Text
                    

J • РАДИО И СВЯЗЬ* ТРАНЗИСТОРЫ СРЕДНЕЙ И БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ • ТРАНЗИСТОРЫ СРЕДНЕЙ И БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ

СПРАВОЧНИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ТРАНЗИСТОРЫ СРЕДНЕЙ И БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ Под редакцией А. В Голомсдова (g) МОСКВА ..РАДИО И СВЯЗЬ” 1989
ББК 32.852.3 П 53 УДК 621.382.3(03) АВТОРЫ: А. Л. ЗАЙЦЕВ, Л. И. МИРКИН, В В. МОКРЯКОВ, В. М ПЕ1УХОВ, А К ХРУЛЕВ Редакция литературы по электронной технике Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и П 53 большой мощности: Справочник/А. А. Зайцев, А. И. Мирки», В. В. Мокриков и др.; Под рсд. А. В. Голомедова.—М.: Ра- дио н связь, 1989.— 640 с.: ил. ISBN 5-256-00241-4. Приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полу провод- никовых приборов — полевых и биполярных низкочастотных, высокочастотных и свсрхвысокочастотиых транзисторов средней и большой мощности. Дается клас- сификация, система обозначений, основные оандарты для приводимых в спра- вочнике приборов Для конкретных типов приборов приводятся сведения об ос- новном назначении, габаритных и присоединительных размерах, марчировке, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы. Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, эксплуа- тацией и ремонтом аппаратуры- 230203030022136 10S {J9 ББК 32,852.3 046(01)-89 Справочное издание ЗАЙЦЕВ АНАТОЛИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, МИРКИН АЛЬБЕРТ ИЗРАИЛЕВИЧ. МОКРЯКОВ ВЯЧЕСЛАВ ВЛАДИМИРОВИЧ и др. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ТРАНЗИСТОРЫ СРЕДНЕЙ И БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ Справочник Заведсюший редакцией IO. Н. Рысев Редактор Г. Н. А с т а ф у р о в Переплет художника Н Л П а ш у р о Художественный редактор Н С Ш е н и Технический редактор Г. 3. Кузнецова Корректор Г. В. Дземндович ИБ 1901 Сдано в набор 29 12 88. Подписано в печать 8.06.89. Г 09997. Формат 60Х90’/ц. Бумага бланочная Гарнитура литер Печать высокая. Уел. печ л. 40.0 Усл кр-огт. 40,0 Уч.-изД л. 48.22. Гнраж 100 000 экз. Изд. А» 22»51. Заказ № 1004. Цепе 2 р. 70 к. Издательство «Радио и связь* 101000. Москва, Почтамт, а я 693 Областная ордена «Знак Почета» типография им Смирнова Смоленского облуправлення издательств, полиграфии и книжной торговли, 214000. г Смоленск, проспект им |О Га- гарина. 2. ISBN 5-256-00241 4 © Издательство «Радио и связь» 1989
Содержание Предисловие....................................................... 8 ЧАСТЬ ПЕРВАЯ ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ Раздел первый Классификация биполярных и полевых транзисторов 9 1 1. Классификация и система обозначений .... ... 9 1.2 Классификация транзисторов по функциональному назначению . .11 1.3 . Условные графические обозначения . . . . ..,.11 1.4 Условные обозначения электрических параметров . . . .12 1.5 Основные стандарты на биполярные и полевые транзисторы . .14 1 6 Приборы для измерения параметров транзисторов . 16 Раздел второй Особенности исиопыования транзисторов в радио электронной аппаратуре . ............. 18 ЧАСТЬ ВТОРАЯ СПРАВОЧНЫЕ ДХННЫЕ ТРАНЗИСТОРОВ Раздел третий Транзисторы биполярные низкочастотные , . 26 Транзисторы п-р-п ... . . .... 26 П701, П701 (А, Б)............................................. 26 11702, П702А....................................................28 КТ503 (А, Б, В, Г, Д Е).........................................29 2Т504 (А. Б) . ... .........................30 2Т504 (Л-5, Б-5) ... 4 2Т506 (А, Б.) КТ506 (Л. Б) .... 36 2Т704 (А, Б), КТ704 (А, Б В)................................... 40 ГТ705 (А. Б. В. Г, Д) ................................43 КТ710Л .... . 45 КТ715А ... ’47 КТ801 (Л Б) 49 КТ802А ...................... . ,0 2Т803Л, КТ803А Г1 КТ805 (Л, Б). КТ805 (AM, БМ, ВМ) . . . .53 КТ807 (Л, Б), К Г807 (AM, БМ) '4 2Т808А, 2Т808Л 2. КТ808А, КТ808 (AM, БМ. ВМ, Г.М) .... 55 2Т809А, КТ809А . 57 2Т812 (А, Б), КТ812 (Л, Б, В) . . ’59 КТ815 (А, Б В, Г) . . ' ' G1 КТ817 (Л, Б, В, Г)................ ’ ’ 63 2Т819 (А. Б, В), 2T8I9 (А2, Б2, В2), КТ819(Л, Б, В, Г). КТ819 (ЛМ. БМ, ВМ Г.М) . . . 65 KT82I (Л-1, Б 1, В-1) ' 69 КТ823 (Л-1, Б-1, В I).................. 70 2Г826 (А, Б, В), КТ826 (А Б В) . 71 2Т827 (Л, Б, В), КТ827 (А, Б, В) . . . '75 2Т828 (А, Б), КТ828 (А. Б) .... . .' 78 КТ829 (А, Б, В, I ) . 81 2Г831 (А, Б, В. Г), 2Т831 (В-1. Г-1) . . . 84 2Т834 (А, Б В), КТ834 (А Б В) . 88 КТ838А . . . . ’ ’ 91 2Т839А ...... 93 КТ840 (А, Б) . . J6 2T84I (Л, Б), 2T84I (AI Б1) . 98 2Т814Л. КТ844А . 103 3
2Т845А. КТ845А . ... 106 КТ846Л . ... 109 КТ847Л 112 КТ848А 114 КТ850 (А Б В) . . • • 116 КТ854 (Л, Б) • 119 2Т856(А, Б, В) . . • • 123 КТ857А 126 КТ858А . . . . 129 КТ859А . . . . 132 2Г861 (А, Б, В) . ... . . . . 134 2Т862 (А, Б, В 1 - • . . . . Icb КТ863А . ..... 140 КТ864А . . . . . . 142 2Т866А . . ... 145 2Т867А ... . - 147 КТ872 (А, Б) . . ... 150 2Т882 (А, Б, В) • • 153 2Т884 (А, Б) 155 Транзисторы р-п-р ... 158 П201Э, П201АЭ. П202Э, П203Э loo П210А, П210Ш ... . . . . 159 11213, П213 (А, Б), П214, П214 (А, Б. В. Г), П215 160 П216. П216 (А, Б, В, Г, Д), П217, П217 (Л, Б, В. I ) . . . . 163 П302. ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304. П306, П306А 165 П601И, 11601 (АН. БИ), П602И П602АИ ... . . . . 167 11605, П605А П606, Г1606Л 169 П607, П607А, П6О8, П608 (Л, Б), П609, П609 (А, Б) 171 КТ501 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И, К, Л, М) 174 КТ502 (А Б. В, Г Д Е) . 175 2Т505 (А, Б) 176 2Т509А 1 W ГТ701А 182 1Т702 (А, Б. В) . . . . . . . 183 ГТ703 (А, Б, В, Г, Д) . . ... . . . . 184 2Т708 (А Б, В) ... . • • . . . ton 2Т709 (А, Б, В) . . . 1оУ КТ712 (А, Б) 1УЗ 1Т806 (А, Б. В), ГТ806 (А, Б. В. Г. Д) 19.) ГТ810А . . 19/ 1Т813 (А, Б, В) 198 КТ814 (А, Б, В, Г) ... 200 KT8I6 (А, Б, В, Г) , „ 203 2Т818 (А, Б, В), 2Т818 (А2, Б2, В2), КТ818 (А.Ч, БМ, ВМ. IM), КТ818 (Л, Б В, Г) 205 КТ820 (Л 1 Б 1. В-1) . . . 211 КТ822 (А 1 Б-1, В-I) „ ... 212 2Т825 (А, Б. В), 2Т825 (А2, Б2, В2), КТ825 (Г, Д. Е) . . . . 214 2Т830 (А, Б. В, Г), 2Т830 (В-1, Г-1) 218 КТ835 (Л, Б) 222 2Т836(А Б В) . . ... 223 2Т837 (А, Б, В, Г, Д Е) ... . . . - - 227 КТ837 (А, Б, В, Г, Д, Е. Ж, И, К, Л, М, Н, П, Р, С, Т, У, Ф) . 230 2Т842 (А, Б), 2'1'842 (А!, Б1) 231 К1851 (А Б, В) . ... . .... 236 КТ852 (А, Б, В, Г) . ... 239 КТ853 (А, Б. В, Г) 242 КТ855 (А, Б. В) .... . . . 246 21860 (А, Б. В) 250 КТ865Л • • 252 2Т883 (Л Б) 254 4
Раздел четвертый Транзисторы биполярные высокочастотные .257 Транзисторы п-р-п .... 257 КТ601А. KT60IAM ... 257 2Т602 (А. Б). 2Т602 (Л», БМ), КТ602 (ЛИ, БМ)....................258 2Т603 (А, Б, В. Г, И), КТ603 (Л, Б, В, Г, Д, Е)................ 260 КГ604 (А. Б), КТ604 (AM. БМ)..................................262 К1605 (А, Б), КТ605 (ЛМ. БМ)................................. 2G3 2Т608 (А. Б). КТ608 (А, Б)........................ ' 265 КТ611 (А, Б. В, Г). KT61I (AM. БМ)............................. 267 КТ616 (А Б) ....................... . >69 КТ617А . . 270 КТ618Л 271 2Т625 (А-2, К-2). 2TG25 (АМ-2, БМ-2), КТ625Л. КТ625ЛМ . . .271 2Т630 (Л. Б). КТ630 (А, Б. В, Г, Д. Е)..........................273 21632 (А, Б) . 275 2Т635Л, КТ635Б ...................... .276 2Т638А . 278 КТ645А ... ... .279 КТ616А . . ... 280 2Т652А, 2Т652А2 . . ... 281 21603 (А Б) . . . . . . . 282 КГ660 (А. Б) .... .......................284 RT902AM . . ....................286 2Т903(А Б). КТ903Л.................................. . 287 2Т908Л. К1908 (А, Б' ......................................... 289 2Т912 (А, Б). KT9I2 А, Б) . . . . 291 2Т920 (А, Б. В), КЗ920 (А, Б В, I) . . . . . . 293 2Т921Л, КТ921 (А. Б) .......................................... 296 2T92IA-4 ... 2.)8 21922 (А, Г В), К1922 ( А. Б В, Г. Д) ... . . 299 2Т926А, КТ926(А Б 5 .... . 302 КТ927 (А. Б. В) . . . 304 2Т928 (А Б), КТ928 (А, Б) . 05 2Т929Л, КТ929Л 307 21931 Л, К1931А..................................... ' ' ’ 309 2Т935А, КТ935А . . ’ 312 КТ936 (А Б) . . . ' ' 313 К 1940 (А Б, В [5 КТ943 (А Б. В, Г. Д)......................... . 316 2Г944А К1944А . ’ , [9 21945 (А, Б, В) КТ915Б ' ’ 3->1 2Т947А КТ947Л . ' 325 2Т950 (А, Б) . . . . . 327 2T95I (А, Б. В)................ ’ 330 2Т955А КТ955.А ............. ‘ 135 2Т956А. КТ956Л ... ... 2Т957А, К195, А ... ' 340 2Т958Л, КТЖ8А ................ ’ 342 КТ961 (А Б. В)............................................... ’ 345 2Г964А 146 21965А, КТ965А................. ’ .449 2Т966Л. KI966A ... . ..............351 2Г967А, КТ967А........................................... .... 2Т968А . - ,{_7 КТ969А . .... ’ ’ 560 2Т971А, КТ971А....................... ’ 362 КТ972 (А. Б) . ; . J64 2Т978 (Л, Б) . 166 2Т980 (Л, Б)................................................... J68 2 Г981Л, КТ981А............................. ’ 371 2191 ИЛ ..................................... . ‘ ' 374 5
Гранзисторы р-п-р . . ... КГ626 (Л. Б, В. Г, Д) - • ................. 2Т629А, КТ629.А . .......................... КТ639 (Л, Б, В, Г, Д, Е , Ж Hi .............................. КТ644 (А, Б, В, Г) . .......................... 1Т901 (А, Б) ... ............. 1Т905А, ГТ905 (А, Б)..................................... • • 1Т906\, ГТ906 ГТ906АМ.................................. 1Т910АД ................. 2Г932 (А, Б), КТ932 (Л, Б. В)................................ 2Т933 (А, Б), КТ933 (А, Б) .................................. КТ973 (А, Б) . . .................................... КТ9115А............................................... . . . Раздел пятый. Транжяюры биполярные сверхвы окочасгогные Транзисторы п-р-п........................................ 2Т606А, КТ606 (А, Б)............................... ... 2Т607А 4, КТ607 (А-4 Б 4) .... • ... 2Т610 (А, Б), KT6I0 (А. Б)................................ 1 Г612А-4. ГТ612А4 ................................... 1Т614А ... .... 2Т621А-2, 2Т624ЛМ 2, КТ624Л 2, КТ624Л.Ч-2................. 2Г633А, КТ633Б . . . ................ 2Т634А 2, КТ634Б 2 .... 2Т637А-2, КТ637 (А-2, Б 2) ................... 2Т640А-2, 2Т640А1 2, КТ640 (Л-2. Ь 2 В 2) . . . 2Т642А 2 • • ................... 2Т643А-2, КТ643А-2 .... ................ 2Т647А-2 ........................ .... 2Т648А-2 ........................................ 2Т904А, КТ904 (Л, Б) .... 2Т907А, КТ907 (А, Б) . . ................ 2Т909 (А, Б), КТ909 (А, Б. В, Г) ......................... 2Т911 (А. Б), КТ911 (А. Б. В Г) .......................... 2T9I3 (А, Б, В), КТ913 (А, Б В)........................... 2Т916А КТ916А ....................... КТ918 (А 2, Б-2) ... • 2Т919 (А, Б, В), 2Т919 (А-2, Б 2, В 2), KT9I9 (А. Б В, Г) 2Т925 (А, Б, В), К.Т925 (А, Б В Г) 2Т930 (А, Б), КТ930 (А, Б) 2Т934 (Л, Б, В), КТ934 (А. Б, В, ГД) . . • 21937 (А-2, Б-2), КТ937 (А-2, Б 2) - • 2Т938А-2, КТ938Б2 - 2 Г939Л, КТ939 (А, Б) 2Т942 (А Б), КГ942В ........................ • • 2Т946А, KT9I6A .................... • 2Т948 (Л, Б) КТ918 (А, Б)................................ 2Т960А, КТ960Л ............. • • 2Т962 (Л, Б. В), КТ962 (А, Б. В)......................... 21963 (А-2, Б-2) .... • • • 2Т970А, КТ970.Л ... 2Т975 (Л, Б)...................... ...................... 2Т976А КТ976А............................................ 2Т977А, КТ977А........................................... 2Т979А .... ........................... 2Т982А-2 ... ... КТ983 (А, Б. В) . 2Т984А 2Т984Б . . ................ 2Т986 (А, Б) . . ................... 2 988Л 2Т989 (А, Б) . . ................................. 377 377 379 380 381 382 384 386 388 389 391 393 394 397 397 397 398 400 401 402 403 404 406 107 409 411 412 414 415 417 419 421 424 426 429 431 433 436 439 442 445 449 4 1 453 457 461 465 469 473 476 479 482 481 486 489 491 494 476 499 502 6
2Г994 (А, Б, В)...................... . 504 2Т996 (А 2 Б 2) . . . . ' 507 2T9103 (А-2 Б 2) . . 509 2Т9104 (А Б) ' 5U 2Т9109А................ • 5(5 219(14 (А, Б) .... ’517 2Т9118А..................................................... дю 2T9II9A-2.................................................. 5X2 2Т9122 (А, Б) . . ; 524 2T9I24A . . . 526 Транзисторы р п-р .... . 529 2Т658 (А 2, Б-2, В-2)....................................... '29 2Т914А, КТ914Л ... ............ ... 532 2Т941А . ................ 5 4 2Г974 (Л Б, В) . . . 535 Раздел шестой. Сборки биполярных транзисторов 40 Сборки транзисторов п-р-п 540 2TC6I3 (Л, Б), КТС613(Л Б. В, Г)............................ 540 КТС631 (А. Б. В, I) . . . . 544 2ТС843Л.................... . . 547 2Т985АС................................................. . . 550 2 T9101 АС . . 553 2T9I05AC . . . .... . . 555 Сборки транзисторов р п р 557 ITC609 (Л, Б, В), ГТС609 (А, Б. В) ’ 557 2ТС622 (Л, Б), КТС622 (А, Б) .... . . . ГЫ Сборки транзисторов р-п-р и п р п ... 564 2TC94IA..................................................’ ' .64 Раздел седьмой. Транзисторы полевые . . 66 2П601 (А, Б), КП601 (А, Б) . . . .66 2П701 (Л, Б)............... ’ г.69 2П702А ... . . ’ ' 572 КП801 (А, Б) . . . .............575 2П802А ’ 577 2П803 (А Б) ‘ ‘ 579 2П901 (Л, Б), КП901 (А, Б).............................. ' ’ 81 2П902 (А Б), КП902 (А Б В) . . ’ 584 2П903 (А, Б, В), КП903 (А. Б, В) ... . ' .587 2П904 (Л, Б), КП9О4 (А, Б) . . . . .590 2П905 (А, Б), КП905 (А, Б В ................................ 522 2Г1907 (А Б), КП907 (Л Ь В) ‘ 595 2П908 (А. Б) * 598 2П909 (А, Б В, Г) ... . . ‘ ‘ 600 2П9Н(А, Б) 604 2П912 (А, Б) . .... . : ‘ ‘ 606 2П913 (А. Б) ............................ ' ‘ 609 2П914Л .... ‘ 612 2П918 (А, Б) ...... ’ 614 2П920 (А. Б) . . . . . .... КГ1921Л ... 620 2П922 (Л, Б)..........................; ................622 2П92.3 (А, Б, В, Г) . . . ‘ ’ 623 ЗП602 (А-2, Б 2, В 2, Г 2, Д 2) . ......................627 ЗПбОЗ (А-2, Б-2), ЗПбОЗ (А1-2, Б1 2) ' 610 ЗП604 ( А 2. Б-2, В 2, Г 2) ’ 633 3! 1910 (А-2, Б 2) 635 ЗП915 (Л-2, Б 2).............. ’ ' 637 7
Предисловие Усложнение радиоэлектронной аппаратуры, расширение выполняемых ею функций вызывают появление новых типов полупроводниковых приборов Со- вершенствование технологии производства приводит к изменению количества типономиналов и значений параметров уже освоенных промышленностью прнбо ров. Соответственно изменяется система нормативно технической документации. В справочнике приводятся электрические и эксплуатационные характеристи- ки и параметры транзисторов средней п большой мощности, используемых в выходных каскадах усилителей мощности, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, генераторах кадровой и строчной разверток, низко- вольтных н высоковольтных преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения, электронных регуляторах напряжения, переключающих устройст- вах, устройствах управления газоразрядными панелями переменного тока, уст- ройствах зажигания двигателей внутреннего сгорания и др. Настоящий справочник предъявляет собой первую книгу базового издания по транзисторам. Во вторую книгу «Транзистор малой мощности» включены сведения о транзисторах широкого диапазона частот — от низкочастотных до сверхвысокочастотных. Базовое издание по перечисленным типам приборов отличается от пред- шествующих справочников расширенной номенклатурой приборов и большей полнотой сведений о параметрах и их зависимостях от режимов применения В него включены как вновь разработанные приборы, так и находящиеся в со- ставе эксплуатируемой радиоэлектронной аппаратуры, но уже не рекомендо- ванные к применению в новых разработках. Справочные сведения составлены на основе данных, зафиксированных и го- сударственных стандартах и технических условиях на конкретные типы при- боров Авторами сохранена форма представления данных в виде отдельных спра- вочных листов па каждый тип прибора, а также зарекомендовавшая себя положительно структура представления данных, принятая в более ранних из- даниях аналогичных справочников приведены краткие сведения о технологии, основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, значениях параметров и их зависимостях oi условий эксплуатации, режимах измерения, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы при- боров. В части «Общие сведения* приводятся классификация приборов и система их условных обозначений. Для полноты сведений о приборах, пометенных в справочнике, дается перечень действующих стандартов. Для некоторых типов транзисторов, сведения о которых публиковались в вышедших ранее справочниках, с целью сокращения объема зависимости па- раметров от электрических режимов не приводятся. Для удобства пользования справочником обозначения приборов располо- жены в цифроалфавцтпой последовательности Справочник не заменяет технических условий, утверждаемых в установлен- ном порядке, и не является юридическим документом для предъявления рекла- маций.
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ Раздел первый. Классификация биполярных и полевых транзисторов 1.1. Классификация и система обозначений Классификация транзисторов по их назначению, физическим свойствам, ос- новным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, роду исходного полупроводникового материала находит свое отражение в си- стеме условных обозначений их типов. В соответствии с появлением новых классификационных групп транзисторов совершенствуется и система их услов- ных обозначений. Система обозначений современных типов транзисторов установлена отрасле- вым стандартом OCT 1133G.919—81 и базируется па ряде классификационных признаков. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код. Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, па ос- нове которого изготовлен транзистор Для обозначения исходного материала используются следующие символы Г пли I —для германия или его соединений: К или 2 —для кремния или его соединений; А пли 3 — для соединений галлия (практически для арсенида галлия, ис- пользуемого для создания полевых транзисторов); И или 4—для соединений индия (эти соединения для производства тран- зисторов пока в качестве исходного материала не применяются). Второй элемент обозначения — буква, определяющая подкласс (или груп- пу) транзисторов. Для обозначения подклассов используется одна из двух букв: Т — для биполярных и П — для полевых транзисторов. Третий элемент — цифра, определяющая основные функциональные возмож- ности транзистора (допустимое значение рассеиваемой мощности и граничную либо максимальную рабочую частоту). Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков тран- зисторов применяются следующие цифры Для транзисторов малой мощности (максимальная мощность, рассеиваемая транзистором, не более 0,3 Вт): 1—с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (далее граничной частотой) не более 3 МГц: 2 — с граничной частотой более 3 но не более 30 МГц; 3 — с граничной частотой более 30 МГц. Для транзисторов средней мощности (максимальная мощность, рассеивае- мая транзистором, более 0,3. по не более 1.5 Вт): 4 -с граничной частотой не более 3 МГц; 5 — с граничной частотой более 3, ио не более 30 МГц; 6 — с граничной частотой более 30 МГц. Для транзисторов большой мощности (максимальная мощность, рассеивае- мая транзистором, более 1,5 Вт): 7 —с граничной частотой не более 3 МГц; 8 — с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц; 9 — с граничной частотой более 30 МГц Четвертый элемент — число, обозначающее порядковый помер разработки технологического типа транзисторов Для обозначения порядкового номера ис- пользуют двузначные числа от 01 до 99 Если порядковый помер разработки превысит число 99, то применяют трехзначные числа от 101 до 999 Пятый элемент— буква, условно определяющая классификацию по изра- 9
метрам транзисторов, изготовленных по единой технологии В качестве класси фпкациоиной литеры применяют буквы русского алфавита (за исключением 3, О Ч. Ы, Ш, Щ, Ю Ь, Ъ Э). Стандарт предусматривает также введение в обозначение ряда дополни- тельных знаков при необходимости отметить отдельные существенные конструк- тивно-технологические особенности приборов В качестве дополнительных элементов обозначения используют следующие символы: ци фра от 1 до 9 — для обозначения модернизаций транзистора, приводящих к изменению его конструкции пли электрических параметров; бу ква С — для обозначения наборов в общем корпусе однотипных транзн сторов (зранзнсюрпые сборки); цифра, написанная через дефис,— для беекорпусных транзисторов. Эти цифры соответствуют следующим модификациям конструктивного ис- полнения: 1— с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки); 2— с гибкими выводами на крпсталлодержателе (подложке); 3— с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки); 4— с жесткими выводами на крпсталлодержателе (подложке); 5— с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без выводов (кристалл); 6 — с контактными площадками на крпсталлодержателе (подложке), но без выводов (кристалл на подложке). Таким образом, современная система обозначений позволяет по наименова- нию типа получить значительный объем информации о свойствах транзистора Примеры обозначения некоторых транзисторов: КТ604/ —кремниевый биполярный, средней мощности, низкочастотный, но- мер разработки 04, группа А; 2Т920А — кремниевый биполярный, большой мощности, высокочастотный, номер разработки 20, группа А; КТ937А 2 — кремниевый биполярный, большой мощности, высокочастотный, номер разработки 37, группа А, бескорпуспый, с гибкими выводами па кристал- лодержателе; 2ПС202А-2 — набор маломощных кремниевых полевых транзисторов сред- ней частоты, помер разработки 02, группа А, бескорпуспый, с гибкими выводами на крпсталлодержателе. Для большинства транзисторов, включенных в настоящий справочник, ис- пользована система обозначений согласно ранее действовавшим ГОСТ 10862—64 и ГОСТ 10862—72, которая в своей основе не отличается от описанной. Одиако у биполярных транзисторов, разработанных до 1964 г. и выпускаемых до настоя- щего времени, условные обозначения типа состоят из двух или трех элементов Первый элемент обозначения — буква П, характеризующая класс бпполяр пых транзисторов, или две буквы МП для транзисторов в корпусе, герметизи русмом способом холодной сварки. Второй элемент — одно-, двух- или грехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и указывает на подкласс транзистора по роду исходного полу проводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной (и и предельной) частоты: от 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы; от 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы, от 201 до 299—германиевые мощные низкочастотные транзисторы; от 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы; от 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные тран- зисторы; от 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные тран- зисторы; от 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы; от 701 до 799 —кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы Третий элемент обозначения (у некоторых типов он может отсутс1вовать) — буква, условно определяющая классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой •технологии. 10
Примеры обозначения некоторых транзисторов: П213А— германиевый мощный низкочастотный, номер разработки 13. группа Л: П702Л— кремниевый мощный высокочастотный, номер разработки 02, группа Л. 1.2. Классификация транзисторов по функциональному назначению В настоящем справочнике наряду с нашедшей отражение в системе услов- ных обозначений типов транзисторов классификацией приведена классификация биполярных транзисторов по частоте: низкочастотные (ЬР<30 МГн); высоко- частотные (30 МГЦ<Д.р<300 МГц); сверхвысокочастотиые (Д-р^ЗОО МГц). Биполярные транзисторы в соответствии с основными областями примене- ния подразделяются на следующие группы: усилительные (сверхвысокочастот- ные, высоковольтные, высокочастотные линейные); генераторные (высокочастот- ные, сверхвысокочастотиые, сверхвысокочастотиые с согласующими цепями); переключательные и импульсные (переключательные высоковольтные и им- пульсные высоковольтные). По своему основному назначению полевые транзисторы делятся на уси- лительные, генераторные и переключательные. Каждая из перечисленных групп характеризуется специфической системой параметров и справочных зависимостей, отражающих особенности применения транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре. Информационный материал в справочнике расположен применительно к данной классификации транзисторов. 1 3. Условные графические обозначения В технической документации и специальной литературе следует применять условные графические обозначения полупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2.730—73 Графические обозначения полупроводниковых приборов, помещенных в дан- ном справочнике, приведены в табл. 1.1. Таблица II. Условные графические обозначения транзисторов Наименование Обозначение Транзистор тина р-п-р Транзистор типа п р-п с коллектором, электрически со- единенным с корпусом Полевой транзистор с каналами типов пир Полевой транзистор с изолированным затвором с выво- дом от подложки обогащенного типа с р каналом и обедненного типа с п каналом Полевой транзистор с изолированным затвором обога- щенного типа с n-каналом и с внутренним соединением подложки и истока Полевой транзистор с двумя изолированными затворами обедненного типа с п каналом и с внутренним соеднпе нисм подложки и истока 11
1.4. Условные обозначения электрических параметров 1]Кэ — напряжение коллектор — эмиттер Ukso — постоянное напряжение коллектор — эмиттер при токе базы, рав ном пулю U кэп — постоянное напряжение коллектор — эмиттер при заданном со- противлении в цепи база—Эмиттер (Укэк — постоянное напряжение коллектор—эмиттер при короткозамкиу тых выводах базы и эмиттера Uk. л—постояннее напряжение коллектор—эмиттер при заданном об I атпом напряжении база — эмиттер I'K-in.u — импульсное напряжение коллектор—эмнтгер при заданном сопро- TI влсипп в цепи база — эмиттер Укэк.и -- импульсное напряжение коллектор — эмиттер при короткозамкну- тых выводах базы и эмптте| а Окэх.и—импульсное напряжение коллектор — эмнтгер при заданном обрат- ном напряжении база — эмиттер икэв.проб — пробивное напряжение коллектор — эмиттер при токе базы, рав пом нулю IJmn.npoc — пробивное напряжение коллектор — эмиттер при заданном сопро- тпвленпн в цепи база—эмиттер —пробивное напряжение коллектор — эмиттер при короткозамкнутых вывозах базы и эмиттера Укэх.пр.л — пробивное напряженке коллектор — эмиттер при заданном обрат- ном nai ряжении база — эмиттер Укэ.махс — максимально допустимое постоянное напряжение коллектор — эмиттер икв.п.махс—максимально допустимое импульсное напряжение коллектор — эмиттер 17кв— постоянное напряжение коллектор — база Uкб и — импульсное напряжение коллектор — база икьэ.пр.,6—и обивное nai ряжение коллектор— база I ki;..mo»c — максимально допустимое постоянное напряжение коллектор — база Uki-..u «чкс—максимально допустимое импульсное напряжение коллектор — база l7OK1„p6- пробивное напряжение эмиттер — база Use -постоянное напряжение эмпгтер — база АС7вэ- падение напряжения па участке база — эмиттер Ujii.Maxc—максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер — база Vcu — напряженно сток — исток Vsn — напряжение затвор — исток Unn — напряжение исток — подложка Uch,.гаке — максимально допустимое напряжение сток — исток U: и лаке—максимально допустимое напряжение затвор — исток Usc.xaxc—максимально допустимое напряженно затвор — сток Uin..vaxc — максимально допустимое напряженно сток — подложка Unn.MUKc — максимально допустимое напряжение исток — подложка U311 ляхе — максимально допустимое напряжение затвор — подложка /к — постоянный ток коллектора 1я—постоянный ток эмиттера 1в — постоянный ток базы 1 к,и — импульсный ток коллектора /э.и — импульсный ток эмиттера —импульсный ток базы 1к,кас — постоянный ток коллектора в режиме насыщения hi.unc — по тояш ый ток базы в режиме насыщения /к,махе — максимально допустимый постоянный ток коллектора /э.мпхе — макс имально допустимый постоянный ток эмиттера /с я 1>:с — максимально допустимый постоянный ток базы 1к.и.махе — максимально допустимый импульсный ток коллектора 1э.« м кс — максимально допустимый импульсный ток эмиттера 12
1к,нас,макс — максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщения 1г,.нас,макс — максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насы- щения 1с.макс—максимально допустимый постоянный ток стока /с.ост—остаточный ток стока /з<пР1.локс — максимально допустимый прямой ток затвора I С.а.макс—максимально допустимый импульсный ток стока С. —емкость генератора j — частота Кнас — коэффициент насыщения Кети — коэффициент стоячей волны по напряжению / — длина выводов Р— постоянная рассеиваемая мощность биполярного (полевого) тран- зистора Рср — средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора Р„— импульсная рассеиваемая мощность биполярного (полевого) тран- зистора Рк — постоянная рассеиваемая мощность коллектора Ркср — средняя рассеиваемая мощность коллектора Рвх—входная мощность биполярного (полевого) транзистора Р»х(п<>)—входная мощность в пике огибающей (средняя мощность одното- нового сигнала с амплитудой, равной амплитуде двухтопового сигнала в пике огибающей) Рвыхшо} — выходная мощность в пике огибающей (средняя мощность одпото- пового сигнала с амплитудой, равной амплитуде двухтонового сигнала в пике огибающей) Л,гР — мощность отраженной волны СВЧ сигнала Рпад—мощность падающей волны СВЧ сигнала Рм-.кс—максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность би- полярного (полевого) транзистора Рч макс—максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность би- полярного (полевого) транзистора Рк.макс—максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора Рк ср.макс — максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность кол- лектора Q— скважность Rk—сопротивление в цепи коллектор — источник питания R —сопротивление в цепи база — эмиттер Re— сопротивление в цепи база — источник питания Rn— сопротивление нагрузки Re—выходное сопротив.х'м -в генератора при измерениях Rt—тепловое сопротивление ₽т(п-и)—тепловое сопротивление переход — корпус Rt и(п-х) — импульсное тепчовое сопротивление переход — корпус Rr(n-cy — тепловое сопротивление переход — среда Лги, Л2;э — статический коэффициент передачи тока в режимах малого и боль- шого сигнала Sue, S!ls — коэффициент отражения входной цепи в схемах ОБ и ОЭ соот- ветственно S:2i—коэффициент обратной передачи напряжения в схеме ОБ |Sl2o| — модуль коэффициента обратной передачи напряжения в схеме ОБ S21J—коэффициент прямой передачи напряжения в схеме ОЭ S22- .— коэффициент отражения выходной цепи в схеме ОБ Т— тех пература окружающей среды Тк—температура корпуса; для бсскорпусных транзисторов крнсталло- держателя (подложки) Тп—температура р-п перехода т]« — коэффициент полезного действия коллектора 1)г— коэффициент полезного действия стока 13
<1— фаза .$ параметра /„ — длительность импульса —длительность фронта импульса. Звездочкой в тексте отмечены параметры или их значения, приведенные в справочных данных ТУ При производстве полупроводниковых приборов они могут не контролироваться. Значения эксплуатационных данных, приведенных без указания темпера- турного диапазона, справедливы во всем интервале температер окружающей среды для дайною типа транзистора Значения электрических параметров, приведенные без специального ука- зания температуры окружающей среды (температуры корпуса) справедливы для температуры + 25° С Па графиках с изображением зоны возможных положений зависимости параметров сплошной линией обозначена типовая зависимость 1.5. Основные стандарты на биполярные и полевые транзисторы ГОСТ 15133-77 ОСТ 11 336.919—81 ГОСТ 2730—73 ГОСТ 18472—82 ГОСТ 20003—74 ГОСТ 19095—73 ОСТ 11.336.907.0—79 ОС! 11 336.907.8—81 OCT II 336.935—82 ОСТ 11 0272—86 OCT II 073.062—76 OCT II 073.073—82 OCT II 336 003—74 OCT II 706 000—79 Приборы полупроводниковые. Термины и определении Приборы полупроводниковые Система условных обо- значений Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые Приборы полупроводниковые. Основные размеры Транзисторы биполярные. Термины, определения и бук венные обозначения параметров Транзисторы полевые Термины, определения и бук- венные обозначения параметров Приборы полупроводниковые. Руководство по приме- нению. Общие положения Транзисторы биполярные. Руководство по применению Транзисторы полевые. Руководство по применению Интегральные микросхемы, приборы полупроводниковые бескорпуспые. Руководство по применению Микросхемы интегральные и приборы полупроводнике вье Требования и методы защиты от статического электричества в условиях производства и применения Контроль иеразрушающий. Методы контроля темпера туры биполярных транзисторов и интегральных микро- схем Приборы полупроводниковые. Методы отвода тепла Радиаторы охлаждения полупроводниковых приборов. Технические условия. Методы ГОСТ 78604.0—83 IOCT 18604.1—80 Г СТ 18604.2—80 ГОСТ 18604.3—80 ГОСТ 18604.4—74 ГОСТ 18604 5—74 ГОСТ 18604.6—74 ГОСТ 18604.7—74 ГОСТ 18604.8—74 измерения параметров биполярных транзисторов Транзисторы биполярные. Общие требования при изме рении электрических параметров Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте Тра гзпеторы биполярные. Метод измерения стати неко- го коэффициента передачи тока Транзисторы биполярные Метод измерения емкостей коллекторного и эмиттерпого переходов Транзисторы. Метод измерения обратного тока кол- лектора Транзисторы Методы измерения обратного тока кол- лектор — эмиттер Транзисторы Метод измерения обратного тока эмит- тера * Транзисторы. Метод измерения коэффициента передачи тока Транзисторы Метод измерения выходной проводимости 14
ГОСТ 18604.9— 82 ГОСТ [8604.10—76 ГОСТ 18604.11—76 ГОСТ 18604.13—77 ГОСТ 18604 14—77 ГОСТ 18604 15—77 ГОСТ 18604.16—78 ГОСТ 18604.17—78 ГОСТ 18604.18—78 1ОСТ 18604.19—88 ГОСТ 18604.20—78 ГОСТ 18604 22—78 ГОСТ 18604.23—80 ГОСТ 18604 24-81 ГОСТ 18604.26—85 OCT II 336.909.3—79 Методы ГОСТ 20398 0—83 ГОСТ 20398.1—74 ГОСТ 20398.2—74 ГОСТ 20398 3—74 ГОСТ 20398.4—74 ГОСТ 20398 5—74 ГОСТ 20398 6—74 ГОСТ 20398.7—74 ГОСТ 20398 8—74 ГОСТ 20398 9-80 Транзисторы биполярные. Методы определения гранич- ной и предельной частот коэффициента передачи тока Транзисторы биполярные. Метод измерения входного сопротивления Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффици- ент» шума на высоких п сверхвысоких частотах Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Метод измерения выходной мощности и определение коэффи- циента усиления по мощности и коэффициента полез- ного действия коллектора Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Метод измерения модуля коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с обшей базой на высокой частоте Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения критического тока Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффици- ента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала Транзисторы биполярные. Метод измерения плавающе- го напряжения эмиттер — база Транзисторы биполярные. Методы измерения статиче- ской крутизны прямой передачи Транзисторы биполярные. Методы измерения гранич- ного напряжения Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффи- циента шума на низкой частоте Транзисторы биполярные. Методы измерения напряже- ния насыщения коллектор — эмиттер и база — эмиттер Транзисторы биполярные Метод измерения коэффици- ентов комбинационных составляющих Транзисторы биполярные высокочастотные генератор- ные. Метод измерения выходной мощности и опреде- ление коэффициента усиления ио мощности и коэффи- циента полезного действия коллектора Транзисторы биполярные. Методы измерения времен- ных параметров Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Ме- тоды измерения скорости нарастания обратного напря- жения. измерения параметров полевых транзисторов Транзисторы нолевые. Общие требования при измере- нии электрических параметрон Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума Транзисторы полевые Метод измерения крутизны ха- рактеристики Транзисторы полевые Метод измерения активной со- ставляющей выходной проводимости Транзисторы полевые. Метод измерения входной, про- ходной и выходной емкостен Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора Транзисторы полевые. Метод измерения порогового на- пряжения и напряжения отсечки Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока Транзисторы полевые Метод измерения крутизны ха- рактеристики в импульсном режиме 15
ГОСТ 20398 10—80 ГОСТ 20398 11—80 ГОСТ 20398 12—80 ГОСТ 203 8 13 -80 ОСТ 11 336 916—80 Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме Транзисторы полевые Метод измерения ЭДС шума Транзисторы полевые Метод измерения остаточного то- ка стока Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток — исток Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощ- ности, определение коэффициента усиления по мощно- тн и коэфф и еша нолевного действия стока 1.6. Приборы для измерения параметров транзисторов Для измерения парамеция* транзисюров промышленность выпускает ряд измерительных приборов Наибольшее распространение для измерения нар, метров мощных биполярных и полевых транзисторов получили приборы, при Веденные и таил. 1.2 Т аблица 1.2 Приборы для измерения параметров мощных транзисторов Тип приОории ИJMvpHv- ммй НН [hl Mt 1р 11рсЛ<Л измерения по шкале Режим измерения Габаритные пая- меры, мм (масса, кг) JV 13 (нвмерн- тсль стагнче*. ^21 & 3 .1000 Дкь=1...2О В (при измерении 630X360X340 (32 Ki) квх параметров 8 0 1 30 А В до 150 В) Выносной пулы Мищных тран ^ки.нас 0,1 10 в /к=10 А, 180X 200X210 Зп торов) КО.нас U КОО, гр / К U) /эь.1 / коп 0,1 .10 в 2. «50 В 10 мкА 100 мА 10 кА 100 мА 10 мкА 300 мА /в=1 А (3 кг) «Л 2 28 (измери Ск 0.3...'000 пФ (/кв-0,25... 495X215X365 гель емкости Св 0.3... 1000 пФ 99,9 В (16 кг) р и переходов/ IК UQ 0.3..100 мкА (7аь-»0,25... -9.9 В, /=10 МГц (при Сг=:30 пФ) Д2-31 (измери- С ! 1 и 0,3 30 нФ ) = 0.3 МГн 490X216X355 тель емкости ^22^ 0,3 30 пФ (при С’^ЗО пФ) (16 кг) Гилевых тран- зисторов) С ;2и 0,03 30 пФ /7си = 2 29 В йЛИ| = 1..29 В, ^зи2= 1 29 В, 7с=0,3-50 мА JI2-42 (измери- тель статичес- Л2|О 5. .500 С/кв=2...5О В (при измерении 490X256X355 (21 кг) них параметров U КО,нас 0,1 10 В до 100 В), Пульт мошных гран- UКО яос 0,1.10 В £/вв=0,3 .Ю В 122X131X200 зисторов) /квэ /эБо /кво 1 мкА. .30 мА 1 мкА 30 мА 1 мкА 30 мА /к =0,1 20 А, /11=0,03 .5 А. R;,l. -0 I кОм (2 кг) <112-46 (измери- $НЧ.имп 0,01 .30 А/В 6'с« = 1. 200 В, Б чок измери- к-дь пара мет Sh4.iu>ct 0,01. 3 А/В Дэн, =0.3 .30 В тельный ров мощных 1с 0,3 ..200 мА /Лют=0,3 30 В 480X490X255. нолевых трап- 0,3 10 |г... /,^200 мА Блок режимов зисторов) 311 .иге U1H RcM.ovk 1с,и ...10-6 А 0,3. 30 В 0 3. 30 В 3 .1000 Ом 0,1. 30 А 360X490X175. Блок измери- тельный 300X230X205 16
Продолжение Тип приборов Измеряе- мый параметр Предел измерения но шкале Режим измерения Iабмритныс- раз- меры, мм (масса, кг) Л2-57 (измери /<2|Э 5 2000 (7кэ=3..299 В. Блок измери- тель стагнче ских парамет U КН нас U ЬЭ,нас 0.05... 10 В 0,05.. 10 В 77эг=0.3 30 В /к.и=0,1 тельный 488X475X175 ров мощных 1»ВО 10-»..10-> А ...99.9 А, (20 кг). транзисторов) /кь<| 1 кии 1О-8...1О-’ А 1 '-8.,.10 А /в.,,» 0 01... ...30 А Блок режимов 488X475X175 (30 кг). Блок генерато ров 488X475X175 (25 кг) Устройство подключения 488X475X94 (15 кг) Л2-58 (измери Пкэа.гр 100 2000 В 7/кв ,,—500.. 480X555X160 тель парамет- ров высоко- вольтных тран зпеторов) 7kev 10-5...10-| А .. 2000 В 1 к к =30 мА... .. 0,99 А /ь.«=1. 300 мА (30 кг) Методы измерения основных электрических параметров транзисторов ус- тановлены государственными стандартами. Для наблюдения волы амперных характеристик транзисторов рекомендуется использовать приборы, приведенные в табл 1 3 Таблица 1.3 Приборы для наблюдения вольт-амперных характеристик транзисторов Гии прибора Режим по по- стоянному ТОК} Режим ступенчатиго сигнала I абаритные размеры, мм (масса, кг) ПНХ1 I 77=0. .20 В (при 1=1 ...10 Л) 77=0 200 В (при /^1 А) По току; I 500 мкА/сгупень, 1 .200 мЛ/ступень (всего 17 фиксированных зна- чений). По напряжению: 0 01 .0,2 В/степень (всего пять фиксированных значений). Число ступеней 4—12 643X334X423 (10 кг) Л2 56 (ПХН1 2) (7=1 . 16 В По току: (при / 10 А) 50 иА/стунень, 77^=0 80 В 20 мЛ/стуиень 490X294X560 (40 кг) (всего 21 фиксироваг ченне). По напряжен! 0,05. .2 В/стут (всего шесть значений). (при 7 0,4... 2 Л) 77 = 0 400 В (при I 0 4 .0,08 Л) 7/ 0...2000 В (при 7^0,08 А) Число ступеней :1 IS- V фиксироийн ных. ИМСП.ту _• kjqaK2_.-, - «кх 2 Зака* № 1004 17
Раздел второй. Особенности использования транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре При разработке, изготовлении и эксплуатации полупроводниковых прибо- ров следует принимать во внимание их специфические особенности Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс параметров транзисторов, их температур- ная нестабильность и зависимость параметров от режима работы, а также из- менение параметров транзисторов в процессе эксплуатации. Граизнсторы сохраняют своп параметры в установленных пределах в ус- ловиях эксплуатации и хранения, характерных для различных видов и клас- сов аппаратуры Условия эксплуатации аппаратуры могут изменяться в широ- ких пределах. Эти условия характеризуются внешними механическими (вибра- ционными, ударными, центробежными нагрузками) и климатическими воздей- ствиями (температурными, атмосферными и др). Общие требования, справедливые для всех транзисторов, предназначенных для использования в аппаратуре определенного класса, содержатся в общих технических условиях. Нормы на значения электрических параметров и спе цпфнческие требования, относящиеся к конкретному типу транзистора, содер- жатся в частных технических условиях. Под воздействием различных факторов окружающей среды некоторые па- раметры, характеристики и свойства транзисторов .могут изменяться. Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних воздействий служат корпуса приборов. Конструктивное оформление транзисторов рассчитано на их использование в составе аппаратуры при любых допустимых условиях эксплуатации. Необходимо помнить, что корпуса транзисторов в конечном счете имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании транзисторов в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влаж- ности, платы с расположенными на них транзисторами рекомендуется покрывать лаком не менее чем в три слоя. Рекомендуется применять лаки УР 231 (ТУ 6—10—863—79) пли ЭП 7.30 (ГОСТ 20824—75) Все большее распространение получают так называемые бескорпусиые транзисторы, предназначенные для использования в микросхемах и мнкросбор- ка.х. Кристаллы таких транзисторов защищены специальным покрытием, ио оно не даег дополнительной защиты от воздействия окружающей среды. Защита достигается обшей герметизацией всей микросхемы. Чтобы обеспечить долголетнюю и безоткатную работу радиоэлектронной аппаратуры, конструктор обязан не только учесть характерные особенности транзисторов па этапе разработки аппаратуры, но и обеспечить соответствую- щие условия ее эксплуатации и хранения. Транзисторы приборы универсального применения. Они могут быть ус- пешно использованы не только в классе устройств, для которых они разрабо- таны, но и во многих других устройствах. Однако набор параметров и харак- теристик, приводимых в справочнике, соответствует основному' назначению транзистора В справочнике приводятся значения параметров транзисторов, га- рантируемые ТУ для соответствующих оптимальных или предельных режимов эксплуатации. Рабочий режим транзистора в проектируемом устройстве часто отличается от того режима, для которого приводятся параметры в ТУ. Значения большинства параметров транзисторов зависят от рабочего ре- жима и температуры, причем с увеличением температуры зависимость пара- метров от режима сказывается более сильно В справочнике приводятся, как правило, типовые (усредненные) зависимости параметров траншеторов от тока, напряжения, температуры, частоты и т п. Эти зависимости должны использо- ваться при выборе типа транзистора и ориентировочных расчетах, так*как зна- чения параметров транзисторов одного типа не одинаковы, а лежат в некотором интервале. Этот интервал ограничивается минимальным или максимальным зна- чащем, указанным в справочнике. Некоторые параметры имеют двустороннее от раниченне. 18
Рис. 2.1. Выходные ха- рактеристики биполярно- го транзистора и обла- сти работы при вклю чении по схеме ОБ (а) и по схеме ОЭ (б) При конструировании устройств необходимо стремиться обеспечить их ра ботоспособиость в возможно более широких интервалах изменений важнейших параметров транзисторов. Разброс параметров транзисторов и их изменение во времени при конструировании могут быть учтены расчетными методами пли экспериментально — методом граничных испытаний. На рис. 2.1 показаны выходные характеристики биполярного транзистора с указанием областей работы для схем с общей базой (ОБ) и общим эмит- тером (ОЭ). Выходные вольт-амперные характеристики полевых транзисторов приведены иа рис. 2.2 На семействе этих характеристик можно выделить три области: линейную (изменение тока стока пропорционально изменению напряжения на стоке); область насыщения (ток стока слабо зависит от напряжения па стоке); область пробоя (ток стока резко возрастает при малых изменениях иапряже ния на стоке). На рис 2 3 приведены проходные волы амперные характеристики (зависи- мость тока стока от напряжения на затворе при неизменном напряжении па стоке) полевых транзисторов с управляющим р-л переходом с каналами л- и p-типов проводимости и условные графические обозначения этих транзисторов. Проходные характеристики полевых транзисторов с управляющим р-л перехо- дом хорошо аппроксимируются выражением 1с —1с нач( 1 — 1/»и/1/зИ,оГе)". где !см*— начальный ток стока (ток стока при (73и=0); U-зи.осс — напряжение отсечки Теоретическое значение показателя степени л 2, однако на практике л= 1,5.. 2,5 Рис. 2 2. Выходные характеристики полевого транзистора Рис 2 3 Проходные характеристики полевого транзистора с управляющим р п переходом с каналами л- и р ти- пов проводимости 2* 19
Рис 2.4 Проходные характе- ристики МДП-транзистора с каналами п- и p-типов ирово димости Полевые транзисторы с управляющим р-п переходом работают в режиме обеднения канала носителями заряда (независимо от ти- па его проводимости) при изменении напря- жения затвор — исток от нулевого значения до напряжения отсечки тока стока. На рис. 2.4 приведены проходные вольт- амперные характеристики МДП транзисторов и их условные графические обозначения. В от- личие от транзисторов с управ тяготим р-п переходом, у которых рабочая область со- ставляет от 1Л1ГГ=0 до напряжения запира ния, МДП транзисторы сохраняют високос входное сопротивление при любых значениях напряжения па затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора. При необходимости применения транзисто- ров для выполнения функций, отличающихся от основного назначения, вывод о возможно- сти их использования в этих режимах может быть сделан после измерения параметров транзисторов в этих режимах, ирове депия соответствующих испытании и согласования их параметров в соответст- вии с ГОСТ 2.117—71. В аппаратуре транзистор может быть использован в широком диапазоне напряжений и токов Ограничением служат значения предельно допустимых режимов, превышение которых в условиях эксплуатации не допускается неза- висимо от длительности импульсов напряжения пли тока Поэтому при приме- нении транзисторов необходимо обеспечить их защиту от мгновенных изменений токов и напряжений, возникающих при переходных процессах (моменты вклю- чения, выключения, изменения режимов работы и т. и), мгновенных изменениях питающих напряжений. Не допускается также работа транзисторов в совмещен- ных предельных режимах (например, ио напряжению и току). Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих токах, соизме- римых с неуправляем!П'.1 обратными токами во всем диапазоне температур. Для транзисторов, предназначенных для работы па согласованную нагрузку, при настройке аппаратуры необходимо принимать меры, исключающие возмож- ность работы транзистора на рассогласованную нагрузку. Если полностью это исключить невозможно, то настройку следует осуществлять при пониженном напряжении питания пли пониженной мощности возбуждения. Режимы работы транзисторов должны контролироваться с учетом возмож- ных неблагоприятных сочетаний условий эксплуатации аппаратуры. При измерениях необходимо принимать во внимание колебания напряже- ний источников питания, значение и характер нагрузки иа выходе блока, коле- бания амплитуды и длительности выходных сигналов, уровни внешних воздей- ствующих факторов Для повышения надежности транзисторов при эксплуатации следует выби- рать рабочие режимы с коэффициентами нагрузки по напряжению и мощности в диапазоне 0,7.0,8 Однако следует учесть, что применение транзисторов при малых рабочих токах приводит к снижению устойчивости их работы в диапа- зоне температур и нестабильности усиления во времени Использование более высокочастотных типов транзисторов в низкочастотных цепях нежелательно, так как они дороги, склонны к самовозбуждению и обладают меньшими эксплуа- тационными запасами. Дли коэффициентов загрузки менее 0,5. .0,6 надежность работы транзисто- ра практически не зависит от режима работы Для повышения надежности параллельно соединенных транзисторов реко мендуется транзисторы располагать па общем теп юотводе, в цепи эмиттеров и баз включать резисторы, обеспечивать их работу при коэффициентах нагруз- ки ио току 0,5 ..0,6 Для повышения надежности последовательно соединенных транзисторов рекомендуется цепи коллектор эмипер шунтировать резисторами, сопротнв 20
ленис которых в 2 .3 раза меньше эквивалентного сопротивления закрытою транзистора, или стабилитроном, допускающим работу в ждущем режиме, на- пряжение стабилизации которого не более 0 7 0.8 Ukbv- При применении мощных транзисторов необходимо обеспечивать правильный тепловой режим работы, чтобы температура корпуса транзистора была мини- мальной н не превышала допустимой Превышение предельной температуры может привести к тепловому пробою у п перехода. Тепловой пробой возникает вследствие лавинообразного нарастания температуры р-п перехода Во избежа- ние теплового пробоя необходимо улучшать отвод теплоты от транзистора Пра- вильный выбор теплового режима работы снижает интенсивность отказов тран- зисторов. а также обеспечивает стабильность выходных параметров аппаратуры Обеспечение оптимального теплового режима работы транзисторов играет перво степенную роль при создании надежной аппаратуры. Для учета зависимости параметров от температуры в справочнике приво- дя 1ся температурный диапазон применения транзисторов, значения параметров и режимов при различных температурах и их температурные зависимости. В качестве теплоотвода для мощных транзисторов могут использоваться специально сконструированные радиаторы или конструктивные элементы узлов и блоков При этом должна предусматриваться специальная обработка мест крепления транзисторов. Качественное соединение корпуса транзистора с теплоотводом достигается шлифовкой поверхности теплоотвода, смазкой места соединения специальной мастикой плн невысыхающим маслом Для улучшения тепловою контакта рекомендуется смачивать нижнее осно- вание транзистора полпметилсилоксаповоп жидкостью ПМС-100 ГОСТ 13032—77 или теплоотводящей смазкой КП Г-8 I ОСТ 19783—74 Полезным оказывается использование топких прокладок из фольги мягких металлов. Сверление боль- ших отверстий в радиаторе для выводов транзистора уменьшает эффективность отвода теплоты. Площадь теплоотвода S, см2, приближенно можно вычислить по формуле S« 1000/(7?,1П_с>бг), где Л!т(»-с) — требуемое тепловое сопротивление переход — окружающая сре- да, сС/мВт; 6 —коэффициент теплопередачи от теплоотвода в окружающую среду, равный 0,6... 1,5 мВт/см2 "С. Для повышения эффективности отвода теплоты за счет излучения реко мснлуется теплоотвод покрывать черной краской (зачернить). Принудительный обдув теилоогвода, помещение его в проточную жидкость (вода, масло) значительно улучшает охлаждение транзисторов и позволяет сни- мать с них большие мощности. Крепление транзисторов к радиаторам должно обеспечить их падежный тепловой контакт. Особое внимание следует уделить надежному тепловому кон- такту при введении между корпусом транзистора п радиатором изолирующих прокладок Для уменьшения общего теплового conpoi явления лучше пзолиро вать радиатор от корпуса аппаратуры, чем транзистор от радиатора При необходимости электрической изоляции корпуса (коллектора) транзи стора от шасси или геплоичвода между корпусом и теплоотводом рекомендуется ставить прокладку нз оксидированного алюминия пли слюды. Суммарное тепло вое сопротивление переход теплоотвод увеличивается при этом на 0,5°С/Вт па каждые 50 мкм толщины слюдяной прокладки плн на 0,25° C/Вт на каждые 50 мкм толщины слоя оксидированного алюминия. При применении заливки плат компах идами следует учитывать возможное ухудшение теплообмена между транзисторами и окружающей средой Для за- ливки плат следует использовать компаунды, не оказывающие отрицательного химического и механического влияния па транзисторы. Особенностью применения мощных транзисторов является работа этих при- боров в режимах, близких к предельным по температуре перехода. Для обес- печения надежной работы аппаратуры режимы использования мощных тран- зисторов должны выбираться таким образом, чтобы ток п напряжение не вы- ходили за пределы области максимальных режимов На рис. 2 5 приведен ти- пичный вид области максимальных режимов мощного биполярною транзистора. 21
Nett *-4зк.моч Рис. 2.5. Область максимальных режи- мов мощного биполярного транзистора Рис. 2.6. Зависимость постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры Сплошными линиями ограничена область статического режима работы транзи- стора, а штриховыми —импульсного. Область максимальных режимов ограни- чена; максимально допустимым током коллектора (постоянным и импульсным) — область /; максимально допустимой мощностью рассеивания (постоянной и импульс- ной)— область [[; вторичным пробоем — область III; граничным напряжением вольт-амперной характеристики при заданных ус- ловиях на входе—область IV; максимально допустимым обратным напряжением коллектор — эмиттер (постоянным и импульсным) — область V. Область максимальных режимов в справочнике приводится, как правило, при температуре корпуса Г«|, при которой обеспечивается максимальная мощ- ность рассеивания. При увеличении температуры корпуса выше 7К мощность рассеивания определяется с помощью рис. 2.6, а при их отсутств!"! рассчиты- вается по формуле Р.макс = (Тп-Тк) jRr(n-K), где Tn — температура перехода; Тк — температура корпуса (например. Тк2, Гкз и т. д); Rr(n-K) — тепловое сопротивление переход — корпус. При работе транзистора при температуре корпуса Тк2 пли Ткз (см. рис. 2 5) область 7/ перемещается, что соответствует уменьшению мощно- сти рассеивания, определенной графическим путем пли рассчитанной по фор- муле. При повышении температуры корпуса изменяется также положение обла- сти V. 3 laueiiuc предельно допустимого обратного напряжения козлектор — эмиттер (постоянного или импульсного) при росте температуры уменьшается (рис. 2.7). Эта зависимость снимается экспериментально. При переходе от статического режима к импульсному и при уменьшении длительности импульса границы области максимальных режимов перемещаются в сторону больших значений тока и напряжения. Максимально допустимая мощность рассеивания в импульсном режиме свя- зана с максимальной рассеиваемой мощностью соотношением Ри,макс~ (РмпкеРт(п-ку) /Rt u(n —я), где ₽т.п(п-«) — импульсное тепловое сопротивление переход корпус, являю- щееся функцией длительности импульса и скважности (рис 2 6). 22
Рис. 2.7. Области максимальных ре- жимов при различных температурах корпуса Рис. 2.8. Зависимость теплового со- противления переход — корпус от дли телыюсти импульса Чем меньше длительность импульса и больше скважность, тем больше им- пульсная мощность рассеивания, вызывающая разогрев перехода до максимать но допустимой температуры. Области максимальных режимов II и III при этом перемешаются вправо — в область больших значении токов и напряжений. Эти границы определяются экспериментально. Тепловое сопротивление переход — корпус A’rfn-x). °С/Вт, зависит от кон струкцин транзистора и может быть определено из области максимальных ре жимов. Например, для режима Uksi, Iki (см. рис. 2.5) тепловое сопротив ленис /?г(п-к)= (Тп— Тк) f(UK»,lItl). Импульсное тепловое сопротивление переход — корпус связано с тепловым сопротивлением в статическом режиме соотношением Rr.u(n-X>~ (I- КЗ’Axil Низ,ul К,ui) Rttn-xl. Все мощные биполярные транзисторы СВЧ диапазона предназначены для работы в режимах с отсечкой коллекторного тока. Допустимые электрические режимы на постоянном токе (по напряжению и мощности рассеивания), как правило, существенно отличаются от динамических режимов работы.. Приве- денные в справочнике параметры мощных СВЧ транзисторов позволяют поль- зоваться типовой эквивалентной схемой для оценки их эксплуатационных ха- рактеристик. Эквивалентная схема транзистора в активно»! режи*1е показана па рис 2.9 Параметры некоторых элементов, изображенных на схеме, в справочных данных отсутствуют. Это значит, что эквивалентная схема может быть соот- Рис 2.9. Эквивалент пая схема мощногоСВЧ транзистора в активном режиме 23
Рис. 2.10 Вид спектра частот вы- ходного сигнала при измерении ко- эффициента комбинационных состав- ляющих методом двухтонового сиг нала / — основной тон. 2— комбинационные состаалающие 3-1 о порядим; 3 — комби- национные составляющие 5-го порядка вегствующнм образом упрощена. Например, если не приводится последователь- ное сопротивление коллекторе, то это означает малое влияние этого параметра на типовые эксплуатационные характеристики и он может быть исключен из схемы. Приводимое в справочнике значение емкости коллекторного перехода СВЧ мощных транзисторов включает в себя значения емкостей металлизиро- ванных площадок в структуре транзистора и емкостей корпуса. То же отно- сится и к понятию «емкость эмиттерного перехода». Линейные усилительные свойства мощных высокочастотных линейных тран- зисторов характеризуются параметрами, методы измерения которых осиовыва ются на использовании двухтонового сигнала, состоящего из двух гармоничс скнх сигналов. Нелинейные свойства транзисторов в этом случае оцениваются коэффици- ентом комбинационных составляющих третьего и пятого порядков, являющихся отношением наибольших амплитуд соответствующих комбинационных состав- ляющих спектра выходного сигнала (рис. 2.10) к амплитуде основного топа. Между средней мощностью линейного двухтонового сигнала и мощностью в инке огибающей существует соотношение Р„ых~Рвых(п . ,/2. Это соотношение используется для расчета КПД коллектора транзистора в режиме двухголово- го сигнала. В процессе монтажа транзисторов в устройство механические и тепловые воздействия на них не должны превышать значений, указанных в ТУ, так как это может привести к растрескиванию изолятора и, следовательно к нарушению герметичности корпуса транзистора. При рихтовке, формовке и обрезке участок вывода у корпуса транзистора должен быть закреплен таким образом, чтобы в месте выхода вывода из корпуса (изолятора) ои не испытывал изгибающих или растягивающих усилий. Оснастка для формовки выводов должна быть заземлена Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба вывода ирн формовке, должно быть не менее 2 мм, если оно не оговорено в ТУ на кон- кретный тип транзистора. При диаметре вывода не более 0,5 м.м радиус его изгиба должен быть не менее 0,5 мм ирн диаметре от 0,6 до 1 мм — ие менее 1 мм; при диаметре более 1 мм — не менее 1,5 мм. При лужении, пайке и монтаже транзисторов следует принимать меры, исключающие возможность их повреждения из-за перегрева и механических уси- лий При лужении и пайке расстояние от корпуса (изолятора) до места луже- ния и пайки должно быть не менее 3 мм, если в ТУ на конкретный тип тран- зистора не указано иное. Допускается пайка выводов без теплоотвода и групповым методом, если температура припоя не превышает 260+5° С, а время пайки не более 3 с, если в ТУ на конкретный тип транзистора не указано иное Печатные птаты очищают от флюсов жидкостями не портящими покрытие, маркировку и материал корпуса транзистора (рекомендуется спнртобеизиновая смесь). В процессе мошажа, транспортировки, хранения ВЧ и СВЧ биполярных транзисторов и полевых МДП-транзисторов необходимо обеспечивать защиту их от воздействия статического электричества. Способы защиты приведены в ОСТ 11 аА0.336013—73. 24
К числу важнейших предупредительных мер относятся: хорошее заземление оборудования и измерительных приборов, применение заземляющих браслетов (или колец) между телом оператора н землей, антистатических халатов; исполь- зование низковольтных электропаяльников с заземленным жалом При включе- нии транзистора в электрическую цепь, находящуюся иод напряжением, кол- лекторный контакт должен подсоединяться последним и отсоединяться первым. С целью предупреждения появления в процессе настройки цепи мгновенного на- пряжения на коллекторе, превышающего максимально допустимое значение, ре- комендуется проводить ее настройку при понижен ной входной мощности, посте- пенно достигая номинального значения. Полевые МДП-трапзисторы обычно хранят и транспортируют при наличии замыкателей па их выводах. Замыкатели удаляют непосредственно перед вклю- чением (монтажом) транзистора в устройство. При пайке все выводы МДП-тран- зистора должны быть закорочены. При сохранении минимальных значений тока затвора полевых МДП транзисторов необходимо применять меры, предохраняю- щие корпус от попадания флюса и припоя. При выборе лаков или компаундов для заливки плат с полевыми МДП-трапзисторами необходимо учитывать влия- ние этих материалов на ток утечки затвора транзистора. При применении полевых МДП транзисторов в радиоэлектронной аппара- туре необходимо принимать меры для их защиты от электрических перегрузок.
