/
Tags: организация и развитие библиотечного дела задачи библиотек
ISBN: 985-01-0101-6
Text
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ
KUK Я2.ЯП2.3я2
Г 10
УДК 021.382.3(035.6)
6210382030—026
Г---------------35—94
М 301 (03)—95
ISBN 985-01-0101-6
© В. И. Галкин, А. Л. Булычев,
П. М. Лямин, 1995
1. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
1.1. Система обозначений биполярных
транзисторов
Биполярные транзисторы, разработанные до 1964 г.,
классифицировались по мощности (малой — Р^0,25 Вт и боль-
шой — Р > 0,25 Вт) и по частоте (низкой — f 5 МГц и вы-
сокой— /3>5 МГц). Условные обозначения плоскостных тран-
зисторов по ГОСТ 5461—59 состоят из двух или трех элементов.
Первый — буквы П или МП. Буква М обозначает, что гер-
метизация корпуса транзистора осуществлена методом холод-
ной сварки, меньше влияющей на структуру и свойства полу-
проводниковых переходов транзистора. По параметрам эти
транзисторы соответствуют таким же транзисторам без буквы
М в обозначении.
Второй элемент—число, указывающее на область приме-
нения и исходный полупроводниковый материал:
маломощные низкоча-
стотные:
германиевые 1...100
кремниевые 101...200
мощные низкочастотные:
германиевые 201...300
кремниевые 301...400
маломощные высокоча-
стотные:
германиевые
кремниевые
мощные высокочастот-
ные: германиевые
кремниевые
401...500
501...600
601...700
701...800
Третий элемент—буква, обозначающая разновидность
прибора или модернизацию^
В 1964 г. ГОСТ 10862—64 была установлена новая система
обозначений полупроводниковых приборов. В нее в 1972 г. вне-
сены уточнения. В соответствии с этими стандартами система
обозначений биполярных транзисторов включает шесть эле-
ментов.
Первый — буквы Г, К, А или цифры 1, 2, 3, обозначающие
исходный материал — соответственно германий, кремний или
соединения галлия (цифры используются для маркировки при-
боров, предназначенных для применения в аппаратуре спе-
циального назначения).
Второй элемент обозначения — буква Т.
Рис. 1.1 Условные графические обозначения биполярных транзи-
сторов:
а — транзистор типа р-п-р; б — транзистор типа п-р-п; в — лавин-
ный транзистор типа п-р-п; г — однопереходный транзистор п-базы;
д — однопереходный транзистор с p-базой; е — транзистор типа
р-п-р с двумя базовыми выводами; э/с транзистор типа p~n~i~р\
и — транзистор типа p-n-i-p с выводами от /-области.
Третий — цифра, указывающая на основное назначение и
качественные свойства транзистора (см. табл.).
Верхняя граничная частота Максимально допустимая мощность
до 0,3 Вт (малой мощности) от 0,3 до 1,5 Вт (средней мощности) Свыше 1,5 Вт (большой мощности)
До 3 МГц (низкой частоты) 1 4 7
От 3 до 30 МГц (средней частоты) 2 5 8
Свыше 30 МГц (высокой частоты) 3 6 9
Четвертый и пятый элементы — двухзначное число, опреде-
ляющее порядковый номер разработки технологического типа
транзистора.
Шестой элемент, обозначаемый буквами от А до Я (за иск-
лючением букв 3, О, Ч, сходных по начертанию с цифрами),
отражает деление в технологическом типе на параметрические
группы.
Условные графические обозначения биполярных транзисто-
ров приведены на рис. 1.1.
Система обозначений современных транзисторов установле-
на отраслевым стандартом ОСТ 11 336.038—77 и состоит из
семи элементов.
Первый и второй — такие же, как у транзисторов, приве-
денных в ГОСТ 10862—72.
Третий —- цифра, определяющая основное назначение и ка-
чественные свойства транзистора (см. таблицу).
Верхняя граничная частота Максимально допустимая мощность
До 1 Вт Свыше 1 Вт
До 30 МГц 1 7
От 30 до 300 МГц 2 8
Свыше 300 МГц 4 9
Четвертый, пятый и шестой элементы — трехзначное число
от 101 до 999, обозначающее порядковый номер разработки.
Седьмой элемент — параметрическая группа в технологи-
ческом типе транзистора — обозначается буквами от А до Я
(за исключением букв 3, О, Ч).
Обозначение транзистора наносится на его корпус или дает-
ся в сопроводительной документации. Если обозначение тран-
зистора нанесено на его корпус сокращенно в виде условных
символов, цветных точек или дано в сопроводительной докумен-
тации, то в справочном материале на транзистор это указы-
вается особо.
1.2. Электрические параметры
биполярных транзисторов
Электрические параметры биполярных, однопере-
ходных и двухэмиттерных транзисторов, используемые в на-
стоящем справочнике, приведены в табл. 1.1 —1.2.
1.1. Биполярные транзисторы
Термины Буквенные обозначения Определения
Обратный ток кол- лектора Дбо Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряже- нии коллектор — база и разомкну- том выводе эмиттера
Обратный ток эмит- тера /эБО Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер—база и разомкнутом вы- воде коллектора
Обратный ток кол- лектор — эмиттер /кэ Ток в цепи коллектор — эмиттер при заданном обратном напряже- нии коллектор — эмиттер
Обратный ток базы ^БЭХ Ток в цепи базового вывода при заданном обратном напряжении коллектор — эмиттер и заданном обратном напряжеиии эмиттер —
база
Термины Буквенные обозначения Определения
Напряжение насыще- ния коллектор — эмиттер ^КЭ.нас Напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
Напряжение насыще- ния база — эмиттер ^БЭ.нас Напряжение между выводами ба- зы и эмиттера в режиме насыще- ния при заданных токах базы и коллектора
Входное сопротивле- ние биполярного транзистора в режи- ме малого сигнала Отношение изменения напряже- ния на входе к вызвавшему его из- менению входного тока в режиме короткого замыкания по перемен- ному току на выходе транзистора
Коэффициент обрат- ной связи по напря- жению биполярного транзистора в режи- ме малого сигнала /г?2 Отношение изменения напряже- ния на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во вход- ной цепи по переменному току -
Коэффициент переда- чи тока биполярного Л21 Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению
транзистора в режи- ме малого сигнала \ входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по пере- менному току
Модуль коэффициен- та передачи тока би- полярного транзисто- ра на высокой часто- те |Лг1э1 Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высо- кой частоте
Выходная полная проводимость бипо- лярного транзистора в режиме малого сиг- нала при холостом ходе Л11 Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току
Входное сопротивле- ние биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала Лнэ Отношение напряжения на входе транзистора к входному току при заданном постоянном напряжении коллектор — эмиттер в схеме с об- щим эмиттером
Статический коэффи- циент передачи тока биполярного транзи- стора в схеме с об- щим эмиттером ^21э(^21е) Отношение постоянного тока кол- лектора к постоянному току-базы при заданных постоянном обрат- ном напряжении коллектор — эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером
Входная полная про- водимость биполяр- ного транзистора в режиме малого сиг- нала М?1 Отношение изменений комплекс- ных величин входного тока к вы- званному им изменению напряже- ния на входе при коротком замы- кании по переменному току на вы- ходе
Термины Буквенные обозначения Определение
Полная проводимость обратной передачи биполярного тран- зистора в режиме ма- лого сигнала У?2 Отношение изменений комплекс- ных величин входного тока к вы- звавшему его изменению напряже- ния на выходе при коротком замы- кании по переменному току на входе
Полная проводимость прямой передачи би- полярного транзисто- ра в режиме малого сигнала Я. Отношение изменений комплекс- ных величин выходного тока к вы- звавшему его изменению напряже- ния на входе при коротком замы- кании по переменному току на выходе
Модуль полной про- водимости прямой пе- редачи биполярного транзистора 1 Г2Ге| Модуль полной проводимости пря- мой передачи в схеме с общим эмиттером
Выходная полная проводимость бипо- лярного транзистора- в режиме малого сиг- нала при коротком замыкании выхода Отношение изменений комплекс- ных величин выходного тока к вы- званному им изменению выходного напряжения при коротком замы- кании по переменному току на входе
Статическая крутиз- на прямой передачи в схеме с общим эмиттером ^21Е Отношение постоянного тока кол- лектора к постоянному напряже- нию база — эмиттер при заданном напряжении коллектор — эмиттер
Входная емкость би- полярного транзисто- ра Г2 Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замы- кании по переменному току на вы- ходе в режиме малого сигнала
Выходная емкость биполярного транзи- стора С2 ь22 Емкость, измеренная на выходе транзистора при разомкнутом вхо- де по переменному току в режиме малого сигнала
Предельная частота коэффициента пере- дачи тока эмиттера биполярного транзи- стора /*21б Частота, на которой модуль коэф- фициента передачи тока в схеме с общей базой падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением
Предельная частота коэффициента пере- дачи тока базы би- полярного транзисто- ра f Л.21Э Частота, на которой модуль коэф- фициента передачи тока в схеме с общим эмиттером падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастот- ным значением
Граничная частота коэффициента пере- дачи тока в схеме с общим эмиттером /гр Частота, на которой модуль коэф- фициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполирует- ся к единице
Коэффициент шума биполярного транзи- стора Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая создана тепловыми шума-
Термины Буквенные обозначения Определения
Коэффициент наем- Кнас ч- ми сопротивления источника сиг- нала Отношение тока базы в режиме
щения биполярного транзистора Коэффициент усиле- насыщения к току базы на границе насыщения Отношение мощности на выходе
ния по мощности би- полярного транзисто- ра Коэффициент полез- Лк транзистора к мощности, подава- емой на его вход, при определен- ной частоте и схеме включения Отношение выходной мощности
ного действия кол- лектора Время задержки для ^зд транзистора к мощности, потреб- ляемой от источника коллекторно- го питания Интервал времени между момен-
биполярного транзи- стора Время нарастания ^нр тами нарастания фронтов входно- го импульса до значения, соответ- ствующего 10 % его амплитуды, и выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его ампли- туды Интервал времени между момен-
для биполярного транзистора Время рассасывания ^рас тами нарастания фронта выходно- го импульса от значения, соответ- ствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды Интервал времени между момен-
для биполярного транзистора Время спада для би- icn том подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда на- пряжение на коллекторе транзи- стора достигает заданного уровня Интервал времени между момен-
полярного транзисто- ра Время включения би- ^вкл тами спада среза выходного им- пульса от значения, соответствую- щего 90 % его амплитуды, до зна- чения, соответствующего 10 % его амплитуды Интервал времени, являющийся
полярного транзисто- ра Время выключения ^выкл суммой времени задержки и на- растания Интервал времени между момен-
биполярного транзи- стора Сопротивление базы Гб- том подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда на- пряжение на коллекторе транзи- стора достигает значения, соответ- ствующего 10 % его амплитудного значения Сопротивление между выводом
биполярного транзи- стора базы и переходом база — эмиттер
Термины .Буквенные обозначения Определения
Емкость эмиттерного перехода С, Емкость между выводами эмитте- ра и базы транзистора при задан- ных обратном напряжении эмит- тер—база и режиме коллекторной цепи
Емкость коллектор- ного перехода > £ Ск Емкость между выводами базы транзистора и коллектора при за- данных обратном напряжении коллектор — база и режиме эмит- терной цепи
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзи- стора Тк Произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторно- го перехода
Критический ток би- полярного транзисто- ра Лр Значение тока коллектора, при до- стижении которого значение /гР1Л21э1 падает на 3 дБ по от- ношению к его максимальному значению при заданном напряже- нии коллектор — эмиттер
Граничное напряже- ние биполярного транзистора Г^кэо.гр Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю, и заданном токе эмиттера
Плавающее напря- жение эмиттер — ба- за Г^ЭБ.пл Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллек- тор — база и токе эмиттера, рав- ном нулю
Напряжение смыка- ния биполярного транзистора ПСМК Обратное напряжение коллек- тор — база, при котором начина- ется линейное возрастание напря- жения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор — база
Пробивное напряже- ние коллектор— ба- за П КБО.проб Пробивное напряжение, измеряе- мое между выводами коллектора и базы, при заданном в техниче- ской документации токе коллекто- ра и токе эмиттера, равном нулю
Пробивное напряже- ние коллектор—эмит- тер UКЭ проб Пробивное напряжение, измеряе- мое между выводами коллектора и эмиттера, при заданном в техни- ческой документации токе коллек- тора
Термины, относящиеся к режимам эксплуатации
(измерений)
Постоянный ток кол- /к Постоянный ток, протекающий че-
лектора | | рез коллекторный переход
Термины Буквенные обозначения Определение
Постоянный ток эмиттера 1з Постоянный ток, протекающий че- рез эмиттерный переход
Постоянный ток базы J-Б Постоянный ток, протекающий че- рез базовый вывод
Постоянный ток кол- лектора в режиме на- сыщения 1 К.нас —
Постоянный ток базы в режиме насыщения • Б.нас —
Импульсный ток кол- лектора ^к.« Импульсное значение тока коллек- тора при заданных скважности и длительности импульса
Импульсный ток эмиттера 1зм Импульсное значение тока эмитте- ра при заданных скважности и длительности импульса
Постоянное напряже- ние эмиттер — база ии Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы
Постоянное напряже- ние коллектор—база ^КБ Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы
Постоянное напряже- ние коллектор—эмит- тер ^КЭ Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера
Выходная мощность биполярного транзи- стора Р пых Мощность, которую отдает тран- зистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте
Постоянная рассеива- емая мощность бипо- лярного транзистора Р Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзи- сторе
Средняя рассеивае- мая мощность бипо- лярного транзистора Р ср Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой в тран- зисторе
Импульсная рассеи- ваемая мощность би- полярного транзистора Рн Пиковое значение мощности, рас- сеиваемой в транзисторе, при ра- боте в импульсном режиме
Постоянная рассеи- ваемая мощность коллектора Рк Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе тран- зистора
Средняя рассеивае- мая мощность кол- лектора PlCcp Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой на кол- лекторе транзистора
1 При разомкнутом выводе базы — /кэо. IcEO', при короткозамкнутых выводах эмиттера
и базы /кэк. ICES', при заданном сопротивлении в цепи база — эмиттер /j(9R. ICER'.
при заданном обратном напряжении эмиттер — база /кэх. 1сЕХ-
2 В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б»
и «э» для отечественных буквенных обозначений н «6» или «с» — для международных
обозначений.
3 При токе базы, равном нулю, УкэО. проб. Цв./?)С£О'. при заданном сопротивлении в цепи
база — эмиттер I7k3R. проб. U(BR)CER'. прн коротком замыкании в цепи база — эмиттер
1/КЭК. проб. U(BRjCES'. при заданном обратном напряжении база — эмиттер L/кЭХ. проб.
U(BR)Ct:x
* При заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю, (7эБО. UebO-
1 При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю, 1/цбо. UcBO-
“ При заданном токе коллектора н токе базы, равном нулю, (?КЭО. ^СЕО'. при заданном
токе коллектора и сопротивлении в цепи база — эмиттер 4/кэ₽. VcER. при заданном
токе коллектора и коротком замыкании в цепи база —- эмиттер 47кэк. UcES, при за
данном токе коллектора и заданном обратном, напряжении эмиттер — база U^ax, Ucf.x
Примечания: 1. Помимо указанных терминов, определений и буквенных обозначений
электрических параметров- биполярных транзисторов, рекомендованных ГОСТ 20003—74
в справочнике для биполярных транзисторов приводятся и другие данные: /?Пер-кор'Тепло-
вое сопротивление переход — корпус; /?Пер-окр — тепловое сопротивление переход — окру
жающая среда; /?эб(Ябэ)— сопротивление в цепи эмиттер — база (база — эмиттер),
0пер—температура перехода; 0кор— температура корпуса; 0окр— температура окружаю-
щей среды; /н — длительность импульса; Q— скважность импульсов; tnK — время переклю-
чения биполярного транзистора: /э.ср — средний ток эмиттера. 2. К буквенному индексу
максимально допустимых значений параметров добавляются «/пах» или «/п/л»
1.2. Однопереходные транзисторы
Термины Буквенные обозначения Определения
Обратный ток учетки ^ЭБО Обратный ток эмиттерного перехо- да, смещенного в направлении, об- ратном базе 2
Ток модуляции /к / * Dornin Минимальный ток цепи базы 2 при заданном напряжении между ба-
зами и эмиттерном токе
Ток включения I вил Значение эмиттерного тока, при котором происходит переход тран- зистора из закрытого состояния в открытое
Ток выключения ^выкл Наименьшее значение эмиттерного тока, при котором сохраняется открытое состояние
Остаточное напряже- ^БЭ.нас Прямое напряжение на эмиттере
ние при заданном токе эмиттера и межбазовом напряжении
Коэффициент переда- Кп Отношение максимально возмож-
чи ного эмиттерного напряжения на р-п-переходе к приложенному межбазовому напряжению
Межбазовое сопро- ^Б|Ба Сопротивление между базами
тивление транзистора при заданном меж- базовом напряжении
Максимально допу- стимое межбазовое —
напряжение Максимально допу- стимое обратное на- пряжение между эмиттером и базой 2 (А. ч —
1.3. Двухэмиттерные транзисторы
Термины Буквенные обозначения Определения
Ток закрытого ключа Лэ.закр Ток через эмиттеры транзистора
при закрытых переходах коллек- тор — база 1 и коллектор — ба- за 2
Падение напряжения t/отк - Напряжение между двумя эмитте-
на рткрытом ключе рами транзистора при открытых
Термины Буквенные обозначения Определения
Напряжение на переходах коллектор — база / и коллектор — база 2 при токе эмит- тера, равном нулю Падение напряжения на управ-
управляющих перехо- дах Максимально допу- ^КБ. у. max ляющих переходах коллектор — база 1 и коллектор — база 2
стимое запирающее напряжение управле- ния между коллекто- ром и базой 1 или кол- лектором и базой 2 Максимально допу- б^Э|Эг max
стимое напряжение на закрытом ключе между эмиттером 1 и эмиттером 2 Сопротивление от- Г отк Сопротивление, измеряемое между
крытого ключа эмиттерами транзистора при рабо- чих токах эмиттера и базы.
1.3 Биполярные транзисторы
малой мощности низкой частоты
МП20, МП20А, МП20Б,
МП21, МП21А, МП21Б, МП21В, МП21Г
Германиевые сплавные транзисторы р-п-р. Пред-
назначены для работы в различных устройствах радиоэлект-
ронной аппаратуры в режимах усиления и переключения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 60кр от —60 до -f-70 °C.
Масса не более 2 г.
МП20(А.Б);МП21С4,П
Обозначение Режим измерения МП20 МП21 МП20А МП21А МП21В
МП20Б МП21Б МП21Г
Й21э Цб=-5В; /э=
= 25 мА;
/ = 50... 1000 Гц; 50... 150 50... 150 50... 150 20... 100
0окр = 20 °C 20...60 80...200 20...80 20...80
еонр = 70 °с 50...200 50...2001 50...200 20... 150*
1 20...75 80...2501 20...110 20...1201
Оокр = -60 °C 25... 150 30...1502 25... 150 15...1002
15...60 60...2002 15...80 15...802
/кбо, мкА ^КБ — Uxbrnax,
6ОКР = 20 °C <50 <50 <50 <50
еокр=70°с <250 <300* <250 <300’
/эБО, мкА £/ЭБ = -30 в <50 <50 <50 <50
/л21э, МГц £/кб= -5 В; > 1 >2 > 1 >1,5
/э — 5 мА >1,5 >0,465 >1
^КЭ.нас, В /к = 300 мА;
/б = 60 мА <0,3 <0,3 <0,3 <0,3
^КЭ.пр, В /э=Ю0 мА >30 >35 — —
>35 >40
U КБ.тдл» В — 60 °C <(Ц. <70 °C -50 -70 — 30 -40
-70 — 60
U КЭ-maxt В — 60°С<0окр<70°С -30 -35 — 20 — 30
-35 -40 -35
Г^ЭБ.тах» В — 60°С<0ОКр<70°С -50 -50 -30 -30
I К.и.тахг М А То же, при т„<
<10 мкс; 0й—2 ЗОО3 ЗОО3 ЗОО3 ЗОО3
Рк.тах, мВт Оокр < 35 °C 150 150 150 150
о —70 °г 45 45 45 45
^?пер-окр, vOKp * v
°С/мВт — 0,33 0,33 0,33 0,33
Опер, °C — 85 85 85 85
1 При температуре 60 °C. 2 При температуре —55 °C.
3 При температуре окружающей среды более 35 °C мощность (мВт) рассчиты-
вается по формуле Рк.тсх=(85 — 0окр)/0,33.
Л,
мА
Z40
ZDD
750
720
80
W
мА
240
ZOO
100
1Z0
80
40
М1ШВ,МП21Г
—270 ”|
—240-----
— Z11L___
— 18i
---150
---r1Z0-
—Z3 30 mA—
0 OtZ O,4U3btB 0 0,2 0,4 [/э&,В D -1 -ZU^fi 0 -1 ~ZUKb1B
МП25, МП25А, МП25Б,
МП26, МП26А, МП26Б
Германиевые сплавные транзисторы р-п-р. Пред-
назначены для работы в переключающих и усилительных кас-
кадах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 60кр от —60 до 4-70 °C.
Масса не более 2 г.
8 30...W
МП25(А,Б) МП2Б(А,Б)
Обозначение Режим измерения МП25 МП25А МП25Б МП26 МП26А
МП26Б
^2Ia Л-2,5 мА; U'№= —20 В;
f = 1 кГц; 0окр=20 °C 1G...25 10...25
еокр=70 °с 10...65 10...65
0О1ф= —60 °C 6...25 6...25
/кбо, мкА Г'КБ — Uxb.max <75 <75 <75 <75
/эбо, мкА. ^ЭБ = Уэъ.тах <75 <75 <75 <75
Д21а, кГц 1'э = 2,5 мА; >200 >200 >200 >200
UU= -20 В >500 >500
^КЭ.нас» В /^=100 мА; /Б = 30 мА <0,3 <0,32 <0,3 <о,з2
^БЭ.нас» В /ц=100 мА; /Б = 30 мА <1,2 <1,22 <1,2 <1,22
Ск, пФ L/№=—20 В; /=500 кГц <70 <70 <503 <503
Гб. Ом £/кб=—20 В; 4=2,5 мА;
/ = 500 кГц <160 < 160 < 160 <160
/пк, мкс (7ке= -30 В; /э = 25 мА;
f—l кГц <1,5 <1,5 <1,5 <1,5
&К Б. тах^ В — 60°С<0окр<70 °C -404 — 404 — 705 — 705
ЧэБ.тахг В -60 °с<еО1(р<70 °с — 40 — 40 — 70 -70
^КЭИ.тах’ В -60 °С<0окр<70 °C — 404 — 404 — 705 — 706
^К.нас./пахэ мА — 60 °С<0окР<70 °C 300 400 300 400
^Э.нас.max, мА — 60 °C с бокр < 70 °C 300 400 300 400
Рк.тах, МВт — 60 °С<0окр<35 °C 2006 2006 200е 2006
Опертая, С — 75 75 75 75
^пер-окр.
°С/мВт — 0,2 0,2 0,2 0,2
’ При /э= 1,5 мА; иКБ= -35 В — для МП26, МП26А и МП26Б.
2 При /Б =20 мА для МП25А, МП26А и /Б= 15 мА — для МП25Б, МП26Б.
3 При С'кь = —35 В.
4 При 6ОКр<50оС И Рк < 100 мВт Ь'кЪ.тах — t/кэи. max — —60 В.
® При еокр< 50 СС И РК< 100 мВт = ИКЭР.„СХ= —100 В.
При 6акр> 35 °С мощность (мВт) рассчитывается по формуле. Рк.гпах =
= 5(75 — бокр)-
О -0,1 -0,2 иъэ,В 0 -10 -20 икз,В 0 -10 -20 UK3,B
О -10 -20 -30U^B SO-40 0 40 в,°C
МП35, МП36А, МП37, МП37А, МП37Б, МП38,
МП38А
Германиевые сплавные транзисторы п-р-п. Пред-
назначены для использования в каскадах усиления напряжения
промежуточной и низкой частоты, импульсных и других устрой-
ствах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 6окр от —60 до -f-70°C.
Масса не более 2 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения МП35 МП37 МП37А МП38
МП36А МП37Б МП38А
(/кб = 5 В; /э=1 мА; 13...125 15-30 15-30 25-55
/=1 кГц; еокр = 20°С 15-45 25...50 45...100
6ОКр = 70 °C 13...280 15..85 15-85 45...250
15-130 25-140
е.„„ бо °с 5... 125 6-30 6...30 8-55
• 6-45 8...50 17...100
ГкБО, МКА С/кб = 5 В; 0окр = 20°С <30 <30 <30 <30
еокр=70°с Uкб == 5 В; /э = 1 мА <400 <400 <400 <400
//>21Э' МГЦ >0,5 > 1 > 1 >1 >2
Гб> Ом £/кб=5 В; /3=1 мА;
/ = 500 кГц <200 <200 <200 <200
Лггэ. мкСм 7э=1 мА; С7кб —5 В; /=1 кГц <2,5 <2,5 <2,5 <2,5
Ск, пФ t/KB==5 В; /=465 кГц <60 <60 <60 <60
Лш. дБ 77кб —1,5 В; 7э = 0,5 мА; — — — —
/= 1 кГц <12
t^KSR-max. В 77 КБ.тах» В I К.тсх, М А 7 К.иас.тах, М А 7 э.няс.тох> мА Рктах, МВТ Опер.тах, С еОкР, °с /?бэ=200 Ом; еокр = 40 °C 0окр = 40 °C — 60 оС<6окР<40 °C 0окР>4О °C -бо°с<еОКр<70°с -60°С<0ОКр<70°С — 60 °С<еокр<70°С -500С<0ОКр<55°С 15 10 15 10 20 150 150 150' 85 15 10 15 10 20 150 150 150' 85 -60. 30 20 30 20 20 150 150 150' 85 .4-70 15 10 15 10 20 150 150 150' 85
* При температуре более 55 °C мощность (мВт) рассчитывается по формуле
Рк.тах ~ 5(85 — 60Кр).
МП39, МП39Б, МП40, МП40А, МП41, МП41А
Германиевые сплавные транзисторы р-п-р. Предна-
значены для работы в усилителях напряжения низкой частоты
с ненормированным (кроме МП39Б) и нормированным (МП39Б)
коэффициентом шума.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими
выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до -j-70 °C.
Масса не более 2 г.
8 30..А0
МП 39; MOW; МЛН
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения МП39 МП40 МП41
МП39Б МП40А , МП41А
Й21э /кбо. мкА /эбо. мкА /h21s, МГц Л220. мкСм 2^ 000 2 2 — о <м о <М йй — и* ’Lk || II и л II g II и ® (j 0 д ®: щ о д 1 "sS 1 Г 1 1 1 ‘s II - II II II IIII II - g II Л О. g “ S V II J i? 12 20-40 20...140 8-40 ' <15 <300 <30 >1 <2,5 30...60
20-60 12 50... 100 30..220
20...220 5 8-60 <15 <300 <30 >0,5 <2,5 50-350 12-60 20-100 <15 <300 <30 >1 <2,5
Обозначение -Режим измерения ’ .МП39 МП39Б MTI40 МП40А МП41 МП41А
Г6, Ом £/КБ^=—5 В; /э=1 мА; /= =500 кГц с 200 <200 <200
G, пФ £7КБ=-5 В; /=465 кГц <50 <50 <50
Кш, дБ 17кб = — 1,5 В; /3 = 0,5 мА; <12 — —
ПкБ.тахг В ?=1 кГц -60°c<0OKP<40 °с -15 -15 -15
0окр>40 °C -10 -30 -10 -10
ПКБ.и.тсх» В -60 °с<оокр<40 °с — 20 -20 * -20 -20
еокр>40°с -15 —30 -15 -15
УкЗ-тах, В -бо°с<е0крС40 °с -15 -20 -15 -15
0скр>40 °C — 10 -30 — 10 -10
UКЭ.н.тах» В — 60°С<0окр<40 °C — 20 -20 -20 -20
0Окр>40 °C -15 — 30 — 15 —15
^ЭБ./яах» В — 60 оС<0окрС70 °C -5 — 20 — 5 -5
I К. max • мА -60 °С<0окр<70 °C 20 20 20
I К.и.тах» мА — 60 оС<0окр<7О°С 150 150 150
Р к. тах> мВт — 60 °С<0окр<55 °C 1503 1503 1503
7?пер-окр> 0,2 0,2
°С/мВт 0,2
А °C v пер. та Xi — 85 85 85
1 При отсутствии запирающего смещения сопротивление в цепи база — эмит-
тер не должно превышать 10 кОм.
2 Среднее значение тока эмиттера за 1 с не должно превышать 40 мА.
s При температуре окружающей среды от 55 до 70 °C мощность снижается по
линейному закону до 75 мВт.
МП42, МП42А, МП42Б
Германиевые сплавные транзисторы р-п-р. Пред-
назначены для работы в переключающих и импульсных устрой-
ствах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 60кр от —60 до 70 °C.
Масса не более 2 г.
МП 62
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения МП42 МП42А МП42Б
ЛйП; /кэх> мкЛ Ш < Ю- S о О 1 7 L О •- 1-п ° Ш loo 1 V о о 1 СМ Т- 1 1 04 Г— II II II II II II II о. с. о. о. а X * х х х х <4. 000 Q Q kJ ф ф ф -J ф ф 20...35 20...125 8...35 <25 <300' 30...50 30... 180 12...50 <25 <зоо’ 45... 100 45...350 20...100 <25 <300'
Обозначение Режим’ измерения МП42 МП42А МП42Б
/Л21э, МГц == —5 1 мА >1 >1 >1
/пк, мкс икэ = —15 В; /к= 10 мА <2 <1,5 < 1
^КЭ.нао В /к= 10 мА; /Б= 1 мА <0.2 <0.2 <0,2
^БЭ.ивс» В / к === 1 0 мА; / 5 = 1 мА <0.4 <0,4 <0,4
^КБ./пал» ® —60 °с<еокр<70 °с -15 -15 -15
^КЭ. max. В —60 °с<еокр<70 °с —152 -152 —152
К..н./лах> мА — 60 °С<6окр< 70 °C 1503 1503 1503
^Э.ср.max. мА — 60 °С<6окр< 70 °C 30s зо5 ЗО5
^K.max. МВТ — 60 °С<0окр<45 °C 2006 2006 200е
пер-окр» °С/мВт — 02 0,2 0,2
®nep.max> С — 85 85 85
1 Для приборов со знаком качества / кэх = 250 мкА.
2 При отсутствии запирающего смещения сопротивление в цепи база — эмиттер
не должно превышать 3 кОм.
3 Для приборов со знаком качества /к.н.тах = 200 мА.
4 Среднее значение тока эмиттера за I с.
5 Для приборов со знаком качества /эс ох=40 мА.
6 При увеличении температуры от 45 до 70 °C мощность снижается по линейному
закону до 75 мВт.
КТ104А, КТ104Б, КТ104В, КТ104Г
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы
р-п-р. Предназначены для использования в радиоэлектронной
аппаратуре широкого применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 0окр от —55 до +100 °C.
Масса не более 1 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов эксплуатации
Обозначение Режим измерения КТ104А КТ104Б KT104B КТ104Г
^21э U кб = — 5 В i I $ = I мА 9...36 20...80 40... 160 15...60
^216 С/КБ = — 1 В; /э= ю мА 7...40 I5...80 19... 160 10...60
/й2и? МГц ***“5 В; /$ = 1 мА 5 >5 5 >5
Лио, Ом 1/квг= $ В; /э = 1 мА 120 120 120 120
^кэо.гр. В /э.н.= 5 мА >30 >15* >15' >30
/ КБО» мкА ^КБ= ^КБтох + 1 <1 <1 <1
/ ЭБО» мкА 1/ЭБ=-ю В + 1 <1 <1 <1
ск, пФ t/KB= -5 В; f = ЗМГц <50 <50 <50 <50
С„ пФ (УЭБ=— 0,5 В;/ = 10МГц <10 <10 <10 <10
КЗ. нас» /к= 10 мА; /Б= 2 мА <0,5 <0,5 <0,5 <0,5
б'вэ.ипо В / к = 10 мА; / Б = 2 мА <1 <1 <1 <1
U КБ та*» В 0окр<75 СС -302 —152 -152 —зо2
еокр= юо °с 7?эб< 10 кОм; -20 -10 — 10 -20
^КЭР. та*. В — 302 —152 —152 — ЗО2
0окр<75 °C 0окр= 100 °C -20 — 10 — 10 -20
Обозначение Режим измерения КТ104А КТ 104 Б КТ104В КТ104Г
^БЭ. так* В 0ОКр<75 °C 0окр= 100 °C I02 5 ю2 5 102 5 ю2 5
I мА 0окр<75 °C 0окр= 100 °C 502 30 502 30 502 30 502 30
Рк.тах, МВТ 0окрС6О °C 1503 1503 1503 1503
пер-окр» °С/мВт — 0,4 0,4 0,4 0,4
1 При /э.н= Ю мА.
2 В интервале температур от 75 до 100’“С напряжения t/KB.max> ^вэ.тах-
С^кэЕ.тах и ток / к.тах уменьшаются по линейному закону.
3 При повышении температуры от 60 до 100 °C допустимая мощность (мВт)
определяется по формуле Рц..тах — 2,5 (12О-0окр).
ГТ108А, ГТ108Б, ГТ108В, ГТ108Г
Германиевые сплавные транзисторы р-п-р. Пред-
назначены для работы в усилительных и генераторных устрой-
ствах малогабаритной радиоаппаратуры.
Выпускаются в -металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
ГП08(А~Г)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения ГТ108А ГТ108Б ГТ108В ГТ108Г
Й2|э t/кэ — —5 В; /э== 1 мА; f = 50... 100 Гц 6окр=200 °C 20...50 35...80 60... 130 110...250
0окр=55 °C 20... 100 35... 160 60....260 НО...500
е.,кР= -зо °с 15...50 20...80 40... 130 70...250
/гр. МГц (Укэ= -5 В; / э 1 мА >0,5 >1 > 1 >1
Л223. мкСм икэ = -5 В; /э = = 1 мА; /< 100 Гц <3,3 <3,3 СО со" V/ <3,3
/кбо> мкА t/кв — — 5 В; 0окр=20 °C <10 <10 <10 <10
0окр=55 °C <250 <250 <250 <250
! ЭБО. мкА иъэ= -5 В <15 <15 <15 <15
Ск, пФ икъ= -5 В; f = 465 кГ ц <50 <50 <50 <50
тк, НС ^кб = — 5 В; /=465 кГц <5 <5 5 <5
U КБ. тал. В 6ОкР<55 °C -10 — 10 -10 -10
^КБ.и.тах. В 0Окр<55 °C -18 -18 -18 -18
I К. maxi мА 6О1(р<55 °C 50 50 50 50
/’к.тах. мВт еокр<20 °с 751 751 751 751
пер-окр, °С/мВт — 0,8 0,8 0,8 0,8
1 При температуре свыше 55 °C допустимая рассеиваемая транзистором мощ-
ность (мВт) рассчитывается по формуле Рк.иал = (80 — 60Кр)/0,8.
ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г,
ГТ109Д, ГТ108Е, ГТ109Ж, ГТ109И
Германиевые сплавные транзисторы р-п-р. Пред-
назначены для использования в миниатюрных радиовещатель-
ных приемниках, электронных часах, медицинской и другой
аппаратуре промышленного и бытового применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при
Масса не более 1 г.
0окр от —45 до 4-55 °C.
ПТ09(А~И)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения ГТ109А ГТ109В ГТ109Д ГТ109Ж
ГТ109Б ГТ109Г ГТ109Е ГТ109И
^21Е U кэ = — 5 В; 20...50 60... 130 20...701 1 ОО2
Г" С О о ф § g ?. II 1 II II II II 1 I 2 I 1 S $2 СП > СП *" о о > m m 01 О о*' Сз С5 = -• о 35...90 >20 110...250 >60 50...100' >20' 20...80 > 1002
МГц >35 15...50 20...80 >1 >100 40-130 70...250 > 1 >50’ 10-601 30-1001 >5 - S О О °° —’ см : д\ Л\Л\
Обозначение Режим измерения ГТ109А ГТ109Б ГТ109В ГТ109Г ГТ1О9Д ГТ109Е ГТ109Ж ГТ109И
/ кьо. мкА 0онр = 20 °C ' <5 <22 <12
0ОКР = 55 °C <100 <100 < 1002 <252
<502 <100
/эбо> мкА UKb= -5 В; <5 5 <з3 <5
Ск, пФ 1/кб = 5 В; [ = 465 кГц <30 <30 <40’ <30
Тк, ПС / = 465 кГц <5000 <5000 <5000 <5000
Км, дБ иКБ= -1,5 В; /э = 0,5 мА; / = 1 кГц
<12
^КБ.тал» В 0икр<55 °C — 10 -10 — 10 -10
^КЭ.тах. Б 0окР < 55 °C — 6 -6 — 6 -6
^КБ и max’ Б 0окр<55 °C — 18 — 18 — 18 -18
/ К. max. МА еокр<55 °C 20 20 20 20
/5К.л1Ш> МВТ еокр < 20 °C 304 304 304 304
пер*окр< °С/мВт — 1.8 1.8 1.8 1,8
А °C °лер.тах» — 80 80 80 80
—
1 При 1/КБ= —1.2 В; /э = 0,1 мА.
8 При (>кб= -1.5 В.
3 При иэъ = — 1.2 Б.
4 При температуре свыше 20 °C допустимая рассеиваемая коллектором мощ-
ность (мВт) определяется по формуле Р^тох = (80 — 0окр)/1,8.
ГТ115А, ГТ115Б, ГП 15В, ГТ115Г, ГТ115Д
Германиевые сплавные транзисторы р-п-р. Пред-
назначены для работы в радиолюбительской аппаратуре в ка-
честве усилительных элементов.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 60Кр от —20 до + 45 °C.
Масса не более I г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения ГТ!15А ГТ115Б ГТ115В ГТ115Г ГТ115Д
^21Е 1/КБ — — 1 В; / э = 25 мА 20...80 20...80 60... 150 60... 150 125...250
Обозначение Режим измерения ГТ115А ГТ115Б ГТ115В ГТ115Г ГТ115Д
frp, МГЦ 1/кБ= -5 В; 7Э= 5 мА >1 >1 >1 >1 >1
7кбо< мкА б^КБ = UКБ.max <40 <40 <40 <40 <40
7эг>о> мкА б/БЭ = 20 В <40 <40 <40 <40 >40
77 КБ шах» В 0окр<45 °C -20 -30 — 20 -30 -20
^БЭ.тах» В 0окр^45 °C 20 20 20 20 20
К,/пах» мА 0окр<45 °C 30 30 30 30 30 ,
Рк.тах, МВТ 0окр<45 °C 50 50 50 50 50
КТ117А, КТП7Б, КТ117В, КТ117Г
Кремниевые планарные однопереходные транзисторы
л-типа. Предназначены для использования в генераторах коле-
баний, преобразователях напряжения, устройствах временной
задержки, в устройствах управления тиристорами и в других
устройствах с релейными характеристиками.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе, с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до +125 °C.
Масса не более 0,5 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения KTII7A КТ117Б КТ1173 КТ117Г
Кп б+в, = 10 В; 0,5...0,7 0,65...0,9 . 0,5...0,7 0,65...0,9
7 ЭБО' мкА Г- CD Ф CD о о ел ж ж х - тэ -о Т) , il IIII 11 I -ч to W 1 О СЛ ’ 2 ° ° го ° * п 0,45... 0,7 0,5...0,8 < I 0,6...0,9 0.65—0,95 <1 0,45... 0,7 0,5...0,8 + 1 0,6...0,9 0,65...0,95 <1
^вкл» мкА ° in о ш еч —* оч- в н н й с. « X X to о Ф CD о о — сч V/V/ о о — сч V/V/ /Л/Л to — о о о о — сч V/V/
^выкл* мА б+в = 20 В <1 >1 > 1 >1
П БЭ нас» Б о 1° ° — 1Л о II О СЧ Г" "Л СТ) о о ф ф <5 <4 2 4 <5 <4 < 5
Обозначение Режим измерения KT1I7A КТ117Б КТ117В КТ117Г
^Б,Бг> КОм е0кр=25 ”С 4...9 4...9 8...12 8... 12
еокР=70 °с — — 6...18 6...18
еО((Р= -во °с — — 4...12 4...12
/вкл, МКС — 3 3 3 3
f max* кГц — 200 200 200 200
^Ба.тш» мА — >10 >10 >10 >10
^Б]Б2./иа;г» ® еокр<35 °с 30 30 30 30
б^БгЭ.тах! В еокрС 125 °C 30 30 30 30
1 Э.тах* мА В открытом состоянии 50 50 50 50
^Э.к.тах* мА ти 10 мкс 1000 1000 1000 1000
Ртах* МВТ 6окр<35 °C ЗОО2 ЗОО2 ЗОО2 ЗОО2
пер-окр» , °С/мВт 0,33 0,33 0,33 0,33
' При С/б,б, = 20 В для КТ117А, КТ117Б и Ublb? = 25 В для КТ117В. КТ117Г
2 При температуре окружающей среды от 35 до 125 °C допустимая мощность
(мВт) определяется по формуле Ртах — 3(135 — 0окр).
КТ118А, КТ118Б,
КТ118В
Кремниевые двухэмиттерные планарно-эпитаксиаль-
ные транзисторы р-п-р. Предназначены для использования в
ключевых устройствах на низких частотах и в модуляторах.
Применяются, как правило, в инверсном включении.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 0ояр от —60 до +125 °C.
Масса -не более 0,5 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ118А КТ118Б КТН8В
Iэ.звкр» мкА ‘ UЭ13?. max* Т?КБ = Ю кОм <0,1 <0,1 <0,1
I КБО, мкА /б = 40 мА; /э = 20 мА 0,1 0,1 0,1
^отк. В /б == 0,5 mAj /э == 1,5 мА <0,2 <0,2 <0,15
t/y, В /б = 20 мА <1,3 <1,3 <1,3
^отк» О-М 7в==2 мА; /э = 2 мА <100 <100 <120
/Б = 40 мА; /э=20 мА <20 <20 <40
^выкя, НС — <500 <500 <500
^КБ.у.тах, В R КБ С 10кОм;0окр < 125 °C <А = 0; 9DKj?<125DC еокр< 125 4 15 15 15
^Э|Э2лпал> В 30 15^ 15
31 16 16
f К.тах, МА — 50 50 50
IЭ.тах* мА Одного при 0окр< 125 °C 25 25 25
1 Б.тах* мА Одной при 0ояр< 125 °C 25 25 25
Рк.тах, МВТ 0окр< 110 °C 100* 100* 100*
Я пер-окр, °С/мВт — 0,4 0,4 0,4
1 При повышении температуры от 110 до 125 °C допустимая мощность (мВт)
определяется по формуле Р^.тах = 2,5 (250 — 0ояр).
КТ119А, КТП9Б
Кремниевые планарные однопереходные транзисто-
ры n-типа. Предназначены для использования в низкочастот-
ных генераторах, преобразователях напряжения и других устрой-
ствах с релейными характеристиками.
Бескорпусные с гибкими выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до -}-85 °C.
Масса не более 0,5 г.
0.7 0.6
ктт(А,ю
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ119А КТ119Б
Кп <4,Б,= 10 А; 9 ^85 °C 0.5...0.65 0,65...0,75
/ЭБ0, мкА ^Б,Бг == Ub^t.max', ^окр = 25 °C С1 <1
0окр = 85 °C <3 ^3
^БЭ.иас» В /э = 10 мА; иБ1Б>= Ю В; 0окрС85 °C 2,7 2,7
/?б,б2. кОм Цз,Бз=1 В 4...12 4...12
^вкл» МкА С/Б|Бг=10 В; 0окр<85°С 0,5...5 0,5...5
выкл» мА ^Б1Б2 = 10 В 1...6 1.. 6
fmax, кГц — >200 >200
BiEs./nax’ В — 20 20
Б2Э.тах» В 0окр < 85 °C 20 20
I Э.тах* мА В открытом состоянии 10 10
^Э.н.тах, мА /э.ср = Ю мА; Ти< 10 мкс 50 50
Ртах, МВТ В корпусе микросхемы 60 60
В свободной атмосфере 25 25
Р пср-окр» °С/МВТ В корпусе микросхемы 1,2 1,2
В свободной атмосфере 3 3
ГТ124А, ГТ124Б, ГТ124В, ГТ124Г
Германиевые транзисторы структуры р-п-р. Пред
назначены для работы в усилителях низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы
водами.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения ГТ124А ГТ124Б ГТ124В ГТ124Г
^21Е t/K3= —0,5 В, /э = 100 мА 28...56 49...90 71...162 120...200
f Л216» МГц {/КБ = —5 В, /э= 1 мА >1 >1 >1 >1
U КЭ.нао В ZK= 100 мА, /ь=100 мА <0.5 <0,5 <0,5 <0,5
/кбо» мкА *\Б= -15 В, 0окр= 4*25 °C <15 <15 <15 <15
еокр= 4*45 °C <80 <80 <80 <80
Z ЭБО» мкА ^эб = 5 В <15 <15 <15 < 15
б^КБ. max, В —25 -25 -25 —25
б^ЭБ. max, В 10 10 10 10
Рк.тах, МВТ бокр < 4*35 °C 75 75 75 75
0Окр< +60 °C 25 25 25 25
Р пер-окр> °С/мВт 0,8 0,8 0,8 0,8
ГТ125А, ГТ125Б, ГТ125В, ГТ125Г, КТ125Д
ГТ125Е, ГТ125Ж, ГТ125И, ГТ125К, ГТ125Л
Германиевые сплавные транзисторы р-п-р. Пред
назначены для работы в усилителях низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы
водами.
Эксплуатируются при
Масса не более 2 г.
0скр от —60 до 4-70 °C.
33
2 В. И. Галкин и др.
Обозначение Режим измерения ГТ125А ГТ125В ГТ125Г ГТ125Д ГТ125Е ГТ125Ж ГТ125И ГТ125К ГТ125Л
ГТ125Б
21Е (Дэ=-5 В, — - •’ 28...56 71...140 45...90
/э = ЮО мА — — 45...90 28...56 71.. 140
^21Э (7Ю = -5 В, 28...56 71...140 — —
/э = 25 мА 45...90 120...200 - — —
МГц КЗ-изо ® В, /9 — 5 мА /к=300 мА, >1 >1 >1 >1
/Б = 30 мА <0,3 <0,3 <0,3 <0,3 <0,3
/кбо» мкА -35 В о|о ю ю V/V/ <50 <50 <50 —
t/Kf5= — 70 В *—- — — <50 <50 <50
/ ЭБО> мкА иЭБ= -20 В <50 <50 <50 <50 <50
КБ.maxt ® -35 — 35 -35 -35 -70 -70 — 70
UЗБ. max. В -20 -20 -20 — 20 -20
К «.max. МА f = 50 Гц, 2, t„ — 10 мкс 300 300 300 300 300
пср-скр» °С/мВт 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3
1.4 Биполярные транзисторы малой мощности
средней частоты
КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КД201Д,
КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201 ГМ,КТ201 ДМ
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзис-
торы п-р-п.
Выпускаются в металлостеклянном (КТ201А, KT20IB,
КТ201В, КТ201Г, КТ201Д) и пластмассовом (КТ201АМ,
КТ201БМ, KT20IBM, КТ201ГМ, КТ201ДМ) корпусах с гиб-
кими выводами.
Эксплуатируются транзисторы при 0окр от —45 до +85 °C в пласт-
массовом корпусе и при 0окр от —60 до +125 °C — в металло-
стеклянном.
Масса транзисторов в металлостеклянном корпусе 0,75 г, в пластмас-
совом корпусе 0,6 г.
КТ201(АМ-ДМ)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
КТ201Л КТ2О1В КТ201Д
Обозначение Режим измерения КТ201Б КТ2О1 Г
/'2IE Б,кб — 1 В; /к= * мА; 20...60 30...90 30... 90
25 °C 30...90 70...210
®окр 125 °C 20... 100 30...1S0 30... 150 70...315 30... 150
бокр — 60 °C 8...60 16...90 16...90 20...210 10...90
1 Л 21,1 Б'кб = 5 В; /э= 10 мА; i > 1 > 1
f = 10 МГц
! кео> мкА Б^кб = Б^КБ.тол! Оикр — ^5 С <1 < 1 < 1
Л-жо, мкА б акр УэБ — 125 °C Б^ЭБ.тпх V/V/ о — СО V/V/ < 10
С\, пФ Б\б — 5 В; / = 10 МГц <20 <20 <20
Аш. дБ Б^кб = 1 В; 1э= 0,2 мА; — — <15
f = 1 кГц
h 2.,б, мкСм Б^кб = 5 В; /э = 1 мА <2 <2 <2
^КЭК.ПЮЛ. В II V/V/V/V/ U3 а. а. с_ а : сп £ х * х -Л 'о о С о Ч£ Ф ф со ф 2 кОм; 125 °C 20 10 10
Б^КБ.тах, В ^ЭЪ.тах> В 125 °C 125 °C 125 °C 20 20 20 10 10 20 10 10 20
^Кн.лгшх» мА K.wtax» мВт V/V/II । Q Ф С Ф Ф ф 125 °C 90 °C 100 1501 100 150’ 100 150’
125 °C 60 60 60
(1 °C v пер. mat» '-J — 150 150 150
Ф и,ьиБЭ,й ЧОК. V й 72 икэ,Ь
КТ203А, КТ203Б, КТ203В
КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ
Выпускаются в металлостеклянном (КТ203А, КТ203Б,
КТ203В) и пластмассовом (КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ)
корпусах. Транзисторы в пластмассовом корпусе маркируются
цветным кодом: боковая поверхность окрашивается в темно-
красный цвет; торцы: КТ203АМ — темно-красным, КТ203М —
желтым, КТ203ВМ — темно-зеленым.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до 4-125 °C.
Масса не более 0,5 г.
КТ203(А~В) КТ203(АМ
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ203А КТ2ОЗБ КТ203В
^21Е === — 5 Bi /3 = 1 мА;
еокр=25 °C >9 30...150 30...200
0окр=125°С >9 30...230 30.„400
еокР- -60 сс >7 10...100 15...200
frp, МГц С/КБ = —5 В; /э = 1 мА 5 >5 >5
Л116. Ом ^КЭ= ^кэ.тах'х 7Э= 1 МА <300 <300 <300
IКБО. мкА ^КБ — 6^КБ maxi <1 <1 <1
0окр = 25 °C
0окр—125 °C <15 <15 <15
/ЭБО, мкА ^ЭБ ЭЪ.тах <1 <1 <1
^КЭ.иаст В /к —20 мА; /Б = 4 мА — <1 <0,5
Ск, пФ 1/КБ = —5 В; f = 10 МГц <10 <10 <10
U КБ. max* В 0окр^75 °C -60* -30' — 15*
0окр== 125 °C -30 — 15 — 10
^7КЭВ max’ В /?эб<2 кОм — 60' -30' — 15'
90Кр=125°С -30 -15 — 10
^БЭ.тахх В еокр< 125 °C 30 15 10
7 К. max. мА 0ОКР<125 °C 10 10 10
J К и тах. мА 0окрС 125 °C 50 50 50
Рк..тахь мВт 0ОКР<75 °C 150' 150' 150‘
^ncp.max» мВт — 150 150 150
—
1 При увеличении температуры от 75 до 125 °C наибольшее напряжение и мощ-
ность снижаются по линейному закону.
КТ208А, КТ208Б, КТ208В,
КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж,
КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы
р-п-р. Предназначены для работы в усилительных и генератор-
ных устройствах радиоэлектронной аппаратуры широкого при-
менения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до +125 °C.
Масса не более 0,6 г.
КТ208(А-М)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов эксплуатации
Обозначение Режим измерения КТ208А, КТ208Г, КТ208Ж, КТ208Л КТ208Б, КТ208Д, КТ208И, КТ208М КТ208В. КТ208Е, КТ208К
^2IE = —1 В^ /^ = 30 мА,
0окр = 25 °C 20...60 40...120 80.„240
0окр= 125 °C 20.„120 40...240 80...480
0окР= -60 °C 10...60 20...120 40.„240
КБО, мкА — Uk.?,,тах < 1 <1 <1
! ЭБО, мкА иэъ = -20 В < 1 <1 <1
^КЭ.нас» В /к=300 мА; /Б = 60 мА <0,3 <0,3 <0,3
^БЭ.нас» В /к —300 мА; /Б = 60 мА <1,5 <1,5 <1,5
/гр, МГц С+Б = —5 В; == Ю мА >5 >5 >5
Ск, пФ 1УКБ= -10 В; f = 500 МГц <50 <50 <50
Сэ, пФ б'эв = —0,5 В; f = 500 кГц <100 <100 <100
и {/кэк.тох при 0окр = 25... 125 °C, В:
КТ208А, КТ208Б, КТ208В...................................— 152
КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е.............................— ЗО3
КТ208Ж, КТ208И, КТ208К............................-454
КТ208Л, КТ208М....................................-605
^эъ.тах при 0окр = 25... 125 °C, В..............................—10
1к тох при Рк<Рк.тах\ 0окр<125°С, мА...........................300
/к.и.тах при тн<0,5 мс; Q > 2; 0окр< 125 °C, мА.................500
/Б max при 0окр< 125 °C, мА.......................................100
Рк.тах при —60 °C < 0окр 60 °C, мВт............................. 2006
1 При R БЭ < Ю кОм.
2 При температуре от 25 до —60 °C напряжение снижается по линейному
закону до — 10 В.
3 При температуре от 25 до —60 °C напряжение снижается по линейному закону
до —25 В.
4 При температуре от 25 до — 60 °C напряжение снижается по линейному закону
до —40 В.
Б При температуре от 25 до —60 °C напряжение снижается по линейному
закону до —55 В.
6 При повышении температуры от 60 до 125 °C максимальная мощность сни-
жается по линейному закону до 55 мВт.
0 -10 -20 -J0 ик^,В
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г, КТ209Д,
КТ209Е, КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л,
КТ209М
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры р-п-р. Предназначены для работы в усилительных и импульс-
ных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры.
’ Выпускаются в двух вариантах пластмассового корпуса с
гибкими выводами.
Для обозначения транзисторов используются два варианта
маркировки. Вариант 1 — тип транзистора кодируется нано-
симой на корпус буквой: А—КТ209А, Б — КТ209Б, Б1 —
КТ209Б1, В —КТ209В, Bl — КТ209В1, Г — КТ209Г, Д —
КТ209Д, Е — КТ209Е, Ж — КТ209Ж, И — КТ209И, К —
КТ209К, Л — КТ209Л, М — КТ209М.
Вариант 2 — транзисторы кодируются цветными метками:
на боковой поверхности серого цвета, а на торце: темно-крас-
ная — КТ209А, желтая — КТ209Б, темно-зеленая — КТ209В,
голубая — КТ209Г, синяя — К.Т209Д, белая — КТ209Е, корич-
невая — КТ209Ж, серебристая — КТ209И, оранжевая —
КТ209К, светло-табачная — КТ209Л, серая — КТ209М.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до + 100 °C.
Масса не более 0,3 г.
КТ209(А~М)
Вариант 2
5J ,
КТ209(А~М)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения KT209
А, Г. Ж, Л Б. Д. И, м В, Е К
21Е (/кэ== —1 В;/к = 30мА; еокр = 20 °с еокр= юо °с 0окр== -45 °C 20...60 20... 120 I0...60 40... 120 40...240 20... 120 80...240 80...480 40...240 80... 160 80...320 40... 160
^КЭ.нас, Б /к=300 мА; /Б=30 мА -0,4 — 0,4 -0,4 — 0,4
б^БЭ.иас» В /к=300 мА; /Б=30 мА — 1,5 — 1,5 -1,5 -1,5
fft2i3, МГц 6\б = —5В;/К— ЮмА >5 >5 >5 >5
С„, пФ £7кб= -10 В; / = 500 МГц <50 <50 <50 <50
Сэ, пФ {/ЭБ = -0,5 В; / = 500 МГц < 100 <100 <100 <100
А. Б, В г, Д. Е Ж, и, к л, м
КБ.тах. В 0окр=25...1ОО °C — 15' — ЗО2 — 453 -604
UK3R. шах. В То же, при R БЭ = Ю кОм -151 -зо2 — 453 -604
ЗЬ. maxi В 0окр=25...1ОО °C -10 -10 -205 -205
К. maxi мА -45 °С^6окр<100 °C 300 300 300 300
^K.H.moxi мА РК ?К-тах 500 500 500 500
? Ь.тах* мА -45 °С<0окр< 100 °C 100 100 100 100
^K.maxi мВт — 45 °сс еокр^35 °C 2006 2006 200ь 2006
А °C и пер.гпах’ — 125 125 125 125
1 При понижении температуры от 25 до —45 °C напряжение снижается по
линейному закону до — 10 В.
2 При понижении температуры от 25 до —45 °C напряжение снижается по
линейному закону до —25 В.
3 При понижении температуры от 25 до —45 °C напряжение снижается по
линейному закону до —40 В.
4 При понижении температуры от 25 до —45 °C напряжение снижается по
линейному закону до —55 В.
6 При понижении температуры от 25 до —45 °C напряжение снижается по
линейному закону до —15 В.
6 При температуре более 35 °C мощность (мВт) рассчитывается по формуле
(125-еокр)/0,45
1.5 Биполярные транзисторы малой мощности
высокой частоты
КТ301, КТ301А, КТ301Б, КТ301В,
КТ301Г, КТ301Д, КТ301Е, КТ301Ж
Кремниевые диффузионные универсальные транзи-
сторы п-р-п. Предназначены для усиления и генерирования
колебаний в каскадах радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при
Масса не более 0.5 г.
0окр от —55 до +85 °C.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ 301 КТ301Б КТ301Г КТ 301Е КТ301Ж
KT30IA КТ301В КТ301Д
^21э £/КБ= 10 В; /э=3 мА; 20...60 I0...32 10...32 40... 120
f = 1 кГц; 6окр=20°С 0...120 20...60 20...60 80...300
еокр=85 °C >180 >96 >96 >360
>360 >180 >180 >900
0ОКР= -55 °C >7 >4 >4 >14
>14 2^ 7 >7 >20
|Л2Ь| /э=ЗмА;/ =20 МГц >1 >1 >1,5 >1,5
/тож. МГц £/Кэ= 10 В;/,= 3 мА 30 30 60 60
I кбо, мкА Г'кБ — max', еокр = 20 °с <10 <10 <10 <10
0ОКр=85 °C <100 <100 <100 <100
60кр — -55 °C <10 <10 <10 <10
I ЭБО> мкА ^ЭБ — 3 В <10 <10 <10 <10
Л 226» МкСм i/кв = Ю В; 13 — 3 мА; f= 1 кГц <3 <3
^КЭ.нас. В /ц— Ю мА; /Б= 1 мА; / = 50 Гц <3 3 <3
БЭ. нас» /к== 10 мА; = 1 мА; f = 50 Гц <2,5 <2,5 <2,5 <2,5
Ск, пФ и№ = 10 В; f = 1 МГц <10 <10 <10 <10
Сэ, пФ иЭЕ = 0.5 В; f = 2 МГц <80 <80 <80 <80
тк. нс г/КБ= 10 В; /э=2 мА; f = 2 МГц <2 <4,5 <2 <2
Обозначение Режим измерения КТ301 КТ301Б KT30IB КТ301Г КТ301Д КТ301Е КТ301Ж
КТ301А
^КЭК.тох, В А °окр с 85 °C 20 30 20 20
ЭБО.тях? В 0окР = С 85 °C 3 3 3 3
^КБОшях. В А °окр С 85 °C 20 30 20 20
К.пап -МА 0 wOKp С 85 °C 10 10 10 10
^Э.тах> мА ^окр С 85 °C 10 10 10 10
f&.maxt мА А °окр С 85 °C 10 10 10 10
/’Киях. МВТ бокр С 60 °C 150* 150* 1501 150'
А °C °лер.гпдд:» '*-* 120 120 120 120
пер-окр> °С/мВт 0,6 0,6 0,6 0,6
1 При температуре от 60 до 85 °C допустимая мощность (мВт) определяется
КТ302А
Кремниевый планарный транзистор п-р-п с нормиро-
ванным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначен
для применения в предварительных каскадах усилителей низкой
частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими
выводами.
Эксплуатируется при 0окр от —45 до -J-85 °C.
Масса не более 0,5 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения KT302A
^21Э £/Кэ= 1 В, /э = 0,1 мА 110...250
/КБО» мкА {/кб=15В <1
ЭБО> мкА £/эб= -4 В <1
Аш. дБ £/кэ === 1 В» 'э == 0,1 мА 7
f = 1 кГц
^КБ.тдх» В — 15 В
б'кЭЯ.тах, В /? эв = 100 Ом 15 В
ЭБ.тах» В — 4 В
1 K.maxt мА — 10
мВт 0окр<5О °C too
ГТ305А, ГТ305Б, ГТ305В
Германиевые диффузионные транзисторы р-п-р.
Предназначены для работы в малогабаритных электронных
схемах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до 4-60 °C.
Масса не более 0,5 г.
ГТМ5(А Ё)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения ГТ305А ГТ305Б ГТ305В
^2tE ^кб — — 1 В; /э = 10 мА; еокр= +20 °C 25...80 60...180
6окр - 60 °C 20...270 40...550
0Окр= -60 °C 15...80 30.. 180 —
£/кб= —5 В; /э=5 мА; 6окр = 25 °C 40... 120
еокр = бо °с — — 30...400
6окр= -60 °C — — 20...120
|Л21Э| t/^5 = —5 Bi Iэ = 10 мА; f = 20 МГц >8 + 8
hS26, мкСм В; /3=5 мА — <5
кбО’ мкА t/KE= -15 В — <4
/кэк> мкА С/БЭ = 0,5 В; UK3= 15 В; <6 <6 <6
0охр < 20 °C 69кр = 60 °C <70 <70 <70
/эбо» мкА ^эб= L5 В <30 <30 <30'
/к — 10 мА; /г. — 1 мА — 0,5 -0,5 —
/к= 10 мА; /Б = 1 мА — 0,7 — 0,7 —
^КЭО.гр. В Ск, пФ /э= 10 мА икъ = -5B;f = 5 МГц сч —< г- 1 V/ сч Tv/ -12 <5,5
С3, пФ иЭЕ = 0,5 В; f = 5 МГц <50 <50 <50
тк, ПС ^кб :== —В; f э == $ МА; f = 5 МГц 500 500 300
иК5= —10 В; /к= 10 мА 3 3 —
С. *Б Г/КБ= — 10 В; /э = 5 мА; f = 1,6 МГц —— — 6
^КБ.max» В -60 °С<0ОКР<60 °C -15 - 15 — 15
UКЭ max' В t+э — 0.5 В - 15 — 15 — 15
Ь'ЭБ-тах» ° — 60 °C < 0окр< 60 °C -1.5 -1,5 -0.5
1 K.maxt мА eOKp<35 °с 402 402 402
^К.и.тао мА т„= 10 мкс, /\ < РКтах 100 100 100
Р^тах, МВТ еокр^20 °с 753 753 753
А ° пер. тех» — 85 85 85
Р пер-окр. —~ 0,8 0,8 0,8
°С/мВт —-
1 При СЭб = В.
2 При температуре свыше 35 °C максимальное значение тока коллектора (мА)
определяется по формуле /к.тах = 5,2-х/85~—6Окр.
3 При температуре окружающей среды от 20 до 60 °C максимальная мощность
(мВт) рассчитывается по формуле
Рк.тах = (358 6 охр) /0,8.
КТ306А, КТ306Б,
КТ306В, КТ306Г, КТ306Д
КТ306АМ, КТ306БМ, КТ306ВМ, КТ306ГМ, КТ306ДМ
Кремниевые планарные транзисторы п-р-п пред-
назначены для работы в переключающих устройствах (КТ306А,
КТ306АМ, КТ306Б, КТ306БМ) в усилителях высокой частоты
(КТ306В, КТ306ВМ, КТ306Г, КТ306ГМ, КТ306Д, КТ306ДМ).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами (КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д) и пласт-
массовом корпусе с гибкими выводами (КТ306АМ, КТ306БМ,
КТ306ВМ, КТ306ГМ, КТ306ДМ).
Транзисторы в металлостеклянном корпусе эксплуатируются при
6окр от —60 до +125 °C, в пластмассовом — при 0окрот —45 до +85 °C.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 0,65 г,
в пластмассовом — не более 0,5 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ306А КТ306АМ КТ306Б КТ306БМ KT306B KT306BM КТ306Г КТ306ГМ КТ306Д КТ306ДМ
^21Е {7^5 = 1 В, /к= 10 мА; 20...60 20... 100 30... 150
еокр = 2о °с 40... 120 40...200
0<>кр= 100 °C 120 200 > 100
240 400
Обозначение Режим измерения КТ306А КТ 306 АМ КТ306Б КТ306БМ КТ306Б КТ306ВМ ктзоед
КТ306Г КТЗО6ГМ
0окр= —55 °C 8 8 >12
ТВ те
1 ^21э1 t/кв == 5 /з 10 мА; >3 >3 >2
f = 100 МГц 5 >5
А11б, Ом С\б = 5 В; /3 —5 мА; <30 <30 <30
f = l кГц
/кбо. мкА 4/Кв=15 В; 0окр = 2О°С <0,5 <0 5 <0,5
0оКр= юо °C <10 <10 <10
1ЭБО» мкА </эб=4 В 1 sCl < 1
^КЭ.иао Ь / к == 10 мА; Iб = 1 мА <0,3 — —
^БЭ.нас» /к 10 мА; /б == 1 мА z <1 — —
Ск, пФ {/ке = 5 В, / = 10 МГц 5 5 5
Сэ, пФ £/бэ = 0; f = 10 МГц 4.5 4,5 4,5
Тк, ПС ^кб = 5 В; /э = 5 мА; — 500 500
f = 10 МГц
^кэо.гр. В /э = 1 мА; ти = 50 мкс; >10 >10 >10
Q>50 >7 >7
/рас.. НС / к = 10 мА, 1 б = 1 мА 30 — —
^КБ.тох. В 0окр< 100 °C 15 15 15
^КЭВ.тах. В Пэь 3 кОм 10 10 10
^ЭБ.гаах» 0OKp< юо °C 4 4 4
К.тах* мА 0окр< юо °с 30 30 30
К.нас.тах» мА 0окр< 100 °C 50 50 50
fэ.т<ш мА еокр< юо °с 30 30 30
f Э.нас.max* мА 0окр< 100 °C 50 50 50
Рк.тах, МВТ 0окр<9О °C 150* 1501 1501
0окр< 100 °C 125 125 125
fi ° г* u першах» — 150 150 150
1 При увеличении температуры от 90 до 100 сС наибольшая рассеиваемая
коллектором мощность снижается по линейному закону.
4»
мА
0,8
0,4
о
0,2 0,6 U&B
ГТ308А, ГТ308Б, ГТ308В
Германиевые сплавно-диффузионные транзисторы
р-п-р. Предназначены для усиления, генерирования и преобра-
зования электрических колебаний высокой частоты и для работы
в импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 0окр от —55 до +60 °C.
Масса не более 2,2 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения ГТ308А ГТ308Б ГТ308В
^21E £^кв== —1 Zg = Ю мА, 20...75 50...120 80...200
f = 50 Гц; 0окр=25°С
еокр = 70 °с 20...200 50...360 80...600
е0ко= -во °C >15 >30 >45
/КБ0, мкА и о <м V/ а ж о CD V/ и 0 О -to 1
(7Кв= -5 В <2 <2 <2
(7Кб= -15 В 5^ 5 <5 ^^5
еокр=70°С; (/кб= -Ю В <90 <90 <90
/ЭБО, мкА иЭБ=> -2 В <50 <50 <50
1/ЭБ= -3 В <1000 <1000 <1000
1^21э1 Uкб = — 5 В; I $ == 5 мА; >4,5 >6 >6
f = 20 МГц
КЗ. нас* В /к = 50 мА; 1Б — 3 мА -1,5 -1,2 -1,2
^БЭ.нас» В 1 к == 10 мА; /б5= 1 мА -0,5 -0,5 — 0,5
Ск, пФ (/КБ= -5 В; f = 5 МГц <8 <8 <8
Сэ. пФ U3& = — 1 В; f = 5 МГц <25 <25 <25
Тк, ПС ^кб== 5 В; мА, 400 400 500
f = 5 МГц
/рас, МКС /к 60 мА; /б == 4 мА; <1 <1 <1
тн —5 мкс; f = 1...10 кГц
Кш, дБ ^кб==: 5 В; Iэ=»5 мА, — — <8
f = 1,6 МГц
^КБО. maxi В Оокр < 45 °C — 20 — 20 -20
UКБО.и.тал» В тн = 1 мкс -30 — 30 -30
(^КЭК.тах» В 0окр<45 °C — 15 — 15 — 15
^КЭЯ.тах» В /?эб= 1 кОм; 0окр 45 °C — 12 — 12 — 12
^БЭ.тпх» В /эбо 2 мА; 0окр^ 45 °C 3 3 3
^КЭХ.тох» В 0ОК,<45 °C -20 -20 -20
1 К.maxi мА 0окр<45 °C 50 50 50
К.и тох’ МА ти = 55 мкс; 0окр < 45 °C 120 120 120
Рк.тах, МВТ 0Окр<45 °C 150* 1501 150*
^К.н./иах* мВт т„ — 5 мкс 360 360 360
Рпер-окр. — 0,25 0,25 0,25
°С/мВт
'jlpH температуре свыше 45 °C допустимая
по формуле Рк.тох=" 4 (85 — 0окр).
мощность (мВт) определяется
ГТ309А, ГТ309Б,
ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е
Германиевые диффузионно-сплавные транзисторы
р-п-р. Предназначены для работы в усилительных и генератор-
ных миниатюрных радиоэлектронных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 6окр от —40 до 4-55 °C.
Масса не более 0,5 г.
ГТ3091А-Е)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения ГТ309А ГТ309Б ГТ309В ГТ309Г ГТ309Д ГТ309Е
Й21Е 1/цб — —5 В; /э = 5 мА, еокр = 20 °с 20...70 60... 180 20-70 60... 180 20...70 60... 180
Обозначение Режим измерения ГТ309А ГТ309Б ГТЗО9В ГТ309Г ГТЗО9Д ГТ309Е
6окр = 55 °C 20,... 140 20... 140 20... 140
60...380 60...380 60...380
еокр=-40 °с 16...70 16...70 16...70
30... 180 30 „180 30... 180
I КБО> мкА t/KB= -5 В; ®скр 20 °C <5 <5 5
еокр = 55 °C <120 <120 <120
А«б = — 5 В; f = 20 МГц /э=5 мА; >6 >4 >2
Л 226» МКСМ [/КБ= - 5 В; Лэ=5 мА; <5 <5
f =50. „1000 Гц
h нс, Ом t/кв = 1 В; /э = 1 мА; <38 <38 <38
f =50. „1000 Гц
Ск, пФ и^= -5 В; f = 5 МГц <10 <10 <10
Тк> ПС ~ — 5 В; f = 5 МГц /э=5 мА; 500 1000 1000
Аш. дБ UK3= -5 В; /э=1 мА; — — —
f = 1,6 МГц <6 <6
В /?ЭБ= 10 кОм -10 — 10 — 10
Б^КБ.тах> В 0ОКР^55 °C — 10 — 10 — 10
1к.тах> МА Р К-тах» мВт 6охр<55 °C еокр<20 °с 10 50* 10 50’ 10 50‘
0 °C v пер. maxi 70 70 70
бокр, °C — -40...- ф-55
1 При температуре от 20 до 55 °C значение допустимой мощности уменьшается
на 5 мВт на каждые 10 °C.
