/
Author: Галкин В.И. Булычев А.Л. Прохоренко В.А.
Tags: электротехника микрорадиоэлектронная аппаратура микроэлектроника аналоговая электроника интегральные схемы
ISBN: 5-338-00858-0
Year: 1993
Text
В. АЛ рохоренко А. Л. Булычев В. И. Галкин В. А.Прохоренко АНАЛОГОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ СПРАВОЧНИК 2-е издание, переработанное и дополненное МИНСК "БЕЛАРУСЬ", 1993 ББК 32.844.1я2 Б 90 УДК #21.382.049.77(035.5' 2302030700— 019 © Издательство «Беларусь», 1985 Б----------------БЗ 136—92 _ М 301(03)—93 © Переработка и дополнение. А. Л. Булычев, В. И. Гал кии, В. А. Прохоренко, 1993 ISBN 5-338-00858-0 ВВЕДЕНИЕ Последние годы характеризуются бурным развитием интегральной микроэлектроники и конструирования радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) на интегральных микросхемах (ИМС). Внедрение а РЭА интегральных микросхем в значительной мере изменило методы проектирования и производства различной радиоэлектронной аппаратуры, повысило ее надежность и экономичность при одновременном уменьшении габаритов и веса. Благодаря интегральным микросхемам значительно расширилось внедрение радиоэлектроники в различные области науки и техники. Целью данного справочника является ознакомление широкого круга специалистов с аналоговыми интегральными микросхемами, получившими наибольшее распространение в различных видах РЭА. В справочник включены также данные о некоторых аналоговых ИМС, используемых для построения цифровых устройств и аналого-цифровых преобразователей (компараторы, таймеры, электронные прерыватели, аналоговые коммутаторы и др.). По сравнению с перным изданием во втором издании справочника дополнены новыми данными некоторые серии ИМС (142, 154, 174, 548 и др.) и введены новые серии (521, 522, 526, 554, 1003, 1005, 1006, 1401, 1407 и др.). Во второе издание справочника включены также данные об аналоговых оцтоэлектронных микросхемах. В справочник не включены сведения об аналоговых ИМС, выполненных по пленочной технологии и представляющих собой наборы различным образом соединенных резисторов. Помимо основных электрических параметров для большинства аналоговых микросхем приводятся типовые схемы включения или некоторые типовые узлы радиоэлектронных устройств, а также различные характеристики. По мнению авторов, наличие такой совокупности данных позволит пользователям наиболее полно оценить возможности приведенных аналоговых микросхем и осуществить правильный выбор как серии, так и отдельных типономиналов микросхем. 3 КЛАССИФИКАЦИЯ И СИСТЕМА УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ Интегральные микросхемы (ИМС) подразделяются на два основных вида:-аналоговые и цифровые. Аналоговые предназначены для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции. Частным их видом являются линейные ИМС (с линейной характеристикой). К аналоговым относятся ИМС, выполняющие функции усилителей, генераторов сигналов различной формы, преобразователей (детекторы, модуляторы, демодуляторы, преобразователи частоты) и др. В состав некоторых серий аналоговых ИМС входят интегральные микросхемы, выполняющие вспомогательные функции — стабилизаторы напряжения и тока, выпрямители, ключи и др., а также наборы транзисторов, диодов и других элементов, используемых при конструировании микроэлектронных устройств. В соответствии с ГОСТом 18682—73 обозначение ИМС состоит из четырех элементов. Первый из них — цифра, означающая группу ИМС. Она определяется конструктиано-технологическим исполнением и включает следующие цифры-1, 5, 6, 7 — полупроводниковые ИМС; 2, 4, 8—гибридные; 3—прочие (пленочные, вакуумные, керамические). Второй элемент — две или три цифры (от 01 до 99 или от 001 до 999), указывающие на порядковый номер разработки серии ИМС. Первый и второй элементы образуют серию ИМС. Под серией понимают совокупность типов ИМС, которые могут выполнять различные функции, имеют единое конструктивнотехнологическое исполнение и предназначены для совместного применения. Третий элемент — две буквы, соответствующие подгруппе и виду ИМС, определяющие основное функциональное назначение интегральной микросхемы (табл. 1). Четвертый элемент — число, обозначающее условный (или порядковый в данной серии) номер разработки ИМС по функциональному признаку. При необходимости разработчик ИМС имеет право после условного номера разработки дополнительно поместить букву (от А до Я), означающую отличие электрических параметров интегральных микросхем одного типа (например, 140УД1А, 140УД1Б). Конечная буква при маркировке может быть за- 4 СЕРИЯ 1 4 О X А 1 УСЛОВНЫЙ НОМЕР РАЗРАБОТКИ ИМС В СЕРНИ ПО ФУНКЦИОНАЛЬНОМУ ПРИЗНАКУ ВИД ПО ФУНКЦИОНАЛЬНОМУ НАЗНАЧЕНИЮ ПОДГРУППА ПОРЯДКОВЫЙ НОМЕР РАЗРАБОТКИ СЕРИИ ГРУППА ПО КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОМУ ИСПОЛНЕНИЮ Условные обозначения ИМС по ГОСТу 18682—73 СЕРИЯ Условные обозначения ИМС до введения ГОСТа 18682—73 менена точкой. Цвет ее указывается в технических условиях (ТУ) на ИМС конкретных типов В начале обозначения ИМС, используемых в устройствах, имеющих широкое применение, добавляется буква «К» (например, К140УД1А). 5 1. Аналоговые интегральные микросхемы Подгруппа и вид ИМС по функциональному назначению Буквенное обозначение Генераторы сигналов: гармонических прямоугольной формы1 линейно изменяющихся специальной формы шума прочие Детекторы: амплитудные импульсные частотные фазовые прочие Коммутаторы н ключи: тока напряжения прочие Модуляторы: амплитудные частотные фааовые импульсные прочие Преобразователи: частоты фазы длительности (импульсов) напряжения уровня (согласователн) код-аналог (декодирующие) аналог-код (кодирующие) прочие Усилители: высокой частоты1 2 ° 2 промежуточной частоты низкой частоты2 импульсных сигналов2 Широкополосные (в том числе видеоусилители) повторители индикации постоянного тока2 операционные н дифференциальные прочие ГС гг гл ГФ гм гп ДА ди дс ДФ дп кт КН КП МА мс МФ ми МП ПС ПФ пд пн ПУ ПА пв пп УВ УР УНЧ УИ УК УЕ УМ УТ УД УП 1 Автоколебательные мультивибраторы, блокинг-гене-раторы и др. 2 Усилители напряжения или мощности (в том числе малошумящие). 6 Продолжение табл. I Подгруппа и вид ИМС по функциональному назначению обозначение Схемы вторичных источников: выпрямители ЕВ преобразователи ЕМ стабилизаторы напряжения ЕН стабилизаторы тока ЕТ прочие ЕП Схемы (линии) задержки: пассивные БМ активные БР прочие БП Схемы селекции и сравнения: амплитудные (уровня сигнала) СА временные СВ частотные СС фазовые СФ прочие СП Фильтры: верхних частот ФВ нижних частот ФН полосовые ФЕ режекторные ФР прочие ФП Формирователи импульсов: прямоугольной формы3 АГ специальной формы АФ прочие АП Триггеры- Шмитта ТЛ прочие ТП Многофункциональные аналоговые ИМС4 ХА Наборы элементов (микросборки): ДИОДОВ НД транзисторов НТ резисторов HP конденсаторов НЕ комбинированные НК прочие НП 3 Ждущие мультивибраторы, блокннг-генераторы и др. 4 Схемы, выполняющие одновременно несколько функций Как правило, ИМС с буквой «К» отличаются от интегральных микросхем, не имеющих ее, не только диапазоном температур, при которых они могут быть использованы, но и численными значениями некоторых параметров. 7 КОРПУСА ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ Для защиты ИМС от внешних воздействий их помещают в стандартизированные герметизированные корпуса. По габаритным и присоединительным размерам сходные по конструкции корпуса подразделяются на типоразмеры, каждому из которых присваивается шифр, состоящий из обозначения подтипа корпуса (табл. 2) и двузначного числа (от 01 до 99), обозначающего порядковый номер типоразмера. Условное обозначение корпуса складывается из шифра его типоразмера, числа, указывающего на количество выводов, и порядкового регистрационного номера. Пример обозначения: 1202.14-1 — прямоугольный корпус подтипа 12 (тип 1) типоразмера 02 с 14 выводами первой модификации. Данная система обозначений корпусов ИМС соответствует ГОСТу 17467-79. До введения этого ГОСТа корпуса делились-на четыре типа, отличающиеся по форме и расположению выводов (табл. 3). Каждому типоразмеру корпуса присваивался шифр, состоящий из обозначения типа корпуса (цифры 1,2,3 и 4) и двузначного числа (от 01 до 99) —номера типоразмера. Условное обозначение корпуса состояло из шифра его типоразмера, числа, указывающего на количество 2. Типы корпусов интегральных микросхем Тип Подтип Форма проек ции тела кор пуса на плос кость основа НИЯ Расположение проекции выводов (выводных тоща-док) на плоскость основания Расположение выводов (выводных площадок) относительно плоскости основания и Прямоугольная В пределах проекции тела корпуса Перпендикулярное, в один ряд 12 » Перпендикулярное, в два ряда 1 13 » Пер пенднкул яр ное, в три и более ряда 14 Перпендикулярное, по контуру прямоугольника 15 » » Пер пен ди кул яркое., в два ряда 21 Прямоугольная За пределами проекции тела корпуса Перпендикулярное, в два ряда 2 22 » Перпендикулярное, в четыре ряда в шахматном порядке 8 Продолжение табл. 2 Тип Подтип Форма проекции тела корпуса на плоскость основания Расположение про екции выводов (выводных плота док) на поскость основания Расположение выводов (выводных площадок) относительно плоскости основания 31 Круглая В пределах проекции тела корпуса Перпендикулярное, по одной окружности 3 32 Овальная » 41 Прямо- угольная За пределами проекции т^ла корпуса Параллельное, по двум противоположным сторонам 4 42 » » Параллельное, по четырем сторонам 43 » Параллельное, по двум противоположным сторонам 5 51 Прямоугольная В пределах проекции тела корпуса Пер пендикулярное, для боковых выводных площадок в плоскости основания выводов, и номера модификации (например, корпус 201.9-1 — прямоугольный, типоразмер 01 с 9 выводами первой модификации) . Промышленностью выпускаются также и бескорпусные интегральные микросхемы. Они используются как компоненты для более сложных ИМС. При маркировке бескорпусных ИМС после порядковых номеров серии и разработки (или после дополнительной буквы) через дефис проставляется цифра, означающая модификацию конструктивного исполнения Перед цифровым обозначением серии добавляется буква «Б» (например, Б133ЛА-1 — микросхема серин 133-1 в бес-корпусном исполнении). При размещении ИМС в корпусе новой модификации перед номером серии ставится буква, указывающая на конструктивно-технологическое исполнение корпуса: Р — при выпуске серии в пластмассовом корпусе второго типа, М — в керамическом корпусе второго типа, Л — в керамическом корпусе четвертого типа, Н — в металлостеклянном или металло-полимерном корпусе четвертого типа, У — в металлостеклянном корпусе третьего типа Например, микросхема К140УД1А, выпускаемая в круглом металлостеклянном кор- 9 пусе, при размещении ее в прямоугольном пластмассовом корпусе типа 201.14-1 обозначается КР140УД1А, а серия — КР140. 3. Типы корпусов интегральных микросхем Корпус Форма основания корпуса Расположение выводов относительно основания 1 Прямоугольная В пределах основания, перпендикулярно ему 2 То же За пределами основания, перпендикулярно ему 3 Круглая В пределах основания, перпендикулярно ему 4 Прямоугольная Параллельно плоскости основания, за его пределами Акция 10 Ф08.16-1 Корпус О max ММ Е max Н9 max *£ max Н02 ~1В ног 14 -гв Н04 16-1В ноч 16-гв моб.гч-18 Н09. 18-18 /№9. гЗ-1В Н09 28-28 Н1Ч 42-18 Н/8 48-18 6,8 6,78 8,2 8,08 9,48 9,68 9,69 12.315 14,50 6,8 6.78 7,8 7,63 7,88 9,68 : 9,68 П,50 15,20 14,58 16,60 15.58 17,38 17,58 17,68 23,215 гг, 7 15,20 14,58 15,58 15,58 15,8 17,58 17,68 20,215 22,7 А- з,омм g£‘£ max *1,омм е - 1,омм тех *10мм Н02-Н016 н 22 155.15-1 5,5 1,5 19 201.9-1 12 201.14-1,2 201.14-6 1,5-0,5 201.14-8,9 201 14-10 13 201.16-8 1,28-0,19 IS 0,59 мммад mwvn £19,г g 9 201.16-5,6 1,5 201.14-12 ----PT Ofi .„(I ft fl fl.ft fl ft.l * 3№Q I 9 нлю1/а j ^иии'иФий' _________ti______ 201.16-12, 16 14 201.16-13,15 is 1,5'0,5 Ф itiiyh rtl iTl rtb 21,5 238.16-3 5,5 238.16-1,2 15 238.18-3 128тах 0J9 тах(188ы8одов) М1'^1 ъ-Ключ g 238.18-1 238.12-1 239.24-1,2,6,7 16 зигн 302.4-1 301.8-2 17 401 14-5 401.14-1,2,3,4 402 16-2 402 16-1,6 18 402.16-7 402 16-11 юшг'о I^gogi993/)»ows'o 402 16-18 402 16-21,25,32,33 19 402 16 34 405 24-1, 2 405 24-7 422 12-1 20 1102 8-1 1101Ю7-1 1501Ю5-1 1503Ю 11 20 max 24max 21 Зэна ключа 2101.14-1 wigi 2102.14-2 22 15mm 23 ftmax IS' J ’ /ключа Сшш 1 9 s few 2106 16-1 1,4 max 12 max 24 2120 24 1 л WlbMa/ Oil 2120 24-6 2120 29 1 25 ifi/nax Ф-Ф4 г|1..ф_ф .jfx. | ф ф-ф..ф„ф-ф1.ф Зона ключа ф ф ф ф-фф-< ф-дг-ф-ф ф'Ф ф ЗБ max 2121 28-5 5f,5 И т Л- Ц5 1.S ' МШ1МММиШДДММ Зона нлтт wwwwwwwwww. 2123.40-1 26 225max 1,5max 25/nax 2140Ю 20-2 3101Ю.8-2 01 4105.14-1,2 27 4112.16-2,3 $7гтш 108тах 4114.24-1 4116.4-1 4118.24-1,2,3 28 05mor^0tn8odo6l 02irax 4151.12-1 4153.12-1 29 РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРИМЕНЕНИЮ И ЭКСПЛУАТАЦИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ В процессе монтажа, хранения, транспортировки и эксплуатации ИМС необходимо принимать меры, исключающие возможность отрыва выводов, появления трещин в корпусе, нарушение электрического режима и т. п., что позволит сохранить высокую надежность интегральных микросхем, гарантированную заводами-изготовителями. При монтаже выводы ИМС можно изгибать. Место изгиба должно находиться на расстоянии не менее 1—2 мм от корпуса, при этом необходимо обеспечить неподвижность основания. Радиус изгиба — 1 мм и более. Не допускается кручение выводов вокруг оси. Выводы, не используемые в соответствии с электрической схемой, можно «откусывать» на расстоянии не менее 3 мм от основания корпуса с последующей защитой оставшихся концов лакокрасочным покрытием. Причем нужно следить за тем, чтобы не повредить стеклоизолятор у основания выводов. Лужение выводов интегральных микросхем рекомендуется производить двукратным погружением в расплавленный припой, температура которого не превышает 250 °C, в течение 2 с, интервал между погружениями для большинства ИМС должен составлять не менее 5 мин. Пайку выводов ИМС производят заземленным паяльником мощностью не более 40 Вт при температуре жала не выше 265 °C в течение 3 с, соблюдая меры предосторожности, исключающие перегрев микросхемы и механические ее повреждения. Интервал между пайками соседних выводов должен быть 3...10 с, а расстояние от места пайки вывода до корпуса ИМС — не менее 5 мм. Для очистки от флюса, влагозащиты и приклейки микросхем к плате можно применять моющие жидкости, лаки и клей, не оказывающие вредного химического воздействия на покрытие, маркировку и материал корпусов. При монтаже ИМС на плате, имеющей токопроводящие дорожки, допускается прокладка под микросхемой изолирующего слоя. ИМС следует крепить к корпусу даже при приклеивании. Устанавливать микросхемы в контактирующие устройства и извлекать их при ремонте аппаратуры и измерении электрических параметров необходимо при отключенных источниках питания. Подключить ИМС к источникам питания надо до подачи сигнала на ее вход (входы). При наличии двухполярных источников питания их лучше всего подключать к микросхеме одновременно, а при невозможности этого сначала подключить « + 1/и п1», а затем «—1/Ип2». Отключение производится в обратном порядке. 30 Нельзя подводить какие-либо электрические сигналы и напряжения питания к выводам ИМС, не предусмотренным для использования принципиальной электрической схемой, а также соединять эти выводы с корпусом. Микросхемы нужно защищать от воздействия статического электричества. Для этого при измер.ении параметров, распайке микросхем и т. п. все металлическое оборудование, инструменты, приборы и изделия нужно заземлять. Показателем качества заземления служит отсутствие наводок, возникающих при включении и выключении силовых установок. Для повышения надежности ИМС узлы и блоки радиоэлектронной аппаратуры целесообразно проектировать таким образом, чтобы микросхемы работали в них при номинальных электрических и температурных режимах, пониженных механических воздействиях и,др. УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, ПОМЕЩЕННЫХ В СПРАВОЧНИКЕ Параметры, имеющие размерность напряжения Входное напряжение....................... Входное напряжение, соответствующее порогу ограиичеиия выходного тока............... Напряжение на входе закрытого ключа . . . Напряжение покоя......................... Входное напряжение покоя................. Синфазное входное напряжение............. Напряжение на управляющем входе при вытекающем токе, равном нулю................... Напряжение иа управляющем входе при вытекающем токе, равном 100 мкА............>. Входное амплитудное напряжение........... Остаточное напряжение на входах ключевых элементов ............................... Входное напряжение открытого ключа . . . Обратное входное напряжение.............. Остаточное напряжение управляющего сигнала Остаточное напряжение опорного сигнала . . . Остаточное напряжение открытого ключа . . . Управляющее напряжение................... Выходное напряжение...................... Выходное напряжение покоя................ Выходное напряжение открытого ключа . . . Выходное напряжение положительного уровня . Выходное напряжение отрицательного уровня . Выходное напряжение закрытого ключа (стабилизатора) ............................... Остаточное напряжение ва выходах ключевых элементов ............................... Un U их.пор ию закр I/O Uo вх (7сф вх U вх упрО Ubx ynpiOO Ubx А t/ост вх U вх откр Ubx обр Uост упр t/ост on U ОС! откр t/yDp U ВЫХ Uо вых Uвых откр Uвых закр Uoc! вых 31 Выходное напряжение в режиме ограничения 17Выхогр Выходное стабилизированное напряжение. . . 17выКстаб Выходное напряжение срабатывания (отпускания) .....................................(Увыхсрб (t/выхотп) Выходное амплитудное напряжение...........1/выха Выходное номинальное напряжение...........UВЫХ ном Напряжение шумов..........................иш, Еш Напряжение шумов, приведенное ко входу . . . 1/ш вх Нормированное напряжение шумов............1/ш вх к Нормированное значение ЭДС шума...........иш« Напряжение смещения.......................1/см Изменение напряжения смещения.............А/Лм Напряжение смещения по входу управляющего сигнала...................................1/с« упр Напряжение смещения по входу опорного сигнала .....................................L/cuoti Регулирующее напряжение...................Uptr Остаточное напряжение.....................1/Ост Напряжение смещения подложки..............Ucm п Постоянное прямое напряжение днода . . . . 1/Пр д Среднее прямое напряжение.................1/прсР Обратное импульсное напряжение............С/иовР Напряжение срабатывания...................1/срб Напряжение отпускания.....................1/Отп Коммутируемое напряжение..................(Ло« Напряжение гетеродина.....................Um Напряжение стабилизации...................1/Ст Напряжение АРУ............................1/ару Напряжение АРУ начальное..................t/лрунач Напряжение задержки АРУ...................1/ару ад Напряжение АРУ селектора каналов метрового диапазона ................................(Уарускм Напряжение АРУ системы АПЧИ..........{/аруапчи Напряжение между эмиттером и коллектором (базой) ..................................Uэк (1/эб) Прямое напряжение между коллектором и базой 1/кв Обратное напряжение между эмиттером и базой 1/эвобР(^вэобР) Обратное напряжение между коллектором и базой (ЭМИТТерОМ)...........................1/КБобр (1/кЭовр) Напряжение между коллектором (базой) и эмит- тером В режиме насыщения..................1/кЭнас (1/вЭнас) Напряжение между коллектором и эмиттерами 1/кэ1эг Остаточное напряжение между эмиттером и коллектором .................................I/ЭК ост (1/э1Э2Кост) Напряжение подложки....................(Ло, Остаточное напряжение между эмиттерами . . 1/э1Э2ост Напряжение затвора (стока) относительно истока..........................t/зи (1/си) Напряжение отсечки.................t/зи отс Напряжение стока (истока, затвора) относительно подложки ..............................1/сп (1/ип, 1/зп) Напряжение источника питания.............иип Напряжение между транзисторами............Uvi, vz Напряжение на первом, втором и т. д. выводах микросхемы................................Ui, Ui, 32 Чувствительность.........................S Напряжение на выходе смесителя........1/вых см Коммутируемое напряжение.................. Уровень гашения.......................{/гаш (1/г) Выходное напряжение низкого уровня .... £/2ых Выходное напряжение высокого уровня . . . Ulm Параметры, имеющие размерность тока Входной ТОК................................ Разность входных токов..................... Входной ток цепи управления ............... Входной ток цепи опорного сигнала .... Входной ток срабатывания ................... Разность входных токов цепей управления . . Разность входных токов цепей опорного сигнала Входной обратный ток ключа.................. Выходной ток............................... Ток потребления усилителя в режиме с АРУ . . Ток по опорному входу ...................... Выходной ток срабатывания.................. Выходной ток закрытого ключа............... Выходной ток стабилизатора................. Ток в нагрузке ............................ Ток потребления ........................... Ток потребления от источника питания в закрытом состоянии .............................. Ток потребления от источника питания в открытом состоянии .............................. Ток потребления узла опорного напряжения Ток потребления узла порогового устройства . . Ток утечки................................. Ток утечки на входе ....................... Ток утечки на выходе....................... Ток утечки затвора......................... Ток утечки стока (истока) ................. Ток утечки между эмиттерами................ Ток коллектора (бвзы, эмиттера)............ Импульсный ток коллектора.................. Ток стока (истока)......................... Импульсный коммутирующий ток............... Начальный ток стока........................ Ток покоя.............................'. . (Обратный ток эмиттера..................... Обратный ток коллектора при разомкнутом выводе базы................................... /„ Д/вх /вх упр /ВХ ОП /вх срб Д/вх упр Д/ВХ ОП /вх обр / вых /пог АРУ /опор /вых срб /вых закр /вых ст /« / пот /пот закр /пот откр /ПОТ ОП /пот пор / ут /ут вх /ут ВЫХ /з ут /с ут (/и ут) /утЭ1Э2 /к (/б, /э) /к К /с (/и) /кОМ И /с нач /о /ЭБО /кэо Обратный ток коллектора при заданном сопротивлении в цепя база — эмнттер.........../кэл Обратный ток коллектора прн разомкнутом выводе эмиттера............................/кбо Ток коллектора в режиме насыщения . . . . /к вас Управляющий ток.........................../упр (/б1 + /вз) Коммутирующий ток............... • . • • /ком (/э1эг) Ток регулирования......................../рег Ток переключения........................./пер Ток закрытого состояния............ • • /закр 2—2044 33 Средний прямой ток......................../прср Постоянный прямой ток...................../пр Импульсный прямой ток...................../пРи Импульсный обратный ток...................Л обР Средний обратный ток...................../обРсР Амплитуда тока в нагрузке................./»а Ток короткого замыкания.................../хз Ток первого, второго, третьего н т. д. выводов ИМС....................................... Ток холостого хода закрытого стабилизатора /хх закр Ток записи................................/зап Параметры, имеющие размерность мощности Мощность потребления......................Рж Мощность рассеяния........................Ррас Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора ................................ Рк Выходная полезная мощность................РвЫХ Параметры, имеющие размерность частоты Ннжняя граничная частота полосы пропускания fa Верхняя граничная частота полосы пропускания fa Полоса пропускания (девиация частоты) . . . Д/ Частота единичного усиления...............ft Частота входного сигнала..................f (fax) Частота генернрованяя.....................fr Частота среза............................./сРз ' Частота модуляции.........................Fm Максимальная граничная частота............ Нижняя граничная частота по коэффициенту передачи АРУ................................/в АРУ Частота коммутации......................../ко» Полоса захвата............................Д/3аХВ Полоса пропускания по яркостному каналу . . Д/Ярк Полоса пропускания по цветоразностным каналам ......................................Д/иви Параметры, имеющие размерность времени Время задержки импульса.................../зд Время нарастания выходного напряжения • , /нар Время установления выходного напряжения . . /уст Время включения.................. . > . Zb кл Время выключения................. . • • • /выкл Время спада выходного импульса............/сп Время обратного хода....................../осР х Период следования импульсов...............Т Время задержки включения............ • . Zgfl выкл Время задержки выключения .... • • • £эд выкл Длительность прямоугольного импульса на выходе микросхемы.........................../о Длительность фронта......................./ф Длительность выходного импульса.........../3 вых Длительность входного импульса............/»вх 34 Длительность выходного строб-импульса , . /„пов Время перехода при включении..............tl-s Время перехода при выключении............/з'1 Время обратного хода......................<Обр х Длительность импульса гашения обратного хода t0 х Длительность импульса..................... Относительные параметры Коэффициент усиления напряжения.............Ку и Коэффициент ослабления......................Кос Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений..................................Коссф Коэффициент ослабления на верхней граничной частоте.....................................Коса Коэффициент ослабления сигнала соседнего канала (переходное затухание).................Кос с к Коэффициент передачи по напряжению . . .Кии Коэффициент передачи по управляющему напряжению цепи АРУ..............................Кару Коэффициент подавления амплитудной модуляции ............................... Кпод AM (Кос Ам) Коэффициент подавления частоты..............К/ Относительное изменение коэффициента усиления ........................................АКу и Коэффициент подавления высокой частоты . . Кподвч Коэффициент усиления тока...................Ку/ Коэффициент передачи детектора..............Кде^Кд) Коэффициент асимметрии выходных напряжений Кас Коэффициент подавления перекрестных искажений ........................................Кпод пер Коэффициент затухания В открытом СОСТОЯНИИ Кзатошр Коэффициент затухания В закрытом СОСТОЯНИИ Кэатзакр Коэффициент передачи в открытом состоянии Когкр Коэффициент передачи в закрытом состоянии Кзакр Коэффициент передачи цепи обратной связи Кпос Коэффициент преобразования................Кпрв Коэффициент неравномерности АЧХ .... КвР ачх Коэффициент гармоник......................Кг Статический коэффициент передачи тока в режиме большого сигнала...................../12 ie Коэффициент влияния нестабильности источников питания (на входной ток, напряжение смещения) ...................................Ки«п Коэффициент нестабильности по напряжению Кясо Коэффициент нестабильности ПО ТОКУ .... Кас / Коэффициент стабилизации..................Ксг Коэффициент шума..........................Кш Модуль коэффициента прямой передачи тока в режиме малого сигнала.....................Iftzisl Отношение статических коэффициентов передачи feiEi тока в режиме большого сигнала............ЙЙЁ Глубина регулировки по цепи АРУ..........Ареглру Отношение снгнал/шум......................Ксш Коэффициент ослабления входного напряжения Кос вх 35 Коэффициент ослабления опорного напряжения Косой Коэффициент усиления усилителя с АРУ . . , и ару Коэффициент ослабления усилителя на верхней граничной частоте...........................Кос > Параметры, имеющие размерность сопротивления Входное сопротивление.......................RB4 Входное сопротивление по сигнальному входу RBXC Входное сопротивление по модулирующему входу.......................................RBX» Сопротивление в цепи базы...................Rb Входное сопротивление цепи управления . . . /?вхупр Входное сопротивление цепи Опорного сигнала RBXOn Выходное сопротивление..................../?вых Сопротивление нагрузки......................Rtl Сопротивление генератора (источника сигналов) Rr Эквивалентное сопротивление контура . ... Roe Сопротивление изоляции между корпусом и выводами илн между выводами...................R^ Сопротивление между эмиттерами............../?э,э2 Дифференциальное сопротивление стабилитрона гст Динамическое сопротивление между стоком и истоком.....................................гд Тепловое сопротивление переход — корпус . . Rnep хор Тепловое сопротивление переход — окружающая среда...................................RBePoKP Параметры, имеющие размерность емкости Входная емкость.............................Свх (Си») Выходная емкость............................Свых (С22») ПроходНая емкость...........................Спрох (Си») Емкость коллекторного перехода..............Ск Емкость эмнттериого перехода................Сэ Емкость нагрузки............................Си Прочие параметры Крутизна преобразования.....................Зврв Крутизна вольт-амперной характеристики . . . Sba Коэффициент полезного действия..............г] Крутизна проходной характеристики .... Зпрох Крутизна характеристики фазового детектора . Зд Коэффициент амплитудной модуляции . . . . m Средний температурный дрейф разности входных ТОКОВ...................................КЫвх/КТ Скорость изменения выходного напряжения . . VuBUx Средний температурный дрейф среднего входного тока..........................................ДГ Средний температурный дрейф напряжения смещения .....................................Д1/см/ДГ Температурный коэффициент смещения термостабильной точки характеристики.............ат Температурный коэффициент напряжения . . . ан Температурный коэффициент напряжения стабилизации ..................................ai/CT 36 Подавление перекрестных искажений . . . . ая Затухание звена............................а Диапазон регулировки контрастности . ... DK Диапазон регулировки насыщения..........D„ Диапазон выходного цветового сигнала . , . Оцв Чувствительность ............................S Наклон амплитудно-частотной характеристики SH Примечание. Предельные значения параметров (максимальные н минимальные величины) обозначаются дополнительными индексами «макс» и «мни». Например, 17кб max, Uaairua И Т. П. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ Серии 101, К101 Микросхемы предназначены для коммутации слабых электрических сигналов постоянного и переменного токов, использования в других узлах радиоэлектронной аппаратуры. Конструктивно оформлены в корпусе типа 301.8-2. 101КТ1А, 101КТ1Б, 101КТ1В, 101КТ1Г, КЮ1КТ1А, КЮ1КТ1Б, К101КТ1В, К101КТ1Г Последовательные интегральные прерыватели, предназначенные для коммутации слабых электрических сигналов постоянного н переменного токов, а также для работы в качестве прерывателей в разрядных ключах, преобразователях код-аналог и аналог-код и других электронных устройствах. Рис. 1.1. Принципиальная схема ИМС 101 КТ 1, К101КТ1 (а) и схема ее включения (б) Пара-метры1 101КТ1 КЮ1КТ1 А Б в г А Б в г Uh ni, В + 6,3 + 6,3 +3 +3 1-6,3 + 6,3 +3 +3 17и п2, В -6,3 -6,3 — 3 — 3 -6,3 -6,3 3 -3 37 Продолжение Пара-метры1 101 КТ1 КЮ1КТ1 А Б В Г А Б В Г 1/э1Э2 ост, мкВ <501 2 < 1502 <502 <1502 : < 100? : sg30tf <100? <300? /ут, нА l/ЭБ обр, <10 <10 <10 <10 <40 <40 <40 <40 6...8,5 6...8,5 4...8,5 4...8,5 — — — — В Л?Э1Э2, Ом sg 1002 <1002 <1002 < 1002 ; <120°: C120? <120? <120 t/КБ max, В 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 t/эБ max, В 6,5 6,5 3,5 3,5 6,5 6,5 3,5 3,5 1 При температуре 20±5°С. 2 При /б1 + /б2 = 2 мА. К101УТ1А, К101УТ1Б Микросхемы служат в качестве тока усилителен постоянного 7 Рис. 1.2. Принципиальная схема ИМС К101УТ1 (а) и схема ее включения (б) Параметры1 Режим измерения КЮ1УТ1А КЮ1УТ1Б U.n, в /б, мкА 9 ±0,9 9 ±0,9 /«ом== 0,5 мА; t/ком == 3 В 15 30 Д/б, мкА Iком = 0,5 мА; Uком — ЗВ 2 4 Д1/Вб, мВ /ком = 0,5 мА; t/ком^З В 10 20 /кэк мкА t/эк— 12 В; /?б/б2= 10 кОм 0,5 1 /’пот max, мВт — 150 150 1]^тах, мА — 10 10 U кэ mas, В — 12 12 Сэ, пФ 1/см=0 11 11 1 При температуре 20±5°С. 2 Разность прямых напряжений эмиттерных переходов. 38 Серия K118 Микросхемы серии предназначены для использования в различной радиоэлектронной аппаратуре. Могут выполнять функции генераторов, преобразователей, усилителей низкой частоты и других устройств. Конструктивно оформлены в корпусе типа 201.14-6. КП8ТЛ1А, КИ8ТЛ1Б, КП8ТЛ1В, КП8ТЛ1Г, КП8ТЛ1Д Триггеры Шмитта, предназначенные для формирования прямоугольных импульсов из синусоидального напряжения, получения перепадов напряжения, улучшения формы импульсов или для работы в качестве сравнивающего устройства. Чтобы увеличить быстродействие триггера, параллельно резистору R2 между выводами 5 и 11 микросхемы может быть подключен внешний конденсатор емкостью 20...50 пФ. 2(31 о— w(U Рис. 1.3. Принципиальная схема (а) н схема включения (б) ИМС КН8ТЛ1 (в скобках указаны номера выводов для ИМС К122ТЛ1, отличающиеся от номеров выводов ИМС КН8ТЛ1) RS Параметры1 Режим измерения КП8ТЛ1А К118ТЛ1Б КН8ТЛ1В КИ8ТЛ1Г КИ8ТЛ1Д В — +з±о,з 4-4±0,4 + 6,3±0,6 (/кп2, В — -3±0,3 -4±0,4 -6,3 ±0,6 /ex max, МкА 1/Вх = 0,35 В для 20 40 40 групп А, Б, В и 20 20 t/BX = 0,48 В для групп Г, Д t/вых max, В То же 2,75...3 3,75...4 6.6,3 39 Продолжение Параметры Режим измерения КП8ТЛ1А КП8ТЛ1Б К118ТЛ1В КП8ТЛ1Г К118ТЛ1Д В i/вх——0,35 В для групп А, Б, В и 1/Вх = 0,7 В для групп Г, Д -0,4...+ 0,9 -0,4 .. + 0,9 — 0,4...+ 1,2 Ucpe, в — 0...0.35 0.. 0,35 0...0.4 Uoriit в — - 0,35...0 -0.35...0 — 0,7...0 1 При температуре 25±10°С. К118УД1А, КН8УД1Б, К118УД1В Однокаскадные дифференциальные усилители, предназначенные для усиления и различных преобразЬваний сигналов. Рис. 1.4. Принципиальная схема (а) и схема включения (б) ИМС КП8УД1 (в скобках указаны номера выводов для ИМС 122УД1, К122УД1, отличающиеся от номеров выводов ИМС КН8УД1) Параметры’ Режим измерения К118УД1А КП8УД1Б КИ8УД1В Uh nh В — + 4±0,4 + 6,3 ±0,6 + 6,3±0,6 /Уи л2, В — — 4±0,4 — 6,3 ±0,6 -6,3 ±0,6 / пот» мА По цепи UK„> <1 <1,3 <1,3 / пот, мА По цепи 1/и „2 +1,8 <2,4 <2,4 /вх, мкА 1/б9< 12 мВ ^10 < 10 <20 UM В ’— -f- 3 тк0,3 + 4±0,4 + 6,3±0,6 Uh „2, В — -3±0,3 — 4±0,4 — 6,3 ±0,6 /вхпгах, МКА t/вх = 0,35 В для 20 40 40 групп А, Б, В и 20 20 1/вх=0,48 В для групп Г, Д Uвых max, К То же 2.75...3 3,75...4 6...6.3 40 Продолжение Параметры1 Режим измерения КП8УД1А КИ8УД1Б КП8УД1В С^вых пип, В 1/м=- 0,35 В для групп А, Б, В и 1/,х = 0,7 В для групп Г, Д — 0,4...+ 0,9 —0,4...+ 0,9 -0,4...+ 1,2 Ucp6t В — 0..Д35 0...0.35 0 ..0,4 t/отЛ» В — — 0.35...0 — 0.35...0 - 0,7...0 ' При температуре 25± 10 °C. КП8УН1А, КИ8УН1Б, КИ8УН1В, КИ8УН1Г, КИ8УН1Д Двухкаскадные усилители постоянного тока, предназначенные для использования в усилителях низкой и высокой частоты радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Рис. 1.5. Принципиальная схема (а) и схема включения (б) ИМС К118УН1 (в скобках указаны номера выводов для ИМС 122УН1, К122УН1, отличающиеся от номеров выводов ИМС КН8УН1) Рис. 1.6. Зависимости выходного напряжения ИМС КН8УН1 от входного напряжения (а) и частоты (б) 41 Рис. 1.7. Зависимость коэффициента усиления ИМС КИ8УН1 от сопротивления в цепи ОС Рис. 1.8. Зависимость коэффициента гармоник ИМС К118УН1 от выходного напряжения Параметры1 Режим измерения К118УН1А КН8УН1Б КИ8УН1В К118УН1Г КИ8УН1Д 1/ип, В 6,3 ±0,6 12,6± 1,3 12,6± 1,3 /пот» мА //вх — 0 <3,5 <5 <5 Ку и Увх=1 мВ; f = 250 350 800 ККуи, % = 12 кГц Увх= 1 мВ; f = 400 ±501 2 500 ±502 ±502 //вых, В = 12 кГц 1Ах = 0 2,4...3,8 7...9,6 7...9,6 С/ш, мкВ f = 20...20 000 Гц 4 4 4 Л»х, кОм (7вх= 1 мВ; f = >23 >23 >23 /?вых, кОм = 12 кГц f = 12 кГц 0,8...3 0,8...3 0,8...3 Кг, % //вых = 0,3 В 5 — — //выл = 0,5 В //вых=1 В 2 Т 5 5 f«, кГц 1/вх=1 мВ 100 100 80 Ь, МГц Пвх= 1 мВ; Ку </ = 30 1Лх= 1 мВ; 5 — — Ку и = 50 — 5 5 1 При температуре 25±10°С. 2 В диапазоне температур— 10...70 °C. 3 При температуре— 10° /?Вх=1,5 кОм. 42 К118УН2А, КИ8УН2Б, КИ8УН2В Каскодные усилители, предназначенные для работы в качестве усилителей высокой и промежуточной частоты радиоэлектронных устройств широкого применения. Усилители выполнены по Схеме общий эмиттер (УЗ) —общая база (У2). Режим работы транзисторов У2 и УЗ обеспечивается первым каскадом, выполненным на транзисторе У1 и резисторах /?1, R2, R3, R4. При необходимости этот каскад можно использовать для предварительного усиления сигнала. Рис. 1.9. Принципиальная схема (а) и схема включения (б) ИМС КИ8УН2 (в скобках указаны номера выводов ИМС 122УН2, К122УН2, отличающиеся от номеров выводов ИМС КН8УН2) Рис. 1.10. Зависимость коэффициента усиления ИМС К118УН2 от сопротивления нагрузки (а) и частоты (б) 43 Рис. 1.11. Зависимость тока потребления ИМС К118УН2 от напряжения источника питания Рис. 1.12. Зависимость коэффициента гармоник ИМС КН8УН2 от выходного напряжения Рис. 1.13. Амплитудные (а) и амплитудно-частотные (б) характеристики ИМС КН8УН2 Параметры1 Режим измерения К118УН2А КП8УН2В КИ8УН2В im, в 4 ±0,4 6,3 ±0,6 6,3 ±0,6 /пот, мА 1Ах=0 С2 сз сз Ку и 1Ах=1 мВ; f=l2 кГц >15 >25 >40 KKvu, % 1Ах==1 мВ; f=12 кГц ±602 ±602 ±602 R,x, кОм Л.ых кОм (7вх= I мВ; f == 12 кГц 1/,х=1 мВ; f = 12 -кГц >1 1,2.. 3 >1 1.2...3 >1 1,2 3 <ЛыХ, В Увх-0 2,4 ..3,8 3,8...5,5 3,8...5,5 иш, мВ f = 20...20 000 Гц 10 10 10 Кг, % £/,ЫХ = 0,1 В 5 5 5 44 Продолжение Параметры1 Режим измерения К118УН2А КП8УН2В К118УН2В /в, кГц £4х=1 мВ 90 90 90 fmax» МГц К,у=5 5 Куц==8 — 5 5 1 При температуре 25 ± 10 °C. 2 В диапазоне температур — 10...4-70°С. К118УП1А, КИ8УП1Б, КН8УП1В, КИ8УП1Г Видеоусилители, предназначенные для усиления видеоимпульсов по напряжению и мощности. Высокочастотная коррекция обеспечивается с помощью барьерной емкости транзистора V4, включенного диодом. Коэффициент усилеиня стабилизируется отрицательной обратной связью между первым н вторым каскадами через резистор /?3. 11(10) О— 3(4) о 5 о- ВмО о— Рис. 1.14. Принципиальная схема (а) и схема включения (б) ИМС КП8УП1 (в скобках указаны номера выводов ИМС К122УП1, отличающиеся от номеров выводов ИМС КН8УП1) Параметры1 Режим измерения К118УП1А КИ8УП1Б К118УП1В КН8УП1Г У„п, в - Ку и У.х=1 мВ; f=12 кГц ^Аых, В С^ВХ—0 /?»х, кОм 1/„==1 мВ; f = 12 кГц 6,3 ±0,6 900 1300 3,8...5,5 >1 12,6 ±1,26 1500 2000 8... 11 >1 При температуре 25±10°С. Серии 119, КР119 Линейные и импульсные микросхемы, предназначенные для построения каналов первичной обработки информации 45 различных радиоэлектронных устройств. Позволяют создавать тракты с заданными функциями: автоматической регулировкой усиления (АРУ), дискриминацией по уровню и частоте, стробированием, а также многоканальные системы. Конструктивно оформлены в корпусе типа 401.14-4 (серия 119) илн 201.14-1 (серия КРП9). 