Массовая
радио-
библиотека
Основана в 1947 году
Выпуск 1144
Транзисторы
Справочник
Москва
«Радио и связь» 1989

ББК 32.852.3
Т65
УДК 621.382.3@3)
А в т о р ы: О. П. Григорьев, В. Я. Замятин, Б. В. Кондратьев, С. Л. Пожидаев
Редакционная коллеги я: В. Г. Белкин, С. А. Бирюков, В. Г. Бори-
сов, В. М. Бондаренко, Е. Н. Геништа, А. В. Гороховский, С. А. Елъяшкевич,
И. П. Жеребцов, В. Т. Поляков, А. Д. Смирнов, Ф. И. Тарасов, О. П. Фролов,
Ю. А. Хотунцев, Н. И. Чистяков
Рецензент В. А. Неловко
Транзисторы: Справочник/ О. П. Григорьев, В. Я. Замятин,
Т65 Б. В. Кондратьев, С. Л. Пожидаев - М.: Радио и связь, 1989.-272 с:
ил. — (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1144)
ISBN 5-256-00236^
В табличной форме приведены сведения об основных электрических пара-
метрах, предельно допустимых режимах работы современной номенклатуры
транзисторов, выпускаемых отечественной промышленностью. Даны габарит-
ные чертежи приборов.
Для широкого круга радиолюбителей.
Т МЮМОЗДМ34 >w> ББКЭ2.852.3
046 @1)-39
ISBN 5-256-00 236-в © Издательство "Радио и связь", 1989

Предисловие
Отечественной промышленностью выпускается широкая номенклатура
дискретных полупроводниковых приборов, позволяющих создавать малогабарит-
ную, экономичную и надежную аппаратуру.
В справочнике приведены сведения о параметрах биполярных и полевых тран-
зисторов (в том числе лавинных, однопереходных, двухэмиттерных, силовых), а
также сборок на их основе, режимах измерения, предельно допустимых параметрах
режимов эксплуатации. Изложены принципы работы транзисторов, системы их
классификации, даны габаритные чертежи. Приведены графические обозначения
транзисторов, условные обозначения параметров и основные нормативно-техничес-
кие документы по транзисторам. Рассмотрены некоторые особенности применения
транзисторов, даны рекомендации по их использованию в аппаратуре.
Для удобства поиска данных транзисторы сгруппированы в справочнике как по
максимально допустимой рассеиваемой мощности (для мощных транзисторов — с
применением теплоотвода), так и по частоте. В последнее время разработано боль-
шое число составных транзисторов (транзисторов Дарлингтона), данные о них
представлены в самостоятельных таблицах. В связи с различным составом парамет-
ров генераторных и переключательных ВЧ транзисторов большой мощности и СВЧ
транзисторов средней и большой мощностей данные о них разделены по функцио-
нальным признакам и также приведены в самостоятельных таблицах. В пределах
каждой таблицы биполярные транзисторы расположены по мере возрастания основ-
ного определяющего параметра - постоянного тока коллектора, а полевые транзис-
торы - по мере увеличения рассеиваемой мощно стн на транзисторе. В конце спра-
вочника даны указатель типов транзисторов и указатель таблиц.
Знаком "*" отмечены типы приборов, предназначенные для применения в уст-
ройствах с пониженными эксплуатационными характеристиками.
Буква "т" рядом со значением параметра обозначает, что приведенная величина
является типовой, а буква "и" соответствует импульсному режиму работы транзис-
тора.
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ
ТРАНЗИСТОРАХ
Разновидности транзисторов и их основные характеристики
По принципу действия транзисторы делятся на биполярные и полевые.
Биполярный транзистор - это полупроводниковый прибор с двумя взаимодей-
ствующими р-п переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства
которого обусловлены явлениями инжекции ("впрыскивания") и экстракции
("отсасывания") неосновных носителей заряда. Ток в биполярных транзисторах
вызывается движением двух видов носителей противоположного знака - электро-
нов и дырок. Область полупроводниковой структуры, расположенная между р-п
3

переходами, носит название базы, а внешние области структуры транзистора -
эмиттера и коллектора. Транзистор, в котором область базы обладает
электронной, а области эмиттера и коллектора дырочной проводимостью, являет
ся транзистором р-п-ртипа. Транзистор, имеющий базу с дырочной проводимостью,
а эмиттер и коллектор с электронной проводимостью, представляет собой транзис
тор п-р-п типа. При нормальном включении биполярного транзистора и работе в
активном режиме его эмиттерный переход смещен в прямом, а коллекторный — в
обратном направлениях. В режиме насыщения оба перехода смещены в прямом
направлении.
Выходные вольт-амперные характеристики (ВАХ) биполярного п-р-п транзис-
тора в схеме с общим эмиттером (ОЭ) представлены на рис. 1. В зависимости от
режимов включения участка база-эмиттер значения максимально допустимого
(пробивного) напряжения на коллекторе, при котором наступает пробой коллек-
торного перехода, оказываются различными. Наибольшим пробивным напряжением
^КБО проб транзистор обладает при включении обратного напряжения между кол-
лектором и базой при разомкнутой цепи эмиттера. При включении напряжения
между коллектором и эмиттером и обратном смещении в цепи базы пробивное на-
пряжение оказывается ниже и^эх проб- При коротком замыкании между базой и
эмиттером пробивное напряжение между коллектором и эмиттером равно
^КЭК проб» а ПРИ включении сопротивления в цепь базы - TJk3R проб- Наимень-
шим пробивным напряжением транзистор обладает при включении напряжения
между коллектором и эмиттером и при разомкнутой цепи базы ЦкэО проб-
В нормативно-технической документации на биполярные транзисторы, как пра-
вило, указываются не пробивные, а максимально допустимые значения напряжений
иКБОтах> %ЭХ max- икэк max» Ur3R max и икЭ0тах. которые устанавливают с
учетом необходимого конструктивно-технологического запаса по отношению к про-
Рис. 1. Выходные ВАХ биполярного п-р-п транзис-
тора в схеме с общим эмиттером
Рис. 2. Входные ВАХ бипо-
лярного п-р-п транзисто-
ра в схеме с общим эмит-
тером

бивным напряжениям. Максимально допустимым значениям напряжений соответству-
ют обратные токи1кБО> гКЭХ» ^ЭК» ^ЭК и !кЭО
Граничное напряжение и^эо гр является максимально допустимым напряжением
между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы и токе коллектора,
соизмеримом с его рабочими значениями и существенно превышающем обратные то-
ки в транзисторе.
Напряжения на коллекторе, меньшие UK3Q , свойственны статическим и им-
пульсным режимам работы транзистора при токах базы, отличных от нуля (при
1Б > 0 для п-р-п транзистора и при Ig < 0 для транзистора р-п-р) и соответст-
вующих им токах коллектора. Напряжения, большие и^эо гр> характерны для пере-
ходных режимов работы транзисторов при токах коллектора, близких к обратным
токам.
Начальный участок выходных ВАХ биполярного транзистора, ограниченный на
рис. 1 заштрихованной областью, соответствует режиму его насыщения.
Входные ВАХ биполярного п-р-п транзистора в схеме с ОЭ при двух значениях
напряжения коллектор-эмиттер приведены на рис. 2.
Разновидностью биполярных транзисторов являются лавинные транзисторы,
предназначенные для формирования мощных импульсов наносекундного диапазона.
Рабочий участок выходной ВАХ лавинного транзистора находится в области лавинно-
го пробоя коллекторного перехода. При этом лавинообразное нарастание коллектор-
ного тока происходит в течение нескольких наносекунд и обусловлено ударной иони-
зацией в коллекторном переходе.
Другую разновидность биполярных транзисторов представляют собой двухэмит-
терные модуляторные транзисторы, в которых конструктивно объединены две тран-
зисторные структуры. Двухэмиттерные транзисторы предназначены для усиления и
регистрации слабых постоянных напряжений с использованием их промежуточного
преобразования в переменное напряжение.
К биполярным транзисторам могут быть также отнесены однопереходные тран-
зисторы (иногда называемые двухбазовыми диодами). Структура однопереходного
транзистора представляет собой кристалл высокоомного полупроводника с одним
р-п переходом и двумя омическими переходами. Область с токоотводящим контак-
том, прилегающую к р-п переходу, называют эмиттером, а омические переходы — ба-
зами. Характерной особенностью ВАХ однопереходных транзисторов является нали-
чие на ней участка отрицательного сопротивления, что создает благоприятные усло-
вия для их применения в импульсных генераторах, в частности в схемах формирова-
ния управляющих импульсов для включения тиристоров.
Широкое распространение в последние годы получили составные биполярные
транзисторы (транзисторы Дарлингтона), обладающие очень высокими коэффициен-
тами передачи тока. Отечественной промышленностью в настоящее время выпускают-
ся составные транзисторы, состоящие из двух приборов, включенных по схеме, пред-
ставленной на рис. 3. В ряде случаев составные транзисторы содержат ускоряющий
Ш и защитный D2 диоды, первый из которых служит для повышения быстродей-
ствия транзистора, а второй - для защиты от возможных перенапряжений в уст-
ройстве.
Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, в котором ток основ-
ных носителей заряда, протекающий через канал, управляется электрическим полем.
В полевых транзисторах ток обусловлен носителями заряда только одного знака, в
связи с чем их относят к классу униполярных транзисторов. В полевых транзисторах-
электрод, через который в проводящий канал втекают носители заряда, называется
истоком, а электрод, через который из канала носители заряда вытекают, —
стоком. Электрод, на который подается управляющий электрический сигнал, на-
5

Рис.3. Схема п-р-п составного тран-
зистора
Рис. 4. Проходные ВАХ полевого тран-
зистора с управляющим р-п переходом и
с каналом л- и р-типов проводимости
Рис. 5. Проходная ВАХ полевого гран- Рис. 6. Проходная ВАХ полевого тран-
зистора с изолированным затвором и зистора с изолированным затвором и
встроенным каналом л-типа индуцированным каналом л-типа
зывается затвором. Проводящий канал — это область в полупроводнике, в кото-
рой регулируется поток носителей заряда.
Существует два вида полевых транзисторов, различающихся принципами управле-
ния носителями заряда: транзисторы с управляющим р-п переходом и транзисторы с
изолированным затвором (МОП- и МДП-транзисторы). Разновидностью транзистора
с управляющим переходом является транзистор с барьером Шоттки. Транзисторы с
изолированным затвором имеют затвор, электрически изолированный от проводяще-
го канала, и подразделяются, в свою очередь, на транзисторы с встроенным и индуци-
рованным каналами.
Характерной особенностью полевых транзисторов с управляющим р-л переходом,
изолированным затвором и встроенным каналом является наличие начального тока
1с иач межДУ истоком и стоком при отсутствии управляющего сигнала на затворе
(рис.4 и 5) и при условиях Uch = const, Uch > ^С1Л нас i^CH нас ~ напряжение
сток-исток на границе области насыщения). В зависимости от полярности приложен-
ного к затвору напряжения электропроводность канала полевого транзистора может
6

уменьшаться (при подаче запирающего напряжения канал работает в режиме обедне-
ния основными носителями) или увеличиваться (канал работает в режиме обогаще-
ния). В силу конструктивных особенностей транзисторов с управляющим р-п перехо-
дом они обычно работают в режиме обеднения проводящего канала. Транзисторы с
изолированным затвором и встроенным каналом могут работать как в режиме обед-
нения, так и в режиме обогащения. Запирающее напряжение между затвором и исто-
ком, при котором происходит полное запирание транзистора, является напряжением
отсечки 1)зи отс-
В полевых транзисторах с изолированным затвором и индуцированным каналом
при отсутствии напряжения на затворе ток между истоком и стоком практически от-
сутствует. Транзисторы с индуцированным каналом относятся к транзисторам, рабо-
тающим в режиме обогащения. При подаче на затвор транзистора с индуцированным
л- каналом положительного напряжения в прилегающей к нему области, начиная с не-
которого порогового напряжения 11зи пор (Рис- б, где зависимость 1с = Щ^зи) да-
на при условиях и„Т/Г= const, и^и > ^CVi. нас) происходит формирование проводя-
щего канала, сопровождающееся ростом тока стока.
Конструктивным вариантом полевых приборов является двухзатворный транзис-
тор (МДП^гетрод), в котором один из затворов выполняет функцию экрана, умень-
шающего проходную емкость прибора. Это дает возможность повысить коэффициент
устойчивого усиления каскада с МДП-тетродом на высоких частотах. Кроме того,
двухзатворный прибор позволяет существенно упростить конструирование смеси-
тельных схем.
Классификация и системы условных обозначений транзисторов
Принятые в нашей стране условные обозначения транзисторов содержат
сведения об их назначении, физических и конструктивно-технологических свойствах,
основных электрических параметрах, применяемом исходном материале,
Система условных обозначений современных типов транзисторов (кроме сило-
вых) установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919 - 81. В основу системы
обозначений положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе
которого изготовлен транзистор. При этом используют" буквы или цифры:
Г или 1 - для германия или его соединений;
К или 2 — для кремния или его соединений;
А или 3 - для соединений галлия (практически для арсенида галлия);
И или 4 — для соединений индия.
Второй элемент - буква, определяющая подкласс (или группу) транзистора.
Для биполярных транзисторов буква Т, а для полевых — П.
Третий элемент - цифра, определяющая функциональные возможности тран-
зистора по допустимой рассеиваемой мощности и частотным свойствам. Для обоз-
начения функциональных возможностей применяются следующие цифры:
для транзисторов малой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью не
более 0,3 Вт):
1 - низкой частоты, с граничной частотой коэффициента передачи тока или мак-
симальной рабочей частотой (далее граничной частотой) не более 3 МГц;
2 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
3 — высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;
для транзисторов средней мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью
более 0,3 Вт, но не более 1,5 Вт):
7

4 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;
5 — средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
6 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;
для транзисторов большой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью
более 1,5 Вт) :
7 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;
8 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
9 — высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц.
В настоящем справочнике к транзисторам высокой частоты отнесены транзисто-
ры с граничной частотой более 30, но не более 300 МГц, а к транзисторам СВЧ - с
граничной частотой более 300 МГц.
Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки тран-
зистора.
Пятый элемент, буква, условно определяющая классификацию транзисторов по
параметрам.
Для бескорпусных приборов в состав обозначения дополнительно через дефис
вводится цифра, характеризующая соответствующую модификацию конструктивно-
го исполнения:
1-е гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки) (рис. П. 4);
2-е гибкими выводами на кристалле держателе (подложке) (рис. П. 29);
3-е жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки) (рис. П. 15);
4-е жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке) (рис. П. 89);
5-е контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без выво-
дов (рис. П. 150);
6-е контактными площадками на кристаллодержателе (подложке), но без вы-
водов (рис. П. 202).
У биполярных транзисторов, разработанных до 1964 г., условные обозначения ти-
па состоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения - буква П, характеризующая класс биполярных
транзисторов, или две буквы МП для транзисторов в корпусе, герметизируемом ме-
тодом холодной сварки.
Второй элемент - одно-, двух- или трехзначное число, определяющее порядковый
номер разработки и обозначающее подкласс транзистора по роду исходного полупро-
водникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной
(или предельной) частоты:
от 1 до 99 - германиевые транзисторы малой мощности низкой частоты;
от 101 до 199 - кремниевые транзисторы малой мощности низкой частоты;
от 201 до 299 - германиевые транзисторы большой мощности низкой частоты;
от 301 до 399 - кремниевые транзисторы большой мощности низкой частоты;
от 401 до 499 - германиевые транзисторы малой мощности высокой и сверхвысо-
кой частот;
от 501 до 599 - кремниевые транзисторы малой мощности высокой и сверхвысо-
кой частот;
от 601 до 699 - германиевые транзисторы большой мощности высокой и сверх-
высокой частот;
от 701 до 799 - кремниевые транзисторы большой мощности высокой и сверх-
высокой частот.
Третий элемент обозначения (у некоторых типов он может отсутствовать) - бук-
ва, условно определяющая классификацию транзисторов по параметрам.
Система условных обозначений силовых транзисторов отличается от описанных
систем. В соответствии с этой системой приняты следующие обозначения.
8

Первый элемент (у некоторых типов транзисторов он может отсутствовать) -циф-
ла обозначающая исходный полупроводниковый материал, на основе которого изго-
товлен транзистор:
1 - германий;
2 - кремний;
3 - арсенид галлия;
4 - карбид кремния.
Второй элемент - буквы ТК, ТКД или ТКП, обозначающие вид прибора (дискрет-
ный биполярный, составной биполярный и полевой транзисторы соответственно).
Третий элемент - цифра, обозначающая порядковый номер разработки (модифи-
кации).
Четвертый элемент - цифра, определяющая размер корпуса для каждого конст-
руктивного исполнения.
Пятый элемент - цифра, обозначающая конструктивное исполнение корпуса:
1 — штыревое с гибкими выводами;
2 - штыревое с жесткими выводами;
3 -таблеточное;
4 -подзапрессовку;
5 - фланцевое.
Конструктивные исполнения, отличные от указанных, обозначаются цифрами от
6 до 9.
Шестой элемент обозначения - отделенное дефисом число, соответствующее мак-
симально допустимому постоянному току коллектора (стока) в амперах.
Седьмой элемент - отделенное дефисом число, определяющее условное обозначе-
ние класса транзистора по максимально допустимому постоянному напряжению кол-
лектор-эмиттер при отключенной базе (или по напряжению сток-исток).
До 1987 г. в соответствии с действовавшей системой в шестом и седьмом элемен-
тах обозначения типов силовых биполярных транзисторов указывались максимально
допустимые значения импульсного тока коллектора и импульсного напряжения кол-
лектор-база.
Условные графические обозначения транзисторов
(ГОСТ 2.730-73)
Транзистор типа р-п-р
Транзистор типа п-р-п с коллектором, электрически
соединенным с корпусом
Лавинный транзистор типа п-р-п
Транзистор однопереходный с л-базой
Наименование
Обозначение

Окончание таблицы
Наименование
Обозначение
Транзистор однопереходный с р-базой
Транзистор типа р-л-рс двумя базовыми выводами
Транзистор многоэмиттерный типа п-р-п
Транзистор полевой с каналом л-типа
Транзистор полевой с каналом р-типа
Транзистор полевой с изолированным затвором
обогащенного типа с р-каналом
Транзистор полевой с изолированным затвором
обогащенного типа с л-каналом
Транзистор полевой с изолированным затвором
обедненного типа с р-каналом
Транзистор полевой с изолированным затвором
обедненного тина с л-каналом
Транзистор полевой с изолированным затвором
обогащенного типа с р-каналом и с выводом от подложки
Транзистор полевой с изолированным затвором
обогащенного типа с «-каналом и с внутренним
соединением подложки и истока
Транзистор полевой с двумя изолированными
затворами обедненного типа с л-каналом и с выводом
от подложки
10

Основные стандарты на биполярные и полевые транзисторы
ГОСТ 15133-77
ОСТИ 336.919-81
ГОСТ 2.730-73
ГОСТ 18472 -82
ОСТ 16 0.801.250-85
ГОСТ 20003 - 74*
ГОСТ 19095 -73*
ГОСТ 18604.0 -83
ГОСТ 18604.1 - 80
ГОСТ 18604.2 -80
ГОСТ 18604.3 -80
ГОСТ 18604.4 -74
ГОСТ 18604.5 - 74
ГОСТ 18604.6 - 74
ГОСТ 18604.7 -74
ГОСТ 18604.8 74
ГОСТ 18604.9 -82
ГОСТ 18604.10 - 76
ГОСТ 18604.11 -76
ГОСТ 18604.13 -77
ГОСТ 18604.14 - 77
ГОСТ 18604.15 -77
ГОСТ 18604.16 -78
Приборы полупроводниковые. Термины и определения
Приборы полупроводниковые. Система условных
обозначений
ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах.
Приборы полупроводниковые
Приборы полупроводниковые. Основные размеры
Приборы полупроводниковые силовые. Транзисторы.
Габаритные и присоединительные размеры
Транзисторы биполярные. Термины, определения и
буквенные обозначения параметров
Транзисторы полевые. Термины, определения и бук-
венные обозначения параметров
Транзисторы биполярные. Общие требования при изме-
рении электрических параметров
Транзисторы биполярные. Методы измерения постоян-
ной времени цепи обратной связи на высокой частоте
Транзисторы биполярные. Методы измерения статичес-
кого коэффициента передачи тока
Транзисторы биполярные. Метод измерения емкости
коллекторного и эмиттерного переходов
Транзисторы. Методы измерения обратного тока кол-
лектора
Транзисторы. Методы измерения обратного тока кол-
лектора-эмиттера
Транзисторы. Метод измерения обратного тока эмит-
тера
Транзисторы. Метод измерения коэффициента переда-
чи тока
Транзисторы. Метод измерения выходной проводи-
мости
Транзисторы биполярные. Методы определения гранич-
ной и предельной частот коэффициента передачи тока
Транзисторы биполярные. Метод измерения входного
сопротивления
Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффи-
циента шума на высоких и сверхвысоких частотах
Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Метод из-
мерения выходной мощности и определения коэффи-
циента усиления по мощности и коэффициента полез-
ного действия коллектора
Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Метод из-
мерения модуля коэффициента обратной передачи на-
пряжения в схеме с общей базой на высокой частоте
Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Мето-
ды измерения критического тока
Транзисторы биполярные. Метод измерения коэф-
фициента обратной связи по напряжению в режиме
малого сигнала
11

ГОСТ 18604.17 -78
ГОСТ 18604.18 - 78
ГОСТ 18604.19 -78
ГОСТ 18604.20 -78
ГОСТ 18604.22 -78
ГОСТ 18604.23 -80
ГОСТ 18604.24 -81
ГОСТ 18604.26 -85
ГОСТ 18604.27 - 86
ОСТ 11 336.909.1 -79
ОСТ 11 336.909.3 -79
ГОСТ 27264 - 87
ГОСТ 20398.0 - 83
ГОСТ 20398.1 - 74
ГОСТ 20398.2 - 74
ГОСТ 20398.3 - 74
ГОСТ 20398.4 - 74
ГОСТ 20398.5 - 74
ГОСТ 20398.6 - 74
ГОСТ 20398.7 - 74
ГОСТ 20398.8 - 74
ГОСТ 20398.9 -80
ГОСТ 20398.10 -80
12
Транзисторы биполярные. Метод измерения плаваю-
щего напряжения эмиттер-база
Транзисторы биполярные. Методы измерения стати-
ческой крутизны прямой передачи
Транзисторы биполярные. Методы измерения гра-
ничного напряжения
Транзисторы биполярные. Методы измерения коэф-
фициента шума на низкой частоте
Транзисторы биполярные. Методы измерения напря-
жения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер
Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффи-
циентов комбинационных составляющих
Транзисторы биполярные высокочастотные генератор-
ные. Метод измерения выходной мощности и опреде-
ления коэффициента усиления по мощности и коэффи-
циента полезного действия коллектора
Транзисторы биполярные. Методы измерения времен-
ных параметров
Транзисторы биполярные мощные высоковольтные.
Метод измерения пробивного напряжения коллектор-
база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (кол-
лектора)
Транзисторы биполярные мощные высоковольтные.
Методы измерения граничного напряжения
Транзисторы биполярные мощные высоковольтные.
Методы измерения скорости нарастания обратного на-
пряжения
Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений
Транзисторы полевые. Общие требования при измере-
нии электрических параметров
Транзисторы полевые. Метод измерения модуля пол-
ной проводимости прямой передачи
Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициен-
та шума
Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны ха-
рактеристики
Транзисторы полевые. Метод измерения активной сос-
тавляющей выходной проводимости
Транзисторы полевые. Метод измерения входной, про-
ходной и выходной емкостей
Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки
затвора
Транзисторы полевые. Метод измерения порогового
напряжения и напряжения отсечки
Транзисторы полевые Метод измерения начального
тока стока
Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны
характеристики в импульсном режиме
Транзисторы полевые. Метод измерения начального
тока стока в импульсном режиме

ГОСТ 20398.11 - 80 Транзисторы полевые. Метод измерения ЭДС шума
ГОСТ 20398.12 - 80 Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного
тока стока
ГОСТ 20398.13 - 80 Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивле-
ния сто к-и сто к
ОСТ 11 336.916 - 80 Транзисторы полевые. Метод измерения выходной
мощности, определения коэффициента усиления по
мощности, определения коэффициента полезного дей-
ствия стока
ОСТ 11 073.073 - 82 Приборы полупроводниковые и микросхемы. Метод
контроля температуры полупроводниковых структур
ОСТ 11 073.062 — 76 Микросхемы интегральные и приборы полупроводни-
ковые. Требования и методы защиты от статического
электричества в условиях производства и применения
ОСТ 11 336.907.0 - 79 Приборы полупроводниковые. Руководство по приме-
нению. Общие положения
ОСТ 11 336.907.8 - 81 Транзисторы биполярные. Руководство по применению
ОСТ 11 336.935 - 82 Транзисторы полевые. Руководство по применению
ОСТ 11 ПО.336.001 Приборы полупроводниковые бескорпусные.
ред1-71 Руководство по применению