ЧАСТЬ ВТОРАЯ СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТРАНЗИСТОРОВ Раздел третий. Транзисторы биполярные низкочастотные Транзисторы п-р п П701, П701 (А, Б) Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные структуры п-р-п усили- тельные низкочастотные. Предназначены для применения в усилителях и гене- раторах радиоэлектронных устройств Выпускаются в металлостеклянном кор- пусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается па корпусе. Масса транзистора не более 12 г, с крепежным фланцем - не более 16 г. moi. moilA.6i Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 1з'кд“'1О В 7'= + 20эС, /к-0,5 А П701Б 30 100 7=+25° С: /к=0,5 А П701 . .... 10 40 /к =0.2 Л П701А ....... . . 15. .60 7=+125" С. /к=0,2 А П701 . . . . 10..90 /к=0.2 А П701Л ... 15 120 7 = — 55’С, /к = 0.5 Л П701В, не менее . . 15 7--60’ С: /к 0,5 А П701, не менее 6 /к = 0,2 Л П701А, не менее . . . 9 26
Продолжение Модуль коэффициента передачи тока па высокой частоте при Vkb=20 В, /к=0,1 А. /=5 МГц, не менее ... 2,5 Входное напряжение при Пкл=10 В, /к = 0,5 А, не более 4 В Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при 1К~ = 0,5 А, /в=0,1 А, не более ... 7 В Обратный ток коллектора при /?«»= 100 Ом, не более: Б’кВ=40 В П701, П701Б ... .... 100 мкА 1>’кв=60 В П701Л . . . 100 г кА Обратный ток коллектора при /?«,= 100 Ом. не более: более 7=-60 и +25° С, б/кэ*50 В П701, П701А ... 0,5 мА 7= —55 и +20" С, Б’кэ = 50 В П701Б .... 0,5 vA Т= +100° С, Пкэ=50 В П701Б .... 5 мА Р — 4-125° С: икэ=35 В П701..................................3 мА С/кэ-50 В П701Л............................ ... 3 мА Обратный ток эмиттера при UgC — 3 В, не более ... 3 '.’А Предельные эксплуатационные данные Постояннее напряжение коллектор эмиттер1 при /?й,100 Ом: 7=-60 .4-100° С: П701 ......................... 40 В П701А ....................60 В 7--55 .4-100° С П701Б . 40 В Импульсное напряжение коллектор—вмптгер1 при 1^0,5 А, /?б^100 Ом: 7=-60 ..+ 100° С: П701 ....................................... 30 В П701А .... 50 В Постоянное напряжение коллектор — база1: 7=-60 +100° С: П701 .......................... 40 В П701А .............60 В 7= —55...+100°С П701Б . ................40 В Постоянное напряжение эмиттер — база: 7——60. +80°С П701, П701А . . 2 В 7=-55... + 80° С П701Б . 2 В 7=+80. .+120°С 11701, П701А ... . . 1,8 В 7= + Ю0°С П701Б . ....................1,8 В Постоянный ток коллектора...................... . . 0,5 Л Импульсный ток коллектора...........................1 _А Постоянный ток эмиттера......................... ... 0,7 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: с теплоотводом2 ... .............10 Вт без теплоотвода5 .............1 Вт Тепловое сопротивление переход — корпус . . 10 С Вт Тейповое сопротивление переход — среда .... 85° С/Вт Температура р-n перехода ...........................+150' С 3 При Гк=+50 + 130сС рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается по формуле ^Н.м1ксг Вт—ИЗО-ТкУ/Я-пп ку 8 При 7 =+65...+120 СС рассеиваемая мощность коллектора рассчм! ывается по формуле 27
Температура окружающей среды: 11701, II70IA 11701Б П родолжение -60.+ 125° С -55 + 100 °C Падка вывозов транзисторов рекомендуется ие ближе 5 мм от корпуса. Температура пайки не более +280 °C, время касания вывода не более 3 с. П702, П702А Транзисторы кремниевые, мезапланарные структуры п-р-п усилительные Предназначены для применения в выходных каскадах усилителен низкой ча- стоты, переключающих устройствах, преобразователях и стабилизаторах по стояппого напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 2-1 г, с крепежным фланцем—не более 34 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 1Лсв=10 В, /к=1,1 А. не менее: 7к= + 25 и +120“С: П702 ...................................... 25 П702А..........................................Ю Т= -60 С: 11702 .............. .... 10 П702А..........................................5 Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при 17кэ= 10 В. /к=1 Л, / = 1 МГц, не менее 4 Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к 1 Л, h. 0,2 А, пе более: Н702 ....................................... 2.5 В П702А . ... 4 В Образный ток коллектора при С/Кс=70 В, не более: Г=-60’С и ГК = +25°С: П702 ...................................... . 5 мА П702/Х.........................................2,5 мА TV-+ 120'С. II702 ....................................... 10 мА П702А , . ... 5 мА 28
Продолжение Обратный ток коллектор — эмиттер при Лсэ=Ю0 Ом, Uкз = 70 В, не более: Т=-60гС и 7, = +25° С; П702 ....................................... 10 мЛ I1702A ....................... ... 5 мА Т- + 120° С: П702 15 мА П702А .... 7,5 мА Обратный ток эмиттера при (Л>е=3 В, не более: 7\ = + 25°С . . 5 мА Т„ = + 120°С.........................................15 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер и коллек- тор — база 7„-^ + 120°С.........................................60 В Тп- + 150° С......................................30 В Постоянное напряжение эмиттер — база.................ЗВ Постоянный ток коллектора ................2 _А Постоянный ток базы..................................0.5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: с теплоотводом 2: 7»sC+50°C...........................................40 Вт 7х= + 120°С.......................................12 Вт бел теплоотвода 3: Г С+20 °C......................................4 Вт 7'=+ 120° С.......................................0.9 Bi Тепловое сопротивление переход — корпус..............2,5° С/Вт Тепловое сопротивление переход — среда..................33 С/Вт Температура рп перехода .................................+ 150“ С Температура окружающей среды.........................от Т= —60 С до Тк= + 120°C При ГП- + 12О-+15О'С 1Гп~Тк + Кт „ напряжение снижается линейно. 8 При Гк =+50... + I20 °C рассеиваемая мощность коллектор» рассчитывается по ’’клее Bt=(I50-Tx)/RT(„_k1. з При Г-+20..+ 120 СС рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается по фор- Р К.макс» Вт=(150-Г>/ЯТ(п с). КТ 503 (А, Б, В, Г, Д, Е) Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п уни- версальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, опе- рационных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных уст- ройствах Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке Масса транзистора не более 0,3 г. 29
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока и схеме ОЭ при £^кэ=5 В, /э=10 мА. КТ503А, КТ503В. КТ503Д, КТ5ОЗЕ .... 40 120 KT503R, КТ5ОЗГ ... 80 240 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Б\э-5 В, /а = 3 мА, не менее . 5 МГц Граничное напряжение при /а=10 мА, /„^30 мкс, Q>100, не менее КГ503Л. КТ503Б 25 В КТ503В. КТ503Г . 40 В КТ503Д 60 В КТ503Е .... 80 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к — = 10 мА, Л.= 1 мА. не более ... .... 0,6 В типовое значение............................. ... 0,2* В Напряжение насыщения база — эмиттер при 7К=Ю мА. /г=1 мА. не более ..................................... 1,2 В типовое значение ... . 0,8* В Обратный ток коллектора при I-'kh—Ukh.m-ikc, не более 1 .мкА Емкость коллекторного перехода при С/кв = 5 В, f= = 465 кГц, ие более . ....................20 иФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база: К1503А. КТ503Б . 40 В КТ503В KT503I..................................... 60 В КТ503Д...............................................80 В КТ503Е 100 В Постоянное напряжение база — эмиттер..................... 5 В Постоянный ток коллектора . ..............0,15 А Импульсный ток коллектора при t„^I0 мкс. 100 . 0,35 Л Постоянный ток базы.....................................0,1 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т= —-4О...+25°С ... ............. . . 0,35 Вт Температура рп перехода .... ... +125°C Температура окружающей среды.......................... —40. +85°C Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора с ра- диусом закругления 1,5.2 мм, при этом должны приниматься меры, исклю- чающие передачу усилии на корпус Изгиб в плоскости выводов не допу- скается Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса. При папке жало паяльника должно быть заземлено Разрешается производить пайку путем погружения выводов не более чем на 3 с в расплавленный припой с температурой не выше +250°C. 2Т504 (А, Б) Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п переключательные низкочастотные. Предназначены для применения в высоковольтных стабилиза торах напряжения и преобразователях. Выпускаются в металлостеклянном кор пусе с гибкими выводами Тип прибора указывается иа корпусе Масса транзистора не более 2 г 30
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при С/кг, 5 В. /э“0,5 Л: Г— +25° С............................... Т= + 125° С, не менее................... 7"= — 60° С, не менее .... Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при (Укг,—16 В /а=0,05 А Граничное напряжение1 при /э ЗО мА, /и=300мкс, 0^ 100 и 1 мкс, не менее: 2Т504А 2Т504Б . . Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при /к = 0,5А, Гв = 0,1 А Напряжение насыщения база — эмиттер при 1к = -0,5 А. /с=0,1 А Время включения при /к=0,5 А, 0,05 А Время выключения при /к=0,5 А, /г-0.05 А Время рассасывания при /к= 0,5 Л, 1г,-0,05 А Обратный ток коллектора: Г——60...4 25’С: Uкг, = 400 В 2Т504А................ С/кв=250 В 2Т504Б......................... Т= + 125° С. С7кв=250 В 2Т504А, не более . . . . Окп—150 В 2Т504Б, ле более . . . . Обратный ток эмиттера при 47ЭВ = С> В . . . Емкость коллекторного перехода при Пяк=10 В, /—10 МГц . . Емкость эмпттерного перехода при С/ев = 0,5 В, f 300 кГц . . . . ... 15 24*. 100* 8 20 56* ...82* МГц 250 В 150 В 0,2*...0,35*...1 В 0,84*.. 0,92е. 1,6 В 0,043*. 0,06*. 0,1 мне 0,49* 1,5* 3,5 мкс 0,4* 1,7* .2,7 мкс 0,005* 20* 100 мкА 0,005*.. 50*.,.100 мкА 1000 мкА 1000 мкА 0,002* .11*. 100 мкА 14*. 16* 30 пФ 160* 238* 300 пФ 1 При включении напряжений, меньших Пк00.гр, Допускается время нарастания на- пряжения не менее 0,2 мкс Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при ЯкаСЮО Ом: 2Т504А .... ............ 350 В 2Т504Б . . .... 200 В 31
Постоянное напряжение коллектор— база *• 2Т504А . 2T504D................................. Постоянное напряжение эмиттер — база 1 Постоянный ток коллектора2................... Импульсный ток коллектора1-2 при /„^500 мкс. Постоянный ток базы 1 2 . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 с теплоотводом при Г=-60°С до 7\ = +25°С . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора3 без теплоотвода при 7"= —60...+ 25° С . . . , Темпе] атура р-п т ерехода . .............. Температура окружающей среды (корпуса) Продолжение 400 В 250 В 6 В I Л 2 Л 0,5 А 10 Вт 1 Вт + 150° С — 60...+125°С 1 При времени нарастания напряжения не менее 0.5 мкс. 1 Ье превыш ни величины постоянной рассеиваемой мощности коллектора. • При Тк — +25...+125 °C и использовании транзистора с теплоотводом и при 7'=+ 25...+125 °C и использовании транзистора без теплоотвода рассеиваемая мощность коллектора <1 пя астся лииеЯио Расстояние от корпуса транзистора менее 3 мм. до начала изгиба и панки вывода нс Зависимости тока базы от напря- жения база — эмиттер Зависимость статического коэффи- циента передачи тока от тока эмит- тера Зависимость напряжения насыще- ния коллектор — эмиттер от тока коллектора Зависимость напряжения насыщения база — эмиттер от тока коллектора 32
Зависимость статического коэффи- циента передачи тока от темпера- туры Зависимости времени включения, вы- ключения, рассасывания от тока коллектора Зависимости допустимого напряже- ния коллектор — эмиттер от сопро- тивления в цепи база — эмиттер Зависимости допустимой рассеивае- мой мощности коллектора от темпе- ратуры корпуса Области максимальных режимов 3 Заказ № 1004 33
2Т504 (A-5, Б-5) 2150U 5, 2TS0U6 5 Транзисторы кремниевые планар- ные структуры п-р-п переключатель- ные низкочастотные. Предназначены для применения в устройствах управ- ления газоразрядными панелями пе- ременного тока, высоковольтных ста- билизаторах напряжения и преобра- зователях. Бескорпусные с контакт- ными площадками без кристалло- держателя, разделенные или нераз- деленные (на обшей пластине). Тип прибора указывается в таросопрово- дительной документации. Масса транзистора не более 0,002 г параметры Граничное напряжение при /е = 30 мА, <„=300 мкс. нс менее: 2Г504А-5 . . ... 2Т5О4Б 5 ................. Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при UKk 5 В. /а=0,5 А: 7=+ 25 С .................... 7=+ 125° С, не менее........................ 7= — 60° С, не менее . . ... Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=0,5 А, /в=0,1 А.............................. Напряжение насыщения база—эмиттер* при /к = =0,5 А, /Е=0,1 А ... Время включения при /к=0,5 А, /в=0,05 А Время выключения при /к=0,5 А, /в=0,05 А Время рассасывания при /к=0,5 А, /в=0.05 А Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при (Уке=10 В, 7а=0,05 А Обратный ток коллектора 7= ч-25° С- Ukb-400 В 2Т504А 5........................ Uкв=250 В 2Т504В-5........................ 7== - 125' С (7кв=250 В 2Т Ю4А-5 не более . , {/кв=150 В 2Т504Б 5, не более Обратный ток эмиттера при 1/эв=6 В ... Емкость коллекторного перехода при Ukb= 10 В f=10 МГп . . Емкость эмнттерного перехода при {/sb=0,5 В 7=300 кГц....................................... 250 В 150 В 15.. 24* 100* 8 7 0,2* 0,35*...! В 0 84* ..0,92*...!,6* В 0,043*..,0,06*...0,07 мкс 0 49*...1,5*...3 мкс 0,4* ..1 7*...2,25» мкс 40*...56*. .82* МГц 0,005* 20*... 100 мкА 0,005*...50*...Ю0 мкА 1000 мкА 1000 мкА 0,002» 11*. 100 мкА 14*...16* 18* пФ 160* ..238*...300* пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер 1 при /?ба= 100 Ом: 2Т504Л 5 ................................. 350 В 2Т504Б 5 .................................. 200 В 34
Продолжение Постоянное напряжение коллектор — база1; 2Т504.А-5 . . . 400 В 2Т504Б-5 .... 250 В Постоянное напряжение эмиттер — база 6 В Постоянный ток коллектора* 2...................1 А Импульсный ток коллектора2 при /usg500 мкс, Q>2..............................................2 Л Постоянный ток базы2...........................0,5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом3 при Тя = —60...+25 °C .... 10 Вт Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода 4 при Т=— 60. .+25 °C................25 мВт Температура р-п перехода . . . . +150° С Температура окружающей среды . . . —6О...+ 125°С ’ При времени нарастания напряжения не менее 0,5 мкс. 2 Бел превышения постоянной рассеиваемой мощности. 3 При 7\-+25. +125 °C рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается по формуле f’K Вт-(!50-Гк)//?„п_к)-. RT{n—к Должно быть не более 12.5° С/Вт. * При тепловом сопротивлении переход—кристалл не более 5 С/Вт. При монтаже транзисторов в микросхему нагрев кристалла не должен превышать +420 °C. Зависимости тока базы от напряжения база — эмиттер Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера Зависимость напряжения насыще- ния коллектор — эмиттер от тока коллектора Зависимость напряжения насыщения база — эмигтер от тока коллектора 3' 35
Зависимости времени включения, выключения, рассасывания от тока коллектора Зависимости допустимого напряже- ния коллектор — эмиттер от сопро- тивления в цепи база — эмиттер Об 1асти максимальных режимов 2Т506 (А, Б), КТ506 (А, Б) Транзисторы кремниевые планарные структуры л р-п переключательные Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. Выпу- скаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими вы водами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 2 г. 36
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Uke — 5 В /е=0,3 А Г=+25°С 30. 80* 150 Т= + 125° С 2Т506А, 2Т506Б не менее 30 Г««— 60° С 2Т506А, 2Т506Б, не менее 10 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uitb=10 В 78=0,03А 10 17* 21* МГц Граничное напряжение при /8=30 мА не менее 2Т506А, КТ506А 400 В 2Т506Б, КТ506Б . . ... 300 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=0,3 A, /Е=0,03 А.......................... О 15*...0,35*.. 0,6 В Напряжение насыщения база — эмиттер при /к = =0,3 А /в=0,03 А 0,74*. 0,76*...1 В Время включения при {7кэ=200 В, /к=1 А, /в-0,2 Л . . 0,08* 0,19* .0,25' мкс Время рассасывании при Ukb —200 В, /к=1 А /в=0,2 А.........................................0,8*...1,35*...!,56* мко Время спада при 1/кэ=200 В /к 1 А, /в=0,2 А 0,2* ..0.35*. 0,5 мкс Обратный ток коллектора, не более' 7 =+25° С: t/Kb=80b В 2Т506А, КТ506А .... 1 мА D’kb=600 В 2Т506Б, КТ506Б . ... 0,2 мА Т= + 125° С' <7кь=400 В 2Т506А .................0.2 мА Ь'кв--300 В 2Т506Б ... 0,2 мА Обратный ток эмиттера при 7/8Е = 5 В не более . 1 мА Пробивное напряжение коллектор — база при /кво= = 1 мА не менее; 2Т506А . 800 В 2Т506Б .... 600 В Емкость коллекторного перехода при 17кЕ—5 В 25*. 30* 40 пФ Емкость эмиттерного перехода при Т/ЭЕ=1 В 940*. 980*.,.1100 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор—база 2Т506А, КТ506А................................ 800 В 2Т506Б КТ506Б . 600 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rea<10 Ом, <rt//dZ<I600 В/мкс: 2Т506А КТ506А . . . 800 В 2Т506Б, КТ506Б . 600 В Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при /?в.<10 Ом, f„^50 мкс dl//dZ<1600 В/мкс: 2Т506А КТ506Л . . . 800 В 2Т506Б, КТ506Б . . . 600 В Постоянное напряжение эмиттер — база ... 5 В Постоянный ток коллектора . . 2 А Импульсный ток коллектора . .... 5 А Постоянный ток базы . .... 0,5 А Импульсный ток базы . . , 1 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора •: с теплоотводом: 1 Значение Рк u определяется по формуле где К — коэффициент, определяемый из графике. 37
Нродь имение 10 Вт Т= -60<'С...7х = + 25°С 2Т506Л, 2Т506Б и 7'=-45“С...7'я = + 25°С КТ506А. КТ506Б2 . без теплоотвода: 7 = -60..+25сС 2Т506Л. 2Т506Б и 7 = -45...+ 25° С КТ506А, КТ506Б2 . , , Температура перехода . . Температура окружающей среды: 2Г506А, 2Т506Б................................ КТ5С6А, КГ50(>Б............................ 0.8 Вт + 150°С -60е С...Тк= + 125сС -45° С.. 7К=+ 100' С ’ При 1п +25'С (с теплоотведем и без тсплесМвода) Р1( М1КС снижается лнненно. Входные характеристики Зона возможных положений зависимости стати- ческого коэффициента передачи тока от темпе- ратуры Зависимость статического коэффи- циента передачи тока от напряжения коллектор — база 38 Зависимость статического коэффи- циента передачи тока от тока эмит- тера
Зависимость напряжения насыщении коллектор—эмиттер от тока коллек- Зависимость напряжения насыщения база — эмиттер от тока коллектора тора Зависимости времени включения, спада и рас- сасывания от тока кол- лектора Зона возможных положений зависимости про- бивного напряжения коллектор — эмиттер от со- противления в цепи база — эмиттер Зависимости допустимой рассеиваемой мощ- ности коллектора от температуры корпуса Области максимальных режи- мов 39
Зависимости значения коэффициента для расчета допустимой импульсной мощ- ности коллектора от длительности импульса 2Т704 (А, Б), КТ704 (А, Б, В) Транзисторы кремниевые мезаплаиарные структуры п-р-п импульсные. Предназначены для применения в импульсных высоковольтных модуляторах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и впитом. Тип прибора указывается на корпусе. Вывод эмиттера маркируется точкой. Масса транзистора ие более 20 г гГ7ОЬ(А,Б), КТ7ОЪ(А В) Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 7к=2,5 А, /в="1.5 А, не более .................5 В Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=» = 2,5А, /в=1,5 А, не более .... 3 В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: при UKa = 15 В, /к=1 А у___|_ 25' С: 2Т704А 2Т704Б, КТ704А КТ704Б . . . 10 100 КТ7О4В не меиее ... 10 7'= —60° С 2Т704А 2Т704Б 6 10 при 17кв=10 В, /х = 0,5А, Г= + 125°С 2Т704А 2Т704Б . . 6.300 Мо ль коэффициента передачи тока при МГц, Um. 15 В /к—0,1 А, ие менее ... 3 40
Продолжение Обратный ток коллектор — эмиттер при Re>=10 Ом, не более: -|-25о С. {>'«3=1000 В 2Т704'\ ..............5 мА {7кэ=700 В 2Т704Б, КТ704Б ... Б мА «7x3= 500 В КТ704В , . ... Б мА 7=-60 и +125° С: {7x3=700 В 2Т704А ................J0 мА {7хэ=500 В 2Т704Б 10 мА Обратный ток эмиттера при {7ь-э=4 В не более 100 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?ба=10 Ом или смещении UE0= 1,5 В: 2Т704А, КТ704Л ............ 500 В 2Т704Б’ при 7=-10’С до 7x= + 80oC 400 В КТ704Б, КТ704В 400 В Импульсное напряжение коллектор — эмиттер2 при Яв.,=-10 Ом или смещении 17сэ=1,5 В, tu- 1 10 мс, 10 мкс, 0^50 или <и<1 мс, /^>10 мкс, Q>10: 7=-40°C.J«=-l 80° С: 2Т704Л ...................... 1000 В 2Т704Б .................... 700 В Т= -60° С...7’и = + 100°С: 2Т704А ...... 700 В 2Т704Б .......................... 500 В 7=-45° С ..7х = + 85°С: КТ704А ................... 1000 В КТ704Б . . . . 700 В КТ704В .... 500 В Постоянное напряжение база — эмиттер . 4 В Постоянный ток коллектора 2,5 А Импульсный ток коллектора при {«=10 мс, 0^2 4 А Постоянный ток базы 2 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 3. Т=—60°С...7к=+50с’С 2Т704А, 2Т704Б 15 Вт 7-—45’С. 7и=+50°С КТ704Л, КТ704Б, КТ704В 15 Вт Температура перехода ... +125 °C Температура окружающей среды. 2Т704А, 2Т704Б ............ —60 С ..?«= +100 6 КТ704Л КТ704Б, КТ704В........................ -45° С. 7я = +8б"С 1 При Г<-10 С и 7„>+80'С для 2Т701Б икэ ЛОЖС-350 В (для 2Т704А Ыкэ „„KC=500 В во всем диапвзоне темпера гур}. 3 При Г--40...-60°Т и Тя-+80...100 X Ыкэ u яак<. снижается линейно до 700 В для 2Т7О1А и 6Ш1 В для 2Т704Б. ’ При Тх-+50. . + 10СГС для 2Т704А. 2Т704Б и Т„—Ь50...+85’С для КТ704А, КТ704Б, КТ7О4В рассеиваемая мощность коллектора определяется по формуле ^К-макс' к ^Т(п —к? где 7п—максимальная температура перехода: Т„ — температура корпуса ЛГ(п_ж) — тепловое сопротивление переход—корпус» определяемое из области максимальных ре- жимов При конструировании аппаратуры следует учитывать возможность само- возбуждения транзистора за счет паразитных связей Транзисторы крепят к панели ганками Осевое усилие на винт должно быть не более 120 кг. Пайка выводов допускается ие ближе 2 мм от корпуса тран- зистора 41
Зависимости тока базы от напря- жения база — эмиттер Зависимость тока эмиттера от на- пряжения база — эмиттер Зависимость статического коэффи- циента передачи тока от тока кол- лектора Зависимости напряжения насыщения коллектор — эмиттер от отношения тока коллектора к току базы Зона возможных положений зависи- мости емкости коллекторного пере- хода от напряжения коллектор — база Зона возможных положений зави симостн емкости эмпттерного пере- хода от напряжения база — эмит- тер 4
Зона возможны^ положений завнсп- мости статического коэффн шента передачи тока от темпера 1уры Зона возможных положений зависи- мости допустимого напряжения кол- лектор— эмиттер от сопротивления база — эмш тер Области максимальных режимов: с — 2Т704Л, КГ704А; б — 2Т704Б. KT704L; 1 — режим на постоянном токе; // — импульс- ныП режим при Яез^10 Ом или 1ед—1,5 В. r„ — i 10 мс, Q^5O, I^^IO мкс или Гм<1 МС, 0^10, /фЗЯО мкс ГТ705 (А, Б, В, Г, Д) Транзисторы германиевые сплавные структуры п рп усилительные Пред- назначены для применения в усилителях мощности низкой частоты Выпускают- ся в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами Масса транзистора ие более 15 г 43
Г1 ЮЫ А Д1 0 21 Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при L/Kb = 1 В, /а=0,05 А ГТ705А ГТ705В ........................... 30 70 П705Б, ГТ705Г . ................. 50 100 ГТ705Д . 90 250 Предельная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при l/g-a=2 В /к=0,5А не менее ... .... 10 кГц Линейность статического коэффициента передачи тока йгн> при /о=0,05 А К<=; ;—“Z......................... 0,6... 1,5 «21В при /в =1,5 А Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к = 1,5А 7в=0,1 А, не более . . . 1 В Напряжение насыщения база — эмиттер при 1к— = 1,5 А, /о—0,1 А ие более ... 2 В Обратный ток коллектора при 17яБ=20 В ГТ705А, ГТ70аБ ГТ705Д и при UK£=30 В ГТ705В ГТ705Г, не более 0,5 мА Обратный ток коллектор—эмиттер при /?в»=50 Ом, 1/д>=25 В ГТ705А ГТ705Б ГТ705Д и при UKB= =36 В ГТ705В ГТ705Г не более 1,5 мА Обратный ток эмиттера при (7Бэ=10 В ие более 0,3 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при 50 Ом: ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705Д . 20 В ГТ705В, ГТ705Г . 30 В Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при /?сэ=50 Ом, /„<3 мс, Q>10 ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705Д ..... 25 В ГТ705В, ГТ705Г .................35 В Постоянный ток коллектора .............3 5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом, Г= — 40°С...Г„ = +40оС . . 15 Вт без теплоотвода, 7’=—40сС...+35сС . 1,6 Вт 1 При Гк> + 40°С в транзисторах с теплоотводом Г> + 35°С без теплоотвода Р1( макс> Вт-- (+85-Г)/30. Р К,мало- Вт-(+85~Гк>/3, при 44
Продолжение Тепловое сопротивление переход — корпус Тепловое сопротивление переход — среда Температура перехода .................. Температура окружающей среды 3°С/Вт 30сС/Вт +85° С —40°С ГЯ-+5Б°С Допускается подключение выводов ие ближе 6 мм от корпуса любым спо- собом (пайкой, сваркой, пайкой, погружением н т п) при условии, что темпе» ратура в любой точке корпуса не превышает предельно допустимой темпера- туры окружающей среды. КТ710А Транзистор кремниевый мезапланарный структуры п-р-п импульсный. Пред- назначен для применения в высоковольтных стабилизаторах и импульсных уст- ройствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими вы- водами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 61 г 9 ектрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Ukb~ 10 В, /«=4 А, ие менее: Ум = 4-25° С .................3,5 Гж=-60 и +100°С 1,5 Граничное напряжение при /к—0,1 A, L=40 мГн, не менее.................................. 1000 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /х = 4 А, /е=3 А, не более . 3,5 В Время спада при {7хэ=750 В /к—4,5 А, /в=1,8 А Ubb=5 В, типовое значение 8* икс Время рассасывания при Ukb — 750 В 1К 4,5 А, 7в=1,8 A, UtiB=5 В типовое значение , 30* мкс Обратный ток коллектора, не ботее Г=+25°С. t/Kt=3000 В . . 2 мА Т~+ 00° С, 1000 В .........................3 мА Т -60е С, ^кс-ЮОО В . , . 2 мА Обратный ток эмиттера при UEb 5 В ие ботее . 300* мА 45
Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база1 при Л, = -40 .+75° С ....................... 3000 В Постоянное напряжение коллектор —эмиттер1 при /Ля,= 10 Ом, /(<>>4,8 мкс, 7« = -40...+75°С 3000 В Постоянное напряжение база—эмиттер 1аво=300 мА 5 В Постоянный ток коллектора..................... . 5 А Импульсный ток коллектора при /и^10 мс, Q>5 7,5 А II >стоянпая рассеиваемая мощность коллектора 5 при 7 « =— 60...+50 °C..............................50 Вт Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при 7К = + 25°С, Г„= + 125°С, /и<10 мс, Q>5 . . 70 Вт 1 емпература р-п перехода ......................+125° С Температура окружающей среды ..... — 60°С...Тк = + 100°G 1 При Тк-+75...4-100 С и тк------4О...-6О°С 1.КВмпе и 1>кэп.и,«аИс уменьшаются линейно до С'кэо * При Гк —+ 50... + 100 °C Рк м11кс рассчитывается по формуле к,микс- Вт-(125- При конструировании аппаратуры следует учитывать возможность само- возбуждения за счет паразитных связен. Допустимое значение статического потенциала 2000 В Пайка выводов транзистора допускается не ближе 5 мм от корпуса при температуре припоя +260 °C в течение не более 3 с. Выходные характерис- Входные характеристики тики Зависимость максимально допустимого по- стоянного напряжения коллектор — эмиттер от сопротивления база — эмиттер Зависимости напряжений насыщения коллектор — эмиттер и база — эмит- тер от тока базы 46
лектор — эмиттер от дли- тельности фронта ка коллектора Область максимальных ре- жимов КТ715А Транзистор кремниевый мезапланарный структуры п-р-п импульсный Пред- назначен для применения в высоковольтных импульсных устройствах. Корпус металлокерамический с жесткими выводами. Тип прибора указывается па корпусе. Масса транзистора не более 80 г. КТ715А Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при {/к8=10 В, /к-0.2 Л, не менее: Т +25° С .................... 15 Т= + Ю0 и -60° С...........................8 Модуль коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при (7к»=10 В /к=0.2 Л, f=l МГц, не менее 0.45 Граничное напряжение при /к=0,2 A, t=100 мГн, не менее 1500 В 47
Продолжение Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=0,2 А, /в=0,05 А, не более ................. Время спада прн 1/* *в=500 В, /<=0,5 А, /в=0,2 А, 1/вв=б В . ...................... Время рассасывания при £/кв=500 В, /к=0,5 А, /в=0,2 А 1/8в=5 В.............................. Обратный ток коллектора, не более: 7=+25 С, 1/ив=5000 В . , . . . 7=-60 и +100° С, t/кв = 1000 В Обратный ток эмиттера при 1/вв=5 В не более . 3 В 1,3.4,8 мкс 19. .27,5 мкс 1 мА 3 мА 10 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база1 при Т= —40 -75° С .................................. Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора при /„^500 мкс, 050............................................. Постоянный ток базы............................. Импульсный ток базы при tvC500 мкс, Q^50 . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора8 при 7'к = +5О°С ........................... Импульсная рассеиваемая мощность коллектора прн Гя=+50°С . . ................. Температура р-л перехода........................ Температура окружающей среды.................... 5000 В 2 А 2 А 2 А 2 А 75 Вт 3000 Вт + 125°е -60° С T«- + 100°G 1 Ппи Г, —+ 75...+100 °C и Г. ——40...—60 °C снижается линейно до 1500 В К * rlD.JlUnu * При Г„- +50. . + 100 "С Рк рассчитывается по формуле ^К.лахс Вт—(125—Г«)/ЛГ(П_Ж). Входные характеристики Зависимость статическо- го коэффициента переда- чи тока от тока коллек тора Зависимости напряжений насыщения коллектор — эмиттер и база—эмит- тер от тока базы 48
Области максимальных режимов Зависимость времени спада от тока коллек- Зависимость импульсного теплового со- противления переход — корпус от длк тельности импульса КТ801 (А, Б) Транзисторы кремниевые сплавно-диффузиоиные структуры п-р п переклю- чательные Предназначены для применения в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания Выпускаются в металлостеклянном кор* нусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 4 г. KJ8UKA S) 6 4 Заказ № 1004 49
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 1/кв = 5 В, /ж=1 А, не менее: КТ801Л . .... 13.50 КТ801Б ... 30 150 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ при (7дк=10 В, /к = 0,3 А, не менее 10 МГц Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при /к=1 А, /б=0,2 А, ие более ... 2 В Обратный ток коллектор эмиттер при Reo^ 100 Ом, ие более' Г= 40е С и Тк -1-25° С: Uкэ=80 В КТ801Л........................Ю мА UKB=60 В КТ801В........................10 мА Гк-+85°С ПК8=40 В КТ801Л . . ... 20 мА Uкв 30 В КТ801Б..................... 20 мА Обратный ток эмиттера при 1/Эе=2,5 В. не более 2 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?«.,< 100 Ом 7’= —40° С .7 к- + 55° С: КТ801А.................................80 В КТ801Б . . . . . 60 В Тк=+ 85° С: КТ801А'.............................40 В КТ801Б . . . 30 В Постоянное напряжение эмиттер — база . . , 2,5 В Постоянный ток коллектора.................2 Л Постоянный ток базы . . . 0,4 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора •: 7=-40°С..Т« +55° С........................5 Вт Тж=+85° С.................................2 Вт Температура р-п перехода.....................4-150° С Температура окружающей среды.................-6О°С...7’Н = +85°С ’ При —+В5...85 СС напряжение и рассеиваемая мощность снижаются линейно КТ802А Транзистор кремниевый мезапланарный структуры п-р-п универсальный. Предназначен для применения в усилителях постоянного тока, генераторах строчной развертки, усилителях мощности, источниках вторичного электропита- ния. Выпускается в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора ие более 22 г, с накидным фланцем — ие более 34 г. КТ 802А 12 2 ') < 50
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при (7кс=10 В, /к=2 Л, не менее . 15 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ при Г7кв=10 В, /к = 0,5 А, не менее 10 МГц Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при 1к =5 А /б=0,5 Л, не более . . 5 В Обратный ток коллектора при UKd= 150 В, не более: Т=-60°С и 7’х = +25°С........................60 мА Тх = +Ю0°С . . 200 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база . 150 В Постоянное напряжение эмиттер — база ... ЗВ Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при /.^10 мкс. Q>2 . ... . 130 В Постоянный ток коллектора ... . 5 А Постоянный ток базы . 1 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при Тх<+25°С ... ... 50 Вт Тепловое сопротивление переход — корпус . . 2.5° С Вт Температура р-п перехода . . 150 С Температура окружающей среды.....................—25° С. Г» = +100 °C 1 При ГК>+25°С рассеиваемая мощность коллектора рассчи1ывастся по формуле РК махе ®т (I50-I‘K)/RI.(n_K) Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса прибора. При пайке температура корпуса не должна превышать +100°C. Температура пайки не более +260°C, время панки не более 3 с. 2Т803Д, КТ803А Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п универсальные Предназначены для применения в усилителях постоянною тока. юнераторах строчной развертки, источниках вторичного электропитания Выпускаются н металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе Масса транзистора не более 22 г, с накидным фланцем — не более 34 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при иКэ 10 В, /к 5 А Ух = +25° С: 2Т803А .................................... 10. 20* 50 4* 51
Продолжение КТ803А....................................10.70 Г- 60 С 2Т803А . 6 50 Моду ь коэффициента передачи тока на частоте /10 МГц при 1/к8=10 В, /к=0,5 А . . . . 2...3* *...4,5* Отношение статического коэффициента передачи то- ка в схеме с ОЭ, измеренного при С/ке = 10 В, /к= = 1 А, 7Ж- + 125°С, к измеренному при Ukb= 10 В, /к = 5 А Тк = +25°С 2Т803А, ие более ... 3 Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1к=5 Л, /Е=1 А ... 0,5* 175* 2,5 В Статическая крутизна прямой передачи в схеме с ОЭ при {/кэ=10 В, 1к—5 А, не менее 2 А/В Время включения при А,=0,5. .10 мкс, 1/кв = 40 В, /к 6 А . 0,1*.0.3* мкс Время спада при /и=О.5...1О мкс, /7ка = 40 В, /к=6 А ............. .... 0,1*.„0,3* мкс Время рассасывания при Хк(гг=2, /к=1,5 A RH = = 10 Ом, /(. = 10 мкс ..........................0,6*...2,5* мкс Обратный ток коллектор — эмиттер при /?св = 100 0м Тх=+25°С, UKe -70 В 2Т803А, КТ803А 0,0025*...0,4* .5 мА 7=-60°С, /Л<э=70 В 2Т803А, ие более . . 5 мА 7К = + 125СС, /7кв=60 В 2Т803А не бочее . 15 мА Обратный ток коллектора: гл,.=10 в ... ..............од* .зо* зоо* мА /7кв=60 в . . . .... 1,5* 100* .600* мА Обратный ток эмиттера при 1/вд«*4 В 2Т803А .................0,01*.. 2*...20 мА КТ803А . . 0 01* 2* 50 мА Емкость коллекторного перехода при /7кв=10 В, f=0 3 МГц . ... 300* 400* 500* пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при ₽бэ=100 Ом ... . 60 В Импульсное напряжение коллектор — эмиттер 1 при Uca~2 В /,<^10 мкс, Q>2 .... 80 В Постоянное напряжение эмиттер — база . 4 В Постоянный ток коллектора . . . 10 Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: Гк=£+50°С 2Т803А КТ803А* . . . 60 Вт Л, = + 100° С КТ803А . . 30 Вт Гк- +125°С 2Т803А 15 Вт Тепловое сопротивление переход — корпус . . . 1,66® С Вт Темпера: ура р-п перехода ... +150'С Температура окружающей среды: 2 803А ........................-60® С...Тх= +125° С КТ803А . . ....................—40 "С. Гк = +100° С 1 При Гп— + 100..+150 °C напряжение снижается линейно на 10% на каждые 10 °C Температура перехода рассчитывается по формуле Г *° к^^ттп— * При Г„> + 50°С рассеиваемая мощность коллектора рассчитывается по формуле Р к макс' Вт—00— (Гк — 50)//?г(п—к) Пайка выводов транзисторов должна осуществляться при температуре не свыше +275"С в течение не более 3 с на расстоянии не менее 6 мм (2Т803А) и Б iM (КТ803А) от корпуса транзистора. Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем диапазоне температур Не допускается работа транзистора в инверсном режиме. 52
КТ805 (А, Б), KT805 (AM, БМ, BM) Транзисторы кремниевые эпи- таксиальные структуры п-рп пе- реключательные Предназначены для применения в выходных кас- кадах строчной развертки, устрой- ствах зажигания двигателей внут- реннего сгорания и других пере- ключающих устройствах Выпуска- ются в металлостеклянном корпу- се с жесткими выводами (КТ805А, КТ805Б) и пластмассовом корпу- се с гибкимй выводами (КТ805ЛМ, КТ805БМ, КТ805ВМ). Тип прибо- ра указывается на корпусе. Масса транзистора в металло- стеклянном корпусе ие более 24 г, в пластмассовом — не более 2,5 г Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 1/к»=Ю В, /к=2 А, не менее: Т— +25° С ........................................15 Т=-60°С .... ...................5 Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при f=10 МГц, £7хэ=10 В, /х=1 А, не менее ... 2 Напряжение насыщения коллектор—эмиттер, не более: при /к=5 А, /в-0,5 А КТ805А, КТ805АМ . . . 2,5 В при /к=5 А /в=0,5 А КТ805Б КТ805БМ . . 5 В при /к-2 А /в—0,2 А КТ805ВМ . 2,5 В Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=5 А, /в— =0,5 А, не более КТ8О5А, КТ805АМ ................................1,5 В КТ805Б, КТ805БМ, КТ805ВМ.................... 5 В Обратный (пхщгльпый) ток коллектор—эмнттер при /?s»=10 Ом, не более: Т'=+25°С: t/«a.u-160 В КТ805А. КТ805АМ..................60 мА /Укв „=135 В КТ805Б, КТ805БМ, КТ805ВМ . . 70 мА Т= + 100сС: (7к3,и=160 В КТ805А КТ805АМ...................60 мА /7ха,и = 135 В КТ805Б. КТ805БМ, КТ805ВМ . 70 мА Обратный ток эмиттера при Uco 5 В, ие более . . 100 мА Предельные эксплуатационные данные Импульсное напряжение коллектор — эмиттер1 при /и< <500 мс, 15 мс, /?<;,= 10 Ом, 7’„<100°С' КТ805А, КТ805ЛМ ...................160 В КТ805Б, КТ805БМ КТ805ВМ . 135 В 1 Для КТ805А. К1805АМ в схемах строчной развертки телевизоров допускается увеличение импульсного напряжения до 180 В при Тх< + 70°С и /„<15 мс При повы- шении свыше +70 °C напряжение снижается на 10% на каждые 10 °C 53
П родолжение Постоянное напряжение эмиттер — база’................5 В Постоянный ток коллектора ... . . . . 5 А Импульсный ток коллектора прн /и^200 мс, Q—1,5 8 Л Постоянный ток базы .... 2 Л Импульсный ток базы при /ц^20 мс . . . 2,5 А Средняя рассеиваемая мощность коллектора2 при 7\sS + 50°C .............................30 Вт Тепловое сопротивление переход — корпус .... 3,3е С/Вт Температура р-n перехода.......................... +150° С Температура окружающей среды . , . — 60...+100 СС ' В схемах строчной разпержн телевизоров допускается импульсное напряжение до 8 В фи /„=540 мс. а При Г„>+50“С рассеиваемая мощность расечншвается по формуле ^к.я.кс- Вт-(150 Г„)/Лг(п_ж) Пайка выводов транзисторов в металлостекляпном корпусе должна осу- ществляться на плоской части выводов при температуре нс более +260 °C в течение не более 10 с. Панка выводов транзисторов в пластмассовом корпусе должна осущест- вляться при температуре ие более +250 °C в течение не более 3 с на расстоя- нии ие ближе 5 мм от корпуса. Изгиб в плоскости выводов не допускается. КТ807 (А, Б), КТ807 (AM, БМ) Транзисторы кремниевые мезапланарные с/рук гуры п-р-п универсальные. Предназначены для применения в >енераторах кадровой и строчной разверток, усилителях низкой частоты источниках вторичного электрона гания. Выпускают ся в металлопластмассовом (КТ807А, КТ807Б) и пластмассовом (КТ807АМ, КТ807БМ) корпусах с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзисторов К1807А КТ807Б не более 2,5 г, КТ807ЛМ, КТ807БМ— не более 1 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 17ка = 5 В, /к = 0,5 Л Т=+25СС: КТ8О7А, КТ807ЛМ..................................15 45 КТ807Б, КТ807БМ..................................30 .100 7 = 6 85" С КТ807А КТ807АМ ... 20 60 КТ807Б, КТ807БМ 45 150 54
KT807 (АП, БН) Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, не менее......................................5 МГц Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к = =0.5 А, /с=0,1 А, не более..........................1 В Обратный ток коллектор — эмиттер при 1/кэ = Ю0 В Яб;>=10 Ом, не более: 7'=+25’С ........................................... 5 мА Т=+85°С ... .... 15 мА Обратный ток эмиттера при (7вэ=4 В не более ... 15 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при # = 10 Ом или #бэ = 1 КОм и запирающем напряжении эмит- тер — база 0 5В ... 100 В Импульсное напряжение коллектор — эмиттер . . 120 В Постоянное напряжение эмиттер — база . 4 В Постоянный ток коллектора .................0,5 Л Импульсный ток коллектора прн /и<1 мс, и Q>2 . . 1,5 А Постоянный ток базы... 0,2 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при Т— = -40 .+70° С.......................................... 10 Вт Тепловое сопротивление переход — корпус . ... 8° С/Вт Температура р-л перехода..........................................+150° С Температура окружающей среды.................................... 40 + 85°С 1 При Г> + 70°С мощность коллектора рассчитывается по формуле ph,jhokc Вт-(150 Т)/Ят(п к). Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба и пайки вывода не менее 5 мм Радиус изгиба 1,5.2 мм. Пайка выводов должна осуществляться при температуре не более +250 °C в течение не более 3 с. 2Т808А, 2Т808А-2, КТ808А, КТ808 (AM, БМ, ВМ, ГМ) Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п р п переключатель- ные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генера- торах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус тран зисторов 2Г808Л, КТ808А, КТ808АМ — КТ808ГМ металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами Транзистор 2Т808Д 2 — бескорпусиый на металлической молибденовой подложке с защитным покрытием и гибкими вы водами. 55
Масса транзисторов 2Т808А, КТ808А (без накидного фланца) ие более 22 г, КТ808АМ КТ808ГМ —ис более 20 г, 2Т808А2 —не более 0,6 г. 2ТвО8А! Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 2Т808А. 2Т808А2, КТ808Л при (Укэ-3 В. /к = 6 А Г=+25°С . . . .... Ю 15* . 50 Т’= + 125°С 2Т808А и Т- + 100° С КТ8О8Л 10.20* 150 Т- 60° С 6... 10* 50 КТ808АМ КТ808ГМ при UKa=3 В. /к-2 Л 20 125 Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при О'кэ=Ю В, /э = 0,5 А. / = 3,5 МГн, не меиее ... . 2,4 Напряжение насыщения коллектор — эмиттер КТ808АМ—КТ808ГМ при /к=6 А, /в=0,6 Л, не более . . ... 2 В Напряжение насыщении база—эмиттер при /к = 6 А, /в-0,6 Л . - .1* 1,4* 2,5 В Время рассасывания при (/ка=15 В, /к= 6 А, не более .... 2 мкс Обратный ток коллектор — эмиттер при Re3 10 Ом, нс более: Г=+25 и -60° С и (/ке=200 В 2Т808А, 2Т808Л2 и (/кв«= 120 В КТ808А 3 мА 56
Продолжение Т= + 125°С, С'кэ=160 В 2Т808А 2Т808А 2 Т^ + ЮОСС, £/кв=120 В КТ8О8Л . . Обратный ток коллектора КТ808ЛМ—КТ808ГМ при 1/кв=17К8В,.М1111С, 7’=+25° С, не более Обратный ток эмиттера при 1/ев=4 В, не более Емкость коллекторного перехода при (7кс=10 В, /=»1 МГц, не более . . . . 20 мА 50 мА 2 мА 50 мА 500 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер 1 при /?<ъ=10 Ом, Тп<Ю0°С: 2Т808А, 2Т808А2, КТ808А.................. КТ808АМ ........................ КТ808БМ.................................. КТ808ВМ............................... КТ808ГМ Импульсное напряжение коллектор — эмиттер 1 при В или /?л.= 10 Ом /„<500 мкс, /#^30 мкс, 07, Г„< -100° С .................. Постоянное напряжение эмиттер — база: 2Т808А, 2Т808А-2, КТ808А . . . . . КТ808АМ—КТ808ГМ Постоянный ток коллектора . . Постоянный ток базы Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т. = -60 .+50° С: с теплоотводом: 2Т808А 2Т808А-2, КТ808А .... КТ808АМ—КТ808ГМ без теплоотвода 2Т808Л, КТ808А . . . . Тепловое сопротивление переход — корпус . , , Температура р-п перехода.................... Температура окружающей среды: 2Т808А 2Т808А 2. КТ808ЛМ—КТ80ЯГМ , . КТ808А - . • 120 В 130 В 100 В 80 В 70 В 250 В 4 В 5 В 10 А 4 А 50 Вт 60 Вт 5 Вт 2° С/Вт + 150° С -60°С..7’х“ + 125°С -60° С 7’к=+100еС 1 При /„= + 100 +180'С постоянное и импульсное напряжения коллектор — эмит- тер снижаются линейно на 10% на каждые 10'С Температура перехода рассчи ывается по формуле 1 п~тя + РТ(п-к^рк Р»)- Механические усилия на выводы транзисторов не должны превышать 19 62 Н в осевом и 3,43 Н в перпендикулярном направлениях к оси вывода Пайка выводов допускается не ближе 6 мм от корпуса транзистора (от места выхода вывода из компаунда), температура пайки 2Т808А-2 ие более + 250 “С, 2Т808Л КТ808Л, КТ808АМ - КТ808ГМ не более +275 °C в течение не более 3 с Допустимое значение статического потенциала 2Т808А 2 составляет 300 В 2Т809А, КТ809А Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р п переключатель ные. Предназначены дли применения в переключающих н импульсных устрой ствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими вы волами. Масса транзистора без накидного фланца ие более 22 г. Масса накидного фланца не более 12 г. 57
ireOSA I<r9f)9i Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 1/кэ~5В. /К = 2Л: 7=+25’С ................................... 7=+ 125° С................................. Т= -60” С . .............. Модуль коэффициента передачи тока при £/кэ=5 В, /к=0,5 A, f=3 МГц, не менее.................... Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=2 А, 1г.—0,4 А.............................. Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=» -2Л. /в-0,4 А . . . . Время включения при !к 2 Л, Л=0.5 А, /„=10 мкс Время спада при /к=2 Л, /с=0,5А, tu 10 мкс Время рассасывания при /к=2 Л, /в=0,5 А, /„ = = 10 мкс . .................... Обратный ток коллектор — эмиттер при /?бэ=10 Ом, ие более: 7 -25 и -60° С, 1/кэ-=400 В................ Т -1-125° С, С/кэ=300 В . . . . Обратный ток эмиттера при £7вд=4 В, не более Емкость коллекторного перехода при £/кэ = 5 В 15 50* 100 15...50*. 130 10...35*..100 1,7 0,22*. 0,6*...1,5 В 1,03* 1,3* .2,3 В 0,2*...0,25*...0,3* мкс 0,2*...0,25*...0,3* мкс 0,5*...2*...3* мкс 3 мА 10 мА 50 мА 190*...220*...270* пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер * 1 при Яб,= 10 Ом. Г„^ + 100°С..................... Постоянное напряжение база—эмиттер Постоянный ток коллектора ... Импульсный ток коллектора при 100 мкс, 10 Постоянный ток базы . . . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 2 при 7Х = —60...+50’С .... . . . Тепловое сопротивление переход — корпус Температура рп перехода . . . . , . Температура окружающей среды................... 400 В 4 В 3 Л 5 Л 1,5 А 40 Вт 2,5° С/Вт + 150° С -60° С 7Х = + 125°С 1 При Гв= + 100 .+150 °C ^кэя.л.кс снижается линейно на 10% иа каждые 10 ’С. 1 При TB>+50°C Pgf MtlKC снижается в соответствии с формулой Вт-(Г„ 7к) Рт(п Kj- где РТ(п—к> определяется из области максимальных режимов. 58
В импульсных устройствах допускаются перегрузки по мощности рассеива- ния до 300 Вт в момент переключения; при этом длительность перегрузки должна быть не более 0,5 мкс, частота перегрузки — не более 5 кГц, темпе- ратура корпуса—не более +90 °C. В импульсных устройствах допускается В; при этом должно быть: Л, Q>2 f>30 кГц Допускается использование транзистора при !к,и^7 h, Мгновенная мощность при переключении не должна превышать 100 Вт в течение не более 5 мкс н 10 Механические усилия на выводы транзисторов не должны превышать 19,62 Н в осевом и 3,43 Н в перпендикулярном направлениях к оси вывода. Пайка выв< дов допускается не ближе 6 мм от корпуса транзистора. 2Т812 (А, Б), КТ812 (А, Б, В) Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п импульсные. Пред- назначены для применения в импульсных и переключающих устройствах. Кор- пус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами Масса транзистора нс более 20 г. 2Т812(А.Б) , КТ812(А-В) Статический коэффициент передачи тока в схе- ме ОЭ: Т'Я=+25°С: икв=3 В, /к = 8 Л 2Т812А, 2Т812Б 6/ка=2,5 В, /к=8 А КТ812Л, КТ812Б, не менее .......................... ^кэ=5 В, /к = 5 Л KT8I2B Тк = + 125° С, UKs = 3 В, /к 5 Л 2Т812Л. 2Т812Б, ие менее Г,= -60°С, (7кэ=3 В. /х=8 А 2Т812А 2Т812Б, не менее Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при ЬКэ=10 В, /к=0,2 A, f-1 МГц Граничное напряжение при /к=0,1 А, /к.хас= =300 мА L = 40 мГи Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /* = 8 А, /Б-1,6 Л.......................... Напряжение насыщения база—эмиттер при /к = = 8 А, /Е 1,6 А................................ 5 15* 30* 4 10 80* 125* 4 3 3,5...6,5*...8,4* 350 450* 650* В 1* 1,35* 2,5 В 1,8* 2,2*..2,5 В 69
„ Продолжение Время спаде при Пкэ=250 В, ПСэ=4 В. /к = 5 А, Л;=2,5 А 0,22 0.6*.. 1,3 мкс Обратный ток коллектора, не более Г=+25°С, 1/кс=700 В 2Т812Л, КТ812А, UKr.~ = 500 В 2Т812Б, КТ812Б, 1/КЕ=300 В КТ812В 5 мд типовое значение 7 +125° С, 1/кв=400 В 2Т812А, UKr, 300 В 0 5* мА 2Т812Б................. Т=-60°С, 1/кь=500 В 2Т812А, 1/кв = 400 В 10 мА 2Т812Б . ... 10 мА Обратный ток эмиттера не более: 1/ав=6 В 2Т812А, 2Т812Б.................... 50 мА типовое значение ..............................5* мА Usc=7 В КТ812А, КТ812Б, КТ812В . . 150 мА Емкость коллекторного перехода при £Лгв=Ю0 В 70* 85* 100* пФ Предельные эксплуатационные данные Импульсное напряжение коллектор — эмиттер* 1 при Л«э=10 Ом, fu<;20 мкс, мкс, <?>3, Гк«= = —40..+85° С 2Т812А, 2Т812Б и /и^1 мс, (?>10 или /„«S50 мкс, Q>2 КТ812А—2Т812В: 2Т812Л, КТ812А............................. 700 В 2Т812Б, КТ812Б . 500 В КТ812В ... 300 В Импульсное напряжение коллектор — эмиттер1 при /?в»=10 Ом, Л. ^50 мкс, ^>0,3 мкс, <25=2, 7 = = -40 .4-85° С ................................ 350 В Постоянное напряжение база—эмиттер 2Т812А, 2Т812Б 6 В КТ812А, КТ812Б, КТ812В...................... 7 В Постоянный ток коллектора: 2Т812А 2Т812Б 10 А КТ812А, КТ812Б, КТ812В...................... 8 А Импульсный ток коллектора: 2Т812А 2Т812Б Ls=20 мкс. 010............................. 17 А 1и^20 мкс, QZ&2............................ 12 А КТ812А КТ812Б, КТ812В при fBs£l мс, 010 или Л.^50 мкс, (?>2 12 А Постоянный ток базы: 2Т812А, 2Т812Б .................... 4 А КТ812А КТ812Б, КТ812В ....................... 3 А Импульсный ток базы 2Т812А 2Т812Б fu<20 мкс, 10............................... 7 А <«^20 мкс, 0^2 ...... 5 Л КТ812А. КТ812Б, КТ812В прн /„<1 мс, 10 или <в^50 мкс, 0^2 4 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 2Т812А. 2Т812Б при 7я = -б0 + 50°С и КТ812А. 1 При понижении температуры корпуса от —40 до 60 °C и при повышения от +85 до +100 °C и>жаМс линейно снижается до 500 В для 2Т812А и до 400 В для 2Т812Б. прн повышении температуры корпуса от +100 до +125 °C IJКО и макс линейно снижается до 400 В для 2Т812А и до 300 В для 2Т812Б. При ^>0.3 мкс и понижении температуры корпуса от —40 до 60 °C и при «о вышенни температуры от +85 до +125 °C и макс линейно снижается до 300 В 1 При повышения температуры корпуса выше +50 °C Рк Леакс снижается в соот ветствни с формулой ? к, макс- ^к^г(п-я)- Значение Kr(n_Kj определяется из области максимальных режимов. 60
Продолжение КТ812Б, КТ812В при 7\=-45 +50'С . . 50 Вт Температура р-п перехода........................4 150° С Температура окружающей среды: 2Т812А, 2Т812Б .................- 60'С .. Гм = +125° С КТ812А, КТ812Б, КТ812В -45°С ГВ= + 85°С При применении транзисторов в каскадах строчной развертки телевизоров допускается эксплуатация их с коэффициентом загрузки, равным единице по Uк и 1к\ при этом температура корпуса не должна превышать +100 °C Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса 5 мм, темпера- тура пайки не выше +250 °C в течение 3 с. Допустимое значение статического потенциала 2000 В. КТ815 (А, Б, В, Г) Транзисторы кремниевые меза-эпи таксиально-плаиарные структуры п-р-п усилительные Предназначены для при- менения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных уси лителях, преобразователях, импульсных устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора не более 1 г. КТ815(АГ) Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 1/*в=2 В, /к=0,15 А, ие менее: 7=+25° С: КТ815А КТ815Б, КТ815В........................ КТ815Г ...................................... 7=-40° С: КТ815А, КТ815Б, КТ815В....................... КТ815Г . . .................. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при Uks—5 В, /э=0,03 А, ие меиее Граничное напряжение при /»=50 мА, /«=300 мкс. <2^ 100, не менее: КТ815А.......................................... КТ815Б.......................................... КТ815В . . КТ815Г.......................................... Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к== •=0,5А, /е=0,05 А, не более ................ типовое значение . ................ Напряжение насыщения база — эмиттер при /я 0,5 А, ^в=0,05 А, не более . . ................... Обратный ток коллектора при Б,яв*=40 В ие более; 7В = —40. .+ 25° С.............................. 40 30 30 20 3 мГц 25 В 40 В 60 В 80 В 06 в 0,2* В 1,2 В 50 мкА 61
Продолжение ^ч= + ЮО°С ....................................... 1000 мкЛ Входное сопротивление в режиме малого сигнала при ^кв = 5 В, 1к — 5 мА. / = 800 Гц. не менее .... 800 Ом Емкость коллекторного перехода при £/кэ=5 В, /= = 465 кГц, не более......................................60 пФ Емкость эмиттсрного перехода при иЭд=0.5 В, не более 75 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер: Ro-.CIOO Ом: KT8I5A .... ............... КТ815Б . KT8I5B . . . . . . КТ815Г . . ....................... Re, =^оо: КТ815Л............................. КГ815Б................. КТ815В , КТ815Г . ........................... Постоянное напряжение база — эмиттер .... Постоянный ток коллектора . ... Импульсный ток коллектора при 6,^10 мс, 100 Постоянный ток базы.............................. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 npi 7’к =—4О...+25°С: с теплоотводом............................. . . без теплоотвода , .................... Температура р-п перехода......................... Температура окружающей среды .... ' ^к.мтс снижается линейно на ОД Вт/’С с iенлоотводом теплоотвода 40 В 50 В 70 В 100 В 25 В 40 В 60 В 80 В 5 В 1.5 А 3 А 05 А 10 Вт 1 Вт + 125° С -40° С Т«= = +100° С н на 0.01 Вт/°С без И >гиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора с ра- диусом закругления 1.5 2 мм; при этом должны приниматься меры, исклю- чающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается. Пайка выводов транзисторов рекомендуется нс ближе 5 мм от корпуса путем погружения выводов ие более чем на 2 с в расплавленный припой с температурой ие выше +250 °C. Зависимость статического коэффн- циета передачи тока от тока эмит- тера 62 Зависимости напряжений насыщения коллектор — эмиттер и база — эмит тер от тока коллектора
КТ817 (А, Б, В, Г) Транзисторы кремниевые меза эпи таксиально-планариые структуры п-р-п усилительные. Предназначены для при- менения в усилителях низкой частоты операционных и дифференциальных уси- лителях, преобразователях и импульс- ных устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора не более 0,7 г. КТ 817 (А- Г) Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 1Тко=2 В, /э-1 не менее: Т'к=+25 и +100° С ............. 25 7\=- 40° С ... 15 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при £/ке = 10 В, /э=0,25 А, ие менее 3 МГц Граничное напряжение при /в=Ю0 мА, 1и^300 мкс, О >100, не менее КТ817А ...........................................25 В КТ817Б . 45 В КТ817В............................................60 В КТ817Г.................................... .... 80 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=1 А, /с=0,1 А, не более ........................... .... 0,6 В типовое значение . .... 0,15* В Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=1 А, 7в=0,1 А, не более..................................... 15В Обратный ток коллектора при икг.=икоп.маКс, не более 7=+25 и -40° С ... .100 мкА Г= + Ю0сС................................. .... 3000 мкА Емкость коллекторного перехода при Ukb= 10 В, [— = 1 МГц, не более..................................60 пФ Емкость эмнттерпого перехода при 6/Вб=0,5 В, не более 115 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор—эмиттер: йба = °о. КТ817А ... ...................25 В КТ817Б . . . 45 В КТ817В . . . 60 В КТ817Г......................... . . 80 В /?ва^1 кОм: КТ817А ... ... . 40 В КТ817Б . ............................45 В КТ817В . ............................60 В КТ817Г.............................. . 100 В Постоянное напряжение база—эмиттер ... , 5 В Постоянный ток коллектора , 3 А Импульсный ток коллектора при /и^20 мс, 0100 . 6 А 63
Продолжение Постоянный ток базы......................... , . I А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора * при 7х=-60...+25°С: с теплоотводом ..........................25 Вт без теплоотвода.................................... 1 Вт Температура рп перехода ...............................+150° С Температура окружающей среды............................—40° С Тк = = +100’ С 1 При 7'К>+25'С Ркмакс уменьшается линейно на 0.2 Br/’С с теплоотводом и па 0,1 Вт/°С без теплоотвода. Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора с ра- диусом закругления 1,5.2 мм; при этом должны приниматься меры, исключаю- щие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов ие допускается. При монтаже транзисторов на теплоотвод крутящий момент при нажатии не должен превышать 70 Н-см. Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса. Входная характеристика Зависимость статического коэффици- ента передачи тока от тока эмит- тера Зависимости напряжений насыщения коллектор — эмиттер н база — эмиттер от тока коллектора Области максимальных режимов 64
2Т819 (А, Б, В], 2Т819 (А2, Б2, В2), КТ819 (А, Б, В, Г), КТ819 (AM, БМ, ВМ, ГМ) Транзисторы кремниевые меза-эпитакснальио-планарпыс структуры п-р-п пе- реключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключаю- щих устройствах Корпус металлический о стеклянными изоляторами и жест- кими выводами (2Т819.А—2Т819В, КТ8 9АМ— КТ819ГМ) и пластмассовый — с жесткими выводами (2Т819А2—2Т819В2, КТ819А—КТ819Г). Масса транзистора ие более 20 г для 2Т819А—2Т819В, КТ819А1Ч— КТ819ГМ н не более 2,5 г для 2T8I9A2—2Т819В2, КТ819А—КТ819Г. 2TeiS(A2-82), КТ819(А'Г) Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при £/кБ=5 В, /к —5 А, не менее: 7-+ 25° С и Т-ТКМ-1КС: 2Т819А—2Т819В 2Т819А2—2Г819В2, KT819D, КТ819БМ............................. КТ819А, КТ819В, КТ819АМ КТ819ВМ . КТ819Г КТ819ГМ . . . . Т-” мин 2Т819А-2Т819В, 2Т819А2—2Т819В2 КТ819А—КТ819В КТ819АМ—КТ81 ВМ . . КТ819Б КТ819БМ......................... КТ819Г, КТ819ГМ ....................... Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ прн (/кв=5 В, /а = 0,6 А Граничное напряжение при /к=0,1А, tu^300 мкс, О юо КТ819А, КТ819АМ, не менее................ КТ819Б, КТ819БМ 2Т819В, 2Т819В2 , КТ819В, КТ819ВМ, 2Т819Б 2Т819Б2 . . . КТ819Г, КТ819А, 2Т819А, 2Т819А2 . . . Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не более: при /к=5 А, /с=0,5 А 2Т819А—2Т819В, 2Т819А2—2Т819В2 , . . КТ819А—КТ819Г, КТ819АМ—КТ819ГМ . . при (к=20 А, /в-4 А, 2Т819А—2Т819В, 2Т819А2—2Т819В2.......................... при /к = 15 А, /в=3 А КТ819А-КТ819Г КТ819АМ—КТ819ГМ.......................... Напряжение насыщения база—эмиттер при /« = = 5 А, /в=0,5 А ие более: 2Т819А—2Т819В, 2Т819А2—2Т819В2 . , КТ819А—КТ819Г, КТ819АМ—КТ819ГМ . , 20 15 12 10 1 7 3. .5*..12* МГц 25 В 40 60*.. 80* В 6О...8О*...1ОО* В 8О...1ОО*...11О* В 1 В 2 В 1* 2,2* .5* В 4* В 1.5 В 3 В 5 Заказ 1004 65
Продолжение Пробивное напряжение коллектор — база при Т = •=-60...+25°С, /к=1 мА и при Т= + 125° С, /к= = 5 мА, ле менее: 2Т819А, 2Т819А2............................ 2Т819Б 2Т819Б2 ................ 2Т819В, 2Т819В2 ................. Пробивное напряжение коллектор — эмиттер при /?с.,^100 Ом, /к=1 мА, не менее: 2Т819А 2Т819Б ... 2Т819В . .... Пробивное напряжение эмиттер — база при Is — =5 мА, ие менее . .................... Обратный ток коллектора при UKC=40 В КТ819Л— КТ819Г, КТ819АМ—КТ819ГМ не более: Г=- 40...+25°С .................... Г= + 100°С . . . Время выключения прн /д = 5 А, ZB=0,5 А, не более Емкость коллекторного перехода при 6/Кв=5 В Емкость эмнттерного перехода при (7Es = 0,5 В, [=1 МГц, ие более.............................. 100 В 80 В 60 В 100 В 80 В 60 В 5 В 1 мА 10 мА 2 5* мкс 360* 600*... 1000* пФ 2000* пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база: 2Т819А, 2Т819А2 . ... 100 В 2Т819Б, 2Т819Б2 .... . 80 В 2Т819В, 2Т819В2 .... 60 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при flc.sS 100 Ом Г=7’л<11м+5О°С; +40° С для 2Т819А2—2Т819В2 К 819А, КТ819АМ................................40 В КТ819Б, КТ819БМ................................50 В КТ819В, КТ819ВМ . . .... 70 В 2Т819А2, 2Т819Л, КТ819Г КТ819ГМ . 100 В 2Т819Б2, 2Т81ЭБ ... 80 В 2Т819В2, 2Т819В ... .... 60 В Постоянное напряжение база — эмиттер ... 5 В Постоянный ток коллектора. КТ819А—КТ819Г .... 10 А 2Т819А—2Т819В, 2Т819А2—2Т819В2, КТ819АМ— КТ819ГМ 15 А Импульсный ток коллектора при Zu^10 мс, 100 и Q>2 для 2Т819А2—2Т819В2: КТ819А-КТ819Г . . . 15 А 2Т819А2—2Т819В2, 2Т819А—2Т819В, КТ819АМ— КТ819ГМ................................ 20 А Постоянный ток базы . . ЗА Импульсный ток базы при 6,^10 мс, 100 . 5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 прн Г„ = Тк,я.„+25 С i с теплоотводом- 2Т819А2—2Т819В2 . ..... 40 Вт КТ819А—КТ819Г ... 60 Вт 2Т819А—2Т819В, КТ819АМ КТ819ГМ . . 100 Вт без теплоотвода: 2Т819А2—2Т819В2 I Вт КТ819А—КТ819Г.............................1,5 Вт КТ819ЛМ— КТ819ГМ........................... 2 Вт 2Т819Л—2Т819В.............................. 3 Вт 66
Продолжение Температура р-п перехода. 2Т819А—2Т819В, 2Т819А2—2Т819В2 . . . + 150° С КТ819А—КГ819Г, КТ819АМ—КТ819ГМ . . + 125° С Температура окружающей среды: 2Т819А—2Т819В..........................-60’С.. 7K = + 126° С 2Т819А2— 2Т819В2 . . -60° С 7K = +100cG КТ819А—КТ819Г, КТ819АМ—КТ819ГМ . . -40° С . + 100° G 1 Прн Гк>+2о“С для 2Т819А —2T8I9B '’клане Вт— (Г„ Ло)(с-Гм)/1,25 для транзисторов с теплоотводом и ^К.макс- Вт = (ГП11камс — Т)/41,6 — без теплоотвода; для КТ819А — КТ819Г ₽к1Л1ахс умень- шается на 0.6 Вт/°С с теплоотводом и на 0.015 Вт/°С без теплоотвода, для KT8I9AM — КТ819ГМ на I Вт/°С с теплоотводом и на 0.02 Вт/’С без теплоотвода, для 2Т819А2 — 2Т819В2 уменьшается линейно на 0.32 Вт/°С с теплоотводом н на 8 мВт/’С без теплоотвода. Пайка выводов транзисторов рекомендуется ие ближе 5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземлено. Допускается пайка без теплоотвода и пайка групповым методом. Температура припоя +260°C, время пайки не более 3 с, время лужения выводов ие более 2 с. Допустимое значение статического потенциала 1000 В При включении транзистора цепь, находящуюся под напряжением, ба- зовый вывод должен присоединяться первым и отключаться последним. Входная характеристика Зона ского возможных положений зависимости статиче- коэффициеита передачи тока от тока эмит- тера Зона возможных положений зависимо- сти статического коэффициента пере- дачи тока от температуры корпуса Зона возможных положений зависимо- сти напряжения насыщения коллек- тор — эмиттер от тока коллектора 5* 67
Зона возможных положений зависи- мости напряжения насыщения ба- за— эмиттер от тока коллектора Зависимость пробивного напряже- ния коллектор — эмиттер от темпе- ратуры Область максимальных Зависимость коэффициента К от длительности импульса режимов Зона возможных положений зависимо- сти максимально допустимого напря- жения коллектор—эмиттер от сопро- тивления база—эмнттер Зависимость максимально допусти мого напряжения коллектор — эмит- тер от температуры корпуса 68
Области максимальных режимов КТ821 (А-1Г Б-1, В-1) Транзисторы кремниевые меза эпитакси- ально планарные структуры п-р п усили- тельные Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобра- зователях и импульсных устройствах герме- тизированной аппаратуры Оформление бес корпусное с гибкими выводами и защитным покрытием. Каждый траианстор упаковыва- ется в индивидуальную тару Масса транзистора не более 0,02 г л гегил i-6t) 1.6 о.е 00.04 Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Uкб 2 В, не менее: /к 0,15 Л КТ821Л 1, КТ821Б 1.................... КТ821В 1 ................ /к=0,5 Л: КТ821А-1.............................. КТ821Б 1 ....................... КТ821В 1 ................ Отношение статических коэффициентов передачи то- ка в схеме ОЭ при большом (0,2 Л) н малом (0,001 А) значениях тока коллектора при 1/Кв=2В Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при Ukb~5В, /в ”0,03 Л ие менее Граничное напряжение при /к=50 мА /«^300 мкс, Q>100, не менее: КТ821А I................................... КТ821Б 1 .......................... КП821В 1 ...................... Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=0,5 Л, /в=0,05 А........................... Напряжение насыщения база—эмиттер при 1к = -=0,5 А, /Б=0,05 А.....................Г . . Обратный ток коллектора при 17кв = 40 В не более 40 30 35 25 20 1 ..2 4 3 МГц 40 В 60 В 80 В 0,18* 0,6 В 0,8’. 1,2 В 30 мкА 69
Продолжение Выходное сопротивление в режиме малого сигнала при ^жа=5 В, /е—5 мА, /=800 Гц . . . . Емкость коллекторного перехода прн l/ка^б В /=465 кГц...................................... Емкость эмнттериого перехода при (7sb=0.5 В /=465 кГц ..................................... 160’ 800* Ом 45* ..50*...65* пФ 45* .50* . 65* пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер: 100 Ом: КТ821Л-1.................................. КТ821Б I.................................. КТ821В-1.................................. Re,~ оо КТ821А 1................................... КТ821Б I.................................. КТ821В 1.................................. Постоянное напряжение база — эмиттер Постоянный ток коллектора.................. Импульсный ток коллектора прн /и^Ю мс, О 100 Постоянный ток базы............................ Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 в составе гибридной схемы при Т= — 40 ,+25°С Тепловое сопротивление переход — кристалл Температура р п перехода ...................... Температура окружающей среды................... 1 При Т— +25—65 СС Рн —„яс определяется по формуле Вт-(125-7)/1О. Пайка выводов допускается не ближе 3 мм прибора. 50 В 70 В 100 В 40 В 60 В 80 В 5 В 0,5 А 1,5 А 0,3 А 10 Вт 10° С/Вт + 125' С —4 5...+85е С от защитного покрытия КТ823 (Л-1, Б-1, В-11 Транзисторы креминевые меза-эпи- таксиально планарные структуры п-р п усилительные. Предназначены для при- менения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных уси- лителях, преобразователях и импульс- ных устройствах. Бескорпусиые с гиб- кими выводами и защитным покрытием. Каждый транзистор упаковывается в ин- дивидуальную тару. Масса транзистора не более 0.03 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн Ukb=2 В, /к = 1 А, не менее' 7'я = + 25 и +85° С ...... 25 Гк=- 45° С .... 15 Отношение статических коэффициентов передачи тока в схеме ОЭ при большом (1 Л) н малом (0,001 А) значениях тока коллектора прн 1Укэ=2 В 1,6*...2,5* ..4 70
