расчетными методами пли
экспериментально — методом граничных испытаний.
На рис. 2.1 показаны выходные характеристики биполярного транзистора
с указанием областей работы для схем с общей базой (ОБ) и общим эмит-
тером (ОЭ).
Выходные вольт-амперные характеристики полевых транзисторов приведены
иа рис. 2.2 На семействе этих характеристик можно выделить три области:
линейную (изменение тока стока пропорционально изменению напряжения на
стоке); область насыщения (ток стока слабо зависит от напряжения па стоке);
область пробоя (ток стока резко возрастает при малых изменениях иапряже
ния на стоке).
На рис 2 3 приведены проходные волы амперные характеристики (зависи-
мость тока стока от напряжения на затворе при неизменном напряжении па
стоке) полевых транзисторов с управляющим р-л переходом с каналами л- и
p-типов проводимости и условные графические обозначения этих транзисторов.
Проходные характеристики полевых транзисторов с управляющим р-л перехо-
дом хорошо аппроксимируются выражением
1с —1с нач( 1 — 1/»и/1/зИ,оГе)".
где !см*— начальный ток стока (ток стока при (73и=0); U-зи.осс — напряжение
отсечки Теоретическое значение показателя степени л 2, однако на практике
л= 1,5.. 2,5
Рис. 2 2. Выходные характеристики
полевого транзистора
Рис 2 3 Проходные характеристики
полевого транзистора с управляющим
р п переходом с каналами л- и р ти-
пов проводимости
2*
19
Рис 2.4 Проходные характе-
ристики МДП-транзистора с
каналами п- и p-типов ирово
димости
Полевые транзисторы с управляющим
р-п переходом работают в режиме обеднения
канала носителями заряда (независимо от ти-
па его проводимости) при изменении напря-
жения затвор — исток от нулевого значения
до напряжения отсечки тока стока.
На рис. 2.4 приведены проходные вольт-
амперные характеристики МДП транзисторов
и их условные графические обозначения. В от-
личие от транзисторов с управ тяготим р-п
переходом, у которых рабочая область со-
ставляет от 1Л1ГГ=0 до напряжения запира
ния, МДП транзисторы сохраняют високос
входное сопротивление при любых значениях
напряжения па затворе, которое ограничено
напряжением пробоя изолятора затвора.
При необходимости применения транзисто-
ров для выполнения функций, отличающихся
от основного назначения, вывод о возможно-
сти их использования в этих режимах может
быть сделан после измерения параметров транзисторов в этих режимах, ирове
депия соответствующих испытании и согласования их параметров в соответст-
вии с ГОСТ 2.117—71.
В аппаратуре транзистор может быть использован в широком диапазоне
напряжений и токов Ограничением служат значения предельно допустимых
режимов, превышение которых в условиях эксплуатации не допускается неза-
висимо от длительности импульсов напряжения пли тока Поэтому при приме-
нении транзисторов необходимо обеспечить их защиту от мгновенных изменений
токов и напряжений, возникающих при переходных процессах (моменты вклю-
чения, выключения, изменения режимов работы и т. и), мгновенных изменениях
питающих напряжений. Не допускается также работа транзисторов в совмещен-
ных предельных режимах (например, ио напряжению и току).
Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих токах, соизме-
римых с неуправляем!П'.1 обратными токами во всем диапазоне температур.
Для транзисторов, предназначенных для работы па согласованную нагрузку,
при настройке аппаратуры необходимо принимать меры, исключающие возмож-
ность работы транзистора на рассогласованную нагрузку. Если полностью это
исключить невозможно, то настройку следует осуществлять при пониженном
напряжении питания пли пониженной мощности возбуждения.
Режимы работы транзисторов должны контролироваться с учетом возмож-
ных неблагоприятных сочетаний условий эксплуатации аппаратуры.
При измерениях необходимо принимать во внимание колебания напряже-
ний источников питания, значение и характер нагрузки иа выходе блока, коле-
бания амплитуды и длительности выходных сигналов, уровни внешних воздей-
ствующих факторов
Для повышения надежности транзисторов при эксплуатации следует выби-
рать рабочие режимы с коэффициентами нагрузки по напряжению и мощности
в диапазоне 0,7.0,8 Однако следует учесть, что применение транзисторов при
малых рабочих токах приводит к снижению устойчивости их работы в диапа-
зоне температур и нестабильности усиления во времени Использование более
высокочастотных типов транзисторов в низкочастотных цепях нежелательно, так
как они дороги, склонны к самовозбуждению и обладают меньшими эксплуа-
тационными запасами.
Дли коэффициентов загрузки менее 0,5. .0,6 надежность работы транзисто-
ра практически не зависит от режима работы
Для повышения надежности параллельно соединенных транзисторов реко
мендуется транзисторы располагать па общем теп юотводе, в цепи эмиттеров
и баз включать резисторы, обеспечивать их работу при коэффициентах нагруз-
ки ио току 0,5 ..0,6
Для повышения надежности последовательно соединенных транзисторов
рекомендуется цепи коллектор эмипер шунтировать резисторами, сопротнв
20
ленис которых в 2 .3 раза меньше эквивалентного сопротивления закрытою
транзистора, или стабилитроном, допускающим работу в ждущем режиме, на-
пряжение стабилизации которого не более 0 7 0.8 Ukbv-
При применении мощных транзисторов необходимо обеспечивать правильный
тепловой режим работы, чтобы температура корпуса транзистора была мини-
мальной н не превышала допустимой Превышение предельной температуры
может привести к тепловому пробою у п перехода. Тепловой пробой возникает
вследствие лавинообразного нарастания температуры р-п перехода Во избежа-
ние теплового пробоя необходимо улучшать отвод теплоты от транзистора Пра-
вильный выбор теплового режима работы снижает интенсивность отказов тран-
зисторов. а также обеспечивает стабильность выходных параметров аппаратуры
Обеспечение оптимального теплового режима работы транзисторов играет перво
степенную роль при создании надежной аппаратуры.
Для учета зависимости параметров от температуры в справочнике приво-
дя 1ся температурный диапазон применения транзисторов, значения параметров
и режимов при различных температурах и их температурные зависимости.
В качестве теплоотвода для мощных транзисторов могут использоваться
специально сконструированные радиаторы или конструктивные элементы узлов
и блоков При этом должна предусматриваться специальная обработка мест
крепления транзисторов.
Качественное соединение корпуса транзистора с теплоотводом достигается
шлифовкой поверхности теплоотвода, смазкой места соединения специальной
мастикой плн невысыхающим маслом
Для улучшения тепловою контакта рекомендуется смачивать нижнее осно-
вание транзистора полпметилсилоксаповоп жидкостью ПМС-100 ГОСТ 13032—77
или теплоотводящей смазкой КП Г-8 I ОСТ 19783—74 Полезным оказывается
использование топких прокладок из фольги мягких металлов. Сверление боль-
ших отверстий в радиаторе для выводов транзистора уменьшает эффективность
отвода теплоты.
Площадь теплоотвода S, см2, приближенно можно вычислить по формуле
S« 1000/(7?,1П_с>бг),
где Л!т(»-с) — требуемое тепловое сопротивление переход — окружающая сре-
да, сС/мВт; 6 —коэффициент теплопередачи от теплоотвода в окружающую
среду, равный 0,6... 1,5 мВт/см2 "С.
Для повышения эффективности отвода теплоты за счет излучения реко
мснлуется теплоотвод покрывать черной краской (зачернить).
Принудительный обдув теилоогвода, помещение его в проточную жидкость
(вода, масло) значительно улучшает охлаждение транзисторов и позволяет сни-
мать с них большие мощности.
Крепление транзисторов к радиаторам должно обеспечить их падежный
тепловой контакт. Особое внимание следует уделить надежному тепловому кон-
такту при введении между корпусом транзистора п радиатором изолирующих
прокладок Для уменьшения общего теплового conpoi явления лучше пзолиро
вать радиатор от корпуса аппаратуры, чем транзистор от радиатора
При необходимости электрической изоляции корпуса (коллектора) транзи
стора от шасси или геплоичвода между корпусом и теплоотводом рекомендуется
ставить прокладку нз оксидированного алюминия пли слюды. Суммарное тепло
вое сопротивление переход теплоотвод увеличивается при этом на 0,5°С/Вт
па каждые 50 мкм толщины слюдяной прокладки плн на 0,25° C/Вт на каждые
50 мкм толщины слоя оксидированного алюминия.
При применении заливки плат компах идами следует учитывать возможное
ухудшение теплообмена между транзисторами и окружающей средой Для за-
ливки плат следует использовать компаунды, не оказывающие отрицательного
химического и механического влияния па транзисторы.
Особенностью применения мощных транзисторов является работа этих при-
боров в режимах, близких к предельным по температуре перехода. Для обес-
печения надежной работы аппаратуры режимы использования мощных тран-
зисторов должны выбираться таким образом, чтобы ток п напряжение не вы-
ходили за пределы области максимальных режимов На рис. 2 5 приведен ти-
пичный вид области максимальных режимов мощного биполярною транзистора.
21
Nett
*-4зк.моч
Рис. 2.5. Область максимальных режи-
мов мощного биполярного транзистора
Рис. 2.6. Зависимость постоянной
рассеиваемой мощности коллектора
от температуры
Сплошными линиями ограничена область статического режима работы транзи-
стора, а штриховыми —импульсного. Область максимальных режимов ограни-
чена;
максимально допустимым током коллектора (постоянным и импульсным) —
область /;
максимально допустимой мощностью рассеивания (постоянной и импульс-
ной)— область [[;
вторичным пробоем — область III;
граничным напряжением вольт-амперной характеристики при заданных ус-
ловиях на входе—область IV;
максимально допустимым обратным напряжением коллектор — эмиттер
(постоянным и импульсным) — область V.
Область максимальных режимов в справочнике приводится, как правило,
при температуре корпуса Г«|, при которой обеспечивается максимальная мощ-
ность рассеивания. При увеличении температуры корпуса выше 7К мощность
рассеивания определяется с помощью рис. 2.6, а при их отсутств!"! рассчиты-
вается по формуле
Р.макс = (Тп-Тк) jRr(n-K),
где Tn — температура перехода; Тк — температура корпуса (например. Тк2,
Гкз и т. д); Rr(n-K) — тепловое сопротивление переход — корпус.
При работе транзистора при температуре корпуса Тк2 пли Ткз
(см. рис. 2 5) область 7/ перемещается, что соответствует уменьшению мощно-
сти рассеивания, определенной графическим путем пли рассчитанной по фор-
муле.
При повышении температуры корпуса изменяется также положение обла-
сти V. 3 laueiiuc предельно допустимого обратного напряжения козлектор —
эмиттер (постоянного или импульсного) при росте температуры уменьшается
(рис. 2.7). Эта зависимость снимается экспериментально.
При переходе от статического режима к импульсному и при уменьшении
длительности импульса границы области максимальных режимов перемещаются
в сторону больших значений тока и напряжения.
Максимально допустимая мощность рассеивания в импульсном режиме свя-
зана с максимальной рассеиваемой мощностью соотношением
Ри,макс~ (РмпкеРт(п-ку) /Rt u(n —я),
где ₽т.п(п-«) — импульсное тепловое сопротивление переход корпус, являю-
щееся функцией длительности импульса и скважности (рис 2 6).
22
Рис. 2.7. Области максимальных ре-
жимов при различных температурах
корпуса
Рис. 2.8. Зависимость теплового со-
противления переход — корпус от дли
телыюсти импульса
Чем меньше длительность импульса и больше скважность, тем больше им-
пульсная мощность рассеивания, вызывающая разогрев перехода до максимать
но допустимой температуры. Области максимальных режимов II и III при
этом перемешаются вправо — в область больших значении токов и напряжений.
Эти границы определяются экспериментально.
Тепловое сопротивление переход — корпус A’rfn-x). °С/Вт, зависит от кон
струкцин транзистора и может быть определено из области максимальных ре
жимов. Например, для режима Uksi, Iki (см. рис. 2.5) тепловое сопротив
ленис
/?г(п-к)= (Тп— Тк) f(UK»,lItl).
Импульсное тепловое сопротивление переход — корпус связано с тепловым
сопротивлением в статическом режиме соотношением
Rr.u(n-X>~ (I- КЗ’Axil Низ,ul К,ui) Rttn-xl.
Все мощные биполярные транзисторы СВЧ диапазона предназначены для
работы в режимах с отсечкой коллекторного тока. Допустимые электрические
режимы на постоянном токе (по напряжению и мощности рассеивания), как
правило, существенно отличаются от динамических режимов работы.. Приве-
денные в справочнике параметры мощных СВЧ транзисторов позволяют поль-
зоваться типовой эквивалентной схемой для оценки их эксплуатационных ха-
рактеристик. Эквивалентная схема транзистора в активно»! режи*1е показана
па рис 2.9
Параметры некоторых элементов, изображенных на схеме, в справочных
данных отсутствуют. Это значит, что эквивалентная схема может быть соот-
Рис 2.9. Эквивалент пая схема мощногоСВЧ транзистора в активном режиме
23
Рис. 2.10 Вид спектра частот вы-
ходного сигнала при измерении ко-
эффициента комбинационных состав-
ляющих методом двухтонового сиг
нала
/ — основной тон. 2— комбинационные
состаалающие 3-1 о порядим; 3 — комби-
национные составляющие 5-го порядка
вегствующнм образом упрощена. Например, если не приводится последователь-
ное сопротивление коллекторе, то это означает малое влияние этого параметра
на типовые эксплуатационные характеристики и он может быть исключен из
схемы. Приводимое в справочнике значение емкости коллекторного перехода
СВЧ мощных транзисторов включает в себя значения емкостей металлизиро-
ванных площадок в структуре транзистора и емкостей корпуса. То же отно-
сится и к понятию «емкость эмиттерного перехода».
Линейные усилительные свойства мощных высокочастотных линейных тран-
зисторов характеризуются параметрами, методы измерения которых осиовыва
ются на использовании двухтонового сигнала, состоящего из двух гармоничс
скнх сигналов.
Нелинейные свойства транзисторов в этом случае оцениваются коэффици-
ентом комбинационных составляющих третьего и пятого порядков, являющихся
отношением наибольших амплитуд соответствующих комбинационных состав-
ляющих спектра выходного сигнала (рис. 2.10) к амплитуде основного топа.
Между средней мощностью линейного двухтонового сигнала и мощностью
в инке огибающей существует соотношение Р„ых~Рвых(п . ,/2. Это соотношение
используется для расчета КПД коллектора транзистора в режиме двухголово-
го сигнала.
В процессе монтажа транзисторов в устройство механические и тепловые
воздействия на них не должны превышать значений, указанных в ТУ, так как
это может привести к растрескиванию изолятора и, следовательно к нарушению
герметичности корпуса транзистора. При рихтовке, формовке и обрезке участок
вывода у корпуса транзистора должен быть закреплен таким образом, чтобы
в месте выхода вывода из корпуса (изолятора) ои не испытывал изгибающих
или растягивающих усилий. Оснастка для формовки выводов должна быть
заземлена Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба вывода ирн
формовке, должно быть не менее 2 мм, если оно не оговорено в ТУ на кон-
кретный тип транзистора. При диаметре вывода не более 0,5 м.м радиус его
изгиба должен быть не менее 0,5 мм ирн диаметре от 0,6 до 1 мм — ие менее
1 мм; при диаметре более 1 мм — не менее 1,5 мм.
При лужении, пайке и монтаже транзисторов следует принимать меры,
исключающие возможность их повреждения из-за перегрева и механических уси-
лий При лужении и пайке расстояние от корпуса (изолятора) до места луже-
ния и пайки должно быть не менее 3 мм, если в ТУ на конкретный тип тран-
зистора не указано иное.
Допускается пайка выводов без теплоотвода и групповым методом, если
температура припоя не превышает 260+5° С, а время пайки не более 3 с, если
в ТУ на конкретный тип транзистора не указано иное
Печатные птаты очищают от флюсов жидкостями не портящими покрытие,
маркировку и материал корпуса транзистора (рекомендуется спнртобеизиновая
смесь).
В процессе мошажа, транспортировки, хранения ВЧ и СВЧ биполярных
транзисторов и полевых МДП-транзисторов необходимо обеспечивать защиту
их от воздействия статического электричества. Способы защиты приведены в
ОСТ 11 аА0.336013—73.
24
К числу важнейших предупредительных мер относятся: хорошее заземление
оборудования и измерительных приборов, применение заземляющих браслетов
(или колец) между телом оператора н землей, антистатических халатов; исполь-
зование низковольтных электропаяльников с заземленным жалом При включе-
нии транзистора в электрическую цепь, находящуюся иод напряжением, кол-
лекторный контакт должен подсоединяться последним и отсоединяться первым.
С целью предупреждения появления в процессе настройки цепи мгновенного на-
пряжения на коллекторе, превышающего максимально допустимое значение, ре-
комендуется проводить ее настройку при понижен ной входной мощности, посте-
пенно достигая номинального значения.
Полевые МДП-трапзисторы обычно хранят и транспортируют при наличии
замыкателей па их выводах. Замыкатели удаляют непосредственно перед вклю-
чением (монтажом) транзистора в устройство. При пайке все выводы МДП-тран-
зистора должны быть закорочены. При сохранении минимальных значений тока
затвора полевых МДП транзисторов необходимо применять меры, предохраняю-
щие корпус от попадания флюса и припоя. При выборе лаков или компаундов
для заливки плат с полевыми МДП-трапзисторами необходимо учитывать влия-
ние этих материалов на ток утечки затвора транзистора.
При применении полевых МДП транзисторов в радиоэлектронной аппара-
туре необходимо принимать меры для их защиты от электрических перегрузок.
ЧАСТЬ ВТОРАЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТРАНЗИСТОРОВ
Раздел третий.
Транзисторы биполярные низкочастотные
Транзисторы п-р п
П701, П701 (А, Б)
Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные структуры п-р-п усили-
тельные низкочастотные. Предназначены для применения в усилителях и гене-
раторах радиоэлектронных устройств Выпускаются в металлостеклянном кор-
пусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается па корпусе.
Масса транзистора не более 12 г, с крепежным фланцем - не более 16 г.
moi. moilA.6i
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1з'кд“'1О В
7'= + 20эС, /к-0,5 А П701Б 30 100
7=+25° С:
/к=0,5 А П701 . .... 10 40
/к =0.2 Л П701А ....... . . 15. .60
7=+125" С.
/к=0,2 А П701 . . . . 10..90
/к=0.2 А П701Л ... 15 120
7 = — 55’С, /к = 0.5 Л П701В, не менее . . 15
7--60’ С:
/к 0,5 А П701, не менее 6
/к = 0,2 Л П701А, не менее . . . 9
26
Продолжение
Модуль коэффициента передачи тока па высокой частоте
при Vkb=20 В, /к=0,1 А. /=5 МГц, не менее ... 2,5
Входное напряжение при Пкл=10 В, /к = 0,5 А, не более 4 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при 1К~
= 0,5 А, /в=0,1 А, не более ... 7 В
Обратный ток коллектора при /?«»= 100 Ом, не более:
Б’кВ=40 В П701, П701Б ... .... 100 мкА
1>’кв=60 В П701Л . . . 100 г кА
Обратный ток коллектора при /?«,= 100 Ом. не более:
более
7=-60 и +25° С, б/кэ*50 В П701, П701А ... 0,5 мА
7= —55 и +20" С, Б’кэ = 50 В П701Б .... 0,5 vA
Т= +100° С, Пкэ=50 В П701Б .... 5 мА
Р — 4-125° С:
икэ=35 В П701..................................3 мА
С/кэ-50 В П701Л............................ ... 3 мА
Обратный ток эмиттера при UgC — 3 В, не более ... 3 '.’А
Предельные эксплуатационные данные
Постояннее напряжение коллектор эмиттер1 при
/?й,100 Ом:
7=-60 .4-100° С:
П701 ......................... 40 В
П701А ....................60 В
7--55 .4-100° С П701Б . 40 В
Импульсное напряжение коллектор—вмптгер1 при
1^0,5 А, /?б^100 Ом:
7=-60 ..+ 100° С:
П701 ....................................... 30 В
П701А .... 50 В
Постоянное напряжение коллектор — база1:
7=-60 +100° С:
П701 .......................... 40 В
П701А .............60 В
7= —55...+100°С П701Б . ................40 В
Постоянное напряжение эмиттер — база:
7——60. +80°С П701, П701А . . 2 В
7=-55... + 80° С П701Б . 2 В
7=+80. .+120°С 11701, П701А ... . . 1,8 В
7= + Ю0°С П701Б . ....................1,8 В
Постоянный ток коллектора...................... . . 0,5 Л
Импульсный ток коллектора...........................1 _А
Постоянный ток эмиттера......................... ... 0,7 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
с теплоотводом2 ... .............10 Вт
без теплоотвода5 .............1 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус . . 10 С Вт
Тейповое сопротивление переход — среда .... 85° С/Вт
Температура р-n перехода ...........................+150' С
3 При Гк=+50 + 130сС рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается по
формуле
^Н.м1ксг Вт—ИЗО-ТкУ/Я-пп ку
8 При 7 =+65...+120 СС рассеиваемая мощность коллектора рассчм! ывается по
формуле
27
Температура окружающей среды:
11701, II70IA
11701Б
П родолжение
-60.+ 125° С
-55 + 100 °C
Падка вывозов транзисторов рекомендуется ие ближе 5 мм от корпуса.
Температура пайки не более +280 °C, время касания вывода не более 3 с.
П702, П702А
Транзисторы кремниевые, мезапланарные структуры п-р-п усилительные
Предназначены для применения в выходных каскадах усилителен низкой ча-
стоты, переключающих устройствах, преобразователях и стабилизаторах по
стояппого напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими
выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2-1 г, с крепежным фланцем—не более 34 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1Лсв=10 В, /к=1,1 А. не менее:
7к= + 25 и +120“С:
П702 ...................................... 25
П702А..........................................Ю
Т= -60 С:
11702 .............. .... 10
П702А..........................................5
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при 17кэ= 10 В. /к=1 Л, / = 1 МГц, не менее 4
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к 1 Л,
h. 0,2 А, пе более:
Н702 ....................................... 2.5 В
П702А . ... 4 В
Образный ток коллектора при С/Кс=70 В, не более:
Г=-60’С и ГК = +25°С:
П702 ...................................... . 5 мА
П702/Х.........................................2,5 мА
TV-+ 120'С.
II702 ....................................... 10 мА
П702А , . ... 5 мА
28
Продолжение
Обратный ток коллектор — эмиттер при Лсэ=Ю0 Ом,
Uкз = 70 В, не более:
Т=-60гС и 7, = +25° С;
П702 ....................................... 10 мЛ
I1702A ....................... ... 5 мА
Т- + 120° С:
П702 15 мА
П702А .... 7,5 мА
Обратный ток эмиттера при (Л>е=3 В, не более:
7\ = + 25°С . . 5 мА
Т„ = + 120°С.........................................15 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер и коллек-
тор — база
7„-^ + 120°С.........................................60 В
Тп- + 150° С......................................30 В
Постоянное напряжение эмиттер — база.................ЗВ
Постоянный ток коллектора ................2 _А
Постоянный ток базы..................................0.5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
с теплоотводом 2:
7»sC+50°C...........................................40 Вт
7х= + 120°С.......................................12 Вт
бел теплоотвода 3:
Г С+20 °C......................................4 Вт
7'=+ 120° С.......................................0.9 Bi
Тепловое сопротивление переход — корпус..............2,5° С/Вт
Тепловое сопротивление переход — среда..................33 С/Вт
Температура рп перехода .................................+ 150“ С
Температура окружающей среды.........................от Т= —60 С
до Тк= + 120°C
При ГП- + 12О-+15О'С 1Гп~Тк + Кт „ напряжение снижается линейно.
8 При Гк =+50... + I20 °C рассеиваемая мощность коллектор» рассчитывается по
’’клее Bt=(I50-Tx)/RT(„_k1.
з При Г-+20..+ 120 СС рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается по фор-
Р К.макс» Вт=(150-Г>/ЯТ(п с).
КТ 503 (А, Б, В, Г, Д, Е)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п уни-
версальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, опе-
рационных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных уст-
ройствах Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается в этикетке
Масса транзистора не более 0,3 г.
29
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока и схеме ОЭ при
£^кэ=5 В, /э=10 мА.
КТ503А, КТ503В. КТ503Д, КТ5ОЗЕ .... 40 120
KT503R, КТ5ОЗГ ... 80 240
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
с общим эмиттером при Б\э-5 В, /а = 3 мА, не менее . 5 МГц
Граничное напряжение при /а=10 мА, /„^30 мкс, Q>100,
не менее
КГ503Л. КТ503Б 25 В
КТ503В. КТ503Г . 40 В
КТ503Д 60 В
КТ503Е .... 80 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к —
= 10 мА, Л.= 1 мА. не более ... .... 0,6 В
типовое значение............................. ... 0,2* В
Напряжение насыщения база — эмиттер при 7К=Ю мА.
/г=1 мА. не более ..................................... 1,2 В
типовое значение ... . 0,8* В
Обратный ток коллектора при I-'kh—Ukh.m-ikc, не более 1 .мкА
Емкость коллекторного перехода при С/кв = 5 В, f=
= 465 кГц, ие более . ....................20 иФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
К1503А. КТ503Б . 40 В
КТ503В KT503I..................................... 60 В
КТ503Д...............................................80 В
КТ503Е 100 В
Постоянное напряжение база — эмиттер..................... 5 В
Постоянный ток коллектора . ..............0,15 А
Импульсный ток коллектора при t„^I0 мкс. 100 . 0,35 Л
Постоянный ток базы.....................................0,1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т=
—-4О...+25°С ... ............. . . 0,35 Вт
Температура рп перехода .... ... +125°C
Температура окружающей среды.......................... —40. +85°C
Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора с ра-
диусом закругления 1,5.2 мм, при этом должны приниматься меры, исклю-
чающие передачу усилии на корпус Изгиб в плоскости выводов не допу-
скается
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса.
При папке жало паяльника должно быть заземлено Разрешается производить
пайку путем погружения выводов не более чем на 3 с в расплавленный припой
с температурой не выше +250°C.
2Т504 (А, Б)
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п переключательные
низкочастотные. Предназначены для применения в высоковольтных стабилиза
торах напряжения и преобразователях. Выпускаются в металлостеклянном кор
пусе с гибкими выводами Тип прибора указывается иа корпусе
Масса транзистора не более 2 г
30
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при С/кг, 5 В. /э“0,5 Л:
Г— +25° С...............................
Т= + 125° С, не менее...................
7"= — 60° С, не менее ....
Граничная частота коэффициента передачи тока
в схеме с общим эмиттером при (Укг,—16 В
/а=0,05 А
Граничное напряжение1 при /э ЗО мА, /и=300мкс,
0^ 100 и 1 мкс, не менее:
2Т504А
2Т504Б . .
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при
/к = 0,5А, Гв = 0,1 А
Напряжение насыщения база — эмиттер при 1к =
-0,5 А. /с=0,1 А
Время включения при /к=0,5 А, 0,05 А
Время выключения при /к=0,5 А, /г-0.05 А
Время рассасывания при /к= 0,5 Л, 1г,-0,05 А
Обратный ток коллектора:
Г——60...4 25’С:
Uкг, = 400 В 2Т504А................
С/кв=250 В 2Т504Б.........................
Т= + 125° С.
С7кв=250 В 2Т504А, не более . . . .
Окп—150 В 2Т504Б, ле более . . . .
Обратный ток эмиттера при 47ЭВ = С> В . . .
Емкость коллекторного перехода при Пяк=10 В,
/—10 МГц . .
Емкость эмпттерного перехода при С/ев = 0,5 В,
f 300 кГц . . . . ...
15 24*. 100*
8
20 56* ...82* МГц
250 В
150 В
0,2*...0,35*...1 В
0,84*.. 0,92е. 1,6 В
0,043*. 0,06*. 0,1 мне
0,49* 1,5* 3,5 мкс
0,4* 1,7* .2,7 мкс
0,005* 20* 100 мкА
0,005*.. 50*.,.100 мкА
1000 мкА
1000 мкА
0,002* .11*. 100 мкА
14*. 16* 30 пФ
160* 238* 300 пФ
1 При включении напряжений, меньших Пк00.гр, Допускается время нарастания на-
пряжения не менее 0,2 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при
ЯкаСЮО Ом:
2Т504А .... ............ 350 В
2Т504Б . . .... 200 В
31
Постоянное напряжение коллектор— база *•
2Т504А .
2T504D.................................
Постоянное напряжение эмиттер — база 1
Постоянный ток коллектора2...................
Импульсный ток коллектора1-2 при /„^500 мкс.
Постоянный ток базы 1 2 .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 с
теплоотводом при Г=-60°С до 7\ = +25°С .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора3
без теплоотвода при 7"= —60...+ 25° С . . . ,
Темпе] атура р-п т ерехода . ..............
Температура окружающей среды (корпуса)
Продолжение
400 В
250 В
6 В
I Л
2 Л
0,5 А
10 Вт
1 Вт
+ 150° С
— 60...+125°С
1 При времени нарастания напряжения не менее 0.5 мкс.
1 Ье превыш ни величины постоянной рассеиваемой мощности коллектора.
• При Тк — +25...+125 °C и использовании транзистора с теплоотводом и при
7'=+ 25...+125 °C и использовании транзистора без теплоотвода рассеиваемая мощность
коллектора <1 пя астся лииеЯио
Расстояние от корпуса транзистора
менее 3 мм.
до начала изгиба и панки вывода
нс
Зависимости тока базы от напря-
жения база — эмиттер
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока эмит-
тера
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор — эмиттер от тока
коллектора
Зависимость напряжения насыщения
база — эмиттер от тока коллектора
32
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от темпера-
туры
Зависимости времени включения, вы-
ключения, рассасывания от тока
коллектора
Зависимости допустимого напряже-
ния коллектор — эмиттер от сопро-
тивления в цепи база — эмиттер
Зависимости допустимой рассеивае-
мой мощности коллектора от темпе-
ратуры корпуса
Области максимальных режимов
3 Заказ № 1004
33
2Т504 (A-5, Б-5)
2150U 5, 2TS0U6 5
Транзисторы кремниевые планар-
ные структуры п-р-п переключатель-
ные низкочастотные. Предназначены
для применения в устройствах управ-
ления газоразрядными панелями пе-
ременного тока, высоковольтных ста-
билизаторах напряжения и преобра-
зователях. Бескорпусные с контакт-
ными площадками без кристалло-
держателя, разделенные или нераз-
деленные (на обшей пластине). Тип
прибора указывается в таросопрово-
дительной документации.
Масса транзистора не более
0,002 г
параметры
Граничное напряжение при /е = 30 мА, <„=300 мкс.
нс менее:
2Г504А-5 . . ...
2Т5О4Б 5 .................
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при UKk 5 В. /а=0,5 А:
7=+ 25 С ....................
7=+ 125° С, не менее........................
7= — 60° С, не менее . . ...
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/к=0,5 А, /в=0,1 А..............................
Напряжение насыщения база—эмиттер* при /к =
=0,5 А, /Е=0,1 А ...
Время включения при /к=0,5 А, /в=0,05 А
Время выключения при /к=0,5 А, /в=0,05 А
Время рассасывания при /к=0,5 А, /в=0.05 А
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме с общим эмиттером при (Уке=10 В, 7а=0,05 А
Обратный ток коллектора
7= ч-25° С-
Ukb-400 В 2Т504А 5........................
Uкв=250 В 2Т504В-5........................
7== - 125' С
(7кв=250 В 2Т Ю4А-5 не более . ,
{/кв=150 В 2Т504Б 5, не более
Обратный ток эмиттера при 1/эв=6 В ...
Емкость коллекторного перехода при Ukb= 10 В
f=10 МГп . .
Емкость эмнттерного перехода при {/sb=0,5 В
7=300 кГц.......................................
250 В
150 В
15.. 24* 100*
8
7
0,2* 0,35*...! В
0 84* ..0,92*...!,6* В
0,043*..,0,06*...0,07 мкс
0 49*...1,5*...3 мкс
0,4* ..1 7*...2,25» мкс
40*...56*. .82* МГц
0,005* 20*... 100 мкА
0,005*...50*...Ю0 мкА
1000 мкА
1000 мкА
0,002» 11*. 100 мкА
14*...16* 18* пФ
160* ..238*...300* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер 1 при
/?ба= 100 Ом:
2Т504Л 5 ................................. 350 В
2Т504Б 5 .................................. 200 В
34
Продолжение
Постоянное напряжение коллектор — база1;
2Т504.А-5 . . . 400 В
2Т504Б-5 .... 250 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 6 В
Постоянный ток коллектора* 2...................1 А
Импульсный ток коллектора2 при /usg500 мкс,
Q>2..............................................2 Л
Постоянный ток базы2...........................0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
с теплоотводом3 при Тя = —60...+25 °C .... 10 Вт
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без
теплоотвода 4 при Т=— 60. .+25 °C................25 мВт
Температура р-п перехода . . . . +150° С
Температура окружающей среды . . . —6О...+ 125°С
’ При времени нарастания напряжения не менее 0,5 мкс.
2 Бел превышения постоянной рассеиваемой мощности.
3 При 7\-+25. +125 °C рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается по
формуле
f’K Вт-(!50-Гк)//?„п_к)-.
RT{n—к Должно быть не более 12.5° С/Вт.
* При тепловом сопротивлении переход—кристалл не более 5 С/Вт.
При монтаже транзисторов в микросхему нагрев кристалла не должен
превышать +420 °C.
Зависимости тока базы от
напряжения база — эмиттер
Зависимость статического коэффициента
передачи тока от тока эмиттера
Зависимость напряжения насыще-
ния коллектор — эмиттер от тока
коллектора
Зависимость напряжения насыщения
база — эмигтер от тока коллектора
3'
35
Зависимости времени включения,
выключения, рассасывания от тока
коллектора
Зависимости допустимого напряже-
ния коллектор — эмиттер от сопро-
тивления в цепи база — эмиттер
Об 1асти максимальных режимов
2Т506 (А, Б), КТ506 (А, Б)
Транзисторы кремниевые планарные структуры л р-п переключательные
Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных
модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. Выпу-
скаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими вы
водами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
36
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при Uke — 5 В /е=0,3 А
Г=+25°С 30. 80* 150
Т= + 125° С 2Т506А, 2Т506Б не менее 30
Г««— 60° С 2Т506А, 2Т506Б, не менее 10
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме с общим эмиттером при Uitb=10 В 78=0,03А 10 17* 21* МГц
Граничное напряжение при /8=30 мА не менее
2Т506А, КТ506А 400 В
2Т506Б, КТ506Б . . ... 300 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/к=0,3 A, /Е=0,03 А.......................... О 15*...0,35*.. 0,6 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к =
=0,3 А /в=0,03 А 0,74*. 0,76*...1 В
Время включения при {7кэ=200 В, /к=1 А,
/в-0,2 Л . . 0,08* 0,19* .0,25' мкс
Время рассасывании при Ukb —200 В, /к=1 А
/в=0,2 А.........................................0,8*...1,35*...!,56* мко
Время спада при 1/кэ=200 В /к 1 А, /в=0,2 А 0,2* ..0.35*. 0,5 мкс
Обратный ток коллектора, не более'
7 =+25° С:
t/Kb=80b В 2Т506А, КТ506А .... 1 мА
D’kb=600 В 2Т506Б, КТ506Б . ... 0,2 мА
Т= + 125° С'
<7кь=400 В 2Т506А .................0.2 мА
Ь'кв--300 В 2Т506Б ... 0,2 мА
Обратный ток эмиттера при 7/8Е = 5 В не более . 1 мА
Пробивное напряжение коллектор — база при /кво=
= 1 мА не менее;
2Т506А . 800 В
2Т506Б .... 600 В
Емкость коллекторного перехода при 17кЕ—5 В 25*. 30* 40 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Т/ЭЕ=1 В 940*. 980*.,.1100 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база
2Т506А, КТ506А................................ 800 В
2Т506Б КТ506Б . 600 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
Rea<10 Ом, <rt//dZ<I600 В/мкс:
2Т506А КТ506А . . . 800 В
2Т506Б, КТ506Б . 600 В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при
/?в.<10 Ом, f„^50 мкс dl//dZ<1600 В/мкс:
2Т506А КТ506Л . . . 800 В
2Т506Б, КТ506Б . . . 600 В
Постоянное напряжение эмиттер — база ... 5 В
Постоянный ток коллектора . . 2 А
Импульсный ток коллектора . .... 5 А
Постоянный ток базы . .... 0,5 А
Импульсный ток базы . . , 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора •:
с теплоотводом:
1 Значение Рк u определяется по формуле
где К — коэффициент, определяемый из графике.
37
Нродь имение
10 Вт
Т= -60<'С...7х = + 25°С 2Т506Л, 2Т506Б и
7'=-45“С...7'я = + 25°С КТ506А. КТ506Б2 .
без теплоотвода:
7 = -60..+25сС 2Т506Л. 2Т506Б и
7 = -45...+ 25° С КТ506А, КТ506Б2 . , ,
Температура перехода . .
Температура окружающей среды:
2Г506А, 2Т506Б................................
КТ5С6А, КГ50(>Б............................
0.8 Вт
+ 150°С
-60е С...Тк= + 125сС
-45° С.. 7К=+ 100' С
’ При 1п +25'С (с теплоотведем и без тсплесМвода) Р1( М1КС снижается лнненно.
Входные характеристики
Зона возможных положений зависимости стати-
ческого коэффициента передачи тока от темпе-
ратуры
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от напряжения
коллектор — база
38
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока эмит-
тера
Зависимость напряжения насыщении
коллектор—эмиттер от тока коллек-
Зависимость напряжения насыщения
база — эмиттер от тока коллектора
тора
Зависимости времени
включения, спада и рас-
сасывания от тока кол-
лектора
Зона возможных положений зависимости про-
бивного напряжения коллектор — эмиттер от со-
противления в цепи база — эмиттер
Зависимости допустимой рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры корпуса
Области максимальных режи-
мов
39
Зависимости значения коэффициента для расчета допустимой импульсной мощ-
ности коллектора от длительности импульса
2Т704 (А, Б), КТ704 (А, Б, В)
Транзисторы кремниевые мезаплаиарные структуры п-р-п импульсные.
Предназначены для применения в импульсных высоковольтных модуляторах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и впитом.
Тип прибора указывается на корпусе. Вывод эмиттера маркируется точкой.
Масса транзистора ие более 20 г
гГ7ОЬ(А,Б), КТ7ОЪ(А В)
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
7к=2,5 А, /в="1.5 А, не более .................5 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=»
= 2,5А, /в=1,5 А, не более .... 3 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:
при UKa = 15 В, /к=1 А
у___|_ 25' С:
2Т704А 2Т704Б, КТ704А КТ704Б . . . 10 100
КТ7О4В не меиее ... 10
7'= —60° С 2Т704А 2Т704Б 6 10
при 17кв=10 В, /х = 0,5А, Г= + 125°С 2Т704А
2Т704Б . . 6.300
Мо ль коэффициента передачи тока при МГц,
Um. 15 В /к—0,1 А, ие менее ... 3
40
Продолжение
Обратный ток коллектор — эмиттер при Re>=10 Ом,
не более:
-|-25о С.
{>'«3=1000 В 2Т704'\ ..............5 мА
{7кэ=700 В 2Т704Б, КТ704Б ... Б мА
«7x3= 500 В КТ704В , . ... Б мА
7=-60 и +125° С:
{7x3=700 В 2Т704А ................J0 мА
{7хэ=500 В 2Т704Б 10 мА
Обратный ток эмиттера при {7ь-э=4 В не более 100 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
/?ба=10 Ом или смещении UE0= 1,5 В:
2Т704А, КТ704Л ............ 500 В
2Т704Б’ при 7=-10’С до 7x= + 80oC 400 В
КТ704Б, КТ704В 400 В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер2 при
Яв.,=-10 Ом или смещении 17сэ=1,5 В, tu- 1 10 мс,
10 мкс, 0^50 или <и<1 мс, /^>10 мкс,
Q>10:
7=-40°C.J«=-l 80° С:
2Т704Л ...................... 1000 В
2Т704Б .................... 700 В
Т= -60° С...7’и = + 100°С:
2Т704А ...... 700 В
2Т704Б .......................... 500 В
7=-45° С ..7х = + 85°С:
КТ704А ................... 1000 В
КТ704Б . . . . 700 В
КТ704В .... 500 В
Постоянное напряжение база — эмиттер . 4 В
Постоянный ток коллектора 2,5 А
Импульсный ток коллектора при {«=10 мс, 0^2 4 А
Постоянный ток базы 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 3.
Т=—60°С...7к=+50с’С 2Т704А, 2Т704Б 15 Вт
7-—45’С. 7и=+50°С КТ704Л, КТ704Б, КТ704В 15 Вт
Температура перехода ... +125 °C
Температура окружающей среды.
2Т704А, 2Т704Б ............ —60 С ..?«= +100 6
КТ704Л КТ704Б, КТ704В........................ -45° С. 7я = +8б"С
1 При Г<-10 С и 7„>+80'С для 2Т701Б икэ ЛОЖС-350 В (для 2Т704А
Ыкэ „„KC=500 В во всем диапвзоне темпера гур}.
3 При Г--40...-60°Т и Тя-+80...100 X Ыкэ u яак<. снижается линейно до 700 В
для 2Т7О1А и 6Ш1 В для 2Т704Б.
’ При Тх-+50. . + 10СГС для 2Т704А. 2Т704Б и Т„—Ь50...+85’С для КТ704А, КТ704Б,
КТ7О4В рассеиваемая мощность коллектора определяется по формуле
^К-макс' к ^Т(п —к?
где 7п—максимальная температура перехода: Т„ — температура корпуса ЛГ(п_ж) —
тепловое сопротивление переход—корпус» определяемое из области максимальных ре-
жимов
При конструировании аппаратуры следует учитывать возможность само-
возбуждения транзистора за счет паразитных связей
Транзисторы крепят к панели ганками Осевое усилие на винт должно быть
не более 120 кг. Пайка выводов допускается ие ближе 2 мм от корпуса тран-
зистора
41
Зависимости тока базы от напря-
жения база — эмиттер
Зависимость тока эмиттера от на-
пряжения база — эмиттер
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
Зависимости напряжения насыщения
коллектор — эмиттер от отношения
тока коллектора к току базы
Зона возможных положений зависи-
мости емкости коллекторного пере-
хода от напряжения коллектор —
база
Зона возможных положений зави
симостн емкости эмпттерного пере-
хода от напряжения база — эмит-
тер
4
Зона возможны^ положений завнсп-
мости статического коэффн шента
передачи тока от темпера 1уры
Зона возможных положений зависи-
мости допустимого напряжения кол-
лектор— эмиттер от сопротивления
база — эмш тер
Области максимальных режимов:
с — 2Т704Л, КГ704А; б — 2Т704Б. KT704L; 1 — режим на постоянном токе; // — импульс-
ныП режим при Яез^10 Ом или 1ед—1,5 В. r„ — i 10 мс, Q^5O, I^^IO мкс или
Гм<1 МС, 0^10, /фЗЯО мкс
ГТ705 (А, Б, В, Г, Д)
Транзисторы германиевые сплавные структуры п рп усилительные Пред-
назначены для применения в усилителях мощности низкой частоты Выпускают-
ся в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами
Масса транзистора ие более 15 г
43
Г1 ЮЫ А Д1
0 21
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при L/Kb = 1 В, /а=0,05 А
ГТ705А ГТ705В ........................... 30 70
П705Б, ГТ705Г . ................. 50 100
ГТ705Д . 90 250
Предельная частота коэффициента передачи тока
в схеме с общим эмиттером при l/g-a=2 В /к=0,5А
не менее ... .... 10 кГц
Линейность статического коэффициента передачи
тока
йгн> при /о=0,05 А
К<=; ;—“Z......................... 0,6... 1,5
«21В при /в =1,5 А
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/к = 1,5А 7в=0,1 А, не более . . . 1 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при 1к—
= 1,5 А, /о—0,1 А ие более ... 2 В
Обратный ток коллектора при 17яБ=20 В ГТ705А,
ГТ70аБ ГТ705Д и при UK£=30 В ГТ705В ГТ705Г,
не более 0,5 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер при /?в»=50 Ом,
1/д>=25 В ГТ705А ГТ705Б ГТ705Д и при UKB=
=36 В ГТ705В ГТ705Г не более 1,5 мА
Обратный ток эмиттера при (7Бэ=10 В ие более 0,3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
50 Ом:
ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705Д . 20 В
ГТ705В, ГТ705Г . 30 В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при
/?сэ=50 Ом, /„<3 мс, Q>10
ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705Д ..... 25 В
ГТ705В, ГТ705Г .................35 В
Постоянный ток коллектора .............3 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
с теплоотводом, Г= — 40°С...Г„ = +40оС . . 15 Вт
без теплоотвода, 7’=—40сС...+35сС . 1,6 Вт
1 При Гк> + 40°С в транзисторах с теплоотводом
Г> + 35°С без теплоотвода Р1( макс> Вт-- (+85-Г)/30.
Р К,мало- Вт-(+85~Гк>/3, при
44
Продолжение
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход — среда
Температура перехода ..................
Температура окружающей среды
3°С/Вт
30сС/Вт
+85° С
—40°С ГЯ-+5Б°С
Допускается подключение выводов ие ближе 6 мм от корпуса любым спо-
собом (пайкой, сваркой, пайкой, погружением н т п) при условии, что темпе»
ратура в любой точке корпуса не превышает предельно допустимой темпера-
туры окружающей среды.
КТ710А
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры п-р-п импульсный. Пред-
назначен для применения в высоковольтных стабилизаторах и импульсных уст-
ройствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими вы-
водами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 61 г
9 ектрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при Ukb~ 10 В, /«=4 А, ие менее:
Ум = 4-25° С .................3,5
Гж=-60 и +100°С 1,5
Граничное напряжение при /к—0,1 A, L=40 мГн,
не менее.................................. 1000 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/х = 4 А, /е=3 А, не более . 3,5 В
Время спада при {7хэ=750 В /к—4,5 А, /в=1,8 А
Ubb=5 В, типовое значение 8* икс
Время рассасывания при Ukb — 750 В 1К 4,5 А,
7в=1,8 A, UtiB=5 В типовое значение , 30* мкс
Обратный ток коллектора, не ботее
Г=+25°С. t/Kt=3000 В . . 2 мА
Т~+ 00° С, 1000 В .........................3 мА
Т -60е С, ^кс-ЮОО В . , . 2 мА
Обратный ток эмиттера при UEb 5 В ие ботее . 300* мА
45
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база1 при
Л, = -40 .+75° С ....................... 3000 В
Постоянное напряжение коллектор —эмиттер1 при
/Ля,= 10 Ом, /(<>>4,8 мкс, 7« = -40...+75°С 3000 В
Постоянное напряжение база—эмиттер 1аво=300 мА 5 В
Постоянный ток коллектора..................... . 5 А
Импульсный ток коллектора при /и^10 мс, Q>5 7,5 А
II >стоянпая рассеиваемая мощность коллектора 5 при
7 « =— 60...+50 °C..............................50 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при
7К = + 25°С, Г„= + 125°С, /и<10 мс, Q>5 . . 70 Вт
1 емпература р-п перехода ......................+125° С
Температура окружающей среды ..... — 60°С...Тк = + 100°G
1 При Тк-+75...4-100 С и тк------4О...-6О°С 1.КВмпе и 1>кэп.и,«аИс уменьшаются
линейно до С'кэо
* При Гк —+ 50... + 100 °C Рк м11кс рассчитывается по формуле
к,микс- Вт-(125-
При конструировании аппаратуры следует учитывать возможность само-
возбуждения за счет паразитных связен.
Допустимое значение статического потенциала 2000 В
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 5 мм от корпуса при
температуре припоя +260 °C в течение не более 3 с.
Выходные характерис-
Входные характеристики
тики
Зависимость максимально допустимого по-
стоянного напряжения коллектор — эмиттер
от сопротивления база — эмиттер
Зависимости напряжений
насыщения коллектор —
эмиттер и база — эмит-
тер от тока базы
46
лектор — эмиттер от дли-
тельности фронта
ка коллектора
Область максимальных ре-
жимов
КТ715А
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры п-р-п импульсный Пред-
назначен для применения в высоковольтных импульсных устройствах. Корпус
металлокерамический с жесткими выводами. Тип прибора указывается па
корпусе.
Масса транзистора не более 80 г.
КТ715А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при {/к8=10 В, /к-0.2 Л, не менее:
Т +25° С .................... 15
Т= + Ю0 и -60° С...........................8
Модуль коэффициента передачи тока в схеме ОЭ
при (7к»=10 В /к=0.2 Л, f=l МГц, не менее 0.45
Граничное напряжение при /к=0,2 A, t=100 мГн,
не менее 1500 В
47
Продолжение
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/к=0,2 А, /в=0,05 А, не более .................
Время спада прн 1/* *в=500 В, /<=0,5 А, /в=0,2 А,
1/вв=б В . ......................
Время рассасывания при £/кв=500 В, /к=0,5 А,
/в=0,2 А 1/8в=5 В..............................
Обратный ток коллектора, не более:
7=+25 С, 1/ив=5000 В . , . . .
7=-60 и +100° С, t/кв = 1000 В
Обратный ток эмиттера при 1/вв=5 В не более .
3 В
1,3.4,8 мкс
19. .27,5 мкс
1 мА
3 мА
10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база1 при
Т= —40 -75° С ..................................
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора при /„^500 мкс,
050.............................................
Постоянный ток базы.............................
Импульсный ток базы при tvC500 мкс, Q^50 .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора8
при 7'к = +5О°С ...........................
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора прн
Гя=+50°С . . .................
Температура р-л перехода........................
Температура окружающей среды....................
5000 В
2 А
2 А
2 А
2 А
75 Вт
3000 Вт
+ 125°е
-60° С T«- + 100°G
1 Ппи Г, —+ 75...+100 °C и Г. ——40...—60 °C снижается линейно до 1500 В
К * rlD.JlUnu
* При Г„- +50. . + 100 "С Рк рассчитывается по формуле
^К.лахс Вт—(125—Г«)/ЛГ(П_Ж).
Входные характеристики
Зависимость статическо-
го коэффициента переда-
чи тока от тока коллек
тора
Зависимости напряжений
насыщения коллектор —
эмиттер и база—эмит-
тер от тока базы
48
Области максимальных режимов
Зависимость времени
спада от тока коллек-
Зависимость импульсного теплового со-
противления переход — корпус от длк
тельности импульса
КТ801 (А, Б)
Транзисторы кремниевые сплавно-диффузиоиные структуры п-р п переклю-
чательные Предназначены для применения в кадровой и строчной развертках,
источниках вторичного электропитания Выпускаются в металлостеклянном кор*
нусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.
KJ8UKA S)
6
4 Заказ № 1004
49
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при 1/кв = 5 В, /ж=1 А, не менее:
КТ801Л . .... 13.50
КТ801Б ... 30 150
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме с ОЭ при (7дк=10 В, /к = 0,3 А, не менее 10 МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при
/к=1 А, /б=0,2 А, ие более ... 2 В
Обратный ток коллектор эмиттер при Reo^
100 Ом, ие более'
Г= 40е С и Тк -1-25° С:
Uкэ=80 В КТ801Л........................Ю мА
UKB=60 В КТ801В........................10 мА
Гк-+85°С
ПК8=40 В КТ801Л . . ... 20 мА
Uкв 30 В КТ801Б..................... 20 мА
Обратный ток эмиттера при 1/Эе=2,5 В. не более 2 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
/?«.,< 100 Ом
7’= —40° С .7 к- + 55° С:
КТ801А.................................80 В
КТ801Б . . . . . 60 В
Тк=+ 85° С:
КТ801А'.............................40 В
КТ801Б . . . 30 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . . , 2,5 В
Постоянный ток коллектора.................2 Л
Постоянный ток базы . . . 0,4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора •:
7=-40°С..Т« +55° С........................5 Вт
Тж=+85° С.................................2 Вт
Температура р-п перехода.....................4-150° С
Температура окружающей среды.................-6О°С...7’Н = +85°С
’ При —+В5...85 СС напряжение и рассеиваемая
мощность снижаются линейно
КТ802А
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры п-р-п универсальный.
Предназначен для применения в усилителях постоянного тока, генераторах
строчной развертки, усилителях мощности, источниках вторичного электропита-
ния. Выпускается в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора ие более 22 г, с накидным фланцем — ие более 34 г.
КТ 802А
12 2 ') <
50
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при (7кс=10 В, /к=2 Л, не менее . 15
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме с ОЭ при Г7кв=10 В, /к = 0,5 А, не менее 10 МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при
1к =5 А /б=0,5 Л, не более . . 5 В
Обратный ток коллектора при UKd= 150 В, не более:
Т=-60°С и 7’х = +25°С........................60 мА
Тх = +Ю0°С . . 200 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . 150 В
Постоянное напряжение эмиттер — база ... ЗВ
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при
/.^10 мкс. Q>2 . ... . 130 В
Постоянный ток коллектора ... . 5 А
Постоянный ток базы . 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при
Тх<+25°С ... ... 50 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус . . 2.5° С Вт
Температура р-п перехода . . 150 С
Температура окружающей среды.....................—25° С. Г» = +100 °C
1 При ГК>+25°С рассеиваемая мощность коллектора рассчи1ывастся по формуле
РК махе ®т (I50-I‘K)/RI.(n_K)
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса прибора. При
пайке температура корпуса не должна превышать +100°C. Температура пайки
не более +260°C, время панки не более 3 с.
2Т803Д, КТ803А
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п универсальные
Предназначены для применения в усилителях постоянною тока. юнераторах
строчной развертки, источниках вторичного электропитания Выпускаются н
металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на
корпусе
Масса транзистора не более 22 г, с накидным фланцем — не более 34 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при иКэ 10 В, /к 5 А
Ух = +25° С:
2Т803А ....................................
10. 20* 50
4*
51
Продолжение
КТ803А....................................10.70
Г- 60 С 2Т803А . 6 50
Моду ь коэффициента передачи тока на частоте
/10 МГц при 1/к8=10 В, /к=0,5 А . . . . 2...3* *...4,5*
Отношение статического коэффициента передачи то-
ка в схеме с ОЭ, измеренного при С/ке = 10 В, /к=
= 1 А, 7Ж- + 125°С, к измеренному при Ukb= 10 В,
/к = 5 А Тк = +25°С 2Т803А, ие более ... 3
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
1к=5 Л, /Е=1 А ... 0,5* 175* 2,5 В
Статическая крутизна прямой передачи в схеме
с ОЭ при {/кэ=10 В, 1к—5 А, не менее 2 А/В
Время включения при А,=0,5. .10 мкс, 1/кв = 40 В,
/к 6 А . 0,1*.0.3* мкс
Время спада при /и=О.5...1О мкс, /7ка = 40 В,
/к=6 А ............. .... 0,1*.„0,3* мкс
Время рассасывания при Хк(гг=2, /к=1,5 A RH =
= 10 Ом, /(. = 10 мкс ..........................0,6*...2,5* мкс
Обратный ток коллектор — эмиттер при /?св = 100 0м
Тх=+25°С, UKe -70 В 2Т803А, КТ803А 0,0025*...0,4* .5 мА
7=-60°С, /Л<э=70 В 2Т803А, ие более . . 5 мА
7К = + 125СС, /7кв=60 В 2Т803А не бочее . 15 мА
Обратный ток коллектора:
гл,.=10 в ... ..............од* .зо* зоо* мА
/7кв=60 в . . . .... 1,5* 100* .600* мА
Обратный ток эмиттера при 1/вд«*4 В
2Т803А .................0,01*.. 2*...20 мА
КТ803А . . 0 01* 2* 50 мА
Емкость коллекторного перехода при /7кв=10 В,
f=0 3 МГц . ... 300* 400* 500* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при
₽бэ=100 Ом ... . 60 В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер 1 при
Uca~2 В /,<^10 мкс, Q>2 .... 80 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 4 В
Постоянный ток коллектора . . . 10
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
Гк=£+50°С 2Т803А КТ803А* . . . 60 Вт
Л, = + 100° С КТ803А . . 30 Вт
Гк- +125°С 2Т803А 15 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус . . . 1,66® С Вт
Темпера: ура р-п перехода ... +150'С
Температура окружающей среды:
2 803А ........................-60® С...Тх= +125° С
КТ803А . . ....................—40 "С. Гк = +100° С
1 При Гп— + 100..+150 °C напряжение снижается линейно на 10% на каждые 10 °C
Температура перехода рассчитывается по формуле
Г *° к^^ттп—
* При Г„> + 50°С рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается по формуле
Р к макс' Вт—00— (Гк — 50)//?г(п—к)
Пайка выводов транзисторов должна осуществляться при температуре не
свыше +275"С в течение не более 3 с на расстоянии не менее 6 мм (2Т803А)
и Б iM (КТ803А) от корпуса транзистора.
Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах, соизмеримых
с неуправляемыми обратными токами во всем диапазоне температур
Не допускается работа транзистора в инверсном режиме.
52
КТ805 (А, Б), KT805 (AM, БМ, BM)
Транзисторы кремниевые эпи-
таксиальные структуры п-рп пе-
реключательные Предназначены
для применения в выходных кас-
кадах строчной развертки, устрой-
ствах зажигания двигателей внут-
реннего сгорания и других пере-
ключающих устройствах Выпуска-
ются в металлостеклянном корпу-
се с жесткими выводами (КТ805А,
КТ805Б) и пластмассовом корпу-
се с гибкимй выводами (КТ805ЛМ,
КТ805БМ, КТ805ВМ). Тип прибо-
ра указывается на корпусе.
Масса транзистора в металло-
стеклянном корпусе ие более 24 г,
в пластмассовом — не более 2,5 г
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1/к»=Ю В, /к=2 А, не менее:
Т— +25° С ........................................15
Т=-60°С .... ...................5
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при f=10 МГц, £7хэ=10 В, /х=1 А, не менее ... 2
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер, не более:
при /к=5 А, /в-0,5 А КТ805А, КТ805АМ . . . 2,5 В
при /к=5 А /в=0,5 А КТ805Б КТ805БМ . . 5 В
при /к-2 А /в—0,2 А КТ805ВМ . 2,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=5 А, /в—
=0,5 А, не более
КТ8О5А, КТ805АМ ................................1,5 В
КТ805Б, КТ805БМ, КТ805ВМ.................... 5 В
Обратный (пхщгльпый) ток коллектор—эмнттер при
/?s»=10 Ом, не более:
Т'=+25°С:
t/«a.u-160 В КТ805А. КТ805АМ..................60 мА
/Укв „=135 В КТ805Б, КТ805БМ, КТ805ВМ . . 70 мА
Т= + 100сС:
(7к3,и=160 В КТ805А КТ805АМ...................60 мА
/7ха,и = 135 В КТ805Б. КТ805БМ, КТ805ВМ . 70 мА
Обратный ток эмиттера при Uco 5 В, ие более . . 100 мА
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер1 при /и<
<500 мс, 15 мс, /?<;,= 10 Ом, 7’„<100°С'
КТ805А, КТ805ЛМ ...................160 В
КТ805Б, КТ805БМ КТ805ВМ . 135 В
1 Для КТ805А. К1805АМ в схемах строчной развертки телевизоров допускается
увеличение импульсного напряжения до 180 В при Тх< + 70°С и /„<15 мс При повы-
шении свыше +70 °C напряжение снижается на 10% на каждые 10 °C
53
П родолжение
Постоянное напряжение эмиттер — база’................5 В
Постоянный ток коллектора ... . . . . 5 А
Импульсный ток коллектора прн /и^200 мс, Q—1,5 8 Л
Постоянный ток базы .... 2 Л
Импульсный ток базы при /ц^20 мс . . . 2,5 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора2 при
7\sS + 50°C .............................30 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус .... 3,3е С/Вт
Температура р-n перехода.......................... +150° С
Температура окружающей среды . , . — 60...+100 СС
' В схемах строчной разпержн телевизоров допускается импульсное напряжение
до 8 В фи /„=540 мс.
а При Г„>+50“С рассеиваемая мощность расечншвается по формуле
^к.я.кс- Вт-(150 Г„)/Лг(п_ж)
Пайка выводов транзисторов в металлостекляпном корпусе должна осу-
ществляться на плоской части выводов при температуре нс более +260 °C в
течение не более 10 с.
Панка выводов транзисторов в пластмассовом корпусе должна осущест-
вляться при температуре ие более +250 °C в течение не более 3 с на расстоя-
нии ие ближе 5 мм от корпуса. Изгиб в плоскости выводов не допускается.
КТ807 (А, Б), КТ807 (AM, БМ)
Транзисторы кремниевые мезапланарные с/рук гуры п-р-п универсальные.
Предназначены для применения в >енераторах кадровой и строчной разверток,
усилителях низкой частоты источниках вторичного электрона гания. Выпускают
ся в металлопластмассовом (КТ807А, КТ807Б) и пластмассовом (КТ807АМ,
КТ807БМ) корпусах с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов К1807А КТ807Б не более 2,5 г, КТ807ЛМ, КТ807БМ—
не более 1 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
17ка = 5 В, /к = 0,5 Л
Т=+25СС:
КТ8О7А, КТ807ЛМ..................................15 45
КТ807Б, КТ807БМ..................................30 .100
7 = 6 85" С
КТ807А КТ807АМ ... 20 60
КТ807Б, КТ807БМ 45 150
54
KT807 (АП, БН)
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
с ОЭ, не менее......................................5 МГц
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к =
=0.5 А, /с=0,1 А, не более..........................1 В
Обратный ток коллектор — эмиттер при 1/кэ = Ю0 В
Яб;>=10 Ом, не более:
7'=+25’С ........................................... 5 мА
Т=+85°С ... .... 15 мА
Обратный ток эмиттера при (7вэ=4 В не более ... 15 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при #
= 10 Ом или #бэ = 1 КОм и запирающем напряжении эмит-
тер — база 0 5В ... 100 В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер . . 120 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 4 В
Постоянный ток коллектора .................0,5 Л
Импульсный ток коллектора прн /и<1 мс, и Q>2 . . 1,5 А
Постоянный ток базы... 0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при Т—
= -40 .+70° С.......................................... 10 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус . ... 8° С/Вт
Температура р-л перехода..........................................+150° С
Температура окружающей среды.................................... 40 + 85°С
1 При Г> + 70°С мощность коллектора рассчитывается по формуле
ph,jhokc Вт-(150 Т)/Ят(п к).
Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба и пайки вывода не
менее 5 мм Радиус изгиба 1,5.2 мм. Пайка выводов должна осуществляться
при температуре не более +250 °C в течение не более 3 с.
2Т808А, 2Т808А-2, КТ808А, КТ808 (AM, БМ, ВМ, ГМ)
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п р п переключатель-
ные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генера-
торах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус тран
зисторов 2Г808Л, КТ808А, КТ808АМ — КТ808ГМ металлический со стеклянными
изоляторами и жесткими выводами Транзистор 2Т808Д 2 — бескорпусиый на
металлической молибденовой подложке с защитным покрытием и гибкими вы
водами.
55
Масса транзисторов 2Т808А, КТ808А (без накидного фланца) ие более 22 г,
КТ808АМ КТ808ГМ —ис более 20 г, 2Т808А2 —не более 0,6 г.
2ТвО8А!
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:
2Т808А. 2Т808А2, КТ808Л при (Укэ-3 В.
/к = 6 А
Г=+25°С . . . .... Ю 15* . 50
Т’= + 125°С 2Т808А и Т- + 100° С КТ8О8Л 10.20* 150
Т- 60° С 6... 10* 50
КТ808АМ КТ808ГМ при UKa=3 В. /к-2 Л 20 125
Модуль коэффициента передачи тока на высокой
частоте при О'кэ=Ю В, /э = 0,5 А. / = 3,5 МГн,
не меиее ... . 2,4
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер
КТ808АМ—КТ808ГМ при /к=6 А, /в=0,6 Л, не
более . . ... 2 В
Напряжение насыщении база—эмиттер при /к =
6 А, /в-0,6 Л . - .1* 1,4* 2,5 В
Время рассасывания при (/ка=15 В, /к= 6 А, не
более .... 2 мкс
Обратный ток коллектор — эмиттер при Re3 10 Ом,
нс более:
Г=+25 и -60° С и (/ке=200 В 2Т808А,
2Т808Л2 и (/кв«= 120 В КТ808А 3 мА
56
Продолжение
Т= + 125°С, С'кэ=160 В 2Т808А 2Т808А 2
Т^ + ЮОСС, £/кв=120 В КТ8О8Л . .
Обратный ток коллектора КТ808ЛМ—КТ808ГМ при
1/кв=17К8В,.М1111С, 7’=+25° С, не более
Обратный ток эмиттера при 1/ев=4 В, не более
Емкость коллекторного перехода при (7кс=10 В,
/=»1 МГц, не более . . . .
20 мА
50 мА
2 мА
50 мА
500 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер 1 при
/?<ъ=10 Ом, Тп<Ю0°С:
2Т808А, 2Т808А2, КТ808А..................
КТ808АМ ........................
КТ808БМ..................................
КТ808ВМ...............................
КТ808ГМ
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер 1 при
В или /?л.= 10 Ом /„<500 мкс, /#^30 мкс,
07, Г„< -100° С ..................
Постоянное напряжение эмиттер — база:
2Т808А, 2Т808А-2, КТ808А . . . . .
КТ808АМ—КТ808ГМ
Постоянный ток коллектора . .
Постоянный ток базы
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при
Т. = -60 .+50° С:
с теплоотводом:
2Т808А 2Т808А-2, КТ808А ....
КТ808АМ—КТ808ГМ
без теплоотвода 2Т808Л, КТ808А . . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус . , ,
Температура р-п перехода....................
Температура окружающей среды:
2Т808А 2Т808А 2. КТ808ЛМ—КТ80ЯГМ , .
КТ808А - . •
120 В
130 В
100 В
80 В
70 В
250 В
4 В
5 В
10 А
4 А
50 Вт
60 Вт
5 Вт
2° С/Вт
+ 150° С
-60°С..7’х“ + 125°С
-60° С 7’к=+100еС
1 При /„= + 100 +180'С постоянное и импульсное напряжения коллектор — эмит-
тер снижаются линейно на 10% на каждые 10'С Температура перехода рассчи ывается
по формуле
1 п~тя + РТ(п-к^рк Р»)-
Механические усилия на выводы транзисторов не должны превышать
19 62 Н в осевом и 3,43 Н в перпендикулярном направлениях к оси вывода
Пайка выводов допускается не ближе 6 мм от корпуса транзистора (от
места выхода вывода из компаунда), температура пайки 2Т808А-2 ие более
+ 250 “С, 2Т808Л КТ808Л, КТ808АМ - КТ808ГМ не более +275 °C в течение
не более 3 с
Допустимое значение статического потенциала 2Т808А 2 составляет 300 В
2Т809А, КТ809А
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р п переключатель
ные. Предназначены дли применения в переключающих н импульсных устрой
ствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими вы
волами.
Масса транзистора без накидного фланца ие более 22 г. Масса накидного
фланца не более 12 г.
57
ireOSA I<r9f)9i
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при 1/кэ~5В. /К = 2Л:
7=+25’С ...................................
7=+ 125° С.................................
Т= -60” С . ..............
Модуль коэффициента передачи тока при £/кэ=5 В,
/к=0,5 A, f=3 МГц, не менее....................
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/к=2 А, 1г.—0,4 А..............................
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=»
-2Л. /в-0,4 А . . . .
Время включения при !к 2 Л, Л=0.5 А, /„=10 мкс
Время спада при /к=2 Л, /с=0,5А, tu 10 мкс
Время рассасывания при /к=2 Л, /в=0,5 А, /„ =
= 10 мкс . ....................
Обратный ток коллектор — эмиттер при /?бэ=10 Ом,
ие более:
7 -25 и -60° С, 1/кэ-=400 В................
Т -1-125° С, С/кэ=300 В . . . .
Обратный ток эмиттера при £7вд=4 В, не более
Емкость коллекторного перехода при £/кэ = 5 В
15 50* 100
15...50*. 130
10...35*..100
1,7
0,22*. 0,6*...1,5 В
1,03* 1,3* .2,3 В
0,2*...0,25*...0,3* мкс
0,2*...0,25*...0,3* мкс
0,5*...2*...3* мкс
3 мА
10 мА
50 мА
190*...220*...270* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер * 1 при
Яб,= 10 Ом. Г„^ + 100°С.....................
Постоянное напряжение база—эмиттер
Постоянный ток коллектора ...
Импульсный ток коллектора при 100 мкс, 10
Постоянный ток базы . . .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 2 при
7Х = —60...+50’С .... . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура рп перехода . . . . , .
Температура окружающей среды...................
400 В
4 В
3 Л
5 Л
1,5 А
40 Вт
2,5° С/Вт
+ 150° С
-60° С 7Х = + 125°С
1 При Гв= + 100 .+150 °C ^кэя.л.кс снижается линейно на 10% иа каждые 10 ’С.
1 При TB>+50°C Pgf MtlKC снижается в соответствии с формулой
Вт-(Г„ 7к) Рт(п Kj-
где РТ(п—к> определяется из области максимальных режимов.
58
В импульсных устройствах допускаются перегрузки по мощности рассеива-
ния до 300 Вт в момент переключения; при этом длительность перегрузки
должна быть не более 0,5 мкс, частота перегрузки — не более 5 кГц, темпе-
ратура корпуса—не более +90 °C.
В импульсных устройствах допускается В; при этом должно быть:
Л, Q>2 f>30 кГц
Допускается использование транзистора при !к,и^7 h, Мгновенная
мощность при переключении не должна превышать 100 Вт в течение не более
5 мкс н 10
Механические усилия на выводы транзисторов не должны превышать
19,62 Н в осевом и 3,43 Н в перпендикулярном направлениях к оси вывода.
Пайка выв< дов допускается не ближе 6 мм от корпуса транзистора.
2Т812 (А, Б), КТ812 (А, Б, В)
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п импульсные. Пред-
назначены для применения в импульсных и переключающих устройствах. Кор-
пус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами
Масса транзистора нс более 20 г.
2Т812(А.Б) , КТ812(А-В)
Статический коэффициент передачи тока в схе-
ме ОЭ:
Т'Я=+25°С:
икв=3 В, /к = 8 Л 2Т812А, 2Т812Б
6/ка=2,5 В, /к=8 А КТ812Л, КТ812Б, не
менее ..........................
^кэ=5 В, /к = 5 Л KT8I2B
Тк = + 125° С, UKs = 3 В, /к 5 Л 2Т812Л.
2Т812Б, ие менее
Г,= -60°С, (7кэ=3 В. /х=8 А 2Т812А
2Т812Б, не менее
Модуль коэффициента передачи тока на высокой
частоте при ЬКэ=10 В, /к=0,2 A, f-1 МГц
Граничное напряжение при /к=0,1 А, /к.хас=
=300 мА L = 40 мГи
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/* = 8 А, /Б-1,6 Л..........................
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к =
= 8 А, /Е 1,6 А................................
5 15* 30*
4
10 80* 125*
4
3
3,5...6,5*...8,4*
350 450* 650* В
1* 1,35* 2,5 В
1,8* 2,2*..2,5 В
69
„ Продолжение
Время спаде при Пкэ=250 В, ПСэ=4 В. /к = 5 А,
Л;=2,5 А 0,22 0.6*.. 1,3 мкс
Обратный ток коллектора, не более
Г=+25°С, 1/кс=700 В 2Т812Л, КТ812А, UKr.~
= 500 В 2Т812Б, КТ812Б, 1/КЕ=300 В КТ812В 5 мд
типовое значение
7 +125° С, 1/кв=400 В 2Т812А, UKr, 300 В 0 5* мА
2Т812Б.................
Т=-60°С, 1/кь=500 В 2Т812А, 1/кв = 400 В 10 мА
2Т812Б . ... 10 мА
Обратный ток эмиттера не более:
1/ав=6 В 2Т812А, 2Т812Б.................... 50 мА
типовое значение ..............................5* мА
Usc=7 В КТ812А, КТ812Б, КТ812В . . 150 мА
Емкость коллекторного перехода при £Лгв=Ю0 В 70* 85* 100* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер* 1 при
Л«э=10 Ом, fu<;20 мкс, мкс, <?>3, Гк«=
= —40..+85° С 2Т812А, 2Т812Б и /и^1 мс, (?>10
или /„«S50 мкс, Q>2 КТ812А—2Т812В:
2Т812Л, КТ812А............................. 700 В
2Т812Б, КТ812Б . 500 В
КТ812В ... 300 В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер1 при
/?в»=10 Ом, Л. ^50 мкс, ^>0,3 мкс, <25=2, 7 =
= -40 .4-85° С ................................ 350 В
Постоянное напряжение база—эмиттер
2Т812А, 2Т812Б 6 В
КТ812А, КТ812Б, КТ812В...................... 7 В
Постоянный ток коллектора:
2Т812А 2Т812Б 10 А
КТ812А, КТ812Б, КТ812В...................... 8 А
Импульсный ток коллектора:
2Т812А 2Т812Б
Ls=20 мкс. 010............................. 17 А
1и^20 мкс, QZ&2............................ 12 А
КТ812А КТ812Б, КТ812В при fBs£l мс, 010
или Л.^50 мкс, (?>2 12 А
Постоянный ток базы:
2Т812А, 2Т812Б .................... 4 А
КТ812А КТ812Б, КТ812В ....................... 3 А
Импульсный ток базы
2Т812А 2Т812Б
fu<20 мкс, 10............................... 7 А
<«^20 мкс, 0^2 ...... 5 Л
КТ812А. КТ812Б, КТ812В прн /„<1 мс, 10
или <в^50 мкс, 0^2 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1
2Т812А. 2Т812Б при 7я = -б0 + 50°С и КТ812А.
1 При понижении температуры корпуса от —40 до 60 °C и при повышения от
+85 до +100 °C и>жаМс линейно снижается до 500 В для 2Т812А и до 400 В для
2Т812Б. прн повышении температуры корпуса от +100 до +125 °C IJКО и макс линейно
снижается до 400 В для 2Т812А и до 300 В для 2Т812Б.
При ^>0.3 мкс и понижении температуры корпуса от —40 до 60 °C и при «о
вышенни температуры от +85 до +125 °C и макс линейно снижается до 300 В
1 При повышения температуры корпуса выше +50 °C Рк Леакс снижается в соот
ветствни с формулой
? к, макс- ^к^г(п-я)-
Значение Kr(n_Kj определяется из области максимальных режимов.
60
Продолжение
КТ812Б, КТ812В при 7\=-45 +50'С . . 50 Вт
Температура р-п перехода........................4 150° С
Температура окружающей среды:
2Т812А, 2Т812Б .................- 60'С .. Гм = +125° С
КТ812А, КТ812Б, КТ812В -45°С ГВ= + 85°С
При применении транзисторов в каскадах строчной развертки телевизоров
допускается эксплуатация их с коэффициентом загрузки, равным единице по
Uк и 1к\ при этом температура корпуса не должна превышать +100 °C
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса 5 мм, темпера-
тура пайки не выше +250 °C в течение 3 с.
Допустимое значение статического потенциала 2000 В.
КТ815 (А, Б, В, Г)
Транзисторы кремниевые меза-эпи
таксиально-плаиарные структуры п-р-п
усилительные Предназначены для при-
менения в усилителях низкой частоты,
операционных и дифференциальных уси
лителях, преобразователях, импульсных
устройствах. Корпус пластмассовый с
жесткими выводами.
Масса транзистора не более 1 г.
КТ815(АГ)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1/*в=2 В, /к=0,15 А, ие менее:
7=+25° С:
КТ815А КТ815Б, КТ815В........................
КТ815Г ......................................
7=-40° С:
КТ815А, КТ815Б, КТ815В.......................
КТ815Г . . ..................
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ при Uks—5 В, /э=0,03 А, ие меиее
Граничное напряжение при /»=50 мА, /«=300 мкс.
<2^ 100, не менее:
КТ815А..........................................
КТ815Б..........................................
КТ815В . .
КТ815Г..........................................
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к==
•=0,5А, /е=0,05 А, не более ................
типовое значение . ................
Напряжение насыщения база — эмиттер при /я 0,5 А,
^в=0,05 А, не более . . ...................
Обратный ток коллектора при Б,яв*=40 В ие более;
7В = —40. .+ 25° С..............................
40
30
30
20
3 мГц
25 В
40 В
60 В
80 В
06 в
0,2* В
1,2 В
50 мкА
61
Продолжение
^ч= + ЮО°С ....................................... 1000 мкЛ
Входное сопротивление в режиме малого сигнала при
^кв = 5 В, 1к — 5 мА. / = 800 Гц. не менее .... 800 Ом
Емкость коллекторного перехода при £/кэ=5 В, /=
= 465 кГц, не более......................................60 пФ
Емкость эмиттсрного перехода при иЭд=0.5 В, не более 75 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер:
Ro-.CIOO Ом:
KT8I5A .... ...............
КТ815Б .
KT8I5B . . . . . .
КТ815Г . . .......................
Re, =^оо:
КТ815Л.............................
КГ815Б.................
КТ815В ,
КТ815Г . ...........................
Постоянное напряжение база — эмиттер ....
Постоянный ток коллектора . ...
Импульсный ток коллектора при 6,^10 мс, 100
Постоянный ток базы..............................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 npi
7’к =—4О...+25°С:
с теплоотводом............................. . .
без теплоотвода , ....................
Температура р-п перехода.........................
Температура окружающей среды ....
' ^к.мтс снижается линейно на ОД Вт/’С с iенлоотводом
теплоотвода
40 В
50 В
70 В
100 В
25 В
40 В
60 В
80 В
5 В
1.5 А
3 А
05 А
10 Вт
1 Вт
+ 125° С
-40° С Т«=
= +100° С
н на 0.01 Вт/°С без
И >гиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора с ра-
диусом закругления 1.5 2 мм; при этом должны приниматься меры, исклю-
чающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов
не допускается.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется нс ближе 5 мм от корпуса
путем погружения выводов ие более чем на 2 с в расплавленный припой с
температурой ие выше +250 °C.
Зависимость статического коэффн-
циета передачи тока от тока эмит-
тера
62
Зависимости напряжений насыщения
коллектор — эмиттер и база — эмит
тер от тока коллектора
КТ817 (А, Б, В, Г)
Транзисторы кремниевые меза эпи
таксиально-планариые структуры п-р-п
усилительные. Предназначены для при-
менения в усилителях низкой частоты
операционных и дифференциальных уси-
лителях, преобразователях и импульс-
ных устройствах. Корпус пластмассовый
с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 0,7 г.
КТ 817 (А- Г)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1Тко=2 В, /э-1 не менее:
Т'к=+25 и +100° С ............. 25
7\=- 40° С ... 15
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ при £/ке = 10 В, /э=0,25 А, ие менее 3 МГц
Граничное напряжение при /в=Ю0 мА, 1и^300 мкс,
О >100, не менее
КТ817А ...........................................25 В
КТ817Б . 45 В
КТ817В............................................60 В
КТ817Г.................................... .... 80 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=1 А,
/с=0,1 А, не более ........................... .... 0,6 В
типовое значение . .... 0,15* В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=1 А,
7в=0,1 А, не более..................................... 15В
Обратный ток коллектора при икг.=икоп.маКс, не более
7=+25 и -40° С ... .100 мкА
Г= + Ю0сС................................. .... 3000 мкА
Емкость коллекторного перехода при Ukb= 10 В, [—
= 1 МГц, не более..................................60 пФ
Емкость эмнттерпого перехода при 6/Вб=0,5 В, не более 115 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
йба = °о.
КТ817А ... ...................25 В
КТ817Б . . . 45 В
КТ817В . . . 60 В
КТ817Г......................... . . 80 В
/?ва^1 кОм:
КТ817А ... ... . 40 В
КТ817Б . ............................45 В
КТ817В . ............................60 В
КТ817Г.............................. . 100 В
Постоянное напряжение база—эмиттер ... , 5 В
Постоянный ток коллектора , 3 А
Импульсный ток коллектора при /и^20 мс, 0100 . 6 А
63
Продолжение
Постоянный ток базы......................... , . I А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора * при
7х=-60...+25°С:
с теплоотводом ..........................25 Вт
без теплоотвода.................................... 1 Вт
Температура рп перехода ...............................+150° С
Температура окружающей среды............................—40° С Тк =
= +100’ С
1 При 7'К>+25'С Ркмакс уменьшается линейно на 0.2 Br/’С с теплоотводом и па
0,1 Вт/°С без теплоотвода.
Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора с ра-
диусом закругления 1,5.2 мм; при этом должны приниматься меры, исключаю-
щие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов ие
допускается.
При монтаже транзисторов на теплоотвод крутящий момент при нажатии
не должен превышать 70 Н-см.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса.
Входная характеристика
Зависимость статического коэффици-
ента передачи тока от тока эмит-
тера
Зависимости напряжений насыщения
коллектор — эмиттер н база — эмиттер
от тока коллектора
Области максимальных режимов
64
2Т819 (А, Б, В], 2Т819 (А2, Б2, В2), КТ819 (А, Б, В, Г),
КТ819 (AM, БМ, ВМ, ГМ)
Транзисторы кремниевые меза-эпитакснальио-планарпыс структуры п-р-п пе-
реключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключаю-
щих устройствах Корпус металлический о стеклянными изоляторами и жест-
кими выводами (2Т819.А—2Т819В, КТ8 9АМ— КТ819ГМ) и пластмассовый —
с жесткими выводами (2Т819А2—2Т819В2, КТ819А—КТ819Г).
Масса транзистора ие более 20 г для 2Т819А—2Т819В, КТ819А1Ч—
КТ819ГМ н не более 2,5 г для 2T8I9A2—2Т819В2, КТ819А—КТ819Г.
2TeiS(A2-82), КТ819(А'Г)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме
ОЭ при £/кБ=5 В, /к —5 А, не менее:
7-+ 25° С и Т-ТКМ-1КС:
2Т819А—2Т819В 2Т819А2—2Г819В2, KT819D,
КТ819БМ.............................
КТ819А, КТ819В, КТ819АМ КТ819ВМ .
КТ819Г КТ819ГМ . . . .
Т-” мин
2Т819А-2Т819В, 2Т819А2—2Т819В2
КТ819А—КТ819В КТ819АМ—КТ81 ВМ . .
КТ819Б КТ819БМ.........................
КТ819Г, КТ819ГМ .......................
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ прн (/кв=5 В, /а = 0,6 А
Граничное напряжение при /к=0,1А, tu^300 мкс,
О юо
КТ819А, КТ819АМ, не менее................
КТ819Б, КТ819БМ 2Т819В, 2Т819В2 ,
КТ819В, КТ819ВМ, 2Т819Б 2Т819Б2 . . .
КТ819Г, КТ819А, 2Т819А, 2Т819А2 . . .
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не
более:
при /к=5 А, /с=0,5 А
2Т819А—2Т819В, 2Т819А2—2Т819В2 , . .
КТ819А—КТ819Г, КТ819АМ—КТ819ГМ . .
при (к=20 А, /в-4 А, 2Т819А—2Т819В,
2Т819А2—2Т819В2..........................
при /к = 15 А, /в=3 А КТ819А-КТ819Г
КТ819АМ—КТ819ГМ..........................
Напряжение насыщения база—эмиттер при /« =
= 5 А, /в=0,5 А ие более:
2Т819А—2Т819В, 2Т819А2—2Т819В2 . ,
КТ819А—КТ819Г, КТ819АМ—КТ819ГМ . ,
20
15
12
10
1
7
3. .5*..12* МГц
25 В
40 60*.. 80* В
6О...8О*...1ОО* В
8О...1ОО*...11О* В
1 В
2 В
1* 2,2* .5* В
4* В
1.5 В
3 В
5 Заказ 1004
65
Продолжение
Пробивное напряжение коллектор — база при Т =
•=-60...+25°С, /к=1 мА и при Т= + 125° С, /к=
= 5 мА, ле менее:
2Т819А, 2Т819А2............................
2Т819Б 2Т819Б2 ................
2Т819В, 2Т819В2 .................
Пробивное напряжение коллектор — эмиттер при
/?с.,^100 Ом, /к=1 мА, не менее:
2Т819А
2Т819Б ...
2Т819В . ....
Пробивное напряжение эмиттер — база при Is —
=5 мА, ие менее . ....................
Обратный ток коллектора при UKC=40 В КТ819Л—
КТ819Г, КТ819АМ—КТ819ГМ не более:
Г=- 40...+25°С ....................
Г= + 100°С . . .
Время выключения прн /д = 5 А, ZB=0,5 А, не более
Емкость коллекторного перехода при 6/Кв=5 В
Емкость эмнттерного перехода при (7Es = 0,5 В,
[=1 МГц, ие более..............................
100 В
80 В
60 В
100 В
80 В
60 В
5 В
1 мА
10 мА
2 5* мкс
360* 600*... 1000* пФ
2000* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т819А, 2Т819А2 . ... 100 В
2Т819Б, 2Т819Б2 .... . 80 В
2Т819В, 2Т819В2 .... 60 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
flc.sS 100 Ом Г=7’л<11м+5О°С; +40° С для
2Т819А2—2Т819В2
К 819А, КТ819АМ................................40 В
КТ819Б, КТ819БМ................................50 В
КТ819В, КТ819ВМ . . .... 70 В
2Т819А2, 2Т819Л, КТ819Г КТ819ГМ . 100 В
2Т819Б2, 2Т81ЭБ ... 80 В
2Т819В2, 2Т819В ... .... 60 В
Постоянное напряжение база — эмиттер ... 5 В
Постоянный ток коллектора.
КТ819А—КТ819Г .... 10 А
2Т819А—2Т819В, 2Т819А2—2Т819В2, КТ819АМ—
КТ819ГМ 15 А
Импульсный ток коллектора при Zu^10 мс, 100
и Q>2 для 2Т819А2—2Т819В2:
КТ819А-КТ819Г . . . 15 А
2Т819А2—2Т819В2, 2Т819А—2Т819В, КТ819АМ—
КТ819ГМ................................ 20 А
Постоянный ток базы . . ЗА
Импульсный ток базы при 6,^10 мс, 100 . 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 прн
Г„ = Тк,я.„+25 С
i
с теплоотводом-
2Т819А2—2Т819В2 . ..... 40 Вт
КТ819А—КТ819Г ... 60 Вт
2Т819А—2Т819В, КТ819АМ КТ819ГМ . . 100 Вт
без теплоотвода:
2Т819А2—2Т819В2 I Вт
КТ819А—КТ819Г.............................1,5 Вт
КТ819ЛМ— КТ819ГМ........................... 2 Вт
2Т819Л—2Т819В.............................. 3 Вт
66
Продолжение
Температура р-п перехода.
2Т819А—2Т819В, 2Т819А2—2Т819В2 . . . + 150° С
КТ819А—КГ819Г, КТ819АМ—КТ819ГМ . . + 125° С
Температура окружающей среды:
2Т819А—2Т819В..........................-60’С.. 7K = + 126° С
2Т819А2— 2Т819В2 . . -60° С 7K = +100cG
КТ819А—КТ819Г, КТ819АМ—КТ819ГМ . . -40° С . + 100° G
1 Прн Гк>+2о“С для 2Т819А —2T8I9B
'’клане Вт— (Г„ Ло)(с-Гм)/1,25 для транзисторов с теплоотводом и
^К.макс- Вт = (ГП11камс — Т)/41,6 — без теплоотвода; для КТ819А — КТ819Г ₽к1Л1ахс умень-
шается на 0.6 Вт/°С с теплоотводом и на 0.015 Вт/°С без теплоотвода, для KT8I9AM —
КТ819ГМ на I Вт/°С с теплоотводом и на 0.02 Вт/’С без теплоотвода, для
2Т819А2 — 2Т819В2 уменьшается линейно на 0.32 Вт/°С с теплоотводом н на 8 мВт/’С
без теплоотвода.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется ие ближе 5 мм от корпуса.
При пайке жало паяльника должно быть заземлено. Допускается пайка без
теплоотвода и пайка групповым методом. Температура припоя +260°C, время
пайки не более 3 с, время лужения выводов ие более 2 с.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В
При включении транзистора цепь, находящуюся под напряжением, ба-
зовый вывод должен присоединяться первым и отключаться последним.
Входная характеристика
Зона
ского
возможных положений зависимости статиче-
коэффициеита передачи тока от тока эмит-
тера
Зона возможных положений зависимо-
сти статического коэффициента пере-
дачи тока от температуры корпуса
Зона возможных положений зависимо-
сти напряжения насыщения коллек-
тор — эмиттер от тока коллектора
5*
67
Зона возможных положений зависи-
мости напряжения насыщения ба-
за— эмиттер от тока коллектора
Зависимость пробивного напряже-
ния коллектор — эмиттер от темпе-
ратуры
Область максимальных
Зависимость коэффициента К от длительности
импульса
режимов
Зона возможных положений зависимо-
сти максимально допустимого напря-
жения коллектор—эмиттер от сопро-
тивления база—эмнттер
Зависимость максимально допусти
мого напряжения коллектор — эмит-
тер от температуры корпуса
68
Области максимальных режимов
КТ821 (А-1Г Б-1, В-1)
Транзисторы кремниевые меза эпитакси-
ально планарные структуры п-р п усили-
тельные Предназначены для применения в
усилителях низкой частоты, операционных
и дифференциальных усилителях, преобра-
зователях и импульсных устройствах герме-
тизированной аппаратуры Оформление бес
корпусное с гибкими выводами и защитным
покрытием. Каждый траианстор упаковыва-
ется в индивидуальную тару
Масса транзистора не более 0,02 г
л гегил i-6t)
1.6 о.е
00.04
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при Uкб 2 В, не менее:
/к 0,15 Л
КТ821Л 1, КТ821Б 1....................
КТ821В 1 ................
/к=0,5 Л:
КТ821А-1..............................
КТ821Б 1 .......................
КТ821В 1 ................
Отношение статических коэффициентов передачи то-
ка в схеме ОЭ при большом (0,2 Л) н малом
(0,001 А) значениях тока коллектора при 1/Кв=2В
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при Ukb~5В, /в ”0,03 Л ие менее
Граничное напряжение при /к=50 мА /«^300 мкс,
Q>100, не менее:
КТ821А I...................................
КТ821Б 1 ..........................
КП821В 1 ......................
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/к=0,5 Л, /в=0,05 А...........................
Напряжение насыщения база—эмиттер при 1к =
-=0,5 А, /Б=0,05 А.....................Г . .
Обратный ток коллектора при 17кв = 40 В не более
40
30
35
25
20
1 ..2 4
3 МГц
40 В
60 В
80 В
0,18* 0,6 В
0,8’. 1,2 В
30 мкА
69
Продолжение
Выходное сопротивление в режиме малого сигнала
при ^жа=5 В, /е—5 мА, /=800 Гц . . . .
Емкость коллекторного перехода прн l/ка^б В
/=465 кГц......................................
Емкость эмнттериого перехода при (7sb=0.5 В
/=465 кГц .....................................
160’ 800* Ом
45* ..50*...65* пФ
45* .50* . 65* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер:
100 Ом:
КТ821Л-1..................................
КТ821Б I..................................
КТ821В-1..................................
Re,~ оо
КТ821А 1...................................
КТ821Б I..................................
КТ821В 1..................................
Постоянное напряжение база — эмиттер
Постоянный ток коллектора..................
Импульсный ток коллектора прн /и^Ю мс, О 100
Постоянный ток базы............................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1
в составе гибридной схемы при Т= — 40 ,+25°С
Тепловое сопротивление переход — кристалл
Температура р п перехода ......................
Температура окружающей среды...................
1 При Т— +25—65 СС Рн —„яс определяется по формуле
Вт-(125-7)/1О.
Пайка выводов допускается не ближе 3 мм
прибора.
50 В
70 В
100 В
40 В
60 В
80 В
5 В
0,5 А
1,5 А
0,3 А
10 Вт
10° С/Вт
+ 125' С
—4 5...+85е С
от защитного покрытия
КТ823 (Л-1, Б-1, В-11
Транзисторы креминевые меза-эпи-
таксиально планарные структуры п-р п
усилительные. Предназначены для при-
менения в усилителях низкой частоты,
операционных и дифференциальных уси-
лителях, преобразователях и импульс-
ных устройствах. Бескорпусиые с гиб-
кими выводами и защитным покрытием.
Каждый транзистор упаковывается в ин-
дивидуальную тару.
Масса транзистора не более
0.03 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
прн Ukb=2 В, /к = 1 А, не менее'
7'я = + 25 и +85° С ...... 25
Гк=- 45° С .... 15
Отношение статических коэффициентов передачи
тока в схеме ОЭ при большом (1 Л) н малом
(0,001 А) значениях тока коллектора прн 1Укэ=2 В 1,6*...2,5* ..4
70
Продолжение
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при UKs—5 В, /к=0,05 А, ие менее
Граничное напряжение прн /э = 100 мА, /и^300 мкс,
100, не менее:
КТ823А-1.......................................
КТ823Б-1....................................
КТ823В-1....................................
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при
/к = 1 А. /д=0,1 Л . .................
Напряжение насыщения база — эмиттер при 1к =
= 1 А, /в=0,1 А................................
Обратный ток коллектора, не более:
при 7=+25° С, (7кв = 45 В...................
при 7=+85°С, (7кв=40 В......................
Входное сопротивление в режиме малого сигнала
прн иКэ=5 В, /э=30 мА, /=800 Гц . . .
Емкость коллекторного перехода при 17x8 = 10 В,
[=1 МГц........................................
Емкость эмпттерного перехода при 1/ос=0,5 В
3 МГц
45 В
60 В
80 В
0,15*...0,2*...0,6 В
0,8*...0,9*...1,5 В
50 мкА
100 мкА
250' 500*.. 1500* Ом
35*...60*...75 нФ
80*. 115*.. 130 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер:
Яв,<1 кОм:
КТ823А 1 . . . ................
КТ823Б I.................................
КТ823В-1.................................
Rn, = оо;
КТ823А-1.................................
КТ823Б 1.................................
КТ823В 1.................................
Постоянное напряжение база — эмиттер
Постоянный ток коллектора ... . . .
Импульсный ток коллектора при („^10 мс, 100
Постоянный ток базы ....
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1
в составе гибридной микросхемы при Т=-
= -40...+25° С.................................
Тепловое сопротивление переход — кристалл
Температура р-n перехода.......................
Температура окружающей среды...................
45 В
60 В
100 В
45 В
60 В
80 В
5 В
2 А
4 А
0,5 А
20 Вт
5° С/Вт
+ 125° С
-45 .+85°G
1 Г—+25 +85 "С Рц макс рассчитывается по формуле
Рк.аымс Вт-(125-7,1/5
Допускается 1J( Ла,с—3 А при условии нспревыи1ения мощности.
2Т826 (А, Б, В), КТ826 (А, Б, В)
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-рп переключательные.
Предназначены для применения в преобразователях постоянного напряжения,
высоковольтных стабилизаторах, переключающих устройствах Корпус металли-
ческий со стеклянными изоляторами и жесткими выводами
Масса транзистора не более 20 г
71
Статический коэффициент передачи в схеме ОЭ при
t/кэ—Ю В, /к=0,1 А:
ТК=+25°С . • . ..........................10.. 120
7'м=7к микс .................................. 5 300
/\ = - 60° С .... 5...120
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при /7ка=15 В, /к = 0,1 A, [ = 1 МГц. ие менее:
2Т826В, КТ 826В . . (5
2Т826А, 2Т826Б; КТ826Л, КГ826Б . . . 4
Граничное напряжение при /к=100 мА, L—40 мГн,
не менее:
2Т826Л, 2Т826В, КТ826А, КТ826В . . 500 В
2Т826Б, КТ826Б .... 600 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=
= 05Л, /в=0,2 А, ие более . . . . . 2,5 В
Напряжение насыщения база —эмиттер при /« — 0,5 А,
/г. - 0,2 А, не более . . . 2 В
Время спада при С«а=500 В, 1/ве=5 В, /к=0,5 А, /в=*
= 0,2 А, не более:
2Т826А, КТ826А ... . . 1,5 мкс
2Т826Б, КТ826Б .... . . 0,7 мкс
Обратный ток коллектор—эмиттер при /?вэ= 10 Ом, ие
более:
7’К = + 25°С, 1/кэ=700 В...........................2 мА
Тк — Тк,м<1ке, Скэ = 300 В . .... 5 мА
7=-60° С, Uкд=500 В................................4 мА
Обратный ток эмиттера при Ueb=5 В, не более . . 3 мА
Емкость коллекторного перехода при Ukb~ 100 В, f=
= 1 МГц, не более .....................................25* пФ
типовое значение ... .... 20* пФ
Емкость эмиттерного перехода при 1/ва=5 В, f=l МГц,
не более ... ............. . 250* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rs,^
sS10 Ом, 7”^=-60...+75° С............................... 700 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер при Rr.,^
<110 Ом, /и^20 мс, Q>50:
/<с^0,2 мкс (скорость нарастания фронта не более
3,5 В/нс), 7„ = - 6О... + 75‘!С..................... 700 В
72
Продолжение
tg^\,5 мкс (скорость нарастания фронта не более
0,66 В/нс), 7К = +25°С 1000 В
Постоянный и импульсный ток коллектора .... 1 А
Постоянный и импульсный ток базы......................0,75 Л
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при
г„= — 60...+500 С...................................15 Вт
Температура р-п перехода............................150° С
Температура окружающей среды:
2Т826А—2Т826В........................... . . . . -60° С. Тк =
= + 125° С
КТ826А—КТ826В...................................- 60° С... Гк =
= + 100° С
1 При Гж>+50гС Рк vaKC рассчитывается по формуле
Вт=(150-Гк)/ЯГ(п_к).
где /?Т(п_х) — определяется из области максимальных режимов.
При Т’Я>+75°С постоянное и импульсное напряжение коллектор — эмит-
тер снижаются линейно до 300 В.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от основания кор-
пуса при температуре не более +250 °C в течение не более 3 с.
При конструировании аппаратуры следует учитывать возможность самовоз-
буждения транзисторов за счет паразитных связей.
Зона возможных поло-
жений зависимости тока
коллектора от напряже-
ния база — эмиттер
Зона возможных поло-
жений зависимости гра-
ничной частоты от тока
коллектора
Зона возможных поло-
жений зависимости ем-
кости эмиттериого пере-
хода от напряжения ба-
за — эмиттер
жепий зависимости ем-
кости коллекторного пе-
рехода от напряжения
коллектор — база
Входные характеристики
Зависимость максималь-
но допустимого посто-
янного напряжения кол-
лектор — эмиттер от со-
противления база —
эмиттер
73
Входные характеристики
Зона возможных поло-
жении зависимости ста-
тического коэффициента
передачи тока от тока
коллектора
Зависимости напряже-
ния насыщения коллек-
тор— эмиттер от тока
базы
Зона возможных положений зависимо-
сти напряжения насыщения коллек-
тор — эмиттер от отношения тока кол-
лектора и базы
Области максимальных
режимов
Области максимальных
Области максимальных
режимов
режимов
74
Зависимости импульсного теплового
сопротивления переход—корпус от
длительности импульса
2Т827 (А, Б, В), КТ827 (А, Б, В]
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные составные струк-
туры п-р-п. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, ств-
бнлнзаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторите-
лях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и
автоматики. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами.
Масса транзистора не более 20 г.
27827 (А-В), КТ827(АВ)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схе-
ме ОЭ
при 1/кя = 3 В, /к=10 А
7=+25сС..................................
Т~ТК.Ч кс не менее.......................
7= — 60° С не менее......................
при б/яэ —3 В, /к = 20 А .
Модуль коэффициента передачи тока при б/кэ = 3 В
/« = 10 A, f=10 МГц, не менее ....
Граничное напряжение при /л=100 мА
2Т827А, КТ827А.............................
2Т827Б, КТ827Б.............................
2Т827В, К1827В.............................
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер:
/к= 10 А, /д=40 мА
/к--20 А, /б=200 мА .......................
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к =
=20 А, /с=200 мА........................
750. 6000*. . 18 000
750
100
100...700*...3500*
04
100...110*. 140* В
80.90* 100* В
60 70* 80* В
1* 1 45* .2 В
1,8* 2,4* 3* В
2,6* 3* .4 В
75
Продолжение
Входное напряженке база—эмиттер при /к =10 А
1/кэ=3 В . . .............................. 1,6*. .2* ..2,8 В
Время включения при /к=10 А, /в=40 мА . . 0,3*. 0,5*. 1* мкс
Время выключения при /к=10 А, /в=40 мА . . 3*...4*...6* мкс
Время рассасывания прн /к=10 А, /в=40 мА 2*...3*. 4,5* мкс
Обратный ток коллектор — эмиттер при 77кэ =
^Йквп.мачс, кОм, Ив бОЛеС!
<=+25 и -60°С.................................3 мА
7 = 7х jxnxc • .......................... , 5 мА
Обратный ток эмиттера при (7ВЯ=5 В, ие более 2 мА
Емкость коллекторного перехода при 7/кВ=10 В 200* . 260*.. 400* пФ
Емкость эмиттерного перехода при 7/вв=5 В 160* 180*...350* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
/?г-,э=1 кОм и постоянное напряжение коллектор —
база:
2Т827А, КТ827А.................................100 В
2Т827Б. КТ827Б ................................80 В
2Т827В. КТ827В................................. 60 В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при
/(^0,2 мкс:
2Т827А, К1827А..........................100 В
2Т827Б, К Г827Б..........................80 В
2Т827В, КТ827В ... ... 60 В
Постоянное напряжение база — эмиттер ... 5 В
Постоянный ток коллектора . . ... 20 А
Импульсный ток коллектора................... 40 А
Постоянный ток базы........................ . . 0,5 А
Импульсный ток базы........................... . 0,8 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при
7",=—60..+25° С .... 125 Вт
Тепловое сопротивление прн UK0— 10 В /к—12,5 А 1.4° С/Вт
Температура рп перехода +200°С
Температура окружающей среды:
2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В .............-60°С 7«= + 125°С
КТ827А, К1827Б. КТ827В.....................-6О’С...7\ = +100° С
1 При 7К>+25'С РЕ микс определяется по формуле
^к.мачс-
где RT(n_K определяется из области максимальных режимов
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса при
температуре припоя +260 °C в течение не более 3 с.
2Т827[А В) КТ827ИВ
кий ретин
1>*200”С
\
21BV6.KJB27b ад гтегп KTS27A д 1 Ю 1 1 1
/ ! h 5ВЮ 20 WUta.B
Области максимальных
режимов
Области максимальных
режимов
Области максимальных
режимов
76
Области максимальных
Зависимости импульсного теплового сопротив-
ления переход — корпус от длительности им-
пульса
режимов
Выходные характеристи-
Входные характеристики
ки
Зона возможных поло-
жении зависимости ста-
тического коэффициента
передачи тока от тока
коллектора
э1
Зависимости напряже-
ний насыщения коллек-
тор — эмиттер и база —
эмиттер от тока коллек-
тора
Зона возможных поло-
жений зависимости мо-
дуля коэффициента пе-
редачи тока от тока
коллектора
Зона возможных поло-
жении зависимости по-
стоянного напряжения
коллектор—эмиттер от
сопротнвенпя база —
эмиттер
77
2Т828 (А, Б), KT828 (А, Б]
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п импульсные.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания, вы-
соковольтных переключающих устройствах. Корпус металлический со стеклян-
ными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при Uks=5 В, /к = 4,5 А, не менее...............
типовое значение ...........................
Модуль коэффициента передачи тока на высокой
частоте при 7/кв=20 В, /к=100 мА, f=l МГц, не
менее ................................
типовое значение ...
Граничное напряжение при /к=0,1 A, Z.=40 мГи,
не менее:
2Т828А, КТ828А
2Т828Б КТ828Б . . . . .
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/к=4,5 А, 1б=2 А:
Т„ = +25° С ....
Т— 60 С и TK — i клаке, не более
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к =
=4,5 А, /с=2 А . . . .............
Время включения при 1/кэ=500 В 1к=4,5 А, 1в=
= 1,8 А, не более ...........................
типовое значение
Время рассасывания при 1/кэ=500 В, /к=4,5 А
/в=1,8 А, не более . . . .
типовое значение
Время спада при UKb=500 В ZK = 4,5 А, Аь=1,8 А
не более........................... .
типовое значение ........................
Обратный ток коллектора при Ukb Оквп.и.мак
не более . . . ...
Обратный ток коллектор — эмиттер при /?с,= 10 Ом
не более
Л, = + 125° С, Uкв = 500 В для 2Т828А и UKB
=400 В для 2Т828Б
7'--60° С, DK»=800 В для 2Т828А и Ukb =
600 В для 2Т828Б .......................
2,25
4*
4
7*
700 В
600 В
0 5* 1* 3 В
5 В
0,95*...1*...3 В
0,55* мкс
0.4* мкс
10* мкс
5* мкс
1,2 мкс
1* мкс
5 мА
10 мА
5 мА
78
Продолжение
Обратный ток эмиттера при vra = 5 В, не более . 10 мА
типовое значение................................1* мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при
/?в,= 10 Ом, Л = -60...+85° С
2Т828А, КТ828А . 800 В
2Т828Б, КТ828Б . . 600 В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер2 при
Ябэ=10 Ом, /„^40 мкс, 0^10, /^>3 мкс, dU/dt^g.
СО,46 В/нс для 2Т828Л, КТ828Л и 0,4 В/нс дли
2Т828Б, КТ828Б при Тк = -40 ,.+85°С и 0,3 и
0,26 В/нс соответственно при Тк = — 60°С...7'х ,jttaxc>
2Т828А, КТ828А................................ 1400 В
2Т828Б, КТ828Б................................ 1200 В
Постоянное напряжение база—эмиттер ... 5 В
Постоянный ток коллектора.......................5 Л
Импульсный ток коллектора при /ИСЮ мс, 02 7,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при
Тк = -60 ..+50° С . . ................ 50 Вт
Температура р-п перехода ...........................+150° С
Температура окружающей среды:
2Т828А, 2Т828Б.................................-60° С. Т„ = + 125° С
КТ828А, КТ828Б .................-60° С .7\ =+100° С
1 При 7'к>+85 С иКЭПяакс для 2Т828Л. КТ828А снижается линейно до 5U0 В,
2Т828Б, КТ826Б — до 400 В.
’ При изменении Тк от —40 до —60'С и увеличении Тк от +65 до маке
UirnnДля 2Т828А, КТ828А снижается линейно до 1000 В, 2Т828Б. КТ828Б —
С//С U 1 ,HUnC
до 800 В.
Импульсное напряженке коллектор—эмиттер при /^^0,3 мкс Q3=2, /и<40 мкс
(dU^g/dt <2,3 В/нс для 2Т828Л, КТ828А и dU/dt^'i. Вис для 2Т828Б, КТ828Б) сни-
жается линейно до 700 В для 2Т828А, КТ828А и до 600 В для 2Т828Б, КТ828Б при
7Ж<+85ГС. При 7'х-+85СС...7„ мокс это напряжение снижается линейно до 500 В для
2Т828А, КТ828А н до 400 В для 2Т828Б. КТ828Б (dUKB/dt< 1.65 Вне для 2Т828А,
КТ828Л и <«7ив/<й<1,33 В/нс для 2ТЯ28Б, КТ828Б).
Для улучшения теплового контакта рекомендуется смачивать нижнее
основание транзистора полнметилсилоксановой жидкостью ИМС 100
ГОСТ 13032—77.
Зависимость максимально допустимого постоян-
ного напряжения коллектор — эмиттер от сопро-
тивления база — эмиттер
79
Зона возможных положений зависимости стати-
ческого коэффициента передачи тока от тока
коллектора
Выходные характеристики
Зависимость напряжения
насыщения база — эмит-
тер от отношения тока
коллектора и тока базы
Зависимость напряжения
насыщения коллектор —
эмиттер от отношения
тока коллектора и тока
базы
Зона возможных поло-
жений зависимости ем-
кости коллекторного пе-
рехода от напряжения
коллектор — база
Зона возможных положений зависи-
мости емкости эмигтерпого перехо-
да от напряжения база — эмиттер
Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
80
Область максимальных Зона возможных поло-
режимов женин зависимости вре-
мени рассасывания от
тока коллектора
Зона возможных поло-
жений зависимости вре-
мени спада от тока кол-
лектора
КТ829 (А, Б, В, Г]
Транзисторы кремниевые меза-
планарные структуры п-р-п состав-
ные усилительные. Предназначены
для применения в усилителях низкой
частоты, переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими
выводами.
Масса транзистора ие более 2 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Uks—3 В, /к=3 А, не менее:
Тк =+25 ..+85° С .................................750
7к-=-40°С ................................100
Модуль коэффициента передачи тока при 1/кэ=3 В, /к —
—3 A f=10 МГц, не менее . ... 0,4
Граничное напряжение при /к=100 мА, не менее:
КТ829А................................................100 В
КТ829Б..............................................80 В
КТ829В..............................................60 В
КТ829Г..............................................45 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к =
—3,5 А, /с=14 мА, не более............................. 2 В
6 Заказ № 1004
81
Продолжение
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к 3,5 А,
/в=14 мА, не более...................... . . 2,5 В
Обратный ток коллектор — эмиттер при икок—Пкеп.макс,
Res<l кОм, ие более:
Тк = +25 и -40°С . . . .... 1,5 мА
Тк = +85° С ..................................... ЗмА
Обратный ток эмиттера прн 1/Бэ=5 В, не более . . 2 мА
Емкость коллекторного перехода при Uk = 1/кБ,л<пке,
не более . , .... 120 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
1 кОм, постоянное напряжение коллектор — база:
КТ829А...........................................
КТ829Б..........................................
КТ829В..........................................
КТ829Г . . . ...................
Постоянное напряжение база — эмиттер................
Постоянный ток коллектора . . . . . .
Импульсный ток коллектора при /„<500 мкс, ОЭ510
Постоянный ток базы.....................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при
7'х--40...+25°С ... ................
Тепловое сопротивление переход — корпус ....
Температуре р-n перехода............................
Температура окружающей среды........................
100 В
80 В
60 В
45 В
5 В
8 А
12 А
0,2 А
60 Вт
2,08° С/Вт
+150° С
— 40° С...7'к =
= +85° С
1 При Гк—+25...+85 "С рассчитывается по формуле
Рк.мапс. Вт-(150-Тя)/2,08.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса; при
этом температура корпуса не должна превышать +85 °C.
Электрическая схема транзистора
82
Входные характеристики
Зона возможных поло-
жении зависимости ста-
тического коэффициента
передачи тока от тока
коллектора
Зона возможных поло-
жений зависимости об
ратного тока коллекто-
ра от температуры
Зона возможных поло-
жений зависимостей на-
пряжений насыщения
коллектор — эмиттер и
база—эмиттер от коэф-
фициента насыщения
Зависимости постоянного напряжения коллек-
тор эмиттер от сопротивления база — эмиттер
Области максимальных ре-
жимов
6’
83
2Т831 (А, Б, В, Г), 2Т831 (В-1, Г-1)
JTB31 IB 1. r i)
Транзисторы кремниевые
меза-эпитакснально планарные
структуры п-р-п усилительные
Предназначены для примене-
ния в усилителях мощности,
преобразователях. Корпус
2Т831А — 2Т831Г металличе-
ский со стеклянными изолято-
рами и гибкими выводами;
2Т831 В-1, 2Т831Г 1 — бескор-
пусныс с защитным покрытием
и гибкими выводами.
Масса транзисторов
2Т831А—2Т831Г не более 2 г,
2T83IB 1, 2Т831Г-1 —не более
0,03 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при Укв=1 В /е=1 А (ПкБ=2 В для 2Т831В 1,
2Т831Г 1):
Г=+25°С-
2Т831(А—В) .... . .
2Т831Г . . . .
2Т831В-1 2Т831Г 1 ................
Т= 7 .чпке;
2Т831А—2Т831В, не менее ....
2Т831Г, не менее . ................
21831В-1, 2Т831Г-1 . . . .
T=-60°C 2Т831А—2T83IB, не менее . . .
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при 1/кс=5 В, /»=0,05 А
2Т831Л—2Т831Г..............................
2Т831В 1, 2Т831Г 1......................
25. .42*.. 200*
20*..23*...150*
25..200
25
20
25. 220
10
4.25* 50* МГц
4 10* 15* МГц
84
Продолжение
Граничное напряжение при /а=0 1 А, /«^300 мкс,
100, । е менее.
2Т831А . , . . 25 В
2Т831Б .........................45 В
2Т831В, 2T83IB 1...........................60 В
2Т831Г, 2Т831Г1.............................80 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
7к=1 Л, /Б=0,1 А 0,15* .0,37* . 0,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=1А,
7л=0,1 А 0,8*. 0,95*.. 1,3 В
2Т831Г, не менее . . 7
2Т831В 1, 2Т831Г-1 . 15.200
Пробивное напряжение коллектор — база, не менее:
при 7 = -60 н +25° С 1Кц 0,1 мА:
2Т831Л............................................35 В
2Т831Б..........................................60 В
2Т831В, 2Т831В 1...............................80 В
2Т831Г, 2Т831Г-1 100 В
при Т-Тм„кс, 1кв=3 мА
2Г831Л 35 В
2Т831Б . ..........................60 В
2Т831В, 2Т831В-1......................... . 80 В
2Т831Г, 2T83IГ I............................. 100 В
Пробивное напряжение эмиттер — база при 1иво=
= 1 мА, не менее...................................... 5 В
Обратный ток коллектора при Г’кс -80 В 0,1*. 10*...100* мкА
Обратный ток эмиттера при Uois- 5 В ... 20 .500.1000 мкА
Время включения прн иКэ~30 В, /к I А, 7в=0,1 А 0.3* . 0,5* 0,8 мкс
Время выключения при Ukit 30 В, 1к~ 1 А
/д — 0,1 Л . 1*...1,5*...2 мкс
Время рассасывания при 6Лкэ = 30 В, /к=1 А, /Е —
0,1 А не более 1 мкс
Емкость коллекторного перехода при UKb~ 5 В,
f=l МГц 35*. 41* .150 пФ
Емкость эмиттерпого перехода при 6/эе = 0,5 В,
f = l МГц........................................... 60* .230*.„350 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база.
21'831 А 35 В
2Т831Б 60 В
2Т831В, 2Т831В-1................................80 В
2Т831Г 2Т831Г-1 100 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
Rn.sgl кОм:
2Т831А...............................................30 В
2Т831Б . . . 50 В
2Т831В 2T83IB ! . . . 70 В
2Т831Г, 2T83I1 I . . . 90 В
Постоянное напряжение эмиттер —база ... 5 В
Постоянный ток коллектора.................... 2 А
Импульсный ток коллектора.................... 4 Л
Постоянный ток базы.......................... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при
Гк = —60 f-25°C:
с теплоотводом-
2Т831А 2Т831Г.........................................5 Вт
85
Продолжение
2Т831В-1, 2Т831Г 1 *, бесконечный теплоотвод 25 Вт
без теплоотвода .................... 1 Вт
Температура р п перехода ..........................+150° С
Температура окружающей среды:
2Т831А—2Т831Г . . ..............-60°С...7',= + 125°С
2Т831В-1, 2Т831Г-1 ....................-60°С. Т„ = + 100°С
1 При 7к=+25. .+ 100 °C Рк л1„хс для 2Т831В 1. 2Т831Г-1 с теплоотводом рассчи-
тывается по формуле
РИ.м«пс Вт-(Тл-Тх)/(5+ЛГ(л_я)>
Для 2Т831В 1, 2Т831Г 1 при длине выводов 1>5 мм /кмакс^^Н-
Пайка выводов 2Т831А — 2Т831Г допускается не ближе 3 мм от корпуса.
Температура пайки не более +260 °C в течение не более 3 с.
Допустимая температура монтажа транзисторов 2Т831В-1. 2Т831Г-1 в гиб-
ридных микросхемах не должна превышать +230 °C в течение не более 10 с.
Допустимое значение статического потенциала 500 В.
Зона возможных положений зави-
симости статического коэффициента
передачи тока от температуры кор-
пуса
Зона возможных положении зави-
симости напряжения насыщения кол-
лектор— эмиттер оттока коллектора
Зона возможных положений зависи-
мости напряжения насыщения ба-
за— эмиттер от тока коллектора
Зона возможных положений зависимо-
сти пробивного напряжения коллек-
тор — эмиттер от сопротивления база —
эмиттер
86
6(,ИЛС Bl
И явп Bl
Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мот
ности коллектора от температуры
Области максимальных
режимов
Выходные характеристи-
ки
Входные характеристики
Зона возможных положений зависимости
статического коэффициента передачи тока
от тока коллектора
Области максимальных режимов
87
Зависимости коэффициента К от длитель-
ности импульса
2Т834 (А, Б, В), КТ834 (А, Б, В]
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р п составные усили-
тельные Предназначены для применения в регуляторах тока и напряжения, в
переключающих устройствах. Корпус металлический со стеклянными изолятора-
ми и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 22 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:
при В, /я —5 А:
7-к=+25° С..................................
7'и = 7’я..м<1кс не менее...................
ТК = Тх,.чин* нс менее
при {/яэ = 5 В, 7к=10 А, 7'к = + 25°С
Модуль коэффициента передачи тока на высокой
частоте при 1/кэ = 5 В, /к=5 Л, f— 1 МГц
Граничное напряжение при /к=0,1 A, L=25 мГн:
2Т834Л, КТ834Л . . ...............
2Т834Б, КТ834Б................................
2Т834В, КТ834В ...............................
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/к-15 А, /с=1,5 А
Время спада прн Г/кэ=250 В, 1/к»=5 В, /я=10 А,
Ir. 1 А
Обратный ток коллектор — эмиттер при ЮОО.м:
7'к=+25°С, Uk3h=Ukor ,л<акс> не более
типовое значение ..................................
150 500*.. 3000*
150
50
60 250*... 1250*
4* 5*...7,8*
400 450* 490* В
350...375*. 440* В
300 340*. .375* В
1,2* 1,5*...2 В
0,25*..0,6*...1,2 мкс
3 мА
0,2* мА
88
Продолжение
Тп = Тк макс, UКЭН^ ПXDR.u,MinCf Не бОЛСв • 3 мА
Тя = Тк хин, икэп=икэп.и.макс, не более . . 3 мА
Обратный ток эмиттера при С/вэ = 5 В, не более . 50 мА
типовое значение......................... . . 25* мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер 1 при
Яс, = 100 Ом, '/’к = -40. .4-85° С:
2Т834А, КТ834А ...... 500 В
2Г834Б, КТ834Б................................. 450 В
2Т834В, КТ834В ............................. 400 В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при
/?вэ=100 Ом, 2s 0,2 мкс:
2Т834А, КТ834А .............................. 400 В
2Т834Б, КТ834Б................................ 350 В
2Т834В, КТ834В .............................. 300 В
Постоянное напряжение база — эмиттер ... 8 В
Постоянный ток коллектора . 15 А
Импульсный ток коллектора при /„<0,5 мс, Q>100 20 А
Постоянный ток базы................................3,5 А
Импульсный ток базы прн /„<0,5 мс, Q^IOO 7 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 2 при
T'w-—7'«.j4u«e-.+25 С........................ 1 Вт
Температура р-п перехода.......................... +150° С
Температура окружающей среды:
2Т834А—2Т834В....................................-60° С..ТК~+ 125° С
КТ834А—КТ834В................................-40°С...Т„=+85°С
1 При ——40...—60'С и Гя-+85... + 125сС UK0R lt,JKr снижаются линейно до 400 В
для 2Т834А. КТ834А; 350 В для 2Т834Б. КГ834Б; 300 В для 2Т834В. КТ834В.
При 7„>+25 С Рк..макс. Вт=ип-7'„).'Ят(п к), где Яг(п_к) определяется из об-
ласти максимальных режимом.
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер практически не зависит от
сопротивления в цепи база—эмиттер (до 10 кОм). Допустимое значение стати-
ческого потенциала 2000 В.
Пайка выводов рекомендуется не ближе 5 мм
температурой не более +260 °C в течение не более
от корпуса паяльником с
10 с.
Выходные характеристи-
ки
Зависимости напряже-
ния насыщения коллек
тор —эмиттер от тока
коллектора
89
Области максимальных режимов
Области максимальных режимов
Зона возможных положений зависимости ста-
тического коэффициента передачи тока от тока
коллектора
Зона возможных поло
жений зависимости на
пряжения насыщения
коллектор — эмиттер от
тока базы
Зависимости напряжения
насыщения база — эмит-
тер от тока коллектора
Зависимости статическо-
го коэффициента переда-
чи тока от температуры
корпуса
90
Зависимость граничного
напряжения от темпера-
туры корпуса
Зависимость времени
включения от тока кол-
лектора
Зависимость
рассасывания
коллектора
времсни
от тока
Зона возможных поло
жений зависимости вре-
мени спада от напряже-
ния коллектор — эмит-
тер
кол-
Зависимость времени на-
растания от тока
лектора
Зона возможных поло-
жении зависимости ем-
кости коллекторного пе-
рехода от напряжения
коллектор-база
КТ838А
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры п р-п импульсный Пред-
назначен для применения в каскадах горизонтальной развертки телевизоров и
вцдеоконтрольпых устройств Корпус металлический со стеклянными изолято-
рами н жесткими выводами.
Масса транзистора не более 20 г.
91
Электрические параметры
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при 1/кэ=20 В, 4—0,3 A, f=l МГц, типовое значение 3*
Граничное напряжение при (я-0,1 А, /. = 40 мГн, не менее 700 В
Напряженке насыщения коллектор — эмиттер, не более:
при 7"=+25° С /к = 4,5 А, 7С=2 А ... 5 В
при Т=—45 и + 100° С, 4=4,5 А, /в 3 А 5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=4,5 А,
1в -2 А. не более ... ................1,5 В
Постоянное напряжение эмиттер — база, не менее:
/а=0,01 Л . . . ............5 В
/в=0,1 Л . . . 7 В
Обратный ток коллектор — эмиттер, не более:
при Г=+25°С, £/,<э=1500 В, Г/сэ=0 ... 1 мА
при Т=-45 и +100°С, </ка=1100 В, [/Б8 = 0 . . 1 мА
Время спада прн 7Лкэ=500 В, £/вэ=5 В, /к=4,5 А, /Б=
= 1,8 Л, нс более.................... . . . 1,5 мкс
типовое значение.................................0,7* мкс
Время рассасывания при 7/кэ —500 В, 1/вэ = 5 В, /*=
=4,5 А, /к=1,8 Л, типовое значение . . ... 10* мкс
Емкость коллекторного перехода при 7/Сэ=5 В, типовое
значение . . ................170* кФ
Емкость эмпттерпого перехода при 1/Са=5 В, типовое зна
чснис............................................ 2200 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер 1 при /?б,<
<10 Ом, /„<20 мкс, 1ф~^2 мкс, QJ>4.
Гк —— 45-..+75°С................................. 1500 В
Т« = + 100°С ...........................1100 В
Постоянный ток коллектора..........................5 Л
Импульсный ток коллектора..........................7,5 А
Постоянный ток базы................................0,1 А
Импульсный ток базы................................3,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора ’ при
Т«=- 45 . +05° С:
UKB =150 В......................................... 250 Вт
/7кэ = 200 В....................................... 200 Вт
t/K8 = 300 В........................................150 Вт
1/кэ=400 В..........................................120 Вт
Г/кэ-600 В..........................................70 Вт
Температура р-п перехода.............................+115° С
Температура окружающей среды.........................—45°С...ТК —
= +100° С
При Тк +95...+100 °C ₽ЯгЛ|ояс, Вт-'(7’п—7-я)«Г(„_К), где Лг(п_к) определяется
из области максимальных режимов
Пайка выводов транзистора допускается нс ближе 5 мм от корпуса паяль-
ником, нагретым до температуры +250 °C, в течение не более 3 с,
92
Входные характеристики
Зависимость статиче-
ского коэффициента пе-
редачи тока от тока
коллектора
Зависимости напряже-
ний насыщения коллек-
тор — эмитер и база —
эмиттер от тока базы
Зависимость импульсного напряже-
ния коллектор — эмиттер от сопро-
тивления база эмиттер
Область максимальных режимов
2Т839А
Транзистор кремниевый мсзапланарный структуры п р-п импульсный. Пред-
назначен для применения в высоковольтных переключающих устройствах и ис-
точниках вторичного электропитания. Корпус металлический со стеклянными
изоляторами и жесткими выводами
Масса транзистора не более 20 г.
2Т839А
03
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1/кэ = 10 В /к=4 А, не менее:
7\ = +25°С .................... 5
т шовое значение . . , . 7* *
Тп = —60 и + 100°С . . .2
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при Укэ=20 В, /к=0,3 A f=l МГц. типовое значение 5*
Граничное напряжение при /к=0,1 А, £=40 мГн, не менее 700 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн /к=»
—4 А, 1Г,=2 А, не более..............................1,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=4 А,
1г,=2 Л не более .... .................1,5 В
Обратный ток коллектора, нс более:
+ 25 °C 17кв= 1500 . . 1 мА
т= + юо°с, иКБ= 1100 В . . . 3 мА
Т= 60° С t/*B= 1100 В 1 мА
Обратный ток эмиттера прн £/сэ=5 В. не более 10 мА
Время спада прн {7кЭ=500 В, 1/ьэ=5 В, !к 4,5 А, !в=
= 1,8 А, ие более................... . . 1,5* мкс
Время рассасывания при £/кэ=500 В, 1/кэ — 5 В, /<=
4,5 А, 1В 1,8 А, не более .... 10* мкс
Емкость коллекторного перехода прн 1/кб—Ю В, типовое
зпа 1ение .... . .................... 240* пФ
Емкость эмиттерного перехода при UB8=5 В, типовое
значение .... . . 4000* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база *:
Тк= 40.+75° С . •............................ 1500 В
Г* = -40 ..-60 и +75..+100° С ...................1100 В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер* при
Лбэ— 10 Ом
Г„ = -40...+75°С................................. 1500 В
Тк —40..—60 и +75...+ 100°С......................1100 В
Постоянное напряжение эмиттер — база .... 5 В
Постоянный ток коллектора . .................10 А
Импульсный ток коллектора............................10 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора3 при
Г«= - 60...+25° С....................................50 Вт
Температура р-п перехода........................... . +125° С
Температура окружающей среды.........................— 60°С. ,ТК =
= +100° С
1 При Тк = — 40...—GO и Гк—+75 +100 "С ^кв.макс снижается линейно.
1 При Тк — -40...-60 и 7'к-=75...+100 °C б'кев и.лакс снижается линейно при
мкс. Прн /^<3 мкс Ursru макс снижается до 700 В.
• При 7\-+25...+100 °C /’н,^окс. Вт-(7П-7К)/7?Т(П_К), где Ят(п_к) определяется
из области максимальных режимов
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 5 мм от корпуса паяль-
ником с температурой не выше +260"С в течение не более 10 с.
94
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициента
передачи тока от тока
коллектора
Зависимости напряже-
ния насыщения коллек-
тор — эмиттер от тока
коллектора
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор — эмнттер от коэф-
фициента насыщения
Зависимость напряже-
ния насыщения база —
эмиттер от тока базы
Зона возможных поло-
жении зависимости мо
дуля коэффициента пе-
редачи тока от тока
коллектора
Выходные характерис-
тики
Зависимость максималь-
но допустимого посто-
янного напряжения кол-
лектор — эмиттер от со-
противления база — эмит-
тер
Зависимость емкости кол-
лекторного перехода от
напряжения коллектор —
база
95
Зависимость
емкости эмиттерпого перехода от на
пряжения база — эмиттер
КТ840 (А, Б)
Транзисторы кремниевые мсзапланарпые структуры п р п переключательные.
Предназначены дли применения в переключающих и импульсных устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора lie более 20 г.
КТвМ(А, Б)
96
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1/кВ=5 В.
/к=0,6 Л..................................... .
/к=0 1 А, нс менее
Модуль коэффициента передачи тока па высокой частоте
при 1/кэ=10 В, /к=0,2 Л, f—1 МГц . .
Граничное напряжение при /к=0,1 А, не менее:
КТ840А.........................................
КП840Б.........................................
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=4 А,
/Е=1,25 а . . . . . . . . :
Напряжение насыщения база—эмиттер при /в=4 А,
/в=1,25 А..........................................
Время включения при t/Be=200 В, /К=2,5А, /в=0 5 А
Время спада при £/ко=200 В /к —2,5 А, /в=0,5 А
Время рассасывания при иКэ~200 В /в=2,5 А, /в—0,5 А
Обратный ток коллектора при б/ВБ = б/кс.лакс’
Л, = +25° С....................................
Тк= —45°С......................................
Тк-+ Ю0С.......................................
10*. 30* 100*
10*
8*...12*. 15*
400* В
350* В
0,4*.. 1*.. 3 В
1,2* 14* 1,6 В
0,08 .0,1*. 0,2* мкс
0,15*...0,3* ..0,6 мкс
0,4* 0,8*. 3.5 мкс
0,1*...0,5*...3 мА
0,5*...1,5*...5* мА
0,5*... 1,5*..5* мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?<,=
= 100 Ом:
КТ840А .... ..... . 400 В
КТ840Б.......................................... 350 В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер * 1 при 5/Сэ =
= 1,5 В, /и^80 мкс, 1 мкс, У>2:
——20..+100° С КТ840Л ... 900 В
7^=—20...+90° С КТ840Б .... 750 В
Импульсное напряжение коллектор — база1 при Л, sg
^80 мкс, 1 мкс, Q>2:
7'к = -20..+ 100°С КТ84ОА.................... 900 В
7\= —20,..+90°С КТ840Б.......................... 750 В
Постоянный ток коллектора........................... 6 А
Импульсный ток коллектора при /и^20 мкс, Q>3 . . 8 А
Постоянный ток базы .... . . 2 А
Импульсный ток базы при 0,^20 мкс, Q>3 ЗА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора’ при
1/кО<30 В, Те = -45...+50°С ................ 60 Вт
Температура р-п перехода............................+150° С
Температура окружающей среды........................— 45°С...7и =
- + 100° С
При 1К 20...-45 °C 1!]{8п.и.макс " uKB.h.j»qkc снижаются линейна до 759 0
для КТ840Л и до 600 В для КТ84ЧБ. при 7К — +90 И00 °C снижаются линейно до
700 В для КГ84ОБ
1 ПРИ 7к>+5о°с рк,макс- где «Т(п-к| определяется из
области максимальных режимов, например при Ыка-'ЗО В A. RT „_я)“1.67 “С'Вт
7 Заказ № 1001
97
Области максимальных режимов
Зависимость максимально допусти-
мого импульсного напряжения от
скважности
2Т841 (А, Б), 2Т841 (А1, Б1]
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных
модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Корпус 2Т841А, 2Т841Б металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами, 2Т841А1, 2Т841Б1 — пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора в металлическом корпусе ие более 20 г, в пластмассо-
вом — не более 2 г.
98
гтвч1(Л1, fi)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при Uk3 = q В, /к = 5 А:
Т— -4-9^ °C-
2Т841А, 2Т841Б ........................
2Т841А1, 2Т841В1, ие менее................
Т= — 60° С и Тм„кг, не менее
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при С'кг> —10 В, /к=0,2 А
Граничное напряжение при 1к =0,1 А
2Т841А, 2Т841Л1.......................
2Т841Б, 2Т841Б1 ... . .
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/к = 5 А, /Б=1 А:
2Т841А, 2Т841Б
2Т841А1, 2Т841Б1, не более..................
Напряжение насыщения база — эмиттер при 1к —
=5 Л, /Б=1 А.
2Т841А, 2Т841Б ... ....
2Т841А1, 2Т841Б1, не более . . . . .
Время включения при Пкэ=200 В, /к=5 Л, /с=
= 1 А, не более . ............. . .
типовое значение .................
Время спада при (7кЭ = 200 В, /к=5 А, /в=1 А
Время рассасывания при 6/кэ=200 В, /к=5 А, /Е =
=1 А, не более ....................
типовое значение . . .............
Обратный ток коллектора, не более:
Т= 60.+25’С:
Пкв^ЬОО В 2Т841А, 2Т841А1 ....
Пкб = 400 В 2Т841Б, 2Т841Б1
типовое значение . . .............
Т=Тмак
Ь'кь-бОО В 2Т841А, 2Т841А1
12 20* 45*
10
6
10..20+..25* МГц
350...440*...510* В
250. 370*. .450* В
0,25* .0,6* . 1.5 В
1 5 В
0,95* 1,1* .1,6* В
1,8 В
0,3* мкс
0,15* мкс
0,06* . 0.2* .0.5 мкс
3* мкс
2* мкс
3 мА
3 мА
0,04* мА
5 мА
7*
99
Продолжение
6/КБ = 400 В 2Т841Б, 2Т841Б1 .... 5 мА
Обратный ток эмиттера при Пвэ=5 В, не более:
2Т841А, 2Т841Б .......................10 мА
2Т841А1, 2Т841Б1 . . 5 мА
Емкость коллекторного перехода при Ukb~ 10 В,
f=0,3 МГц ........................................ 185*...220*...300* пФ
Емкость эмиттерного перехода при Пвэ=1 В, f=
=0,1 МГц ............................................. 3000*...3800*...5000* пФ
Пре тельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т841А, 2Г841А1 . . .
2Т841Б, 2Т841Б1...................
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 прн
ПБЭ = 1,5 В для 2Т841А, 2Т841Б, Keas£100 Ом для
21 41А1, 2Т841Б1:
2Т841А, 2Т841А1 . . .
2Т841Б, 2Т841Б1.........................
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при
/?ба^Ю0 Ом, Zu=0,5 мкс, ^>0,3 мкс:
2Т841Л ... . . .
2Т841Б ...................................
Постоянное напряжение эмиттер —.база
Постоянный ток коллектора.......................