ГГЗЮА, ГТ310Б,
ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е
Германиевые диффузионно-сплавные транзисторы
р-п-р с нормированным коэффициентом шума. Предназначены
для работы в усилителях высокой частоты малогабаритной
радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до +55 °C.
Масса не более 0,1 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения ГТЗЮА ГТ310Б ГТ310В ГТ310Г гтзюд ГТ310Е
h 21Е ^ks== 5 В; Iз== I мА; 20...70 20...70 20...70
f = 50... 1000Гц; 0окр = 25°С : 60... 180 60... 180 60... 180
еокр = 55 °C 20...140 20... 140 20... 140
60...360 60...360 60...360
0окр= -20 °C 16...70 16...70 16...70
30... 180 30... 180 30...180
1*21,1 (7кб== —5 В; /э=5 мА; / = 20 МГц >8 >6 >4
йпб, Ом ^кб— —5 В; /э— 1 мА; / = 50.100 Гц <38 <38 <38
*226. МКСМ = —5 В; /д= 1 мА; / = 50-1000 Гц <3 <з з
КБО> мкА (7кб = -5 В; 0скр< 20 °C 5 5 5
ф О X о СП СЛ о О < 120 <120 <120
Ск, пФ (/КБ= -5 В; f = 5 МГц; /э= 5 мА <4 <5 <5
Тк, ПС ^кб== 5 В; I э с= 5 мА; 7 = 5 МГц <300 <300 <500
Кш, дБ (7кб= -5 В; /э= 1 мА; f = 1,6 МГц ^$3 <4 <4
Предельно допустимые эксплуатационные данные
max, В /?эб = Ю кОм — 10 -10 -10
/?ЭБ = 200 кОм —6 -6 -6
^КБ.max, В ОокдС 55 °C — 12 -12 -12
IК.тах, мА 6окр<55 °C 10 10 10
Рк.тах, МВт 6окР<35 °C 20' 20' 20'
vnep.max> — 75 75 75
Rпер охр» °С/мВт 2 2 2
1 При температуре от 35 до 55 °C допустимая мощность (мВт) определяется
по формуле Рк.тОж = (75 - 0окр).
ГТЗПЕ, гтзпж, гтзни
Германиевые планарные транзисторы п-р-п. Пред-
назначены для использования в радиовещательных приемниках,
приемно-усилительной и другой аппаратуре широкого приме-
нения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до +55 °C.
Масса не более 2 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение
Режим измерения
ГТ311Е гтзпж ГТЗНИ
^2tE
|Л21Э|
1КБО> мкА
/эво. мкА
^КЭ.иао В
^БЭ.нао В
^КЭО.гв. В
Ск, пФ
=ж 3 В; /3 — 15 мА;
ем. = 25 *с
0^ = 55 °C
0окР= -40 °C
t/jrg 5 В; Iэ = 5 мА,
f = 100 МГц
б^КБ = ^КБ.тах
^ЭВ = ^Э6 тах
15 мА; /Б = 1,5 мА
/к = 15 мА; /Б= 1,5 мА
/э= 10 мА
</КБ~=5 В; 10 МГц
15...80
15...150
10...80
>2,5
<10
<15
<0,3
<0,6
>«
<2,5
50...200
50...350
25...200
>3
<10
<15
<0,3
<0,6
>8
<2,5
100...300
100...500
50...300
>4,5
<10
<15
<0,3
<0,6
>8
<2,5
Обозначение Режим измерения ГТЗПЕ гтзиж гтзни
Сэ, пФ С'ЭБ = 0,25 В; f = 10 МГц <5 <5
Т к, ПС ^кб = 5 В; /э = 5 мА; 75 100 100
рас» НС f = 5 МГц ’ 7к=20 мА;./б = 2 мА; тн — 0,2 мкс; ^бэ.и= —4 В; в схеме ОЭ 50 50 50
Предельно допустимые эксплуатационные данные
U КБ. max > В бокр <45 °C 121 121 10
UsB.max, В ®<жр <45 °C 21 21 1,5*
^КЭИ.тах» В Кэъ А °окр = 110 кОм; <45 °C 12‘ 121 101
^К.тах* МА о VOKP <55 °C 50 50 50
Рк.тах* мВт А °окр <25 °C 1502 1502 1502
v пер. глох» — 70 70 . 70
1 В диапазоне температур от 45 до 60 °C происходит снижение t/кБ.тах и l/joR-ma*
на 1 В на каждые 5 °C, а t/эв.та* — на 0,2 В на каждые 5 °C.
2 При температуре от 25 до 60 °C допустимая мощность (мВт) определяется
по формуле РК тах= 150— 100(0окр — 25)/55.
КТ312А, КТ312Б, КТ312В
Кремниевые эпитаксиально-планарные универсаль-
ные транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в переклю-
чателях, генераторах, радиовещательных приемниках и приемно-
усилительной аппаратуре широкого применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до +85 °C.
Масса не более 1 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ312А КТ312Б KT3I2B
^21Е С/КБ = 2 В; /э = 20 мА;
ф ф 0 О к ж = -П 1 II II ОО КЗ сл о О О г>о 10...100 25...100 50...280
10...200 25...200 60...560
еокр=-40 °с 8... 100 15...100 25...280
1*21,1 1 КБО> мкА 6'кб= Ю В; /э — 5 мА; f = 20 МГц UKE = (UKE.max-5) В; >4 >6 >6
0окр<20 °C < ю <10 <10
6окр = 85 °C <30 <30 <30
/ ЭБО» мкА 6/Эб — 4 В < ю <10 <10
б^кЭ.иао В /к = 20 мА; /б = 2 мА <0,8 <0,8 <0,8
^БЭ.нас» В /к=20 мА; /б = 2 мА <1,1 <1,1 <1.1
U КЭО.гр, В /э = 7,5 мА >20 >35 >20
Ск, пФ UKB= 10 В; f = 2 МГц <5 <5 <5
Тк, ПС f7KB = Ю В; /э = 5 мА; f = 2 МГц 500 500 500
Сэ, пФ иЭБ = 1 В; f = 2 МГц <20 <20 <20
U КЕ. тах> В 6окр < 85 °C 20 35 20
6^K9R.mox» В /?ЭБ — 100 Ом 20 35 20
&ЭБ .max* В еокр<85 °C 4 4 4
К. то*» мА еокр<85 °C 30 30 30
1 К.и.то*» мА еокр < 85 °C 60 60 60
Рк-тах, мВт еокр^20 °с 225* 2251 225’
Як.«,жа*. мВт Т„ < 1 мкс 450 450 450
л ор ° пер. max* — 150 150 150
Rпер-окр» °С/мВт — 0,4 0.4 0,4
I
При температуре от 20 до 85 °C допустимая мощность (мВт) определяется
по формуле Рк.тах = 75 + 2,5 (85 — 0окр).
ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В
Германиевые сплавно-диффузионные мезатранзи-
сторы р-п-р. Предназначены для использования в радиоприем-
ных и телевизионных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 0окр от —20 до 4-55 °C.
Масса не более 2 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов эксплуатации
Обозначение Режим измерения ГТ313А ГТ313Б ГТ313В
^21Е {/кв = —5 В; Iэ = 5 мА; — — —
f = 50...1000 Гц
0окр = 2О °C 20...250 20-250 30...170
®окр = 55 °C 20-500 20-500 —
оокр = -40 °с 15-250 15...250 —
1 h 21 э| ^кб — —5 В; /э —• 5 мА; 3-10 4,5-10
f = 100 МГц
7 кбо, мкА 17кб = — 12 В <5 <5
/ЭБО, мкА иЭБ= —0,25 В $С50 <^50 <50
^КЭ.нао В /к= 15 мА; /б= 1,5 мА — 0,7 — 0,7 — 0,7
^БЭ.нас» ® /к= 15 мА; /Б = 1,5 мА — 0,6 -0,6 — 0,6
Ск, пФ (УКБ = -5 В; f = 10 МГц <2,5 <2,5 <2,5
Сэ, пФ иЭБ = —0,25 В; f = 10 МГц <14 <14 <18
ПС = —5 В; /э = 5 мА; 75 40 75
f = 5 МГц
ДБ /э = 5 мА; / = 180 МГц — <7 —
^КБО. muxi В 0окр < 55 °C -15 -15 -15
^ЭБ.тах» В еокр < 55 °C -0,2 -0,2 — 0,2
КЭП. тах> В /? эб = 300 Ом — 12 -12 -12
/?ЭБ = 2 кОм — 15 -15 — 15
7 К.тох. мА 0окр < 55 °C 30 30 30
Рк.тах, МВТ 0окр = 20 °C 100* 100* 100*
0окр = 55 °C 50* 50* 50’
пер’Окр* — 0,9 0,9 0,9
°С/мВт
1 В интервале температур от 20 до 55 °C допустимая мощность снижается по
линейному закону.
ГТ313Б
Обозначение Режим измерения КТ313А КТ313Б
frp, МГц икэ= —20 В, /к=50 мА >200 >200
Тк, ПС = —5 В, /э= 1 мА f = 30 МГц <120 <120
рас» /к = 30 мА, /Б —3 мА 80...120 80...120
^БЭ.иао ® /к= 150 мА, /Б = 15 мА <1,3 <1,3
/ КБО> мкА -50 В 6окр= +25 °C <0,5 <0,5
/эбо, мкА 9Окр= +85 °C 1/ЭБ= -5 В оЛ. W V/V/
Ск, пФ 1/КБ- -10 В <12 <12
С3, пФ 1/ЭБ = Р 25...45 25...45
^КБ.та*> В -60 -60
б'кЭК.тал, В /?БЭ = 1 кОм -50 -50
Uab.max, В -5 -5
К- тах» мА Без теплоотвода 350 350
К. и. max* мА С теплоотводом 600 600
/н< 1 мкс, 10 700 700
I Б.тах» МкА 150 150
РКтах, мВт 0окр < 25 °C 300 300
Рк.н.тах, мВт t„ < 1 мкс, Q > 10 1 1
Япер-окр. °С/мВт 300 300
КТ313А, КТ313Б
Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисторы
р-п-р. Предназначены для применения в усилителях высокой
частоты и переключающих устройствах. Выпускаются в метал-
лостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до 4-85 °C.
Масса не более 0,5 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения KT313A КТ313Б
^21Е ^КБ= —10 В, /э= 1 мА 0окр = 25 °C 6Окр=-40°С 0ОКР= 4-85 °C 58 30... 120 15... 120 30...300 80...300 30...300 80...600
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,
КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И,
КТ315А1, КТ315Б1, КТ315В1, КТ315Г1,
КТ315Д1, КТ315Е1, КТ315Ж1, КТ315И1,
КТ315Н, КТ315Р1
Кремниевые.планарно-эпитаксиальные усилительные
транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в усилителях
высокой, низкой и промежуточной частоты радиоэлектронной
аппаратуры широкого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип транзистора указывается на этикетке и корпусе в виде
буквы соответствующего типономинала.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до Т-Ю0°С.
Масса не более 0,18 г.
КТ515(А-И)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режим*» работы
Обозначение Режим измерения КТ315А KT3I5B КТ315Д * КТ315Ж КТ315Н1
КТ315Б КТ315Г КТ315Е КТ315И KT315PI
Й21Е б\э= Ю В; 20...90 20...90 20...90 30...250 50...350
50...350 50...350 50...350 30 160...350
в ф -ч о 0 W 5 ’ II II II 1 — КЗ _ О СЛ s о о> О ° 20...250 20...250 20...250 30...250
50...700 50...760 50... 700 50.. .700
0<жр=-60 °C 5...90 5...90 5...90 >5
1з:..35о 15...350 15...350 >15
>2.5 >2,5
1^21»! 1/кэ= 10 В; /,=»5 мА; / =- 100 МГц >2,5 >2,5 >2,5 >1.6 >2,5
ft 22э. МКСМ Ю В; /, = 5 мА <0,3 <0,3 <0,3 <0.3 —
ft из. Ом Z/кв» Ю В; /,= 1 мА С 40 <40 <40 <40 —
/КБ0. мкА t/KB= 10 В; в.К(,<25 °C <1 <1 <1 <1 <0,5
6^=- 100 °C <15 <15 <15 <15 —
Обозначение Режим измерения KT3I5A KT3J5E КТ315В КТ315Г КТ315Д KT3I5E КТ315Ж КТ315И КТ315Н1 KT3I5P1
7эбо, мкА 1/эб==5 В <30 <30 <30 <30 <50 —
^КЭ.нас» В /к= 20 мА; <0,4 <0,4 <1 <0,5 <0,4
/Б — 2 мА
^БЭ.нас» В /к = 20 мА; <1,1 <1,1 <1,5 <0,9 —
/Б = 2 мА —
^КЭО.гр. В /э == 5 мА >15 >30 >30 >15 —
>25 >25 >30
Ск, пФ икъ= 10 В 7 7 7 10
Тк, ПС 10 В;
/э = 5 мА 500 50 1000 —
^КБ.таг» В еокр < юо °с 25 40 40 15 20
20 35 35 60 35
в БЭ max’ 1 0ОкР< 100 °C 6 6 6 6 6
UКЗ. max., В 0окр< 100 °C 25 40 40 15’ 20
20 35 35 601 35
7К max, мА 0окр< 100 °C 100 100 100 50 100
РК /пах» мВт 0окр<20 °C 1502 1502 1502 100 150
fl ° г* °пер.таг» 0окр < 20 °C 120 120 120 120 —
R пер-окр» °С/мВт — 0,67 0,67 0,67 0,67
1 При /?ЭБ = 0.
2 При температуре от 20 до 100 °C допустимая мощность (мВт) определяется по
формуле Рц.тах ==(120 — еокр)/0,67.
3 Транзисторы с цифрой 1 в конце обозначения и без нее имеют одинаковые
параметры.
КТ316А, КТ316Б,
КТ316В, КТ316Г, КТ316Д,
КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ГМ, КТ316ДМ
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы
п-р-п. Предназначены для работы в быстродействующих пере-
ключающих (КТ316А, КТ316АМ, КТ316Б, КТ316БМ, КТ316В,
КТ316ВМ) и усилительных (КТ316Г, КТ316ГМ, КТ316Д,
КТ316ДМ) устройствах. Выпускаются в металлостеклянном
корпусе с гибкими выводами (КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г,
КТ316Д) и пластмассовом корпусе с гибкими выводами
(КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ГМ, КТ316ДМ). На
.пластмассовых корпусах маркировка указывается в сокращен-
ном виде: 316А, 316Б, 316В, 316Г, 316Д.
Транзисторы в металлическом корпусе эксплуатируются при 0окр
от —60 до + 125 °C, а в пластмассовом — от —45 до +85 °C.
Масса не более 0,6 г.
Электрические параметры н предельные значения
допустимых режимов работы
KT3I6A КТ316Г
Обозначение Режим измерения КТ316АМ КТ316В КТ316ГМ
КТ316Б КТ316ВМ КТ316Д
КТ316БМ ктз1бдм
Й21Е ^кб== 1 В; === Ю мА; 20...60 40...120 20... 100
0окр = 2О °C 40... 120 60...300
e0KJ> юо °с 20... 120 40...240 20...200
40..Т4О 60...600
0окр=-6О °C 10...60 20... 120 10...100
20... 120 30...300
= 5 В; /э=== 10 мА; >6 \\/ 00 >6
/ = 100 МГц . >8 >8
h226, мкСм 1/КБ = 10 В; /э = 1 мА <4' <4 <4
Лцб> Ом 10 В; 1 э == 1 мА <40 <40 <40
/ КБО» мкА икъ= 10 В; 0окр = 2О°С <0,5 <0,5 <0,5
0окр=1ОО °C <5 <5 <5
/ ЭБО» мкА ^эб = 4 В <1 <1 <1
(^КЭ.нас» В /к == мА; /5 1 мА <0,4 <0,4 <0,4
^БЭ.нао ® /к= 10 мА; /Б = 1 мА <1,1 <1,1 <Ы
^КЭО.гр, В /э = 1 мА >5 >5
Ск, пФ £/кб = 5 В; f = 10 МГц 3 <3 <3
Тк, ПС (УКБ=5 В; /э = Ю мА; f = 10 МГц — —— 150
Сэ, пФ иБЭ = 0‘ f = 10 МГц <2,5 <2,5 <2,5
^рао НС /к= 10 мА; /Б= 1 мА 10 15 —
Uv3H.max> В /?ЭБ < 3 кОм 10 10 10
^КБ.тпх, В 0окР< 125 °C 10 10 10
^БЭ.тйх» В вокр< 125 °C 4 4 4
I К. maxi мА 0окр<125 °C 30 30 30
К.иас.тох, мА 0ок₽< 125 °C 50 50 50
Э.тах. мА 0окр< 125 °C 30 30 30
f Э. нас. max > М А 0окр<125°С 50 50 50
Рк.тах, МВТ . 6окр<75 °C 1501 150’ 1501
Л ОГ 120 120 120
р 0,67 0,67 0,67
°С/мВт
1 При температуре свыше 75 °C допустимая мощность снижается на 2 мВт
на I °Г.
0 ¥ 8 ПУЮ,В 0 4 В 12^,8
ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В
Германиевые сплавно-диффузионные транзисторы
р-п-р. Предназначены для работы в генераторах, усилителях,
преобразователях колебаний высокой частоты и в импульсных
быстродействующих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 0окр от —55 до -f-70 °C.
Масса не более 2,2 г.
гтзго
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения ГТ320А ГТ320Б ГТ320В
*21Е Т/КБ = —1 В, /э= 10 мА;
еокр = 20 °с 20...80 50....160 80...250
вокр = 70 °C 20..120 50...280 80...500
еокр=-55 °C >15 >35 >50
*21Е {/КБ= —3 В; /э=200 мА >20 >50 >80
1*21,1 1/кБ = —5 В; 1->== Ю мА; >4 >6 >8
f = 20 МГц
7КБО> мкА t/KB= -20 В; 0окр = 20°С <10 <10 <10
L/KB=—20 В; 0окр = 70оС <90 <90 <90
t/KB— —20 В; 6окр = <6 <6 <6
= -55 °C
/ЭБО» мкА иЭБ= -2 В <100 <100 <100
^КЭ. нас» В = 200 мА; /б == 20 мА; — 1,7 -1,7 -1,7
^БЭ- нас» В 1к_ — 10 мА; /Б — 1 мА — 0,5 -0,5 —0,5
6\эО. гр» В /э== 10 мА -13 -11 -9
Ск, пФ иКБ~ — 5 В; f = 5 МГц <8 <8 <8
Сэ, пФ иэъ= -1 В; f = 5 МГц <25 <25 <25
Тк, ПС "“5 В; /д = 5 мА; 500 500 600
f = 5 МГц
б^ЭБО. maxi В 0окр<45 °C. — 3 — 3 -3
б^КЭХ.тпх» В 0ОКР< 45 °C — 15 — 15 -15
^КЭХ.и.тах, В тн < 1 мкс; Q > 10 -25 —25 -25
^КЭО. maxi В еокр< 45 °C — 20 -20 -20
^КЭР.тох, В /?эб^ 1 кОм — 12 -И —9
б^КБО. maxi В вокР<45 °C -20 -20 — 20
^К. тал» мА 6окР<45 °C 150 150 150
/к. и. пгахч мА ти < 5 мкс; Q > 2;
6окр<45 °C 300 300 300
Рк.тах, мВт 0окр<45 °C 200' 200' 2001
1 При температуре от 45 до 70 °C допустимая мощность (мВт) определяется
по формуле Рк.тах = 4.45(90 — 6окр).
3 В. И, Галкин и др.
65
ГТ321А, ГТ321Б,
ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е
Германиевые конверсионные быстродействующие
транзисторы р-п-р. Предназначены для работы в высокочастот-
ных и импульсных радиотехнических устройствах широкого при-
менения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 0оКр от —60 до +70 °C.
Масса не более 2,2 г.
П32ЦА-Е)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения ГТ321А ГТ321Б ’ TT32IB ГТ321Г' ГТ321Д ГТ321Е
^21E 77цэ == —3 В; 500 мА; 20.60 80...200 40... 120
еокр = 20 °с 40... 120 20.;.60 80...200
|Л 21э1 иКБ= —Ю В; 7Э = 15 мА; >3 3 з
f = 20 МГц
7кбо» мкА (7 кб = икъо_тах <500 ' <500 ' <500
7 k3r> мкА ^КБ—1 U'Vb.max'i <800 <800 <800
ЭБ = 100 Ом
^КЭ. нас» В 7к = 700 мА; /Б=/Б — 2,5 \ -2,5. ’-2,5
77 БЭ. нас» В . /к—700 мА; 7Б=/Б — 1,3 -т1,3 — 1,3
^ЭО.гр» В 1 7Эи = 700 мА; Q>300 — 40 ; I —40 "^гЗО- -30
ск, пФ 1/кв^ -Ю В; / = 5 МГц <80 <80Г <80
Сз, пФ (7эб == —0,6 В; f = 5 МГц < 600 ' > <600 <600
Обозначение Режим измерения ГТ321А ГТ321В ГТ321Г ГТ321Д ГТ321Е
ГТ321Б
Г к, ПС </КБ = — 10 В; f — 5 МГц; 600 600 600
рас» МКС /э = 15 мА /к = 700 мА; /Б=/Б; 1 1 1
ти = 5„.1О мкс; f = 5 кГц
^K3R max. В /?эб 100 Ом; -50 -50 -40
еокр<45 °C -40
^KBO.mab В еокр<45 °C -60 -60 -45
—45
^БЭ-wo*» ® £/окр<45 °C 4 4 2.5
2,5
1 К. max’ МА бокр < 45 °C 200 200 200
К. и. max. А ти = 30 мкс; 0окр < 45 °C 2 2 2
Б. глох» мА 0окр <45 °C т И = 30 мкс 30 506 30 500 30 500
Рк.шах. МВТ 0окр < 45 °C 1603 1603 1603
^К.'и.тах» Вт ®«и<Р<45 °C 20 20 20
А °C vnep.max» — 85 85 85
пер-окр» °С/мВт — 0.25 0.25 0,25
1 При !ъ = 140 мА для ГТ321А, ГТ321Г; /Б = 70 мА для ГТ321Б, ГТ321Д.
/б = 35 мА для ГТ321В, ГТ321Е.
2 При /Б = 17,5 мА для ГТ321В. ГТ321Г; /Б=35 мА для ГТ321Б, ГТ321Д,
/Б= 70 мА для ГТ321А, ГТ321Г.
3 При температуре от 45 до 60 °C допустимая мощность (мВт) определяется
по формуле Рц.так = (85 — 0окр)/О,25.
КТ321А, КТ321Б, КТ321В, КТ321Г, КТ321Д, КТ321Е
Кремниевые эпитаксиально планарные транзисторы
р-п-р. Предназначены для применения в импульсных усилите-
лях и переключающих устройствах. Выпускаются в металло-
стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Эксплуатируются при 0окрот —60 до 4-125 °C.
Масса не более 2,2 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
КТ321А КТ321В КТ321Д
Обозначение Режим измерения КТ321Б КТ321Г КТ321Е
Л 21Е Uкэ = — 3 В, 7 к = 50 мА 20...60 80...200 40... 120
еокр= 4-25 °C 40... 120 20...60 80...200
frp МГц 7/Кб = -10 В, 7э=15мА >60 >60 >60
ПС Т/КБ = — 10 В, 1э — 15 мА <400 <400 <400
f = 5 МГц
fpac, мкс /к=700 мА, /б = 70 мА 1 ’"Г" —
• 1 —
:= 700 мА, 1 б ==г 35 мА — — 1
1 —
/к = 700 мА, /Б= 175 мА — 1 —
— 1
^КЭ. нас, В <2,5 <2,5 <2,5
б^БЭ. нас» <1,3 <1,3 <1,3
IКБО» мкА ^КБ— —U КБ. max <100 <100 <100
1 кэо» мкА U КЗ = — ^КЭ. та*, <200 <200 <200
- /?БЭ< 100 Ом
1 БЭО» мкА {/эб = 4 В <100 <100 <100
Ск, пФ t/кв = — Ю В <80 <80 <80
Сэ, пФ 7/эб=О,5 В <250 <250 <250
б'КБ. та*» В — 45 — 45 -45
б^КЭК.а.ях» В /?бэ< 1 кОм — 40 -40 —40
^7ЕЭ та*, В — 4 —4 —4
К. та*, МА 200 200 200
I Б. max* мА 30 30 30
/ К. и. А /„<30 мкс, Q > 300 2‘ 2* 21
^Б. и. тахг А 0,5 0,5‘ 0,5
Рк.тах, МВт 0окр<45 °C 210 210 210
РК. и. та*» Вт /„<30 мкс, Q>300 20* 20‘ 20*
0окр<45°С
1 В диапазоне температур 4"45...4- 125 °C допустимые значения l^.u.max и
импульсной рассеиваемой мощности снижаются линейно на 0,01 А/°С
и 0,18 Вт/°С.
ГТ323А, ГТ323Б, ГТ323В
Германиевые меза-планарные транзисторы п-р-п.
Предназначены для работы в высокочастотных импульсных и
генераторных каскадах радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 6окр от —55 до -J-60 °C.
Масса не более 2 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения ГТ323А ГТ323Б ГТ323В
Л2|Е £/кэ=5 В; /к = 0,5 А; ти = 10 мкс; f = 1 кГц 20...60 40... 120 80...200
£/кэ = 5 В; /к= 1 А; т„ — 10 мкс; f — 1 кГц >15 >25 >55
/гр, МГц ^кб === 5 В; /э = 200 мА >200 >200 >300
/ КБО> мкА ^кб = 20 В <30 <30 <30
/эБО> мкА 6'эб = 2 В <100 <100 <4 00
^КЭ. нас» В /к= 1 А; /Б = 100 мА; тн= 10 мкс; f = 1 кГц <2,5 <2,5 <2,5
^БЭ. нас» В /к= 1 А; /Б = 100 мА; т„=10 мкс; f = l кГц <3 ^3 <3
Обозначение Режим измерения ГТ323А ГТ323Б ГТ323В
б'кэо гр. В G, пФ /э= 100 мА >10 >10 >10
СКБ = 15 В; / = 5 МГц <зо <30 <30
Сэ, пФ (7ЭБ=0,25 В; f = 5 МГц <100 <100 <100
Тк, ПС СКБ = 10 В, /э= 10 мА; /= ю МГц 300 300 300
/рас. НС /к= 1 А; 7Б = / Б) 100 100 150
^КБ В 0окр < 60 °C 20 20 20
^КЭЕ тал» В /?эб= 1 кОм; 0окр<60 °C 10 10 10
''ЭВ. талt В еокр<бо сс 2 2 2
^КЭХ. max t В СБЭ = 0,25.„2 В; eOhp<60 °с 20 20 20
Р. А 4 К и так г п 0окр < 60 °C 1 1 1
/’к та." Вт Оокр < 50 °C 0,52 0,52 0,52
Р К тал ’ Вт 0оир<25 °C 0,25J 0.253 0,25э
и. ® т„ — 0,5 мкс 5 5 5
1 /,. = ЮО мА для ГТ323А, /Б, = 50 мА для ГТ323Б; /Б,= 25 мА для ГТ323В
2 При вскр > 50 °C допустимая мощность (мВт) определяется по формуле
Рк.Н1С.( = Ю(100-0окр).
J При температуре свыше 25 °C допустимая мощность (мВт) определяется по
формуле Рк „,йЛ = 250 — 3,78(0окр — 25).
КТ325АМ, КТ325БМ, КТ325ВМ,
КТ325А, КТ325Б, КТ325В
Кремниевые эпитаксиально-планарные усилительные
СВЧ транзисторы п-р-п. Предназначены для использования
в усилителях высокой частоты радиоэлектронной аппаратуры
широкого применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (КТ325А, КТ325Б, КТ325В) и в пластмассовом корпусе
с гибкими выводами (КТ325АМ, КТ325БМ. КТ325ВМ). На
пластмассовых корпусах маркировка указывается в сокращен-
ном виде: 325А, 325Б, 325В. ... ...
Транзисторы в металлостеклянных корпусах эксплуатируются при
0окр от —60 до 4-125 °C, а в пластмассовых — от —45 до 4-85 °C.
Масса транзистора не более 1,2 г в металлостеклянном корпусе
и не более 0,5 г — в пластмассовом.
КТ325(АМ-ВМ)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ325А КТ325Б КТ325В
КТ325АМ КТ325БМ КТ325ВМ
^21э €/кб = 5 В; /э= ЮмА; f= 1 кГц 30.-.90 70...210 160...400
1^21»! = 5 В; Ij— 10 мА; f = 100 МГц >8 >8 >10
/КБО, мкА /7кб= 15 В; 0окр = 25°С <0,5 <0,5 <0.5
^ЭБО, мкА Уэб = 4 В <1 <1 <1
^КЭО.гр, В 1э= 1 мА >15 >15 >15
Ск, пФ €/КБ —5 В; f = 10 МГц <2,5 <2,5 <2,5
Сэ, пФ (УЭБ = 0;/ = 10 МГц <2,5 <2,5 <2,5
Тк, ПС £/кб = 5 В; /э=10 мА; f = 10 МГц 125 125 125
UКБО. проб» В 0окр< 125 °C 15 15 15
^ЭБО.проб» В вокр< 125 °C 4 4 4
^K3R. max, В IК. maxi мА /?ЭБ< 3 кОм 10 10 10
0окр< 125 °C 30 30 30
^К. и. max «мА 0окр< 125 °C 60 60 60
^Э.тах, мА еокр< 125 °C 30 30 30
^Э. и. тах> мА еокр< 125 °C 60 60 60
Рц.max, МВТ 0Ofip<85 °C 225* 225' 225‘
0окр=125 °C 85' 85 ‘ 85‘
1 При изменении температуры от 85 до 125 °C допустимая мощность умень-
шается по линейному закону;
КТ326А, КТ326Б, КТ326АМ, КТ326БМ
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы
р-п-р. Предназначены для применения в усилителях высокой
и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. Тран-
зисторы КТ326А, КТ326Б выпускаются в металлостеклянном
корпусе с гибкими выводами; КТ326АМ, КТ326БМ — в пласт-
массовом корпусе с гибкими выводами. На пластмассовый кор-
пус наносится условная маркировка цветной точкой со стороны
коллектора: КТ326АМ — розовой; КТ326БМ — желтой.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до -j- 125 °C.
Масса транзисторов в металлостеклянном корпусе не более 0,5 г,
в пластмассовом — 0,3 г.
К132Б(АМ-БМ)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ326А КТ326Б
KT326AM КТ326БМ
Л 2IE Uks:== —2 В; /д = 10 мА; 20...70 45...160
0окр = 25 °C 0<жР = 125 °C 10....140 22...320
0скр= -60 °C 6...70 13,5...160
1*21,1 иКъ= —5 В; 1э— Ю мА; 1 “ 100 МГц >4 >4
КБО, МКА ^КБ = ^КБ.тах! 0Окр = 20 °C <0,5 <0,5
0окр= 125 °C <10 <10
7эбо> мкА ^ЭБ — ^ЭБ. max <0,1 <0,1
^КЭ.иао В /к= 10 мА; /Б = 1 мА -0,3 -0,3
^ЭБ. иас, В Iк == мА; 1 б == 1 мА -1,2 -1,2
Ск, пФ г;КБ= -5 В; f = 10 МГц <5 <5
Сэ, пФ иЭБ = 0; f = 10 МГц <4 4
Ти, ПС —5 В; /д10 мА; f = 5 МГц 450 450
^КБО.тгис, В 0окр<125 °C -20 -20
^КЭК.тах, В /? ЭБ < 100 кОм -15 -15
^ЭБО.тал. В еокр< 125 °C — 4 —4
/К. max* мА 0окр< 125 °C 50 50
Рк.тах, МВТ 0окр < 30 °C 2001 200'
А О Г* ° пер. maxi — 150 150
R пер-окр. °С/Вт — 0,6 0,6
1 При температуре от 30 до 125 °C допустимая мощность (мВт) определяется
по формуле Рк. тах = (150 — 0окр)/О,6.
ГТ328А, ГТ328Б, ГТ328В
Германиевые эпитаксиально-планарные транзисторы
р-п-р с нормированным коэффициентом шума на частоте
180 МГц. Предназначены для усиления сигналов в метровом
диапазоне длин волн с автоматической регулировкой усиления.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до +55 СС.
Масса не более 2 г.
ГТ32д(А~В)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения ГТ328А ГТ328Б ГТ328В
21Е иКБ= — 5 В, /э— 3 мА
0о«р= +20 °C 20...200 40...200 10...50
0Окр= -40 °C 5...200 10..20 3..50
0<жр — +55 С, 20...600 40. .600 20...150
+Р. МГц t/KB= —5 В, /э=2 мА 400 300 300
= —5 В, /э = 10 мА 90 90 90
Тк, ПС С/КБ = —5 В, /э=2 мА, <5 <10 <10
f = 15 МГц
Л'ш. дБ (7Кв = — Ю В, /э— 2 мА, <7 <7
R, — 750 м
f = 180 МГц
/КБ0, мкА L7Kb= -15 В, 0окр=2О °C <10 <10 <10
/ЭБО- МКА иэь= 0,25 В, 0окр = 2О°С < 100 <100 <100
Ск, пФ С/кб=-5 В <1,5 <1,5 <1.5
С,, пФ U3b= 0,15 В <2,5 <5 <5
^КВ. max, Б -15 -15 — 15
Б^КЭИ. max’ В /?ЭБ < 5 кОм — 15 — 15 -15
0,25 0,25 0,25
7 К. max» МА 10 10 10
Рк тах, МВТ 50 50 50
ГТ329А, ГТ329Б,
ГТ329В, ГТ329Г, ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ,
ГТЗЗОИ, ГТ341А, ГТ341Б, ГТ341В
Германиевые планарно-эпитаксиальные транзисторы
п-р-п. Предназначены для работы в селекторах телевизионных
каналов метрового диапазона волн, в УКВ блоках радиовеща-
тельных приемников и других высокочастотных устройствах
широкого применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими по-
лосковыми выводами. Обозначения транзисторов типа ГТ329
и ГТ341 приводятся на крышке корпуса.
Для транзисторов ГТЗЗО применяется буквенная и цветная
маркировка: ГТЗЗОД — буква Д и полоска красного цвета;
ГТЗЗОЖ — буква Ж и полоска зеленого цвета; ГТЗЗОИ — буква
И и полоска белого цвета. Цветная полоска наносится на фланец
между выводами коллектора и корпуса.
Эксплуатируются при GOKp: ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329В, ГТ329Г -
от —60 до 60 °C;
ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ — от -40 до 4-55 °C;
ГТ341А, ГТ341Б, ГТ341В — от -40 до 4-60 °C.
Масса транзисторов ГТЗЗО (Д...И) не более 2 г, остальные не бо-
лее 1 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения ГТ329А ГТ329Б ГТ329В ГТ329Г ГТЗЗОД ГТЗЗОЖ ГТЗЗОИ ГТ341А ГТ341Б ГТ341В
^21Е (7КБ—5 В; /э —— 5 мА, еокр=25 °C 15...300 15...300 30...400 30...400 15...300 15... 300
еокр = бо °с 12...750 12...750 15...1000 15...1000 12...840 12...840
0окр= -60 °C 5...360 5...360 12...600 12...600 5...360 5...360
Обозначение Режим измерения Г Т329А ГТ329Б ГТ329В гтззод гтззож гтззои ГТ341А ГТ341Б ГТ341В
ГТ329Г
l^2i3l t/KB=5 В; /э — 5 мА; f = 300 МГц >4 >3,3
/ = 100 МГц >5,6 >1000 >5 >5 —
^кбо> мкА ^кб = Ю В; <5 о — ш AW/ <5 <5
/эбо, мкА еокр = 20 °с Оокр = 60 °C <50 <50 <50 <50 <50
с: £ Cfl ОТ II II р р СП W DO DO — — — — —
<100 — — <50 <50
иБЭ= 1 В — <100 <100 — ——• <50
и&э= 1,5 В —’ — <100 <100 —
Ск> пФ 1/КБ = 5В; <2 <3 <3 <3 <1
Сэ, пФ f = 30 МГц Убэ=0,5 В; 1П со со" V/V/ /Л /Л w to ся <5 ш — in V/V/ —
f = 30 МГц 1/БЭ=0,3 В; — — — — <2
Тк, ПС f = 30 МГц £/кэ= 5 В; 15 20 30 <2 30 10
^КЭ. нас, В /к=5мА; f = 30 МГц /к =20 мА; 30 15 50 <0,3 со 12 ° V/
б^БЭ. нас, В /Б = 2 мА / к = 20 мА; — — <0.7 <0,7 —
Аш', дБ /Б = 2 мА иКэ=5 В; <4 <6 —— — —
/к = 3 мА; f = 400 МГц <4Э=5 В; /к=5 мА f = 400 МГц <6 <8 <8
^кэ = 5 В; — — — — <5,5
^кэо.гр, В /к= 2 мА; f= 1 ГГц >5 >5 >6 in «5 V/ Л\ | —
max’ В /?бэ< 1 кОм; 0окр<60 °C 5 5 — "5 5
иБЭ= 10 В; 10 10 — 5
Б^КЭХ. тах> В UКБ. max’ В 0окр<60 °C еокр<бо°с .. 10 10 10 10 10
/эбо— 100 мкА; 1,5 0,3 0,3 0,5
Обозначение Режим измерения ГТ329А ГТ329В ГТ329Г гтззод гтззож гтззои ГТ341А ГТ341Б ГТ341В
ГТ329Б
^БЭ. max. В 0окр < 60 °C 0,5 0,5 1,5
IК. maxi мА 0окр < 60 °C 20 20 20 20 10 10
А °C — 80 80 60 60 85 85
Рпер-окр» °С/мВт — 0,8 0,8 1 1 0,8 0,8
Рк. max, МВТ 0оКр<45 °C 50 50 50 50 —
Рц.тах, МВТ Л,,— мА s 0окр—55 °C ГТ329(/Н1 z 25 25 35 35
КТ337А, КТ337Б, КТ337В
Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисторы
р-п-р. Предназначены для работы в радиотехнической и элект-
ронной малогабаритной аппаратуре широкого применения.
Маркируются двумя цветнымиточками на корпусе: КТ337А —
красного и розового цвета; КТ337Б — красного и желтого цвета;
КТ337В — красного и синего цвета.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (вариант I) и в пластмассовом корпусе (вариант 2)
Эксплуатируются при 0окр от —40 до -4-85 °C.
Масса не более 0,2 г.
Вариант /
Вариант 2
КТ337(/!-В/
Вариант J
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ337А КТ337Б KT337B
^21E i7KB = —0,3 В; /э = Ю мА; 0окр = 25 °C >30 >50 >70
0окр = 85 °C 24...60 40...100 56...I40
6окр= - 40 °C >9 >15 >21
1^21э1 1/кь = -5 В; /э= 10 мА; /=100 МГц >5 >6 >6
7кбо> мкА </КБ = -6 в <1 <1 <1
7кэв» МКА /? эб 10 кОм; Uкб = — 6 В <5 5
iЭБО» мкА 6^эб= —4 В <5 5^5 <5
UКЗ. вас» В /к:== 10 mAj 1 мА — 0,2 — 0,2 -0,2
^БЭ. нас» В /.к = 10 мА', / б 1 мА -1 — 1 — 1
Ск, пФ иКБ = -5 В; f = 10 МГц <5 5 <5
Сэ, пФ £/ЭБ=0; f = 10 МГц <5 5 <5
рас» НС /к= 10 мА; /Б= 1 мА 25 28 28
t'KSR. max». В /?эб^ Ю кОм -6 -6 -6
^ЭБ. max г В 0окр< 85 °C — 4 — 4 — 4
КБ. тах» В 0окр<85 °C — 6 — 6 — 6
^К. тах» мА 0окр<85 °C 30 30 30
Рк.тах, мВт 0Окр<60 °C 150' 150' 1501
А °C* ипер./пах» — 150 150 150
пср-окр» °С/мВт — 0,6 0,6 0,6
При температуре от 60 до 85 °C допустимая мощность (мВт) определяется
по формуле Рк тах = (150 — 6окр)/0,6.
КТ339А, КТ339Б,
КТ339В, КТ339Г, КТ339Д
Кремниевые; планарно-эпитаксиальные транзисторы
п-р-п. Предназначены для работы в выходных каскадах УГ1Ч
цветных и черно-белых тедевизоров 1-г,о и 2-го классов.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до +85 °C.
Масса не более 0,4 г
КТ3391А-Д}
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов эксплуатации
Обозначение Режим измерения КТ339А КТ339Б КТ339В КТ339Г КТ339Д
^21Е Uкб = 10 В; /э = 7 мА 1С ю СМ — Л\Л\ >25 >15 >15
/ = 100 МГц WW ю со СП >4,5 >2,5 >2,5
/ КБО» мкА £/кб=40 В <1* <1 <1
ск, пФ £7Кб=5 В; f = 10 МГц <2 <2 <2
Тк, ПС f = 5 МГц <25 <50 <100 <150
^КЭ тех В 6окР<85 °C 25 12 25 25
^КБ max» В 0окр<85 °C 40 25 40 40
^ЭБ max • В еокр<85 °C 4 4 4
/К max» мА бокр 70 °C 25 25 25
Рк max, мВт Оокр < 55 °C 2502 2502 25O2
0 °C vncp max» — 120 120 120
\ Для КТ339Б t/KB== 25 В.
2 При повышении температуры
шается до 160 мВт
от 55 до 70 °C допустимая мощность умень-
КТ340А, КТ340Б,
КТ340В, КТ340Г, КТ340Д
Кремниевые эпитаксиально-планарные универсаль-
ные транзисторы п-р-п. Предназначены для использования в
усилительных (КТ340А, КТ340Д) и переключающих (КТ340Б,
КТ340В) устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 0окр от —10 до 4-85 °C.
Масса не более 0,6 г.
КТЗЮ(А-Д)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ340А КТ340Б KT340B КТ340Г КТ340Д
^21Е £/Кэ = 1 В; /к = 10 мА 100... 150 35* >40
100 162 .
б'кэ—8 В; /э=10 мА; f =’100 МГц >3 >3 >3
7 кбо» мкА КБ. max < 1 <1 <1
1 ЭБО> мкА t/эв = 5 В <100 <100 <100
t/кЭ.лас» В /к = 50 мА; /Б = 5 мА —
<0,3
/к — 200 мА; /Б = 20 мА — <0,4 —
Ск, пФ 6/КБ= 5 В; [ = 10 МГц <3,7 <3,7 <6
Сэ, пФ 6/БЭ= 5 В; / = 10 МГц <7 <7 <7
тк, ПС ^КБ '==* ^» к мА; <45 <85 150
[ = 10 МГц <40
/рас. НС / к === 5 мА; /5:= I мА <10 <15 <75
<15
б^кБ. шсиг« В еокр < 85 °C 15 20 15 15
/7кэ. max’ В 9окр<85 °C 15 20 15 15
^БЭ тал» В 0окр<85 °C 5 5 5
' При Uкэ = 2 В; /к — 200 мА.
2 При UK3 = 2 В; /к= 500 мА.
Обозначение Режим измерения КТ340А КТ340Б КТ340В КТ340Г КТ340Д
IК. maxi мА 0окр<85°С • 50 50 50
75
JК. и. maxi мА ти 50 мкс; — 200 —
I К. и. max К. max 75 500
РК. maxi МВТ — 150 150 150
в °C vnep. maxi — 130 130 130
в °C мокр» — -10... + 8.
О /1—1—1 I r-TZJL_J
DJ 0J Q5 0,6 Ub3>B 1 2 3 4 5 6 7UK3)8
KT342A, КТ342Б, KT342B, КТ342Г,
KT342AM, КТ342БМ, KT342BM
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы
п-р-п. Предназначены для использования в радиоприемных и
других электронных устройствах широкого применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (КТ342А, КТ342Б, КТ342В, КТ342Г) и пластмассовом
корпусе с гибкими выводами (КТ342АМ, КТ342БМ, КТ342ВМ).
Для транзисторов в пластмассовом корпусе используется марки-
ровка: КТ342АМ — прямоугольный треугольник и буква А или
синяя метка на плоской части боковой поверхности корпуса
и темно-красная на торце; КТ342БМ — треугольник и буква Б
или синяя и желтая метки; КТ342ВМ — треугольник и буква В
или синяя и темно-зеленая метки.
КТЗЧЗ(А-Г) '•
Эксплуатируются при 0окр от —60 до 4-125 °C.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе но более 0,5 г
и не более 0,3 г в пластмассовом корпусе.
КГМ2(АМ~ВМ)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ342А КТ342АМ КТ342Б КТ342В КТ342ВМ КТ342Г
КТ342БМ
Л 2IE (/кэ=== 5 В; 1 з = 1 мА; еокр = 25 °C 100... 250 200... 500 400... 1000 50... 125
Оокр = 125 °C >100 >200 >400 >50
0окР=—60 °C 25... 250 50...500 100... 1000 >125
1Л2|,1 = 10 В; /3 = 5 мА; f = 100 МГц >2,5 >3 >3 >3
f КБО- МКА (7Кб —25 В; 0окр = 2О °C <0,05 <0,05'1 <12 0,05
0окр=125°С еОкР=-б0 °с <10 <10‘ <102 <10
<1 <1‘ <12 <1
1 ЭБО> мкА </эь = 5 В <30 <30 <30 <30
МКА ^КЭ — кэ. max 1 /?БЭ = 10 кОм <30 <30 <30 <100
^КЭ.као В /к= 10 мА; /Б= 1 мА <0,1 <0,1 <0,1 <0.2
^БЭ.нас. В /к = 10 мА; /Б — 1 мА <0,9 <0,9 <0,9 W/Л ю — СЛ'_
^КЭОгр. В Ск, пФ t/кэи «tar. В /э= 5 мА >25 >20 >10
</к6 = 5 В; f = 10 МГц /?бэ С Ю кОм; <8 <8 <8 <8
0окр< 100 °C Рбэ < Ю кОм; 30 25 10 60
0окр< 125 °C 25 20 10 45.
гида-» мА 0окр< 125 °C 50 50 50 50
I К, к. maxt мА ти = 40 мкс; Q = 500 300 300 300 300
Р^.тах, МВТ бокр < 25 °C 2503 2503 ЗОО3 2503
ft °C ^пер тих 1 — 150 150 150 150
^пер-окр» °С/мВт — 0,5 0.5 0,5 0,5
' При t/K6 = 20 В.
2 При £7Кб = Ю В.
3 При температуре от 25 до 125 °C допустимая мощность (мВт) определяется
по формуле Рк.тсх = 2(150 — 0окр). *
КТ343А, КТ343Б, КТ343В, КТ343Г
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы
р-п-р. Предназначены для использования в логических схемах,
токовых ключах, входных каскадах формирователей импульсов,
каскадах стробирования, генераторах, усилителях считывания
и других устройствах радиоэлектронной аппаратуры широкого
применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до +85 °C.
Масса не более 0,5 г.
КТ342(А-Г)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ343А КТ343Б КТ343В КТ343Г
Л21Е f^KB— —О.ЗВ^/э331 ЮмА; 0окр = 25 -85 °C 30 50 30 150'
|л21э| 0окр= -40 °C t/кь== —5 В, /э = Ю мА; >15 >25 >15 —
1 КБО» мкА f = 100 МГц {/КБ= -Ю В; >3 >3 >3 >3
0окр < 25 °C <1 <1 <12 <1
Оокр= 85 °C <10 <10 <10 <10
/кэо» мкА С/Кэ = -17 В <100 <100 <1003 <100
^КЭ. нас, В /к = Ю мА; /Б == 1 мА -0,3 —0,3 -0,3 —
/к = 150 мА; /Б — 15 мА — — — -1
Ск, пФ UKb= -5 В;/ = 10 МГц <6 <6 <6 <6
Сэ, пФ (/БЭ = 0; 7= 10 МГц <8 <8 <8 <8
^рас» НС /к = 10 мА; /б = 1 мА 10 20 10 15
и КЭН. max, В /?эб= Ю кОм -17 -17 — 17 — 17
1^БЭ. max, В Оокр < 85 °C 4 4 4 4
/ К.max, мА Оокр < 85 °C 50 50 50 50
1 К. и. max, мА Оокр < 85 °C — — — 150
^К.тах, МВТ Оокр < 85 °C 150 150 150 150
Опер. maxi С — 150 150 150 150
Rпер-окр, °С/мВт — 0,5 0,5 0,5 0,5
’ При </Кб= 1 В, /э = 150 мА.
2 П„.. И_______7 D
КТ345А, КТ345Б, КТ345В
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы
р-п-р. Предназначены для использования в радиоприемниках,
быстродействующих электронных переключателях, в импульсных
и других радиоэлектронных устройствах широкого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе в двух вариантах.
Маркируются двумя цветными точками на корпусе: КТ345А —
белого и розового цвета; КТ345Б — белого и желтого цвета;
КТ345В — белого и синего цвета.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до -|-85 °C.
Масса не более 0,3 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ345А КТ345Б KT345B
^21Е 67кэ= -1 В; /э= ЮО мА >20 >50 >70
|Л219| 4/кэ= —5 В; /э — Ю мА; >3,5 V Оз 0Л >3,5
/ = 100 МГц
/ кбо, мкА (Укб= -20 В < 1 < 1 < 1
7эбо, мкА С'бэ = 4 В < 1 < 1 < I
^КЭ нас» В 7к= 100 мА; /б — 10 мА -0.3 -0,3 -0,3
^БЭ. нас* В /ц = ЮО мА; /Б= 10 мА — 11 — 1,1 -1,1
ск, пФ £/кб= -5 В; f = 5...10 МГц <15 <15 <15
Сэ, пФ £/БЭ = 0; f = 5.10 МГц <30 <30 <30
/рас, НС /к = 100 мА; /б = 10 мА 70 70 70
&K.3R. max, В /?бэ =< 10 кОм; 0окр < 85 °C -20 -20 -20
UКБ. тал , В 0ОКР < 85 °C — 20 -20 -20
UБЭ. max > В 0окр<85 °C 4 4 4
1 К. max, мА 0ОКр < 85 °C 200 200 200
^К./пах« мВт 0окр< 40 °C 100* 100’ 1001
Опер, max, (ь •: ‘ -— 150 150 Г50
R пер охр, — 1,1 Ы 1,1
° С/мВт . 1 1
1
1 При температура от 40 до; 85 СС допустимая мощность (мВт) определяется
по формуле Лк. «= (160 0окр)/1,1. . , !
ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В
Германиевые эпитаксиально-планарные СВЧ тран-
зисторы р-п-р. Предназначены для использования в приемно-
усилительной аппаратуре широкого применения, в том числе
в селекторах каналов дециметрового диапазона волн.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами. Один из выводов соединен с корпусом транзистора.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до 4-55 °C.
Масса не более 1 г.
ГТЗЩА-б)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения ГТ346А ГТ346Б ГТ346В ,
Й21Е -10 В; /э=2 мА; 0ОКР = 25 °C 6Окр == 55 °C 0окР= -45 иС 10... 150 10...450 3,5... 150 10...150 10. .450 3,5...150 15...150 15—450 5-150
Обозначение Режим измерения ГТ346А ГТ346Б ГТ346В
|Й21э1 Пкб — —10 В; /э=2 мА; f = 100 МГц • >7 >5,5 —
Лис. Ом (7кб = 5 В; /э=0,5 мА; f~ 1 кГц <30 <30 —
/кбо» мкА (7кб = -20 В; 0окр = 25 °C <10 <10 <10
60Кр = 55 °C <100 <100 <100
7эБО, мкА (7БЭ = 0,3 В <100 <100 <100
(7кэ. нас, В /к — Ю мА; /е— 1 мА -0,3 — 0,3 —-
(7бЭ. нас, В /к= Ю мА; /Б= 1 мА — 1 — 1
Си, пФ (7КБ = — 5 В; f = 10 МГц <1,3 <1,3
Тк, ПС (7кб = —Ю В; /э = 2 мА; f = 100 МГц 3 5,5 6
Кш, дБ иКБ= -Ю В; /э=2 мА; f = 800 МГц <7 <8 <7‘
КУр, дБ (7кэ = —Ю В; /э = 2 мА; f == 800 МГц >10,5 >10,5 >10,5
И КБ. max, В Оокр < 55 °C -20 -20 — 20
^БЭ. max* В Оокр < 55 °C 0,3 0,3 0,3
(7kR3R max, В /?эб = 5 кОм; Оокр < 55 °C -15 -15 -15
7 К. max, мА Оокр < 55 °C 10 10 10
о °C vnep. max* —• 85 85 85
Рк.. max, мВт — 50 50 50
При f = 200 МГц.
КТ347А, КТ347Б, КТ347В
Кремниевые планарно-эпитаксиальные СВЧ транзи-
сторы р-п-р. Предназначены для усиления и генерирования
сигналов высокой частоты, работы в импульсных и других уст-
ройствах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до +85 °C.
Масса не более 0,5 г.
KT3WM-0J
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения KT347A КТ347Б KT347B
Й21Е {/КБ= —0,3 В; /э= Ю мА; 30...400 30...400 50...400
0окР = 25 °C еокр = 85 °C 15...1000 15...1000 25...1000
0окР= -40 °C 9...600 9...600 15...600
1 Аг1э1 {/кб= —5 В; /э— Ю мА; f = 100 МГц >5 >5 >5
/ КБО. мкА Г/дБ = f^KB. max', <1 <1 <1
Оокр = 25 °C Оокр == 85 °C <10 <10 <10
/ ЭБО» мкА 17бэ = 4 В <10 <10 <10
/кэя. мкА /?эб = 10 кОм 5 5 5
^КЭ. вас. В Iд = 10 мА; /Б = 1 мА — 0,3 -0,3 —0,3
^рас» НС /к= Ю мА; 1ъ= 1 мА <25 <25 <40
Сэ, пФ иБЭ = 0; f = 10 МГц <8 <8 <8
Си, пФ (7кб= —5 В; / = 10 МГц <6 <6 <6
UКЭН. max, В Оокр < 85 °C; /?ЭБ = Ю кОм -15 -9 -6
UКБО. max > В Оокр < 85 °C -15 -9 — 6
Г^ЭБО. max, В Оокр < 85 °C Оокр < 85 °C Оокр < 85 °C Оокр <55 °C — 4 — 4 — 4
/ К. max, мА 50 50 50
IК. и. max, мА 110 ПО 110
Рк.т'ах, МВт 150' 150* 150*
Рк.и.max, В 1501 150' 150*
0’tp. max, С 150 150 150
^?пер-окр. °С/мВт — 0,5 0,5 0,5
1 При температуре окружающей среды свыше 55 °C допустимая мощность
(мВт) определяется по формуле /Зк.тах = 150 — (еокр — 55)/0,5.
КТ349А, КТ349Б, КТ349В
Кремниевые эпитаксиально-планарные универсаль-
ные СВЧ-транзисторы р-п-р. Предназначены для работы в уси-
лителях и переключателях сигналов высокой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном и пластмассовом корпу-
сах с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до +85 °C.
Масса не более 0,5 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ349А КТ349Б КТ349В
/121Е иКЭ= -1 В; /э= Ю мА;
0онр = 25 °C 20...80 40...160 120..300
0окр= -40 °C >10 >20 >60
1ИБО, мкА Скб= -Ю В; 0окр=25 °C < 1 < I < 1
0окр = 85 °C <6 ^6 <6
/k3R, мкА 1/кэ = — 15 В; /?ЭБ 10 кОм CJ ,5 С 1,5 <1,5
/эбо, мкА 1/ЭБ = -4 В < 1 <1 <1
i/4,i 1Укэ= —5 В; 1э~ 10 мА;
/ = 100 МГц >3 >3 >3
Скэ. нас» В /к= 10 мА; /Б = 1 мА -0,3 -0,3 -0,3
^БЭ. нас» В /к — Ю мА; /Б= 1 мА -1,2 -1,2 -1,2
С«, пФ СКБ= — 5 В;/ = 5...10МГц <6 <6 <6
Сэ, пФ (7эб = 0; f = 5... 10 МГц С 8 С 8 <8
С КБ. max, В -40 °С<0окр<85 °C -20 -20 -20
Ck3R max, В /?бэ < 10 кОм; 0окр < 85 °C -15 — 15 -15
^ЭБ. тах» В -40 оС<0окр< 85 °C — 4 -4 -4
/ К. и max > мА Т„ 1 мкс; РК< РК max 40 40 40
Рк.тах, мВт -40 °С<0окр<ЗО °C 2001 200* 200'
А °C "nep. max* — 150 150 150
При температуре окружающей среды более 30 °C мощность (мВт) рассчиты-
вается ПО формуле Рк. max == О 50 — 0окр)/0,6.
(
।
КТ350А,
КТ351А, КТ351Б,
КТ352А, КТ352Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные универсаль-
ные транзисторы р-п-р. Предназначены для использования в
устройствах магнитной записи, усилителях считывания постоян-
ных и оперативных запоминающих устройств малых ЭВМ и дру-
гих высокочастотных усилительных и переключающих устрой-
ствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются двумя цветными точками на корпусе: КТ350А —
серого и розового цвета; КТ351А — желтого и розового цвета;
КТ351Б—обе желтого цвета; КТ352А — зеленого и розового
цвета; КТ352Б — зеленого и желтого цвета.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до -f-85 °C.
Масса не более 0,3 г.
Вариант!
J Z5
КТ350А; КТ351(А,Б); ЛТ352(А,б)
Вариант 2
5.2 ю
КТ 350А
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ350А КТ351А КТ351Б КТ352А КТ352Б
Й21Е (7кб = -1 В; /*; 20...200 20...80 25... 120
еокр = 25 °C 0окр = 85 °C 18...400 50...200 18...160 70...300 22,5...240
еокр= -40 °с (7к,б — —10 В; >10 45...400 >8 63...600 >7,5
/кбо, мкА <1 >20 <1 04 — Л\ V/
0окр= 25 °C 0окр = 85 °C — <15 <10
/эбо, мкА (7эб = —4 В <10 <10 <10
1^21э1 (7кб = —5 В; /э = Ю мА; /=100 МГц — >2 >2
/ = 20 МГц >5 — —
(7КЗ. нас, В /к = 500 мА; /Б — 50 мА — 1 -0,6 — 0,6
(7бЭ. нас, В /к=500 мА; /Б = 50 мА -1,25 — 0,9 — 1,2 — 1,1
Ск, пФ (7КБ = — 5BJ = 5...10МГц <70 -1,1 <20 <15
С„ пФ 1/ЭБ= — 1 В; f = 5... 10 МГц <100 <30 <30
^рас> НС /к == ЮО мА; /Б = 10 мА — —
(7 к Б. max, В -40 °С< 6окр<85 °C — 20 -20 <150 -20
UКЭИ. max, В /?бэ=Ю кОм; 0окр=85°С -15 — 15 -15
^ЭБ. max» В -40 °C < 0окР <85 °C -5 — 4 — 4
К« и. max9 мА tu < 1 мс; Q > 10 600 400 200
Рк.ггшх, мВт Оокр С 30 °C 3004 3004 300'
1 При токе эмиттера 500 мА для КТ350А; 300 мА — для КТ351А и КТ351Б;
200 мА — для КТ352А и КТ352Б.
2 Режим измерения указан для КТ350А. Для КТ351А /« — 400 мА, /б = 550 мА;
КТ351Б —/к = 400 мА, /Б = 40 мА; КТ352А и КТ352Б —/к = 200 мА,
/б — 20 мА.
3 Режим измерения указан для КТ350А. Для КТ351А и КТ351Б /к —400 мА,
/Б = 40 мА; КТ352А и КТ352Б — /к = 200 мА, /Б = 20 мА.
4 При температуре окружающей среды более 30 °C мощность (мВт) рассчи-
тывается ПО формуле РК. max ==== (150 - еокр)/0,4.
КТ355А, КТ355АМ
Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисторы
п-р-п. Предназначены для работы в усилителях и генераторах
электрических сигналов ВЧ и СВЧ диапазонов в аппаратуре
широкого применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами (КТ355А) и в пластмассовом корпусе с гибкими вы-
водами (КТ355АМ). На приборе в пластмассовом корпусе марки-
ровка указывается в сокращенном виде 355А.
Транзисторы КТ355А эксплуатируются при 0ОКр от —60 до +125 °C,
транзисторы. КТ355АМ — при 0окр от —45 до +85 °C.
Масса транзистора КТ355А не более 1,2 г, транзистора КТ355АМ —
не более 0,5 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ355А
КТ355АМ
^2IE t/кэ = 5 В; /к = Ю мА; 0окр = 25 °C 80...300
0окр = 125 °C 80...600
0окр= -60 °C >32
|Й21э1 £7кэ = 5 В; Jк == Ю мА; f = 300 МГц >5
h нс, Ом = 5 В; /ц — 19 мА; f1 кГц <10
/кбо> мкА 17кб=15В; 0оир=25 °C < 0,5
0онр= 125 °C <5
/эБО, мкА (7эб = 4 В < 1
С, пФ С/КБ = 5 В; f = 10 МГц <2
Сэ, пФ (/Эб = 4 В; f = 10 МГц <2
ri; пс’ Г^кб = 5 В; /к= 19 мА; f = 30 МГц 60 •
МуЗО. гр. В 1э — 10 мА; ти= 10 мкс; > 40 >15
i^KBO. max, В 0окр< 125°С 15
и КЭИ. max, В ЯЭБ=3 кОм; Ооир < 125° С 15
^ЭБО. maxi В 0ОкР < 125 °C 4
1К. ср. max, мА 0онр < 1 25 °G 30
I К. н. max, мА 0окр < 1 25 °C 60
^Э. ср. max,, мА 0ОКО<125°С ! 30
/Э. max, мА ® ООО X -X х О "О -П * II /Л/Л — Go- to ел ю СП 0 СП «П » О о 60.
Ру. max, мВт 225' 85'
1 При температуре от 85 до 125 °C максимально допустимая мощность Рц.max
снижается по линейному закону.
КТ357А, КТ357Б, КТ357В, КТ357Г
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы
р-п-р. Предназначены для работы в схемах усиления и генери-
рования колебаний высокой частоты и в быстродействующих
импульсных схемах аппаратуры широкого применения. Выпу-
скаются в пластмассовых корпусах с гибкими выводами. Тип
транзистора указывается на этикетке.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до +85 °C.
Масса не более 0,2 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения KT357A КТ357Б KT357B КТ357Г
/121Е С+б = —0,5 В, /ц= 10 мА 0окр = 25 °C 20... 100 60...300
еокр = 85 °C 20...250 60...750
еокр= -40 °с 8... 100 20...300
frp, МГц — —5 В, / « = 10 мА >300 >300
/рас» НС /к= 10 мА, /б= 1 мА <150 <150
кас< В 7К= 10 мА, /б= 1 мА <0,3 <0,3
БЭ нас» В / « = 10 мА, /Б = 1 мА <1 <1
^КБО> мкА ^КБ — Г/«Б. max Оокр = 25 и —40 °C <5
Оокр= +85 °C <40 1 <40
/эбо. мкА иэъ= -3,5 В <5
Продолжение табл.
Обозначение Режим измерения КТ357А КТ357Б КТ357В КТ357Г
С„, пФ (УКБ= -5 В <7 <7
С„ пФ (УЭБ = 0 <10 < 10
^КБ талч В -6 -6
— 20 — 20
^КЭ. max j В -6 -6
-20 -20
^ЭБ. max у В -3,5 -3,5
f К- ср. max 1 мА 40 40
/ К и. m ах » М А tK < 1 мкс 80 80
Рк.тах, мВт еокр<50 °с 100* 100'
еОкР= +85 °C 50 50
Рк.и.гпах* мВт t" < 1 мкс 200 200
Япер-окр. °С/мВт 0.7 0,7
1 В диапазоне температур +50...4-85 °C допустимое значение рассеиваемой
мощности снижается линейно.
97
4 В И. Галкин и др.
КТ358А, КТ358Б, КТ358В
Кремниевые планарно-эпитаксиальные высокоча-
стотные усилительные транзисторы п-р-п. Предназначены, для
использования в усилительных и генераторных устройствах
радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до 4-85 °C.
Масса не более 0,2 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ358А КТ358Б КТ358В
Й2|Э икэ = 5,5 В; /э=20 мА 10...100 25...100 50...280
/гр, МГц £/кб = 10 В; /э — 5 мА >80 >120 >120
/кбо, мкА VКБ — UКБ. max <10 <10 <10
/эбо, мкА 17эб = 4 В <10 <10 <10
^КЭ. нас, В 7 к — 20 мА; /Б = 2 мА <0,8 <0,8 <0,8
^БЭ. наст В /к = 20 мА; /б = 2 мА <1,1 <1,1 <1,1
UКБ. max t В -40 °C < 0окр < 85 °C 15 30 15
U КЭЦ. max, В То же, при /?бэ < 100 Ом 15 30 15
б^ЭБ. max, В — 40 °C С 0ОкР С 85 °C 4 4 4
К. max* мА — 40 °C С 0окР С 85 °C 30 30 30
К. в. тах> мА — 40 °С<0окр<85 °C 60 60 60
РК-тах, МВТ 100* юо1 100‘
Рк.и.тах, МВТ То же, при t„ < 1 мкс 200 200 200
о °C vnep. maxt — 120 120 120
Р пер-окр, °С/Вт — 0,7 0,7 0,7
1 В интервале температур от —40° до -f-50°C. При температуре
окружающей среды от 50° до 85 °C максимально допустимая мощность
определяется по формуле: РКток — 50-|-(85 — 0окр)/0,7, мВт.
КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е
КТ361А2, KT361A3, КТ361Б2, КТ361В2, КТ361Г2,
КТ361ГЗ, КТ361Д2, КТ361ДЗ, КТ361Е2, КТ361Ж2,
КТ361И2, КТ361К2, КТ361Л2,
КТ361М2, КТ361Н2, КТ361П2
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы
р-п-р. Предназначены для усиления и генерирования колеба-
ний высокой частоты, а также для работы в вычислительной
технике и в других быстродействующих импульсных устрой-
ствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
Обозначение типа приводится на этикетке.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до -}-100оС.
Масса не более 0,3 г.
КТ36ЦА-Е}
KT361A2,K7361A3,KT361(62.. .П2)
Электрические параметры' и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ361А КТ361Б КТ361В КТ361Г КТ361Д КТ361Е
^21Е (7 кб = —Ю В; /э ~ 1 мА; 20...90 40...160 20. 90
0окр = 25 °C 50-350 50...350 50-350
Оокр = 100 °C 20...250 20. .300 20 ..250
50...500 50-500 50-500
еокр= -во °с 10...90 10-160 10...90
1^21э1 (7кэ = —Ю В; /э = 5 мА; 15...350 15...350 15...350
f = 100 МГц >2,5 >2,5 >2,5
/кбо» мкА (7КБ = -10 В;
в„-,„ — 25 °C 1 1 1
еокр = юо °с <25 <25 <25
/ K3R> мкА (7кЭ = Г^кэ.тах;
/?бэ = Ю кОм <1 <1 <1
/эбо» мкА (7ЭБ = -5 В <0,1 <0,1 <0,1
^КЭ. нас, В /к = 20 мА; /б = 2 мА -0,2 -0,2 -0,25
£^БЭ. нас> В /к =20 мА; ?б = 2 мА — 0,85 -0,85 —0,85
ск, пФ (7Кб = -10 В; f = 10 МГц 9 7 7
Тк, ПС (7кб = — 10 В; /э = 5 мА,
f = 5 МГц <500 <1000 <250
<500 <1000
UКЗ. max, В Оокр < 35 °C — 25 — 40 —40
— 20 -35 —35
U КБО. max > В Оокр < 35 °C -25 —40 —40
-20 — 35 -35
(7эБО.max, В 0окР< ЮО °C —4 —4 —4
maxi мВт Оокр < 35 °C 150* 1501 1501
еокр= юо °с 30 30 30
Опер. max, С — 120 120 120
(?пер-окр, — 0,67 0,67 0,67
°С/мВт
1 При температуре окружающей среды более 35 °C мощность (мВт) рассчиты-
вается по формуле: Р^тах — (120 — 0Окр)/О,67.
Транзистор Вт URfi.max- в U КЗ.max > В ^ЭБ.тах В Km***» мА Й21Е ^КЭ.пас. в /кбо. мкА /гр. МГц
КТ361А2 0,15 — 25 -25 + 5 100 20—90 -0,4 1 250
KT361A3 0,15 -25 -25 5 100 20—90 —0,4 1 150
КТ361Б2 0,15 — 20 -20 5 100 50—350 -0,4 1 250
КТ361В2 0,15 — 40 — 40 5 100 40—160 —0,4 1 250
КТ361Г2 0,15 -35 — 34 5 100 50—350 — 0,4 0,1 250
КТ361ГЗ 0,15 -35 — 35 5 100 100—350 —0,4 0,1 250
КТ361Д2 0,15 — 40 — 40 5 50 20—90 — 1 1 250
КТ361ДЗ 0,15 — 40 -40 5 50 20—90 — 1 1 150
КТ361Е2 0,15 -35 -35 5 50 50—350 — 1 1 250
КТ361Ж2 0,15 -10 — 10 5 50 50—350 — 1 1 250
КТ361И2 0,15 -15 — 15 5 50 250 — 1 1 250
КТ361К2 0,15 — 60 — 60 5 50 50—350 — 1 1 250
КТ361Л2 0,15 — 20 — 20 5 100 50—350 —0,3 0,1 250
КТ361М2 0,15 — 40 — 40 5 100 70—150 —0,3 0,05 250
КТ361Н2 0,15 -45 -45 5 50 20—90 —0,4 0,1 150
КТ361П2 0,15 -50 -45 50 100—350 —0,3 0,05 300
О -10 -ZO -J0UK3,B О Ч 8 12 16 20 2Ч1э,мА
ГТ362А, ГТ362Б
Германиевые планарные СВЧ усилительные транзи-
сторы п-р-п с нормированным коэффициентом шума на частоте
2,25 ГГц. Предназначены для работы во входных и последующих
каскадах усилителей СВЧ.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими по-
лосковыми выводами. Помимо обозначения, нанесенного на
крышку корпуса, допускается условная маркировка: для тран-
зисторов ГТ362А — две красные полоски и буква А, для
ГТ362Б — две полоски белого цвета и буква Б.
Эксплуатируются при 0OKD от —60 до -{-70 °C.
Масса не более 2 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения ГТ362А ГТ362Б
Е (7кэ = 3 В; /э = 5 мА; еокр = 25 °C 10...200 10...250
0окр = 55 °C 5...500 5...625
еОкР= -40 °с 3...300 3...375
|Л21Э| £/кэ = 3 В; 1э = 5 мА; >8 ^8
/кбо> мкА f = 300 МГц {7кб = 5 В; 0окр < 25 °C <5 <5
(7кб — 5 В; 0окр = 55 °C <30 <30
/эбо. мкА L/эб = 0,2 В <100 <100
Ск, пФ UKE = 5 В; f = 30 МГц <1 <1
Сэ, пФ иэъ = 0,2 В; f = 30 МГц <1 <1
Тк, ПС С7КБ — 5 В; /э = 5 мА; <10 <20
Кш, дБ f = 100 МГц t/ga = 3 В; /э — 2 мА; <4,5 <5,5
6\б. max, В f = 2,25 МГц еокр < 70 °с 5 5
t^K3R max, В Рэб < 1 кОм; 0окр < 70 °C 5 5
Г'эБ. max, В 0онр < 70 °C 0,2 0,2
К.max, мА Оокр < 70 °C 10 10
Рк.тах, МВТ 0ОКР < 25 °C 40' 40'
1 При температуре окружающей среды свыше 25 °C наибольшая рассеиваемая
мощность (мВт) определяется по формуле Рк max = 40 — 0,5(6окр — 25).