Продолжение Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при UKs—5 В, /к=0,05 А, ие менее Граничное напряжение прн /э = 100 мА, /и^300 мкс, 100, не менее: КТ823А-1....................................... КТ823Б-1.................................... КТ823В-1.................................... Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при /к = 1 А. /д=0,1 Л . ................. Напряжение насыщения база — эмиттер при 1к = = 1 А, /в=0,1 А................................ Обратный ток коллектора, не более: при 7=+25° С, (7кв = 45 В................... при 7=+85°С, (7кв=40 В...................... Входное сопротивление в режиме малого сигнала прн иКэ=5 В, /э=30 мА, /=800 Гц . . . Емкость коллекторного перехода при 17x8 = 10 В, [=1 МГц........................................ Емкость эмпттерного перехода при 1/ос=0,5 В 3 МГц 45 В 60 В 80 В 0,15*...0,2*...0,6 В 0,8*...0,9*...1,5 В 50 мкА 100 мкА 250' 500*.. 1500* Ом 35*...60*...75 нФ 80*. 115*.. 130 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер: Яв,<1 кОм: КТ823А 1 . . . ................ КТ823Б I................................. КТ823В-1................................. Rn, = оо; КТ823А-1................................. КТ823Б 1................................. КТ823В 1................................. Постоянное напряжение база — эмиттер Постоянный ток коллектора ... . . . Импульсный ток коллектора при („^10 мс, 100 Постоянный ток базы .... Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 в составе гибридной микросхемы при Т=- = -40...+25° С................................. Тепловое сопротивление переход — кристалл Температура р-n перехода....................... Температура окружающей среды................... 45 В 60 В 100 В 45 В 60 В 80 В 5 В 2 А 4 А 0,5 А 20 Вт 5° С/Вт + 125° С -45 .+85°G 1 Г—+25 +85 "С Рц макс рассчитывается по формуле Рк.аымс Вт-(125-7,1/5 Допускается 1J( Ла,с—3 А при условии нспревыи1ения мощности. 2Т826 (А, Б, В), КТ826 (А, Б, В) Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-рп переключательные. Предназначены для применения в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах, переключающих устройствах Корпус металли- ческий со стеклянными изоляторами и жесткими выводами Масса транзистора не более 20 г 71
Статический коэффициент передачи в схеме ОЭ при t/кэ—Ю В, /к=0,1 А: ТК=+25°С . • . ..........................10.. 120 7'м=7к микс .................................. 5 300 /\ = - 60° С .... 5...120 Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при /7ка=15 В, /к = 0,1 A, [ = 1 МГц. ие менее: 2Т826В, КТ 826В . . (5 2Т826А, 2Т826Б; КТ826Л, КГ826Б . . . 4 Граничное напряжение при /к=100 мА, L—40 мГн, не менее: 2Т826Л, 2Т826В, КТ826А, КТ826В . . 500 В 2Т826Б, КТ826Б .... 600 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к= = 05Л, /в=0,2 А, ие более . . . . . 2,5 В Напряжение насыщения база —эмиттер при /« — 0,5 А, /г. - 0,2 А, не более . . . 2 В Время спада при С«а=500 В, 1/ве=5 В, /к=0,5 А, /в=* = 0,2 А, не более: 2Т826А, КТ826А ... . . 1,5 мкс 2Т826Б, КТ826Б .... . . 0,7 мкс Обратный ток коллектор—эмиттер при /?вэ= 10 Ом, ие более: 7’К = + 25°С, 1/кэ=700 В...........................2 мА Тк — Тк,м<1ке, Скэ = 300 В . .... 5 мА 7=-60° С, Uкд=500 В................................4 мА Обратный ток эмиттера при Ueb=5 В, не более . . 3 мА Емкость коллекторного перехода при Ukb~ 100 В, f= = 1 МГц, не более .....................................25* пФ типовое значение ... .... 20* пФ Емкость эмиттерного перехода при 1/ва=5 В, f=l МГц, не более ... ............. . 250* пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rs,^ sS10 Ом, 7”^=-60...+75° С............................... 700 В Импульсное напряжение коллектор—эмиттер при Rr.,^ <110 Ом, /и^20 мс, Q>50: /<с^0,2 мкс (скорость нарастания фронта не более 3,5 В/нс), 7„ = - 6О... + 75‘!С..................... 700 В 72
Продолжение tg^\,5 мкс (скорость нарастания фронта не более 0,66 В/нс), 7К = +25°С 1000 В Постоянный и импульсный ток коллектора .... 1 А Постоянный и импульсный ток базы......................0,75 Л Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при г„= — 60...+500 С...................................15 Вт Температура р-п перехода............................150° С Температура окружающей среды: 2Т826А—2Т826В........................... . . . . -60° С. Тк = = + 125° С КТ826А—КТ826В...................................- 60° С... Гк = = + 100° С 1 При Гж>+50гС Рк vaKC рассчитывается по формуле Вт=(150-Гк)/ЯГ(п_к). где /?Т(п_х) — определяется из области максимальных режимов. При Т’Я>+75°С постоянное и импульсное напряжение коллектор — эмит- тер снижаются линейно до 300 В. Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от основания кор- пуса при температуре не более +250 °C в течение не более 3 с. При конструировании аппаратуры следует учитывать возможность самовоз- буждения транзисторов за счет паразитных связей. Зона возможных поло- жений зависимости тока коллектора от напряже- ния база — эмиттер Зона возможных поло- жений зависимости гра- ничной частоты от тока коллектора Зона возможных поло- жений зависимости ем- кости эмиттериого пере- хода от напряжения ба- за — эмиттер жепий зависимости ем- кости коллекторного пе- рехода от напряжения коллектор — база Входные характеристики Зависимость максималь- но допустимого посто- янного напряжения кол- лектор — эмиттер от со- противления база — эмиттер 73
Входные характеристики Зона возможных поло- жении зависимости ста- тического коэффициента передачи тока от тока коллектора Зависимости напряже- ния насыщения коллек- тор— эмиттер от тока базы Зона возможных положений зависимо- сти напряжения насыщения коллек- тор — эмиттер от отношения тока кол- лектора и базы Области максимальных режимов Области максимальных Области максимальных режимов режимов 74
Зависимости импульсного теплового сопротивления переход—корпус от длительности импульса 2Т827 (А, Б, В), КТ827 (А, Б, В] Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные составные струк- туры п-р-п. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, ств- бнлнзаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторите- лях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Масса транзистора не более 20 г. 27827 (А-В), КТ827(АВ) Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схе- ме ОЭ при 1/кя = 3 В, /к=10 А 7=+25сС.................................. Т~ТК.Ч кс не менее....................... 7= — 60° С не менее...................... при б/яэ —3 В, /к = 20 А . Модуль коэффициента передачи тока при б/кэ = 3 В /« = 10 A, f=10 МГц, не менее .... Граничное напряжение при /л=100 мА 2Т827А, КТ827А............................. 2Т827Б, КТ827Б............................. 2Т827В, К1827В............................. Напряжение насыщения коллектор — эмиттер: /к= 10 А, /д=40 мА /к--20 А, /б=200 мА ....................... Напряжение насыщения база—эмиттер при /к = =20 А, /с=200 мА........................ 750. 6000*. . 18 000 750 100 100...700*...3500* 04 100...110*. 140* В 80.90* 100* В 60 70* 80* В 1* 1 45* .2 В 1,8* 2,4* 3* В 2,6* 3* .4 В 75
Продолжение Входное напряженке база—эмиттер при /к =10 А 1/кэ=3 В . . .............................. 1,6*. .2* ..2,8 В Время включения при /к=10 А, /в=40 мА . . 0,3*. 0,5*. 1* мкс Время выключения при /к=10 А, /в=40 мА . . 3*...4*...6* мкс Время рассасывания прн /к=10 А, /в=40 мА 2*...3*. 4,5* мкс Обратный ток коллектор — эмиттер при 77кэ = ^Йквп.мачс, кОм, Ив бОЛеС! <=+25 и -60°С.................................3 мА 7 = 7х jxnxc • .......................... , 5 мА Обратный ток эмиттера при (7ВЯ=5 В, ие более 2 мА Емкость коллекторного перехода при 7/кВ=10 В 200* . 260*.. 400* пФ Емкость эмиттерного перехода при 7/вв=5 В 160* 180*...350* пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?г-,э=1 кОм и постоянное напряжение коллектор — база: 2Т827А, КТ827А.................................100 В 2Т827Б. КТ827Б ................................80 В 2Т827В. КТ827В................................. 60 В Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при /(^0,2 мкс: 2Т827А, К1827А..........................100 В 2Т827Б, К Г827Б..........................80 В 2Т827В, КТ827В ... ... 60 В Постоянное напряжение база — эмиттер ... 5 В Постоянный ток коллектора . . ... 20 А Импульсный ток коллектора................... 40 А Постоянный ток базы........................ . . 0,5 А Импульсный ток базы........................... . 0,8 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при 7",=—60..+25° С .... 125 Вт Тепловое сопротивление прн UK0— 10 В /к—12,5 А 1.4° С/Вт Температура рп перехода +200°С Температура окружающей среды: 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В .............-60°С 7«= + 125°С КТ827А, К1827Б. КТ827В.....................-6О’С...7\ = +100° С 1 При 7К>+25'С РЕ микс определяется по формуле ^к.мачс- где RT(n_K определяется из области максимальных режимов Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса при температуре припоя +260 °C в течение не более 3 с. 2Т827[А В) КТ827ИВ кий ретин 1>*200”С \ 21BV6.KJB27b ад гтегп KTS27A д 1 Ю 1 1 1 / ! h 5ВЮ 20 WUta.B Области максимальных режимов Области максимальных режимов Области максимальных режимов 76
Области максимальных Зависимости импульсного теплового сопротив- ления переход — корпус от длительности им- пульса режимов Выходные характеристи- Входные характеристики ки Зона возможных поло- жении зависимости ста- тического коэффициента передачи тока от тока коллектора э1 Зависимости напряже- ний насыщения коллек- тор — эмиттер и база — эмиттер от тока коллек- тора Зона возможных поло- жений зависимости мо- дуля коэффициента пе- редачи тока от тока коллектора Зона возможных поло- жении зависимости по- стоянного напряжения коллектор—эмиттер от сопротнвенпя база — эмиттер 77
2Т828 (А, Б), KT828 (А, Б] Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п импульсные. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания, вы- соковольтных переключающих устройствах. Корпус металлический со стеклян- ными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 20 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Uks=5 В, /к = 4,5 А, не менее............... типовое значение ........................... Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при 7/кв=20 В, /к=100 мА, f=l МГц, не менее ................................ типовое значение ... Граничное напряжение при /к=0,1 A, Z.=40 мГи, не менее: 2Т828А, КТ828А 2Т828Б КТ828Б . . . . . Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=4,5 А, 1б=2 А: Т„ = +25° С .... Т— 60 С и TK — i клаке, не более Напряжение насыщения база—эмиттер при /к = =4,5 А, /с=2 А . . . ............. Время включения при 1/кэ=500 В 1к=4,5 А, 1в= = 1,8 А, не более ........................... типовое значение Время рассасывания при 1/кэ=500 В, /к=4,5 А /в=1,8 А, не более . . . . типовое значение Время спада при UKb=500 В ZK = 4,5 А, Аь=1,8 А не более........................... . типовое значение ........................ Обратный ток коллектора при Ukb Оквп.и.мак не более . . . ... Обратный ток коллектор — эмиттер при /?с,= 10 Ом не более Л, = + 125° С, Uкв = 500 В для 2Т828А и UKB =400 В для 2Т828Б 7'--60° С, DK»=800 В для 2Т828А и Ukb = 600 В для 2Т828Б ....................... 2,25 4* 4 7* 700 В 600 В 0 5* 1* 3 В 5 В 0,95*...1*...3 В 0,55* мкс 0.4* мкс 10* мкс 5* мкс 1,2 мкс 1* мкс 5 мА 10 мА 5 мА 78
Продолжение Обратный ток эмиттера при vra = 5 В, не более . 10 мА типовое значение................................1* мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при /?в,= 10 Ом, Л = -60...+85° С 2Т828А, КТ828А . 800 В 2Т828Б, КТ828Б . . 600 В Импульсное напряжение коллектор — эмиттер2 при Ябэ=10 Ом, /„^40 мкс, 0^10, /^>3 мкс, dU/dt^g. СО,46 В/нс для 2Т828Л, КТ828Л и 0,4 В/нс дли 2Т828Б, КТ828Б при Тк = -40 ,.+85°С и 0,3 и 0,26 В/нс соответственно при Тк = — 60°С...7'х ,jttaxc> 2Т828А, КТ828А................................ 1400 В 2Т828Б, КТ828Б................................ 1200 В Постоянное напряжение база—эмиттер ... 5 В Постоянный ток коллектора.......................5 Л Импульсный ток коллектора при /ИСЮ мс, 02 7,5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк = -60 ..+50° С . . ................ 50 Вт Температура р-п перехода ...........................+150° С Температура окружающей среды: 2Т828А, 2Т828Б.................................-60° С. Т„ = + 125° С КТ828А, КТ828Б .................-60° С .7\ =+100° С 1 При 7'к>+85 С иКЭПяакс для 2Т828Л. КТ828А снижается линейно до 5U0 В, 2Т828Б, КТ826Б — до 400 В. ’ При изменении Тк от —40 до —60'С и увеличении Тк от +65 до маке UirnnДля 2Т828А, КТ828А снижается линейно до 1000 В, 2Т828Б. КТ828Б — С//С U 1 ,HUnC до 800 В. Импульсное напряженке коллектор—эмиттер при /^^0,3 мкс Q3=2, /и<40 мкс (dU^g/dt <2,3 В/нс для 2Т828Л, КТ828А и dU/dt^'i. Вис для 2Т828Б, КТ828Б) сни- жается линейно до 700 В для 2Т828А, КТ828А и до 600 В для 2Т828Б, КТ828Б при 7Ж<+85ГС. При 7'х-+85СС...7„ мокс это напряжение снижается линейно до 500 В для 2Т828А, КТ828А н до 400 В для 2Т828Б. КТ828Б (dUKB/dt< 1.65 Вне для 2Т828А, КТ828Л и <«7ив/<й<1,33 В/нс для 2ТЯ28Б, КТ828Б). Для улучшения теплового контакта рекомендуется смачивать нижнее основание транзистора полнметилсилоксановой жидкостью ИМС 100 ГОСТ 13032—77. Зависимость максимально допустимого постоян- ного напряжения коллектор — эмиттер от сопро- тивления база — эмиттер 79
Зона возможных положений зависимости стати- ческого коэффициента передачи тока от тока коллектора Выходные характеристики Зависимость напряжения насыщения база — эмит- тер от отношения тока коллектора и тока базы Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмиттер от отношения тока коллектора и тока базы Зона возможных поло- жений зависимости ем- кости коллекторного пе- рехода от напряжения коллектор — база Зона возможных положений зависи- мости емкости эмигтерпого перехо- да от напряжения база — эмиттер Зависимость максимально допусти- мой постоянной рассеиваемой мощ- ности коллектора от температуры корпуса 80
Область максимальных Зона возможных поло- режимов женин зависимости вре- мени рассасывания от тока коллектора Зона возможных поло- жений зависимости вре- мени спада от тока кол- лектора КТ829 (А, Б, В, Г] Транзисторы кремниевые меза- планарные структуры п-р-п состав- ные усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора ие более 2 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Uks—3 В, /к=3 А, не менее: Тк =+25 ..+85° С .................................750 7к-=-40°С ................................100 Модуль коэффициента передачи тока при 1/кэ=3 В, /к — —3 A f=10 МГц, не менее . ... 0,4 Граничное напряжение при /к=100 мА, не менее: КТ829А................................................100 В КТ829Б..............................................80 В КТ829В..............................................60 В КТ829Г..............................................45 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к = —3,5 А, /с=14 мА, не более............................. 2 В 6 Заказ № 1004 81
Продолжение Напряжение насыщения база — эмиттер при /к 3,5 А, /в=14 мА, не более...................... . . 2,5 В Обратный ток коллектор — эмиттер при икок—Пкеп.макс, Res<l кОм, ие более: Тк = +25 и -40°С . . . .... 1,5 мА Тк = +85° С ..................................... ЗмА Обратный ток эмиттера прн 1/Бэ=5 В, не более . . 2 мА Емкость коллекторного перехода при Uk = 1/кБ,л<пке, не более . , .... 120 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при 1 кОм, постоянное напряжение коллектор — база: КТ829А........................................... КТ829Б.......................................... КТ829В.......................................... КТ829Г . . . ................... Постоянное напряжение база — эмиттер................ Постоянный ток коллектора . . . . . . Импульсный ток коллектора при /„<500 мкс, ОЭ510 Постоянный ток базы..................... Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при 7'х--40...+25°С ... ................ Тепловое сопротивление переход — корпус .... Температуре р-n перехода............................ Температура окружающей среды........................ 100 В 80 В 60 В 45 В 5 В 8 А 12 А 0,2 А 60 Вт 2,08° С/Вт +150° С — 40° С...7'к = = +85° С 1 При Гк—+25...+85 "С рассчитывается по формуле Рк.мапс. Вт-(150-Тя)/2,08. Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса; при этом температура корпуса не должна превышать +85 °C. Электрическая схема транзистора 82 Входные характеристики
Зона возможных поло- жении зависимости ста- тического коэффициента передачи тока от тока коллектора Зона возможных поло- жений зависимости об ратного тока коллекто- ра от температуры Зона возможных поло- жений зависимостей на- пряжений насыщения коллектор — эмиттер и база—эмиттер от коэф- фициента насыщения Зависимости постоянного напряжения коллек- тор эмиттер от сопротивления база — эмиттер Области максимальных ре- жимов 6’ 83
2Т831 (А, Б, В, Г), 2Т831 (В-1, Г-1) JTB31 IB 1. r i) Транзисторы кремниевые меза-эпитакснально планарные структуры п-р-п усилительные Предназначены для примене- ния в усилителях мощности, преобразователях. Корпус 2Т831А — 2Т831Г металличе- ский со стеклянными изолято- рами и гибкими выводами; 2Т831 В-1, 2Т831Г 1 — бескор- пусныс с защитным покрытием и гибкими выводами. Масса транзисторов 2Т831А—2Т831Г не более 2 г, 2T83IB 1, 2Т831Г-1 —не более 0,03 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Укв=1 В /е=1 А (ПкБ=2 В для 2Т831В 1, 2Т831Г 1): Г=+25°С- 2Т831(А—В) .... . . 2Т831Г . . . . 2Т831В-1 2Т831Г 1 ................ Т= 7 .чпке; 2Т831А—2Т831В, не менее .... 2Т831Г, не менее . ................ 21831В-1, 2Т831Г-1 . . . . T=-60°C 2Т831А—2T83IB, не менее . . . Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при 1/кс=5 В, /»=0,05 А 2Т831Л—2Т831Г.............................. 2Т831В 1, 2Т831Г 1...................... 25. .42*.. 200* 20*..23*...150* 25..200 25 20 25. 220 10 4.25* 50* МГц 4 10* 15* МГц 84
Продолжение Граничное напряжение при /а=0 1 А, /«^300 мкс, 100, । е менее. 2Т831А . , . . 25 В 2Т831Б .........................45 В 2Т831В, 2T83IB 1...........................60 В 2Т831Г, 2Т831Г1.............................80 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 7к=1 Л, /Б=0,1 А 0,15* .0,37* . 0,6 В Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=1А, 7л=0,1 А 0,8*. 0,95*.. 1,3 В 2Т831Г, не менее . . 7 2Т831В 1, 2Т831Г-1 . 15.200 Пробивное напряжение коллектор — база, не менее: при 7 = -60 н +25° С 1Кц 0,1 мА: 2Т831Л............................................35 В 2Т831Б..........................................60 В 2Т831В, 2Т831В 1...............................80 В 2Т831Г, 2Т831Г-1 100 В при Т-Тм„кс, 1кв=3 мА 2Г831Л 35 В 2Т831Б . ..........................60 В 2Т831В, 2Т831В-1......................... . 80 В 2Т831Г, 2T83IГ I............................. 100 В Пробивное напряжение эмиттер — база при 1иво= = 1 мА, не менее...................................... 5 В Обратный ток коллектора при Г’кс -80 В 0,1*. 10*...100* мкА Обратный ток эмиттера при Uois- 5 В ... 20 .500.1000 мкА Время включения прн иКэ~30 В, /к I А, 7в=0,1 А 0.3* . 0,5* 0,8 мкс Время выключения при Ukit 30 В, 1к~ 1 А /д — 0,1 Л . 1*...1,5*...2 мкс Время рассасывания при 6Лкэ = 30 В, /к=1 А, /Е — 0,1 А не более 1 мкс Емкость коллекторного перехода при UKb~ 5 В, f=l МГц 35*. 41* .150 пФ Емкость эмиттерпого перехода при 6/эе = 0,5 В, f = l МГц........................................... 60* .230*.„350 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база. 21'831 А 35 В 2Т831Б 60 В 2Т831В, 2Т831В-1................................80 В 2Т831Г 2Т831Г-1 100 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rn.sgl кОм: 2Т831А...............................................30 В 2Т831Б . . . 50 В 2Т831В 2T83IB ! . . . 70 В 2Т831Г, 2T83I1 I . . . 90 В Постоянное напряжение эмиттер —база ... 5 В Постоянный ток коллектора.................... 2 А Импульсный ток коллектора.................... 4 Л Постоянный ток базы.......................... 1 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Гк = —60 f-25°C: с теплоотводом- 2Т831А 2Т831Г.........................................5 Вт 85
Продолжение 2Т831В-1, 2Т831Г 1 *, бесконечный теплоотвод 25 Вт без теплоотвода .................... 1 Вт Температура р п перехода ..........................+150° С Температура окружающей среды: 2Т831А—2Т831Г . . ..............-60°С...7',= + 125°С 2Т831В-1, 2Т831Г-1 ....................-60°С. Т„ = + 100°С 1 При 7к=+25. .+ 100 °C Рк л1„хс для 2Т831В 1. 2Т831Г-1 с теплоотводом рассчи- тывается по формуле РИ.м«пс Вт-(Тл-Тх)/(5+ЛГ(л_я)> Для 2Т831В 1, 2Т831Г 1 при длине выводов 1>5 мм /кмакс^^Н- Пайка выводов 2Т831А — 2Т831Г допускается не ближе 3 мм от корпуса. Температура пайки не более +260 °C в течение не более 3 с. Допустимая температура монтажа транзисторов 2Т831В-1. 2Т831Г-1 в гиб- ридных микросхемах не должна превышать +230 °C в течение не более 10 с. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Зона возможных положений зави- симости статического коэффициента передачи тока от температуры кор- пуса Зона возможных положении зави- симости напряжения насыщения кол- лектор— эмиттер оттока коллектора Зона возможных положений зависи- мости напряжения насыщения ба- за— эмиттер от тока коллектора Зона возможных положений зависимо- сти пробивного напряжения коллек- тор — эмиттер от сопротивления база — эмиттер 86
6(,ИЛС Bl И явп Bl Зависимость максимально допусти- мой постоянной рассеиваемой мощ- ности коллектора от температуры корпуса Зависимость максимально допусти- мой постоянной рассеиваемой мот ности коллектора от температуры Области максимальных режимов Выходные характеристи- ки Входные характеристики Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора Области максимальных режимов 87
Зависимости коэффициента К от длитель- ности импульса 2Т834 (А, Б, В), КТ834 (А, Б, В] Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р п составные усили- тельные Предназначены для применения в регуляторах тока и напряжения, в переключающих устройствах. Корпус металлический со стеклянными изолятора- ми и жесткими выводами. Масса транзистора не более 22 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: при В, /я —5 А: 7-к=+25° С.................................. 7'и = 7’я..м<1кс не менее................... ТК = Тх,.чин* нс менее при {/яэ = 5 В, 7к=10 А, 7'к = + 25°С Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при 1/кэ = 5 В, /к=5 Л, f— 1 МГц Граничное напряжение при /к=0,1 A, L=25 мГн: 2Т834Л, КТ834Л . . ............... 2Т834Б, КТ834Б................................ 2Т834В, КТ834В ............................... Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к-15 А, /с=1,5 А Время спада прн Г/кэ=250 В, 1/к»=5 В, /я=10 А, Ir. 1 А Обратный ток коллектор — эмиттер при ЮОО.м: 7'к=+25°С, Uk3h=Ukor ,л<акс> не более типовое значение .................................. 150 500*.. 3000* 150 50 60 250*... 1250* 4* 5*...7,8* 400 450* 490* В 350...375*. 440* В 300 340*. .375* В 1,2* 1,5*...2 В 0,25*..0,6*...1,2 мкс 3 мА 0,2* мА 88
Продолжение Тп = Тк макс, UКЭН^ ПXDR.u,MinCf Не бОЛСв • 3 мА Тя = Тк хин, икэп=икэп.и.макс, не более . . 3 мА Обратный ток эмиттера при С/вэ = 5 В, не более . 50 мА типовое значение......................... . . 25* мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер 1 при Яс, = 100 Ом, '/’к = -40. .4-85° С: 2Т834А, КТ834А ...... 500 В 2Г834Б, КТ834Б................................. 450 В 2Т834В, КТ834В ............................. 400 В Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при /?вэ=100 Ом, 2s 0,2 мкс: 2Т834А, КТ834А .............................. 400 В 2Т834Б, КТ834Б................................ 350 В 2Т834В, КТ834В .............................. 300 В Постоянное напряжение база — эмиттер ... 8 В Постоянный ток коллектора . 15 А Импульсный ток коллектора при /„<0,5 мс, Q>100 20 А Постоянный ток базы................................3,5 А Импульсный ток базы прн /„<0,5 мс, Q^IOO 7 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 2 при T'w-—7'«.j4u«e-.+25 С........................ 1 Вт Температура р-п перехода.......................... +150° С Температура окружающей среды: 2Т834А—2Т834В....................................-60° С..ТК~+ 125° С КТ834А—КТ834В................................-40°С...Т„=+85°С 1 При ——40...—60'С и Гя-+85... + 125сС UK0R lt,JKr снижаются линейно до 400 В для 2Т834А. КТ834А; 350 В для 2Т834Б. КГ834Б; 300 В для 2Т834В. КТ834В. При 7„>+25 С Рк..макс. Вт=ип-7'„).'Ят(п к), где Яг(п_к) определяется из об- ласти максимальных режимом. Постоянное напряжение коллектор — эмиттер практически не зависит от сопротивления в цепи база—эмиттер (до 10 кОм). Допустимое значение стати- ческого потенциала 2000 В. Пайка выводов рекомендуется не ближе 5 мм температурой не более +260 °C в течение не более от корпуса паяльником с 10 с. Выходные характеристи- ки Зависимости напряже- ния насыщения коллек тор —эмиттер от тока коллектора 89
Области максимальных режимов Области максимальных режимов Зона возможных положений зависимости ста- тического коэффициента передачи тока от тока коллектора Зона возможных поло жений зависимости на пряжения насыщения коллектор — эмиттер от тока базы Зависимости напряжения насыщения база — эмит- тер от тока коллектора Зависимости статическо- го коэффициента переда- чи тока от температуры корпуса 90
Зависимость граничного напряжения от темпера- туры корпуса Зависимость времени включения от тока кол- лектора Зависимость рассасывания коллектора времсни от тока Зона возможных поло жений зависимости вре- мени спада от напряже- ния коллектор — эмит- тер кол- Зависимость времени на- растания от тока лектора Зона возможных поло- жении зависимости ем- кости коллекторного пе- рехода от напряжения коллектор-база КТ838А Транзистор кремниевый мезапланарный структуры п р-п импульсный Пред- назначен для применения в каскадах горизонтальной развертки телевизоров и вцдеоконтрольпых устройств Корпус металлический со стеклянными изолято- рами н жесткими выводами. Масса транзистора не более 20 г. 91
Электрические параметры Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при 1/кэ=20 В, 4—0,3 A, f=l МГц, типовое значение 3* Граничное напряжение при (я-0,1 А, /. = 40 мГн, не менее 700 В Напряженке насыщения коллектор — эмиттер, не более: при 7"=+25° С /к = 4,5 А, 7С=2 А ... 5 В при Т=—45 и + 100° С, 4=4,5 А, /в 3 А 5 В Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=4,5 А, 1в -2 А. не более ... ................1,5 В Постоянное напряжение эмиттер — база, не менее: /а=0,01 Л . . . ............5 В /в=0,1 Л . . . 7 В Обратный ток коллектор — эмиттер, не более: при Г=+25°С, £/,<э=1500 В, Г/сэ=0 ... 1 мА при Т=-45 и +100°С, </ка=1100 В, [/Б8 = 0 . . 1 мА Время спада прн 7Лкэ=500 В, £/вэ=5 В, /к=4,5 А, /Б= = 1,8 Л, нс более.................... . . . 1,5 мкс типовое значение.................................0,7* мкс Время рассасывания при 7/кэ —500 В, 1/вэ = 5 В, /*= =4,5 А, /к=1,8 Л, типовое значение . . ... 10* мкс Емкость коллекторного перехода при 7/Сэ=5 В, типовое значение . . ................170* кФ Емкость эмпттерпого перехода при 1/Са=5 В, типовое зна чснис............................................ 2200 пФ Предельные эксплуатационные данные Импульсное напряжение коллектор — эмиттер 1 при /?б,< <10 Ом, /„<20 мкс, 1ф~^2 мкс, QJ>4. Гк —— 45-..+75°С................................. 1500 В Т« = + 100°С ...........................1100 В Постоянный ток коллектора..........................5 Л Импульсный ток коллектора..........................7,5 А Постоянный ток базы................................0,1 А Импульсный ток базы................................3,5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора ’ при Т«=- 45 . +05° С: UKB =150 В......................................... 250 Вт /7кэ = 200 В....................................... 200 Вт t/K8 = 300 В........................................150 Вт 1/кэ=400 В..........................................120 Вт Г/кэ-600 В..........................................70 Вт Температура р-п перехода.............................+115° С Температура окружающей среды.........................—45°С...ТК — = +100° С При Тк +95...+100 °C ₽ЯгЛ|ояс, Вт-'(7’п—7-я)«Г(„_К), где Лг(п_к) определяется из области максимальных режимов Пайка выводов транзистора допускается нс ближе 5 мм от корпуса паяль- ником, нагретым до температуры +250 °C, в течение не более 3 с, 92
Входные характеристики Зависимость статиче- ского коэффициента пе- редачи тока от тока коллектора Зависимости напряже- ний насыщения коллек- тор — эмитер и база — эмиттер от тока базы Зависимость импульсного напряже- ния коллектор — эмиттер от сопро- тивления база эмиттер Область максимальных режимов 2Т839А Транзистор кремниевый мсзапланарный структуры п р-п импульсный. Пред- назначен для применения в высоковольтных переключающих устройствах и ис- точниках вторичного электропитания. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами Масса транзистора не более 20 г. 2Т839А 03
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 1/кэ = 10 В /к=4 А, не менее: 7\ = +25°С .................... 5 т шовое значение . . , . 7* * Тп = —60 и + 100°С . . .2 Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при Укэ=20 В, /к=0,3 A f=l МГц. типовое значение 5* Граничное напряжение при /к=0,1 А, £=40 мГн, не менее 700 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн /к=» —4 А, 1Г,=2 А, не более..............................1,5 В Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=4 А, 1г,=2 Л не более .... .................1,5 В Обратный ток коллектора, нс более: + 25 °C 17кв= 1500 . . 1 мА т= + юо°с, иКБ= 1100 В . . . 3 мА Т= 60° С t/*B= 1100 В 1 мА Обратный ток эмиттера прн £/сэ=5 В. не более 10 мА Время спада прн {7кЭ=500 В, 1/ьэ=5 В, !к 4,5 А, !в= = 1,8 А, ие более................... . . 1,5* мкс Время рассасывания при £/кэ=500 В, 1/кэ — 5 В, /<= 4,5 А, 1В 1,8 А, не более .... 10* мкс Емкость коллекторного перехода прн 1/кб—Ю В, типовое зпа 1ение .... . .................... 240* пФ Емкость эмиттерного перехода при UB8=5 В, типовое значение .... . . 4000* пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база *: Тк= 40.+75° С . •............................ 1500 В Г* = -40 ..-60 и +75..+100° С ...................1100 В Импульсное напряжение коллектор — эмиттер* при Лбэ— 10 Ом Г„ = -40...+75°С................................. 1500 В Тк —40..—60 и +75...+ 100°С......................1100 В Постоянное напряжение эмиттер — база .... 5 В Постоянный ток коллектора . .................10 А Импульсный ток коллектора............................10 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора3 при Г«= - 60...+25° С....................................50 Вт Температура р-п перехода........................... . +125° С Температура окружающей среды.........................— 60°С. ,ТК = = +100° С 1 При Тк = — 40...—GO и Гк—+75 +100 "С ^кв.макс снижается линейно. 1 При Тк — -40...-60 и 7'к-=75...+100 °C б'кев и.лакс снижается линейно при мкс. Прн /^<3 мкс Ursru макс снижается до 700 В. • При 7\-+25...+100 °C /’н,^окс. Вт-(7П-7К)/7?Т(П_К), где Ят(п_к) определяется из области максимальных режимов Пайка выводов транзистора допускается не ближе 5 мм от корпуса паяль- ником с температурой не выше +260"С в течение не более 10 с. 94
Зона возможных поло- жений зависимости ста- тического коэффициента передачи тока от тока коллектора Зависимости напряже- ния насыщения коллек- тор — эмиттер от тока коллектора Зависимость напряже- ния насыщения коллек- тор — эмнттер от коэф- фициента насыщения Зависимость напряже- ния насыщения база — эмиттер от тока базы Зона возможных поло- жении зависимости мо дуля коэффициента пе- редачи тока от тока коллектора Выходные характерис- тики Зависимость максималь- но допустимого посто- янного напряжения кол- лектор — эмиттер от со- противления база — эмит- тер Зависимость емкости кол- лекторного перехода от напряжения коллектор — база 95
Зависимость емкости эмиттерпого перехода от на пряжения база — эмиттер КТ840 (А, Б) Транзисторы кремниевые мсзапланарпые структуры п р п переключательные. Предназначены дли применения в переключающих и импульсных устройствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Масса транзистора lie более 20 г. КТвМ(А, Б) 96
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 1/кВ=5 В. /к=0,6 Л..................................... . /к=0 1 А, нс менее Модуль коэффициента передачи тока па высокой частоте при 1/кэ=10 В, /к=0,2 Л, f—1 МГц . . Граничное напряжение при /к=0,1 А, не менее: КТ840А......................................... КП840Б......................................... Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=4 А, /Е=1,25 а . . . . . . . . : Напряжение насыщения база—эмиттер при /в=4 А, /в=1,25 А.......................................... Время включения при t/Be=200 В, /К=2,5А, /в=0 5 А Время спада при £/ко=200 В /к —2,5 А, /в=0,5 А Время рассасывания при иКэ~200 В /в=2,5 А, /в—0,5 А Обратный ток коллектора при б/ВБ = б/кс.лакс’ Л, = +25° С.................................... Тк= —45°С...................................... Тк-+ Ю0С....................................... 10*. 30* 100* 10* 8*...12*. 15* 400* В 350* В 0,4*.. 1*.. 3 В 1,2* 14* 1,6 В 0,08 .0,1*. 0,2* мкс 0,15*...0,3* ..0,6 мкс 0,4* 0,8*. 3.5 мкс 0,1*...0,5*...3 мА 0,5*...1,5*...5* мА 0,5*... 1,5*..5* мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?<,= = 100 Ом: КТ840А .... ..... . 400 В КТ840Б.......................................... 350 В Импульсное напряжение коллектор — эмиттер * 1 при 5/Сэ = = 1,5 В, /и^80 мкс, 1 мкс, У>2: ——20..+100° С КТ840Л ... 900 В 7^=—20...+90° С КТ840Б .... 750 В Импульсное напряжение коллектор — база1 при Л, sg ^80 мкс, 1 мкс, Q>2: 7'к = -20..+ 100°С КТ84ОА.................... 900 В 7\= —20,..+90°С КТ840Б.......................... 750 В Постоянный ток коллектора........................... 6 А Импульсный ток коллектора при /и^20 мкс, Q>3 . . 8 А Постоянный ток базы .... . . 2 А Импульсный ток базы при 0,^20 мкс, Q>3 ЗА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора’ при 1/кО<30 В, Те = -45...+50°С ................ 60 Вт Температура р-п перехода............................+150° С Температура окружающей среды........................— 45°С...7и = - + 100° С При 1К 20...-45 °C 1!]{8п.и.макс " uKB.h.j»qkc снижаются линейна до 759 0 для КТ840Л и до 600 В для КТ84ЧБ. при 7К — +90 И00 °C снижаются линейно до 700 В для КГ84ОБ 1 ПРИ 7к>+5о°с рк,макс- где «Т(п-к| определяется из области максимальных режимов, например при Ыка-'ЗО В A. RT „_я)“1.67 “С'Вт 7 Заказ № 1001 97
Области максимальных режимов Зависимость максимально допусти- мого импульсного напряжения от скважности 2Т841 (А, Б), 2Т841 (А1, Б1] Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. Корпус 2Т841А, 2Т841Б металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами, 2Т841А1, 2Т841Б1 — пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора в металлическом корпусе ие более 20 г, в пластмассо- вом — не более 2 г. 98
гтвч1(Л1, fi) Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Uk3 = q В, /к = 5 А: Т— -4-9^ °C- 2Т841А, 2Т841Б ........................ 2Т841А1, 2Т841В1, ие менее................ Т= — 60° С и Тм„кг, не менее Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при С'кг> —10 В, /к=0,2 А Граничное напряжение при 1к =0,1 А 2Т841А, 2Т841Л1....................... 2Т841Б, 2Т841Б1 ... . . Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к = 5 А, /Б=1 А: 2Т841А, 2Т841Б 2Т841А1, 2Т841Б1, не более.................. Напряжение насыщения база — эмиттер при 1к — =5 Л, /Б=1 А. 2Т841А, 2Т841Б ... .... 2Т841А1, 2Т841Б1, не более . . . . . Время включения при Пкэ=200 В, /к=5 Л, /с= = 1 А, не более . ............. . . типовое значение ................. Время спада при (7кЭ = 200 В, /к=5 А, /в=1 А Время рассасывания при 6/кэ=200 В, /к=5 А, /Е = =1 А, не более .................... типовое значение . . ............. Обратный ток коллектора, не более: Т= 60.+25’С: Пкв^ЬОО В 2Т841А, 2Т841А1 .... Пкб = 400 В 2Т841Б, 2Т841Б1 типовое значение . . ............. Т=Тмак Ь'кь-бОО В 2Т841А, 2Т841А1 12 20* 45* 10 6 10..20+..25* МГц 350...440*...510* В 250. 370*. .450* В 0,25* .0,6* . 1.5 В 1 5 В 0,95* 1,1* .1,6* В 1,8 В 0,3* мкс 0,15* мкс 0,06* . 0.2* .0.5 мкс 3* мкс 2* мкс 3 мА 3 мА 0,04* мА 5 мА 7* 99
Продолжение 6/КБ = 400 В 2Т841Б, 2Т841Б1 .... 5 мА Обратный ток эмиттера при Пвэ=5 В, не более: 2Т841А, 2Т841Б .......................10 мА 2Т841А1, 2Т841Б1 . . 5 мА Емкость коллекторного перехода при Ukb~ 10 В, f=0,3 МГц ........................................ 185*...220*...300* пФ Емкость эмиттерного перехода при Пвэ=1 В, f= =0,1 МГц ............................................. 3000*...3800*...5000* пФ Пре тельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база: 2Т841А, 2Г841А1 . . . 2Т841Б, 2Т841Б1................... Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 прн ПБЭ = 1,5 В для 2Т841А, 2Т841Б, Keas£100 Ом для 21 41А1, 2Т841Б1: 2Т841А, 2Т841А1 . . . 2Т841Б, 2Т841Б1......................... Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при /?ба^Ю0 Ом, Zu=0,5 мкс, ^>0,3 мкс: 2Т841Л ... . . . 2Т841Б ................................... Постоянное напряжение эмиттер —.база Постоянный ток коллектора....................... Импульсный ток коллектора при fu^10 мс, 0>2 Постоянный ток базы.........................- • Импульсный ток базы при /и^10 мс, 0^2 Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: с теплоотводом, Тк = — 60...+25° С: 2Т841А, 2Т841Б . ............. 2Т841Л1, 2Г841Б12......................... без теплоотвода, Т= — 60...+25° С: 2Т841Л, 2Т841Б............................ 2Т841А1, 2Т841Б1 .................... Температура р-х перехода ....................... Температура окружающей среды: 2Т841А, 2Т841Б.............................. 2Т841А1, 2Т841Б1..................... 600 В 400 В 600 В 400 В 500 В 350 В 5 В 10 Л 15 А 2 Л 4 Л 50 Вт 30 Вг 3 Вт 1 Вт + 150° С -60° С. ГК = + 125°С -60е С. ,Гк= + 100°С 1 При мкс Uкв„ д,охс ие ограничивается до иКЭп,.-р для 2TS4IA. 2Т841Б, при dt7<W<250 В/мкс —для 2Г8-п'Л1. 2Т841Б1. ’ При 7'к —+25...+100 °C для 2T84IAI. 2Г841В1 максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора снижается линейно на 0,24 ВтЛС с теплоотводом и на 8 мВтГС —без теплоотвода. Пайка выводов транзисторов допускается ие ближе 5 мм от корпуса, тем- пература припоя не более +260 °C, время панки ие более 3 с. Для транзисторов 2Т841А1, 2Т841Б1 при раздельной панке тепюотводящей поверхности и выводов транзистора пайку осуществлять припоем с температу- рой не более +240 °C, общее время пайки не более 8 с. При монтаже и эксплуатации транзисторов должны быть приняты меры, исключающие воздействие статического электричества выше 1 кВ. 100
Зависимости максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности кол- лектора от температуры корпуса Зона возможных положений зависимо- сти статического коэффициента пере- дачи тока ст тока эмиттера Зависимости напряжений насыщения коллектор — эмнтгер и база — эмит- тер от тока коллектора Зависимость граничною напряжения от темпера туры корпуса Зона возможных положений зависимости пробивного напряжения коллектор— эмит- тер от сопротнвпения база—эмиттер 101
Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллек- тор — база Зависимости времени включения, выключения, спада и рассасывания от тока коллек|Ора Зависимости времени включения, выключения, спада и рассасывания от температуры корпуса Области максимальных режимов И
Области максимальных режимов Зависимость коэффициента К от длительности импульса 2Т844А, КТ844А Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п р-п пере ключательиые. Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах Корпус металлический со стеклянными изоляторами с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 20 г. 103
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ чип Uks = 3 В, 1к~6 А: Гх = +25°С . ........................ Тк= х,.«охс - ... т=тЛ1„м.................................. Модуль коэффнш епта передачи тока на высокой ча- стоте при 11кэ — Ю В, /к=0,5 А, f—З МГн, не менее типовое значение ................. Граничное напри кенпе при /к=0,1 Д, L — 40 мГн, не менее . ........................ Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к — 6 А, /д —0,6 А, не более типовое значение ................. Напряжение насыщения база — эмиттер при /к — = 6 Л, /б=0,6 А, не ботее типовое значение . ... Время рассасывания при (7кз=100 В, /к = 6 Л, 1е — = 1,2 Л, Ueb= — 4 В, не более................... Время спада при 6/кэ=Ю0 В, /к = 6 А, /в-1,2 А, Ueb----4 В, нс более . ... типовое значение .............. Время нарастания при иКв=Ю0 В, /к 6 А, 1в = = 1,2 A, Ueb=— 4 В, не более типовое значение ... Обратный ток коллектор — эмиттер при 6/кэ = 25ОВ, /?б,= 10 Ом. ие более: Тк — +25 С . ........................ типовое зиа icuiie.......................... Гх Гх.лсахс о Т—Тмин ....... Обратный ток эмиттера при Ueb—4 В, не более типовое значение .................. Емкость коллекторного перехода при Uke~ 10 В, f=l МГц ..................................... 10...50 8.. 150 5.. 70 2,4 3 250 В 2,5 В 1,3 В 2,5 В 1,3 В 2 мкс 0,3 мкс 0,15 мкс 0,3* мкс 0,15* мкс 3 мА 0.1 мА 10 мА 20 мА 1 мА 160*. .210* .300* пФ Предельные эксплуатационные данные Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при Пьэ=2 В или /?еэ-Ю Ом . . .... 250 В Постоянное напряжение база — эмиттер . . 4 В Постоянный ток котпектора ..... 10 Л Импульсный ток коллектора........................20 А Постоянный ток базы .... . 4 А 104
ПроОолжение Импульсный ток базы................................... 7 Л Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 с теплоотводом при Тк — Тмии. +50° С . . 50 Вт Температура р п перехода..........................+ 175е С Температура окружающей среды: 2Т844Л . . ... -60°С...7’хл + 125°С КТ844А . . .... — 45° С...7’в= + 100° С 1 При Гк> + 50°С макс вычисляется по формуле рк макс’ 15 “(По- ,) RT(n_K1, где рт(п—х) — определяется из области максимальных режимов. Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса. При пайке темпе- ратура корпуса не должна превышать +125 °C. При отсутствии контроля тем- пературы корпуса пайка осуществляется паяльником с температурой +260СС в течение не более 3 с. Допустимое значение статического потенциала 2000 В Входные характеристики Зона жеипй тпческого коэффициента передачи тока от тока коллектора возможных поло- зависимости ста- Зависимость статическо- го коэффициента переда- чи тока от температуры корпуса Зависимость напряже- ния насыщения коллек- тор— эмиттер от тока базы Зависимость пробивного напряжения коллек- тор — эмиттер от сопро тивления база — эмиттер Зависимость коллекторного от напряжения коллек- тор — база емкости перехода 105
Г„.А Области максимальных режн- Зависимость времени Зависимость времени мов спада от тока кол- рассасывания от то- лектора ка коллектора 2Т845А, КТ845А Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п переключатель- ные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных устрой- ствах Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами Тип прибора указывается на корпусе Масса транзистора не более 20 г. 2Т8Ь5А, КТ8Ъ5А Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при £/кэ=5 В, /к=2 А 7к = +25°С .... 15 .100 7 к = 7 к .«1кс . . . . 8 150 7Тл,и........................................... . 8... 100 106
Продолжение Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при 6/к»=5 В, /к=0,5 А, 1=3 МГи, не меиее . . . 1,5* типовое значение.....................................1.8* Граничное напряжение при /к =0,1 Л, Е=40 мГн, не менее ... .... 400 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к = 2А, /к=0,4 А, не более....................... . . 1.5 В Напряжение насыщения база — эмиттер прн 1К—2 Л. /ь = 0,4 А не более.................................. . 1,8 В Время включения при иКэ~200 В, /к=2 Л, /б = 0 1 А, С/г,э = — 4 В, ие более................................. 0,35* мкс Время рассасывания прн б/кэ=200 В, 1к=2 А, /Е = = 0,4 A, Una = — 4 В, не более 4* мкс типовое значение . . .................2,7* мкс Время спада прн (7кэ=200 В, /к —2 Л, /с=0,4 А С/г.э = = -4 В, не более . 0,35 мкс Обратный ток коллектор — эмиттер при UK3 — 400 В, Ros— 10 Ом, ие более: 7\ =Г.х«..... + 25°С........................................3 мА Тк = Тк..Чакс...........................................10 мА Обратный ток эмиттера при Uc0=4 В, не более . . 15 мА Емкость коллекторного перехода при б/кс = 200 В, f= = 1 МГн, нс б лес.......................................... 45 пФ типовое значение . . ... 35 пФ Емкость эмиттерного перехода при 17вэ=4 В, f=l МГц, ие более . . .............. ................... 2000 пФ типовое значение . ................ 1700 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное и импульсное напряжение коллектор — эмпт сер ' при /?еэ=10 Ом, 7к=+100'С..................... Постоянное напряжение эмиттер база.................. Постоянный ток коллектора ............ Импульсный ток коллектора........................... Постоянный ток базы . . . . . Импульсный ток базы Постоянная рассеиваемая мощность коллектора2 при Тк = = 7 j«uh-+50 °C ... Температура р-п перехода . ................... Температура окружающей среды: 2Т845А .... ....................... КТ845Л 400 В 1.5 А 4 А 40 Вт + 175' С - 6О'С...7К = = + 125'С -45'С...7\ = = -ЫС0°С 1 При Гк> + 10()сС ^кэн.хакс снижается линейно на 10% на каждые 10' С. 1 При Гк>+50'С Рк макс рассчитывается по формуле ^к.-япке’ 1*75 — Гк) RT(n_кр где Rr(n-K) определяется из облает максимальных режимов. При конструировании аппаратуры следует учитывать возможность само- возбуждения транзисторов за счет паразитных связей. Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора' при этом температура корпуса не должна превышать +125'С. При отсутствии контроля температуры корпуса пайка осуществляется паяльником с темпера- турой не более +260'С в течение времени не более 3 с Допустимое значение статического потенциала 2000 В. 107
Входные характери- стик н Зона пнП ского коэффициента пере- дачи тока от тока коллек- воз мо ж и ы X' и олож е зависимости статиче- Завпсимос! и напряже- ний насыщения коллек- тор— эмнтгер и база — эмиттер от тока базы Зависимость коллекторного от напряжения тор — база емкости перехода коллек- Заввсимость эмиттерного напряжения эмигтер емкости перехода от база — Зависимость модуля ко- эффициента передачи тока от тока коллектора Области максимальных режимов Зависимости импульсного теплового сопротивления переход — корпус от длительности импульса 108
Зона возможных поло- жений зависимости вре- мени спада от тока кол- лею ора Зона возможных поло- жении зависимости вре- мени рассасывания от тока коллектора Зона возможных поло- жений зависимости вре- мени включения от чока коллектора КТ846Л 27,2 10,3. . /J Транзистор кремниевый ме- заплаиариый структуры п-р-п импульсный Предназначен для применения в блоках горизон- тальной развертки телевизоров и вилсокоитрольных устройств. Корпус металлокерамический с жесткими выводами Тип при- бора указывается на корпусе. Масса тразистора не более 20 г. Электрические параметры Граничное напряжение при /к=0,1 Л, 7.=40 мГн, не менее .... Напряжение насыщения коллектор—эмиттер, ие более: 7 = +25° С, /к 4 5 А, /б=2 \ Т=—25° С, /к = 4,5 А, /Б=3 А............... 7’= + 100°С, /к 4,5 А, /Б=3 Л Напряжение насыщения база—эмиттер при /к = “4,5 А, 1в=2 А, ие более . . . Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ....................... Время спада при UK 500 В, 1к 4,5 Л /Е = 1,8 А, i7os = 5 В, не более . . ... типовое значение Время рассасывания при L/k=500 В, /к=4,5 А, 7б==1,8 А, Г/бэ = 5 В, ие более типовое значение .......................... 700 В 1 В 25 В 1,5 В 1,5 В 2*. 4*.. 7* МГц 1* мкс 0,7* мкс 12* мкс 10* мкс 109
Продолжение Обратный ток коллектор — эмиттер = 1500 В, /?5,= 10 Ом. ие более: 7=+25’С ... 7=-25 и +95°С . . Емкость коллекторного перехода при 7'кэ. = . . . 1 мА . . . . 2* * мА . . . НО’. 150* .200* пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1 при A’+.sglO Ом . . . ................... Импульсное напряжение коллектор — эмиттер 1 при /^>2 мкс .... ................... Постоянный ток коллектора...................... Импульсный ток коллектора...................... Постоянный запирающий ток базы................. Импульсный запирающий ток базы................. Импульсный ток базы ................ Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 2 при Тк +95° С . . .......................... Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при 1<Р^4,5 мкс, tn — 54 мкс, 7К = + 95°С: О’кэ,и— 150 В................. Пкэ.и =200 В ..... •. . . . 1/кэ.и=300 В..................... Пкэ,м = 400 В . . . Окэ.и=600 В................................ Температура р-п перехода....................... Температура окружающей среды................... 1500 В 1500 В 5 А 7,5 А 0,1 Л 35 А 4 А 12,5 Вт 250 Вт 200 Вт 150 Вт 120 Вт 70 Вт +115° G —25°С 7к= + 100°С линейно до 1100 В. 1 При 7-,-+95...+ 100 °C с/кэп л.,к„ С'кэп.„.л,ок<: снижаю1ся * При Тк—+95...+100 °C Рк определяется по формуле ^‘н.М'гкс* 7К).-/?Г(П_К, Допустимое значение ст этического потенциала 2000 В Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса при температуре припоя +250°C в течение не более 3 с. Выходные характеристи- ки Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от импульсною тока коллектора ПО
Зависимости напряжения насыщения коллектор — эмиттер от тока базы Зависимость максималь- но допустимого импульс- ного напряжения кол- лектор — эмиттер от со- противления база — эмит- тер Зависимость емкости кол- лекторного перехода от напряжения коллектор — база Области максимальных режимов Зависимости импульсного теплового сопротивления переход — корпус от гли тельности импульса 111
КТ847А Транзистор кремниевый мезаплаиарный структуры п-р-п переключательный Предназначен для применения в источниках вторичного электропитания. Корпус металлический со стек явными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибо- ра указывается на корпусе Масса транзистора не более 20 г. /775474 Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 1^кэ=3 В, /к=15 А: 7 = + 25 °C 7= 45 и +100 СС, не менее............................ Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при (7кэ=10 В, /к = 1,5 А, /=10 МГц, не менее типовое значение ........................... Граничное напряжение прн /к = 0,1 Л, /кнас=0,3 А, 7 = 25 мГн, не менее ........ Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн /к=15А, /в=5 Л ... Время спада прн (7к=200 В, /к=15 А, /ь-=3 А, t/cp= =7,5 В, не более ........................ Время рассасывания при (7к=200 В, /« = 15 А, /ь=3 А, 7/еэ=7,5 В, не более . ........................ Обратный ток коллектора, не более: 7 = +25°C, Uкв = 650 В............................... 7= + 100°С, (7ке = 400 В ..................... 7=-45 °C, 6/ке=650 В........................... . . Обратный ток эмиттера при Ues= 8 В. не более Емкость коллекторного перехода при Uke,=400 В, не более ................................................. типовое значение ................... . . 8...9,5* . 25* 1.5 4* 350 В 0,2*...0,5*...1,5 В 1,5 мкс 3 мкс 5 мА 5 мА 5 мА 100 мА 200 пФ 100* пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при R^^ <10 Ом, 7к = -45...+75°С .................... Импульсное напряжение коллектор—эмиттер1 при /?«,< <10 Ом, /и<20 мкс, /^^1,5 мкс, 7Х= — 45 ..+75 °C Постоянное напряжение база — эмиттер Постоянный ток коллектора ...................... Импульсный ток коллектора при Л, <2 мс ... Постоянный ток базы . . ............. 650 В 650 В 8 В 15 А 25 А 5 А 1 При Гв = + 75... + 100 °C и.жакс снижаются линейно до Пкв0 гр. ^ТГЭВ.жако 112
П родолжсние Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при 7’к = -45... + 25°С 125 В Температура рп перехода........................... ... +200° С Температура окружающей среды..........................—45°С..ТЯ = = +100° С ' При Гк—+25.-+100 °C Романс определяется по формуле Р к, маке 7к).'ЯТ(П_кр Дон^стимое значение статического потенциала 2000 В Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса при температуре припоя +260 °C в течение не более 3 с. Входные характеристики Выходные характерпстн Зависимость модуля ко кн эффнцпента передачи тока от тока коллек- тора Зависимость статического ко- эффициента передачи тока от тока коллектора Зависимость максимально допустимою по- стоянного напряжения коллектор — эмит- тер от сопротивления база — эмиттер 8 Заказ № 1004 113
Зависимости времени рассасывания и спа- да от тока коллектора Области максимальных ре- жимов КТ847А Зависимости импульсно- го теплового сопротив- ления переход — корпус от длительности импульса КТ848А Транзистор кремниевый мезапланарный структуры п-р-п усилительный. Предназначен для применения в электронных системах зажигания. Корпус ме- таллический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тин прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 20 г. 114
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при С,кэ=5 В, /к =15 Л, не менее: 7=+25.-ь 100°C............................ 7=—45°С....................................... Граничное напряжение при /к = 5 A, 7=1,5 мГн, не менее Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1к= = 10 А. /б=0,15 А, ие Солее 7=+25 °C . . . . . . Т=-40°С . . Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1к—7 А, /с=0,07 А . . ........................... Напряжение насыщения база—эмиттер при /к = Ю А, /б —0,15 А: 7= + 25°С..................................... 7=-40 °C...................................... Прямое напряжение диода прн /Пр=10 А, не более Обратный ток коллектор — эмиттер при Пиз = 400 В, Rr.3—1 кОм, не более. 7=— 45...+25 °C . ... . . . . 7=+ 100 °C.................................... 20 10 400 В 2 В 4,5 В 1*. .1.3*. 1,5 В 1,7*...1,95*...2,7 В 1,5* 2,1*..3,5 В 2 В 3 мА 5 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер Постоянное напряжение база — эмиттер Постоянный ток коллектора................... Постоянный ток базы .............. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Температура р-п перехода.................... Температура окружа ощей среды 400 В 15 В 15 А 4 А 35 Вт + 150° С — 45° С 7К = = +100° С Допустимое значение статического потенциала 2000 В. Пай, а выводов транзистора допускается ие ближе 5 мм от корпуса при температуре +260 °C в течение не более 3 с, время лужения 2 с. Входные харамерп- стпки Зона возможных положе- ний зависимости статиче- ского коэффициента пере- дачи тока от импульсного тока коллектора Зависимости напряже- ния насыщения коллек- тор — эмиттер от им- пульсного Юка коллек- тора 8: 115
^Та(п-к) *C ВТ Зона НИИ возможных зависимости положс- времепп Зависимость импульсного теплового сопротивле- ния переход — корпус от длительности импульса Электрическая схема транзистора КТ850 (А, Б, В) Транзисторы кремниевые пла- нарные структуры п-р-п усилитель- ные. Предназначены для применения в усилителях мощности, переключаю- щих }стройствах. Корпус пластмас- совый с жесткими выводами. Масса транзистора не более 2 5 г. 116
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Пкэ = Ю В, /к = 0,5 А: КТ850Л............................................. 40 200 КТ850Б, КТ850В, не менее ... . . 20 Граничное напряжение при /э = 30 мА, не менее КТ850 Х ............................... 200 В КТ850Б................................. . . 250 В КТ850В........................... . . 150 В Напряжение насыщения колчектор — эмиттер при /к = 0.5А, /ь=0,1 А, ие более . ... 1 В Напряжение насыщения база — эмиттер при /к —0,5 А, 1б=0,1 А, не более .... . 1,6 В Обратный ток коллектора при UKc = U ие более: КТ850А............................................... 0,1 мА КТ850Б. КТ850В.....................................0.5 м Л Обратный ток эмиттера при Ue3=5 В, не более: КТ850А . . . . ...................0,1 мА К1850Б, КТ850В . . ................ 0,5 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база при <J250 В/мкс: КТ850А................................................ 250 В КТ850Б ................. . . 300 В КТ850В.............................................180 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Ra^^ 1 кОм, d(JK3ldt^2oO В/мкс КТ850А ... ......................... 200 В КТ850Б......................................... . 250 В КТ850В.................... . . ... 150 В Постоянное напряжение база — эмиттер.................... 5 В Постоянный ток коллектора............................... 2 \ Импульсный ток коллектора при Л, =С2 мс, (?^2 . . ЗА Постоянный ток базы ........ 0.5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк = = -60. +25СС ......................25 Вт Температура р-п перехода.................................+ 150° С Температура окружающей среды.............................-60’ С .Тк = = +100° С Допускается одноразовый изгиб выполов не ближе 2,5 мм от корпуса транзистора под углом 90° радиусом закругления не менее 0 8 мм Пайка вводов допускается ие ближе 5 мм от корпуса транзистора при температуре + 260 °C в течение не более 3 с Запрещается припайка основания транзистора к теплоотводу. 117
Ц, мА Области максимальных режимов Входные характеристики Зависимость максимально допустимой по- стоянной рассеиваемой мощности коллек- тора от температуры корпуса Зона возможных потоженин зависимо- сти статического коэффициента передачи тока от температуры Зависимости статического коэффи- циента передачи тока от тока кол- лектора 118
Into Зависимости времени включения, вы- ключения и рассасывания от тока кол- лектора Зависимость обратного тока кол- лекторе or температуры Зона возможных положений зависимо- сти напряжения насыщения коллек- тор — эмиттер от тока коллектора Зона возможных положений зависи- мости напряжения насыщения ба- за — эмиттер от тока коллектора КТ854 (Л, Б) Транзисторы кремниевые эпк- таксиалыю-планарные структуры п р-п усилительные. Предназначены для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах. Корпус пластмассовый с жесткими выво- дами Масса транзистора не более 2,5 г. 119
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 6/кк=4 В, 1а=2 Л, не менее.............................20 Граничная частота коэффициента передачи тока в схе- ме ОЭ при /7кв=Ю В, /э=0,5 А, не менее . . 10 МГц Граничное напряженке прн /э = 0,1 А, /.= 160 мГц, не менее КТ854А............................................ 350 В КТ854Б ... . . 200 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к = 5 А, /с—I А, не более . 2 В Обратный ток коллектора при /7кв = //кв..м„Кг, не более . 3 мА Обратный ток эмиттера прн С'Еэ=6 В, не более 5 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база: КТ854А......................................... . 600 В КТ854Б 400 В Постоянное напряженке коллектор—эмнтгер при СЮ Ом: КТ854А............................................ 500 В КТ854Б............................................ 300 В Постоянное напряжение эмиттер — база 5 В Постоянный ток коллектора 10 А Импульсный ток коллектора .... . 15 Л Постоянный ток базы 3 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора прн /« = 40°.. + 25°C ... . 60 Вт Температура р-п перехода . . ... +150 °C Температура окружающей среды.............................— 40°С.Тк= = +100 СС При монтаже допускается одноразовый изгиб выводов транзистора нс бли- же 2,5 мм от корпуса под углом 90° с радиусом закругления не менее 2,5 мм. При этом должны приниматься меры, исключающие передачу усилий на кор- пус. Изгиб в плоскости выводов не допускается. Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора при температуре не более +260 °C в течение не более 3 с. При пайке корпус паяльника должен быть заземчен Разрешается осуществлять панку путем по- гружения выводов в расплавленный припой с температурой не более +250 °C в течение не более 5 с Допускается пайка волной нрнноя с температурой не более +240 °C. Допустимое значение статического потенциала 1000 В. Зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности кол- лектора от температуры корпуса 120
Зависимость максимально допусти- мой постоянной рассеивасмои мощ- ности коллектора от температуры Зависимость статического коэффици- ента передачи тока от тока эмиттера Зависимость статического коэффициен- та передачи тока от напряжения кол- лектор — база Зависимость статического коэффи- циента передачи тока от темпера- туры Зона возможных положений зависимо- сти максимально допустимого постоян- ного напряжения коллектор — эмиттер от сопротивления база—-эмиттер коллектор — эмиттер от тока кол- лектора 121
Уьз.кк-В Зависимость напряжения насыщения база — эмиттер от тока коллектора Зависимость напряжения насыщения коллектор—эмиттер от тока коллек- тора Зависимость обратного тока коллек- тора от температуры Завнснгюсть напряжения насыщения база — эмиттер от тока коллектора Зависимость обратного тока эмит- тера от температуры Зависимость обратною тока коллек- тора от температуры 122
2Т856 (А, Б, В) Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-л^ поре- ключательные Предназначены для применения в переключающих устропствах. Kopnvc металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Alacca транзистора не более 16 г. Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при С'иэ=5 В. /к = 5 А: 7Х = +25,,С: 2Т856А .................... • 10.30 2Т856Б. 2Т856В..................................Ю 60 Тя- + 125 °C: 2Т856Л ................. 5 30 2Т856Б, 2Т856В....................... . . 5 60 Г„ = - 60 СС: 2Т856А 5...60 2Т856Б, 2Т856В 5 100 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при 1/кэ=10 В, /к = 2 Л, не менее . 10* МГц типовое значение............................20* MI и Граничное напряжение при /к=0,1 А, не менее Гх=+25 н -60 ГС: 2Т856Л ....................... 450 В 2Т856Б . 400 В 2Т856В ............................. 300 В 7,,= + 125 °C: 2Т856Л . . . . . 400 В 2ТЯ56Б ... 350 В 2Т856В.................................... 250 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к-5 Л, /Б=1 Л..................................0,2*..0,4*..1.5 В Напряжение насыщения база — эмиттер при /к= =5 А, /в-1 А............................ . . . 0,9* .0,95*. .2 В Время включения при t/K=200 В, /к=5 А, /,.=0,5 А ................ . 0,08* .0,15* 0,5* мкс Время спада при //к =200 В, /к=5 А, /Б=0,5 А, не более.................................... ... 0,5 мкс Время рассасывания при /./« = 200 В /к 5 Л. /в = — 0,5 А, ие более . . ..... 2 мкс Обратный ток коллектора, не более: Тк + 25СС, UKC=UKR.M,K, ... 3 мА 123
Продолжение 7\- = +75...+ 125сС и —40...—60 °C, £/кп=800 В для 2Т856А, 650 В для 2Т856Б, 500 В для 2Т856В.....................................5 мА Обратный ток эмиттера при £/SB=5 В, не более . 20 мА Емкость коллекторного перехода прн (7кг=90 В, f=0,3...1 МГц, не более ... ... 100 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база 1 при Тк =-40. + 75 СС. 2Т856А.................. 2Т856Б 2Т856В ...... ‘ ‘ ’ Постоянное н импульсное 2 напряжение коллектор — эмиттер прн /?Дэ='10 Ом: 2Т856А ............... 2Т856Б ... 2Т856В............................; \ ; Постоянное напряжение эмиттер — база Постоянный ток коллектора . . * . Импульсный ток коллектора . ... Постоянный ток базы . ... Постоянная рассеиваемая мощность3 прн (7кэ=£4О В: Гк= + 25=С . ... ТК= + 125СС . ....................... Тепловое сопротивление переход — корпус Температура р-п перехода....................... Температура окружающей среды................... 1000 В 800 В 600 В 950 В 750 В 550 В 5 В 10 А 12 А 3 А 75 Вт 15 Вт 1,67 °C;Вт + 150 °C —60°С...Тк —+ 125°С 1 При Г к — —40...—60 °C и Гк = +75... + 125 °C Г-'кв жяис снижается линейно до 800 В для 2Т85СЛ. 630 В для 2Т856Б, 500 В для 2Т856В. ’ Для олн точного импульса при t&>l мкс. При /^<1 мкс ’ При Гк-+25...+ 125 °C КЭП.и макс КЭО,гр‘ Рцмакс уменьшается линейно. Выходные характерис- тики Зависимость статическо го коэффициента пере- дачи тока от тока кол- лектора 124
Зависимости напряже- нии насыщения коллек- тор—эмнтгер н база— эмиттер от тока коллек- тора Зависимость времени рассасывания от тока коллектора Зависимость времени спада от напряжения коллектор — эмиттер Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллек- тор — база Зависимости постоянно- го напряжения коллек- тор — эмиттер от сопро- тивления база—эмиттер Зависимость электриче- ской прочности воздуш- ных промежутков меж- ду выводами базы и коллектора 125
Области максимальных режимов Зависимости максимально допусти- мом импульсной рассеиваемой мощ- ности коллектора от длительности импульса КТ857А КТ857А Транзистор кремниевый эпитак- сиально планарный структуры п-р-п переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переклю- чающих устройствах. Корпус пласт- массовый с жесткими выводами. Масса транзистора не более 3 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при (/ira=l В, /к ЗА, ие менее....................7,5 Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при иКэ= Ю В, /к 0,5 А, /—3 МГц, не менее ... 3,3 Граничное напряжение при /к 0,1 Л, £=25 мГн не менее 150 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к = 3 Л, /в=0,4 А, не более . . ... 1 В 126
Продолжение Напряжение насыщения база — эмиттер при /к = 3 А, /ь—0,4 А, не более....................... . . 1,25 В Время спада при Uk=50 В, /к=5 Л, /б=0.5 А, 1/бв = -5 В................... . . 0 1*. 0,3* 1* мкс Время рассасывания при 17к=50 В, /к=5 4 /в=0,5 А, г/ва = -5 В......................................... . 0,1* 1*...2,5* мкс Обратный ток коллектора прн Ukv. =250 В, не более . 5 мА Обратный ток эмиттера при (7вэ = 6 В, не более . 1 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер’ при Рс>^ s£IO Ом, Т„=100°С............................. Пробивное напряжение коллектор — база1 при 7, = 1М)СС Постоянное напряжение база — эмиттер................ Постоянный ток коллектора..................... Импульсный ток коллектора..................... Постоянный ток базы........................... Импульсный ток базы.................... Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 2 при Г„ = = -55...+25 °C...................................... Температура р-п перехода ........................... Температура окружающей среды........................ 1 Ври увеличении линейно до КО В ! При ТК>+25СС температуры перехода от +100 до + 150 *С Р „пк<. рассчитывается но формуле 'Ущжс' Вг“ (150— I 250 В 250 В 6 В 7 А 10 А 2 Л 3 А 60 Вт + 150 "С -55 °C. ,Т„ = = + 100° напряжение снижается где определяется из области максимальных режимов. Минимальное расстояние от места панки вывода до корпуса транзистора 5 мм При пайке температура корпуса не должна превышать +100 "С. Прн от- сутствии контроля температуры корпуса панка производится паяльником, на- гретым до температуры не более +280°C в течение не более 2,5 с. Минималь- ная температура пайки +235 °C. При монтаже транзистора должны быть приняты меры, исключающие воз- никновение паразитной генерации. Допустимое значение статического потенциала 2000 В Входные характеристики Зависимость обратного тока коллектора от тем- пературы корпуса Зависимость напряже- ния насыщения коллек- тор — эмиттер от тока базы 127
