Схема электрическая принципиальная ТЛ-4М
/0Ortb\ /СОмкй
//елеклыамыь
цель транзистора “
положение /- Л'
положение ё~3б
/7ереклкнателЬ
*/пил транзистора "
положение /- ррр
положение 2,-ррр .
/?ереклюуател&
„ редел? "
лоло^енае /~3-.U-.fi
положение ~
//eneAzo/ovanfenb
„ роЗ тока ”
лалоЖенс/е /~. —*
лалаз/сенае fi~ .«>* •
radio-elektronika.narod.ru
Приложение
ПЕРЕЧЕНЬ
элементов к схеме принципиальной электрической
прибора ТЛ-4М
Обозна- чение позиции	Наименование и тип	Основные данные номинала	1 Коли- чество	Приме- чание
1	2	3	4	5
R1	Резистор МЛТ-0,5-10 кОм+5%	10 кОм+10%	1	
R2	—„— СПО-0,5-100 кОм±			
	+20%-ВС-2-20	100 кОм±20%	1	
R3	Резистор МЛТ-0,5-40,2 Ом±2%	40,2 Ом+2%	1	
R4	Резистор МЛТ-0,5-1,5 кОм+10%	2,95 кОм+1%	2	Последо- вательно
R5	—МЛТ-0,5-1 кОм+5% Резистор проволочный	1 кОм+5%	1	
R6		См. примечание	1	
R7	—„— СПО-0,5-4,7 кОм±			
	±20%-ВС-2-20	4,7 кОм+20%	1	
R8	—МЛТ-0,5-100 кОм+5%	197 кОм+1%	2	Последо- вательно
R9	—МЛТ-0,5-9,1 кОм+5% Резистор МЛТ-0,5-2,4 кОм+5%	18,2 кОм+1%	2	Послед о-
		4,8 кОм±1%	2	вательно
R10				
R11	—МЛТ-0,5-470 Ом±Ю% у —МЛТ-0,5-510 Ом+5% >	964 Ом±1%	1	
	МЛТ-0,5-560 Ом±5%	1,08 кОм+1%		
R12	—МЛТ-0,5-510 Ом+5% }			
	—МЛТ-0,5-43 Ом+5% \ МЛТ-0,5-39 Ом±5%	f	82 Ом±1%		>>
R13			1	>>
	МЛТ-0,5-51 Ом±5% v —МЛТ-0,5-56 Ом+Ю% /	108 Ом±1%		
R14			1	
R15	Резистор проволочный	6,9 Ом±0,4%	1	
R16	——	12 Ом±0,4%	1	
R17		0,3 Ом±0,2%	1	
R18	——	2,7 Ом±0,4%	1	
R19			27 Ом±0,4%	1	
R20	—.	270 Ом±0,4%	1	
R21	Резистор МЛТ-0,5-39 Ом±5% > —МЛТ-0,5-560 Ом±5% >	600 Ом±0,4%	1 1	Последо- вательно
R22	МЛТ-0,5-1 кОм±5% > —МЛ Т-0,5-1,1 кОм±5% >	2,1 кОм±0,5%	1 1	и. г г
R23	Резистор МЛТ-0,5-1,1 кОм+5%>	5 кОм+1%	1	Последо-
	—МЛТ-0,5-3,9 кОм±5% >		1	вательно
R24	—МЛТ-0,5-1,2 кОм±5% г —МЛТ-0,5-470 Ом±Ю% >	1,66 кОм+1%	1 1	
R25	—МЛТ-0,5-2,4 МОм+5% х —МЛТ-0,5-4,7 МОм+5% >	7,1 МОм+1%	1 1	
R26	—МЛТ-0,5-1 МОм±5%	2 МОм+1%	2	
R27 R28	Резистор МЛТ-0,5-270 кОм±5% > —МЛТ-0,5-430 кОм±5% > —МЛТ-0,5-100 кОм+5%	700 кОм±1% 200 кОм±1%	1 1 2	i i i
R29	—МЛТ-0,5-27 кОм±5% > —МЛТ-0,5-43 кОм+5% >	70 кОм±1%	1 1	
R30	—МЛТ-0,5-10 кОм±5%	20 кОм±1%	2	
R31	—МЛТ-0,5-3,9 кОм±5% у —МЛТ-0,5-5,1 кОм±5% >	9 кОм±1%	1 1	
R32	—МЛТ-0,5-1,5 МОм + 10%	3,055 МОм+1%	2	
R33	—МЛТ-0,5-430 кОм±5%	860 кОм±1%	2	>>
R34	—МЛТ-0,5-150 кОм±5%	306 кОм±1%	2	>>
R35	—МЛТ-0,5-51 кОм±5% 1 —МЛТ-0,5-36 кОм+5% >	87,5 кОм±1%	1 1		tt	
R36	—МЛТ-0,5-27 кОм±5% у —МЛТ-0,5-3,6 кОм±5% >	30,67 кОм±1%	1	
R37	МЛТ-0,5-3,6 кОм±5% х —МЛТ-0,5-5,1 кОм±5% >	8,78 кОм±1%	1		П	
R38	—МЛТ-0,5-1,2 кОм±5%	2,4 кОм±1%	2		fi	
R39	—,,— СПО-0,5-330 Ом~+~			
	±20%-ВС-2-12,5	330 Ом±20%	1	}t~“
Д1	Диод полупроводниковый ДЭВ		1	
Д2	Д9В		1	
ДЗ	—Д226Б		1	
Д4	—Д226Б		1	
Е1	Сухой элемент 332		1	
Е2	Сухой элемент 332		1	
ЦА	Микроамперметр	100 мкА	1	
ПРИМЕЧАНИЯ:	radio-elektronika.narod.ru				
1. Резистор R6 подбирается таким образом, чтобы суммарное сопротив-
ление резистора R6 и микроамперметра цА было 1000 Ом±0,5%.
2. Взамен указанных элементов допускается применять другие типы эле-
ментов, не ухудшающие работоспособности прибора.
3. Содержание драгметаллов: золото 0,002 г серебро 0,962 г