119АГ1, КРП9АП Элементы ждущего блокинг-генератора, предназначенного для формирования импульсов малой длительности. Выполнены по схеме с коллекторио-баэовой обратной связью с зарядным конденсатором в цепи эмиттера. Ждущий режим обеспечивается подачей запирающего напряжения на эмиттеры транзисторов И2 и КЗ через делители, образуемые резисторами /?2, /?3, R4 и R5. Рис. 1.15. Принципиальная схема (а) и схема включения (б) ИМС 119АГ1, КРП9АП Параметры1 Режим измерения 119АГ1 КРИ9АГ1 и„„. в 6,3 ±0,6 6,3 ±0,6 /ддт» мА <Л,х=0 С 2,5 <3 t/вхА. В — 3,5 ±0,35 3,5 ±0,35 и*, в — <0,6 <0,5 i/выхА, В В; /ивх = 0,2... >4,5 >4 0,4 мкс; f — 2 кГц ^нарвых» МКС С/вхла—В; /ивх—-0,2... С 0,15 <0,25 0,4 мкс; / = 2 кГц /к вых, МКС То же 0.5... 1,4 0.3... 1,4 tea вых* МКС » <0,4 <0,5 ^нар вх» МКС — <0,15 <0,2 fmax, КГЦ — 100 100 1 При температуре 20 ±5 °C н номинальном напряжении источника питания 6,3 В. г Помехоустойчивость. 46 119ГГ1А, 119ГГ1Б, 119ГГ1В, КРИ9ГП Мультивибраторы с самовозбуждением, предназначенные для генернровання импульсов прямоугольной формы. Выполнены по схеме симметричного мультивибратора с коллекторно-базовыми связями. Для уменьшения длительности спада и скважности выходных импульсов использована схема с отключающими диодами VI и V6, а для улучшения частотных свойств—нелинейная отрицательная обратная связь через диоды V2 и V4. /2о- 13 2 3 4S 5 11 9 а Рис. 1.16. Принципиальная схема (а) и схема включения (б) ИМС 119ГГ1, КН9ГП, КРН9ГГ1 Параметры1 119ГГ1А Н9ГГ1Б М9ГПВ КРН9ГГ1 п, В 3±0,3 3±0,3 3±0,3 зг±о,з Лют, мА <6 < 6 < 6 С/вых А, В >1,4 — — >1.2 вых* МКС 10...203 10...203 10...203 7...253 ^нзрвых» МКС <0,25 <0,55 <0,85 <0,5 МКС <0,6* <1,8* <1,8* <1,6* 1 В режиме автогенерации при температуре 20±5°С и номинальном напряжении источника питания 3 В. 2 При пульсациях не более 0,2 %vot номинального значения пи- тающего напряжения. 3 При С1 = С2=2700 пФ. В зависимости от величин емкостей С1 и С2 длительность выходного импульса может составлять 2... 1000 мкс. 4 От уровня 0,9 до уровня 0,3. 119ДА1А, 119ДА1Б, КРН9ДА1 Детекторы АРУ, предназначенные для детектирования амплитудно-модулнрованных сигналов. Выполнены по схеме удвоения напряжения с эмнттерным повторителем на транзисторах VI (в диодном включении) и V2. Функцию параллельного диода выполняет транзистор VI, последовательного — транзистор V2 (эмиттерный повторитель). При замене 47 одного нз диодов в схеме удвоения эмнттерным повторителем повышается входное и уменьшается выходное сопротивление схемы. 15мк* *ВВ BZ\ 120к R1 Вход Z7k °—НЬ-О- -6,3В 9 Выход ±сг +Г 15мк*6В Рис. 1.17. Принципиальная схема (а) и схема включения (б) ИМС 119ДА1, КН9ДА1, КРП9ДА1 Параметры1 Режим измерения 119ДА1А 119ДА1Б КР119ДА1 У.., В /пот» мА -6,3 ±0,6 -6,3 ±0,6 -6,34-0,6 Увх = 2 В; /=10 кГц С1 <• <2 Кя и Увх = 2 В; /=10 кГц > 1,2 >1,2 >0,6 Uактах, В — З2 З2 З2 /к. Гц — 5 5 5 /в, кГц — 40 40 40 1 При температуре 20±5°С и номинальном напряжении источника питания — 6,3 В. 2 Действующее значение. П9КП1, КРН9КП1 Коммутаторы, предназначенные для использования в качестве транзисторного ключа. Резисторы R1 и R2 образуют цепь управления ключом, R3 и R4 — резисторы нагрузки. Вывод 2 микросхем является расширительным входом. Рис. 1.18. Принципиальная схема (а) и схема включения (б) ИМС 119КП1, КП9КП1, КРН9КП1 48 Параметры1 Режим измерения 119КП1 КРИ9КП1 17. «, В 3±0,3 3±0,3 Лют» мА у,х1-з в С 2,6 <3 ^ут вых» МкА у«1=з в <3,5 <40 v*xoTKp» В — <0,352 <0,42 £Ах откр max, В — 2...32 2...32 Ubx закр max, В — -3...02 -3...02 1 При температуре 20±5°С и номинальном напряжении источника питания 3 В. 2 Действующее значение. 119МА1А, 119МА1Б, КРИ9МА1 Регулирующие элементы АРУ, предназначенные для использования в качестве аттенюаторов с регулируемым коэффициентом передачи. Схемы работают как двухкаскадный делитель, параллельные плечи которого образованы транзисторами в диодном включении. Коэффициент передачи регулируется путем изменения дифференциального сопротивления диодов, зависящего от проходящего через них тока регулирования. Rf Вход +[| С1 , 1рег 15мк*68 J.C2 +ГЮОмк J*S8 2, £ 11 5 12 13 сз 15мк'6В Выход у Рис. 1.19. Принципиальная схема (а) н схема включения (б) ИМС 119МА1, КП9МА1, КРН9МА1 Параметры1-» Режим измерения 119МА1А 119МА1Б КРИ9МА1 max, В 0,52 0,52 0,52 f,, кГц — 200 200 200 Кое £/ВЫх=2 мВ; /рег = 0; f=K кГц 2,6...5,7 2...8 2...Э /Срег ос /рег= 100 мкА; 77вых=2 мВ; f= 10 кГц >50 >16 >5 /Срег ос /per =50..мкА >16 >5 — 1 При температуре 20 ±5 °C. 2 Действующее значение. 3 Глубина регулирования коэффициента ослабления. 49 119ПП1, КРН9ПП1 Диодные мосты, предназначенные для использования в качестве выпрямителей. Состоят из двух пар последовательно соединенных диодов, в качестве которых служат переходы коллектор — база транзисторов. 13 If 11 Рис. 1.20. Принципиальная схема (а) и схема включения (6) ИМС 119ПП1, КП9ПП1, КР119ПП1 Микросхемы /вх maxt мА мкА >1 ПОХг, В Кп и /?и, кОм fmaxt МГЦ 119ПП1 10 1‘ ю2 >0,63 > 1,5 >0,2 КР119ПП1 10 — ю2 >О,53 > 1,5 >1 1 При обратном напряжении 6,3 В. 2 Действующее значение. 3 В режиме выпрямления при Um — 10 В; f — 10 кГц; Р„ = 1,5 кОм. Примечание. Значения параметров приведены при температуре 20 ±5 °C. 119СВ1А, 119СВ1Б, КР119СВ1 Линейные пропускателн, предназначенные для использования в качестве аналоговых ключей, коммутирующих отрицательное напряжение. Работают по принципу токового переключателя и состоят из генератора тока V2, токового переключателя на диодах УЗ, V4 и каскада управления генератором тока VI. Особенностью схем является наличие на выходе напряжения пьедестала при нулевом входном напряжении. Для уменьшения напряжения пьедестала необходимо применять источник сигналов с выходным сопротивлением, значительно меньшим, чем сопротивление нагрузки пропускателя. 50 Рис. 1.21. Принципиальная схема (а) и схема включения (6) ИМС 119СВ1, КН9СВ1, КР119СВ1 Параметры1 Режим измерения 419СВ1А 419СВ1Б KPH9CB1 в -6,3±0,3 —6,3 ±0,3 -6,3±0,3 /пот» мА 1/.х1=-6,3 В; (/вх2 = 0 <2,5 <2,5 <3 ui, в То же <0,25 <0,35 <0.4 U«xi. в -6,3 -6.3 -6,3 ^вх2» В — — 0.25,.. —4 — 0,25...—4 -4...0 КпЦ £7вх1 = —6,3 В; (Л,«2=-1В >0.8 >0.7 >0,65 ’ При температуре 20 ±5 °C и номинальном напряжении источника питания —6,3 В. 2 Напряжение пьедестала. 119СС1А, 119СС1Б, КР119СС1А, КР119СС1Б Активные элементы схем частотной селекции, предназначенные для использования в составе активных 7?С-фильтров нижних и верхних частот, а также полосовых фильтров, добротность звеньев которых не превышает 10. Микросхемы состоят из усилителя с единичным коэффициентом усиления <V1, V2, V3) и отдельного эмиттерного повторителя (V4). Рис. 1.22. Принципиальная схема (а) и схема включения (б) ИМС 119СС1, К119СС1, КРП9СС1 51 Параметры1 П9СС1А 119СС1Б КР119СС1А КР119СС1Б в 12± 1,2 12± 1,2 12±1,2 12+1,2 /пот, мА <3,5 <3,5 <3,5 <3,5 /вх тех, мА 1 1 1 ' 1 ^вх обр тех, В 3 3 3 3 ХпЦ >0,95 >0,95 >0,95 >0,95 /Сп о с 0,4...0,95 0,4...0,95 0,4...0,95 0,4...0,95 Кг, % <22 <22 <22 <22 Рм, кОм >400 >200 >300 >150 f„, Гц 5 5 5 5 /в, кГц 20 20 20 20 1 При температуре 20 + 5 °C; номинальном напряжении источника питания 12 В; 1/,ых = 1 В; f=l кГц. 2 Прн 1/ВЫх = 2 В. 119СС2, КР119СС2 Активные элементы схем частотной селекции, предназначенные для построения устройств частотной селекции, линий задержки, дифференциальных усилителей, усилителей низкой частоты, фазовращателей и т. д. Микросхемы состоят из двух эмиттериых повторителей (VI, V3) и усилителя (V2). Их универсальность обеспечивается выводами, идущими от каждой точки соединения компонентов. о Рис. 1.23. Принципиальная схема (а) и схема включения (б) ИМС 119СС2, КП9СС2, КР119СС2 в /в, шох. мА Ц,1 овр тлл, В кГц 12±1,2 >0,95 5 20 1 Каждой секции. Примечание. Значения параметров приведены прн температуре 20±5°С; номинальном напряжении источника питания 12 В; 1/вых = 1 В; f=l кГц. 52 119ТЛ1, КРП9ТЛ1 Чувствительные триггеры Шмитта, предназначенные для использования в качестве индикаторов перехода входного напряжения через нулевое значение, а также формирователей прямоугольных импульсов. Эмиттерный повторитель (V4) служит для увеличения нагрузочной способности триггера. При включении между выводом 7 микросхем и источником питания внешнего резистора (/?и>1 кОм) каскад на транзисторе V4 можно использовать как инвертор. Уровень срабатывания триггера может быть выбран путем установки последовательно со входом стабилитрона или подачи смещения на выводы 12 или 13 микросхем. Рис. 1.24. Принципиальная схема (а) и схема включения (б) ИМС 119ТЛ1, КН9ТЛ1, КРИ9ТЛ1 Параметры1 Режим измерения П9ТЛ1 КР119ТЛ1 Uh nl, В + 3±0,3 + 3±0,3 (7нп2, В — — 3±0,3 — 3±0,3 /пот» мА [Дх=_о,1 в <3,5 <5 {/срб({/отп)> В — 0±0,08 0 0,1 {/вЫХСрб» В {/вх {/срб >2 >1,3 {/рЫХОТП» В {/вх {/отп 1 0,9 Uo„, в /«, Гц — >2 >1,6 — 0 0 /», кГц — 100 100 i/вх max, В /=100 кГц 1,5 1,5 i/вх max, В Явх, Ом /=0 — 2,5...+ 2,5 -2,5..+2,5 >800 — 1 При температуре 20±5°С н напряжениях Источников питания Уип1=-+-3 В; Vwn2——3 В. 53 119УЕ1, КРП9УЕ1 Эмиттерные повторители, предназначенные для использования в качестве согласующего или буферного каскадов с сохранением постоянной составляющей сигнала. При применении их для согласования с передачей входной постоянной составляющей резистор /?1 может не подключаться (вывод 5 микросхемы). При этом входное сопротивление эмиттерного повторителя возрастает. Рис. 1.25. Принципиальная схема (а) н схема включения (б) ИМС 119УЕ1, КП9УЕ1, КРИ9УЕ1 Параметры1 Режим измерения 119УЕ1 КР119УЕ1 £/ип1, В “f“3±0,3 4-3±0,3 ^и.л2, В — -3±0,3 -3±0,3 /пот, мА 1/.х = 0 < 1,3 <2,5 Хп и 1/.х = 0,3 В (эф); /=1 кГц >0,8 >0,7 С/ОСТ вых, В U.x = 0 —0,1...4-0,08 -0,2... 4-0,2 С^вых max, В f = l кГц; Кг=10 % >0,6 >0,5 Увх max, В (эф) — <1,5 < 1,5 ^вх.обртох, В —- 2 2 /вх max, мА — — 1 f«, Гц 20 20 МГц — 2 2 1 При температуре 20 ±5 °C и номинальных напряжениях источников питания С7нп1 = +3 В; 1/ИП2= —3 В. 119УИ1, КРП9УИ1 Видеоусилители, предназначенные для усиления импульсов отрицательной полярности по напряжению и мощности. 54 Рис. 1.26. Принципиальная схема (а) и схема включения (б) ИМС 119УИ1, К119УИ1, КРН9УИ1 Параметры* Режим измерения 119УИ1 КР119УИ1 t/н.П» В 6,32±0,6 6,32±0,6 Лют, «А 1/«=0 <6 <6 Ку и /а = 1...2 мкс; f = 2 кГц >53 4...10’ UbxA, В — 0,1-1 0,1-1 мкс — 0,3...500 0,3-500 t/вых А, В /и= 1—2 мкс; f — 2 кГц; </»к=1 В >3 >2 /кар, МКС =1—2 мкс; /=2 кГц <0,2 — 1 При температуре 20±5°С и номинальном напряжении источника питания 6,3 В. 2 Амплитуда пульсации питающих напряжений не должна превышать 0,1 % от номинального значения напряжения питания. 3 Стабильность коэффициента усиления в диапазоне рабочих температур ±30 % от значения параметра при 20 °C. 119УН1, КР119УН1 Усилители, предназначенные для усиления сигналов на входе усилителей низкой частоты. 5 Ц 6 3 2 М 12 13 Рис. 1.27. Принципиальная схема (а) и схема включения (б) ИМС 119УН1, КН9УН1, КРП9УН1 55 Параметры1 Режим измерения 119УН1 КР119УН1 Uu ni, В . + 6,32±0,6 + 6,32±0,6 и„„2, В — -6,32±0,6 -6,32±0,6 /пот, мА 1/.,=0 <1,2 <2 К^и /=^10 кГц 3,2 ±0,64 3...6 £Лх max, В (Эф) — <0,3 <0,5 /вх /пах, мА — 1 1 Лвх, кОм (7,х=100мВ; /=10кГц >5 >4 t/вых /пах, В Аг=10% >0,75 >0,7 f«, Гц — 5 5 ft, кГц — 100 100 1 При температуре 20 ±5 °C и номинальных напряжениях источников питания п1 = +6,3 В; Уи„2=— 6,3 В. 2 Амплитуда пульсаций питающего напряжения не должна превышать 0,1 % от номинального значения напряжения питания. 3 Стабильность коэффициента усиления в диапазоне рабочих температур составляет ±30 % от значения параметра прн 20 °C. При подключении между общим выводом (корпусом) н выводом 3 микросхемы через развязывающий конденсатор навесного резистора обратной связи ЛОс ие более 1 кОм коэффициент усиления К119УН1 увеличивается до 20...27 дБ. 119УН2, КРП9УН2 Усилители, предназначенные для усиления сигналов переменного тока. В усилителях предусмотрено введение отрицательной обратной связи по напряжению (через резистор 7?1) и по току (/?3). Рис. 1.28. Принципиальная схема (а) н схема включения (б) ИМС 119УН2, К119УН2, КРН9УН2 Параметры1 Режим измерения 119УН2 КР119УН2 Ун П1> В + 6,32±о,6 + 6,32±0,6 Уил2, В — — 6,32±0,6 — 6,32±0,6 Лют» мА 1/.х=0 <2,5 <2,5 Ку и / = 10 кГц 10± 23 10±33 56 Продолжение Параметры1 Режим измерения 119УН2 КРН9УН2 ilx max, мА 1 в (эф) / = 5 Гц...200 кГц 0,5 1 U вх обр max, В f = 0 —- 2 £АыХ, В Кг< 10 % 0,8 0,7 А,, Гц —. 5 5 /в, кГц — 200 200 1 При температуре 20±5°С, номинальных напряжениях источников питания £/„„, = 4-6,3 В; U„ „2= — 6,3 В и с учетом отрицательной обратной связи по напряжению и току. 2 Амплитуда пульсаций питающих напряжений не должна превышать 0,1 % от номинальных значений напряжении питания. 3 Стабильность коэффициента усиления в диапазоне рабочих температур ±30% от значения параметра при 20 °C. 119УТ1, КРИ9УТ1 Усилители постоянного тока, выполненные по параллельно-балансной схеме. Рис. 1.29. Принципиальная схема (а) н схема включения (б) ИМС 119УТ1, К119УТ1, КР119УТ1 Параметры1 Режим измерения Г19УТ1 КР119УТ1 в 4-6,32±0,6 4-6,32 ±0,6 f/и п2» В — -6,32±0,6 -6,32±0,6 ^пот, мА 14» =0 <1,8 <2,5 Ку и /=10 кГц 4,2 ±25 % 3...63 ^ъътах, мА — 1 1 t/вх max, В f = 5 Гц...200 кГц 0,3 0,5 Uвх обр max, В f=o — - * ^ВЫХ» В /=10кГц; Кг=10% >0,7 >0,7 57 Продолжение Параметры1 Режим измерения 119УТ1 КР119УТ1 Явх, кОм t/BX = 0,l В; f=10 кГц >5 >4 А., Гц — 5 5 /в, кГц — 200 200 1 При температуре 20±5 °C и номинальных напряжениях источников питания t/Hnl= +6,3 В; U„„2 = — 6,3 В. 2 Амплитуда пульсаций питающих напряжений не должна превышать 0,1 % от номинальных значений напряжений питания. 3 Стабильность коэффициента передачи в диапазоне рабочих температур ±25 % от значения параметра при 20 °C. При подключении между выводами 2(12) и 3(11) навесного резистора обратной связи коэффициент усиления увеличивается до 20...27 дБ. Серии 122, К122 Микросхемы серий предназначены для использования в различной радиоэлектронной аппаратуре. Могут выполнять функции генераторов, преобразователей, усилителей низкой частоты и других устройств. Конструктивно оформлены в корпусе типа 301.12-1. К122ТЛ1А, К122ТЛ1Б, К122ТЛ1В, К122ТЛ1Г, К122ТЛ1Д Назначение,' области применения, способы включения и основные электрические параметры микросхем К122ТЛ1А, К122ТЛ1Б, К122ТЛ1В, К122ТЛ1Г и К122ТЛ1Д такие же, как и микросхем КН8ТЛ1А, КН8ТЛ1Б, КИ8ТЛ1В, КН8ТЛ1Г и КИ8ТЛ1Д. Параметры последних приведены на с. 39—40. Номера выводов К122ТЛ1, отличающиеся от номеров аналогичных выводов микросхем КН8ТЛ1, указаны на принципиальной схеме ИМС КН8ТЛ1 в скобках. 122УД1А, 122УД1Б, 122УД1В, К122УД1А, К122УД1Б, К122УД1В Назначение области применения и способы включения микросхем 122УД1А (К122УД1А), 122УД1Б (К122УД1Б) и 122УД1В (К122УД1В) такие же, как и микросхем КН8УД1А, КИ8УД1Б, КН8УД1В. Номера выводов 122УД1 (К122УД1), отличающиеся от иомеров аналогичных выводов микросхем К118УД1, указаны на принципиальной схеме ИМС К118УД1 в скобках. Параметры1 Режим измерения 122УД1А К122УД1А 122УД1Б 122УД1В К122УД1В К122УД1Б Ку и (=12 кГц 15...26 24...40 24...40 15 22 22 RBX, кОм (=12 кГц 3...7 3...7 3...7 1 При температуре 25±10°С. 58 Остальные электрические параметры аналогичны соответствующим параметрам микросхем КИ8УД1А, К118УД1Б и КЙ8УД1В, приведенным на с. 40—41. 122УН1А, 122УН1Б, 122УН1В, 122УН1Г, 122УН1Д, К122УН1А, К122УН1Б, К122УН1В, К122УН1Г, К122УН1Д Назначение, области применения и способы включения микросхем 122УН1А (К122УН1А), 122УН1Б (К122УН1Б), 122УН1В (К122УН1В), 122УН1Г (К122УН1Г) и 122УН1Д (К122УН1Д) такие же, как и микросхем К118УН1А... КИ8УН1Д. Номера выводов 122УН1 (К122УН1), отличающиеся от номеров аналогичных выводов микросхем КН8УН1, указаны иа принципиальной схеме ИМС КИ8УН1 в скобках. Параметры1 Режим измерения 122УН1А 122УН1В 122УН1Б 122УН1Г Ку и f=12 кГц 40,0...800 500...1000 600... 1200 800... 1600 1 При температуре 25±10°С. Остальные электрические параметры аналогичны соответствующим параметрам микросхем КН8УН1А, К118УН1Б, КН8УН1В, КН8УН1Г и КИ8УН1Д, приведенным на с. 41—42. 122УН2А, 122УН2Б, 122УН2В, К122УН2А, К122УН2Б, К122УН2В Назначение, области применения и способы включения микросхем 122УН2А (К122УН2А), 122УН2Б (К122УН2Б) и 122УН2В (К122УН2В) такие же, как и микросхем КИ8УН2А, КН8УН2Б и КИ8УН2В. Номера выводов 122УН2 (К122УН2), отличающиеся от номеров аналогичных выводов микросхем КП8УН2, указаны на принципиальной схеме ИМС КН8УН2 в скобках. Параметры’ Режим намерения 122УН2А К1Й2УН2А 122УН2Б К122УН2Б 122УН2В К122УН2В Ку о f=12 кгЦ 20...40 30...60 45...90 15 25 40 1 При температуре 25 ±10 °C. Остальные электрические параметры аналогичны соответствующим параметрам микросхем КИ8УН2А, КИ8УН2Б и КИ8УН2В, приведенным иа с. 43—45. К122УП1А, К122УП1Б, К122УП1В, К122УП1Г Назначение, области применения, способы включения и основные электрические параметры микросхем К122УП1А, 59 К122УП1Б, К122УП1В и К122УП1Г такие же, как и микросхем КИ8УП1А, КН8УП1Б, КН8УП1В и КН8УП1Г. Параметры последних приведены на с. 45. Номера выводов микросхем К122УП1, отличающиеся от номеров аналогичных выводов микросхем КИ8УП1, указаны на принципиальной схеме ИМС КИ8УП1 в скобках. Серии 123, КР123 Микросхемы серий предназначены для использования в низкочастотных усилительных устройствах радиоэлектрбн-иой аппаратуры. Конструктивно оформлены в корпусе типа 401.14-3 (серия 123) или 201.14-1 (серия КР123). 123УН1, КР123УН1 Усилители низкой частоты, предназначенные для предварительного усиления низкочастотных сигналов в различных устройствах радиоэлектронной аппаратуры. Назначение выводов микросхем: 1 — вход; 2, 4, 5, 6, 12, 13 — технологические; 3, 7 — общие ( — Va п); 9 — выход; 10—питание ( + йк п). 9(3 9(2 а Рис. 1.30. Принципиальная схема (а) и схема включения (б) ИМС 123УН1, КР123УН1 Параметры* Режим измерения 123УНГА 123УН1Б 123УН1В КР123УН1А КР123УН1Б КР123УН1В В — 6,3±0,6 6,3±0,6 6,3±0,6 6,3±0,6 Лог, мА У, „ = 6,9 В <15 <15 <15 <15 Poor, мВт — <100 <100 <100 <100 К, и 1=1 кГц; 300, 5002 30 1202 300...5003 ЗО...12О3 /?н = 0,5 кОм Ю0...3503 100...3002 ДР} и, % То же, при: Т=125°С +25; -52 +20; — — + 20, —52 ~52 Т = 85°С — — +15; —53 +15; + 10; —53 -53 Г=-60°С -30; +52 —20; —20; +53 — 20; —25; + 5* +52 +53- 60 Продолжение Параметры' Режим измерения 123УН1А 123УН1Б 123УН1В КР123УН1А КР123УН1Б КР123УН1В Кг, % То же, при е/ип=5,7 В 2 2 2 5 Utu. max, В — 0,5 0,5 0,5 0,5 4/ц), мВ Ян = 0,5 кОм; Яг = 0,6 кОм 2 115 1 — — 1/4 Овх.япл» мВ — 0,07 0,15 0,33 — —- тин Ом /?вх, КОМ — 0,5 0,5 0,5 0,5 UBy = 1,5 мВ; Яв=0,5 кОм; Яг = 0,6 кОм 10 10 — — Яви, кОм U,x = 1 мВ; Як = 0,5 кОм; Я,=0,6 кОм — — 10 10 ^?вых, Ом /=1 кГц; Ян=0,5 кОм 100* 2 1002 1003 4 1003 /я, Гц То же 202 202 203 203 /в, кГц » 1002 ‘ При температуре 25±5°С. 1002 1003 1003 2 При 1Л„ = 0,8 В. 3 При t/.ых —0,5 В. 4 Относительная нестабильность Ку и при изменении температуры и питающего напряжения в допустимых пределах. 5 При соотношении сигнал/шум большем или равном 10. ^tbU, 8 U 4 2 too 6 4 2 to Рис. 1.31. Амплитудная (а) и частотные (б...г) характеристики ИМС К123УН1 при различных значениях емкости корректирующего конденсатора СЗ 61 Рис. 1.32. Частотные характеристики ИМС К123УН1 при различных значениях емкостей корректирующих конденсаторов, включенных между выводами 3—4 (а) или 4—5 (б) Ц)х £/. °—lb , 100MKF1R1 U 1,5 м V1.VS КП 103 -О +6,33 3 fj* uSw ЮОмк USt 01 sso ЮОнк. жг 15 к Ц 43 13 12 ” ?+Ц, 10 9 ЮОмк ад в ? з I с« -6,33 а г It ЮОмк ‘вх W =т=С2 ° й7ф50«« <г Рис. 1.33. Принципиальные схемы УНЧ с высоким входным сопротивлением (а) и усилителя с АРУ (б) на ИМС К123УН1 Серии 124, К124 Микросхемы серий предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре в качестве коммутационных элементов. Конструктивно оформлены в круглом металлостеклянном корпусе типа 301.8-2. 124КТ1, К124КТ1 Последовательные интегральные прерыватели, предназначенные для коммутации слабых сигналов постоянного и переменного токов. Применяются в разрядных ключах, преобразователях код-аиалог и аналог-код и в других электронных устройствах. 62 6 Рис. 1.34. Принципиальная схема (а) и схема включения (б) ИМС 124К.Т1, К124КТ1 Параметры1 Режим измерения 124КТ1А 124КТ1Б K124KTI {Уост^ МкВ /ы-|-/б2 = 2 мА; /э1Э2 = О 100 200 300 /ут, иА 1/э1Э2= ±30 В; 1/кы = 45 45 50 /?Э1Э2, Ом — £7кб2 = 0 /э1Э2= 100 мкА; /б14_^б2==:: 100 100 100 (7б1 + lb2}maxt =2 мА 25 25 25 мА /к тахл мА 32,5 32,5 /э тах> мА — 7,5 7,5 — V&B max, В — 32 32 32 (У&Б яшх, В — 25 25 — 1 При температуре 20±5 °C. 2 Ток утечки между эмиттерами. 3 Максимальные обратные напряжения. Серии 140, К140, КР140 Операционные усилители, предназначенные для усиления постоянного н переменного токов, построения решающих усилителей, балансных модуляторов, фазовых детекторов, аналоговых преобразователей и других узлов радиоэлектронной аппаратуры. 140УД1, К140УД1 Операционные усилители общего назначения. Вывод 4 соединяется с корпусом (общей точкой) или остается свободным. Соединение с корпусом используется при больших входных сигналах. При этом параметры схем оказываются очень чувствительными к асимметрии напряжений источников питания. При малых входных сигналах вывод 4 заземлять не рекомендуется. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 301.12-1. Параметры1 140УД1А 140УД1Б К140УД1А К140УД1Б К140УД1В В ±6,3 + 0,6 +12,6+ 1,3 +6,3±0,3 + 12,6+0,6 + 12,6±0,6 «Л„2, в — 6,3±0,6 —12,6±1,3-6,3±0,3 — 12,6+0,6 — 12,6+0,6 /„от, мА <4,2 <8 <4,5 <10 <10 63 Продолжение Параметру' 140УД1А Н0УД1Б К140УД1А 1 К14ОУД1Б К140УД1В /м, мкА CJ5 ^8 <:7 sC9 <го А/», мкА ±1,5 ±1,5 ±2,5 ±2,5 ±2,5 Сем, мВ ±7 ±7 ±7 ±7 7 В 3,5 8 3 6 6 ^вых, В —3 —6,3 —2,8 —57 —57 Ку и 900. 4000 2000. .10500 500. .4500 1350...8000 1350...8000 Аоссф, дБ >60 >60 >60 >60 >60 м/"- ±ж £б» нА/К/ЛГ’ ±3° ±3° ±5° ±50 ±50 НА/ 1\ кОм >5,05 >5,05 >5,05 >5,05 >5,05 °вмх, Ом ^700 ^700 °’2 °*5 °-2 °.4 0,4 В/мкс ,уст’мМгкс О’8 1 1.5 1,5 0,5 U ?Г“ В ^7 >5 >5 5/кп1тах, В 7 14 7 13 13 Vital min, В — —. 7 7 ^ип2 max, В — — £ у у UvnSmtn, В — — у “13 13 Иитох’ В ±1,5 ±1,5 ±1Д ±1>2 ±1,2 уСфвхтаЛВ ±3 ±6 ±3 ±6 ±6 <вх max, МА 1 J Iвы max, мА З2 З2 2,5 2 5 2 5 Iвых н max, 20 20 — * ’ мА 5 /?«min, кОм 5 5 5 5 5 и темперРатуреМ20±5И°С Зиачениях напРяжений источников питания Прн температуре до ±85 °C. Если температура выше, но не более 125 С, максимальный выходной ток уменьшается вдвое. f4nvnf5infnvn^ /альна* схема (а) н схема включения (б) ИМС 1чиуд1, К140УД1 (в скобках указаны номера выводов для ИМС КР140УД1) 64 Рис. 1.36. Частотная (а) н амплитудная (б) характеристики ИМС К140УД1: / вывод 4 заземлен, 2 — вывод 4 свободен Рис. 1.37 Зависимость выходных напряжений ИМС К140УД1 от напряжений источников питания (а) н сопротивления нагрузки (б) Рис 1.38. Зависимость коэффициента усиления (а) н коэффициента влияния напряжений источников питания иа напряжение смещения (б) ИМС К140УД1 от напряжений источников питания 3—2044 65 Рис. 1.39. Зависимость входного сопротивления ИМС К140УД1 от температуры Рис. 1.40. Зависимость напряжения шумов ИМС К140УД1 от частоты КР140УД1 Операционные усилители общего назначения. Отличаются от операционного усилителя К140УД1 типом корпуса (201.14-1). Электрические параметры интегральной микросхемы КР140УД1 аналогичны параметрам К140УД1. 140УД2, К140УД2А, К140УД2Б Операционные усилители общего назначения. Могут использоваться в качестве нуль-органов, интеграторов, логарифмических усилителей в аналоговых вычислителях и устройствах автоматики, усилителей постоянного и переменного токов в полосе частот до 1 МГц. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 301.12-1. Назначение выводов: 1—питание ( — UKBa); 2 — коррекция 1; 5 — выход; 7 — питание (4-l/„ni); 8 — коррекция 2; 9 — инвертирующий вход; 10 — неинвертирующий вход; 11 — коррекция 3; 12 — коррекция 4. R2 R2 Рис. 1.41. Схемы включения ИМС 140УД2 в режимах масштабного усилителя (а) и повторителя напряжения (б) Параметры1 14ОУД2 К140УД2А К140УД2Б ^ВП1, В + 12,6 ±0,6 + 12,6 ±0,6 + 6,3 ±0,3 £/цп2» В — 12,6 ±0,6 -12,6 ±0,6 — 6,3 ±0,3 /пет мА <8 <16 <10 /«„ мкА <0,7 <0,7 <0,7 Д/вх, мкА <0,2 <0,2 <0,2 66 Продолжение Параметры* Н0УД2 К140УД2А К140УД26 Па,. МВ ±5 ±5 ±7 (Л& в ю2 10 3 util В — 103 — 10 — 3 К,м 35 000... 150 000‘ 35 000 3000 дь >80 >80 >80 Д£/С„/ДТ мкВ/К <20 <20 <20 Р„, кОм >1 >1 >1 С„, пФ < 100 /?.«, МОм I't'.ux- В/мкс >0,3 >0,3 >0,3 >0,4 >0,12 >0,12 h, МГц >2 >2 >2 1 При номинальных значениях напряжений источников питания, температуре 20±5 °C и ₽и = 1 кОм. 2 При 1/,к< — Ю мВ. 3 При £/„>10 мВ. 4 На частоте 200 Гц. Рис. 1.42. Зависимость коэффициента усиления ИМС 140УД2 от напряжений источников питания (а) и температуры (б) Рис. 1.43. Частотные характеристики ИМС 140УД2 при коэффициентах усиления 1, 10 и 100 Рис. 1.45 Зависимость входных токов ИМС 140УД2 от напряжений источников питания (а) и температуры (б) Рис 1.44 Зависимость входного сопротивления ИМС 140УД2 от напряжений источников питания 67 140УД5А, 140УД5Б, К140УД5А, К140УД5Б Операционные усилители ойцего назначения с высокоомными (140УД5А, К140УД5А) или ннзкоомнымн (140УД5Б, К140УД5Б) входами, наиболее высокочастотные, с повышенным значением скорости нарастания выходного напряжения. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 301.12-1. Назначение выводов: 1— питание ( —(Л.па); 2, 3, 6,12 — коррекция; 4 — контрольный; 5 — выход; 7 — питание (+ £Л.п); 8 — инвертирующий высокоомный вход; 9 — инвертирующий низкоомный вход; 10 — неинвертнрующий низко-омный вход; 11 — неинвертнрующий высокоомный вход. Рис. 1.46. Принципиальная схема ИМС 140УД5, К140УД5 (а) и типовые схемы ее включения: б — высокоомная, в — ннзкоомная Параметры' 140УД5А 140УД5Б К14ОУД5А К140УД5Б 1/,пь в 4-12±1,2 +12± 1,2 4- 12± 1,2 + 12± 1,2 -12±1,2 —12± 1,2 —12± 1,2 —12± 1,2 /пот> мА <10(6) <10(6) < 12 <12 /„, мкА < 1(0,8) <5,1(3,6) <5 <10 Д/„, мкА ±0,2 ±1,5 ± 1 ±5 мВ ±0,7 ±4,5(5) ±10 ±5 ош в 6(2,5) 6(2,5) 6 6 В — 4(—2,5) —-4(—-2,5) -4 -4 К. и 1500...125 000 2500... 19 000 >500 >1000 (750...4000) >502 (1300...7000) >602 >50 >60 даси/дт, ±45(65) ±60(102) ±503 ±103 мкв/К АД7.х/ДГ, ±1,5 ±6(5,5) ±53 ±103 мА/К Я.х, кОм 100(150) 10 50 3 68 Продолжение Параметры 140УД5А 140УД5Б К14ОУД5А К14ОУД5Б /?вых> кОм 0,7 0,7 1 1 Уиви.- В/мкс 6(3) 6(3) 6 6 /1. МГц 15(10) 15 14 14 Uвх.тах» В ±3(±1,5) ±3(±1,5) ±3 ±3 С^сф.вх.таж, В ±6(±3) ±6(±3) ±6 ±6 вых.max* мА — —— 3 3 /вых.и.тах* мА — — 204 204 1 При температуре 25 °C н номинальных значениях напряжений источников питания ±12 В (в скобках приведены значения параметров при напряжениях источников питания 6±0,6 В) 2 Прн температуре —60.. +125 °C. 3 Прн температуре —45.. -j-85°C. 4 При /« = 30 мкс н скважности ?^10. Рис. 1.47 Частотные характеристики ИМС 140УД5, К140УД5 в режиме масштабного усилителя для иизкоомного (а) и высокоомного (б) Рис. 148. Зависимость напряжения смещения ИМС 140УД5, К140УД5 от напряжений источников питания (а) и температуры (б) 69 Рис. 1.49. Зависимость входных сопротивлений ИМС 140УД5, К140УД5 от напряжений источников питания для высокоомного (а) н ннзкоомиого (б) входов Рис. 1.51. Зависимость напря- Рис. 1.52. Зависимость коэффи-жеиия шумов ИМС К140УД5 от циеита влияния напряжения частоты источника питания ИМС К140УД5 иа напряжение смещения от напряжений источников питания 70 Ом 160 150 140 ±5 ±7 ±8 ±11 Ои.п.В Рис. 1.53. Зависимость выходного сопротивления ИМС К140УД5 от напряжений источников питания (а) и температуры (б) 140УД6А, 140УД6Б, К140УД6.140УД7, К140УД7 Операционные усилители общего назначения с внутренней частотной коррекцией и защитой выхода при коротких замыканиях нагрузки. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 301.6-2. Рис. 1.54. Схемы включения ИМС 140УД6, К140УД6 (а) и 140УД7, К140УД7 (б) и схема их включения в режиме масштабного усилителя (в) (С« — корректирующий конденсатор для ИМС 140УД7, К140УД7, предназначенный для увеличения скорости нарастания выходного напряжения) Параметры* 140УД6А 140УД6Б К140УД6 140УД7 К140УД7 Г/и.пЬ В -Ь 15± 1,5 +15± 1,5 15 i 1,5 +15± 1,5 +15± 1,5 В —15±1,5 —15±1,5 -15± 1,5 -15± 1,5 —15± 1,5 <2,8 <2,8 <2,8 <2,8 <2,8 нА <30 <50 <100 <200 <400 Д/.х, нА <10 <15 <25 <50 <200 1/сн, мВ ±5 ±5 ±10 ±9 Ky.U >70 000 >50000 >30 000 >50 000 >30 000 Кос.сф» дБ >80 >70 >70 >70 >70 Д1/см/дт, ±20 ±40 ±20 —— ±6 мкВ/К ДД/.х/ДТ, ±0,1 ±0,3 ±0,1 — нА/К 71 Продолжение Параметры* 140УД6А 140УД6Б К140УД6 140УД7 К14ОУД7 ₽М) МОм Уц..., >3 >2 >1 >0,3 >0,4 2,5 2 2 0,3 10 В/мкс fi, МГц 1/Й2, В иЫ, в 1 1 1 0,8 0,8 12 12 11 11,5 10,5 — 12 — 12 -11 — 11,5 — 10,5 (Лф вх max, В ±11 ±11 ±15 ±12 ±12 1 При температуре 25±5°С и номинальных значениях напряжений источников питания ± 15 В. Рис. 155. Зависимость коэффициента усиления (а), коэффициента влияния нестабильности напряжения источника питания иа напряжение смещения и потребляемого тока (б), входного и выходного сопротивлений (в) ИМС 140УД6 и К140УД6 от напряжений источников питания Рис. 1.56 Зависимости входных токов (а), разности входных токов (б) от температуры и выходных напряжений (в) от сопротивления нагрузки ИМС 140УД6 и К140УД6 72 Рис. 1.57. Зависимости коэффициентов усиления ИМС 140УД7, от частоты (а) и напряжений источников питания (б) 1409Д7 5±10°С ±5 ±10 r ±15 Олп,В о Рис. 1.58. Зависимость входного сопротивления ИМС К14ОУД7 от температуры Рис. 1.59. Зависимость выходных напряжений ИМС К14ОУД7 от сопротивления нагрузки Рис. 1.60. Зависимость частоты единичного усиления ИМС К140УД7 от температуры и напряжения питания 140УД8А, 140УД8Б, К140УД8А, К140УД8Б, К140УД8В Операционные усилители общего назначения с полевыми транзисторами во входном каскаде и внутренней частотной коррекцией. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 301.8-2. Назначение выводов: 1 — корпус; 2, 6 — балансировка; 3 — инвертирующий вход; 4 — неиивертирующий Вход; 5 — питание ( — U„ па); 7 — выход; 8—питание (+ (/и п) • 73 Рис. 1.61. Принципиальная схема ИМС 140УД8, К140УД8 (а) и схема RC-генератора гармонических колебаний (б) на ее основе о8 Параметры1 14ОУД8А 140УД8Б К14ОУД8А К140УД8Б К140УД8В t/нлЧ, В + 15 ±15 + 15 + 15 + 15 £/«2» В -15 -15 -15 -15 ' — 15 Алот мА 5 5 51 2 52 52 Авх> нА <0,2 <0,2 <0,2 <0,2 <0,2 АА«х» нА <0,15 <0,15 <0,02 <0,05 <0,02 £Асы» мВ <20 <100 <50 <100 <150 М+>, в 10 10 10 10 10 ifai, в -10 -10 — 10 — 10 -10 Ку и >50 000 >50 000 >50 000 >20 000 >10 000 Аос.сф» дБ >64 >64 >70 >70 >64 ДУсм/АГ. 50 100 150 мкВ/К МОм 10003 10003 10003 -/?вых» Ом — — 2003 2003 2003 Vum, 5 10 2 5 2 В/мкс л, МГц 1 1 1 1 1 U вх max, В — 10 10 10 Осф вх.тах, В ±10 ±10 ±10 ±10 ±10 Кн.т1п, кОм 2 2 2 2 2 Св-maxt пФ 100 100 100 100 100 1 Прн температуре 25 °C и номинальных значениях напряжений источников питания ±15 В. 2 Прн температуре —45 °C и +70 °C /пот=8 мА. 3 На постоянном токе. 74 Рис. 1.62. Зависимости коэффициента усиления и максимального выходного напряжения ИМС К140УД8 от частоты (а), напряжений источников питания (б) н сопротивления нагрузки (в) 140УД9 Операционный усилитель общего назначения с защитой от перенапряжения по входу и коротких замыканий в нагрузке. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 301.12-1. Рис. 1.63. Схемы включения ИМС 140УД9, К14О1УД9 без обратной связи (а) н с обратной связью (б) l/..ь в п2, В /дОТ, МА /•>, нА А/.., нА Пси, мВ uttl, в И, В + 12,6± —12,6± <8 <350 ±100 ±5 102 —102 1,26 1,26 Kj.U дБ Д£7 см/ДГ, мкВ/К Vu-. В/мкс Rn, кОм /уст. МКС Rn, кОм >35 000 > 803 ±20 >0,54 300 <1,5 >1 Си max пФ fi, МГц 100 1 При температуре 25 ±5 °C и /?»=1 кОм. 2 При U„ = ± 10 мВ. 3 На частоте 200 Гц. 4 При l/вх и = 6 В; = 100 мкс; f = 0,2...1,5 кГц; Л1ар^0,5 мкс. 75 140УД10 Быстродействующий операционный усилитель с высокой стабильностью параметров во всем диапазоне питающих напряжений и защитой выходного каскада от перегрузки в режиме короткого замыкания выхода. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 301.8-2. Рис. 1.64. Схемы включения ИМС 140УД10 с частотной коррекцией, используемой для уменьшения времени установления (а) н для увеличения скорости иарастаиия выходного напряжения (б) 0..,. В U.a. В /нот, мА нА А/„, нА Ку и Кос сф, дБ 4-5.. 4-16 — 5.. - 16 8 250 50 50 80 В/мкс МОм оф тех, В /| МГц 4-501, — 20* 1 11,5 15 1 Плюс для положительного выходного напряжения, минус — для отрицательного. Примечание. Значения параметров приведены прн температуре 25±5°С н напряжениях источников питания 4-15 В н —15 В. К140УД11 Быстродействующий операционный усилитель с защитой от перенапряжения по входу и коротких замыканий в нагрузке. Микросхема конструктнвнотэформлена в корпусе типа 301.8-2. 76 Рис. 1.65. Схемы включения ИМС К140УД11 в режиме масштабного усилителя (а) и повторителя напряжения (б) У»П|. В и. В /лот» мА /ж, мкА д/ая, МкА Пси* мВ №2, в + 15‘ —15‘ <10 0,5 ±0,2 ±10 12 №2, в Ку и Кое сф» ДВ ки„!кт, мкВ/К пуа, В/мкс -12 >25 000 >10 70 502 Ц/ых. В/мкс /ах мах» М2 /ь МГц Ла я»2я» кОм 202 <10 ±15 >5 2 1 Микросхемы нормально работают прн любых напряжениях источников питания в пределах от ±5 до ±18 В. 2 Прн 2М=1,5...3 мкс; f=50...300 кГц; 2вар<20 мс. Примечание. Значения параметров приведены прн напряжениях источников питания ±15 В, температуре 25±5°С и сопротивлении нагрузки 2 кОм. .у t 61*2,0 + 1/И.П 1 . I L— 140УД12, К140УД12 Мнкромощные операционные усилители с регулируемым током потребления и защитой выхода от коротких замыканий в нагрузке. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 301.8-2. VtK2 3 О----2 + 71 81 2 Г 1 Балансировка ~uu.nZ Рис. 1.66. Функциональная схема включения ИМС 140УД12, К140УД12 Убыл 77 Параметры* Режим измерения К140УД12 140УД12 £Лп1, В + 15± if + 15±;26 t/и П 1* В / пот» мА — + 15±|?6 -15+Рд /в = 1,5 мкА; 1/ВЫх = (0 ± 0,1) В 0,03 0,03 /вх, нА /в = 1,5 мкА; 1/вых =(0±0,1) В ю2 7,5 Д/.х, нА /в = 1,5 мкА; 1/,ых =(0±0.1) В 62 3 UcMt мВ иЩ, в /ЛыА в /в=1,5 мкА; 1/Вых=±0,1 В ±6 ±5 /в=1,5...15 мкА; (Лх=±0,1 В 10 13 /в=1,5...15 мкА; 1/вх = ±0,1 В -10 — 13 Ку и /в=1,5...15 мкА; 1/вых=±Ю В 50 000 50 000 Кос сф» дБ /в=1,5...15 мкА; Uex = = ±(1...1О) мВ 70 — ₽вх, МОм /в=1,5 мкА; (Л„ = ±(3...15) В 503 50 ₽вых, кОм /в=1,5 мкА; (Л„=±(3...15) В 53 10 В/мкс — 2 —- Uсф вх max, В —- ±15 —- вахтах, В —— ±30 — /в max» мкА —— 200 — mta» кОм —— 5 —- Он max, пФ — 100 — 1 При температуре 25 ±5 °C н номинальных значениях напряжений источников питания ±15 В. 2 При напряжениях источников питания ±(3... 15) В. 3 При /в = 15 мкА; ₽.х = 5 МОм; ₽»Ых = 1 кОм. Сопротивление резистора Ri зависит от напряжения источников питания н тока /а, протекающего через вывод 8 микросхемы. Величина сопротивления в мегаомах для двух значений тока /«определяется по следующей таблице: и. ., в ±1.5 ± 3 ±6 ±15 ±18 /8=1,5 мкА 1,69 3,61 7,5 20 24 /в=15 мкА 0,169 0,361 0,75 2 2,4 Для других значений тока h н напряжений источников питания сопротивление резистора Rt рассчитывается по формуле _ 1- I — 1/нпг|—0,7 ** =---------------------. При включении резистора Rt между выводом 8 микросхемы н общей точкой его сопротивление определяется по формуле - (Л ..1-0,7 А. =-----:------. 78 140УД13 Прецизионный усилитель постоянного тока типа МДМ на МДП-транзнсторах, предназначенный для использования в контрольно-измерительной аппаратуре повышенной точности; решающих усилителях аналоговых вычислительных машин; различной электронной аппаратуре как самостоятельно в качестве дифференциального УПТ с небольшим коэффициентом усиления, так и совместно с серийными ИМС в качестве низкочастотного компаратора и высокочувствительного операционного усилителя; прецизионных приборах физического эксперимента; бномеднцнискнх приборах с высоким подавлением синфазных составляющих. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 301.8-2. Назначение выводов: 1 — общий; 2 — инвертирующий вход; 3 — ненн-вертнрующнй вход; 4 — питание (— U„ па); 5 — демодулятор; 6 — выход; 7 — питание (+ Utt ni); 8 — емкость генератора. Демодулятор Выход,, $ сгщйх Рис. 1.67. Функциональная схема включения ИМС 140УД13, К140УД13 1/..I, в п2> В /вот» мА /»я» нА яЛ Uctlt мкВ ДУси/ДГ, мкВ/°С ±15±1,5 —15±1,5 <2* <0,4 <0,2 <50 <0,5 Ку и Кос сф, дБ ₽вх,МОм ₽выв, кОм Ни п max, В I (7сф вх max, В >10 >90 >50 <10 ±18 ±10 1 По каждому источнику питания. Примечание. Значения параметров приведены при температуре 25 °C н номинальных напряжениях источников питания ± 15 В. Максимальные дифференциальные напряжения и напряжения на входах интегральных микросхем относительно корпуса составляют не более ±10 В. Верхняя граничная частота предусилителя fB определяется по формуле 2лЛфСф' Прн этом должно соблюдаться неравенство где частота модуляции /гт=1 кГц. 79 Корр&кцил ° в + +Uuni -Umz Рис. 1.68. Функциональная схема включения ИМС 140УД14 140УД14А, 140УД14Б. 140УД14В Прецизионные- операционные усилители с малыми входными токами и малой потребляемой мощностью с защитой выхода прн коротком замыкании на корпус или на источник питания. Коррекция АЧХ осуществляется внешними цепями коррекции, подключаемыми к выводам 1 и 8. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 301.8-2. 1/..!, В и,.,, в Лют» мА нА Д/ап нА и„, мВ (ЛИ, в (ЛИ, В + 15±1,5 —15±1,5 0,6 2 0,2 ±2 13 -13 Ку и Кос сф, дБ МОм Vi/.-., в/мкс Мз, МГц 50 0001 85 зо2 0,052 0,33 1 Для ИМС 140УД14В К, и = 2000. 2 Для ИМС 140УД14Б. 3 Для ИМС 140УД14А и 140УД14Б. Примечание. Значения параметров приведены при температуре 25 ±5 °C. 140УД17А, 140УД17Б Прецизионные операционные усилители прямого усиления, предназначенные для устройств, обеспечивающих малые статические ошибки измерительных усилителей с высоким коэффициентом усиления, прецн- Рис 1.69. Схема внешней балансировки ИМС 140УД17 знойных интеграторов, сумматоров н т. п. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 301.8-2. Назначение выводов: 1, 2 — балансировка; 3 — инвертирующий вход; 4 — неннвертирующнй вход; 5 — питание ( — 6 — свободный; 7 — выход; 8 — питание (+ 80 Тип ИМС Ц..1, В </..>, В /в9Т( МА /вх* кА А/t>t нА ЛА/../ЛТ нА/“С 140УД17А ±15±1,5 -15±1,5 <4 ±2 <2 <25 140УД17Б +15±1,5 —15±1,5 <4 ±2 <2,8 <50 17СИ| мкВ мкВ/'С Ку У в /К Q вых max* Vu..„ В/мкс <0,6 <1,3 >300 000* >200 000* >0,1 * >0,1* /ерз, МГц Кое сф» дБ Utx max, В С^сф вх max, В Un п mht, В а «пах» В >0,4 >110 <±30 <±22 ±3 ±22 >0,4 >110 <±30 <±22 ±3 ±22 * При Ял >2 кОм. Примечание. Значения параметров приведены при температуре 25 °C и номинальных напряжениях источников питания ± 15 В. 140 УД 20 А, 140УД20Б Сдвоенные операционные усилители с внутренней частотной коррекцией и защитой выхода и входа от перегрузок. Предназначены для использования в различных узлах радиоэлектронной аппаратуры — активных фильтрах, сумматорах, интеграторах, мультивибраторах и т. п. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 201.14-10. Назначение выводов: 1(7) — инвертирующий вход первого (второго) ОУ; 2(6) — неинвертирующий вход первого (второго) ОУ; 3, 14(8, 5) — балансировка первого (второго) ОУ; 4 — питание ( — £Лп2, общий); 9(13) — питание ( + второго (пер.-вого) ОУ; 10(12) —выход второго (первого) ОУ. Рис. 1.70. Принципиальная схема первого ОУ (а) и схема внешней балансировки каждого усилителя (б) ИМС 140УД20 (в скобках указаны номера выводов второго ОУ) 81 47..I, в U...2, в 7вот» мА нА Д/a», нА нА/вС Ki.и 77tM> мВ + 15±1,5 —15±1,5 <2,8 < 200 <50 >0,5* 50000 <±5 Д^ем/АГ, мкВ/*С ТСоссф» ДБ в В В/мкс 7?1х* МОм >2‘ >70 11,5 -11,5 >0,3 >0,4 Улл мМ| В Un в щах» В mux» В Uc^ в* max» В Rh, кОм /выд.