Ur,3,№ .8 Зависимость максимально допустимого по- стоянного напряжения коллектор — эмиттер от сопротивления база—эмиттер Зависимость напряжения насы- щения коллектор — эмиттер от тока коллектора Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора Зависимость статического коэффици- ента передачи тока от тока коллек- тора Сл 500 ЮО 300 200 100 О Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения Зависимость времени рассасывания от тока коллектора ^сл. 0.3 0.25 0.2 0.35 0.3 О 2 4 6 8 [ц.А Зависимость времени спада от тока коллек- тора 128
Область максимальных режимов Области максимальных режимов КТ858А Транзистор кремниевый эпитак- сиально-нланарный структуры п-р-п переключательный Предназначен для применения в переключающих уст- ройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами Масса транзистора не более 3 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при £/кэ=5 В, /к=5, не менее.................. Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при Ull0-10 В, /к=0,5 А, f=3 МГц, не менее................ .................. Граничное напряжение при /к=0,1 A, L=25 мГн, не менее ............. Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн 1r—5 А, /с=0,8 А, не более . . . . . Напряжение насыщения база — эмиттер при /к = =5 А, /б = 0,8 А, не более.............. Время спада при Un = 50 В /*«=5 А, 7д“05 А, Пвв=-5 В . . . ...... 10 33 200 В 1 В 1,2 В 0,05* .03*.. 0,75* мкс 9 Заказ М> 1004 129
П г одолжение Время рассасывания при U»=50 В /и=5 А, /*= =0.5 А, 17с8=-5 В............................... Обратный ток коллектора при 1/яе=400 В, не более Обратный ток эмиттера при Г/б8=6 В, не более 1* 12*. 2,5 мкс 1 мА 1 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 R «£ 10 Ом, Т'„= + 100°С при при 400 В Пробивное напряжение коллектор — база 1 Г„=100сС 400 В Постоянное напряжение база — эмиттер • 4 6 В Постоянный ток коллектора • 7 А Импульсный ток коллектора • • 10 А Постоянный ток базы 4 А Импульсный ток базы 4 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора’ при Г«= —55 , + 25‘С 60 Вт Температура р-п перехода • • + 150 °C Температура окружающей среды 4 — 55 °C. 7K= + 100’G 1 При 7n —+ 100...+150 ‘ С напряжение снижается лннеЛно до 2С0 В. • При 7'„>+25гС Рн мохе рассчитывается по формуле Рк маке- Вт— (150—ГЖ),7?Г(П_Ж1. где ЯГ(„_я определяется нз области максимальных режимов Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса, при пайке тем пература корпуса ие более + 100сС. При отсутствии контроля кмпсратуры корпуса пайка осуществляется паяльником с температурой не более +280’С в течение не более 2,5 с. Допускается пайка волной припоя При монтаже транзисторов должны быть приняты меры, исключающие возникновение паразитной генерации. Допустимое значение статического потенциала 2000 В. Входные характеристики Зависимость максимально допустимого по- стоянного напряжения коллектор — эмиттер от сопротивления база — эмиттер 130
Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмиттер от тока базы Зависимости напряже- ния насыщения коллск тор — эмиттер от тока коллектора Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллек- тор — база Зависимости статическо- го коэффициента пере- дачи тока от тока кол- лектора Зависимость времени рассасывания от тока коллектора Зависимость времени спада от тока коллек- тора Область максимальных режимов Области максимальных режимов 9* 131
1 КТ859Л КТ859А Транзистор кремниевый меза- планарный структуры п-р-п переклю- чательный. Предназначен для при- менения в переключающих устрой т- вах Корпус пластмассовый с жестки- ми выводами. Масса транзистора ие более 3 г. Электрические параметры Статический коэфт гцнент передачи тока в схеме ОЭ при /Лкй = 10 В, /к=1 А, не менее Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при Г/кв—10 В. /и=0,2 А, /=3 МГц, не менее Граничное напряжение при /к=0,1 А, £=25 мГн, не менее Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=1 А, /в=0,2 А не более .... Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=1 А, h =0,2 А, ие более.......................... Время включения при //к = 250 В, /к= 1 А /в=0,2 А, /|. ™=0 4 А, £/Вв = —8 В, не более . . . . типовое значение ............................ . . Время рассасывания при /7к—250 В, /к«1 А. /в=0,2 А, /в..<ал=“0 4 А, 1/ев=—8 В ..................... Время спада при 1/к=250 В, /к=1 А, /в=0,2 А, /п.™п= °0,4 А, С/Вэ = —8, В, типовое значение Обратный ток коллектора при £/кВ=800 В, не более Обратный ток эмиттера при UBB =10 В, не более 10 3,3* 400 В 1.5 В 1,4 В 0,5* мкс 0,35* мкс 1* .2 5* 3,5* мкс 0,35 мкс 1 мА 10 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер' при Rt,,^ agio Ом, Тп= + 100°С ....................... 800 В Пробивное напряжение коллектор — база 1 при Тп“Ю0°С 800 В Постоянное напряжение база — эмиттер................10 В Постоянный ток коллектора...........................ЗА Импульсный ток коллектора . . .................4 А 11 ютояиный ток базы . . ....... 1 А Импульсный ток базы ..................................1,5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора5 при 7,= = — 55.4-504С ... .... 40 Вт 1 При Тп-+100...+ 150гС напряжение снижается линейно до 300 В, ’ При 7’„>+50*С ₽к,лажс рассчитывается по формуле ^К.лоне" Вт,“ П60- У^Т1п-пу где определяется из области максимальных режимов. 132
П родолжение Температура р-n перехода ................ Температура окружающей среды....................... +150 “с -55 °C. Тв = - 4-100 °C Панка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора при температуре корпуса не более +100 °C. При отсутствии контроля температуры корпуса транзистора пайка осуществляется паяльником с температурой не бо- лее +280 "С в течение не более 2,5 с. Допускается пайка волной припоя Ми- нимальная температура пайки +235 °C. При монтаже транзистора должны быть приняты меры, исключающие воз- никновение паразитной генерации. Допустимое значение статического потенциала 2000 В. Входные характеристики Зависимость напряже иия насыщения коллек- тор— эмиттер от тока базы Зависимое! и напряже- ния насыщения коллек- тор— эмиттер от тока коллектора Зависимость максимально допустимого постоянного напряжения коллектор — эмиттер от сопротивления база — эмит- тер Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора 133
Зависимости статичсско- Зависимость емкости Зависимость времени го коэффициента пере- коллекторного перехода рассасывания от тока дачи тока от тока кол- от напряжения коллек- коллектора 2Т861 (А, Б, В] Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры ч-р п усили- тельные. Предназначены для применения в усилителях м тности, преобразо- вателях. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими вы- водами Масса транзистора не более 2 г. 334
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при UKS -2 В /к = 1 А 7=+25 °C: 2Т 61А . . . . . . 40 160 2Т86 Б............... • • 50. .200 2Т861В . ... .80 .300 Г= + 125°С: 2Т861А ... . . . . 40. .200 2Т861Б . . . ... 50. .250 2Т861В........................... ... 80 400 Г=—60°С: 2Т861А .... .... 20 160 2Т861Б .... . . 25. 200 2Т861В 40 .300 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при {7кэ=5 В, /к=0,05 А не менее.....................10 МГц Граничное напряжение при /«=100 мА, не менее; 2Т861А............................................ . 80 В 2Т861Б ..... . 60 В 2Т861В.............................................30 В Напряженке насыщения коллектор — эмиттер при /« = — 1 А /в=0,2 А, не более ... . 0.35 В Напряжение насыщения база—эмиттер при /«=1 А, /в=0,2 А, не более.............................. .... 1,3 В Обратный ток коллектора прн 1/«Е t/кв ч..кс. не более т^+гб-с . . 0,1 мА Г= + 125°С . . . 3 мА Обратный ток эмиттера при /ЛэЕ=5 В, не более 1 мА Время включения при 1/кэ—20 В /«=1 A /Б1=/Е2= = 0,1 А, не более.......................... . . 0,1* мкс типовое значение .... . 0,025’ мкс Время выключения при {/«-9=20 В, /«=1 А. /в, —Zss= =0,1 А не ботее .... .1* мкс типовое значение . . 0,2* мкс Время спада при //«о=20 В, /« = 1 А, /Bi = /c2=0,l А, не более.............................................0.1 мкс Емкость коллекторного перехода при /7КС=5 В, не более 150* пФ типовое значение....................................70* пФ Емкость эмиттерного перехода при Г/Вэ=5 В не более 1000* нФ типовое значение ... 600 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база: 2Т861А . . , . . ..............90 В 2Т861Б .... ....................70 В 2Т861В.............................................40 В Постоянное напряжение коллектор—эмиттер при /?<л^ ЮО Ом: 2Т861А . ......................90 В 2Т861Б.............................................70 В 2Т861В .... . . . 40 В Постоянное напряжение эмиттер — база.....................5 В Постоянный ток коллектора 2 А Импульсный ток коллектора.....................4 А Постоянный ток коллектора . . .... 1 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк= = -60..+25°С- с теплоотводом . . . . . 10 Вт без теплоотвода .... ... 1 Вт Температура р-п перехода . . ...................+150 °C Температура окружающей среды .........................—60 “С 7"к=« = + 125 °C 135
Допустимое значение статического потенциала 1 кВ При эксплуатации транзистора необходимо принять меры, исключающие появление паразитной генерации. 2Т862 (А, Б, В, Г) Транзисторы кремниевые эпнтакснально-планарпые структуры п-р-п пере- ключательные. Предназначены для применения в импульсных модуляторах, пе- реключающих устройствах. Корпус 2Т862А металлический со стеклянными изо- ляторами и жесткими выводами, корпус 2Т862Б, 2Т862В, 2Т862Г металлокера- мический с гибким! выводами. Масса транзистора 2Т862А не более 20 г, транзисторов 2Т862Б, 2Т862В, 2Г862Г ие более 6 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при UKB = 5 В: Т— - 25 °C: /к=15 А 2Т862А, 21862Б..................... /к=5 А 2Т862В 2Т862Г...................... 7= 125 °C: /ж 15 А 2Т862А 2Т862Б..................... /к-5 А 2Т862В 2Т862Г...................... 7= -60 °C: /к= 15 А 2Т862А, 2Т862Б /к=5 А 2Т862В, 2Т862Г...................... Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при Г/кв=5 В, /к=0,5 А Граничное напряжение при /к=0,1 А, не менее: 2Т862А, 2Т862Б . ... 2Т862В ............................... 2Т862Г...................................... Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не более при 7—+25 °C: /к-15 А, /в-2 А для 2Т862А, 2Т862Б . 10... 100 12...50 8. 100 6. .80 5... 100 6...40 20*...25*...30* МГц 250 В 350 В 400 В 2 В 136
Проб' лжение /к = 8 А, h- 2 А для 2Т862В, 2Т862Г . . 1,5 В при Т= + 125 °C, /к = 8 Л, /в=2 А для 2Т862В, 2Т862Г . . . 1 В при Т= -60°С, 1к = 8 А, /б = 2 А для 21 2В, 2Т862Г.......................................2,2 В Напряжение насыщения база — эмиттер, не более: /к =15 А, /с=2 А для 2Т862А, 2Т862Б . 2 В при /к=5 А, /б=1 А для 2Т 62В, 2Т862Г . 1,6 В Время включения: при {7кЭ=100 В, /к=15 A, /ei = 2 Л. /С2 = 3 А для 2Т862А, 2Т862Б . . . 0,2* .0,3* .0,4' мкс при 1/кэ = 200 В, /к=5 Л, /Е1=0,5 А, /ва 1 А для 2Т862В, 2Т862Г ... 0,2*. .0,25*. .0,5» мкс Время нарастания при С/кв=200 В, /к~5 А, /bi = = 0,5 A, /С2=1 А для 2Т862В, 2Т862Г . 0,1*...0,2* .0,4* мкс Время спада: при {/дд=100 В, /к—15 A, /bi=2 А, /Б2=3 А для 2Т862А, 2Т862Б.......................... . 0.12* 0,15* .0,25 мкс при {/«0=200 В, /к = 3 A, /ci-0,5 А, /в2“1 А для 2Т862В, 2Т862Г...........................0,1* ..0,25*. 0,5 мкс Время рассасывания" при 1/кэ = Ю0 В, /к =15 А. /в1=2 А, ЛБ2=3 А для 2Т862А, 2Т862Б .... . 0,2* .0,3*. .1* мкс при 1/ка=200 В, 7д=5 А, /е|—0,5 А, 1вг= 1 А д. я 2Т862В, 2Т862Г .... 04* 1*..2* мкс Обратный ток коллектора, не ботее: при 7=+25 °C: /7кб=300 В для 2Т862А, 2Т862Б ... 5 мА t/кв=600 В 2Т862В, 2Т862Г .... 3 мА при 7= 4-125 °C: 6,кв = 300 В для 2Т862А, 2Т862Б .... 10 мА £/кв=600 В 2Т862В, 2Т862Г..................5 мА при 7= — 60 °C: г/дв-300 В для 2Т862А, 2Т862Б . . . 5 мА //кв = 600 В 2Т862В, 2Т862Г . . . . 5 мА Обратный ток эмиттера при //сэ = 5 В, не более: 2Т862А, 2Т862Б...............................50 мА 2Т862В, 2Т862Г . ....................10 * А Емкость коллекторного перехода: при Г/дв=30 В для 2Т862Л, 2Т862Б , . . 175*...250*...300* пФ при 1/кв=Ю В для 2Т862В, 2Т862Г . . 150*...200*...250* пФ Емкость эмиттерного перехода при С/вэ=3 В . . 3000* ..4000* .4700* пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база 2Т862А, 2Т862Б.................................. 450 В 2Т862В, 2Т862Г . ...................... 600 В Постоянное напряжение коллектор—эмиттер" 2Т862А, 2Т862Б...................... . . 250 В 2Т862В .... . . . . 350 В 2Т862Г . . ................. 400 В Импульсное напряжение коллектор — эмиттер 1 при Г/еэ=-1,5 В, /«=20 мкс. /(в^1 мкс, <2>10, 7„ = = -40 .+85°C" 2Т862А, 2Т862Б . . . . ... 450 В 2Т862В, 2Т862Г............................... 600 В 1 При Т-----40 —60’С и Т- +85...+125 *С UKBB „ жои и U„BX u J,aKC снижаются линейно до 350 В 137
П родолжение Постоянное на1ряженяе база—змиттер . . 5 В Постоянный ток коллектора 2Т862А, 2Т862Б.....................................15 А 2Т862В, 2Т862Г.................................10 А Импульсный ток коллектора 2Т862А 30 А 2Т862Б......................................... 25 А 2Т862В 2Т862Г..................................15 А Постоянный ток базы* 2Т862А 2Т862Б . . ... 4 А 2Т862В, 2Т862Г................................... ЗА Импульсный ток базы: 2Т862А........................................10 А 2Т862Б ... . 8 А 2Т862В, 2Т862Г................. ... 5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора : Гк=-60 ..+25 °C. 2Т862А........................................70 Вт 2Т862Б 2Т862В, 2Т862Г ... 50 Вт ТК~ + \2Ь° 21862Б. 2Т862В, 21862Г ... 10 Вт Температура окружающей среды .... — 60 °C 7Я = + 125°С 1 При +25..+125 °C Я11 рассчитывается по формуле рк яткс- Вт —(150 —7я)/Кт(п_Я|, где Дг(п_к)-2,5 °C Вт для 2Г862В. 2 Г862В 2Т862Г и 1,8 °C Вт для 2Г862А. Допустимое значение статического потенциала 2 кВ Расстояние от места лужения и панки выводов до корпуса 5 мм для 2Т862А; 2 мм для 2Т862Б, 2Т862В, 2Т862Г, температура припоя +235 °C, время пайки не более 8 с. Выходные характернее- Выходные характери Входные характери- ки стики стнкн IS8
Зависимость статического коэффици- ента передачи тока от тока коллск- юра Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмиттер от тока кол- лектора Зависимость времени Зависимость длительно- включения, спада и рас- сти фронта от иапряже- сасывания от тока кол- вин коллектор — эмит- лсктора тер Зависимость максималь- но допустимого посто- янного напряжения кол- лектор— эмиттер от со- противления база — эмиттер 139
Области максимальных режимов Области максимальных режимов Зависимости импульсного теп- лового сопротивления пере- ход — корпус от длительно- сти импульса. При Q< 100 г. 2,5 /?т.11(11 К)0 | «Т,и(п-| )= -----------Г У + /?т и(п—к)0 КТ863А КТВБЗА Транзистор кремниевый меза- энитаксиаль ио-планарный структуры п-р-п усилительный Предназначен для применения в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, электронных фото- вспышках. Корпус пластмассовый с жесткими выводами Тип прибора ука зывается на корпусе. Масса транзистора не более 2,5 г. 140
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при UKr,=2 В, /s=5 А, не менее’ Т= +25...+100 °C ................................ Т=—40°С . .......................... Граничная частота коэффициента передачи тока в схе- ме ОЭ при 17кд=5 В, /э=0,5 А, не менее .... типовое значение ................................ Граничное напряжение при /«=0,03 А, не менее Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=5 А, Л:=0,5 А, не более . ... .... типовое значение ... ................ Напряжение насыщения база—эмиттер /д=5 А, Id— =0,5 А, не более................................ ... типовое значение ... . . Обратный ток коллектора при Uki =30 В, не более: 7"=—40...+25 °C................................. . . r= + ioo°c.................... . . . . Обратный ток эмиттера при <Л>9=5 В, ие более Предельные эксплуатационные данные 100 50 4 МГц 20» МГц 30 В 0,3 В 0,25» В 1,2 В 1» В 1 мА 3 мА 3 мА Постоянное напряжение коллектор — база . . . . Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при si 10 Ом......................................... Постоянное напряжение база—эмиттер.................. Постоянный ток коллектора........................... Постоянный ток базы................................. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк = = -40 ..+25 °C: с теплоотводом . * без теплоотвода3...................... Температура р-п перехода .... . . . . Температура окружающей среды , . . . . . 30 В 30 В 5 В 10 А 3 А 50 Вт 1.5 Вт 150 °C -40 СС...ТК= - + 100сС 1 При 7 к-+25...+100 °C ₽к.лшхс снижается линейно до 20 Вт. ’ При 7’к-25 ..+100 °C Рк л|окс снижается линейно до 0.6 Вт. Допускается оданоразовый изгиб выводов транзисторов не ближе 2.5 мм от корпуса под углом 90° с радиусом закругления не менее 0,8 wi. Пайка выводов рекомендуется ие ближе 5 мм от корпуса транзистора при температуре припоя +260 °C в течение не более 5 с. Допускается пайка волной припоя при температуре +235°C. Прн пайке корпус паяльника должен быть заземлен. Допустимое значение статического потенциала 1000 В. Входные характеристики Выходные характеристи- ки 141
Зона возможных поло- жений зависимости ста- тического коэффициента передачи тока от тока эмиттера Зависимости напряжений насыщения коллектор — эмиттер и база — эмит- тер от тока ко.ттектора Область максимальных режимов КТ864А Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры п р п импульс- ный. Предназначен для применения в источниках вторич юго электропитании, преобразователях, оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабили- заторах напряжения Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе Масса транзистора не более 20 г. 142
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 0/кв=4 В, /е = 2 А 7'=+25®С .... . . 40 200 7=+ 125 °C...................................... 40 250 Т= -60 °C.................... . . 15.200 Граничная частота коэффициента передачи тока в схе- ме ОЭ при (7кз=10 В, /к = 0,2 А. не менее 15 МГц Граничное напряжение при /к=0,05 А, не менее 160 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=6 А, /в=0,6 А, не более.................................2 В типовое значение.............................. . 0,7*В Напряжение насыщения база—эмиттер при /к = 6 Л, 1г, = 0.6 А, не более........... ..................2 В типовое значение .... ... 1* В Обратный ток коллектора при 6/кв=200 В, не более: 7=+25сС.............................................0,1 мЛ 7=+ 125 °C......................................1 мА Обратный ток эмиттера при Cts = 6 В, не более . . . 3 мА Емкость коллекторною перехода при 67кв=5 В, ие более 300* пФ Емкость эмиттерното перехода при £/гэ = 0,5 В не более 2000* нФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база при dUKi.idt — = 200 В/мкс........................................ 200 В Постоянное напряжение коллектор—эмиттер при «£10 Ом, dt/Ka,'df=200 В/мкс....................... 200 В Постоянное напряжение база—эмиттер.................6 В Постоянный ток коллектора.........................10 А Импульсный ток коллектора при 1„<2 мс, Q>2 . . 15 А Постоянный ток базы........................... 2 А Импульсный ток базы при кС1 мс, Q>2 . . 4 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7,= = —6О...+25"С. с теплоотводом1 , . ...................100 Вт без теплоотвода1 , , ....... 1 5 Вт Температура рп перехода........................ +150 °C Температура окружающей среды . ................—60 С. 7Ж=» = + 125сС ’ При 7К —+25... + 125'С снижается линейно до 20 Вт ’ При Т— +25. +125ГС Р... снижается линейно до 0,3 Вт г* . «ЛСЫ п С. Пайка выводов транзистора допускается не ближе 5 мм от корпуса при температуре припоя +270 °C в течение не более 3 с, время лужения не бо- лее 2 с. Допускается не более трех перепаек выводов транзистора. 143
Входные .харак ернсгнкн Зона возможных положений зависимо- сти статического коэффициента переда- чи тока от тока коллектора Зависимости напряжений насыщения коллектор — эмиттер и база — эмит- тер от тока коллектора Область максимальных режимов Зависимость коэффициента К от длительности импульса <144
2Т866А Транзистор кремние- вый эпитакснальчо-нлаиарный структуры п-р-п переключа- тельный Предназначен для применения в переключающих устройствах, источниках вто- ричного электропитания. Кор- пус металлокерамический с гибкими выводами. Масса транзистора ие бо- лее 7 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Vite = IО В, /© = 10 А: 7„=+25°С...............................................15...30*.. 100* Т= — 60 °C, не менее...............................8 Тк = + 125°С, tie менее............................15 Граничная частота коэффициента передачи тока в схе- ме ОЭ при С7к»=5 А /к 0,2 А, типовое значение . . 25* МГц Граничное напряжение при /к=0,2 А, не менее . 100 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при //,- = = 10 А, /ь=1 А, не более...............................1,5 В типовое значение . . . 1,2* В Время включения при Ок = 30 В, /к =10 А, /с=1 А, не более................................................ . 50 нс типовое значение...................................40* нс Время выключения прн 1/к = 30 В, /к =10 А, /В(=1 А, /б2=2 А, не более...................................... 450 нс типовое значение................................... 300* нс Время спада прн 6'к=30 В, /к=10 А, /щ=1 А, /с2=2 А, не более .....................................100 ис типовое значение...................................60* ис Обратный ток коллектора при Скь=Ю0 В, не более: Т’к=+25 и —60°C........................................25 мА 7 «= + 125 С ... . , 100 мА Обратный ток эмиттера прн (7бэ=4 В, не более ... 10 мА Емкость коллекюрного перехода прн 1/кс=10 В, не более 400* нФ типовое значение....................................... 320* пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база . . . 200 В Постоянное н импульсное напряжение коллектор—эмит- тер при Сбв = 1,5 В или /?бз= 10 Ом . .... 160 В Постоянное напряжение база — эмиттер.....................4 В Постоянный и импульсный ток коллектора . ... 20 А Постоянный и импульсный ток базы ........................5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 при Тк = = -60..+ 50°C .............. ... 30 Вт 1 При +125’С Рк,макс рассчитывается по формуле Р11. макс- Вт-(200-Г*) Rr(n_ey 10 Заказ № 1004 145
Пр должение Температура р-п перехода .... .... +200 С Tei левое сопротив енне переход — корпус .... Б "С/Вт Температура окружающей среды ... ... —60 °C. Тя= = + 125 °C Допусп мое значение статическою потенциала 1 кВ. Выходные характеристи- ки Зависимость статическо- го коэффициента пере- дачи тока от тока кол- лектора Зависимости напряже- ний насыщения коллек- тор— эмиттер и база — / Зависимости времени включения, выключения и спада от тока коллек- эмиттер от тока коллек- тора Л».*Й| 30 U 30 го ю о ею гзю зоо ио гл.ча Зависимость граничной частоты коэффициента передачи тока от тока коллектора тора Зависимость максимально допусти- мого постоянного напряжения кол- лектор— эмиттер от сопрошвления база — эмиттер Зависимость коэффициента К. от ' длительности импульса 146
Области максимальных режимов 2Т867А Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры п-р-п переклю- чательный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, ис- точниках вторичного электропитания. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Масса транзистора ие более 20 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схе- ме ОЭ: при О'кэ = 5 В, //,-=20 Л: Т +25°C ... . . 12 30*. 100* 7 к - +125 °C . .... . 6.. 50* 150* 7 =-60 °C ... . . 6...20*...100* при икэ 5 В, /к-25 Л, 7'=2u°C . . . 10 .20* . 40* Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при 1)кэ= 10 В, /к = 0,5 А, типовое зна- чение .... . 25*МГц Граничное напряжение при /к—0,2 Л, L=25 мГн, не менее . . 200 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер: /к=20 А, 1в-4 А не более 1,2 В /к-25 А, /в=5 А . . 0.5’ 1* 1,5* В Напряжение насыщения база — эмиттер /к-20 А, /ц=3 А, ие более..................1,5 В 10* 147
/к=25 А, /в=5 А . . . . . . Время включения при Пк=100 В, /к=25 А, /д=» = 5 А, не более................................. типовое значение................... . . . Время рассасывания при £Л,-=100 В, /к=25 А, /в= =5 А не более................................... типовое значение . . ................. Время спада при U1;=\0C> В, /к=25 А, /д=5 А, не более .... .............. . . . типовое значение................... . . . Обратный ток коллектора при Urtr>—250 В: 7=+25 °C.................................... Л<= + 125ОС................................. 7=-60 °C.................................... Обратный ток эмиттера при Ur.n~7 В Емкость коллекторного перехода при С/кв=Ю В. не более....................... ................... Емкость эмнттерного перехода при t/cs—2 В, не более .......................................... П родолжение 1,2*... 1,5*... 1,8* В 0,8* мкс 0,4* мкс 1 3* мкс 0,6 мкс 0,4 мкс 0,25* мкс 0,05*.. 0 5* 3 мА 0,1* I* 6 мА 0,05* 0,2*. 6 мА 0.1*. 5* 10 мА 400* пФ 4500* пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при 6/бэ=1,5 В или /?«.,5^10 Ом ... 200 В Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при 1/«о = 1,5 В нлп fcj<10 Ом, 1„^20 мкс, 0^10: 1 мкс ............................ 300 В мкс .......... 200 В Постоянное напряжение база—эмиттер ... 7 В Постоянный ток коллектора.........................25 А Импульсный ток коллектора прн /„^20 мкс, 10 40 А Постоянный ток базы . . 8 \ Импульсный ток базы при /„^20 мкс, 10 12 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при 7п = +25°С ...............................100 В г Температура р-п перехода . .............+175 °C Температура окружающей среды........................— 60°C...7’II= + 125tlC При '/„-+25... + I25"С PI: x<tKC рассчитывается по формуле ’’к.жи. Вт-(175-Гк)/1,5. Допустимое значение статического потенциала 2 кВ. Пайка и лужение выводов рекомендуются не ближе 5 мм от корпуса тран- зистора с температурой припоя не более +260 °C в течение не более 8 с. Ми- нимально допустимое расстояние от корпуса до места пайки 2 мм при тем- пературе пайки не более + 150 °C. Выходные характеристи- ки Зависимость тока эмит- тера от напряжения ба- за — эмиттер Входная характеристика 148
Зависимость ст.тгическо- го коэффициента пере дачи тока от тока кол- лектора Зависимости напряже- ний насыщения коллек- тор— эмиттер и база — эмиттер от тока коллек- тора Зависимости времени включения, спада и рас- сасывания от тока кол- лектора Зависимое! ь граничной частоты коэффициента передачи тока от тока коллектора Зависимость максималь- но допустимого посто- янного напряжения кол- лектор— эмиттер от со- противления база — эмиттер Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллек тор — база Области максимальных ре- жимов Зависимости импульсного теплового сопротивле- ния переход — корпус от длительности импульса 119
КТ872 (А, Б) Транзисторы кремниевые ме- запланарные структуры п-р п им- пульсные Предназначены для применения в оконечных каскадах строчной развертки цветных теле- визоров. Корпус пластмассой! й с жесткими выводами. Масса транзистора ие бо- лее 20 г. Электрические параметры Граничное напряжение прн /« = 0.1 A, L -40 мГн, н менее 700 В Напряжение насыщения коллектор—эмиттер прн /« = = 4,Б А, /в=2 А: . . . Т= +25 СС: КТ872А ..............................0.3...1 В КТ872Б, не более........................... .... 5 В —25 и + 125СС: КТ872А, не более...............................2,5 В КТ872Б, не более . . 6 В Граничная частота коэффициента передачи тока при /Л,э = =б В, /к=0,2 А, типовое значение 7* МГц Время спада при б/кэ=500 В, /«=4,5 А, /с—1,4 А, ика зап—- 5 В, не более......................... - 1 мкс типовое значение . . 0,7* мкс Время рассасывания при /?кэ=500 В, /«=4,5 А, /« =1,4 А, 1/ге,зоп=—5 В, не более..............................7,5 мкс типовое значение ................................6,5* мкс Обратный ток коллектор — эмиттер при Uksk „ .««хь = = 1500 В, Ur,a=C>, не более: ГК=+25СС.........................................1 мА Гя=—25 и +125 °C ....................2 мА Обратный ток эмиттера прн L «э 6 В, ие более ... 10 мА Ток вторичного пробоя при Г'Кэ=120 В, /„=200 мкс, не меисе . . . . .................... 11 А Емкость коллекторного перехода при Г/К«=15В, f= 1 MI ц, типовое значение . ..........................125* пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмнттср . 700 В Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при £Л>е=0 1500 В Постоянный ток коллектора..........................8 А Импульсный ток коллектора ... .... 15 А Постоянный ток базы . ... 4 А Импульсный ток базы............................. 6 А Постоянный запирающий ток базы.....................100 мА Импульсный запирающий ток базы ....... 5 А •50
Продолжение Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при Гк = = —25 ..+25° С........................... ... . 100 Вт Температура р-n перехода . .... . . 150 °C Температура окружающей среды...............................— 25 °C.. Тк — = + 125 °C При ТК>+25°С Рк определяется по формуле РК махе* Вт-(150-7’к)//?Т(п_к где Рт(п-х определяется из области максимальных режимов. Допускается одновременная формовка выводов транзисторов не ближе 5 мм от корпуса. Радиус изгиба не менее 1 мм. Оснастка для формовки вы- водов должна иметь защитное заземление. При отсутствии контроля температуры корпуса пайка выводов допускает- ся не ближе 5 мм от корпуса прн температуре не более +265 °C в течение не более 3 с; при контроле температуры корпуса +125°C пайка допускается при температуре не более +280°C в течение не более 3 с. Время лужения 2 с При проведении монтажных операций допускается не более трех перепаек выводов. Допускается применять транзисторы в совмещенных блоках строчной раз- вертки и электропитания; при этом частота переключения не более 16 кГц. Допустимое значение статического потенциала 2000 В. Прн конструировании аппаратуры следует учитывать возможность само- возбуждения транзисторов за счет паразитных связей. Входные характеристики ния насыщения коллек тор — эмиттер от тока базы Зависимость статическо- го коэффициента пере- дачи тока от темпера- туры корпуса Зависимость времени Зависимость времени Зависимость макенмаль- спада от напряжения спада от тока коллек- ио допустимого им- коллектор — эмиттер тора нульсного напряжения коллектор — эмиттер от сопротивления база — эмиттер 151
Зависимость емкости эмнттерного перехода от напряжения база — эмиттер Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллек- тор — база Зависимость статическо- го коэффициента пере- дачи тока от тока кол- лектора Зависимость им пульсного теплового сопротивления пере- ход — корпус от дли- тельности импульса Область максимальных режимов Область максимальных режимов 152
2Т882 (А, Б, В] Транзисторы крем.чневые пла- нарные структуры п-р-п переключа- тельные. Предназначены для приме- нения в усилителях и переключаю- щих устройствах. Корпус пластмас- совый с жест1 ими выводами. Масса транзистора не более 2,5 г. Электрические параметры Статический козффицнент передачи тока в схеме ОЭ при Uk£>=5 В, /к=0,5 А, не менее: 7'к = + 25°С . ....................... 7’к= + 100°С . . . . ... Л,--60 °C . . . . Граничная частота коэффициента передачи тока в схе- ме ОЭ при L/Ks~ Ю В, /«=50 мА, не менее Граничное напряжение при /к=30 мА, ие менее: 2Т882А .......................... 2Т882Б.................... .................. 2Т882В................ . . Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн /к= =0,5 А, /д=0,1 Л, не более .... Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=0,5 А, 7б=0,1 А, не более . . .................... Время включения при Uxb—50 В, /к=0,5 А, /е=0,05 Л, не более . . . .... типовое значение .... . . Время выключения при /?кэ=50 В, /к«0,5 А, /п=0,05 А, не более ............................................ типовое значение . . .... Время рассасывания прн Uko~50 В, /« = 0,5 А, /б=0,05 А, не более . ... типовое значение ... Обратный ток коллектора, не более 7=4-25 °C и Uxb—Ukh .новс . .... 7=+ 100 °C Н UkK—Uk9O.sp Обратный ток эмиттера при /7вб=6 В, не более Емкость коллекторного перехода при /7«б=5 В, не более типовое значение . . ... Емкость эмнттерного перехода при 1/Яб=0,5 В, не более типовое значение .... Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база при dUxsIdt^ ^250 В/мкс: 2Т882Л .................................... 2Т882Б . . .... ... 2Т882В ... 15 10 6 20 МГц 250 В 230 В 150 В 1 В 1,6 В 0,2* мкс 0,08* мкс 3.5* мкс 1,5* мкс 3* мкс 1,4* мкс 0,1 мА 0,5 мА 0,1 мА 50* пФ 35* пФ 600 пФ 450 пФ 400 В 300 В 250 В 153
Продолжение Постоянное напряженке коллектор — эмиттер при Rnj^ <100 Ом. dUKB!dt<250 В/мкс: 2Т882А . ................... 350 В 2Т882Б........................ . 275 В 2Т882В 200 В Постоянное напряжение эмиттер — ба ‘а 6 В Постоянный ток коллектора . 1 А Импульсный ток коллектора .... . 2 А Постоянный ток базы............................. ... 0,5 Л Постоянная рассеиваемая мощность колзектора при Тк = =-60. +25 °C: с теплоотводом* 1...................................10 Вт без теплоотвода ’...............................1 Вт Температура р-п перехода ...........................+150 °C Температура окружающей среды . . . . . . — 60 °C 7« = - + 100 °C 1 При Гк = +25...+ 1Р0 °C /’к.жякс снижается линеДно иа О.ПЗ Вг/°С. 1 При Гк = +25...+КТО °C /°KiJWaKC снижается линеКно на 8 мВт/эС. Области максимальных режи- мов Зависимость коэффициента К от длитечь- ностп импульса Входные характеристики Выходные характеристи ки Зависимости напряже- ний насыщения кол- лектор эмиттер и ба- за — эмнттер от тока коллектора 154
Зона возможных положении зависи- мости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора Зависимость максимально допустимого постоянного напряжения коллектор — эмиттер от сопротивления база — эмит- тер 2Т884 (А, Б| Транзисторы кремниевые планарные структуры п р п пе- реключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Кор нус пластмассовый с жесткими выводах* и Масса транзистора не бо- лее 2,5 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при ^кв = 5 В, /а =0,3 А, не менее: 7=+25сС.........................................25 Т-Ч-ЮО'С........................................15 /=-сосс.........................................6 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при Ukb = 10 В, /к=30 мА, не менее . . 10 МГц Граничное напряжение при /к = 30 мА, не менее: 2Т884А . . . . . ... 400 В 2Т884Б......................................... 300 В Напряжение насыщения коллектор — эминер при /д = =0,3 Л, /д=0,03 А, не более .......................0,8 В 155
Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=0,3 А, Л. —0,03 А, ие более ... . . . . Время включения при ПКэ=200 В, /к=1 А, /в=0,02 А, не более.............................. . . . типовое значение .... . . . . Время спада при UKB = 200 В, /к=1 А, /в=0,2 Л, не более типовое значение .... . . . . Время рассасывания при Свэ=200 В, /к=1 А, /в=0,2 А, нс более.......................................... . . типовое значение ...................... . . Обратный ток коллектора при Скв=Скв.Л:1кс, не более: 7=-60 .4-25°C.......................................... 7'=4-100 °C........................................ Обрат| ын ток эмиттера при 77вэ=5 В, не более Емкость коллекторною перехода при Uke = 5 В, не более типовое значение . . . . Емкость эмпттерного перехода при СЛ,э=0,5 В, не более типовое значение ........................... Продолжение 1 В 3 мкс 2* мкс 0,8 мкс 0,6* мкс 3 мкс 2* мкс 0,2 мА 1 мА 1 мА 60 пФ 35* пФ 1500 пФ 1200* пФ Предельные эксплуатационные данные По тояпиое напряжение коллектор — база при dUKbldl^. ^250 В/мкс: 2Т884Л............................................ 800 В 2Т884Б...................................... . . 600 В Постоянное напряженке коллектор — эмиттер при 100 Ом, dUl!3/dt^250 В/мкс: 2Т884Л................. ......................... 800 В 2Т884Б........................................... 600 В Постоянное напряжение база — эмиттер...............5 В Постоянный ток коллектора..........................2 Л Импульсный ток коллектора ................5 А Постоянный ток базы . . ....................1 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 прн 7\ = = -60. .4-25 °C: с теплоотводом ... ............. . 15 Вт без теплоотвода..................................... 1 Вт Температура р-« перехода.............................4-150 °C Температура окружающей среды.............................— 6О°С...ТК = = 4-100 °C 1 * 3 1 При Гк->+2е . + !0Э °C Рк макс снижается линейно на 0,12 Вт/’С с тсплоотв дом и на 8 mBi/’C без те i.i-эотвода. Допустимое значение статического потенциала 1 кВ. Допускается обрезка выводов транзистора не ближе 5 мм от корпуса и одноразовый изгиб выводов на угол не более 90° от первоначального положения в плоскости, перпендикулярной основанию корпуса, и нс ближе 5 мм от кор нуса с радиусом изгиба не менее 1,5 мм, прн этом должны приниматься меры, исключающие передачу усилия на корпус. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки не менее 5 мм. При одновременной пайке теплопроводящен поверхности и выводов транзистора пай ку осуществлять припоем с температурой не более 4-260 °C в течение не более 3 с. При раздельной пайке теплопроводящей поверхности и выводов транзисто- ра пайку осуществлять припоем с температурой не более 4-240 °C в течение не более 8 q при этом обязательно применение теплоотвода. 156
Выходные характеристи- ки Зависимости напряже- нии насыщения коллек- юр — эмиттер и база — эмиттер от тока коллек- тора Зависимость статического коэффици- ента передачи тока от тока эмиттера Зависимость максимально допустимого постоянного напряжения коллектор — эм пт юр от сопротивления база — эмит- тер Области максимальных режи мов Зависимость коэффициента К от длитель- ности импульса 157
Транзисторы р п р П201Э, П201АЭ, П202Э, П203Э Транзисторы германиевые сплавные структуры р п р универсальные Пред назначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпу- скаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора ука- зывается на корпусе. Масса транзистора ие более 12 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при С/кэ=Ю В, /к =0,2 А, не менее: П201Э. П202Э ............................20 П201АЭ..........................................40 Статическая крутизна прямой передачи в схеме ОЭ при U,<з=28 В для П203Э: Г=+25°С.........................................1,2 1,8 А/В Т= 60°С .........................0,8 1.4 А/В Граничная частота коэффициента передачи тока в схе- ме ОБ при С/кв=10 В. /к=0,2 А не менее. П201Э, П202Э....................................100 кГц П201Э, П203Э................................... 200 кГц Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при /к = 2 А, /г.=0,3 А для П201АЭ, П202Э, П203Э, не более . 2,5 В Обратный ток коллектора, ие более: 7= +25 °C’ 1/кс=20 В П201Э, П201АЭ......................0 4 мА f/Ke = 30 В П202Э, П203Э.......................0,4 мА Т= +70 °C: 1/кс=20 В П201Э, П201АЭ......................2 мА Пкв = 30 В П202Э, П203Э . . 2 мА Обратный ток эмиттера при С/ав=10 В. не более: Г —+ 25 °C............................... .... 0,4 мА 7=+ 70 °C.......................................2,5 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор—эмиттер при /?«,= —50 Ом: Т^г +20 °C- П201Э, П201АЭ...................................30 В П202Э, П203Э....................................50 В 158
Продолжение 22 В 30 В Т= + 50 °C П2О1Э, П201ЛЭ................................. П2О2Э, П2ОЗЭ .... Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Рк^ <10 Вт, 7<+50°С: П201Э, П201АЭ.................................... П202Э, П2ОЗЭ..................................... Постоянное напряжение коллектор — база: при 7'<+2ОсС П201Э, П2О1ХЭ.................................. П202Э, П203Э................................... прн Т — +50 ”С П201Э, П201АЭ.................................... П202Э, П203Э................................... Постоянный ток коллектора: П201Э П201АЭ.............................. П202Э, П203Э.................................. Импульсный ток коллектора- П201ЛЭ ... .......................... П202Э, П203Э . . ....................... Постоянная рассеиваемая мощность: с теплоотводом: 7„<+20‘С: 7^+70'С . . .................. . без теплоотвода Т< + 25 °C . ................ Импульсная рассеиваемая мощность при /и<5с, Q^3, /к<+70”С............................................ Переключаемая мощность постоянного тока . . . , Тепловое сопротивление переход — корпус . . . . Температура р-п перехода Температура окружающей среды........................ 10 В 15 В 45 В 70 В 30 В 55 В 1 5 А 2 Л 2 А 2,5 Л 10 Вт 4 3 Вт 1 В 10 Вт 30 Вт 3,5 сС7Вт + 85 °C -СОХ. Гк~ = +70 X П210А, П210Ш Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р универсальные. Пред- назначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпу скаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора ука- зывается на корпусе Масса транзистора не более 37 г с наконечниками выводов и не более 48,5 г с крепежным фланцем. 159
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: при t/ro = 2 В, /я=5 А для П210А, ие менее типовое значение .............................. при с/кэ=1 В, /я=7 А для П210Ш . . . типовое значение Статическая крутизна прямой передачи в схеме ОЭ: при Uко=2 В /я=5 А для П210А, пе менее типовое значение ............................ при 6/ял=1 В, /к=7 А для П210Ш, не менее типовое значение .................. Граничная частота коэффициента передачи тока в ме ОБ при 1/кь = 20 В, /э=0,1 А, нс менее lpaiHi4tioe напряжение при /я,и=2,5 А, не менее типовое значение . ... схе Плавающее напряжение эмиттер—база при 17кд = 40 В, не более: 15 19* 15.. .60 23* 6,66 А/В 9* А/В 6,52 А/В 10* А/В 100 к! ц 50 В 70* В П210А......................................... П210Ш......................................... Обратный ток коллектора, ие более: 7=+25 С: U кв =45 В П210Л............................ G'kl=65 В П210Ш.............................. Т= +70 °C: 6/кв=45 В П210А................................ Ulf в = 65 В Г1210Ш.......................... Обратный ток эмиттера П210Ш, не более: СЛ,с=1,5 В . . ......................... Uон=35 В...................................... 1,5 В 0,15 В 8 мА 8 мА 50 мА 12 мА 3 мА 10 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор—эмиттер, при 1,5 В для П210А................................. при С/ьэ>0,5 В для П210Ш ................ Постоянное напряжение коллектор — база П210А Постоянное напряжение эмиттер — база................. Постоянный ток коллектора в режиме насыщения П210Л Импульсный ток коллектора в режиме насыщения при 1^15 мкс для П210Ш................................... Постоянная рассеиваемая мощность при 7„sg+25°C . . ................... при 7к = +70°С....................... . . . . Тепловое сопротивление переход — корпус . . . . Тепловое сопротивление переход — среда Температура р-п перехода ............................ Температура окружающей среды .... . . 65 В 64 В 65 В 25 В !2 А 9 А 60 Вт 15 Вт 1 °С/В 40 “С/Вт +85 °C -60 °С...7к = = +70 °C Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода транзистора должно быть не менее 20 мм. Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 20 мм от корпуса в течение ие более 10 с. Температура жала паяльника должна быть не более +260 'С П213, П213 (А, Б), П214, П214 (А, Б, В, Г), П215 Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п р универсальные Пред- назначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения Выпу- 160
скаются в мсталлостекляниом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора ука- зывается на корпусе. Масса транзистора ие более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при С'ко = 5 В, /к = 0,2 Л: П213А, П214В, не менее...........................20 П213Б, не менее ...........................40 П214..............................................20.60 П214А .................................50.150 П214Б, П215 . . ... 20.150 П213 при Гла-5 В, /к=1 А........................ 20 50 Статическая крутизна прямой передачи в схеме ОЭ при Б'кэ=28 В, /<„ = 35 Ом, f=270 Гц для П214Г . . . 1.4...2J А/В Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОБ при Ске=10 В /к=100 мА, не менее 150 кГц Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не более: /к=3 А, /к=0,37 А П213 ... 0,5 В /к=3 А, /к=0,37 А П214, П214А, П214Б, Г1215 . 0,9 В /и=2 Л, /ь=0,3 А П213Б, П214В, П214Г . . 2,5 В Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=2.5 Л. /в = 0.37 А: П213. не более ............................ 0,75 В 11214, Г1214А П215, не более . . 1,2 В Н214Б . . . . 0.6 ..0,9 В Плавающее напряжение эмиттер — база при 7=+ 70’С, не более: б'кв = 45 В П213 . 0.3 В 6’кв = 45 В П213А. П213Б ... 05 В Окд = 60 В 11214, П214А. П214Б .... 0,3 В /7кв=60 В Г1214В, П214Г..................... 0.5 В Б'кв = 80 В П215..................................0,3 В Обратный ток коллектора, не более: 7 = +20 °C: </ке= 45 В П213 . . . . . . 0 15 мА 1/кв= 45 В П213Х П213Б...........................1 мА </кв = 60 В П214, П214А..........................0.3 мА Бкв = 60 В П214Б, П214В, П214Г . 1.5 мА //кв=80 В П215 .......................0 3 мА Т + 70 СС: Т//:ь = 45 В П213 ....................2 мА Пкь—45 В Г1213Л, П213Б . . .4,5 л\ UK,.=W В П214. П214А.............................2,5 мА С'кв=60 В П214Б ....................2 мА 11 Заказ № 1004 101
П родолжение 1/ЯБ=60 В П214В, П211Г.........................5 мА Ркв=80 В П215 . . . . . 2,5 мА Обратный ток коллектор — эмиттер прн /Б=0. не более: Уна = 30 В П213 . 20 мА (7де=45 В П214 П214А П214Б ... . . 30 мА (7кэ = 55 В П214В, П214Г . . . . 30 мА (/кв-60 В П215 ...........................30 мА Обратный ток коллектор — эмиттер при /?6J=50 Ом, не более: (7„Я=ЗО В П213А, П213Б ...................10 мА UKS=55 В П214В, П214Г...........................10 мА Обратный ток эмиттера, не более: Т=+20 °C: {/ав=15 В П213, П214, П214А, П214Б, П215 . 0,3 мА USE= 10 В П213А, П213Б, П214В, П214Г . . 0,4 мА Г= + 70оС: 15 В П213, П214Б.................................2 .мА (7эг,= 15 В П214, П214А, П215..................2 5 мА (/8Б=10 В П21.А, П213Б . . . .4,5 мА С/8Б=10 В П214В, П214Г .... 5 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор—эмиттер нри /Б=0 П213............................ • 30 В П214, П214Б ......................45 В П215............................................60 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rcj^ ^50 Ом: П213А, П213Б..................................30 В П213............................................40 В П214, П214Л, П214Б, П214В, П214Г................55 В П215............................................70 В Постоянное напряжение коллектор — база: П213, П213А, П213Б . ... 45 В П214, П214А П214Б, П214В, П214Г ... 60 В П215 ................................80 В Постоянный ток коллектора . 5 Л Постоянный ток базы ... ... . . 0,5 А Постоянная рассеиваемая мощность: 7"Ж<+45ОС П213А, П213Б П214, П214Л, П214В, П214Г, П215 10 Вт П213, П214Б 11,5 Вт Тк +70° С: П213Л. П213Б. П214 П214А. П214В, П214Г, П215 3,75 Вт П21 , П214Б . . . 4,3 Вт Тепловое сопротивление переход — корпус: П213, П214Б ............ . . 3,5°С/Вт П213Л, П213Б. П214, П214Л, П214В, П214Г, П215 , 4 0С/Вт Температура рп перехода.............................+85 °C Температура окружающей среды........................— 60 — При эксплуатации транзистор должен быть жестко закреплен с помощью накидного фланца на металлическом шасси или на специальной теплоотводе со шлифованной поверхностью Диаметр отверстия в теплоотводе под выводы транзистора должен быть не более 5 мм. При необходимости электрической изоляции корпуса (коллектора) тран- зистора от шасси или теплоотвода между корпусом и теплоотводом рекомен- 162
дуется ставить прокладку из слюды. Суммарное тепловое сопротивление пере- ход — теплоотвод увеличивается прн этом на 0,5 “С/Вт на каждые 50 мкм тол- щины слюдяной прокладки. Из! иб выводов при пайке допускается только па их плоской части. П216, П216 (А, Б, В, Г, Д), П217, П217 (А, Б, В, Г) Транзисторы юрмапиевыс сплавные структуры р-п-р универсальные Пред- назначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения Вы пускаются в мсталлостеклянпом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г. П216, П216(А-Д). П217, П2П(А-Г) Электрические параметры Коэффициент передачи тока в режиме малого сшиала в схеме ОЭ: при С/кэ = 5 В, /к=1 А П216А..................... 20 80 при (7кэ=3 В, /к=2 А П216Б, не менее .... 10 при (7кэ = 3 В /к=2 А П216В, не менее .... 30 при (Ука=3 В, /к=2 А П216Г, не менее .... 5 при </кв=3 В /к=2 А П216Д .............15 .30 прн 1/кэ = 5 В, /к=1 А П217А 20.60 при {7кэ*=5 В, /к=1 А П217Б, ие менее .... 20 при (УКе=3 В, /„=2 А П217Г. 15.. 40 Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ, не менее: при Г'кв=0,75 В /к = 4 А П216 . . . 18 при (7КЭ=1 В, /к=4 А, П217.................... 15 Граничная частота коэффициента передачи тока в схе ме ОБ при 0/кв=10 В, /к=0,1 А, не менее .... 100 кГц Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не более. при /к 4 А, /Б=0,5 А П216, П216А 0,75 В при /„ 4 А, /ь—0,5 А П217, П217А. П217Б, П217Г 1 В при /к 2 А, /«-0,3 А П216Б, П216В. П216Д П217В 0,5 В Напряжение насыщения база—эмиттер при /«=3,5 А, /«=0,5 А: 11216, П217, не более............................1,5 В П217Б............................................0,6..0,9 В П217Г, ие более ... ... 0,8 В Плавающее напряжение эмиттер — база, не более: при Ркв=40 В П216, П216А .................0.3 В при U,,-c = 35 В 11216Б. П216В...................0,5 В 11 163
Продолжение при С/кв=50 В П216Г, П216Д.......................0.5 В при t//fb=60 В [1217, П217Л, П217Б...............0,3 В прн Ukb=60 В П217В, П217Г ... . 0,5 В Обратный ток коллектора, не более: прн 7’= + 20°С: Uкб=40 В П216, П216А . . . . 0,5 м\ t/кв=35 в П216Б................................1,5 мА 1/кб=35 В П216В................................2 мА t/„-c = 50 В П216Г.............................2,5 мА 77кв=50 В П216Д . ....................2 мА (/кв = 60 В 11217 П217Л, П217Б . ... 0.5 мА Бкв = 60 В П217В. 11217Г.......................3 мА при Г=+70°С: Б’кв-40 В Г1216, П216А.......................4,5 мА Б'к =35 В П216Б, П216В.......................7,5 мА ti,-E=50 В П216Г. П216Д.......................7,5 мА t/,fB-60 В П217, Г1217Л, П217Б . . . . 5 мА 1/кв=60 В П217В, П217Г . ... 7,5 мА Обратный ток коллектор — эмиттер при /в=0, не более: прн 1/кэ-30 В П216, П216Л . 40 мА при 1/ке = 45 В П217, П217А, П217Б . . 50 мА Обратный ток коллектор — эмиттер прн /?«3 = 0, не более: 1/кв = 35 В П216Б, П216В ... . . 20 мА (Л,э = 50 В П216Г ...........................50 мА Ска-50 В П216Д ... .................20 мА Б'кв=60 В П217В. П217Г...........................20 мА Обратный ток эмиттера при t/ajs—15 В, не более: Г= + 20 °C: П216, П216А, П217, П217А, П217Б ... 0,4 мА П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В, П217Г . . 0,75 мА Т t-70°C. П216, П216А П217, П217А, П217Б . . 4 мА П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В, П217Г 7 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база и коллектор — эмиттер при /?«э=0: П216, П216Л ...........................40 В Г1216Б, П216В . . .......................30 В П216Г, П216Д .......................50 В П217, П217Л, П217Б, П217В, П217Г.................60 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /в=0: П216, П216А . . .......................30 В П217, П217А, П217Б . . .................45 В Постоянное напряжение эмиттер — база.................15 В Постоянный ток коллектора . . . ... 7,5 А П стоянный ток базы ... . . . 0,75 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 7„^+25°С: П216, П216А, П217, П217А, П217Б................30 Вт П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В, П217Г . . 24 Вт 7\=+70°С: П216, П216А, П217, П217Л, П217Б ... 7,5 Вт П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В, П217Г 6 Вт Тепловое сопротивление переход — корпус: П216, П216А, П217, П217А, П217Б 2 С/Вт П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В, П217Г . . 2,5СС/Вт Те-.-иература р-п перехода...........................+85 °C Температура окружающей среды.........................— 60 °C...Гц = = +70 °C 164
Про эксплуатации транзистор должен быть жестко закреплен с помощью накидного фланца на металлическом шасси или на специальном теплоотводе со шлифованной поверхностью. Диаметр отверстия в теплоотводе под выводы транзистора должен быть не более 5 мм. При необходимости электрической изоляции корпуса (коллектора) транзи- стора от шасси или теплоотвода между корпусом и теплоотводом рекоменду- ется ставить прокладку из оксидированного алюминия или слюды Суммарное тепловое сопротивление переход — теплоотвод увеличивается при этом на 0,5°С/Вт на каждые 50 мкм толщины слюдяной прокладки или на 0,25°С/Вт иа каждые 50 мкм толщины слои оксидированного алюминия. ПЗОЗ, ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304, П306, П306А Транзисторы кремниевые структуры р-п-р усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты и преобразователях постоянного на- пряжения. Выпускаются в мсталлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается па корпусе Масса транзистора не более 10 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Ukb = \G В- 7"= +25 °C: /в =120 мА: П302, не менее................................. 10 ПЗОЗ, ПЗОЗА, не менее...................... 6 2э= 100 мА П306 ............................. 7. .25 /,э = 60 мА II304, не менее ... . . 5 /а=50 vA П306А...................................5 .35 Т=— 60 °C, ие менее. /э=120 мА П302 ........................ 6 /э=120 мА ПЗОЗ, ПЗОЗА........................3.5 /э=100 мА П306 ............................. . . 4 h = 60 мА ПЗ 1 . .................3 /а=50 мА П306А . . . . . 3,5 165
П родолжение Предельная частота коэффициента передачи тока при ^ке=20 В, не .менее: /е-120 мА П302 . .............................. 200 кГц ПЗОЗ, ПЗОЗА......................................100 кГц ПЗО4 . .. 50 кГц /е = 100 мА П306 и /в=50 мЛ 113CGA .... 50 кГц Сопротивление насыщения коллектор — эм и пер при /к= = 150 мА, /р=500 мА, для ПЗОЗ, ПЗОЗА, не менее: Г=+25°С.............................................20 Ом 7=-60 п +120 °C.....................................30 Ом Входное напряжение, не более: t7«n=10 В, /к=300 мА: П302 6 В ПЗОЗ, П304 ........................10 В ПЗОЗА ........................... Ф В 0/кв=15 В, /к = 300 мА П306 ... . . 6 В {/кв=15 В, 1к = 200 мА П306А 4 В Обратный ток коллектора: Г—+25 °C, </к,;=35 В П302; 77,ге=6О В ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304, П306; 1/кв=80 В П306А, не более 100 мкА 7"=+ 120 °C, (/иь=30 В П302; 0'кв=50 В ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304, П306; t/KB=65 В П306А, не более 1500 мкА Обратный ток коллектор — эмиттер: Г-+ 25°C, fte,= l кОм, 1/кв = 40 В П302; (Д-в = 70 В ПЗОЗ, ПЗОЗА П306; 7/ке-100 В П304, П306А, не более .................... . 1 мА 7"=+ 120 °C, «я,-100 Ом, ииэ=30 В П302; UKB- = 50 В ПЗОЗ, ПЗОЗА, П306; [/«8=65 В П304; </К8 = = 60 В П306Л, не более...............................6 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при <100 Ом и коллектор—база1: Гп--60...+20 °C; П302 30 В ПЗОЗ, ПЗОЗА ......................................65 В П304 50 В Т„=+20. + 100 °C: П302 35 В ПЗОЗ, ПЗОЗА, П306 60 В П304, П306Л 80 В т„=+ 150 °C П302 .............. ... 18 В ПЗОЗ, ПЗОЗА............................... .... 40 В П304 ....................................... 30 В Т„=+25°С: П306 .............................................. 60 в П306Л 80 В Т„- - 60 °C: Г1306 50 В П306Л 70 В Постоянный ток коллектора П302, ПЗОЗ, ПЗОЗА, Г1304 0,5 А П306, П306А 0.4 А 1 При температуре перехода выше + 100 "С б'«в«..„„кс и б'кв. мпке снижаются на 10% на каждые Ю”С. Температура перехода определяется по формуле 7\"7К + ЯТ(П_К)РК- 166
Продолжение Постоянный ток эмиттера П306, П306А 0,5 Л Постоянный ток базы ... . . . . 0,2 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора *: с теплоотводом Гк=-60 .4-50°C' 11302 7 Вт ПЗОЗ, ПЗОЗЛ. П304, П306, П306Л . . 10 Bi 7к=-И20°С П306, П306Л 2 Вт 7\ 4-120 °C П302, ПЗОЗ, ПЗОЗЛ, П304 3 Вт 7,. = +-90 °C П306, П306А 3 Вт без теплоотвода Т--60...4-50 °C 1 Вт Г= 4-120 °C 0,3 В г Тепловое сопротивление переход — окружающая среда 100 °C/Вт Тепловое сопротивление переход — корпус .... 10°С/Вт Температура р-п перехода 4-150 °C Температура окружающей среды -60 °C.. 4-120 °C 1 При Т’к>50 °C для транзисторов с теплоотводом Р1( макс В т - (159-/к) 10. для транзисторов без теплоотвода при F>4-20vC Р^ макс, Вт—(150 —Г)/!00 П601И, П601 (ЛИ, БИ), П602И, П602АИ Транзисторы германиевые диффузионно сплавные структуры р-п-р универ- сальные. Предназначены для применения в усилительных, импульсных и пере- ключающих каскадах радиоэлектронных устройств. Выпускаются в металло- стеклянном корпусе с гибкими (вариант 1) и жесткими (вариант 2) выводами. Тин прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 12,5 г 167
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при //кэ = 3 В, /к=0,5 Л: 7 = +20 °C: Г1601И, ие мспсс........................... . . 20 П601АИ, П60211 .............................. 40... 100 П601И, П602А11................................ 80. 200 7'=+70 °C: П601И, П601БИ, П602АИ. не более .... 250 П601ЛИ, П60211 .......................... 40. 100 7’=-60сС П601И, не менее . . ...... 10 П601АИ. П601БИ, П602АИ, П602И, не более . . 0,5 значения прн Г=+20 СС Модуль коэффициента передачи тока при /7кв=Ю В, /в = =50 мА, [= 10 МГн, не менее: П601И, П601АИ, П601БН...........................2 П602И, П602АИ...................................3 Граничное напряжение при /э = 0,3 A, f—1 кГц, tu — =5 мкс, не менее П601И, П602ЛН...................................20 В Г1601АИ, П601БИ, Г1602Н.........................25 В Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при /к — 120 мА, /в-60 мА .............. . . 2* В Напряжение насыщения база—эмиттер при /к—0.5 А, /с-0.25 А ..............................1,5* В Постоянная времени пени обратной связи прн /7кс=20 В, /н = 50 мА, 1=5 МГц. не более....................... 750 пс Время нарастания прн /к—0.5 А, не более: /в=60 м.А П601И . . . . 0,4 мкс /с-30 мА П601ЛИ, П601Б11, П602И. П602ЛИ . . 0,4 мкс Время рассасывания при /к=0,5 А, не более: /с = 60 мА П601И................................6 мкс /Б = 30 мА П601АИ, П602И . ...........4 мкс /с=30 мА П601БИ, П602АИ.......................5 мкс Обратный ток коллектора, не более: при Г= + 20°С: f/кв =10 В: П601И........................................ 200 мкА П60 lAH, 1160211 .......................... 100 мкА П601БИ, П602ЛН...............................130 мкА 1/кс=25 В П601И . ..............................2 мА П602АИ ............. . 1,5 мА f/кв-ЗО В П601АИ, П601БИ. П60211 ... 1,5 мА при 7’=+70°С и //кБ=10В П601И П601АИ, П601БВ, П602И П602АИ 6 мА Обратный ток эмиттера при Г,эб=0,5 В .1 м/А Емкость коллекторного перехода прн £/«£=20 В / = = 5 МГц, не более ... . 170 пФ Емкость э.мштерного перехода при 6/ас —0,5 В, f=5 МГц 2500* пФ Предельные эксплуатационные данные Напряженке коллектор— эмиттер при /?бЭ<100 Ом: П601 АН, П602АИ .......................25 В П601И П601БИ П602И ....................30 В Напряжение коллектор база П601АИ П602АИ .......................25 В П601И, П601БИ, П602И............................30 В 1(анряжение эмиттер — база: 7 + 20°С........................................0,7 В 108
Продолжение 7=+70 С.........................................0,5 В Импульсный ток коллектора...........................1,5 В Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода, Т= — 60...+60СС....................0.5 Вт с теплоотводом: Тк=+25СС........................... 3 Вт 7к = + 70сС....................................0,75 Вт Температура р-п перехода...................... +85°C Тепловое сопротивление переход — корпус .... 15 сС/Вт Тепловое сопротивление переход — среда..............50сС/Вт Температура окружающей среды........................—60 °С„.7'К= 1 При 7>+60'С для транзисторов без теплоотвода Рц макс Вт-(К5—7)/50; для транзисторов с теплоотводом при 7Х = +25',С Рк макс Вт= (85 —Тх)/15. П605, П605А, П606, П606А Транзисторы германиевые структуры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в усилительных, генераторных н импульсных каскадах низкой и высокой частоты (до 30 МГц). Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими (вариант 1) и жесткими (вариант 2) выводами. Тип прибора ука- зывается па корпусе. Масса транзистора с жесткими выводами не более 11 г, с гибкими выво- дами не более 12 г. П605, П605А, П606, П608А 169
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при f = 0,l . 10 кГц: 7=+20 °C: 1/кэ“3 В, /к=0,5 А П605, П606 . . . 20...35*...60 икэ=3 В /к-0,5 А П605А, П606Л . . 50 75* 120 1/кэ=7 В, /к=15 мА П605 П605А, П606, П606А ................... ... 20 30*. .50* Т= -60 °C (7ks = 3 В, /к=0,5 А П605, П606 . . . 14...84 Uko=3 В, /к = 0,5 А П605А, П606А . , . 25...168 7=+70°С .....................0,5 .1,5 значения при 7 = + 20°С Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при 1/КБ=10 В, /в=50 мА, f=10 МГц П606, П606А .... 3..5,5*...7* Граничное напряжение при 7э=0,3 А, /«=5 мкс, /=1 .10 кГц: П605, П605А................................... 35.. 45*.. 55* В П606, П606Л......................... . . 20.. 30*. 40* В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер: прн /к=0,5 А, /Б=60 мА П605, П606 . . . 0,4*...0,7*.. 2 В при /к=0,5 А, /Б —30 мА П605А, П606А . . 0,4*...0,7*..,2 В Напряжение насыщения база — эмнттео: при /к = 0,5 А, /Е=60 мА П605, Г1606 . . . 0,3‘ 0,5* 1,2 В при /к=0,5 А, /Б —30 мА П605А, П606А . . 0,3* . 0,5* 1.2 В Постоянная времени цепи обратной связи при Ек = =20 В, /э=50 мА, 1-5 МГц .... ,40* 80*...500 нс Время включения при ?вкл, f=1...10 кГц Т/к-02 В, /к=0,5 А, /Б=60 мА П605. П606 . 0,06* .0,1*. .0,3 мкс 1/к=20 В, /к=0,5 А, /Б = 30 мА П605Л, П606А, «с более............................ 0,35 мкс Время рассасывания при f=l. 10 кГц: 17к=2О В, /к=0,5 Л, /Б=60 мА П605, 11606 0 4* .1* 3 мкс 6'к=20 В, /к=0,5 А, /Б=30 мА П605Л, П606А, не более......................................4 мкс Обратный ток коллектора, tie более: при Т= + 20 °C: 1/кв = 45 В П605, П605А....................... 2 мА UKr. 35 В П606, П606А . ... 2 мА при 7= +70 °C- t/кв = 40 В П605 П605А......................8 мА t/кв=30 В П606, П606А.......................8 мА Обратный ток коллектор — эмиттер при /?вэ= = 100 Ом, не более t/кв = 40 В 11605, П605Л..........................3 мА 1/кэ=25 В П606, П606А ..................3 мА Обратный ток эмиттера, не более: 7=+20 °C: ивв 1 В П605, П605А.........................1 мА t/эв 0,5 В П606, П606А , . . , 1 мА 7=+70 °C; 1/вв=1 В П605, П605А . ... 2 мА t/sb-=0,5 В П606, П606А . . . . 2 мА Емкость коллекторного перехода при 1/кв—20 В, f 5 МГц............................. . . 50* 70*... 130 пФ Емкость эмиттерного перехода прн С/ев=0,5 В, f= = 5 МГц, пе более................................. 2000* пФ 170
Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор—эмнтгер: при R.,c^ 100 Ом, Т= — 60...+20 °C: П605, П605Л................................. П606, П606Л ............. при RrfjglO Ом, 7=+70 °C: П605, П605А . П606, П606А при заданном обратном напряжении эьиттер — база. 7= 60...+ 20 С: П605, П605А . . . . П606, П606А . . ................. 7=+70 °C П605, П605А............................. П606, П606А............................. Постоянное напряжение коллектор — база: при 7=-60...+ 20 °C: П605, П605Л................................. П606. П606А............................... прн 7=+70°C: П605, П605А....................... . . П606, П606Л............................... Постоянное напряжение эмиттер — база: П605, П605А . ................. П606, П606А .......................... Импульсный ток коллектора при /„^10 мс, Q^2 Импульсный ток базы при 1и^10 мс, <2^2 Средняя рассеиваемая мощность коллектора ': без теплоотвода: 7=-60...+ 60 °C........................... 7=+ 70 °C................................. с теплоотводом при 15°С/Вт- 7—-60,. + 20°С . . . . . 7=+70 °C . ................. Тепловое сопротивление переход — корпус Тепловое сопротивление корпус — среда (без тепло- отвода) ........................................ Температура р-п перехода ....................... Температура окружающей среды ................... 40 В 20 В 20 В 15 В 45 В 35 В 40 В 30 В 45 В 35 В 40 В 30 В 1 В 0,5 В 1,5 А 0,5 А 0,5 Вт 0,3 Вт 3 Вт 0,75 Вт 15 "С/Вт 35 °С/Вт +85 °C -60.. +70 °C 1 Рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом прн Г-+25 .+70 °C и без теплоотвода при 7 = +60... + 70 °C рассчитывается по формуле ср макс* Вт-(85 7)/(RT(n к) + ^Т(к-с)7 При эксплуатации транзисторы должны крепиться с помощью накидного фланца. Расстояние от корпуса транзистора до места пайки вывода не менее 20 мм для варианта с гибкими выводами и не менее 5 мм для BapnaHta с жесткими выводами П607, П607Л, П608, П608 (А, Б|, П609 П609 (А, Б) Транзисторы германиевые структуры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты (до 100 МГц). Выпускаются в металлостекляипом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 12 г. 171