КТ363А, КТ363Б, КТ363АМ, КТ363БМ
Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисторы
р-п-р. Предназначены для усиления и генерирования колебаний
в СВЧ диапазоне, для работы в быстродействующих импульсных
устройствах в аппаратуре широкого применения.
Транзисторы КТ363А и КТ363Б выпускаются в металло-
стеклянном корпусе, а КТ363АМ, КТ363БМ — в пластмассовом
с гибкими выводами. Транзисторы КТ363АМ и КТ363БМ марки-
руются цветными точками: КТ363АМ — двумя розового цвета,
КТ363БМ — розового и желтого цвета.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до 4-85 °C.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 0,5 г,
в пластмассовом не более 0,3 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения KT363A КТ363Б
КТ363АМ КТ363БМ
Й21Е Скэ= —5 В; /к = 5 мА 20...70 40...120
0окр = 25 °C
0окр=85 °C 15...175 30...300
0окР = -40 °C 14...85 28.„150
|Й21э1 Сцэ— —5 В; /« — 5 мА; >12 >15
f = 100 МГц
^кбо. мкА /СКБ= -15 В <0,5 <0,5
/эбо, мкА Сэб = — 4 В <0,5 <0,5
Скэ. нас, В /к = 10 мА; /б = 1 мА — 0,35 -0,35
^БЭ. нас » В /к = 10 мА; /Б = 1 мА — 1,1 -1,1
Ск, пФ СКБ= -5 В; [ = 10 МГц <2 <2
Сэ, пФ СЭБ=0; f = 10 МГц <2 <2
Тн, ПС СКб= —5 В; /к = 5 мА; <50 <75
f = 30 МГц
^рас> НС /к = 10 мА; /Б = 1 мА <10
Ck3R max, В /?эб < 10 кОм; 0окр < 85 °C -10 -10
^КБО. тал 9 В Яэб С 1 кОм; 0окр < 85 °C -15 — 12
^ЭБО. тал» В 0ОкР < 85 °C — 15 -15
'Ки. max, мА Оокр < 85 °C 4 — 4
1 К. тал 9 мА ти < 1 мкс; Q > 2; 0окр < 85 °C 50 50
РК- max, мВт 0Окр < 85 °C 30 30
Лпер-окр, 0ОкР<45 °C 150* 150’
— 0,7 0,7
°С/мВт
й °C 150 150
1 При температуре окружающей среды свыше 45 °C допустимая
(мВт) определяется по формуле Рк.т0Л= 150 — (60кр — 45)/0,7
мощность
КТ368А, КТ368Б, КТ368АМ, КТ368БМ
Кремниевые планарно-эпитаксиальные усилительные
СВЧ транзисторы п-р-п. Предназначены для использования во
входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами и в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
(КТ368АМ, КТ368БМ). Транзисторы в пластмассовом корпусе
маркируются условным кодом: КТ368АМ — двумя точками;
КТ368БМ — одной точкой.
Транзисторы в металлостеклянном корпусе эксплуатируются при
6ПИП °т —60 до 4-125 °C, в пластмассовом — при от —60 до
+ 100 °C.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 1 г, в пласт-
массовом — не более 0,5 г.
KT368(АМ, БМ)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ368А КТ368Б КТ368АМ КТ368БМ
hub 17кб=1 В; /э=10 мА еокр = 25 °C еокр=_во °с 0скр = + 125 °C 50...300 25...300 50...600 50...450 25-450 50-600
/г₽, МГц (7кб = 5 В; /д—10 мА >900 >900
/кБО, мкА t/KB=15 В <0,5 <0,5
/эбо, мкА (7эб = 4 В <1 <1
^КЭО.гр, В /э— 10 мА >15 >15
Лцб, Ом t/кв —5 В; /э= 10 мА; /= 1 кГц <6 <6
Ск, пФ (7кб=5 В <1,7 <1,7
Сэ, пФ С/эб=4 В <3 <3
Т«, ПС t/кв—5 В; /э= 10 мА; f — =30 МГц <15 <15
А». дБ С/кб==5 В; /э=10 мА; /= =60 МГц, /?г=75 Ом <3,3 —
^Лс&.вшх, В —60°С<0О1ф<125 °C 15 15
^K3R.«az, В То же, при Аэб<3 кОм 15 15
^ЭБ. mar> К — 60 °С<0окр< 125 °C 4 4
^КБ. и. maxi В То же, при /„<0,5 мс; Q>2 То же, при /?эб<3 кОм 20 20
U^SR-H-maz, В 20 20
^К. maxi мА —60 °С<0ояр< 125 °C 30 30
и.maxi мА То же, при /„<0,5 мс; Q~^2 60 60
^к.лмис» мВт -60°С<0окр<65оС 225 225
Опер-окр С / Вт — 364 364
КТ371А, КТ371АМ
Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисто-
ры п-р-п. Предназначены для использования в усилительных
устройствах СВЧ. Выпускаются в металлокерамическом
(КТ371А) и металлопластмассовом (КТ371АМ) корпусах с гиб-
кими выводами. На крышке корпуса транзистора наносится
условная маркировка цветным кодом: КТ371А — две синие
точки; КТ371АМ — две полосы.
Транзисторы КТ371А эксплуатируются при 0окр от —60 до 4-125 °C,
КТ371АМ при 0оир от —45 до 4" 85 °C.
Масса не более 0,3 г
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ371А КТ371АМ
Й21Е /гр, ГГц /кбо, мкА 1 В; /к= Ю мА В; /э=Ю мА ^кь-10 в 30...240 >3 ^0,5
Продолжение табл.
Обозначение Режим измерения КТ371А КТ371АМ
/эбо, мкА С/ЭБ=3 В
t/кэо.гр, В /э= 10 мА >10
Лив. Ом ^кб = 5 В; /э=10 мА; /=1 кГц <10
Ск, пФ (7Кб = 5 В <1,2
С9, пФ С/эб=1 В <1.5
U КБ. max, В -60 °С<0окр<125 °C 10
UK3R. max, В То же, при Лэб<3 кОм 10
UЭБ. max, В -60 °С<0<|Кр<125 °C 3
max, М А — 60 °С<6окр< 125 °C 20
^К. и. max, мА То же, при /„<10 мкс; Q^2 40
Рщ.тах, МВТ —60 °С<еокр<65 °C 100
0окр=125 °C 30
^?лер-окр» °С/мВт — 0,833
Опер, max, О —— 150
КТ372А, КТ372Б, КТ372В
Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисто-
ры п-р-п с нормированным коэффициентом шума. Предназначе-
ны для работы в усилителях и генераторах колебаний в диапа-
зоне частот 1...3 ГГц в аппаратуре широкого применения.
Выпускаются в керамическом корпусе с гибкими полосковы-
ми выводами. Маркируются двумя цветными точками, которые
наносятся между базовым и эмиттерным выводами: КТ372А —
зеленого цвета;. КТ372Б — черного цвета; КТ372В — белого
цвета.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до +125 °C.
Масса не более 0,2 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ372А КТ372Б КТ372В
Й21Е //кб=5 В; /э=5 мА 10...90 10...90 10...90
1*21,1 /7кб —5 В; /э=5 мА; /=300 МГц >8 >10 >8
/кбо, мкА /7кб=15 В; 0окр=25°С <0,5 <0,5 <0,5
0окр=125°С <10 <10 <10
/эБО, МКА /7бэ —3 В <0,03 <0,03 <0,03
Ск, пФ /7кб = 5 В; /=30 МГц <0,65 <0,65 <0,65
Сэ, пФ //Бэ==0; /=30 МГц <1,2 <1,2 <1,2
Тк, ПС //кб = 5 В; /3—1 мА; /=30 МГц <4 <4
Кш, дБ //Кб = 5 В; /э = 2 мА; /=1 ГГц 2,3...3,5 2,5...5,5 3,2...5,5
/Сур, дБ /7кэ=5 В; /к—5 мА; /=1 ГГц <12 <12 <12
//КЭЯ max, В /?эб= ЮО Ом; 0ОКр< 125 °C 15 15 15
/^КЭЯ и. max, В /?эб= ЮО Ом; ти= 10 мкс; /—50 Гц 15 15 15
//кбо. max, В 0окр<125°С 15 15 15
VbbO. max, В 0ОКр <125 °C 3 3 3
^К. maxi мА Оокр <125 °C 10 10 10
/^К.max, мВт 0окР<100°С 50* 50* 50
Лперчжр» С/мВт — 1 1 1
КТ373А, КТ373Б, КТ373В, КТ373Г
Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисто-
ры п-р-п. Предназначены для применения в усилителях высокой
частоты и переключающих устройствах.
1 Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —50 до +85 °C.
Масса не более 0,2 г.
/T7J7J
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ373А КТ373Б КТ373В КТ373Г
Л21Е £7кб = 5 В; /э=1 мА 100...250 500... 1000
Оокр-25 °C 200...600 50...125
Оокр--40 °C 25...250 125... 1000
50...600 12..125
60Кр = 85 °C 100...750 500...3000
200... 1800 50...375
/г₽, МГц —5 В; /3—1 мА >300 >300
Тк, ПС ^кб = 5 В; /э= 1 мА <200 <700
<300 <200
/к—10 мА; /Б=1 мА <0,1 <0,1
^КЭ. нас. В /к— Ю мА; /б=1 мА <0,9 <0,9
t-^ЭБ. нас» В UКЗ ~ UКЗ. max <30 <30
1КБО, М кА <100
f/еэ = — 5 В <30 <300
/эБО, М кА t/KB = 5 В <8 <8
Ск, пФ /?БЭ = 10 кОм 30 10
^КЭК. max, В 25 60
БЭ. maxi В —5 —5
maxi мА 50 50
и. max, мА /н<50 мкс; Q>500 200 200
^К.нас, мА 100 100
Р К. max» М Вт Оокр =-40...+ 50 °C 150‘ 150'
I
При 6О1ф=55...+85 °C мощность определяется по формуле Р^тах
мВт
мА КТ373(А,Г) £2 мА к КТ3731А.Г) 0,02 -
1
0,15 . А J013 -г-
25 0,1 3 0,01
1^-005n А 2 1 1^0,005мА _
г- П
п и Г 11 7 U^B
2 V Ик-^5 /ir.
2 0 UK3,B з
КТ375А, КТ375Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры п-р-п предназначены для применения в усилителях высокой
частоты и переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип транзистора указывается в этикетке.
Эксплуатируются при 60Кр от —45 до -J-85°C.
Масса не более 0,25 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ375А КТ375Б
huE £/кэ = 2 В; /э = 20 мА
0окр = 25 °C 10...100 50...280
0ОКр= —45 °C 8... 100 25...280
еокр=+85 °C 10...200 50...560
/гр. МГц С/КЭ=Ю В; /э = 5 мА >250 >250
тк, пс иКБ= 10 В; /э = 5 мА <300 <300
U кэ, нас» В /к — Ю мА; /б= 1 мА <0,4 <0,4
U БЭ. нас» В /к—Ю мА; /Б=1 мА <1 <1
/кбо. мкА ^КБ = UКБ. max
еокр = 25 °C <1 <1
Оокр = 85 °C <10 < 10
/эбо, мкА {/бэ = 5 В <1 <1
Ск, пФ С^кб= Ю В <5 5
Сэ, пФ {/бэ=1 В <20 <20
</кб. max, В 60 30
^КЭА?. /пах» В R бэ < 100 О м 60 30
К. maxt мА 100 100
^К. и./пах» мА /и < 1 м кс 200* 200'
max» М Вт Оокр — —45... 4- 25 °C 2002 2002
РК. и. max, М Вт /<1 мкс 4001 400’
1 При условии, что средняя мощность за период не превышает 200 мВт.
2 В диапазоне температур 4-25... 4-85 °C мощность определяется по формуле
^к^х = 2(125 —вокр).
ii2
КТ382А, КТ382Б, КТ382АМ, КТ382БМ
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры п-р-п с нормированным коэффициентом шума на частоте
400 МГц. Предназначены для применения во входных и последу-
ющих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частоты.
Выпускаются в металло-керамическом (КТ382А, КТ382Б)
и пластмассовом (КТ382АМ, КТ382БМ) корпусах с гибкими
выводами. На крышке корпуса наносится условная маркировка
цветным кодом: КТ382А — две черные точки; КТ382Б — две
красные точки; КТ382АМ — одна полоса; КТ382БМ — одна по-
лоса и одна точка.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до +125 °C транзисторы в кера-
мическом корпусе и при 0окр от —45 до +85 °C— в пластмассовом.
Масса не более 0,3 г.
mS2(A,5); ЯГ 38ZIAM, БМ)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения KT382A КТ382Б
КТ382АМ КТ382БМ
^21Е В; /д = 5 мА 40...330 40...330
/гр, ГГц О^кб —5 В; /э = 5мА > 1,8 > 1,8
Тк, ПС t/KB = 5 В; /э —5 мА; / = 30 МГц , 15 ^10
— —
! '• ; 'Л '»
Продолжение табл.
Обозначение Режим измерения КТ382А КТ382Б
КТ382АМ КТ382БМ .
Аш» дБ t/кв —5 В; /э = 5 мА; / = 400 МГц /?г=75 Ом <3 <4,5
^кэо. В /э=5 мА >10 >10
/кБО» мкА {/кб=15 В <0,5 <0,5
/эбо> мкА £7эб = 3 В <1 <1
Лис, Ом Аб = 5 В; /э=5 мА; /=1 кГц 10 10
Ск, пФ {/кб = 5 В <2 <2
С9, пФ иэъ=\ В <2,5 <2,5
Lbb» и Г 4 4
ISiial 0,26 0,26
arg(Sn3), град Для всех параметров S: — 133 -133
1«12Э1 */кб = 5 В 0,102 0,102
arg(Sl23), град /э = 5 мА; / = 400 МГц 66 66
1 $21Э 1 /?г=50 Ом 4,15 4,15
arg(S2l3), град 86 86
1 $22э1 0,54 0,56
arg(S223), град -35 -35
ПКБ. max, В 15 15
Пкэе. max, В /?эб<3 кОм 10 10
^ЭБ.тах» В 3 3
?К.тах, мА 20 20
/к.н.тсх, мА /и< 10 мкс; Q^2 40 40
A max, МВТ 100 100
КТ399А, КТ399АМ
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры п-р-п с нормированным коэффициентом шума на частоте
400 МГц. Предназначены для работы во входных и последую-
щих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном (КТ399А) и пластмассовом
(КТ399АМ) корпусе с гибкими выводами. На транзисторах
в пластмассовом корпусе маркировка дается в сокращенном
виде: 399А.
Транзисторы КТ399А эксплуатируются при 0окр от —60 до +125 °C,
транзисторы КТ399АМ — при 0о.р от —45 до +85 °C.
Масса транзистора: КТ399А — не более I г, КТ399АМ — не более
0,5 г.
КТ399А
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ399А
- КТ399АМ
^21Е /7кн=1 В; /э = 5 мА 40... 140
Ар. ГГц = 5 В; /э=Ю мА > 1,8
Тк, ПС [/кб = 5 В; /э=Ю мА; / = 30 МГц <8
Кш, дБ (/кб = 5 В; /э = 5 мА; / = 400 МГц 1.3
Кр.орь дБ (Укб = 5 В; /э = 5 мА; / = 400 МГц 11,5
/кбо. мкА (/кб=15 В; 0окр = 25°С <0.5
/эбо, мкА (УЭБ = 3 В <1
Ск, пФ //кб = 5 В <1.7
С3, пФ С/эб=1 В <3
maxi ® 15
max, В /?бэ< 10 кОм 15
^ЭБ. тахч В 3
/к max, мА 20
30
^К. и.-тдх» мА /н<1 мкс; Q>2 40
/ 60
Pr. max, М Вт 150
КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д,
КТ3102Е, КТ3102АМ, КТ3102БМ, КТ3102ВМ,
КТ3102ГМ, КТ3102ДМ, КТ3102ЕМ
Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисто-
ры п-р-п с нормированным коэффициентом шума. Предназначе-
ны для использования в усилительных и генераторных каскадах
высокой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном (КТ3102А-Е) и пласт-
массовом (КТ3102АМ.-ЕМ2) корпусах с гибкими выводами.
Транзисторы в пластмассовом корпусе маркируются цвет-
ным кодом: на боковую поверхность всех транзисторов нано-
сится зеленая метка, на торцевую поверхность корпуса нано-
сится также цветная метка: КТ3102АМ — темно-красная;
КТ3102БМ — желтая; КТ3102 — темно-зеленая; КТ3102ГМ —
голубая; КТ3102ДМ — синяя; КТ3102ЕМ — белая.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до 4-85°С.
Масса транзисторов: КТ3102А-Е— не более 0,5 г, КТ3102АМ-ЕМ —
не более 0,3 г.
Место цоркиробки
КТЖА-Е)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ3102А КТ3102Б КТ3102В КТ3102Г КТ3102Д КТ3102Е
Й21Е £/кб = 5 В; ?э = 2 мА; 100...250 200...500 200...500
0окр = 25°С 200...500 400... 1000 400... 1000
0окр = 85°С 25...250 50...500 50...500
50...500 100... 1000 100... 1000
0окр=—40 °C >100 >200 >200
>200 >400 >400
1*21,1 7/кб = 5 В; /э=10 мА; >1.5 >1,5 >1,5
/=100 МГц 3
/кбо, мкА ^КБ= {7кБ. max', 0окр = 25°С <0,05 <0,015 <0,015
0окр = 85 °C <5 <5 <5
/эбо, мкА иъэ=5 В <10 <10 <10
/кэо» мкА 77кэ= t/КЭ. max <0,1 <0,05 <0,05
Аш, дБ 5 В; /к = 0,2 мА;
/=1 кГц; /?г = 2 кОм <10 <10 <4
С/кэо.гР, В /э= 10 мА >30 >20 >20
>15 >15
Ск, пФ {7Кб = 5 В; /=10 МГЦ <6 <6 <6
UКБ. max, В — 40 °С<0окр<85 °C 50 30 30
20 50
ЦКЭ. max, В -45 °С<0окр<85°С 50 30 30
20 50
Продолжение табл.
Обозначение Режим измерения KT3I02A КТ3102Б КТЗЮ2В КТ3102Г КТ3102Д КТ3102Е
^ЛэБ. max, В — 45 °С<еокр<85 °C 5 5 5
^К. maxi мА — 45 °C <еокр <85 °C 100 100 100
fК.».maxi мА То же, при ти<40 мкс; Q>500 200 200 200
Рк. man мВт — 40 °С<0скр<25 °C 250' 250' 250*
^?лер-окр> °С/мВт — 0,4 0,4 0,4
бпер-кор. тел» С — 125 125 125
1 При температуре окружающей среды от 25 до 85 °C мощность (мВт) рассчиты-
вается по формуле Рк.тй*=(125 —6окр)/0,4.
2 Возможна следующая замена транзисторов: КТ3102АМ — КТ645В; КТ3102БМ —
КТ645Г; КТ3102ВМ — КТ645Д; КТ3102ГМ — КТ645Е; КТ3102ДМ — КТ645Ж;
КТ3102ЕМ — КТ645И.
КТС3103А1, КТС3103Б1
Транзисторные сборки, состоящие каждая из двух
кремниевых транзисторов р-п-р с раздельными выводами, пред-
назначены для работы в дифференциальных усилительных
каскадах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до ф-85оС.
Масса не более 1,5 г.
КТС 3103(А1,Б1)
2~Коллектор 1 6—Эмиттер 2
3-базо 1 8 -Коллектор 2
‘i-Эмиттер 1 7—Базо 2
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
КТС3103А1
Обозначение Режим измерения КТС3103Б1
Й21Е /7кб=—1 В, /э=1 мА 6скр=25 °C 40...200
еокр=85 °C 32...600
/гр, МГц {/Кб=—5 В; /э=3 мА >900
Тк, ПС {/КБ=—5 В; /э=3 мА; /=30 МГц <80
Кш, дБ £/кэ=“5 В; /э=1 мА /?г=150 Ом; / = 60 МГц <5
^Кэ.иас» Б /К=Ю мА; /Б=1 мА < 0,6
/кбо» мкА 4/кб=-15 В 0окр=25 °C <0,2
6окр=85 °C 5
/эбо» мкА С'эб=—5 В ескр=25 °C <0,5
0(1кр=85 °C <5
Ск, пФ {/кб=-5 В <2,5
С„ пФ £/Эб=0 <2,5
Л21Е(1)/Л21Е(2) О^кб——1 В; /э—1 мА 0,9
• 0,8
1 ^эб(1)— £/эб(2)1, мВ £/кб=-5 В; /э=1 мА 3
5
UКБ. /пах» В -15
^K3R_mot. В /?БЭ< 15 кОм -15
Г^ЭБ. тах» В — 5
^К. тех» МА 20
/к.и.тах» мА t„ <10 мкс, Q>2,5 6qkP 55 °C 50
Рк. max, мВт 3001
1 Суммарная мощность двух транзисторов.
КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д,
КТ3107Е, КТ3107Ж, КТ3107И, КТ3107К, КТ3107Л
Кремниевые эпитаксиально-планарные усилитель-
ные транзисторы р-п-р с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для усиления, генерирования и переключе-
ния сигналов высокой и низкой частоты.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются обычным способом: надписью на корпусе или
цветными точками. Первая точка — светло-голубая — указыва-
ет на серию транзистора КТ3107, цвет второй точки определяет
группу внутри серии: А — розовый; Б — желтый; В — темно-
голубой; Г — бежевый; Д — оранжевый; Е — фиолетовый; Ж —
светло-зеленый; И — зеленый, К — красный, Л — серый.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до 4-125 °C.
Масса не более 0,3 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения Группы транзисторов Значения
Л21Е /кбо» мкА /эбо, мкА /гр, МГц Кш, дБ t/кЭ. нас, В t/КЗ. нас, В Г^БЭ нас, В t/вЭ. нас, В ск, пФ /7КБ. maxi В t/кЭ. max, В //ЭБ. max, В /к max, мА /к и. max, мА /Б. max, мА 7*К. max, мВт /?пер-окр, °С/Вт Опер. max, С . в .. .. « ю S В оЮЮ<Ш< . 2<<а Ou О и оо а о о 1 £ " © III | й _Q g q J 1 Ю LOlO LOLOI 1 п А. о I, I, 1 о I, °i х Л о “4.0 о 1 — сч сч сч сч о сч сч 1 II сч о — II II II — II о СЧ —. о — Ш — О — Ш II 2 II II II II 2 04 II II £ II II II £ 8 £ II £ II 7 IL II II II II II II и II £ II §• & & & II Л\ §• & КТ3107А.В КТ3107Б,Г,Е КТ3107Д,Ж,И КТ3107К.Л КТ3107А.В КТ3107Б,Г,Е КТ3107Д,Ж,И КТ3107К,Л КТ3107А.В КТ3107Б,Г,Д,Е,Ж,И КТ3107К.Л КТ3107А...КТ3107Л КТ3107А...КТ3107Л КТ3107А...КТ3107Л КТ3107А,Б,В,Г,Д,И,К КТ3107Е.Ж.Л КТ3107А...КТ3107Л КТ3107А...КТ3107Л КТ3107А...КТ3107Л КТ3107А...КТ3107Л КТ3107А...КТ3107Л КТ3107А,Б,И КТ3107В,Г,Д,К КТ3107Е.Ж.Л КТ3107А.Б.И КТ3107В,Г,Д,К КТ3107Е,Ж,Л КТ3107А...КТ3107Л КТ3107А...КТ3107Л КТ3107А...КТ3107Л КТ3107А,Б,В,Г,Д,Е,Ж,И КТ3107К.Л КТ3107А...КТ3107Л КТ3107А...КТ3107Л КТ3107А...КТ3107Л 70... 140 120...200 180...460 380...800 >20 >30 >40 >100 >30 >50 >90 <0,1 <0,1 >200 >10 >4 -0,2 -0,5 -0,8 — 1 <7 -50 — 30 г л- 25 >45 ’^25 -20 5 100 200 50 5 3001 420 150
1 При температуре окружающей среды более 25 °C мощность (мВт) рассчиты-
вается по формуле „,^=(150 — 0окр)/О,42.
КТ3108А, КТ3108Б, КТ3108В
Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисто-
ры р-п-р. Предназначены для использования в усилителях
высокой частоты и логарифмических видеоусилителях.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до -}-85 °C.
Масса не более 0,5 г.
КТЗЮ8(А~в]
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ3108А КТ3108Б KT3I08B
Л21Е Ukb=—Ю В; /э=0,1 мА >40 >40
1^2131 £7кб——1 В; /э=Ю мА Б,кб=—20 В; /ц=10 мА; / = = 100 МГц 50... 150 >2,5 100. 300 >3
/кбо, мкА Б/кБ=^Кб. max <0,2 <0,2
/эбо. мкА <4э=5 В <0,1 <0,1
^КЭ. нас. В /к=10 мА; /б= 1 мА <0,25 <0,25
^БЭ. нас. В /К=Ю мА; /Б= 1 мА <1 <1
Кш, дБ С/кэ——5 В; /«=1 мА; / — = 100 МГц <6 <6
^рас, НС /к=10 мА; /б—1 мА <175 —
Ск, пФ С/КБ=—10 В <5 <5
Сэ, пФ Б'бэ-1 В <6 <6
гк, пФ СУКБ=—Ю В; /к=10 мА; / = = 30 МГц <250 <250
Б^КБ. max, В -40 оС<е0Кр<85°С 60/45 45
иK3R. max, В То же, при /?эб=Ю кОм 60/45 45
UБЭ. max, В -45 °С<6окр<85 °C 5 5
f К. max, М А -45 °С<6окр<85 °C 200 200
^*К. max, М Вт 0окр<25 °C 0окр=85°С 300 100 300 100
РК. н* тахг мВт То же, при /„<10 мкс; Q^2 1 4» т/мА 360 360
КТ3109А, КТ3109Б, КТ3109В
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры р-п-р с нормированным коэффициентом шума на частоте
•800 МГц. Предназначены для работы в селекторах телевизи-
онных каналов метрового и дециметрового диапазонов волн.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими полоско-
выми выводами. Маркируются двумя цветными точками у выво-
да базы: КТ3109А — белой и розовой; КТ3109Б — белой и жел-
той; КТ3109В — белой и синей.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до 4-85 °C.
Масса не более 0,3 г.
Электрические параметры и предельные значения 1
допустимых режимов работы -
Обозначение Режим измерения КТ3109А КТ3109Б КТ3109В
Л21Е //кб——Ю В; /э=Ю мА 20...200 20...200 20...200
/гр t/кв——Ю В; /э=10 мА >800 >800 >600
Тк, ПС 1/КБ=—10 В; /э—10 мА
/ = 30...Ю0 МГц <6 < 10 <10
Аш, дБ 1/кб——Ю В; /э=10 мА
Аг=75 Ом; / = 800 МГц <6 <7 <8 :
АР, дБ [/КБ=—10 В; /э=10 мА
/?г=2 кОм; /=800 МГц >15 >13 >13
/кбо, мкА //Кб=—20 В; 0окр=25 °C <0,1 <0,1 <0,1
/эбо, мкА (/эб=—2 В; 0окр=25 °C <10 <10 <10
Ск, пФ [/КБ=—ю В <1 <1 <1
max, В -30 — 25 -25
t/кЭЯ. так, В Абэ< ЮО кОм -25 -20 -20
^ЭБ. max» В -3 -3 -3
/К. max, РмД 50 50 50 '
1\.тах, МВТ Оокр <4-40 °C 170 170 170
124
КТ3117А, КТ3117Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры п-р-п. Предназначены для работы в качестве переключаю-
щих элементов в быстродействующих оперативных и посто-
янных запоминающих устройствах и другой радиоэлектронной
аппаратуре широкого применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до 4-85 °C.
Масса не более 0,4 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ3117А КТ3117Б
А21Е 1/кэ=5 В; /э=200 мА 20...200 100...300
1 Й21э 1 //кэ=Ю В; /к=30 мА; /= >2,5 >2,5
= 100 МГц
/кбо, мкА Uxb—UxS.inax <10 <10
б^КЭ. нас, В /д=500 мА; /б=50 мА <0,6 <0,6
//БЭ. нас, В /к=500 мА; /б=50 мА <1,2 <1,2
Ск, пФ £7кб=10 В; /=10 МГц <10 <10
С„ пФ /7бэ=0; /=10 МГц <80 <80
/вкл, НС /к=150 мА; /Б=15 мА <35 <35
/выкл, НС /к=150 мА; /Б=15 мА <285 <285
t/кБ.тах» В — 45 °С<6пкр<85 °C 60 75
UКЗ. max, В То же, при Абэ=0 60 75
1/ КЭЙ. тех, В То же, при Абэ=1 кОм 50
UБЭ. тах> В —45 °С<0окр<85 °C 4 4
БЭ. и. max, В То же, при ти=10 мкс; Q=2 5 5
/к.н. max, мА То же, при тн=10 мкс; Q = 2 800 800
1к.тах, мА -45 °C<0ОКР<85 °C 400 400
Р&тах, МВТ -45 °С<0окр<4О °C 300* 300*
Ад. и. пи*, мВт —45 °С<0окр<4О °C 800 800
0окр=85 °C 400 400
Опер, max, С — 150 150
1 При увеличении температуры окружающей среды от 40 до 85 °C мощность (мВт)
изменяется по линейному закону и может быть рассчитана по формуле
12о
КТ3120А
Кремниевые эпитаксиально-планарные СВЧ усили-
тельные транзисторы п-р-п с нормированным коэффициентом
шума. Предназначены для работы во входных и последующих
каскадах усилителей СВЧ.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими
полосковыми выводами. Обозначение типа транзистора приво-
дится на этикетке. На крышку корпуса нанесены две точки
белого цвета.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до 4-125 °C.
Масса не более 0,3 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы *
Обозначение Режим измерения КТ3120А
Скб=1 В; /к=5 мА; бокр=25 °C >40
0окр=125 °C >40
еокр=-бо °C >20
/кбо» мкА Ukb=15 В; еокр=25°С <0,5
0окр=125 °C <5
1 Й21э 1 (/кб=5 В; /э=10 мА; /=300 МГц >6
Ск, пФ ^кб=5 В; /=10 МГц <2
С,, пФ ^7эб=1 В; /=10 МГц <3,2
ЛУР, (7кб=5 В; /э=5 мА; /=400 МГц >10
Л1Л, дБ СКБ=5 В; /э=5 мА; /=400 МГц <2
Тк, ПС (/кб=5 В; /э=10 мА; /=30 МГц <8
СкБ.та*» В —60 °C <0окр< 125 °C 15
Ck3R, max, В 0окр<125°С; /?Бэ< Ю кОм 15
! К. max, М А 0ОкР<125 °C 20
^Э. maxi мА 0окр<125 °C 20
/ки.max, мА 0ОкР<125°С; 4<10 мкс; Q^2 40
/э.ч. max, мА 0Окр<125°С; fH<10 мкс; Q^2 40
Р К. max, М Вт -60 °C С Оокр <65 °C ЮО1
Опер.тех» С — 150
1 При увеличении температуры окружающей среды от 65 до 125 °C максимальная
мощность снижается по линейному закону до 30 мВт.
КТ3123АМ, КТ3123БМ, КТ3123ВМ
Кремниевые СВЧ транзисторы р-п-р с нормиро-
ванным коэффициентом шума. Предназначены для работы
в усилителях высокой и сверхвысокой частоты аппаратуры
широкого применения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими
полосковыми выводами. Маркируются цветной точкой, которая
наносится на корпус: КТ3123АМ— розового цвета;
КТ3123БМ — желтого; КТ3123ВМ — синего цвета.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до 4-85 °C.
Масса не более 0,3 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ3123АМ КТ3123БМ КТ3123ВМ
Й21Е L/KB=—10 В; /э=10 мА; 0ОК₽=25 °C >20 >20 >20
6окР=85 °C >15 >15 >15
0окр=—45 °C- >7 >7 >7
/кбо, мкА ^КБ=С\б. maxi 0окр=25 °C <25 <25 <25
еокр=85 °C <100 <100 <100
/эбо, мкА £/эб==—3 В <25 <25 <25
|Й21,1 — Ю В; /к— 10 мА; / = 300 МГц >13,3 >13,3 >10
С„, пФ f/KB=—10 В; / = 30 МГц <1,2 <1,2 <1,2
Аш, дБ [/кэ=—10 В;/э=3 мА; / = 300 МГц <3 <4 <3
UКБ. max, В -45 °C < Оокр <85 °C -15 — 15 -10
Г^К.ЭР max, В То же, при Абэ=Ю кОм -12 -12 -10
Г^ЭБ. max, В —45 °С<0окр<85 °C -3 -3 -3
^К.тах, мА -45 °C <©„«₽< 85 °C 30 30 30
Ас и.тою мА То же, при тк<10 мкс; 50 50 50
max, мВт Q>2 -45 °C < 0л1ф < 25 °C 150* 150‘ 150‘
* При увеличении температуры от 25 до 85 °C наибольшая допустимая мощность
снижается по линейному закону на 1 мВт/°С.
KT3I26A, КТ3126Б
Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисто-
ры р-п-р. Предназначены для усиления, генерирования и пре-
образования высокочастотных и сверхвысокочастотных сиг-
налов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы КТ3126А маркируются ромбом, КТ3126Б — ром-
бом и точкой.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до 4-85 °C.
Масса не более 0,3 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ3126А КТ3126Б
A2ie 1 ^213 1 £/кб==—5 В; /э=3 мА 10 В; /э=2 мА; / — = 100 МГц 25... 150 >5 60... 180 >6
5 В. И. Галкин и др.
129
П родолжение табл.
Обозначение Режим измерения KT3I26A КТ3126Б
/кбо. мкА £/кб=-15 В < I < I
(7кЭ. нас, в /к— 10 мА; /Б=1 мА -1,2 -1,2
Ск, пФ (7КБ=—10 В; /=10 МГц <2,5 <2,5
Сз, пФ (7ЭБ=-2 В; /=10 МГц <2,5 <2,5
Тк, ПС (7кб=—5 В; /э=5 мА; / = = 100 МГц <15 < 15
Лпб. Ом (7кб——5 В; /э=1 мА; / — = 50... 1000 Гц >34 >34
/г22б. мкСм (/КБ=-5 В; /э=1 мА; / = = 50... 1000 Гц <1 <1
Предельно допустимые эксплуатационные данные
(7 кб. ли а л» в
(7эБ. maxt в
(>K3R. max* в
IК. max, мА
РК. ПШХ> М Вт
7?пер-окр.,
6..ер. max,
°С/мВт
°C
-45 °С<0окр<85 °C
—45 °С<еокр<85 °C
То же, при /?бэ—Ю кОм
—45 °С<еокр<85 °C
-45 °С<6окр<30 °C
-20
-3
-20
20
1501
078
150
— 20
-3
-20
20
150*
0,78
150
1 При температуре от 30 до 85 °C мощность (мВт) рассчитывается по формуле
Рк.тах=(15О-0окр)/О,78.
KT3I27A, КТ3128А, KT3I28A1, КТ3128Б1
Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисторы р-п-р.
Предназначены для усиления, генерирования, преобразования
колебаний высокой частоты, а также для работы в каскадах
с автоматической регулировкой усиления в селекторах каналов
и блоке радиоканала телевизионных приемников.
Выпускаются в металлостеклянном (КТ3127А, КТ3128А)
и пластмассовом (КТ3128А1, КТ3128Б1) корпусах.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до +85 °C.
Масса не более 0,4 г.
Обозначение Режим измерения КТ3127А КТ3128А
tl21E ^/кб=—5 В; /э=3 мА 10-150 10-150
/гР, МГц t/кв——Ю В;-7э—4 мА >600 >800
/ КБО, М кА С/кб=-15 В < 1 < 1
?Э. опт, мА икэ=-12 В; / = 200 МГц — 3-5
*уР, дБ /э=4 мА; / = 200 МГц — 14
ДАУр, ДБ /э=4-9 мА; / = 200 МГц — 20
Йцб, Ом 1/кб=—5 В; /э=1 мА; / = = 50-1000 Гц 34 34
Аш, дБ Г^кб=—5 В; /э=5 мА; / = = 200 МГц <5 <5
Ск, пФ (/КБ=—Ю В; /=10 МГц <1 - —
Са, пФ ^эб=—2 В; /= 10 МГц < 1,5 —
тк, ПС Uks=—Ю В; /э=4 мА; / = = 100 МГц <10 <5
^КБ. maxt В -45 °С<6окр<85 °C -20 — 20
^K3R. max» В То же, при /?БЭ=10 кОм — 20 -20
^ЭБ. maxt В -45 °С<0окр<85 °C -3 -3
К- maxi М —45 °С<еокр<85 °C 20 20
^К./пах, мВт ^пер-окр» С/мВт —45 °с<еокр<з5 °C ЮО1 1,15 100* 1,15
* При интервале температур от 35 до 85 °C мощность (мВт) рассчитывается по
формуле Рк _=( 150-еокр)/1,15.
КТ3142А
Кремниевый планарно-эпитаксиальный высокочас-
тотный транзистор п-р-п. Применяется для генерирования,
усиления и преобразования колебаний высокой частоты.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими
выводами.
Эксплуатируются при 0онр от —45 до +85 °C.
Масса не более 0,4 г.
КТЗМА
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ3142А
Й21Е £/Кэ=1 В; /К=Ю мА; f = 50 Гц 40... 120
/гр, МГц 47Кэ=1О В; /к=10 мА >500
/кбо» мкА (7 кб=20 В <0,4
б^КЭО.гр» В /э=Ю мА >15
^КЭ. нас» В /к ~10 мА; /б= 1 мА <0,25
нас» В /к—Ю мА; /б=1 мА <0,85
^вкл» НС /к—ЮО мА; /б=Ю мА <12
(выкл> НС /к=100 мА; /б=10 мА <18
^рас» /к=Ю0 мА; /б=/б2=10 мА <13
Ск, пФ £7кб=Ю В; /==10 МГц <4
^КБ. max* В -45 °С<0окр<85 °C 40
^КЭ. maxi В -45 °С<0окр<85 °C 40
Г^ЭБ. max. В —45 °С<0окр<85 °C 4,5
^К. maxi мА —45 °С<0окр<85 °C 200*
IК. и. maxi мА То же, при (н<10 мкс; 0>5О 5001
^К. max. М Вт -45 °С<бскр<25 °C 3602
Лпер-окр» С/мВт — 0,35
Опер. max. С — 150
1 При условии, что <-Рк тах для данной температуры.
2 В интервале температур от 25 до 85 °C максимально допустимая мощность
(мВт) рассчитывается по формуле Р^ ^* = (150— 6окр)/0,35.
КТ3157А
Кремниевый бипо-
лярный транзистор структуры
р-п-р.
Выпускается в пластмас-
совом корпусе с гибкими выво^
дами.
Основные электрические параметры
Транзистор Вт ^КБ.тох" в ^КЭ./тшх- в ЭБ. max В К. max мА Л21Е ^КЭ. нас’ В ^КБО- мкА ЛР> МГц
КТ3157А 0,2 250 250 5 30 50 1 0,1 60
1.6. Биполярные транзисторы
средней мощности низкой частоты
ГТ402А, ГТ402Б, ГТ402В, ГТ402Г, ГТ402Д,
ГТ402Е, ГТ402Ж, ГТ402И
Германиевые сплавные транзисторы р-п-р пред-
назначены для применения в выходных каскадах усилителей
низкой частоты. Могут использоваться в парном включении
с транзисторами ГТ404.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими
выводами в двух вариантах.
Эксплуатируются при 6окр от —40 до +55 °C.
Масса варианта 1 — не более 2 г, варианта 2 — не более 5 г.
гтщг(А-и)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения ГТ402А ГТ402В ГТ402Б ГТ402Д ГТ402Ж ГТ402Е JJ4O2H
ГТ402Г
Й21Е (7кв =— 1 В; /э=ЗмА; 0окр=25 °C 0окр=55 °C 0окР=-40 °C 30...80 30...160 10...80 60... 150 60...300 20... 150 30...80 30... 160 10...80 60... 150 60...300 20...150
/гр, МГц — >1 >1 >1
^КБО, мкА (7кб=—Ю В <20 <20 <25 <25
Лг1^/э=3 мА) W/9=300 мА) С/кэ=-1 В 0,7... 1,4 0,7... 1,4 0,7...1,4 0,7...1,4
^ЭБ. max-t В — -0,35 — 0,35 -0,35 — 0,35
^K3R. maxt В /?эб—200 Ом — 25 — 40 — 25 -40 -25
maxi А — 0,5 0,5 0,5 0,5
Рк.тах, МВт 6окР^25оС; 1-й вари- ант корпуса 600* 600* 600’ 600*
0«кР:С25оС; 2-й вари- ант корпуса — — 300* 300'
^?прр-окрэ С/М Вт 1-й вариант корпуса 0,1 .0,1 0,1 0,1
2-й вариант корпуса — — 0,15 0,15
^пер. тех» С — 85 85 85 85
1 При температуре свыше 25 °C допустимая мощность (мВт), рассеиваемая на
коллекторе, определяется по формуле Р =(85 — 8„ }/R
К, так окр'/ пер-окр.
ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403В, ГТ403Г, ГТ403Д,
ГТ403Е, ГТ403Ж, ГТ403И, ГТ403Ю
Германиевые сплавные транзисторы р-п-р. Пред-
назначены для работы в переключателях, выходных каскадах
низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизато-
рах постоянного тока.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами.
Эксплуатируются при 0окр от —55° до -|-70 °C.
Масса не более 4 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения ГТ403А ГТ403Б ГТ403В ГТ403Д ГТ403Е ГТ403Ж ГТ403И Г Т403Ю
ГТ403Г
/>21 э С/дэ——5 В; /к= 20...60 20...60 50... 150 20...60 30...60
= 100 мА; /=50... 300 Гц 50...150 50... 150 20...60
/Л21э. 1Уцэ~—5 В; /э= >8 >8 >6 >8 >8
= 100 мА ft >8
^21Е /к=450 мА — —- — -—
>30 >30
/кбо> мА Ь,КБ= Г^КБ. max <0,05 <0,05 <0,05 <0,07 <0,05
/эбо, мА ^ЭБ^= £^ЭБ. maxi еокр==20 °с <0,05 <0,05 <0,05 <0,07 <0,05
еокр=70 °с <0,08 <0,08 <0,08 <0,08 <0,08
/кэо. мА КЭ== UКЭ. max <5 ft <5 <6 <5
Й22б> мкСм (7КБ= —60 В; /э=0 <50 <50' <50* <501 2 <50
йггэ. мкСм Uk3—Uk3. max <250 <250 <250 <250 <250
В ?к=500 мА; /Б= =50 мА -0,5 -0,5 — 0,5 — 0,5 -0,5
на» В /к=450 мА; Л,= =50 мА — 0,8 -0,8 — 0,8 -0,8 — 0,8
Usa™, В (/кБ=6'ЦБ. max 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3
тса В Оокр <70 °C — 45 -60 — 60 -80 — 45
fJva. пи, В Оокр <70 °C -30 -45 -45 — 60 -30
в '-'36./то Оокр <70 °C -20 -20 -30 — 20 -20
-20
/к. max, А. Оокр <70 °C 1,25 1,25 1,25 1,25 1,25
/к А 1 Б.maxt ™ е(,кр<70 °C 0.4 0,4 0,4 0.4 0.4
Pv. max, мВт 0окр<25 °C 6003 6003 6003 6003 6003
^?пер-окр» °С/Вт — 100 100 100 100 100
/?пер-кор» °С/Вт — 15 15 15 15 15
Опер, max, С — 85 85 85 85 85
1 При [7^Б=—80 В.
2 При иКБ=-ЮО В.
3 При температуре окружающей среды свыше
определяется по формулам:
а) без теплоотвода — РКтих = 0,01(85 —6окр);
б) с теплоотводом —РК тахт = (85-0окр)/15.
15 °C допустимая мощность (Вт)
ГТ404А, ГТ404Б, ГТ404В, ГТ404Г
Германиевые сплавные транзисторы п-р-п. Приме-
няются в выходных каскадах усилителей звуковой частоты.
Могут использоваться в парном включении с транзисторами
ГТ402, ГТ405.
Выпускаются, в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами в двух вариантах.
Эксплуатируются при 6окр от —40° до -|-55 °C.
Масса транзистора варианта 1 — не более 5 г, варианта 2 — не
более 2 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения ГТ404А ГТ404Б ГТ401В ГТ404Г
^21E 4/дб = — 1 В; /э=3 мА; '0-кр=2О °C 0Окр=55 °C 0OKD= -40 °C 30...80 30...120 6...80 60... 150 60...225 12...150 30...80 30... 120 6...80 60... 150 60...225. 12...150
Обозначение Режим измерения . ГТ404А ГТ404К ГТ404В ГТ404Г
/гр, МГц (/кэ=1 В; /к=3 мА >1 >1 > I >1
/кБО> м КА С7Кб=Ю В <25 <25 <25 <25
/эБО. мкА С/ЭБ=10 в <25 <25 <25 <25
Й21е(/э=3 мА) t/кэ—1 В; /э=3 мА. 0,7... 1,4 0,7... 1,4 0,7... 1,4 0,7...1,4
^еС/э—ЗОО мА) t/ЗБ, В /к—0; /б—2 мА 0,3 0,3 0,3 0,3
НK3R. max, В /?эб=200 Ом; 25 25 40 40
^К-тах, & Оокр <55 °C 0,5 0,5 0,5 0,5
РК- max* М Вт 1-й вариант корпуса 600' 6001 6001 600*
^?Пф-окр» С/м Вт 2-й вариант корпуса ^к.тох=300 мВт 300* 0,15 ЗОО1 0,15 ЗОО1 0,15 ЗОО1 0,15
Нпер-окр, С/мВт Рк.тах=600 МВТ 0,1 0,1 0,1 0,1
^пер-кор» С/М ВТ — 0,015 0,015 0,015 0,015
8пер. maxi С — 85 85 85 85
* При температуре окружающей среды свыше 25 °C наибольшая допустимая
мощность (мВт) рассчитывается по формуле тах—№>—®окР)/^пер-окр
ГТ405А, ГТ405Б, ГТ405В, ГТ405Г
Германиевые сплавные транзисторы типа р-п-р.
Предназначены для работы в выходных каскадах усилите-
лей низкой частоты.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —40° до -|-55 °C.
Масса не более 1г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерении ГТ405А ГТ405Б ГТ405В ГТ405Г
^2IE 17 кб =— 1 В; /э =3 мА; 6ОКР=20 °C 30...80 60... 150 30...80 60... 150
9о1(р=55 °C 30.. 160 60...300 30...160 60...300
еокр=- 40 °с 15...80 30... 150 15...80 30...150
/Гр, МГц — >1 ^=1 > 1
/кбо, мкА и№=-10 в <25 <25 <25 <25
t/ЗБ, В /б=2 мА; /^=0 0,35 0,35 0,35 0,35
таху В 0<>кР < 55 °C — 0,35 — 0,35 -0,35 — 0,35
^КЭИ. max, В /?эб<200 Ом -25 — 25 — 40 — 40
/к max* А 0(,кР <55 °C 0,5 0,5 0,5 0,5
Р&. таху М В Г 0окР < 25 °C 6001 600* 6001 6001
^?пер-окр> С/мВт — 100 100 100 100
6 пер. таху С — 85 85 85 85
При температуре окружающей среды
мощность рассчитывается по формуле
свыше 25 °C наибольшая
Рк =(85-0окр)/О,1.
К. так икр"
допустимая
1.7. Биполярные транзисторы средней
мощности средней частоты
КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е,
КТ501Ж, КТ501П, КТ501К, КТ501Л, КТ501М
Кремниевые эпитаксиально-планарные усилитель-
ные транзисторы р-п-р. Предназначены для применения в уси-
лителях низкой частоты с нормированным коэффициентом шу-
ма, преобразователях, дифференциальных усилителях, импульс-
ных и других устройствах радиоэлектронной аппаратуры
широкого применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами.
Эксплуатируются при 6окр от —60° до +125 °C.
Масса не более 0,6 г.
(Z515V
КТ50ЦА-М]
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения Группы транзисторов Значения
/l2!E и^э——1 В; /к=30 мА; еоКр=25 °C КТ501А,Г,Ж,Л 20...60
/7к9=— 1 В; /{(=30 мА; е„Кр=25 °C КТ501Б,Д,И,М 40...120
t7io:=—1 В; /«=30 мА; КТ501В,Е,К 80...240
еохр=25 °C 0окр=125 °C КТ501А,Г,Ж,Л 20... 120
еокр=125 °C КТ501Б,Д,И,М 40...240
0окр=125 °C КТ501В.Е.К 80...480
еонр=-бо °с КТ501А.Г.Ж.Л 10...60
0окр= —60 °C КТ501Б,Д,И,М 20... 120
КТ501В.Е.К 40...240
/гр, МГц £7кэ==—5 В; /к=10 мА; КТ501А... КТ501М 5
О^КЭ. нас, В /((=300 В; /р,=60 мА КТ501А... КТ501М -0,4
^БЭ. Haci В /к=300 В; /б—60 мА КТ501А... КТ501М -1,5
Ск, пФ ^Кб=-ЮВ;/ = 500кГц КТ501А... КТ501М <50
Сэ, пФ иЭБ=—0,5 В; / = 500 кГц КТ501А... КТ501М <100
/<ш, дБ С/«б==:—3 В; /((=0,2 мА; КТ501А,Б,Г,Д <2
/=1 кГц; /?г=3 кОм ж,и,л,м
£/((Б^—3 В; /((=0,2 мА; /=1 кГц; /?г=3 кОм КТ501В,Е,К <4
UK9R. тахт В /?БЭ=10 кОм; 0окр=25... КТ501А... — 15*
125 °C КТ501В
/?бэ=Ю кОм; КТ501Г... -302
0окр=25...125 °C КТ501Е
/?бэ=Ю кОм; 0онр=25...125 °C КТ501Ж,И,К -453
/?бэ=Ю кОм; 0окр=25...125 °C КТ501Л.М -604
Обозначение Режим измерения Группы транзисторов Значения i
&КБ. тахт В 0окр=25... 125 °C КТ501А... КТ501В -15*
еокр—25...125 °C КТ501Г... КТ501Е -30* 2
0окр=25...125 °C КТ501Ж.И.К —453
еокр=25... 125 °C КТ501Л.М -604
UЭБ.о6р.тах> В 0оир=25...125 °C КТ501А... КТ501Е -10
0окр=25...125 °C КТ501Ж.И.К Л.М -205
^К. rnaxt мА -бо°с<еокр< 125 °C КТ501А... КТ501М 300
^К. и. тси мА -60 °с<еокр^ 125 °C КТ501А... КТ501М 500
? Б. maxi мА -6О°С<0ОКр^ 125 °C КТ501А... КТ501М 100
Р К. maxi Вт -60°С<0окр^ :35 °C КТ501А... КТ501М 0,35
0окр=125 °C КТ501А... КТ501М 0,06
f^nep- тахт С КТ501А... КТ501М КТ501А... КТ501М 150
При температуре от 25 до —60 °C напряжения (Укэр. max и ^КБ. max
снижаются по линейному закону до 10 В.
При температуре от 25 до —60 °C напряжения Uy.3R.max и Uyb.max
снижаются по линейному закону до 25 В.
При температуре от 25 до —60 °C напряжения О/^эя, max и ^кб. max
снижаются по линейному закону до 40 В.
При температуре от 25 до —60 °C напряжения ^кэятах и t/кБ.тсх
снижаются по линейному закону до 55 В.
1
2
3
4
5
При температуре от 25 до —60 °C напряжение ^эБ.обр.тах снижается
по линейному закону до 15 В.
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е
Кремниевые эпитаксиально-планарные универсаль-
ные транзисторы р-п-р. Предназначены для работы в ключевых
каскадах усилителей низкой частоты, операционных и диффе-
ренциальных усилителях и других узлах радиоэлектронной
аппаратуры шир&кого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Эксплуатируются при 0 от —40° до -f-100°C.
Масса не более 0,3 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения Группы транзисторов Значения
U—5 В; /э=Ю мА;
е(1кр=25 °C КТ502А.В.Д.Е 40...120
—5 В; /э=100 мА; КТ502Б.Г 80...240
0окр—25 °C
0онр=100 °C КТ502А,В,Д,Е 40...240
0окР=Ю0 °C КТ502Б.Г 80...480
еОкР=-40 °C КТ502А,В,Д,Е 15... 120
е„кр=—40 °с КТ502Б.Г 30...240
'-’кэо.гр. В /э= 10 мА; тн=30 мкс; КТ502А.Б —25
<?> 100
/э=Ю мА; ти=30 мкс; КТ502В.Г -40
О 100
/э= 10 мА; тн=30 мкс; КТ502Д —60
100
КТ502Е —80
Обозначение Режим измерения-"" Группы транзисторов Значения
/гр, МГц Г/«б=—5 В; /э=3 мА КТ502А... КТ502Е
^КЭ-нас» В /к=10 мА; /б=1 мА КТ502А... КТ502Е — 0,6
UБЭ нас» В /к=10 мА; /б=1 мА КТ502А... КТ502Е — 1.2
UКБ. проб* В /к=1 мкА КТ502А.Б 40
/к—1 мкА КТ502В.Г 60
/к=1 мкА КТ502Д 80
/к=1 мкА КТ502Е 90
Ск, пФ U№= —10 В; / = 500 кГц КТ502А... КТ502Е <50
Сэ, пФ [/эб=-0,5 В; /==500 кГц КТ502А... КТ502Е <100
U КЭ. max, В —40°С<9окр<100оС КТ502А,Б — 25
—40°с<еокр<юоос КТ502В.Г — 40
-40 °С<0окр<1ОО°С КТ502Д -60
—40°С<9окр<100 °C КТ502Е -80
Г^КБ. max, В —40 оС<0окр<1ОО°С КТ502А.Б — 40
—40 °С<0окр< 100 °C КТ502В.Г -60
-40 °С<0окр<1ОО бС КТ502Д -80
—40 °C <0окр < 100 °C КТ502Е -90
^ЭЪ.тах-t В —40 °С<0окр<1ОО°С КТ502А... КТ502Е -5
1 К- maxi М А —40°С<0окр<100 °C КТ502А... КТ502Е 150
К.и. maxi М А То же, при тн<10 мс; Q> 10 КТ502А... КТ502Е 300
Б. max, М А —40 °С<0(,кр< 100 °C КТ502А... КТ502Е 100
РК. max* М В 1 бокр 35 °C КТ502А... КТ502Е 3501
fi °C "пер. maxi КТ502А... КТ502Е КТ502А... КТ502Е 150
1 При увеличении температуры от 35 до 100 °C мощность снижается по линейному
КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е
Кремниевые эпитаксиально-планарные универсаль-
ные транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в ключевых
каскадах усилителей низкой частоты, операционных и диффе-
ренциальных усилителях и других узлах радиоэлектронной
аппаратуры широкого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —40° до 4-100 °C.
Масса не более 0,3 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерении Группы транзисторов Значении
^21E б'хб—5 В; /э—Ю мА; еокр=25 °C КТ503А,В,Д,Е 40...120
0 Ф О Ф Ф г*. О О О О О X X X Ж X V о г TJ ч -О m ' II II II II II II 1 1 о о сл 04 nnnn Ф II о 2 > КТ503Б,Г КТ503А,В,Д,Е КТ503Б.Г КТ503А,В,Д,Е КТ503Б,Г 80...240 40...240 80...480 15...120 30...240
б'кЭО. гР. В /э=Ю мА; Тц^30 мкс; Q> 100 КТ503А.Б >25
/э=Ю мА; тн^30 мкс; 100 КТ503В.Г >40
/э= 10 мА; тн<2 30 мкс; 100 КТ503Д >60
/э=10 мА; ти^30 мкс; Q > 100 КТ503Е >80
Обозначение Режим измерения Группы транзисторов Значения
/гр, МГц €/кб—5 В; /э=3 мА КТ503А... КТ503Е >5
U КЭ. нас, В /к=10 мА; /б=1 мА КТ503А... КТ503Е <0,6
Г^БЭ. нас, В /к=10 мА; /б=1 мА КТ503А... КТ503Е <1,2
Г^КБ. проб, В ' /к—1 мкА КТ503А.Б 40
/к=1 мкА КТ503В.Г 60
мкА КТ503Д 80
7К=1 мкА КТ503Е 100
Си, пФ 7/Кб=Ю В; / = 500 кГц КТ503А... КТ503Е <50
С9, пФ £/эб=0,5 В; / = 500 кГц КТ503А... КТ503Е < 100
U КЭ. max* В -40 °С<0окр<1ОО°С К1503А.Б 25
— 40 °С<6окр<100 °C КТ503В.Г 40
— 40 0c<oOKp<ioo°c КТ503Д 60
— 4О°С<0окр<1ОО°С КТ503Е 80
^КБ. max* В -40 °С<0()К„<100 °C КТ503А.Б 40
— 40 °С<8окР<100 °C КТ503В.Г 60
— 40 °C <0^ <100 °C КТ503Д 80
— 4О°С<0окр<1ООоС КТ503Е 100
Уэб. тах> В — 40 °С<0окр< 100 °C КТ503А... КТ503Е 5
7Кmaxt мА -40 °С<0окр<100°С КТ503А... КТ503Е 150
7К. и. maxt мА То же, при ти<10 мс; 10 КТ503А... КТ503Е 300
1 Б. maxt М А -40 °С<0окр<1ОО °C КТ503А... КТ503Е 100
Рк. maxt мВт -40 °C < 0ОКр < 35 °C КТ503А... КД503Е 350'
впер, max* С КТ503А КТ503Е КТ503А... КТ503Е 150
1 При температуре от 35 до 100 °C мощность снижается по линейному
закону до 150 мВт.
0,4 OfiOfiU&fl 0 2 4 5 BUK3,B 0 2 4 5 0 Юкз,ВГ40 ~20 0 20 W 00 %р,°С
КТ506А, КТ506Б
Транзисторы кремниевые планарные структуры
п-р-п. Предназначены для применения в переключающих
устройствах, импульсных модуляторах, преобразователях, ли-
нейных стабилизаторах напряжения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными
изоляторами и гибкими выводами.
Эксплуатируются при 60кр от —45° до 4-100 °C.
Масса не более 2 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения KT506A КТ506Б
Й21£ ^кб=5 В; /э=0,3 А
6ОКр=25 °C 30... 150 30... 150
еокр= 125 °C 30 30
е(!Кр=-бо °с 10 10
/гр, МГц £/кб=Ю В; /э=0,03 А 10 10
/кбо, мА 0окр=25 °C; /7кб=800 В 1 0,2
0o(tp=125 °C; GKB=400 В 0,2 0,2
/эбо, мА Г/эб—5 В 1 1
Ск, пФ //кб=5 В 40 40
Сэ, пФ £/эб=1 В 1100 1100
нас» В /к=0,3 А; /Б=0,03 А 0,6 0,6
4кл., МКС //Кэ=200 В; /к=1 А; /Б=0,2 А 0,19 0,19
^расс.» КС £7Кэ=200 В; /к=1 А; /Б=0,2 А 1,35 1,35
/сп., мкс //кэ=200 В; /к=1 А; /Б=0,2 А 0,5 0,5
U КБ. проб, В /кБО=1 мА 800 600
^КБ./пах» В 800 600
t/K3R.max, В /?БЭ^ 10 Ом 800 600
t/эБ. тах< В 5 5
?К. /пах» А 2 2
Обозначение Режим измерения КТ506А КТ506Б
А 5 5
/к А • Б. maxi ™ 0,5 0,5
l&H.maxt & 1 1
maxi Вт при 0 от —45 °C до +125 °C
с теплоотводом 10 10
без теплоотвода 0,8 0,8
^пер. maxi С + 150 + 150
1.8 Биполярные транзисторы
средней мощности высокой частоты
КТ601А, КТ601АМ
Кремниевые диффузионные транзисторы п-р-п, вы-
полненные по планарной технологии. Предназначены для рабо-
ты в радиовещательных приемниках и телевизорах.
Выпускаются в металлостеклянном (КТ601А) и пластмассо-
вом (КТ601АМ) корпусах с гибкими выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до +85 °C.
Масса КТ601А — не более 2 г, КТ601АМ — не более 0,7 г.
Электрические параметры и предельные значения допустимых
режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ601А КТ601АМ
hue (+б — 20 В; /э=Ю мА; 0Окр<&5 °C >16
еокр=-40 °с >10
1 ^21э | С/кб = 20 В; /э=10 мА; /=20 МГц >2
^кэю мкА /?эб— 10 Ом; £/Кэ = 50 В; 0окр = 25± ±10 °C <50
/?эб= Ю Ом; £/кэ=Ю0 В; 0Окр = = 25+10 °C <500
/эбо, мкА £/вэ=2 В <50
Си, пФ <7КБ = 50 В; /э = 6 мА; /=2 МГц <15
Тк, ПС Г'кб —50 В; /э = 6 мА; / = 2 МГц <600
^КБ. maxi В 0окр<85 °C 100
Продолжение табл.
Обозначение Режим измерения КТ601А КТ601АМ
^КЭЯ.щах, В /?ЭБ=1ОО кОм; 0ОКр<85°С 100
БЭ. maxt В 0окр <85 °C 2
^Э. maxt М А 0ОКр <85 °C 30
maxi М А Оокр <85 °C 30
РК. max, М Вт 0Окр <55 °C 250
Т'к. max. т> мВт 0ок₽ <75 °C 500
Опер, max, С 150
КТ602А, КТ602Б, КТ602В, КТ602Г, КТ602АМ(БМ)
Кремниевые меза-диффузионные транзисторы п-р-п,
выполненные по планарной технологии. Предназначены для
работы в схемах генерирования и усиления сигналов.
Выпускаются в металлостеклянном (КТ602А...Г) корпусе
с гибкими выводами и пластмассовом (КТ602АМ(БМ)) корпусе
с жесткими выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до + 125 °C.
Масса транзисторов КТ602А...Г не более 5 г, КТ602АМ(БМ) — не
более 1 г.
Электрические параметры и предельные значения допустимых
режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ602А КТ602Б КТ602В КТ602Г КТ602АМ КТ602БМ
U кэ = Ю В /э = 10 м
0ОКр = 20 °C 20...80 5...80 20...80
>50 >50 —
Оокр = 85 °C 16...240 10...240 50...80
>40 >50 —
Оокр =—40 °C 5...80 — 5...80
12 12 12...200
Лр. МГц 1/кэ = Ю В; /к = 25 мА > 150 >150 > 150
/кбо. мкА Г/КБО —120 В <70 <70 <70
/дБО. мкА С7КЭ= Ю В 50 50 50
Ск, пФ Г/КБ = 50 В; / = 2 МГц <4 <4 <4
Сэ, пФ 1/ЗБ = 0; / = 2 МГц <25 <25 <25
Тк, пС Г/Кб= Ю В- /э=10 мА <300 <300 <300
/ = 2 МГц
17КЗ нас. В /к = 50 мА; /б = 5 мА <3 <3 <3
^БЭ нас» В /к —50 мА, /Б —5 мА <3 <3 <3
О^кэо. В /э = 50 мА; Тц = 5 мкс 70 40 —
/=1 кГц
Г^кэ/г» В RБэ = 100 Ом 100. 100 100
^К- maxi мА — 75 75 75
и КЭИ. max, В епер=юо°с 100 100 —
епср= 150 °с 50 50 —
Опер <70 °с — — 100
0пер=120°С — — 50
UКБ. max, В 0пер=100оС 120 80 —
0пср= 150 °C 60 60 —
Опер <70 °C — — 120
0пер=12О°С •— — 60
Р^.тах, Вт Оокр = 20 °C 0,85 0,85 0,85
max. Ti Вт 0онр = 2О °C 2,8 2,8 0,85
Япер-окр, °С/ВТ — 150 150 150
^пер-цорп. °С/ВТ — 45 45 45
Опер, max, С — 120 120 120
КТ602(АМ,бМ)
О 20 40 60 1/кэ,в
КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры п-р-п. Предназначены для работы в усилителях, высокоча-
стотных генераторах и переключающих устройствах радиоэлек-
тронной аппаратуры.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами.
Эксплуатируются-при 0окр от —40 до -,-85 °C.
Масса транзистора не более 1,75 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ603А КТ603Б КТ603В КТ603Г КТ603Д КТ603Е
Л21Е £/кв=2 В; /э=150 мА; 10...80 10...80 20...80
Оокр = 25 °C 60 60 60...200
0окр=85 °C 10...240 10. .240 20...240
60 60...180 60...600
Оокр =—40 °C 4...80 4...80 8...80
20 20 20...200
lft2I,l (/кб= Ю В; /э=30 мА; >2 >2 >2
• 7=100 МГц
/кбо. м кА ^КБ = ^К Б. maxi Оокр = 25 °C <10 <5 < 1
0пКр = 85 °C <100 <50 < 10
/эбо. мкА (/ЭБ = 3 В <3 <3
^КЭ. нас» В /к—150 мА; /Б = 15 мА <1 < 1 < 1
нас. В /к= 150 мА; /Б= 15 мА <1,5 <1.5 <1.5
Обозначение Режим измерения КТ603А КТ603Б КТ603В КГ603Г КТ603Д КТ603Е
Ск, пФ (УКБ= 10 В, / = 2 МГц <15 <15 <15
Сэ, пФ ^эб = 0, / = 2 МГц <40 <40 <40
Тк, ПС С/КБ=Ю В; /э = 30 мА; <400 <400 <400
/==2 МГц
^рас» АС /к= 150 мА; /б= 15 мА 100 100 100
U КБ. max, В — 40 °C < 0пер <70 °C 30 15 10
0пер=120°С 15* 7,5* 5'
^K3R-mox. В -40 °C < ОпеР <70 °C; 30 15 10
/?ЭБ=1 кОм;
0пер=120оС; /?Эв = 151 7,5* 5*
= 1 кОм
^ЭБ. max, В -40 °C<Опер<120 °с 3 3 3
f К. тах> мА — 300 300 300
f К, и. maxi М А — 600 600 600
Р& max, Вт 20 °C <6^ <50 °C 0,5 0,5 0,5
Оокр = 85 °C 0,122 0,122 0,122
^?пер-окр, С/Вт — 200 200 200
А °C °ncp. max* I — 120 120 120
1 В диапазоне температур от 70 до 120 °C напряжения Ure, та* и 4/кэк. max сни-
жаются на 10 % на каждые 10 °C.
2 В диапазоне температур от 50 до 85 °C мощность снижается на 0,1 Вт на каж-
дые 10 °C.
КТ604А, КТ604Б, КТ604АМ, КТ604БМ, КТ605А,
КТ605Б, КТ605АМ, КТ605БМ
Кремниевые меза-планарные транзисторы п-р-п.
Предназначены для использования в операционных усилителях,
видеоусилителях, генераторах разверток устройств индикации,
преобразователях напряжения, выходных каскадах усилителей
и других устройствах широкого применения.
Выпускаются в металлостеклянном (КТ604Б и КТ605А, Б)
и пластмассовом (КТ604АМ, БМ и КТ605АМ, БМ) корпусах.
Эксплуатируются при 0окр от —20 до -J-100 °C.
Масса транзисторов в металлостеклянном корпусе КТ604А, Б — не
более 5 г, КТ605А, Б — не более 2 г, в пластмассовом КТ604АМ, БМ,
КТ605АМ, БМ — не более 1 г.
КТ604(АМ, БМ)
КТ605(А,б) ютим)
Электрические параметры и предельные значения допустимых
режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ604А КТ604Б КТ605А КТ605А КТ605АМ
КТ604АМ КТ604БМ КТ605АМ
/*2(Е £/Кэ = 40В; /э —20 мА; 0окр = 25 °C 10...40 30... 120 10...40 30...120
еокр=юо°с 10...80 30...240 10...80 30...240
0окр = -40 °C 5...40 15...120 5...40 15;.. 120
17кэ = 40 В; /э = 20 мА; / = 20 МГц >4 >4 >4 ^=4
/кэо, мкА f/K3 = 250 В <20 <20 <20 <20
7эбО, мкА С/эб = 5 В <50 <50 <50 <50
Ск, пФ ^кб = 40; ( = 2 МГц <С7 <7 <7
С9, пФ (/ЭБ = 0; /—2 МГц <50 <50 <50 <50
Обозначение Режим измерения КТ604А КТ604Б КТ605А КТ605А
КТ604АМ КТ604БМ КТ605АМ КТ605АМ
t/дэ.нао В /д=20 мА; /б = 2 мА g <8 <8 1 <8
t^K3R max* В 7?эб=1 кОм, Оокр с 250 250 250 250
<100 °C /?эб=1 кОм; == 125 125 125 125
Оокр
UxS.maxi В = 150 °C Оокр <100 °C 300 300 300 300
еокр=15о °с Оокр <100 °C еок — iso °с 150 150 150 150
t-^ЭБ. max, В 5 5 5 5
2,5 2,5 2,5 2,5
К. maxi ^А РК. max-t Вт 0окр<100оС 0окр=25 °C 200 0,8* 200 0,8* 2003 0,4* 2003 - 0,4*
/’к тахт, Вт Оокр = 25 °C З2 З2 — —
^?пер окр» С/Вт 150 150 300 300
^?пер-кор, ^С/Вт бпср. max» С — 40 150 40 150 150 150
1 При температуре окружающей среды от 25 до 100 °C допустимая мощность (Вт)
определяется по формуле Рд. тах=(150—0окр)/150.
2 При температуре корпуса свыше 25 °C допустимая мощность (Вт) определя-
ется по формуле Рд. max. т=( 150 — 0окр)/40.
3 Импульсный ток коллектора.
V яы,в
КТ606А, КТ606Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры п-р-п. Предназначены для работы в мощных автогенерато-
рах, генераторах с внешним возбуждением, умножителях частот
СВЧ диапазона и других устройствах широкого применения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с изолиро-
ванными от корпуса жесткими выводами с монтажным винтом.
Эксплуатируются при 60Кр от —40 до +85 °C.
Масса транзистора не более 6 г.
90°
Электрические параметры и предельные значения допустимых
режимов работы
Обозначение Режим измерения К1606А КТ606Б
1^2131 икэ= 10 В; /к=100 мА; /=100 МГц >3,5 >3
/кэк> мА £+э = 60 В; /?эб=100 Ом; 6Окр = 25±10°С и —40±2°С Оокр = 85 ± 2 °C /Л /Л Ы — сл 1Л —Г со V/ V/
Обозначение Режим измерения КТ606А КТ606Б
/эбо, мкА С/эб-4 В <300 <300
Iкр» мА UK3 = Ю В; f= 100 МГц >100 >100
Ск, пФ (7кб = 28 В; / = 5 МГц <10 <10
тк, ПС 6/КБ= 10 В; /э = 30 мА; <10 <12
/ = 5 МГц
Рвых> Вт / = 400 МГц >0,8 >0,6
maxt В /?ЭБ<100 Ом; 0окр<12О°С 601 601
КБ. max, В 0онр< 120 °C 601 601
^ЭБ. max» В еокр< 120 °C 4 4
^К. maxi мА 0окр<120 °C 400 400
^К. и.maxt мА еокр<120°с 800 800
fБ. maxi М А еокр< 120 °с 100 100
^К, тах> Вт еокр<40°с 2,52 2,52
Япер-кор, °С/ВТ 0окр< 120 °C 44 44
бпср. тахт С 1 - 120 120
Л or '-'нор. тахт — 85 85
1 Допускается пиковое значение напряжения 70 В.