лах» мА ±5 ±18 ±30* ±45 >2 8 Св.0|ая,„ НФ Pntii МВТ <100 250 1 Только для 140УД20А; для 140УД20Б ие нормируется. Примечание. Значения параметров приведены при температуре 25 °C и номинальных напряжениях источников питания ±15 В. Рис. 1.71. АЧХ ИМС 140УД20 140МА1А, 140МА1Б, К140МА1А, КР140МА1А Балансные модуляторы (пере-множители), предназначенные для различных узлов радиоэлектронной аппаратуры (умножителей, широкополосных смесителей, фазовых и амплитудных детекторов, схем деления и извлечения квадратного корня и т. д.). Микросхемы 140МА1А,Би К140МА1А конструк-, тивно оформлены в корпусе типа 301.12-1, микросхема КР140МА1А — в корпусе типа 201. 14-1. Назначение выводов (в скобках указана нумерация выводок для ИМС КР140МА1А): 1(4)— питание ( —(/„.„г); 2(5), 12(2) — 82 смещение; 3(6) — инвертирующий вход управляющего сигнала; 4(7), 10(14) — регулировка усиления; 5(8) — неинвертирующий вход опорного сигнала; 6(9) — неинвертирующий вход; 7(10) — питание ( + £/,.„]); 8(12)—инвертирующий вход; 9(3) — инвертирующий вход опорного сигнала; 11(1) — неинвертирующий вход управляющего сигнала. Рис. 1.72. Принципиальная схема (а), схема включения (6) и графики напряжений по входам н выходам (в) балансного модулятора 140МА1, KI40MA1 R1110O -L Рис. 1.73. Схема широкополосного смесителя иа ИМС К140МА1 83 Параметры1 Н0МА1А 140МА1Б KI40MA1 KPI40MAI //,„>, в В + 6 + 12 + 12 + 14 -6 -12 — 12 -14 /пот (по цепи источника U, ni), мА <5,1 <5,1 <5,3 <5,3 /пот (по цепи источника Ua П2), мА <7,4 <7,4 <7,3 <7,3 /вх упр, МКА <12 <12 < 15 <15 /вхоп, МКА <40 <40 <40 <50 Л/вхупр, мкА <3 <5 ^5 <8 <8 <12 <12 Uctt упр» мВ ±20 ±20 ±20 ±30 ±10 ±10 ±14 ±14 t/ост упр* мВ <1,5 <1,5 <2 <2 <4 <4 <10 <10 и,м, в <3 <3 <2,8 <2,8 Ki и >2,9 >2,9 >2,8 >2,8 /?вх упр (Лвхоп)» кОм — — >20 — 1 При температуре 25±5 °C. Рис. 1.74. Зависимости потребляемого (а) и входного (б) токов ИМС К140МА1 от напряжений источников питания Рис. 1.75. Зависимости входного сопротивления (а) и напряжения шумов, приведенного ко входу (б) ИМС К140МА1 84 140ХА1 Фазочувствительиый усилитель-преобразователь, предназначенный для использования в различной радиоэлектронной аппаратуре. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 301.12-1. Назначение выводов: / — питание (— U„nz), 2 — вход 2 демодулятора; 3 — опорное напряжение; 4 — выход 2 демодулятора; 5 — выход 1 демодулятора; 6 — вход 1 демодулятора; 7 — питание ( + ^ИП|); 8 — общий; 9 — выход 1 дифференциального усилителя; 10 — вход 1 дифференциального усилителя; 11 — вход 2 дифференциального усилителя; 12 — выход 2 дифференциального усилителя. Рис 176. Функциональная схема (а) и схема включения (6) ИМС 140ХА1 в режиме фазочувствительного усилителя-преобразователя: / дифференциальный усилитель, 7/ — демодулятор, 7/7 эмиттериый повторитель В №2. в ии. в ДО,. мВ + 6,3±0,6 — 6,3±0,6 <8' ±20' <1,8' >-1,8' ±15' 900.. 1500' кОм £/вых> мВ Uщ max, В 7A»n max, В >4 <50 ±1,5 ±1,9 1 На частоте 20 кГц. Примечание. Значения параметров приведены при температуре 25 ±5 °C и номинальных напряжениях источников питания ±6,3 В. 85 Рис. 1.77. Зависимости коэффициента преобразования ИМС 140ХА1 от частоты опорного сигнала fa), амплитуды опорного сигнала (б) и температуры (в) при СЗ = С4 = С5 = 0,015 мкФ; (Л>л=1,2 В; fan = 20 кГц -SO -20 0 20 60 Ю0 ГД в Рис. 1.7В. Зависимости максимального выходного напряжения от сопротивления нагрузки fa) и температуры (б) и температурная зависимость напряжения смещения (в) ИМС 140ХА1 Серии 142, К142 Микросхемы серий представляют собой.наборы различным образом включенных диодов, а также регулируемые и нерегулируемые интегральные стабилизаторы напряжения. К142НД1, К142НД2, К142НДЗ, К142НД4, К142НД5 Наборы диодов, используемые в радиоэлектронной аппаратуре для построения выпрямителей переменного напряжения. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 402.16-2. 4>h- -Ч^ь- Чо б Рис. 1.79. Схемы подключения диодов в ИМС 142НД1 fa), 142НД2 (б), 142НДЗ (в), 142НД4 (г), 142НД5 (д) 86 Параметры Режим намерения Значения //др,ср» В /пр,ер = 500 мА; //„.„ер=50 В; /=50 Гц 1,2 ±0,06 /обрлр> мкА Uvxrtp.max, В /пр.ср=500 мА; {/».овр=50В; f=50 Гц 100±10 f < 100 кГц для любой ИМС 50 /ftp.cp.ntax» мА /<100 кГц для одного диода (остальные диоды ИМС находятся в нерабочем состоянии) /<50 кГц; р=67-104...3-105 Па; 50 500 /пр.ср max, мА /пр.м.тах» мА Г =—60... 4-55 °C /=100 кГц; р=67-104...3- 10s Па; Т= —60...4-55 °C Импульс тока прямоугольной формы: 5 МКС С /пар <0,1 /и; /»=1С То же, при /п=0,5 с 250 3/прср.твх Ю/пр.ср.тах Примечание. Допускается работа интегральных микросхем иа емкостную нагрузку при условии, что (/„.оврС ^и.обр.па* и /пр <1,57 /пр.ср. Рис. 1.80. Типовая ВАХ диодов ИМС 142НД1...142НД5 в схеме однофазного однополупериодного выпрямления напряжении на частоте 50 Гц: а — прямая ветвь; б — обратная ветвь Рис. 1.81. Типовая ВАХ диодов ИМС 142НД1...142НД5: а — прямая ветвь; б — обратная ветвь 87 142ЕН1А, 142ЕН1Б, К142ЕН1А, К142ЕН1Б, К142ЕН1В, К142ЕН1Г, 142ЕН2А, 142ЕН2Б, К142ЕН2А, К142ЕН2Б, К142ЕН2В, К142ЕН2Г Стабилизаторы напряжения с регулируемым выходным напряжением, используемые в различней электронной аппаратуре. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 402.16-2. Назначение выводов: 2—фильтр шума; 4 — вход 2; 6 — опорное напряжение; 8 — общий; 9 — выключатель; 10, II—защита по току; 12— регулировка выходного напряжения; 13—выход 1; 14—выход 2; 16—вход 1. Тип ИМС в В /н, мА Ррвс> Вт, при Г = 25 °C Кнс % Кк1. % ном max 142ЕН1А 3...12 10...20 50 150 0,8 0,3 — 142ЕН1Б 3...12 Ю...20 50 150 0,8 0,1 — К142ЕН1А 3...12 10...20 50 150 0,8 — 0,5 К142ЕН1Б 3...12 10...20 50 150 0,8 — 0,2 К142ЕН1В 3...12 10...20 50 150 0,8 0,5 2 К142ЕН1Г 3...12 10...20 50 150 0,8 0,5 1 142ЕН2А 12...30 20...40 50 150 0,8 0,3 — 142ЕН2Б 12...30 20...40 50 150 0,8 0,1 — К142ЕН2А 12...30 20...40 50 150 0,8 — 0,5 К142ЕН2Б 12...30 20...40 50 150 0,8 — 0,2 К142ЕН2В 12...30 20...40 50 150 0,8 0,5 2 К142ЕН2Г 12...30 20...40 50 150 0,8 0,5 1 Рис. 1.82. Принципиальная схема ИМС 142ЕН1, 142ЕН2, К142ЕН1, К142ЕН2 (а) и схема ее включения (б) для повышения КПД 88 Рис. 1.83. Основная схема включения ИМС 142ЕН1, 142ЕН2, К142ЕН1, К142ЕН2 (а) и ее нагрузочные характеристики при различных сопротивлениях датчика тока R3 (б) Рис. 1.84. Схемы повышения выходного тока ИМС 142ЕН1, 142ЕН2 и К142ЕН1, К142ЕН2 с помощью внешних транзисторов п — р — п, (а) Рис. 1 86. Схема включения ИМС 142ЕН1, 142ЕН2 и К142ЕН1, К142ЕН2 с раздельным питанием Рис. 1.85. Схема включения стабилитрона в цепь ОС ИМС К142ЕН1, К142ЕН2 89 МД226$ ГН V2 МД22В | Id "[ R33 ' UNCI l^llSItr-1— ^йГ™ «Зж1 ’тГ~,С10,1н pw '20к ЛУЧ '1,гк 10mk I № $—« W1C4 Xl-J 13 czojmkI/WO Рис. 1.87. Схемы включения ИМС 142ЕН1, 142ЕН2 и К142ЕН1, К142ЕН2 с взаимной компенсацией выходного напряжения (а) я с регулируемым выходным напряжением в широких пределах (б) Рис. 1.88. Схема стабилизатора напряжения с повышенной нагрузочной способностью на ИМС К142ЕН2Б Рис. 1.89. Схема стабилизатора напряжения отрицательной полярности на ИМС К142ЕН1, К142ЕН2 К142ЕНЗ, К142ЕН4 Регулируемые стабилизаторы напряжения повышенной (по сравнению с К142ЕН1 и К142ЕН2) мощности с системой защиты от перегрева и перегрузки по току1 и возможностью выключения внешним сигналом. Конструктивно оформлены в корпусе типа 4116.8-2. Назначение выводов: 2 — вход системы защиты; 4 — вход сигнала обратной связи; 6 — цепь выключения; 8 — общий; 11, 17—коррекция; 13 — выход; 15 — вход. Параметры Режим измерения К142ЕНЗ К142ЕН4 Uax.mint В Иях.тах, В Ibmxmox, мА Ках.и, % Ррас -С Ррас max >9 >9 Ррас Рр&е.тах <45 <45 Р рас <Ррас.тах <1000 ^^1000 (Л, =45 В; П,их=30В; У,И1=10мА <0,05 <0,05 90 Продолжение Параметры Режим измерения К142ЕНЗ KU2EH4 Кнс/» % Uas= 19 В; {/,В1=15В; /ВЫх = 0,1 А <0,25 <0,25 п 2 °/ /аС С*т вых * /0 / Г7вх=2ОВ; /ВИх=Ю мА <0,25 <0,25 t/пад muit В t7BX== 19 В; £/,ых=16 В; /выв=1 А <0,3 — (/вх — 19 В; t/вых — 15 В; I вых ~ 1 А — Уш*, в 3...30 3...30 Трастах» Вт (7.x <30 В <6 <6 30 В<С7вх<45 В <4 4 1 При срабатывании системы защиты от перегрузки по току выходное напряжение уменьшается почти до нуля. В случае срабатывания системы тепловой защиты повторное включение стабилизатора возможно только при остывании микросхемы. г Температурный коэффициент напряжения. 3 Минимальное падение напряжения на стабилизаторе. 5 Рис. 1.90. Типовые схемы включения стабилизаторов К142ЕНЗ и К142ЕН4, разработанных до 15.12.1982 г. (а) и после 15.12.1982 г. (б) 91 Рис. 1.91 Зависимости рассеиваемой мощности от температуры корпуса стабилизаторов К142ЕНЗ и К142ЕН4, разработанных до 15.12.1982 г (а) н после 15.12.1982 г (б) Штриховая линия соответствует работе микросхемы без радиатора Рис 1.92. Схемы включения ИМС 142ЕНЗ и 142ЕН4 без умощнения (а) и с дополнительным транзистором V71 для умощнеиия f6) Рис. 1.93. Типовая схема включения ИМС 142ЕН5, К142ЕН5 142ЕН5А, 142ЕН5Б, К142ЕН5А, К142ЕН5Б, К142ЕН5В, К142ЕН5Г Фиксированные стабилизаторы напряжения, предназначенные для вторичных источников питания. Конструктивно оформлены в прямоугольном металлокерамическом корпусе типа 4116.4-1 92 Параметры Режим намерения 142ЕН5А 142ЕН56 Кки, % Kia, % Увх — Ю В; t/вых 10 В .Л /вых 10 мА 0,05 У.х=^ТВПХ^х = 9,3 В 3 0,05 3 142ЕН6А, 142ЕН6Б Двухполярные стабилизаторы напряжения с фиксированным выходным напряжением. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 4116.8-2. Назначение выводов; 2 — регулировка; 4 — выход (Дых5; 6 — вход 8 — общий; 11, 17 — коррекция; 13 — выход (Д^5; 15 — вход (Д15. Рис. 1 94. Типовая схема включения ИМС 142ЕН6 (А, Б) Параметры Режим измерения 142ЁН6А 142ЁН6Б Кки, % (ДР=20В; Ux-)=—20В; /,ых = 5мА 0,0015 0,005 % tAt> = 20B; (Дт>=-20В;/,ых=5мА 0,2 0,2 Примечание. Уровень выходного напряжения регулируется путем изменения управляющего напряжения, подаваемого иа вывод 2 микросхемы. К142ЕН8А, К142ЕН8Б, К142ЕН8В, К142ЕН8Г, К142ЕН8Д, К142ЕН8Е, КР142ЕН8А, КР142ЕН8Б, КР142ЕН8В, КР142ЕН8Г, КР142ЕН8Д, КР142ЕН8Е Микросхемы представляют собой стабилизаторы напряжения с фиксированными выходными напряжениями и защитой от перегрузок по току. Микросхемы К142ЕН8А... К142ЕН8Е, конструктивно оформленные в корпусе типа 4116.4-2, предназначены только для экспериментальных работ, а микросхемы КР142ЕН8А...КР142ЕН8Е, выполненные в корпусе типа КТ-28-2, применяются в серийной аппаратуре. Назначение выводов: 2 — выход; 8 — общий: 17 — вход. 93 Рис. 1.95. Принципиальная схема (а), схема включения (б) и частотные характеристики коэффициента сглаживания пульсаций выходного напряжения (в) ИМС К142ЕН8, К142ЕН9 Параметры Режим измерения KI42EH8A К142ЕН8Б KI42EH8B KPI42EH8A КР142ЕН8Б КР142ЕН8В t/вых, В (7вх = 2О В; /вых = 10 мА 9 ±0,27 12 ±0,36 15 ±0,45 Анс</, % /В и„ = 20 В; /вых = 10 мА <0,05 <0,05 <0,05 Кнс /» % /А и„ = 12 В <0,67 — — и„ = 15 В — <0.67 — и„ = 18 В — — <0,67 ткн, %/°С и., = 20 В; /вых = 10 мА <0,02 <0,02 <0,2 т =* — 45...85 °C t/вх maxt В т= -45... 100 °C <35 <35 <35 /вых maxt А т= — 25...70 °C <L5 < 1,5 <1,5 Ррас» Вт т= — 45...70 °C 8 8 Параметры Режим измерения К142ЕН8Г К142ЕН8Д К142ЕН8Е КР142ЕН8Г КР142ЕН8Д КР142ЕН8Е (/вх = 20 В; /,ЫВ=1О мА 9 ±0,36 12±0,48 15±0,6 К.'и. % /в t7BX=20 В; /вых=10 мА <0,05 <0,05 <0,05 Кяс/, %/А (/„ = 12 В <1,5 — — (/,, = 15 В — <1.5 — (/„=18 В — — < 1,5 ТКН, % re (/„=20 В; /ВЫХ = Ю мА <0.03 <0,03 <0,03 Г=—45...85 °C 94 Параметры Режим измерения К142ЕН8Г К142ЕН8Д KI42EH8E КР142ЕН8Г КР142ЕН8Д KPI42EH8E t/вхтах, В Т = —45... 100 °C 30 30 30 /вых max, А т= —25.. .70 °C 1 1 1 Ррас» Вт т= -45...70 °C <8 <8 <8 Примечания: 1. В качестве вывода «Общий» рекомендуется использовать (наряду с выводом 8) корпус микросхемы. 2. Допускается подача напряжения на выход микросхемы до 15 В при отсутствии напряжения иа входе. 3. Емкость входного конденсатора должна быть не меиее 0,33 мкФ, а расстояние от конденсатора до микросхемы не более 50 мм. При этом гарантируется отсутствие генерации иа входе с амплитудой, превышающей Uвх max* Рис. 1.96. Выходные характеристики ИМС К142ЕН8 и К142ЕН9 К142ЕН9А, К142ЕН9Б, К142ЕН9В, К142ЕН9Г, К142ЕН9Д, К142ЕН9Е Микросхемы представляют собой стабилизаторы напряжения с фиксированным выходным напряжением. Принципиальная схема соответствует приборам К142ЕН8А—К142ЕН8Е. Корпус типа 4116.4-2. Назначение выводов: 2 — выход; 8 — общий; 17 — вход. Параметры Режим измерения K142EH9A К142ЕН9Б KI42EH9B К142ЕН9Г К142ЕН9Д KI42EH9E t/вых» В (Лх = 35В; /вых=10мА 20 ±0,4 27 ±0,54 24 ±0,48 — Увх = 30 В; Аых = 10 мА — — 24 ±0,72 20 ±0,6 27 ±0,81 к«с.и, %/Ъ /Ах=35 В;/аых = 10 мА 0,05 W — //вых* В С/вх = 35 В; /Вых = 10 мА 20 ±0,4 27 ±0,54 — 24 ±0,48 — У,х = 30В; /вых=ЮмА — — 24 ±0,72 20 ±0,6 27 ±0,81 95 Параметры Режим измерения К142ЕН9А К142ЕН9Б K142EH9B К142ЕН9Г К142ЕН9Д К142ЕН9Е *,.«/, %/В {/„ = 3513; /,ш=10мА 1/,х = 30 В; /вых= 10 мА <0,05 <0,05 <0,1 <0,1 Кие./, %/А (/„ = 23 В (/„=27 В £/„=30 В <0,67 <0,67 <0,67 <1,5 <1,5 ^вых.таж, В Гк=-45. 100 °C 40 40 35 35 вых.тах» А Г. = -20. 70 °C 1.5 1,5 । 1 /’рас, Вт Гх= — 45...75 °C 6 6 6 Примечания:! В качестве вывода «Общий» рекомендуется использовать (наряду с выводом 8) корпус микросхемы. 2. Допускается подача напряжения на выход микросхемы до 27 В при отсутствии напряжения на входе. 3. Емкость входного конденсатора должна быть не менее 0,33 мкФ, а расстояние от конденсатора до микросхемы не более 50 мм. При этом гарантируется отсутствие генерации иа входе с амплитудой U ъх.тах’ 142ЕП1, К142ЕП1А, К142ЕП1Б Схемы управления ключевого стабилизатора, предназначенные для вторичных источников питания и устройств защиты электрических цепей от перегрузки по току и напряжению. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 402.16-2. Назначение выводов: 1, 4, 7—базы; 2, 3 — коллектор; 5 — питание (+ UK.„i); 6, 16 — эмиттеры; 8 — общий; 9 — опорное напряжение; 10 — питание (— , 11 — выход порогового устройства; 12, 13 — выходы для управления; 14, 15 — входы для сннхронизацин. Параметры Режим измерения Значения £/<>.. В £/,..1=40 В 1,7-...2,2 ( f/cpfl — t^orn) » мВ £/,..1=40 В; £/,.„2 = 5...7 В; /ко1< = 50мА 5 ^ост.откр» В Аакр> МКА £/,..1=40 В; /КО,=50...200 мА 1,8 £/,.„1 =40 В; £/„ КОм= Ю...40 В 100 /пот.оп» мА £/. .1 = I0...40 В 2 /пот.пор» мА t/и.п! = Ю...40 В; ^ком—50 Гц 9 Kuc.U.on, % -£нар, МКС £/„.„! = 10...40 В tAi.ni =40 В; /ком = 50 мА, 3 (=50 Гц...100 кГц 0,2 (си, МКС £/,..1=40 В; /кои = 50 мА, (=50 Гц...100 кГц 0,2 96 Рис. 1.97 Схема ключевого стабилизатора напряжения с последовательным (а) и параллельным (б) включением регулирующего элемента на основе ЙМС К142ЕП1 Рис 1.98. Схема защиты шины Uo от перегрузки по току с включением резистора /?а в шину «—» (а) и в шину « + » (б) ИМС К142ЕП1 4 2044 97 Серии 143, КР143 Аналоговые переключатели, предназначенные для коммутации аналоговых сигналов постоянного и переменного токов в различных радиоэлектронных устройствах. 143КТ1, КРНЗКТ1 Аналоговые переключатели на основе МДП-структур. Управление ими осуществляется от интегральных микросхем типа ТТЛ. Микросхемы 143КТ1 конструктивно оформлены в корпусе тйпа 401.14-3, КР143КТ1 — типа 201.14-1. Назначение выводов: 2 — выход 2; 4 — вход 2; 5 — вход 1; 7 — общий; 8 — выход 1; 9— питание (4-(/и.п1); 10— подложка; 11 — управляющий вход 1; 12 — управляющий вход 2; 14 — питание ( — (/«.„г). Рис. 1.99. Функциональная схема ИМС 143КТ1, КР143КТ1 (а) и зависимости остаточного сопротивления от температуры (б) и коммутационного напряжения (в) Параметры1 Режим измерения I43KT1 KP143KTI (/„„1, В + 5 ±0,5 5 ~+~ 0,5 t/„ п2, В —— — 24 ±2,4 — 24 ±2,4 /^пот, мВт — 100 100 t/вхупрЮО, В При вытекающем токе 100 мкА; {/под = 4,5 В 2,6 2,6 t/вхупрО, В При вытекающем токе, равном 0; (/„од=5,5 В 52 5,52 /утвх, ИА [/упр = 0,75 В; (/вх=-5 В; (/вых = 5 В; (/под = 6,6 В 20 50 /утвых, иА £/уПр“0,75В; [/вх=5В; t/вых~ = —5 В; t/n04 = 6,6 В 20 20 /вх упр, мА (/упр = 0,45 В; (/„од = 5,5 В 0,1...1,8 0,5...2 /ут вых откр, иА (/упр = 2,6 В; (/вх = 5 В; (/вых = 5 В; (/„од = 6,6 В 50 50 98 Продолжение Параметры1 Режим измерения 143КТ1 КР143КТ1 /пот закр» мА С7упр = О,45 В; £/„„ = 5,5 В 1,5...4,2 1,2...4,5 /лот откр» мА [/у1!р = 0,45 В; Uпол = 5,5 В 0,5... 1,8 0,3...2,0 ^зд вкл» МКС £/„«=—5 В; £7под = 4,5 В; U,UK и /«о» — положительные прямо- 1.61 3' /зд выкл» МКС угольные импульсы Положительные прямоугольные импульсы 21 2.51 Ro, Ом (/упр = 2,6 В; (/вх — i5 В; /ком — = 1 мА 1001 150' /п, МКС (/вх—0; (/под = 5,5 В 1,5 1,5 и3, В £/вх = О; £/П0д = 5,5 В ±1 ±1 (/и п 1 max, В — 7 7 Uh п2 пип, ^5 — -30 -30 Трастах» мВт Для одного ключа 15 15 (L/.X- — 15 15 Uвых) max, В (£7вх — 15 15 £/„од) max, В (£/.ых- 15 15 Uпод) max, В Unon. max, В 7 7 /ком max, мА — 10 10 /ком и max, мА — 50 50 f ком» КГ Ц — 250 250 1 При U„ П|=4,5 В; 1/нп2=—21,6 В. 2 Остаточное сопротивление открытого ключа. 3 Длительность и амплитуда помехи, наводимой в коммутируемой цепи фронтами управляющих сигналов. Примечание. Значения параметров приведены при £/ИП| = = 5,5 В; U„„2=— 26,4 В и температуре 25±10°С. Серии 148, К148 Микросхемы представляют собой усилители мощности низкой частоты. Предназначены для различных узлов радиоэлектронной аппаратуры. 148УН1, К148УН1 Усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в оконечных устройствах радиоэлектронной аппаратуры. Конструктивно оформлены в корпусе типа 311.8-2. 99 Рис. 1.100. Типовая схема включения ИМС 148УН1, К148УН1 (а) и зависимости коэффициента гармоник от частоты входного сигнала (б) Параметры1 Режим измерения Значения В +12± 1,2* £4 п2» В — — ^±1,2* /пот» мА Увх=0 <25 Ку и f=l кГц; и,ых = 5,5 В 100...200 Кг, % f—l кГц; £Лшх = 5,5 В; Рвых = 1 Вт <2,5 f«, Гц 1Лмх = 50 мВ; /?и = 4 Ом 100 /», кГц #«ых = 50 мВ; /?„=4 Ом 20 Itmx.maxf мА f= 100 Гц-20 кГц 260 1 При температуре 25±10°С и напряжениях источников питания t/Bni= + 12 В; — 12 В. Примечание. Микросхемы сохраняют работоспособность при уменьшении напряжений источников питания до 6 В или питании от одного источника напряжением 12 В. Рис. 1.101. Частотные характеристики ИМС К148УН1: / — при /?и = 30 Ом; 2 —при /?н = 30 Ом, Си » 510 пФ; 3 — при /?н «= 15 Ом; 4— при /?н = Ю0 Ом Рис. 1.102. Зависимости входного fa) и выходного (б) сопротивлений ИМС К148УН1 от частоты входного сигнала 100 148УН2, К148УН2 Усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в оконечных устройствах радиоэлектронной аппаратуры. Конструктивно оформлены в корпусе типа 311.10-1. Назначение выводов микросхем: 1, 9 — общие (земля); 2 — обратная связь; 3—вход; 4, 10 — коррекция; 5 — фильтр; 6, 7 — питание (+ UK.„); 8 — выход. Рис. 1 103. Типовая схем# включения ИМС 148УН2, К148УН2 (а) и ее амплитудные характеристики (б) Параметры1 Режим измерения Значения (/..», В 9 ±0,9 /пот» мА tA>x = O; /?„=4 Ом <10 Ky.U (=1 кГц; У,х = 50 мВ; /?и = 4 Ом 10...30' Кг, % f=t кГц; i/.x=4.8 В; Р»Ых = 0,6 Вт <2 (=1 кГц; U,s=2 В; РВЫх=1 Вт <10 !«, Гц — 100 f„ кГц — 20 Unn.maxt В —. 12 Unx maxt В Рвых=1 Вт 1 /вых.таг» мА — 630 1 При температуре 25± 10 °C и номинальном напряжении источника питания 9 В. Примечание. Коэффициент усиления можно изменять путем увеличения или ослабления глубины отрицательной обратной связи с помощью резистора R2. 101 Рис. 1.104. Зависимости коэффициента гармоник ИМС К148УН2 от выходной мощности Рис. 1.105. Зависимость коэффициента усиления ИМС К148УН2 от глубины ОС Рис. 1.106. Зависимости выходной мощности ИМС К148УН2 от напряжения питания (а) и сопротивления нагрузки (б) Серии 149, К149 Микросхемы представляют собой токовые ключи, предназначенные для переключения электрических сигналов в устройствах радиоэлектронной аппаратуры. Конструктивно оформлены в корпусе типа 401.14-4 (серия 149) или 401.14-3 (серия К149). 149КТ1А, 149КТ1Б, 149КТ1В, К1.49КТ1А, К149КТ1Б, К149КТ1В Переключатели электрических сигналов. Предназначены для использования в различных узлах радиоэлектронной аппаратуры. Напряжение источников питания следующее. 102 Напряжение I49KT1A, KI49KT1A 149КТ1Б, К149КТ1Б 149КТ1В, K149KTIB U.„„, В 3±0,3 5±0,5 12,6±2,5 Uи a mint Bl 11 Рис. 1.107. Принципиальная схема (а) и типовая схема включения (б) ИМС 149КТ1, К149КТ1 Рис. 1.108. Схемы усилителя (а) и генератора прямоугольных ямпульсов (б) иа ИМС 149КТ1Б, К149КТ1Б Параметры’ Режим измерения 149КТ1А.Б.В К149КТ1А,Б,В Uвх откр» В //ип^=5 В; /вх==4 мА; /пер =120 мА < 1,6 <1,9 Uвх обр max, В £/ип^~5 В; /Вх—4 мА; /пер==120 мА -4 — t/вЫХ.ОТКр, В £/ип==5 В; /вх ==4 мА; /пер = 120 мА <0,65 0,7 /вых закр» МкА Унп=5 В (гр. А); Uh а — 7,5 В (гр. Б) <5* <10‘ /вх обр» МкА /вх, мА Увх=-4 В <5 <60 —— <50 — 103 Продолжение Параметры1 Режим измерения 149КТ1А.Б.В К149КТ1А.Б.В 1эдвкл, ис //„„— 4,5 В; /вх — 4 мА; /„ер=120мА С ЮО <130 /вдвыкл, нс //„„ = 4,5 В; /вх = 4 мА; Ррвстдх, Вт /пер =120 мА <300 <400 Дрвстдх, Вт — 0,4 0,4 1 При //„„=23 В для ИМС 149КТ1В и (Л,„=22 В для ИМС К149КТ1В. Серии 153, К153 Операционные усилители, предназначенные для усиления постоянного и переменного токов; построения устройств, выполняющих математические операции; преобразователей и генераторов электрических сигналов и других устройств радиоэлектронной аппаратуры. 153УД1, К153УД1 Операционные усилители общего назначения. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 301.8-2. Назначение выводов: 1, 8 — частотная коррекция 1; 2 — инвертирующий вход; 3 — неиивертирующий вход; 4 — питание (— пг)', 5 — частотная коррекция 2; 6 — выход; 7 — питание (4-(Л,п1). Рис 1 109 Типовые схемы включения ИМС 153УД1, К153УД1’ а — инвертирующий усилитель, б — компаратор напряжения в — генератор прямоугольных импульсов, г — дифференциатор 104 Параметры’ Режим измерения 153УД1 К153УД1 (/„„1, В — + 15±1,5 + 15±1,5 (/„„г, В — —15±1,5 —15±1,5 /„от, мА (/„„1 = 16,5 В; (/„„2= —16,5 В <6 <6 /вх, мкА (/„„1 = 16,5 В; (/„„2= —-16,5 В; Я„=ЮкОм <0,6 < 1,5 Д/Вх, мкА (/„„1 = 16,5 В; (/„„2= —-16,5 В; /?и=ЮкОм <0,25 <0,5 (Ли, мВ (/„„i = 16,5 В; (/„„2 = —-16,5 В; /?„=ЮкОм <5 <7,5 (Ш В (/„„=±15 В; (/„=±0,15 В; Ря—2 кОм 10 9 (Лы2, В (/.„ = ±15 В; (/,„ = ±0,15 В; /?„ = 2 кОм —10 —9 (/„„ = ±15 В; /?„ = 2 кОм; 20 000.. 15000. / = 50 Гц 80 000 80 000 Коссф, дБ /?„>ЮкОм >6,5 >6,5 Пахтах, В /?г< 10 Ом ±5 ±5 (/сфвхтпт, В Rr < 10 Ом ±8 ±8 /?,«, кОм (/„„=±16 В; (/,„ = ю мВ; / = 20 Гц 10 — Vu„„ В/мкс (/„„=±16,5 В; /?„ = 2 кОм; / = 300 Гц 0,66 — /уст, мкс (/„„ = ±16,5 В; /?„ = 2 кОм; / = 300 Гц 2,5 — 1 При температуре 25 ± 10 °C. 60 H ТПГТтН ПТпЖП|ШГ J 11 |iiiiniiniiiiiiiiiiii»H!siit 20 iiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiigiiiiiii;!<iiiiiiii;< 11111111111111111111111111111И111111|1К:!!1|||||| ^iiiiiiiiiii№3iiiiiiini(ii№iii;:!!iiiN^ 7J a Puc. 1.110. АЧХ с замкнутой (а) и разомкнутой (б) цепью ОС ИМС 153УД1: 1-С1=10 пФ. С2 = 3 пФ. «4 = 0, 2—С/=110 пф, С2 = 3 пф, «4=1,5 кОм, 3 — С/ = 510 пФ, С2=20 пФ, «4=1,5 кОм, 4-С/=5100 пФ. С2 = 20 пФ, «4 = = 1,5 кОм (обозначения элементов коррекции Cl, С2 и R4 соответствуют включению ИМС в качестве инвертирующего усилителя) 153УД2, К153УД2 Операционные усилители общего назначения с защитой выхода при коротком замыкании. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 301.8-2. Назначение выводов: 1, 8 — подключение емкости компенсации; 2 — инвертирующий Вход; 3 — неинвертнрующий вход; 4 — корпус (—(/„„г); 5 — баланс; 6 — выход; 7 — питание (+ (/„ „i). 105 Рис. 1.111. Типовая схема включения ИМС 153УД2 (а) и ее АЧХ (б) Параметры1 Режим измерения 1БЗУД2 К153УД2 В — + 15± 1,5 ± 15± 1,5 ^ип2, В — —15±1,5 —15±1,5 Ают> мА /?я> 10 кОм <3 1 ' /вхср, мА 10 кОм <0,5 <1,5 ААх, мА /?„< 10 кОм <0,2 <0,5 t/см, мВ Я„>10 кОм; /?г<ЮкОм <6 <7,5 Ullman В U„>0,1 В; /?н=(2±0,04) кОм 11 10 max, В 1/вх >0,1 В; R„ =(2 ± 0,04) кОм — 11 -10 Ку и Них = 10 В; R„ =(2 ± 0,04) кОм >50 000 >20000 /С«С Сф, дБ Я„> 10 кОм; /?г<10 кОм >70 U вх max, В 30 1 I, ^сфвх max, В ±12 — ДПс/ДТ, /?н< Ю кОм; /?г< 10 кОм <20 мкВ/К Кн mint кОм — 2 2 tAt al jnint 5 5 l^KwZmlalt В 17 17 tAiol man I Ув.п2.тал1, В 1 При температуре 25 ± 10 °C и номинальных значениях напряжений источников питания ±15 В. Рис. 1.112. Принципиальная схема ИМС 153УДЗ 153УДЗ Операционный усилитель общего назначения. Функции выводов такие же, как и у интегральных микросхем 153УД1, К153УД1. Схемы включения операционных усилителей 153УДЗ и 153УД1 (К153УД1) аналогичны. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 301.8-2. 106 в л2, В /пот» мА /»х ср» мА /.X , нА У™, мВ £/в"ы» max, В + 15± 1,5 —15±1,5 <3,6 <0,2 <50 2 ю2 ma*, В Ку и АГое сф, ДВ £/вк max, В вх max, В Re> т<а, кОм -10* >25 0002 >80 5 ±8 2 и л 1 mtn, в |Ц„ п2 ш'< В Uи п 1 max, В В 16,5 1 При /?г< 10 кОм. 2 При напряжениях источников питания ±15 В и /?н = 2 кОм. Примечание. Значения параметров приведены при температуре 25±10°С, напряжении* источников питания ±16,5 В и /?„< 10 кОм. 153УД4 Операционный усилитель с малым потреблением мощности от источников питания и защитой выхода при коротком замыкании. Предназначен для использования в экономичной аппаратуре, в том числе работающей в режиме ожидания или с батарейным питанием. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 301.12-1. Назначение выводов: 1, 11 — подключение емкостей компенсации; 2 — инвертирующий вход; 3 — неинвертнрующий вход; 6 — питание (— 7 — под- ключение емкости компенсации; 8 — выход; 9—питание (+^ипг); 12—подключение резистора смещения. Вход? 3 5 Подключение емкости компенсации вход! 2 8 &ьпод 9 {Подключение । ,, । {резистора '“нт 'чцпг смещения Рис. 1.113. Принципиальная схема (а) и схема включения (б) ИМС 153УД4 ЮТ t/.nb в Until, в /пот» мА /flX Ср> МА Д/Вх, мА Uc*, мВ t/'.tknx. В + 6±о,6 —6±0,6 0,28...0,7 <0,4 <0,15 <5 41 в Ку. у Кос сф» дБ Uш вх» М кВ ДУо./АТ, мкВ/K Vy„„ В/мкс — 4‘ >5000 >702 <53 <50 >0,12 1 При t/BX = 0,15 В. 2 При 1/Сфвх= ±4 В. 3 При Яг< 10 кОм. Примечание. Значения параметров приведены при напряжениях источников питания ±6 В и /?„>5 кОм. 153УД5А, 153УД5Б, К153УД5 Высокочастотные операционные усилители с малыми напряжением смещения нуля, уровнем дрейфа и шумов и большим коэффициентом усиления, поддерживаемым с высокой точностью при замкнутой петле отрицательной обратной связи. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 301.8-2. Назначение выводов: 1, 8 — баланс; 2— инвертирующий вход; 3 — неинвертирующий вход; 4 — питание (— и» и); 5 — частотная коррекция; 6 — выход; 7 — питание ( + U.n). K9.V, дБ 8Q №40к а-50пФ______________ 60 rz^700m СМОООпФ \ д №470 0м СЮ/ИнкУ \ №270 0м С1=0,0БмкУ R3=270 Ом'\С2=1500пФ у R2=10 0м СМ,05мк<Р R3=39000m С2$,02мкУ ~20-------1-----1_____1_____।_____ 101 10г 103 Ю" f, Гц Рис. / 114. Типовая схема включения ИМС 153УД5 (а) и ее АЧХ (б) Параметры1 Режим измерения 153УД5А 153УД5Б К153УД5 £7ип1, В + 15±1,5 4- 15± 1,5 +15±1,5 £/нп2» В — —15±1,5 — 15±1,5 — 15±1,5 /пот» МА /?„> 10 кОм <3,5 <3,5 - <5 /вх ср» мА /?„> 10 кОм <0,1 <0,1 <0,125 108 Продолжение Параметры1 Режим измерения 153УД5А 153УД5Б К153УД5 ААх, иА Я»> 10 кОм <20 <20 <35 t/см, мВ Я»> 10 кОм; Яг< 10 кОм <1 < 1 <2,5 At/ем/ДТ, мкВ/К Я»> 10 кОм; Яг <50 Ом <5 < 10 t/Щтож, В Ян=2 кОм; t/„x = O,l В 10 10 10 t/вых /пах, В Яи = 2 кОм; 4/,х = 0,1 В -10 -10 —.10 Ку и Ян=2 кОм; У.ых=Ю В >1000000 >1000000 >250 000 Кос сф, дБ 10 кОм; ^сф.вх== 13,5 В >100 >110 >94 1 При температуре 25±10°С и иомииальвых значениях напряжений источников питания ±15 В. 153УД6 Операционный усилитель общего назначения. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 301.8-2. Рис. 1.115. Типовые схемы включения и балансировки ИМС 153УД6 и.„. в и..,, в / пот, мА /вх ср> нА Д/вх, нА //си, м Б ±15±1,5 —15±1,5 <3 <75 <10 <2‘ Д1Л./ДТ, мкВ/К иШ. в иЫ, в Ку и Коесф, дБ <151 2 >103 < —103 > 50 0004 >805 1 При Яг <50 кОм. 2 При Яг <50 Ом. 3 При t/BX>0,l В. 4 При УВЫх=Ю В. 5 При 7/Сф.вх=12 В. Примечание. Значения параметров приведены при номинальных напряжениях источников питания ±15 В и Яв> 10 кОм. 109 Серия 154 Операционные усилители, предназначенные для использования в устройствах радиоэлектронной аппаратуры. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 301.8-2. 154УД1, 154УД2 Микросхемы используются в качестве операционных усилителен общего назначения. Рис. 1.116. Основные схемы включения ИМС 154УД1 (а) и 154УД2 (б) Параметры1 Режим намерения 154УД1 154УД2 1/цП|, В + 15± 1,5 ± 15± 1,5 ^ип2, В — — 15±1,5 —15± 1,5 /пот» мА По цепям t/„ni и 11,„з <0,12 С6 /?„> 10 кОм <20 <100 Д/ах, иА /?в> 10 кОм < 10 <20 Uсм» мВ Rt = 50 Ом; /?„> 10 кОм <3 <2 t/вых majct В t/„x=0,15 В; /?„ = 2 кОм 12 10 Ку о t/.ых = ± Ю В >200 0002 >100 0002 Хосеф» дБ //Сфвх= ±5 В; Я„> Ю кОм >86 >86 Ум+Л В/мкс t/вых =10 В; /?и = 2 кОм > 103 >1504 В/мкс t/вых =-—10 В; /?„=2 кОм >103 >754 /уст, мкс 1/.х = 10 В — <54 Д1/см/ДГ, — — <20 мкВ/К 1 При номинальных напряжениях источников питания ±15 В. 2 При /?„ = 5 кОм для 154УД1 и /?„ = 2 кОм для 154УД2. 3 При Г = 20 мкс; t„= 10 мкс; Кп = 5; Св,= 100 пФ. 4 При /<„=-!; С„ = 50 пФ. 154УДЗА.Б 154УД4А.Б Микросхемы представляют собой быстродействующие операционные усилители. Назначение выводов для 154УДЗА.Б: 1 — балансировка; 2 — инвертирующий вход; 3 — неинверти 110 рующий вход; 4 — питание ( — илп)- 5 — балансировка; 6 — выход; 7 — питание (4- Ue.„i); 8 — коррекция. Для 154УД4А.Б: 2—инвертирующий вход; 3 — неинвертирующий вход; 4 — питание (— t/„n2); 5 — коррекция; 6 — выход; 7 — питание (+ ия п); 8 — корпус. Рис. 1.117. Типовые схемы включения ИМС 154УДЗ (в) и 154УД4 (б) Параметры Режим измерения 154УДЗА 154УДЗБ 154УД4А 154УД4Б ni, В — 4- 15± 1,5 + 15±1,5 Уип2> В — —15±1,5 —15±1,5 /пот, мА По цепям и £7Вп2 при Я„> 10 кОм <6,5 <65 /вх ср, нА Яв>10 кОм <200 <1000 <275 Д/вх, нА Я»> 10 кОм <25 <200 <45 f/смг мВ Я„> 10 кОм <8 <5 £/вых-тдх» В 1^=2 кОм; Яг=50 кОм £7.х=0,15 В >10,5 >10 Ку и Я»=2 кОм; 7/Вых = ±Ю В >10Х103 >10* >8X10 К ОС сф, дБ Яи,= 10 кОм; t/Mc4>=±5 В >83 >80 Vu..„ В/мкс Яя=2 кОм; t/вых == 10 В >80 >500 Сн=150 пФ >60 >250 /уст, НС увх=з,зз В >500 — >800 ьиса/кг, <30 — мкВ/К Серия К157 Микросхемы предназначены для использования в стереофонических катушечных и кассетных магнитофонах первого и второго классов со сквозным илн универсальным каналом записи-воспроизведения, амплитудно-модулированных трак- 111 тах радиоприемных и других устройств радиоэлектронной аппаратуры. Конструктивно оформлены в корпусе типа 201.14-1,201.9-1 (К157УД1), 2120.24-3 (К157ХПЗ). К157ДА1 Двухканальный двухполупериодный амплитудный детектор. Предназначен для управления приборами индикации средних уровней записываемого сигнала в стереофонических магнитофонах. Назначение выводов микросхемы (в скобках указаны номера выводов второго канала): 1(7)—выход сигнала обратной связи; 2(6) — вход; 3(5) — подача сигнала обратной связи; 4—питание ( — йяпг); 11 — питание (4~(7ип1); 12(10) — выход; 13(9)—вывод детектора для соединения с общей шиной; 14(8) — вывод делителя обратной связи для Соединения с общей шиной. Рис. 1.118. Функциональная схема (а) и схема включения (б) ИМС К157ДА1: / буферные усилители, 2 преобразователи двухполярного сигнала, 3 стабилизатор режима В и» в /пот, МА В 1/о вых, мВ /«к, нА 4-15±?2 —15+?2 С502 <1,6 /вых, мА ку и 1.. кГц 2.5...63 7...104 >100 ' При 1/,х= ± 1,5 В. 2 При [/вх = 0. 3 Каждого канала. 4 При 1/Вх=±0,1 В и Увых = 0,7...1 В. Примечание. Значения параметров приведены при номинальном напряжении источника питания ± 15 В. К157УД1 Универсальный операционный усилитель средней мощности. Предназначен для использования в аппаратуре магнитной записи и воспроизведения звука, а также в предва-112 рительных усилителях мощности, усилителях звуковой-частоты для стереотелефонов и других устройствах радиоэлектронной аппаратуры. Рис. 1 119. Функциональная схема ИМС К157УД1 (а), типовая схема ее включения (б) и зависимости коэффициента усиления (в) и выходного напряжения (г) от частоты: I дифференциальный усилитель, // — промежуточный каскад, III выходной каскад В и к п2, В /пот» мА /.>, нА Д/.х» нА Усн, мВ д//см/дг мкВ/К + 15±?2 —15+?2 <9 < 500 <150 ±5 ±50 ДД/.х/ДГ, нА/К в В КуЩ Кос сф» дБ ±10 12 —12 >50 000 >70 МГц В/мкс /вых та*, мА Uсф вх та*, В Ррас таг, Вт >0,5 >0,5 300 ±20 0,5’ 1 Без внешнего теплоотвода. С внешним теплоотводом с площадью поверхности ие меиее 18 см2 Рраст«х=1 Вт. При температуре выше ±25 °C рассеиваемая мощность определяется по формулам (Вт): а) в случае применения ИМС без теплоотвода: р _______ 12 5 Т о,, Грае max —-----STjTj--, 113 б) при использовании внешнего теплоотвода с температурой теплоотводящнх выводов Тт 125 —Гокр 125-Тт Ррасмж- 250 + 150 • Примечание. Значения параметров приведены при температуре 20±5 °C, номинальном напряжении источника питания ±15 В и RK—2 кОм. К157УД2 Двухканальный операционный усилитель универсального назначения, обладающий низким уровнем собственных шумов и большим диапазоном входных дифференциальных напряжений с защитой выхода при коротких замыканиях. Используется в самых разнообразных устройствах низкочастотной Рис. 1.120. Типовая схема включения ИМС К157УД2 t/н ПЬ В tAn2, В /пот» мА /вх» нА Д/,„ нА 1/Си, мВ ДУсм/ДТ, мкВ/К + 15±?2 -15~3 <7 <500 <150 ±10 ±50 max, В Ky.U АоС.С.К» дБ К ос.сф» дБ А.з* мА 13 -13 >50 000* —80 4/сф вх max, В Ррас max, Вт ±18 0,5* 2 ' На частоте 0...50 Гц. При частоте 20 кГц и корректирующей емкости 5 пФ Ку и = 300...800. 2 При температуре выше ±25 °C рассеиваемая мощность определяется по формуле (Вт) п 125 — Токр Р^с.тах = 220 Примечание. Значения параметров приведены при температуре 20±5 °C, номинальных напряжениях источников питания ± 15 В и /?н = 2 кОм. 114 Рис. 1.121. Зависимости коэффициента усиления (а) и выходного напряжения (б) ИМС К157УД2 от частоты К157УЛ1А, К157УЛ1Б Двухканальные предварительные усилители воспроизведения, обладающие низким уровнем шумов типа l/f. Предназначены для стереофонических магнитофонов. Назначение выводов микросхем (в скобках указаны номера выводов второго канала): 1(7) —подключение обратной связи; 2(6) — вход; 3(5) — общий; 12( 10) — питание (+ 13(9) — вы- ход; 14(8) — подключение емкости фильтра. ЗД24Н 05 4700 R391 R724K ггоо’т’ 02*_ 2200Т R491 НВ 24к □_______ ОМ 1,2К 10№15В[£К=Н Выход ЛК <3 СЮЮт’ЧВВ ~ 250 мВ Ц R12200 .„ от) Л +ии п ш 100xxx15В п Д- 01110нх*15В —frll—— Вьт>3 R10 4,7к ~250мВ 06 4700 5 г!меСЗ 3 З&кх/ЗВГ гатив. ЧУ* Рис. 1.122. Функциональная схема (а) и типовая схема включения (б) ИМС К157УЛ1: / — входной каскад; 2 — каскад основного усиления; 3 — выходной каскад; 4 — стабилизатор режима, задающий и поддерживающий режим первого каскада по постоянному току и.„ в 1 п»т> мА Ку и крм R.ux. Ом к„ % Э±9,.« 3...6 8000...13 000' >60 <300 <0,22 115 Косс, дБ 1/швх, мкВ / вх maxt мА f вых max, мА Рр»с max, мВт -70 <о,з3 1 5 250 ' При£/вх=0,1 мВ; УВых=0,8...1,ЗВ;/=400Гц. Если Z/M=O,1 В, t/вых = 0,5 В, [ = 20 кГц, то коэффициент усиления без отрицательной обратной свизи составляет не менее 5000. 2 При £7„„ = 8,1 В; £7ВЫх=1 В; f=400 Гц. 3 Приведенное ко входу напряжение шумов в полосе частот 20 Гц...20 кГц при Лг=10 Ом; тНч = 31В0 мкс и твч = 700 мкс для ИМС К157УЛ1А; для ИМС К157УЛ1Б £7ШВх=0,6...1 мкВ. Примечание. Значения параметров приведены при температуре 20±5 °C и номинальном иаприжении источника питания 9 В. К157УН1А, К157УН1Б Усилители низкой частоты. Предназначены для использования в переносных и автомобильных приемниках. Назначение выводов микросхем: 1 — обратная связь; 2 — регулировка усиления; 3 — вход; 4—общий (— 44 п); 5, 11 — смещение; 6, 10 — коррекция; 7 — выход; 9 — питание (+ Un п). Параметры1 Режим измерения К157УН1А К157УН1Б 14 „, В 9±0,9 12±1,2 Я пот, мВт — <50 <50 /?, мА — <15 <15 /по?) мА <7Вх = 0; /?„=оо 5 6 t-^вых НОМ» В /?в = 6,5 Ом 1 3 S, мВ <Лых= 1,8 В; f = 1 кГц УВЫх = 3 В; [ = 1 кГц 15...30 25...50 116 Продолжение Параметры’ Режим измерения К157УН1А К157УН1В Кг, % f = l кГц; 1/вых=1,8 В 0,3 — f — 1 кГц; Свых = 3 В — 1 Кврлчх, дБ U„—2 мВ;/ = 50...15 ООО Гц; R„ = =6,5 Ом 6 6 Анрачх~6 дБ; 1/вх=2 мВ; Ra- ft,, Гц =6,5 Ом 50 50 Аврлчх —6 дБ; 1/вх = 2 мВ; /?„ = f кГц =6,5 Ом 15 15 Рвых, мВт — <30 <30 1 При температуре 20±5 °C и номинальных значениях напряжения источников питания. Примечания. 1. Чувствительность и входное сопротивление определяются сопротивлением резистора R1 Значительное снижение этого сопротивления приводит к уменьшению, глубины отрицательной обратной связи и увеличению влияния выходного сопротивления источника сигнала., на устойчивость усилителя. 2. Конденсатор СЗ улучшает шумовые характеристики усилителя, но существенное увеличение емкости СЗ может вызвать самовозбуждение усилителя. 3. Коэффициент усиления в небольших пределах можно регулировать путем изменении сопротивления резистора Л2. При чрезмерном уменьшении сопротивления этого резистора возрастает уровень нелинейных (особенно переходных) искажений вследствие ослабления обратной связи. При увеличении сопротивлении резистора R2 усиление и нелинейные искажения уменьшаются, однако большое увеличение сопротивления резистора R2 вызывает самовозбуждение усилителя. К157УП1А, К157УП1Б, К157УП2А, К157УП2Б Двухкаиальные микрофонные усилители с предварительными усилителями записи, имеющие малый уровень собственных шумов. Предназначены для использования в высококачественной аппаратуре магнитной записи, а также низкочастотной стереофонической аппаратуре. Назначение выводов микросхем (номера выводов указаны для микросхем К157УП1, а для К157УП2, отличающиеся от номеров аналогичных выводов микросхем К157УП1, приведены в скобках): 1 — вход предварительного усилителя записи 1-го канала; 2—выход микрофонного усилителя 1-го канала; 3— вход микрофонного усилителя 1-го канала; 4 — общий вывод 1-го канала; 5 —общий вывод 2-го канала; 6 — вход микрофонного усилителя 2-го канала; 7 — выход микрофонного усилителя 2-го канала; 8 — вход предварительного усилителя записи 2-го канала; 9(10) — выход предварительного усилителя записи 2-го канала; 10(9) — выход АРУ 2-го канала; 11 — питание; 12(14) — выход АРУ 1-го канала; 13 — выход предварительного усилителя записи 1-го канала. 117 2 1 12(19) 3 6 Ч 5 13 11 10(9) 7 В а Фуик-(а) и схемы Re'm Jsio,i Т R7 Выход 1 ЛК КЗ 280К 'К920к \R1122k Вход 2 ЛК R5 9(10) Вход 1 ЛК Я/'| 30x1 R2*\ 30x1 Вход ЛК 13 11 9(ю) кчгвох 7 8 £L R8 180к Л0* (Щз^зобк Выход 1 ПК Я/422Х 20к Выход 2 ——лк + ^ип Выход 2 — ПК ~^и.п Рис. 1 124. циональиая типовая (б) включения ИМС К157УП1, К157УП2: / — микрофонные усилители, 2 — предварительные усилители записи 2О(7кВ v-входг пкТ г‘ S Параметры1 Режим измерения К157УША К157УП1Б К157УП2А К157УП2Б ия„, в 12 ±1,2 12 ± 1,2 12± 1,2 12 ± 1,2 / nor» мА = Ubx2 = 0 5...9,5 5...9,5 5 .9,5 5...9,5 Ку vi 14x1=6 мВ 100...165 100...165 100...165 100...165 Ку V2 к?ь % 14x2=60 мВ 19,5—28 19,5...28 19,5...28 19,5...28 Цвых1 = 0,8 В 0,2 0,2 0,2 0,2 iz3 О/ Лг2) /О ^вых2 = 1 ,6 В 0,2 0,2 0,2 0,2 <7ШВХ1, мкВ ( = 20...20 000 Гц; Яг = 200Ом <0,6 <1 <0,6 <1 <УШвх2, мкВ f= 20...20 000 Гц;/?г= 16кОм <3,2 <5,2 <3,2 <5,2 ЛВХ1, кОм UBbixl В 1,6...2,4 1,6...2,4 1,6...2,4 1,6...2,4 Явх2, кОм Цвых2 1 В 160...240 160...240 160...240 160...240 /?выхЬ кОм ^Аых! =0,54... 1,08 В <5 <5 <5 <5 Явых2, КОМ — <1 <1 <1 <1 А ОС С К, ДЬ -70 -70 — 70 -70 U^ п mint — 3 3 3 3 Un п max, Е — 15 15 15 15 I вых! max, мА 3 3 3 3 Iвых2 тах> мА 3 3 3 3 Ррас maxt мВт 250 250 250 250 /в, кГц ^вх2~00 мВ 50 50 50 50 1 При температуре 20 ±5 °C, номинальном значении иапряже- ния источников питания и частоте 1 кГц. Цифровые индексы при параметрах соответствуют: 1 — микрофонному усилителю, 2 — предварительному усилителю. 