ТЕРМИНОЛОГИЯ И СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ
Термины, определения и условные обозначения параметров биполярных транзисторов (ГОСТ 20003 — 74*)
Термин
Буквенное обозначение
отечественное
международное
Определение
Граничное напряжение биполярного
транзистора |
Постоянное напряжение коллектор-
эмиттер
Постоянное напряжение коллектор-
эмиттер при токе базы, равном нулю
Постоянное напряжение коллектор-
эмиттер при сопротивлении в цепи
база-эмиттер
Постоянное напряжение коллектор-
эмиттер при заданном обратном напряжении
эмиттер-база
Постоянное напряжение коллектор-
эмиттер при коротком замыкании
в цепи база-эмиттер
Напряжение насыщения коллектор-
эмиттер
Напряжение насыщения база-эмиттер
Постоянное напряжение коллектор-база
Постоянное напряжение коллектор-база
при токе эмиттера, равном нулю
Постоянное напряжение эмиттер-база
при токе коллектора, равном нулю
Постоянный ток эмиттера
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора
Постоянный ток базы
Обратный ток коллектор-эмиттер
при разомкнутом выводе базы
Обратный ток коллектор-эмиттер
при заданном сопротивлении в цепи
база-эмиттер
Напряжение между выводами коллектора и
эмиттера при токе базы, равном нулю, и
заданном токе эмиттера
Постоянное напряжение между выводами
коллектора и эмиттера
Постоянное напряжение между выводами
коллектора и эмиттера при заданном токе
коллектора и токе базы, равном нулю
Постоянное напряжение между выводами
коллектора и эмиттера при заданном токе
коллектора и сопротивлении в цепи база-
эмиттер
Постоянное напряжение между выводами
коллектора и эмиттера при заданном токе
коллектора и заданном обратном напряже-
нии эмиттер-база
Постоянное напряжение между выводами
коллектора и эмиттера при заданном токе
коллектора и коротком замыкании в цепи
база-эмиттер
Напряжение между выводами коллектора и
эмиттера транзистора в режиме насыщения
при заданных токах базы и коллектора
Напряжение между выводами базы и эмитте-
ра транзистора в режиме насыщения при за-
данных токах базы и коллектора
Постоянное напряжение между выводами
коллектора и базы
Постоянное напряжение между выводами
коллектора и базы при заданном токе
коллектора и токе эмиттера, равном нулю
Постоянное напряжение между выводами
эмиттера и базы при заданном обратном
токе эмиттера и токе коллектора, равном
нулю
Постоянный ток, протекающий через эмит-
терный переход
Постоянный ток, протекающий через кол-
лекторный переход
Импульсное значение тока коллектора при
заданной скважности и длительности
импульса
Постоянный ток, протекающий через базо-
вый вывод
Ток в цепи коллектор-эмиттер при заданном
обратном напряжении коллектор-эмиттер и
разомкнутом выводе базы
Ток в цепи коллектор-эмиттер при заданном
обратном напряжении коллектор-эмиттер и
заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер

Продолжение таблицы
Термин
Буквенное обозначение
отечественное
международное
Определение
Обратный ток коллектор-эмиттер
при заданном обратном напряжении
эмиттер-база
Обратный ток коллектор-эмиттер
при коротнезамкнутых выводах
эмиттера и базы
Обратный ток коллектора
Частота2
Граничная частота коэффициента
передачи тока
Предельная частота коэффициента
передачи тока биполярного транзистора
Максимальная частота генерации
биполярного транзистора
Рабочая частота2
Модуль коэффициента передачи тока
биполярного транзистора на высокой
частоте
Время задержки для биполярного
транзистора
Время нарастания для биполярного
транзистора
Время рассасывания для биполярного
транзистора
Время спада для биполярного транзистора
Время включения биполярного
транзистора
Ток в цепи коллектор-эмиттер при заданном
обратном напряжении коллектор-эмиттер и
заданном обратном напряжении эмиттер-база
Ток в цепи коллектор-эмиттер при заданном
обратном напряжении коллектор-эмиттер и
короткозамкнутых выводах эмиттера и базы
Ток через коллекторный переход при задан-
ном обратном напряжении коллектор-база и
разомкнутом выводе эмиттера
Частота, при которой модуль коэффициента
передачи тока в схеме с общим эмиттером
экстраполируется к единице
Примечание. Частота, равная произведе-
нию модуля коэффициента передачи тока на
частоту измерения, которая находится в диа-
пазоне частот, где справедлив закон изменения
модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на
октаву
Частота, на которой модуль коэффициента
передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с
его низкочастотным значением
Наибольшая частота, при которой транзистор
способен генерировать в схеме автогенератора
Модуль коэффициента передачи тока в схеме
с общим эмиттером в режиме малого сигнала
на высокой частоте
Интервал времени между моментом нараста-
ния фронта входного импульса до значения,
соответствующего 10 % его амплитуды, и
моментом нарастания фронта выходного им-
пульса до значения, соответствующего 10%
его амплитуды
Интервал времени между моментами нарас-
тания фронта выходного импульса от значе-
ния, соответствующего 10 % его амплитуды,
до значения, соответствующего 90 % его амп-
литуды
Интервал времени между моментом подачи
на базу запирающего импульса и моментом,
когда напряжение на коллекторе транзистора
достигает заданного уровня
Интервал времени между моментами спада
среза выходного импульса от значения, соот-
ветствующего 90 % его амплитуды, до значе-
ния, соответствующего 10 % его амплитуды
Интервал времени, являющийся суммой вре-
мени задержки и времени нарастания

Продолжение таблицы
Выходная мощность биполярного
транзистора
Емкость коллекторного перехода
Емкость эмиттерного перехода
Температура откружающей среды2
Температура корпуса2
Тепловое сопротивление переход-корпус*
Тепловое сопротивление переход-среда2
Максимально допустимое постоянное
напряжение коллектор-эмиттер при токе
базы, равном нулю
Максимально допустимое постоянное
напряжение коллектор-эмиттер при
сопротивлении в цепи база-эмиттер
Максимально допустимое постоянное
напряжение коллектор-база при токе
чо эмиттера, равном нулю
Время выключения биполярного
Транзистора
Статический коэффициент передачи
тока биполярного транзистора
Коэффициент передачи тока биполярного
транзистора в режиме малого сигнала
в схеме с общим эмиттером
Коэффициент шума биполярного
Транзистора
Коэффициент усиления по мощности
биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи
на базу запирающего импульса и момен-
том, когда напряжение на коллекторе тран-
зистора достигает значения, соответствующе-
го 10 % его амплитудного значения
Отношение постоянного тока коллектора к
постоянному току базы при заданных пос-
те ян ном обратном напряжении коллектор-
эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим
эмиттером
Отношение изменения выходного тока к
вызвавшему его изменению входного тока
в режиме короткого замыкания выходной
цепи по переменному току в схеме с общим
эмиттером
Отношение мощности шумов на выходе тран-
зистора к той ее части, которая вызвана теп-
ловыми шумами сопротивления источника
сигнала
Отношение мощности на выходе транзистора
к мощности, подаваемой на вход транзисто-
ра, при определенной частоте и схеме включе-
ния
Мощность, которую отдает транзистор в типо-
вой схеме генератора (усилителя) на задан-
ной частоте
Емкость между выводами базы и коллектора
транзистора при заданных обратном напряже-
нии коллектор-база и разомкнутой эмиттер-
ной цепи
Емкость между выводами эмиттера и базы
транзистора при заданных обратном напряже-
нии эмиттер-база и разомкнутой коллектор-
ной цепи
Температура в заданной точке корпуса тран-
зистора
Отношение разности температур перехода и
корпуса к величине рассеиваемой мощности
при заданной температуре корпуса
Отношение разности температур перехода и
окружающей среды к величине рассеиваемой
мощности при заданной температуре окру-
жающей среды
Термин Буквенное обозначение Определение
отечественное международное

1 В зарубежной литературе также широко используются обозначения
2 Термины и обозначения, не предусмотренные ГОСТ 20003 — 74*.
^ 3Для сборки — суммарная рассеиваемая мощность.
Максимально допустимое постоянное
напряжение эмиттер-база при токе
коллектора, равном нулю
Максимально допустимый импульсный
ток эмиттера
Максимально допустимый постоянный
ток коллектора
Максимально допустимый постоянный
ток эмиттера
Максимально допустимый импульсный
ток коллектора
Максимально допустимая постоянная
рассеиваемая мощность коллектора
Максимально допустимая постоянная
рассеиваемая мощность транзистора2'3
Максимально допустимая импульсная
рассеиваемая мощность биполярного
транзистора
Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность коллектора
Максимально допустимое напряжение
питания2
Максимально допустимая температура
перехода2
Максимально допустимая температура
корпуса2
Максимально допустимая температура
окружающей среды1
Термин Буквенное обозначение Определение
отечественное ) международное
Окончание таблицы

Термины, определения и условные обозначения параметров,
относящихся к лавинным транзисторам
Термины, определения и условные обозначения параметров,
относящихся к двухэмигтерным транзисторам
22
Напряжение между коллектором и
эмиттером при заданных условиях в
цепи базы, которое за счет интенсив-
ного размножения носителей вызыва-
ет лавинообразное нарастание тока
коллектора, сопровождающееся после-
дующим спадом коллекторного напря-
жения
Термин
Напряжение лавинного
пробоя
Максимально допусти-
мый ток коллектора в
лавинном режиме
Буквенное
обозначение
отечест между на
венное родное
Определение
Напряжение между двумя эмиттерами
транзистора при открытых переходах
коллектор-база 1 и коллектор-база 2
при токе эмиттеров, равном нулю
Ток через эмиттеры транзистора при
закрытых переходах коллектор-база 1
и коллектор-база 2
Сопротивление между эмиттерами
транзистора при рабочих токах эмитте-
Падение напряжения
на открытом ключе
Ток закрытого
ключа
Сопротивление откры-
того ключа
Асимметрия сопротив-
Термин Буквенное Определение
обозначение
отечест- междуна ¦
венное родное

Окончание таблицы
Термин
Буквенное обозначение
отечест-
венное
междуна-
родное
Определение
Максимально допусти-
мое напряжение управ-
ления между коллекто-
ром и базой 1 или кол-
лектором и базой 2
Максимально допусти-
мое напряжение на
закрытом ключе между
эмиттерами
Внешнее сопротивле-
ние, включенное между
выводами коллектора
и базы
Термины, определения и условные обозначения параметров,
относящихся к однопереходным транзисторам
23
Минимальный ток цепи ба:
2 однопереходного транзи(
ра при заданных напряжен:
между базами и токе эмитт
Значение эмиттерного ток:
при котором происходит г
реход транзистора из за»
того состояния в открытое
Наименьшее значение эмш
терного тока, при которо\
Ток модуляции
Ток включения
Ток вмкшодания
Термин Буквенное Определение
обозначение
отечест- меэкдуна-
венное родное

Окончание таблицы
Термины, определения и условные обозначения параметров
полевых транзисторов (ГОСТ 19095 - 73*)
24
Отношение разности макси-
мального возможного эмит-
терного напряжения и паде-
ния напряжения на р-п пере-
ходе к приложенному межба-
зовому напряжению
Коэффициент передачи
Максимально допустимое
межбазовое напряжение
Максимально допустимое
обратное напряжение
между эмиттером и базой 2
Термин Буквенное обозначение Определение
отечествен- междуна-
ное родное
Термин Буквенное обозначение Определение
отечествен- международ,
ное ное
Напряжение сток-исто к
Напряжение затвор-исток
Напряжение отсечки
полевого транзистора
Напряжение между затвором
и истоком транзистора с р-п
переходом или с изолиро-
ванным затвором, работаю-
щего в режиме обеднения,
при котором ток стока дос-
тигает заданного низкого
значения
Условные обозначения параметров, относящихся к сборкам
биполярных транзисторов
- разность прямых падений напряжения на переходах эмиттер-
база;
- модуль разности прямых напряжений эмиттер-база;
разность токов коллекторов.

Продолжение таблицы
Термин
Буквенное обозначение
Определение
отечествен-
ное
международ-
ное
Пороговое напряжение
полевого транзистора
Шумовое напряжение
полевого транзистора
Электродвижущая сила
шума полевого транзис-
тора
Коэффициент шума
полевого транзистора
Ток стока
Начальный ток стока
Ток утечки затвора
Напряжение между затво-
ром и истоком транзистора
с изолированным затвором,
работающего в режиме обо-
гащения, при котором ток
стока достигает заданного
низкого значения
Эквивалентное шумовое на-
пряжение, приведенное ко
входу, в полосе частот при
определенном полном со-
противлении генератора в
схеме с общим истоком
Спектральная плотность эк-
вивалентного шумового на-
пряжения, приведенного ко
входу, при коротком замы-
кании на входе в схеме с об-
щим истоком
Отношение полной мощнос-
ти шумов на выходе полево-
го транзистора к той ее части,
которая вызвана тепловыми
шумами сопротивления ис-
точника сигнала
Ток, протекающий в цепи
сток-исто к при напряжении
сток-исток, равном или
большем, чем напряжение
насыщения, при заданном
напряжении затвор-исток
Ток стока при напряжении
между затвором и истоком,
равном нулю, и при напря-
жении на стоке, равном или
превышающем напряжение
насыщения
Ток затвора при заданном
напряжении между затвором
и остальными выводами,
замкнутыми между собой
25

Продолжение таблицы
Термин
Буквенное обозначение
отечествен-
ное
междуна-
родное
Определение
Крутизна характеристики
полевого транзистора
Сопротивление сток-исто
в открытом состоянии
транзистора
Входная емкость
полевого транзистора
Выходная емкость
полевого транзистора
Проходная емкость
полевого транзистора
Емкость затвор-исток
Емкость затвор-сток
Частота1
Отношение изменения тока
стока к изменению напряже-
ния на затворе при корот-
ком замыкании по перемен-
ному току на выходе тран-
зистора в схеме с общим ис-
током
Сопротивление между сто-
ком и истоком в открытом
состоянии транзистора при
заданном напряжении сток-
исток, меньшем напряжения
насыщения
Емкость между затвором и
истоком при коротком за-
мыкании по переменному
току на выходе с общим ис-
током
Емкость между стоком и
истоком при коротком за-
мыкании по переменному
току на входе в схеме с об-
щим истоком
Емкость между затвором и
стоком при коротком замы-
кании по переменному току
на входе в схеме с общим
истоком
Емкость между затвором и
истоком при разомкнутых
по переменному току ос-
тальных выводах
Емкость между затвором и
стоком при разомкнутых по
переменному току осталь-
ных выводах
26

Продолжение таблицы
27
I
Выходная мощность
полевого транзистора1
Коэффициент усиления
по мощности полевого
транзистора
Температурный уход
разности напряжений
затвор-исток
Отношение начальных
токов стока
Температура
окружающей среды1
Температура корпуса1
Максимально допустимое
напряжение сток-исток
Максимально допустимое
напряжение затвор-исток
Максимально допустимое
напряжение затвор-сток
Максимально допустимое
напряжение сток-подлож-
ка
Максимально допустимое
напряжение исток-под-
ложка
Мощность, которую отдает
транзистор в типовом гене-
раторе (усилителе) на за-
данной частоте
Отношение мощности на вы-
ходе полевого транзистора к
мощности на входе при оп-
ределенной частоте и схеме
включения
Отношение изменения раз-
ности напряжений между
затвором и истоком сдвоен-
ного полевого транзистора к
вызвавшему его изменению
температуры окружающей
среды
Отношение меньшего значе-
ния начального тока стока к
большему значению началь-
ного тока стока сдвоенного
полевого транзистора
Температура в заданной точ-
ке корпуса транзистора
Термин Буквенное обозначение Определение
отечествен- междуна-
ное родное

Окончание таблицы
Термины и обозначения, не предусмотренные ГОСТ 19095 — 73* .
ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ
Зависимость параметров транзисторов от электрического и
температурного режимов
Транзисторы - приборы универсального применения. Они могут исполь-
зоваться не только в аппаратуре, для которой разработаны, но и во многих других
устройствах. В связи с этим рабочий режим транзистора, как правило, отличается
от режима, для которого параметры приводятся в технических условиях, что вызы-
вает необходимость при проектировании устройств принимать во внимание зависи-
мость параметров транзисторов от конкретных режимов применения.
На значения большинства параметров транзисторов оказывают существенное
влияние электрический и температурный режимы. Примеры соответствующих зави-
симостей представлены на рис, 7-16. Влияние режимов на параметры полевыхтран-
зисторов в большинстве случаев является аналогичным.
Зависимость статического коэффициента передачи тока и его модуля на высо-
кой частоте от тока коллектора носит обычно экстремальный характер (рис. 7.8).
С ростом напряжения коллектор-эмиттер и температуры коэффициент передачи то-
ка возрастает (рис. 9, 10). Таким же образом зависит напряжение насыщения кол-
лектор-эмиттер от тока коллектора (рис, 11) и от отношения тока коллектора к
току базы (рис 12). Обратный ток коллектора также увеличивается с повышением
температуры (рис. 13), причем изменение температуры на 10° С может вызвать в
ряде случаев рост обратного тока в 1,5 ... 2 раза. Следствием значительной зависи-
мости обратного тока от температуры является зависимость от температуры и
максимально допустимого напряжения на коллекторе (рис. 14).
28
Термин Буквенное обозначение Определение
отечествен- международ-
ное ное
Максимально допустимое
напряжение между затво-
рами
Максимально допустимый
постоянный ток стока
Максимально допустимая
постоянная рассеиваемая
мощность полевого
транзистора
Максимально допустимая
температура корпуса1
Максимально допустимая
температура окружающей
среды1

Рис. 7. Зависимость статического коэф- Рис. 8. Зависимость модуля коэффициен-
фициента передачи тока транзистора та передачи тока транзистора КТ827А от
КТ834А от тока коллектора тока коллектора
Рис. 9. Зависимость статического коэф- Рис. 10. Зависимость статического коэф-
фициента передачи тока транзистора фициента передачи тока транзистора
КТ384А от напряжения коллектор-эмит- 2Т602Б от температуры
тер
29

Рис. 11. Зависимость напряжения насы- Рис. 12. Зависимость напряжения насы-
щения коллектор-эмиттер транзистора щения коллектор-эмиттер транзистора
КТ315А от тока коллектора 2Т704А от отношения тока коллектора
к току базы
Рис. 13. Зависимость обратного тока Рис. 14. Зависимость максимально до-
коллектора транзистора КТ816Г от тем- пустимого напряжения коллекгор-эмит-
пературы перехода тер при сопротивлении в цепи базы тран-
зистора 2Т825Б от температуры перехода
30

Рис. 15. Зависимость пробивного напря- Рис. 16. Зависимость емкости коллек-
жения коллектор-эмиттер при сопротив- торного перехода транзистора 2Т839Аог
лении в цепи базы транзистора 1Т311А напряжения коллектор-база
от сопротивления в цепи базы
Влияние сопротивления в цепи базы транзистора на величину максимально
допустимого напряжения коллектор-эмиттер показано на рис. 15, а зависимость ем-
кости коллекторного перехода от напряжения, приложенного к нему, иллюстриру-
ется кривой на рис. 16.
Допустимый тепловой режим транзисторов
Учитывая, что температурный режим транзисторов не только оказывает
влияние на значения параметров, но и определяет надежность их эксплуатации, сле-
дует стремиться к минимальному выделению тепла, предусматривать защиту от
тепловых перегрузок и применение эффективных методов отвода тепла от транзис-
торов. Эти требования особенно существенны для мощных транзисторов, которые
работают при больших рассеиваемых мощностях. При конструировании радиоэлект-
ронной аппаратуры малые температурные изменения параметров приборов могут
быть достигнуты посредством их эффективного охлаждения и применением уст-
ройств температурной стабилизации параметров.
Особенностью применения мощных биполярных транзисторов является работа
этих приборов в режимах, близких к предельным по температуре перехода. Для
обеспечения надежной работы аппаратуры режимы использования мощных транзис-
торов должны выбираться таким образом, чтобы ток и напряжение не выходили за
пределы области максимальных режимов. На рис. 17 приведен типичный вид облас-
ти максимальных режимов мощного биполярного транзистора. Сплошными линия-
ми ограничена область статического режима работы транзистора, а штриховыми —
импульсного. Область максимальных режимов ограничена следующими факторами:
максимально допустимым током коллектора (постоянным и импульсным) -
область I; максимально допустимой рассеиваемой мощностью (постоянной и им-
31

Рис. 17. Область максимальных режимов Рис. 18. Зависимость импульсного тепло-
мощного биполярного транзистора вого сопротивления переход-корпус от
длительности ти и скважности С импуль-
са
где Кт. п.к - тепловое сопротивление переход-корпус.
При переходе от статического режима к импульсному границы области макси-
мальных режимов перемещаются в сторону больших значений тока и напряжения
с уменьшением длительности импульса мощности (тн3 > ти2 > тп\).
Импульсную область максимальных режимов приводят обычно для большой
скважности О_о, при которой практически отсутствует перегрев структуры транзис-
тора. При скважностях () < С& максимально допустимая рассеиваемая мощность
в импульсном режиме может быть определена через максимальную постоянную
рассеиваемую мощность с помощью соотношения
где Кт., и п-к - импульсное (переходное) тепло нос сопротивление переход-корпус,
являющееся функцией длительности импульса ти и скважности С (рис. 18).
Защиту транзисторов от тепловых перегрузок необходимо обеспечивать не толь-
ко в процессе эксплуатации, но и на этапе монтажа. При лужении и пайке выводов
следует принимать меры, исключающие повреждение транзистора из-за его перегрева.
В процессе указанных операций расстояние от корпуса (изолятора) до места лужения и
32
пульсной) - область II; вторичным пробоем - область III; граничным напря-
жением - область IV; максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер
(постоянным и импульсным) - область V.
Область максимальных режимов приводят, как правило, при максимально до-
пустимой температуре перехода Тп тах и температуре корпуса Тк0, при которой
нормируется максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность Ртах.
При температуре корпуса ТкЬ превышающей Тк0, допустимую рассеиваемую мощ-
ность определяют но графикам, приводимым в технических условиях на конкрет-
ные типы транзисторов, или по формуле

пайки должно быть не менее 3 мм, если в технических условиях на конкретный тип
транзистора не указаны иные условия. При пайке желательно применять теплоот-
вод. Если пайка осуществляется без теплоотвода, то температура припоя не должна
превышать 260° С, а время пайки не должно быть более 3 с, если другое время не
оговорено в технических условиях на конкретный тип транзистора.
Защита транзисторов от перегрузки
Современные транзисторы позволяют создавать радиоэлектронные уст-
ройства, обладающие высокими качественными показателями, при обеспечении вы-
сокого КПД и постоянной готовности к работе. Вместе с тем транзисторы имеют
существенный недостаток, заключающийся в высокой чувствительности к электри-
ческим перегрузкам. Вызывая локальный перегрев структуры, они приводят к не-
обратимым процессам в ней и отказу транзистора.
Для обеспечения надежной работы транзисторов необходимо прежде всего при-
нимать меры, исключающие длительные электрические нагрузки, близкие к Пре-
дельно допустимым. Рабочие режимы транзисторов следует выбирать с коэффи-
циентами нагрузки по напряжению и мощности в пределах 0,7 . . . 0,8. Это в ряде
случаев достигается с помощью их параллельного (рис. 19) и последовательного
(рис. 20) включения.
При параллельном включении для повышения надежности транзисторов реко-
мендуется располагать их на общем теплоотводе, а в цепи эмиттеров и баз вклю-
чать резисторы, стабилизирующие работу транзисторов за счет создания отрица-
тельной обратной связи и выравнивания и токов. В схемах последовательного
Рис. 19 Схемы параллельного включения
танзисторов
Рис. 20. Схемы последовательно-
го включения транзисторов
Рис. 21. Схема защиты Рис. 22. Схема защиты ба- Рнс. 23. Комбинированная
транзистора с помощью зовой цепи с помщью дио- схема защиты транзистора,
стабилитрона да используемая в широкопо-
лосных и высокочастот-
ных усилителях
33

Рис. 24. Схемы защиты Рис. 25. Схема защиты с рИс. 26. Схема защиты
транзистора от перенапря- помощью последователь- транзистора с помощью
жений, возникающих в ис- ной КС-цепи диода
точниках питания
включения может быть рекомендовано подключение параллельно промежутку кол-
лектор-эмиттер резисторов, выравнивающих напряжения на транзисторах.
Кратковременные перегрузки транзисторов могут быть вызваны различными
причинами. К ним относятся перегрузки, обусловленные перенапряжениями, извне
наведенными на элементах схемы или возникающими в источниках питания. В им-
пульсных режимах работы кратковременные перегрузки часто являются следст-
вием нестационарных процессов из-за наличия в схемах элементов, содержащих
индуктивности.
Для защиты транзисторов от перенапряжений, наведенных внешними источни-
ками и возникающих в цепях питания, может быть рекомендовано использование
быстродействующих диодов, стабилитронов или специальных полупроводников ог-
раничителей напряжения, включаемых между коллектором и эмиттером (рис. 21)
и базой и эмиттером (рис. 22). В устройствах, работающих на высоких частотах, та-
кое включение защитных элементов может ограничивать частотный диапазон уст-
ройств в связи с наличием собственной емкости у диодов и стабилитронов. В этих
случаях целесообразно включение ограничивающего элемента по схеме, представ-
ленной на рис. 23. Защита транзисторов от перенапряжений, возникающих в источ-
никах питания, может быть осуществлена включением стабилитронов и ограничите-
лей параллельно источнику (рис. 24).
Следует отметить, что защита транзисторов с помощью полупроводниковых ста-
билитронов является эффективной лишь при сравнительно небольших скоростях
нарастания импульсов перенапряжений, так как стабилитроны имеют недостаточно
высокое быстродействие. Для защиты от быстро нарастающих импульсов следует
применять ограничители напряжения с временем включения около нескольких на-
носекунд.
При использовании транзисторов в устройствах с индуктивной нагрузкой могут
быть применены устройства защиты, схемы которых приведены на рис. 21, 25 и 26.
Нужно обратить особое внимание на необходимость защиты транзисторов (в осо-
бенности биполярных высокочастотных и полевых) от воздействия статического
электричества, способного вызвать их повреждение. При работе с транзисторами
и их монтаже должно обеспечиваться надежное заземление оборудования и жала па-
яльников, а рабочий персонал должен использовать заземляющие браслеты.
Транзисторы биполярные
Таблица 1. Транзисторы р-п-р малой мощности
34
35
П27
П27А
П27Б
1Т102
П.1
П.1
П.1
П.2