2 В динамическом режиме. При температуре корпуса от 40 до 85 °C наибольшая до-
пустимая мощность (Вт) рассчитывается по формуле Рк. та* = (150— 6кор)/44.
КТ608А, КТ608Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные переключа-
тельные транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в бы-
стродействующих импульсных и высокочастотных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до -|-85оС.
Масса транзистора не более 2 г.
КТ608(А, б)
Электрические параметры и предельные значения допустимых
режимов работы
Обозначение Режим измерения KT608A КТ608Б
^21E Скэ = 5 В; /э = 0,2 А;
0окр = 25 °C 20...80 40...160
0окр = 85 °C 20...200 40...350
0окр= -45 °C 7...80 15...160
1 Лгь! Uкэ = Ю В; /к = 30 мА; >2 >2
/=100 МГц
/кбо, мкА СКБ = 60 В <10 <10
/эБО, мкА СЭБ = 4 В <10 < 10
Ск, пФ (7кб=Ю В; / = 2 МГц <15 <15
Сэ, пФ СЭб = 0; / = 2 МГц <50 <50
^рас» НС /б=15 мА; /к=150 мА 120 120
Скэ. нас, В /к = 400 мА; /Б = 80 мА <1 < 1
&БЭ. нас» В /к = 400 мА; /Б = 80 мА <2 <2
UКБ. max? В Опер <70 °C 60 60
£^КЭ. maxt В Опер <70 °C 60 60
СБЭ. maxt В Опер <120 °C 4 4
С КБ. и. maxt В Опер<70 °C; ти=10 мкс; Q>2 80 80
СКЭ. к. maxt В Опер<70 °C; Тц<10 мкс; Q^2 80 80
^К. maxt мА 0ОКР<85 °C 400 400
/к.и. maxt мА ти<20 мкс; Q = 10 800 800
Рк.тах, Вт 0окр<25 °C 0,5* 0,5‘
РК. maxt Вт 0ОКр = 85 °C 0,12' 0,12‘
1 При температуре окружающей среды от 25 до 85 °C максимальная допустимая
мощность (Вт) определяется по формуле m<Jt = 0,12-j-(85 — 6окр)/200.
КТ610А, КТ610Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные сверхвысо-
кочастотные усилительные транзисторы п-р-п. Предназначены
для работы в усилителях напряжения и мощности.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими
полосковыми выводами.
Эксплуатируются при 6окр от —45 до 4-85 °C.
Масса транзистора не более 2 г.
Электрические параметры и предельные значения допустимых
режимов работы
Обозначение Режим измерения K.T6I0A КТ610Б
Й21Е t/кв—Ю В; /э = 150 мА 50...300 20...300
Zrp, МГц L/K3=10 В; /к=150 мА >1000 >700
^КБО, мА ^кб — 26 В <0,5 <0,5
/эбо. мА (7эб = 4 В <0,1 <0,1
ЬъХз.тах [7Кэ=Ю В; /к = 30...270 мА 2,3 —
&21элпт ^КЭО.гр» В. /э = 50 мА >20 >20
ск, пФ £7КБ= 10 В; /=10 МГц ^4,1 <4,1
С3, пФ [7эб = 0; /=10 МГц ^21 <21
Тк, ПС t/кв—Ю В; /э = 30 мА; [ — <55 <55
& КБ. maxi В = 30 Мгц -45°С<еокрС85 °C 26 26
^КЭК./псх» В То же, при Лбэ= ЮО Ом 26 26
& ЗБ.maxi В — 45 °С<еокр<85°С 4 4
f К.тах* мА -45 °СС0окр<85 °C 300 300
pK.maxt В Г -45 °C < 0скр < 50 °C 1,5* 1.5‘
0пер.тсх> С — 150 150
1 При увеличении температуры от 50 до 85 °C мощность снижается по линейному
закону до 1 Вт.
КТ611А, КТ611Б, КТ611В, КТ611Г, КТ611АМ,
КТ611БМ
Кремниевые планарные транзисторы п-р-п. Пред-
назначены для усиления и генерирования электрических коле-
баний в диапазоне высоких частот радиоэлектронной аппарату-
ры широкого применения.
Выпускаются транзисторы КТ611А, КТ611Б, КТ611В,
КТ611Г в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами
и гибкими выводами, транзисторы КТ611 АМ, БМ — в пластмас-
совом корпусе с жесткими выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до -рЮ0°С,
Масса транзистора в металлическом корпусе — не более 5 г, в пласт-
массовом — не более 1 г.
161
6 В. И Галкин и др.
Электрические параметры и предельные значения допустимых
режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ611А КТ611Б КТ611В КТ6ИГ КТ611 АМ KT611 БМ
6/Кб = 40 В; /э = 20 мА; 10...40 10...40 10...40
0^ = 25 °C 30... 120 30. 120 30... 120
0окр= 100 °C 10...80 10...80 10...80
30...240 30...240 30...240
Оокр =-40 °C 5...40 5...40 5...40
15...120 15...120 15...120
1^2131 (7Кб = 40 В; /э = 20 мА >3 3 >3
/ = 20 МГц
/кэо. мкА Ь'кэ = Г^кэ. тех. Оокр = 25 °C <100 <100 <100
/эбо. мкА t/3B=-3 В <100 <100 < 100
Ск, пФ (7кб = 40 В; / = 2 МГц <5 <5 <5
Тк, пС [7КБ = 20 В; / = 2 МГц <200 <200 <200
/э = 20 мА
^КЭ. нас» В /к = 20 мА; /б = 2 мА 0,8 0,8 0,8
^КБ. тах^ В 6пср <100 °C 200 180 200
UБЭ. тех» В Опер <100 °C 4 4 4
/ К- maxi М А — 25 °C < Оокр < ЮО °C 100 100 100
Рк.таху Вт 0окр = 25°С 0,8 0,8 0,8
0окр=100°С 0,33 0,33 0,33
Р К. max. т» Вт еоКр = 25 °C 3 3 3
0окр= 100 °C 1,25 1,25 1,25
^?пер-окр. °С/Вт 150 150 150
Япср-кор. °C/ВТ 40 40 40
бцер тах> С 150 150 150
КТ616А, КТ616Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры п-р-п. Предназначены для работы в переключающих устрой-
ствах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до +85 °C.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ616А КТ616Б
/*21Е £/кб= 1 В; /э = 0,5 А >40 >25
|Й21э1 [7кэ=Ю В; /к = 30 мА; / = >2 >2
= 100 МГц
IКБО1 м к А Г/кб= 10 В <12 <12
^K3R> мкА и^э~20 В; /?эб—10 кОм <15 <15
/эБО> мкА 6^эбо = 4 В <15 <15
^рас» НС /к = 50 мА; /б= 15 мА <50 <15
Ск, пФ £/Кб= 10 В; /=2 МГц <15 <15
С3, пФ [/ЭБ = 0; / = 2 МГц <50 <50
VКЭ. нас. В /к = 500 мА; /б = 50 мА <0,6 ’ <0,6
СЛ)Э. нас» В /к = 500 мА; /б = 50 мА <2 <2
^КБ. maxi В — 40 °С<0окр<85 °C - 20 20
UБЭ. тах> В — 45 °С<0окр<85 °C 4 4
^K3R. тал В То же, при /?эб = Ю кОм 20 20
IК. maxi М А — 40 °С<0окр<85 °C 400 400
fК. н< maxi М А То же, при тн = 80 нс; 10 600 • 600
max* Вт — 40 °С<0окр<25 °C 0,3' 0,3’
^?пср-окр» С/ВТ — 260 260
бпер, maxi С — 150 150
При увеличении температуры от 25 до 85 °C мощность снижается по линейному
закону до 0,25 Вт.
КТ617А, КТ618А
Кремниевые эпитаксиально-планарные (КТ617А),
планарные (КТ618А) транзисторы п-р-п. Предназначены для
применения в переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами.
Эксплуатируются при 6окр от —40 до +85 °C.
Масса транзистора КТ617А— не более 0,84 г, транзистора
КТ618А-- не более 2 г.
КТ617А; К7618А
Электрические параметры и предельные значения
допустимых рея имов работы
Обозначение Режим измерения КТ617А КТ618А
JU
Л21Е t/K3- 2 В; /к = 400 мА >1,5 >22
1^2131 t/KB=10 В; /э = 30 мА <5 —
/кбо, мкА {/КБ=30 в 50
/кэо, мкА Uкэ --250 В <15 < ЮО3
/эБО, мкА t/3E = 4 В <15 <74
Ск, пФ (/КБ=10 В; / = 2 МГц <50 <50
С9, пФ С/ЭБ =0; / = 2 МГц <120 —
Тк, ПС еокр<85 °C <0,7 —
£+э. нас, В /к —150 мА; /Б—15 мА 30 300
^КБ. нас» В Оокр С 85 °C; Яэб=10 кОм 20 250s
t/кЭй.тох, В 80кр С 85 °C 4 5
t/эБ max, В Оокр <85 °C 400 100
К. maxt мА т„ = 80 нс; Q= 10 600 —
IК. и. maxt мА 0ОКр <25 °C 0,3 0,5
РК. тех» ВТ — 215 200
/?ПСрокр, °С/ВТ °C — 150 150
1 При {/кб~40 В; /э=1 мА,
2 При С/кб = 40 В; /э = 20 мА,
3 При 1/эб = 5 В.
4 При t/KB = 40 В,
5 При /?ЭБ = 1 кОм,
КТ625А, КТ625АМ
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры п-р-п. Предназначены для применения в импульсных устрой-
ствах герметизированной аппаратуры. Бескорпусные с защит-
ным покрытием и гибкими выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —50 до +85 °C.
Масса транзистора КТ625А — не более 0,015 г, транзистора
КТ625АМ — не более 0,04 г
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ625А КТ625АМ
^21Е Скэ=1 В; /к = 500 мА 20...200 20...200
|Лг1э1 £/кэ=10 В; /к = 50 мА; f — 2...5,5 2...5,5
= 100 МГц
/кБО, мкА Скбо = 60 В 60 60
— 40 < 0ОКр < + 25 °C 30 30
0окр=125°С 100 100
/эБО, мкА Сэбо=5 В- -40 °C < 0окр < 25 °C 100 100
0окр=1ОО°С 200 200
/кэо, мкА Скэ = 60 В: /?эб = 0 <60 <60
Ск, лФ Скб==10 В 5.. 9 5...9
Сэ, пФ сЭБ=о <90 <90
^КЭ. нас, В /« = 500 мА; /Б = 50 мА <1,2 < 1,2
^БЭ. нас» В /к==500 мА; /в = 50 мА 0,3-1,5 0,3... 1,5
О^КЭ.тял, В /?эб = 5 кОм 40 40
^КБ. тех, В 0окр = 85°С 60 60
maxt В 5 5
К. max* А 1 1
РК. maxt Вт 0окр = 7О °C 1 1
0окр = 85 °C 0,7 0,7
впер, maxi С 120 120
КТ626А, КТ626Б, КТ626В, КТ626Г, КТ626Д
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры п-р-п. Предназначены для применения в усилителях и гене-
раторах коротковолнового диапазона и переключающих устрой
ствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до +85 °C.
Масса транзистора не более I г
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ626А КТ626Б KT626B КТ626Г КТ626Д
А21Е UK3 = 2 В; /к=0,15 А Оокр = 25 °C 40...250 30...100 15...45 15...60 40...250
Оокр = 85 °C 40-500 30...200 15...90 15...120 40...500
Оокр =—40 °C 20...250 15...100 8—45 8...60 20-250
/т, мГц 67кэ=Ю В; /э=30 мА 75 45 45
/кбо. мкА 6^кбо=30 В 10 150 150 150 150
^кво=45 В 1000 1000 1000
/эбо. мкА £/эбо = 4 В 10 300 300 300
Тк, ПС £4б=10 В; /э = 30 мА; / = 5 МГц 500 500 500
Ск, пФ Uкбо = 10 В 150 150 150
^КЭ. нас» В /к = 0,5 А; /Б —0,05 А 1 1 1
t/кБ. max, В 45 60 80 20 20
UКЗ. max, В /?эб == 100 Ом 45 60 80 20 20
К. max, А 0,5 0,5 0,5
Рк.тах, ВТ Окорп 60 вС 6,5 6,5 6,5
0КОрп = 85 ’С 4 4 4
Лпер-корп» °С/Вт 10 10 10
Опер, max, 125 125 ’25
КТ630А, КТ630Б, КТ630В, КТ630Г,
КТ630Д, КТ630Е
Кремниевые планарные транзисторы п-р-п. Пред-
назначены для применения в усилителях и импульсных устрой-
ствах Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими
выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до +125 °C.
Масса транзистора не более 2 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ630А ктбзов ктбзод
КТ630Б КТ630Г КТ630Е
/*21Е С/кэ=Ю В; /к=150 мА 40...120 40... 120 80 .240
60кр = 25 °C 80...240 160.. 480
0ОКР= 125 °C 40...240 40...240 80...480
80...480 120...1000
0окр=- 60 °C 15... 120 15...120 30-240
30...240 40...480
Ар, МГц £7К= 10 В; /к = 60 мА >50 >50 >50
/кбо, мкА ^кбо = 90 В 1_
1 ——
6\бо = 40 В — 1 1
/эбо, мкА Г^эбо —6 В <0,1 <0,1 <0,1
Ск, пФ £/кб = Ю В <15 <15 < 15
Сэ, пФ Г^эбо —0,5 В <65 <65 <65
^вкл» М КС /к = 200 мА; /bi — 7б2 = 0,04.„0,25 0,04...0,25 0,04-0,25
= 40 мА
^выкл» МКС /к = 200 мА; /б| = /б2== 0,08...0,5 0.08...0,5 0,08.. 0,5
= 40 мА
^КЭ.иас, В /к=150 мА; /б= 15 мА <0,3 <0,3 <0,3
^БЭ. нас» В /к = 150 мА; /б= 15 мА <1,1 в <1,1 В <1,1 в
UКЭ. шал» В /?эб = 3 кОм 120 150 60
100
U КБ. maxi В 120 150 60
100
Г^ЭБ. тех, В 7 7 5
5
UК. тах> А 1 1 1
К. maxt В I 0,8 0,8 0,8
п °C vnep. maxi '-j 150 150 150
КТ632Б
Кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор
п-р-п. Предназначен для применения в линейных широкопо-
лосных усилителях. Выпускается в ме.таллостеклянном корпусе
с гибкими выводами.
Эксплуатируется при 6окр от —45 до +85 °C.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ632Б
^2iE 17кб= 10 В; /д— 1 мА 0окр== 4-25... 4-85 °C 50
Оокр =-45 °с 15
1^2131 £/КБ = 20 В; /э = 20 мА; f = 10 МГц >2
^КБО. мкА t/KBO= 120 В Оокр =-45... 4- 25 °C 1
Оокр = 85 °C 10
/эбо, мкА 1^эбо = 5 В 100
1 кэо> м кА (7кэ=1'20 В; /?эб=1 кОм 100
тк, ПС £/кб = 20 В; /э = 20 мА; / = 30 МГц 20... 100
Ск, пФ £/кбо = 20 В <5
Сэ, пФ ^эбо = 0 В 20...50
нас> В /к = 20 мА; /б = 2 мА <0,5
UЭБ. Kaei В 1к = 20 мА; /б = 2 мА <1
Uv&.max, В /?эб=1 кОм 120
UКБ. max, В 120
ЭБ. maxt В 5
maxt А > 0,1
РК. тах> Вт Оокр =-45... 4-45 °C 0,5
0окр = 85 °C 0,1
Орср. max, С 150
КТ633Б
Кремниевый эпитаксиально-планарный переключа-
тельный транзистор п-р-п. Предназначен для работы в высоко-
частотных и импульсных устройствах радиоэлектронной аппа-
ратуры.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами.
Эксплуатируется при 0окр от —45 до 4-85 °C.
Масса транзистора не более 3 г.
23 6.6
КТ633Б
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения Значения
Лй1Е Скб— 1 В; /э — 10 мА 20... 160
/гр, МГц и^э — 10 В; 1 к = 10 мА; f== = 1000 МГц >300
/кбо, мкА СКБ = 30 В <10
/эбо, мкА СЭБ = 4,5 В <10
^КЭ. нас. В /к=100 мА; /Б= 10 мА <0,6
ск, пФ СКБ=10 В; /3 = 0; /=10 МГц <5,5
Сэ, пФ СЗБ = 0,5 В; /к = 0; /= 10 МГц <30
^рас» НС /к= 10 мА; /Б1 = /Б2=10 мА <30
Скб. maxt В — 45 оС<0окр<85 °C 30
^ЭБ. maxt В — 45 °C <0окр<85 °C 4,5
/ К. maxi м А — 45 °C < 0окр <85 °C 200
/к.и.max, мА То же, при /и<10 мкс; 050 - 500
Р^. maxt мВт — 45 °С<6окр<25 °C 3601
Рк. и. max, мВт То же, при т„<10 мкс; Q>50 720
0 °C vncp. max» — 150
1 В интервале температур от 25 до 85 °C мощность (В:) рассчитывается по фор-
муле Рк.тах = (150 0окр)/347,22.
КТ635Б
Кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор
п-р-п. Предназначен для работы в импульсных и высокоча-
стотных узлах электронной аппаратуры широкого применения.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами.
Эксплуатируется при 0окр от —45 до +85 °C.
Масса транзистора не более 3 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения Значения
/?21Е /кбо, мкА /кэк. мкА 1 В; /к = 500 мА Скб=60-В СКБ = 60 В; /?эб = 0 20... 150 <30 <30
Обозначение Режим измерения Значения
/эбо, мкА иэъ = 5 В. <20
/гр, МГц [7кэ=Ю В; /к = 50 мА; >200
^КЭ. нас» В /к = 500 мА; /Б —50 мА <0,9
t/кэо.гр, В /э=Ю мА; /б = 0 >35
^БЭ.нас» В /к = 500 мА; /Б = 50 мА <1,4
Ск, пФ {/КБ=10 В; /э=0; f — 10 МГц <15
Сэ, пФ £/ЭБ = 0; /к = 0; /= 10 МГц <100
^рас, НС /к = 500 мА; /Б = 50 мА <50
Г^КБ. max, В — 45 °С<0окр<85 °C 60
Г^ЭБ. max, В -45 °С<0окр<85 °C 5
^КЭ. maxt В То же, при #бэ = 0 60
fv^.tnaxi А — 45 °C С Оокр С 85 °C 1
/ К. и. maxi А То же, при /и<10 мкс; Q>50 1,2
Р* maxt Вт -45 °C С Оокр С 25 °C 0.51
К- т. так* Вт — 45 °С<0окр<25 °C 1,52
Опер, max, С — 120
1 В интервале температур окружающей среды от 25 до 85 “С мощность (Вт) рас-
считывается по формуле PK.moje=(120 —еокр)/190.
2 В интервале температур корпуса от 25 до 85 “С мощность (Вт) рассчитывается
по формуле Рк.тох = (120 —ejKp)/63.
КТ644А, КТ644Б, КТ644В, КТ644Г
Кремниевые высоковольтные эпитаксиально-пла-
нарные транзисторы р-п-р. Предназначены для работы в выход-
ных каскадах КВ и УКВ аппаратуры, в выходных каскадах
усилителей низкой частоты, мощных электронных ключах, пре-
образователях напряжения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выво-
дами.
Эксплуатируются при 6окр от —60 до +125 °C
Масса транзистора не более 1 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ644А К.Т644Б KT644B КТ644Г
/*21Е —ю В; /э = 150 мА 40... 120 40... 120
100...300 100...300
1 /*21э 1 £/кб =—5 В; /r = 30 мА; /=100 МГц >2 >2
Обозначение Режим измерения КТ644А КТ644Б KT644B КТ644Г
/кбо. мА /7кб— — 50 В <0,1 <0,1
/эбо, мА иЭБ=-5 В <0,1 <0,1
t/кэ.нас В /к= 150 мА; /б = 15 мА — 0,4 — 0,4
^БЭнас» В /к—150 мА; /в— 15 мА - 1,3 — 1,3
ск, пФ t/кв^ — Ю В; /= 10 МГц <8 <8
Сэ, пФ Уэб = 0 В; /= 10 МГц <50 <50
^рас» НС /к= 150 мА; /в= 15 мА <180 <180
^КЭ. max* В ВокРС20 °C — 60 -60
^ЭБ. max* В 0пкр<2О °C -5 -5
/к. maxt А- 8окр<20 °C 0,6 0,6
/ К. и. maxt А 0пкр<2О °C 1 1
/г А * Б. ПЮХ1 п 9иКр^20 °C 0,2 0,2
maxi Вт 0окрС2О °C 1 1
в«ер. max* С — 150 150
КТ645А, КТ645Б, КТ645В, КТ645Г, КТ645Д,
КТ645Е, КТ645Ж, КТ645И, КТ645К, КТ645Л,
КТ645М
Кремниевые транзисторы п-р-п.
Предназначены для использования в усилительных и генера-
торных каскадах высокой частоты.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса не более 0,3 г.
5,2 /3,5
КТ 5^5(А, б)
Основные электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
т 1 Транзистор /?К-тсх. Вт ^КБ. тахг UКЭ. max* В ^К. max» МА
КТ645А 0,5 60 50 300
КТ645Б 0,5 40 40 300
КТ645В 0,3 50 50 200
КТ645Г 0,3 50 50 200
КТ645Д 0,3 30 30 200
КТ645Е 0,3 20 20 200
К1645Ж 0,3 30 30 200
КТ645И 0,3 20 20 200
КТ645К 0,3 50 50 200
КТ645Л 0,3 50 50 200
КТ645М 0,3 30 30 200
Транзистор* Й21Е ^КЭ.иас. В /КБО. мкА /кбо. МГц Kill. дВ
КТ645А 20...200 0,5 I 250 —
КТ645Б 80 0,05 1 250 —
КТ645В 100...250 0,25 0,05 300 10
КТ645Г 200...500 0,25 0,05 300 10
КТ645Д 200...500 0,25 0,015 300 10
КТ645Е 400... 1000 0,25 0,015 300 10
КТ645Ж 200...500 0,25 0,015 300 4
КТ645И 400... 1000 0,25 0,015 300 4
КТ645К I00...250 0,25 0,05 300 —
КТ645Л 200...500 0,25 0,05 300 »
КТ645М 200...500 0,25 0,015 300 —
1 Возможна следующая замена транзисторов: КТ645В — KT3I02AM;
КТ645Г — КТ3102БМ: КТ645Д — КТ3102ВМ; КТ645Е — КТ3102ГМ;
КТ645Ж — КТ3102ДМ; КТ645И — КТ3102ЕМ.
КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г
КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И
Кремниевые высоковольтные эпитаксиально-пла-
нарные транзисторы р-п-р. Предназначены для работы в выход-
ных каскадах КВ и УКВ аппаратуры, в выходных каскадах
усилителей низкой частоты, мощных электронных ключах, пре-
образователях напряжения и других узлах радиоэлектронной
аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Эксплуатируются при 0 от —60 до 4-125 °C.
Масса транзистора не более 1 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ639А KT639B КТ639Д КТ639Ж
КТ639Б КТ639Г КТ639Е КТ639И
Й21Е £/кэ——2 В; /э=150 мА 40... 100 60... 100 100...250 60... 100 60... 100
40... 100 40... 100 180...406
Обозначение Режим работы КТ639А KT639B КТ639Д КТ639Ж
КТ639.Б КТ639Г КТ639Е КТ639И
1^2131 С/кб=—5 В; /^=30 мА >4 >4 4 >4
^КБО, мА / = 20 МГц С/КБ=—30 В <100 <100 <100 <100
Ск, пФ £/кб=-10 В;/= 10 МГц <50 <50 <50 <50
Сэ, пФ иБЭ=~0,5 В; /=10 МГц <200 <200 <200 <200
^расс» НС /к=0,5А; /Б=0,05 А <200 <200 <200 <200
^КЭ. нас» В /к=0,5А; /б=0,05 А <-0,5 <-0,5 <-0,5 <-0,5
UБЭ. нас» В /к=0,5А; /б=0,05 А <—1.25 <—1,25 <—1.25 <—1,25
б'кэ. mao В 45 45 60 100
^Y-Э.тах^ В maxi В 45 60 45 100 60 30
^БЭ. maxt В 5 60 5 5 5
тах9 А. 1,5 1,5 1,5 1,5
^Б. rnaxt А 0,2 0,2 0,2 0,2
Рк.таХ1 Вт Оокр—-60...4*35 °C 1 1 1 1
Р& и. maxt Вт /и <Ю мкс; Q^2; 6 6 6 6
^пер-кор, С/ВТ 0окр <25 °C 10 10 10 10
Япер-окр. °С/ВТ 115 115 115 115
А °C vnep» 150 150 150 150
КТ646А, КТ646Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры п-р-п. Предназначены для работы в быстродействующих
импульсных устройствах переключения токов до 1,2 А (КТ646А),
генераторах, различных усилителях и стабилизаторах напряже-
ния (КТ646Б).
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Эксплуатируются при 0окР от —45 до -|-85 °C.
Масса транзистора не более 1 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ646А КТ646Б
Л21Е С/Кб=5 В; /э—200 мА 40...200 >150
1Л2(э1 С/КЭ=Ю В; /к=30 мА; >2 >2
f = 100 МГц
/кбо. мкА //КБ=//КБ. max сю <10
/эбо. мкА Г'эб=4 В <10 —
^КЭ. нас. В /к=500 мА; /Б=50 мА <0,85 —
/к=200 мА; /Б—20 мА — <0,25
^БЭ. нас> В /к=500 мА; /Б=50 мА С 1,2 ^1.2
Си, пФ С/КБ=Ю В; /э=0 В; <10 <10
/=10 МГц
Сэ, пФ 1/эб=0 В; /=10 МГц <80 —
Тк, ПС /7кб==Ю В; /э=30 мА; <120 —
/ = 5 МГц
/рас., НС /к=150 мА; /Б1;=/б2=15 мА <60 —
^КБ. maxt В -45 °C<0oltp<85 °C 60 40
U КЭ. maxt В —45 °C <6окр<85 °C 60 40
£^K3R. maxt В То же, при /?бэ=1 кОм 50 40
^ЭБ. maxt В -45 °С<0окр<85 °C 4 4
^ЭБ. и. тах> В То же, при ти<10 мкс; Q>6 5 5
^К. maxt А -45 °С<еокр<85 °C 1 1
/К. и. maxt А То же, при ти=10 мкс; Q>6 1,2 1,2
maxt Вт -45 °С<6окр<25 °C 1* 1*
РК. и. maxt Вт -45 °С<еокр<55°С
тн=10 мкс; Q>5 1,2 —
Опер. тах< С — 150 150
* При температуре от 25 до 85 °C мощность (Вт) рассчитывается по формуле
/’к.™х=(150-еокр)/125.
О 0,4- 0ft 1tZUK3,B О Z ч £ГКЗ,0 о 5Ик3гВ.
КТ660А.Б
Кремниевые переключательные эпитаксиально-пла-
нарные транзисторы п-р-п. Предназначены для применения
в переключающих и импульсных устройствах, в цепях вычисли-
тельных машин, в генераторах электрических колебаний.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
На транзистор наносится условная цветная маркировка:
КТ660А — одна синяя полоса, КТ660Б — две синие полосы.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до +85 °C.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения KT660A КТ660Б
Й21Е £/кб= Ю В; /э==2 мА
0= +25 °C 1Ю...220 200'...450
0=+85 °C 90...264 160...540
0= — 45 °C 30...200 60...450
/кбо. мкА б?КБ=^КБ. max
0= — 45...+25 °C + 1 <1
0=+85°С <10 <10
Ск, пФ LW=10 В <10 <10
нас» В /к=10 мА; /ь=1 мА <0,5 <0,5
1-^КЭ. нас» В /к=500 мА; /б=50 мА <0,05 <0,035
^БЭ. на<» В /к=500 мА; /б=50 мА <1,2 < 1,2
UКЗ. тсх> В /?бэ—1 кОм 45 30
КЗ. тах> В /э—Ю мА; /?вэ—°° 30 25
50 30
5 5
^КБ. тех» В 50 30
в БЭ. тахч 5 5
maxi М А 800 800
^К. н. maxi мА 6i< Ю мкс, Q^5 1000 1000
РК. maxi Вт 0 = -45... +55 °C 0,5 0,5
0= +85 °C 0,25 0,25
и. тех» Вт /и < Ю мкс, QZ>5
0=—45...+55 °C 1 I
Опер. °C 150 150
200
160
120
80
47
0,5 0,8 1,2 1,6
КТ6109А, КТ6109Б, КТ6109В, КТ6109Г, КТ6109Д
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры р-п-р. Предназначены для применения в выходных усилите-
лях (до 1 Вт) портативной радиоаппаратуры, а также для
ключевых и линейных схем широкого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса 'транзистора не более 0,3 г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы для 0окр —(25 ± 10) °C
Обозначение Режим измерения КТ6109А ктб1дов КТб109В КТ61СЙГ КТ6109Д
Ьие С/кэ=1 В; /^=50 мА 61...91 96... 135 144...202
78.112 112...166
7кбо. мкА С/Кб=25 В <0,1 <0,1 <0,1
/эбо, мкА <7эб=3 В <0,1 <0,1 <0,1
^КЭО.гр, В /э=10 мА; ^и=0,1...3 мс >20 >20 >20
^КЭ, нас» В /к=500 мА; /б=50 мА <0,6 <0,6 <0,6
{ДэЭ. нас» В /к=500 мА; /Б—50 мА <1,2 <1,2 <1,2
maxi Вт 0,625 0,625 0,625
КТ6110А, КТ6П0Б, КТ6110В, КТ6110Г,
КТ6110Д
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры п-р-п. Предназначены для применения в выходных усилите-
лях (до 1 Вт) портативной радиоаппаратуры, а также для
ключевых и линейных схем широкого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы для 0окр = (25± 10) °C
Обозначение Режим измерения KT61I0A КТ6110Б КТ61ЮВ КТ611ОГ КТ6П0Д ’
/*21Е /7кэ—1 В; /р=50 мА 61...91 96... 135 144...202
• 78...112 112...166
/кбо. мкА £/Кб=25 В <0,1 <0,1 <0,1
/эбо, мкА £/эб=3 В <0,1 <0,1 <0,1
t/кэо. гр. В /э=10 мА; /н=0,1...3 мс >20 >20 >20
UКЭ. нас» В /к=500 мА: /б=50 мА <0,6 <0,6 <0,6
^БЭ. нас» В v /к=500 мА; /Б—50 мА < 1.2 <1,2 < 1.2
Вт 0,625 0,625 0,625
КТ6111А, КТ6111Б, КТ6111В, КТ6111Г
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры п-р-п с нормированным коэффициентом шума. Предназначе-
ны для применения в узлах и блоках аппаратуры широкого
применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы для 0окр—(25± 10) °C
Обозначение Режим измерения КТ6111А КТ6111Б КТ6Н1В КТ6111Г
/?21Е /к=1 мА; /7КЭ=5 В 60... 150 100...300 200...600 400... 1000
/7к.Э. нас. В /к=Ю0 мА; /б=5 мА С 0,3 С О.з <0,3 <0,3
UБЭ. нас» И /к= ЮО мА; /Б=5 мА < 1 <1 <1 < 1
/кбо. мкА /7кб—50 В <0,05 <0,05 <0,05 <0,05
/эбо, мкА /7ЭБ=5 В <0,05 <0,05 <0,05 <0,05
/гР, МГц /Э=Ю мА; /= 100 МГц 150 150 150 150
Ск, пФ /7 кб—10 В; /э—0; /=Ю МГц <3,5 <3,5 /Л сл <3,5
б'кэо.гр, В /К=Ю мА >45 >45 >45 >45
Кш, дБ /7КЭ=5 В; / = 0,2 мА; /=1 кГц <10 <10 < 10 <10
^K. max. Вт Rr—2 кОм 0,45 0,45 0,45 0,45
КТ6112А, КТ6112Б, КТ6112В
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры р-п-р с. нормированным коэффициентом шума. Предназначе-
ны для применения в узлах и блоках аппаратуры широкого
применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
КТ6112 (А
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы для еокР=(25± 10) °C
Обозначение Режим измерения KT6I12A КТ6112Б К Тб 112В
^21Е /к—I мА; (?кэ=5 В 60... 150 100...300 200...600
^КЭ. нас» В /к=Ю0 мА; /Б=5 мА <0,7 < 0,7 <0,7
l~lf>3. нас. В /к=100 мА; /Б=5 мА < 1 < 1 < 1
/кбо» мкА C/Kg=50 В <0,05 <0,05 <0,05
/эбо. мкА С7эб=5 В <0,05 <0,05 <0,05
Ар. МГц £7кэ=5 В; /э=10 мА >100 >100 >100
Ск, пФ £/«Б= 10 В; /э=0 <7 <7 <7
б^кэо. гр, В / = 10 МГц
О'кэо. гр. В /к— Ю мА >45 >45 >45
Аш, дБ 1УКэ=3 В; / = 1 кГц; < 10 <10 <10
/к=0,2 мА
/?г=3 кОм
^К. maxt Вт 0,625 0,625 0,625
КТ6113А, КТ6113Б, КТ6113В,
КТ6113Г, КТ6113Д, КТ6113Е
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры п-р-п. Предназначены для применения в выходных усилите-
лях портативной радиоаппаратуры, а также для ключевых
и линейных схем широкого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
КТ6113(А-Е)
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы для 6О1(р=(25 + 10) °C
Обозначение КТ6113А КТ6113Б KT6113B КТ6113Г КТ6113Д КТ6ПЗЕ
^21Е 28...45 39...60 54...80 72...108 97...146 132...198
/КБОт мкА <0,05 <0,05 <0,05 <0,05 <0,05 <0,05
^КЭ.нас, В <0,5 <0,5 <0,5 <0,5 <0,5 <0,5
UКЭ maxi В <15 <15 <15 <15 <15 <15
<5 <5 <5 <5 < 5 < 5
<30 <30 <30 <30 <30 <30
<50 <50 <50 <50 <50 <50
/гр, МГц >700 >700 >700 >700 >700 >700
Рк. maxt Вт <0,4 <0,4 <0.4 <0,4 <0,4 <0,4
КТ6114А, КТ6114Б, КТ6114В,
КТ6114Г, КТ6114Д, КТ6114Е
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры п-р-п. Предназначены для применения в выходных усилите-
лях портативной радиоаппаратуры, а также ключевых и линей-
ных схем широкого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы для 0окр— (25± 10) °C
Обозначение Режим измерения KT6U4A КТ6114Б KT6114B КТ6114Г КТ6Н4Д КТ6114Е
^21Е /к= 100 мА; ^кэ— 1 В 85...160 120... 200 160... 300 85... 160 120... 200 160... 300
/к.=800 мА; Гкэ=1 В >40 >40 >40 >40 >40 >40
/кбо. мкА 1/Кб=35 В <0,1 <0,1 <0,1 <0,1 <0,1 <0,1
/эбо, мкА ^эб=6 В <0,1 <0,1 <0,1 <0,1 <0,1 <0,1
t/кэо.гр, В /э=10 мА; /б=0; 4 <300 мкс; С* >100 >25 >25 >25 >25 >25 >25
С^КЭ-нас. В /к—800 мА; /Б=80 мА <0,5 <0,5 <0,5 <0,5 <0,5 <0,5
Г^БЭ.нас, В /к=800 мА; /б=80 мА <1,2 <1,2 <1,2 <1,2 <1,2 < 1,2
Ск, пФ t/KB=10 В; /э=0; /=1 МГц <15 <15 <15 <15 <15 <15
/гр, МГц 1/кэ=Ю В; /к—50 мА >100 >100 >100 >100 >100 >100
Рцтах< Вт <1,0 <1,0 <1,0 <0,7 <0,7 <0,7
КТ6115А, КТ6115Б, КТ6115В,
КТ6115Г, КТ6115Д, КТ6115Е
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры р-п-р. Предназначены для применения в выходных усилите-
лях портативной радиоаппаратуры, а также для ключевых
и линейных схем широкого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
КТ6115(А~Е)
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы для 0Окр = (25 ± 10) °C
Обозначение Режим измерения . KT6I15A КТ6115Б КТ6115В КТ6П5Г КТ6115Д КТ6115Е
/?21Е /к= 100 мА; //кэ=1 в 85...160 120...200 160...300 85...160 120...200 160-300
/« = 800 мА; /7«э = 1 В >40 >40 >40
/кбо. мкА 67кб = 35 В <0,1 <0,1 <0,1
/эбо, мкА //эб = 6 В <0,1 <0,1 <0,1
О^КЭ. нас, В /к = 800 мА; /Б = 80 мА <0,5 <0,5 <0.5
6 БЭ. нас. В /« = 800 мА; /б = 80 мА <1,2 <1,2 <1,2
t/кэо.гр, В /э= 10 мА; /Б = 0; /и <300 мкс; Q>100 >25 >25 >25
Ск, пФ £/кв=Ю В; /э = 0; /=1 МГц <15 <15 <15
/гр, МГц 6/«э= 10 В; /« = 50 мА >100 > 100 > 100
Вт <1 < 1 <0,7 <0,7
КТ6116А, КТ6116Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры п-р-п. Предназначены для применения в усилителях с повы-
шенным уровнем напряжения питания.
Выпускаются" в пластмассовом корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
0,3
КТ61 16 (А, Б1
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы для 0окр = (25±1О) °C
Обозначение Режим измерения КТ6116А КТ6Н6Б
^21Е t/n3 = 5 В, /^=10 мА 60...240 40...180
/кбо, мкА 1/Кб=120 В <0,05 —
С/Кб= ЮО В — 0,1
f/эБО, мкА {7эб = 3 В <0,05 <0,05
нас, В /« = 50 мА; /Б = 5 мА <0,5 <0,5
^БЭ. нас, В /к = 50 мА, /Б = 5 мА < 1 <1
t/кэо.гр, В /к= Ю мА; /и = 0,3...1 мс > 150 >120
Ск, пФ 1/КБ=Ю В; /э = 0; /=1 МГц <6 <6
/гР, МГц С/Кэ=Ю В; /к=10 мА; <100 <100
/=100 МГц
Аш, дБ Г^кэ=3 В; / = 1 кГц; /к = 200 мкА <8 <10
/?г —3 кОм
шах» Вт 0,625 0,625
КТ6117А, КТ6117Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры п-р-п. Предназначены для применения в усилителях с повы-
шенным уровнем напряжения питания.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
КТ6117(А, б)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы для 0окр = (25±Ю) °C
Обозначение Режим измерения КТ6117А КТ6117Б
h2lE /«=10 мА; £/кэ~5 В 80...250 60...250
/кбо, мкА 6/КБ= 120 В <0,05 —
£7кб= 100 В — <0,1
/эБО С/эв = 3 В <0,05 <0,05
нас» В /к = 50 мА; /б = 5 мА <0,2 <0,25
^БЭ. нас» В /к = 50 мА; /Б = 5 мА <1 < 1,2
О^КЭО гр, В /к== Ю мА; 6i=(0,3...1) мс <160 <140
Ск, пФ £7Кв= Ю В; /э = 0; /=1 МГц <6 <6
/гр. МГц икэ= Ю В; /«=10 мА; >100 >100
/=100 МГц
Аш, дБ 17кэ~5 В; /= 1 кГц; /к = 200 мкА <8 - <10
Аг = 2 кОм
Рк.таху Вт 0,625 0,625
1.9. Биполярные транзисторы
большой мощности низкой частоты
ГТ701А
Германиевый сплавный транзистор р-п-р. Предна-
значен для работы в системах зажигания двигателей внутренне-
го сгорания, а также для использования в однотактных и двух-
тактных преобразователях напряжения. Особенностью транзи-
стора является возможность работы в условиях импульсных
перегрузок по напряжению и мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами.
Эксплуатируются при 6окр от —55 до 4-70 °C.
Масса транзистора не более 25 г. Масса крепежного фланца не
более 7.5 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения Значения
hi\Е (+э== — 2 В; /Кн = 5 А; тн = 0,2 мкс; >10
/=100 Гц
/л21э. кГц /э=Ю0 мА; икэ=— 20 В >50
/кбо. мА (7кб =—60 В; 0окр = 2О°С <6
Оокр = 70 °C <зо
60Кр= -55 °C <30
/кэи. мА t/K3= - ЮО В; г/БЭ= - 1,5 В; 0окр = 70 °C <50
(ДэО.гр, В /эи=2,5 А; тн=10 мс; /=1 Гц; -100
0окр = 20 °C
/эи=2,5 А; ти —0,5 мс; /=10 Гц; -90
) 0окр = 7О °C
/эи=2,5 А; Тц=10 мс; /=1 Гц; -90
Оокр =-55 °C
UfiS.maxi В Оокр <70 °C 15
t/кэ.тал. В Оокр <70 °C -55
t/кЭ.и.тох. В Оокр <70 °C; (7бэ^0,5 В; тн<1 мс; -100
Q>10
/К. maxt А 0окр<25°С 12
^Б.тах* мА В режиме рассасывания при 0окр<70 °C 150
Р К. тох. т, Вт 0окр = 25°С 501
Япер-кор. °С/ВТ — 1,2
®пер. maxt С — 85
* При температуре корпуса свыше 25 °C допустимая мощность (Вт), рассеиваемая
коллектором, определяется по формуле Рк max — (85 — 0окр)/1,2.
ГТ703А, ГТ703Б, ГТ703В, ГТ703Г, ГТ703Д
Германиевые сплавные транзисторы р-п-р. Пред-
назначены для работы в выходных каскадах усилителей низкой
частоты радиоаппаратуры (приемников, телевизоров, магнито-
фонов и т. п.).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до +85 °C.
Масса транзистора не более 15 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения ПТОЗА ГТ703Б ГТ703В ГТ703Г ГТ703Д
Й21Е Укз —— 1 В; /д= 30.,.70 30...70 20...45
= 50 мА; 6ОКр=20оС Оокр = 55 °C 50... 100 30... 100 50... 100 30... 100 20...70
Оокр =—40 °C 50... 150 15...70 50... 150 15...70 15...45
/л21Э, кГц С/кэ = —2 В; /к = 0,5 А 25... 100 >10 25... 100 >10 >10
7кбо. мА иКБ=-зо В <0,5’ <0,5 <0,5
/эбо, мА г/ЭБ=_ю в <0,5 <0,5 <0,5
Й21е(/к = 50 мА) (/кэ = -1 в 0,7... 1,4 0,7... 1,4 0,7... 1,4
A2ie(/k=1,5A) Г^КЭ.нас> В /к=3 А; /Б = /| -0,6 -0,6 -0,6
£/бЭ- нас» В /к=3 А; /Б = /2 — 1.0 -1,0 -1,0
и. maxt В /?эб = 500 Ом; 0кор = -25 -25 -50
^КЖ.тах, В = 25 °C; ли< * мс; Q > 10 Х*эб=50 Ом; 0кор< -20 — 30 -40
IК. max* А <55 °C 0кор<55 °C 3,5 3,5 3,5
Р К. maxt В Т 0Кор<35°С 1.6 1,6 1.6
Рк. max. т, Вт 0коР<40 °C 153 153 153
7?пер-кор> °С/ВТ — 3 3 3
7?пер-окр, °С/ВТ 30 30 30
впер, max, С 85 85 85
1 При £\б = 20 В для транзисторов ГТ703А и ГТ703Б,
2 При /Б = 150 мА для ГТ703А, ГТ703Б; /Б=90 мА для ГТ703Б, ГТ703Г;
/Б=225 мА для ГТ703Д.
3 При температуре корпуса более 40 °C допустимая мощность (Вт), рассеиваемая
на коллекторе, определяется по формуле /’к.пниг т=(85—0кор)/3.
КТ704А, КТ704Б, КТ704В
Кремниевые высоковольтные меза-планарные тран-
зисторы п-р-п. Предназначены для использования в схемах
строчной развертки цветных телевизоров.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до +85 °C.
Масса транзистора не более 20 г.
К77(МА'В)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ704А КТ704Б КТ704В
/*21Е 4/Кэ=15 В; /э=1 А; 0окр = 25°С 10...100 10...100 >10
0окр = 85 °C 0ОКР = -45 °C /?бэ= Ю Ом; 8КОр = 25 °C 6...300 6...300 >6
6... 100 6... 100 >6
/кэя> мА <5 <5 <5
0кор = 85°С <10 < 10 < 10
Обозначение Режим измерения КТ704А КТ704Б KT704B
|Й21,| (7кэ=15 В; /ц = 0,1 А; >3 >3 >з
/ ЭБО> мА /=1 МГц U3b = 4 В <100 <100 <100
/кэд> мА Uk.3= UkS.h. max', /?БЭ = = 10 Ом <5 <5 <5
КЗ. нас» В /к = 2 А; /Б= 1,5 А <5 <5 <5
^БЭ. нас» В /к = 2 А; Л,= 15 А <3 <3 <3
^ЭБ. таи» В — 45оС<ек0р<85оС 4 4 4
н. maxt В Яэб<Ю Ом; т„=10 мс; 1000' 720' 500'
U K3R. maxt В <2-50 /?ЭБ <10 Ом 200 200 200
К. таг» А 0кор <50 °C 2,5 2,5 2,5
1К. и. maxt (н = 10 мс; Q — 2 4 4 4
^Б. maxt & - 45 °С<екор<85 °C 2 2 2
РК. maxt Вт 6кор<50 °C 152 152 152
/?пер-кор, С/Вт — 5 5 5
впер, maxt С — 125 125 125
А °Г vKop. maxt — 100 100 100
При понижении температуры окружающей среды от —40 до —60 °C и повыше-
нии от +80 до +100 °C значение напряжения коллектор — эмиттер снижается
по линейному закону для КТ704А до 700 В, для КТ704Б до 500 В.
2 При температуре корпуса от 50 до 100 °C значение допустимой мощности (Вт)
рассчитывается по формуле Рк.то* = 0,2( 125 — бкор)-
ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705В, ГТ705Г, ГТ705Д
Германиевые транзисторы п-р-п. Предназначены
для работы в радиоэлектронных устройствах широкого приме-
нения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируются при 0окр от — 40 до + 55 °C.
Масса транзистора не более 15 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения ГТ705А ГТ705В ГТ705Б ГТ705Г ГТ705Д
Й21Е (7КБ=1 В; /э —50 мА;
6окр = 25±10 °C 30...70 50... 100 90...250
Оокр = 55 ±2 °C 30... 100 50... 150 90...350
Оокр = — 40 ± 2 °C 15...70 25... 100 45...250
/кбо, мкА = Г^КЭ. max', Оокр = 25 °C <0,5 <0,5 <0,5
60кр = 55 °C <3 <3 <3
Й21е(/э=50 мА) —- 0,6... 1,5 0,6... 1,5 0,6... 1,5
А21е(/э=1.5 А)
/эбо> мА 1/Бэ=Ю в <0,3 <0,3 <0,3
/кэо. мА £/Кэ = 25 В <1,5 < 1,5 <1,5
/а21э. кГц (/Кэ = 2 В; /к = 0,5 А >10 > 10 >10
t/кэ.нао В /к=1,5 А; /Б = 0,1 А < 1 < 1 < 1
^БЭ. нас» В /к=1,5 А; /Б = 0,1 А <2 <2 <2
UКЭН. max, В /?эб = 50 Ом; 0кор<55оС 20 20 20
30 30
^КЭЯ. и. max, В /?эб = 50 Ом; тн^1 мс; 25 —, 25
ю 35 35
Летах, В 0кор<55°С 3,5 3,5 3,5
^К.тах.т, ВТ 0кор<4О °C 15* 151 15*
РК, maxi Вт 6кор<35°С 1,62 1,62 1.6
Опер, max, С — 85 85 85
^пер-кор« °С/Вт — 3 3 3
Лпер-окр, °С/Вт — 30 30 30
1 При температуре от 40 до 55 °C наибольшая допустимая мощность (Вт) опре-
деляется по формуле Рк. тох.т = (85 —0кор)/3.
2 При температуре от 35 до 55 °C наибольшая допустимая мощность (Вт) опре-
деляется по формуле Рк.та* = (85 —0окр)/ЗО.
КТ712А, КТ712Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры р-п-р. Предназначены для применения в источниках вто-
ричного электропитания и стабилизаторах напряжения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выво-
дами.
Эксплуатируются при 6окр от —45 до 4-100 °C.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ712А КТ712Б
^21Е 1/кб = 5 В; /э = 2 А
6 = +25 °C 500... 1500... 400... 1500...
е = + юо °с 10 000 >500 10 000 >400
/л21Э, МГ Ц 0= -45 °C > 100 > 100
/7кб = 5 В; /э = 0,5 А 3 3
^КЭ нас» /к = 2 А; /Б = 0,01 А 0,9... 1,3...2 0,9... 1,3-2
б^КБ. проб. Ь /к = 2 А; /Б = 0,01 А 0,8...1,5...3 0,8...1,5-3
КБ. проб» В /Б= 1 мА 200 160
^КБ. max у В 200 160
^КЭ. таху В /?бэ^ ЮО Ом 200 160
БЭ. таху В 5 5
^К. max* А 10 10
/К. и. maxt & /н<Л0 мкс; Q>2 15 15
/к А л Б. max» J* 0,1 0,1
^Б. н. maxt А tK ^10 мкс; Q>2 0,2 0,2
^К- maxt Вт 6К= —45... + 25 °C с теплоотводом 501 501
без теплоотвода 1,52 1,52
Опер, °C 150 150
!
t
1 При 6К =+25... + 100 °C уменьшается линейно до 20 Вт.
2 При 0к = 4-25... +100 °C уменьшается линейно до 0,8 Вт.
КТ715А
Кремниевый меза-планарный транзистор п-р-п.
Предназначен для применения в высоковольтных импульсных
устройствах.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируется при 0окр от —60 до + 100 °C.
Масса транзистора не более 80 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ715А
/?21Е /7кэ=10 В; /к = 0,2 А >15
0 = + 0,25 °C
е= + ЮО °C и —60 °C >8
1 /1213 1 7/кэ= 10 В; /к = 0,2 А; /=1 МГц 0
/кбо, мА 0=+25°С; 7/КБ = 5000 В 1
0= —60 °C и + ЮО °C; /УКБ= ЮОО В 3
/расе, МКС (7КЭ —500 В; /к = 0,5 А; /Б = 0,2 А; /7эб = 5 В 19-27,9
/сп, МКС /7кэ = 500 В; /к = 0.5 А; /Б = 0,2 А; //эб = 5 В 1.3...4,8
/•/КЗ. нас, В /к=0,2 А; /Е = 0,05 А <3
/7кБ. maxt .В 0= -40...-75 °C 5000
К. таху /„5^500 мкс; Q>50 2
А 1 К- н. maxt ™ 2
IБ. тих» А /и^500 мкс; О50 2
/с А 2
Р^.тах, ВТ2 0к = + 50 °C 75
К. и. max* Вт 0к = + 50 °C 3000
Опер, °C 125
1 При ек= +75...+ 100 °C и 6К= — 40... — 60 °C Uvs.max снижается линейно до
1500 В.
2 При 0К=+50...+100 °C Р^тах рассчитывается по формуле Р^.тах, Вт =
—(125 —0к)//?т(п-к).
1.10. Биполярные транзисторы
большой мощности средней частоты
КТ801А, КТ801Б
Кремниевые диффузионно-сплавные транзисторы
п-р-п. Предназначены для работы в устройствах кадровой
и строчной разверток, источниках питания и других узлах
радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами.
7 В И Галкин и др
193
Эксплуатируются при 8окр от —40 до +85 °C.
Масса транзистора не более 4 г
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения K.T80IA КТ801Б
Л21Е 7/к.э = 5 В; /ц = 1 А 15...30 20... 100
1^2131 £/кэ=10 В; /к = 0.3 А; >1 > I
/=10 МГц
/кэя, мА £Лсэ = Г^кэ. max', 6Окр < 25 °C; <10 <10
/?эб ~ ЮО Ом
/эбо. мА 7/Эб = 2,5 В <2 <2
^КЭ. нас» В /к — I А; /б — 0,2 А <2 <2
^ЭБ. тахч В 6оир<55 °C 2,5 2,5
V КЗ ft, maxi Б 7?эб<Ю0 Ом; 0окр<55°С 80 80
КБ. max, В Оокр <55 °C 80 80
I К. maxt Оокр < 55 °C 2 2
I Б. maxi Оокр < 55 °C 0,4 0,4
Рк.тахл* ВТ 0коР = 55 °C 51 51
7?пер-кор» °С/ВТ Оокр < 55 °C 20 20
Опер, max, С — 150 150
* При увеличении температуры от 55 до 85 °C мощность снижается по линейному
закону до 2 Вт.
КТ802А, КТ803А
Кремниевые меза-планарные универсальные тран-
зисторы п-р-п. Предназначены для работы в усилителях посто-
янного тока, генераторах строчной развертки и усилителях
мощности.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —25 до -f-100°C.
Масса транзистора не более 22 г, с накладным фланцем — не бо-
лее 34 г.
0Z2
7Г 12,5
ктвожтвозА
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ802Л KT803A
^21Е t/Kb= 10 В; /к = 2 А 15...35 10...70'
/г₽, МГц £/кб=10 В; /к = 0,5 А >10 >20
/кбо, мА t/KB=150 В; 0окр <25 °C <60 —
е„кр= юо °с <200 —
1 кэя, мА {/кэ=130 В; ЯэБ< 100 Ом <5
/эбо. мА иЭБ = 4 В . — <50
^КЭ. нас, В /к = 5 А; /Б = 0,5 А —
/к = 5 А; /Б=1 А — <2,5
& КБ. maxi В 0пер< 100 °C 150 . —
^ЭБ. max» В опср< юо °с З2 4
U КЭЛ. maxt В То же, при /?эб<Ю0 Ом — 603
Обозначение Режим измерения КТ802А КТ803А
^КЗР.н.тах, В То же, при иэь—2. В; /и^10 мкс; Q^2 1303 80
I К. max, А. Опер < ЮО сС 5 10
f Б. rnaxt А и о о V > а с ф 1 —
Пк,-тах, Вт 0коР<50°С 50 60
0кор=ЮО°С 20 30
Опер тех, С — 150 150
1 При /к=5 А.
2 При использовании транзистора в выходном каскаде строчной развертки до-
пускается напряжение до 6 В.
3 В интервале температур от 100 до 150 °C напряжение снижается на 10 % на
каждые 10 °C.
КТ805А, КТ805Б, КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ
Кремниевые меза-планарные переключательные
транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в выходных
каскадах строчной развертки телевизоров, систем зажигания
двигателей внутреннего сгорания и других устройствах радио-
электронной аппаратуры.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими
выводами (КТ805А,Б) и пластмассовом корпусе с гибкими
выводами (КТ805АМ, БМ, ВМ).
Эксплуатируются при 0охр от —60 до 4-100 °C.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 24 г.,
в пластмассовом — не более 2,5 г.
КТ805(А,Б)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения KT8Q5A, ЦТ805АМ |(Ж KU05BM КТ805ВМ
Jl2lE <7Кэ==10 В; /к=2 А >15 >15
1 Й21э1 4/кэ=Ю В; /к=1 А /=10 МГц >2 >2
/кБО.н_. мА ^КЭ=^КЭ. и. max! /?БЭ=Ю Ом <60 <60
Лэбо> мА t/3B=5 В <100 <100
{^КЭ. Haci В /к=5 А; 7Б=0,5 А см' ю V/ V/ <5
^БЭ.иас. В /к—5 А; /Б==0,5 А <2,5 <5
<5
/кэя. н> мА ^КЭ= Г'кэ.и.та*; Лбэ=Ю Ом 0окр=2О °C <60 <60
0окр=100°с <70 <70
UЭБ. maxi В Опер <1 00 °C 5’ 5*
U КЭ. и. maxi В То же, при ти<500 мкс; /?бэ=Ю Ом 16023
1353 1353
^К. 1япх> А onep<ioooc 5 5
1 К. и. maxi А То же, при ти<200 мкс; Q=l,5 8 8
^Б. max* А 0пер<ЮО°С 2 2
tБ. и. maxi А То же, при ти<20 мкс 2,5 2,5
Рк maxi Вт 0кор < 50 °C 304 304
©nep. max* С — 150 150
Кпер-кор1 "С/Вт —— 3,3 3,3
1 В схеме строчной развертки телевизора допускается обратное импульсное
напряжение эмиттер — база 8 В при тн<40 мкс.
2 Для КТ805А н КГ805АМ в схеме строчной развертки телевизора допускается
С/^э и тах~ *80 В при ти<15 мкс при температуре корпуса до 70 °C.
3 При увеличении температуры перехода от 100 до 150 °C напряжение снижается
на 10% на каждые 10 °C.
4 При температуре корпуса от 50 до 100 °C мощность. (Вт) рассчитывается по
формуле Р = 0,3(150 —6 ).
т г К. max 4 ко₽'
л>
V
3
2
1
КТ807А, КТ807Б, КТ807АМ, КТ807БМ
Кремниевые меза-планарные транзисторы п-р-п.
Предназначены для работы в стабилизаторах напряжения,
каскадах строчной развертки телевизоров и других устройствах
радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе (КТ807А,
КТ807Б) с гибкими выводами и пластмассовом (КТ807АМ,
КТ807БМ).
Эксплуатируются при 6окр от —40 до —j-80 °C.
Масса транзисторов КТ807А, КТ807Б — не более 2,5 г, КТ807АМ,
КТ807БМ — не более 1 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ807А КТ807Б
Л21Е £/кэ=5 В; /к-0,5 А; 0окр< <25 °C 15...45 30... 100
0окр=85 °C 20...60 45...150
6окр=-40 °C 10...30 20...67
/эбо, мА /7бэ=4 В <15 <15
/кэк, мА (7кэ=100 В; /?эб—:Ю Ом; бокр<25 °C <5 <5
6окР = 85 °C <15 <15
L/кЭ.нао Ь /к—0,5 А; /Б=0,1 А <1,0 < 1,0
/л21Э> МГц — <5 <5
б^ЭБ. max, В 6оК₽<85 °C 0,5 0,5
О'кэр. max, В /?як<10 Ом; В 100 100
б\э!?.и.тпх. В 6ок₽<85 °C 120 120
К- maxt А еокр <85 °C 0,5 0,5
IК. н. тех» А Оокр 85 °C 1,5 1,5
f Б. maxt А еОкр<85 °C 0,2 0,2
Рк.тах.1, ВТ екор<70 °с 10* 10*
/^пер-кор, °С/Вт 0окР<85 °C 8 8
Опер, max, О 150 150
1 При температуре корпуса свыше 70 °C допустимая мощность (Вт) рассчитыва-
ется по формуле Р =0,125(150—0„„„).
т г ' К> max КОР
КТ808А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ
Кремниевые меза-планарные транзисторы п-р-п.
Предназначены для работы в усилителях низкой частоты,
преобразователях напряжения, стабилизаторах, импульсных
и переключательных устройствах, устройствах электронного
привода электродвигателей. Транзисторы КТ808А и КТ808АМ
могут использоваться также в выходных узлах строчной раз-
вертки телевизоров и блоках электронного зажигания автомо-
билей.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до +125 °C.
Масса транзистора КТ808А (без накидного фланца) не более
22 г КТ808АМ...КТ808ГМ — не более 20 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ808А KT8Q8AM КТ808БМ КТ808ВМ КТ808ГМ
^21Е f/кэ—3 В; /к=2 А 10...50 20... 125 20...125
/кбо, мА Г,КБ= и КЭО. max 43 <2 42
/эбо, мА иэъ=4 В 450 <15 4 15
/гр, МГц (7КЭ=Ю В; /к=0,5 А >8,4 >10 > 10
f/кэо. гр, В /к=100 мА — _ >130 >80
>100 >70
f/кЭ.иас, В /к=6 А; /Б=0,6 А —— <2 <2
^БЭ, нас» В /к=6 А; /Б=0,6 А <2,5 <2,5 <2,5
^вкл* МКС То же, при {7кэ=30 В — <2 <2
/рас, мкс /к=6 А; /Б=0,6 А 42 42 <2
/сп, МКС /к=6 А; /Б=0,6 А — <2 <2
UКЭО. max» В -60 °С<0кор<125 °C 120 130 80
100 70
^K3R. и. maxt В То же, при /?Бэ<Ю Ом 250 250 135
/и4500 мкс 160 80
^ЭБ. maxt В -60 °С40кор4125 °C 4 5 5
f К. /едх» А —60 °С<0кор4 125 °C 10 10 10
То же, при /„4500 мкс; —— 12 12
Q>6
Б. тех» А —6О°С40кор4125°С 4 4 4
Рк. ™.т, Вт 6кор<50 °C; //кэ<16 В 502 602 601
впер, maxt С — 150 150 150
/?пср кор, °С/Вт — 2 1,67 1,67
1 При температуре корпуса от 50 до 125 °C максимально допустимая мощность
(мВт) рассчитывается по формуле ^ = (150 — 6кор)//?пер.кор
Ш 800 1Z00 1ь,мА О I Ч 6 8 икэ,в
КТ809А
Кремниевый меза-планарный транзистор п-р-п.
Предназначен для использования в переключателях, импульс-
ных устройствах, электронных регуляторах и стабилизаторах
напряжения.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируется при 0окр от —60 до 4-125 °C.
Масса транзистора не более 22 г. (без накидного фланца), с накид-
ным фланцем — не более 34 г.
Обозначение Режим измерения КТ809А
/г21Г <7Кэ=5 В; /д—2 А; 0окр=25 °C 15... 100
еокр=125 °C 15...130
Оокр—60 °с 10...100
1 ^2131 £/кэ=5 В; 7Э—0,5 А; / = 3,5 МГц >1,5
/эко. мА иэь=4 В <50
/кэй> МА €/кэ=400 В; /?ЭБ=10 Ом <3
^КЭ. нас» В /к=2 А; /в=0,4 А < 1,5
^БЭ. нас» В /к=2 А; /Б=0,4 А <2,3
i-^БЭ. maxi В 0скр=-60... + 125 °C 4
Г'кЭК.тпх» В /?ЭБ 10 Ом 400’
1 При температуре перехода до 100 °C. При температуре перехода от 100 до 150 °C
напряжение снижается по линейному закону на 10 % на каждые 10 °C.
Обозначение Режим измерения KT8O9A
^К- maxi А екор—60... + 125°С 3
/К. и. max-г А тн<400 мкс; Q 100 5
/к А * Б. max. 6коР=—60—+125 °C 1,5
i\.max, Вт — 1,5
Pr. max. т» Вт 0коР<50°С 402
^пер-кор, С/ВТ — 2,5
А °C °пср. тах> — 150
2 При температуре корпуса свыше 50 °C мощность (Вт) рассчитывается по фор-
муле Рк.та*.т=0,4 (150—екор).
ГТ810А
Германиевый сплавно-диффузионный транзистор
р-п-р. Предназначен для работы в устройствах широкого
применения.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с жесткими вы-
водами.
Эксплуатируются при 0окр от —55 до Ц-55 °C.
Масса транзистора не более 20 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения ГТ810А
/i2lE (7КЭ——10 В; /э=5 А >15
/гР, мГц £/кэ=-10 В; /э=5 А >15
^КБО, мА /7КБ= —200 В <20
^КЭ. вас, В /К=Ю А — 0,7
^БЭ. нас» В /к= 10 А -0,8
i-^КБ. max-» В 6ОкР<25°С — 200
i^RSR-maxi В 6окР^25°С — 200
б!K3R. и. max, В То же, при ти=20 мкс 250
^БЭ, тахг В 0окр^25 °C 1,4
max* А 6окр<25 °C 10
IБ. maxi А 0окр<25 °C 1,5
P"R. maxi Вт Оокр < 25 °C 0,75
Рк. max. т, Вт 6окр<25°С 15
Г’пер-окр, ° С/ВТ " — 50
Япер-кор, °С/ВТ — 2,5
КТ812А, КТ812Б, КТ812В
Кремниевые меза-планарные импульсные высоко-
вольтные транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в вы-
ходных каскадах строчной развертки телевизоров.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до -|-85 °C.
Масса транзистора не более 20 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения KT8I2A КТ812Б KT8J2B
^21Е t/кв—2,5 В; /к=8 А; 0кор=ЗО °C >4 >4
/Гр, МГц t/KB=20 В; /к- 2 А >10 >10 >10
Л<Э1Ь мА 1/КЭ= 1/кэ.тах'у /?БЭ=Ю Ом; <5 <5 <5
рм ф ф ф ждя о © е м 75 Т II IIIIII ч) 1 ОО to п«; » » "Л', <-> < 10 <10 <10
<10 <10 <10
/эбо, мА <150 <150 <150
UБЭ. нас» В /к=8 А; /Б—2 А <2,5 <2,5 <2,5
^П, МКС /к=5 А; 1/кэ=100 В; /б1=/б2=2,5 А 1,8 1,8 1,8
fJ КЭ. тах> В -45 °С<0кор<85 °C 400 300 200
UКЭ. и. max у В То же, при тн< 1 мс; 700 500 300
^ЭБ./лах» В >10 — 45 °С<6кор<85°С 7 ' 7 7
I К. таху & — 45 °С<0кор<85°С 8 8 8
1 К. и. max. А — 45 оС<екор<85°С 12 12 12
/Б. таху А -45 °С<0кор<85 вС 3 3 3
IБ. и. лтях, А — 45°С<0кор<85 °C 4 4 4
РК- тех* Вт — 45 °С<екор<50‘>С 502 502 502
^К. и./пах» Вт — 45 °С<0кор<85 °C 5003 5003 5003
1 Время спада импульса коллекторного тока.
2 При температуре корпуса более 50 °C мощность снижается по линейному закону
на 0,5 Вт на 1 °C.
3 В схеме строчной развертки при тн<6 мкс.
КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ8147,
КТ815А, КТ815Б, КТ815В,Л(Т815Г
Кремниевые меза-планарно-эпитаксиальные тран-
зисторы р-п-р (КТ814) и п-р-п (КТ815). Предназначены для
работы в выходных каскадах усилителей низкой частоты, клю-
чевых каскадах и других узлах радиоэлектронной аппаратуры
широкого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Эксплуатируются при 6окр от —40 до 4-100 °C.
Масса транзистора не -более 1 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения KT8I4A КТ814В КТ815А KT8I5B
КТ814Б КТ814Г КТ815Б КТ815Г
^21Е |С/кб1=2 В; /э=150 мА >30 >40 >30 >40 >40 >30
/п>, МГц 1 Скэ| =5 В; /к=0,03 А >3 >3 >3 >3
^КБО, мкА 1ад=40 в <50 . <50 <50 <50
Л119, Ом |СКЭ|=5 В; /э=5 мА; / = 800 Гц <800 <800 <800 <800
б^КЭ. нас, В /к = 500 мА; /б=50 мА -0,6 -0,6 0,6 0,6
^БЭ. нас* Ь /к = 500 мА; /б=50 мА -1,2 -1,2 1,2 1,2
б'кэо.гр. В /э=/50 мА — 25 — 40— -60 -80 25 40 60 80
Ок, пФ |СКБ1=5 В; / = 465 кГц <60 <60 <60 <50
С9, пФ 1 СЭб1 =0; / = 465 кГц <75 <75 <75 <75
Обозначение Режим измерения КТ814Л КТ814Б К.Т814В КТ814Г КТ815Д КТ815Б KT8I5B КТ815Г
иK3R. max. /?ЭБ=Ю0 Ом, бокр -40 -70 40 70
<100 °C -50 -100 50 100
ЭБО zntjxi еокрсюо °с -5 — 5 5 5
К. max» А еокрсюо°с 1,5 1,5 1 5 1 5
н. тех» А 0окр^Ю0°С 3 3 3 з
/ Б max* А оокр<юо°с 0,5 0,5 0,5 0 5
РК. max, Вт 0окр<100оС 10' 10' 101 101
fi °C ° пер. лдахч 0окр^25°С 125 125 125 125
1 При увеличении температуры корпуса от 25 до 100 °C мощность снижается
по линейному закону до 2,5 Вт.
КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г,
КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г
Кремниевые меза-планарно-эпитаксиальные тран-
зисторы p-n-p (КТ816) и п-р-п (КТ817). Предназначены для
работы в выходных каскадах усилителей низкой частоты, клю-
чевых каскадах и других узлах радиоэлектронной аппаратуры
широкого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Эксплуатируются при 6окр от —60 до -J-150 °C.
Масса транзистора не более 0,7 г
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ816А КТ816В КТ817А КТ817В
КТ816Б КТ816Г КТ817Б КТ817Г
Й21Е |1/кб1=2 В; /э=1 А; 0кор=25 °C и 125 °C >25 >25 >25 >25
0кор=-60 °C >15 > 15 > 15 > 15
/кбо, мкА 1 UkbI =25 В1; 0кор=25 °C <100 <1'00 <100 <100
0кор=15О °C <3000 <3000 <3000 <3000
/г₽, МГц 1 ад = 10 В; 7э=250 мА >3 >3 3 >3
^КЭ,нас> В /к=1 А; /Б=0,1 А — 0,6 — 0,6 0,6 0,6
47БЭ. нас, В /к=1 А; /Б=0,1 А — 1.5 — 1,5 1,5 1,5
^КЭО.гр, В /э=0,1 А -25 — 60 25 60
— 45. -80 45 80
Ск, пФ |ад = 10 В; /=1 МГц <60 <60 <60 <60
Сэ, пФ 1 ад =0,5 В; / = 1 МГц <115 <115 <115 <115
^КЭ.тсх, В —60 °С<0кор<1ОО°С -25 — 25 25 '25
UK3R. maxi В То же, при /?БЭ< 1 кОм -40 -60 40 60
— 45 — 100 45 100
Z/~K В ЭБ. maxt ° —60 °с<екор< юо °с — 5 -5 5 5
IК. maxi А -60 °с<0кор<юоос 3 3 3 3
^К- max. tj Вт 0кор<25°С 252 252 252 252
К- max» Вт ©кор 25 °C I3 I3 I3 I3
®nep. max-i С — 150 150 150 150
1 При |£/кб1 =45 В для КТ816Б, КТ817Б; |{/КБ|=60 В для КТ816В,
КТ817В; |ад = 100 В для КТ816Г, КТ817Г
2 При увеличении температуры корпуса от 25 до 125 °C мощность снижается по
линейному закону до 5 Вт.
3 При температуре более 25 °C мощность снижается по линейному закону на
0,01 Вт/град.
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г,
КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ,
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г,
КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ
Кремниевые меза-планарно-эпитаксиальные уни-
версальные транзисторы р-п-р (КТ818) и п-р-п (КТ819). Пред-
назначены для работы в выходных каскадах усилителей низкой
частоты, преобразователях, ключевых и других устройствах
радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Транзисторы КТ818А...КТ818Г и КТ819А...КТ819Г выпуска-
ются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, а
КТ818АМ...КТ818ГМ и КТ819АМ...КТ819ГМ — в металлостек-
лянном корпусе с жесткими выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до +100 °C.