2 По двум каналам. 3 На частоте 400 Гц. 118 К157ХА1А, К157ХА1Б Усилители высокой частоты с преобразователем. Могут применяться как с резонансной, так н нерезонансной нагрузкой. Назначение выводов микросхем: 1 — вход; 2,7 — общие ( —5 — вход гетеродина; 6, 8 — коррекция; 9—питание (+ ия.п); 10, 12 — выходы ПЧ; 11 — вход смесителя; 13 — питание (+ „); 14 — выход ВЧ. Рис. 1. 125. Принципиальная (а) и типовая (б) схемы включения ИМС К157ХА1 01,2к ST1 ЮнкГн из то -.2 7 -Iй-" в орзз/к 2200Х- [2200 ' 2 CS 0,033т Ь Параметры1 Режим измерения KI57XA1A К157ХА1Б Uh п» В 5±0,51 2 3 5±0,52 Рпот, мВт — <25 <25 /дот» мА Ц>х=0; R„=<x> <3,3 <3,3 Ul„, мВ ft* —15,465 МГц 300...450 —— fBX = 25,465 МГц — 300...450 АуП f»x=0,15 МГц; L/BX=0,2 мВ 150...350 150...350 Кос в> дБ fBX = 15 МГц <5 — Аш, дБ fBX = 25 МГц — <5 Г», МГц /вх=0,15 МГц <6 <6 Uh п mini Б По уровню —5 дБ 15 25 Uв п тех» В — 3,6 3,6 I Птах* мА — 6 6 При подключенной нагрузке 10 10 1 При температуре 20±5 °C и номинальном значении напряжения источника питания 5 В. 2 Допустимые пульсации напряжения питания 1 мВ. 3 Наприжение гетеродина на эквивалентном сопротивлении контура гетеродина между выводами 5 и 8, равном 4 кОм. Примечания. При разработке усилителя ВЧ и преобразователя на основе интегральной микросхемы К157ХА1 необходимо учитывать следующее: 1. При нерезоиансиой нагрузке для получения оптимальных шумовых характеристик схемы внутреннее сопротивление источника сигнала должно составлить 0,5... 1 кОм. 119 2. Эквивалентное сопротивление гетеродинного контура £2С9, приведенное к выводам 5 и 8 микросхемы, рекомендуется выбирать в пределах 4...10 кОм. Уменьшение этого сопротивления приводит к ухудшению условий возбуждения, а его увеличение — к нарушению стабильности частоты. 3. Для стабилизации напряжения гетеродина и изменения частоты генерации расстояние между конденсаторами 05 и С6 и выводами б, 8 должно быть минимальным. Чтобы напряжение гетеродина ие влияло на выход смесителя (выводы 10 и 12) и иа вход УПЧ, обе половины первичной обмотки трансформатора смесителя должны быть симметричны по отношению к среднему выводу. В правильно спроектированном устройстве напряжение гетеродина иа выводах 10 и 12 относительно корпуса должно быть ие выше 0,1...0,2 В во всем частотном диапазоне гетеродина. 4. Цепочка /?4С8 служит для подавления паразитных колебаний, частота которых определяется индуктивностью'рассеяния обмотки связи гетеродинного контура с микросхемой. При выборе элементов Л4 и С4 следует учитывать ее шунтирующее действие иа основной частоте гетеродина. 5. Эквивалентное сопротивление контура смесителя (между выводами 10 и 12) желательно выбирать около 10 кОм (с учетом подключенной нагрузки — обычно фильтра с входным сопротивлением 1,2 кОм). 6. Параметры режекториого контура L\ С2 нужно выбирать такими, чтобы они обеспечивали эффективное подавление частоты 465 кГц, т. е. его сопротивление иа этой частоте должно быть значительно меньше сопротивления нагрузки УВЧ, равного приблизительно 240 Ом. В то же время иа частотах, наиболее близких к промежуточной, в диапазоне длинных (408 кГц) и средних (525 кГц) воли контур ие должен заметно шунтировать нагрузку УВЧ. К157ХА2 Усилитель промежуточной частоты с AM детектором и системой АРУ. Назначение выводов микросхемы: 1 — вход 1; 2, 6, 10, 12 — коррекция; 3 — общий ( —(7и.п); 4— регулировка усиления; 5 — вход 2; 9 — выход детектора; 11 — питание (4-(7йп); 13— выход АРУ; 14 — выход 1. и... в мВт /пог> мА S, мкВ У ару,в AI/ДРУ отн Кг, % Ли, кОм 5±0,5‘ <25 <4 9...302 3...4.5 1203 54 0,43...1 1 Допустимые пульсации напряжения питании 1 мВ. 2 Чувствительность при £/,„ = 6 В; О,ых —30 мВ; т = 30 %. 3 Относительное изменение напряжения АРУ иа частоте 465 кГц при Овх = 0,5...3 мВ; /?„=оо; т = 30 % определиется по формуле Оаых “"аРУотн = 60 • —ту/,-, Ь’вых где U'BUX — наибольшее значение выходного напряжения; UBax — наименьшее значение выходного напряжения, соответствующее двум крайним значениям входного напряжения (0,5 и 3 мВ). 4 При 1/В1 = ЗмВ; Лн=о°; т = 30"%. Примечания. 1. Значения параметров приведены при температуре 20±5 °C и напряжении источника питания 5 В. 120 2. Для обеспечения устойчивой работы и улучшения параметров узла УПЧ на интегральной микросхеме К157ХА2 в его состав рекомендуется включать одиночный колебательный контур или полосовой фильтр. Одиночный контур включается между выводами 3, 14 и 5. Волновое сопротивление части контура, подключаемой к выводам 3 и 14, приведенное к этим выводам, выбирается таким, чтобы требуемую полосу пропускания получали с учетом шунтирования контура сопротивлением микросхемы (между выводами 3 и 14). 3. Входные (выводы 2, 1) и выходные (выводы 9, 10) цепи интегральной микросхемы нужно тщательно экранировать от электрических и магнитных полей и разносить их одну от другой. При монтаже необходимо стремиться к тому, чтобы площадь петель, образованных входными и выходными токами микросхемы, была минимальной. < 4. Элементы схемы включения следует заземлять в одной точке с выводом 3. Особое внимание надо обращать на длину проводников (соединяющих выводы 9 и 10 с конденсатором С6) и площадь контура, образованного выводами 9, 10 и этим конденсатором. Рис. 1.126. Принципиальная схема включения ИМС К157ХА2 (а), типовая схема ее включения (б) н .схема подключения одиночного контура (в) 121 К157ХП1 Микросхема предназначена для управления приборами и индикации пиковых уровней сигналов в канале записи стереофонических магнитофонов и формирования сигналов управления системой автоматического регулирования уровня записи. Для индикации могут использоваться светодиоды, лампы накаливания н др. Постоянная времени индикации определяется емкостью конденсаторов С1 и С2 (рис. 1.127, б). Вход ЛК ~850мВ Вход ПК ~850мВ 1 7 С110ж*25В £ ll+ VI# М-S'M* . —к— С210ш*25В 5 а Рис. 1.127. Функциональная (а) и типовая (б) схемы включения ИМС К157ХП1: / — предварительные усилители; 2 — индикаторные усилители; 3 — источник образцовых и сметающих напряжений; 4 — выпрямитель системы ДРУЗ и„, в / пот» мА /и п у, МкА /вых 0 У» мА С/вых п,у> В Uh п т/я> В 15 5...Э <2 4...10 5...10 7,2 Uh п max, В Utx и у max, В ^выхЗ, Ботах» мА ^вых 10, 12.тях» мА Ррас max, мВт 20 ±7 70 10 250 Выходное эталонное напряжение, В . .... 1,25...1,55 Напряжение порога срабатывания по выходу индикаторного усилителя и системы АРУЗ, В 1...1.45 Напряжение отпускания по выходу индикаторного усилителя и системы АРУЗ, В, не менее . . 0,9 Входной ток покоя индикаторного усилителя, мкА....................................... 65...75 Максимальный выходной ток закрытого индикаторного усилителя, мкА, не более .... 1 1 Токи и напряжения предварительного усилителя. Примечание. Значения параметров приведены прн температуре 20±5 °C н номинальном напряжении источника питания 15 В. 122 К157ХП2 Стабилизатор напряжения с элементами генератора. Предназначен главным образом для генераторов тока стнрання и подмагничивания н стабилизатора напряжения с электронным управлением. Назначение выводов микросхемы: 1, 2, 3, 12, 13, 14 — ключевые элементы; 4, 5 — установка выходного напряжения стабилизатора; 6 — вход усилителя сигнала рассогласования; 7 — общий; 8 — источник опорного напряжения устройства управления временем включения и выключения стабилизатора; 9 — управление стабилизатором; 10 — вход стабилизатора; 11 — выход стабилизатора. Необходимое выходное напряжение стабилизатора может быть установлено как внутренним, так и внешним делителем. Прн использовании внутреннего делителя можно установить выходные напряжения, близкие к указанным ниже. Напряжение, В Соединяемые выводы Напряжение, В Соединяемые выводы 12 5, 6 5, 5 4, 6 10,5 4, 5, 6 3 5, 6 и 4, 11 9 4, 6 и 5, 7 1, з 6, И Внешний делитель подключается к выводам 11, 6, 7. С его помощью можно установить выходное напряжение стабилизатора в пределах 1,3...33 В. Для нормальной работы стабилизатора входное напряжение должно превышать выходное менее чем на 2,5 В. Время включения и выключения выходного напряжения стабилизатора определяется емкостью конденсатора, подключаемого к выводам 7 и 8. "И'11 5(7м*х 15В о Рис, 1.128. Функциональная схема (а) и типовая схема включения (б) ИМС К157ХП2: / — выходной делитель, 2 — регулирующий элемент, 3 — усилитель сигнала рассогласования; 4 — источник образцового напряжения с устройством управления временем включения и выключения 123 Параметры1 Значения Режим измерения в Ц.ВХ, В /н, мА 1/.ЫХ, В 1.3...33 4...40 ^вых 0 ^выхзакр, В <0,1 15 £7вых закр 0 Лх, мА 3,2...7 36 —. 0 •/хх закр, мА 0,5...2 36 0...0.1 0 /вх|, мА 0,5 15 1,3.„1,4 0 /м2. мА 1 ...2,9 15 9.7...0 0 7вых2, мА 1 ...2,6 15 0...7.7 0 ±0,002 12.„18 8,3.„9,7 0 ±0,01 15 8,3.„9,7 9,3...10,7 /.>, мА 150...450 4 х 0 Л, Uвх/па*, В 4.„40 —— 1.3...3 0 1 вых ст /пах, мА 150 — — — Ррас /па*, Вт I3 — — — 1 Прн температуре 20±5 °C. 2 Индекс 1 используется для усилителя рассогласования, 2 — для устройства управления временем выключения. 3 Прн температуре окружающей среды 25...70 °C рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле (Вт) _ 125 —ГОкр Ррас так-----ГХЯ Значения параметров транзисторных структур, используемых в данной микросхеме, приведены в следующей таблице: ^КЭ.нас. В ^БЭ нас» В Окэк. мкА ЦКЭ топ В ^ЭБ /пах» В I К тах» мА 0,75 1,25 40 40 7 150 К157ХПЗ Динамический шумопонижающий фильтр. Назначение выводов: 1 — регулировка времени установления; 2 — выключение режима шумоподавления; 3 — регулировка времени установления; 4—вход частотного корректора; 5 — регулировка порога шумопонижения динамического фильтра; 6 — регулировка верхнего значения частоты среза динамического фильтра; 7 — регулировка нижнего значения частоты среза динамического фильтра; 8 — внутренняя установка верхнего значения частоты среза; 9 — напряжение питания ( — £/„„); 10—напряжение питания ( + tA,n); Н—выход динамического фильтра (~500 мВ); 12— выход 2-го звена основного управляемого фильтра; 13 — управляющий вход 1-го звена основного и дополнительного управляемых фильтров; 14 — управляющий вход 2-го звена основного управляемого фильтра; 15—выход линеаризирующего устройства 2-го звена основного управляемого фильтра; 16 — 124 выход линеаризирующего устройства 1-го звена основного управляемого .фильтра; 17 — вход динамического фильтра (~100 мВ); 18 — выход 1-го звена основного управляемого фильтра; 19 — неинвертнрующий вход алгебраического сумматора; 20 — выход алгебраического сумматора; 21—1-е звено весового фильтра; 22 — 2-е звено весового фильтра; 23 — выход ограничителя минимума; 24 — общий. <4 п> В I вот» мА £Лых.0|ЯХ» В t/o вых» В вх> мкВ /вх о, мкА /выя мах» мА — 15 5...10 J-11' ±0,5 152 0,5 6...2O' ' При иВх=±3 В. 2 При f = (20...20 ООО) Гц. Рис. 1.129. Схема включения ИМС К157ХПЗ Серии 159, К159 Микросхемы предназначены для балансных схем н других устройств радиоэлектронной аппаратуры. Конструктивно оформлены в корпусе типа 301.8-2. 125 159НТ1А, 159НТ1Б, 159НТ1В, 159НТ1Г, 159НТ1Д, 159НТ1Е, 159НТ1Ж, К159НТ1А, К159НТ1Б, К159НТ1В, К159НТ1Г, К159НТ1Д, К159НТ1Е Микросхемы представляют собой пары транзисторов структуры типа п-р-п. Тип ИМС Mie 1Е l/h 21Е2 (УэБ|— УЭБ2)’. мВ 159НТ1А 30...90 0,9 3 159НТ1Б 60... 180 0,9 3 159НТ1В __ 0,92 3 159НТ1Г 30...90 0,8 10 159НТ1Д 60... 180 0,8 10 159НТ1Е — — 10 159НТ1Ж 50 3 К159НТ1А 20...80 0,85 — К159НТ1В 60... 180 0,85 3 К159НТ1В 80 0,85 3 К159НТ1Г 20...80 0,75 15 К159НТ1Д 60... 180 0,75 15 К159НТ1Е 80 0,75 15 1 При (7Кб = 5 В; f = 50 Гц; /„ = 2 мс; /э=1 мА (для ИМС К159НТ1В.Е /э = 50 мкА). 2 При U Кб = 5 В; / = 50 Гц; /„ = 2 мс; /э=1 мА (для ИМС 159НТ1В, К159НТ1В, 159НТ1Е, К159НТ1Е /э = 50 мкА). 3 При 1/КБ = 5 В; 1Э = 1 мА. Рис. 1.130. Принципиальная схема (а) и типовые входные характеристики транзисторов ИМС 159НТ1, К159НТ1 в схеме с общим эмиттером в обычном режиме (б) и микрорежиме (в) 126 Рис. 1.131. Типовые выходные характеристики транзисторов в схеме с общим эмиттером для ИМС 159НТ1, К159НТ1 Значения остальных параметров транзисторных структур приведены ниже. Параметры Режим измерения 159НТ1А...Ж KI59HTIA...E 5 , э ? и « » • - * о о = S g s а * э и и х 9 ? i ? и ее > к я х 2 " * ’ > > 2 СО сп о» рч ад И рС /А СП О’ ““ О’ СП "—О’ 2 II II -- II II 811 5, 03 СЭ ьэ ьэ СО сэ О сл Ф СОj- 1 1 1 1 131 юю «р аз 3 > II О N N® N СО ® О О СЛ | ОО I I I ф/А/Л | моо 1 № N ' 1 1 NQ1 4^ ’ ф Ф Ф ГО 1 Ток утечкн между транзисторами. 2 Прн температуре — 60... + 125 °C для транзисторов 159НТ1А... Ж и прн -6О...+ ЮО°С для К159НТ1А...Е. Примечание. Значения параметров приведены прн температуре 25 ± 10 °C. Серии 162, К162, КР162 Микросхемы предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре в качестве коммутационных элементов. Конструктивно оформлены в корпусе типа 401.14-3 или 401.14-4, 201.14-1 (КР162). 127 162КТ1А, 162КТ1Б, К162КТ1 Последовательные интегральные прерыватели, предназначенные для коммутации слабых электрических сигналов постоянного и переменного токрв. /2 Рис. 1.132. Принципиальная схема ИМС 162КТ1, К162КТ1 Параметры1 Режим измерения I62KTIA 162КТ1В K162KTI (/ком, В — ±30 ±30 ±30 1 ком, мА — <25 <5 — 1/э1Э2ост> МКВ ^Б14- ^Б2— 2 *мА <100 <200 <300 /ут Э1Э2* нА 4/ком ==±30 В <45 <45 <50 /?Э1Э2откр> ОМ ^Б1 + ^Б2 = 2 мА, /ком == <100 <100 <100 = 100 мкА /б| + /б2. мА ! IMIM <10 <20 — 1/кБ обр, В — <20 <20 <20 (/эБ обр» В — <31 <31 <31 (/КБ пр, В ^Б| + ^Б2 = 2 мА 0,85 0,85 — (/эк, мВ /б> + ^2 мА 10 10 /к, мА — <15 <25 — ' Прн температуре 20 ±5 °C. Серия К167 Микросхемы предназначены для использования в усилительных устройствах различной радиоэлектронной аппаратуры. Конструктивно оформлены в круглом металлостеклянном корпусе типа 301.8-2, К167УН1 Усилитель низкой частоты, выполненный на МДП-струк-турах с индуцированным каналом р-типа. К167УНЗ Предварительный усилитель низкой частоты, выполненный на МДП-структурах со встроенным каналом р-типа. 128 Рис. 1.133. Принципиальные схемы ИМС К167УН1 (а), К167УНЗ (б) и схема включения ИМС К167УНЗ (в) Тип ИМС Ц,п, в /пот. мА Рпот» МВт «у и Кг. % КШ, дБ иш мкВ К167УН1 -12±1,2 <5 <60 500...1300' 5' >6,5 <50 К167УНЗ — 12± 1,2 < 6 — 100...150' — — — кГц С„х, пФ /?.ых, кОм ^Овых- В >100 <80 <20' — >100 <300 1,6...2,5' 4.. 7 1 На частоте 1 кГц. Примечания: 1 Предельно допустимые напряжения иа выводах ИМС составляют +0,2 и —15 В. 2 . Значения параметров приведены при температуре 20±5 °C. Серия 168 Микросхемы предназначены для коммутации аналоговых сигналов постоянного н переменного токов в различных радиоэлектронных устройствах. Конструктивно оформлены в корпусе типа 401.14-4. 168КТ2А, 168КТ2Б, 168КТ2В Микросхемы служат в качестве четырехканального интегрального переключателя. Рис. 1 134 Принципиальная схема ИМС К168КТ2 .11 ,7 ~1 ГМ 1 14 1ft— I /? ~~L r-j о J * 1Л Д—_~1 N / 0 • 3—! | f— 2— —1 5—2044 129 Параметры* Режим измерения 168КТ2А 168КТ2Б 168КТ2В /сУт, иА Uc=-10 в <20 {/с=-15 В — <20 — Uc=-25 В — — < 100 /иут> иА 1/и=-10 В <20 — (7И= —15 В — <20 t/„= — 25 В — — < 100 ут» нА £/3= — 30 В <20 <20 <20 ^ЗИ пор» £/и = 5 В; /и = 0,01 мА 3...6 3...6 З'...б гд, Ом U3= - 15 В; 17и== — 5 В; <100 <100 <100 UCK„ = 5 В; /и = 0,1 мА /вид, МКС Уи= -5 В; U^„ = 5 В <0,3 <0,3 <0,3 ^выил» МКС 1/и=-5 В; UCK „=5 В <0,7 <0,7 <0,7 Ucn max, В — 10 15 25 Ь'ип max, В ' 1, 10 15 25 Ь'ЗП max, В — 30 30 30 ком max- мА — 20 20 20 Р рас,тах> МКТ — 1002 1002 1002 1 При температуре 25±5 °C. 2 При температуре окружающей среды выше 4-85 °C максимально допустимую мощность рассеяния рассчитывают по формуле (мВт) _ 150 —Гокр • рас max — Л . Серия 171 Микросхемы представляют собой маломощные усилители. Предназначены для использования в изделиях радиоэлектронной техники. Конструктивно оформлены в корпусе типа 301.12-1. 171УВ1А, 171УВ1Б Микросхемы используются в качестве широкополосного регулируемого усилителя. Назначение выводов: 1 — земля 1 (— У» п) ; 3 — питание (4- UK „); 4, 5,6 — выводы; 8 — земля 2; 9 — резистор; 10 — вход; 11 — смещение; 12 — АРУ. Параметры* Режим измерения 171УВ1А 171УВ1Б t4„, В /пот» мА С'ип = 6,6 В — б±0,б <20 б±О,б <20 Ку и U п = 5,4 В; 1 = 25 МГц О = 10 мВ; >7 >7 Knbpy, ДЬ (/„0 = 5,4 В; 1 = 20 МГц Uax — Ю мВ; >40 >40 130 Продолжение Параметры1 Режим измерения 171УВ1А 171УВ1Б Кое», дБ £/вх=10 мВ; /=80 МГц; -3 — = 80 МГц £/вх=10 мВ; /=60 МГц; — —3' /в =60 МГц (/вых, мВ £/„„ = 6,6 В; £/вх = 10 мВ; >30 >30 /=100 кГц 1 При £/„„ = 5,4 В. +4ип Рис. 1.135. Принципиальная схема (а) и схема включения (б) ИМС 171УВ1 171УВ2 Микросхема используется в качестве видеоусилителя. Назначение выводов: 1 — питание ( — £/„„2); 2—выход 2; 5 — выход 1; 6 — питание ( + £/„„,); 7, 8, 11, 12—выводы; 9 — вход 1; 10 — вход 2. Параметры Режим измерения Значения и» П1» В 4-6±0,6 £/„ „г, В — — 6±0,6 /лот, мА £/„„i=6,6B; £/„„2=—6,6В <25 Ку U £/вх=10 мВ; /=0,1 МГц; К„= 10 кОм >40' £/вх = 30 мВ; / = 100 МГц; К„= 1 кОм >з2 /Сое В, ДВ £/вх=10 мВ; / = 30 МГц; Я„ = 1 кОм -З3 |Д£/к1, В £/„nl = 6,6B; £/„„2=—6,6В <1,2 1 По каждому выходу при £/ип2 = 5,4 В; £/„„2 = = —5,4 В и замкнутых выводах 7 и 12. 2 При £/„„1=6 В; £/„„, = —6 В и разомкнутых выводах 7, 12, 8, 11. 3 При £/„„|=5,4 В; U„n2= — 5,4 В. 4 Модуль разности выходных напряжений. 131 Рис. 1.136. Принципиальная схема (а) и схема включения (б) ИМС 171УВ2 171УР1 Усилитель промежуточной частоты с электронной регулировкой усиления. Назначение выводов микросхемы: 1— вход 1; 2 — питание (+ U„ ; 3, 4, 6 — выводы; 7 — земля 1; 8 — питание ( — — выход; 11 — земля 2; 12 — вход 2. 132 Рис. 1.137. Принципиальная схема (а) и схема включения (б) ИМС 171УР1 Параметры Режим измерения Значения U»„l, В + 6±0,6 V«ns> в " — — 6±0,6 ^яот1» мА tA nl =“6,6 В*, Uh п2 “= ““ 6,6 В 7 Iпот8, мА U, П| =6,6 В;-{7„ „2= —6,6В 4 U = 30 мВ; f =30 МГц 162 АРУ оти U = 0 В; 17! = 30 мВ; f = 1002 = 1 МГц А ос в» Г7/ = 30 мВ; /=30 МГц; -З2 f, = 60 МГц Кш, дБ Un п! =6 В; ^ип2ж—6 В; 10 '' f=20 МГц 1 Напряжение На выходе источника сигнала. 2 При С7ип1—5,4 В; U„„2—— 5,4 В. 3 Относительный диапазон автоматической регули- ровки усиления по току. Серии 174, К174 Микросхемы предназначены для работы в низкочастотных трактах бытовой стационарной радиоаппаратуры и формирования импульсов строчной развертки в телевизионной аппаратуре. К174АФ1А Селектор и генератор .строчной развертки. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 238.16-2. Назначение выводов; 1 — питание (+ U п); 2 — выход; 3 — вход формирователя; 4, Рис. 1.138. Функциональная схема ИМС К174АФ1А: 1 — генератор импульсов строчной частоты, 2 — фазовый дискриминатор АПЧФ генератора, 3 — детектор совпадения, 4 —схема защиты от импульсных помех, 5 —выходной каскад, 6 — схема формирования выходного импульса, 7 — фазовый дискриминатор, 8 — амплитудный детектор 133 12 — выходы фазового дискриминатора; 5, 6 — входы фазового дискриминатора; 7, 11 — выходы детектора совпадения; 8 — вход видеосигнала; 9 — вход импульса помехи; 10, 13, 14, 15—выводы; 16— питание ( — t/Kn). Рис. 1.139. Схема включении ИМС 174АФ1А Пни, В / пот, мА WL..A, в ^сни А, В МИС Гц 12 ± 1,2 34...56 8 8 12...32 ±700 1 При UBX=0; 1/вхА=10 В. 2 Амплитуда и длительность выходного строчного импульса. 3 Амплитуда кадрового синхроимпульса. Примечание. Значения параметров приведены при номинальном напряжении источника питания 12 В. К174АФ4А Схема получения R-G-B цветовых сигналов и регулировки насыщенности. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 238.16-2. Рис. 1.140. Функциональная схема ИМС К174АФ4А: / — блок регулировки насыщенности, 2 — сумматор, 3 — блок изменения уровня сигнала без изменения коэффициента усиления, 4 — блои получения цветоразностного сигнала 134 U... в I пот» мА Ли, иОм С,ж. пФ А/яр!» МГц Л/ц.ет, МГц Кпод пер» ДБ 12±1,2 <55 >100' <52 >6 >1,5 >36 /Спер I. 2, з — с яркостного входа на выходы R, G, В . . 3,1...3,9' /Спер 4,5 — с цветоразностных входов на выходы R, В . 2,4..,3,6‘ Кперб — со входа B-Y на выход G......................0,5...0,7‘ /Спер?—со входа R-Y на выход G........................1,4...1,8' ' При GBX=100 мВ; / = 5 кГц. 2 При Gex=100 мВ; / = 1 МГц. Отклонения коэффициентов передачи от их среднего значения (в %) приведены ниже. Knepl 2 3 Кпер4 S Кперб ОТ 0,19 Клер> Апер? ОТ 0,51 Клер2 Kqepl 2. 3 Коер4. S <5 <7,5 ±10 <7,5 ±51,2 ± 101, 2 ' При 1/Вх=100 мВ; / = 5 кГц. 2 При регулировке насыщенности на 12 дБ. К174АФ5 Формирователь сигналов цветности (/?—G — В-матрица). Микросхема конструктивно выполнена в корпусе типа 238.16-2. Назначение выводов: / — вход Y; 2— вход R-Y; 3 — установка усиления /?; 4 — вход G-K; 5 — установка усиления G; 6 — вход B-Y-, 7 — установка усиления В; 8—вход импульса синхронизации; 9—питание (+ 1УЯ п); 10 — выход В; 11 — вход ООС В; 12 — выход G; 13 — вход ООС G; 14 — выход/?; 15 — вход ООС 7?; 16— общий (земля). Рис. 1.141. Типовая схема включения ИМС К174АФ5 135 в ПОТ> М А ГС. МГц Д^уя* МГц Д^ув. МГц Д/я-у,я> МГц Д^С-У, 0> МГц Д^в-у, в. МГц 12±1,2 30...80 >6 >6 >6 >1,5 >1,5 >1,5 К174ГЛ1, К174ГЛ1А Схемы обеспечения кадровой развертки в телевизионных приемниках. Конструктивно оформлены в корпусах типа 238.12-1; 2104.12-1 Микросхема и,„. В / пот, мА А МС О', Гц Ог„ Гц W.»., в К174ГЛ1 К174ГЛ1А 25 + ' ’2 25 -2,5 /А/А 00 00 ф ф ф IA Ф_ АА\ /А/А ф ф ф ф 50...66 50...66 44...50 44...50 ±8 ±9 1 Диапазон перестройки частоты внутреннего генератора в режиме свободных колебаний. 2 Диапазон установки синхронизации. 7 12 1 10 Рис. 1.142. Функциональная схема и схема включения ИМС К174ГЛ1, К174ГЛ1А: / — генератор; 2 — стабилизатор напряжения, 3 — схема формирования обратного хода; 4 — усилитель мощности, 5 —усилитель синхроимпульсов; б—генератор пилообразных сигналов, 7 — буферный каскад, 8 — усилитель 136 Рис. 1.143. Типовые схемы включения ИМС К174ГЛ1 (а), К174ГЛ1А (б) К174ГЛ2 Схема обеспечения кадровой развертки в телевизионных приемниках. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 1505Ю.17-1. Назначение выводов: 1, 17 — общий ( — £4п); 2 — вход импульса синхронизации; 3, 4, 6, 8, 14, 16 — вспомогательные выводы; 5 — выход генератора; 7 —, выход импульса гашения; 9 — вход усилителя инвертирующий; 10 — компенсация; 11 — вход усилителя неинвертирующий; 12 — питание ( + £/ип); 13 — выход генератора обратного хода; 15 — выход. Рис. 1.144. Схема включения ИМС К174ГЛ2 137 0,., в / пот» мА I., А х» МС (ох. МС Г., МС Кн % Af сяа, Гц 15.. 29 <385‘ >2,5 <1 1,2... 1,5 >22,5 ± 8 >5 ' При ^„„ = 50 Гц К174ГФ1 Задающий генератор строчной развертки телевизионных приемников с автоподстройкой частоты и фазы. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 201.14-1. U. а. В ?пот> мА ит. в f г maxt Г Ц f r mini ГЦ ЛЛ.Х, Гц ги, мкс 12 ± 1,2 — 3 <20‘ >4‘ > 171902 <14 0602 ±500 15...25 1 При Я„ = 500 Ом; fr= 15 625 Гц. 2 При /?„=500 Ом. л. -импульс обратного хода Рис. 1.145. Типовая схема включения ИМС К174ГФ1 К174КП1 Микросхема служит для переключения датчиков низкочастотных сигналов. Конструктивно оформлена в корпусе типа 238.16-2. Назначение выводов: 1 — вход 1А; 2 — вход 1В; 3 — вход /С; 4 — вход 1Д- 5 — вход 2А; 6 — вход 2В\ 7 — вход 2С; 8 — вход 2Д; 9 — выход 2-го канала; 10—выход напряжения смещения; 11, 12, 13 — управление входами; 14 — питание ( + (7ИП); 15 — выход 1-го канала; 16—общий ( — (/„„). 138 t/и п> В /пот, мА Ку U. дБ Кг, % Кеш, дБ 15±1,5 <5 -2,5‘ <0,1 >97' 1 При 7?„=4,7 кОм; /„=1 кГц. Входы С9+Х2 100mkJ~ 16 /с>$ гл >SLt гв>^ 20^ №1 IM К774КП1 1Ц ~$io С1050МК снюмк выход -||— 1 напала о аг юж выход -°—II— 2 канала ft л с гз в Рис. 1.146. Типовая схема включения ИМС К174КП1 174ПС1, К174ПС1 Микросхемы представляют собой двойной балансный смеситель. Конструктивно оформлены: 174ПС1 в корпусе 201.16-13, К174ПС1 в корпусе 201.14-1 Рис. 1.147. Типовая /хема включения ИМС К174ПС1 Рис. 1.148. Типовая Схема включения ИМС К474ПС1 139 Микросхема И,.. В /пот, мА Кос.., дБ Кос ОП, дБ Кт, ДБ <$првт мА/В 174ПС1 К174ПС1 9 ±0,9 9 ±0,9 <3 <2,5 >30 >30 00 00 V/V/ W СЛ 00 К174УК1 Используется в телевизионных приемниках цветного изображения как схема регулировки яркости, контрастности, насыщенности и формирования зеленого сигнала. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 238.16-2. Назначение выводов: / — выход Y\2 — импульс привязки; 3 — импульс гашения; 4 — общий ( — U„n); 5 — регулировка контрастности; 6 — регулировка насыщенности; 7 — выход B-Y; 8—вход B-Y-, 9 — вход R-Y; 10 — выход R-Y\ 11 вход G-У; 12 — выход G-У; 13—питание (+£/„„); 14 — регулировка яркости; 15 — накопительный конденсатор; 16 — вход У. „Яркоть" 1.8 2,3 1 выход Выход вход, кОм КОм кОм lS-YI IR-YI (R-Y) вход яркостного канала (У/ *ип<> 'Омщ№ ^15 22ми Выход яркостного сигнала (Y) ктик1 18 кОм импульс притки вЫКЛ»Т^ Регулировка контрастности регулировка насыщенности ±гг TW вход , B-Y" Рис. 1.149. Схема включения ИМС К174УК1 Выход „в-ч" tyO $9 W.., в ^пот, мА t/вых Р. Y, в Увых В Г, в иГ, в ДУг, в Д., дБ Д«, дБ 12± 1,2 <46 5,4...6,8 5,4.. 6,8 — 1,2 (-0,8) >1 >12 >12 140 К174УНЗ Предварительный усилитель низкой частоты. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 201.14-1. Назначение выводов: 2 — выход; 6 — обратная связь; 7 — питание (+ п); 8 — эмиттер; 9, 13 — выводы; 14 — общий (— 17и п). Рис. 1.150. Принципиальная схема (а) и типовая схема включения (6) ' ИМС К174УНЗ- Uh Ki В /пот» мА Ку и Кт, % 1/ш, мкВ Rtt. кОм R и mint кОм Uh п тал* В 6 ±0,6 <6 1400'- 2 1.2'- 3 2 10' 10 7 ' На частоте 1 кГц. 2 При (У„=0,1 мВ. 3 При (Лых = 0,5 В, К174УН4А, К174УН4Б Микросхемы служат в качестве усилителя мощности низкой частоты. Конструктивно оформлены в корпусе типа 201.9-1. Назначение выводов: 1, 6 — выводы; 2— обратная связь; 4 — вход; 5 — фильтр; 7 — питание (+ U„ „); 8 — выход; 9 — общий (— U„ „). Вход о— 1мх*15В г т L — * 1,8кУ СЗ =L сг J+ гоо,о* 50мк*15В~£ 7 Ct п S 5 Ч.п 0*н J+ С5 ' 1000***153 R2 +LC6 J 1мк Рис. 1.151. Принципиальная схема (а) и типовая схема включения (б) ИМС К174УН4 141 и... в /вот* мА Ку и Кг, % К.>, кОм К», Ом Рвых яоы> Вт /в А тах> мА 9 ±0,9 < 101 4...40' 21. 2 >10' >4 <13 860 1 На частоте 1 кГц. 2 При i/,Ux=2 В. 3 Для К174УН4А; для К174УН4Б РВЫ1 вом < 0,7Вт. К174УН5 Усилитель мощности низкой частоты с номинальной выходной мощностью 2 Вт при нагрузке 4 Ом. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 238.12-1. Рис. 1.152. Принципиальная схема (а) и второй вариант корпуса (6) ИМС К174УН5 (в скобках указаны номера выводов для второго варианта корпуса) 142 Рис. 1.153. Типовые схемы включения ИМС К174УН5 Uh п> В 1оот» мА Ку и &К?и, % к„ % Rn, кОм Гц f., кГц РлЫХ ЯОМ, Вт 12±1,2 СЗО1 80..Л202 ±202 <12’3 >102’4 30 20 2 яв, Ом U^x max. В ^сф вх max. В /и A max. А /и вых max. МС £/и n max. В 4 13,2 1,5 5,5 1,45 30 1 При U.x=0. 2 На частоте 1 кГц. 3 При Р,ых=2 Вт. 4 При С/„= 1 В. Микросхему К174УН5 нельзя применять без дополнительного теплоотвода. Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде ^пер-окр — 1 000 °С/Вт, а от перехода к корпусу Япер-кор = 20 °С/Вт. 143 К174УН7 Усилитель мощности низкой частоты с номинальной выходной мощностью 4,5 Вт при нагрузке 4 Ом. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 238.12-1. Назначение выводов: 4—питание ( + Г7ИП); 4 — вывод; 5 — коррекция; 6 — обратная связь; 7 — фильтр; 8 — вход; 9 — корпус (-Ун.); 10 — змиттер выходного транзистора; 12 — выход. Рис. 1.155. Генератор сигналов звуковой частоты на ИМС К174УН7 Рис. 1.156. Генератор тока-стирания и подмагничивания для стереофонических магнитофонов на ИМС К174УН7 Рис. 1 157. Типовая схема включения (а) и характеристики (6...г) ИМС К174УН7 144 1/.., В 1 пот> мА Кг, % S, мВ Uo »ЫХ. В Р.их, Вт Д,„ кОм f.. Гц 20' 22 70 2,6...5,5 4,5 503 40 f„ кГц ч. % ^вх А тах> В /н А тая А я mart В 20 503 24 1,б4 18 1 При <Лх = О. 2 При РВых = 0,5 Вт, Если Р„ых = 4,5 Вт, то Аг< Ю % 3 На частоте 1 кГц. 4 Амплитудные значения. Микросхему нельзя применять без дополнительного теплоотвода при мощности в нагрузке более 0,27 Вт. Тепловые сопротивления микросхемы: J?nep_0Kp = 100 °С/Вт; /?Пер-кор = = 20 ’С/Вт. Микросхема работает устойчиво от источника сигнала с внутренним сопротивлением /?г^ 15 кОм. При возникновении паразитной генерации рекомендуется подбирать емкости С4 и С5 (согласно типовой схеме включения). При понижении напряжения питания и использовании нагрузки с сопротивлением более 4 Ом выходная мощность уменьшается. К174УН8 Усилитель мощности низкой частоты с выходной мощностью 2 Вт при нагрузке 4 Ом. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 201.9-1. Назначение выводов: 2 — обратная связь; 4 — вход; 5 — фильтр; 7 — питание (+ п); 8 — выход; 9 — общий (— U* „). Рис. 1 158. Принципиальная схема (а), типовая схема включения (б) и схема включения ИМС К174УН8 с заземленной нагрузкой (в) 145 Онг, В /пог, мА Ку и ЛКу£л % К„ % Rm, кОм /н, Гц f., кГц 12±12 <15 4...40' ±20 <22 >10' 30 20 ^вых max, Вт 1), % Ue п max, В /нА maxt А Ли, Ом 2,53 504 13,2 1,09 4 ' На частоте 1 кГц. 2 При <Лых=2,83 В; Р,ых=2 Вт; f = l кГц. Если i/BUx = 3,l В, Р,ых=2,4 Вт, f = l кГц, то коэффициент гармоник составляет не более 10 %. 3 При Кг=10 %; f = l кГц. 4 При Рвых=2 Вт; f = l кГц. Микросхему можно применять только с теплоотводом. Тепловые ее сопротивления: /?пер_окр = 135 °С/Вт; R„ep—кор = = 60 °С/Вт. Регулировать коэффициент усиления микросхемы иа низких частотах можно путем изменения емкостей конденсаторов С2 и С5, а во всей полосе пропускания — изменением сопротивления резистора 7?1 и емкости конденсатора С2, являющихся элементами отрицательной обратной связи. К174УН9А, К174УН9Б, К174УН9В Усилители мощности низкой частоты с номинальной выходной мощностью 5 Вт при нагрузке 4 Ом. Имеют защиту выхода от коротких замыканий в потоку- Iq* умрк&в + .> (Jex нагрузке и перегрузки И-1 R2 100 | Ю[С2+16 7 С6_ IIСЗ ^вых -tl— tQOm Й II l- .oooft#/ № Lh ,C5 (4l4000 Рис. /./б^П'иповая схема включения ИМС К174УН9 Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 238.12-1. Назначение выводов: 1 — питание (+£/„„); 4 — вывод; 5 — коррекция; 6 — обратная связь; 7 — фильтр; 8 — вход; 9, 10 — общие; 12 — выход. 5 146 Микросхема и,., в мА мВ Кг, % Явх, кОм Z«, Гц кГц 1Ли вых, мВ К174УН9А 18± 1,8' <261 2 50...120 <13 4 100 40 20 1,5 К174УН9Б 18 ± 1,8' <2б250...120 <23 100 40 20 1,5 К174УН9В 15± 1,5 <20 50...120 <105 — 40 20 — Uia вых, MB 1Л| n maxt В 1,5 1 Допускается эксплуатация микросхемы К174УН9 при напряжении питания менее 18 В и сопротивлении нагрузки более 4 Ом. При этом снижается выходная мощность. 2 При 1/„=0. 3 При {/Вых=4,5 В и Р,ых<5 Вт. Если Рвых=7 Вт, то /С=Ю %. 4 При Р„ых=5 Вт. 6 При РВых=4,5 Вт; t/вых = 4,25 В. Рис. 1.160. Характеристики ИМС К174УН9 Микросхему нельзя применять без дополнительного теплоотвода. К174УН10А, К174УН10Б Двухканальные усилители с электронной регулировкой частотной характеристики. Предназначены для использования в качестве регуляторов тембра высоких и низких частот звуковоспроизводящей и приемно-усилительной аппаратуры первого и второго классов. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 238.16-2. 147 Рис. 1.161. ТиповаЯ'схема включения ИМС К174УН10: / — преобразователи напряжения, 2 — усилители, управляемые напряжением и„„ в /пот, мА к,. % Ку и Кос с к, дБ RtK, кОм Rn maxi кОм 15±1,5 <40 <0,5' 15 *562 >1,5 5 Отношение сигнал/шум: 66 дБ для К174УН10А и 60 дБ — для К174УН10Б. Глубина регулировки тембра на частотах 40 Гц и 16 кГц не менее ± 15 дБ. Изменение коэффициента передачи регулятора при изменении управляющего напряжения на выводах 4 и /2.от 1 до 10 В и частоте 1 кГц — не более ±2 дБ. Максимальное постоянное управляющее напряжение на выводах 4 и 12 — не более 12 В; наибольшее значение напряжения сигнала на выводах 1, 2, 6, 7, 9, 10, 14 и 15 — выше 1 В (эф). ' Для К174УН10Б при <7вых = 0,45 В; для К174УН10А К г<0,2 %. 2 При Ку о=1 и частотах 1 и 12,5 кГц. Примечание. Значения параметров приведены при номинальном напряжении источника питания 15 В и частоте 1 кГц. К174УН11 Усилитель мощности низкой частоты. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 201.14-12. 148 15±1,5 <100 1' 3...5 15 4 1 При (7>Ых=0,45...4,25 В. Примечание. Значения параметров приведены при номинальном напряжении источника питания 15 В и частоте 1 кГц. К174УН12 Двухкаиальный усилитель, предназначенный для электронной регулировки громкости с возможностью выбора оптимальной тонкоррекции и баланса в стереофонической аппаратуре первого и второго классов. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 238.16.2. С6 0,015ikR15 560 Рис. 1.163. Типовая схема включения ИМС К174УН12 149 и... в /пот. мА Кг. % t„ Гц А. кГц Яв, кОм 15±1,5 <0,5 Диапазон регулировки уровня громкости — не менее 77 дБ, баланса каналов — не менее ±6 дБ. Отношение сигнал/шум при t/BX=100 мВ — не менее 52 дБ; максимальное постоянное управляющее напряжение на выводах 12 и 13 — ие более 12 В; наибольшее значение напряжения сигнала на выводах 1, 2, 6, 7, 11 и 14— ие выше 1 В (эф). Примечание. Значения параметров приведены при Ку и — 1; <7вых = 1 В. Рис. 1.164. Характеристики ИМС К174УН12 К174УН13 Усилитель записи с АРУ и предварительный усилитель воспроизведения звука. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 238.16-1. Назначение выводов: / — вход предварительного усилителя, 2 — эмиттер входного транзистора ПУ; 3 — выход предварительного усилителя для подключения навесного элемента; 4 — выход предварительного усилителя; 5 — земля предварительного усилителя и автоматического регулятора уровня записи; 6 — выход АРУЗ; 7 — инвертирующий вход усилителя записи; 9 — выход усилителя записи; 10 — земля усилителя записи и АРУЗ; //, 12 — выводы для подключения навесных элементов; 13, 14 — вход АРУЗ; 15—питание ( + £/ип) усилителя записи и АРУЗ, 16 — питание ( + £/„„) предварительного усилителя. U... в /пот ПУ, мА /пот АРУ, мА Ку V АРУ. дБ Кг ПУ, % А У ару, дБ 9 ±0,9 3...8 6—16 50 0,2‘ 6 ' При Ку t/=28 дБ. Без АРУ при Ку (/=54 дБ, /<,.=0,4 %. 150 15 16 5 10 Рис. 1.165. Типовая схема включения ИМС К174УН13. Элементы схемы К174УН14 Усилитель мощности низкой частоты. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 1501Ю.5-1. Назначение выводов: 1 — неинвертирующий вход; 2 — инвертирующий вход; 3 — общий ( — UaB); 4 — выход; 5—питание (+ U я п) • и... в 7пот> mA W.«, мВ Р.ых, ВТ Кг. % Рвых ==0,05 Вт К»ых = 4.5 Вт 15±1,5 10...80’ 20...50 0,05.-4,5 0,5 10 1 При {7ах = 0. I——t—I----О Ул % ЕИ9мкЧ0В J| о___lli-Ц 4 11 2 ктшп i-f. -t-c 71 r h Рис. 1.166. Типовая схема включения ИМС К174УН14 бООмкЧОВ CS томк*25в 151 К174УН15 Усилитель мощности звуковой частоты, содержащий два идентичных канала, с номинальной -выходной мощностью 2X6 Вт и сопротивлением нагрузки 2 Ом. Микросхема предназначена для использования в переносной, автомобильной и стационарной бытовой стереофонической аппаратуре. Конструктивно микросхема оформлена в корпусе 15033.11-1. На-значение выводов: 1 — общий сигнальный вывод 1-го канала; 2 — неинвертирующий вход 1-го канала; 3 — инвертирующий вход 1-го канала; 4 — общий вывод 1-го канала; 5 — выход 1-го канала; 6 — питание обоих каналов (+ UK п); 7 — выход 2-го канала; В — общий вывод 2-го канала; 9 — инвертирующий вход 2-го канала; 10 — неиивертирующий вход 2-го канала; 11 — общий сигнальный вывод. Рис. 1.167. Типовая.схема включения ИМС К174УН15 в стереофоническом усилителе Рис. 1.168. Типовая схема включения ИМС К174УН15 в монофоническом усилителе 1 При t/Bx = O; R„ — 2 Ом. 2 При f=l кГц; Кг=1 %; R»=2 Ом. 152 Ъых, вт 9 6 3 О Цшт ~f33 Ъы *2f8m Рн -2 Ом Ко *Мд6 гпжт iiiiigMiiisBiiiiiiiiil S Ю 12 /♦ 1/п№,в ''"to 20 П to1 no IO1 fc,Гц a f Puc. 1.169. Характеристики ИМС К174УН15 КФ174УН17 Двухканальный усилитель низкой частоты, рассчитанный иа подключение головных стереофонических телефонов. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа Ф08.Г6-1. Назначение выводов: 1 — питание выходного каскада 2-го канала; 2, 10, 15 — ие задействованы; 3 — вольтдобавка 2-го канала; 4 — вход 2-го канала; 5 — питание предварительных каскадов; 6 — вход 1-го канала; 7 — вольтдобавка 1-го канала; 8 — питание 1-го канала; 9 — выход 1-го канала; 11 — общий вывод 1-го канала; 12 — вход 1-го канала; 13 — вход 2-го канала; 14 — общий вывод 1-го канала; 16 — выход 2-го канала. СИ ню мк Рис. 1 170. Типовая схема включения ИМС КФ174УН17 Параметры Режим измерения Значения пара метров 1/ип, В 7пот, мА 17вых, В 1/»„ = 3. 6,6 В; /?„ = 40 Ом 17и„=6,6 В; U„ = 150 мВ f = ЮОО Гц; Я„ = 40 Ом з+М <5 1,3 .1,7 153 Параметры Режим измерения Значения параметров f=20 Гц...20 кГц; Я„ = 40 Ом {7ВП = 3 В; f=l кГц; <7Вх=60 мВ /?„ = 40 Ом (Лп=3 В; Рвых=Ю мВт; /=1 кГц U„.„ = 3 В; Я„ = 40 Ом (7Я.П = 3 В; /?„ = 40 Ом <0,06 >20 иш, мВ Ку.и, дБ Кг, % кГц f«, Гц Uвых.max. мВ mint Ом Рис. 1.171. Основные характеристики ИМС КФ174УН17 К174УН18 Двухканальный усилитель мощности низкой частоты с тепловой защитой и защитой от перегрузок, предназначенный для применения в звуковоспроизводящей и радиоприемной аппаратуре. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе Рис. 1.172. Типовая схема включения ИМС К174УН18 , типа 1505Ю.17. Назначение выводов: 1 — общий вывод канала 2 (сильно-точный); 2 — общий вывод канала 2 (слаботочный); 3 — выход канала 2; 4 — питание выходного каскада канала 2; 5 — вольтдобавка канала 2; 6 — коррекция канала 2; 7— делитель ООС канала 2; 8 — вход канала 2; 9 — питание предварительных каскадов; 10 — вход канала 1; 11—делитель ООС канала 1; 12 — коррекция канала 1; 13 — 154 вольтдобавка канала 1; 14 — питание выходного каскада канала 1; /5 — выход канала 1; 16 — общий вывод канала 1 (слаботочный); 17 — общий вывод канала 1 (сильноточный). Параметры Режим измерения Значение параметров и,», В - Inoif мА. /?в = 4 Ом; Ку и дБ (7и.п=9 В; /?н = 4 Ом; f=l кГц 17вх= 10 мВ Кг, % иял=9 В; 17вых=2 В /?я = 4 Ом; f = 1 кГц (в, кГц — f„, Гц - °С/Вт - /?и.п.о, °С/Вт — Uax.max, мВ — Кнт/п, ОМ — Ят.к.о °С/Вт — 1 Без внешнего теплоотвода. 9±34 25 42...46 < 1 >20 <20 4 <35 20 3,2 2 Рис. 1.173. Основные характеристики ИМС*К174УН18 К174УП1, К174УП1М Схемы усиления яркостного сигнала, электронной регулировки размаха выходного сигнала, привязки и регулировки уровня черного. Микросхемы К174УП1 конструктивно оформлены в корпусе типа 238.16-2, К174УП1М — типа 201.16-6. Назначение выводов: 1 — выход; 2 — питание (+ £?и.п); 3 — вход; 4 — коллектор; 5 — база; 6 — эмиттер; 7 — регулировка контрастности; 8 — ограничение токов лучей; 9, 10, 13, 14, 15 — выводы; 16 — корпус (— Уип). 155 Основные электрические параметры микросхем приведены ниже. Напряжение источника питания, В.................12±1,2 Потребляемый ток, мА............................16.. 34 Увеличение выходного напряжения при возрастании входного напряжения на 0,48 В, В................0,8. .1,2 Изменение уровня черного при регулировке контрастности и изменении сюжета изображения, мВ . . . .20 Диапазон регулировки уровня черного, В . . . . 1,2. 3,7 Разница приращений выходного напряжения при увеличении входного напряжения на + 400 мВ, мВ . . . 40 Нелинейность характеристики регулировки контрастности ..........................................0,1 Диапазон регулировки контрастности..............4.6 Приращение выходного напряжения при включении цепи ограничения тока луча, мВ..................160 *^и.