Импульсный ток коллектора при fu^10 мс, 0>2
Постоянный ток базы.........................- •
Импульсный ток базы при /и^10 мс, 0^2
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
с теплоотводом, Тк = — 60...+25° С:
2Т841А, 2Т841Б . .............
2Т841Л1, 2Г841Б12.........................
без теплоотвода, Т= — 60...+25° С:
2Т841Л, 2Т841Б............................
2Т841А1, 2Т841Б1 ....................
Температура р-х перехода .......................
Температура окружающей среды:
2Т841А, 2Т841Б..............................
2Т841А1, 2Т841Б1.....................
600 В
400 В
600 В
400 В
500 В
350 В
5 В
10 Л
15 А
2 Л
4 Л
50 Вт
30 Вг
3 Вт
1 Вт
+ 150° С
-60° С. ГК = + 125°С
-60е С. ,Гк= + 100°С
1 При мкс Uкв„ д,охс ие ограничивается до иКЭп,.-р для 2TS4IA. 2Т841Б, при
dt7<W<250 В/мкс —для 2Г8-п'Л1. 2Т841Б1.
’ При 7'к —+25...+100 °C для 2T84IAI. 2Г841В1 максимально допустимая постоянная
рассеиваемая мощность коллектора снижается линейно на 0,24 ВтЛС с теплоотводом и
на 8 мВтГС —без теплоотвода.
Пайка выводов транзисторов допускается ие ближе 5 мм от корпуса, тем-
пература припоя не более +260 °C, время панки ие более 3 с.
Для транзисторов 2Т841А1, 2Т841Б1 при раздельной панке тепюотводящей
поверхности и выводов транзистора пайку осуществлять припоем с температу-
рой не более +240 °C, общее время пайки не более 8 с.
При монтаже и эксплуатации транзисторов должны быть приняты меры,
исключающие воздействие статического электричества выше 1 кВ.
100
Зависимости максимально допустимой
постоянной рассеиваемой мощности кол-
лектора от температуры корпуса
Зона возможных положений зависимо-
сти статического коэффициента пере-
дачи тока ст тока эмиттера
Зависимости напряжений насыщения
коллектор — эмнтгер и база — эмит-
тер от тока коллектора
Зависимость граничною
напряжения от темпера
туры корпуса
Зона возможных положений зависимости
пробивного напряжения коллектор— эмит-
тер от сопротнвпения база—эмиттер
101
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор — база
Зависимости времени
включения, выключения,
спада и рассасывания
от тока коллек|Ора
Зависимости времени
включения, выключения,
спада и рассасывания
от температуры корпуса
Области максимальных режимов
И
Области максимальных режимов
Зависимость коэффициента К от
длительности импульса
2Т844А, КТ844А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п р-п пере
ключательиые. Предназначены для применения в переключающих и импульсных
устройствах Корпус металлический со стеклянными изоляторами с жесткими
выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
103
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
чип Uks = 3 В, 1к~6 А:
Гх = +25°С . ........................
Тк= х,.«охс - ...
т=тЛ1„м..................................
Модуль коэффнш епта передачи тока на высокой ча-
стоте при 11кэ — Ю В, /к=0,5 А, f—З МГн, не менее
типовое значение .................
Граничное напри кенпе при /к=0,1 Д, L — 40 мГн,
не менее . ........................
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/к — 6 А, /д —0,6 А, не более
типовое значение .................
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к —
= 6 Л, /б=0,6 А, не ботее
типовое значение . ...
Время рассасывания при (7кз=100 В, /к = 6 Л, 1е —
= 1,2 Л, Ueb= — 4 В, не более...................
Время спада при 6/кэ=Ю0 В, /к = 6 А, /в-1,2 А,
Ueb----4 В, нс более . ...
типовое значение ..............
Время нарастания при иКв=Ю0 В, /к 6 А, 1в =
= 1,2 A, Ueb=— 4 В, не более
типовое значение ...
Обратный ток коллектор — эмиттер при 6/кэ = 25ОВ,
/?б,= 10 Ом. ие более:
Тк — +25 С . ........................
типовое зиа icuiie..........................
Гх Гх.лсахс о Т—Тмин .......
Обратный ток эмиттера при Ueb—4 В, не более
типовое значение ..................
Емкость коллекторного перехода при Uke~ 10 В,
f=l МГц .....................................
10...50
8.. 150
5.. 70
2,4
3
250 В
2,5 В
1,3 В
2,5 В
1,3 В
2 мкс
0,3 мкс
0,15 мкс
0,3* мкс
0,15* мкс
3 мА
0.1 мА
10 мА
20 мА
1 мА
160*. .210* .300* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при
Пьэ=2 В или /?еэ-Ю Ом . . .... 250 В
Постоянное напряжение база — эмиттер . . 4 В
Постоянный ток котпектора ..... 10 Л
Импульсный ток коллектора........................20 А
Постоянный ток базы .... . 4 А
104
ПроОолжение
Импульсный ток базы................................... 7 Л
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 с
теплоотводом при Тк — Тмии. +50° С . . 50 Вт
Температура р п перехода..........................+ 175е С
Температура окружающей среды:
2Т844Л . . ... -60°С...7’хл + 125°С
КТ844А . . .... — 45° С...7’в= + 100° С
1 При Гк> + 50°С макс вычисляется по формуле
рк макс’ 15 “(По- ,) RT(n_K1,
где рт(п—х) — определяется из области максимальных режимов.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса. При пайке темпе-
ратура корпуса не должна превышать +125 °C. При отсутствии контроля тем-
пературы корпуса пайка осуществляется паяльником с температурой +260СС
в течение не более 3 с.
Допустимое значение статического потенциала 2000 В
Входные характеристики
Зона
жеипй
тпческого коэффициента
передачи тока от тока
коллектора
возможных поло-
зависимости ста-
Зависимость статическо-
го коэффициента переда-
чи тока от температуры
корпуса
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор— эмиттер от тока
базы
Зависимость пробивного
напряжения коллек-
тор — эмиттер от сопро
тивления база — эмиттер
Зависимость
коллекторного
от напряжения коллек-
тор — база
емкости
перехода
105
Г„.А
Области максимальных режн- Зависимость времени Зависимость времени
мов спада от тока кол- рассасывания от то-
лектора ка коллектора
2Т845А, КТ845А
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п переключатель-
ные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных устрой-
ствах Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и
жесткими выводами Тип прибора указывается на корпусе
Масса транзистора не более 20 г.
2Т8Ь5А, КТ8Ъ5А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
£/кэ=5 В, /к=2 А
7к = +25°С .... 15 .100
7 к = 7 к .«1кс . . . . 8 150
7Тл,и........................................... . 8... 100
106
Продолжение
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при 6/к»=5 В, /к=0,5 А, 1=3 МГи, не меиее . . . 1,5*
типовое значение.....................................1.8*
Граничное напряжение при /к =0,1 Л, Е=40 мГн, не
менее ... .... 400 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к = 2А,
/к=0,4 А, не более....................... . . 1.5 В
Напряжение насыщения база — эмиттер прн 1К—2 Л.
/ь = 0,4 А не более.................................. . 1,8 В
Время включения при иКэ~200 В, /к=2 Л, /б = 0 1 А,
С/г,э = — 4 В, ие более................................. 0,35* мкс
Время рассасывания прн б/кэ=200 В, 1к=2 А, /Е =
= 0,4 A, Una = — 4 В, не более 4* мкс
типовое значение . . .................2,7* мкс
Время спада прн (7кэ=200 В, /к —2 Л, /с=0,4 А С/г.э =
= -4 В, не более . 0,35 мкс
Обратный ток коллектор — эмиттер при UK3 — 400 В,
Ros— 10 Ом, ие более:
7\ =Г.х«..... + 25°С........................................3 мА
Тк = Тк..Чакс...........................................10 мА
Обратный ток эмиттера при Uc0=4 В, не более . . 15 мА
Емкость коллекторного перехода при б/кс = 200 В, f=
= 1 МГн, нс б лес.......................................... 45 пФ
типовое значение . . ... 35 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 17вэ=4 В, f=l МГц,
ие более . . .............. ................... 2000 пФ
типовое значение . ................ 1700 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное напряжение коллектор — эмпт
сер ' при /?еэ=10 Ом, 7к=+100'С.....................
Постоянное напряжение эмиттер база..................
Постоянный ток коллектора ............
Импульсный ток коллектора...........................
Постоянный ток базы . . . . .
Импульсный ток базы
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора2 при Тк =
= 7 j«uh-+50 °C ...
Температура р-п перехода . ...................
Температура окружающей среды:
2Т845А .... .......................
КТ845Л
400 В
1.5 А
4 А
40 Вт
+ 175' С
- 6О'С...7К =
= + 125'С
-45'С...7\ =
= -ЫС0°С
1 При Гк> + 10()сС ^кэн.хакс снижается линейно на 10% на каждые 10' С.
1 При Гк>+50'С Рк макс рассчитывается по формуле
^к.-япке’ 1*75 — Гк) RT(n_кр
где Rr(n-K) определяется из облает максимальных режимов.
При конструировании аппаратуры следует учитывать возможность само-
возбуждения транзисторов за счет паразитных связей.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора' при
этом температура корпуса не должна превышать +125'С. При отсутствии
контроля температуры корпуса пайка осуществляется паяльником с темпера-
турой не более +260'С в течение времени не более 3 с
Допустимое значение статического потенциала 2000 В.
107
Входные характери-
стик н
Зона
пнП
ского коэффициента пере-
дачи тока от тока коллек-
воз мо ж и ы X' и олож е
зависимости статиче-
Завпсимос! и напряже-
ний насыщения коллек-
тор— эмнтгер и база —
эмиттер от тока базы
Зависимость
коллекторного
от напряжения
тор — база
емкости
перехода
коллек-
Заввсимость
эмиттерного
напряжения
эмигтер
емкости
перехода от
база —
Зависимость модуля ко-
эффициента передачи
тока от тока коллектора
Области максимальных режимов
Зависимости импульсного теплового
сопротивления переход — корпус от
длительности импульса
108
Зона возможных поло-
жений зависимости вре-
мени спада от тока кол-
лею ора
Зона возможных поло-
жении зависимости вре-
мени рассасывания от
тока коллектора
Зона возможных поло-
жений зависимости вре-
мени включения от чока
коллектора
КТ846Л
27,2
10,3. . /J
Транзистор кремниевый ме-
заплаиариый структуры п-р-п
импульсный Предназначен для
применения в блоках горизон-
тальной развертки телевизоров
и вилсокоитрольных устройств.
Корпус металлокерамический с
жесткими выводами Тип при-
бора указывается на корпусе.
Масса тразистора не более
20 г.
Электрические параметры
Граничное напряжение при /к=0,1 Л, 7.=40 мГн,
не менее ....
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер, ие
более:
7 = +25° С, /к 4 5 А, /б=2 \
Т=—25° С, /к = 4,5 А, /Б=3 А...............
7’= + 100°С, /к 4,5 А, /Б=3 Л
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к =
“4,5 А, 1в=2 А, ие более . . .
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ.......................
Время спада при UK 500 В, 1к 4,5 Л /Е = 1,8 А,
i7os = 5 В, не более . . ...
типовое значение
Время рассасывания при L/k=500 В, /к=4,5 А,
7б==1,8 А, Г/бэ = 5 В, ие более
типовое значение ..........................
700 В
1 В
25 В
1,5 В
1,5 В
2*. 4*.. 7* МГц
1* мкс
0,7* мкс
12* мкс
10* мкс
109
Продолжение
Обратный ток коллектор — эмиттер
= 1500 В, /?5,= 10 Ом. ие более:
7=+25’С ...
7=-25 и +95°С . .
Емкость коллекторного перехода
при 7'кэ. =
. . . 1 мА
. . . . 2* * мА
. . . НО’. 150* .200* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1 при
A’+.sglO Ом . . . ...................
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер 1 при
/^>2 мкс .... ...................
Постоянный ток коллектора......................
Импульсный ток коллектора......................
Постоянный запирающий ток базы.................
Импульсный запирающий ток базы.................
Импульсный ток базы ................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 2 при
Тк +95° С . . ..........................
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при
1<Р^4,5 мкс, tn — 54 мкс, 7К = + 95°С:
О’кэ,и— 150 В.................
Пкэ.и =200 В ..... •. . . .
1/кэ.и=300 В.....................
Пкэ,м = 400 В . . .
Окэ.и=600 В................................
Температура р-п перехода.......................
Температура окружающей среды...................
1500 В
1500 В
5 А
7,5 А
0,1 Л
35 А
4 А
12,5 Вт
250 Вт
200 Вт
150 Вт
120 Вт
70 Вт
+115° G
—25°С 7к= + 100°С
линейно до 1100 В.
1 При 7-,-+95...+ 100 °C с/кэп л.,к„ С'кэп.„.л,ок<: снижаю1ся
* При Тк—+95...+100 °C Рк определяется по формуле
^‘н.М'гкс* 7К).-/?Г(П_К,
Допустимое значение ст этического потенциала 2000 В
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса при
температуре припоя +250°C в течение не более 3 с.
Выходные характеристи-
ки
Зона возможных положений зависимости
статического коэффициента передачи тока
от импульсною тока коллектора
ПО
Зависимости напряжения
насыщения коллектор —
эмиттер от тока базы
Зависимость максималь-
но допустимого импульс-
ного напряжения кол-
лектор — эмиттер от со-
противления база — эмит-
тер
Зависимость емкости кол-
лекторного перехода от
напряжения коллектор —
база
Области максимальных режимов
Зависимости импульсного теплового сопротивления переход — корпус от гли
тельности импульса
111
КТ847А
Транзистор кремниевый мезаплаиарный структуры п-р-п переключательный
Предназначен для применения в источниках вторичного электропитания. Корпус
металлический со стек явными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибо-
ра указывается на корпусе
Масса транзистора не более 20 г.
/775474
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1^кэ=3 В, /к=15 А:
7 = + 25 °C
7= 45 и +100 СС, не менее............................
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при (7кэ=10 В, /к = 1,5 А, /=10 МГц, не менее
типовое значение ...........................
Граничное напряжение прн /к = 0,1 Л, /кнас=0,3 А,
7 = 25 мГн, не менее ........
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн /к=15А,
/в=5 Л ...
Время спада прн (7к=200 В, /к=15 А, /ь-=3 А, t/cp=
=7,5 В, не более ........................
Время рассасывания при (7к=200 В, /« = 15 А, /ь=3 А,
7/еэ=7,5 В, не более . ........................
Обратный ток коллектора, не более:
7 = +25°C, Uкв = 650 В...............................
7= + 100°С, (7ке = 400 В .....................
7=-45 °C, 6/ке=650 В........................... . .
Обратный ток эмиттера при Ues= 8 В. не более
Емкость коллекторного перехода при Uke,=400 В, не
более .................................................
типовое значение ................... . .
8...9,5* . 25*
1.5
4*
350 В
0,2*...0,5*...1,5 В
1,5 мкс
3 мкс
5 мА
5 мА
5 мА
100 мА
200 пФ
100* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при R^^
<10 Ом, 7к = -45...+75°С ....................
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер1 при /?«,<
<10 Ом, /и<20 мкс, /^^1,5 мкс, 7Х= — 45 ..+75 °C
Постоянное напряжение база — эмиттер
Постоянный ток коллектора ......................
Импульсный ток коллектора при Л, <2 мс ...
Постоянный ток базы . . .............
650 В
650 В
8 В
15 А
25 А
5 А
1 При Гв = + 75... + 100 °C
и.жакс
снижаются линейно до Пкв0 гр.
^ТГЭВ.жако
112
П родолжсние
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при
7’к = -45... + 25°С 125 В
Температура рп перехода........................... ... +200° С
Температура окружающей среды..........................—45°С..ТЯ =
= +100° С
' При Гк—+25.-+100 °C Романс определяется по формуле
Р к, маке 7к).'ЯТ(П_кр
Дон^стимое значение статического потенциала 2000 В
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса при
температуре припоя +260 °C в течение не более 3 с.
Входные характеристики Выходные характерпстн Зависимость модуля ко
кн эффнцпента передачи
тока от тока коллек-
тора
Зависимость статического ко-
эффициента передачи тока от
тока коллектора
Зависимость максимально допустимою по-
стоянного напряжения коллектор — эмит-
тер от сопротивления база — эмиттер
8 Заказ № 1004
113
Зависимости времени рассасывания и спа-
да от тока коллектора
Области максимальных ре-
жимов КТ847А
Зависимости импульсно-
го теплового сопротив-
ления переход — корпус
от длительности
импульса
КТ848А
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры п-р-п усилительный.
Предназначен для применения в электронных системах зажигания. Корпус ме-
таллический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тин прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
114
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
С,кэ=5 В, /к =15 Л, не менее:
7=+25.-ь 100°C............................
7=—45°С.......................................
Граничное напряжение при /к = 5 A, 7=1,5 мГн, не менее
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1к=
= 10 А. /б=0,15 А, ие Солее
7=+25 °C . . . . . .
Т=-40°С . .
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1к—7 А,
/с=0,07 А . . ...........................
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к = Ю А,
/б —0,15 А:
7= + 25°С.....................................
7=-40 °C......................................
Прямое напряжение диода прн /Пр=10 А, не более
Обратный ток коллектор — эмиттер при Пиз = 400 В,
Rr.3—1 кОм, не более.
7=— 45...+25 °C . ... . . . .
7=+ 100 °C....................................
20
10
400 В
2 В
4,5 В
1*. .1.3*. 1,5 В
1,7*...1,95*...2,7 В
1,5* 2,1*..3,5 В
2 В
3 мА
5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер
Постоянное напряжение база — эмиттер
Постоянный ток коллектора...................
Постоянный ток базы ..............
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
Температура р-п перехода....................
Температура окружа ощей среды
400 В
15 В
15 А
4 А
35 Вт
+ 150° С
— 45° С 7К =
= +100° С
Допустимое значение статического потенциала 2000 В.
Пай, а выводов транзистора допускается ие ближе 5 мм от корпуса при
температуре +260 °C в течение не более 3 с, время лужения 2 с.
Входные харамерп-
стпки
Зона возможных положе-
ний зависимости статиче-
ского коэффициента пере-
дачи тока от импульсного
тока коллектора
Зависимости напряже-
ния насыщения коллек-
тор — эмиттер от им-
пульсного Юка коллек-
тора
8:
115
^Та(п-к) *C ВТ
Зона
НИИ
возможных
зависимости
положс-
времепп
Зависимость импульсного теплового сопротивле-
ния переход — корпус от длительности импульса
Электрическая схема транзистора
КТ850 (А, Б, В)
Транзисторы кремниевые пла-
нарные структуры п-р-п усилитель-
ные. Предназначены для применения
в усилителях мощности, переключаю-
щих }стройствах. Корпус пластмас-
совый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более
2 5 г.
116
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Пкэ = Ю В, /к = 0,5 А:
КТ850Л............................................. 40 200
КТ850Б, КТ850В, не менее ... . . 20
Граничное напряжение при /э = 30 мА, не менее
КТ850 Х ............................... 200 В
КТ850Б................................. . . 250 В
КТ850В........................... . . 150 В
Напряжение насыщения колчектор — эмиттер при /к =
0.5А, /ь=0,1 А, ие более . ... 1 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к —0,5 А,
1б=0,1 А, не более .... . 1,6 В
Обратный ток коллектора при UKc = U ие более:
КТ850А............................................... 0,1 мА
КТ850Б. КТ850В.....................................0.5 м Л
Обратный ток эмиттера при Ue3=5 В, не более:
КТ850А . . . . ...................0,1 мА
К1850Б, КТ850В . . ................ 0,5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база при
<J250 В/мкс:
КТ850А................................................ 250 В
КТ850Б ................. . . 300 В
КТ850В.............................................180 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Ra^^
1 кОм, d(JK3ldt^2oO В/мкс
КТ850А ... ......................... 200 В
КТ850Б......................................... . 250 В
КТ850В.................... . . ... 150 В
Постоянное напряжение база — эмиттер.................... 5 В
Постоянный ток коллектора............................... 2 \
Импульсный ток коллектора при Л, =С2 мс, (?^2 . . ЗА
Постоянный ток базы ........ 0.5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк =
= -60. +25СС ......................25 Вт
Температура р-п перехода.................................+ 150° С
Температура окружающей среды.............................-60’ С .Тк =
= +100° С
Допускается одноразовый изгиб выполов не ближе 2,5 мм от корпуса
транзистора под углом 90° радиусом закругления не менее 0 8 мм
Пайка вводов допускается ие ближе 5 мм от корпуса транзистора при
температуре + 260 °C в течение не более 3 с
Запрещается припайка основания транзистора к теплоотводу.
117
Ц, мА
Области максимальных режимов
Входные характеристики
Зависимость максимально допустимой по-
стоянной рассеиваемой мощности коллек-
тора от температуры корпуса
Зона возможных потоженин зависимо-
сти статического коэффициента передачи
тока от температуры
Зависимости статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
118
Into
Зависимости времени включения, вы-
ключения и рассасывания от тока кол-
лектора
Зависимость обратного тока кол-
лекторе or температуры
Зона возможных положений зависимо-
сти напряжения насыщения коллек-
тор — эмиттер от тока коллектора
Зона возможных положений зависи-
мости напряжения насыщения ба-
за — эмиттер от тока коллектора
КТ854 (Л, Б)
Транзисторы кремниевые эпк-
таксиалыю-планарные структуры
п р-п усилительные. Предназначены
для применения в преобразователях,
линейных стабилизаторах. Корпус
пластмассовый с жесткими выво-
дами
Масса транзистора не более 2,5 г.
119
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
6/кк=4 В, 1а=2 Л, не менее.............................20
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ при /7кв=Ю В, /э=0,5 А, не менее . . 10 МГц
Граничное напряженке прн /э = 0,1 А, /.= 160 мГц, не
менее
КТ854А............................................ 350 В
КТ854Б ... . . 200 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к =
5 А, /с—I А, не более . 2 В
Обратный ток коллектора при /7кв = //кв..м„Кг, не более . 3 мА
Обратный ток эмиттера прн С'Еэ=6 В, не более 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ854А......................................... . 600 В
КТ854Б 400 В
Постоянное напряженке коллектор—эмнтгер при
СЮ Ом:
КТ854А............................................ 500 В
КТ854Б............................................ 300 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 5 В
Постоянный ток коллектора 10 А
Импульсный ток коллектора .... . 15 Л
Постоянный ток базы 3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора прн /« =
40°.. + 25°C ... . 60 Вт
Температура р-п перехода . . ... +150 °C
Температура окружающей среды.............................— 40°С.Тк=
= +100 СС
При монтаже допускается одноразовый изгиб выводов транзистора нс бли-
же 2,5 мм от корпуса под углом 90° с радиусом закругления не менее 2,5 мм.
При этом должны приниматься меры, исключающие передачу усилий на кор-
пус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора при
температуре не более +260 °C в течение не более 3 с. При пайке корпус
паяльника должен быть заземчен Разрешается осуществлять панку путем по-
гружения выводов в расплавленный припой с температурой не более +250 °C
в течение не более 5 с Допускается пайка волной нрнноя с температурой не
более +240 °C.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Зависимость максимально допустимой
постоянной рассеиваемой мощности кол-
лектора от температуры корпуса
120
Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеивасмои мощ-
ности коллектора от температуры
Зависимость статического коэффици-
ента передачи тока от тока эмиттера
Зависимость статического коэффициен-
та передачи тока от напряжения кол-
лектор — база
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от темпера-
туры
Зона возможных положений зависимо-
сти максимально допустимого постоян-
ного напряжения коллектор — эмиттер
от сопротивления база—-эмиттер
коллектор — эмиттер от тока кол-
лектора
121
Уьз.кк-В
Зависимость напряжения насыщения
база — эмиттер от тока коллектора
Зависимость напряжения насыщения
коллектор—эмиттер от тока коллек-
тора
Зависимость обратного тока коллек-
тора от температуры
Завнснгюсть напряжения насыщения
база — эмиттер от тока коллектора
Зависимость обратного тока эмит-
тера от температуры
Зависимость обратною тока коллек-
тора от температуры
122
2Т856 (А, Б, В)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-л^ поре-
ключательные Предназначены для применения в переключающих устропствах.
Kopnvc металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Alacca транзистора не более 16 г.
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при С'иэ=5 В. /к = 5 А:
7Х = +25,,С:
2Т856А .................... • 10.30
2Т856Б. 2Т856В..................................Ю 60
Тя- + 125 °C:
2Т856Л ................. 5 30
2Т856Б, 2Т856В....................... . . 5 60
Г„ = - 60 СС:
2Т856А 5...60
2Т856Б, 2Т856В 5 100
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при 1/кэ=10 В, /к = 2 Л, не менее . 10* МГц
типовое значение............................20* MI и
Граничное напряжение при /к=0,1 А, не менее
Гх=+25 н -60 ГС:
2Т856Л ....................... 450 В
2Т856Б . 400 В
2Т856В ............................. 300 В
7,,= + 125 °C:
2Т856Л . . . . . 400 В
2ТЯ56Б ... 350 В
2Т856В.................................... 250 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/к-5 Л, /Б=1 Л..................................0,2*..0,4*..1.5 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=
=5 А, /в-1 А............................ . . . 0,9* .0,95*. .2 В
Время включения при t/K=200 В, /к=5 А,
/,.=0,5 А ................ . 0,08* .0,15* 0,5* мкс
Время спада при //к =200 В, /к=5 А, /Б=0,5 А,
не более.................................... ... 0,5 мкс
Время рассасывания при /./« = 200 В /к 5 Л. /в =
— 0,5 А, ие более . . ..... 2 мкс
Обратный ток коллектора, не более:
Тк + 25СС, UKC=UKR.M,K, ... 3 мА
123
Продолжение
7\- = +75...+ 125сС и —40...—60 °C, £/кп=800 В
для 2Т856А, 650 В для 2Т856Б, 500 В для
2Т856В.....................................5 мА
Обратный ток эмиттера при £/SB=5 В, не более . 20 мА
Емкость коллекторного перехода прн (7кг=90 В,
f=0,3...1 МГц, не более ... ... 100 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база 1 при
Тк =-40. + 75 СС.
2Т856А..................
2Т856Б
2Т856В ...... ‘ ‘ ’
Постоянное н импульсное 2 напряжение коллектор —
эмиттер прн /?Дэ='10 Ом:
2Т856А ...............
2Т856Б ...
2Т856В............................; \ ;
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора . . * .
Импульсный ток коллектора . ...
Постоянный ток базы . ...
Постоянная рассеиваемая мощность3 прн (7кэ=£4О В:
Гк= + 25=С . ...
ТК= + 125СС . .......................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура р-п перехода.......................
Температура окружающей среды...................
1000 В
800 В
600 В
950 В
750 В
550 В
5 В
10 А
12 А
3 А
75 Вт
15 Вт
1,67 °C;Вт
+ 150 °C
—60°С...Тк —+ 125°С
1 При Г к — —40...—60 °C и Гк = +75... + 125 °C Г-'кв жяис снижается линейно до 800 В
для 2Т85СЛ. 630 В для 2Т856Б, 500 В для 2Т856В.
’ Для олн точного импульса при t&>l мкс. При /^<1 мкс
’ При Гк-+25...+ 125 °C
КЭП.и макс КЭО,гр‘
Рцмакс уменьшается линейно.
Выходные характерис-
тики
Зависимость статическо
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
124
Зависимости напряже-
нии насыщения коллек-
тор—эмнтгер н база—
эмиттер от тока коллек-
тора
Зависимость времени
рассасывания от тока
коллектора
Зависимость времени
спада от напряжения
коллектор — эмиттер
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор — база
Зависимости постоянно-
го напряжения коллек-
тор — эмиттер от сопро-
тивления база—эмиттер
Зависимость электриче-
ской прочности воздуш-
ных промежутков меж-
ду выводами базы и
коллектора
125
Области максимальных режимов
Зависимости максимально допусти-
мом импульсной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от длительности
импульса
КТ857А
КТ857А
Транзистор кремниевый эпитак-
сиально планарный структуры п-р-п
переключательный. Предназначен для
применения в усилителях и переклю-
чающих устройствах. Корпус пласт-
массовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 3 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
(/ira=l В, /к ЗА, ие менее....................7,5
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при иКэ= Ю В, /к 0,5 А, /—3 МГц, не менее ... 3,3
Граничное напряжение при /к 0,1 Л, £=25 мГн не менее 150 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к = 3 Л,
/в=0,4 А, не более . . ... 1 В
126
Продолжение
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к = 3 А,
/ь—0,4 А, не более....................... . . 1,25 В
Время спада при Uk=50 В, /к=5 Л, /б=0.5 А,
1/бв = -5 В................... . . 0 1*. 0,3* 1* мкс
Время рассасывания при 17к=50 В, /к=5 4 /в=0,5 А,
г/ва = -5 В......................................... . 0,1* 1*...2,5* мкс
Обратный ток коллектора прн Ukv. =250 В, не более . 5 мА
Обратный ток эмиттера при (7вэ = 6 В, не более . 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер’ при Рс>^
s£IO Ом, Т„=100°С.............................
Пробивное напряжение коллектор — база1 при 7, = 1М)СС
Постоянное напряжение база — эмиттер................
Постоянный ток коллектора.....................
Импульсный ток коллектора.....................
Постоянный ток базы...........................
Импульсный ток базы....................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 2 при Г„ =
= -55...+25 °C......................................
Температура р-п перехода ...........................
Температура окружающей среды........................
1 Ври увеличении
линейно до КО В
! При ТК>+25СС
температуры перехода от +100 до + 150 *С
Р „пк<. рассчитывается но формуле
'Ущжс' Вг“ (150— I
250 В
250 В
6 В
7 А
10 А
2 Л
3 А
60 Вт
+ 150 "С
-55 °C. ,Т„ =
= + 100°
напряжение снижается
где определяется из области максимальных режимов.
Минимальное расстояние от места панки вывода до корпуса транзистора
5 мм При пайке температура корпуса не должна превышать +100 "С. Прн от-
сутствии контроля температуры корпуса панка производится паяльником, на-
гретым до температуры не более +280°C в течение не более 2,5 с. Минималь-
ная температура пайки +235 °C.
При монтаже транзистора должны быть приняты меры, исключающие воз-
никновение паразитной генерации.
Допустимое значение статического потенциала 2000 В
Входные характеристики
Зависимость обратного
тока коллектора от тем-
пературы корпуса
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор — эмиттер от тока
базы
127
Ur,3,№ .8
Зависимость максимально допустимого по-
стоянного напряжения коллектор — эмиттер
от сопротивления база—эмиттер
Зависимость напряжения насы-
щения коллектор — эмиттер от
тока коллектора
Зависимость модуля коэффициента
передачи тока от тока коллектора
Зависимость статического коэффици-
ента передачи тока от тока коллек-
тора
Сл
500
ЮО
300
200
100
О
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения
Зависимость времени
рассасывания от тока
коллектора
^сл.
0.3
0.25
0.2
0.35
0.3
О 2 4 6 8 [ц.А
Зависимость времени
спада от тока коллек-
тора
128
Область максимальных режимов
Области максимальных режимов
КТ858А
Транзистор кремниевый эпитак-
сиально-нланарный структуры п-р-п
переключательный Предназначен для
применения в переключающих уст-
ройствах. Корпус пластмассовый с
жесткими выводами
Масса транзистора не более 3 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при £/кэ=5 В, /к=5, не менее..................
Модуль коэффициента передачи тока на высокой
частоте при Ull0-10 В, /к=0,5 А, f=3 МГц, не
менее................ ..................
Граничное напряжение при /к=0,1 A, L=25 мГн,
не менее .............
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн
1r—5 А, /с=0,8 А, не более . . . . .
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к =
=5 А, /б = 0,8 А, не более..............
Время спада при Un = 50 В /*«=5 А, 7д“05 А,
Пвв=-5 В . . . ......
10
33
200 В
1 В
1,2 В
0,05* .03*.. 0,75* мкс
9 Заказ М> 1004
129
П г одолжение
Время рассасывания при U»=50 В /и=5 А, /*=
=0.5 А, 17с8=-5 В...............................
Обратный ток коллектора при 1/яе=400 В, не более
Обратный ток эмиттера при Г/б8=6 В, не более
1* 12*. 2,5 мкс
1 мА
1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 R «£ 10 Ом, Т'„= + 100°С при
при 400 В
Пробивное напряжение коллектор — база 1
Г„=100сС 400 В
Постоянное напряжение база — эмиттер • 4 6 В
Постоянный ток коллектора • 7 А
Импульсный ток коллектора • • 10 А
Постоянный ток базы 4 А
Импульсный ток базы 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора’ при Г«= —55 , + 25‘С 60 Вт
Температура р-п перехода • • + 150 °C
Температура окружающей среды 4 — 55 °C. 7K= + 100’G
1 При 7n —+ 100...+150 ‘ С напряжение снижается лннеЛно до 2С0 В.
• При 7'„>+25гС Рн мохе рассчитывается по формуле
Рк маке- Вт— (150—ГЖ),7?Г(П_Ж1.
где ЯГ(„_я определяется нз области максимальных режимов
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса, при пайке тем
пература корпуса ие более + 100сС. При отсутствии контроля кмпсратуры
корпуса пайка осуществляется паяльником с температурой не более +280’С
в течение не более 2,5 с. Допускается пайка волной припоя
При монтаже транзисторов должны быть приняты меры, исключающие
возникновение паразитной генерации.
Допустимое значение статического потенциала 2000 В.
Входные характеристики
Зависимость максимально допустимого по-
стоянного напряжения коллектор — эмиттер
от сопротивления база — эмиттер
130
Зависимость напряжения
насыщения коллектор —
эмиттер от тока базы
Зависимости напряже-
ния насыщения коллск
тор — эмиттер от тока
коллектора
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор — база
Зависимости статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость времени
рассасывания от тока
коллектора
Зависимость времени
спада от тока коллек-
тора
Область максимальных режимов
Области максимальных режимов
9*
131
1
КТ859Л
КТ859А
Транзистор кремниевый меза-
планарный структуры п-р-п переклю-
чательный. Предназначен для при-
менения в переключающих устрой т-
вах Корпус пластмассовый с жестки-
ми выводами.
Масса транзистора ие более 3 г.
Электрические параметры
Статический коэфт гцнент передачи тока в схеме ОЭ при
/Лкй = 10 В, /к=1 А, не менее
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при Г/кв—10 В. /и=0,2 А, /=3 МГц, не менее
Граничное напряжение при /к=0,1 А, £=25 мГн, не менее
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=1 А,
/в=0,2 А не более ....
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=1 А,
h =0,2 А, ие более..........................
Время включения при //к = 250 В, /к= 1 А /в=0,2 А,
/|. ™=0 4 А, £/Вв = —8 В, не более . . . .
типовое значение ............................ . .
Время рассасывания при /7к—250 В, /к«1 А. /в=0,2 А,
/в..<ал=“0 4 А, 1/ев=—8 В .....................
Время спада при 1/к=250 В, /к=1 А, /в=0,2 А, /п.™п=
°0,4 А, С/Вэ = —8, В, типовое значение
Обратный ток коллектора при £/кВ=800 В, не более
Обратный ток эмиттера при UBB =10 В, не более
10
3,3*
400 В
1.5 В
1,4 В
0,5* мкс
0,35* мкс
1* .2 5* 3,5* мкс
0,35 мкс
1 мА
10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер' при Rt,,^
agio Ом, Тп= + 100°С ....................... 800 В
Пробивное напряжение коллектор — база 1 при Тп“Ю0°С 800 В
Постоянное напряжение база — эмиттер................10 В
Постоянный ток коллектора...........................ЗА
Импульсный ток коллектора . . .................4 А
11 ютояиный ток базы . . ....... 1 А
Импульсный ток базы ..................................1,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора5 при 7,=
= — 55.4-504С ... .... 40 Вт
1 При Тп-+100...+ 150гС напряжение снижается линейно до 300 В,
’ При 7’„>+50*С ₽к,лажс рассчитывается по формуле
^К.лоне" Вт,“ П60- У^Т1п-пу
где определяется из области максимальных режимов.
132
П родолжение
Температура р-n перехода ................
Температура окружающей среды.......................
+150 “с
-55 °C. Тв =
- 4-100 °C
Панка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора при
температуре корпуса не более +100 °C. При отсутствии контроля температуры
корпуса транзистора пайка осуществляется паяльником с температурой не бо-
лее +280 "С в течение не более 2,5 с. Допускается пайка волной припоя Ми-
нимальная температура пайки +235 °C.
При монтаже транзистора должны быть приняты меры, исключающие воз-
никновение паразитной генерации.
Допустимое значение статического потенциала 2000 В.
Входные характеристики
Зависимость напряже
иия насыщения коллек-
тор— эмиттер от тока
базы
Зависимое! и напряже-
ния насыщения коллек-
тор— эмиттер от тока
коллектора
Зависимость максимально допустимого
постоянного напряжения коллектор —
эмиттер от сопротивления база — эмит-
тер
Зависимость модуля коэффициента
передачи тока от тока коллектора
133
Зависимости статичсско- Зависимость емкости Зависимость времени
го коэффициента пере- коллекторного перехода рассасывания от тока
дачи тока от тока кол- от напряжения коллек- коллектора
2Т861 (А, Б, В]
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры ч-р п усили-
тельные. Предназначены для применения в усилителях м тности, преобразо-
вателях. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими вы-
водами
Масса транзистора не более 2 г.
334
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
UKS -2 В /к = 1 А
7=+25 °C: 2Т 61А . . . . . . 40 160
2Т86 Б............... • • 50. .200
2Т861В . ... .80 .300
Г= + 125°С: 2Т861А ... . . . . 40. .200
2Т861Б . . . ... 50. .250
2Т861В........................... ... 80 400
Г=—60°С: 2Т861А .... .... 20 160
2Т861Б .... . . 25. 200
2Т861В 40 .300
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ при {7кэ=5 В, /к=0,05 А не менее.....................10 МГц
Граничное напряжение при /«=100 мА, не менее;
2Т861А............................................ . 80 В
2Т861Б ..... . 60 В
2Т861В.............................................30 В
Напряженке насыщения коллектор — эмиттер при /« =
— 1 А /в=0,2 А, не более ... . 0.35 В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /«=1 А,
/в=0,2 А, не более.............................. .... 1,3 В
Обратный ток коллектора прн 1/«Е t/кв ч..кс. не более
т^+гб-с . . 0,1 мА
Г= + 125°С . . . 3 мА
Обратный ток эмиттера при /ЛэЕ=5 В, не более 1 мА
Время включения при 1/кэ—20 В /«=1 A /Б1=/Е2=
= 0,1 А, не более.......................... . . 0,1* мкс
типовое значение .... . 0,025’ мкс
Время выключения при {/«-9=20 В, /«=1 А. /в, —Zss=
=0,1 А не ботее .... .1* мкс
типовое значение . . 0,2* мкс
Время спада при //«о=20 В, /« = 1 А, /Bi = /c2=0,l А,
не более.............................................0.1 мкс
Емкость коллекторного перехода при /7КС=5 В, не более 150* пФ
типовое значение....................................70* пФ
Емкость эмиттерного перехода при Г/Вэ=5 В не более 1000* нФ
типовое значение ... 600 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т861А . . , . . ..............90 В
2Т861Б .... ....................70 В
2Т861В.............................................40 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер при /?<л^
ЮО Ом:
2Т861А . ......................90 В
2Т861Б.............................................70 В
2Т861В .... . . . 40 В
Постоянное напряжение эмиттер — база.....................5 В
Постоянный ток коллектора 2 А
Импульсный ток коллектора.....................4 А
Постоянный ток коллектора . . .... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк=
= -60..+25°С-
с теплоотводом . . . . . 10 Вт
без теплоотвода .... ... 1 Вт
Температура р-п перехода . . ...................+150 °C
Температура окружающей среды .........................—60 “С 7"к=«
= + 125 °C
135
Допустимое значение статического потенциала 1 кВ
При эксплуатации транзистора необходимо принять меры, исключающие
появление паразитной генерации.
2Т862 (А, Б, В, Г)
Транзисторы кремниевые эпнтакснально-планарпые структуры п-р-п пере-
ключательные. Предназначены для применения в импульсных модуляторах, пе-
реключающих устройствах. Корпус 2Т862А металлический со стеклянными изо-
ляторами и жесткими выводами, корпус 2Т862Б, 2Т862В, 2Т862Г металлокера-
мический с гибким! выводами.
Масса транзистора 2Т862А не более 20 г, транзисторов 2Т862Б, 2Т862В,
2Г862Г ие более 6 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме
ОЭ при UKB = 5 В:
Т— - 25 °C:
/к=15 А 2Т862А, 21862Б.....................
/к=5 А 2Т862В 2Т862Г......................
7= 125 °C:
/ж 15 А 2Т862А 2Т862Б.....................
/к-5 А 2Т862В 2Т862Г......................
7= -60 °C:
/к= 15 А 2Т862А, 2Т862Б
/к=5 А 2Т862В, 2Т862Г......................
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при Г/кв=5 В, /к=0,5 А
Граничное напряжение при /к=0,1 А, не менее:
2Т862А, 2Т862Б . ...
2Т862В ...............................
2Т862Г......................................
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не
более
при 7—+25 °C:
/к-15 А, /в-2 А для 2Т862А, 2Т862Б .
10... 100
12...50
8. 100
6. .80
5... 100
6...40
20*...25*...30* МГц
250 В
350 В
400 В
2 В
136
Проб' лжение
/к = 8 А, h- 2 А для 2Т862В, 2Т862Г . . 1,5 В
при Т= + 125 °C, /к = 8 Л, /в=2 А для 2Т862В,
2Т862Г . . . 1 В
при Т= -60°С, 1к = 8 А, /б = 2 А для 21 2В,
2Т862Г.......................................2,2 В
Напряжение насыщения база — эмиттер, не более:
/к =15 А, /с=2 А для 2Т862А, 2Т862Б . 2 В
при /к=5 А, /б=1 А для 2Т 62В, 2Т862Г . 1,6 В
Время включения:
при {7кЭ=100 В, /к=15 A, /ei = 2 Л. /С2 = 3 А
для 2Т862А, 2Т862Б . . . 0,2* .0,3* .0,4' мкс
при 1/кэ = 200 В, /к=5 Л, /Е1=0,5 А, /ва 1 А
для 2Т862В, 2Т862Г ... 0,2*. .0,25*. .0,5» мкс
Время нарастания при С/кв=200 В, /к~5 А, /bi =
= 0,5 A, /С2=1 А для 2Т862В, 2Т862Г . 0,1*...0,2* .0,4* мкс
Время спада:
при {/дд=100 В, /к—15 A, /bi=2 А, /Б2=3 А
для 2Т862А, 2Т862Б.......................... . 0.12* 0,15* .0,25 мкс
при {/«0=200 В, /к = 3 A, /ci-0,5 А, /в2“1 А
для 2Т862В, 2Т862Г...........................0,1* ..0,25*. 0,5 мкс
Время рассасывания"
при 1/кэ = Ю0 В, /к =15 А. /в1=2 А, ЛБ2=3 А
для 2Т862А, 2Т862Б .... . 0,2* .0,3*. .1* мкс
при 1/ка=200 В, 7д=5 А, /е|—0,5 А, 1вг= 1 А
д. я 2Т862В, 2Т862Г .... 04* 1*..2* мкс
Обратный ток коллектора, не ботее:
при 7=+25 °C:
/7кб=300 В для 2Т862А, 2Т862Б ... 5 мА
t/кв=600 В 2Т862В, 2Т862Г .... 3 мА
при 7= 4-125 °C:
6,кв = 300 В для 2Т862А, 2Т862Б .... 10 мА
£/кв=600 В 2Т862В, 2Т862Г..................5 мА
при 7= — 60 °C:
г/дв-300 В для 2Т862А, 2Т862Б . . . 5 мА
//кв = 600 В 2Т862В, 2Т862Г . . . . 5 мА
Обратный ток эмиттера при //сэ = 5 В, не более:
2Т862А, 2Т862Б...............................50 мА
2Т862В, 2Т862Г . ....................10 * А
Емкость коллекторного перехода:
при Г/дв=30 В для 2Т862Л, 2Т862Б , . . 175*...250*...300* пФ
при 1/кв=Ю В для 2Т862В, 2Т862Г . . 150*...200*...250* пФ
Емкость эмиттерного перехода при С/вэ=3 В . . 3000* ..4000* .4700* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
2Т862А, 2Т862Б.................................. 450 В
2Т862В, 2Т862Г . ...................... 600 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер"
2Т862А, 2Т862Б...................... . . 250 В
2Т862В .... . . . . 350 В
2Т862Г . . ................. 400 В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер 1 при
Г/еэ=-1,5 В, /«=20 мкс. /(в^1 мкс, <2>10, 7„ =
= -40 .+85°C"
2Т862А, 2Т862Б . . . . ... 450 В
2Т862В, 2Т862Г............................... 600 В
1 При Т-----40 —60’С и Т- +85...+125 *С UKBB „ жои и U„BX u J,aKC снижаются
линейно до 350 В
137
П родолжение
Постоянное на1ряженяе база—змиттер . . 5 В
Постоянный ток коллектора
2Т862А, 2Т862Б.....................................15 А
2Т862В, 2Т862Г.................................10 А
Импульсный ток коллектора
2Т862А 30 А
2Т862Б......................................... 25 А
2Т862В 2Т862Г..................................15 А
Постоянный ток базы*
2Т862А 2Т862Б . . ... 4 А
2Т862В, 2Т862Г................................... ЗА
Импульсный ток базы:
2Т862А........................................10 А
2Т862Б ... . 8 А
2Т862В, 2Т862Г................. ... 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора :
Гк=-60 ..+25 °C.
2Т862А........................................70 Вт
2Т862Б 2Т862В, 2Т862Г ... 50 Вт
ТК~ + \2Ь° 21862Б. 2Т862В, 21862Г ... 10 Вт
Температура окружающей среды .... — 60 °C 7Я = + 125°С
1 При +25..+125 °C
Я11 рассчитывается по формуле
рк яткс- Вт —(150 —7я)/Кт(п_Я|,
где Дг(п_к)-2,5 °C Вт для 2Г862В. 2 Г862В 2Т862Г и 1,8 °C Вт для 2Г862А.
Допустимое значение статического потенциала 2 кВ
Расстояние от места лужения и панки выводов до корпуса 5 мм для
2Т862А; 2 мм для 2Т862Б, 2Т862В, 2Т862Г, температура припоя +235 °C,
время пайки не более 8 с.
Выходные характернее- Выходные характери Входные характери-
ки стики стнкн
IS8
Зависимость статического коэффици-
ента передачи тока от тока коллск-
юра
Зависимость напряжения насыщения
коллектор — эмиттер от тока кол-
лектора
Зависимость времени Зависимость длительно-
включения, спада и рас- сти фронта от иапряже-
сасывания от тока кол- вин коллектор — эмит-
лсктора тер
Зависимость максималь-
но допустимого посто-
янного напряжения кол-
лектор— эмиттер от со-
противления база —
эмиттер
139
Области максимальных режимов
Области максимальных режимов
Зависимости импульсного теп-
лового сопротивления пере-
ход — корпус от длительно-
сти импульса. При Q< 100
г. 2,5 /?т.11(11 К)0 |
«Т,и(п-| )= -----------Г
У
+ /?т и(п—к)0
КТ863А
КТВБЗА
Транзистор кремниевый меза-
энитаксиаль ио-планарный структуры
п-р-п усилительный Предназначен
для применения в преобразователях
напряжения, источниках вторичного
электропитания, электронных фото-
вспышках. Корпус пластмассовый с
жесткими выводами Тип прибора
ука зывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
140
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
UKr,=2 В, /s=5 А, не менее’
Т= +25...+100 °C ................................
Т=—40°С . ..........................
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ при 17кд=5 В, /э=0,5 А, не менее ....
типовое значение ................................
Граничное напряжение при /«=0,03 А, не менее
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=5 А,
Л:=0,5 А, не более . ... ....
типовое значение ... ................
Напряжение насыщения база—эмиттер /д=5 А, Id—
=0,5 А, не более................................ ...
типовое значение ... . .
Обратный ток коллектора при Uki =30 В, не более:
7"=—40...+25 °C................................. . .
r= + ioo°c.................... . . . .
Обратный ток эмиттера при <Л>9=5 В, ие более
Предельные эксплуатационные данные
100
50
4 МГц
20» МГц
30 В
0,3 В
0,25» В
1,2 В
1» В
1 мА
3 мА
3 мА
Постоянное напряжение коллектор — база . . . .
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
si 10 Ом.........................................
Постоянное напряжение база—эмиттер..................
Постоянный ток коллектора...........................
Постоянный ток базы.................................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк =
= -40 ..+25 °C:
с теплоотводом . *
без теплоотвода3......................
Температура р-п перехода .... . . . .
Температура окружающей среды , . . . . .
30 В
30 В
5 В
10 А
3 А
50 Вт
1.5 Вт
150 °C
-40 СС...ТК=
- + 100сС
1 При 7 к-+25...+100 °C ₽к.лшхс снижается линейно до 20 Вт.
’ При 7’к-25 ..+100 °C Рк л|окс снижается линейно до 0.6 Вт.
Допускается оданоразовый изгиб выводов транзисторов не ближе 2.5 мм
от корпуса под углом 90° с радиусом закругления не менее 0,8 wi.
Пайка выводов рекомендуется ие ближе 5 мм от корпуса транзистора при
температуре припоя +260 °C в течение не более 5 с. Допускается пайка волной
припоя при температуре +235°C. Прн пайке корпус паяльника должен быть
заземлен.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Входные характеристики
Выходные характеристи-
ки
141
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера
Зависимости напряжений насыщения
коллектор — эмиттер и база — эмит-
тер от тока ко.ттектора
Область максимальных режимов
КТ864А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры п р п импульс-
ный. Предназначен для применения в источниках вторич юго электропитании,
преобразователях, оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабили-
заторах напряжения Корпус металлический со стеклянными изоляторами и
жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе
Масса транзистора не более 20 г.
142
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
0/кв=4 В, /е = 2 А
7'=+25®С .... . . 40 200
7=+ 125 °C...................................... 40 250
Т= -60 °C.................... . . 15.200
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ при (7кз=10 В, /к = 0,2 А. не менее 15 МГц
Граничное напряжение при /к=0,05 А, не менее 160 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=6 А,
/в=0,6 А, не более.................................2 В
типовое значение.............................. . 0,7*В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к = 6 Л,
1г, = 0.6 А, не более........... ..................2 В
типовое значение .... ... 1* В
Обратный ток коллектора при 6/кв=200 В, не более:
7=+25сС.............................................0,1 мЛ
7=+ 125 °C......................................1 мА
Обратный ток эмиттера при Cts = 6 В, не более . . . 3 мА
Емкость коллекторною перехода при 67кв=5 В, ие более 300* пФ
Емкость эмиттерното перехода при £/гэ = 0,5 В не более 2000* нФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база при dUKi.idt —
= 200 В/мкс........................................ 200 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер при
«£10 Ом, dt/Ka,'df=200 В/мкс....................... 200 В
Постоянное напряжение база—эмиттер.................6 В
Постоянный ток коллектора.........................10 А
Импульсный ток коллектора при 1„<2 мс, Q>2 . . 15 А
Постоянный ток базы........................... 2 А
Импульсный ток базы при кС1 мс, Q>2 . . 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7,=
= —6О...+25"С.
с теплоотводом1 , . ...................100 Вт
без теплоотвода1 , , ....... 1 5 Вт
Температура рп перехода........................ +150 °C
Температура окружающей среды . ................—60 С. 7Ж=»
= + 125сС
’ При 7К —+25... + 125'С снижается линейно до 20 Вт
’ При Т— +25. +125ГС Р... снижается линейно до 0,3 Вт
г* . «ЛСЫ п С.
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 5 мм от корпуса при
температуре припоя +270 °C в течение не более 3 с, время лужения не бо-
лее 2 с. Допускается не более трех перепаек выводов транзистора.
143
Входные .харак ернсгнкн
Зона возможных положений зависимо-
сти статического коэффициента переда-
чи тока от тока коллектора
Зависимости напряжений насыщения
коллектор — эмиттер и база — эмит-
тер от тока коллектора
Область максимальных
режимов
Зависимость коэффициента К от длительности
импульса
<144
2Т866А
Транзистор кремние-
вый эпитакснальчо-нлаиарный
структуры п-р-п переключа-
тельный Предназначен для
применения в переключающих
устройствах, источниках вто-
ричного электропитания. Кор-
пус металлокерамический с
гибкими выводами.
Масса транзистора ие бо-
лее 7 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Vite = IО В, /© = 10 А:
7„=+25°С...............................................15...30*.. 100*
Т= — 60 °C, не менее...............................8
Тк = + 125°С, tie менее............................15
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ при С7к»=5 А /к 0,2 А, типовое значение . . 25* МГц
Граничное напряжение при /к=0,2 А, не менее . 100 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при //,- =
= 10 А, /ь=1 А, не более...............................1,5 В
типовое значение . . . 1,2* В
Время включения при Ок = 30 В, /к =10 А, /с=1 А, не
более................................................ . 50 нс
типовое значение...................................40* нс
Время выключения прн 1/к = 30 В, /к =10 А, /В(=1 А,
/б2=2 А, не более...................................... 450 нс
типовое значение................................... 300* нс
Время спада прн 6'к=30 В, /к=10 А, /щ=1 А, /с2=2 А,
не более .....................................100 ис
типовое значение...................................60* ис
Обратный ток коллектора при Скь=Ю0 В, не более:
Т’к=+25 и —60°C........................................25 мА
7 «= + 125 С ... . , 100 мА
Обратный ток эмиттера прн (7бэ=4 В, не более ... 10 мА
Емкость коллекюрного перехода прн 1/кс=10 В, не более 400* нФ
типовое значение....................................... 320* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . . . 200 В
Постоянное н импульсное напряжение коллектор—эмит-
тер при Сбв = 1,5 В или /?бз= 10 Ом . .... 160 В
Постоянное напряжение база — эмиттер.....................4 В
Постоянный и импульсный ток коллектора . ... 20 А
Постоянный и импульсный ток базы ........................5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при Тк =
= -60..+ 50°C .............. ... 30 Вт
1 При +125’С Рк,макс рассчитывается по формуле
Р11. макс- Вт-(200-Г*) Rr(n_ey
10 Заказ № 1004
145
Пр должение
Температура р-п перехода .... .... +200 С
Tei левое сопротив енне переход — корпус .... Б "С/Вт
Температура окружающей среды ... ... —60 °C. Тя=
= + 125 °C
Допусп мое значение статическою потенциала 1 кВ.
Выходные характеристи-
ки
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимости напряже-
ний насыщения коллек-
тор— эмиттер и база —
/
Зависимости времени
включения, выключения
и спада от тока коллек-
эмиттер от тока коллек-
тора
Л».*Й|
30
U
30
го
ю
о ею гзю зоо ио гл.ча
Зависимость граничной
частоты коэффициента
передачи тока от тока
коллектора
тора
Зависимость максимально допусти-
мого постоянного напряжения кол-
лектор— эмиттер от сопрошвления
база — эмиттер
Зависимость коэффициента К. от
' длительности импульса
146
Области максимальных режимов
2Т867А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры п-р-п переклю-
чательный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, ис-
точниках вторичного электропитания. Корпус металлический со стеклянными
изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора ие более 20 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схе-
ме ОЭ:
при О'кэ = 5 В, //,-=20 Л:
Т +25°C ... . . 12 30*. 100*
7 к - +125 °C . .... . 6.. 50* 150*
7 =-60 °C ... . . 6...20*...100*
при икэ 5 В, /к-25 Л, 7'=2u°C . . . 10 .20* . 40*
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при 1)кэ= 10 В, /к = 0,5 А, типовое зна-
чение .... . 25*МГц
Граничное напряжение при /к—0,2 Л, L=25 мГн,
не менее . . 200 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер:
/к=20 А, 1в-4 А не более 1,2 В
/к-25 А, /в=5 А . . 0.5’ 1* 1,5* В
Напряжение насыщения база — эмиттер
/к-20 А, /ц=3 А, ие более..................1,5 В
10*
147
/к=25 А, /в=5 А . . . . . .
Время включения при Пк=100 В, /к=25 А, /д=»
= 5 А, не более.................................
типовое значение................... . . .
Время рассасывания при £Л,-=100 В, /к=25 А, /в=
=5 А не более...................................
типовое значение . . .................
Время спада при U1;=\0C> В, /к=25 А, /д=5 А, не
более .... .............. . . .
типовое значение................... . . .
Обратный ток коллектора при Urtr>—250 В:
7=+25 °C....................................
Л<= + 125ОС.................................
7=-60 °C....................................
Обратный ток эмиттера при Ur.n~7 В
Емкость коллекторного перехода при С/кв=Ю В. не
более....................... ...................
Емкость эмнттерного перехода при t/cs—2 В, не
более ..........................................
П родолжение
1,2*... 1,5*... 1,8* В
0,8* мкс
0,4* мкс
1 3* мкс
0,6 мкс
0,4 мкс
0,25* мкс
0,05*.. 0 5* 3 мА
0,1* I* 6 мА
0,05* 0,2*. 6 мА
0.1*. 5* 10 мА
400* пФ
4500* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
6/бэ=1,5 В или /?«.,5^10 Ом ... 200 В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при
1/«о = 1,5 В нлп fcj<10 Ом, 1„^20 мкс, 0^10:
1 мкс ............................ 300 В
мкс .......... 200 В
Постоянное напряжение база—эмиттер ... 7 В
Постоянный ток коллектора.........................25 А
Импульсный ток коллектора прн /„^20 мкс, 10 40 А
Постоянный ток базы . . 8 \
Импульсный ток базы при /„^20 мкс, 10 12 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при
7п = +25°С ...............................100 В г
Температура р-п перехода . .............+175 °C
Температура окружающей среды........................— 60°C...7’II= + 125tlC
При '/„-+25... + I25"С PI: x<tKC рассчитывается по формуле
’’к.жи. Вт-(175-Гк)/1,5.
Допустимое значение статического потенциала 2 кВ.
Пайка и лужение выводов рекомендуются не ближе 5 мм от корпуса тран-
зистора с температурой припоя не более +260 °C в течение не более 8 с. Ми-
нимально допустимое расстояние от корпуса до места пайки 2 мм при тем-
пературе пайки не более + 150 °C.
Выходные характеристи-
ки
Зависимость тока эмит-
тера от напряжения ба-
за — эмиттер
Входная характеристика
148
Зависимость ст.тгическо-
го коэффициента пере
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимости напряже-
ний насыщения коллек-
тор— эмиттер и база —
эмиттер от тока коллек-
тора
Зависимости времени
включения, спада и рас-
сасывания от тока кол-
лектора
Зависимое! ь граничной
частоты коэффициента
передачи тока от тока
коллектора
Зависимость максималь-
но допустимого посто-
янного напряжения кол-
лектор— эмиттер от со-
противления база —
эмиттер
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек
тор — база
Области максимальных ре-
жимов
Зависимости импульсного теплового сопротивле-
ния переход — корпус от длительности импульса
119
КТ872 (А, Б)
Транзисторы кремниевые ме-
запланарные структуры п-р п им-
пульсные Предназначены для
применения в оконечных каскадах
строчной развертки цветных теле-
визоров. Корпус пластмассой! й с
жесткими выводами.
Масса транзистора ие бо-
лее 20 г.
Электрические параметры
Граничное напряжение прн /« = 0.1 A, L -40 мГн, н менее 700 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер прн /« =
= 4,Б А, /в=2 А: . . .
Т= +25 СС:
КТ872А ..............................0.3...1 В
КТ872Б, не более........................... .... 5 В
—25 и + 125СС:
КТ872А, не более...............................2,5 В
КТ872Б, не более . . 6 В
Граничная частота коэффициента передачи тока при /Л,э =
=б В, /к=0,2 А, типовое значение 7* МГц
Время спада при б/кэ=500 В, /«=4,5 А, /с—1,4 А,
ика зап—- 5 В, не более......................... - 1 мкс
типовое значение . . 0,7* мкс
Время рассасывания при /?кэ=500 В, /«=4,5 А, /« =1,4 А,
1/ге,зоп=—5 В, не более..............................7,5 мкс
типовое значение ................................6,5* мкс
Обратный ток коллектор — эмиттер при Uksk „ .««хь =
= 1500 В, Ur,a=C>, не более:
ГК=+25СС.........................................1 мА
Гя=—25 и +125 °C ....................2 мА
Обратный ток эмиттера прн L «э 6 В, ие более ... 10 мА
Ток вторичного пробоя при Г'Кэ=120 В, /„=200 мкс, не
меисе . . . . .................... 11 А
Емкость коллекторного перехода при Г/К«=15В, f= 1 MI ц,
типовое значение . ..........................125* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмнттср . 700 В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при £Л>е=0 1500 В
Постоянный ток коллектора..........................8 А
Импульсный ток коллектора ... .... 15 А
Постоянный ток базы . ... 4 А
Импульсный ток базы............................. 6 А
Постоянный запирающий ток базы.....................100 мА
Импульсный запирающий ток базы ....... 5 А
•50
Продолжение
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при Гк =
= —25 ..+25° С........................... ... . 100 Вт
Температура р-n перехода . .... . . 150 °C
Температура окружающей среды...............................— 25 °C.. Тк —
= + 125 °C
При ТК>+25°С Рк определяется по формуле
РК махе* Вт-(150-7’к)//?Т(п_к
где Рт(п-х определяется из области максимальных режимов.
Допускается одновременная формовка выводов транзисторов не ближе
5 мм от корпуса. Радиус изгиба не менее 1 мм. Оснастка для формовки вы-
водов должна иметь защитное заземление.
При отсутствии контроля температуры корпуса пайка выводов допускает-
ся не ближе 5 мм от корпуса прн температуре не более +265 °C в течение не
более 3 с; при контроле температуры корпуса +125°C пайка допускается при
температуре не более +280°C в течение не более 3 с. Время лужения 2 с При
проведении монтажных операций допускается не более трех перепаек выводов.
Допускается применять транзисторы в совмещенных блоках строчной раз-
вертки и электропитания; при этом частота переключения не более 16 кГц.
Допустимое значение статического потенциала 2000 В.
Прн конструировании аппаратуры следует учитывать возможность само-
возбуждения транзисторов за счет паразитных связей.
Входные характеристики
ния насыщения коллек
тор — эмиттер от тока
базы
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от темпера-
туры корпуса
Зависимость времени Зависимость времени Зависимость макенмаль-
спада от напряжения спада от тока коллек- ио допустимого им-
коллектор — эмиттер тора нульсного напряжения
коллектор — эмиттер от
сопротивления база —
эмиттер
151
Зависимость емкости
эмнттерного перехода от
напряжения база —
эмиттер
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость им
пульсного теплового
сопротивления пере-
ход — корпус от дли-
тельности импульса
Область максимальных режимов
Область максимальных режимов
152
2Т882 (А, Б, В]
Транзисторы крем.чневые пла-
нарные структуры п-р-п переключа-
тельные. Предназначены для приме-
нения в усилителях и переключаю-
щих устройствах. Корпус пластмас-
совый с жест1 ими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Электрические параметры
Статический козффицнент передачи тока в схеме ОЭ при
Uk£>=5 В, /к=0,5 А, не менее:
7'к = + 25°С . .......................
7’к= + 100°С . . . . ...
Л,--60 °C . . . .
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ при L/Ks~ Ю В, /«=50 мА, не менее
Граничное напряжение при /к=30 мА, ие менее:
2Т882А ..........................
2Т882Б.................... ..................
2Т882В................ . .
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн /к=
=0,5 А, /д=0,1 Л, не более ....
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=0,5 А,
7б=0,1 А, не более . . ....................
Время включения при Uxb—50 В, /к=0,5 А, /е=0,05 Л,
не более . . . ....
типовое значение .... . .
Время выключения при /?кэ=50 В, /к«0,5 А, /п=0,05 А,
не более ............................................
типовое значение . . ....
Время рассасывания прн Uko~50 В, /« = 0,5 А, /б=0,05 А,
не более . ...
типовое значение ...
Обратный ток коллектора, не более
7=4-25 °C и Uxb—Ukh .новс . ....
7=+ 100 °C Н UkK—Uk9O.sp
Обратный ток эмиттера при /7вб=6 В, не более
Емкость коллекторного перехода при /7«б=5 В, не более
типовое значение . . ...
Емкость эмнттерного перехода при 1/Яб=0,5 В, не более
типовое значение ....
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база при dUxsIdt^
^250 В/мкс:
2Т882Л ....................................
2Т882Б . . .... ...
2Т882В ...
15
10
6
20 МГц
250 В
230 В
150 В
1 В
1,6 В
0,2* мкс
0,08* мкс
3.5* мкс
1,5* мкс
3* мкс
1,4* мкс
0,1 мА
0,5 мА
0,1 мА
50* пФ
35* пФ
600 пФ
450 пФ
400 В
300 В
250 В
153
Продолжение
Постоянное напряженке коллектор — эмиттер при Rnj^
<100 Ом. dUKB!dt<250 В/мкс:
2Т882А . ................... 350 В
2Т882Б........................ . 275 В
2Т882В 200 В
Постоянное напряжение эмиттер — ба ‘а 6 В
Постоянный ток коллектора . 1 А
Импульсный ток коллектора .... . 2 А
Постоянный ток базы............................. ... 0,5 Л
Постоянная рассеиваемая мощность колзектора при Тк =
=-60. +25 °C:
с теплоотводом* 1...................................10 Вт
без теплоотвода ’...............................1 Вт
Температура р-п перехода ...........................+150 °C
Температура окружающей среды . . . . . . — 60 °C 7« =
- + 100 °C
1 При Гк = +25...+ 1Р0 °C /’к.жякс снижается линеДно иа О.ПЗ Вг/°С.
1 При Гк = +25...+КТО °C /°KiJWaKC снижается линеКно на 8 мВт/эС.
Области максимальных режи-
мов
Зависимость коэффициента К от длитечь-
ностп импульса
Входные характеристики
Выходные характеристи
ки
Зависимости напряже-
ний насыщения кол-
лектор эмиттер и ба-
за — эмнттер от тока
коллектора
154
Зона возможных положении зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от тока коллектора
Зависимость максимально допустимого
постоянного напряжения коллектор —
эмиттер от сопротивления база — эмит-
тер
2Т884 (А, Б|
Транзисторы кремниевые
планарные структуры п р п пе-
реключательные. Предназначены
для применения в усилителях и
переключающих устройствах. Кор
нус пластмассовый с жесткими
выводах* и
Масса транзистора не бо-
лее 2,5 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
^кв = 5 В, /а =0,3 А, не менее:
7=+25сС.........................................25
Т-Ч-ЮО'С........................................15
/=-сосс.........................................6
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ
при Ukb = 10 В, /к=30 мА, не менее . . 10 МГц
Граничное напряжение при /к = 30 мА, не менее:
2Т884А . . . . . ... 400 В
2Т884Б......................................... 300 В
Напряжение насыщения коллектор — эминер при /д =
=0,3 Л, /д=0,03 А, не более .......................0,8 В
155
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=0,3 А,
Л. —0,03 А, ие более ... . . . .
Время включения при ПКэ=200 В, /к=1 А, /в=0,02 А,
не более.............................. . . .
типовое значение .... . . . .
Время спада при UKB = 200 В, /к=1 А, /в=0,2 Л, не более
типовое значение .... . . . .
Время рассасывания при Свэ=200 В, /к=1 А, /в=0,2 А,
нс более.......................................... . .
типовое значение ...................... . .
Обратный ток коллектора при Скв=Скв.Л:1кс, не более:
7=-60 .4-25°C..........................................
7'=4-100 °C........................................
Обрат| ын ток эмиттера при 77вэ=5 В, не более
Емкость коллекторною перехода при Uke = 5 В, не более
типовое значение . . . .
Емкость эмпттерного перехода при СЛ,э=0,5 В, не более
типовое значение ...........................
Продолжение
1 В
3 мкс
2* мкс
0,8 мкс
0,6* мкс
3 мкс
2* мкс
0,2 мА
1 мА
1 мА
60 пФ
35* пФ
1500 пФ
1200* пФ
Предельные эксплуатационные данные
По тояпиое напряжение коллектор — база при dUKbldl^.
^250 В/мкс:
2Т884Л............................................ 800 В
2Т884Б...................................... . . 600 В
Постоянное напряженке коллектор — эмиттер при
100 Ом, dUl!3/dt^250 В/мкс:
2Т884Л................. ......................... 800 В
2Т884Б........................................... 600 В
Постоянное напряжение база — эмиттер...............5 В
Постоянный ток коллектора..........................2 Л
Импульсный ток коллектора ................5 А
Постоянный ток базы . . ....................1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 прн 7\ =
= -60. .4-25 °C:
с теплоотводом ... ............. . 15 Вт
без теплоотвода..................................... 1 Вт
Температура р-« перехода.............................4-150 °C
Температура окружающей среды.............................— 6О°С...ТК =
= 4-100 °C 1 * 3
1 При Гк->+2е . + !0Э °C Рк макс снижается линейно на 0,12 Вт/’С с тсплоотв дом
и на 8 mBi/’C без те i.i-эотвода.
Допустимое значение статического потенциала 1 кВ.
Допускается обрезка выводов транзистора не ближе 5 мм от корпуса и
одноразовый изгиб выводов на угол не более 90° от первоначального положения
в плоскости, перпендикулярной основанию корпуса, и нс ближе 5 мм от кор
нуса с радиусом изгиба не менее 1,5 мм, прн этом должны приниматься меры,
исключающие передачу усилия на корпус.
Расстояние от корпуса до места лужения и пайки не менее 5 мм. При
одновременной пайке теплопроводящен поверхности и выводов транзистора пай
ку осуществлять припоем с температурой не более 4-260 °C в течение не более
3 с. При раздельной пайке теплопроводящей поверхности и выводов транзисто-
ра пайку осуществлять припоем с температурой не более 4-240 °C в течение
не более 8 q при этом обязательно применение теплоотвода.
156
Выходные характеристи-
ки
Зависимости напряже-
нии насыщения коллек-
юр — эмиттер и база —
эмиттер от тока коллек-
тора
Зависимость статического коэффици-
ента передачи тока от тока эмиттера
Зависимость максимально допустимого
постоянного напряжения коллектор —
эм пт юр от сопротивления база — эмит-
тер
Области максимальных режи
мов
Зависимость коэффициента К от длитель-
ности импульса
157
Транзисторы р п р
П201Э, П201АЭ, П202Э, П203Э
Транзисторы германиевые сплавные структуры р п р универсальные Пред
назначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах
усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпу-
скаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора ука-
зывается на корпусе.
Масса транзистора ие более 12 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
С/кэ=Ю В, /к =0,2 А, не менее:
П201Э. П202Э ............................20
П201АЭ..........................................40
Статическая крутизна прямой передачи в схеме ОЭ при
U,<з=28 В для П203Э:
Г=+25°С.........................................1,2 1,8 А/В
Т= 60°С .........................0,8 1.4 А/В
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОБ при С/кв=10 В. /к=0,2 А не менее.
П201Э, П202Э....................................100 кГц
П201Э, П203Э................................... 200 кГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при /к = 2 А,
/г.=0,3 А для П201АЭ, П202Э, П203Э, не более . 2,5 В
Обратный ток коллектора, ие более:
7= +25 °C’
1/кс=20 В П201Э, П201АЭ......................0 4 мА
f/Ke = 30 В П202Э, П203Э.......................0,4 мА
Т= +70 °C:
1/кс=20 В П201Э, П201АЭ......................2 мА
Пкв = 30 В П202Э, П203Э . . 2 мА
Обратный ток эмиттера при С/ав=10 В. не более:
Г —+ 25 °C............................... .... 0,4 мА
7=+ 70 °C.......................................2,5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер при /?«,=
—50 Ом:
Т^г +20 °C-
П201Э, П201АЭ...................................30 В
П202Э, П203Э....................................50 В
158
Продолжение
22 В
30 В
Т= + 50 °C
П2О1Э, П201ЛЭ.................................
П2О2Э, П2ОЗЭ ....
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Рк^
<10 Вт, 7<+50°С:
П201Э, П201АЭ....................................
П202Э, П2ОЗЭ.....................................
Постоянное напряжение коллектор — база:
при 7'<+2ОсС
П201Э, П2О1ХЭ..................................
П202Э, П203Э...................................
прн Т — +50 ”С
П201Э, П201АЭ....................................
П202Э, П203Э...................................
Постоянный ток коллектора:
П201Э П201АЭ..............................
П202Э, П203Э..................................
Импульсный ток коллектора-
П201ЛЭ ... ..........................
П202Э, П203Э . . .......................
Постоянная рассеиваемая мощность:
с теплоотводом:
7„<+20‘С:
7^+70'С . . .................. .
без теплоотвода Т< + 25 °C . ................
Импульсная рассеиваемая мощность при /и<5с, Q^3,
/к<+70”С............................................
Переключаемая мощность постоянного тока . . . ,
Тепловое сопротивление переход — корпус . . . .
Температура р-п перехода
Температура окружающей среды........................
10 В
15 В
45 В
70 В
30 В
55 В
1 5 А
2 Л
2 А
2,5 Л
10 Вт
4 3 Вт
1 В
10 Вт
30 Вт
3,5 сС7Вт
+ 85 °C
-СОХ. Гк~
= +70 X
П210А, П210Ш
Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р универсальные. Пред-
назначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах
усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпу
скаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора ука-
зывается на корпусе
Масса транзистора не более 37 г с наконечниками выводов и не более
48,5 г с крепежным фланцем.
159
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:
при t/ro = 2 В, /я=5 А для П210А, ие менее
типовое значение ..............................
при с/кэ=1 В, /я=7 А для П210Ш . . .
типовое значение
Статическая крутизна прямой передачи в схеме ОЭ:
при Uко=2 В /я=5 А для П210А, пе менее
типовое значение ............................
при 6/ял=1 В, /к=7 А для П210Ш, не менее
типовое значение ..................
Граничная частота коэффициента передачи тока в
ме ОБ при 1/кь = 20 В, /э=0,1 А, нс менее
lpaiHi4tioe напряжение при /я,и=2,5 А, не менее
типовое значение . ...
схе
Плавающее напряжение эмиттер—база при 17кд = 40 В,
не более:
15
19*
15.. .60
23*
6,66 А/В
9* А/В
6,52 А/В
10* А/В
100 к! ц
50 В
70* В
П210А.........................................
П210Ш.........................................
Обратный ток коллектора, ие более:
7=+25 С:
U кв =45 В П210Л............................
G'kl=65 В П210Ш..............................
Т= +70 °C:
6/кв=45 В П210А................................
Ulf в = 65 В Г1210Ш..........................
Обратный ток эмиттера П210Ш, не более:
СЛ,с=1,5 В . . .........................
Uон=35 В......................................
1,5 В
0,15 В
8 мА
8 мА
50 мА
12 мА
3 мА
10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер,
при 1,5 В для П210А.................................
при С/ьэ>0,5 В для П210Ш ................
Постоянное напряжение коллектор — база П210А
Постоянное напряжение эмиттер — база.................
Постоянный ток коллектора в режиме насыщения П210Л
Импульсный ток коллектора в режиме насыщения при
1^15 мкс для П210Ш...................................
Постоянная рассеиваемая мощность
при 7„sg+25°C . . ...................
при 7к = +70°С....................... . . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус . . . .
Тепловое сопротивление переход — среда
Температура р-п перехода ............................
Температура окружающей среды .... . .
65 В
64 В
65 В
25 В
!2 А
9 А
60 Вт
15 Вт
1 °С/В
40 “С/Вт
+85 °C
-60 °С...7к =
= +70 °C
Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода транзистора должно быть
не менее 20 мм.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 20 мм от корпуса
в течение ие более 10 с. Температура жала паяльника должна быть не более
+260 'С
П213, П213 (А, Б), П214, П214 (А, Б, В, Г), П215
Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п р универсальные Пред-
назначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах
усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения Выпу-
160
скаются в мсталлостекляниом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора ука-
зывается на корпусе.
Масса транзистора ие более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
С'ко = 5 В, /к = 0,2 Л:
П213А, П214В, не менее...........................20
П213Б, не менее ...........................40
П214..............................................20.60
П214А .................................50.150
П214Б, П215 . . ... 20.150
П213 при Гла-5 В, /к=1 А........................ 20 50
Статическая крутизна прямой передачи в схеме ОЭ при
Б'кэ=28 В, /<„ = 35 Ом, f=270 Гц для П214Г . . . 1.4...2J А/В
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОБ при Ске=10 В /к=100 мА, не менее 150 кГц
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не более:
/к=3 А, /к=0,37 А П213 ... 0,5 В
/к=3 А, /к=0,37 А П214, П214А, П214Б, Г1215 . 0,9 В
/и=2 Л, /ь=0,3 А П213Б, П214В, П214Г . . 2,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=2.5 Л.
/в = 0.37 А:
П213. не более ............................ 0,75 В
11214, Г1214А П215, не более . . 1,2 В
Н214Б . . . . 0.6 ..0,9 В
Плавающее напряжение эмиттер — база при 7=+ 70’С,
не более:
б'кв = 45 В П213 . 0.3 В
6’кв = 45 В П213А. П213Б ... 05 В
Окд = 60 В 11214, П214А. П214Б .... 0,3 В
/7кв=60 В Г1214В, П214Г..................... 0.5 В
Б'кв = 80 В П215..................................0,3 В
Обратный ток коллектора, не более:
7 = +20 °C:
</ке= 45 В П213 . . . . . . 0 15 мА
1/кв= 45 В П213Х П213Б...........................1 мА
</кв = 60 В П214, П214А..........................0.3 мА
Бкв = 60 В П214Б, П214В, П214Г . 1.5 мА
//кв=80 В П215 .......................0 3 мА
Т + 70 СС:
Т//:ь = 45 В П213 ....................2 мА
Пкь—45 В Г1213Л, П213Б . . .4,5 л\
UK,.=W В П214. П214А.............................2,5 мА
С'кв=60 В П214Б ....................2 мА
11 Заказ № 1004
101
П родолжение
1/ЯБ=60 В П214В, П211Г.........................5 мА
Ркв=80 В П215 . . . . . 2,5 мА
Обратный ток коллектор — эмиттер прн /Б=0. не более:
Уна = 30 В П213 . 20 мА
(7де=45 В П214 П214А П214Б ... . . 30 мА
(7кэ = 55 В П214В, П214Г . . . . 30 мА
(/кв-60 В П215 ...........................30 мА
Обратный ток коллектор — эмиттер при /?6J=50 Ом, не
более:
(7„Я=ЗО В П213А, П213Б ...................10 мА
UKS=55 В П214В, П214Г...........................10 мА
Обратный ток эмиттера, не более:
Т=+20 °C:
{/ав=15 В П213, П214, П214А, П214Б, П215 . 0,3 мА
USE= 10 В П213А, П213Б, П214В, П214Г . . 0,4 мА
Г= + 70оС:
15 В П213, П214Б.................................2 .мА
(7эг,= 15 В П214, П214А, П215..................2 5 мА
(/8Б=10 В П21.А, П213Б . . . .4,5 мА
С/8Б=10 В П214В, П214Г .... 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер нри /Б=0
П213............................ • 30 В
П214, П214Б ......................45 В
П215............................................60 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rcj^
^50 Ом:
П213А, П213Б..................................30 В
П213............................................40 В
П214, П214Л, П214Б, П214В, П214Г................55 В
П215............................................70 В
Постоянное напряжение коллектор — база:
П213, П213А, П213Б . ... 45 В
П214, П214А П214Б, П214В, П214Г ... 60 В
П215 ................................80 В
Постоянный ток коллектора . 5 Л
Постоянный ток базы ... ... . . 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность:
7"Ж<+45ОС
П213А, П213Б П214, П214Л, П214В, П214Г, П215 10 Вт
П213, П214Б 11,5 Вт
Тк +70° С:
П213Л. П213Б. П214 П214А. П214В, П214Г, П215 3,75 Вт
П21 , П214Б . . . 4,3 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус:
П213, П214Б ............ . . 3,5°С/Вт
П213Л, П213Б. П214, П214Л, П214В, П214Г, П215 , 4 0С/Вт
Температура рп перехода.............................+85 °C
Температура окружающей среды........................— 60 —
При эксплуатации транзистор должен быть жестко закреплен с помощью
накидного фланца на металлическом шасси или на специальной теплоотводе со
шлифованной поверхностью
Диаметр отверстия в теплоотводе под выводы транзистора должен быть
не более 5 мм.
При необходимости электрической изоляции корпуса (коллектора) тран-
зистора от шасси или теплоотвода между корпусом и теплоотводом рекомен-
162
дуется ставить прокладку из слюды. Суммарное тепловое сопротивление пере-
ход — теплоотвод увеличивается прн этом на 0,5 “С/Вт на каждые 50 мкм тол-
щины слюдяной прокладки.
Из! иб выводов при пайке допускается только па их плоской части.
П216, П216 (А, Б, В, Г, Д), П217, П217 (А, Б, В, Г)
Транзисторы юрмапиевыс сплавные структуры р-п-р универсальные Пред-
назначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах
усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения Вы
пускаются в мсталлостеклянпом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
П216, П216(А-Д). П217, П2П(А-Г)
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока в режиме малого сшиала в
схеме ОЭ:
при С/кэ = 5 В, /к=1 А П216А..................... 20 80
при (7кэ=3 В, /к=2 А П216Б, не менее .... 10
при (7кэ = 3 В /к=2 А П216В, не менее .... 30
при (Ука=3 В, /к=2 А П216Г, не менее .... 5
при </кв=3 В /к=2 А П216Д .............15 .30
прн 1/кэ = 5 В, /к=1 А П217А 20.60
при {7кэ*=5 В, /к=1 А П217Б, ие менее .... 20
при (УКе=3 В, /„=2 А П217Г. 15.. 40
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ, не
менее:
при Г'кв=0,75 В /к = 4 А П216 . . . 18
при (7КЭ=1 В, /к=4 А, П217.................... 15
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе
ме ОБ при 0/кв=10 В, /к=0,1 А, не менее .... 100 кГц
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не более.
при /к 4 А, /Б=0,5 А П216, П216А 0,75 В
при /„ 4 А, /ь—0,5 А П217, П217А. П217Б, П217Г 1 В
при /к 2 А, /«-0,3 А П216Б, П216В. П216Д П217В 0,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /«=3,5 А,
/«=0,5 А:
11216, П217, не более............................1,5 В
П217Б............................................0,6..0,9 В
П217Г, ие более ... ... 0,8 В
Плавающее напряжение эмиттер — база, не более:
при Ркв=40 В П216, П216А .................0.3 В
при U,,-c = 35 В 11216Б. П216В...................0,5 В
11
163
Продолжение
при С/кв=50 В П216Г, П216Д.......................0.5 В
при t//fb=60 В [1217, П217Л, П217Б...............0,3 В
прн Ukb=60 В П217В, П217Г ... . 0,5 В
Обратный ток коллектора, не более:
прн 7’= + 20°С:
Uкб=40 В П216, П216А . . . . 0,5 м\
t/кв=35 в П216Б................................1,5 мА
1/кб=35 В П216В................................2 мА
t/„-c = 50 В П216Г.............................2,5 мА
77кв=50 В П216Д . ....................2 мА
(/кв = 60 В 11217 П217Л, П217Б . ... 0.5 мА
Бкв = 60 В П217В. 11217Г.......................3 мА
при Г=+70°С:
Б’кв-40 В Г1216, П216А.......................4,5 мА
Б'к =35 В П216Б, П216В.......................7,5 мА
ti,-E=50 В П216Г. П216Д.......................7,5 мА
t/,fB-60 В П217, Г1217Л, П217Б . . . . 5 мА
1/кв=60 В П217В, П217Г . ... 7,5 мА
Обратный ток коллектор — эмиттер при /в=0, не более:
прн 1/кэ-30 В П216, П216Л . 40 мА
при 1/ке = 45 В П217, П217А, П217Б . . 50 мА
Обратный ток коллектор — эмиттер прн /?«3 = 0, не более:
1/кв = 35 В П216Б, П216В ... . . 20 мА
(Л,э = 50 В П216Г ...........................50 мА
Ска-50 В П216Д ... .................20 мА
Б'кв=60 В П217В. П217Г...........................20 мА
Обратный ток эмиттера при t/ajs—15 В, не более:
Г= + 20 °C:
П216, П216А, П217, П217А, П217Б ... 0,4 мА
П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В, П217Г . . 0,75 мА
Т t-70°C.
П216, П216А П217, П217А, П217Б . . 4 мА
П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В, П217Г 7 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база и коллектор —
эмиттер при /?«э=0:
П216, П216Л ...........................40 В
Г1216Б, П216В . . .......................30 В
П216Г, П216Д .......................50 В
П217, П217Л, П217Б, П217В, П217Г.................60 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /в=0:
П216, П216А . . .......................30 В
П217, П217А, П217Б . . .................45 В
Постоянное напряжение эмиттер — база.................15 В
Постоянный ток коллектора . . . ... 7,5 А
П стоянный ток базы ... . . . 0,75 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
7„^+25°С:
П216, П216А, П217, П217А, П217Б................30 Вт
П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В, П217Г . . 24 Вт
7\=+70°С:
П216, П216А, П217, П217Л, П217Б ... 7,5 Вт
П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В, П217Г 6 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус:
П216, П216А, П217, П217А, П217Б 2 С/Вт
П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В, П217Г . . 2,5СС/Вт
Те-.-иература р-п перехода...........................+85 °C
Температура окружающей среды.........................— 60 °C...Гц =
= +70 °C
164
Про эксплуатации транзистор должен быть жестко закреплен с помощью
накидного фланца на металлическом шасси или на специальном теплоотводе
со шлифованной поверхностью.
Диаметр отверстия в теплоотводе под выводы транзистора должен быть
не более 5 мм.
При необходимости электрической изоляции корпуса (коллектора) транзи-
стора от шасси или теплоотвода между корпусом и теплоотводом рекоменду-
ется ставить прокладку из оксидированного алюминия или слюды Суммарное
тепловое сопротивление переход — теплоотвод увеличивается при этом на
0,5°С/Вт на каждые 50 мкм толщины слюдяной прокладки или на 0,25°С/Вт
иа каждые 50 мкм толщины слои оксидированного алюминия.
ПЗОЗ, ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304, П306, П306А
Транзисторы кремниевые структуры р-п-р усилительные. Предназначены для
применения в усилителях низкой частоты и преобразователях постоянного на-
пряжения. Выпускаются в мсталлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается па корпусе
Масса транзистора не более 10 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Ukb = \G В-
7"= +25 °C:
/в =120 мА:
П302, не менее................................. 10
ПЗОЗ, ПЗОЗА, не менее...................... 6
2э= 100 мА П306 ............................. 7. .25
/,э = 60 мА II304, не менее ... . . 5
/а=50 vA П306А...................................5 .35
Т=— 60 °C, ие менее.
/э=120 мА П302 ........................ 6
/э=120 мА ПЗОЗ, ПЗОЗА........................3.5
/э=100 мА П306 ............................. . . 4
h = 60 мА ПЗ 1 . .................3
/а=50 мА П306А . . . . . 3,5
165
П родолжение
Предельная частота коэффициента передачи тока при
^ке=20 В, не .менее:
/е-120 мА
П302 . .............................. 200 кГц
ПЗОЗ, ПЗОЗА......................................100 кГц
ПЗО4 . .. 50 кГц
/е = 100 мА П306 и /в=50 мЛ 113CGA .... 50 кГц
Сопротивление насыщения коллектор — эм и пер при /к=
= 150 мА, /р=500 мА, для ПЗОЗ, ПЗОЗА, не менее:
Г=+25°С.............................................20 Ом
7=-60 п +120 °C.....................................30 Ом
Входное напряжение, не более:
t7«n=10 В, /к=300 мА:
П302 6 В
ПЗОЗ, П304 ........................10 В
ПЗОЗА ........................... Ф В
0/кв=15 В, /к = 300 мА П306 ... . . 6 В
{/кв=15 В, 1к = 200 мА П306А 4 В
Обратный ток коллектора:
Г—+25 °C, </к,;=35 В П302; 77,ге=6О В ПЗОЗ,
ПЗОЗА, П304, П306; 1/кв=80 В П306А, не более 100 мкА
7"=+ 120 °C, (/иь=30 В П302; 0'кв=50 В ПЗОЗ,
ПЗОЗА, П304, П306; t/KB=65 В П306А, не более 1500 мкА
Обратный ток коллектор — эмиттер:
Г-+ 25°C, fte,= l кОм, 1/кв = 40 В П302; (Д-в = 70 В
ПЗОЗ, ПЗОЗА П306; 7/ке-100 В П304, П306А, не
более .................... . 1 мА
7"=+ 120 °C, «я,-100 Ом, ииэ=30 В П302; UKB-
= 50 В ПЗОЗ, ПЗОЗА, П306; [/«8=65 В П304; </К8 =
= 60 В П306Л, не более...............................6 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
<100 Ом и коллектор—база1:
Гп--60...+20 °C;
П302 30 В
ПЗОЗ, ПЗОЗА ......................................65 В
П304 50 В
Т„=+20. + 100 °C:
П302 35 В
ПЗОЗ, ПЗОЗА, П306 60 В
П304, П306Л 80 В
т„=+ 150 °C
П302 .............. ... 18 В
ПЗОЗ, ПЗОЗА............................... .... 40 В
П304 ....................................... 30 В
Т„=+25°С:
П306 .............................................. 60 в
П306Л 80 В
Т„- - 60 °C:
Г1306 50 В
П306Л 70 В
Постоянный ток коллектора
П302, ПЗОЗ, ПЗОЗА, Г1304 0,5 А
П306, П306А 0.4 А
1 При температуре перехода выше + 100 "С б'«в«..„„кс и б'кв. мпке снижаются на
10% на каждые Ю”С. Температура перехода определяется по формуле
7\"7К + ЯТ(П_К)РК-
166
Продолжение
Постоянный ток эмиттера П306, П306А 0,5 Л
Постоянный ток базы ... . . . . 0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора *: с теплоотводом Гк=-60 .4-50°C'
11302 7 Вт
ПЗОЗ, ПЗОЗЛ. П304, П306, П306Л . . 10 Bi
7к=-И20°С П306, П306Л 2 Вт
7\ 4-120 °C П302, ПЗОЗ, ПЗОЗЛ, П304 3 Вт
7,. = +-90 °C П306, П306А 3 Вт
без теплоотвода
Т--60...4-50 °C 1 Вт
Г= 4-120 °C 0,3 В г
Тепловое сопротивление переход — окружающая среда 100 °C/Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус .... 10°С/Вт
Температура р-п перехода 4-150 °C
Температура окружающей среды -60 °C.. 4-120 °C
1 При Т’к>50 °C для транзисторов с теплоотводом Р1( макс В т - (159-/к) 10. для
транзисторов без теплоотвода при F>4-20vC Р^ макс, Вт—(150 —Г)/!00
П601И, П601 (ЛИ, БИ), П602И, П602АИ
Транзисторы германиевые диффузионно сплавные структуры р-п-р универ-
сальные. Предназначены для применения в усилительных, импульсных и пере-
ключающих каскадах радиоэлектронных устройств. Выпускаются в металло-
стеклянном корпусе с гибкими (вариант 1) и жесткими (вариант 2) выводами.
Тин прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 12,5 г
167
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
//кэ = 3 В, /к=0,5 Л:
7 = +20 °C:
Г1601И, ие мспсс........................... . . 20
П601АИ, П60211 .............................. 40... 100
П601И, П602А11................................ 80. 200
7'=+70 °C:
П601И, П601БИ, П602АИ. не более .... 250
П601ЛИ, П60211 .......................... 40. 100
7’=-60сС
П601И, не менее . . ...... 10
П601АИ. П601БИ, П602АИ, П602И, не более . . 0,5 значения прн
Г=+20 СС
Модуль коэффициента передачи тока при /7кв=Ю В, /в =
=50 мА, [= 10 МГн, не менее:
П601И, П601АИ, П601БН...........................2
П602И, П602АИ...................................3
Граничное напряжение при /э = 0,3 A, f—1 кГц, tu —
=5 мкс, не менее
П601И, П602ЛН...................................20 В
Г1601АИ, П601БИ, Г1602Н.........................25 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при /к —
120 мА, /в-60 мА .............. . . 2* В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к—0.5 А,
/с-0.25 А ..............................1,5* В
Постоянная времени пени обратной связи прн /7кс=20 В,
/н = 50 мА, 1=5 МГц. не более....................... 750 пс
Время нарастания прн /к—0.5 А, не более:
/в=60 м.А П601И . . . . 0,4 мкс
/с-30 мА П601ЛИ, П601Б11, П602И. П602ЛИ . . 0,4 мкс
Время рассасывания при /к=0,5 А, не более:
/с = 60 мА П601И................................6 мкс
/Б = 30 мА П601АИ, П602И . ...........4 мкс
/с=30 мА П601БИ, П602АИ.......................5 мкс
Обратный ток коллектора, не более:
при Г= + 20°С:
f/кв =10 В:
П601И........................................ 200 мкА
П60 lAH, 1160211 .......................... 100 мкА
П601БИ, П602ЛН...............................130 мкА
1/кс=25 В
П601И . ..............................2 мА
П602АИ ............. . 1,5 мА
f/кв-ЗО В П601АИ, П601БИ. П60211 ... 1,5 мА
при 7’=+70°С и //кБ=10В П601И П601АИ, П601БВ,
П602И П602АИ 6 мА
Обратный ток эмиттера при Г,эб=0,5 В .1 м/А
Емкость коллекторного перехода прн £/«£=20 В / =
= 5 МГц, не более ... . 170 пФ
Емкость э.мштерного перехода при 6/ас —0,5 В, f=5 МГц 2500* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряженке коллектор— эмиттер при /?бЭ<100 Ом:
П601 АН, П602АИ .......................25 В
П601И П601БИ П602И ....................30 В
Напряжение коллектор база
П601АИ П602АИ .......................25 В
П601И, П601БИ, П602И............................30 В
1(анряжение эмиттер — база:
7 + 20°С........................................0,7 В
108
Продолжение
7=+70 С.........................................0,5 В
Импульсный ток коллектора...........................1,5 В
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
без теплоотвода, Т= — 60...+60СС....................0.5 Вт
с теплоотводом:
Тк=+25СС........................... 3 Вт
7к = + 70сС....................................0,75 Вт
Температура р-п перехода...................... +85°C
Тепловое сопротивление переход — корпус .... 15 сС/Вт
Тепловое сопротивление переход — среда..............50сС/Вт
Температура окружающей среды........................—60 °С„.7'К=
1 При 7>+60'С для транзисторов без теплоотвода Рц макс Вт-(К5—7)/50; для
транзисторов с теплоотводом при 7Х = +25',С Рк макс Вт= (85 —Тх)/15.
П605, П605А, П606, П606А
Транзисторы германиевые структуры р-п-р универсальные. Предназначены
для применения в усилительных, генераторных н импульсных каскадах низкой
и высокой частоты (до 30 МГц). Выпускаются в металлостеклянном корпусе
с гибкими (вариант 1) и жесткими (вариант 2) выводами. Тип прибора ука-
зывается па корпусе.
Масса транзистора с жесткими выводами не более 11 г, с гибкими выво-
дами не более 12 г.
П605, П605А, П606, П608А
169
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при f = 0,l . 10 кГц:
7=+20 °C:
1/кэ“3 В, /к=0,5 А П605, П606 . . . 20...35*...60
икэ=3 В /к-0,5 А П605А, П606Л . . 50 75* 120
1/кэ=7 В, /к=15 мА П605 П605А, П606,
П606А ................... ... 20 30*. .50*
Т= -60 °C
(7ks = 3 В, /к=0,5 А П605, П606 . . . 14...84
Uko=3 В, /к = 0,5 А П605А, П606А . , . 25...168
7=+70°С .....................0,5 .1,5 значения при
7 = + 20°С
Модуль коэффициента передачи тока на высокой
частоте при 1/КБ=10 В, /в=50 мА, f=10 МГц
П606, П606А .... 3..5,5*...7*
Граничное напряжение при 7э=0,3 А, /«=5 мкс,
/=1 .10 кГц:
П605, П605А................................... 35.. 45*.. 55* В
П606, П606Л......................... . . 20.. 30*. 40* В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер:
прн /к=0,5 А, /Б=60 мА П605, П606 . . . 0,4*...0,7*.. 2 В
при /к=0,5 А, /Б —30 мА П605А, П606А . . 0,4*...0,7*..,2 В
Напряжение насыщения база — эмнттео:
при /к = 0,5 А, /Е=60 мА П605, Г1606 . . . 0,3‘ 0,5* 1,2 В
при /к=0,5 А, /Б —30 мА П605А, П606А . . 0,3* . 0,5* 1.2 В
Постоянная времени цепи обратной связи при Ек =
=20 В, /э=50 мА, 1-5 МГц .... ,40* 80*...500 нс
Время включения при ?вкл, f=1...10 кГц
Т/к-02 В, /к=0,5 А, /Б=60 мА П605. П606 . 0,06* .0,1*. .0,3 мкс
1/к=20 В, /к=0,5 А, /Б = 30 мА П605Л, П606А,
«с более............................ 0,35 мкс
Время рассасывания при f=l. 10 кГц:
17к=2О В, /к=0,5 Л, /Б=60 мА П605, 11606 0 4* .1* 3 мкс
6'к=20 В, /к=0,5 А, /Б=30 мА П605Л, П606А,
не более......................................4 мкс
Обратный ток коллектора, tie более:
при Т= + 20 °C:
1/кв = 45 В П605, П605А....................... 2 мА
UKr. 35 В П606, П606А . ... 2 мА
при 7= +70 °C-
t/кв = 40 В П605 П605А......................8 мА
t/кв=30 В П606, П606А.......................8 мА
Обратный ток коллектор — эмиттер при /?вэ=
= 100 Ом, не более
t/кв = 40 В 11605, П605Л..........................3 мА
1/кэ=25 В П606, П606А ..................3 мА
Обратный ток эмиттера, не более:
7=+20 °C:
ивв 1 В П605, П605А.........................1 мА
t/эв 0,5 В П606, П606А , . . , 1 мА
7=+70 °C;
1/вв=1 В П605, П605А . ... 2 мА
t/sb-=0,5 В П606, П606А . . . . 2 мА
Емкость коллекторного перехода при 1/кв—20 В,
f 5 МГц............................. . . 50* 70*... 130 пФ
Емкость эмиттерного перехода прн С/ев=0,5 В, f=
= 5 МГц, пе более................................. 2000* пФ
170
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмнтгер:
при R.,c^ 100 Ом, Т= — 60...+20 °C:
П605, П605Л.................................
П606, П606Л .............
при RrfjglO Ом, 7=+70 °C:
П605, П605А .
П606, П606А
при заданном обратном напряжении эьиттер —
база.
7= 60...+ 20 С:
П605, П605А . . . .
П606, П606А . . .................
7=+70 °C
П605, П605А.............................
П606, П606А.............................
Постоянное напряжение коллектор — база:
при 7=-60...+ 20 °C:
П605, П605Л.................................
П606. П606А...............................
прн 7=+70°C:
П605, П605А....................... . .
П606, П606Л...............................
Постоянное напряжение эмиттер — база:
П605, П605А . .................
П606, П606А ..........................
Импульсный ток коллектора при /„^10 мс, Q^2
Импульсный ток базы при 1и^10 мс, <2^2
Средняя рассеиваемая мощность коллектора ':
без теплоотвода:
7=-60...+ 60 °C...........................
7=+ 70 °C.................................
с теплоотводом при 15°С/Вт-
7—-60,. + 20°С . . . . .
7=+70 °C . .................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление корпус — среда (без тепло-
отвода) ........................................
Температура р-п перехода .......................
Температура окружающей среды ...................
40 В
20 В
20 В
15 В
45 В
35 В
40 В
30 В
45 В
35 В
40 В
30 В
1 В
0,5 В
1,5 А
0,5 А
0,5 Вт
0,3 Вт
3 Вт
0,75 Вт
15 "С/Вт
35 °С/Вт
+85 °C
-60.. +70 °C
1 Рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом прн Г-+25 .+70 °C и без
теплоотвода при 7 = +60... + 70 °C рассчитывается по формуле
ср макс* Вт-(85 7)/(RT(n к) + ^Т(к-с)7
При эксплуатации транзисторы должны крепиться с помощью накидного
фланца. Расстояние от корпуса транзистора до места пайки вывода не менее
20 мм для варианта с гибкими выводами и не менее 5 мм для BapnaHta с
жесткими выводами
П607, П607Л, П608, П608 (А, Б|, П609 П609 (А, Б)
Транзисторы германиевые структуры р-п-р универсальные. Предназначены
для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой
и высокой частоты (до 100 МГц). Выпускаются в металлостекляипом корпусе
с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 12 г.
171
0601 O60U. ПбОВ. HSOBfA. С)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при Uk»=3 В, 7к=055 А, /и=15мкс, f=0,l..,10 кГц:
7=4-20 °C:
П607 ..................................
П607А . . ...................
П608, 11608Б, П609 ...................
П608Х I1G09A, П609Б .............
7- 60 °C ..................................
7-+70 °C ..................................
Модуль коэффициента передачи тока па высокой
частоте при 1/кс=10 В, /э = 50 мА, (=20 МГц:
П607 П67А..................................
П608, П608А, П608Б . . . .
П609, П609А, П609Б.........................
Граничное напряжение при /е=0,1 А, /„ = 5 мкс,
(=1.10 кГц:
7=-60. + 20сС:
П607, П607А, Г16О8, П608А, Г1609, I1609A ,
П608Б, П609Б ... .............
7=+ 70 С:
П607, П607А, П608 П608А, П609 П609А,
не менее ................................
П608Б, П609Б, не менее...................
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер:
при /к=0,2А, /,.=20 мА П607 ....
при /к=0,2 А, /ь= 10 мА П607А, П608 П608Б,
П609 .........................
при /к=0.2 А. /с=5 мА П608А, П609А, П609Б
Напряжение насыщения база — эмиттер:
при /к = 0,2 А, /с=20 мА П607 ....
при /к=0,2 Л, /с=ю мА П607А, Г1608, П608Б,
П609 ... ......................
при /к = 0,2 А, /в=5 мА.
П608А П609А, П609Б....................
11607, Г1607Л ......................
11608, П608Л, П608Б
П609, П609А, Г1609Б......................
20. .53*. .80
60 139*...2ОО
40.. 80* ..120
80 . 154* .240
(0,4 2) значения при
7=+20°С
3 значения при
7=+20 °C
3... 6* ..10*
4 5.. 8* .13*
6.. 11*...15*
25...35* .50* В
40...50*.70* В
20 В
30 В
0,63 . *0,94*. .2 В
0,63* ..0,94’.. 2 В
0,63* 0,94*...2 В
0,36* ..0,4*...0,6 В
0,36*. 0,4 *...0.6 В
0,36*. 0,4*...0,6 В
3..6* 10*
4 5 8* .13
6 11* 15*
172
/7 родолжение
Бремя рассасывания при f=l. 10 кГц;
/к-0,2 А, /Б=20 мА П607 ............... 0,6*...1,1*...3 мкс
/«-0,2 А, /с=10 мА, 11607А, П608. П608Б,
П609 ... . 0,6* .1,1*..3 мкс
/к-0,2 Л. /в=5 мА П608А, П609Л, П609Б . 0,6* 1,1* .3 мкс
Обратный тек коллектора, не более:
7=+20 °C:
0'К1;=30 В П607, П607А, П608, П608А, П609,
П609А......................................... 300 хкА
/7 кг=50 В П608Б, П609Б................... 500 мкА
типовое значение................................9* мкА
икг,- 30 В П607, П607Л, П608, П608Л, П609,
П609Л..................................... 3000 мкА
/7кб=50 В П608Б, П609Б.................... 5000 мкА
Обратный ток коллектор — эмиттер, не более:
7=+20 °C, /^,= 100 Ом:
/7кл=25 В П607, П607А, П608, П608Л, П609,
П609А ... .............. 500 мкА
//кэ — 40 В П608Б, П609Б................. 500 мкА
типовое значение ..............12* мкА
7-+70 °C, /?«,= 10 Ом:
икэ=20 В П607, П607А. П608, П608А, П609,
П609А ................. 3000 мкА
UKS=30 В П608Б, П609Б................. 5000 мкА
Обратный ток эмиттера при Ugr, — \,5 В, не более.
7=+20 °C . ........................ 500 мкА
типовое значение............................2* мкА
7-+70 °C . . .................... 2000 мкА
Емкость коллекторного перехода при С/кв= 10 В,
!= 5 МГц................................. . . 16*. .21*. .50 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 0'ЭЕ=0,5 В
= 5 МГн, не более . . .............. 500 пФ
Крутизна передаточной характеристики* при /7кэ=
=5 В, /к=0,05 Л, типовое значение . . 0,14 А/В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер:
при R63 100 Ом, Т= - 6О... + 2О°С:
П607, П607А, П608, П608А, П609, П609А . 25 В
П608Б, П609Б....................................40 В
при 7?6j = 10 Ом, 7=+ 70 °C:
П607, П607А, П608, П608А, П609, П60! А . 20 В
П608Б. П609Б . ... 30 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . . , 1,5 В
Постоянное напряжение коллектор — база:
П607, П607Л, П608, П608А, П609, П609А . . 30 В
П608Б, П609Б................................50 В
Постоянный ток коллектора....................... 300 мА
Импульсный ток коллектора при /иг£10 мс, Q>2 600 мА
Импульсный ток базы при /,,==710 мс, <2^2 . 150 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при
UkesS20 В н 7=-60°C. 7К-4-40°C . . . 1.5 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус . . . 15 °C Вт
Температура окружающей среды....................-60. . + 70сС
1 При l'/fc>20 В н Тк> + 40гС рассеиваемая мощность коллектора должна сви«
жаться в сошвеге!рии с приведенными ниже зависимостям»
173
Панка выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм от корпуса. Тем-
пература панки нс более +260 °C, время пайки не более 10 с.
При включении транзисторов в цепь, находящуюся под напряжением, кол-
лекторный контакт должен присоединяться последним и отключаться первым.
Не рекомендуется работа транзистора при рабочих токах, соизмеримых с
неуправляемыми токами во всем диапазоне рабочих температур.
КТ501 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И, К, Л, М)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры р-п-р усили-
тельные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, опера-
ционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях. Вы-
пускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора ука
зывастся на корпусе.
Масса транзистора не более 0,6 г.
л Г SOI[A Ml
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:
при Ukh—\ В, /к=30 мА:
KT50IA. КТ501Г. КТ501Ж, КТ501Л . ... 20 60
КТ501Б КТ501Д, КТ501И, КТ501М .... 40.120
КТ501В, КТ501Е, КТ501К........................... 80.240
при 1/кэ=1 В, /к.к-’О.Б А, не менее................6
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ при иКд = 5 В, /к =10 мА, не менее 5 МГц
Коэффициент шума при 1/ис=3 В, /к=0,2 мА, /?| = 3 кОм,
/=1 кГц, не более ........................4 дБ
типовое значение ... ..............2* дБ
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не более;
при /к—0.3 А, /Б-0,06 А........................0.4 В
при /|с,м=0,5 А, /в=0,1 А ........................0,7 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к = 0,3 А,
h: 0,06 A, ut более . . ... . 1,5 В
Обратный ток коллектора при 1/кэк = {7кэя,л.ахс, Rr,j =
10 кОм. не более . . .1 мкА
Обратный ток эмиттера при Uc3 = Ube.M!Kc, не более 1 мкА
Емкость коллекторного перехода при (7ке=Ю В, /=
500 к! ц, не более ..................................50 пФ
Емкость эмитгерпого перехода при 1/ьа=0,5 В, /=500 кГц.
не более .............................100 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянные напряжения коллектор — база и коллектор —
эмиттер при кОм, 7 =+25...+125°C:
КГ501А, КТ501Б, КТ501В.............................15 В
КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е..............................30 В
174
П родолжение
КТ501Ж, КТ501И, КТ501К..........................45 В
КТ501Л, КТ501М..................................60 В
Постоянное напряжение база — эмиттер:
при Г =-60 +125 °C для КТ501А КТ501Б КТ501В,
КТ501Г, КТ501Д КТ501Е ................10 В
при У= -25 . Н125°С для КТ501Ж, КТ501И КТ5О1К,
КТ501Л, КТ501М ... ................20 В
Постоянный ток коллектора..........................0,3 А
Импульсный ток коллектора..........................0,5 А
Постоянный ток базы............................ ... 0,1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т=
--60.+35°C . . .... . . 0,35_ Вг
Температура р-n перехода...........................+150 °C
Температура окружающей среды ... . . —60...+ 125°C
При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, ба-
зовый контакт присоединяется первым н отключается последние.
Расстояние от места изгиба до корпуса траимнстора ие менее 3 мм с радиу-
сом закругления 1,5.. 2 мм. Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от
корпуса транзистора.
КТ502 (А, Б, В, Г, Д, Е)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры р-п-р уни-
версальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, опе-
рационных дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях. Вы-
пускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указы-
вается на этикетке
Масса транзистора не более 0,3 г
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн
</кв = 5 В, /э=10 мА:
КТ502А, КТ502В, КТ502Д, КТ502Е...................40.. 120
КТ502Б, КТ502Г ................ 80 240
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ прн Uks — 5 В, /э = 3 мА, не менее 5 МГц
Граничное напряжение при /а=10 мА, /и^30 мкс,
100, не менее:
КТ502А, КТ502Б.....................................25 В
КТ502В, КТ502Г.....................................40 В
КТ502Д .............................................60 В
КТ502Г .... . . 80 В
Напряжение насыщения коллектор -эмиттер при 1к~
10 мА, /в=1 мА, не более...........................0,6 В
типовое значение.................................0,15* В
175
Продолжение
Напряжение насыщения база — эмиттер прн /к=10 мА,
/г=1 мА, не более .................................... 1,2 В
типовое значение ..................... . . 0,8* В
Обратный ток коллектора при 1/ка=1/кЕ.лаяс, не более 1 мкА
Г мкость коллекторного перехода при </кб=5 В, f=
= 455 кГц, не более............................. . . 20 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ502Л, КТ502Б.....................................40 В
КТ 502В, КТ502Г . . 60 В
КТ502Д..............................................80 В
КТ502Е..............................................90 В
Постоянное напряжение база — эмиттер.....................5 В
Постоянный ток коллектора . ................0.15 А
Импульсный ток коллектора при /„< 10 ыс, 100 . 0,35 А
Постоянный ток базы ...................................0,1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора . . . 0,35 Вт
Температура р-п перехода.......................... , +125 °C
Температура окружающей среды . . 40... + 85 °C
Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора с ра-
диусом закругления 1,5...2 .мм; при этом должны приниматься меры, исключаю-
щие передачу усилий па корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается
Пайка выводов транзисторов рекомендуется нс ближе 5 мм от корпуса.
При панке жало паяльника должно быть заземлено.
2Т505 (А, Б)
Транзисторы кремние-
вые планарные структуры
р-п-р переключающие низ-
кочастотные. Предназначе-
ны для применения в источ-
никах вторичного электро
питания и переключающих
устройствах Выпускаются
в металлостеклянном кор-
пусе с гибкими выводами
Тип прибора указывается
на корпусе.
Масса транзистора не
более 2 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме
ОЭ при Скд=10 В, Zs=0,5 А:
Т= + 25°С . .............. 25... 120*... 140*
Т=+125°С, не менее..........................18
Т -60 °C, не менее...................... 15
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при Ukl- 10 В, /э = 0,05 Л 20 30* .40* МГц
Граничное напряжение при /э 10 мА, /„ = 300 мкс.
100, не мопсе.
2Т505А..................................... ... 250 В
типовое значение .... . . . 2/0* В
21505Б . ........................ 200 В
типовое значение............................ 230 В
176
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/к =0,5 А /„=0,1 А
Напряжение насыщения база—эмиттер при 1к=
=0,5 А, /Б=0.1 А ..............................
Пробивное напряжение коллектор — база при
/ксэ=0,5 мА, не менее:
2Т505А ...................................
типовое значение ...........................
2Т505Б..................
типовое значение ...........................
Пробивное напряжение эмиттер — база при lotto—
= 0,5 мА, не более.............................
типовое значение ....................
Время включения прн £/ке=40 В, 7к = 0,2 А,
= 0,02 А.......................................
Время выключения при Г/кэ = 40 В, /к =0,2 А, 1г.=
= 0,02 А.......................................
Время рассасывания при 1/кэ = 40 В, /к = 0,2 А,
/ь = 0,02 А ...........................
Обратный ток коллектора, не более:
Г=+25 °C:
Uк Б=300 В 2Т505Л . . . .
Uкг-230 В 2Т505Б..........................
Т +.19^СС
1/кв=250 В 2Т505Л.........................
1/КБ -200 В 2Т505Б ..............
Обратный ток эмиттера при С/Оь = 5 В, не более
Емкость коллекторного перехода при L/se = 5 В
Емкость амштерпого перехода при Пэг0,5 В
Продолжение
1,8 .0.7* 0,15* В
1,8 1,6* 1,35* В
300* В
320* В
250* В
280* В
5 В
6 В
0,2*.. 0,25*...0,3 мкс
1,7*. .2,7* 3,5 мкс
0,7*. .1,6*...2,6 мкс
100 мкА
100 мкА
500 мкА
500 мкА
100 мкА
27*...50*...70* пФ
320* ...420*...500* пФ
Предельные эксплуатационные да1 ные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер' при
/?'.,< 100 Ом
2Т505А........................................... 300 В
2Т505Б . . , 250 В
Постоянное напряжение коллектор — база
2Т505А ... .... 300 В
2Т505Б ... .... 250 В
Постоянное напряжение эмиттер — база ... 5 В
Постоянный ток коллектора2 . I Л
Импульсный ток коллектора3 при Л, ^2 мс, 02 2 Л
Постоянный ток базы2.............................0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора * *.
с теплоотводом, Т —60°C Тк +55°C . . 5 Вт
без теплоотвода, 7=—60 .. + 25°C . . . 1 Вт
Тепловое сопротивление переход — среда . , , + 120...+ 150°С/Вт
Температура р-п перехода ........................+175 °C
Температура окружающей среды . ... 6О...+ 125°С
1 Скорость нарастания обратного напряжения
(d6/dZ)MOKC<250-l0-« В/с.
1 Вез превышения значения постоянной рассеиваемой мощности коллектора.
• Прн Q>2 ток рассчитывается но формуле
^К.и.М КС* I K'MOKcQ
‘ Прн 7я = + 55... + 125°С и использовании транзистора с теплоотвочом н при
Т= +25...+125 °C и использовании транзистора без теплоотвода рассеиваемая мощность
коллектора снижается линейно
Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба и папки вывода не
менее 3 мм Температура пайки не более +260°C, время папки 3 с.
12 Заказ № 1004
177
• в
°ai 0,2 w aeaeiK a
Зависимости тока базы
от напряжения база —
эмиттер
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока эмит-
тера
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор— эмуттер от тока
коллектора
Зависимость напряже-
ния насыщения база —
эмиттер от тока кол-
лектора
Зависимость времени
спада от напряжения
коллектор — эмиттер
Зависимость пробивного
напряжения коллек
тор — эмиттер от сопро
тивлеппя в цепи база —
эмиттер
Зависимость допустимой рассеивае-
мой мощности коллектора от темпе-
ратуры
Зависимость допустимой рассеивае-
мой мощности коллектора от темпе-
ратуры корпуса
178
Облает максимальных режимов
2Т509А
Транзистор кремниевый планарный структуры рчр усилительный Пред-
назначен для применения в высоковольтных стабилизаторах напряжения в ка
честве регулирующих элементов и высоковольтных усилителях в микротоковмх
режимах Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами
н гибкими выводами Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
10 В, /э = 0,1 мА.
Т=+25°С.........................................
7"=+85 °C, не менее.............................
Т — 60 °C, ие менее ... ....
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ при Ukl = 10 В, /э = 0,5 мА, не менее
типовое значение ......................
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=
= 100 мкА, 7б=10 мкА, не более
типовое значение ...............................
Напряжение насыщения база эмнттер при /к=|00 мкА,
1б— 10 мкА, не более..................... . . . .
типовое значение ...............................
Пробивное напряжение коллектор эмиттер при 1к=
— 100 мкА, /?бэ=10 кОм, не менее ...
Постоянная времени цепи обратной связи при 17кл=Ю В,
/е=0,1 A, f=5 МГц .............
15..100*
15
10
10 МГц
15 МГц
1 В
0 55* В
1* В
0,58 В
450 В
8* .52*.. 500 пс
12*
179
П родолжение
Обратный ток коллектора при 17кб = 500 В, не более:
Т'=+25°С ................................ . 5 мкА
типовое значение....................... . . 0,4 мкА
Г=+85°С........................... . . . 5 мкА
Обратный ток коллектор—эмиттер при С7кэ = 450 В,
/?<>.,< 10 КОм, не более:
Г=+25°С..............................................10 мкА
типовое значение.................................0,45 мкА
Г=+85°С..........................................15 мкА
Обратный ток эмиттера при Uar, =5 В, не более ... 5 мкА
типовое значение.................................0,3 мкА
Емкость коллекторного перехода при 17кп=100 В, /=
—10 МГц, не более....................................2,9* пФ
Емкость эмиттерного перехода при t/sc=0,5 В, [=10 МГц,
не более............................ ... 25* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
<10 кОм, сШ/Л<150 В/мкс .... ... 450 В
Постоянное напряжение коллектор — база при dU/dt^.
< 150 В/мке...................................... ... 500 В
Постоиппос напряжение эмиттер — база.................5 В
Постоянный ток коллектора при Рк^Рк.ч^ке ... 20 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
с теплоотводом, Т= —60.,.ТК = 25 °C.................I Вт
без теплоотвода, 7"=—60...+25 °C.................0,3 Вт
Температура рп перехода . . .... + 150 °C
Температура окружающей среды......................... 60. . + 85 °C
1 При 7Ж>+25°С (с теплоотводом) и Т> +25 С (без теплоотвода) РИ м11кг сни-
жается шнсПно.
Пайка выводов транзистора рекомендуется не ближе 3 мм. Температура
пайки не более +260 °C, время пайки не более 3 с.
Зависимости тока базы от напряже-
ния база эмиттер
Зависимости тока котлектора от
напряжения коллектор - эмиттер
180
!*. мА
/к мА
Зависимости тока коллектора от
напряжения коллектор — эмиттер
Зависимости тока коллектора от
напряжения коллектор — эмиттер
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от тока эмит-
тера
Зависимость напряжения насыщения
коллектор — эмиттер от тока кол-
лектора
Зона возможных поло-
жении зависимости про-
бивного напряжения
коллектор — эмиттер от
сопротивления в цепи
база — эм птгор
181
ХОК Bl
Зависимость допустимой рассеивае-
мой мощности коллектора от тем-
пературы корпуса
Зависимость допустимой рассеивае-
мой мощности коллектора от тем-
пературы
ГТ701А
Транзистор германиевый сплавной структуры р-п-р универсальный. Пред-
назначен для применения в системах зажигания двигателей внутреннего сгора-
ния, а также в преобразователях напряжения Допускается применять в усло-
виях импульсных перегрузок по напряжению и мощности. Выпускается в ме-
таллическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 25 г. Масса крепежного фланца не более 7,5 г.
ГТ701А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
UKa = 2 В, /к = 5 А, не менее......................10
типовое значение ............................... 15*
Предельная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ прн Т/ке—20 В, /к=0,1 А, не менее .... 50 кГц
Граничное напряжение при /э=2,5 А, не менее:
7=+25 °C .......................................100 В
7=-55 и +70“С...................................90 В
Обратный ток коллектора при Ukb-60 В, не более:
7--+ 25 °C .....................................6 мА
7=-55 и +70°C ... . 30 мА
Обратный ток коллектор — эмиттер при 17Кэ = 100 В, (7ел =
— 1,5 В, не более..................................50 мА
182
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при Ue,=
= 0,5 В, /ц=1 мс, Q>10.................
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер при иЬэ =
=0,56 В, /„=0,3 мс, Q^slO..........................
Постоянное напряжение база — эмиттер
Постоянный ток коллектора..........................
Постоянный ток базы в режиме включения ....
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора-
7=+ 25 °C ................................. . . .
ТК = + 55°С.....................................
Тк = + 70°С
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при /„ =
= 1 мс, 05= 10
7=+25 °C ................. . .
7«=+75°С........................................
Тепловое сопротивление переход—корпус..............
Температура р-п перехода ..........................
Температура окружающей среды.......................
55 В
100 В
140 В
15 В
12 Л
0,15 Л
50 Вт
23 Вт
8,3 Вт
1200 Вт
700 Вт
1,2 °C/Вт
+ 85 °C
-55. .+70°C
1Т702 (А, Б, В)
Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р универсальные низко-
частотные мощные Предназначены для применения в усилителях мощности низ-
кой частоты, преобразователях напряжения, импульсных устройствах Выпу-
скаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора ие более 23 г.
17702 (А-В)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1/кс= 1.5 В, /к=30 А
1Т702А, 1Т702В.......................................15 100
1Т702В, не менее ........................20
Модуль коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при
f=10 кГц. Uke— 1,5 В, 1к 4 А, не менее ... 12
Граничное напряжение при 2,5 А, ие менее:
7=+25°С:
1Т702А, 1Т702Б.............................. ... 60 В
1Т702В . . .................40 В
Тк +70 °C-
1Т702Л. 1Т702Б .............. . . 45 В
1Т702В . . .................30 В
Т= 60 °C
1Т702А, 1Т702Б . ........................45 В
1Т702В . . ...........................35 В
183
П родолжение
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1ц =
= 30 Л, /t=3 А, не более:
1Т702Л, 1Т702В......................................... 0,6 В
1Т702Б ..........................1,2 В
Обратный ток коллектора при 1/кн=60 В, ие более:
Г=+25°С..............................................12 мА
Г, = +70 °C.........................................30 мА
7=—60°С..........................................10 мА
Обратный ток эмиттера при (7Сэ = 4 В не более . . . 2 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при t/b0 =
1Т702Л, 1Т702Б.....................................60 В
1Т702В..............................................40 В
Постоянное напряжение коллектор — база . ... 60 В
Постоянное напряжение бала—эмиттер......................4 В
Постоянный ток коллектора .............................30 А
Постоянный ток базы . . .............5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
с теплоотводом:
7к = + 30°С..........................................150 Вт
Тк = + 50°С ... ...................80 Вт
7К = + 65°С . . .......................30 Вт
без теплоотвода, Т=+25°С......................... 5 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус .... 0,3°C,Вт
Тепловое сопротивление переход — окружающая среда . 10°С/Вт
Температура р-п перехода.............................+75°C
Температура окружающей среды.........................— 60°С...Г« —
= +70 °C
Не допускается отсоединение цепи базы транзистора при наличии напря-
жения между коллектором и эмиттером.
ГТ703 (А, Б, В, Г, Д]
Транзисторы германие-
вые сплавные структуры
р-п р усилительные Пред
назначены для применения
в усилителях мощности низ-
кой частоты Выпускаются
в металлическом корпусе со
стеклянными изоляторами
и жесткими выводами. Тип
прибора указывается па
корпусе.
Масса транзистора не
более 15 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Пкэ- 1 В, /э 0,05 А
Т= + 25 °C’
ГТ703Л, ГТ703В .................................... 30 70
184
Продолжение
ГТ703Б. ГТ703Г.................................50 ..100
ГТ703Д.........................................20 .45
7"=+55 °C:
ГТ703.А, ГТ703В .... . . . . 30 100
ГТ703Б, ГТ703Г ................................50 150
ГТ703Д . . ..........................20. 70
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ при 17кэ=2 В, /к = 0,5 А, не менее................10 кГц
Линей ость статического коэффициента передачи тока
Ki—(h2l3 при /з =0,05А)/(Н21з при /э=1,5 А) .... 0,6...1,5
Напряжение насыщения коллектор— эмиттер при /к=3 А,
/в= 0.225 А, не ботее................................0,6 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=3 А,
/в=0,225 А, не ботее . . . . . 1 В
Обратный ток коллектора при Пкв=20 В для ГТ703А,
ГТ703В и 1/кв = 30 В для ГТ703В. ГТ703Г, ГТ703Д, не
более....................................... - 0,5 мА
Обратный ток эмиттера при £7еэ = 10 В................0,5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?«а=
= 50 Ом.
ГТ703А, ГТ703Б.......................................20 В
ГТ703В, ГТ703Г...................................30 В
ГТ703Д .............. ..................40 В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при Re,-
= 50 Ом, /„ = 1 мс, 10:
ГТ703А, ГТ703Б . .... ... 25 В
ГТ703В, ГТ703Г . ................. . . 3 В
ГТ703Д...........................................50 В
Постоянный ток коллектора .... ... 3,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
с теплоотводом, Т= — 40'С, Тк +40°C ... 15 Вт
без теплоотвода, Т—~ 40...+35 °C ................1,6 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус..............3°С/Вт
Тепловое сопротивление переход — среда..................30°С/Вт
Температура р-п перехода.............................+85 °C
Температура окружающей среды......................... 40°С.Тк =
= +55 °C
1 При 7'Ж>+35ОС для транзисторов с теплоотводом Рк ч„хс, Бт=(85-7Х)/3, для
транзисторов без теплоотвода Рк макс, Вт—(85—7)/30
Пайка выводов транзисторов допускается ие ближе 6 мм от корпуса лю-
бым способом (пайка, сварка, пайка погружением и т. п.) при условии, что
температура в любой точке корпуса не превышает предельно допустимую тем-
пературу окружающей среды.
При включении транзисторов в электрическую цепь коллекторный вывод
должен присоединяться последним и отсоединяться первым
Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих токах, соизме-
римых с неуправляемыми обратными токами.
2Т708 (А, Б, В)
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры р-п р составные пере
ключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих
устройствах. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изолято-
рами н гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
185
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме
ОЭ при и1Гв = 5 В, 1э 2 Л, не менее.
1 + 25 °C:
2Т708Л .......................
2Т708Б, 2Т708В............................
Т = — 60 °C.
2Т708А ... ....................
2Т708Б, 2Г708В............................
Т= + 125°С
2Т708А....................................
2Т708Б 2Т708В . .
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при 7/кк=10 В 7.ч = 5 Л, не менее.
2Т708А .... .............
типовое значение...........................
2Т708Б, 2Т708В ................
типовое значение ..........................
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ прн 1/кв=5 В, /э = 0,1 Л, не менее
I раиичиое напряжение при /э = 50 мА, /и^30 мкс,
100
2Т708А.....................................
2Т708Б.....................................
2Т708В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн
Л,-=2 А, /ь=0.01 А . .
Напряжение насыщения база—эмиттер прн 1к =
=2 А, /б=0,01 Л ... . .............
Пробивное напряжение коллектор — эмиттер прн
/<;.,^1 кОм, /кал=1 мА:
2Т708А ....................
2Т708Б ..................................
2Т708В ....................
Пробивное напряжение коллектор — база
при /кво=1 мА, Г=+25°С’
2Т708А ........................................
2Т708Б . ....
2Т708В
при /кг,о 1 мА, 7"= — 60 °C и /кво=5 мА, Т=
= + 125 °C, не менее:
2Т708А .......................
2Т708Б ..........................
2Т708В
Пробивное напряжение эмиттер — база при hco =
— 5 мА.........................................
500
750
150
200
400
600
150*
400*
250*
600*
3* МГн
80...90*. 100* В
60...70*...80* В
40 .50* .60* В
1,1* 1,4* 2 В
1.7*.. 2*.. 2.5 В
100.. 130* 150* В
80...88*...100* В
60.72*...80* В
100..130*..150* В
80...88* 100* В
60.75*. 80* В
100 В
80 В
60 В
5..6*...10* В
186
П родолусение
Время включения при Ik—1 А, /в = 0,01 A, tu=
=25 мкс . , . . . . .
Время выключения при 1к =2 А, /в=0,01 Л, /и =
=25 мкс . . . ................
0,5* 0,8* 1* мкс
1,8* 2,3*...4* мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмнттер 1 при
/?«.,< 1 кОм, Г=-60°С...Тк=+55°С:
2Т708Л . . ... . . 100 В
2Т708Б.....................................80 В
2Т708В................................... ... 60 В
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т701 .... ... 100 В
2Т708Б..........................................80 В
2Т708В..........................................60 В
Постоянное напряжение эмиттер — база ... 5 В
Постоянный ток колтектора1 2.....................2,5 Л
Импульсный ток коллектора при /„sg2Mc, Q>22-3 5 Л
Постоянный ток базы2 . . . . 0,1 А
Импульсный ток базы при /ц^2мс, Q>22’3 . . 0,16 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
с теплоотводом, 7'= — 60°С...Гк — + 25°С4 . . 5 Вт
без теплоотвода, Т= — 60 °C . ГК = +25°С4 . . 0,7 Вт
Температура р-n перехода . . +150 °C
Температура окружающей среды . . — 60 °С...ГЖ = +125 С
1 при 7\> + 55°С напряжение снижается линейно.
2 Без превышения значения постоянном рассеиваемой мощности коллектора.
8 При Q=<2 токи рассчитываются пи формулам
К.и,макс- К ..макс®’
^C,U.MQtiC‘ Л4'4КС^‘
4 При Тк= +25 . +125 СС при использовании транзистора с теплоотводом и при
Т — 4 25.-125 °C при использовании транзистора вез теплоотвода рассеиваемая мощ-
ность коллектор*! снижается линейно.
Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода транзистора не менее 3 мм.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм от корпуса. Тем-
пература пайки не более +260°C, время панки 3 с.
При включении питающих напряжений, а также при переходных процес-
сах не допускается превышение области максимальных режимов. Прн работе
с пиковой мощностью при длительности, промежуточной для значений, при-
веденных на области максимальных режимов, не рекомендуется превышать гра-
ницы области максимальных режимов для ближайшего большего значения дли-
тельности.
Зависимости тока базы от напряже-
ния база — эмиттер
Зависимости тока коллектора от
напряжения коллектор — эмиттер
187
Зависимости статического коэффи-
циента передачи тока от тока эмит-
тера
Зависимости статического коэффи-
циента передачи тока от напряже-
ния коллектор — база
^kw/^ksk
Зависимости напряжении насыще-
ния коллектор — эмиттер и база —
эм ш тер от тока коллектора
Зависимость допустимого постоян-
ного напряжения коллектор — эмит-
тер от сопротивления в цени база —
эмиттер
Зависимости допустимого постоян-
ного напряжения коллектор — эмит-
тер от температуры корпуса
Зависимость допустимой рассеивае
мой мощности коллектора от тем
иературы
188
Зависимость допустимой рассеивае-
мой мощности коллектора от тем-
пературы корпуса
2Т709 (Л, Б, В)
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры р п-р составные уси-
лительные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих
устройствах. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изолято-
рами и жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 9 г.
2Т709 (А- В)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ,
не менее
прн UI!E 5 В, /э=5 А:
Г=+25 н +125 °C:
2Т709А.............................. . 500
2Т709Б. 2Т709В...........................750
Г=-60 °C:
2Т709А 200
2Т709Б, 2Т709В 300
при UKE=5 В. /э- 10 А, 7'=+25гС:
2Т709А .... .... 200*
типовое значение ........................ 500*
2Т709Б, 2Т709В ......................... 300*
189
Продолжение
типовое значение .......................
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при Пцб~5 В /э=0,5 А, не менее
Граничное напряжение при /к=0,1 Л, /„<300 мкс.
Q2S 100:
2Т709А................................ . .
2Т709Б . ....
2Т709В .... ..’...
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при
/к = 5 Л. /в=0,02 А......................... .
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=
=5 Л. /в=0.02 Л................................
Пробивное напряжение коллектор — база-
~ 60 и +25 °C, /кво=1 мА:
2Т709 \.....................
2Т709Б...................................
2Т709В .... ................
Г=4-125°С, /кво = 5 мА, не менее:
2Т709Л ..............................
2Т709Б ...
2Т709В ... .............
Пробивное напряжение коллектор — эмиттер при
/^„.*<1 кОм, /кэв=1 мА:
2Т709Л .................................
2Т709Б .................................
2Т709В .................................
Пробивное напряжение база —эмиттер при /эВо=
= 5 мА, не менее .............
Время включения при /к«5 А, /в=0,02 Л
Время выключения при /к=5 А, /в—0,02 А
Емкость коллекторного перехода при 17кВ-5 В,
/ = 300 кГц, не более.......................
типовое значение..................... . .
Емкость эмиттерпого перехода при 1/эе=0,5 В,
/ 300 кГц, не более............................
типовое значение ..........................
600*
3* МГц
80 90*.„100* В
60.70*.. 80* В
40...50*. 60* В
1,1*.. 1,4*...2 В
1,8*...2*...3 В
100 120*. .150* В
80...90*. .100* В
60 70*. .80* В
100 В
80 В
60 В
100* 120*... 150* В
80*...90*... 100* В
60*...70*. .80* В
5 В
0,8* 1,4*. 2* мкс
2*...3*. 4,5* мкс
230* нФ
150* пФ
460* пФ
250* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т709А.................................... ... 100 В
2Т709Б................................. ... 80 В
2Т709В........................................60 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при
Лвз^1 кОм, Т=-60°С...Гх=4-55°С:
2Т709А . . . . . ЮО В
2Т709Б...................................80 В
2Т709В (50 В
Постоянное напряжение эмиттер — база ... 5 В
Импульсный ток коллектора................... 10 А
Импульсный ток коллектора1 2 при /„^2 мс, Q^2 20 А
Постоянный ток базы .... 0,2 А
Импульсный ток базы при /„<2 мс, Q>2 0,3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора3
при 7’=60 ..Тк= 4-25 °C:
с теплоотводом................................30 Вт
1 В диапазоне Тя-4-55.+125 *С 1'кэнмаяс снижается линейно в соответствии
с графиком
’ При Q<2 /к ил1аяс. А /к Лаяс(?