Масса транзистора в пластмассовом корпусе — не более 2,5 г,
в металлостеклянном — не более 20г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения KT8I8A КТ819А КТ818АМ KT8I9AM КТ818Б КТ819Б КТ818БМ КТ819БМ
^21Е !ад=5 В; /к=5 А; 0кор=25<>С и 100 °C >15 >15 >20 >20
екор=—40 °с >10 >10 >15 > 15
/кво. мА Ц/кб1=40 В; екор=25°С < 1 < 1 < 1
0кор—100 °C < 10 <10 <10 < 10
/гр, МГц |[/кб|=5 В; /э=0,5 А >3 >3 >3 >з
1 ^КЭ« нас 1» В /к=5 А; /б=0,5 А <2 <2 <2 <2
1 БЭ. нас 1 1 /к=5 А; /е=0,5 А <3 <3 <3 <3
1 UКЭО. гр 1 . В /э=0,1 А >25 >25 >40 >40
1 ^КЭ. maxi, В —40 °С<0кор< 100 °C 25 25 40 40
1 U K3R. maxi, В То же, при ЮО Ом 40 40 50 50
Обозначение Режим измерения КТ818А КТ819А КТ818АМ КТ819АМ КТ818Б КТ819Б КТ818БМ КТ819БМ
1 ^ЭБ.тах!, В / К. таху /г А • Б. max» п 7 К. Н. maxi & 7 В. и. тол» А Рк.тах, ВТ Р К. max. Ti Вт 0 °C unep. maxi —40 °с<екор<юо °с —40 °с<екор< юо °с -40 °С<0кор< 100 °C То же, при тн=10 мс; Q > 100 То же, при т„=10 мкс; <2 > 100 0коР^25 °C 0кор<25 °C 5 10 3 15 5 1,5 60 125 5 15 3 20 5 1,5 60 125 5 10 3 15 5 1,5 60 125 5 15 3 20 5 1,5 60 125
Продолжение табл.
Обозначение Режим измерения KT8I8B КТ818ВМ КТ818Г КТ818ГМ
KT8I9B КТ819ВМ КТ819Г КТ819ГМ
Лй1Е I t/кв! =5 В; /к=5 А; 0кор=25 °C и 100 °C еко₽=-40 °с >15 >15 > 12 >12
> 10 >10
7кбо, мА 1 <7кб1 =40 Б; 0кор=25 °C < 1 <1 <1 < 1
0кор=100 °C |1/КБ1=5 В; /э=0,5 А <10 < 10 <10 <10
/гР, МГц >3 >3 >3 3
1^КЭ.яас1, В /к=5 А; /б=0,5 А <2 <2 <2 <2
/к—5 А; 7б=0,5 А <3 >60 <3 з
1</кэо.гР1, В /э=0,1 А >60 >о0 >80
1 Г/кэ. maxi, В —40 °C < 0иср < 100 °C 60 60 80 80
1 ИK3R. max 1, В То же, при /?БЭ< 100 Ом 70 70 90 90
1 7А-»Б. mcjrl, В —40 °С<6кор<100 °C 5 5 5 5
^К-пдх» А —40 °С<0кор< ЮО °C 10 15 10 15
f Б. пах» А —40 °С<6кор< ЮО °C 3 Jo 3 3
К- и. max, А То же, при ти=Ю мс; 15 20 15 20
/П А 1 Б. и. max* Q> 100 То же, при ти=10 мкс; 5 5 5 5
Q> 100 0кор^25 °C 1,5 1,5 1,5 1,5
Рк. max т, Вт 6кор<25 °C 60 60 60 60
0 °C wnep. max. — 125 125 125 125
-0,4 -0,8 -1,2 -1,b
A,
A
10
8
6
4
2
0
-2 -4 -b -8 UK3,B -2 -4 ~b -8 Z7K3,8
КТ825Г, КТ825Д, KT825E
Кремниевые меза-планарные составные универ-
сальные транзисторы р-п-р. Предназначены для работы в уси-
лителях низкой частоты, импульсных усилителях мощности,
стабилизаторах тока и напряжения, электронных системах
управления, устройствах автоматики и защиты, в других
устройствах радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до +Ю0°С.
Масса транзистора не более 20 г.
R13.5
39
КТ8?5(Г-£)
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ825Г КТ825Д КТ825Е
Л21Е 1/КБ = _ 10 В; /э=10 А; 6скр=25 °C 750... 750... 750...
18 000 18 000 18 000
|Й21э1 (7кв=-3 В; /э=10 А; /=1 МГц >4 >4 >4
^КЭ. нас, В /к=10 А; /Б=40 мА — 2 — 2 — 2
UБЭ- наст В ^КЭО. гр. В /к=10 А; /б=40 мА /к=100 мА; ти<300 мкс; -3 -3 — 3
Q > 100 — 70 -45 -25
/ЕКЛ, мкс /к=10 А; /Б—40 мА <1 < 1 < 1
^выкл. МКС /к=10 А; /Б=40 мА < 4,5 <4,5 <4,5
С’кэ. проб, В i/B3=l,5 В; /к=1 мА >90 >60 >30
Ск, пФ t/KB= — ю В; /=100 кГц <600 <600 <600
С5, пФ 6/БЭ=3 В; /=100 кГц <600 <600 <600
K3R. maxi В —40 °с <екпр с юо °с -90 — 60 -30
UКЭХ. maxi в То же, при £/бЭ=1,5 В -90 — 60 -30
^БЭ. max, В —40 vc<eKop<ioo °C 5 5 5
/К. max» А —40 °с<екор< юо °с 20 20 20
/ К. и. maxi А —40 °с<екор< юо °с 30 30 30
I Б. тахт —40 °С<0кор< 100 °C 0,5 0,5 0,5
РК- max. Вт 0окр=25 °C 3 3 3
Р К- max. т» Вт —40 °С<0кор<25 °C 125 125 125
Е) °C unep. maxt — 150 150 150
^кор. max» С — 100 100 100
КТ826А, КТ826Б, КТ826В
Кремниевые меза-планарные переключательные'вы-
соковольтные транзисторы п-р-п. Предназначены для работы
в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных
стабилизаторах и ключевых устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируются при 0вкр от —60 до +125 °C.
Масса транзистора не более 20 г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения Значения
А21Е {/Кэ=Ю В; /к==0,1 А; 0окр=25 °C 10... 120
0окр—125°С 5...300
еокр=-бО °с 5... 120
ЛфК» мА (Укэ=700 В; Ябэ=10 Ом; 0скр=25 °C <2
t/K3=300 В; ^бэ=Ю Ом; 0оКр—125 °C <5
£/кэ=500 В; Кбэ— 10 Ом; 0окр=—60 °C <4
^ЭБО. мА г7вэ=5 в <3
1 Й21э 1 £/кэ=15 В; /к=0,1 А; /= 1 МГц >6
КЭ. нас» /х=0,5 А; /Б==0,2 А <2,5
^БЭ. мае» В /к=0,5 А; /б=0,2 А <2
^КЭО.гр, В /к=0,1 A; f„=160 мкс; Q^10 >500’
Ск, пФ (УКБ=100 В; /=1 МГц <25
С9, пФ С7бэ=5 В; / = 1 МГц <250
^КЭК.тах. В -60 °С<0кор<75 °C; Ябэ=Ю Ом 700
^КЭЯи.тах. В То же, при ти^20 мс; Q2>50; Тф<0,2 мкс , 700
То же, при Тф^1,5 мкс -60 °C <0кор< 125 °C юоЬ
^К. /ncxi А 1
1 К. и. maxi -60 °С<0кор<125 °C 1
IБ. тах> А —60 °С<0кор<125 °C 0,75
^Б. н. maxt А -60 °С<0кор<125 °C 075
КТ827А, КТ827Б, КТ827В
Кремниевые меза-планарные составные универ-
сальные транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в уси-
лителях низкой частоты, импульсных усилителях мощности,
стабилизаторах тока и напряжения, электронных системах
управления, повторителях напряжения, переключателях,
устройствах автоматики и защиты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до +125 °C.
Масса транзистора не более 20 г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ827А КТ827Б КТ827В
^21Е £/кэ=3 В; /э=10 А; 0ОКр=25 °C 750... 750... 750...
18 000 18 000 18 000
60|ср—125°С 750... 750... 750...
18 000 18 000 18 000
Оокр—60 °C 100... 100... 100...
3500 3500 3500
Обозначение Режим измерения КТ827А КТ827Б КТ827В
^21Е Скэ=3 В; /к=20 А; 6окр=25 °C >100 > юо >100
/кэн, мА —60 °С<0онр<25 °C; <з <3 <3
/?БЭ=1 кОм 0онр=125 °C; <5 <5 <5
/ЭБО, мА /?БЭ=1 кОм Сбэ=5 В <2 <2 <2
Ifeb 1 С/кэ=3 В; /к=10 А; >0,4 >0,4 >0,4
UКЭ. нас» В / = Ю МГц /к= 10 А; /б=40 мА <2 <2 <2
^БЭ. нас» В /к=10 А; /б=40 мА <3 <3 <3
t/кэо. гР> В /к=0,1 А; ти=300 мкс; >110 >90 >70
/окл, мкс <Э> 100 /К=Ю А; /б=40 мА <0,5 <0,5 <0,5
^выкл» МКС /К=Ю А; /Б=40 мА <4 <4 <4
/рас, МКС /к= 10 А; /б=40 мА <3 <3 <3
С«. пФ (?кб=10 В <260 <260 <260
Сэ, пФ Сбэ=5 В <180 < 180 <180
СкЕ. тех, В -60°С<екор<125°С 100 80 60
&КЭИ. maxt В То же, при /?бэ=1 кОм 100 80 60
UКЭЯ и. max, В То же, при тф=0,2 мкс 100 80 60
^БЭ. maxt В -60 °С<екор<125°С 5 5 5
fБ. тахэ А -60 °С<0кор<125 °C 0,5 0,5 0,5
1к.тах, А —60 °С<0кор< 125 °C 20 20 20
^К. И. /пах» А —60 °С<0кор< 125 °C 40 40 40
Б. н. тах» А -60 °С<0кор< 125 °C 0,8 0,8 0,8
Рк.тахл, ВТ -60 °С<0кор<25 °C 125* 125* 1251
Япсркор, °С/ВТ — 1,4 1,4 1,4
6jjep, maxt (-* — 200 200 200
1 При температуре корпуса более 25 °C мощность (Вт) рассчитывается по формуле
Р*. max—(200—6кор)/ 1,4.
КТ828А, КТ828Б
Кремниевые меза-планарные импульсные высоко-
вольтные транзисторы п-р-п. Предназначены для работы
в источниках питания, высоковольтных ключевых и других
устройствах радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до -f-85 °C.
Масса транзистора не более 20 г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ828А КТ828Б
Але С'кэ- 5 В; /к=4,5 В >2,25 >2,25
1 Й21э 1 t/кэ—20 В; /к=0,1 A; f = 1 МГц >4 >4
^кэя» мА t/кэ—500 В; 0окр=-60 °C 5 <5*
ейкр=125°С < 10 < 101
^КБО, мА £7КБ=1400 В; 0окр=25 °C <5 < 52
/эБО1 мА б^БЭ—б В <10 <10
нас» В /к==4,5 А; /Б=2 А < 1 < 1
б^БЭ.нао В /к=4,5 А; /Б=2 А < 1 < 1
t/кэо.гр, В /к=0,1 А; ти=300 мкс; Q>50 >700 >600
^вкл» МКС С7кэ=500 В; /к=4,5 А; /Б= 1,8 А <0,55 <0,55
Продолжение табл.
Обозначение Режим измерения КТ828А КТ828Б
^рас» МКС 6/кэ=500 В; /к=4,5 А; /Б=1,8 А <10 <10
4п. мкс б/кэ=500 В; /к=4,5 А; /Б= 1,8 А <1,2 <1,2
t^K3R.max, В -60 °C < екор < 85 °C; /?БЭ= 10 Ом 8003 6003
^КЭЕ.И.тох» В То же, при тис=40 мкс; Q^IO; Тф<3 мкс 14004 12004
б'БЭ.тсх, В -60 °С<0КО₽<125 °C 5 5
7 К. таху & —60 °С<0кор<125 °C 5 5
lit.. И. ЯЙЗХ1 А То же, при т„<10 мс; Q^2 7,5 7,5
РК. max. т> Вт —60 °С<0кор<50 °C 50 50
Опер, max, С — 150 150
1 Для КТ828А. Для КТ828Б 5/кэ=400 В.
2 При £/Кб=1200 В.
3 При температуре корпуса от 85 до 125 °C напряжение снижается по линейному
закону до 500 В для КТ828А и до 400 В — для КТ928Б.
4 При изменении температуры корпуса от —40 до —60 °C и от 85 до 125 °C напря-
жение снижается по линейному закону до 1000 В для КТ828А и до 800 В —
для КТ828Б.
КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г
Кремниевые меза-планарные составные универ-
сальные транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в уси-
лителях низкой частоты, переключающих и других устройствах
радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выво-
дами.
Эксплуатируются при 0оир от —40 до +85 °C.
Масса транзистора не более 2 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ829А КТ829Б KT829B КТ829Г
/*21Е (4э=3 В; 4=3 А еокр=+25 °С...+85 °C >750 >750
еокр=-40 °C >100 >100
1 /*21э1 £/кэ=3 В; /к=3 А; /=10 МГц >0,4 >0,4
4эк, мА UК.Э= UКЭ. max', /?БЭ= 1 кОм; 0окр= =—40 °C и 4-25 °C <1,5 <1,5
0окр=4-85 °C <3 <3
4б0, мА ^бэ=5 В <2 <2
^4э. нас, в 4=3,5 А; 4=14 мА <2
^БЭ. нас» В 4=3,5 А; 4=14 мА <2,5 <2,5
^кэогР> В 4=0,1 А >100 >60
>80 >45
^КЭЙ. max, В -40 °С<екор^85 °C 100 60
80 45
/?БЭ=1 кОм
БЭ- max* В —40 °С<6кор^85 °C 5 5
/ К. max, А —40 °С<екор^85 °C 8 8
/К. и. max, А То же при т„^500 мкс <2> 10 12 12
/к А -40"С<е„,<85 "С <W=-25«C 0,2 0,2
Рк.тах^ Вт 60’ 60‘
Япер-кор. °С/ВТ 2,08 2,08
0 °C vnep. maxi 150 150
Я °C vкор. глох» 85 85
1 При температуре от -4-25 °C до 4-85 °C мощность рассчитывается по формуле
Рк.тСх=(150-9нор)/2,08.
КТ834А, КТ834Б, КТ834В
Кремниевые меза-планарные составные усилитель-
ные транзисторы п-р-п. Предназначены для применения в регу-
ляторах тока и напряжения, в переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до +85 °C.
Масса транзистора не более 22 г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ834А КТ834Б КТ834В
с £гкэ=5 В; /к=5 А еокр-+25 °C 150... 150... 150...
Оокр—Вокр. max 3000 >150 3000 >150 3000 >150
1^2131 0окр=0окр. mjn >50 >50 >50
(/кэ=5 В; /к=5 А; 7—1 МГц 4—7,8 4-7,8 4...7,8
/дэо. мА /?бэ=100 Ом; 0окр=+25 °C <3 <3 <3
1эбо, мА £/бэ=-5 В <50 <50 <50
О'кЭО.гр, В /к—0,1 А; £ = 25 мГн 400-490 350...440 300...375
^КЭ. нас, В /к=15-А; 1,5 А 1,2-2 1,2-2 1,2-2
МКС 4/кэ=250 В; (/БЭ=5 В 0,25... 1,2 0,25...1,2 0,25-1,2
^КЭ. max, В +=10 А; /Б=1 А /?бэ=Ю0 Ом; еокр=—40... 5001 450* 4001
U КЭ. и. max, В +85 °C /?бэ=Ю0 Ом; /ф>0,2 мкс 400 350 300
£ЛэЭ. max* В 8 8 8
1К. max, А 15 15 15
IК. и. max, А /и<0,2 мс; 0> 100 20 20 20
I Б. max, А 3,5 3,5 3,5
IБ. и. max, А £<0,5 мс; 0> 100 7 7 7
maxt Вт 6окр=0окр.пг<л—+ 25 °C ЮО2 ЮО2 ЮО2
впер. °C 150 150 150
1 При 0окр=—40...—60 °C и 0окр=+85...+125 °C t/кэ max снижаются линейно до
400 В для КТ834А; 350 В для КТ834Б и 300 В для КТ834В.
При 0окр>+25 С—(0пср Окор)/^?т.(пер-кор).
КТ835А, КТ835Б
Кремниевые транзисторы р-п-р. Предназначены
для работы в радиоэлектронной аппаратуре широкого приме-
нения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выво-
дами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до -М00°С.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ835А КТ835Б
^2IE /7кб=-—1 В; /э= 1 А;
6окр=25 °C >25 10... 100
0окр=85 °C >25 10...300
еонр=-бо °с >10 5...10
1 Й21э1. МГц > 1
/кбо. мкА t/KE=-30 В; >1
0окр=25 °C и —40 °C <100 < 150
ГУКБ= —15 В; 0окр=85°С <300 <300
/кэо. мА (/кэ=-30 В < 10 < 10
/эБО. мА {/эб=-4 В <1,5 < 1,5
/^КЭ. нас. в /к=1 А; /Б=0,1 А -0,35 — 2,5
Обозначение Режим измерения КТ835А КТ835Б
UБЭ. нас» В /к=1 А; /б—0,1 А — 1,3 — 5
Ск, пФ ^кб—— Ю В; /=465 кГц <800 <800
Сэ, пФ Г/эб=0; / = 465 кГц <1500 <1500
П КБ. maxi В —40 °С<0окр<ЮО °C — 30 — 45
б'кЭ. maxt В —40 °С<0окр< 100 °C -30 — 30
^ЭБ. maxt В -40 °С<6окр<100 °C — 4 — 4
Лк. maxt -40 °c<eOKP<ioo °с 3 7,5
К. tnaKi -40 °с<0окр<юо °с 1 1
КТ837( А, Б, В, Г,Д, Е,Ж, И, К, Л ,М, Н, П, Р,С,Т,У,Ф )
Кремниевые эпитаксиально-диффузионные пере-
ключательные транзисторы р-п-р. Предназначены для примене-
ния в усилителях и переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выво-
дами.
Эксплуатируются при 6окр от -—60 до -|-70 ®С.
Масса транзистора не более 2,5 г.
КТ037(А-Ф)
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначения Режим измерения КТВ37А КТ837Б КТ837В КТ837Г КТ837Д КТ837Е
/121Е С/кэ-5 В; /к=2 А 10...40 20...80 50... 150 10...40 20...80 50...150
/*21Э» МГЦ (/кэ=5 В; /к=0,5 А >1 >1 >1
/кбо, мА C/кв—Г^КБ. max <0,15 <0,15 <0,15
/эбо» мА ^А>Э. max <0,3 <0,3 <0,3
/кэо, мА ^КЭ=<^КЭ. maxi /?БЭ=ЮО Ом <10 <10 <10
Г1'КЭ. нас» В /к=3 А; /б=0,37 А 2,5 2,5 0,9 0,9
/к—2 А; /б=0,5 А <1,5 <1,5 <1,5
Г’КБ тол, В 80' 80 60 60
t/кэ. maxt В А*б<50 Ом 70 70 55 55
/?Б=ОО 60 60 45 45
Г БЭ. тол, В 15 15 15
/К. тал, А 7,5 7,5 7,5
fБ. тах> А РК, max* Вт ек=—65...+2Б °C 1 1 1
с теплоотводом1 30 30 30
без теплоотвода 1 1 1
₽т, пер-кор> /Вт 3,33 3,33 3,33
Опер, °C 125 125 125
1 При 6К>+25°С ^.^-(125-0^/3,33.
Обозначения Режим измерения КТ837Ж КТ837И КТ837К КТ837Л КТ837М КТ837Н
Л21Е икэ=5 В; /к=2 А 10...40 50... 150 20...80
20...80 10...40 50... 150
/й21Э> мГц С/кэ=5 В; /к—0,5 А >1 >1 >1
/кбо, мА О'кБ— ^КБ. max <0,15 <0,15 <0,15
/эбо, мА UБЭ— БЭ. max <0,3 <0,3 <0,3
/кэо, мА УкЭ—^КЭ.тах, /?БЭ=Ю0 ОМ <10 <10 <10
Г'кэ. нас. В /к=3 А; /б=0,37 А 0,5 0,5 2,5
2,5
fJБЭ. нас» В /к—2 А; /Б=0,5 А <1,5 <1,5 <1,5
£/кВ. maxt В 45 45 80
80
КЭ. max* В 7?б<50 Ом 40 40 70
70
/?б=°° 30 30 60
60
Обозначения Режим измерения КТ837Ж КТ837И КТ837К КТ837Л КТ837М КТ837Н
UБЭ. max, В J 15 15 5
5
7к. max. А 7,5 7,5 7,5
f Б. mart А 1 1 1
РК. max. Вт 6К=-65.„4-25 °C
с теплоотводом1 30 30 30
без теплоотвода 1 1 1
Лт. пер-хор» /Вт 3,33 3,33 3,33
Опер, °C 125 125 125
* При 6К>+25°С РК и1М=(125-ек)/3,33.
Обозначения Режим измерения КТ837П КТ837Р КТ837С КТ837Т КТ837У КТ837Ф
Л21Е 0,кэ=5 В; /к=2 А 10...40 50... 150 20...80
20...80 10...40 50... 150
/й2|Э> мГц {/кэ=5 В; /к=0,5 А >1 >1 > 1
7кбо, мА ^КБ‘ ^КБ. max <0,15 <0,15 <0,15
7эбо, мА ^БЭ~ ^БЭ. max <0,3 <0,3 <0,3
/кэо, мА икэ= Икэ. max', R БЭ— 1 00 О М <10 <10 < 10
Г^КЭ. нас, В /к=3 А; /Б=0,37 А 0,9 0,9 0,5
0,5
^БЭ. нас» В /к=2 А; /Б=0,5 А <1,5 <1.5 <1,5
^КБ. такт В 60 60 45
45
^7 КЗ. max, В /?б<50 Ом 55 50 40
40
/?б= оо 45 45 30
30
&БЭ. maxi В 5 5 5
гп ох» А 7,5 7,5 7.5
^Б. max» А 1 1 1
max» Вт 6К=—65...4-25 °C
с теплоотводом1 30 30 30
без теплоотвода 1 1 1
^?т. пер-кор» /Вт 3,33 3,33 3,33
Опер, °C 125 125 125
1 При ек>+25°С Рк. тах=( 125 - 0к)/3,33.
КТ838А
Кремниевый
меза-планарный транзи-
стор п-р-п. Предназначен
для применения в каска-
дах горизонтальной раз-
вертки телевизоров и ви-
деоконтрольных устройств.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выво-
дами.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до + 100 °C.
Масса транзистора не более 20 г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения Значения
1 Лгь I +кэ—20 В; /к=0,3 А; /=1 МГц 3
О+э.гр. В /к=0,1 А; 4 = 400 мГн >700
/кэо, мА 0окр=+25 °C; +кэ= 1500 В; 4/БЭ=0 1
0окр=—45 и +100 °C, +кэ=1100 В; (7бэ=0 1
+кэ. нас» В 0окр=+25 °C; /к=4,5 А; /Б=*=2 А 0окр=—45 и +100 °C, /{<=4,5 А; «С5
<5
/Б=3 А
БЭ* нас» В /к=4,5 А; /б—2 А <1,5
/сп, мкс /7кэ=500 В; +бэ—5 В; /к=4,5 А; 7Б=1,8 А <1,5
^расс» МКС 10
Ск, пФ (/бэ=5 В 170
Сэ, пФ //бэ=5 В 2200
^ЭБ. maxi В /Б=0,01 А 5
/Б=0,1 А 7
(7 кэ. и. max» В Ябэ^Ю Ом; (и<20 мкс; /ф>2 мкс; Q>4; ек=-45...+75 °C 1100
ек=+юо°с ~4~ 500
f К. max?. А 5
fК. и. maxi 7,5
IБ. maxi 0,1
I Б. и. тех» А 3,5
Pa max2’ ВТ i\- тих ’ С7Кэ—150 В; 0к=—45-+90 °C 250
(7кэ=200 В 200
(7Кэ=300 В 150
£/кэ=400 В 120
{/кэ=б00 В 70
Опер, °C 115
1 При 0к=+75...4-1ОО °C t/кэ.и.тсх снижается линейно.
При +Э5—4-Ю0 “С .Рк. max—(Опер ®к)//?т. (пер-к)-
КТ840А, КТ840Б
Кремниевые меза-планарные транзисторы п-р-п.
Предназначены для применения в переключающих и им-
пульсных устройствах.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выво-
дами.
Эксплуатируются при 0Окр от —48 до +100’С.
Масса транзистора не более 20 г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения KT840A КТ840Б
Л21Е (4э=5 В; /к=0,6 А 10...100 10... 100
/к—0,1 А > 10 >10
1 1 t/K9=10 В; /к=0,2 А; /=1 МГц 8...15 8...15
/дво> МА 6\б= l^KE. max', 0к= + 25 °C 0,1...3 0.1...3
ок=_45 °C 0,5...5 0.5...5
О^кэ.гр. В ек=+100 °C 0,5...5 0.5...5
/к=0,1 А 400 350
<+э. нас. В /к=4 А; /б= + 1,25 А 0.4...3 0.4...3
О^БЭ. нас. В /к=4 А; /б=+1,25 А 1,2... 1,6 1,2... 1,6
7вкл, МКС (7кэ=200 В; /к=2,5 А; /Б=0,5 А 0,08...0,2 0,08...0,2
/сп, МКС иКэ=200 В; /к=2,5 А; 7б=0,5 А 0,15...0,6 0,15...0,6
^pacci МКС £/кэ=200 В; /к=2,5 А; /Б=0,5 А 0,4...3,5 0,4...3,5
б'КЗ. max. В /?бэ—ЮО Ом 400 350
UКЭ. И- В Uba—1,5 В; /„=80 мкс; 1 мкс <?>2 0К=_20...+ 100 °C ек=—20...+90 °C 900 750
f К. ЯЧДХ1 А 6 6
К. И. тех» А /„^20 мкс; Q>3 8 8
Д 1 Ь. тох» 2 2
^Б. и. тахг А /й^20 мкс; Q^3 3 3
Р&тах, ВТ UK3<30 В; 0к=—45...+50 °C 60 60
Опер. °C 150 150
1 При вк=—20...—45 °C С/кэ. и. max снижаются линейно до 750 В для КТ840А
и 600 В для КТ840Б.
2 При 0к>+50еС PK^HlSO-OKV^n^).
КТ839А, КТ844А, КТ845А, КТ846А, КТ846Б, КТ846В
Кремниевые высоковольтные транзисторы п-р-п.
Предназначены для применения в телевизионной технике, авто-
мобильной электронике, в источниках вторичного питания, им-
пульсных, ключевых и усилительных схемах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе.
Масса не более 24 г
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы для 0окр=(25± 10) °C
Обозначение Режим измерения КТ839А КТ844А КТ845А KT846A КТ846Б КТ846В
/к=4 А; £7Кэ=10 В 5 —„ .— —
/1213 /к=6 A; L/K3=3 В — 1050 — —
2 А; 0\э=:50 В — — 15 100 —
/к=6 А; /Б=0,6 А — 2,5 — —
КЗ. нас, В /к—2 А; /Б=0,4 А — — 1,5 —_
/к=4,5 А; /Б=2 А — *— 1 5
/к max, А 10 10 5 5
10 20 7,5 7,5
и. max» В 1500 250 400 1200
1500 1500
UКЗ- и. max, В 700 250 400 600
700 700
^КЭ. max, В 50 50 40 52
РК. max» Вт 52
КТ847А
Кремниевый меза-планарный транзистор п-р-п.
Предназначен для применения в источниках вторичного элект-
ропитания. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируется при 0окр от —45 до 4-100 °C.
Масса транзистора не более 20 г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения Значения
Й21Е О'кэ 3 В; /к=15 А; 0к=+25 °C 8...25
1Й21Е1 6К=—45 и +100 °C >5
{7КЭ=Ю В; /к=1,5 А; /=10 МГц >1,5
Типовое значение 4
^кбо. мА 6к=+25 °C; {/КБ=650 В <5
6к=4-100°С; СКЕ=400 В <5
6к=—40 °C; £/кб=650 В <5
/эбо. мА иЪэ=8 В <100
Си, пФ 7/КБ=400 В <200
Типовое значение 100
£\э.г₽. В /к=0,1 А; /к нас=0,3 А; £=25 мГн >300
^КЭ. нас, В /к=15 А; /Б=5 А 0,2... 1,5
tcn, МКС (7Кэ=2ОО В; /к=15 А; /Б=3 А 1/вэ—7,5 В <1,5
^расс? МКС {/кэ=200 В; 7К=15 А; /Б=3 А £/бэ=7,5 В <3
УкЭ-тах, В ЯБЭ<100 Ом; 6К=—45...+75 °C 650
^КЭ. Н, nJGA'j В /?БЭ<100 Ом; 20 мкс; /$>1,5 мкс 6К=—45...Ч-75 °C 650
£А>Э. max, В 8
/к. max, А 15
$К. н. maxt А /,1^2 мс 25
fБ maxi А 5
Рк. max, Вт ек=—45...4-25 °C 125
Опер, °C 200
1 При е«=+75...-Ь100 °C; иКэ.тах и £кэ.и.тах снижаются линейно до Укэ.гр-
При 6к=-р25...4-100 °C; Рк. тох=(0Пе₽—6к)/Рт.(пср-и)-
КТ848А
Кремниевый меза-планарный транзистор п-р-п.
Предназначен для применения в электронных системах зажи-
гания.
Выпускается в металлическом корпусе с жесткими выво-
дами.
Эксплуатируется при 6окр от —45 до 100 °C.
Масса транзистора не более 20 г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения Значения
/12! Е С/Кэ=5 В; /к=15 А ек=ч-25...+ юо °C >20
/121Е 6К=—45 °C > 10
/кэо» мА /?БЭ“1 кОм 6К——45...+25 °C <3
6к= + 100 °C <5
б/кэ.гр» В /к=5 А; £=1,5 мГн >400
/7кэ. нас» В /к=10 А; /Б=0,15 А; 6к=+25 °C <2
0К=—40 °C <4,5
UКЭ. нас* В /к=7 А; /Б=0,07 А 1...1.5
^/бЭ. нас» В /к=10 А; /б=0,15 А 0к=+25 °C 1,7 .2,7
0к=-40 °C 1,5...3,5 '
Обозначение Режим измерения Значения
1^КЭ. max. В 400
1^БЭ. max. В 15
Ik., max. А 15
If>. max. А 4
Рк. max. Вт 35
Опер, °C 150
КТ850А, КТ850Б, КТ850В '
Кремниевые планарные транзисторы п-р-п. Пред-
назначены для применения в усилителях мощности, переключа-
ющих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выво-
дами.
Эксплуатируются при 6с8р от —60 до -J- ЮО °C.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ850А КТ850Б KT850B
t7K3J=10 В; /к=0,5 А 40...200 >20 >20
Лево, мА f/КБ— УкЬ-тах <0,1 <0,5 <0,5
/эбо, мА иБЭ=5 В <0,1 <0,5 <0,5
С^кэ.гр, В /э—30 мА 200 250 150
ИКЗ. вас, В /к=0,5 А; /Б=0,1 А <1 <1 <1
1^БЭ. нас, В /к=0,5 А; /в=—0,1 А <1,6 <1,6 <1,6
UКд. max. В Явэ<1кОм; (сП икэ/dt) 200 250 150
^250 В/мкс
Ч КВ. там В (d-(/KB/d/)<250 В/мкс 250 300 180
Нъэ.тах, В 5 5 5
К. max* А 2 2 2
I К. и. max. А /н<2 мкс; Q^2 3 3 3
IБ. max. В 0,5 0,5 0,5
Рк max. Вт 0к=—60...+25 °C 25 25 25
Опер, С 150 150 150
КТ851А, КТ851Б, КТ851В
Кремниевые планарные транзисторы р-п-р. Пред-
назначены для применения в усилителях мощности, переключа-
ющих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выво-
дами.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до +100 °C.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КГ851А КТ851Б КТ851В
Й21Е С'Кэ-Ю В; /к=0,5 А 40...200 >20 >20
/кбо, мА t^KB— О'кБ. max <100 <500 <500
(эбо, мА 4/бэ=5 В <100 <500 <500
(7^3. гр, В /э=30мА; tn<300 мкс; Q> 100 >200 >250 >150
КЗ- нас» В /к=0,5 А; /Б=0,1 А <1 <1 <1
(7бЭ. нас» В /к=0,5 А; /Б=0,1 А <1,6 <1,6 <1,6
КЗ. тахч В /?бэ<1 кОм; (сЫ/кэЛ#) < <250 В/мкс 200 250 150
(7БЭ. max» В (d-(7бэ/^0<250 В/мкс 250 300 180
t/БЭ.тпх» В 5 5 5
maxt А 2 2 2
I К. и. «чах» А /и<2 мкс; Q^2 3 3 3
^Б.тпх, А 0,5 0,5 0,5
Рк. тех» Вт с теплоотводом при ек^=—60...+25 °C 25 25 25
Опер» °C 150 150 150
КТ852А, КТ852Б, КТ852В, КТ852Г
Кремниевые планарные транзисторы р-п-р. Пред-
назначены для применения в усилителях и переключающих
устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выво
дами.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до +100 °C.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерении КТ852А КТ852Б КТ852В КТ852Г
/*21Е /7кэ- 4 В; /к = 2 А >500 >500 >500 >500
/к-1 А > 1000 >1000 > 1000 >1000
/л21Э. МГц t/K3=5 В;/к-0,5 А >7 >7 >7 >7
/кБО, МА ^КБ UКБ. /пах < 1 < 1 < 1 <1
/кэо, мА СО Ш CQ ООО 1Л -Ф СО II II II Л Л Л X <2 <2 <2 <2
/,эбо> мА t/KB = 5 В <2 <2 <2 <2
Ск, пФ ^кб = 5 В; /=100 кГц <28 <28 <28 <28
Сэ, пФ £/эб=1,5 В; /=100 кГц <63 <63 <63 <63
/вкл, мкс 1/Кэ = 30В; /К = 2А; /б = 8 мА <2,6 <2,6 <2,6 <2,6
^выкл, МКС 1/кэ = 30В; /к = 2 А; /б = 8 мА <4,5 <4,5 <4,5 < 4,5
Г'кэ. гр, В /э = 0,03 А >100 >80 >60 >45
UКЭ. нас» В /к — 2 А; 1Б = 8 мА <2,5 <2,5 <2,5 <2,5
УкЭ.тах, В /?БЭ 1 кОм 100 80 60 45
UКБ. max, В 100 80 60 45
^ЬЭ,тах* В 5 5 5 5
^К. max? & 2 2 2 2
1 К. и, maxt А 10 мс 100 4 4 4 4
1 Б. max* М А 1\.тах, ВТ ек= -60...+ 25 °C 50 50 50 50
без теплоотвода1 2 2 2 2
с теплоотводом 50 50 50 50
Опер, °C 150 150 150 150
1 При Ок >+25 °C Рк. max. снижается линейно
по 0,15 Вт/°С.
КТ854А, КТ854Б
Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисто-
ры р-п-р. Предназначены для применения в преобразователях,
линейных стабилизаторах напряжения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выво-
дами.
Эксплуатируются при 0О|ф от —40 до -}-100оС.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ854А КТ854Б
AaiE 1/кэ = 4 В; /э = 2 А >20 >20
/Л21Э> МГц. 17^9=10 В; /к= 0,5 А >10 >10
/кбо. мА ^КБ === ^КБ. max >з <3
/эбо, мА иБЭ = 5 В >5
17кэ. г₽. В /э = 0,1 A; £=160 мГн >350 >200
б^КЭ. нас, В /к = 5 А; /Б=1 А >2 >2
17кэ.тах, В /?БЭ >10 Ом 500 300
t/кБ.тпх, В 600 400
^ЭБ. тах» В 5 • 5
/к. max, А 10 10
/к. и. max, А 15 15
IБ. max, А 3 3
Рк. max, ВТ ()к =— 40. .-+-25 °C 60 60
Опер, °C 150 150
КТ855А, КТ855Б, КТ855В
Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисто-
ры р-п-р. Предназначены для применения в преобразователях,
линейных стабилизаторах напряжения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выво-
дами.
Эксплуатируются при 6окр от —40 до + 100 °C.
Масса транзистора не более 2,5 г.
К7в55(А-В)
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ855А КТ855Б КТ855В
^2iE £+э = 4 В; /к==2 А >20 >20 >15
/кбо, мА О'кБ^ £+б. max <1 < 1 < 0,1
/эбо> мА С/бэ—5 В *С5 ^5 <0,5
t/кэ.гр, в /э —0,05 A; L = 160 мГн >200 >150 >150
t/кэ. нас, В /к —2 А; /Б = 0,4 А <1 < 1 < 1
КЭ. max, В /?БЭ< 10 Ом 250 150 150
t/кБ. max, В 250 150 150
U БЭ. max» В 5 5 5
/к max, А 5 5 5
/Б. max, А 1 1 1
РК. max, ВТ 0К = —40...+ 25 °C
с теплоотводом 40 40 40
без теплоотвода 1,2 1,2 1,2
огер, °с 150 150 150
КТ857А
Кремниевый планарно-эпитаксиальный транзистор
п-р-п. Предназначен для применения в усилителях и переключа-
ющих устройствах.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выво-
дами.
Эксплуатируется при 0окр от —55 до +100 °C.
Масса транзистора не более 3 г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения Значения
/*21Е {/цэ=1 В; /ц = 3 А >7,5
1 э! икэ= 10 В; /к = 0,5 А; / = 3 МГц >3,3
i КБО1 мА (7кб = 250 В <5
Л->БО> мА 1/бэ = 6 В < 1
/сп, мкс {/кэ = 50 В; /к = 5 А; /Б = 0,5 А; 0.1...1
Убэ — —5 В
/расе, МКС С/кэ = 50 В; /к = 5 А; /Б = 0,5 А; 0,1...2,5
Ui»== —5 В
б^кэ.гр. В /к = 0,1 А; £ — 25 мГн >150
^КЭ. нас» В /к = 3 А; /б = 0,4 А <1
U БЭ, нас» В /к —3 А; /б = 0,4 А <1,25
UКЭ. maxt В /? БЭ = 10 Ом 250
^КБ. maxi В 250
^БЭ. /пол» В 6
7К. тал, А 7
/v А 1 К. и. maxt 10
/ Б. rnzzj^i А 2
I Б. и, maxt 3
Р1Кта*, Вт 0К = —55...+ 25 °C 60
0«ер, °C 150
1 При 6ц>+25°С /ЭК.тих = (150—6к)//?Т(пер-к)-
КТ858А
Кремниевый планарно-эпитаксиальный транзистор
п-р-п. Предназначен для применения в переключающих устрой-
ствах.
Выпускается в металлическом корпусе с жесткими выво-
дами.
Эксплуатируется при 0окр от —55 до + 100 °C.
Масса транзистора не более 3 г.
К1658А
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения Значения
/*21Е С/Кэ = 5 В; /к = 5 А > 10
1 /*21 э1 икэ= Ю В; /к = 0,5 А; / = 3 МГц >3,3
/кБО. мА £/КБ = 400 В < 1
/эбо> мА //бэ = 6 В <1
/сп, МКС {/Кэ = 50 В; /к = 5 А; /Б = 0,5 А; иБЭ= -5 В 0,05—0,75
^расс» МКС £7кэ = 50 В; /к = 5 А; /Б = 0,5 А; /7бэ= —5 В 1...2.5
О^кэ.гр. В 7K = 0,l А; L = 25 мГн >200
f/кЭ.нас. В /к = 5 А; /Б = 0,8 А <1
f/вэ. нас> В /к = 5 А; /Б = 0,5 А ^1,2
Ul&.max-, В /?БЭ 1 0 Ом 400
£^КБ. max, В 400
БЭ. mujct 6
f К. тдх» А 7
/к. и.тох, А 10
^Б. max» А 4
^Б.и. max» А 4
Pfc.maxt Вт 0к=-55...+25 °C 60
Опер, °C 150
1 При 0к>4-25°С Рк.тах = ( 150 — Ок.)/Ят(пер к).
КТ859А
Кремниевый планарно-эпитаксиальный транзистор
п-р-п. Предназначен для применения в переключающих устрой-
ствах.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выво-
дами.
Эксплуатируется при 0окр от —55 до + 100 °C.
Масса транзистора не более 3 г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения Значения
^21Е {/кэ= 10 В; /к—1 А > 10
|Ь|Э| £7Кэ= Ю В; /к = 0,2 А; / = 3 МГц >3,3
/кво. мА t/KB = 800 В <1
/эбо, мА 1/эб==10 В <10
4кл, МКС £7кэ = 250 В; /к=1 А; /Б = 0,2 А <0,5
иъэ=~8 В
/pafC, мкс £7кэ = 250 В; /к= 1 А; /Б = 0,2 А <0,35
Сбэ = — 8 В
Uкэ. rpi В /к = 0,1 А; £ = 25 мГн >400
U КЗ. нас» В /к=1 А; /Б = 0,2 А ^1,5
^БЭ. нас» В /к=1 А; /б = 0,2 А <1,4
^КЭ. max* В Rb3 + 10 Ом 800
Uv^.max, В 800
^БЭ, maxi В 10
/tr А 1 К. maxi 3
/и А 7 К. н. maxi ™ 4
1 Б. шпхт 1
Ъ. и mon А 1,5
Р\.тах, Вт ек= —55...+ 50 °C 40
Опер, °C 150
1 При 6К>4-50°С РК. тах = ( 150— 6к)//?Т(пер-к)-
КТ863А
Кремниевый меза-планарно-эпитаксиальный тран-
зистор п-р-п. Предназначен для применения в преобразователях
напряжения, источниках вторичного электропитания, электрон-
ных фотовспышках.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выво-
дами.
Эксплуатируется при 0окр от —40 до -{-100 °C
Масса транзистора не более 2,5 г
КТ863 А
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения Значения
Й21Е [/кэ=2 В; /к=5 А; 0К = +25... 100 °C >100
f /121Э1 МГ ц 0к= -40 °C >50
t/K3 = 5 В; /к = 0,5 А >4
/кбо. мА £/кб==30 В; Од — — 40... + 25 °C <1
0К= + 1ОО°С <3
/эбо» мА Г/бэ = 5 В <3
^КЭ.гр» В /к ==0,03 А >30
/к=5 А; /б = 0,5 А <0,3
/к = 5 А; /ь— 0,5 А <1,2
//дЭ. тахг В /?бэ< Ю Ом 30
U КБ maxt В 30
//бЭ. тахг В 5
/ К. maxt А 10
/Б. maxi А f’K.maxt В'Г 0к=—40... + 25 °C с теплоотводом1 3 50
без теплоотвода2 1,5
Опер, °C 150
1 При 0к= 4-25... + 100 °C Рц.тпх снижается линейно до 20 Вт.
2 При Or = 4-25... 4-ЮО °C Рк.тах снижается линейно до 0,6 Вт.
КТ864А
Кремниевый планарно-эпитаксиальный транзистор
п-р-п. Предназначен для применения в источниках вторичного
электропитания, преобразователях, оконечных каскадах усили-
телей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения.
Выпускается в металлическом корпусе с жесткими выво-
дами.
Эксплуатируется при 0окр от —60 до 4" 125 °C.
Масса транзистора не более 20 г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения Значения
hilE {/кэ = 4 В; /к = 2 А; ек=4-25°С 40...200
6к=4-125 °C 40...250
6К=—60°С 15...200
/й21Э. МГц //кэ = Ю В; /к= 0,2 А >15
/кбо. мА (/кв = 200 В; ек=4-25°С <0,1
0к= + 12боС <1
/эбо. мА {/БЭ = 6 В <3
Ск, пФ {/Кб = 5 В <300
Сэ, пФ {7бэ=0,5 В <2000
t/кэ.гр, в /к = 0,05 А >160
/^КЭ. нас. в /к = 6 А; /Б = 0,6 А <2
/к = 6 А; /Б = 0,6 А <2
иКЭ. max, В /?бэ= Ю Ом; (<Шкэ/б^)=200 В/мкс 200
UКБ. max, В (dt/KB/d/)=200 В/мкс 200
БЭ. maxi В 6
/К. max, А 10
7&и. max, А /„<2 мс; Q^2 15
Б. таХ) А 2
Ах и, maxi А /,,<1 мс; Q^2 4
Т’к. max, Вт 0к = —60... 4-25 °C с теплоотводом1 100
без теплоотвода2 1,5
Опер, °C 150
1 При 6ц=—60... 4-125 °C Рц.тах снижается линейно до 20 Вт.
2 При 0r= 4-25...4- 125 °C Рк.тах снижается линейно до 0,3 Вт.
КТ865А
Кремниевый планарно-эпитаксиальный транзистор
р-п-р. Предназначен для применения в источниках вторичного
электропитания в преобразователях, оконечных каскадах уси-
лителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения.
Выпускается в металлическом корпусе с жесткими выво-
дами
Эксплуатируется при 0ркр от —60 до 4-125 °C.
Масса транзистора не более 20 г
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения Значения
Й21Е //кэ = 4 В; /к = 2 А; 0к=+25°С 40...200
ек= + 125°с 40...250
6К = —60 °C 15...200
/лг1Э’ МГц £/Кэ = Ю В; /к = 0,2 А > 15
/кбо. мА (/Кб = 200 В; 0к = 4-25 °C <0,1
0к= +125 °C <1
/эбо, мА С/бэ = 6 В <з
Ск, пФ бкь-5 В <300
Сэ, пФ UE3 = 0,5 В С 2000
5/кэ. гр. В /к = 0,05 А 160
/к = 6 A; /g = 0,6 А <2
/к = 6 А; /Б = 0,6 А <0,7
/?бэ< Ю Ом; (тШКэ/^/) = 200 Вт/мкс 200
^КБ. max у В (<///кб/<//) = 200 В/мкс 200
БЭ- таг» В 6
f К. maxi А 10
К. и. мол» А /„< 1 мс; Q^>2 15
А 1 Б, maxt Л 2
fБ. и. max» А /„Cl мс; Q>2 4
PV maxt Вт 0K =—60...+ 25 °C с теплоотводом1 100
без теплоотвода2 1,5
Опер, °C 150
1 При "60- 4* 125 °C снижается линейно до 20 Вт
2 При 0ц =+25. 4-125 °C Р^.тах снижается линейно до 0,3 Вт
КТ872А, КТ872Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры п-р-п. Предназначены для работы в блоках питания и в схе-
мах строчной развертки телевизионных приемников.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы для 6окр=(25± 10) °C
Обозначение Режим измерения KT872A КТ872Б
^21Е /к=0,03 А; £7кэ=5 В з >3
/кбо. мА UK3 „=1500 А <1 <1
/?бо. мА //>б=6 В; /«=0 <10 <10 -
t/кЭО. гр, В /к=Ю0 мА >700 >700
£^КЭ. нас» В /к=4,5 А; /б=2 А < 1 <5
//&Э. нас, В /к=4,5 А; /б=2 А з <3
//кЭК. тех, В 700 700
^КЭ, Н. Л2СГЛ1 В 1500 1500
I К. maxt А 8 8
/гг А 1 К- и. maxt 15 15
/в. maxi А 4 4
/с Д 1 Б. н. max* 8 8
/сп, мкс 1/кэ=Ь00 В; /к.нас=4,Ь А <1 < 1
нас^=^,4 А, С^БЭ.зап—“ 5 В
/рас, МКС //кэ—500 В; /к. нас==4,5 А <7,5 <7.5
IБ. нас^ 1 А, 4/бЭ. зап:== 5 В
/гр, МГц 7 7
РК maxt В I 100 100
0 °C Vncpj 1500 1500
КТ886А1, КТ886Б1
Кремниевые высоковольтные транзисторы п-р-п.
Предназначены для применения в телевизионной технике, авто-
мобильной электронике, вторичных источниках питания, им-
пульсных, ключевых и усилительных схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы для 60Кр=(25± 10) °C
Обозначение Режим измерения КТ886А1 КТ886Ы
^КЭ. нас» В ZK=4 А; /Б=1 А < 1 < 1
^К. тал» А 10 10
/гл Д * К. и. maxi ™ 15 15
UКЭ. И. тах» В 1400 1400
{7 КЭ. max, В 700 700
/сп, мкс <0,3 <0,3
тал» В I * 75 75
КТ890А
Кремниевый высоковольтный транзистор п-р-п.
Предназначен для применения в телевизионной технике, авто-
мобильной электронике, вторичных источниках питания, им-
пульсных, ключевых и усилительных схемах.
Выпускается в пластмассовом корпусе
Масса транзистора не более б г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы для 0окр=(25±1О) °C
Обозначение Режим измерения KT890A
UКЭ. нас, В /к=10 А; /Б=а0,15 А <2
f К. тсх> А 20
^КЭ.н. max. В 350
^КЭ. max* В 350
/’к. max* Вт 120
КТ8108А, КТ8108Б* КТ8136А, КТ8140А
Кремниевые высоковольтные транзисторы п-р-п.
Предназначены для применения в телевизионной технике, авто-
мобильной электронике, источниках вторичного питания, им-
пульсных, ключевых и усилительных схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы для 0ОкР=(25± 10) °C
Обозначение Режим измерения КТ8108А КТ8108Б КТ8136А KT8I40A
^21Е /к=0,5 А; 7/кэ=5 В 10...50 40...80 —- —
0,8 А; В — — 10 ..50 —-
/к=5 А; 1/кэ=5 В — — — 10
нас, В /к=4 А; /б“0,8 А — — < 1 —
/к—5 А; /б=0,8 А — ,— — 1
fК. maxi А 5 5 10 7
А 1 К. н. maxi Л 7 7 15 10
VКЗ. и. тех, В 850 850 600 400
VКЭ. max* В 500 500 400 200
мкс <0,3 <0,3 <0,2 _—
^к. тех, Вт 70 70 60 60
КТ8156А
Кремниевый эпитаксиально-планарный составной
транзистор п-р-п с интегральными демпфирующим и базо-эмит-
терным диодами. Предназначен для работы во входных каска-
дах горизонтальной развертки электронно-лучевых трубок,
узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Выпускается в пластмассовом корпусе.
Вес транзистора не более 2,5 г.
Ш156А
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы для 0окр=(25± 10) °C
Обозначение Режим измерении КТ8156А
Ай1е £/кэ=1,5 В; /к—5 А >100
7кбо, мА С/цБ—ЗЗи В; /^=0 <0,1
АэБО, мА ГЭБ=330 В; /к=0 <0,1
б^кэо.гр, В 7«=Ю0 мА; /б=0 <0,1
U КЭ. Нас» В /к=5 А; /б=50 мА <1,5
^БЭ. нас» В /к==5 A; /Б=50 мА <2,4
^КЭ< maxi В 150
Обозначение Режим измерения KT8156A
£^КБ. maxi В 330
man В 6
I К. /пах» А 8
^К. так* Вт 6корп=— 60...+25 °C 60
0 °C vnrp» Vj 150
КТ8101А, КТ8101Б, КТ8102А, КТ8102Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры n-p-п. Предназначены для работы в оконечных ступенях
усилителей звуковых частот, в регулирующем элементе стаби-
лизаторов напряжения, преобразователях напряжения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выво-
дами.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до +125 °C.
Масса транзисторов не более 5 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения KT8101A KT810JB ЦТ8102А КТ8102Б
^21Е £/кБ—10 В; /э—2 А >2 >2
!А21Э» МГц икэ=10 В; /к=0,2 А >10 > ю
/кБО> мА t/KB=200 В для КТ8101А, КТ8102А 1 1
£>кб=160В для КТ8101Б, КТ8102Б 1 1
^ЭБО» мА 47эб=6 В <3
UКЗ нас» В /к=6 А; /Б=0,6 А <2 <2
£^БЭ нас» В /к=6 А; /Б=0,6 А 2 2
UКБ. max. В 200 200
160 160
^КЭ. /пах» В /?б 100 Ом 200 200
160 160
Обозначение Режим измерения. KTfilOlA КТ8101Б КТ8102Д КТ8102Б
П БЭ. maxt В 6 6
maxt А 16 16
Н и. max. А 25 25
IБ. maxt А 2 2
и. maxt А. 4 4
Рк.- maxt Вт Ок——60...+25 °C с теплоотводом 150 150
без теплоотвода 2 2
fl °C Vnepj 150 150
1.11. Биполярные транзисторы
большой мощности высокой частоты
КТ902А, КТ903А, КТ903Б
Кремниевые диффузионные меза-планарные тран-
зисторы п-р-п. Предназначены для использования -в-высокоча-
стотных усилителях, генераторах и других устройствах аппара-
туры широкого применения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до +85 °C.
Масса транзисторов не более 24 г.
Обозначение Режим измерения КТ902А
/*21Е /Укэ=10 В; /к=2 А; еокр=-бо °с >6
0ОКр=25± 10 °C >15
1Лг1э1 Окэ=10 В; /э=1 А; /== 10 МГц >3.5
/кбо. мА С/кв=70 В; ескр=25±1О°С <10
/кэя. мА — —
/кэди, мА Ut{3= 110 В; ₽эв=50 Ом ти<15 мкс; / = 50 Гц <60
/эбо. мА Г'эб-5 В <100
//кэ.иас, В /к=2 А; /б=0,4 А <2
Ск, пФ — —
t/вэ. В t/K3==10 В; /к=2 А <2
//КБ- max. В 0окр <125 °C 65*
max» В — -
£^ЭБО. max» В еокр=120 °с 51-2
КЭЦ. max» В —
^КЭДитах, В /?эб=50 Ом; тн<15 мкс по
/К. max. А 0окр<125 °C 5
н. maxt А — —
А 1 Б. maxt 0оКр <125 °C 2
Р К- max. т» В w екор<50°с ЗО3
РК. и. max. т» Вт — —
/^пер-окр. С/ВТ — 3,3
впер, maxt С — 150
* При температуре перехода выше 120 °C допустимое значение напряжения
снижается по линейному закону и уменьшается в 2 раза при 0тр—150 °C.
2 При длительности синусоидального импульса менее 40 мкс допускается
иЭБ.н.тах=В В.
3 При температуре корпуса от 50 до 120 °C допустимая мощность (Вт) рассчи-
тывается ПО формуле Рк. max.т=0.3(150 —0кор).
Обозначение Режим измерения КТ903А КТ903Б
/*21Е (7кэ=10 В; /к=2 А; >7
0скр——40 °C >15
еснр=25±10°С I5...70
40... 180
еокр=85 °C 45...210
120...540
1 ^21э1 икэ=10 В; /к=0,5 А; /=30 МГц >4
/кбо. мА — —
IK9R. мА (7«э=70 В; Рэб=100 Ом <10
7КЭН. и, мА — —
/эБО> мА 1Л>б=4 В <50
^КЭ.иас. В /к=2 А; /е=0,4 А < 2,5
Ск, пФ //Кб=30 В; /=3 МГц < 180
Убэ, В 6/Кэ=Ю В; /к=2 А <3
UКЬ. тах> В 0,1ер<70°С 601
UКБ. и. maxi В 9пер<70°С 80*
^ЭБО- maxt В — 4
^K3R. тех» В РЭБ>100 Ом или /б—0 60
/7K3R. и. шах, В — 80
IК. /ПСХт А — 3
fК. и. тел» А ти < 1 мкс; (J > 100 10
тн < 10 мкс; Q 10 5
f Б. maxi А — —
РК. тах.т, В екор=25±Ю°С зо2
Рю и. тал. т> Вт 6коР^25°С; ти < 10 мкс; 4/кэ=СЗО В 603
Риер-охр» С/Вт — 3,33
впер, max* С — 115
1 При температуре перехода выше 70 °C напряжение снижается по линейному
закону на 10 % на каждые 10 °C.
2 При температуре корпуса от 25 до 85 °C допустимая мощность (Вт) рассчиты-
вается ПО формуле Рк.тах.т=0,3( 115 — 6КОр)-
3 При температуре корпуса выше 25 °C допустимая импульсная мощность (Вт)
рассчитывается по формуле Рд и.тйл. г=0,6(115 — 0кор).
КТ904А, КТ904Б, КТ907А, КТ907Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры п-р-п. Предназначены для работы в усилителях мощности,
умножителях частоты в диапазоне 100...400 МГц в режимах
с отсечкой коллекторного тока, автогенераторах, импульсных
и других устройствах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до +85 °C.
Масса транзистора не более 6 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Режим измерения КТ904А
Обозначение КТ904Б
|Й21э1 {/Кэ=28 В; 4=0,2 А; /=100 МГц VW Сл
кэо. гр» В 4=0,2 А >40
4бо, мА Г4б=4 В 0,3
7кэя, мА 17Кэ=60 В, /?ЭБ=100 Ом < 1,5
Си, пФ 1/КБ=28 В; /=5 МГц < 12
(4э=Ю В; /к=30 мА; /=5 МГц < 15
<20
4Р, мА t/K3=10 В; /=100 МГц <400
<300
Р^х, Вт 4КЭ=28 В, /=400 МГц >2.5
^Кэ=28 В; /=400 МГц >3
>2,5
КЭ. наст В 4=0,25 А; 4=0,05 А <0,6
UКБ. тах> В 0пер<12О°С 60
и. max» В Опер < 120 °C 70
О^КЭЯ.твх» В /?эб=100 Ом 60
б'кЭР. и.ппх, в /?эб~ 100 Ом 70
^/эБ.тдх» В 0пср< 120 °C 4
1К так, А 0пер<12О °C 0,8
1 К. и. max, 0пер<120 °C 1,5
/г А 1 Б. таху п 0ПСР<12О °C 0,2
Обозначение Режим измерения КТ904А КТ904Б
РК- max* Вт 6к«р ^40 °C 5*
Янер-кор, °С/ВТ —— 16
Одер. max, — 120
1 В динамическом режиме. При температуре корпусе от 40 до 85 °C наибольшая
допустимая мощность (Вт) определяется по формуле Рк.тлл=( 120 — екор)/16.
Обозначение Режим измерения КТ907А КТ907Б
1А 21э1 Укэ =28 В; /к=0,4 А; /=100 МГц Ю т со Л\Л\
^КЭО.гр, В /эво, мА КЭШ мА Ск, пФ Тк, ПС h= £7эб Укз б^кэ Uкэ 0,2 А =4 В =60 В; /?эб=Ю0 Ом =30 В; /=5 МГц = 10 В; /к=30 мА; /=5 МГц /Л/Л/Л V - wwo>^ 01 ° 05 ®
<25
мА Р ВЫХ» Вт =4 Вт; t7K3=28 В; /=400 МГц <8
<6
Кур ^кэ.иаС1 В ^КБ. max? В ^КБ. и. max* В £^КЭ1?. maxi В ^КЭЯн, wflAi В maxi В IК maxi А Д 1 К. и. me*» ri ^Б< maxi А maxi Вт Япср-кор, °С/Вт Опер, maxi С /?ЭБ= /?ЭБ= бпер ©пер ^пер ®пср 6 кор = 100 Ом = 100 Ом С 120 °C С 120 °C С 120 °C <120 °C С 25 °C 60 70 4 1 3 0,4 13,5’ 7,5 120
1 При температуре корпуса от 25 до 85 °C наибольшая допустимая мощность
определяется по формуле /’к. тох=(120— 6Кор)/7,5.
ГТ905А, ГТ905&
Германиевые диффузионно-сплавные транзисторы
р-п-р. Предназначены для работы в усилителях, генераторах
и импульсных устройствах.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируются при 0ОКр от —60 до -}-70 °C.
Масса транзистора не более 7 г.
ГТ905(А, 5)
Обозначение Режим измерения IT905A ГТ905Б
41Е £4э=—Ю В; ,/э и=3 А; ти—0,2 мс; 35... 100 35...100
/=100 Гц
1^2131 (7Кэ=—Ю В; 4=0,5 А; /=20 МГц — >3
4.БО, мА £4б=Г1кБ. max <2 <2
/эбо, мА Оэб=-0,4 В ^2 5 <5
Ск, пФ ЦКБ=—30 В; /=10 МГц — <200
Тх» ПС ЦКБ=—30 В; 4=0,03 А; /= 10 МГЦ — <300
£4.90. гР, В /э и=3 А; ти=60 мкс; /=1...2 Гц >65 >65
/рас, МКС /Би=0,5 А; 4=0,5 А; /?к=10 Ом <4 <4
£/КЭ. нас, В 4=3 А; 4=0,5 А -0,5 — 0,5
UКЭ. Н. maxt В Q>3; ти<20 мкс; 0кор<7О°С -130 —
U БЭ. нас, В 4=3 А; 4=0,5 А -0,7 — 0,7
б^КБ. max, В екор<70 °C -75 — 60
UКЭ. maxt В Цбэ=0,4 В; 0кор<70сС -75 -60
f К. maxt В 0КОР<70 °C 3 3
А 1 К. н. maxt Л тн<20 мкс; 0кор<7ОоС 7 7
4. max, А 0кор<7О °C 0,6 0,6
/ Б. и. max, А 0коР<7О °C 1,0 1,0
Рк. maxt Вт 0кор < 25 °C 1.21 1,2'
Рк.тахл, ВТ 0кор<ЗО°С 62 62
/?пер-окр, °С/Вт — 50 50
/4 ер-хор, "С/ВТ — 9 9
fl °C unep. max г — 85 85
1 При температуре окружающей среды от 25 до 70 °C наибольшая допустимая
мощность (Вт) определяется по формуле Ац. тах==( 85—6ОкР)/50.
2 При температуре корпуса от 30 до 70 °C наибольшая допустимая мощность
(Вт) рассчитывается по формуле Рк тсх=(85—0кор)/9.
КТ908А, КТ908Б
Кремниевые меза-лланарные транзисторы п-р-п.
Предназначены для работы в ключевых стабилизаторах и пре-
образователях напряжения, импульсных модуляторах. Выпу-
скаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до +125 °C.
Масса транзистора не более 22 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ908А К.Т908Б
Й21Е (/Кэ==2 В; /к== 10 А; 0окр = 25°С 8...60 >20
7К = 5 А; 0окр=125°С >300 >300
/к = Ю А; еокр=-60°С 6...60 >10
|/*21э1 £/кэ= 10 В; /к=1 А; /= 10 МГц >3 >3
/кэю мА /?ЭБ=10 Ом; U&Э = UK3R. max, 60Kp<25oC <25 <50
£/Кэ = 80 В; 0ОКР = 125 °C <75 < 1501
/эбо, мА t>3B = 5 В <300 <250
^КЭ. нас» В /к = Ю А, /б == 2 А <1,5 <1,0
&БЭ. нас» В- /К=Ю А; /Б = 2 А <2,3 -—
max, В /?ЗБ=Ю Ом (для КТ908А); ЯЭБ< С 250 Ом (для КТ908Б); 6пср<100°С ЮО2 602
t/эБ. maxt В 0окР< 125 °C 5 5
maxt А 0ОкР< 125 °C 10 10
Б. maxi А 6окР< 125 °C 5 5
Рк.тах, т» Вт вкоР<50 °C 503 503
0 °C vnep. max* — 150 150
1 При (7кэ —60 В.
2 При температуре перехода выше 100 °C допустимое напряжение снижается по
линейному закону на 10 % на каждые 10 °C.
3 При температуре корпуса выше 50 °C допустимая мощность (Вт) рассчитыва-
ется по формуле Рк, тох.7 = 0.5(150— 0к°р)-
КТ909А, КТ909Б, КТ909В, КТ909Г
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры п-р-п. Предназначены для работы в умножителях частоты,
автогенераторах УКВ и ДЦВ диапазонов, в усилителях мощно-
сти и других высокочастотных радиотехнических устройствах
широкого применения.
Выпускаются в герметичном металлокерамическом корпусе
с полосковыми выводами. Вывод эмиттера электрически соеди-
нен с фланцем корпуса.
Эксплуатируются при 6окр от —40 до Н-вб^С.
Масса транзистора не более 4 г.
Обозначение Режим измерения КТ909А КТ909Б КТ909В КТ909Г
fel £/кэ= Ю В; /к=1,5 А; /=100 МГц >3,5 >5! >3 >4,52
^КЭО.гр» В /э = 0,1 А >30 >362 >30 >30*
/кэп. мА (?кэ = 60 В; /?эб=Ю Ом <30 <60 <30 <60
/эбо. мА /7эб = 3,5 В <6 <10 <6 <10
С’к, "Ф {/Кб = 28 В; / = 5 МГц <30 <60 <35 <60
1к, ПС £/кб=Ю В; /к = 0,15 А <20 <203 <30 <303
fК|» А 17x3=10 В; /=100 МГц >3 >6 >2,5 >5
Вт Рвх=10 Вт; /4э = 28 В; 0кор = 40 °C; / = 500 МГц >20 >404 >15 >304
^ЭБ. х?шх> В 0пер<12О°С 3,5 3,5 3,5 3,5
/7дэК. maxt В /?ЭБ <10 Ом 60 60 60 60
//кЭИ-Н-тсх. В /?ЭБ Ю Ом 60 60 60 60
/д. maxt А вП£р<120°С 2 4 2 4
/д и. тах> А 0пср<12О°С 4 8 4 8
/в. maxt А 0псР< 120 °C 1 2 1 2
^К. maxt Вт 0кор<25 °C 0кор = 85 °C 275 7 545 14 27s 7 545 14
0 °C vncp. maxt — 120 120 120 120
1 При /к = 3 А. 2 При /э=0,2 А. 3 При /к=0,3 А. 4 При PBX = 20 Вт,
° При температуре корпуса от 25 до 80 °C допустимая мощность снижается по
линейному закону.
КТ9ПА, КТ9ПБ, КТ911В, КТ911Г
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры п-р-п. Предназначены для работы в умножителях частоты,
усилителях мощности, автогенераторах УКВ и ДЦВ диапазонов,
в других высокочастотных радиотехнических устройствах широ-
кого применения.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с четырьмя
гибкими выводами и монтажным винтом.
Эксплуатируются при 60Кр от —40 до +85 °C.
Масса транзистора не более б г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения KT911A КТ911Б KT9I1B КТ911Г
1 Й2!э1 £7Кэ= 10 В; /к —0,1 А; / = 400 МГц >2,5 >2 >2,5 >2
1 Kpi мА С/кэ=Ю В; / = 400 МГц > 170 — — —
^КБО, мА КБ == UКБ. max <5 <5 <5‘ <10
/эбо. мА 4/бэ = 3 В <2 <2 <2 <2
ск, пФ /7КБ = 28 В; / = 3 МГц <10 <10 <10 <10
Тк, ПС 6/кв=10 В; /э — 30 мА; / = 5 МГц <25 <25 <50 <100
/’вых, Вт (/кэ = 28 В;/=1800 МГц > 1 >12 >0,8 >12
Кур <7КЭ = 28 В;/=1800 МГц >2,5 >2,52 >2 >22
КБ /лад:* В ОПер< 120 °C 55 40 55 40
£/ЭБ. maxi В елер<120 °C 3 3 3 3
Продолжение табл.
Обозначение Режим измерения КТ911А КТ9ПБ КТ9ИВ КТ9ПГ
М<ЭО. maxi В 0пер * С 120 °C 40 30 40 30
IК. max, А Опер С 120 °C 0,4 0,4 0,4 0,4
maxi Вт ®кор * ^25 °C З3 З3 З3 З3
К.ирчжр, °С/Вт — 33 33 33 33
0 °C ''лор. fflflJCJ — 120 120 120 120
1 При 17Кб = 40 В.
2 При /=100 МГц.
3 При температуре корпуса от 25 до 85 °C допустимая мощность (Вт) определяется
по формуле Рк.тйх = (120 —0нор)/33.
КТ913А, КТ913Б, КТ913В
Кремниевые эпитаксиально-планарные генератор-
ные СВЧ транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в уси-
лителях мощности, генераторах, умножителях частоты в диапа-
зоне 200... 1000 МГц в режимах с отсечкой коллекторного тока.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковы-
ми выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до + 125°С.
Масса транзистора не более 1,6 г
KT9WA-B)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ913А КТ913Б КГ913В
/кэш мА (Укэ —55 В; Аэв==Ю Ом <25 <50 <50
/эбо. мА t/эв —3,5 В <1,5 <1,5 <1,5
/ кр» А £4ч=Ю В; /=100 МГц >0,4 >0,8 >1,6
^кэ = 28 В; /=1 ГГц >2' >22 >23
И. % t/ю = 28 В; /=1 ГГц >40’ >402 >503
/гр, МГц (/Кэ = Ю В >9004 >9005 >9005
б'кэ нас, В /к = 250 мА; /б = 30 мА <0,28 <0,28 <0,28
UБЭ. нэп В /к = 250 мА; /Б = 30 мА <0,86 <0,86 <0,86
Ск, пФ 1/Кб = 28 В; / = 10 МГц <7 < 12 <14
Сэ, пФ б^ЭБ — 0 <40 <80 <80
гэ, Ом — 0,15 0,1 0,05
Ге, Ом — 3 1.5 1.1
& КБ. max* В 25 °С<6К0р<85 °C 556-7 556-7 556,7
UK3R. max, В То же, при Аэб=Ю Ом 556 556 556
^ЭБ. max* В -45 °С<6кор<85 °C 3,57 3,57 3,57
/ К. max, А - 45 °С<вкор<85 °C 0.57 I7 I7
Рк.тах* Вт -45°С<0кор<55 °C 4,7 8 12
вкор = 85 °C 3,2 6,5 6
Апер-кор, С/Вт — 20 10 10
А °C ° пер. tnaxi — 150 150 150
6 кор. max* С — -45...+125
1 При РВыл = 3 Вт. 2 При Рвых = 5 Вт. 3 При Р8ых — 10 Вт. 4 При /к = 200 мА.
5 При /к = 400 мА.
6 В диапазоне температур от 25 °C до —45 °C t/кв.тах и Г/кэд.тах снижаются по
линейному закону до 45 В.
7 При условии,, что рассеиваемая мощность не превышает максимально допу-
стимой.
КТ914А
Кремниевый эпитаксиально-планарный СВЧ тран-
зистор р-п-р. Предназначен для работы в широкополосных
двухтактных усилителях мощности на частотах до 400 МГц
в паре с транзистором КТ904А.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируется при 6окр от —60 до 4-125 °C.
Масса транзистора не более 6 г.
КТ91ЧА
257
9 В. И. Галкин и др.
Обозначение Режим измерения Значения
frV, МГЦ Uks=— 28B;/K = 0,2A; f = 100 МГц >350
Р ВЫХ» Г UK3= —28 В; Рвх= 1 Вт; / = 100 МГц >7,2
/ = 400 МГц >2,5
Т], % 6/кэ=-28 В; Рввд = 2,5 Вт; >30
/ = 400 МГц
Iкр» мА [/кэ= —10 В; /=100 МГц >250
Ск> пФ [/КБ=— 28 В; /=5 МГц <12
тк, нс (/КБ= — Ю В; /э = 30 мА; / = 5 МГц <20
& КБ. maxi В — 60°С<0П1.р< 150 °C -65
б'кЭ. max, в —во °с<еП(.Р<150 °с -65
^ЭБ, maxt В —бо°с<епер<15о°с — 4
f К. max, А -60 °с<епер<150 °с 0,8
К. и. max, А -60 °C с Опер < 150 °C 1,5
Г Б. max, А -60 °С<0пер< 150 °C 0,2
Рк. maxt Вт -60 °С<0ягр<25 °C 7
0кор=125 °C 0,4
^пер-кор, °С/Вт — 16
0 °C vnep. /подо — 150
fi VKOD» -60...+ 125
КТ916А
Кремниевый планарно-эпитаксиальный генератор-
ный СВЧ транзистор п-р-п. Предназначен для использования
в усилителях мощности, генераторах и умножителях частоты
в диапазоне 200... 1000 МГц в режимах с отсечкой коллекторного
тока.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковы-
ми выводами.
Эксплуатируется при 6окр от —40 до -|-85оС.