п о—— ВходУ °-------II---- Ct 10 мк Рис. 1.174. Функциональная (а) и типовая схемы включения (б) ИМС К174УП1: / — схема регулировки контраст-ности, 2 — выключатель резекции, 3 — схема ограничения токов лучей кинескопа, 4 — схема регулировки яркости. 5 — схема привязки к уровню черного (G1 — ограничение лучей тока, G2 — строчный импульс) 156 174УП2 Логарифмический усилитель. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 201.16-13. Назначение выводов: 1 — вход 1; 2 выход 1; 3 — выход 2; 4 — питание (+ UK п); 5 — выход 4; 6 — выход 3; 7 — вход 4; 9 — вход 3; 10, 11 — коррекция; 13— общий; 14, /5— коррекция; 16 — вход 2. и.„ в /яот, мА £Д>вых> В /?вх, Ом /?вых, Ом Кос в» дБ Ли, мВ/декдда 6±0,6 <23 <6,5 >400‘ >2002 <-33 >504 1 При {7вх = 300 мВ; fsx = 0,l МГц. 2 При (/„=18 мВ, f„ = OJ МГц. 3 При (/„х=18 мВ; fBX = 0,l МГц; f„ = 10 МГц. 4 При /„==0,1 МГц. Рис 1.175 Типовая схема включения ИМС 174УП2 К174УР1, К174УР1М Усилители промежуточной частоты звукового канала телевизионного приемника. Предназначены для использования в качестве усилителя-ограничителя напряжения промежуточной частоты, частотного детектора и электронного регулятора напряжения низкой частоты звукового канала телевизионных приемников. Микросхемы К174УР1 конструктивно оформлены в корпусе типа 201.14-1, К174УР1М — типа 201.14-8. Назначение выводов: 1 — общий ( —(7ИЛ); 2, 13 — блокировка; 5 — электронный аттенюатор; 6, 10 — выходы ВЧ; 7, 9 — фазосдвигающие контуры; 8 — выход НЧ; 11 — питание ( + ии „); 14 — вход. 157 Рис. 1.176. Функциональная схема (а) и типовая схема включения (б) ИМС К174УР1: / — усилитель-ограничитель, 2 — частотный детектор, 3 — электронный регулятор напряжения НЧ и... в /пот> мА мВ/кГц Кпод АМ» дБ О,’р1, дБ К,. % Un л тах> В Ubx А> В •12±1,2 11.. 22 6' 461 2 3 60 2 154 0,3 Постоянное управляющее напряжение по выводу 5, В < 4 Запирающий ток по выводу 13 или 2, мА...........<0,3 Сопротивление внешних элементов между выводами 13, 14, кОм........................................< 1 1 При (7ЯХ= 1 мВ; fBX = 6,5 МГц; Fm = l кГц. 2 При Д/ = 50 кГц; Fm=l кГц. 3 Диапазон электронной регулировки передачи. Определяется по формуле £>эрп=20 1g где (Лих — напряжение на выходе при подключенном к корпусу выводе 5 микросхемы; (7ВЬ,Х — напряжение на выходе, когда вывод 5 подключен к земле через резистор с сопротивлением 5,1 кОм. 4 Время действия не более 3 мин. Подача внешнего постоянного напряжения на выводы 6, 7, 10 недопустима. Рис. 1.177. Амплитудная характеристика (а), зависимости выходного напряжения от напряжения источника питания (б) и коэффициента подавления AM от входного напряжения (в) для ИМС К174УР1 158 К174УР2А, К174УР2Б Усилители промежуточной частоты изображения. Предназначены для использования в качестве, усилителя напряжения промежуточной частоты, синхронного детектора, предварительного усилителя видеосигнала и ключевой АРУ канала изображения телевизионного приемника. Микросхемы конструктивно оформЛены в корпусе типа 201.16-6. Назначение выводов: 1, 16 — входы; 2, 4, 5, 6, 8, 9, 14, 15 — подключение внешних элементов; 3 — корпус (— Уип); 7 — вход импульса строк; 10—регулировка усиления; 11— выход (Лю?; /2— выход (/Ш; 13 — питание (+ Ua „). а 2200 =с_L С1 Ю —II—сз~^ 0.01МК у 1 Сб! IC7 ICS !0мк + Rif ~^0,01мн~р-20мк_Ь.г_ 130 а ЮОнкГн М____________________ 12_____ 10___ 7 СЮ ЮОмк 'и.п 05 I 14 15 С4 8 3 3 08 гг>. И и„.. '83 47К 35 МГц <i ВымЗ АРУ R5 2,2к °°вх.стр о м Рис 1 178. Функциональная схема (а) и типовая схема включения (б) ИМС К174УР2 159 w.„ в /пот. мА S, мкВ иш, в в иъ, в в Af. МГц 12±1,2 50...75 250...5ОО1 2,4...4,22 2,4-4,22 2,43 5,5...6,52 62 Промежуточная частота, МГц.................. , 38 Амплитуда: напряжения входного сигнала, мВ............. 1 импульсов строк по выводу 7, В ..............6 тока в нагрузке, мА ....'...................16 1 Для К174УР2Д; для К174УР2Б чувствительность равна 300 мкВ. 2 При f = 30...35 МГц; 1/ц=5,5 В; fm«=1...16 кГц; /п = 50%. 3 При 7?3 = 47 кОм. Если 7?3=О, то (7б(С/Ару)= 10 В. Примечание. Значения параметров приведены при номинальном напряжении источника питания 12 В. Рис. 1.179. Зависимости управляющего напряжения АРУ (а) и напряжения шумов (б) от входного напряжения для ИМС К174УР2 К174УРЗ Усилитель-ограничитель с частотным детектором и предварительный усилитель низкой частоты, предназначенный для использования в радиовещательных супергетеродинных ЧМ-приемниках. Микросхема конструктивно Оформлена в корпусе типа 201.14-1. Назначение выводов: 1— корпус (—Уи„); 2, 6 — фазосдвигающий контур; 3, 5 — выходы ПЧ; 7 — регулировка напряжения НЧ; 8, 10 — выходы НЧ; 9 — питание (+ ия п); 12, 14 — блокировка; 13 — вход. 160 Рис. J.180. Функциональная схема (а) и типовая схема включения (б) ИМС К174УРЗ: / — усилитель-ограничитель; 2—частотный детектор: 3 — усилитель НЧ ю Регулировка напряжения НЧ ^«ых.НЧ _ 0 .0,04 7МК 4/.., В /лот. мА Увы« НЧ, мВ Лвод AM. дБ (Лх огр, МКВ к,. % кОм 6 ±0,3 <12 >100‘ >402 <100 <2‘ >3,93 /?вык, кОм /?12 13. ОМ Uв n mia, В Uи п па». В /унр 7, мА U«к таг, мВ > 1,5 5004 5 9 0,05... 1 300 1 При 1/вх=0,5 мВ. 2 При 1Л« дм-чм==0,5 В; т=30%. 3 При f = l5 МГц. 4 При f=O. Рис. 1.181. Зависимости коэффициента подавления AM ИМС К174УРЗ от входного напряжения (а) и напряжения источника питания (б) 6-2044 161 Рис. 1.182. Зависимость выходного напряжения НЧ (с вывода 8) ИМС К174УРЗ от напряжения источника питания прн различных значениях температуры окружающей среды Рис. 1.183. Зависимортьивы-ходиого постоянного напряжения (с вывода 10) ИМС К174УРЗ от расстройки частоты входного сигнала К174УР4 Усилитель промежуточной частоты звука, усилитель-ограничитель сигнала промежуточной частоты звукового сопровождения телевизионного изображения. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 201.14-1. Назначение выводов: 1 — общий (—- UK п); 2, 13 — блокировка; 3 — вход низкой частоты; 4 — контрольный выход; 5 — регулятор громкости; 6 — выход высокой частоты; 7, 9 — фазосдвигающий контур; 8 — регулируемый выход низкой частоты; 10—выход.высокой частоты; 11 — питание (4-£4п); 12— нерегулируемый выход низкой частоты; 14 — вход. Рис. 1.184. Типовая схема включения ИМС К174УР4 162 U... в 1лот. мА мВ £/вых12> МВ U»x оср» мВ Кпод AM. дБ 12± 1,2 9,5... 17,5 3001 2501 1002 463 1 Прн УВх=10 мВ; f — 6,5 МГц. 2 Прн f=6,5 МГц. 3 Прн Увх=1 мВ; f = 6,5 МГц. К174УР5 Усилитель промежуточной частоты сигналов изображения. Используется для усиления сигналов промежуточной частоты, детектирования и усиления видеосигналов, а также для выработки сигналов АРУ и АПЧ. Микросхема конструктивно оформлена В'корпусе типа 238.16-Э. Назначение выводов; 1, 16 — вход; 2, 15 — блокировка; 3 — подстройка АРУ; 4 — выход АРУ на СК; 5 — выход АПЧ; 6 — выключение АПЧ; 7, 10 — фазосдвигающий контур; 8, 9 — контур; И — питание (+ 11и п); 12 — выход видеосигнала; 13 — общий (-— (7Ип); 14 — фильтр АРУ и выключение АПЧ. вм?д видео Рис. 1.185. Типовая схема включения ИМС К174УР5 П.в. в ^пот. мА П1в„ в АП.мх, в /АРУ. мА л Пару, дБ UBX, мкВ 12± 1,2 30...65 2,1...3,5 > 10 > ю2 >50 ^2003 1 Прн У„х=Ю мВ; f„=l кГц; f„x = 38 МГц. 2 Прн УВх=20 мВ; Д,= 1 кГц; fBx = 38 МГц. 3 При С/вмх —3,5 В. 163 К174УР7 Усилитель-ограничитель промежуточной частоты тракта ЧМ с балансным ЧМ детектором и предусилителем НЧ. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 201.16-45 Назначение выводов: 1 — вход 2 ЧД; 2—выход НЧ; 3 — вход 2 предусилителя НЧ; 4 — вход 1 предусилителя НЧ, 5 — выход предусилителя НЧ; 6, // — свободные; 7 — питание (+ Г/„ „); 13 — земля; 9 — вход сигнала ПЧ; 10, И — для подключения конденсаторов блокировки; 14 — выход 1 ПЧ, 15 — выход 2 ПЧ; 16 — вход 1 ЧД. Основные электрические параметры приведены ниже. и.„ в ^вот» мА {/»Х мкВ У»ых НЧ. мВ Кос AM, дБ к,. % 6 ±0,6 ^0,8 <100 >200 >30 ^2,5 Примечание Электрические параметры и номиналы элементов схемы включения приведены для частоты модуляции 1 кГц, частоты входного сигнала 250 кГц и девиации частоты ±3,5 кГц 50 45 40 35 30 Ufa 50 40 30 го 10 о Юг 1011ОЧ 10sЦ^мнв 5 6 7 400 410 460 450 8 9Оп,в 5 6 7 в Кос лм>Д4’ 50 48 46 44 42 9Un,B / 6 7 8 3Unfi Рис 1 186 Основные характеристики ИМС К174УР7 ктчп 164 вмх) C10JMK -L-CJ 76 Щ IS 1 Рис 1 187 Типовая схема включения ИМС К174УР7 с? ЦМмХГ 9 12 10 « ,. ОТ- Off fl аз ^гопкчав 67 !М US ±07 270K -тцевмк C72SMK*7OB , +.. выход qHI-------p> ' 'l200 К174УР10 Широкополосный усилитель, предназначенный для применения в телевизионных приемниках в качестве предварительного УПЧ для компенсации потерь в пьезофильтрах. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 2101 8-1 Назначение выводов: 1 — питание (4- U„ „); 2,3 — выходы; 5 — вход; 6 питание (— U„ „). ктурю а Рис 1 188 Принципиальная схема (а) и типовая схема включения (б) ИМС К174УР10 Параметры Режим измерения Значения параметров У«„, В 1 пот, мА Ун п = 13,2 12± 1,2 15 35 165 Параметры Режим измерения Значения параметров Куи, дБ У„п=12 В; ( = 3&МГц; УВХ=Ю мВ 21...30 ft, МГц — 60 ДУ2.з> В —12 В; С/вх = 0 1,2 Uвх max, мВ 300 Ртах, МВТ — 530 Ян mm, Ом — 200 Си max, ЛФ 30 1 Разность постоянных выходных напряжений между выводами 2 и 3. Рис. 1.J89. Основные характеристики ИМС К174УР10 К174ХА1, К174ХА1М Схемы выделения цветоразностного красного (синего) видеосигнала. Микросхемы К174ХА1 конструктивно оформлены в корпусе типа 238.16-2, *а К174ХА1М— типа 201.16-6. Основные электрические параметры: Напряжение источника питания, В.....................12±1,2 Потребляемый ток, мА............................ . 30...50 Приведенная нестабильность постоянного уровня иа выходе относительно площадки гашения при изменении питающего напряжения иа 10 % и входного сигнала иа 10 дБ, кГц, не более................................101 1 Нелинейность АЧХ, %, не более.......................52 Размах выходного цветоразностного сигнала, В, не меиее 1,13 1 При (7вх = 350 мВ (эф). 2 При (7вх = 350 мВ (эф); Д(=±250 кГц. 3 При Увх = 350 мВ (эф); Д(=250 кГц; Я„=Ю0 кОм. Примечание. Значения параметров приведены при номинальном напряжении источника питания 12 В и частоте 4,3 МГц. 166 Рис. 1.190. Типовая схема включения ИМС К174ХА1 К174ХА2 Схема усиления сигналов высокой и промежуточной частоты с системой АРУ, преобразования сигналов высокой частоты в сигналы промежуточной частоты. Предназначена для использования в радиовещательных супергетеродинных приемниках I...III классов с амплитудной модуляцией. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 238.16-2. и„„ в /дот, мА МГц t/вых НЧ. мВ Кг. % Una тая, В fat. тал, МГц 9±0,9 С 16 27 601 Ю* 2 15 30 ' При Л/вх=20 мкВ. При (7вх=500 мВ выходное напряжение НЧ составляет 560 мВ. 2 При (Лх = 500 мВ. Рис. 1.191. Функциональная схема (а) и типовая схема включения (б) ИМС К174ХА2: / — УВЧ, 2 —гетеродин. 3 — смеситель, 4 — УПЧ, 5 —УПТ АРУ УВЧ, 6 — УПТ АРУ УПЧ 167 Рис. 1.191 (б). Типовая схема включения ИМС К174ХА2: / — УВЧ, 2 — гетеродин, 3 — смеситель, 4 — УПЧ, 5 — УПТ АРУ УВЧ, в — УПТ АРУ УПЧ К174ХАЗА, К174ХАЗБ Подавители шумов в трактах передачи звуковой информации бытовой радиоэлектронной аппаратуры. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 238.16-2, Назначение выводов: 1 — вход 4-го усилителя; 2 — вход 2-го усилителя; 3 —- вход сумматора; 4 — подключение переменного плеча фильтра; 5 — вход 1-го усилителя; 6—выход 1-го усилителя; 7 — выход сумматора; 8, 10, 13, 14 — подключение к ИМС навесных элементов; 9— заземление; И1— вход 5-го усилителя; 12 — вход детектора; 15 — выход детектора; 16 — питание (+ п). Рис. 1 192. Функциональная схема ИМС К174ХАЗ 168 и... в /пот, мА 41/1 К? U2 К) И кОМ кОм KI,. % 15± 1,5 30 16...24 10.,.17 480...720 50 5. .9 0,5 К?й-% «?>, % /?вы«Н кОм 1/с/С/ш и, , „, 3 1 10 2,5.. .3,5 664 6,5...9,5 ' Первого усилителя. 2 Второго усилителя. 3 Третьего усилителя. 4 Для К174ХАЗА. Отношение сигнал/шум для- К174ХАЗВ составляет dO. Примечание. Значения параметров приведены при номинальном напряжении источника питания 15 В и частоте 1 кГц. С11мк 16 5 Я г! 7 Фильтр (С163А К174ХАЗ ' s R510 13 R7 14 15 Всп. R2I 3,3x1 3an.JP ГШ 4120 С910№П-СУ 150к R9 270к Р,027мк ]Св I---------- 0,04?HxJipg ..с,0 J. WflOx О,33мк С11 з 4 ’ С3, ^Поах Выход записи Контр Контр. го»ч Рис. 1.193. Типовая схема включения ИМС К174ХАЗ 174ХА4 Схема фазовой автоподстройки частоты. Может использоваться в качестве демодулятора ЧМ сигнала, синхронного детектора AM сигнала и следящего фильтра. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 201.16-13. Назначение выводов: / — выход НЧ (AM); 2, 3 — регулировка частоты ГУН; 4 — вход AM; 5 — выход ГУН; 6 — электронная подстройка частоты ГУН; 7 — регулировка диапазона слежения; 8 — питание (— (7И п); 9 — выход НЧ (ЧМ); 10 — ФНЧ (ЧМ детектора); 11 — напряжение смещения; 12 — вход ВЧ1; 13 — вход ВЧ2; 14, 15 — выходы ФНЧ петли ФАПЧ; 16—питание (4-(7Ип). 169 Микросхемы характеризуются такими основными электрическими параметрами: Напряжение источника питания, В.............15±0,75 Потребляемый ток, мА, не более..............12 Коэффициент передачи синхронного детектора при f = =465 кГц, m=0,3, (7ВХ = 10 мВ, дБ, не меиее . ... 3 Диапазон рабочих частот, МГц, ие менее......15 Максимальное напряжение источника питания, В . . 16,5 Выход ГУН С1 Вход 1 ЧМ С2 °----II—— вховгчм сз и ° II—“-1 сч с----*. Напряжение т р. Рис. 1 194. Схема подключения ИМС К174ХА4 в демодуляторе ЧМ сигнала НПЧХАЧ и 17ЧХАЧ £ да ФС4 С7 СВ CS Г 7 st 'О „ Выход AM HI------° а Рис. 1.195 Схема включения ИМС К174ХА4 в качестве синхронного детектора (а) и следящего фильтра (б) Выход ГУН £* *£, ° II—О—; Вход ВЧ1 сг 1г ° II вход ВЧ2 СЗ 0 Напряжение Ю ошибки «+ г ошибки тхАЧ С8 С? 4541- <4 4 а К174ХА5 Многофункциональная схема УКВ ЧМ-приемников. Предназначена для усиления, ограничения и детектирования ЧМ сигналов промежуточной частоты, бесшумной настройки, формирования напряжений для индикатора напряженности поля и АПЧ радиоприемников УКВ. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 238.18-1. Назначение выводов: / — фазосдвигающий контур; 2 — выход ПЧ; 3 — питание ( + Уип); 4 — вход БШН; 5 — выход на индикатор; 6 — выход БШН; 7,8 — блокировка; 9 — вход ПЧ; 10 — корпус; И — отключение АПЧ; 12 — /?С-фильтр; 13 — ФНЧ; 14 — выход АПЧ; 16 — выход НЧ; 17 — выход ПЧ; 18 — фазосдвигающий контур. 170 и,,, в /пот» мА мкВ₽ ^вых ПЧ» мВ Кос АМ» дВ * uSt в ие, в ном mtn max 12±1,2 5 15 <30 <100 >140 >40‘ >12 I3 1 При m = 30 %. 2 Постоянное напряжение при иъх = 10 мВ; /вх = 10,7 МГц. 3 Постоянное напряжение. уОткл АПЧ Рис. 1.196. Структурная схема (а) и типовая схема включения (б) ИМС 174ХА5: / — усилитель ограничитель, 2 — частотный детектор, 3 — детектор уровня, 4 — стабилизатор, 5 —усилитель, 6 — триггер 171 К174ХА6 Многофункциональная микросхема. Предназначена для усиления, ограничения и детектирования ЧМ сигналов промежуточной частоты, бесшумной настройки иа принимаемую станцию, формирования напряжений для индикатора напряженности поля и АПЧ радиовещательных УКВ ЧМ-прием-ииков первого и высшего классов. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 238.18-3. Назначение выводов: 1 — корпус; 2 — отключение АПЧ; 3 — фильтр; 4,6 — фильтры НЧ; 5 — выход АПЧ; 7 — выход НЧ; 8, 11 — выходы ПЧ; 9, 10 — фазосдвигающие контуры; 12 — Питание (4- Uun); 13 — вход БШН; 14 — выход на индикатор; 15 — выход БШН; 16, 17 — блокировка; 18 — вход ПЧ. Рис / 197 Структурная и типовая схемы включения ИМС К174ХА6: / — усилитель-ограничитель, 2 — детектор уровня, 3 — частотный детектор, 4 7 — ключи, 5 — триггер. 6 — стабилизатор, 8 — усилитель и., в last, МА Uk a В U* а таг. В ^МГц fit таг, мА тах> мА 12±1,2 <16 4,5 172 18 0,16 14 3 !к, мА Кг, % УвыхНЧ. мВ 1 <Г > 1601 Входное напряжение ограничения прн Af=±50 кГц н fnf — = 10,7 МГц не более 60 мкВ. Коэффициент ослабления паразитной AM при 1/,х=10 мВ; Af= ±50 кГц; т=30 % и fnR= 10,7 МГц не менёе 46 дБ. Допустимый диапазон рабочих температур от —25 до ±55 °C. ' Прн (/„ = 10 мВ; А/=±50 кГц; f„p = 10,7 МГц. Ю 102 103 10" 10 10г 10s Ю^и^мкв 0 Ч 8 12 U„.n,B Рис. 1.198. Характеристики ИМС К174ХА6 174ХА7 Многофазный перемножитель сигналов для выделения одной боковой частоты. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 201.16-15. Микросхемы характеризуются следующими основными электрическими параметрами: напряжение источника питания, В...9±0,9 ток потребления, мА, не более ...25 выходное напряжение суммарной частоты при fc = 5МГц, fr = 5МГц, Uс = 65 мВ, UT= 150 мВ, мВ, ие более ...300. коэффициент ослабления напряжения основной частоты по отношению к выходному напряжению суммарной частоты, дБ, не менее ...20. 173 Рис. 1.199. Типовая схема включения ИМС 174ХА7: /, 2, 3, 4 — фазовращатели К174ХА8 Электронный коммутатор, усилитель-ограничитель и демодулятор сигналов цветовой информации. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 238.16-2. Назначение выводов: 1 — вход прямого сигнала; 2 — общий ( —(7Ип); 3 — вход задержанного сигнала; 4 — управление режимом работы; 5 — опорный сигнал R-Y (СЕКАМ); 6 — опорный сигнал R-Y (ПАЛ); 7 — опорный сигнал B-Y (ПАЛ); 8 — опорный сигнал B-Y (СЕКАМ) ; 9 —вход демодулятора B-Y-10—выход демодулятора В-У; 11 — вход демодулятора R-Y-, 12 — выход демодулятора R-Y; 13 — выход коммутатора R-Y; 14 — питание ( + (Л,„); 15 — выход коммутатора В-У; 16 — вход полустрочной частоты. Рис. 1.200. Типовая схема включения ИМС К174ХА8 174 и„, в /пот» мА Цвыхк-У. в ЦвыхВ-У. В ^ком7Я1Дх, мВ дБ 12± 1,2 <46 0,99... 1,35 1,32... 1,8 <10 >40 1 При (Л» = 300 мВ; Af=250 кГц; fBX = 4,3 МГц. К174ХА9 Усилитель-ограничитель, формирователь сигналов опознавания и цветовой синхронизации, выключатель цвета. Используется в телевизорах цветного изображения. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 238.16-2. Назначение выводов: 1, 15 — выход сигналов цветности; 2 — корпус; 3, 5 — вход сигналов цветности; 4 — переключение режимов; 6 — вход строчного гасящего импульса; 7 — вход кадрового гасящего импульса; 8 — выключатель цветности; 9, 10 — интегрирующие; 11,13 — выход цветовой синхронизации; 12 — вход триггера; 14 — питание (+ 17и.п); 16 — регулировка усиления. и,., в /пот» мА £/разм» В l/вых тр, В ^вых цв, В t/дортр» В Koet ДБ DM, мВ 12±1,2 47 1,8...2,3 2,5...3,5 11,8...12,2 3,5...12,2 40 3,5..,150 1 При Ян=100 кОм; f—4,2 МГц; Af=250 кГц. выход ь сигнала §• цветности § Т Т П Г" Й22^ ifl^l Т=? I “ЗЛД I 0 ктхю Д1ТЗД -т I1 It !,6 П 470 ЛЙИТ о вход сигнала цветности Юнн 1+«| Ч7нк Рис. 1.201. Типовая схема включения ИМС К174ХА9 175 К174ХА10. Многофункциональная схема для однокристального радиоприемника. Микросхема Конструктивно оформлена в корпусе 238.16-2. Назначение выводов: 1— вход 1 УПЧ; 2 — вход 2 УПЧ; 3. И — общий; 4 — выход смесителя; 5 — вывод контура гетеродина; 6 — вход 1 УВЧ; 7 — вход 2 УВЧ; 8 — выход демодулятора; 9 — вход УНЧ; 10 — блокировка; /2 — выход УНЧ; 13—питание (+УИ>); 14— вход демодулятора; 15 — выход УПЧ; 15 — блокировка АРУ (выход АПЧ). V... в /нот» МД *^вх огр ЧМ, мкВ У»ых НЧ. в U9ux ПЧ. мВ Кс ш< дБ Кг НЧ. % 9±0,9 <16‘ <502 >1,553 >304 >20 ^2 1 При Пв, = 1 мВ; / = 1 МГц; (м = 1 кГц. 2 При (Л,х = 1 мВ; (=10,7 МГц. 1 При 47.x =25 мВ. 4 При П,х=0,5 мВ; (м = 1 кГц. Bui внешней „ антенны V >----------------II- tnoi yau им Фильтр Oman. \S3 M' напряжение питания 1М м чн ЗЯ 22м 41- wl 4Л X, , тЯ Р® ♦ 4h т 1=2Z7Z7 7Л l- Шк W —что - иитГ мн \35 £ 1мк ГТ К17ЧКМВ /«to J* 4 E$«r "Easw \ЧТк 350 .ПК чИо~ 1/ода SU,f 0/В2мк\_ Рис. 1.202. Типовая схема включения ИМС К174ХА10 176 К174ХА11 Схема блока строчной развертки телевизионного приемника. Конструктивно микросхема оформлена в корпусе 238.16-2. Назначение выводов: 1, 2 — питание (+ 1/и п); 3— выход строчного импульса; 4—-вход переключателя длительности строчного импульса; 5 — выход фазового детектора; 6 — вход импульса обратного хода; 7 — выход стробирующего импульса; 8 — выход кадрового синхроимпульса; 9 — вход видеосигнала; 10 — вход импульса помехи; 11 — вход коммутатора; 12 —'выход коммутатора; 13 — выход фазового детектора АПЧ; 14 — выход задающего генератора; 15 — регулировка частоты; 16 — питание (— (7„ п). а Рис. 1.203. Структурная (а) и типовая схемы включения (б) ИМС К174ХА11 £/„. В /пет, мА (Дык в, В t/выхЗ. В Р.ы«Г. В UrtUli В 12±1,2 25...53 >10 >9,5 >10 4 5 177 /строб» МКС /стрГ мкс /3, МКС №вых 3» кОм Л.ы««, кОм 3,7-4,3 5,5...8,5 0,3...1,7 <2,4 <3,6 К174ХА12 Многофункциональная микросхема системы фазовой автоподстройки частоты. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 238.16-2. Назначение выводов: 1, 9 -т- выход НЧ; 2, 3 — регулировка частоты ГУН; 4 — вход AM; 5 — выход ГУН; 6 — подстройка частоты ГУН; 7 — регулировка диапазона слежения; 8—питание ( — U„„); 10 — выход ФНЧ; 11 — напряжение смещения; 12 — вход ВЧ-1; 13 — вход ВЧ-2; 14, 15 — выход ФНЧ; 16 — питание (-j-£/Hn). V... в /пот» мА Цвых ГУН, мВ ЦвьГхНЧ, мВ Кое. дБ МГц 18± 1,8 <13 >200‘ >202 >262 >15 1 f=465 кГц. 2 £/вх = 5 мВ; f=10,7 МГц. К174ХА14 Стереодекодер системы полярной модуляции. Предназначен для применения в переносной н стационарной бытовой радиоприемной аппаратуре 1-й и 2-й групп сложности. Микросхема оформлена в корпусе типа 2120.24-5 и содержит: I — операционный усилитель; II — коммутатор; III — эмиттерный повторитель; IV — декодер; V — синхронный детектор; VI — усилитель с гистерезисом; VII — переключатель; VIII — стабилизатор напряжения; IX — квадратор; X — делитель частоты на два; XI — генератор, управляемый напряжением; XII — усилитель; XIII — фазовый детектор петли ФАПЧ. Назначение выводов: 1, 6 — корректирующий фильтр ВЧ; 2, 5, 13 — не используются; 3 — выход канала В; 4 — выход канала А; 7, 8 — фильтр 50 мкс; 9, 10 — фильтр переключателя; И — индикатор «стерео»; 12 — общий; питание ( —^нп); 14 — контроль частоты генератора, управляемого напряжением; 15, 17 — фильтр ФАПЧ; 16 — вход ФАПЧ; 18 — подстройка частоты генератора; 19 — выход квадратора; 20, 24—корректирующий фильтр НЧ; 21—вход комплексного стереосигнала; 22— питание (-|-(7яп); 23 — блокировка. Электрические параметры приведены ниже. Номинальное напряжение источника питания, В . . . .12 Ток потребления при £/„„=12 В, не более, мА . . . .25 Выходное напряжение при £/„„=12 В, £/вх=250 мВ, f = 31,25 кГц, f„ = l кГц, т=0,8, режим модулятора А + В, мВ...................................... 220...350 Разбаланс выходных напряжений между каналами при 178 17вп=12 В, (7BX=250 мВ, /=31,25 кГц, /„=1 кГц, m = 0,8, режим модулятора А + В, Г=+25 °C, дБ, ие более ... 3 Линейное переходное затухание между каналами при 14п=12 В, (7вх = 250 мВ, / = 31,25 кГц, /„=1 кГц, т = 0,8, Т = +25 °C, дБ, не менее........................34 Типовое значение, дБ............................40 Коэффициент гармоник при ия п= 12 В, 17вх = 250мВ, /=31,25 кГц, /м= 1 кГц, тп = 0,8, режим модулятора А + В, Г=+25 °C, %,не более..........................0,5 Отношение сигнал/шум при (7ИП = 12В, 17вх = 250мВ, /=31,25кГц,/м=1 кГц, т = 0,8, режим модулятора А + В, Г = + 25 °C, дБ, не менее.........................60 Напряжение входного комплексного стереосигнала при Un „ =. 12 В, Т = + 25 °C, f = 31,25 кГц, /м = 1 кГц, m = 0,8, обеспечивающее: включение режима «стерео», мВ.............j.qo выключение режима «стерео», мВ..............30 Предельные эксплуатационные данные приведены ниже. Напряжение питания, В...........................10...16 Максимальное напряжение входного комплексного стереосигнала, мВ......................................800 Напряжение на выводах 7 и 8 относительно вывода 12 7... 15 Напряжение на выводе // относительно вывода 12 при отключенном индикаторе «стерео», В..............10...16 Максимальный ток индикатора по выводу 11, мА . . .20 Минимальное сопротивление нагрузки на выводах 3 и 4, кОм..............................................1 Температура окружающей среды, °C................—25... + 55 К17ЧХМЧ- 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 Рис. 1.204. Функциональная схема ИМС К174ХА14 179 Контроль частоты СУН 3125*Гц J~c) 1с2о,г2ии ГнГлГ Частом '\р5чт смдксс 13 т 15 № 17 is OS 5»кЧ?в 07 tux* 0,3 0 —IF A,... 05 ffV* 5Г" ts 20 21 22 23 24 12 11 Ю 9 S 7 S 5 4 J —1 , Стерео nlW сс ------М---------М307 ял, t MW у**^ЙНд>~ Баланс тгюо ей mt 22м 2 чоши . **& 1 effl 1*06 *Un ?*•*! ±)00MHHS8 УМ .RUf 30 у it к® S l^mt канале, выход Канапе <ss> fme m -csj—IF—* 820 ЗОикЧбв Рис. 1.205. Схема стереодекодера на ИМС К174ХА14 Цыз.мВ ЛО 300 290 280 210 260 -25-15-5 05 15 25 35 45Г;с Рис. 1.207. Зависимость относительной нестабильности частоты ГУН от напряжения питания Рис. 1.206. Зависимость выходного напряжения температуры от Рис. 1. 208. Зависимость Коэффициента переходного затухания между каналами от частоты К174ХА15 Многофункциональная схема для УКВ блоков. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 1503Ю.11-1. Назначение выводов: 1, 16 — выводы гетеродина; 2 — вход стабилизатора; 3, 4—вход смесителя; 5, 12 — общие; 6 — вход АРУ; 7 — вывод АРУ УВЧ; 8 — выход УВЧ; 9 вывод 180 УВЧ; 10 — вход УВЧ; 11 — выход АРУ; 13, 14 — выход ПЧ; 15—питание Рис 1.209. Типовая схема включения ИМС К174ХА15 (а) и ее структурная (б) схема К174ХА16 Декодер сигналов цветности, закодированных по системе СЕКАМ. Выполняет следующие функции: усиление цветовых сигналов с АРУ; выделение сигналов опознавания цветности по строкам; синхронизированную коммутацию по строкам: синхронизированную коммутацию прямого и задержанного сигналов; демодуляцию сигналов с помощью системы ФАПЧ без применения резонансных контуров; предварительное усиление цветоразностных сигналов. Микросхема предназначена для использования в телевизионных приемниках цветного изображения. Конструктивно оформлена в корпусе типа 212-28-12. Назначение выводов: 1 — коррекция; 2 — выход на систему цветной синхронизации; 3, 15, 24 — питание (— Un „); 4 — вход системы цветовой синхронизации; 5, 6, 7, 14 — питание ( + С/ЯП); 8— выключатель цвета; 9, 19 — входы генератора; 10— фильтр; 11, 18 — уровень черного; 12, 17 — корректор предыскажений; 13 — выход В-У; 16—выход R-Y; 20—вход генератора 1 мкс; 21 — вход видеосигнала; 22 — вход синхроимпульса; 23 — вход задержанного сигнала; 25 — выход цветового сигнала; 26 — регулировка усиления; 27, 28 — входы сигнала цветности. 181 К174ХА16 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 /7 16 15 0220,1т,— НЬ-28 Рис. t.21O. Функциональная схема ИМС К174ХА16: 1—усилитель сигнала цветности, П — амплитудный дискриминатор управляющего импульса; /// — узел синхронизации и выключения цвета, IV — узел сдвига постоянного уровня; V — усилитель; VI — коммутатор, Vll, VIII — усилители-ограничители, IX, X — частотные демодуляторы (ФАПЧ), XI, X//— фиксаторы постоянного уровня, X///, XIV — выключатели цвета; XV — генератор импульсов длительностью 1 мкс, XVI — сумматор вход сигнала цветности -».......— 27 сгпоомн 6161,8н Н(±— 26 \твь-6\ |-------29 —ZT— C19Q.QIHK -- C10JHK 1 — , C2 1 15 № 023 100НН ЗЗнкГн R33.30M вМКГн мвчзо Трехуровневый управляющий имлульс J" l * '—BTwl" Полный видеосигнал ctso.im sao™ положительный JlASPi- а полярности мЦ п?тГ tUn С6Ю00 Hf~T 22 683,9 k Выход „ инвертированного - сигнала цветности системы С£К№ Выход-рз-ч) ®-/7 , \РИ10мк,В R1110 I— 691,0 13 „ r w —^иЛ — 61010 * Рис. 1,21Схема включения ИМС К174ХА16 Электрические параметры приведены ниже Номинальное напряжение питания..................12 В Ток потребления................................. 75... 130 мА Размах входного сигнала между выводами 27 и 28. . 40...400 мВ Размах выходного сигнала на выводе 25 при (7ВХ = =200 мВ.........................................1,8...3,5 В Изменение размаха выходного сигнала на выводе 25 при (7Вх=40...400 мВ, не более...............40 дБ 182 Постоянное напряжение на выводе 25: в режиме «цвет включен», ие менее.................7,8 В в режиме «цвет выключен», ие более...........4,8 В Размах входного сигнала на выводе 23 при (7ВЫХ(,6) = = 1,05 В, на выводе 13— 1,33 В, не более .... 220 мВ Размах выходного сигнала иа выводе 2 при (7Вх = =0,2 В...........................................1,8...3,5 В Размах входного сигнала на выводе 4 ............. 350 мВ Напряжение насыщения ключа на выводе 8 в режиме «цвет выключен», ие более......................• . 450 мВ Размах входного видеосигнала на выводе 21 при {7вых(1б)= 1,05 В, на выводе 13—1,33 В...........0,5...2 В Напряжение срабатывания селектора на выводе 22, не более...........................................2 В Размах выходных цветоразностных сигналов: R-Y..........................................0,71...1,48 В B-Y.......................................... 0,94... 1,87 В Отношение размахов цветоразностных сигналов . . 1,14...1,4 Постоянное напряжение иа выводах 13 и 16 . . . 5,5...7,5 В Амплитуда меандра строчной частоты иа выводах 13 я 16, ие более................................18 мВ Ток ключа в режиме «цвет выключен», ие более . . . 0,5 мА Полоса захвата системы ФАПЧ, не менее .... 1 МГц Подавление перекрестных искажений, не менее . . . 38 дБ Ослабление цветовой поднесущей на выводе 25 в режиме «цвет выключен», ие менее...................40 дБ Подавление сигнала на выводах 13 и 16 при выключении по выводу 22, не менее................-. 40 дБ Входное сопротивление усилителя сигнала цветности (выводы 27 и 28), не менее.......................45 кОм Выходное сопротивление выхода на линию задержки (вывод 25), ие более.............................120 Ом Выходное сопротивление усилителей цветоразностных сигналов (выводы 13 и 16), не более.............. 300 Ом Выходное сопротивление усилителя-ограничителя (вывод 23), не менее.............................3 кОм Выходное сопротивление узла цветовой синхронизации (вывод 2), ие более.......................... 250 Ом Входное сопротивление узла цветовой синхронизации (вывод 4), не менее..............................1 кОм Предельные эксплуатационные данные приведены ниже. v.„, в /?н, 2, Ом Ян. S. кОм Rh. 13, 16, 25, кОм Ртах, Вт 10,8... 13,2 200 51 1 1,7 Vl, 31, 22. 23, В U2, 8, В Уз. И, 12, в Vs. 14, 15, в Vs, в 1,5...6,0 5...13,2 2...8 10...13,2 4...10 U7. 13, 16, в V9. Ю, в V !7, 18, В Vl9, 25, В изо, в U26, В 3...10 2,5...10 4...8 5...10 9...13,2 7...12 183 l>27, 28. в To.r,f, °C 2...6 -10...+ 60 K174XA17 Устройство обработки демодулированных цветоразностных и яркостного сигналов. Выполняет следующие функции: регулирование яркости, контрастности и насыщенности; матрицы сигнала G-Y; матрицы сигналов R, G, В; фиксацию уровня черного; предварительное усиление сигналов R, G, В-, установку баланса белого; введение внешних сигналов R, G,. В-, ограничение тока лучей. Микросхем^ предназначена для использования в телевизионных приемниках цветного изображения'. Конструктивно оформлена в корпусе типа 2121.28-12. Назначение выводов: 1 — выход сигнала G; 2 — вход ООС канала G; 3 — блокировка канала В; 4 — выход сигнала В, 5 — вход ООС канала В; 6 — питание ( + G„n); 7— блокировка узла фиксации по каналу В\ 8 — блокировка узла фиксации по каналу G; 9 — блокировка' узла фиксации по каналу R; 10 — вход стробирующего импульса; 11 — вход переключателя сигналов; 12 — вход внешнего сигнала В; 13 — вход внешнего сигнала 6; 14 — вход внешнего сигнала R; 15 — вход яркостного сигнала; 16 — регулировка насыщенности; 17 — вход сигнала R-Y- 18 — вход сигнала B-Y; 19 — регулировка контрастности; 20 — регулировка яркости; 21 — установка баланса белого по каналу В; 22 — установка баланса белого по каналу G; 23 — вход ограничителя тока лучей; 24 — питание (— п); 25 — блокировка канала R; 26 — выход сигнала R; 27 — вход ООС канала R; 28 — блокировка канала G. Рис. 1.212, Функциональная схема ИМС К174ХА17: / — усилитель У, // — регулятор насыщенности R— У; /// — регулятор насыщенности В—У, IV—-матрица G, V, VI, V//—матрицы R, G, В; Vlll, IX, X — коммутатор сигналов, XI, XII, XIII — регулятор яркости, контрастности, XIV, XV, XVI — гашение и фиксация уровня черного, XVH, XVUl, XIX — установка баланса уровня белого, XX, XXI, XXII — выходные дифференциальные каскады, XXI11 — ограничитель тока лучей, XXIV — распределитель строб-импульса 184 Электрические параметры приведены ниже1. Номинальное напряжение питания.............12 В Ток потребления............................ 70... 130 мА Номинальный размах входных сигналов: R-Y....................................1,05 В B-Y....................................1,33 В Y......................................0,45 В Номинальный коэффициент усиления яркостного сигнала в кацалах Л, G, В . . . .’ . . . 2;..4 Диапазон регулировки контрастности .... —12...+ 3 дБ Напряжение на выводе 20, соответствующее номинальной яркости..........................1,5...2,5 В Номинальный коэффициент усиления цветоразностных сигналов...........................0,6...J ,25 Минимальный коэффициент усиления цветоразностных сигналов при (716 = 2 В, ие более . . . 0,15 Коэффициент усиления цветоразностных сигналов при. ограничении тока лучей, ие более . . .0,5 Диапазон регулировки насыщенности, ие менее —20... 4-6 дБ Номинальный коэффициент усиления внешних сигналов R, G, В при (7ВХ = 1 В............0,6... 1,25 Коэффициент усиления напряжения яркостного сигнала при (Лэ =2,7 В.....................1...2 Закон формирования сигнала G — Y .* . . . . Ug-y=— 0,51 G«-r—0,19 Ga-r Погрешность матрицирования, не более . . . 10 % Номинальный коэффициент усиления сигнала Й-К в канале ..............................0,15. .0,28 Верхняя граничная частота усиления яркостного сигнала по уровню —3 дБ, ие менее .... 1 МГц Верхняя граничная уастота усиления внешних сигналов R, G, В по уровню —3 дБ, ие менее 5,5 МГц Верхняя граничная частота усиления цветоразностных сигналов по уровню —3 дБ, не менее 2 МГц Коэффициент гармоник яркостного сигнала при G,„=0,45 В, не более.......................8% Разность постоянных напряжений на выводах 2, 5, 27 во время стробирования, не более . . . 100 мВ Амплитуда выходного сигнала на выводах 2, 5, 27, ие менее...............................1 В Потенциал включения внешних сигналов R, G, В 0,9...1,5. В Потенциал выключения внешних сигналов R, G, В.......................................-0,5...0,3 В Подавление цветоразностных сигналов при (Ле =1,8 В, ие менее................. 40 дБ Входное сопротивление, ие менее: по входу яркостного сигнала (вывод 15) 10 кОм по входам цветоразностных сигналов (выводы 17, 18)...........................100 кОм по регулировочным входам (выводы 21...23) 15 кОм Пределы изменения коэффициента усиления яркостного сигнала: по каналам и при установке баланса белого, не мбиее...............................40 % Уровень выделения стробирующего импульса . 7,5... 10 В 185 Уровни выделения гасящих импульсов: строчного................................4...5 в кадрового............................2....3 В Входной ток: по входам цветоразностных сигналов (выводы 17,18), не более...............................2,5 мкА по входам внешних сигналов R, G, В (вы- воды 12, 13, 14), не более...............5 мкА по регулировочным входам (выводы 16, 19, 20)..............................— 6,.. 4-6 мкА по входу стробирующего импульса (вывод 10), не более........................100 мкА по входу переключателя сигналов (вывод 11), не более..................... . — 100...4-200 мкА Предельные эксплуатационные данные приведены ниже. Напряжение питания.......................10,8...13,2 В Напряжение на выводах, не более: 10 ....... 10 В 2, 5, 27............6,5 В 11................1,5 В 21, 22, 23 ........ 12 В 16, 19, 20 .... 4,5 В 1, 4, 26.............12 В Входной ток по выводу 20.................2...5 мА Рассеиваемая мощность....................1,7 Вт Температура окружающей среды.............—10... 4-60 °C Размах входных сигналов: на выводах 12,13, 14 . . ,. не менее 0,9 В и не более 1,1В иа выводе 15.........не менее 0,4 В и не более 0,5 В на выводе 17.........не менее 0,7 В и не более 1,5 В на выводе 18.........не менее 0,85 В и не более 1,8 В. ' При U„„ = 12 В; Г==25 °C. Рис. 1.213. Зависимости коэффициента передачи по каналам R—Y В—У (а) и по каналу У (б) от управляющего напряжения 186 к катодам кинескопа ★ZOOB +4l \R9 Чок hm t\K2 fiHJ ибгоавбо tlf8K I УЕЧ-»—IX34® mmf* Jrtr? Щлдага|_¥™ 26 27 26 -J 0Р22МК ~№? 29 6 21 о,оггмк£ . . . СЗГ Трехуровневый орггмк^ управляющий ct( т- иМПрЛЬС Я022МКХ, 8 §21 9 10 Управление внешние сигналы в о-G —11 св А О- -|«Й4 JOfilMK J-O.O22MK Вгпр ^а^Аи-. теля тбколучей ★/28 т AwiW -*- nJ»™ s II г Р2апаноека баланса т^'"'Де ^mm№‘ 20 Fta ТТИ7 >M7 ЛЕНтТмк I,w to! ZJlffl азорггик p ' ja/нтраст------ tiStOOH ' LT I B'BtK^SSK*1 yJOK -насыщенность" У? £ЗЯОЯУПЗШ5!2Ь Опорный |*г J- VIIo,^!2fl вхпйограничителя 16 17 16 ц к u 1 — 2 МО.Шт —--9 ---5 Рис. 1.214. Типовая схема включения ИМС К174ХА17 К174ХА19 Микросхема предназначена для выработки стабилизированного управляющего напряжения настройки и обработки сигнала АПЧ в блоках УКВ радиоприемных устройств, изготовляемых для народного хозяйства, выпускается в корпусе типа 2103.16-9. Электрические параметры приведены ниже. Напряжение питания, В..............................8,55...16 Ток потребления при (7Ип=16 В, (7апч = 0, (70^сфапч= =4 В, мА, ие более................................7,5 Напряжение настройки при (Ап =9 В, Г=25°С, В, ие менее..............................................6 Коэффициент влияния нестабильности источника питания иа напряжение настройки при (7^п=8,55 В, (ЛА =16 В, управляющем напряжении иа выводе 10, равном 1,2 В, (7апч=0 мВ, (Лфвхапч=4 В, не более.................0,005 Максимальный коэффициент наклона характеристики АПЧ при (7ИП=9 В, управляющем напряжении иа выводе 10, равном 1,2 В, (Дпч = 0, (/Хпч=Ю мВ, (7сфвхлпч=4 В, ие менее...........................................0,06 187 Максимальное относительное изменение напряжения настройки, вызванное действием АПЧ, %, при (/„„==9 В, управляющем напряжении нВ выводе 10, равном 1,2 В, (Апч,=0, (7Хпч2®=150 мВ, минимальном напряжении настройки и (/сфакАпч=!=4 В, не менее...............0,8 То же при максимальном напряжении настройки .... 0,6 Максимальное напряжение АПЧ ( (/апч то»), мВ . . . , 150 Минимальное синфазное напряжение на входе АПЧ, В 0,9 Максимальное управляющее напряжение иа выводе /0, В 1,2 Максимальный постоянный выходной ток по выводу 9, мА 3,6 Максимальный постоянный выходной ток по выводу 13, мА 0,08 Максимальный постоииный выходной ток по выводу 14, мА 0,051 Максимальный постоянный выходной ток по выводу 16, мА 0,2 кбходному^ контуру УРЧ к Модному контуру чрч к контуру смесителя U < ’*=$Г нконтуру ю генератора Рис. 1.215. Схема включения ИМС К174ХА19 К174ХА20 В микросхеме реализована активная часть селектора телевизионных каналов. Выполняемые функции: преобразование частоты в диапазоне метровых волн (МВ); генерация опорной частоты в диапазоне МВ; предварительное усиление ПЧ в диапазонах МВ н ДМВ; буферное усиление опорной частоты для связи с системой автоматической настройки (АН). Микросхема предназначена для использования в телевизионных приемниках черно-белого и цветного изображения. Конструктивно оформлена в корпусе типа 238.16-1. Назначение выводов: 1, 2— входы УПЧ; 3—питание гетеродина (-(-(/„„г); 4, 5 — резонансная система гетеродина; 6 — выход гетеродина 188 для связи с системой АН; 7—питание ( — //„„); 8, 9, 12,13 — выходы смесителя; 10 — питание ( + (7„ni); 11 — вход УПЧ ДМВ; 14 — переключение МВ — ДМВ; 15 вход УПЧ; 16 — питание (— U„„). Рис. 1.216. Функциональная схема ИМС К174ХА20: / — смеситель; // — гетеродин, /// — буферный усилитель гетеродина, IV— буферный усилитель ПЧ, V — предваритеяьный'уснлитель ПЧ; Vi — согласующий каскад УПЧ, VII — система АРУ гетеродина, VIII — стабн^ лнэатор режима гетеродина, IX — усилитель опорной частоты для связи с системой автоматической настройки (АН), X — переключатель МВ— ДМВ, XI — предварительный усилит* тель ПЧ для диапазона ДМВ; XII — стабилизатор напряжения Электрические параметры приведены ниже1. и1 2.,. в /лот, мА Кш см, дБ Кш упч, дБ т чс • омр ср, 12 42...72 <11 <9 — 10...