0601 O60U. ПбОВ. HSOBfA. С) Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Uk»=3 В, 7к=055 А, /и=15мкс, f=0,l..,10 кГц: 7=4-20 °C: П607 .................................. П607А . . ................... П608, 11608Б, П609 ................... П608Х I1G09A, П609Б ............. 7- 60 °C .................................. 7-+70 °C .................................. Модуль коэффициента передачи тока па высокой частоте при 1/кс=10 В, /э = 50 мА, (=20 МГц: П607 П67А.................................. П608, П608А, П608Б . . . . П609, П609А, П609Б......................... Граничное напряжение при /е=0,1 А, /„ = 5 мкс, (=1.10 кГц: 7=-60. + 20сС: П607, П607А, Г16О8, П608А, Г1609, I1609A , П608Б, П609Б ... ............. 7=+ 70 С: П607, П607А, П608 П608А, П609 П609А, не менее ................................ П608Б, П609Б, не менее................... Напряжение насыщения коллектор—эмиттер: при /к=0,2А, /,.=20 мА П607 .... при /к=0,2 А, /ь= 10 мА П607А, П608 П608Б, П609 ......................... при /к=0.2 А. /с=5 мА П608А, П609А, П609Б Напряжение насыщения база — эмиттер: при /к = 0,2 А, /с=20 мА П607 .... при /к=0,2 Л, /с=ю мА П607А, Г1608, П608Б, П609 ... ...................... при /к = 0,2 А, /в=5 мА. П608А П609А, П609Б.................... 11607, Г1607Л ...................... 11608, П608Л, П608Б П609, П609А, Г1609Б...................... 20. .53*. .80 60 139*...2ОО 40.. 80* ..120 80 . 154* .240 (0,4 2) значения при 7=+20°С 3 значения при 7=+20 °C 3... 6* ..10* 4 5.. 8* .13* 6.. 11*...15* 25...35* .50* В 40...50*.70* В 20 В 30 В 0,63 . *0,94*. .2 В 0,63* ..0,94’.. 2 В 0,63* 0,94*...2 В 0,36* ..0,4*...0,6 В 0,36*. 0,4 *...0.6 В 0,36*. 0,4*...0,6 В 3..6* 10* 4 5 8* .13 6 11* 15* 172
/7 родолжение Бремя рассасывания при f=l. 10 кГц; /к-0,2 А, /Б=20 мА П607 ............... 0,6*...1,1*...3 мкс /«-0,2 А, /с=10 мА, 11607А, П608. П608Б, П609 ... . 0,6* .1,1*..3 мкс /к-0,2 Л. /в=5 мА П608А, П609Л, П609Б . 0,6* 1,1* .3 мкс Обратный тек коллектора, не более: 7=+20 °C: 0'К1;=30 В П607, П607А, П608, П608А, П609, П609А......................................... 300 хкА /7 кг=50 В П608Б, П609Б................... 500 мкА типовое значение................................9* мкА икг,- 30 В П607, П607Л, П608, П608Л, П609, П609Л..................................... 3000 мкА /7кб=50 В П608Б, П609Б.................... 5000 мкА Обратный ток коллектор — эмиттер, не более: 7=+20 °C, /^,= 100 Ом: /7кл=25 В П607, П607А, П608, П608Л, П609, П609А ... .............. 500 мкА //кэ — 40 В П608Б, П609Б................. 500 мкА типовое значение ..............12* мкА 7-+70 °C, /?«,= 10 Ом: икэ=20 В П607, П607А. П608, П608А, П609, П609А ................. 3000 мкА UKS=30 В П608Б, П609Б................. 5000 мкА Обратный ток эмиттера при Ugr, — \,5 В, не более. 7=+20 °C . ........................ 500 мкА типовое значение............................2* мкА 7-+70 °C . . .................... 2000 мкА Емкость коллекторного перехода при С/кв= 10 В, != 5 МГц................................. . . 16*. .21*. .50 пФ Емкость эмиттерного перехода при 0'ЭЕ=0,5 В = 5 МГн, не более . . .............. 500 пФ Крутизна передаточной характеристики* при /7кэ= =5 В, /к=0,05 Л, типовое значение . . 0,14 А/В Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер: при R63 100 Ом, Т= - 6О... + 2О°С: П607, П607А, П608, П608А, П609, П609А . 25 В П608Б, П609Б....................................40 В при 7?6j = 10 Ом, 7=+ 70 °C: П607, П607А, П608, П608А, П609, П60! А . 20 В П608Б. П609Б . ... 30 В Постоянное напряжение эмиттер — база . . , 1,5 В Постоянное напряжение коллектор — база: П607, П607Л, П608, П608А, П609, П609А . . 30 В П608Б, П609Б................................50 В Постоянный ток коллектора....................... 300 мА Импульсный ток коллектора при /иг£10 мс, Q>2 600 мА Импульсный ток базы при /,,==710 мс, <2^2 . 150 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при UkesS20 В н 7=-60°C. 7К-4-40°C . . . 1.5 Вт Тепловое сопротивление переход — корпус . . . 15 °C Вт Температура окружающей среды....................-60. . + 70сС 1 При l'/fc>20 В н Тк> + 40гС рассеиваемая мощность коллектора должна сви« жаться в сошвеге!рии с приведенными ниже зависимостям» 173
Панка выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм от корпуса. Тем- пература панки нс более +260 °C, время пайки не более 10 с. При включении транзисторов в цепь, находящуюся под напряжением, кол- лекторный контакт должен присоединяться последним и отключаться первым. Не рекомендуется работа транзистора при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми токами во всем диапазоне рабочих температур. КТ501 (А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И, К, Л, М) Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры р-п-р усили- тельные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, опера- ционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях. Вы- пускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора ука зывастся на корпусе. Масса транзистора не более 0,6 г. л Г SOI[A Ml Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: при Ukh—\ В, /к=30 мА: KT50IA. КТ501Г. КТ501Ж, КТ501Л . ... 20 60 КТ501Б КТ501Д, КТ501И, КТ501М .... 40.120 КТ501В, КТ501Е, КТ501К........................... 80.240 при 1/кэ=1 В, /к.к-’О.Б А, не менее................6 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при иКд = 5 В, /к =10 мА, не менее 5 МГц Коэффициент шума при 1/ис=3 В, /к=0,2 мА, /?| = 3 кОм, /=1 кГц, не более ........................4 дБ типовое значение ... ..............2* дБ Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не более; при /к—0.3 А, /Б-0,06 А........................0.4 В при /|с,м=0,5 А, /в=0,1 А ........................0,7 В Напряжение насыщения база — эмиттер при /к = 0,3 А, h: 0,06 A, ut более . . ... . 1,5 В Обратный ток коллектора при 1/кэк = {7кэя,л.ахс, Rr,j = 10 кОм. не более . . .1 мкА Обратный ток эмиттера при Uc3 = Ube.M!Kc, не более 1 мкА Емкость коллекторного перехода при (7ке=Ю В, /= 500 к! ц, не более ..................................50 пФ Емкость эмитгерпого перехода при 1/ьа=0,5 В, /=500 кГц. не более .............................100 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянные напряжения коллектор — база и коллектор — эмиттер при кОм, 7 =+25...+125°C: КГ501А, КТ501Б, КТ501В.............................15 В КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е..............................30 В 174
П родолжение КТ501Ж, КТ501И, КТ501К..........................45 В КТ501Л, КТ501М..................................60 В Постоянное напряжение база — эмиттер: при Г =-60 +125 °C для КТ501А КТ501Б КТ501В, КТ501Г, КТ501Д КТ501Е ................10 В при У= -25 . Н125°С для КТ501Ж, КТ501И КТ5О1К, КТ501Л, КТ501М ... ................20 В Постоянный ток коллектора..........................0,3 А Импульсный ток коллектора..........................0,5 А Постоянный ток базы............................ ... 0,1 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т= --60.+35°C . . .... . . 0,35_ Вг Температура р-n перехода...........................+150 °C Температура окружающей среды ... . . —60...+ 125°C При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, ба- зовый контакт присоединяется первым н отключается последние. Расстояние от места изгиба до корпуса траимнстора ие менее 3 мм с радиу- сом закругления 1,5.. 2 мм. Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора. КТ502 (А, Б, В, Г, Д, Е) Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры р-п-р уни- версальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, опе- рационных дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях. Вы- пускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указы- вается на этикетке Масса транзистора не более 0,3 г Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн </кв = 5 В, /э=10 мА: КТ502А, КТ502В, КТ502Д, КТ502Е...................40.. 120 КТ502Б, КТ502Г ................ 80 240 Граничная частота коэффициента передачи тока в схе- ме ОЭ прн Uks — 5 В, /э = 3 мА, не менее 5 МГц Граничное напряжение при /а=10 мА, /и^30 мкс, 100, не менее: КТ502А, КТ502Б.....................................25 В КТ502В, КТ502Г.....................................40 В КТ502Д .............................................60 В КТ502Г .... . . 80 В Напряжение насыщения коллектор -эмиттер при 1к~ 10 мА, /в=1 мА, не более...........................0,6 В типовое значение.................................0,15* В 175
Продолжение Напряжение насыщения база — эмиттер прн /к=10 мА, /г=1 мА, не более .................................... 1,2 В типовое значение ..................... . . 0,8* В Обратный ток коллектора при 1/ка=1/кЕ.лаяс, не более 1 мкА Г мкость коллекторного перехода при </кб=5 В, f= = 455 кГц, не более............................. . . 20 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база: КТ502Л, КТ502Б.....................................40 В КТ 502В, КТ502Г . . 60 В КТ502Д..............................................80 В КТ502Е..............................................90 В Постоянное напряжение база — эмиттер.....................5 В Постоянный ток коллектора . ................0.15 А Импульсный ток коллектора при /„< 10 ыс, 100 . 0,35 А Постоянный ток базы ...................................0,1 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора . . . 0,35 Вт Температура р-п перехода.......................... , +125 °C Температура окружающей среды . . 40... + 85 °C Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора с ра- диусом закругления 1,5...2 .мм; при этом должны приниматься меры, исключаю- щие передачу усилий па корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается Пайка выводов транзисторов рекомендуется нс ближе 5 мм от корпуса. При панке жало паяльника должно быть заземлено. 2Т505 (А, Б) Транзисторы кремние- вые планарные структуры р-п-р переключающие низ- кочастотные. Предназначе- ны для применения в источ- никах вторичного электро питания и переключающих устройствах Выпускаются в металлостеклянном кор- пусе с гибкими выводами Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 2 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Скд=10 В, Zs=0,5 А: Т= + 25°С . .............. 25... 120*... 140* Т=+125°С, не менее..........................18 Т -60 °C, не менее...................... 15 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при Ukl- 10 В, /э = 0,05 Л 20 30* .40* МГц Граничное напряжение при /э 10 мА, /„ = 300 мкс. 100, не мопсе. 2Т505А..................................... ... 250 В типовое значение .... . . . 2/0* В 21505Б . ........................ 200 В типовое значение............................ 230 В 176
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к =0,5 А /„=0,1 А Напряжение насыщения база—эмиттер при 1к= =0,5 А, /Б=0.1 А .............................. Пробивное напряжение коллектор — база при /ксэ=0,5 мА, не менее: 2Т505А ................................... типовое значение ........................... 2Т505Б.................. типовое значение ........................... Пробивное напряжение эмиттер — база при lotto— = 0,5 мА, не более............................. типовое значение .................... Время включения прн £/ке=40 В, 7к = 0,2 А, = 0,02 А....................................... Время выключения при Г/кэ = 40 В, /к =0,2 А, 1г.= = 0,02 А....................................... Время рассасывания при 1/кэ = 40 В, /к = 0,2 А, /ь = 0,02 А ........................... Обратный ток коллектора, не более: Г=+25 °C: Uк Б=300 В 2Т505Л . . . . Uкг-230 В 2Т505Б.......................... Т +.19^СС 1/кв=250 В 2Т505Л......................... 1/КБ -200 В 2Т505Б .............. Обратный ток эмиттера при С/Оь = 5 В, не более Емкость коллекторного перехода при L/se = 5 В Емкость амштерпого перехода при Пэг0,5 В Продолжение 1,8 .0.7* 0,15* В 1,8 1,6* 1,35* В 300* В 320* В 250* В 280* В 5 В 6 В 0,2*.. 0,25*...0,3 мкс 1,7*. .2,7* 3,5 мкс 0,7*. .1,6*...2,6 мкс 100 мкА 100 мкА 500 мкА 500 мкА 100 мкА 27*...50*...70* пФ 320* ...420*...500* пФ Предельные эксплуатационные да1 ные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер' при /?'.,< 100 Ом 2Т505А........................................... 300 В 2Т505Б . . , 250 В Постоянное напряжение коллектор — база 2Т505А ... .... 300 В 2Т505Б ... .... 250 В Постоянное напряжение эмиттер — база ... 5 В Постоянный ток коллектора2 . I Л Импульсный ток коллектора3 при Л, ^2 мс, 02 2 Л Постоянный ток базы2.............................0,5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора * *. с теплоотводом, Т —60°C Тк +55°C . . 5 Вт без теплоотвода, 7=—60 .. + 25°C . . . 1 Вт Тепловое сопротивление переход — среда . , , + 120...+ 150°С/Вт Температура р-п перехода ........................+175 °C Температура окружающей среды . ... 6О...+ 125°С 1 Скорость нарастания обратного напряжения (d6/dZ)MOKC<250-l0-« В/с. 1 Вез превышения значения постоянной рассеиваемой мощности коллектора. • Прн Q>2 ток рассчитывается но формуле ^К.и.М КС* I K'MOKcQ ‘ Прн 7я = + 55... + 125°С и использовании транзистора с теплоотвочом н при Т= +25...+125 °C и использовании транзистора без теплоотвода рассеиваемая мощность коллектора снижается линейно Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба и папки вывода не менее 3 мм Температура пайки не более +260°C, время папки 3 с. 12 Заказ № 1004 177
• в °ai 0,2 w aeaeiK a Зависимости тока базы от напряжения база — эмиттер Зависимость статическо- го коэффициента пере- дачи тока от тока эмит- тера Зависимость напряже- ния насыщения коллек- тор— эмуттер от тока коллектора Зависимость напряже- ния насыщения база — эмиттер от тока кол- лектора Зависимость времени спада от напряжения коллектор — эмиттер Зависимость пробивного напряжения коллек тор — эмиттер от сопро тивлеппя в цепи база — эмиттер Зависимость допустимой рассеивае- мой мощности коллектора от темпе- ратуры Зависимость допустимой рассеивае- мой мощности коллектора от темпе- ратуры корпуса 178
Облает максимальных режимов 2Т509А Транзистор кремниевый планарный структуры рчр усилительный Пред- назначен для применения в высоковольтных стабилизаторах напряжения в ка честве регулирующих элементов и высоковольтных усилителях в микротоковмх режимах Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами н гибкими выводами Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 2 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 10 В, /э = 0,1 мА. Т=+25°С......................................... 7"=+85 °C, не менее............................. Т — 60 °C, ие менее ... .... Граничная частота коэффициента передачи тока в схе- ме ОЭ при Ukl = 10 В, /э = 0,5 мА, не менее типовое значение ...................... Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к= = 100 мкА, 7б=10 мкА, не более типовое значение ............................... Напряжение насыщения база эмнттер при /к=|00 мкА, 1б— 10 мкА, не более..................... . . . . типовое значение ............................... Пробивное напряжение коллектор эмиттер при 1к= — 100 мкА, /?бэ=10 кОм, не менее ... Постоянная времени цепи обратной связи при 17кл=Ю В, /е=0,1 A, f=5 МГц ............. 15..100* 15 10 10 МГц 15 МГц 1 В 0 55* В 1* В 0,58 В 450 В 8* .52*.. 500 пс 12* 179
П родолжение Обратный ток коллектора при 17кб = 500 В, не более: Т'=+25°С ................................ . 5 мкА типовое значение....................... . . 0,4 мкА Г=+85°С........................... . . . 5 мкА Обратный ток коллектор—эмиттер при С7кэ = 450 В, /?<>.,< 10 КОм, не более: Г=+25°С..............................................10 мкА типовое значение.................................0,45 мкА Г=+85°С..........................................15 мкА Обратный ток эмиттера при Uar, =5 В, не более ... 5 мкА типовое значение.................................0,3 мкА Емкость коллекторного перехода при 17кп=100 В, /= —10 МГц, не более....................................2,9* пФ Емкость эмиттерного перехода при t/sc=0,5 В, [=10 МГц, не более............................ ... 25* пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при <10 кОм, сШ/Л<150 В/мкс .... ... 450 В Постоянное напряжение коллектор — база при dU/dt^. < 150 В/мке...................................... ... 500 В Постоиппос напряжение эмиттер — база.................5 В Постоянный ток коллектора при Рк^Рк.ч^ке ... 20 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом, Т= —60.,.ТК = 25 °C.................I Вт без теплоотвода, 7"=—60...+25 °C.................0,3 Вт Температура рп перехода . . .... + 150 °C Температура окружающей среды......................... 60. . + 85 °C 1 При 7Ж>+25°С (с теплоотводом) и Т> +25 С (без теплоотвода) РИ м11кг сни- жается шнсПно. Пайка выводов транзистора рекомендуется не ближе 3 мм. Температура пайки не более +260 °C, время пайки не более 3 с. Зависимости тока базы от напряже- ния база эмиттер Зависимости тока котлектора от напряжения коллектор - эмиттер 180
!*. мА /к мА Зависимости тока коллектора от напряжения коллектор — эмиттер Зависимости тока коллектора от напряжения коллектор — эмиттер Зависимость статического коэффи- циента передачи тока от тока эмит- тера Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмиттер от тока кол- лектора Зона возможных поло- жении зависимости про- бивного напряжения коллектор — эмиттер от сопротивления в цепи база — эм птгор 181
ХОК Bl Зависимость допустимой рассеивае- мой мощности коллектора от тем- пературы корпуса Зависимость допустимой рассеивае- мой мощности коллектора от тем- пературы ГТ701А Транзистор германиевый сплавной структуры р-п-р универсальный. Пред- назначен для применения в системах зажигания двигателей внутреннего сгора- ния, а также в преобразователях напряжения Допускается применять в усло- виях импульсных перегрузок по напряжению и мощности. Выпускается в ме- таллическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 25 г. Масса крепежного фланца не более 7,5 г. ГТ701А Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при UKa = 2 В, /к = 5 А, не менее......................10 типовое значение ............................... 15* Предельная частота коэффициента передачи тока в схе- ме ОЭ прн Т/ке—20 В, /к=0,1 А, не менее .... 50 кГц Граничное напряжение при /э=2,5 А, не менее: 7=+25 °C .......................................100 В 7=-55 и +70“С...................................90 В Обратный ток коллектора при Ukb-60 В, не более: 7--+ 25 °C .....................................6 мА 7=-55 и +70°C ... . 30 мА Обратный ток коллектор — эмиттер при 17Кэ = 100 В, (7ел = — 1,5 В, не более..................................50 мА 182
Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при Ue,= = 0,5 В, /ц=1 мс, Q>10................. Импульсное напряжение коллектор—эмиттер при иЬэ = =0,56 В, /„=0,3 мс, Q^slO.......................... Постоянное напряжение база — эмиттер Постоянный ток коллектора.......................... Постоянный ток базы в режиме включения .... Постоянная рассеиваемая мощность коллектора- 7=+ 25 °C ................................. . . . ТК = + 55°С..................................... Тк = + 70°С Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при /„ = = 1 мс, 05= 10 7=+25 °C ................. . . 7«=+75°С........................................ Тепловое сопротивление переход—корпус.............. Температура р-п перехода .......................... Температура окружающей среды....................... 55 В 100 В 140 В 15 В 12 Л 0,15 Л 50 Вт 23 Вт 8,3 Вт 1200 Вт 700 Вт 1,2 °C/Вт + 85 °C -55. .+70°C 1Т702 (А, Б, В) Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р универсальные низко- частотные мощные Предназначены для применения в усилителях мощности низ- кой частоты, преобразователях напряжения, импульсных устройствах Выпу- скаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора ие более 23 г. 17702 (А-В) Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 1/кс= 1.5 В, /к=30 А 1Т702А, 1Т702В.......................................15 100 1Т702В, не менее ........................20 Модуль коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при f=10 кГц. Uke— 1,5 В, 1к 4 А, не менее ... 12 Граничное напряжение при 2,5 А, ие менее: 7=+25°С: 1Т702А, 1Т702Б.............................. ... 60 В 1Т702В . . .................40 В Тк +70 °C- 1Т702Л. 1Т702Б .............. . . 45 В 1Т702В . . .................30 В Т= 60 °C 1Т702А, 1Т702Б . ........................45 В 1Т702В . . ...........................35 В 183
П родолжение Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1ц = = 30 Л, /t=3 А, не более: 1Т702Л, 1Т702В......................................... 0,6 В 1Т702Б ..........................1,2 В Обратный ток коллектора при 1/кн=60 В, ие более: Г=+25°С..............................................12 мА Г, = +70 °C.........................................30 мА 7=—60°С..........................................10 мА Обратный ток эмиттера при (7Сэ = 4 В не более . . . 2 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при t/b0 = 1Т702Л, 1Т702Б.....................................60 В 1Т702В..............................................40 В Постоянное напряжение коллектор — база . ... 60 В Постоянное напряжение бала—эмиттер......................4 В Постоянный ток коллектора .............................30 А Постоянный ток базы . . .............5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: с теплоотводом: 7к = + 30°С..........................................150 Вт Тк = + 50°С ... ...................80 Вт 7К = + 65°С . . .......................30 Вт без теплоотвода, Т=+25°С......................... 5 Вт Тепловое сопротивление переход — корпус .... 0,3°C,Вт Тепловое сопротивление переход — окружающая среда . 10°С/Вт Температура р-п перехода.............................+75°C Температура окружающей среды.........................— 60°С...Г« — = +70 °C Не допускается отсоединение цепи базы транзистора при наличии напря- жения между коллектором и эмиттером. ГТ703 (А, Б, В, Г, Д] Транзисторы германие- вые сплавные структуры р-п р усилительные Пред назначены для применения в усилителях мощности низ- кой частоты Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора указывается па корпусе. Масса транзистора не более 15 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Пкэ- 1 В, /э 0,05 А Т= + 25 °C’ ГТ703Л, ГТ703В .................................... 30 70 184
Продолжение ГТ703Б. ГТ703Г.................................50 ..100 ГТ703Д.........................................20 .45 7"=+55 °C: ГТ703.А, ГТ703В .... . . . . 30 100 ГТ703Б, ГТ703Г ................................50 150 ГТ703Д . . ..........................20. 70 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при 17кэ=2 В, /к = 0,5 А, не менее................10 кГц Линей ость статического коэффициента передачи тока Ki—(h2l3 при /з =0,05А)/(Н21з при /э=1,5 А) .... 0,6...1,5 Напряжение насыщения коллектор— эмиттер при /к=3 А, /в= 0.225 А, не ботее................................0,6 В Напряжение насыщения база — эмиттер при /к=3 А, /в=0,225 А, не ботее . . . . . 1 В Обратный ток коллектора при Пкв=20 В для ГТ703А, ГТ703В и 1/кв = 30 В для ГТ703В. ГТ703Г, ГТ703Д, не более....................................... - 0,5 мА Обратный ток эмиттера при £7еэ = 10 В................0,5 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?«а= = 50 Ом. ГТ703А, ГТ703Б.......................................20 В ГТ703В, ГТ703Г...................................30 В ГТ703Д .............. ..................40 В Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при Re,- = 50 Ом, /„ = 1 мс, 10: ГТ703А, ГТ703Б . .... ... 25 В ГТ703В, ГТ703Г . ................. . . 3 В ГТ703Д...........................................50 В Постоянный ток коллектора .... ... 3,5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом, Т= — 40'С, Тк +40°C ... 15 Вт без теплоотвода, Т—~ 40...+35 °C ................1,6 Вт Тепловое сопротивление переход — корпус..............3°С/Вт Тепловое сопротивление переход — среда..................30°С/Вт Температура р-п перехода.............................+85 °C Температура окружающей среды......................... 40°С.Тк = = +55 °C 1 При 7'Ж>+35ОС для транзисторов с теплоотводом Рк ч„хс, Бт=(85-7Х)/3, для транзисторов без теплоотвода Рк макс, Вт—(85—7)/30 Пайка выводов транзисторов допускается ие ближе 6 мм от корпуса лю- бым способом (пайка, сварка, пайка погружением и т. п.) при условии, что температура в любой точке корпуса не превышает предельно допустимую тем- пературу окружающей среды. При включении транзисторов в электрическую цепь коллекторный вывод должен присоединяться последним и отсоединяться первым Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих токах, соизме- римых с неуправляемыми обратными токами. 2Т708 (А, Б, В) Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры р-п р составные пере ключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изолято- рами н гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 2 г. 185
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при и1Гв = 5 В, 1э 2 Л, не менее. 1 + 25 °C: 2Т708Л ....................... 2Т708Б, 2Т708В............................ Т = — 60 °C. 2Т708А ... .................... 2Т708Б, 2Г708В............................ Т= + 125°С 2Т708А.................................... 2Т708Б 2Т708В . . Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 7/кк=10 В 7.ч = 5 Л, не менее. 2Т708А .... ............. типовое значение........................... 2Т708Б, 2Т708В ................ типовое значение .......................... Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ прн 1/кв=5 В, /э = 0,1 Л, не менее I раиичиое напряжение при /э = 50 мА, /и^30 мкс, 100 2Т708А..................................... 2Т708Б..................................... 2Т708В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн Л,-=2 А, /ь=0.01 А . . Напряжение насыщения база—эмиттер прн 1к = =2 А, /б=0,01 Л ... . ............. Пробивное напряжение коллектор — эмиттер прн /<;.,^1 кОм, /кал=1 мА: 2Т708А .................... 2Т708Б .................................. 2Т708В .................... Пробивное напряжение коллектор — база при /кво=1 мА, Г=+25°С’ 2Т708А ........................................ 2Т708Б . .... 2Т708В при /кг,о 1 мА, 7"= — 60 °C и /кво=5 мА, Т= = + 125 °C, не менее: 2Т708А ....................... 2Т708Б .......................... 2Т708В Пробивное напряжение эмиттер — база при hco = — 5 мА......................................... 500 750 150 200 400 600 150* 400* 250* 600* 3* МГн 80...90*. 100* В 60...70*...80* В 40 .50* .60* В 1,1* 1,4* 2 В 1.7*.. 2*.. 2.5 В 100.. 130* 150* В 80...88*...100* В 60.72*...80* В 100..130*..150* В 80...88* 100* В 60.75*. 80* В 100 В 80 В 60 В 5..6*...10* В 186
П родолусение Время включения при Ik—1 А, /в = 0,01 A, tu= =25 мкс . , . . . . . Время выключения при 1к =2 А, /в=0,01 Л, /и = =25 мкс . . . ................ 0,5* 0,8* 1* мкс 1,8* 2,3*...4* мкс Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмнттер 1 при /?«.,< 1 кОм, Г=-60°С...Тк=+55°С: 2Т708Л . . ... . . 100 В 2Т708Б.....................................80 В 2Т708В................................... ... 60 В Постоянное напряжение коллектор — база: 2Т701 .... ... 100 В 2Т708Б..........................................80 В 2Т708В..........................................60 В Постоянное напряжение эмиттер — база ... 5 В Постоянный ток колтектора1 2.....................2,5 Л Импульсный ток коллектора при /„sg2Mc, Q>22-3 5 Л Постоянный ток базы2 . . . . 0,1 А Импульсный ток базы при /ц^2мс, Q>22’3 . . 0,16 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: с теплоотводом, 7'= — 60°С...Гк — + 25°С4 . . 5 Вт без теплоотвода, Т= — 60 °C . ГК = +25°С4 . . 0,7 Вт Температура р-n перехода . . +150 °C Температура окружающей среды . . — 60 °С...ГЖ = +125 С 1 при 7\> + 55°С напряжение снижается линейно. 2 Без превышения значения постоянном рассеиваемой мощности коллектора. 8 При Q=<2 токи рассчитываются пи формулам К.и,макс- К ..макс®’ ^C,U.MQtiC‘ Л4'4КС^‘ 4 При Тк= +25 . +125 СС при использовании транзистора с теплоотводом и при Т — 4 25.-125 °C при использовании транзистора вез теплоотвода рассеиваемая мощ- ность коллектор*! снижается линейно. Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода транзистора не менее 3 мм. Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм от корпуса. Тем- пература пайки не более +260°C, время панки 3 с. При включении питающих напряжений, а также при переходных процес- сах не допускается превышение области максимальных режимов. Прн работе с пиковой мощностью при длительности, промежуточной для значений, при- веденных на области максимальных режимов, не рекомендуется превышать гра- ницы области максимальных режимов для ближайшего большего значения дли- тельности. Зависимости тока базы от напряже- ния база — эмиттер Зависимости тока коллектора от напряжения коллектор — эмиттер 187
Зависимости статического коэффи- циента передачи тока от тока эмит- тера Зависимости статического коэффи- циента передачи тока от напряже- ния коллектор — база ^kw/^ksk Зависимости напряжении насыще- ния коллектор — эмиттер и база — эм ш тер от тока коллектора Зависимость допустимого постоян- ного напряжения коллектор — эмит- тер от сопротивления в цени база — эмиттер Зависимости допустимого постоян- ного напряжения коллектор — эмит- тер от температуры корпуса Зависимость допустимой рассеивае мой мощности коллектора от тем иературы 188
Зависимость допустимой рассеивае- мой мощности коллектора от тем- пературы корпуса 2Т709 (Л, Б, В) Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры р п-р составные уси- лительные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изолято- рами и жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 9 г. 2Т709 (А- В) Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ, не менее прн UI!E 5 В, /э=5 А: Г=+25 н +125 °C: 2Т709А.............................. . 500 2Т709Б. 2Т709В...........................750 Г=-60 °C: 2Т709А 200 2Т709Б, 2Т709В 300 при UKE=5 В. /э- 10 А, 7'=+25гС: 2Т709А .... .... 200* типовое значение ........................ 500* 2Т709Б, 2Т709В ......................... 300* 189
Продолжение типовое значение ....................... Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при Пцб~5 В /э=0,5 А, не менее Граничное напряжение при /к=0,1 Л, /„<300 мкс. Q2S 100: 2Т709А................................ . . 2Т709Б . .... 2Т709В .... ..’... Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при /к = 5 Л. /в=0,02 А......................... . Напряжение насыщения база — эмиттер при /к= =5 Л. /в=0.02 Л................................ Пробивное напряжение коллектор — база- ~ 60 и +25 °C, /кво=1 мА: 2Т709 \..................... 2Т709Б................................... 2Т709В .... ................ Г=4-125°С, /кво = 5 мА, не менее: 2Т709Л .............................. 2Т709Б ... 2Т709В ... ............. Пробивное напряжение коллектор — эмиттер при /^„.*<1 кОм, /кэв=1 мА: 2Т709Л ................................. 2Т709Б ................................. 2Т709В ................................. Пробивное напряжение база —эмиттер при /эВо= = 5 мА, не менее ............. Время включения при /к«5 А, /в=0,02 Л Время выключения при /к=5 А, /в—0,02 А Емкость коллекторного перехода при 17кВ-5 В, / = 300 кГц, не более....................... типовое значение..................... . . Емкость эмиттерпого перехода при 1/эе=0,5 В, / 300 кГц, не более............................ типовое значение .......................... 600* 3* МГц 80 90*.„100* В 60.70*.. 80* В 40...50*. 60* В 1,1*.. 1,4*...2 В 1,8*...2*...3 В 100 120*. .150* В 80...90*. .100* В 60 70*. .80* В 100 В 80 В 60 В 100* 120*... 150* В 80*...90*... 100* В 60*...70*. .80* В 5 В 0,8* 1,4*. 2* мкс 2*...3*. 4,5* мкс 230* нФ 150* пФ 460* пФ 250* пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база: 2Т709А.................................... ... 100 В 2Т709Б................................. ... 80 В 2Т709В........................................60 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при Лвз^1 кОм, Т=-60°С...Гх=4-55°С: 2Т709А . . . . . ЮО В 2Т709Б...................................80 В 2Т709В (50 В Постоянное напряжение эмиттер — база ... 5 В Импульсный ток коллектора................... 10 А Импульсный ток коллектора1 2 при /„^2 мс, Q^2 20 А Постоянный ток базы .... 0,2 А Импульсный ток базы при /„<2 мс, Q>2 0,3 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора3 при 7’=60 ..Тк= 4-25 °C: с теплоотводом................................30 Вт 1 В диапазоне Тя-4-55.+125 *С 1'кэнмаяс снижается линейно в соответствии с графиком ’ При Q<2 /к ил1аяс. А /к Лаяс(? 3 В диапазоне Гк = +25... + 125 °C снижается линейно б соответствии с гра фнком. 190
без теплоотвода Температура р-п перехода Температура окружающей среды Продолжение 2 Вт + 150 °C —СО °C. .Тк= + 125 °C Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса. мости напряжения насыщения кол- лектор — эмиттер от тока коллек- тора Зона возможных положений зависи- мости напряжения насыщения кол- лектор — эмиттер от тока коллек- тора Зона возможных положений зависи- мости напряжения насыщения кол лектор — эмиттер от тока коллек- тора Зона возможных положений зависи- мости напряжения насыщения кол- лектор — эмиттер от тока коллек- тора Зона возможных положений зависи- мости напряжения насыщения ба- за — эмиттер от тока коллектора Зона возможных положений зависи- мости напряжения насыщения ба- за— эмиттер от тока коллектора 191
Зависимости статического коэффици- ента передачи тока от напряжения коллектор — бата Зависимости статического коэффици- ента передачи тока от температуры корпуса Зависимости статического коэф- фициента передачи тока от тока эмиттера Зависимости допустимой рассеивав мой мощности коллектора от темпе- ратуры корпуса Зависимости допустимого напряже- ния коллектор — эмиттер ог темпе- ратуры корпуса 192
Области максимальных режи мое Зависимость допустимого напряжении кол- лектор — эмиттер от сопротивления в uqiiii база — эмиттер КТ712 (А, Б] Транзисторы кремниевые эпитаксиаль- но-планарные структуры р п-р составные усилительные Предназначены для приме- нения в источниках вторичного электропи- тания и стабилизаторах напряжения. Кор- пус пластмассовый с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе Масса транзистора не более 2,5 г. КТ712(А.Б) Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 1/кв=5 В /0 = 2 А Г=+25еС: КТ712Л........................................ 500.1500 0000 КГ712Б . ... 400.1500 0000 7=+ 100 °C: КТ712Л, не менее............................ . 500 КТ712Б, не менее.............................400 Т=-45СС: К1712А, не менее.............................100 КТ712Б, ие менее.............................100 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при б/цт,=5 В /э=0,5 А, не менее...............3 МГц Граничное напряжение при /к =0 05 А. не менее- КТ712А .........................................160 В КГ712Б .........................................150 В 13 Заказ К® 1004 193
Продолжение Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=2А, /«=0,01 А . . ............................. Напряжение насыщения база—эмиттер при 1к~2 /Е = 0.01 А . ................ Пробивное напряжение коллектор — база при С'кс“1 мА, не менее: KT7I2A.......................................... КТ712Б .... .... Обратный ток эмиттера при 1/сз=5 В, не более . типовое значение . . ................ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база: КТ712А.......................................... КТ712Б ......................................... Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при sc 100 Ом: КТ712А.......................................... КТ712Б . ....................... Постоянное напряжение база—эмиттер.................. Постоянный ток коллектора........................... Импульсный ток коллектора при Zu^10 мс, Q^2 Постоянный ток базы................................. Импульсный ток базы при /,.<10 мс, Q^2 .... Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Гк= = -45..+25 °C с теплоотводом 1 ........................... без теплоотвода !............................... Температура р-п перехода ........................... Температура окружающей среды........................ 0 9*...1,3*...2 В 0.8* 1 5* ..3 В 200 В 160 В 5 мА 2* мА 200 В 160 В 200 В 160 В 5 В 10 Л 15 А 0.1 А 0.2 Л 50 Вт 1.5 Вт + 150 °C -4542.7',,= = +100 °C 1 При 7„-+25 + 100' С Рк м„кс уменьшается линейно до 20 Вт ’ При Тж — +2а .+ 100”’С Рк макс уменьшается линейно до 0.6 Вт. Допустимое значение статического потенциала 1000 В Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса при температуре припоя +265 °C в течение не более 3 с. Допускается не более трех перепаек. Разрешается осуществлять пайку путем погружения выводов в припои с температурой +250 °C на время не более 5 с, допускается пайка волной припоя при температуре +240fС. Входные характери- Выходные характери- стики Зависимость статического коэффициента передачи то- ка от тока эмиттера стики 194
Зависимость напряжс пия насыщения коллек- тор— эмиттер от тока базы Зависимость пробивного напряжения коллектор — эмиттер от сопротивле- ния база — эмиттер Область максимальных ре- жимов Зависимость коэффициента К от длительности импульса 1Т806 (А, Б, В), ГТ806 (А, Б, В, Г, Д| Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры р-п-р переклю- чательные. Предназначены для применения в импульсных устройствах, преоб- разователях и стабилизаторах тока и напряжения Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами Масса транзистора ие более 28 г. 13* 195
it боб 1л-6),ггм6(а-д) Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ (на границе насыщения) : IT806A, 1Т806Б, 1Т806В: при ГК=+25°С, /к=10 А.........................10 ..100 при Гк-+70°С, /к=5 А..........................10...100 прн Г=-60сС, /к—10 А .........................10...150 ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д: при 7» =+25 °C. /к=10 А . . .... 10... 100 при Тк — + 55 °C, /я 5 Л......................10...200 при Г=— 55 °C, /к = 10 А . . ... 8. 100 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при 77Л-а=5 В /к=1 А, нс менее . 10 МГц Граничное напряжение прн /э=3 А, /и<50 мкс, f= = 20 .50 Ги, не менее: IT806A .............................40 В 1Т806Б..........................................65 В 1Т806В..........................................80 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не более: при /я=20 Л, /Б=2 А для 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В 0,6 В при /к=15 А, /ь=2 А для ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д .................................0,6 В Напряжение насыщения база — эмиттер, не более; при /к=20 А, /б=2 А для 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В 0,8 В при /к=15 А, /б=2 А для ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д . .......................1 В Время выключения при 6/кв=45 В, /к=5 А, /в=0,25 А, не более............................................30 мке Обратный ток коллектор эмиттер при 6/Бэ=1 В, иКэ= = 75 В для 1Т806А, UK3 = 100 В для 1Т806Б, UKS= 120 В для 1Т806В, не бо iee 7'=+25 и -60°C..................................12 мА 7 =+70 °C.......................................25 мА 7'=+25°С, UKa=UKa,MKC для ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д .... . . . 15 мА Обратный гок эмиттера, ие более: при иБЭ=2 В для 1Т806Л, 1Т806Б, 1Т806В ... 5 мА при 7Л,д=1,5 В для ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, I Т806Г, ГТ806Д..........................................8 мА 196
Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор—эмиттер при 1/сэ = = 1 В: 1Т806А, ГТ806А.................................... 1Т806Б, ГТ806Б.................................... IT806B, ГТ806В.................................... ГТ806Г ........................................... ГТ80СД . .... .............. Постоянное напряжение база — эмиттер: 1Т806Л, 1Т806Б, 1Т806В . .............. ГТ806А. ГТ806Б. ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д . . Постоянный юк коллектора в режиме насыщения: IT806A. 1Т806Б, IT806B ГТ806А. ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д . . Импульсный ток коллектора в режиме насыщения при О 5= 2, = 1000 мкс, Л'„ос=1 для 1Т806А, 1ТЧ06Б, IT806B Постоянный ток базы........................... . . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора*. с теплоотводом, Гх^+25°С без теплоотвода, 7^+25 °C......................... Тепловое сопротивление переход — корпус .... Тепловое сопротивление переход—среда .... Температура р-п перехода ............................. Температура окружающей среды: 1Т806Л, 1Т806Б, 11806В . . .............. ГТ806Л, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д . . . 75 В 1 )0 В 120 В 59 В 140 В 2 В 1.5 В 20 А 15 А 25 А 3 А 30 Вт 2 Вт 2 С Вт 30 “С/Вт + 85 С -60 °C.. 7« = «= -70°С -55 °C.. Т,= = г55сС 1 При 7\>+25*С РК1_м„кс. Вт-(85-/к)/Лт,п_н, для и Рк М1КС. Вт-(85-7 )/7?Т|п_с) — Ссз теплоотвода. транзисторов с теплоотводом Не допускается отключение базы при наличии напряжения между коллек- тором и эмиттером. Не рекомендуется работа транзистора при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми токами во всем дтапазоие температур. Эксплуатация транзисторов в режимах за пределами областей максималь- ных режимов (в том числе с учетом процессов, происходящих при включении и выключении) запрещается. При работе в импульсном режиме при отсутствии открывающего импульса транзистор должен быть закрыт положительным смешением базы 0,5 В^17Сэ 2 В. Пайка выводов допускается не ближе 6 мм от корпуса транзистора При включении транзистора в электрическую цепь, находящуюся пол спряжением, коллекторный контакт должен присоединяться последним и огсобдиияюся первым. ГТ810А Транзистор германие- вый диффузионно сплавной структур.! р-п-р усилитель- ный. Предназначен для применения в выходных каскадах строчной разверт- ки телевизионных приемни- ков. Корпус металлический со стеклянными изолятора- ми и жесткими выводами. Масса транзистора не более 12 г. 197
Электрические параметры (литический коэффициент передачи в схеме ОЭ при />кэ=10 В, /к=5 А, не менее.............................15 Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте П| и С'ко = 10 В, /к = 1 А. /=5 МГц, не менее ... 3 Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /« = «10 А, Zr.= l А.........................................0,2*...0,4*...0,7 В Напряжение насыщения база—эмиттер при /««=10 Л, /г=1 Л..................................................0,44*...0,5*...0,8 В Время рассасывания при (/«э«=30 В, /«=5 А, /в«=0,5 А, не более................................................5 мкс Обратный ток коллектора: 7'=+25°С, С/кс = 200 В..............................20 мА 7’=+55сС, UKL- 00 В.................................20 мА ТК=-55°С. С'ив=200 В . ..............20 мА Обратный ток эмиттера при Ubn = 1.4 В . 0,5*...4*...15 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база1 при Т— --55.. +30"С . . . . .... 200 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при (7Сэ< <14 В, Г„=—55. + 30°C...................................20С В Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при />+»< <1,4 В, /„<20 мкс, Q>3, Г«=+25°C . . 250 В Постоянное напряжение эмиттер — база..................1,4 В Постоянный ток коллектора.............................10 А Импульсный ток коллектора............................10 А Постоянный ток базы .... ..............1,5 А Импульсный ток базы при /„<500 мкс, /?>2 . . . 1,5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектораг: с теплоотводом, Г„=+27,5°С . ..............15 Вт без теплоотвода.....................................0,75 Вт Тепловое сопротивление переход — корпус .... 2,5°С/Вт Тепловое сопротивление переход — среда..................50сС/Вт Температура р-п перехода................................+65 °C Температура окружающей среды............................— 50 °C.. Г« = = +55 °C 1 При Г>+30“С иь.в и 1>кд макс определяются по формуле U. В—200 —4(7—30 °C). 1 При Тк (Г) +27,5 °C для транзисторов с теплоотводом Рк Лохс, Вт—(65—7к)/2,5; для транзисторов без теплоотвода мк<:. Вт- (65- 71/50. 1Т813 (А, Б, В) Транзисторы германиевые диффузионно-сплавиые структуры р-п р пере- ключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Масса транзистора ие более 28 г. 198
1ГВ131А 61 Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ (иа границе насыщения) при /к = 20 А: Л, = +25 °C . ...................Ю 60 7\ = +70°С, 7к=10 А ...................Ю i0 7\ = —60°С.................................... 10 120 Граничное напряжение при /э=3 А, /и^50 мкс, f= =20 50 Гц, не менее: 1Т813А....................................... ... 60 В 1Т813Б...........................................75 В 1Т813В...........................................«0 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн ?к= =30 А. 7С—3 А, не более........................... . 0,8 В Напряжение насыщения база — эмиттер при 7к=30 А, /Л: = 3 А, не более . .... 0,8 В Время выключения при 1/кэ=30 В, /к = 30 А, /ь=5 А не более. 1Т813А .....................................3 мкс 1Т813Б, 1Т813В .............................5 мкс Обратный ток коллектор — эмиттер при 1/Бэ=1 В, не белее: 7„=+25 и -60°C, £/кэ=Ю0 В для IT8I3A, 125 В для 1Т813Б, 150 В для 1Т813В.....................16 мА 7’к = +70°С, 1/кэ=80 В для 1Т813А, 100 В для 1Т813Б, 120 В для 1Т813В . . . .25 мА Обратный ток эмиттера при 1/Бв=2 В, не более ... 40 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Uvs = = 1 В 7"к = —60. +30 °C: 1Т813А .................................100 В ГГ813Б .................................. .... 125 В 1Т813В................................... . . 150 В 7К= 60... + 70 °C: 1Т813А . 80 В 1Т813Б........................................... 100 В 1Т813В........................................... 120 В Постоянное напряжение база—эмиттер при Тп — = -60. . + 85 °C . . . • - 2 В Импульсное напряжение база—эмит!ер при 7'к = = -60 +85 °C: /„<1 мс, Q^2 .... .............4 В 199
Продолжение lu^5 мкс, Q>3............................ . . . Постоянный ток коллектора при 7"^ = —60...+85 °C Импульсный ток коллектора при /и^1 мс, Q^2, Тж = = —60...+85 °C ... .................... Постоянный ток базы при Гк = — 6О... + 85°С . . . . Импульсный ток базы при /и^1 мс, (?^2, 7,= = -60...+ 85 °C...................................... Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7\ = = -60..+25 °C: с теплоотводом .......................... без теплоотвода ................ . , Температура р-п перехода ............................ Температура окружающей среды 6 В 30 А 40 А 5 А 10 А 50 Вт 1,5 Вт + 85 °C -60 “С.-Тк- = +70 “С Ие допускается отключение базы при наличии напряжения между коллек- тором и эмиттером Запрещается использовать транзистор в схемах, у которых цепь базы разомкнута по постоянному току. При £/ке>20 В и /?«»^5 Ом рекомендуется закрывать транзистор поло- жительным смещением 0,5 В^(7ЬЭ^2 В. КТ814 (А, Б, В, Г) Транзисторы кремниевые меза- эпитакспально-планарные структ уры р-п-р усилительные Предназначены для применения в усилителях низ- кой частоты, операционных и диф- ференциальных усилителях, преобра- зователях, импульсных устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора не более 1 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 6кв= В, /е=0,15 А, не менее: КТ814А КТ814Б KT8I4B ...........................40 КТ814Г..........................................30 Граничная частота коэффициента передачи тока в схе- ме ОЭ при (7кв = 5 В, /в = 30 мА не менее ... 3 МГц Граничное напряжение при 1Я — 50 мА, не менее; КТ814А . ..................25 В КТ814Б .... .....................40 В КГ814В . . . . . .... 60 В КТ814Г . . . 80 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /х = = 0,5 А, /в=0,05 А, не более........................0,6 В Напряжение насыщения база — эмипер при 7к=О,5 А, /к = 0,05 А, не более...............................1,2 В 200
Продолжение Обратный ток коллектора при Ukb=40 В, не более: Тк 40 .+25 °C Гк = + 100°С . . Емкость коллекторного перехода при 1/кп— 5 В, f = = 465 кГц, не более ... . - Емкость эмнттерного перехода при 1Л,-э=0,5 В, /=465 кГц, не более ... . Предельные эксплуатационные данные 50 мкА 1 мА 60 пФ 75 пФ Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?б3 = оо: КТ814А . . 25 В КТ814Б 40 В КГ814В . ... .... 60 В КТ814Г 80 В при /?ба<100 Ом: К 814Л 40 В КТ814В . ... 50 В КТ814В . 70 В КТ814Г . . 100 В Постоянное напряжение эмиттер — ба ta 5 В Постоянный ток коллектора . 1 5 А Импульсный ток коллектора при /и<10 мс, 100 3 Л Постоянный ток базы 0,5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при Тп = = —40...+25 °C с теплоотводом 10 Вт без теплоотвода 1 Вт Температура р-п перехода 4-125 °C Температура окружающей среды — 40°С...7'1! = = + 100 СС 1 При Г*-+25 ..+100'С Pif,Mt>KC снижается линейно па 0,01 Вт/сС без теплоотвода и на 0,1 ВтЛС с теплоотводом. Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора с ра- диусом закругления 1,5 ..2 мм. При этом должны приниматься меры, исключаю- щие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается. Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземлено. Зависимость статического коэффициента переда- чи тока от тока эмиттера 201
Зависимость постоянного напряже- ния коллектор — эмиттер от сопро- тивления база — эмиттер Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмиттер от тока кол- лектора Зависимость напряжения насыщения база —эмиттер от тока коллектора Зависимость статического коэффи- циента передачи тока от темпера- туры корпуса Области максимальных режимов Зависимость обратного тока коллек- тора от температуры 202
КТ816 (А, Б, В, Г) Транзисторы кремниевые меза - эпитаксиально-планарные структуры р-п-р усилительные. Предназначены для примене- ния в усилителях низкой ча- стоты, операционных и диффе- ренциальных усилителях, пре- образователях и импульсных устройствах. Корпус пластмас- совый с жесткими выводами. Масса транзистора ие бо- лее 0,7 г. КТ816(А-Г) Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при В, /к=| А, не менее: Тх- +25. .+ 100°С................................ 25 Тх = —40°С .... . .15 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при б/кв= 10 В, /к = 0,25 А, не менее . . 3 МГц Граничное напряжение при /э=0,1 А ие менее: КТ816А.............................................25 В КТ816Б.............................................45 В КТ816В.............................................СО В КТ816Г........................................ . 80 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=3 А, /в =0,3 А, не более.............................. . 0,6 В Напряжение насыщения база—эмиттер при /к = 3 А, /в 0,3 А, ие более ... . . . . . 1,5 В Обратный ток коллектора, ие более: при ГК=+25°С: 6/ке=25 В КТ816А ........................... . 0,1 мА С/ив=45 В КТ816Б ... . .0.1 мА ПКЕ=60 В КТ816В............................. . 01 мА 1/кб= 100 В КТ816Г..............................0,1 мА при 7^= +100 °C: 1/кв = 25 В KT8I6A..................................3 мА UKB=45 В КТ816Б...................................3 мА Скв 60 В KT8I6B . . . . 3 мА Скв=100В КТ816Г . . . 3 мА Емкость коллекторного перехода при 6/вв=10 В, /= =465 кГц, не более . . .............. . 60 пФ Емкость эмиттерного перехода при UEs~0,5 В, /=465 кГц, не более . . . . . . 115 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмнттер: при /?е,= оо: КТ816А............................................25 А КТ816Б . 45 В КТ816В . . ......................60 В К1816Г 80 В при /?Ов<1 кОм КТ816А . . 40 В КТ816Б . . . . . 15 В КТ816В . 60 В КТ816Г . . ... 100 В Постоянное^ напряжение база — эмиттер . . ... 5 В Постоянный ток коллектора...........................ЗА Импульсный ток коллектора при А»^20 мс, 100 . 6 А 203
Продолжение Постоянный ток базы...................................1 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при Тк -40...+ 25 °C: с теплоотводом....................................25 Вт без теплоотвода...................................1 Вт Температура рп перехода...............................125 °C Температура окружающей среды..........................— 40оС..°7к = 1 При 7'К>+25=С РvaKC уменьшается линейно на 0.2 Вт Д'С при использования транзисторов без теплоотвода Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора с ра- диусом закругления 1.5...2 мм. При этом должны приниматься меры, исключаю- щие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается. Прн монтаже транзисторов на теплоотвод крутящий момент нажима не должен превышать 70 Н-см. Папка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса. Прн пайке жало паяльника должно быть заземлено. Зависимость статического коэффициента нереда чн тока от тока эмиттера Зависимость статического коэффициента переда- чи тока от температуры Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмиттер от тока кол- лектора Зависимость напряжения насыщения база — эмиттер от тока коллектора 204
Зависимость постоянного напряжения коллектор — эмиттер от сопротив» лення база — эмиттер Зависимость обратного тока коллектора от температуры 2Т818 (А, Б, В), 2Т818 (А2, Б2, В2), КТ818 (AM, БМ, ВМ, ГМ), КТ818 (А, Б, В, Г) Транзисторы кремниевые меза-эпи- таксиальнопланарпые структуры р-п-р переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключаю- щих устройствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жестки- ми выводами (2T8I8A, 2Т818Б, 2Т818В, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВЧ, КТ818ГМ) и пластмассовый с жестки- ми выводами (2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2, KT8I8A, КТ818Б КТ818В, КТ818Г) Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, в пластмассовом корпусе не более 2,5 г. КТ818(А~Г) , 2Т818(А2-В2) 205
2Т818 (А -В) KT818 (АМ-ГМ) Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при t/кЕ—б В, /к=5 А, не менее: Т=+25°С и Г-Тк..н.,кс: 2Т818А, 2Т818Б. 2Т818В, 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2 20 КТ818А. КТ818В, КТ818АМ, КТ818ВМ . . 15 КТ818Б, КГ818БМ...........20 КТ818Г, КТ818ГМ ...........12 7 = 7 л< и н: 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Г818А2, 2Т818Б, 2Т818В2 . . .... 9 КТ818Л, КТ818В, КТ818АМ, КТ818ВМ . . 10 К1818Б. КТ818БМ ..............15 КТ818Г КТ818ГМ ... 7 Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Ukb-5 В, /к=20 А, для 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В..........................................4*.„7*.. 15* Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при l/|tB=5 В, /е=0,5 А . . . 3*. 4 5* . 7* МГц Граничное напряжение при /©=0,1 А 2Т818А, 2Т818А2, КТ818Г, КТ818ГМ , . 80 100* 150* В 2Т818Б, 2Т818Б2, КТ818В, КТ818ВМ , . 60 80’ 100* В 2Т818В, 2Т818В2, КТ818Б, КТ818БМ . . 40 .60* .80* В К1818А, КТ818АМ, не менее......................20 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер: прн /к = 5 А, /в =0,5 А, не более: 2Т818А. 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2 .... . 1 В КГ818А КТ818Б КТ818В, КТ818Г. КТ818АМ, КТ818БМ КТ818ВМ. КТ818ГМ . . . 2 В при /к =20 А, /ь-=5 А 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В..........................0 7...1.5..4 В 2Т818А2, 2Т818Б2, 2T8I8B2, не более 5 В КТ818А КТ818Б KT8I8B КТ818Г, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ .... 0.7...1.5.. 5 В Напряжение насыщения база — эмиттер: прн 1к=5 А, /в=0,5 А, не более 2Т818Л, 2Т818Б 2Т818В, 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2 1,5 В КТ818А, КТ818Б, KT8I8B, КТ818Г, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ .... 3 В при 1К-20 А /в-5 А для 2Т818А, 2Т818Б, 2T8I8B, 2T8I8A2, 2Т8 8Б2, 2Т818В2 , . 1,6 2,3 5 В 206
Продолжение Пробивное напряжение коллектор — эмиттер при /к = 1 мА, О . 2Т818А, 2Т818А2.............................100...140*...180* В 2Т818Б, 2Т818Б2 .............. . . 80...105*...120* В 2Т818В, 2Т818В2 ......................... 60. .80* ..110* В Пробивное напряжение коллектор — база: при 7=-60 .+25°С, Тх=\ мА: 2Т818А, 2Т818Л2 ........................ 100. 130*. 200* В 2Т818Б, 2Т818Б2 . . .............. 80 ..100* ..120* В 2Т818В, 2T8I8B2 . . .... 60. .80*... 100* В при Т=Тк,хпкс, /к=5 мА 2Т818А, не менее: 2Т818А2 . . .............100 В 2Т818Б, 2Т818Б2.............................80 В 2Т818В, 2Т818В2 .... ... 60 В Пробивное напряжение база — эмиттер при 1в= -5 мА.............................................5...8* .30* В Обратный ток коллектора при Uki =40 В, для КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818АМ, КТ818БМ, KT8I8BM, КТ818ГМ, нс бо. ее: Г——40. .+25 °C . . . . . 1 мА 7=+ 100 °C ... . .10 мА Время выключения при 1/кб=5 В, /к=0,5 А. не более...................................... 2,5* мкс Емкость коллекторного перехода при Г/Кб=5 В. f=l МГц . . ............................ 400*. 600. 1000 пФ Емкость эмпттерпого перехода при 1/вв = 0,5 В, / —1 МГц, не более . 2000* пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база: 2Т818А, 2Т818А2 ... ... 100 В 2Т818Б, 2Т818Б2...............................80 В 2Т818В, 2Т818В2 . . . . 60 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при ЯяаСЮО Ом: 7= —60...+80°С для 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 7=-60...+ 40 °C: 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2 2Т818Л, 2Т818А2 .......................... 100 В 2Т818Б, 2Т818Б2 ... .... 80 В 2Т818В, 2Т818В2...............................60 В 7= —40... + 25°С: КТ818А, КТ818ЛМ..............................40 В КТ818Б, КТ818БМ . . ... 50 В КТ818В, КТ818ВМ 70 В КТ818Г, КТ818ГМ .............................90 В Постоянное напряжение база — эмиттер ... 5 В Постоянный ток коллектора: КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г ... 10 А 2Г818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818Л2 2Т818Б2, 2Т818В2, КТ81 AM КТ818БМ. КТ818ВМ КТ818ГМ.................. . . 15 А Импульсный ток коллектора при /и^10 мс, Q> 100 (Q^2 для 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2): КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г . 15 А 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ...................................... 20 А 207
Продолжение Постоянный ток базы................................. ЗА Импульсный ток базы . .............. 5/1 Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при 7к = 7х.ЛИ«=+25 °C: с теплоотводом: 2Т818Л2 2Т818Б2, 2T8I8B2 .... 40 Вт KT8I8A, КТ818Б, КТ818В, КГ818Г . . 60 Вт 2Т818А, 2Т818Б, 2T8I8B, K18I8AM, КТ818БМ. KTSI8BM. КТ818ГМ .... 100 Вт без теплоотвода 2T8I8A2, 2Т818Б2, 2Т818В2.................1 Вт КТ818А, КТ818Б, KT8I8B, КТ818Г ... 1,5 Вт КТ818АМ, КТ818Б.М, КТ818ВМ, КТ818ГМ . 2 Вт 2Т818Л, 2Т818Б 2Г818В . . ... 3 Вт Температура р-п перехода: 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2..................................+150’С КТ818Л, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КГ818АЛ1, КТ818БМ. KT8I8BM КТ818ГМ . . . . +125 С Температура окружающей среды: 2T8I8A, 2Т818Б, 2Т818В..................... 2T8I8A2, 2Т818Б2, 2Т818В2.................. KT8I8A, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818АМ, КТ818БЛ1, КТ818ВМ, КТ818ГМ . . . . -60°С...7« +125 °C -60 °C. ,Гк= + Ю0°С -40°С..7к- + 100 °C 1 При повышении температуры окружающей среды (корпуса) свыше +25'С постоян- ная рассеиваемая мощность коллектора для 2I8I8A, 2Т818Б 2T81SB рассчитываекя по формулам ^К,л.1кс* Вт™ (150-7 х)/1,25 (с теплоотводом); ^K.mjkc» Вт-(150—П/41,6 (без теплоотвода); для 2T8I8A2. 2Т818Б2, 2Т818В2 уменьшается линейно на 0,32 Вт/Х с теплоотводом н 8 мВт/’С без теплоотвода; для K18I8A, КТ818Б. КТ818В, КТЫ8Г уменьшается на 0.6 Вт/ С с теплоотводом и на 0,015 Вт/Х без теплоотвода, для КТ818АМ, КТ818БМ, KT81SBM, КТ818ГМ уменьшается на I Вт/Х с теплоотводом и на 0,02 Вг/Х без тепло- отвода. При монтаже транзисторов 2T8I8A2, 2Т818Б2, 2Т818В2, КТ818Л, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г допускается одноразовый изгиб выводов не ближе 2,5 мм от корпуса под углом 90° радиусом не менее 0,8 мм При этом должны при- ниматься меры, исключающие возможность передачи усилии иа корпус. Изгиб в плоскости выводов ие допускается Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса. При папке жало паяльника должно быть заземлено. Допускаются пайка без теплоотвода и групповой метод панки Температура припоя +260 °C, время пай- ки не более 3 с, время лужения выводов ие более 2 с. При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, ба- зов! вывод должен присоединяться первым и отключаться последним. Допустимое значение статического потенциала 1000 В 208
Выходные характеристики Входные характеристики Зона возможных поло женин зависимости ста тического коэффициента передачи тока от тока эмиттера Зона возможных положений зависимости статического ко- эффициента передачи тока от температуры Kopujea Зона возможных положении зависимо- сти напряжения насыщения коллек- тор — эмиттер от тока коллектора 14 Заказ Ns 1004 209
Зависимость напряжения насыщения база — эмиттер от тока коллектора Зона возможных положений зависи- мости пробивного напряжения кол- лектор— эмиттер от температуры корпуса Зона возможных положений зави- симости пробивного напряжения кол- лектор— эмиттер от температуры корпуса Зона возможных положений зави- симости пробивного напряжения от температуры корпуса Зона возможных положений зави- симости пробивного напряжения кол- лектор эмиттер от сопротивления база —эмиттер Области максимальных режимов Области максимальных режимов 210
Зависимости максимально допусти- мого постоянного напряжения кол- лектор— эмиттер от температуры корпуса Области максимальных режимов Зависимости коэффициента Л от длительности импульса КТ820 (А-1, Б-1, В-1) Транзисторы кремниевые меза-эпи- такспальио-плапарные структуры р-п-р усилительные Предназначены для при- менения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и им- пульсных устройствах герметизирован- ной аппаратуры Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием. Каж- дый транзистор упаковывается в инди- видуальную тару. Тип прибора указы- вается иа сопроводительной таре. Масса транзистора не более 0 02 г. KT62QIМ - 8-1) 14' 211
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 17кь=2 В, /к=150 мА, не менее: КТ820А I, КТ820Б I.................................40 КТ820В 1 . .......................30 Граничная частота коэффициента передачи тока в схе- ме ОЭ при UK:i=Z В, /к=0,03А, не менее .... 3 МГц Граничное напряжение при /к=50 мА, /и^300 мкс, 100, не менее: КТ820А 1 . . . . ...................40 В КТ820Б 1 . . ....................60 В КТ820В-1 ... . 80 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /и = =0,5 А, /в—0,05 А, не более .... ,05 В Напряжение насыщения база — эмиттер при /к = 0,5 Л, /в-0,05 А, не более . . . .................12В Обратный ток коллектора при 1/кв=40 В, не более . . 30 мкА Емкость коллекторного перехода при 1/ке=5 В, f= = 465 кГц не более..................................... 65 пФ Емкость эмпттериого перехода при £7£й=0,5 В, 7=465кГц, не более.............................................. .65 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при 100 Ом КТ820А 1 ........................... . 50 В КТ820Б-1 . . .........................70 В КТ820В-1 100 В Постоянное напряжение база — эмиттер . ... 5 В Постоянный ток коллектора............................0,5 А Импульсный ток коллектора при /и^10 мс, 100 . 1,5 А Постоянный ток базы ... ... 0,3 Л Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 в соста- ве гибридной микросхемы прн Т=—40...+ 25 °C ... 10 Вт° Температура р-п перехода.............................+125 °C Температура окружающей среды.........................—40 ..+85° С 1 При 7=+25...+85 °C Pt[ vnKC в составе гибридной схемы определяется по формуле рк.ха*с- Вт=(125-7)/Ю. Пайка выводов транзисторов допускается нс ближе 3 мм от защитного покрытия. КТ822 (А-1, Б-1, В-1] КТ822(А-1 — В-1) 0.В 00,01 Транзисторы кремниевые ме- за-эпитакспальпо планарные струк- туры р-п-р усилительные Пред- назначены для применения в уси- лителях низкой частоты, опера- ционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах герме- тизированной аппаратуры Бес- корпуспые, с гибкими выводами без кристаллодсржателя и защит- ным покрытием. Каждый тран- зистор упаковывается в индиви- дуальную тару. Тип прибора ука зывается на сопроводительной таре. Масса транзистора не более 0,03 г. 212
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн 1/кв=2 В, /к = 1 А- 7’= + 25°С, не менее............................ типовое значение ........................... 7'=+85 °C, не менее..................... типовое значение ........................... Т=— 40°C, не менее . . . типовое значение ........................... Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при 47кв=5 В, /Л-=0,05 Л, не менее Линейность статического коэффициента передачи киэ прн /в=0,001 А тока д = ............................ Й21а при 1э= 1 А Граничное напряжение при /э=100 мА, /и<300мкс, Qjs 100, не менее: КТ822А-1.................................... КТ822Б-1.................................... КТ822В-1.......................... Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1,{=\ А, /в=о,1 А............................... Напряжение насыщения база — эмиттер при /к = = 1 А, /£=0,1 Л....................... Входное сопротивление в режиме .малого сигнала при 1/кэ = 5 В, /к = 30 мА, /=0,8 кГц . . . . Обратный ток коллектора при 47кь = 40 В, не более: 7 =+25 °C................................... 7"=+85 °C............................ Емкость коллекторного перехода прн 1/кв = 5 В, f=465 кГц ............................... Емкость эмиттерпого перехода при С/эв=0,5 В, f = 465 кГц .... ... . . 25 40* 25 41* 15 35* 3 МГн 1,5*...2,75*...4* 45 В 60 В 80 В 0,1*...0,2*...0,6 В 0,8* .0,9*. .1.5 В 0,15*...0,36*. 1* кОм 50 мкА 100 мкА 80*...90*. .115 пФ НО*... 125*... 150 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер: при 1 кОм: КТ822А 1.............................45 В КТ822Б 1.............................60 В КТ822В 1.............................100 В при /?лз=оо: К1822А1...............................45 В КТ822Б-1.............................60 В КТ822В-1.............................80 В Постоянное напряжение база—эмиттер ... 5 В Постоянный ток коллектора1 ... 2 А Импульсный ток коллектора при /„^20 мс, 100 4 Л Постоянный ток базы ... .... 0,5 Л Постоянная рассе тваемая мощность коллектора1 2 в составе гибридной микросхемы прн Т— —40 ..+25 °C 20 Вт Тепловое сопротивление переход — кристалл . . 5 °C.1 Вт Температура р-п перехода.......................+ 125 °C Температура окружающей среды ... —40 - 85 °C 1 Допускается I лпкг=3 А при условии непрсвышеиия мощности 2 ПРИ ТК>+25°С Рк^якс. Вт-(125-Тх)/5. 213
2Т825 (А, Б, В), 2Т825 (А2, Б2, В2), КТ825 (Г, Д, Е] Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры р-п-р составные. Пред- назначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Кор- пус металлический со стеклянными изоляторами (2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е) и пластмассовый с жесткими выводами (2Т825Л2, 2Т825Б2, 2Т825В2). Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, в пластмассо- вом корпусе не более 2,5 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Uke~ 10 В, /э=-10 Л: Т=+25°С: 2Т825А, 2Т825А2 . . 500... 18 000 2Т825Б, 2Т825В, 2Т825Б2, 2Т825В2, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е .... ... 750... 18 000 Т— Т л<охс^ 2Т825А, 2Т825А2 . . ... 400...25000 2Т825Б, 2Т825В, 2Т825Б2, 2Т825В2 . . . 600...25 000 214