3 В диапазоне Гк = +25... + 125 °C снижается линейно б соответствии с гра
фнком.
190
без теплоотвода
Температура р-п перехода
Температура окружающей среды
Продолжение
2 Вт
+ 150 °C
—СО °C. .Тк= + 125 °C
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса.
мости напряжения насыщения кол-
лектор — эмиттер от тока коллек-
тора
Зона возможных положений зависи-
мости напряжения насыщения кол-
лектор — эмиттер от тока коллек-
тора
Зона возможных положений зависи-
мости напряжения насыщения кол
лектор — эмиттер от тока коллек-
тора
Зона возможных положений зависи-
мости напряжения насыщения кол-
лектор — эмиттер от тока коллек-
тора
Зона возможных положений зависи-
мости напряжения насыщения ба-
за — эмиттер от тока коллектора
Зона возможных положений зависи-
мости напряжения насыщения ба-
за— эмиттер от тока коллектора
191
Зависимости статического коэффици-
ента передачи тока от напряжения
коллектор — бата
Зависимости статического коэффици-
ента передачи тока от температуры
корпуса
Зависимости статического коэф-
фициента передачи тока от тока
эмиттера
Зависимости допустимой рассеивав
мой мощности коллектора от темпе-
ратуры корпуса
Зависимости допустимого напряже-
ния коллектор — эмиттер ог темпе-
ратуры корпуса
192
Области максимальных режи
мое
Зависимость допустимого напряжении кол-
лектор — эмиттер от сопротивления в uqiiii
база — эмиттер
КТ712 (А, Б]
Транзисторы кремниевые эпитаксиаль-
но-планарные структуры р п-р составные
усилительные Предназначены для приме-
нения в источниках вторичного электропи-
тания и стабилизаторах напряжения. Кор-
пус пластмассовый с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе
Масса транзистора не более 2,5 г.
КТ712(А.Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1/кв=5 В /0 = 2 А
Г=+25еС:
КТ712Л........................................ 500.1500 0000
КГ712Б . ... 400.1500 0000
7=+ 100 °C:
КТ712Л, не менее............................ . 500
КТ712Б, не менее.............................400
Т=-45СС:
К1712А, не менее.............................100
КТ712Б, ие менее.............................100
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ при б/цт,=5 В /э=0,5 А, не менее...............3 МГц
Граничное напряжение при /к =0 05 А. не менее-
КТ712А .........................................160 В
КГ712Б .........................................150 В
13 Заказ К® 1004
193
Продолжение
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=2А,
/«=0,01 А . . .............................
Напряжение насыщения база—эмиттер при 1к~2
/Е = 0.01 А . ................
Пробивное напряжение коллектор — база при С'кс“1 мА,
не менее:
KT7I2A..........................................
КТ712Б .... ....
Обратный ток эмиттера при 1/сз=5 В, не более .
типовое значение . . ................
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ712А..........................................
КТ712Б .........................................
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
sc 100 Ом:
КТ712А..........................................
КТ712Б . .......................
Постоянное напряжение база—эмиттер..................
Постоянный ток коллектора...........................
Импульсный ток коллектора при Zu^10 мс, Q^2
Постоянный ток базы.................................
Импульсный ток базы при /,.<10 мс, Q^2 ....
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Гк=
= -45..+25 °C
с теплоотводом 1 ...........................
без теплоотвода !...............................
Температура р-п перехода ...........................
Температура окружающей среды........................
0 9*...1,3*...2 В
0.8* 1 5* ..3 В
200 В
160 В
5 мА
2* мА
200 В
160 В
200 В
160 В
5 В
10 Л
15 А
0.1 А
0.2 Л
50 Вт
1.5 Вт
+ 150 °C
-4542.7',,=
= +100 °C
1 При 7„-+25 + 100' С Рк м„кс уменьшается линейно до 20 Вт
’ При Тж — +2а .+ 100”’С Рк макс уменьшается линейно до 0.6 Вт.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса при
температуре припоя +265 °C в течение не более 3 с. Допускается не более
трех перепаек. Разрешается осуществлять пайку путем погружения выводов в
припои с температурой +250 °C на время не более 5 с, допускается пайка
волной припоя при температуре +240fС.
Входные характери-
Выходные характери-
стики
Зависимость статического
коэффициента передачи то-
ка от тока эмиттера
стики
194
Зависимость напряжс
пия насыщения коллек-
тор— эмиттер от тока
базы
Зависимость пробивного напряжения
коллектор — эмиттер от сопротивле-
ния база — эмиттер
Область максимальных ре-
жимов
Зависимость коэффициента К от длительности
импульса
1Т806 (А, Б, В), ГТ806 (А, Б, В, Г, Д|
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры р-п-р переклю-
чательные. Предназначены для применения в импульсных устройствах, преоб-
разователях и стабилизаторах тока и напряжения Корпус металлический со
стеклянными изоляторами и жесткими выводами
Масса транзистора ие более 28 г.
13*
195
it боб 1л-6),ггм6(а-д)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ (на
границе насыщения) :
IT806A, 1Т806Б, 1Т806В:
при ГК=+25°С, /к=10 А.........................10 ..100
при Гк-+70°С, /к=5 А..........................10...100
прн Г=-60сС, /к—10 А .........................10...150
ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д:
при 7» =+25 °C. /к=10 А . . .... 10... 100
при Тк — + 55 °C, /я 5 Л......................10...200
при Г=— 55 °C, /к = 10 А . . ... 8. 100
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ при 77Л-а=5 В /к=1 А, нс менее . 10 МГц
Граничное напряжение прн /э=3 А, /и<50 мкс, f=
= 20 .50 Ги, не менее:
IT806A .............................40 В
1Т806Б..........................................65 В
1Т806В..........................................80 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не более:
при /я=20 Л, /Б=2 А для 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В 0,6 В
при /к=15 А, /ь=2 А для ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В,
ГТ806Г, ГТ806Д .................................0,6 В
Напряжение насыщения база — эмиттер, не более;
при /к=20 А, /б=2 А для 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В 0,8 В
при /к=15 А, /б=2 А для ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В,
ГТ806Г, ГТ806Д . .......................1 В
Время выключения при 6/кв=45 В, /к=5 А, /в=0,25 А,
не более............................................30 мке
Обратный ток коллектор эмиттер при 6/Бэ=1 В, иКэ=
= 75 В для 1Т806А, UK3 = 100 В для 1Т806Б, UKS= 120 В
для 1Т806В, не бо iee
7'=+25 и -60°C..................................12 мА
7 =+70 °C.......................................25 мА
7'=+25°С, UKa=UKa,MKC для ГТ806А, ГТ806Б,
ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д .... . . . 15 мА
Обратный гок эмиттера, ие более:
при иБЭ=2 В для 1Т806Л, 1Т806Б, 1Т806В ... 5 мА
при 7Л,д=1,5 В для ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, I Т806Г,
ГТ806Д..........................................8 мА
196
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер при 1/сэ =
= 1 В:
1Т806А, ГТ806А....................................
1Т806Б, ГТ806Б....................................
IT806B, ГТ806В....................................
ГТ806Г ...........................................
ГТ80СД . .... ..............
Постоянное напряжение база — эмиттер:
1Т806Л, 1Т806Б, 1Т806В . ..............
ГТ806А. ГТ806Б. ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д . .
Постоянный юк коллектора в режиме насыщения:
IT806A. 1Т806Б, IT806B
ГТ806А. ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д . .
Импульсный ток коллектора в режиме насыщения при
О 5= 2, = 1000 мкс, Л'„ос=1 для 1Т806А, 1ТЧ06Б, IT806B
Постоянный ток базы........................... . .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора*.
с теплоотводом, Гх^+25°С
без теплоотвода, 7^+25 °C.........................
Тепловое сопротивление переход — корпус ....
Тепловое сопротивление переход—среда ....
Температура р-п перехода .............................
Температура окружающей среды:
1Т806Л, 1Т806Б, 11806В . . ..............
ГТ806Л, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д . . .
75 В
1 )0 В
120 В
59 В
140 В
2 В
1.5 В
20 А
15 А
25 А
3 А
30 Вт
2 Вт
2 С Вт
30 “С/Вт
+ 85 С
-60 °C.. 7« =
«= -70°С
-55 °C.. Т,=
= г55сС
1 При 7\>+25*С РК1_м„кс. Вт-(85-/к)/Лт,п_н, для
и Рк М1КС. Вт-(85-7 )/7?Т|п_с) — Ссз теплоотвода.
транзисторов с теплоотводом
Не допускается отключение базы при наличии напряжения между коллек-
тором и эмиттером. Не рекомендуется работа транзистора при рабочих токах,
соизмеримых с неуправляемыми токами во всем дтапазоие температур.
Эксплуатация транзисторов в режимах за пределами областей максималь-
ных режимов (в том числе с учетом процессов, происходящих при включении
и выключении) запрещается. При работе в импульсном режиме при отсутствии
открывающего импульса транзистор должен быть закрыт положительным
смешением базы 0,5 В^17Сэ 2 В.
Пайка выводов допускается не ближе 6 мм от корпуса транзистора При
включении транзистора в электрическую цепь, находящуюся пол спряжением,
коллекторный контакт должен присоединяться последним и огсобдиияюся
первым.
ГТ810А
Транзистор германие-
вый диффузионно сплавной
структур.! р-п-р усилитель-
ный. Предназначен для
применения в выходных
каскадах строчной разверт-
ки телевизионных приемни-
ков. Корпус металлический
со стеклянными изолятора-
ми и жесткими выводами.
Масса транзистора не
более 12 г.
197
Электрические параметры
(литический коэффициент передачи в схеме ОЭ при
/>кэ=10 В, /к=5 А, не менее.............................15
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
П| и С'ко = 10 В, /к = 1 А. /=5 МГц, не менее ... 3
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /« =
«10 А, Zr.= l А.........................................0,2*...0,4*...0,7 В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /««=10 Л,
/г=1 Л..................................................0,44*...0,5*...0,8 В
Время рассасывания при (/«э«=30 В, /«=5 А, /в«=0,5 А,
не более................................................5 мкс
Обратный ток коллектора:
7'=+25°С, С/кс = 200 В..............................20 мА
7’=+55сС, UKL- 00 В.................................20 мА
ТК=-55°С. С'ив=200 В . ..............20 мА
Обратный ток эмиттера при Ubn = 1.4 В . 0,5*...4*...15 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база1 при Т—
--55.. +30"С . . . . .... 200 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при (7Сэ<
<14 В, Г„=—55. + 30°C...................................20С В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при />+»<
<1,4 В, /„<20 мкс, Q>3, Г«=+25°C . . 250 В
Постоянное напряжение эмиттер — база..................1,4 В
Постоянный ток коллектора.............................10 А
Импульсный ток коллектора............................10 А
Постоянный ток базы .... ..............1,5 А
Импульсный ток базы при /„<500 мкс, /?>2 . . . 1,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектораг:
с теплоотводом, Г„=+27,5°С . ..............15 Вт
без теплоотвода.....................................0,75 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус .... 2,5°С/Вт
Тепловое сопротивление переход — среда..................50сС/Вт
Температура р-п перехода................................+65 °C
Температура окружающей среды............................— 50 °C.. Г« =
= +55 °C
1 При Г>+30“С иь.в и 1>кд макс определяются по формуле
U. В—200 —4(7—30 °C).
1 При Тк (Г) +27,5 °C для транзисторов с теплоотводом Рк Лохс, Вт—(65—7к)/2,5;
для транзисторов без теплоотвода мк<:. Вт- (65- 71/50.
1Т813 (А, Б, В)
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавиые структуры р-п р пере-
ключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора ие более 28 г.
198
1ГВ131А 61
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ (иа
границе насыщения) при /к = 20 А:
Л, = +25 °C . ...................Ю 60
7\ = +70°С, 7к=10 А ...................Ю i0
7\ = —60°С.................................... 10 120
Граничное напряжение при /э=3 А, /и^50 мкс, f=
=20 50 Гц, не менее:
1Т813А....................................... ... 60 В
1Т813Б...........................................75 В
1Т813В...........................................«0 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн ?к=
=30 А. 7С—3 А, не более........................... . 0,8 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при 7к=30 А,
/Л: = 3 А, не более . .... 0,8 В
Время выключения при 1/кэ=30 В, /к = 30 А, /ь=5 А
не более.
1Т813А .....................................3 мкс
1Т813Б, 1Т813В .............................5 мкс
Обратный ток коллектор — эмиттер при 1/Бэ=1 В, не
белее:
7„=+25 и -60°C, £/кэ=Ю0 В для IT8I3A, 125 В
для 1Т813Б, 150 В для 1Т813В.....................16 мА
7’к = +70°С, 1/кэ=80 В для 1Т813А, 100 В для
1Т813Б, 120 В для 1Т813В . . . .25 мА
Обратный ток эмиттера при 1/Бв=2 В, не более ... 40 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Uvs =
= 1 В
7"к = —60. +30 °C:
1Т813А .................................100 В
ГГ813Б .................................. .... 125 В
1Т813В................................... . . 150 В
7К= 60... + 70 °C:
1Т813А . 80 В
1Т813Б........................................... 100 В
1Т813В........................................... 120 В
Постоянное напряжение база—эмиттер при Тп —
= -60. . + 85 °C . . . • - 2 В
Импульсное напряжение база—эмит!ер при 7'к =
= -60 +85 °C:
/„<1 мс, Q^2 .... .............4 В
199
Продолжение
lu^5 мкс, Q>3............................ . . .
Постоянный ток коллектора при 7"^ = —60...+85 °C
Импульсный ток коллектора при /и^1 мс, Q^2, Тж =
= —60...+85 °C ... ....................
Постоянный ток базы при Гк = — 6О... + 85°С . . . .
Импульсный ток базы при /и^1 мс, (?^2, 7,=
= -60...+ 85 °C......................................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7\ =
= -60..+25 °C:
с теплоотводом ..........................
без теплоотвода ................ . ,
Температура р-п перехода ............................
Температура окружающей среды
6 В
30 А
40 А
5 А
10 А
50 Вт
1,5 Вт
+ 85 °C
-60 “С.-Тк-
= +70 “С
Ие допускается отключение базы при наличии напряжения между коллек-
тором и эмиттером Запрещается использовать транзистор в схемах, у которых
цепь базы разомкнута по постоянному току.
При £/ке>20 В и /?«»^5 Ом рекомендуется закрывать транзистор поло-
жительным смещением 0,5 В^(7ЬЭ^2 В.
КТ814 (А, Б, В, Г)
Транзисторы кремниевые меза-
эпитакспально-планарные структ уры
р-п-р усилительные Предназначены
для применения в усилителях низ-
кой частоты, операционных и диф-
ференциальных усилителях, преобра-
зователях, импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими
выводами.
Масса транзистора не более 1 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
6кв= В, /е=0,15 А, не менее:
КТ814А КТ814Б KT8I4B ...........................40
КТ814Г..........................................30
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ при (7кв = 5 В, /в = 30 мА не менее ... 3 МГц
Граничное напряжение при 1Я — 50 мА, не менее;
КТ814А . ..................25 В
КТ814Б .... .....................40 В
КГ814В . . . . . .... 60 В
КТ814Г . . . 80 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /х =
= 0,5 А, /в=0,05 А, не более........................0,6 В
Напряжение насыщения база — эмипер при 7к=О,5 А,
/к = 0,05 А, не более...............................1,2 В
200
Продолжение
Обратный ток коллектора при Ukb=40 В, не более: Тк 40 .+25 °C Гк = + 100°С . . Емкость коллекторного перехода при 1/кп— 5 В, f = = 465 кГц, не более ... . - Емкость эмнттерного перехода при 1Л,-э=0,5 В, /=465 кГц, не более ... . Предельные эксплуатационные данные 50 мкА 1 мА 60 пФ 75 пФ
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер
при /?б3 = оо:
КТ814А . . 25 В
КТ814Б 40 В
КГ814В . ... .... 60 В
КТ814Г 80 В
при /?ба<100 Ом:
К 814Л 40 В
КТ814В . ... 50 В
КТ814В . 70 В
КТ814Г . . 100 В
Постоянное напряжение эмиттер — ба ta 5 В
Постоянный ток коллектора . 1 5 А
Импульсный ток коллектора при /и<10 мс, 100 3 Л
Постоянный ток базы 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при Тп =
= —40...+25 °C
с теплоотводом 10 Вт
без теплоотвода 1 Вт
Температура р-п перехода 4-125 °C
Температура окружающей среды — 40°С...7'1! = = + 100 СС
1 При Г*-+25 ..+100'С Pif,Mt>KC снижается линейно па 0,01 Вт/сС без теплоотвода
и на 0,1 ВтЛС с теплоотводом.
Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора с ра-
диусом закругления 1,5 ..2 мм. При этом должны приниматься меры, исключаю-
щие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не
допускается.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса.
При пайке жало паяльника должно быть заземлено.
Зависимость статического коэффициента переда-
чи тока от тока эмиттера
201
Зависимость постоянного напряже-
ния коллектор — эмиттер от сопро-
тивления база — эмиттер
Зависимость напряжения насыщения
коллектор — эмиттер от тока кол-
лектора
Зависимость напряжения насыщения
база —эмиттер от тока коллектора
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от темпера-
туры корпуса
Области максимальных режимов
Зависимость обратного тока коллек-
тора от температуры
202
КТ816 (А, Б, В, Г)
Транзисторы кремниевые
меза - эпитаксиально-планарные
структуры р-п-р усилительные.
Предназначены для примене-
ния в усилителях низкой ча-
стоты, операционных и диффе-
ренциальных усилителях, пре-
образователях и импульсных
устройствах. Корпус пластмас-
совый с жесткими выводами.
Масса транзистора ие бо-
лее 0,7 г.
КТ816(А-Г)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
В, /к=| А, не менее:
Тх- +25. .+ 100°С................................ 25
Тх = —40°С .... . .15
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ при б/кв= 10 В, /к = 0,25 А, не менее . . 3 МГц
Граничное напряжение при /э=0,1 А ие менее:
КТ816А.............................................25 В
КТ816Б.............................................45 В
КТ816В.............................................СО В
КТ816Г........................................ . 80 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=3 А,
/в =0,3 А, не более.............................. . 0,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к = 3 А,
/в 0,3 А, ие более ... . . . . . 1,5 В
Обратный ток коллектора, ие более:
при ГК=+25°С:
6/ке=25 В КТ816А ........................... . 0,1 мА
С/ив=45 В КТ816Б ... . .0.1 мА
ПКЕ=60 В КТ816В............................. . 01 мА
1/кб= 100 В КТ816Г..............................0,1 мА
при 7^= +100 °C:
1/кв = 25 В KT8I6A..................................3 мА
UKB=45 В КТ816Б...................................3 мА
Скв 60 В KT8I6B . . . . 3 мА
Скв=100В КТ816Г . . . 3 мА
Емкость коллекторного перехода при 6/вв=10 В, /=
=465 кГц, не более . . .............. . 60 пФ
Емкость эмиттерного перехода при UEs~0,5 В, /=465 кГц,
не более . . . . . . 115 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмнттер:
при /?е,= оо:
КТ816А............................................25 А
КТ816Б . 45 В
КТ816В . . ......................60 В
К1816Г 80 В
при /?Ов<1 кОм
КТ816А . . 40 В
КТ816Б . . . . . 15 В
КТ816В . 60 В
КТ816Г . . ... 100 В
Постоянное^ напряжение база — эмиттер . . ... 5 В
Постоянный ток коллектора...........................ЗА
Импульсный ток коллектора при А»^20 мс, 100 . 6 А
203
Продолжение
Постоянный ток базы...................................1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при
Тк -40...+ 25 °C:
с теплоотводом....................................25 Вт
без теплоотвода...................................1 Вт
Температура рп перехода...............................125 °C
Температура окружающей среды..........................— 40оС..°7к =
1 При 7'К>+25=С РvaKC уменьшается линейно на 0.2 Вт Д'С при использования
транзисторов без теплоотвода
Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора с ра-
диусом закругления 1.5...2 мм. При этом должны приниматься меры, исключаю-
щие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не
допускается.
Прн монтаже транзисторов на теплоотвод крутящий момент нажима не
должен превышать 70 Н-см.
Папка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса.
Прн пайке жало паяльника должно быть заземлено.
Зависимость статического коэффициента нереда
чн тока от тока эмиттера
Зависимость статического коэффициента переда-
чи тока от температуры
Зависимость напряжения насыщения
коллектор — эмиттер от тока кол-
лектора
Зависимость напряжения насыщения
база — эмиттер от тока коллектора
204
Зависимость постоянного напряжения коллектор — эмиттер от сопротив»
лення база — эмиттер
Зависимость обратного тока коллектора от
температуры
2Т818 (А, Б, В), 2Т818 (А2, Б2, В2),
КТ818 (AM, БМ, ВМ, ГМ), КТ818 (А, Б, В, Г)
Транзисторы кремниевые меза-эпи-
таксиальнопланарпые структуры р-п-р
переключательные. Предназначены для
применения в усилителях и переключаю-
щих устройствах. Корпус металлический
со стеклянными изоляторами и жестки-
ми выводами (2T8I8A, 2Т818Б, 2Т818В,
КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВЧ,
КТ818ГМ) и пластмассовый с жестки-
ми выводами (2Т818А2, 2Т818Б2,
2Т818В2, KT8I8A, КТ818Б КТ818В,
КТ818Г)
Масса транзистора в металлическом
корпусе не более 20 г, в пластмассовом
корпусе не более 2,5 г.
КТ818(А~Г) , 2Т818(А2-В2)
205
2Т818 (А -В) KT818 (АМ-ГМ)
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при t/кЕ—б В, /к=5 А, не менее:
Т=+25°С и Г-Тк..н.,кс:
2Т818А, 2Т818Б. 2Т818В, 2Т818А2, 2Т818Б2,
2Т818В2 20
КТ818А. КТ818В, КТ818АМ, КТ818ВМ . . 15
КТ818Б, КГ818БМ...........20
КТ818Г, КТ818ГМ ...........12
7 = 7 л< и н:
2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Г818А2, 2Т818Б,
2Т818В2 . . .... 9
КТ818Л, КТ818В, КТ818АМ, КТ818ВМ . . 10
К1818Б. КТ818БМ ..............15
КТ818Г КТ818ГМ ... 7
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при Ukb-5 В, /к=20 А, для 2Т818А, 2Т818Б,
2Т818В..........................................4*.„7*.. 15*
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при l/|tB=5 В, /е=0,5 А . . . 3*. 4 5* . 7* МГц
Граничное напряжение при /©=0,1 А
2Т818А, 2Т818А2, КТ818Г, КТ818ГМ , . 80 100* 150* В
2Т818Б, 2Т818Б2, КТ818В, КТ818ВМ , . 60 80’ 100* В
2Т818В, 2Т818В2, КТ818Б, КТ818БМ . . 40 .60* .80* В
К1818А, КТ818АМ, не менее......................20 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер:
прн /к = 5 А, /в =0,5 А, не более:
2Т818А. 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818А2, 2Т818Б2,
2Т818В2 .... . 1 В
КГ818А КТ818Б КТ818В, КТ818Г. КТ818АМ,
КТ818БМ КТ818ВМ. КТ818ГМ . . . 2 В
при /к =20 А, /ь-=5 А
2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В..........................0 7...1.5..4 В
2Т818А2, 2Т818Б2, 2T8I8B2, не более 5 В
КТ818А КТ818Б KT8I8B КТ818Г, КТ818АМ,
КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ .... 0.7...1.5.. 5 В
Напряжение насыщения база — эмиттер:
прн 1к=5 А, /в=0,5 А, не более
2Т818Л, 2Т818Б 2Т818В, 2Т818А2, 2Т818Б2,
2Т818В2 1,5 В
КТ818А, КТ818Б, KT8I8B, КТ818Г, КТ818АМ,
КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ .... 3 В
при 1К-20 А /в-5 А для 2Т818А, 2Т818Б,
2T8I8B, 2T8I8A2, 2Т8 8Б2, 2Т818В2 , . 1,6 2,3 5 В
206
Продолжение
Пробивное напряжение коллектор — эмиттер при
/к = 1 мА, О .
2Т818А, 2Т818А2.............................100...140*...180* В
2Т818Б, 2Т818Б2 .............. . . 80...105*...120* В
2Т818В, 2Т818В2 ......................... 60. .80* ..110* В
Пробивное напряжение коллектор — база:
при 7=-60 .+25°С, Тх=\ мА:
2Т818А, 2Т818Л2 ........................ 100. 130*. 200* В
2Т818Б, 2Т818Б2 . . .............. 80 ..100* ..120* В
2Т818В, 2T8I8B2 . . .... 60. .80*... 100* В
при Т=Тк,хпкс, /к=5 мА 2Т818А, не менее:
2Т818А2 . . .............100 В
2Т818Б, 2Т818Б2.............................80 В
2Т818В, 2Т818В2 .... ... 60 В
Пробивное напряжение база — эмиттер при 1в=
-5 мА.............................................5...8* .30* В
Обратный ток коллектора при Uki =40 В, для
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818АМ,
КТ818БМ, KT8I8BM, КТ818ГМ, нс бо. ее:
Г——40. .+25 °C . . . . . 1 мА
7=+ 100 °C ... . .10 мА
Время выключения при 1/кб=5 В, /к=0,5 А. не
более...................................... 2,5* мкс
Емкость коллекторного перехода при Г/Кб=5 В.
f=l МГц . . ............................ 400*. 600. 1000 пФ
Емкость эмпттерпого перехода при 1/вв = 0,5 В,
/ —1 МГц, не более . 2000* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т818А, 2Т818А2 ... ... 100 В
2Т818Б, 2Т818Б2...............................80 В
2Т818В, 2Т818В2 . . . . 60 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
ЯяаСЮО Ом:
7= —60...+80°С для 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В,
7=-60...+ 40 °C:
2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2
2Т818Л, 2Т818А2 .......................... 100 В
2Т818Б, 2Т818Б2 ... .... 80 В
2Т818В, 2Т818В2...............................60 В
7= —40... + 25°С:
КТ818А, КТ818ЛМ..............................40 В
КТ818Б, КТ818БМ . . ... 50 В
КТ818В, КТ818ВМ 70 В
КТ818Г, КТ818ГМ .............................90 В
Постоянное напряжение база — эмиттер ... 5 В
Постоянный ток коллектора:
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г ... 10 А
2Г818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818Л2 2Т818Б2,
2Т818В2, КТ81 AM КТ818БМ. КТ818ВМ
КТ818ГМ.................. . . 15 А
Импульсный ток коллектора при /и^10 мс, Q> 100
(Q^2 для 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2):
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г . 15 А
2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В 2Т818А2, 2Т818Б2,
2Т818В2, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ,
КТ818ГМ...................................... 20 А
207
Продолжение
Постоянный ток базы................................. ЗА
Импульсный ток базы . .............. 5/1
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при
7к = 7х.ЛИ«=+25 °C:
с теплоотводом:
2Т818Л2 2Т818Б2, 2T8I8B2 .... 40 Вт
KT8I8A, КТ818Б, КТ818В, КГ818Г . . 60 Вт
2Т818А, 2Т818Б, 2T8I8B, K18I8AM, КТ818БМ.
KTSI8BM. КТ818ГМ .... 100 Вт
без теплоотвода
2T8I8A2, 2Т818Б2, 2Т818В2.................1 Вт
КТ818А, КТ818Б, KT8I8B, КТ818Г ... 1,5 Вт
КТ818АМ, КТ818Б.М, КТ818ВМ, КТ818ГМ . 2 Вт
2Т818Л, 2Т818Б 2Г818В . . ... 3 Вт
Температура р-п перехода:
2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818А2, 2Т818Б2,
2Т818В2..................................+150’С
КТ818Л, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КГ818АЛ1,
КТ818БМ. KT8I8BM КТ818ГМ . . . . +125 С
Температура окружающей среды:
2T8I8A, 2Т818Б, 2Т818В.....................
2T8I8A2, 2Т818Б2, 2Т818В2..................
KT8I8A, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818АМ,
КТ818БЛ1, КТ818ВМ, КТ818ГМ . . . .
-60°С...7« +125 °C
-60 °C. ,Гк= + Ю0°С
-40°С..7к- + 100 °C
1 При повышении температуры окружающей среды (корпуса) свыше +25'С постоян-
ная рассеиваемая мощность коллектора для 2I8I8A, 2Т818Б 2T81SB рассчитываекя
по формулам
^К,л.1кс* Вт™ (150-7 х)/1,25 (с теплоотводом);
^K.mjkc» Вт-(150—П/41,6 (без теплоотвода);
для 2T8I8A2. 2Т818Б2, 2Т818В2 уменьшается линейно на 0,32 Вт/Х с теплоотводом
н 8 мВт/’С без теплоотвода; для K18I8A, КТ818Б. КТ818В, КТЫ8Г уменьшается на
0.6 Вт/ С с теплоотводом и на 0,015 Вт/Х без теплоотвода, для КТ818АМ, КТ818БМ,
KT81SBM, КТ818ГМ уменьшается на I Вт/Х с теплоотводом и на 0,02 Вг/Х без тепло-
отвода.
При монтаже транзисторов 2T8I8A2, 2Т818Б2, 2Т818В2, КТ818Л, КТ818Б,
КТ818В, КТ818Г допускается одноразовый изгиб выводов не ближе 2,5 мм
от корпуса под углом 90° радиусом не менее 0,8 мм При этом должны при-
ниматься меры, исключающие возможность передачи усилии иа корпус. Изгиб
в плоскости выводов ие допускается
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса.
При папке жало паяльника должно быть заземлено. Допускаются пайка без
теплоотвода и групповой метод панки Температура припоя +260 °C, время пай-
ки не более 3 с, время лужения выводов ие более 2 с.
При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, ба-
зов! вывод должен присоединяться первым и отключаться последним.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В
208
Выходные характеристики
Входные характеристики
Зона возможных поло
женин зависимости ста
тического коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера
Зона возможных положений
зависимости статического ко-
эффициента передачи тока от
температуры Kopujea
Зона возможных положении зависимо-
сти напряжения насыщения коллек-
тор — эмиттер от тока коллектора
14 Заказ Ns 1004
209
Зависимость напряжения насыщения
база — эмиттер от тока коллектора
Зона возможных положений зависи-
мости пробивного напряжения кол-
лектор— эмиттер от температуры
корпуса
Зона возможных положений зави-
симости пробивного напряжения кол-
лектор— эмиттер от температуры
корпуса
Зона возможных положений зави-
симости пробивного напряжения от
температуры корпуса
Зона возможных положений зави-
симости пробивного напряжения кол-
лектор эмиттер от сопротивления
база —эмиттер
Области максимальных режимов
Области максимальных режимов
210
Зависимости максимально допусти-
мого постоянного напряжения кол-
лектор— эмиттер от температуры
корпуса
Области максимальных
режимов
Зависимости коэффициента Л от длительности
импульса
КТ820 (А-1, Б-1, В-1)
Транзисторы кремниевые меза-эпи-
такспальио-плапарные структуры р-п-р
усилительные Предназначены для при-
менения в усилителях низкой частоты,
операционных и дифференциальных
усилителях, преобразователях и им-
пульсных устройствах герметизирован-
ной аппаратуры Бескорпусные с гибкими
выводами и защитным покрытием. Каж-
дый транзистор упаковывается в инди-
видуальную тару. Тип прибора указы-
вается иа сопроводительной таре.
Масса транзистора не более 0 02 г.
KT62QIМ - 8-1)
14'
211
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
17кь=2 В, /к=150 мА, не менее:
КТ820А I, КТ820Б I.................................40
КТ820В 1 . .......................30
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ при UK:i=Z В, /к=0,03А, не менее .... 3 МГц
Граничное напряжение при /к=50 мА, /и^300 мкс,
100, не менее:
КТ820А 1 . . . . ...................40 В
КТ820Б 1 . . ....................60 В
КТ820В-1 ... . 80 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /и =
=0,5 А, /в—0,05 А, не более .... ,05 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к = 0,5 Л,
/в-0,05 А, не более . . . .................12В
Обратный ток коллектора при 1/кв=40 В, не более . . 30 мкА
Емкость коллекторного перехода при 1/ке=5 В, f=
= 465 кГц не более..................................... 65 пФ
Емкость эмпттериого перехода при £7£й=0,5 В, 7=465кГц,
не более.............................................. .65 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
100 Ом
КТ820А 1 ........................... . 50 В
КТ820Б-1 . . .........................70 В
КТ820В-1 100 В
Постоянное напряжение база — эмиттер . ... 5 В
Постоянный ток коллектора............................0,5 А
Импульсный ток коллектора при /и^10 мс, 100 . 1,5 А
Постоянный ток базы ... ... 0,3 Л
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 в соста-
ве гибридной микросхемы прн Т=—40...+ 25 °C ... 10 Вт°
Температура р-п перехода.............................+125 °C
Температура окружающей среды.........................—40 ..+85° С
1 При 7=+25...+85 °C Pt[ vnKC в составе гибридной схемы определяется по формуле
рк.ха*с- Вт=(125-7)/Ю.
Пайка выводов транзисторов допускается нс ближе 3 мм от защитного
покрытия.
КТ822 (А-1, Б-1, В-1]
КТ822(А-1 — В-1)
0.В
00,01
Транзисторы кремниевые ме-
за-эпитакспальпо планарные струк-
туры р-п-р усилительные Пред-
назначены для применения в уси-
лителях низкой частоты, опера-
ционных и дифференциальных
усилителях, преобразователях и
импульсных устройствах герме-
тизированной аппаратуры Бес-
корпуспые, с гибкими выводами
без кристаллодсржателя и защит-
ным покрытием. Каждый тран-
зистор упаковывается в индиви-
дуальную тару. Тип прибора ука
зывается на сопроводительной
таре.
Масса транзистора не более 0,03 г.
212
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
прн 1/кв=2 В, /к = 1 А-
7’= + 25°С, не менее............................
типовое значение ...........................
7'=+85 °C, не менее.....................
типовое значение ...........................
Т=— 40°C, не менее . . .
типовое значение ...........................
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при 47кв=5 В, /Л-=0,05 Л, не менее
Линейность статического коэффициента передачи
киэ прн /в=0,001 А
тока д = ............................
Й21а при 1э= 1 А
Граничное напряжение при /э=100 мА, /и<300мкс,
Qjs 100, не менее:
КТ822А-1....................................
КТ822Б-1....................................
КТ822В-1..........................
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
1,{=\ А, /в=о,1 А...............................
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к =
= 1 А, /£=0,1 Л.......................
Входное сопротивление в режиме .малого сигнала
при 1/кэ = 5 В, /к = 30 мА, /=0,8 кГц . . . .
Обратный ток коллектора при 47кь = 40 В, не более:
7 =+25 °C...................................
7"=+85 °C............................
Емкость коллекторного перехода прн 1/кв = 5 В,
f=465 кГц ...............................
Емкость эмиттерпого перехода при С/эв=0,5 В,
f = 465 кГц .... ... . .
25
40*
25
41*
15
35*
3 МГн
1,5*...2,75*...4*
45 В
60 В
80 В
0,1*...0,2*...0,6 В
0,8* .0,9*. .1.5 В
0,15*...0,36*. 1* кОм
50 мкА
100 мкА
80*...90*. .115 пФ
НО*... 125*... 150 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер:
при 1 кОм:
КТ822А 1.............................45 В
КТ822Б 1.............................60 В
КТ822В 1.............................100 В
при /?лз=оо:
К1822А1...............................45 В
КТ822Б-1.............................60 В
КТ822В-1.............................80 В
Постоянное напряжение база—эмиттер ... 5 В
Постоянный ток коллектора1 ... 2 А
Импульсный ток коллектора при /„^20 мс, 100 4 Л
Постоянный ток базы ... .... 0,5 Л
Постоянная рассе тваемая мощность коллектора1 2 в
составе гибридной микросхемы прн Т— —40 ..+25 °C 20 Вт
Тепловое сопротивление переход — кристалл . . 5 °C.1 Вт
Температура р-п перехода.......................+ 125 °C
Температура окружающей среды ... —40 - 85 °C
1 Допускается I лпкг=3 А при условии непрсвышеиия мощности
2 ПРИ ТК>+25°С Рк^якс. Вт-(125-Тх)/5.
213
2Т825 (А, Б, В), 2Т825 (А2, Б2, В2), КТ825 (Г, Д, Е]
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры р-п-р составные. Пред-
назначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Кор-
пус металлический со стеклянными изоляторами (2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В,
КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е) и пластмассовый с жесткими выводами (2Т825Л2,
2Т825Б2, 2Т825В2).
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, в пластмассо-
вом корпусе не более 2,5 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при Uke~ 10 В, /э=-10 Л:
Т=+25°С:
2Т825А, 2Т825А2 . . 500... 18 000
2Т825Б, 2Т825В, 2Т825Б2, 2Т825В2, КТ825Г,
КТ825Д, КТ825Е .... ... 750... 18 000
Т— Т л<охс^
2Т825А, 2Т825А2 . . ... 400...25000
2Т825Б, 2Т825В, 2Т825Б2, 2Т825В2 . . . 600...25 000
214
Продолжение
7"=—60 °C:
2Т825А, 2Г825А2 . . . . . .
2Т825Б. 2Т825В, 2Т825Б2, 2Т825В2 . . .
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при Ukk— 10 В, /в = 20 Л, не менее . . . .
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигна-
ла при Б'к«=3 В, /а =10 A, f=5 кГц .
Модуль коэффициента передачи тока при 47кс—3 В,
/э=Ю A, f=l МГц, не менее......................
Граничное напряжение при /э=100 мА, не менее:
2Т825Л, 2Т825А2...........................
2Т825Б, 2Т825Б2...........................
2Т825В, КТ825Д, 2Т825В2...................
КТ825Г....................................
КТ825Е . .......................
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не бо-
лее:
при /к -10 Л, /б=40 мА . . . . .
при /к=20 А, /в=200 мА......................
Напряжение насыщения база —эмиттер, не более:
при /к=10 Л, /в 40 мА.......................
при /к=20 А, /ц- 200 мА.....................
Пробивное напряжение коллектор — эмиттер при
Ивв = 1,5 В, ие менее:
7 =+25 °C, /к=1 мА:
2Т825А, 2Т825А2...........................
2Т825Б, 2Т825Б2 ... . . .
21825В, КТ825Д, 2T825B2 . . . .
КТ825Г....................................
КТ825Е........................... . . .
7 = Т максу /к=5 мА (2 мА для 2Т825А2,
2Т825Б2 2Т825В2):
2Т825А, 2Т825А2...........................
2Т825Б, 2Т825Б2...........................
2Т825В, 2Т825В2...........................
7=-60°C, /к =5 мА:
2Т825А....................................
2Т825Б....................................
2Т825В .... .................
Пробивное напряжение эмиттер — база при /з =
=2 мА, не более
Время включения при 1к "10 А, /Е=40 мА, не более
Время выключения при 1к—10 А, /б —40 мА, не
более........................... ...
типовое значение
Емкость коллекторного перехода при Uke— 10 В,
f=100 кГц, не более . .
типовое значение................... . . .
Емкость эмиттерного перехода при 1/вв=3 В, {=
= 100 кГц, не более ... ...
типовое значение ...........................
100... 18 000
150...18 000
100*
430* .15 000*...60 000*
4
80 В
60 В
45 В
70 В
25 В
2 В
3* В
3 В
4* В
100 В
80 В
60 В
90 В
30 В
80 В
60 В
50 В
100 В
80 В
60 В
5 В
1 мкс
4,5 мкс
3* мкс
600 пФ
350* пФ
600 нФ
400* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
/?в»^1 кОм или 7/бв=1,5 В, ГХ = 7'Л11И... + 55°С:
2Т825А, 2Т825А2 100 В
2Т825Б, 2Т825Б2 . . . 80 В
2Т825В, КТ825Д, 2Г825В2 . . . 60 В
КТ825Г 90 В
КТ825Е....................; ; ; ' зо в
215
Продолжение
Постоянное напряжение база — эмиттер ... 5 В
Постоянный ток коллектора.
2Т825А 2Т825Б, 2Т825В КТ825Г, КТ825Д,
КТ825Е . ... . 20 Л
2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 . . 15 А
Импульсный ток коллектора:
КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, 2Т825А, 2Т825Б,
2Т825В ... 40 Л
2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2..................30 А
Постоянный ток базы .................0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора :
с теплоотводом, Тк = Тмип... + 25 °C:
2Т825А, 2Г825Б, 2Т825В, К1825Г, КТ825Д,
KT825F........................... . . . 125 Вт
2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 ... 30 Вт
без теплоотвода, Г=+25°С‘
2Т825Л, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д,
КТ825Е . . . 3 Вт
2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 .... 1 Вт
Температура р-п перехода:
2Т825Л. 2Т825Б, 2Т825В.......................+175 °C
2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2, КТ825Г, КТ825Д,
КТ825Е..............................+150 °C
Температура окртжающей среды:
2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В...........................-60°С...7'к = + 125 °C
2Т825Л2, 2Т825Б2, 2Т825В2..................-60 °C.. 7\- + 100 °C
КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е.....................-40°С...7\ = + 100сС
1 Для 2Т825Л2, 2Т825Б2, 2Т825В2 при 7^-+25...+100 °C максимально допустимая
постоянная рассеиваемая мощность коллектора снижается линейно на 0,2-1 ВгЛС с
теплоотводом и на 8 мВт/*С без теплоотвода.
Для транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 допускается одноразовый
изгиб выводов на угол не более 90° от первопа талыюго положения в плоско-
сти, перпендикулярной основанию корпуса, не ближе 5 мм от корпуса с радиу-
сом изгиба не менее 1,5 мм
Пайка выводов транзисторов допускается ие ближе 5 мм от корпуса при
температуре припоя не более +260 °C в течение не более 3 с, вр--чя лужения
выводов ие более 2 с.
Прн включении транзистора в цепь, находящуюся под иаприжеипем, ба-
зовый вывод должен присоединяться первым и отключаться последним.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Зависимости максималь-
но допустимого постоян-
ного напряжения кол-
лектор — эмиттер от тем-
пературы корпуса
216
Зависимости максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
Зависимость пробивного напряжения
коллектор — эмиттер от Сопротивле-
ния база — эмиттер
Зависимости напряжений насыщения
коллектор — эмиттер и база — эмит-
тер от тока коллектора
Зависимости статического коэффи-
циента передачи тока от тока эмит-
тера
Выходные характеристики
Зависимости статического коэффициента
передачи тока от тока эмиттера
217
Области максимальных режимов
2Т830 (А, Б, В, Г), 2Т830 (В-1, Г-1)
2Т830 (В1, Г1)
Транзисторы кремниевые меза-
энигаксиальио-нланарныс структуры
р-п-р. Предназначены для примене-
ния в усилителях мощности, источ-
никах вторичного электропитания,
преобразователях. Корпус 2Т830Л,
2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г металличе
скип со стеклянными изоляторами н
гибкими выводами, транзисторы
2Т830В-1, 2Т830Г-1 бескорпусиые с
защитным покрытием и гибкими вы
водами
Масса транзистора в металлы
ческом корпусе не более 2 г, бес-
корпусного — ие более 0,03 г.
218
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
При C'ki;=1 В, /э=1 Л-
7=+25 “С:
2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В.....................
2Т830Г ... ...
2Т830В 1. 2Т830Г-1 . . . .
Т ~ Гк.микг^
2ТК30А, 2Т830Б, 2Т830В, не менее . . .
2Т830Г, не менее..........................
2Т830В-1. 2Т830Г 1 ..................
7=-60 °C:
2Т830А, 2Т830Б 2Т830В не менее . . .
2Т830Г, не менее .................
2Т830В-1. 2Т830Г 1 .................
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при Ukb=5 В, /э=50 мА . . . .
Граничное напряжение при /г»0 1 А, /„<300 мкс,
<2^ 100, не менее:
2Т830Л....................................
2Т830Б .................
2Т830В, 2Т830В 1 . .
2Т830Г. 2Т830Г1...........................
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/к—1 А. 1Б-0,1 А................................
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к =
= А /Е = 0,1 А .......................
Пробивное напряжение коллектор — база, не менее:
при Т=—60 . + 25°C, 1кбо~() 1 мА"
2Т830А ....
2Т830Б . .................
2Т830В, 2Т830В 1 .
2Т830Г, 2Т830Г 1
При Т Тк.мачС' /бео^З мА:
2Т830А .................................
2Т830Б .....................
2Т830В, 2Т830В 1 .
2Т830Г, 2Т830Г-1 .............
Пробивное напряжение база—эмиттер при /э =
= 1 мА, не менее.......................... ....
Обратный ток коллектора при L'ke = 80 В
Обратный ток эмиттера при /7е.т = 5 В
Время включения прн 1/кв=30 В, !к— 1 А /Е =
= 0,1 А......................................
Время выключения при Г/кв=30 В, /к = 1 А, /с =
=0,1 А .................
Время рассасывания при Гкв=30 В, 7к=1 A, fE —
=0,1 А, ие более......................
Емкость коллекторного перехода при t/KB=5 В,
/=1 МГц ... ................
Емкость эмиттерпого перехода при Г/Эс=0,5 В, {
= 1 МГц.........................................
25 .30*. .55*
20...23* 50*
25.200
25
20
25 220
20
18
15 200
4. 9* 15* МГц
25
45
60
80
В
В
В
В
0,25*...0 35* 0,6 В
0,9*. 0,92*... 1,3 В
35
60
80
100
36
60
80
100
В
В
В
В
В
В
В
В
В
5
0,1* 10*..100 мкА
20*. 500* 1000* мкА
0,3* 0,5*. 0,8 мкс
1*.1,5*. .2 мкс
1 мкс
63* 67* .150 пФ
88* ...230*.. 350 1 Ф
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т830Л 35 В
2Т830Б.........................................60 В
2Т830В, 2Т830В 1............................. 80 В
2Т830Г 2Т830Г 1 , . Ю0 В
219
Продолжение
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер при
кОм:
2Т830А...................................
2Т830Б ...........................
2Т830В, 2Т830В-1............................
2Т830Г, 2Т830Г-1 . . ....
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора .....................
Импульсный ток коллектора .............
Постоянный ток базы............................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при
7’к = — 60...4 25 °C:
с теплоотводом :
2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г . . .
2Т830В-1, 2Т830Г-1 (бесконечный теплоотвод)
без теплоотвода ............................
Температура р-п перехода.......................
Температура окружающей среды:
2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г . . . .
2Т830В-1, 2Т830Г-1..........................
30 В
50 В
70 В
90 В
5 В
2 А
4 А
1 Л
5 Вт
25 Вт
1 Вт
4 150 °C
-60°C. .ГК=4125°С
- 60 °С...Тк = 4 100 °C
1 При Г* —425 .4100 °C /’к.-чакс для 2TB3OB-I, 2Т830Г-1 с теплоотводом рассчи-
тывается по формуле
^Н.махе’ Вт "<гп — к
Пайка выводов транзисторов 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г допускается
ие ближе 3 мм от корпуса, температура пайки не более 4260° в течение не
более 3 с.
Допустимая температура монтажа транзисторов 2Т803В-1, 2Т803Г-1 в гиб-
ридных микросхемах не должна превышать 4230 °C в течение не более 10 с.
Допустимое значение статического потенциала 500 В.
Для транзисторов 2Т830В-1, 2Т830Г-1 при длине вывода I более 5 мм
/ Клаке С10Д.
Выходные характеристики
Зона воз.можных положений зависимо
сти пробивного напряжения котлск
тор — эмиттер от сопротивления ба-
за — эмиттер
220
Области максимальных
режимов
Зона возможных положении зависимости на-
пряжения насыщения коллектор — эмиттер от
тока коллектора
Зависимость коэффициента А от дли-
тельности импульса
Зона возможных положений зависимо-
сти статического коэффициента переда-
чи тока от тока эмиттера
Зависимость максимально допустимой
постоянной рассеиваемой мощности кол
лектора от температуры корпуса
Sea теплоотвово
221
Зона возможных положении зависи-
мости напряжения смещения база —
эмиттер от тока коллектора
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от температу-
ры корпуса
КТ835(А.Б)
КТ835 (А, Б)
Транзисторы кремниевые меза-
эпитаксиально-плаиарные структуры
рпр усилительные. Предназначены
для применения в усилителях, пре-
образователях н импульсных устрой-
ствах. Корпус пластмассовый с жест-
кими выводами.
Масса транзистора не более
2,5 г.
222
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ-
при 1/ке=1 В, /к=1 А для КТ835А, не менее . . 25
при Ukb=5 В, /к=2 А для КТ835Б....................10.. 100
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ, не менее ... . 1 МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер, не более:
при /к=1 А, /£=0,2 А для КТ835А.......................0,35 В
при /к=3 А, /Е=0,6 А для КТ835Б...................2,5 В
Обратный ток коллектора при Ukl^Vki-, .лсаке!
КТ835А................................................100 мкА
КТ835Б............................................150 мкА
Емкость коллекторного перехода при С'ки—30 В, не более 800 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ835А..............................................30 В
КТ835Б ... ...........................45 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер . . . 30 В
Постоянное напряжение база — эмиттер . ... 4 В
Постоянный ток коллектора:
КТ835А................................................ЗА
КТ835Б.......................................... . 7,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность при Тк — — 40. +25°C 25 Вт
Температура р-п перехода..............................+125 °C
Температура окружающей сре гы.........................— 40 СС.. Тх =
= + 100 °C
2Т836 (А, Б, В]
Транзисторы кремниевые планарные структуры р-п-р переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях мощ-
ности источниках вторичного электропитания. Корпус металлический со стек-
лянными изоляторами и гибкими выводами.
Масса транзистора не более 2 г.
2Т83Б [А -в!
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
прн UKls=5 В, /в=2 А:
Т’= + 25°С-
2Т836А .
2Т836 (Б, В) . .
“ + 125 °C, ие менее.......................
'к = —60°С, ие менее.........................
20...50*.. 100*
20 65*.. 100*
20
10
223
Продолжение
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при 1/кб=5 В, /к=50 мА . . . .
Граничное напряжение при /а = 0,1 А:
2Т836Л ..............................
2Т836Б ..................................
2Т836В......................................
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/к-2 А:
2Т836А при /ь-=0,2 Л........................
2Т836Б при /Б-0,08 А........................
2Т836В при Л;=0,2 А..................
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к^2А:
2Т836А при /Б=0,2 А . . . .
2Т836Б при /б = 0,08 А . . . . . .
2Т836В при /б=0,2 А.........................
Время включения при l/Kj = 85 В, /к=2 А, /б=
=0,08 А.........................................
Время выключения при 1/кэ=85 В, /к=2 Л, /б=
0,08 А..........................................
Время спада при 1/кэ-85 В. /к = 2 А, /г = 0,08 А
Время рассасывания при 77кз = 85 В, /к—2 А, /!:*
-0,08 А.....................................
Об| атный ток коллектора при Ь'Кг>=иКп.ЛПИССт ИС
более:
7'к = —6О... + 25°С . . ..............
Гк= + 125°С , ...
Обратный ток эмиттера при 1/гэ=5 В, не более
Емкость коллекторного перехода при 77кб = 5 В,
f=l МГц . . ....
Емкость эмиперного перехода при 77бэ = О,О5 В,
f-1 МГц.........................................
4...30*. .40* МГц
80.. 100* .125* В
80...90*. .110* В
40...60*...80* В
0,25*...0,45*...0,6 В
0,25*...0,29*...0,35 В
0,25*...0,3*...0,45 В
0,95*.. !*...!,3 В
0,9*... 1*.. 1,2 В
0,95* 1*. 1,3 В
0,25*.. 0,4*...0,6 мкс
0,31 *...0,9* ..1,6 мкс
0,1 *...0,4*...0,6 мкс
02*...0,6*...! мкс
0,1 мА
3 мА
1 мА
340*...350*...370 пФ
1500*...2200*...2500 нФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — баз
2Г836А..........................................90 В
2Т836Б......................................85 В
2Т836В......................................60 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
100 Ом:
2Т836Л..........................................90 В
2Т836Б . , ... . . . 85 В
2Т836В......................................60 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . . . 5 В
Постоянный ток коллектора...........................ЗА
Импульсный ток коллектора при tu^ 10 мс, QJ>2 4 А
Постоянный ток базы................... 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при
Гх=-60 + 25 °C:
с теплоотводом..................................5 Вт
без теплоотвода.............................0,7 Вт
Температура рп перехода..................... +150 °C
Температура окружающей среды....................—60 С...7\ = +125 °C
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм от корпуса при
температуре +260 С в течение не более 3 с.
224
Вхотные характеристик»
Зависимость максималь-
но допустимой постоян-
ной рассеиваемой мощ-
Выходные характеристи-
ки
Зона возможных поло-
жений зависимости про-
бивного напряжении кол-
лектор — эмиттер от со-
противления база —
эмиттер
Зависимости времени
включения от тока кол-
лектора
Зависимости времени
включения, выключения
и рассасывания оз на-
пряжения коллектор —
эмиттер
Зоны возможных положений зави-
симостей напряжений насыщения
коллектор — эмиттер и база — эмит-
тер от температуры
1э Закат № 1094
Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициен га
передачи тока от температуры кор-
пуса
225
ЛцЗ
Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента пере-
дачи тока от тока эмиттера
Зависимости напряжения насыщения
коллектор — эмиттер от тока кол-
лектора
Зависимости напряжения насыщения
база — эмиттер от тока коллектора
Завпс1гмости времени рассасывания
от тока коллектора
Зависимость времени выключения от
тока коллектора
226
Зависимости времени включения от
тока коллектора
Зависимости времени выключения от
напряжения коллектор — эмиттер
2Т837 (А, Б, В, Г, Д, Е)
Транзисторы кремние
вые эпитаксиально-диффу-
зионные структуры р-пр
переключательные. Пред-
назначены для применения
в усилителях и переклю-
чающих устройствах Кор-
пус пластмассовый с жест-
кими выводами.
Масса транзистора не
более 2,5 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при Б'ка = 5 В, /к = 2 Л:
7=+36 °C-
2Т837А, 2Т837Г.............................
2Т837Б, 2Т837Д.............................
2Т837В, 2Т837Е..........................
7’=+ 125 °C, не менее:
2Т837А, 2Т837Г..........................
2Т837Б, 2Т837Д.............................
2Т837В, 2Т837Е.............................
7=* — 60 °C, не менее:
2Т837А, 2Т837Г ..................
2Т837Б, 2Т837Д . . . .
2Т837В, 2Т837Е.............................
15. .35*.. 120*
30 72*...150*
40 93*... 180*
15
30
40
10
15
25
15*
227
Продолжение
Модуль коэффициента передачи тока на вьасокой
частоте при Пкв=5 В, 1к~0,5 h, f—1 МГц
Граничное напряжение при /«=0,1 Л, не менее:
2Т837А 2Т837Г....................... . .
2Т837Б, 2Т837Д ....................
2Т837В 2Т837Е............................
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/к=3 А, /в = 0,37 А . .
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к =
= 3 А, /с=0,37 А .............
Время включения при 17кв=ЗО В, /к=1 А, /в=
= 0,1 А.......................................
Время выключения прн С/ка=30 В, /к = 1 А, /в=
= 0,1 А.......................................
Время спада при 1/кв=30 В, /к = 1 А, /в = 0,1 А
Время рассасывания при £/ка=30 В, /к—1 А, /в —
= 0,1 А ..........................
Обратный ток коллектор — эмиттер при 17кэп =
= U КОП.маке, Ro.,—100 Ом, не более:
7--60 ..+25 °C............................
7=+ 100 °C................................
Обратный ток коллектора при Ukb=U кв,м->кс, ие
более:
7——60...+25 °C............................
7=+ 100 °C................................
Обратный ток эмиттера при Ubb^Ubb.mikc, не более
3.5*. 17*
55...69*..81* В
45...55*...72* В
35...45* 65* В
0,2* . 0,35* .0,9 В
1*...1,05*...1,5 В
0.22*..0,38*...0,5* мкс
0,32*. 0 54*...!* мкс
0,11* 0 15*...0,3* мкс
0,21*..0,49*...! мкс
5 мА
15 мА
0,15 мА
1,5 мА
0.3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т837Л, 2Т837Г.............................80 В
2Т837Б, 2Т837Д.............................60 В
2Т837В, 2Т837Е . . ................45 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
/?в,-100 Ом:
2Т837А, 2Т837Г..................................70 В
2Т837Б, 2Т837Д..............................55 В
2Т837В, 2Т837Е .... ... 40 В
Постоянное напряжение база—эмиттер:
2Т837Л, 2Т837Б 2Т837В..........................15 В
2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е......................5 В
Постоянный ток коллектора ... 8 Л
Постоянный ток базы . . 1 Л
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при
Тк=-60 ..+25 °C.
с теплоотводом..................................30 Вт
без теплоотвода......................... ... 1 Вт
Тепловое сопротивление переход — среда . . . 100°С/Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус . . . 3,33 °С/Вт
Температура р-п перехода........................+125 °C
Температура окружающей среды ... — 60°С...7к=+100 °C
• При 7к-+25... + 100 СС Рк МЛКС рассчитывается по формулам
Ри Лакг, Вт- (125—Тк)/3,33 (с теплоотводом);
рк мак.- Вт—(125—D/100 (без теплоотвода).
Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов па угол не более
90е на расстоянии ие меиее 5 мм от корпуса с радиусом изгиба не меиее 1,5 мм.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса при
температуре не более +260 °C в течение ие более 3 с. Жало паяльника должно
быть заземлено.
Допустимое значение статического потенциала 500 В
22S
KII
к и
Выходные характернстп- Зависимость статпческо-
ки го коэффициента переда
чп тока от напряжения
коллектор — эмиттер
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость максимально допусти-
мого постоянного напряжения кол-
лектор— эмиттер от сопротивления
база — эмиттер
Области максимальных режимов
229
Зона возможных положений зависи-
мости напряжения насыщения кол-
лектор — эмиттер от тока коллек-
тора
Области максимальных режимов
КТ837 (А, Бг В, Г, Д, Е, Ж, И, К, Л, М, Н, П, Р, С, Т, У, Ф]
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры р-п-р не
рек. ючательные. Предназначены для применения в усилителях и переключаю-
щих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами (габаритный
чертеж см. 2Т837 (Л—Е)).
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
UK0=5 В, /к=2 Л:
КТ837А, КТ837Г, КТ837Ж, КТ837Л, КТ837П, КТ837Т 10...10
КТ837Б, КТ837Д, КТ837И, КТ837М. КТ837Р, КТ837У 20...80
КТ837В, КТ837Е, КТ837К, КТ837Н, КТ837С, КТ837 Ф 50... 150
Граничная частота коэффициента передачи тока при Uko—
=5 В, /к=0,5 А, не менее.................... • 1 МГц
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не более.
при /к=3 А, /в=0,37 А для КТ837А, КТ837Б. КТ837В,
КТ837Л, КТ837М, КТ837Н............................2,5 В
при /к-3 А, /Е-0 7 А для КТ837Г, КТ837Д. КТ837Е,
КТ837П, КТ837Р, КТ837С............................0.9 В
при /к=2А, /Б=0,ЗА для КТ837Ж, КТ837И, КТ837К,
КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф ... ... 0,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=2 А, /в=
=0,5 А, не более................................. .... 1.5 В
Обратный ток коллектора — эмиттер при //кэп //кэп-чок.,
/?<н=100 О.м, не более . ............. . 10 мА
Обратный ток коллектора прн Ukb = Uke .чпК-, ие более . 0,15 мА
Обратный ток эмиттера п| и 1'иэ- 1'ьэ .ч,кс, ие более . 0.3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ837А, КТ837Б. КТ837В, КТ837Л, КТ837.М. КТ83/Н 80 В
КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837П, КТ837Р, КТ837С 60 В
КТ837Ж, КТ837И КТ837К, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф 15 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер:
при /?с.,гС50 Ом:
КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н 70 В
230
Продолжение
КТ837Г. КТ837Д, КТ837Е, КТ837П, КТ837Р, КТ837С 55 В
КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф 40 В
при /?»> = <»:
КТ837Л, КТ837Б, КТ837В, КТ837Д, КТ837М, КТ837Н 60 В
КТ837Г, КТ837Д. КТ837Е. КТ837П, K'l 837Р, КТ837С 45 В
КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф 30 В
Постоянное напряжение база—эмиттер:
К1837 \, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е
КТ837Ж, КТ837И, КТ837К.........................15 В
КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П, КТ837Р,
КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф.................5 В
Постоянный ток коллектора............................7,5 А
Постоянный ток базы..................................1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора прн Тк=
= -60...+25 °C:
с теплоотводом1................................. . . 30 Вг
без теплоотвода............................. 1 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус .... 3,33 “/Вт
Температура р-п перехода.............................+125 °C
Температура окружающей среды.........................—60°С...7« =
= -100 °C
При Гк>-г25сС РКмчкс. B-r —(125—7К)/3.33.
Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов на угол не бо-
лее 90° на расстоянии не меиее 5 мм от корпуса с радиусом изгиба не ме-
нее 1,5 мм.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса при
температуре не более +260 °C в течение не бо. ее 3 с. Жало паяльника должно
быть заземлено.
2Т842 [А, Б), 2Т842 (А1Г Б1)
Транзисторы кремниевые эпнтаксиальио-нланарные структуры р-п-р пере-
ключательные. Предназначены для применения в мощных преобразователях,
линейных стабилизаторах напряжения. Корпус 2Т842А, 2Т842Б металлический
со стеклянными изоляторами и жесткими выводами, 2Т842А1, 2Т842Б1 пласт-
массовый с жесткими выводами
Масса транзистора в металлическом корпусе не ботее 20 г, в пластмассо-
вом — нс более 2 г.
231
2T8*2 (At, Ef)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи гока в схеме ОЭ при
(/кс=4 В, /к = 5 А. не менее:
Г»-+ 25 °C:
2Т842Л, 2Т842Б...................................15
2Т8 2Л1, 2Т842Б1..................................10
Тк- Т'к.лякс:
2Т842А, 2Т812Б................................. ... 15
2Т842А1, 2Г842Б1 . . . . . 6
Л, = -60 °C:
2Т842Л, 2Т842Б..................................... 10
2Т842Л1, 2Т842Б1........................... 6
Гранична» частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ, не менее:
при Гкв=5 В, /э=1 А, для 2Т842А, 2Г842Б ... 20 МГц
при Ukb— 10 В, /к = 0,2 А для 2Т842Л1. 2Т842Ы . 10 МГц
Граничное напряжение при 1в 50 мА, не менее:
2Т842А, 2Т842А1 . ..................... 250 В
2Т842Б, 2Т842Б1 . .....................150 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /«—5 Л,
/б=1 А, не более . . ..................1,8 В
типовое значение ...................................0,5* В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=5 А,
/в=1 А, не более ............................... . . 1,8 В
типовое значение.............................__ 1,1* В
Время рассасывания при {/кэ~20 В, /к = 2 А, /в=0,5 А,
не более.......................................... . . 6 мкс
типовое значение . . . ... 2,2* мкс
Время включения при 1/ка=20 В, /к 2 Л, /с=0,5 А, не
более .... ... 0,3* мкс
типовое значение .............................. ... 0,1* мкс
Время спада при 1/кэ—20 В, /к -2 А, /в=0,5 Л, не более 0,6* мкс
типовое значение................................. . 0,3* мкс
Обратный ток коллектора при Б'кв = Г/кС,лШХ=, не более:
Г=> —60 ,.+25°C.....................................1 мА
Т = Тмакс .... .... 3 мА
Обратный ток эмиттера при 1/Ве = 5 В. не более . 5 мА
Е ।кость коллекторного перехода при 1/кв=10 В, } —
0,3 МГц, не более................................. . . 400 пФ
Ti повое значение................................... 250* пФ
232
Продолжение
Емкость эянттерного перехода при 1/эв=0,5 В, f=0,1 МГц,
не более . ......................................
типовое значение .................... . .
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база1:
2Т842Л, 2Т842А1 ........................
2Т842Б, 2Т842Б1 . . .....................
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при
СЮ Ом для 2Т842А, 2Т842Б, ЙСИЮ Ом для 2Т842Л1,
2Т842Б1:
2Т842А, 2Т842А1........................................
2Т842Б, 2Т842Б1..................................
Постоянное напряжение эмиттер — база...................
Постоянный ток коллектора..............................
Импульсный ток коллектора..............................
Постоянный ток базы . . . ..............
Импульсный ток базы . .....................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора2:
с теплоотводом, Тк = —60... + 50°C:
2Т842А, 2Т842Б.....................................
2Т842Л1, 2Т842Б1 ... ..............
без тептоогвода, Т= —60...+25 °C:
2Т842Л, 2Т842Б.....................................
2Т842А1, 2Т842Б1.................................
Температура р-п перехода:
2Т842.А, 2Т842Б . ........................
2Т842А1, 2Т842Б1.................................
Температура окружающей среды:
2Т842Л, 2Т842Б.........................................
2Т842А1, 2Т842Б1 .... ....
3500 нФ
2400 пФ
300 В
200 В
300 В
200 В
5 В
5 Л
8 А
1 А
2 А
50 Вт
30 Вт
3 Вт
1 Вт
+ 175 °C
+ 150 °C
-60 °С...ТК =
= + 125 °C
-60 °C.. Г« =
= +100 °C
1 Скорость нарастания (d/''dOM<1I.c^250 В/мкс.
> При TK>+5U'C для 2Т842А, 2Т842Б с теплоотводом Рк,макс, Вт-(Г„-Гк)'2.5;
при Г>+25°С без теплоотвода PIiiMaKC’~ (7П —Рк,и.макс'"^н,макс/1^’ где А— коэф-
фициент, определяемый из графиков.
При Гх-+50...+ 100°С для 2Т842А1, 2Т842Б1 Р„ макс снижается линейно на 0,24 Вт/°С
с теплоотводом и на 8 мВт/°С без теплоотвода при 7—+25...+100 °C.
Пайка выводов допускается пе ближе о мм от корпуса транзистора.
Выходные характеристики
Зона возможных положений зависимо-
сти напряжения насыщения коллек-
тор — эмиттер от тока базы
Зависимость напряжения насыщения
коллектор — эмиттер от тока кол-
лектора
Зависимость напряжения насыщения
база — эмиттер от тока коллектора
Зона возможных положений завися
мосги пробивного напряжения кол-
лектор — эмиттер от сопротивления
база — эмиттер
Зависимость емкости коллекторного
перехода от напряжения коллек-
тор — база
иа возможных положений завнеи-
_ти статического коэффициента пе-
редачи тока от тока эмиттера
231
Области максимальных режимов
Зависимость коэффициента К от длительности импульса
Области максимальных
режимов
235
КТ851 (А, Б, В)
КТ851(А-В)
Транзисторы кремниевые планарные
структуры р-п-р усилительные. Предназна-
чены для применения в усилителях мощ-
ности, переключающих устройствах. Кор-
пус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
l/KS=10 В, /к —0,5 А:
К1851Л.......................................... 40 200
КТ851Б, КТ851В, не менее........................20
Граничное напряжение при /е = 30 мА, /„^300 мкс,
100, не ыенее:
КТ851А................. ........................ 200 В
КТ8э1Б................................. . . 250 В
КТ851В ............................ . . 150 В
Напряженно насыщения коллектор — эмнттср при /к =
=0,5 А, /в=0,1 А, не более . 1 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при 1К = 0.5 А,
/е=0,1 Л, нс более . . .... . 1,6 В
Обратный ток коллектора при ие более:
КТ851А...................................... ... 100 мкА
КТ851Б, КТ851В ... ... 500 мкА
Обратный ток эмиттера при 1/ь»=5 В, не более:
КТ851А ... ...................100 мк.А
КТ851Б, КТ851В.................................. 500 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база при
(dUKI;ldt) макс 250 В мкс:
КТ851Л . . ............................. 250 В
КТ851Б ......................................... 300 В
КТ851В ... .........................180 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
^1 кОм, (й1/т:э/</0лОЖС<250 В/мкс:
КТ851А .... ....... 200 В
КТ851Б ................................ 250 В
КТ851В . . .........................150 В
Постоянное напряжение база — эмиттер.......5 В
Постоянный ток коллектора . .... 2 А
Импульсный ток коллектора при ь,<2 мс, Q:>2 . 3 А
Постоянный ток базы ... ... 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с тепло-
отводом при Тк= — 60. .4-25 °C ... . 25 Вт
236
Продолжение
Температура р-п перехода..............................+ 150сС
Температура окружающей среды..........................—60 °С...Тк =
= + 100 °C
Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов не ближе 2,5 мм от
корпуса под углом 90° радиусом закругления не менее 0,8 мм. Прн этом долж-
ны приниматься меры, исключающие передачу усилий на корпус. Изгиб выво-
дов в плоскости выводов не допускается.
Папка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса при
температуре не более + 260сС в течение не более 3 с. Допускается пайка вол-
ной припоя при температуре не более +240°C.
Запрещается припайка основания транзисторов к iеплоотводу.
Зависимость обратного тока коллек-
тора от температуры
Входные характеристики
-60 -М ~20 0 20 10 60 80 (00 Т, ь
Зависимости статического коэффици-
ента передачи тока от тока коллек-
тора
Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от температуры
237
Зона возможных положе-
ним зависимости напряже-
ния насыщения коллек-
тор— эмиттер от тока кол-
лектора
Зона возможных положе-
нии зависимости напряже-
ния насыщения база
эмиттер оттока коллектора
Зависимости времени включения вы-
ключения и рассасывания от тока
коллектора
Зависимость максимально допустимой
постоянной рассеиваемой мощности
коллектора от температуры корпуса
238
Области максимальных режимов
КТ852 (А, Б, В, Г)
Транзисторы кремниевые планарные
структуры р-п р переключательные.
Предназначены для применения в уси- i
литслях и переключающих устройствах.•»'
Корпус пластмассовый с жесткими вы-
водами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
КТ852(А~Г)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Uxe=4 В, не менее:
/к=2 А........................................... 500
/и=1 А................................. . . 1000
Граничная частота коэффициента передачи тока при
Uкб~5 В, /э=0,5 А, не менее........................7 МГц
Граничное напряжение при /э=0,03 А, ие менее:
КТ852А ... ..................... . . 100 В
КТ852Б..........................................80 В
КТ852В................. ........................60 В
КТ852Г . . ... 45 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к =
=2 А, /е=8 мА, не более . 2,5 В
Время включения при Ukb — ЗО В, /«—2 А, 8 мА,
не более ... ... . 26 мкс
Время выключения при UKB 30 В, ht 2 А, 1Б 8 мА,
не более..................................... 4,5 мкс
239
Обратный ток коллектора при Плв=^кв.«1а>|г, не более
Обратный ток коллектор — эмнтгер по более:
при (7кв=50 В для КГ852А .............
при Uкв=4( В для КТ852Б..........................
при Око=30 В для КТ852В .........................
Обратный ток эмиттера при Uon=5 В, не более
Емкость коллекторного переход? прн Уг,а=5 В, f=
= 100 кГц, не болзе . . . . . .
Емкость эмнттерного перехода при С0В“-1,5 В, f—
= 100 кГц, не более .... . . . . .
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряженье коллектор — Сади, коллектор —
эмиттер при /?0.С1 кОм:
КТ852А . . ............. ...
КТ852Б ...................... ..................
КТ852В.....................................
КТ852Г..........................................
Постоянное напряжение база—эмиттер..................
Постоянный ток коллектора...........................
Импульсный ток коллектора при /и^10 мс, 100
Постоянный ток базы.................................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7’к =
= -60...+25 °C:
без теплоо вода 1 .............
е теплоотводом . ... . .
Температура р-п перехода............................
Температура окружающей среды........................
Продолжение
1 мА
2 мА
2 мА
2 мА
2 мА
28 пФ
63 иФ
100 В
80 В
60 В
45 В
5 В
2 А
4 А
50 мА
2 Вт
50 Вт
+ 150 °C
- 60 °С..7\ =
= + 100 °C
1 При Г>+251’С Рк мякс снижается линейно на 0,15 Вт/"С.
Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов не ближе 2,5 мм от
корпуса под утлом 90° радиусом закругления ие менее 0,8 мм. При этом
должны приниматься меры, исключающие передачу усилий на корпус. Изгиб
выводов в плоскости выводов не допускается.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора прн
температуре не более +260 °C в течение не более 3 с. Допускается пайка вол-
ной припоя при температуре не более +2-10 °C.
Запрещается припайка основания транзисторов к теплоотводу.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Входная характеристика
Зависимость максимально допустимой
постоянной рассеиваемой мощности
коллектора от температуры корпуса
240
Зависимости статического коэффи-
циента передачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость статического коэффи-
циента передачи тока от напряже-
ния коллектор — база
Зависимости напряжения насыщения
коллектор — эмиттер от тока коллек-
тора
Зависимости напряжения насыщения
база — эмиттер от тока коллектора
Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмиттер от температуры
16 Заказ К" 1001
241
КТ852(А~Г)
1"-2А 7б °8мА
75 SO -25 О *25 *50 *75 *100 725 Г °C
Зависимость напряжения насыщения база — эмиттер от температуры
Области максимальных режимов
КТ853 (А, Б, В, Г)
ктва(л-г)
Транзисторы кремниевые планарные
структуры р-п-р переключательные.
Предназначены для применения в уси-
лителях и переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими вы-
водами.
Масса транзистора не белее 2,5 г.
242
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн
Ui;a~ 3 В, 1к=3 А, не менее . 750
Граничная частота коэффициента передачи тока при Uki; —
=5 В, 7к=0,5 А, не менее . . ... 7 МГц
Граничное напряжение прн 1д — 0,1 А, ие менее:
КТ853А . . ... 100 В
КТ853Б . . 80 В
КТ853В ... 60 В
КТ853Г..............................................45 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при 7к=ЗЛ,
/1:=0,012 Л, ие более................................... 2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /и=3 Л,
/в=0,012 А, не более.............................. . 2,5 В
Время включения при С/кэ=30 В, /к=3 А, /в=0,012 Л,
не более............................................0,78 мкс
Время выключения при 1/кэ=30 В, 1«=3 А, /в=0,012 А,
не более................ ...........................5,8 мкс
Обратный ток коллектора при С/кв = С/кс,..икс, не более 200 мкА
Обратный ток коллектор—эмиттер при f>K3 = 50 В, не
более .... ................ 500 мкА
Обратный ток эмиттера при Г7вэ=5 В, не более . . . 2 мА
Емкость коллекторного перехода при UkE=5 В, f=
—100 кГц, не более .... .... 120 пФ
Емкость эмиттер юго перехода при 1/вэ=1,5 В, f=
— 100 кГц, ие более ......................860 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база коллектор —
эмиттер при /?бэ^1 кОм.
К.Т853А.....................................
КТ853Б.........................................
КТ853В
КТ853Г.........................................
Постоянное напряжение база—эмиттер ....
Постоянный ток коллектора .... . . .
Импульсный ток коллектора при /и^10 мс, Q>100
Постоянный ток базы............................ . .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк =
= -60...+25 °C................................... .
Температура р п перехода ...........................
Температура окружающей среды ....
100 В
80 В
60 В
45 В
5 В
8 А
12 А
200 мА
60 Вт
+ 150 °C
-60 °Т ,.ТК =
= + 100 °C
Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов ие ближе 2,5 мм от
корпуса под углом 90° радиксом закругления ис менее 0,8 мм При этом долж-
ны приниматься меры, исключающие передачу усилий па корпус. Изгиб выво-
дов в плоскости выводов не допускается.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса при
температуре не более +260 °C в течение не более 3 с. Допускается пайка вол-
ной припоя при температуре не более +240 °C
Запрещается припайка основания транзистора к теплоотводу.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
16*
243
Зависимости времени спада, расса-
сывания и включения от тока кол-
лектора
Входная характеристика
Зависимости статического
коэффициента передачи то-
ка от тока коллектора
Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
корпуса
Зависимости напряжения насыщения
база — эмиттер ог тока коллектора
244
M<S н« ®
Зависимости напряжения насыщения
коллектор — эмиттер от тока кол-
лектора
Зависимости напряжения насыщения
база — эм ггтер от тока базы
Зависимости напряжения
насыщения коллектор —
эмиттер от тока базы
Зависимость напряжения насыщения
коллектор — эмипер or температуры
Области максимальных режимов
Зависимость напряжения насыщения
база — эмиттер от температуры
245
НТ855 (А, Б, В)
А'Т855(А~В)
Транзисторы кремниевые эпитакспаль
но-планариые структуры р-п-р усилитель-
ные. Предназначены для применения в
преобразователях, линейных стабилизато-
рах напряжения. Корпус пластмассовый с
жесткими выводами.
Масса транзистора не ботее 2,5 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Ukr “4 В, !к~2 А, не менее:
КТ85оА, КТ855Б...................................20
КТ855В . .................... ... 15
Граничное напряжение при /э=0,05 А, £.= 160 мГн, не
менее"
КТ855Т ................................. 200 В
КТ855Б, КТ855В...................................150 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн 1к~2 А,
/г=0,4 А, ие более . . ... . . 1 В
Обратный ток коллектора при Uke=Uke .«акс, не более:
КТ855А, КТ855В...................................1 мА
КТ855Б . . . .... 0,1 мА
Обратный ток эмиттера прн 1/Ля=5 В, не более:
КГ855.А, КТ855В..................................5 мА
КГ855Б . .................................0,1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор— база, коллектор —
эмиттер прн 10 Ом:
КТ855А . ................................. 250 В
КГ855Б, КТ855В ... .... 150 В
Постоянное нан[ яжепие база - эмиттер................ 5 В
Постоянный ток коллектора ............. 5 А
Постоянный ток базы . ... I А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7\ =
= 40...+25°С:
с теплоотводом . . . 40 Вт
без теплоотвода.............................. ... I 2 Вт
Температура р-п перехода ... ... +150 еС
Температура окружающей среды . . . —40‘,С...Тк =
+100 °C
Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов не ближе 2.5 мм от
корпуса иод углом 90° радиусом закругления не менее 2,5 мм. При этом долж-
246
ны приниматься меры, исключающие передачу усилии на корпус Изгиб выво-
дов в плоскости выводов не допускается.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса при
температуре не более +260 °C в течение не более 3 с или при температуре
+250 °C в течение не более 5 с. Допускается панка волной припоя при тем-
пературе не более +240 °C.
Запрещается припайка основания транзисторов к теплоотводу.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В
Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от температуры
Зависимости тока эмиттера от на-
пряжения база — эмиттер
Зависимость максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ
пости коллектора от температуры
корпуса
Зависимость .максимально допусти-
мой постоянной рассеиваемой мощ-
ности коллектора от температуры
Зона возможных положений записи
мости статического коэффициента
передачи тока от тока эмиттера
24
Зона возможных поло-
жении зависимости ста-
тического коэффициента
передачи тока от напря-
жения коллектор — база
Зона возможных поло-
женин зависимости по-
стоянного напряжения
коллектор — эмиттер от
сопротивления база —
эмиттер
Зона возможных положении зави-
симости напряжем i насыщения
коллектор — эмиттер от тока кол-
лектора
Зона возможных положении зависи-
мое гн напряжения насыщения ба-
за— эмиттер от тока коллектора
Зона возможных положений записи
мости обратного тока коллектора
от температуры корпуса
248
Зона возможных поло-
жении зависимости на-
пряжения насыщения
коллектор — эмиттер от
тока базы
Зона возможных поло-
жений зависимости на-
пряжении насыщения
база — эмиттер от тока
базы
Области максимальных режимов
Зона
мости
положений за вис ii-
тока коллектора
возможных
обратного
от температуры корпуса
2-19
2Т860 [А, Б, В]
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально планар-
ные структуры р-пр уси
лительныс Предназначены
для применения в усилите-
лях мощности, преобразова
телях. Корпус металличе-
ский со стеклянными изо-
ляторами н гибкими вы-
водами.
Масса транзистора не
более 2 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
77кэ=2 В, /к=1 А
Г=+25°С
2Т860А.........................................40 160
2T860D .... ..................50 200
2Т860В .................... ... 80. 300
и- 19^ °C-
2Т860А ................. 40 200
2Т860Б . . ... . . 50 250
2Т860В....................................... 80 .400
Т=-60’С-
2Т860А..................................... 20 160
2Т860Б.............................. 25 200
2Т860В . . ... 40.300
Граничная частота коэффициента передащ тока в схеме
ОЭ при С/кб=5 В, /э 0,05 А, не менее..............10 МГц
Граничное напряжение при /к-100 мА, нс менее:
2Т860А ..... .... 80 В
2Т860Б.......................................60 В
2TS60B.............................. . . 30 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /К=1А,
/ь=0,2 А, не более................................0,35 В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=1 А, /ь =
=0,2 А не более ...............1,3 В
Время включения при UKj 20 В, 7«=1 А, /в=0,1 А, не
более ... . . .....................0,1* мкс
типовое значение .... 0,025* мкс
Время выключения при иКэ 20 В, 1к I А, /д=0,1 А,
нс более..........................................1* мкс
типовое значение ... . . . 0,2* мкс
Время спада нрн С/Кэ=20 В, /к=1 А, /в = 0,1 А, нс более 0,1 мкс
Обратный ток коллектора при LK1:..W1KC, не более
7 — +2f С ..... . .... 0,1 мА
Т'= + 125°С ... . 3 мА
Обратный ток эмиттера при С/эс=5 В не более . 1 мА
Емкость коллекторного перехода при t/Kn = 5 В, нс более 150* пФ
типовое значение . ................70* Ф
Емкость эмнттерного перехода при С/Кв=5 В, не более 1000 пФ
типовое значение................................... 600 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — ба ia
2Т860А . . ... 90 В
2Т860Б .... ...................70 В
21860В......................................... 40 В
250
П [одолжение
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при R'3^
< 100 Ом;
2Т860А........................... ...
2Т866Б...................... . .
2Т860В
Постоянное напряжение эмиттер — база . . , .
Постоянный ток коллектора.........................
Импульсный ток коллектора ... ...
Постоянный ток базы.....................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк =
= -60 .+25°C:
с теплоотводом ...........................
без теплоотвода .... . . .
Температура р-п перехода . , ....................
Температура окружающей среды
ее в
70 В
40 В
5 В
2 А
4 Л
I Л
10 Вт
1 Вт
+ 150сС
-60 СС..7» =
= + 125сС
При эксплуатации транзисторов необходимо принять меры, исключающие
появление паразитной генерации.
Допустимое значение статического потенциала 1 кВ.
Зависимость максималь- Области максимальных
но допустимой постояв- режимов
пой рассеиваемой мощ
ностн коллектора от
температуры корпуса
Вводные характеристики
Выходные характеристики
Зависимости коэффициента К от
длительности импульса
251
Зависимости напряжений насыще-
нии коллектор — эмиттер и база —
эмиттер от тока коллектора
Зависимости статического коэффи-
циента передачи тока от тока эмит-
тера
Зависимости времени спада от тока
коллектора
КТ865А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры р-п-р импульс-
ный Предназначен для применении в источниках вторичного электропитания,
преобразователях, оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабили-
заторах напряжения. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и
жесткими выводами. Тип прибора указывается па корпусе.
Масса транзистора ие более 20 г.
27,2
70,3
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока и схеме ОЭ при
С//,-1з=4 В, /э=2 мЛ:
Г=+25°С........................................... 40 200
252
Продолжение
7"=+ 125 °C......................................
Г=-60°С..........................................
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ при (7кэ=10 В, /к=0,2 А, не менее................
типовое значение ........................... ...
Граничное напряжение при /к=0,05 А, не меиее
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1к = 6 А,
In=0,6 А, не более..................................
типовое значение ................................
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=6 А,
Л;=0,6 Л, ие более..................................
типовое значение ................................
Обратный ток коллектора при <7кк=200 В:
7=+25 °C.............................................
7 =+ 125 °C......................................
Обратный ток эмиттера прн (7вэ = 6 В, не более
Емкость коллекторного перехода при Uxn—5 В. ие более
Емкость эмнттерного перехода при 1/Вэ=0,5 В, не более
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база прн dUnuldt^
5^200 В/мкс.........................................
Постоянное напряжение коллектор — база прн /?йэ^ЮОм,
dVnalcit^ZW В/мкс...................................
Постоянное напряжение база—эмиттер . . . .
Постоянный ток коллектора ..........................
Импульсный ток коллектора при /и<1 мс, Q^2
Постоянный ток базы............................ ...
Импульсный ток базы при Л, ^1 мс, Q>2 . . . .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк =
= —60..+25 °C:
с теплоотводом 1....................................
без теплоотвода 2................................
Температура р-п перехода............................
Температура окружающей среды........................
40 250
15. 200
15 МГц
20* МГц
160 В
2 В
0,7* В
2 В
1* В
0,1 мА
I мА
3 мА
300* нФ
2000* пФ
200 В
200 В
6 В
10 А
15 А
2 А
4 Л
100 Вт
1,5 Вт
+ 150 °C
—6О°С...7\ =
= +125'С
1 При Г =+25...t25'С Рк снижается линейно до 20 Вт
* к лилс
’ Прн Г=+25...+125'С РК|ЛМ1к<. снижается линейно до 0,3 Вт.
Панка выводов транзистора рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса при
температуре +270 °C в течение не более 3 с, время лужения не более 2 с До-
пускается не более трех перепаек выводов.
Входные характеристики
Зависимость статического коэффициента пере-
дачи тока от тока коллектора прн 1)пз 4 В
253
Зависимости напряжений насыщения коллек-
тор — эмиттер н база — эмиттер от тока кол-
лектора
2Т883 (А, Б)
Транзисторы кремниевые плапар
ные структуры р-п-р переключатель-
ные. Предназначены для применения
в усилителях и переключающих уст-
ройствах Корпус пластмассовый с
жесткими выводами.
Масса транзистора не бо
лее 2,5 г
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Ukl 10 В /э=0,5 А, не менее:
Г=+25°С.........................
Г= + 100 °C........................
Т=_60°С . . .
Граничная частота коэфф| циента передачи тока в схеме
ОЭ при 1/«в=10 В, /з=50 мА, не менее
Граничное напряжение при /к=20 мА, не менее-
2Т883А . .
2Т883Б ................................
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн /к=
=0,5 А, /в=0,1 А, ие более...................
Напряжение насыщения ба (а эмиттер при /к 0,5 А,
/в~0,1 А, не более
Время включения при Ung 40 В, /к=0,2 А, /в=0,02 А
не более ..........................................
типовое значение
25
18
10
20 МГц
250 В
200 В
18 В
1,8 В
0,4* мкс
0,25* мкс
254
П рсдолжение
Время выключения при Пкэ’-'Ю В, /к—0 2 А /в—0,02 А,
не более................................. 5,7* мкс
типовое значение................................ 3,3* мкс
Время рассасывания при Uno = 40 В, /к=0,2 А, /Б=
=0,02 А не более .... . . . . 5,2* мкс
типовое значение . .............. • • 2,8’ мкс
Обратный ток коллектора, не более
прн Т -60. .+25°C:
t//;i: = 300 В для 2Т883А ... ... 0,1 мА
£7ке = 250 В для 2Т883Б .... 0 I мА
пои Г= + Ю0°С:
/7кг=250 В для 2Т883А ... 0,5 мА
/7кв=200 В для 2Т883Б ................0 1 мА
Обратный ток эмиттера при 17еэ=5 Б, нс более ... 0,1 мА
Емкость коллекторного перехода прн Uxr, 5 В не более 70* пФ
типовое значение ... . . 45* пФ
Емкость эмиттерного перехода при (7е.э=0,5 В, не более 650* пФ
типовое значение...................................... 450* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база при dUKrJdl^
<250 В/икс
2Т883А.......................................... 300 В
2Т883Б.......................................... 250 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер при /?«.,<
<100 Ом, й(7кэ/с^<250 В/мкс:
2Т883А .................................... 300 В
2Т883Б ... - ... 250 В
Постоянное напряжение база — эыиггер . . . 5 В
Постоянный ток коллектора.........................1 А
Импульсный ток коллектора.........................2 Л
Постоянный ток базы...............................0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при Гк =
= -60...+25 °C:
с теплоотводом........................................ 10 Вт
без теплоотвода.....................................1 В г
Температура р-п перехода .... ... +150сС
Температура окружающей среды . ............— 60СС. —
1 При Г_=-+25 .+ 100'С — снижается линейно на 0,08 Вт/'С с тсплоотнодом
и ни 8 мВт/сС без теплоотвода
Допускаются обрезка выводов транзисторов не ближе 6 мм от корпуса и
одноразовый изгиб выводов на угол не более 90° от первоначального положе-
ния в плоскости, перпендикулярной основанию корпуса, и не ближе 5 мм от
корпуса с радиусом изгиба не менее 1,5 мм. Прн этом должны приниматься
меры, исключающие передачу усилия на корпус.
Расстояние от корпуса до места лужения и пайки не менее 5 мм При
одновременной пайке теплоотводящей поверхности и выводов транзистора пай-
ку осуществлять припоем с температурой гте более -1-260 °C, время пайки не
более 3 с; при раздельной пайке тсплоотводящей поверхности и выводов тран-
зистора пайку осуществлять припоем с температурой не более + 240 С, обшяе
время панки не более 8 с. При этом необходимо применение теплоотвода.
255
Входные характеристики Выходные характерпстк Зависимости папряже-
ки пий насыщения коллек-
тор — эмиттер и база —
эмиттер от тока коллек-
тора
Зависимость статического коэффици-
ента передачи тока от тока эмит-
тера
Зависимость максимально допусти-
мого постоянного напряжения кол-
лектор— эмиттер от conpoiявления
база — эмиттер
Области максимальных режи-
мов
Зависимость коэффициента К от длитель-
ности импульса
256
Раздел четвертый.
Транзисторы биполярные высокочастотные
Транзисторы п-р-п
КТ601Д, КТ601ДМ
Транзисторы кремниевые диффузионные структуры п-р-п усилительные.
Предназначены для применения в радиовещательных и телевизионных прием-
никах. Выпускаются в металлостеклянном (КТ601А) и в пластмассовом
(КТ601АМ) корпусах с гибкими выводами Тип прибора указывается па
корпусе.
Масса КТ601Л не более 2 г, КТ601ЛМ— не более 0,7 г.
Электрические параметры
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при
Uk3—20 В, /э=20 мЛ, не менее:
Т=25 85 С...........................................16
7"=—40°С ... . . .10
Граничная частота прн UKE=20 В, /е=10 мА не менее . 40 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при L/KE=50 В,
/з=6 мА, f=2 МГц, не более ... 15 пс
Емкость коллекторного перехода при t/Kco=20 В, не более 15 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер прн £/кэ=Ю0 В, R^e—
= 10 кОм, не более ... . ... 300 мкА
Обратный ток эмиттера прн 6'аЕо=2 В, не более , . . 100 мкА
17 Заказ N” 1004
257
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база .... 100 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн /?ав=ЮкОм 100 В
Постоянное напряжение эмиттер — база........................ 2 В
Постоянный ток коллектора ..................................30 мА
Постоянный ток базы . ..............30 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
без теплоотвода, Т=+55°С н 7'к=+75сС , . . . 250 мВт
с теплоотводом, Тк = +55°С .............. 500 мВт
Температура р-п перехода.....................................+ 150 °C
Температура окружающей среды ............................—40.+85°C
Изгиб выводов транзисторов КТ601А допускается не ближе 5 мм от кор-
пуса с радиусом изгиба не менее 3 мм. При этом необходимо обеспечить не-
подвижность вывода между местом изгиба и стеклянным изо ятором.
Изгиб выводов транзисторов КТ601АМ допускается под углом че более 90°
в плоскости, перпендикулярной плоскости основания корпуса, и не ближе 3 мм
от корпуса с радиусом изгиба не менее 1,5 мм.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса в те-
чение не более 5 с. Температура пайки не должна превышать +260 °C. При
этом необходимо обеспечить надежный теплоотвод меж iy корпусом транзи-
стора и местом пайки
2Т602 (А, Б), 2Т602 (ДМ, БМ), КТ602 [ДМ, БМ]
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п. Предназначены для
генерирования и усиления сигналов. Транзисторы 2Т602Л 2Т602Б выпускаются
в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами, 2Т602А.М 2Т602БМ,
КТ602АМ, КТ602БМ — в пластмассовом корпусе с жесткими выводами Тип
прибора укатывается на корпусе.
Масса транзисторов 2Т602А, 2Т602Б,
КТ602АМ, КГ602БМ—не более 1 г.
27 6W (А.61.
«о
не бо. ее 5 г, 2Т602АМ, 2Т602БМ,
27 (02 (AM. ОН!
КТ6О2(АМ.БМ)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
й/кв-Ю В, /э=10 мА:
2Т602А, 2Т602АМ, КТ602АМ........................
2Т602Б, 2Т602БМ......................... . . .
КТ602БМ, не менее . . ... . .
2Т602А, 2Т602АМ прн Т= -60 °C, КТ602АМ прн 7=
=—45 °C
2Т602Б, 2Т602БМ прн Г--60 °C ...................
20.. .80
50. .200
50
5...80
12. 200
258
2Т602Л, 2Т602АМ. при 7= +125°C. КТ602АМ при Т=
= +85 °C.................................... 50...500
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ при 7/кз = 10 В, /к=25 мА, не менее . . 150 МГц
Граничное напряжение при /э = 50 мА, не менее . . 70 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при =
=50 мА, /б=5 мА, не более............................. ЗВ
Напряжение насыщения база—эмиттер при 7я=5О мА,
1г. = 5 мА, не более . ... ЗВ
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой ча
стотс при Скл=10 В, /к—10 мА, f=2 МГц, не более . 300 нс
Емкость коллекторного перехода при 7/кьо = 50 В, нс более 4 пФ
Емкость эмнттерного перехода при £/Обо=0. не более . 25 пФ
Обратный ток коллектора прн йксо= 120 В, не белее:
2Т602А, 2ТГ.02Б, 2Т602ЛМ, 2Т602БМ .10 мкА
КТ602АМ, КГ602БМ . ................70 мкА
Обратный ток коллектор — эмиттер при С/кэ=100 В,
1<эб»10 Ом, не более:
2Г602А, 2Т602Б, 2Т602ЛМ, 2Т602БМ....................10 мкА
KTG02AM, КТ602БМ ............ 100 мкА
Обратный ток эмиттера при Г/аьо = 5 В, не более . . 50 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.
2Т602\, 2Т602В. 2Т602ЛМ, 2T602B.W
7„=+100°С...........................................120 В
Г„- + 150°С....................................60 В
КТ602ЛМ, КТ 3025x4:
Г„^+70°С................................... ... 120 В
Т„= + 120°С . . . . ..............60 В
Импульсное напряжение коллектор — база
2Г602А, 2Т602Б, 2Т602ЛМ 2Т602ЕАГ
Гп= + 100°С ... ...................160 В
Тп— + 150 °C.......................................80 В
КТ602>\4, КТ602БМ при Г„=+70°С.....................160 В
Постоянное напряжение коллектор -эмиттер при /?<ь =
= 1 кОм:
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602А.4, 2Т602БМ
7’„= + Ю0°С . . .... . 100 В
Т'„= + 150°С.......................................50 В
КТ602АМ, КТ602БМ:
ТпС+70°С......................................... 100 В
7'п= + 120°С .... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер — база.................... 5 В
Постоянный ток ко; лектора 75 мА
Импульсный ток коллектора при мкс . . . 500 мА
Постоянный ток эмиттера . . . .... 80 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
бе. теплоотвода:
7^+25 °C...........................................0,85 Вт
Т +125 °C 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602Б.4 . 0,16 Вт
7=+85 °C КТ602Л.4, КТ602Б4 . . . 0,2 Вт
с теплоотводом:
7xj£+25°C . . ................2,8 Вт
7м = + 125°С 2Т602А, 2Т602Б 2Т602АМ 2Т602БМ 0,56 Вт
7х=+85°С КТ602АМ, КТ602ВМ ... . 0,65 Вт
Тепловое сопротивление.
переход — корпус ...............................45 °СВт
переход — окружающая среда......................150°С/Вт
17*
259
Продолжение
Температура р-п перехода:
2Г602Л 2Т602Б, 2Т602.АМ, 2Т602БМ......................+150 °C
К.Т602АМ, КТ602БМ.....................................+120 °C
Температура окружающей среды . . . —60 .+ 125°C
Изгиб выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса с ра-
диусом изгиба не менее 1,5 мм для 2Т602А, 2Т602Б. Для 2Т602АМ, 2Т602БМ
КТ602АМ, КТ602БМ допускается одноразовый изгиб при тех же условиях.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса при
температуре не выше +260°C в течение не более Ю с для 2Т602А 2Т602В не
6a.ee 3 с для 2Т602АМ 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ.
2Т603 (А, Б, В, Г, И), КТ603 [А, Б, В, Г, Д, Е)
Транзисторы кремниевые эпнтаксиально-плапарные структуры пр-п. Пред-
назначены для применения в импульсных и переключающих высокочастотных
устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1,75 г.
2Т603/А И), кт603/А EI
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:
прн Ukt,=2 В:
2Т603А, 2Т603В, КТ603Д . . . 20.80
КТ603А, КТ603В . . Ю..80
2Т603Б, 2Т603Г........................... 60 ..180
КТ603Б, КТ603Г, не менее . 60
КТ603Е ... . . . .60 ..200
прн /э=350 мА для 2Т603И, не менее .... 20
типовое значение ...................................... 50*
прн Т= — 60 °C, /а =150 мА:
2Т603А, 2Т603В . . 8 .80
2Т603Б, 2Т603Г........................................20 .180
2Т603И, не менее . .......................8
прн Т- -1-125 °C /а =150 мА
2Т603А 2Т603В . ...........................20.180
2Т603Б, 2Т603Г................................ .... 60 400
2Т603И, не менее . . . . 20
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ
при 4/ке=10 В, /э=30 мА, не менее .... 200 МГц
типовое значение................................ . 170* МГц
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер:
прн /к = 150 мА, /в=15 .мА
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т 603Г, не более . . . 0,8 В
типовое значение.....................................0,2* В
260
Продолжение
КТ603Л. КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е,
не более .... ... 1 В
прн /к=350 мА, /в=50 мА для 2Т603И, не более . 1,2 В
Напряжение па ыщспия база — эмиттер:
при /к=150 мА. 1и 15 мА:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, КТ603А, КТ603Б,
КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, не более . . . 1.5 В
типовое значение......................................0 9* В
при /к=350 мА, / =50 мА 2Т603И, не более ... 1.3 В
типовое значение................. ....................1* В
Время рассасывания при /к=150 мА /в=15 мА
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В. 2Т603Г. 2Т603П, не более . 70 нс
типовое значение .... .................40* нс
КТ603Л, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТЬОЗЕ,
не более . ..................... . 100 нс
Постоянная времени цепи обратной связи па высокой частоте
при £Лкх,= 10 В, /э = 30 мА, f=5 МГц, не более . . . 400 пс
типовое значение......................................25* пс
Емкость коллекторного перехода прн Пке=10 В f=5 МГц,
не более ... . . 15 пФ
типовое значение ... . . 31 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Uan~0, f=5 МГц, ие
более .....................................40 пФ
типовое значение . . ........................35* пФ
Обратный ток коллектора, не более:
прн Г= 1-25 °C и (./к(,о = 30 В:
2Т603А, 2Т603Б. 2Т603И...............................3 мкА
КТ603А, КТ603Б...................... . . . 10 мкА
при £/кьо=15 В
2Т6ОЗВ, 2Т6ОЗГ .... ..............3 мкА
КТ603В, КТ603Г ... ... . . 5 мкА
прн Ukbo— 10 В для КТ603Д, КТ603Е..................... 1 мкА
при 7=+ 125 °C к 4/кг.о-24 В для 2Т603А, 2Т603Б,
2Т603И .... . 60 мкА
при Ukbo— 12 В для 2Т603В, 2Т603Г.....................60 мкА
Обратный ток эмиттера, нс более:
при Uar.o = 3 В:
2Т603А, 2Т603Б. 2Г603В, 2Т603Г, КТ603А, КТ603Б,
КТ603В, 1П603Г, КТ603Д, КТ603Е.......................3 мкА
при Usi.o—4 В для 2Т603И . 3 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база и коллектор —
эмнттер при /?б^=1 кОм:
Тп +70 °C:
КТ ЮЗА, КТ603Б.......................................30 В
КТ603В, КТ603Г ... ... 15 В
КТ603Д, КТ603Е . ... 10 В
Т„ +100 °с-
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И .................30 В
2Т603В, 2Т603Г ... ... 15 В
7«-= + 120°С:
КТ603А, КТ603Б ... ............. 15 В
КТ603В, КТб . ... 7,5 В
КТ603Д, КТ603Е . ................. 10 В
Тп 1-125 С:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И . .................24 В
2Т603В, 2Т603Г ..............................12 В
261
П родолжение
Г, = + 150 4
2Т603А, 2Т603Б, 2Г603И .......
2Т603В, 2Т603Г....................... . . .
Напряжение эмиттер — база
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г....................
2Т603И прн Г„ = +70сС . ....................
2Т603И прн Л. = +125 °C ..........................
Постоянный ток коллектора...............................
Импульсный ток коллектора при А, ^10 мкс, Q=10
Постоянная рассеиваемая мощность:
при 'Г=+50сС ... .
при Т=+85СС для КТ603Л, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г,
КТ603Д КТ603Е и Г=+125 С для 2Т603А, 2Т603Б.
2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И ........................
Тепловое сопротивление переход — среда..................
Температура р-п перехода.
2Т603А, 2T603D. 2Т603В, 2Т603Г, 2Т6ОЗГ1
КТ603А. КТ603Б, KT60SB. КТ603Г, КТ603Д. КТ603Е
Температура окружающей среды:
2Т603А, 2Т603Б. 2Т603В. 2Т603Г, 2Т603И
КТ603А. КТ603Б, КТ603В. КТ603Г. КТ603Д КТ603Е
18 В
9 В
3 В
4 В
3 В
300 мА
600 мА
0,5 Вт
0,12 Вт
200 сС/Вт
+ 150сС
+ 120 °C
-60...+ 125 “С
-40. +85 СС
Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода транзистора 3 мм.
Не допускается панка выводов ближе 5 мм от корпуса Пайку выводов до-
пускается производить ие более 10 с при температуре не более +270°C с теп-
лоотводом между корпусом и местом панки.
Запрещается кручение выводов вокруг оси.
КТ604 (А, Б), КТ604 (AM, БЫ)
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п. Предназначены
для применения в операционных усилителях, видеоусилителях и генераторах
разверток. Транзисторы КТ604А, КТ604Б выпускаются в металлостеклянном
корпусе с гибкими выводами, КТ604ЛМ, КТ604БМ — в пластмассовом корпусе
с жесткими выводами. Тип прибора указывается па корпусе.
Масса транзисторов в металлостеклянном корпусе не более 5 г, в пласт-
массовом — не более 1 г.
262
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
UKu 40 В, /э=20 мА:
КТ604А, КТ604АМ .... . . 10.. 40
КГ604Б, КТ604БМ ................. 30.120
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ
при 4/Кь=40 В, /э = 20 мА, не менее 40 МГц
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=20 мА,
/в=2 мА, не более ... 8 В
Емкость коллекторного перехода при Мкг,—40 В, f—2 МГц,
не более..................... . • -7 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Ubb—0, f=2 МГц,
не более . ...................... ... 50 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер при (7кз = 250 В. ие более 20 мкА
Обратив й ток эмиттера прн Uer>=5 В, не более . . 50 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
при ГС+ 100 °C..................................... ... 300 В
при Г- + 150 °C . . 150 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер при /?о,= 1 кОм:
при 75g;+ 100 °C . . . .................... 250 В
при Г= + 150°С . . ......................125 В
Постоянное напряжение эмиттер — база:
при -t-100 °C.........................................5 В
при 7"=+ 150 °C....................................2.5 В
Постоянный ток коллектора ... ,. . 200 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
без теплоотвода1
7 +£+25 °C ... ... . . .’ 0.8 Вт
Т— + 100 °C............................. 0 53 Вт
с теплоотводом:
T\s£+25°C........................................3 Вт
7К —+ 100°С .................................1,25 Вт
Тепловое сопротивление
переход — корпус..................................... . 40’С/Вт
переход — окружающая среда ... . 150’СУВт
Температура р-п перехода +150 °C
Температура окружающей среды и корпуса.................—60...+ 100 °C
Изтиб выводов транзисторов в металлостеклянном корпусе допускается не
ближе 5 мм от корпуса с радиусом закругления не менее 3 мм. При этом
должны быть приняты меры предосторожности, обеспечивающие неподвижность
вывода между местом изгиба и стеклянным изолятором.
Изгиб выводов транзисторов в пластмассовом корпусе допускается под
углом не более 90° в плоскости, перпендикулярной плоскости основания кор-
пуса транзистора, и не ближе 3 мм от корпуса транзистора с радиусом изгиба
не менее 1,5 мм
При монтаже допускается пайка выводов ие ближе 5 мм от корпуса Пай
ку следует производить в течение ие более 10 с, температура паяльника ие
должна превышать +260°C. Необходимо осуществлять теплоотвод между кор-
пусом и местом папки
КТ605 (А, Б), КТ605 (AM, БМ)
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р п. Предназначены
для применения в усилителях, импульсных н переключающих выхжочастотпых
устройствах Выпускаются в металлостсклянном (КТ605А, КТ605Б) с гибкими
263
выводами в пластмассовом (КТ605АМ, КТ605БМ) корпусах с жесткими вы-
водами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 2 г, в пласт-
массовом — не более 1 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
/о = 20 мА, С'кс = 40 В:
КТ605А, КТ605АМ.................................... 10 40
КТ605Б, КТ605БМ.....................................30 120
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ прн £/кэ=40 В, /э=20 мА, не менее....................40 МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при 1К~
= 20 мА, /в=2 мА, не более...........................8 В
Емкость коллекторного перехода при Ukf.o— 40 В, f =
= 2 МГц, не более....................................7 пФ
Е жость эмнттерного перехода прн Uar,o—0 В, f=2 МГц,
не более . .................... ... 50 пФ
Обратный тек коллектор — эмиттер прн £/Ks=250 В, не
более................................................. 20 мкЛ
Обратный ток эмиттера нрн £/эко = 5 В, не более . 50 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
при Г= + ЮОСС......................................... 300 В
при Г= + 150 °C . . . ................150 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер нрн Rt^=
— 1 кОм:
нрн 7=+100 °C ....................... 250 В
при Г= + 150гС.....................................125 В
264
Продолжение
Постоянное напряжение эмиттер — база:
при Г= + 100°С ....................... 5 В
при 7'= +150 °C.....................................2,5 В
Постоянный ток коллектора...........................100 мА
Импульсный ток коллектора ..... 200 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Г=+25°С .............................0,4 Вт
при Г= + 100°С...................................0,17 Вт
Тепловое сопротивление переход — среда..............ЗОО^сС;Вт
Температура р-п перехода............................+ 150 С
Температура окружающей среды........................— 40...+ 150 °C
Изгиб выводов допускается под углом ие более 90° в плоскости, перпен-
дикулярной плоскости основания корпуса, и не ближе 3 мм от корпуса с ра-
диусом изгиба не менее 1,5 мм.
Прн установке транзистора на печатную плату с шагом координатной сетки
2,5 мм допускается одноразовая формовка выводов с их разводкой для сов-
мещения с монтажными отверстиями (контактами).
При изгибе и формовке выводов необходимо применять специальные шаб-
лоны, а также обеспечивать неподвижность выводов между местом изгиба и
корпусом транзистора. Кручение выводов вокруг оси не допускается.
Пайка выводов допускается нс ближе 5 мм от корпуса транзистора в те-
чение не более 5 с. Температура паяльника не должна превышать +260 СС.
При пайке должен быть обеспечен надежный теплоотвод между местом пайки
и корпусом транзистора.
2Т608 (А, Б|, КТ 608 (А, Б)
Транзисторы кремниевые
эпитаксиально планарные струк-
ту ры при переключательные.
Предназначены для примене-
ния в быстродействующих им-
пульсных и высокочастотных
устройствах Выпускаются в
металлостсклянном корпусе с
гибкими выводами Тип прн
бора указывается па боковой
поверхности корпуса.
Масса транзистора не бо-
лее 2 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
С'ке=5 В, /э = 200 мА:
2Т608А при Г=+25°С ....................
типовое значение ................
Т=-60 °C . .................
Т +125 °C .......................
2Т608Б при Г +25 °C........................
типовое значение . ...........
7 = -60 °C.......................
Т=+125°С.........................
КТ608А при Г=+25°С . . . .
Т=- 45 °C........................
7 = +85 °C.......................
25..80
45*
10.. .80
25...200
50 .160
85*
20 160
50...300
20 80
7..80
20. 200
265
Продолжение
К1608Б при 7 = +25°С...................... . 40...160
7=-45 °C . . ... 15... 160
Т=+85°С ... 40.350
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при £/кэ = Ю В, /к=30 мА. /= 100 МГц, не менее . 2
тн ювое значение 4,5*
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер нри /к =
=400 мА, Л,=80 мА, не более 1 В
типовое значение . 0,4* В
Напряжение насыщения база—эмиттер при 1к~ 400 мА,
/б=80 мА, не более . ... 2 В
типовое значение . 1* В
Время рассасывания прн /к=150 мА, /б| = /б2 = 15 мА:
2T608A, 2Т608Б, не более ... . . 100 нс
типовое значение ... . 45* нс
KT608A, КТ608Б, не более ... 120 нс
Емкость коллекторного перехода при С'кьэ—10 В. не
более ... .............. 15 i Ф
типовое значение . . . . 8* нФ
Емкость эмиттерного перехода при 6/эво=0, не более . 50 пФ
Обратный ток коллектора не более:
при / = +25°C, 6/кбо = 60 В .10 мкА
при 7=+ 125 °C. £/кбо = 45 В для 2Т608А. 2Т608Б . 80 мкА
Обратный ток эмиттера при //эво=4 В, не более . . 10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?^ =
-1 кОм:
2Т608А, 2Т608Б:
7„=—60... + 100 °C . . ... 60 В
7„= + 125°С . .......................45 В
Тп= 150 °C.................................. 30 В
КТ608А, КТ608Б
Тп= 45... + 70°С ............. . . 60 В
Т„= + 120°С.................................. . • ) В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при /?,«=
1 кОм, /„^10 мкс <2^2-
2Т608А, 2Т608Б-
7„=-60..+100°C.................... . 80 В
Т’„ = + 125°С . . .................... 65 В
7„ = + 150°С ................ . . 40 В
КТ608А, КТ608Б
Т„=- 45...+70 °C............................. 80 В
Л. = +120°С . .......................40 В
Постоянное напряжение коллектор — база:
21608А, 2Т608Б.
Т„=-60 .+ 100 °C...............................60 В
Тп- + 125°C ...................................45 В
Тп +150 °C ....................................30 В -
КТ608А, КТ608Б.
Тп -45.-с70°C..................................60 В
Т„- +120°С ..... ... 30 В
Импульсное напряжение коллектор — база при /и^Ю мс,
О>2:
2Т608А, 21608Б:
/’„=-60.+100 °C ..................................80 В
7„ = + 125°С ... . . . . 65 В
7„ = +150°С....................................40 В
266
Продолжение
КТ608Л, КТ608Б-
Т„ = -45. +70 °C ........................
Л, = + 120сС ....................
Постоянное напряжение эмиттер — ба а
Импульсное напряжение эмиттер — база при 10 мс,
(?>2..............................
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора при /и<10 мкс, Qi>2
Импульсный обратный ток эмиттера при /„==710 мкс, Q^2
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
2Т608А, 2Т608Б:
Т= -60. .+50 °C ...
80 В
40 В
4 В
8 В
400 мА
800 мА
2 мА
Т- + 125°С
КТ608А, КТ608Б:
Г=-45...+25сС
Т=+85°С .
Тепловое сопротивление перевод — окружающая
Температура р-п перехода:
2' 608Л, 2Т608Б...................
КТ608А, КТ608Б .
Температура окоужаюшей среды:
2Т608.А, 2Т608Б . . . .
КТ608А, КТ608Б . ..............
среда
0,5 Вт
0,12 Вт
0,5 Вт
0,12 Вт
200 °C Вт
+ 150 С
+ 120 СС
-60 +125СС
-45 4 85'С
Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора с ра-
диусом изгиба 1,5...2 мм.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора при
температуре не более +260°C в течение 10 с.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
КТ611 (А, Б, В, Г]г КТ611 (AM, БМ]
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п усилительные.
Предназначены для применения в усилителях н генераторах Корпус КТ611А,
КТ611Б, КТ611В, КТ611Г металлический со стеклянными изоляторами и гиб-
кими выводами, КТ6ПАМ, КТ611 БЛА — пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 5 г, в пластмассо-
вом — не более 1 г.
Л теп л - Г)
267
ЛГ6П1АМ 6М)
Электрические параметры
Статический коэфф тциент передачи юка в схеме ОЭ при
С,гкэ=40 В, /к» 20 мА:
р___Р25 СС_
КТ611А, КТ611В, KTG11AM.....................Ю...40
КТ611Б, КТ611Г, КТ611БМ . .............30... 120
7 =+ 100‘С:
КТ6НЛ, КТ611В, КТ611АМ.....................10...80
КТ611Б, КТ611Г, КТ611БМ .....................30...240
Г=-40°С.
КТ611Л, КГ611В, КТ611АМ ...... 5...4O
КТ611Б, КТ611Г, КТ6ПБМ......................15...120
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
прн (7кв = 40 В, /э=20 мА, f=20 МГц, не менее . 3
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к =
20 мА, 1ц=2 мА, не более.......................... . 0,8 В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой ча-
стоте при С'кь=20 В, /э-20 мА, 1=2 МГц, не более . 200 пс
Емкость коллекторного перехода прн £/дь = 40 В, не более 5 пФ
Обратный ток коллектор — эмиттер при 7/кэ=0/кэ.лшхс,
Rr,.=0, нс более ... • 100 мкА
Обратный ток эмиттера при Ur,g = 3 В, не более . 100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база’:
7’„ = -4О..+ 100 °C:
КТ611Л, КТ611Б, КТ611АМ, КТбПБтМ .... 200 В
КТ6НВ, КГ611Г . ....................180 В
Тп- 4 150°C:
КТ611А, КТ611Б, КТ6ПАМ, КТ611БМ .... 100 В
КТ611В, КТ611Г.....................................90 В
Отстоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при /?йэ=
= 1 кОм:
Т„ —40...+100 °C:
КТ611А, КТ611Б, КТ611Л .. КТ611БМ .... 180 В
КТ6ПВ, КТ 11Г . . 150 В
Т =+ 150 °C’
ПКТ611А, КТ611Б К ТЫ 1 AM. КТЫ1БМ . 90 В
КТ6НВ, КТ611Г ................75 В
Постоянное напряжение база — эмиттер *:
7„--40...+ 100 °C ....................... 4 В
Г„= + 150°С.........................................1.5 В
Постоянный ток коллектора . ... . . 100 мА
1 При лэиышснии температуры л ер с лида ог 7п«* + 100 до Гп— + 150°С напряжение
уменьшается линейно.
268
П родолжение
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
без теплоотвода :
7=+25 °C.......................................
7=+ 100 °C.....................................
с теплоотводом 2:
7„ = + 25°С...................
7„= + 100°С ...
Тепловое сопротивление переход — окружающая среда
Тепловое сопротивление переход — корпус . . . .
Температура р-п перехода ....................
Температура окружающей среды.........................
0,8 Вт
0,33 Вт
3 Вт
1,25 Вт
150°С/Вт
40 °С/Вт
+ 150 °C
-40.. +100 °C
1 При Г=+25...100°С РКл1,ке. Вт-(150-7')'/?у(п_с).
• При Г„-+25...4-ИЮ °C РК'Мак1;. Вт-(150-Г„)’/?Г(п_к).
КТ616 (А, Б)
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально планарные
структуры п-р-п переключа-
тельные. Предназначены для
применения в переключающих
устройствах. Корпус металло-
стеклянный с гибкими вывода-
ми. Тип прибора указывается
на боковой поверхности кор-
пуса.
Масса транзистора не бо-
лее 0,6 г.
*T6!f. ft 61
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1/кэ=1 В, /э = 0,5 А, не менее:
КТ616А . . . ...........................40
КТ616Б .................................25
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к = 0,5 А,
/к=0,05 Л, не более . . . ... 0,6 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к = 0,5 А, /в=
=0,05 А, ие более ... . ..............2 В
Время рассасывания при /к=0,15 А, /в=0,015 А, не более:
КТ616А ................................................50 нс
КТ616Б . 15 нс
Емкость коллекторного перехода при UKco= 10 В. не более 15 пФ
Емкость эмиттерпого перехода при Uano—O, не более . 50 пФ
Обратный ток коллектора прн (7дво=10 В, не более . 15 мкА
Обратный ток коллектор—эмиттер при t/Ka=20 В, /?<;.,=
= 10 кОм, не более.........................................15 мкА
Обратный ток эмиттера при £/ве=4 В, не более . 15 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база ... . 20 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rc^ =
= 10 кОм...................................................20 В
Постоянное напряжение эмиттер— база ..... 4 В
Постоянный ток коллектора .... ... 400 мА
Импульсный ток коллектора при /и=80 нс, 10 . , 600 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т— — 40...+25 °C.................... . . . 0,3 Вт
при Т— + 85 °C.......................................0,25 Вт
269
П родолжение
Тепловое сопротивление переход — окружающая среда . . 260°С/Вт
Температура р-п перехода..................................+150 °C
Температура окружающей среды..............................—60 +85 °C
Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора с ра-
диусом закругления 1.5...3 мм. Запрещается кручение вывода вокруг оси
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора
паяльником, нагретым до +260°C в течение не более 10 с.
КТ617А
Транзистор кремние-
вый эпитаксиально-планарный
структуры п-р-п переключа-
тельный. Предназначен для
применения в переключающих
устройствах. Корпус металло-
стеклянный с гибкими вывода-
ми. Тип прибора указывается
на боковой поверхности кор-
пуса.
Масса транзистора не бо-
лее 0,84 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
О кв—2 В, I» -0,4 А, не меиее . .30
Модуль коэффициента передачи гока на высокой частоте прн
Ukb 10 В, /о 30 мА, /=100 МГц, не менее , 1,5
Напряженно насыщения коллектор — эмиттер при /к =
150 мА, /е=15 мА, не более .................0,7 В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
при Ukb—5 В. 1к~5 мА, f=5 МГц, не более 120 пс
Emkocti коллекторного перехода при Ukb= 10 В. не более 15 пФ
Емкость эмнттерного перехода прн Usb 0, не более . 50 пФ
Обратный ток коллектора ирн Е'Кво=30 В, не более . . 15 мкА
Обратный ток эмиттера прн U9no=^ В, не более ... 15 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . .
Постоянное напряжение коннектор—эмиттер при /?,,=
= 10 кОм . ..........................
Постоянное напряжение эмиттер — база..................
Постоянный ток коллектора.............................
Импульсный ток коллектора при Zu = 80 нс, Q^10
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
прн /'=—40...+25°C ...................................
при Г=+85°С . ..........................
Тепловое сопротивление переход — окружающая среда
Температура р-п перехода..............................
Температура окружающей среды..........................
30 В
20 В
4 В
400 мА
600 мА
0,5 Вт
0,3 Вт
215°С/Вт
+ 150 °C
-40...+85 °C
Из1иб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса тратистора с ра-
диусом закругления 1.5...3 мм. Запрещается кручение вывода вокруг оси.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса
транзистора паяльником, нагретым до +260°C, в течение не более 10 с.
270
КТ618А
Транзистор кремниевый
планарный структуры п-р-п
переключательный. Предназна-
чен для применения в переклю-
чающих устройствах. Выпуска-
ется в металлостеклянном кор-
пусе с гибкими выводами Тин
прибора указывается на боко-
вой поверхности корпуса.
Масса транзистора не бо-
лее 2 г.
6
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Ukb=40 В, /8=1 мА не менее . . 30
Модуль коэффициента передачи тока при /Лсв=40 В, /в =
= 20 мА, /-20 МГц, не менее..............................2
Емкость коллекторного перехода при Ukeo—40 В. не более 7 пФ
Емкость эмнттерного перехода при Ubeo=0, не более . . 50 пФ
Обратный ток коллектор — эмиттер при {7кэ=250 В, /?эв =
= 1 кОм, не более ... ... 50 мкА
Обратный ток эмпгтера при 1/э».о=5 В, не более . . . 100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rjo—l кОм 250 В
Постоянное напряжение коллектор — база.................. 300 В
Постоянное напряжение эмиттер — база....................5 В
Постоянный ток коллектора...............................0.1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора-
при Г=-40...+25 °C.......................................0,5 Вт
при 7"=+85 °C.................................... ... 0,325 Вт
Тепловое сопротивление переход — окружающая с,-еда . . 200°С,'Вт
Температура р-п перехода . . ...................+150 °C
Температура окружающей среды . ................— 10. .+85 °C
Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм ог корпуса транзистора с ра-
диусом закругления 1.5...3 мм Запрещается кручение вывода вокруг осн.
Пайка выводов допускается ие ближе 5 мм от корпуса транзистора паяль-
ником, назретым до +260°C, в течение не более 10 с.
2Т625 (А-2, Б-2), 2Т625 [AM-2, EM-2J, КТ625А, КТ625АМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р п пере-
ключательные. Предназначены для применения в импульсных устройствах гер-
метизированной аппаратуры. Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими
выводами. Тип прибора указывается в эп кетке.
Масса транзисторов 2Т625А-2, 2Т625Б-2, КТ625А (вариант 1) ие более
0,015 г, 2Т625АМ-2, 2Г625БМ-2, КТ625ЛМ (вартант 2) не более 0,01 г.
271
2Г625!А-2, 6-2) КТ625А
2Т 625(АМ 2.6М-2), КТ625АМ
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
прн Uno—) В, /к=500 мА:
2Т625А-2, 2Т625АМ-2 ....................... 30 ..48*.. 120
2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 . . . 20...48*...120
КТ625А, КТ625АМ ................................. 20...200
Модуль коэффициента передачи тока на высокой
частоте при 4/«s=10 В. /к=50 мА, 7=100 МГц . 2 ..3,5*...5,5*
Граничное напряжение при /к=10 мА, Л, —0,
=С30 мкс, Q^50:
2Т625А-2, 2Т625ЛМ-2 ....................... 40. .48*...6О* В
2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 . . ..... 30...37*...54* В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн
/к=500 мА, 1б~50 мА:
I >25А 2, 2Т625АМ 2 ............... 0,35*...0,99*...0,65 В
КТ625а, КТ625АМ не более.........................1,2 В
2Т625Б 2, 2Т625БМ-2 . . . . 0,2*...0,37*. .0,7 В
Напряжение насыщения база—эмиттер прн 1к —
=500 мА, /д=50 мА
2Т625А-2, 2Т625АМ-2 . . . 0,3*...0,95*...1,2 В
2Т625Б-2, 2Т625БМ-2, КТ625А, КТ625АМ . . 0,3*...0,95*...1,5 В
Время рассасывания при /к -500 г. \, /б 50 мА . 15*. 30*. .60 ис
1 мкоегь коллекторного перехода при UItt. 10 В . 5*.. 7*...9 пФ
Емкость эмиттерного перехода при иЭв =0 не более 90 пФ
Обратный ток коллектора при С'кво —60 В, не
более:
7 =-60 .+25°C....................................30 мкА
7=+ 125 °C . . . . 100 мкА
Обратный ток эмиттера прн 17эео=5 В, не более:
7 =—60...+25 °C..................................100 мкА
Т= +125 °C .......................... 200 мкА
Обратный ток коллектор — эмиттер прн Ь'нэ = 60 В,
/Ов=0, нс более......................................60 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
/?,в=5 кОм.....................................40 В
Постоянное напряжение коллектор — база 2ТС25А 2,
21625ЛМ2, 2Т625Б2, 2Т625БМ 2.
при 7х = +100°С......................... 60 В
при Л-+ 125 °C.......................... 45 В
при 7'к = + 85°С для КТ625А, КТ625ЛМ . . (»0 В
Постоянное напряжение эмиттер — база , . . 5 В
272
Продолжение
Постоянный ток коллектора......................
Импульсный ток коллектора прн tu^5 мкс, Q^IO
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
2Т625А-2, 2Т625АМ-2, 2Т625Б-2, 2Т625БМ 2 при
Тк = + 85 °C и КТ625А, КТ625АМ при Тк=
= +70 °C...................................
2Т625А-2, 2Т625АМ-2, 2Т625Б-2, 2Т625БМ 2 при
Тк = - 125 °C и КТ625А, КТ625АМ при Тк
= h85°C
Температура р-п перехода:
2Т625Л-2, 2Т625АМ-2, 2Т625Б 2, 2Т625БМ 2 .
КЮ25А, КТ625ЛМ . ... . .
Температура окружающей среды:
21625А-2, 2Г625АМ-2, 2Т625Б-2, 2Т625БМ 2 .
КТ625А, KTG25AM............................
1 А
1,3 А
1 Вт
0,7 Вт
+ 135 °C
+ 120 °C
—60°С...7’к = + 125с’С
-50 °С,..7к = + 85 °C
Монтаж транзисторов в микросхемы осуществляется в следующем порядке:
место монтажа в микросхеме смачивается флюсом ФКСп, затем укладывается
фольга припоя ПОС-61 толщиной 30 мкм, размером 1.9Х1.9- Допускается нагрев
микросхемы до температуры не выше +200 °C в течение не более 10 с. В мо-
мент пайки транзистор прижимается к месту монтажа пинцетом. Усилие при-
лагается к боковым поверхностям крнсталсодержателя.
2Т630 (А, Б), КТ630 [А, Б, В, Г, Д, Е)
Транзисторы кремниевые пла-
нарные структуры и-р-п усили
тельные. Предназначены для при-
менения в усилителях и импульс-
ных устройствах. Выпускаются
в металлостекляпном корпусе с
гибкими выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора не бо-
лее 2 г.
b.!(J А 6/
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока при 1Лгэ=*
= 10 В, 1к 150 мА:
Т= +25 °C-
Г63ОА, КТ630А, КГ630В, КТ630Г ... 40 120
2Т630Б, КТ630Б, КТ630Д . . . 80 .240
KT630L....................................160.. 480
7 = н 125 °C:
2Т630А....................................30... 150
2Т630В................................ ... 70 ..300
КТ630А, КТ630В. КТ630Г ... 40 240
КТ630Б, К1630Д ............... 80. ..480
КТ630Е................................ ... 120 ..1000
7 = —60 С.
2Т63ОА, К С 0А, КТ630В, КТ630Г . . . 15 120
21630Б, КТ630Б, КГ630Д . ... 30. .240
КГОЗОГ . . . 40...480
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при 7/к=10 В, /к-60 мА, не менее . , 50 МГц
18 Заказ № 1004
273
Продолжение
Граничное напряткеиие:
при /э=Ю0 мА, <300 мкс, (2^200, ие менее:
2Т630Л.....................................
2Т630Б .............................
при 1д = 30 мА, /и <100 мкс, <2^200, не меиее:
КТ630А ....................................
КТ630Б, КТ630В...........................
КТ630Г ...........................
КТ630Д, КТ630Е..................
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/к = 150 мА, /г=15 мА, не более................
Напряжение насыщения база — эмиттер при /и =
- 150 мА, /Е=15 мА, не более
Время включения при ht=200 м\ /Е1=/Ег»40 мА
Время выключения при 1к 200 мА /bi = /«=40 мА
Fmkoctb коллекторного перехода прн С/кво=Ю В,
не более
Емкость эмнттерного перехода при Z79Eo=0,5 В, не
более . . .............................
Входное сопротивление в режиме малого сигнала на
низкой частоте в схеме ОБ при £/ив=10 В, Z9 =
=5 мА.............................
Входное сопротивление ₽ режиме малого сигнала
па низкой частоте в схеме ОЭ при UKS = 10 В, 1к =
=5 мА . . . ...................
Обратный ток коллектор—эмиттер при 0/кэ = 9О В,
/?j6 = 3 кОм для 2Т630А, 2Т630Б, не более
Обратный ток коллектора КТ630Л, КТ630Б, КТ630В
прн l/JtEO-90 В и КТ630Г, КТ630Д КТ630Е при
£/кЕо=40 В, не более...........................
Обратный ток эмиттера при Usno 5 В, не более
90 В
80 В
90 В
80 В
60 В
40 В
0,3 В
1.1 В
0,04*...0,1*. 0,25* мкс
0,08*. .0,2* .0,5* мкс
15 пФ
65 пФ
5*.. 6* .8* Ом
200*...500*... 1200* Ом
1 мА
1 мкА
0,1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
Re-З кОм
2Т630А, 2Т630Б, КТ630Л, КТ630Б . . . . 120 В
КТ630В....................................... 150 В
КТ630Г........................................100 В
КТ630Д, КТ630Е........................60 в
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т630А, 2Т630Б. КТ630А, КТ630Б . . . . 120 В
КТ630В . . ... 150 В
КТ630Г ..........................100 В
КТ630Д, КГ630Е...............................60 В
Постоянное напряжение эмиттер — база
2Т630А, 2Т630Б. КТ630Л КТ630Б, КТ630В 7 В
КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е....................... 5 В
Постоянный ток коллектора . . .... 1 А
Импульсный трк коллектора . . . . 2 А
Постоянный ток базы...........................0.2 Л
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора . 800 мВт
Температура р-п перехода ............+ 150°С
Температура окружающей среды ... —60...+ 125 °C
Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора с ра-
диусом закругления 1,5.2 мм.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора при
температуре ве выше +260 °C в течение не более 3 с.
274
2Т632А, КТ632Б
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планарные
структуры п-р-п. Предназна-
чены для применения в линей-
ных широкополосных усилите-
лях Выпускаются в металло-
стеклянном корпусе с гибкими
выводами. Тип прибора указы-
вается на корпусе.
Масса транзистора нс бо-
лее 1.5 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при (.'г,б—10 В, /я=1 мА, нс менее;
Т +25 .+ 125°C 2Т632Л, Г=+ 25...+85 °C
КТ632Б . ..............
7 =-60 °C 2Т632Л, Г —— 45 °C КТ632Б . .
Модуль коэффициента передачи тока на высокой ча
стоте при 7Л,л=20 В, /0 20 мА, /=100 МГц, не
менее.................................. . . .
Граничное напряжение при /э—10 мА, /„^200 мкс
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер прн
/л-—20 мА, /Б—2 мА. не более . .
Напряжение насыщения эмиттер — база при 1к =
20 мА, /с = 2 мА, не более . . .
Время рассасывания нрн /к = 20 мА, /в(—/ьг 2 мА
Постоянная времени цепи обратной связи на высо-
кой частоте при 1/ке = 20 В, /э=20 мА, [—30 МГц
Емкость коллекторного перехода прн Ukbo=20 В,
не более .... ....................
Емкость эмнттерного перехода при 1/Эбо=0
Обратный ток коллектора при t/WCo= 120 В не
более:
Т= -60...+25 °C 2Т632.А Г=-45 ..+25 °C
КТ632 Б
T= + I25°C 2Т632А. Г=+85°С КТ632Б . .
Обратный ток эмиттера при t/аво 5 В . . .
Обратный ток коллектор — эмиттер при Una— 120 В,
Rjc— 1 кО.м.....................................
50
15
2
120* В
0.5 В
1 В
0.75*... 1,5* . 2* мкс
20*. .50* .100* пс
5 пФ
20*. .30* .50 нФ
1 мкА
10 мкА
100 мкА
100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение коллектор — эмнтгер нрн
/?.,в=1 кОм
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора ... ...
Импульсный ток коллектора при /„^10 мкс, (?>10
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Т= -60.. + 40°С для 2Т632А,7”=—45 +40°С
Для КТ632Б .................................
при Т-ч 125 °C для 2Т632Л, Т-+85°С для
КТ632Б......................
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при
tu~20 мкс, Q 10.
120 В
120 В
5 В
0.1 А
0,35 А
0.5 Вт
0,1 Вт
18;
275
П родолжение
'/=—6О...+4ОСС 2ТС32А, 7'=—45.,+40°С
КТ632Б . . ...................1 Вт
T= + I25CC 2Т632А, 7=+ 85 °C КТ632Б . . 0,2 Вт
Температура р-п перехода ......................+ 150 "С
Температура окружающей среды:
2Т632А .... .................- 6О...+ 125СС
КТ632Б.....................................-45 .+85 "С
Изгиб выводов допускается не ближе
3 мм от корпуса транзистора с радиусом из-
гиба не менее 1,5 мм.
Пайка выводов допускается не ближе
5 мм ог корпуса транзистора при температу-
ре паяльника не более +280 СС к времени
панки вывода не более 3 с.
Области макси (альных режимов
2Т635А, КТ635Б
г? 635а КТ635Б
Тра ыпсторы кремние-
вые эпитаксиально-плапарпые
структуры н-р-п переключа-
тельные. Предназначены для
применения в импульсных и
высокочастотных устройствах.
Выпускаются в металлостек-
лянном корпусе с гибкими вы
водами. Тип прибора указы
вается на корпусе.
Масса транзистора не бо-
лее 3 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при /7кэ_*1 В, /к-500 мА:
2Т635А..........................................
типовое значение ...........................
КТ635Б .....................................
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при б/кэ = 10 В, /к=50 мА:
2Т635А ...................................
КТ635Б, не менее .... . .
типовое значение ...........................
Граничное напряжение при /э=10 мА . , . ,
25 ..150
40
20. .150
250 ..460*. .700* МГц
200 МГц
460* МГц
45.52*...7О* В
276
Продолжение
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/к=500 мА, /в=50 мА:
2Т635А.........................................
КТ635Б, не более............................
Напряжение насыщения эмиттер — база при 1к =
=500 мА, /в=50 мА, не более . . . . .