Продолжение табл. 1
36
1Т102А
КТ120А
КТ120Б
КТ120В
1Т101
1Т101А
МП106
МП116
МП105
МП115
МП104
МП114
КТ120А-1
КТ120А-5
КТ120В-1
КТ120В-5
ГТ109А
ГТ109Б
ГТ109В
ГТ109Г
ГТ109Д
ГТ109Ж
ГТ109И
МШЗ
МП13Б
МП14
МП15
МП15А
МП15И
П39
П39Б
П40
П.2
П.З
| П.З
I П.З
I П,2
П.2
- П.35,6
П.35,0
I П,35,б
' П35,б
1 П.35,б
| П. 35 ,б
П.4
| П.5
I П.4
П.5
П.6
П.6
П.6
П6
П.6
I П.6
I П.6
П35,б
П.35,б
П.35,б
П. 35, б
П35,б
П.35,б
П.1
П.1
П.1
37

Продолжение табл. 1
П41
П41А
МП14А
МП14Б
МП14И
П40А
МП39
МП39Б
МП40
МП41
МП41А
ГТ115А
ГЛ 15В
ГТ115Д
ГТ115Б
ГТ115Г
МП40А
ГТ108А
ГТ108Б
ГТ108В
ГТ108Г
Т1А
Т1Б
МГТ108А
МГТ108Б
МГТ108В
МГТ108Г
МГТ108Д
Т2А
Т2Б
ТМ2А
ТМ2Б
38
П.1
П.1
П.35,5
П.35, б
П.35,б
П. 35,б
П.35,6
П.35,5
П.35,б
П.35,5
П.35,5
П. 7
П. 7
П. 7
П. 7
П.1
П.Ъ5,б
П.8
П.8
П.8
П.8
П. 9
П. 9
П.10
П.10
П.10
П.10
П.10
П. 9
П. 9
П.11
П.11
39

Продолжение табл. 1
М2А
М2Б
ТМИ А
ТМ11Б
1ТП6А
1Т116Б
1Т116В
1Т116Г
ТЗА
ТЗБ
КТ214Е-1
ГТ124А
ГТ124Б
ГТ124В
ГТ124Г
КТ214Д-1
КТ214Г-1
КТ214В-1
КТ214А-1
КТ214Б-1
ТМ5А
ТМ5Б
ТМ5В
ТМ5Г
ТМ5Д
М5А
М5Б
М5В
М5Г
М5Д
1ТМ115А
1 ТМИ 5 Б
40
П.7
П.7
П.11
П.П
П. 35,б
П.35,5
П. 35,б
П.35,5
П.9
П. 9
П.4
П.7
П.7
П.7
П.7
П.4
П.4
П.4
П.4
П.4
П.П
П.11
П.11
П.П
П.11
П.7
П.7
П.7
П.7
П.7
П.11
П.11
41

Продолжение табл. 1
1Т115А
1Т115Б
1ТМ115В
1ТМ115Г
1Т115В
1Т115Г
МП42
МП42А
МП42Б
МП16
МП16А
МП16Б
МП16Я1
МП16ЯН
МП20
ГТ125А
ГТ125Б
ГТ125В
ГТ125Г
ГТ125Д
ГТ125Е
ГТ125Ж
МП21
МП21А
МП21Б
ГТ125И
ГТ125К
ГТ125Л
МП25
МП25А
МП25Б
МП26
42
П. 7
П.7
П.11
П.11
П.7
П.7
П. 35,0
П. 35,б
П.35,6
П. 35,0
П.35,6
П. 35,б
П.35,6
П.35,6
П.35,6
П.35,б
П. 35,б
П. 35,б
П.35,6
П. 35,6
П.35,б
П.35,5
П.35,5
П.35, б
П.35,6
П. 35,б
П. 35,б
П.35,6
П.35,6
П.35,6
П.35,6
П.35,6
43

Окончание табл. 1
МП26А
МП26Б
ГТ402А
ГТ402Б
ГТ402В
ГТ402Г
П. 35,б
П. 35,0
ПЛ2
П.12
П.12
П.12
КТ302А
КТЗО2Б
КТ302В
КТ302Г
МШ01А
МП102
МШОЗ
44
П.44
17.44
П.44
П.44
П.1
П.1
П.1
45
Таблица 2. Транзисторы п-р-п малой мощности

Продолжение табл. 2
МП103А
МП111А
МП112
МП113
МП9А
МП10
МП11
МП11А
МП35
МП36А
МП37
МП 38
МП38А
МП101
МШ01Б
МП111
МП111Б
ГТ122Б
ГТ122В
ГТ122Г
МП10А
МП10Б
МП37А
МП37Б
ГТ122А
ТМЗА
МЗА
2Т127А-1
2Т127Б-1
КТ127А-1
КТ127Б-1
2Т127В-1
2Т127Г-1
КП27В-1
46
П.1
П.1
П.1
П.1
П.35,0
П.35,0
П.35,б
П.35,б
П.35Д
П.35,5
П.35,5
П.35,5
П.35,0
П.1
П.1
П.1
П.1
П.1
П.1
П.1
П.35,0
П.35,б
П.35,5
П.35,б
П.1
П.7
П.11
П.45
П.45
П.45
П.45
П.45
П.45
П.45
47

Окончание табл. 2
КТ127Г-1
ГТ404А
ГТ404Б
ГТ404В
ГТ404Г
П406
П407
П28
1Т101Б
2ТМ104Б
2Т203В
2Т203Д
КТ203В
2ТМ104В
КТ207В
2Т104Б
2Т104В
48
П.13
П.13
П.1
П.2
П.11
П.14
П.14
П.14
П.Ц
П,15,а
ПЛ6
П.16
49
П.45
П.12
П.12
П.12
П.12
Таблица 3. Транзисторы р-п-р малой мощности

Продолжение табл. 3
КТ216В
2ТМ104А
2ТМ104Г
2Т104А
2Т104Г
2Т203Б
КТ203Б
КТ207Б
КТ216Б
2Т203А
2Т203Г
КТ203А
КТ207А
КТ216А
ГТ109Е
2Т202А
2Т2О2Б
КТ202А
КТ202Б
КТ202Д
КТ210А
2Т202А-1
2Т202Б-1
2Т202Д-1
2Т2ПА-1
2Т211Б-1
2Т211В-1
КТ211А-1
КТ211Б-1
КТ211В-1
2Т202В
2Т202Г
КТ202В
КТ202Г
КТ210Б
2Т202В-1
50
П.17,а
П.11
П.11
П.16
П.16
П.14
П.14
П.15(а
П.17,0
П.14
П.14
П.14
П.15,а
П.17,в
П.6
П.18
П.18
П.18
П.18
П.18
ПЛ5,а
П.18
П.18
П.18
П.18
П.18
П.18
П.18
П.18
П.18
П.18
П.18
П.18
П.18
П.15,й
П.18
51

Продолжение табл. 3
53
2Т202Г-1
КТ210В
ТМ2В1
ТМ2Г1
М2В1
М2Г1
ТМ2Д1
М2Д1
П29
П29А
П 30
Т2В1
Т2К1
КТ104Б2
КТ104В2
2Т214Е-1
КТ218Е9
КТ104А2
КТ104Г2
2Т214Д-1
КТ218Д9
2Т214Г-1
КТ218Г9
2Т214В-1
КТ218В9
2Т214А-1
2Т214Б-1
КТ218А9
КТ218Б9
2Т208А
2Т208Б
2Т208В
КТ208А
52
П.18
П.15,в
П.11
П.11
П.7
П.7
П.11
П.7
П.1
П.1
П.1
П. 9
П. 9
П.16
П.16
П.4
П.П,а
П.16
П.16
П.4
П.17,а
П.4
П.17,в
П.4
П.17,в
П.4
П.4
П.17,в
П.17,в
П.28, б
П.28,б
П.28,б
П. 28,б

Окончание табл. 3
КТ208Б
КТ208В
2Т208Г
2Т208Д
2Т208Е
КТ208Г
КТ208Д
КТ208Е
2Т208Ж
2Т208И
2Т208К
КТ208Ж
КТ208И
КТ208К
2Т208Л
2Т208М
КТ208Л
КТ208М
КТ209А
КТ209Б
КТ209В
КТ209Г
КТ209Д
КТ209Е
КТ209Ж
КТ209И
КТ209К
КТ209Л
КТ209М
54
Я.28,е*
П.28,б
П.28,б
П.28,б
П.28,б
П.28,б
П.28,б
П.28,б
П.28,б
П.28,б
П.28,б
П.28Д
П.28,б
П.28,б
П.28,б
П.28,6
П.28,б
П.28,б
ПЛ9,а,
П.20,а
П.19,а,
П.20,д
ПЛ9,а,
П.20,в
П.19,в,
П.20,в
П.19,в,
П.20,а
П.19,д,
П.20,а
П.19,^
П.20,а
П.19,в,
П.20.Д
П.19,в,
П.20,а
ПЛ9,а,
П.20,й
П.19,<?,
П.20.Д
55

Таблица 4. Транзисторы п-р-п малой мощности (Рк < 0,3 Вт) средней частоты
ТМ10
ТМ10А
ТМ10Г
ТМ10Д
ТМ10Е
ТМ10Ж
2Т301Е
2Т301Ж
КТ301
КТ301А
П505
П505А
ТМ10Б
ТМ10В
2Т301Г
2Т301Д
КТ301Б
КТ301В
КТ301Г
КТ301Д
КТ301Е
КТ301Ж
П504
П504А
2ТМ103В
2ТМ103Г
2ТМЮЗД
ПЗО7Б
П307Г
2ТМ103А
2ТМ103Б
2Т201В
2Т201Г
2Т201Д
КТ206Б
2Т201А
2Т201Б
56
П.И
П.П
П.11
П.11
П.11
П.11
П.46
П.46
П.46
П.46
П.47
П.47
П.11
П.11
П.46
П.46
П.46
П.46
П.46
П.46
П.46
П.46
П.47
П.47
П.11
П.11
П.П
П.35,а
П.35,й
П.Н
П.П
П.Н
П.Н
П.Н
П.48
П.Н
П.Н
57

Окончание табл. 4
КТ206А
2Т205Б
2Т205А
КТ201В
КТ201Г
КТ201Д
КТ201А
КТ201Б
П307В
ПЗО7
ПЗО7А
П308
П309
тмзв
тмзг
тмзд
мзв
мзг
мзд
2Т215Е-1
КТ215Е-1
2Т215Д-1
КТ215Д-1
2Т215Г-1
КТ215Г-1
2Т215В-1
КТ215В-1
2Т215Б-1
КТ215Б-1
2Т215А-1
КТ215А-1
2Т215Е9
2Т215Д9
2Т215Г9
2Т215В9
2Т215Б9
2Т215А9
58
П.48
П.49
П,49
П.14
П.14
П.14
П.14
П.14
П. 35,в
П.35,в
П.35,в
П,35,а
П,35,й
П.11
П.11
П.11
П.7
П.7
П.7
П.4
П.4
П.4
П.4
П.4
П.4
П.4
П.4
П.4
П.4
П.4
П.4
П.17,о
П.17,а
П.17,в
П.17,в
П.17,а
П.17,в
59

Табл ица 5. Транзисторыр-п-р малой мощности (?к <0,3 Вт) высокой частоты C0МГц < 5 < 300 МГц)
ГТ322Г
ГТ322Д
ГТ322Е
ГТ322Б
П418И
П418К
П418Л
П418М
П417
П417А
КТ380В
ГТ309А
ГТ309Б
ГТ309В
ГТ309Г
ГТ309Д
ГТ309Е
ГТ310А
ГТ310Б
ГТ310В
ГТ310Г
ГТ310Д
ГТ310Е
ГТ322А
ГТ322В
П414
П414А
П414Б
П415
П415А
П415Б
КТ3104Г
КТ3104Д
КТ3104Е
ГТ328Б
60
П.21
П.21
П.21
П.21
П.22
П.22
П.22
П.22
П.23
П.23
П.24
П.16
П.16
П.16
П.16
П.16
П.16
П.6
П.6
П.6
П.6
П.6
П.6
П.21
П.21
П.25
П.25
П.25
П.26
П.25
П.25
П.25
П.26
П.26
П.27
61

Продолжение табл. 5
ГТ328В
КТ349А
КТ349Б
КТ349В
КТ380А
КТ380Б
КТ3104А
КТ3104Б
КТ3104В
2Т392А-2
П401
П402
П403
П403А
П422
П423
2Т360А-1
КТ360А-1
П416
П416А
П416Б
КТ313А
КТ313Б
КТ357А
КТ357Б
ТМ4А
ТМ4Б
ТМ4В
М4А
М4Б
М4В
ТМ4Г
ТМ4Д
ТМ4Е
М4Г
62
П.27
П.28,я
П.28,в
П.28,а
П.24
П.24
П.26
П.26
П.26
П.29
П.ЗО
азо
П.ЗО
П.ЗО
П.ЗО
П.ЗО
П.26
П.26
П.ЗО
П.ЗО
П.ЗО
П.28,а
П.28,в
П.19,0
П.19,0
П.11
П.11
П.11
П.16
П.16
П.16
П.11
П.11
П.Ц
П.16
63

Продолжение табл. 5
М4Д
М4Е
1ТМ305А
1ТМ305Б
1ТМ305В
1Т305А
1Т305Б
1Т305В
ГТ305А
ГТ305Б
ГТ305В
КТ357В
КТ357Г
КТ343В
1Т308А
1Т308Б
1Т308В
1Т308Г
ГТ308А
ГТ308Б
ГТ308В
ГТ308Г
КТ352А
КТ352Б
2Т326А
КТ326АМ
КТ326БМ
КТ351А
КТ351Б
КТ343А
КТ343Б
КТ343Г
КТ361Б
КТ361А
КТ361Г
КТ361Е
64
П.16
П.16
П.11
П.П
П.11
П.31
П.31
П.31
П.31
П.31
П.31
П.19,5
П.19,0
П.28,в
П.32
П.32
П.32
П.32
П.32
П.32
П.32
П.32
П.ЗЗ
П.ЗЗ
П.28,я
П.20,в
П.20,в
П.ЗЗ
П.ЗЗ
П.28,д
П.28,я
П.28,а
П.34,й
П.34,а
П.34,д
П.34,в
65

Продолжение табл. 5
КТ361В
КТ361Д
КТ350А
2Т3129Д9
КТ3107Е
КТ3107Ж
КТ31О7Л
2Т3129В9
2Т3129Г9
КТ3107В
КТ3107Г
КТ31О7Д
КТ31О7К
2Т3129А9
2Т3129Б9
КТ3107А
КТ3107Б
КТ3107И
ГТ320В
1Т335В
1Т335Г
1Т335Д
ГТ335В
ГТ335Г
ГТ335Д
ГТ320Б
ГТ320А
1Т335А
1Т335Б
ГТ335А
ГТ335Б
1Т320В
1Т320Б
1Т320А
2Т364А-2
66
П.34,а
П.34,в
П.ЗЗ
П.17,в
П.ЗЗ
П.ЗЗ
П.ЗЗ
П.17,в
П.17,«
П.ЗЗ
П. 33
П.ЗЗ
П.ЗЗ
П.17,а
П.17,в
П.ЗЗ
П.ЗЗ
П.ЗЗ
П.ЗО
П.35,в
П.35,л
П.35,в
П.35,а
П.35,а
П.35,а
П.ЗО
П.ЗО
П.35,в
П.35,в
П.35,в
П.35,в
П.ЗО
П.ЗО
П.ЗО
П.36
67

Продолжение табл. 5
2Т364Б-2
2Т364В-2
КТ364А-2
КТ364Б-2
КТ364В-2
ГТ321Г
ГТ321Д
ГТ321Е
1Т321Г
1Т321Д
1Т321Е
2Т321Г
2Т321Д
2Т321Е
ГТ321А
ГТ321Б
ГТ321В
КТ321Г
КТ321Д
КТ321Е
1Т321А
1Т321Б
1Т321В
КТ3108Б
КТ3108В
2Т3108Б
2Т3108В
2Т321А
2Т321Б
2Т321В
КТ321А
КТ321Б
КТ321В
КТ3108А
2Т3108А
68
П.36
П.36
П.36
П.36
П.36
П. 30
П.30
П.30
П.ЗО
п.зо
П.ЗО
П37
1Г.37
П.37
П.30
П.ЗО
П.ЗО
П.37
П.37
П.37
П.ЗО
П.ЗО
П.ЗО
П.28,
П.28,
П.28,
П.28,
П.37
П.37
П.37
П.37
П.37
П.37
П.28,в
П.28,в
69

Окончание табл. 5
Таблица 6. Транзисторы п-р-п малой мощности (Рк < 0,3 Вт)высокОЙ частоты C0 МГц < Г < 300 МГц)
2Т388А-2
КТ388Б-2
2Т388АМ-2
КТ620А
П.38
П.38
П.39
П.35,в
2Т317А-1
2Т317Б-1
2Т317В-1
КТ317-1
КТ317А-1
КТ317Б-1
КТ317В-1
2Т319А-1
2Т319Б-1
2Т319В-1
70
П50
П.50
П.50
П.50
П.50
П.50
П.50
П.51
П.51
П.51
71

Продолжение табл. 6
КТ319А-1
КТ319Б-1
КТ319В-1
2Т348А-3
2Т348Б-3
2Т348В-3
КТ348А-3
КТ348Б-3
КТ348В-3
1Т303
1ТЗОЗА
1ТЗОЗБ
1ТЗОЗВ
1Т303Г
1Т303Д
2Т381Г-1
2Т336А
2Т336Б
2Т336В
КТ336А
КТ336Б
КТ336В
2Т307А-1
2Т307Б-1
2Т307В-1
2Т307Г-1
КТ307А-1
КТЗО7Б-1
КТЗО7В-1
КТЗО7Г-1
2Т331А-1
2Т331Б-1
2Т331В-1
КТ331А-1
КТ331Б-1
72
П.45
П.45
П.45
П.45
П.45
П.45
П.45
П.15,д
П.15,в
П.15,а
П.40,6
П.4СГ,0
П.20,0
ПЛО,б
ПЛО,б
П.15,в
П.19,б
ПЛ9,б
П.52,а
П.52,а
П.52,д
П.52,я
П.52,а
П.11
П.11
П.11
П.11
П.11
П.11
П.52,б
П.52,6
П.15,д
П.52.6
П.52,б
П.5Х6
75

Продолжение табл. 6
КТ331В-1
2Т332А-1
2Т332Б-1
2Т332В-1
КТ332А-1
КТ332Б-1
КТ332В-1
КТ359А
КТ359Б
КТ359В
КТ339Б
КТ339А
КТ339АМ
КТ339Г
КТ339Д
КТ379В
КТ358А
КТ358В
2Т306А
2Т306В
КТ306А
КТ306В
КТ306Д
1ТМ314А
1ТМ314Б
1ТМ314В
1ТМ314Г
1ТМ314Д
1ТМ314Е
КТ312А
КТ312В
КТ379Б
2Т312А
2Т312Б
2Т312В
74
П.45
П.45
П.45
П.45
П.45
П.45
П.45
П.15,в
П.15,а
П.15,а
ПЛО,б
п'.40,б
П.20,б
ПЛО,б
ПЛО,б
П.15,в
П.19,б
ПЛ9,б
П.52,а
П.52,а
П.52,д
П.52,я
П.52,а
П.11
П.11
П.11
П.11
П.11
П.11
П.52,б
П.52,б
ПЛ5,а
П.52.5
П.52,5
П.52,0
75

Продолжение табл. 6
КТ358Б
КТ379А
КТ312Б
КТ379Г
КТ342В
КТ373В
ГТ311А
ГТ311Б
КТ315Ж
КТ340А
КТ340В
КТ340Д
КТ340Б
КТ342Б
КТ373Б
КТ342А
КТ373А
КТ315И
КТ342Г
КТ373Г
КТ340Г
2Т3130Г9
2Т3130Е9
2Т3130В9
2Т3130Д9
КТ315Б
КТ3102Г
КТ315А
КТ375Б
КТ3102В
КТ3102Д
КТ315Г
КТ315Е
КТ315В
КТ315Д
2Т3130А9
76
ПЛ9.6
П.52, б
П.15,а
П.15,я
П.28,а
П.54
П.27
П.27
П.34,а
П.14
П.14
П.14
П.14
П.28,в
П.54
П.28,в
П.54
П.34,а
П.28,а
П.54
П.14
П.17,а
П.17,в
П.17,а
П,17,а
П.34,в
П.28,а
П.34,в
П.55
П.28,в
П.28,а
П.34,в
П.34,а
П.34.Й
П.34,в
П.17,в
77

2Т3130Б9
КТ3102А
КТ3102Б
КТ31О2Е
КТ375А
КТ369А
КТ369А-1
КТ369Б
КТ369Б-1
КТ369В
КТ369В-1
КТ369Г
КТ369Г-1
2Т377А-2
2Т377Б-2
2Т377В-2
2Т377А1-2
2Т377Б1-2
2Т377В1-2
2Т385А-2
2Т385АМ-2
2Т385А9
КТ385А
КТ385АМ
КТ616А
КТ616Б
КТ3117А
2Т378А-2
2Т378Б-2
2Т378А1-2
2Т378Б1-2
2Т3117А
2Т3117Б
78
П.175в
П.28,а
П.28,а
П.28,я
П.55
П.56
П.57
П.56
П.57
П.56
П.57
П.56
П.57
П.56
П.56
П.56
П.57
П.57
П.57
П.58
П.57
П.17,й
П.58
П.57
П.14
П.14
П.28,в
П.56
П.56
П.57
П.57
П.28,в
П.28,в
79
Окончание табл. 6

П418Е
П418Ж
П418Г
П418Д
1Т376А
ГТ376А
ГТ328А
1Т386А
ГТ346А
ГТ346Б
ГТ346В
КТ392А-2
2Т370Б-1
КТ37ОБ-1
2Т370А-1
КТ370А-1
2Т360Б-1
2Т360В-1
КТ360Б-1
КТ360В-1
КТ3126А
КТ3126Б
КТ3127А
КТ3128А
КТ337А
КТ337Б
КТ337В
2Т3123В-2
КТ3123В-2
КТ3123ВМ
2Т363Б
КТ363Б
КТ363БМ
2Т3123А-2
КТ3123А-2
80
П.22
П.22
П,22
П.22
П,40,Д
П,40,а
П.27
П.40,а
П.40,а
ПЛ0,а
П.40,а
П.29
П.41
П.41
П.41
П.41
П.26
П.26
П.26
П.26
П.84
П.84
П.40,в
П.40,в
П.28.Л
П.28,й
П.28,в
П.42,в
П.42,б
П.43,0
П.28,й
П.28,д
П.ЗЗ
П.42,в
П.42,в
81
Таблица 7. Транзисторы р-п-р малой мощности (Рк < 0,3 Вт) сверхвысокой частоты A > 300 МГц)

КТ3123АМ
2Т3123Б-2
КТ3123Б-2
КТ3123БМ
ГТ313А
ГТ313Б
ГТ313В
2Т363А
КТ363А
КТ363АМ
КТ347В
1Т313А
1Т313Б
1Т313В
КТ347Б
2Т326Б
КТ326А
КТ326Б
КТ347А
КТ3109Б
КТ3109В
КТ3109А
КТ345А
КТ345Б
КТ345В
2Т389А-2
КТ389Б-2
П.43,6
П.42,в
П.42,в
П.43,5
П.27
П.27
П.27
П.28,а
П.28,в
П.ЗЗ
П.28,в
П.27
П.27
П.27
П.28,в
П.28,в
П.28,а
П.28,й
П.28,а
П.43,в
П.43,а
П.43,й
П.ЗЗ
П.ЗЗ
П.ЗЗ
П.38
П.38
Окончание табл. 7