Продолжение 7"=—60 °C: 2Т825А, 2Г825А2 . . . . . . 2Т825Б. 2Т825В, 2Т825Б2, 2Т825В2 . . . Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Ukk— 10 В, /в = 20 Л, не менее . . . . Коэффициент передачи тока в режиме малого сигна- ла при Б'к«=3 В, /а =10 A, f=5 кГц . Модуль коэффициента передачи тока при 47кс—3 В, /э=Ю A, f=l МГц, не менее...................... Граничное напряжение при /э=100 мА, не менее: 2Т825Л, 2Т825А2........................... 2Т825Б, 2Т825Б2........................... 2Т825В, КТ825Д, 2Т825В2................... КТ825Г.................................... КТ825Е . ....................... Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не бо- лее: при /к -10 Л, /б=40 мА . . . . . при /к=20 А, /в=200 мА...................... Напряжение насыщения база —эмиттер, не более: при /к=10 Л, /в 40 мА....................... при /к=20 А, /ц- 200 мА..................... Пробивное напряжение коллектор — эмиттер при Ивв = 1,5 В, ие менее: 7 =+25 °C, /к=1 мА: 2Т825А, 2Т825А2........................... 2Т825Б, 2Т825Б2 ... . . . 21825В, КТ825Д, 2T825B2 . . . . КТ825Г.................................... КТ825Е........................... . . . 7 = Т максу /к=5 мА (2 мА для 2Т825А2, 2Т825Б2 2Т825В2): 2Т825А, 2Т825А2........................... 2Т825Б, 2Т825Б2........................... 2Т825В, 2Т825В2........................... 7=-60°C, /к =5 мА: 2Т825А.................................... 2Т825Б.................................... 2Т825В .... ................. Пробивное напряжение эмиттер — база при /з = =2 мА, не более Время включения при 1к "10 А, /Е=40 мА, не более Время выключения при 1к—10 А, /б —40 мА, не более........................... ... типовое значение Емкость коллекторного перехода при Uke— 10 В, f=100 кГц, не более . . типовое значение................... . . . Емкость эмиттерного перехода при 1/вв=3 В, {= = 100 кГц, не более ... ... типовое значение ........................... 100... 18 000 150...18 000 100* 430* .15 000*...60 000* 4 80 В 60 В 45 В 70 В 25 В 2 В 3* В 3 В 4* В 100 В 80 В 60 В 90 В 30 В 80 В 60 В 50 В 100 В 80 В 60 В 5 В 1 мкс 4,5 мкс 3* мкс 600 пФ 350* пФ 600 нФ 400* пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?в»^1 кОм или 7/бв=1,5 В, ГХ = 7'Л11И... + 55°С: 2Т825А, 2Т825А2 100 В 2Т825Б, 2Т825Б2 . . . 80 В 2Т825В, КТ825Д, 2Г825В2 . . . 60 В КТ825Г 90 В КТ825Е....................; ; ; ' зо в 215
Продолжение Постоянное напряжение база — эмиттер ... 5 В Постоянный ток коллектора. 2Т825А 2Т825Б, 2Т825В КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е . ... . 20 Л 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 . . 15 А Импульсный ток коллектора: КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В ... 40 Л 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2..................30 А Постоянный ток базы .................0,5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора : с теплоотводом, Тк = Тмип... + 25 °C: 2Т825А, 2Г825Б, 2Т825В, К1825Г, КТ825Д, KT825F........................... . . . 125 Вт 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 ... 30 Вт без теплоотвода, Г=+25°С‘ 2Т825Л, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е . . . 3 Вт 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 .... 1 Вт Температура р-п перехода: 2Т825Л. 2Т825Б, 2Т825В.......................+175 °C 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е..............................+150 °C Температура окртжающей среды: 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В...........................-60°С...7'к = + 125 °C 2Т825Л2, 2Т825Б2, 2Т825В2..................-60 °C.. 7\- + 100 °C КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е.....................-40°С...7\ = + 100сС 1 Для 2Т825Л2, 2Т825Б2, 2Т825В2 при 7^-+25...+100 °C максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора снижается линейно на 0,2-1 ВгЛС с теплоотводом и на 8 мВт/*С без теплоотвода. Для транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 допускается одноразовый изгиб выводов на угол не более 90° от первопа талыюго положения в плоско- сти, перпендикулярной основанию корпуса, не ближе 5 мм от корпуса с радиу- сом изгиба не менее 1,5 мм Пайка выводов транзисторов допускается ие ближе 5 мм от корпуса при температуре припоя не более +260 °C в течение не более 3 с, вр--чя лужения выводов ие более 2 с. Прн включении транзистора в цепь, находящуюся под иаприжеипем, ба- зовый вывод должен присоединяться первым и отключаться последним. Допустимое значение статического потенциала 1000 В. Зависимости максималь- но допустимого постоян- ного напряжения кол- лектор — эмиттер от тем- пературы корпуса 216
Зависимости максимально допусти- мой постоянной рассеиваемой мощ- ности коллектора от температуры корпуса Зависимость пробивного напряжения коллектор — эмиттер от Сопротивле- ния база — эмиттер Зависимости напряжений насыщения коллектор — эмиттер и база — эмит- тер от тока коллектора Зависимости статического коэффи- циента передачи тока от тока эмит- тера Выходные характеристики Зависимости статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера 217
Области максимальных режимов 2Т830 (А, Б, В, Г), 2Т830 (В-1, Г-1) 2Т830 (В1, Г1) Транзисторы кремниевые меза- энигаксиальио-нланарныс структуры р-п-р. Предназначены для примене- ния в усилителях мощности, источ- никах вторичного электропитания, преобразователях. Корпус 2Т830Л, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г металличе скип со стеклянными изоляторами н гибкими выводами, транзисторы 2Т830В-1, 2Т830Г-1 бескорпусиые с защитным покрытием и гибкими вы водами Масса транзистора в металлы ческом корпусе не более 2 г, бес- корпусного — ие более 0,03 г. 218
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ При C'ki;=1 В, /э=1 Л- 7=+25 “С: 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В..................... 2Т830Г ... ... 2Т830В 1. 2Т830Г-1 . . . . Т ~ Гк.микг^ 2ТК30А, 2Т830Б, 2Т830В, не менее . . . 2Т830Г, не менее.......................... 2Т830В-1. 2Т830Г 1 .................. 7=-60 °C: 2Т830А, 2Т830Б 2Т830В не менее . . . 2Т830Г, не менее ................. 2Т830В-1. 2Т830Г 1 ................. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при Ukb=5 В, /э=50 мА . . . . Граничное напряжение при /г»0 1 А, /„<300 мкс, <2^ 100, не менее: 2Т830Л.................................... 2Т830Б ................. 2Т830В, 2Т830В 1 . . 2Т830Г. 2Т830Г1........................... Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к—1 А. 1Б-0,1 А................................ Напряжение насыщения база — эмиттер при /к = = А /Е = 0,1 А ....................... Пробивное напряжение коллектор — база, не менее: при Т=—60 . + 25°C, 1кбо~() 1 мА" 2Т830А .... 2Т830Б . ................. 2Т830В, 2Т830В 1 . 2Т830Г, 2Т830Г 1 При Т Тк.мачС' /бео^З мА: 2Т830А ................................. 2Т830Б ..................... 2Т830В, 2Т830В 1 . 2Т830Г, 2Т830Г-1 ............. Пробивное напряжение база—эмиттер при /э = = 1 мА, не менее.......................... .... Обратный ток коллектора при L'ke = 80 В Обратный ток эмиттера при /7е.т = 5 В Время включения прн 1/кв=30 В, !к— 1 А /Е = = 0,1 А...................................... Время выключения при Г/кв=30 В, /к = 1 А, /с = =0,1 А ................. Время рассасывания при Гкв=30 В, 7к=1 A, fE — =0,1 А, ие более...................... Емкость коллекторного перехода при t/KB=5 В, /=1 МГц ... ................ Емкость эмиттерпого перехода при Г/Эс=0,5 В, { = 1 МГц......................................... 25 .30*. .55* 20...23* 50* 25.200 25 20 25 220 20 18 15 200 4. 9* 15* МГц 25 45 60 80 В В В В 0,25*...0 35* 0,6 В 0,9*. 0,92*... 1,3 В 35 60 80 100 36 60 80 100 В В В В В В В В В 5 0,1* 10*..100 мкА 20*. 500* 1000* мкА 0,3* 0,5*. 0,8 мкс 1*.1,5*. .2 мкс 1 мкс 63* 67* .150 пФ 88* ...230*.. 350 1 Ф Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор—база: 2Т830Л 35 В 2Т830Б.........................................60 В 2Т830В, 2Т830В 1............................. 80 В 2Т830Г 2Т830Г 1 , . Ю0 В 219
Продолжение Постоянное напряжение коллектор—эмиттер при кОм: 2Т830А................................... 2Т830Б ........................... 2Т830В, 2Т830В-1............................ 2Т830Г, 2Т830Г-1 . . .... Постоянное напряжение эмиттер — база Постоянный ток коллектора ..................... Импульсный ток коллектора ............. Постоянный ток базы............................ Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7’к = — 60...4 25 °C: с теплоотводом : 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г . . . 2Т830В-1, 2Т830Г-1 (бесконечный теплоотвод) без теплоотвода ............................ Температура р-п перехода....................... Температура окружающей среды: 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г . . . . 2Т830В-1, 2Т830Г-1.......................... 30 В 50 В 70 В 90 В 5 В 2 А 4 А 1 Л 5 Вт 25 Вт 1 Вт 4 150 °C -60°C. .ГК=4125°С - 60 °С...Тк = 4 100 °C 1 При Г* —425 .4100 °C /’к.-чакс для 2TB3OB-I, 2Т830Г-1 с теплоотводом рассчи- тывается по формуле ^Н.махе’ Вт "<гп — к Пайка выводов транзисторов 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г допускается ие ближе 3 мм от корпуса, температура пайки не более 4260° в течение не более 3 с. Допустимая температура монтажа транзисторов 2Т803В-1, 2Т803Г-1 в гиб- ридных микросхемах не должна превышать 4230 °C в течение не более 10 с. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Для транзисторов 2Т830В-1, 2Т830Г-1 при длине вывода I более 5 мм / Клаке С10Д. Выходные характеристики Зона воз.можных положений зависимо сти пробивного напряжения котлск тор — эмиттер от сопротивления ба- за — эмиттер 220
Области максимальных режимов Зона возможных положении зависимости на- пряжения насыщения коллектор — эмиттер от тока коллектора Зависимость коэффициента А от дли- тельности импульса Зона возможных положений зависимо- сти статического коэффициента переда- чи тока от тока эмиттера Зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности кол лектора от температуры корпуса Sea теплоотвово 221
Зона возможных положении зависи- мости напряжения смещения база — эмиттер от тока коллектора Зависимость статического коэффи- циента передачи тока от температу- ры корпуса КТ835(А.Б) КТ835 (А, Б) Транзисторы кремниевые меза- эпитаксиально-плаиарные структуры рпр усилительные. Предназначены для применения в усилителях, пре- образователях н импульсных устрой- ствах. Корпус пластмассовый с жест- кими выводами. Масса транзистора не более 2,5 г. 222
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ- при 1/ке=1 В, /к=1 А для КТ835А, не менее . . 25 при Ukb=5 В, /к=2 А для КТ835Б....................10.. 100 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ, не менее ... . 1 МГц Напряжение насыщения коллектор—эмиттер, не более: при /к=1 А, /£=0,2 А для КТ835А.......................0,35 В при /к=3 А, /Е=0,6 А для КТ835Б...................2,5 В Обратный ток коллектора при Ukl^Vki-, .лсаке! КТ835А................................................100 мкА КТ835Б............................................150 мкА Емкость коллекторного перехода при С'ки—30 В, не более 800 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база: КТ835А..............................................30 В КТ835Б ... ...........................45 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер . . . 30 В Постоянное напряжение база — эмиттер . ... 4 В Постоянный ток коллектора: КТ835А................................................ЗА КТ835Б.......................................... . 7,5 А Постоянная рассеиваемая мощность при Тк — — 40. +25°C 25 Вт Температура р-п перехода..............................+125 °C Температура окружающей сре гы.........................— 40 СС.. Тх = = + 100 °C 2Т836 (А, Б, В] Транзисторы кремниевые планарные структуры р-п-р переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях мощ- ности источниках вторичного электропитания. Корпус металлический со стек- лянными изоляторами и гибкими выводами. Масса транзистора не более 2 г. 2Т83Б [А -в! Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн UKls=5 В, /в=2 А: Т’= + 25°С- 2Т836А . 2Т836 (Б, В) . . “ + 125 °C, ие менее....................... 'к = —60°С, ие менее......................... 20...50*.. 100* 20 65*.. 100* 20 10 223
Продолжение Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при 1/кб=5 В, /к=50 мА . . . . Граничное напряжение при /а = 0,1 А: 2Т836Л .............................. 2Т836Б .................................. 2Т836В...................................... Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к-2 А: 2Т836А при /ь-=0,2 Л........................ 2Т836Б при /Б-0,08 А........................ 2Т836В при Л;=0,2 А.................. Напряжение насыщения база — эмиттер при /к^2А: 2Т836А при /Б=0,2 А . . . . 2Т836Б при /б = 0,08 А . . . . . . 2Т836В при /б=0,2 А......................... Время включения при l/Kj = 85 В, /к=2 А, /б= =0,08 А......................................... Время выключения при 1/кэ=85 В, /к=2 Л, /б= 0,08 А.......................................... Время спада при 1/кэ-85 В. /к = 2 А, /г = 0,08 А Время рассасывания при 77кз = 85 В, /к—2 А, /!:* -0,08 А..................................... Об| атный ток коллектора при Ь'Кг>=иКп.ЛПИССт ИС более: 7'к = —6О... + 25°С . . .............. Гк= + 125°С , ... Обратный ток эмиттера при 1/гэ=5 В, не более Емкость коллекторного перехода при 77кб = 5 В, f=l МГц . . .... Емкость эмиперного перехода при 77бэ = О,О5 В, f-1 МГц......................................... 4...30*. .40* МГц 80.. 100* .125* В 80...90*. .110* В 40...60*...80* В 0,25*...0,45*...0,6 В 0,25*...0,29*...0,35 В 0,25*...0,3*...0,45 В 0,95*.. !*...!,3 В 0,9*... 1*.. 1,2 В 0,95* 1*. 1,3 В 0,25*.. 0,4*...0,6 мкс 0,31 *...0,9* ..1,6 мкс 0,1 *...0,4*...0,6 мкс 02*...0,6*...! мкс 0,1 мА 3 мА 1 мА 340*...350*...370 пФ 1500*...2200*...2500 нФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — баз 2Г836А..........................................90 В 2Т836Б......................................85 В 2Т836В......................................60 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при 100 Ом: 2Т836Л..........................................90 В 2Т836Б . , ... . . . 85 В 2Т836В......................................60 В Постоянное напряжение эмиттер — база . . . 5 В Постоянный ток коллектора...........................ЗА Импульсный ток коллектора при tu^ 10 мс, QJ>2 4 А Постоянный ток базы................... 1 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Гх=-60 + 25 °C: с теплоотводом..................................5 Вт без теплоотвода.............................0,7 Вт Температура рп перехода..................... +150 °C Температура окружающей среды....................—60 С...7\ = +125 °C Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм от корпуса при температуре +260 С в течение не более 3 с. 224
Вхотные характеристик» Зависимость максималь- но допустимой постоян- ной рассеиваемой мощ- Выходные характеристи- ки Зона возможных поло- жений зависимости про- бивного напряжении кол- лектор — эмиттер от со- противления база — эмиттер Зависимости времени включения от тока кол- лектора Зависимости времени включения, выключения и рассасывания оз на- пряжения коллектор — эмиттер Зоны возможных положений зави- симостей напряжений насыщения коллектор — эмиттер и база — эмит- тер от температуры 1э Закат № 1094 Зона возможных положений зависи- мости статического коэффициен га передачи тока от температуры кор- пуса 225
ЛцЗ Зона возможных положений зависи- мости статического коэффициента пере- дачи тока от тока эмиттера Зависимости напряжения насыщения коллектор — эмиттер от тока кол- лектора Зависимости напряжения насыщения база — эмиттер от тока коллектора Завпс1гмости времени рассасывания от тока коллектора Зависимость времени выключения от тока коллектора 226
Зависимости времени включения от тока коллектора Зависимости времени выключения от напряжения коллектор — эмиттер 2Т837 (А, Б, В, Г, Д, Е) Транзисторы кремние вые эпитаксиально-диффу- зионные структуры р-пр переключательные. Пред- назначены для применения в усилителях и переклю- чающих устройствах Кор- пус пластмассовый с жест- кими выводами. Масса транзистора не более 2,5 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Б'ка = 5 В, /к = 2 Л: 7=+36 °C- 2Т837А, 2Т837Г............................. 2Т837Б, 2Т837Д............................. 2Т837В, 2Т837Е.......................... 7’=+ 125 °C, не менее: 2Т837А, 2Т837Г.......................... 2Т837Б, 2Т837Д............................. 2Т837В, 2Т837Е............................. 7=* — 60 °C, не менее: 2Т837А, 2Т837Г .................. 2Т837Б, 2Т837Д . . . . 2Т837В, 2Т837Е............................. 15. .35*.. 120* 30 72*...150* 40 93*... 180* 15 30 40 10 15 25 15* 227
Продолжение Модуль коэффициента передачи тока на вьасокой частоте при Пкв=5 В, 1к~0,5 h, f—1 МГц Граничное напряжение при /«=0,1 Л, не менее: 2Т837А 2Т837Г....................... . . 2Т837Б, 2Т837Д .................... 2Т837В 2Т837Е............................ Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=3 А, /в = 0,37 А . . Напряжение насыщения база — эмиттер при /к = = 3 А, /с=0,37 А ............. Время включения при 17кв=ЗО В, /к=1 А, /в= = 0,1 А....................................... Время выключения прн С/ка=30 В, /к = 1 А, /в= = 0,1 А....................................... Время спада при 1/кв=30 В, /к = 1 А, /в = 0,1 А Время рассасывания при £/ка=30 В, /к—1 А, /в — = 0,1 А .......................... Обратный ток коллектор — эмиттер при 17кэп = = U КОП.маке, Ro.,—100 Ом, не более: 7--60 ..+25 °C............................ 7=+ 100 °C................................ Обратный ток коллектора при Ukb=U кв,м->кс, ие более: 7——60...+25 °C............................ 7=+ 100 °C................................ Обратный ток эмиттера при Ubb^Ubb.mikc, не более 3.5*. 17* 55...69*..81* В 45...55*...72* В 35...45* 65* В 0,2* . 0,35* .0,9 В 1*...1,05*...1,5 В 0.22*..0,38*...0,5* мкс 0,32*. 0 54*...!* мкс 0,11* 0 15*...0,3* мкс 0,21*..0,49*...! мкс 5 мА 15 мА 0,15 мА 1,5 мА 0.3 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база: 2Т837Л, 2Т837Г.............................80 В 2Т837Б, 2Т837Д.............................60 В 2Т837В, 2Т837Е . . ................45 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?в,-100 Ом: 2Т837А, 2Т837Г..................................70 В 2Т837Б, 2Т837Д..............................55 В 2Т837В, 2Т837Е .... ... 40 В Постоянное напряжение база—эмиттер: 2Т837Л, 2Т837Б 2Т837В..........................15 В 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е......................5 В Постоянный ток коллектора ... 8 Л Постоянный ток базы . . 1 Л Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при Тк=-60 ..+25 °C. с теплоотводом..................................30 Вт без теплоотвода......................... ... 1 Вт Тепловое сопротивление переход — среда . . . 100°С/Вт Тепловое сопротивление переход — корпус . . . 3,33 °С/Вт Температура р-п перехода........................+125 °C Температура окружающей среды ... — 60°С...7к=+100 °C • При 7к-+25... + 100 СС Рк МЛКС рассчитывается по формулам Ри Лакг, Вт- (125—Тк)/3,33 (с теплоотводом); рк мак.- Вт—(125—D/100 (без теплоотвода). Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов па угол не более 90е на расстоянии ие меиее 5 мм от корпуса с радиусом изгиба не меиее 1,5 мм. Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса при температуре не более +260 °C в течение ие более 3 с. Жало паяльника должно быть заземлено. Допустимое значение статического потенциала 500 В 22S
KII к и Выходные характернстп- Зависимость статпческо- ки го коэффициента переда чп тока от напряжения коллектор — эмиттер Зависимость статическо- го коэффициента пере- дачи тока от тока кол- лектора Зависимость максимально допусти- мого постоянного напряжения кол- лектор— эмиттер от сопротивления база — эмиттер Области максимальных режимов 229
Зона возможных положений зависи- мости напряжения насыщения кол- лектор — эмиттер от тока коллек- тора Области максимальных режимов КТ837 (А, Бг В, Г, Д, Е, Ж, И, К, Л, М, Н, П, Р, С, Т, У, Ф] Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры р-п-р не рек. ючательные. Предназначены для применения в усилителях и переключаю- щих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами (габаритный чертеж см. 2Т837 (Л—Е)). Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при UK0=5 В, /к=2 Л: КТ837А, КТ837Г, КТ837Ж, КТ837Л, КТ837П, КТ837Т 10...10 КТ837Б, КТ837Д, КТ837И, КТ837М. КТ837Р, КТ837У 20...80 КТ837В, КТ837Е, КТ837К, КТ837Н, КТ837С, КТ837 Ф 50... 150 Граничная частота коэффициента передачи тока при Uko— =5 В, /к=0,5 А, не менее.................... • 1 МГц Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не более. при /к=3 А, /в=0,37 А для КТ837А, КТ837Б. КТ837В, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н............................2,5 В при /к-3 А, /Е-0 7 А для КТ837Г, КТ837Д. КТ837Е, КТ837П, КТ837Р, КТ837С............................0.9 В при /к=2А, /Б=0,ЗА для КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф ... ... 0,5 В Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=2 А, /в= =0,5 А, не более................................. .... 1.5 В Обратный ток коллектора — эмиттер при //кэп //кэп-чок., /?<н=100 О.м, не более . ............. . 10 мА Обратный ток коллектора прн Ukb = Uke .чпК-, ие более . 0,15 мА Обратный ток эмиттера п| и 1'иэ- 1'ьэ .ч,кс, ие более . 0.3 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база: КТ837А, КТ837Б. КТ837В, КТ837Л, КТ837.М. КТ83/Н 80 В КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837П, КТ837Р, КТ837С 60 В КТ837Ж, КТ837И КТ837К, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф 15 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер: при /?с.,гС50 Ом: КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н 70 В 230
Продолжение КТ837Г. КТ837Д, КТ837Е, КТ837П, КТ837Р, КТ837С 55 В КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф 40 В при /?»> = <»: КТ837Л, КТ837Б, КТ837В, КТ837Д, КТ837М, КТ837Н 60 В КТ837Г, КТ837Д. КТ837Е. КТ837П, K'l 837Р, КТ837С 45 В КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф 30 В Постоянное напряжение база—эмиттер: К1837 \, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е КТ837Ж, КТ837И, КТ837К.........................15 В КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П, КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф.................5 В Постоянный ток коллектора............................7,5 А Постоянный ток базы..................................1 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора прн Тк= = -60...+25 °C: с теплоотводом1................................. . . 30 Вг без теплоотвода............................. 1 Вт Тепловое сопротивление переход — корпус .... 3,33 “/Вт Температура р-п перехода.............................+125 °C Температура окружающей среды.........................—60°С...7« = = -100 °C При Гк>-г25сС РКмчкс. B-r —(125—7К)/3.33. Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов на угол не бо- лее 90° на расстоянии не меиее 5 мм от корпуса с радиусом изгиба не ме- нее 1,5 мм. Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса при температуре не более +260 °C в течение не бо. ее 3 с. Жало паяльника должно быть заземлено. 2Т842 [А, Б), 2Т842 (А1Г Б1) Транзисторы кремниевые эпнтаксиальио-нланарные структуры р-п-р пере- ключательные. Предназначены для применения в мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. Корпус 2Т842А, 2Т842Б металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами, 2Т842А1, 2Т842Б1 пласт- массовый с жесткими выводами Масса транзистора в металлическом корпусе не ботее 20 г, в пластмассо- вом — нс более 2 г. 231
2T8*2 (At, Ef) Электрические параметры Статический коэффициент передачи гока в схеме ОЭ при (/кс=4 В, /к = 5 А. не менее: Г»-+ 25 °C: 2Т842Л, 2Т842Б...................................15 2Т8 2Л1, 2Т842Б1..................................10 Тк- Т'к.лякс: 2Т842А, 2Т812Б................................. ... 15 2Т842А1, 2Г842Б1 . . . . . 6 Л, = -60 °C: 2Т842Л, 2Т842Б..................................... 10 2Т842Л1, 2Т842Б1........................... 6 Гранична» частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ, не менее: при Гкв=5 В, /э=1 А, для 2Т842А, 2Г842Б ... 20 МГц при Ukb— 10 В, /к = 0,2 А для 2Т842Л1. 2Т842Ы . 10 МГц Граничное напряжение при 1в 50 мА, не менее: 2Т842А, 2Т842А1 . ..................... 250 В 2Т842Б, 2Т842Б1 . .....................150 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /«—5 Л, /б=1 А, не более . . ..................1,8 В типовое значение ...................................0,5* В Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=5 А, /в=1 А, не более ............................... . . 1,8 В типовое значение.............................__ 1,1* В Время рассасывания при {/кэ~20 В, /к = 2 А, /в=0,5 А, не более.......................................... . . 6 мкс типовое значение . . . ... 2,2* мкс Время включения при 1/ка=20 В, /к 2 Л, /с=0,5 А, не более .... ... 0,3* мкс типовое значение .............................. ... 0,1* мкс Время спада при 1/кэ—20 В, /к -2 А, /в=0,5 Л, не более 0,6* мкс типовое значение................................. . 0,3* мкс Обратный ток коллектора при Б'кв = Г/кС,лШХ=, не более: Г=> —60 ,.+25°C.....................................1 мА Т = Тмакс .... .... 3 мА Обратный ток эмиттера при 1/Ве = 5 В. не более . 5 мА Е ।кость коллекторного перехода при 1/кв=10 В, } — 0,3 МГц, не более................................. . . 400 пФ Ti повое значение................................... 250* пФ 232
Продолжение Емкость эянттерного перехода при 1/эв=0,5 В, f=0,1 МГц, не более . ...................................... типовое значение .................... . . Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база1: 2Т842Л, 2Т842А1 ........................ 2Т842Б, 2Т842Б1 . . ..................... Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при СЮ Ом для 2Т842А, 2Т842Б, ЙСИЮ Ом для 2Т842Л1, 2Т842Б1: 2Т842А, 2Т842А1........................................ 2Т842Б, 2Т842Б1.................................. Постоянное напряжение эмиттер — база................... Постоянный ток коллектора.............................. Импульсный ток коллектора.............................. Постоянный ток базы . . . .............. Импульсный ток базы . ..................... Постоянная рассеиваемая мощность коллектора2: с теплоотводом, Тк = —60... + 50°C: 2Т842А, 2Т842Б..................................... 2Т842Л1, 2Т842Б1 ... .............. без тептоогвода, Т= —60...+25 °C: 2Т842Л, 2Т842Б..................................... 2Т842А1, 2Т842Б1................................. Температура р-п перехода: 2Т842.А, 2Т842Б . ........................ 2Т842А1, 2Т842Б1................................. Температура окружающей среды: 2Т842Л, 2Т842Б......................................... 2Т842А1, 2Т842Б1 .... .... 3500 нФ 2400 пФ 300 В 200 В 300 В 200 В 5 В 5 Л 8 А 1 А 2 А 50 Вт 30 Вт 3 Вт 1 Вт + 175 °C + 150 °C -60 °С...ТК = = + 125 °C -60 °C.. Г« = = +100 °C 1 Скорость нарастания (d/''dOM<1I.c^250 В/мкс. > При TK>+5U'C для 2Т842А, 2Т842Б с теплоотводом Рк,макс, Вт-(Г„-Гк)'2.5; при Г>+25°С без теплоотвода PIiiMaKC’~ (7П —Рк,и.макс'"^н,макс/1^’ где А— коэф- фициент, определяемый из графиков. При Гх-+50...+ 100°С для 2Т842А1, 2Т842Б1 Р„ макс снижается линейно на 0,24 Вт/°С с теплоотводом и на 8 мВт/°С без теплоотвода при 7—+25...+100 °C. Пайка выводов допускается пе ближе о мм от корпуса транзистора. Выходные характеристики Зона возможных положений зависимо- сти напряжения насыщения коллек- тор — эмиттер от тока базы
Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмиттер от тока кол- лектора Зависимость напряжения насыщения база — эмиттер от тока коллектора Зона возможных положений завися мосги пробивного напряжения кол- лектор — эмиттер от сопротивления база — эмиттер Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллек- тор — база иа возможных положений завнеи- _ти статического коэффициента пе- редачи тока от тока эмиттера 231
Области максимальных режимов Зависимость коэффициента К от длительности импульса Области максимальных режимов 235
КТ851 (А, Б, В) КТ851(А-В) Транзисторы кремниевые планарные структуры р-п-р усилительные. Предназна- чены для применения в усилителях мощ- ности, переключающих устройствах. Кор- пус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора не более 2,5 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при l/KS=10 В, /к —0,5 А: К1851Л.......................................... 40 200 КТ851Б, КТ851В, не менее........................20 Граничное напряжение при /е = 30 мА, /„^300 мкс, 100, не ыенее: КТ851А................. ........................ 200 В КТ8э1Б................................. . . 250 В КТ851В ............................ . . 150 В Напряженно насыщения коллектор — эмнттср при /к = =0,5 А, /в=0,1 А, не более . 1 В Напряжение насыщения база — эмиттер при 1К = 0.5 А, /е=0,1 Л, нс более . . .... . 1,6 В Обратный ток коллектора при ие более: КТ851А...................................... ... 100 мкА КТ851Б, КТ851В ... ... 500 мкА Обратный ток эмиттера при 1/ь»=5 В, не более: КТ851А ... ...................100 мк.А КТ851Б, КТ851В.................................. 500 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база при (dUKI;ldt) макс 250 В мкс: КТ851Л . . ............................. 250 В КТ851Б ......................................... 300 В КТ851В ... .........................180 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при ^1 кОм, (й1/т:э/</0лОЖС<250 В/мкс: КТ851А .... ....... 200 В КТ851Б ................................ 250 В КТ851В . . .........................150 В Постоянное напряжение база — эмиттер.......5 В Постоянный ток коллектора . .... 2 А Импульсный ток коллектора при ь,<2 мс, Q:>2 . 3 А Постоянный ток базы ... ... 0,5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с тепло- отводом при Тк= — 60. .4-25 °C ... . 25 Вт 236
Продолжение Температура р-п перехода..............................+ 150сС Температура окружающей среды..........................—60 °С...Тк = = + 100 °C Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов не ближе 2,5 мм от корпуса под углом 90° радиусом закругления не менее 0,8 мм. Прн этом долж- ны приниматься меры, исключающие передачу усилий на корпус. Изгиб выво- дов в плоскости выводов не допускается. Папка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса при температуре не более + 260сС в течение не более 3 с. Допускается пайка вол- ной припоя при температуре не более +240°C. Запрещается припайка основания транзисторов к iеплоотводу. Зависимость обратного тока коллек- тора от температуры Входные характеристики -60 -М ~20 0 20 10 60 80 (00 Т, ь Зависимости статического коэффици- ента передачи тока от тока коллек- тора Зона возможных положений зависи- мости статического коэффициента передачи тока от температуры 237
Зона возможных положе- ним зависимости напряже- ния насыщения коллек- тор— эмиттер от тока кол- лектора Зона возможных положе- нии зависимости напряже- ния насыщения база эмиттер оттока коллектора Зависимости времени включения вы- ключения и рассасывания от тока коллектора Зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса 238
Области максимальных режимов КТ852 (А, Б, В, Г) Транзисторы кремниевые планарные структуры р-п р переключательные. Предназначены для применения в уси- i литслях и переключающих устройствах.•»' Корпус пластмассовый с жесткими вы- водами. Масса транзистора не более 2,5 г. КТ852(А~Г) Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Uxe=4 В, не менее: /к=2 А........................................... 500 /и=1 А................................. . . 1000 Граничная частота коэффициента передачи тока при Uкб~5 В, /э=0,5 А, не менее........................7 МГц Граничное напряжение при /э=0,03 А, ие менее: КТ852А ... ..................... . . 100 В КТ852Б..........................................80 В КТ852В................. ........................60 В КТ852Г . . ... 45 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к = =2 А, /е=8 мА, не более . 2,5 В Время включения при Ukb — ЗО В, /«—2 А, 8 мА, не более ... ... . 26 мкс Время выключения при UKB 30 В, ht 2 А, 1Б 8 мА, не более..................................... 4,5 мкс 239
Обратный ток коллектора при Плв=^кв.«1а>|г, не более Обратный ток коллектор — эмнтгер по более: при (7кв=50 В для КГ852А ............. при Uкв=4( В для КТ852Б.......................... при Око=30 В для КТ852В ......................... Обратный ток эмиттера при Uon=5 В, не более Емкость коллекторного переход? прн Уг,а=5 В, f= = 100 кГц, не болзе . . . . . . Емкость эмнттерного перехода при С0В“-1,5 В, f— = 100 кГц, не более .... . . . . . Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряженье коллектор — Сади, коллектор — эмиттер при /?0.С1 кОм: КТ852А . . ............. ... КТ852Б ...................... .................. КТ852В..................................... КТ852Г.......................................... Постоянное напряжение база—эмиттер.................. Постоянный ток коллектора........................... Импульсный ток коллектора при /и^10 мс, 100 Постоянный ток базы................................. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7’к = = -60...+25 °C: без теплоо вода 1 ............. е теплоотводом . ... . . Температура р-п перехода............................ Температура окружающей среды........................ Продолжение 1 мА 2 мА 2 мА 2 мА 2 мА 28 пФ 63 иФ 100 В 80 В 60 В 45 В 5 В 2 А 4 А 50 мА 2 Вт 50 Вт + 150 °C - 60 °С..7\ = = + 100 °C 1 При Г>+251’С Рк мякс снижается линейно на 0,15 Вт/"С. Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов не ближе 2,5 мм от корпуса под утлом 90° радиусом закругления ие менее 0,8 мм. При этом должны приниматься меры, исключающие передачу усилий на корпус. Изгиб выводов в плоскости выводов не допускается. Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора прн температуре не более +260 °C в течение не более 3 с. Допускается пайка вол- ной припоя при температуре не более +2-10 °C. Запрещается припайка основания транзисторов к теплоотводу. Допустимое значение статического потенциала 1000 В. Входная характеристика Зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса 240
Зависимости статического коэффи- циента передачи тока от тока кол- лектора Зависимость статического коэффи- циента передачи тока от напряже- ния коллектор — база Зависимости напряжения насыщения коллектор — эмиттер от тока коллек- тора Зависимости напряжения насыщения база — эмиттер от тока коллектора Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмиттер от температуры 16 Заказ К" 1001 241
КТ852(А~Г) 1"-2А 7б °8мА 75 SO -25 О *25 *50 *75 *100 725 Г °C Зависимость напряжения насыщения база — эмиттер от температуры Области максимальных режимов КТ853 (А, Б, В, Г) ктва(л-г) Транзисторы кремниевые планарные структуры р-п-р переключательные. Предназначены для применения в уси- лителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими вы- водами. Масса транзистора не белее 2,5 г. 242
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн Ui;a~ 3 В, 1к=3 А, не менее . 750 Граничная частота коэффициента передачи тока при Uki; — =5 В, 7к=0,5 А, не менее . . ... 7 МГц Граничное напряжение прн 1д — 0,1 А, ие менее: КТ853А . . ... 100 В КТ853Б . . 80 В КТ853В ... 60 В КТ853Г..............................................45 В Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при 7к=ЗЛ, /1:=0,012 Л, ие более................................... 2 В Напряжение насыщения база—эмиттер при /и=3 Л, /в=0,012 А, не более.............................. . 2,5 В Время включения при С/кэ=30 В, /к=3 А, /в=0,012 Л, не более............................................0,78 мкс Время выключения при 1/кэ=30 В, 1«=3 А, /в=0,012 А, не более................ ...........................5,8 мкс Обратный ток коллектора при С/кв = С/кс,..икс, не более 200 мкА Обратный ток коллектор—эмиттер при f>K3 = 50 В, не более .... ................ 500 мкА Обратный ток эмиттера при Г7вэ=5 В, не более . . . 2 мА Емкость коллекторного перехода при UkE=5 В, f= —100 кГц, не более .... .... 120 пФ Емкость эмиттер юго перехода при 1/вэ=1,5 В, f= — 100 кГц, ие более ......................860 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база коллектор — эмиттер при /?бэ^1 кОм. К.Т853А..................................... КТ853Б......................................... КТ853В КТ853Г......................................... Постоянное напряжение база—эмиттер .... Постоянный ток коллектора .... . . . Импульсный ток коллектора при /и^10 мс, Q>100 Постоянный ток базы............................ . . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк = = -60...+25 °C................................... . Температура р п перехода ........................... Температура окружающей среды .... 100 В 80 В 60 В 45 В 5 В 8 А 12 А 200 мА 60 Вт + 150 °C -60 °Т ,.ТК = = + 100 °C Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов ие ближе 2,5 мм от корпуса под углом 90° радиксом закругления ис менее 0,8 мм При этом долж- ны приниматься меры, исключающие передачу усилий па корпус. Изгиб выво- дов в плоскости выводов не допускается. Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса при температуре не более +260 °C в течение не более 3 с. Допускается пайка вол- ной припоя при температуре не более +240 °C Запрещается припайка основания транзистора к теплоотводу. Допустимое значение статического потенциала 1000 В. 16* 243
Зависимости времени спада, расса- сывания и включения от тока кол- лектора Входная характеристика Зависимости статического коэффициента передачи то- ка от тока коллектора Зависимость максимально допусти- мой постоянной рассеиваемой мощ- ности коллектора от температуры корпуса Зависимости напряжения насыщения база — эмиттер ог тока коллектора 244
M<S н« ® Зависимости напряжения насыщения коллектор — эмиттер от тока кол- лектора Зависимости напряжения насыщения база — эм ггтер от тока базы Зависимости напряжения насыщения коллектор — эмиттер от тока базы Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмипер or температуры Области максимальных режимов Зависимость напряжения насыщения база — эмиттер от температуры 245
НТ855 (А, Б, В) А'Т855(А~В) Транзисторы кремниевые эпитакспаль но-планариые структуры р-п-р усилитель- ные. Предназначены для применения в преобразователях, линейных стабилизато- рах напряжения. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора не ботее 2,5 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Ukr “4 В, !к~2 А, не менее: КТ85оА, КТ855Б...................................20 КТ855В . .................... ... 15 Граничное напряжение при /э=0,05 А, £.= 160 мГн, не менее" КТ855Т ................................. 200 В КТ855Б, КТ855В...................................150 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн 1к~2 А, /г=0,4 А, ие более . . ... . . 1 В Обратный ток коллектора при Uke=Uke .«акс, не более: КТ855А, КТ855В...................................1 мА КТ855Б . . . .... 0,1 мА Обратный ток эмиттера прн 1/Ля=5 В, не более: КГ855.А, КТ855В..................................5 мА КГ855Б . .................................0,1 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор— база, коллектор — эмиттер прн 10 Ом: КТ855А . ................................. 250 В КГ855Б, КТ855В ... .... 150 В Постоянное нан[ яжепие база - эмиттер................ 5 В Постоянный ток коллектора ............. 5 А Постоянный ток базы . ... I А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при 7\ = = 40...+25°С: с теплоотводом . . . 40 Вт без теплоотвода.............................. ... I 2 Вт Температура р-п перехода ... ... +150 еС Температура окружающей среды . . . —40‘,С...Тк = +100 °C Допускается одноразовый изгиб выводов транзисторов не ближе 2.5 мм от корпуса иод углом 90° радиусом закругления не менее 2,5 мм. При этом долж- 246
ны приниматься меры, исключающие передачу усилии на корпус Изгиб выво- дов в плоскости выводов не допускается. Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса при температуре не более +260 °C в течение не более 3 с или при температуре +250 °C в течение не более 5 с. Допускается панка волной припоя при тем- пературе не более +240 °C. Запрещается припайка основания транзисторов к теплоотводу. Допустимое значение статического потенциала 1000 В Зона возможных положений зависи- мости статического коэффициента передачи тока от температуры Зависимости тока эмиттера от на- пряжения база — эмиттер Зависимость максимально допусти- мой постоянной рассеиваемой мощ пости коллектора от температуры корпуса Зависимость .максимально допусти- мой постоянной рассеиваемой мощ- ности коллектора от температуры Зона возможных положений записи мости статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера 24
Зона возможных поло- жении зависимости ста- тического коэффициента передачи тока от напря- жения коллектор — база Зона возможных поло- женин зависимости по- стоянного напряжения коллектор — эмиттер от сопротивления база — эмиттер Зона возможных положении зави- симости напряжем i насыщения коллектор — эмиттер от тока кол- лектора Зона возможных положении зависи- мое гн напряжения насыщения ба- за— эмиттер от тока коллектора Зона возможных положений записи мости обратного тока коллектора от температуры корпуса 248
Зона возможных поло- жении зависимости на- пряжения насыщения коллектор — эмиттер от тока базы Зона возможных поло- жений зависимости на- пряжении насыщения база — эмиттер от тока базы Области максимальных режимов Зона мости положений за вис ii- тока коллектора возможных обратного от температуры корпуса 2-19
2Т860 [А, Б, В] Транзисторы кремние- вые эпитаксиально планар- ные структуры р-пр уси лительныс Предназначены для применения в усилите- лях мощности, преобразова телях. Корпус металличе- ский со стеклянными изо- ляторами н гибкими вы- водами. Масса транзистора не более 2 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 77кэ=2 В, /к=1 А Г=+25°С 2Т860А.........................................40 160 2T860D .... ..................50 200 2Т860В .................... ... 80. 300 и- 19^ °C- 2Т860А ................. 40 200 2Т860Б . . ... . . 50 250 2Т860В....................................... 80 .400 Т=-60’С- 2Т860А..................................... 20 160 2Т860Б.............................. 25 200 2Т860В . . ... 40.300 Граничная частота коэффициента передащ тока в схеме ОЭ при С/кб=5 В, /э 0,05 А, не менее..............10 МГц Граничное напряжение при /к-100 мА, нс менее: 2Т860А ..... .... 80 В 2Т860Б.......................................60 В 2TS60B.............................. . . 30 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /К=1А, /ь=0,2 А, не более................................0,35 В Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=1 А, /ь = =0,2 А не более ...............1,3 В Время включения при UKj 20 В, 7«=1 А, /в=0,1 А, не более ... . . .....................0,1* мкс типовое значение .... 0,025* мкс Время выключения при иКэ 20 В, 1к I А, /д=0,1 А, нс более..........................................1* мкс типовое значение ... . . . 0,2* мкс Время спада нрн С/Кэ=20 В, /к=1 А, /в = 0,1 А, нс более 0,1 мкс Обратный ток коллектора при LK1:..W1KC, не более 7 — +2f С ..... . .... 0,1 мА Т'= + 125°С ... . 3 мА Обратный ток эмиттера при С/эс=5 В не более . 1 мА Емкость коллекторного перехода при t/Kn = 5 В, нс более 150* пФ типовое значение . ................70* Ф Емкость эмнттерного перехода при С/Кв=5 В, не более 1000 пФ типовое значение................................... 600 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — ба ia 2Т860А . . ... 90 В 2Т860Б .... ...................70 В 21860В......................................... 40 В 250
П [одолжение Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при R'3^ < 100 Ом; 2Т860А........................... ... 2Т866Б...................... . . 2Т860В Постоянное напряжение эмиттер — база . . , . Постоянный ток коллектора......................... Импульсный ток коллектора ... ... Постоянный ток базы..................... Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк = = -60 .+25°C: с теплоотводом ........................... без теплоотвода .... . . . Температура р-п перехода . , .................... Температура окружающей среды ее в 70 В 40 В 5 В 2 А 4 Л I Л 10 Вт 1 Вт + 150сС -60 СС..7» = = + 125сС При эксплуатации транзисторов необходимо принять меры, исключающие появление паразитной генерации. Допустимое значение статического потенциала 1 кВ. Зависимость максималь- Области максимальных но допустимой постояв- режимов пой рассеиваемой мощ ностн коллектора от температуры корпуса Вводные характеристики Выходные характеристики Зависимости коэффициента К от длительности импульса 251
Зависимости напряжений насыще- нии коллектор — эмиттер и база — эмиттер от тока коллектора Зависимости статического коэффи- циента передачи тока от тока эмит- тера Зависимости времени спада от тока коллектора КТ865А Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры р-п-р импульс- ный Предназначен для применении в источниках вторичного электропитания, преобразователях, оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабили- заторах напряжения. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора указывается па корпусе. Масса транзистора ие более 20 г. 27,2 70,3 Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока и схеме ОЭ при С//,-1з=4 В, /э=2 мЛ: Г=+25°С........................................... 40 200 252
Продолжение 7"=+ 125 °C...................................... Г=-60°С.......................................... Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при (7кэ=10 В, /к=0,2 А, не менее................ типовое значение ........................... ... Граничное напряжение при /к=0,05 А, не меиее Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1к = 6 А, In=0,6 А, не более.................................. типовое значение ................................ Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=6 А, Л;=0,6 Л, ие более.................................. типовое значение ................................ Обратный ток коллектора при <7кк=200 В: 7=+25 °C............................................. 7 =+ 125 °C...................................... Обратный ток эмиттера прн (7вэ = 6 В, не более Емкость коллекторного перехода при Uxn—5 В. ие более Емкость эмнттерного перехода при 1/Вэ=0,5 В, не более Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база прн dUnuldt^ 5^200 В/мкс......................................... Постоянное напряжение коллектор — база прн /?йэ^ЮОм, dVnalcit^ZW В/мкс................................... Постоянное напряжение база—эмиттер . . . . Постоянный ток коллектора .......................... Импульсный ток коллектора при /и<1 мс, Q^2 Постоянный ток базы............................ ... Импульсный ток базы при Л, ^1 мс, Q>2 . . . . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк = = —60..+25 °C: с теплоотводом 1.................................... без теплоотвода 2................................ Температура р-п перехода............................ Температура окружающей среды........................ 40 250 15. 200 15 МГц 20* МГц 160 В 2 В 0,7* В 2 В 1* В 0,1 мА I мА 3 мА 300* нФ 2000* пФ 200 В 200 В 6 В 10 А 15 А 2 А 4 Л 100 Вт 1,5 Вт + 150 °C —6О°С...7\ = = +125'С 1 При Г =+25...t25'С Рк снижается линейно до 20 Вт * к лилс ’ Прн Г=+25...+125'С РК|ЛМ1к<. снижается линейно до 0,3 Вт. Панка выводов транзистора рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса при температуре +270 °C в течение не более 3 с, время лужения не более 2 с До- пускается не более трех перепаек выводов. Входные характеристики Зависимость статического коэффициента пере- дачи тока от тока коллектора прн 1)пз 4 В 253
Зависимости напряжений насыщения коллек- тор — эмиттер н база — эмиттер от тока кол- лектора 2Т883 (А, Б) Транзисторы кремниевые плапар ные структуры р-п-р переключатель- ные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих уст- ройствах Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора не бо лее 2,5 г Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Ukl 10 В /э=0,5 А, не менее: Г=+25°С......................... Г= + 100 °C........................ Т=_60°С . . . Граничная частота коэфф| циента передачи тока в схеме ОЭ при 1/«в=10 В, /з=50 мА, не менее Граничное напряжение при /к=20 мА, не менее- 2Т883А . . 2Т883Б ................................ Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн /к= =0,5 А, /в=0,1 А, ие более................... Напряжение насыщения ба (а эмиттер при /к 0,5 А, /в~0,1 А, не более Время включения при Ung 40 В, /к=0,2 А, /в=0,02 А не более .......................................... типовое значение 25 18 10 20 МГц 250 В 200 В 18 В 1,8 В 0,4* мкс 0,25* мкс 254
П рсдолжение Время выключения при Пкэ’-'Ю В, /к—0 2 А /в—0,02 А, не более................................. 5,7* мкс типовое значение................................ 3,3* мкс Время рассасывания при Uno = 40 В, /к=0,2 А, /Б= =0,02 А не более .... . . . . 5,2* мкс типовое значение . .............. • • 2,8’ мкс Обратный ток коллектора, не более прн Т -60. .+25°C: t//;i: = 300 В для 2Т883А ... ... 0,1 мА £7ке = 250 В для 2Т883Б .... 0 I мА пои Г= + Ю0°С: /7кг=250 В для 2Т883А ... 0,5 мА /7кв=200 В для 2Т883Б ................0 1 мА Обратный ток эмиттера при 17еэ=5 Б, нс более ... 0,1 мА Емкость коллекторного перехода прн Uxr, 5 В не более 70* пФ типовое значение ... . . 45* пФ Емкость эмиттерного перехода при (7е.э=0,5 В, не более 650* пФ типовое значение...................................... 450* пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база при dUKrJdl^ <250 В/икс 2Т883А.......................................... 300 В 2Т883Б.......................................... 250 В Постоянное напряжение коллектор—эмиттер при /?«.,< <100 Ом, й(7кэ/с^<250 В/мкс: 2Т883А .................................... 300 В 2Т883Б ... - ... 250 В Постоянное напряжение база — эыиггер . . . 5 В Постоянный ток коллектора.........................1 А Импульсный ток коллектора.........................2 Л Постоянный ток базы...............................0,5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при Гк = = -60...+25 °C: с теплоотводом........................................ 10 Вт без теплоотвода.....................................1 В г Температура р-п перехода .... ... +150сС Температура окружающей среды . ............— 60СС. — 1 При Г_=-+25 .+ 100'С — снижается линейно на 0,08 Вт/'С с тсплоотнодом и ни 8 мВт/сС без теплоотвода Допускаются обрезка выводов транзисторов не ближе 6 мм от корпуса и одноразовый изгиб выводов на угол не более 90° от первоначального положе- ния в плоскости, перпендикулярной основанию корпуса, и не ближе 5 мм от корпуса с радиусом изгиба не менее 1,5 мм. Прн этом должны приниматься меры, исключающие передачу усилия на корпус. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки не менее 5 мм При одновременной пайке теплоотводящей поверхности и выводов транзистора пай- ку осуществлять припоем с температурой гте более -1-260 °C, время пайки не более 3 с; при раздельной пайке тсплоотводящей поверхности и выводов тран- зистора пайку осуществлять припоем с температурой не более + 240 С, обшяе время панки не более 8 с. При этом необходимо применение теплоотвода. 255
Входные характеристики Выходные характерпстк Зависимости папряже- ки пий насыщения коллек- тор — эмиттер и база — эмиттер от тока коллек- тора Зависимость статического коэффици- ента передачи тока от тока эмит- тера Зависимость максимально допусти- мого постоянного напряжения кол- лектор— эмиттер от conpoiявления база — эмиттер Области максимальных режи- мов Зависимость коэффициента К от длитель- ности импульса 256
Раздел четвертый. Транзисторы биполярные высокочастотные Транзисторы п-р-п КТ601Д, КТ601ДМ Транзисторы кремниевые диффузионные структуры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в радиовещательных и телевизионных прием- никах. Выпускаются в металлостеклянном (КТ601А) и в пластмассовом (КТ601АМ) корпусах с гибкими выводами Тип прибора указывается па корпусе. Масса КТ601Л не более 2 г, КТ601ЛМ— не более 0,7 г. Электрические параметры Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uk3—20 В, /э=20 мЛ, не менее: Т=25 85 С...........................................16 7"=—40°С ... . . .10 Граничная частота прн UKE=20 В, /е=10 мА не менее . 40 МГц Постоянная времени цепи обратной связи при L/KE=50 В, /з=6 мА, f=2 МГц, не более ... 15 пс Емкость коллекторного перехода при t/Kco=20 В, не более 15 пФ Обратный ток коллектор—эмиттер прн £/кэ=Ю0 В, R^e— = 10 кОм, не более ... . ... 300 мкА Обратный ток эмиттера прн 6'аЕо=2 В, не более , . . 100 мкА 17 Заказ N” 1004 257
Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база .... 100 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн /?ав=ЮкОм 100 В Постоянное напряжение эмиттер — база........................ 2 В Постоянный ток коллектора ..................................30 мА Постоянный ток базы . ..............30 мА Постоянная рассеиваемая мощность: без теплоотвода, Т=+55°С н 7'к=+75сС , . . . 250 мВт с теплоотводом, Тк = +55°С .............. 500 мВт Температура р-п перехода.....................................+ 150 °C Температура окружающей среды ............................—40.+85°C Изгиб выводов транзисторов КТ601А допускается не ближе 5 мм от кор- пуса с радиусом изгиба не менее 3 мм. При этом необходимо обеспечить не- подвижность вывода между местом изгиба и стеклянным изо ятором. Изгиб выводов транзисторов КТ601АМ допускается под углом че более 90° в плоскости, перпендикулярной плоскости основания корпуса, и не ближе 3 мм от корпуса с радиусом изгиба не менее 1,5 мм. Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса в те- чение не более 5 с. Температура пайки не должна превышать +260 °C. При этом необходимо обеспечить надежный теплоотвод меж iy корпусом транзи- стора и местом пайки 2Т602 (А, Б), 2Т602 (ДМ, БМ), КТ602 [ДМ, БМ] Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п. Предназначены для генерирования и усиления сигналов. Транзисторы 2Т602Л 2Т602Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами, 2Т602А.М 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ — в пластмассовом корпусе с жесткими выводами Тип прибора укатывается на корпусе. Масса транзисторов 2Т602А, 2Т602Б, КТ602АМ, КГ602БМ—не более 1 г. 27 6W (А.61. «о не бо. ее 5 г, 2Т602АМ, 2Т602БМ, 27 (02 (AM. ОН! КТ6О2(АМ.БМ) Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при й/кв-Ю В, /э=10 мА: 2Т602А, 2Т602АМ, КТ602АМ........................ 2Т602Б, 2Т602БМ......................... . . . КТ602БМ, не менее . . ... . . 2Т602А, 2Т602АМ прн Т= -60 °C, КТ602АМ прн 7= =—45 °C 2Т602Б, 2Т602БМ прн Г--60 °C ................... 20.. .80 50. .200 50 5...80 12. 200 258
2Т602Л, 2Т602АМ. при 7= +125°C. КТ602АМ при Т= = +85 °C.................................... 50...500 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при 7/кз = 10 В, /к=25 мА, не менее . . 150 МГц Граничное напряжение при /э = 50 мА, не менее . . 70 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при = =50 мА, /б=5 мА, не более............................. ЗВ Напряжение насыщения база—эмиттер при 7я=5О мА, 1г. = 5 мА, не более . ... ЗВ Постоянная времени цепи обратной связи на высокой ча стотс при Скл=10 В, /к—10 мА, f=2 МГц, не более . 300 нс Емкость коллекторного перехода при 7/кьо = 50 В, нс более 4 пФ Емкость эмнттерного перехода при £/Обо=0. не более . 25 пФ Обратный ток коллектора прн йксо= 120 В, не белее: 2Т602А, 2ТГ.02Б, 2Т602ЛМ, 2Т602БМ .10 мкА КТ602АМ, КГ602БМ . ................70 мкА Обратный ток коллектор — эмиттер при С/кэ=100 В, 1<эб»10 Ом, не более: 2Г602А, 2Т602Б, 2Т602ЛМ, 2Т602БМ....................10 мкА KTG02AM, КТ602БМ ............ 100 мкА Обратный ток эмиттера при Г/аьо = 5 В, не более . . 50 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор—база. 2Т602\, 2Т602В. 2Т602ЛМ, 2T602B.W 7„=+100°С...........................................120 В Г„- + 150°С....................................60 В КТ602ЛМ, КТ 3025x4: Г„^+70°С................................... ... 120 В Т„= + 120°С . . . . ..............60 В Импульсное напряжение коллектор — база 2Г602А, 2Т602Б, 2Т602ЛМ 2Т602ЕАГ Гп= + 100°С ... ...................160 В Тп— + 150 °C.......................................80 В КТ602>\4, КТ602БМ при Г„=+70°С.....................160 В Постоянное напряжение коллектор -эмиттер при /?<ь = = 1 кОм: 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602А.4, 2Т602БМ 7’„= + Ю0°С . . .... . 100 В Т'„= + 150°С.......................................50 В КТ602АМ, КТ602БМ: ТпС+70°С......................................... 100 В 7'п= + 120°С .... 50 В Постоянное напряжение эмиттер — база.................... 5 В Постоянный ток ко; лектора 75 мА Импульсный ток коллектора при мкс . . . 500 мА Постоянный ток эмиттера . . . .... 80 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: бе. теплоотвода: 7^+25 °C...........................................0,85 Вт Т +125 °C 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602Б.4 . 0,16 Вт 7=+85 °C КТ602Л.4, КТ602Б4 . . . 0,2 Вт с теплоотводом: 7xj£+25°C . . ................2,8 Вт 7м = + 125°С 2Т602А, 2Т602Б 2Т602АМ 2Т602БМ 0,56 Вт 7х=+85°С КТ602АМ, КТ602ВМ ... . 0,65 Вт Тепловое сопротивление. переход — корпус ...............................45 °СВт переход — окружающая среда......................150°С/Вт 17* 259
Продолжение Температура р-п перехода: 2Г602Л 2Т602Б, 2Т602.АМ, 2Т602БМ......................+150 °C К.Т602АМ, КТ602БМ.....................................+120 °C Температура окружающей среды . . . —60 .+ 125°C Изгиб выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса с ра- диусом изгиба не менее 1,5 мм для 2Т602А, 2Т602Б. Для 2Т602АМ, 2Т602БМ КТ602АМ, КТ602БМ допускается одноразовый изгиб при тех же условиях. Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса при температуре не выше +260°C в течение не более Ю с для 2Т602А 2Т602В не 6a.ee 3 с для 2Т602АМ 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ. 2Т603 (А, Б, В, Г, И), КТ603 [А, Б, В, Г, Д, Е) Транзисторы кремниевые эпнтаксиально-плапарные структуры пр-п. Пред- назначены для применения в импульсных и переключающих высокочастотных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 1,75 г. 2Т603/А И), кт603/А EI Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: прн Ukt,=2 В: 2Т603А, 2Т603В, КТ603Д . . . 20.80 КТ603А, КТ603В . . Ю..80 2Т603Б, 2Т603Г........................... 60 ..180 КТ603Б, КТ603Г, не менее . 60 КТ603Е ... . . . .60 ..200 прн /э=350 мА для 2Т603И, не менее .... 20 типовое значение ...................................... 50* прн Т= — 60 °C, /а =150 мА: 2Т603А, 2Т603В . . 8 .80 2Т603Б, 2Т603Г........................................20 .180 2Т603И, не менее . .......................8 прн Т- -1-125 °C /а =150 мА 2Т603А 2Т603В . ...........................20.180 2Т603Б, 2Т603Г................................ .... 60 400 2Т603И, не менее . . . . 20 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при 4/ке=10 В, /э=30 мА, не менее .... 200 МГц типовое значение................................ . 170* МГц Напряжение насыщения коллектор — эмиттер: прн /к = 150 мА, /в=15 .мА 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т 603Г, не более . . . 0,8 В типовое значение.....................................0,2* В 260
Продолжение КТ603Л. КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, не более .... ... 1 В прн /к=350 мА, /в=50 мА для 2Т603И, не более . 1,2 В Напряжение па ыщспия база — эмиттер: при /к=150 мА. 1и 15 мА: 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, не более . . . 1.5 В типовое значение......................................0 9* В при /к=350 мА, / =50 мА 2Т603И, не более ... 1.3 В типовое значение................. ....................1* В Время рассасывания при /к=150 мА /в=15 мА 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В. 2Т603Г. 2Т603П, не более . 70 нс типовое значение .... .................40* нс КТ603Л, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТЬОЗЕ, не более . ..................... . 100 нс Постоянная времени цепи обратной связи па высокой частоте при £Лкх,= 10 В, /э = 30 мА, f=5 МГц, не более . . . 400 пс типовое значение......................................25* пс Емкость коллекторного перехода прн Пке=10 В f=5 МГц, не более ... . . 15 пФ типовое значение ... . . 31 пФ Емкость эмиттерного перехода при Uan~0, f=5 МГц, ие более .....................................40 пФ типовое значение . . ........................35* пФ Обратный ток коллектора, не более: прн Г= 1-25 °C и (./к(,о = 30 В: 2Т603А, 2Т603Б. 2Т603И...............................3 мкА КТ603А, КТ603Б...................... . . . 10 мкА при £/кьо=15 В 2Т6ОЗВ, 2Т6ОЗГ .... ..............3 мкА КТ603В, КТ603Г ... ... . . 5 мкА прн Ukbo— 10 В для КТ603Д, КТ603Е..................... 1 мкА при 7=+ 125 °C к 4/кг.о-24 В для 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И .... . 60 мкА при Ukbo— 12 В для 2Т603В, 2Т603Г.....................60 мкА Обратный ток эмиттера, нс более: при Uar.o = 3 В: 2Т603А, 2Т603Б. 2Г603В, 2Т603Г, КТ603А, КТ603Б, КТ603В, 1П603Г, КТ603Д, КТ603Е.......................3 мкА при Usi.o—4 В для 2Т603И . 3 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база и коллектор — эмнттер при /?б^=1 кОм: Тп +70 °C: КТ ЮЗА, КТ603Б.......................................30 В КТ603В, КТ603Г ... ... 15 В КТ603Д, КТ603Е . ... 10 В Т„ +100 °с- 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И .................30 В 2Т603В, 2Т603Г ... ... 15 В 7«-= + 120°С: КТ603А, КТ603Б ... ............. 15 В КТ603В, КТб . ... 7,5 В КТ603Д, КТ603Е . ................. 10 В Тп 1-125 С: 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И . .................24 В 2Т603В, 2Т603Г ..............................12 В 261
П родолжение Г, = + 150 4 2Т603А, 2Т603Б, 2Г603И ....... 2Т603В, 2Т603Г....................... . . . Напряжение эмиттер — база 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г.................... 2Т603И прн Г„ = +70сС . .................... 2Т603И прн Л. = +125 °C .......................... Постоянный ток коллектора............................... Импульсный ток коллектора при А, ^10 мкс, Q=10 Постоянная рассеиваемая мощность: при 'Г=+50сС ... . при Т=+85СС для КТ603Л, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д КТ603Е и Г=+125 С для 2Т603А, 2Т603Б. 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И ........................ Тепловое сопротивление переход — среда.................. Температура р-п перехода. 2Т603А, 2T603D. 2Т603В, 2Т603Г, 2Т6ОЗГ1 КТ603А. КТ603Б, KT60SB. КТ603Г, КТ603Д. КТ603Е Температура окружающей среды: 2Т603А, 2Т603Б. 2Т603В. 2Т603Г, 2Т603И КТ603А. КТ603Б, КТ603В. КТ603Г. КТ603Д КТ603Е 18 В 9 В 3 В 4 В 3 В 300 мА 600 мА 0,5 Вт 0,12 Вт 200 сС/Вт + 150сС + 120 °C -60...+ 125 “С -40. +85 СС Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода транзистора 3 мм. Не допускается панка выводов ближе 5 мм от корпуса Пайку выводов до- пускается производить ие более 10 с при температуре не более +270°C с теп- лоотводом между корпусом и местом панки. Запрещается кручение выводов вокруг оси. КТ604 (А, Б), КТ604 (AM, БЫ) Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п. Предназначены для применения в операционных усилителях, видеоусилителях и генераторах разверток. Транзисторы КТ604А, КТ604Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами, КТ604ЛМ, КТ604БМ — в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается па корпусе. Масса транзисторов в металлостеклянном корпусе не более 5 г, в пласт- массовом — не более 1 г. 262
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при UKu 40 В, /э=20 мА: КТ604А, КТ604АМ .... . . 10.. 40 КГ604Б, КТ604БМ ................. 30.120 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при 4/Кь=40 В, /э = 20 мА, не менее 40 МГц Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=20 мА, /в=2 мА, не более ... 8 В Емкость коллекторного перехода при Мкг,—40 В, f—2 МГц, не более..................... . • -7 пФ Емкость эмиттерного перехода при Ubb—0, f=2 МГц, не более . ...................... ... 50 пФ Обратный ток коллектор—эмиттер при (7кз = 250 В. ие более 20 мкА Обратив й ток эмиттера прн Uer>=5 В, не более . . 50 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база: при ГС+ 100 °C..................................... ... 300 В при Г- + 150 °C . . 150 В Постоянное напряжение коллектор—эмиттер при /?о,= 1 кОм: при 75g;+ 100 °C . . . .................... 250 В при Г= + 150°С . . ......................125 В Постоянное напряжение эмиттер — база: при -t-100 °C.........................................5 В при 7"=+ 150 °C....................................2.5 В Постоянный ток коллектора ... ,. . 200 мА Постоянная рассеиваемая мощность: без теплоотвода1 7 +£+25 °C ... ... . . .’ 0.8 Вт Т— + 100 °C............................. 0 53 Вт с теплоотводом: T\s£+25°C........................................3 Вт 7К —+ 100°С .................................1,25 Вт Тепловое сопротивление переход — корпус..................................... . 40’С/Вт переход — окружающая среда ... . 150’СУВт Температура р-п перехода +150 °C Температура окружающей среды и корпуса.................—60...+ 100 °C Изтиб выводов транзисторов в металлостеклянном корпусе допускается не ближе 5 мм от корпуса с радиусом закругления не менее 3 мм. При этом должны быть приняты меры предосторожности, обеспечивающие неподвижность вывода между местом изгиба и стеклянным изолятором. Изгиб выводов транзисторов в пластмассовом корпусе допускается под углом не более 90° в плоскости, перпендикулярной плоскости основания кор- пуса транзистора, и не ближе 3 мм от корпуса транзистора с радиусом изгиба не менее 1,5 мм При монтаже допускается пайка выводов ие ближе 5 мм от корпуса Пай ку следует производить в течение ие более 10 с, температура паяльника ие должна превышать +260°C. Необходимо осуществлять теплоотвод между кор- пусом и местом папки КТ605 (А, Б), КТ605 (AM, БМ) Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р п. Предназначены для применения в усилителях, импульсных н переключающих выхжочастотпых устройствах Выпускаются в металлостсклянном (КТ605А, КТ605Б) с гибкими 263