Масса транзистора не более 2 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ916А
Лг1Е /гр, ГГц Пи. % f крг А. UКЭ. нас» В СбЭ.нас» В г6, Ом г„ Ом Ск, пФ Тк, ПС б^КБ. maxt В t^K3R. maxt В б^ЭБ. maxt В /К. maxt А /„ А 1 К.» maxt -гз / Б. maxt & РК. maxt Вт Яперкор. °С/Вт ° 1 1 54 1 54 ££ ° 4^ 4ь 4 - 4^. 4» tn tn IIBw ' wS И II PPlI “III II пс®5Фа:жгс.гоГО ?? > ш И * 1 1 Г-1 § >> g e /Л/Л II /ЛЛ« /Л II II II ". ’i II I to CO СП 00 00 II oc „ , Д IL II II 11 p 1 СП СП СП СП 11 СП Q Р Р № N3 “ to 0 0 " оо р о О Р Р ПОРПП°П2 о ° > >> .1 .1 II с: с: © II “ » ё II II to ND 00 ос Р №03 35 >1.1 >2,25 >45 2,8 0,2 0,98 0,7 0,05 >20 < 10 55 55 3,5 2 4 1 30 16,7 4,5
КТ919А, КТ919Б, КТ919В, КТ919Г
Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисто-
ры п-р-п. Предназначены для применения в усилителях мощно-
сти, умножителях частоты и автогенераторах в СВЧ диапазоне
в схеме с общей базой.
Выпускаются в металло-
керамическом корпусе с по-
лосковыми выводами.
Эксплуатируются при 6окр от
— 60 до 4-100 °C.
Масса транзистора не более
2,2 г.
Обозначение Режим измерения КТ919А КТ919Б КТ919В КТ919Г
^21E 100 100 — —,
1^2131 /к = 500 мА /к = 250 мА- 7 к = 100 мА 4,5 4,5 4,5 ‘ 4
-/кбо. мА £/КБ = 45 В Оокр — + 25 °C <10 <5 <2 <10
(Г —60 °C <50 <25 <15 <50
6окр= + 100 °C <50 <25 <15 <50
^ЭБО, мА г/БЭ=з,5 в 0окР=+25°С <2 < 1 <0,5 <2
0ОКр- -60 °C <2 < 1 <0,5 <2
0окР= + 100°С <20 <10 <5 <20
ск, пФ 77КБ = 28 В <10 <6 <5 <12
Тк, ПС {7цб— Ю В; /э=50 мА / = 30 МГц <2,2 <2,2 <2,2 <2,2
L3, и Гн 0,7 0,7 0.7 0,7
LK, нГн 1.5 1,5 1,5 1,5
£с, нГн 0,14 0,14 0,14 0,14
б/кЭЯ-тох. В 0окр=+25... + 125 °C 45 45 45 45
тахт В 3,5 3,5 3,5 3,5
1К. maxi А 0,7 0,35 0,2 0,7
^Kui. maxi А т„<20 мкс; Q^50 1.5 0,7 0,4 1,5
maxi А 0,2 0,1 0,05 0,2
^К.шах, Вт 10 5 3,25 10
Япср-кор, °С/Вт 12 25 40 12
КТ920А, КТ920Б, КТ920В, КТ920Г
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисто-
ры п-р-п. Предназначены для применения в усилителях мощно-
сти, умножителях частоты и автогенераторах на частотах
50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковы-
ми выводами и монтажным винтом.
Эксплуатируются при 0оир от —45 до +85 °C.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Обозначение Режим измерения КТ920Л КТ920Б KT920B КТ920Г
Ь'кэ = 5 В
/к = 50 мА 30 25
/к= 100 мА 40
/к = 250 мА 25
IW /=100 МГц; £/Кэ=10 В
/к=0,2 А 7,5
/к = 0,4 А 7
/к=1 А 4,5 3,5
/кг>о. мА f/K3 = 36 В; еокр=+25°С 2 4 7,5 7,5
Лию, мА {^эб = 4 В; 0ОКр— 4-25 °C 0,5 1 4 4
0\э.иас, В /к = 50 мА; /Б= Ю мА 0,3
1 к == 100 мА; /Б —20 мА 0,4
/к = 250 мА; /Б = 50 мА 0,45 0,45
maxt В /?эб<Ю0 Ом 36 36 36 36
^ЭБ.тпх. В 4 4 4 4
К. maxi А 0,25 1 3 3
А., Д 'К. 11 .тахг ™ тп^20 мкс; Q^50 1 2 1 1
А,, А 1 Б. /пах* л- 1 0,5 1,5 1,5
тп€^10 мкс; 100 0,5 1 3,5 3,5
5 10 25 25
Кпер-кор, °С/ВТ 20 10 4 4
() °C vncp. max* ' 4-150 4-150 4-150 4-150
Ок.тал, °C 4-85 4-85 4-85 4-85
КТ921А, КТ921Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п тран-
зисторы. Предназначены для применения в широкополосных
усилителях мощности, стабилизаторах и преобразователях на-
пряжения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до 4“125 °C.
Масса транзистора не более 6,5 г.
Обозначение Режим измерения КТ921А КТ921Б
^21Е </кэ=Ю В; /к=1 А 45 45
1^2131 10 В; /к = 0,4 А
Ск, пФ / = 30 МГц <10,5 <10,5
С3, пФ ^кбо = 20 В 50 50
^вкл» МКС ^эбо=3 В 210 210
^рас> МКС t/K=33 В; /к=1 А; /Б = 0,2 А 28 28
/сп, мкс {/к = 33 В; /к=1 А; /Б=:0,2 А 120 120
£к, нГн {/к = 33 В; /к=1 А; /Б = 0,2 А 24 24
L.. нГн 3 3
L6, нГн 3,5 3,5
ГкЭ.иао В 3,5 3,5
О^КЭ.гр» В /к=1 А; /Б = 0,2 А >1,8 >1,8
U КЭП. max, В /к= 100 мА 32 32
/?эб =10 Ом
6окр= -45...+ 125 °C 65 65
U КЭП. max, В 0окр= 150 °C 32 32
б^ЭБ. max, В 4 4
^К.тах, А 3,5 3,5
1 Б. max. 1 1
Р К. max, ВТ Оокр =-45. +75 °C 12,5 12,5
^?лер-кор, °С/Вт 6 6
Опер, °C + 150 + 150
КТ922А, КТ922Б, КТ922В, КТ922Г, КТ922Д
Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п тран-
зисторы. Предназначены для применения в усилителях мощно-
сти, умножителях частоты и автогенераторах на частотах свыше
50 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с. полосковы-
ми выводами и монтажным винтом.
Эксплуатируются при 6окр от —45 до -{-85 °C.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Обозначение Режим измерения KT922A КТ922Б КТ922В КТ922Г КТ922Д
Й21Е //кэ = 5 В; /к = 0,1 А 50 50 50
1^2131 /=100 МГц; //К=Ю В 7 4,5 2,5
6,5 6,5
Ск, пФ Скэ=28 В; /=5 МГц 8/20 50/20 50
G, пс /=50 МГц; {/кэ==10 В 7,5/8 20/8 20
Св, пФ {/ЭБ = 0; /=5 МГц 75/200 500/200 500
/кэн, мА /7кэ=65 В; /?эб= 100 Ом
0окр= 4*25 °C 5/20 40/20 20
Оокр =4* 85 °C 10/20 40/20 20
/эьо, мА /7эб = 4 В; 0окр=4-25°С 0,5/3 6/4 6
Скэ, нас, В 0,3 0,35 0,4
СКЭВ. max, В /?бэ= ЮО Ом 65 65 65
^ЭБ. maxt В 4 4 4
f К- maxt А 0,8/1,5 3/1,5 3
/К. и. max, & /п^20 мкс; Q>50 1,5/4,5 9/4,5 9
Ск, нГн 2,4 2,4 2,4
С„ нГн 1,7/1,1 0,9/1,1 0,9
С6, нГн 2,9/2,5 2,4/2,5 2,4
Р К. max, Вт 0«Ор < 4*40 °C 8/20 40/20 40
/? пср-кор, С/Вт 15/6 3/6 3
4-160 4-160 4-160
fl °C икор. тех» 4-85 4-85 4-85
КТ925А, КТ925Б, КТ925В, КТ925Г
Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п тран-
зисторы. Предназначены для применения в усилителях мощно-
сти, умножителях частоты и автогенераторах на частотах
200...400 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковы-
ми выводами и монтажным винтом.
Эксплуатируются при бокр от —45 до 4-85 °C.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Обозначение Режим измерения КТ925А КТ925Б КТ925В КТ925Г
Й21£ £/кэ=5 В; /к=200 мА 20 30 80 ——-
</кэ=10 В; /=100 МГц /к=0,6 А /к=0,8 А /к=1 А >5 $ >4,5 >4,5
Ск. пФ С/КБ=12,6 В;/ = 5 МГц 9,5 16 44 44
тк> ПС £/цБ=10 В; 7 = 5 МГц 8 22 15 15
/кэ/?, мА {/кэ=36 В; /?эб—ЮО Ом
"0окр=+25 °C 7 12 30 30
0окр=4-85 °C 14 24 60 60
Л-)БО Оокр—4*25 °C (/ЭБ-4 В {/ЭБ=3,5 В 6окР=+85 °C 4 8 10 10
{/эб=4 В {/эб=3,5 В 8 16 20 20
£к, нГн 2,4 2,4 2,4 2,4
/_э, нГн 1,2 1 1 1
£б, нГн 2,6 2,4 2,4 2,4
K3,R,maxt В /?эб^ ЮО Ом 36 36 36 36
U КБ.тех, В /?эб ЮО Ом 36 36 36 36
УэБ.тах. В 4 4 3,5 3,5
^.тах, А. 0,5 1 3,3 3,3
1 К.н.тдх, А 1 3 8,5 8,5
Рк.тах. В Г 6кОр<+40 °C 5,5 И 25 25
^?пср-кор, С/Вт 20 10 4,4 4,4
6 пер.шах» С 4-150 4-150 4-150 4-150
А °C V кор. maxt vj 4-85 4-85 4-85 4-85
КТ928А, КТ928Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п тран-
зисторы. Предназначены для работы в быстродействующих
импульсных устройствах, генераторах электрических колебаний
и узлах ЭВМ.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до -{-85 °C.
Масса транзистора не более 3 г.
0^
КТ928(А,Б)
Обозначение Режим измерения КТ928А КТ928Б
Л21Е £/Кб=3 В; /э=150 мА 20... 100 50...200
/кбо» мкА £/Кб=60 В <5 <5
/эбо, мкА //эб=5 В <5 <5
/гР. МГц £/кэ=10 В; /к=50 мА >250 >250
^КЭ.нас, В /к=300 мА; /б=30 мА <1
^БЭ. нас, В /к=300 мА; /б—30 мА <1,5 <1,5
Ск, пФ /7кб=Ю В; /=10 МГц <12 <12
С,. пФ Г^бэ—0, /—10 МГц < 100 <100
Тк, ПС /7кб=Ю В; /к=50 мА; /==10 МГц < 100 <100
^рас» НС /к=300 мА; /Б=30 мА <250 <250
^КБ. max, В —45 °C<0OItp<85°C 60 60
U КЭ. maxt В -45 °С<еокр<85 °C 60 60
^ЭБ. maxt В —45 °С<0окр<85 °C 5 5
/к maxt А -45 оС<0(,кр<85 °C 0.81 0,8*
/к. к. malt, А —45 °С<0скр<85 °C 1,2* 1,2’
РК- лшх, Вт —45°С<0окр<25 °C 0,52 0,52
РК- и. maxt Вт То же, при т„<10 мкс; Q>50 3,62 3.62
0 °C vncp. maxt 150 150
0 °C VOKp> — —45...Ч-85
1 При условии, что средняя мощность не превышает предельно допустимую для
данной температуры окружающей среды.
2 В диапазоне температур окружающей среды от 25 до 85 °C мощность снижается
по линейному закону на 4 мВт/K. _
КТ929А
Кремниевый эпитаксиально-планарный п-р-п тран-
зистор. Предназначен для применения в усилителях мощно-
сти, умножителях частоты и автогенераторах на частотах более
50 МГц, напряжении питания 8 В.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковы-
ми выводами и монтажным винтом.
Эксплуатируется при 0окр от —40 до 4-85 °C.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ929А
^21Е £/кэ=5 В, /к=0,7 А 40
1^2131 7/кэ=8 В; /к=0,3 А; /=175 МГц 8
Ск, пФ Гкэ=8 В; /=5 МГц 15
Тк, ПС (/Кэ=8 В; /к=50 мА; / = 5 МГц 9
£к, нГн 2,4
L3, нГн 1.2
Lc, мГн 2,6
Обозначение Режим измерения КТ929А
/кво» мА (/КБ=30 в 0,5
/эБО, мА (/эб—3 В; 0окр=+25 °C 5
0окр=+85 °C 10
б'кЭК.тах, В /?эб + Ю0 Ом 30
тпахт В 3
U КБ. maxt В 30
f К. тахт А 0,8
1К. и. тахт А 1,5
?К.тах, ВТ 6
Rnep кор, С/Вт 20
«пер. °C О °C vKop. тахт + 160
+85
Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса по
методике, не приводящей к нарушению конструкции и герме-
тичности транзистора, при температуре не выше 270 °C в тече-
ние не более 5 с.
КТ930А, КТ930Б, КТ931А
Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п тран-
зисторы. Предназначены для применения в усилителях мощно-
сти, умножителях частоты и автогенераторах на частотах от
50 до 300 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковы-
ми выводами. Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено.
Эксплуатируются при 0ОкР от —40 до +85 °C.
Масса транзистора не более 7 г.
Обозначение Режим измерения КТ930А КТ930Б КТ931А
/?21Б £/Кэ=5 В; /к=0,5 А 40 50 50
1^2131 ию= 10 В; /к=5 А; /= 100 МГц 3 3,2 4
Ск, пФ t/KB=30 В; / = 30 МГц 62 130 190
С3, пФ £/эб=0; / = 5 МГц 800 2000 3200
Тк, ПС {/КБ=Ю В; /э=0,5 А; / = 5 МГц 8 11 18
LK, нГн 1=1 мм 1.6 1,6 1,6
1 = 3 мм 2,08 2,03 2,03
£.,Jt нГн 1 = 1 мм 0,35 0,24 0,29
1 = 3 мм 0,54 0,43 0,47
Le, нГн 1= 1 мм 1,57 1,43 1,47
1 = 3 мм 2,05 1,84 1,92
Llc. нГн 0,44 0,26 0,43
Сье» пФ 450 650 1600
/кэн, мА С/кэ=б0 В; /^бэ=Ю Ом;
0окр=4-25 °C 20 100 30
©окр=4“ВЬ °C 40 200 60
/эбо, мА (7эб=4 В; еокр=4-25 °C 10 20 10
©окр=4_вЗ °C 20 40 20
t^K3R. тахт В /?эб 100 Ом 50 50
10 Ом 60
£^ЭБ. тахт В 4 4 4
f К. тахт А 6 10 15
/?К. maxi Вт 4-40 °C 75 120 150
РВХ. СВЧ, Вт 7 18,5 20
^?лер-кир, С/ВТ 1,8 1,2 0,8
©лер, °C 4-160 4-160 4-160
©кор. тех» 4-85 4-85 4-85
Пайка выводов допускается не ближе 1 мм от корпуса по
методике, не приводящей к нарушению конструкции и герме-
тичности транзисторов, при температуре не выше -J-270 °C
в течение не более 3 с.
КТ932А, КТ932Б, КТ932В
Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п тран-
зисторы. Предназначены для применения в широкополосных
усилителях мощности и автогенераторах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируются при 6окр от —60 до 4-100 °C.
Масса транзистора не более 20 г.
Обозначение Режим измерения KT932A КТ932Б КТ932В
Й21Е t/Ka=3 В; /к=1,5 А; 6окр=4-25 °C 15...80 30... 120 >40
/Л21б. мГи £/Кэ—3 В; /э=1 А >80 >100 —
Ск, пФ L/KB=20 В; 7=5 МГц 160 160 160
Лсж, мА /?БЭ=100 Ом; 6окр=+25°С 1,5 1,5 1,5
^КЭ. нас» В /к.и=1,5 А; /Б=0,25 А 0,2...1,5 0,2.„1,5 0,2...1,5
^КЭ. max* В / 80 60 40
1Л<Б. max, В 80 60 40
4,5 4,5 4,5
2 2 2
max* Вт 0к<50 °C 20 20 20
Япср-кор, °С/Вт 5 5 5
0пс₽, °C + 150 + 150 + 150
КТ933А, КТ933Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р тран-
зисторы. Предназначены для применения в широкополосных
усилителях мощности и автогенераторах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируются при 6окр от —60 до -}-100 °C.
“Масса транзистора без накидного фланца не более 24 г.
(Масса накидного фланца не более 12 г.)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ933А КТ933Б
^21Е А216, МГц Ск, пФ +эК, мА Скэ=3 В; /к.„=0,4 А 0окр=+25 °C £/Кэ=3 В; /э=0,4 А С/кб=20 В; 7 = 5 МГц ЯБЭ=100 Ом; 0окр=+25°С 15...80 75...120 70 0,5 30... 120 75... 120 70 0,5
Обозначение Режим измерения КТ933Л КТ933Б
ЧКЭ. нас» В /к. и—0,4 А; /б=0,05 А 0,2... 1,5 0,2... 1,5
КЭ. maxi В 80 60
£7кБ. maxi В 80 60
^ЭБ. max» В 4,5 4,5
fК. maxi А 0,5 0,5
РК. maxt Вт 0к<50 °C 5 5
/?пср-кор« С/Вт 20 20
Опер, °C 4-150 4-150
КТ934А, КТ934Б, КТ934В, КТ934Г, КТ934Д
Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п тран-
зисторы. Предназначены для применения в усилителях мощно-
сти, умножителях частоты и автогенераторах на частотах
100...400 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковы-
ми выводами и монтажным винтом.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до 4-85 °C.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ934А КТ934Б KT934B КТ934Г КТ934Д
t/кэ—5 В; /к=Ю0 мА 50 50
1^2131 С7кэ=10 В; /=100 МГц 9 9 8
8
Ск, пФ t/KB=28 В; / = 5 МГц 9/16 32/16 32
Тк, ПС {7Ке=20 В; / = 5 МГц 5 75 5
Сэ, пФ f/3E=0; / = 5 МГц 60/160 300/160 300
LK, нГн 2,5 2,5 2,5
L3, нГн 1,3/1,2 1/1,2 1
L6, нГн 3,1 2,8/3,1 2,8
Обозначение Режим измерения КТ934А КТ934Б КТ934В КТ934Г КТ934Д
/кэн, мА (/кэ=60; /?бэ=Ю Ом
0окР=4-25 °C 7,5/15 30/15 30
0окР=4-85 °C 15/30 60/30 60
/эбо. мА £/эб=0; 0окр=4-25 °C 7,5 8/7,5 8
^K9R, В /?эб^% Ю Ом 60 60 60
^ЭБ. maxt В 4 4 4
К. maxi А 0,5/1 2/1 2
Р К. maxi Вт 0к <4-25 °C 7,5/15 30/15 30
Япер кор. °С/ВТ 17,5/8,8 4,4/8,8 4,4
Опер. °C 4-160 4-160 4-160
Окор. maxi С 4-85 ' 4-85 4-85
КТ935А
Кремниевый меза-эпитаксиально-планарный п-р-п
транзистор. Предназначен для применения в переключающих
и импульсных устройствах.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируется при 60Кр от —45 до 4-100 °C.
Масса транзистора не более 20 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ935А
hue 0к=4-25 °C; Г/кэ=4 В; /к=15 А 20... 100
1/^2131 {/Кэ=Ю В; / = 30 МГц >1,7
Ск, пФ {/кб=Ю В 800
Сэ, пФ <7бэ=4 В 3500
/вкл, МКС /к=10 А; /б=2 А <0,25
^выкл» МКС /К-“Ю А; 7б=2 А <0,7
/кэи, мА ЯБЭ=10 Ом; 0к—4-25°С
£/кэ=80 В 30
0К=4-ЮО°С; 17Кэ—60 В 60
/эбо. мА Г7Бэ=4 В <300
Обозначение Режим измерения КТ935А
^КЭ. нас» В /к=15 А; /Б=3 А <1
^БЭ. нас» В /к=15 А;. /Б=3 А ^1,7
В /?БЭ=10 Ом; 0пср<100°С 80
О^кэв.и, В /?бэ=Ю Ом; ти^50 мкс; /ф^15 мкс 100
Q^20 5
^ЭБ, max» В т„^50 мкс; Q^20 6
At maxt А 20
г„ А 1 К- н. /пах» ™ т„ + 1 мс; Q>2 30
Б. max» А 10
IБ. и. maxi А ти^ 1 мс; Q^2 15
^К. maxt Вт 0К=+5О °C 60
А °C ^пер» + 150
екор, °с + 100
КТ936А, КТ936Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п тран-
зисторы. Предназначены для применения в широкополосных
линейных усилителях мощности в герметизированной аппара-
туре.
Выпускаются в двух конструктивных исполнениях с жестки-
ми выводами: КТ936А — на круглом кристаллодержателе,
КТ936Б — на прямоугольном кристаллодержателе с диодом —
датчиком температуры.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до +100 °C.
Масса КТ936А не более 0,2, КТ936Б не более 0,6 г.
Обозначение Режим измерения КТ936А КТ936Б
Л21Е Uk3=3 В; /к== 100 мА >6 >6
/кэр, мА £/кэ=60 В; <10 <30
/эбо. мА с/ЭБ=о <15 <40
^кэк, В /?ЭБ=0 60 60
^КЗ.тахч В /б=0 35 35
КБ лшх» В 60 60
/7эБ. тах> В 3,5 3,5
/Д. пр> А — 1
/ К. maxt А- 3,3 10
Р&.тах1 Вт вк<+75°С 28 83,3
/?пер-кор, °С/Вт 4,5 1,5
Опер. °C + 200 + 200
1 /д. пр —прямой ток диода.
КТ939А, КТ939Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п тран-
зисторы. Предназначены для работы в усилителях класса
А с повышенными требованиями к линейности.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими
полосковыми выводами.
Эксплуатируются при 6окр от —60 до +100 °C.
Масса транзистора не более 2 г.
Эксплуатационные данные и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ939А КТ939Б
Л21Е (7кб=12 В; /э—200 мА 40...200 20...200
/гр, МГц Гкэ= 12 В; /к=200 мА 2500...3300 1500...2300
/кбо, мкА (УКБ=30 В 0,1...1000 0,01.„2000
/кэи, мкА /эбо, мкА /7Кэ=30 В 0,01...2000 0,01.„2000
Гэб=3,5 В 0.5...500 0,5... 1000
/^21э. max /&21э. min (/кэ=12 В; /к=40...400 мА 1,04...!,5 1,04.„1,5
Обозначение Режим измерения КТ939А КТ939Б
^КЭО.гр. В /э—30 мА; /б=0 18...34 18...34
Ск, пФ С7кб=12 В; /=10 МГц 3.5...5.5 3,5...6
Cs, пФ </эв=0; /=16 МГц 15...23 15...23
Тк, ПС г/КБ=1О В; /э=50 мА; / = 30 МГц 4...9 4...10
ПКБ. max, В 25 °C <0кор< 100 °C 30* 30‘
с K3R. max, В То же, при /?бэ=10 Ом 30* 301
^ЭБ. таху Ы -60 °C СОкор <100 °C 3,52 3,52
7К. max, мА -60°c<eKop<ioo°c 4002 4002
Нк. max, ВТ екор<25°с 43 4з
Опер. max, С — 150 150
1 В диапазоне температур корпуса от 25 до —60 °C £/КБ.тож и (/кэи-тах снижаются
по линейному закону до 25 В.
2 При условии, что /’к.тпх не превышает максимально допустимую при данной
температуре.
При изменении температуры корпуса от 25 до 100 °C мощность снижается по ли-
нейному закону на 32 мВт/К.
о г ❖ в ви№.в '""о тию^мл о s ю кикз,в о iwzooi^a
КТ940А, КТ940Б, КТ940В
Кремниевые меза-планарные п-р-п транзисторы.
Предназначены для применения в выходных каскадах видеоуси-
лителей телевизионных приемников цветного и черно-белого
изображения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выво-
дами.
Эксплуатируются при Оокр от —40 до -|-85 °C.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ940А КТ940Б КТ940В
«21Е {/Кэ=10 В; jT^=30 мА >25 >25 >25
/ л*>1э» МГц (7Кэ=10 В; /к=15 А >90 >90 >90
Ск, пФ Скб=30 В; /=1 МГц <5,5 <5,5 <5,5
^КБО, нА * X X СП СО (Я II II II — — № О 05 СЛ ООО 03 03 СО 50 50 50
/эбо. нА {/ЭБ=3 В 50 50 50
б кэ нас> В /1^=30 мА; мА 1 1 1
б’кэк, В /?бэ< Ю кОм; 0К=—45—4-45 °C 300 250 160
ЧКБ. maxi В 0к=—45... 4-45 °C 300 250 160
БЭ. max* В 0K=-45-4-45 °C 5 5 5
мА ек=-45...4-45 °C 100 100 100
7 К. н.тпх, мА т„=30 мкс; 10; 0К——45—4-45 °C 300 300 300 50
f Б. maxi М А 6К= -45-4-45 °C 50 50
Рк.тах, Вт без теплоотвода, ек=_45...4-45 °C 1,2 1,2 1,2
с теплоотводом Скэ=Ю0 В 10 10 10
/?пср-кор> С/ВТ 10 10 10
Онер, °C 4-150 4-150 150
КТ942В
Кремниевый эпитаксиально-планарный п-р-п тран-
зистор. Предназначен для применения в усилителях мощности,
умножителях частоты и автогенераторах на частотах 0.7...2 ГГц
в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковы-
ми выводами. Тип транзистора указывается буквой «В» и крас-
ной точкой.
Эксплуатируется при 6окр от —45 до +100 °C.
Масса транзистора не более 2 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения KT942B
1^2191 {/Кэ—10 В; /к=1,2 А; / = 300 МГц >6,5
Ск, пФ Z7ke = 28 В; /= 10 МГц 16,5
Тк, ПС 1/КБ=10 В; /э= 150 мА; / = 30 МГц 3
С9, пФ б^ЭБ —0 110
Скэ, пФ 2,5
/кбо, мА 6'кб = 45 В 20
/.ЭБО, мА 17эб = 3,5 В 10
бк, нГн 1,5
L3, нГн 0,8
нГн 0,14
б^КЕ. тах< В 0к=+25 °C 45
б^ЭБ. maxt В 3,5
^К maxt А 1,5
^К- и. maxt А тн^10 мкс; Q^IOO 3
I Б. maxt А 0,5
^К- maxi ВТ 25
Япер-хор, °C/ВТ 7
Опер, °C + 200
Окор, °C + 100
КТ943А, КТ943Б, КТ943В, КТ943Г, КТ943Д
Кремниевые мезапланарные п-р-п транзисторы.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных
устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выво-
дами.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до 4-85 °C.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ943А КТ943Б КТ943В КТ943Г КТ943Д
/<21Е С7кэ==2 В; /к=0,15 А Оокр — 4- 25 °C 40...200 40... 120 30... 100
40... 160 20...60
9окР= 4-85 °C 40...400 40...250 30...300
40...320 20...200
0окр=— 45 °C 15 15 5
5
|/<21э1 1/цэ~ Ю В; /к = 0,25 А; /=10 МГц >3 >3 >3
/кбо, мА С/кБ= t/КБ. тах< 0,1 0,1/1 1
0окР=-45... + 25°С Оокр = 4~85 °C 0,3 0,3/3 3
Лшо. мА /7бэ = 5 В 1 1/5 5
/^КЭ. нас, В /к=1 А; /Б = 0,1 А <0,6 <0,6 <1,2
<1,2
//как, В /?бэ = Ю Ом 45/60 60/80 80
КБ. таху В 45/60 100 100
maxt В 5 5 5
t/кЭ.и.Я, В Rеэ ~ 10 Ом 50/75 80/100 100
2 2 2
f К. таху А /?еэ =10 Ом 50/75 80/100 100
2 2 2
// А • К и. maxt ти < 1 мс; Q 50 6 6 6
1*. таху Л 0,3 0,3 ‘0,3
/ К. таху Вт 6К= -45...4-25 °C 25 25 25
О °C ''пер» 4-150 4-150 4-150
КТ944А
Кремниевый эпитаксиально-планарный п-р-п тран-
зистор. Предназначен для применения в широкополосных уси-
лителях мощности на частотах 1,5...30 МГц при напряжении
питания 23 В.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими
выводами и монтажным винтом.
Эксплуатируется при 0окр от —45 до 4-100 °г
КТ9№ А
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения К1944Л
^21E £/кэ = 5 В; /К=Ю А; 0окр=4-25°С 10...80
1^2131 икэ=10 В; /к = 2 A; f = 30 МГц 4,5
Ск, пФ (/Кб = 28 В <350
Сэ, пФ //ЭБ = 0 <1500
/окэ, мА £/кэ=Ю0 В; /?бэ — Ю Ом <80
/эбо, мА Г^эб —5 В <150
UКЭ. нас, В /к= 10 А; /б = 2 А <2,5
^КЭК, В Ю Ом
6пер<+Ю0 °C 100
0пер= + 175 °C 50
^КЭ. и. max, В Ябэ< 100 Ом 100
Лс max, А- 12,5
/и А * К. и. ти<1 мс; Q 2^2,5 20
А 1 Б. так* ** 5
f Б. и. maxi А тн<1 мс; QJ>25 10
Рк.тах, Вт икэС25 В; 0пер<+90°С 55
/?ПСр-кор> С/ВТ 1,67
Опер, °C + 175
Онор, °C + 100
КТ945А, КТ945Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные высокоча-
стотные усилительные п-р-п транзисторы. Предназначены для
работы в импульсных модуляторах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до 4-100 °C.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения KT945A $Т945Б
Л'ЛЕ {/кэ=7 В; /к=15 А >10 10...60
lAaial С/кэ=Ю В; /к=1 А; /=30 МГц >1,7 >1,7
/кэн, мА С/кэ—150 В; /?бэ— 10 Ом <25 <25
С«, нФ г7КБ=зо в 120...200
/нар, мкс икэ= ЮО В; /к= 10 А; 6/БЭ = — 4 В /б = 2 А — 0,052
/рас. мкс £/кэ=100 В; /к = 10 A; (/БЭ = -4 В /б = 2 А — 0,75
tim мкс £/кэ=Ю0 В; /к=10 А; UE3= - 4 В /б = 2 А — 0,14
/ эг,о, мА иЬэ = 3 В <300 <300
1/кЭ. нас» В /к=15 А; /Б = 3 А <2,5 <2,5
нас» В /к = 15 А; /Б = 3 А <2,5 <3
^K3R» В Окор——45...4~ ЮО °C; /?БЗ= 10 Ом 150 200
1/сЭ. тахг В 5 5
1 К. maxt А 15 15
/К. и maxt ти<500 мкс; Q>20 25 25
А * b. maxt ** 7 7
Ь. и. maxt п ти<500 мкс; Q>20 12 12
maxt Вт 50 50
/^иср-кор, °С/Вт 2 —
О..СР» °C 4-150 4-175
(Up, °с 4-Ю0
КТ946А
Кремниевый эпитаксиально-планарный генератор-
ный п-р-п транзистор. Предназначен для применения в усилите-
лях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на
частотах 0,4... 1,5 ГГц в схеме с общей базой при напряжении
питания 28 В.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковы-
ми выводами.
Эксплуатируется при 0окр от —45 до 4-85 °C. ,
Масса транзистора не более 2 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ946А
|Лг1э1 Скэ=10 В; /к=4 А; /=300 МГц 3
Ск, пФ Скб=Ю В; /=10 МГц 50
Cs, пФ СЭБ = 0; /=3 МГц 260
LM нГн 0,35
L3, нГн 0,3
нГн 0,06
/кбо, мА Скб = 50 В; еокр=+25°С; 50
Оокр — + 125 °C 100
/эбо, мА 0ОКр —+25 сС 10
0DKp= + 125 °C 100
^КБ.гпах» В Окор= +25 °C 50
0кор=- 60 °C 45
СэБ. maxt В 3,5
IК. max* А. 2,5
и. max, А ти< 10 мкс; Q^20 5
Zr л * Ь. max* z * 1
Z^K, max* Вт 37,5
/^пер-кор, °С/ВТ 4
Опер, °C + 175
Окор, °C + 85
КТ947А
Кремниевый эпитаксиально-планарный генератор-
ный п-р-п транзистор. Предназначен для применения в усилите-
лях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на
частотах 0,1...1,5 МГц при напряжении питания 27 В.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с жесткими
выводами и монтажным винтом.
Эксплуатируется при 6окр от —60 до +100 °C.
Масса транзистора не более 35 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ947А
h-ЛЕ С7Кэ = 5 В; /к= 20 А 10...80
1 Й21э1 £7Кэ=10 В; /к—4 А; / = 30 МГц 3,3
Сн, пФ С/Кб = 27 В <850
/кэи, мА £/кэ=Ю0 В; /?бэ=Ю Ом; 0окр= -1-25 °C <100
Л-)БО, мА (7бэ = 5 В <150
^КЭК, В Кбэ^£ 10 Ом; 0перг^ + 100 °C 100
б^ЭБ. maxi В 5
^К. maxi А 20
/К. и. maxi А ти<300 мкс; Q ^>6 40
Г к. maxi Вт 6кор<+50 °C 200
^пер-кор. °С/ВТ 0,75
Опер, °C + 200
Онор, °C + 100
КТ948А, КТ948Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные генератор-
ные р-п-р транзисторы. Предназначены для применения в уси-
лителях и генераторах в диапазоне частот 0,7...23,3 ГГц в схеме
с общей базой.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими
выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до + 100 °C.
Масса транзистора не более 2 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения KT948A КТ948Б
1 ^213 1 [/к = 5 В; / = 300 МГц; /э= 1,5 А 6,5...13
/э = 0,8 А 6,5...13
Ск, пФ Скб = 28 В 20... 30 11...17
/кбо, мА С/кб = 45 В; 0окр=4-25°С 35 15
Скб = 40 В; 0окр=-6О°С 150 75
Сад = 45 В, Оокр== Оокр max 150 75
/эбо, мА С/эб = 2 В; 0окр=4-25°С 35 10
0окр=— 60 °C 20 10
Оокр ~ Оокр. max 100 50
С КБ тах> В Оокр== 4~ 25... 125 °C 45 45
0окр=-60°С 40 40
Сэб. /пах, В 2 2
I К- /пах, А 2,5 1,25
1 К. и. тах> А тн^20 мкс; 10 5 2,5
1Б. /пах, А 1 0,5
^K-maxi Вт 0коР= -60-4-25 °C 40 20
Опер, °C 4-200 4-200
КТ955А
Кремниевый эпитаксиально-планарный генератор-
ный р-п-р транзистор. Предназначен для применения в ли-
нейных широкополосных усилителях мощности на частотах
1,5...30 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковы-
ми выводами.
Эксплуатируется при 0окр от —45 до 4-85 °C.
Масса транзистора не более 6 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ955А
/121Е С/кэ —5 В; /к=1 А; 6окр=+25оС 35
|/*21э1 t/K3 = 5 В; /к=1 А; / = 30 МГц 10
Ск, пФ t/KB = 28 В; /=1 МГц 60
С„ пФ Сэб=4 В; /=1 МГц 200
нГн 2,6
нГн 2
Г6. нГн 2.4
/кэк. мА С/кэ=60 В; /?бэ=10 Ом; 0окр=+25 °C <10
0О1ф<+125 °C <20
/эбо. мА СЭБ = 4 В <10
^КЭ.и./?> В Ю Ом 70
U ЭБ. max* В 4
/ К. тахч А 6
/ Б. /пах» А 2
/пах» Вт 20
/? пер-кор. С/Вт 6,07
Опер. °C + 200
Окор, °C + 85
КТ956А
Кремниевый эпитаксиально-планарный генератор-
ный п-р-п транзистор. Предназначен для применения в ли-
нейных широкополосных усилителях мощности на частотах
1,5...3О МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковы-
ми выводами и монтажным винтом.
Эксплуатируется при вокр от —45 до +85 °C.
Масса транзистора не более 15 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ956А
/?21E СКэ = 5 В; /к=1 А; 0окр=+25°С 10...80
|/*21э1 t/K3 = 5 В; /к=1 А; / = 30 МГц 5,2
Ск, пФ С/Кб = 28 В; /=1 МГц 380
Сэ, пФ Сэб = 4 В; /=1 МГц 1200
Обозначение Режим измерения КТ956А
7кэя, мА (7кэ== 100 В, /?бэ— Ю Ом Оокр= 4-25 °C 80
/эбо, мА U3b = 4 В 30
£к, нГн 2,6
£э, нГн 2,8
£б, нГн 2,8
Гкэ. и.Л, В /?бэ^ Ю Ом 100
Г^ЭБ. maxt В 4
7К. maxt . А / Б. maxt 15
Рк. maxt Вт k - 70
/?пер-кор» С/Вт 1,68
Опер, ° О 4-200
0Кор, °C 4-85
КТ957А
Кремниевый эпитаксиально-планарный генератор-
ный п-р-п транзистор. Предназначен для применения в ли-
нейных широкополосных усилителях мощности на частотах
1,5...30 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковы-
ми выводами и монтажным винтом.
Эксплуатируется при 6окр от —45 до 4-85 °C.
Масса транзистора не более 15 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ957А
^21E £/кэ — 5 В; /ц=5 А 10...80
1^2131 £/Кэ = 5 В; /к = 5 А; /=30 МГц 3,3
Cm пФ {/кб = 28 В <600
С3, пФ С/эб = 4 В <2250
£к, нГн 2,2
£э, нГн 1,4
£«. нГн 2
Обозначение Режим измерения KT957A
мА С/кэ = 60 В; /?бэ=Ю Ом 100
Л-»БО, мА С/эб=4 В 30
В /?бэ< Ю Ом 60
^ЭБ. таху В 4
^К. тах\ А 20
А ’1». шаху Л 7
К. max у ВТ екор< юо °с 100
/Л.ер-кор, °С/ВТ 1,42
Опер, °C + 200
Окпр, °C + 85
КТ958А
Кремниевый эпитаксиально-планарный генератор-
ный п-р-п транзистор. Предназначен для применения в широко-
полосных усилителях мощности, умножителях частоты и автоге-
нераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания
12,6 В.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковы-
ми выводами. Внутри корпуса имеется согласующее £С-звено.
Эксплуатируется при 0O!tp от —40 до +85 °C.
Масса транзистора не более 7 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ958А
^21Е £Кэ = 8 В; /к = 500 мА >10
1Л21Э1 £/кэ= 10 В; /к = 3,5 А; /=100 МГц >3
С„, пФ (7кб =12 В; / = 30 МГц <180
Сэ, пФ (7эб = 0; /-5 МГц <2100
Обозначение Режим измерения КТ958А
Гк, нГн 1.6
Гэ, нГн 0,49
Lc. нГн 0,6
Гви.LCi НГн 0,52
Свн. LC* пФ 1400
/кэю мА /7кЭ = 36 В, /?бэ<10 Ом <25
/эбо, мА /7ЭБ = 4 В <10
UКЭ. нас, в /к = 500 мА; /б=100 мА 0,08
В /?БЭ Ю Ом 36
^ЭБ. max» В 4
^К- max, А 10
Рк.тах-i Вт 85
/?пер-кор, С/Вт 1,4
Опер, С 4-160
Окор, °C 4-85
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ960А
1^213 1 /7КЭ = 10 В; /к=3 А; / = 300 МГц >2
С,„ пФ /7Кб = 12 В; / = 30 МГц <120
С.„ пФ /7эб = 0; / = 5 МГц 1200
Тк, НС ГКБ = 5 В; /э = 500 мА; / = 5 МГц 12,5
нГн 1,6
нГн 0,38
Гй, и Гн 0,49
Г„„. LC, И Гн 0,33
/’nu.LC, ПФ /кэк, мА 610
/7кэ = 36 В; /?бэ—Ю Ом <20
/эбо, мА t/эв —4 В <10
Скаю В /?БЭ^ 10 Ом 36
ОдБ. тех, В 4
/ К. maxi А 7
№К. max» Вт 70
/?пер-кор, С/ВТ 1,75
Опер, °C 4-160
Онор, °C 4-85
КТ960А
Кремниевый эпитаксиально-планарный генератор-
ный п-р-п транзистор. Предназначен для применения в широко-
полосных усилителях мощности, умножителях частоты и автоге-
нераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания
12,6 В.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковы-
ми выводами. Внутри имеется согласующее ГС-звено.
Эксплуатируется при 0окр от —40 до 4-85 °C.
Масса транзистора не более 7 г.
КТ961А, КТ961Б, КТ961В
Кремниевые планарные усилительные п-р-п транзи-
сторы. Предназначены для применения в усилителях и им-
пульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выво-
дами.
Эксплуатируются при 6окр от —45 до 4-85°С.
Масса не более 0,8 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ961А КТ961Б KT96IB
Л-21Е /Дак,» МГц /кбо, мкА /7кэ = 2 В; /к—150 мА С7Кб= Ю В; /э = 30 мА /7кб = 60 В 40...100 >50 <10 63...160 >50 <10 100...250 >50 <10
Обозначение Режим измерения КТ961А КТ961Б КТ961В
/эбо, мкА иБЭ = 5 В < 100 < 100 <100
&КБ. maxt В 100 80 60
в /к<1 мА; /?‘вэ<+ кОм 100 80 60
/?БЭ— °° 80 60 45
^ЭБ. maxt В 5 5 5
? К. maxt А 1,5 1,5 1,5
?К- и. maxt А тн<30 мкс, Q 10 2 2 2
maxt А Рк.тах, Вт 8В<(/К<12,5 В с теплоотводом 0,3 0,3 0,3
0кор = -45.. + 40 °C без теплоотвода 12,5 12,5 12,5
еКор=-45... + 40 °С 1 1 1
^?пср-кор» °С/Вт 10 10 10
Опер, °C + 150 + 150 + 150
КТ962А, КТ962Б, КТ962В
Кремниевые эпитаксиально-планарные генератор-
ные n-p-п транзисторы. Предназначены для применения в уси-
лителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на
частотах 400...1000 МГц в схеме с общей базой при напряжении
питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковы-
ми выводами и монтажным винтом. Внутри корпуса имеется
согласующее LC-звено.
Эксплуатируются при 6окр от —40 до + 85°С.
Масса транзистора не более 5 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ962А КТ962Б КТ962В
1^2131 С/Кэ=10 В; / = 300 МГц /к=1,5 А /к = 1,8 А /к = 3 А 4,4 3,8 3,5
Обозначение Режим измерения КТ962А КТ962Б KT962B
Ск, пФ [/КБ —28 В; 7 = 30 МГц 12 19 33
Тк, ПС С/кб = 5 В; / = 5 МГц 9,6 7 6,2
£к, нГн / = 1 мм 1,55 1,55 1,55
L3, нГн 1 = 1 мм 1,43 1,24 0,92
£б, нГн 1 — 1 мм 0,23 0,12 0,06
^BK.LC, нГн 0,78 0,54 0,26
Свн. LCi пФ 50 73 128
^КБ. max, В 50 50 50
^ЭБ. max* В 4 4 4
IК. тех» 1,5 2,5 4
Рк.тах* Вт 17 27 66
^пер-кор, °С/Вт 7 4,4 1,8
Опер, °C + 160 + 160 + 160
0кор, °C +85 +85 +85
КТ965А, КТ966А
Кремниевые эпитаксиально-планарные генератор-
ные п-р-п транзисторы. Предназначены для применения в ли-
нейных широкополосных усилителях мощности диапазона ча-
стот 1,5...30 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковы-
ми выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до +100 °C.
Масса транзистора не более 6 г.
КТ9Б5А
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения KT965A КТ966А
Й21Е 1^2131 (+э = 5 В; /к=1 А (7кэ==5 В; /к=1 А; /=30 МГц 10...60 3,3... 10 3,3... 10
10 В И. Галкин и др.
289
Обозначение Режим измерения KT965A KT966A
Лых, Вт £/кэ=12,6 В; f = 30 МГц >20 >40
*₽ Рвых=20 Вт; 4/кэ=12,6 В; /=30 МГц РВЫЛ = 40 Вт; ^кэ=12,6 В; /=30 МГц 13...100 20...100
ск, пФ i/KB=12,6 В 50... 100 150...250
Сэ, пФ 1/бэ = 4 В 100...350 800...2000
La, нГн 2 1,25
L6, нГн 2,4 2
/кэи, мА С/кэ=36 В; /?бэ^Ю Ом < 10 <23
/эбо» мА t/B3 = 4 В <10 <150
^K3R, В Rbd— Ю Ом 36 36
^/бЭ. тахт В 4 4
max. А 4 8
РК. max. Вт 0кор<30 °C 32 64
Onepi °C 4-200 4-200
КТ967А
Кремниевый эпитаксиально-планарный п-р-п тран-
зистор. Предназначен для применения в линейных широкопо-
лосных усилителях мощности в диапазоне частот 1.5...30 МГц
при напряжении питания 12,6 В.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковы-
ми выводами и монтажным винтом.
Эксплуатируется при 6окр от —45 до -f-ЮО’С.
Масса транзистора не более 16 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения KT967A
Л21Е Г/кэ —5 В; /^ = 5 А 10... 100
1 ^2131 (7КЭ = 5 В; /к=1 А; / = 30 МГц >6
/\их, Вт Л/Кэ= 12,6 В; / = 30 МГц >90
Ар £7КЭ= 12,6 В; РВЫх = 90 Вт; / = 30 МГц 30
СК1 пФ Л/КБ= 12,6 В; /=1 МГц <500
С„ пФ (7Эб = 4 В; /=1 МГц 1500
нГн 2
/-б. в Гн 2,2
/как. мА Uкэ = 36 В; /?бэ == Ю Ом <20
/эбо, мА £/эб = 4 В <150
Г/кЭЕ, В /?бэ^% 10 Ом 36
^ЭБ. Л7СХ» В 4
I К. max» А 15
^К./ПСХ» Вт 0кор<+35 °C 100
Апер-кор, °С/ВТ 1,7
«пер, °C 4-200
«кор, °C + юо
КТ969А
Кремниевый планарный усилительный п-р-п транзи-
стор. Предназначен для применения в выходных каскадах
видеоусилителей телевизионных приемников.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выво-
дами.
Эксплуатируется при 0окр от —45 до 4-85 °C.
Масса транзистора не более 0,8 г.
КТ9Б9А
Обозначение Режим измерения КТ969А
^21Е С/Кэ=10 В; /к=15 мА; 50...250
Оокр =4-25... 4-85 °C
еокр=-45°С 25
fЛ21Э’ МГц //кэ— 10 В; 1ц— 15 мА >60
С’к, пФ //Кб = 30 В 1,4... 1,8
/кбо, нА С/Кб = 200 В; 0окр= -45... 4-25 °C 1...50
Оокр = 4" 85 °C <20
/эбо, нА //бэ=3 В 1...50
//кэн, В Рб — оо 250
// КБ. max, В 300
^А>Э. таху В 5
/к. max, мА 100
/к. и. тах} мА тн<100 мкс 100 200
^Б. таху мА 50
РК. max, Вт с теплоотводом 0^р= — 45... 4-25 °C 6
без теплоотвода 0ОкР= — 45... 4-25 °C 1
//пер-кор» "С/ВТ 21
Опер, °C 4-150
КТ970А
Кремниевый эпитаксиально-планарный генератор-
ный п-р-п транзистор. Предназначен для применения в усилите-
лях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на
частотах Г00...400 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковы-
ми выводами. Внутри корпуса имеется двухзвенная LC-цепь.
Эксплуатируется при 0окр от —40 до 4-85 °C.
Масса транзистора не более 9 г.
Обозначение Режим измерения КТ970А
1^2131 (/Кэ=Ю В; /к=5 А; /=300 МГц >2
Рвых, Вт t/K3=28 В; екор=Ч-40 °C; /=400 МГц 100
Кр РВЬ1Х=100 В; t/K3=28 В; / = 400 МГц >4
ск, пФ £7кб=28 В; / = 30 МГц 180
Тк, ПС £7КЭ=Ю В; /к=0,5 А; / = 5 МГц <25
нГн 0,39
Цилс> нГ« 0,2
Z.C’ нФ 310
^вн.ЛС’ нФ 620
LK, нГн 0,87
0,2
/кЭП, мА /7кэ=50 В; /?бэ=Ю Ом <100
/эбо, мА С7эб=4 В <30
Uкэп, В /?ЭБ 10 Ом 50
^ЗБ тахч В 4
t К. maxt А 13
maxt Вт 170
Япер-кор, °С/ВТ 0,7
Опер, °C 4-160
Окор, °C 4-85
КТ971А
Кремниевый эпитаксиально-планарный генератор-
ный п-р-п транзистор. Предназначен для применения в усилите-
лях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на
частотах 50...200 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковы-
ми выводами. Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено.
Эксплуатируется при 0о1Ср от —40 до 4-85 °C.
Обозначение Режим измерения КТ971А
1^2131 Г'кэ^Ю В; /к=8 А; /=100 МГц 4
Рвых, Вт Скэ=28 В; /=175 МГц 150
Кр СКэ—28 В; Рвых=150 Вт; /=175 МГц 5
Ск, пФ Скб=28 В; /=30 МГц 240
Тк, ПС С/Кэ==10 В; /к=0,5 А; /=5 МГц 20
Cdh.LC, нГн 0,35
Свн.ЛС, пФ 2000
£к, нГн 0,1
£э, нГн 0,18
£б, нГн 0,56
/кэя, мА Скэ—50 В; /?бэ—Ю Ом <120
/эбо» мА Сэв—4 В; 0окр=4-25 °C <30
Оокр—4-85 °C <60
Скэл, В /?эб< Ю Ом 50
^ЭЪ.тах, В 4
I К. maxt А 17
Рк. max, Вт 6кор< 4-40 °C 200
Rnep-кор, °C/ Вт 0,6
©пер, °C 4-160
Окор. °C + 85
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ972А KT973A КТ972Б КТ973Б
Лй1Е £/кэ=3 В; /к=1 А; /=50 Гц >750 >750
1^2131 £/кэ=10 В; /к=1 А; /=100 МГц >2 >2
1кэк, мА КЭ= 0/КЭ. max, /?B3=1 кОм <1 <1
СкЭ. нас, В /д=500 мА; /б—50 мА <1,5 <1,5
U БЭ. нас, В /к=500 мА; /б=50 мА <2,5 <2,5
IpACa ИС /к=500 мА; /Б=/Б2=50 мА <200 <200
^K3R. max, В 7?бэ=1 кОм; —45 °C < 0кор < 85 60 45
^КБ. max-» ^3 —45 °С<0кор<85 °C 60 45
U'Эй. max, В -45 °С<еч0р<85оС 5 5
/к.тпх, А -45 ’С<0чор<85°С 41 4*
/^К./пах» Вт —45 °С<0кор<85 °C 82 82
Rnep-кор, °С/ВТ — 15,6 15,6
0 °C ипер. maxi V» — 150 150
1 При условии непревышения Рц.тах при данной температуре.
2 При температуре корпуса свыше 25 °C максимально допустимая мощность
(Вт) рассчитывается по формуле Р^ max—( 150—0кор)/15,6.
КТ972А, КТ972Б, КТ973А, КТ973Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные усилитель-
ные п-р-п транзисторы. Предназначены для применения в вы-
ходных каскадах систем автоматики, в стабилизаторах, узлах
строчной и кадровой разверток телевизоров, электронном зажи-
гании автомобилей и т. д.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до 4-85 °C.
К1972(А,БУ, КТ973(А,Б}
КТ976А
Кремниевый эпитаксиально-планарный генератор-
ный п-р-п транзистор. Предназначен для применения в усилите-
лях мощности, умножителях частоты и в автогенераторах на
частотах до 1000 МГц в схемах с общей базой и напряжением
питания 28 В.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с монтажным
винтом и> внутренним согласующим LC-звеном.
Эксплуатируется при 0окр от —40 до +85 °C.
Масса транзистора не более 5 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения KT976A
1^2131 Z7K3=10 В; /к=7 А; /=300 МГц 4
Рвых» Вт £7Кб=28 В; /=1000 МГц; 0кор< +40° 60
Кр Рвых=60 Вт; /=1000 МГц; С/КБ=28 В 2,4
ск, пФ (/кб=28 В; /=30 МГц <70
Тк, ПС г/КБ=10 В; /к=1 А; /=5 МГц <25
^вн.£С, НГН О',26
Свн.дс, пФ 140
LK, нГн 1,55
Лэ, нГн 0,92
L6, нГн 0,06
/кбо» мА 0окр=+25 °C <60
Обозначение Режим измерения KT976A
Л-)БО, МА ^KD. maxt В ^А)Б. maxt В max, А Рк.. max, ВТ Апер-кор, °С/Вт Опер, °C 0 °C VK€>p» 0окР=+&5 °C 0окр=+25 °C бокр— 4-85 °C < 120 <20 <40 50 4 6 75 1,7 4-160 4-85
КТ981А
Кремниевый эпитаксиально-планарный генератор-
ный п-р-п транзистор. Предназначен для применения в линей-
ных широкополосных усилителях мощности диапазона частот
30...80 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковы-
ми выводами.
Эксплуатируется при 0окр от —40 до -j-100°C.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения KT981A
Лй1Е //кэ==5 В; 1ц=5 А 10...90
Рпых, Вт (/кэ=12,6 В; /=80 МГц >50
АР Рвых=50 Вт; Х/кэ=12,6 В; /=80 МГц 5...7,5
Ск, пФ £7кб=12,6 В 250...400
пФ Г^бэ—4 В 400... 1200
и Гн 2
L6, нГн 2,2
/кэп, мА £/кэ=36 В; /?бэ=10 Ом <50
/эбо, мА {/бэ=4 В <150
t/кэк, В /?БЭ 10 Ом 36
UБЭ. max* В 4
А 10
РК. max, Вт 70
Опер, °C 4-200
КТ983А, КТ983Б, КТ983В
Кремниевые эпитаксиально-планарные генератор-
ные п-р-п транзисторы. Предназначены для применения в ли-
нейных усилителях мощности на частотах 40...860 МГц при
напряжении питания 25 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими
полосковыми выводами.
Эксплуатируются при 601ф от —40 до +85 °C.
Масса транзистора не более 4,5 г.
КТ9831А-В)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КТ983А КТ983Б КТ983В
1^213! £/Кэ=Ю В; /=300 МГц /к=0,3 А /к=0,6 А 4 3 2,5
Рвых» Вт (УКэ=25 В; /=860 МГц
0ко₽С+40°С; /к=0,2 А /к=0,35 А 0,5 1
/к=0,8 А 3,5
Яр Г'кэ=25 В; /=860 МГц РвНх=0,5 Вт >4
Р вых=1 Вт Рвых—3,5 Вт о СО Л\ >3,2
Обозначение Режим измерения КТ983А КТ983Б KT983B
Ск, пФ С/Кб=27 В; /=30 МГц 8 12 24
/кэр, мА /7Кэ—40 В; /?бэ—Ю Ом 5.. 10 8...16 18...36
/эбо, мА С/эб=4 В 2...4 40 СО 5...10
£/кэв> В /?бэ:::=10 Ом 40 40 40
/Уэб. а, В 4 4 4
1К- maxt А 0,5 1 2
7* К. max» Вт 8,7 13 22,5
/?пер-кор» С/Вт 13,8 9,2 5,3
Опер, °C 4-160 4-160 4-160
КТ997А
Кремниевый высоковольтный транзистор п-р-п.
Предназначен для применения в телевизионной технике, авто-
мобильной электронике, вторичных источниках питания, им-
пульсных, ключевых и усилительных схемах.
Выпускается в пластмассовом корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Эксплуатационные параметры и предельные значения
допустимых режимов работы для 6О|ф=(25± 10) °C
Обозначение Режим измерения КТ997А
Й21Е /к=4 А; /7Кэ=1 В >40
^КЭ нас» В /к=8 А; /б=0,4 А <1
/К- maxt А 10
/К. и. max, А 20
/УКЭи. max, В 45
Икэ. щах, В 45
РК. max, Вт 50
1.12. Силовые транзисторы
(токовые коммутаторы)
Система условных обозначений силовых транзисто-
ров отличается от системы обозначений биполярных и полевых
транзисторов и включает в себя следующие элементы.
Первый элемент (у некоторых типов транзисторов он
может отсутствовать)—цифра, обозначающая исходный полу-
проводниковый материал, на основе которого изготовлен тран-
зистор:
1 — германий; 2 — кремний; 3 — арсенид галлия; 4 — карбид кремния.
Второй элемент — буквы ТК, ТКД, ТКП, обозначающие вид
прибора (дискретный биполярный, составной биполярный и по-
левой транзисторы соответственно).
Третий элемент — цифра, обозначающая порядковый номер
разработки (модификации).
Четвертый элемент — цифра, определяющая размер корпу-
са для каждого конструктивного исполнения.
Пятый элемент — цифра, обозначающая конструктивное ис-
полнение корпуса:
1 — штыревое с гибкими выводами; 2 — штыревое с жесткими выводами; 3 —
таблеточное; 4 — под запрессовку; 5 — фланцевое. Конструктивные исполнения,
отличные от указанных, обозначаются цифрами от 6 до 9.
Шестой элемент обозначения — отделенное дефисом число,
соответствующее максимально допустимому постоянному току
коллектора (стока) в амперах.
Седьмой элемент — отделенное дефисом число, определяю-
щее условное обозначение класса транзистора по максимально
допустимому постоянному напряжению коллектор-эмиттер при
отключенной базе (или по напряжению сток-исток).
До 1987 г., в соответствии с действовавшей системой в ше-
стом и седьмом элементах обозначения типов силовых бипо-
лярных транзисторов указывались максимально допустимые
значения импульсного тока коллектора и импульсного напряже-
ния коллектор-база.
2ТК235-40-0,5, 2ТК235-40-1, 2ТК235-40-1.5,
2ТК235-40-2, 2ТК235-40-3
Транзисторы р-п-р-структуры.
Обозначение 2ТК235-40-0,5 2ТК235-40-1 2ТК235-40-1,5 2ТК235-40-2 2ТК235-40-3
/'•21Е 10 10 10
Лжл, МКС 1 1 1
мкл» МКС 3,7 3,7 3,7
нас» В 1,5 1,5 1,5
/кэо, МА 5 5 5
^кэ> В 5 5 5
/ к, А 20 20 20
U КЭО. maxt В 40/90 120/180 240
/^КБО.тах, В 100 200/300 400
^ЭБО. maxt В 6 6 6
^К. maxt А 25 25 25
/К. н. maxt А 40 40 40
и. maxt Вт 2000/3300 4500/5000 5500
Ок, °C 100 100 100
Онер, °C 150 150 150
Ок. max, °C 125 125 125
Япер-кор, °С/ВТ 0,8 0,8 0,8
2ТК335-40-6
Транзисторы р-/г-р-структуры.
Размер, мм
2М335 ТКД335 2ТКД155
/1 15,1 15
Е 31 92
&D 20,1 30.7
в, 27 35
Вг 39 52
23,5 29
нг 27,5 33
2TK335-W-6
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение 2ТК335-40-6
/121Е 8
/„ар, МКС 0,5
1пыкл» МКС 5
^КЭ. нас» В 1
/кэо, мА 10
t/кэ, В 5
/к» А 20
Обозначение 2ТК335-40-6
^КЭО. max* В 600
^КБО. тех, В 600
^ЭБО. max* В 7
IК- maxt А 25
fv А • К. и. maxi Л 40
Рк. max, В Г 180
Ок, °C 50
впер, °C 150
Oft. max, °C 150
Япер-кор, °С/ВТ 0,6
2ТК235-50-0.5, 2ТК235-50-1, 2ТК235-50-1.5,
2ТК235-50-2, 2ТК235-50-3
Транзисторы р-н-р-структуры.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
2ТК.235-50-0,5 2ТК235-50-1.5
Обозначение 2ТК235-50-1 2ТК235-50-2 2ТК235-50-3
Й21Е J0 10 10
^вкл, МКС 1 1 1
^выкл, МКС 3,7 3,7 3,7
^КЭ. нас, В 1,5 1,5 1,5
Гкэ, Вч 5 5 5
/кэо, мА 5 5 5
/к, А 25 25 25
^КЭО,/пах1 В 40/90 120/180 240
t-^КБО. maxi В 100/150 200/300 400
t/эБО. maxt В 6 6 6
/К. max* А 32 32 32
IК. и. maxt А 50 50 50
РК. и. maxi Вт 2500/3800 5500/6000 6500
ек,°с 100 100 100
Опер, °C 150 150 150
©К. max, °C 125 125 125
^?пер-кор, С/ВТ 0,7 0,7 0,7
2ТК235-63-0.5, 2ТК235-63-1, 2ТК235-63-1.5,
2ТК235-63-2, 2ТК235-63-3
Транзисторы р-л-р-структуры.
2ТК235~63-{0,Ы;15;2;3)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение 2ТК235-63-0.5 2ТК235-63-1 2ТК235-63-1.5 2ТК235-63-2 2ТК235-63-3
/221Е 10 10 10
/ЕКЛ, МКС 1 1 1
/выкл> МКС 3,7 3,7 3,7
//кЭ.нас, В 1,5 1,5 1,5
/кэо, мА 5 5 5
Ь'кэ, В 5 5 5
/к, А 31,5 31,5 31,5
/^КБО. maxt В 40/90 120/180 240
U КЭО. тих, В 100/150 200/300 400
//эБО. maxi В 6 6 6
/к. тах> А. 40 40 40
I К. и. maxi А 63 63 63
Т'к.и. тахг Вт 3000/5200 7000/7500 8000
6к, °с 100 100 100
Опер, °C 150 150 150
Ок. maxt С 125 125 125
Ягер-кор, °С/ВТ 0,6 0,6 0,6
2ТК235-80-0Д 2ТК235-80-1, 2ТК235-80-1.5
Транзисторы р-п-р структуры.
26 П.З
2ТК235-80-(0,5;1Л5)
Обозначение 2ТК235-80-0.5 2ТК235-80-1 2Т К.235-80-1,5
Й21Е 10 10 10
^вкл» М КС 1 1 1
/выкл» МКС 3,7 3,7 3,7
//кэ. нас» В 1,5 1,5 1,5
/кэо» мА 5 5 5
икэ, В 5 5 5
/к, А 40 40 40
^КЭО. maxt В 40 90 120
^ЭБО. max» В 100 150 200
&КБО. maxi В 6 6 6
/ К. шах» А 40 40 40
/К н. maxt А 80 80 80
Рк. и. max, В Т 3000 5200 7000
ек, °с 100 100 100
Опер, °C 150 150 150
Ок.тах< °C 125 125 125
/?пер-кор, °C/Вт 0,6 0,6 0,6
2ТК235-50А-1Д 2ТК235-50А-3
Транзисторы р-л-р-структуры.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение 2ТК235-50А-1.5 2ТК235-50А-3
/*21Е 15 8
/ВКл., МКС 0,8 0,9
^выкл» МКС 2,5 3,7
t/кэ. нас, В 0,6 0,6
/кэо, мА 3 3
//КЭ. в 2 2
/к, А 32 32
//кэо. max, В 120 250
t^KBO. maxt В 200 400
Обозначение 2ТК235-50А-1.5 2ТК235-50А-3
^ЭБО. max* В 6 6
1 К. max* А 50 50
/к. и. maxt А 125 125
РК. max* Вт 160 160
0к, °с 25 25
Опер, °C 125 125
Ок™,°C 125 125
/^пср-кор, С/Вт 0,6 0,6
2ТК152-80-0,4, 2ТК152-80-1, 2Т К152-80-1,5,
2Т К152-80-2, 2Т К152-80-3
Транзисторы р-л-р-структуры.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение 2Т К 152-80-0,4 2ТК152-80-1 2ТК152-80-1.5 2ТК152-80-2 2ТК152-80-3
/*21Е 10 10 10
^вкл» МКС 1 1 1
^выкл» МКС 3,7 3,7 3,7
U КЭ. нас» В 1,5 1,5 1,5
/кэо, мА 5 5 5
//кэ. В 5 5 5
/к, А 40 40 40
иКЭО. maxi В 40/90 120/180 240
//КБО max, В 100/150 200/300 400
UЭБО. max* В 6 6 6
К. max* В 50 50 50
/К. и. max* В 80 80 80
РК. max* Вт 3500/6400 8500/9000 10 000
0к, °C 100 100 100
Опер. °C 150 150 150
Ок.™» °C 125 125 125
/?пср-кор, С/Вт 0,5 0,5 0,5
2Т К152-100-0,5, 2ТК152-100-1, 2Т К152-100-1,5,
2Т К152-100-2, 2Т К152-100-3
Транзисторы р-п-р-структуры.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение 2Т К152-100-0,5 2ТК152-100-1 2ТК152-100-1.5 2TK152-100-2 2ТК152-100-3
Й21Е 10 10 10
1 1 1
/выкл, МКС 3,7 3,7 3,7
UКЭ. нас, В 1,5 1,5 1,5
/кэо, мА 5 5 5
f/кэ, в 5 5 5
/к, А 50 50 50
//КЭО. max, В 40/90 120/180 240
//кБО. maxt В 100/150 200/300 400
^ЭБО. тахз В 6 6 6
/ К. maxt А 63 63 63
IК. и. тах» В 100 100 100
РК- max* Вт 4000/7500 10 000/12 000 13 000
ек, °с 100 100 100
Опер, °C 150 150 150
©К. max, °C 125 125 125
/?пер-кор, °С/ВТ 0,4 0,4 0,4
ТК135-25-0,5, ТК135-25-1, ТК135-25-1,5,
ТК135-25-2, ТК135-25-2,5, ТК135-25-3,
ТК135-25-3,5, ТК135-25-4
Транзисторы rt-р-п-структуры.
Обозначение ТК135-25-0.5 ТК135-25-2.5 ТК 135-25-1 ТК 135-25-3 ТК 135-25-1,5 ТК 135-25-3,5 ТК135-25-2 ТК 135-25-4
*21Е (Ю...100)/8 (Ю...100)/8 (1О...1ОО)/8 (1О...1ОО)/8
/1)КЛ, МКС 1 1 1 1
^пыкл, МКС 3 3 3 3
/гр, мГц 6 6 6 6
U КЭ. нас, В 2 2 2 2
/кбо, мА 10 10 10 10
</Кэ, в 5 5 5 5
/к, А 12,5 12,5 12,5 12,5
1УКЭО. и. max, В 30/60 90/120 150/180 210/240
/7кБО- и. max, В 50/100 150/200 250/300 350/400
/ЛэБО. и. max, В 4 4 4 4
пах» В 16 16 16 16
1 К. и. maxi В 25 25 25 25
maxi Bl 80 80 80 80
«к. °C 50 50 50 50
0 °C 150 150 150 150
«К. max, °C 150 150 150 . 150
Япер-кор. °С/ВТ 1,5 1,5 1,5 1,5
ТК235-32-0.5, ТК235-32-1, ТК235-32-1,5,
ТК235-32-2, ТК235-32-2Д ТК235-32-3,
ТК235-32-3,5, ТК235-32-4
Транзисторы я-р-п-структуры.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение ТК235-32-О.5 TK235-32-I ТК235-32-1.5 ТК235-32-2 ТК235-32-2.5 ТК235-32-3 ТК235-32-3.5 ТК235-32-4
*21Е 10... 100 10... 100 8 8
^пкл» МКС 1 1 1 1
^оыкл» МКС 3 3 3 3
Лр, мГц 4 4 4 4
Икэ, В 5 5 5 5
/к. А 16 16 16 16
Обозначение ТК235-32-0.5 TK235-32-I ТК235-32-1.5 ТК235-32-2 ТК235-32-2,5 ТК235-32-3 ТК235-32-3.5 ТК235-32-4
/кбо. мА 10 10 10 10
и КЭО. и. max. В 30/60 90/120 150/180 210/240
U КБО. и. max. В 50/100 150/200 250/300 350/400
&ЭБО. и. maxi В 4 4 4 4
1 К. max» В 20 20 20 20
/к. и. maxi В 32 32 32 32
maxi Вт 110 110 110 НО
ек, °с 50 50 50 50
Опер, °C 150 150 150 150
Ок. max, °C 150 150 150 150
^пер-кор, °С/Вт 1,1 1,1 1,1 1,1
ТК135-16-0.5, ТК135-16-1, ТК135-16-1,5,
ТК135-16-2, ТК135-16-2,5, ТК135-16-3,
ТК135-16-3,5, ТК 135-16-4
Транзисторы структуры п-р-п.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение ТК135-16-0.5 ТК135-16-1 ТК135-16-1.5 ТК 135-16-2 ТК 135-16-2,5 ТК135-16-3 ТК 135-16-3,5 ТК 135-16-4
Й21Е 10...100 10...100 8 8
^нкл» МКС 1 1 1 1
^выкл» МКС 4 3 3 3
/гр, мГц 6 6 6 6
КЭ. нас» В 2 2 2 2
Л<БО> мА 10 10 10 10
Икэ, в 5 5 5 5
/к, А 2 2 2 2
^КЭО. и. max. В 30/60 90/120 150/180 210/240
б^КБО. и. max. В 50/100 150/200 250/300 350/400
1/эБО. и. max. В 4 4 4 4
JК. max? А 10 10 10 10
/к. И. maxi А 16 16 16 16
^К. maxi Вт 80 80 80 80
0к, °C 50 50 50 50
Опер, °C 150 150 150 150
©К. max, °C 150 150 150 150
^?пер-Кор, °С/ВТ 1,5 1,5 1,5 1,5
ТК142-40-0.5, ТК142-40-1, ТК142-40-1.5,
ТК142-40-2, ТК142-40-2.5, ТК142-40-3,
ТК 142-40-3,5, ТК 142-40-4
Транзисторы структуры п-р-п.
ТКК2~Ю-(0,5..А)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение ТК 142-40-0,5 ТК 142-40-1 ТК142-40-1.5 ТК 142-40-2 ТК 142-40-2,5 ТК 142-40-3 ТК142-40-3,5 ТК 142-40-4
*2 IE 10...100 10...100 8 12... 100/8
^вклэ МКС 1 1 1 1
/пыкл» МКС 3 3 3 3
/го, мГц 4 4 4 4
О КЭ. нас, В 2 2 2 1,2/2
/КБО, мА 10 10 10 3/10
f/кэ, В 5 5 5 5
/к, А 20 20 20 20
UКЭО. и. тах> В зо/ео 90/120 150/180 210/240
КБО. и. max* В* 50/100 150/200 250/300 350/400
С^ЭБО. и. maxi В 4 4 4 4
/К. тех, А 25 25 25 25
/ К. и. max, А 40 40 40 40
ПО 110 110 НО
Ок. °C 50 50 50 50
Опер. °C 150 150 150 150
«К. max, °C 150 150 150 150
/Сиер кор, °С/Вт 1,1 1,1 1,1 1,1
ТК235-40-0Д ТК235-40-1, ТК235-40-1.5,
ТК235-40-2, ТК235-40-2.5, ТК235-4О-3,
ТК235-40-3.5, ТК235-40-4
Транзисторы л-р-п-структуры.