Таблица 8. Транзисторы п-р-п малой мощности (Рк < 0,3 Вт) сверхвысокой частоты ({ > 300 МГц)
2Т3121А-6
2Т3124А-2
2Т3124Б-2
2Т3124В-2
КТЗШГ-2
2Т3115А-2
2Т3115Б-2
КТ3115А-2
КТ3115В-2
2Т3132А-2
2Т3132Б-2
2Т3132В-2
2Т3132Г-2
2Т3132А-5
1Т341А
1Т341Б
1Т341В
ГТ341А
ГТ341Б
ГТ341В
1Т362А
ГТ362А
ГТ362Б
1Т374А-6
1Т383А-2
1Т383Б-2
1Т383В-2
ГТ383А-2
ГТ383Б-2
ГТ383В-2
2Т354А-2
2Т354Б-2
КТ354А-2
КТ354Б-2
2Т366А-1
84
П.61
П.42,в
П,42,в
П.42,в
П.42,в
П.42,в
П.42)в
П.42, в
П.42, в
П.90
П.90
П.90
П.90
П.5
П.59
П.59
П.59
П.59
П.59
П.59
П.60
П.60
П.60
П.61
П.42,в
П.42,в
П.42,в
П.42,в
П.42,в
П.42,в
П.62
П.62
П.62
П.62
П.63,6
85

Продолжение табл. 8
КТ366А
КТ391А-2
КТ391Б-2
КТ391В-2
2Т372А
2Т372Б
2Т372В
КТ372А
КТ372Б
КТ372В
2Т397А-2
КТ397А-2
2Т3114А-6
2Т3114Б-6
1ТЗП0А-2
1Т329А
1Т329Б
1Т329В
ГТ329А
ГТ329Б
ГТ329В
ГТ329Г
2Т331Д-1
2ТЗЗЗА-3
2ТЗЗЗБ-3
2ТЗЗЗВ-3
2ТЗЗЗВ1-3
2ТЗЗЗГ-3
2ТЗЗЗД-3
2ТЗЗЗЕ-3
КТЗЗЗА-3
КТЗЗЗБ-3
КТЗЗЗВ-3
ктзззг-з
ктзззд-з
86
П.бЗ.д
П.42,в
П.42,в
П.42,в
П.64,д
П.64,а
П.64.Д
П.64,а
П.64,а
П.64,д
П.65
П.65
П.61
П.61
ПЛ2,б
П.67
П.67
П.67
П.67
П.67
П.67
П.67
П.45
П.15,д
П.15,д
П.15,а
П.15,д
П. 15,а
П.15,а
П.15,д
П.15,с
П.15,д
П.15,д
П.15,в
П.15,д
87

КТЗЗЗЕ-3
2Т336Г
2Т336Д
2Т336Е
КТ336Г
КТ336Д
КТ336Е
2Т318А-1
2Т318Б-1
2Т318В-1
2Т318В1-1
2Т318Г-1
2Т318Д-1
2Т318Е-1
КТ318А-1
КТ318Б-1
КТ318В-1
КТ318Г-1
КТ318Д-1
КТ318Е-1
2Т367А
2Т324А-1
2Т324Б-1
2Т324В-1
2Т324Г-1
2Т324Д-1
2Т324Е-1
КТ324А-1
КТ324Б-1
КТ324В-1
КТ324Г-1
КТ324Д-1
КТ324Е-1
2Т366Б-1
2Т366Б1-1
88
ПЛ5,а
П.15,г"
П.15,г
П.15,г
П.15,г
ПЛ5,г
П.15,г
П.68
П.68
П.68
П.68
П.68
П.68
П.68
П.68
П.68
П.68
П.68
П.68
П.68
П.69
П.70
П.70
П.70
П.70
П.70
П.70
П.70
П.70
П.70
Г7.7О
П.70
П.70
П.63,б
П.63,5
89
Продолжение табл. 8

КТ366Б
2Т371А
КТ371А
2Т382А
2Т382Б
КТ382А
КТ382Б
1Т330А
1Т330Б
1ТЗЗОВ
1Т330Г
ГТЗЗОД
ГТЗЗОЖ
гтззои
2Т331Г-1
КТЗЗЦГ-1
2Т&2Г-1
2Т332Д-1
КТ332Г-1
КТ332Д-1
2Т399А
КТ399А
КТ31О1А-2
КТЗЮ6А-]
2Т3120А
КТ3120А
КТ339В
2Т316А
2Т316Б
2Т316В
2Т316Г
2Т316Д
2Т306Б
2Т306Г
КТ306Б
90
17,63,0
П.69
П.69
П.69
П.69
П.69
П.69
П.60
П.60
П.60
П.60
П.60
П.60
П.60
П.71
П.71
П.71
П.71
П.71
П.71
П.40,а
П.40,л
П.42,в
П.72
П.69
П.69
ПЛ0,б
П.40,а
П.40,й
П.40,а
ПЛ0,а
П.40,а
П.52,д
П.52,д
П.52,а
91
Продолжение табл 8

КТ3061
КТ325А
КТ325Б
КТ325В
2Т355А
КТ355А
2Т368А
2Т368Б
КТ368А
КТ368Б
2Т396А-2
КТ396А-2
2Т366В-1
КТ366В
КТ316А
КТ316Б
КТ316В
КТ316Г
КТ316Д
ГТ311И
1Т311А
1Т311Б
1Т311Г
1Т311Д
1ТЗПК
1Т311Л
ГТ311В
гтзпг
ГТ311Д
ГТ311Е
ГТ311Ж
2Т325А
2Т325Б
2Т325В
1Т387А-2
92
П.52,в
П.73
П.73
П.73
П.74,в
П.74,д
П.40,й
П.40.Й
П.40,в
П.40,а
П.72
П.72
П.бЗ,в
П.63,в
П.40,в
П.40.Й
П.40,в
П.40,в
П.40,в
П.27
П.27
П.27
П.27
П.27
П.27
П.27
П.27
П.27
П.27
П.27
П.27
П.73
П.73
П.73
П.42,б
93
Продолжение табл. 8

1Т387Б-2
2Т384А-2
2Т384АМ-2
КТ384А
КТ384АМ
ПЛ2,б
П.58
П.57
П.58
П.57
Окончание табл. 8
ГТ402А
ГТ402Б
ГТ402Д
ГТ402Е
ГТ405А
ГТ405Б
ГТ402В
ГТ402Г
ГТ402Ж
ГТ402И
94
П.76
П. 76
П.75
П. 75
П.75
П.75
П.75
П.75
П.75
П.75
95
Таблица 9. Транзисторы средней мощности @,3 Вт < Р-. < 1,5 Вт)
низкой частоты E < 3 МГц)
Окончание табл. 9

Таблица 10. Транзисторы средней мощности @,3 Вт < Р < 1,5 Вт средней частоты C МГц < Г < 30 МГц)
2Т509А
КТ502А
КТ502Б
КТ502В
КТ5О2Г
КТ502Д
КТ502Е
КТ501А
КТ501Б
КТ501В
КТ501Г
КТ501Д
КТ501Е
КТ5 01Ж
КТ501И
КТ501К
КТ501Л
КТ501М
П604
П604А
П604Б
КТ503А
КТ503Б
КТ503В
КТ503Г
КТ503Д
КТ503Е
96
П.77,а
П.20,а
П.20,а
П.20,а
П.20,в
П.20,д
П.20,а
П.28,6
П.28,б
П.28,б
П.28,0
П.28,б
П.28,б
П.28,5
П.28,5
П.28,6
П.28,б
П.28,б
П.78
П.78
П.78
П,20,в
П.20,д
П.20,в
П.20,а
П.20,в
П.20,<2
97

КТ668А
КТ668Б
КТ668В
КТ632Б
2Т632А
П607
П607*
П607А
П607А*
П608
П608*
П608А
П608*
П609
П609*
П609А
П609А*
П608Б
П609Б
КТ644В
КТ644Г
2Т313А
2Т313Б
КТ644А
КТ644Б
КТ629А
2Т629А-2
2Т629АМ-2
КТ629АМ-2
2Т664Б91
2Т664А91
КТ639И
КТ639А
КТ639Б
КТ639В
98
П.20,л
П.20,а
П.20,а
П.77,а
П.Ц.а
П.79
П.79
П.79
П.79
П.79
П.79
П.79
П.79
П.79
П.79
П.79
П.79
П.79
П.79
П.81
П.81
П.14
П.14
П.81
П.81
П.38
П. 38
П.39
П.39
П.80
П.80
П.81
П.81
П.81
П.81
99
Таблица П. Транзисторы Р-п-Р средней мощности @,3 Вт < Рк ^ , 5 Вт) высОкОЙ частОты C0 МГц < Грр < 300 МГц)

Окончание табл. 11
КТ639Г
КТ639Д
КТ639Е
КТ639Ж
П.81
П.81
П.81
) П.81
КТ601А
КТ601АМ
2Т314А
КТ314А-2
2Т638А
КТ605А
КТ605АМ
КТ605Б
КТ605БМ
КТ618А
100
П.35,а
П.53
П.38
П.38
П.77,в
П.35,в
П.53
П.35,л
П.53
| П.82
101
Таблица 12. Транзисторы п-р-п средней мощности @,3 Вт < Р„ < 1,5 Вт) высокой частоты C0 МГц < Г < 300 МГц)
XV Гр

КТ603Д
КТ603Е
2Т603В
2Т603Г
КТ603В
КТ603Г
2Т603А
2Т603Б
2Т603И
КТ603А
КТ603Б
КТ645Б
КТ645А
КТ617А
КТ620Б
2Т608А
2Т608Б
КТ608А
КТ608Б
ГТ323А
ГТ323Б
ГТ323В
2Т625Б-2
2Т625БМ
КТ635Б
2Т652А
2Т625А-2
2Т625АМ
КТ625А
КТ625АМ
КТ625АМ
КТ646Б
2Т635А
КТ635А
КТ630Д
102
Продолжение табл. 12
П.83
П.83
П.83
П.83
П.83
П.83
П.83
П.83
П.83
П.83
П.83
П.84
П.84
П.82
П.35,в
П.35,а
П.35,а
П.35,а
П.35,а
П.213
П.213
П.213
П.58
П.57
П.73
П.85
П.58
П.57
П.58
П.5 7
П.57
П.81
0П.73
П.73
П.73
103

КТ630Е
КТ646А
2Т665Б91
КТ630Г
2Т630Б
2Т665А91
КТ630Б
2Т630А
2Т630А-5
КТ630А
КТ630В
КТ659А
Окончание табл. 12
П.73
П.81
П.80
П.73
П.73
П.80
П.73
П.73
П.87
П.73
*П.73
П.77,а
П.88^7
П.88,д
П.88.Д
105
2Т658Б-2
2Т658А-2
2Т658В-2
104
Таблица13. Транзисторы р-п-р средней мощности @,3 Вт < Р < 1,5 Вт) сверхвысокой частоты (Г > 300 МГц)
К гр

Таблицам. Транзисторы п-р-п средней мощности @,3 Вт < Р < 1,5 Вт сверхвысокой частоты (?гр > 300 МГц) переключательные
П.73
П.73
П.73
П.58
П.57
П.58
П.57
2Т633А
КТ633А
КТ633Б
2Т624А-2
2Т624АМ-2
КТ624А-2
КТ624АМ-2
2Т642А1-2
2Т642В1-2
2Т682А-2
2Т682Б-2
2Т657А-2
2Т648А-2
21648А-5
2Т642А-2
2Т640А-2
2Т640А1-2
КТ640А-2
КТ640Б-2
КТ640В-2
2Т647А-2
1Т612А4
ГТ612А4
2Т643А-2
2Т643А5
106
П.90
П.90
П.42,в
П.42,в
П.42,в
ПА2,б
П.91
П.42. б
П.42, б
П.42, б
П.42, б
П.42. б
П.42, б
П.42,б
П.89
П.89
П.42, б
П.92
107
Таблица 15. Транзисторы п-р-п средней мощности @,3 Вт < Рк < 1,5 Вт) сверхвысокой частоты (Г > 300 МГц) усилительные и генераторные

КТ643А-2
2Т671А-2
КТ634А-2
КТ634Б-2
КТ607Б4
2Т607А4
КТ607А4
2Т634А-2
2Т938А-2
КТ938А-2
КТ938Б-2
2Т963Б-2
1Т614А
2Т637А-2
2Т649А-2
КТ637А-2
КТ637Б-2
2Т963А-2
2Т963А-5
2Т937А-2
КТ937А-2
2Т610А
2Т610Б
КТ610А
КТ610Б
1Т615
2Т984А
КТ984А
108
Окончание табл. 15
П.42, б
ПЛ2,б
П.93
П.93
П.94
П. 94
П.94
П.93
П.93
П.93
П.93
П.95
П.96
П.93
П.97
П.93
П.93
П.95
П.98
П.99
П.99
П.101
П.101
П.101
П.101
П.89
П.102
П.102
109

Таблица 16. Транзисторы р-п-р большой мощности (Рк > 1,5 Вт) низкой частоты (Г < 3 МГц)
П306
П306*
П306А
П306А*
П302
П302*
КТ820А-1
ПЗОЗ
ПЗОЗА
КТ820Б-1
ПЗОЗ*
ПЗОЗА*
П304
КТ820В-1
П304*
1Т403А
1Т403Б
ГТ403А
ГТ403Б
ГТ403Ю
1Т403В
1Т403Г
1Т403Д
1Т403Е
ГТ403В
ГТ403Г
ГТ403Д
ГТ403Е
1Т403Ж
1Т403И
ГТ403Ж
ГТ403И
КТ814А
П201Э
П201Э*
110
П.103
П.103
П.103
П.103
П.103
П.103
П. 104
П.103
П.103
П. 104
П.103
П.103
П.103
П.104
П.103
П.105
П.105
П.105
П.105
П.105
П.105
П.105
П.105
П.105
П.105
П.105
П.105
П.105
П.105
П.105
П.105
П.105
П.81
П.106
I П.106
111

Продолжение табл. 16
П201АЭ
П201АЭ*
&Т814Б
КТ814В
КТ814Г
КТ822А4
П202Э
П202Э*
П203Э
П203Э*
КТ822Б-1
КТ822В-1
КТ816А
КТ835А
КТ816Б
КТ816В
КТ816Г
ГТ703А
ГТ703Б
ГТ703В
ГТ703Г
ГТ703Д
П213
П213А
П213Б
П4ВЭ
П4ВЭ*
П214
П214Б
П4АЭ
П4АЭ*
П4ГЭ
П4ГЭ*
П4ДЭ
П4ДЭ*
П214А
112
П.106
П.106
П.81
П.81
П.81
П. 104
П.106
П.106
П.106
П.106
П.104
П.104
П.81
П.1О7,я
П.81
П.81
П.81
П.108
П.108
П.1О8
П.108
П.108
П.109
П.109
П.109
П.11О
П.110
П.109
П.109
П.110
П.ПО
П.110
П.110
П.110
П.ПО
П.109
113

П214В
П214Г
П4БЭ
П4БЭ*
П215
КТ835Б
П216
П216А
П216Б
П216В
П217
П217А
П217Б
П216Г
П216Д
П217В
П217Г
2Т837В
2Т837Е
2Т837Б
2Т837Д
2Т837А
2Т837Г
П210Ш
КТ818А
КТ818Б
КТ818В
КТ818Г
П209
П209А
П210В
П210А
П210Б
П210
ГТ701А
114
П.109
П.109
П.110
П.110
П.109
ПЛ07,а
ПЛ09
П.109
П.109
П.109
П.109
П.109
П.109
П.109
П.109
П.109
П.109
П.107,в
^.107,0
П.107,а
П.107.Л
|П.107,в
П.107,в
|П.П1
П.107,а
П.107,в
П.107,в
П.107,в
П.Ш
ПЛИ
пли
пли
пли
пли
П.112
115
Продолжение табл. 16

КТ818АМ
2Т818В
2Т818В-2
КТ818БМ
2Т818Б
2Т818Б-2
КТ818ВМ
2Т818А
2Т818А-2
КТ818ГМ
П207
П207А
П208
П208А
1Т702В
1Т702А
1Т702Б
П.113,в
П.113,в
П.107,<х
П.113,в
П.ПЗ.в
П.107,с
П.ПЗ.в
П.ПЗ.а
П. 107, а
П.ПЗ.й
П.114
П,П4
П.114
П.114
П.115
П.115
П.П5
116
117
Окончание табл. 16

КТ821А-1
КТ821Б-1
КТ821В-1
КТ815А
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г
2Т704Б
КТ704Б
КТ704В
2Т704А
КТ704А
КТ817А
КТ817Б
КТ823А-1
КТ817В
КТ823Б-1
КТ817Г
КТ823В-1
2Т713А
ГТ705А
ГТ7О5Б
ГТ705Д
ГТ705В
ГТ705Г
КТ838А
КТ846А
КТ819А
КТ819Б
КТ819В
КТ819Г
КТ844А
КТ819АМ
2Т819В
2Т819В-2
КТ819БМ
2Т819Б
2Т819Б-2
КТ819ВМ
118
Таблица! 7. Транзисторы п-р-п большой мощности (рктах> 1M Вт^низкой частоты (?г < 3 МГц)
П.Ю4
П. 104
П. 104
П.81
П.81
П.81
П.81
П.116
П.116
П.116
П.116
П.116
П.81
П.81
П.117
П.81
П.117
П.81
П.117
П.113,<2
П.108
ПЛ08
П.108
П.108
ПЛ08
П.ПЗ.Л
П.113,й
П.107
П.107
П.107
П.107
п.из.а
П.ИЗ.в
П.113,в
П.107
п.из.а
п.из.а
П.107
П.113,Л
119

Окончание табл. 17
2Т819А
2Т819А-2
КТ819ГМ
2Т848А
КТ848А
2ТК2 35^0-0,5
2ТК235Ч0-1
2ТК23540-1,5
2ТК235-40-2
2ТК235-40-3
2ТК33540-6
2ТК235-50-0,5
2ТК2 35-50-1
2ТК235-50-1.5
2ТК235-50-2
2ТК235-50-3
2ТК235-63-0,5
2ТК235-80-0,5
2ТК2 35-6 3-1
2ТК235-80-1
2ТК2 35-63-1,5
2ТК2 35-80-1,5
2ТК2 35-63-2
2ТК235-63-3
2ТК152-80-0.4
2ТК152-80-1
2ТК152-80-1,5
2ТК235-5ОА-1,5
2ТК152-80-2
2ТК152-80-3
2ТК235-50А-3
2ТК152-100-0,5
2ТК152-100-1
2 ТК15 2-100-15
2ТК152-100-2
2ТК152-100-3
120
П.ИЗ,д
П.107,я
П.113,а
П.ПЗ.а
П.113,в
П.118
П.118
П.118
П.118
П.118
П.119
П.118
П.118
П.118
П.118
П.118
П.118
П.118
П.118
П.118
П.118
П.118
П.118
П.118
П.120
П.120
П.120
П.121
П.120
П.120
П.121
П.120
П.120
П.120
П.120
П.120
121

Таблица 18. Транзисторы р-п-р большой мощности (Рк тах> 1.5 Вт) средней частоты CМГц < Ггр< 30 МГц)
П606
П606А
П606*
П606А*
П605
П605А
П605*
П605А*
2Т505Б
2Т883Б
2Т505А
2Т883А
П601И
П602АИ
П601АИ
П601БИ
П6О2И
2Т830А
2Т860В
2Т830Б
2Т830В
2Т830В-1
2Т860Б
2Т830Г
2Т830Г-1
2Т860А
2Т932А
КТ851В
КТ851А
КТ851Б
2Т836В
1Т9О5А
2Т836А
2Т836Б
2Т842Б
122
П.122
П.122
П.122
П.122
П.122
П.122
П.122
П.122
П.77,а
П.107,й
П.77,я
П107
П.122
П.122
П.122
П.122
П.122
П.77,<2
П.77,в
П.77,в
П.77,в
П.123
П.77,в
П.77,в
П.123
П.77,в
П.ИЗ.в
П. 107,5
П.107,0
П.107,5
П.124
П.125
П.124
П.124
П.113.Й
123

2Т842Б-1
КТ855Б
КТ855В
2Т842А
2Т842А-1
КТ855А
КТ837Ж
КТ837И
КТ837К
КТ837Т
КТ837У
КТ837Ф
КТ837Г
КТ837Д
КТ837Е
КТ837П
КТ8 37Р
КТ837С
КТ837А
КТ837Б
КТ837В
КТ837Л
КТ837М
КТ837Н
1Т910АД
1Т901Б
1Т901А
1Т906А
ГТ906А
ГТ906АМ
ГТ804А
ГТ804Б
КТ865А
ГТ804В
ГТ810А
124
П.Ю7,а
П.107,6
и.ют.б
П.ПЗ.в
П.107,в
П.107'5
П. 107,а
П.107 ,в
П.107,в
П.107,*
П. 107, а
П.107,а
П.107,в
П.107,«
П. 107, а
П.107.Й
П.107,в
П.107,й
П.107.Д
П.107,й
П.107,л
П.107
П.107
П.107
П.126
П.112
П.112
П. 125
П.125
П.127
П.125
П.125
П.ПЗ.в
П.125
П.109,
П.127
125
Продолжение табл. 18

ГТ806Г
ГТ806А
ГТ806Б
ГТ806В
ГТ806Д
1Т806А
1Т806Б
1Т806В
1Т813А
1Т813Б
1Т813В
2Т832Б
2Т832А
П701Б*
П701
П701*
П701Б
П701А
П701А*
126
П.128
П.128
П.128
П.128
П.128
П.128
П.128
П.128
П.128
П.128
П.128
П.ИЗа
П.113а
П.129
П.129
.П.129
П.129
П.129
П.129
127
Т а б л и ц а 19. Транзисторы п-р-п большой мощности (Рк > 1,5 Вт) средней частоты C МГц < Грр < 30 МГц)

КТ807А
КТ807АМ
КТ807Б
КТ807БМ
2Т504Б
2Т882Б
2Т504В
2Т882Ь
2Т504А
2Т882А
2Т826А
2Т826В
КТ826А
КТ826В
2Т826Б
КТ826Б
2Т831А
2Т861В
2Т831Б
КТ943А
2Т831В
2Т831В-1
2Т861Б
КТ801Б
КТ943Б
КТ943Д
П702
П702*
П702А
128
П.130
П.81
П.130
П.81
П.77,а
П.107,в
П.77,а
П. 107, а
П.77,а
П.107,а
П.ПЗ.й
П.ПЗ.а
П.113,а
П.113,в
П.113,*
П.113,в
П.77.Д
П.77,в
П.77,а
П.81
П.77,я
П.123
П.77^1
П.132,б
П.81
П.81
П.128
П.128
П.128
129
Продолжение табл. 19

П702А*
2Т831Г
2Т831Г-1
2Т861А
КТ801А
КТ943В
КТ943Г
КТ850В
КТ850А
КТ850Б
2Т506Б
2Т884Б
2Т506А
2Т884А
КТ506Б
КТ506А
2Т809А
КТ809А
КТ859А
КТ805Б
КТ805БМ
КТ805ВМ
КТ802А
КТ805А
КТ805АМ
2Т845А
КТ845А
2Т828Б
КТ828Б
2Т828А
КТ828А
КТ840Б
КТ840А
КТ857А
КТ858А
130
Продолжение табл. 19
П.128
ПЛ,а
П.123
П.77,л
П.132,б
П.81
П.81
П.101,6
П.107,6
П.107,6
П.77,в
П.107, я
П.77,л
П.107
П.77.Й
П.77,а
П.128
П.128
П.107, б
П.128
П.107, в
П.107,в
П.128
П.128
П.107,в
П.113,в
П.ИЗ.а
П.113,в
П.113,в
П.ПЗ.а
П.113,д
П.113,а
П.ПЗ.в
П.№,б
П.107,5
131

КТ812А
КТ812Б
КТ812В
ТК135-16-0,5
2Т803А
КТ803А
КТ908Б
ТК135-16-1
КТ808ГМ
КТ808ВМ
ТК135-16-1.5
КТ808БМ
КТ908А
2Т808А
КТ808А
ТК135-16-2
КТ808АМ
ТК135-16-2,5
КТ864А
ТК135-16-3
ТК135-16-3,5
ТК135-16Ч
2Т841Б
2Т841Б-1
2Т844А
КТ854Б
2Т856В
2Т812А
2Т812Б
2Т824А
2Т824АМ
2Т824Б
2Т824БМ
2Т841А
2Т841А-1
132
^ П.113,а
[ П.ПЗ.а
П.113,<7
П.113,а
> П.128
> П.128
.5П.128
П.ИЗ.в
1 П.113,а
1 П.113,д
П.113,а
1 П.113,а
5 П.128
П.128
П.128
П.113,в
' П.113,а
П.113,в
П.113,а
П.Ш,а
П.113,а
П.ИЗ.д
П.113,а
П.107,й
5П.113,в
П.107,б
' П.113,с
\ П.ПЗ.а
П.ИЗ.в
П.116
П.108
П.116
П.108
П.ПЗ,с
П.107,а
133