+60 Коэффициент передачи преобразователя частоты в режиме МВ при /,,=230 МГц, (7„ = 10 мВ, не менее . . . ’. . 22 дБ Коэффициент усиления ПЧ в режиме ДМВ при /„ = =36,5 МГц, = 10 мВ, не менее......................23 дБ Максимальный уровень входного сигнала смесителя . , . 30 мВ Максимальный уровень входного сигнала на входе ПЧ в режиме ДМВ......................................30 мВ 1 При (/,„=12 В, Г=25 °C. 2 Схема работоспособна при питания в пределах 9... 16 В. изменении напряжения источника Рис. 1.217. Зависимости тока потребления от напряжения питания (а) и температуры (б) 189 Рис. 1.218. Зависимости коэффициента передачи в режиме МВ от напряжения питания (б) и температуры окружающей среды (а) Кц.иЛв а Рис. 1.219. Зависимость коэффициента передачи в режиме ДМВ от напряжения питания (а) и температуры окружающей среды (б) входуправления варикапами О.^№ /16 & 1204 LB L7 81 18K 0218 U9_ *20мкГн *5.09 ж0 022 f-HH 2200 КД909 to О Hl 13^4 W4 ztfcl $8нкП<т ..025 ^000 дай кеа У*4 f8K 4 ch MO 09 Z?T 05 " *ZT 1-4-4 гет^оЗина] , <5'|—2- НН [~7|Л I VL!^_ 9,7мкГн VB8 ',: a1 072200 кдт'сгоюю W LS wtf? “НИН —Il-Sl H/V/7T<!7* мгягоо 2200 3 2 — 89 SO Liz,Lt3 юмкгн перемю- --у певмпазо№н1В ^маитров;дмв Ujnf-iSB мв1и^12в;мвди*-8в Рис. 1.220. Типовая схема включения ИМС К174ХА20 , переключение режима 190 К174ХА26 Микросхема представляет собой устройство преобразования частоты, усиления ПЧ ЧМ и частотного детектирования. Применяется в радиоприемных устройствах широкого применения. Конструктивно оформлена в корпусе типа 238.18-3 (нлн в корпусе типа 2104.18-4). У» и, В /пот, мА Uвх огр» МКВ Кйч, дБ Кос AM, дБ /?1в, Ом 5,4...6,6 2...6 >40 Увых НЧ. мВ Us, в Ut2, В Ун, В Ун, в У.., в /15, мА >450 <0,5 -0,7...1/я.„ <0,5 1.5...4 /16, мА С 2,5 1 Входное напряжение ограничения. 2 Коэффициент усиления напряжения низкой частоты. 3 Выходное напряжение низкой частоты. 4 Выходное сопротивление по выводу 16. напряжение питания Рис. 1.221. Типовая схема включения ИМС К174ХА26 191 Рис 1 222 Типовая АЧХ активного полосового фильтра на ИМС К174ХА26 Серии 175, К175 Микросхемы предназначены для использования в трактах промежуточной частоты радиолокационной и связной аппаратуры н других узлах радиоэлектронной аппаратуры. Конструктивно оформлены в корпусе типа 401 14-3 или 401 14-4. 175ДА1, К175ДА4 Детектор AM сигналов и детектор АРУ с УПТ. Назначение выводов микросхем: 1—земля (—-t/ип); 2, 4, 5, 6, 7 — фильтры; 3,11 — входы; 8 — питание (+ (Л, н); S>, 12 — выходы; 14 — вывод. ut,f Iff* 75 СШм/f к]-, 420,1 /Г2П| 5| ил 12 С7. вй =м 7 6 Рис 1 223 Принципиальная схема (а) и типовая схема включения (б) ИМС 175ДА1, К175ДА1 192 и.., в /пот» мА УЬ. в У>, в к. Кару !*и.. МГц В 6 ±0,6 <3 0,12.. 0,45 1...2.5 >0,52 >203 65 6,6 1 Постоянные напряжения на выводах /2 и 9. 2 При и,х= 100/200 мВ; М=65 МГц длй ИМС 175ДА1. Для ИМС К175ДА1 Кд>0,4. 3 При £/,«.«50/100 мВ; f.x«65 МГц для ИМС 175ДА1. Для ИМС К175ДА1 Кару>16. Примечание. Значения параметров приведены ирн номинальном напряжении источника питания 6 В и температуре 25±10°С. 175УБ1А, 175УВ1Б, К175УВ1А, К175УВ1Б Микросхемы предназначены для использования в качестве широкополосного усилителя. Назначение выводов: / — земля (— ил п); 2 — блокировка; 6 — выходов — питание (+ Ия п); 9,10 — коррекция; 12 — вход; 13,14 — обратная связь. ~0^5пк коалы £-11— [О |« J 0,15т 2 лгп агц ХС2 , I* СЗ о,1анк t Рис. 1.224. Принципиальная схема (а) и типовая схема включения (6) ИМС 175УВ1, К175УВ1 Параметры1 Режим измерения 175УВ1А К175УВ1А 178УВ1В К175УВ1Б г/..» в /пот, мА Ку У ДКуц, % Кг, % КнрАЧХ, % R.K, кОм Квых, Ом f., МГц Ни п max, В U их А max, В £/„«0 f = 1 МГц; гя = 1 кОм; Сн«5 пФ /=1 МГц; £/.х = 10 мВ £/.«,« =0,5 В; / = 40 МГц £/.ых = 0,5 В; f=40 МГц /=100 кГц; /?„ = 1 кОм; С» = «5 пФ f=100 кГц Кв=1 кОм 6,3 ±0.6 <15 >10 25 <10 <5 >1 <75 45 60 7 1,5 6,3±0,6 <15 >10 25 <10 <5 >1 <75 30 45 7 1,5 1 При номинальном напряжении источника питания 6 В и температуре 25± 10 °C. 7—2044 193 175УВ2А, 175УВ2Б, К175УВ2А, К175УВ2Б Универсальные усилительные схемы, предназначенные для усиления сигналов преимущественно переменного тока. Назначение выводов микросхем: 1 — земля ( — ияя); 2, 7 — выводы; 3, 6, 13 — входы; 4, 5 — выходы; 8 — питание (Ч-Уип); 9, 12 — базы; 10, И — эмиттеры; 14 — фильтр. Рис. 1.225. Принципиальная схема (а) н типовая схема включения (б) ИМС 175УВ2, К175УВ2 Рис. 1.226. Схема усилителя ВЧ с регулируемым коэффициентом усиления на ИМС К175УВ2 (а) н зависимости коэффициента усиления от управляющего напряжения (б) и крутизны вольт-амперной характеристики от температуры (в) Параметры1 Режим измерения 175УВ2А К!75УВ2А К175УВ2Б 175УВ2Б 1/.П, В 6 ±0,6 6 ±0,6 /пот> мА С/вх=О <3 <3,5 ui, ul, в 1/вх = 0 3,6 ..5 3,6.. 5 Uh, Uh, В 1/.х=0 2,1...2,4 2.1...2.4 S„P6, мА/B С/вх = 10 мВ; f = 465 кГц >10 >10 Кш, дБ f=20 МГц >6 >10 194 Параметры1 Режим измерения 175УВ2А 175УВ2Б К175УВ2А К175УВ2Б Мру, дБ //вх = 20 мВ; /=1 МГц 60 60 Я,х, кОм /=100 кГц >1 >1 Кос сф| дБ — >60 >60 f„, МГц — 50 65 40 55 Un* max, В ±2 ±2 (Ut, Us)2max , В — 9 9 UnSMOXt В —. 6,6 6,6 1 При номинальном напряжении источника питания 6 В н темпе- ратуре 25 ± 10 °C. * Постоянные напряжения выводов 4, 5, 10 н 11 относительно вывода 1. 3 Значение постоянного напряжения по цепи АРУ, соответствующее началу работы электронной регулировки в нормальных условиях, от 2,1 до 2,4 В. 175УВЗА, 175УВЗБ, К175УВЗА, К175УВЗБ Экономичные усилительные схемы, представляющие собой широкополосные усилители с малой потребляемой мощностью. Назначение выводов микросхем: / — земля (— Г/ип); 2, 5 — фильтры; 3, 7 — выводы; 6, 9 — выходы; 8 — питание (+ п) 1 tO, 13 — входы; //, 12 — обратная связь. Рис. 1.227. Принципиальная схема (а) и типовая схема включения (б) ИМС 175УВЗ, К175УВЗ Параметры1 Режим измерения 175УВЗА 175УВЗВ К175УВЗА К175УВЗБ £/.„, В - /пот, мА /7Вх = 0. .1 мВ Зпрв, мА/B //вх=1 мВ; / = 465 кГц 6 ±0,6 <2 >300 >500 6 ±0,6 <2 >250 >400 195 Параметры* Режим измерения 175УВЗА К175УВЗА К175УВЗБ 175УВЗБ Ки, дБ /= 1,6'МГц 8 10 RM, кОм /=100 кГц >0,75 >0,75 МГц 17вх=1 мВ >3 >2,5 — 6,6 6,6 т, в 1/»х = 0 <9 «9 1 При номинальном напряжении источника питания 6 В и температуре 25± 10 °C. 2 Постоянное напряжение вывода 6 относительно вывода 1. 175УВ4, К175УВ4 Микросхемы применяются в качестве усилителя-преобразователя высокой частоты. Назначение выводов: 1 — земля (— U.„); 2, 10— выходы; 3, 5, 7, 9, 11, 12, 13, 14— выводы; 4, 6 — входы; 8 — питание (+ 1/вп). Рис. 1.228. Принципиальная схема (а) и типовые схемы включения ИМС 175УВ4, К175УВ4 с апериодической (б) и резонансной (в) нагрузками и,,, в /пот, мА ul, в 011. в Oil, в О|з, В <Snp6t мА/B U% вых, В 6± 0,6 1,8.. 3 3,6...4,4 2,1. .2,8 1,4... 1,8 1...1.4 102 ±0,2 196 Продолжение Ки» ДБ Кару. дБ МГц в U йотах, В Utl IHOXt В ^сф ВХ «М1 В ю4 60! 150 3 9,5 ±2 < 4,4 1 Постоянные напряжения выводов 9, 11, 12 я 13 относительно вывода 1. ! При У.х=10 мВ; f = l МГц. 3 Постоянное напряжение между выводами 2 и 10. 4 На частоте 20 МГц. Примечание. Значения параметров приведены при номинальном напряжении источника питания 6 В и температуре 25± 10 “С. Серии 190, К190 Микросхемы выполнены на МДП-траизисторах с индуцированным каналом p-типа. Предназначены для коммутации электрических сигналов. Конструктивно оформлены в корпусе типа 301.12-1 (серия 190) или в прямоугольном пластмассовом типа 201.14-1 (серия К190). 190КТ1, К190КТ1 Микросхемы служат в качестве пятнканальиого коммутатора. 190КТ2, К190КТ2 Микросхемы используются как четырехканальный коммутатор. Рис. 1.229. Принципиальные схемы ИМС 190КТ1, К190КТ1 (а) и 190КТ2, К190КТ2 (б) 197 Параметры* Режим измерения 1Э0КТ1 K190KTI 190КТ2 К190КТ2 С/зипор, В 1/н,=0, /с = 10 мкА; С/си= —5 В -6 —6 /з ут, нА [/зи=— 30 В; t/cH=t/.n = O <30 <30 /Снач, нА Utin—U3K=0-, Uch=— 25 В <50 <500 <50 <400 /и, нА С/ип=25 В <200 <150 ^?отк> Ом С/зн =—20 В; С^ип=0; /с = 1 мА <300 <50 /?отк» Ом С/зи= —10 В; 1/ип = 0; /с = 1 мА <700 <120 Сцв, пФ t/си = — 15 В; 1/ип=0;/=1 МГц <5 <24 С|2и, пФ £/си = —15 В; 1/ип=0; f==l МГц <1 <9 Сгги, пФ 1/си= —15 В; 1/нп=0; f = 1 МГц 3,5 15 1 Прн температуре 25±10°С. Предельно допустимые значения параметров и режимов эксплуатации указаны в следующей таблице. Оси. В Озн. в Озе, в Оип, в озп, в /С, «А Ррас жв*» мВт -25 - 30 - 30 25 - 30 10' 200 1 Для микросхемы 190КТ1; для ИМС 190КТ2 /стох=50 мА. Серии 19$, К198, КР198 Микросхемы серий представляют собой линейные многофункциональные схемы, предназначенные для использования в аналоговых блоках радиоэлектронной аппаратуры низкочастотного диапазона. Конструктивно оформлены в корпусе типа 401.14-4 (серии 198 и К198) или типа 201.14-1 (серия КР198). 198УН1А, 198УН1Б, 198УН1В, К198УН1А, К198УН1Б, К198УН1В, КР198УН1А, КР198УН1Б, КР198УН1В Микросхемы представляют собой универсальный линейный каскад. Рис. 1.230. Принципиальная схема (а) н типовая схема включения (б) ИМС 198УН1, К198УН н КР198УН1 198 Рис. 1.231. Регулируемый усилитель (а) и зависимость коэффициента усиления от регулирующего напряжения (б) ИМС 198УН1, К198УН1 и КР198УН1 —0,2 0 0,2 0^0,SUfeZlB Параметры1 Режим измерения 198УН1 К198УН1, КР198УН1 А Б В А Б В В ^ип2, В — + 6,32 + 6,32 + 6,32 4-6,32 4-6,32 4-6.32 -6,32 — 6.32 -6,32 — 6,32 — 6,32 -6,32 /поъ мА 1/вх=1 В; f=10 кГц <6 <6 <6 < у <^у KyU 1/.ы« = 0,8 В; f = = 10 кГц; 1/рег = = -1,5 В >4,5 >4,5 >3 >4 >4 >2 Кпи С/Вх i=0,5 В; f = = 10 кГц; ивк2 = = 1 В >1,4 >1,4 >1,4 >1 >1 >1 Кг, % С/вх=0,5 В; t/вых = 20 мВ; f = = 10 кГц; 1/р,г = =0.. 1,5 В <10 <10 <10 Кш, дВ f=l кГц; Рг — — 1,2 кОм <20 <30 <30 __ ^вх max, В — ±4 ±4 ±4 ±4 ±4 ±4 ' При номинальных напряжениях источников питания 1/ц.Я| = =6,3 В; ия„2—— 6,3 В и температуре 25±10°С. 2 Допускаются отклонения напряжений источников питания ие более чем на ± 10 %. 198УТ1А, 198УТ1Б, К198УТ1А, К198УТ1Б, КР198УТ1А, КР198УТ1Б Микросхемы представляют собой многофункциональный дифференциальный усилитель общего назначения. 199 Рис. t.232. Принципиальная схема (а), схема включения (б) и зависимость коэффициента усиления от напряжения на вывода 2 (в) ИМС 198УТ1, К198УТ1 и КР198УТ1 Параметры1 Режим измерения 198УТ1 К198УТ1, КР198УТ1 А Б А Б (/,«!, в — +6,3’ +6,3’ +6,3’ +6,3’ 1/a.ni, В — -6,3’ -6,3’ —6,3’ -6,3’ /пот, мА и„=0 <4,5 <4,5 <5 <5 мкА С/„=О <8 <15 <10 <20 Д/.х, мкА 17„=0 <2 <3 <3 <8 Un., мВ <5 <10 <5 <12 Ужатах, В Кг<10%; f=10 кГц; >3,5 >3,5 >2,5 >2,5 1/«х2=0; /?я=оо Ку и £Л»ых|—0,7 В; £/,х2 = 0;/ = 10кГц 30 60 30 60 20.70 20.70 Uax max, В — ±4 ±4 — — V^axmax, В — ±2,5 ±2,5 — — Ramin, Ом — 200 200 — — 1 При номинальных напряжениях источников питания С7ИП| = =6,3 В; l/Rnj= —6,3 В и температуре 25 ±10 °C. ’ Допускаются отклонения напряжений источников питания не более чем на ±10%. 3 Максимальная двойная амплитуда выходного напряжения. 198НТ1А, 198НТ1Б, 198НТ2А, 198НТ2Б, 198НТЗ, К198НТ1А, К198НТ1Б, К198НТ2А, К198НТ2Б, К198НТЗА, К198НТЗБ, К198НТ4А, К198НТ4Б, КР198НТ1А, КР198НТ1Б, КР198НТ2А, КР198НТ2Б, КР198НТЗА, КР198НТЗБ, КР198НТ4А, КР198НТ4Б Микросхемы представляют собой матрицы транзисторов типа п-р-п. 200 a » г в 5 13SHT1, К19ЙИТ1, KP198HT1 138HT2, K188HT2, KPI98HT2 К19ЙНТЗ, КРЮЗИТЬ азнтз, мзмтз, кр/дзнтз Рис. 1.233. Схемы наборов транзисторов типа п—р—п ИМС серий 198, К198 н КР198 Параметры1 Режим измерения 198HT1. 198НТ2, 198НТЗ KI88HT1, К198НТ2, KI98HT3, KI98HT4 KP198HTI, КР198НТ2, КР198НТЗ, КР198НТ4 А Б А Б А ₽ Abie 1/кв=ЗВ;/э = 20... 60... 20.. 60.. =0,5 мА 30 200 100 250 125 250 7кбо, мкА 1/кв = 6 В <0.05 <0,05 <0,1 <0,1 <0,04<0,04 I/бэмяс» В /к=3 мА; /в = =0,5 мА <0,8 <0,8 <1 <1 <1 <1 t/кЭяас, В /к=3 мА; /в = =0,5 мА <0,4 <0,4 <0,7 <0,7 <0,7 <0,7 1 При температуре 25± 10 °C. Разброс статических коэффициентов передачи транзисторов дифференциальной пары для микросхем 198НТ1А.Б, 198НТ2А.Б, К198НТ1А.Б, К198НТ2А.Б, КР198НТ1А.Б -и КР198НТ2А.Б составляет не более 15 %. Разброс напряжений между базой и эмиттером транзисторов дифференциальной пары при 2/э=0,5 мА, 1/КБ=3 В для микросхем 198НТ1А, 198НТ2А ие более 3 мВ, для 198НТ1Б, 198НТ2Б — не выше 10 мВ. Предельно допустимые значения параметров и режимов эксплуатации приведены ниже. Цкв. в Укэ. в ЦвЭовр. В t/КЭобр, В /к, мА /к нас» мА Рк, мВт 15 15 -4 15 10 30 <20‘ 1 Для одного транзистора. Максимальная постоянная мощность, рассеиваемая коллекторами всей матрицы, составляет 100 мВт 201 198НТ5А, 198НТ5Б, 198НТ6А, 198НТ7А, 198НТ7Б, 198НТ8А, 198НТ8Б, К198НТ5А, К198НТ5Б, KI 98 Н Тб A, К198НТ6Б, К198НТ7А, К198НТ7Б, К198НТ8А, К198НТ8Б, КР198НТ5А, КР198НТ5Б, КР198НТ6А, КР198НТ6Б, КР198НТ7А, КР198НТ7Б, КР198НТ8А, КР198НТ8Б Микросхемы представляют собой матрицы транзисторов тица р-п-р. Параметры1 Режим измерения 198НТ5, 198НТ6, 198НТ7, 198НТ8 К198НТ5, К198НТ6, К198НТ7, К198НТ8 KP198HT5, КР198 НТ 6, KP198HT7, KP198HT8 А Б А В А Б Й21Е и№= —3 В; 30 ..250 30...50 20 ..100 60...300 20...125 60...300 /э=0,5 мА /кво, Uk.b= <75 — <500 — <300 — мкА = —15 В 1/Кб = - <Ю0 - <500 - <300 = -30 В £/бэ«м /к=3 мА; <0,85 <0,85 <1 <1 <1 <1 В /в = 0,5 мА t/кэнао /к=3 мА; <0,5 <0,75 <1 <1 <1 <1 В /б=0,5 мА 1 При температуре 25±10°С. а 11 2 8 5 198НТ5, К198НТ5, КР198НТ5 198НТ6, KI98HT6, КР198НТ6 198НТ7, К198НТ7, КР198НТ7 198НТ8, К198НТ8, КР198НТ8 Рис. 1.234. Схемы наборов транзисторов типа р—п—р ИМС серий 198, К198 и КР198 Разброс статических коэффициентов передачи тока транзисторов дифференциальной пары при (7кв= — 3 В, /э = = 0,5 мА для микросхем 198НТ5А, 198НТ5Б, 198НТ6А, 198НТ6Б составляет не более 15 %. Разброс напряжений между базой и эмиттером транзисторов дифференциальной пары при /э = 0,5 мА, (7 кб= — 3 В 202 для микросхем 198НТ5А, 198НТ5Б, 198НТ6А, 198НТ6Б не должен быть выше 5 мВ. Предельно допустимые значения параметров и режимов эксплуатации указаны в следующей таблице: УКБ, В l/кэ, в ЦБЭобр, в УКЭобр. в /к, мА /К нас» мА Рк, мВт -15' -15' 4 -15 10 30 <302 1 Для микросхем группы А. Для микросхем группы В Ukb max = = Uk3 тах=—30 В. 2 Для одного транзистора. Максимальная постоянная мощность, рассеиваемая коллекторами всей матрицы, составляет 120 мВт. Серии 504, К504 Микросхемы выполнены на полевых транзисторах. Предназначены для микроминиатюризации блоков электронной аппаратуры. Конструктивно оформлены в круглом металлостеклянном корпусе типа 301.8-2. 504УН1А, 504УН1Б, 504УН1В, К504УН1А, К504УН1Б, К504УН1В, 504УН2А, 504УН2Б, 504УН2В, К504УН2А, К504УН2Б, К504УН2В Малошумящие усилители низкой частоты с высоким входным сопротивлением. Могут использоваться для селективных усилителей, генераторов синусоидальных и релаксационных колебаний низкой частоты и т. д. Рис. 1. 235. Принципиальная схема (а) н типовая схема включения (б) ИМС 504УН1, К504УН1, 504УН2, К504УН2 203 Параметры1 Режим измерения 504УН1, 504УН2 К504УИ1, К504УН2 А Б В В — -12±1,2 -12±1,2 -12=4=1,2 /„от, мА 1/,х==0;/?„=оо 5/10 5/10 5/10 „ . , г ,, , n 20...60 1ОП 80...200 К.и />=1кГц;4/„==1мВ ш 60 40...120 0 5 1/вых.А.тох, В /“1 кГц;-/?„= “л’о" 0,5 0,5 —3 кОм мкВ /«5...10 кГц; 3! З2 З2 «„== со 5’ 53 53 То* ‘Тбг TF 1 При номинальном напряжении источника питания —12 В и температуре 25 ± 10 °C. 2 Для 504УН1А, 504УН1Б, 504УН1В, К504УН1А. К504УН1Б, К504УН1В. 3 Для 504УН2А, 504УН2Б, 504УН2В. 4 Для К504УН2А, К504УН2Б, К504УН2В. В случае применения микросхем 504УН1, 504УН2, К504УН1 и К504УН2 при закорачивании выводов 5 и 1 внутренний резистор сопротивлением 0.3...4 МОм мржет служить сопротивлением утечки затвора входного транзистора ИМС. Если внутренний резистор не используется, выводы 5 и 7 необходимо закоротить. Транзисторы микросхем сохраняют усилительные свойства до частот 1...2 МГц. 504НТ1А, 504НТ1Б, 504НТ1В, К504НТ1А, К504НТН5, К504НТ1В, 504НТ2А, 504НТ2Б, 504НТ2В, К504НТ2А, К5О4НТ2Б, К504НТ2В Слаботочные согласованные пары полевых транзисторов. Предназначены для использования во входных каскадах усилителей постоянного тока, дифференциальных и операционных усилителях, коммутаторах и других устройствах с целью повышения входного сопротивления, создания температурной и временной стабильности, снижения шумов. Параметры1 Режим измерения 504HT1, 504НТ2 К504НТ1. K504HT2 А Б В /снач» мА Ucn= —10 В; 1/зи=0 0,1...0,7 0,4... 1,5 0,7-.2 t/зИотс» В /с= 10 мкА; --5 В 1/си= <4,5 <5 <4,5 <5 <4,5 <5 204 Параметры* Режим измерения 504HT1, 5МНТ2 K504HT1,' К5О4НТ2 А Б В Sba, mA/В t/си =—10 В; f= >0,3 >0,5 >0,7 =270 Гц; !/зи=0 /зут.нА 1/зи = 5 В <2 <2 <2 (Уэш-Узиг), /с=100 мкА; 1/сз= <30 <30 <30 мВ = —5 В $BAI in R f >0-9г >0'92 ^°’92 Seas =270 Гц; 1/Ги=0 >°-853 >°«853 >9,853 /си ,, ,, „ >0,92 >0,92 >0,92 /сйа,2 UcH 10B:U3H-° >0,85’ ^W >6:85’ Use max, В — 10 10 10 Изи mix, В — —0,2 —0,2 —0,2 4 При температуре 25 ± 10 ’С. 2 Для 504НТ2А, 504НТ2Б, 504НТ2В. 3 Для К504НТ2А, К504НТ2Б, К504НТ2В. Рис. 1.236, Пары полевых транзисторов ИМС 504НТ1, К504НТ1, 504НТ2, К504НТ2 (а) и их стоковые (б) и сток-затворные (в) характеристики 504НТЗА, 504НТЗБ, 504НТЗВ, К504НТЗА, К504НТЗБ, К504НТЗВ, 504НТ4А, 504НТ4Б, 504НТ4В, К504НТ4А, К504НТ4Б, К504НТ4В Сильноточные согласованные пары полевых транзисторов. Предназначены для использования во входных каскадах усилителей постоянного тока, дифференциальных и операционных усилителях, коммутаторах и других устройствах радиоэлектронной аппаратуры. 205 Рис. 1.237. Пары полевых транзисторов ИМС 504НТЗ, К504НТЗ, 504НТ4, К504НТ4 (а) и их стоковые (б) и сток-затворные (в) характеристики Параметры’ Режим измерения 504НТЗ, 504НТ4 К504НТЗ. К5О4НТ4 А Б В /с»нач> мА (7си = — 10 В; (7зи = 0 1,5...7,5 5 15 7,5. .20 t/зИотс, В /с= 10 мкА; Ucn = = -5 В <5 <5 <5 Sba, mA/В (7си= —10 В; f-= 270 Гц; <7зи = 0 >1,5 >3 >5 /зут, нА Узи = 5 В <2 <2 <2 (С/зИ1 — (Лэнг), мВ (7сз=—5 В; /с = = 100 мкА <302 <302 <302 Sbai 5вА2 С/си=-10 В; f = =270 Гц; Узи = 0 >0,853 >0,853 >0,853 /с нач! £/си= — 10 В; (7зи = 0 >0,853 <0,853 >0,853 /С нач2 ОзС max, В __ 10 10 10 Um min, В — -0,2 — 0,2 -0,2 1 При температуре 25±10°С. 2 Для К504НТЗА, К504НТЗБ, К504НТЗВ. 3 Для К504НТ4А, К504НТ4Б, К504НТ4В. Серия К513 Микросхемы предназначены для микроминиатюризации устройств радиоэлектронной аппаратуры. Конструктивно оформлены в корпусе типа КТ-1 К513УЕ1А, К513УЕ1Б, К513УЕ1В Усилители-повторители электретных микрофонов бытовой звукозаписывающей аппаратуры. 206 Рис. 1.238. Принципиальная схема ИМС К513УЕ1 Параметры Режим измерения К513УЕ1А К513УЕ1Б К513УЕ1В 1/,п. В /вх, нА 1,2 1,2 1,2 1/си = 0; 1/зи = 0,1 В 1 1 1 /с, мкА 1/си = 1,5 В; 1/зи = 0 30... 150 100...220 180...500 Sba, mA/В 1/си=1,5 В; 1/зи = 0, / = 50... 1500 Гц о,Г 0,2 0,25 g22B, МКМО Uсп =1,5 В; Узи = 0; /=50...1500 Гц 10 10 1/ш, иВ/Гц £/си=1 В; 1/зи = 0; f = l кГц 40 40 40 Серия 515 Микросхемы предназначены для микроминиатюризации устройств электронной аппаратуры. Конструктивно оформлены в корпусе типа 301.12-1. 515ХП1 Микросхема выполняет роль многофункциональной схемы. Рис. 1.239. Принципиальная схема (а) и типовая схема включения (б) ИМС 515ХП1 (С/ и С2 — емкости контура) Параметры* Режим измерения Значения ия„, в /пот» мА 9+J8 — <6 /кбо, мкА t/кв = 15 В <0,15 /эво, мкА 1/эв=4 В <0,15 Й21В (7кб — 9 В; /э = 4 мА >50 1 Й21Э I / = 100 МГц >5 207 Параметры1 Режим измерения Значения ^npjti В /пр — 1 мА 0,5...! Кл t/.x=0,8 В; f=l МГц; /'„=400 Гц; т =60 % ^1,1 Uh п maxt В 15 1 При номинальном напряжении источника питания 9 В и температуре 25 ±5 °C. Серии 521, КР521 ИМС серий 521 и КР521 представляют собой компараторы, предназначенные для работы в схемах аналоговых преобразователей сигналов, в измерительной технике и радиоэлектронной аппаратуре. 521СА1 Сдвоенный компаратор напряжения. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 301.12-1. Назначение выводов: 1 — общая 2 10 Рис. 1.240. Принципиальная схема ИМС 521СА1 точка источников питания; 2 — вход стробирования; 3, 4 — свободные выводы; 5 — инвертирующий вход 1 -го канала; 6 — неин-вертирующиЙ вход 1-го канала; 7 — питание (— U„ п); 8 — неинвертирующий вход 2-го канала; 9 — инвертирующий вход 2-го канала, 10 — вход стробирования; 11 — выход; 12 — питание (4-1/ип). У И № В Увп. В /noth мА /оотЯ, мА В уи. в У», мВ /х ср> мкА А/>х, мкА /«рев» мА /8‘, ИС Ку и Кос сф» дБ -6 <11,5 <6,5 2,5 5* <0,3 <3,5г <75 <10 <2,5 <110 >750 >70’ 12±1,2±0,6 1 Прн /и=5 мА. 2 При /?г <200 Ом. 3 При 1/сф„ = ±4 В. 208 521СА2 Компаратор напряжения. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 301.8-2- Назначение выводов: 1 — общая точка источников питания; 2 — иеинвертирующий вход; 3— инвертирующий вход; 4 -~ питанне ( — {/,„); 5, 6 — свободные; 7 — выход; 8 — питание ( + {/,.„). Рис. 1.241. Принципиальная схема ИМС 521СА2 в V» п2> в /л0Т1» мА ЛготЙ» мА В в мВ м’кТ д/.., мкА й*. НС «у и Кос сф< дБ 12±1,2 — 6 9 8 2,5 ..4 0,3 5 75 10 120 750 70 ±0,6 1 При /« = 5 мА. 2 При /?г<50 Ом При t/c$Bx==±4 В. 521 САЗ Компаратор напряжения. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 301.8-2. Назначение выводов: 1 — эмиттерный (иизкоомный) выход; 2 — иеинвертирующий вход; 3— инвертирующий вход; 4—питание ( —£/ип); 5 — балансировка; 6 — стробирование, балансировка; 7 — коллекторный (высокоомный выход); 8 — питание (+ п). U.,t. В Ut в«» в /вотЬ мА /пот9> мА В мВ мкТ Д/.Х. мкА /8', МКС Ку U 15± -15± <6 <5 <1,5* <32 <0,1 <0,01 <300 1500003 1,5 ±1,5 1 При /»=50 мА. 2 При /?г = 50 кОм. 3 При 1/,ых = ±10 В; Ли = 10 кОм. 209 Рис. 1.242. Схема балансировки (а) и схема включения ИМС 521 САЗ в режиме стробирования (б) 521СА4, КР521СА4 Компараторы напряжения. Микросхемы конструктивно выполнены в корпусе 301.12-1 (521СА4) и 201.14-1 (КР521СА4). Назначение выводов (в скобках указывается нумерация выводов микросхемы КР521СА4): 1(3) — аналоговый вход 1; 2(4) — аналоговый вход 2; 3(6)— питание ( —£Лпг); 4(8)—логический вход 2 («строб» 2); 5(9)— логический выход 2; 6(10) — общий; 7(11) — логический выход 1; 8(13) —логический вход 1 («строб» 1); 9(14) — питание ( + ^ипз); 10(1) — питание (4-£Лп|). Микросхема У..!, В Ун п2> В Ц..э, В /п<?т!» мА /аот2, мА /потЗ, мА 521СА4 9±0,9 -9±0,9 5±0,25 <3,75 <7,5 <16 КР521СА4 9±0,9 -9±0,9 5±0,25 <4 <8,5 <18 Уяых, В №... в Уем, мВ м"кТ ДАя. мкА /вх строб, мкА /вх строб» мкА /S', ИС 2,5...4,5‘ 0...0.52 <43 <2 <0,5 <504 < 2000s <26 2,5...4,5* 0...0.52 <63 <2 <0,75 <1004 < 2000s <26 1 При /„ = 1 мА; t/CTpo6 = 0,8 В. 2 При /„ = 10 мА; t/строб = 2 В. 3 При /?„ = 10 кОм. 4 При Uстрое = 2,7 В. 5 При (/„роб = 0,5 В. 210 ~9В -%25 Рис. 1.243. Схемы включения ИМС 521СА4 в качестве преобразователя уровней ТТЛ-ЭСЛ (а) н ЭСЛ-ТТЛ (б) Рис. 1.244. Схема включения ИМС 521СА4 в качестве фотодетектора 521СА5 Компаратор напряжения. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 401.14-4. Назначение выводов: 2 — общий; 3 — неинвертирующий вход; 4 — инвертирующий вход; 6 — питание 9 — выход; И— питание ( + ^ип); 13 — стробирование. 211 £Л.Я1, В и,.,, в /•Mb мА мА и'т, в t/U, в и„. мВ м’кХ' мкА ИС Ку и 12 -6 <5,3 <2,7 2.6* —0,352... <3 <3 <1 ОО3 >1500* ...0,35 1 Прв Лых=3 мА. 2 При 7вых=1 мА. 3 При Д£/,ых=0,05 В. 4 При ДУ,ых=±0,5 В. 'fl 9 ,S ,^пг Puc. 1.245. Схема включении ИМС 521CA5 Серия 522 Высокочувствительные усилители релейного типа, предназначенные для управления электромеханическим реле. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 401.14-4. Рис. 1.246. Принципиальная схема ИМС 522КН1А, Б 522КН1А, 522КН1Б Усилитель релейного типа, управляемый током. Назначение выводов: 1, 2, 3, 4; 14 — контрольные выводы; 5 — питание ( — (/,„); 6, 8, 11 — свободные выводы; 7 — нагрузка; 9— питание (+(АП), подключение нагрузки; 10 — подключение внешнего резистора /?=6,8 кОм±5% при использовании низкоомной нагрузки (менее 1 кОм); 12 — вывод для подключения развязывающей емкости; 13 — вход. 212 и... в ^оот» мА В u„t, в /BMJumext мА left, мкА Кмпр 30+4,5 <25* <0,72 >383 ^115 70...150 0,4...0,8 -7,5 1 В закрытом состоянии. 2 При /.м.^^ПБ мА. 3 Для 522КН1Б £/орв=50 В. 522КН2А, 522КН2Б Ключ напряжения, управляемый напряжением. Назначение выводов: 1 — вход 1; 2 — вход 2; 3 — вход 3; 4 — вывод резистора; 5 — питание ( — £/„„); 6, 8, // — свободные выводы; 7 — подключение нагрузки; 9 — питание ( + (/.„), подключение нагрузки; 10 — подключение внешнего резистора R =6,8 кОм ± 5 % при низкоомной нагрузке (менее 1 кОм); 12— вывод для подключения развязывающей емкости; 13 — контрольный вывод; 14 — вход 4. Рис. 1.247. Принципиальная схема ИМС 522КН2А, Б и,,, в Лют» мА Uoct, В С/ирб> в в срб» В Imxmax, мА вх. 4—3 вх 4—2 вх 4—3 вх. 4—2 30±^ <25* <0,72 >3,83 >1 >2 <0,5 <1 <115 1 В закрытом состоянии. 2 При /вЫХ == 115 мА. 3 Дли 522КН2Б £/пр6>50 В. Серия 526 Микросхемы предназначены для использования в радиотехнических устройствах в качестве балансного смесителя; 213 балансного модулятора; демодулятора; умножителя частоты; различных детекторов. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 301.12-1. 526ПС1 Двойной балансный усилитель. Назначение выводов: 1 — общий; 2, 3 — выводы; 4 — вход 2; 5 — выход; 6 — вход 1; 7 — питание (+ Uu „); 8 — выход; 9 — выход; 10 — вход 1; 11 — вход 2; 12 —- выход. 6 ±0,6 /пот» мА >82 При 7?я=1 кОм. При Ulx — 5 мВ, fBx = 10 МГц. При £/Оп=300 мВ; fon = 10,5 МГц. Рис. 1.248. Типовая схема включении ИМС 526ПС1 мА/В 53 £/-п, В 2 3 526УР1 Усилитель-ограничитель с частотным детектором. Назначение выводов: 1—питание ( — (/„„), общий; 2 — фазосдвигающий контур; 3, 4 — выход ВЧ; 5 — фазосдвигающий контур; 6 — вывод; 7,9 — выход НЧ; 8 — питание (+ <Лп); 10 — блокировка; 11 — вход; 12 — блокировка. и,,, в /пот» мА УвыхНЧ. мВ Кос ам> дБ (при т—ЪО %) 6 ±0,6 <16 120...10001 >38‘ 1 При fBx = 6,5 МГц; Д/=±50 кГц; £/вх = 5 мВ; Q = 20. 214 вход Г-^7-1 п выход 52БУР! 12 1 iff 9' С Й4Г! Н-Н I ±Ор22мк Выход 0,033MK^ Рис. 1.249. Типовая схема включения ИМС 526УР1 Серия 529 529УП1 Микросхема предназиачеиа для построения активных фильтров в устройствах радиоэлектронной аппаратуры. Конструктивно оформлена в корпусе типа 301.12-1. Назначение выводов: 1 — общий; 2, И, 12 — входы; 5, 7,8,9 — выходы; 6 — питание (+ Uu п). и.„ в /пот» мА ft, мГц Ку и Ку и. К,, % /?«х» кОм Квыс» кОм Яеых в» кОм 6±0,6 <3 >0,5s >40ls >381 2 <ю3'5 >304'5 8...2045 0,35 1 При /?„= 15 кОм; (7вх=10 мВ; /=100 кГц. 2 При 7?и = 1 кОм; иВх=2 мВ; / = 100 кГц. 3 При (7вых=400 мВ. 4 При 1/вх = Ю мВ; f = l кГц. 3 Для каждого усилители микросхемы. Рис. 1.250. Принципиальная схема (а) и типовая схема включения (б) ИМС 529УП1. Элементы схемы выбираются из условии: /рез = 1/2л/?С; Q = Ку и/2; С/ = С2 = С; R1 = 470 кОм, R2 = R3 = = R4 — R5 — R = 10 кОм 215 Серии 538, К538 Микросхемы предназначены для использования в усилительных устройствах с низким уровнем шумов. Конструктивно оформлены в корпусе типа 301.8-2. 538УН1А, 538УН1Б Микросхемы используются в качестве малошумящего усилителя. Назначение выводов: 1 — питание (+ Uu п); 2 — земля ( — (/„„); 3 — инвертирующий вход 2; 4 — неннвертирую-щий выход 1; 5 — общий эмиттер; 6, 7 — коррекция; 8 — выход. Параметры Режим измерения 538УН1А 538УН1Б и.,, в Лют» мА KyU 1Лц,вх> мкВ Una к A max, В Кг, % В режиме холостого хода /<20 Гц; UauxA—2 В; Ля = = 10 кОм Ку и=500; f=0,l...10 кГц; Я,= 10 кОм /<2ОГц; Яя=10кОм Ку о = 50; f = l кГц; /?,= =2 кОм 15±1,5 15±1,5 <8 <8 >100 000 > 50 000 <1,2 <0,85 >12 >12 <0,1 <0,1 Рис. 1.251. Принципиальная схема (а) и схема включении (б) ИМС 538УН1 К538УН2, КР538УН2 Малошумящие низковольтные усилители, предназначенные для усиления аналоговых сигналов низкой частоты при напряжении питания 0,9...1,5 В, Применяются в миниатюрных слуховых аппаратах и приборах для медико-биологиче-скнх исследований. Оригинальное построение усилителя и вы 216 ходного каскада, работающего в классе «Б», позволило уменьшить ток покоя до 0,4 мА и получить максимальное значение выходного сигнала около 0,3 В при напряжении источника питания 1,2 В, Конструктивно оформлены в корпусе типа 301.8-2 (К538УН2) и 4151.12-1 (КР538УН2). Рис. 1.252. Основные характеристики ИМС К538УН2, КР538УН2 Рис. 1. 253. Принципиальные схемы линейного усилителя с регулируемым коэффициентом усилении (а) и слухового аппарата (б) Назначение выводов приведено ниже. Выводы Назначение выводя К538УН2 КР538УН2 1 9 Питание (+t/„„) 2 11 Коррекции 5 1 Вход 6 4 Общин, питание ( — 1/„п) 7 6 Регулировка и 8 7 Выход 217 Параметры Режим измерения г параметров В /пот» мА Uш вх» МкВ t/вых max, В Куи 1в, кГц R™, кОм {/«птах» В Ux max» В /?а mint Ом — 1,2 £/„„=1,2 В; 7,=25°С <1,2 £/„„= 1,2 В; f=100...5000 Гц <1,5 £/„„ = 1,2 В; Кг = 7%; /?„ = 1 кОм >0,25 £/„„ = 1,2 В; £/„ых=0,2 В; Я„=1 кОм >1500 — 10 £/„„=1,2 В — 2 — 2 — 0,1 — 200 К538УНЗ Сверхмалошумящий усилитель с оптимизированными шумовыми характеристиками. Предназначен для работы с иизко-омиыми генераторами сигналов (от сотен ом до единиц килоом). Низкое напряжение питания способствует его применению в различных автономных системах. Коэффициент усиления фиксирован внутренним делителем, возможна его внешняя регулировка. a S Рис. 1.254. Принципиальная схема ИМС К538УНЗ (а) и схема ее включении в качестве линейного усилители (б) а 6 д Рис. 1.255. Схемы включения ИМС К538УНЗ в качестве усилители с регулируемым коэффициентом усилении (а), чувствительного усилители (б) и усилителя воспроизведения дли магнитофонов (в) 218 Рис. 1.256. Типовые зависимости ИМС К538УНЗ Параметры* Режим измерения Значения в 62 /пот» мА — <5 Кг, % 67вых=О,1 В <1,5 Ку и С внутренней обратной связью 100...300 Ку и Без внутренней обратной связи 3000 //щвхн» иВ/д^Гц f — 1 кГц; /?г=500 Ом 2 f—1 кГц; Rr=0 1,8 /?вых» кОм —— 10 /срзв» МГц Ри—2 кОм; Куу=100 3 Uixmax* мВ — 200 Uвых maxt В — 0,7 1 При напряжении источника питании 6 В и температуре 25 °C. 2 Работоспособность сохраняется до иаприжеиии источника питания 3 В. Серии 542, К542 Наборы диодов, предназначенные для конструирования вторичных источников питания. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 402.16-7. 542НД1, К542НД1 Микросхемы представляют собой диодный мост. 542 НД2, К542НД2 Микросхемы используются в качестве диодных матриц из четырех диодов с общим катодом. 542 НДЗ, К542НДЗ Микросхемы применяются как диодные матрицы из четырех диодов с общим анодом. 219 542НД4, К.542НД4 Микросхемы представляют собой как бы две пары последовательно включенных диодов. 542НД5, К542НД5 Микросхемы представляют собой четыре изолированных диода. 1» .. Им . „ ~ Мы 3 7Vt 5 ft ц- 2 1* 5 LV3 5 Н"">Т w S ci 1 -J №— S yVf ГМ »» —9 14—16 11 « - 17 |Л| г уч ч W|s| m 5 V4iv О — IZl W и IV т бчгнм snuaz зчгназ зчгндч зчгндз К5Ч2НД1 К542НД2 К542НДЗ К5Ч2НДЧ К5Ч2НД.5 Рис. 1.257. Схемы подключения диодов в ИМС серий 542, К542 Параметры1 Режим измерения Значения ^ирлр» В /пр ср max =500 мА <1,2 /обр ср» мкА Uобр и тал и= 50 В sClOQ £/и обр matt ✓В f с 100 кГц; -60... + 125 °C 50 Aipcp max» мА /<50 Гц; Т =-60... + 55 °C 500 Атр и max» мА t» = l с 3/пр ср max f„=0,5 с 1^/лр.ср max кГц 100 МОм £/=50 В >5 1 При температуре 25± 10 °C. 2 Сопротивление изоляции между корпусом и выводами или между выводами при постоянном напряжении 50 В. Примечание. Значении параметров указаны дли одного диода при условии, что остальные три диода иаходятси в нерабочем состоянии. Серим 544, К544, КР544 Операционные дифференциальные усилители с высоким входным сопротивлением и низким уровнем шумов. Предназначены для широкого класса аналоговых устройств. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 301.8-2 (серии 544, К544) и 2101.8-1 (серия КР544). 544УД1А, 544УД1Б, 544УД1В, К544УД1А, К544УД1Б, К544УД1В Операционные дифференциальные усилители общего назначения с согласованной парой полевых транзисторов во входном дифференциальном каскаде. 220 Рис. 1.258. Принципиальная схема (а) и схема-включения (б) ИМС 544УД1, К544УД1 Параметры1 Режим измерения 544УД1А К544УД1А Б44УД1Б К544УД1Б 544УД1В К544УД1В /г , В +15± 1,5 +15± 1,5 +15± 1,5 о И Л I, D 15±1,75 15±0,75 15±0,75 I-л В -15± 1,5 - 15± 1,5 —15±1,5 к п2» *-* —15±0,75 —15±0,75 -15±0,75 /пот, мА <3,5 <3,5 <3,5 /вх ср, иА <Лых = ±20 мВ; Ли =2 кОм <0,15 <1 <1 А/»х, нА //вых — ±20 мВ', Ли = 2 кОм <0,15 <1 <1 Ку. и //вых = ±4 В; Ra — =2 кОм >50000 >20 000 >20 000 К- - .л. а В (/вых 20 мВ; >70 .>70 <хос сф, А*-* >64 >64 >64 coco Л„ = 2 кОм 10 16 10 Ли = 2 кОм -10 -10 -10 У И,». В/мкс t„ = 1 мкс; /ф = =0,1 мкс >2 >2 Сшв1, мкВ f=0,l. .10 Гц; Свых = ± 1 В <5 <10 <10 Лв«, МОм —- 10 000 10 000 10 000 {/вх max, В — ±40 ±10 ±10 Rpac таху мВт 1 180 180 180 R„, кОм —W >2 >2 >2 Си, пФ — <500 <500 <500 Л, МГц Сн = 100 пФ >1 >1 >1 1 При номинальных значениях напряжений источников питания ±15 В. Примечание. Параметры ИМС КР544УД 1А.Б.В аналогичны Соответствующим параметрам ИМС К544УД1А,Б,В. 221 Рис. 1.259. Типовые зависимости ИМС К544УД1 (символом «6» обозначена величина выброса на переходной характеристике) 54^УД2А, 544УД2Б, К544УД2А, К544УД2Б, К544УД2В Широкополосные операционные дифференциальные усилители с внутренней частотной коррекцией, обеспечиваемой при замыкании выводов 1 и 8, с высоким входным сопротивлением н повышенным быстродействием. Назначение выводов микросхем: 1— баланс, коррекция; 2—инвертирующий вход; 3 — неннвертнрующнн вход; 4 — питание ( —^кпг); 5 — баланс; 6—выход; 7—питание (4-(7ИП1); 8 — коррекция. Рис. 1.260. Типовая схема включения ИМС 544УД2, К544УД2 (а) и схема включения с внешней балансировкой (б) 222 Параметры’ Режим измерения 544УД2А 544УД2Б К544УД2В К544УД2А К544УД2Б U» П1, В +15± 1,5 +15± 1,5 4-15±1,5 //ипз, В -15±1,5 — 15=4=1,5 —15±1,5 /пот, мА ^вш=±20 мВ; Л«=2 кОм <7 <7 <7 /вх ср, иА £ДЫх=±20 мВ; Лк=2 кОм <0,1 <0,5 <1 А/вхср, нА //вых—20 мВ; /?н = 2 кОм <0,1 <0,5 <1 Ку и //вых — ±4 В; /?н = = 2 кОм 20 000 10 000 20 000 /Соссф, дБ //вых— ±20 мВ; //вх = 4-5 В >70 >70 >70 СШ В С/„=±0,1 В; Я„ = =2 кОм 10 10 10 tAU в (/„=0,1 В; Л» = =2 кОм -10 -10 — 10 Уп„„ В/мкс fn> 1 мкс; <$< <0,1 мкс; £/Вх = = -10 В >20 >20 >10 Къл и п, мкВ/B R,„ МОм ДС/„„=±1,5 В 300 300 300 — 1000 1000 1000 //вх тах> В — ±10 ±10 ±10 //сф вх max, В 1 1 ±10 ±10 ±10 Л», кОм — >2 >2 >2 С„ пФ — <80 <80 <80 1 При номинальных значениях напряжений источников питания ±15 В. Примечание. Параметры ИМС КР544УД2А,Б,В аналогичны соответствующим параметрам ИМС К544УД2А,Б,В. Рис. 1.261. Типовые зависимости параметров ИМС К544УД2: / — выводы 1 и 8 замкнуты, 2 — выводы 1 и 8 разомкнуты 223 Рис. 1.262. Засисимости параметре® ИМС К544УД2 от напряжений источников питания Рис. 1.263. Зависимости коэффициента усиления (а) и напряжения смещения (б) ИМС К544УД2 от температуры Рис. 1.264. Частотные и фазовые характеристики ИМС К544УД2: а — выводы 1 и 8 замкнуты, б — выводы J и 8 разомкнуты 224 Серия К547 К547КП1 Микросхема предназначена для переключения аналоговых сигналов и состоит из четырех идентичных МОП транзисторных ключей с индуцированным каналом р-типа. Ключи имеют большое отношение сопротивлений в закрытом и проводящем состоянии. Ключи открываются при подаче на затворы напряжения отрицательной полярности, превышающего максимальное отрицательное напряжение коммутируемого сигнала не менее чем на величину порогового напряжения, и закрываются подачей на затворы напряжения положительной полярности. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 201.14-1. Основные электрические параметры приведены ниже. Пороговое напряжение, В.......................—3...—6 Динамическое сопротивление в открытом состоянии, Ом.............................................100 Ток утечки закрытого ключа, нА................50 Напряжение между затвором и подложкой, В . . .40 Напряжение между стоком (истоком) и подложкой, В для группы А..............................30 для группы Б..............................25 для группы В и Г . . .................15 Наибольший коммутируемый ток, мА..............20 Рис, 1.265. Схема включения ИМС К547КП1 8—2044 225 Серия К548 Микросхемы предназначены для использования в низкочастотной студийной и бытовой радиоэлектронной аппаратуре. Конструктивно оформлены в корпусе типа 201.14-2. К548УН1А, К548УН1Б Сдвоенные предварительные усилители с внутренней коррекцией, предназначенные для работы в трактах усиления низкой частоты. Отличаются от операционных усилителей общего назначения значительно меньшим уровнем шумов, Рис. 1.266. Принципиальная схема одного канала ИМС К548УН1 некритичностью к нестабильности и пульсациям питающего напряжения и меньшим числом навесных элементов. Идентичность параметров полностью независимых каналов микросхем позволяет использовать их в высококачественных стереофонических трактах. Назначение выводов микросхем (в скобках указаны номера выводов для второго канала): 1(14) — неинвертирующий вход; 2(13) — инвертирующий вход; 3(12) — эмиттер; 4 — корпус, подложка (— „ ); 5(11), 6(10) — коррекция; 7(8) — выход; 9 — питание ( + а" 0.22MR +Ч..п ----- 7(8) Т0,1нк_ ^вых и.П гЪх IR2 I С2 1(ft)^-9L. 2(13) *4 R5J2M СЗ R61O0K ЗООо[сГ IsOmxlOB 1000 що 1 1 IjMB -----IfF" 7(8) Тр,1мк ^ых Рис. 1.267. Предварительный усилитель с линейной АЧХ на ИМС К548УН1 Рис. 1.268. Усилитель для магнитной головки звукоснимателя на ИМС К548УН1 226 св !-----"° КЗЧШ ?/S) J* ±2® fit зек |ру гп/?3 *? m г т Y Y'41'кГСП ±02 4=CT *Ц»Л C1^S1!&______EZZ Iw41 1 II + JLf)1uu 2(13) KS4SHHI Ml gJ* C3120 *1 R5SWk Uita —0-------C3- R22t0x №2t0n a Puc. 1.269. Предварительный усилитель записи (а) и усилитель воспроизведения (б) на ИМС К548УН1 Параметры1 Режим измерения К548УН1А К548УН1Б U.n, В /пот, мА Ку U Кг, Кос С К, дБ Квл Н II, дБ Uш вх, МкВ /|, МГц //вых А таг, В /?н=10 кОм; t/Bu4 = = 2 В; /=100 Гц Ли — 2 кОм; Иных ~— = 2 В; f=l кГц; Ку и = 50 Лн = 10 кОм; f = 1 кГц; Ку и= 1000 /=1 кГц Лг = 500 Ом; Д/ = 20... 10 000 Гц /Лх = 5 мВ; Лн = = 10 кОм /=1 кГц 9...30 9...30 <12 <12 50 000... 100 000 50 000...200 000 <0,1 60 100 <0,7 >20 >U,n-3 <0,1 62 ПО <1,2 >20 >t/„n-3 1 При напряжении источника питания 12± 1,2 В и температуре 25 °C. кг,% 0,3 0,2 0,1 101 /О2 Ю3 f, Гц Рис. 1.270. Зависимость максимального выходного напряжения (а) и коэффициента гармоник (б) ИМС К548УН1 от частоты 227 К548УН2 Малошумящий усилитель низкой частоты для миниатюрных слуховых аппаратов типа «Заушина» с максимальным уровнем акустического давления (с телефоном типа ТЭМ) до 115 дБ и акустическим усилением до 55 дБ. Содержит: I — предварительный усилитель; II — оконечный усилитель; III — усилитель системы автоматической регулировки усиления. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 4151.12-1. Назначение выводов: /— неинвертирующий вход предварительного усилителя; 2 —регулировка постоянной времени АРУ; 3 — выход АРУ; 4, 5 — корпус ( — UKn); 6 — вход оконечного усилителя; 7 — питание микрофона; 8 — выход оконечного усилителя; 9 — питание (+ (7И п); 10 — выход предварительного усилителя; 11—вход АРУ; 12— инвертирующий вход предварительного усилители. KS48UH2 „Тембр" рлон Параметры Режим измерения Значения параметров 1/,„ в /пот» мА [/„„ = 1,2 В; 7 = 25 °C 1,2 <1,2 Ку и [/„„ = 1,2 В; ивых — 0,2 В; /?„ = 1 кОм >2000 Z/швх, МКВ [/„„ = 1,2 В; /=100...5000 Гц <1,5 //вых» В [/„„=1,2 В; Аг = 7%; /?„=1 кОм >0,25 /в, кГц — 8 /?вх, кОм [/„„=1,2 В 24 //и п тах> В — 2 //вх max} В — 0,1 /?н mint Ом — 400 228 Рис. 1. 273. Основные характеристики ИМС К548УН2 К548УНЗ Малошумящий усилитель для миниатюрных слуховых аппаратов. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе ~типа 4153.12-1. Состоит из предусилителя напряжения и выходного усилителя. Назначение выводов: 1 — неинвертирующий вход предварительного усилителя; 2, 6 — общие; 3 — вход выходного каскада; 4, 9,10-— подключение блокирующего конденсатора; 5, 8 — подключение нагрузки (два последовательно соединенных наушника по 300 Ом); 7 — питание (+ ии.п); И — выход предварительного усилителя; 12 — инвертирующий вход предварительного усилителя. Элемент ИМС Ку U Усилительный тракт 1,3±0,2 2 4Х103 — 0,6 Предусилитель — — 100 1,5’ 0,2 17 Выходной усилитель — — 50...150 0,6 10 1 При Д)= 100...5000 Гц. Серия КФ548 Микросхемы предназначены для построения безындуктив-ного супергетеродинного радиоприемника ДВ и СВ диапазонов с низким напряжением питания. Конструктивно оформлены в пластмассовом корпусе типа ФО8.16-1. 229 КФ548ХА1 Усилитель промежуточной частоты с АРУ и AM детектором, выполненный на активных ЛС-фильтрах. В структурную схему микросхемы входят: А1 —регулируемый усилитель; А2, АЗ и А4 — активные элементы (инвертирующие усилители) трехзвенного ^С-фильтра; А5 — усилитель АРУ с цепью задержки; Щ — детектор сигнала АРУ; U2 — двухполупериодный транзисторный детектор AM сигнала с открытым коллектором; G1—внутренний стабилизатор напряжения. Назначение выводов микросхемы: 1 — вход первого усилителя активного фильтра;1 2 — вход регулируемого усилителя. На него подается входной сигнал ПЧ (465 кГц) с пьезокерамического фильтра; 3 — вывод для подключения блокировочного конденсатора; 4 — выход регулируемого усилителя; 5 — вывод для подключения индикатора настройки; 6 — вывод для подключения интегрирующего конденсатора АРУ; 7 — общий вывод, минусовой вывод питания; 8, 9, 10 — свободные; 11 — питание (-ф £/„.„); 12 — выход амплитудного детектора; 13 — вход второго усилителя активного фильтра; 14 — вывод для подключения элементов активного фильтра к третьему усилителю; 15 — вывод для подключения элементов активного фильтра; 16 — выход первого усилителя фильтра. Рис. 1.275. Структурная схема (а) и типовая схема включения (б) ИМС КФ548ХА1 Параметры1 Режим измерения Значения v„„, в Лют» мА 3...9 —- <2 1/вых» мВ FM=1 кГц, т = 30 % для UBX=100 мкВ; >10 £7,х=1 мВ; >40 £7В* = 100 мВ >50 при £/вх = 100 мкВ; >26 Асш, дБ V,x = 10 мВ >43 230 Параметры1 Режим измерения Значения Кг, % £7вх=Ю мВ; /м = 1 кГц; т=80% <3 Ra.niirif кОм — 7,5 При £7и.п—6 В; /вх—465 кГц; Гокр.ср---------|-25°С; U винтах— = 110 мВ. Рис. 1.276. Типовые зависимости параметров ИМС КФ548ХА1 КФ548ХА2 Преобразователь частоты сигналов ДВ и СВ диапазонов. В структурную схему микросхемы входят: U1 — смеситель с регулировкой крутизны преобразования; G1 ~ активные элементы гетеродина; G1 — усилитель-формирователь; G2 — стабилизатор тока и напряжения; G3 — источник тока смесителя. Назначение выводов микросхемы: 1 — выход гетеродина; 2, 4, 6 — выводы для подключения частотно задающих элементов гетеродина; 3 — общий провод, минусовый вывод питания;5, 9 — выводы для подключения фильтрующего конденсатора; 7 — выход цепи стабилизации амплитуды; 8 — вывод цепи управления источником тока; 10 — питание ( + <Л.П); 11, 14 — вход смесителя; 12, 13 — выводы управления смесителем; 15 — вывод цепи управления источником тока смесителя; 16 — выход смесителя. 231 +‘^пит Cl 0,01 tAK ЫН СЗ О,О47МК СВ Ч-270 вход -HI------ сг 0,047мк ййИ Выход | смесителя 2251 С40.1Ш ДА1 KV543XM О О С8 ошгмк 7—II--------- 5— V СО 0,047НК 1~ 10 11 12 JL 14 С7270 Я53К / сн 16 св 5.. 25 ли too J выход гетеродина '(контрольный) Рис. 1.277. Типовая схема включения ИМС КФ548ХА2 Параметры1 Режим измерения Значения 1дтл п, В /пот, мА Ureri мВ Uлик см, мВ Р«шп, кОм — 3..9 — <4 freT= 1,025...1,865 МГц 100...250 t/B, = 5 мВ; /„=0,56... 1,4 МГц; fr„ — = 1,025...1,865 МГц >10 — >3 1 При t/„n = 6 В. J * 5 s 7 От,в Рис. 1.278. Типовые зависимости параметров ИМС КФ548ХА2 Серия КМ551 Операционные дифференциальные усилители. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусах типа 201.14-8. КМ551УД1А, КМ551УД1Б Операционные усилители, предназначенные для работы в измерительной технике высокого класса точности. Назначение выводов: 1, 8 — балансировка; 2 — инвертирующий вход; 3 — неиивертирующий вход; 4 — питание (— UK п); 5 — частотная коррекция; 6 — выход; 7 — питание (+ 1дя п). 232 Микросхема В Uи п2, В мА С/вих max, В С/ем, мВ /вх ср» иА Д/вх, нА Ку и /Сое еф, дБ КМ551УД1А +15 -15 ^5 >±10' s£l,52 <10Q_2 <202 >5-10s >100 ±1,5 ±1,5 КМ551УД1Б +15 -15 ^5 >±10' <2,5’ <125’ <352 >2,5-10s >94 ±1,5 ±1,5 1 При /?н = 2 кОм. 2 При /?н>10 кОм; 7?г~10 кОм. Рис. 1.279. Принципиальная схема ИМС КМ551УД1А.Б КМ551УД2А, КМ551УД2Б Сдвоенные операционные усилители, предназначены для работы в качестве предварительных усилителей низкой частоты для аппаратуры стерео- и квадрофонического воспроизведения, в радиоэлектронных и вычислительных аналоговых системах, в измерительной технике. Назначение выводов: 1 — выход первого канала; 2, 3, 4 — коррекция первого канала; 5 неинвертирующий вход первого канала; 6 — инвертирующий вход первого канала; 7 — Питание ( — Unn); 8—инвертирующий вход второго канала; 9—неинвертирующий вход второго канала; 10, 11, 12 — коррекция второго канала; 13 — выход второго канала; 14 — питание (+ С/Ип) Микросхема У,.>, В и» п2, В /пот, мА С/вых max, В С/см, мВ нХ Д/вх, нА Ку У Кос сф, дБ КМ551УД2А + 15± ±1,5 -15±1,5 ^10 ±10 ^5’ 2000’ юоо2 50003 >70 КМ551УД2Б +15± ±1.5 —15±1,5 10 ±10 ^5’ 2000’ 1000’ 5000’ >70 1 При /?и^10 кОм; /?г<:0,01 кОм. 2 При кОм. 233 Рис. 1.280. Принципиальная схема ИМС КМ551УД2А.Б Серия К553 Микросхемы представляют собой операционные усилители, предназначенные для узлов радиоэлектронной аппаратуры. Конструктивно оформлены в корпусе типа 201.14-1. К553УД1А, К553УД1Б, К553УД2 Операционные усилители. Назначение выводов микросхем: 4 — инвертирующий вход; 5 — неинвертирующий вход; 6 — питание (—1/Ип2); 9— баланс; 10— выход; 11— питание ( + С/Ип1); 12 — частотная коррекция. Рис. 1.281. Типовая схема включения ИМС К553УД1 234 Рис. 1.282. Принципиальная схема ИМС К553УД2 (а), типовая схема ее включения (б) и схема включения при двухполосном способе коррекции частотно,й характеристики (в) Рис. 1.283. Зависимости коэффициента усиления без ООС (а) и с ООС (б) и максимального выходного напряжения (в) ИМС К553УД1 от частоты при различных корректирующих цепях: /—С/ = 10 пФ, С2 = 3 пФ, 2— R1 = 1,5 кОм, С! — 110 пФ, С2 = 3 пФ, 3— Я/=1.5 кОм, С/= 510 пФ, С2= 20 пФ; 4— R1 = 1.5 кОм, Ct = = 5100 пФ, С2= 200 пФ 235 Рис. 1.284. Типовые зависимости параметров ИМС К553УД1 S /5^и.п,в Рис. 1.285. Типовые зависимости параметров ИМС К553УД2: / — корректирующая цепь в соответствии с рис 1 2а2, б, 2 — корректирующая цепь в соответствии с рис 1 282, в, 3 — включение ИМС в соответствии с рис. 1 282, б без конденсатора С! Параметры1 Режим измерения К553УД1А К553УД1Б К553УД2 //„„,, в — 15±1,5 15±1,5 15±1,5 иИп2, В — —15±1,5 —15±1,5 —15±1,5 мА /?„>ЮкОм <6 <3,6 <6 /вхср, мкА /?в^ЮкОм < 1,52 <0,22 <1,5 /вх, мкА /?„>10 кОм <0,52 < 0,052 <0,5 Uclt, мВ Яи>10 кОм; /?г< <10 кОм <7,5 <2 <7,5 //Щ, В /Л, >0,1 В; /?„> >2 кОм 10 10 10 //&, В £/вх>0,1 В; /?,> >2 кОм —10 —10 —10 Ку и £/ВЫх = ±8 В; /?«> >2 кОм 15 000 25 000 20 000 Коссф, дБ /7сфвх= ±8 В; /?г< >65 >80 < 10 кОм В/мкс /?в=2 кОм 0,2 0,2 0,5 /уст, мкс /?и=2 кОм 1,5 1,5 2 Авлвп, /?в=2 кОм 100 100 — мкВ/В /?,х, кОм — — — 300 /?вЫх, Ом — 150 150 300 1 При номинальных значениях напряжений источников питания ±15 В и температуре 25±10°С. 2 При напряжениях источников питания ±16,5 В. 236 Серия К554 К554СА1 Сдвоенный компаратор напряжения. Предназначен для применения в системах аналогово-цифровых преобразователей сигналов и других устройствах радиоэлектронной аппаратуры. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 201.14-1. Назначение выводов: 2 — инвертирующий вход 1; 3 -— иеинвертирующий вход 1; 4 — питание (— С/и п >; 5 — неинвертирующий вход 2; 6 — инвертирующий вход 2; 9 — Рис 1 286 Принципиальная схема ИМС К554СА1 вход стробирования 2; 10— выход; 11— питание (+ U„ п); 12 — общая точка источника питания; 13 — вход стробирования 1. Обозначение параметра Значение параметров Режим нзмерения I7.ni, В Пип 2, В 7пот1, мА /пот2, мА Нем, мВ /вх ср, мкА Д/вх, мкА l/Lx, в П2ых, В t° ’, ИС Ку и К554СА2, К554САЗА.Б Компараторы напряже- 12±1,2 — 6±0,6 <11,5 <6,5 <7,5 <75 < 10 2,5-5 <0,3 < 120 >700 /?г = 200 Ом /в = 5 мА АПВЫх = 500 мВ ния, предназначенные для использования в схемах аналого-цифровых преобразователей сигналов и другой радиоэлектронной аппаратуре. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 201.14-1. Назначение выводов для К554СА2: 2 — общая точка источников питания; 3 — неинвертирующий вход; 6 — питание ( — 9 — выход; 11 — питание (+ U* п,); 4 — инвертирующий вход. Рис. 1 287. Принципиальная схема ИМС К554СА2 237 Для К554САЗА.Б: 2 — эмиттериый вход; 3 — неинвертирующий вход; 4 — инвертирующий вход; 6 — питание (~С7ип2); 7—балансировка; 8— стробирование, балансировка; 9 — коллекторный выход; 11— питание (4-//ani). Рис. 1.288. Принципиальная схема ИМС К554САЗ Обозначение параметра Параметры ИМС Режим измерения К554СА2 К554САЗА К554САЗБ С/ип1, В 12±1,2 + 15±1,5 Uu п2> В — 6±0,6 —15±1,5 — /пот!» МА <9 <6 <7,5 — /гот2» мА <8 5 UCK, мВ <7,5 <3 /?г = 50 Ом (К554СА2) 7,5 50 кОм (К554САЗ) /вх ср» МкА <75 o,i <0,25 — <0 01 А/вх ср» мкА <10 <0,05 — /э ’, нс < 130 <300 — i/Lx, В 2,5.4 — — {/?ых, В 0,3 — — t/оет, В ' - <1,5 /„ = 50 мА Ку и >750 — АПвых = 500 мВ —. > 15Х Ю4 /7вых = zfc Ю В /?„ —10 кОм Серии 574, КР574 Быстродействующие операционные усилители, предназначенные для применения в радиоэлектронных и вычислительных аналоговых системах, измерительной и управляющей 238 технике, промышленной автоматике и аппаратуре сопряжения аналоговых и цифровых систем. 574УД1А, 574УД1Б, 574УД1В, КР574УД1А, КР574УД1Б, КР574УД1В Быстродействующие операционные усилители. Конструктивно оформлены: серия 574 в корпусе типа 301.8-2, серия КР574 в корпусе типа 2101.8-1. Назначение выводов (в скобках указано для серии КР574): 1 — корпус; 2(1) — балансировка; 3(2) — вход инвертирующий; 4(3) — вход неинвертирующий; 5(4) — питание ( — £/ип); 6(5)— балансировка; 7(6) — выход; 8(7) — питание ( + 1/и.п). Рис. 1.289. Схема балансировки ИМС 574УД1А.Б.В Рис. 1.290. Схема коррекции ИМС 574УД1А,Б,В в режиме К= + 1 (а) и К= — 1 (6) Параметры Режим намерения 574УД1А КР574УД1А 574УД1Б 574УД1В КР574УД1Б КР674УД1В £ЛпЬ В 15±1,5 15± 1,5 15±1,5 п2, В —15±1,5 —15±1,5 —15±1,5 /лот» мА <8 <8 <8 < 10 <10 <10 i/выхтах, В £Л>Х = 100 мВ...150 мВ; /?„>2 кОм (КР574); Я» >10 кОм (КР574) >10 >10 > 10 Uc„, мВ <50 <25 <50 <50 <50 < 100 /вх, иА — <0,5 <0,5 < I <0,5 <0,4 А/вх, нА — <0,2 <0,2 239 Параметры Режим измерения 574УД1А КР574УД1А 574УД1Б КР574УД1Б 574УД1В КР574УД1В Ь, МГц’ — >10 >10 V V О СП Ку и — >5 104 2 104 5 104 5 104 /Сое сф» дБ ±5 В 60 60 60 Гу.,., В/мкс — 50 50 100 50 574УД2А, 574УД2Б, 574УД2В КР574УД2А, КР574УД2Б Двухканальные быстродействующие операционные усилители. Конструктивно оформлены: серия 574 в корпусе типа 301.8-2, серия КР574 — в корпусе типа 2101.8-4. Назначение выводов (в скобках указано для серии КР574): 1(7) — питание ( — £/„„); 2(8) — выход А; 3(1) — вход инвертирующий А; 4(2) — вход неинвертирующий А; 5(3) — питание (Н-С'кп); 6(4) — вход неинвертирующий Б; 7(5) — вход инвертирующий Б; 8(6) — выход Б. Рис. 1.291. Схема включения ИМС 574УД2А.Б в режиме К = +1: а — канал 1,6—канал 2 (Rl = R3, R2 = Rl/Kmln) Выход Рис. 1.292. Схема включения ИМС 574УД2А.Б в режиме К = — 1 а — канал 1, б — канал 2 (Rl — R3, R2 = Rl/Rmlp) 240 Параметры1 574УД2А 574УД2Б 574УД2В КР574УД2А КР574УД2Б £/ип1, В 15± 1,5 15±1,5 15±1,5 Пцп2, В —15±1,5 -15± 1,5 —15±1,5 /пот, мА <5 < 10 <10 Uвых.max, В >102 >102 >Ю2 Uc«, мВ <50 < 15 <60 <50 /вх, нА А/вх, нА <0,3 < 1 <0,15 <0,3 < 1 <0,15 <0,3 <0,15 <0,5 <0,5 fi, МГц >1 >3 >2 >2 Ку и >25-103 >70 >25-103 >70 >25-103 Кос сф, дБ3 >60 > 10 >60 >25 >70 Vu..., В/мкс >5 >15 >15 1 Для каждого канала. 2 ивх = Ю0...150 мВ; /?н>2 кОм для серии КР574 и /?„>10 кОм для серии 574. 3 При £/ВХсф= ±5 В. Серии 597, КМ597, КР597 597СА1, КМ597СА1, КР597СА1 Компараторы напряжения для сравнения аналоговых величин со стробированием и запоминанием предыдущего состояния и усиления сигналов с определением полярности и преобразованием в логические уровни. Конструктивно микросхемы оформлены в корпусах типа 402.16-6 (597СА1), 201.16-5 (КМ597СА1), 238.16-2 (КР597СА1). Назначение выводов: 1, 16 — общий; 2 — питание (+ UH п); 3 — неинвертирующий вход; 4 — инвертирующий вход; 6 — стробирующий вход; 8 — питание ( —C4n); 11 — неинвертирующий выход; 12 — инвертирующий выход. Рис. 1.293. Структурная схема ИМС 597СА1, КМ597СА1, КР597СА1 в С/н п2, В /||ОТ|, мА “А С/си, мВ мкА А/ах, мкА /к, мкА 6±0,3 -5,2 ±0,26 <25 <31,5 ±22 <13 ±1 <60 241 /0 < вх» мкА ^вых< В У"аых, в НС Ку. и Кос сф, дБ t/ax строб. В i/ax строб» В /?«, Оы <0,2 — (0,96'... 0,78) — (1,91'... 1,65) <6,52 13004 >803 -0,96 -1,65 В >50 При t/вх.сф — 0. ПрИ Uстроб -— 3 При {/Вхсф=±3,3 В. 4 Только для 597СА1. 597СА2, КМ597СА2, КР597СА2 Компараторы напряжения для сравнения аналоговых величин со стробированием и запоминанием предыдущего состояния. Конструктивно микросхемы оформлены в корпусах типа: 402.16-2 (597СА2); 201.16-5 (КМ597СА2); 238.16-2 (КР597СА2). Назначение выводов: 2—иеинвертирующий вход; 3 — инвертирующий вход; 5—питание (— UHa); 7 — стробирующий вход; 8 — общий; 12 — иеинвертирующий выход; 14 — инвертирующий выход; 16 — питание (+ (/„.„). Рис. 1.294. Структурная схема ИМС 597СА2, КМ597СА2, КР597СА2 и,,, в и,., в /пот!» ыА /пот2» «А (Ли, мВ 5±0,5‘ —6±О,6‘ <38 <30 ±2‘ /вх, мкА Д/вх, мкА /з'1, /з'°, НС Кос.сф» дБ У!.., в Л», в =<10 ±1 < 12 >802 >2,53 <0,54 1 Для ИМС КМ597СА2, КР597СА2 = 5±0,25 В; l/„.n2 = = —6 ±0,3 В; /Пот1<42мА; /Пот2<34 мА; t/CM=±3 мВ. 2 При {/вх.сф=±2,7 В. 3 При /„== — 1 мА. 4 При /и= 10 мА. 597САЗ, КМ597САЗ, КР597САЗ Два компаратора напряжения для сравнения аналоговых величин или согласования логических уровней систем микросхем. Конструктивно микросхемы оформлены в корпусах типа: 402.16-33 (597САЗ); 201.16-5 (КМ597САЗ); 238.16-1 или 238.16-2 (КР597САЗ). Назначение выводов: 1 — неинвертирующий вход 1; 2—инвертирующий вход 1; 3, 4, 5, 6—выводы 242 для балансировки; 7—инвертирующий вход 2; 8—неинвертирующий вход 2; 9 — питание (+ ; 10, 15 — вывод для напряжения сопряжения ( + 15 В или +5 В); 11 — выход 2; 12 — общий; 13 — питание (— U„.n2); 14 — выход 1; 16 — питание ( + £/и.П1)- Рис. 1.295. Структурная схема ИМС 597САЗ, КМ597САЗ, КР597САЗ Микросхема U к п! , В п2> В /пот!, мА /пот2, мА /7см । мВ /вх, мкА 597САЗ 15±1,5 —15±1,5 <2,6 <1 ±5 <0,35 КМ597САЗ 15±1,5 —15±1,5 <2,6 <1 ±5 <0,25 КР597САЗ А/ах, мкА г/з, нс U'm, В В t/баланс, В Кос сф, ДБ Uсопр, В ±0,5 <3006 >7,2''2 <0,47,2 — >706 5,25 ±0,1 <30045 >7''2 <0,33 -(14,3... >708 5 ...15,15)3 1 tAonp=15,7 В. 2 <7ВХ= — (Ю...8000) мВ. 3 {/„=-12 мВ. 4 £7вх.инв= 5 мВ. 5 t/вх.вевив = — ЮО МВ. б^перевозб — 5 мВ. 7 С„=15 пФ. 8 {/вхсф=±12 В. Серии К1003, КМ1003 Микросхемы предназначены для работы в бытовой, контрольно-измерительной аппаратуре, в вычислительной технике и автоматике. 243 К1003КН1А, КЮ03КН1Б, КЮ03КН2А, КЮ03КН2Б Сенсорный переключатель телевизионных программ и приемно-усилительных устройств. Конструктивно микросхемы оформлены в корпусе типа 2104.18-3. Назначение выводов: 1 — земля; 2 — сенсорный вход 1; 3 — выход на индикацию 1; 4 — сенсорный вход 2; 5 — выход на индикацию 2; 6 — сенсорный вход 3; 7 — выход на индикацию 3; 8 — сенсорный вход 4; 9 — выход на индикацию 4; 10 — счетный выход; 11 ^выхнастр; 12 Нвх настр 4» 13 ' ^вх настрЗ! 14— £"вх HacTp2j 15 — ^вхнастрь 16 — питание (+£/„„); 17 — установка 1-го канала; 18 — кольцёвой запуск. Рис. 1.296. Структурная схема ИМС КЮ03КН1А.Б Рис. 1.297. Структурная схема ИМС КЮ03КН2А,Б Микросхема и.„ в t/вх"- t/вых, мВ £/нас( В />>. нА /.к, нА /’от!, мА КЮ03КН1А -100.. 4-100 <200 4,5 ..9,5 КЮ03КН1Б 1Z±1’Z -150. .4-150 " ’ <300 4.5...Н КЮ03КН2А о—100..4-100 к <200 4,5...9,5 КЮ03КН2Б * ' -150...4-150 " ’ <300 4,5. .11 244 /пот» мА /ут, мкА 5, В alf, мВ 3...8.5 3...10 3...8.5 3...10 <100 <100 <28 <28 >10 >5 >10 1 В режиме возбуждения. 2 В режиме запоминания. КЮ03ПП1 Микросхема, управляющая светодиодной шкалой непрерывного типа. Обеспечивает высвечивание столбика на шкале из 12 светоизлучающих диодов, загорающихся поочередно при изменении входного напряжения от минимального до максимального значения. Предназначена для использования в индикаторных устройствах бытовой аппаратуры магнитной записи и воспроизведения звука, усилителях низкой частоты и радиоприемных устройствах. Конструктивно оформлена в корпусе типа 2104.18-3. Назначение выводов: 1 — общий ( —-Опп); 2—регулировка яркости; 3 — опорный'вход максимального'уровня; 4...15 — выходы токовых ключей; 16 — опорный вход минимального уровня; 17 — сигнальный вход; 18 — питание (4-t/Hn). В /пот» мА № Л<Дп, В Un. В /з 16. 17» мкА /♦ >6» мА 12 <10 12 1 Схема работоспособна при изменении напряжения питания в пределах 10...18 В. 2 При отсутствии свечения светоизлучающих диодов. 3 Число индицируемых уровней. 4 Разность опорных напряжений на выводах 3 и 16. Максимальное напряжение на каждом из этих выводов —6 В. КМ1003ПП2 Устройство управления линейной светодиодной шкалой дискретного типа. Обеспечивает высвечивание одного из 16 светоизлучающих диодов шкалы в зависимости от уровня входного аналогового напряжения. Предназначена для использования в индикаторных устройствах бытовой аппаратуры магнитной записи и воспроизведения звука, усилителях низкой частоты и радиоприемных устройствах. Конструктивно оформлена в корпусе типа 201.16-5. Назначение выводов: 245 Рис. 1.298. Функциональная схема ИМС К1003ПП1: / — распределитель; // — компаратор напряжения; /// — спусковая схема; IV — токовые ключи Рис. 1.299. Типовая схема включения ИМС КЮОЗПШ 246 т т ш т via т т пв па т и» ®г ш ш vis vme пол т ш аго юа w т лт „яркость" Рис. 1.300. Схема каскадного соединения двух микросхем КЮ03ПП1 для увеличения разрядности светодиодной шкалы 1 — общий ( —2...5 — выходы ключей; 6...9 — выходы повторителей; 10— питание ( + £/„„); И—управляющий вход; 2 — опорный вход минимального уровня; 13 — опорный вход максимального уровня; 14 — выход стабилизатора; 15, 16 — вход регулятора яркости. ^.В» В /пот» мА /утвых» мкА Уц.„. В ^вх» В У|2, В Ун, в 12 <10 <0,5 6 0...6 0...4.6 1,4...6 (Лв, 1б> В /п, мкА /12, 13» мкА /н, мА У12, 13„„. В 4/?<. В 0,8...2 2 2 10...35 6 4...6 1 Схема работоспособна прн изменении напряжения питания в пределах 11 ...18 В. 2 При L;„=0; {/ип = 12 В. 3 При /и= 1 мА; С/и.„= 12 В. 247 % > кюозппз 16 15 14 13 12 11 10 9 а ♦А 0^22 Яркость" R2 г-1 а|о R1 nSs яжу 16 151413 а 11 10 9 КМ1003ЛП2 1 2345678 W7 R5 V06 уВт~\ттум \итш5 т^ппч’тгчгк-.т таи те W W т Рис. 1.301. Функциональная (а) и типовая (б) схемы включения ИМС КМ1003ПП2: / — выходные ключи; // — выходные повторители, /// — компараторы; IV— входные повторители; V— регулятор яркости, VI—стабилизатор напряжения К1ООЗППЗ Аналого-кодовый преобразователь для управления линейной светоизлучающей шкалой на 10 элементов с перекрестной коммутацией. Позволяет высвечивать один из 10 элементов светоизлучающей шкалы в зависимости от уровня входного" аналогового напряжения. Предназначен для использования в устройствах автоматики, аппаратуре магнитной записи~и воспроизведения звука, а также в радиоприемных устройствах. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 238.16-2. Назначение выводов: 1, 16—выходы повторителя; 2, 4 — выводы компаратора; 3, 7 — опорные входы; 5 — управляющий вход; 6 — общий ( — (Ап); 8 — выход стабилизатора; 9—вход регулятора яркости; 10... 14—выходы ключей; 15 — питание (+ 11я „). У«П, В U* n max, В /пот, мА в и,. в Уз, В 5 5,5 < 10 0...2.4 0.8...2.4 0...1.6 /$, мкА /з, мкА /7, мкА /«, мА <2 <2 <2 10 248 кюозппз 1 2 J 4 J S 7 8 Рис. 1.303. Типовая схема включения ИМС КЮОЗППЗ a Puc. 1.302. Функциональная схема ИМС КЮОЗППЗ: / — входные повторители; // — компараторы, /// — стабилизатор напряжения, IV —- регулятор яркости, V — выходные ключи; VI — выходные повторители Серия КР1005 Микросхемы серии КР1005 предназначены для построения аппаратуры магнитной видеозаписи формата VHS. КРЮ05ПС1 Микросхема используется как формирователь опорной частоты для преобразования сигналов цветности в бытовых видеомагнитофонах формата VHS. Конструктивно ИМС оформлена в корпусе типа 238.16-2. Назначение выводов: 1 — выход фазового детектора ФД1; 2, 3, 4 — внешние цепи кварцевого генератора; 5 — питание (+6 — вход сигнала частоты 4,43 МГц; 7—вход управления режимом работы; 8 — выход частоты 5,06 МГц; 9—вход частоты 625 кГц; 10—выход буферного усилителя; 11 — Выход импульсов 1953 Гц; 12— вход управления; 13 — вход фазового детектора ФД2; 14—вход фазового детектора ФД1; 15 питание ( —t/ип); 16 — выход фазового детектора ФД2. и,., в /пот, мА //oct 10. В Uвых 10, В //вых 8- мВ Ul„ 1,. в UI»' 12, В 9±0,5 20...29 <0,5 >6 480...600 >8 2,7.. 4 Кос чет 8, ДБ Um вых 6, В Uт вых 9 13. В Uynp 7, В 1 вых 8, мА /вых ю* мА 11. мА >40 <1,5 <1,2 0...10 <0,4 <0,7 0,2 1 В режиме записи при {/вх = 1,2 В. 2 В режиме воспроизведения. 249 ЮОмкГн -^~*ч-Оп Off ДО/мг ВходФД! 2; j; VD3 m " m - 41-0.0! -“-Управление —^8xod 0,625МГц 'НД503 выход * 5. 08МГц НК управление (98 -записи , -воспроизведение} вход визмгц Рис. 1.304. Типовая схема включения ИМС КР1005ПС1 КР1005ПЦ1 Микросхема используется в качестве делителя с программируемым коэффициентом деления от 2 до 16 синусоидальных, импульсных сигналов в диапазоне частот от 1 Гц до 100 кГц. Конструктивно оформлена в корпусе типа 1102.8-1. Назначение'выводов: 1 — питание ( + t/Hn); 2—1-й управляющий вход; 3 — счетный вход; 4 — общий, питание ( —£/цп); 5 — вход опорного напряжения; 6 — выход; 7 — 2-й управляющий вход; 8 — 3-й управляющий вход. и,„, в I пот» М А 1Л>лор» В и'..„ в У!». в 9+в6 0,6...0,8 >2,4 <0,4 Код на выводах управления Коэффициент делении к 2 7 8 1 1 0 2 0 1 1 4 1 0 1 б 0 0 1 8 1 0 0 10 0 1 0 12 0 0 0 16 250 Рис. 1.305. Основные характеристики ИМС КР1005ПЦ1 ]1ЛЛЛППШ1ППШ111ЛШ111« ЛЛЯПЛЛЛЛГ^л^ Рис. 1.306. Типовые схемы включения ИМС КР1005ПЦ1 и диаграммы напряжения иа входе и выходе при различных зиачеинях коэффициента деления 251 КР1005ПЦ2 Микросхема используется в бытовых видеомагнитофонах и обеспечивает генерацию сигналов опорной частоты 4,43 МГц с кварцевой стабилизацией и получение из них сигналов кадровой частоты 50 Гц. Конструктивно оформлена в корпусе типа 1101Ю.7-1. Назначение выводов: 1 — выход опорной частоты 4,43 МГц; 2, 3 — кварцевый резонатор; 4 — общий, питание (— п); 5 — выход частоты 50 Гц; 6 — вход управления; 7 — питание (4-t/Bn). о.., в с/.ыч. МВ в 9 ±0,5 <21 400...600‘ >42 1 Частота f=4,433619 МГц и Лн = 5,1 кОм. 2 Частота /=50 Гц, Рис. 1.307. Основные характеристики ИМС КР1005ПЦ2 КР1005ПЦ2 12 3>tS67 Рис. 1.308. Типовая схема включения ИМС КР1005ПЦ2 КРЮ05УЛ1А.Б Предварительные усилители видеосигналов. Используются для коррекции и коммутации входных видеосигналов в бытовых видеомагнитофонах. Конструктивно оформлены в корпусе типа 2101.14-1. Назначение выводов: 1 — питание (+ Uu „); 2 — коррекция предварительного усилителя канала Л; 3 — вход предварительного усилителя канала Л; 4 — общий, питание ч( — t/Bn); 5— вход предварительного усилителя канала Б; 6 — коррекция предварительного усилителя канала Б; 7 — выход стабилизатора напряжения; 8 — коррекция усилителя-корректора канала Б\ 9 — выход усилителя-корректора 252 канала Б; 10 — выход выходного усилителя; 11 — вход выходного усилителя; 12 — вход схемы управления; 13 — выход усилителя — корректора канала Д; 14 — коррекция усилителя-корректора канала А. В /пот> мА Ay U сквоэн. ДБ1 (/ш вх4. мкВ КР1005УЛ1А КРЮ05УЛ1Б КР1005УЛ1А КР1005УЛ1Б <40 >66 >56 <3 9±40 2 дБ /вх срб ком» МКА кОм МГц UВХ /ЛОХ» мВ Pn mint кОм >40 <300 >-1,2 >73 100 5 1 При {/Ип=8 В; f = 5 мГц; U,x = l мВ. 2 Коэффициент подавления сигнала соседнего канала коммутатором при / = 0,4 МГц. 2 Типовое значение 13 МГц. Рис. 1309. Основные характеристики ИМС КРЮ05УЛ1 (А,Б) выход L 1 11 к У Як я а /г и ю крюопл1(в,в1 t г з ч 5 Б 8 7 сёл 10им№8 1 Jtffi -.Юж* /КВ Й тс/ооонм 5 50?' Вход а входе Рис. 1.310 Типовая схема вклю- чення ИМС КРЮ05УЛ1 (А,Б) • 253 КР1005ХА1 Микросхема является автоматическим регулятором (стабилизатором) фазы .и частоты вращения вала электродвигателя постоянного тока. Конструктивно оформлена в корпусе типа 238.16-2. Назначение выводов: 1— питание ( + €7ИП); 2 — вход переключателя частоты вращения вала электродвигателя; 3, 4, 14—времязадающая /?С-цепочка; 5 — выход опорного напряжения схемы регулирования частоты вращения вала электродвигателя; 6, 10 — сглаживающий конденсатор; 7 — выход напряжения схемы регулирования частоты вращения вала электродвигателя; 8 — общий, питание (— U„ п); 9 — выход напряжения схемы регулирования фазы; 11 — выход опорного напряжения схемы регулирования фазы; 12 — интегрирующий конденсатор; 13 — 1-й вход схемы регулирования фазы; 15 — 2-й вход схемы регулирования фазы; 16 — вход схемы регулирования частоты вращения вала электродвигателя. S7, мВ в /лот. МА //вых 9. В //вых 9. в //оло^З IЬ По выво- По выво-цу 15 ду 13 9±5 16...34 >6,8 <0,6 2,7...3,7 <50 (/вых 16, В Ul„ 1,. в S/, мВ SnepJ, В Л/, Гц Д<р, град >7 <1 <100‘ <52 200...4503 0±454 1 Чувствительность по выводу 16. 2 Чувствительность переключателя частоты вращения по выводу 2. 3 Диапазон регулирования по частоте. 4 Диапазон регулирования по фазе. «датчику (разы а 1мк «датчику частоты вращения К переключателю vDt ^режима росит Кдатчику КД521 СЗТ И 1 Ofarf Jn 1 крегули- ВЛ il 16 15 19 /J 12 It 10 9 D КР/0О5ХМ 12 5 9 5 6 7 8 К переключателю частоты вращения 1сгч7нк \rs О ‘st & регуляте- , .ру частоты . 1 вращения т Puc. 1.311. Типовая схема включения ИМС КРЮ05ХА1 254 КР1005ХА2 Микросхема позволяет стабилизировать среднюю частоту вращения вала вращающихся видеоголовок с высокой точностью по частоте и фазе, а также вырабатывать сигналы переключения видеоголовок, усиливать синхросигналы записи и воспроизведения. Конструктивно оформлена в корпусе типа 2121.28-1. Назначение выводов: 1 — питание (+ п), 2 — выход усилителя воспроизведения и записи; 3— вход усилителя записи; 4 — фильтрующий конденсатор; 5 — общий вывод усилителя воспроизведения, питание ( — £/ип); 6— вход усилителя воспроизведения, выход сигналов синхронизации сигналов записи; 7 — общий вывод схемы регулирования и усилителя записи; 8 — выход напряжения схемы регулирования частоты вращения; 9, 16 — сглаживающий конденсатор; 10 — выход опорного напряжения схемы регулирования частоты вращения; 11, 18 — интегрирующий конденсатор; 12 — общий вывод схемы регулирования частоты вращения; 13, 19, 21, 22, 27 — времязадающая /?С-цепочка; 14 — вход схемы регулирования частоты вращения; 15 — выход напряжения схемы регулирования фазы; 17 — вход опорного напряжения схемы регулирования фазы; 20 — выход напряжения переключателя головок; 23 — вход 1 схемы регулирования фазы; 24 — вход 2 схемы регулирования фазы; 25 — вход 3 схемы регулирования фазы; 26 — не используется; 28 — вход электронного коммутатора. К переключателю к датчикам К переключателю К регулятора .-ianucb-gaermuiSe- разы видеоголовок фазы Пение' ,—, К усилителю к датчику к регулятору К датчику оикхросигнолов сикхрошг- частоты частоты налов вращения вращения Рис. 1.312. Типовая схема включения ИМС КРЮ05ХА2 255 v,., в /пот, мА l/вых 1S. в Vkx.lS. В (/опорн 10,17, В з„ в Выводы 23, 24 Вывод 25 9 4-5 30...60 >6,5 <0,6 2,7...3,7 <1 <2 1/1ыж 8, В В 5/, мВ (/вых 20, В (/вых 20, В sS, в Ку. (/.зап. Ку.СЛвосл. ДД Гц Д<р, град. >7,5 <1,1 <100 >6,5 <0,15 <5 >50 >1000120... 0±20 320 1 Чувствительность схемы регулирования частоты вращения по выводу 14. 2 Чувствительность схемы переключения режимов работы по выводу 28. КРЮ05ХА4 Микросхема представляет собой усилитель яркостного сигнала в канале записи бытового видеомагнитофона. Содержит: I — устройство автоматической регулировки усиления; II, V — усилители; III — детектор; IV — селектор синхроимпульсов; VI — электронный коммутатор; VII — корректор-ограничитель; VII — частотный модулятор; IX — схема привязки уровня. Конструктивно оформлена в корпусе типа 2120.24-5. Назначение выводов: 1 — вход видеосигнала; 2, 3 — вы» воды балансировки усилителя; 4 — вывод подключения цепей коррекции; 5 — вход селектора; 6 — выход строчного синхроимпульса; 7 — общий вывод, питание (— £7н.п); 8— емкость фильтра; 9 — выход ЧМ; 10 — регулировка уровня «белого»; 11 — вывод для подключения цепей коррекции; 12 — регулировка уровня черного; 13, 14 — коррекция и установка значения несущей частоты; 15 — опорная точка; 16 — вход схемы привязки уровня;. 17 — вход управления режимом работы (включение режима «запись»); 18 — выход усилителя; 19—вход усилителя; 20, 23 — питание ( + (7ИП); 21, 22 — выводы электронного коммутатора; 24 — выход видеосигнала. Параметры Режим измерения Значение С/..Х, В 9±1 Т= —10...4-55 °C 6...20 ZnoT.20.23> МА Z/и.Стр.б» В Т= —10... 4-55 °C 13...30 Д7ВХ1 =0,25 В; £/Ару=0,7 В 3...6.5 256 Продолжение Параметры Режим, измерения Значение t/12, В ,Г = 25°С 5...5,5 итл», В {/„,=0,25 В; {/„.,9 = 0,6 В 2,1...3,5 {/ару = 0,7 В Uт.22, В {/вх 1=0,25 В; {/ару = 0,7 В >0,8 В Um24, В {/вх, =0,2...0,8 В; {/ару = 0,7 В 0,7...0,85 Д/i, МГц 3,5...6 ^и.стрб* МКС {/„,=0,25 В; {/ару = 0,7 В 3,5...4,5 /Сос.2г.9> {/„,=0,25 В; / = 5МГц >25 Um.maxli Б 2 Um.max. 16, Б 0,6 Грас, МВТ 350 ' Д/м — диапазон перестройки частоты модулятора на выводе 9. Примечание. Минимальное сопротивление нагрузки, не менее: - на выводе 2...........1 кОм иа выводе 18 . ... . 10 кОм на выводе 24..........3,3 кОм Рис. 1.31£ Основные характеристики ИМС КРЮ05ХА4 9—2044 257 +Уп Выпой Рис. 1.315. Принципиальная схема усилителя яркостного сигнала в канале записи видеомагнитофона формата VHS КР1005ХА5 Микросхема представляет собой блок обработки яркостного сигнала видеомагнитофона в режиме воспроизведения. Выполняет следующие функции: усиление входного сигнала; обнаружение потери информации в записи; замещение потерянной информации сигналом предыдущей строки, задер1 жанным внешней линией задержки; усиление-ограничение ЧМ сигнала; частотную демодуляцию; усиление демодулирован-ного сигнала; улучшение отношения сигнал/помеха; суммирование яркостного и цветового сигналов; фиксацию уровня черного в выходном яркостном сигнале; усиление выходного видеосигнала; усиление сигнала самоконтроля в режиме записи. Предназначена для применения в бытовых видеомагнитофонах, работающих в формате VHS. Оформлена в корпусе типа 2120.29-1. ИМС содержит: I — усилитель самоконтроля; II — выходной суммирующий усилитель; III — входной усилитель; IV, VI — суммирующие усилители; V — детектор выпадений; VII — усилитель-ограничитель; VIII — частотный демодулятор; IX — предварительный видеоусилитель; X, XI, XII, XIII — узлы шумопонижения; XIV — узел суммирования; XV — узел фиксации уровня. Назначение выводов: 1, б, 8, 11, 18 — блокировка; 2—выход видеосигнала; 3, 21— питание (+ ; 4 — вход контроля записи; 5 — выход детектора выпадений; 7 — вход усилителя ЧМ-сигнала; 9 — вход 2 уси-258 лителя ЧМ-сигнала; 10 — выход ЧМ-сигнала; 12 — вход усилителя задержанного сигнала; 13— вход 2 усилителя-ограничителя ЧМ-сигнала; 14 — вход 1 усилителя-ограничителя ЧМ-сигнала; 15, 28—питание ( —1/ц.п); 16— выход частотного демодулятора; 17 — интегрирующий конденсатор частотного демодулятора; 19 — цепь коррекции; 20 — выход усилителя-ограничителя цепи шумоподавления; 22 — вход 2 видеоусилителя; 23 — вход 2 видеоусилителя; 24 — промежуточный вход видеоусилителя; 25 — вход 3 видеоусилителя; 26 — управление режимом; 27 — вход шумоподавителя; 28 — вход усилителя сигнала цветности. Электрические параметры приведены ниже. Номинальное напряжение питания..................9 В Ток потребления при {/ип=9 В, Т= 4-25 °C .... 50...80 мА Коэффициент усиления входного усилителя при 1/и п = =9 В; f=3 МГц; Т = 4- 25 °C.....................4..Д5 дБ Коэффициент усиления усилитёля замещения при t/«.n=9 В; /=ЗМГц; 7 = 4-25 °C..................12...16 дБ Коэффициент усиления видеоусилителя в режиме черно-белого сигнала при t/„.n=9 В, f=3 МГц; 7=4-25 °C.......................................14...17 дБ Коэффициент усиления видеоусилителя в режиме цветного сигнала при С/ип=9 В, f=3 МГц, Т= = 4-25 °C ......................................12...15 дБ Коэффициент усиления усилителя контроля записи при (7и.п=9 В, f=3 МГц; 7=4-25 °C...................12...14 дБ Коэффициент усиления усилителя сигнала цветности при {7И П=9 В, f=3 МГц, 7= 4-25 °C..............11...14 дБ Крутизна характеристики частотного демодулятора при Коэффициент ослабления 2-й гармоники в ЧМ-сигнале при 1/и.п = 9 В, 7= 4-25 °C, не менее..........35 дБ Верхняя граничная частота демодулятора, не менее . . 6 МГц Предельные эксплуатационные данные приведены ниже. Напряжение питания...........................8,5...9,5 В Входное напряжение на выводах, не более: 4, 7, 22, 25, 29 ............................. 0,25 В 12 0,15 В 14 0,5 Управляющее напряжение иа выводах 19, 26, 29, не. . более..........................................10В Выходное, ток по выводам, не более: 2..............................................1,5 мА 5, 16..........................................5 мА 10 ..........................................3 мА 259 КР1005ХЛ5 Рис. 1.316. Структурная схема ИМС КР1005ХА5 Т 15 выход ЧД m2 612-Ч f! 175,6К CIS 27 16 <р 2LIL 17 СГ518 —Н------------ С131бмкх16в —------------- 77121,8К С1166 г г, !*^ J Управление клзозл режимом Covet видеосигнал^ Свитчи \бя-6 & + »GSH—IF-, " R21K 47HK4SB Управление урр ____ 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 , 22 Я150 |— вход сигнала цветности мровпениГ jQi | режимом 28 29 11 ID 9 в 7 6 5 4 3 г 1 Рис. 1 317. Принципиальная схема блока обработки яркостного сигнала в канале воспроизведения видеомагнитофона с использованием ИМС КР1005ХА5 КмкГн ftlHIK 14 13 12 те ЦК fSOneru л ------L- выход чм-сигнапа -------- вход 2 , св чм-а/гнала Ч7МКХ168 iHLi^exodi сет С50,001мк I втд И5 ню вше} ’видеосигнала Жн сзшкчвв 260 КРЮ05ХА6 Микросхема представляет собой тракт обработки цветного сигнала и выделения сигнала цветовой сиихроиизаций. Конструктивно оформлена в корпусе типа 238.18-3. Предназначена для работы в видеомагнитофонах формата VHS и содержит: / — универсальный усилитель; II — балансный смеситель; III — усилитель; IV — 2-й усилитель воспроизведения; V — детектор; VI — селектор сигналов опознавания цвета; VII — 3-й усилитель воспроизведения; VIII — усилитель записи. Назначение выводов: 1 — вход записи; 2 — вход детектора; 3 — выход детектора; 4 — вход селектора; 5, 13 — питание (-f-„); 6 — вход 3-го усилителя воспроизведения; 7 — выход ключа: запись-воспроизведение; 8—вход 3-го усилителя записи; 9 — выход 2-го усилителя воспроизведения; 10 — вход 2-го усилителя воспроизведения; 11 — стабилизированное напряжение; 12 — выход балансного смесителя; 14 — вход опорного сигнала; 15 — питание (—- U„ „); 16—вход 2-го усилителя записи; 17 — выход 1-го усилителя с АРУ; 18 — вход воспроизведения. В режиме «запись» микросхема выделяет сигнал цветовой вспышки; автоматически регулирует амплитуду входного сигнала в блоке АРУ2; переносит спектр цветового сигнала в диапазон 0,34...1,16 МГц путем смещения с опорной частотой 5,06 МГц; усиливает преобразованный сигнал. В режиме «воспроизведение» микросхема автоматически регулирует амплитуду цветового сигнала в блоке АРУ; производит обратный перенос спектра сигнала из низкочастотного диапазона, в диапазон 3,9...4,7 МГц; усиливает преобразованный сигнал. Переключение из режима записи в режим воспроизведения производится тремя электронными ключами, входящими в состав микросхемы. Электрические параметры приведены ниже. Номинальное напряжение питания...................9 В Выходное иапряжеине 1-го усилителя в режиме запи- си прн и«п=9В,Г=4МГц, (/„=5 мВ, 7= 4-25 °C . . 0.04...0.08 В Выходное напряжение 1-го усилителя в режиме воспроизведения при 1/ип=9 В, [=4 МГц, (/„=50 мВ, 7= 4-25 °C....................................... 0,55...0,75 В Выходное напряжение балансного смесители при 1/нп=9 В и f„=4 МГц, /оп=5 МГц. 7= 4-25°C . . 0.7...0.9 В Выходное напряжение 2-го усилителя вопроизведеиия при (/„„=9 В, f=4 МГц, (/„=50 мВ, 7= 4-25 °C . . 0,7...0,8 В Выходное напряжение сигнала вспышки при UK п=9 В, 7= 4-25 °C.......................................0,85—1 В Выходное напряжение 3-го усилителя воспроизведения при (/„„=9 В, f=4 МГц, (/„=50 мВ, 7= 4-25 °C . . 0,2-0,3 В Амплитуда стробирующего импульса, не более . . . 0,6 В Коэффициент ослабления боковых частот по отношению к основному сигналу, не менее....................34 дБ 261 Коэффициент ослабления опорной частоты по отношению к основному сигналу, ие менее.............35 дБ Изменение выходного напряжения при изменении входного напряжения иа 20 дБ, не более.............3 дБ Предельные эксплуатационные данные приведены ниже. Напряжение питания...........................8... 10 В Переменное напряжение иа выводах, ие более: 1, 6, 8, 10, 14..........................2 В 16, 18...................................IB Импульсное напряжение иа выводе 4, ие более . ,9В Постоянное напряжение иа выводе 5, не более . ,9В Максимальные токи нагрузки...................1,5 мА Предельная частота...........................6 МГц Температура окружающей среды.................—1О... + 55°С Рис. 1.318. Структурная схема ИМС КР1005ХА6 Рис. 1.319. Типовая схема включения ИМС КР1005ХА6 КРЮ05ХА7 Микросхема представляет собой формирователь строчных импульсов и генератор поднесущей частоты для видеомагнитофонов. Она выполняет следующие функции: амплитудную 262 селекцию синхроимпульсов; генерацию строчных импульсов; автоматическую подстройку частоты и фазы; генерацию поднесущей частоты; коммутацию поднесущей частоты в системе ПАЛ. Предназначена для применения в бытовых видеомагнитофонах, работающих в формате- VHS. ИМС конструктивно оформлена в корпусе типа 238.18-3 и содержит: / — селектор синхроимпульсов; II — задающий генератор; III — делитель частоты на 4; V — фазовый компаратор; VI — ждущий мультивибратор; VII — фазовый переключатель; VIII — регистр контроля фазы; IX, X — усилители; XI — усилитель детектора выпадения строки; XII — ключ детектора выпадения строки; XIII — стабилизатор напряжения; XIV — ключ; XV — ограничитель уровня «белого». Назначение выводов: 1 — выход внутреннего стабилизатора напряжения; 2 — питание (+ U« п); 3, б — выходы селектора; 4 — контрольный выход; 5 — выход фильтра селектора; 7 — выход ограничителя; 8 — вход ограничителя; 9 — вход детектора выпадений; 10 — вход управления фазой поднесущей частоты; 11 — вход вспышки; 12 — выход поднесущей частоты; 13 — питание (— ии п); 14 — вход генератора; 15 — питание инжектора; 16 — 2-й выход компаратора; 17—1-й выход компаратора; 18 — выход синхронизации. Электрические параметры приведены ниже. Номинальное напряжение питания..................9 В Ток потребления пря (7ИП=9 В, Т— + 25 °C . . . . 