Время рассасывания при /к=500 мА, /Б1 = /б2=
=50 мА, КТ635Б, не более . . . .
Время выключения прн /к = 500 мА, 7bi = /b2=50 мА:
2Т635А . . ................
КТ635Б, не более............................
Постоянная времени цепи обратной связи на высо-
кой частоте при 7/кв=10 В, /э = 30 мА, [=5 МГц
Емкость коллекторного перехода при £/Кво=10 В,
не более................ ..................
типовое значение ...........................
Емкость эмпттерного перехода при 7/.чво=0, не более
типовое значение . . .
Обратный ток коллекюра прн 1/КВо=60 В, не
более:
2Г635А прн Т= -60... + 25°C . . . .
7— 125 °C......................
КТ635Б . ...........................
Обратный ток эмиттера при 6/аво=5 В, ие более:
2Т635А при 7=-60 +25 °C . . .
7=+ 125 °C . . .
КТ635Б ....
Обратный ток коллектор — эмиттер при UKO=f>0 В,
/?..5=0, не более:
2Т635А...............................
КТ635Б......................................
0,26*.. 0,4*.. 0,5 В
0.9 В
1,2 В
50 нс
35*. 45* . 60 пс
60 пс
7*. 25* ..58*
10 пФ
7,4* пФ
90 пФ
70* нФ
10 мкА
500 мкА
30 мкА
10 мкА
100 мкА
30 мкА
10 мкА
30 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . . 60 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер КТ635Б
при /?,я=0......................................60 В
Постоянное напряжение эмиттер база . . . 5 В
Постоянный ток коллектора.......................1 А
Импульсный ток коллектора КТ635Б . . . . 1,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
2Т635А при 7 =-60...+25 °C и КТ635Б прн
7=— 45...+25 °C .................0.5 Вт
2Г635А при 7=+ 125 °C н КТ635 прн 7 = + 85 °C 0,1 Вт
2Т635А при Тк -60..+25°C....................1,5 Вт
27635А при 7,, = +125 °C . . ... 0,3 Вт
Тепловое сопротивление переход — окружающая срс
да 2Т635А.................................. . . 250 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус 2Т635А 83,3°С/Вт
Температура р-п перехода:
2Т635А . . ....................+150 °C
КТ635А . ... +120 °C
Темпс[ат}ра окружающей среды:
2TG35A.........................................-60°С...7к +125 °C
КТ635А ... ....................-45 °С...7К- +85 °C
Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса транзистора
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм от корпуса прн
температуре не выше +260 °C в течение ие более 10 с.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
277
2T63SA
Транзистор кремние-
вый эпитаксиально-планар-
ный структуры п-р-п. Пред-
назначен для применения в
усилителях и генераторах
высокой частоты. Выпуска-
ется в металлостскляцном
корпусе с гибкими вывода-
ми. Тин прибора указывает-
ся па корпусе.
Масса транзистора не
более 1,5 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока при Е’ке=10 В,
Is=2 мА, не менее:
Г=-60°С . .............................15
Т= +25...+ 125 °C...................................50
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте прн
t/кэ—20 В, /к —20 мА, [ 100 МГц, не менее .... 2
Граничное напряжение при /э 10 мА, не меиее 120 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1к~20 мА,
/г=2 мА, не более ......................... ..05В
Напряжение насыщения эмиттер — база при /к = 20 мА,
/с=2 мА, не более.................................. . 1 В
Постоянная времени цепи обратной свизн на высокой часто-
те при Uks =20 В, /э=20 мА, f=30 МГц . . . . 25* пс
Время рассасывания прн /к=20 мА, /ы=/б2=2 мА . . 1* мкс
Емкость коллекторного перехода при UKco='20 В не более 6 пФ
Емкость эмиттерного перехода прн Ueno 0 . 30* пФ
Обратный ток коллектора при 17ябо=120 В, не более . 0.1 мА
Обратный ток эмиттера при L/sfo—5 В . 10* мкА
Обратный гок коллектор эмиттер при Ukb 60 В, Язв —
= 1 кОм.................... ... 5* мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . 120 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?а«=1 кОм 120 В
Постоянное напряжение эмиттер — база....................5 В
Постоянный ток коллектора:
при Г=-60 +25СС........................................0,1 А
при Т= + 125°С......................................0,05 А
Импульсный ток коллектора при /а^10 мкс, Q&* 10 . 0 35 Л
Постоянный ток коллектора в режиме насыщения . . . 0,1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Т=-60 . + 25 °C .......................0.5 Вт
при Г= + 125°С ... . . . 0,1 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при Zu —
= 10 мкс, Q=10 . ............. . 1 Вт
Температура р п перехода.................................... +156 °C
Температура окружающей среды ... . . 60 +125°C
1 В диапазоне температур 7-+25...+125 ”С мощность снижается линейно на 4 мВт/'С.
278
Изгиб выводов транзисторов допускается
не ближе 3 мм от корпуса с радиусом изгиба
ие менее 1,5 и.м.
Пайка выводов транзисторов допускается
не ближе 5 мм от корпуса при температуре
не выше +280 °C в течение не более 3 с.
Область максимальных режимов
КТ645А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры п-р п. Пред-
назначен для применения в высокочастотных генераторах и усилителях, в бы-
стродействующих импульсных устройствах Выпускается в пластмассовом кор-
пусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается па корпусе
Масса транзистора не более 0,3 г.
КТ5Ъ5А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1/кв=2 В, /э = 150 мА:
Г=+25°С........................................... 20.200
Т’=+85°С...........................................16.240
Г=-45°С . . ......................... 6. .200
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте прн
^кв=10 В, /а=50 мА, f 100 МГц . 2*
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при 1к 150 мА,
Ав = 15 мА, не более . ............. . . 0,5 В
Время рассасывания прн /к=150 мА, /щ=/ь2~15 мА, не
более . . ................................ . 50 нс
Постоянная времени цени обратной связи на высокой частоте
при С'кв=5 В, /8=5 мА, /=5 МГц .... . 120* пс
Емкость коллекторного перехода при Ukl 10 В, не более 5 нФ
Емкость эмиттерного перехода при Uoeo 0, не более . . 50* пФ
279
Продолжение
Обратный ток коллектора при 17кво = 60 В, не более:
Т=—45...+ 25 °C........................................10 мкА
Г=+85СС ... ................100 мкА
Обратный ток эмиттера пр» 17эео = 4 В..................10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . .... 60 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер пр» /?.,<; = 1 кОм 50 В
Постоянное напряжение эмиттер — база...................4 В
Постоянный ток коллектора .... ... 300 мА
Импульсный ток коллектора прн /.,<10 мкс, Q^5 . . . 600 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Г=—45... + 25 °C................... . ... 0,5 Вт
при Г= + 85°С......................................0,25 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при /„<
<10 мкс, Q>5, Г=-45 .+55°С.............................1 Вт
Температура р-п перехода...............................+150сС
Температура окружающей среды...........................—45..+85 “С
Изгиб выводов транзистора допускается не ближе 5 мм от корпуса с ра-
диусом 1.5...2 мм.
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 3 мм ог корпуса при
температуре не выше +270 °C в течение не более 10 с.
Допустимое значение статическою потенциала 1000 В
КТ646А
Транзистор кремниевый эпитак-
сиально планарный структуры п-р-п
усилительный. Предназначен для
применения в усилителях высокой
частоты, импульсных и переключаю-
щих устройствах. Корпус пластмас-
совый с жесткими выводами
Масса транзистора нс более 1 г.
параметры
Статический коэффициент передачи тока в схе к ОЭ пр»
(>кв=5 В, /э =0,2 Л .............................. . . 40.200
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при
1/кв = 10 В, /э =0,03 А, /=100 МГц, не менее ... 2
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /«=0,5 А,
1г. 0,05 Л, не более........................ 1 В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=0,5 А,
/в=0,05 Л, не более..................... 1,2 В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой часто-
те прн Ukc~5 В, /а = 0,05Л, f—5 МГц, не более . 120 пс
Емкость коллекторного перехода пр» /7яв=10 В, не более . 10 пФ
Емкость эмнттерного перехода при L/B.? = 0, нс более . . 80 пФ
Обратный ток коллектора пр» //«« = 60 В, не более . . 10 мкА %
Обратный ток эмиттера при 1/дэ = 4 В, не более ... 10 мкА
280
j
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база.......60 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер:
при Res—0 ............. 60 В
прн /?бг=1 кОм............................50 В
Постоянное напряжение база—эмиттер...........4 В
Импульсное напряжение база — эмиттер....... 5 В
Постоянный ток коллектора . . ...... 0.5 А
Импульсный ток коллектора . . ...... 0.7 Л
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора . . 1 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора . 1 2 Вт
Температура окружающей среды . . ... — 45 +85 С
2Т652А, 2Т652А-2
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планарные
шрукгуры п-р-п переключа-
тельные. Предназначены для
применения в импульсных и
переключающих ус тройствах.
Транзистор 2Т652А выпускает-
ся в металлокерамическом кор-
пусе е гибкими выводами,
2Т652А-2 — бескорпуснын па
керамическом держателе с за-
щитным покрытием и гибкими
выводами, используется в гер-
мст пзнрованной аппаратуре.
Тип 2Т652А указывается на
корпусе, 2T652V— на таре.
Масса транзистора 2Т652А
не более 0,6 г, 2Т652А-2 — не
более 0,015 г.
2Т652А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока при Uk =
=3 В, /к=-500 мА, /п^30 мкс, <2^50 .
типовое значение .... . . .
Граничная частота коэффициента передачи тока при
Uk3~ 10 В, /к—50 мА.........................
Граничное напряжение при /к = 10 мА . . . .
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/к—500 мА, /с=50 мА, tu«S30 мкс, (?>50 .
Напряжение насыщения база—эмиттер прн /к
500 мА, /„—50 мА, /.,^30 мкс, <2=50
Время рассасывания ври /к=500 мА, 1г.\=1щ=
50 мА, /и^30 .мкс, Q>50 ....
Емкость коллекторного перехода при Unno— 10 В
Емкость эмнттерного перехода при Uaco 0
25...100
47*
200 900*..1000* МГц
36* 50*. .58*
0 16* 0,28*. 0 65 В
0,86*. 0.89...* 1,2 В
35*...45*... 100 не
6*...7,2* .12 пФ
65*. .77*... 110 пФ
281
II родолжение
Обратный ток коллектора при (7иео = 50 В, не более:
Г= + 125°С................................. 300 мкА
Г=-6) и +25 °C ... . . 30 мкА
Обратный ток коллектор — эмиттер при 7/кэ~ 50 В,
R.о*-500 Ом . . ............... 300* мкА
Обратный ток э.мпттера прн б/ало=4 В. не более:
7’=+125 °C.............................. .... 300 мкА
Г=-60 и +25 °C..............................100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база 50 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
Л .в-500 Ом.....................................45 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . , . 4 В
Постоянный ток коллектора 1 Л
Импульсный ток коллектора при tu=5 мкс, Q^=30 2 А
Постоянна I рассеиваемая мощность коллектора.
при 1\ = — 60...+50 °C................... 1 Вт
при Тк- + 125 °C 0,25 Вт
прн Г= —60. +50 °C для 2Т652А . . . 0,5 Вт
при 7'—+ 125 °C . . .... 0,2 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора:
при Гк = — 60...+ 50 °C.....................1,5 Вт
при ГК = +125°С............................. 0,675 Вт
Тампература р-п перехода........................+150 °C
Температура окружающей среды:
2Т652Л..........................................—60...+ 125 °C
2Т652А-2.........................................60 °C. Тк +125 °C
Соединение выводов транзисторов 2I652A
с монтажными проводниками осуществляется
импульсной дуговой сваркой в защитной сре-
де при длительности сварочного импульса
0,01 с и энергии импульса 100...200 Дж.
Допускается двукратный из! иб выводов
транзисторов не ближе 2 мм и однократный
изгиб не ближе I мм от корпуса транзистора
с радиусом изгиба 1 мм.
Приварка выводов транзистора 2Т652А-2
к контактным площадкам схемы осуществля-
ется ультразвуковой сваркой или сваркой
расщепленным электродом не ближе 2 мм от
места выхода вывода из защитного по-
крытия.
Допустимое значение оптического потен-
циала 100 В.
Область максимальных режимов
2Т653 (А, Б)
Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р п переключательные
Предназначены для применения в переключающих устройствах и преобразова
толях Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибшьми выводами Тип
прибора указывается на корпусе
Масса транзистора не более 2 г.
282
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока прн Unn=
= 10 В, /э=150 мА.
2Т653А.............................................40 150
типовое значение ...... . 100*
при ГК=+125°С . . 40 300
2Т653Б....................................... 80...250
чиновое значение .... . . 150*
при 7’к=+125°С.................................80...500
Граничная частота коэффициента передачи тока при
U„c= 10 В, /э-25 мА . . .50 120* 180* МГц
Граничное напряжение при /э=30 мА, .'„^300 мкс,
не менее:
2Т653А........................................ . . 120 В
2Т653Б.........................................100 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/„=150 мА, /л=15 мА................................0,3*...0,35*...0,5 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к =
= 150 мА, /б=15 мА ................................0,8* ..0,85* . 1,1 В
Время включения при /„=200 мА. /ci = /B2=40 мА 0,018*...0,03*...0,1 мкс
Время выключения при /„ = 200 мА, /щ = /„2 40 мА 0,4*. .0,58*.. 1 мкс
Пробивное напряжение коллектор — эмиттер при
/и = 0,1 мА, /?.в-3 кОм............................130... 160*.„200* В
Емкость коллекторного перехода прн /7„во=Ю В 6,5*. 10*. .20 нФ
Емкость эмитте-рного перехода при /7э„о=0,5 В 40* пФ
Обратный ток коллектор — эмиттер прн /?»«»• 3 кОм,
не Го «ее:
17„S=12O В 2Т653А..................................10 мкА
Uко 100 В 2Т653Б...............................10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база при
(<////<//).,<.„= 1600 В/мкс ... . . 130 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн
(dU/dt)жакс= 1600 В/мкс, /?лв = 3 кОм . . 130 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . . . 7 В
Постоянный ток коллектора . . 1 А
Импульсный ток коллектора прн /и^10 мс . . 2 А
Постоянный ток базы . . . 0,2 Л
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Тк = -60. ,+40'С . . . . 5 Вт
прн Тк +85 °C . 3 Вт
при ТК = +125СС . . . I Вт
при Г——60. +25 °C, без теплоО«вода . 0,8 Вт
при 7"=+125 °C, без теплоотвода . . 0,16 Вт
Тепловое сопротивление . . . . . . 25 °C/Bi
Температура р п перехода ... ... +150 °C
Температура окружающей среды.....................—60°С..ГЛ = + 125°С
283
Изгиб выводов транзистора допускается
ие ближе 3 мм от корпуса.
Пайка выводов допускается не ближе
3 мм от корпуса транзистора при темпера-
туре ис выше 4-260 °C в течение не более 3 с.
Область максимальных режимов
КТ660 (Л, Б)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры п-р-п пере-
ключательные Предназначены для применения в переключающих и импульсных
устройствах, в цепях вычислительных машин, в генераторах электрических ко-
лебаний. Корпус пластмассовый с гибкими выводами. Тип прибора указывается
в этикетке На транзистор наносится условная цветная маркировка; КТ660А —
одна синяя полоса, КТ660Б— две синие волосы.
Масса транзистора нс более 0,3 г
КТ660(А Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
UKl: 10 В, h 2 мА:
Т=+25°С:
КТ660Л .... . • 110.. 220
КГ660Б ... ...................200 450
7’=+ 85 °C
КТ660А......................... .................. 90.. 264
К1660Б . . .................... 160 510
7"=—45°С
КТ660А............................................ 30..220
КТ660Б............................................ 60..450
Напряжение насыщения коллектор эмиттер прн //г=500 мА,
/к=50 мА, ие более................................... . 0,5 В
Напряжение насыщения коллектор эмиттер при /к =10 м.А,
/ь-=1 мА, не более.
КТ660Л........................ ........................ 0 05 В
284
КТ660Б . . . . .
Напряжение насыщения база—эмиттер при /«=500 мА,
/«=50 мА, не более .... . . . . .
Емкость коллекторного перехода прн Б'«ь=10 В, не более
Обратный ток коллектора при /7л«=17квгЛаХС, не более:
Г=-45. .+25 °C...................................
7 =+ 85 °C .... ..................
Обратный ток эмиттера при Uca — 4 В, не более . . . .
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ660А .........................................
КТ660Б..........................................
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Re ^JIkOm
КТ660А .........................................
КТ660Б . . .... .............
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /а—10 мА
/?ба = оо:
КТ660 X.........................................
КТ660Б ... . . ...
Постоянное напряжение база — эмиттер................
Постоянный ток коллектора . . . .
Импульсный ток коллектора при /„^10 мкс, <?2&5
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1:
при Г=— 45 . + 25°C................ ...
при Т= + 85 °C..................................
Импульсная рассеиваемая *п щпость коллектора прн
SC10 мкс, Q^5, Г— —45...+55 °C......................
Температура р-п перехода............................
Температура окружающей среды........................
Продолжение
0,035 В
1.2 В
10 пФ
1 мкА
10 мкА
0,5 мкА
50 В
30 В
45 В
30 В
30 В
25 В
5 В
800 мА
1000 мА
0,5 Вт
0,25 Вт
1 Вт
+ 150 °C
-45 +85 °C
1 При Т— +25... + 85 °C Р1{ лякс уменьшается линейно.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 2 мм от корпуса при
температуре припоя +260 °C в течение ис более 10 с, время лужения 2 с. До-
пускается только одна перепайка выводов.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Входные характеристики Зависимости тока эмнг- Выходные характеристп-
тера от напряжения ба-
ки
за — эмиттер
285
Зависимости статического коэффи- Зависимость емкости коллекторного
циента передачи тока от тока кол- перехода от напряжения коллек-
лектора тор — база
Зависимость емкости Зона возможных поло- Зависимости постояиио-
эмнтгерного перехода от жений зависимости па- го напряжения коллек-
паиряжения база— пряжения насыщения тор — эмиттер от сопро-
эмиттер коллектор — эмиттер от тпвления база — эмит-
тока коллектора тер
КТ902АМ
КТ902AM
Транзисторы кремниевые ме-
заилапарные структуры п-р-п
генераторные. Предназначены для
применения в усилителях мощно-
сти КВ диапазона при напряже-
нии шиаппя 28 В Выпускаются в
пластмассовом корпусе с жестки
мп выводами. Тип прибора ука-
зывается на корпусе
Масса транзистора не бо-
лее 2,5 г.
286
Электрические параметры
Выходная мощность па частоте [=10 МГц при t/«8=28B,
не менее................................... . . 20 Вт
Коэффициент усиления но мощности на частоте /—10МГц
при РвИх=10 Вт, t/h-3=28 В, не менее ... 7
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1/ке= 10 В, 1к=2 А, не менее .... ... 15
Модуль коэффициента передачи тока на частоте /=10МГц
нрн 17«в=Ю В, /п=1 А. не менее . . . . 3.5
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при !кв —
- 2,5 А, /к —0,4 А, не более .... ,2В
Прямое напряжение база — эмиттер при (7кэ=10 В, 1К=
=2 А, не более ... .... ... 2 В
Обратный ток коллектора прн Uke=70 В, не более . 10 и А
Обратный импульсный ток коллектор—эмиттер при Litre —
= 110 В, /?бэ=50 Ом, ие более . ... 60 мА
Обратный ток эмиттера при Use=5 В, не более . . . 100 мА
Предельнее эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база' при Гп<
=^+125сС . . ... . .65 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер1 при
=^50 О.м, /и^15 мкс, 7„< + 125°С.....................11 В
Постоянное напряжение эмиттер — бг т1 при + 125”С 5 В
Импульсное синусоидальное напряжение эмиттер — база
прн /„^40 мкс .......................... . . 8 В
Постоянный ток коллектора ... 5 А
Постоянный ток базы..................... . . 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектораг при
7x5=+50 °C...........................................30 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус .... 3,3 °С/Вт
Температура р-п перехода............................+15ССС
Температура корпуса ..........................+125 °C
Температура окружающей среды.......................—60сС..Г« =
= + 125гС
1 При Тт1> + !25<'С напряжение снижается линейно до 0.5 от trn мпме ПРИ
Гп= + !50”С
1 При Т'к>+50”С Р„_мякс Вг-(150-Гк)/3,3.
Изгибы и боковые натяжения выводов не допускаются. Запрещается кру-
чение выводов вокруг оси.
Пайка выводов допускается на плоской части выводов транзисторов в те-
чение времени не более 10 с. Температура припоя не должна превышать
+250°C. Между корпусом транзистора и местом пайки необходимо осущест-
влять теплоотвод.
2Т903 (А, Б), КТ903А
Транзисторы кремниевые .мезапланарпые структуры п-р-п генераторные
Предназначены для применения в усилителях мощности и автогенераторах Вы-
пускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора ие более 24 г.
287
2T903(A,6),KT903A
Электрические параметры
Выходная мощность па частоте f=50 МГц при С'кэ ЗОВ,
Тк <+50 °C, не менее.................................10 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоге f=50 МГц
при Рокх-10 Вт, не менее......................... ... 3
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1)кэ~ Ю В, /к=2 А:
2Т90.3А, КТ903А . ...........................15...70
2Т903Б........................................... 40. 180
Модуль коэффициента передачи тока на частоте f=30 МГц
при Uкб' 10 В, /к—0,5 А, не менее ... 4
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1к=^- Л,
/в—0,4 А, не более:
2Т90: 2Т903Б.......................... . . 2 В
КТ903Л ...................................... ... 2,5 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к = 2 Л, /Е =
=0,4 А, не более ... ... 2 В
Прямое напряжение база — эмиттер при 17иэ = Ю В, /к =
=2 Л, не более
2Т903Л, 21903Б............................. . . 2,5 В
КТ903Л ..................................... .... 3 В
Постоянная времени цепи обратной связи на частоте /=
=2 МГц при Una 30 В, /к—100 мА, не бо ее . . 500 пс
Емкость коллекторного перехода при 17«в=30 В, / = 2МГц,
пс более . . .............. . 180 пс
Индуктивность эмнттсриого вывода, не более 10* нГн
Обратный ток коллектор — эмиттер при 1Л,-а = 70 В, не
более
Т +25 °C, /?й, = 0:
2Т903Л. 2Т9ОЗБ ... .............2 мА
КТ903А . . .............10 мА
Т +85 °C. /?й.=0 КТ903А........................ . 30 мА
Т +125 °C, R6,=Q 2Т903А, 2Т903Б .... 10 мА
Обратный ток эмн тера при 17эь=4 В, не более:
2Т903Л. 2Т903Б , . . . . . 30 мА
КТ903А . . . . . . . 50 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер'-* 2 при Rs,^
<100 Ом .... ............. . 60 В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер’ при /?хв<
<100 Ом, /„<1 мкс, (?> 100 . ................ 80 В
> При 7„>+70°С для К.Т903А и 7„> + 100'С для 2Г903А, 2Т9031 напряжение сии-
жается па 10% на каждые 10 “С.
2 При работе в ВЧ генераторах и усилителях с амплитудной модуляцией допуска
ется мгновенное значение напряжения звуковой частоты до 70 В.
288
Продолжение
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора ....
Импульсный ток коллектора:
при /„<1 мкс, 100 ....
при С <10 мкс, 10
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Г* <+50 °C для 2Т9ОЗА, 2Т903Б 1 . .
при 7^=4-25 °C для КТ903А2..............
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при
<10 мкс, Q> 10, 6/яэ<30 В:
прн 7к< + 50°С для 2Т903А, 2Т903Б . . .
при Тк<+25 °C для КТ903А................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура р-п перехода:
2Т903А, 2Т903Б.......................
КТ903А . ..............
Температура корпуса:
2Т903Л, 2Т903Б . ............
КТ903А .......
Температура окружающей среды:
2Т903А, 2Т903Б..........................
КТ903Л
4 В
3 А
10 А
5 А
30 Вт
30 Вт
60 Вт
60 Вт
3,33 °С/Вт
+150 °C
+ 115 °C
+125 °C
+ 85 °C
-60 °C ../•„ =
= + 125 °C
-40 °С..ТК =
= + 85 °C
При Тк>+50"С РКм кс. Вт-(150-7я)/3.33.
« При ГН> + 25’С 1-Кмакс, Bi — (115—7К)/3.33
Пайка выводов транзисторов допускается только к плоским частям вы-
водов паяльником мощностью 50.. 60 Вт в течение не более 10 с при наличии
теплоотвода между корпусом и местом пайки.
2Т908А, КТ908 (А, Б)
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п переключательные.
Предназначены для применения в стабилизаторах и преобразователях напря-
жения, импульсных модуляторах. Корпус металлический со стеклянными изо-
ляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора без накидною фланца не более 22 г.
Масса накидного фланца не более 12 г.
2Г906А. КГ9061А 61
19 Заказ №
289
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:
при ТЯ=+25°С:
Ukb=2 В, /к=10 Л 2T90FA, КТ908Л . . . . 8. 60
1/к®=4 В, /к 4 А КТ908Б, ие менее . . 20
при Тк = -60°С:
Ui;s=2 В, /к=10 А 2Т908А, КТ908А .... 6...60
Uro—4 В, /к = 4 А КТ908Б, не менее .... 10
Отношение ста ического коэффициента передачи тока при
Гц = + 125 °C к статическому коэффициенту передачи тока
при Т=+25°С, Uкв—2 В. 1к-5 А, не более:
2Т908А ..... ............. 3
К 08А . . . .... . . 5
КТ908Б при 17к® = 4 В, /к = 4 Л 5
Модуль । эфф шиепта пе; едачп тока на высокой частоте
при Ukb— 10 В, /а=1 Л. /=10 МГц, не менее:
2Т908А . ... 5
КТ908А КТ908Б . . . . 3
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не более:
при /к-10 А, 1в~2 А для 2Т908А, КТ908А . . . 1,5 В
при /к-5 Л, /ь=1 А для 2Т908А . . 8 В
прн /к=4 Л, /ь=0 4 А для КТ908Б ... 1 В
Напряжение насыщения база — эмиттер, пе более:
прн /к=10 А. 1в=2 А для 2Т908А, КТ908А, КТ908Б 2,3 В
при /к=5 А, /Е— 1 А для 2Т908А..................1,6 В *
Время включения при /к=5 А, /Б=1 А ... 0,1*...0,3* мкс
типовое значение . . 0,2* мкс
Время спада при /к=5 А, /Б—1 А . . 0,1* 0,3* мкс
типовое значение . 0,2* мкс
Время рассасывания при /и = 5 А, /Б~ 1 А ... 0,6*..2.6* мкс
типовое значение ... 2* мкс
Емкость коллекторного перехода при 17кБ= 10 В, f—
— 0.3 МГц, не более................................. 700 пФ
типовое значение . . ... 500* Ф
Обратный ток коллектор — эмипер, ие более:
прн Тх = — 60...+ 25 °C:
Б'кэ=Ю0 В, 10 Ом 2Т908А, КТ908Л ... 25 мА
С'кэ-60 В Ятэ=250 Ом КТ908Б...................50 мА
при Т—1-125 °C:
1/Яе=80 В ₽i3=10 Ом 2Т908А........................50 мА
Uкэ- 80 В, /?гм=10 Ом КТ908А......................75 мА
Uкз 60 В, /?в„=250 Ом КТ908Б.....................150 мА
Обратный ток эмиттера при 17еэ = 5 В, не более . . 300 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при Тп =
= 60... + 100 °C:
/?6э=10 1 и 2T908V КТ908А . ... 100 В
КЛз=2 О Ом КТ908Б . . . . . 60 В
Постоянное напряжение коллектор — база1 прн Тп =
--60.+100°C . . ................ПО В
Постоянное напряжение база—эмиттер..................... 5 В
Постоянный ток коллектора..............................10 А
Постоянный ток базы . .... ... 5 А
1 При Jn- + !00. 150 С 1'я8В1л,ихо И б'КБ снижаются линсПио на 10% через
«ажлыс Ю “С.
290
Продолжение
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 прн
Т„ = - 60...+ 50 °C ........................
Температура р-п перехода ... . . .
Температура корпуса
Температура окружающей среды . ......
50 Вт
+ 150’С
+ 125’С
-60°С...Гк =
= + 125 °C
1 При Гх>+50|,С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность кол-
лектора определяется по формуле
РК макс- = (Г„~Тк^^Т(к-кО-
где КТ(„_Х) находится в области максимальных режимов (например, при Пкэ-10 В и
А ₽Т(П_К)“2 С/Вт)
Механические усилия иа выводы транзистора пе должны превышать
19,62 Н в осевом и 3,43 И в перпендикулярном направлениях к оси вывода
Пайка выводов допускается не ближе 6 мм от корпуса транзистора
Не рекомендуется работа транзистора при рабочих токах, соизмеримых с
неуправляемыми обратными токами во всем диапазоне температур. При кон-
струировании аппаратуры следует учитывать возможность самовозбуждения
транзистора за счет паразитных связей
В импульсных устройствах допускаются перегрузки но мощности рассеи-
вания до 400 Вт в момент переключений При этом длительность перегрузки
должна быть не более 0,5 мкс (по уровню 0,5), частота перегрузок не более
5 кГц, 7\<+90°С. При запертом транзисторе в импульсных устройствах по-
пускается напряжение источника питания 100 В (напряжение на транзисторе
100±3 В, длительность импульса («^3 мкс, скважность Q^25). Прн пуско-
вых переходных процессах допускается /к,„^30 A (/eu^IO Л), („^5 мкс.
2Т912 (А, Б), КТ912 (А, Б)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры п-р-п гене
раторные. Предназначены для применения в линейных усилителях мощности па
частотах 1,5 ..30 МГц при напряжении питания 27 В. Выпускаются в металло
керамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Внутри кор
нуса имеется полупроводниковый диод — датчик техшературы Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 45 г.
2Т917(А,Б)г KT9t2(A,5)
22 »13 12,3 19 3
Электрические параметры
Выходная мощность двухтонового сигнала в пике оги-
бающей на частоте f=30 МГц при 1/кэ = 27 В, ие меиее 70 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте f—30 МГц
при Рвых(п )=70 Вт, пе менее ........................... .10
типовое значение . 13*
19
291
Пред лжение
Ко ффициент полезного действия коллектора прн
Р««х(по)=70 Вт, /=30 МГц, не меиее . . . . 50%
типовое значение . . .............80* %
Коэффициент комбинационных составляющих третьего по-
рядка (двухтоновый сигнал) на частоте /=30 МГц при
Р«их(по>=50 Вт, не более . ....................— 30 дБ
типовое значение.................................—28* дБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
/7^=10 В, /к-5 А:
2Т912А, KT9I2A.......................................10. .50
2Т912Б, КТ912Б...................................20. .100
Модуль коэффициента передачи тока иа частоте f=
=30 МГц прн 17кэ = Ю В, /к—3 А, не менее . 3
типовое значение.................................5,5*
Емкость коллекторного перехода при иКБ=27 В, не более 200* пФ
Обратный ток коллектор —эмиттер при 17ке=70 В,
/?;б=10 Ом, не более:
Т< + 25 °C . . ....................50 мА
Т=+85°С КТ912А, КТ912Б ... ... 75 мА
Т= + 125°С 2Т912А, 2Т912Б . ... 75 мА
Обратный ток эмиттера при Use—5 В, не более . . . 250 мА
Постоянное прямое напряжение диода при /п₽=20 мА . 0,3 1 В
Постоянный обратный ток диода при 1Л,бР=5 В, ие более 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
<10 Ом:
2Т912А, 2Т912Б:
при Тп< + 125СС..................................70 В
Т„= + 150°С...............................35 В
КТ912А КТ912Б
при 7’К< + 75СС ... ... . 70 В
ТК = + 85°С...............................56 В
Импульсное напряжение коллекюр— эмиттер при Use=
= -15 В
2Т912А, 2Т912Б:
при 7„< + 125сС................................80 В
Тп=+ 150°С................................60 В
КТ912А, КТ912Б-
при 7К<+75°С ... ... . 80 В
Тк + 85 °C . . .............60 В
Постоянное напряжение эмиттер — база.....................5 В
Постоянный ток коллектора . .............20 А
Постоянный ток базы , . Ю А
Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме 1
при С7кэ<28 В, 7% < + 85 °C ........................35 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус .... 1.42_°С/Вт
Температура рп перехода.............................+ 150 °C
Температура корпуса:
2Т912А, 2Т912Б..................................+125 °C
КТ912А. КТ912Б . . ...................+85 °C
Температура окружающей среды:
2Т912А, 2Т912Б .....................................-60°С...Т« =
= +125 °C
КТ912А, КТ912Б . . . . . . -45 °C Тк =
+ 85 °C
При Т„Е>+85СС для 21912А. 21912Б ₽д1С1>1.чакс. Вт-(150-Тк)/1,«
292
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 2 мм от корпуса пяИль-
ин ком, нагретым до температуры +250°C, в течение не более 10 с. Допускает-
ся панка выводов ближе 2 мм от корпуса транзистора в том случае, если обес-
печен отвод теплоты от корпуса, при котором температура корпуса не пре-
вышает + 125 °C
Диод включается в прямом направлении п служит датчиком температуры
корпуса.
2Т920 (А, Б, В], КТ920 (А, Б, В, Г)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п гене-
раторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножите-
лях частоты » автогенераторах на частотах 50...200 МГц прн напряжении пи-
тания 12.6 В Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковы*тн
выводами и монтажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4 5 г.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте /=175 МГц при
= 12,6 В, Тк^ + 40’С:
2Т920А, КТ920А....................................
2Т920Б .....
КГ920Б........................
2Т920В, КТ920В .........................
КТ92ОГ . .................
Коэффициент усиления по мощности на частоте f —
= 175 МГц при Ukb— 12,6 В.
вых= 2 Вт 2Т920А, КТ920А, не менее . . . .
типовое значение .... .............
7’«»<х=5 Вт 2Т920Б, КТ920Б, не менее
типовое значение . . . . . . . .
Р.ых=20 Вт 2Т920В, КТ920В, не менее . .
типовое значение . . . .
Лгых=15 Вт КТ920Г, не менее ......
Коэффициент полезного действия коллектора иа частоте
f— 175 МГц при Uкэ~ 12,6 В:
2Т920А, 2Т920Б. 2Т920В, не менее..................
типовое значение ... ................
КТ920А, КТ920Б, КТ920В, КТ920Г, не менее
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
с'иэ = 5 В:
1к — 50 мА 2Т920Х, типовое значение . . . .
/л=100 мА 2T920D, типовое значение . . . .
2 Вт
7 Вт
5 Вт
20 Вт
15 Вт
7
12*
4,5
9*
3
4*
3
60%
70*%
55%
30*
40*
93
Прсдоллссние
/к=250 мЛ 2Т920В, типовое значение . . 25*
Модуль коэффициента передачи тока на частоте / =
= 100 МГц при С/ке=10 В:
/и=0 2 А 2Т920А, КТ920А, не менее..................4
типовое значение . . .................7,5*
/к=0,4 А 2Т920Б, КТ920Б, не менее . . 4
типовое значение ... .... .7*
7к=1 А 2Т920В КТ920В, не менее . . . . 4_
типовое значение ... ..............4,5*
/к=1 А КТ920Г, не менее............................3,5
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер.
при /к=50 мА, /с=10 мА 2Т920Л, типовое значение 0.3* В
при /к=100 мА, /в=20 мА 2Т920Б, типовое значение 0,4* В
при /к=250 мА. /в=50 мА 2Т920В, типовое значение 0.45* В
Критический ток коллектора при UKa= 10 В, [=100 МГц:
2Т920А, КТ920Л, не менее...........................0.8 Л
типовое значение . . 1* Л
2Т920Б, КТ920Б, ие менее...........................1,5 А
типовое значение ... ..............2* А
2Т920В, КТ920В. ие менее..........................4,5 А
типовое значение ........................ 7* Л
КТ920Г, не менее ..................................4 А
Постоянная времени цепи обратной связи иа частоте f—
5 МГц прн Una—10 В:
/о=30 мА 2Т920А, 2Т920Б, КТ920А, КТ920Б, не более 20 пс
типовое значение . . . . . . 7* пс
/э=150 з А 2Т920В, КГ920В, КТ920Г, не более . . 20 пс
типовое значение . .................9* пс
Емкость коллекторного перехода при UKs= 10 В, [=
= 5 МГц:
2Т920А, не более..................... . . 15 нФ
типовое значение ... . . 10* пФ
2Т920Б, ие более...................................25 пФ
типовое значение . .................16* пФ
2Т920В, не более . 75 пФ
типовое значение ... .... 50* пФ
Емкость эмнттериого перехода при B'ES = 0, [—5 МГц,
не более:
2Т921А ... . . . . ... 55 пФ
2Т920Б .... . . 100 пФ
2Т920В.................. ..........................410 пФ
Индуктивность выводов при 1=1 м:
2Т920А, КТ920Л
эмиттерного . ........................1,7* н Гн
кол текторного...................................2,4* н Гн
базового ...............................2,9* нГи
2Т920Б, КТ920Б.
эмиттерного . . . . ..............1,2* нГн
коллекторного ...................................2,4* нГн
базового ........................2,6* нГн
2Т920В, КТ920В, КТ920Г:
эмиттерного . ...........................1 нГн
коллекторного....................................2,4 нГи
базового........................... 2,4 нГн
Обратный ток коллектор — эмиттер при Ull3 — 36 В,
100 Ом. не более.
Г=+25°С:
2Т920Л........................................... . 1 мА
2Т920Б, КТ920А . . . . . 2 мА
2Т920В . . . .... . . 5 мА
294
Продолжение
КТ920Б..........................................4 мА
КТ920В. КТ920Г..................................7.5 мА
Т= + 125°С:
2Т920Ч............................................2 мА
2Т920Б . . ....................4 nA
2Т920В . . . .................10 мА
Обратный ток эмиттера при 1/вЬо=4 В:
2Т920А. 2Т920Б ........................... 0 25 мА
2Т920В . . ..............2 мА
Емкость электродов относительно корпуса
эмиттер — корпус......................................1.84* пФ
коллектор — корпус....................... . 1.53* пФ
база — корпус ... ....................0,96* нФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при 7?j«<
<100 Ом ... . .................36 В
Постоянное напряжение эмиттер — база................4 В
Постоянный ток коллектора:
2Т920Л, КТ920А 0.25 А
2Т920Б, КТ920Б ..............................1 А
2Т920В, КТ920В, КТ920Г . . ... 3 А
Импульсный ток коллектора при /„<20 мкс, Q^50
2Т920А, КТ920А .................1 А
2Т920Б, КТ920Б....................................2 Л
2Т920В, КТ920В, КТ920Г......................... 7 Л
Постоянный ток базы.
2Т920А, КТ920А........................................1 А
2Т920Б, КТ920Б . ..............0.5 А
2Т920В, КТ920В, КТ920Г .................1.5 А
Импульсный ток базы прн /„<10 мкс. 100:
2Т920А, КТ920А........................................0.5 А
2Т920Б КТ920Б 1 А
2Т920В КТ920В КТ920Г . . 3.5 А
Средняя рассеиваемая moiiiiiocib 1 в динамическом режиме
при 7к<+50°С:
2Т920А. КТ920А............................................5 Вт
2Т920Б, КТ920Б.......................................10 Вт
2Т920В КТ920В, КТ920Г 25 Вт
Тепловое сопротивление переход— корпус:
2Т920А КТ920А . . . 20°С/Вт
2Т920Б, КТ920Б . . . . 10 °C Вт
21920В, КТ920В КТ920Г ... 4 °C Вт
Температура рп перехода...............................+150’С
Температура корпуса:
2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В................................+125 °C
КТ920А, КТ920Б, КТ920В КТ920Г . . . . +85 °C
Температура окружающей среды:
2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В ....................-6О’С...ГХ =
= + 125 °C
КТ920Л, КТ920Б КТ920В. КТ920Г.....................-45 °C. ,ТК =
= + 85 °C
1 7„>+50 С РЛср.Лохс. Вг=(150 Tx).Rr(r
Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба и пайки вывода не
более 3 мм.
Пайка выводов должна осуществляться при температуре не более + 250 °C
в течение не более 5 с
295
2Т921А, КТ921 (А, Б)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п р п усили-
тельные линейные. Предназначены для применения в широкополосных усили-
телях мощности, стабилизаторах и преобразователях напряжения. Выпускаются
в металлокерамическом корпусе с жести ми выводами. Тип прибора указыва-
ется на корпусе.
Масса транзистора не более 6,5 г.
Электрические параметры
Выходная мощность при t/n=27 В, / = 60 МГц, пе
к енсе..........................................
Выходная мощность в пике огибающей при Un =
= 27 В, f=30 МГц, не мепее ....
Коэффициент усиления по мощности при Р«,.(х-=
= 12,5 Вт, f=f>Q МГц:
2Т921Л, КТ921Х, пс менее....................
КГ921Б......................................
Коэффициент комбинационных составляющих третье-
го порядка при РиЫЦПи} — 12,5 Вт, /=30 МГц . .
Ci этический коэффициент передачи тока прн
1Л,с=Ю В, /к=1 Л, не мепее......................
типовое значение ...........................
Модуль коэффициента передачи тока на высокой
частоте прн 17яэ=10 В, /к=0,4 A, f=30 МГц
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/к -1 А, /в=0,2 А, не менее.....................
Граничное напряжение прн /я=100 мА, не мепее
Время включения при Uk=33 В, /к=1 А, /в=0,2А
Время рассасывания при UH=33 В. /к=1 Л. /щ =
/ га 0,2 А . ...
Время спада при 17к = 33 В, /к=1 Л, /щ = /б2=0,2 Л
Емкость коллекторного перехода при <7/fBo=20 В
Емкость эмиттерного перехода при 17эбо=3 В
Индуктивность выводов:
эмиттерного . ........................
базового . ...........................
коллекторного .... . . .
Обратный ток коллектор — эмиттер при Rj— 10 Ом,
ис более"
Тк - 1-25 °C. t/rs =70 В....................
Г„ +125СС, и,гэ 65 В........................
12,5 Вт
12,5 Вт
8
5... 10*... 17*
-39*; -32*; -30 дВ
10
45*
3...7,5*... 10,5*
1.8 В
32 В
20 2(> 28* мкс
60* 120*. 300* мкс
24*. ..24*. „30*
50* пФ
210* пФ
3,5* иГн
3,5* нГц
3* нГн
10 мА
50 мА
296
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн
«,б=10 Ом:
2Т921А:
прн Гп=-60 +125°C........................65 В
7’п^ + 155',С.........................32 В
КТ921Л, КТ921Б
при Тл — — 45...+ 125’С..................65 В
Г„ = +150сС ....................32 В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер прн
UBB=—1,5 В в схеме высокочастотного усилителя
в диапазоне частот 1,5 .60 МГц:
2Т921А:
прн Гп= — 60...+125 СС...................80 В
Т„= + 155СС ....................60 В
КТ921А, КТ921Б
при Л,--45...+125 °C.................. 80 В
Г„= + 150 'С..........................60 В
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т921А:
при Г„ = -60 +125СС......................65 В
Гп = +155=С...........................32 В
КТ921А, КТ92IB-
при Г„=- 45. +125 °C........................65 В
Т„- + 150сС...........................32 В
Постоянное напряжение э.мнтгер— база . 4 В
Постоянный ток коллектора......................3,5 А
Постоянный ток базы.......................... , 1 Л
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора-
2Т921Л:
при Гх = — 60 +75 СС . . . . . 12,5 Вт
ГХ = + 125°С..........................4,2 Вт
КТ921А, КТ921Б:
при Гх=—45...-I 75 ГС....................12,5 Вт
ГХ = +125СС...........................4,2 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора в дина-
мическом режиме при Un 28 В:
2Т921А:
при Гх = -60 +100°С......................12,5 Вт
Л, = + 125 °C.........................4,2 Вт
КТ921А, KT921D:
при Гх = —45. +75°C . ... 12,5 Вт
/Х = + 125СС ... ... 4,2 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус ... 6 °С/Вт
Температура р-п перехода . . . . . +150 °C
Температура окружающей среды
2Т921А , .............-60°С .ГХ-+125°С
КГ921А, КТ921Б.............................-45 °С...ТХ = + 125 °C
297
Осевое усилие иа винт не должно быть
более 250 Н, на выводы транзистора—бо-
лее 5 Н, изгибающее усилие не более 1 Н
Пайка выводов допускается не ближе
2 мм от корпуса транзистора паяльником, на-
гретым до +260*С, в течение не более 3 с,
а также ближе 2 мм от корпуса при усло-
вии Тк= + 100°С.
Допустимое значение статического по-
тенциала 1000 В.
Области максимальных режимов
2Т921А-4
2T92IA - i
Транзистор кремниевый эпи-
таксиально-планарный структуры
п-р-п усилительный линейный.
Предназначен для применения в
широкополосных усилителях мощ-
ности в герметизированной аппа-
ратуре. Еескориусиый с жестки-
ми выводами. Выпускается на
кристаллодержателе. Тип прибо
ра указывается в этикетке.
Масса транзистора не более
0,5 г.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f—60 МГц. не менее
Коэффициент усиления но мощности при П„ = 27 В,
/=60 МГц......................................
Коэффициент полезного действия коллектора при
П„=27 В, 12,5 Вт, /=60 МГц . . .
Коэффициент комбинационных составляющих третье-
го порядка при 17„=27 В, Р«Ых(ЯО)= 12,5 Вт, /=
=30 МГц......................................;
Статический коэффициент передачи тока прн Ukb =
=5 В, /к—1 А не менее ........................
типовое значение ..........................
Модуль коэффициента передачи тока на высокой ча-
стоте при 17кэ=10 В, /к-0,4 А, f-ЗО МГц
Обратный ток коллектор—эмиттер при (7кэ = 70 В,
/?ав=10 Ом, не более ... . . .
Обратный ток эмиттера прн Ubbo~4 В, не более
12,5* Вт
8*
55*. 65* 76*%
-39* -32* ..-30* дБ
10
45*
3.7,5* 10.5*
10 мА
20 мА
298
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
/?,б=10 Ом:
Тп —— 60 ..+125 °C..........................65 В
Tn—+ 155 °C.................................32 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер при
t/aB= —1,5 В в схеме высокочастотного усилителя
в диапазоне частот 1,5 60 МГц:
Т=- 60... + 125 °C..........................80 В
Т= + 155°С . . . .............60 В
Постоянное напряжение коллектор — база:
Т„ —60..+ 125°C . . . ... 65 В
7„= + 155°С . . ... 32 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . . . 4 В
Постоянный ток коллектора . . . 3.5 А
Постоянный ток базы . . . 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора прн
Пкс=32 В:
Гк = —60 ..-I 75®С..........................12,5 Вт
Т„= + 125°С................................. 1,2 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора в ди-
намическом режиме при Пп=28 В:
Т„ -60..+ 75 °C.............................12,5 Вт
Т„= +125 °C.................................4,2 Вт
Тепловое сопротивление переход - корпус , . . 6 °C Вт
Температура рп перехода.........................+ 150°С
Температура окружающей среды....................— 60°С...ТК— + 125°C
Монтаж транзистора осуществляется припайкой металлизированного осно-
вания крнсталлодержателя к теплоотводящей поверхности припоем ПОС-61 при
температуре не выше +240°C в течение не более 15 с.
Пайка выводов рекомендуется не ближе 2 мм от крнсталлодержателя при
температуре ие выше +240°C.
2Т922 (А, Б, В), КТ922 (А, Б, В, Г, Д)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п гене-
раторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножите-
лях частоты и автогенераторах иа частотах выше 50 МГц при напряжении пита-
ния 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выво-
дами и монтажным винтом Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора нс более 4,5 г.
299
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте /=175 МГц прн (7кэ =
=28 В. Тв = + 40°С:
2Т922А. КТ922Л........................................5 Вт
2Т922Б, КТ922Б .... 20 Вт
К1 22Г...............................................17 Вт
КТ922Д....................................... .... 35 Вт
2Т922В. КТ922В.......................................40 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте / =
= 175 МГц прн (7кэ=28 В
Р««х=5 Вт 2Т922А, КТ922А, не менее . . . . 10
типовое з 1аченне .... ..............20*
Р«ых=20 Вт 2Т922Б, КТ922Б, не менее . . . 5,5
типовое значение .... . 10*
Р вых = 17 Вт КТ922Г, не менее....................5
P.ux-40 Вт 2Т922В, КТ922В, не менее ... 4
типовое значение ............. .6*
Р иых = 35 Вт КТ922Д, не менее....................3,5
Коэффициент полезного действия коллектора, не менее:
2Т922А, 2Т922Б, 2Т922В.............................55%
типовое значение ........................65*%
КТ922Л, КТ922Б, КТ922В, КТ922Г. КТ922Д. не \енее 50%
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Скэ=5 В, /к 0,1 А для 2Г922А, /к=0,25 Л для 2Т922Б,
/к=0,5 А д in 2Т922В, не менее ... ... 10*
типовое значение .... .... 50*
Модуль коэффициента передачи тока па частоте /=
= 100 МГц. (7ка=10 В:
прн /к =0,4 А для 2Т922Л, КТ922А, не менее . . 3
типовое значение.............................. ... 7*
при /к =1,5 А для 2Т922Б, KT922D, КТ922Г, не менее 3
типовое значение .... . . 6,5*
при /д- = 3 А для 2Т922В, КТ922В, не менее ... 3
типовое значение . . ... 4,5*
при /к =3 А для КТ922Д, не менее . . .2,5
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, типовое зна-
чение:
при /к=100 мА, /д=20 мА для 2Т922А .... 0.3* В
прн /к =250 мА. /с=50 мА для 2Т922Б . . 0,35* В
при /к=500 мА, /к=100 мА для 2Т922В . . . 0,4* В
Критический ток коллектора на частоте /=100 МГц при
1/кэ=10 В:
2Т922А, КТ922А, нс менее.........................0,6 Л
типовое значение .................................1,2* Л
КТ922Г, не менее ........................1,8 А
2Т922Б КТ922Б не менее.........................2 Л
типовое значение ............................... 3* А
КТ922Д, ие менее . .................4.5 Л
2Т922В, КТ922В, ие менее..........................5 А
типовое з гаченне ..............6,5* А
Постоянная времени цепи обратной связи на частоте f =
= 5 МГц, 1/кЭ=10 В:
при /э = 40 мА для 2Т922А, КТ922Л, нс более . . 20 пс
типовое значение..................................7,5* пс
при 7э=150мА для 2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г. не более 20 пс
типовое з 1ачеиие ................................8* пс
при /э=300 мА для 2Т922В, КТ922В. КТ922Д, не более 25 пс
типовое значение . ....................20* пс
F.MK cib коллекторного перехода при 17кв=28 В, /=5МГц:
2Т922А, КТ922Л, не более .........................15 пФ
типовое значение..................................8* нФ
300
Продолжение
2Т922Б, 2Т922В, КТ922Г. не более.................35 пФ
типонсс значение . . ... . 20* нФ
21922 В, КТ922В, КТ922Д, не более 65 пФ
типовое значение .............................. - 50* пФ
Емкость эмиттерного перехода при С,эе=0, /=5 МГц, ти-
повое значение:
2Т922Л, КТ922А...................................75* пФ
2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г........................... 200* пФ
2Т 22В, КТ922В, КТ922Д . . . 500* пФ
Обратный ток коллектор — эмиттер при 1/кО=65 В,
R =100 Ом, не более
7=+25сС:
2Т922А........................... . . . 2 мА
КТ922А . . .5 мА
2Т922Б....................................... 10 мА
21922В, КТ922Б, КТ922Г...................... 20 мА
КТ922В, КТ922Д..................................40 мА
7=+85сС:
КТ922А ... .... 10 мА
КТ922Б, КТ922Г ... . . 20 мА
КТ922В, КТ922Д ... . . . 40 мА
Т= F 125 °C.
2Т922А...................... . . . 4 мА
2Т922Б ....................................20 м к
2Т922В . . ... ... 40 мА
Обратный ток эмиттера прн (7вв=4 В, не более:
7= +25 °C:
2Г922Л...................... . . 0,25 мА
КГ922А..........................................0,5 мА
21922 Б..................................... .. 1 м А
2Т922В ....................................2,5 мА
КТ922Б . ...........................3 мА
КТ922Г ... ... 4 мА
КТ922В, КТ922Д . . . 6 мА
7=+85 °C:
КТ922Л ........................ . 1 .мА
КТ922Б..........................................6 мА
КТ922В, КТ922Д . ... . 12 мА
КТ922Г . ...............................8 мА
7= + 125сС:
2Т922А..................................... .... 0,5 мА
2Т922Б..........................................2 мА
2Т922В . . ... 5 мА
Индуктивность выводов при / 1 мм, типовое значение:
2Т922А, КТ922А
эмиттерного ... 1,7* пГп
коллекторного.................... . 23* и Гн
базового ........ 2 9* нГн
2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г:
эмиттерного .......................11* нГн
коллекторного .... ... 2,4* нГн
базового ...........................2,5* пГп
2Т922В, КТ922В, КТ922Д:
эмиттерного . .......................0,9* нГн
коллекторного ... . . 2,4* и Гн
базового . . . . . 2 4* н Гн
Емкости электродов относительно корпуса, типовое зна-
чение.
эмиттер — корпус............................. 1,84* пФ
301
Продолжение
коллектор — корпус
база — корпус
1.53’ пФ
0,96* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при
= 100 Ом.................................. . . . 65 В
Постоянное напряжение эмнттер — база..................4 В
Постоянный ток коллектора:
2Т922Л, КТ922А....................................0,8 А
2Т922Б КТ922Б, КТ922Г . . , . 1.5 А
2Т922В, КТ922В, КТ922Д............................ЗА
Импульсный ток коллектора прн /и^20 мкс. О>50:
2Т922А, КТ922А . . . . ... 1,5 А
2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г . . . 4,5 А
2Т922В, КТ922В. КТ922Д . . . . 9 А
КСВН (коэффициент стоячей волны по напряжению) кол-
лекторной цепи2...................... 2
Средняя рассеиваемая мощность3 в динамическом режиме
при Тк^ + 40°С:
2Т922А, КТ922А................ . . . . 8 Вт
2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г............................20 Вт
2Т922В, КТ922В, КТ922Д . 40 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2Т922А, КТ922А ... ... 15°С/Вт
2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г . . .............б°С/Вт
2Т922В, КТ922В, КТ922Д............................3 ‘С/Вт
Температура р-п перехода..............................+160 °C
Температура корпуса:
2Т922А, 2Т922Б, 2Т922В................................+125 °C
КТ922А, КТ922Б, КТ922В. КТ922Г, КТ922Д . . . +85 °C
Температура окружающей среды.
2TI22A, 2Т922Б, 2Т922В ..... -60°C Г„ =
= + 125 °C
КТ922А, КТ922Б, КТ922В, КТ922Г, КТ922Д . . . -45 °C Тк =
= +85 °C
При Т-Гжии Жаке”55 В-
1 Допускается работа при любых значениях КСВН (по модулю и фазе) при на-
пряжении питания не более 28 В+10% и условии пепревышеиия предельных эксплуа-
тационных значений Рк жохс, Itt макс, ^кэмакс ^ЭЕ макс (постоянные составляющие).
• При Г„>+40’С Р„1С1)1Л1ОКС’. Вт-(160-7-к)/Лг(п_;,.
Пайка выводов допускается пе ближе 3 мм от корпуса по методике, ие
приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзисторов, при тем-
пературе не выше +270 °C в течение не более 5 с
2Т926А, КТ926 (А, Б)
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п р п импульсные.
Предназначены для применения в импульсных модуляторах Корпус металло-
керамический с жесткими выводами
Масса транзистора ие более 20 г.
302
2197ГА. К ГО? А (А f>)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:
при T« = +25°C:
Uко = 7 В, /к=15 А, для 2Т926А . . .
Wks-7 В, /к “15 А для КТ926А .
Пиэ=5 В, /к 5 А для КТ926Б .
при Т^жТк.мкс, Ukb = 5 В, /к = 5 А для КТ926А,
КТ926Б, пе более..................................
при 7я = 7'я.лан:
Wks = 7 В, /к —15 А для 2Т926А..................
Wk3 = 7 В, /к=15 А для КТ926А . .
ОкЭ«5 В, /к = 7 А для КТ926Б
Отношение статического коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при Г» = + 125 °C к статическому коэффициенту
передачи тока при ТК=+25°С, (Укэ=7 В, /к=15 А для
2Т926А, ие более..................................
Модуль коэффициента передачи тока па высокой частоте
при Wk3= 10 В, /я=1 A, f=30 МГц, не менее
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер:
при /к—15 А, 1ц=3 А для 2Т926А, не более
при /к=15 А, /д=2 А для 2Т926А . . . .
при /к=10 А, /в=1,5 А для КТ926Б . . . .
Напряжение насыщения база — эмиттер, ие отее
при /к=15 А, /Е= 1,5 А для 2Т926А, КТ926А . .
при /я=10 А, /е~1,5 А для КТ926Б..................
Обратный ток коллектор — эмиттер при /?вэ=10 Ом:
при Тк Тк,мип. . + 25 °C, 17кэ = 150 В . . .
при ТК = ТК„„КС, Ukb=120 В . . . . .
Обратный ток эмиттера при 1/вэ=5 В, не более
12 60
10...60
10.60
200
5. .60
8. .60
8. .60
3
1.7
2,5 В
0,4* 0,6* 1 В
0,5* 2,5 В
2,5 В
2,5 В
0,1*...25 мА
0,2* 80 мА
300
мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 прн
а£100 °C, 7?вэ=10 Ом.......................
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при
=С0,5 мс, Q>50, ₽«j=10 О.м...........................
Постоянное напряжение база—эмиттер...................
Постоянный ток коллектора............................
Импульсный ток коллектора при /,-^0,5 мс, Q^50
Постоянный ток базы..................................
Импульсный ток базы прн /и^0,5 мс, Q>50
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора2 при
Тк Т„ .„ин...+50 °C . . . . .
150
200
5 В
15
25
7
12
50
В
В
А
А
А
А
Вт
1 При Гп~ + 100...150 "С UKB .макс уменьшается линейно на 10% на каждые Ю'С.
2 1”’и 7к> + 50'С РКмаяс. Вт-(Тв-Тж)/Ят(1>_ж,, где ЯГ(п_к) определяется нз об-
ласги максимальных режимов (например, при Вэ /^-=5 А °С/Вт)
303
Продолжение
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора 2Т926А
при L^O.a мс, Q^50, 7Ж=+25...+80 СС . . 450 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус при 7/кэ^Ю В,
7к<5 А . . . ... . . 2°С/Вт
Температура р-п перехода ... ..............+150 С
Температура корпуса...................................+125 °C
Температура окружающей среды:
2Т926А ................. . . -60°С...7к =
= +125 °C
КТ926А. КТ926Б....................................-45°С...Гк =
= + 100 °C
При конструировании аппаратуры следует учитывать возможность само-
возбуждения транзисторов за счет паразитных связей. Крепление транзисторов
к панели необходимо осуществлять с помощью ганки. Осевое усилие на винт
должно быть не более 120 кг. Допускается распайка транзисторов паяльником
с температурой +275 °C в течение 3 с не ближе 2 мм от корпуса.
КТ927 (А, Б, В)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в линейных усилителях мощности на
частотах 1.5...30 МГн при напряжении питания 28 В. Выпускаются в пластмас-
совом корпусе с жесткими выводами Внутри корпуса имеется полупроводнико-
вый диод — датчик температуры кристалла. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора пе более 10 г.
КТ927 (А-в)
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f=20 МГц при 7:кэ=28 В,
не менее . . ............... . . 75 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте [=30 МГц
1 [ и /%ых(по)=75 Вт, 1/кэ=28 В, не менее . . . 13,4
ти ювое значение ...................... 14,5*
Коэффициент полезного действия на частоте [=30 МГн
при Р«ых(пП} 75 Вт, 1/кэ=28 В, ие мепее . . . 40%
типовое значение...................................50*%
Коэффициент комбинационных составляющих 3-го и 5 го
порядков на частоте [—30 МГц (двухтоновый сигнал) при
Ввчх(по)=75 Вт, 17кэ=28 В, не более ... . . —30 дБ
типовое значение ........................ —32* дБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Uкэ-6 В, /к=5 А:
КТ927А не менее................................... 15
304
Продолжение
типовое значение ........................ 30*
КТ927Б, нс мепее .... . . . 25
типовое значение . . 30*
КТ927В, не менее ... ................40
типовое значение . . . . ... 60*
Модуль коэффициента передачи тока на частоте f—30 МГц
при (7яэ = 28 В, /к= I А, не менее................. 3,5
типовое зна юнце.................................... .5*
Напряжение насыщения коллектор — эм и гтер прн 1к=
= 10 A, h=2 А, пе более...............................0,7 В
типовое значение .................................0,5* В
Емкость коллекторного перехода на частоте /=10 МГц
при Uxr.—2S В, не более.......................... . 190 пФ
типовое значение............................. 150* пФ
Емкость эмиттерного перехода на частоте f=10 МГц при
(7эг.=0, не более................................ • 2850^пФ
типовое значение.............................. .... 2300* пФ
Активная составляющая полного входного сопротивле-
ния па частоте /=30 МГц прн Р»ых~75 В, Е,яэ=28 В,
типовое значение . .............. - . 2,65* Ом
Обратный ток коллектор — эмиттер прн R>e—0. не более:
Т=+25°С, 1/яэ=70 В....................................40 мА
Г= + 125°С, (./кэ-65 В . . . . . . 120 мА
Обратный ток эмиттера прн Пэт =3,5 В, пе более . . 40 мА
Прямое напряжение диода прн /Пр=Ю мА, нс более . 0,8 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер:
при Rrf—O ............................................70 В
прн R,c=o°........................................35 В
Постоянное напряжение эмиттер — база..................3,5 В
Постоянный ток коллектора..........................10 А
Импульсный ток коллектора..........................30 А
Прямой ток диода . .... . . 100 мА
Средняя рассеиваемая мощность 1 в динамическом режиме:
прн ТЖ^+75°С . . . .............83,3 Вт
прн Тж = + 150°С . ................33.3 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус .... 1,5°С/Вт
Температура р-п перехода..............................+200 °C
Температура корпуса ..................................+150 °C
Температура окружающей среды . . . . . — 60 °C ,ГЖ —
= + 150 °C
При +75°СС7„< + 150‘С В^(20Л-7ж)/1.5.
Чистота контактной поверхности теплоотвода должна быть ие мепее 1,6.
Неплоскостность контактной поверхности теплоотвода должна быть ие более
0.04 мм.
Пайка выводов допускается пе ближе 3 мм от корпуса по методике, не
приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзистора при тем-
пературе пе выше +270 °C в течение нс более 5 с.
2Т928 (А, Б), КТ928 (А, Б)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п им-
пульсные Предназначены для применения в импульсных н перек почающих
устройствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими
выводами
Масса транзистора не более 3 г.
20 Заказ № <004
305
имей 6) nisiB/АЫ
и s
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
(Л{в=3 В, /э= 150 мА:
Г=+25СС.
2Т928А
2Т928Б, КТ928Б........................
КТ928Л..........................................
Т= + 125 СС:
2Т928Л . , . . . . . . .
2Т928Б . . . ....................
Т= 60 °C:
2Т928Л............................................
2Т928Б .......................................
1 раиичпая частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ при 67иэ=1О В, /к —50 мА, не менее"
2Т928А 2Г928Б .... ..............
КТ928А. КГ928Б .... . . . .
Граничное напряжение при /к=20 мА, не менее
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн /и =
300 мА, /ь—30 мА.
2Т928Л, 2Т928Б. не более . . . ...
типовое значение . . ...
КТ928А, КТ928Б не более . . .
Напряжение насыщения база -эмиттер при /и=300 мА,
/д=30 мА, не более....................................
типовое .значение ................................
Время рассасывания при /к = 300 мА, /£ = 30 мА
2Т928А, 2Т928Б, не более..............................
типовое значение ........................
КТ928Д, КТ928Б. не более..........................
Емкость коллекторного перехода при 1)цЕ= 10 В, не более
типовое значение .....................................
Емкость эмиттерного перехода при 1Укэ = 0:
2Т928А 2Т«28Б. не более . . ..............
типовое значение .... ..............
КТ928А, КТ928Б, не более ..............
Обратный ток коллектора при Ukb 60 В
Т — + 25 °C, не более.................................
типовое значение .... ..............
7=+125 °C 2Т928А, 2Т928Б, не более
типовое значение
7'=+85°C КТ928А, КТ928Б, нс более
Г--60 °C 2Т928А, 2Т928Б, пе более ...
Обратный ток коллектор — эмиттер прн (Ло = 60 В,
100 Ом, ие более ....
типовое значение .......................
30.65* 100
50.. ПО* 200
20... 100
30.. 110* 200
50... 170*...400
14.40*... 100
25..65*...200
300 МГц
250 МГц
40 В
0,6 В
0,17* В
1 В
1,5 В
0.9* В
225 нс
140* нс
250 пс
10 нФ
6,9* пФ
90 пФ
60* пФ
100 пФ
1 мкА
0,01* мкА
50 мкА
0 08* мкА
60 мкА
1 мкА
10 мкА
0,01* мкА
306
Продолжение
Обратный ток эмиттера прн /?«л=5 В:
Т = + 25 °C, нс более.................................1 мкА
Г= + 125°С 2Т928А, 2Т928Б, не более . . 50 мкА
типовое значение . ... 0,01* и кА
Г =—60°C 2Т928А, 2Т928Б, не более . . .1 мкА
типовое значение ... . . . 0,05* мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . . 60 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при К =0 60 В
Постоянное напряжение база—эмиттер . . 5 В
Постоянный ток коллектора ... 0,8 Л
Импульсный ток котлектора при 1и^10 мкс, <2^50 . 1,2 Л
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
с теплоотводом
Г=7\ин...+25°С..................................2 Вт
Т-Ткм 2Т928А, 2Т928Б............................0,4 Вт
К 928Л, КТ928Б........................0.96 Вт
бе теплоотвода2:
Т= Тм. „... + 25 °C . . ................ 0,5 Вт
Т = 1КМ ,:г 2Т928А. 2Т928Б . ... 0,1 Вт
КТ928Л, КТ928Б.................... 0,24 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора2 при
/„sglO мкс, Q2s50 для 2Т928Х, 2Т928Б-
Г=-60...4 25 °C . ..........................3,6 Вт
Г- + 125 °C , ...............................3,2 Вт
Температура р-п перехода..............................+150 °C
Температура окружающей среды:
2Т928А, 2Т928Б.................................... ... -6 +125°C
КТ928Л, КТ928Б . . ... ... -45. +85°C
’ При Гк — +25 X.. Тм Кг РЕ линейно снижается на 16 мВт на [ °C
’ При Г-=+25 С Т м-,к и « м к«> линейно снижаются на 4 мВт на 1 °C
JH < Л л п П , U .И ЬС
2Т929А, КТ929А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры п-р-п гене-
раторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножи-
телях частоты и автогенераторах на частотах более 50 МГц при напряж нии
питания 8 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми вы-
водами н монтажным вннтох Тип прибора указывается па корпусе
Масса транзистора ие более 4.5 г.
20*
307
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте /=175 МГц при Uks=
—8 В, 7„5g+40cC, не менее...........................2 Вт
Коэффициент усилении но мощности на частоте / =
= 175 МГц при Uks = 8 В, Р<гих=2 Вт, не менее
2Т929А.............................................10
типовое значение ... . .... 11,5*
КТ929А...........................................8
Коэффициент полезного действия коллектора на частоте
/=175 МГц прн Р«кх=2 Вт, 11кэ-8 В:
2Т929Л, не менее 60%
тиковое значение . .....................72*%
КТ929Л, не менее...................................55%
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Uks=5 В, /я = 0,7 А, не менее ... 25
типовое значение .................................. 40*
Модуль коэффициента передачи тока на частоте /=
= 175 МГц прн 17кэ=8 В, /и=0,3 Л, не мепее 4
типовое значение ..................... 8*
Критический ток коллектора на частоте /—100 МГц при
(7хэ = 8 В, типовое значение..................... . . 2,5* А
Постоянная времени цепи обратной связи на частоте / =
— 5 МГц при (7x3 = 8 В, 1и 50 мА, пе более .... 25 пс
типовое значение ..................................9* нс
Емкость коллекторного перехода при (7ке = 8 В, / = 5 МГц,
пе более .............................................20 пФ
типовое значение ... ..............15* пФ
Обратный ток коллектора прн (7/ti;^-30 В, типовое зна-
чение .... 0,5* мЛ
Обратный ток коллектор — эмиттер при (7иэ = 30 В,
Rr>a 100 Ом, не более'
7 =+25 °C ..............................5 мА
7= + 85 “С КТ929А.................................10 мА
7=+ 125 °C 2Г929Л 10 мА
Обратный ток эмиттера при (7Эв=3 В, не более'
7=+25°C....................... ......................5 мА
7 +125 °C 2Т929Л и 7=+85 °C К.Т929А . . 10 мА
Индуктивность выводов прн 1= I мм:
эмиттерного . . .......................1,2* нГн
коллекторного.....................................2,4* нГн
базового ... ........................2,6* иГн
Емкости выводов относительно корпуса:
эмиттер — корпус.....................................1,84* пФ
коллектор — корпус . . .................1,53* пФ
база—корпус ......................................0,96* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор- база 30 В
Постоянное напряжение коллектор эмиттер при
sS 100 Ом ... .................30 В
Постоянное напряжение эмиттер —база..................ЗВ
Постоянный ток коллектора 0,8 А
Импульсный ток коллектора............................1,5 А
KCBII коллекторной цепи ... 10
Средняя рассеиваемая мощность1 п динамическом режиме
прн 7ж^+40°С.................................... .... 6 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус .... 20°С/Вт
Температура рп перехода..............................+160 °C
При Т,,> + 40°С Рк ср жаке. Вт (160—7к)/20
308
П родолжение
Температура корпуса-
2Т929А .... . . . . +125 °C
КТ929А . . . . . +85 °C
Температура окружающей среды:
2Т929Л...............................................- 60°С...7х =
= +125 °C
КТ929А............................................-40°С...7« =
= +85 °C
Шероховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть пс ме-
пее 1,6 Неплоскост носи, контактной поверхности теплоотвода должна быть не
более’ 0,04 мм. Для уменьшения контактного теплового сопротивления между
корпусом и теплоотводом следует применять теплоотводяшне смазки.
Папка выводов допускается пе ближе 3 мм от корпуса по методике, не
приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзистора, при тем-
пературе не выше +270 °C в течение не более 5 с.
2Т931А, КТ931А
Транзисторы кремниевые эпи-
таксиально планарные структуры
л р-п тенераторныс. Предназна-
чены для применения в широко-
полосных усилителях мощности,
умножителях частоты и автогене-
раторах па частотах 50..200 МГц
при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамиче
ском корпусе с полосковыми вы
водами Внутри корпуса имеется
согласующее /.С-звено Тип при
бора указывается па корпусе
Масса транзистора пе бо-
лее 7 г.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f 175 МГц при 1/кэ
=28 В, 7«С+40°С . . ... 80 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте f=175 Ml ц
при Р,Ы1С 80 Вт, не мепее:
2T93IA ............................................ .4
КТ931А.............................................3.5
Коэффициент полезного действия коллектора на частоте
/=175 МГц прн РвЫх=80 Вт, не мепее . . 50%
типовое значение........................ . . 60*%
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Укэ—5 В, /к —0,5 Л, типовое значение .... 25*
Модуль коэффициента передачи тока на частоте f
= 100 Ml ц при 1/кэ = Ю В, /и"5 Л, не менее ... 2,5
типовое значение . . .4*
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к
=0,5 Л, /е=0,1 А, типовое значение.....................0,09* В
309
Продолжение
Критический ток коллектора иа частоте f = 100 МГц при
17кЭ=10 В, типовое значение ... ... 22* А
Постоянная времени цепи обратной связи на частоте /=
=5 МГц прн 1/ка=10 В, /э=0,5 А, типовое значение . 18* нс
Емкость коллекторного перехода на частоте / = 30 МГц
при Uki>=28 В, не более......................... . 240 пФ
типовое значение 190* пФ
Емкость эмнттерного перехода на частоте f=5 МГц при
1/вв=0, не более................................ . . 380 пФ
типовое значение . .....................3200* пФ
Обратный ток коллектор—эмипер нри (7кэ = 60 В, Re^ —
= 10 Ом, не более:
Г=4-25°С
2Т931Л . ..............................20 мА
КТ931А . . . 30 мА
Т -4 85 °C КТ931А ... . . 60 мА
Т= -125 °C 2Т931\ ... 40 мА
Обратный ток эмиттера при (Узе = 4 В, пе более:
при Т=+25°С . . . . 10 мА
прн Т= 4-85 °C КТ931Л 20 мА
при 1=4-125 °C 2T93IA 20 мА
Индуктивность внутреннего l.C-звена, типовое значение 0.43* пГи
Емкость внутреннего LC-звена, типовое значение . . 1600* пФ
Индуктивность выводов, типовое значение:
эмнттерного:
прн /=1 мм............................................ 0 29* иГн
при 1 = 3 мм....................................0,47* и Г и
коллекторного:
нри I 1 мм......................................1,6* пГи
при 1-3 мм................................. .... 2,03* иГн
базового:
при 1=1 мм.................................... . 1,47* иГн
при 1=3 мм.................................... . 1,92* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
10 Ом . . ................60 В
Постоянное напряжение эмиттер — база..................4 В
Постоянный ток коллектора.............................15 А
Входная высокочастотная мощность . 20 Вт
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режиме
при Гж^4-40°С . . . . 150 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус .... 0,8°С/Вт
Температура р-п перехода .............................4-160 °C
Температура корпуса:
2Т931А ..................................+ 125 °C
КТ931Л ................ . 4-85 °C
Температура окружающей среды:
2Т931Л ........................................-60 °C. Т« =
_ . 19R °C
КТ931Л............................................ 40 °C . 7",,=
= + 85 °C
1 При Г„>+40 С 8к,ряожс, Вт-(160 Гж)/0.8.
Шероховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть нс ме-
нее 2,5 Неллоскостность контактной поверхности теплоотвода должна быть ие
более 0,04 мм.
Тепловое сопротивление корпус — теплоотвод при ианесепнн теплоотводящей
пасты типа КПТ 8 па поверхность теплоотвода транзистора не более 0,3 °С/Вт.
310
Пайка выводов допускается не ближе 1 мм от корпуса по методике, па
приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзисторов, прн тем-
пературе не выше +270°C в течение не более 3 с.
Электрическая схема транзисторов
Зависимости выходной
мощности и коэффици
ента полезного действия
от входной мощности
Зависимость выходной
мощности и коэффициен-
та полезного действия
от входной мощности
Зависимости выходной
мощности н коэффициен
та полезного действия
от входной мощности
Зависимости выходной
мощности н коэффици-
ента полезного действия
от напряжения коллек-
тор — эмиттер
Зависимость критиче-
ского тока от напряже-
ния коллектор — эмиг
тер
Зависимость модуля
статического коэффици
ента передачи тока о г
тока коллектора
311
t. пс
Зависимость емкости коллекторного
перехода от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость постоянной времени
цепи обратной связи от тока кол-
лектора
Зависимость емкости эмиттерного
перехода от напряжения база —
эмиттер
Зависимость допустимого постоянно
го тока коллектора от напряжения
коллектор эмиттер
2Т935А, КТ935А
Транзисторы кремниевые меза эпитаксиалыю-плапарные структуры п р п
переключательные. Предназначены для применения в переключающих и им
нульсных устройствах. Корпус металлокерамический с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 20 г.
219354, КТ935А
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:
при Тк = +25<’С, 17кэ=4 В, /к=15 Л
20.30*. .100
312
Продолжение
при 7’к=+125сС, UI!a=5 В, /к = 3 А для 2Т935Л.
ие более ...................
при Тж = -60сС, Uhs=4 В, /к=15 Л для 2Т935Л
Модуль коэффициента передачи тока па высокой частоте
при Пкз=Ю В, [=30 МГц, не менее.........................
Граничное напряжение при /к=1 А, нс менее
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1к~ 15 Л,
/Е=3 А, не более . . .............. . .
типовое значение ...............................
Напряжение насыщения база— эмиттер при /к=15 Л,
1В=3 А, нс более................... . . .
типовое значение ... .................
Время включения прн /к =10 Л, /с=2 А, не более
Время выключения при /д=10 Л, /г,=2 А, нс более
Емкость коллекторного перехода при 7/кб=10 В, не более
Емкость эмиттерного перехода прн 1/сэ = 4 В, не более
Обратный ток коллектор — эмиттер при Rca= 10 Ом, не
более:
Тк = Тк>.мии... 4-25 С, Екэ = 80 В . . . . . .
T* = TK.XIIKC, Uкз — 60 В...........................
Обратный ток эмиттера при иБв=4 В, пе_£олее
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при Rr>a =
= 10 Ом, Т„^100Х ..............................
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при Rca =
= 10 Ом, <и^50 мкс, /^^15 .мкс, Q^20 . ...
Постоянное напряжение эмиттер — база.................
Импульсное напряжение эмиттер — база прн /и<50 мкс,
О>20.......................... . .
Постоянный ток коллектора .... . .
Импульсный ток коллектора2 при /„<1 мс, Q^2
Постоянный ток базы . . .
Импульсный ток базы при tu^ 1 мс, Q>2
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора3 прн Тк =
~ Гк,Лии... + 50 ‘С ... . •
Температура р-п перехода . . .................
Температура корпуса:
2Т93Г А.............................................
КТ935Л . .......................
Температура окружающей среды:
2Т935А . ' ....................................
КТ935Л
150
10... 100
1,7
70 В
1 В
0,75* В
1,7 В
1,3* В
0,25* мкс
0,7* мкс
800 пФ
3500 пФ
30 мА
60 мА
300 мА
80 В
100 В
5 В
6 В
20 А
30 А
10 А
15 Л
60 Вг
+ 150 ГС
+ 125 °C
+ 100Х
-60сС...Гк =
= + 125 °C
-15°С..7к =
= +100 °C
1 При 7п=+ 100...150 °C I КЭН мпке снижается линейно до 40 В.
’ При включении алларзт;ры допускается выброс тока коллектора до 50 А в те-
чение 1 мс, далее ток коллектора спадает до 20 А в течение 2 мс.
’ При Гк>50°С Ри.япкс, Вт-(ГП-Гк)/Лт(„_ж), где ЯГ(П_К) определяется из об-
ласти максимальных режимов (например, при В, fI{~ 10 А 1 6 С/Вт)
КТ936 (А, Б)
Транзисторы кремниевые эпнтаксиалыю-планарпые структуры п р-п гене-
раторные. Предназначены для применения в широкополосных линейных усили-
телях мощности в герметизированной аппаратуре. Выпускаются в двух конст-
рукшвных исполнениях с жесткими выводами: КТ936А — па круглом кристал-
313
лодержателе, К.Т936Б — на прямоугольном кристаллолержателе с диодом —
Датчиком температуры Тип прибора указывается на сопроводительной таре.
Масса КТ936А нс более 0,2 г, КТ936Б — ие более 0,6 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
С,к.>=3 В, /«=100 мА, ие мепее.......................6
Обратный ток коллектор — эмиттер при t/ив=60 В,
Roi 0, не более:
КТ936Л...........................................10 мА
КТ936Б .... .......................30 мА
Обратный ток эмиттера при (7эс 0, нс более:
КТ936Л...............................................15 мА
КТ936Б......................................... . 40 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—-эмиттер прн R,c = 0 60 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /в=0 . 35 В
Постоянное напряжение коллектор — база . ... 60 В
Постоянное напряжение эмиттер — база............3.5 В
Прямой ток диода........................................0.1 Л
Постоянный ток коллектора:
КТ936А..............................................3.3 Л
КТ936Б .................................10 А
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режиме
при ТК^+75°С:
КТ936А . ................................. 28 Вт
КТ936Б........................ ..................83,3 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус:
КТ936Л . . . . .... 4.5°С/Вт
КТ936Б . . ......................1.5°С/Вт
Температура р-п перехода . . . +200 °C
Температура кристаллодержателя......................+100 °C
Температура окружающей среды......................— 60°С/« =
-= +100 °C
Прн 7„> + 75'С PK,CPMW. Вт-(2<Ю-7.)/Дг(як>.
314
Зависимости допустимого постоянного
тока коллектора от напряжения коллек-
тор — эмигтер
КТ940 (А, Б, В)
Транзисторы кремниевые мезапла
KTSbO (А -5 )
парные структуры п-р-п усилительные.
Предназначены для применения в вы-
ходных каскадах видеоусилителей те-
левизионных приемников цветного и чер-
по-белого изображения. Корпус пласт '<
массовый с жесткими выводами
Масса транзистора не белее 0,7 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Сие=10 В, /и —30 мА, не менее . ...................25
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ
при Г/кэ = 10 В, /к= 15 А, не менее...................90 МГц
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=30 мА,
/в=6 мА, пе более ... 1 В
Fmkoctb коллекторного перехода при Uxr. 30 В, f=l МГц,
не более..............................................5,5 пФ
Обратный ток коллектора, не более-
при Нил = 250 В для КТ910А .............50 нА
при Ukb=160 В для КТ940Б . . . 50 нА
при 17ие=Ю0 В для КТ940В . . . 50 нА
Обратный ток эмиттера прн Саг.=.3 В. не более .... 50 нА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база при 7К =
КТ940А ... . ................... 300 В
КТ940Б.................................. . 250 В
КТ940В .........................• . . . 160 В
315
Продолжение
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при R
^10 кОм. Т„ = — 45 . +45 °C
КТ940Л ... ........................... 300 В
КТ940Б............................................... 250 В
КТ940В................................................160 В
Постоянное напряжение база—эмиттер прн Тк — — 45. ,+4о°С 5 В
Постоянный ток коллектора при 7„=-45... + 45°С 100 мА
Импульсный ток коллектора прн /„=30 мкс, Q^slO, Тк=
= —45...+45 °C ... ................ 300 мА
Постоянный ток базы при Гк =—45. . + 45 °C.................50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
без теплоотвода1, 7= —45..+25°С ... 1,2 Вт
с теплоотводом2, ——45...+45 °C; Пиэ=100 В . . 10 Вт
Тепловое сопротивление переход — среда.................104°С/Вт
Талловое сопротивление переход — корпус...................!0°С/Вт
Температура р-п перехода . .'.................+150°C
Температура окружающей среды................................—45 , + 85°С
1 При Т>+25СС Р/СЛОЯС. Вт= (150 — 7 )/104.
’ При Т‘К>+45°С и О’ио>100 В РИл1„„с определяется из рисунка.
Зависимости максимально допустимой постоян-
ной рассеиваемой мощности коллектора от тем-
пературы корпуса
КТ943 (А, Б, В, Г, Д)
Транзисторы кремние-
вые мезаплапариыс струк-
туры п-р-п усилительные.
Предназначены для приме-
нения в усилителях и им-
пульсных устройствах Кор-
пус пластмассовый с жест-
кими выводами.
Масса транзистора не
более 0,8 г
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн
Пкз -2 В, /к 0,15 А;
Т— 4-26 °C-
КТ943.А.............................................. 40.200
КТ943В . . ...............................40 160
316
Продолжение
КТ943В . ................ '10 120
КТ943Г.......................................... . 20 60
К Г ИЗД....................... . . 30. 100
7=+85 °C:
КТ943А........................................ .... 40. .400
КТ943Б . . ...................... 40...320
КТ943В............................. . ... 40...250
КТ943Г ................................ 20 .200
КТ943Д ................................ 30. 300
Т= — 45 °C, нс менее:
КТ943А, КТ943Б, КТ943В ...........................15
КТ943Г, КТ943Д . 5
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при
{/ко—Ю В, /к = 0,25 А, f= 10 МГц, нс менее .... 3
Граничное напряжение при /к=0,1 А, не менее:
КТ943А . .... 45 В
КТ943Б, КТ943Д .........................60 В
КТ943В, КТ943Г.......................................80 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /»- 1 А,
/в=0,1 А, не более
КТ943А, КТ943Б, КТ943В . ............0,6 В
КТ943Г, КТ943Д......................................1.2 В
Обратный ток коллектора прн Ukb—Uke .макс» не более:
45 4-25°С‘
КТ943А, КТ943Б, КТ943В...........................0.1 мА
КТ943Г, КТ943Д...................................1 мА
7=+85 °C:
КТ943А, КТ943Б, КТ943В . 0,3 мА
КТ943Г, КТ943Д . . . 3 мА
Обратный ток эмиттера при UEB — 5 В, не более
КТ943А, КТ943Б. КТ943В ... 1 мА
КТ943Г, КТ943Д . . . 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ943А.................................................. 45 В •
КТ943Б . . 60 В
КТ943В, КТ943Г, КТ943Д........................ 100 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при ₽«а =
-10 Ом или Rsa— 1 кОм:
КТ943А....................................................45 В
КТ943Б, КТ943Д.......................................60 В
КТ943В, КТ943Г.............................. ... 80 В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при Re3 — 10 Ом:
КТ943А...................................... ... 50 В
КТ943Б...............................................75 В
КТ943Д...............................................80 В
КТ943В. КТ943Г ... . . . . 100 В
Постоянное напряжение эмиттер — база ... . 5 В
Постоянный ток коллектора .................................2 А
Импульсный ток коллектора при /а^1 мс, Q^50 ... 6 А
Постоянный ток базы ... . . 0.3 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при Тк —
= —45 ..+25 °C ............................25 Вт
Температура р-п перехода , . . . . . + 150 °C
Температура окружающей среды .... ... 15 °C 7К =
= + 85 °C
1 При Гк>+25<’С Pff яожс, Вт-0,2(150-Гж) Разрешается использование транзисто-
ров в блоках кадровой развертки телевизоров при fu~10 мс, С^2,
317
Входные характеристики
Зависимость статического коэффициен-
та передачи гока от тока коллектора
Зависимости статическо-
го коэффициента пере=
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимости напряже-
ния насыщения коллек-
тор— эмиттер от отно
шения токов коллектора
и базы
Зависимость допустимо-
го постоянного напря-
жения коллектор
эмиттер от сопрогивле
ния база — эмиттер
Зависимость
эмиттерного
от напряжения база
эмиттер
емкости
перехода
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллск
тор — база
Зависимость обратного
тока коллектора от тем
пературы
318
2Т944А, КТ944А
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиалыю-планар-
вне структуры п-р-п опе-
раторные. Предназначены
для применения в широко-
полосных усилителях мощ-
ности на частотах 1,5..
30 МГц при напряжении
шнания 28 В Выпускают-
ся в металлокерамическом
корпусе с жесткими выво-
дами н монтажным винтом.
Тип прибора указывается
па корпусе.
Масса транзистора не
более 40 г.
КТЗЫА
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте [=30 МГц при Uko~28 В,
/'«<+45 °C, не менее . . . 100 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте /=30 МГц
при С'кз = 28 В, Рвь,х = 70 Вт, не менее ...............10
типовое значение ... .............13*
Коэффициент полезного действия коллектора на частоте /=
-30 МГц при В'кэ = 28 В. Р„,4х= 100 Вт, не менее . 60%
Коэффициент комбинационных составляющих 3-го и 5-го по-
рядков на частоте [ = 30 1МГц при Б'кэ = 28 В Р^х(пч> =
=70 Вт, не более . . ..........................30 дБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн
Ь'к» = 5 В, /к=10 А:
Т'=+25°С...........................................10.80
Т'=-60°С, 2Т944А . .... . . 8 80
7"=+125 °C, 2Т944А, не более .....................250
Модуль коэффициента передачи тока на частоте f 30 МГц
при Uks 10 В, /к=2 А, не менее .........................3,5
типовое значение . 4,5*
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 7К 10 А,
/е=2 А, не более........................................2,5 В
типовое зна генне...................................1.5* В
Емкость коллекторного перехода при Ukb = 28 В, не более 350 нФ
Емкость эмиттерного перехода ври Usb—0, не более . . 1500 гФ
Обратный ток коллектор — эмнттер при 17ие = 100 В, Rca=
~ 10 Ом, ие более . . . .80 мА
Обратный ток эмиттера при /7эв=5 В, не более . 150 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при /?.с<
<10 Ом:
7'»< + 100°C.........................................100 В
7'п= + 175°С . . 50 В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при /?•,«<•
< 100 Ом . . 100 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . . ... 5 В
Постоянный ток коллектора...............................12.5 А
Импульсный ток коллектора при /,,^1 мс, Q^2,5 . . . 20 Л
Постоянный ток базы ... 51
Импульсный ток базы при /и<1 мс, Q^2,5 . . 10 Л
Степень рассогласования нагрузки при Р«Мх(по)—70 Вт в те-
чение 1с..................................................30 1
319
Средняя рассеиваемая мощность8 в динамическом режиме
при 7x^4 ЮО С............................
Постоянная рассеиваемая мощность при (/ка^25 В Тп^
5g+90 °C .............
Тепловое сопротивление переход — корпус..
Температура р-п перехода .......
Температура корпуса:
2Т944А . ' . .
КТ944А .................
Температура окружающей среды
2Т944А...................................
КТ944А................................
Продолжение
70 Вт
55 Вт
1.67°С/Вт
+175 °C
+125 °C
+ 100 °C
-60 °C. 7К =
= +125 °C
-45°С...7К =
= +100° С
1 Прн 7^ —+ 100 .175 °C напряжение снижается линейно.
’ Прн 7* < + 100 °C РКмаяс Вт=(175-7к)/1.67
Зависимость выходной
мощности от входной
МОЩНОСТИ
Зависимость коэффиии
ента комбинационны\
составляющих от вы
ходкой мощности
Зависимость выходной
мощности от напряже-
ния коллектор — эмит-
тер
Зависимость статичсско
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор— эмнттср от тока
коллектора
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек
тор — база
320
2Т945 (А, Б, В), КТ945Б
Транзисторы кремниевые эпитакснальпо-нлаиарпыс структуры п-р-п пере-
ключательные Предназначены для применения в переключают.! х и импульсных
устройствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими
выводами.
Масса транзистора не более 20 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при Укэ- 7 В:
Тк +25 °C:
/к 15 А 2Т945А, 2Т945Б, КТ945Б . . .
/,<-=10 А 2Т945В
Тк = 7 к.макс*
/к=15 А, 2Т945А, 2Т945Б, КТ945Б . . .
/к =10 А 2Т945В............................
Тк = '1 К.MUH
/к= 15 А 2Т945А, 2Т945Б....................
/«=15 А КТ945Б, не менее , . . .
/к =10 А 2Т915В
^Модуль коэффициента передачи тока на высокой
частоте при икэ 10 В. /к=1 A, f=30 МГц не
менее ...
Граничное напряжение при /« = 0,1 А, /к.Мас = 0,3 А,
/, = 40 мГн, не мепее;
2Т945А.................................. . .
2Т945Б, 2Т945В . .
Напряжение насыщения коллектор — эми!тср при
/к = 15 А, /в=3 А для 2Г945А 2Т945Б КТ945Б и
1к = 10 А, /б 2 \ для 2Т915В, не более
Напряжение насыщения база—эмиттер при 1к —
= 15 А, /с=3 А для 2Т915А, 2Т915Б КТ945Б и
/к=10 А /с 2 А для 2Т945В, не более
Время нарастания при Uk — 100 В, /к=Ю А, //(,э =
4 В, /с 2 А не более ....
типовое значение ................................
Время рассасывания прн 6'к=100 В, /к = 10 А,
Т-бэ = —4 В, /с=2 А, не более
типовое значение ... ..............
Время спада прн Ск = 100 В, /к=10 А, С7ЕЬ=-4 В,
/в 2 А, не более . . . . . .
типовое значение ............................
10 60
10 60
5. 180
5... 180
5.80
8
5.80
1.7
200 В
150 В
2.5 В
3 В
0,08* мкс
0,052* мкс
1,1* мкс
0.75* мкс
0,24* мкс
0,14* мкс
21 Заказ № 1004
321
П родолжсние
Емкость коллекторного перехода при С'ле —30 В . 120* „150*...200 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер при Ui:an=
Окэн.маке, /?<»= 10 Ом, ие более
/« = 7K1.MU11... + 25°C . . 25 «А
ТК = ТХМВКС 2Т945.А, 2Т945Б, 2Т945В . . . 50 мА
КТ945Б .... 8С мА
Обратный ток эмиттера прн С'сэ —3 В. i:e более 300 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное напряжение коллектор —
эмнтгер нри /?б»=10 Ом:
2Т945А............................................ 200 В
2Т945Б, 2Т945В, КГ9-15Б........................150 В
Постоянное напряжение база — эмиттер . . . 5 В
Постоянный ток кол гектора-
2Т945А, 2Т945Б, КТ945Б..........................15 А
2Т945В 10 А
Импульсный ток коллек ора-
2Т945.А, 2Т945Б, К1945Б..........................25 А
2Г945В..........................................20 А
Посюянный ток базы.............................. 7 А
Импульсный ток базы...............................12 А
Постоянная рассеиваемая модность коллектора 1 при
7, = -60...+ 50°C . . ... . 50 Вт
Температура р-п перехода-
2Т945А, 2Т945Б, 2Т945В..........................+175 °C
КТ945Б . . ....................+150 °C
Температура корпуса.
2Т945А, 2Т945Б, 2Т915В..........................+125 °C
КТ945Б .....................................+Ю0гС
Температура окружающей среды:
2ГО >А, 2Т945Б, 2Т945В ..............-60 °C . + 125 ГС
КТ945Б................................. . . — 45сС...7к = + 100сС
При Г„> + 50'С РКяпс. BT-(rn-rx)/RT(n_K)
Прн конструировании аппаратуры следует учитывать возможность само-
возбуждения транзистора за счет паразитных связей.
Пайка выводов транзисторов допускается ие ближе 5 мм от корпуса па-
яльником. нагретым до температуры не более +250°C, в течение не более 3 с.
Зона возможных положении зависимости стати-
ческого коэффициента передачи тока от тока
коллектора
322
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициент
передачи тока от тока
коллектора
Зависимость напряжения
насыщения коллектор —
эм m тер от коэффициен-
та насыщения
Зависимости допустимо-
го постоянного напря-
жения коллектор —
эмнтгер от сопротивле-
ния база — эмиттер
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость времени
нарастания от тока кол
лектора
Зависимость времени
рассасывания от тока
коллектора
Зависимость времени
спада от тока коллек-
тора
Зависимость импульсного теплового сопротивле-
ния переход — корпус от длитсльнос-i и им-
пульса
21
323
Области максимальных режимов
Области максимальных режимов
Области максимальных режимов
Облай и максимальных режимов
324
Область максимальных рс
жимов
2Т947А, КТ947Л
Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры п-р-п гене-
раторные Предназначены для применения в усилителях мощности, умножите-
лях частоты и автогенераторах на частотах 0,1.. 1,5 МГц при напояжении пи-
тания 27 В. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами
и монтажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе.
A'lacca транзистора не более 35 г.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте /=1,5 МГц при 1/ке = 27 В,
не менее ... . 250 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте /=1,5 МГц
при Р,»,х=250 Вт. Г7ко=27 В, не менее.................... 10
типовое значение ................................... 70*
325
П родолжение
Коэффициент полезного действия коллектора на частоте /=
— 15 МГн при Р,ыд=250 Вт, 1/иэ = 27 В не менее . 55%
типовое значение . . . . 60*%
Стати теский коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
йЛЭ = 5 В. /к = 20 Л:
7'»=+25 °C .......................................10 80
7к= + 125сС 2Т947А.................................5 160
'Л. = -60 °C 2Т947А................................5...80
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при В'кэДю В, /и = 4 А, / = 30 МГц, не менее .... 2,5
типовое значение...................................3.3*
Емкость коллекторного перехода при Ukb—'21 В, нс более 850* пФ
типовое значение ..................................680" пФ
Обратный ток коллектор — эмиттер при t/K9=100 В, R^=
= 10 Ом, не более
Г=+25°С ....................................100 мА
7 =+ 125 °C 2Т947\ ..........................160 мА
Обратный тек эмиттера при {7ЭВ = 5 В, не более . . , 15(. мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при R^^
СЮ Ом-
Г» «S+100 °C.......................................ЮС В
7'„=+200°С ..................... . 70 В
Постояное напряжение эмиттер — базт.................... 5 В
Постоянный ток коллектора . ...................20 А
Импульсный ток коллектора:
при /=100 кГц, 0^2.................................50 А
при /„С 300 мкс, Q^6........................... . . 40 А
Постоянная рассеиваемая мощность’ при 7„^50 °C . . 200 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус..................0,75°С/Вт
Температура р-п перехода...............................+ 20Г°С
Температура корпуса-
2Т947А . . . . . . . +125 °C
КТ947А ................. ..................+ 100 °C
Температура окружающей среды:
2Г947Л......................................... . . -6С°С 7,=
= 4 125 °C
КТ947А......................................... .... -60°С..7'х=
-+ 100 °C
1 В диапазоне температур 7‘п—-Н00...200 еС напряжение снижается линейно.
3 При Гк>+50сС Вт-(2СЮ-Гк)/0.75.
Допускается осевое усилие на винт не более 1200 H
Панка выводов допускается не ближе 2 мм от корпуса транзистора
При панке выводов температура корпуса не должна превышать +125 “С.
При отсутствии контроля температуры корпуса пайка производится паяльником,
нагретым до +250‘С в течение не более 2...3 с.
326
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от темпера-
туры корпуса
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимости напряже-
ния насыщения коллек-
тор— эмиттер от тока
коллектора
Зависимость модуля ко-
эффициента передачи
тока от тока коллектора
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость максималь-
но допустимого постоян-
ного тока коллектора
от напряжения коллек-
тор — эмиттер
2Т950 (А, Б)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры п-р-п усили-
тельные линейные. Транзистор 2Т950А предназначен для применения в широко-
полосных усилителях мощности в диапазоне частот 30.80 МГц при напряжении
питания 28 В, 2Т850Б — в диапазоне частот 1,5 30 МГц прн напряжении пита-
ния 28 В в герметизированной аппаратуре. Транзистор 2Т950А выпускается в
металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами и монтажным
винтом 2Т950Б используется без фланца корпуса. Тип прибора указывается
на корпусе
Масса транзистора 2Т950А не более 6 г, 2Т950Б без фланца не более 2 г.
ZT35D (А. б)
Элек|ричсские параметры
Й> /2,7
Выходная мощность при £Л, = 28 В, не менее.
2Г950А иа частоте 80 МГц
2Т950Б на частоте 30 МГц ...................
Коэффициент усиления по мощности при (7„ = 28 В:
2Т950А при Р«Ых=70 Вт на частоie 80 МГц
2Т950В при Р«ых=50 Вт на частоте 30 МГЦ
Коэффициент полезного действия коллектора при
(7„-28 В:
2Т950А при Р«ы.х=70 Вт на частоте 80 МГн
2Т950Б при Р,Мл<по)=50 Вт на частоте 30 МГц,
не менее ......................
Коэффициент комбинационных составляющих З-i о н
5 го порядков при Цп=28 В, P«„x(nO)=50 Вт:
2Т950А на частоте 80 МГц . . . .
типовое значение
2Т950Б на частоте 30 МГц, не более
Статический коэффициент передачи юка:
при Цкв=10 В, /к=5 А:
2Т950.А . . .
2Т950В .............. . . . .
при Идя =10 В, 7К~3 А, Гк = — 60 еС, не менее
Модуль коэффициента передачи тока на высокой
частоте при С'кэ=Ю В, /к=2 А, /=30 МГц:
2Т950А.......................................
2Т950Б.......................................
Емкость коллекторного перехода при (7кьо=28 В:
2Т950А..........................................
2Т950Б
Емкость эмиттерного перехода при Б'оьо=0, не
более ............................... . . . .
Сопротивление насыщения коллектор — эмиттер при
/к=10 А, /ь=2 А..................................
Входное полное сопротивление на большом сигнале.
2Т950А при PeUx=70 Вт на частоте 80 .МГц
2Т950Б при Рв»«(по1=50 Вт на частоте 30 МГц
Последовательное активное сопротивление эмиттера
Обратный ток коллектор — эмиттер:
при С,кэ=60 в, R,f>-10 Ом, не более
прн Г= —60 и +125 °C, не более . . . .
70 Вт
50 Вг
7...8.5*...11*
10. .17* .25*
65%..77%*...80%*
40%
-27 дБ
-30 дБ
-30 дБ
15.50*... 100*
10..40*. 100*
7
5...7,5*...12*
3.7,5*.. 12*
130*...150*. .165 пФ
130*...150*...220 нФ
1100* пФ
0,15 Ом
0,6+/1* Ом
2,4+/1,3* Ом
0,15* Ом
30 мА
50 мА
328
11 роОолжепие
Обратный ток эниттера прн 1/эдо = 4 В, не более . 100 мА
Индуктивность эмиттера:
при 1=2 мм . . . ... . 1,6* нГи
при 1=5 мм.................................2,1* нГц
Индуктивность базы:
при 1=2 мм.................................1,3* нГн
при 1=5 мм ....................2,3* нГн
Индуктивность коллектора:
при 1=2 мм . . 3,2* нГц
при 1=5 мм . .............. 4* нГи
Конструктивная емкость коллектор—корпус . . 2,2* пФ
Индуктивная емкость база — корпус . . . 1.15* нФ
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер прн
•анираюшем напряжении Ugc= —1,5 В в схеме вы-
сокочастотного усилителя:
2Т950А в диапазоне частот 30 80 МГн . . 60 В
2Т950Б в диапазоне частот 1,5..30 МГц . 65 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . . . 4 В
Постоянный ток коллектора:
2Т950А .................10 \
21950В .... ... 7 А
Высокочастотная мощность, падай тая на вход:
2Г950А . 10 Вт
2Т950Б ... . 5 Вт
КСВН коллекторной цепи при любой фа те коэффи-
циента отражения в течение не более 1 с:
2Т950А при Р»мх==70 Вт в диапазоне частот
30...80 МГц . . . .................30
2Т950Б прн Р«ых(по)=50 Вт в диапазоне частот
1,5...30 МГц....................................30
Средняя рассеиваемая мощность ючлектора в дина-
мическом режиме прн (7„ = 28 В
7\ =+30*С:
2Т950А.........................................84 Вт
2Т950Б.........................................60 Вт
Тк- +125 °C:
21950А . . . . . 36 Вт
2Т950Б .... 25 Вт
Тепловое сопротивлений переход — корите:
2Т950А.......................................1,25 °C/Вт
2Т950Б ................. 1,75 СС Вг
Температура р-п перехода........................+200 °C
Температура окружающей среды . ... —60°C 7*=+ 125°C
Допускается работа транзистора 2Т950А на частотах выше 80 МГц и в диа-
пазоне частот 1,5.. 30 МГц. При этом параметры Кур 1]к Из н Л!3 не
регламентируются. При работе на частотах ниже 30 МГц значения Р,ы* и
Pk,cj> макс снижаются па 40%.
Допускается работа транзистора 2Т950Б на частотах выше 30 МГц. При
этом параметры РЪЬ1Х, Кц.р, •!», Л13, W. ие регламентируются
При креплении транзистора 2Т950А крутящий момент на монтажный винт
не должен превышать 1,8 Н м.
Панка выводов транзисторов допускается ие ближе 1 мм от корпуса па-
яльником с температурой не выше +260 °C в течение времени не более 8 с.
Конструкция корпуса транзистора 2Т950Б обеспечивает отпайку фланца от
корпуса и ие менее чем трехкратную перепайку транзистора на монтажную
329
поверхность гибридной микросхемы при температуре не более +200 °C в тече-
ние не более 8 с Для отпайки фланца от корпуса необходимо провести локаль-
ный подогрев винта фланца.
Зависимости выходной
мощности от входной
мощности
Зависимости выходной
мощности от входной
мощност и
Зависимости коэффици-
ента комбинационной
составляющей 3-го по-
рядка от выходной мощ-
ности
Зависимость коэффици-
ента усиления по мощ-
ности от частоты
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость модуля ко
эффициента передачи
тока на высокой часто-
те от тока коллектора
2Т951 (А, Б, В)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п усили-
тельные линейные. Транзисторы 2I95IA, 2Т951В предназначены для примене-
ния в широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 30.80 МГц
нри напряжении питания 28 В, транзистор 2Т951Б — в диапазоне частот
1.5...30 МГц при напряжении питания 28 В в герметизированной аппаратуре.
Транзисторы 2Т951А и 2T95IB выпускаются в металлокерами icckom кор-
пусе с гибкими полосковыми выводами и монтажным винтом. Транзистор
21951В используется без фланца корпуса. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов 21951А н 2T95IB не более 3,5 г, 2Т951Б без фланца ие
более 2 г.
330
11954» В)
Электрические параметры
Выходная мощность при (/„ = 28 В, ие менее:
2Т951А на частоте 80 МГц...............
2T95ID на частоте 30 МГц...............
2Т951В на частоте 80 МГц...............
Коэффициент усиления по мощности при (/„ = 28 В:
2T95IA при Ряы1=25 Вт на частоте 80 МГц
2T95ID при Рвы.г(пб1=20 Вт на частоте 30 МГц
2T95IB при Рвь,х=3 Вт на частоте 80 МГц
Коэффициент полезного действия коллектора прн
(/„ = 28 В:
2T95IA прн Р«ых=25 Вт тта частоте 80 МГц
2Т951Б при Р8ых<„о)=20 Вт на частоте 30 МГц,
не менее ....
2Т951В при Реых^З Вт па частоте 80 МГц
Коэффициент комбинационных составляющих 3-го и
5 го порядков прн (/„=28 В, не более
2T95IA прн Рвь1х(„о)=15 Вт на частоте 80 МГц
типовое значение ...
2Т951Б прн Р»ых(по>—20 Вт на частоте 30 МГц
типовое значение
2Т931В при Р«ых(п„)=2 Вт на частоте 80 МГц
типовое значение .... .
Статический коэффициент передачи юка при (/кв=
= 10 В:
7„=+25 и +125°C:
2Т951А прн /к = 2 А.......................
2Т951Б при /к = 2 А.......................
2T95IB при /к=0,4 А
7К = -60 °C, (7ив=Ю В, /к=0,2 А. не меиее
Модуль коэффициента передачи тока на вы окон ча-
стоте при 1/кэ=10 В, / = 30 МГц:
2Т951А при /к=1 А...........................
2Т951Б при /к-=1 А.......................
2Т951В при /к = 0,2 А....................
Емкость кол чекторного перехода при (/кво=28 В:
2T95IA, 2Т951Б ... . . . .
2Т951В ...................................
Емкость эмнттерного перехода при (/эво=0:
2Т951А, 2Т951Б ...........................
2Т951В.....................
Входное полное сопротивление на больш м сигнале
2T95IA нри Реь1х=70 Вт па частоте 80 МГц
25 Вт
20 Вт
3 Вт
8.3...20* ..25*
I0...20*..25*
I5...30* 40*
60...70*...80%*
404
50. .58*. ..00 %*
-30 дБ
-36* дБ
-30 _Б
-33* :Б
-27 дБ
-33* дБ
15...50*... 100*
10...40*... 100*
30... 100* ...200*
6
5.. 10*.. И*
3. 10* 14*
5. 14* :я*
60*...68*...7О пФ
9*. 9,5* 12 пФ
600* пФ
80* пФ
0,8+j2,2* Ом
331
Продолжение
2Т951Б при РВыМпо)=20 Вт на частоте 30 МГц 3.5+/5* Ом
2Т951В при Реых=3 Вт на частоте 80 МГц 2-/2* Ом
Последовательное активное сопротивление эмиттера:
2Т951Л, 2Т951Б ....................0,2* Ом
Обратный ток коллектор — эмиттер при 1Лкэо=60 В,
К,6— 10 Ом, не более:
2Т951Л 2Т951Б-
прн / = +25°C . .... 20 .мА
14'11 7 =-63 н +125°C.....................40 мА
2Т951В:
три 7 = +25 °C 5 мА
при 7--60 и +12о°С...........................10 мА
Обратный ток эмиттера при U3eo=4 В, не более:
21951 Л, 2Т951Б 40 мА
2Г951В 10 мА
Индуктивность эмиттера:
2Т951А. 2Т951Б:
при 1 = 2 мм..............................2,8* нГн
при I—5 мм................................3,8* нГн
2T95IB:
при 1 — 2 мм..............................4.2‘ нГн
при 1 = 5 мм ... . .... 5,2* нГц
Индуктивность базы:
2Т951Л, 2Т951Б:
прн 1 = 2 мм..............................2,1* иГп
прн М мм..............................3,2* иГп
2Т951В
при I 2 мм..............................3.5* нГц
при /=5 мм 4,5* нГн
Индуктивность коллектора 2Т951А, 2Т951Б, 2Т951В:
при / 2 мм ..... 1,3* пГп
при 1=5 мм.................................3,2* и Гн
Конструктивная емкость коллектор — корпус . . I* пФ
Конструктивная емкость база — корпус .... 0.8* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер прн
запирающем напряжении С/ЭБ= —1,5 В в схеме вы
сокочастотпого усилителя.
2Т951А, 2Т951В в диапазоне частот 30. .80 МГц 60 В
2Т951Б в диапазоне частот 1,5.. 30 МГц . . 65 В
Постоянное напряжение эмиттер — база ... 4 В
Постоянный ток коллектора:
2 Г951Л....................................5 Л
2Т951Б.....................................ЗА
2Т951В ... ... ... 0.5 А
Высокочастотная мощность, падающая на вход'
2T95IA . . 3 Вт
21951Б ...............................2 Вт
2T95IB , . . 0.2 Вт
КСВН коллекторной тип при любой фазе коэффи-
циента отражения в течение нс более I с'
2Т951Л при 25 Вт в диапазоне частот
30.80 МГц..................................30
2Т951Б прн /%ых=20 Вт в диапазоне частот
1,5 .30 МГц................................30
2Т951В при Реых 3 Вт в диапазоне частот
30. 80 МГц.................................30
332
П родолжение
Средняя рассеиваемая мощность коллектора в дина-
мическом режиме при (7„=28 В:
Л. < + 30 °C:
2Т951Л .................................
2Т951Б .... .
2Т951В ... ................
Тк = +125 °C:
2Т951Л .............................
2Г951Б...................................
2Т951В........................... . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2Т951Л . . ... . . ,
2T951D.....................................
2T95IB ....................................
Температура р-п перехода.......................
Температура окружающей среды...................
45 Вт
30 Вт
6.3 Вт
8 Вт
12 Вт
2.8 Вт
2,83 'С/Вт
4,25°С/Вт
12,1 °C,'Вт
+ 200 °C
-60°C ТК= + 125°С
Допускается работа транзисторов 2T95IA и 2Т951В на частотах вмшс
80 МГц и в диапазоне частот 1,5.30 МГн При этом параметры Р„ых, Кц.г, »]к,
Л13 и Л15 не регламентируются. Прн работе на частотах ниже 30 МГц значения
Р',»' и Рк ,ср,макс снижаются на 40%
Допускается работа транзистора 2Т951Б на частотах выше 30 МГц. При
этом параметры Р„Ых, Ке.р, Л/3 н Л15 не регламентируются.
Крутящий момент па монтажный ввит прн креплении транзисторов 2Т951А,
2Т951В 1,2 Нм.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 1 мм от корпуса
паяльником с температурой не выше +260°C в течение не ботее 8 с.
Конструкция корпуса транзистора 2Т951Б обеспечивает отпайку фланца ог
корпуса и не менее чем трехкратную перепайку транзистора на монтажную
поверхность гибридной интегральной микросхемы при температуре не более
+260 °C в течение не более 8 с. Для отпайки фланца от корпуса необходимо
провести локальный подогрев винта фланца
Зависимость статнческо- Зависимоегъ статическо- Зависимость коэффпцн
го коэффициента пере- го коэффициента перс- ента комбинационной
дачи сока от тока эмнт- дачи тока от тока эмит сос|авляющен 3-го по
тера тсра рядка от выходной мощ-
ности
333
Зависимость коэффици Зависимость коэффици- Зависимость выходной
ента комбинационной ента комбинационной мощности от входной
составляющей 3 го по- составляющей 3-го по- мощности
рядка от выходной мош- ряцка от выходной
ности мощности
Зависимость выходной мощности от
входной мощности
Зависимость выходной мощности от
входной мощности
Зависимость- модуля коэффициента
передачи тока на высокой частоте
от тока коллектора
Зависимость модуля коэффициента
передачи тока на высокой частоте
от тока коллектора
334
2Т955Л, КТ955А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р п гене-
раторные Предназначены для применения в линейных широкополосных усили-
телях мощности на частотах 1,5...30 МГц при напряжении питания 28 В Выпу-
скаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами Тип прибо-
ра указывается па корпусе.
Масса транзистора пе более 6 г.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f=30 МГц при 1/ка=28 В,
не менее . . .........................20 Вт
Коэфф щнент усиления по мощности на частоте /=30 МГц
при Рвых(м)=10 Вт (двухтоновый сигнал), Uks=28 В,
С'эь — 0,66 В, не менее..............................20
Коэффициент полезного действия коллектора иа частоте f=
=30 МГц при Р«ых(по) = 10 Вт (двухтоиовый сигнал), Uita =
=28 В, Г'эб=0,66 В, не менее.........................25%
Коэффициент комбинационных составляющих 3-го и 5 го по-
рядков на частоте /=30 МГц при Рвыл(по)=Ю Вт (двухтопо-
вый сигнал), Г'кэ=28 В, Г'ЭБ=0,66 В, пе более .... —33 дБ
типовое значение..................................—38* дБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Б'к9=5 В, /к = 1 А:
прн Г= -25 СС.....................................10.. 80
типовое значение ................................. 35*
при 7"=—60сС 2Т955Л...............................5..80
при 7'= + 125сС 2Т955А.......................... . 10.. 250
Модуль коэффициента передачи тока на частоте /=30 МГц
прн Б'я3=5 в, [к 1 д, це менее ....... 3,3
типовое значение................ .................10*
Емкость коллекторного перехода при 28 В, /=1 МГц,
пе более . . ... , . 75 Ф
типовое значение ................60 пФ
335
Продолжение
Емкость эмнттерного перехода при Ubb—4 В, /=1 МГц,
нс более ... ........................ З2О пФ
типовое значение.................................. 200* пФ
Входное полное сопротивление на частоте f=30 МГц нрн
Р«ычп-.>= 10 Вт (7кэ=28 В, типовое значение 0.75+/I.2* Ом
Обратный ток коллектор — эмиттер при С'ка=60 В, /?аб=
= 10 Ом, не более
7 = +25 °C ..................................10 мЛ
7=+ 125°C ............................................26 мА
Обратный тик эмиттера при 7Лэв=4 В, не более .... 10 мА
Индуктивность выводов типовое значение
эмнттерного .................2 । I н
коллекторного .... .....................26’ИГн
базоного . .................2.4* иГн
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при
Постоянное напряжение эмиттер — база...................
Постоянный ток коллектора ................
Постоянный ток базы ................
Степень рассогласования нагрузки при Р«ых(по)=20 Вт в те-
чение 1с.
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режиме
при 7к< + 100°С . .
Тепловое сопротивление переход—корпус..................
Температура р-п перехода ... ................
Температура корпуса:
2Т955Л ... . .
КТ955Л ..........................
Температу ра окружающей ср-. л
2Т955А ......................
КТ955А
70 В
4 В
6 А
2 А
30: I
20 Вт
6,07 °С/Вт
+ 200 °C
+ 125 ’С
+ 85 'С
-60°С...7'« =
- + 125°С
-45°С...Г« =
= + 85 °C
1 При ?х> + Ю0-С Р„,СР1.Х„КС. Вт-(200 - 7К).'6.07.
При панке выводов температура корпуса не должна превышать +125 °C.
При отсутствии контроля температуры корпуса пайка производится паяльником,
нагретым до +250 °C, в течение не более 8 с.
Зависимость коэффици-
ента усиления от вы-
ходной мощности
Зависимость коэффпци
ента полезного действия
от выходной мощности
Зависимое™ коэффици-
ента комбинационных
составляющих от вы-
ходной мощности
336
Зависимость модуля ко
эффициснта передачи
тока от тока коллек-
тора
Зависимое гь статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость статическо-
го коэффициента нере
дачи тока от темпера-
туры корпуса
Зависимость емкости коллекторного
перехода от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость допустимого постоянно-
го тока коллектора от напряжения
коллектор — эмипер
2Т956А, КТ956А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры п-р-п гене-
раторные Предназначены для применения в линейных широкополосных усили-
телях мощности на частотах 1.5...30 МГц прн напряжении питания 28 В Вы-
пускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и мон-
тажным винтом Тип прибора указывается па корпусе.
Масса транзистора не более 15 г.
2T35SA КГ9Л6А
22 Заказ № 1004
337
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f=30 МГц при Una = 28 В,
не менее..................................................100 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте f—30 МГц
при Р<Мх(ПО)=80 Вт (двухтоиовын сигнал), 17яв=28 В, (/эе =
= 0,5 В, не менее ........................................20
типовое значение ...................................... 30*
Коэффициент полезного действия коллектора на частоте f=
=30 МГц при A>eh.i(no)=80 Вт (двутоновый сигнал), Ung —
28 В, С/эс=0,5 В, ис менее........................... 45%
Коэффициент комбинационных составляющих 3-го н 5-го по-
рядков на частоте f=30 МГц при Р,ЫХ(п ;=80 Вт (двухтопо-
вый сигнал) Uk;>=28 В (7эб«0,5 В, пс более —33 дБ
типовое значение —36* дБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1Лгв = 5 В, /к=1 Л:
7=+25 °C ...............................Ю...80
Т= -60°C 2Т956Л .... .................5..80
7=+ 125 °C 2Т956А .... 10 250
Модуль коэффициента передачи тока на частоте f— 30 МГц
при Г/кя=5 В, /к=1 А, не менее ... ... 3.3
типовое значение.................................. .... 5,2*
Г'мкость коллекторного перехода при Unn —28 В, f=l МГц,
ие более . . .....................................400 пФ
типовое значение ...................................... 380* пФ
Гмкость эмиттерного перехода при (7эь- 4 В, f — 1 МГц, ие
более................................................ .... 1600 пФ
типовое значение ............................... 1200* пФ
Входное полное сопротивление на частоте f—ЗС МГн при
/,.ых(>ю)=80 Вт, (7иэ = 28 В, типовое значение . 1,4 + /2,4* Ом
Обратный ток коллектор — эмиттер прн (7ка=100 В, Rcx=
10 Ом, не более:
7=+25 °C ... ... ... 80 мА
7=+ 125 °C 2Т956А 100 мА
Обратный ток эмиттера при Г7эе = 4 В. не более .... 30 мА
Индуктивность выводов, типовое значение:
эмиттерного............................................2,8* в Гн
коллекторного..........................................2.6* нГн
базового............................................. , 2,8* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер при Rx^lO Ом
Постоянное напряжение эмиттер — база...................
Постоянный ток коллектора..............................
Постоянный ток базы....................................
Степень рассогласования нагрузки прн Р«,41 = 70 Вт в тече
пне 1с.. . . .
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режиме при
Г* < + 100 °C................ .........................
Тепловое сопротивление переход — корпус................
Температура р-п перехода...............................
Температура корпуса:
2Т956А .............................................
КТ956Л ................................
Температу ра окружающей среды:
2Т956А..................................................
100 В
4 В
15 А
5 А
30 1
70 Вт
1,68 °С/Вт
+200 °C
+ 125 °C
+ 85 °C
-60°С...7я
= + 125гС
-45 °C 7„ =
= + 85 °C
КТ956Л.........................................
’ При 7'К> + 100СС Рк rj)JM,1KC, Вт (200-7 Х)/1,Ь8
338
Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса.
При пайке выводов температура корпуса пе должна превышать +125 °C.
При отсутствии контроля температуры корпуса пайка производится паяльником,
нагретым до +250 °C, в течение не более 8 с не ближе 1 мм от корпуса.
Зависимость коэффици-
ента усиления от выход-
ной мощности
Зависимость коэффици-
ента полезного дейст-
вия от выходной мощ-
ности
Зависимость коэффици-
ента комбинационных
составляющих от выход-
ной мощности
Зависимость модуля ко-
эффициента передачи
тока от токе коллектора
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость статическо-
го коэффициента перс
дачи тока от темпера-
туры корпуса
Зависимость емкости коллекторною
перехода от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость допустимого постоян-
ного тока коллекто|>а от напряже-
ния коллектор — эмиттер
22*
339
2Т957А, КТ957А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры п-р-п гене-
раторные Предназначены для применения в линейных широкополосных усили-
телях мощности па частотах 1,5. 30 МГц прн напряжении питания 28 В. Вы-
пускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и мон-
тажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 15 г.
2T8S1A K73S1A
Выходная мощность на частоте [=30 МГц при С'кэ—28 В,
не менее ........................................125 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте [=30 МГц
при Р«...мПо)= 150 Вт (двухтоиовый сигнал), (7кэ = 28 В,
Uar. 0,45 В, не менее................................. 17
Коэффициент полезного действия коллектора на частоте [
= 30 МГц при Роы1(по)= 150 Вт (двухтоиовый си/нал), Una —
=28 В, L7sb-=0,45 В, не менее............................. .50%
Коэффициент комбинационных составляющих 3-го и 5 го по-
рядков па частоте [ = 30 МГц прн РОМХ(По) = 150 Вт, Uks —
=28 В, £7эв=0,45 В, не более . ... —33 дБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн
1/ка 5 В, 7к = 5 А.......................................К) 80
типовое значение .................................... 50*
Модуль коэффициента передачи тока па частоте [=30 МГц
при С7цэ = 5 В, 1к = 5 А, не менее ... .3.3
Емкость коллекторного перехода при 17«в —28 В. не более . ООО пФ
типовое значение ...... . 500* нФ
Емкость эмиттерного перехода при Uar, — 4 В, нс более . 2250 пФ
типовое значение . 1900* пФ
Обратный ток коллектор — эмиттер при Ь'кэ 00 В R.-r>=
= 10 Ом, ие более ... 100 мА
Обратный ток эмиттера при Uar 4 В, не более .... 30 мА
Полное входное сопротивление па частоте f 30 МГц при
Ряых1П:1 125 Вт, типовое значение ... . 0,6+/0,5* Ом
Индуктивность выводов, типовое значение.:
эмиттерного . . ..........................1,4* нГн
базового......................................... . 2,2* нГи
коллекторного........................................2* и Гн
340
Предельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при /?,6^ЮОм 60 В
Постоянное напряжение эмиттер — база....................4 В
Постоянный ток коллектора..................................20 Л
Постоянный ток базы.........................................7 Л
Степень рассогласования нагрузки при Р«ых(п<>)=70 Вт в те-
чение 1с ............................................. . 30 I
Средняя рассеиваемая мощность 1 в динамическом режиме прн
7K< + 100°C .........................................100 Bi
Тепловое сопротивление переход — корпус.................1,42°С/Вт
Температура р-п перехода................................+200°C
Температура корпуса:
2Т957Л..................................................4 125 °C
КТ957А .......................+85 °C
Температура окружающей среды:
2Т957А..................................................-60°С.Тж =
= + 125 °C
КТ957Л..............................................-45сС.7к =
- +85 °C
1 При 7„> + 100’С РК1Скл1акс. Вт-(200-Гк) 1.42.
Изгиб выводов допускается ие ближе 3 мм от корпуса.
При пайке выводов температура корпуса не должна прсвышаш +125 °C
При он у и. 1 вин контроля температуры корпуса пайка производится паяльником
нагретым до +250°C, в течение не более 8 с не ближе 1 мм от корпуса
Зависимость коэффици-
ента усиления ог вы-
ходной МОЩНОСТИ
1Лгз!
Зависимость коэффици-
ента полезного действия
от выходной мощности
Зависимость коэффици-
ента комбинационных
составляющих от выход-
ной мощности
Зависимость модуля ко-
эффициента передачи
тока от тока коллек-
тора
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от темпера-
туры корпуса
341
Зависимость емкости коллекторного
перехода от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость допустимого постоян-
ного тока коллектора от напряже-
ния коллектор — эмиттер
2Т958Л, КТ958А
Электрические
Транзисторы кремниевые эпитак-
сиально-планарные структуры п-р-п
генераторные. Предназначены для
применения в широкополосных уси-
лителях мощности, умножителях ча
стоты и автогенераторах на частотах
50.. 200 .МГц прн напряжении 12,6 В.
Выпускаются в металлокерамическом
корпусе с полосковыми выводами.
Внутри корпуса имеется согласую-
щее LC звено. Тип прибора указыва-
ется на корпусе.
Масса транзистора не более 7 г.
параметры
Выходная мощность на частоте /=175 МГц при 6/кэ=12,6 В,
7\=+40'С, не менее......................................40 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте f 175 МГц
при Рвых=40 Вт, Uks- 12,6 В не менее 4
типовое значение ... .6*
Коэффициент полезного действия коллектора па частоте f
= 175 МГц при Р«мх=40 Вт, не менее .... 50%
типовое значение....................................75*%
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Uks 8 В, /к 500 мА, нс менее . 10*
типовое значение . 55*
Модуль коэффициента передачи тока на частоте f= 100 МГц
прн Uns- 10 В, /к = 3,5 А:
2Т958А, не менее.......................................4
типовое значение .................................... 7*
КТ956Л, не менее....................................... 3
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при /к = 500 мЛ,
/ь= 100 мА, типовое значение............................ 0 08* В
342
П родолжение
Критический ток коллектора на частоте f=100 МГц при
77кэ=1О В, типовое значение . . 20* Л
Постоянная времени цепи обратной связи па высокой часто-
те при (7«в=5 В, /э=50 мА, f = 5 МГц, типоз<ю значение 12* не
Емкость коллекторного перехода при (7кг =12 В. /=30 МГц,
не более ... ....................... 180 пФ
типовое значение................................. 130* пФ
Емкость эмнттерного перехода при 1/ов=0. 1=5 МГц, не
более .... ..............2100 пФ
типовое значение.....................................1920* нФ
Обратный ток коллектор — эмиттер при 77л»=36 В 7?5j=
= 10 Ом, не более:
7=+ 25 °C:
2Т958А...............................................15 иЛ
КТ958А ..................................25 мА
7=+ 125 °C 2Т958А...................................30 мА
Обратный ток эмиттера при Е/Эв=4 В, пе более:
7=+ 25 °C ... ..........................10 мА
7=+125 °C 2Т958А .... . 20 мА
Индуктивность внутреннего ЕС-звена, типовое значение . 0.52* н! и
Емкость внутреннего ЕС-звена, типовое значение . . 1400* пФ
Индуктивность выводов при 1—1 мм:
эмиттерпого.............................................0,49* нГи
коллекторного........................................1.6* нГн
базового.............................................0.6* пГи
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /бв^ЮОм 36 В
Постоянное напряжение эмиттер — база.........................4 В
Постоянный ток коллектора . .................10 Л
Входная высокочастотная мощность.......................10 Вт
КСВН коллекторной цепи при PBWX^30 Вт, 7>,<40 °C . . 5
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режиме
при 7„ < + 40 °C .................85 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус....................1,4 °C Вт
Температура р-п перехода.................................4 160 °C
Температура корпуса:
2Т958А .....................................+ 125° С
КТ958Л . .....................................+85 °C
Температура окружающей среды:
2Т958Л .................................... 60°С...7«=
= + 125 °C
КТ958Л...............................................-40 °C 7„ =
= +85‘С
• При 7„>+40’С Рк,срмаКс. Вг-(1Ы)-7,)/1.1
Шероховатость контактной поверхности теплоотводов должна быть не ме-
нее 2,5.
Пенлоскостпость контактной поверхности теплоотводов должна бмть пе бо-
лее 0.04 мм.
Тепловое сопротивление корпус — теплоотвод при нанесении теплоотводящей
смазки тина КПТ-8 па поверхность теплоотвода транзистора должно быть нс
более 0,3°С/Вт.
Папка выводов допускается не ближе I мм от корпуса по методике, пе
приводящей к нарушению конструкции п герметичности транзисторов, при тем
пературе не выше +270 °C в течение ие более 5 с.
313
Электрическая схема транзи-
стора
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента полезного действия
от входной мощности
Зависимости выходной
мощност и и коэффици-
ента полезного действия
от входной мощности
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента полезного действия
от напряжения коллек-
тор — эмиттер
Зависимости выходной
мощности и коэффициен-
та полезного действия
от входной мощности
Зависимость модуля ко-
эффициента передачи
тока от тока коллек-
тора
Зависимость критиче-
ского тока от тока кол-
лектора
344
г«, пс
Зависимость постоянной времени це-
пи обратной связи от тока эмит-
тера
Зависимость емкости коллекторного
перехода от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость емкости эмиттерного
перехода от напряжения эмиттер —
база
Зависимость допустимого постоян-
ного тока коллектора от напряже-
ния коллектор — эмнттер
КТ961 (А, Б, В]
Транзисторы кремниевые планар-
ные структуры п-р-п усилительные.
Предназначены для применения в
усилителях и импульсных устройст-
вах. Корпус пластмассовой с жест-
кими выводами
Масса транзистора пе более
0,8 г.
345
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Ullg=2 В, /к = 150 мА
KT96IA...............................................40 100
КТ961Б.................................................63 160
КТ961В ... .......................... 100.250
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ
при 1//п1=10 В, /э=30 мА, не менее........................50 МГц
Граничное напряжение при /к=20 мА, не менее:
КТ961Л.................................................80 В
КТ961Б.............................................60 В
К.Т961В ... .............................45 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при /к=500 мА,
/в=50 мА, не более..................................... 0,5 В
Обратный ток коллектора при 17кВ=60 В, не более ... 10 мкА
Обратный ток эмиттера при (7вэ=5 В......................100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ961Л . . ................100 В
KT96IB................................................ 80 В
КТ961В ............60 В
Постоянное напряжете коллектор—эмиттер:
при Rn,^A кОм, /к^1 мА.
КТ961А.................................................ЮО В
КТ961Б................................................80 В
КТ961В................................................60 В
нри Rr,,= оо;
КТ961А.................................................80 В
КТ961Б................................................60 В
KT9G1B if, в
Постоянное напряжение эмиттер — база....................... 5 В
Постоянный ток коллектора ..... 1,5 А
Импульсный ток коллектора при 1„^30 мкс, 10 . 2
Постоянный ток базы . . ............ 0,3 Л
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при
8 B<t/K!gl2,5 В.
с теплоотводом1, Тх = —45 +40°C..........................12,5 Вт
без теплоотвода2, Т-— 45. +40°C......................... I Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус . . 10°С/Вт
Тепловое сопротивление переход — окружающая среда . . Н0°С/Вт
Температура р-п перехода............................ ... +150 °C
Температура окружающей среды.............................. 45 °C. Тк-
= +85 °C
1 При Гя> + 40°С РКмакс, Вт-(150-7к)/1О.
3 При Г> + 40°С 7’К1.,’,„кс. Bi • (150—7'1/110.
2Т964А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры п-р-п усили
тельный линейный Предназначен для применения в широкополосных усилите
лях мощности в диапазоне 30...80 МГц при напряжении питания 40 В Выпуска
ется в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами и мон
тажиым винтом Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора ие более 10 г.
346
Электрические параметры
Выходная мощность при 1/„ = 40 В, / = 80 МГц, не
менее ................
Коэффициент усиления по мощности при Рчыкпоу^
= 150 Вт, б'„=40 В, / 80 МГц ...
Коэффициент полезного действия коллектора ирн
РчЫХ(По) = 150 Вт, 1/„=40 В, f=80 МГн . . .
Коэффициент комбинационных составляющих 3-го и
5-го порядков при Р«ых(по)= 150 Вт, 17„=40 В,
=80 МГц.........................................
Статический коэффициент передачи тока в схеме
ОЭ при t/Kr=10 В, in = 5 А.
Модуль коэффициента передачи тока па высокой
частоте при Ukb = 20 В, /к=2 A, /=30 МГц
Емкость коллекторного перехода при Ukvo~40 В
Емкость эмнттерного перехода при 17эео = 0, пе
более...........................................
Индуктивность выводов,
коллекторного .................................
базового • .................................
эмнттерного ................................
Входное полное сопротивление при 150 В г,
f»80 МГц .... .............
Последовательное активное сопротивление эмиттера
Обратный ток коллектора при С'кбо=80 В, не более:
Т= + 25°С ... .................
Г=-60 и +125СС..............................
Обратный ток эмиттера при 17эдо=4 В, не более
150 Вт
5 6*. .8*
40...50* ..60*%
-33*...-30*. .-27 дБ
10.15*. .50*
5. 7* 10*
220*.. 240* .290 нФ
4000* пФ
I 6* п Гп
19* нГн
2,8* пГи
0.78+ /0,62* Ом
0,15 Ом
100 мА
150 мА
500 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
R.c- 10 Ом................................. .... 80 В
Постоянное напряжение эмиттер — база ... 4 В
Постоянный ток коллектора ... . . 10 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при 7„<g+50cC.................................... 200 Вт
при Тк +125 °C................................100 Вт
347
Продолжение
Средняя рассеиваемая мощность коллектора в ди-
намическом режиме:
прн Гк ^ + 50 °C.............................
прн Тк- + 125 °C.............................
Входная мощность.................................
КСВН коллекторной цепи прн Рвыкпо)—100 В г, лю-
бой фазе рассогласования в течение I с . . .
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура р-п перехода ........................
Температура окружающей среды . . . .
200 Вт
100 Вт
40 Вт
30
0,75 ’С/Вт
+ 200 °C
-60 °C..'Л, = + 125 °C
Допускается работа транзистора
80 МГц. Прн этом параметры Рвых*
Папка выводов допускается не
+ 260 °C в течение нс более 8 с
ше +150 °C.