Продолжение табл. 19
КТ841А
2Т862В
2Т856Б
2Т862Г
2Т856А
КТ854А
2Т839А
КТ839А
2Т862А
2Т862Б
2Т847А
2Т847Б
КТ847А
ТК135-25-0,5
ТК135-25-1
ТК135-25-1.5
ТК135-25-2
ТК135-25-2,5
ТК135-25-3
ТК135-25-3,5
ТК135-25-4
ТК235-32-0,5
ТК235-32-1
ТК2 35-32-1,5
2Т866А
ТК2 35-32-2
ТК235-32-2.5
ТК2 35-32-3
ТК235-32-3.5
134
П.ИЗ.в
П.ИЗ.в
П.113,в
П.113,в
П.ПЗ,в
П.107,0
П.ПЗ.в
П.Ш.а
П.11'3,а
П.133,в
П.ИЗ.а
П.ПЗ.в
П.113,в
П.ИЗ.л
П.ПЗ.в
П.113,а
П.ПЗ,в
П.113,в
П.113,в
П.113,в
П.ПЗ.в
П.134,
П.135
П.134,
П.135
П.134,
П.135
П.133,в
П.134,
П.135
П.134,
П.135
П.134,
П.135
П.134,
П.135
135

ТК2 35-32-4
ТК14240-0,5
ТК2 35-40-0,5
ТК142-40-1
ТК2 35-40-1
ТК14240-1.5
ТК2 35-40-и
ТК14240-2
ТК2 35-40-2
ТК14240-2,5
ТК2 35-40-2,5
ТК14240-3
ТК2 3540-3
2Т867А
ТК14240-3.5
ТК23540-3,5
ТК142404
ТК235404
2Т874А
2Т874Б
136
П. 134,
П.135
П. 136
П.134,
П.135
П.136
П.134,
П.135
П.136
П.134,
П.135
П.136
П.134,
П.135
П.136
П.134,
П.135
П.136
П.134,
П.135
П.113,я
П.136
П.134,
П.135
П.136
П.134,
П.135
П.133,в
П.133,в
137
Окончание табл. 19

2Т933Б
КТ933Б
2Т933А
КТ933А
КТ932В
2Т932Б
КТ932Б
КТ932А
КТ602В
КТ602Г
2Т602А
2Т602АМ
2Т602Б
2Т602БМ
КТ602А
КТ602АМ
КТ602Б
КТ602БМ
КТ611В
КТ611Г
КТ940В
КТ611А
КТ611АМ
КТ611Б
КТ611БМ
КТ940Б
КТ969А
КТ940А
КТ606Б
2Т951В
КТ904Б
2Т922А
КТ922А
КТ907Б
2Т922Б
КТ922Б
КТ922Г
КТ909В
138
П.73
П.128
П.73
П.128
П.ИЗ.а
П.113,а
П.113,я
П.113,а
П.132,а
П.132,а
П. 132,о
П.81
П.132,а
П.81
П.132,а
П.81
П.132,*
П.81
П.132,а
П.132,в
П.81
П.132,в
П.81
П.132.Й
П.81
П.81
П.81
П.81
П.138,в
I П.139
П.138,а
П.140
П.140
П.138,а
П.140
П.140
П.140
П.141
139
Таблица 20. Транзисторы большой мощности (Рк > 1,5 Вт) высокой частоты C0 МГц < Г < 300 МГц) усилительные и генераторные

2Т903А
2Т903Б
2Т951Б
КТ903А
КТ903Б
2Т922В
КТ922В
КТ922Д
2Т921А
КТ921А
КТ921Б
2Т965А
КТ965А
2Т951А
КТ902А
КТ902АМ
2Т955А
КТ955А
2Т950Б
2Т966А
КТ966А
КТ927А
КТ927Б
КТ927В
КТ958А
2Т950А
2Т964А
2Т9111А
2Т944А
КТ944А
2Т967А
КТ967А
2Т980А
2Т980Б
2Т931А
КТ931А
2Т956А
КТ956А
2Т971А
140
Продолжение табл. 20
П.128
П.128
П.139
П.128
П.128
П.140
П.140
П.140
П.138,а
П.138,0
П.138,а
П.142
П.142
П.139
П.128
П.107,д
П.142
П.142
П.143,а
П.142
П.142
П.144
П.144
П.144
П.145
П.143,й
П.146
П.146
П.147,а
П.147,а
П.146
П.146
П.146
П.146
П.145
П.145
П.146
П.146
П.148
141

КТ971А
2Т957А
КТ957А
2Т912А
2Т912А-5
2Т912Б
2Т912Б-5
КТ912А
КТ912Б
2Т947А
КТ947А
Окончание табл. 20
Таблица 21. Транзисторы большой мощности (Р„>1,5Вт) сверхвысокой частоты E > 300 МГц) усилительные и генераторные
П.77,а
П.138,д
П. 138,а
| П.151
143
П.148
П.146
П.146
П.149
П.150
П.149
П.150
П.149
П.149
П.147,в
П. 147,л
2Т941А
2Т914А
КТ914А
2Т996Б-2
142

2Т996Б-5
2Т996А-2
2Т996А-5
2Т919В
2Т919В-2
КТ919В
КТ918А
КТ918Б
2Т919Б
2Т919Б-2
КТ919Б
2Т939А
КТ939А
КТ939Б
КТ911В
КТ9ПГ
2Т911А
2Т911Б
КТ911А
КТ9ПБ
2Т606А
КТ606А
2Т937Б-2
КТ937Б-2
2Т913А
КТ913А
2Т920А
2Т925А
КТ920А
КТ925А
2Т934А
КТ934А
2Т995А-2
2Т982А-2
144
Продолжение табл. 21
П.152
П.151
П.152
П.99
П.153
П.99
П.93
П.93
П.99
П.153
П.99
П.101
П.101
П.101
П.155
П.155
П.155
П.155
П.155
П.155
П.138,в
П.138,в
П.99
П.99
П.101
П.101
П.140
П. 140
П.140
П.140
П.140
П.140
П.156
П.157
145

2Т919А
2Т919А-2
КТ919А
КТ919Г
2Т929А
КТ929А
2Т904А
КТ904А
2Т9119А-2
2Т913Б
2Т913В
КТ913Б
КТ913В
2Т920Б
2Т925Б
КТ920Б
КТ925Б
2Т907А
КТ907А
2Т934Б
КТ934Б
КТ934Г
2Т9103А-2
2Т9103Б-2
2Т948Б
КТ948Б
2Т942А
2Т942Б
2Т990А-2
КТ942В
2Т962А
2Т9104А
КТ962А
2Т916А
146
П.99
П.15 3
П.99
П.99
П.140
П.140
П.138,й
П.138.Д
П.156
ПЛ01
П.101
17.101
П.101
П.140
П.140
П.140
П.140
П.138.Д
П.138,<х
П.140
П.140
П.140
П.158
П.158
П.159
П.159
П.99
П.99
П.160
П.99
П.140
П.102
П.140
П.101
147
Продолжение табл. 21

КТ916А
2Т909А
2Т934В
КТ909А
КТ934В
КТ934Д
2Т948А
КТ948А
2Т946А
2Т962Б
2Т988А
2Т9107А-2
КТ946А
КТ962Б
2Т920В
КТ920В
КТ920Г
2Т9114Б
КТ936А
2Т925В
КТ925В
КТ925Г
2Т989Б
2Т962В
КТ962В
2Т909Б
КТ909Б
КТ909Г
2Т989А
2Т979А
2Т987А
2Т9104Б
2Т9122Б
2Т930А
148
Продолжение табл. 21
П.101
П.141
П.140
П.141
П.140
П.140
П.159
П.159
П.161
П.140
П.133,5
П.161
П.161
П.140
П.140
П.140
П.140
Н.133,в
П.162
П.140
П.140
П.140
П.133,0
П.140
П.140
П.141
П.141
П.141
П.133,6
П.133,6
П.164
П.102
П.165,в
П.145
149

2Т976А
КТ930А
КТ976А
2Т9122А
2Т960А
КТ960А
2Т975Б
2Т9110Б-2
2Т9118А
2Т977А
2Т9108А-2
КТ977А
2Т981А
КТ936Б
2Т958А
КТ981А
2Т930Б
КТ930Б
2Т970А
2Т9114А
КТ970А
2Т975А
2Т9110А-2
2Т984Б
КТ984Б
2Т986Б
2Т986А
2Т986В
2Т9109А
2Т994Б
2Т994А
2Т994В
150
Окончание табл. 21
П.140
П.145
П.140
П. 165,в
П.145
П.145
П.166
П.166
П.165,й
П.161
П.167
П.161
П.142
ПЛ63
П.145
П.142
П.145
П.145
П.14Я
П.133,в
П.148
П.166
П.166
П.102
П.102
П.166
П.166
П.166
П.102
П.168
П.168
П.168
151

КТ626Г
КТ626Д
КТ626А
КТ626Б
КТ626В
2Т974В
2Т974Б
2Т974А
ГТ905А
ГТ905Б
2Т968А
КТ604А
КТ604АМ
КТ604Б
КТ604БМ
152
П.81
П.81
П.81
П.81
П.81
П.124
П.124
П.124
П.127
П.127
П.77а
П.132,а
П.81
П.132,в
П.81
153
Таблица 23. Транзисторы п-р-п большой мощности (Рк тах > 1,5 Вт) высокой частоты C0 МГц < Г < 300 МГц) переключательные и импульсные
Таблица 22. Транзисторы р-п-р большой мощности (Рк тах > 1,5 В высокой и сверхвысокой частот (Г^ >300 МГц)переключательные и импульсные

Окончание табл. 23
2Т928А
2Т928Б
КТ928А
КТ928Б
2Т65 3Б
2Т653А
2Т504Б-5
2Т504А-5
КТ961В
КТ961Б
КТ961А
2Т993А
2Т908А
2Т908А-2
2Т908А-5
2Т978А
2Т917А
2Т945В
2Т978Б
2Т926А
КТ926А
КТ926Б
2Т945Б
КТ945А
2Т945А
2Т945А-5
2Т949А
2Т935А
2Т935А-5
КТ935А
154
П.124
П.124
П.124
П.124
П.77,а
П.11,а
П.169
П.169
П.81
П.81
П.81
П.171
>П.128
5П.172
; П.173
|П.113,а
I П.116
5П.113,а
П.ПЗ.а
П.116
П.116
П.116
» П.113,в
П.113,а
' П.113,в
П.174
П.171
П.116
П.176
П.116
I
155

2Т708В
2Т708Б
2Т708А
2Т709В
2Т709В-2
2Т709Б
2Т709Б-2
2Т709А
2Т709А-2
КТ712А
Таблица 24. Транзисторы р-п-р составные большой мощности
Таблица 25. Транзисторы п-р-п составные большой мощности (?к тах > 1,5 Вт) низкой частоты (Ггр < 3 МГц)
низкой частоты
2Т716В-11
2Т716Б-11
2Т716А-11
ТКД335-16-7
156
П.1О7,йг
П.107,а
П.107,а
П.119
157
П.77,а
П.77,а
ПЛ,а
П.177
П.107,а
П.177
П.107,а
П.177
ПД07,я
П.1О7,йг

ТКД335-16-10
ТКД335-20-7
ТКД335-20-10
ТКД335-25-7
ТКД335-25-10
ТКД335-32-7
ТКД335-32-10
ТКД12 3-25-3
ТКД152-25-3
ТКД12 3-25-4
ТКД152-254
2ТКД15540-6
ТКД123-25-5
ТКД152-25-5
ТКД123-25-6
ТКД152-25-6
ТКД123-25-7
ТКД152-25-7
ТКД123-25-8
ТКД152-25-8
ТКД123-25-9
ТКД152-25-9
ТКД123-32-3
ТКД152-32-3
ТКД12 3-32-4
ТКД152-324
ТКД12 3-32-5
ТКД152-32-5
ТКД123-32-6
ТКД152-32-6
ТКД12 3-32-7
ТКД15 2-32-7
ТКД12 3-32-8
ТКД152-32-8
158
П.119
П.119
П.119
П.119
П.119
П.119
П.119
П.178
П.120
П.178
П.120
П.119
П.178
П.120
П.178
П.120
П.178
П.120
П.178
П.120
П.178
П.120
П.178
П.120
П.178
П.120
П.178
П.120
П.178
П.120
П.178
П.120
П.178
П.120
159
Продолжение табл. 25

ТКД123-32-9
ТКД152-32-9
ТКД12340-3
ТКД15 2-40-3
ТКД12340Ч
ТКД152-40-4
ТКД123-40-5
ТКД15240-5
ТКД12340-6
ТКД15240-6
ТКД12 3-40-7
ТКД15 2-40-7
ТКД12340-8
ТКД15240-8
ТКД12 3-40-9
ТКД15 2-40-9
ТКД133-50-3
ТКД165-50-3
ТКД133-50-4
ТКД165-50-4
ТКД133-50-5
ТКД165-50-5
ТКД 133-50-6
ТКД165-50-6
ТКД 133-50-7
ТКД165-50-7
ТКД133-50-8
ТКД165-50-8
160
П.178
П.120
П.178
П.120
П.178
П.120
П.178
П.120
П.178
П.120
П.178
П.120
П.178
П.120
П.178
П.120
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
161
Продолжение табл. 25

ТКД133-50-9
ТКД165-50-9
ТКД133-63-3
ТКД165-63-3
ТКД133-63-4
ТКД165-63-4
2ТКЩ55-100-6
ТКД133-63-5
ТКД165-63-5
ТКД133-63-6
ТКД 165-63-6
ТКД133-63-7
ТКД165-63-7
ТКД133-63-8
ТКД165-63-8
ТКД133-63-9
ТКД 165-63-9
ТКД12 3-80-1
ТКД155-80-1
ТКД12 3-80-2
ТКД155-80-2
ТКД133-80-3
ТКД165-80-3
162
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.119
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.181,
П.182
П.178
П.181,
П.182
П.178
П.179,
П.180
163
Продолжение табл. 25

ТКД133-80-4
ТКД165-804
ТКД133-80-5
ТКД165-80-5
ТКД 133-80-6
ТКД 165-80-6
ТКД 133-80-7
ТКД165-80-7
ТКД 133-80-8
ТКД165-80-8
ТКД133-80-9
ТКД 165-80-9
ТКД123-100-1
ТКД155-100-1
ТКД123-100-2
ТКД15 5-100-2
ТКД133-100-3
ТКД165-100-3
ТКД133-100-4
ТКД165-100-4
ТКД133-100-5
ТКД165-100-5
ТКД133-100-6
164
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
.П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.181,
П.182
П.178
П.181,
П.182
П.178
П.179,
П.180
П.И8
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
165
Продолжение табл. 25

ТКД165-100-6
ТКД133-100-7
ТКД165-100-7
ТКД133-100-8
ТКД165-100-8
ТКД133-100-9
ТКД165-100-9
ТКД133-125-1
ТКД165-125-1
ТКД133-125-2
ТКД165-125-2
ТКД133-125-3
ТКД165-125-3
ТКД133-125-4
ТКД165-125-4
ТКД133-125-5
ТКД165-125-5
ТКД133-125-6
ТКД165-125-6
ТКД133-125-7
ТКД165-125-7
ТКД133-125-8
166
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
167
Продолжение табл. 25

ТКД165-125-8
ТКД133-125-9
ТКД165-125-9
ТКД133-160-1
ТКД165-160-1
ТКД133-160-2
ТКД165-160-2
ТКД133-160-3
ТКД165-160-3
ТКД133-1604
ТКД165-160-4
ТКД133-160-5
ТКД165-160-5
ТКД133-200-1
ТКД165-200-1
ТКД133-200-2
ТКД165-200-2
ТКД133-200-3
ТКД165-200-3
ТКД133-2004
ТКД 165-200-4
ТКД133-250-1
ТКД165-250-1
168
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
ПЛ78
П.179,
П.180
169
Продолжение табл. 25

Окончание табл. 25
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.179,
П.180
П.178
П.178
П.178
П.178
ТКД133-250-2
ТКД165-250-2
ТКД133-250-3
ТКД165-250-3
ТКД133-250-4
ТКД165-250-4
ТКД14 3-320-1
ТКД143-320-2
ТКД143-320-3
ТКД14 3-320-4
170
171

КТ852Г
КТ852В
КТ852Б
КТ852А
КТ85 ЗГ
КТ853В
КТ853Б
КТ853А
2Т825В-2
2Т825Б-2
2Т825А-2
КТ825Е
2Т825В
КТ825Д
2Т825Б
КТ825Г
2Т825А
172
173
П.107,5
П.107,6
П.107,0
П.107Д
П.107,5
П.107,0
П.107,0
П.107,5
П.107,в
11.107,0
П.107.Й
П.113,а
П.ПЗ.а
П.113,а
П.ПЗ.л
П.113,в
П.ПЗ.в
Таблица 26. Транзисторы р-п-р составные большой мощности (Рк- > 1>5 Вт) средней частоты C МГц< Грр< 30 МГц)

КТ829Г
КТ829В
КТ829Б
КТ829А
2Т834В
КТ834В
2Т834Б
КТ834Б
2Т834А
КТ834А
2Т827В
2Т827В-2
КТ827В
2Т827Б
2Т827Б-2
КТ827Б
2Т827А
2Т827А-2
2Т827А-5
КТ827А
П.183
П.183
П.183
П.183
П.113,а
П.113,а
П.ПЗ.а
П.113,й
П.113,а
П.113,в
П.ИЗ.в
П.185
П.113,в
П.ПЗ.в
П.185
П.ПЗ.д
П.ПЗ.в
П.185
П.186
П.113,в
Таблица 27. Транзисторып-р-п составные большой мощности (Рк тах > *>5 вт) средней частоты CМГц < { < 30 МГц)

(Р > 1,5 Вт) высокой частоты C0 МГц < Г < 300 МГц)
Таблица 28. Транзисторы составные большой мощности 1ГК тах гр
КТ973Б
КТ973А
КТ972Б
КТ972А
П.81
П.81
П,81
П.81
ГТ338А
ГТ338Б
ГТ338В
176
П.27
П.27
П.27
177
Таблица 29. Транзисторы р-п-р лавинные малой мощности (Р < о 3 Вт)

Таблица 30. Транзисторы р-п-р двухэмиттерные малой мощности (Р— < 0,3 Вт)
Таблица 31.Транзисторы однопереходные с л-базой малой мощности (Рк < 0,3 Вт)
2Т118А-1
2Т118Б-1
2Т118А
2Т118Б
2Т118В
КТ118А
КТ118Б
КТ118В
КТ119А
КТ119Б
2Т117А
2Т117Б
2Т117В
2Т117Г
КТ117А
КТ117Б
КТ117В
КТ117Г
2Т117А-5
178
179
П.137
П.137
ЗП.28,в
ЗП.28,в
ЗП.28,в
ЗП.28,6
ЗП.28,в
ЗП.28,в
ЗП.28,в
ЗП.28,в
П.154

2ТС393А-1
2ТС393А-93
КТС393А
КТС393А-1
2ТС393Б-1
2ТС393Б-93
КТС393Б
КТС393Б-1
2ТС3103А
2ТС3103Б
КТСЗЮЗА
КТСЗЮЗБ
КТС394А
КТС394Б
2ТСЗША-1
2ТС3111Б-1
2ТСЗШВ-1
2ТС3111Г-1
180
П.191
П.191
П.191
П.191
181
П.184
П.187
П.184
П.184
П.18,4
П.187
П.184
П.184
П.189,в
П.189,в
П.189,а
П.189,в
П.190
П.190
Таблица 32. Транзисторы сборки биполярные р-п-р малой мощности (Рк < 0,3 Вт)
Таблица 33. Транзисторные сборки биполярные п-р-п малой мощности (Рк < 0,3 Вт)

Окончание табл. 33
Т а б л и ц а 34. Транзисторные сборки биполярные р-п-р и п-р-п средней н большой мощности (Р > 0,3 Вт)
2ТС303А-2
КТСЗОЗА-2
2ТС941А-2
182
П.194
П.194
П.194
183
П.191
П.192
П.193
П.193
П.215
П.215
П.193
П.193
П.216
П.216
П.216
П.216
П.190
П.190
2ТСЗП1Д-1
К1НТ661А
2ТС398А-1
2ТС398Б-1
2ТС398А-94
2ТС398Б-94
КТС398А-1
КТС398Б-1
2Т381А-1
2Т381Б-1
2Т381В-1
2Т381Д-1
КТС395А
КТС395Б

КТС631Б
КТС631В
1НТ251
1НТ251А
К1НТ251
КТС613В
КТС61ЗГ
КТС61 ЗА
КТС61ЗБ
2ТС613А
2ТС613Б
КТС631А
КТС631Г
2ТС843А1
184
185
П.198
П.198
П. 192
П.192
П.192
П.198
П.198
! П.198
•П.198
ПЛ98
П.198
П.198
П.198
П.200
Таблица 35. Транзисторные сборки биполярные п-р-п средней и большой мощности (Рк > 0,3 Вт)
1 Две парные сборки в одном корпусе.

Таблица 36. Транзисторные сборки биполярные п-р-п большой мощности (Р„ > 1,5 Вт) сверхвысокой частоты (Г > 300 МГц)
Таблица 37. Транзисторные сборки биполярные р-п-р средней мощности @,3 Вт < Р„< 1,5 Вт)
КТС622Б
КТС622А
2ТС622А
2ТС622Б
2ТС622Б-1
1ТС609А
1 ТС 609 Б
1ТС609В
ГТС609А
ГТС609Б
ГТС609В
187
П.192
П.192
П.192
П.192
П.199
П.197
П.197
П.197
П.197
П.197
П.197
П.195
П. 195
П.196
П.196
П.196
2Т991АС
2Т9101АС
2Т9105АС
2Т985АС
КТ985АС
".. Для всех типов приборов число структур в сборке равно 4.
}. Для всех типов приборов число структур в сборке равно 2.

ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ
Таблица 38. Транзисторы малой мощности (Р < 0,3 Вт) с р-п переходом и каналом р-типа
П.34,0;
П.205,в
П.34,б;
П.205,а
П.34,0;
П.205,в
П.34,6;
П.205,в
П.34,0;
П.205,в
П.34,6
П.20,в
П.34,6
П.34,0
П.20,в
П.34,5
П.34,5
П.20,в
П.34,0
П.34,6
П.20,в
П.34,5
П.28,г
П.28,г
П.28,г
П.28,г
П.28,г
П.28,г
П.201
П.201
П.201
П.201
П.201
189
КП102Е
КП102Ж
КП102И
КП102К
КП102Л
КП103Е
КП103Е1
КП103ЕР
КШ03Ж
КП103Ж1
КШОЗЖР
КП103И
КП103И1
КП103ИР
КП103К
КП103К1
КП103КР
2П101А1
2П101Б1
2П101В1
КП101Г1
КП101Д1
КП101Е1
2П201А-1
2П201Б-1
2П201В-1
2П201Г-1
2П201Д-1
188

2П201Е-1
2П201Ж-1
КП201Е
КП201Е-1
КП201Ж
КП201Ж-1
КП201И
КП201И-1
КП201К
КП201К-1
КП201Л
КП201Л-1
КП103Л
КП103Л1
КП103ЛР
КП103М
КП103М1
КШОЗМР
2П103А
2П103АР
2П103Б
2П1ОЗБР
2П103В
2П103ВР
2П103Г
2П103ГР
2П103Д
2ШОЗДР
190
П.201
П201
П.201
П.201
П.201
П.201
П.201
П.201
П.201
П.201
П.201
П.201
П.34,0
П20,в
П. 34,б
П.34,0
П.20,в
П.34,б
П.34,б
П.34,6
П.34,б
П.34,5
П.34,6
П. 34,б
П.34,6
П.34,5
П. 34,б
П. 34,б
191
Окончание табл. 38

2П312А-6
2П312Б-6
2П202Д-1
2П202Е-1
КП202Д-1
КП202Е-1
2П308А
2П308А-1
2П308Б
2П308Б-1
2П308В
2П308В-1
2П308Г
2П308Г-1
2П308Д
2П308Д-1
КП308А
КП308А-1
КП308Б
КП308Б-1
КП308В
КП308В-1
КП308Г
КП308Г-1
КП308Д
КП308Д-1
2П308А-9
2П308Б-9
2П308В-9
2П308Г-9
2П308Д-9
2П308Е-9
КП323А-2
КП323Б-2
2П312А
192
Таблица 39. Транзисторы малой мощности (Р < 0,3 Вт) с р-п переходом и каналом л-типа
П. 202
П. 202
П.203
П.203
П.203
П.203
П.204
П.204
П.204
П.204
П.204
П.204
П.204
П.204
П.204
П.204
П.204
П.204
П.204
П.204
П.204
П.204
П.204
П.204
П.204
П.204
П.17,0
П.17,6
П.17,0
П.П,б
П.17,6
П.17,6
П.88,6
П.88,6
П.64,6
193

2П312Б
КП312А1
КП312Б1
2П303А
2П303Б
2П303В
2П303Г
2П303Д
2П303Е
2П303И
КПЗОЗА
КПЗОЗБ
КПЗОЗВ
кпзозг
кпзозд
КПЗОЗЕ
кпзозж
кпзози
КП314А
2ПЗО7А
2П307Б
2П307В
2П307Г
2П307Д
КП307А
КП307Б
КП307В
КПЗО7Г
КПЗО7Д
КПЗО7Е
КП307Ж
2ПЗЗЗБ
2ПЗЗЗА
2П302А
194
П.64,0
П.64,б
П.64,б
П.205,0
П.205,0
П.205,5
П.205,5
П.205,6
П.2О5,<5
'П. 205 ,б
П.205Д
П.205,6
П.205,0
П.205,0
П.205,б
П.205,5
П.205,5
П.205,6
П.28,г
П.205,5
П.205,5
П.205,^
П.205,5
П.205,б
П.205,5
П.205,б
П.205,б
П.205,5
П.205,0
П.205,5
П.205,6
П.28,г
П.28,г
ПЛ4,б
195
Продолжение табл. 39