26
21
ТК235~Ю~(0,5.Л)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение ТК235-40-0,5 TK235-40-I ТК235-40-1,5 ТК235-40-2 ТК235-40-2.5 ТК235-40-3 ТК235-40-3.5 ТК235-40-4
Л21Е 10...100 10...100 8 8
/вкл, МКС I I 1 1
^выкл> МКС 3 3 3 3
/гр, мГц 4 4 4 4
Uk3. нас, в 2 2 2 2
/кбо, мА 10 10 10 10
t/кэ, В 5 5 5 5
/к, А 20 20 20 20
//КЭО. и. maxi В 30/60 90/120 150/180 210/240
// КБО. и. max, В 100/150 200/250 300/350 400/450
ЭБО. и, maxt В 4 4 4 4
IК. maxt А 25 25 25 25
/ К. и. max, А 40 40 40 40
РК. max, ВТ ПО ПО ПО НО
Ок, °C 50 50 50 50
Опер, °C 150 150 150 150
Ок. max, °C 150 150 150 150
/?пер-кор, °С/Вт 1.1 1.1 1.1 1,1
2. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
2.1. Система обозначений
полевых транзисторов
Система обозначений полевых транзисторов впер-
вые была упорядочена с введением в действие в январе 1973 г.
государственного стандарта (ГОСТ 10862—72). Согласно этому
ГОСТу, система обозначений полевых транзисторов аналогична
системе обозначений биполярных транзисторов. Отличие состо-
ит лишь в обозначении второго элемента, которым у полевых
транзисторов является буква П. Классификация полевых тран-
зисторов по частотным свойствам отражается третьим эле-
ментом обозначения. Она осуществляется по максимальной
частоте в соответствии с приведенной ниже таблицей.
Частота транзистора Мощность транзистора
малая Р тах^ <0,3 Вт средняя 0,3 Вт<СРтах^ <1,5 Вт большая Р тах> >1.5 Вт
Низкая /тпж<3 МГц 1 4 7
Средняя: Л МГц</тох< <30 МГц 2 5 8
Высокая: /,,шж>30 МГц 3 6 9
Согласно ОСТ 11 336.038—77, вторым элементом обозначе-
ния полевых транзисторов также является буква П. Остальные
элементы обозначения такие же, как у биполярных транзисто-
ров. Классификация полевых транзисторов по частотным свой-
ствам аналогична предусмотренной ГОСТ 10862—73, т. е. осу-
ществляется по максимальной частоте.
Условные графические обозначения полевых транзисторов
приведены на рис. 2.1.
а — полевой транзистор с р-п-затвором и каналом p-типа; б — полевой
транзисторе р-п-затвором и каналом n-типа; в—МДП-транзисторс индуци-
рованным каналом p-типа; г — МДП-транзистор с индуцированным кана-
д е
ж и
лом л-типа; д — МДП-транзистор со встроенным каналом p-типа; е —
МДП-транзистор со встроенным каналом л-типа; ж — МДП-транзистор
с индуцированным каналом л-типа и внутренним соединением подложки
и стока; и — МДП-транзистор со встроенным каналом л-типа и двумя
изолированными затворами
2.2. Электрические параметры
полевых транзисторов
Термины, определения и буквенные обозначе-
ния электрических параметров полевых транзисторов
определены ГОСТ 19095—73.
Термины Буквенные обозначения Определения
Начальный ток стока ^С. нач Ток стока при напряжении меж- ду затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на сто- ке, равном или превышающем напряжение насыщения
Осточный ток стока / С. ост Ток стока при напряжении меж- ду затвором и истоком, превы- шающем напряжение отсечки
Ток утечки затвора 13. ут Ток затвора при заданном на- пряжении между затвором и остальными выводами, замкну- тыми между собой
Отношение начальных токов стока сдвоенного ^С(нач)! Отношение меньшего значения начального тока стока к боль-
полевого транзистора ^С(нач)2 шему значению начального тока стока сдвоенного полевого тран- зистора
Разность токов утеч- ки затвора сдвоенного полевого транзистора /з(ут)1 — — Л(ут)2
Обратный ток перехода затвор — сток при ра- зомкнутом выводе Лео Ток, протекающий в цепи за- твор — сток, при заданном об- ратном напряжении между за- твором и стоком и разомкнуты- ми остальными выводами
Обратный ток перехода затвор — исток при ра- зомкнутом выводе Лио Ток, протекающий в цепи за- твор — исток, при заданном об- ратном напряжении между за- твором и истоком и разомкну- тыми остальными выводами
Термины Буквенные . обозначения Определения
Напряжение отсечки полевого транзистора Uзи. отс Напряжение между затвором и истоком транзистора с р-п-пе- реходом или МДП-транзистора со встроенным каналом, при ко- тором ток стока достигает за- данного низкого значения
Пороговое напряжение нолевого транзистора Е^ЗИ. пор Напряжение между затвором и истоком МДП-транзистора с ин- дуцированным каналом,при ко- тором ток стока достигает за- данного низкого значения
Крутизна характери- стики полевого транзи- стора S Отношение изменения тока сто- ка к изменению напряжения на затворе при коротком замыка- нии по переменному току на вы- ходе транзистора в схеме с об- щим истоком
Сопротивление сток — исток в открытом состо- янии транзистора ^?СИ. отк Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном на- пряжении сток — исток, мень- шем напряжения насыщения
Емкость сток — исток при разомкнутом вы- воде Ссио Емкость между стоком и исто- ком при разомкнутых по пере- менному току остальных выво- дах
Емкость затвор — сток при разомкнутом вы- воде Сзсо Емкость между затвором и исто- ком при разомкнутых по пере- менному току остальных выво- дах
Емкость затвор — исток при разомкнутом вы- воде Сзио Емкость между затвором и исто- ком при разомкнутых по пере- менному току остальных выво- дах
Входная емкость поле- вого транзистора Сци Емкость между затвором и исто- ком при коротком замыкании по переменному току на выходе в схеме с общим истоком
Выходная емкость по- левого транзистора С22и Емкость между стоком и исто- ком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком
Проходная емкость по- левого транзистора С12и Емкость между затвором и сто- ком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком
Шумовое напряжение полевого транзистора Эквивалентное шумовое напря- жение, приведенное ко входу, в полосе частот при определенном полном сопротивлении генера- тора в схеме с общим истоком
Термины Буквенные обозначения Определения
Электродвижущая сила шума полевого транзи- стора Коэффициент шума по- левого транзистора Коэффициент усиления по мощности полевого транзистора Разность напряжений затвор — исток сдвоен- ного полевого транзи- стора Разность активных вы- ходных проводимостей сдвоенного полевого транзистора Температурный уход разности напряжений затвор — исток сдвоен- ного полевого транзи- стора Еш Кш КуР 1 £/зи1 — — £/зиг1 £22(и) 1 — — §22(н)2 А | (7зщ е ^зиг! е Спектральная плотность экви- валентного шумового напряже- ния, приведенного ко входу, при коротком замыкании на входе с общим истоком Отношение полной мощности шумов на выходе полевого тран- зистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами со- противления источника сигнала Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощ- ности на входе при определен- ной частоте и схеме включения Абсолютное значение разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора при заданном токе стока Абсолютное значение разности активных выходных проводимо- стей сдвоенного полевого тран- зистора Отношение изменения разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора к вызвавшему его изменению температуры окру- жающей среды
К буквенному индексу максимально допустимых значений
параметров добавляются «тах» или «min».
2.3. Полевые транзисторы малой мощности
КП102Е, КП 102Ж,
КП102И, КП102К, КП102Л
Диффузионно-планарные полевые транзисторы с
p-л-затвором и каналом p-типа. Предназначены для работы во
входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного
тока.
Выпускаются в металлостеклянном и пластмассовом корпу-
сах с гибкими выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —55 до 4-85 °C.
Масса не более 1 г.
КП103Е, КП103Ж, КП103И, КП103К, КП103Л,
КП103М, КП103Е1, КП103Ж1, КП103И1, КП103К1,
КП103Л1, КП103М1, КП103ЕР, КП103ЖР1,
КП103КР,КП103ЛР, КП103МР, КП103ЕР1,
КП103ИР1, КП103КР1, КП103ЛР1, КП103МР1
Диффузионно-планарные полевые транзисторы с
р-п-затвором и каналом p-типа. Предназначены для работы во
входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного
тока, низкочастотных генераторах, ключевых устройствах, мало-
мощных стабилизаторах тока и в качестве переменных резисто-
ров, управляемых напряжением.
Транзисторы КПЮЗ(Е-М) и КПЮЗ(ЕР-МР) выпускаются
в металлостеклянном корпусе, а транзисторы КП103(Е1-М1) и
КП103(ЕР1-МР1) — в пластмассовом.
Эксплуатируются при 0ояр от —55 до 4-85 °C.
Масса не более 1 г.
Пайка выводов приборов допускается при температуре не
более 260 °C в течение не более 3 с. При использовании пары
транзисторов в аппаратуре для обоих приборов должны быть
обеспечены одни и те же электрические режимы и темпера-
турные условия эксплуатации с точностью до ±1,5 °C.
ID
id
см
сч 1 -
cooqcq <2
CD CO CD ID
об об о V'D
— of S
счсм — см
00 СО сч
со сч см; g
co co cm co — —
AW/ V/V/ I I
So
. T СЧ . О CO co
CO CO CM CO *— —< 04
AW/ V/V/ I I
O CO CO СЧ 00 —« — СЧ
£~AW/ V/V/ I f~
ID
о
СЧ ОС —I — сч
4coi.ooW/<b~AW/ V/V/I I
CO-D4 «
см оо —< —< сч
oc^V/^^AW/ V/V/I I
сч
см со
об об ОО \f/d
о о о g
СМ со —< —< сч
v/o”4A\v/ V/V/I I
eA
ЕЕ и g 21
- - E e- 4
a s 00 X G
Полевые транзисторы КП103, имеющие в обозначении букву
Р (например, КП103ЕР), представляют собой подобранные
пары с близкими параметрами.
Пара приборов изготовляется путем подбора по основным
электрическим параметрам (току стока, крутизне и напряжению
отсечки) из готовых одиночных транзисторов.
Транзисторы подбираются в пары по результатам оценки
относительной разности (в процентах) значений основных пара-
метров пары при температурах 25±5 °C и 85±5 °C (см. ниже).
Параметры парных транзисторов Тип прибора Точность подбора (относительная раз- ность). % Режим испытания
0-я группа 1-я группа 2-я группа
Относительная разность тока стока Для всех типов 5 10 20 [/си=-Ю В
Относительная разность крутизны тока стока То же 5 10 20 </зи=0
Относительная разность напряжения отсечки КП103ЕР... КП103МР 5 5 10 /с=Ю мкА
Подобранные в пары транзисторы имеют на корпусе метки,
обозначающие точность подбора пары: для групп 0-й и 1-й —
черного цвета, для 2-й группы — синего цвета.
КПС104А, КПС104Б, КПС104В, КПС104Г,
КПС104Д
Эпитаксиально-планарные сдвоенные малошумя-
щие полевые транзисторы с р-л-затвором и каналом л-типа
с близкими значениями электрических параметров. Предназна-
чены для использования во входных каскадах дифференциаль-
ных усилителей постоянного тока, высокочувствительных усили-
телях и повторителях напряжений постоянного тока, низких
и инфранизких частот, работающих от датчиков с высоким
внутренним сопротивлением, и в других устройствах широкого
применения. Подбираются из отдельных кристаллов, изолиро-
ванных друг от друга, и поэтому не критичны к величине напря-
жения между затворами.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами
Эксплуатируются при 0окр от —40 до 4-85 °C.
Масса не более 2 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КПС104А КПС104Б КПС104В КПС104Г КПС104Д
I С. иач, мА S, мА/В Б'зИ.отс, В /з.ут, НА (7си=Ю В; £/зи==0 С/си=Ю В; £/зи=0 {/СИ=Ю В; /с== Ю мкА С/си=0; 1/зи=-Ю В 0,1...0,8 >0,35 0,2... 1,0 <0,3 0,35... 1,5 >0,65 0,4...2,0 <1,0 1.1...3.0 >1,0 1.0...3.0 <1.0
Обозначение Режим измерения К ПС 104 А КПС104Б КПС104В КПС1О4Г КПС104Д
A1 ^ЗИ1 — t/зиг । £/си=Ю В; /С1+/С2=£/^ 50 150 100
де 150 150
мкВ
°C
t/щ, мкВ t/CH=10 В; /С14-/С2=£^ <0,4 <5,0 < 1,0
<1.0 <5,0
1 ^зи] — ^/зиг!» С/си=Ю В; /С1+/с2=Х/с <30 <50 <50
мВ
СИи, пФ С/си=Ю В; 6'зи=0 <4,5 <4,5 <4,5
С12и> ПФ ^си=Ю В; С/зи==0 <1,5 < 1,5 <1,5
/С нач. min С/си=Ю В; ^зи=0 >0,9 >0,9 >0,9
i С. нач. max
U ЗИ.отс. min С/си=Ю В; Ози=0 >0,9 >0,9 >0,9
^ЗИ. отс. max
UСИ. max-» В 0окр<85°С 25 25 25
иЗС. max, В Оокр < 85 °C 30 30 30
Л. max» МА При закороченных вы-
водах «сток — исток» и
Оокр <85 °C 5 5 5
Р max, М В 1 0окр<35 °C 453 453 453
0окр = 85°С 253 253 253
1 Х/с — суммарный ток стока обеих половин сдвоенного транзистора. Для
КПС104А, Б £/с=0,18 мА; для КПС104В £/с=0,5 мА; для КПС104Г, Д
£/с=1.5 мА.
2 Среднеквадратичное напряжение шума, измеренное в схеме балансного каскада
в полосе частот Д/ = 0,1 ...10 Гц при сопротивлениях в цепи затворов в 30 кОм.
3 В интервале температур от 35 до 85 °C максимально допустимая мощность
снижается по линейному закону.
КП301Б, КП301В, КП301Г
Планарные МДП-транзисторы с индуцированным
каналом р-типа. Предназначены для работы в усилителях
низкой промежуточной и высокой частоты, электрических де-
текторах и преобразователях, многоканальных коммутаторах
и прерывателях.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами.
Эксплуатируются при 6окр от —45 до 4-70 °C.
Масса не более 0,7 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КП301Б ЦП301В КП301Г
/с, мА (Уси=15 В; £/зц=Ю В —
^С. нач, МкА С/си=—15 В; 0окр<25°С <0,5 <0,5
S, мА/В беи——15 В; /с=5 мА; /=50... 1500 Гц >1 V V о ьо сл
/з ут> нА С/зи=-30 В <0,3 /Л /Л р о СЛ 00
£22и, мкСм б/си1^—15 В; /с=5 мА; /=50... 1500 Гц <150 <250 <100
{Ди. пор, в (7СИ=—15 В; /с=0,3 мА 2,7...5,4 2,2...5,4
/с. пор, мкА б/си=(/зи=-6,5 В 10 10
Аш, дБ £/си“—15 В; /с=5 мА; /=100 МГц 2,2...9,5 <9,5
fmax, МГЦ —* 100 100
Спи и Сг2и, ПФ (/си=—15 В; /с—5 мА; /=10 МГц <3,5 <3,5
КП301(А.б). l-fc.
11 В. И. Галкин н др.
321
КП302А, КП302Б, КП302В, КП302Г,
КП302АМ, КП302БМ, КП302ВМ, КП302ГМ
Планарные полевые транзисторы с р-п-затвором
и каналом n-типа. Предназначены для работы в широкопо-
лосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, переключаю-
щих и коммутирующих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами: КП302А, КП302Б, КП302В, КП302Г — вариант 1.
КП302АМ, КП302БМ, КП302ВМ, КП302ГМ — вариант 2.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до 4-100 °C.
Масса не более 1,5 г.
Вариант I Вариант 11
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КП302А КП302Б КП302В КП302Г
7 с. вач. мА (7си=7 В; (/зи=0 3...24 18...43 33 15...65
S, мА/В {/си=7 В; 1/зи=0; /=50-1500 Гц >5 >7 >5 7
б^ЗИ. ото Б (/си=7 В; /с—10 мкА 5 <7 <10 7
Уз. ут. нА Сси=0: С/зи=Ю В <10 <10 <10 10
/сз.обр. мкА Сси=0; (Усз=-20 В <1 <1 <1 1
Увкл. НС — <4 <4 <4 4
^выкл» НС <5 5 <5 5
^СИ-отк» Ом УУси—0,2 В; (/зи=0 — <150 <100 150
Аш. дБ (Уси=8 В; Г/зи=0; /=1 кГц <3 <3 — —
СПи, пФ (Уси—Ю В; /с=3 мА; /=10 МГц <20 <14 <16 20
Си». пФ (Уси=Ю В; Ус=3 мА; /=10 МГц <7,1 <10,5 <14 —
С12и, пФ (Уси=Ю В; Ус=3 мА; /=10 МГц <8 <3,9 <4,2 8
^ЗИ. тал» В Оокр <: Оокр тах -10 -10 — 12 -10
С СЗ. тах. В 0окр бокр. max 20 20 20 20
Г/сИ. тах» В Оокр < 0Скр. тах 20 20 20 20
УС. тах. мА бокр бокр. max 24 43 43 —-
13. пр. max. М А Оокр < 0ОКр. тах 6 6 6 6
Ртаи мВт Оокр <25 °C 300* ЗОО1 300’ 300*
* При температуре свыше 25 °C максимально допустимая мощность (мВт) опре-
деляется по формуле Ртох=300—2(вокр—25).
истоку).
вывода, соответствующие стоку, затвору и
Примечания: 1. Электрические параметры транзисторов КП302АМ,
КП302БМ, КП302ВМ, КП302ГМ такие же, как у транзисторов соответственно
КП302А, КП302Б, КП302В, КПЗО2Г.
2. Конструктивное отличие транзисторов КП302АМ...КП302ГМ от
КП302А...КП302Г состоит в отсутствии вывода от корпуса (имеют не четыре, а три
О
10 15
20
0 0,4 DJB 1,1 1fi иы,в
КПЗОЗА, кп303Б, кпзозв, кпзозг, кпзозд,
КПЗОЗЕ, кпзозж, кпзози
Эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с
р-п-затвором и каналом п-типа. Предназначены для работы
в приемно-усилительной аппаратуре во входных каскадах высо-
кой (КПЗОЗД, Е) и низкой (КПЗОЗА, Б, В, Ж, И) частот с высо-
ким входным сопротивлением. Транзисторы КПЗОЗГ предназна-
чены в основном для работы в зарядово-чувствительных усили-
телях.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами.
Эксплуатируются при 6окр от —45 до +85 °C.
Масса не более 1 г.
КЛЗЩА-И)
Электрические параметры и предельные значения допустимых режимов работы
кпзозж кпзози 1§1 1 ^ggggg^g V/ V/V/AI
КПЗОЗЕ О III ©ooinoino CM Tf ОО — 1 1 Tt< 1 © CM CM CO CO CM CM О J Л\ V/ V/ V/ V/V/A 1
кпзозд °- |1 I О О C in О 1Л О °: см оо " 1 1 ’Г 1 со см см со со см см о со А\ V/ V/ V/ V/V/A 1
кпзозг CM —-III' О О о ID О Ю О — Г- 00 О | 1 |О <£> см см СО СО см см © g g V/ V/ 2 V/V/A 1 о'
кпзозв io iQ | | со см g g g сч g g >4 oi ~ V/ V/ V/V/A\ 1
КПЗОЗА.Б CM CO — g CM | | CD CM g g g СЧ g g in J g V/ V/V/ V/V/A 1 о о
Режим измерения t/CH=10 В; €/зи—0 t/си» 10 В; (/зи=0; / = 50... 15 000 Гц (/си==Ю В; /с=10 мкА Уси=0; С/зи=—Ю В (/СИ=Ю В; £/зи=0; /=20 Гц /=1 кГц (/си=Ю В; (Узи=0; /=100 МГц {/си=10 В; £/зи==0 f t/cH»10 В; £/зи=0; ^/=10 МГц еокр<25 °C
Обозначение »х е; 2 X ЕГ ь « 5 °- 3! мй О < < ffl и <’> 2 s > = = И СД g See g- й й s i s = з 3d.>>“?!Smc;o5.E CO < LQ
КП304А
Диффузионно-планарные МДП-транзисторы с ин-
дуцированным каналом p-типа. Предназначены для работы
в переключающих и усилительных каскадах с высоким входным
сопротивлением.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до +85 °C.
Масса не более 1 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КП304А
Д. нач> МкА Дси=-25 В; ДчИ=0 <0,2
S, мА/В Дси=—Ю В; 1с—10 мА; /=1 кГц >4
^/зИ. пор» В Дси1^—Ю В; /с=Ю мкА — 5
/.з.ут, нА Деи—0; Дзи=—30 В <20
/?СИ.отк, Ом Uch——20 В; /с=1 мА < 100
СПи, пФ {/си=—15 В; /с=0; /=1 МГц <9
Сгги. пФ Г/си=—15 В; /с=0; /=1 МГц <6
С12и. пФ £/си=—15 В; /с=0; /=1 МГц <2
^СИ. max» В При соединении выводов подложки и
истока 25
Дзи. maxt В То же 30
£^ЗС. max» В » 30
UИП. max» В — 20
Al max» мА Оокр Оокр. max 30
А^н.тах» мА тн<10 мкс; Q 10 60
Обозначение Режим измерения КП304А
Рmax, мВт Р» max, МВт Оокр, °C -45°С<0окр<55 °C -45 °С<0окр^55 °C 2001 ЗОО2 —45...+85
1 При увеличении температуры окружающей среды от 55 до 85 °C допустимая
мощность снижается по линейному закону до 100 мВт.
2 При увеличении температуры окружающей среды от 55 до 85 °C импульсная
допустимая мощность снижается по линейному закону до 150 мВт.
КП305Д, КП305Е, КП305Ж, КП305И
Диффузионно-планарные МДП-транзисторы со
встроенным каналом n-типа. Предназначены для работы
в усилительных каскадах высокой и низкой частоты с высоким
входным сопротивлением.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами.
КП305И сч о о-0_ * « § 4VMA\ V/V/-H-H ч- сч 1
КП305Ж о о +со ё10- °°.1Д оэ со ю ш о о ej 1 У<Л WV-H-H ° °
КП305Е ю 7 о о оо ° ”1” I I Ю lOLOO с ^1^*4 V/V/-H-H v/°
КП305Д о ° СЧ СО Ю °0.1О «Л Ю Ю 1О о о "О’— ю о —из ю сч: 1 VMA V/V/V/-H-H л °
те
те
те
<u
ex
X
CO
те
X
те
*
П.
Ю 1Л L0 Ю Ю
О1ЛООСЧСЧСЧСЧСЧ
<< <<
Е S Е S
LQ 1/5 Ю 1/5
о
II £ II И.V/V/V/V/W II
10
1Л СЧ
СЧ —.
1 При температуре от —60 до 4-25 °C. При повышении температуры до + i20 С максимально допустимая мощность снижается по линейному
закону
КП306А, КП306Б, КП306В
Диффузионно-планарные МДП-транзисторы с дву-
мя изолированными затворами и встроенным каналом п-типа.
Предназначены для работы в усилителях и преобразователях
высокой и низкой частоты с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами.
Эксплуатируются при 6окр от —60 до 4-125 °C.
Масса не более 0,5 г.
oo ° cm Q
; <o in s — lc ю c
03 I V/« V/A\A\ V/V/
I
<м m — —
A\V/V/A\
V/V/V/
ООО
О CM CM
00
: Ю - Ш Ш О
I V/c5 V/A\A\ V/V/
CM I d — —
A\V/V/A\
v/v/v/°°
к
х
х
OJ
г
rt
X
m
<u
3
x
л
xg
_ о
3 *©
Q. «
V/V/V/00
о
sd
К
CQ
G •&
C E
и о (J
ООО
LC in Ю
CM <N CM
V/V/V/
X ж M
ООО
Ф Ф CD
' .1 Обозначение Режим измерения КП306А КП306Б . КП306В
^3jC. maxt В Оокр <125 °C 20 20 20
(У32С. maxt В еокр< 125 °C .20 20 20
(У31З2. maxt В Оокр <125 °C 25 25 25
СИ. makt В Оокр <125 °C 20 20 20
Оокр <125 °C 20 20 20
^rnaxt мВт Оокр <35 °C 150* 150* 1501
7С. maxt М А 0окр=125 °C 50* 501 50*
При увеличении температуры от 35 до 125’С максимально допустимая мощность снижается по линейному закону
О Ч 81с,иА
КП307А, КП307Б, КП307В, КП307Г, КП307Д, КП307Е, КП307Ж
Эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с р-п-затвором и каналом n-типа. Предназначе-
ны для работы во входных каскадах УВЧ и УНЧ с высоким входным сопротивлением. Транзисторы
КП307Ж предназначены в основном для работы в зарядово-чувствительных усилителях и других устройствах
ядерной спектроскопии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до +85 °C.
Масса не более 0,5 г.
КП307(А-Ж)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения Группы транзисторов Значения
иСи=Ю В; (Узи-0 КП307А 3...9
(Уси-Ю В; (Узи=0 КП307Б,В 5...15
7/си=Ю В; (Узи—0 КП307ГД 8...24
(Уси=10 В; (Ли=0 КП307Е 1,5...5
(Уси—Ю В; (Узи=0 КП307Ж 3...25
/з.ут, нА 1/си«0; (Узи—Ю В
0окр—25 °C КП307А...Ж < 1
Оокр—Оокр max КП307А...Ж <1000
с
а
а
а
М
ч
о
то
о
к
х
X
и
У
<я
X
СО
О СЧ
ОО —< —; 00
тГ LO СО СО
: : :счг~счсчиою —
A\o'“--V/V/V/V/V/V/V/
Си
t:
соеососососососососо
ЕЕЕЕЕЕЕЕЕЕ
КУ и^у Е Е Е Е к^ ку иу*
оооооооооооо
сосоеосососоеосососооосо
ЕЕЕЕЕЕЕЕЕЕЕЕ
*5 ">э •"». “~Ь О О О о о
.............Ч Ч К к[ Ч
СП СП СО СОШ.е s 5 е
О О О О О ® Е ^lO
•—I _м —< —* си а. а. а. сисЧ
II II II II II ффффф V
х s: s s з:
OCUOOF-HHHH х
i^ii^OOOOO®
к
з:
ГЕ
QJ
ЕГ
га
X
СО
<15
х
х
, га
0J
X
Си
С
крутизны уменьшаются примерно в 2 раза.
КПЗ ЮЛ, КП310Б
Диффузионно-планарные МДП-транзисторы с ин-
дуцированным каналом n-типа. Предназначены для работы в
приемно-передающей аппаратуре в диапазоне СВЧ.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами. Маркируются красной точкой на торцовой поверхности
корпуса.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до +125 °C.
Масса не более 0,7 г.
МША.6)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КП310А КП310Б
нач> мА б^си —5 В; (7зи = 0; 6окрх=25 °C 0,35...5 0,35...5
6окр= 125 °C <8 <8
еокр=-бо °с < 15 <15
/с. ост. мкА ^си — 5 В; Uзц — —5 В 1...100 1...100
/з.ут. нА S, мА/В £/3ц = —10 В £7си = 5 В; 7q=5 мА; <1 <1
0окр=25 °C 3...6 W ст>
еокр=125 °C 1,5...4,7 1,5...4,7
еокР= -60 °с 1,5...6 1,5...6
Ау„ ДБ Uqh = 5 В' Iq = 5 мА; f= 1 ГГц 5...7 5...7
Аш. дБ ^си $ В j $с 5 мА: f- 1 ГГц <6 5...7
Сцн. пФ б'си = 5 В; {/3и = 0; f = 10 МГц 1,4...2,5 1,4...2,5
С|2н, пФ беи = 5 В; Uзи — 0; f «= 10 МГц 0,2...0,5 0,2...0,5
С22н, пФ £/Си = 5 В; (7ЗИ= -1 В; 7=10 МГц 1,2...2 1,2...2
^СИ.тсх. В -60 °С<0окр< 125 °C 8 8
б^ЗИ. тахг В — 60 °С<0окр< 125 °C 10 10
УзС.тах, В -60 °С<0окр< 125 °C 10 10
IС.тах, мА -60 °С<0окр< 125 °C 20 20
Ртах, мВт -60 °С<0окр<25 °C 801 80'
1 В интервале температур от 25 до 125 °C мощность (мВт) рассчитывается
по формуле Ртах— 80 — 0,55 (0окр — 25).
КП312А, КП312Б
Эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с
р-п-затвором и каналом n-типа. Предназначены для работы
во входных усилительных и преобразовательных каскадах в
диапазоне СВЧ.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими по-
лосковыми выводами. Транзисторы КП312 маркируются двумя
цветными точками желтого (КП312А) или синего (КП312Б)
цвета.
Эксплуатируются при 6окр от —60 до +125 °C.
Масса не более 0,2 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КП312А КП312Б
^С. нач> мА иси=15 В; t/3n = O <8 <1,5
/З ут, нА б^си = 0; Сзи — — 10 В; 0окр=25 °C <10 <10
Оокр Оокр. max <1000 <1000
Оокр == ®окр. min <100 <100
S, мА/В L/CH= 15 В; 1'зи-О; 0ОКР=25 °C >4 >2
Оокр 60кр тах >1,5 >1
Кш, дБ L/си — 10 В; /г = 5 мА; f = 400 МГц <4 <4
g22, мкСм {7Си= 15 В; / = 1 кГц < 130 <130
С12и, пФ t/CH= 15 В; f = 10 МГц <1 <1
Сгги» пФ t/Cn = 15 В; f = 10 МГц <4 <4
В 60 С < 0окр< 0ОКр. max 25 25
Узе max, В -60 °c<oOKp<oOK ох 25 25
^СИ max* В С.глох* мА -бо°с<оокр<е 20 20
-60 °C < 0окр < 0окр. max 25 25
Ртах, МВТ Оокр <40 °C юо1 100'
1 При температуре более 40 °C мощность (мВт) рассчитывается по формуле
Рщах= 140 — 6окр.
КП313А, КП313Б, КП313В
Диффузионно-планарные МДП-транзисторы со
встроенным каналом n-типа. Предназначены для работы в уси-
лительных каскадах высокой и низкой частоты с высоким вход-
ным сопротивлением.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до + 85 °C.
Масса не более I г.
-В)
Электрические параметры н предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КП313А КП313Б КПЗ 13В
/з.ут, нА S, мА/В ^зи. В ^зи=Ю В; (7си = 0 иси= 10 В; /с = 5 мА 10 В; /с=5 мА <10 4,5—10,5 0,3-1,8 <10 4.5-10,5 — 0.5 .. <10 4,5-10,5 -2-
КП312А, КП312Б
Эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с
р-п-затвором и каналом n-типа. Предназначены для работы
во входных усилительных и преобразовательных каскадах в
диапазоне СВЧ.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими по-
лосковыми выводами. Транзисторы КП312 маркируются двумя
цветными точками желтого (КП312А) или синего (КП312Б)
цвета.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до -J-125°C.
Масса не более 0,2 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КП312А КП312Б
I С. нач» мА t/си — 15 В; t/3H — 0 <8 <1.5
/З.ут, нА t/CH=0; (/зи= -10 В; 6окр=25 °C < 10 <10
®окр ®окр. max <1000 <1000
Оокр == 0окр. min < 100 <100
S, мА/В <4и=15 В; </зи=0; 0окр=25 °C >4 >2
Оокр 0окр тах >1,5 >1
Яш» ДБ Ucn= Ю В; /с=5 мА; f = 400 МГц <4
£22' мкСм ^си= 15 В; f — 1 кГц <130 <130
Ci2h> пФ t/си == 15 В; f = 10 МГц <1 <1
С22и, пФ {/Си= 15 В; f = 10 МГц <4 <4
^ЗИ. тах> В -во °с<еонр<еонртвж 25 25
Г'зС max, В -60 °C<Ooltp<0OKp.m£Ijr 25 25
t/си тах> В -бо °с<еокр<еокртох 20 20
С.max» мА — 60 С < Оокр < Оокр. max 25 25
Рmax» мВт Оокр с 40 °C ЮО1 100*
1 При температуре более 40 °C мощность (мВт) рассчитывается по формуле
Ртах= 140-0окр.
0 ЦЧ 0,8 7,2 77си,а
КП313А, КП313Б, КП313В
Диффузионно-планарные МДП-транзисторы со
встроенным каналом n-типа. Предназначены для работы в уси-
лительных каскадах высокой и низкой частоты с высоким вход-
ным сопротивлением.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
. Эксплуатируются при 0окр от —40 до + 85 °C.
Масса не более 1 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КП313А КП313Б КПЗ 13В
/з.Ут. нА S, мА/В t/зи. В ^зи=Ю В; £7си=0 {7си==10 В; /с = 5 мА б/си= Ю В; /с=5 мА <10 4,5... 10,5 0,3...1,8 <10 4.5... 10,5 — 0.5 .. <10 4,5...10,5 -2...
Продолжение табл.
Обозначение Режим измерения КП313А КП313Б КЛ313В
^ЗИ.отс» (/си=10 В; /с—10 мкА >6 >6 >6
КУг. дБ ^си ~ 15 В; /с = 5 мА;
f = 250 МГц >10 >10 >10
Кш. дБ £7си=== 15 В; 7с = 5 мА; <7,5 <7,5 <7,5
f = 250 МГц
Сц„, пФ 7/си == Ю В; /с = 5 мА <7 <7 <7
^22и- П<Р 1® В; /с = 5 мА <0,9 <0 9 <0,9
ЗС maxt В —45 °С<0окр<85 °C 15 15 15
^СИ.твх» ® — 45 °C <0окр< 85 °C 15 15 15
U ЗИ.maxt В -45 °С<0окр^85 °C 10 10 10
1 С. maxt МА -45 °C < еокр < 85 °C 15 15 15
Ртох, мВт 0окр<25 °C 75 75 75
КП314А
Планарный полевой транзистор с р-п-затвором и
каналом л-типа. Предназначен для работы в охлаждаемых
каскадах предусилителей устройств ядерной спектрометрии.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 0окр до +85 °C.
Масса не более 0,5 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обо4 чачен не Режим измерения КП314А
С. нач> мА 1/си= Ю В; t/зи = 0 2.5...20
S, мА/В 6,си= Ю В; {/зи = 0; f= 0,5... 1,5 кГц
С) [и, пФ £/си= 10 В; f = 10 МГц <6
С|2н> ПФ £/Си= Ю В; f = 10 МГц <2
Среднеквадратич- (7си==$ В; мА; <1,32- 10“17
ный шумовой за- Тф = 5 мкс
ряд, Кл UСИ. maxt В 0окр<35 °с 25
ЗИ. maxi В 0ОКР<35 °C 30
^ЗС.maxt В fc.maxt МА 0ОКР<35 °с 30
еокр<35°с 20
З.пр.тахг мА 0окр< 35 °C 5
Pmaxt мВт 6ОК₽ <35 °C 200
КПС315А, КПС315Б
Эпитаксиально-планарные сдвоенные полевые тран-
зисторы с р-п-затвором и каналом n-типа. Предназначены для
работы во входных каскадах дифференциальных усилителей
низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопро-
тивлением.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до 4-100 °C.
Масса не более 1,5 г.
КПС315(А,Б)
Обозначение Режим измерения КПС315А КПС315Б
^С.нач» мА t/си—Ю В; 4/зи = 0 1...20 1...20
/З ут, нА </Си = 0; t/3M =—5 В,
6окр=25 °C <0,25 <1
еокр= юо °с <100 <100
S, мА/В t/си = 6 В; (7зи = 0 >2,8 >1,5
fmox, МГц ““ 60 60
1 ^ЗИ1 — Г^си== 6 В /с = 0,3 мА;
— мВ 0окр = 25 °C <30 <30
еокр= юо °с <32,25 <32,25
0окР=-6О°С <32,55 <32,55
Д^Зи/Дбокр t/си— 5 В; /с—0,3 мА <30 <30
мкВ/К
^ЗИ.отс» t/си = 5 В; /(2= 10 мкА 1...5 0,4...2
• С. нач. 1 t/CH = Ю В; 1/зи = 0 >0,9 >0,9
С. нач.2
Si t/си = Ю В; t/3H = 0 >0,9 >0,9
s2
С11и, пФ t/cH= Ю В; t/3l1 = 0 <8
^СИ.тах» В -60 °С<0ОкР^ юо °C 25 25
б^ЗС. max. В —60 °с<еокр< юо °с 30 30
^ЗИ.тпх. В -бо °с<еокр< юо °с 30 30
^СП. max. В То же, при t/3n = 0 30 30
^3. пр. тех» мА -60сС<0окр< 100 °C 1 1
тах> мВт -60 °С<0окр<25 °C 3002 3002
1 Температурный уход разности напряжений затвор — исток.
2 В интервале температур от 25 до 100 °C мощность (мВт) рассчитывается по
формуле Ртах= 300 — 2,6(0окр— 25).
КП322А
Эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с
двумя затворами на основе перехода и каналом п-типа.
Предназначены для применения в усилителях и смесителях
сигналов на частотах до 400 МГц. Выпускаются в металло-
стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до 4-85 °C.
Масса не более 1,3 г.
Обозначение Режим измерения КП322А
ма/в £4.и=^и = 0, £/си=ЮВ 3,2...6,3
К,„, дБ / = 200 МГц, £/си = 15 В 3.3...6
/ = 400 МГц, £/си = 15 В 9... 11
£АпИ.отс« В £/си — Ю В, £/3,и = 0, /(; = 10 мА
6= -}-25 °C 2,2... 12
о = —40 °с 2...10
0= 4-85 °C 22... 10
^ЗгИ.отс* В ^сия Ю; £/3,и = 0, /с =10 мА
0= 4-25 °C 7,3...22
0 = —40 °C 22
0= 4-85 °C 24
С. нач» мА £^си — Ю В, £/31И, £^з2и = 0 5-42
^3iyr 4“ ^Згут» мА £/си = 10 В, £/=—10 В
0= 4-25 °C <10
0= 4-125°С <10
Си,,, пФ £/си=ЮВ, £/3|ц= — 2,5В, £/3зИ=0 3,5-6
£|2и» пФ £/си=ЮВ, £/3|И=—2,5 В, £/32и=0 0,003-0,2
СИ. max, Б 20
£'зИ maxt В 20
£/3с В 25
Ртах, «ВТ 0< 4-20 °C 2003
1 Крутизна по первому затвору.
2 £/31и и £/3гИ выбирают из условия достижения наибольшей крутизны.
3 В диапазоне температур 4-25 до 85 °C.
Ртах (мВт) рассчитывается по формуле:
Ртах= 200 - 1,5(6-25).
КП327А, КП327Б
Планарные полевые транзисторы с двумя изолиро-
ванными затворами, защищенными диодами, и встроенным ка-
налом п типа.
Предназначены для применения в селекторах каналов теле-
визионных приемников дециметрового и метрового диапазонов
длин волн и усилительных устройствах. Выпускаются в пластмас-
совом корпусе с гибкими полосковыми выводами. Маркируются
цветными точками: КП327А—одной белой, КП327Б — двумя
белыми.
Эксплуатируется при 6окр от —45 до 4-85 °C.
Масса не более 0,3 г.
Обозначение Режим измерения КП327А КП327Б
S, мА/В {/си = +Ю В; С/3,и = +4 В /с — Ю мА
Оокр =+25 °C >И > 1 1
0окР= -45 и +85 °C >9 >9
Кш, дБ 0/си = +10 В, t/3?H = +4 В /с — 10 мА f = 800 МГц f = 250 МГц <4,5 ^3
КР, дБ ^си=+Ю В, £/з,и= +4 В, I q 10 мА f = 800 МГц >12
^3|И ото В f = 250 МГц — >18
Б'си = +10 В, (/з,и= +4 В, 1с — 20 мкА <2,7 <2,7
^/згИ.ото В f+и = + 10 В; = 0
/с= 20 мкА <2,7 <2,7
/3. ут> нА ^си=^зги=0; £/31И=+5 В <50 <50
^зд,з> В б^си = ^з2и = 0; Iз, — 10 мА + 6... +20 +6... + 20
^зд2з. В ут> нА б^си = t/з.и =0; /з2 = 10 мА + 6...+20 +6... + 20
^си= ^з(и = 0; /Зги = +5 В <50 <50
I С. начт мА (/си=+10В; £/з,и = 0 и3ги=+4 В Оокр =+25 °C < 10 < 10
0окР= -45 и +85 °C <15 <15
Сцн, пФ ^си = +Ю В; {/з2и= +4 В, £/3,и = 0; f= 10 МГц <2,5 <2,5
С12и» ПФ t/CM = + 10 В; t/32H=+4 В t/3,„ = 0; f = Ю МГц <0,04 <0,04
UcH.maxt В 18 18
6^3С. тахг В 21 21
+ 6 +6
PnJ, мВт 0окР= -45...+60 °C 200 200
‘ В диапазоне температур 4-60 — 4-85 °C мощность снижается.
2 Параметры близки параметрам транзистора КП382А.
КП329А, КП329Б
Эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с
управляющим переходом и каналом n-типа. Предназначены для
применения в входных каскадах усилителей низкой и высокой
частот (до 200 МГц), переключающих устройствах и коммутато-
рах с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в пласт-
массовом корпусе с гибкими выводами. Тип транзистора указы-
вается на сопроводительной таре, и дополнительно КП329А
маркируется одной цветной точкой, а КП329Б — двумя.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до 4-100 °C.
Масса не более 0,2 г.
КП329(А,Б)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КП 329А КП329Б
S, мА/В 1/си=10В; 1/зи = 0
0ок₽= -60 и 4-25 °C 3 1
£ш, нВ/д/Гц 60кр= 4-100 °с иси = 10 В; 1/зи = 0; f = 1 кГц 1 <20 0,3 <20
^ЗИ.отс» В (7СИ= Ю В; Iс = 10 мкА >1,5 >1,5
мГц — >200 >200
б^ЗИ.отс» В Uси = 10 В; I с == 10 мкА <1,5 <1,5
^С. нач> МА си~ Ю В; t/зц — 0 1 1
I з. ут» нА ^си=0; изи=-Ю В
Оокр = 4-25 °C 1 — —
б'зи— —30 В; Uсц = 0 0,1
Реи. кОм (/си = 0,5 В; t/3Ji = 0 <1,5 <1,5
^СИ. maxt В 50 50
^ЗС. тех» В 50 40
UЗИ. maxt В 45 35
Ртах, мВт Оокр С 25 °C 250 250
1 При еокр> 25 ° С Ртах определяется по формуле Р max — (1 50 - бок^/500
КП341А, КП341Б
Эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с уп-
равляющим р-п-переходом и каналом л-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усили-
телей. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими
выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до 4-125 °C.
Масса не более 0,08 г.
Обозначение Режим измерения КП 341 А2 КП341Б
S, мА/В Uси = 5 В; (7ЗИ = 0 15...30 18...32
Еш, нВ/п/Гц t^cn — 5 В; /с=4,5 мА 0,82... 1,2 0,82... 1,2
f = 100 кГц -
К ш. min> г/си = 5 В; /с=5 мА
f = 400 МГц 2,8 2,8
f = 200 МГц 1,8 1,8
б^ЗИ.отс. В С7си = 5 В; /с= 100 мкА 0.4...3 0,4...3
^си — 5 В; изи — 0 4,5...20 16...30
/з.ут, нА изи= -10 в
0Охр = 25 и —60 °C 1 1
0окр= 125 °C 100 100
Сц И, нФ ^си —5 В; £/зи = —2 В 3,8...5 3,8...5
^22т пФ ^си —5 В; изи= —2 В 1,6 1.6
С12и, пФ 1/си=5В; £/зи= -2 В 1 1
UСИ. тах> В 15 15
UЗИ. maxi В 10 10
^ЗС. max • В 15 15
Рта/, “ВТ 6окр = -60...+60 °C 150 150
1 При температуре от + 60 до 4-125 °C Ртах снижается линейно на 2 мВт/°С.
2 Параметры совпадают с параметрами транзистора КП365А.
КП350А, КП350Б, КП350В
Планарные МДП-транзисторы с двумя изолирован-
ными затворами и встроенным каналом л-типа. Предназначены
для работы в высокочастотных каскадах радиоэлектронной ап-
паратуры. Управление током стока осуществляется напряже-
нием, подаваемым на первый затвор. На второй затвор подается
постоянное напряжение. При необходимости второй затвор мо-
жет использоваться в качестве второго управляющего электрода.
Выпускаются в металлостеклянном, корпусе с гибкими вы-
водами.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до 4-85 °C.
Масса не более 1 г.
Обозначение Режим измерения КП 350А КП350Б КП350В
^С.начэ мА Сси= 15 В; 4/31И = 0 <3,5 <3,5 <6
S, мА/В ^си~ 10 В; 1с — 10 мА; ^3,и = 6 В; f = 50... 1500 Гц >6 ^6 >6
t/зИ.отс, В Г^си=15 В; [73!И = 6 В; 1с— 0,1 мА <6 <6 <6
131ут> Н-А ^з,и = ^заи = — 15 В <5 5 <5
Кш, дБ {/си= 10 В; {/3гИ=6 В; /с= Ю мА; f = 400 МГц <6 <6 <6
g22H, мкСм Сси=Ю В; (7ЗЛ1=6 В; 1с — Ю мА <250 <250 <250
С11и, пФ J ^31И = ^ЗаИ — 0; <6 <6 <6
^22и, ПФ 1 г/си =10 В; <6 <6 <6
С|2и, пФ f = ю МГц <0,07 <0,07 <0,07
{-^3jИ. max> В еокр<85 °C 15 15 15
t/заИ. max > В 9окр < 85 °C 15 15 15
СИ. max» В Оокр < 85 °C 15 15 15
^3,С. maxi В 0окр<85 °C 20 20 20
О^ЗаС. maxi В 0окр<85°С 15 15 15
IС. maxi 0окр <85 °C 30 30 30
Ртох, мВт Оокр < 25 °C 200 200 200
^maxi мВт 0окр=85°С 100 100 100
КП365А
Кремниевый полевой с каналом л-типа и затвором
в виде обратносмещенного р-п-перехода, малошумящий тран-
зистор.
Предназначен для использования в предусилителях телеви-
зионных камер, радио и спектрометрической аппаратуре и других
радиоустройствах широкого применения в диапазоне частот
20 Гц - 500 МГц.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса не более 0,3 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы при 0окр = (25 ± 10) °C
Обозначение Режим измерения КП365А1
С- н ач» мА б^си—5 В; t/3H—0 4,5...20 '
S, мА/В (7си = 5 В; (/зи — 0 15...30
Еш, нВ/уГц {/си = 5 В, f = 100 кГц <1,5
U 3 И. отс» ® Uск — 5 В; /с= 100 мкА 0.4...3
/З.ут, нА б^зи = — 10 В <1
UCM. max, В — 15
^ЗИ. max, В — 15
13. пр. max* мА — 3
^С.тах, мА — 30
Ртах, МВТ — 150
1 Параметры совпадают с параметрами транзистора КП341А.
КП382А
Двухзатворный, n-канальный, малошумящий МОП-
транзистор. Предназначен для использования в СКД-селекто-
рах телевизионных приемников и других радиоэлектронных
устройствах.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими полоско-
выми выводами.
Масса не более 0,3 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы при 0окр = (25 ± 10) °C
Обозначение Режим измерения КП382А'
f С. нач> мА (73| = 0; У2 = 4 В; УСи= Ю В >20
Кш, дБ У си = Ю В; U31 = 4 В; /с = Ю мА f = 800 МГц <3,0
^3,.2И. отс» В Уси = Ю В; /с= 20 мкА, <4,,и=4 В -2,7
^3,.,.ут, НА Уси — 0 Уз,.= ±5 в <50
Свх, пФ Уси = Узги = 0; f = 1 МГц 1,5...2
UCV. max, В — 15
^ЗС. max, В — 21
UЗИ. max, В — ±6
^С. maxi мА — 20
Ртах, мВт — 225
1 Параметры близки с параметрам транзистора КП327А.
2.4. Полевые транзисторы средней
и большой мощности
КП501А
Высоковольтный МОП-транзистор с каналом п-типа.
Предназначен для использования в качестве элемента ком-
мутации электрических цепей, в аппаратуре средств связи, теле-
фонных аппаратах и другой электронной аппаратуре.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса не более 0,3 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы при 0окр = (25 ± 10) °C
Обозначение Режим измерения КП501А
1 С. откр» мА U3H= Ю В; <УСИ = 25 В
/и = 300 мкс; Q = 200 >500
/с. ост. мкА ^зи = 0; £/Си= 240 В <10
S, мА/В (7СИ = 25 В; /с = 250 мА >100
#СИ. отк> Ом I с = 250 мА; Uзи = 10 В <10
^ЗИ. пор. В 7с =1 мА; 7/зи=^си 1...3
/з.ут. нА 7/си = 0; 7/зи — ±20 В <20
СИ. max* В — 240
^ЗИ. maxt В — ±20
С. maxt А — 0.18
Ртах, ВТ — 0,5
К ПВО 1 А, КП601Б
Планарные полевые транзисторы с управляющим
р-л-переходом каналом /г-типа. Предназначены для применения
во входных и выходных каскадах усилителей, в генераторах и
преобразователях высокой частоты. Выпускаются в металло-
стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Эксплуатируются при
Масса не более 1,5 г.
бокр от —40 до -J-70 °C.
Обозначение Режим измерения КП 601А КП601Б
S, мА/В С/си= Ю В; 773и = 0 0= +25 °C 40...87 40...87
о II 1 *> о о О >50 >50
6= +70 °C >35 >35
t/cH= Ю В; /с = 20 мА f = 400 МГц 2,6.„6 2,6...6
/С нач> мА 77си = Ю В; (7зи==0 160...400 160...400
^ЗИ. ото В Г^си = Ю В; Zc= Ю мкА 4...9 6...12
ССз, пФ ^з*ут> нА ^си = Ю В; (7ЗИ= — Ю В ^си = 0; С/зи — — 15 В 4,3...6 4,3...6
6окр = 25 °C <10 <10
0окР=+70°С <1000 <1000
UСИ. тах> В 20 20
^ЗИ. max • В Р 1 Вт г max > 1 Оокр <4-25 °C 15 0.52 15 0,52
1 С теплоотводом Ртах = 2 Вт.
2 В диапазоне температур 90Кр= +25 °C... + 170 °C мощность рассчитывается
по формуле Ртах (Вт) = 0,5 — 0,04 (0окр—25).
КП717А, КП717Б, КП717В, КП717Г,
КП717Д, КП717Е, КП717А1, КП717Б1,
КП717В1, КП717Г1, КП717Д1, КП717Е1
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые тран-
зисторы с изолированным затвором и обогащением канала
/г-типа.
Предназначены для работы в источниках вторичного элект-
ропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стаби-
лизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным
управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электро-
двигателями и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе (КП717А, Б, В,
Г, Д, Е) и в пластмассовом корпусе (КП717А1, Б1, В1, Г1, Д1,
Е1).
Масса транзисторов в металлостеклянном корпусе не более
24 г., а в пластмассовом не более 6 г.
Основные электрические параметры при 0О1ф = (25 ± 10) °C
Обозначение Режим измерения КП717А КП717Б К.П717В
КП717А1 КП717Ы КП717В1
7 С. нач» МКА (/зи = 0; t/си = 20 В <50 <50 <50
7 с. ост, мкА (/3и = 0; t/си =350 В <250 <250
t/3n = 0; t/CH = 400 B — <250 —-
/с, а t/зи — 10 В; t/си = 4,5 В t и < 60 мкс; Q > 200 >15 >15 >13
СИ. отк» Ом t/3n== Ю В; 7С = 8 А <0,3 <0,3 <0,35
S, А/В (/Си =4,5 В; /с=8 А /и 300 мкс; Q 200 >8 >8 >7
^ЗИ. пор» В t/зи = t/си<‘ 7с = 1 мА 2...4 кэ Л. 2...4
/3 ут, нА t/зи = ±20 В; t/си = 0 <100 <100 <100
Продолжение табл.
Обозначение Режим измерения КП717Г КП717Д КП717Е
КП717Г1 КП717Д1 КП717Е1
/с. нач. МКА = (/си = 20 В <50 <50 <50
/с. ост. мкА {/3и = 0; {/си = 350 В — <250 —
С/Зи = 0; ^си = 400 В <250 — 1 <250
А (/зи= 10 В; Сси = 4,5 В
60 мкс; Q>200 >13 >11 >11
{?СИ.отк> Ом S, А/В изи=10 В; /г = 8 А <0,35 <0,4 <0,4
{/си = 4,5 В; /С=8А
/и<300 мкс; Q>200 >7 >6 >6
^ЗИ. пор. Б /з.ут. нА (/3И = {^си‘. {с = 1 мА 2...4 2...4 2...4
(/зи = ±20 В; {7си = 0 <100 <100 <100
КП718А, КП718Б, КП718В, КП718Г,
КП718Д, КП718Е, КП718А1, КП718Б1,
КП718В1, КП718Г1, КП718Д1, КП718Е1
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые тран-
зисторы с изолированным затвором и обогащением канала
п-типа.
Предназначены для работы в источниках вторичного элект-
ропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стаби-
лизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным
управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электро-
двигателями и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе (КП718А, Б, В,
Г, Д, Е) и в пластмассовом корпусе (КП718А1, Б1, В1, Г1, Д1,
Е1).
Масса транзисторов в металлостеклянном корпусе не более
24 г., а в пластмассовом не более 6 г.
КП7ЩА...Е)
Основные электрические параметры при 0окр = (25 ± 10) °C
Обозначение Режим измерения КП718А КП718Б КП718В
КП718А1 КП718Б1 КП718В1
/с.нач. мкА (Ли = 0; (/си = 20 В <50 С 50 <50
/с.ост. мкА (/3и = 0; (/Си = 500 В <250 — ^250
(Ли = 0; (/си = 450 В — <250 —
/с. А (/зи = Ю В; L/CH = 6,5 В /и < 60 мкс; Q>200 >9,6 >9,6 >8,3
СИ. отк» Ом (/зи= 10 В;/с = 5 А <0,6 <0,6 <0,8
S, А/В Оси = 6,5 В; /с = 5 А (и <300 мкс; Q>200 >2,7 >2,7 >2,7
(/зИ. пор. В (Ли = (/си» (с = 1 мА 2-4 2-4 2-4
/з.ут, нА (Ли = ±20 В; (/си = 0 <100 <100 <100
Обозначение Режим измерения КП718Г КП718Д КП718Е
КП718Г1 КП718Д1 КП718Е1
/с.нач. МКА <Ли = 0; (/си = 20В <50 <50 <50
/с. ост» мкА (/зи = 0; (/си = 500 В — <250 —
(Ли = 0; (/си = 450 В <250 ‘ 1 <250
/с. А (Ли = Ю В; (/си = 6,5 В /и < 60 мкс; Q > 200 >8,3 >10 >10
СИ. отк» Ом (/ЗИ=ЮВ; /С = 5А <0,8 <0,5 <0,5
(/си = 6,5 В; /с = 5 А t„ < 300 мкс; Q 200 >2,7 >2,7 >2,7
UЗИ. пор» В (Ли = ('Си» (с = 1 маА 2—4 КЭ 2-4
/З.ут, нА (Ли = ±20 В; (/си = 0 <100 <100 <100
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые тран-
зисторы с изолированным затвором и обогащением канала
н-типа.
Предназначены для работы в источниках вторичного электро-
питания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабили-
заторах и преобразователях с непрерывным импульсным управ-
лением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродви-
гателями и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе.
Масса не более 24 г.
КП722А
Основные электрические параметры при 6окр = (25 ± 10) °C
Обозначение Режим измерения КП722А
/С. нач. мкА ^зи = 0; иси=20 В <50
/с. ост. мкА /с, А изи = 0; (7си=200 В £/зи = '1О В; С/си=3 В /и<60 мкс; Q>200 <250 >22
^СИ.отк» Ом S. А/В t/3H= 10 В; /с= 14 А t/Cf1 = 4 В; /с== 14 А /и<300 мкс; Q>200 0,12 >9
t/зи.пор, В ^зи = ^7СИ; ^с — 1 мА 2...4
/3 ут, нА t/зи ~ ±20 В; UCn = 0 <100
КП723А, КП723Б, КП723В, КП723Г
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые тран-
зисторы с изолированным, затвором и обогащением канала
п -типа.
Предназначены для работы в источниках вторичного элект-
ропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стаби-
лизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным
управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электро-
цвигателями и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Выпускаются в пластмассовом корпусе
Масса не более 2,5 г.
Основные электрические параметры при 8окр= (25 ± 10) °C
Обозначение Режим измерения КП723А КП723Б КП 723В КП723Г
/с.иач, мкА /с.ост. мкА /с. А ^си.отт Ом S, А/В б^ЗИ. пор» В /З.ут, нА 67ЗИ=О; б/си = 20А С^зи = 0; б/си = 60 В б*зи—0; б/си = 50 В б/3и= ЮВ; иси= 1,5 В 1и < 60 мкс; Q 200 б/зи= ЮВ; /с = 20 А 15 В;/с = 20А < 300 мкс; Q 200 б/зи = б^си! бс= 1 мА б^зи=±20В; б7си=0 <50 <250 >35 <0,028 >10 2...4 <100 A»V /AW Л /Л —: — ° оо ьэ 1 сл О чь. О о сл сл 1 сэ о кэ сэ ОО /Л K.V /AV /л/л —: — о со I ьэ сл О О о 01 1 СП О ° кэ о 00 /ЛкЛУ /Aw /л /л —: — _° w кэ I ел О rfj, О О СП сл 1 О ‘ О NJ О 00
КП724А, КП724Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые тран-
зисторы с изолированным затвором и обогащением канала
п-типа.
Предназначены для работы в источниках вторичного электро-
питания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабили-
заторах и преобразователях с непрерывным импульсным управ-
лением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродви-
гателями и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Выпускаются в пластмас-
совом корпусе.
Масса не более 2,5 г.
Основные электрические параметры при 0окр = (25 + 10) °C
Обозначение Режим измерения КП 724 А КП724Б
нач» МкА б^зи —0; б/си = 20 в <50 <50
I с. ост» мкА 47зи = 0; [/си=600 В <250 —
б'зи = 0; С7си=500 В — <250
/с, А 47з и = 10 В; Uсн = 8 В
/и<60 мкс; Q > 200 6 6
R СИ. отк» Ом 47зи = Ю В, /с=3 А <1,2 < 1
S, А/В 47си= Ю В; /с=3 А
/и<300 мкс; Q 200 >2 >2
4/зИ.пор, В 473и — б^си > ^с — 1 МА 2...4 2. .4
/з.ут, нА 47зи= + 20 В, 47си = 0 <100 <100
КП725А
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые тран-
зисторы с изолированным затвором и обогащением канала
п-типа.
Предназначены для работы в источниках вторичного электро-
питания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабили-
заторах и преобразователях с непрерывным импульсным управ-
лением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродви-
гателями и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе.
Масса не более 24 г.
Основные электрические параметры при 0окр = (25 + 10) °C
Обозначение Режим измерения КП725А
/С.ост, мкА 473и = 0; 47Си = 500 В <250
С. отк» 47си >4,2 В; 47зи= 10 В >13
СИ. отк» Ом S, А/В бзи — 10 В; /с = 7,2 А 4/си = 4,2 В; /с = 7,2 А /и < 300 мкс; Q>200 <0,4 8,7
^ЗИ. пор» В б'зи = 47си; /с = 250 мкА 2...4
t/сИ.тох» В /с = 250 мкА; 47зи = 0 250...500
/з.ут. нА бзи — ±20 В; 47си = 0 <100
С. max > А — 13
КП726А, КП728А
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые тран-
зисторы с изолированным затвором и обогащением канала
п-типа.
Предназначены для работы в источниках вторичного электро-
питания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабили-
заторах и преобразователях с непрерывным импульсным управ-
лением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродви-
гателями и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Выпускаются в пластмассовых корпусах.
Масса транзисторов КП726А не более 2,5 г., а транзисторов КП728А
нс более 6 г.
Основные электрические параметры при 0О|ф= (25 ± 10) °C
Обозначение Режим измерения КП726А КП 728 А
/С ост, мкА (7зи = 0; (Ус = 600 В <250 —
Uc = 800 В — <250
/с. А С/Зи = 10; (/си = 20 В ^и<60 мкс; Q>200 >4 >3
Я СИ отк» 0м £/зи= 10 В; /с= 1.5 А — 3
/с = 2,5 А 2 —
S, А/В t/CM = 25 В; /с = 2,5 А >1,5 —
t/CH = 10 В; /с= 1,5 А — >1
^3 И. и ор > В /з.ут. нА ^зи — ^си! /с = 1 МА 2,1..4 2,1...4
(7зи = ±20; £/си = 0 <100 <100
КП801А, КП801Б
Эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с
управляющим р-п-переходом и каналом n-типа. Предназначены
для применения в выходных каскадах усилителей звуковоспроиз-
водящей аппаратуры. Выпускаются в металлостеклянном корпу-
се с жесткими выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —40 до 4-85 °C
Масса не более 20 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КП801А КП801Б
S, мА/В б/си= 15 В
/с = 3 А 600 —
/с= 1,5 1 ~ 220
б^ЗИ. ото В б/си = 50 В, /с = 30 мА <-25 — 25
/З ут. мА f/3H= -35 В, U3C = —35 В <10 <5
б^СИ. maxi В 65 65
УзС. тах> В 100 100
UЗИ. max, В — 35 -35
$ С. так* А 5 2,5
Ртах1, ВТ бокр — 4~25 °C 60 30
1 В диапазоне температур 0olip= 4-25... 4-85 °C мощность рассчитывается по
формулам: ' 0ОКО— 25 \
Ртах= 60 ( 1 “7 1 Вт, для КП801А. Ь 1^0 f 6OKD— 25 \
Рmax— 1 ) Вт. Для КП801Б. 125 /
КП901А, КП901Б
Планарные МДП-транзисторы с индуцированным
каналом и-типа. Предназначены для работы в усилителях и ге-
нераторах колебаний коротких и ультракоротких волн.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —50 до 4-100 °C.
Масса не более 6 г.
КП90Щ.6)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КП901А КП901Б
^С, нач» мА //си = 20 В; t/зи = 0; 0окр = 25 °C <200 <200
0окр= 125 °C <400 <400
0окР= -60 °C <500 <500
S, мА/В //Си = 20 В; /с = 0,5 А; 6окр = 25 °C >50 >60
0окр=125 °C >20 >30
0окР= -60 °C >30 >40
/С.ост, мкА /7Си = 85 В; (/зи = -15 В <50 <50
/’вых, Вт *у. //си — 50 В; //зи = 0; f == 100 МГц //си — 50 В; С/Зи = 0; Рвых — 10 Вт; >10 >6,7
f = 100 МГц >7 —
ST f = 60 МГц //си = 50 В; //зи=0» Рвы* — 10 Вт; >10 —
f = 60 МГц >35 —
ОС) a w S ? з А е . //Зи = —30 В; f = 1...10 МГц {/си = 25 В; //зи= -15 В; <100 <100
f = 10 МГц <10 <10
f/си. max, В От еокр= —бо °с до екор= юо °с 70 70
//сз. max, В От 06кр= -60 °C до 0кор = 100 °C 85 85
^ЗИ. max, В от еокр= -бо °с до екор= юо °с ±30 ±30
С. max 9 А То же, при тн= 1 мс 4 4
//си. и. max, В То же, при ти< 1 мс 85 85
//СЗ. и. max, В То же, при ти< 1 мс 100 100
Ртах, ВТ От 0окр= —60 °C до 0кор= 25 °C 20* 20'
При температуре муле Ртах= 20 - корпуса более 25 °C мощность (Вт) рассчитывается -0,16(6кор- 25). по фор-
КП902А, КП902Б, КП902В
Планарные МДП-транзисторы с индуцированным
каналом n-типа. Предназначены для работы в приемно-передаю-
щей аппаратуре в диапазоне частот до 400 МГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до +85 °C..
Масса не более 6 г.
// 11 10,b
КП902(А-31
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов эксплуатации
Обозначение Режим измерения КП 902А КП 902 Б КП902В
^С нач» мА t/си—50 В; t/3H = 0; 0окр = 25 °C <10 <10 <10
/С ост» мА 6окр= —60 °C и 0окр п1ОХ <15 <15 <15
t/си — 60 В; U3i,\ — — 10 В <0,5 <0,5 <0,5
f3 ут» нА t/3H= -30 в <3 <3 <3
5, мА/В t/CH = 20 В; /с=50 мА; 0ОК =25 °C >10 >10 >10
*: а о. ¥ О CD II . Q О Ф >8 >8 8
Лш, дБ t/си— 50 В; /с=50 мА; / = 250 МГц <6 <6 <6
Ку, Беи = 50 В; /с = 50 мА; f = 250 МГц >6,6 >6,6 >6,6
£22и. мкСм t/CH — 50 В; /с=50 мА <190 <190 <190
Свх, пФ t/CH = 25 В; t/3k) = 0; f = 10 МГц <11 И <11
Спрох, пФ t/си = 25 В; t/3H = 0; f = 10 МГц <0,6 <0,6 <0,6
Свых. пФ t/CH=25 В; t/3H = 0; f = 10 МГц < 11 < 1 1 <И
U СИ max, В От Оокр min ДО 6 кор. max 50* 501 50’
^ЗИ max, В От 6(>кр min ДО 0Кор.тах 30 30 30
Б'зи min< Б От 6Окр min ДО 6кор. mох -15 -15 -15
t/си и max, В То же, при т„< 1 мс; Q = 100 70 70 70
IС max, мА екор < 25 °C 2002 2002 2002
Р Вт 1 тах> 01 0кор<25 °C З,53 З,53 З,53
Р Вт * вых maxt 1 То же, на частоте 60 МГц 1,8 1,8 1,8
।
2
3
При t>3H = 0 наибольшее напряжение сток—исток равно 60 В.
При увеличении температуры корпуса от 25 до 85 °C ток стока транзисторов
КП902А...КП902В снижается по линейному закону до 130 мА.
При увеличении температуры корпуса от 25 °C до 6кор. тах мощность снижается
по линейному закону до 2,5 Вт у транзисторов КП902.
Те,
мА
120
во
40
О
5 10 15 20 25U3]A,B
КП903А, КП903Б, КП903В
Эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с
р-п-затвором и каналом n-типа. Предназначены для работы
в усилителях, генераторах, различных импульсных устройствах
в диапазоне частот до 30 МГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируются при 0ORp от —60 до -J-ЮО °C.
Масса не более 6 г.
77 /7 10,8
КП903(А~В)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов эксплуатации
Обозначение Режим измерения КП903А КП903Б КП903В
? С. нач» мА [/си= 10 В; t/3H = 0 <700 <480 <600
1з ут, мкА t/си — 0; t/3n — — 15 В <0,1 <0.1 <0,1
1 С. ост» нА t/ги = 5 В; t/зи = — 15 В — — <50
S, мА/В f = 1...10 кГц; 60Кр = 25 °C >85 >50 >60
м о г VKOp VKOp. Г7ШХ >50 >30 >40
<Ли. отс* {7СИ = 5 В; /с — 10 мкА <12 <6,5 <10
R СИ. отк» Ом t/си =0,2 В; t/3H = 0 <9,8 <21 <10
ГПых» мВт t/Cn= 10 В; и3и = 0; f = 30 МГц >600 >600 >600
ДБ t/cn= Ю В; t/3H = 0; f = 30 МГц 7,6... 16 7,6...16 7,6... 16
t/CM = 10 В; /с = Ю мА; 0,5...5 0,5...5 0,5...5
а
Продолжение табл.
Обозначение Режим измерения КП903А КП903Б КП903В
нВ/д/Гц f = 100 кГц
пФ С?зс = —20В;/^=0,1 ..10МГц <15 <15 <15
Сзи, пФ {/зи=—15В;/ = 0,1...10МГп < 18 <18 <18
СИ. maxi В От 0Окр. янл ДО 0кор. max 20 20 20
UЗС /«ал» От 6ОКр mjn ДО 0Кор. max 20 20 20
^ЗИ. maxi К ОТ 6Окр. zmn 0«орг max 15 15 15
С т ах ? А От 0ОКр т(п ДО 0КОр. /«ах 0,7 0,7 0,7
Аз пр тех» мА ОТ 0Окр. min Д$ 0кор. max 15 15 15
Ртах, ВТ 0КОР<25 °C 6' 6! 6'
А °C ° пер maxi 150 150 150
1 При температуре корпуса более 25 °C мощность (Вт) рассчитывается по
формуле Ртах = (1 50 — 0кор)/25.
КП904А, КП904Б
Планарные МДП-транзисторы с индуцированным
каналом н-типа. Предназначены для работы в усилителях, пре-
образователях и генераторах электрических колебаний в диапа-
зоне коротких и ультракоротких волн.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими
выводами.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до + 100 °C.
Масса не более 35 г.
КП90Ч
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КП 904А КП904 Б
мА t/clf= 20 В; СзИ= 0; 0 = 25 °C <350 <350
То же, при 0ОКЕ= — 60 °C и 0о од <500 <500
/с, А 67Си ~ 20 В; 17зи = 20 В >5 >5
^С. ост’ В (7СИ = ЮО В; Сзи = —20 В <200 <200
S, мА/В 67си= 20 В; /с= 1 А; 0окр=25°С >250 >250
0ОКР = -60 °C >150 >150
А А °окр >100 >100
f’ob.x, Вт 67Си= 55 В; Сзи=0; f = 60 МГц 50...75 30...40
П. % Сси — 55 В; C3pf= 0; f = 60 МГц 49...53 49...53
/<ур. дБ То же, в режиме класса В 11...14 11...14
Сзи> пФ [7зи=—30 В; f=\ МГц (при
разомкнутом выводе стока) <300 <300
Сзи. тах> В — 60 °C < 0окр < 0окр тах 30 30
О^СИ.тах’ В — 60 °C < 0окр < 0ОКр.,„ах 70 70
СсИ. и. max, В 60 °C < 0окр < 0окр тах ЮО1 юо1
ЗС. max* — 60 °C < 0онр < 0окр. тах 90 90
Сзс. и.тах’ В — 60 °C < 0окр с оокр тах 1201 120'
Р Вт г max* 1 0кор<25 °C 752 752
1 При ли < 1 мс Q > 2.
2 При температуре корпуса более 25 °C мощность (Вт) рассчитывается по
формуле Ртах = 75 — 3(екор — 25)/4.
КП905А, КП905Б
Планарные МДП-транзисторы с индуцированным
каналом n-типа. Предназначены для работы в усилителях и
генераторах электрических колебаний СВЧ диапазона волн.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми
выводами
Эксплуатируются при
еокр от -60 до 4-100 °C.
Масса не более 3 г
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КП905А КП9О5Б
f С. нач» мА UCH = 20 В; (Узи = 0; 0ОКР=25 °C . <20 <20
^С. ост» мА Л А °скр икор. max UCH = 60 В; {Узи = —10 В <30 <30
< 1 <1
/с, мА S, мА/В ^си= 20 В; (Узи=20 В >225 > 150
(Уси = 20 В; /(3=50 мА; > 18 > 18
6окР = 25 °C
Р вых» Вт ®окр бкор./тшх >12 >12
(Уси = 5V В; /Узи=0; / = 1 ГГц >1
/Уси = 50 В; /с — 30 мА; f= 1 ГГц >8 >6
Кш, дБ ^си = 50 В; /с=30 мА; / = 1 ГГц <6 <6,5
^вкл» НС Ес = 50 В; Яс = 100 Ом <1 <1
^выкл» НС £с = 50 В; Rc = 100 Ом <1 <1
с11и, пФ £7СИ = 25 В; U3„ = 0; f = 10 МГц <7 <И
С12„, пФ /7си = 25 В; /Узи = 0; f = 10 МГц <0,6 <0,6
С22и, пФ £УСц=25 В; {Узи= —5 В; / = 10 МГц <4 <4
^СИ.тпх» В -60 с(Хбо„р<еко,тш 60 60
^СЗ. max, В -б0ос<еокр<екор;тах 70 70
UЗИ. max, В — 60 °С<0пкр <0кор.тох ±30 ±30
Ртах, ВТ 6хор<25 °C 4’ 41
1 При температуре корпуса более 25 °C мощность (Вт) рассчитывается по
формуле Ртах = 4 — 0,032 (6кор — 25).