в диапазоне частот 1 30 МГц и свыше
Л’,..г, ')«. Мз и Л)5 не регламентируются,
ближе 2 мм при температуре не выше
। ближе 2 мм при температуре не вы-
Зависимость выходной
мощности от входной
МОЩНОСТИ
Зависимость коэффици-
ента усиления по мощ-
ности ОТ ВЫХОД! он мощ-
ности
Зависимости коэффици-
ентов комбинационной
составляющей 3-го и
5-го порядков от выход-
ной мощности
Область максимальных
Зависимость граничной
частоты от тока кол-
лектора
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
режимов
318
2Т965А, КТ965А
Транзисторы кремние-
вые эпитакспально-плапар-
пые структуры п-р-п гене-
раторные. Предназначены
для применения в линей-
ных широкополосных уси-
лителях мощности диапа-
зона частот 1,5...30 МГн
при напряжении пигаппя
12,6 В. Корпус металлоке-
рамический с полосковыми
выводами. Тип прибора
указывается на корпусе
Масса транзистора не
более 6 г.
2Т965А, КТ965А
Электрические параметры
Выходная мощность при 1/кэ= 12,6 В, f=30 МГц,
не менее . .....
Выходная мощность в пике огибающей выходного
сигнала прн Uks = 12,6 В, ft— 30 МГц, f2=fi + Af,
Д/=1...5 кГц, не менее . . .
Коэффициент усиления по мощности при РвЫх =
= 20 Вт, Скэ=12,6 В, f=30 МГц..................
Коэффициент усиления по мощности в режиме двух-
тонового сигнала при P«Ji(no)=IO Вт, С/кэ = 12,6 В,
Л = 30 МГц, + Af 1...5 кГц . . . .
Коэффициент полезного действия коллектора при
Р««х = 20 Вт, Икэ= 12,6 В, / = 30 МГц
Коэффициент полезного действия коллектора в ре-
жиме двухтонового сигнала прн Реых1п,}~ 10 Вт,
Uns-12,6 В, fi = 30 МГц, /2=/'i + Af, Д/-1-. 5 кГц
Коэффициент комбинационных составляющих 3-го и
5-го порядков при P«M.vn<.)=10 Вт, С/ко—12,6 В,
П=30 МГц, /2=Л + Д/, Д/=1..5 кГц . . .
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при С''кэ=5 В, /к=1 А:
7’=+25сС...................................
Г=Г.ч<1хс, не менее........................
Модуль коэффициента передачи тока па высокой ча-
стоте при {У«э=5 В, /к=1 Л, f=30 МГц
Граничное напряжение при /к = 0,05 А
Емкость коллекторного перехода прн иКь = 12,6 В
Емкость эмиттерного перехода при (Уда=4 В
Входное полное сопротпв пение па большом сигнале
при А>«ых(по)= 10 Вт, типовое значение
Обратный ток коллектор — эмиттер при Ukb~36 В,
/?«3—10 Ом, не более:
Г=+25 С . ....................
Т Тмакс....................................
...........................
Обратный ток эмиттера при Una 4 В, ие ботее
20 Вт
10 Вт
13 .30* ..100*
30... 150*. 450*
65-75* ..90*%
35 ..50*...70* %
-45* -34* -32 дБ
10...30*...60*
10
3,3—4,2*... 10*
18...50*...80* В
50*...70* . 100 пФ
100*. 200*.. 350 пФ
0,75 +/1,2* Ом
10 мА
20 мА
10 мА
10 мА
349
П родолжение
Индуктивность выводов, типовое значение
эмиттерного , 2* нГн
базового .... . . 2,4* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания.............................12.6 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер прн
Яв,= 10 Ом................................. .... 36 В
Постоянное напряжение база—эмнттер . . 4 В
Постоянный ток коллектора .............4 i\
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1
прн Т„ = ТК +30 °C ............................32 Вт
Рассеиваемая мощность коллектора в режиме усиле-
ния высокочастотного сигнала при Uks= 12,6 В . 30 Вт
Входная мощность2 прн /=30 МГц .... 2 Bi
Входная мощность2 в режиме двухтонового сигна
ла при fi = 30 МГц, f3=fl + Af, Д/=1 5 кГц . . 0.5 Вт
Время рассогласования нагрузки при КСВН 30: 1
Р«ых=20 Вг. 1/„-12,6 В. 80°C . 1 с
Р₽ых(п->)= 10 Вт, В,,—12,6 В, 1 f 80 °C . . 5 мин
Мпипхальная рабочая частота . . . 1,5 МГц
Температура р-н перехода . . . 200 °C
Температура окружающей среды:
2Т965Л .... .............-60 °C. 7 „ = + 125 °C
КТ965А.................................. ... -45°C .Г„= + 100’С
1 Прн 7‘к — +30 С...'ГК ЛУХС мощность снижается линейно до 13 Вт.
’ Допускается превышение мощности в 3 раза на время ие более 50 мс.
Входные характеристики Зависимость тока эмнт- Выходные характеристи
тера от напряжения ба кн
Зависимость статическо Зависимости напряже Зависимость модуля ко-
го коэффициента перс пни насыщения коллек эффицнента передачи то
дачи тока от тока кол- тор эмнттер и база— ка от тока коллектора
лектора эмиттер от тока базы
350
Зависимости выходной
мощности, коэффициен-
та усиления и коэффи-
циента полезного дей-
ствия от напряжения
пптання
Зависимости коэффици- Зависимость емкости
ента усиления и коэф- коллекторного перехода
фнциентов комбинацией- от напряжения коллек-
иых составляющих от тор — база
выходной мощности
Зависимость емкости эмиттерного
перехода от напряжения база —
эмиттер
Область максимальных режимов
2Т966А, КТ966А
27966'А, КТ96ЬА
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планар-
ные структуры п-р-п гене-
раторные. Предназначены
для применения в линейных
широкополосных усилителях
мощности диапазона частот
1,5 .30 МГц при напряже-
нии питания 12,6 В Корпус
металлокерамический с по-
лосковыми выводами. Тип
прибора указываемся на
корпусе.
Масса транзистора не
более 6 г.
6'114
351
Электрические парамецгы
Выходная мощность прн UKu= 12,6 В. / = 30 МГц,
не менее . ..............
Выходная мощность в нике огибающей выходного
сигнала при Uks— 12,6 В, /,=30 МГц, Ь=/, + Д/,
Д/=1..5 кГц, не менее . ..................
Коэффициент усиления по мощности прн Реых —
10 Вт, (Укэ=12,6 В, f = 30 МГц..................
Коэффициент усиления по мощности в режиме двух-
тонового сигнала прн Г>„ыкпо) = 30 Вт, Uks— 12,6 В,
f —30 МГц /2=fi + Af, Д/=1 .5 кГц . . . .
Коэффициент полезного действия коллектора прн
P,NY=40 Вт, 1/Л8= 12,6 В, / = 30 МГц . . .
Коэффициент полезного действия коллектора в ре-
жиме аву.хгопового сигнала нрн 7>«1>г.«по) = 30 Вт,
V„-.-,= 12,6 В, /,=30 МГн, /2=/, + Д/, Д/= I...5 кГц
Коэффицнс! т к )мбинациопных составляющих 3-го и
5 10 поря/КОВ при Ре 30 Вт, Г/Кэ=12,6 В,
/, 30 МГц, /2=/,+Д/, Д/=1...5 кГц ...
Модуль коэффициента передачи тока иа высокой
часюте при /'«., = 5 В, hr 1 А, /=30 МГц
Емкость коллекторного перехода прн Uks 12,6 В
Емкость эмиттерного перехода при Г/дэ=4 В
Входное полное сопротивление транзистора на боль-
шом сигнале i и РпМх(по> = 30 Вт, типовое значение
Обратный ток коллектор—эмиттер при Б'кэ=36 В,
Roe — 10 Ом, ие более:
7 = 4-25 °C...................................
Г=Г..,„хс ................................
Т-Т'.ми,, .....
Обратный ток эмиттера при Uss 4 В, не более
Индуктивность выводов, типовое значение:
эмиттерного .... ..............
базового............................. . . .
40 Вт
30 Вт
16...30*...60*
20.45*. .100*
55...65*...70* %
35...40*...50*%
— 45* —34*; —32 дБ
3,3-5,2*... 10*
150*...220*. .250 пФ
800*...1300‘...2000 пФ
1,2+ р 0.7* Ом
23 мА
15 мА
15 мА
150 мА
1,25* нГц
2* п Гн
Предельные эксплуатационные данные
I Напряжение питания ...
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
= 10 Ом.........................................
Постоянное напряжение база — эмиттер
Постоянный ток коллектора........................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора '
нрн 7к^+30°С.................................
Рассеиваемая мощность коллектора в режиме уси-
ления высокочастотного сигнала* 2 прн (7кэ=12,6 В,
7\.= +30°С . . ....
Входная мощность в режиме 'двухтопового сигнала
нрн /,=30 МГц, /2=/,+Д/, Л/=1...5 кГц
Входная мощность при f=30 МГц....................
Температура р-п перехода . . .
Время рассогласования при КСВН 30:1:
Р.«х=40 Вт, (/кэ = 12,6 В, Г„ = +80°С . .
Р««х(пО)=30 Вт, Г/кэ=12,6 В, 7’к = +80°С . .
Минимальная рабочая частота . . ,
' При Г*-+30..+125 °C Рк макс определяется по
-(200-Гк)/Кг(п_к). где Кг(п определяется из области
2 При Гк-+В0.„,+125 °C Р1(гцинмакс определяется ио
В
12,6 В
36 В
4 В
8 А
64 Вт
70 Вт
2,5 Вт
3,5 Вт
200 °C
1 с
5 мин
1,5 МГц
формуле Рк .„OI!C,
максимальных режимов,
формуле
рК.дик лаке’ Вт-(200-Тк>/2,26.
352
Продолжение
Температура окружающей среды:
2Т966Л.....................................-60 °C Л =+125 °C
КТ966А.............................. ... -45 °C ТК = + 1ОО°С
При конструировании аппаратуры следует учитывать возможность само-
возбуждения транзистора за счет паразитных связей.
Распайка выводов осуществляется прн температуре не выше +260 °C в
течение времени ие более 8 с
Допускается работа транзисторов па рассогласованную нагрузку при лю-
бом значении коэффициента стоячей волны напряжения (по модулю и фазе)
и условии непревышенпя предельных режимов эксплуатации.
Входные характеристики Зависимости тока эмит- Выходные характерпсти-
тера от напряжения ба- кн
за — эмиттер
Зона возможных поло- Зависимости напряже-
жеиии зависимости ста ннй насыщения коллек-
тпческого коэффициента тор — эмиттер и база
передачи тока от тока эмиттер от тока базы
коллектора
Зависимость модуля ко-
эффициента передачи
тока от тока коллек-
тора
23 Заказ Kt 1904
ЗоЗ
-const МВт)
Зависимости выходной
мощности коэффициен-
та усиления и коэффи-
циента полезного дейст-
вия от напряжения пи-
Зависимость коэффици- Зависимость емкости
ентов комбинационных коллекторного перехода
составляющих от выход от напряжения коллек-
ной мощности тор — база
Зависимость емкости эмнттерного Область максимальных режимов
перехода от напряжения база —
эмиттер
27967 А, КТ967А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры и р п гене-
раторные Предназначены для применения в линейных широкополосных уси-
лителях мощности в диапазоне частот 1,5.. 30 МГц при напряжении питания
)2 6 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами
и .монтажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора ие более 16 г.
2Т967А, КТ967А
354
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте (=30 МГц при UKa = 12,6 В,
не менее.................................................90 Вт
Выходная мощность на частоте (=30 МГц (двухтоновый
сигнал) при Uks= 12,6 В, не менее........................70 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте (=30 МГц прн
Пкэ=12,6 В, Р«ых=90 Вт, ие менее..................... 18
типовое значение ..................................... 30*
Коэффициент усиления но мощности на частоте (=30 МГц
(двухтоновын сигнал) при 6>«ых(по)=70 Вт, Uks— 12,6 В, ие
менее......................................................20
типовое значение ..................................... 35*
Коэффициент полезного действия коллектора на частоте ( =
=30 МГц при Рв*х=90 Вт, не менее.........................60%
типовое значение......................................70*%
Коэффициент комбинационных составляющих 3 го п 5-го по-
рядков на частоте (=30 МГц (двухтоновый сигнал) нрн
P,^xinoi=70 Вт, не более . ....................—32 дБ
типовое значение .....................................—36* дБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
£/кэ=5 В, /к=5 А.........................................10 100
типовое значение ..................................... 30*
Модуль коэффициента передачи тока иа высокой частоте при
икэ=5 В, /« = 1 А, ( = 30 МГц, не менее.....................6
типовое значение .................... 8*
Емкость коллекторного перехода при (7«в=12 6 В, (=1 МГц,
ие более . . ................. ... 500 пФ
типовое значение...................................... 350* пФ
Емкость эмнттерного перехода при (7ЭВ=4 В, (=1 МГц,
ие более .............. ... 2500 пФ
типовое значение...................................... 1500* пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер при UKB=36 В, R,s =
= 10 Ом, не более .... ....................20 мА
Обратный ток ^иттера при иЭв~4 В, не более . 150 мА
Входное полное сопротивление иа частоте ( 30 МГц при
Г>«ых(ш,)=70 Вт, типовое значение ... . . 0,9+/-1,1* Ом
Индуктивность выводов, типовое значение:
эмиттериого..............................................2* иГн
базового..............................................2,2* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?лвСЮ Ом 36 В
Постоянное напряжение эмиттер — база ....................4 В
Постоянный ток коллектора................................15 А
Входная ВЧ мощность......................................8 Вт
Степень рассогласования нагрузки в течение I с на частоте
(=30 МГц, Р«ь,х^90 Вт....................................30:1
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режиме
при Тк С +35 °C . . . .................100 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус..................1,7°С/Вт
Температура р-п перехода ... .................+200 °C
Температура корпуса:
2Т967А .................................+125 °C
КТ967А ..............................+100 °C
Температура окружающей среды.
2Т967А...................................................-60 °C Л,=
= +125 °C
КТ967А................................................• 45°C 7« =
___________ = + 100 ’С
Прн Тж>+35-С Р1(лр^кс, Вт—(200 — 7'к)/1,7.
23*
35$
Пайка выводов транзисторов допускается ие ближе 2 мм от корпуса прн
температуре не выше +260 °C в течение не более 8 с.
Зависимость выходной
мощности от напряже-
ния коллектор — эмит-
тер
Зависимость коэффици-
ента усиления от вы-
ходной мощности
Зависимость коэффици-
ента усиления от на-
пряжения коллектор —
эмиттер
составляющих от вы-
ходной мощности
от напряжения коллек-
тор — эмнттер
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость модуля ко-
эффициента передачи то-
ка от тока коллектора
Зависимость напряжения
насыщения коллектор —
эмиттер от тока базы
Зависимость напряжения
насыщения база — эмнт-
тер от тока базы
356
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость емкости Зависимость допустимо-
эмиттерного перехода от го постоянного тока
напряжения база— коллектора от наиря-
эмиттср женпя коллектор —
эмиттер
2Т968А
Транзистор кремние-
вый планарный структу-
ры п-р-п усилительный.
Предназначен для при-
менения в широкополос-
ных линейных усилите-
лях Корпус металличе-
ский со стеклянными
изоляторами и гибкими
выводами.
Масса транзистора
не более 1,5 г.
1205
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при 1/кэ=10 В
Т= -6О...+25“С, /к=30 мА......................
7 = + 25 °C, /к=1 мА..........................
Тк — -|-125 *С, /к = 30 мА, ие менее . . . .
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при С/Кэ=10 В, /к = 15 мА
1раннчное напряжение при /к=10 мА, не менее
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/к=30 мА, /в = 6 мА
Время включения при Скэ =50 В /к—30 МА, 7Ь =
= 6 мА, не более .......
В,)ге“” выключения при 1,1Ыкл=/рлс + 1сп при /кэ =
- оО В, /к=30 мА. 1Б — 6 мА, ие более
Емкость коллекторного перехода прн 1/кв = 30 В
Емкость эмиттерного перехода при 1Увэ=3 В, не
более
35..75*...220*
25.40*. 150*
20
90...129*. 180* МГц
250 В
0,12*.. 0,22*. 1 В
0,2* мкс
1,5*+ 0,5* мкс
2* 2,2*...2,8 пФ
30 пФ
357
Продолжение
Обратный ток коллектор — эмиттер при 77кв=250 В,
/?са = 1 кОм, не более:
Т=-60...+25°С..............................0.5 мкА
Тх = + 125°С...............................I мкА
Обратный ток коллектора:
при UkE—25C В, не более , 0,5 мкА
типовое значение . . . . . 0,05* мкА
при —300 В, пе более , ... 100 мкА
Обратный ток эмиттера:
прн Ubb=3 В не более ... ... 0,5 мкА
типовое значение............... . . 0,04* мкА
при Ucs«5 В, не более......................100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . . . 300 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
₽«□=! кОм....................................... 250 В
Постоянное напряжение база—эмиттер ... 5 В
Постоянный ток коллектора.........................100 мА
Импульсный ток коллектора........................ 200 мА
Постоянный ток базы...............................50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
с теплоотводом1, 7К= — 60...+40 °C . 4 Вт
без теплоотвода2, Тк — — 60.. +25°C ... 0,8 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус . . 27,5 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход — среда . . . 156°С/Вт
Температура р-п перехода........................+150 °C
Температура окружающей среды....................—60°С ..7'х = +125 °C
где ЛТ{П х)-27 5 'C/Вт при
области максимальных режимов.
• При 7-„>40 'С Рк>лияс. ВТ-(15О-Г,)/ЛТ(„_Я).
иив>И0 В. ЯТ(п_х) при 1/ие<И0 В рассчитывается из
’ При Г>+25°С ₽и„яякс, Вт-(150-D/RT(n_c).
Входные характеристики Зависимости тока кол Зона возможных поло-
лектора от напряжения жений зависимости на-
база — эмиттер пряжения насыщения
коллектор — эмиттер от
тока коллектора
358
женин зависимости ста-
тического коэффициента
передачи тока от тока
коллектора
Зона возможных поло-
жений зависимости ста
тического коэффициента
передачи тока от темпе-
ратуры перехода
Зона возможных поло-
жений зависимости мо-
дуля коэффициента пе-
редачи тока от тока
коллектора
Зависимость допустимого постояи
ного напряжения коллектор — эмит-
тер от сопротивления база — эмит-
Зависимость емкости коллекторного
перехода от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость допустимой импульсной
рассеиваемой мощности коллектора
от длительности импульса
359
КТ969А
Транзистор кремниевый планар-
ный структуры п-р-п усилительный.
Предназначен для применения в вы-
ходных каскадах видеоусилителей
телевизионных приемников. Корпус
пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более
0,8 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Ukb — 10 В, /к=15 мА.
Г=+25...+85°С . . ....................
Г=-45°С, не менее...................
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе ге
ОЭ при 17кэ=10 В, /к—15 мА, не менее . . . .
типовое значение ................................
Граничное напряжение при /к — 10 мА, не .менее
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн /к =
= 15 мА, /Б=3 мА....................................
Емкость коллекторного перехода прн Ukc=30 В
Обратный ток коллектора при 1/кв-200 В:
Г=-45..+25 °C ...................................
Г= + 85 °C, не более.............................
Обратный ток эмиттера прн 47бэ=3 В..................
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение коллектор — эмнттер прн Rc,=<x>
Постоянное напряжение база—эмиттер...................
Постоянный ток коллектора............................
Импульсный ток коллектора прн <ц^100 мс, Q^lOO
Постоянный ток базы............................. ...
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
с теплоотводом *, Гк =—45...+25°С . . . .
без теплоотвода2, Г- —45...+ 25 °C
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход — среда
Температура р-п перехода ..... . .
Температура окружающей среды.........................
50... 100*...250*
25
60 МГц
100* МГц
2о0 В
0,2* ,0,25*...1 В
1,4*...1,5*...1,8 пФ
1*. .3*. .50 нА
20 мА
1*...2*...5О нА
300 В
250 В
5 В
100 мА
200 мА
50 мА
6 Вт
1 Вг
21° С/Вт
125°С/Вт
+ 150 °C
-45...+85 °C
1 При ГХ>25ОС Р,г макс. Вт-(150-Т„)/2|.
’ Прн Г>25СС РКмакс, Вт—(150 —Г)/ 25.
Изгиб выводов допускается вс ближе 5 мм от корпуса прибора только
в направлении, перпендикулярном плоскости выводов. Радиус изгиба не ме-
пее 1,5 мм
Пайка выводов рекомендуется при температуре +250°C в течение времени
не более 3 с не ближе 6 мм от корпуса транзистора.
При эксплуатации транзисторов следует учитывать возможность их само-
возбу ждепия
360
Зависимость напряжения насыщения
коллектор — эмиттер от тока базы
Зависимость емкости коллекторного
перехода от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость модуля коэффициента
передачи тока от тока коллектора
Области максимальных режимов
Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от тока коллектора
361
2Т971А, КТ971А
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планарные
структуры п р п генераторные
Предназначены для примене-
ния в усилителях мощности,
умножителях частоты и ав-
тогенераторах на частотах
50.200 МГц при напряжении
питания 28 В Выпускаются в
металлокерамическом корпусе
с полосковыми выводами.
Внутри корпуса имеется согла
сующее LC-звено. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора ие бо-
лее 9 г.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте /=175 МГц при 7к^ + 40°С,
28 В, не менее..........................................150 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте /=175 МГц
при 1Акэ=28 В ₽««х=150 Вт, не менее........................3
типовое значение ................................... 5*
Коэффициент полезного действия коллектора на частоте /=
= 175 МГц при Р«Мх=150 Вт, Ска =28 В, не менее . . 55%
типовое значение....................................75*%
Модуль коэффициента передачи тока на частоте /=100 МГц
при Скэ = 10 В, /к=8 Л, не менее.........................2,2
типовое значение ................................... 4*
Критический ток коллектора на частоте /=100 МГц при
Ска -10 В, не менее.................................. 30 А
типовое значение ................ . 40* А
Постоянная времени цепи обратной связи на частоте f—
=5 МГц при Скэ=Ю В, 7к=О,5 Л, не более ... 40 пс
типовое значение....................................20* пс
Емкость коллекторного перехода при Скб=28 В /=30 МГц,
не более........................................... . . 330 пФ
типовое значение............................... . . 240* пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер при Скэ = 50 В, Й»с =
= 10 Ом, не более
7=+25 °C .................................60 мА
7"=+85 °C КТ971А....................................120 мА
7=+ 125 °C 2Т971Л...................................120 мА
Обратный ток эмиттера при СвБ=4 В, не более:
7=+25°C ...............................................30 мА
7=+85°С КТ971А................................ . . 60 мА
?=+125 °C 2Т971А................................ 60 мА
Индуктивность внутреннего LC-звена, типовое значение . 0,35* иГи
Емкость внутреннего ГС-звена, типовое значение . 2000* пФ
Индуктивность выводов, типовое значение:
эмиттерного . 0,18* н Гн
коллекторного.......................................0 1* нГн
базового............................................0,56* нГи
362
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер при /?j«sglOOM
Постоянное напряжение эмиттер — база.....................
Постоянный ток коллектора ...........................
Входная ВЧ мощность ... . .
КСВН коллекторной цепи прн 1/кэ^24 В. 7+^ 50 °C, {=
= 175 МГц:
Вт (в течение 3 с).........................
Вт (длительное время)......................
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режиме
при Гк^+40°С.............................................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура р-п перехода ... . . . . .
Температура корпуса
2Т971А .......................................
КТ971А .......................
Температура окружающей среды
2Т971А ........................................
50 В
4 В
17 А
50 Вт
10
3
200 Вт
0,6 °C/ Вт
+ 160 °C
+ 125 “С
+85 °C
-60 °C. ,Г« =
= + 125 °C
—40°С...Гк —
-+85 °C
КТ971А..........................................
При Гк>+40“С РКЛ1акс, Вт-(16О- „Г0.6.
Изгиб выводов транзистора допускается не ближе 3 мм от корпуса
Пайка выводов допускается не ближе 1 мм от корпуса транзистора при
температуре +260 °C в течение 4 с.
Зависимости выходной Зависимость коэффчци- Зависимость модуля ко-
мощности и коэффициен- ента усиления от ча- эффициеита передачи но-
та полезного действия стоты ка от тока коллектора
от входной мощности
363
Зависимость критиче-
ского тока от напряже-
ния коллектор—эмит-
тер
зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость допустимо-
го постоя иного тока
коллектора от напряже-
ния коллектор — эмиттер
КТ972 (А, Б)
КТ972 (А 5)
Транзисторы кремниевые эпитак-
сиально-планарные структуры п-р-п
усилительные. Предназначены дли
применения в выходных каскадах
систем автоматики. Корпус пласт-
массовый с жесткими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе
Масса транзистора ие более 1 г.
параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн
£7кв=3 В, /э=1 Л, не менее:
7=+25сС.........................................750
7=+85 "С........................................900
Г=-45СС . . .... ... 600
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при
4/кэ=10 В, /к=1 A, f = 10е Ги, не менее..............2
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 7к = 500мА,
/в=50 мА, не более .... ...............1,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к = 500 мА,
/к=50 кА не более..................................2,5 В
Время рассасывания прн /к=500 мА, /Б=50 мА, не более . 200 ис
Обратный ток коллектор — эмиттер при 1/Кал=0/кэк макс,
кОм, ис более:
7 =— 45 .. + 25 °C ................... ... 1 мА
7 = 4-85 °C.....................................10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ972А ... . . . 60 В
КТО72Б . .... ..................45 В
361
Продолжение
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
scl кОм:
КТ972А . .... 60 В
КТ972Б .... ....................45 В
Постоянное напряжение база — эмиттер . . . 5 В
Постоянный ток коллектора.................................. 4 Л
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 прн Г« =
= -45 . + 25 °C ........................................8 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус.................15,6°С/Вт
Температура р-п перехода ...................................+ 150сС
Температура окружающей среды..............................—45 °C 7'к =
1 При Тк — +25 . + 85 :С Рц макс рассчитывается по формуле
^«..мокс- Вт=(150-Гк)/15.6.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса при
температуре припоя +260 СС в течение не более 4 с, время лужения выводов
не более 2 с. Допускается только одна перепайка. Шероховатость контактной
поверхности теплоотвода должна быть не хуже 1,6. Допуск плоскостности кон-
тактной поверхности теплоотвода 0,016 мм.
При монтаже транзистора на теплоотвод крутящий момент при прижиме
должен быть не более 80 Н см (8 кг см).
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Области максимальных режимов и входные характеристики см. КТ972 (А, Б).
Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от тока эмиттера
Зона возможных положений зави-
симости напряжения насыщения
коллектор — эмиттер от тока кол-
лектора
Электрическая схема транзистора
КТ972(А, Б)
365
2Т978 (А, Б)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п р п пере
ключательные Предназначены для применения в переключающих устройст ах
Корпус металлический со стеклян iumh изоляторами и жесткими выводами
Масса транзистора пе более 20 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Uкв=5 В, /к =5 А, не менее:
Г=+25°С...............................................15
Тк +125 и -60 °C...................................... 8
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ
при 1/кэ=Ю В, 1к~2 А, ие менее ............................75 МГц
Граничное напряжение прн /к=0,1 А, не менее.
7’= —60. +25 °C-
2Т978А.............................................. 120 В
2Т978Б 150 В
7’н = + 125°С.
2Т978А . 100 В
2Т978Б . . 130 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=5 А,
/с=0,5 А, ие более.....................................1 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /х=5 А, /б=
=0 5 А, не более . . 2 В
Время включения прн (7к=50 В /к=5 А, /Е 0,5 А, не
более . ............. . . 0,2 мкс
Время рассасывания при Ur—50 В, /«=5 А, /б=0,5 А, не
более 1,2 мкс
Время спада прн 17к=50 В, 1к=5 А, /б=0,5 А, пе более . 0,3 мкс
Емкость коллекторного перехода при (7кб=50 В, не более 120 пФ
Емкость эмиттерного перехода при <7бэ=0, не более , . 4500 пФ
Обратный ток коллектора, не более
при Г= + 25°С, Ккв=300 В .............2 мА
при Гк--60 и +125°С, Скв 250 В ... 5 мА
Обратный ток эмиттера при 1/Ьэ=5 В, не более . . . 20 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база1 при Г« =
= -40 +75°C . 300 В
366
Продолжение
Постоянное напряжение коллектор — эмнттер’ при Res =
= 10 Ом 7к=—40. +75°C 300 В
Импульсное напряжение коллектор—эмиттер при /?<ь=ЮОм,
мкс .... ... 150 В
Постоянное напряжение база—эмиттер........................ 5 В
Постоянный ток коллектора.................................10 Л
Импульсный ток коллектора.................................15 Л
Постоянный ток базы................................. . 2 А
Импульсный ток базы....................................... 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность5 при Тк= -60 .+25°C 40 Вт
Температура р-п перехода...................................+150 °C
Температура корпуса........................................+125 °C
Температура окружающей среды . . . . —60е С Тк —
= + 125 С
1 При Т= 4О..-6ОСС и Г=+75СС... + 125'С ОИБ „aitc и ^кэв лике снижается ли-
нейно до 250 В
’ Прн Тк = +25 'С. +125 "С Рк макс снижается линейно до 8 Вт при ( ,(а<20 В.
а при 1/на>20 В — в соответствии с областью безопасной работы.
Допустимое значение статического потенциала 2 кВ
Выходные характсристи- Входные характеристики Зависимость тока эмит-
ки тера от напряжения ба-
за — эмиттер
Зона возможных поло- Зависимость напряжения Зависимость напряже-
жений зависимости ста- насыщения коллектор — иия насыщения база —<
тического коэффициента эмиттер от тока базы эмиттер от тока коллек-
передачи тока от тока тора
коллектора
367
Зависимость модуля ко-
эффициента передачи то-
ка от тока коллектора
Зависимость допустимо-
го постоянного напря
жен и я коллектор — эмит-
тер от сопротивления
база — эмипер
Зависимости времени
включения и выключе-
ния от тока коллектора
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость емкости
эмиттерного перехода
от напряжения база —
эмиттер
Области максимальных
режимов
2Т980 (А, Б)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п р-п усили-
тельные линейные. Предназначены для применения в широкополосных усили-
телях мощности- 2Т980Л в диапазоне частот 1,5.. 30 МГц, 2Т980Б в диапазоне
частот 30.80 МГц при напряжении питания 50 В Выпускаются в металлокера-
мическом корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 15 г.
368
2ТЭвО (A 61
Электрические параметры
Выходная мощность прн (/„=50 В, не менее:
2Т980А нрн /—30 МГц, 2Т980Б при /—80 МГц
Выходная мощность в пике огибающей при Un =
=50 В, не менее: 2Т980Д прн f 30 МГц, 2Т980В
прн /=80 МГц . .
Коэффициент усиления по мощности 2Т980\ при
{/„=50 В, Р„„;-250 Вт, /=30 МГц . . .
Коэффициент усиления по мощности в пике огибаю-
щей при Рвыл(пы=250 Вт, (/„=50 В:
2Т980Х /=30 МГц . . .
2Т980Б / = 80 МГц ...
Коэффициент полезного действия коллектора 2Т980А
при Рвь,л=250 Вт, (/„=50 В, /=30 МГц, типовое
значение .... ....................
Коэффициент полезного действия в пике огибающей
при Р.ь,х(по)=250 Вт, (/„ = 50 В
2Т980А, /=30 МГц............................
2Т980Б /—80 МГц . .
Коэффициент комбинационных составляющих 3 го н
5-;о порядков при Р«и«„-,)=250 Вт, {/„ = 50 В
2Т980Л, f- ЗО МГц, не более.................
2Т980Б, /=80 МГц ...........................
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ прн (/кз=20 В /к=9 А, /=30 МГп
Граничное напряжение прн /э=200 мА ....
Входное полное сопротивление на большом сигнале
при РвМх(„„)=250 Вт, (/„=50 В-
2Т980Л, /=30 МГц ..............
2Т980Б, f=80 МГц
Емкость коллекторного перехода при (/кьо=50 В
Емкость эмттерного перехода при (7вво=0
Интуитивность выводов, типовое значение:
эмиттерного ...................................
базового ...............................
Конструктивные емкости:
эмиттер — корпус...............................
коллектор — корпус..........................
база—корпус.......................
250 Вт
250 Вт
16...25* . 30*
25 ..30*..35*
5...7* ..10*
60»%
3." 40* 60*%
30 55*..60*%
-30 дБ
—30*...-28*...-27 дБ
150.210*. 270* МГц
50 65* 80* В
0,62+/ 0,37* Ом
0.2 +/-0,3* Ом
300* .350*.. 450 пФ
13 000*... 14 000* ..
15 000* пФ
1,6* нГи
1,9* и Гн
3,7* пФ
3 7* пФ
1,1* пФ
24 Заказ М 1004
369
Продолжение
Обратный ток коллектора при 1/Кэ=100 В, R3b=
= 10 Ом, не более ...................100 мА
7к-= + 125°С . . ............. 200 мА
Т=-60°С . . . , . 200 мА
Обратный ток эмиттера при UBEo=i В, не более 500 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
/?лс=10 Ом......................................
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора.......................
Постоянный ток базы .................
Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т= — 60 °C...Тк =+30 °C.................
при Гя= +125 °C.............................
Входная мощность:
2Т980А......................................
2Т980Б......................................
Входная мощность в нике огибающей:
2Т980А
2Т980Б......................................
КСВН коллекторной цепи прн Р«МХ(по)= 100 Вт, вре-
мени рассогласования, равном 1 с, и любой фазе
коэффициента отражения..........................
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура р-п перехода........................
Температура окружающей среды....................
100 В
4 В
15 Л
5 Л
300 Вт
135 Вт
16 Вт
60 Вт
16 Вт
50 Вт
30
0,57 "С/Вт
+200 "С
- 60 °C ...Тк- + 125 °C
Допускается работа транзистора 2Т980Б в диапазоне частот 5...30 МГц;
прн этом рассеиваемая мощность транзистора не должна превышать 0,8 номи
налыюй мощности.
Изгиб выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм от корпуса. Кру-
тящий момент на монтажном винте должен быть не более 0,25 кг/см.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 2 мм от корпуса при
температуре не выше +260 “С в течение времени не более 8 с.
Допустимый статический потенциал 1000 В
Зависимости коэффици- Зависимости коэффици- Зависимости коэффици
вита усиления по мощ- ента усиления по мощ- ента комбинационной со-
ности от выходной пости от выходной ставляющей 3 го поряд-
мощностн мощности ка от выходной мощно
ст и
370
Зависимости коэффици- Зависимость статическо-
ента комбинационной со- го коэффициента пере-
ставляющей 3 го поряд- дачи тока от тока кол
ка от выходной мощно- лектора
сти
Зависимость модуля ко-
эффициента передачи то-
ка на высокой частоте
от тока коллектора
Область максимальных режимов
2Т981А, КТ981А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры п р п гене
раторные. Предназначены для применения в линейных широкополосных уси
лителях мощности диапазона частот 30.80 МГц при напряжении питания
12 6 В Корпус металлокерамический с полосковыми выводами Тип прибора
указывается на корпусе
Масса транзистора не более 15 г
24
371
2Т98М, KT98tA
Электрические параметры
Выходная мощность при икэ=12,6 В, /=80 МГц,
ие менее ......................................
Выходная мощность в пике огибающей при (7кэ =
12,6 В, /,=80 МГц, fz=fi + Sf, Д/—1. 10 кГц, не
менее . . ................
Коэффициент усиления по мощности прн РвЬ|(-=
= 50 Вт, (7кэ= 12,6 В, / = 80 МГц..............
Коэффициент усиления по мощности в режиме лвух-
тонового сигнала прн Рлых(по) 50 Вт, Ukb 12,6 В,
/,=80 МГц, /2=/, + Д/, Д/=1..Ю кГц . , . .
Коэффициент полезного действии коллектора п) и
/<ы1 = 50 Вт, Р„=10 Вт, В'кэ-12.6 В, /=80 МГц
Коэффициент полезного действия коллектора в ре-
жиме двухтонового сигнала при Р„ых(п<э=50 Вт,
17x3=12,6 В, /,=80 МГц /2-/, + Д/, А/=1..|0 кГц
Коэффициент комбинационных составляющих 3 го и
5 го порядков при Рвыл(пс,=50 Вт. С'кэ-12.6 В,
/=80 МГц, /2=/,+ Д/, Д/=1...1О кГц
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при ОКэ = 5 В, /к = 5 А.
Г +25 °C..................................
Г= Главе, не менее ...
Г=Глин, нс менее
Граничное напряжение при /к = 0,05 Л, /.=25 мГн,
не менее ...................
Емкость коллекторного перехода при Ukb 12,6 В
Емкость эмиттерного перехода при Ur,a=4 В
Обратный ток коллектор—эмиттер прн /7кэ = 36 В,
/?<ь= 10 Ом:
Г=+25СС пе более..........................
типовое значение .........................
Т= Глоке, не более........................
Г=Тли«, не более ................
Обратный ток эмиттера при /7сэ=4 В, не более
типовое значение . .
Индуктивность эмиттера, пе более...............
Индуктивность базы, пе более...................
50 Вт
50 В г
5 .6*...7,5*
6...6,5* . 8*
60.. 65*. .70*%
40 45*...50*%
— 33*...—29*...—27 дБ
10 .35* . 90*
10
5
18 В
250* 320*...400 пФ
400* 800* 1200 пФ
50 мА
10* мА
100 мА
50 мА
150 мА
20* мА
2* нГн
2,2* нГн
72
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания................................12,6 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн
/?б,СЮ Ом...........................................36 В
Постоянное напряжение база — эмиттер 4 В
Постоянный ток коллектора...........................10 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1
при Т„=ТК мин ,+30°С................................70 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора при
Тк = Тк.мин...+85°С, (Укэ=12,6 В....................60 Вт
Входная мощность при £7кэ=12,6 В, f=80 МГц 14 Вт
Входная мощность в режиме двухтоиового сигнала
при f, = 80 МГц, f2=fi+M, Д/=1-..Ю кГц . . . 12 Вт
Время рассогласования нагрузки при КСВН 30: 1,
Тх = + 85°С:
Р.ых=50 Вг, (Укз=12,6 В . . . 1с
Рвых(пч)=50 Вт, (7цэ=12.6 В.................5 с
Температура р-п перехода........................ 200 СС
Температура окружающей среды.
2Т981Л ...................................-60°C ...7'ж= +125 °C
КТ981А......................................-45°С...Тк=+100°С
1 При 7К —+ 30 ’С...7„ жаке, ^к.мкс определяется по формуле Вт»
-(200 —где — тепловое сопротивление переход — корпус, определяется
из области максимальных режимов.
Входные характеристики
Зависимости тока эмит-
тера от напряжения ба
за — эмнттер
Выходные харакюристи-
ки
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость модуля ко-
эффициента передачи то-
ка от тока коллектора
Зависимость коэффици
ента усиления от вы
ходкой мощности
373
Зависимость комбинаци-
онных составляющих от
выходной мощности
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость емкости
эмиттерного перехода от
напряжения база —
эмиттер
Область максимальных режимов
Зависимости допустимой постоянной
И средней рассеиваемой мощности
коллектора от температуры корпуса
2Т9111А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры п р п генера-
торный Предназначен для применения в линейных широкополосных усилителях
мощности на частотах 1,5.80 МГц при напряжении питания 50 В Выпускается
в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора ие более 10 г.
2T3IIIA
374
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f = 80 МГц при Uko —
=50 В, не менее.......................... 150 Вт
Коэффициент усиления по мощности при Рвых= 150 Вт,
САке=50 В
на частоте (=80 МГц, не менее............................10
типовое значение.............................10,5*
на частоте /=30 МГц, типовое значение .... 30*
на частоте /=1,5 МГц, типовое значение .... 50*
при Р,Ых(пи)—150 Вт, (7кэ=50 В, (=80 МГц, ие менее 10
типовое значение . . . . .14*
Коэффициент полезного действия на частоте f=80 МГц,
При Рвых[по}~ 150 Вт, 57ке=50 В ие менее . 40%
Коэффициент комбинационных составляющих 3-го и 5-го
порядков нрн РОыа(П1>)= 150 Вт, (7кэ=50 В:
на частоте f=80 МГц, не более..........................—27 дБ
типовое значение . .................... —30* дБ
иа частоте (=30 МГц, типовое значение . —31* дБ
на частоте f=l,5 МГц, типовое значение . —31* дБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Uks~ Ю В, /к —5 Л:
Т=+25°С, ие менее..................................10
типовое значение . . .... 20*
Г= + 125°С, не менее 10
типовое значение ................. 25*
Т= — 60 °C, не менее ................... 5
типовое значение .................................. 10*
Модуль коэффициента передачи тока на частоте (=30 МГц
прн 17ке=20 В 7к=4 А, не менее . .... 10
типовое значение . . . . 14*
Емкость коллекторного перехода при t/кв =50 В [=
= 1 МГц, не более . . . . . 150 пФ
типовое значение................................. . 115* пФ
Емкость эмиттерного перехода при Ubb=0, (=0,3 МГц,
не более ....................................... 10 000 пФ
типовое значение.................. . . . 5000* нФ
Входное полное сопротивление при Р«М,(ПО)= 150 Вт,
(7кв=50 В, f=80 МГц, типовое значение 0,63 + / 0,18* Ом
Обратный ток коллектор — эмиттер при 6/кэ=120 В,
/?л5=10 Ом, не более:
Г=+25°С ...................................100 мА
Г= + 125°С........................ 150 мА
Обратный ток эмиттера при 1/вб=4 В, Т +25 °C, не
более.............................................. . 500 мА
Индуктивность выводов, типовое значение:
эмиттерного...........................................1,6* нГн
базового...........................................3,7* и Гн
коллекторного......................................2,7* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
«с 10 Ом.............................................120 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 4 В
Постоянный ток коллектора ...........................10 Л
Постоянный ток базы................................. . 2 А
Степень рассогласования нагрузки при Р.н.т(п>>=75 Вт в
течение 1с ... 30 1
375
Продолжение
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режиме
при Тк<50°С........................ ...................
Тепловое сопротивление переход — корпус . . . .
Температура р-п перехода ..............................
Температура окружающей среды...........................
200 Вт
0,75 °С/Вт
+ 200 °C
-60°С..Тж =
= + 125 °C
1 При Гх>+50°С РИгСР1Л1„к(.. Вт=(200- Т„)/0,75.
Изгиб выводов транзистора допускается пе ближе 3 мм от корпуса.
При пайке выводов температура корпуса пе должна превышать +125 °C.
Прн отсутствии контроля температуры корпуса пайка производится паяльником,
нагретым до температуры +260 "С, в течение не более 8 с не ближе 2 мм от
корпуса.
Зависимости выходной Зависимость выходной Зависимости коэффици-
мошностн от входной мощности от напряже- ента усиления от вы-
мощностн ння коллектор — эмнт- ходной мощности
тер
Зависимости коэффициента усиления
от напряжения коллектор - эмиттер
Зависимости коэффициента комбина-
ционных составляющих от выходной
мощности
376
Зависимости коэффициента комбина- Зависимость модуля коэффициента
циоиных составляющих от выходной передачи тока от тока коллектора
мощности
Зависимость статическо- Зависимость емкости Зависимость допустимо-
ю коэффициента пере- коллекторного перехода го постоянного тока кол-
дачи тока от тока кол- от напряжения коллек- лектора от напряжения
лектора тор — база коллектор — эмитiер
Транзисторы р-п-р
КТ626 (А, Б, В, Г, Д)
Транзисторы кремниевые эпи-
таксиально-планарные структуры
р-п-р. Предназначены для примене-
ния в усилителях и генераторах ко-
ротковолнового диапазона и пере-
ключающих устройствах. Выпуска-
ются в пластмассовом корпусе с
жесткими выводами Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
КТ626(А-Д)
гво
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн
1)кэ~2 В, /к=0,15 А:
7-+ 25 °C.
КГ626А, КТ626Д....................................40 ..2о0
КТ626Б............................................30.100
377
Продолжение
КТ62 В...........................................15 ..45
КТ626Г . . ... ... 15 60
Т= + 85 °C:
КТ626А. КТ626Д ................ 40...500
КТ626Б . . . ... 30 ..200
КТ626В ...................15 ..90
КТ626Г . ... ... . . 15 .120
Т= -40 “С:
КТ626А, КТ626Д . . . ... 20 250
КТ626Б .... . . 15 .100
КТ626В .... . . . 8 45
КТ626Г . . ............... . 8 60
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ
при 1/кэ=Ю В, /э=30 мА, не менее:
КТ626А, КТ626Б ..... 75 МГц
КТ626В, KT626I, КТ626Д ... .45 МГц
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер КТ626А, КТ626Б
при 1К 0,5 Л, /в=0,05 A u КТ626В, КТ626Г, КТ626Д при
7к=0,5 А, /в=0,1 А ие более . . . 1 В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой ча-
стоте при 1/кБ=10 В, 7э=30 мА, f—5 МГц................. 500 пс
Емкость коллекторного перехода при Г/кво=10 В 150* пФ
Обратный ток коллектора, не более:
КТ626А при Г/кво=30 В .............10 мкА
Uкео — 45 В .1 мА
КТ626Б, КТ626В при Ukeo=30 В, КТ626Г, КТ626Д прн
1/кво=20 В ... . 150 мкА
КТ626Б при 1/КБО=60 В и КТ626В при {7кьо=80 В . 1 мА
Обратный ток эмиттера при Ubeo=4 В, не более'
К 626А ................10 мкА
КТ626Б, КТ626В, КТ626Г, КТ626Д ... . . 300 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор ба а
КТ626А............................................45 В
КТ626Б...................... .....................60 В
КТ626В................ ...........................80 В
КТ626 Г, КТ626Д 20 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rj6 =
= 100 Ом:
КТ626А....................................... .... 45 В
КТ626Б.................................... . . 60 В
КТ626В . . . ................80 В
КТ626Г. КТ626Д .... . ... 20 В
Постоянный ток коллектора . . ............. 0,5 А
Импульсный ток коллектора . .............1,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
при Л,<+60°С ... ................6.5 Вт
при Г, = +85 °C ... . . 4 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус .... 10°С/Вт
Температура р-п перехода ... , ... +125 °C
Температура окружающей среды..........................— 40 °C.. 7К =
- +85 °C
Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса транзистора с ра-
диусом закругления 1.5...2 мм
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора при
температуре ие выше +260 °C в течение не более 3 с.
378
2Т629А-2, КТ629А
Транзисторы кремниевые эпитаксиаль-
но-планарные структуры р-п-р переключа-
тельные. Предназначены для применения
в быстродействующих импульсных устрой-
ствах герметизированной аппаратуры. Бес
корпусные, иа крнсталлодержателе с за-
щитным покрытием с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора ие более 0,02 г.
и
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:
2Т629А2 при иКБ= 1,2 В, /3=500 мА:
7- + 25°С . ..........................25 .80
7-+ 125 °C.......................................25.150
Т--60 °C..................................... ... 10 80
КТ629А при 1/кв=5 В, /в=500 мА, 7=+25°C 25 150
Модуль коэффициента передачи тока иа высокой частоте при
£/кэ=5 В, /к = 50 мА, f —100 МГц, пе мепее . . . . 2,5
Граничное напряжение при /3=10 мА ие меиее:
2Т629А 2 ... . ... 50 В
КТ629А 40 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн /к —500 мА,
/л-»50 мА, не более:
2Т629А 2.............................. .08В
КТ629А ... .... . . 1 В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к = 500 мА,
/б *=50 мА, не более:
2Т629А2 1,5 В
КТ629А . . - 1,2 В
Время рассасывания 2Т629А-2 при /к 500 мА, /Б = 50 мА,
не более .... . . 90 пс
Время выключения при 1к 500 мА, /с=50 мА . 75* нс
Время включения при /«=500 мА, /б=50 мА 30* нс
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой часто-
те 2Т629А-2 при Ю В, /а =50 мА, f=30 МГц, не более 120* нс
Емкость коллекторного перехода при 1/«бо=Ю В, не более:
2Т629А 2 . .............. . . 20 пФ
КТ629А........................................... . 25 пФ
Емкость эмиттерного перехода при /73ьо=0 5 В не более:
2Т629А-2 . 100 пФ
КТ629А . . .... 120 пФ
Обратный ток коллектора при 1/«бо = 50 В-
7— —60. +25 °C, не более ...................5 мкА
7= +125 °C . ... 10 мкА
Обратный ток коллектор — эмиттер при 1/«3 = 50 В, /?„«—
= 1 КОм, не более ... 5 мкА
Обратный ток эмиттера прн Uar,o 4,5 В, не более ... 5 мкА
379
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмнттер при Rit — l кОм
Постоянное напряжение коллектор — база..................
Постоянное напряжение эмнттер — база....................
Постоянный ток коллектора ..............................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при 7=+80 °C ... ......................
прн Т= + 125°С......................................
Тепловое сопротивление переход — теплоотвод , . . .
Температура р-п перехода................................
Температура окружающей среды............................
50 В
50 В
4.5 В
1 А
1 Вт
0.18 Вт
55 °С/Вт
+ 135 °C
- 6О...+ 125°С
Изгиб вывода допускается не ближе 0,5 мм от места выхода вывода из
защитного покрытия. Запрещается соприкосновение вывода и кристалла н пе-
региб выводов иа ребрах металлической подложки и на инструменте с острыми
краями.
Прн монтаже транзистора допускается пайка выводов не ближе 2 мм до
места выхода вывода из защитного покрытия при температуре не выше
+200 °C в течение не более 10 с.
КТ639 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И)
Транзисторы кремниевые эпи-
таксиально-планарные структуры
р п-р усилительные. Предназначе-
ны для применения в усилителях
низкой частоты, усилителях мощ-
ности, видеоусилителях, автомо-
бильных электронных устройствах,
импульсных и переключающих
устройствах, в оконечных устрой-
ствах ЭВМ Корпус пластмассо-
вый с жесткими выводами.
Масса транзистора ие бо-
лее 1 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1-'кэ=2 В, /к=0,15 Л
КТ639А. КТ639Г, КТ639Е . . 40 100
КТ639Б, КТ639Д, КТ639Ж..........................60 100
КТ639В..........................................100 250
KT639II ... .. 180 400
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при Uku=5 В, /к=30 мА, f=20 МГц, не менее ... 4
Граничное напряжение при /к 50 мА, не менее-
КТ639Л КГ639Б КТ639В , . . . 45 В
КТ639Г, КТ639Д.................................. 60 в
КТ639Е, КТ639Ж ... .... 100 В
К1639И..........................................30 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн 1К=
=0.5 А, /ь 0,05 А, не более................... . . 0.5 В
380
П родолженпе
Напряжение насыщения база—эмигтер при /к=0,5 А,
/б=0,05 А, не более ... . . . .
Время рассасывания при /к = 0,5 А, /г=0,05 А, не более
Емкость коллекторного перехода при 6/кб=10 В не более
Емкость эмиттерного перехода при 1/вэ=0,5 В
Обратный ток коллектора прн 1/кб=30 В, не более
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ639А, КТ639Б, КТ639В .... . .
КТ639Г, КТ639Д ................
Постоянное напряжение коллектор — эмнттер:
КТ639А, КТ639Б, КТ639В . . .
КТ639Г, КТ639Д...............................
КТ639Е, КТ639Ж...............................
КТ639И.................... ..................
Постоянное напряжение база—эмнттер ....
Постоянный ток коллектора.........................
Импульсный ток коллектора прн /„sg:10 мкс, <23=2
Постоянный ток базы...............................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 нрн
- 6О... + 35СС....................................
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при
sglO мкс, Г<+25СС ... .
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход — среда
Температура р-п перехода .........................
Температура окружающей среды......................
1,25 В
200* нс
50 пФ
90*... 120*...200 пФ
100 нА
45 В
60 В
45 В
60 В
100 В
30 В
5 В
1,5 А
2 А
02 А
1 Вт
6 Вт
10 °С/Вт
115 °C,'Вт
+ 150 °C
-60 +125 С
1 Прн Г>+35*С р к.маке- От-(150-Т)'/?г(п_г)—Сез теплоотвода и Рк маке,
Вт-(150-Гк) RTII х) — с теплоотводом.
Минимальное расстояние от корпуса до места изгиба вывода 5 мм при
радиусе изгиба не менее 1 5 мм. При изгибе необходимо принимать меры, ис-
ключающие передачу усилий на пластмассу. Кручение выводов запрещается
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса 5 мм при темпе-
ратуре пайки не более + 250 °C в течение не более 10 с.
КТ644 (А, Б, В, Г]
Транзисторы кремниевые эпитак-
сиально планарные структуры р-п-р
универсальные Предназначены для
применения в усилителях низкой ча-
стоты, усилителях мощности, видео-
усилителях различного назначения,
импульсных и переключающих уст-
ройствах, в оконечных устройствах
ЭВМ. Выпускаются в пластмассовом
корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается па корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
381
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схе-
ме ОЭ'
при Ukb 10 В, /»=150 мА:
КТ644А, КТ644В . . 40 120
КТ644Б, КТ644Г . . 100. 300
при /7«б=10 В, КТ644Л, КТ644В, не менее:
/э=0,1 и 500 мА............................. . 20*
/э=1 мА.......................... . . 25*
Г»-10 мА......................... 35*
Модуль коэффициента передачи тока иа высокой
частоте при Ukb=5 В, /=30 мА, /=100 МГц 2...2,8*...4,2*
Граничное напряжение нри /«=10 мА, не менее
КТ644А, КТ644Б ...............................60 в
КТ644В, КТ644Г ...............................40 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер;
при /к=150 мА, /в=15 мА 0,14* . 0,18* .0,4 В
прн /«=500 мА, /«=50 мА . ... 0,45*...0^55*...1,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к =
150 мА, /«=15 мА, не более........................1,3 В
Время рассасывания при /«=150 мА, /«=15 мА 80*...110*. .180 нс
Емкость эмнттерного перехода при 1/эв=0, / =
5. 10 МГц, не более .... ... 50 пФ
Обратный ток коллектора при //««=50 В, не более 100 нА
Обратный ток эмиттера при /7Э«=5 В, пе более 100 нА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . . 60 В
Постоянное напряжение эмиттер — база ,5В
Постоянный ток коллектора........................0,6 А
Импульсный ток коллектора1 при /„<10 мкс, Q^2 1 А
Постоянный ток базы .............................0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора ! при
/=—60 + 35 °C .................... 1 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность >-3 при /„<
<10 мкс, <2^2, /.<+25°C..........................20 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус 10°С/Вт
Тепловое сопротивление переход — среда . . 115°С/Вт
Температура рп перехода..........................+150 °C
Температура окружающей среды.....................—60...+ 125 °C
1 Нри условии непревышення Рк М„КС‘
* При использовании транзистора без теплоотвода и Г>+35°С постоянная рассек*
васмая мощность рассчитывается по формуле
^Кмакс Вт-(150 —Г)/ЯТ(П_С)
’ При использовании транзистора с теплоотвэдом и ТК>+25°С постоянная рассек*
васмая мощность рассчитывается по формуле
К,макс' Вт”(150 — гк) Rrtn-tty
Минимальное расстояние от корпуса транзистора до места изгиба вывода
5 мм радиус изгиба 1,5.2 мм. При изгибе необходимо принимать меры, ис-
ключающие передачу усилий иа пластмассу. Кручение выводов запрещается.
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса 5 мм. Темпера
тура пайки не более +250 °C, время пайки не более 10 с.
1Т901 (Л, Б)
Транзисторы германиевые диффузионно сплавные структуры р-п р переклю-
чательные Предназначены для применения в переключающих и импульсных
усилительных каскадах радиоэлектронных устройств. Выпускаются в металли-
382
ческом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора пе более 25 г Масса крепежного фланца не более 10 г.
it ЗОИ А 6)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при (7кэ=Ю В, /э = 0,1 Л, 7=+25 °C для 1Т901А . 10 19*.25*
при икэ= 10 В, /э=5 А:
7=+25 °C 1Т901Л................................ 20. 33*...50
1Т901Б ... . . 40 72*. 100
7=-60 °C 1Т901А 20 .60
1Т901Б............................. . 40 120
7=+70 °C 1Т901А . . 14 60
1Т901Б 28. .120
Граничная частота коэффициента передачи тока при
17ка —10 В, 1э 0,5 Л, не менее ... 30* кГц
Граничное напряжение при 7»=5 А
7=+25 °C 1Т901А . . . 45 51* .53* В
1Т901Б................................. 30 47*...51* В
Г= —60 и + 70°С для 1Т901А 1Т901Б, ие менее 30 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=5А
/Е=1 А
7=+25 °C ...........................0,3* 0,4* 0.6 В
7 = — 60 °C, не более...............................0,7 В
Т— +70 °C, пе более................ 1,8 В
Время нарастания при С7«э=10 В, (7ва = 0,5 В, /к 5 А 0,5» 0,7 мкс
Время спада при 7/кэ=10 В, 1/вэ 0,5 В, 1ц 5 А 0,2* 0,7 мкс
Обратный ток коллектора при 1)КБ 40 В, не более:
7=+25 °C........................................... 8 мА
7=-60 °C.............................................8 мА
7=+70 °C............................................60 мА
Обратный ток коллектор — эмиттер прн 7/«»=50 В
£7бв=0,5 В, не более ... 15 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при 7/Эб=
=0,5 В
1Т901А ... 50 В
1Т901Б ... 40 В
Постоянное напряжение коллектор — база1:
1Т901А ................50 В
1 Допускается выброс напряжения длительностью до 10 мкс для 1T90IA до 50 В,
для 1Т901Б до 40 В
383
Продолжение
1Т901Б..............................................40 В
Постоянный ток коллектора.............................10 А
Постоянный ток базы.....................................2 А
Постоянная или средняя (за период 1 мс) рассеиваемая
мощность транзистора1 при Т= — 60 °С...ТК—37,5 °C . . 15 Вт
Tei ловое сопротивление переход — корпус.............2,5 °С/Вт
Температура р-л перехода . . . '................+75 °C
Температура окружающей среды.........................—60°C Тк =
= +70 °C
1 При Гк>37.5 “С постоянная или средняя рассеиваемая мощность транзистора рас-
считывается ио формуле
В1-(75-Тк)/2.5.
Пайка выводов транзистора должна осуществляться паяльником мощно-
стью не более 60 Вт в течение не более 10 с на расстоянии пе менее 20 мм от
корпуса. Расстояние от начала гибкой части составного вывода до начала из-
гиба вывода не менее 5 мм.
Запрещается использование транзисторов без теплоотвода. Чистота обра
ботки поверхности теплоотвода в месте установки транзистора не хуже 1,6.
1Т905А, ГТ905 (А, Б)
Транзисторы германиевые диффузи-
онно сплавные структуры рпр универ-
сальные. Предназначены для применения
в переключающих и импульсных усили-
тельных устройствах, в выходных каска-
дах усилителей мощности низкой часто-
ты. Выпускаются в металлическом со
стеклянными изоляторами (1Т905А) и
металлопластмассовом (ГТ905А, ГТ905Б)
корпусах с жесткими выводами Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов 1Т905А ие бо-
лее 4,5 I (с крепежным фланцем пе бо
лее 6 г), I Г905А, ГТ905Б ие более 7 г.
384
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при Uitc= Ю В, 7в=3 А
Т +25 °C 1Т905А, ГТ905А ГТ905Б .. . .
Т=-60°С 1Т905А..............................
7=+70 °C 1Т905Л . . . . .
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при Of,B=10 В, /8=0,5 А, для 1Т905А,
пе менее ......................................
Модуль коэффициента передачи тока на высокой ча-
стоте при б'кь-=10 В, /э=0,5 A, /=20 МГц для
ГТ90515, ие менее .... . .
Граничное напряжение при !э ы=3 А, Zu = 60 мкс и
05:8000 или Zu=30 мкс и Q>4000 для 1Т905А,
ГТ905А, 1Т905Б.....................
Напряжение насыщения коллектор — эмнтгер при
1к — 3 А, 7ь = 0,5 А:
7=+25 °C 1Т905А, ГТ905Л, ГТ905Б . .
7= — 60 °C 1Т905А, не более.................
7 = + 70 °C 1Т905Л, не более................
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к =
= 3 Л, /Б=0,5 А для 1Т905А, ГТ905А, ГТ905Б .
Постоянная времени цепи обратной связи при Ukk =
= 30 В, /э = 0,03 А, /10 МГц, не более:
1Т905Л .
1Т905Б .... . . . .
Время включения прн Г/ЯБ=30 В, /8.и=0,5 A, tu =
— 20 мкс, /=50 Гц для 1Т905А
Время нарастания при 7Л,Б = 30 В, /э.и = 0,5 А,
Zu =20 мкс, /=50 Гц для ГТ905А, пе более
Время спада при 1/кБ=30В, /8,и=0,5А, /и=20мкс,
/=50 Гц для 1Т905А, ГГ905А ....
Время рассасывания при 1/Кб=30 В, /а,и =0,5 А,
Z„ -20 мкс, /=50 Гц для 1Т905А, ГТ905А . .
Емкость коллекторного перехода при ПкБ=30 В,
/=10 МГц, не более:
11905А . . .
ГТ905А, ГТ905Б .... . .
Емкость эмиттерного перехода прн 1/эь=0 4 В
/ = 10 МГц для 1Т905А, не более . . . .
35...64.4*.. 100
35... 100
20. НО
30* МГц
3,5
65...74*. 78 В
0,14*...0,24*...0,5 В
0,5 В
0,8 В
0,46*...0,54*...0,7 В
500 ис
300 пс
0 012*...0,018*. .0 2 мкс
0,15 мкс
0,012*. .0,053*...0,3 мкс
1,5* ..2,4*..,4 мкс
250 пФ
200 нФ
Обратный ток коллектора, не более
7=+25 °C:
Пкб = 75 В 1Т905А
<Л.б=75 В ГТ905А • • • • • •
Б’кб=60 В ГТ905Б
7=-60 °C:
U кь —75 В 1Т905А, ГТ905А
1Л<Б = 60 В ГТ905Б
7=+70 °C:
Пкб = 75 В 1Т905А -
Пкб = 75 В ГТ905А
(Л.Б = 60 В ГТ905Б
Обратный ток эмиттера при tZ₽E=0,4 В не более
8000 пФ
0,09* .0,35*...2 мА
2 мА
2 мА
2 мА
2 мА
8 мА
16 мА
16 мА
0.01 ..0,18*. 5 хА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер
при /?б.,<1 Ом . . . 60 В
при ПЭБ = 0,4 В
Т905А. ГТ905Л............................... . 75 В
ГТ905Б . ..................... 60 В
25 Заказ № 1004
385
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер:
при /„2=10 мкс..................................
запертого транзистора при /„<20 мкс и Q^3
ГТ905А ГТ905Б . ................
Постоянное напряженке коллектор — база’
1Т905А, ГТ905А . . . . .
ГТ905Б .....................................
Постоянный, импульсный (в режиме переключения)
ток коллектора . . . . . .
Импульсный ток коллектора в режиме переключе-
ния при /и<20 мкс для 1Т905А и при /„<20 мкс,
Q2s3 для ГТ905А, ГТ905Б.........................
Постоянный (прямой или обратный) ток базы
Импульсный (прямой или обратный) ток базы
Постоянная средняя (за период не более 2 мс и
/„<10-з с) рассеиваемая мощность коллектора:
с теплоотводом1, при Г„ = — 60°С...+30°С
без теплоотвода2, при 7=—60...+25 °C
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора3
прн /„<10-з с, Uкв<32 В, /<5 Гц, запирающем
тже /б5=0 1 А и Тк = -60°С ,+30°С
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход — окружающая
среда .... .......................
Температура р-п перехода........................
Температура окружающей среды....................
Продолжение
60 В
130 В
75 В
60 В
3 А
7 А
0,6 А
1 А
6 Вт
1,2 Вт
60 Вт
9 °C Вт
50'С,Вт
+ 85 °C
—60°С...7’(1 = +70®С
1 При Гк>+30°С значение постоянной (средней) рассеиваемой мощности транзи-
стора рассчитывается по формуле
Рмакс- Вт-(85-7,)/9.
1 Прн Г>+25СС значение постоянной (средней) рассеиваемой мощности транзи-
сторе рассчитывается по формуле
/’з.акс. Вт- (85-7)/50.
• Прн Пкв>32 В Гк>+30,’С и при /Б>0,1 А, <„<10-3 с, f<5 Гц импульсная
рассеиваемая мощность снижается линейно (см рисунок), а при 5 Гц до-
полнительно снижается в соответствии с формулой
/ЭК,и,а<ажс^)”^,К.и лшис^<5 е~^/10
где Т — период, мс.
1Т906А, ГТ906А, ГТ906АМ
1Т906А, ГТ906А
386
Транзисторы германиевые диффузиои-
но-снлавные структуры р-п-р переключа-
тельные. Предназначены для применения в
преобразователях напряжения, переклю-
чающих н импульсных усилительных кас-
кадах радиоэлектронных устройств Выпу-
скаются в металлическом со стеклянными
июляторами (1Т906А, ГТ906А) и металло-
пластмассовом (ГТ906АМ) корпусах с
жесткими выводами. Тип прибора указы-
вается на корпусе.
Масса транзисторов 1Т906А, ГТ906А
не более 4,5 г (с крепежным фланцем не
более 6 г), ГТ906АМ не более 7 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
UKr= 10 В, 7а = 5 А
7=+25 °C 1T9J6A, ГТ906А, ГТ906АМ ....
Г=—60°С 1Т906А ... .............
Т= + 70 °C 1Т906А......................... ...
Граничное напряжение при 1д.и—5 А, не менее:
1Т906А при /„<50 мкс, 05:2000 .....................
ГТ906А, ГТ906АМ при /„<250 мкс, /=1—2 Гц .
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к,„=5 А
/в.„ = 0,5 А, не более:
7’—+25 °C 1Т906А, ГТ906Б, ГТ906АМ . . .
Т——60°С 1Т906А . . . ....
Г=+70°С 1Т906А........................
Напряжение насыщения база — эмиттер при 7к,„=5 А
/Е.и=0,5 А, не более;
1Т906А.............................................
П906А, ГТ906АМ........................ . .
Время нарастания прн UKB—30 В, 77Вв=0,5 В, /Е,„=0,5 А
/„=20 мкс, /—50 Гц, /?„=6 Ом для 1Т906А, не более
Время включения при 7/Иэ=30 В, 1/Вв=0,5 В, 7Е„=О,5 А
/„ 20 мкс, f=50 Гц, /?„ = 6 Ом для ГТ906А, ГТ906АМ
не более ..........................................
Время рассасывания при t/Es=30 В, 7Е.„=0,5 А, /„=20 мкс
f=50 Гц, /?„=6 Ом, не более........................
Обратный ток коллектор — эмнттер при С/Кв—75 В, {7ВЕ =
=0,5 В, ие более:
7’=+25 и -60 °C 1Т906А, ГТ906А, ГТ906АМ . .
7’=+70 °C:
1Т906А.......................................
ГТ906А, ГТ906АМ . . ..............
Обратный ток эмиттера при 1/ВЕ= 1,4 В, не более:
1Т906А .......................................
ГТ906А, ГТ 906 AM..............................
30... 150
30... 170
20... 150
65 В
75 В
0,5 В
0,5 В
1 R
0,6 В
0,7 В
1 мкс
1 мкс
5 мкс
8 мА
15 мА
30 мА
8 мА
15 мА
Предельные эксплуатационные данные
11апряженне коллектор — эмиттер.
1Т906А при 17вэ=0,5.. 1,4 В..........................
ГТ906А, ГТ906АМ прн 1/Еэ=0,4.14 В . . . .
Импульсное напряже! ие коллектор — эмиттер запертого тран-
зистора при иБВ=0,4... 1,4 В, /„<20 мкс, Q>-3 ГТ906А,
ГТ906АМ.................................................
Напряжение коллектор — база . ....................
Напряжение база — эмиттер...............................
75 В
75 В
130 В
75 В
1,4 В
25’
387
Продолжение
Постоянный или импульсный ток коллектора в режиме на-
сыщения 1...............................................
Постоянный ток коллектора в режиме переключения
1Т906А..................................................
ГТ906Л. ГТ906АМ . . .
Ток коллектора и режиме переключения:
1Т906Л (при £/кэ=36 В и выбросах напряжения до
45 В длительностью до 10 мкс)...........................
ГТ906А, ГТ906АМ (при напряжении на коллекторе за-
крытого транзистора не более 25 В) .................
Постоянный пли средний ток базы:
1Т906Л (за период не более 2 мс)........................
ГТ906А. ГТ906АМ нри /„^2 мс. Q>3....................
Постоянная или средняя рассеиваемая мощность коллекто-
ра2 при 7к^ + 37,5°С....................................
Импульсная рассеиваемая мощность транзистора:
прн /и ^10 мкс ............
при /и^200 мкс Пке^бО В /<5 Гц......................
Тепловое сопротивление переход—корпус...................
Тепловое сопротивление переход — среда..................
Температура р-п перехода . . ................
Температура окружающей среды............................
10 А
5 А
6 А
7 Л
7 А
1.5 А
1.5 А
15 Вт
375 Вт
300 Вт
2,5С/Вт
50 'С/Вт
+75 °C
-60еС...7м.=
= + 70 СС
’ Отключение ipanjHCTopa осуществлять прн токе коллектора не более 5 А для
IT906A и 6 А для ГТ906А, ГТ906АМ.
2 При ГК>+37,5°С постоянная или средняя рассеиваемая мощность коллектора
рассчитывается по формулам
Рк макс. Er—(75—Гк)/25 при использовании транзистора с теплоотводом;
juaxc* Вг—(75 — 7)/50 при использовании транзистора без теплоотвода.
1 T910 АД
П9ЮАД
Транзистор германиевый диффу-
зионно сплавной структуры рпр пе-
реключательный. Предназначен для
применения в мостовых преобразо-
вателях напряжения и других пере-
ключающих каскадах радиоэлект-
ронных устройств. Выпускается в
металлопластмассовом корпусе с гиб-
кими выводами. Тип прибора указы-
вается на корпусе. Вывод эмиттера
отмечен синек точкой иа корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при Ukb=1 В:
7'=+25сС:
/s.u=20 А .... . . . . .
/₽.и=10 А ....................
50. 223*. .320*
50. .167*. .320
388
Пре должен не
/а.„=0.1 А..............................
Г=—60сС, 7з.и=Ю А.........................
Т=+70°С, /э,«=0,1 А. не менее . . . .
Граничная частота коэффициента передачи тока,
не менее .....................................
Граничное напряжение при /э.в=5 А
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер:
при Г=+25°С 7к,и=Ю А, /с,и=1 А
при Г= + 25°С /к,и = 20 А. /Б„=2 А
при Т= — 60°C /ки = 10 Л, /с,ц=1 А, не более
при 7=+70 °C /к и = 10 А, /в.и=1 А, не более
Время нарастания при (7кэ=10 В 1Ки—5 А
Время спада при UKe= 10 В /к.и=5 А
Обратный ток коллектора при 17КБ = 4О В
7 = +25 °C.....................................
Т = —60 СС, не более...........................
7'= + 70“С, ие более.......................
30 ..70».,. 104*
35...320
35
30 МГц
25...2«*...31* В
0,15*...0,19*...0,6 В
0.22* 0,25*...0,8 В
0.6 В
1 В
0.6*...1,0*...1.5 мкс
0,5*...0,8*...! мкс
0,42*...1,2*...6 мА
6 мА
20 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер 1 при
Осе=0,4 В......................................32 В
Постоянное напряжение коллектор — база . . . 33 В
Постоянный ток коллектора......................10 Л
Импульсный ток коллектора......................20 А
Постоянный ток базы............................ЗА
Импульсный ток базы............................6 А
Средняя (за период не более 1 мс) рассеиваемая
мощность коллектора при 7к^ + 20’С:
с теплоотводом2................................35 Вт
без теплоотвода3...........................0,9 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус . . . 1,85°С/Вт
Температура р-п перехода.......................+85°C
Температура окружающей среды...................—60 °С...ГЖ=+ 70 °C
1 Допускается выброс напряжения до 37 В длительностью не более 10 мкс.
2 При 7„>+20 °C средняя рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается по
формуле
Вт-(85-7 „1/1,85.
8 При Г>+20°С средняя рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается по
формуле
Вт-(65-74/70.
2Т932 (А, Б), КТ932 (А, Б, В)
Транзисторы кремниевые эпитаксиалыю-планарные структуры р-п-р усили-
тельные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощно-
сти и автогенераторах. Выпускаются в металлостекляниом корпусе с жесткими
выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
389
2Т932(А.ь). KT9J2(A -в)
39.2
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1/кэ = 3 В, /к =1,5 А:
Т= +25 °C
2Т932А, КТ932А.....................................15...30*...80*
2Т932Б, КТ932Б . . .....................30...45*...120*
К 932В ие мепее.......................... 40
Т = -60 °C-
2Т932А, не менее................................10
2Т932Б. не минее................................20
Т +125 °C:
2Т932А, ие мепее................................15
2Т932Б не мепее.............................. ... 30
Граничная частота коэфф! циента передачи тока в схеме
ОЭ при t/ке—3 В, /j=l Л
2Т932А . ........................... 30...45*...80* МГц
2Т932Б . . ............................... 50... 0*... 100* МГц
КТ932А, пе менее................................. . 80 МГц
КТ932Б, не менее................................. . 100 МГц
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер прн /«.„ =
= 1,5 А, /б=0,25 А . . .....................0,2* .0,4*.„1,5 В
Обратный ток коллектор — эмнттер при /?ба=Ю0 Ом, не
более:
Т’=+25еС:
17кэ=80 В 2Т932А, КТ932А...........................1,5 мА
£7ке=60 В 2Т932Б, КТ932Б ........................1,5 мА
С/кэ=40 В КТ932В ................................1,5 мА
Т= -60 °C:
UKb=80 В 2Т932Л...............................1,5 мА
^кэ=60 В 2Т932Б...............................1,5 мА
Т= + 125 °C:
l/KS=80 В 2Т932Л...............................20 мА
17кэ=60 В 2Т932Б .........................20 мА
Емкость ко 1лекторного перехода при 1/кв=20 В f=5 МГц ПО* .160*.300 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер и коллек-
тор — база:
2Т932А, КТ932А..................................... ... 80 В
2 932Б, КТ932Б .... . 60 В
КТ932В . .... . 40 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . .45В
Постоянный ток коллектора..............................2 А
390
Продолжение
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Гк<+50°С для 2Т932А, 2Т932Б, КТ932А,
КТ932Б, КГ932В...................................20 Вт
при ГК=+125°С для 2Т932А, 2Т932Б . . . 5 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус . . . . 5 °C Вт
Тепловое сопротивление переход — среда...............42°С/Вт
Температура р-п перехода.............................+150 °C
Температура окружающей среды:
2Т932А, 2Т932Б.......................................-60еС...7'х =
— 125 °C
КТ932А, КТ932Б КТ932В . . . -60°С...П =
—+ 100 °C
1 При 7к> + 59еС постоянная рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается
по формулам
РК максг Вт-(150 —ГК)//?Т(П_К прн использовании транзистора с теплоотводом;
Р1{ макс, Вт— (150 —Г)//?Т1п_с) при использовании транзистора без теплоотвода.
2Т933 (А, Б), КТ933 (А, Б)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры р-п-р усили-
тельные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощно-
сти и автогенераторах. Выпускаются в металлостеклянных корпусах с гибкими
(2Т933А, 2Т933Б) и жесткими (КТ933А, КТ933Б) выводами. Тип прибора ука-
зывается на корпусе.
Масса транзисторов 2Т933А, 2Т933Б не более 1,5 г, КТ933А, КТ933Б не
более 24 г без накидного фланца (масса накидного фланца не более 12 г),
2Г9331А 6)
0 3,1 0S 6.1 23
КГ933 It 61
391
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при L/ks=3 В /к,и=0,4 А
Г = + 25 СС:
2Т933А, КТ933А . . . ... 15.. 30* 80*
2Т933Б, КТ933Б . ... 30...45*...120*
7=-60 °C:
2Т933Л, не менее . ..............10
2Т933Б, не менее . ... 20
7=+ 125 СС:
2Т933Л, не менее . .... 15
2Т933Б, не менее............................30
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при {7кВ=3 В, /8=0,4 А................... 75... 100*... 120* МГц
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/к.«=0,4 А. /в=0,05 А ............................0.2*...0,4*...1,5 В
Обратный ток коллектор — эмиттер прн /?«.,= 100 Ом,
не более:
Г-+25 н -60 "С:
l/KS=80 В 2Т933А, КТ933А.................0,5 мА
Ок8=60 В 2Т933Б КТ933Б..................0.5 мА
Т= +125 °C:
l/Kt>=80 В 2Т933Л..........................5 мА
Uкз -60 В 2Т933Б...........................5 мА
Емкость коллекторного перехода при L'kE=20 В,
J«5 МГц:
2Т933А, 2Т933Б ......................... 50*.. 60* 100 пФ
КТ933А, КТ933Б, не более.......................70 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер и кол-
лектор — база:
2Т933А, КТ933А....................................80 В
2Т933Б, КТ933Б.................................60 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . 45 В
Постоянный ток коллектора.........................0 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора ’:
при 7„sC + 50°C для 2Т933А 2Т933Б, КТ933А,
КТ933Б............................................5 Вт
прн 7’К= + 125°С для 2Т933А, 2Т933Б ... 0,2 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус ... 20 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход — среда 2Т933А,
2Т933Б............................................125°С/Вт
Температура р-п перехода..........................+150 °C
Температура окружающей среды;
2Т933А. 2Г933Б................................. -60 °C . Г, = +125 °C
КТ933Л, КТ933Б ... -60 °C Гх= + 100°С
1 При Гк>+50сС постоянная рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается
по формулам
Рк макс* Вт-(150-7 ПРН использовании транзистора с теплоотводом;
Рк макс* Вт-(150—Л/Ят(П_с) ИРИ использовании транзистора без теплоотвода.
392
КТ973 (Л, Б]
Транзисторы кремниевые эпитакси-
ально-планарные структуры р-п-р уси-
лительные. Предназначены для приме-
нения в выходных каскадах систем авто-
матики. Корпус пластмассовый с жест-
кими выводами. Тип прибора указыва-
ется на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн
7/кв = 3 В, Ig— 1 Л не менее-
Г=+25°С...........................................750
Г= + 85°С.........................................900
Г=-45°С...........................................600
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при
1/ка=10 В, /к=1 A, f 10е Гц, не менее ... 2
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=500 мА,
/в=50 мА, не более.....................................1,5 В
Напряжение насыщения база — эмиттер нрн /к=500 мА,
/в=50 мА, не более.....................................2,5 В
Время рассасывания при /к = 500 мА, 7^=50 мА, не более 200 нс
Обратный ток коллектор — эмиттер при иКэп=иквп,макс,
Rea= 1 кОм, не более:
Т -45...+ 25 °C....................................1 мА
Г=+85°С . . ... .... 10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
КТ973А ....
КТ973Б..............................................
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?ба<1кОм:
КТ973А..............................................
КТ973Б..............................................
Постоянное напряжение база — эмиттер....................
Постоянный ток коллектора...............................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при Тк=
--45...+ 25 °C..........................................
Тепловое сопротивление переход — корпус.................
Температура р-п перехода
Температура окружающей среды ...........................
60 В
45 В
60 В
45 В
5 В
4 А
8 Вт
15,6 °С/Вт
+ 150 °C
-45°С...Тк=
- +85 °C
1 Прн ^-+25...+85'С ГК1ЛИЯС рассчитывается по формуле
'’к.жакс. Вт-(150-Г„)/15,6.
Шероховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть не ху-
же 1,6. Допуск плоскостности контактной поверхности теплоотвода 0 016 мм.
При монтаже транзистора на теплоотвод крутящий момент прн прижиме дол-
жен быть не более 80 Н-см (8 кг-см).
393
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса при
температуре припоя +260 °C в течение не более 4 с, время лужения выводов
не более 2 с. Допускается не более одной перепайки.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В
Зона возможных положений завнси-
Обласги максимальных режимов
Зона возможных положений зависи-
мости напряжения насыщения кол-
лектор — эмиттер от тока коллектора
КТ9115А
Транзистор кремниевый эпитаксиаль-
но планарный структуры р п р усили
тельный. Предназначен для применения
в фазоинверсных предокоиечных каска
дах высококачественных усилителен зву-
ковой частоты и видеоусилителях теле
визионных приемников Корпус пласт
массовый с жесткими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора ие более 1 г.
394
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
икэ= 10 В, /к = 30 мА:
7=+25 °C............................................ 25.250
7=+ 100 °C, не меиее................................20
7= —45 °C, ие менее ... . . . . 15
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ
при 1/Иэ= 10 В, 1к=15 мА, не менее......................90 МГц
Граничное напряжение прн /к=20 мА не менее . . . 300 В
Напряжение насыщения коллектор—э.миттер прн /к=30 мА,
7б=6 мА, не более ... .......................1 В
Напряжение насыщения база — эмиттер прн /к=30 мА, 1б=
=6 мА, не более . . 1,1 В
Емкость коллекторного перехода при 1/кБ=30 В. не более . 5,5 пФ
типовое значение....................................2,5* * пФ
Емкость эмнттерного перехода прн 1/БЭ = 0,5 В, не более . 50 пФ
типовое значение....................................35* пФ
Обратный ток коллектора при 1/кь=250 В. не более:
7=+ 25°C.............................. . . ... 005 мкА
7=+ 100 °C..........................................2 мкА
Обратный ток эмиттера при UEa=3 В, пе более . . 0,05 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база..................
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?Еэ<
<10 кОм.................................................
Постоянное напряжение база—эмиттер......................
Постоянный ток коллектора...............................
Импульсный ток коллектора 1 при /и<2 мс, Q^3,3
Постоянный ток базы.....................................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7К=
= —45...+25 °C:
с теплоотводом 2....................................
без теплоотвода 3...................................
Температура р-п перехода ...............................
Температура окружающей среды............................
300 В
300 В
5 В
0,1 А
0,3 А
0,05 А
10 Вт
1,2 Вт
+ 150 °C
- 45 °C. .7„ =
= +100 °C
Прн Q<3,3 1К „ ЛОКС рассчитывается по формуле
^к.и,.чокс*
1 При Т„-+25. ,-ИОО'С РЕ макс снижается линейно до 4 Вт.
• При Г—+25...+Ю0 °C Рк м я0 сннж ется линейно до 0,48 Вт.
Пайка выводов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса транзистора прн
температуре припоя +265 °C в течение времени не более 3 с. Допускается
пайка волной припоя при температуре не более +235 °C.
Допустимое значение статического потенциала 500 В.
395
Выходные характеристи-
ки
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициента
передачи тока от тока
коллектора
Зависимости напряжений насыщения
коллектор — эмиттер и база — эмнт-
тер от тока коллектора
Зависимость емкости коллекторного
перехода от напряжения коллек-
тор — база
Области максимальных режимов
Зависимость пробивного напряжения
коллектор — эмиттер от сопротивле-
ния база — эмиттер
396
Раздел пятый.
Транзисторы биполярные сверхвысокочастотные
Транзисторы п-р-п
2Т606А, КТ606 (А, Б)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры п-р-п гене-
раторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножи-
телях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении
питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими вы-
водами и монтажным винтом. Тип прибора указывается па корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
27В0ВА, КТВОВ(А.Б)
Электрические параметры
Выходная мощность иа частоте f=400 МГц при 1/кэ=28 В,
не менее:
2Т606Л, К1606А.....................................0,8 Вт
КТ606Б..............................................0,6 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте /=400 МГц,
не менее.................................................2,5
типовое значение ... . . . . 3*
Коэффициент полезного действия коллектора на частоте f=
= 400 МГц, пе мепее.....................................35%
Модуль коэффициента передачи тока на частоте /=100 МГц
при Ukb= 10 В, /к =100 мА, не мепее:
2Т606А, КТ606А.......................................3 5
КТ606Б..............................................3
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /и=200 мА,
/б=40 мА, не более......................................1* В
Постоянная времени цепи обратной связи на частоте f=
=5 МГц при Ukb= Ю В, /э=30 мА, не более:
2Т606А, КТ606А . ... . . . 10 нс
КТ606Б..............................................12 пс
Емкость коллекторного перехода при 1/кС=28 В, f=5 МГн,
не более......................................... . 10 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 1/эв=0, f—5 МГц,
не более............................................. ... 27 пФ
Критический ток коллектора на частоте /=100 МГц при
Ukb= 10 В, не мепее.................................... . 100 мА
Обратный ток коллектор — эмиттер при Ukb 65 В, Яа6=
= 100 Ом не более:
7=+25 °C:
2Т606Л ... .......................1 мА
397
Продолжение
КТ606Л, КТ606Б . ........................1,5 мА
7=+85 °C КТ606А, КТ606Б..............................3 мА
7-+ 125 °C 2Т606А , .................2 мА
Обратный ток эмиттера при <78в=4 В, не более-
2Т606А .................................0,1 мА
КТ606А, КТ606Б.......................................0,3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?.,«<
<100 Ом .................... ... 65 В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при /?эв<
<100 Ом:
2Т606Л ... ..........................75 В
КТ606А, КТ606Б . ...........................70 В
Постоянное напряжение эмнттер — база.....................4 В
Постоянный ток коллектора..............................0,4 А
Импульсный ток ю ыектора..............................0,8 А
Постоянный ток базы..............................0,1 А
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режиме
прн 7к< + 40°С...........................................2,5 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус..................44 °С/Вт
Температура р-п перехода:
2Т606А ............. ......................+150 °C
КТ606А. КТ606Б ... .....................+120 °C
Температура корпуса:
2Т606А..................................................+125 °C
КТ606Л, КТ606Б .....................................+85 °C
Температура окружающей среды:
2Т606А..................................................-60°С...7ж =
= + 125 °C
КТ606А, КТ606Б ... .....................— 40'®С...7к =
= + 85 *С
• При 7к>+40°С РКсР1Макс, Вт=(Тп-7к)/44.
Чистота контактной поверхности теплоотводов должна быть не менее 2,5.
Неплоскостность контактной поверхности теплоотвода должна быть не бо-
лее 0,03 мм.
Пайка выводов допускается не ближе 1 мм от корпуса транзистора паяль-
ником, нагретым до температуры не более +250 °C в течение времени не бо
лее 3 с. Ц лесообразно осуществлять теплоотвод между корпусом и местом
пайкн.
2Т607А-4, КТ607 (А-4, Б-4]
2TW7A-*, КТбОТ^.Б-Ъ)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально пла-
нарные структуры п р-п генераторные. Пред-
назначены для применения в генераторах и уси
лителях в герметизированной аппаратуре. Бес
корпусные с защитным покрытием. Тип прибора
указывается в этикетке
Масса транзистора не более 0,4 г.
398
Электрические параметры
Выходная мощность (медианное значение) при ОКБ=20 В,
/к=110 мА, f=l ГГц, Р,х=0,4 Вт для 2Т607А-4, Г607А 4 и
f’.x=0,5 Вт для КТ607Б 4, не менее . .............1 Вт
Коэффициент ус лення по мощности (медианное значение)
при 1/кб=20 В, /к=110 мА. f=l ГГц, не менее.
2Т607А 4, КТ607А-4 при Р„=0 4 Вт . . 4 дБ
КТ607Б-4 прн Р„х=0,5 Вт.............................3 дБ
Коэффициент полезного действия коллектора (медианное зна-
чение) при <7ке=20 В, /к=110 мА. f=l ГГц, Р„х=0,4 Вт
для 2Т607А-4, КТ607А-4 и Р.х=0,5 Вт для КТ607Б 4. не менее 45%
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при
С/кэ = 10 В, /к = 80 мА, 100 МГц, не менее . 7...9*. 15*
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой часто-
те при <Агв=10 В, /э=30 мА. /=5 МГц:
2Т607А-4, КТ607А-4, не более........................6*... 10*.. 18 пс
КТ607Б-4. не более............................. . . 25 пс
Емкость коллекторного перехода при 10 В, ие более:
2Т607А-4, КТ607А-4 . . 4 пФ
КТ607Б-4............................................4,5 пФ
Обратный ток коллектора 2Т607А-4, КТ607А-4 при О'к со=
= 40 В и КТ607Б 4 при UKEo=30 В, не ботее-
/=-60. .4-25 °C . . . .1 мкА
Т—ч-125 °C..........................................3 мкА
Обратный ток эмиттера при <7ЭЕо=4 В, не более
Т= -60...4-25 °C . . .......................0,5 мкА
Г= 4-125 °C.........................................3 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн /?эв=ЮОм:
4-85 °C:
2Т607А-4, КТ607А-4 . ................35 В
КТ607Б 4 ... .............30 В
Г-4-125 °C 2Т607А4 . . ................25 В
Постоянное напряжение коллектор — база
7'<4-85 °C:
2Т607А-4, КТ607А-4 ... . . . 40 В
КТ607Б-4 ... . . . . 30 В
Т= 4-125 °C 2Т607А-4 ... ................30 В
Постоянное напряжение эмиттер — база:
7'<4-85°................................................ 4 В
Т= 4-125°C 2Т607А-4................................. ЗВ
Постоянный ток коллектора:
7 <4-85 ° .... .... 150 мА
Т’=4-125°С 2Т607А4 . . .... 125 мА
Постоянная рассеиваемая мощность котлектора:
ГкС4-30°C 2Т607А-4, КТ607А-4, КТ607Б-4 . . .1,5 Вт
Гк=4-125°С 2Т607А-4 . . . . 0,34 Вт
7'к=4-85°С КТ607А-4, КТ607Б-4 . ... 0.89 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус.................73°С/Вт
Температура р-п перехода................................4-150 °C
Температура окружающей среды:
2Т607А-4 . . .......................-60°С...7\ =
= 4-125 °C
КТ607А4 КТ607Б4 ... . . . . -45°С.7К =
= 4-85 °C
Крепление транзистора осуществляется приклеиванием илн пайкой. Макси-
мально допустимая температура припоя не более 4-260 °C. Время панки не
более 3 с. Нажимное усилие на торце каждого вывода не должно превышать
400 г.
399
2Т610 (А, Б], KT610 (А, Б)
2Т61С(А,Б), КТ610(А,Б)
Транзисторы кремниевые эпнтакспаль-
но-планарные структуры п-р-п усилитель-
ные Предназначены для применения в уси-
лителях напряжения и мощности. Выпу-
скаются в металлокерамическом корпчч <*
с гибкими полосковыми выводами. Тнп
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1ЛсЕ=1О В, /э=150 мА:
2Т610А.................................................... 50...250
2Г610Б .... ........................ 20 ..250
КТ610А . . . . ................. 50.300
КТ6! ОБ.............................................. 20...300
Неравномерность коэффициента передачи тока в схеме ОЭ
в режиме малого сигнала при 1/Еэ=10 В, /к = 30...270 мА
для 2Т610А, КТ610А, не более.............................2.3
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ
прн <7кэ=10 В, /к-150 мА:
2Т610А, КТ610А, не менее............................. 1000 МГц
типовое значение..................................... 1250 МГц
2Т610Б. КТ610Б. не менее............................. 700 МГц
типовое значение . . ........................1100'МГц
Коэффициент усиления по мощности (медианное значение)
jipu I/,,-а=12,6 В, Р«ыл=1 Вт, / = 400 МГц для 2Т610Б,
пе меиее................... ......................... 6,4 дБ
типовое значение.....................................8* дБ
Коэффициент полезного действия коллектора (медианное
значение) при <7кэ=12,6 В, РОых=1 Вт, /=400 МГц для
2Т610Б, не меиее.........................................45%
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой часто-
те при £Л,-Б=10 В, /э = 30 мА, / = 30 мГц:
2Т610А. не более.....................................35 пс
типовое значение.....................................20* пс
2Т610Б, не более.....................................18 пс
типовое значение.....................................7,5* пс
КТ610А, । е более....................................55 пс
КТ610Б, пе ботее ....................22 пс
Емкость коллекторного перехода при <7КЕ=10 В, не более . 4,1 пФ
Емкость эмнттерного перехода при <7еЕ=0, не более . . 21 нФ
Граничное напряжение нрн /э=30 мА, не менее .... 20 В
типовое значение .................................... 24* В
Обратный ток коллектора при <7KEO=20 В, не более:
2Т610А, 2Т610Б при Г =-60...+ 25 °C и КТ610А. КТ610Б
при Т = —45... 1-25 °C . . . ..............0,5 мА
2Т610А, 2Т610Б при 7'= + 125°С н КТ610А КТ610Б
прн Т'= + 85°С.......................................1,5 мА
Обратный ток эмиттера прн Uar.o=4 В. пе более:
2Т610А, 2Т610Б прн Т= -60... + 25 °C и КТ610А КТ610Б
при 7=-45...+25°С....................................0,1 мА
400
Продолжение
2Т610А, 2Т610Б при 7=+ 125 °C и КТ610А, КТ610Б
при 7=+85 °C................................ . . 0,5 мА
Коэффициент шума при f=2...200 МГц, /к = 30 мА R.— 75 0м,
типовое значение........................... . . 6* дБ
Индуктивность выводов (прн использовании двух выводов).
эмнттерного.........................................0,6 и Гн
коллекторного.......................................2,38 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при R,e =
= 100 Ом ..................................26 В
Постоянное напряжение коллектор — база..................26 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . .... 4 В
Постоянный ток коллектора...............................0,3 А
Постоянная рассеиваемая мощность колтсктора:
при 7к = + 50°С.........................................1,5 Вт
при 7Х = +85°С . ... . . . 1 Вт
Температура р-п перехода................................+150 °C
Температура окружающей среды:
2Т610А, 2Т610Б..........................................-60°С. 7« =
= + 125 °C
КТ610А. КТ610Б......................................—45°С...7К =
= +85 °C
Изгиб выводов допускается пе ближе 3 мм от корпуса транзистора с ра
днусом ие менее 1,5 мм.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Папка выводов транзисторов допускается при температуре пе выше +150 °C.
1Т612А-4, ГТ612А-4
Транзисторы германиевые планар-
ные структуры п-р-п генераторные.
Предназначены для усиления и генери-
рования сигналов сверхвысоких частот
в схеме с общей базой Бескорпусные
па керамическом криста ллодержателе с
металлизированными контактными вы-
ступами и покрытым эмалью кристал-
лом Выпускаются в индивидуальной
таре-спутнике. Тип прибора указывает
ся на таре.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Электрические параметры
Выходная мощность в режиме автогенератора при <7jfE=8 В,
/э=9) мА. f= 2 ГГц:
1Т612А-4, не менее......................................150 мВт
медианное значение, не менее............................180 мВт
ГТ612А-4, пе менее .... .... 200 мВт
Коэффициент усиления по мощности при f—1 ГГц г]к=65%
для 1Т612А-4, не меиее .... .... 3
1 раинчная частота при 1Укг, 5 В 1g — 50 мА не менее 1,5 ГГц
Граничное напряжение при /е=Ю0мА для 1Т612А-4, ие менее 8 В
26 Заказ № 1004
401
Продолжение
Постоянная времени цепи обратной связи при <7ке=3 В,
/в=80 мА, f=30 МГц, не более.......................
Емкость коллекторного перехода прн Д/кБ=5 В, ие более
Обратный ток коллектора при <7Кв=12 В, не более:
1Т612А-4 прн Г=-60 и +25 °C........................
Т'= + 70°С...........................
ГТ612А-4прн 7'= + 125°С . . ................
Обратный ток эмиттера прн (7Эе=0,2 В, не более:
1Т612А-4 прн 7=-60 н +25 °C.........................
7=+70 °C.............................
ГТ 12А-4 при 7=+25°С.............................
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база.................
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
100 Ом для 1Т612Л 4 ... . . .
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора при 7=+25 °C для ГТ612Л-4
Импульсный ток коллектора при 7 = + 25 °C, /tl=C10 мкс,
100 для 1Т612А4 ... . .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора-
1Т612А-4 при 7=—60... + 35 °C..........................
7=+70 °C...............................
ГТ612А-4 при 7=+25 °C ...............................
Рассеиваемая мощность коллектора в режимах усиления
мощности и автогенератора:
7=+25 °C ГТ612А-4.......................... . . .
7= + 35°С 1Т612Л-4.............................. . .
7=+70 °C.............................................
Температура р п перехода ..............................
Температура окружающей среды:
1Т612А 4.........................................
ГТ6 2А-4 ... ....
7 пс
3,5 пФ
5 мкА
50 мкА
10 мкА
5 мкА
50 мкА
10 мкА
12 В
8 В
0,2 В
120 мА
200 мА
360 мВт
190 мВт
360 мВт
570 мВт
570 мВт
225 мВт
+ 100 °C
-55.. +70°JC
-60 , + 70°С
При эксплуатации транзистора 1Т612А-4 обязательно применение теплоот-
вода, обеспечивающего тепловое сопротивление переход — окружающая среда
не более 138°С/Вт.
1Т614А
Транзистор германиевый планар-
ный структуры п-р-п генераторный.
Предназначен для генерирования
СВЧ колебаний в схеме с общей ба-
зой. Бескорпусной с защитным по-
крытием. Тнп прибора указывается в
этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Электрические параметры
Выходная мощность в схеме ОБ при <7кв=9 В. f=500 МГц,
ие менее.......................................... . . 200 мВт
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
7/ке=5 В, /в=50 мА........................................ 15 .250
402
Продолжение
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
прн Uks-5 В. /к=50 мА, /=100 МГц, не менее ... 10
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой ча-
стоте при £Лсв=5 В, /в=50 мА, f=30 МГц, не более . . 15 пс
Обратный ток коллектора прн <7ке=12 В, не более . . 10 мкА
Обратный ток эмиттера при <7вв=0,5 В, не более ... 5 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . . . . 12 В
Постоянное напряжение коллектор — эк нттер при /?ав=0 . 9 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . . . . 0,5 В
Постоянный ток коллектора............................. 200 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при 7=-60...+50 °C................................. 400 мВт
прн Г-+70 °C....................................... 200 мВт
Температура окружающей среды . ... —60. +70°C
При монтаже транзистора температура припоя должна быть не выше
+230 °C. Время пайки не должно превышать 3 с.
2Т624А-2, 2Т624АМ-2, КТ624А-2, КТ624АМ-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п пере-
ключательные. Предназначены для применения в импульсных устройствах в
герметизированной аппаратуре. Бескорпусные с защитным покрытием на
керамическом (2Т624А-2, КТ624А-2) и металлическом (2Т624АМ-2, КТ624ЛМ-2)
кристаллодержателях с гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора 2Т624А-2, КТ624А-2 не более 0,015 г, 2Т624А' 2,
КТ624АМ-2 не ботее 0,004 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при «ке—0,5 В, /,.-=300 мА.....................
типовое значение ..........................
Модуль коэффициента передачи тока на высокой ча-
стоте при и1!3=5 В, /к=Ю0 мА, /=100 МГц
Граничное напряжение при /8 = 30 мА
Напряжение насыщения коллектор — эмнттер при
1к — 1 А, /Е=100 мА, /„=<30 мкс:
2Т624А 2, 2Т624АМ 2 ....
КТ624А 2, КТ624АМ 2, не более ....
Напряжение насыщения эмиттер — база при /к = 1А,
/е=Ю0 мА, /„=<30 мкс
Время рассасывания при /к —100 мА, /di=/sj=
100 мА:
2Т624А-2, 2Т624АМ-2........................
30... 180
70*
4,5...9,7*...12*
12...22*...35* В
0,58*...0,62*. .0,87 В
0,9 В
1,05*...1,2* .1,7 В
6* 11 *...15 ис
26*
403
КТ624А-2, КТ624АМ-2, не более . . . .
Емкость коллекторного перехода при UKno=5 В
Емкость эмиттерного перехода прн 77Эко = 0,5 В
Обратный ток коллектора прн 1Укбо=30 В, не более:
Т=- 6О...+25°С . .
Г= + 125°С 2Т624А-2, 2Т624А.М-2 и Т'= + 85°С
КТ624А-2, КТ624АМ2
Обратный ток коллектор — эмиттер при <7дЭ=ЗО В.
/?>л=0, не более .... . . . .
Обратный ток эмиттера при Оево = 4 В, не более:
Г= 6О... + 25°С
7’= + 125°С 2Т624А-2, 2Т624АМ 2 и Г= + 85°С
КТ624А 2, КТ624АМ-2
Продолжение
18 нс
7*...7,2* 15 пФ
27*. 30*..50 пФ
100 мкА
1 мА
200 мкА
100 мкА
1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
2Т624А-2, 2Т624АМ-2:
при Тк~-60. +100°C.........................
при 7'*—+ 125 °C.........................
КТ624А-2, КТ624АМ-2 при 7'=-50...+85°С .
Постоянное напряженке эмнттер — база
Постоянный ток коллектора......................
Импульсный ток коллектора прн tu^5 мкс, 10
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
2Т624А 2 2Т624АМ 2-
при Тк^- 60... + 85 °C.....................
при 7’к= + 125сС..................
КТ624А 2. КТ624АМ-2:
прн Гк=—60. . + 70 °C......................
при Т'К =+85°С...........................
Тепловое сопротивление переход — подложка
Температура р-п перехода
2Т624А-2, 2Т624А.М-2 .................
КТ624А-2 КТ624АМ-2 .................
Температура окружающей среды
2Т624А 2 2Т624АМ 2 ..............
КТ624А-2 КТ624АМ 2 . . . . .
30 В
20 В
30 В
4 В
1 А
1,3 А
1 Вт
0.2 Вт
1 Вт
0,7 Вт
25 °С/Вт
+ 135 °C
+ 120 °C
-60 °C.. 7'к = + 125°С
50°С..Тк = +85сС
Монтаж транзисторов осуществляется в следующем порядке: место монтажа
смачивается сниртоканнфольным флюсом, затем укладывается фольга припоя
ПОС 61 толщиной 30 мкм, размером 3X3 мм для 2Т624АМ-2, КТ624АМ-2 и
1,9X1,9 мм для 2Т624А 2, КТ624А-2. Температура пайки + 200°С, время пай-
ки 10 с В момент пайки транзистор притирается к месту монтажа пинцетом.
Усилие прикладывается к боковым поверхностям кристаллодержателя.
2Т633А, КТ633Б
2Т633А ЛТбЗЗе
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиалыю-плаиарные
структуры п-рп переключа-
тельные. Предназначены для
применения в высокочастотных
и импульсных устройствах в
схеме с общей базой. Выпуска-
ются в металлостеклянпом кор-
пусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается на кор-
пусе.
Масса транзистора не бо
лее 3 г.
404
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при t/кг.—1 В, Is= Ю мА
2Т633Л ..................................
КТ633Б....................................
при Г =—60°C..............................
при 7'=+ 125 °C...........................
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при /к = 100 мА, (/кв = 10 В
Граничное напряжение при /в = 10 мА, не менее
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер прн
/к=Ю0 мА, /Б=10 мА:
40. .140
20...160
20...140
40... 180
500*...600*...950 МГц
15 В
2Т633А .................................
КТ633Б, не более..........................
Напряжение насыщения база—эмиттер при /« =
= 100 мА, /в=Ю мА.............................
Время рассасывания при /к=10 мА, /Б = 10 мА:
2Т633А .................................
КТ633Б....................................
Время включения прн <7ЭБ=4,5 В, /к=10 мА,
/Б=3 мА:
0,15* .0,3*...0,5 В
0.6 В
0,79*. .0 85* 1,5 В
3*...6*...13 нс
3*...6*...30 пс
2Т633А .....................
КТ633Б, типовое значение
Время выключения при /«=10 мА,
/г2=195 мА:
2Т633Л.........................
КТ633Б, типовое значение
/Б| —3 мА,
8* 9* 12 пс
9* не
Постоянная времени цепи обратной связи на высо-
кой частоте при £/б-е=10 В, /э = 30 мА, / = 100 МГц
Емкость коллекторного перехода при {/кео=10 В
Коэффициент шума при С/Ке=5 В, /е = 5 мА, / =
-20 МГц для КТ633Б................................
Обратный ток коллектора при {/ББ = 30 В, не более:
при 7=+25 °C-
2Т633Л ...................................
10*...13*...18 нс
13* не
5*... 10* 25 пс
3*. 3,3*...4,5 пФ
6* ед.
КТ633Б...............................
при 7=-60 °C 2Т633Л ....
при 7=+ 125 °C 2Г633А................
Обратный ток коллектор — эмиттер при (/кэ = 30 В
не более ......................................
Обратный ток эмиттера при (7эБо=4.5 В не более:
2Т633А ............................
КТ633Б . . ....
3 мкА
10 мкА
1 мкА
50 мкА
3 мкА
3 мкА
10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . . . 30 В
Постоянное напряжение эмнттер — база . . . 4.5 В
Г остояинып ток коллектора . . . . 0,2 А
Импульсный ток коллектора при tu- 10 мкс, Q>50 0,5 А
Постоянный ток базы ... 012 Л
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора'
с теплоотводом:
2Т633А при 7Х= -60...+25°C......................1,2 Вт
КТ633Б при 7К = —45...+ 25 °C 1,2 Вт
2Т633А прн 7К = + 125°С, КТ633Б при 7К =
= +85 °C.....................................0,24 Вт
без теплоотвода
2Т633Л при 7=-60...+ 25 °C...................0,36 Вт
7=+ 125 °C....................... 0,072 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при
7uS£10 мкс, Q2s50;
405
Продолжение
2Т633А при Т -6 .+25°C, КТ633Б при Г=
= -45...+25 °C.............................0,72 Вт
2Т633А при Г= + 125°С, КТ633Б при 7=+85 °C 0,15 Вт
Тепловое сопротивление переход — окружающая
среда....................................... .... 347 °C/Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус . . . 104°С/Вт
Температура р-п перехода 2Т633А.................+150 °C
Температура окружающей среды:
2Т633А . ........................—60...+ 125 °C
КТ633Б .... .... - 45...+85°С
Изгиб выводов допускается нс ближе 3 мм от корпуса транзистора.
Пайка выводов рекомендуется пс ближе 3 мм от корпуса транзистора при
температуре не выше +260 °C в течение времени не более 10 с.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
2Т634А-2, КТ634Б-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-пла-
нарные структуры п-р п генераторные Пред-
назначены для применения в генераторах и уси-
лителях мощности в диапазоне частот 1...Б ГГц
в схеме с общей базой в герметизированной ап-
паратуре. Бескорпусныс с защитным покрытием
с гибкими выводами на крнсталлодержателе.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,15 г.
Электрические параметры
Выходная мощность (медианное значение) при
Оке=20 В, /к=100 мА, Р.х-250 мВт. f=5 ГГц.
не менее....................... . .
Коэффициент усиления по мощности при Пкб=20 В,
/к=100 мА, Р,х=250 мВт, [=5 ГГц . . .
Коэффициент полезного действия коллектора при
{7кв=20 В, /к=100 мА, Р,;х=250 мВт, /=5 ГГц
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при №а=10 В, /к = 100 мА ... .
Постоянная времени цепи обратной связи на высо-
кой частоте при <7КВ=Ю В, /в=30 мА. f=100 МГн
Емкость коллекторного перехода при <7кв=15 В
Емкость эмнттерного перехода при 1Л>е=0, не более
Межэлектродные емкости:
база — коллектор ... ....
база — эмиттер ............................
коллектор — эмиттер ....
Обратный ток коллектора прн Uks 30 В, Т=
= + 25 °C, не более .... . ,
2Т634А-2 прн ГК= + 125°С . ...
КТ634Б-2 при 7'к =+85°
Обратный ток эмиттера при 4/эе=3 В, 7Я = +25°С,
не более ... ...................
7’я=+85°С для КТ634Б-2, не более .
450 мВт
1.4...2.2* .3,4* дБ
17,5...22,5*...34*%
1,5...2*...2,4* ГГц
0,5* „1,5*...3,5 пе
1,5* ..1,9*...3 пФ
8 пФ
0,61* пФ
0,44* пФ
0,003* пФ
1 мА
5 мА
10 мА
0,2 мА
2 мА
406
Продолжение
Индуктивности выводов, типовое значение
базового............................ ... 0,11* нГн
эмнттерного.................... ... 0,3* нГн
коллекторного.................. 0,5* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т634А-2 нри 7\>4-25°С . . . . 50 В
7К = —60°С . . ... 25 В
КТ634Б-2.............................. .... 30 В
Постоянное напряжение эмиттер — база ... ЗВ
Постоянный ток коллектора . . . . 0,15 А
Импульсный ток коллектора при 6,^10 мкс, Q$s50 0,25 А
Постоянный ток базы . ................75 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при
Uкв =10 В:
2Т634А-2 при 7’х = — 60. .4-25 °C и КТ634Б-2 прн
Тк= 45..4-25°C.............................1,2 Вт
2Т634А-2 при Гх=4-125°С н КТ634Б-2 при
Гх = 4-85°С................................0,65 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора в ди-
намическом режиме на частотах более 1 ГГц:
2Т634А-2 прн 7, =-60... 4-25 °C и КТ634Б 2 при
Тк^ -45...4-25°C...........................1,8 Вт
2Т634А2 при 7'х=4-125°С и КТ634Б-2 прн
Тк — 4- 85 °C ... ................0,94 Вт
Тепловое сопротивление переход — теплоотвод . . 100°С/Вт
Температура р-п перехода.......................4-150 °C
Температура окружающей среды:
2Т634А-2 . :.............................- 60°С...7'х = 4-125 °C
КТ634Б-2...................................- 45 °C.. 7'х= 4-85 °C
Пайка выводов н основания рекомендуется при температуре 4-220°С в те-
чение времени не более 10 с.
Допустимое значение статического потенциала 200 В.
2Т637А-2, КТ637 (А-2, Б-2]
Транзисторы кремниевые эпнтаксиально-нланарные структуры п-р-п генера-
торные Предназначены для применения в генераторах и усилителях мощности
в схеме с общей базой в герметизированной аппаратуре. Бескорпусные с защит-
ным покрытием с гибкими выводами на крнсталлодержателе. Тнп прибора
указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,15 г.
2Т631А-2, КТ637(А-2,Б-2)
407
Электрические параметры
Выходная мощность (медианное значение) при
С'кб=20 В /,г=100 mA, / = 3 ГГц, не менее:
2Т637А2 КТ637А 2 прн Р„~200 мВт ... 500 мВт
КТ637Б 2 прн Рвх=125 мВт..................... 250 мВт
Выходная мощность (минимальное значение) при
/Лсв = 20 В /к 100 мА, / = 3 ГГц:
2Т637А 2, КТ637А-2 при Р,х-200 мВт ... 400 мВт
КТ637Б-2 прн Р«х=125 мВт.....................150 мВт
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при (7кб=5 В, /« = 50 мА .... 30*...140*
типовое значение .....................90*
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при //«.9=10 В, /к =100 мА:
2Т637Л-2, КТ637А-2 .... 1,3...2,3*...3,5* ГГц
КТ637Б2......................................0.8 ..2,3*. ,3 5* ГГц
2Т637А-2, КТ637А2 прн 1/кэ=Ю В. /«=200 мА,
не менее.....................................0,95 ГГц
КТ637Б-2.....................................0,65 ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи на высо-
Koii частоте при /7«Б=10 В, /э=30 мА, /=100 МГц:
2Т637А-2, КТ637А-2..............................0,7*. .1*. .3 пс
КТ637Б-2 . . .....................з* „8*...15 пс
Критический ток при 1/к5=10 В /=300 МГц . . 200.450*...600* мА
Емкость коллекторного перехода прн UI{E—15 В . 2,4*.. 2,7*. .4,5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при /УвБ=0 . . 10*... 12,5*... 17 пФ
Обратный ток коллектора при Uke 30 В, не более:
2Т637А 2, КТ637А-2 прн 7=-60.+25 °C . . 0 1 мА
2Т637А2 прн 7=+ 125 °C.......................1’ мд
КТ637А 2 прн 7=+100 °C.......................О 1 мА
КТ637Б 2.....................................2’ мА
Обратный ток эмиттера при /7эео=2,5 В ... о,2 мА
Мсжэлектродиыс емкости:
эмиттер — база...............................0,44* пФ
коллектор — база . .....................0 61* пФ
коллектор — эмиттер..........................0,01* пФ
Индуктивности выводов, типовое значение
эмиттерного..................................0,3* нГн
базового.....................................0,112* нГн
коллекторного................................0.5* и Гн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . 30 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . . . 2,5 В
Постоянный ток коллектора.................... 200 мА
Импульсный ток коллектора прн /и^10 мкс, Q^50 300 мА
Постоянный ток базы........................ . . 100 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора прн
10 В
7м = -60 +25°C...................................1.5 Вт
7„ +100 °C КТ637А2. КТ637Б2 . . . . 0 6 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора в дина-
мическом режиме при /^800 МГц:
7« = -60.. + 25°С . ..............2 Вт
7к= + Ю0°С ... .... 0,8 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность1 при /„^
<с10 мкс. Q>50. 7«--60. -+25°С...................2,5 Вт
1 При +25. .+100 °C мощность снижается иа 20 мВт/°С,
408
Продолжение
Тепловое сопротивление переход —теплоотвод . . 83,3 °С/Вт
Температура р-п перехода........................+150 °C
Температура окружающей среды....................-60оС...7я = + 100°С
Монтаж транзистора осуществляется пайкой кристаллодержателя к тепло-
отводу при температуре не выше +200 °C в течение времени не более 3 с Пай-
ка выводов мнкропаяльником допускается не ближе 3 мм от керамического
основания в течение времени не более 3 с пли не ближе 1 мм от керамического
основания при температуре не выше +200°C в течение времени нс более 1 с.
Допустимое значение статическою потенциала 200 В.
2Т640А-2, 2Т640А1-2, КТ640 (А-2, Б-2, В-2)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п Пред-
назначены дли применения в схеме ОБ в усилительных и генераторных устрой-
ствах в диапазоне частот 1...7.2 ГГц в составе гибридных интегральных микро-
схем, обеспечивающих герметизацию. Бескорпусные с гибкими выводами на
кристаллодержателе.
Маркировка транзисторов: 2Т640А-2— черпая точка; 2Т640А1-2— черный
знак «Т»; КТ640А-2 — черная полоска; КТ640Б-2 — белая полоска; КТ640В-2 —
синяя полоска Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
НбЬОА-г, 2T6WA1-2, h76W(A 2~ff-Z)
Электрические параметры
Выходная мощность (медианное значение) при f=7 ГГц,
не менее:
Пке=15 В /к = 45 мА, Р,х=25 мВт:
2Т640А 2 КТ640А-2, КТ640Б-2.....................
KT640B 2........................... ... . .
иКг.= 10 В, /я=40 мА, Р„=20 мВт 2Т640А1-2
Оптимальный коэффициент усиления по мощности (медиан-
ное значение) при Ul(c—15 В, /к = 45 мА. {=7 ГГц, P>tlx=
= 100 мВт 2Т640А-2 КТ640А 2, КТ640Б-2
Минимальный коэффициент шума КТ640А-2 прн К„Р=8 дБ.
типовое значение:
Uht. 15 В, /к=10 мА, f — 4 ГГц .... . .
Uku 10 В, /к=15 мА, f=6 ГГц.......................
100 мВт
80 мВт
65 мВт
6 дБ
5,5* дБ
8* дБ
409
Продолжение
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ
прн (/кв=5 В, не менее:
КТ64 А-2
при /к=30 мА.....................................3 ГГц
при /к=50 мА.....................................2,1 ГГц
КТ640Б-2, КТ640В-2:
при /к=30 мА.....................................3,8 ГГц
при /к=50 мА.....................................2,3 ГГц
типовое значение:
при /к=30 мА.....................................5* ГГц
при /к = 50 мА.....................................4* ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой часто-
те1 при 1/кв=15 В, /к=30 мА, типовое значение
КТ640А-2 .... . .............0,6* пс
КТ640Б 2, КТ640В 2 . . . 1* пс
Обратный ток коллектора прн (/кв=25 В не более-
Г<25 °C I мА
7=+ 125 °C 2Т640А-2, 2Т640А1-2 . i ’ 5 мА
Обратный ток эмиттера прн (7вв=3 В, не более
7<+25°С ... . . ................0,1 мА
7=+ 125 °C 2Т640А-2, 2Т640А1-2.......................5 мА
Критический ток при (//«;=5 В типовое значение . . 50* мА
Модуль коэффициента обратной передачи напряжения1 в
схеме с общей базой на высокой частоте при 4/кв=15 В,
/к = 30 мА, /=100 МГц, не более:
2Г640А2, 2Т640А1 2. КТ640А 2.........................1.5 10-3
КТ640Б2 КТ640В-2.....................................ЗЮ"’
Фаза коэффициента передачи1 2 * * прн (/кв=5 В, f— 1 ГГц,
не более:
2Т640А-2, 2Т640А1-2, КТ640Л-2 при /к=30 мА . . . 0,331 рад
КТ640Б2, КТ640В-2 при /к 30 мА....................... 0,262 рад
2Т640А-2 2Т640А1-2, КТ640Л-2 при /к-50 мА . . . 0,471 рад
КТ640Б-2, КТ640В-2 при /к = 50 мА.................... 0,436 рад
Сопротивление базы, типовое значение . . 4* Ом
Последовательное сопротивление коллектора, типовое зна-
чение ...................................................2* Ом
Емкость коллекторного перехода при (/кв= 15 В, не более 1,3 пФ
типовое значение.......................................0,9* пФ
Активная емкость коллектора при (/кв=15 В типовое зна
чепие .....................................0,15* пФ
Суммарная активная и пассивная емкость коллектора прн
(/кв=15 В, типовое значение . . ..............0,50* пФ
Емкость коллектор — эмиттер, типовое значение .... 0,12* пФ
Емкость коллекторного вывода, типовое значение . . . 0,28* пФ
Емкость эмнттерного перехода прн (/Эб=0, не более . . 3* пФ
типовое значение.....................................1,8* пФ
Емкость эмнттерного вывода, типовое значение . . 0,16* пФ
Индуктивность выводов внутренняя, типовое значение:
эмиттера.............................................0,5* нГи
базы.................................................0.3* и Гн
коллектора...........................................0,5* нГн
1 Модуль коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой
связан с постоянной времени цепи обратной связи соотношением
Тх"1512б1/4Л/,
где /—частота, на которой измеряют |£|эд|.
2 Фаза коэффициента передачи тока связана с граничной частотой коэффициента
передачи тока соотношением
где / частота, на которой измеряют argfftp?^).
410
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор - база...................
Постоянное напряжение эмиттер — база.....................
Постоянный ток коллектора . . . .
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1
при Т< + 60°С 2Т640А-2, КТ640А-2, КТ640Б 2. КТ640В 2
при Г<+70’С 2Т640А1-2 ........................
Температура р-п перехода ................................
Температура окружающей среды.............................
25 В
3 В
60 мА
600 мВт
400 мВт
4 150 °C
— 60... + 125 °C
1 При повышении температуры окружающей среды от +70 до +125 °C для 2T640AI-2
и от +60 до +125 °C для 2T6I0A-2, КТ64СА 2, КТ640Б-2, КТ640В 2 максимально допусти-
мая мощность снижается по формуле
Рк. Вт-(150-Г)/«г,
где Яг-150°С/Вт для 2Т640А 2. КТ640А-2, КТ640Б 2. КТ640В 2 и Ят-200 С/Вт
для 2Т640А1-2.
Пайка выводов транзисторов допускается при температуре пе выше +260°C
и не ближе 2 мм от корпуса. Допускается пайка выводов на расстоянии 0,5 мм
от крнсталлодержателя при температуре +150°C, время пайки не более 3 с.
2Т642А-2
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры п-р-п. Пред-
назначен для применения в усилителях и генераторах в диапазоне частот
1 ..8,15 ГГЦ в схеме с общей базой в составе гибридных микросхем, блоков и
аппаратуры, обеспечивающих герметизацию. Бескорпуснон с гибкими выводами
на крнсталлодержателе. Транзистор маркируется белой точкой. Тип прибора
указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
2Т6Ч2А-2
Электрические параметры
Выходная мощность (медианное значение) при
Укв — 12 В, /д = 45 мА, f=8 ГГц, Р,х=40 мВт
Коэффициент усиления по мощности прн 1/кд—12 В,
/к=45 мА, Р«=40 мВт, /=8 ГГц..................
100 110*,..140* мВт
3,5.. 4*..5,4* дБ
411
Продолжение
Коэффициент полезного действии коллектора (ме-
дианное значение) при (7кВ=12 В, /к=45 мЛ,
f=8 ГГц, Р,х=40 мВт, не менее................
Обратный ток коллектора при Uku = 20 В не более:
Т=+25°С......................................
Г=-60°С.............................. . .
Т= + 125 °C...............................
Обратный ток эмиттера при U3c=2 В. не более:
Г=-60сС........................
Т'= + 125°С................................
Модуль коэффициента обратной передачи напря-
жения в схеме ОБ прн UI{E=5 В, /к=30 мА, / =
= 100 МГц.....................................
Фаза коэффициента передачи тока 1 в схеме ОБ па
высокой частоте при 1/кв=5 В /к = 30 мА, /=1 ГГц
Емкость коллекторного перехода при <7кв=15 В
Емкость эмиттерного перехода прн Ube—0
18%
1 мА
1 мА
5 мА
0,1 мА
0,1 мА
5 мА
0 9 10-3*...10-3*,..1,810-’
0,113*,. 0,140’ 0.331 рад
0,9* ..1* ..1,1 пФ
1,3*,..1,7*.„1,9 пФ
1 Фаза коэффициента передачи тока связана с граничной частотой коэффициента
передачи тока соотношением
=//arg(/i216),
где /—"ыстота, па которой измеряется arg(h2J(,}
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора.......................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 прн
—60...+ 75 °C.......................... . .
Средняя рассеиваемая мощность коллектора 1 в ди-
намическом режиме прн Г-=—60.+75°С
Температура р-п перехода .......................
Температура окружающей среды....................
1 В диапазоне температур Г = + 75... + 125 °C постояшшая
жаются по формуле
.макс* Вт= (150 —
где Rt = 150°C/Bt.
20 В
2 В
60 мА
500 мВт
500 мВт
+ 150 °C
-60..+ 125 °C
в средняя мощности спи
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса 2 мм, темпера-
тура пайки не выше +260 °C. Допускается панка выводов на расстоянии 0,5 мм
от кристаллодержателя, прн этом температура панки не должна превышать
+ 150 °C, время пайки не более 3 с.
2Т643А-2, КТ643А-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры п р-п Пред-
назначены для применения в схеме с общей базой в усилителях и генераторах
в диапазоне частот 2...8 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем,
блоков н аппаратуры, обеспечивающих герметизацию Бескорпусные с гибкими
выводами иа крнсталлодержателе Транзисторы маркируются: 2Т643А 2— одной
зеленой точкой, КТ643А-2 — двумя точками.
Масса транзистора не более 0,2 г.
412
Электрические параметры
Выходная мощность (медианное значение) при
Ukd= 15 В, /к=90 мА, Р„х=200 мВт, f=7 ГГц
Модуль коэффициента обратной передачи напряже-
ния в схеме ОБ на высокой частоте при 1/ке=5 В,
/к=50 мА, f=100 МГц............................
480*...500...550* мВт
Фаза коэффициента передачи тока в схеме ОБ на
высокой частоте прн 1/кв=5 В, 7=1 ГГц:
/ге = 50 мЛ.................................
/к 130 мА...................................
Обратный ток коллектора при </кС=25 В, не более:
7=+25 °C........................................
7 =-60 °C...................................
Т= + 125СС..................................
Обратный ток эмиттера при UBc—3> В, не более:
Г=+25’С
7= -60 °C . . ....................
7'= +125 °C............................ . .
Емкость коллекторного перехода при UKr,= 15 В
Емкость эмиттерного перехода при 7/эв=0, не более
0,4 10-з*,„0,5 10-3*...
1,5 10-3
0,166*...0,183*..0,262 рад
0,227*...0,279*..0,436 рад
1 мА
1 мА
10 мА
0,1 мА
0,1 мА
10 мА
1 2* 1,3*.. 1,8 пФ
7 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмнттер — база
Постоянный или импульсный ток коллектора
Постоянная или импульсная рассеиваемая мощность
коллектора1 при 7"=—60.. + 50°C..................
Температура р-п перехода.........................
Температура окружающей среды . .
25 В
3 В
120 мА
1 1 Вт
+ 150”С
-60...+ 125 °C
1 При повышении температуры кристаллодержателя от
снижается по формуле
+ 50 до +125° С мощность
где /?г-90еС/Вт.
Р К. макс* Вт (150
Минимальное расстояние места пайки выводов от кристаллодержателя 2 мм.
Температура нанки не выше 4 260 °C. Допускается пайка выводов на расстоя-
нии 0,5 мм от кристаллодержателя; прн этом температура пайки не должна
превышать +150 "С, время пайки не более 3 с.
Допускается использование транзисторов в диапазоне частот 10 МГц...2 ГГц
в усилителях и генераторах мощности прн напряжении питания не более 1) В.
При работе транзистора в усилителях и генераторах мощности на частотах
2...8 ГГц постоянное напряжение питания на коллекторе транзистора рекомен
дуется выбирать ие более 15 В
2Т647А-2
Транзистор кремниевый эпитаксиально планарный структуры п-р-п генера
торный. Предназначен для применения в генераторах н усилителях диапазона
частот I ..10 ГГц в схеме с общей базой при напряжении питания 15 В Бес-
корпусной на кристаллодсржателе с гибкими выводами. Тип прибора указыва-
ется в этикетке. На крышку транзистора наносится условная маркировка—две
1расные точки
Масса транзистора не более 0,2 г.
Электрические параметры
Выходная мощность при 1/кв=15 В 1к~60 мА,
[=10 ГГц, Р«1=100 мВт .................
Коэффициент усиления по мощности прн 1)кв= 15 В,
/к=60 мА, [=10 ГГц, Р„=100 мВт
Коэффициент полезного действия коллектора при
</кб=15 В, /к=60 мА, [=10 ГГц, Р.х=100 мВт .
Фаза коэффициента передачи тока в схеме ОБ на
высокой частоте при {/кв=5 В /к=35 мА, [=1 ГГц
Модуль коэффициента обратной передачи напряже-
ния в схеме ОБ на высокой частоте при (7кв=5 В,
/к=35 мА, [=100 МГц.............................
Емкость коллекторного перехода при (7КБ=15 В,
[=100 МГц . .
Емкость эмиттерного перехода при (7ав=0, [—
• 10 МГц........................................
Обратный ток коллектора прн 67кв=18 В, не более:
Т -60 .+25 °C . . .............
170...200*...240* мВт
3...3,5*...3,7* дБ
22 25*..26*%
0,11*...0,12*...0,28 рад
0.5 10-3*...0,910-3*..
1,6-10~3
0,7* .0,85* .1,5 пФ
1.8*...2* .2,5 пФ
1000 мкА
414
7-+25°С .... . . . .
7=+ 125 °C . - . . .
Обратный ток эмиттера при Уэв=2 В не более:
7"= —60...+25 °C.......................
Т= + 125°С.............................
Продолжение
0.002* .0,05* ..100* мкА
5000 мкА
200 мкА
3000 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора........................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при
Г« = - 60...+80 °C...............................
Средняя рассеиваемая мощность коллектора в ди-
намическом режиме2 прн Тк= — 60... + 50°С
Температура р-п перехода ........................
Температура окружающей среды . . . .
18 В
2 В
90 мА
056 Вт
0,8 Вт
+150 °C
-60° С...Тх = + 125°C
1 При Гк =+80... + 125 °C ₽К1Л1алс рассчитывается по формуле
^К.лшхс ®т=(*50_^к»/^Г<п—К). где Ят{п— к)=125 С/Вт.
* При Г„“+БО.+125‘С Рксряакс рассчитывается по формуле
РК,ср макс’ BT=O50- 1'К1/ЛГ(П_К).
При монтаже транзистора в микросхему рекомендуется приклеивать осно-
вание кристаллодержателя к теплопроводящеи поверхности монтажной платы
теплопроводящим клеем УП-5-207 М (ТУ6—05—241—208—79). Перед нанесе-
нием клея кристаллодержатель транзистора и монтажная плата должны быть
прогреты прн -+60°С в течение 6 мии. Клей должен быть нанесен тонким равно
мерным слоем, соединение поверхностей производить так, чтобы избыток клея
равномерно выступил из-под основания. После приклеивания должна произво-
диться подсушка при +120 °C в течение 1 ч и при +150 °C в течение 2 ч
Разрешается производить монтаж транзисторов в микросхему припайкой
металлизированного основания кристаллодержателя к теплопроводящей поверх-
ности прн температуре пайки ие выше +180 °C.
Изгиб выводов допускается не ближе I мм от кристаллодержателя. Пайка
выводов производится на расстоянии 2 мм от кристаллодержателя при темпе-
ратуре + 260 °C в течение не более 3 с. Допускается панка выводов на расстоя-
нии 0,5 мм; при этом температура пайки не более +150 °C в течение не более
3 с. Допускается обрезать выводы на расстоянии не менее 1 мм от кристалле-
держа еля. Допускается использование транзисторов в диапазоне частот
10 МГц. 1 ГГц в усилителях и генераторах мощности при напряжении питания
не более 8 В.
Необходимо применять меры по защите транзисторов от статического
электричества Допустимое значение статического потенциала 100 В.
2Т648А-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры п р-п Пред-
назначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне частот
1...12 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем.
Бескорпусные с гибкими выводами иа кристаллодержателе. Условная марки-
ровка транзистора—две черные точки.
Масса транзистора не более 0,2 г.
415
2Г6<г8А-г
Электрические параметры
Выходная мощность (медианное значение) при t/KB=12 В,
/к^50 мА, /=12 ГГц, Р,х=25 мВт, не менее .... 50 мВт
Коэффициент усиления по мощности (медианное значение)
прн 1/кб=12 В, /к^50 мА, f=12 ГГц, Р«х=25 мВт. пе
менее ... . . . .... 3 дБ
Фаза коэффициента передачи тока 1 в схеме ОБ на высокой
частоте при 17кв=5 В /к = 20 мА, f=l ГГц, не более . 0 244 рад
Емкость коллекторного перехода при L/kb=10 В /- 10 МГц,
ие более ................................1,5 пФ
Обратный ток коллектора при 1/яв=18 В, пе более:
Г-+25 и -60 °C . . .......................1 мА
Т = + 125°С . . 10 мА
Обратный ток эмиттера при Г7Эв=2 В, не более:
Г=+25 и -60°C . ...................0,2 мА
Г= + 125°С . . . ..........................2 мА
1 Фаза коэффициента передачи тока в схеме ОБ на высокой частоте argl/ijjg [ свя-
зана с граничной частотой коэффициента передачи тока соотношением
1гр. ГГц-/агй[Ь2|6|,
где f — частота, на которой измеряется arg|h->12;|
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база.................
Постоянное напряжение эмиттер — база...................
Постоянный ток коллектора . . .......
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при
Р.ых<15 мВт, Гх< + 45°С................................
18 В
2 В
60 мА
420 мВт
1 При повышении температуры теплоотвода от +45 до +125 °C значение Рк макс
устанавливается равным 0.7PKcJ1 л1акс для соответствующего значения температуры
Прн /'вых<15 мВт напряжение питания коллектора ие должно превышать 8 В
416
Продолжение
Средняя рассеиваемая мощность коллектора в динамиче-
ском режиме при P«~x>15 мВт sg + 45°C . . . .
Температура р-п перехода .... .............
Температура окружающей среды.............................
600 мВт
+ 150 °C
-60 °C .Гв =
= + 125 °C
1 При повышении температуры теплоотвода от +45 до +125 °C мощность снижается
по формуле
^Тс,ср,лаке Вт= (^п = Г1С)/7?Г[п_к(,
W ^т,„-ю = 175"С'Вт'
Допускается производить монтаж транзистора в гибридной интегральной
микросхеме припайкой металлизированного основания крнсталлодержателя к
теплоотводящей поверхности при температуре не выше +180 °C или ие выше
+ 200 °C в течение не более 1 мин.
Минимальное расстояние места пайки выводов от крнсталлодержателя
1,5 мм. Температура пайки не выше +260 °C, время пайки не более 3 с. Допу-
скается пайка выводов не ближе 0,5 мм от крнсталлодержателя; при этом
температура панки не должна превышать +150 °C.
Не рекомендуется использовать питающие напряжения коллектор — база
более 12 В.
Допускается использование транзистора на частотах ниже 1 ГГц при на
пряжении питания коллектора не более 8 В.
2Т904А, КТ904 (А, Б)
Транзисторы кремниевые эпптак-
сиальпо-пла парные структуры п-р-п
генераторные. Предназначены для
применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенера-
торах па частотах 100...400 МГц при
напряжении питания 28 В Выпуска-
ются в металлокерамическом корпусе
с жесткими выводами и монтажным
винтом. Тип прибора указывается па
корпусе
Масса транзистора не более 6 г.