2П302А-1
2П302Б3
2П302Б-1а
2П302В»
2П302В-1'
КП302А
КП302АМ
КП302Б
КП302БМ
КП302В
КП302ВМ
КП302Г
КП302ГМ
Окончание табл. 39
П.77,5
П.74,0
П.П,б
П.74,б
ПЛ,б
П.74,5
П.28,г
П.74,5
П.28,г
П.74,0
П.28,г
П.74,5
П.28,г
197
196

КП313А
КП313Б
КП313В
2П310А
2П310Б
2П305А-2
2П305Б-2
2П305В-2
2П305Г-2
2П313А
2П313Б
2П313В
КП305Д
КП305Е
КП305Ж
КПЗО5И
2П305А
2П305Б
2П305В
2П305Г
Таблица 40. Транзисторы малой мощности (Р < 0,3 Вт) с изолированным затвором и каналом л-типа
П.34,в
П. 34,в
П.34,в
П.205,в
П.205,в
П.207
П.207
П.207
П.207
П. 34,в
П.34,в
П.34,в
П.205,г
П.205,г
П.205,г
П.205,г
П.205,г
П.205,г
П.205,г
П.205,г
19!
198

2П301А
2П301А-1
2П301А-5
2П301Б
2П301Б-1
2П301В
2П301В-1
КП301Б
КП301В
КП301Г
КП304А
2П304А
2П601А
2П601Б
КП601А
КП601Б
2П914А
2П903А
2П903А-5
200
П.74,5
П.74,5
П.14,б
ПЛ4,б
П.74,0
П.208,а
П.209
201
П.205,в
П.205,в
П.206
П.205,в
П.205,в
П.205,в
П.205,в
П.205,в
П.205,в
П.205,в
П.205,г
П.205,г
Таблица 41. Транзисторы малой мощности (Р < 0,3 Вт) изолированным затвором и каналом р-типа
Таблица 42. Транзисторы большой мощности Р > 1,5 Вт) с р-п переходом и каналом л-типа

2П903Б
2П903Б-5
2П903В
2П903В-5
КП903А
КП903Б
КП903В
2П802А
2П702А
П.208,в
П.209
П.208,а
П.209
П.208,а
П.208,а
П.208,а
П.113,5
ПЛЗЗ.г
П.208,б
П.208,0
П.208, б
П.208, Я
П.208,б
П.211
П.211
П.212
П.211
П.211
203
2П902А1
2П902Б
КП902А1
КП902Б1
КП902В*
2П908А
2П908Б
2П905А-51
2П905А1
2П905Б3
202
Окончание табл. 42
Таблица 43. Транзисторы большой мощности (Р > 1,5 Вт) с изолированным затвором и каналом л-типа

КП905А
КП905Б
КП905В
2П907А
2П907Б
КП907А
КП907Б
КП907В
2П901А
2П901А-5
2П901Б
2П901Б-5
КП901А
КП901Б
2П911А
2П911Б
2П701Б
2П701А
2П909В
2П912Б
2П912А
2П918А
2П918Б
2П909А
2П909Б
2П904А
2П904Б
КП904А
КП904Б
2П922А
2П922Б
2П923А
2П923Б
2П913А
204
Продолжение табл. 43
П.211
П.211
П.211
П.211
П.211
П.211
П.211
П.211
Н.208,6
П.86
П.208, б
П.86
П.208, б
, П.208, б
П.143,6
П.143,5
П.133,г
П.133,г
П.143,0
П.ПЗ.в
П,113,в
П. 100
П.100
П.143;<?
ПЛ43,б
ПЛ41,б
П.147,5
П.147,6
ПЛ47,б
П.113,5
П.113,5
П.100
П.100
П.143,5
205

2П913Б
2П920А
2П920Б |
П.143,5
П165,6
П.165,б
2П306А
2П306Б
2П306В
2П306Г
2П306Д
2П306Е
КП306А
КП306Б
КП306В
2П350А
206
П.205,е
П.205,е
П.205,е
П.205,е
П.205,е
П.205,е
П205,е
П.205,е
П.205,е
П.205,е
207
Окончание табл. 43
Таблица 44. Транзисторы малой мощности (Р < 0,3 Вт) с двумя изолированными затворами и каналом л-типа

Окончание табл. 44
1 Транзисторы с двумя р-п затворами.
2П350Б
КП350А
КП350Б
КП35ОВ
КП327А
КП327Б
2П322А1
КП322А1
П.205,е
П.2О5,ё
П.205,е
П.205,е
П.210,в
П.210,д
2ПС202А-2
2ПС202Б-2
2ПС202В-2
2ПС202Г-2
КПС202А-2
КПС202Б-2
КПС202В-2
208
П.170
П.170
П.170
П.170
П.170
П.170
П.170
209

КПС202Г-2
КПС202А
КПС202Б
КПС202В
КПС202Г
2ПС104А
2ПС104Б
2ПС104В
2ПС104Г
2ПС104Д
2ПС104Е
КПС104А
КПС104Б
КПС104В
КПС104Г
КПС104Д
КПС104Е
2ПС105А
2ПС105Б
2ПС105В
2ПС105Г
КПС315А
КПС315Б
Примечание. Для всех типов приборов число структур в сборке равно 2.
1 Значения для двух транзисторов.
Окончание табл. 45
211
П.170
П.175
П. 175
П.175
П.175
П.210
П.210,0
П.210,0
П.710,6
П.210,6
П.210,6
П.210,0
П.210,б
П.210,б'
П.210, б
П.210, б
П.210,0
П.184,0
П.184,5
П.184,5
П.184,б
П.189,б
П.189,6
210

ПРИЛОЖЕНИЕ
ГАБАРИТНЫЕ ЧЕРТЕЖИ ТРАНЗИСТОРОВ
Рис.П.1
Рис.П.2
Рис.П.3 Рис.П.4
'М9

Рис.П.5 Рис.П.6
Рис.П.7
Рис.П.8
Рис.П.9
213

Рис то
РисП.И
Рис.П.13
РисП.12
214

РисП 14
Рис.П,15
РисП 16
РисП 17
215

Рис.П.18 Рис.П.19
Рис.П.20
Рис.П.21
Рис.П.22 Рис.П.23
216

Рис.П.24 Рис.П.25
Рис.П.26 Рис.П.27
Рис.П.28 Рис.П.29
2Г

Рис.П.30
Рис.П.31
Рис.П.34 Рис.П.35
218

Рис.П.38
Рис.П.36
Рис.П.39
Рис.П.40
Рис.П.43
Рис.П.41
219

Рис.П.45
Рис.П.44
Рис.П.47
лг
Рис.П.49 Рис.П.50
220
— м =—^*—
Рис.П.46 Рис.П.48

Рис.П.51 Рис.П.52
Рис.П.53
Рис.П.54
Рис.П.55 Рис.П.56
221

Рис.П.57 Рис.П.58
Рис.П.59
Рис.П.60 Рис.П.61
222

Рис.П.63
Рис.П.62
Рис.П.66
223
Рис.П.64 РисЛ-65

Рис.П.67 Рис.П.68
Рис.П.69 Рис.П.70
Рис.П,71 Рис.П.72
224

Рис.П.73
Рис.П.74
Рис.П.75
РисЛ.76 Рис.П.77
225

Рис.П.7& Рис.П.79
РисП.80 Рис.П.81
Рис.П.82 Рис.П.83
226

Рис.П.84
Рис.П.85 Рис.П.86
Рис.П.88
227
Рис.П.87

Рис.П.89 РисЛ-90
Рис.П.91 Рис.П.92
Рис.П.93 Рис.П.94
228

Рис.П.95 Рис.П.96
Рис.П.97
Рис.П.98
Рис.П.99
Рис.П.100
229

Рис.П.104
Рис.П.101 Рис.П.102
Рйс.П.103 Рис.П.105
230

Рис.П.108
Рис.П.106 Рис. П.107 (разводка дана для вар. в:
Б - 1; К-2; Э- 3.
Для вар. б: Э- 1; К-2; Б- 3)
Рис.П.109 Рис.П.110 Рис.ПДИ
231

Рис.П.112 Рис.П.113
Рис.П.114 Рис.П.115 Рис.П.116
232

Рис.П.119
233
Рис.П.117 Рис.П.118

Рис.П.120 Рис.П.121
Рис.П.122 Рис.П.123
Рис.П.124
234

Рис.П.126
Рис.П.127 Рис.П.128 Рис.П.129
Рис.П.125
Рис.П.130 Рис.П.131 Рис.П.132
235

Рис.П.133 Рис.П.134
Рис.П.135 Рис.П.136 Рис.П.137

Рис.П.138 Рис.П.139
Рис.П.140 Рис.П.141
237

Рис.П.142 Рис.П.143
Рис.П.144 Рис.П.145
238

Рис.П.151
239
Рис.П.146 РисП.147 Рис.П.148
Рис.П.149

Рис.П.152 Рис.П.153
^¦11.154 Рис.П.155
Рис.П.156 Рис.П.157
240

Рис.П.158 Рис.П.159
Рис.П.160 Рис.П.161
241

Рис.П 162 Рис.П.163 Рис.П.164
Рис.П.165 Рис.П.166 Рис.П.167
242

Рис.П.168 Рис.П.169
Рис.П.170 ^сЛЛП
243

Рис.П.172 Рис.П.173
Рис.П.174 Рис.П.175
244

Рис.П.176 Рис.П.177
Рис.П.178
245

Рис.П,179 Рис.П.180
Рис.П.181 Рис.П.182
246

Рис.П.187 Рис.П.188
247
Рис.П185 Рис П. 186
Рис.П183 Рис.П.184

Рис.П.189
Рис.П.190 Рис.П.191
Рис.П.192
248

Рис.П.193 Рис.П.194
Рис.П.195 Рис.П.196
Рис.П.197
Рис.П.198
249

Рис.П.199
Рис.П.200
250

Рис.П.201 Рис.П.202 Рис.П.2ОЗ
Рис.П.205
Рис.П.204
Рис.П.206
Рис.П.207
Рис.П.208 Рис.П.209
251

Рис.П.210
Рис.П.211 Рис.П.212
Рис.П.213 Рис.П.214
252

АЛФАВИТНО-ЦИФРОВОЙ УКАЗАТЕЛЬ ТРАНЗИСТОРОВ,
ПОМЕЩЕННЫХ В СПРАВОЧНИКЕ
Тип прибора
1НТ251
1НТ251А
1ТЮ1
1ТЮ1А
1Т101Б
1Т102
1Т102А
1ТП5А
1Т115Б
1Т115В
1Т115Г
1Т116А
1Т116Б
1Т116В
1Т116Г
1ТЗОЗ
1Т303А
1Т303Б
1ТЗОЗВ
1Т303Г
1Т303Д
1Т305А
1Т305Б
1Т305В
1Т308А
1Т308Б
1Т308В
1Т308Г
1ТЗПА
1Т311Б
1Т311Г
1Т311Д
1Т311К
1Т311Л
1Т313А
1Т313Б
1Т313В
1Т320А
1Т320Б
1Т320В
1Т321А
1Т321Б
1Т321В
1Т321Г
1Т321Д
Стр.
184
184
36
36
48
34
36
42
42
42
42
40
40
40
40
72
72
72
72
72
72
64
64
64
64
64
64
64
92
92
92
92
92
92
82
82
82
66
66
66
68
68
68
68
68
Тип прибора
1Т321Е
1Т329А
1Т329Б
1Т329В
1ТЗЗОА
1Т330Б
1ТЗЗОВ
1Т330Г
1Т335А
1Т335Б
1Т335В
1Т335Г
1Т335Д
1Т341А
1Т341Б
1Т341В
1Т362А
1Т374А-6
1Т376А
1Т383А-2
1Т383Б-2
1Т383В-2
1Т386А
1Т387А-2
1Т387Б-2
1Т3110А-2
1Т403А
1Т403Б
1Т403В
1Т403Г
1Т403Д
1Т403Е
1Т403Ж
1Т403И
1Т612А4
1Т614А
1Т615
1Т702А
1Т702Б
1Т702В
1Т806А
1Т806Б
1Т806В
1Т813А
1Т813Б
Стр
68
86
86
86
90
90
90
90
66
66
66
66
66
84
84
84
84
84
80
84
84
84
80
92
94
86
110
ПО
ПО
по
ПО
ПО
110
ПО
106
108
108
116
116
116
126
126
126
126
126
Тип прибора
1Т813В
1Т901А
1Т901Б
1Т905А
1Т906А
1Т910АД
1ТМП5А
1ТМ115Б
1ТМ115В
1ТМ115Г
1ТМ305А
1ТМ305Б
1ТМ305В
1ТМ314А
1ТМ314Б
1ТМ314В
1ТМ314Г
1ТМ314Д
1ТМ314Е
1ТС609А
1ТС609Б
1ТС609В
2П101А
2П101Б
2Ш01В
2П103А
2П103АР
2П103Б
2П103БР
2П103В
2П103ВР
2П103Г
2П103ГР
2П1ОЗД
2П1ОЗДР
2П201А-1
2П201Б-1
2П201В-1
2П201Г-1
2П201Д-1
2П201Е-1
2П201Ж-1
2П202Д-1
2П202Е-1
2П301А
Стр.
126
124
124
122
124
124
40
40
42
42
64
64
64
74
74
74
74
74
74
186
186
186
188
188
188
190
190
190
190
190
190
190
190
190
190
188
188
188
188
188
190
190
192
192
200
25 3

Продолжение таблицы
Тип прибора
2П301А-1
2П301А-5
2П301Б
2П301Б-1
2П301В
2П301В-1
2П302А
2П302А-1
2П302Б
2П302Б-1
2П302В
2П302В-1
2П303А
2П303Б
2П303В
2П303Г
2П303Д
2П303Е
2П303И
2П304А
2П305А
2П305А-2
2П305Б
2П305Б-2
2П305В
2П305В-2
2П305Г
2П305Г-2
2П306А
2П306Б
2П306В
2П306Г
2П306Д
2П306Е
2П307А
2П307Б
2П307В
2П307Г
2П307Д
2П308А
2П308А-1
2П308А-9
2П308Б
2П308Б-1
2П308Б-9
2П308В
2П308В-1
Стр. Я
200
200
200
200
200
200
194
196
196
196*
196
196
194
194
194
194
194
194
194
200
198
198
198
198
198
198
198
198
206
206
206
206
206
206
194 |
194
194
194
194
192
192
192
192
192
192
192
192
Тип прибора
2П308В-9
2П308Г
2П308Г-1
2П308Г-9
2П308Д
2П308Д-1
2П308Д-9
2П308Е-9
2П310А
2П310Б
2П312А
2П312А-6
2П312Б
2П312Б-6
2П313А
2П313Б
2П313В
2П322А
2ПЗЗЗА
2ПЗЗЗБ
2П350А
2П350Б
2П601А
2П601Б
2П701А
2П701Б
2П702А
2П802А
2П901А
2П901А-5
2П901Б
2П901Б-5
2П902А
2П902Б
2П903А
2П903А-5
2П903Б
2П903Б-5
2П903В
2П903В-5
2П904А
2П904Б
2П905А-5
2П905А
2П905Б
2П907А
2П907Б
Стр.
192
192
192
192
192
192
192
192
198
198
192
192
194
192
198
198
198
208
194
194
206
208
200
200
204
204
202
202
204
204
204
204
202
202
200
200
202
202
202
202
204
204
202
202
202
204
204
Тип прибора
2П908А
2П908Б
2П909А
2П909Б
2П909В
2П911А
2П911Б
2П912А
2П912Б
2П913А
2П913Б
2П914А
2П918А
2П918Б
2П920А
2П920Б
2П922А
2П922Б
2П923А
2П923Б
2ПС104А
2ПС104Б
2ПСЮ4В
2ПС104Г
2ПС104Д
2ПСЮ4Е
2ПС105А
2ПС105Б
2ПС105В
2ПС105Г
2ПС202А-2
2ПС202Б-2
2ПС202В-2
2ПС202Г-2
2Т104А
2Т104Б
2Т104В
2Т104Г
2Т117А
2Т117А-5
2Т117Б
2Т117В
2Т117Г
2Т118А
2Т118А-1
2Т118Б
2Т118Б-1
Стр.
202
202
204
204
204
204
204
204
204
204
206
200
204
204
206
206
204
204
204
204
210
210
210
210
210
210
210
210
210
210
208
208
208
208
50
48
48
50
178
178
178
178
178
178
178
178
178
254

Продолжение таблицы
Тип прибора
2Т118В
2Т127А-1
2Т127Б-1
2Т127В-1
2Т127Г-1
2Т201А
2Т201Б
2Т201В
2Т201Г
2Т201Д
2Т202А
2Т202А-1
2Т202Б
2Т202Б-1
2Т202В
2Т202В-1
2Т202Г
2Т202Г-1
2Т202Д-1
2Т203А
2Т203Б
2Т203В
2Т203Г
2Т203Д
2Т205А
2Т205Б
2Т208А
2Т208Б
2Т208В
2Т208Г
2Т208Д
2Т208Е
2Т208Ж
2Т208И
2Т208К
2Т208Л
2Т208М
2Т211А-1
2Т211Б-1
2Т211В-1
2Т214А-1
2Т214Б-1
2Т214В-1
2Т214Г-1
2Т214Д-1
2Т214Е-1
Стр. 1
178
46
46
46
46
56
56
56
56
56
50
50
50
50
50
50
50
52
50
50
50
48
50
48
58
58
52
52
52
54
54
54
54
54
54
54
54
50
50
50
52
52
52
52
52
52
Тип прибора
2Т215А-1
2Т215А9
2Т215Б-1
2Т215Б9
2Т215В-1
2Т215В9
2Т215Г-1
2Т215Г9
2Т215Д-1
2Т215Д9
2Т215Е-1
2Т215Е9
2Т301Г
2Т301Д
2Т301Е
2Т301Ж
2Т306А
2Т306Б
2Т306В
2Т306Г
2Т307А-1
2Т307Б-1
2Т307В-1
2Т307Г-1
2Т312А
2Т312Б
2Т312В
2Т313А
2Т313Б
2Т314А
2Т316А
2Т316Б
2Т316В
2Т316Г
2Т316Д
2Т317А-1
2Т317Б-1
2Т317В-1
2Т318А-1
2Т318Б-1
2Т318В-1
2Т318В1-1
2Т318Г-1
2Т318Д-1
2Т318Е-1
2Т319А-1
М 2Т319Б-1
Стр.
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
58
56
56
56
56
74
90
74
90
72
72
72
72
74
74
74
98
98
100
90
90
90
90
90
70
70
70
88
88
88
88
88
88
88
70
70
Тип прибора
2Т319В-1
2Т321А
2Т321Б
2Т321В
2Т321Г
2Т321Д
2Т321Е
2Т324А-1
2Т324Б-1
2Т324В-1
2Т324Г-1
2Т324Д-1
2Т324Е-1
2Т325А
2Т325Б
2Т325В
2Т326А
2Т326Б
2Т331А-1
2Т331Б-1
2Т331В-1
2Т331Г-1
2Т331Д-1
2Т332А-1
2Т332Б-1
2Т332В-1
2Т332Г-1
2Т332Д-1
2ТЗЗЗА-3
2ТЗЗЗБ-3
2ТЗЗЗВ-3
2ТЗЗЗВ1-3
2ТЗЗЗГ-3
2ТЗЗЗД-3
2ТЗЗЗЕ-3
2Т336А
2Т336Б
2Т336В
2Т336Г
2Т336Д
2Т336Е
2Т348А-3
2Т348Б-3
2Т348В-3
2Т354А-2
2Т354Б-2
2Т355А
Стр.
70
68
68
68
68
68
68
88
88
88
88
88
88
92
92
92
64
82
72
72
72
90
86
74
74
74
90
90
86
86
86
86
86
86
86
72
72
72
88
88
88
72
72
72
84
84
92
255

Продолжение таблицы
Тип прибора
2Т360А-1
2Т360Б-1
2Т360В-1
2Т363А
2Т363Б
2Т364А-2
2Т364Б-2
2Т364В-2
2Т366А-1
2Т366Б-1
2Т366Б1-1
2Т366В-1
2Т367А
2Т368А
2Т368Б
2Т370А-1
2Т370Б-1
2Т371А
2Т372А
2Т372Б
2Т372В
2Т377А-2
2Т377А1-2
2Т377Б-2
2Т377Б1-2
2Т377В-2
2Т377В1-2
2Т378А-2
2Т378А1-2
2Т378Б-2
2Т378Б1-2
2Т381А-1
2Т381Б-1
2Т381В-1
2Т381Г-1
2Т381Д-1
2Т382А
2Т382Б
2Т384А-2
2Т384АМ-2
2Т385А-2
2Т385А9
2Т385АМ-2
2Т388А-2
2Т388АМ-2
2Т389А-2
2Т392А-2
Стр.
62
80
80
82
80
66
68
68
84
88
88
92
88
92
92
80
80
90
86
86
86
78
78
78
78
78
78
78
78
78
78
182
182
182
72
182
90
90
94
94
78
78
78
70
70
82
62
Тип прибора
2Т396А-2
2Т397А-2
2Т399А
2Т3108А
2Т3108Б
2Т3108В
2ТЗП4А-6
2ТЗП4Б-6
2Т3115А-2
2Т3115Б-2
2Т3117А
2Т3117Б
2Т3120А
2Т3121А-6
2Т3123А-2
2Т3123Б-2
2Т3123В-2
2Т3124А-2
2Т3124Б-2
2Т3124В-2
2Т3129А9
2Т3129Б9
2Т3129В9
2Т3129Г9
2Т3129Д9
2Т3130А9
2Т3130Б9
2Т3130В9
2Т3130Г9
2Т3130Д9
2Т3130Е9
2Т3132А-2
2Т3132А-5
2Т3132Б-2
2Т3132В-2
2Т3132Г-2
2Т504А
2Т504А-5
2Т504Б
2Т504Б-5
2Т504В
2Т505А
2Т505Б
2Т506А
2Т506Б
2Т509А
Стр.
92
86
90
68
68
68
86
86
84
84
78
78
90
84
80
82
80
84
84
84
66
66
66
66
66
76
78
76
76
76
76
84
84
84
84
84
128
154
128
154
128
122
122
130
130
96
Тип прибора
2Т602А
2Т602АМ
2Т602Б
2Т602БМ
2Т603А
2Т603Б
2Т603В
2Т603Г
2Т603И
2Т606А
2Т607А-4
2Т608А
2Т608Б
2Т610А
2Т610Б
2Т624А-2
2Т624АМ-2
2Т625А-2
2Т625АМ-2
2Т625Б-2
2Т625БМ-2
2Т629А-2
2Т629АМ-2
2Т630А
2Т630А-5
2Т630Б
2Т632А
2Т633А
2Т634А-2
2Т635А
2Т637А-2
2Т638А
2Т640А-2
2Т640А1-2
2Т642А-2
2Т642А1-2
2Т642В1-2
2Т643А-2
2Т643А-5
2Т647А-2
2Т648А-2
2Т648А-5
2Т649А-2
2Т652А
„2Т65 ЗА
2Т653Б
2Т657А-2
Стр.
138
138
138
138
102
102
102
102
102
144
108
102
102
108
108
106
106
102
102
102
102
98
98
104
104
104
98
106
108
102
108
100
106
106
106
106
106
106
106
106
106
106
108
102
154
154
106
256

Продолжение таблицы
Тип прибора
2Т658А-2
2Т658Б-2
2Т658В-2
2Т664А91
2Т664Б91
2Т665А91
2Т665В91
2Т671А-2
2Т682А-2
2Т682Б-2
2Т704А
2Т704Б
2Т708А
2Т708Б
2Т708В
2Т709А
2Т709А-2
2Т709Б
2Т709Б-2
2Т709В
2Т709В-2
2Т713А
2Т716А-1
2Т716Б-1
2Т716В-1
2Т803А
2Т808А
2Т809А
2Т812А
2Т812Б
2Т818А
2Т818А-2
2Т818Б
2Т818Б-2
2Т818В
2Т818В-2
2Т819А
2Т819А-2
2Т819Б
2Т819Б-2
2Т819В
2Т819В-2
2Т824А
2Т824АМ
2Т824Б
2Т824БМ
2Т825А
Стр.
104
104
104
98
98
104
104
108
106
106
118
118
156
156
156
156
156
156
156
156
156
118
156
156
156
132
132
130
132
132
116
116
116
116
116
116
120
120
118
118
118
118
132
132
132
132
172
Тип прибора
2Т825А-2
2Т825Б
2Т825Б-2
2Т825В
2Т825В-2
2Т826А
2Т826Б
2Т826В
2Т827А
2Т827А-2
2Т827А-5
2Т827Б
2Т827Б-2
2Т827В
2Т827В-2
2Т828А
2Т828Б
2Т830А
2Т830Б
2Т830В
2Т830В-1
2Т83ОГ
2Т830Г-1
2Т831А
2Т831Б
2Т831В
2Т831В-1
2Т831Г
2Т831Г-1
2Т832А
2Т832Б
2Т834А
2Т834Б
2Т834В
2Т836А
2Т836Б
2Т836В
2Т837А
2Т837Б
2Т837В
2Т837Г
2Т837Д
2Т837Е
2Т839А
2Т841А
2Т841А-1
2Т841Б
Стр.
172
172
172
172
172
128
128
128
174
174
174
174
174
174
174
130
130
122
122
122
122
122
122
128
128
128
128
130
130
126
126
174
174
174
122
122
122
114
114
114
114
114
114
134
132
132
132
Тип прибора
2Т841Б-1
2Т842А
2Т842А-1
2Т842Б
2Т842Б-1
2Т844А
2Т845А
2Т847А
2Т847Б
2Т848А
2Т856А
2Т856Б
2Т856В
2Т860А
2Т860Б
2Т860В
2Т861А
2Т861Б
2Т861В
2Т862А
2Т862Б
2Т862В
2Т862Г
2Т866А
2Т867А
2Т874А
2Т874Б
2Т882А
2Т882Б
2Т882В
2Т883А
2Т883Б
2Т884А
2Т884Б
2Т903А
2Т903Б
2Т904А
2Т907А
2Т908А
2Т908А-2
2Т908А-5
2Т909А
2Т909Б
2Т911А
2Т911Б
2Т912А
2Т912А-5
Стр.
132
124
124
122
124
132
130
134
134
120
134
134
132
122
122
122
130
128
128
134
134
134
134
134
136
136
136
128
128
128
122
122
130
130
140
140
146
146
154
154
154
148
148
144
144
142
142
257