Л,
мА
300
200
100
КП907А, КП907Б
Планарные МДП-транзисторы со встроенным кана-
лом «-типа. Предназначены для работы в быстродействующих
переключающих устройствах наносекундного диапазона, усили-
телях и генераторах электрических колебаний СВЧ диапазона
волн.
Выпускаются в ме-
таллокерамическом
корпусе с полосковыми
выводами.
Эксплуатируются при
0окр от -60 до +100 °C.
Масса не более 3 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Параметры Режим измерения КП907А КП 907 Б
С. нач> М А Сси = 20 В; (/зи=0; <100 <100
0окр-25 °C А П °окр ° кор. max <150 <150
С. ост» мА (7си = 6О В; (/зи = —10 В <10 <10
/с. А (/си = 20 В; С3и=20 В >1,7 >1,3
S, мА/В Сси = 20 В; /с=0,5 А; 0око= 25 °C >110 >110
Q Q С X ф II L С । а Ф >80 >80
Р Вт 4 вых» 1 (/си — 40 В; (/зи—-0; Рвх = 2 Вт; f — 1 ГГц >4 >3
(/Си= 30 В; R„= 10 Ом <2 <2
в ыкл» (/си=30 В; /?н = 10 Ом <2 <2
С1211, пФ (/си = 25 В; (7ЗИ= -10 В; <3 <3
СсИ.тал- В f = 10 МГц -бо °с<еокр<вкортаж 60 60
Ur-t В 60 ± < Вокруг Укор, max 70 70
Сзи.тсх> В -бо °с<еокр<екор.тах ±30 ±30
Ртах, Вт 6кор<25°С 11,5’ 1 1,5’
1 При температуре корпуса более 25 °C мощность (Вт) рассчитывается
формуле Ртах= 1 1,5 — 0,08 (бкор - 25).
по
КП912А, КП912Б
Эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с
изолированным затвором и индуцированным каналом п-типа.
Предназначены для применения в импульсных и ключевых
устройствах, стабилизаторах и преобразователях напряжения,
усилителях, генераторах и других радиоэлектронных устрой-
ствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе.
Эксплуатируются при 0окр от —60 до +125 °C.
Масса не более 20 г.
КП31 2(А, Б)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КП912А КП912Б
S, А/В иси = 20 В; /0 = 0,9 А 0,8...2 0,8-2
^С.нач» мА С/си = 20 В; {/зи = 0 0,1-20 0,1-20
f С, ост» мА {/си= 100 В; {/зи = —10 В 2...30 —
иси= 60 В; £/зи = — 10 В — 2...20
/с. А иСи= 20 В; {/зи = 20 В 8...20 12...25
/^СИ.откр» Ом г7си== 15 В; {/зи=15 В 0,12-0,8 0,1...0,4
ОзИ, ПФ Спрох, пФ С/си = 10 В; f= 1 МГц {/си = 20 В; {/зи= — 5 В 450...500 450....500
Сси» f = 10 МГц {/си = 20 В; U3A= 0 16 16
^вкл» НС f = 1 МГц; /?г= 10 Ом; —50 Ом 250 250
Um,к = 20 В; t/си = 80 В 100 100
{/СИ. max» В 100 60
UЗС. тахг В но 70
UЗИ тах> В 20 20
р Вт * тах> 1 0окр от —60 до +40 403 403
^И. max» Вт Оокр от —60 до +40 /и — 0,5 мкс, Q — 100 ЮО4 ЮО4
1 При отключенном стоке.
2 При замкнутых истоке и затворе.
3 При увеличении температуры корпуса от 40 до 125 °C постоянную рас-
сеиваемую мощность необходимо уменьшить линейно до 15 Вт.
4 При увеличении температуры корпуса от 40 до 125 °C импульсную рассеивае-
мую мощность необходимо уменьшать линейно до 60 Вт.
КП921А
Эпитаксиально-
планарный полевой транзи-
стор с изолированным затво-
ром и индуцированным кана-
лом п-типа.
Предназначен для приме-
нения в быстродействующих
переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выво-
дами.
Эксплуатируются при 0окр от —45 до + 85 °C.
Масса не более 10 г.
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КП921А
Р СИ. откр» Ом S, А/В ^С. нач» мА /З.ут, мкА б^сИ.тал, В б^сИ. и. max» В б^ЗИ. н. maxt В С. maxt А Ртах', ВТ t/3H = 15 В; /с =0,5 А t/си = 25 В; /с= 1 А t/си = 40 В; 1/зи = 0 t/3H= 15 В /и = 2 мкс; 6 = 1 000 /и — 2 мкс; 0 = 1 000 0окр= -45...4-25 °C Оокр = +85 °C 0,08-0,13 0,8...1,5 0,02-2,5 0,0...10 мкА 45 60 40 10 15 8
1 В диапазоне температур 0окр= 4-25...4-85 °C мощность снижается линейно
на 117 мВт на 1 °C.
КП922А, КП922Б, КП922А1, КП922Б1
Эпитаксиально-планарные быстродействующие по-
левые транзисторы с изолированным затвором и индуцирован-
ным каналом п-типа. Предназначены для применения в импульс-
ных и ключевых устройствах, стабилизаторах и преобразова-
телях напряжения, синхронных выпрямителях и других радио-
электронных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном (КП922А, КП922Б) и
пластмассовом (КП922А1, КП922Б1) корпусах.
Эксплуатируются при 6окр от —60 до +125 °C.
Масса не более: КП922А, КП922Б—20 г; КП922А1, КП922Б 1—2,5 г.
КП922(А, б)
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы
Обозначение Режим измерения КП922А КП922Б
КП922А1 КП922Б1
S, А/В ^си ~ 100 В; 7/зи = 0 1 1
/С нач> С/си= 100 В; г/3и = 0 2 2
^ЗИ УТ1 мА ^зи = 30 В; f7CH = 0 0,001 0,001
Rси откр> Um +зи= 15 В; /с = 0,5 А 0,2 0,4
^пор. В /с = 30 мА 2...8 КЗ ОО
^ЗИ» пФ Г/зи = 5 В; / = 1 МГц 1700 1700
/вкл, НС t/3pf= 15 В; t/CM = 70 В
/?г—75 Ом; /?н = 2 Ом 60 60
^выкл< НС ^зи = 15 В; (7Си = 70 В
Rr=75 Ом; /?н = 2 Ом 70 70
UСИ. max, В 100 100
б^ЗИ.тах. В ±30 ±30
УзС max, В 100 100
С.тах, & 10 10
IСИ. maxi А /и = 1 мкс; Q = 80 20 20
Ртах1, Вт Оокр- -60...+ 30 °C 60 60
1 При увеличении 60Кр от 35 до 85 °C Ртах уменьшается линейно до 45 Вт.
ЗАРУБЕЖНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
И ИХ ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ АНАЛОГИ
Транз Аналог Транз. Аналог
АС107 ГТ115А AD150 ГТ703Г
АС116 МП25А AD152 ГТ403Б
АС117 ГТ402И AD155 ГТ403Е
АС121 МП20А AD161 ГТ705Д
АС 122 ГТ115Г AD162 ГТ703Г
АС124 ГТ402И AD163 П217
АС125 МП20Б ADI64 ГТ403Б
АС 126 МП20Б AD169 ГТ403Е
АС127 ГТ404Б AD262 П213
АС128 ГТ402И AD263 П214А
АС132 МП20Б, ГТ402Е AD301 ГТ703Г
АС138 ГТ402И AD302 П216
АС139 ГТ402И AD303 П217
АС141 ГТ404Б AD304 П217
АС141В ГТ404Б AD312 П216
АС 142 ГТ402И AD313 П217
АС 150 МГТ108Д AD314 П217, ГТ701А
АС 152 ГТ402И AD325 П217, ГТ701А
АС 160 П28 AD431 П213
АС 170 МГТ108Г AD436 П213
АС171 МГТ108Г AD438 П214А
АС 176 ГТ404А AD439 П215
АС181 ГТ404Б AD457 П214А
АС182 МП20Б AD465 П213Б
АС 183 МП36А, МП38А AD467 П214А
АС184 ГТ402И AD469 П215
АС 185 ГТ404Г AD542 П217, ГТ701А
АС 187 ГТ404Б AD545 П210Б
АС 188 ГТ402Е AD1202 П213Б
АС540 МП39Б AD1203 П214Б
АС541 МП39Б ADP665 ГТ403Б
АС542 МП39Б, МП41А ADP666 ГТ403Г
ACY24 МП26Б ADP670 П201АЭ
ACY33 ГТ402И ADP671 П201АЭ
AD130 П217 ADP672. П202Э
AD131 П217 ADY27 ГТ703В
AD132 П217 AF106 ГТ328В
AD138 П216 AF106A ГТ328Б
AD139 П213 AF109 ГТ328А
AD142 П210Б AF139 ГТ346Б
AD143 П210В AF178 ГТ309Б
AD145 П210В, П216В AF200 ГТ328А
AD148 ГТ703В AF201 ГТ328А
AD149 ГТ703В AF202 ГТ328А
Транз. Аналог
Транз
Аналог
AF239 ГТ346А AU108 ГТ806Б
AF239S ГТ346А AU110 ГТ806Д
AF240 ГТ346Б AU113 ГТ810А
AF251 ГТ346А AUY10 П608А, ГТ905А
AF252 ГТ346А AUY18 П214А
AF253 ГТ328А AUY19 П217
AF256 ГТ348Б AUY20 П217
AF260 П29А AUY21 П210Б
AF261 ПЗО AUY21A П210Б
AF266 МП42Б, МП20А AUY22 П210Б
AF271 ГТ322В AUY22A П210Б
AF272 ГТ322В AUY28 П217
AF275 ГТ322Б AUY35 ГТ806А
AF279 гтззож AUY38 ГТ806В
AF280 ГТЗЗОИ ВС11/16 КТ638
AF426 ГТ332Б ВС 100 КТ605А
AF427 ГТ322Б ВС101 КТ301Е
AF428 ГТ322Б ВС107А КТ342А
AF429 ГТ322Б ВС107АР КТ3102А
AF430 ГТ322В ВС107В КТ342Б
AFY11 ГТ313А ВС107ВР КТ3102Б
AFY12 ГТ328Б ВС108А КТ342А
AFY13 ГТ305В ВС108АР КТ3102В
AFY15 ПЗО ВС108В КТ342Б
AFY29 ГТ305Б ВС108ВР КТ3102В
AFZ11 ГТ309Б ВС108С КТ342В
AL100 ГТ806В ВС108СР КТ3102Г
AL102 ГТ806В ВС 109В КТ342Б
AL103 ГТ806Б ВС109ВР КТ3102Д
ASX11 МП42Б ВС109С КТ342В
ASX12 МП42Б ВС109СР КТ3102Е
ASY26 МП42А, МП20А ВС140 КТ630Г
ASY31 МП42А ВС141 КТ630Г
ASY33 МП42А, МП20А ВС147А КТ373А
ASY34 МП42А, МП20А ВС147В КТ373Б
ASY35 МП42Б, МП20А ВС148А КТ373А
ASY70 МП42 ВС 148В КТ373Б
ASY76 ГТ403Б ВС148С КТ373В
ASY77 ГТ403Г ВС149В КТ373Б
ASY80 ГТ403Б ВС149С КТ373В
ASZ15 П217А, ГТ701А ВС 157 КТ361Г
ASZ16 П217А ВС158А КТ349В
ASZI7 П217А ВС 160-6 КТ933Б
ASZ18 П217В, ГТ701А ВС161-6 КТ933А
ASZ1015 П217В ВС 167 А КТ373А
ASZ1016 П217В ВС167В КТ373Б
ASZ1017 П217В ВС168А КТ373А
ASZ1CH8 П217В ВС168В КТ373Б
АТ270 МП42Б, МП20А ВС168С КТ373В
АТ275 МП42Б, МП20А ВС 169В КТ373Б
AU103 ГТ810А ВС169С КТ373В
AU104 ГТ810А ВС170А КТ375Б
AU107 ГТ810А - ВС 170В КТ375Б
Транз. Аналог Транз. Аналог
ВС171А КТ373А ВС308А КТ3107Г
ВС171В КТ373Б ВС308В КТ3107Д
ВС172А КТ373А ВС308С КТ3107К
ВС 172В КТ373Б ВС309В КТ3107Ж
ВС172С КТ373В ВС309С КГ3107Л
ВС 173В КТ373Б ВС320А КТ3107Б
ВС173С КТ373В ВС320В КТ3107Д
ВС 174 КТ3102 ВС321А КТ3107Б
ВС177АР КТ3107А ВС321В КТ3107И
BC177VIP КТ3107Б ВС321С КТ3107К
ВС178А КТ349В ВС322В КТ3107Ж
ВС178АР КТ3107В ВС322С КТ3107Л
ВС178В КТ3107Д ВС328 КТ313
BC178VIP КТ3107В ВС337 КТ3102Б
ВС179АР КТ3107Е ВС338 КТ645, КТ646
ВС179ВР КТ3107Ж ВС355 КТ352Б
ВС182А КТ3102А ВС355А КТ352А
ВС 182В КТ3102Б ВС382В КТ3102Б
ВС182С КТ3102Б ВС382С КТ3102Г
ВС183А КТ3102А ВС383В КТ3102Д
ВС183В КТ3102Б ВС383С КТ3102Е
ВС183С КТ3102Б, КТ3102Г ВС384В КТ3102Д
ВС 184 А КТ3102Е ВС384С КТ3102Е
ВС 184В КТ3102Ж ВС451 , КТ3102В
ВС 192 КТ351Б ВС453 КТ3102Д
ВС212А КТ3107Б ВС454А КТ3107Б
ВС212В КТ3107И ВС454В КТ3107И
ВС212С КТ3107К ВС454С КТ3107К
ВС213А КТ3107Б ВС455А КТ3107Г
ВС213В КТ3107И ВС455В КТ3107Д
ВС213С КТ3107К ВС455С КТ3107К
ВС216 КТ351А ВС456А КТ3107Е
ВС216А КТ351А ВС456В КТ3107Ж
ВС218 КТ340Б ВС456С КТ3107Л
ВС218А КТ340Б ВС513 КТ345А
ВС226 КТ351Б ВС 527 КТ342Б, КТ342В
ВС226А КТ351Б ВС528 КТ342В
ВС234 КТ342А ВС547А КТ3102А
ВС234А КТ342А ВС547В КТ3102Б
ВС235 КТ342Б ВС547С КТ3102Г
ВС235А КТ342Б ВС548А КТ3102А
ВС237А КТ3102А ВС548В КТ3102В
ВС237В КТ3102Б ВС548С КТ3102Г
ВС238А КТЗЮ2А ВС549А КТ3102Д
ВС238В КТЗЮ2В ВС549В КТ3102Д
ВС238С КТ3102Г ВС549С КТ3102Е
ВС239В КТ3102Д ВС557 КТ361Д
ВС239С КТ3102Е ВС639 КТ645А
ВС250А КТ361А ВСР627А КТ373А
ВС250А КТ361Б ВСР627В КТ373Б
ВС285 П308 ВСР627С КТ373В
ВСЗОО КТ630Б ВСР628А КТ373А
ВС307А КТ3107Б ВСР628В КТ373Б
ВС307В КТ3107И ВСР628С КТ373В
«г. 'I
Транз. Аналог Транз. Аналог
BCW47 KT373A BD167 КТ815Б
BCW48 . КТ373Б, KT373B BD168 KT814B
BCW49 КТ373Б, KT373B BD169 KT815B
BCW57 КТ361Г BD170 КТ814Г
BCW58 KT361E i>D175 КТ817Б
BCW62A КТ361Г BD176 КТ816Б
BCW63A КТ361Г BD177 KT817B
BCYIO KT208E BD178 KT816B
BCY11 КТ208Д BD179 КТ817Г
BCY30 КТ208Л BD180 КТ816Г
BCY31 KT208M BD181 КТ819БМ
BCY32 KT208M BD182 KT819BM
BCY33 КТ208Г BD183 КТ819ГМ
BCY34 КТ208Г BD201 KT819B
BCY38 КТ501Д BD202 КТ818Б
BCY39 KT501M BD203 КТ819Г
BCY40 КТ501Д BD204 KT818B
BCY42 КТ312Б BD216 KT809A
BCY43 KT312B BD223 KT837H
BCY54 KT501K BD224 КТ837Ф
BCY56 KT312B BD225 KT387C
BCY58A KT342A BD226 KT943A
BCY58B КТ342Б BD227 КТ639Б
BCY58C КТ342Б BD228 КТ943Б
BCY58D KT342B BD229 КТ639Д
BCY59 KT3102A BD230 KT943B
BCY69 KT342B BD233 КТ817Б
BCY79 КТ3107Б BD234 КТ816Б
BCY90 KT208E BD235 KT817B
BCY90B КТ501Г BD236 KT816B
BCY91 K1208E BD237 КТ817Г
BCY91B КТ501Г BD238 КТ816Г
BCY92 KT208E BD239 KT817B
BCY92B КТ501Д BD239A KT817B
BCY93 KT208K BD240 KT816B
BCY93B КТ501Л BD240A KT816B
BCY94 KT208K BD240B КТ819Г
BCY94B КТ501Л BD246 KT818AM
BCY95 KT208K BD253 KT809A
BCY95B KT501M BD291 KT819A
BD109 КТ805Б BD292 KT818A
BD121 KT902A BD293 КТ819Б
BL) 123 KT902A BD294 КТ818Б
BD131 KT943B BD295 KT819B
BD135-6 KT343A BD296 КТ816Г
BD136 KT626A BD375 KT943A
BD137-6 КТ943Б BD377 КТ943Б
BD138 КТ926Б BD379 KT943B
BD 139-6 KT943B BD386 КТ644Б
BD140 KT626B BD433 KT817A
BD148 КТ805Б BD434 KT816A
BD149 КТ805Б BD435 KT817A
BD165 KT815A BD436 KT816A
BD166 КТ814Б BD437 КТ817Б
Транз. Аналог Транз. Аналог
Транз. Аналог
BD438 КТ816Б BDX25 КТ805Б BF459 КТ940А
BD439 КТ817В BDX77 КТ819Г BF469 КТ940Б
BD440 КТ816В BDX78 КТ818Г BF471 КТ605БМ
BD441 КТ817Г BDX91 КТ819БМ BF494 КТ339АМ
BD442 К1816Г BDX92 КТ818БМ BF615 КТ940Б
BD466 КТ973Б BDX93 КТ819ВМ BF617 КТ940А
BD611 КТ817А BDX94 КТ818ВМ BFJ57 КТ602В
BD612 КТ816А BDX95 КТ819ГМ BFJ70 КТ339В
BD613 КТ817А BDX96 КТ818ГМ BFJ93 КТ324Б
BD614 КТ816А BDY12 КТ805Б BFJ98 КТ611Г
BD615 КТ817Б BDY13 КТ805Б BFP177 КТ611В
BD616 КТ816Б BDY23 КТ803А BFP178 КТ611Г
BD617 КТ817В BDY24 КТ808А BFP179A КТ611Г
BD618 КТ816В BDY25 КТ812В BFP179B КТ611Б
ВД619 КТ817Г BDY72 КТ805А BFP179C КТ618А
BD620 КТ816Г BDY78 КТ805Б BFP719 КТ315А
BD813 КТ815А BDY79 КТ805А BFP720 КТ315Б
BD814 КТ814А BDY90 КТ945А BFP721 КТ315В
BD815 КТ815Б BDY91 КТ945А BFP722 КТ315Г
BD8I7 КТ815В BDY92 КТ908А BFR34 КТ372Б
BD818 КТ814Г BDY93 КТ812А BFR34A КТ372Б
BD825 КТ646А BDY94 КТ812А BFW16 КТ610А
BD826 КТ639Б BDY95 КТ804Б BFW45 КТ611Г
BD827 КТ646А BF111 КТ611А BFW89 КТ351Б
BD828 К Г639Д BF114 КТ611Г BFW90 КТ351Б
BD840 КТ639В BF137 КТ611Г BFW91 КТ351Б
BD842 КТ639Д BF140A КТ611В BFX12 КТ326А
BD934 КТ816Б BF173 КТ339В BFX13 КТ326Б
BD935 КТ817В BF177 КТ602А BFX44 КТ340В
BD936 КТ816В BF178 КТ611Г BFX73 КТ368А
BD937 КТ817Г BF179B КТ611Б BFX89 КТ355А
BD938 КТ816Г BF179C КТ618А BFX94 КТ3117А
BD944 КТ837Ф BF186 КТ611Г BFY19 КТ326Б
BD946 КТ837Ф BF197 КТ339Г BFY34 КТ630Г
BD948 К1837Ф BF199 КТ339АМ BFY45 КТ611Б
BD949 КТ819Б BF208 КТ339А BFY46 КТ630Д
BD950 КТ818Б BF223 КТ339В BFY50 КТ630Г
BD951 КТ819В BF240 КТ312В BFY51 КТ630Д
BD952 КТ818В BF254 КТ339АМ BFY52 КТ630Д
BD953 КТ819Г BF257 КТ611Г BFY53 КТ630Д
BD954 КТ818Г BF258 КТ604Б BFY55 КТ630Г
BDT91 КТ819Б BF259 КТ604Б BFY56 КТ630Г
BDT92 КТ818Б BF273 КТ339А BFY56A КТ630Г
BDT93 КТ819В BF291 КТ611Г BFY65 КТ611Г
BDT94 КТ818В BF297 КТ940В BFY66 КТ355А
BDT95 КТ819Г BF298 КТ940Б BFY78 КТ368А
BDT96 КТ818Г BF299 КТ940А BFY80 П308
BDV91 КТ819Б BF336 КТ611Г BLW18 КТ920Б
BDV92 КТ818Б BF337 КТ604Б BLW24 КТ922Г
BDV93 КТ819В BF338 КТ604Б BLX92 КТ913А
BDV94 КТ818В BF419 КТ940А BLX93 КТ913Б
BDV95 КТ819Г BF457 КТ940В BLY47 КТ808А
13DV96 КТ818Г BF458 КТ940Б BLY47A КТ808А
Транз. Аналог Транз. Аналог Транз. Аналог
BLY48 КТ808А BSY95A КТ340В EFT342 МП21Д
BLY48A КТ808А BSYP62 КТ340В EFRT343 МП21Д
BLY49A КТ809А BSYP63 КТ340В GC100 ГТ109А
BLY50 КТ809А BSZ10 КТ104Б GC101 ГТ109А
BLY50A КТ809А BSZ11 КТ104Б GC112 МП26А
BLY63 КТ920Г BSZ12 КТ203А GC116 МГТ108Д
BLY88A КТ920Г BU106 КТ812Б GC117 МГТ108Д
BSJ36 КТ351Б BU108 КТ839А GC118 МГТ108Д
BSJ63 КТ340Б BU120 КТ809А GCI21 МП20А
BSV49A КТ351Б BU123 КТ802А GC122 МП20А
BSV59-8 КТ3117А BU126 КТ704Б GC123 МП21Д
BSV199 КТ343Б BU129 КТ809А GC500 ГТ402Д
BSW20 КТ361Г BU132 КТ704А GC501 ГТ402Е
BSW21 КТ343Г BU133 КТ704Б GC502 ГТ401И
BSW27 КТ928А BU204 КТ838А GC507 МП20А
BSW36 КТ603Б BU205 КТ838А GC508 МП20Б
BSW41 КТ616А BU207 КТ838А GC509 МП21Г
BSW88A КТ375Б BU207A КТ838А GC510K ГТ403Е
BSX21 П308 BLJ208 КТ838А GC512K ГТ403Е
BSX32 КТ465А BU326 КТ828А GC515 МП20А
BSX38A КТ340А BU326A КТ828А GC516 МП20А
BSX51 КТ340В BUX82 КТ812А GC517 МП20Б
BSX52 КТ340В BUX83 КТ812А GC518 МП20Б
BSX53A КТ340А BUY43 П702 GC519 МП20Б
BSX59 КТ928А BUY46 П702А GC525 МП36А
BSX60 КТ928А BUY55 КТ808А GC526 МП36А
BSX61 КТ928А BUYP52 КТ802А GC527 МП36А
BSX62 КТ801Б BUYP53 КТ802А GCN55 МП20А
BSX63 КТ801А BUYP54 КТ802А GCN56 МП21Г
BSX66 КТ306А BVX49 КТ807А GD160 П213Б
BSX67 КТ306А D41D1 КТ626А GDI 70 П213Б
BSX80 КТ375Б D4ID4 КТ626Б GD175 П213Б
BSX81A КТ375Б D41D7 КТ626В GDI 80 П214А
BSX89 КТ616А EFT212 П216 GD240 П213
BSX97 КТ3117А EFT213 П216 GD241 П213
BSXP59 КТ928А EFT214 П217 GD242 П214А
BSXP60 КТ928А EFT250 П217 GD243 П214А
BSXP61 КТ928А EFT306 МП40 GD244 П215
BSXP87 КТ340В EFT307 МП40 GD607 ГТ404Г
BSY17 КТ616Б EFT308 КТ208Б GD608 ГТ404Б
'• BSY18 КТ616Б EFT311 МП20А GD609 ГТ404Б
\ BSY26 КТ340В EFT312 МП20А GD617 П201АЭ
BSY27 КТ340В EFT313 МП20Б GD618 П201АЭ
BSY34 КТ608А EFT317 П401 GD619 П203Э
BSY38 КТ340В EFT319 П401 GF 126 ГТ309Г
BSY39 КТ340Б EFT320 П401 GF128 ГТ309Б
BSY40 КТ343А EFT321 МП20А GF130 ГТ309Д
BSY41 КТ343Б EFT322 МП20А GF145 ГТ346А
BSY58 КТ608А EFT323 МП20Б GF147 ГТ346А
BSY62 КТ616Б EFT331 МП20А GF501 ГТ313В
BSY72 КТ352А EFT332 МП20А GF502 ГТ313А
BSY73 КТ312Б EFT333 МП20Б GF503 ГТ313Б
BSY95 КТ340В EFT341 МП21Д GF504 ГТ313А
Транз. Аналог Транз. Аналог Транз, Аналог
GF505 ГТ328Б KSY21 КТ616Б MSA7505 КТ907А
GF506 ГТ328Б KSY34 КТ608А NE1010E-28 КТ913Б
GF507 ГТ346Б KSY62 КТ616Б NKT11 МГТ108Г
GF514 ГТ322А KSY63 КТ616Б NKT73 МГТ108Б
GF515 ГТ322А KSY81 КТ347Б ОС25 П216
GF516 ГТ322А KU601 КТ801Б ОС26 ГТ703Д
GF517 ГТ322Б KU602 КТ801А ОС27 ГТ703Г
GFY50 ГТ322Б KU605 КТ812В ОС28 П217
GS109 МП42А KU606 КТ808А ОСЗО П201Э
GS111 МП42Б KU607 КТ812В ОС35 П217
GS112 МП25А KU611 КТ801Б ОС41 П29
GS121 МП42 KU612 КТ801А ОС42 П29А
КС 147 КТ373А KUY12 КТ812В ОС57 ГТ109А
КС 148 КТ373А МА909 МП26А ОС58 ГТ1ОЭБ
КС 149 КТ373Б МА910 МП26А ОС59 ГТ109В
КС507 КТ342Б MJ420 КТ618А ОС60 ГТ109В
КС508 КТ342Б MJ480 КТ803А ОС70 МП40А
КС509 КТ342Б MJ481 КТ803А ОС71 МП40А
KD601 КТ803А MJ2501 КТ825Г ОС75 МП40А
KD602 КТ808А MJ3001 КТ827Б ОС76 МП40А
KF 173 КТ339В MJ3055 КТ819Б ОС77 МП26Б
KF503 КТ602Б MJ3480 КТ839А ОС 169 ГТ322Б
GF130 ГТ309Д MJE520 КТ943А ОС 170 ГТ309Г
GF145 ГТ346А ММ404 МП42Б ОС171 ГТ309Г
GF147 ГТ346А ММ 1748 КТ316А ОС200 КТ104Г
GF501 ГТ313Б ММ3000 КТ602А ОС201 КТ104Б
GF502 ГТ313А ММ3001 КТ602Б ОС202 КТ 104В
GF503 ГТ313Б ММ3375 КТ904Б ОС203 КТ203А
GF504 ГТ313А MPS404 КТ209Е ОС204 КТ208Г
GF505 ГТ328Б MPS404A КТ209К ОС205 КТ208Л
GF506 ГТ328Б MPS706 КТ375Б ОС206 КТ208Г
GF507 ГТ346Б MPS706A КТ375Б ОС207 КТ208А
GF514 ГТ322А MPS3638 КТ351А ОСЮ16 ГТ703В
GF515 ГТ322А MPS3638A КТ351А ОС 1044 ГТ109Е
GF516 ГТ322Б MPS3639 КТ357А ОС 1045 ГТ109Д
GF517 ГТ322Б MPS3640 КТ347Б ОС 1070 МП40А
GFY50 МП42А MPS3705 КТ645А ОСЮ71 МП40А
GS109 МП42Б MPS6530 КТ645А ОСЮ72 МП41А
GS111 МП25А MPS6532 КТ645А ОС 1074 МП20А
GS112 МП42 MPS6562 КТ350А ОС 1075 МП41А
GS121 КТ373А MPS6563 КТ350А ОС 1076 МП42Б
КС 147 КТ373А MPS-H37 КТ339АМ ОСЮ77 МП21Г W /
КС 148 КТ373Б MPSL07 КТ363А ОС 1079 МП20А 'ч
КС 149 КТ342Б MPSL08 КТ363А РВС107А КТ373А
КС507 КТ342Б MPSU01 КТ807Б РВС107В КТ373Б
КС509 КТ342Б MPSU01A КТ807Б РВС108А КТ373А
KD601 КТ803А MPSU05 КТ807Б РВС108В КТ373Б
KD602 КТ808А MPSU06 КТ807Б РВС108С КТ373В
KF173 КТ339В MPSU07 КТ807А РВС109В КТ373Б
К1 503 КТ602Б MPSU51 КТ626А РВС109С КТ373В
К 1’504 КТ6НГ MPSU51A КТ626А РТ6670 КТ909Г
К 1’507 КТ617В MPSU55 КТ626Б РТ6680 КТ909В
KFY18 КТ313А MPSU56 КТ626Б RFD401 КТ606Б
373 ’fl
J
Транз. Аналог Транз. Аналог Транз. Аналог
RFD410 KT913A SFT214 П217 TG52 МП20А 1
RFD420 КТ913Б SFT223 МП206 TG53 МП20А
RFD421 KT904A SFT238 П216 TG55 МП20А 1
SC206D KT373A SFT239 П217 TIP29 KT815A |
SC206E КТ373Б SFT240 П217 TIP29A КТ815Б j
SC206F KT373B SFT250 П217 TIP29B KT815B I
SC207E КТ373Б SFT251 МП20А TIP29C КТ815Г 1
SC207F КТ373Б SFT252 МП20А TIP30 KT814A
SDT3207 КТ908Б SFT253 МП20А TIP30B KT814B
SDT3208 KT908A SFT306 МП39Б TIP31 KT817A 1
SDT7012 КТ908Б SFT307 KT208B TIP31A КТ817Б
SDT7013 KT908A SFT308 KT208B TIP31B KT817B
SE5053 KT339A SFT316 П422 TIP31C КТ817Г I
SF21 KT6I7A SFT319 П416 TIP32 KT816A
SF22 KT617A SFT320 П416 TIP32A КТ816Б I
SF23 KT608A SFT321 МП20А TIP32B KT816B ]
SF12IA KT617A SFT322 МП20Б TIP32C КТ816Г
SF121B KT617B SFT323 МП20Б TIP41 KT819A I
SF122A KT617A SFT325 ГТ402И TIP41A КТ819Б 1
SF122B KT617A SFT351 МП39Б TIP41B KT819B ;
SF123A KT602B SFT352 МП39Б TIP41C КТ819Г 1
SF123B КТ602Г SFT353 МП39Б TIP61 KT815A ]
SF123C КТ602Г SFT354 П422 TIP61A КТ815Б
SF126A KT617A SFT357 П422 TIP61B KT815B
SF126B KT617A SFT358 П423 TIP61C КТ815Г
SF126C KT617A SFT377 ГТ404Ж TIP62 KT8I4A
SF131E KT3102B SS106 KT340B TIP62A КТ8124Б
SF131F КТ3102Г SS108 KT340B TIP62B KT814B ...rje
SF132E КТ3102Б SS109 KT340B TIP62C КТ814Г
SF132F КТ3102Г SS120 KT608A TIP146 КТ825Г
SF136D KT342A SS125 KT617A TIXM101 ГТ341А
SFI36E КТ342Б SS126 KT608A TIXMI03 ГТ362А
SF136F KT342B SS216 КТ375Б TIXM104 ГТ341В
SF137D KT342A SS218 КТ375Б TIX3024 ГТ341Б
SF137E КТ342Б SS219 КТ375Б ZT2475 КТ316Б
SF137F KT342B T321N МП38 2SA49 ГТ109Е
SF150B КТ611Г T322N МП37Б 2SA50 П30
SF150C КТ611Г T323N МП38А 2SA52 ГТ109Е
SF215C КТ375Б T354H П403 2SA53 ГТ109Д
SF215D KT373A T357H П403А 2SA58 ГТ322Б .
SF215E КТ373Б T358H П403 2SA60 ГТ322Б
SF216C KT375A TCH98 KT208E 2SA69 ГТ309Е
SF216D KT373A TCH98B KT501K 2SA70 ГТ309Е
SF216E КТ373Б TCH99 KT208K 2SA71 ГТ309Е
SF240 KI 339AM TCH99B KT501M 2SA72 ГТ322В
SFT124 KT501E TG2 МГТ108А 2SA73 ГТ322В
SFT125 KT501E TG3A МГТ108В 2SA78 ГТ321Д
SFT130 KT501E TG3F МНТ108Г 2SA92 ГТ322Б A
SFT131 KT501E TG4 МГТ108А 2SA93 ГТ322В
SFT163 П423 TG5 ГТ115Б 2SAI01 ГТ322В '1
S FT 187 KT602A TG5E ГТ115А 2SA102 ГТ322В
SFT212 ГТ703Г TG50 МП20А 2SA103 ГТ322В
SFT213 ГТ703Г TG51 МП21Г 2SA104 ГТ322Б
Транз. Аналог
Транз. Аналог
Транз. Аналог
2SA105 ГТ310Е 2SA400 ГТ309Г 2SB171 МП40А
2SA106 ГТ310Е 2SA412 ГТ308Б 2SB172 МП20А
2SA107 ГТ310Д 2SA416 П605А 2SB173 МП39А
2SA108 П422 2SA422 ГТ346Б 2SB174 МП41А
2SA109 П422 2SA440 ГТ313А 2SB175 МП41А
2SA110 П422 2SA467 КТ351Б 2SB176 МП25Б
2SA111 П422 2SA473 КТ639А 2SB180A П210А
2SA112 П422 2SA494 КТ349В 2SB181A П202
2SA116 ГТ310В 2SA495 КТ357Г 2SB200 МП25Б
2SA117 ГТ310Д 2SA496 КТ657Г 2SB201 МП25Б
2SA118 ГТ310Д 2SA500 КТ352А 2SB261 ГТ115А
2SA219 ГТ322В 2SA504 КТ933А 2SB262 ГТ115В
2SA221 ГТ322Б 2SA505 КТ639Д 2SB263 МП25Б
2SA223 ГТ322В 2SA522 КТ326Б 2SB302 ГТ109Е
2SA229 ГТ313А 2SA555 КТ361Г 2SB303 ГТ115Г
2SA230 ГТ313А 2SA556 КТ361Е 2SB335 МГТ108В
2SA234 ГТ309Б 2SA559 КТ352А 2SB336 МГТ108В
2SA235 ГТ309Б 2SA561 КТ3107Б 2SB361 ГТ806А
2SA236 ГТ322В 2SA564 КТ3107Д 2SB362 ГТ806Б
2SA237 ГТ322В 2SA564A КТ3107И 2SB367 П201А
2SA246 ГТ305В 2SA568 КТ345В 2SB368 П201А
2SA254 ГТ109Е 2SA603 КТ313Б 2SB400 МГТ108В
2SA255 ГТ109Д 2SA628 КТ357Г 2SB434 КТ837Р
2SA256 ГТ322Б 2SA640 КТ307К 2SB434G КТ837Р
2SA257 ГТ322В 2SA641 КТ3107Л 2SB435 КТ837У
2SA258 ГТ322В 2SA671 КТ816Б 2SB435G КТ837Р
2SA259 ГТ322В 2SA712 КТ632А 2SB439 МП41А
2SA260 ГТ310А 2SA718 КТ313Б 2SB440 МП41А
2SA266 ГТ309Г 2SA719 КТ350А 2SB443A МГТ108Г
2SA267 ГТ309Г 2SA733 КТ3107И 2SB443B МГТ108Г
2SA268 ГТ309Д 2SA750 КТ3107К 2SB444A МГТ108Г
2SA269 ГТ309Д 2SA999 КТ3107И 2SB444B МГТ108Г
2SA270 ГТ309Г 2SA1015 КТ3107Б 2SB448 П201А
2SA271 ГТ309Г 2SA1090 КТ313Б 2SB456 П202
2SA272 ГТ309А 2SB32 МП39А 2SB466 П201А
2SA279 П416Б 2SB33 МП41А 2SB467 П202
2SA285 ГТ322Б 2SB37 МП41А 2SB468 ГТ810А
2SA286 ГТ322Б 2SB39 ГТ115А 2SB473 П201А
2SA287 ГТ322Б 2SB40 МП42Б 2SB481 П201А
2SA321 ГТ322В 2SB47 МГТ108Д, 2SB497 МГТ108Б
2SA322 ГТ322В МГТ108Г 2SB558 КТ818ГМ
2SA338 ГТ322В 2SB54 МГТ108Д, 2SC33 КТ3122Б
2SA339 ГТ322Б МГТ108Г 2SC40 КТ31-6Г
2SA340 ГТ322Б 2SB57 МГТ108Б 2SC41 КТ802А
2SA341 ГТ322Б 2SB60 МП41А 2SC42 КТ802А
2SA342 ГТ322Б 2SB61 МП41А 2SC43 КТ802А
2SA343 ГТ309Б 2SB90 ГТ109Г 2SC44 КТ803А
2SA350 П422 2SB97 ГТ109В 2SC64 КТ601А
2SA351 П422 2SB120 МП41А 2SC65 КТ611В
2SA352 П422 2SB130 П201А 2SC66 КТ611Г
2SA351 П422 2SB136 МП25А 2SC68 КТ340В
2SA355 П422 2SB136A МП25А 2SC101A КТ902А
2SA374 П609А 2SB170 МП39А, 2SC105 КТ312Б
МП40А
Транз. Аналог
Транз. Аналог
Транз. Аналог
2SC109A КТ928А 2SC549 КТ904Б 2SC1061K КТ817Б
2SC131 КТ616Б 2SC553 КТ907Б 2SC1090 КТ372А
2SC132 КТ616Б 2SC563 КТ339Г 2SC1129 КТ339А
2SC133 КТ616Б 2SC583 КТ368Б 2SC1172 КТ839А
2SC134 КТ616А, 2SC589 КТ611Б 2SC1172A КТ839А
2SC135 КТ616А 2SC598 КТ904А 2SCI172B КТ839А
2SC137 КТ616Б 2SC601 КТ306Б 2SC1173 КТ943А
2SC170 КТ306Д 2SC612 КТ325В 2SC1210 КТ645А
2SC171 КТ306Д 2SC618 КТ325А 2SC1211 КТ645А
2SC172 КТ306Д 2SC618A КТ325А 2SC1317 КТ645А
2SC188 КТ617А 2SC620 КТ375А 2SC1406 КТ646А
2SC247 КТ602Г 2SC633 КТ315Б 2SC1440 КТ945А
2SC253 КТ325А 2SC634 КТ315Г 2SC1504 КТ809А
2SC281 КТ312В 2SC635 КТ904Б 2SC1550 К.Т940Б
2SC282 КТ312В 2SC641 КТ315Г 2SC1566 КТ940Б
2SC306 КТ630Д 2SC642 КТ904А 2SC1569 КТ940А
2SC307 КТ630Г 2SC680 КТ802А 2SC1576 КТ812А
2SC308 КТ630Г 2SC691 КТ904А 2SC1617 КТ812Б
2SC309 КТ630А 2SC712 КТ375Б 2SC1618 КТ808А
2SC310 КТ630В 2SC722 КТ339АМ 2SCI619 КТ808А
2SC366G КТ645А 2SC727 П307Б 2SC1619A КТ808А
2SC367 КТ645А 2SC728 КТ618А 2SC1624 КТ943В
2SC370 КТ375Б 2SC752TM КТ645А 2SC1625 КТ943В
2SC371 КТ375Б 2SC766 КТ646А 2SC1815 КТ3102Б
2SC372 КТ375Б 2SC779 КТ809А 2SC1846 КТ645А
2SC390 КТ368А 2SC788 КТ618А 2SC1894 КТ839А
2SC395A КТ616А 2SC790 КТ817Б 2SC1895 КТ839А
2SC400 КТ306В 2SC793 КТ803А 2SC1896 КТ839А
2SC401 К.Т358В 2SC796 КТ603А 2SCI983 КТ817Г
2SC402 КТ358В 2SC809 КТ325Г 2SC2001 КТ645А
2SC403 КТ358Б 2SC815 КТ645А 2SC2068 КТ940А
2SC404 КТ358В 2SC825 КТ809А 2SC2121 КТ828А
2SC482 КТ617А 2SC828 КТ3102В 2SC2137 КТ812А
2SC493 КТ803А 2SC828A КТ3102Б 2SC2138 КТ812А
2SC497 КТ630Б 2SC829 КТ358Б 2SC2258 КТ940Б
2SC498 КТ630Г 2SC848 КТ342Б 2SC2314 КТ646А
2SC503 КТ630Г 2SC850 КТ209М 2SC2431 КТ945А
2SC504 КТ630Г 2SC853 КТ209М 2SC2611 КТ604БМ
2SC505 КТ618А 2SC893 П701А 2SD31 МП35
2SC506 КТ611Б 2SC900 КТ3102Г 2SD32 МП38А
2SC507 КТ632А 2SC923 КТ3102Г 2SD33 МП38А
2SC508 КТ802А 2SC936 КТ826А 2SD37 МП37А
2SC510 КТ630В 2SC945 КТ3102Д 2SD47 КТ908А
2SC512 КТ630Г 2SC959 КТ630Б 2SD68 КТ902А
2SC517 КТ903А 2SC976 КТ911Г 2SD72 ГТ404И
2SC519A КТ802А 2SC977 КТ913А 2SD75 МП38
2SC520A КТ802А 2SC978 КТ913Б 2SD75A МП37А
2SC521A КТ803А 2SC988B КТ399А 2SD127 ГТ404Е
2SC525 П701А 2SC1000QTM КТ3102Б 2SD128 ГТ404И
2SC526 КТ611Б 2SC1008 КТ630Д 2SD128A ГТ404И
2ДС538 КТ3102Г 2SC1008A КТ630Б 2SD146 П702А
2SC538A КТ3102Б 2SC1044 КТ355А 2SD147 П702
2SC543 КТ907Б 2SC1056 КТ605Б 2SD148 П702
Транз. Аналог Транз. Аналог Транз. Аналог
2SD177 КТ819ГМ 2N59 МП20А 2N796 ГТ308Б
2SD195 МП38А 2N59A МП20А 2N797 ГТ311И
2SD201 КТ808А 2N59B МП21Д 2N834 КТ340В
2SD202 КТ808А 2N59C МП21Д 2N835 КТ340В
2SD203 КТ808А 2N60 МП20Б 2N842 КТ301Д
2SD234 КТ817В 2N60A МП21В 2N843 КТ301В
2SD235 КТ817Б 2N60B МП21Д 2N844 П307В
2SD292 КТ817В 2N60C МП21Г 2N845 П308
2SD438 КТ630Б 2N61 МП20А 2N869 КТ352А
2SD526 КТ817Г 2N61A МП20В 2N869A КТ347А
2SD640- КТ828Б 2N61B МП21Д 2N914 КТ616Б
2SD668 КТ611БМ 2N61C МП21Г 2N915 КТ342Г
2SD668A КТ611БМ 2N65 МП20А 2N916 КТ342А
2SD675A КТ945А 2N77 ГТ1ОЭБ 2N917 КТ368Б
2SD820 КТ839А 2N94 М.П38 2N918 КТ368А
2SD821 КТ839А 2N104 МП40А 2N919 КТ340В
2SD822 КТ839А 2N554 П216В 2N920 КТ340В
2SD880 КТ817В 2N555 П216В 2N923 КТ203Б
2Т3531 П308 2N560 П307В 2N924 КТ203Б
2Т3674 КТ355А 2N581 МП42А 2N929 КТ342А
2Т3841 КТ343А 2N59I ГТ115Г 2N930 КТ342А
2NU72 ГТ403Б 2N602 П416 2N943 КТ203Б
3NU72 ГТ403Б 2N603 П416 2N944 КТ203Б
4NU72 ГТ403Е 2N604 П416А 2N955 ГТ311И
5NU72 ГТ403Б 2N653 МП20А 2N955A ГТ311И
2NU73 ГТ703Б 2N654 МП20А 2N978 КТ350А
3NU73 ГТ703Г 2N655 МП20Б 2N979 ГТ305А
4NU73 ГТ703Д 2N696 КТ630Д 2N980 ГТ305А
5NU73 П213 2N697 КТ630Д 2N987 ГТ322Б
6NU73 П215 2N698 КТ630А 2N990 ГТ322В
7NU73 П215 2N699 КТ630А 2N991 ГТ322В
101N70 МП35 2N700 ГТ313Б 2N993 ГТ322В
I02N70 МП35 2N700A ГТ376А 2N995 КТ352А
103N70 МП37 2N702 КТ312А 2N996 КТ352А
104N70 МП36А 2N703 КТ312В 2N1024 КТ104Б
105N70 МП36А 2N728 КТ312В 2N1027 КТ104Б
106N70 МП36А 2N729 КТ312Б 2N1028 КТ 104 А
107N70 МП36А 2N734 П307 2N1175 МП20Б
МП38А
152N70 МП36А 2N735 П307А 2N1204 ГТ321Г
153N70 МП36А 2N735A П307А 2N1204A ГТ321Г
I54N70 МП38 2N738 П309 2N1218 ГТ705Г
155N70 МП38А 2N739 П308 2N1219 КТ 104 Г
2NU74 ГТ701А 2N741 ГТ313В 2N1220 КТ 104 А
3NU74 ГТ701А 2N741A ГТ313А 2N1221 КТ 104 Г
4NU74 ГТ701А 2N743 КТ340В 2N1222 КТ 104 А
5NU74 ГТ701А 2N744 КТ340В 2N1223 КТ 104 А
6NU74 ГТ701А 2N753 КТ340Б 2N1292 ГТ705В
7NU74 ГТ701А 2N754 П307В 2N1300 ГТ308А
2N43 МП25Б 2N755 П308 2N1301 ГТ308А
2N44 МП25Б 2N780 КТ312Б 2N1303 МП20А
2N44A МП40А 2N784A КТ340В 2N1321 ГТ705В
2N45 МП40А 2N794 ГТ308А 2N1329 ГТ705В
2N45A МП40А 2N795 ГТ308А 2N1353 МП42А
Транз. Аналог
Транз. Аналог
Транз. Аналог
2N1354 МП42Б 2N1889 ктезог 2N2373 КТ201В
2N1384 ГТ321Д 2N1890 КТ630Б 2N2400 ГТ308Б
2N1387 КТ301Б 2N1893 КТ630А 2N2405 КТ630Б
2N1390 КТ301Д 2N1924 МП21Г 2N2410 КТ928А
2N1413 МП39Б 2N1925 МП21Г 2N2411 КТ352А
2N1414 МП39Б 2N1926 МП21Д 2N2412 КТ352А
2N1415 МП39Б 2N1958 КТ608А 2N2415 ГТ376А
2N1420 КТ630Е 2N1959 КТ608Б 2N2416 ГТ376А
2N1494 ГТ321Г 2 N2020 КТ3117А 2N2428 МП41А
2N1494A ГТ321Г 2N2048 ГТ308Б 2N2432 КТ201Б
2N1499A ГТ365А 2N2048A ГТ308Б 2N2432A КТ201Б
2N1499В ГТ305Б 2N2089 П403 2N2475 КТ316В
2N1500 ГТ305Г 2N2102 КТ630А 2N2482 ГТ311И
2N1507 КТ630Е 2N2102A КТ630А 2N2537 КТ928Б
2N1524 П422 2N2137A ГТ701А 2N2538 КТ928Б
2N1526 П422 2N2138A ГТ701А 2N2539 КТ3117А
2N1565 КТ601А 2N2142A ГТ701А 2N2615 КТ325А
2N1566 П307Б 2N2I43 ГТ701А 2N2616 КТ325Б
2N1566A КТ602Б 2N2147 ГТ905А 2N2617 КТ201А
2N1572 П309 2N2148 ГТ905Б 2N2635 ГТ320В
2N1573 П308 2N2192 КТ630Е 2N2659 П214А
2N1574 П308 2N2192A КТ630Е 2N2660 П215
2N1585 гтзпж 2N2193 КТ630Г 2N2661 П215
2N1613 КТ630Г 2N2193A КТ630Г 2N2665 П214А
2N1643 КТ КИА 2N2194 КТ630Д 2N2666 П214А
2N1681 МП42Б 2N2194A КТ630Д 2N2667 П215
2N1583 ГТ308Б 2N2195 КТ630Д 2N2696 КТ351А
2N1700 КТ801Б 2N2199 ГТ305А 2N2708 КТ325Б
2N1701 П702 2N2200 КТ305Г 2N2711 КТ315Ж
2N1702 KT8Q3A 2N2217 КТ928А 2N2712 КТ315Б
2N1711 КТ630Е 2N2218 КТ928Б 2N2784 КТ316Б
2N1714 П701А 2N2218A КТ928Б 2N2811 КТ908Б
2N1716 П701А 2N2219 КТ928Б 2N2813 КТ908А
2N1726 П417А 2N2219A КТ928Б 2N2835 П213
2N1727 П417 2N2221 КТ3117А 2N2836 ГТ703Д
2N1728 П417А 2N2221A КТ3117А 2N2868 КТ630Д
2N1742 ГТ313Б 2N2222 KT3I17A 2N2890 КТ801А
2N1743 ГТ313А 2N2224 КТ608Б 2N2891 КТ801А
2N1745 ГТ305Б 2N2236 КТ617А 2N2894 КТ347Б
2N1746 П417 2N2237 КТ603Б 2N2906 КТ313А
2N1747 П417 2N2242 КТ340В 2N2906A КТ313А
2N1748 1г305В 2N2243 КТ630А 2N2907 КТ313Б
2N1752 П417 2N2243A КТ630А 2N2907A КТ313Б
2N1754 ГТ305А 2N2270 КТ630Д 2N2947 КТ903А
2N1785 П417А 2N2273 ГТ305Б 2N2948 КТ903А
2N1786 П417 2N2274 КТ203Б 2N2958 КТ608Б
2N1787 П417 2N2275 КТ203Б 2N2999 ГТ341В
2N1838 КТ617А 2N2276 КТ203В 2N3010 КТ316Б
2N1839 КТ617А 2N2277 КТ203В 2N3012 КТ347Б
2N1840 КТ617А 2N2297 КТ630Г 2N3015 КТ928А
2N1854 ГТ308Б 2N2360 ГТ376А 2N3019 КТ630В
2N1864 П417 2N2361 ГТ376А 2N3020 КТ630В
2N1865 П417Б 2N2372 КТ201В 2N3053 КТ630Д
Транз. Аналог
Транз. Аналог
Транз. Аналог
2N3054 КТ805Б 2N4440 КТ907Б 2N5642 КТ922Б
2N3054A КТ803А 2N4910 П702А 2N5643 КТ922В
2N3055 КТ819ГМ 2N4911 П702 2N5652 КТ372В
2N3107 КТ630Б 2N4912 П702 2N5681 КТ630Г
2N3108 КТ630Г 2N49I3 КТ808А 2N5682 КТ630А
2N3109 КТ630Б 2N4914 КТ808А 2N5764 КТ913А
2N31I0 КТ630Г 2N4915 КТ808А 2N5765 КТ913Б
2N3114 КТ6ПГ 2N4922 КТ817Г 2N5842 КТ355А
2N3121 КТ351А 2N4924 КТ611Г 2N5851 КТ355А
2N3I27 ГТ328А 2N4925 КТ611Г 2N5852 КТ355А
2N3I34 КТ646А 2N4926 КТ604Б 2N5887 ГТ701А
2N3209 КТ347А 2N4927 КТ604Б 2N5888 ГТ701А
2N3210 КТ616Б 2N4960 КТ928Б 2N5889 ГТ701А
2N3248 КТ351А 2N4976 КТ911А 2N5890 ГТ701А
2N3249 КТ345Б 2N5043 ГТ329Б 2N5891 П217
2N3250 КТ313Б 2N5044 ГТ329А 2N5995 КТ920Г
2N3250A КТ313Б 2N5050 КТ802А 2N5996 КТ920Г
2N3267 ГТ376А 2N5051 КТ802А 2N6077 КТ812Б
2N3279 ГТ328А 2N5052 КТ802А 2N6078 КТ812Б
2N3280 ГТ328А 2N5056 КТ347Б 2N6079 КТ812А
2N3281 ГТ328Б 2N5067 КТ803А 2N6080 КТ920Б
2N3282 ГТ328В 2N5068 КТ803А 2N6081 КТ920Г
2N3903 КТ375А 2N5069 КТ803А 2N6093 КТ912Б
2N3904 КТ375А 2N5070 КТ912А 2N6099 КТ819В
2N3905 КТ361Г 2 N5090 КТ606А 2N6101 КТ819Г
2N3906 КТ361Г 2N5177 КТ909А 2N6124 КТ839Ф
2N4030 КТ933Б 2N5178 КТ909Б 2N6125 КТ839С
2N4031 КТ933А 2N5188 КТ603Б 2N6126 КТ839Н
2N4034 КТ326Б 2N5209 КТ3102Д 2N6129 КТ819Б
2N4036 КТ933А 2N5210 КТ3102Е 2N6130 КТ819В
2N4037 КТ933Б 2N52I9 КТ375Б 2N6131 КТ818Г
2N4077 ГТ705Д 2N5221 КТ351А 2N6132 КТ818Б
2N4125 КТ361Б 2N5223 КТ375Б 2N6133 КТ818В
2N4127 КТ922Г 2N5226 КТ350А 2N6134 КТ818Г
2N4128 КТ922Д 2N5228 КТ357А 2N6I35 КТ610А
2N4138 КТ201Б 2N5239 КТ812Б 2N6246 КТ818ВМ
2N4207 КТ337Б 2N5240 КТ812А 2N6247 КТ818ГМ
2N4208 КТ337Б 2N5313 КТ908А 2N6248 КТ818ГМ
2 N4222 КП302А 2N5315 КТ908А 2N6253 КТ819БМ
2N4231 П702 2N5317 КТ908А 2N6288 КТ819А
2N4232 П702 2N5319 КТ908А 2N6289 КТ819А
2N4233 П702 2N5354 КТ351А 2N6290 КТ819В
2 N 4237 КТ801А 2N5365 КТ351А 2N6291 KT8I9B
2N4238 КТ801Б 2N5366 КТ351Б 2N6292 КТ819Г
2 N 4239 КТ801А 2N5427 КТ808А 2N6293 КТ819Г
2N4240 КТ704А 2N5429 КТ808А 2N6371 КТ819БМ
2N4260 КТ363А 2N5447 КТ345Б 2N6383 КТ827В
2N4261 КТ363Б 2N5481 КТ911А 2N6385 КТ827Б
2N4301 КТ908А 2N5490 КТ819Б 2N6469 КТ818БМ
2N4314 КТ933А 2N5492 КТ819Б 2N6470 КТ819БМ
2N4429 КТ911Б 2N5494 КТ819В 2N6471 КТ819ВМ
2 N 4430 КТ913А 2N5496 КТ819Г 2N6472 КТ819ГМ
2N4431 КТ913Б 2N5641 КТ922А 40675 КТ912Б
АЛФАВИТНО-ЦИФРОВОЙ УКАЗАТЕЛЬ
ТРАНЗИСТОРОВ,
ПОМЕЩЕННЫХ В СПРАВОЧНИКЕ
Тип транзистора Стр. Тнп транзистора Стр. Тип транзистора Стр.
ГТ108 (А-Г) 23 КП314А 336 КТ302А 44
ГТ109 (А-И) 25 КПС315(А,Б) 337 КТ306 (А-Д) 46
ГТ115 (А-Д) 27 КП322А 338 КТ312 (А-В) 54
ГТ124 (А-Г) 33 КП327 (А, Б) 340 КТ313 (А, Б) 58
ГТ125 (А-Л) 33 КП329 (А, Б) 341 КТ315 (А-И) 60
ГТ305 (А-В) 44 КП341 (А, Б) 342 *КТ315 (А1-Р1) 60
ГТ308 (А-В) 48 КП350 (А, Б) 343 КТ316 (А-Д) 62
ГТ309 (А-Е) 50 *КП365А 345 (АМ-ДМ) 62
ГТ310 (А-Е) 51 *КП382А 346 КТ321 (А-Е) 68
ГТ311 (Е-И) 53 *КП501А 346 КТ325 (А-В) 70
ГТ313 (А-В) 56 КП601 (А, Б) 347 (АМ-ВМ) 70
ГТ320 (А-В) 64 КП717 (А-Е) 349 КТ326 (А, Б) 72
ГТ321 (А-Е) 66 *КП717 (А1-Е1) 349 (АМ, БМ) 72
ГТ323 (А-В) 69 *КП718 (А-Е) 350 КТ337 (А-В) 77
ГТ328 (А-В) 73 *КП718(А1-Е1) 350 КТ339 (А-Д) 79
ГТ329 (А-Г) 75 ♦КП722А 352 КТ340 (А-Д) 81
ГТЗЗО (Д-И) 75 *КП723 (А-Г) 353 КТ342 (А-Г) 82
ГТ341 (А-В) 75 *КП724А; Б 353 (АМ-ВМ) 82
ГТ346 (А-В) 87 *КП725А 354 КТ343 (А-Г) 84
ГТ362 (А, Б) 101 *КП726А 355 КТ345 (А-В) 86
ГТ402 (А-И) 135 *КП728А 355 КТ347 (А-В) 89
ГТ403 (А-Ю) 136 КП801 (А, Б) 355 КТ349 (А-В) 90
ГТ404 (А-Г) 138 КП901 (А, Б) 356 КТ350А 92
ГТ405 (А-Г) 140 КП902 (А-В) 357 КТ351 (А, Б) 92
ГТ701А 185 КП903 (А-В) 359 КТ352 (А, Б) 92
ГТ703 (А-Д) 186 КП904 (А, Б) 360 КТ355А, АМ 94
ГТ705 (А-Д) 189 КП905 (А, Б) 361 КТ357 (А-Г) 96
ГТ810А 203 КП907 (А, Б) 363 КТ358 (А-В) 98
ГТ905 (А, Б) 249 КП912 (А, Б) 364 КТ361 (А-Е) 99
КП102 (Е-Л) 314 КП921А 365 ♦КТ361 (А2-П2) 99
КП 103 (Е-М) 316 КП922 (А, Б) 365 КТ363 (А, Б) 103
КПС104 (А-Д) 319 (А1, Б1) 365 (АМ, БМ) 103
КП301 (Б-Г) 321 КТ104 (А-Г) 22 КТ368 (А, Б) 105
КП302 (А-Г) 322 КТ117 (А-Г) 28 (АМ, БМ) 105
(АМ-ГМ) 322 КТ118 (А-В) 29 КТ371А, АМ 107
КПЗОЗ (А-И) 323 КТ119 (А, Б) 31 КТ372 (А-В) 108
КП304А 325 КТ201 (А-Д) 34 КТ373 (А-Г) ПО
КП305 (Д-И) 326 (АМ-ДМ) 34 КТ375 (А, Б) 111
КП306 (А-В) 328 КТ203 (А-В) 36 КТ382 (А, Б) 113
*КП307 (А-Ж) 331 (АМ ВМ) 36 (АМ, БМ) 113
КП310 (А-Б) 333 КТ208 (А-М) 38 КТ399А, АМ 114
КП312 (А-Б) 334 *КТ209 (А-М) 39 КТ3102 (А-Е) 116
КП313 (А-В) 335 КТ301 (А-Ж) 42 (АМ-ЕМ) 116
Тип транзистора Стр. Тип транзистора Стр. Тип транзистора Стр.
*КТС3103(А1,Б1) 118 КТ712 (А, Б) 192 КТ8108 (А, Б) 241
♦КТ3107 (А Л) 120 КТ715А 192 КТ8136А 241
КТ3108 (А-В) 122 КТ801 (А, Б) 193 КТ8140А 241
КТ3109 (А-В) 124 КТ802А 195 *КТ8156А 242
*КТ3117 (А, Б) 125 КТ803А 195 КТ902А 244
КТ3120А 126 КТ805 (А, Б) 196 КТ903 (А, Б) 244
КТ3123( АМ-ВМ) 127 (АМ-ВМ) 196 КТ904 (А, Б) 247
*КТ3126 (А, Б) 129 *КТ807 (А, Б) 198 КТ907 (А, Б) 247
*КТ3127А 131 (АМ, БМ) 198 КТ908 (А, Б) 251
♦КТ3128А 131 КТ808А 199 КТ909 (А-Г) 252
*КТ3142А 133 (АМ-ГМ) 199 КТ911 (А-Г) 254
*КТ3157А 134 КТ809А 201 *КТ913 (А-В) 255
КТ501 (А-М) 141 КТ812 (А-В) 204 КТ914А 257
♦КТ502 (А-Е) 144 *КТ814 (А-Г) 205 *КТ916А 258
*КТ503А-Е 146 *КТ815 (А-Г) 205 КТ919 (А-Г) 259
КТ506 (А, Б) 148 *КТ816 (А-Г) 206 КТ920 (А-Г) 260
КТ601 (А, АМ) 149 *КТ817 (А-Г) 206 КТ921 (А, Б) 261
КТ602 (А-Г) 150 *КТ818 (А-Г) 208 КТ922 (А-Д) 262
(АМ, БМ) 150 (АМ-ГМ) 208 КТ925 (А-Г) 263
КТ603 (А-Е) 152 *КТ819 (А-Г) 208 *КТ928 (А, Б) 264
КТ604 (А, Б) 154 (АМ-ГМ) 208 КТ929А 266
(АМ, БМ) 154 КТ825 (Г-Е) 210 КТ930 (А, Б) 267
КТ605 (А, Б) 154 КТ826 (А-В) 212 КТ931А 267
(АМ, БМ) 154 КТ827 (А, Б) 213 КТ932 (А-В) 268
КТ606 (А, Б) 156 КТ828 (А, Б) 215 КТ933 (А, Б) 269
КТ608 (А, Б) 158 *КТ829 (А-Г) • 216 КТ93.4 (А...Д) 270
*КТ610 (А, Б) 159 КТ834 (А-В) 217 КТ935А 271
КТ611 (А-Г) 161 КТ835 (А, Б) 219 КТ936 (А, Б) 272
(АМ, БМ) 161 КТ837 (А-Ф) 220 *КТ939 (А, Б) 273
КТ616 (А, Б) 163 КТ838А 223 *КТ940 (А-В) 275
КТ617А 163 КТ839А 225 КТ942В 276
КТ618А 163 КТ840 (А, Б) 224 КТ943 (А-Д) 276
КТ625 (А, АМ) 164 КТ844А 225 КТ944А 277
КТ626 (А-Д) 165 КТ845А 225 КТ945Б 278
КТ630 (А-Е) 166 КТ846 (А-В) 225 КТ946А 279
К-Т632Б 167 КТ847 225 КТ947А 280
КТ633Б 168 КТ848А 227 КТ948 (А, Б) 281
*КТ635Б 169 КТ850 (А-В) 228 КТ955А 282
КТ639 (А-И) 173 КТ851 (А-В) 229 КТ956А 283
КТ644 (А-Г) 171 КТ852 (А-Г) 229 КТ957А 284
♦КТ645 (А, М) 172 КТ854 (А, Б) 231 КТ958А 285
*КТ646 (А, Б) 174 КТ855 (А, В) 231 КТ960А 286
*КТ660 (А, Б) 176 КТ857А 232 *КТ961 (АВ) 287
*КТ6109 (А-Д) 177 КТ858А 233 КТ962 (А-В) 288
*КТ6110 (А-Г) 178 КТ859А 234 КТ965А 289
*КТ6111 (А-Г) 179 КТ863А 235 КТ966А 289
*КТ6112 (А-В) 180 КТ864А 236 КТ967А 290
-КТ6113 (А-Е) 181 КТ865А 238 КТ969А 291
*КТ6114 (А-Е) 182 ♦КТ872А (А, Б) 239 КТ970А 292
♦КТ6115 (А-Е) 182 КТ886(А1, Б1) 240 КТ971А 293
*КТ6116 (А, Б) 183 КТ890А 240 *КТ972 (А, Б) 294
*КТ6117 (А, Б) 184 КТ8101 (А, Б) 243 ♦КТ973 (А, Б) 294
КТ704 (А-В) 188 КТ8102 (А, Б) 243 КТ976А 296
Тип транзистора Стр. Тип транзистора Стр. Тип транзистора Стр.
КТ981А 297 ТК 135-25-2,5 306 2ТК152-100-1 306
КТ983 (А-В) 298 ТК 135-25-3 306 2ТК152-100-1,5 306
КТ997А 299 ТК 135-25-3,5 306 2ТК152-100-2 306
МП20 (А, Б) 12 ТК135-25-4 306 2ТК152-100-3 306
МП21 (А-Г) 12 ТК235 32-0,5 307 2ТК235-40-0.5 300
МП25 (А, Б) 14 ТК235-32-1 307 2ТК235-40-1 300
МП26 (А, Б) 14 ТК235-32-1.5 307 2ТК235-40-1 300
МП35 16 ТК235-32-2 307 2ТК235-40-1.5 300
МП36А 16 ТК235-32-2.5 307 2ТК235-40-2 300
МП37 (А, Б) 16 ТК235-32-3 307 2ТК235-40-3 300
МП38 (А) 16 ТК235-32-3.5 307 2ТК235-40-6 301
МП39 18 ТК235-32-4 307 2ТК235-50-0.5 302
МП40А 18 ТК235-40-0,5 309 2ТК235-50-1 302
МП41А 18 ТК235-40-1 309 2ТК235-50-1.5 302
МП42 (А, Б) 20 ТК235-40-1.5 309 2ТК235-50-2 302
ТК135-16-0,5 308 ТК235-40-2 309 2ТК235-50А-1.5 304
ТК135-16-1 308 ТК235-40-2.5 309 2ТК235-50А-3 304
ТК135-16-1.5 308 ТК235-40-3 309 2ТК235-50-3 302
ТК135-16-2 308 ТК235-40-3.5 309 2ТК235-63-0.5 303
ТК135-16-2.5 308 ТК235-40-4 309 2ТК235-63-1 303
ТК 135-16-3 308 2ТК 152-80-0,4 305 2ТК235-63-1.5 303
ТК135-16-3,5 308 2ТК152-80-1 305 2ТК235-63-2 303
ТК 135-16-4 308 2ТК152-80-1,5 305 2ТК235-63-3 303
ТК 135-25-0,5 306 2ТК152-80-2 305 2ТК235-80-0.5 303
ТК 135-25-1 306 2ТК152-80-3 305 2ТК235-80-1 303
ТК 135-25-1,5 306 2ТК152-100-0,5 306 2ТК235-80-1.5 303
ТК135-25-2 306
* Приборы,
«Транзистор».
220787,
г. Минск. Тел. 774101
изготовляемые заводом
ОГЛАВЛЕНИЕ
1. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ........................3
1.1. Система обозначений биполярных транзисторов ... 3
1.2. Электрические параметры биполярных транзисторов . 5
1.3. Биполярные транзисторы малой мощности низкой час-
тоты ................................................12
1.4. Биполярные транзисторы малой мощности средней час-
тоты ................................................34
1.5. Биполярные транзисторы малой мощности высокой час-
тоты ................................................42
1.6. Биполярные транзисторы средней мощности низкой час-
тоты ...............................................135
1.7. Биполярные транзисторы средней мощности средней
частоты.............................................141
1.8. Биполярные транзисторы средней мощности высокой
частоты.............................................149
1.9. Биполярные транзисторы большой мощности низкой
частоты.............................................185
1.J0. Биполярные транзисторы большой мощности средней
частоты.............................................193
1.11. Биполярные транзисторы большой мощности высокой
частоты.............................................244
1.12. Силовые транзисторы (токовые коммутаторы) . . . 300
2. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ.........................311
2.1. Система обозначений полевых транзисторов .... 311
2.2. Электрические параметры полевых транзисторов . . 312
2.3. Полевые транзисторы малой мощности............314
2.4. Полевые транзисторы средней и большой мощности . 347
Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги . 367
Алфавитно-цифровой указатель транзисторов, поме-
щенных в справочнике ......................... 380
Галкин В. И. и др.
Г 16 Полупроводниковые приборы: Транзисторы
широкого применения: Справочник/В. И. Гал-
кин, А. Л. Булычев, П. М. Лямин.— Мн.: Бела-
русь, 1995..— 383 с.: ил.
ISBN 985-01-0101-6.
Приведены сведения об основных электрических параметрах,
предельных значениях допустимых режимов работы и характери-
стиках биполярных и полевых транзисторов широкого применения.
Даны классификация, система обозначений приборов, а также
сведения о их назначении, маркировке и корпусах.
Для широкого круга специалистов и радиолюбителей, занима-
ющихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной
аппаратуры.
6210382030— 026
г------------------35—94 ББК32.852.3я2
М301(03)—95
Справочное издание
Галкин Виталий Иванович
Булычев Анатолий Леонидович
Лямин Петр Михайлович
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ:
ТРАНЗИСТОРЫ ШИРОКОГО ПРИМЕНЕНИЯ
Редактор Д. В. Василенко
Художественный редактор Е. А. Ждановская
Технические редакторы И. П. Кастецкая,
Я. С. Шляшинская
Корректоры Л. Б. Шинкевич, Н. Н. Масаренко, Р. П. Иваненко
Сдано в набор 08.08.94. Подп. в печ. 03.04.95. Формат 84 X Юв'/зг-
Бумага тип. №2. Гарнитура литературная. Высокая печать с ФПФ.
Усл. печ. л. 20,16. Усл. кр.-отт. 20,16. Уч.-изд. л. 19,64. Тираж
30 000 экз. Зак. 1210.
Ордена Дружбы народов издательство «Беларусь» Министерства
культуры и печати Республики Беларусь. Лицензия ЛВ № 2.
220600, Минск, проспект Машерова, 11.
Минский ордена Трудового Красного Знамени полиграфкомбинат
МППО им. Я. Коласа. 220005, Минск, Красная, 23.