21901, А, КТ909(А,Б)
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте /=400 МГц при 0'ЛО=28 В,
не менее:
2Т904А. КТ904А......................................3 Вт
КТ904Б..............................................2.5 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте [=400 МГц
при 4?кэ=28 В не менее:
2Т904А. КТ904А прн Р,ых=3 Вт..........................2,5
КТ904Б при P„„x=2,5 Вт..............................2
Выходная мощность на частоте /=100 МГц при 4/яэ=28 В
/\х=1 Вт для 21904А, типовое значение . . 8* Вт
Коэффициент полезного действия коллектора при (7кэ=28 В:
на частоте / 400 МГц, ие менее . . . . . 30%
типовое значение . . .... . 40*%
на частоте /—100 МГц, типовое значение . . . 73*%
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ нри
(-'кэ=5 В. /к = 0,25 А, не менее........................10*
типовое значение ................................... 30*
27 Закмз Ki 1091
417
Продолжение
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при
17«з=28 В, /к-200 мА, /=100 МГц, не менее:
2Т904А, КТ904А........................................3.5
КТ904Б................. .............................3
Грани шое напряжение при /к-0,2 А, не менее . . . 40* В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн /«=0,25 А,
/в=0,05 А, типовое значение.............................0,3* В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /« = 0,25 А,
/б=0,05 А типовое значение..............................0,9* В
Критический ток на частоте /=100 МГц при /7хэ=10 В,
не менее:
2Т904А, КТ904А.......................................... 400 мА
КТ904Б.............................. ... ... 300 мА
2Т904А КТ904А, типовое значение.................. 800* мА
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
при URn= 10 В, /э=30 мА, /=5 МГц, не менее:
2Т904А КТ904А............................. . . . 15 пс
КТ904Б ..............................................20 пс
Емкость коллекторного перехода прн /7хв=28 В, ие более . 12 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 1/эв=0, не более . 170 пФ
типовое значение............................... . . 130* пФ
Обратный ток коллектор — эмнттер прн //,«=100 Ом, не более:
7—+25 °C:
1/кэ=65 В 2Т904А...................................1 мА
/7«э=60 В КТ904А, КТ904Б...........................1.5 мА
7=+85 °C, /7хэ = 60 В КТ904А, КТ904Б.................4,5 мА
7- 130 °C, /7кд=60 В 2Т904А..........................2 мА
Обратный ток эмиттера при /7еС=4 В, не более:
7=+25 °C:
2Т904А..................................................0,1 мА
КТ904А, КТ904Б.....................................0,3 мА
7=+85 °C КТ904А. КТ904Б...........................0,9 мА
7=+ 130 °C 2Т904А . .................0,2 мА
Суммарная активная и пассивная емкость коллектора при
/7«в=28 В, типовое значение . . . . 7,8* пФ
Емкость коллектор — эмиттер, типовое значение .... 0.5* пФ
Емкость эмиттерного перехода при /7эв=0, типовое значение 130* пФ
Активная емкость коллектора при /7кв=28 В, типовое зна-
чение . . . . . ..............2,6* пФ
Емкость выводов ЭМ1 ттера и базы на корпус, типовое зна-
чение ............................... . ' . ... 1,3* пФ
Емкость вывода коллектора на корпус, типовое значение . 1,8* пФ
Индуктивность вывода внутренняя, типовое значение . . 2,5* нГн
Индуктивность у конца вывода, типовое значение ... 4* нГн
Сопротивление эмиттера, типовое значение................0,1* Ом
Сопротивление базы, типовое значение ................... 1* Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмнттер при
<100 Ом:
2Т904А ...................................65 В
КТ904А, КТ904Б.........................................60 В
Импульсное напряжение коллектор — эмнттер при f= 100 МГц:
2Т904А . ... 75 В
КТ904А, КТ904Б . ................70 В
Постоянное напряжение эмиттер — база......................4 В
Постоянный ток коллектора..............................0,8 А
Импульсный ток коллектора..............................1,5 А
Постоянный ток базы....................................0,2 А
418
Продолжение
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режиме
при 7ж^+40°С:
2Т904А...............................................
КТ904А, КТ904Б . . .......................
Тепловое сопротивление переход — корпус ................
Температура р-п перехода:
2Т904А...............................................
КТ904А, КТ904Б.............................. . . .
Температура корпуса.
2Т904А........................... ...................
КТ904А, КТ904Б.......................................
Температура окружающей среды:
2Т904Л ...........................................
7 Вт
5 Вт
16°С/Вт
+ 150 °C
+ 120 °C
+125 °C
+85 °C
-60°С...Тк =
= + 125 °C
—4С°С...7’К =
= +85 °C
КТ904А, КТ904Б......................................
При 7Я>+«°С Рк,ср,мпкс, Вт=(Гплокс-Гк)/16.
Усилие, перпендикулярное оси вывода, не должно превышать 0,5 Н; запре-
щается изгиб и кручение выводов.
Пайка выводов транзистора допускается ие ближе 1 мм от корпуса в те-
чение времени не более 3 с при температуре не более +260 °C. Обязателен
теплоотвод между корпусом и местом пайки.
2Т907А, КТ907 (А, Б)
Транзисторы кремниевые эпи-
таксиально-планарные структуры
п-р-п генераторные. Предназна-
чены для применения в усилите-
лях мощности, умножителях ча-
стоты и автогенераторах на часто-
тах 100...400 МГц при напряжении
питания 28 В. Выпускаются в ме
таллокерамическом корпусе с
жесткими выводами и монтажным
винтом. Тип прибора указывается
па корпусе.
Масса транзистора ие бо-
лее 6 г.
2Т907А, КТ907(А,Б)
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте 400 МГц при (7кЭ=28В:
2Т907А К1907А, не менее .... ... 8 Вт
типовое значение..................................10* Вт
КТ907Б, не менее..................................6 Вт
типовое значение..................................8* Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте f=
=400 МГц при Т/кв—28 В, не менее:
2Т907А. КТ907А....................................2
КТ907Б . . ........................... 1,5
Коэффициент полезного действия коллектора на частоте
[=400 МГц при Una 28 В, ие меиее . . ... 45%
типовое значение . .... ... 65*%
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
77кв=5 В, /к=0,4 А, не менее...........................10*
типовое значение . ........................50*
27'
419
Продолжение
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при 28 В, /к=0,4 А, /=100 МГц, не менее
2Т907А, КТ907А..........................................3,5
КТ907Б . . . . . . . 3
Граничное напряжение при /к=0,2 А, ие менее 40* В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /« =
= 0,25 А, /в=005 А, типовое значение.................0,35* В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /д—0,25 А,
7в=0,05 А, типовое значение ... . 0.9* В
Критический ток иа частоте /=100 МГц при Е'кэ=Ю В-
2Т907Л, КТ907А, ие менее ... . . 1,0 А
типовое значение . . . 1,8* А
КТ907Б, не менее ... . . 0,8 А
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой ча-
стоте прн 1/ив=Ю В, /э=30 мА, /=5 МГц, не более:
2Т907А, КТ907А.................................. .... 15 пс
КТ907Б...........................................20 пс
Емкость коллекторного перехода при 1/кб=30 В не более 20 пФ
Емкость эмиттерного перехода прн 1Л»в=0, не более 250 пФ
Обратный ток коллектор — эмиттер при А?сэ=100 Ом, не
бо ее
Т— +25 °C-
1/кэ=65 В, 2Т907А................................2 мА
77кэ=6О В КТ907Л КТ907Б .... 3 мА
7= +85 “С, 1/кэ=-60 В КТ907А. КТ907Б . . . 6 мА
Т= + 130 °C, l/KS = 65 В 2Т907А . . 4 мА
Обратный ток эмиттера при иВБ 4 В, не более-
7 =+25 С:
2Т907А . .............................0,25 мА
КТ907А. КТ907Б . . ...................0.35 мА
7=+ 85 °C КТ907А. КТ907Б.........................0.7 мА
7—+ 130 °C 2Т907А ............. . 0,25 мА
Активная емкость коллектора при 17кв=30 В типовое
значение .... ..........................3,5* пФ
Суммарная активная и пассивная емкость коллектора при
1/кв=30 В, типовое значение . ... . 10* пФ
Емкость коллектор — эмиттер, типовое значение ... 5* пФ
Емкость вывода коллектора на корпус, типовое значение 5* пФ
Емкость вывода базы на корпус, типовое значение . 1.3* пФ
Сопротивление эмиттера, типовое значение .... 0.4* Ом
Сопротивление базы, типовое значение.................1* Ом
Индуктивность вывода эмиттера внутренняя, типовое
значение................ ............................0.8* иГи
Индуктивность выводов, типовое значение:
базы внутренняя . ................ . 2,5* нГн
базы у конца вывода................. . . . 4* нГн
коллектора внутренняя............................2,5* нГи
коллектора у конца вывода . . .... 4* нГи
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмнттер прн R.,c^
^100 Ом:
2Т907Л...............................................65 В
КТ907Л, КТ907Б..................................60 В
Импульсное напряжение коллектор — эмнттер:
2Т907А ... .......................75 В
КТ907А, КТ907Б . . ................70 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . ... 4 В
Постоянный ток коллектора.......................... . 1 А
420
Продолжение
Импульсный ток коллектора при /и^10 мкс, 100 . 3 А
Постоянный ток базы ... .... . 04 А
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режи-
ме при Тк^+25°С:
2Т907А........................ .....................16 Вт
КТ907А, КТ907Б . .............13,5 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус .... 7,5°С/Вт
Температура р-п перехода:
21907А . .............................+150 °C
КТ907А КТ907Б...................................+125 °C
Температура корпуса:
2Т907А ... .......................+125 °C
КТ907А. КТ907Б . . ...................+85 °C
Температура окружающей среды:
2Т907А ... ...................-60 °C.. Тк=
_ +125 °C
КТ907А, КТ907Б..................................-40 °C .Т,=
= +85 °C
1 При 7,> + 6 С для 2T907A РК|Ср_Л:1,с, Вт-(150-7,1/7,5; для КТ907А, КТ9Э7Б
ср,jhskc* ^т = (125 — 7,1/7,5.
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 1 мм от корпуса в те-
чение времени ие более 3 с при +260 °C Между корпусом и местом пайки
необходим теплоотвод.
2Т909 (Л, Б), КТ909 (Л, Б, В, Г)
Транзисторы кремниевые эпи-
таксиально-планарные структуры
п-р-п генераторные. Предназначе-
ны для применения в усилителях
мощности, умножителях частоты
и автогенераторах на частотах
100...500 МГц при напряжении
питания 28 В. Выпускаются в ме-
таллокерамическом корпусе с по-
лосковыми выводами. Тип прибо-
ра указывается на корпусе
Масса транзистора не бо-
лее 4 г.
2Т909(А.Б) , КТ909(А-Г)
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f=500 МГц при L*s=28 В
7 х = 4U (
2Т909А пе менее................................. . . 17 Вт
типовое значение................................ ’ 24’ Вт
421
Продолжение
2Т909Б, не менее....................................
типовое значение ....................................
КТ909А, не менее ... . . .
типовое значение.................... . . . .
КТ909Б, не менее..................... . . . .
типовое значение ....................................
КТ909В, не менее.....................................
типовое значение ....................................
КТ909Г, не менее....................................
типовое значение ....................................
Коэффициент усиления по мощности на частоте /=500 МГц
при {/кэ=28 В, не меиее.
Вт 2Т909Л, КТ909Л...........................
Реых=35 Вт 2Т909Б, КТ909Б...........................
Рвых^ 12 Вт КТ909В...................................
Ре.ах=30 Вт КТ909Г...................................
Коэффициент полезного действия коллектора на частоте
/=500 МГц при /7кэ = 28 В. 7\^40°С:
2Т909А, 2Т909Б, КТ909А. КТ909Б, не менее . . . .
типовое значение ....................................
КТ909В, КТ909Г, не менее.............................
типовое значение ....................................
Модуль коэффициента передачи тока иа высокой частоте при
l/кэ-Ю В, /=100 МГц:
/к=1,5 А 2Т909А, КТ909А, не менее...................
типовое значение ...........................
7к=3 А 2Т909Б, КТ909Б, не менее......................
типовое значение ....................................
/к= 1.5 А КТ909В, не менее...........................
/к=3 А КТ909Г, не менее..............................
Граничное напряжение, не менее:
при /к=0.1 А 2Т909А..................................
при /к=0.2 А 2Т909Б.................................
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, типовое зна-
чение:
35 Вт
42* Вт
17 Вт
20* Вт
35 Вт
40* Вт
12 Вт
15* Вт
30 Вт
35* Вт
1,7
1,75
1.2
1,5
45%
55*%
40%
55*%
3,5
6,5*
5
6,5*
3
4,5
35 В
35 В
при /к=0,5 А, /в=0.1 А 2Т909А, КТ909А, КТ909В . . 0,18* В
при /к = 1 А, /в=0,2 А 2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г . . 0,18* В
Напряжение насыщения база — эмиттер, типовое значение:
при /к=0,5 А, /Е=0.1 А 2Т909А, КТ909А, КТ909В . . 0,85* В
при /к = 1 А /в=0,2 А 2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г . . 0,85* В
Критический ток на частоте /=100 МГц при 1/иэ = Ю В,
не менее
2Т909А, КТ909А.....................................ЗА
2Т909Б КТ909Б.....................................6 А
КТ909В . . .................................2,5 А
КТ909Г . ....................................5 А
типовое значение:
2Т909А, КТ909А ... ....................4* А
2Т909Б, КТ909Б .... .................8* А
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой часто-
те прн Ukh— 10 В. /=5 МГц, не более:
/э=150 мА 2Т909А, КТ909Л.............................20 пс
/э-300 мА 2Т909Б. КТ909Б.............................20 пс
/э=150 мА КТ909В 30 пс
/э=300 мА КТ909Г . 30 пс
Емкость коллекторного перехода при Икб=28 В, не более:
2Т909Л, КТ909А . . 30 пФ
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г..................................60 пФ
КТ909В ... ..............................35 пФ
422
Емкость эмнттерного перехода при 1)эь—0, типовое значение:
2Т909А, КТ909А, КТ909В..................... . . 250* пФ
2Т909Б, КТ909Б. КТ909Г ... . . 500* пФ
Обратный ток коллектор — эмиттер нри 1Л<э=60 В, R3e~
—10 Ом, не более-
7=4 25 °C:
2Т909А ................................25 мА
2Т909Б, КТ909А, КТ909В..........................30 мА
КТ909Б. КТ909Г....................................60 мА
7=+85 °C-
КТ909А. КТ909В ... . . 30 мА
КТ909Б, КТ909Г . . .............60 мА
7=+ 125 °C
2Т909А..............................................50 мА
2Т909Б .... ................100 мА
Обратный ток эмиттера прн 1/эв=3,5 В, пе более:
7=+25 °C
2Т909А 4 мА
КТ909А, КТ909В........................................ 6 мА
2Т909Б 8 мА
КТ909Б КТ909Г.........................................10 мА
у* _ | £5
КТ909А. КТ909В........................................ 6 мА
КТ909Б, КТ909Г........................................10 мА
7=+ 125 °C-
2Т909А............................................ . 4 мА
2Т909Б................................................ 8 мА
Сопротивление эмиттера, типовое значение.
2Т909Л, КТ909А, КТ909В..................................0,15* Ом
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г..............................0.1* Ом
Сопротивление базы, типовое значение:
2Т909А, КТ909А, КТ909В . , .................0 5’ Ом
2Т909Б КТ909Б, КТ909Г............................ 0,25* Ом
Индуктивность вывода эмиттера внутренняя, типовое зна-
чение ... ....................................0,45* нГн
Индуктивность вывода базы на расстоянии 3 мм от основа-
ния, типовое значение...................................2.5* нГн
Индуктивность вывода коллектора на расстоянии 3 мм от
основания, типовое значение ... .............2* нГн
Активная емкость коллектора при 1/кс=28 В, типовое зна-
чение
2Т909А, КТ909А, КТ909В . . . . . • 5' пФ
2Т909Б КТ909Б, КТ909Г ... 9* пФ
Суммарная активная и пассивная емкость коллектора прн
Окв=28 В, типовое значение.
2Т909А. КТ909А, КТ909В..................................15* пФ
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г..............................30* пФ
Емкость коллектор — эмиттер типовое зпа lenne . . . 1,7* пФ
Емкость база — эмиттер, типовое значение ... . 0,85* нФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при R,c^
=5 10 Ом............................... ... ... 60 В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер прн 10 Ом 60 В
Постоянное напряжение эмиттер — база....................3,5 В
Постоянный ток коллектора
2Т909А, КТ909А, КТ909В . 2 А
2Т909Б КТ909Б. КТ909Г . 4 А
1 При Т-Тп,миникдп ЛОКС=5Э В
423
Импульсный ток коллектора прн /и^20 мкс, Q^50: 2Т909А КТ909А КТ909В . . .... Продолжение
. 4 А
2Т909Б КТ909Б КТ999Г .... . 8 А
Постоянный ток базы- 2Т909А КТ909А КТ909В I А
2Т909Б, КТ909Б, КТ9091 2 А
Средняя рассеиваемая мощность * в динамическом режиме
при Т. s^+40 °C 2Т909А, КТ909А, КТ909В . 27 Вт
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г . . . 54 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус: 2Т909А КТ909А. КТ909В . 5 °С/Вт
2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г . . . . 2,5 °С/Вт
Температура р-п перехода: 2Г909А, 2Т909Б +160 °C
КТ909А, КТ909Б, КТ909В, КТ909Г + 120°С
Температура корпуса: 2Т909А, 2Т909Б . +125 °C
КТ909А КТ909Б, КТ909В, КТ909Г . +85 °C
Температура окружающей среды: 2Т909А 2Т909Б . -60 °C .Г,=
КТ909А КТ909Б КТ909В, КТ909Г . . = + 125 °C . —40°С Тк =
при 7’w> + 40 С Рц.ер.лаяс’ ^п.макс~ кУ = +85 °C
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм от корпуса в те-
чение времени не более 10 с при температуре не более +260°C. Между корпу-
сом и местом пайки обязательно применение теплоотвода. Обрезание выводов
допускается не ближе 5 мм от корпуса.
2Т911 (А, Б], КТ911 (А, Б, В, Г|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры п-р-п генера-
торные Предназначены для применения в усичителях мощности умножителях
частоты и а ггогенераторах на частотах более 400 МГц при напряжении пита-
ния 28 В. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с полосковыми выво-
дами и монтажным винтом. Тип прибора указывается па корпусе
Масса транзистора не более 6 г.
2Т911(А,Б), КТ911 (А-Г)
424
Электрические параметры
Выходная мощность при 1/кэ=28 В, Гк^+40'’С
на частоте 1,8^ МГц, не менее:
КТ911А .... .......................1 Вт
2Т911А, КТ911В............................0,8 Вт
на частоте [=1 ГГц:
КТ911Б..............................................1 Вт
2Т911Б, КТ911Г . . ................0,8 Вт
Коэффициент усиления по мощности при 7/кз=28 В,
+ 40 °C, не менее:
на частоте f=l,8 ГГц:
2Т911А, КТ911В при Р вых—0,8 Вт..................2
КТ911А при Рвьх=1 Вт............................2 5
на частоте /=1 ГГц:
2Т911Б, КТ911Г прн Р<,Ых=0.8 Вт .................2
КТ911Б прн Р вых- 1 Вт...........................2,5
Коэффициент полезного действия коллектора на частоте
= 1...1,8 ГГц прн 17кэ=28 В, Рвых=0,8 Вт не менее . . 23°.
типовое значение............................... .... 40*%
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн
Uns — 5 В, /s = 200 мА, не менее .... ... 15*
типовое значение . .... ... 40*
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
7/кэ = 10 В /к=100 мА, [=300 МГц, не менее:
2Т911А ................................3,34
2Т911Б ...................................2,8
КТ911А, КТ9ПВ . . 2,5
КТ911Б. КТ911Г ....................................2
Критический ток па частоте [=300 МГц при 1/кэ = Ю В
2Т911А, КТ911А, не менее .... .170 мА
типовое значение ... . 220* мА
2Т911Б, КТ911Б, не менее . . . . . - 150 мА
типовое значение . .... ... 220* мА
КТ911В, не менее ... .... . 160 мА
КТ911Г, не менее ......................... 140 мА
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
при 1/кв=Ю В, /э=30 мА, [=5 МГн, не более
2TS 1А, 2Т911Б, КТ911А, КТ911Б......................25 пс
КТ911В .... .......................50 пс
КТ911Г . . ................................100 пс
Емкость коллекторного перехода па частоте [=5 МГц при
С’ке = 28 В, не ботее ............................... 10 пФ
типовое значение............................... .... 4* пФ
Емкость эмиттерного перехода на частоте f=5 МГц при
L'sb=0, типовое значение . . . .... 18* пФ
Обратный ток коллектора прн Ске=Г'кв, лякс» не более:
Г=+25°С:
2Т911А, 2Т9ПБ . . .................3 мА
КТ911А, КТ911Б, KT9I1B. КТ911Г . ... 5 мА
Т= +125 °C 2T9I1A, 2Т911Б . . ... 10 мА
Г=+85°С КТ911А, КТ911Б, КТ911В, КТ911Г . . 10 мА
Обратный ток эмиттера при 1/Эв=3 В, не бо ее:
2Т911А, 2Т9НБ . . .... 1 мА
КТ911А, КТ9ПБ, KT9IIB, КТ9ПГ .... 2 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т911А, 2Т911Б, КТ911А КТ9 1Б . . . 55 В
КТ911В, КТ911Г . .............40 В
426
Продолжение
Постоянное напряжение коллектор — эмнттер при
aglOO Ом:
2T91IA, 2Т911Б КТ911А, КТ91 ]Б . . 40 В
КТ911В, КТ911Г ... .....................30 В
Постоянное напряжение эмиттер — база.....................ЗВ
Постоянный ток коллектора................................ 400 мА
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режиме:
при /«<+50 °C для 2Т911А, 2Т911Б . . 3 Вт
при Т«< + 25ОС для КТ911А, КТ9ПБ, КТ911В. КТ9НГ 3 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус..................33°С/Вт
Температура р-п перехода:
2Т911А. 2Т911Б........................................+150°С
КТ911А, КТ911Б, KT91IB, КТ911Г....................... +120°С
Температура корпуса:
2Т911А, 2Т911Б...........................................+125*С
KT9I1A, КТ911Б, КТ911В, КТ911Г.....................+ 85°С
Температура окружающей среды:
2Т911А, 2Т911Б .....................-60°С...Т« =
—+ 125 °C
КТ911А КТ911Б КТ911В, КТ911Г..........................-40°С...Т« =
= +85 °C
1 При Тк>+50сС для 2T9IIA. 2Т9ПБ и ГК>+25°С для KT9UA. КТ911Б. КТ911В,
КГ9,1Г РК.ср,ЛОхс. ВГ“1ГЯ.Жкаек-Г«).;33.
При установке транзистора па теплоотвод запрещается прикладывать скру-
чивающие усилия к пластмассовой части корпуса. Шероховатость контактной
поверхности теплоотвода должна быть пе мепее 2,5. Неплоскостность контакт-
ной поверхности теплоотвода должна быть не более 0,03 мм.
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 2 мм от корпуса по ме-
тодике, не приводящей к нарушению конструкции транзистора. Пайку проводить
паяльником прн температуре не более +260°C в течение не более 6 с. Необ-
ходимо осуществлять теплоотвод между корпусом и местом пайки.
2Т913 [А, Б, В), КТ913 (А, Б, В)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях
частоты и автогенераторах на частотах 200 1000 МГц прн напряжении питания
426
28 В Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами
п монтажным винтом. Тип прибора укаеывается па корпусе.
Масса транзистора не более 1 6 г.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f— 1 ГГц при 11кэ—28 В,
пе менее:
2Т913А, КТ913А............................................3 Вт
2Т913Б, КТ913Б........................................5 Вт
2Т913В, KT9J3B.......................................10 Вт
Коэффициент усиления по мощности иа частоте f—\ ГГц
при {7кэ = 28 В.
Реы1=3 Вт 2Т913А, не менее...........................2,25
типовое значение................................2,5*
Р«ых=5 В 2Т913Б, ие менее.......................2,25
типовое значение................................2,5*
75«ых=10 Вт 2Т913В, пе мепее.....................2,25
типовое значение................................2,5*
/>еь<х=3 Вт КТ913А, ие менее.....................2
Р«ых=5 Вт КТ913Б, не мепее.......................2
Р вых~ 10 Вт КТ913В, не менее....................2
Коэффициент полезного действия коллектора иа частоте
1=1 ГГц при 17кэ=28 В, не менее:
Р₽ых=3 Вт 2Т913А.............................40%
Р еых— 5 Вт 2Т913Б.............................40%
Лых=10 Вт 2Т913В.................................50%
Л.ых=3 Вт КТ913А.............................40%
Р«ых-5 Вт КТ913Б .................40%
РвМх-10 Вт KT9I3B................................50%
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при С/ка=10 В, f = 100 МГц, не менее:
/к 200 мА 2Т913А, КТ913А ...............................9
/к=400 мА 2Т913Б, 2Т913В, КТ913Б, КТ913В . . 9
Критический ток на частоте f= 100 МГц при 17кэ=10 В
2Т913А, не мепее................................0,4 А
типовое значение................................0,6* А
2Т913Б не менее.................................0,8 А
типовое значение................................1,2* А
2Т913В, не мепее.................................1,6 А
типовое значение , . ...................2* А
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1К =
=250 мА, ZE 30 мА, типовое значение..................0,28* В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /ж = 250 мА,
1г.=30 мА, типовое значение..........................1* В
Граничное напряжение коллектор — эмиттер при /к=
= 75 мА для 2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В, не менее . . . 30 В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой ча-
стоте при {7кв=10 В, /е=50 мА, /=30 МГц, не более:
2Т913А, КТ913Б, КТ913В ... . 15 пс
2Т913Б, 2Т913В...................................12 пс
КТ913А...........................................18 пс
Активная емкость коллектора при 17кс=28 В, 2Т913В,
КТ913В, типовое значение................ . . . 1,1* Ом
Входное полное сопротивление в динамическом режиме
на частоте f=l ГГц при 1/кэ=28 В, типовое значение:
Р«ых=3 Вт 2T9I3A.................................3+/ 20* Ом
Р<,ых=5 Вт 2Т913Б................................1,2+/ 16* Ом
Лых 10 Вт 2Т913В................................... 1.2+/ 14* Ом
Обратный ток коллектор — эмиттер при (7кэ~55 В, /?эв =
= 10 Ом, не более:
2Т913А .................................10 мА
427
2Т913Б, 2Т913В . . . . .
КТ913А ... . .
КТ913Б КТ913В.....................................
Обратный ток эмиттера при U9b=3,5 В, пе более:
2Т913А 2Т913Б, 2Т913В
КТ913А. КТ9 ЗБ КТ913В . . . .
Индуктивность вывода базы на расстоянии 3 мм от кор-
пуса, типовое значение:
2Т913А, КТ913А . .................
2Т913Б, 2Т913В КТ913Б, КТ913В.....................
Индуктивность вывода коллектора иа расстоянии 3 мм
от корпуса 2Т913А, КТ913А, 2Т913Б, КТ913Б, 2T9I3B,
КТ913В типовое значение........................
Индуктивность вывода эмиттера при заземлении обоих
выводов у основания, типовое значение:
2Т913А, KT9I3A....................................
2Т913Б, 2Т913В, КТ913Б, КТ913В ...................
Емкость коллектор —эмиттер:
2Т913А КТ913А, не более...........................
типовое значение .................................
2Т913Б, КТ913Б, ие более..........................
типовое значение .................................
2Т913В, КТ913В, не более..........................
типовое значение .................................
Емкость кол юкториого перехода иа частоте f = 10 МГц
при 1/ке=28 В. не более:
2Т913А ..............................
2Т913Б ..................................
2Т913В, КТ913Б ...................................
КТ913А ...........................................
КТ913В ...........................................
Емкость эмнттерного перехода на частоте f = 10 МГц при
типовое значение:
2T9I3A............................................
КТ913А ...........................................
2Т913Б, 2T9I3B ...................................
КТ913Б. КТ913В....................................
Суммарная активная и пассивная емкость коллектора нри
t7KB = 28 В, типовое значение:
2Т913А, КТ913Л .......................... . . .
2Т913Б, К1913Б................................
2Т913В КТ913В . . ....................
Емкость коллектор—эмиттер, типовое значение:
2Т913А, КТ913А....................................
2Т913Б КТ913Б.....................................
2Т913В КТ913В.....................................
Сопротивление эмиттера, типовое значение:
2Т913А КТ913А.....................................
2Т913Б, КТ913Б....................................
2Т913В, КТ913В ........................
Сопротивление базы, типовое значение:
2Т913А, КТ913А....................................
2Т913Б, КТ913Б...................
Продолжение
20 мА
25 мА
50 мА
1 мА
1,5 мА
3* иГн
2,5* нГн
1 95* нГн
0,55* и Гн
0,25* нГн
1,3* пФ
0,7* пФ
2,5* пФ
1,5* пФ
2,7* пФ
1,5* нФ
6 пФ
10 пФ
12 пФ
7 пФ
14 1Ф
40* пФ
50* пФ
80* пФ
100* пФ
4* пФ
8* пФ
8,2* пФ
0,7* пФ
1,5* пФ
1,5* пФ
0,15* Ом
0,1* Ом
0,05* Ом
3* Ом
1 5* Ом
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при Rm^
s:IO Ом...............................................
55 В
В диапазоне температур T-+25 С Тмин напряжение снижается линейно до 45 В
428
П родолжение
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при
< 16 Ом ............................................ . 55 В
Постоянное напряжение эмиттер — база.................3 5В
Постоянный ток коллектора:
2Т913А, КТ913А.....................................0,5 Л
2Т913Б. КТ913Б, 2T9I3B, КТ913В...................I А
Импульсный ток коллектора:
2T9I3A. КТ913А......................................1 А
2Т913Б КТ913Б, 2T9I3B KT9I3B ..................2 А
Постоянный ток базы:
2T9I3A KT9I3A .... 0,25 Л
2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В КТ913В . . . 0.5 А
Средняя рассеиваемая мощность 1 в динамическом режиме:
при Гк^+55°С для 2Т913А, КТ913А . . . . 4 7 Вт
при Гк=+70°С для 2Т913Б, КТ913Б ... 8 Вт
при ГК^ + 25°С для 2Т913В, КТ913В . ... 12 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус
2Т913Л, KT9I3A . . .... 20°С/Вт
2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В КТ913В . . . 10 °C Вт
Температура р-п перехода.............................+ 150 °C
Температура корпуса:
2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В..............................+ 125 °C
КТ913А, КТ913Б, КТ913В...........................+85 °C
Температура окружающей среды:
2Т913А, 2Т913Б. 2Т913В . . -60°С...Тк =
= I 125 °C
КТ913А, КТ913Б, КТ913В...........................45'С...П =
= + 85 °C
1 При ГХ>+55'С для 2Т913А, KT9I3A, Гх> + 70°С для 2Т913Б, КТ913Б, TK>25 X
для 2Т913В. KT9I3B
рК ср.макс’ Вт*" (150-гх1/^Т(п-к)-
Изгиб и обрезание выводов допускается пе ближе 3 мм от корпуса
Прн присоединении (пайке) выводов температура корпуса в любой его точке
не должна превышать +85 °C.
2Т916А, КТ916А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры п-р-п гене-
раторные Предназначены для применения в усилителях мощности, умножите-
лях частоты и автогенераторах на частотах 200...1000 МГц при напряжении
питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами н монтажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
429
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f=l ГГц при 17кэ=28 В,
не менее . .... .... 20 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте f=l ГГц
при Uks=28 В, 20 Вт, не менее.........................2,25
типовое значение.................................2.5*
Коэффициент полезного действия коллектора на частоте
f=l ГГц при Р еых — 20 Вт, t/>rs=28 В, нс менее . . . 45%
типовое значение.................................55*%
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Укэ = 5 В, /к=0,25 А, типовое значение..................35*
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
прн 1/иэ = Ю В. f=100 МГц:
/к =1,5 А, не менее......................................11
типовое значение ................................. 14*
/к-2,6 А, не менее...............................8
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 11:’а
0,25 А, /Б=0,03 А, типовое значение..................0,2* В
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к- 0,25 А,
/в —0,03 А, типовое значение..........................0,92* В
Критический ток иа частоте f=100 МГц при 1/кв=10 В,
ие менее .............................................2,6* А
типовое значение.................................2,8* А
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой ча-
стоте прн 17кБ=10 В /а = 100 мА, f=30 МГц, не более . 10 пс
типовое значение . . . . 4* пс
Емкость коллекторного перехода при (7 кг.=30 В, не менее 20 пФ
типовое значение . . . ...........14* пФ
Емкость эмиттерного перехода прн 1/se=0, типовое зна-
чение ............................................ ... 190* пФ
Входное полное сопротивление при (7кэ=28 В, РеЫх=
= 20 Вт, f-1 ГГц, типовое значение....................2,2+] 17* Ом
Полное сопротивление нагрузки при (7кэ = 28 В, Реы1=
= 20 Вт, f—1 ГГц, типовое значение . 2+/-6* Ом
Обратный ток коллектор — эмиттер при (7кэ=55 В, /?з0 =
10 Ом, не более .... ................25 мА
Обратный ток эмнттер — база при (7аБ=3.5 В не более 4 мА
Активная емкость коллектора при Uks—ЗО В. типовое
значение..............................................4* пФ
Суммарная активная и пассивная емкость коллектора при
К/,-Б=30 В, типовое значение..........................12* пФ
Емкость коллектор—эмиттер, типовое значение . . . 1,5* пФ
Сопротивление базы, типовое значение.................0,7* Ом
Сопротивление эмиттера типовое значение .... 0,05* Ом
Индуктивность эмиттерного вывода прн симметричном за-
землении у основания корпуса, типовое значение . . . 0,35* нГн
Индуктивность базового вывода у основания корпуса, ти-
повое значение........................................1* нГн
Индуктивность коллекторного вывода у основания кор-
пуса, типовое значение................................0,6* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмнттер при
SJ10 Ом .......................................... ... 55 В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер . . . 55 В
Постоянное напряжение эмиттер — база .... 3,5 В
Постоянный ток коллектора . . 2 А
Импульсный ток коллектора при /и^5 нс, Q>10 . . 4 А
Постоянный ток базы...................................1 А
430
П родолжение
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режи-
ме при ГХ< + 25°С....................................
Тепловое сопротивление переход—корпус . . . .
Температура р-п перехода:
2Т916Л.............................................
КТ916А..........................................
Температура корпуса:
2Т916А.............................................
КТ916А . . ................................
Температура окружающей среды:
2Т916А.............................................
КТ916А..........................................
30 Вт
4.5 °С/Вт
+160 °C
+125 °C
+ 125 “С
+ 85 °C
-60°С...Гк =
= + 125сС
— 40 °С...7'к=
= + 85 °C
При Гк>25 С лаке* ®т“1Тпдшкс 7'к)/4,5.
КТ918 [А-2, Б-2)
Транзисторы кремниевые эпитаксиалыю-планарные структуры п-р-п гене-
раторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях
частоты и автогенераторах па частотах 1...3 ГГц в схеме с общей базой при
напряжении питания 20 В в герметизированной аппаратуре. Выпускаются в ке-
рамическом корпусе с частичной герметизацией и ленточными выводами. Тнп
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,15 г.
KT9f8(A-Z, Б-2)
Электрические параметры
Выходная мощность иа частоте f—З ГГц при (7кь =20 В,
типовое значение.
Р„=125 мВт КТ918А-2 ........................ 250 мВт
Р„х=250 мВт КТ918Б 2 .............. .500 мВт
Коэффициент усиления по мощности иа частоте f—З ГГц
при (7кб=20 В, не менее:
Реых=0,25 Вт КТ918А 2 . . . . .2
Р«ых=0,5 Вт КТ918Б 2............................. 2
431
П родолжение
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
ОЭ прн 1Ло=Ю В /к=Ю0 мА, не менее:
КТ918А 2 ..................................0,8 ГГц
КТ918Б-2.............................. .... 1 ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой ча-
стоте при Пкв=10 В, /э=30 мА, f=100 МГц. ие более:
КТ918А-2..................................... . 15 нс
КТ918Б-2....................................... 4 нс
Емкость коллекторного перехода при t/кв = 15 В, /=
= 10 МГц, не более . ... 4,2 пФ
Емкость эмиттерного перехода при </бэ=0, f=10 МГц,
не более.............................................15 пФ
Обратный ток коллектора при {7кв=30 В, не более . . 2 мА
Обратный ток эмиттера при 1/ЕЭ=2,5 В, ие более . . 100 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — ба<а . . . .
Постоянное напряжение эмнттер—база...................
Постоянный ток коллектора . . . .
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режиме
при 75,^4 25 °C......................................
Тепловое сопротивление переход — корпус . . . .
Температура р-п перехода ...
Температура корпуса .................................
Температура окружающей среды.........................
30 В
2.5 В
0 25 А
2,5 Вт
50°С/Вт
+ 150 °C
+85 °C
—45°С...ТК =
= +85 °C
• При ZK> + 25'C РКсрдас, Вт-(150-Гж)/50.
Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса транзистора с радиу-
сом закругления 1,5 .2 мм. При изгибе должна быть обеспечена неподвижность
участка вывода между местом изгиба и корпусом прибора.
Монтаж транзистора в микросхему осуществляется методом припайки кор
пуса транзистора к теплоотводящей поверхности. Максимально допустимая
температура припоя прн монтаже приборов в микросхему не более +260°С.
Время пайки не более 3 с Теплоотвод, на который монтируется транзистор,
должен быть облужен олово») толщиной 10 мкм или серебром толщиной Юмкм.
Основание корпуса перед пайкой необходимо обезжиривать этиловым спиртом
с помощью ватного тампона. В качестве припоя можно использовать сплавы
с температурой плавления менее + 150еС, например индий—серебро (3%) или
ииднп — олово (48%) Припой прокатывается толщиной 0,05...0,07 мм и нареза-
ется иа прямоугольники размером 2,6X4 мм обезжиривается кипячением в че
тыреххлорнсто.ч углероде Место посадки транзистора на теплоотводе смачи
вается спиртовым раствором канифоли и на него помещается приготовленный
припой и транзистор. Применение других флюсов не допускается.
Пайка транзистора на теплоотвод осуществляется в печи с инертной атмос
ферон при температуре не более +200°C с усилием прижима примерно 0,5 кг
Панка выводов эмиттера и коллектора осуществляется с помощью микропаяль-
ника мощностью нс более 15 Вт иа расстоянии 3 мм от корпуса. Время пай-
ки 3 с Допускается пайка выводов менее 3 мм от корпуса, если при этом
температура корпуса пе превысит +140°С
Допускается монтаж транзистора методом прижима к теплоотводящен по-
верхности. Прижимное усилие должно быть до 2 кг Шероховатость контактной
поверхности теплоотвода должна быть не хуже 10
432
2Т919 (Л, Б, В), 2Т919 (А-2, 6-2, В-2) КТ919 (А, Б, В, Г)
Транзисторы кремниевые эпитак-
сиально планарные структуры п р-п
генераторные. Предназначены для
применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенера-
торах в СВЧ диапазоне (0,7...
2,4 ГГц) в схеме с общей базой. Вы-
пускаются 2Т919А. 2Т919Б, 2Т919В,
КТ919А, КТ919Б КТ919В КТ919Г в
металлокерамическом корпусе с по-
лосковыми выводами, транзисторы
2Т919А2 2Т919Б 2, 2T9I9B-2 бес-
корпуспые, с гибкими выводами на
кристаллодержателе. Транзисторы
КТ919А, КТ919Б, КТ919В, КТ919Г
имеют дополнительную пластмассо-
вую оболочку. Условное обозначение
транзисторов 2Т919А — буква «А»
и зеленая точка, 2Т919Б — буква «Б»
и черная точка, 2Т919В — буква «В»
и белая точка, 2Т919А 2 — черная
точка, 2Т919Б 2 — красная точка
2T9I9B 2 -белая точка. Тип прибора
указывается в этикетке Обозначение
типа транзисторов КТ919А, КТ919Б
КТ919В, КТ919Г приводится на верх-
ней части корпуса.
Масса транзисторов: 2Т919А,
2Т919Б, 2Т919В не более 2 г,
2Т919А 2, 2Т919Б-2 2Т919В 2 не бо-
лее 1 г KT9I9A, КТ919Б, КТ919В,
КТ919Г не более 2,2 г.
Электрические
Выходная мощность прн {7кв = 28 В, {=2
Р»х=1 Вт
2Т919А КТ919А, не менее
медианное значение ....
2T313IA Z-в-Z}
параметры
ГГц:
..............3,5* Вт
..............4 4 Вт
28 Заказ N® 1004
433
Продолжение
2Т919А-2, не менее..................................4.1 Вт
КТ919Г, не менее.................................3* Вт
медианное значение...............................3,5 Вт
р —Q5
"2Т919Б 2Т919Б-2, КТ919Б, не менее . . . . 1,6* Вт
медианное значение .............................. 2 Вт
Р„=0.2 Вт:
2Т919В 2Т919В-2, КТ919В, не менее .... 0,8* Вт
медианное значение .............................. 1 Вт
Коэффициент усиления по мощности прн 1 = 2 ГГц,
КПД >30%:
2Т919Л-2..........................................4,1 .4,3*
2Т919Б 2...................... ...................3,2...4,8*
2T9I9B 2 ... .................... 4 7.5*
Коэффициент полезного действия коллектора (медианное
значение) при £/ЛС=28 В, f=2 ГГц:
2Т919А, КТ919А....................................33%
2Т919А-2..........................................31%
КТ919Г.................................... .... 30%
Р«=0,5 Вт 2Т919Б, 2Т919Б 2, КТ919Б .... 30%
Р»=0,2 Вт 2T9I9B 2Т919В 2, КТ919В .... 25%
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при 1/кэ=Ю В f-ЗОО МГц:
/к=500 мА:
2Т919А........................ ...................4,5.6,2* . 7*
2Т919А2 КТ919А, КТ919Г, не менее .... 4,5
/к=250 мА:
2Т919Б...............................................4.5...7,4*. .7,8
2Т919Б-2, КТ919Б, ие менее.....................4.5
/«=100 мА:
2Т919В ..................................4.5.7.5*. .8*
2Т919В 2, КТ919В, ие менее.....................4,5
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой ча-
стоте при /7кв=10 В /в = 50 мА, f=30 МГц:
2Т919А ......................................1,1*. 1,25* 2,2 пс
2Т919Б..................' . ............ 0,9* 1*. 2,2 пс
2Т919В . ..................................0.6* . 0,8*. 2,2 пс
2Т919А2, 2Т919Б-2, 2Т919В-2, КТ919А, КТ919Б,
КТ919В, КТ919Г, ие более.............................2,2 пс
Обратный ток коллектора при 1/кв=45 В, не более:
Г=+25°С-
2Т919А, 2Т919А 2, КТ919А. КТ919Г...................10 мА
2Т919Б, 2Т919Б 2, КТ919Б .......................5 мА
2Т919В, 2Т919В-2, КТ919В..............................2 мА
7=-60 °C-
2Т919Л. 2Т919Л-2, КТ919А. КТ919Г...................50 мА
2Т919Б, 2Т919Б-2, КТ919Б.............................25 мА
2Т919В, КТ919В . . ..................15 мА
2Т919В 2.............................................10 мА
7= + 100 °C
КТ919Л, КТ919Г.......................................50 мА
КТ919Б...............................................25 мА
КТ919В ..........................................15 мА
7=+ 125 "С:
2Т919Л .... 50 мА
2Т919Б...............................................25 мА
2Т919В ... 15 мА
2Т919Л-2, 2Т919Б-2, 2Т919В 2........................10 мА
434
П родолжение
Обратный ток эмиттера прн Г/ве=3,5 В не более:
7=+25 °C/
2Т919А, 2Т919А-2, КТ919А, КТ919Г, 2Т919Б . . 2 мА
2Т919Б-2, КТ919Б, 2Т919В . . 1 мА
2Г919В-2, КТ919В................................0,5 мА
Г--60 °C:
2Т919А, 2Т919А-2, КТ919А, КТ919Г................2 мА
21919В, 2T919D-2, КТ919Б........................I мА
2Т919В, 2Т919В-2, КТ919В........................0,5 мА
Т= + 100 °C:
КТ919А, КТ919Г.......................................20 мА
КТ919Б.............................................10 мА
К1919В 5 мА
Т=+ 125 “С:
2Т919А 2Т919А-2......................................20 мА
2Т919Б, 2Т919Б-2...................................10 мА
2Т919В, 21919В 2....................................5 мА
Критический ток прн Uns— 10 В, f=300 МГц:
2Т919Л................................................1 1...1.7* .2.1* А
2Т919Б ... 05.0,7* .0,8* А
21919В .............................. . 0,22-0,3* 0,4* А
2Т919Л-2, КТ919А, пе менее 1,1 А
2Т919Б 2 КТ919Б, не менее ... 0.5 А
2Т919В 2, КТ919В, не менее...........0,22 А
КТ919Г, ие менее.............................. ... 1 А
Емкость коллекторного перехода при t/кв =28 В, не более:
2T9I9A, 2Т919А-2, КТ919А.........................10 пФ
2Т919Б. 2Т919Б 2, КТ919Б .................6,5 нФ
2Т919В KT9I9B . .......................5 пФ
2Т919В-2 ..................... 4,5 пФ
КТ919Г . 12 пФ
Конструктивная емкость коллектор — корпус 2Т919А,
2Т919Б, 2Т919В, типовое значение .... 1,9* пФ
Конструктивная емкость эмиттер—корпус 2Т919А, 2Т919Б,
2Т919В, типовое значение..............................2,7* пФ
Емкость коллектор — крнсталлодержатель 2Т919А-2,
2Т919Б-2 2Т919В-2, типовое значение ... 19* пФ
Емкость эмиттер — крнсталлодержатель 2Т919А-2, 2Т919Б-2,
2Т919В 2 типовое значение...................... 2,7* пФ
Индуктпв! ость эмиттера, типовое значение:
2Т919А, 2Т919Б. 2Т919В, 2Т919А 2, КТ919А, КТ919Б,
КТ919В, КТ919Г....................................0,7* пГп
2Т919Б-2 ........................0,9* нГн
2Т919В-2 ...........................1,1* нГн
Индуктивность коллектора, типовое значение .... 1,5* нГн
Индуктивность базы, типовое значение:
2Т919А 2Т919Б, 2Т919В, 2Т919А 2, КТ919А КТ919Б.
КТ919В, КТ919Г .... 014* н! н
2Т919Б 2 ... . . 022* пГи
21919В-2..........................................03* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база1 при Г=
= +25. .+ 125 °C......................................45 В
Постоянное напряжение эмиттер — база..................3.5 В
Постоянный ток коллектора
2Т919А 2Т919А-2, КТ919А КТ919Г....................0.7 А
21919Б 2Т919Б-2, КТ919Б . . . 0 35 А
1 В диапазоне температур Г-+25 -60 °C Uкв макс снижается линейно до 40 В.
28* 435
Продолжение
2Т919В, 2Т919В-2, КТ919В...........................0,2 А
Импульсный ток коллектора при Л,sg20 мкс, Q>50:
2Т919Л, КТ919А, КТ919Г, 2Т919А-2 . . . 1,5 А
2Т919Б, КТ919Б. 2Т919Б-2...........................0,7 А
2Т919В, КТ919В, 2Т919В-2 ....................0,4 А
Постоянный ток базы:
2Т919А, 2Т919А-2, КТ919А, КТ919Г...................0,2 А
2Т919Б 2Т919Б-2, КТ919Б . ..............0,1 Л
2Т919В, 2Т919В-2, КТ919В 0,05 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора 1 в динамиче-
ском режиме при Т=— 6О..+25СС:
2Т919А 2Т919А-2, КТ919А, КТ919Г ... 10 Вт
2Т919Б 2Т919Б 2. КТ919Б ...........................5 Вт
2Т919В, 2Т919В-2, КТ919В .......................... 3 25 Вт
Температура окружающей среды.
2Т919А, 2Т919Б, 2Т919В. 2Т919А-2, 2Т919Б 2 2Т919В-2 -60...+ 125°С
КТ919А, КТ919Б, КТ919В, КТ919Г ... -60...+100°С
1 В диапазоне температур Г—+25... +125 °C мощность снижается лштеПио по формуле
Г„-25
^К.ср’ = Лакс ~ •
"Т(п -К)
где /?Г(П_,)-12°С/Вт для 2T9I9A, 2Т919А-2, KT9I9A. КТ919Г. /?Г(П_Х)=25 'C/Вт для
2Т919Б. 2Т919Б2, КТ919Б, «Т(п_к)--10'С/Вг для 2T9I9B. 2Т919В-2, КТ919В.
Температура пайки +260 СС, расстояние от корпуса или кристаллодержа-
теля до места пайки не менее 3 мм, время пайки не более 3 с. Допускается
пайка выводов на расстоянии менее 3 мм; при этом температура пайки не
должна превышать +150 °C, время пайки не более 3 с.
Разрешается применять транзисторы в статическом режиме; при этом
напряжение питания коллектора не должно превышать 7 В для 2Т919А, 2Т919Б,
2Т919А 2, 2Т919Б-2, КТ919А, КТ919Б, КТ919Г и 9 В для 2Т919В, 2Т919В-2,
КТ919В, а ток коллектора не должен превышать 0,5 А для 2Т919Л, 2Т919А-2,
КТ919А, КТ919Г; 0,25 А дли 2Т919Б, 2Т919Б-2, КТ919Б; 0,15 Л для 2Т919В,
2Т919В-2, КТ919В.
2Т925 [А, Б, В), КТ925 (А, Б, В, Г)
Транзисторы кремниевые эпнтаксиально-планарпые структуры п-р-п гене-
раторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножите-
лях частоты и автогенераторах па частотах 200 400 МГц при напряжении пи-
тания 12,6 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами н монтажным винтом. Тип прибора указывается иа корпусе.
Масса транзистора не более 4 5 г.
436
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f=320 МГц при Una—12,6 В,
ГК = +65’С:
2Т925А КТ925А.........................................2 Вт
KT92I Б...................................................5 Вт
2Т925Б....................................................7 Вт
КТ925Г . 15 Вт
2Т925В, КТ925В......................20 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте /=320 МГц;
Реых='2 Вт 2Т925А, КТ925Л, не менее....................6,3
типовое значение ................................... 7*
Р«ых=5 Вт КТ925Б, не менее...........................5
Р«ых=7 Вт 2Т925Б, не менее . . .............4
типовое значение................ ...................6*
Рвых~20 Вт 2Т925В, КТ925В, не менее..................3
типовое значение....................................3,2*
Р«ых= 5 Вт КТ925Г, не менее.......................2,5
Коэффициент полезного действия коллектора, типовое зна-
чение:
2Т925А, 2Т925Б.......................................63*%
2Т925В...............................................70’%
КТ925А, КТ925Б, КТ925В, КТ925Г, не менее . . . 55%
Статический коэффициент передачи т а в схеме ОЭ при
Un3=5 В /к=200 мА:
2Т925А, КТ925А, не менее...............................8*
типовое значение .................................... 20*
2Т925Б. не менее......................................10*
типовое значение .................................... 30*
2Т925В. КТ925В, не менее..............................17*
типовое значение................................ . , 80*
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте прн
1/кэ=Ю В, /‘=100 .МГц:
/к =0,6 А 2Т925А, не менее...............................6
типовое значение .................................... 14*
/к=0,8 А 2Т925Б, не менее............................6
типовое значение............................... . . 17*
/к = 1 А 2Т925В, ие менее................................5
типовое значение .................................... 10*
/к =0,6 А КГ925Х, не менее...........................5
/к=0.8 А КТ925Б. не менее................................5
1к = 1 А КТ925В, КТ925Г, не менее......................4,5
Критический ток коллектора на частоте /=100 МГц при
17кэ = 10 В, не менее:
2Т925А, К 925А............................ 08 Л
2Т925Б, КТ925Б............................ 1’д
2Т925В, КТ925В................................. .. 45А
КТ925Г .... .......................4 А
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
при 1ЛгБ=10 В, /=5 МГц:
/э=30 мА 2Т925А, КТ925А, не более........................20 пс
типовое значение....................................8* пс
/в=30 мА 2Т925Б. К1925Б, не более........................35 пс
типовое значение....................................22* пс
/з = Ю0 мА 2Т925В, КТ925В, КТ925Г, пе б iee . . 40 пс
типовое значение.......................... . . 15* пс
Емкость коллекторного перехода при 1/кВ=12,6 В, f=5 МГц:
2Т925А, КТ92эА, не бо ice...........................15 пФ
типовое значение....................................9,5* пФ
2Т925Б КТ925Б, не более............................30 пФ
типовое значение....................................16* пФ
437
Продолжение
2Т925В, КТ925В, КТ925Г, не более.....................60 нФ
типовое значение .... 44* пФ
Обратный ток коллектор — эмиттер при t/KS = 36 В, R.,r,=
= 100 Ом не бозее:
7’=+25<’С
2Т925А..................................................5 мА
КТ925А ................................................7 мА
2Т925Б................................................10 мА
КТ925Б 12 мА
2Т925В. КТ925В, КТ925Г . .... 30 мА
Г=+85°С:
КТ925Л...............................................14 мА
КТ925Б .......................................... . 24 мА
КТ925В, КТ925Г........................................60 мА
Г= +125 °C:
2Т925А..................................................10 мА
2Т925Б................................................20 мА
2Т925В................................................60 мА
Обратный ток эмиттера, не более:
7"=+25 °C:
67ев-4 В 2Т925А....................................2 мА
КТ925А . . 4 мА
UBE 4 В 2Т925Б . . ................ 5 мА
КТ925Б ... 8 мА
У8б=3 5 В 2Т925В...................................... 5 мА
КТ925В, КТ925Г ...........................10 мА
Т- +85 °C:
UBE=4 В КТ925А ... 8 мА
иэв—4 В КТ925Б .......................................16 мА
1Л>в=3,5 В КТ925В, КТ925Г.............................20 мА
Т= +125 °C:
UBB=4 В 2Т925А.........................................4 мА
6'sb=4 В 2Т925Б........................................Ю мА
6/вв=3,5 В 2Т925В......................................Ю мА
Индуктивность выводов;
2Т925А, КТ925А:
эмиттерного..........................................1,2* н Гн
коллекторного......................................2 4* и Гн
баз вого...........................................2 6* нГн
2Т925Б, КТ925Б:
эмиттерного..........................................1* нГп
коллекторного......................................2,4* и Гн
базового...........................................2 4* нГн
2Т925В, КТ925В, КТ925Г:
эмиттерного..........................................1* нГн
коллекторного.................................. ... 2,4* нГн
базового . . ...............................2 4* нГн
Емкости выводов относительно корпуса'
эмнттер — корпус . . .................1,84* пФ
коллектор — корпус............................. . . 1,53* пФ
база — корпус .................................. .... 0 96* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряженке коллектор — эмнттер при R3s^
«£ 100 Ом . ............. . . . . 36 В
Постоянное напряжение коллектор — база ... . 36 В
Постоянное напряжение эмиттер - база-
2Т925А КТ925А. 2Т925Б КТ925Б ........................4 В
2Т925В КТ925В КТ925Г . . . . . 35 В
438
Продолжение
Постоянный ток коллектора.
2Т925А, КТ925А..........................................( 5 А
2Т925Б, КТ925Б . .... Л
2Т925В КТ925В, КТ925Г 3,3 А
Импульсный ток коллектора прн косинусоидальной форме
импульса:
2Т925А, КТ925А....................................I А
2Т925Б, КТ925Б....................................ЗА
2Т925В, КТ925В, КТ925Г.............................8,5 А
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режиме
при 7\^ + 40°С.
2Т925А, КТ925А................................ . . 5 5 Вт
2Т925Б, КТ925Б................... 11 Вт
2Т925В, КТ925В, КТ925Г.............................25 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2Т925А, КТ925А........................................20°С/Вт
2Т925Б КТ925Б .............. ... 10°С/Вт
2Т925В КТ925В, КТ925Г.................... . . 4 4°С/Вт
Температура р-п перехода................................ . + 150°С
Температура корпуса:
2Т925А. 2Т925Б. 2Т925В....................................+125 °C
КТ925А КТ925Б КТ925В КТ925Г . . +85 °C
Температура окружающей среды-
2Т925А, 2Т925Б, 2Т925В....................................-60°С...Г« =
= + 125 °C
КТ925А, КТ925Б, КТ925В, КТ925Г........................-45 °C. ,Г« =
= +85 °C
• При Гк>+40=С Рк.макс. Bi-{t50-TK)/RTln_Ky
Чистота контактной поверхности теплоотвода должна быть не менее 1,6
Неплоскостность контактной поверхности теплоотвода должна быть не более
0,04 мм. Пайка выводов допускается пе ближе 3 мм от корпуса по методике, не
приводящей к нарушению конструкции н герметичности транзисторов, при тем-
пературе не выше +270 °C в течение не более 5 с.
2Т930 (А, Б], КТ930 (А, Б)
Транзисторы кремнне
вне эпитаксиально-планарные
структуры п р п генераторные
Предназначены для применения
в усилителях мощности, умно-
жителях частоты и автогене-
раторах на частотах 100...
400 МГц при напряжении пи
тання 28 В Выпускаются в
металлокерамическом корпусе
с полосковыми выводами
Внутри корпуса имеется согла-
сующее LC-звено Тип прибо-
ра указывается на корпусе.
Масса транзистора не бо-
лее 7 г.
439
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте /=400 МГц при Ukb~
=28 В, Тк 5^ + 40 “С, не менее:
2Т930А, КТ930А .......................
2Т930Б КТ930Б
Коэффициент усиления по мощности на частоте {=
= 400 МГц. нс менее:
Рвых = 40 Вт 2Т930Л..............................
еых = 75 Вт 2Т930Б..............................
Г>«ых=40 Вт КТ930А...............................
^еых~ 75 Вт КТ930Б ..............................
Коэффициент полезного действия коллектора на частоте
/=400 МГц
7>вы»=40 Вт 2Т930А, КТ930Л, нс менее . . . .
типовое значение ................................
Реых=75 Вт 2Т930Б, КТ930Б, не менее . . . .
типовое значение ................................
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Uks=5 В /к=0,5 А, типовое значение:
2Т930А. КТ930А...................................
2Т930Б, КТ930Б .................
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при ^=10 В. / = 300 МГц:
/к=2,5 А 2Т930А, КТ930А. не менее................
типовое значение ................................
/к = 5 А 2Т930Б, КТ930Б. не менее................
типовое значение ................................
Критический ток на частоте /—300 МГц при Ukb~5 В
типовое значение:
2Т930А. КТ930А ................
2Т930Б. КТ930Б...................................
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой ча-
стоте прн Uke 10 В, /а = 0 5 Л. / = 5 МГц, типовое зна-
чение:
2Т930А КТ930А....................................
2Т930Б, КТ930Б......................
Емкость коллекторного перехода при Бик—28 В, / =
= 30 МГц.
2Т930А, КТ930А, не более.........................
типовое значение ................................
2Т930Б, КТ930Б, нс более.........................
типовое значение ................................
Емкость эмнттерного перехода прн UBE—0, f=5 МГц. ти-
повое значение:
2Т930Л, КТ930А...................................
2Т930Б. КТ930Б . . ... .
Обратный ток коллектор — эмиттер при Бк» = 50 В, /?с« =
= 10 Ом, не более:
7=+25 °C:
2Т930А, КТ930А..................................
2Т930Б КТ930Б...................................
Т= +85 °C:
КТ93ОА .........................................
КТ930Б..........................................
7=+ 125 °C:
2Т930А..........................................
2Т930Б..........................................
Обратный ток эмиттера при Use 4 В, не более:
7=+25 °C:
2Т930А КТ930А...................................
40 Вт
75 Вт
6
4
5
3,5
50%
65*%
50%
58*%
40*
50*
1.5
3*
2
3.2*
8* А
20* А
8* пс
11* пс
80 пФ
62* пФ
170 пФ
130* пФ
800* пФ
2000* пФ
20 мА
100 мА
40 мА
200 мА
50 мА
200 мА
10 мА
440
Продолжение
2Т930Б. КТ930Б...............................20 мА
Т= + 85°С.
КТ930А.........................................20 мА
КТ930Б.......................................40 мА
7=+ 125 °C:
2Т930А.........................................20 м Л
2Т930Б.......................................40 мА
Индуктивность внутреннего £С-звеиа, типовое значение:
2Т930А, КТ930А..................................0.44* и Гн
2Т930Б. КТ930Б..................................0.26* и 1 и
Емкость внутреннего £С-звеиа, типовое значение:
2Т930А. КТ930А..................................... 450* пФ
2Т930Б, КТ930Б.................................. 650* пФ
Индуктивность выводов, типовое значение:
2Т930А, КТ930А:
эмнттерного прн 1=1 мм......................0,35* нГн
1=3 мм.....................0.54* нГн
коллекторного при 1=1 мм.....................1,6* нГн
1=3 мм.....................2,08* нГн
базового при 1=1 мм.....................1,57* нГн
1=3 мм ... . . 2.05* нГн
2Т930Б. КТ930Б
эмнттерного нри 1 1 мм.........................0.24* нГн
1=3 мм......................0,43* tiГн
коллекторного при 1 1 мм.....................1.6* н Гн
1 = 3 мм....................2.03* нГн
базового при 1=1 мм..........................1,43* нГн
1 — 3 мм....................1,84* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
С ЮО Ом ........... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер — база............... 4 В
Постоянный ток коллектора:
2Т930А, КТ930А .................................... 6 Л
2Т930Б, КТ930Б.....................................10 Л
Входная СВЧ мощность-
2Т930А, КТ930Л .................................... 7 Вт
2Т930Б КТ930Б ..................................... 18 5 Вт
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режиме
при Г«^ + 40°С:
2Т930А. КТ930А.....................................75 Вт
2Т930Б, КТ930Б..................................120 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2Т930А.............................................1,6 “С/Вт
КТ930А..........................................1,8ОС/Вт
2Т930Б..........................................1 °С/Вт
КТ930Б..........................................12 "С/Вт
Температура р-п перехода...........................+160 °C
Температура корпуса-
2Т930А, 2Т930Б..................................+125 °C
КТ930А. КТ930Б .................................
Температура окружающей среды: +85 °C
2Т930А. 2Т930Б . ......................-60°.. Тк~
= + 125 °C
КТ930А, КТ93СБ....................... . . . . -40“С.Гк =
= + 85 °C
При Тк> + 40сС РКгрмкс. Вт-(1б0-Г,)/Лг(п_ж?
441
Шероховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть не ме-
нее 1,6. Неплоскостность контактной поверхности теплоотвода должна быть не
более 0,04 мм. Тепловое сопротивление корпус—теплоотвод при нанесении теп
лопроводящей смазки типа КПТ-18 на поверхность теплоотвода транзистора
0,3°С/Вт.
Пайка выводов допускается не ближе 1 м.м от корпуса по методике, нс
приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзистора, при тем-
пературе не выше +270 °C в течение не более 3 с.
ZT930(A 61. КТЭЗО(А.б)
Таблица 51
Параметры 2Т93ЭА 2Т930В
ini, нГн 1,57 1,42
7.62, нГн 0,44 0,26
L,. нГи 0,35 0,24
1к, п Гн 1,6 1,6
С, пФ 450 650
2Т934 (А, Б, В), КТ934 (А, Б, В, Г, Д|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры прп гене-
раторные Предназначены для применения в усилителях мощности, умножите-
лях частоты и автогенераторах на частотах 100 400 МГц при напряжении
питания 28 В Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми вы-
водами и монтажным винтом. Тип прибора укапывается на корпусе.
Масса транзистора нс более 4,5 г.
442
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте [=400 МГц при /До=28 В,
Г* sg+40 °C, не менее:
2Т934А, КТ934А..........................................3 Вт
КТ934Г..................................................10 Вт
2Т934Б, КТ934Б.........................................12 Вт
КТ934Д................................. . . 20 Вт
2Т934В. КТ934В....................................... . 25 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте [=400 МГц:
Р«ых=3 Вт 2Т934А, КТ934А, не менее..............6
типовое значение .................................... 9*
Рвы1=10 Вт 2Т934Б, КТ934Б, не менее................4
типовое значение.........................................5,5*
Р«ых=25 Вт 2Т934В, КТ934В, не менее................3
типовое значение .................................... 4*
Р вых~ 10 Вт КТ934Г, не менее........................3,3
Р.«х=20 Вт КТ934Д, не менее..........................2,4
Коэффициент полезного действия коллектора на частоте [=
=400 МГц, не менее............................ . . 50%
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
иНэ-5 В. /к =100 мА для 2Т934А, KT9J4A /к- 150 мА для
2Т934Б, КТ934Б, /к=250 мА для 2Т934В, КТ934В, типовое
значение . . ....................................50*
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, типовое зна-
чение:
при 1К= ЮО мА, /б=20 мА 2Т934А..............0,2* В
при /к=150 мА, /е=30 мА 2Т934Б................0,16* В
при /к=250 мА, 1б=50 мА 2Т934В . . . 0,12* В
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при
UI(B= 10 В. /=100 МГц.
/к=0,15 A 2Т934А KT934A; h =0,6 А 2Т934Б, КТ934Б
/к=1,2 А 2Т934В, КТ934В, не менее......................5
типовое значение .... ... 9*
/к=0,6 А КТ934Г; /к = 1.2 А КТ934Д, не менее ... 4,5
типовое значение . . ....................8*
Критический ток на частоте /=100 МГц прн Ukb = 10 В-
2Т934А, КТ934А, не менее................................ 230 мА
типовое значение......................................... 320* мА
2Т934Б. КТ934Б, пе менее.............................1 А
типовое значение . . ... . 1,5* А
2Т934В, КТ934В, не менее.............................2 А
типовое значение.....................................3,2* Л
КТ934Г, не менее ... . ..............0,9 А
типовое значение . . ..............14* А
К1934Д, не менее . ................ . 1,8 А
типовое значение.....................................2,5* А
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
прн иКв=20 В. /=5 МГц:
/к=0,1 А 2Т934А. КТ934А, /,<=0,15 А 2Т934Б, КТ934Б.
/к = 0,2 А 2Т934В, КТ934В, не более..................20 пс
типовое значение.....................................5* пс
/к=0,15 А КТ934Г, /к=0,2 А КТ934Д, не более . . 25 пс
типовое значение............................ . . . 5* пс
Емкость коллекторного перехода при /7кБ=28 В, /=5 МГц,
не более:
2Т934А, КТ934А . . . . . 9 пФ
2Т934Б, КТ934Б, КТ934Г............................... . 16 пФ
2Т934В, КТ934В, КТ934Д...............................32 пФ
443
Емкость эмиттерного перехода при 17яв=0, f=5 МГц. не Продолжение
2Т934А, КТ934А 60 пФ
2Т934Б, КТ934Б, КТ934Г 160 пФ
2Т934В, КТ934В, КТ934Д 300 пФ
Обратный ток коллектор — эмиттер при UKS=60 В, Re»=
= 10 Ом, не более 7=+25 °C:
2Т934А 5 мА
КТ934А 7,5 мА
2Т934Б . 10 мА
КТ934Б, КТ934Г . . . 15 мА
21934В 20 мА
КТ934В, КТ934Д 30 мЛ
7=+85 °C:
КТ934А 15 мА
КТ934Б. КТ934Г 30 мА
КТ934В, К1934Д 60 мА
7=+ 125 °C:
2Т934Л 10 мА
2Т934Б .... 30 мА
2Т931В 40 мА
Обратный ток эмиттера прн Г/эс-=0, не более: 7=+25 °C
2Т934А, 2Т934Б. 2Т934В 5 мА
КТ934А, КТ934Б. КТ934Г 7,5 мА
КТ934В. КТ934Д . . 8 мА
7=+85 °C:
КТ934Л, КТ934Б, КТ934Г 7.5 мА
КТ934В, КТ934Д . . 8 мА
7=+ 125 °C 2Т934А, 2Т934Б, 2Т934Г . . 10 мА
Индуктивность выводов типовое значение: 2Т934А, КТ934А:
эмиттерного . . 1.3* нГн
коллекторного 2.5* нГн
базового 3.1* нГи
2Т934Б, КТ934Б, КТ934Г.
эмиттерного 1,2* нГн
коллекторного 2.5* нГн
базового 3.1* нГн
2Т934В. КТ934В, КТ934Д-
эмиттерного 1* нГн
коллекторного 2.5* нГн
базового Межэлектродные емкости корпуса, типовое значение' 2,8* нГн
эмиттер — корпус 1,84* пФ
коллектор — корпус . . . 1,53* пФ
база корпус 0,96* нФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при
<10 Ом............................................. 60 В
Постоянное напряжение эмиттер — база..................4 В
Постоянный ток коллектора
2Т934А, КТ934А 05А
2Т934Б КТ934Б, КГ934Г............................1 А
2Т934В RT934B, КТ934Д............................2 А
1 При Тк-Тк мик икэк,.м,зкс“50 В.
444
П родолжение
КСВН коллекторной цепи при 7к^40 С:
Р.Ых=3 Вт 2Т934А, КТ934А................................10
Р«„х=6 Вт 2Т934Б, КТ934Б.............................10
Р.ых=12 Вт 2Т934В, КТ934В............................10
Средняя рассеиваемая мощность 1 в динамическом режиме при
Тк< + 25 °C:
2Т934А, КТ934А....................................7,5 Вт
2Т934Б. КТ934Б, КТ934Г.............................15 Вт
2Т934В, КТ934В, КТ934Д.............................30 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2Т934А, КТ934А ..............................17,5 "С/Вт
2Т934Б, КТ934Б, КТ934Г ...... . . 8 8СС/Вт
2Т934В, КТ934В, КТ934Д...............................4,4 сС/Вт
Температура р-п перехода.................................+ 160 °C
Температура корпуса:
2Т934А, 2Т934Б, 2Т934В...................................+125 °C
КТ934А, КТ934Б, КТ934В, КТ934Г, КТ934Д .... +85 °C
Температура окружающей среды:
2Т934А, 2Т934Б, 2Т934В...................................-60°С ..7'« =
= +125 °C
КТ934А, КТ934Б. КТ934В, КТ934Г, КТ934Д .... -40°С...7к =
= + 85сС
При Т,,>+25’С ^к1Ср,.ма»;с- Вт 060 7Я)//?Т(П_К).
Шероховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть не ме-
нее 2,5. Пенлоскостность контактной поверхности теплоотвода должна быть не
более 0,04 мм. Для уменьшения контактного теплового сопротивления между
корпусом и теплоотводом следует применять теплоотводящие смазки.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм от корпуса по
методике, не приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзисто-
ра, при температуре не выше +270°C
Допускается пайка выводов не ближе 1 мм от корпуса по методике, не
приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзистора, припоем
ПОС-61, ПОССу61-0,5 в течение не более 3.4 с. при температуре не выше
+220 °C с теплоотводом между корпусом и местом пайки. Корпус прибора не-
обходимо защищать от попадания на него брызг флюса и припоя
2Т937 (А-2, Б-2], КТ937 (А-2, Б-2]
Транзисторы кремниевые эпитакснально-планаркые структуры п р п. Пред-
назначены для применения в схеме с общей базой в усилителях и генераторах
в диапазоне частот 0,9.5 ГГц в составе гибридных и интегра зьных микросхем,
обеспечивающих герметизацию. Бескорпуспые с гибкими выводами на кристал-
лодержателе Транзисторы маркируются: 2Т937А-2 — зеленой точкой и буквой
«А», 2Т937Б-2 — белой точкой и буквой «Б», КТ937А-2 — двумя зелеными
точками и буквой «А>, КТ937Б-2 — двумя белыми точками и буквой «Б». Тип
прибора указывается в этикетке
Масса транзистора не более 2 г.
445
2ТЭ31[А-2 6 2) КТ937/А2 6 2)
Электрические параметры
Выходная мощность при /Л<в=21 В, f 5 ГГц
/к<220 мА, Р«х=1 Вт.
2Т937А-2.........................................1,6*...2*...2,5* Вт
медианное значение, не менее .... 2 Вт
КТ937А 2, не менее..................... 1 6 Вт
типовое значение....................... 2* Вт
/к <450 мА, Рвх=2 Вт:
2Т937Б-2.....................................3,6*...4,2*...4,7* Вт
медианное значение, не менее . . 4 Вт
КТ937Б-2, не менее............................3,2 Вт
типовое значение ... 3,8* Вт
Коэффициент усиления по мощности при (7кв = 21 В,
f=5 I Гц:
/к <200 мА, PeJ = l Вт:
2Т937А 2........................................1.6*. .2 2,5*
медианное значение, не менее ... 2
/,,<450 мА, Р„ = 2 Вт:
2Т937Б2......................................1,8*...2,1*...2.35*
медианное значение, не менее . 2
Коэффициент полезного действия коллектора при
/7кв 21 В, f=5 ГГц
/к <220 мА, Рвх — 1 Вт:
2Т937А-2 . . ...................... 35*. .43*...53*%
медианное значение, не менее .... 35%
КТ937Л-2. типовое зна lentie..................35*%
/в <450 мА, Р„=2 Вт
2Т937Б 2 .................................. 39* 44* .49*%
2Т937Б-2, медианное значение, не менее . . 38%
КГ937Б-2, типовое значение . ... 38*%
Граничная частота коэффициента передачи тока при
1/кв = 5 В
/.9=0,15 А 2Т937Л-2. КТ937А 2 . . . . 6,5* ГГц
/а=0,3 Л 2Т937Б-2, КТ937Б 2 . ... 6,5* I Гц
Фа :а коэффициента передачи тока при U кб 5 В
f I ГГц
/а=150 мА:
2Т937Л 2 ............................. 0,134* 0,148* .0,297 рад
446
Продолжение
КТ937А 2, ие более........................... 0,279 рад
1а=300 мА:
2Т937Б-2 . ...................... 0,134*...0,157*...0,279 рад
КТ937Б-2, не более........................... 0,297 рад
Постоянная времени цепи обратной связи на высо-
кой частоте при Ukb= 10 В, [—100 МГц, типовое
значение:
/s=50 мА 2Т937А-2, КТ937А-2....................0,78* пс
/э=80 мА 2Т937Б-2. КТ937Б-2 . . . . 0.6* пс
Обратный ток коллектора при /7 кб=25 В, не более:
7=-60 и +25°C 2Т937А-2.............................2 мА
7=+125 °C 2Т937А-2 ... . . . 20 мА
Т= +25 °C КТ937А-2 .....................2 мА
7=-60 и +25°C 2Т937Б-2.........................5 мА
7=+ 125 °C 2Т937Б-2............................30 мЛ
7=+25° С КТ937Б 2 . 5 мА
Обратный ток эмиттера при 1/вв=2,5 В, не более:
2Т937А-2...........................................0.2 мА
КТ937А-2.......................................0,2 мА
2Т937Б-2.......................................0,5 мА
КТ937Б-2.......................................0,5 мА
Критический ток прн /7кб = 5 В, f=l ГГц:
2Т937А-2, КТ937А-2, КТ937Б-2 .... 200...400*...550* мА
2Т937Б-2 .............. 4ОО...8ОО*...95О* мА
Модуль коэффициента обратной передачи напряже-
ния в схеме ОБ1 при (7кб=10 В, [=100 МГц:
/к=50 мА:
2Т937А-2 ................................. 0,84-10-’* 0.98-10-’*...
2,1-Ю-з
КТ937А-2, не более...........................2,1-10-’
/к -80 мА:
2Т937Б-2 . ......................... 0.58-10-’*...0,75-10-’* .
2-IO-’
КТ937Б-2, не более...........................2-Ю-’
Сопротивление базы, типовое значение:
2Т937А-2, КТ937А-2.................................I* Ом
2Т937Б-2, КТ937Б-2.............................0,5* Ом
Сопротивление эмиттера, типовое значение:
2Т937А-2, КТ937А-2.................................0.5* Ом
2Т937Б-2, КТ937Б 2.............................0,3* Ом
Пос. едовательное сопротивление коллектора, типо-
вое значение:
2Т937А 2, КТ937А 2.............................1* Ом
2Т937Б 2. КТ937Б-2.............................0,5* Ом
Входное полное сопротивление при [ 4 ГГц, Ukb=
=21 В, Р«х=0,4 Вт, /’«NJt=-3,6 Вт, »1„ =40%, Rj6=0,
типовое значение...................................0.5+/-15* С1м
Полное сопротивтение нагрузки, типовое значение 3+/-1* Ом
Емкость коллекторного перехода при Uits=20 В-
2Т937А-2.......................................2,2*.. 3* ..5,5 пФ
КТ937А-2, не более...........................5,5 нФ
КТ937А-2, типовое значение.....................3* пФ
2Т937Б-2 . . . ..................4,2*. 4,5*...7,5 пФ
КТ937Б-2, не более...........................7,5 пФ
1 Модуль коэффициента обратной передачи напряжения в схеме ОБ |S126[ — отио-
шение напряжения отраженной волны иа входе транзистора к напряжению ладающсЗ
волны на выходе транзистора, включенного в согласованный СВЧ тракт,—связан с по-
стоянной времени цепи обратной связи соотношением xw|S|2C|/4n/, где f — частота, на
которой измеряют |S[26J
447
П родолжение
КТ937Б-2, типовое значение..................4,5* * пФ
Активна» емкость коллектора прн Uke-2G В типо-
вое значение:
2Т937В 2, КТ937А-2..........................0,3* пФ
2Т937Б 2 КТ937Б 2 . ... 0.6* пФ
Суммарная активная и пассивная емкость коллек-
тора при 1/«б=20 В. типовое значение:
2Т937А 2 КТ937Л-2..........................1,35* пФ
2Т937Б2, КТ937Б-2..........................2.7* пФ
Емкость коллектор — эмиттер, типовое значение:
2Т937А-2, КТ937А-2 ....................0.35* нФ
2Т937Б-2. КТ937Б 2 . .................0,7* пФ
Емкость эмнттерного перехода при 1/8ь=0-
2Т937А-2 ........................... 7,5*...8 5* 25 пФ
КТ937А 2, не более..........................25 пФ
2Т937Б 2....................................22.5*.„27*. .50 пФ
КТ937Б 2, не более......................... . 50 пФ
Емкость коллекторного вывода на основание держа-
теля, типовое значение .... . 1,6* пФ
Емкость эмнттерного вывода па основание держа-
теля, типовое значение..........................2* нФ
Индуктивность вывода эмиттера внутренняя, ти-
повое значение:
2Т937А 2, КГ937А 2..........................0.9* и Гн
2Т937Б2, КТ937Б 2 . . .............0,8* нГн
Индуктивность вывода базы внутренняя, типовое
значение:
2Т937А-2, КТ937А-2..........................0.35* нГн
2Т937Б 2, КТ937Б-2 . .............0,25* нГн
Примечание При измерении Рвы*, Ку р, i)K ток коллектора устапаваи-
вается равным оптимальному (с точки зрения получения максимальной отда-
ваемой мощности), но нс более 220 мА для 2Т937А 2, КТ937А 2 и 450 мА для
2Т937Б-2, КТ937Б-2
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . . . 25 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . . . 2,5 В
Постоянный ток коллектора
2Т937А-2, КТ937А 2 . . 250 мА
2Т937Б 2 КТ937Б 2 . . ... 450 мА
Средняя рассеиваемая мощность коллектора 1 в ди
памическом режиме при 7^+25 °C:
2Т937А-2, КТ937А-2............................3.6 Вт
2Т937Б-2, КТ937Б-2............................7,4 Вт
Постоянная рассеиваемая мощность2:
прн 1/кб^6.5 В и 7». ^+80 °C для 2Т937А-2,
КТ937А 2 . 1,44 Вт
при 17бб^5 В и 7к^+80',С для 2Т937Б-2,
КТ937Б 2 .... ... 2,25 Вт
1 При 7к — +25 Ч-125“С мощность снижается по формуле
^к.ср* ^я.ср .ча»с“ (Гк
где RTin к) - тепловое сопротивление переход — корпус, Лг(п_ж)—31,5 °С/Вт для 2Т937А 2.
КТ937А2 КПп к) = 17оС/Вт для 2Т987Б 2, КТ937Б 2.
* При “ Ч-80...Ч-125 X мощность снижается по формуле
где /?, -45 С/Вг для 2Т937А 2, КТ937Л 2, /?2 -22,2 °С/Вт для 2Т937Б-2. КТ937Б 2.
448
Предо жжение
Минимальная рабочая частота для 2Т937А-2,
2Т937Б-2 . . ..........................
Температура р-п перехода.......................
Температура окружающей среды:
2Т937А-2, 2Т937Б-2.............................
КТ937А-2, КТ937Б-2.........................
0,9 ГГц
+ 150 °C
-60 °С...7’К = + 125’С
-60 °С...7„ = + 100 °C
Минимальное расстояние места пайки пыводов транзисторов от кристалло-
держателя 3 мм, температура пайки не выше +2бО°С Допускается пайка вы-
водов па расстоянии I...3 мм от крнсталлодержателя; нрн этом температура
пайки пе должна превышать +150 °C, время панки пе более 3 с.
Не рекомендуется применение транзисторов в динамическом режиме при
напряжениях питания выше 14 В для 2Т937А-2, КТ937А-2 и 15 В для 2Т937Б-2,
КТ937Б-2 в диапазоне частот 0,9...1,4 ГГц; 18 В для всех типов транзисторов
па частотах 1.4...2.5 ГГц; 21 В для всех типов транзисторов па частотах свыше
2,5 ГГц.
Допускается использование транзисторов в статическом режиме прн Ukb^
10 В,'/к<50 мА.
2Т938А-2, КТ938Б-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях
частоты и автогенераторах на частотах до 5 ГГц в схеме с общей базой при
напряжении питания до 20 В в герметизированной аппаратуре. Выпускаются
на металлокерамическом держателе с гибкими полосковыми выводами. Тип
прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,15 г.
2Т938А-2, Ш38Б-2
Электрические параметры
мощность на частоте f=5 ГГц при Une=20 В,
Выходная
не менее
Коэффициент усиления по мощности па частоте f=5 ГГц
при Ukb~20 В, РвЫх=1 Вт, не менее...................
типовое значение ...............................
Коэффициент полезного действия коллектора на частоте
f=*5 ГГц при иКв=20 В, Р,Ых=1 Вт, не менее
типовое значение ...................................
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ прн Ukb—З В, /к=0,15 А, пе менее . . . .
1 Вт
2
3*
26%
33*%
2 ГГц
29 Заказ Л» 1004
449
Продолжение
Критический ток на частоте /=300 МГц при СкЕ=3 В,
не менее...............................................0 18 А
типовое значение...................................0,27* А
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой ча»
стоте при (7кг=10 В, /а=50 мА, /=100 МГц, не более 2 пс
типовое значение.................................... 0,6* пс
Емкость коллекторного перехода при 1Л,-Б=20 В, /=
= 10 МГц, не более .... . . 4 Ф
типовое значение............................. .... 2,6* нФ
Емкость эмиттерного перехода при 17вЕ=2,5 В, /= 10 МГц,
не более.......................................... .... 12 пФ
типовое значение ... .... 7 5* пФ
Обратный ток коллектора при 17кС=28 В, не бозее'
7=+25 °C .... . .... 1 мА
7=+125 °C 2Т938А-2.................................10 мА
Обратный ток эмиттера прн 1/ЭБ=2,5 В, пе более:
7=+25 °C.......................................... .... 0,1 мА
7=+ 125°C 2Т938А2 ....
Сопротивление базы, типовое значение .................
Сопротивление коллектора типовое значение ....
Сопротивление эмиттера, типовое значение ....
Индуктивность вывода базы внутренняя, типовое значение
Индуктивность вывода эмиттера внутренняя, типовое
значение . ... . .
Индуктивность вывода коллектора внутренняя, типовое
значение .............................................
Емкость вывода эмиттера относительно базы, типовое зна-
чение ................................................
Емкость вывода коллектора относительно базы, типовое
значение .............................................
Активная емкость коллектора при £/кв=20 В, типовое
значение .............................................
Суммарная активная и пассивная емкость коллектора при
Uкв=20 В, типовое значение............................
Емкость коллектор — эмиттер, типовое значение
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база ....
Постоянное напряжение эмиттер — база..................
Постоянный ток коллектора.............................
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режиме
при 7Я^+25°С ....
Постоянная рассеиваемая мощность1 при 17кв=Ю В.
7„<+30°С..............................................
Тепловое сопротивление переход — корпус ....
Тепловое сопротивление переход — корпус в динамическом
режиме................................................
Температура р-п перехода . . . ...
Температура корпуса:
2Т938А-2..........................................
КТ938Б-2 .... ....................
Температура окружающей среды:
2Т938А-2 ... ........................
КТ938Б 2..........................................
1,5* Ом
1* Ом
0,25* См
0,17* нГн
0,3* и Гн
0,5* иГн
0,35* пФ
0,5* пФ
0 3* нФ
1,2* пФ
0,5* пФ
28 В
2,5 В
0,18 А
2,5 Вт
1,5 Вт
80 °С/Вт
50 °С/Вт
+ 150 °C
+ 125 °C
+ 100 °C
-60 °С...7„=
= + 125 °C
-60°С...7я=
= + 100°
Прн ГК>+25’С Рк,хакс, Вт-(150-Тк)//?г(п_я).
Держатель транзистора припаивается к теплоотводу при 7„<;+200°С за
время не более 3 с.
450
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм от держателя при
УС +150 °C; допускается пайка выводов на расстоянии 1 мм при условии
жесткой фиксации основания вывода относительно держателя.
Зависимость выходной Зависимость выходной Зависимость граничной
мощности от входной мощности от папряже частоты от тока коллек-
мощностн ния коллектор— база тора
Зависимость критнческо- Зависимость постоянной Зависимость емкости
го тока от напряжения времени цепи обратной коллекторного перехода
коллектор — база связи от тока эмштера от напряжения коллек-
тор — база
2Т939А, КТ939 (А, Б)
Транзисторы крем-
ниевые эпнтаксиально-
планарные структуры
п-р-п усилительные.
Предназначены для при-
менения в усилителях
класса А с повышенны-
ми требованиями к ли-
нейности. Выпускаются
в металлокерамическом
корпусе с гибкими по-
лосковыми выводами
Тип прибора указывает-
ся в этикетке.
Масса транзистора
не более 2 г.
2Т939А, КТ939(А,Б)
29*
451
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:
при £7кб=12 В, /к=200 мА:
2Т939А, КТ939А...........................
типовое значение .... ...
КТ939Б...................................
типовое значение . . ...
прн Ukb=5 В, /к=50 мА для 2Т939А
Неравномерность коэффициента передачи тока в ре-
жиме малого сигнала прн 1/к8= 12 В, /к=40. 400 мА
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ:
прн UttB= 12 В, /к = 200 мА:
2Т939А, КТ939А...........................
КТ939Б...................................
при Ukb= 15 В, /к=50 мА для 2Т939А, КТ939А,
не менее ......................................
Граничное напряжение при /8 = 30 мА
Постоянная времени цепи обратной связи на высо-
кой частоте при 1/и=10 В, /s=50 мА, f=30 МГц:
2Г939А. КТ939А . ..........................
КТ939Б........................
Емкость коллекторного перехода при Г/кв=12 В:
2Т939А, КТ939А.............................
КТ939Б .... . . .
Емкость эмиттерного перехода при 77вв=О
Обратный ток коллектора при 77кб=30 В, не более:
Г=+25°С....................................
Г~ + 125°С . . ................
Обратный ток коллектор — эмиттер при 1/К8 = 30 В,
ие более ..............................
Обратный ток эмиттера при Ubb—3,5 В, не более:
Г=—60...+25 °C.............................
7=+ 125 °C.................................
40...200
113*
20...200
113*
35*...200*
1,04*..1,25*...1,5
2500...3060*...3300* МГц
1500...2060*...2300* МГц
2000 МГц
18...28*...34* В
4* .4,6*...9 пс
4*. ,4,6*...1О пс
3,5*...3,9*...5,5 пФ
3,5*.. 3,9*...6 пФ
15*...17,5*...23 пФ
2 мА
2,5 мА
2 мА
1 мА
5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
при ГК>+25°С..................................30 В
при 7 =-60 °C..............................25 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
Леа- 10 Ом- 30 В
при 7\ 5s+ 25 °C...........................25 В
при 7=-60 °................................3,5 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . . . 400 мА
Постоянный ток коллектора
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 4 Вт
при 7К = - 60...+25 °C ....................0,8 Вт
при 7х = + 125°С дтя 2Т939А................1,6 Вт
при 7«= +100°C для КГ939А, КТ939Б . . +150’С
Температура р-п перехода.......................
Температура окружающей среды: —60°С...Гк = + 125°С
2Т939А ..................................- 60 °С...Т„ = + 100 °C
КТ939А, КТ939Б.............................
Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса транзистора.
Разрешается обрезать выводы на расстоянии 3 мм от корпуса. Оба эмит-
терных вывода должны быть симметрично соединены в электрической схеме
Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса транзистора при
условии, что температура корпуса в любой точке не будет превышать +150 °C.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
452
Зависимость статического коэффици-
ента передачи тока от тока коллек-
тора
Зависимость граничной частоты от
тока коллектора
Зависимость емкости коллекторного
перехода от напряжения коллек-
тор — база
Область максимальных режимов
2Т942 (А, Б), КТ942В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п гене-
раторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножите-
лях частоты и автогенераторах иа частотах 0.7...2 ГГц в схеме с общей базой
при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе
с полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе: дли 2Т942А —
буква «Л», для 2Т942Б — буква «Б», для КТ942В — буква «В» и красная точка.
Масса транзистора не более 2 г.
Z13bZ(t.6) кГЗЬ2в
453
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте [=2 ГГц при 1/«в=28 В:
2Т942А, КТ942В, пе менее........................8 Вт
типовое значение.................................9 Вт
2Т942Б, не менее.................................6 Вт
типовое значение . ................. . 7 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте f=2 ГГц
при Uкб=28 В, Р,ы.<=9 Вт для 2Т942А, КТ942В и РеЫх=
= 7 Вт для 2Т942Б не менее .... . . 2,5
Коэффициент полезного действия коллектора на частоте
f—2 ГГц при 1/кв=28 В, пе менее
Р„х=4 Вт 2Т942А. КТ942В..........................30%
Р„х=3 Вт 2Т912Б..................................25%
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
прн 1Л<в=10 В, /в = 1,2 А, /=300 МГц, не менее . 6,5
Критический ток на частоте f—300 МГц при 17кв = Ю В:
2Т942А, не менее ... .............1,6 А
типовое значение.................................2J* А
2Т942Б, КТ942В, не менее . . ... • 1 'б А
типовое значение ... . 2,5* А
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой ча-
стоте при £7кв=Ю В /э = 150 мА, [=30 МГц не более:
2Т942Л...........................................2,2 пс
2Т942Б.................... . • • • 2,5 пс
КТ942В...........................................3 пс
Емкость коллекторного перехода при Ukb—28 В, [=
= 10 МГц:
2Т942А, не более................................20 пФ
типовое значение................................16 5* Ф
2Т942Б не более................................ • 2( пФ
типовое значение................................16 5* пФ
КТ942В, не более...............................25 пФ
типовое значение . . . 16 5* пФ
Емкость эмиттерного перехода прн Ube=0, типовое зна-
чение ................................. • • НО* пФ
Емкость перехода коллектор — эмиттер, типовое значение 2,5* пФ
Входное полное сопротивление при Ukb=28 В Р„=3 Вт,
типовое значение:
2Т942А на частоте f=l,5 ГГц......................0 7+/-7* Ом
на частоте [=1,7 ГГц ... . о’в + /-9* Ом
Полное сопротивление нагрузки при 1/кв=28 В, Р,х=3 Вт,
типовое значение:
2Т942А на частоте [=1,5 ГГц......................з_у 4* дм
на частоте [=1,7 ГГц . . . • 2,5 6* Ом
Обратный ток коллектора при 1/КБ=45 В не более:
7=+25 °C...................................... . 20 мА
Т= +125 °C ...... . • • 100 мА
Обратный ток эмиттера при 1/вв=3,5 В, не более:
7=+25 °C.............................................10 мА
7= + 125 °C.................................. ... 50 мд
Температурный коэффициент критического тока, типовое
значение............................................ 0 003* °C-'
Температурный коэффициент граничной частоты, типовое
значение............................................ 0,0006* °C-1
Температурный коэффициент сопротивления базы, типовое
значение ... ............................. 0,0003* °С_|
Сопротивление эмиттера, типовое значение . ... 0,1* Ом
Сопротивление базы, типовое значение................0,25* Ом
Последовательное сопротивление коллектора, типовое зна-
чение ..............................................0,25* Ом
554
Индуктивность базы внутренняя, типовое значение . .
Индуктивность эмиттера внутренняя, типовое значение
Индуктивность коллектора внутренняя, типовое значение
Активная емкость коллекторного перехода при 1/КБ=28 В,
типовое значение .....................................
Емкость перехода эмиттер — база, типовое значение .
Емкость перехода коллектор — база, типовое значение
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
при /х^+25°С.........................................
ИрИ Тк=Тк,мин
Постоянное напряжение эмнттер — база.................
Постоянный ток коллектора . ... .
Импульсный ток коллектора нрн /и<10 мкс, 100
Постоянный ток базы ... . . . .
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режи-
ме при 7К< + 25°С:
2Т942А, КТ942В....................................
2Т942Б ........................................
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2Т942А, КТ942В .... .............
2Т942Б ................. ......................
Температура р-п перехода ... ................
Температура корпуса:
2Т942А, 2Т942Б....................................
КТ942В ... ..........................
Температура окружающей среды:
2Т942Л, 2Т942Б . . .......................
Продолжение
0,14* нГн
0,8* нГн
1,5* нГн
2* пФ
2,7* пФ
2* пФ
45 В
40 В
3,5 В
1,5 А
3 А
0,5 А
2о Вт
22 Вт
7 °С/Вт
8°С/Вт
+ 200 °C
+ 125 °C
+ 100 СС
-60 'С...7„ =
= + 125 °C
- 45 СС. ,7К =
= +100 С
КТ942В ..............................
При ТК>+25*С Р,(-Макс. BT-(200-rK)/RT(n_K).
Допускается работа транзистора в импульсных режимах класса А при
/и <10 мкс, и в непрерывных режимах прн {7кл<7 В н Рк<4,9 Вт (Тк^
<+25 °C).
Пайка выводов транзисторов допускается иа расстоянии более 3 мм от кор-
пуса при температуре + 260°С и 1 мм от корпуса при температуре +125 “С и
времени пайки не более 3 с.
Зависимости выходной мощности и
коэффициента полезного действия от
входной мощности
Зависимости выходной мощности и
коэффициента полезного действия от
входной мощности
455
Зависимости выходной мощности и
коэффициента полезного действия
от частоты
Зависимости выходной мощности, Вт,
от часто|ы
Зависимости модуля коэффициента
передачи тока от тока эмиттера
Зависимости постоянной времени
цепи обратной связи от тока кол-
лектора
Зависимость емкости коллекторного
перехода от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость емкости эмиггерного
перехода от напряжения эмиттер —
база
456
iTStfit.M. ктзьгв
Эквивалентная схема замещения транзисторов 2Т942 (А, Б), KI942B в актив*
ном режиме
2Т946А, КТ946А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п гене-
раторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножите-
лях частоты н авто|енераторах на частотах 0,4... 1,5 ГГц в схеме с общей ба-
зой питания при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамиче-
ском корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f=l ГГц при Ukb=
=28 В, не менее .... - ... 27 Вт
типовое значение.....................................30* Вт
457
П родолжение
Коэффициент усиления по мощности на частоте / = 1 ГГц
при Ukb—28 В, Рвых—27 Вт, не менее......................4
типовое значение ................................. 7*
Коэффициент полезного действия па частоте f=l ГГц при
1/кв=28 В, />вых=27 Вт, ие менее . 50%
Модуль коэффициента передачи тока па высокой частоте
при 17кв=Ю В, /к—4 А, /=300 МГц, не менее . . . 2,4
типовое значение......................... . 3*
Критический ток на частоте /=300 МГц при Г/КБ=10 В,
не менее . . .............................. 6 А
типовое значение ................................. 8* А
Модуль коэффициента обратной передачи напряжения на
высокой частоте при (7Кв=10 В, /к=0,1 А, /=100 МГц,
не менее.............................................2 10~3
типовое значение ............................ .... 410~3*
Емкость коллекторного перехода при (7кв=Ю В / —
= 10 МГц, не более.............................. . 50 пФ
Емкость эмиттерного перехода при UBb—0, f—З МГц, не
более................................................ 280 пФ
типовое значение................................ 260* пФ
Входное полное сопротивление на частоте /= 1 ГГц прн
Г«Мх=30 Вт, типовое значение........................0,45+/-3,5* Ом
Полное сопротивление нагрузки иа частоте /=1 ГГц при
Рвых=30 Вт, типовое значение........................4,9—/-7,1* Ом
Обратный ток коллектора при Ukb — 50 В, не более
7"=+25 °C...............................................50 мА
Т-+125°С............................................100 мА
Обратный ток эмиттера при 1/аь=3,5 В, ие более:
7 = +25 °C...............................................10 мА
Т= + 125 °C .... . 100 мА
Индуктивность выводов внутренняя, типовое значение
эмиттерного . . .............0,3* нГн
коллекторного . . .................0,35* нГи
базового ... .... 0,06* нГи
Емкость эмиттер — корпус, типовое значение .... 4,5* пФ
Емкость коллектор — корпус, типовое значение . . 4* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база *.
прн Гк = +25°С.......................................50 В
при 7’к = -60 °C..................................45 В
Постоянное напряжение эмиттер — база.................3,5 В
Постоянный ток коллектора ...........................2,5 А
Импульсный ток коллектора при /и^10 мкс, Q^20 . 5 А
Постоянный ток базы..................................1 А
Средняя рассеиваемая мощность2 в динамическом режи-
ме при 7х =5^+25 °C............................... 37,5 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус . . 4 °С/Вт
Температура рп перехода .............................+175 °C
Температура корпуса:
2Т946А............................................ +125 °C
КТ946А . . +85 °C
Температура окружающей среды:
2Т946А...............................................-60°С...Тк=
- + 125°С
КТ946А . . . ....................-45 °C. Тк
= 4 85 °C
1 В диапазоне температур Т—+25...—60 °C напряжение снижается линейно.
’ Прн 7„>+2б°С Рк,ср,макс. Вт-(175-7,)/4
458
При работе в импульсном режиме при /»^20 мкс и Q^IO напряжение
источника питания должно быть не более 40 В В статическом режиме при
напряжении источника питания 28 В ток коллектора не должен превышать
30 мА.
Под фтанец корпуса рекомендуется помещать прокладку из свинца или
сплава индий—олово толщиной 50... 100 мкм
Допускается обрезка и пайка выводов на расстоянии 1 мм от корпуса тран-
зистора при температуре не более +150 °C п времени не более 3 с. Усилие при
этом не должно передаваться иа корпус. Изгиб и пайка выводов допускаются
не ближе 3 мм от корпуса прн температуре не более +250 °C.
Зависимости выходной мощности н
коэффициента полезного действия
от входной мощности
Зависимости коэффициента усиления
и коэффициента полезного действен
от входной мощности
Зависимости выходной импульсной
мощности от входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления и коэффици-
ента полезного действия от частоты
Зависимость аыходной мощности от
входной мощности
Зависимость критического тока от
напряжения коллектор — база
459
Зависимости выходной мощности и
рассеиваемой мощности от фазы
коэффициента отражения нагрузки
Зависимости выходной мощности и
рассеиваемой мощности от фазы
коэффициента отражения нагрузки
Зависимость модуля ко
эффицнента обратной
связи по напряжению
от тока коллектора
Зависимость модуля ко-
эффициента обратной
связи по напряжению
от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость граничной
частоты от тока коллек-
тора
Зависимость емкости Зависимость емкости Зависимость допустимой
коллекторного перехода эмнттерного перехода от импульсной рассеивае-
от напряжения коллек- напряжения эмиттер — мой мощности от темпе-
тор — база база ратуры
400
2TSi6A KT316A
Эквивалентная схема замещения транзисторов 2Т946А, КТ946Л в активном
режиме
2Т948 (А, Б), КТ948 (А, Б]
Транзисторы крем-
ниевые эпитаксиально-
планарные структуры
п-р-п генераторные.
Предназначены для при-
менения в усилителях и
генераторах в диапазоне
частот 0,7...2,3 ГГц в
схеме с общей базой.
Выпускаются в металло-
керамическом корпусе с
гибкими выводами. Тип
прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора
не более 2 г
Электрические параметры
Выходная мощность при 17кв“28 В f=2 ГГц-
P«sg6 Вт 2Т948А, КТ948А..........................
медианное значение ..........................
Р«х^3 Вт 2Т948Б, КТ948Б . . .
медианное значение
Коэффициент полезного действия при Uкв=28 В,
/=2 ГГц:
Р.х^б Вт 2Т948А, КТ948А......................
Р«<3 Вт 2Т948Б, КТ948Б.......................
15.19* .24* Вт
U В
8. 1 * 15* Вт
9 Вт
30*...35 45*%
30*...35...45*%
461
Продолжение
Модуль коэффициента передачи тока на высокой
частоте при Ukb=5 В /=300 МГц:
/э = 1 5 А 2Т948А, КТ948А ... 6,5 10*...13*
/а=0,8 А 2Т948Б, КТ948Б . . . 6,5.. 10*...13*
Обратный ток коллектора
при (7кб=45 В, Г=+25°С, не более:
2Т948А......................................30 мА
КТ948А....................................35 мА
2Т948Б, КТ948Б...........................15 мА
при (7ЛБ=40 В, Т= — 60°С, не более:
2Т948А, КТ948А . . . 150 мА
2Т948Б КТ948Б . . 75 мА
пр । Uиц—45 В, Т=Тлаис, не более.
2Т948Л, КТ948А .... 150 мА
2Т9-18Б КТ948Б . . . . 75 мА
Обратный ток эмиттера при (7эвв2 В, не более:
Г- +25 °C:
2Т948А......................................20 мА
КТ948А .... .............35 мА
2Т948Б КТ948Б .... . 10 мА
Т -60 °C:
2Т948А, КТ948А .... 20 мА
2Т948Б, КТ948Б . . .... 10 мА
Т—Т
2Т948А, КТ948А............................100 мА
2Т948Б, КТ948Б .... 50 мА
Критический ток при (7Иб = 5 В /=300 МГц:
2Т948Л КТ948А...............................2...3 5* .5.5* А
2Т948Б КТ948Б .................115* 2.7* А
Емкость коллекторного перехода при (7кв=28 В
2Т948А КТ948А............................... 20*...22* 30 пФ
2Т948Б КТ948Б . . 11* 13*...17 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
при Т =+25.. +125 °C . . .... 45 В
при Т=-60°С .... . . 40 В
Постоянное напряжение эмиттер — база . . . 2 В
Постоянный ток коллектора
2Т948Л, КТ948А......................... 2,5 А
2Т948Б КТ948Б.............................1,25 А
Импульсный ток коллектора при /usg20 мкс, 10:
2Т948А, КТ948А.............................5 А
2Т948Б КТ948Б.............................2,5 А
Постоянный ток базы:
2T94SA, КТ948А.............................1 А
2Т948Б, КТ948Б . . 0,5 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора 1 в ди-
намическом режиме при Тк=— 60 . + 25 °C:
2Т948А, КТ948А . . .............40 Вт
2Т948Б, КТ948Б . . .................20 Вт
Температура р-п перехода........................+200 “С
Температура окрсжающей среды:
2Т948А 2Т948Б . .............-60 °C.. Г, = 4 125 °C
КТ94 А КТ948Б . ... -45 °C. 7и = + Ю0вС
1 В диапазоне температур Гк =+25 +125 °C мощность снижается линеЛно по фор
Т’к.ср» ®т“75в.ср,л<акс“(^к—0/7?.р(п—к).
де ЯГ(П_К) для 2Т948А ис более 4.5°С/Вг, для 2Т948В не более 9°С/Вт.
462
Папка выводов транзисторов допускается пе ближе 3 мм от корпуса в те-
чение не более 3 с, температура пайки ие должна превышать +260 СС. Допу-
скается пайка выводов па расстоянии мепее 3 мм; при этом температура пайки
не должна превышать +150 °C, время пайки не более 3 с.
Зависимости выходной мощности и
коэффициента полезного действия
от напряжения коллектор — база
Зависимости выходной мощности и
коэффициента полезного действия
от входной мощности
Зависимости выходной мощности и
коэффициента полезного действия от
напряжения коллектор — база
Зависимости выходной мощности и
коэффициента полезного действия
от входной мощности
Зависимости выходной мощности и
мощности потребления от расстрой-
ки нагрузки
Зависимости выходной мощности и
мощности потребления от расстрой-
ки нагрузки
463
ГЧГГц Q‘!5
/1Т908А
настройка/ точке / при Й,„' 6Вт
<'гТ9Ь6Б
при 1 1
'К,
25
2d
IS
Ю
5
/♦ f8 22 26 1/м.в
Зависимости выходной мощности от
напряжения коллектор — база в им-
пульсном режиме
Зависимости выходной мощности от
входной мощности в импульсном
режиме
Зависимость модуля коэффициента
передачи тока от тока эмиттера
Зависимости емкости коллекторного
перехода от напряжения коллектор —
база
Зависимости постоянной времени
цепи обратнон связи от тока кол-
лектора
Частотные зависимости выходной
мощности при работе в импульсном
режиме
4G4
Частотные зависимости
выходной мощности при
работе в импульсном
режиме
Частотные зависимости
коэффициента усиления
по мощности и коэффи-
циента
ствня
полезного дсп-
в непрерывном
режиме
Тепловая переходная ха-
рактеристика Прн
Q<100 тепловые пере-
ходные характеристики
рассчитываются по фор-
муле
4.5—R ,<n-x)(Q)
Q
+ /?T(n-K)(Q)
2Т960А, КТ960А
Транзисторы кремниевые эпнтаксиа.тьно-плаиарные структуры п-р-п генера-
торные. Пред означены для применения в широкополосных усилителях мощно-
сти, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100....400 МГц при
напряжении питания 12,6 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с
полосковыми выводами. Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено. Тип
прибора указывается ла корпусе.
Масса транзистора пе более 7 г.
30 Заказ № 100-1
4G5
ziseoA. ктзш
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте [ 400 МГц прн UI!B =
= 12 В, Гк^40°С, не менее . 40 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте/=400 МГц
при РвМх=40 Вт, не менее.............................2 5
типовое значение .... .............3,5*
Коэффициент полезного действия коллектора на часто-
те f—400 МГц, Рвкх—40 Вт, не меиее.................60%
типовое значение....................................65*%
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при = Ю В /к=3 Л, /=300 МГц, не менее . . 2
типовое значение ............................. 4*
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к =
=500 мА, /в= 100 мА, типовое значение................0,08* В
Критический ток иа частоте /=300 МГц при С>к8 = 10 В,
ие менее......................................... ... 15 А
типовое значение ................................ 22* А
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой ча-
стоте при (7кь=5 В /а = 500 мА /=5 МГц, типовое
значение.............................................12,5* пс
Емкость коллекторного перехода при {7кв=12 В, /=
= 30 МГц, не более...................................120 пФ
типовое значение.................................82* пФ
Емкость эмиттерного перехода прн Ube~0 f=5 МГц, ти-
повое значение . . .............. . 1200* пФ
Обратный ток коллектор — эмиттер при £7ка=36 В, /?□«=
= 10 Ом. не более
Г-+25ОС .................... ... 20 мА
Т= + 125 °C 2Т960А...............................40 мА
Обратный ток эмиттера при L/SB=4 В, не более:
Т- +25 °C ..............................10 мА
Т- + 125°С 2Т960Л . 20 мА
Индуктивность внутреннего LC-звепа, типовое значение , 0,33* нГи
466
Продолжение
Емкость внутреннего LC-звена, типовое значение . . . 610* пФ
Индуктивность выводов при 1=1 мм:
эмиттерного.........................................0.38* нГн
коллекторного.......................................1,6* нГн
базового............................................0,49* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
<10 Ом................................................
Постоянное напряжение эмиттер — база..................
Постоянный ток коллектора.............................
Входная СВЧ мощность..................................
КСВН коллекторной цепи при Р««х<40 Вт, 7* < + 40 °C
в течение 3 с........................................
в непрерывном режиме..............................
Средняя рассеиваемая мощность 1 в динамическом режиме
при 7’к<+40°С.........................................
Тепловое сопротивление переход — корпус ....
Температура р-п перехода .............................
Температура корпуса:
2Т960А............................................
КТ960А . .................................
Температура окружающей среды:
2Т960А . . .............................
36 В
4 В
7 А
16 Вт
10
3
70 Вт
1,75°С/Вт
+160 °C
+ 125 °C
+85 °C
—60°С...Тк =
= + 125 °C
-40°С...7к-
= +85 °C
КТ960А.......................................
1 При Ги>+40 С Ри,ср..11аис, Вт-(160-Ги)/1,75.
Шероховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть не ме-
нее 2,5. Ненлоскостность контактной поверхности теплоотвода должна быть не
более 0,04 мм.
Тепловое сопротивление корпус — теплоотвод при нанесении теплоотводя-
щей смазки типа КПТ-8 на поверхность теплоотвода транзистора ие более
0,3°С/Вт.
Пайка выводов допускается ие ближе 1 мм от корпуса по методике, не
приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзистора, при тем-
пературе не выше +270 °C в течение ие более 5 с.
Электрическая схема транзи-
сторов 2Т960А, КТ960А
30'
467
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента полезного действия
от входной мощности
Зависимости выходной
мощности н коэффици-
ента полезного действия
от входной мощности
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента полезного действия
от входной мощности
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента полезного действия
от напряжения коллек-
тор — эмиттер
Зависимость модуля ко-
эффициента передачи то-
ка от тока коллектора
Зависимость критическо-
го тока от напряжения
коллектор — эмиттер
Зависимость постоянной
времени цепи обратной
связи от тока эмиттера
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость допустимо-
го постоянного тока
коллектора от напряже-
ния коллектор — эмиттер
468
2Т962 (А, Б, В), КТ962 (А, Б, В)
Транзисторы кремниевые эиитаксиально-илапарные структуры п-р-п гене-
раторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножите-
лях частоты и автогенераторах на частотах 400...1000 МГц в схеме с общей
базой прн напряжении питания 28 В Выпускаются в металлокерамическом
корпусе с полосковыми выводами н монтажным винтом. Внутри корпуса име-
ется согласующее LC-звено. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
2Т9621А-В). КТ9621Л-61
Электрические параметры
Выходная мощность иа частоте f~1000 МГц при Uke —
=28 В, Тк = + 40 СС, не менее:
21962А, КТ962.А....................................К) Вт
2Т962Б. КТ962Б.....................................20 Вт
2Т962В, КТ962В................................... . 40 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте / =
= 1000 МГц прн Скс = 28 В:
Р.ь.х-10 Вт 2Т962А, КТ962А. не менее .... 4
типовое значение.................................4,7*
Лгых=20 Вт 2Т962Б, КТ962Б, не менее .... 3,5
типовое значение ................................ 6*
РвЫх- 40 Вт 2Т962В, КТ962В, пе меиее .... 3
типовое значение ................................5,1*
Коэффициент полезного действия коллектора на частоте
f- 1000 МГц при Скв = 28 В:
Рвь,х=10 Вт 2Т962А, КТ962А, ие меиее . . . . 36%
типовое значение . . . . ... 43*%
РвЫх-20 Вт 2Т962Б, КТ962Б и Рвь<х=40 Вт 2Т962В,
КТ962В, не меиее............................... ... 40%
типовое значение ....................... ... 50*%
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
нри Скэ = Ю В, /'=300 МГц:
/к=1,5 Л 2Г962А, КТ962А, не менее..................2.5
типовое значение.................................4,4*
/к=1.8 А 2Т962Б, КТ962Б, не менее..................2,5
типовое значение .... . 3.8*
/к = 3 Л 2Т962В, КТ962В, не менее .... 2
типовое значение............................. ... 3,5*
469
Продолжение
Критический ток на частоте f=300 МГц при СдВ=10 В-
2Т962А, КТ962А, не менее........................2,7 А
типовое значение....................................3,7* А
2Т962Б, КТ962Б, не менее .........................4,2 А
типовое значение . ........................5,7* А
2Т962В, КТ962В, не менее .........................7,4 А
типовое значение....................................9,9* А
Постоянная времени цепн обратной связи иа высокой ча
стоте при Uke = 5 В, f=5 MI и:
2Т962А, КТ962А, ие более..........................15 ис
типовое значение....................................9,6* пс
2Т962Б, КТ962Б, не более..........................14 пс
типовое значение....................................7* пс
2Т962В, КТ962В не более..........................11 пс
типовое значение....................................6,2* пс
Емкость коллекторного перехода при 1/кв=28 В,
30 МГц:
2Т962А, КТ962А ие более ... . . 20 пФ
типовое значение . . . 12* Ф
2Т962Б, КТ962Б, не более............................35 пФ
типовое значение............................... 19* пФ
2Т962В, КТ962В, пе более............................50 пФ
типовое значение . . . ... 33* пФ
Обратный ток коллектора при Ukb — 50 В не бо ее:
7"-=+25 °C 2Т962А, КТ962А, 2Т962Б, КТ962Б . . 20 мА
2Т962В, КТ962В . . ... 30 мА
7=+ 125 °C 2Т962А 2Т962Б............................40 мА
2Т962В . . . 60 мА
Обратный ток эмиттера при 1Л>Б=4 В 7"=+25 °C, не
более:
2Т962А, КТ962А, 2Т962Б, КТ962Б.........................5 мА
2Т962В, КТ962В . . . . . 10 мА
Индуктивность внутреннего LC звена, типовое значение-
2Т962А, КТ962Л . ........................0,78* нГи
2Т962Б, КТ962Б . ... .... 0,54* нГи
2Т962В, КТ962В ... ... 0,26* и Гн
Емкость внутреннего ЕС-звена, типовое значение:
2Т962А. КТ962А . . ... 50* пФ
2Т962Б, КТ962Б ... . . 73* пФ
2Т962В, КТ962В . . 128* пФ
Индуктивность эмиттерного вывода при /=1 мм, типовое
значение:
2Т962А, КТ962А.........................................1,43* пФ
2Т962Б, КТ962Б . . . 1,24* пФ
2Т962В, КТ962В .... . 0,92* пФ
Индуктивность коллекторного вывода при I— 1 мм, типо-
вое значение ... ........................1,55* иГн
Индуктивность базового вывода прн /=>1 мм, типовое зна-
чение-
2Т962Л, КТ962А ... .....................0,23* иГн
2Т962Б КТ962Б . . .....................0,12* нГи
2Т962В, КТ962В . .....................0,06* нГи
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . ... 50 В
Постоянное напряжение эмнттер — база...................4 В
Постоянный ток коллектора.
2Т962А, КТ962А........................................1,5 А
2Т962Б КТ962Б.......................................2,5 А
2Т962В, КТ962В......................................4 А
470
Продолжение
Входная ВЧ мощность:
2Т962А, КТ962Л ....................
2Т962Б КТ962Б . . .
2Т962В, КТ962В ...
КСВН коллекторной цепи в течение 1 с при 17кь^24 В,
Р,ЫхСЮ Вт для 2Т962А, КТ962А, РвЬ1х=16 Вт для
2Т962Б, КТ962Б, Р.ых=26 Вт для 2Т962В КТ962В
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режи-
ме при 7'ИС+4О‘>С-
2Т962А, КТ962А.....................................
2Т962Б, КТ962Б.................................
2Т962В. КТ962В.....................................
Тепловое сопротивление переход — корпус:
2Т962А, КТ962А . ..............
2Т962Б, КТ962Б.....................................
2Т962В, КТ962В.....................................
Температура р п перехода .... . . .
Температура корпуса:
2Т962А, 2Т962Б, 2Т962В.............................
КТ962А, КТ962Б, КТ962В.............................
Температура окружающей среды:
2Т962А, 2Т962Б, 2Т962В.............................
КТ962А, КТ962Б, КТ962В.............................
2,5 Вт
5,7 Вт
13.3 Вт
25
17 Вт
27 Вт
66 Вт
7СС/Вт
4,4 °С/Вт
1,8°С/Вт
+ 160 °C
+ 125 °C
+ 85 °C
-60 “С. ,ТЯ-
= +125 С
-40°С...7я =
= +85 °C
• При Т’я>+40°С Рк.СР1Л10яе, Вт-(160-7я)/РГ(п_я).
Внутреннее согласующее LC-звепо оптимизировано для работы в диапазо-
не частот 600... 1000 Ml ц.
Папка выводов допускается не ближе 1 мм от корпуса по методике, ие
приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзистора, при тем-
пературе не выше +260 °C с теплоотводом между корпусом и местом пайки.
Чистота контактной поверхности теплоотвода должна быть не менее 1,5,
а ее пеплоскостиость не более 0,04 мм.
Зависимости выходной
мощности и коэффици
ента полезного действия
от входной мощности
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента полезного действия
от входной мощности
Зависимости выходной
мощности и коэффици
ента полезного действия
от входной мощности
471
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента усиления от на-
пряжения коллектор —
база
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента усиления от напря-
жения коллектор — база
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента усиления от напря-
жения коллектор — база
ЧОО ООО 800/ПГц
Зависимость коэффици-
ента усиления от ча-
стоты
Зависимость коэффици-
ента усиления от ча-
стоты
Зависимость коэффици-
ента усиления от ча-
стоты
I^HsI 1Л1и1 1Л21»1
Зависимость модуля ко- Зависимость модуля ко- Зависимость модуля ко-
эффициента передачи эффициента передачи эффициента передачи
тока от тока коллектора тока от тока коллектора тока от тока коллектора
472
Зависимости постоянной
времени цепи обратной
связи от тока эмиттера
Зависимость емкости кол-
лекторного перехода от
напряжения коллектор —
база
Зависимость критическо-
го тока от напряжен ня
коллектор — эмиттер
Зависимость допустимо-
го постоянного тока
коллектора от напряже-
ния коллектор — эмиттер
Зависимость допустимо-
го постоянного тока
коллектора от напряже-
ния коллектор — эмиттер
Зависимость допустимо-
го постоянною тока
коллектора от напряже-
ния коллектор — эмиттер
2Т963 (А-2, Б-2)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры прп. Пред-
назначены для применения п схеме с общей базой в усилителях и генераторах
в диапазоне частот 2.. 10 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем,
блоков н аппаратуры, обеспечивающих герметизацию. Бескорпусные с гибкими
выводами на крнсталлодержателе. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 2 г.
473
гшзт-г. 121
Электрические параметры
Выходная мощность при Г7кВ=15 В, /к=С170 мА,
f=10 ГГц, Рвх=0,45 Вт для 2Т963А-2, нс менее
медианное значение .........................
при (7кв = 12 В. /к^150 мА, f=10 ГГц, Рвх=
=025 Вт для 2Т963Б 2, нс меиее..............
Коэффициент усиления по .мощности:
при С/ке=15 В, 1к^170 мА, Р„=0,45 Вт,
f=10 ГГц для 2Т963А 2....................
нри <7кб=12 В, /№^150 мА, Р„х~ 0,25 Вт, f —
= 10 I Гц для 2Т963Б-2 пе менее
Коэффициент полезного действия коллектора:
при (/к-в=15 В, /к^170 мА, Р„=0 45 Вт, f=
= 10 ГГц для 2Т963А-2.......................
при Uкц—12 В, /Ksgl50 мА. Рга=0,25 Вт, [=
= 10 ГГц для 2Г963Б2, не менее . . . .
Фаза коэффициента передачи тока в схеме ОБ при
17кв=5 В, /к = 100 мА, f—1 ГГц..............
Обратный ток коллектора при 1/кВ=18 В, пе более:
Т=+25°С..................................
7= 60 °C.................................
7= + 125°С
Обратный ток эмиттера при t/oC = l,5 В, не более:
2Т963А 2
при 7=+25 °C...........................
7=-60 °C......................
7 = + 125°С .......................
2Т963Б 2
при 7=+25 °C...........................
7 =-60 °C.....................
Т +125 °C...........................
Модуль коэффициента обратной передачи напряже
иия в схеме ОБ иа высокой частоте при 17кб—5 В
/к 100 мА, f =100 МГц
0.8 Вт
0,9 Вт
0.5 Вт
3...3.4*. .3,7* дБ
3 дБ
36...38*. .42*%
27,8%
О 09*.. 0,105*.. 0,192 рад
1 мА
1 мА
10 мА
0.4 мА
0,4 мА
10 мА
0,001* 0,1* 1 мА
1 мА
10 мА
Емкость коллекторного перехода при UKb—5 В, не
более ............................................
Емкость эмнттерного перехода при t/SB=0, пе более
0,6 10 3..0,8 10 ’*...
1-Ю-3*
1,5* пФ
4 8* пФ
474
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Постоянный ток коллектора:
2Т963А 2 ...........................
2Т963Б-2 ...........................
Средняя рассеиваемая мощность коллектора * в ди-
намическом режиме при Тк = — 60...+25 °C:
2Т963Л-2.........................................
2Т963Б-2......................................
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 2 прн
Ukb^8 В, Т« = -60...+25°С . . . . .
Температура р п перехода ........................
Температура окружающей среды.....................
18 В
'1,5 В
210 мА
185 мА
2,1 Вт
1,55 Вт
1,1 Вт
+ 180 °C
- 60°С...Тк = + 125°С
1 При повышении температуры крнсталлодержателя от +25 до +125 °C мощность
снижается по формуле
РН,яакс' ЛТ(п-к)-
где +74 ”С'Вт для 21963А-2 и 7?Г(П_Х) —+100 “С.’Вт для 2Т963Б-2.
В режиме эксплуатации средняя рассеиваемая мощность коллектора в динамиче-
ском режиме определяется по формуле
РК ср ^Реых~Рех>-
1 Прн повышении температуры крнсталлодержателя от +25 до +125 °C мощность
снижается по формуле
^k.jhcxc- Вт_(Гп-Гя>''ЛГ(п-к)-
где ₽г(п_к)- + Н0 °С/Вт.
Для 2T9G3A-2 режим считают статическим прн Двмх«£0,5 Вт.
для 2Т963Б-2— при Рвых^0,2 Вт.
Монтаж транзисторов осуществляется прижимом металлического основания
крнсталлодержателя к теплоотводящей поверхности.
Минимальное расстояние места naiiKH выводов от крнсталлодержателя
1 мм, температура пайки ие выше +260 °C, время пайки не более 3 с. Допу-
скается пайка выводов на расстоянии 0,5 мм от крнсталлодержателя; при этом
температура пайки пе должна превышать +150 °C.
Допускается использование транзисторов в диапазоне частот 10 МГц...2 ГГц
в усилителях и генераторах мощности прн напряжении питания не более 8 В
0 0,1 0,2 0,3 4* Pt, 8т
Зависимости коэффициента усиления
по мощности, выходной мощности и
коэффициента полезного действия
коллектора от входной мощности
Заснснмости коэффициента усиления
по мощности, выходной мощности
и коэффициента полезного действия
коллектора от входной мощности
475
Зависимость модуля ко
эффициента обратной
передачи напряжения от
тока коллектора
Зависимость модуля ко
эффициента обратной
передачи напряжения от
напряжения коллек-
тор — база
Зависимость фазы коэф-
фициента передачи тока
в схеме ОБ от тока кол
лектора
Зависимость фазы ко-
эффициента передачи
тока в схеме с общей
базой от напряжения
коллектор — база
Зависимость емкости
эмиттерного перехода
от напряжения эмит-
тер — база
Зависимость емкосп
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор — база
2Т970А, КТ970А
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планар-
ные структуры п-р-п гене
раториые. Предназначены
для применения в усилите-
лях мощности, умножителях
частоты и автогенераторах
на частотах 100...400 МГц
при напряжении питания
28 В. Выпускаются в метал-
локерамическом корпусе с
полосковыми выводами.
Внутри корпуса имеется
двухзвепная LC цепь. Тип
прибора указывается иа
корпусе.
Масса транзистора не
более 9 г.
476
Электрические параметры
Выходная мощность иа частоте f 400 МГц при Тк^
<+4 °C, Uкв=28 В, не менее . 100 Зт
Коэффициент усиления по мощности на частоте /=400 МГц
при РСых=Ю0 Вт, Ukb=28 В, не менее......................4
типовое значение ..................... 7*
Коэффициент потезиого действия коллектора иа частоте
/=400 МГц прн Р,ых=100 Вт, Ukb=28 В, ие менее . . 50%
типовое значение.................................55*%
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при Uks= Ю В, /к»5 Л. /=300 МГц, не меиее ... 2
типовое значение . 4*
Критический ток коллектора па частоте /=300 МГц при
Скв=Ю В. не менее . .......................16 Л
типовое значение ................................ 24* Л
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой ча-
стоте прн (7КО = 10 В, /к = 0,5 А, /=5 МГц, не более . 25 пс
типовое значение . ....................11* пс
Емкость коллекторного перехода прн Скс~28 В /—
= 30 МГц, не более ..... 180 пФ
типовое значение.................................125* пФ
Обратный ток коллектор — эмиттер при Ска =50 В, R^=
= 10 Ом, не более:
7=+ 25 °C........................................100 мА
7=+85 °C КТ970А 100 мА
7=+ 125 °C 2Т970Л ... . . 200 мА
Обратный ток эмиттера прн Саь=4 В. не более.
Т= +25 °C........................................30 мА
7=+85 °C КТ970А..................................30 мА
7=+ 125 °C 2Т970А ... . 60 мА
Индуктивность ] го внутреннего ГС-звена типовое значение 0,39* нГи
Индуктивность 2 го внутреннего ГС-звена типовое значение 0 2* иГп
Емкость 1 го внутреннего LC звена, тйповое значение . 310* пФ
Емкость 2 го внутреннего ГС-звеиа, типовое значение . 620* пФ
Индуктивность эмиттерного вывода, типовое значение . 0,2* нГн
Индуктивность коллекторного вывода, типовое значение . 0 87* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
<10 Ом . 50 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 4 В
Постоянный ток коллектора...............................13 А
Входная ВЧ мощность.....................................25 Вт
КСВН коллекторной цепи при Скя<24 В, 7к<50°С,
/=400 МГц:
Рейх 80 Вт (в течение 3 с) . .............10
Р,ых—70 Вт (длительное время) . . 3
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режиме
прн Тх< + 40°С.......................................170 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус..............0,7 °С/Вт
Температура р-п перехода.............................+160 °C
Температура корпуса
2Т970А................. . . +125 °C
КТ970Л....................................... ... +85 °C
Температура окружающей среды
2Т970А................................................-60 °C.. 7К = + 125СС
КТ970А ..........................................- 40 °С...7К = + 85 °C
' При 7„> + 40"С РКмакс Вт—(160 —Гк)/0,7.
477
Изгиб выводов транзистора допускается ие ближе 3 мм от корпуса
Пайка выводов транзистора допускается не ближе 1 мм от корпуса при
температуре +260 °C в течение 4 с.
Электрическая схема транзисторов
Зависимости выходной Зависимость коэффици- Зависимость модуля ко-
мощпости и ксэффпци ента усиления от ча- эффициента передачи то-
еита полезного действии стоты ка от тока коллектора
от входной мощности
Зависимость критическо- Зависимость емкости Зависимость допустимо-
го тока от напряжения коллекторного перехода го постоянного тока
коллектор—эмнгтер от напряжения коллек- коллектора от напряже-
тор — база ния коллектор — эмиттер
478
2T97S (А, Б)
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиальио-планар-
ные структуры п-р-п гене-
раторные с согласующими
цепями. Предназначены для
применения в импульсном
режиме в усилителях н ге-
нераторах в диапазоне ча-
стот 1,4...1,6 ГГц в схеме
с обшей базой Выпускают-
ся в металлокерамическом
корпусе с полосковыми вы- '
водами. Тип прибора ука-
зывается на корпусе.
Масса транзистора
более 6 г.
не
2Т975 (А, Б)
'2,5
n/.7S\
'2,5
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f=l,4...1,6 ГГц прн
LsglO мкс, 100:
Г/кв=45 В:
2Т975А при Р„х^50 Вт....................
2Т975Б при Рвх^25Вт.....................
t/KB = 35 В
2Т975А при Рвх=50 Вт, пе менее
2Т975Б при Рв1=25 Вт. не мепее
Коэффициент усиления по мощности на частоте / =
= 1,4...1,6 ГГц при мкс, 100:
СЛсб=45 В’
2Т975А при Р„<50 Вт.....................
2Т975Б при Р«<25Вт
(7кс = 35 В:
2Т975А при Рвх=50 Вт, не менее
2Т975Б при Рвх=25 Вт, не менее
Коэффициент полезного действия коллектора на ча-
стоте /= 1,4...1,6 ГГц прн /„^10 мкс, Q^lOO:
Г7кг,=45 В.
2Т975А при Р«х<50 Вт....................
2Т975Б при Р«х<25Вт.....................
1/кв=35 В.
2Т975А при Р«х=50 Вт, не менее
2Т975Б при Р«х=25 Вт, не мепее
Обратный ток коллектора прн 17кв=45 В, не более’
Г=+25°С:
2Т975А .................................
2Т975Б .........................
7=-60 н +125 °C:
2Т975А .................................
2Т975Б
Обратный ток эмиттера при — 3 В не боле
7’=+25°С:
2Т975А............................. . .
2Т975Б . . . . .
200. .220*...240* Вт
100... 130* 140* Вт
120 Вт
60 Вт
6...7*...8,5* дБ
6...7*...8,5* дБ
3,8 дБ
3 8 дБ
30...36*. .38*%
35 ..38*...38*%
25%
30%
50 мА
25 мА
75 мА
30 мА
50 мА
25 мА
479
Продолжение
Т=-60 II +125°C:
2Т975Л.............................. . .
2Т975Б . . . ...
Обратный ток коллектор — эмиттер при Г/кэ=45 В,
не более:
2Т975А.....................................
21975Б.....................................
100 мА
50 мА
40 мА
20 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . . 50 В
Постоянное напряжение эмнттер — база . .ЗВ
Импульсный ток коллектора1 прн /«зСЮ мкс,
QSslOO:
Тх-С+85 °C:
2Т975А ............................15 А
2Т975Б . .... . 7 А
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора2 в
динамическом режиме при /,< — 10 мкс, <?== 100:
ГхС+85 °C.
2Т975Л.................................. 500 Вт
2Г975Б ...................... 200 Вт
Минимальная рабочая частота ..................0.6 ГГц
Температура р-п перехода......................+180 °C
Температура окружающей среды..................— 60 °С...ТК= + 125 °C
* При повышении темпера 1уры свыше +85 °C ток рассчитывается по формуле
2Т975А. А-(180-7я)/6.4;
2Т975Б: 1„ и макс. А=-(180 —7к)/13.б.
’ Прн повышении температуры корпуса свыше +85 °C и изменении длигельности
и скважности мощность рассчитывается по формуле
в,лаке* Вт-* (180 — 7'K)/7?r(U(n к>,
где
«r.uln-K)-2*4/<?',,0.0o7(l-0,861iQ)»Iu для 2Т975А,
Rr,U(n-K)=2*4/<3+0*1140-O.S6>Q)T'T для 2Т975Б.
Формулы справедливы для <2>100, /и<Ю мкс при Рк и,.макс<700 Вт для 2Т975А,
/’к.и.лакс^350 Вг для 2Т975Б.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм от корпуса, вре-
мя панки не более 3 с, температура панки ие выше +260 °C. Допускается пай-
ка выводов на расстоянии 1 мм от корпуса при температуре не выше +150 °C,
время пайки не более 3 с.
Зависимости выходной Зависимости выходной Зависимости коэффици-
мощпостп от входной мощности от входной ента усиления по мощ-
мощности мощности ностн от напряжения
коллектор — база
480
Зависимости коэффици-
ента усиления по мощ-
ности от напряжения
коллектор — база
Зависимости коэффпци
епта полезного действия
коллектора от напряже-
ния коллектор — база
Зависимости коэффици-
ента полезного действия
коллектора от напряже-
ния коллектор — база
to so sop^.bi is го гзр^ & о to го so too^.e
Зависимости коэффици-
ента полезного действия
коллектора от входной
мощности
Зависимости коэффици-
ента полезного действия
коллектора от входной
мощности
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор — база
-SO-30 0 30 60 90 Г, “С
-60-30 О 30 60 90 ГЪ
Зависимости выходной Зависимости коэффпци- Зависимости коэффици-
мощности от темпера- сита усиления по мощ- ента полезного действии
туры ностн о1 температуры коллектора от темпера-
туры
3| Заказ № 1004
481
2Т976А, КТ976А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях
частоты и автогенераторах на частотах до 1000 МГц в схемах с обшей базой
прн напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе
с полосковыми выводами и монтажным винтом. Внутри корпуса имеется со-
гласующее Z-C-звено. Тип прибора указывается иа корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
Выходная мощность на частоте 7—1000 МГц прн
^ + 40 °C, 1/кв=28 В, не менее . 60 Вт
Коффнцпепт усиления по мощности па частоте f—
= 000 .МГн при Р««»=60 Вт. В’кв=28 В. пе менее . . 2
типовое значение . ... 2,4*
Коэффициент полезного действия коллектора на частоте
/=1000 МГц прн Р.„х -60 Вт, 1/Кв=28 В, не мепее . 45%,
типовое значение.............................. ... 55*%
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
прн 17x3=10 В. /к-7 А, /=300 МГц, не мепее ... 2,5
типовое значение . . . 4*
Критический ток на частоте /=300 МГц при 17к»=10 В,
не менее . .... ... - 16 А
типовое значение . . ... . 25* А
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой ча-
стоте при 17кв-=10 В. 1к~ 1 А, /=5 МГц, не более . . 25 пс
типовое значение................................ . 10* пс
Емкость коллекторного перехода прн 17кС=28В, /=30МГц,
не более . . . . .... . 70 пФ
типовое значение.................................... .50 .:Ф
Входное полное сопротивление на частоте /=1000 МГц
при Рв«х=50 Вт, типовое значение . . 6,9р/-13* Ом
Полное сопротивление нагрузки па частоте f—1000 МГц
при Р<11их=50 Вт, типовое значение ... . . 5+/-10* Ом
Обратный ток коллектора при 17кб=50 В. не бо iee:
Г=+25°С..................................................60 мА
Г=+85°С КТ976А.......................................120 мА
Г= + 125СС 2Т976А 120 мА
482
Продолжение
Обратный ток эмиттера при (7аь=4 В, ие более:
Т=+25°С ... ... 20 мА
Т=+85°С КТ976А . . 40 мА
Т= + 125 °C 2Т976Л...............................40 мА
Индуктивность внутреннего LC-звепа, типовое значение 0,26* нГн
Емкость внутреннего Z-C-звена, типовое зпа шипе . . 140* пФ
Индуктивность выводов при /= 1 мм, типовое значение:
эмиттерного.........................................0.92* пГн
коллекторного....................................1,55* нГн
базового............................. . . . 0,06* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база................