Продолжение таблицы
Тип прибора
2Т912Б
2Т912Б-5
2Т913А
2Т913Б
2Т913В
2Т914А
2Т916А
2Т917А
2Т919А
2Т919А-2
2Т919Б
2Т919Б-2
2Т919В
2Т919В-2
2Т920А
2Т920Б
2Т920В
2Т921А
2Т922А
2Т922Б
2Т922В
2Т925А
2Т925Б
2Т925В
2Т926А
2Т928А
2Т928Б
2Т929А
2Т930А
2Т930Б
2Т931А
2Т932А
2Т932Б
2Т933А
2Т933Б
2Т934А
2Т934Б
2Т934В
2Т935А
2Т935А-5
2Т937А-2
2Т937Б-2
2Т938А-2
2Т939А
2Т941А
2Т942А
2Т942Б
Стр.
142
142
144
146
146
142
146
154
146
146
144
144
144
144
144
146
148
140
138
138
140
144
146
148
154
154
154
146
148
150
140
138
138
138
138
144
146
148
154
154
108
144
108
144
142
146
146
Тип прибора
2Т944А
2Т945А
2Т945А-5
2Т945Б
2Т945В
2Т946А
2Т947А
2Т948А
2Т948Б
2Т949А
2Т950А
2Т950Б
2Т951А
2Т951Б
2Т951В
2Т955А
2Т956А
2Т957А
2Т958А
2Т960А
2Т962А
2Т962Б
2Т962В
2Т963А-2
2Т963А-5
2Т963Б-2
2Т964А
2Т965А
2Т966А
2Т967А
2Т968А
2Т970А
2Т971А
2Т974А
2Т974Б
2Т974В
2Т975А
2Т975Б
2Т976А
2Т977А
2Т978А
2Т978Б
2Т979А
2Т980А
2Т980Б
2Т981А
2Т982А-2 *
Стр.
140
154
154
154
154
148
142
148
146
154
140
140
140
140
138
140
140
142
150
150
146
148
148
108
108
108
140
140
140
140
152
150
140
152
152
152
150
150
150
150
154
154
148
140
140
150
144
Тип прибора
2Т984А
2Т984Б
2Т985АС
2Т986А
2Т986Б
2Т986В
2Т987А
2Т988А
2Т989А
2Т989Б
2Т990А-2
2Т991АС
2Т993А
2Т994А
2Т994Б
2Т994В
2Т995А-2
2Т996А-2
2Т996А-5
2Т996Б-2
2Т996Б-5
2Т9101АС
2Т9103А-2
2Т9103Б-2
2Т9104А
2Т9104Б
2Т9105АС
2Т9107А-2
2Т9108А-2
2Т9109А
2Т9110А-2
2Т9110Б-2
2Т9111А
2Т9114А
2Т9114Б
2Т9118А
2Т9119А-2
2Т9122А
2Т9122Б
2ТК15 2-80-0,4
2ТК152-80-1
2ТК152-80-1.5
2ТК152-80-2
2ТК15 2-80-3
2ТК152-100-0,5
2ТК152-100-1
2ТК152-100-1,5
Стр.
108
150
186
150
150
150
148
148
148
148
146
186
154
150
150
150
144
144
144
142
144
186
146
146
146
118
186
148
150
150
150
150
140
150
148
150
146
150
148
120
120
120
120
120
120
120
120
258

Продолжение таблицы
Тип прибора
2ТК152-100-2
2ТК152-100-3
2ТК2 35-40-0,5
2ТК2 35-40-1
2ТК23540-1,5
2ТК2 35-40-2
2ТК2 3540-3
2ТК235-50-0,5
2ТК2 35-50-1
2ТК2 35-50-1,5
2ТК235-50А-1.5
2ТК235-50-2
2ТК2 35-50-3
2ТК235-50А-3
2ТК2 35-63-0,5
2ТК2 35-6 3-1
2ТК235-63-1.5
2ТК235-63-2
2ТК2 35-63-3
2ТК2 35-80-0,5
2ТК235-80-1
2ТК2 35-80-1,5
2ТК335-40-6
2ТКД15 5-40-6
2ТКД15 5-100-6
2ТМ103А
2ТМ103Б
2ТМ103В
2ТМ103Г
2ТМ103Д
2ТМ104А
2ТМ104Б
2ТМ104В
2ТМЮ4Г
2ТС303А-2
2ТС393А-1
2ТС393А-93
2ТС393Б-1
2ТС393Б-93
2ТС398А-1
2ТС398А94
2ТС398Б-1
2ТС398Б-94
2ТС3103А
2ТС3103Б
2ТСЗША-1
Стр.
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
158
162
56
56
56
56
56
50
48
48
50
182
180
180
180
180
182
182
182
182
180
180
180
Тип прибора
2ТС3111Б-1
2ТС31ПВ-1
2ТС31ПГ-1
2ТС3111Д-1
2ТС613А
2ТС613Б
2ТС622А
2ТС622Б
2ТС622Б-1
2ТС843А
2ТС941А-2
ГТ108А
ГТ108Б
ГТ108В
ГТ108Г
ГТ109А
ГТ109Б
ГТ109В
ГТ109Г
ГТ109Д
ГТ109Е
ГТ109Ж
ГТ109И
ГТ115А
ГТ115Б
ГТ115В
ГТ115Г
ГТ115Д
ГТ122А
ГТ122Б
ГТ122В
ГТ122Г
ГТ124А
ГТ124Б
ГТ124В
ГТ124Г
ГТ125А
ГТ125Б
ГТ125В
ГТ125Г
ГТ125Д
ГТ125Е
ГТ125Ж
ГТ125И
ГТ125К
ГТ125Л
ГТ305А
Стр.
180
180
180
182
184
184
186
186
186
184
182
38
38
38
38
36
36
36
36
36
50
36
36
38
38
38
38
38
46
46
46
46
40
40
40
40
42
42
42
42
42
42
42
42
42
42
64
Тип прибора
ГТ305Б
ГТ305В
ГТ308А
ГТ308Б
ГТ308В
ГТ308Г
ГТ309А
ГТ309Б
ГТ309В
ГТ309Г
ГТЗО9Д
ГТ309Е
ГТ310А
ГТ310Б
ГТ310В
ГТ310Г
гтзюд
ГТ310Е
ГТ311А
ГТ311Б
ГТ311В
гтзпг
ГТ311Д
ГТ311Е
ГТ311Ж
ГТ311И
ГТ31 ЗА
ГТ313Б
ГТ313В
ГТ320А
ГТ320Б
ГТ320В
ГТ321А
ГТ321Б
ГТ321В
ГТ321Г
ГТ321Д
ГТ321Е
ГТ322А
ГТ322Б
ГТ322В
ГТ322Г
ГТ322Д
ГТ322Е
ГТ323А
ГТ323Б
ГТ323В
Стр.
64
64
64
64
64
64
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
76
76
92
92
92
92
92
92
82
82
82
66
66
66
68
68
68
68
68
68
60
60
60
60
60
60
102
102
102
259

Продолжение таблицы
Тип прибора
ГТ328А
ГТ328Б
ГТ328В
ГТ329А
ГТ329Б
1Т329В
ГТ329Г
ГТЗЗОД
ГТЗЗОЖ
ГТЗЗОИ
ГТ335А
ГТ335Б
ГТ335В
ГТ335Г
ГТ335Д
ГТ338А
ГТ338Б
ГТ338В
ГТ341А
ГТ341Б
ГТ341В
ГТ346А
ГТ346Б
ГТ346В
ГТ362А
ГТ362Б
ГТ376А
ГТ383А-2
ГТ383Б-2
ГТ383В-2
ГТ402А
ГТ402Б
ГТ402В
ГТ402Г
ГТ402Д
ГТ402Е
ГТ402Ж
ГТ402И
ГТ403А
ГТ403Б
ГТ403В
ГТ403Г
ГТ403Д
ГТ403Е
ГТ403Ж
ГТ403И
ГТ403Ю
Стр.
80
60
62
86
86
86
86
90
90
90
66
66
66
66
66
177
177
177
84
84
84
80
80
80
84
84
80
84
84
84
44,94
44,94
44,94
44,94
94
94
94
94
ПО
ПО
110
110
ПО
110
ПО
110
ПО
Тип прибора
ГТ404А
ГТ404Б
ГТ404В
ГТ404Г
ГТ404Д
ГТ404Е
ГТ404Ж
ГТ404И
ГТ405А
ГТ405Б
ГТ405В
ГТ405Г
ГТ612А-4
ГТ701А
ГТ7ОЗА
ГТ703Б
ГТ703В
ГТ703Г
ГТ703Д
ГТ705А
ГТ705Б
ГТ705В
ГТ705Г
ГТ7О5Д
ГТ804А
ГТ804Б
ГТ804В
ГТ806А
ГТ806Б
ГТ806В
ГТ806Г
ГТ806Д
ГТ810А
ГТ905А
ГТ905Б
ГТ906А
ГТ906АМ
ГТС609А
ГТС609Б
ГТС609В
К1НТ251
К1НТ661А
КП101Г
КПШД
КП101Е
КП102Е
КП102Ж
Стр.
48,95
48,95
48,95
48,95
95
95
95
95
94
94
95
95
106
114
112
112
112
112
112
118
118
118
118
118
124
124
124
126
126
126
126
126
124
152
152
124
124
186
186
186
184
182
188
188
188
188
188
Тип прибора
КП102И
КП102К
КП102Л
КП103Е
КП103Е1
КГЦ ОЗЕР
КП103Ж
КП103Ж1
КП103ЖР
кшози
КП103И1
КПЮЗИР
кшозк
КП103К1
КШОЗКР
КПЮЗЛ
КП103Л1
КПЮЗЛР
кпюзм
КШ03М1
КПЮЗМР
КП201Е
КП201Е-1
КП201Ж
КП201Ж-1
КП201И
КП201И-1
КП201К
КП201К-1
КП201Л
КП201Л-1
КП202Д-1
КП202Е-1
КП301Б
КП301В
КП301Г
КПЗО-2А
КП302АМ
КП302Б
КП302БМ
КП302В
КП302ВМ
КП302Г
КП302ГМ
КПЗОЗА
КПЗОЗБ
КПЗОЗВ
Стр.
188
188
188
188
188
188
188
188
188
188
188
188
188
188
188
190
190
190
190
190
190
190
19Ц
190
190
190
190
190
190
190
190
192
192
200
200
200
196
196
196
196
196
196
196
196
194
194
194
260

Продолжение таблицы
Тип прибора
КПЗОЗГ
КПЗОЗД
КПЗОЗЕ
КПЗОЗЖ
КПЗОЗИ
КП304А
КП305Д
КП305Е
КП305Ж
КП305И
КП306А
КП306Б
КП306В
КП307А
КП307Б
КП307В
КП307Г
КПЗО7Д
КП307Е
КП307Ж
КП308А
КП308А-1
КП308Б
КП308Б-1
КПЗО8В
КПЗО8В-1
КПЗО8Г
КПЗО8Г-1
КП308Д
КП308Д-1
КП312А
КП312Б
КП313А
КП313Б
КП313В
КП314А
КП322А
КП323А-2
КП323Б-2
КП327А
КП327Б
КП350А
КП35ОБ
КП350В
КП601А
КП601Б
КП901А
Стр.
194
194
194
194
194
200
198
198
198
198
206
206
206
194
194
194
194
194
194
194
192
192
192
192
192
192
192
192
192
192
194
194
198
198
198
194
208
192
192
208
208
208
208
208
200
200
204
Тип прибора
КП901Б
КП902А
КП902Б
КП902В
КП903А
КП903Б
КП903В
КП904А
КП904Б
КП905А
КП905Б
КП905В
КП907А
КП907Б
КП907В
КПС104А
КПС104Б
КПС104В
КПС104Г
КПС104Д
КПС104Е
КПС202А
КПС202А-2
КПС202Б
КПС202Б-2
КПС202В
КПС202В-2
КПС202Г
КПС202Г-2
КПС315А
КПС315Б
КТ104А
КТ104Б
КТ104В
КТ104Г
КТ117А
КТ117Б
КТ117В
КТ117Г
КТ118А
КТ118Б
КТ118В
КТН9А
КТ119Б
КТ120А
КТ120А-1
КТ120А-5
Стр.
204
202
202
202
202
202
202
204
204
204
204
204
204
204
204
210
210
210
210
210
210
210
208
210
208
210
208
210
210
210
210
52
52
52
52
178
178
178
178
178
178
178
178
178
36
36
36
Тип прибора
КТ120Б
КТ120В
КТ120В-1
КТ120В-5
КТ127А-1
КТ127Б-1
КТ127В-1
КТ127Г-1
КТ201А
КТ201Б
КТ201В
КТ201Г
КТ201Д
КТ202А
КТ202Б
КТ202В
КТ202Г
КТ202Д
КТ203А
КТ203Б
КТ203В
КТ206А
КТ206Б
КТ207А
КТ207Б
КТ207В
КТ208А
КТ208Б
КТ208В
КТ208Г
КТ208Д
КТ208Е
КТ208Ж
КТ208И
КТ208К
КТ208Л
КТ208М
КТ209А
КТ209Б
КТ209В
КТ209Г
КТ209Д
КТ209Е
КТ209Ж
КТ209И
КТ209К
КТ209Л
Стр.
36
36
36
36
46
46
46
48
58
58
58
58
58
50
50
50
50
50
50
50
48
58
56
50
50
48
52
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
54
261

Продолжение таблицы
Тип прибора
КТ209М
КТ210А
КТ210Б
КТ210В
КТ2ИА-1
КТ211Б-1
КТ211В-1
КТ214А-1
КТ214Б-1
КТ214В-1
КТ214Г-1
КТ214Д-1
КТ214Е4
КТ215А-1
КТ215Б-1
КТ215В-1
КТ215Г-1
КТ215Д-1
КТ215Е-1
КТ216А
КТ216Б
КТ216В
КТ218А9
КТ218Б9
КТ218В9
КТ218Г9
КТ218Д9
КТ218Е9
КТ301
КТ301А
КТ301Б
КТ301В
КТ301Г
КТ301Д
КТ301Е
КТ301Ж
КТ302А
КТ302Б
КТ302В
КТ302Г
КТЗО6А
КТ306Б
КТ306В
КТ306Г
КТ306Д
КТ307А-1
КТ307Б-1
Стр.
54
50
50
52
50
50
50
40
40
40
40
40
40
58
58
58
58
58
58
50
50
50
52
52
52
52
52
52
56
56
56
56
56
56
56
56
44
44
44
44
74
90
74
92
74
72
72
Тип прибора
КТ307В-1
КТ307Г4
КТ312А
КТ312Б
КТ312В
КТ313А
КТ313Б
КТ314А-2
КТ315А
КТ315Б
КТ315В
КТ315Г
КТ315Д
КТ315Е
КТ315Ж
КТ315И
КТ316А
К1316Б
КТ316В
КТ316Г
КТ316Д
КТ317-1
КТ317А-1
КТ317Б-1
КТ317В-1
КТ318А-1
КТ318Б-1
КТ318В-1
КТ318Г-1
КТ318Д-1
КТ318Е-1
КТ319А-1
КТ319Б-1
КТ319В-1
КТ321А
КТ321Б
КТ321В
КТ321Г
КТ321Д
КТ321Е
КТ324А-1
КТ324Б-1
КТ324В-1
КТ324Г-1
КТ324Д-1
КТ324Е-1
КТ325А
Стр.
72
72
74
76
74
62
62
100
76
76
76
76
76
76
76
76
92
92
92
92
92
70
70
70
70
88
88
88
88
88
88
72
72
72
68
68
68
68
68
68
88
88
88
88
88
88
92
Тип прибора
КТ325Б
КТ325В
КТ326А
КТ326АМ
КТ326Б
КТ326БМ
КТ331А-1
КТ331Б-1
КТ331В-1
КТ331Г-1
КТ332А-1
КТ332Б-1
КТ332В-1
КТ332Г-1
КТ332Д-1
КТЗЗЗА-3
КТЗЗЗБ-3
КТЗЗЗВ-3
ктзззг-з
ктзззд-з
КТЗЗЗЕ-3
КТ336А
КТ336Б
КТ336В
КТ336Г
КТ336Д
КТ336Е
КТ337А
КТ337Б
КТ337В
КТ339А
КТ339АМ
КТ339Б
КТ339В
КТ339Г
КТ339Д
КТ340А
КТ340Б
КТ340В
КТ340Г
КТ340Д
КТ342А
КТ342Б
КТ342В
КТ342Г
КТ343А
И КТ343Б
Стр.
92
92
82
64
82
64
72
72
74
90
74
74
74
90
90
86
86
86
86
86
88
72
72
72
88
38
88
80
80
80
74
74
74
90
74
74
76
76
76
76
76
76
76
76
76
64
64
262

Продолжение таблицы
Тип прибора
КТ343В
КТ343Г
КТ345А
КТ345Б
КТ345В
КТ347А
КТ347Б
КТ347В
КТ348А-3
КТ348Б-3
КТ348В-3
КТ349А
КТ349Б
КТ349В
КТ350А
КТ351А
КТ351Б
КТ352А
КТ352Б
КТ354А-2
КТ354Б-2
КТ355А
КТ357А
КТ357Б
КТ357В
КТ357Г
КТ358А
КТ358Б
КТ358В
КТ359А
КТ359Б
КТ359В
КТ360А-1
КТ360Б-1
КТ360В-1
КТ361А
КТ361Б
КТ361В
КТ361Г
КТ361Д
КТ361Е
КТ363А
КТ363АМ
КТ363Б
КТ363БМ
КТ364А-2
КТ364Б-2
КТ364В-2
Стр.
64
64
82
82
82
82
82
82
72
72
72
62
62
62
66
64
64
64
64
84
84
92
62
62
64
64
74
76
74
74
74
74
62
80
80
64
64
66
64
66
64
82
82
80
80
68
68
68
Тип прибора
КТ366А
КТ366Б
КТ366В
КТ368А
КТ368Б
КТ369А
КТ369А-1
КТ369Б
КТ369Б-1
КТ369В
КТ369В-1
КТ369Г
КТ369Г-1
КТ370А-1
КТ370Б-1
КТ371А
КТ372А
КТ372Б
КТ372В
КТ373А
КТ373Б
КТ373В
КТ373Г
КТ375А
КТ375Б
КТ379А
КТ379Б
КТ379В
КТ379Г
КТ380А
КТ380Б
КТ380В
КТ382А
КТ382Б
КТ384А
КТ384АМ
КТ385А
КТ385АМ
КТ388Б-2
КТ389Б-2
КТ391А-2
КТ391Б-2
КТ391В-2
КТ392А-2
КТ396А-2
КТ397А-2
КТ399А
Стр.
86
90
92
92
92
7а
78
78
78
78
78
78
78
80
80
90
86
86
86
76
76
76
76
78
76
76
74
74
76
62
62
60
90
90
94
94
78
78
70
82
86
86
86
80
92
86
90
Тип прибора
КТ3101А-2
КТ3102А
КТ3102Б
КТ31О2В
КТ3102Г
КТ3102Д
КТ3102Е
КТ3104А
К1Л04Ь
КТ3104В
КТ3104Г
КТ3104Д
КТ3104Е
КТ3106А-2
КТ3107А
КТ3107Б
КТ3107В
КТ3107Г
КТ31О7Д
КТ3107Е
КТ3107Ж
КТ3107И
КТ3107К
КТ3107Л
КТ3108А
КТ3108Б
КТ31О8В
КТ3109А
КТ3109Б
КТ3109В
КТ3115А-2
КТ3115В-2
КТ3115Г-2
КТ3117А
КТ3120А
КТ3123А-2
КТ3123АМ
КТ3123Б-2
КТ3123БМ
КТ3123В-2
КТ3123ВМ
КТ3126А
КТ3126Б
КТ3127А
КТ3128А
КТ501А
КТ501Б
Стр.
90
78
78
76
76
76
78
62
62
62
60
60
60
90
66
66
66
66
66
66
66
66
66
66
68
68
68
82
82
82
84
84
84
78
90
80
82
82
82
80
80
80
80
80
80
96
96
263

Продолжение таблицы
Тип прибора
КТ501В
КТ501Г
КТ501Д
КТ501Е
КТ501Ж
КТ501И
КТ501К
КТ501Л
КТ501М
КТ502А
КТ502Б
КТ502В
КТ502Г
КТ502Д
КТ502Е
КТ503А
КТ503Б
КТ503В
КТ503Г
КТ503Д
КТ503Е
КТ506А
КТ506Б
КТ601А
КТ601АМ
КТ602А
КТ602АМ
КТ602Б
КТ602БМ
КТ602В
КТ602Г
КТ603А
КТ6ОЗБ
КТ603В
КТ603Г
КТ603Д
КТ603Е
КТ604А
КТ604АМ
КТ604Б
КТ604БМ
КТ605А
КТ605АМ
КТ605Б
КТ605БМ
КТ606А
КТ606Б
Стр.
96
96
96
96
96
96
96
96
96
96
96
96
96
96
96
96
96
96
96
96
96
130
130
100
100
138
138
138
138
138
138
102
102
102
102
102
102
152
152
152
152
100
100
100
100
144
138
Тип прибора
КТ607А-4
КТ607Б-4
КТ608А
КТ608Б
КТ610А
КТ610Б
КТ611А
КТ611АМ
КТ611Б
КТ611БМ
КТ611В
КТ611Г
КТ616А
КТ616Б
КТ617А
КТ618А
КТ620А
КТ620Б
КТ624А-2
КТ624АМ-2
КТ625А
КТ625АМ
КТ625АМ-2
КТ626А
КТ626Б
КТ626В
КТ626Г
КТ626Д
КТ629А
КТ629АМ-2
КТ630А
КТ630Б
КТ630В
КТ630Г
КТ630Д
КТ630Е
КТ632Б
КТ633А
КТ633Б
КТ634А-2
КТ634Б-2
КТ635А
КТ635Б
КТ637А-2
КТ637Б-2
КТ639А
КТ639Б
Стр-
108
108
102
102
108
108
138
138
138
138
138
138
78
78
102
100
70
102
106
106
102
102
102
152
152
152
152
152
98
98
104
104
104
104
102
104
98
106
106
108
108
102
102
108
108
98
98
Тип прибора
КТ639В
КТ639Г
КТ639Д
КТ639Е
КТ639Ж
КТ639И
КТ640А-2
КТ640Б-2
КТ640В-2
КТ643А-2
КТ644А
КТ644Б
КТ644В
КТ644Г
КТ645А
КТ645Б
КТ646А
КТ646Б
КТ659А
КТ668А
КТ668Б
КТ668В
КТ704А
КТ704Б
КТ704В
КТ712А
КТ801А
КТ801Б
КТ802А
КТ803А
КТ805А
КТ805АМ
КТ805Б
КТ805БМ
КТ805ВМ
КТ807А
КТ807АМ
КТ807Б
КТ807БМ
КТ808А
КТ808АМ
КТ808БМ
КТ808ВМ
КТ808ГМ
КТ809А
КТ812А
КТ812Б
Стр.
98
100
100
100
100
98
106
106
106
108
98
98
98
98
102
102
104
102
104
98
98
98
118
118
118
156
130
128
130
132
130
130
130
130
130
128
128
128
128
132
132
132
132
132
130
132
132
264