выводами в пластмассовом (КТ605АМ, КТ605БМ) корпусах с жесткими вы- водами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 2 г, в пласт- массовом — не более 1 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при /о = 20 мА, С'кс = 40 В: КТ605А, КТ605АМ.................................... 10 40 КТ605Б, КТ605БМ.....................................30 120 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ прн £/кэ=40 В, /э=20 мА, не менее....................40 МГц Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при 1К~ = 20 мА, /в=2 мА, не более...........................8 В Емкость коллекторного перехода при Ukf.o— 40 В, f = = 2 МГц, не более....................................7 пФ Е жость эмнттерного перехода прн Uar,o—0 В, f=2 МГц, не более . .................... ... 50 пФ Обратный тек коллектор — эмиттер прн £/Ks=250 В, не более................................................. 20 мкЛ Обратный ток эмиттера нрн £/эко = 5 В, не более . 50 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база: при Г= + ЮОСС......................................... 300 В при Г= + 150 °C . . . ................150 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер нрн Rt^= — 1 кОм: нрн 7=+100 °C ....................... 250 В при Г= + 150гС.....................................125 В 264
Продолжение Постоянное напряжение эмиттер — база: при Г= + 100°С ....................... 5 В при 7'= +150 °C.....................................2,5 В Постоянный ток коллектора...........................100 мА Импульсный ток коллектора ..... 200 мА Постоянная рассеиваемая мощность: при Г=+25°С .............................0,4 Вт при Г= + 100°С...................................0,17 Вт Тепловое сопротивление переход — среда..............ЗОО^сС;Вт Температура р-п перехода............................+ 150 С Температура окружающей среды........................— 40...+ 150 °C Изгиб выводов допускается под углом ие более 90° в плоскости, перпен- дикулярной плоскости основания корпуса, и не ближе 3 мм от корпуса с ра- диусом изгиба не менее 1,5 мм. Прн установке транзистора на печатную плату с шагом координатной сетки 2,5 мм допускается одноразовая формовка выводов с их разводкой для сов- мещения с монтажными отверстиями (контактами). При изгибе и формовке выводов необходимо применять специальные шаб- лоны, а также обеспечивать неподвижность выводов между местом изгиба и корпусом транзистора. Кручение выводов вокруг оси не допускается. Пайка выводов допускается нс ближе 5 мм от корпуса транзистора в те- чение не более 5 с. Температура паяльника не должна превышать +260 СС. При пайке должен быть обеспечен надежный теплоотвод между местом пайки и корпусом транзистора. 2Т608 (А, Б|, КТ 608 (А, Б) Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные струк- ту ры при переключательные. Предназначены для примене- ния в быстродействующих им- пульсных и высокочастотных устройствах Выпускаются в металлостсклянном корпусе с гибкими выводами Тип прн бора указывается па боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не бо- лее 2 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при С'ке=5 В, /э = 200 мА: 2Т608А при Г=+25°С .................... типовое значение ................ Т=-60 °C . ................. Т +125 °C ....................... 2Т608Б при Г +25 °C........................ типовое значение . ........... 7 = -60 °C....................... Т=+125°С......................... КТ608А при Г=+25°С . . . . Т=- 45 °C........................ 7 = +85 °C....................... 25..80 45* 10.. .80 25...200 50 .160 85* 20 160 50...300 20 80 7..80 20. 200 265
Продолжение К1608Б при 7 = +25°С...................... . 40...160 7=-45 °C . . ... 15... 160 Т=+85°С ... 40.350 Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при £/кэ = Ю В, /к=30 мА. /= 100 МГц, не менее . 2 тн ювое значение 4,5* Напряжение насыщения коллектор—эмиттер нри /к = =400 мА, Л,=80 мА, не более 1 В типовое значение . 0,4* В Напряжение насыщения база—эмиттер при 1к~ 400 мА, /б=80 мА, не более . ... 2 В типовое значение . 1* В Время рассасывания прн /к=150 мА, /б| = /б2 = 15 мА: 2T608A, 2Т608Б, не более ... . . 100 нс типовое значение ... . 45* нс KT608A, КТ608Б, не более ... 120 нс Емкость коллекторного перехода при С'кьэ—10 В. не более ... .............. 15 i Ф типовое значение . . . . 8* нФ Емкость эмиттерного перехода при 6/эво=0, не более . 50 пФ Обратный ток коллектора не более: при / = +25°C, 6/кбо = 60 В .10 мкА при 7=+ 125 °C. £/кбо = 45 В для 2Т608А. 2Т608Б . 80 мкА Обратный ток эмиттера при //эво=4 В, не более . . 10 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?^ = -1 кОм: 2Т608А, 2Т608Б: 7„=—60... + 100 °C . . ... 60 В 7„= + 125°С . .......................45 В Тп= 150 °C.................................. 30 В КТ608А, КТ608Б Тп= 45... + 70°С ............. . . 60 В Т„= + 120°С.................................. . • ) В Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при /?,«= 1 кОм, /„^10 мкс <2^2- 2Т608А, 2Т608Б- 7„=-60..+100°C.................... . 80 В Т’„ = + 125°С . . .................... 65 В 7„ = + 150°С ................ . . 40 В КТ608А, КТ608Б Т„=- 45...+70 °C............................. 80 В Л. = +120°С . .......................40 В Постоянное напряжение коллектор — база: 21608А, 2Т608Б. Т„=-60 .+ 100 °C...............................60 В Тп- + 125°C ...................................45 В Тп +150 °C ....................................30 В - КТ608А, КТ608Б. Тп -45.-с70°C..................................60 В Т„- +120°С ..... ... 30 В Импульсное напряжение коллектор — база при /и^Ю мс, О>2: 2Т608А, 21608Б: /’„=-60.+100 °C ..................................80 В 7„ = + 125°С ... . . . . 65 В 7„ = +150°С....................................40 В 266
Продолжение КТ608Л, КТ608Б- Т„ = -45. +70 °C ........................ Л, = + 120сС .................... Постоянное напряжение эмиттер — ба а Импульсное напряжение эмиттер — база при 10 мс, (?>2.............................. Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора при /и<10 мкс, Qi>2 Импульсный обратный ток эмиттера при /„==710 мкс, Q^2 Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 2Т608А, 2Т608Б: Т= -60. .+50 °C ... 80 В 40 В 4 В 8 В 400 мА 800 мА 2 мА Т- + 125°С КТ608А, КТ608Б: Г=-45...+25сС Т=+85°С . Тепловое сопротивление перевод — окружающая Температура р-п перехода: 2' 608Л, 2Т608Б................... КТ608А, КТ608Б . Температура окоужаюшей среды: 2Т608.А, 2Т608Б . . . . КТ608А, КТ608Б . .............. среда 0,5 Вт 0,12 Вт 0,5 Вт 0,12 Вт 200 °C Вт + 150 С + 120 СС -60 +125СС -45 4 85'С Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора с ра- диусом изгиба 1,5...2 мм. Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора при температуре не более +260°C в течение 10 с. Допустимое значение статического потенциала 1000 В. КТ611 (А, Б, В, Г]г КТ611 (AM, БМ] Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в усилителях н генераторах Корпус КТ611А, КТ611Б, КТ611В, КТ611Г металлический со стеклянными изоляторами и гиб- кими выводами, КТ6ПАМ, КТ611 БЛА — пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора в металлическом корпусе не более 5 г, в пластмассо- вом — не более 1 г. Л теп л - Г) 267
ЛГ6П1АМ 6М) Электрические параметры Статический коэфф тциент передачи юка в схеме ОЭ при С,гкэ=40 В, /к» 20 мА: р___Р25 СС_ КТ611А, КТ611В, KTG11AM.....................Ю...40 КТ611Б, КТ611Г, КТ611БМ . .............30... 120 7 =+ 100‘С: КТ6НЛ, КТ611В, КТ611АМ.....................10...80 КТ611Б, КТ611Г, КТ611БМ .....................30...240 Г=-40°С. КТ611Л, КГ611В, КТ611АМ ...... 5...4O КТ611Б, КТ611Г, КТ6ПБМ......................15...120 Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте прн (7кв = 40 В, /э=20 мА, f=20 МГц, не менее . 3 Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к = 20 мА, 1ц=2 мА, не более.......................... . 0,8 В Постоянная времени цепи обратной связи на высокой ча- стоте при С'кь=20 В, /э-20 мА, 1=2 МГц, не более . 200 пс Емкость коллекторного перехода прн £/дь = 40 В, не более 5 пФ Обратный ток коллектор — эмиттер при 7/кэ=0/кэ.лшхс, Rr,.=0, нс более ... • 100 мкА Обратный ток эмиттера при Ur,g = 3 В, не более . 100 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база’: 7’„ = -4О..+ 100 °C: КТ611Л, КТ611Б, КТ611АМ, КТбПБтМ .... 200 В КТ6НВ, КГ611Г . ....................180 В Тп- 4 150°C: КТ611А, КТ611Б, КТ6ПАМ, КТ611БМ .... 100 В КТ611В, КТ611Г.....................................90 В Отстоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при /?йэ= = 1 кОм: Т„ —40...+100 °C: КТ611А, КТ611Б, КТ611Л .. КТ611БМ .... 180 В КТ6ПВ, КТ 11Г . . 150 В Т =+ 150 °C’ ПКТ611А, КТ611Б К ТЫ 1 AM. КТЫ1БМ . 90 В КТ6НВ, КТ611Г ................75 В Постоянное напряжение база — эмиттер *: 7„--40...+ 100 °C ....................... 4 В Г„= + 150°С.........................................1.5 В Постоянный ток коллектора . ... . . 100 мА 1 При лэиышснии температуры л ер с лида ог 7п«* + 100 до Гп— + 150°С напряжение уменьшается линейно. 268
П родолжение Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: без теплоотвода : 7=+25 °C....................................... 7=+ 100 °C..................................... с теплоотводом 2: 7„ = + 25°С................... 7„= + 100°С ... Тепловое сопротивление переход — окружающая среда Тепловое сопротивление переход — корпус . . . . Температура р-п перехода .................... Температура окружающей среды......................... 0,8 Вт 0,33 Вт 3 Вт 1,25 Вт 150°С/Вт 40 °С/Вт + 150 °C -40.. +100 °C 1 При Г=+25...100°С РКл1,ке. Вт-(150-7')'/?у(п_с). • При Г„-+25...4-ИЮ °C РК'Мак1;. Вт-(150-Г„)’/?Г(п_к). КТ616 (А, Б) Транзисторы кремние- вые эпитаксиально планарные структуры п-р-п переключа- тельные. Предназначены для применения в переключающих устройствах. Корпус металло- стеклянный с гибкими вывода- ми. Тип прибора указывается на боковой поверхности кор- пуса. Масса транзистора не бо- лее 0,6 г. *T6!f. ft 61 Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 1/кэ=1 В, /э = 0,5 А, не менее: КТ616А . . . ...........................40 КТ616Б .................................25 Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к = 0,5 А, /к=0,05 Л, не более . . . ... 0,6 В Напряжение насыщения база — эмиттер при /к = 0,5 А, /в= =0,05 А, ие более ... . ..............2 В Время рассасывания при /к=0,15 А, /в=0,015 А, не более: КТ616А ................................................50 нс КТ616Б . 15 нс Емкость коллекторного перехода при UKco= 10 В. не более 15 пФ Емкость эмиттерпого перехода при Uano—O, не более . 50 пФ Обратный ток коллектора прн (7дво=10 В, не более . 15 мкА Обратный ток коллектор—эмиттер при t/Ka=20 В, /?<;.,= = 10 кОм, не более.........................................15 мкА Обратный ток эмиттера при £/ве=4 В, не более . 15 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база ... . 20 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rc^ = = 10 кОм...................................................20 В Постоянное напряжение эмиттер— база ..... 4 В Постоянный ток коллектора .... ... 400 мА Импульсный ток коллектора при /и=80 нс, 10 . , 600 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: при Т— — 40...+25 °C.................... . . . 0,3 Вт при Т— + 85 °C.......................................0,25 Вт 269
П родолжение Тепловое сопротивление переход — окружающая среда . . 260°С/Вт Температура р-п перехода..................................+150 °C Температура окружающей среды..............................—60 +85 °C Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора с ра- диусом закругления 1.5...3 мм. Запрещается кручение вывода вокруг оси Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора паяльником, нагретым до +260°C в течение не более 10 с. КТ617А Транзистор кремние- вый эпитаксиально-планарный структуры п-р-п переключа- тельный. Предназначен для применения в переключающих устройствах. Корпус металло- стеклянный с гибкими вывода- ми. Тип прибора указывается на боковой поверхности кор- пуса. Масса транзистора не бо- лее 0,84 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при О кв—2 В, I» -0,4 А, не меиее . .30 Модуль коэффициента передачи гока на высокой частоте прн Ukb 10 В, /о 30 мА, /=100 МГц, не менее , 1,5 Напряженно насыщения коллектор — эмиттер при /к = 150 мА, /е=15 мА, не более .................0,7 В Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при Ukb—5 В. 1к~5 мА, f=5 МГц, не более 120 пс Emkocti коллекторного перехода при Ukb= 10 В. не более 15 пФ Емкость эмнттерного перехода прн Usb 0, не более . 50 пФ Обратный ток коллектора ирн Е'Кво=30 В, не более . . 15 мкА Обратный ток эмиттера прн U9no=^ В, не более ... 15 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база . . Постоянное напряжение коннектор—эмиттер при /?,,= = 10 кОм . .......................... Постоянное напряжение эмиттер — база.................. Постоянный ток коллектора............................. Импульсный ток коллектора при Zu = 80 нс, Q^10 Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: прн /'=—40...+25°C ................................... при Г=+85°С . .......................... Тепловое сопротивление переход — окружающая среда Температура р-п перехода.............................. Температура окружающей среды.......................... 30 В 20 В 4 В 400 мА 600 мА 0,5 Вт 0,3 Вт 215°С/Вт + 150 °C -40...+85 °C Из1иб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса тратистора с ра- диусом закругления 1.5...3 мм. Запрещается кручение вывода вокруг оси. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора паяльником, нагретым до +260°C, в течение не более 10 с. 270
КТ618А Транзистор кремниевый планарный структуры п-р-п переключательный. Предназна- чен для применения в переклю- чающих устройствах. Выпуска- ется в металлостеклянном кор- пусе с гибкими выводами Тин прибора указывается на боко- вой поверхности корпуса. Масса транзистора не бо- лее 2 г. 6 Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Ukb=40 В, /8=1 мА не менее . . 30 Модуль коэффициента передачи тока при /Лсв=40 В, /в = = 20 мА, /-20 МГц, не менее..............................2 Емкость коллекторного перехода при Ukeo—40 В. не более 7 пФ Емкость эмнттерного перехода при Ubeo=0, не более . . 50 пФ Обратный ток коллектор — эмиттер при {7кэ=250 В, /?эв = = 1 кОм, не более ... ... 50 мкА Обратный ток эмпгтера при 1/э».о=5 В, не более . . . 100 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Rjo—l кОм 250 В Постоянное напряжение коллектор — база.................. 300 В Постоянное напряжение эмиттер — база....................5 В Постоянный ток коллектора...............................0.1 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора- при Г=-40...+25 °C.......................................0,5 Вт при 7"=+85 °C.................................... ... 0,325 Вт Тепловое сопротивление переход — окружающая с,-еда . . 200°С,'Вт Температура р-п перехода . . ...................+150 °C Температура окружающей среды . ................— 10. .+85 °C Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм ог корпуса транзистора с ра- диусом закругления 1.5...3 мм Запрещается кручение вывода вокруг осн. Пайка выводов допускается ие ближе 5 мм от корпуса транзистора паяль- ником, назретым до +260°C, в течение не более 10 с. 2Т625 (А-2, Б-2), 2Т625 [AM-2, EM-2J, КТ625А, КТ625АМ Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р п пере- ключательные. Предназначены для применения в импульсных устройствах гер- метизированной аппаратуры. Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами. Тип прибора указывается в эп кетке. Масса транзисторов 2Т625А-2, 2Т625Б-2, КТ625А (вариант 1) ие более 0,015 г, 2Т625АМ-2, 2Г625БМ-2, КТ625ЛМ (вартант 2) не более 0,01 г. 271
2Г625!А-2, 6-2) КТ625А 2Т 625(АМ 2.6М-2), КТ625АМ Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн Uno—) В, /к=500 мА: 2Т625А-2, 2Т625АМ-2 ....................... 30 ..48*.. 120 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 . . . 20...48*...120 КТ625А, КТ625АМ ................................. 20...200 Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при 4/«s=10 В. /к=50 мА, 7=100 МГц . 2 ..3,5*...5,5* Граничное напряжение при /к=10 мА, Л, —0, =С30 мкс, Q^50: 2Т625А-2, 2Т625ЛМ-2 ....................... 40. .48*...6О* В 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 . . ..... 30...37*...54* В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн /к=500 мА, 1б~50 мА: I >25А 2, 2Т625АМ 2 ............... 0,35*...0,99*...0,65 В КТ625а, КТ625АМ не более.........................1,2 В 2Т625Б 2, 2Т625БМ-2 . . . . 0,2*...0,37*. .0,7 В Напряжение насыщения база—эмиттер прн 1к — =500 мА, /д=50 мА 2Т625А-2, 2Т625АМ-2 . . . 0,3*...0,95*...1,2 В 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2, КТ625А, КТ625АМ . . 0,3*...0,95*...1,5 В Время рассасывания при /к -500 г. \, /б 50 мА . 15*. 30*. .60 ис 1 мкоегь коллекторного перехода при UItt. 10 В . 5*.. 7*...9 пФ Емкость эмиттерного перехода при иЭв =0 не более 90 пФ Обратный ток коллектора при С'кво —60 В, не более: 7 =-60 .+25°C....................................30 мкА 7=+ 125 °C . . . . 100 мкА Обратный ток эмиттера прн 17эео=5 В, не более: 7 =—60...+25 °C..................................100 мкА Т= +125 °C .......................... 200 мкА Обратный ток коллектор — эмиттер прн Ь'нэ = 60 В, /Ов=0, нс более......................................60 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?,в=5 кОм.....................................40 В Постоянное напряжение коллектор — база 2ТС25А 2, 21625ЛМ2, 2Т625Б2, 2Т625БМ 2. при 7х = +100°С......................... 60 В при Л-+ 125 °C.......................... 45 В при 7'к = + 85°С для КТ625А, КТ625ЛМ . . (»0 В Постоянное напряжение эмиттер — база , . . 5 В 272
Продолжение Постоянный ток коллектора...................... Импульсный ток коллектора прн tu^5 мкс, Q^IO Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2Т625А-2, 2Т625АМ-2, 2Т625Б-2, 2Т625БМ 2 при Тк = + 85 °C и КТ625А, КТ625АМ при Тк= = +70 °C................................... 2Т625А-2, 2Т625АМ-2, 2Т625Б-2, 2Т625БМ 2 при Тк = - 125 °C и КТ625А, КТ625АМ при Тк = h85°C Температура р-п перехода: 2Т625Л-2, 2Т625АМ-2, 2Т625Б 2, 2Т625БМ 2 . КЮ25А, КТ625ЛМ . ... . . Температура окружающей среды: 21625А-2, 2Г625АМ-2, 2Т625Б-2, 2Т625БМ 2 . КТ625А, KTG25AM............................ 1 А 1,3 А 1 Вт 0,7 Вт + 135 °C + 120 °C —60°С...7’к = + 125с’С -50 °С,..7к = + 85 °C Монтаж транзисторов в микросхемы осуществляется в следующем порядке: место монтажа в микросхеме смачивается флюсом ФКСп, затем укладывается фольга припоя ПОС-61 толщиной 30 мкм, размером 1.9Х1.9- Допускается нагрев микросхемы до температуры не выше +200 °C в течение не более 10 с. В мо- мент пайки транзистор прижимается к месту монтажа пинцетом. Усилие при- лагается к боковым поверхностям крнсталсодержателя. 2Т630 (А, Б), КТ630 [А, Б, В, Г, Д, Е) Транзисторы кремниевые пла- нарные структуры и-р-п усили тельные. Предназначены для при- менения в усилителях и импульс- ных устройствах. Выпускаются в металлостекляпном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не бо- лее 2 г. b.!(J А 6/ Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока при 1Лгэ=* = 10 В, 1к 150 мА: Т= +25 °C- Г63ОА, КТ630А, КГ630В, КТ630Г ... 40 120 2Т630Б, КТ630Б, КТ630Д . . . 80 .240 KT630L....................................160.. 480 7 = н 125 °C: 2Т630А....................................30... 150 2Т630В................................ ... 70 ..300 КТ630А, КТ630В. КТ630Г ... 40 240 КТ630Б, К1630Д ............... 80. ..480 КТ630Е................................ ... 120 ..1000 7 = —60 С. 2Т63ОА, К С 0А, КТ630В, КТ630Г . . . 15 120 21630Б, КТ630Б, КГ630Д . ... 30. .240 КГОЗОГ . . . 40...480 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при 7/к=10 В, /к-60 мА, не менее . , 50 МГц 18 Заказ № 1004 273
Продолжение Граничное напряткеиие: при /э=Ю0 мА, <300 мкс, (2^200, ие менее: 2Т630Л..................................... 2Т630Б ............................. при 1д = 30 мА, /и <100 мкс, <2^200, не меиее: КТ630А .................................... КТ630Б, КТ630В........................... КТ630Г ........................... КТ630Д, КТ630Е.................. Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к = 150 мА, /г=15 мА, не более................ Напряжение насыщения база — эмиттер при /и = - 150 мА, /Е=15 мА, не более Время включения при ht=200 м\ /Е1=/Ег»40 мА Время выключения при 1к 200 мА /bi = /«=40 мА Fmkoctb коллекторного перехода прн С/кво=Ю В, не более Емкость эмнттерного перехода при Z79Eo=0,5 В, не более . . ............................. Входное сопротивление в режиме малого сигнала на низкой частоте в схеме ОБ при £/ив=10 В, Z9 = =5 мА............................. Входное сопротивление ₽ режиме малого сигнала па низкой частоте в схеме ОЭ при UKS = 10 В, 1к = =5 мА . . . ................... Обратный ток коллектор—эмиттер при 0/кэ = 9О В, /?j6 = 3 кОм для 2Т630А, 2Т630Б, не более Обратный ток коллектора КТ630Л, КТ630Б, КТ630В прн l/JtEO-90 В и КТ630Г, КТ630Д КТ630Е при £/кЕо=40 В, не более........................... Обратный ток эмиттера при Usno 5 В, не более 90 В 80 В 90 В 80 В 60 В 40 В 0,3 В 1.1 В 0,04*...0,1*. 0,25* мкс 0,08*. .0,2* .0,5* мкс 15 пФ 65 пФ 5*.. 6* .8* Ом 200*...500*... 1200* Ом 1 мА 1 мкА 0,1 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Re-З кОм 2Т630А, 2Т630Б, КТ630Л, КТ630Б . . . . 120 В КТ630В....................................... 150 В КТ630Г........................................100 В КТ630Д, КТ630Е........................60 в Постоянное напряжение коллектор — база: 2Т630А, 2Т630Б. КТ630А, КТ630Б . . . . 120 В КТ630В . . ... 150 В КТ630Г ..........................100 В КТ630Д, КГ630Е...............................60 В Постоянное напряжение эмиттер — база 2Т630А, 2Т630Б. КТ630Л КТ630Б, КТ630В 7 В КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е....................... 5 В Постоянный ток коллектора . . .... 1 А Импульсный трк коллектора . . . . 2 А Постоянный ток базы...........................0.2 Л Постоянная рассеиваемая мощность коллектора . 800 мВт Температура р-п перехода ............+ 150°С Температура окружающей среды ... —60...+ 125 °C Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора с ра- диусом закругления 1,5.2 мм. Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора при температуре ве выше +260 °C в течение не более 3 с. 274
2Т632А, КТ632Б Транзисторы кремние- вые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п. Предназна- чены для применения в линей- ных широкополосных усилите- лях Выпускаются в металло- стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указы- вается на корпусе. Масса транзистора нс бо- лее 1.5 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при (.'г,б—10 В, /я=1 мА, нс менее; Т +25 .+ 125°C 2Т632Л, Г=+ 25...+85 °C КТ632Б . .............. 7 =-60 °C 2Т632Л, Г —— 45 °C КТ632Б . . Модуль коэффициента передачи тока на высокой ча стоте при 7Л,л=20 В, /0 20 мА, /=100 МГц, не менее.................................. . . . Граничное напряжение при /э—10 мА, /„^200 мкс Напряжение насыщения коллектор—эмиттер прн /л-—20 мА, /Б—2 мА. не более . . Напряжение насыщения эмиттер — база при 1к = 20 мА, /с = 2 мА, не более . . . Время рассасывания нрн /к = 20 мА, /в(—/ьг 2 мА Постоянная времени цепи обратной связи на высо- кой частоте при 1/ке = 20 В, /э=20 мА, [—30 МГц Емкость коллекторного перехода прн Ukbo=20 В, не более .... .................... Емкость эмнттерного перехода при 1/Эбо=0 Обратный ток коллектора при t/WCo= 120 В не более: Т= -60...+25 °C 2Т632.А Г=-45 ..+25 °C КТ632 Б T= + I25°C 2Т632А. Г=+85°С КТ632Б . . Обратный ток эмиттера при t/аво 5 В . . . Обратный ток коллектор — эмиттер при Una— 120 В, Rjc— 1 кО.м..................................... 50 15 2 120* В 0.5 В 1 В 0.75*... 1,5* . 2* мкс 20*. .50* .100* пс 5 пФ 20*. .30* .50 нФ 1 мкА 10 мкА 100 мкА 100 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база Постоянное напряжение коллектор — эмнтгер нрн /?.,в=1 кОм Постоянное напряжение эмиттер — база Постоянный ток коллектора ... ... Импульсный ток коллектора при /„^10 мкс, (?>10 Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т= -60.. + 40°С для 2Т632А,7”=—45 +40°С Для КТ632Б ................................. при Т-ч 125 °C для 2Т632Л, Т-+85°С для КТ632Б...................... Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при tu~20 мкс, Q 10. 120 В 120 В 5 В 0.1 А 0,35 А 0.5 Вт 0,1 Вт 18; 275
П родолжение '/=—6О...+4ОСС 2ТС32А, 7'=—45.,+40°С КТ632Б . . ...................1 Вт T= + I25CC 2Т632А, 7=+ 85 °C КТ632Б . . 0,2 Вт Температура р-п перехода ......................+ 150 "С Температура окружающей среды: 2Т632А .... .................- 6О...+ 125СС КТ632Б.....................................-45 .+85 "С Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса транзистора с радиусом из- гиба не менее 1,5 мм. Пайка выводов допускается не ближе 5 мм ог корпуса транзистора при температу- ре паяльника не более +280 СС к времени панки вывода не более 3 с. Области макси (альных режимов 2Т635А, КТ635Б г? 635а КТ635Б Тра ыпсторы кремние- вые эпитаксиально-плапарпые структуры н-р-п переключа- тельные. Предназначены для применения в импульсных и высокочастотных устройствах. Выпускаются в металлостек- лянном корпусе с гибкими вы водами. Тип прибора указы вается на корпусе. Масса транзистора не бо- лее 3 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при /7кэ_*1 В, /к-500 мА: 2Т635А.......................................... типовое значение ........................... КТ635Б ..................................... Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при б/кэ = 10 В, /к=50 мА: 2Т635А ................................... КТ635Б, не менее .... . . типовое значение ........................... Граничное напряжение при /э=10 мА . , . , 25 ..150 40 20. .150 250 ..460*. .700* МГц 200 МГц 460* МГц 45.52*...7О* В 276
Продолжение Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=500 мА, /в=50 мА: 2Т635А......................................... КТ635Б, не более............................ Напряжение насыщения эмиттер — база при 1к = =500 мА, /в=50 мА, не более . . . . . Время рассасывания при /к=500 мА, /Б1 = /б2= =50 мА, КТ635Б, не более . . . . Время выключения прн /к = 500 мА, 7bi = /b2=50 мА: 2Т635А . . ................ КТ635Б, не более............................ Постоянная времени цепи обратной связи на высо- кой частоте при 7/кв=10 В, /э = 30 мА, [=5 МГц Емкость коллекторного перехода при £/Кво=10 В, не более................ .................. типовое значение ........................... Емкость эмпттерного перехода при 7/.чво=0, не более типовое значение . . . Обратный ток коллекюра прн 1/КВо=60 В, не более: 2Г635А прн Т= -60... + 25°C . . . . 7— 125 °C...................... КТ635Б . ........................... Обратный ток эмиттера при 6/аво=5 В, ие более: 2Т635А при 7=-60 +25 °C . . . 7=+ 125 °C . . . КТ635Б .... Обратный ток коллектор — эмиттер при UKO=f>0 В, /?..5=0, не более: 2Т635А............................... КТ635Б...................................... 0,26*.. 0,4*.. 0,5 В 0.9 В 1,2 В 50 нс 35*. 45* . 60 пс 60 пс 7*. 25* ..58* 10 пФ 7,4* пФ 90 пФ 70* нФ 10 мкА 500 мкА 30 мкА 10 мкА 100 мкА 30 мкА 10 мкА 30 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база . . 60 В Постоянное напряжение коллектор—эмиттер КТ635Б при /?,я=0......................................60 В Постоянное напряжение эмиттер база . . . 5 В Постоянный ток коллектора.......................1 А Импульсный ток коллектора КТ635Б . . . . 1,2 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2Т635А при 7 =-60...+25 °C и КТ635Б прн 7=— 45...+25 °C .................0.5 Вт 2Г635А при 7=+ 125 °C н КТ635 прн 7 = + 85 °C 0,1 Вт 2Т635А при Тк -60..+25°C....................1,5 Вт 27635А при 7,, = +125 °C . . ... 0,3 Вт Тепловое сопротивление переход — окружающая срс да 2Т635А.................................. . . 250 °С/Вт Тепловое сопротивление переход — корпус 2Т635А 83,3°С/Вт Температура р-п перехода: 2Т635А . . ....................+150 °C КТ635А . ... +120 °C Темпс[ат}ра окружающей среды: 2TG35A.........................................-60°С...7к +125 °C КТ635А ... ....................-45 °С...7К- +85 °C Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса транзистора Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм от корпуса прн температуре не выше +260 °C в течение ие более 10 с. Допустимое значение статического потенциала 1000 В. 277
2T63SA Транзистор кремние- вый эпитаксиально-планар- ный структуры п-р-п. Пред- назначен для применения в усилителях и генераторах высокой частоты. Выпуска- ется в металлостскляцном корпусе с гибкими вывода- ми. Тин прибора указывает- ся па корпусе. Масса транзистора не более 1,5 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока при Е’ке=10 В, Is=2 мА, не менее: Г=-60°С . .............................15 Т= +25...+ 125 °C...................................50 Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте прн t/кэ—20 В, /к —20 мА, [ 100 МГц, не менее .... 2 Граничное напряжение при /э 10 мА, не меиее 120 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1к~20 мА, /г=2 мА, не более ......................... ..05В Напряжение насыщения эмиттер — база при /к = 20 мА, /с=2 мА, не более.................................. . 1 В Постоянная времени цепи обратной свизн на высокой часто- те при Uks =20 В, /э=20 мА, f=30 МГц . . . . 25* пс Время рассасывания прн /к=20 мА, /ы=/б2=2 мА . . 1* мкс Емкость коллекторного перехода при UKco='20 В не более 6 пФ Емкость эмиттерного перехода прн Ueno 0 . 30* пФ Обратный ток коллектора при 17ябо=120 В, не более . 0.1 мА Обратный ток эмиттера при L/sfo—5 В . 10* мкА Обратный гок коллектор эмиттер при Ukb 60 В, Язв — = 1 кОм.................... ... 5* мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база . 120 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?а«=1 кОм 120 В Постоянное напряжение эмиттер — база....................5 В Постоянный ток коллектора: при Г=-60 +25СС........................................0,1 А при Т= + 125°С......................................0,05 А Импульсный ток коллектора при /а^10 мкс, Q&* 10 . 0 35 Л Постоянный ток коллектора в режиме насыщения . . . 0,1 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т=-60 . + 25 °C .......................0.5 Вт при Г= + 125°С ... . . . 0,1 Вт Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при Zu — = 10 мкс, Q=10 . ............. . 1 Вт Температура р п перехода.................................... +156 °C Температура окружающей среды ... . . 60 +125°C 1 В диапазоне температур 7-+25...+125 ”С мощность снижается линейно на 4 мВт/'С. 278
Изгиб выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм от корпуса с радиусом изгиба ие менее 1,5 и.м. Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса при температуре не выше +280 °C в течение не более 3 с. Область максимальных режимов КТ645А Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры п-р п. Пред- назначен для применения в высокочастотных генераторах и усилителях, в бы- стродействующих импульсных устройствах Выпускается в пластмассовом кор- пусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается па корпусе Масса транзистора не более 0,3 г. КТ5Ъ5А Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 1/кв=2 В, /э = 150 мА: Г=+25°С........................................... 20.200 Т’=+85°С...........................................16.240 Г=-45°С . . ......................... 6. .200 Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте прн ^кв=10 В, /а=50 мА, f 100 МГц . 2* Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при 1к 150 мА, Ав = 15 мА, не более . ............. . . 0,5 В Время рассасывания прн /к=150 мА, /щ=/ь2~15 мА, не более . . ................................ . 50 нс Постоянная времени цени обратной связи на высокой частоте при С'кв=5 В, /8=5 мА, /=5 МГц .... . 120* пс Емкость коллекторного перехода при Ukl 10 В, не более 5 нФ Емкость эмиттерного перехода при Uoeo 0, не более . . 50* пФ 279
Продолжение Обратный ток коллектора при 17кво = 60 В, не более: Т=—45...+ 25 °C........................................10 мкА Г=+85СС ... ................100 мкА Обратный ток эмиттера пр» 17эео = 4 В..................10 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база . .... 60 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер пр» /?.,<; = 1 кОм 50 В Постоянное напряжение эмиттер — база...................4 В Постоянный ток коллектора .... ... 300 мА Импульсный ток коллектора прн /.,<10 мкс, Q^5 . . . 600 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: при Г=—45... + 25 °C................... . ... 0,5 Вт при Г= + 85°С......................................0,25 Вт Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при /„< <10 мкс, Q>5, Г=-45 .+55°С.............................1 Вт Температура р-п перехода...............................+150сС Температура окружающей среды...........................—45..+85 “С Изгиб выводов транзистора допускается не ближе 5 мм от корпуса с ра- диусом 1.5...2 мм. Пайка выводов транзистора допускается не ближе 3 мм ог корпуса при температуре не выше +270 °C в течение не более 10 с. Допустимое значение статическою потенциала 1000 В КТ646А Транзистор кремниевый эпитак- сиально планарный структуры п-р-п усилительный. Предназначен для применения в усилителях высокой частоты, импульсных и переключаю- щих устройствах. Корпус пластмас- совый с жесткими выводами Масса транзистора нс более 1 г. параметры Статический коэффициент передачи тока в схе к ОЭ пр» (>кв=5 В, /э =0,2 Л .............................. . . 40.200 Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при 1/кв = 10 В, /э =0,03 А, /=100 МГц, не менее ... 2 Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /«=0,5 А, 1г. 0,05 Л, не более........................ 1 В Напряжение насыщения база—эмиттер при /к=0,5 А, /в=0,05 Л, не более..................... 1,2 В Постоянная времени цепи обратной связи на высокой часто- те прн Ukc~5 В, /а = 0,05Л, f—5 МГц, не более . 120 пс Емкость коллекторного перехода пр» /7яв=10 В, не более . 10 пФ Емкость эмнттерного перехода при L/B.? = 0, нс более . . 80 пФ Обратный ток коллектора пр» //«« = 60 В, не более . . 10 мкА % Обратный ток эмиттера при 1/дэ = 4 В, не более ... 10 мкА 280 j
Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база.......60 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер: при Res—0 ............. 60 В прн /?бг=1 кОм............................50 В Постоянное напряжение база—эмиттер...........4 В Импульсное напряжение база — эмиттер....... 5 В Постоянный ток коллектора . . ...... 0.5 А Импульсный ток коллектора . . ...... 0.7 Л Постоянная рассеиваемая мощность коллектора . . 1 Вт Импульсная рассеиваемая мощность коллектора . 1 2 Вт Температура окружающей среды . . ... — 45 +85 С 2Т652А, 2Т652А-2 Транзисторы кремние- вые эпитаксиально-планарные шрукгуры п-р-п переключа- тельные. Предназначены для применения в импульсных и переключающих ус тройствах. Транзистор 2Т652А выпускает- ся в металлокерамическом кор- пусе е гибкими выводами, 2Т652А-2 — бескорпуснын па керамическом держателе с за- щитным покрытием и гибкими выводами, используется в гер- мст пзнрованной аппаратуре. Тип 2Т652А указывается на корпусе, 2T652V— на таре. Масса транзистора 2Т652А не более 0,6 г, 2Т652А-2 — не более 0,015 г. 2Т652А Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока при Uk = =3 В, /к=-500 мА, /п^30 мкс, <2^50 . типовое значение .... . . . Граничная частота коэффициента передачи тока при Uk3~ 10 В, /к—50 мА......................... Граничное напряжение при /к = 10 мА . . . . Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к—500 мА, /с=50 мА, tu«S30 мкс, (?>50 . Напряжение насыщения база—эмиттер прн /к 500 мА, /„—50 мА, /.,^30 мкс, <2=50 Время рассасывания ври /к=500 мА, 1г.\=1щ= 50 мА, /и^30 .мкс, Q>50 .... Емкость коллекторного перехода при Unno— 10 В Емкость эмнттерного перехода при Uaco 0 25...100 47* 200 900*..1000* МГц 36* 50*. .58* 0 16* 0,28*. 0 65 В 0,86*. 0.89...* 1,2 В 35*...45*... 100 не 6*...7,2* .12 пФ 65*. .77*... 110 пФ 281
II родолжение Обратный ток коллектора при (7иео = 50 В, не более: Г= + 125°С................................. 300 мкА Г=-6) и +25 °C ... . . 30 мкА Обратный ток коллектор — эмиттер при 7/кэ~ 50 В, R.о*-500 Ом . . ............... 300* мкА Обратный ток э.мпттера прн б/ало=4 В. не более: 7’=+125 °C.............................. .... 300 мкА Г=-60 и +25 °C..............................100 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база 50 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Л .в-500 Ом.....................................45 В Постоянное напряжение эмиттер — база . , . 4 В Постоянный ток коллектора 1 Л Импульсный ток коллектора при tu=5 мкс, Q^=30 2 А Постоянна I рассеиваемая мощность коллектора. при 1\ = — 60...+50 °C................... 1 Вт при Тк- + 125 °C 0,25 Вт прн Г= —60. +50 °C для 2Т652А . . . 0,5 Вт при 7'—+ 125 °C . . .... 0,2 Вт Импульсная рассеиваемая мощность коллектора: при Гк = — 60...+ 50 °C.....................1,5 Вт при ГК = +125°С............................. 0,675 Вт Тампература р-п перехода........................+150 °C Температура окружающей среды: 2Т652Л..........................................—60...+ 125 °C 2Т652А-2.........................................60 °C. Тк +125 °C Соединение выводов транзисторов 2I652A с монтажными проводниками осуществляется импульсной дуговой сваркой в защитной сре- де при длительности сварочного импульса 0,01 с и энергии импульса 100...200 Дж. Допускается двукратный из! иб выводов транзисторов не ближе 2 мм и однократный изгиб не ближе I мм от корпуса транзистора с радиусом изгиба 1 мм. Приварка выводов транзистора 2Т652А-2 к контактным площадкам схемы осуществля- ется ультразвуковой сваркой или сваркой расщепленным электродом не ближе 2 мм от места выхода вывода из защитного по- крытия. Допустимое значение оптического потен- циала 100 В. Область максимальных режимов 2Т653 (А, Б) Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р п переключательные Предназначены для применения в переключающих устройствах и преобразова толях Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибшьми выводами Тип прибора указывается на корпусе Масса транзистора не более 2 г. 282
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока прн Unn= = 10 В, /э=150 мА. 2Т653А.............................................40 150 типовое значение ...... . 100* при ГК=+125°С . . 40 300 2Т653Б....................................... 80...250 чиновое значение .... . . 150* при 7’к=+125°С.................................80...500 Граничная частота коэффициента передачи тока при U„c= 10 В, /э-25 мА . . .50 120* 180* МГц Граничное напряжение при /э=30 мА, .'„^300 мкс, не менее: 2Т653А........................................ . . 120 В 2Т653Б.........................................100 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /„=150 мА, /л=15 мА................................0,3*...0,35*...0,5 В Напряжение насыщения база — эмиттер при /к = = 150 мА, /б=15 мА ................................0,8* ..0,85* . 1,1 В Время включения при /„=200 мА. /ci = /B2=40 мА 0,018*...0,03*...0,1 мкс Время выключения при /„ = 200 мА, /щ = /„2 40 мА 0,4*. .0,58*.. 1 мкс Пробивное напряжение коллектор — эмиттер при /и = 0,1 мА, /?.в-3 кОм............................130... 160*.„200* В Емкость коллекторного перехода прн /7„во=Ю В 6,5*. 10*. .20 нФ Емкость эмитте-рного перехода при /7э„о=0,5 В 40* пФ Обратный ток коллектор — эмиттер прн /?»«»• 3 кОм, не Го «ее: 17„S=12O В 2Т653А..................................10 мкА Uко 100 В 2Т653Б...............................10 мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база при (<////<//).,<.„= 1600 В/мкс ... . . 130 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн (dU/dt)жакс= 1600 В/мкс, /?лв = 3 кОм . . 130 В Постоянное напряжение эмиттер — база . . . 7 В Постоянный ток коллектора . . 1 А Импульсный ток коллектора прн /и^10 мс . . 2 А Постоянный ток базы . . . 0,2 Л Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: при Тк = -60. ,+40'С . . . . 5 Вт прн Тк +85 °C . 3 Вт при ТК = +125СС . . . I Вт при Г——60. +25 °C, без теплоО«вода . 0,8 Вт при 7"=+125 °C, без теплоотвода . . 0,16 Вт Тепловое сопротивление . . . . . . 25 °C/Bi Температура р п перехода ... ... +150 °C Температура окружающей среды.....................—60°С..ГЛ = + 125°С 283
Изгиб выводов транзистора допускается ие ближе 3 мм от корпуса. Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса транзистора при темпера- туре ис выше 4-260 °C в течение не более 3 с. Область максимальных режимов КТ660 (Л, Б) Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры п-р-п пере- ключательные Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах, в цепях вычислительных машин, в генераторах электрических ко- лебаний. Корпус пластмассовый с гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке На транзистор наносится условная цветная маркировка; КТ660А — одна синяя полоса, КТ660Б— две синие волосы. Масса транзистора нс более 0,3 г КТ660(А Б) Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при UKl: 10 В, h 2 мА: Т=+25°С: КТ660Л .... . • 110.. 220 КГ660Б ... ...................200 450 7’=+ 85 °C КТ660А......................... .................. 90.. 264 К1660Б . . .................... 160 510 7"=—45°С КТ660А............................................ 30..220 КТ660Б............................................ 60..450 Напряжение насыщения коллектор эмиттер прн //г=500 мА, /к=50 мА, ие более................................... . 0,5 В Напряжение насыщения коллектор эмиттер при /к =10 м.А, /ь-=1 мА, не более. КТ660Л........................ ........................ 0 05 В 284
КТ660Б . . . . . Напряжение насыщения база—эмиттер при /«=500 мА, /«=50 мА, не более .... . . . . . Емкость коллекторного перехода прн Б'«ь=10 В, не более Обратный ток коллектора при /7л«=17квгЛаХС, не более: Г=-45. .+25 °C................................... 7 =+ 85 °C .... .................. Обратный ток эмиттера при Uca — 4 В, не более . . . . Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база: КТ660А ......................................... КТ660Б.......................................... Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Re ^JIkOm КТ660А ......................................... КТ660Б . . .... ............. Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /а—10 мА /?ба = оо: КТ660 X......................................... КТ660Б ... . . ... Постоянное напряжение база — эмиттер................ Постоянный ток коллектора . . . . Импульсный ток коллектора при /„^10 мкс, <?2&5 Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1: при Г=— 45 . + 25°C................ ... при Т= + 85 °C.................................. Импульсная рассеиваемая *п щпость коллектора прн SC10 мкс, Q^5, Г— —45...+55 °C...................... Температура р-п перехода............................ Температура окружающей среды........................ Продолжение 0,035 В 1.2 В 10 пФ 1 мкА 10 мкА 0,5 мкА 50 В 30 В 45 В 30 В 30 В 25 В 5 В 800 мА 1000 мА 0,5 Вт 0,25 Вт 1 Вт + 150 °C -45 +85 °C 1 При Т— +25... + 85 °C Р1{ лякс уменьшается линейно. Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 2 мм от корпуса при температуре припоя +260 °C в течение ис более 10 с, время лужения 2 с. До- пускается только одна перепайка выводов. Допустимое значение статического потенциала 1000 В. Входные характеристики Зависимости тока эмнг- Выходные характеристп- тера от напряжения ба- ки за — эмиттер 285
Зависимости статического коэффи- Зависимость емкости коллекторного циента передачи тока от тока кол- перехода от напряжения коллек- лектора тор — база Зависимость емкости Зона возможных поло- Зависимости постояиио- эмнтгерного перехода от жений зависимости па- го напряжения коллек- паиряжения база— пряжения насыщения тор — эмиттер от сопро- эмиттер коллектор — эмиттер от тпвления база — эмит- тока коллектора тер КТ902АМ КТ902AM Транзисторы кремниевые ме- заилапарные структуры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощно- сти КВ диапазона при напряже- нии шиаппя 28 В Выпускаются в пластмассовом корпусе с жестки мп выводами. Тип прибора ука- зывается на корпусе Масса транзистора не бо- лее 2,5 г. 286
Электрические параметры Выходная мощность па частоте [=10 МГц при t/«8=28B, не менее................................... . . 20 Вт Коэффициент усиления но мощности на частоте /—10МГц при РвИх=10 Вт, t/h-3=28 В, не менее ... 7 Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 1/ке= 10 В, 1к=2 А, не менее .... ... 15 Модуль коэффициента передачи тока на частоте /=10МГц нрн 17«в=Ю В, /п=1 А. не менее . . . . 3.5 Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при !кв — - 2,5 А, /к —0,4 А, не более .... ,2В Прямое напряжение база — эмиттер при (7кэ=10 В, 1К= =2 А, не более ... .... ... 2 В Обратный ток коллектора прн Uke=70 В, не более . 10 и А Обратный импульсный ток коллектор—эмиттер при Litre — = 110 В, /?бэ=50 Ом, ие более . ... 60 мА Обратный ток эмиттера при Use=5 В, не более . . . 100 мА Предельнее эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база' при Гп< =^+125сС . . ... . .65 В Импульсное напряжение коллектор—эмиттер1 при =^50 О.м, /и^15 мкс, 7„< + 125°С.....................11 В Постоянное напряжение эмиттер — бг т1 при + 125”С 5 В Импульсное синусоидальное напряжение эмиттер — база прн /„^40 мкс .......................... . . 8 В Постоянный ток коллектора ... 5 А Постоянный ток базы..................... . . 2 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектораг при 7x5=+50 °C...........................................30 Вт Тепловое сопротивление переход — корпус .... 3,3 °С/Вт Температура р-п перехода............................+15ССС Температура корпуса ..........................+125 °C Температура окружающей среды.......................—60сС..Г« = = + 125гС 1 При Тт1> + !25<'С напряжение снижается линейно до 0.5 от trn мпме ПРИ Гп= + !50”С 1 При Т'к>+50”С Р„_мякс Вг-(150-Гк)/3,3. Изгибы и боковые натяжения выводов не допускаются. Запрещается кру- чение выводов вокруг оси. Пайка выводов допускается на плоской части выводов транзисторов в те- чение времени не более 10 с. Температура припоя не должна превышать +250°C. Между корпусом транзистора и местом пайки необходимо осущест- влять теплоотвод. 2Т903 (А, Б), КТ903А Транзисторы кремниевые .мезапланарпые структуры п-р-п генераторные Предназначены для применения в усилителях мощности и автогенераторах Вы- пускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора ие более 24 г. 287
2T903(A,6),KT903A Электрические параметры Выходная мощность па частоте f=50 МГц при С'кэ ЗОВ, Тк <+50 °C, не менее.................................10 Вт Коэффициент усиления по мощности на частоге f=50 МГц при Рокх-10 Вт, не менее......................... ... 3 Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 1)кэ~ Ю В, /к=2 А: 2Т90.3А, КТ903А . ...........................15...70 2Т903Б........................................... 40. 180 Модуль коэффициента передачи тока на частоте f=30 МГц при Uкб' 10 В, /к—0,5 А, не менее ... 4 Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1к=^- Л, /в—0,4 А, не более: 2Т90: 2Т903Б.......................... . . 2 В КТ903Л ...................................... ... 2,5 В Напряжение насыщения база — эмиттер при /к = 2 Л, /Е = =0,4 А, не более ... ... 2 В Прямое напряжение база — эмиттер при 17иэ = Ю В, /к = =2 Л, не более 2Т903Л, 21903Б............................. . . 2,5 В КТ903Л ..................................... .... 3 В Постоянная времени цепи обратной связи на частоте /= =2 МГц при Una 30 В, /к—100 мА, не бо ее . . 500 пс Емкость коллекторного перехода при 17«в=30 В, / = 2МГц, пс более . . .............. . 180 пс Индуктивность эмнттсриого вывода, не более 10* нГн Обратный ток коллектор — эмиттер при 1Л,-а = 70 В, не более Т +25 °C, /?й, = 0: 2Т903Л. 2Т9ОЗБ ... .............2 мА КТ903А . . .............10 мА Т +85 °C. /?й.=0 КТ903А........................ . 30 мА Т +125 °C, R6,=Q 2Т903А, 2Т903Б .... 10 мА Обратный ток эмн тера при 17эь=4 В, не более: 2Т903Л. 2Т903Б , . . . . . 30 мА КТ903А . . . . . . . 50 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер'-* 2 при Rs,^ <100 Ом .... ............. . 60 В Импульсное напряжение коллектор — эмиттер’ при /?хв< <100 Ом, /„<1 мкс, (?> 100 . ................ 80 В > При 7„>+70°С для К.Т903А и 7„> + 100'С для 2Г903А, 2Т9031 напряжение сии- жается па 10% на каждые 10 “С. 2 При работе в ВЧ генераторах и усилителях с амплитудной модуляцией допуска ется мгновенное значение напряжения звуковой частоты до 70 В. 288
Продолжение Постоянное напряжение эмиттер — база Постоянный ток коллектора .... Импульсный ток коллектора: при /„<1 мкс, 100 .... при С <10 мкс, 10 Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: при Г* <+50 °C для 2Т9ОЗА, 2Т903Б 1 . . при 7^=4-25 °C для КТ903А2.............. Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при <10 мкс, Q> 10, 6/яэ<30 В: прн 7к< + 50°С для 2Т903А, 2Т903Б . . . при Тк<+25 °C для КТ903А................ Тепловое сопротивление переход — корпус Температура р-п перехода: 2Т903А, 2Т903Б....................... КТ903А . .............. Температура корпуса: 2Т903Л, 2Т903Б . ............ КТ903А ....... Температура окружающей среды: 2Т903А, 2Т903Б.......................... КТ903Л 4 В 3 А 10 А 5 А 30 Вт 30 Вт 60 Вт 60 Вт 3,33 °С/Вт +150 °C + 115 °C +125 °C + 85 °C -60 °C ../•„ = = + 125 °C -40 °С..ТК = = + 85 °C При Тк>+50"С РКм кс. Вт-(150-7я)/3.33. « При ГН> + 25’С 1-Кмакс, Bi — (115—7К)/3.33 Пайка выводов транзисторов допускается только к плоским частям вы- водов паяльником мощностью 50.. 60 Вт в течение не более 10 с при наличии теплоотвода между корпусом и местом пайки. 2Т908А, КТ908 (А, Б) Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п-р-п переключательные. Предназначены для применения в стабилизаторах и преобразователях напря- жения, импульсных модуляторах. Корпус металлический со стеклянными изо- ляторами и жесткими выводами. Масса транзистора без накидною фланца не более 22 г. Масса накидного фланца не более 12 г. 2Г906А. КГ9061А 61 19 Заказ № 289
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: при ТЯ=+25°С: Ukb=2 В, /к=10 Л 2T90FA, КТ908Л . . . . 8. 60 1/к®=4 В, /к 4 А КТ908Б, ие менее . . 20 при Тк = -60°С: Ui;s=2 В, /к=10 А 2Т908А, КТ908А .... 6...60 Uro—4 В, /к = 4 А КТ908Б, не менее .... 10 Отношение ста ического коэффициента передачи тока при Гц = + 125 °C к статическому коэффициенту передачи тока при Т=+25°С, Uкв—2 В. 1к-5 А, не более: 2Т908А ..... ............. 3 К 08А . . . .... . . 5 КТ908Б при 17к® = 4 В, /к = 4 Л 5 Модуль । эфф шиепта пе; едачп тока на высокой частоте при Ukb— 10 В, /а=1 Л. /=10 МГц, не менее: 2Т908А . ... 5 КТ908А КТ908Б . . . . 3 Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не более: при /к-10 А, 1в~2 А для 2Т908А, КТ908А . . . 1,5 В при /к-5 Л, /ь=1 А для 2Т908А . . 8 В прн /к=4 Л, /ь=0 4 А для КТ908Б ... 1 В Напряжение насыщения база — эмиттер, пе более: прн /к=10 А. 1в=2 А для 2Т908А, КТ908А, КТ908Б 2,3 В при /к=5 А, /Е— 1 А для 2Т908А..................1,6 В * Время включения при /к=5 А, /Б=1 А ... 0,1*...0,3* мкс типовое значение . . 0,2* мкс Время спада при /к=5 А, /Б—1 А . . 0,1* 0,3* мкс типовое значение . 0,2* мкс Время рассасывания при /и = 5 А, /Б~ 1 А ... 0,6*..2.6* мкс типовое значение ... 2* мкс Емкость коллекторного перехода при 17кБ= 10 В, f— — 0.3 МГц, не более................................. 700 пФ типовое значение . . ... 500* Ф Обратный ток коллектор — эмипер, ие более: прн Тх = — 60...+ 25 °C: Б'кэ=Ю0 В, 10 Ом 2Т908А, КТ908Л ... 25 мА С'кэ-60 В Ятэ=250 Ом КТ908Б...................50 мА при Т—1-125 °C: 1/Яе=80 В ₽i3=10 Ом 2Т908А........................50 мА Uкэ- 80 В, /?гм=10 Ом КТ908А......................75 мА Uкз 60 В, /?в„=250 Ом КТ908Б.....................150 мА Обратный ток эмиттера при 17еэ = 5 В, не более . . 300 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при Тп = = 60... + 100 °C: /?6э=10 1 и 2T908V КТ908А . ... 100 В КЛз=2 О Ом КТ908Б . . . . . 60 В Постоянное напряжение коллектор — база1 прн Тп = --60.+100°C . . ................ПО В Постоянное напряжение база—эмиттер..................... 5 В Постоянный ток коллектора..............................10 А Постоянный ток базы . .... ... 5 А 1 При Jn- + !00. 150 С 1'я8В1л,ихо И б'КБ снижаются линсПио на 10% через «ажлыс Ю “С. 290
Продолжение Постоянная рассеиваемая мощность коллектора1 прн Т„ = - 60...+ 50 °C ........................ Температура р-п перехода ... . . . Температура корпуса Температура окружающей среды . ...... 50 Вт + 150’С + 125’С -60°С...Гк = = + 125 °C 1 При Гх>+50|,С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность кол- лектора определяется по формуле РК макс- = (Г„~Тк^^Т(к-кО- где КТ(„_Х) находится в области максимальных режимов (например, при Пкэ-10 В и А ₽Т(П_К)“2 С/Вт) Механические усилия иа выводы транзистора пе должны превышать 19,62 Н в осевом и 3,43 И в перпендикулярном направлениях к оси вывода Пайка выводов допускается не ближе 6 мм от корпуса транзистора Не рекомендуется работа транзистора при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем диапазоне температур. При кон- струировании аппаратуры следует учитывать возможность самовозбуждения транзистора за счет паразитных связей В импульсных устройствах допускаются перегрузки но мощности рассеи- вания до 400 Вт в момент переключений При этом длительность перегрузки должна быть не более 0,5 мкс (по уровню 0,5), частота перегрузок не более 5 кГц, 7\<+90°С. При запертом транзисторе в импульсных устройствах по- пускается напряжение источника питания 100 В (напряжение на транзисторе 100±3 В, длительность импульса («^3 мкс, скважность Q^25). Прн пуско- вых переходных процессах допускается /к,„^30 A (/eu^IO Л), („^5 мкс. 2Т912 (А, Б), КТ912 (А, Б) Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры п-р-п гене раторные. Предназначены для применения в линейных усилителях мощности па частотах 1,5 ..30 МГц при напряжении питания 27 В. Выпускаются в металло керамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Внутри кор нуса имеется полупроводниковый диод — датчик техшературы Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 45 г. 2Т917(А,Б)г KT9t2(A,5) 22 »13 12,3 19 3 Электрические параметры Выходная мощность двухтонового сигнала в пике оги- бающей на частоте f=30 МГц при 1/кэ = 27 В, ие меиее 70 Вт Коэффициент усиления по мощности на частоте f—30 МГц при Рвых(п )=70 Вт, пе менее ........................... .10 типовое значение . 13* 19 291
Пред лжение Ко ффициент полезного действия коллектора прн Р««х(по)=70 Вт, /=30 МГц, не меиее . . . . 50% типовое значение . . .............80* % Коэффициент комбинационных составляющих третьего по- рядка (двухтоновый сигнал) на частоте /=30 МГц при Р«их(по>=50 Вт, не более . ....................— 30 дБ типовое значение.................................—28* дБ Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при /7^=10 В, /к-5 А: 2Т912А, KT9I2A.......................................10. .50 2Т912Б, КТ912Б...................................20. .100 Модуль коэффициента передачи тока иа частоте f= =30 МГц прн 17кэ = Ю В, /к—3 А, не менее . 3 типовое значение.................................5,5* Емкость коллекторного перехода при иКБ=27 В, не более 200* пФ Обратный ток коллектор —эмиттер при 17ке=70 В, /?;б=10 Ом, не более: Т< + 25 °C . . ....................50 мА Т=+85°С КТ912А, КТ912Б ... ... 75 мА Т= + 125°С 2Т912А, 2Т912Б . ... 75 мА Обратный ток эмиттера при Use—5 В, не более . . . 250 мА Постоянное прямое напряжение диода при /п₽=20 мА . 0,3 1 В Постоянный обратный ток диода при 1Л,бР=5 В, ие более 1 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при <10 Ом: 2Т912А, 2Т912Б: при Тп< + 125СС..................................70 В Т„= + 150°С...............................35 В КТ912А КТ912Б при 7’К< + 75СС ... ... . 70 В ТК = + 85°С...............................56 В Импульсное напряжение коллекюр— эмиттер при Use= = -15 В 2Т912А, 2Т912Б: при 7„< + 125сС................................80 В Тп=+ 150°С................................60 В КТ912А, КТ912Б- при 7К<+75°С ... ... . 80 В Тк + 85 °C . . .............60 В Постоянное напряжение эмиттер — база.....................5 В Постоянный ток коллектора . .............20 А Постоянный ток базы , . Ю А Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме 1 при С7кэ<28 В, 7% < + 85 °C ........................35 Вт Тепловое сопротивление переход — корпус .... 1.42_°С/Вт Температура рп перехода.............................+ 150 °C Температура корпуса: 2Т912А, 2Т912Б..................................+125 °C КТ912А. КТ912Б . . ...................+85 °C Температура окружающей среды: 2Т912А, 2Т912Б .....................................-60°С...Т« = = +125 °C КТ912А, КТ912Б . . . . . . -45 °C Тк = + 85 °C При Т„Е>+85СС для 21912А. 21912Б ₽д1С1>1.чакс. Вт-(150-Тк)/1,« 292
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 2 мм от корпуса пяИль- ин ком, нагретым до температуры +250°C, в течение не более 10 с. Допускает- ся панка выводов ближе 2 мм от корпуса транзистора в том случае, если обес- печен отвод теплоты от корпуса, при котором температура корпуса не пре- вышает + 125 °C Диод включается в прямом направлении п служит датчиком температуры корпуса. 2Т920 (А, Б, В], КТ920 (А, Б, В, Г) Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п гене- раторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножите- лях частоты » автогенераторах на частотах 50...200 МГц прн напряжении пи- тания 12.6 В Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковы*тн выводами и монтажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 4 5 г. Электрические параметры Выходная мощность на частоте /=175 МГц при = 12,6 В, Тк^ + 40’С: 2Т920А, КТ920А.................................... 2Т920Б ..... КГ920Б........................ 2Т920В, КТ920В ......................... КТ92ОГ . ................. Коэффициент усиления по мощности на частоте f — = 175 МГц при Ukb— 12,6 В. вых= 2 Вт 2Т920А, КТ920А, не менее . . . . типовое значение .... ............. 7’«»<х=5 Вт 2Т920Б, КТ920Б, не менее типовое значение . . . . . . . . Р.ых=20 Вт 2Т920В, КТ920В, не менее . . типовое значение . . . . Лгых=15 Вт КТ920Г, не менее ...... Коэффициент полезного действия коллектора иа частоте f— 175 МГц при Uкэ~ 12,6 В: 2Т920А, 2Т920Б. 2Т920В, не менее.................. типовое значение ... ................ КТ920А, КТ920Б, КТ920В, КТ920Г, не менее Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при с'иэ = 5 В: 1к — 50 мА 2Т920Х, типовое значение . . . . /л=100 мА 2T920D, типовое значение . . . . 2 Вт 7 Вт 5 Вт 20 Вт 15 Вт 7 12* 4,5 9* 3 4* 3 60% 70*% 55% 30* 40* 93
Прсдоллссние /к=250 мЛ 2Т920В, типовое значение . . 25* Модуль коэффициента передачи тока на частоте / = = 100 МГц при С/ке=10 В: /и=0 2 А 2Т920А, КТ920А, не менее..................4 типовое значение . . .................7,5* /к=0,4 А 2Т920Б, КТ920Б, не менее . . 4 типовое значение ... .... .7* 7к=1 А 2Т920В КТ920В, не менее . . . . 4_ типовое значение ... ..............4,5* /к=1 А КТ920Г, не менее............................3,5 Напряжение насыщения коллектор — эмиттер. при /к=50 мА, /с=10 мА 2Т920Л, типовое значение 0.3* В при /к=100 мА, /в=20 мА 2Т920Б, типовое значение 0,4* В при /к=250 мА. /в=50 мА 2Т920В, типовое значение 0.45* В Критический ток коллектора при UKa= 10 В, [=100 МГц: 2Т920А, КТ920Л, не менее...........................0.8 Л типовое значение . . 1* Л 2Т920Б, КТ920Б, ие менее...........................1,5 А типовое значение ... ..............2* А 2Т920В, КТ920В. ие менее..........................4,5 А типовое значение ........................ 7* Л КТ920Г, не менее ..................................4 А Постоянная времени цепи обратной связи иа частоте f— 5 МГц прн Una—10 В: /о=30 мА 2Т920А, 2Т920Б, КТ920А, КТ920Б, не более 20 пс типовое значение . . . . . . 7* пс /э=150 з А 2Т920В, КГ920В, КТ920Г, не более . . 20 пс типовое значение . .................9* пс Емкость коллекторного перехода при UKs= 10 В, [= = 5 МГц: 2Т920А, не более..................... . . 15 нФ типовое значение ... . . 10* пФ 2Т920Б, ие более...................................25 пФ типовое значение . .................16* пФ 2Т920В, не более . 75 пФ типовое значение ... .... 50* пФ Емкость эмнттериого перехода при B'ES = 0, [—5 МГц, не более: 2Т921А ... . . . . ... 55 пФ 2Т920Б .... . . 100 пФ 2Т920В.................. ..........................410 пФ Индуктивность выводов при 1=1 м: 2Т920А, КТ920Л эмиттерного . ........................1,7* н Гн кол текторного...................................2,4* н Гн базового ...............................2,9* нГи 2Т920Б, КТ920Б. эмиттерного . . . . ..............1,2* нГн коллекторного ...................................2,4* нГн базового ........................2,6* нГн 2Т920В, КТ920В, КТ920Г: эмиттерного . ...........................1 нГн коллекторного....................................2,4 нГи базового........................... 2,4 нГн Обратный ток коллектор — эмиттер при Ull3 — 36 В, 100 Ом. не более. Г=+25°С: 2Т920Л........................................... . 1 мА 2Т920Б, КТ920А . . . . . 2 мА 2Т920В . . . .... . . 5 мА 294
Продолжение КТ920Б..........................................4 мА КТ920В. КТ920Г..................................7.5 мА Т= + 125°С: 2Т920Ч............................................2 мА 2Т920Б . . ....................4 nA 2Т920В . . . .................10 мА Обратный ток эмиттера при 1/вЬо=4 В: 2Т920А. 2Т920Б ........................... 0 25 мА 2Т920В . . ..............2 мА Емкость электродов относительно корпуса эмиттер — корпус......................................1.84* пФ коллектор — корпус....................... . 1.53* пФ база — корпус ... ....................0,96* нФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при 7?j«< <100 Ом ... . .................36 В Постоянное напряжение эмиттер — база................4 В Постоянный ток коллектора: 2Т920Л, КТ920А 0.25 А 2Т920Б, КТ920Б ..............................1 А 2Т920В, КТ920В, КТ920Г . . ... 3 А Импульсный ток коллектора при /„<20 мкс, Q^50 2Т920А, КТ920А .................1 А 2Т920Б, КТ920Б....................................2 Л 2Т920В, КТ920В, КТ920Г......................... 7 Л Постоянный ток базы. 2Т920А, КТ920А........................................1 А 2Т920Б, КТ920Б . ..............0.5 А 2Т920В, КТ920В, КТ920Г .................1.5 А Импульсный ток базы прн /„<10 мкс. 100: 2Т920А, КТ920А........................................0.5 А 2Т920Б КТ920Б 1 А 2Т920В КТ920В КТ920Г . . 3.5 А Средняя рассеиваемая moiiiiiocib 1 в динамическом режиме при 7к<+50°С: 2Т920А. КТ920А............................................5 Вт 2Т920Б, КТ920Б.......................................10 Вт 2Т920В КТ920В, КТ920Г 25 Вт Тепловое сопротивление переход— корпус: 2Т920А КТ920А . . . 20°С/Вт 2Т920Б, КТ920Б . . . . 10 °C Вт 21920В, КТ920В КТ920Г ... 4 °C Вт Температура рп перехода...............................+150’С Температура корпуса: 2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В................................+125 °C КТ920А, КТ920Б, КТ920В КТ920Г . . . . +85 °C Температура окружающей среды: 2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В ....................-6О’С...ГХ = = + 125 °C КТ920Л, КТ920Б КТ920В. КТ920Г.....................-45 °C. ,ТК = = + 85 °C 1 7„>+50 С РЛср.Лохс. Вг=(150 Tx).Rr(r Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба и пайки вывода не более 3 мм. Пайка выводов должна осуществляться при температуре не более + 250 °C в течение не более 5 с 295
2Т921А, КТ921 (А, Б) Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п р п усили- тельные линейные. Предназначены для применения в широкополосных усили- телях мощности, стабилизаторах и преобразователях напряжения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жести ми выводами. Тип прибора указыва- ется на корпусе. Масса транзистора не более 6,5 г. Электрические параметры Выходная мощность при t/n=27 В, / = 60 МГц, пе к енсе.......................................... Выходная мощность в пике огибающей при Un = = 27 В, f=30 МГц, не мепее .... Коэффициент усиления по мощности при Р«,.(х-= = 12,5 Вт, f=f>Q МГц: 2Т921Л, КТ921Х, пс менее.................... КГ921Б...................................... Коэффициент комбинационных составляющих третье- го порядка при РиЫЦПи} — 12,5 Вт, /=30 МГц . . Ci этический коэффициент передачи тока прн 1Л,с=Ю В, /к=1 Л, не мепее...................... типовое значение ........................... Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте прн 17яэ=10 В, /к=0,4 A, f=30 МГц Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к -1 А, /в=0,2 А, не менее..................... Граничное напряжение прн /я=100 мА, не мепее Время включения при Uk=33 В, /к=1 А, /в=0,2А Время рассасывания при UH=33 В. /к=1 Л. /щ = / га 0,2 А . ... Время спада при 17к = 33 В, /к=1 Л, /щ = /б2=0,2 Л Емкость коллекторного перехода при <7/fBo=20 В Емкость эмиттерного перехода при 17эбо=3 В Индуктивность выводов: эмиттерного . ........................ базового . ........................... коллекторного .... . . . Обратный ток коллектор — эмиттер при Rj— 10 Ом, ис более" Тк - 1-25 °C. t/rs =70 В.................... Г„ +125СС, и,гэ 65 В........................ 12,5 Вт 12,5 Вт 8 5... 10*... 17* -39*; -32*; -30 дВ 10 45* 3...7,5*... 10,5* 1.8 В 32 В 20 2(> 28* мкс 60* 120*. 300* мкс 24*. ..24*. „30* 50* пФ 210* пФ 3,5* иГн 3,5* нГц 3* нГн 10 мА 50 мА 296
Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер прн «,б=10 Ом: 2Т921А: прн Гп=-60 +125°C........................65 В 7’п^ + 155',С.........................32 В КТ921Л, КТ921Б при Тл — — 45...+ 125’С..................65 В Г„ = +150сС ....................32 В Импульсное напряжение коллектор — эмиттер прн UBB=—1,5 В в схеме высокочастотного усилителя в диапазоне частот 1,5 .60 МГц: 2Т921А: прн Гп= — 60...+125 СС...................80 В Т„= + 155СС ....................60 В КТ921А, КТ921Б при Л,--45...+125 °C.................. 80 В Г„= + 150 'С..........................60 В Постоянное напряжение коллектор — база: 2Т921А: при Г„ = -60 +125СС......................65 В Гп = +155=С...........................32 В КТ921А, КТ92IB- при Г„=- 45. +125 °C........................65 В Т„- + 150сС...........................32 В Постоянное напряжение э.мнтгер— база . 4 В Постоянный ток коллектора......................3,5 А Постоянный ток базы.......................... , 1 Л Постоянная рассеиваемая мощность коллектора- 2Т921Л: при Гх = — 60 +75 СС . . . . . 12,5 Вт ГХ = + 125°С..........................4,2 Вт КТ921А, КТ921Б: при Гх=—45...-I 75 ГС....................12,5 Вт ГХ = +125СС...........................4,2 Вт Средняя рассеиваемая мощность коллектора в дина- мическом режиме при Un 28 В: 2Т921А: при Гх = -60 +100°С......................12,5 Вт Л, = + 125 °C.........................4,2 Вт КТ921А, KT921D: при Гх = —45. +75°C . ... 12,5 Вт /Х = + 125СС ... ... 4,2 Вт Тепловое сопротивление переход — корпус ... 6 °С/Вт Температура р-п перехода . . . . . +150 °C Температура окружающей среды 2Т921А , .............-60°С .ГХ-+125°С КГ921А, КТ921Б.............................-45 °С...ТХ = + 125 °C 297
Осевое усилие иа винт не должно быть более 250 Н, на выводы транзистора—бо- лее 5 Н, изгибающее усилие не более 1 Н Пайка выводов допускается не ближе 2 мм от корпуса транзистора паяльником, на- гретым до +260*С, в течение не более 3 с, а также ближе 2 мм от корпуса при усло- вии Тк= + 100°С. Допустимое значение статического по- тенциала 1000 В. Области максимальных режимов 2Т921А-4 2T92IA - i Транзистор кремниевый эпи- таксиально-планарный структуры п-р-п усилительный линейный. Предназначен для применения в широкополосных усилителях мощ- ности в герметизированной аппа- ратуре. Еескориусиый с жестки- ми выводами. Выпускается на кристаллодержателе. Тип прибо ра указывается в этикетке. Масса транзистора не более 0,5 г. Электрические параметры Выходная мощность на частоте f—60 МГц. не менее Коэффициент усиления но мощности при П„ = 27 В, /=60 МГц...................................... Коэффициент полезного действия коллектора при П„=27 В, 12,5 Вт, /=60 МГц . . . Коэффициент комбинационных составляющих третье- го порядка при 17„=27 В, Р«Ых(ЯО)= 12,5 Вт, /= =30 МГц......................................; Статический коэффициент передачи тока прн Ukb = =5 В, /к—1 А не менее ........................ типовое значение .......................... Модуль коэффициента передачи тока на высокой ча- стоте при 17кэ=10 В, /к-0,4 А, f-ЗО МГц Обратный ток коллектор—эмиттер при (7кэ = 70 В, /?ав=10 Ом, не более ... . . . Обратный ток эмиттера прн Ubbo~4 В, не более 12,5* Вт 8* 55*. 65* 76*% -39* -32* ..-30* дБ 10 45* 3.7,5* 10.5* 10 мА 20 мА 298
Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /?,б=10 Ом: Тп —— 60 ..+125 °C..........................65 В Tn—+ 155 °C.................................32 В Импульсное напряжение коллектор—эмиттер при t/aB= —1,5 В в схеме высокочастотного усилителя в диапазоне частот 1,5 60 МГц: Т=- 60... + 125 °C..........................80 В Т= + 155°С . . . .............60 В Постоянное напряжение коллектор — база: Т„ —60..+ 125°C . . . ... 65 В 7„= + 155°С . . ... 32 В Постоянное напряжение эмиттер — база . . . 4 В Постоянный ток коллектора . . . 3.5 А Постоянный ток базы . . . 1 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора прн Пкс=32 В: Гк = —60 ..-I 75®С..........................12,5 Вт Т„= + 125°С................................. 1,2 Вт Средняя рассеиваемая мощность коллектора в ди- намическом режиме при Пп=28 В: Т„ -60..+ 75 °C.............................12,5 Вт Т„= +125 °C.................................4,2 Вт Тепловое сопротивление переход - корпус , . . 6 °C Вт Температура рп перехода.........................+ 150°С Температура окружающей среды....................— 60°С...ТК— + 125°C Монтаж транзистора осуществляется припайкой металлизированного осно- вания крнсталлодержателя к теплоотводящей поверхности припоем ПОС-61 при температуре не выше +240°C в течение не более 15 с. Пайка выводов рекомендуется не ближе 2 мм от крнсталлодержателя при температуре ие выше +240°C. 2Т922 (А, Б, В), КТ922 (А, Б, В, Г, Д) Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п гене- раторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножите- лях частоты и автогенераторах иа частотах выше 50 МГц при напряжении пита- ния 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выво- дами и монтажным винтом Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора нс более 4,5 г. 299
Электрические параметры Выходная мощность на частоте /=175 МГц прн (7кэ = =28 В. Тв = + 40°С: 2Т922А. КТ922Л........................................5 Вт 2Т922Б, КТ922Б .... 20 Вт К1 22Г...............................................17 Вт КТ922Д....................................... .... 35 Вт 2Т922В. КТ922В.......................................40 Вт Коэффициент усиления по мощности на частоте / = = 175 МГц прн (7кэ=28 В Р««х=5 Вт 2Т922А, КТ922А, не менее . . . . 10 типовое з 1аченне .... ..............20* Р«ых=20 Вт 2Т922Б, КТ922Б, не менее . . . 5,5 типовое значение .... . 10* Р вых = 17 Вт КТ922Г, не менее....................5 P.ux-40 Вт 2Т922В, КТ922В, не менее ... 4 типовое значение ............. .6* Р иых = 35 Вт КТ922Д, не менее....................3,5 Коэффициент полезного действия коллектора, не менее: 2Т922А, 2Т922Б, 2Т922В.............................55% типовое значение ........................65*% КТ922Л, КТ922Б, КТ922В, КТ922Г. КТ922Д. не \енее 50% Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Скэ=5 В, /к 0,1 А для 2Г922А, /к=0,25 Л для 2Т922Б, /к=0,5 А д in 2Т922В, не менее ... ... 10* типовое значение .... .... 50* Модуль коэффициента передачи тока па частоте /= = 100 МГц. (7ка=10 В: прн /к =0,4 А для 2Т922Л, КТ922А, не менее . . 3 типовое значение.............................. ... 7* при /к =1,5 А для 2Т922Б, KT922D, КТ922Г, не менее 3 типовое значение .... . . 6,5* при /д- = 3 А для 2Т922В, КТ922В, не менее ... 3 типовое значение . . ... 4,5* при /к =3 А для КТ922Д, не менее . . .2,5 Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, типовое зна- чение: при /к=100 мА, /д=20 мА для 2Т922А .... 0.3* В прн /к =250 мА. /с=50 мА для 2Т922Б . . 0,35* В при /к=500 мА, /к=100 мА для 2Т922В . . . 0,4* В Критический ток коллектора на частоте /=100 МГц при 1/кэ=10 В: 2Т922А, КТ922А, нс менее.........................0,6 Л типовое значение .................................1,2* Л КТ922Г, не менее ........................1,8 А 2Т922Б КТ922Б не менее.........................2 Л типовое значение ............................... 3* А КТ922Д, ие менее . .................4.5 Л 2Т922В, КТ922В, ие менее..........................5 А типовое з гаченне ..............6,5* А Постоянная времени цепи обратной связи на частоте f = = 5 МГц, 1/кЭ=10 В: при /э = 40 мА для 2Т922А, КТ922Л, нс более . . 20 пс типовое значение..................................7,5* пс при 7э=150мА для 2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г. не более 20 пс типовое з 1ачеиие ................................8* пс при /э=300 мА для 2Т922В, КТ922В. КТ922Д, не более 25 пс типовое значение . ....................20* пс F.MK cib коллекторного перехода при 17кв=28 В, /=5МГц: 2Т922А, КТ922Л, не более .........................15 пФ типовое значение..................................8* нФ 300
Продолжение 2Т922Б, 2Т922В, КТ922Г. не более.................35 пФ типонсс значение . . ... . 20* нФ 21922 В, КТ922В, КТ922Д, не более 65 пФ типовое значение .............................. - 50* пФ Емкость эмиттерного перехода при С,эе=0, /=5 МГц, ти- повое значение: 2Т922Л, КТ922А...................................75* пФ 2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г........................... 200* пФ 2Т 22В, КТ922В, КТ922Д . . . 500* пФ Обратный ток коллектор — эмиттер при 1/кО=65 В, R =100 Ом, не более 7=+25сС: 2Т922А........................... . . . 2 мА КТ922А . . .5 мА 2Т922Б....................................... 10 мА 21922В, КТ922Б, КТ922Г...................... 20 мА КТ922В, КТ922Д..................................40 мА 7=+85сС: КТ922А ... .... 10 мА КТ922Б, КТ922Г ... . . 20 мА КТ922В, КТ922Д ... . . . 40 мА Т= F 125 °C. 2Т922А...................... . . . 4 мА 2Т922Б ....................................20 м к 2Т922В . . ... ... 40 мА Обратный ток эмиттера прн (7вв=4 В, не более: 7= +25 °C: 2Г922Л...................... . . 0,25 мА КГ922А..........................................0,5 мА 21922 Б..................................... .. 1 м А 2Т922В ....................................2,5 мА КТ922Б . ...........................3 мА КТ922Г ... ... 4 мА КТ922В, КТ922Д . . . 6 мА 7=+85 °C: КТ922Л ........................ . 1 .мА КТ922Б..........................................6 мА КТ922В, КТ922Д . ... . 12 мА КТ922Г . ...............................8 мА 7= + 125сС: 2Т922А..................................... .... 0,5 мА 2Т922Б..........................................2 мА 2Т922В . . ... 5 мА Индуктивность выводов при / 1 мм, типовое значение: 2Т922А, КТ922А эмиттерного ... 1,7* пГп коллекторного.................... . 23* и Гн базового ........ 2 9* нГн 2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г: эмиттерного .......................11* нГн коллекторного .... ... 2,4* нГн базового ...........................2,5* пГп 2Т922В, КТ922В, КТ922Д: эмиттерного . .......................0,9* нГн коллекторного ... . . 2,4* и Гн базового . . . . . 2 4* н Гн Емкости электродов относительно корпуса, типовое зна- чение. эмиттер — корпус............................. 1,84* пФ 301
Продолжение коллектор — корпус база — корпус 1.53’ пФ 0,96* пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при = 100 Ом.................................. . . . 65 В Постоянное напряжение эмнттер — база..................4 В Постоянный ток коллектора: 2Т922Л, КТ922А....................................0,8 А 2Т922Б КТ922Б, КТ922Г . . , . 1.5 А 2Т922В, КТ922В, КТ922Д............................ЗА Импульсный ток коллектора прн /и^20 мкс. О>50: 2Т922А, КТ922А . . . . ... 1,5 А 2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г . . . 4,5 А 2Т922В, КТ922В. КТ922Д . . . . 9 А КСВН (коэффициент стоячей волны по напряжению) кол- лекторной цепи2...................... 2 Средняя рассеиваемая мощность3 в динамическом режиме при Тк^ + 40°С: 2Т922А, КТ922А................ . . . . 8 Вт 2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г............................20 Вт 2Т922В, КТ922В, КТ922Д . 40 Вт Тепловое сопротивление переход — корпус: 2Т922А, КТ922А ... ... 15°С/Вт 2Т922Б, КТ922Б, КТ922Г . . .............б°С/Вт 2Т922В, КТ922В, КТ922Д............................3 ‘С/Вт Температура р-п перехода..............................+160 °C Температура корпуса: 2Т922А, 2Т922Б, 2Т922В................................+125 °C КТ922А, КТ922Б, КТ922В. КТ922Г, КТ922Д . . . +85 °C Температура окружающей среды. 2TI22A, 2Т922Б, 2Т922В ..... -60°C Г„ = = + 125 °C КТ922А, КТ922Б, КТ922В, КТ922Г, КТ922Д . . . -45 °C Тк = = +85 °C При Т-Гжии Жаке”55 В- 1 Допускается работа при любых значениях КСВН (по модулю и фазе) при на- пряжении питания не более 28 В+10% и условии пепревышеиия предельных эксплуа- тационных значений Рк жохс, Itt макс, ^кэмакс ^ЭЕ макс (постоянные составляющие). • При Г„>+40’С Р„1С1)1Л1ОКС’. Вт-(160-7-к)/Лг(п_;,. Пайка выводов допускается пе ближе 3 мм от корпуса по методике, ие приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзисторов, при тем- пературе не выше +270 °C в течение не более 5 с 2Т926А, КТ926 (А, Б) Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры п р п импульсные. Предназначены для применения в импульсных модуляторах Корпус металло- керамический с жесткими выводами Масса транзистора ие более 20 г. 302
2197ГА. К ГО? А (А f>) Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: при T« = +25°C: Uко = 7 В, /к=15 А, для 2Т926А . . . Wks-7 В, /к “15 А для КТ926А . Пиэ=5 В, /к 5 А для КТ926Б . при Т^жТк.мкс, Ukb = 5 В, /к = 5 А для КТ926А, КТ926Б, пе более.................................. при 7я = 7'я.лан: Wks = 7 В, /к —15 А для 2Т926А.................. Wk3 = 7 В, /к=15 А для КТ926А . . ОкЭ«5 В, /к = 7 А для КТ926Б Отношение статического коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при Г» = + 125 °C к статическому коэффициенту передачи тока при ТК=+25°С, (Укэ=7 В, /к=15 А для 2Т926А, ие более.................................. Модуль коэффициента передачи тока па высокой частоте при Wk3= 10 В, /я=1 A, f=30 МГц, не менее Напряжение насыщения коллектор — эмиттер: при /к—15 А, 1ц=3 А для 2Т926А, не более при /к=15 А, /д=2 А для 2Т926А . . . . при /к=10 А, /в=1,5 А для КТ926Б . . . . Напряжение насыщения база — эмиттер, ие отее при /к=15 А, /Е= 1,5 А для 2Т926А, КТ926А . . при /я=10 А, /е~1,5 А для КТ926Б.................. Обратный ток коллектор — эмиттер при /?вэ=10 Ом: при Тк Тк,мип. . + 25 °C, 17кэ = 150 В . . . при ТК = ТК„„КС, Ukb=120 В . . . . . Обратный ток эмиттера при 1/вэ=5 В, не более 12 60 10...60 10.60 200 5. .60 8. .60 8. .60 3 1.7 2,5 В 0,4* 0,6* 1 В 0,5* 2,5 В 2,5 В 2,5 В 0,1*...25 мА 0,2* 80 мА 300 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 прн а£100 °C, 7?вэ=10 Ом....................... Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при =С0,5 мс, Q>50, ₽«j=10 О.м........................... Постоянное напряжение база—эмиттер................... Постоянный ток коллектора............................ Импульсный ток коллектора при /,-^0,5 мс, Q^50 Постоянный ток базы.................................. Импульсный ток базы прн /и^0,5 мс, Q>50 Постоянная рассеиваемая мощность коллектора2 при Тк Т„ .„ин...+50 °C . . . . . 150 200 5 В 15 25 7 12 50 В В А А А А Вт 1 При Гп~ + 100...150 "С UKB .макс уменьшается линейно на 10% на каждые Ю'С. 2 1”’и 7к> + 50'С РКмаяс. Вт-(Тв-Тж)/Ят(1>_ж,, где ЯГ(п_к) определяется нз об- ласги максимальных режимов (например, при Вэ /^-=5 А °С/Вт) 303
Продолжение Импульсная рассеиваемая мощность коллектора 2Т926А при L^O.a мс, Q^50, 7Ж=+25...+80 СС . . 450 Вт Тепловое сопротивление переход — корпус при 7/кэ^Ю В, 7к<5 А . . . ... . . 2°С/Вт Температура р-п перехода ... ..............+150 С Температура корпуса...................................+125 °C Температура окружающей среды: 2Т926А ................. . . -60°С...7к = = +125 °C КТ926А. КТ926Б....................................-45°С...Гк = = + 100 °C При конструировании аппаратуры следует учитывать возможность само- возбуждения транзисторов за счет паразитных связей. Крепление транзисторов к панели необходимо осуществлять с помощью ганки. Осевое усилие на винт должно быть не более 120 кг. Допускается распайка транзисторов паяльником с температурой +275 °C в течение 3 с не ближе 2 мм от корпуса. КТ927 (А, Б, В) Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п генера- торные. Предназначены для применения в линейных усилителях мощности на частотах 1.5...30 МГн при напряжении питания 28 В. Выпускаются в пластмас- совом корпусе с жесткими выводами Внутри корпуса имеется полупроводнико- вый диод — датчик температуры кристалла. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора пе более 10 г. КТ927 (А-в) Электрические параметры Выходная мощность на частоте f=20 МГц при 7:кэ=28 В, не менее . . ............... . . 75 Вт Коэффициент усиления по мощности на частоте [=30 МГц 1 [ и /%ых(по)=75 Вт, 1/кэ=28 В, не менее . . . 13,4 ти ювое значение ...................... 14,5* Коэффициент полезного действия на частоте [=30 МГн при Р«ых(пП} 75 Вт, 1/кэ=28 В, ие мепее . . . 40% типовое значение...................................50*% Коэффициент комбинационных составляющих 3-го и 5 го порядков на частоте [—30 МГц (двухтоновый сигнал) при Ввчх(по)=75 Вт, 17кэ=28 В, не более ... . . —30 дБ типовое значение ........................ —32* дБ Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Uкэ-6 В, /к=5 А: КТ927А не менее................................... 15 304
Продолжение типовое значение ........................ 30* КТ927Б, нс мепее .... . . . 25 типовое значение . . 30* КТ927В, не менее ... ................40 типовое значение . . . . ... 60* Модуль коэффициента передачи тока на частоте f—30 МГц при (7яэ = 28 В, /к= I А, не менее................. 3,5 типовое зна юнце.................................... .5* Напряжение насыщения коллектор — эм и гтер прн 1к= = 10 A, h=2 А, пе более...............................0,7 В типовое значение .................................0,5* В Емкость коллекторного перехода на частоте /=10 МГц при Uxr.—2S В, не более.......................... . 190 пФ типовое значение............................. 150* пФ Емкость эмиттерного перехода на частоте f=10 МГц при (7эг.=0, не более................................ • 2850^пФ типовое значение.............................. .... 2300* пФ Активная составляющая полного входного сопротивле- ния па частоте /=30 МГц прн Р»ых~75 В, Е,яэ=28 В, типовое значение . .............. - . 2,65* Ом Обратный ток коллектор — эмиттер прн R>e—0. не более: Т=+25°С, 1/яэ=70 В....................................40 мА Г= + 125°С, (./кэ-65 В . . . . . . 120 мА Обратный ток эмиттера прн Пэт =3,5 В, пе более . . 40 мА Прямое напряжение диода прн /Пр=Ю мА, нс более . 0,8 В Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер: при Rrf—O ............................................70 В прн R,c=o°........................................35 В Постоянное напряжение эмиттер — база..................3,5 В Постоянный ток коллектора..........................10 А Импульсный ток коллектора..........................30 А Прямой ток диода . .... . . 100 мА Средняя рассеиваемая мощность 1 в динамическом режиме: прн ТЖ^+75°С . . . .............83,3 Вт прн Тж = + 150°С . ................33.3 Вт Тепловое сопротивление переход — корпус .... 1,5°С/Вт Температура р-п перехода..............................+200 °C Температура корпуса ..................................+150 °C Температура окружающей среды . . . . . — 60 °C ,ГЖ — = + 150 °C При +75°СС7„< + 150‘С В^(20Л-7ж)/1.5. Чистота контактной поверхности теплоотвода должна быть ие мепее 1,6. Неплоскостность контактной поверхности теплоотвода должна быть ие более 0.04 мм. Пайка выводов допускается пе ближе 3 мм от корпуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзистора при тем- пературе пе выше +270 °C в течение нс более 5 с. 2Т928 (А, Б), КТ928 (А, Б) Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п им- пульсные Предназначены для применения в импульсных н перек почающих устройствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами Масса транзистора не более 3 г. 20 Заказ № <004 305
имей 6) nisiB/АЫ и s Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при (Л{в=3 В, /э= 150 мА: Г=+25СС. 2Т928А 2Т928Б, КТ928Б........................ КТ928Л.......................................... Т= + 125 СС: 2Т928Л . , . . . . . . . 2Т928Б . . . .................... Т= 60 °C: 2Т928Л............................................ 2Т928Б ....................................... 1 раиичпая частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при 67иэ=1О В, /к —50 мА, не менее" 2Т928А 2Г928Б .... .............. КТ928А. КГ928Б .... . . . . Граничное напряжение при /к=20 мА, не менее Напряжение насыщения коллектор — эмиттер прн /и = 300 мА, /ь—30 мА. 2Т928Л, 2Т928Б. не более . . . ... типовое значение . . ... КТ928А, КТ928Б не более . . . Напряжение насыщения база -эмиттер при /и=300 мА, /д=30 мА, не более.................................... типовое .значение ................................ Время рассасывания при /к = 300 мА, /£ = 30 мА 2Т928А, 2Т928Б, не более.............................. типовое значение ........................ КТ928Д, КТ928Б. не более.......................... Емкость коллекторного перехода при 1)цЕ= 10 В, не более типовое значение ..................................... Емкость эмиттерного перехода при 1Укэ = 0: 2Т928А 2Т«28Б. не более . . .............. типовое значение .... .............. КТ928А, КТ928Б, не более .............. Обратный ток коллектора при Ukb 60 В Т — + 25 °C, не более................................. типовое значение .... .............. 7=+125 °C 2Т928А, 2Т928Б, не более типовое значение 7'=+85°C КТ928А, КТ928Б, нс более Г--60 °C 2Т928А, 2Т928Б, пе более ... Обратный ток коллектор — эмиттер прн (Ло = 60 В, 100 Ом, ие более .... типовое значение ....................... 30.65* 100 50.. ПО* 200 20... 100 30.. 110* 200 50... 170*...400 14.40*... 100 25..65*...200 300 МГц 250 МГц 40 В 0,6 В 0,17* В 1 В 1,5 В 0.9* В 225 нс 140* нс 250 пс 10 нФ 6,9* пФ 90 пФ 60* пФ 100 пФ 1 мкА 0,01* мкА 50 мкА 0 08* мкА 60 мкА 1 мкА 10 мкА 0,01* мкА 306
Продолжение Обратный ток эмиттера прн /?«л=5 В: Т = + 25 °C, нс более.................................1 мкА Г= + 125°С 2Т928А, 2Т928Б, не более . . 50 мкА типовое значение . ... 0,01* и кА Г =—60°C 2Т928А, 2Т928Б, не более . . .1 мкА типовое значение ... . . . 0,05* мкА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база . . 60 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при К =0 60 В Постоянное напряжение база—эмиттер . . 5 В Постоянный ток коллектора ... 0,8 Л Импульсный ток котлектора при 1и^10 мкс, <2^50 . 1,2 Л Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: с теплоотводом Г=7\ин...+25°С..................................2 Вт Т-Ткм 2Т928А, 2Т928Б............................0,4 Вт К 928Л, КТ928Б........................0.96 Вт бе теплоотвода2: Т= Тм. „... + 25 °C . . ................ 0,5 Вт Т = 1КМ ,:г 2Т928А. 2Т928Б . ... 0,1 Вт КТ928Л, КТ928Б.................... 0,24 Вт Импульсная рассеиваемая мощность коллектора2 при /„sglO мкс, Q2s50 для 2Т928Х, 2Т928Б- Г=-60...4 25 °C . ..........................3,6 Вт Г- + 125 °C , ...............................3,2 Вт Температура р-п перехода..............................+150 °C Температура окружающей среды: 2Т928А, 2Т928Б.................................... ... -6 +125°C КТ928Л, КТ928Б . . ... ... -45. +85°C ’ При Гк — +25 X.. Тм Кг РЕ линейно снижается на 16 мВт на [ °C ’ При Г-=+25 С Т м-,к и « м к«> линейно снижаются на 4 мВт на 1 °C JH < Л л п П , U .И ЬС 2Т929А, КТ929А Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры п-р-п гене- раторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножи- телях частоты и автогенераторах на частотах более 50 МГц при напряж нии питания 8 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми вы- водами н монтажным вннтох Тип прибора указывается па корпусе Масса транзистора ие более 4.5 г. 20* 307
Электрические параметры Выходная мощность на частоте /=175 МГц при Uks= —8 В, 7„5g+40cC, не менее...........................2 Вт Коэффициент усилении но мощности на частоте / = = 175 МГц при Uks = 8 В, Р<гих=2 Вт, не менее 2Т929А.............................................10 типовое значение ... . .... 11,5* КТ929А...........................................8 Коэффициент полезного действия коллектора на частоте /=175 МГц прн Р«кх=2 Вт, 11кэ-8 В: 2Т929Л, не менее 60% тиковое значение . .....................72*% КТ929Л, не менее...................................55% Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Uks=5 В, /я = 0,7 А, не менее ... 25 типовое значение .................................. 40* Модуль коэффициента передачи тока на частоте /= = 175 МГц прн 17кэ=8 В, /и=0,3 Л, не мепее 4 типовое значение ..................... 8* Критический ток коллектора на частоте /—100 МГц при (7хэ = 8 В, типовое значение..................... . . 2,5* А Постоянная времени цепи обратной связи на частоте / = — 5 МГц при (7x3 = 8 В, 1и 50 мА, пе более .... 25 пс типовое значение ..................................9* нс Емкость коллекторного перехода при (7ке = 8 В, / = 5 МГц, пе более .............................................20 пФ типовое значение ... ..............15* пФ Обратный ток коллектора прн (7/ti;^-30 В, типовое зна- чение .... 0,5* мЛ Обратный ток коллектор — эмиттер при (7иэ = 30 В, Rr>a 100 Ом, не более' 7 =+25 °C ..............................5 мА 7= + 85 “С КТ929А.................................10 мА 7=+ 125 °C 2Г929Л 10 мА Обратный ток эмиттера при (7Эв=3 В, не более' 7=+25°C....................... ......................5 мА 7 +125 °C 2Т929Л и 7=+85 °C К.Т929А . . 10 мА Индуктивность выводов прн 1= I мм: эмиттерного . . .......................1,2* нГн коллекторного.....................................2,4* нГн базового ... ........................2,6* иГн Емкости выводов относительно корпуса: эмиттер — корпус.....................................1,84* пФ коллектор — корпус . . .................1,53* пФ база—корпус ......................................0,96* пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор- база 30 В Постоянное напряжение коллектор эмиттер при sS 100 Ом ... .................30 В Постоянное напряжение эмиттер —база..................ЗВ Постоянный ток коллектора 0,8 А Импульсный ток коллектора............................1,5 А KCBII коллекторной цепи ... 10 Средняя рассеиваемая мощность1 п динамическом режиме прн 7ж^+40°С.................................... .... 6 Вт Тепловое сопротивление переход—корпус .... 20°С/Вт Температура рп перехода..............................+160 °C При Т,,> + 40°С Рк ср жаке. Вт (160—7к)/20 308
П родолжение Температура корпуса- 2Т929А .... . . . . +125 °C КТ929А . . . . . +85 °C Температура окружающей среды: 2Т929Л...............................................- 60°С...7х = = +125 °C КТ929А............................................-40°С...7« = = +85 °C Шероховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть пс ме- пее 1,6 Неплоскост носи, контактной поверхности теплоотвода должна быть не более’ 0,04 мм. Для уменьшения контактного теплового сопротивления между корпусом и теплоотводом следует применять теплоотводяшне смазки. Папка выводов допускается пе ближе 3 мм от корпуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзистора, при тем- пературе не выше +270 °C в течение не более 5 с. 2Т931А, КТ931А Транзисторы кремниевые эпи- таксиально планарные структуры л р-п тенераторныс. Предназна- чены для применения в широко- полосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогене- раторах па частотах 50..200 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамиче ском корпусе с полосковыми вы водами Внутри корпуса имеется согласующее /.С-звено Тип при бора указывается па корпусе Масса транзистора пе бо- лее 7 г. Электрические параметры Выходная мощность на частоте f 175 МГц при 1/кэ =28 В, 7«С+40°С . . ... 80 Вт Коэффициент усиления по мощности на частоте f=175 Ml ц при Р,Ы1С 80 Вт, не мепее: 2T93IA ............................................ .4 КТ931А.............................................3.5 Коэффициент полезного действия коллектора на частоте /=175 МГц прн РвЫх=80 Вт, не мепее . . 50% типовое значение........................ . . 60*% Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Укэ—5 В, /к —0,5 Л, типовое значение .... 25* Модуль коэффициента передачи тока на частоте f = 100 Ml ц при 1/кэ = Ю В, /и"5 Л, не менее ... 2,5 типовое значение . . .4* Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к =0,5 Л, /е=0,1 А, типовое значение.....................0,09* В 309
Продолжение Критический ток коллектора иа частоте f = 100 МГц при 17кЭ=10 В, типовое значение ... ... 22* А Постоянная времени цепи обратной связи на частоте /= =5 МГц прн 1/ка=10 В, /э=0,5 А, типовое значение . 18* нс Емкость коллекторного перехода на частоте / = 30 МГц при Uki>=28 В, не более......................... . 240 пФ типовое значение 190* пФ Емкость эмнттерного перехода на частоте f=5 МГц при 1/вв=0, не более................................ . . 380 пФ типовое значение . .....................3200* пФ Обратный ток коллектор—эмипер нри (7кэ = 60 В, Re^ — = 10 Ом, не более: Г=4-25°С 2Т931Л . ..............................20 мА КТ931А . . . 30 мА Т -4 85 °C КТ931А ... . . 60 мА Т= -125 °C 2Т931\ ... 40 мА Обратный ток эмиттера при (Узе = 4 В, пе более: при Т=+25°С . . . . 10 мА прн Т= 4-85 °C КТ931Л 20 мА при 1=4-125 °C 2T93IA 20 мА Индуктивность внутреннего l.C-звена, типовое значение 0.43* пГи Емкость внутреннего LC-звена, типовое значение . . 1600* пФ Индуктивность выводов, типовое значение: эмнттерного: прн /=1 мм............................................ 0 29* иГн при 1 = 3 мм....................................0,47* и Г и коллекторного: нри I 1 мм......................................1,6* пГи при 1-3 мм................................. .... 2,03* иГн базового: при 1=1 мм.................................... . 1,47* иГн при 1=3 мм.................................... . 1,92* нГн Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при 10 Ом . . ................60 В Постоянное напряжение эмиттер — база..................4 В Постоянный ток коллектора.............................15 А Входная высокочастотная мощность . 20 Вт Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режиме при Гж^4-40°С . . . . 150 Вт Тепловое сопротивление переход—корпус .... 0,8°С/Вт Температура р-п перехода .............................4-160 °C Температура корпуса: 2Т931А ..................................+ 125 °C КТ931Л ................ . 4-85 °C Температура окружающей среды: 2Т931Л ........................................-60 °C. Т« = _ . 19R °C КТ931Л............................................ 40 °C . 7",,= = + 85 °C 1 При Г„>+40 С 8к,ряожс, Вт-(160 Гж)/0.8. Шероховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть нс ме- нее 2,5 Неллоскостность контактной поверхности теплоотвода должна быть ие более 0,04 мм. Тепловое сопротивление корпус — теплоотвод при ианесепнн теплоотводящей пасты типа КПТ 8 па поверхность теплоотвода транзистора не более 0,3 °С/Вт. 310
Пайка выводов допускается не ближе 1 мм от корпуса по методике, па приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзисторов, прн тем- пературе не выше +270°C в течение не более 3 с. Электрическая схема транзисторов Зависимости выходной мощности и коэффици ента полезного действия от входной мощности Зависимость выходной мощности и коэффициен- та полезного действия от входной мощности Зависимости выходной мощности н коэффициен та полезного действия от входной мощности Зависимости выходной мощности н коэффици- ента полезного действия от напряжения коллек- тор — эмиттер Зависимость критиче- ского тока от напряже- ния коллектор — эмиг тер Зависимость модуля статического коэффици ента передачи тока о г тока коллектора 311
t. пс Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллек- тор — база Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока кол- лектора Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения база — эмиттер Зависимость допустимого постоянно го тока коллектора от напряжения коллектор эмиттер 2Т935А, КТ935А Транзисторы кремниевые меза эпитаксиалыю-плапарные структуры п р п переключательные. Предназначены для применения в переключающих и им нульсных устройствах. Корпус металлокерамический с жесткими выводами. Масса транзистора не более 20 г. 219354, КТ935А Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: при Тк = +25<’С, 17кэ=4 В, /к=15 Л 20.30*. .100 312
Продолжение при 7’к=+125сС, UI!a=5 В, /к = 3 А для 2Т935Л. ие более ................... при Тж = -60сС, Uhs=4 В, /к=15 Л для 2Т935Л Модуль коэффициента передачи тока па высокой частоте при Пкз=Ю В, [=30 МГц, не менее......................... Граничное напряжение при /к=1 А, нс менее Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 1к~ 15 Л, /Е=3 А, не более . . .............. . . типовое значение ............................... Напряжение насыщения база— эмиттер при /к=15 Л, 1В=3 А, нс более................... . . . типовое значение ... ................. Время включения прн /к =10 Л, /с=2 А, не более Время выключения при /д=10 Л, /г,=2 А, нс более Емкость коллекторного перехода при 7/кб=10 В, не более Емкость эмиттерного перехода прн 1/сэ = 4 В, не более Обратный ток коллектор — эмиттер при Rca= 10 Ом, не более: Тк = Тк>.мии... 4-25 С, Екэ = 80 В . . . . . . T* = TK.XIIKC, Uкз — 60 В........................... Обратный ток эмиттера при иБв=4 В, пе_£олее Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при Rr>a = = 10 Ом, Т„^100Х .............................. Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при Rca = = 10 Ом, <и^50 мкс, /^^15 .мкс, Q^20 . ... Постоянное напряжение эмиттер — база................. Импульсное напряжение эмиттер — база прн /и<50 мкс, О>20.......................... . . Постоянный ток коллектора .... . . Импульсный ток коллектора2 при /„<1 мс, Q^2 Постоянный ток базы . . . Импульсный ток базы при tu^ 1 мс, Q>2 Постоянная рассеиваемая мощность коллектора3 прн Тк = ~ Гк,Лии... + 50 ‘С ... . • Температура р-п перехода . . ................. Температура корпуса: 2Т93Г А............................................. КТ935Л . ....................... Температура окружающей среды: 2Т935А . ' .................................... КТ935Л 150 10... 100 1,7 70 В 1 В 0,75* В 1,7 В 1,3* В 0,25* мкс 0,7* мкс 800 пФ 3500 пФ 30 мА 60 мА 300 мА 80 В 100 В 5 В 6 В 20 А 30 А 10 А 15 Л 60 Вг + 150 ГС + 125 °C + 100Х -60сС...Гк = = + 125 °C -15°С..7к = = +100 °C 1 При 7п=+ 100...150 °C I КЭН мпке снижается линейно до 40 В. ’ При включении алларзт;ры допускается выброс тока коллектора до 50 А в те- чение 1 мс, далее ток коллектора спадает до 20 А в течение 2 мс. ’ При Гк>50°С Ри.япкс, Вт-(ГП-Гк)/Лт(„_ж), где ЯГ(П_К) определяется из об- ласти максимальных режимов (например, при В, fI{~ 10 А 1 6 С/Вт) КТ936 (А, Б) Транзисторы кремниевые эпнтаксиалыю-планарпые структуры п р-п гене- раторные. Предназначены для применения в широкополосных линейных усили- телях мощности в герметизированной аппаратуре. Выпускаются в двух конст- рукшвных исполнениях с жесткими выводами: КТ936А — па круглом кристал- 313
лодержателе, К.Т936Б — на прямоугольном кристаллолержателе с диодом — Датчиком температуры Тип прибора указывается на сопроводительной таре. Масса КТ936А нс более 0,2 г, КТ936Б — ие более 0,6 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при С,к.>=3 В, /«=100 мА, ие мепее.......................6 Обратный ток коллектор — эмиттер при t/ив=60 В, Roi 0, не более: КТ936Л...........................................10 мА КТ936Б .... .......................30 мА Обратный ток эмиттера при (7эс 0, нс более: КТ936Л...............................................15 мА КТ936Б......................................... . 40 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор—-эмиттер прн R,c = 0 60 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при /в=0 . 35 В Постоянное напряжение коллектор — база . ... 60 В Постоянное напряжение эмиттер — база............3.5 В Прямой ток диода........................................0.1 Л Постоянный ток коллектора: КТ936А..............................................3.3 Л КТ936Б .................................10 А Средняя рассеиваемая мощность1 в динамическом режиме при ТК^+75°С: КТ936А . ................................. 28 Вт КТ936Б........................ ..................83,3 Вт Тепловое сопротивление переход — корпус: КТ936Л . . . . .... 4.5°С/Вт КТ936Б . . ......................1.5°С/Вт Температура р-п перехода . . . +200 °C Температура кристаллодержателя......................+100 °C Температура окружающей среды......................— 60°С/« = -= +100 °C Прн 7„> + 75'С PK,CPMW. Вт-(2<Ю-7.)/Дг(як>. 314
Зависимости допустимого постоянного тока коллектора от напряжения коллек- тор — эмигтер КТ940 (А, Б, В) Транзисторы кремниевые мезапла KTSbO (А -5 ) парные структуры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в вы- ходных каскадах видеоусилителей те- левизионных приемников цветного и чер- по-белого изображения. Корпус пласт '< массовый с жесткими выводами Масса транзистора не белее 0,7 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Сие=10 В, /и —30 мА, не менее . ...................25 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при Г/кэ = 10 В, /к= 15 А, не менее...................90 МГц Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /к=30 мА, /в=6 мА, пе более ... 1 В Fmkoctb коллекторного перехода при Uxr. 30 В, f=l МГц, не более..............................................5,5 пФ Обратный ток коллектора, не более- при Нил = 250 В для КТ910А .............50 нА при Ukb=160 В для КТ940Б . . . 50 нА при 17ие=Ю0 В для КТ940В . . . 50 нА Обратный ток эмиттера прн Саг.=.3 В. не более .... 50 нА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база при 7К = КТ940А ... . ................... 300 В КТ940Б.................................. . 250 В КТ940В .........................• . . . 160 В 315
Продолжение Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при R ^10 кОм. Т„ = — 45 . +45 °C КТ940Л ... ........................... 300 В КТ940Б............................................... 250 В КТ940В................................................160 В Постоянное напряжение база—эмиттер прн Тк — — 45. ,+4о°С 5 В Постоянный ток коллектора при 7„=-45... + 45°С 100 мА Импульсный ток коллектора прн /„=30 мкс, Q^slO, Тк= = —45...+45 °C ... ................ 300 мА Постоянный ток базы при Гк =—45. . + 45 °C.................50 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора. без теплоотвода1, 7= —45..+25°С ... 1,2 Вт с теплоотводом2, ——45...+45 °C; Пиэ=100 В . . 10 Вт Тепловое сопротивление переход — среда.................104°С/Вт Талловое сопротивление переход — корпус...................!0°С/Вт Температура р-п перехода . .'.................+150°C Температура окружающей среды................................—45 , + 85°С 1 При Т>+25СС Р/СЛОЯС. Вт= (150 — 7 )/104. ’ При Т‘К>+45°С и О’ио>100 В РИл1„„с определяется из рисунка. Зависимости максимально допустимой постоян- ной рассеиваемой мощности коллектора от тем- пературы корпуса КТ943 (А, Б, В, Г, Д) Транзисторы кремние- вые мезаплапариыс струк- туры п-р-п усилительные. Предназначены для приме- нения в усилителях и им- пульсных устройствах Кор- пус пластмассовый с жест- кими выводами. Масса транзистора не более 0,8 г Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн Пкз -2 В, /к 0,15 А; Т— 4-26 °C- КТ943.А.............................................. 40.200 КТ943В . . ...............................40 160 316
Продолжение КТ943В . ................ '10 120 КТ943Г.......................................... . 20 60 К Г ИЗД....................... . . 30. 100 7=+85 °C: КТ943А........................................ .... 40. .400 КТ943Б . . ...................... 40...320 КТ943В............................. . ... 40...250 КТ943Г ................................ 20 .200 КТ943Д ................................ 30. 300 Т= — 45 °C, нс менее: КТ943А, КТ943Б, КТ943В ...........................15 КТ943Г, КТ943Д . 5 Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при {/ко—Ю В, /к = 0,25 А, f= 10 МГц, нс менее .... 3 Граничное напряжение при /к=0,1 А, не менее: КТ943А . .... 45 В КТ943Б, КТ943Д .........................60 В КТ943В, КТ943Г.......................................80 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при /»- 1 А, /в=0,1 А, не более КТ943А, КТ943Б, КТ943В . ............0,6 В КТ943Г, КТ943Д......................................1.2 В Обратный ток коллектора прн Ukb—Uke .макс» не более: 45 4-25°С‘ КТ943А, КТ943Б, КТ943В...........................0.1 мА КТ943Г, КТ943Д...................................1 мА 7=+85 °C: КТ943А, КТ943Б, КТ943В . 0,3 мА КТ943Г, КТ943Д . . . 3 мА Обратный ток эмиттера при UEB — 5 В, не более КТ943А, КТ943Б. КТ943В ... 1 мА КТ943Г, КТ943Д . . . 5 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — база: КТ943А.................................................. 45 В • КТ943Б . . 60 В КТ943В, КТ943Г, КТ943Д........................ 100 В Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при ₽«а = -10 Ом или Rsa— 1 кОм: КТ943А....................................................45 В КТ943Б, КТ943Д.......................................60 В КТ943В, КТ943Г.............................. ... 80 В Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при Re3 — 10 Ом: КТ943А...................................... ... 50 В КТ943Б...............................................75 В КТ943Д...............................................80 В КТ943В. КТ943Г ... . . . . 100 В Постоянное напряжение эмиттер — база ... . 5 В Постоянный ток коллектора .................................2 А Импульсный ток коллектора при /а^1 мс, Q^50 ... 6 А Постоянный ток базы ... . . 0.3 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 при Тк — = —45 ..+25 °C ............................25 Вт Температура р-п перехода , . . . . . + 150 °C Температура окружающей среды .... ... 15 °C 7К = = + 85 °C 1 При Гк>+25<’С Pff яожс, Вт-0,2(150-Гж) Разрешается использование транзисто- ров в блоках кадровой развертки телевизоров при fu~10 мс, С^2, 317
Входные характеристики Зависимость статического коэффициен- та передачи гока от тока коллектора Зависимости статическо- го коэффициента пере= дачи тока от тока кол- лектора Зависимости напряже- ния насыщения коллек- тор— эмиттер от отно шения токов коллектора и базы Зависимость допустимо- го постоянного напря- жения коллектор эмиттер от сопрогивле ния база — эмиттер Зависимость эмиттерного от напряжения база эмиттер емкости перехода Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллск тор — база Зависимость обратного тока коллектора от тем пературы 318
2Т944А, КТ944А Транзисторы кремние- вые эпитаксиалыю-планар- вне структуры п-р-п опе- раторные. Предназначены для применения в широко- полосных усилителях мощ- ности на частотах 1,5.. 30 МГц при напряжении шнания 28 В Выпускают- ся в металлокерамическом корпусе с жесткими выво- дами н монтажным винтом. Тип прибора указывается па корпусе. Масса транзистора не более 40 г. КТЗЫА Электрические параметры Выходная мощность на частоте [=30 МГц при Uko~28 В, /'«<+45 °C, не менее . . . 100 Вт Коэффициент усиления по мощности на частоте /=30 МГц при С'кз = 28 В, Рвь,х = 70 Вт, не менее ...............10 типовое значение ... .............13* Коэффициент полезного действия коллектора на частоте /= -30 МГц при В'кэ = 28 В. Р„,4х= 100 Вт, не менее . 60% Коэффициент комбинационных составляющих 3-го и 5-го по- рядков на частоте [ = 30 1МГц при Б'кэ = 28 В Р^х(пч> = =70 Вт, не более . . ..........................30 дБ Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ прн Ь'к» = 5 В, /к=10 А: Т'=+25°С...........................................10.80 Т'=-60°С, 2Т944А . .... . . 8 80 7"=+125 °C, 2Т944А, не более .....................250 Модуль коэффициента передачи тока на частоте f 30 МГц при Uks 10 В, /к=2 А, не менее .........................3,5 типовое значение . 4,5* Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при 7К 10 А, /е=2 А, не более........................................2,5 В типовое зна генне...................................1.5* В Емкость коллекторного перехода при Ukb = 28 В, не более 350 нФ Емкость эмиттерного перехода ври Usb—0, не более . . 1500 гФ Обратный ток коллектор — эмнттер при 17ие = 100 В, Rca= ~ 10 Ом, ие более . . . .80 мА Обратный ток эмиттера при /7эв=5 В, не более . 150 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер1 при /?.с< <10 Ом: 7'»< + 100°C.........................................100 В 7'п= + 175°С . . 50 В Импульсное напряжение коллектор — эмиттер при /?•,«<• < 100 Ом . . 100 В Постоянное напряжение эмиттер — база . . ... 5 В Постоянный ток коллектора...............................12.5 А Импульсный ток коллектора при /,,^1 мс, Q^2,5 . . . 20 Л Постоянный ток базы ... 51 Импульсный ток базы при /и<1 мс, Q^2,5 . . 10 Л Степень рассогласования нагрузки при Р«Мх(по)—70 Вт в те- чение 1с..................................................30 1 319
Средняя рассеиваемая мощность8 в динамическом режиме при 7x^4 ЮО С............................ Постоянная рассеиваемая мощность при (/ка^25 В Тп^ 5g+90 °C ............. Тепловое сопротивление переход — корпус.. Температура р-п перехода ....... Температура корпуса: 2Т944А . ' . . КТ944А ................. Температура окружающей среды 2Т944А................................... КТ944А................................ Продолжение 70 Вт 55 Вт 1.67°С/Вт +175 °C +125 °C + 100 °C -60 °C. 7К = = +125 °C -45°С...7К = = +100° С 1 Прн 7^ —+ 100 .175 °C напряжение снижается линейно. ’ Прн 7* < + 100 °C РКмаяс Вт=(175-7к)/1.67 Зависимость выходной мощности от входной МОЩНОСТИ Зависимость коэффиии ента комбинационны\ составляющих от вы ходкой мощности Зависимость выходной мощности от напряже- ния коллектор — эмит- тер Зависимость статичсско го коэффициента пере- дачи тока от тока кол- лектора Зависимость напряже- ния насыщения коллек- тор— эмнттср от тока коллектора Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллек тор — база 320
2Т945 (А, Б, В), КТ945Б Транзисторы кремниевые эпитакснальпо-нлаиарпыс структуры п-р-п пере- ключательные Предназначены для применения в переключают.! х и импульсных устройствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Масса транзистора не более 20 г. Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Укэ- 7 В: Тк +25 °C: /к 15 А 2Т945А, 2Т945Б, КТ945Б . . . /,<-=10 А 2Т945В Тк = 7 к.макс* /к=15 А, 2Т945А, 2Т945Б, КТ945Б . . . /к =10 А 2Т945В............................ Тк = '1 К.MUH /к= 15 А 2Т945А, 2Т945Б.................... /«=15 А КТ945Б, не менее , . . . /к =10 А 2Т915В ^Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при икэ 10 В. /к=1 A, f=30 МГц не менее ... Граничное напряжение при /« = 0,1 А, /к.Мас = 0,3 А, /, = 40 мГн, не мепее; 2Т945А.................................. . . 2Т945Б, 2Т945В . . Напряжение насыщения коллектор — эми!тср при /к = 15 А, /в=3 А для 2Г945А 2Т945Б КТ945Б и 1к = 10 А, /б 2 \ для 2Т915В, не более Напряжение насыщения база—эмиттер при 1к — = 15 А, /с=3 А для 2Т915А, 2Т915Б КТ945Б и /к=10 А /с 2 А для 2Т945В, не более Время нарастания при Uk — 100 В, /к=Ю А, //(,э = 4 В, /с 2 А не более .... типовое значение ................................ Время рассасывания прн 6'к=100 В, /к = 10 А, Т-бэ = —4 В, /с=2 А, не более типовое значение ... .............. Время спада прн Ск = 100 В, /к=10 А, С7ЕЬ=-4 В, /в 2 А, не более . . . . . . типовое значение ............................ 10 60 10 60 5. 180 5... 180 5.80 8 5.80 1.7 200 В 150 В 2.5 В 3 В 0,08* мкс 0,052* мкс 1,1* мкс 0.75* мкс 0,24* мкс 0,14* мкс 21 Заказ № 1004 321
П родолжсние Емкость коллекторного перехода при С'ле —30 В . 120* „150*...200 пФ Обратный ток коллектор—эмиттер при Ui:an= Окэн.маке, /?<»= 10 Ом, ие более /« = 7K1.MU11... + 25°C . . 25 «А ТК = ТХМВКС 2Т945.А, 2Т945Б, 2Т945В . . . 50 мА КТ945Б .... 8С мА Обратный ток эмиттера прн С'сэ —3 В. i:e более 300 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное и импульсное напряжение коллектор — эмнтгер нри /?б»=10 Ом: 2Т945А............................................ 200 В 2Т945Б, 2Т945В, КГ9-15Б........................150 В Постоянное напряжение база — эмиттер . . . 5 В Постоянный ток кол гектора- 2Т945А, 2Т945Б, КТ945Б..........................15 А 2Т945В 10 А Импульсный ток коллек ора- 2Т945.А, 2Т945Б, К1945Б..........................25 А 2Г945В..........................................20 А Посюянный ток базы.............................. 7 А Импульсный ток базы...............................12 А Постоянная рассеиваемая модность коллектора 1 при 7, = -60...+ 50°C . . ... . 50 Вт Температура р-п перехода- 2Т945А, 2Т945Б, 2Т945В..........................+175 °C КТ945Б . . ....................+150 °C Температура корпуса. 2Т945А, 2Т945Б, 2Т915В..........................+125 °C КТ945Б .....................................+Ю0гС Температура окружающей среды: 2ГО >А, 2Т945Б, 2Т945В ..............-60 °C . + 125 ГС КТ945Б................................. . . — 45сС...7к = + 100сС При Г„> + 50'С РКяпс. BT-(rn-rx)/RT(n_K) Прн конструировании аппаратуры следует учитывать возможность само- возбуждения транзистора за счет паразитных связей. Пайка выводов транзисторов допускается ие ближе 5 мм от корпуса па- яльником. нагретым до температуры не более +250°C, в течение не более 3 с. Зона возможных положении зависимости стати- ческого коэффициента передачи тока от тока коллектора 322
Зона возможных поло- жений зависимости ста- тического коэффициент передачи тока от тока коллектора Зависимость напряжения насыщения коллектор — эм m тер от коэффициен- та насыщения Зависимости допустимо- го постоянного напря- жения коллектор — эмнтгер от сопротивле- ния база — эмиттер Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллек- тор — база Зависимость времени нарастания от тока кол лектора Зависимость времени рассасывания от тока коллектора Зависимость времени спада от тока коллек- тора Зависимость импульсного теплового сопротивле- ния переход — корпус от длитсльнос-i и им- пульса 21 323
Области максимальных режимов Области максимальных режимов Области максимальных режимов Облай и максимальных режимов 324
Область максимальных рс жимов 2Т947А, КТ947Л Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры п-р-п гене- раторные Предназначены для применения в усилителях мощности, умножите- лях частоты и автогенераторах на частотах 0,1.. 1,5 МГц при напояжении пи- тания 27 В. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе. A'lacca транзистора не более 35 г. Электрические параметры Выходная мощность на частоте /=1,5 МГц при 1/ке = 27 В, не менее ... . 250 Вт Коэффициент усиления по мощности на частоте /=1,5 МГц при Р,»,х=250 Вт. Г7ко=27 В, не менее.................... 10 типовое значение ................................... 70* 325
П родолжение Коэффициент полезного действия коллектора на частоте /= — 15 МГн при Р,ыд=250 Вт, 1/иэ = 27 В не менее . 55% типовое значение . . . . 60*% Стати теский коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при йЛЭ = 5 В. /к = 20 Л: 7'»=+25 °C .......................................10 80 7к= + 125сС 2Т947А.................................5 160 'Л. = -60 °C 2Т947А................................5...80 Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при В'кэДю В, /и = 4 А, / = 30 МГц, не менее .... 2,5 типовое значение...................................3.3* Емкость коллекторного перехода при Ukb—'21 В, нс более 850* пФ типовое значение ..................................680" пФ Обратный ток коллектор — эмиттер при t/K9=100 В, R^= = 10 Ом, не более Г=+25°С ....................................100 мА 7 =+ 125 °C 2Т947\ ..........................160 мА Обратный тек эмиттера при {7ЭВ = 5 В, не более . . , 15(. мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при R^^ СЮ Ом- Г» «S+100 °C.......................................ЮС В 7'„=+200°С ..................... . 70 В Постояное напряжение эмиттер — базт.................... 5 В Постоянный ток коллектора . ...................20 А Импульсный ток коллектора: при /=100 кГц, 0^2.................................50 А при /„С 300 мкс, Q^6........................... . . 40 А Постоянная рассеиваемая мощность’ при 7„^50 °C . . 200 Вт Тепловое сопротивление переход — корпус..................0,75°С/Вт Температура р-п перехода...............................+ 20Г°С Температура корпуса- 2Т947А . . . . . . . +125 °C КТ947А ................. ..................+ 100 °C Температура окружающей среды: 2Г947Л......................................... . . -6С°С 7,= = 4 125 °C КТ947А......................................... .... -60°С..7'х= -+ 100 °C 1 В диапазоне температур 7‘п—-Н00...200 еС напряжение снижается линейно. 3 При Гк>+50сС Вт-(2СЮ-Гк)/0.75. Допускается осевое усилие на винт не более 1200 H Панка выводов допускается не ближе 2 мм от корпуса транзистора При панке выводов температура корпуса не должна превышать +125 “С. При отсутствии контроля температуры корпуса пайка производится паяльником, нагретым до +250‘С в течение не более 2...3 с. 326
Зависимость статическо- го коэффициента пере- дачи тока от темпера- туры корпуса Зависимость статическо- го коэффициента пере- дачи тока от тока кол- лектора Зависимости напряже- ния насыщения коллек- тор— эмиттер от тока коллектора Зависимость модуля ко- эффициента передачи тока от тока коллектора Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллек- тор — база Зависимость максималь- но допустимого постоян- ного тока коллектора от напряжения коллек- тор — эмиттер 2Т950 (А, Б) Транзисторы кремниевые эпитаксиально планарные структуры п-р-п усили- тельные линейные. Транзистор 2Т950А предназначен для применения в широко- полосных усилителях мощности в диапазоне частот 30.80 МГц при напряжении питания 28 В, 2Т850Б — в диапазоне частот 1,5 30 МГц прн напряжении пита- ния 28 В в герметизированной аппаратуре. Транзистор 2Т950А выпускается в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами и монтажным винтом 2Т950Б используется без фланца корпуса. Тип прибора указывается на корпусе Масса транзистора 2Т950А не более 6 г, 2Т950Б без фланца не более 2 г.
ZT35D (А. б) Элек|ричсские параметры Й> /2,7 Выходная мощность при £Л, = 28 В, не менее. 2Г950А иа частоте 80 МГц 2Т950Б на частоте 30 МГц ................... Коэффициент усиления по мощности при (7„ = 28 В: 2Т950А при Р«Ых=70 Вт на частоie 80 МГц 2Т950В при Р«ых=50 Вт на частоте 30 МГЦ Коэффициент полезного действия коллектора при (7„-28 В: 2Т950А при Р«ы.х=70 Вт на частоте 80 МГн 2Т950Б при Р,Мл<по)=50 Вт на частоте 30 МГц, не менее ...................... Коэффициент комбинационных составляющих З-i о н 5 го порядков при Цп=28 В, P«„x(nO)=50 Вт: 2Т950А на частоте 80 МГц . . . . типовое значение 2Т950Б на частоте 30 МГц, не более Статический коэффициент передачи юка: при Цкв=10 В, /к=5 А: 2Т950.А . . . 2Т950В .............. . . . . при Идя =10 В, 7К~3 А, Гк = — 60 еС, не менее Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при С'кэ=Ю В, /к=2 А, /=30 МГц: 2Т950А....................................... 2Т950Б....................................... Емкость коллекторного перехода при (7кьо=28 В: 2Т950А.......................................... 2Т950Б Емкость эмиттерного перехода при Б'оьо=0, не более ............................... . . . . Сопротивление насыщения коллектор — эмиттер при /к=10 А, /ь=2 А.................................. Входное полное сопротивление на большом сигнале. 2Т950А при PeUx=70 Вт на частоте 80 .МГц 2Т950Б при Рв»«(по1=50 Вт на частоте 30 МГц Последовательное активное сопротивление эмиттера Обратный ток коллектор — эмиттер: при С,кэ=60 в, R,f>-10 Ом, не более прн Г= —60 и +125 °C, не более . . . . 70 Вт 50 Вг 7...8.5*...11* 10. .17* .25* 65%..77%*...80%* 40% -27 дБ -30 дБ -30 дБ 15.50*... 100* 10..40*. 100* 7 5...7,5*...12* 3.7,5*.. 12* 130*...150*. .165 пФ 130*...150*...220 нФ 1100* пФ 0,15 Ом 0,6+/1* Ом 2,4+/1,3* Ом 0,15* Ом 30 мА 50 мА 328
11 роОолжепие Обратный ток эниттера прн 1/эдо = 4 В, не более . 100 мА Индуктивность эмиттера: при 1=2 мм . . . ... . 1,6* нГи при 1=5 мм.................................2,1* нГц Индуктивность базы: при 1=2 мм.................................1,3* нГн при 1=5 мм ....................2,3* нГн Индуктивность коллектора: при 1=2 мм . . 3,2* нГц при 1=5 мм . .............. 4* нГи Конструктивная емкость коллектор—корпус . . 2,2* пФ Индуктивная емкость база — корпус . . . 1.15* нФ Предельные эксплуатационные данные Импульсное напряжение коллектор — эмиттер прн •анираюшем напряжении Ugc= —1,5 В в схеме вы- сокочастотного усилителя: 2Т950А в диапазоне частот 30 80 МГн . . 60 В 2Т950Б в диапазоне частот 1,5..30 МГц . 65 В Постоянное напряжение эмиттер — база . . . 4 В Постоянный ток коллектора: 2Т950А .................10 \ 21950В .... ... 7 А Высокочастотная мощность, падай тая на вход: 2Г950А . 10 Вт 2Т950Б ... . 5 Вт КСВН коллекторной цепи при любой фа те коэффи- циента отражения в течение не более 1 с: 2Т950А при Р»мх==70 Вт в диапазоне частот 30...80 МГц . . . .................30 2Т950Б прн Р«ых(по)=50 Вт в диапазоне частот 1,5...30 МГц....................................30 Средняя рассеиваемая мощность ючлектора в дина- мическом режиме прн (7„ = 28 В 7\ =+30*С: 2Т950А.........................................84 Вт 2Т950Б.........................................60 Вт Тк- +125 °C: 21950А . . . . . 36 Вт 2Т950Б .... 25 Вт Тепловое сопротивлений переход — корите: 2Т950А.......................................1,25 °C/Вт 2Т950Б ................. 1,75 СС Вг Температура р-п перехода........................+200 °C Температура окружающей среды . ... —60°C 7*=+ 125°C Допускается работа транзистора 2Т950А на частотах выше 80 МГц и в диа- пазоне частот 1,5.. 30 МГц. При этом параметры Кур 1]к Из н Л!3 не регламентируются. При работе на частотах ниже 30 МГц значения Р,ы* и Pk,cj> макс снижаются па 40%. Допускается работа транзистора 2Т950Б на частотах выше 30 МГц. При этом параметры РЪЬ1Х, Кц.р, •!», Л13, W. ие регламентируются При креплении транзистора 2Т950А крутящий момент на монтажный винт не должен превышать 1,8 Н м. Панка выводов транзисторов допускается ие ближе 1 мм от корпуса па- яльником с температурой не выше +260 °C в течение времени не более 8 с. Конструкция корпуса транзистора 2Т950Б обеспечивает отпайку фланца от корпуса и ие менее чем трехкратную перепайку транзистора на монтажную 329
поверхность гибридной микросхемы при температуре не более +200 °C в тече- ние не более 8 с Для отпайки фланца от корпуса необходимо провести локаль- ный подогрев винта фланца. Зависимости выходной мощности от входной мощности Зависимости выходной мощности от входной мощност и Зависимости коэффици- ента комбинационной составляющей 3-го по- рядка от выходной мощ- ности Зависимость коэффици- ента усиления по мощ- ности от частоты Зависимость статическо- го коэффициента пере- дачи тока от тока кол- лектора Зависимость модуля ко эффициента передачи тока на высокой часто- те от тока коллектора 2Т951 (А, Б, В) Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п усили- тельные линейные. Транзисторы 2I95IA, 2Т951В предназначены для примене- ния в широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 30.80 МГц нри напряжении питания 28 В, транзистор 2Т951Б — в диапазоне частот 1.5...30 МГц при напряжении питания 28 В в герметизированной аппаратуре. Транзисторы 2Т951А и 2T95IB выпускаются в металлокерами icckom кор- пусе с гибкими полосковыми выводами и монтажным винтом. Транзистор 21951В используется без фланца корпуса. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзисторов 21951А н 2T95IB не более 3,5 г, 2Т951Б без фланца ие более 2 г. 330
11954» В) Электрические параметры Выходная мощность при (/„ = 28 В, ие менее: 2Т951А на частоте 80 МГц............... 2T95ID на частоте 30 МГц............... 2Т951В на частоте 80 МГц............... Коэффициент усиления по мощности при (/„ = 28 В: 2T95IA при Ряы1=25 Вт на частоте 80 МГц 2T95ID при Рвы.г(пб1=20 Вт на частоте 30 МГц 2T95IB при Рвь,х=3 Вт на частоте 80 МГц Коэффициент полезного действия коллектора прн (/„ = 28 В: 2T95IA прн Р«ых=25 Вт тта частоте 80 МГц 2Т951Б при Р8ых<„о)=20 Вт на частоте 30 МГц, не менее .... 2Т951В при Реых^З Вт па частоте 80 МГц Коэффициент комбинационных составляющих 3-го и 5 го порядков прн (/„=28 В, не более 2T95IA прн Рвь1х(„о)=15 Вт на частоте 80 МГц типовое значение ... 2Т951Б прн Р»ых(по>—20 Вт на частоте 30 МГц типовое значение 2Т931В при Р«ых(п„)=2 Вт на частоте 80 МГц типовое значение .... . Статический коэффициент передачи юка при (/кв= = 10 В: 7„=+25 и +125°C: 2Т951А прн /к = 2 А....................... 2Т951Б при /к = 2 А....................... 2T95IB при /к=0,4 А 7К = -60 °C, (7ив=Ю В, /к=0,2 А. не меиее Модуль коэффициента передачи тока на вы окон ча- стоте при 1/кэ=10 В, / = 30 МГц: 2Т951А при /к=1 А........................... 2Т951Б при /к-=1 А....................... 2Т951В при /к = 0,2 А.................... Емкость кол чекторного перехода при (/кво=28 В: 2T95IA, 2Т951Б ... . . . . 2Т951В ................................... Емкость эмнттерного перехода при (/эво=0: 2Т951А, 2Т951Б ........................... 2Т951В..................... Входное полное сопротивление на больш м сигнале 2T95IA нри Реь1х=70 Вт па частоте 80 МГц 25 Вт 20 Вт 3 Вт 8.3...20* ..25* I0...20*..25* I5...30* 40* 60...70*...80%* 404 50. .58*. ..00 %* -30 дБ -36* дБ -30 _Б -33* :Б -27 дБ -33* дБ 15...50*... 100* 10...40*... 100* 30... 100* ...200* 6 5.. 10*.. И* 3. 10* 14* 5. 14* :я* 60*...68*...7О пФ 9*. 9,5* 12 пФ 600* пФ 80* пФ 0,8+j2,2* Ом 331
Продолжение 2Т951Б при РВыМпо)=20 Вт на частоте 30 МГц 3.5+/5* Ом 2Т951В при Реых=3 Вт на частоте 80 МГц 2-/2* Ом Последовательное активное сопротивление эмиттера: 2Т951Л, 2Т951Б ....................0,2* Ом Обратный ток коллектор — эмиттер при 1Лкэо=60 В, К,6— 10 Ом, не более: 2Т951Л 2Т951Б- прн / = +25°C . .... 20 .мА 14'11 7 =-63 н +125°C.....................40 мА 2Т951В: три 7 = +25 °C 5 мА при 7--60 и +12о°С...........................10 мА Обратный ток эмиттера при U3eo=4 В, не более: 21951 Л, 2Т951Б 40 мА 2Г951В 10 мА Индуктивность эмиттера: 2Т951А. 2Т951Б: при 1 = 2 мм..............................2,8* нГн при I—5 мм................................3,8* нГн 2T95IB: при 1 — 2 мм..............................4.2‘ нГн при 1 = 5 мм ... . .... 5,2* нГц Индуктивность базы: 2Т951Л, 2Т951Б: прн 1 = 2 мм..............................2,1* иГп прн М мм..............................3,2* иГп 2Т951В при I 2 мм..............................3.5* нГц при /=5 мм 4,5* нГн Индуктивность коллектора 2Т951А, 2Т951Б, 2Т951В: при / 2 мм ..... 1,3* пГп при 1=5 мм.................................3,2* и Гн Конструктивная емкость коллектор — корпус . . I* пФ Конструктивная емкость база — корпус .... 0.8* пФ Предельные эксплуатационные данные Импульсное напряжение коллектор — эмиттер прн запирающем напряжении С/ЭБ= —1,5 В в схеме вы сокочастотпого усилителя. 2Т951А, 2Т951В в диапазоне частот 30. .80 МГц 60 В 2Т951Б в диапазоне частот 1,5.. 30 МГц . . 65 В Постоянное напряжение эмиттер — база ... 4 В Постоянный ток коллектора: 2 Г951Л....................................5 Л 2Т951Б.....................................ЗА 2Т951В ... ... ... 0.5 А Высокочастотная мощность, падающая на вход' 2T95IA . . 3 Вт 21951Б ...............................2 Вт 2T95IB , . . 0.2 Вт КСВН коллекторной тип при любой фазе коэффи- циента отражения в течение нс более I с' 2Т951Л при 25 Вт в диапазоне частот 30.80 МГц..................................30 2Т951Б прн /%ых=20 Вт в диапазоне частот 1,5 .30 МГц................................30 2Т951В при Реых 3 Вт в диапазоне частот 30. 80 МГц.................................30 332
П родолжение Средняя рассеиваемая мощность коллектора в дина- мическом режиме при (7„=28 В: Л. < + 30 °C: 2Т951Л ................................. 2Т951Б .... . 2Т951В ... ................ Тк = +125 °C: 2Т951Л ............................. 2Г951Б................................... 2Т951В........................... . . . Тепловое сопротивление переход — корпус: 2Т951Л . . ... . . , 2T951D..................................... 2T95IB .................................... Температура р-п перехода....................... Температура окружающей среды................... 45 Вт 30 Вт 6.3 Вт 8 Вт 12 Вт 2.8 Вт 2,83 'С/Вт 4,25°С/Вт 12,1 °C,'Вт + 200 °C -60°C ТК= + 125°С Допускается работа транзисторов 2T95IA и 2Т951В на частотах вмшс 80 МГц и в диапазоне частот 1,5.30 МГн При этом параметры Р„ых, Кц.г, »]к, Л13 и Л15 не регламентируются. Прн работе на частотах ниже 30 МГц значения Р',»' и Рк ,ср,макс снижаются на 40% Допускается работа транзистора 2Т951Б на частотах выше 30 МГц. При этом параметры Р„Ых, Ке.р, Л/3 н Л15 не регламентируются. Крутящий момент па монтажный ввит прн креплении транзисторов 2Т951А, 2Т951В 1,2 Нм. Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 1 мм от корпуса паяльником с температурой не выше +260°C в течение не ботее 8 с. Конструкция корпуса транзистора 2Т951Б обеспечивает отпайку фланца ог корпуса и не менее чем трехкратную перепайку транзистора на монтажную поверхность гибридной интегральной микросхемы при температуре не более +260 °C в течение не более 8 с. Для отпайки фланца от корпуса необходимо провести локальный подогрев винта фланца Зависимость статнческо- Зависимоегъ статическо- Зависимость коэффпцн го коэффициента пере- го коэффициента перс- ента комбинационной дачи сока от тока эмнт- дачи тока от тока эмит сос|авляющен 3-го по тера тсра рядка от выходной мощ- ности 333
Зависимость коэффици Зависимость коэффици- Зависимость выходной ента комбинационной ента комбинационной мощности от входной составляющей 3 го по- составляющей 3-го по- мощности рядка от выходной мош- ряцка от выходной ности мощности Зависимость выходной мощности от входной мощности Зависимость выходной мощности от входной мощности Зависимость- модуля коэффициента передачи тока на высокой частоте от тока коллектора Зависимость модуля коэффициента передачи тока на высокой частоте от тока коллектора 334
2Т955Л, КТ955А Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р п гене- раторные Предназначены для применения в линейных широкополосных усили- телях мощности на частотах 1,5...30 МГц при напряжении питания 28 В Выпу- скаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами Тип прибо- ра указывается па корпусе. Масса транзистора пе более 6 г. Электрические параметры Выходная мощность на частоте f=30 МГц при 1/ка=28 В, не менее . . .........................20 Вт Коэфф щнент усиления по мощности на частоте /=30 МГц при Рвых(м)=10 Вт (двухтоновый сигнал), Uks=28 В, С'эь — 0,66 В, не менее..............................20 Коэффициент полезного действия коллектора иа частоте f= =30 МГц при Р«ых(по) = 10 Вт (двухтоиовый сигнал), Uita = =28 В, Г'эб=0,66 В, не менее.........................25% Коэффициент комбинационных составляющих 3-го и 5 го по- рядков на частоте /=30 МГц при Рвыл(по)=Ю Вт (двухтопо- вый сигнал), Г'кэ=28 В, Г'ЭБ=0,66 В, пе более .... —33 дБ типовое значение..................................—38* дБ Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при Б'к9=5 В, /к = 1 А: прн Г= -25 СС.....................................10.. 80 типовое значение ................................. 35* при 7"=—60сС 2Т955Л...............................5..80 при 7'= + 125сС 2Т955А.......................... . 10.. 250 Модуль коэффициента передачи тока на частоте /=30 МГц прн Б'я3=5 в, [к 1 д, це менее ....... 3,3 типовое значение................ .................10* Емкость коллекторного перехода при 28 В, /=1 МГц, пе более . . ... , . 75 Ф типовое значение ...............