Постоянный ток коллектора...........................
Вводная ВЧ мощность
КСВН коллекторной цепи при £/кв=24 В Тк — + 50°С,
f—1000 МГц. в течение 3 с:
Р«мх^35 Вт......................................
Рвых^Т-ЗО Вт . . .....
Средняя рассеиваемая мощность 1 в динамическом режиме
при Гк^+40'’С .... . .
Тепловое сопротивление переход—корпус
Температура р-п перехода............................
Температура корпуса
2Т976.А ... ................
КТ976А ... ......................
Температура окружающей среды:
2Т976А..........................................
50 В
4 В
6 А
30 Вт
3
5
75 Вт
1.7° С/Вт
+ 160 °C
+ 125 °C
+ 85 °C
-60°С...Т« =
= + 175 °C
-40 °С...ТК=
= +85 °C
КТ976Л ......................................
При T^-MO’C Вт-Пбл—-Гк),| 6.
Пайка выводов транзистора донус! °1ся не ближе 1 мм
Температура папки пе выше +270 °C в течение нс более 5 с
от корпуса.
2Т376А. КГ376А
ю is го si
Электрическая схема транзнсто
ров 2Т976Л, КТ976Л
Зависимости выходной мощности и
коэффициента полезного действия
от входной мощности
31*
483
Зависимости выходной
мощности и коэффици
ента полезного действия
от входной мощности
Зависимость коэффици-
ента усиления от ча-
стоты
Зависимость модуля ко-
эффициента передачи то-
ка от тока коллектора
Зависимость критическо-
го тока от напряжения
коллектор — эмиттер
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор — база
2Т977А, КТ977А
Зависимость допустимо-
го постоянного тока
коллектора от напряже-
ния коллектор — эмиттер
2Т977А, KTS77A
484
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п р-п гене* *
раторные Предназначены для применения в автогенераторах диапазона частот
0,6...1.6 ГГц в схеме с общим коллектором в импульсном режиме. Корпус ме-
таллокерамический с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Электрические параметры
Выходная мощность при 7Лкв,„=40 В, f=l,5 ГГц.
tuСЮ мкс, 100 .......................
Выходная мощность в облегченном режиме при
С'кв.« = 32 В, f=l,5 ГГц, /„СЮ мкс, 100, не
меиее ... . . . .
Коэффициент полезного действия прн UKE.U =40 В,
f=l,5 ГГц, /„СЮ мкс, 10........................
Коэффициент полезного действия в облегченном ре-
жиме при 1/кв.„=32 В, [=1,5 ГГц. /„СЮ мкс,
100, пе менее..................................
Обратный ток коллектора, не более-
при Т=+25°С, (7ке-50 В . .
при Т=-60 и +125 °C, иКБ=50 В . . .
Обратный ток эмиттера при иБЭ=3 В, пе более:
7=+25 °C . ....................
7'=-60 п +125 °C . . . .
50 ..70* 80* Вт
35 Вт
20. .25*. 30*%
15%
25 мА
50 мА
30 мА
60 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмиттер — база
Импульсный ток коллектора1 прн /„СЮ мкс,
2г 100, Гж= —60... + 85 °C . . .
Импульсная рассеиваемая мощность2 при /„С
СЮ мкс. 0100, 7+=-60 .+85°C . . . ,
Минимальная рабочая частота..................
Температура р п перехода .......................
Температура окружающей среды....................
50 В
3 В
8 А
200 Вт
0.6 ГГц
+ 175 °C
-60°C 7"К= + 125°С
1 При Гк-+85...+ 125 "С lIt „ Лавс определяется по формуле
^Л.и.лакс’ А“(175—Гк I
* При /„--G0 .+85 "С и /„<10 мкс <2>100 Ри чокс определяется по формуле
ри.макс Вт-90/Лг„;
при Тв=+85... + 125’С к /„<10 мкс. <2>100
Ри макс ^“(175—7B)/Rj. u,
+0,139 ( 1-^)
Формулы справе длины при Р „««лСЗбО Вт.
U JX'-I
485
О 1 2 3 (73t, В
25 30 35 tDl/Kf„,B
, Вт
ПО
WO
во
so
40
2TS77A KT977A
0,6 0, b / t.2 1,4 1,65,ГГц
Входная лараысрисгика
Зависимости импульсной
выходной МОЩНОСТИ и
коэффициента полезного
действия от импульсно-
на н ряжен и я коллек-
тор — база
Зависимости импульсной
выходной мощности и
коэффициента полезного
действия or частоты
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость коэффици-
ента полезного действия
от температуры корпуса
Зависимость выходной
мощности от температу-
ры корпуса
2Т979А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п р-п гене-
раторные. Предназначе ш для применения в усилителях мощности, умножите-
лях частоты п автогенераторах в схеме с общей базой на частотах 0,7...1,4 ГГц
при напряжении питания 28 В в непрерывном режиме и 35. 40 В в импульсном
режиме Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами
и монтажным винтом. Внутри корпуса имеются согласующие двухзвеипые
LC-звеиья на входе и выходе транзистора Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора пе более 5 г
486
2TQ73A
Электрические параметры
Выходная мощность па частоте f=l,3 ГГц
при 77кь = 28 В пе менее ................50 Вт
типовое значение ...................60* Вт
при L'kb=20 В, не менее . . .................30 Вт
Коэффициент усиления по мощности па частоте /=1,3 ГГц.
при Л>ых=50 Вт 77кс=28 В. не мепее....................6 дБ
типовое значение...................................7* дБ
при Р«мх=30 Вт, Ukc—20 Вт, пе менее................4
Коэффициент полезного действия коллектора па частоте f=
= 1,3 ГГц при Р«Их=50 Вт Uкс~ 28 В не мепее . . 45%
типовое значение............................... ... 52*%
Обратный ток коллектора при UKE=50 В, не более:
7=+ 25 °C . ... .... 100 мА
7=+ 125 °C . ........................... 200 мА
Обратный ток эмиттера прн 17»в = 3,5 В, не ботее . , 30 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
прн 7 „2г +25°C..............................................50 В
при 7х = — 60 °C . . . .............. 45 В
Постоянное напряжение эмиттер — база........................3,5 В
Постоянный ток коллектора . . 5 Л
Импульсный ток коллектора при tu^:20 мкс, С?2г 10 . . 10 А
Постоянный ток базы . 2 А
Средняя рассеиваемая мощность' в динамическом режиме
при 7кС+25°С.............................. . . . 75 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус 2°С/Вт
Температура р-п перехода ... . . . +175 °C
Температура корпуса................................. . . + 125 °C
Температура окружающей среды......................... —60°C...7,,=
- -г 125 °C
1 При 7\>+25°С Вт-(175-Гк)/2.
Л л.Ср.ЛИЛ Л
Пайка выводов транзисторов допускается на расстоянии 3 мм от корпуса
при температуре ^7+ 260 °C н 1 мм при температуре +150 °C и менее.
487
2TS73A
Эквивалентная схема замещения транзистора 2Т979А в аы явном режиме
Зависимость выходной мощности от
входной мощности
Зависимости коэффициента усиления
н коэффициента полезного действия
от выходной мощности
Зависимость выходной мощности от
частоты
Зависимости коэффициента усиленна
и коэффициента полезного действия
от частоты
488
Зависимость выходной
мощности от напряже-
ния коллектор — база
Зависимость импульсной
выходной мощности от
входной мощности
Зависимость гоэф(] пцп-
ента полезного денствнi
от выходной мощности
2Т982А-2
Транзистор кремние-
вый эпитаксиально планар-
ный структуры п-р п гене-
раторный. Предназначен
для применения в усилите-
лях, генераторах, умножи-
телях диапазона частот
3.. 7 ГГц в схеме с общей
базой Бескорпусйыт в
кристаллодержа еле с гиб-
кими выводами. Тип при-
бора указывается на кор-
пусе.
Масса транзистора ие
более 2 г.
Электрические параметры
Выходная мощность при Uke= 17 В, /к= 4 0 мА, Рвх
= 2 Вт, f = 7 ГГц . .............3,2...3,5 ..4* Вт
Коэффициент усиления по мощности при 1/кв 17 В. /к =
= 430 мА, Р,х—2 Вт, f—7 ГГц. типовое значение . 2,5*
Коэффициент полезного действия коллектора прн Uks~
= 17 В, /к-430 мА, Роых=3,2 Вт, f—7 ГГц, типовое зна-
чение ....................................................50%
Фаза коэффициента передачи тока в схеме ОБ на высокой
частоте прн Ukb~5 В, /к —400 мА, f—1 ГГц, не более 0,28 рад
Модуль коэффициента обратной передачи напряже >ия в
схеме ОБ на высокой частоте при Uke—5 В, /« = 430 мА,
/=100 МГц, не более ................. 0,85
типовое значение ..................... 0,65*
489
Продолжение
Емкость коллекторного перехода при Г/кв=15 В f=
= 10 МГц .... . . ... 3,5* 4*..6 пФ
Емкость эмиттерного перехода при t/9B=0 f=10 МГц.
типовое значение..................................... 15* пФ
Обратный ток коллектора при С/кС-—20 В, не более:
Т =-60... + 25 °C . ... 1 мА
Т= + 125°С . . 10 мА
Обратный ток эмиттера при t/SB=l,5 В. не более:
Г=-60 ..+25 °C . . ... 0.2 мА
Г=+125°С . . , . . . ... 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . . . . 20 В
Постоянное напряжение эмиттер —база....................1.5 В
Постоянный ток котлсктора . . . ... 600 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при
1/кв<8 В. Г„ = -60...+25°C . 4 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора2 в динамиче-
ском режиме при Тк~ — 60 + 25 °C .... . 5,8 Вт
Температура р-п перехода.................... . . 200 °C
Температура окружающей среды . —60°С...7'к
= + 125 °C
1 Прн 7К —+25...+125 ПС определяется по формуле
'к.лшж- Вт-(20Э-Тк)/44.
’ При Гк-Ч 25 .. + 125 ’С определяется по формуле
рк.'Р,Л.«г.с- Вт-(200-7К >/30.
При монтаже транзисторов допускается обрезать выводы не ближе 1 мм
от кристаллодержателя. Прн этом усилие не должно передаваться на место
приварки вывода к крнсталлодержателю.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 2 мм от кристаллодер-
жателя при температуре не выше +260°C в течение не более 3 с. Допускается
пайка н сварка выводов на расстоянии 0,5 мм от кристаллодержателя- при
этом температура кристаллодержателя не должна превышать +150 °C При
сварке должно отсутствовать электрическое напряжение между выводами.
Допускается использование транзисторов в диапазоне частот 10 МГц...З ГГц
в усилителях, генераторах, умножителях, при напряжении питания ие бо-
лее 10 В.
Прн проектировании схем должны быть приняты меры по исключению па-
разитной генерации.
Допустимое значение электростатического потенциала не более 1000 В.
Зависимоегь тока эмит-
тера от напряжения ба-
за — эмиттер
Зависимости выходной
мощности, коэффициента
усиления и коэффициеи
та полезного действия
от входной мощности
Зависимое 1Ь коэффици-
ента обратной передачи
напряжения от тока
коллектора
490
Зависимость фазы коэф-
фициента передачи гока
от тока коллектора
Зависимость емкости
эмиттерного перехода от
напряжения эмиттер —
база
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор — база
Эквивалентная схема замещения транзистора в активном режиме (С=120 пФ,
Ся,=0,4 пФ, С|=0.9 пФ, Сг=0.9 пФ, С„,=0.7 пФ, Ск2=2.3 пФ, С„-15 пФ
при 1/6а=0, £,=0.25 нГи, А6=0.12 нГн, £к = 0,2 нГи, «-2.2.5 Ом, ге=1 Ом,
r,=KT'gh, Гп — ОрЪ Ом при (Л =10 В, f 7 ГГц)
КТ983 (А, Б, В)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п р-п гене-
раторные. Предназначены для применения в линейных усилителях мощности на
491
частотах 40...860 МГц при напряжении питания 25 В Выпускаются в металло-
керамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами Тип прибора указы-
вается па корпусе.
Масса транзистора пе более 4,5 г.
Электрические параметры
Выходная мощность иа частоте f—ЬЫ) МГц при 17и»=25 В.
Тх sg + 40 °C. не менее:
/к=0,2 А КТ983А.....................................0.5 Вт
/к =0,35 А КТ983Б.................................1 Вт
/к=0,8 А КТ983В . . . . 3.5 Вт
Коэффициент усиления по мощности па частоте f=860 МГц
при С'к»=25 В, 7«<+40°С:
Р вых = 0,5 Вт КТ983А, не менее.................... .4
типовое значение................................8,2*
Р«ых= 1 Вт КТ983Б, не менее . . ... 3.6
типовое значение .... 6*
Р eba=3f5 Вт КТ983В, не менее .3.2
типовое значение................................5.2*
Коэффициент ннтермодуляционных составляющих 3-го поряд-
ка па частоте /=860 МГц (трехтоновый сигнал) при {7кв =
= 25 В Гк< + 40°С.
РСЫХ(ПО) = 0 5 Вт КТ983А, Р, ых(по)т 1 Вт КТ983Б,
Рвыцпо)=3,5 Вт КТ983В, не более.....................—60 дБ
Модуль коэффициента передачи тока иа частоте f=300 МГц
при С/кл“10 В, не менее-
/к=0,3 А КТ983А . ..........................4
/к=0,3 А КТ983Б ......................3
/к = 0.6 А КТ983В .................................2,5
Емкость коллекторного перехода на частоте f—ЗО МГц прн
28 В. не более:
КТ983А................................................8 пФ
КТ983Б...............................................12 ПФ
КТ983В............................................. .24 пФ
Обратный ток коллектор — эмиттер при Ukb=40 В Rjt=
= 10 Ом, пе более:
КТ983А при 7-=+25 "С . ...................5 мА
Т— +85 °C . .... 10 мА
КТ983Б при 7=+25°С . . .... 8 мА
7=+85 С . .... 16 мА
КТ983В прн 7=+25 °C .... 18 мА
7=+85 °C ... .............38 мА
Обратный ток эмиттера при ивь—4 В ие более:
КТ983А при 7=+25 °C................................ 2 мА
7= +85 °C..................................4 мА
КТ983Б прн 7=+25 еС..................................3 мА
7=+85 °C...................................6 мА
KT9S3B прн 7=+25 °C..................................5 мА
7-+ 85 °C.................................К) мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при 7<,с=10 Ом 40 В
Постоянное напряжение эмиттер — база .....................4 В
Постоянный ток коллектора
КТ983А ... .............................0.5 А
КТ983Б............................ . 1 А
КТ983В....................................... .... 2 А
Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме при
7х=й + 40°С:
КТ983А..............................................8.7 Вт
КТ983Б....................................... .... 13 Вт
492
КТ983В.........................
Тепловое сопротивление переход—корпус:
КТ983Л.........................
КТ983Б.........................
КТ983В.........................
Температура р-п перехода ....
Температура окружающей среды
'V
Продолжение
22,5 Вт
13,8°С/Вт
9,2° С/Вт
5,3е С/Вт
+160 °C
-40сС...Гк =
= +85сС
Зависимость коэффици-
ента усиления от ча-
стоты
Зависимость коэффици-
ента усиления от ча-
стоты
Зависимость коэффици-
ента усиления от ча-
стоты
1Лтг»1
Зависимости критического тока ОТ
напряжения коллектор — эмиттер
Зависимости модуля коэффициента
передачи тока от частоты
А.ГШЯС>
О W 20 икъ, В
Зависимости емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость допустимо-
го постоянного тока
коллектора от напряже-
ния коллектор — эмиттер
Зависимости допустимо-
го постоянного тока
коллектора от напряже-
ния коллектор — эмиттер
493
2Т984А, 2Т984Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п генера-
торные. Предназначены для применения в импульсных усилите тих мощности
класса С в схеме с общей базой в диапазоне частот 720...820 МГц при напря-
жении питания 50 В Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими
полосковыми выводами. Транзистор содержит внутренние согласующие
Z-C-звеиья. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора пе более 7 г
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f 820 МГц при {7кв=50 В
/„=10 мк , Q=100, не менее:
2Т984А .... .... .... 75 Вт
2Т984Б .... .... . . 250 Вт
Коэффициент усиления по мощности па частоте /«820 МГц
при 1)кг>-50 В, tu =10 мкс, Q=100-
2Т984А, не менее..........................................5
типовое значение ... ....................5.9*
2Т984Б, не менее . . ...... 4
типовое значение . . ... 7*
Коэффициент полезного действия па частоте /=820 МГц прн
С/кв=50 В, /„ = 10 мкс, Q=1CO, не мепее.................35%
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при
1Лгэ = 10 В. /=300 МГц. /к=2.5 А для 2Т984Л. /,.=5 А для
2Т984Б, не мепее . . ................... 2
типовое значение . ..........................3*
Критический ток на частоте /=300 МГц прн 1)кэ — 10 В. пе
менее-
2Г984А . . ... ... 6 А
2Т984Б , . .................18 А
Постоянная времени цепи обратной связи па высокой частоте
при Ukb 10 В / 5 МГц. /к~ 0 4 Л дтя 2Т984А, /к = 0,6 А
для 2Т984Б, не более ....................5 пс
Емкость коллекторного перехода на частоте /=30 МГц при
Ukb~30 В. не более
2Т984А . ... ....................35 пФ
2Т984Б............................ . . .... 80 пФ
494
Продолжение
Обратный ток коллектора при Uki>=65 В, не более
2ТЙ84А:
при Г=+25°С , , ............
Т = + 125сС......................
2Т984Б
при Т=+25°С..................................
7=+ 125 С................................
Обратный ток эмиттера при £/эв=4 В не более:
2Т984А-
при 7=+25сС.............................. . .
7=+ 125 °C...............................
2Т984Б:
при Т = +25 °C...............................
7=+ 125 С................................
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база...................
Постоянное напряжение эмиттер — база.....................
Импульсный ток коллектора при tu <10 мкс, Q&t 100:
2Т984А..............................................
2Т984Б .............. ............................
Импульсная входная мощность при /„<10 мкс, Q^IOO:
2Т984А..................................................
2Т984Б . .............................
Средняя рассеиваемая мощность при /„<10 мкс, Q^lOO,
7К<+25°С:
2Т984Л . . .......................
2Т984Б .... . . .
КСВН коллекторной цепи на '.астоте / — 820 МГц, /„<10 мкс.
О ЮО:
Р«ыхи = 75 Вт 2Т984Л................................
P«t,x.u=250 Вт 2Т984Б...............................
Импульсное тепловое сопротивление переход — корпус при
/„<10 мкс, 100:
2Т984А................................... . . . .
2Т984Б........................... ..................
Температура рп перехода .................................
Температхра окружающей среды.............................
30 мА
60 мА
80 мА
160 мА
15 мА
30 мА
40 мА
80 мА
65 В
4 В
7 Л
16 А
15 Вт
62,5 Вт
1 4 Вт
4,7 Вт
10
3
0,87 сС/Вт
0,31 СС'Вт
+ 160 °C
-60 °C. 7,-
= + 125 °C
Пайка выв дов транзисторов допускается не ближе 1 мм от корпуса при
температчре +270еС в течение 5 с. Допускается напайка корпуса при темпера-
туре +150 °C в течение 5 с.
2Т984Л 0,5 0 3 0,5 0 15 130
2Т°84Б 0.2 0,1 0,5 0 1 25С
Электрическая схема транзисто-
ров
496
Зависимости импульсной
выходной мощности от
входной МОЩНОСТИ
Зависимости импульсной Зависимость модуля ко-
выходной мощности от эффициента передачи
входной мощности тока от тока коллек-
тора
Зависимость модуля ко-
эффициента передачи
тока от тока коллек
тора
Зависимости критиче-
ского тока от напряже
ння коллектор — эмиттер
Зависимости емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор — база
2Т986 (А, Б]
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планарные
структуры п-р-п генераторные
с внутренними согласующими
цепями по входу и выходу.
Предназначены для примене-
ния в усилителях н генерато-
рах диапазона частот
1.4...1,6 ГГц в схеме с общей
базой в импульсном режиме.
Корпус металлокерамический с
гибкими выводами Тип прибо-
ра указывается на корпусе.
Масса транзистора не бо-
лее 6 г.
496
Электрические параметры
Выходная мощность при С'кс=45 В. 1,4-..1,6 ГГц, /„<
<10 мкс, 100;
Рвх=87,5 Вт 2Т986Л, не менее......................
типовое значение ............ . .............
Р«х=75 Вт 2Т986Б, нс менее........................
типовое значение ............................
Выходная мощность в облегченном режиме при Ukb“35 В,
f=14 16 ГГц /„<10 мкс, QSslOO.
Рох=90 Вт 2Т986Л, не менее ...
Рвх=75 Вт 2Т986Б, не менее . . . .
Коэффициент усиления по мощности при 4Лкв=45 В, f=
= 14 1,6 ГГц, /„<10 мкс, QSs 100, Р„<87,5 Вт для 2Т986А
и Рал<75 Вт для 2Т986Б, не менее . .
типовое значение .................................
Коэффициент усиления по мощности в облегченном режиме
при 67^=35 В, f= 1,4..1.6 ГГц, /„<10 мкс, 100
7% =90 Вт 2Т986А не менее .... . . .
РОх=75 Вт 2Т986Б, не менее........................
Коэффициент полезного действия коллектора при 67ке=45 В,
f=l 4. 1,6 ГГн /„<10 мкс. Q>100, Рох<87,5 Вт для
2Т986Л и РОх<75 Вт для 2Т986В, не менее
типовое значение ... ...................
Коэффициент полезного действия ко . ектора в облегченном
режиме при £/кв=35 В, f=l 4 1,6 ГГц, /„=10 мкс, Q=l00,
Р«х<99 Вт для 2Т986А и Р„,<75 Вт для 2Т986Б. не менее
Обратный ток коллектор — эмиттер при 67кэк = 45 В:
7'=+25°С 2Т986Л, не более .... . . .
типовое значение ............................ .
2Т986Б, не более................................
типовое значение ...............................
7"=—60 и +125°C
2Т986Л. не более................................
2Т986Б, не более ......................
Обратный ток коллектора при /7ке = 50 В, нс более:
2Т986А .........................................
2Т986Б . .........................
Обратный ток эмиттера при Г7Бэ=3 В не более:
2Т986А ......................................
2Т986Б . .......
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . . ,
Постоянное напряжение эмиттер — база.................
Импульсный ток коллектора прн /„<10 мкс, 100.
2Т986А ... . .
2Т986Б ...................................
Импульсная рассеиваемая мощность транзистора 1 в динами-
ческом режиме при /„<10 .мкс, 100 Тк — бО-Ч вб^С-
2Т986Л ................................
350 Вт
390* Вт
300 Вт
330* Вт
200 Вт
200 Вт
6 дБ
6,5* дБ
3,6 дБ
4,2 дБ
30%
32*%
25%
60 мА
30* мА
40 мА
20* мА
70 мА
60 мА
50 мА
40 мА
50 мА
40 мА
50 В
3 В
26 А
22 А
910 Вт
1 При Г*--60... + 85 "С и /„<10 мкс, Q^lOO Р„,Лаяс рассчитывается по формуле
^„..ЧПЖС ВТ"'11'Т/Ят(П-яУ
При 7'к-+85 .. + 125 °C и /„<10 мкс, <2>100
В* = (200 — fK)/RTi „ Kj.
где Кт(п_кГ~ +0,036 ^1- j f/„ для 2Т9Ч6А
«г +0-045 ‘ ДЛЯ 2ТУ86Б-
Формулы справедливы при PU J((QKC^1300 Вт для 2T98GA и PUiMaKC^1Вт для 2Т986Б.
32 Заьаз № 1004
497
Продолжение
2Т966Б................. ............................ 775 Вт
Минимальная рабочая частота....................... ... 0,6 ГГц
Температура р-п перехода............................... 200° С
Температура окружающей среды...........................—60сС. .7\ =
= + 125 °C
Панка выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм от корпуса при
температуре не выше +260°C в течение не более 3 с. Допускается пайка вы-
водов не ближе 2 мм от корпуса; при этом температура не должна превы-
шать + 150 °C, время пайки не более 3 с.
Прн монтаже транзисторов в мпкрополосковые линии разрешается отку-
сывать выводы не ближе 3 мм. Допускается пайка фланца корпуса транзисто-
ра к теплоотводу. Температура пайки не более +125 °C, скорость изменения
температуры корпуса при панке фланца пс более 1 °С/с.
Зависимости импульсной выходной
мощности от входной МОЩНОСТИ
Зависимости коэффициента усиления
от входной мощности
Зависимости коэффициента усиления
от входной мощности
49«
Зависимости импульсной выходной
мощности от частоты
ггзйб iA gf
Эквивалентная схема замещения транзистора 2Т986 (А, Б) в активном режи-
ме (С, = 1.5...2.5 пФ, Сг=1.5..2,5 пФ, С3—260 пФ, С4=30 нФ СК|=25 пФ,
Ск1— 50 пФ, С» = Ю00 пФ, Сх,= 16 пФ, L\—0.4 нГн. /.,=0.05 нГн. Л.в=0,01 нГн.
Гк = 0,3 нГн, /.2=0,4 нГн, Дг—0.01 Ом, Гб=0,1 Ом. Гх-0,1 Ом)
2Т988А
Транзистор кремние-
вый эпитаксиально-планар-
ный структуры п-р п гене-
раторный с согласующими
цепями. Предназначен для
применения в усилителях
мощности диапазона частот
0.7.. 1 ГГц в импульсном и
непрерывном режимах в
схеме с общей базой прн
напряжении питания 28 В
Корпус металлокерамнче
скин с гибкими выводами.
Тин прибора указывается
на корпусе
Масса транзистора не
более 5 г.
2 Т38 8 А
Электрические параметры
Выходная .мощность при /7кв —28 В. Кв.р^6 дБ. f 0,7; 0.85,
1 ГГц. не мепее...................... 15 Вт
типовое значение . 17* Вт
Выходная мощность в облегченном режиме при Икб~20 В.
Kup=4 дБ. f=\ ГГц. /к=1,6 А. ис менее . 9 Вт
Коэффициент усиления по мощности при /7^0—28 В Р„ых=
= 15 Вт, f=0.7; 0,85, 1 ГГц, Тк=— 60 +60°С, не менее 6 дБ
Коэффициент полезного действия коллектора при Ukv—28 В
К^р-6 дБ, 1=0,7; 0,85, 1 ГГц, не меиее .... 40%
типовое значение........................................45*%
32*
499
Продолжение
Обратный ток коллектора при 17кд = 5О В, ие более:
Т= + 25 °C................................................50 мА
7=-60 н +125 °C......................................100 мА
Обратный ток эмиттера при UBr,=3,5 В, Т-— 6О...+ 125°С.
не более..................................................15 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база1 ирн Т=
= +25.+ 125 °C............................................50 В
Постоянное напряжение эмиттер — база ... . 3.5 В
Постоянный ток коллектора .... . . 2,5 А
Постоянный ток базы............................... . . 1 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора2 при Тк —
= -60.+25 °C........................................ . 43 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус..................3,5 "С/Вт
Температура р-п перехода...................................+ 175 °C
Температура окружающей среды...........................—60°С...7к =
= (125 °C
1 При 7-+25...—€0 °C б'КБ лакс снижается линейно до 45 В.
’ При 7к-+25... + I25 °C НК ср,Л0кс определяется по формуле
^К.ср.яаке- Вт" (175—Гп)/3,5.
Эксплуатация транзистора в радиоимпульсном режиме осуществляется при /„<^500 мкс,
<?>10. В При /и»С10 мкс. <?3sl0 допускается повышение напряжения питания
До 40 В
Параметр Рк мокс рассчитывается по формуле
^К.и.жакс’ Вт = (175- Tn):RT u (n Kj,
^Т(п к) = 3>5 °С/Вт; ^г.и(п-к) Для одиночного радиоимпульса определяется из рисунка.
Применение транзистора в статическом режиме, в том числе в режиме
класса А, не допускается.
Допустимое значение электростатического потенциала 1000 В
Для повышения надежности транзистора в условиях эксплуатации реко-
мендуется применять запирающее смешение 1 В.
Зависимости выходной Зависимости выходной
мощности от входной мощности коэффициента
мощности полезного действия от
частоты
Зависимость выходной
мощности от частоты
500
Пайка выводов транзистора допускается иа расстоянии 3 мм от корпуса
при температуре +260 °C в течение пе более 3 с. Допускается пайка выводов
иа расстоянии 2 мм от корпуса; при этом температура пайки не должна пре-
вышать + 150 °C.
Допускается сварка выводов пе ближе 1 мм от корпуса; при это*' темпе-
ратура корпуса транзистора не должна превышать +150 “С и должны быть
приняты меры по исключению возможности нарушения целостности конструкции.
Допускается обрезка выводов пе ближе 2 мм от корпуса. При этом усилие не
должно передаваться на место соединения вывода с корпусом.
Зависимости коэффици-
ента полезного действия
от входной мощности
Зависимость коэффици-
ента полезного действия
от частоты
Зависимость импульсно-
го теплового сопротив-
ления переход — корпус
от длительности им-
пульса
Эквивалентная схема замещения транзистора в активном режиме (Д.в=0,7 иГ’н,
£2=0,2 нГн, L3 = 0,035 пГи, Z.4=O,35 нГн, Le- 1,5 нГн, L7 0,7 пГп, С| = 0,17 нФ
Ci-0,0045 пФ, С3 = 0,2 пФ, С« = 0,0045 пФ, С5 = 0,01 пФ, С6-0,2 пФ.
0,026
С7-0.0028 пФ, /?, 0,2 Ом, /?2= Ом, /?3=0,23 Ом, Я4=0,35 Ом,
1 \
1+17/2,5/
501
2Т989 (А, Б|
2Т989(А Б)
параметры
Транзисторы крем-
ниевые эпитаксиально-
планарные структуры
п-р-п генераторные.
Предназначены для при-
менения в усилителях
мощности диапазона ча-
стот 1,3...2,2 ГГц в схе-
ме с общей базой при
напряжении питания
28 В. Корпус металло-
керамический с гибкими
выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора
нс более 5 г.
Выходная мощность при UKI1 28 В, /=2 ГГц.
fM»ll Вт 2Т989Л, не менее
типовое значение
6 В г 2Г989Б. ие менее
типовое значение
Выходная мощность в облегченном режиме при (7кв=
22 Вт, [=2 ГГц. не менее'
35 Вт
40’ В г
26 Вт
30* Вт
Р«=11 Вт 2Т989А
Р„=6 Вт 2Т989Б
Коэффициент полезного действия при {7кв=28 В, f 2 ГГц:
Р„ II Вт 2Г989А
не менее
типовое значение ...
/’«х^б.5 Вт 2Т989Б, не менее
типовое значение .....
Обратный ток коллектора при Ukk 45 В.
Г=+25СС..................
Т=— 60...+ 125 °C. не более
Обратный ток эмиттера при UgB 2 В
7=+25 °C ....
Т=—60.+125 °C, ие более
Обратный ток коллектор — эмиттер при U кэ 30 В, не
более.......................................... . . .
типовое значение
25 Вт
17 Вт
32%
35*%
30%
33*%
5* 25*... 100 мА
100 мА
0.01 *...5*...40 мА
40 мА
120* мА
22* мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение источника питания ... 28 В
Импульсное напряжение источника питания при
<50 мкс, Q>40 . . 30 В
Постоянное напряжение коллектор — база1 при Т=
= + 15 +125 °C . . . 45 В
При Г—— 60... + 15'С ЧцЕяапс снижается линейно до 40 В
502
Продолжение
Постоянное напряжение эмиттер—база.................2 В
Постоянный ток коллектора:
2Т989А...............................................5 А
2Т989Б...........................................4 Л
Импульсный ток коллектора при /,<^50 мкс, Q^40
2Т989А . ............. . . 7,5 А
2Т989Б...................................... 5 А
Постоянный ток базы:
2Т989А . .................................2 Л
2Т989Б...........................................1.5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора* 1 при 7к =
= -60 ..+115 °C:
2Т989Л...............................................40 Вт
2Г989Б . ..........................30 Вт
Средняя рассеиваемая мощность коллектора2 в динамиче-
ском режиме при f=l,3.. 2,2 ГГц, Тх = -60... + 25 "С:
2Т989Л . . ..............................85 Вт
2Т989Б ... . . ................65 Вт
Тепловое сопротивление переход—корпус................2,7’С/Вт
Температура р-л перехода ........................+195 "С
Температура окружающей среды.....................—6О"С...ТК =
= + 125 °C
1 При Тх —+ 115... + 125 °C Рк маке определяется по формуле
Вт-(195-Дх1/Л1(п_х)
1 При Гх-+25 .+125 °C .каке определяется по формуле
^Л’.ср.лакс' В ‘ п—к)-
Допускается обрезка фланца без передачи механических усилий па кера-
мику. Допускается обрезка выводов не ближе 3 мм от корпуса. При этом уси-
лие не доджно передаваться па место соединения вывода с корпусом.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется нс ближе 3 мм от корпуса
при температуре нс выше +260°C в течение не более 3 с. Допускается пайка
выводов на расстоянии I мм от корпуса при температуре не выше +180 °C в
течение пс более 3 с.
Допускается припайка основания корпуса транзистора к радиатору при
температуре не более +160”С, скорость нарастания и снижения температуры
корпуса транзистора не более 1 °С/с, время пайки не более 10 мин.
Допускается приварка выводов не ближе 2 мм от корпуса; при этом тем-
пература корпуса транзистора нс должна превышать +150 °C.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
/5 20 22 Z4
ПО
2 3 S Р^.Вт
Зависимости выходной
мощности от напряже
ния коллектор — база
Зависимости выходной
мощности коэффициента
усилении и коэффициен-
та полезного действии
от входной мощности
Зависимости выходной
мощности, коэффициента
усиления и коэффициен-
та полезного действия
от входной мощности
503
Эквивалентная схема замещения транзистора 2Т989 (Л. Б) в активном режиме
(Сх = Сак + СКб—36 пФ, С«х=550 пФ СвЫх=300 пФ резонирует с С„х на
частоте {=2 ГГц, Leux резонирует с Ск £б = 0,04 нГн, L.,, LK индуктивности
внешних выводов на длине 1 мм)
2Т994 (А, Б, В)
Транзисторы кремниевые эпи-
таксиально планарные структуры
п-р-п генераторные с согласую
щимн цепями. Предназначены для
применения в генераторах и уси-
лителях мощности диапазона ча-
стот 1,4...1,6 ГГц в импульсном
режиме в схеме с общей базой
при напряжении питания 50 В.
Корпус металлокерамический с
гибкими выводами. Тип прибора
указывается на корпусе
Масса транзистора не бо-
лее 10 г.
Электрические параметры
Выходная мощность при Б'кв=45 В, f= 1,4.1,6 ГП
^10 мкс, <25=100
Р»х=125 Вт 2Т994А, не менее....................... 500 Вт
типовое значение....................................... 550* Вт
Psx=100 Вт 2Т994Б, не менее . ................. 400 Вт
типовое значение . . ............. 450* Вт
Р«х=100 Вт 2Т994В, пе менее ............. 500 Вт
типовое значение . ............. 550* Вт
Выходная мощность в облегченном режиме при 1/Кв = 35 В,
I 1,4 1,6 ГГц, /и^10 мкс, <2^100, не менее:
Р„=Ю0 Вт 2Т994Л . . ..................... 250 Вт
Psx—75 Вт 2Т994Б ... ................. 200 Вт
Р„х=60 Вт 2Г994В . . . 200 Вт
Коэффициент усиления по мощности при Ukb~45 В, / =
14 .1,6 ГГц. /,.-10 мкс. 0100
Рвх= 125 Вт 2Т994А, не менее .... ... 6 дБ
типовое значение . . .... . . 6 4* дБ
504
П родолжение
Рвх—100 Вт 2Г994Б, не мепее . ............. 6 дБ
типовое значение................................ . 6.5* дБ
Рвх=Ю0 Вт 2Т994В, пе менее 7 дБ
типовое значение . . 7,4* дБ
Коэффициент усиления по мощности в обличенном режиме
при 17кл=35 В, f= 1,4... 1,6 ГГц. /иг£10мкс, 100, не менее:
Р.х=Ю0 Вт 2Т994Л .... 4 дБ
Р.х=75 Вт 2Т994Б . . . . . . 4,2 дБ
Р„х=60 Вт 2Т994В ... - . 5,2 дБ
Коэффициент полезного действия коллектора при <7кб=45 В,
f=l,4..,l,6 ГГц, /,,г£10 мкс, 100.
Р„=125 Вт 2Т994Л, пс менее...........................30%
типовое значение ........................33*%
Р.х= 100 Вт 2Т994Б, пе менее . . ..............10
типовое значение . . . . ... 33*%
Р.х 100 Вт 2Т994В, пе менее . . ..............30%
типовое значение . - 37*%
Коэффициент полезного действия коллектора в облегченном
режиме прн 1/кб = 35 В, f=l,4...1,6 ГГц, /„sC10 мкс, <25= Ю0,
не мепее:
Р„х = 100 Вт 2Т994Х....................................25%
Р,х-75 Вт 2Т994Б............................... .... 25%
Рвх=60 Вт 2Т994В.......................................25%
Емкость коллекторного перехода при 1/кб- 45 В. нс более . 120 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 1/»к=0, не более . . 1500 пФ
Обратный ток коллектора прн <7кь = 50 В:
7—+25 °C, пе более ... ................. 60 мА
типовое значение . .................30* мА
7=-60 и +125 °C. пе ботее . . ... 90 мА
Обратный ток коллектор — эмиттер прн 1)кэ—45 В, не более:
7-+25 °C: 2Т994А . ................ 50 мА
2Т991Б . . . ... . 60 мА
2Т994В . .................... 90 мА
7=-60 н +125СС: 2Т994А.................................. НО мА
2ТЧ94Б . ... 80 мА
2Т994В . . 120 мА
Обратный ток эмиттера прн t/aE=3 В:
7=+25 °C, не более . ............. 5 м"
типовое значение......................................30* мА
7= -60 н +125°C. не ботее............................... 90 мА
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания . ...
Постоянное напряжение коллектор — база . . 50 В
Постоянное напряжение эмнттер- база . . . В
Импульсный ток коллектора1 при 7,^10 мкс, <2j3= 100:
2Т994А. 2Т994В................................. . . 39 «
2Т994Б . . . ............. - 30 Л
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора2 при
«£10 мкс, <2> 100, 7К= 60...+85°C:
1 При /и<10 мкс и С2>К<0 lUuWKr рассчитывается по формуле
'н,и,МПке. Вт 1₽н. ^«ЗМИО-З-
• При ГК< + ?5°С, <и<10 мкс и <2>IOO PKiU„MaKC рассчитывается по формуле
Т’к и чакс- Вт=П5//?Т(п я).
। 24 / 0-86 \ —
Прн V+85'С РК111Лт Вт-(200 7К)/8ГСП_К) Лт(п-х)“^ 1 °-027 ) l7" для
I чя / \ __
2Т994А, 2Т994В; <?т,„ — +0,031 I- ~ У<„ для 2Т994Б. Формулы справедливы при
т(п-к) q \ yQ 1 “
РК и ,M„„c«SI800 Вт для 2Т994А, 2Т994В и Рк,и-мокс^1650 Вт для 2Т994Б-
505
Продолжение
2Т994А, 2Т99+В ... 1290 Вт
2Т991Б . .... 1165 Вт
Минимальная рабочая частота 1 . . .0.6 ГГц
Температура р-п перехода ... +200 °C
Температура окружающей средн .... — 69°С..7’К=
= 4 125 “С
1 На частоте f=0.6 ГГц гарантируются значения параметров, приведенные в раз
деле «Электрические параметры»
Разрешается откусывать полосковые выводы па расстояния 3 мм от корпу-
са, а также формовка выводов транзистора при монтаже пс ближе I мм от
корпуса
Папка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 3 мм от корпуса при
температуре +260°С в течение не более 3 с. Допускается пайка выводов на
расстоянии 2 мм от корпуса; прн этом температура пайки не должна превы-
шать + 150 °C. время папки не 6.1 лее 3 с. Допускается панка фланца корпуса
транзистора к теплоотводу, температура папки не более +150 °C.
Допустимое значение электростатического потенциала 1000 В
Зависимости выходной
мощности и коэффици
еита усиления от вход
пой мощности
Зависимости коэффици-
ента полезного действия
от входной мощности
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента усиления от вход-
ной мощности
Зависимости коэффици-
ента полезного действия
от входной мощности
Зависимости выходной
мощности и коэффици
ента усиления от вход
ной мощности
Зависимости коэффици
ента полезного действия
от входной мощности
506
Зависимости выходной
мощности от темпера-
туры корпуса
Зависимости выходкой
мощности от температу-
ры корпуса
Зависимости выходной
мощности от температу-
ры корпуса
Эквивалентная схема транзистора 2Т994(А—В) в активном режиме
(£,=0,25 иГн, £я=003 иГп, £е = 0,01 иГн, £„=0.2 иГн. £2=0,2 нГн,
С(=2,5-3,5 пФ, С2=2,5...3,5 пФ. С< = 300 пФ, С6=45пФ, С„|=37пФ, £’„-=75 пФ,
С8=1500 пФ, С„3=24 пФ, Дт-0,01 Ом, ге=0.1 Ом, тк=0,1 Ом)
2Т996 [А-2, Б-2)
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-пла-
нарные структуры п-р-п
усилительные. Предна-
значены для примене-
ния в усилителях клас-
са А с повышенными
требованиями к линей-
ности. Бескориусные
с гибкими полосковыми
выводами па керамиче-
ском держателе Приме-
няются в герметизиро-
ванной аппаратуре. Тип
прибора указывается на
крышке держателя.
Масса транзистора не
более 0,21 г.
507
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
1э—100 мА, 1/кВ=10 В пе мепее
7=25... + 125 "С 2Т996Л2......................
типовое значение . . . ,
Т -60сС . ,
7= 25 . +125 °C 2Т996Б 2 . .
типовое значение ....
7= —90 °C ...................
Граничная частота коэффициента передачи тока в Схеме
ОЭ при /к=100 мА Т/К£> = 10 В
2Г996А-2.........................................
21996 Б-2
Неравномерность коэффициента передачи тока в режиме
малого сигнала при (Укэ = 7,5 В. /к = 20 200 мА пе более
Граничное напряжение при /Л = 50 мА:
2Т996Л 2 . . .........................
2Т996Б-2.....................
Емкость коллекторного перехода при 17кьо = 10 В
Емкость эмиттерного перехода прн USLO=0:
2Т996Л 2 ..........................
2Т996Б2........................................;
Коэффициент 2-й гармоники при мощности основного тона
1 мВт, частоте основного топа 30 МГц. Д„ = 1?. = 75 Ом.
/?»«=4,5 Ом, Un =10 В................................
Коэффициент 3-й гармоники при мощности основного тона
1 мВт, частоте основного тона 20 МГц, /?«=/?? = 75 Ом
/?.« 4,5 Ом, 1/к=Ю В.................................
Обратный ток коллектор—эмнттер при 17Кэ = 20 В /?j6=
— 100 Ом, пе более .... . . . .
Обратный ток эмиттера при 7/вл=2,5 В, не более
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база ....
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
1 кОм . ... ...
Постоянное напряжение эмиттер — база ....
Постоянный ток коллектора , ..............
Импульсный ток коллектора при Л,^1 мс, 10
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
Тепловое сопротивление переход — криста т.тодержатель
Температура р-п перехода ..........................
Температура окружающей среды .....
35
55*
17
70
НО*
17
4 4,8*...5,5* ГГц
4...5,5*...6,2* ГГц
1,5
20 .28*.. 35* В
16 22*. 24* В
1 6* ,2*...2,3 пФ
10*. 12*. 20 пФ
6,5* 7,5*...20 пФ
—65* дБ
-95* дБ
5 мА
0,5 мА
20 В
20 В
2.5 В
200 мА
300 мА
2.5 Вт
40 °С/Вт
+ 150 °C
—60...+ 125 °C
Пайка выводов транзисторов допускается по ближе 2 мм от крпсталлодср-
жатсля при температуре пе выше +260 °C в течение не более 3 с и не ближе
0,5 мм от кристаллодержателя при температуре пс выше +150 °C. Металлизи
ровапное основание кристаллодержателя рекомендуется заземлять. Допускается
пайка металлизированного основания кристаллодержателя при температуре не
более +180 °C.
Допускается обрезка выводов не ближе 1 5 мм от кристаллодержателя.
508
0 W 80 ПО 1601^ nA
Зависимости статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимости статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимости граничной
частоты от тока кол-
лектора
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор —• база
Зависимости емкости
эмиттерного перехода от
напряжения эмиттер —
база
Область максимальных
режимов
2Т9103 [А-2, Б-2)
Транзисторы кремние-
вые эиитакснально-планар-
ные структуры п-р-п гене-
раторные Предназначены
для применения в схеме
с общей базой в усилите-
лях, генераторах и умножи-
телях в диапазоне частот
0,9 .5 ГГц. Бсскорпусныс с
полосковыми выводами на
крпсталлодержателе. Тип
прибора указывается иа
крышке.
Масса транзистора ие
более 3 г.
2Т 91031А 2 6-2)
509
Электрические параметры
Выходная мощность (медианное значение) при (=5 ГГц.
Г^кв=21 В. Лг=0,9 Л не менее:
Р„=3,5 Вт 2Т9103А 2 . . . .
Р„=5 Вт 2Т9103Б 2 . . .
Выходная мощность 2Т9103А-2 при f=5 ГГц, 1Укг. 21 В
/я = 0.9 Л . . . . .
Коэффициент усиления по мощности 2Т9103А 2 при Р«<
^3,5 Вт, /=5 ГГн. С/кс=21 В, /к —0.9 А
Коэффициент полезного действия коллектора 2Т9103А 2
прн Р„^3,5 Вт, ( = 5 ГГц. (7иб = 21 В. /к = 0,9 А . .
Обратный ток коллектора при Ukb~25 В не более:
7=+25 и -60°C ...
7-д 125 °C.......................................
Обратный ток эмитгера прн иэв=2 В, не более:
7=+25 п -60°C ................
7=+ 125 °C ......................................
Индуктивность выводов:
базового ...........................................
коллекторного ...................................
эмиттерного..............................., .
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение эмнттер—база...................
Постоянный ток коллектора............................
Постоянная рассенвае.мая мощность коллектора
Средняя рассеиваемая мощность коллектора в динамиче-
ском режиме..........................................
Минимальная рабочая частота . .................
Напряжение питания в диапазоне частот:
0.9... 1,4 ГГц...................................
1.4 2,5 ГГц .. .............................
свыше 2,5 ГГц..........................
Тепловое сопротивление переход — корпус .....
Температура р-л перехода .................
Температура кристаллодержателя.......................
7 Вт
10 Вт
6...7*...8,5* Вт
1.72*.„2* .2.4*
28 ..37*.. 45*%
7 мкА
70 мкА
0 5 мкА
3 мкА
0.04' нГи
0,2* и Гн
0,25* нГн
25 В
2 В
1,1 А
3 Вт
16,4 Вт
0.9 ГГц
15 В
18 В
21 В
8.5 °C,'Вт
+165 °C
+ 125 °C
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 2 мм от кристалло-
держатеяя до места пайки при температуре не выше +260°C в течение нс бо-
лее 3 с.
Допускается пайка выводов пе ближе 0,5 мм от кристаллодержателя при
температуре пс выше +150 °C.
Зависимости выходной мощности и
коэффициента полезного действия
коллектора от тока коллектора
Зависимость коэффициента усиления
по мощности от тока коллектора
510
При монтаже транзисторов допускается обрезать выводы не ближе I мм
от кристаллодержателя.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Зависимости выходной мощности и
коэффициента полезного действия от
напряжения коллектор — база
Зависимость коэффициента усиле-
ния по мощности от напряжения
коллектор — база
Область максимальных
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента полезного действия
от входной МОЩНОСТИ
Зависимость коэффици
ен1а усиления по мош
ности от входной мош
пости
режимов
2Т9104 (А, Б|
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планарные
структуры п-р-п генераторные
Предназначены для примене-
ния в широкополосных усили-
телях мощности в полосе ча-
стот 350.700 МГц в схеме с
общей базой прн напряжении
питания 28 В Выпускаются в
металлокерамическом корпусе
с гибкими полосковыми выво
дами Транзисторы содержат
внутреннее LC-звено. Тип при-
бора указывается на корпусе.
Масса транзистора не бо-
лее 5 г.
511
Электрические параметры
Выходная мощность на частоте f=700 МГц при 1/кв=28 В.
7'к^+40<'С. не менее:
2Т9104А.............................................5 Вт
2Т9104Б........................................... . 20 Вт
Коэффициент усиления по мощности на частоте f = 700 МГц
при 4/кс=28 В, 7\sg+40°C:
РвЫХ = 5 Вт 2Т9104А, пс менее.......................8
типовое значение .................................. 12*
Р<!ЫХ~ 20 Вт 2Т9104Б, ие менее.........................7
типовое значение .................................... 9*
Коэффициент полезного действии коллектора па частоте [ —
= 700 МГц при UKr.-=28 В, 7к^+40°С:
Р емх~ 5 Вт 2Т9104А, ие меиее.......................40%
типовое значение . . 46*%
Р,Ых=20 Вт 2Т9104Б не менее.........................50%
типовое значение......................................55*%
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при
1/кб=Ю В. f=300 МГц:
/к=1 А 2Т9104А, не .меиее...........................2 А
типовое значение ............................ .... 3,2* А
/к=2 А 2Т9104Б, не менее ...... 2 А
типовое значение ...... 3.2* А
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой часто-
те при Uke=5 В. /=5 МГц, типовое значение:
/в=0.3 А 2Т9104А ...................................10*
/э=0.6 Л 2Т9104Б.....................................9*
Емкость коллекторного перехода иа частоте f=30 МГц,
ПКв=28 В. не более:
2Т9104А...............................................20 пФ
2Т9104Б ... 40 пФ
Обратный ток коллектора ирн 17кс = 50 В. не более:
7=+25'С:
2Т9104Л . 10 мА
2Т9104Б.............................................20 мА
7=+ 125 °C:
2T9I04A.............................................20 мА
2Т9104Б ... 40 мА
Обратный ток эмиттера при Г/эь = 4 В, пс более:
7=+ 25 °C:
2Т9104.А........................................... 5 мА
2Т9104Б . К) мА
7=+ 125 °C:
2Т9104Л............................................ 10 мА
2Т9104Б . 20 мА
Индуктивность внутреннего АС звена типовое зпачонис:
2T9I04A................... 1.4’ пГи
2Т9104Б......................................... 0,65* и Гн
Емкость внутреннего Z-C-зпена, типовое значение:
2Т9104А.............................................50* пФ
2Г9104Б........................................ .... 125* пФ
Индуктивность эмнттерного вывода, типовое значение:
2Т9104А...............................................2* пГи
2Т9104Б......................................... ... 1,7* иГн
Индуктивность коллекторного вывода, типовое значение . 1,5* иГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база.....................50 В
Постоянное напряжение эмиттер — база........................4 В
512
Постоянный ток коллектора:
2Т9104Л.................................................
2Т9104Б.............................
КСВН коллекторной цепи на частоте /=500 МГц при (Л<с =
=24 В, Т'я<+50°С в течение 3 с;
Ре мх = 4 Вт 2Т9104А................................
Р.ыл= 20 Вт 2Т9101Б . ....................
Средняя рассеиваемая мощность •:
7\<+93°С 2T9I04A....................................
7\sgI03oC 2Т9104Б...................................
Тепловое сопротивление переход — корпус:
219104А ..................................... .
219104 Б ...................................
Температура р-п перехода................................
Температура окружающей среды ...........................
П родолжение
1.5 А
5 Л
10 Вт
23 Вт
8,2 °C/Вт
3.1 °С/Вт
175 °C
-60°С...7н =
= + 125 °C
5
5
При большей температуре 7’/1-,Лакс. Вт-(175-Гк)/Т?г(п_к}.
Пайка выводов транзисторов допускается пе ближе 1 мм от корпуса прн
температуре +265 °C в течение 4 с.
Допускается монтаж транзистора методом пайки фланца к теплоотводу
при обеспечении температуры корпуса ие более +150 °C в течение 2 мни.
2T3I0U 1а 6)
Электрическая схема транзистора
219104 (А, Ь)
Таблица 53
Тил транзи- стора HJH “7 | I Л;,, нГн X X Л С, пФ
2Т9104А 2 1.4 1,5 50
2Т9101Б 1.7 0.65 1.5 125
Завиепмощь выходной мощности от
напряжения коллектор — база
Зависимость выходной мощности
от напряжения коллектор — база
33 Заказ № 1001
513
Зависимости коэффициента усиления
и коэффициента полезного действии
от частоты
Зависимости коэффициента усиления
и коэффициента полезного действия
от частоты
Зависимость модуля ко-
эффициента передачи
тока от тока коллектора
Зависимость модуля ко-
эффициента передачи
тока от тока коллектора
Зависимость постоянной
времени цени обратной
связи от тока эмиттера
Зависимость постоянной
времени цени обратной
связи от тока эмиттера
Зависимость емкости Зависимость емкости
коллекторного перехода коллекторного перехода
от напряжения коллек- от напряжения коллек-
тор — база тор — база
514
2Т9109А
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планарные
структуры п-р-п генераторные.
Предназначены для примене-
ния в импульсных усилителях
мощности в схеме с общей ба-
зой в полосе частот 720..
820 МГц при напряжении пи-
тания 50 В. Выпускаются в ме-
таллокерамическом корпусе с
гибкими полосковыми вывода-
ми. Транзисторы содержат
внутреннее ЕС-звено. Тип при-
бора указывается на корпусе.
Масса транзистора не
бо ice 6 I.
Электрические параметры
Импульсная выходная мощность па частоте / = 820 МГц при
/=10 мкс, <2=100, (7кв = 50 В. Рм<143 Вт, не менее
Коэффициент усиления по мощности при /Л,ых,„ = 500 Вт, f=
= 820 МГц. tu= 10 мкс, <2=100, Скв=50 В, не менее
типовое значение ... .................
Коэффициент полезного действия при /’«ых.„=500 Вг. / =
=820 МГц, /„=10 мкс, <2=100, С'кв~50 В, ие менее
типовое значение ...................................
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при
<7кэ = 10 В, /к-6 A, /=100 МГц, не менее................
типовое значение ....................................
Постоянная времени цепи обратной связи па высокой частоте
при Ukb=5 В, /э=0,5 A, f=5 МГц. не более . . , .
типовое значение .... ..............
Критический ток иа частоте /=100 МГц при Скэ=Ю В, не
менее ...................................................
типовое значение . . ........................
Емкость коллекторного перехода на частоте / 30 МГц при
UKE=50 В, пе более .... .................
типовое значение . . . .
Обратный ток коллектора при L,KC=65 В, не более-
Т--(-25 СС...............................................
/’=+125 °C...........................................
Обратный ток коллектор — эмиттер при UKu = 50 В
Т— +25 ’С, не более........................
Обратный юк эмиттера при USe~^ В. не более
7=+25 °C.............................. ...
7=+125 °C...........................
/?хв=0.
500 Вт
3,5
5*
35%
41,6*%
3,6
5,95*
10*
3,5*
22* А
38* А
140 нФ
100* нФ
60 мА
120 мА
100 мА
20 мА
40 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн R»e< 10 Ом
Постоянное напряжение эмиттер — база ...................
Импульсный ток коллектора при /„<10 мкс, <2> 100
Импульсная рассеиваемая мощность1 при <2=100. 7Я<
<+25 °C
/„-10 мкс .... ..............
/„ -20 мкс . . . . . .
65 В
50 В
4 В
28,6 В
1120 Вт
540 Вт
1 При ГК>25“С PKtU,MaKc. BT-(l60-rK)/«Tu(n_n).
33’
515
Тепловое сопротивление:
Продолжение
/ц=10 мкс.............................................0,12°С/Вт
tu=20 мкс................................... 0,25°С/Вт
Температура рп перехода . . . 4-160 °C
Температура окружающей среды...........................—60°C. Тп —
= + 125 °C
2T31D9A
Изгиб выводов транзистора
допускается пе ближе 3 мм от
корпуса.
Пайка выводов транзистора
допускается не ближе 1 мм от
корпуса при температуре +265 °C
в течение 4 с.
Допускается монтаж тран-
зистора методом пайки фланца
к теплоотводу при обеспечении
температуры корпуса не более
+ 150 °C в течение 2 мии.
Электрическая схема транзистора 2Т9109А
Зависимость импульсной
выходной мощности от
напряжения коллектор —
база
Зависимости импульсной
ВЫХОДНОЙ МОЩНОСТИ и
коэффициента полезного
действия от температу
ры корпуса
Зависимость модуля ко-
эффициента передачи
тока от тока коллек-
тора
Зависимость критическо-
го тока от напряжения
коллектор — эмиттер
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость импульсной
рассеиваемой мощности
коллектора от темпера-
туры корпуса
516
2Т9114 (А, Б)
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-плапарпыс
структуры п-р-п генераторные
с внутренними согласующими
цепями по входу и выходу.
Предназначены для примене-
ния в схеме с общей базой в
усилителях и генераторах в
импульсном режиме в диапа
зове частот 1.4. 1,6 ГГц Вы-
пускаются в металлокерамиче-
ском корпусе с полосковыми
выводами. Тип прибора указы-
вается на крышке корпуса.
Масса транзистора пе бо-
лее 6 г.
2T9flt (А 6)
Электрические параметры
Выходная мощность при й’ксв45 В. 7=1,5 ГГц /и =
= 50 мкс. Q=10:
/\,<37.5 Вт 2Т9114А
/j«x<io Вт 2Г9Н4Б ; ;
Коэффициент усиления по мощности прн £7кь=45 В 7=
= 1,5 ГГц, /и = 50 мкс, Q=10.
Р„х=37,5 Вт 2Т911-1А, /•’„=10 Вт 2Т9114Б . . .
Коэффициент полезного действия коллектора при Vkb—
=45 В. f=I,5 ГГц. Л, =50 мкс, Q= 10:
Р«л=37,5 Вт 2Т9114А, Р„=10 Вт 2Т9114Б . . .
Обратный ток коллектора при 77кп —50 В, не более’
7'=+25 °C:
2Т9114А . . .
2Т9114Б ....
Г= + 125 н -60 °C:
2Т9114Л ....
2Т9114Б .
Обратный ток эмиттер — коллектор при Ска = 45 В и
Т= +25 °C, пе более;
2Т9114А . . .
2Т9114Б . * * '
Обратный ток эмиттера при USn 3 В. пе ботее:
7 = +25 °C:
2T91I4A . . .
2Т9114Б *
Г= + 125 и -60°C.
2Т9114А
2Т9114Б
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база ....
Постоянное напряженно эмиттер — база.................
Импульсный ток коллектора при /и<50 мкс, <2;>10
2Т9114А .
2Т9114Б . . . . ’ .
Импульсная рассеиваемая мощность транзистора при /и^
<50 мкс. Q:> 10:
2Т9114Л .............
2Т9П4Б....................................; \ ;
150. 170*... 180* Вт
40.50*...55* Вт
6 ..6,55*..,6 95* дБ
35.. .37,8*. .40* %
30 мА
8 мА
45 мЛ
12 мА
50 мЛ
13 мА
60 мА
15 мА
90 мА
22 5 мА
50 В
3 В
13 А
3,25 А
325 Вт
82 Вт
517
Продолжение
Минимальная рабочая частота .............0,6 ГГц
Температура р-п перехода .............+ 195‘С
Тепловое сопротивление переход—корпус:
2TS114A................................/?r(n-K)=v +0,0272 (
Q \ l Q
219114Б............................./?т<п->о= +0,1088 {1-^'1
Температура окружающей среды . ................—60°С...7к =
= + 125 °C
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 3 мм от корпуса при
температуре не выше +260 °C в течение не более 3 с Допускается пайка вы-
водов на расстоянии 2 м.м от корпуса прн температуре не выше +150°C в те-
чение не более 3 с.
Разрешается обрезать полосковые выводы пе ближе 3 мм от корпуса.
Прн работе транзистора в пакетно-импульсном режиме не допускается пре-
вышение суммарной длительности импульсов в пакете более 50 мкс. Скважность
пакетов импульсов не должна быть менее 10.
Транзистор должен работать на согласованную нагрузку.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В
Зависимости выходной мощности и
коэффициента полезного действия оз
входной .мощности
Зависимость коэффициента усиления
по .мощности ог входной мощности
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента полезного действия
коллектора от входной
мощности
Зависимость коэффици-
ента усиления ио мощ-
ности ОТ входной мощ-
ности
Зависимости выходной
мощности и коэффици-
ента полезного действия
коллектора от напряже-
ния питания
518
30 35 00 05 50Un,B 30 35 00 05 50Un.B
Зависимость коэффици-
ента усиления но мощ-
ности от напряжения
питания
Зависимости выходной
мощности п коэффици-
ента полезного действия
коллектора от напряже-
ния питания
Зависимость коэффици-
ента усиления по мощ-
ности от напряжения
питания
2Т9118А
Транзистор кремние-
вый элита кспалыю-планариый
структуры п-р-п генераторный.
Предназначен для применения
в схеме с общей базой в уси-
лителях мощности, автогене-
раторах и умножителях часто-
ты в непрерывном и импульс-
ном режимах в диапазоне ча-
стот 0,9... 1,4 ГГц. Выпускается
в металлокерамическом корпу-
се с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на
крышке корпуса транзистора.
Масса транзистора не бо-
лее 20 г.
Электрические параметры
Выходная мощность (медианное значение) при L,Kb=28 В,
f—1,3 ГГц, не менее . . . 80 Вт
Выходная мощность при С'кв=28 В, f=l,3 ГГц, не менее 75 Вт
типовое значение .... 80 Вт
Коэффициент усиления по мощности при (/Кв=28 В, Р,Ых^
J5s75 Вт, 7=1,3 ГГц. не менее........... 6 дБ
типовое значение . . . 7 дБ
Коэффициент полезного действия при Р,,ых^75 Вт Окс =
=28 В, 7=1.3 ГГц, не менее.............................40%
типовое значение .... 45%
Обратный ток коллектора нрн Икс = 50 В, ие более;
Т= + 25 °C . ... 150 мА
7=-60 и +125 °C . ... 300 мА
Обратный ток эмиттера при (Уэв=3,5 В, не более ... 50 мА
519
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
нри 7В=+25...+125 °C .... . . .
прн Тк— — 60 °C ................
Постоянное напряжение эмнттер — база...............
Постоянный ток коллектора . ................
Импульсный ток коллектора.
при /и^20 мкс, <?>10
прн /и^ЮОО мкс, Q>10 или 6,^500 мкс, Qj>5
Постоянный ток базы .... ...
Средний рассеиваемая мощность коллсыора при 7В =
= -60 . + 25 °C....................................
Напряжение питания:
в непрерывном режиме......................
в импульсном режиме при L^IOOO мкс, 10 нлг
/и^500 мкс, (?^5
нри <и^20 мкс, Q^. 10 . .............
Тепловое сопротивление переход—корпус ....
Температура р-п перехода ...................
Температура окружающей среды ... ...
50 В
45 В
3,5 В
7.5 А
15 А
10 А
3 А
130 Вт
28 В
35 В
40 В
11,5 °С/Вт
+ 175 °C
-60°С...Гк =
= +125 °C
Прн монтаже транзисторов допускается обрезать и изгибать выводы не
ближе 1,5 м.м от корпуса.
Пайка выводов транзисторов разрешается не ближе 3 мм от корпуса при
температуре +260 °C в течение не более 3 с. Допускается пайка выводов на
расстоянии 1,5 мм от корпуса при температуре + 150 °C в течение не более 3 с.
Применение транзистора в статическом режиме не допускается.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Зависимость коэффици-
ента усиления по мощ-
ности от выходной .мощ
иостн
Зависимость коэффпци- Зависимость выходной
еита полезного действия мощности or напряжс-
коллектора от выходной ния питания
мощпост и
520
Зависимость коэффици-
ента полезного действия
коллектора от i «пряже-
ния питания
Зависимость выходной
ь ощпост» от входной
мощности в радиоим-
пульсном режиме
Зависимость коэффици-
ента полезного действ >я
коллектора от выходной
мощности в радиоим-
пульсном режиме
Зависимость выходной мощности в
радиоимпульсном режиме от напря-
жения питания
Зависимость коэффициента полезно-
го действия коллектора в радиоим-
пульсном режиме от напряжения
питания
по
по
100
90
00
0,9 1,0 1,1 1,2 1.1 f, ГГц
ft. %
0,9 1.0 1.1 1.2 Г, ГГц
\,г. СВ
2Т911ВА
1/п* 2В В
______
t - >.1ГГч
Зависимость выходной Зависимость коэф финн- Зависимость коэффици-
мощностн от частоты ента полезного действия опта усиления по мощ-
коллектора от частоты пости от частоты
521
2Т9119А-2
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры п р-п генера-
торный. Предназначен для применения в схеме с общей базой в усилителях и
генераторах диапазона частот 3...7 ГГц Бескориусный с полосковыми выводами
на керамическом негерметнзированном к ристал лодержателе. Тип прибора ука-
зывается на крышке кристаллодержателя.
Масса транзистора не более 1 г.
2T9119A-Z
2отв 92,1
Электрические параметры
Выходная мощность прн 17кб—15 В, /к^0,9 А, Р„=
=2,5 Вт, f=7 ГГц..............................
Коэффициент усиления по мощности при С'кИ = 15 В,
/к^0,9 А. Р.х-2.5 Вт, /=7 ГГц . . .
Коэффициент полезного действия коллектора при
(7кс=15 В. /к<0.9 А. Р«х=25 Вт, /=7 ГГц
Фаза коэффициента передачи тока в схеме ОБ при
t/кв=2 В, /к = 0,9 А, /=1 ГГц
Емкость коллекторного перехода при 1/«« = 15 В, не
более ........................................
Емкость эмиттерного перехода при 17ев=0, не более
Индуктивность выводов, типовое значение:
базового ............. ...................
эмиттерного ..............................
коллекторного......................... .
Обратный ток коллектора при Б'кб=20 В, не более:
7 = —60 и +25°С . . . ,
Т= + 125 °C ...... . .
Обратный ток эмиттера прн £7j>B=l,5 В, не более:
Г--60 и 4 25 °C . . .
Г-+ 125 °C....................
4,5. .5*. 5.3* Вт
2,7. 3* .3,27* дБ
35. .37* . 40*%
С,18* . 0.2* .0,28 рад
7.5 пФ
40 пФ
0.01’ нГн
0,15* и Ги
0,15” нГн
2 мА
10 мА
1 мА
10 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база .... 20 В
Постоянное напряжение эмнттер — база .... 1.5 В
Постоянный ток коллектора ...................... 1 А
Импульсный ток коллектора .......................1 А
522
Продолжение
Постоянная рассеиваемая мощность при (7кь^8 В, Т=
= -60°С Гя = + 50сС . . . .
Средняя рассеиваемая мощность коллектора в дина-
мическом режиме
при Г= -60 °C Г» = +25 °C......................
при Ти = + 125°С...............................
Напряжение питания.................................
Минимальная рабочая частота .
Тепловое сопротивление переход — кристаллодержатель
Тепловое сопротивление переход— кристаллодержатель
в динамическом режиме .... . .
Температура р-п перехода ..........................
Температура окружающей среды.......................
3 Вт
11,5 Вт
5 Вт
15 В
3 ГГп
25 сС/Вт
1о°С/Вт
+ 200‘С
-6ОГ'С...ТК =
-4-125 СС
Изгиб выводов допекается не ближе 2 мм от кристаллодержателя с ра-
диусом 0,5 м.м. Допускается обрезать выводы не ближе 1 мм от кристалло-
держателя.
Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 1 мм от кристалло-
держателя при температуре ие выше +260°C в течение ие более 3 с. Допу-
скается пайка выводов па расстоянии 0,5 мм от кристаллодержателя при тем-
пературе ие более +150сС Допускается пайка фланца транзистора к метал-
лическому основанию при температуре не выше +150сС в течение не более 10с.
Допускается использование транзисторов на частоте ниже 3 ГГц при на-
пряжении питания не более 6 В
Допустимое значение статического потенциала 100 В.
Зависимость выходной мощности от
входной мощности
Зависимость коэффициента усиления
по мощности от входной мощности
Зависимость коэффици
ента полезного действия
коллектора от входной
мощности
Зависимость аргумента
коэффициента передачи
тока на высокой час-
тоте от тока коллектора
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек
тор — база
э23
2Т9122 (А, Б)
Транзисторы крем-
ниевые эпнтакснальио-
планарные структуры
п-р-п генераторные с со-
гласующими цепями
Предназначены для при-
менения в схеме с об-
щей базой в усилителях
и генераторах в диапа-
зоне частот 1.3...2 ГГц.
Выпускаются в металло-
керамическом корпусе с
полосковыми выводами.
Тип прибора указывает-
ся на корпусе.
Масса транзистора
ие более 15 г.
Выходная мощность при Пкв=28 В, / 2 ГГц, не менее-
2Т9122А . . ... .... . 55 Вт
2Г9122Б 45 Вг
Выходная мощность (медианное значение) при Пкь=28 В,
f—2 ГГц. пе меиее
2Т9122А .............. 60 Вт
2Г9122Б . . . ... 50 Вт
Коэфф ЩНС11Т усиления по мощности прн UKI1 28 В, f—
= 2 ГГц ие менее:
Р«<21 Вт 2Т9122А ... 4 дБ
Р«»<19 Вт 2Т9122Б . . 4 ДБ
Коэффициент усиления по мощности (медианное значение)
при 17кв = 28 В, f—2 ГГц, не менее:
Р<.х<19 Вт 2Т9122А . ......................5 ДБ
Вт 2Т9122Б............................. ... 5 дБ
Коэф<] ициепт полезного действия коллектора при Г/Кв=28 В,
f 2 ГГц. не меиее . .... 30%
Коэффициент полезного действия коллектора (медианное
значение) при 1Укь=28 В, f=2 ГГц. не менее .... 35%
Обратный ток коллектора при Г/Кб=45 В, пе более.
7=+25 °C ... . ... 150 мА
7= -60 и +125 °C................................... 300 мА
Обратный ток эмиттера при 1У8е“2 В:
7=+ 25 °C . . . ...................100 мА
7=-60 и +125СС.....................................300 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база
2Т9122А............................................... 40 В
2Г9122Б ....................... ... 45 В
Постоянное напряжение эмиттер — база....................... 2 В
524
П родолжснио
Постоянный ток коллектора:
2Т9122А................................................... 65 А
2Т9122Б.................................................. 5.4 А
Импульсный ток коллектора:
2Т9122Л.................................................. 7.5 А
2Т9122Б.......................................... ... 6 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора в динамическом
режиме*
2Т9122А.................................................133 Вт
2Т9122Б..................................................НО Вт
Напряжение питания..........................................28 В
Тепловое сопротивление*
2Т9122А....................... ......................1 2"С/Вт
2Т9122Б ... 1,45°С/Вт
Температура р-п перехода............................ . . +185 °C
Температура окружающей среды.............................—60 °С...Г>1=
= + 125 °C
Наг i6 выводов транзистора допускается не ближе 3 мм от корпуса. До*
пускается обрезать выводы нс ближе 1,5 мм от корпуса транзистора
Панка выводов рекомендуется не ближе 3 мм от корпуса транзистора при
температуре не выше +260СС в течение не более 3 с. Допускается пайка вы*
водов на расстоянии 1,5 мм от корпуса транзистора при температуре не вы*
ше +150 °C в течение ие более 3 с.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В.
Зависимость выходной
мощности от входной
мощности
Зависимость выходной
МОЩНОСТИ от входной
мощности
Зависимость выходной
мощности от напряже*
пня питания
Зависимость выходной Зависимость козффици Зависимость коэффици-
мощиости от напряже- ента усиления по мощ- еша усиления по мощ-
ння питания ностн от напряжения ности от напряжения
питания питания
525
2Т9124А
Транзистор кремние-
вый плаиарно-эпитакспаль-
ный структуры п-р-п им-
пульсный широкополосный
мощный с внутренними не
пямн согласования по вхо-
ду и выходу Предназначен
для применения в схеме с
общей базой п усилителях
и генераторах в полосе час-
тот 3,1...3.5 ГГц. Выпуска-
ется в металлокерамиче-
ском корпусе с полосковы-
ми выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса ие более 5,5 г.
Электрические параметры
Выходная мощность:
при 47ki; — 24 В, Р,л<3,3 Вт, /„=100 мкс, Q>10, f=
=3,1 ГГц, f=3,3 ГГц. f —3,5 ГГц, не менее
при 4/кб=2О В, Р„<3.3 Вт, /„ = 100 мкс, 010, f=
=3,3 ГГц, не менее..................................
Коэффициент усиления по мощности.
при Ски~24 В, Р»х<3,3 Вт. /„ = 100 мкс, Q^IO, f—
—3.1 ГГц, f=3.3 ГГц, f=3,5 ГГц. не менее . . . .
типовое значение ...........................
при UKn-20 В Р.х<3,3 Вт, /„ = 100 мкс, (?>10, /=
=3,3 ГГц ие менее ....................
Коэффициент полезного действия коллектора
при /7кг=21 В. /%х<3.3 Вт. /„=100 мкс, Q>10. f=
=3,1 ГГц, / = 3.3 ГГц, f 3.5 ГГц. ие менее
типовое значение ..................................
при 1/кл=20 В, Р„<3.3 Вт, /„=100 мкс, 02s 10. f=
=3,3 ГГц, не менее.......................... . . .
Обратный ток коллектора, ие более:
при t/Kf.=30 В. 7=4-25 °C .... . .
'/'=4-125 °C
при Unv-25 В '/'=-60°C .............................
Обратный ток коллектор — эмиттер при //КЭк = 24 В. пе
более . . ...........................
Обратный ток эмиттера при //вБ=1,5 В, не более
7= 4-25 °C .......................................
Г=-60 п 4 125°С ... . . . .
10 Вт
8 Вт
3
4*
24
30%
40*%
30%
20 мА
40 мА
40 мА
30 мА
10 м.А
20 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база1 прн 7=
-4-25 ,4-125°С ......
Постоянное напряжение эмиттер — база ..................
Импульсный ток коллектора при /„<250 мкс, Q^10
30 В
1,5 В
2 А
1 В диапазоне температур 7 — 3 25 —60 “С лакс линейно снижается до 25 В
526
Импульсный ток базы при /„=250 мкс, Q^IO
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора1 при /„ =
= 100 мкс, 10, Г= —6О... + 65‘’С , . . . .
Температура р-п перехода................................
Температура окружающей среды............................
П родолясение
0,25 А
23,5 Вт
+ 175'С
-60 СС. Гж =
= + 125сС
1 В диапазоне температур Г= +65. .4-125 'С мощность расе 1итывается по формуле
^Кс.л.хс' (175-Гк)//?т(л_к),
где R.
4,6 С/Вт
Расстояние от корпуса (изолятора) до места лужения и пайки (по длине
вывода) не менее 3 мм, температура пайки +260 °C, время пайки не более 3 с.
Допускается пайка выводов на расстоянии 2 мм от корпуса; при этом темпе-
ратура панки ие должна превышать +150 °C, время пайки ие более 3 с.
Зона возможных положений зависи-
мости обратного тока иол лектор —
эмиттер от напряжения коллектор —
эмиттер
Зона возможных положений зависи-
мости обратного тока коллектор а от
напряжения коллектор — база
Зависимость выходной мощности от
входной мощности
Зависимость выходной мощности от
напряжения питания
527
Зависимости выходной мощности от
частоты в широкополосном усили-
теле
Зависимоегп выходной мощности от
частоты в широкополосном усили-
теле
Зависимость коэффициента полезно-
го действия коллектора от напря-
жения П1ПЗННЯ
Зависимость коэффициента полезно-
го действия от частоты в широко-
полосном усилителе
Зависимости коэффициента полезно-
го действия коллектора от частоты
в широкополосном усилителе
Зависимость коэффициента полезно-
го действии коллектора от входной
мощности
528
Зона возможных поло-
жений зависимости оп-
тимальной проводимости
нагрузки от частоты
Зависимость коэффици-
ента усиления ио мощ
пости от входной мощ-
ности
3,0 3,2 3,8 3,Вf,rr^
Эквивалентная схема
транзистора 219124 Л
Транзисторы р-п-р
2Т658 (А-2, Б-2, В-2)
Транзисторы кремниевые планарные структуры р-п-р усилительные. Пред-
назначены для применения в широкополосных линейных и импульсных усили
телях н преобразователях Бескорнусные на криста тлодержателе с гибкими вы
водами. Тип прибора указывается в этикетке. Па крышке транзистора нано-
сится условная маркировка в виде цветной точки: 2Т658А-2 - красная,
2Т658Б 2 — белая, 2Т658В-2 — черпая.
Масса транзистора не более 0,2 i
34 Заказ 1004
529
Электрические параметры
Коэффициент шума при Unr. = 5 В, /з=60 мА, f=l ГГц 3,8*. 7,8* дБ
Коэффициент усиления по м< щностн при Е'кь = 5 В /е =
-60 мА f 1 ГГц .......................................6*...10,5* дБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
17ке=5 В, /э = 50 мА, ие менее:
7 -+25‘С:
2Т658А-2. 2Г658В2...................................20
2Т658Б 2 ... .................30
7=+ 125 “С
2Т658А-2, 2Т658В-2 ............................ 20 400
2Т658Б 2 .................................. 30 ..450
7 =-60 °C:
2Т658А 2, 2Г658В 2, не менее........................10
2Т658Б 2, не менее . . .................15
Граничная частота коэффициента передачи тока в схе-
ме ОЭ прн Lks=5 В. /в 50 мА. не менее:
2Т658А-2, 2Т658Б 2................................4 ГГц
2Т658В-2 ..............................2 ГГц
Емкость коллекторного перехода при U^b— 10 В, ие более 2 пФ
Емкость эмнттерного перехода при Оав —0,5 В, не более:
2Т658А-2, 2Т658Б-2................................3 нФ
2Т658В 2..........................................4 пФ
Обратный ток коллектора прн t/кв Укв.макс, не более
Т +25°C...................................... .... 0,5 мА
7'>- + 125 °C........................... . . 3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?6а =
= 1 кОм:
2Т658Л-2.........................................12 В
2Т658Б 2......................................... 8 В
2Т658В-2.........................................15 В
Постоянное напряжение коллектор база:
2Т658Л-2............................................... 15 В
2Т658Б-2.........................................10 В
2Т658В-2.........................................20 В
Постоянное напряжение эмиттер — база...................... ЗВ
Постоянный ток коллектора . . . , 75 мА
Импульсный ток коллектора при /и<2100 мкс, Q>2 . 150 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1
прн Тк = — 6О...+6ОЧ2......................... ... 600 мВт
при Тм- + 125°С...................................150 мВт
Температура р-п перехода..............................+150 °C
Температура окружающей среды ... ... —6042. Гк =
1 При Гк-=+С1 . ,+ 125‘С Л кс уменьшается линейно.
530
Входные характери-
стики
Выходные характери-
стики
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока эмит-
тера
Ьиз/^гпгза)
fry[fty(50riA)
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от напряже-
ния коллектор — база
Зависимость граничной
частоты коэффициента
передачи тока от напря-
жения коллектор — база
Зависимость граничной
частоты коэффициента
передачи тока or зона
эмиттера
Зависимость емкости коллекторного
перехода от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость емкости эмнттерного
перехода оз напряжения эмиттер —
база
34
531
2Т914А, КТ914А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры р-п-р гене-
раторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях
частоты н автогенераторах иа частотах до 400 МГц прн напряжении пита-
ния 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами
н монтажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г
гтд^л, КТSU,А
Электрические параметры
Выходная мощность при Г/Л-э = 28 В, не менее:
на частоте f—100 МГц ... ... 7,2 Вт
па частоте f 400 МГц................................2.5 Вт
Коэффициент усиления по мощности при Г/Ие = 28 В. не менее:
на частоте /=100 МГц, Рвых=7,2 Вт . .... 7,2
на частоте / = 400 МГц P„nX=2,5 Вт .2,5
Коэффициент полезного действия коллектора при Г/К8=28 В,
Р.ю-3 Вт, ие менее:
2Т914А на частоте / = 400 МГц . . ... 40%
на частоте /=100 МГц ... ... 65%
КТ914Л на частоте /=400 МГц при РвК1 2 5 Вт . . 30%
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Ukb 5 В, 1к = 250 мА ................. .10.60
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн /к = 250мА,
!в 50 мА, не более . .......................0,6 В
типовое значение................................... . 0,3* В
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при
17кв=28 В, /к—200 мА, /=100 МГц, не менее .... 3
Напряжение насыщения эмиттер — база при /к = 250 мА,
1в 50 мА, пе более.......................... 0,95 В
типовое значение . .............. . 0.9* В
Критический ток на частоте /=100 МГц прн Ukb- 10 В, не
менее:
2Т914Л....................... ................... 400 мА
КГ914А.................... . .... 250 мА
Постоянная времени цепи обратной связи па высокой часто-
те при 0/ке=10 В, /э = 30 мА / 5 МГц, не более
2Т911А ... . . 15 кс
КГ914А........................................... ... 20 нс
Емкость коллекторного перехода при Ukb 2.^ В. /=5 МГц,
не более............................................... . 12 пФ
Емкость эмиттерного перехода прн Г/8в=0, не более . 170* пФ
Обратный ток коллектор — эмиттер при б/кэ = 65 В /?j« =
= 100 Ом, ие более:
7=+25 °C................................................2 мА
7 +125 °C...........................................5 мА
532
П родолженис
Обратный ток эмиттера при 1!оь 4 В, не более:
7=4-25 °C...................................................0,1 мА
7= 4-125 °C..............................................0,2 мА
Индуктивность эмиттерного, коллекторного п базового выво-
дов, типовое значение........................................ 4* и Гн
Емкость эмнттер — корпус, база — корпус, типовое значение 1,3* нФ
Емкость коллектор — корпус, типовое значение .... 1,8* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмнттер при /?v6<100O>i
Импульсное напряжение коллектор — эмнттер . . . .
Постоянное напряжение эмиттер — база....................
Постоянный ток коллектора............................
Импульсный ток коллектора при /„<100 мкс, 10
Постоянный ток базы............................. . . .
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режиме
прн 7к<4-40°С........................................
Тепловое соиротив ение переход — корпус . . . .
Температура р-п перехода................................
Температура корпуса ....................................
Температура окружающей среды............................
65 В
75 В
4 В
0.8 Л
1.5 А
0.2 А
7 Вт
16 °C/Вт
+ 150 °C
4-125 °C
-60 Х.. 7« =
= 4-125 °C
• Прн 7я>+40"С P„XPiMaKc. Bt-(J50-7k)/I6.
Изгиб и кручение выводов запрещаются. Усилие, перпендикулярное осн вы-
вода. не более 0.5 Н
Панка выводов транзисторов допускается не ближе 1 мм от корпуса в те-
чение не более 3 с при температуре не более 4-260 °C. Между корпусом и ме-
стом папки обязательно применение теплоотвода.
(1^288)
Зависимость выходной
МОЩНОСТИ ОТ входной
мощности
Зависимость выходной
мощности от напряже-
ния коллектор — эмиттер
Зависимость коэффици-
ента полезного действия
от входной мощности
533
Зависимость стагнческо- Зависимость граничной Зависимость критическо-
го коэффициента пере- частоты от тока коллек- го тока о г напряжения
дачи тока от тока эмиг- гора коллектор — эмиттер
тера
/^213 CT-*7S*C)
««Л (IfWOnA)
IS
IS
1.0
0.6
О 50 100 150 100 п А
Зависимость модуля коэффициента
передачи тока от температуры кор-
пуса
Зависимость постоянной времени це-
пи обратной связи от тока эмиттера
21941А
Транзистор кремниевый эпитак-
сиально-планарный структуры р п р
усилительный. Предназначен для при-
менения в импульсных н линейных
усилитетях мощности. Корпус метал-
лический со стеклянными изолятора-
ми и гибкими выводами. Тип прибо-
ра указывается па корпусе
Масса транзистора не более 1,5 г.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при С/дь-=5 В, !в 100 мА, не менее:
+25 +125 °C.............................20
Т=-60сС . . ............ 15
Модуль коэффициента передачи тока иа высокой ча
стоте при Ukb 10 В, f 300 МГц, ие менее:
/э=100мА ................................5
/а = 300 мА . ..................3,5
534
П родолжение
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при 1к =
= 100 мЛ. /Е = 10 мА, не более.....................0,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к =
100 мА,/Е-10 мА .... . . . 0,75*. 0,9*. 1,3 В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой
частоте при 17Кь = Ю В. /э=30 мА, f=100 МГц . . 6*...8*...|5 пс
Емкость коллекторного перехода при Ukb—20 В . , 2,5*. 4* 5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Т/вэ=0,5 В . . 8*...12*...14 цф
Обратный ток коллектора прн Г/Кь=30 В. не более:
Т=-60...+25 °C..................................0,3 м,г
7= +125 °C......................... . . о,6 мА
Обратный ток эмиттера при Ur:B = 3 В, не более . 0,1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . . . .
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rr,,—
= 10 Ом.................................
Постоянное напряжение база — эмиттер . . . .
Постоянный ток коллектора
прн Т„ = -60...+70 °C ... . . . .
при 7„ = + 125 °C..............................
Импульсный ток коллектора прн 1,.^ 10 мкс, 10
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора2:
при 7К= 60.. + 25°С ...
при ГК = + 125°С..................
Температура р-п перехода................
Температура окружающей среды .....................
30 В
30 В
3 В
0,5 А
0.3 А
1 А
4 Вт
0,8 Вт
+180 °C
-60 °С...ТЖ=
= 4 125 °C
1 При Т'к“+70...+|25 "С изменяется линейно.
1 При 7’к =+25.„+125 ЬС Рк Л01ес изменяется линейно.
Выходные характсри- Выходные характер!)- Входные характери-
стики стики стики
535
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость максималь-
но допустимого постоян-
ного напряжения кол-
лекюр— эмпгтер от со
противления база — эмит-
тер
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость граничной
частоты коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера
Зависимость постоянной
времени цепи обратной
связи от тока эмиттера
Области максимальных
режимов
2Т974 (А, Б, В)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры р-п-р моду-
ляторные высокочастотные мощные Предназначены для применения в импульс-
ных и линейных усилителях и преобразователях Выпускаются в металлокера-
мическом корпусе с гибкими вывода ми.
Масса транзистора не более 1,5 г.
2Т9И, 1а В)
536
Электрические параметры
Статический коэффициент переда и тика при Uku=
=5 В, /« = 30 мкс:
/8=1 А . . ... 10. .40* 120»
/0=5 А 2Т974А.............................. 5...30*...50*
/а = 7 Л 2Т974Б.............................. 5...30* .50*
/в=5 А 2Т974В.............................. 5...30*...50*
Модуль коэффициента передачи тока на высокой ча-
стоте при (7кэ=10 В, /в=1 А, 1=300 МГц . 1,5 ..3*...4,5*
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при
/к=1 А, /ц—0.2 Л:
2Т974А, 2Т974В................................0,3*...0,5*...1 В
2Т974Б .... ... 0,25*...0,3* 06 В
Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=1А,
/в=0,2 А
2Т974Л, 2Т974В................................0,9*... 1,2*. .1.5 В
2Т974Б . 0,9*..1*. 1.2 В
Время включения при /к = 1 А, /«=0,2 А . 0,012*...0,01о*...0,05 мкс
Время рассасывания при /к=1 A. 7bi=/b2=0,2 А . 0.04*...0,08*...0,2 мкс
Емкость коллекторного перехода при 1/кь= 30 В , 20*...50*...80 пФ
Емкость эмнттерного перехода при (7эв = 0,5 В . 85* ,130*...160 пФ
Обратный ток коллектора, не более-
при 7=+25 °C:
ГКБ = 80 В 2Т974Л...........................5 мА
Б,г,. = 60 В 2Т974Б ... .... 5 мА
1/Кс = 50 В 2Т974В..........................5 мА
при 7=—60 СС.
7/кБ = 80 В 2Т974Л..........................5 мА
Г/кв-бО В 21974Б............................5 мА
С/ке=50 В 2Т974В .... ... 5 мА
при Т— + 125 С:
£УкБ = 80 В 2Т974А..........................50 мА
икь^60 В 2Т974Б.............................50 мА
7/кь=5О В 2Т971В ... 50 мА
Обратный ток коллектор — эмиттер при /?.,„= 100 Ом,
не более:
Оке = 70 В 2Т974Л.............................5 мА
t/KS = 50 В 2Т974Б ... .... 5 мА
UK0 = 40 В 2Т974В . ... 5 мА
Обратный ток эмиттера при 1/эь=3 В, не более 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база:
2Т974А..........................................80 В
2Т974Б . . . . 6) В
2Т974В . .... . . 50 В
Постоянное напряжение эмнтгер — база ... ЗВ
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при
100 Ом
2Т974А........................................70 В
2Т974Б........................................60 В
2Т974В . . . ....... 50 В
Постоянный ток коллектора . . 2 А
Импульсный ток коллектора прн tu = 10 мкс, Q^IOO 10 А
Постоянный ток базы .............................0,5 А
Импульсный ток базы при 0 = 10 мкс, 100 . 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при
Ге +50°C .... 5 Вт
‘ В диапазоне температур Гк-7-+50... + 125°С Рк макс снижается ио формуле
РК,м^с Вт-(150 Гк)/20
537
Продолжение
Температура р п перехода
Температура окружающей среды
+ 150 °C
- 60°С..Гк = + 125°С
Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса транзистора, время
пайки нс более 3 с. температура папки не должна превышать +260’С. Допу-
скается минимальное расстояние от корпуса до места пайки 1 мм при
7\< + 150°С.
Прн включении транзистора вывод базы необходимо присоединять первым
и отключать последним. Работа в режиме «оторванная база» категорически
запрещается.
Входные характерно! ики
Зависимости напряжения насыще-
ния коллектор — эмиттер от тока
коллектора
Зависимость статического коэффпци
сша передачи тока от тока коллек-
тора
Зависимость модуля коэффициента
передачи тока на высокой частоте
от тока коллектора
538
Зависимости времени включения от
тока коллектора
Зависимости времени рассасывания
от тока коллектора
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость емкости
эмиттерного перехода от
напряжения эмиттер —
база
Зависимость обратного
тока эмиттера от темпе-
ра । у ры
60 -20 20 SO fOO Г, ‘С
Зависимости обратного
тока коллектора от тем-
пературы
Области максимальных
режимов
539
Раздел шестой.
Сборки биполярных транзисторов
Сборки транзисторов п-р-п
2ТС613 (А, Б), КТС613 (А, Б, В, Г)
Транзисторные матрицы, состоящие из четырех электрически изолирован-
ных кремниевых эпнтакспалыю-плапарных структуры п-р-п переключающих
высокочастотных транзисторов. Предназначены для применения в быстро-
действующих импульсных и переключающих устройствах, различных каскадах
вычислительных машин и другой радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются
в мсталлостеклянпом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается
на корпусе.
Масса матрицы не более 4 г.
2 ТС613 (А, Б), КТСБ13 (А - Г)
К, 5 5 Ю
Электрические параметры
Статический коэфф щпепт передачи тока в схеме ОЭ при
Uke — 5 В, /э = 0.2 А
7"=+25 “С:
2TC6I3A, KTC6I3A . ................... 25 45*. 100
2ТС613Б. КТС613Б . . .49 85*. .200
КТС613В.................................... . 20 120
КТС613Г.................................. ... 50 300
т= -со°с-
2ТС613А............................ . . . 12.100
2ТС613Б...................................... .20.200
7 = +85 “С:
KTC6I3A.............................. 20...200
КТС613Б . . . 30. 300
КТС613В . 15. 250
КТС613Г . 40 450
540
Продолжение
7=+ 125 °C:
2ТС613А . . ................... 20.. 200
2ТС613Б . . .......................... 30 300
Модуль коэффициента передачи прн 17кв=10 В /8=30мА
f=I00 МГц . ................... . 2.29* 5,8*
Граничное напряжение прн /э=0,05 А для 2ТС613А,
2ТС613Б, пе мепее...................................40 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при 1к =
= 0.4 Л. /ь-=0,08 А:
2TC6I3A. 2ТС613Б............................. ... 0,3* .0,5*... 1 В
КТС613А, КТС613Б, KTC6I3B, КТС613Г, не более . 1,2 В
типовое значение.................................0,5* В
Напряжение насыщения база—эмиттер при 1к 0,4 А,
/к=0 08 А . . 0.9*. 1.1 *...2 В
Время рассасывания прн /и-—0,15 Л, /в-0,015 А . 12*... 15* .100 мкс
Емкость коллекторного перехода при (7кв=10 В.
= 10 МГц . ... 5* 8*... 15 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 17эв=0, f = 10 МГц . 1О*...ЗО*...5О пФ
Обратный ток коллектора, ие более:
Т +25 °C:
2TC6I3A, 2ТС613Б при ТЛ<Б=60 В......... 5 мкА
KTC6I3A, КТС613Б при Т/ЯБ=60 В.........10 мкА
KTC6I3B, КТС613Г прн Г/кв = 40 В . . . . 10 мкА
Г--60 °C 21С613Л, 2ТС613Б при 17ЯБ=60 В . . 5 мкА
7=+85 °C:
КТС613А, КТС613Б при <7ЯБ=50 В......100 мкА
KTC6I3B, КГС613Г прн б/кв=34 В......100 мкА
7=+ 125 °C 2ТС613А, 2ГС613Б при 77,rzj 45 В . . 50 мкА
Обратный ток эмиттера при <7аь—4 В, не более . . 10 мкА
Предельные эксптуатанионные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при /?, j = 0;
2TC6I3A, 2ТС613Б:
7„= -60...+ 100“С..............................60 В
7„= + 125еС....................................45 В
Г„= + 150°С . . .......................30 В
KTC6I3A. КТС613Б:
7„=-45 + 70°С . ... . 60 В
7„= + 120°С..................... . . . 30 В
КТС613В, КТС613Г:
Тп- 45.+70 °C................................ . 40 В
7-п= + 120°С . ... . . 20 В
Постоянное напряжение коллектор — эмнттер 1 при
I кОм:
2TC6I3A. 2ТС613Б:
Тп=-60 +100 °C.................................50 В
7„= + 125°С . . ... . . 37 В
7„ = + 150°С . ... . 25 В
КТС613А КТС613Б:
7„=-45 +/0°С ... . 50 В
7„ = + 120°С . . .... . 25 В
КТС613В, КТС613Г:
7„ -45 .. + 70 °C..............................30 В
7„- + 120°С....................................15 В
’ При 7’п> + 100сС дчя 2ТС613Л, 2ГС613Ь и Гп> Ь70<С для
K.TC6I3B, КТС613Г напряжение снижается линейно. Значение Тп
КТС613Л, КТС613Б,
рассчитывается по
формуле
п~Т+РКК1(п-сТ
541
Продолжение
Постоянное напряжение коллектор — база* *:
2ТС613А, 2ТС613Б 7„=-60 ,. + 100°С .... 60 В
Гп= + 125°С.................45 В
7„ = + 150°С .... ЗОВ
КТС613Л, КТС613Б 7„ = 45 +70 °C . . 60 В
7n= + I20 С.............. 30 В
КТС613В КТС613Г: Т„= 45 +70°C . 40 В
7„ = +120°С.................20 В
Импульсное напряжение коллектор — эмнттер при Rbj^
<1 кОм. /„<10 мкс, Q~^2.
2TC6I3A. 2ТС613Б KTC6I3A. КТС613Б 70 В
КТС613В КТС613Г................................50 В
Импульсное напряжение коллектор — база1 при /„<
<10 мкс, Qjs2:
2ТС613Л. 2ТС613Б:
7„ = -60...+ Ю0°С . . . . ... 80 В
7’п = +12О°С .... 65 В
7,,-=+150’С . 40 В
КТС613А. КТС613Б.
7п = —45 70°С........................... ... 80 В
7„= + 120°С ... . 40 В
КТС613В КТС613Г;
Тп -45...+ 70 °C..............................60 В
7п= + 120°С . . ......................ЗОВ
Постоянное напряжение эмнттер — база 2............. 4 В
Постоянный ток коллектора при Т— —60 +125 °C для
2ГС613А. 2ТС613Б и Т -45..+85°С для КТС613А,
КТС613Б, KTC6I3B. КТС613Г ... 400 мА
Импульсный ток коллектора при /„<10 мкс, Q3=2 и
7=-60 +125°C д|я 2TC6I3A. 2ТС613Б; Т= -45... + 85°С
для KTC6I3A КГС613Б. KTC6I3B. КТС613Г . . 800 мА
Постоянная рассеиваемая мощность всех структур
матрицы 3:
2ТС613А, 2ТС613Б
7=-60. +50 °C . ................... 0.8 Вт
7-+ 125°C . . ................0,2 Вт
КТС613А, К1С613Б, КТС613В. КТС613Г
7=-45..+50°C ............0.8 Вт
7=+85°C 0,2 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность всех структур матри
цы4 при /„<10 мкс, (?5=2:
2ТС613А 2ТС613Б
7 -60...+50 °C . ................3,2 Вт
7 +125°C ... 08 Вт
KTC6I3A КТС613Б, KTC6I3B К1С613Г
7 -45 +50°С ................3 2 Вт
7= + 85°С . . ... 0,8 Вт
1 При 7п> + 100°С для 2ТСЫЗА. 2ТС613Б и Г„>+70“С для KTCC13A, КТС613Б.
КТС613В. КТС613Г напряжение снижается линейно. Значение Тп рассчитывается по
формуле
Л»"2 ср
* Допускается импульсное превышение напряжения при условии /и^Ю мкс,
<?>2, /э,и<20 мА
8 Прн Г>+50°С постоя и паи рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле
РЛ„КС. Вт- 10.2------------------------- j для 2TCG13A, 2ТС613Б;
1 RT(n-ci /
Рмикс. Вт-(0.2 85 Г—] для КТС613Л. КТС613Б, KTC6I3B КТС613Г.
\ RTin с) /
• Прн Т>+50°С рассеиваемая мощность снижается линейно.
542
Продолжение
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора одной
структуры матрицы 1
при 7'=-6О...+5О°С для 2ГС613А, 2ТС613Б и 7'=
= —45...+50 °C для KTC6I3A, КТС613Б, KTC6I3B,
КТС613Г
прн Г=+125°С для 2TC6I3A, 2ТС613Б . . . .
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора одной
0,5 О!
0,125 Вт
структуры матрицы :
при tu =£10 мкс, (?^2, Т= —60...+50°C для 2TC6I3A
2ТС613Б и Т -45 +50°C для КГС613А
КТС613В, КТС613Г
прн 7’=+125сС для 2TC6I3A, 2ГС613Б
Тепловое сопротивление переход — корпус
Тепловое сопротивление переход — среда
Темперап ра р-п перехода:
2ТС6 ЗА, 2ТС613Б ...
KTC6I3A, КТС613Б. КТС613В, КТС613Г
Температура окружающей среды:
2Т '613А, 2ТС613Б ...
КТС613А. КТС613Б, КГС613В. К1С613Г
КГС613Б
2 Вт
0,5 Вт
60 сС,Вт
125 °C; Вт
+ 150 СС
+ 120 СС
-60...+ 125 °C
— 45 . + 85 СС
1 При 7‘>+50"С рассеиваемая мощность снижается ли не Лис
Пдгиб выводов допускается ие ближе 3 мм от корпуса матрицы с радиусом
закругления не менее 1,5 мм
Пайка выводов рекомендуется не ближе 3 мм от корпуса матрицы. Тем-
пература пайки не более +250°C, время пайки не бодее 5 с.
Зависимости тока базы
от напряжения база —
эмиттер
Зависимости напряжения
насыщения коллектор —
эмнттер от тока коллек-
тора
Зависимости напряжения
насыщения база — эмит-
тер от тока коллектора
I ^1191
МСйЯМ БУ т£-31А-Г)
0 5 to IS ?0 UKt.B
Зависимости статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от напряже-
ния коллектор — база
Зависимости статическо-
го коэффициента переда-
чи тока от тока эмит-
тера
Зона возможных поло-
жений зависимости мо-
дуля коэффициента пе-
редачи тока от напря-
жения коллектор — база
543
6*3»
Зона возможных положений зависи-
мости модуля коэффициента пере-
дачи тока от тока эмиттера
Зависимость емкости эмнттерного пе-
рехода от напряжения эмптгер —
база
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор — база
Зависимости допустимой
рассеиваемой мощности
от температуры
Зависимости допустимой
нм пульс по и рассеивае-
мой мощности от темпе-
ратуры
КТС631 (Л, Б, В, Г)
НГС631(А-Г)
!9 5
2,6,9 t3 - коп лектор
t, 5, в, 12 - баю
J 1 Ю /♦ опиттер
Ч. It- сбободкь е
Ц- корпус
Транзисторные сбор-
ки. состоящие из четы-
рех электрически изоли-
рованных кремниевых
эпитаксиально - планар-
ных структуры ц-р-п
универсальных сверхвы-
сокочастотных транзи-
сторов. Предназначены
для применения в диф-
ферента чьных усилите-
лях быстродействующих
импульсных устройствах,
различных каскадах вы-
числительных машин и
jpyioii радиоэлектрон-
ной аппаратуры Выпу-
544
скаются в металлостекляипом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора
указывается па корпусе.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
ЬЭ/к=300 мА KTC63IA, КТС631Г..................... 20 115*
1к 150 мА КТС631Б, КТС631В........................ 20 125*
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ
при /7„8=Ю В, /8=50 мА, не менее
KTC63IA, КТС631Б.................................. 350 МГц
КТС631В, КТС631Г ................................. 200 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при 77„8>=10 В,
/э=30 мА, f=5 МГц, не более .............40 нс
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер
при /„ = 450 мА. /в=45 мА для KTC63IA, КТС631Г . 0,3*...!,2 В
при /„=100 мА, /Б= 10 мА для КТС631Б, КТС631В . 0,21*...1,2 В
Напряжение насыщения база—эмиттер;
при 7к=45О мА. 7с-45 мА для KTC63IA, КТС631Г . 0.9*...2 В
при /„=100 мА 7в = Ю мА для КТС631Б КТС631В . 0,8*...2 В
Время рассасывания при /„ = 150 мА, /„=15 мА.
KTC63IA. КТС631Б.................................... 7,5* .30 нс
КТС631В, КГС631Г.................................. 20*...60 нс
Емкость коллекторного перехода при 77„Б=1О В, f = 10 МГц,
не более......................... ....................15 пФ
Емкость эмнттерного перехода при 17ас=0.5 В, f=10 МГц,
нс более ... ... 100 пФ
Обратный ток коллектора, не более
Т=-45 и +25 СС:
КТС631А при икг,=30 В............................0,2 мА
КТС631Б при 77„б=ЗО В............................0,05 мА
KTC63IB прн 77„Б=6О В .... 0,05 мА
КТС631Г нрн 77кс=6О В .............0,2 мА
7=+85 °C
КТС631А при /7„б=2О В ................1 мА
KTC63ID прн /7кь=20 В . . . 0,5 мА
KTC63IB при Uitb=l0 В . . 0,5 мА
КТС631Г при и«Б=Ю В ,1 мА
Обратный ток эмиттера прн 1/8„=4 В. пе более:
7=-45 п +25°C . . . . ................0,1 мА
7=+85 °C .........................................0,5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер при /?„-э=0:
7=-45..+70сС:
KTC63IA, КТС631Б..................................30 В
KTC63IB КТС631Г..................................60 В
7-+85 °C:
KTC63IA, КТС631Б..................................24 В
KTC63IB КТС631Г . . 50 В
Постоянное напряжение коллектор — база'
7=—45...+70 °C:
КТС631А, КТС631Б .... .............30 В
КТС631В КТС631Г............................... 60 в
7=+85 °C;
КТС631А. КТС631Б............................. ... 24 В
КТС631В, КТС631Г....................................50 в
Постоянное напряжение эмиттер — база......................4 В
35 Заказ 1001
545
Продолжение
Постоянный ток коллектора
КТС63 А, КТС631Г ................................
КТС631Б, КТС631В . . . .
Импульспьй ток коллектора при /usgI0 мкс, Q>50
КТС631А КТС631Г ... ...............
КТС631Б, КТС631В . . . . . .
Постоянная рассеиваемая мощность ’-3 транзисторной
матрицы:
при 7=-45 .. + 55 °C . . ...............
при 7=+85 °C ............
Импульсная рассеиваемая мощность 2'3 транзисторной матри-
цы при (,<Ю мкс, Q>50:
7=-45. .+55 °C...................................
7=+85 °C
КТС631А. КТС631Г . . ...
КТС631Б KTC63IB....................
Температура р п перехода .....................
Температура окружающей среды........................
1 А
0,3 А
1,3 А
05 А
4 Вт
0.5 Вт
4 Вт
1,5 Вт
0,9 Вт
+ 120 °C
—45...+85°С
1 Постоянная рассеиваемая мощность коллектора одной транзисторной структуры:
Т — 45...+55°С:
КТС631А КТС631Г ... .... .... 0.7 В»
КТС631Б КТС631В.............................................0.3 Вт
7—+85 “С:
KTC63IA, КТС631Г.............................................0.2 Вт
КТС631Б, КТС631В............................................0.15 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора одной транзисторной структуры:
Т- -45...+55 "С:
КТС631А, КТС631Г..................................................2.1 Вт
КТС631Б, КТС631В............................................... 0.9 Вт
7-+ 85’С:
КТС631А КТС631Г................................... ... 0.6 Вт
КТС631Б, KTC63IB......................................... . . 0.45 Вт
• При 7— +55.85 С мощность снижается линейно.
Зависимости тока базы
от напряжения эмит-
тер — база
Зависимости статичсско- Зависимости напряжения
го коэффициента пере- насыщения коллектор —
дачи тока от тока кол эмиттер от тока кол тек-
лектора тора
646
Зависимости напряжения насыщения
база — эмиттер от тока коллектора
Зависимости времени рассасывания
от тока коллектора
2ТС843А
Транзисторная сборка, состоящая из четырех переключающих кремниевых
мезапчаиарных структур п р-п транзисторов. Предназначена для применения
в источниках вторичного электропитания и системах автоматического управле-
ния Корпус металлический с жесткими выводами.
Масса сборки нс более 13 г
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при
Ukb=0, /к=12 А, для 1 го и 2 го транзисторов, /д=3 А для
3 го и 4 го транзисторов
7\ = + 25°С .... . 10 50
ГК = + 125С'С ... Ю. 150
Т.= -60 °C .... 6 50*
35*
547
Продолжение
Напряжение насыщения коллектор—эмнттер, пе более:
1-го транзистора прн /к = 12 А, /Б=2,4 А .... 0,6 В
2-го транзистора при /к=12 А, 7Б=2,4 Л . . . 06 В
3-го транзистора при /к==3 А, /Б=0.6 Л .... 0,6 В
4-го транзистора прн /к=3 А, /Б=0,6 Л ... 06 В
Напряжение насыщения база — эмиттер, не более:
1-го транзистора при /к=12 Л, /Б=2 4 А . . . 15 В
2 го транзистора при /к=12 А, /Б=2 4 А . . . 1,5 1
3-го транзистора при /к = =3 Л, /Б-0,6 А . 1,5 В
4-го транзистора прн /Б=3 А, /Б=0,6 А .... 1.5 В
Время включения, не более................................... I мкс
Время спада, не ботее....................................0,7* мкс
Время рассасывания не более..............................2 мкс
Обратный ток коллектор—эмнттер, ие более:
Гк=—6О...+25°С:
1-го и 2-го транзисторов при 1/Б8=120 В, /?б» = 2,5 Ом 12 мА
3-го и 4 го транзисторов при Ukb —120 В, /?с„=10 Ом 3 мА
7’к = + 125 °C:
1-го и 2-го транзисторов при Пк8=120 В, /?ва=2.5 Ом 80 мА
3-го и 4-го транзисторов при C/Ks=l20 В fi«,= I0 Ом 20 мА
Обратный ток эмиттера при /7Б8 = 4 В, ие более:
1 го н 2-го транзисторов . . .... 0,2 мА
3 го и 4-го транзисторов . ....................0,05 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное импульсное напряжение коллектор — эмнгтер1 прн
Rt,,—2.5 Ом для 1-го и 2-го транзисторов; Л?св=10 Ом для
3 го и 4-го транзисторов, Тк— — 60...+ 100°С ’ . 120 В
Постоянное напряжение база — эмиттер......................... 4 В
Постоянный ток коллектора
1 го и 2-го транзисторов ... . 12 А
3-го и 4 го транзисторов................................. ЗА
Сумма постоянных токов коллекторов транзисторов при их
одновременном включении ... .............30 Л
Импульсный ток коллектора при /„ = 10 мкс, 0^5.
1 го и 2-го транзисторов . . ... 2! А
3-го и 4-го транзисторов ... ... 6 А
Сумма импульсных токов коллекторов транзисторов при их
одновременном включении.............................. ... 62 А
Постоянный ток базы:
1-го и 2-го транзисторов................................. 8 А
3-го и 4-го транзисторов......................... ... 2 А
Сумма постоянных токов баз транзисторов при их одновре-
менном включении . .............. ... 20 Л
Постоянная рассеиваемая мощность:
при 7К = —60.. +100 °C
I го н 2-го транзисторов ......................... . 10 Вт
3 го и 4-го транзисторов................. . . 2,5 Вт
сумма постоянных рассеиваемых мощностей транзисто-
ров прн их одновременном включении . . . 25 Вт
при 7к= + 100...+ 125°С:
1-го и 2 го транзисторов ........................... 8 Вт
3-го н 4 го транзисторов................................ 2 Вт
сумма постоянных рассеиваемых мощностей транзисто-
ров при их одновременном включении . . . 20 Вт
' При 7к- + юо. .+125 еС /'иэл.дикс. Urbu.u макс снижаются иа 10% иа каждые 10 *€.
548
Продо ixeiute
Импульсная рассеиваемая мощность прн <и=10 мкс
1-го и 2 го транзисторов.................................. 1600 Вт
3-го и 4 го транзисторов.......................... ... 400 Вт
Сумма импульсных рассеиваемых мощностей транзисторов
прн их одновременном включении............................. 4900 Вт
Температура окружающей среды . .....................—60°С...Гк =
— 4-125 °C
Пайка выводов допускается прн температуре +250°C в течение не бо
лее 5 с. Не допускаются обрезка, формовка и изгиб выводов.
0 t ♦ 8 8 10 /а, Л
Зоны возможных положений зависи-
мостей статического коэффициента
передачи тока и напряжения насы-
щения коллектор — эмнттер от тока
коллектора
Зоны возможных положений зависи-
мостей статического коэффициента
передачи тока и напряжения насы-
щения коллектор — эмиттер От тока
коллектора
1TC84J4
Электрическая схема сборки и схема соединения электродов с наружными вы-
водами
519
2Т985ЛС
Сборка из двух
кремниевых эпитаксиаль-
ио-плаиариых структуры
п-р-п генераторных тран-
зисторов. Предназначена
для применения в двух-
тактных широкополосных
усилителях мощности в
диапазоне частот 220...
400 МГц при напряже-
нии питания 28 В Вы-
пускается в металлоке-
рамическом корпусе с
гибкими полосковыми
выводами. Сборка содер-
жит внутренние согла-
сующие ЕС-звенья для
каждого транзистора.
Тип сборки указывается
на корпусе.
Масса сборки не бо-
лее 10 г.
Электрические параметры
Выходная мощность в двухтактной схеме на частоте f—
400 МГц при иКв=28 В, 7\^ + 40°С, не менее
Коэффициент усиления по мощности в двухтактной схеме иа
частоте /=400 МГц прн Р„кх=125 Вт, CKS-=28 В,
<J-f-40°C, ие менее......................................
типовое значение ....................................
Коэффициент полезного действия в двухтактной схеме на ча-
стоте /=400 МГц при Р«ых=125 Вт, Ска=28 В, 7'к^+40°С,
не .менее................................................
типовое значение ....................................
Модуль коэффициента передачи тока сборки на частоте /=
=300 МГц нри Е/кэ=Ю В, /к=4 А, ие менее . . . .
типовое значение ....................................
Критический ток коллектора сборки на частоте /=300 МГц
при UKe= 10 В, ие менее..................................
типовое значение ....................................
Постоянная времени цепи обратной связи сборки на частоте
/=5 МГц при С/кл=10 В, /э = 0,5 А, не более . . . .
типовое значение ............................... . .
Емкость коллекторных переходов сборки на частоте /=
= 30 МГц при {7кв=28 В, ие более........................
типовое значение ....................... . . .
Обратный ток коллектор — эмиттер сборки при (/Кв~50 В
R..c= 10 Ом, не более:
Т= + 25°С....................................... . .
7’= + 125°С..................................... . .
Обратный ток эмиттера сборки при UBB=4 В, ие более:
Г =+25 °C................................................
Г= + 125°С . .................................
Индуктивность внутреннего ЕС-звена, типовое значение
Емкость внутреннего ЕС-звеиа, типовое значение
Индуктивность внутренней коллекторной перемычки, типо-
вое значение ............................................
125 Вт
3,5
5,6»
50%
61*%
22
3,6*
26 А
37* А
21 пс
14* пс
270 пФ
195* пФ
120 мА
240 мА
60 мА
120 мА
0,47* и Гн
580» пФ
7,5* нГи
550
Продолжение
Индуктивность выводов, типовое значение
эмнттерного................................ . . . .
коллекторного .....................................
базового . .................... ...................
0,17* нГн
Г нГн
0,5* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер при ^<ЮОм
Постоянное напряжение эмиттер — база....................
По тоянный ток коллектора . . . , .
КСВН коллекторной цепи на частоте /=400 МГц при
<80 Вт Пкэ=24 В ............................... . . .
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режиме
при Г» < + 40 °C........................................
Тепловое сопротивление переход — корпус в динамическом
режиме ....................
Температура р п перехода ........................
Температура окружающей ереды............................
50 В
4 В
17 А
10
185 Вт
0,65 °C/Вт
+ 160 °C
-60°С...7’в=
= + 125 °C
При Тя>+40”С Рк,ср,яахс. Вт-(160 — Гх)/0.65.
Изгиб вывода допускается ие ближе 3 мм от корпуса сборки.
Пайка выводов допускается не ближе 1 мм от корпуса сборки при тем-
пературе + 270 °C в течение 4 с
Допускается монтаж сборки методом пайки фланца к теплоотводу при
обеспечении температуры корпуса не более +150 °C в течение 2 мин
Электрическая схема транзисторной сбор-
ки 2Т985АС
551
Зависимость выходной Зависимость выходной Зависимости коэффнци-
мощпостн от входной мощности от напряже- ента усиления и коэффи-
мощпости ння коллектор — эмнттер цнеита полезного дей-
ствия от напряжения
коллектор — эмнттер
Зависимости коэффици- Зависимость
сита усиления и коэф- эффицпента
фициента полезного дей- тока от токг
ствня от частоты
модуля ко- Зависимость крптнческо-
нередачн го тока от напряжения
коллектора коллектор — эмиттер
Зависимость емкости коллекторного
перехода от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость допустимого постоянно-
го тока коллектора от напряжения
коллектор — эмиттер
552
2Т9101АС
Сборка из двух крем-
ниевых эпитаксиально-пла-
нарных структуры п-р-п ге-
нераторных транзисторов.
Предназначена для приме-
нения в двухтактных широ-
кополосных усилите.! я х
мощности в диапазоне ча-
стот 350...700 МГц в схеме
с общей базой прн напря-
жении питания 28 В. Вы-
пускаются в металлокера-
мическом корпусе с гибки-
ми полосковыми выводами.
Сборка содержит внутрен-
ние согласующие ЛС-звеиья
для каждого транзистора.
Тип сборки указывается на
корпусе.
Масса сборки не бо-
лее 7 г.
2Т9101АС
Электрические параметры
Выходная .мощность в двухтактной схеме па частоте [=
700 МГц прн t/кь —28 В /’О1=28,5 Вт, 7’К^ + 4ОСС, не .менее
Коэффициент усиления по мощности в двухтактной схеме на
частоте f=700 Л1Гц при 77кб=28 В, Рвых — 100 Вт. Тк^
^+40 °C, пе менее........................................
типовое значение ... . . . . . .
Коэффициент полезного действия в двухтактной схеме на ча-
стоте / = 700 МГц прн L'kC = 28 В Р,их=Ю0 Вт, Тк^ + 40°С,
не мепее .................... . .
типовое значение ....................... .
Модуль коэффициента передачи тока сборки на частоте /=
= 300 МГц при 7/ко=10 В, /к=5 А, не менее . . . .
типовое значение ... .............
Критический ток коллектора сборки на частоте /=300 МГц
при (7кэ = Ю В, не .менее................................
типовое значение .............
Постоянная времени цени обратной связи сборки иа частоте
f=5 МГц при (7ке-5 В, /э=0,5 А, не более . . . .
типовое значение . ....
Емкость коллекторного перехода сборки на частоте / =
=30 МГц при 1/кь- 28 В, пе более........................
типовое значение ...........................
Обратный ток коллектора сборки при 17ке=50 В не более:
Г=+25°С . . . . . . .
7-= +125 °C..........................................
Обратный ток эмиттера сборки прн 17Эг = 4 В, пе более:
7=+25 °C
7=+ 125 °C...............................................
Индуктивность внутреннего ЛС-звепа, типовое значение
Емкость внутреннего ЛС-звена, типовое значение
Индуктивность выводов, типовое значение
эмиттерного ... . . .............
коллекторного . . . . . .
Индуктивность внутренней коллекторной перемычки, типовое
значение ................................................
100 Вт
3,5
8*
50%
53,8*%
3,5
6,5*
12
15*
45 пс
8,8* пс
150 пФ
102* пФ
30 мА
60 мА
80 мА
160 мА
0.28* п Гн
230* пФ
0.6* иГн
1 25* нГн
4,5* иГн
553
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — база . ... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 4 В
Постоянный ток коллектора ... ... 7,5 А
КСВН коллекторной цепи на частоте [ = 500 МГц при Рвы*=
= 60 Вт, 1/кв=24 В, 7х<+50°С . - . 10
Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режиме
при ГхС+40°С............................................130 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус в динамическом
режиме . .......................................1 15°С/Вт
Температура р-п перехода............................ ... + 190 °C
Температура оружающей среды . . .............— 60°С...7’« =
= +125 °C
• При Гк>+40-С РК1ермакс, Вт-(190-Гк)/1,15.
Изгиб вывода допускается ие ближе 3 мм от корпуса сборки.
Пайка выводов допускается ие ближе 1 мм от корпуса сборки при темпе-
ратуре + 270 °C в течение 4 с.
Допускается монтаж сборки методом пайки фланца к теплоотводу при обес-
печении температуры корпуса не более +150 °C в течение 2 мин
Электрическая схема
транзистора 2T910IAC
W0 SOO SOO f, МГЦ
Завнснмость выходной
мощности от напряже
ния коллектор — база
Зависимость коэффици-
ента усиления и коэф
фицнепта полезного лей
ствия от частоты
Зависимость максималь
но допустимой средней
рассеиваемой мощности
коллектора от темпера-
туры корпуса
554
2Т9105АС
Сборка из двух крем-
ниевых эпнтаксналыю-пла-
нарных структуры п-р-п ге-
нераторных транзисторов.
Предназначена для приме-
нения в двухтактных широ-
кополосных усилителях
мощности в диапазоне ча-
стот 100...500 МГц при на-
пряжении питания 28 В.
Выпускается в металлоке-
рамическом корпусе с гиб-
кими полосковыми вывода-
ми. Сборка содержит внут-
ренние LC-звенья для каж-
дого транзистора. Тип сбор-
ки указывается на корпусе.
Масса сборки не бо-
лее 10 г.
Электрические параметры
Выходная мощность в двухтактной схеме на частоте (=
500 МГц при 1/кв=28 В, 4-40°C, не менее
Коэффициент усиления по мощности в двухтактной схеме иа
частоте (=500 МГц при Рвых= 100 Вт, С'кО = 28 В, 7xsg
< 4-40 °C, не менее .....................................
типовое значение ....................................
Коэффициент полезного действия в двухтактной схеме иа ча-
стоте (=500 МГц прн Р«мх=Ю0 Вт, 1/ка=28 В,.Тк+ 40°C,
пе менее ................................................
типовое значение ....................................
Коэффициент передачи тока при Скв=5 В, 7ке = 100 мА,
не более .............................................
Модуль коэффициента передачи тока на частоте f=300 МГц,
ГЛсв=10 В, /к=5 А, не меиее..............................
типовое значение ...
Критический ток коллектора иа частоте (=300 МГц при
Скв=10 В не менее........................................
типовое значение ....................................
Постоянная времени цепи обратной связи на частоте (=
=5 МГц при Ukb-5 В, /а=0,5 А, не более...................
типовое значение ....................................
Емкость коллекторного перехода на частоте (=30 МГц,
(Укв = 28 В. не более....................................
типовое значение ....................................
Обратный ток коллектор — эмиттер при Ск® = 50 В, R,b =
= 10 Ом, ие более:
1=4-25 °C................................................
7= 4-125 °C..........................................
Обратный ток эмиттера при Г/эе=4 В, ие более:
7= 4-25 °C...............................................
7= 4-125 °C..........................................
Индуктивность внутреннего ГС-звеиа, типовое значение
Емкость внутреннего ГС-звена, типовое значение
Индуктивность выводов, типовое значение:
эмнттерного..............................................
коллекторного .......................................
базового ............................................
100 Вт
3
4.4*
50%
61‘%
160*
2,2
3.5*
16* А
23* А
12* пс
4.8* пс
240 пФ
145* пФ
120 мА
240 мА
60 мА
120 мА
0,47* н Гн
440* пФ
017* пГн
1* нГи
0 5* нГи
555
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при 10 Ом 50 В
Постоянное напряжение эмиттер — база .... . 4 В
Постоянный ток коллектора.............................. . 16 А
КСВН коллекторной цепи на частоте /=500 МГц при Р,ых^
<60 Вт, UEB-24 В, 7х< + 50оС........................... . 10
Средняя рассеиваемая мощность * в динамическом режиме
при 7к< + 40°С . . .... . . 160 Вт
Тепловое сопротивление переход — корпус в динамическом
режиме . . . ..........................0.75 °С/Вт
Температура р-п перехода................................+160 °C
Температура окружающей среды............................— 60°С...7к =
= + 125 °C
* При 7,. >+40 °C />к,ср>йояс, Вт-(160-TJ/0.75
Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса сборки.
Пайка выводов допускается не ближе 1 мм от корпуса сборки нрн темпе-
ратуре +265 °C в течение 4 с.
Допускается монтаж сборки методом пайки фланца к тенлоо!воду при
обеспечении температуры корпуса пе более +150 °C в течение 2 мин.
Зависимости выходной
мощности и коэффициен-
та усиления от напря-
жения коллектор — эмит-
тер
Зависимости коэффициен-
та усиления и коэффи-
циента полезного дейст-
вия от выходной мощно-
сти
Зависимости коэффици-
ента усиления и коэф-
фициента полезного дей-
ствия от выходной мощ-
ности
ID W7 SO 8OPtm,Br 20 W 60 80Ptm,Bi ЮО 200 JOO o00 f, НГц
Зависимости коэффициен Зависимости коэффицн- Зависимости коэффицн-
та усиления и коэффи- сита усиления и коэф- ента усиления и коэф-
циента полезного денет- фицпента полезного дей- фицпента полезного дей-
вия от выходной мощ- ствня от выходной мощ- ствия от частоты
пости ности
556
4<р > -4
«х, пФ
Зависимость модуля ко-
эффициента передачи то-
ка от тока коллектора
Зависимость критическо-
го тока от напряжения
коллектор — эмиттер
Зависимость емкости
коллекторного перехода
от напряжения коллек-
тор — база
Зависимость допустимо-
го постоянного тока
коллектора от напряже-
ния коллектор — база
Электрическая схема
транзисторной сборки
Сборки транзисторов р п-р
1ТС609 (Л, Б, В), ГТС609 (Аг Б, В)
Транзисторные матрицы, состоящие из четырех электрически изолирован-
ных германиевых сплавио-диффузиониых структуры р-п р переключающих сверх-
высокочастотных транзисторов. Предназначены для применения в переключаю-
щих устройствах. Выпускаются в металлостекляниом Kopnjce с гибкими выво-
дами Тин матрицы указывается на корпусе.
Масса матрицы не ботее 4 г.
557
1 тс609 (АВ), ГТС609 (АВ)
14,2
1,6.7,12 зпитшер
2,9.8,11 колпзктор
3, Ч, 910- база
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
прн Укк=3 В
Г-+ 20 °C, /э=0.5 А:
1ТС609Л..................................
1ТС609Б ..................
1ТС609В ...............................
/8 0,25 А-
1ТС609А, ие менее.........................
1TCG09B, не менее..................
Г1С609В, ие менее.....................
/8 = 0.5 А:
ГГС609А ..................................
IТС609Б...................................
ГТС609В ...
7=-60 и +70 °C для 1ТС609А, 1ТС609Б,
1ТС609В и 7=-40 и +60 °C для ГТС609А,
ГТС609Б. ГТС609В при /э=0,5 А . . . .
7=20°C, UK3=b В, /в-0.7 А для 1ТС609А,
1ТС609Б, 1ТС609В. не менее..................
Граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при (7кэ=3 В, /к=0.5 А, не менее
Граничное напряжение при /э=0,5 А . . .
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер
1ТС609А. ГТС609А при /к=0,5 А. /к=0.07 А н
1ТС609Б, 1ТС609В, ГТС609Б, ГТС609В при /к =
*0,5 А /Е=0,04 А ..............
Напряжение насыщения база — эмиттер 1ТС609А,
ГТС609А при /к = 0.5 А, /Б=0,07 А и 1ТС609Б,
1ТС609В, ГТС6О9Б, ГТС609В при /к=0.5 А /Б=
=0,04 А ......................
Время включения 1ТС609А, ГТС609А при /к=0,5 А,
/к=0.07 А и 1ТС609Б, 1ТС609В ГТС609Б, ГТС609В
прн /к=0,5 А, /б=0,04 А
Время рассасывания 1ТС609А, ГТС609А при /к
= 0.5 А. /б = 0,07 А и 1ТС609Б, 1ТС609В, ГТС609Б,
ГТС609В при /к=0,5 А, /Б=0,04 А
33.. 100
53... 160
40... 120
33*
53*
80
30... 100
50 ..160
80..240
0.5...2 значения h^a прн
7=+ 20 °C
15
60* МГц
30...40* . 45* В
0,24*. 0,74* 1,6 В
0,34*...0,57*...1,1 В
0,021»...0 048*...0,1 мкс
0,122* 0,438* .0,7 икс
558
П родолжение
Емкость коллекторного перехода при 1/кс= 10 В,
f=5 МГц............................ 17* 19,8*...5О пФ
Емкость эмиттерного перехода при Т/эв=0,5 В,
f=2 МГц..................................... 63*...П 1,6*...250 пФ
Обратный ток коллектора при //кв=30 В, не более:
7=+20 °C:
1ТС609А, 1ТС609Б, 1ТС609В......................30 мкЛ
ГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В ... . 40 мкА
Т= -60 °C 1ТС609А, 1ТС609Б, 1ТС609В . . 30 мкА
7=+ 60 °C ГТС609Л, ГТС609Б, ГТС609В . . 600 мкА
7=+70°C 1ТС609А, 1ТС609Б, 1ТС609В . . 500 мкА
Обратный ток эмиттера при £7эв=2,5 В, не более:
7=+20 °C-
1ТС609А, 1ТС609Б, 1ТС609В...............100 мкА
ГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В................ 200 мкА
7=»—60 °C 1ТС609А, 1ТС609Б, 1ТС609В . . 100 мкА
7=+60 °C ГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В . . 1000 мкА
7=+ 70 °C 1ТС609А, 1ТС609Б, 1ТС609В 500 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн
t'as=0,5...0,7 В . ....................50 В
Постоянное напряжение коллектор — база ... 50 В
Постоянное напряжение эмиттер — база ... 2,5 В
Импульсное напряжение эмиттер — база1 при
^10 мкс, Q^2................................... . ЗВ
Импульсный ток коллектора1 2 прн fu^10 мкс, Q^2 0,7 А
Импульсный ток базы2 прн /и^10 мкс, Q^2 . 0,1 А
Постоянная рассеиваемая мощность всех структур
матрицы3 прн 7^+43 °C............................ 500 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность одного транзи- стора матрицы прн fu<!0 мкс 5 Вт
Тепловое сопротивление переход — среда 0,084 “С/м Вт
Температура р п перехода . ..... Температура окружающей среды: +85 “С
1ТС609А, 1ТС609Б, 1ТС609В -60 ..+70 °C
ГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В -40. +60 "С
1 Сумма постоянного и импульсного напряжений эмиттер — база не должна пре«
вышать 3 В.
2 Значение тока для одного транзистора матрицы прн условии пепревышення мощ-
ности, рассеиваемой матрицей.
3 При 7’>+43°С постоянная мощность, рассеиваемая матрицей, рассчитывается
по формуле
Рмаке, МВт-(85-П/ЛТ(П_с).
Пайка выводов рекомендуется ие ближе 3 мм от корпуса матрицы. Тем-
пература пайки не более +250 °C. время пайки не более 3 с, интервал вре-
мени между пайками выводов не менее 10 с.
Радиус изгиба вывода прн исключении передачи усилий иа стеклянный
изолятор 1,5 2 мм
559
Зависимости тока базы Зависимости статнческо-
от напряжения база — го коэффициента перс-
эмиттер дачи тока от тока эмит-
Зависимости напряжения
насыщения коллектор —
эмиттер от тока коллек-
тора
Зависимости напряжения
насыщения коллектор —
эмиттер от тока кол-
лектора
Зависимости времени
рассасывания от тока
базы
Зависимости времени рассасывания
от тока базы
Зависимости допустимого напряже-
ния коллектор — эмиттер от сопро-
тивления в цепи база — эмиттер
5G0
2ТС622 (А, Б), KTC622 (А, Б)
Транзисторные матрицы, состоящие из четырех электрически изолирован-
ных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры р-п-р переключающих
сверхвысокочастотных транзисторов. Предназначены для применения в быстро-
действующих импульсных и переключающих устройствах. Выпускаются в ме-
таллокерамическом корпусе с гибкими выводами. Тип матрицы указывается на
корпусе.
Масса матрицы нс более 0,4 г.
2 ТСШ (А,Б), КТО622 (А, Б)
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
при С'кв=5 В, /0 = 0,2 А
Т=+25 °C:
2ТС622А. 2ТС622Б, КТС622А.....................
КТС622Б, не менее...........................
7’=-60=С 2ТС622А, 2ТС622Б . . . .
7=+ 125 °C 2ТС622А, 2ТС622Б
Модуль коэффициента передачи тока при /7кэ=10 В,
/к=30 мА. / = 100 МГц-
2ГС622Х, 2ТС622Б КТС622А......................
КТС622Б не менее .............................
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к =
=0,4 А, /с=0,08 Л
2ТС622А. 2ТС622Б, КТС622Л, ие более . . .
типовое значение .............................
КТС622Б, пе более .. . .............
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=0,4 А.
/ь = 0,08А:
2ТС622А. 2ТС622Б, КТС622А, не более .
типовое значение . ....................
КТС622Б пе более..............................
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой
частоте при Б'кэ=10 В, /к=30 мА для 2ТС622А,
2ТС622Б..................................... . .
Время включения при /к =0,2 А, /с=0,02 А для
2ТС622А, 2ТС622Б..................................
Время рассасывания при /к=0,2 А, /в=0,02 А.
2ТС622А, КТС622А.................................
2ТС622Б КТС622Б...............................
25...70* ..150
10
10...150
25. .250
2. 4 5* .5,8»
1.5
1,3 В
0,7* В
2 В
2.2 В
1 1* В
25 В
8* 22* 60 нс
18*...26*...35 нс
12*..65*. 120 нс
65* ,.140*...200 нс
3G Заказ № 1004
561
Продолжение
Емкость коллекторного перехода прн 1/кБ=10 В
2 МГц................................................6*...9*...15 пФ
Емкость эмиттерного перехода прн 1/Бэ=0, f=2 МГц 20* *. 27*..60 пФ
Обратный ток коллектора:
7= -60...+25 °C:
2ТС622Л, 2ТС622Б при 67 кг, = 45 В, не более . 10 мкА
типовое значение ... .... 0,1* мкА
7=—45...+25 °C:
КТС622А при (7кг=45 В, не более .... 10 мкА
типовое значение............................0,01* мкА
КТС622Б при (7яб=35 в, не более .... 20 мкА
типовое значение............................0,01* мкА
7=+85 °C-
КТС622А прн 6/кБ=30 В, не более .... 100 мкА
КТС622Б при (7кл=20 В, не более .... 200 мкА
Г=+125°С 2ТС622А, 2ТС622Б при 6/КБ=30 В,
не более.......... . . 100 мкА
Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ>=4 В ие более . . 20 мкА
типовое значение.......................... ... 0,1* мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор — эмнттер1 при
/?с»<1 кОм:
Т„^+70°С:
КТС622А.......................................45 В
КТС622Б.................................... 35 В
7„sg + 100°C 2ТС622А, 2ТС622Б ... 45 В
7„= + 120 °C:
КТС622А.......................................30 В
КТС622Б.......................................20 В
7„ = + 150°С 2ТС622А, 2ТС622Б...................22 В
Импульсное напряжение коллектор — эмнттер при
sg 1 кОм, /„<10 мкс, 10:
2ТС622А. 2ТС622Б, КТС622А.......................60 В
КТС622Б.........................................50 В
Постоянное напряжение коллектор — база1:
7„<+70 °C:
КТС622А.......................................45 В
КТС622Б 35 В
7„< + Ю0°С 2ТС622А, 2ТС622Б.....................45 В
7„ = +120 °C:
КТС622Л.......................................30 В
КТС622Б 20 В
7„= + 150°С 2ТС622А, 2ТС622Б .... 22 В
Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при tu^
agio мкс, 10.