Продолжение таблицы
Тип прибора
КТ812В
КТ814А
КТ814Б
КТ814В
КТ814Г
КТ815А
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г
КТ816А
КТ816Б
КТ816В
КТ816Г
КТ817А
КТ817Б
КТ817В
КТ817Г
КТ818А
КТ818АМ
КТ818Б
КТ818БМ
КТ818В
КТ818ВМ
КТ818Г
КТ818ГМ
КТ819А
КТ819АМ
КТ819Б
КТ819БМ
КТ819В
КТ819ВМ
КТ819Г
КТ819ГМ
КТ820А-1
КТ820Б-1
КТ820В-1
КТ821А-1
КТ821Б-1
КТ821В-1
КТ822А-1
КТ822Б-1
КТ822В-1
КТ823А-1
КТ823Б-1
КТ823В-1
КТ825Г
КТ825Д
Стр.
132
110
112
112
112
118
118
118
118
112
112
112
112
118
118
118
118
114
116
114
116
114
116
114
116
118
118
118
118
118
118
118
120
ПО
НО
110
118
118
118
112
112
112
118
118
118
172
172
Тип прибора
КТ825Е
КТ826А
КТ826Б
КТ826В
КТ827А
КТ827Б
КТ827В
КТ828А
КТ828Б
КТ829А
КТ829Б
КТ829В
КТ829Г
КТ834А
КТ834Б
КТ834В
КТ835А
КТ835Б
КТ837А
КТ837Б
КТ837В
КТ837Г
КТ837Д
КТ837Е
КТ837Ж
КТ837И
КТ837К
КТ837Л
КТ837М
КТ837Н
КТ837П
КТ837Р
КТ837С
КТ837Т
КТ837У
КТ837Ф
КТ838А
КТ839А
КТ840А
КТ840Б
КТ841А
КТ844А
КТ845А
КТ846А
КТ847А
КТ848А
КТ850А
Стр.
172
128
128
128
174
174
174
130
130
174
174
174
174
174
174
174
112
114
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
124
118
134
130
130
134
118
130
118
134
120
130
Тип прибора
КТ850Б
КТ850В
КТ851А
КТ851Б
КТ851В
КТ852А
КТ852Б
КТ852В
КТ852Г
КТ853А
КТ853Б
КТ853В
КТ853Г
КТ854А
КТ854Б
КТ855А
КТ855Б
КТ855В
КТ857А
КТ858А
КТ859А
КТ864А
КТ865А
КТ902А
КТ902АМ
КТ903А
КТ903Б
КТ904А
КТ904Б
КТ907А
КТ907Б
КТ908А
КТ908Б
КТ909А
КТ909Б
КТ909В
КТ909Г
КТ911А
КТ911Б
КТ911В
КТ911Г
КТ912А
КТ912Б
КТ913А
КТ913Б
КТ913В
Стр.
130
130
122
122
122
172
172
172
172
172
172
172
172
134
132
124
124
124
130
130
130
132
124
140
140
140
140
146
138
146
138
132
132
148
148
138
148
144
144
144
144
142
142
144
146
146
265

Продолжение таблицы
Тип прибора
КТ914А
КТ916А
КТ918А
КТ918Б
КТ919А
КТ919Б
КТ919В
КТ919Г
КТ920А
КТ920Б
КТ920В
КТ920Г
КТ921А
КТ921Б
КТ922А
КТ922Б
КТ922В
ГТ922Г
КТ922Д
КТ925А
КТ925Б
КТ925В
КТ925Г
КТ926А
КТ926Б
КТ927А
КТ927Б
КТ927В
КТ928А
КТ928Б
КТ929А
КТ930А
КТ930Б
КТ931А
КТ932А
КТ932Б
КТ932В
КТ933А
КТ933Б
КТ934А
КТ934Б
КТ934В
КТ934Г
КТ934Д
КТ935А
КТ936А
КТ936Б
Стр
142
148
144
144
146
144
144
146
144
146
148
148
140
140
138
138
140
138
140
144
146
148
148
154
154
140
140
140
154
154
146
150
150
140
138
138
138
138
138
144
146
148
146
148
154
148
150
Тип прибора
КТ937А-2
КТ937Б-2
КТ938А-2
КТ938Б-2
КТ939А
КТ939Б
КТ940А
КТ940Б
КТ940В
КТ942В
КТ943А
КТ943Б
КТ943В
КТ943Г
КТ943Д
КТ944А
КТ945А
КТ946А
КТ947А
КТ948А
КТ948Б
КТ955А
КТ956А
КТ957А
КТ958А
КТ960А
КТ961А
КТ961Б
КТ961В
КТ962А
КТ962Б
КТ962В
КТ965А
КТ966А
КТ967А
КТ969А
КТ970А
КТ971А
КТ972А
КТ972Б
КТ973А
КТ973Б
КТ976А
КТ977А
КТ981А
КТ984А
• КТ984Б
Стр.
108
144
108
108
144
144
138
138
138
146
128
128
130
130
128
140
154
148
142
148
146
140
140
142
140
150
154
154
154
146
148
148
140
140
140
138
150
142
176
176
176
176
150
150
150
108
150
Тип прибора
КТ985АС
КТС303А-2
КТС393А
КТС393А-1
КТС393Б
КТС393Б-1
КТС394А
КТС394Б
КТС395А
КТС395Б
КТС398А-1
КТС398Б-1
КТСЗЮЗА
КТСЗЮЗБ
КТС613А
КТС613Б
КТС613В
КТС613Г
КТС622А
КТС622Б
КТС631А
КТС631Б
КТС631В
КТС631Г
М2А
М2Б
М2В
М2Г
М2Д
МЗА
мзв
мзг
мзд
М4А
М4Б
М4В
М4Г
М4Д
М4Е
М5А
М5Б
М5В
М5Г
М5Д
МГТ108А
МГТ108Б
МГТ108В
Стр.
186
182
180
180
180
180
180
180
182
182
182
182
180
180
184
184
184
184
186
186
184
184
184
184
40
40
52
52
52
46
58
58
58
62
62
62
62
64
64
40
40
40
40
40
38
38
38
266

Продолжение таблицы
Тип прибора
МГТ108Г
МГТ108Д
МП9А
мшо
МП10А
МП10Б
МП11
МППА
МП13
МП13Б
МП14
МП14А
МП14Б
МП14И
МП15
МП15А
МШ5И
МП16
МП16А
МП16Б
МП16Я1
МП16ЯН
МП20
МП21
МП21А
МП21Б
МП25
МП25А
МП25Б
МП26
МП26А
МП26Б
МП35
МП36А
МП37
МП37А
МП 37 Б
МП38
МП38А
МП39
МП39Б
МП40
МП40А
МП41
МП41А
МП42
МП42А
МП42Б
Стр.
38
38
46
46
46
46
46
46
36
36
36
38
38
38
36
36
36
42
42
42
42
42
42
42
42
42
42
42
42
42
44
44
46
46
46
46
46
46
46
38
38
38
38
38
38
42
42
42
Тип прибора
МП101
МП101А
МШ01Б
МП102
МП103
МП103А
МП104
МП105
МП106
МП111
МПША
МП111Б
МП112
МП113
МП114
МП115
МГЦ 16
П4АЭ
П4АЭ*
П4БЭ
П4БЭ*
П4ВЭ
П4ВЭ*
П4ГЭ
П4ГЭ*
П4ДЭ
П4ДЭ*
П27
П27А
П27Б
П28
П29
П29А
ПЗО
П39
П39Б
П40
П40А
П41
П41А
П201Э
П201Э*
П201АЭ
П201АЭ*
П202Э
П202Э*
П2ОЗЭ
П203Э*
Стр.
46
44
46
44
44
46
36
36
36
46
46
46
46
46
36
36
36
112
112
114
114
112
112
112
112
112
112
34
34
34
48
52
52
52
36
36
36
38
38
38
ПО
ПО
112
112
112
112
112
112
Тип прибора
П207
П2О7А
П208
П208А
П209
П209А
П210
П210А
П210Б
П210В
П210Ш
П213
П213А
П213Б
П214
П214А
П214Б
П214В
П214Г
П215
П216
П216А
П216Б
П216В
П216Г
П216Д
П217
П217А
П217Б
П217В
П217Г
П302
П302*
пзоз
ПЗОЗ*
ПЗОЗА
ПЗОЗА*
ПЗО4
ПЗО4*
ПЗО6
ПЗО6*
ПЗО6А
П306А*
П307
ПЗО7А
ПЗО7Б
П307В
Стр.
116
116
116
116
114
114
114
114
114
114
114
112
112
112
112
112
112
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
114
ПО
НО
НО
ПО
ПО
110
110
110
110
НО
ПО
ПО
58
58
56
58
267

Продолжение таблицы
Тип прибора
П307Г
П308
П309
П401
П402
П403
П403А
П406
П407
П414
П414А
П414Б
П415
П415А
П415Б
П416
П416А
П416Б
П417
П417А
П418Г
П418Д
П418Е
П418Ж
П418И
П418К
П418Л
П418М
П422
П423
П504
П504А
П505
П505А
П601АИ
П601БИ
П601И
П602АИ
П602И
П604
П604А
П604Б
П605
П605*
П605А
П605А*
П606
Стр.
56
58
58
62
62
62
62
48
48
60
60
60
60
60
60
62
62
62
60
60
80
80
80
80
60
60
60
60
62
62
56
56
56
56
122
122
122
122
122
96
96
96
122
122
122
122
122
Тип прибора
П606*
П606А
П606А*
П607
П607*
П607А
П607А*
П608
П608*
П608А
П608А*
П608Б
П609
П609*
П609А
П609А*
П609Б
П701
П701*
П701А
П701А*
П701Б
П701Б*
П702
П702*
П702А
П702А*
Т1А
Т1Б
Т2А
Т2Б
Т2В
Т2К
ТЗА
ТЗБ
ТК135-16-0,5
ТК135-16-1
ТК135-16-1,5
ТК135-16-2
ТК135-16-2,5
ТК135-16-3
ТК135-16-3,5
ТК135-16-4
ТК135-25-0,5
ТК135-25-1
ТК135-25-1,5
Стр.
122
122
122
98
98
98
98
98
98
98
98
98
98
98
98
98
98
126
126
126
126
126
126
128
128
128
130
38
38
38
38
52
52
40
40
132
132
132
132
132
132
132
132
134
134
134
Тип прибора
1
ТК135-25-2
ТК135-25-2,5
ТК135-25-3
ТК135-25-3,5
ТК135-254
ТК14240-0,5
ТК142-40-1
ТК142-40-1,5
ТК142-40-2
ТК142-40-2,5
ТК142-40-3
ТК142-40-3.5
ТК142-40-4
ТК235-32-0.5
ТК2 35-32-1
ТК2 35-32-1,5
ТК2 35-32-2
ТК235-32-2,5
ТК235-32-3
ТК2 35-32-3,5
ТК2 35-32-4
ТК2 35 40-0,5
ТК2 35-40-1
ТК2 35-40-1,5
ТК2 35-40-2
ТК23540-2,5
ТК235-40-3
ТК235-40-3,5
ТК235-40-4
ТКД123-25-3
ТКД123-254
ТКД123-25-5
ТКД123-25-6
ТКД12 3-25-7
ТКД12 3-25-8
ТКД12 3-25-9
ТКД123-32-3
ТКД123-32-4
ТКД12 3-32-5
ТКД123-32-6
ТКД12 3-32-7
ТКД12 3-32-8
ТКД12 3-32-9
ТКД123-40-3
ТКД12340-4
ТКД12340-5
ТКД12340-6
Стр.
134
134
134
134
134
136
136
136
136
,136
136
136
136
134
134
134
134
134
134
134
136
136
136
136
136
136
136
136
136
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
160
160
160
160
160
268

Продолжение таблицы
Тип прибора
ТКД12340-7
ТКД12 3-40-8
ТКД12340-9
ТКД12 3-80-1
ТКД123-80-2
ТКД123-100-1
ТКД123-100-2
ТКД133-50-3
ТКД133-50-4
ТКД133-50-5
ТКД133-50-6
ТКД133-50-7
ТКД133-50-8
ТКД133-50-9
ТКД133-63-3
ТКД133-63-4
ТКД 133-63-5
ТКД 133-63-6
ТКД 133-63-7
ТКД133-63-8
ТКД133-63-9
ТКД133-80-3
ТКД133-80-4
ТКД133-80-5
ТКД133-80-6
ТКД133-80-7
ТКД133-80-8
ТКД133-80-9
ТКД133-100-3
ТКД133-100-4
ТКД133-100-5
ТКД133-100-6
ТКД133-100-7
ТКД133-100-8
ТКД133-100-9
ТКД133-125-1
ТКД133-125-2
ТКД133-125-3
ТКД133-125-4
ТКД133-125-5
ТКД133-125-6
ТКД133-125-7
ТКД133-125-8
ТКД133-125-9
ТКД133-160-1
ТКД133-160-2
ТКД133-160-3
Стр.
160
160
160
162
162
164
164
160
160
160
160
160
160
162
162
162
162
162
162
162
162
162
164
164
164
164
164
164
164
164
164
164
166
166
166
166
166
166
166
166
166
166
166
168
168
168
168
Тип прибора
ТКД133-160-4
ТКД133-160-5
ТКД133-200-1
ТКД133-200-2
ТКД133-200-3
ТКД133-2004
ТКД133-250-1
ТКД133-250-2
ТКД133-250-3
ТКД133-2504
ТКД143-320-1
ТКД14 3-200-2
ТКД143-320-3
ТКД14 3-320-4
ТКД15 2-25-3
ТКД152-254
ТКД152-25-5
ТКД152-25-6
ТКД152-25-7
ТКД152-25-8
ТКД15 2-25-9
ТКД152-32-3
ТКД152-32-4
ТКД 152-32-5
ТКД152-32-6
ТКД152-32-7
ТКД152-32-8
ТКД15 2-32-9
ТКД152-40-3
ТКД15 2-40-4
ТКД15240-5
ТКД152-40-6
ТКД15240-7
ТКД15 2-40-8
ТКД15 2-40-9
ТКД155-80-1
ТКД155-80-2
ТКД155-100-1
ТКД155-100-2
ТКД165-50-3
ТКД165-50-4
ТКД165-50-5
ТКД165-50-6
ТКД165-50-7
ТКД165-50-8
ТКД 165-50-9
ТКД 165-63-3
Стр.
168
168
168
168
168
168
168
170
170
170
170
170
170
170
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
158
160
160
160
160
160
160
160
160
162
162
164
164
160
160
160
160
160
160
162
162
Тип прибора
ТКД165-634
ТКД 165-63-5
ТКД165-63-6
ТКД165-63-7
ТКД165-63-8
ТКД 165-63-9
ТКД165-80-3
ТКД165-80-4
ТКД165-80-5
ТКД165-80-6
ТКД165-80-7
ТКД165-80-8
ТКД165-80-9
ТКД165-100-3
ТКД 165-100-4
ТКД165-100-5
ТКД 165-100-6
ТКД165-100-7
ТКД165-100-8
ТКД165-100-9
ТКД165-125-1
ТКД165-125-2
ТКД165-125-3
ТКД165-125-4
ТКД165-125-5
ТКД165-125-6
ТКД165-125-7
ТКД165-125-8
ТКД165-125-9
ТКД 165-1604
ТКД165-160-2
ТКД165-160-3
ТКД165-160-4
ТКД165-160-5
ТКД165-200-1
ТКД165-200-2
ТКД165-200-3
ТКД165-200-4
ТКД165-250-1
ТКД165-250-2
ТКД165-250-3
ТКД165-250-4
ТКДЗ 35-16-7
ТКД335-16-10
ТКДЗ 35-20-7
ТКД335-20-10
ТКД335-25-7
Стр.
162
162
162
162
162
162
162
164
164
164
164
164
164
164
164
164
166
166
166
166
166
166
166
166
166
166
166
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
170
170
170
156
158
158
158
158
269

Окончание таблицы
Тип прибора
ТКД335-25-10
ТКД335-32-7
ТКД335-32-10
ТМ2А
ТМ2Б
ТМ2В
ТМ2Г
ТМ2Д
ТМЗА
ТМЗВ
тмзг
Стр.
158
158
158
38
38
52
52
52
46
58
58
Тип прибора
ТМЗД
ТМ4А
ТМ4Б
ТМ4В
ТМ4Г
ТМ4Д
ТМ4Е
ТМ5А
ТМ5Б
ТМ5В
ТМ5Г
Стр.
58
62
62
62
62
62
62
40
40
40
40
Тип прнбора
ТМ5Д
тмю
ТМ10А
ТМ10Б
ТМ10В
тмюг
ТМ10Д
ТМ10Е
тмюж
ТМИ А
ТМ11Б
Стр.
40
56
56
56
56
56
56
56
56
40
40
Указатель таблиц
Таб-
лица
№
Название таблиц
Стр.
Транзисторы биполярные
1. Транзисторы р-п-р малой мощности (Рктах^ 0» 3Вт) низкой частоты
(frp < 3 МГц)
2. Транзисторы п-р-п малой мощности (Рк < 0,3 Вт) низкой частоты
(f гр < 3 МГц)
3. Транзисторы р-п-р малой мощности (Рктах < 0,3 Вт) средней частоты
C МГц < frp < 30 МГц)
4. Транзисторы п-р-п малой мощности (Рк < 0,3 Вт) средней частоты
C МГц < frp < 30 МГц)
5. Транзисторы р-п-р малой мощности (Рктах < 0,3 Вт) высокой частоты
C0 МГц < f^ < 300 МГц)
6. Транзисторы п-р-п малой мощности (Рк < 0,3 Вт) высокой частоты
C0 МГц < frp < 300 МГц)
7. Транзисторы р-п-р малой мощности (Рк < 0,3 Вт) сверхвысокой частоты
(frp > 300 МГц)
8. Транзисторы п-р-п малой мощности (Рк < 0,3 Вт) сверхвысокой частоты
(frp > 300 МГц)
9. Транзисторы средней мощности @,3 Вт < Рк < 1,5 Вт) низкой частоты
(frp < 3 МГц)
10. Транзисторы средней мощности @,3 Вт < Рк < 1>5 Вт) средней частоты
C МГц < f гр < 30 МГц)
11. Транзисторы р-п-р средней мощности @,3 Вт < Рк < 1,5 Вт) высокой
частоты C0 МГц < frp < 300 МГц)
12. Транзисторы п-р-п средней мощности @,3 Вт < Рк ^ 1,5 Вт) высокой
частоты C0 МГц < frp < 300 МГц)
13. Транзисторы р-п-р средней мощности @,3 Ък?к< 1,5 Вт) сверхвысо-
кой частоты (f гр > 300 МГц)
14. Транзисторы п-р-п средней мощности @,3 Вт < Рк < 1,5 Вт) сверхвысо-
кой частоты (f^ ;> 300 МГц) переключательные
15. Транзисторы п-р-п средней мощности @,3 Вт < Рк < 1,5 Вт) сверхвысо-
кой частоты (frp > 300 МГц) усилительные и генераторные
34
44
48
56
60
70
80
84
94
96
98
100
104
106
106
270

Продолжение указателя
Таб-
Названне таблиц Стр.
лица
_№>
16. Транзисторы р-п-р большой мощности (Рк > 1,5 Вт) низкой частоты
(frp<3Mru) ПО
17. Транзисторы п-р-п большой мощности (Рк > 1,5 Вт) низкой частоты
(frpOMFu) И8
18. Транзисторы р-п-р большой мощности (Рктах > 1,5 Вт) средней частоты
C МГц < f гр < 30 МГц) 122
19. Транзисторы п-р-п большой мощности (Рк > 1,5 Вт) средней частоты
C МГц < frp < 30 МГц) 126
20. Транзисторы большой мощности (Рк > 1,5 Вт) высокой частоты
C0 МГц < frp < 300 МГц) усилительные и генераторные 138
21. Транзисторы большой мощноciи (Рк > 1,5 Вт) сверхвысокой
частоты (frp > 300 МГц) усилительные и генераторные 142
22. Транзисторы р-п-р большой мощности (Рктах > 1,5 Вт) высокой и
сверхвысокой частот (frp > 30 МГц) переключательные и импульсные 152
23. Транзисторы п-р-п большой мощности (Рктах > 1>5 Вт) высокой ча-
стоты C0 МГц < frp < 300 МГц) переключательные и импульсные 152
24. Транзисторы р-п-р составные большой мощности (Рктах > 1>5 ВТ)
низкой частоты (frp < 3 МГц) 156
25. Транзисторы п-р-п составные большой мощности (Рктах > 1,5 Вт)
низкой частоты (frp < 3 МГц) 156
26. Транзисторы р-п-р составные большой мощности (Рктах > 1»5 Вт)
средней частоты C МГц < f ^ < 30 МГц) 172
27. Транзисторы п-р-п составные большой мощности (Рктах > 1,5 Вт)
средней частоты C МГц < frp < 30 МГц) 174
28. Транзисторы составные большой мощности (Рктах > 1,5 Вт)
высокой частоты C0 МГц < frp < 300 МГц) 176
29. Транзисторы р-п-р лавинные малой мощности (Рк < 0,3 Вт) 176
30. Транзисторы р-п-р двухэмиттерные малой мощности (Рк < 0,3 Вт) 178
31. Транзисторы одно переходные сл-базой малой мощности (Рк<0,ЗВт) 178
32. Транзисторные сборки биполярные р-п-р малой мощности (Рк^0,ЗВт) 180
33. Транзисторные сборки биполярные п-р-п малой мощности (Рк<0,ЗВт) 180
34. Транзисторные сборки биполярные р-п-р и п-р-п средней и большой
мощности (Рк > 0,3 Вт) 182
35. Транзисторные сборки биполярные п-р-п средней и большой мощности
(Рк>0,ЗВт) 184
36. Транзисторные сборки биполярные п-р-п большой мощности
(Рк > 1,5 Вт) сверхвысокой частоты (frp > 300 МГц) 186
37. Транзисторные сборки биполярные р-п-р средней мощности
@,ЗВт<Рк<1,5 Вт) 186
Транзисторы полевые
38. Транзисторы малой мощности (Р < 0,3 Вт) ср-n переходом и каналом
р-типа 188
39. Транзисторы малой мощности (Р < 0,3 Вт) ср-п переходом и каналом
п-типа 192
40. Транзисторы малой мощности (Р <0,3 Вт) с изолированным затвором
и каналом п-типа 198
41. Транзисторы малой мощности (Р < 0,3 Вт) с изолированным затвором
и каналом р-типа 200
42.'Транзисторы большой мощности (Р > 1,5 Вт) ср-п переходом и каналом
л-типа 200
271

Окончание указателя
Таб- Название таблиц Стр.
лица
№
43. Транзисторы большой мощности (Р>1,5 Вт) с изолированным затвором
и каналом л-типа 202
44. Транзисторы малой мощности (Р<0,ЗВт) с двумя изолированными
затворами и каналом и-типа 206
45. Транзисторные сборки полевые малой мощности (Р < 0,3 Вт)
с р-п переходом и каналом и-гипа 208
Содержание
Предисловие 3
Общие сведения о биполярных и полевых транзисторах 3
Разновидности транзисторов и их основные характеристики 3
Классификация и системы условных обозначений транзисторов 7
Условные графические обозначения транзисторов (ГОСТ 2.730—73) ........ .9
Основные стандарты на биполярные и полевые транзисторы 11
Терминология и система обозначений параметров транзисторов 14
Термины, определения и условные обозначения параметров биполярных транзи-
сторов (ГОСТ 20003-74") 14
Термины, определения и условные обозначения параметров, относящихся к лавин-
ным транзисторам 22
Термины, определения и условные обозначения параметров, относящихся к двух-
змиттерным транзисторам 22
Термины, определения и условные обозначения параметров, относящихся к одно-
переходным транзисторам 23
Условные обозначения параметров, относящихся к сборкам биполярных транзи-
сторов 24
Термины, определения и условные обозначения параметров полевых транзисторов
(ГОСТ 19095- 73*) 24
Особенности применения транзисторов 28
Зависимость параметров транзисторов от электрического и температурного
режимов 28
Допустимый тепловой режим транзисторов .....,.....,.,.,,.. 31
Защита транзисторов от перегрузки 33
Транзисторы биполярные 34
Транзисторы полевые 188
Приложение. Габаритные чертежи транзисторов . 212
Алфавитно-цифровой указатель транзисторов, помещенных в справочнике .... 253
Указатель таблиц 270

Научно-популярное издание
Массовая радиобиблиотека. Выпуск 1144
Григорьев Олег Петрович, Замятин Владимир Яковлевич,
Кондратьев Борис Владимирович, Пожидаев Сергей Леонидович
ТРАНЗИСТОРЫ
Справочник
Руководитель группы МРБ И. Н Суслова
Редактор О. В. Воробьева
Художественный редактор Н.СШеин
Обложка художника А. С. Дзуцева
Технический редактор А.Н.Золотарева
Корректор Н. Л. Ж у к о в а
ИБ№ 1771
Подписано в печать с оригинала-макета 25.05.89. Т= 09978. Формат 60X88/16.
Бумага № 2. Гарнитура «Пресс-роман», Печать офсетная. Усл. иеч. л. 16,66.
Усл. кр.-отт. 17,03. Уч.-изд. л. 17,51. Тираж 200 000 экз. B завод. 120 001 —
200 000 экз.) Изд. № 22239. Заказ № 1690. Цена 1 р. 30 к.
Издательство «Радио и связь». 101000 Москва, Почтамт, а/я 693.
Московская типография № 4 Союзполиграфпрома при Государственном комитете
СССР по делам издательств, полиграфии и книжной торговли. 129041 Москва,
Б. Переяславская ул., д. 46