2ТС622А. 2ТС622Б, КТС622А.......................60 В
КТС622Б.........................................50 В
Постоянное напряжение эмиттер — база 4 В
Импульсное напряжение эмнттер — база при /„<10 мкс,
/?> 10 ............... ... 6 В
Постоянный ток коллектора2 . ... 0,4 А
Импульсный ток коллектора2 при /„<10 мкс, 10 0,6 А
1 При 7'п'> + 70сС длч КТС622А, КТС622Б и 7n> + l00“C для 2ТС622Л, 2ТС622Б на-
пряжение снижается линейно. Значение Тп рассчитывается по формуле
• Значение тока для одного транзистора матрицы прн условии пепревышения мощ-
ности, рассеиваемой матрицей.
562
Продолжение
Постоянная рассеиваемая суммарная мощность коллек-
торов рабочих элементов матрицы
Т<+25°С КТС622А, КТС622Б .... О 4 Вт
Г <+60 °C 2ТС622А. 2ТС622Б.....................0,4 Вт
Импульсная рассеиваемая суммарная мощность рабочих
элементов матрицы при Zu<10 мкс, 10, Т=
-+25 ±10 °C........................................10 Вт
Тепловое сопротивление переход — среда .... 218°С/Вт
Температура р-п перехода:
КТС622А, КТС622Б................................+120 °C
2ТС622А, 2ТС622Б............................ +150 °C
Температура окружающей среды:
КТС622А, КТС622Б...................................-45...+85°С
2ТС622А, 2ТС622Б ..................... -6О...+ 125°С
* Прн Т>+25°С тля КТС622А. КТС622Б и Т> + 60’С для 2ТС622А. 2ТС622Б посто-
янная рассеиваемая суммарная мощность рассчитывается по формулам
85-Г
рк.макс- Вт-0,24 +---------для КТС622А, КТС622Б;
^Т(И-С)
125—Т
рк,мапс- Вт-о.1 +----------для 2ТС622А. 2ТС622Б.
Rr<n-c)
Пайка выводов рекомендуется не ближе 1 мм от корпуса матрицы. Тем-
пература пайки не более +265 °C, время пайки не более 3 с.
Зависимости тока базы
от напряжения база —
эмнттер
Зависимости тока эмит
тера от напряжения ба
за —эмиттер
Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора
Зависимость статическо-
го коэффициента переда-
чи тока от тока коллек-
тора
Зависимости напряже-
ния насыщения коллек-
тор — эмиттер от тока
коллектора
Зависимость напряжения
насыщения коллектор —
эмиттер от тока базы
36
563
Зависимости напряжения Зависимость емкости Зависимость емкости
насыщения база — эмнт- коллекторного перехода эмиттерного перехода от
тер от тока коллектора от напряжения коллек- напряжения база — эмит-
Зависимость допустимого напряже-
ния коллектор — эмиттер от сопро-
тивления в цепи база — эмиттер
Зависимости допустимого напряже-
ния коллектор — эмиттер, коллек-
тор — база от температуры перехода
Сборки транзисторов р-п-р и п-р-п
2ТС941А
гтезид
Транзисторная сборка, со-
стоящая из двух кремние-
вых эпитаксиально-планарных
структур р-п-р и п-р-п усили-
тельных высокочастотных мощ
пых транзисторов с раздельны
мн выводами Предназначена
для применения в быстродей-
ствующих импульсных устрой-
ствах, преобразователях, уси-
лителях мощности, генерато-
рах электрических колебаний
герметизированной аппарату-
ры. Бескорпусная с гибкими
выводами н защитным покры-
564
тием на цристаллодержателе. Тип сборки указывается
тельной тары.
Масса сборки не более 0,1 г
на крышке сопроводи
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ
прн Ukb=5 В, /д=100 мА:
7=+ 25 °C.........................................40... 150
7=+ 125 °C ....................................... 40...350
7=—60сС . . .... 18...150
Модуль коэффициента передачи тока иа высокой ча-
стоте при б/кэ=28 В, /к=100 мА, /=100 МГц, пе
менее............................ ....................3
Граничное напряжение при /к-5 мА......................5О...7О*...1ОО* В
Напряжение насыщения коллектор — эмнттер при /к =
= 300 мА, /в=60 мА, пе более....................... 1 В
Напряжение насыщения база—эмнттер прн 1К=
=300 мА, 1Е 60 мА . . 0,72*...!*...1,5 В
Постоянная времени цени обратной связи на высокой
частоте............................................... 30*...50*...90 нс
Время включения при /к =30 мА, /Е = 3 .мА
транзистор рпр.................................... ... 50*.. 60*...70 нс
транзистор п-р-п . . ...... 35*.. 55*...9О пс
Время рассасывания при /к=30 мА, /£=3 мА
транзистор р п-р ... .................. 50*...260*...500 нс
транзистор п-р-п ........................ 30*...255*...500 нс
Сопротивление изоляции транзисторов от нижней по-
верхности кристаллодержателя, ие менее .... 1010 Ом
Емкость коллекторного перехода при {7кб=28 В, f=
= 10 МГц, не более.................................. . 12 пФ
Обратный ток коллектора при 1/к£»60 В, пс более:
7=+25 и —60 °C.........................................5 мА
7=+ 125 °C . ........................50 мА
Обратный ток эмиттера при {7ЬЭ 4 В, не более . . 1 мА
Параметры сдвоенных транзисторов
Отношение статических коэффициентов передачи тока
при Икэ—Ъ В, /д=100 мА, пе мепее:
7=+25 °C . .07
7 +125 °C.........................................0.3
7=-60 °C..........................................0 4
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение коллектор — база любой формы и перио-
дичности .............................................60 В
Напряжение коллектор — эмиттер любой формы и пе-
риодичности при Л«а=1 кОм.............................50 В
Напряжение база — эмиттер любой формы и периодич-
ности ................................................4 В
Постоянный ток коллектора.............................0,8 А
Импульсный ток коллектора при /„^10 мкс, 10 , 1,5 А
Постоянный ток базы ... . . 0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора ’:
двумя транзисторами:
при Тк sg + 70 °C...............................5 Вт
1 Пос оянная рассеиваемая мощность коллектора каждою транзистора при
Т +70 .. + 125 ' С рассчитывается по формуле
Вт-(150-Гк)/(38+/?Г(П_к).
где ЛГ(„_— тепловое сопрошвлеиие керамическая подложка — корпус микросхемы
565
Продолжение
1,25 Вт
при 7'я= + 125°с
одним транзистором:
при 7’„«S+70°C . .
при 7к= + 125°С . .
Температура р-п перехода
Температура окружающей среды
2,5 Вт
0.625 Вт
+ 150 °C
-60 °С...ТК=
= + 125’С
Закрепление приборов в микросхему производится пайкой основания держа-
теля припоем ПСр ОС-3-58; при этом допустимо воздействие на прибор темпе-
ратуры не более +240 °C в течение не более 1 мин. Минимальное расстояние
от места пайки (сварки) до поверхности прибора должно быть 3 мм.
Изгиб выводов допускается не ближе 0,5 мм от места выхода вывода из
защитного покрытия.
Раздел седьмой.
Транзисторы полевые
2П601 (А, Б), КП601 (А, Б)
гПбОЦА.Б), КП601 (А, Б)
Транзисторы крем
нневые планарные поле-
вые с затвором на осно-
ве р-п перехода и кана-
лом л-типа Предназна-
чены для применения во
входных и выходных
каскадах усилителей, в
генераторах и преобра-
зователях высокой ча-
стоты Выпускаются в
металлическом корпусе
со стеклянными изолято-
рами и гибкими вывода-
ми. Тип прибора указы-
вается иа корпусе.
Масса транзистора
не более 1,5 г.
Электрические параметры
Коэффициент шума прн (7Си 10 В /с=20 мА
/=400 МГц ..........................
Электродвижущая сила шума при Ucu -10 В, /с =
20 мА, /=100 кГц ...
Крутизна характеристики при (7Си=10 В, (7ЗИ 0:
7= +25 °C:
2П601А 2П601Б . . . .
КП601А КП601Б . . . .
Т = -60 °C 2П601Л, 2П601Б, не менее .
Т----40 °C КП601Л, КП601Б, ие менее . . .
7= + 125°С2Т601А, 2П601Б, ие менее . . .
Т— +70 °C КП601А, КП601Б. не менее . . ,
Начальный ток стока при UCn= 10 В. U,tr —0:
2П601А, КП601А
2П601Б КП601Б . .
2,6* 3* 6 дБ
0,8... 1...2 иВ уГц
50...76* ..87* мА/В
40.76*..87* мА/В
50 мА/В
50 мА В
35 мА/В
35 мА/В
160* ..200* 400 мА
160* 260* 400 мА
566
Продолжение
Напряжение отсечки при Ucn=°W В, /с=Ю мкА
2П601А КП601А 4 .5,8* *. .9 В
2П601Б КП601Б . .. 6 8,1* 12 В
Походная емкость нри Uch = 10 В, О'зи= —10 В . 4,3*...4,6*.. 6 пФ
Ток утечки затвора при Ucn=0. Usn= —15 В, не
более:
Г=+25°С 2П601А, 2П601Б, КП601А, КП601Б 10 нА
7’= + 125°С 2П601А, 2П601Б .... 1 мкА
Т= + 70°С КП601А, КП601Б . 1 мкА
Коэффициент отражения входной цепи в схеме ОЗ
при иСи —15 В, /с=15 мА
/=250 МГц, модуль .........................0,28*
фаза .... ... — 169"*
/=400 МГц, модуль........................ . 0,39*
фаза . .... . —189°*
/=600 МГц, модуль . .... 0,455*
фаза............................—220°*
Коэффициент обратной передачи напряжения в схе-
ме ОЗ при 6/си=15 В /с=15 мА
/=250 МГц, модуль . . . 0,022*
фаза . .... -70 °*
/=400 МГц, модуль ................0,17*
фаза ....................108°*
/=600 МГц, модуль.........................0,34*
фаза ....................94°*
Коэффициент прямой передачи напряжения в схе-
ме ОЗ при 77си = 15 В, /с=15 мА:
/=250 МГц, модуль . ................ 0 95*
фаза............................— 60°*
/=400 МГц, модуль.........................0.92*
фаза............................—105°*
/=600 МГц, модуль ........................0,53*
фаза . ....................—159е*
Коэффициент отражения выходной цепи в схеме ОЗ
при 1/си= 15 В, /с=15 мА
/=250 МГц, модуль......................... 0 95'
фаза..............................—40е*
/=400 МГц, модуль.........................0,97*
фаза ... ... — 80°*
/=600 МГц. модуль 0,83*
фаза ... . -135е*
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток................... . 20 В
Напряжение затвор — сток..................... 20 В
Напряжение затвор — исток . . . . . 15 В
Прямой ток затвора ... ..............5 мА
Постоянная рассеиваемая мощность.
с теплоотводом1 при 7К<+25°С . . . . 2 Вт
без теплоотвода2 при Т <+25 °C . . . . 0,5 Вт
Температура окружающей среды:
2Г1601А 2П601Б . .................—6О.+125°С
КП601А КП601Б .... - 4О.+7О°С
1 В диапазоне температур Тк — +25 . +125 °C для 2П501А, 2П601Б и Гк-+25 + 70 °C
для КП601А, КП601Б мощность рассчитывается по формуле
Р^акс- Вт-(150-Г)/62.5+Кг.
• В диапазоне температур окружающей среды Т— +25. . + 125 °C для 2П601А, 2Г1601Б
и 7—+25. +70 °C для КП601А, КП601Б мощность рассчитывается по формуле
рмакс- Вт=0,5-0.04(7-25).
567
Зависимости тока стока от напря-
жения сток — исток
Зависимости крутизны характеристи-
ки от тока стока
Зависимости тока стока от напря-
жения затвор — исток
Зависимости крутизны характеристи-
ки от напряжения затвор — исток
Alu, №
Зависимости проходной емкости от
напряжения сток исток
Зависимость коэффициента шума от
частоты
Зависимости коэффициента шума от
напряжения сток — исток
Зависимость коэффициента шума от
тока стока
568
Зависимость коэффициента усиления
по мощности от частоты
Зависимости коэффициента усиления
по мощности от напряжения сток —
исток
2П701 (А, Б)
Транзисторы кремниевые эпитаксиалыю-планариые с изолированным затво-
ром и каналом n-типа. Предназначены для применения в источниках вторичного
электропитания, переключающих и импульсных устройствах, стабилизаторах и
преобразователях напряжения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с
полосковыми выводами. Тип прибора указывается па корпусе.
Масса транзистора ие более 6 г.
2П7О1 (а Б)
Электрические параметры
Сопротивление сток — исток в открытом состоянии
при UaH= 20 В, /с = 0,5 А:
2П701А......................................
2П701Б......................................
Крутизна характеристики при Ucn 30 В, /с 2,5 А
Ток стока при <7си=30 В, UJK=^5 В . . .
1* .1,9*...3,5 Ом
0.8*.. 1,7*...2,8 Ом
800.1700* 2100* мА/В
5..9*...17* А
569
Продолжение
Остаточный ток стока прн Сзи = —10 В:
2П701А
</си=500 В . . .............
И си=350 В типовое значение . . . .
211701Б
иСи- 400 В . ....................
77с и=350 В, типовое значение . . . .
Натальный ток стока при Пси=30 В, 77зи=0, не
более.
Т= f-25°C..................................
7 ——60 °C..................
7-+ 125 °C ................................
Емкость выходная при УСи=30 В, (7аи = —10 В,
f=10 МГц . .......................
Емкость проходная при Ucn=30 В, 6'зи = —10 В,
f=10 МГц ... ....................
Емкость затвор — исток при разомкнутом выводе
стока и (7зи=—5В, f = 1 МГц ....
Время включения при 17Си=400 В, 1/ва;=20 В, Rn =
= 50 Ом, /?г=15 Ом, типовое значение . . . .
Время выключения при 77си=4ОО В £/„=20 В,
Rh— 50 Ом, /?г = 15 Ом, типовое значение
3*...17*...35 мА
8* мА
3*...17*...35 мА
8* мА
30 мА
30 мА
60 мА
110*...120*...140* пФ
17*..22*...30* пФ
1000*...1100*...1200* пФ
30* пс
40* нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток — исток:
211701А .......................... 500 В
2П701Б....................................... 400 В
Постоянное напряжение затвор — исток . . . 25 В
Постоянное напряжение затвор — сток:
2П701А........................................510 В
2П701Б...................................... 410 В
Постоянная рассеиваемая мощность *:
Т —60 °С..7К=+35 °C............................40 Вт
Тк 4-125 °C . ...................17,5 Вт
Температура окружающей среды...................—6О...+ 125°С
В диапазоне температур Гк —+35... +125 °C мощность снижается линейно.
Минимальное расстояние от корпуса до начала изгиба вывода, а также до
места пайки 3 мм. Температура пайки +250 °C. время пайки не более 3 с.
Для уменьшения контактного сопротивления между корпусом и теплоотво-
дом следует применять теплопроводящие смазки, например КПТ-8.
Зависимости тока стока от напря
же ни я сток -исток
Зависимости тока стока от напря-
жения затвор — исток
570
Зависимость крутизны
характеристики от на*
пряжения затвор — исток
Зависимость крутизны
характеристики от тока
стока
Зависимости сопротив-
ления сток — исток в
открытом состоянии от
тока стока
мм
Зависимость сопротивле-
ния сток — исток в от-
крытом состоянии от
напряжения затвор — ис-
ток
Зависимость выходной
емкости от напряжения
сток — исток
Зависимость проходной
емкости от напряжения
сток — исток
Зависимость емкости затвор — исток от
напряжения затвор — исток
571
Области максимальных режимов
Зависимость сопротивления сток —
исток в открытом состоянии от тем-
пературы корпуса
2П702А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный с изолированным затво
ром и каналом н-типа. Предназначен для применения в источниках вторичного
электропитания, переключающих н импульсных устройствах, стабилизаторах и
преобразователях напряжения. Выпускается в металлокерамическом корпусе с
полосковыми выводами. Тин прибора указывается иа корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
572
Электрические параметры
Сопротивление сток — исток в открытом состоянии
при V3h=20 В:
/с=1 А.......................................
/с=2,5 А, типовое значение...................
Крутизна характеристики при 7/си = 20 В, /с=2 5 Л
Ток стока прн С/си=20 В, 7/3и=20 В
Остаточный ток стока при 77си=300 В, 1/3и = —10 В
Начальный ток стока при [/зи=0:
7=+25 °C:
{?си = 20 В................................
Uси = 200 В, типовое значение . . . .
Ucn = 300 В типовое значение . . . .
Т-— 60 СС, не более..........................
Т— + 125 °C, не более........................
Емкость выходная при (7ся = 50 В, 773и= —10 В
f=10 МГц, типовое значение ...
Емкость проходная при t/c»=50 В, 1/3и= —10 В,
7=10 МГц. типовое значение.......................
Емкость затвор — исток при разомкнутом выводе
стока и U3n = — Ю В, f=l МГц, типовое значение
Время включения при Ucn = 300 В, t/«=20 В, /?м =
= 50 Ом, 7?г=5О Ом, типовое значение . . . .
Время выключения прн 77си=300 В, (7вж 20 В R„ =
= 50 Ом, /?г=50 Ом, типовое значение . . . .
0,52*...0,7* .1 Ом
0,71* Ом
800 1850*...2Ю0 мА, В
8...14*...16* А
0,7*...4,5*...Ю мА
0,1 *...0,5*... 10 мА
2* мА
7* мА
1 мА
35 мА
150* пФ
7* пФ
950* пФ
60* нс
80* нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток — исток .
Постоянное напряжение затвор — исток
Постоянное напряжение затвор — сток . . . .
Постоянная рассеиваемая мощность1:
7= — 60 °C . 7Ж=+35 СС.....................
7„ = + 125°С...............................
Температура окружающей среды...................
300 В
30 В
310 В
50 Вт
17,5 Вт
— 60°С...7к = + 125 °C
1 В диапазоне температур Г* “+35...+125 °C мощность снижается линейно.
Минимальное расстояние от корпуса до начала изгиба вывода, а также до
места пайки 3 мм. Температура пайки +260 °C, время пайки не более 3 с.
Зависимости тока стока от напря-
жения сток — исток
Зависимости тока стока от иапря
жения затвор — исток
573
5. A/В s, А/В
^СМ.оти.
/,♦
JZ
1,0
0,8
0,6
0,</
О 1 1 t 8/itA
Зависимость крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор — ис-
ток
Зависимость крутизны
характеристики от тока
стока
Зависимости сопротивле-
ния сток — исток в от
крытом состоянии от то-
ка стока
Зависимость сопротивле
и и я сток — исток в от-
крытом состоянии от
напряжения затвор — ис-
ток
Зависимость выходной
емкости от напряжения
сток — исток
Зависимость проходной
емкости от напряжения
сток — исток
25 20 10 -5 О 5 10 15 20Щи В
Зависимость емкости затвор — исток
от напряжения затвор — исток
574
КП 801 [А, Б)
Транзисторы кремниевые эпи-
таксиально планарные полевые с
затвором на основе р п перехода
и вертикальным каналом п типа
Предназначены дли применения в
выходных каскадах усилителей
звуковоспроизводящей аппарату-
ры. Выпускаются в металлическом
корпусе со стеклянными изолято-
рами и жесткими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не бо-
лее 20 г.
Электрические параметры
Сопротивление сток — исток в открытом состоянии при 11зи—
=0, не более:
/с=0,4 А КП801А...........................................2.2 Ом
1с-0,2 А КП801Б 4 4 Ом
Крутизна характеристики при 6,си=15 В, ие менее
/с=3 А КП801А............................................ 600 мА/В
/с=1,5 А КП801Б...................................... 220 мЛ/В
Напряжение отсечкн прн 47си=50 В /с=30 мА, не менее —25 В
Ток утечки затвора при (73и = —35 В, 35 В, не более:
КП801А .................................................Ю мА
КП801Б ... ................ . . 5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток — исток....................
Постоянное напряжение затвор — сток...................
Постоянное напряжение затвор — исток
Постоянный ток стока:
КП801А.............................................
КП801Б................................. . . . .
Постоянная рассеиваемая мощность1 прн Т--------40°C до
Г, = +25 °C:
КП801А....................... .....................
КП801Б.............................................
Температура структуры ......................
Температура окружающей среды..........................
65 В
100 В
-35 В
5 А
2.5 А
60 Вт
30 Вт
+ 150 °C
- 40 °C.Тк =
= +85 °C
1 В диапазоне температур Г„—+25...+85 “С мощность рассчитывается по формулам
(л к 1
1----------для КП801А.
125 /
Рмапс- Вт-30 1- для КП801Б.
575
Зависимости тока стока от
ЖС1ШЯ сток — исток
напря-
Зависнмостн тока стока от напря-
жения затвор — исток
Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики от
тока стока
Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики от
напряжения затвор — ис-
ток
Зависимости тока стока
от напряжения сток —
исток
Зависимость тока стока Зона возможных поло- Зона возможных поло-
ог напряжения затвор— женнй зависимости кру- женин зависимости кру-
исток тизны характеристики от тизны характеристики от
тока стока напряжения затвор — ис-
ток
576
2П802А
Транзистор кремниевый эпи-
таксиально планарный полевой с
затвором на основе р-п перехода
и вертикальным каналом /1-типа,
Предназначен для применения в
преобразователях постоянного на-
пряжения, быстродействующих пе-
реключающих устройствах Выпу-
скается в металлическом корпусе
со стеклянными изоляторами и
жесткими выводами. Тнп прибора
указывается па корпусе.
Масса транзистора не бо-
лее 20 г.
2П802Л
Ю.З '2
Электрические параметры
Сопротивление сток — исток в открытом состоянии прн 1с—
— 1 А, /.?—10 мА, не более................................ .3 Ом
типовое значение................. 1.5* Ом
Крутизна характеристики прн 7/си = 20 В, /с=3,5 А, не
менее..................................... ... 0,8 А/В
типовое значение . . ... 2* А/В
Напряжение отсечки при 77си=500 В /с=3 мА, не менее . —25 В
типовое значение....................................—18* В
Время включения при 1/Си = 300 В, А, ие более . . 80 нс
типовое значение...................... ... 40* ис
Время выключения при 7/си—300 В, /с=2 А, не более . . 30 пс
типовое значение....................................15* нс
Ток утечки затвора при Usn=—35 В, не более:
7-=+25 °C.................................................0,3 мА
типовое значение....................................0,01* мА
7=-60 и +125°C....................................... .10 мА
Статочный ток стока при t/си=400 В 6/ац = —25 В,
ие более............................. . ... 0,5* мА
Ток обратно смещенного рп перехода сток—затвор при
£Лс=535 В, ие более.................................... . 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток — исток.......................
Постоянное напряжение затвор —сток.......................
Постоянное напряжение затвор — исток.....................
Ток стока ...............................................
Прямой ток затвора.......................................
Постоянная рассеиваемая мощность1 при 7= —60...7п =
= + 25 °C................................................
Тепловое сопротивление переход — корпус .................
Температура окружающей среды . . . . .
500 В
535 В
-35 В
2,5 А
1 А
40 Вт
3,1 °С/Вт
-60 °C 7К =
= + 125 °C
» В диапазоне температур Тн- +25... + 125 °C мощность рассчитывается по формуле
37 Заказ № 1004
577
Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса транзистора
Зависимости тока стока от напря-
жения сток — исток (начальный уча-
сток по напряжению)
Зависимости тока стока от напря-
жения сток — исток (начальный уча-
сток по току)
Зависимость крутизны характеристи-
ки от тока стока
Зависимость крутизны характеристи-
ки от напряжения затвор — исток
Области максимальных режимов
Б78
2П803 (А, Б)
Транзисторы кремние-
вые эпптаксиалыю-планарные
полевые с изолированным за-
твором и каналом и-типа.
Предназначены для примене-
ния в источниках вторичного
электропитания, стабилизато-
рах и преобразователях на-
пряжения, переключающих, им-
пульсных и усилительных уст-
ройствах. Выпускаются в ме-
таллокерамическом корпусе с
полосковыми выводами Тип
прибора указывается на кор-
пусе
Масса транзистора не бо-
лее 6 г.
Электрические параметры
Сопротивление сток — исток в открытом состоянии
при L чи 20 В, /с = 0 5 А'
2П803А.....................................
2П803Б.....................................
Крутизна характеристики при UCit=30 В, /с = 1 А
Ток стока при иСи — 30 В Пзи = 25 В
211803;\...................................
2П803Б.................. . . .
Начальный ток стока прн 1/Си=30 В, 6/3и = 0;
Г=+25°С . . .
Г— — 60 °C, не более.......................
7’= + 125°С, не более......................
Остаточный ток стока при ——10 В
Uси = 1000 В 2П803А
Uси = 800 В 2П803Б . . . .
Выходная емкость при /=] МГц, иси = 100 В,
и»и=0.........................................
Проходная емкость при /=10 МГц, Uch = 30 В,
Изи = -10 В ..................................
Емкость затвор — исток при разомкнутом выводе
стока, f=l МГц, Изи = — Ю В
4* 4,5* 5 Ом
3,5*. 4*.. 4,5 Ом
750...800*.. 1200 мА/В
2,6 .3». 3,5* А
3...3,5*...4* А
2* 6* 7 мА
7 мА
25 мА
3,5*...7*...1О мА
3,5*...7*..,10 мА
60*...80*...85* пФ
10*... 14* 20* пФ
2900*. ,3000*...3100* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток — исток *'2 при р=
= 460 мм рт. ст и Т=— 6О...+ 1ОО°С:
2П803Л . . ... 1000 В
2П803Б................... . . 800 В
Постояннее напряжение затвор—сток2 при Т=
= -60...+100 °C.
2П803А . ................1010 В
2П803Б . .............810 В
Постоянное напряжение затвор — исток . . ЗОВ
1 В диапазон: давлений р—46 .5 мм р ст. напряжение снижается линейно до
300 В дли 2П803А и 2П803В
1 Б диапазоне температур 7 —+ 100.. +125 °C напряжение снижается линейно до
800 В для 2П 803А н 650 В для 2П803Б.
37*
579
Продолжение
Постоянная рассеиваемая мощность1:
Т= 60сС...7к = +35сС . . . 60 Вт
ГЖ= + 125°С . . . 17 5 Вт
Температура окружающей среды ... . —60 °C ГК= + 125°С
1 В диапазоне температур 7К —+35... + 125 СС мощность снижается линейно.
Минимальное расстояние от места пайки выводов до корпуса транзистора
3 мм. Температура папкн +260 СС. время панки не более 3 с.
Допускается параллельное включение транзисторов без выравнивающих эле-
ментов при 15 В
Зависимости тока стока от напряже-
ния сток — исток
Зависимости тока стока от напря-
жения затвор — исток
Зависимость крутизны характеристи-
ки от тока стока
Зависимость крутизны характеристи-
ки от напряжения затвор — исток
Зависимости остаточного тока стока
от напряжения сток — исток
Зависимости сопротивления сток —
исток в открытом состоянии от на-
пряжения затвор — исток
560
к
60 у О го 0 20 W 60 80 Г00Га*С
Зависимости сопротивления сток —
исток в открытом состоянии от то-
ка стока
Зависимость сопротивления сток —
исток в открытом состоянии от тем-
пературы корпуса
Зависимость проходной емкое!и от
напряжения сток — исток
Зависимость выходной емкости от
напряжения сток—исток
Области максимальных режимов
2П901 (А, Б), КП901 (А, Б)
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и
индуцированным каналом л-типа. Предназначены для применения в усилите-
лях и генераторах в диапазоне коротких и ультракоротких длин вопи. Выну
581
скаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора пе более 6 г.
Электрические параметры
Выходная мощность в непрерывном режиме при
Uc« = 50 В 1/зи=0, /=100 МГц:
2П901Л, КП901А, не меиее..................
2П901Б, КП901Б............................
Коэффициент усиления по мощности при ися^
= 50 В. С/3и = 0, P„NI=IO Вт:
/=100 МГц 2П901А, КП901А..................
/=60 МГц 2П901А, КП901Л . . .
Коэффициент полезного действия при L/Cn — 50 В,
77зи=0, Р,„х=10 Вт. /=60 МГц для 2П901А,
КП901А
Крутизна характеристики при (7си=20 В, 1с —
= 500 мА’
Г--60 °C:
2П901А, КП901А, не менее.................
2П901Б, КП901Б, пе менее.................
Г= + 25 °C:
2П901А, КП901А...........................
2П901Б. КП901Б...........................
7"=+ 125 °C:
2П901А, КП901А, не меиее.................
2П901Б, КП901Б. ие меяее.................
Начальный ток стока при t/си=20 В, Usn—O-
Т=—60 °C, не более.....................
Г = + 25°С .............................
7 =+ 125 °C, не более.....................
Остаточный ток стока при 7/си=85 В 1Узи— —15 В
Ток стока при Сси~ 20 В, £/3и=20 В
2П901А. КП901А ................
2П901Б . ................
КП901Б ..........................
Емкость затвор — исток при 1/3и = —30 В
Проходная емкость прн (7сн=25 В, 1/3и= —15 В
10 Вт
6,7...8,9*..9,9* Вт
7...10*.. 12,5* дБ
10 ...13*... 16* дБ
35 ..40*...44*%
30 мА/В
40 мА/В
50...ПО*... 160* мЛ/В
60. 130*...170* мЛ/В
20 мЛ/'В
30 мЛ/В
500 мА
15* ..50*.„200 мА
400 мЛ
3*..7*...5О мА
1 6 .2,3*.. 3,7* А
1...1,4*...1,8* А
1,2...1.4*...1,8* А
15*..50*.„100 пФ
1,5* 4* .10 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток.........................70 В
Импульсное напряжение сток —исток при /и^1мс 85 В
Напряжение затвор — сток........................85 В
Импульсное напряжение затвор — сток при 7„^1мс 100 В
Напряжение затвор — исток.......................30 В
Постоянный ток стока............................ 4 А
682
Продолжения
Постоянная рассеиваемая мощность1 при
sS+25°C . . ...........................
Температура р-п перехода ........................
Температура окружающей среды.....................
20 Вт
+ 155 °C
— 60 °С.,.7'к= + 125 °C
1 В диапазоне температур —+25 -+I25 °C мощность
рассчитывается по формуле
I Тк~25 \
ГЖ(1КС, Вт=20. 1- — .
жокс \ 125 /
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса транзисто-
pa 1 мм, температура пайки не выше +260 °C, время пайки не более 3 с.
Зона возможны.х поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики оз
напряжения затвор — ис-
ток
Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики or
тока с гока
Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики от
напряжения сток — ис-
ток
Зена возможных поло- Зона возможных поло- Зона возможных поло-
жений зависимости про- женнй зависимости тока жепий зависимости про-
ходной емкости оз на- стока от напряжения за- ходнои емкости от на-
пряжения сток — исток твор — исток пряжения затвор — ис-
ток
583
Ucu(T)
Зона возможных поло-
жений зависимости ем-
кости затвор — исток от
напряжения затвор —
исток
Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики от
температуры
Зона возможных поло-
жений зависимости от-
носительного изменения
пробивного напряжения
сток — исток от темпе-
ратуры
2П902 (А, Б), КП902 (А, Б, В]
2П902(А,Б), КП902(АВ)
« It 10, В
Транзисторы крем-
ниевые планарные поле-
вые с изолированным за-
твором и каналом п-ти-
па. Предназначены для
применения в приемо-
передающих устройствах
в диапазоне частот до
400 МГц. Выпускаются
в металлокерамическом
корпусе с жесткими вы-
водами. Tun прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора
не более 6 г.
Электрические параметры
Коэффициент шума при (7си = 50 В /с = 50 мА:
/=250 МГц:
2П902А. КП902Л ...............................3.4* .5* ..6 дБ
KI 1902В, не более ..................8 дБ
/=100 МГц для 2П902Л . 4,3*. 4 6* 4,9 дБ
Коэффициент усиления по мощности при С/си=*
= 50 В:
/с = 50 .мА, / = 250 МГц:
2П902Л, 2Г1902Б . ..............6,6... 13* .15.4* дБ
К11902А, КП902Б, КП902В ... 9 12* 14* дБ
1Лш=0, Р«=0,3 Вт. / = 400 МГц . 1,7 2,9* 4* дБ
Максимальная отдаваемая мощность при Ucn =
= 50 В, иЯИ=0:
/=60 МГц, Р„х=0.3 Вт 2Г1902А, 2П902Б 0.8 1,2* 1,8* Вт
/=50 М1ц, ₽„=0,5 Вт КП902А, КП902Б,
КП902В........................................0,8...1,2*...1,8* Вт
584
Продолжение
Крутизна характеристики при /с=50 мА, {7си=20В:
Г=+25СС . . .....................10,..19*. 26* мА/В
Г=-60сС 2П902А, 2П902Б и Т= -45 °C
КП902А, КП902Б, KII902B .......................10...25*. .30* мА/В
Т= + 85СС КП902А, КП902Б, КП902В . . . 8...14*...22* мА/В
Т= + 125СС 2П902А, 2П902Б......................8...17*...22* мА/В
Начальный ток стока прн 47си=50 В, С/зя = 0,
ие более:
7=+25 °C:
2П902А 2П902Б .....................10 мА
КП902А, КП902Б, КП902В.......................10 мА
Т= -60 °C 2П902А, 2П902Б и 7=-45 °C
КП9Э2А, КП902Б, КП902В.........................10 мА
7= + 125°С 2II902A, 2П902Б и 7=+85°С
КГ1902А, КГ1902Б, КП902В.......................15 мА
Ток утечки затвора прн UCu=0, U3b=~30 В . 0,02*...0,05*...3 нА
Остаточный ток стока прн Uca=60 В, UJB = —10 В 0,001*...0,03*...0,5 мА
Активная составляющая выходной проводимости
при Uси = 50 В, 1с=50 мА........................... 12*...30*...190* мкСм
Входная емкость прн Пси=25 В, 1Лзи = 0, f—10 МГц 4*...6,5*...l 1 кФ
Выходная емкость при 1/си=25 В, Uau=0, f= 10 МГц 3,9*...5,5*...l 1 пФ
Проходная емкость при Пси = 25 В, /=10 МГц,
Uhji — O-
2П902А, 2П902Б, КП902А, КП902Б . . 0,31*...0,5*...0,6 пФ
КП902В, не более . ..................0,8 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток — исток 2II902A,
2П902Б.............................................50 В
Постоянное напряжение сток — исток при Пзи=0 60 В
Пиковое напряжение сток — исток при /„sgl мс,
Q>100 ........................................ 70 В
Напряжение затвор — исток ... . . 30 В
Постоянный ток стока
при ГК^+25СС................................... 200 мА
при 7К=+85°С для КП902А. КП902Б. КП902В
и ГК= + 125°С для 2П902А, 2П902Б ... 130 мА
Постоянная рассеиваемая мощность1:
при ТК< + 25°С................................. 3,5 Вт
при ТК=+85СС для КП902А, "П902Б, КП902В 2,5 Вт
при 7К= + 125°С для 2П902А, 2П902Б . . 1 Вт
Температура окружающей среды:
211902А, 2П902Б................................-60°С...7’„= + 125<,С
КП902А, КП902Б. КП902В.........................-45 °C.. Т„ = +85 °C
1 Прн ТК>+25СС постоянный ток стока в постоянная рассеиваемая мощность син-
жаются линейно.
Пайка выводов допускается не ближе 1,5 мм от корпуса транзистора, время
пайки не более 3 с, температура пайки не должна превышать + 260 °C.
585
Зависимость крутизны
характеристики от тем-
пературы
Зависимость тока стока
от напряжения затвор —
исток
Зависимость крутизны
характеристики от тока
стока
Зависимость крутизны
характеристики от на-
пряжения сток — исток
Зависимость крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор — ис-
ток
Зависимость коэффици-
ента усиления по мощ-
ности, dB, or частоты
Зависимость выходной Зависимость коэффнци- Зависимость коэффици-
емкости от напряжения ента шума от напряже- ента усиления по мощ
сток — исток ния сток — исток ности от напряжения
сток — исток
586
Зависимость коэффици-
ента усиления по мощ-
ности от напряжения
сток — исток
Зависимость относитель-
ного пробивного напря-
жения сток—исток от
температуры
Зависимость входной
емкости от напряжения
сток — исток
2П903 (А, Б, BJ, КП903 (А, Б, В)
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планар-
ные полевые высокочастот-
ные с каналом п типа и за-
твором в виде обратно
смещенного р-п перехода.
Предназначены для работы
в приемопередающих и пе-
реключающих устройствах.
Выпускаются в металлоке-
рамическом корпусе с жест-
кими выводами. Тип прибо-
ра указывается на корпусе
Масса транзистора не
более 6 г.
2П903 (А В), КП903 (А В)
Электрические параметры
Спектральная плотность ЭДС шума на частоте [=
= 100 кГц прн иСи= 10 В, /=10 мА’
КП903А, КП903Б, КП903В.....................
2П903А .... . . . .
2П903Б.................. . .
2П903В ....................
Выходная мощность в схеме резонансного усилителя
в режиме класса А иа частоте / = 30 МГц при
t/c=10 В, б/зи=0...............................
Коэффициент усиления по мощности в схеме резо-
нансного усилителя в режиме класса А на частоте
f=30 МГц при иси=10 В <73и=0 . . . .
Крутизна характеристики при t/си = 8 В, С/зи=0,
f=1...10 кГц
7=-60 +25 °C.
2П903А, КП903А............................
2П903Б, КП903Б..................
2П903В, КП903В ..... . .
Т= + 100°С:
КП903А, ие менее..........................
0,5*. .1*. 5 НВ Гц-'/,
0.5*...0,7*...1 нВ-Гц-".
0,52*. 0,7*...2,5 нВ Гц- ".
0,54*. 0,7*...4,6* нВ Гц-'/»
90...450*. .600* мВт
7,6...11*...16* дБ
85. .125*... 140* мА/В
50... И 5* .130* мА В
60. 115*..140* мА/В
50 мА/В
587
Продолжение
КП903Б, не менее............................30 мА/В
КП903В пе менее............................40 мА/В
7’= + 125°С
2П903А. не мепее............................50 мА/В
2П903Б, не меиее ...............30 мА В
2П903В, не менее . , 40 мА В
Напряжение отсечки при Uch=5 В, 7с=0,01 мА:
2П903А, КП903А . . . ... 5*...6*...12 В
2П903Б, КП903Б .... .... 1*...2*...6,5 В
2П903В, KII903B .... 1*...3*...1О В
Начальный ток стока при Uch = 10 В. 0, пе
более:
2П903А. КП903А........................................ 700 мА
2П903Б ... . . . . 480 мА
2П903В .................................. 600 мА
Ток утечки затвора при UCn^0, С,зи = —15 В, не
более ... ...................0,1 мкА
Обратный ток перехода затвор — сток при U3C=
= — 20 В, не более....................................1 мкА
Остаточный ток стока прн Ucn=5 В, U3I1— —15 В
не более . . . . 50 нА
Сопротивление сток — исток при £/сл = 0,2В. Ь’3н=0:
Т----60. .+25 °C 2П903В ...............2*...5*...1О Ом
Т=-60. +Ю0сС КП903В, пе более . . . 10 Ом
Т= + 125°С 2П903В, не более..................18 Ом
Г-+25 °C 2П903А .......................3*...5*...9,8* Ом
2П903Б................................2*...5*..21* Ом
Емкость затвор — исток прн 1>зи = —15 В 14*..15* ..18 пФ
Ёмкость затвор — сток при U3c= — 20 В . . . 12* ,13*...15 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение затвор — исток......................15 В
Напряжение затвор — сток .................. 20 В
Напряжение сток — исток * 1....................20 В
Постоянный ток стока . . . . 0,7 А
Прямой ток затвора................... . . 15 мА
Постоянная рассеиваемая мощность2 при Т=
= —60...+25 °C . . . .... 6 Вт
Температура окружающей среды:
2П903А, 2П903Б. 2П903В.....................-6О...+ 125’С
КП903А, КП903Б, КП903В.....................-6О...+ 1ОО°С
1 При увеличении напряжения иа затворе свыше 10 В Уси лахс определяется по
формуле
^СИ.жскс. В-1/си-(Ц/зи|-10).
1 При 7^+25 °C мощность рассчитывается по формуле
Вт™(155 —7К)//^Г(П где я1“25 С/Вт.
Пайка выводов допускается не ближе 1 мм от корпуса транзистора, время
пайки не более 3 с, температура панки ие выше +260 °C.
588
Зависимость крутизны
характеристики от тока
стока
Зависимость тока стока
от напряжения затвор —
исток
Зависимость крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор — исток
-to О 40 во ПОТ/С -40 0 40 80 ftOT/C
Зависимость крутизны
характеристики от тем-
пературы
Зависимость тока стока
от температуры
Зависимость ЭДС шума
от частоты
0}м(Т)
Зависимость
затвор — сток
пряжения па
емкости
от на-
затворе
Зависимость емкости за-
твор — исток от напря-
жения па затворе
Зависимость относитель-
ного изменения пробив-
ного напряжения за-
твор — исток от темпе-
ратуры
589
Зависимость относитель-
ного изменення пробив-
ного напряжения сток —
исток от температуры
Зависимость допустимой
рассеиваемой мощности
от температуры
Зависимость допустимо-
го тока стока от тем-
пературы
2П904 (А, Б), КП 904 [А, Б)
2П30Ч (А, Б), КП90<f (А, Б)
Транзисторы крем-
ниевые планарные поле-
вые с изолированным за-
твором и индуцирован-
ным каналом л типа.
Предназначены для при-
менения в усилителях,
преобразователях и гене-
раторах в диапазоне ча-
стот до 400 МГц. Выпу-
скаются в металлокера-
мическом корпусе с же-
сткими выводами. Тип
прибора указывается на
корпусе
Масса транзистора
не более 35 г.
Электрические параметры
Выходная мощность при (7си = 55 В, 1/зи=0, f=
=60 МГц:
2II904A, КП904А . . . . . .
ЙП904Б, КП904Б . . . . .
Коэффициент усиления по мощности при £/си = 55 В,
Вт, f=60 МГц (в режиме класса В)
Коэффициент полезного действия при Ь’Си 55 В,
изи=0, f=60 МГц ....
Крутизна характеристики при (7Си = 20 В, 1С 1 А
Т=— 60 °C, не менее
7=+25 "С..................................
7=+ 125 ’С, не менее
Начальный ток стока при UCii—20 В, изи=0, пе бо-
лее:
Т--60 °C ...
Т- +25 °C . .
т^+125сс..............................; ’
Остаточный ток стока при 1/Си=100 В, U3U —20 В,
не более . , , ...
50 ..75 Вт
30 40 Вт
13.„18,5*—25* дБ
4Э...51 *...53* %
150 мА/В
250. .440* ..520* мА/В
100 мА/В
500 мА
350 мА
500 мА
200 мА
590
П одолжение
Ток стока при с'Си=20 В, U™ 20 В:
2П904А . . ....................5. .6,5*...10* Л
КП904А, не менее ................5 Л
2П904Б . . . ' ... 3 4,2*...5* А
КП904Б, не менее............................. .ЗА
Емкость затвор — исток прн разомкнутом выводе
при /=1 МГц, 1/зи = -30 В................................160*...200*...300 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток.......................
Импульсное напряжение сток — исток при мс,
<2^2..................................... . .
Напряжение затвор—сток........................
Импульсное напряжение затвор — сток при tu 1 мс,
<2^2..........................................
Напряжение затвор — исток .... . .
Постоянная рассеиваемая мощность1 при Т —
--60°С. 7* =+ 25 °C...........................
Температура окружающей среды..................
70 В
100 В
90 В
120 В
30 В
75 Вт
-60 °C. .7\- + 125 °C
В диапазоне температур Гх =+25... + 125 °C мощность
рассчитывается по формуле
р
макс*
Вг=75
125 I
Минимальное расстояние
1,5 мм, температура пайки ие
места пайки выводов транзисторов ог
выше +260 °C, время пайки не более 3
корпуса
с.
Зона возможных положений пере-
ходной характеристики
Зависимость крутизны характеристи-
ки от напряжения сток — исток
Зона возможных положений зависи-
мости крутизны характеристики от
напряжения на затворе
Зона возможных положений зави-
симости крутизны характеристики
от тока стока
591
Зависимость крутизны характеристи-
ки от температуры
Зона возможных положений зави
спмостп сопротивления сток—исток
в открытом состоянии от напряже-
ния на затворе
Зависимость начального тока стока
ст температуры окружающей среды
Зависимость коэффициента усиления
по мощности и выходной мощности
от напряжения сток — исток
2П905 (А, Б), КП905 (А, Б, В)
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным затвором н
каналом n-тпиа Предназначены для усиления и генерирования сигналов в диа
цазоне частот до 1500 МГц Выпускаются в металлокерамическом корпусе с
полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 3 г.
2П305Ц 6) КПЗОЗ/А-В/
592
Электрические параметры
Выходная мощность при /=1000 МГц, ОСи=50 В.
О.5И=0 для 2П905Л, КП905А......................1 .1,4* Вт
Коэффициент усиления по мощности при f =
= 1000 МГц, ПСи=50 В, /с=30 мА
2П905А, КП905А ................8...15* дБ
2П905Б КИ905Б..............................6.. 10* дБ
КП905В ... 4...8* дБ
Коэффициент шума при /=1000 МГц, ОСн = 50 В,
1с = 30 мА. не более:
2П905А.....................................6* дБ
2П905Б, КП905Б ................6,5 дБ
Крутизна характеристики при <7си=20 В, /с = 50 мА
Т- +25 °C 2I1905A, 2П905Б, КП905А. КП905Б
КП905В .... 18 .29* .39* мА/В
Т -40 °C КП9Э5А, КП905Б, КП905В не меиее 18 мА/В
Г=-60°С 2П905Л, 2П905Б. пе менее . . . 18 мА/В
Г +85°С KII905A, КП905Б, КП905В, не менее 12 мА/В
7=+ 125 °C 2П905А 2П905Б, не менее . . 12 мЛ/В
Ток стока при Пс„ = 20 В, (Лш~20 В
2П905А. К11905А............................. 225...350* мА
2П905Б. КП905Б . . .............150.. 350* мА
КП905В.................. 120.. 350* мА
Остаточный ток стока при Псл = 60 В, U3h = — 10 В,
пе более.......................................1 мА
Начальный ток стока при (7Си=20 В, и3и=0,
ие более:
7=+25 °C 2П905А 2П905Б, КП905А, КП905Б
КП905В . . ... .20 мА
7- 40 и 85 СС КП905А, КП905Б, КП905В . 20 мА
7=-60 °C 2II905A, 2П905Б...................20 мА
7=+ 125 °C 2П905А, 2П905Б ... . 30 мА
Емкость входная при f 10 МГц, Ucn=25 В,
U =0:
2П905Л, K1I905A..............................3*...5*...7 пФ
2Н905Б. КП905Б.............................7* 11 пФ
КП905В ....................................11 *..13 пФ
Емкость выходная при /=Ю МГц, 1/Си=25 В,
<Л,и--5 В
2П90г\ 2П905Б, КП9Э5Л. КП905Б . . . 1.4* 2*. 4 пФ
КП905В . ...... 3.4*. 4* ..6 пФ
Емкость проходная при /=10 МГц, ПСи = 25 В,
Ll<m — 0:
2I1905A. 2П905Б, КП905А, КП905Б . . . 0.14* ,0,25*...0.6 пФ
КП905В . . . . ... 0,16*. .0,28*. 0.8 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток — исток .... 60 В
Постоянное напряжение затвор — сток .... 70 В
Напряжение затвор — исток......................±30 В
Постоянная рассеиваемая мощность* при Тк^.
<+25 °C .... ... . 4 Вт
1 При 7'1[>+25°С постоянная рассеиваемая мощность рассчитывается по формулам
( 7,-25 \
Рт„. Вт-4 I 1,05 ---------- для 2П905А. 2П905В
125 ]
/ 7.-25 \
Рмакс Вт-4 I 0,95-----“--- |для КП905А, КП905Ь, КП905В.
38 Заказ № 1004
593
П родолжение
Тепловое сопротивление кристалл — корпус
Температура окружающей среды:
2П905А, 2П905Б ....
КП905Л, КП905Б КП905В
10...15 °С/Вт
—60°С...7’к= + 125сС
- 40°С...Гк = + 85°С
Формовка выводов и вращение их вокруг оси запрещаются. При установке
транзисторов на теплоотвод чистота контактной поверхности теплоотвода долж-
на быть ие менее 2 5; неп.тоскостиость контактной поверхности не более 0,03 мм.
Минимальное расстояние места папки выводов от корпуса 3 мм Температу-
ра пайки не выше + 250°±10°С в течение времени не более 3 с При пайке
необходимо обеспечивать отвод теплоты от места панки и защиту корпуса
транзистора от попадания флюса и припоя. В момент пайки все выводы должны
быть закорочены. Жало паяльника заземляется обязательно.
При работе с транзисторами необходимо принимать меры защиты от воз-
действия статического электричества и учитывать возможность их самовозбуж-
дения как высокочастотных элементов.
Зависимости тока стока
от напряжения за-
твор — исток
Зависимости крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор — ис-
ток
Зависимости крутизны
характеристики oi тока
стока
ния сток — исток от-
крытом состоянии от
тока стока
Зависимости коэффици-
ентов шума и усиления
по мощности от напря-
жения сток — исток
Зависимости коэффици
еитов шума и усиления
по мощности от часто-
ты
594
6м1 > Bl
/,*
1.2
1,0
0,8
0,6
J50 200 250 300lc,rtA
2П905А, КП905А
Ргжип usnipeinaf^
-ит‘506,ГчГГи,—
XРикии
/umtptHin Ic
иш-208.и*‘20В
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощно-
сти и полезного действия от напря-
жения сток — исток
Зависимость выходной мощности от
тока стока
2П907 (А, Б), КП907 (А, Б, В)
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и
каналом п-тнпа. Предназначены для усиления и генерирования сигналов иа
частотах до 1500 МГц, а также для применения в быстродействующих пере-
ключающих устройствах наносекундного диапазона. Выпускаются в металлоке-
рамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 3 г.
2П907(А.Б), КП907 (А-В)
Выходная мощность при Оси=40 В, С'зи-0:
7—1000 МГц. Р«=2 Вт:
2П907Л, КП907А................... 4 5* 6* Вт
2П907Б. КП907Б.............................3. .3,5* . 4* Вт
f 400 МГц. Рвх=3 Вт:
2II907A, КП907А, типовое значение ... 10* Вт
2Н907Б КП907Б, пе менее .... 7 Вт
KII907B, ие менее..........................5 Вт
38*
595
fl родолжение
Крутизна характеристики при б/си = 20 В, /с=
= 500 мА:
7=+25 °C:
2П907А, 2П907Б, КП907Л....................... 110...185* ..200* мА/В
КП907Б . . .... 100... 135*...200* иА/В
KII907B ... ... . . 80. 85* ..ПО* мЛ/В
7= 4-125°C 2II907A, 2П907Б, не менее . . 80 мА,'В
Г- +85 °C:
КП907А, ие менее ... . . 80 мА В
КП907Б, ие менее . .... 70 мА В
КП907В, не менее ................50 мЛ/В
Т -45 °C:
КП907А, не менее . ................ПО мА, В
КГ1907Б, не менее.............................100 мА'В
КП907В, не менее...............................80 мА/В
7= 60СС 2П907А, 2П907Б, не менее . . . ПО мА В
Ток стока прн Uc.ii — 20 В, Uju = 20 В:
2П907А, КП907А . ................1700...2200*...2700* мА
2П907Б, КП907Б............................... 1300... 1550*... 1700* мА
КП907В.......................................1000... 1150*... 1300* мА
Остаточный ток стока при Т'Си = 50 В, и3и= —10 В,
не более.........................................10 мА
Начальный ток стока при t/си =20 В. t/3H = 0,
ие более:
7=+25°C 2П907А, 2П907Б, КП907А, КП907Б,
КП907В .... ..............100 мА
7=+125°С 2Г1907Л, 2П907Б.....................150 мА
7=+85 °C КП907А. КП907Б КП907В ... 150 мА
7=-45 °C КП907А, КП907Б, КП907В . 100 мА
7=-60°C 2П907А, 2П907Б . ... 100 мА
Емкость проходная при 1/сл=25 В, 1/зи= —10 В,
f=10 МГц.........................................0,8*... 1,5*...3 пФ
Время включения и выключения при t/си = 30 В,
/?н=10 Ом не более...............................2* нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток — исток ...
Постоянное напряжение затвор — сток ....
Напряжение затвор — исток .... . .
Постоянная рассеиваемая мощность1 при 7=
-60°C .7„ 25 °C для 2П907А, 2П907Б а 7
= -45 С. 7К=+25°С для КП907А, КП907Б,
КП907В ... ...............
Температура окружающей среды:
2П90' А. 2Г19О7Б . . ............
КП907Л, КП907Б, КП907В ... 1 * 3
1 В диапазоне температур Гк—+25 .+ 125 °C мощность
60 В
70 В
±30 В
11,5 Вт
-60°C ,.7„= + 125°C
-45 °С..7к = + 85 °C
рассчитывается по формуле
/ 7к-25
Вт=10 (Н.5 —
Формовка выводов н вращение их вокруг осн запрещаются. При установке
транзистора на теплоотвод чистота контактной поверхности теплоотвода долж-
на быть пе менее 2,5; неплоскостность контактной поверхности не более 0,03 мм.
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса транзистора
3 мм. Температура пайки не выше +260°C в течение времени не более 3 с.
Нри пайке необходимо обеспечивать отвод теплоты от места пайки и защиту
корпуса транзистора от попадания флюса и припоя. В момент пайки все выво-
ды должны быть закорочены. Жало паяльника заземляется обязательно.
596
При работе с транзисторами необходимо принимать меры защиты от воз-
действия статического электричества и учитывать возможность нх самовозбуж-
дения как высокочастотных элементов.
Завис (мость тока стока Зависимость крутизны Зависимость крутизны
от напряжения затвор — характеристики от на- характеристики от токе
исток пряжения сток — исток стока
Ъ.., 8г
2П907А, КП907А
Режим измерения U'x-bOB.f'irru. Р^-28е
измерения /с:
ип-гов, и}11 -го 8
0,5 1,0 1,5 г,0 2,5 50/с А
Зависимость выходной мощности от
тока стока
Зависимости выходной мощности и
коэффициента полезного действия
от тока стока
Зависимости тока стока от напрЯ'
жения сток — исток
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощно-
сти и полезного действия от напря-
жения сток — исток
697
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощно-
сти и полезного действия от напря-
жения сток — исток
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощно-
сти и полезного действия от уров-
ня входной мощности
2П908 (А, Б)
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и
каналом re-типа. Предназначены для усиления и генерирования сигналов на
частотах до 2,25 ГГц, а также для применения в быстродействующих пере-
ключающих устройствах наносекундного диапазона Выпускаются в металлоке-
рамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 3 г
Электрические параметры
Выходная мощность прн ПСи=35 В, U3n—0, [=
— 1,76 ГГц, P«i=0,6 В для 2П908А, не менее
Сопротивление сток — исток в открытом состоянии
при Пси=0,1 В и3и—20 В для 2Г1908Б
Крутизна характеристики прн Пси—20 В, /с=80мА:
Т=+25 С . - ... . .
Т-—60 °C, не меиее........................
7"= +125 °C, не менее . . . . .
Тон стока при Пси=20 В, П?и=10 В.
2П908А
2П908Б....................................
1 Вт
14*. .18*...25 Ом
24 .32* 40* мА/В
24 мА/В
15 мА/В
280...310* 350* мА
200...230* 280* мА
598
Продолжение
Начальный ток стока при Пен=20 В Узи-О,
не более;
Т’= + 25°С.......................................25 мА
Т= -60 °C........................................25 мА
7’= + 125°С . ......................35 мА
Остаточный ток стока при (7си=40 В, Узн — — 10 В,
не более;
2П908А ... ......................0.5 мА
2П908Б ..................................0.2 мА
Емкость входная при Уси=25 В, Узн = —6 В. f=
= 10 МГц:
2П908А...........................................3* . 3,8* . 4.5 пФ
2П908Б...........................................3,5*...5*...6.5 пФ
Емкость проходная при £Уся=25 В, Узи = — 6 В f=
= 10 МГц.............................................0,2*...0,3*...0,6 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток — исток . . . .
Импульсное напряжение сток — исток . . . .
Постоянное напряжение затвор — сток
Импульсное напряжение затвор — сток . . . .
Постоянное напряжение затвор — исток
Постоянная рассеиваемая мощность1 прн 7"к =
= -60 °C...+ 35 °C........................... .
Тепловое сопротивление кристалл — корпус
Температура окружающей среды....................
40 В
55 В
50 В
60 В
20 В
3.5 Вт
10. 15°СУВт
-60 °C Тк= + 125°С
1 При Г. —+35...+125 JC постоянная рассеиваемая мощность рассчитывается по
формуле
яакс. Вт-3.7 (0,98
7.-25
125
Формовка выводов и вращение их вокруг осн запрещаются. Прн установке
транзистора на теплоотвод чистота контактной поверхности теплоотвода должна
быть не менее 2,5; неплоскостность контактной поверхности не более 0,03 мм.
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса транзистора
3 мм. Температура пайки не выше +260СС в течение времени ие более 3 с.
При пайке необходимо обеспечивать отвод теплоты от места пайки и защиту
корпуса транзистора от попадания флюса и припоя. В момент пайки все вы
воды должны быть закорочены. Жало паяльника заземляется обязательно.
При работе с транзисторами необходимо принимать меры защиты от воз-
действия статическою электричества и учитывать возможность их самовозбуж
дени я как высокочастотных элементов.
Зависимости тока стока ст напря-
жения затвор — исток
Зависимость сопротивления сток —
исток в открытом состоянии от на-
пряжения затвор — исток
599
s, nA/В Pt,„, Вт
2П908(А Б)
иы’20В
“ 1
Впсип 1П908А
измерения /с /Z. я я
' Резки н из HtptMUH Р^ 1/ы‘35 В Р^'ОВ Вт f-'.B ГГц
О ЮО 200 300 ьОО 500!г.нА /50 200 250 300 1Г в
Зависимость крутизны Зависимость
характеристики от на- характеристики
пряжения затвор — ис- стока
ток
крутизны Зависимость выходной
от тока мощности от тока стока
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мошно-
ст и п полезного действия от частоты
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощно-
сти и полезного действия от уровня
входной мощности
2П909 (А, Б, В, Г)
Транзисторы кремниевые эпитакснально-планарные полевые с изолированным
затвором и индуцированным каналом « типа Предназначены для применения
600
в усилителях и генераторах с рабочей частотой до 400 МГц, а также в пере-
ключающих устройствах (транзисторы 2П909В, 2П909Г предназначены для ра-
боты в составе гибридных микросхем и используются без фланца).
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Электрические параметры
Выходная мощность в режиме класса В при Ucu =
= 40 В. / = 400 МГц:
Р„х = 25 Вт 2П909Л........................
Р„х=15 Вт 2П909Б..........................
Р»х=10 Вт 2П909В..........................
Выходная мощность в импульсном режиме прн
Р„х = 25 Вт, L/c„ = 40 В, / 400 МГц, /„=10 мкс,
Q=100, класс В 2П909А.........................
Коэффициент усиления по мощности прн /7Си = 40В,
/=400 МГц
Р.х = 25 Вт 2П909А........................
Р«х-15 Вт 2П909В................. . .
Р.х=10 Вт 2П909В . . .
Коэффициент усиления по мощности в импульсном
режиме при Р„х=25 Вт, /7си = 40 В, / = 400 МГц,
/,.= 10 мкс, Q= 100 класс В 2П909Л
Коэффициент усиления по мощности прн /7Си=40 В,
/ = 400 МГц, класс В типовое значение:
Р«х=1 Вт 2П909А, 2П9О9Б, 2П909В . . .
Р„х=3 Вт 2П909А, 2П909Б, 2П909В . . .
Коэффициент полезного действия при /7си = 4О В,
/- 400 МГц:
Р„=25 Вт 2П909Л...........................
Р«х=15 Вт 2П909Б..........................
Р„х= 10 Вт 211909В ....
Время включения и выключения при /7сл = 40 В
(Ли=20 В, Р„ = 50 Ом, типовое значение
Крутизна характеристики при (7си=20 В, /с=
= 900 мЛ......................................
Начальный ток стока при /Ли = 0, не более-
Т=+25°С:
иСи=20 В 2П909А, 2П909Б, 2П909В . .
Uси=45 В 2П909Г ................
7’--60°С:
Ucii 20 В 2П909А, 2П909Б, 2П909В . .
/7си = 45 В 2П909Г . . .
Г= + 125°С:
Uси=20 В 2П909А, 2П909Б, 2П909В . .
(7СИ=45 В 2П909Г ...
Остаточный ток стока при Uch — 50 В, (Лш= —10 В,
пе более:
2П909Л. 2П909Б 2П909В . .
2П909Г .
Ток стока при Ucn~ 20 В, (7ЗИ 20 В.
2П909А
2П909Б .
2П909В 2П909Г
Сопротивление сток — исток открытого транзистора
при /7Си = 0,1 В, /7зи=10 В...................
Емкость затвор — исток при разомкнутом выводе
стока н /7зл = 5 В............................
50...56* .60* Вт
30...38* . 46* Вт
30...33*. .41* Вт
56...60*. .66* Вт
3. 4* 5* дБ
3. 4*.. 5* дБ
4.. 5 2* .6.2* дБ
3,4..4*. .4.5* дБ
12,5* дБ
11* дБ
40 ,.53*...55*%
40.. 48*...52*%
4О...43*...5О*%
4* нс
350...650* ..1000* мА/В
200 мА
30 мА
200 мА
30 мА
800 мА
50 мА
100 мА
30 мА
6,5...7,5*..10* А
4 6*...6,5* А
5. .6 5* .8* А
1* 1,3* 1,6 Ом
160*... 190*...225 нФ
601
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение затвор — исток ... . 25 В
Напряжение сток — исток .... . . 50 В
Напряжение затвор—сток.............................60 В
Напряжение сток — исток в динамическом режиме 65 В
Напряжение затвор сток в динамическом режиме 75 В
Постоянная рассеиваемая мощность •:
7=-60. 7к«=+40°С
211909Л 2П909Б .... 60 Вт
211909В 40 Вт
7К = + 125 °C
2Г1909А, 2П909Б 14 Вт
21I909B...................................... 10 Вт
Температура окружающей среды . . . — 60°С...7к = +125 °C
1 В диапазоне температур Тн— +40 .+125 °C мощность снижается линейно.
Минимальное расстояние от
да 1 мм.
корпуса транзистора до места пайки выво-
Завнсимость выходной мощност и
коэффициента полезного действия от
мощности на входе
Зависимости выходной мощности от
мощности на входе
Зависимость выходной мощности от
напряжения сток — исток
Зависимость выходной мощности и
коэффициента полезного действия
от напряжения сток — исток
602
'к,, л
Зависимость выходной мощности от
тока стока
Зависимость выходной мощности от
мощности на входе в непрерывном
и импульсном режимах
Зависимости коэффпци
ента усиления по мощ-
ности от входной мощ-
ности
Зависимость коэффици-
ента полезного действия
от мощности на входе
Зависимость выходной
мощности от напряже-
ния затвор — исток
Зависимости выходной Зависимость сопротивле- Зависимость проходной
мощности от мощности ния сток — исток от на- емкости от напряжения
на входе пряжения затвор — нс- сток — исток
ток
603
2П911 (А, Б)
Транзисторы кремниевые эпнтаксиальпо-плапарпые полевые с изол рован-
пым затвором п индуцированным вертикальным каналом л-типа Предназна-
чены для применения в усилителях п генераторах на рабочей частоте до 1 ГГц.
а также в быстродействующих переключающих устройствах. Выпускаются в ме-
таллокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указывается
иа корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Электрические параметры
Выходная мощность прн Оси=40 В, f—l ГГц.
Р«х=5 Вт для 2П911А
Коэффициент усиления по мощности прн Оси=40 В.
f=l ГГц. Р„=5 Вт для 2Г1911А . . . .
Коэффициент полезного действия нри Оси 40 В,
f=l ГГц. Р„ = 5 Вт для 2П911А................
Время включения п выключения при Ос-45 В, Rt=
=50 Ом, /?н=10 Ом, Овх=15 В для 2П9НБ, типо-
вое значение-
10...11*...12* Вт
3...3,5*.4* дБ
25...30*...33* %
t
^еык.1 .... ...
Крутизна характеристики при ОСи 20 В, /с=500мА
Начальный ток стока нри Оси 20 В. Ojn-0:
Г =+25 °C:
3* ис
5* нс
200. 400*. .600* мА/В
2П9ПА . .
2П9ПБ . .
7"=—60 °C:
2П9ПА, не более
2П9ПБ, не более
7'= + 125°С-
2П911А, не более
211911 Б, не более
Остаточный ток стока при
2П911А
Оси=50 В
Ози =
-10 В:
2П911Б .
Ток стока при Uch
2П911А
2П911Б . .
=20 В
Ози = 20
1..20* 150 мА
1*. .1О*...7О мА
150 мА
70 мА
400 мА
170 мА
0,5*.. 25* .50 мА
0,5* 10* .30 мА
3...38* .5* А
2,5 3,3*.. 4* А
В
604
П родолжение
Сопротивление сток — исток в открытом состоянии
при и<и=-20 В. для 211911Б....................1,8*...2,5*.. 3,5 Ом
Емкость затвор — исток при разомкнутом выводе
при (7зи =—5 В................................. 60*...70*.. 80* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение затвор — исток .... Напряжение сток - исток .... Напряжение затвор — сток . . Напряжение сток — исток в динамическом Напряжение затвор — сток в динамическом Постоянная рассеиваемая мощность прн Т-- —60 ..Тк=+40°С 7\= + 125сС Температура окружающей среды режиме режиме 25 В 50 В 60 В 60 В 70 В 30 Вт 7 Вт -60°C .7-х = + 125 °C
1 В диапазоне температур Т'к = +4О...+125 °C мощность снижается линейно
Минимальное расстояние от корпуса транзистора до места пайки 3 мм.
Допускается панка выводов на расстоянии нс Mei ее 1 .мм от корпуса; при этом
температура пайки не должна превышать +150 °C.
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления по мощно-
сти и коэффициента полезного дей-
ствия от входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления по мощно-
сти н коэффициента полезного дей-
ствия от напряжения сток — исток
Зависимости выходной мощности,
коэффициента усиления по мощно-
сти и коэффициента полезного дей-
ствия от входной мощности
Зависимость выходной мощности от
тока стока
60а
Зависимость сопротивления сток —
исток от напряжения затвор — ис-
ток
Зависимость крутизны характеристик
ки от тока стока
2П912 (А, Б]
Транзисторы кремниевые эпи-
такспалыю-планарныс полевые с
изолированным затвором н верти-
кальным каналом п типа. Пред-
назначены дпя применения в клю-
чевых стабилизаторах и преобра-
зователях напряжения, импульс
пых устройствах, усилителях и ге
нераторах. Выпускаются в метал
лнческом корпусе со стеклянными
изоляторами и жесткими вывода-
ми. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не бо
лее 18 г.
Электрические параметры
Сопротивление сток — исток в открытом состоянии
при 17Си=0,15 В, 17зи«15 В:
2П912А . ....................
2П912Б . .............. . . .
Крутизна характеристики при иСи=20 В, /с=0,9 А
Начальный ток стока при (/Си=20 В, /7зи=0:
7=+25 и 60°C . .................
Т— + 125 °C, не более.......................
Ток стока при £Уся=20 В, 1Узи — 20 В
2П912А .... ................
2П912Б............................. . . .
Остаточный ток стока при 1)зи~ —10 В'
Оси 100 В 2П912А . . . . .
Uси 60 В 2П912Б, не более
Время включения, выключения при Оси 50 В О«х=
— 20 В, /?и—50 Ом, /?г=-10 Ом, типовое значение
Емкость выходная при f=l МГц, Оси = 20 В, типо-
вое значение . . . .............
Емкость проходная при [=1 МГц, Оси —20 В,
О3и =—5 В, типовое значение ...................
Емкость затвор — исток прн разомкнутом выводе
стока, /=1 МГц, О3и = 5 В......................
0,12*...0,4*...0,8 Ом
0,1 *..0,3*.. 0 4 Ом
0,8.. 1,5* .2,2* А/В
0,1*.. 2*. 20 мА
300 мА
8... 15*. 20* А
12...18*.. 25* А
2*..10*..30 мА
20 мА
30* нс
250* пФ
16* пФ
450* . 480* .500 пФ
606
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение сток — исток:
2П912А.......................................100 В
2П912Б............................ . . 60 В
Напряжение затвор — сток:
2П912Л........................................ПО В
2П912Б .............. . 70 В
Напряжение затвор — исток . . . 20 В
Постоянная рассеиваемая мощность1:
7=-60 °C. 7К =+40 °C..........................40 Вт
7»= +125°C....................................15 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность1 при Л,=
=0,5 мс, QsslOO:
7= — 60 °С...7х=+25 °C...................... 300 Вт
7К = + 125°С..................................60 Вт
Температура окружающей среды . . — 60 °C.. 7х = + 125°С
1 В диапазонах температур Тк —+40...+125 СС постоянная и Тк-+25..+125 °C им-
пульсная рассеиваемая мощности снижаются линейно.
Зависимости тока стока от напря-
жения сток—исток
Зависимость тока стока от напря-
жения затвор исток
Зависимость крутизны характеристи-
ки от напряжения затвор — исток
Зависимости сопротивления сток —
исток в открытом состоянии от на-
пряжения затвор — исток
607
Quo • n<?
C)UO » 77
Зависимость емкости затвор — исток
от напряжения затвор — исток
Зависимость емкости сток — исток
от напряжения сток — исток
Зависимость проходной емкост от
напряжения сток — исток
Зависимости допустимой импульсной
рассеиваемой мощности от длитель-
ности импульса
Области максимальных режимов
608
2П913 (А, Б)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолирован-
ным затвором н каналом n-тппа. Предназначены для усиления и генерирова-
ния сигналов в диапазоне частот до 400 МГц в непрерывном и нмпу 1ьсном
режимах при напряжении питания пе более 45 В, а также в переключающих
устройствах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми вы-
водами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора пе более 12 г.
Электрические параметры
Выходная мощность при f = 400 МГц, Оси = 45 В:
Р«х=50 Вт 2П913А .100 105*...120* Вт
Рвх=35 Вт 2П913Б . . . . . 70...80*. 90* Вт
Коэффициент усиления по мощности при f=400 МГц,
Uctt :45 В:
Р,«х=100 Вт 2П913А ... ... 4 ,.4,5*...5* дБ
Рвмх=70 Вт 2П913Б ... . . 4 ..4.7* ..5,4* дБ
Коэффициент полезного действия при / = 400 МГц,
1/си = 45 В:
РвЫх=Ю0 Вт 2П913Л............................ 46..48*...50*%
Р««х=70 Вт 2П913Б............................ 40. 45*...49*%
Крутизна характеристики при Uc«=20 В, /с = 3 А Г. 1,6*...2,5* А/В
Ток стока при Ucn~20 В, 1/зи = 20 В
2П913А .... .... 14.. 16*...19* А
2Г1913Б . . . . . ... 10. .12*. .14* А
Остаточный ток стока при /Уся=5О В, ияи= —10 В 20*.. 100*...200 мА
Ток утечки затвора при (73и = —25 В, не более 1* мкА
Начальный ток стока при 17сл = 20 В, Б'3и =0, пе
более:
7=+25 °C..................................... 300 мА
7=—60 °C..................................... 300 мА
7=+ 125 °C . ..................... 1000 мА
Емкость затвор — исток при разомкнутом выводе
стока и f- I МГц. (73/)-25 В . . . . 300*. .350*. .390* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток — исток . 50 В
Напряжение сток—исток в динамическом режиме 65 В
Постоянное напряжение заiвор—сток .... 60 В
39 Заказ № 1001
609
Продолжение
Напряжение затвор — сток в динамическом режиме 75 В
Постоянное напряжение затвор — исток ... 20 В
Постоянная рассеиваемая мощность
7=-60 °C . Тк= + 25 °C .............100 Вт
7'К= + 125СС ......................20 Вт
Температура окружающей среды......................— 60 °C ..7+— +125 °C
1 В диапазоне температур Гк — +25. . + 125еС мощность снижается линейно.
Минимальное расстояние места панки выводов от корпуса транзистора
3 мм. Температура пайки не более +260°C, время пайки не более 3 с. Допу-
скается сварка выводов не ближе 0,5 мм от корпуса. При этом температура
корпуса транзистора не должна превышать +150 °C.
Работа па согласованную нагрузку допускается нри использовании тран-
зисторов в усилителях мощности с напряжением питания не ботее 30 В
Зависимости тока стока от напря-
жения сток—исток
Зависимости тока стока от напря-
жения сток — исток
Зависимость крутизны характери-
стики от тока стока
Зависимости тока стока от напря
жеиия затвор — исток
610
it
iO
t.s
1,2
0.8
Qt
о
Зависимости крутизны характеристи-
ки от напряжения затвор — исток
Зависимость сопротивления сток —
исток в открытом состоянии от на-
пряжения затвор — исток
Зависимость проходной емкости от
напряжения сток — исток
Зависимость выходной емкости от
напряжения сток — исток
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощно-
сти и полезного действия от на-
пряжения сток — исток
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощно
сти и полезного действия от напря-
жения сток — исток
39*
611
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощно-
сти и полезного действия от уров-
ня входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощно-
сти и полезного действия от уров-
ня входной мощности
2П914А
Транзистор кремниевый эпи-
таксиально-планарный полевой с
затвором па основе р-п перехода
и каналом п типа. Предназначен
для применения в усилителях,
преобразователях и генераторах
высокой частоты без ограничения
нижнего частотного предела, а
также в переключающих устрой-
ствах. Выпускается в металличе-
ском корпусе со стеклянными изо-
ляторами и гибкими выводами.
Тип прибора указывается на кор-
пусе.
Масса транзистора не бо-
лее 1 3 г.
Электрические параметры
Коэффициент шума при £УСн = 40 В, (7ип=0, /с =
= 20 мА:
/-200 МГц ..................................
f=250 МГц...................................
Коэффициент усиления по мощности при Uch~40 В.
£7ли=0, /с=20 мА:
/=200 МГц . .
/=250 МГц.............................. . .
Крутизна характеристики при Ucn 10 В, USn
— Изп—Q'
7'=+25 "С.......................................
Т= — 60 “С. пе менее..................
Т= + 125 ГС, нс менее
Сопротивление сток — исток в открытом состоянии
при (7си=0,1 В, U3ii~U 11=0
Начальный ток стока* при Ucn~50 В, 77зи=173п=0
Ток утечки затвора:
при U3iI—lJ3n~ 8 В, Ucn— 0, пе более
Т=+25°С.....................................
7'= + 125сС................................
3.4*...3,7*.. 6 дБ
4*...4,5*...7* дБ
3.6,7*... 10,2* дБ
2,4...4.3*...8.1* дБ
10...18*...30* мА/В
10 мЛ/В
6,5 мА/В
23*. 25,8*...5О Ом
100»... 190*. .250 мА
100 нА
10 мкА
612
при 1/.?и=—30 В, U311 — O, Uch~Q для Т=
= +25 °C..................................
Остаточный ток стока при С/Си=50 В. Еч> —— 30 В,
ичи-о . .........................
Напряжение отсечки при £УСи=10 В. 1/лн=0, /с =
= 10 мкА . . ............
Емкость входная при Пси—20 В, £УПи-0, /с=20мА
Емкость проходная при С/Си = 20 В, 1/ии=0, 1с =
=20 мА
Продолжение
0,0004*. .0,004».. 1 мкА
ЭЮ-4» .1,5 10
Ю-s мд
8*...15*...ЗО В
5.9*...7,5*...1О пФ
1.0*...1,9*...2,5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток — исток 1 50 В
Напряжение затвор сток1 2
7=+25 + 125СС . . .............80 В
Т=-60 °C . . ... 70 В
На: ряжение затвор — исток ... —30 В
Прямой ток затвора ... 5 мА
Постоянный ток стока . . 100 .мА
Постоянная рассеиваемая мощность.
с теплоотводом3. 7'к=+25±10°С . . . 2,5 Вт
без теплоотвода4, Т= +25 —10°C . . . . 0.5 Вт
Температура окружающей среды.........................— 60°С...Гк = + 125°С
1 Допускается увеличение напряжения сгок —ясток закрытого транзистора до 70 В.
2 В диапазоне температур 7 —+25. .—60 °C напр жсиие снижается линейно
3 В интервале температур 7К —+25. +125 °C мощность рассчитывается по формуле
Вт- (150>/(50 + RT
где КГ(к_11П ,) — те тловое со фотпвление корпус — теплоотвод.
’ В интервале температур 7‘ = +25... + 125 СС мощность рассчитывается по формуле
/’.макс. Вт—0,5 — 0.04(7’—25)
Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса транзистора 3 мм.
Температура пайки +2о0...+280 °C.
С целью увеличения крутизны характеристики и уменьшения напряжения
отсечки по затвору допускается устанавливать режим по постоянному току
подачей запирающего напряжения пе более 30 В между подложкой и исто-
ком. При работе режима в этом случае необходимо принимать меры по
ограничению тока подложки до 5 мА (например, включением ограничительного
резистора в цепь подложки).
При монтаже транзистора на теплоотвод должно быть обеспечено тепло-
вое сопротивление корпус— теплоотвод не более 10°С/Вт. Температура теплоот-
вода при эксплуатации пе должна превышать + 125=С.
5 и А/В
Зависимости тока стока
от напряжения сток —
исток
Зависимости тока стока
от напряжения затвор —
исток
Зависимости крутизны
характеристики от на-
пряжения сток — исток
613
S, nA/В
Зависимости крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор — ис-
ток
Зависимости крутизны
характеристики от тока
стока
Зависимость сопротив-
ления сток — исток в
открытом состоянии от
напряжения затвор —
исток
2П918 (А, Б)
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планар-
ные полевые с изолирован-
ным затвором и каналом
и-тнпа Предназначены для
усиления и генерирования
сигналов на частотах до
1 ГГц, а также для приме-
нения в быстродействую-
щих переключающих уст-
ройствах. Выпускаются в
металлокерамическом кор-
пусе с полосковыми выво-
дами. Тип прибора указы-
вается на корпусе
Масса транзистора не
более 8 г.
Электрические параметры
Выходная мощность при f=l ГГц, 1/си = 45 В
Рвх=10 Вт, /с>6 А 2П918А . . .
Р„х=7 Вт, /с>4 А 2П918Б
Ко.ффицпент усиления по мощности прн f=l ГГц.
Оси = 45 В:
Р„х=10 Вт 2П918А...........................
Р(Х-7 Вт 2П918Б ....
Коэффициент полезного действия прн f=l ГГц,
t/си = 45 В
Р„=10 Вт 2П918А............................
Р„-7 Вт 2П918Б.............................
Крутизна характеристики при 17си=2О В, /с=2 А:
2П918А ..............................
25...27*...30* Вт
17... 19*...22* ’т
4 4 3*...5* дБ
4. 4 3* 5* дБ
33*...36* 40%
32*. 35*...38%
0,55...0,6*...0,7* А/В
614
211918В....................................
Ток стока при 1/Си = 20 В, Изд =20 В:
2П918.А ... ...................
2П918Б............................ . . .
Сопротивление сток — исток в открытом состоянии
прн Пси=0,1 В, 17зи=20 В для 2П918Б
Остаточный ток стока при 17си = 45 В, 1У3„ = —10 В
Ток утечки затвора ври Ucn—O, 1!зн=20 В, не
более................... .....................
Начальный ток стока прн 17си = 2О В. 1/зи = 0, не
более:
7=+25 °C
Г=-6(ГС....................................
Т= + 125°С.................................
Емкость затвор — исток при разомкнутом выводе
стока, /=1 МГц, и3и—— 5 В.....................
Предо имение
0.35...0,5*...0.6* А/В
6.. 7*. 8- А
4.5* ..6.5* А
1,5*...2*...3 Ом
0,01*...!*.„50 мА
0,1 мкА
60 мА
60 мА
250 мА
100*...120*...130 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток — исток 45 В
Напряжение сток — исток в динамическом режиме 65 В
Постоянное напряжение затвор — сток .... 55 В
Постоянное напряжение затвор — исток . . . 20 В
Постоянная рассеиваемая мощность •:
7=-60°C ...Гк- -1-35 °C ....................45 Вт
7В = + 125°С................................10 Вт
Температура окружающей среды....................— 60°С...7’в = + 125°С
1 В диапазоне температур 7* —+35..+125 °C мощность рассчитывается по формуле
рмипс- Вг-45 -0,39(/н-35).
Минимальное расстояние от места панки выводов до корпуса транзисто-
ра 3 мм. Температура панки +260 °C, время пайки ие более 3 с
При установке транзистора па теплоотвод для уменьшения контактного
сопротивления между корпусом и теплоотводом следует применять смазки (на-
пример, КИТ 8). Допускается пайка фланца корпуса транзистора к теплоотво-
ду. Температура пайки не более +125 °C, скорость изменения температуры
корпуса при этом не более 1 °С/с.
Зависимости тока стока от напря-
жения сток — исток
Зависимости тока стока от напря-
жения затвор — исток
615
6, А/В
S, А/В
Зависимости крутизны характеристи-
ки от тока стока
Зависимости крутизны характеристи-
ки от напряжения затвор — исток
Зависимость сопротивления сток —
исток в открытом состоянии от на-
пряжения затвор — исток
Зависимость выходной мощности от
тока стока
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощно-
сти и полезного действия от напря-
жения сток—исток
Зависимости выходной мощности
коэффициентов усиления по мощно-
сти и полезного действия от иапря
жсния сток — исток
61G
О 2 i 6 8 fr
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления ио мощно-
сти и полезного действия от напря-
жения сток — исток
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощно-
сти и полезного действия от уровня
входной мощности
о 2 ♦ S 8 Ptt Sr
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощно-
сти и полезного действия от уров-
ня входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощно-
сти н полезного действия от уров-
ня входной мощности
2П920 (А, Б)
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планар-
ные полевые с изолирован-
ным затвором п каналом
п типа. Предназначены для
усиления и генерирования
сигналов на частоте до
400 МГц, а также для при
менспия в быстродействую-
щих переключающих уст-
ройствах. Выпускаются в
металлокерамическом кор-
пусе с полосковыми выво-
дами. Тип прибора указы-
вается па корпусе.
Масса транзистора не
более 8 г
617
Электрические параметры
Выходная мощность при ЧСи=50 В:
/=400 МГц, Р«х=30 Вт
2П920А ................
2П920Б
/=200 МГц. Р«=7Вт 2П920Л, типовое значение
Коэффициент усиления по мощности при Г/си=50В:
/=400 МГц. Р„»30 Вт
2П920А
2П920Б ...
/=200 МГц, Р»х=7 Вт 2П920А, типовое значение
Коэффициент полезного действия прн (7Си = 50 В:
/ = 400 МГц. Рм-30 Вт.
2П920А................... . . .
2П920Б...................... . .
f=200 МГц. Рчх—1 Вт 2П920А, типовое значение
Крутизна характеристики при {/си=20 В, /с—3 А:
2П920А . .
2П920Б . . . .
Ток стока при иСл-20 В. Ч3и=20 В:
2П920А ...
2П920Б....................................
Сопротивление сток — исток в открытом состоянии
при 4tfl=20 В, /с=1 А
2П920А . .
2П920Б ....
Остаточный ток стика нри Чей—50 В Ч311= — 10 В
Начальный ток стока нри Чей—20 В, 1Ли=0,
не более:
7=+25 °C..................................
7=-60 °C.........................
Т= + 125 °C
Выходная емкость при /=1 МГц. Чей =20 В. Ч311—6
Проходная емкость при / = 10 МГц, Б’си=20 В,
Ч3и=0 ... ....
Емкость затвор — исток при разомкнутом выводе
стока и /=1 МГц, (Узн=10 В
2П920Л .............
211920Б ..................................
150.„156*.„165* Вт
120. 130*. .140* Вт
152* Вт
7.„7,15* 7.4* дБ
6...6,4* .6,7* дБ
13 дБ
52.„55*.„58* %
50.„53*..56* %
57%
1...2*. 2 3* А/В
1.1,6* 2* А/В
15 ..19К..22* А
12...15*. 16* А
0.35*.„0,5*...0.6* Ом
0,7* .0.8*.. 1* Ом
0,5*...10*...100 мА
100 мА
100 мА
200 мА
140».„150*...160* пФ
4* .6*.„7* пФ
380*.„390*...400* пФ
340*. .355*.„360* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток — исток ....
Напряжение сток — исток в динамическом режиме
Постоянное напряжение затвор — сток
Напряжение затвор — сток в динамическом режиме
Постоянное напряжение затвор — исток
Постоянная рассеиваемая мощность
7=-60°С...Тк = +40°С ....
7„ = + 125°С
Температура окружающей среды....................
50 В
70 В
60 В
80 В
25 В
130 Вт
30 Вт
-60 °С...7Ж= +125 °C
В диапазоне температур Гк-+40. +125°C
мощность снижается линейно.
Минимальное расстояние от места пайки выводов до корпуса транзисто
ра 2 мм. Температура пайки +260 °C, время пайки не более 3 с.
618
Зависимости тока стока
от напряжения сток —
исток
Зависимости тока стока
от напряжения сток —
исток
Зависимости тока стока
от напряжения за-
твор — исток
Зависимости крутизны
характеристики от тока
стока
Зависимости крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор — ис-
ток
Зависимости сопротивле-
ния сток — исток в от-
крытом состоянии от
напряжения затвор —
исток
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощно-
сти и полезного действия от напря-
жения сток — исток
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощно-
сти и полезного действия от напря-
жения сток—исток
619
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощно-
сти н полезного действия от напря-
жения сток—исток
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления НО МОЩНО-
СТИ н полезного действия от уров-
ня входной МОЩНОСТИ
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощно-
сти и полезного действия от уров-
ня входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощно
сти н полезного действия от уровня
входной мощности
КП921А
Транзистор кремние-
вый эпитаксиально планар-
ный полевой с изолирован-
ным затвором и вертикаль-
ным индуцированным кана-
лом л-тнна. Предназначен
для применения в быстро-
действующих переключаю-
щих устройствах. Выпуска
сгся в пластмассовом кор-
пусе с гибкими выводами.
1ип прибора указывается
на корпусе.
Масса транзистора не
более 10 г.
620
Электрические параметры
Сопротивление сток — исток в открытом состоянии
при /с=0,5 Л, 1/зи=15 В .........................
Крутизна характеристики при 1/Си=25 В, /с= I Л
Начальный ток стока при С'Си=40 В, L/jn=0, Т=
= -45 +85 °C ........................
Ток утечки затвора прн 1/зи»*15 В................
0,08*.. 0,1*...0,13 Ом
0,8... 1*... 1,5* А/В
0,02*...0,1* 2,5 мА
0,01*.„0,05*...10 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток — исток . ... 45 В
Импульсное напряжение сток — исток прн tu-2 мкс,
<2=1000 . . .................... 60 В
Импульсное напряжение затвор — исток при tu —
=2 мкс Q= 1000 . . . 40 В
Ток стока ... .......................(0 А
Постоянная рассеиваемая мощность1:
Г=-45...+ 25 °C . 15 Вт
Г—+85 °C ... . . . . 8 Вт
Температура окружающей среды —45. .+85 °C
1 В диапазоне температур 7 —+25...+85 С мощность
на i “С.
снижается лннеЛио на 117 мВт
Пайка выводов допускается нс ближе 5 мм
температуре +235 °C в течение времени не более
от корпуса транзистора при
5 с.
Зона возможных положений зави-
симости тока стока от напряжения
затвор — исток
Зона возможных положений зависи-
мости conpoi явления сток—исток
в открытом состоянии от темпера-
туры
621
2П922 (Л, Б)
Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-плаиар-
вые полевые с изолирован-
ным затвором и вертикаль-
ным индуцированным кана-
лом /1-типа. Предназначены
для применения в источни-
ках вторичного электропи-
тания, быстродействующих
переключающих и импульс-
ных устройствах, а также
в стабилизаторах н пре-
образователях напряжения.
Выпускаются в металличе-
ском корпусе со стеклянны-
ми изоляторам 1 и жестки-
ми выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.
Масса транзистора пе
более 20 г.
Электрические параметры
Сопротивление сток — исток в открытом состоянии
при (Лиг =15 В. /с=0,5 А:
2П922Л . . .......................
2П922Б . .............
Крутизна характеристики при Ic— 1 А
Пороговое напряжение при Л?=30 мА ... .
Время включения при С/си=70 В. ТБ-75 Ом,
Лн=2 Ом......................................
Время выключения при UCit = 70 В. /?г = 75 Ом,
/?„ = 2 Ом:
2П922Л . ...
2П922Б . . .
Емкость сток — исток при Ucit~20 В, f—1 МГц
Емкость затвор — исток при U3h —5 В. f=l МГц
Емкость затвор — сток при (Ас = 20 В, /—1 МГц
Начальный ток стока при 6/Си=100 В {/эи=0,
ие более’
7 = +25 °C...............................
Т--60°С..................................
7'= +125 °C...............
Ток стока при £/Си = Ю0 В, U3n=15 В
0,13*...0.17* 0.2 Ом
0,2*. 0.3*. .0.4 Ом
1... 1.4*...2,1* А/В
2 ..5*.. 8 В
40* 00*... 100* нс
50*...70*... 100* нс
40*.. 70*...100* нс
300*...380*..600 пФ
1500*... 1700* .2000 пФ
350* .600*.. 1200 нФ
2 мА
2 мА
4 мА
10 11* .13* А
Предельные эксплуатационные
Постоянное напряжение сток—исток
Постоянное напряжение затвор — исток 1
Постоянный ТОК стока при Рс^Рс.яакс
Импульсный ток стока при /„=1 мкс, Q 80, PcSL
^.Рс.макс • . ..............
Постоянная рассеиваемая мощность2:
Т=—60°С...7'ж=+35°С......................
ТЖ = + 125',С . ...
Тепловое сопротивление переход — корпус
Температура кристалла
Температура окружающей среды
данные
100 В
+30 В
10 А
20 А
75 Вт
15 Вт
2 °С/Вт
+ 150 °C
-60 °C. 7к = + 125сС
1 При подаче отрицательного напряжения затвор — исток напряжение сток — исток
опр делается по формуле Uc(l маке Вт-100-Пэи
’ В диапазоне теми*ратур Тк = +35...125 °C мощность снижается линейно.
622
Пайка выводов допускается ие ближе 5 мм от корпуса транзистора при
температуре не более 4-260 е С в течение б с.
Зависимость тока стока от напря-
жения затвор — исток
Зависимость сопротивления сток —
исток в открытом состоянии от на-
пряжения затвор — исток
Зависимость крутизны характеристи-
ки от напряжения затвор — исток
Зависимость крутизны характеристи-
ки от тока стока
Зависимость сопротивления сток —
исток в открытом состоянии от
температуры
Зависимость допустимой рассеивае-
мой мощности от температуры
2П923 (А, Б, В, Г)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолирован-
ным затвором и каналом п типа Предназначены для усиления и генерирова-
ния сигналов на частотах до I ГГц, а также для применения в быстродейст-
623
вующнх переключающих устройствах.
корпусе с полосковыми выводами Тип
Масса транзистора не более 8 г.
Выпускаются в металлокерамическим
прибора указывается на корпусе.
Электрические параметры
Выходная мощность при / — I ГГц
t/си=50 В. Р.«=20 Вт 2П923А
Е/Си=45 В, Р„=10 Вт 2П923В
Ucn=45 В, Р„=7 Вт 2П923Г
Коэффициент
Е/си=50
U си — 45
Е/си =45
Коэффициент
С'си = 50
Е/си = 45
Е/си =45
характеристики при
* 2П923А . .
2П923Б . .
2П923В . .
2П923Г . .
Ток стока при L'cn-20 В, {/.з»=20 В
2П923А ....
Крутизна
/с=3
/с = 2
/с = 2
А
А
А
А
2П9235
2П923В
2Г1923Г
усиления по мощности при / =
В. " ----- --------
В
В,
полезного действия прн f
В. " ----- --------
В
В
Р.х=20 Вт 2П923А
Р.х=Ю Вт 2П923В
Р«х=7 Вт 2П923Г
Р„=20 Вт
Р«х= 10 Вт
Р„=7 Вт
2П923А
2П923В
2П923Г
Uctt '20 Е
1 ГГц
1 ГГц
Сопротивление сток — исток в открытом состоянии
при От» = 20 В. /с-1 А.
211923В
2Г1923Г........................... ...
Остаточный ток стока при Uc„ 5!. В. UJH = —10 В
2Г1923А. 2П923В
2П923В. 2П9231 . .
Ток утечки затвора пр» (,си 0. Е/аи« 20 В.
не более
50. 52*...55* Вт
22. .27»..,30* Вт
17... 19* 22* Вт
4...4,2*...4,4* дБ
4.4.3*. 5* дБ
4 4.3*. 5* дБ
32...34* 36*%
32...35*...39* %
32...35*. 38*%
1...1.3* 1.5’ А/В
0,7...0.9*...1* А/В
0 55. 0.6* . 0,7’ А/В
0 35.0,5* ..0,6’ А/В
12...13* 14* А
8. 9* ..10* А
6 7* 8 А
4 5* .6,5* А
0.6*...0,8* 1 Ом
1,5* . 2*,..3 Ом
5’... 10* 50 мА
2* ..5* .25 мА
0,1 мкА
624
П родолжение
Начальный ток стока при Ucn = 20 В, Ujh~0:
Т— 25 °C
2П923А 2П923Б ... . .
2П923В 2Г1923Г . . . .
Т=- 60 °C
2П923Л. 2П923Б нс более .
2II923B 2П923Г не более
Т= + 125 °C
2П923Л, 2П923Б не более....................
2П923В, 211923Г. не более..................
Емкость затвор — исток прн разомкнутом выводе
стока нрн f-l МГц. Uau —10 В.
2П923А. 2Г1923Б.........................
211923В. 2119231 ................
I*1.. 10* ..50 мА
1*...5* 25 мА
50 мА
25 мА
250 мА
125 мА
300*.. 370*. .400 пФ
150*... 190*...220 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение сток — исток .... 50 В
Напряжение сток — исток в динамическом режиме 70 В
Постоянное напряжение затвор — сток ... 60 В
11остоянное напряжение затвор — исток ... 20 В
Постоянная рассеиваемая мощность
Т=—60°С/, >-35 ’С:
211923А 2Г1923Б 100 Вт
2П923В 2Г1923Г . 50 Вт
R- + 125 °C.
2П923А. 2П923Б.......................... 20 Вт
211923В 2П923Г 10 Вт
Температура окружающей среды................—60°С...7'к= + 125°С
В диапазоне температур 7’х = +35... +125 °C мощность снижается линейно.
Минимальное расстояние от места пайки выводов до корпуса транзисто-
ра 2 мм. Температура папки 260 °C, время пайки не более 3 с. Допускается
панка выводов на расстоянии 1 мм от корпуса. При этом температура пайки
+ 150 °C, время пайки не более 3 с.
Зависимости тока стока Зависимость тока стока Зависимости тока стока
от напряжения сток— от напряжения за- от напряжении сток —
исток твор—исток исток
40 Заказ Тй 1004
625
Зависимости сопротивления сток —
исток в открытом состоянии от на-
пряжения затвор — исток
Зависимость сопротивления сток —
исток в открытом состоянии от
тока стока
Зависимость выходной мощности от
тока стока
Зависимость выходной мощности от
тока стока
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощно-
сти и полезного действия от уровня
входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощно-
сти и полезного действия от уровня
входной мощности
626
о 2 <f 6 в Fj,, Вт
О 5 ТО IS 20 Вт
Зависимости выходной мощности, коэф- Зависимости выходной мощности,
фицпентов усиления по мощности и по- коэффициентов усиления по мощно-
лезного действия от уровня входной мощ-сти и полезного действия от уроа-
ности ня входной мощности
Зависимости выходной мощности,
коэффициентов усиления по мощно-
сти и полезного действия от уровня
входной мощности
ЗП602 (А-2, Б-2, В-2, Г-2, Д 2)
Транзисторы полевые арсеии-
догаллневые эпитаксиально-пла-
нарные с барьером [Потки и ка-
налом «-типа свсрхвысокочастот-
ные генераторные. Предназначены
для применения в усилителях
мощности, генераторах, преобра-
зователях частоты на частотах
3—12 ГГц в герметизированной
аппаратуре. Бескорпусные с гиб
Кими выводами иа металлокера
мическом кристаллодержателе.
Тип прибора указывается иа
крышке крнсталлодержателя.
Масса транзистора не бо-
лее 1,5 г.
40*
627
Электрические параметры
Выходная мощность при 7К=+25°С:
Деи = 7 В. 1 = 12 ГГц:
Р«х=100 мВт ЗП602А-2 . .
Р„х=50 мВт ЗП602Б-2
Р„=25 мВт 311602В-2
ГДи = 7,5 В. f=10 ГГц, R.X- 250 мВт для
ЗП602Г 2.........................
(Л.л = 7.5 В, f=8 ГГц, Р«х = 250 мВт для
311602Д2..................................
Коэффициент усиления по мощности при 7К =
= +25 °C:
(Л-в = 7 В, f=12 ГГц:
Р«х=100 мВт ЗП602А-2 ...
Р„=50 мВт ЗП602Б-2 . . .
Рвх-25 мВт ЗП602В-2
(Ди=7,5 В, f=10 ГГц, Р,г-250 мВт для
ЗП602Г-2 ....
1/си = 7,5 В. f=8 ГГц, Р,х=250 мВт для
311602Д-2.................................
Крутизна характеристики при 0Ди-=ЗВ, (Дл= — 2 В:
Т= +25 °C:
ЗП602А-2 . , . . . .
ЗП602Б-2................................
311602В 2 . . ..................
ЗП6О2Г-2 ..................
ЗП602Д 2................................
Г=-60°С-
ЗП602А-2................................
ЗП602Б-2................................
ЗП602В 2 .... .
ЗП602Г 2 ..........................
ЗП602Д-2 . . ............
Т= I 85 °C:
311602Л-2............................
ЗП602Б 2................................
ЗП6О2В 2 ... . .
ЗП602Г 2 ...
ЗП602Д-2 . . . . . .
Начальный ток стока при Ucn 3 В-
7=+25 °C:
ЗП602А 2 . . . . ............
ЗН602Б2
3II602B-2...............................
ЗП602Г-2 . . ...............
ЗП602Д2.................................
т- -60 *С:
ЗП602Л-2 . . .
ЗП602Б-2 . ......................
311602В 2 . . ..................
ЗГ1602Г 2.....................
ЗП602Д 2................................
Т +85 °C
ЗП602А 2................................
ЗП602Б 2................................
ЗП602В-2................................
ЗП602Г-2................................
ЗП602Д-2................................
180 200*. .230* мВт
100 110*...140* мВт
50.. 55* 80* мВт
450. 500*...560* мВт
500. 540*.. 600* мВт
2.6*...3,2*...3,6* дБ
3...3,4*...4,5* дБ
3,..3,8*...5,1* дБ
2,6...3*...3,5* дБ
3. 3,4* .3,8* дБ
20.. 60* 100* мА/В
20.50*...80* мА/В
20...45* ..70* мА/В
40 .120* . 200* мА/В
40.. 100*... 160* мЛ/В
25...70*...110* мА/В
25...60*.. 90* мА/В
25...50* . 80* мА/В
50... 140* 180* мЛ/В
50. .120*.. 160* мА/В
15. .35* 60* мЛ/В
15...30*. 50* мА/В
15. .20 .30» мЛ/В
30...70* 120* мЛ/В
30.. 60 100* мА/В
220*.. 270*...320 мА
180*. .220».. 280 мА
11О*...16О*.. 200 мА
440* . 5-10*.. 640 мА
360»..,440* . 560 мА
240*...300*..340 мА
200* 210*...300 мА
130*...180*...230 мА
480* . 600*.. 680 мА
400*.. 480* .800 мА
160’ 180* .260 мА
120*...150*..,220 мА
80* . 130* 180 мА
320». 360*...520 мА
240*.. 300*.. 440 мА
628
П родолжение
Ток утечки затвора нри (Ал = —3,5 В, не более:
7=+ 25 °C:
ЗП602А-2. ЗП602Б-2, ЗП602В 2 . . . . 0 3 мА
ЗП602Г-2. 311602Д2 . . 0,6 мА
7=-60 °C-
311602А-2. ЗП602Б 2 ЗП602В-2 . 0,3 мА
ЗИ602Г-2, ЗГ1602Д 2 0.6 мА
Г-+85 °C:
ЗП602А-2 ЗП602Б-2 ЗП602В-2 . 1 мА
ЗП602Г 2. 311602Д-2 . .2 мА
Сопротивленце сток — исток в открытом состоянии
при 17сн = 1 В, Б'.;И=*0:
ЗП602А-2. ЗП602Б 2 7.5* Ом
ЗП602Г-2, ЗП602Д 2 6* Ом
Время задержки включения при Ucn*“6 В, 1/.чи =
= -6 В, U.t=4 В R,. = 100 Ом дчя ЗП602А-2,
ЗП602Б-2. ЗП602Г 2 ЗП602Д-2 .... 240* нс
Время нарастания при UCn 6 В U.ui — — 6 В
(Лх=4 В АД-50 Ом
ЗП602А-2. ЗП602Б-2 100* пс
ЗП602Г-2. ЗП602Д-2 130* пс
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания на стоке:
7--60..+40 °C.
ЗП602А-2, 311602В 2, ЗП602В 2 . . . . 7 В
ЗП602Г-2. ЗП602Д 2 . ............. 7,5 В
7 =+40...+70°C ... ............. 6 В
7—+70... + 85°C . .... 5 В
Постоянное напряжение затвор — исток . . . 3,5 В
Потенциал статического электричества .... 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность:
7„=—60 +40 °C
ЗП602А-2 ЗП602Б 2 ЗП602В 2 . . . 900 мВт
ЗП602Г-2, ЗП602Д-2 1800 мВт
7х=+85 °C:
ЗП602А 2. 311602Б-2. ЗП602В-2 . . . 450 мВт
ЗП602Г-2, ЗЛ602Д-2 .................... 900 мВт
Средняя рассеиваемая мощность в динамическом ре-
жиме
7К=—60 +40 °C:
ЗП602А-2. ЗП602Б2. ЗП602В 2 .... 900 мВт
ЗП602Г-2 ЗН602Д2 ............. 1800 мВт
7„ +85 °C:
ЗП602А-2. ЗП602Б2, ЗП602В 2 .... 450 мВт
311602Г 2. ЗП602Д-2 .................... 900 мВт
Минимальная рабочая частота . 1 Г1 ц
Температура структуры..........................+130°C
Температура окружающей среды...................— СО °C. ,7К = +85 °C
Допускается эксплуатации транзисторов на частотах ниже 3 ГГц до
100 МГц нрн напряжении питания иа стоке не более 5 В
Максимально допустимое значение средней рассеиваемой мощности в дина-
мическом режиме определяется как
7 cp,jH4Ke — Uclc — вых+ Г3 вх.
629
Допустимые значения рассеиваемой мощности в диапазоне температур Тк-
= +40 ..+85 °C и напряжения питания иа стоке в диапазонах температур Т =
= +40...+70 °C и 7=+70...+85 °C уменьшаются линейно.
Допускается однократный изгиб и обрезка выводов не ближе 2 мм от
крнсталлодержателя. Растягивающая выводы сила ис должна превышать 15 Н.
Расстояние от места пайки вывода до крнсталлодержателя не менее 2 мм
при температуре пайки ие выше +260°C. Допускается папка выводов на рас-
стоянии 1 мм от крнсталлодержателя в течение времени не более 3 с и тем-
пературе пе выше +150 °C.
Выходные характеристики
Зависимости выходной мощности от
входной мощност и
Зависимость выходной мощности от
входной мощности
ЗП6ОЗ (Д-2, Б-2), ЗП6ОЗ (А1-2, Б1-2)
Транзисторы полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с барье-
ром Шоткн и каналом //-типа сверхвысокочастотные генераторные. Предназна-
чены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразовате-
лях частоты иа частотах до 12 ГГц в герметизированной аппаратуре Бсскориус-
ные с гибкими выводами на металлокерамических кристаллодержателях Тип
транзистора обозначается маркировочной точкой на крышке кристаллодержа-
теля- красной для ЗГ16ОЗА-2, белой для ЗП6ОЗБ 2, или на выводе истока:
красной для ЗП6ОЗА1 2, белой для ЗП6ОЗБ1 2.
Масса транзисторов 31I603A 2, ЗП6ОЗБ 2 не более 0,2 г, ЗП603А1 2,
ЗП6ОЗБ1 2— ие бочее 0,15 г.
630
Электрические параметры
Выходная мощность прн Г/Си = 8 В, ТК=+25°С-
/=12 ГГц. Р„=0.25 Вт ЗП6ОЗА2. ЗГ16ОЗА1-2
f=12 ГГц. Рвх=0,5 Вт ЗП6ОЗБ-2 311603Б1-2
[=10 МГц, Рвх=0,4 Вт ЗП6ОЗА-2, ЗП6ОЗЛ1-2,
ие менее ... .......................
Коэффициент усиления нс» мощности при UCit—S В,
[=12 Г1 ц, 7к= + 2. °C:
Рех=0,25 Вт ЗП6ОЗА-2. ЗГ16ОЗА1-2 . .
Р»х=0,5 Вт ЗП6ОЗБ-2, ЗП6ОЗБ1 2 . . .
Коэффициент усиления по мощности в линейной об
ласти амплитудной характеристики при (7СИ=5 В,
[=12 I Гц. Р„х=20 мВт, Гк=+25°С:
ЗП6ОЗА 2, ЗП603Л1 2
ЗП6ОЗБ-2, ЗП6ОЗБ1-2 ....
Коэффициент полезного действия стока прн Оси —
=8 В, [=12 ГГц, 7К=+25°С.
Рвх=0,25 Вт ЗП6ОЗЛ 2, ЗП6ОЗА1-2 .
Рвл=0,5 Вт 311603Б2, ЗП6ОЗБ1-2
Крутизна характеристики при 1/си=3 В, /с 0,4 А
Тк = + 25 °C:
0,5 .0,57*...0,7* Вт
1 1.05* 1,25’ Вт
0,8 Вт
3. 3 6*. 4.5* дБ
3...3,2*...4* дБ
3 4* .5* дБ
4 5*. .6* т.Б
15 „20*.. 25*%
30.40*...50*%
ЗП6ОЗА-2, ЗП6ОЗА1-2 . .
ЗП6ОЗБ-2. ЗП6ОЗБ1-2
7=-60 “С:
ЗП6ОЗА 2, ЗГ16ОЗЛ1-2 .
ЗП6ОЗБ 2, ЗП6ОЗБГ2 .
Тк +125 °C.
ЗП6ОЗЛ-2, ЗП6ОЗА1-2 .
ЗП6ОЗБ-2, ЗП6ОЗБ1-2
Начальный ток стока при Ucu^'i В
Т=+25°С:
ЗП6ОЗА-2, 3I1603A1-2
ЗП6ОЗБ-2, ЗП6ОЗБ1 2
Т= -60 °C:
ЗП6ОЗА-2, ЗП6ОЗА1 2
ЗП6ОЗБ-2, ЗП6ОЗБ1 2
Т= + 125 °C:
311603А-2, ЗП6ОЗЛ1 2
ЗГ16ОЗБ-2, 311603Б1 2
Остаточный ток стока при
7’ж=+25°С1 не более
Uси 3 В Ujh —5
В.
50 „140* 180* мЛ/В
80... 140*... 180* мА/В
60 150*.„200* мА/В
90 170*..200* мА/В
35 .65*..110* мА/В
60. 75* .110* мЛ/В
400*...500»...600 мА
450*...550*.„600 мА
450*...600*...700 мА
500* 650* .700 мА
320* 400* 450 мА
350* 450* 480 мА
5* мА
631
Продолжение
Ток утечки затвора при U:tn= — 3.3 В. не более:
7’= + 25°С .... . . 0,1 мА
7-=-60оС .... ... 0,1 мА
7=+ 125 °C.................................0,25 мА
Сопротивление сток — исток в открытом состоянии
при Ucn — l В. (Ли=0 4,7* Ом
Время задержки включения при (7с=7,5 В, (Лзи =
= 4 В, (7«х = 4 В, Л?„=100 Ом . . ... 240* пс
Время нарастания при (7с=7,5 В. 17лЯ = 4 В, Uax=
=4 В, «„ = 50 Ом ..................... . . НО* нс
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания иа стоке:
Г = -60...+70сС...............................8 В
7=+70.+125 °C . . . . 6 В
Постоянное напряжение затвор — исток . . 3.5 В
Потенциал статического электричества . . . 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность:
7=-60 +25°C ................................2.5 Вт
7„= + 125°C.................................0,5 Вт
Средняя рассеиваемая мощность в динамическом
режиме:
Т= -60.. +25 °C.............................2,5 Вт
7„=+125°С...................................0.5 Вт
Температура окружающей среды.................—60°С...7к = + 125оС
Максимально допустимое значение средней рассеиваемой мощности в дина-
мическом режиме определяется как
«ср макс— Uc^C «еых +«ах.
В диапазоне температур кристаллодержателя +25...+125 °C допустимые
значения рассеиваемой мощности снижаются линейно.
Растягивающая выводы сила не должна превышать 10 II.
Минимально допустимое расстояние от места пайки выводов до кристалло-
держателя 2 мм прн температуре пайки не выше +260СС. Допускается пайка
выводов на расстоянии 1 мм от кристаллодержателя при длительности вайки
не более 3 с и температуре не выше +150'С. Для транзисторов ЗП6ОЗЛ1-2 и
ЗП6ОЗБ1-2 разрешается производить присоединение золотой проволоки непо-
средственно к контактной площадке затвора на керамическом изоляторе кри
сталлодержателя при температуре +260°C.
Зависимость тока стока от напряже-
ния затвор — исток
632
Зависимость выходной мощности от
входной мощности
Зависимое!!! коэффициента усилении
и коэффициента полезного действия
от выходной мощности
ЗП604 (Л-2, Б-2, В-2, Г-2)
Транзисторы нолевые
арсенидогаллпевые эпитак-
сиально-планарные с барье-
ром Шотки н каналом «-ти-
па сверхвысокочастотные
усилительные. Предназна-
чены для применения в уси-
лителях мощности, автоге
иераторах, преобразовате-
лях частоты па частотах до
18 ГГц в герметизирован-
ной аппаратуре. Бескорпус-
ные с гибкими выводами
на металлокерамическом
кристаллодержателе. Тип
транзистора обозначается
маркировочной точкой на
выводе истока: 311604 А-2
красной, 311601 Б-2 ci пей,
31I604B 2 черной, ЗП604Г 2
белой.
Масса транзистора не
более 3 г.
Электрические параметры
Выходная мощность при UCn—7 В, /=17,4 ГГп:
Р„=100 мВт ЗП601А-2 ... . .
А.х-100 мВт ЗП604Б-2 .............
Р«=40 мВт ЗП604В-2......................
Р„х - 25 мВт ЗГ1604Г-2
Коэффициент усиления по мощности при Uch~7 В
/=17,4 ГГц:
Р.х=100 мВт ЗП604А-2 . . . .
65 мВт ЗП604Б-2.....................
Рех = 40 мВт ЗП604В-2 . .
Р,х 25 мВт ЗП604Г 2 . . .
Коэффициент усиления по мощности в линейной об
ласти амплитудной характеристики при Uch~4 В
/=17,4 ГГц, Р,х— 5 мВт................
200. .205*...240* мВт
125... 140* 190* мВт
75. .90* .110* мВт
50 60*. 75* мВт
3...3,!*. ,3,8 чБ
3...3.1*...4,8 дБ
3...3,5*.. 5,5* дБ
3...3,5*...5,5* дБ
3,5...4,5*...9* дБ
633
О родолжение
Коэффициент полезного действии стока при ИСн=
= 7 В, /=17,4 ГГц. ие менее:
Р„=100 мВт ЗП604А-2.............................30%
Р«х = 65 мВт ЗП604Б-2.......................25%
Рог = 40 мВт ЗП604В-2.......................30%
Ре, = 25 мВт ЗП604Г-2 ... ... 20%
Крутизна характеристики при (7Си—3 В:
/с=Ю0 мЛ ЗП604А-2 ............. 20 ...35*. 40* мА/В
/с=Ю0 .мА ЗП604Б-2 .................... 15.35*.. 40* мА/В
/с=50 мА ЗП604В 2, ЗП604Г-2 .... 10 15* 20* мЛ/В
Ток утечки затвора при Т7эя=—2.5 В. не более:
t = + 25 °C.....................................20 мкА
Т= — 60"С...................................20 мкА
7=+ 100 °C . . 300 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания на стоке ... 8 В
Постоянное напряжение затвор — исток ... ЗВ
Потенциал статического электричества ... 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность:
Тк -60...+40 °C:
ЗП604А 2, ЗП604Б 2........................0,9 Вт
ЗП604В-2, ЗП604Г 2 .... 0.5 Вт
Тк- + 100 °C:
ЗП604А-2, ЗГ1604Б 2...................... 0,5 Вт
ЗП604В-2. ЗП604Г-2 . 0,25 Вт
Средняя рассеиваемая мощность в динамическом ре-
жиме:
Тк = -60..+ 40 °C:
ЗП604А-2. 311604 Б 2................. 0 5 Вт
ЗП604В 2. ЗГ1604Г 2 . . 0,25 Вт
Температура окружающей среды .... — 60 °С...Т„= +100 °C
Максимально допустимое значение средней рассеиваемой мощности в ди-
намическом режиме определяется как
Рср JHKKC — Uclc — Р«ых+ Рих.
В диапазоне температур Тк +40 +100 °C допустимые значения рассеивае-
мой мощности снижаются линейно
Растягивающая сила ие должна превышать 10 Н.
Минимально допустимое расстояние от места пайки выводов до кристалло-
держателя 2 мм при температуре пайки не выше +260°C и длительности не
более 3 с. Допускается пайка выводов па расстоянии I мм в течение времени
не более 3 с и температуре не выше +150 °C.
Выходные харакюрнстнки
634
Зависимое гн крутизны характери-
стики от напряжения затвор—исток
Зависимость выходной мош юсти от
входной мощности
ЗП910 (А-2, Б-2]
Транзисторы полевое арсе-
II и дога л л левые эпитаксиально-
ЗП9Г0 (Л-г, Б-2)
планарные с барьером Шотки
и каналом л-тпиа сверхвысо-
кочастотные генераторные.
Предназначены для примене-
ния в усилителях мощности и
автогенераторах на частотах
до 8 ГГц в герметизированной
аппаратуре. Бсскорпуспые с
гибкими выводами па металло-
керамическом кристаллодсржа
теле. Тип прибора указывается
на крышке крпсталлодержа-
теля.
Масса транзистора не бо-
лее 1,5 г.
Электрические параметры
Выходная мощность при иСи=1 В, f=8 ГГц, Тк —
= 4-25 СС:
Р,х=0.25 Вт ЗП910А2 . . ......
В,, = 0.5 Вт ЗП910Б2.......................
Коэффициент усиления по мощности при (7си=7 В,
1=8 ГГц. ГЯ=+25СС:
Р«х=0.25 Вт ЗП9ЮА-2........................
Р«х=0.5 Вт ЗП910Б-2 ....
Коэффициент полезного действия при Ucn У В.
f = 8 ГГц, Тк = 4-25сС . . .
Крутизна характеристики прн Ucn ЗВ, —2 В:
Т— 4-25 'С ЗП910А-2, не менее..............
Г=4-25сС ЗП910Б 2, не менее................
7’=— 60 СС ЗП910А-2, не менее..............
Г—4-85°C ЗП910Б-2, не менее................
0,5.0.55*. .0,6* Вт
1 .1,05* .1.15 Вт
3...3.5*...4* дБ
3...3.3* ...3.8* дБ
10...25*. .30*%
50 мА'В
300* мА. В
100 мА/В
80* мЛ/В
635
Продолжение
Начальный ток стока при UCh=3 В 0.8*...1,2*. .2* А
Ток утечки затвора при {/Зя=—3,5 В:
7—+25 °C ... . . 10 ’*...1О"3*, .1 мА
Т= — 60 °C. пе более........................ 1 мА
ГК=+85°С, не более..............................2 мА
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания на стоке ... 7 В
Постоянное напряжение затвор — исток . . 3.5 В
Потенция статического электричества .... 100 В
Постоянная рассеиваемая мощность
Т= - 60°С...Тк=440 °C......................3 Вт
Тк = +85 °C ...............................[,5 Вт
Средняя рассеиваемая мощность в динамическом
режиме:
Г= —60°С...7х=+40°С........................3 Вт
7\- + 85°С . ................1.5 Вт
Температура окружающей среды...................— 60°C.. Тк- +85°C
Максимально допустимое значение средней рассеиваемой мощности в ди-
м и чес ком режиме определяется как
Нср.мчкс — Пclc Нвых-}-Р€х.
В диапазоне температур крнсталлодержателя + 40. .+ 85 °C допустимые зна-
чения рассеиваемой мощности снижаются линейно.
При работе на частотах ниже 3 ГГц необходимо снижать напряжение пи-
тания до 5 В и принимать меры по предотвращению возможности паразитного
самовозбуждения.
Допускается однократный изгиб и обрезка выводов не ближе 2 мм от
кристаллодсржатс 1Я. Растягивающая выводы си ia не должна превышать 15 Н
Минимальное расстояние от места пайки выводов до крнсталлодержателя
2 мм при температуре пайки не выше +260°C Допускается пайка выводов на
расстоянии 0 5 мм от крнсталлодержателя прн длительности не более 3 с, гем
пературс ие выше +150 °C и обеспечении отвода теплоты от вывода между
местом пайки и кристалле держателем.
636
Зависимость выходной мощности от
входной мощное ГН
Зависимость коэффициента усиления
от входной мощности
ЗП915 (Л-2, Б-2)
Транзисторы полевые арсе-
нидогаллиевые эпитаксиально-
планарные с барьером [Потки
и каналом n-типа свсрхвысо-
кочастотиые генераторные.
Предназначены для примене
ния в усилителях мощности и
автогенераторах на частотах
до 8 ГГц в герметизированной
аппаратуре. Бескорпусиые с
гибкими выводами па метал-
локерамическом крнсталлодер-
жатсле Тип прибора указыва
ется на крышке крнсталлодер-
ж а тел я.
Масса транзистора нс бо-
лее 5 г.
Электрические параметры
Выходная мощность при Uch—7 В, f = 8 ГГц, 7,
= +25 С:
/>„=2.5 Вт ЗП915А-2.......................
Р.х=1.5 Вт ЗП915Б-2.................
Коэффициент усиления но мощности при Uch — 7 В,
f=8 ГГц, 7К = + 25°С:
Рв1=2,5 Вт ЗП915А 2........................
Р„х=1,5 Вт ЗП915Б2.....................
Коэффициент усиления по мощности в линейной об-
ласти амплитудной характеристики при (7си~4 В.
f=8 ГГц, Рих 0,3 Вт, Тк +25 °C, не менее
Коэффициент полезного действия при Uch 7 В,
/-8 ГГц, Тх- +25 °C:
Р„ 2 5 Вт ЗП915Д-2 . .
Р„=15 Вт ЗП915Б2
Крутизна характеристики при UCn 1,5 В, /с=0,5А:
ЗП915А-2 . .
ЗП915Б-2 ....................
Ток утечки затвора при t/3J! = — 5 В, не более:
7—+25 °C......................................
7=-60 °C . ....................
7„=+85°С..................................
5 5 8*...7* Вт
3 3,5* .4.2* В г
3...3.65’.. 4,45* дБ
3...3.65*. 4.45* дБ
3 дБ
25 35* 40*%
15 22* .30*%
350. .800* 1200* мА/В
300...700*..1000* мА,'В
1 мА
1 мА
5 мА
637
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение питания на стоке 7 В
Постоянное напряжение затвор — исток . 5 В
Потенциал статического электричества ... 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность:
Г=-60°С. Гк = +40 С . 12 Вт
Гх —+85°С.................. 8 Вт
Температура структуры....................... +170°C
Температура окружающей среды .... —60°C..Т =1-85°C
Максимально допустимое значение средней рассеиваемой мощности в ди-
намическом режиме определяется как Ргр.мак =Uclc~Р«ых+Р„х.
В диапазоне температур кристаллодержателя +40. .+85 °C допустимые
значения рассеиваемой мощности снижаются линейно.
Допускается однократный изгиб выводов не ближе 2 мм от кристаллодер-
жателя и обрезка выводов не ближе 1 мм от кристаллодержателя. Растяги-
вающая выводы сила не должна превышать 25 Н
Минимально допустимое расстояние от места пайки вывочоз до крнсталло-
держателя 2 мм прн температуре пайки не выше +260 °C. Допускается пайка
(сварка) выводов на расстоянии 0,5 мм от криста.ыоде.ржате.1я при длитель-
ности пайки не более 3 с. температуре не выше +150 °C и обеспечении отвода
теплоты от вывода между местом пайки и кристалле держателем.
Алфавитно-цифровой указатель транзисторов, помещенных
в справочнике
Тип транзистора Стр. Тип транзистора С гр. | Тип транзистора Стр.
1Т612-4 401 2П905 (А. Б) 592 2Т504 (А, Б) 30
1Т614А 402 2П907 (А. Б) 595 2Т505 (А. Б) 176
IT702 (А—В) 183 211908 (А. Б) 598 2Т506 (А, Б) 36
1Т806 (А—В) 195 2П909 (А -Г) 600 2Т509Л 179
1Т813 (А В) 198 211911 (А. Б) 604 2Т602 (Л Б) 258
ITQ01 (А. Б) 382 2П912 (А Б) 600 2Т602 (AM. БМ) 258
11905А 384 211913 (А. Б) 609 21603 (А—И) 260
1Т906А 386 2П914А 612 21606А 397
1 ТО 10 АД зоя 2П918 (А. Б) 614 2Т607А-4 398
1ТС609 (А—Б) 557 2ПЧ20 (А. Б) 617 21'608 (А. Б) 265
2П601 (А. Б) 566 211922 (А. Б) 622 2T6I0 (А. Б) 400
2П701 (А. Б) 569 2П923 (А Г) 624 2Т624А-2 403
2 И 702А 572 ЗП602 (А 2 - Д 2) 627 2Т624ЛМ 2 403
2П802А 577 зпооз (А 2. Б-2) 631 2Т625 (А 2. Б-2) 271
211803 (А. Б) 579 ЗП6ОЗ (А1-2, Б1-2 631 2Т625 (AM 2. БМ 2) 271
2П'Ю| (А. Б) 581 ЗП694 (А-2—Г 2) 634 2Т629А-2 379
2Г1902 (А. Б) 584 ЗП910 (А 2, Б-2) 636 2Т630 (А, Б) 273
2П903 (А В) 587 ЗП915 (А-2. Б-2) 637 2Т632А 275
2П904 (А. Б) 590 2T5U4 (А 5. Б 5) 34 2Т633А 404
638
Продолжение
Тип транзистора С гр. Тип транзистора Стр. . Тип транзистора Cip.
21634А-2 406 2Т912 (А, Б) 291 2Т986 (Л, Б) 496
21635А 276 21913 (А-В) 427 2Т988А 499
2Т637А-2 407 2Т914Л 532 21989 (Л, Б) 502
21638.А 278 2Т916А 429 21994 (А—В) 504
216-10 (А 2, А! 2) 409 21'919 (А-В) 433 21996 (А-2. Б 2) 507
21642Л-2 4(1 2Т919 (А 2—В 2) 433 219101АС 553
21 6 ИЛ 2 412 21920 (А—В) 293 219103 (А-2, Б-2) 509
2 Г647А-2 414 2Т921Л 296 219104 (А, Б) 511
2Т848А-2 415 2Т921Л 4 298 219105АС 555
21652 (А. А-2) 281 2Т922 (А-В) 299 2Т9109А 515
2TG53 (А. Б) 282 2Т925 (А—В) 436 2Т9111Л 374
2Г658 (А-2—В 2) 529 21926А 302 2Т9114 (А, Б) 517
21704 (А. Б) 40 2Т928 (А, Б) 305 2Т9118А 519
21708 (А—В) 185 2Т929А 307 219119А 2 522
2Т709 (А-В) 189 2Т930 (Л, Б) 439 219122 (А, Б) 524
2Т8<’ЗА 51 2Т931А 309 2Т9124Л 526
21'808 (А, Л 2) 55 21932 (А. Б) 389 21С613 (А. Ь) 540
2Т809А 57 21'933 (А, Б) 391 21С622 (А, Б) 561
21812 (А. Б) 59 2Т934 (А-В) 442 2ТС843А 547
21818 (А—В) 205 2Т935А 312 2ГС941А 564
2Г818 (Л2-В2) 205 2Т937 (А 2, Б 2) 445 П612А 4 401
21819 (А—В) 65 2Т938Л 2 449 11701А 182
2Г819 (А2-В2) 65 2Т939А 451 Г1703 (А-Д) 184
2Т825 (А—В) 214 2Т941А 631 Г1705 (А-Д) 43
27825 (А2—В2) 214 219(2 (Л, В) 453 Г1806 (Л^[) 195
2Т826 (А—В) 7( 2Т944Л 319 ГТ810А 197
2Т827 (А-В) 75 21945 (Л—В) 321 1 1905 (А, Б) 384
2Т828 (Л, Б) 78 2Т946Л 457 Г1906 (Л. AM) 386
2'1’830 (А—Г) 218 2Т947А 325 Г1С609 (А—В) 557
2Т830 (В 1 Г 1) 218 2Т948 (Л. Б) 461 КП601 (Л. Б) 566
2T83I (Л-Г) 84 2Т950 (А, Б) 327 КП801 (А, Б) 575
21831 (В-1, Г-1) 84 2Т951 (А-В) 330 К! 1901 (А. Б) 581
2Т834 (Л—В) 88 2Т955А 335 КП902 (А—В) 584
21836 (А—В) 223 2Т956А 337 КП903 (А—В) 587
2Т837 (А-Е) 227 2Т957А 340 КП904 (Л. Б) 590
2Г839А 93 2Г958Л 342 КП905 (А- В) 592
21841 (Л Б) 98 2Т960А 465 КП907 (А-В) 595
21841 (Л1. Ь1) 98 2Г962 А В) 469 КП921А 620
2Т842 (А. Б) 231 2Т963 (А 2. Б 2) 473 К1501 (А-.М) 174
2Т842 (А1, Б1) 231 2Т964А 346 К1502 (А—Е) 175
2Т844Л 103 2Т965Л 349 КТ503 (А—Е) 29
21845А 106 2Т966Л 351 КГ5С6 (А, Б) 36
21856 (А-В) 123 2Т967А 354 К1601 (А. А.М) 257
21'860 (А-В) 250 2Т968А 357 К1602 (А.М, Б.М) 258
2Т861 (А—В) 134 2Т970А 476 К1603 (А—Е) 260
2Г862 (Л Г) 136 2Т971А 362 К1604 (А. Б. А.М, 262
2Т866А 145 21971 (А-В) 536 БМ)
2Т867Л 147 21975 (А. Б) 479 КГ605 (А. Б) 263
2Т882 (Л В) 153 2Т976А 482 К1605 (А.М, Б.М) 263
2Т883 (А, Б) 254 21977Л 484 К1606 (Л. Б) 397
2Т 884 (А, Б) 155 21978 (Л, Б) 366 К1607 (А 4. Б 4) 398
21903 (Л. Б) 287 21979Л 486 К1608 (А, Б) 265
2Т904А 417 2ГО80 (Л. Б) 368 К1610 (А. Б) 400
2Т907Л 419 21981А 371 K16I1 (А—Г) 267
2Т908Л 289 2Г982А 2 489 К1611 (AM, БМ) 267
21909 (А Б) 421 21984 (А, Б) 494 KI616 (А, Б) 269
2Т911 (А, Б) 424 21985АС 550 К1617А 270
639
Продолжение
Тип транзистора Стр. Тип транзистора 1 Стр. Тип транзистора Стр
КТ818Л 271 КТ846.А 109 КТ956А 33?
КТ624 (А-2. AM 2) 41)3 КТ847А 112 КТ957А 349
КТ625 (А, AM) 271 КТ8483 114 КТ958А 342
КТ626 (А-Д) 377 К1850 (А—В) 116 КТ960Л 465
КГ629А 379 КТ851 (Л-В) 236 КТ961 (А-В) 345
КТ630 (А-Е) 273 КТ852 (А-Г) 239 КТ962 (А В) 4G9
КТ632Б 275 К1853 (А-Г) 212 КТ965А 319
КТ633Б 404 КТ854 (Л Б) 119 KT96GA 35!
КГ631В 2 4J6 КГ855 (А В) 216 KT9G7A 354
КТ635Б 276 к 1'857 А 126 КТ969Л 360
К 16.37 (А 2. Б-2) 407 КТ858А 129 КТ97ОЛ 476
КТ639 (Л—11) 380 КТ8 >9А 132 К1971А 362
КТ610 (А-2-В 2) 409 К Г863А 140 КТ972 (А. В) 364
КТЫЗА-2 412 КТ861Л 142 К1973 (А. Б) 393
КТ644 (А-Г) ЗЫ КГ865А 252 КТ976Л 482
K1G43A 279 КТ872 (3. Б) 150 К 7977А 484
КТ640А 280 КТ902АМ 286 К1981Л 371
KTG50 (А Б) 28 < КТ903А 287 KT9S3 (А—В) 491
КТ701 (А-В) 40 К'1904 (А. Б) 417 KTC6I3 (Л—Г) Shi
KT7I0A 45 К1907 (Л. Ь' 419 KTG622 (А. Б) 5Ы
K17I2 (Л. Б) 193 К1908 (А. Б) 289 КТС631 (А—Г) 544
КТ715А 47 КТ1Ю9 (А Г) 421 П2(>1 (Э. ЛЭ) 158
K1S01 (А. Б) 49 КГ9Н (Л—Г) 424 П202Э 158
КТ802Л 50 KT91I5A 394 П203Э 158
КТ803Л 51 KT9I2 (А. Б) 291 11210 (А. Ш) 159
КГ815 (А, Ь) 53 КГ913 (Л—В) 420 П213 160
КТ805 (AM—ВМ) 53 КГ9ИА 532 П213 (А, Б) 160
КТ807 (Л. Б) 54 КТ916А 429 П214 160
КТ807 (ЛМ 1>М) 54 КТ918 (Л-2. Б-2) 431 11214 (А—Г) 160
KT80S 3 55 КТ919 (А-Г) 433 П215 160
К1Я® (Лм -ГМ) 55 КТ920 (А—Г) 293 11216 IG3
KT8U9A 57 К1921 (A, Б) 296 11216 (А-Д) 163
КГ812 (А—В) 59 КТ922 (А Д) 299 П217 1ьЗ
КТ814 (А-Г) 200 КТ925 (А—Г) 436 11217 (А—Г) 163
КТ815 (Л 1) 61 КТ926 (А. Б) 302 П302 105
КТ816 (Л Г) 203 КТ927 (А—В) 304 11303 165
КТ817 (А-Г) 63 КТ928 (Л. Б) 305 ПЗОЗА 165
КГ818 (А—Г) 205 КТ929А 307 П304 165
КТ818 (AM ГМ) 205 КТ930 ( 3, Б) 439 11306 165
КТ819 (А—Г) 65 КТ931Л 309 П306А 165
KT8I9 (AM—1 М) 65 КТ932 (А—В) 389 П601 (14. АИ, БИ) 167
КГ820 (А-1 В 1) 211 КТ933 (Л Б) 391 11602 (И АИ) 167
КТ821 (3 1 В 1) 69 КТ934 (Л-Д) 442 11605 169
КТ822 (А 1 В 1) 212 КТ935А 312 П6<>5 А 169
КТ823 (А 1—В 1) 70 КТ936 (А, Б) 313 П606 1G9
КТ825 (Г-!) 214 КТ937 (А 2, Б 2) 44о ПГИЮА 169
КТ826 (А-В) 71 КТ938Б 2 449 П607 171
КТ827 (А-В) 75 КТ939 (А. Б) 431 П007А 17!
КТ828 (Л. Б) 78 КТ940 (А-В) 315 П608 171
КТ829 (Л Г) 81 КТ942В 453 П608 (Л. Б) 171
КЗ 834 (А В) 88 КТ943 (А-Д) 316 11699 171
К1835 ( 3 Б) 222 КТ944А 319 11609 (А. Б) 171
КТ837 (А-Ф) 230 К3945Б 32! П701 26
К3 838А КТ84О (А Б) 91 96 КТ946А КТ947А 457 325 П701 (А Б) 26
КТ844Л 103 КТ948 (А, Б) 461 Г! 702 28
К1845А 106 КТ955А 335 П702А 28