30...45 мА Напряжение внутреннего стабилизатора при (7„п = 9 В, 7= 4-25 °C......................................6,3...6,8 В Напряжение отпускания на выводе 9 при (7ИП = 9 В, 7 = 25 °C, не более.............................1 В Управляющее напряжение регистра контроля фазы при t/„n=9 В, 7= 4-25 °C, не более..................0,4 В Амплитуда выходного строчного импульса..........5...6,7 В Амплитуда импульсов делителя частоты............4...6,7 В Амплитуда входного телевизионного сигнала на выводе 8, не менее..................................0,5 В Амплитуда импульсов поднесущей частоты при Uua — =9 В, 7=-}-25 °C................................1,7...2,3 В Амплитуда синхроимпульсов на выводе 18 при U„n = = 9 В, 7= 4-25 °C...............................5,4...6,7 В Полоса захвата при 7/ип=9 В, 7= 4-25 °C, не менее 1000 Гц Диапазон перестройки приведенной частоты внутреннего генератора при — 9 В, 7= 4-25 °C .... 14...17 кГц Длительность выходного строчного синхроимпульса . . 4...5,5 мкс Длительность синхроимпульса на выводе 18 . . . . 4,5...5,5 мкс Нестабильность частоты внутреннего генератора от температуры при (7„„ = 9 В, 7= — 10... 4-55 °C, не более 5 Гц/°С Предельные эксплуатационные данные приведены .ниже. Напряжение питания.......................8,7...9,3 В Напряжение на выводе 15..................1,1...2,3 В 263 Максимальное входное напряжение: иа выиоде 9...............................1 В иа выводе 10 .... ........................0,4 В иа выводе 11..............................4 В Амплитуда входного телевизионного сигнала иа выводе 8........................................0Д..З В Минимальное сопротивление нагрузки: на выводе 3...................................2,5 кОм иа выводе 12..............................1 кОм на выводе 18..............................4 нОм Рассеиваемая мощность, ие более................. 500 мВт Температура окружающей среды..................—10...+ 55’С Рис. 1.320. Структурная схема ИМС КР1005ХА7 Рис. 1.321. Типовая схема включения ИМС КР1005ХА7 КР1005ХА8А, КРЮ05ХА8Б Микросхема представляет собой многофункциональное устройство, работающее как система ФАПЧ с разомкнутой цепью управления ГУН: I — генератор, управляемый напряжением, II — перемножитель сигналов, III — операционный усилитель. Узлы, входящие в состав микросхемы, могут быть использованы автономно или в различных комбинациях. Перемножитель может работать в режиме модулятора DSB — 264 сигнала, синхронного AM детектора; на основе ГУН возможно построение генератора ЧМ сигнала, опорного генератора с кварцевой стабилизацией. Комбинируя узлы, входящие в состав микросхемы, mojkho образовывать систему ФАПЧ, синхроино-фазовый детектор, следящий фильтр, генератор сигналов специальной формы («генератор функции»). Корпус типа 2120.24-6. Назначение выводов: / — инвертирующий вход ОУ; 2 — иеиивертирующий вход ОУ;, 3, 4 — выходы перемножителя; 5...7 — входы перемиожителя; 8—11 — эмиттеры транзисторов перемножителя; 12, 22 — питание (+ U» п); 13 — коррекция ОУ; 14 — выход ОУ; 15,16 — входы цифрового управления ГУН; 17, 18 — управление частотой и крутизной перестройки; 19, 20 — частотозадающая емкость ГУН; 21 — выход ГУН; 23, 24 — входы аналогового управлении ГУН. Электрические параметры приведены ниже. Номинальное напряжение питания: однополярное ....................................... 20 В двухполяриое .................................. ±10 В Ток потребления при (/„.„=20 В, Г= 4-25 °C, ие более 18 мА типовое значение................................... 14 мА Генератор, управляемый напряжением Частота свободных колебаний при (/„„ = 20 В, /?„ = == 10 кОм, Сх= 10 пФ, 4-25 °C, ие меиее . . . 15 МГц Типовое значение...................... . 30 МГц Коэффициент перекрытия по частоте при (/„.„= =20 В, /?„ = 10 кОм, /о=1О кГц, Т= 4-25 °C, ие менее..................................... . 8 типовое значение....................* . . 10 Температурный дрейф частоты при (/„„=20 В, /?„= 10 кОм, Т= -25...4-55 °C, не более . . . . 400Х 10~в1/°С типовое значение............................. 250X10 в1/°С Амплитуда выходного напряжения сигнала прямоугольной формы при (/„„=20 В, /?„=10 кОм, f = 5 МГц, Т= 4-25 °C, ие меиее: КР1005ХА8А...................................1,9 В КР1005ХА8Б...............................0,9 В типовое значение: КР1005ХА8А...............................2,0 В КР1005ХА8Б..................- ..... 1,0 В Коэффициент влияния нестабильности источника питания иа частоту при (/„„=20 В, /?„=10 кОм, )=1 МГц, Г= 4-25 °C, ие более................0,5 % типовое значение.........................0,08 % Время спада выходного импульса при (/„„=20 В, /?„=5 кОм, С„=10 пФ, Т= 4-25 °C, типовое значение .......................................30 нс 265 Перемножитель сигналов Диапазон рабочих частот при £/„„=20 В, /?0С(3) = = ^ос(21 = 0. 7= 4-25 *С, ие менее................................50 МГц типовое значение....................................100 МГц Коэффициент преобразования при £/„,=20 В, /?Ос(2) = = Лос(3)—0, Т— 4-25 °C, типовое значение........................2 В/рад Полное выходное сопротивление при £/„„=20 В, fo = = 1 кГц, f„= 1 кГц, Т= -|-25 °C, типовое значение . . 6 кОм Операционный усилитель Коэффициент усиления по напряжению при разомкну- той ООС, £/„„=20 В, М = 300 Гц, 7= 4-25 °C, ие меиее .........................................66 дБ типовое значение...........................80 дБ Полное входное сопротивление при £/„„ = 20 В, fBX = =300 Гц, 7= 4-25 °C, ие меиее..................0.4 МОм типовое значение...........................2 МОм Полное выходное сопротивление при £/„„ = 20 В, f = =300 Гц, Т= 4-25 °C, типовое значение..........2 кОм Предельные эксплуатационные данные приведены ниже. Напряжение питания однополярное.................................6...30 В двухполярное.............................±3...±15 В Максимальное допустимое напряжение (размах) входного сигнала на выводах 5 и 7, ие более . . .ЗВ Напряжение смещения на выводах 5—7 при £/„„ = =20 В........................................4...16 В Постоянное напряжение при £/„„ = 20 В: иа выводах / и 2.............................4... 18 В на выводах 23 и 24.......................9... 18 В Минимально допустимое сопротивление нагрузки, не менее.....................................Ю кОм Температура окружающей среды.................—10 .4-55 °C кноотшр е) Рис. 1.322. Структурная схема ИМС КРЮ05ХА8 (А,Б) Рис. 1 323. Зависимости рабочей частоты ГУН от емкости частотозадающего конденсатора: 1 — цифровое управление выключено, 2 — цифровое управление вклю чено Рис. 1 324. Зависимости частоты перестройки от управляющего напряжения: / — выводы 15 и 16 заземлены через резистор сопротивлением I кОм, 2 — выводы 15 и 16 не подключены 266 -!20 -na-SO-SO^и^,цБ1в s a Puc. 1.325. Зависимости выходного напряжения переключателя сигналов от уровня входного напряжения Рис. 1.326. Принципиальная схема «генератора функций» на ИМС КРЮ05ХА8 а мк ЧОК ,И5Юк выаЗ Гун .k ss_ JC? ~sto ЙЙГЙй'Л ? □ KtoafKM(t.,sr 711 45 6 т 8»Wtia Рис. 1.327. Схемы включения ИМС КРЮ05ХА8 в режимах ЧМ-детек-тора (а) и следящего фильтра (б) SSHH 267 Серии КР1006, Ml 006 КРЮ06ВИ1 Времязадающая схема (таймер), формирующая импульсы напряжения длительностью от нескольких микросекунд до десятков минут. Предназначена для использования в стабильных датчиках времени, генераторах импульсов, широтно-импульсиых и фазовых модуляторах, преобразователях напряжения, ключевых схемах, преобразователях сигналов, исполнительных устройствах. Конструктивно оформлена в корпусе типа 2108.8-1. Назначение выводов: 1 — общий; 2 — запуск; 3 — выход; 4 — сброс; 5 — контроль делителя; 6 — срабатывание; 7 — цепь разряда; 8 — питание (-риип)- /вх, мкА 15 5,5...8 <2 /ере, иА 250 /вых, ДОх, ИС 3003 1 При Т=25 °C. 2 Ток сигнала сброса. 3 Время нарастания и время спада выходного импульса. Примечание. Начальная погрешность в генераторном режиме при 4/ип—15 В 3%. Нестабильность начальной погрешности в генераторном режиме от напряжении питания при 17и „= 15 В ие более 0,3 %. Указания к применению 1. Запуск микросхемы происходит при ЛСУш/з- Для устранения нестабильности запуска, создаваемой пульсациями напряжения источника питания, рекомендуется параллельно с источником питания, в непосредственной близости к выводам микросхемы, подключать конденсатор емкостью 1...10 мкФ. 2. Максимальное напряжение-сброса составляет 0,4... 1 В. Если вывод «сброс» не используется, то его следует подключать к плюсу источника питания. 3. Если вывод «контроль делителя» не используется, он 268 должен быть замкнут на корпус через блокирующий конденсатор емкостью 0,01...0,1 мкФ. 4. Минимальная длительность импульса, генерируемого таймером, составляет 20 мкс, а максимальная определяется параметрами внешних времязадающих элементов R и С. 5. Запрещается подавать иа выводы 2, 4, б, 7 напряжение, превышающее значение напряжения питания. 6. Допустимое значение статического потенциала 200 В.' Рис. 1.328. Структурная схема ИМС КРЮ06ВИ1: /—компаратор напряжения; //— триггер, III — выходной усилитель Рис. 1.329. Принципиальная схема ИМС КР1006ВИ1 Рис. 1330. Схемы включения ИМС КР1006ВИ1 в режиме генератора в ждущем режиме'(а.) и в режиме автогенерации (б) 269 Рис. 1.331. Принципиальные схемы модуляторов на ИМС КР1006ВИ1: а — шнротио-импульсного, б — фазо-импульсного М1006ВИ1 Времязадающая схема (таймер). Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 201.14-10. Назначение выводов: 1 — общий; 3 — запуск; 4 — выход; 6 — сброс; 8 — контроль делителя; 10 — срабатывание; 12 — цепь разряда; 14 — питание (4* Уя п). Параметры Режим измерения М1006ВИ1 uat В и,,,, в £/.«, в /•и»» мА 1/И П, В — — — — 5... 15 В 15 11,5-14 7...Э.5 100 2,2 5 3,7...4,7 2,3...3,3 5 0,2 и\т В 15 5,5...8 0,7...1,5 100 12,5 5 1,8...2,8 0,3...0,8 100 3 /пот, мА 15 11,5-14 7...9,5 — 12 5 3,7...4,7 2,3...3,3 5 Лх, мкА 15 5,5...8 — — 0,9 /св, мА 15 5,5 ..8 0,7...1,5 1 <*>, % 15; 5 — — — 2 Рис. 1.332. Принципиальная схема ИМС М1006ВИ1 270 Рис. 1.333. Схемы включения ИМС М1006ВИ1 в режимах автогенератора (а) и генератора с внешним возбуждением (б) Серия К1009 КЮ09ЕН1А, К1009ЕН1Б, К10О9ЕН1В Служат для построения термокомпенсированных стабилизированных источников питания варикапов в переключателях телевизионных каналов. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа КТ-1-2. Параметры’ К1009ЕН1А К1009ЕН1Б КЮ09ЕН1В и„, В 30 32,2 32 34,2 34. Зв /?ДИф, Ом 25 25 25 аи„, % — 0,012 — 0,006 - 0,012 - 0,06 - 0,012 - 0,06 1 При /ст = 5 мА. н барикапд Рис. 1.334. Типовая схема включения ИМС KIOOOEHIA.B.B 271 Серия КР1021 Микросхемы серии представляют собой устройства, предназначенные для построения телевизионных приемников цветного и черного-белого изображения. КРЮ21УР1 Микросхема является усилителем промежуточной частоты изображения и используется в радиоканалах телевизионных приемников цветного и черно-белого изображения..Конструктивно оформлена в корпусе типа 238.16^(2103.16^. Электрические параметры приведены ниже1. i/.B, в /лот, мА 1Л», в /ацх max, мА Рmax, Вт 121 2 35...70 5,4...6,6 с 10 1,2 Выходное напряжение видеосигнала, В, при 17вх = = 10 мВ, /вх = 38 МГц, М = 85 %..................2,25...3,15 Чувствительность на пороге срабатывания АРУ, мкВ, при /вх=38 МГц, М=85%, не более..................100 Размах выходного напряжения АПЧ при £/вх= 10 мВ, fot = + 0,075 МГц, foi = —0,075 МГц, М=85 %, не менее .............................................10 Уровень напряжения вершины синхроимпульсов видеосигнала, В, при 1/вх=10 мВ, (вх = 38 МГц, М = 85% 2,5...3,4 Минимальный, порог срабатывания АРУ на СК, мВ, при/дру=1 мА, (ВХ=38 МГц, Л/=85 %, не более . . .3 Максимальный порог срабатывания АРУ на СК, мВ, при/ару = 1 мА, fBX=38 МГц, М=85 %, не менее . . .70 Напряжение выключения УПЧИ низким уровнем, В, при £7вх=10 мВ, /вх = 38 МГц, Л4=85 %, не более . . 2,4 Напряжение выключения УПЧИ высоким уровнем, В, при 1/вх = 10 мВ, /вх=38 МГц, Л4=85 %, не менее . . 10 Напряжение выключения АПЧ, В, при 1/вх=10 мВ, foi — + 1 МГц, foi = — 1 МГц, Л1=85 %, не более . . 3,5 Максимальный Входной сигнал, мВ, при /=38 МГц, М =85 %, не менее................................70 Ток АРУ на СК, мА, при <ЛХ = 10 мВ, /вх=38 МГц, М.=85 %, не меиее................................10 Полоса пропускания видеоусилителя, МГц, при t/BX = = 10 мВ, /вх=38 МГц, Л4=85 %, ие менее . . . .5,5 Диапазон АРУ по входному напряжению, дБ, при /вх = =38 МГц, Л4=85%, не менее........................50 Относительная неравномерность видеоимпульса с частотой строк и полей, %, при /7вх=10 мВ, (вх=38 МГц, М = 85 %, не более...............................7 1 При /Лп=12 В. 2 Допустимые отклонения значения напряжения питания от номинального ± 10 %. 272 Рис. J.335. Частотная характеристика ИМС КРЮ21УР1 КРЮ21ХА2 Микросхема представляет собой устройство, предназначенное для управления строчной и кадровой развертками, а также блоками цветности и управления в цветных телевизионных приемниках. Выполняемые функции:' селекция строчный (с инвертором помех) и кадровых входных синхроимпульсов; АПЧ н Ф строчной развертки; обеспечение работы вертикальной развертки при поступлении иа вход ИМС видеосигнала с частотой кадровых синхроимпульсов 50 и 60 Гц; формирование сигналов строчной и кадровой развертки; идентификация наличия видеосигнала: формирование сигнала защиты экрана кинескопа при неисправностях в кадровой развертке. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 2104.18-7. Электрические параметры приведены ниже1 Номинальное значение напряжения питания, В . . 12s Потребляемый ток, мА, не более..............70 Входное напряжение постоянного тока по выводу 2 4...4,8 Выходное напряжение по выводу /, В..........3,2...5,0 Выходное напряжение детектора 50/60 Гц по вы- воду 13, В: низкого уровня, не более .........................0,5 высокого уровня f = 50 Гц, не менее . . . .11 высокого уровня f=60 Гц......................7,2...8 Стабилизированное напряжение по выводу 16, В . . 8,0...9,5 Пороговые уровни переключения схемы защиты кадровой развертки, В (по выводу 2).................3,0...3,7 4,75...5,55 273 Напряжение гашения по выводу 17, В: строчного.......................................4,2...5,0 кадрового..................................2,0...3,0 Напряжение строб-импульса ио вывалу 17, В, не менее ............................................10 Выходное напряжение детектора обнаружения видеосигнала по выводу 18, В: в отсутствии видеосигнала ........ 0...0.5 при наличии видеосигнала...................6,5...8,0 при работе с видеомагнитофоном.............1,8...3,4 Входной ток по выводу 2, мкА, не более .... 2 Входной ток по выводу 12, мкА................... 200...4000 Ток потребления по выводу 10, мА, не более ... 70 Время задержки от переднего фронта синхроимпульса до фронта строб-импульса цветовой поднесущей (выводы 5, 17), мкс.............................4,5...5,3 Время задержки от фронта импульса строчного гашения до переднего франта синхроимпульса (выводы 5,/7), мкс ................................0,5...1,4 Длительность строб-импульса цветовой поднесущей по выводу 17, мкс .............................3,6...4,4 Длительность импульса строчного гашения по выводу 17, мкс....................................11,7...12,4 Длительность импульсов кадрового гашения по выводу 17 в периодах строчной развертки: при частоте кадровой развертки 50 Гц . . . 21...22 при частоте кадровой развертки 60 Гц . . . . 17...18 Длительность выходного импульса строчной развертки по выводу 11, мкс: при <зд1 = Ю мкс...........................21,5...28,5 прн /зд! = 1 мкс...........................12,6...14,0 при /Зд1=45 мкс............................ 56,0...58,5 Собственная частота генерации строчного задающего генератора, Гц............................... 15000...16250 Частота генерации строчного задающего генератора в режиме синхронизации (режим захвата), Гц . . 15625±15 Собственная частота строчного задающего генератора в режиме запуска, Гц...................... 14375... 16875 Собственная частота кадрового задающего генератора, Гц........................................44...48 Изменение собственной частоты генератора кадровой развертки при изменении от 10 до 13 В, %, не более........................................0,2 Полоса захвата, Гц, не менее...................600 Полоса синхронизации кадровой развертки, %, не менее............................................30 1 При 17„л = 12 В, 7 = 25 °C. 2 Допустимые отклонения значения напряжения питания от номинального ± 10 %. 274 Рис. J.336. Типовая схема включения ИМС КР1021ХА2 Рис. 1.337. Зависимости тока потребления ИМС КР1021ХА2 от температуры и напряжения питания -гз -ю о ю го зо w оо т, °с 275 КР1021ХАЗ Многофункциональная аналоговая ИМС, предназначенная для обработки сигналов в телевизионных приемниках с цветным изображением. Конструктивно оформлена в корпусе типа 239.24-2. Электрические параметры приведены ниже1. Номинальное значение напряжения питания, В . . . 12s Ток потребления, мА..............................70... 130 Входной ток по выводу 4, мкА.....................0,5...20 Входной ток по выводу 16, мкА....................—1...1 Входной ток по -выводу 19, мкА, не более.........40 Входной ток высокого уровня, мкА, не более .... 10 Входной ток низкого уровня, мкА, не меиее . . . . — 5 Коэффициент передачи PAL — канала, дБ............4,0...6,5 Коэффициент передачи PAL — матрицы, дБ . . . . —1,5...0,7 Коэффициент передачи канала яркости, дБ . . . . 4,0...6,5 Отношение коэффициентов передачи канала яркости на частоте 5 МГц и иа частоте меиее 1 МГц, дБ . . . . —1,0...2,0 Отношение полных размахов сигналов (R — У), (В-У), дБ........................................1.7...1.86 Коэффициент передачи SECAM-коммутатора, дБ . . 4,0...6,5 Модуль разности. Напряжений в В и ^-строках, мВ, ие более.........................................30 Отношение сигнала помехи в В-строке к уровню полезного сигнала в ^-строке, дБ, ие более...........—23 Длительность цветных переходов «зеленый — пурпурный» в ^-строке при уровнях цветовой модуляции, мкс, не более: 25 %..........................................0,8 75 %.........................................1,8 Длительность цветовых переходов «зеленый — пурпурный» в В-строке при уровнях цветовой модуляции, мкс, не более: 25 %.........................................0,8 75%..........................................1,5 Полный размах входного напряжения возбуждения генератора поднесущих с частотой 2 X 4, 433619 МГц, поступающее иа вывод 7, мВ, не менее.............150 Полный размах входного сигнала на выводе 4 в режиме SECAM, мВ.....................................15...3Q0 Полный размах входного сигнала на выводе 16 прн отсутствии нелинейных искажений на выводе 15, В, ие более...........................................0,7 1 При t7„„ = 12 В, Г=25°С. 2 Допустимые отклонения напряжения питания от номинального ± 10 %. КРЮ21ХА4 Декодер для стандартных цветных телевизионные систем ПАЛ и НТСЦ, экспортных телевизионных приемников цветного изображения СЦТ — 51/61/67, отечественных телеви- 276 знойных приемников при совместной работе с трансдекодером СЕКАМ/ПАЛ на микросхеме КРЮ21ХАЗ. Микросхема конструктивно оформлена в-корпусе типа 2121.28-5. Электрические параметры приведены ниже1. Напряжение пйтания, В.........................'. 121 2 Потребляемый ток, мА............................80... 130 Управляющее напряжение системы автоматического баланса белого на выходах R, G, В, В............6,7...8,2 Напряжение гашения на выходах /?, G, В, В . . . . 0,8...1,15 Напряжение уровня черного на выходах /?, G, В, В . . 2,7...4,5 Размах сигналов на выходах R, G, В, В, не более . . .4,4 Напряжение низкого уровня в цепи обратной связи, В 3,8...6,0 Амплитуда считывающих импульсов, В..............0,3...0,85 Разность напряжений сигналов считывающих импульсов относительно напряжения уровня черного на выходах R, G, В, В..................................— 0,54...0,54 Крутизна регулировочной характеристики контрастности яркостного канала (по уровню черного), В/В . . .—0,14...0,14 Крутизна регулировочной характеристики контрастности яркостного канала (по уровню белого), В/В . . . 1,3...3,4 Напряжение уровня черного на выходах R, G, В, при введенных на дополнительные входы сигналах, В . . 2,3...4,6 Размах сигналов на выходах R, G, В прн введенных на дополнительные входы сигналах, В’............1,7...3,9 Размах сигнала R—Y на выходе R, В...............2,3...6,0 Изменение уровня напряжения на выходе R при изменении входного сигнала, мВ......................'—70...±70 Выходное напряжение, В, не менее................4,0 Регулирующее напряжение на выходе устройства цветового опознавания, В, не более.................2,1 Крутизна регулировочной -характеристики яркости (по уровню черного), В/В........................0,62...1,8' Крутизна регулировочной характеристики насыщенности по выходу Р, В/В.............................1,1...3,6 Отношение демодулироваииых цветоразностных сигналов (В-У)/(я-У), &/В............................1,0... 1,7 Отношение демодулироваииых цветоразностных сигналов (G — Y)/{R — Y), В/В........................0,43...0,68 Точность поддержания выходного напряжения при изменении входного напряжения, дБ.................—3,0... 1,0 Разброс размахов сигналов на выходах R, G, В, %, не более...........................................10 Коэффициент ослабления АЧХ яркостного канала цветности, дБ, не более..............................3 Коэффициент усиления напряжения канала цветности, дБ, не менее....................................37 Нелинейные искажения в канале яркости, %, не более ............................................10 1 При и„„=12 В; 7=25 °C. 2 Допустимые отклонения напряжения источника питания от номинального значения ±10 %. 277 Напряжение на выводах 4, 7, 8, 12, 14, 16, 22, 23, В, не более......................................—0,6 Напряжение иа выводе 9, В, не более...........3 Сопротивление нагрузки канала цветности, кОм, не менее ..........................................1 Сопротивление нагрузки иа выходах каналов R, G, В, кОм, не менее.................................1 Максимальная потребляемая мощность, Вт, не более 1,7 Рис. 1.338. Регулировочные характеристики ИМС КРЮ21ХА4: а —управления контрастностью; б—управления насы* щеиностью Рис. 1.339. Схема включения ИМС КРЮ21ХА4 в системе ПАЛ 278 Полный ПА2 6 11 Ионтраст- '££~Насы1ц <t№> ность nwdL включение ' й -------* квнеш. 1'о,1мк ,тР~‘_______г г. К „С39 Г~ж~} 6Шг. Чдмк * У»_________о а ыо 1да " ^-°внеш. аг ТТ ЗГ iESMB'-Ml -------------ъ/t ------------ ------------*-в й 4Щ®,, ЕН хлэзг импульс трегуроёнвбой =Lw Чк Нимронизации ★-номиналымогут быть изменены (о <о Рис. 1.340. Схема включения ИМС КРЮ21ХА4 совместно с ИМС КРЮ21ХАЗ для обработки сигналов цветности систем цветного телевидения СЕКАМ/ПАЛ Серии К1033, К111Д КЮЗЗЕУ1 Микросхема предназначена для использования в импульсных источниках вторичного питания телевизионных устройств. Конструктивно оформлена в корпусе типа 1102.9-5. Электрические параметры приведены ниже. 1. Режим нормальной работы Напряжение включения, В.......................11,0...12,4 Напряжение на входе 3, В......................2,3...2,9 Опорное напряжение, В.................. . . 4,0...4,6 Напряжение иа входе 5, В......................5,5...7,0 Среднее напряжение иа выходе 8, В.............2,7...4,0 Напряжение выключения, В, ие менее............6,5 Ток потребления при нагрузке, мА..............|10...160 Температурный коэффициент опорного напряжения, %/°C, не более...............................0,1 2. Режим защиты Напряжение срабатывания триггера блокировки, В, не меиее.........................................1,8 Напряжение отпускания триггера блокировки, В, ие более 2,7 Напряжение на выходе 4 при блокировке, В . . . . 1,8...2,5 Напряжение на входе 7 при блокировке, В..........1,3... 1,8 Ток потребления при блокировке, мА, не более ... 26 Напряжение питания, В............................8,5...20 Импульсный выходной ток по выводу 8, А, не более . . 1,5 КШ4ЕУ1 Многофункциональная микросхема, представляющая собой устройство управления импульсными источниками вторичного электропитания телевизионных устройств. Конструктивно оформлена в корпусе типа 1102.9-5. Электрические параметры приведены ниже1. С/в п> В Ток потребления. мА и,.=з в О,„ = 5В иЯЛ^= 10 в СЛ, «= 10 в t/.e=I,9 В аяп=ю в t/oe = 2,l 2,3 В Ц.л = 10 В t/«=2,5 2,9 В 7,5...151 0,5 1,5...2 2,4...3,2 14.. 26 НО. .160 60.. НО Опорное напряжение при £7Ип=1/вкл,/вых оп=0,2 мА, В . .4 4,4 Нижннй уровень пилообразного напряжения, В, не менее 1,82 Размах пилообразного напряжения при t70c=2,18, В, не менее....................................................1,2г 280 Входное напряжение триггера защиты, В..................5,5. .7,02 Размах выходного напряжения, В, не менее..............62 Минимальное выходное напряжение при С/От=2,6 В . . . 1,82 Выходное напряжение при срабатывании защиты, В . . 1,3 ..1,8® Напряжение срабатывания, В, не более . . . . 1,82 Напряжение отпускания, В, не более....................2,72 Температурный коэффициент опорного напряжения при [/ОС=2,2...2,6 В, %/°С, не более......................0,1® Предельные эксплуатационные данные приведены ниже. и„„. в В /вых max, А /вых ел, мА Ртч, ВТ |вом, Гц т, -с 11,3...12,3 1,9...2,9 1 5 2,5 100 -10. .+70 1 Номинальное напряжение источника питания 10 В. 2 При t/>n = 10B, t/r=0,5 В, Л =20 кГц, К,=1:1. Рис. 1.341. Функциональная схема ИМС КЮЗЗЕУ1 и КН14ЕУ1: -Т — стабилизатор напряжений; /Л—~фбр-' мирователь опорного напряжения. III — усилитель обратной связи;’ IV — узел резервирования, V — ограничитель перегрузки, VI — формирователь тактовых импульсов Рис. 1 342 Принципиальная схеМа ИМС КЮЗЗЕУ1 и К1И4ЕУ1 281 Рис. 1.343. Зависимости длительности импульса выходного напряжения от напряжения обратной связи для ИМС КЮЗЗЕУ1 и КН14ЕУ1 Рис. 1.344. Графики напряжений нормального режима работы ИМС К1033ЕУ1 Серия К1109 Микросхемы серии К1109 составляют комплект семи-н восьмиканальных ключей для управления приборами отображения информации. КН09КН2 Восьмиканальный коммутатор напряжения с комплементарной парой на входе. Конструктивно микросхема оформлена в корпусе типа 2104.18-4. Назначение выводов: 1 — вход 1-го ключа; 2 — вход 2-го ключа; 3 — вход 3-го ключа; 4 — вход 4-го ключа; 5 — вход 5-го ключа; 6 — вход 6-го ключа; 7 — вход 7-го ключа; 8 — вход 8-го ключа; 9 — общий; 10 — 282 питание; 11 — выход 8-го ключа; 12 — выход 7-го ключа; 13 — выход 6-го ключа; 14 — выход 5-го ключа; 15 — выход 4-го ключа; 16 — выход 3-го ключа; 17 — выход 2-го ключа-78— выход 1-го ключа. Параметры Режим измерения Значение параметра //ост, В Hi—2 В; /вых — = 10 мА /вх, мА U 1=2 В /пот, мА (Ji —- 5 В /Ут вых, мкА Ui =0; /718=80 <8 <0,32 <1,6 <5 К1109КТ1А.Б Восьмиканальный коммутатор с программируемым уровнем выходного тока. Конструктивно микросхема оформлена в корпусе типа 2104.18-4. Назначение выводов: / — вход 1-го ключа; 2 — вход 2-го ключа; 3 — вход 3-го ключа; 4 — вход 4-го ключа; 5 — общий; 6 — вход 5-го ключа; 7 — вход 6-го ключа; 8 — вход 7-го ключа; 9 — вход 8-го ключа; 10 — выход 8-го ключа; 11 — выход 7-го ключа; 12 — выход 6-го ключа; 13 — выход 5-го ключа; 14 — управление; 15 — выход 4-го ключа; 16 — выход 3-го ключа; 17 — выход 2-го ключа; 18 — выход 1-го ключа. Параметры Режим измерения Значение параметра //ост, В /вх, мА /вых, мА /ут, мкА /7вх=3,5 В; //Упр=5 В; /Вых=0,8 мА /7вх=2,4 В; //вых =60 В; //у„р=5 В /7Вх=3,5 В; //Яых=:б0 В; //упр=5 В //.ых=150 В для КН09КТ1А //вых=205 В для КН09КТ1Б <8 <0,44 0,85...1,15 <5 <5 283 Рис. 1.346. Принципиальная схема ИМС КН09КТ1 КП09КТ2 Микросхема представляет собой семиканальный ключ. Предназначена для управления светоизлучающими диодами, накальными индикаторами и другими мощными нагрузками. Конструктивно оформлена в корпусе типа 238.16-3. Назначение выводов: 1 — вход 1-го ключа; 2 — вход 2-го ключа; 3 — вход 3-го ключа; 4 — вход 4-го ключа; 5 — вход 5-го ключа; 6 — вход 6-го ключа; 7 — вход 7-го ключа; 8 — общий; 9 — общий вывод диодов развязки; 10 — выход 7-го ключа; 11 — выход 6-го ключа; 12 — выход 3-го ключа; 15 — выход 2-го ключа; 16 — выход 1-го ключа. Параметры Режим измерения Значения параметров i/U В Спрзащл, В Ki /!т, мкА /L мкА /ут-защл, мкА Ь, МКС /при, кГц С,х, ПФ Свых max, В /вых max, мА /!т, мкА Лх, мкА laxmax, мА /вх, мА Лых=350 мА; Лх=500мкА /прэащл = 350 мА Свых=2,5 В; /6ых=350 мА /С.=50 В Лых=0,5 мА Совр=50 В /вых=350 мА Совр=50 В /2йх=35О мА; /2х=5ОО мкА 1/?ых=0; /=10 МГц /„< 100 мкс; 10 <1,8 <2,2 >1000 <50 <35 <50 <35 <50 <1 50 12...25 350 540 25 25 Прнмечаиия: 1. Максимально допустимая импульсная мощность одного ключа 1 Вт, всей микросхемы — 2 Вт. 2. Прн использовании индуктивной нагрузки для защиты ключа от возникающих выбросов напряжения вывод 9 должен присоединяться к ключевому выводу коммутируемого источника, питающего нагрузку. 284 Рис. 1.347. Принципиальная схема ИМС KU09KT2 Рис. 1.348. Основные характеристики ИМС KI 109КТ2 К1Ю9КТ21, КН09КТ22, К1109КТ23, КП09КТ24 Семиканальные электронные ключи для управления мощными нагрузками. Каждая микросхема обеспечивает сопряжение с определенными типами маломощных биполярных и МОП-микросхем. Принципиальные схемы микросхем КП09КТ22, КИ09КТ23 и КИ09КТ24 идентичны, отличие состоит в сопротивлении резистора /?1. Корпус типа 238.16-3. Назначение выводов: / — вход 1-го ключа; 2 — вход 2-го ключа; 3 — вход 3-го ключа; 4 — вход 4-го ключа; 5 — вход 5-го ключа; 6 — вход 6-го ключа; 7 — вход 7-го ключа; 8 — общий; 9 — общий вывод диодов развязки; 10 — выход 7-го ключа; 11 — выход 6-го ключа; 12 — выход 5-го ключа; 13 — выход 4-го ключа; 14 — выход 3-го ключа; 15 — выход 2-го ключа; 16—выход 1-го ключа. 285 Рис. 1.349. Принципиальные схемы ИМС KI 109КТ21 (а) и KI 109КТ22, К1109КТ23, КН09КТ24 кнодкггг, ктдкгя, ктктм Параметры’ Режим измерения K1109KT21 КИ09КТ22 KI I09KT23 K1109KT24 и„, в t/Lx=2 В; /U =300 мА <13 <3 <8 <2 i/U в /и=350 мА; /?х=0,5 мА <1,8 <1,8 <1,8 <1,8 t/прзащд, В /Пп=350 мА <2 <2 <2 <2 /утвых» МКА tZL=50 В <50 <50 <50 <50 /вх» мА 1Дх=17 В < 1,2 — —— — 1/?х=3,8 В — <1,3 — — №=5 В — — <0,5 — 1/2х=3 В — — — <2,4 /утэащд» МкА 7/обр=50 В <50 <50 <50 <50 /L, мкА /1х=0,5 мА <50 <50 <50 <50 /з, мкс Дх=0,5 мА; Дых=350 мА <1 <1 < 1 <1 СВх, пФ 1Д« = 0; /=10 МГц 12...25 12.. .25 12...25 12...25 Увых max, В — 50 50 50 50 /вых max, мА — 500 500 500 500 /вх max» мА — 25 25 25 25 Р?«, Вт — 0,75 0,75 0,75 0,75 1 Параметры указаны для одного ключа при Т =25 °C. ! Для всей микросхемы /’рас =1,5 Вт. 286 /’pac,max//’pac, max (25°С) Рис. 1.350. Основные характеристики ИМС KI 109КТ21...К1109КТ24 КП09КТ62, КН09КТ63, КИ09КТ64, К1109КТ65 Восьмиканальные электронные ключи для управления мощными нагрузками. Каждая микросхема обеспечивает сопряжение с определенными типами маломощных биполярных и МОП-микросхем. Принципиальные схемы микросхем КП09КТ63, KI 109КТ64 и KI 109КТ65 идентичны, отличие состоит в сопротивлении резистора R1. Корпус типа 2104.18-4. Назначение выводов: 1 — вход 1-го ключа; 2 — вход 2-го ключа; 3 — вход 3-го ключа; 4 — вход 4-го ключа; 5 — вход 5-го ключа; 6 — вход 6-го ключа; 7 — вход 7-го ключа; 8 — вход 8-го ключа; 9 — общий; 10 — общий вывод диодов развязки; 11 — выход 8-го ключа; 12 — выход 7-го ключа; 287 13 — выход 6-го ключа; 14 — выход 5-го ключа; 15 — выход 4-го ключа; 16 — выход 3-го ключа; 17 — выход 2-го ключа; 18 — выход 1 -го ключа. Электрические параметры микросхем К1Ю9КТ62, КИ09КТ63, КН09КТ64, КИ09КТ65 аналогичны параметрам ИМС KI 109КТ21, KI Ю9КТ22, KI 109КТ23, KI 109КТ24. ИМС ИМС, имеющие аналогичные параметры KI 109КТ62 KI 109КТ63 КН09КТ64 К1 Г09КТ65 КН09КТ21 KI 109КТ22 KI 109КТ23 KI 109КТ24 Рис. 1.351. Принципиальные схемы ИМС КН09КТ62 (а) и КН09КТ63, КН09КТ64, КН09КТ65 (6) Серия К1121 КП21СА1 Четырехканальный компаратор напряжения. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 4112.16-3. Назначение выводов: 1 — питание (£Л<пз); 2 — выход первого канала; 3 — инвертирующий вход первого канала; 4 — неинвертирующий вход первого канала; 5 — питание (~иИ па); 6 — неинвертирующий вход 2-го канала; 7 — инвертирующий вход 2-го канала; 8 — выход 2-го канала; 9 — общий; 10 — выход 3-го канала; 11 — инвертирующий вход 3-го канала; 12 — неиивертирующий вход 3-го канала; 13 — источник питания ( + (/Ип1); 14—неинвертирующий вход четвертого канала; 15 — инвертирующий вход четвертого канала; 16 — выход четвертого канала. 288 Параметры Режим измерения Значение параметра ^ипЬ В 12± 1,2 Un п2> В — —12±1,-2 £/япЗ> В —и. 5 ±0,5 Ucut мВ 1/ВЫх = 1,4 В <3 1/U, мВ (/ах =20 мВ; /вых = 1,6 мА С 400 £/вых» мВ 1/вх=—20 мВ; /вых=0,1 мА >2,4 /пот1» мА 4/вх=2О мВ <30 Лют2» мА {/вх=20 мВ <15 /вх ср> МкА 1/.ых = 1,4 В <2 Хп 1/.ых = 1,4 В >5-104 /звыкл» МКС 1/вых = 1...3 В <0,12 Серия KI400 К1400УН1 Усилитель низкой частоты с автоматической регулировкой выходного уровня. Конструктивно микросхема оформлена в корпусе типа 201.14-1. Назначение выводов: 1 — вход усилителя; 2 — регулировка коэффициента усиления; 3 — развязка стабилизатора опорного напряжения; 5 — общий ( —t/ип); 6 — выход регулирующего элемента; 7 —-развязка детектора АРУ; 9 — выход усилителя; 10—питание (+ Uh п) ; И — частотная коррекция; 12 — установка коэффициента усиления. Ц«п. В /пОТ4 МА ц.««, мВ С/ш ах> МКВ /срб. мс Ку U max К„ % 4±8:1 <1 >300‘ < 1.52 <25 >5500 <1 1 При мВ; [=6 кГц. 2 /=(0,02...20) кГц. Рис. 1.352. Принципиальная схема ИМС К1400УН1 10—2044 289 Серия 1401 Микросхемы предназначены для использования в различной радиоэлектронной аппаратуре. *un Рис. 1.353. Структурная схема ИМС 1401СА1, «И К1401СА1 1401 CAI, К1401СА1 Счетверенные компараторы напряжения, предназначенные для построения функциональных генераторов, использования в устройствах автоматики и другой радиоэлектронной аппаратуре. Конструктивно оформлены: 1401СА1 в корпусе 201.14-10, К1401СА1 в корпусе 2102.14-2. Назначение выводов: 1, 2, 13, 14 — выходы; 4, 6, 8, 10 — инвертирующие входы; 5, 7, 9, 11 — неинвертирующне входы; 3 — питание 12 i-zj, ( + С/„П); /2 — питание ( —U,„). Параметры Микросхема Режим измерения 1401СА1 KI401CA1 ц... в В П.-„ в lApiM, В (?«, кОм ияа, в 3...30 3...30 — Uc»t мВ ±5 ±5 5 — — — <15 С°вых, мВ <400 <400 <5 0 <1 — — /вх» нА <100 <250 <5 — — —— <15 A/BX, нА /пот, мА ±25 ±50 <5 — — — <15 <2 <2 <30 — — — — /вых, мА <6 <6 <5 0 <1 <1,4 — Ку и is max >50ХЮ3 <3 >50х Ю3 <3 >15 5 — — — 15 5 К1401УД1, 1401УД2, К1401УД2,А,Б Счетверенные операционные усилители. Кенструктивно оформлены: 1401УД2 в корпусе 201.14-10; 1401УД1 и К1401УД2А.Б в корпусе 201.14-8. Назначение выводов: 1, 7, 8, 14 — выходы; 3, 5, 10, 12 — неинвертирующие входы; 2, 6, 9, 1 — инвертирующие входы; 4 — питание ( — £7И п); // — питание ( + //„„). 290 Параметры Микросхемы Режим 1401 УД 2 К1401УД1 К1401УД2А К1401УД2Б 1/„„, В + (ЗВ... 15±10% ±15 В± - - .„+30 В) ±10% ±1,5 В... ...±16,5 В) Пса, мВ ±5 — ±5 ±7,5 2 Utmnal, В <12 <12,5 ±12 <3 2 нА <150 < 1502 <150 <150 2 /пот, мА <0,7...3 <8,5 <0,7...3 <2 2 Д/м, нА <30 (100) <30 <60 2 (Лвх, кОм) Ауу >50000 >20002 >50000 > 25 000 2 Аоссф, дБ >70 _ >70 >70 — ау„, <30 — <30 <30 2 мкВ/°С — — 5 f, МГц — 2,5 — — 5 УВ/мкс — >0,5 — — 5 1 При питании от однополярного источника. 2 При /?и = 5 кОм. Рис. 1.354. Структурная схема ИМС К1401УД1, 1401УД2, К1401УД2А.Б К1401УДЗ Счетверенный операционный усилитель, предназначенный для работы в устройствах автоматики, измерительной техники и других устройств радиоэлектронной аппаратуры. Конструктивно микросхема оформлена в прямоугольном стеклокерамическом корпусе 2103.1&-3. Назначение выводов: 2, 3, 6, 5, И, 12, 14, 15 — входы; 4 — питание (+£/«.); 1, 7, 10, 16 — выходы; 9 — смещение канала 3; 8 — смещение каналов 1 2, 4, 13 — питание ( — U„„). 291 Параметры Значение параметра Режим измерения и„. в £/,♦, в и,»,, в /си, мкА Ra, кОм Уип, В ±16,5 — — — — — Ucm, мВ ±6 — — — 10 10 U вахтах. В ±12 0,1 — — 10 10 нА <250* — — 0 10 10 /пот, мА <2,52 — — — 10 — К? и >50 000 — — 10 10 10 Аоссф, дБ >70 — ±10 — 10 10 1 Для каждого инвертирующего и неиивертирующего входа. 2 На четыре канала. Рис. 1.355. Структурная схема ИМС 1401УДЗ Серии 1407, КР1407 1407УД1А,~1407УД1Б, КР1407УД1 Малошумящие широкополосные операционные усилители. Микросхемы 1407УД1А.Б конструктивно оформлены в корпусе типа 301.8-2, а микросхемы КР1407УД1 в корпус типа 2101.8-1. Назначение выводов (в скобках указано для КР1407УД1): 1(8) —ток управления; 2(1) —баланс; 3(2) —вход инвертирующий; 4(3)—вход неинвертирующий; 5(4) — питание ( — Укп); 6(5) — баланс; 7(6) — выход; 8(7)— питание ( + ^ип)-292 Параметры Режим измерения 1407УД1А 1407УД1Б КР1407УД1 t/и ni, В 5±0,5 5 ±0,5 5±о,5 17«п2, В —— -54:0,5 -5 ±0,5 5 4-0,5 /пот» мА — <8 <6 <8 /вх, мкА — <10 <10 <10 Д/вх, мкА <2 <2 <2 Uвых /ПАХ» В =2'кОм +3.4-2) +3.,(-2) +3...(-2) Ucmi мВ —— <6 <3 <10 Яг=500 0м; f = <5 <5 <5 иВ/^Г? 10 кГц Ку и При f< 1 кГц; >10 000 >10 000 >10 000 £/вых=±1 В При /=6 МГц; >100 >50 — 1/,х=3 мВ При f—2 МГц; — —- >100 1/Вх = 3 мВ Кос сф» дБ- >72 >72 >70 В/мкс >25 >25 <10 Рис. 1.356. Принципиальная схема (а) и схема включения ИМС 1407УД1, КР1407УД1 в качестве интегрирующего усилителя (б) Рис. 1.357. Схема электронного выключения усилителя иа ИМС 1407УД1 293 вход Выход —о =4=w 2,2-ЗОпФ Рис. 1.358. Схема балансировки ИМС 1407УД1 КР1407УД2 Программируемый малошумящий операционный усилитель. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 2101.8-1. Назначение выводов: 1 — коррекция (баланс); 2 — вход инвертирующий; 3 — вход неинвертирующий; 4 — питание ( — иИ.а); 5 — коррекция (баланс); 6 — вход; 7 — питание ( + 17Ип); 8 — ток управления. У..1, В U.„, В нА ыкА Д/вх. мкА 1/.»., В F МГц Ку и /Сое еф. дБ В/мкс 12±1,2 —12± 0,1 <0,15 <0,05 ±10 >3 >5ХЮ4 >70 >0,5 ±1,2 Примечание. Параметры приводятся для 7?„=100 кОм; 7упр ~~ 4 мкА. Рис. 1.359. Принципиальная схема ИМС КР1407УД2 1407УДЗ Малошумящий широкополосный операционный усилитель. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 301.8-2. Назначение выводов: 1—ток управления; 2 — баланс; 3 — вход инвертирующий; 4 — вход неинвертирующий; 5 — питание ( — £/Яп); 6 — баланс; 7—выход; 8—питание (Ч-С/нп). 294 Рис. 1.360. Принципиальная схема (а) и схема балансировки (б) ИМС 1407УДЗ в и..г. В /пот» мА мкА Л/вх» мкА //вых тех, В //си» мВ К'уи Хосеф, ДБ vu.... В/мкс ±6‘ -61 <22 <5 <1 ±33 <5 10* >76 >5 Uanmin—±2 В; Uh птах—±12 В. 2 Этот и другие параметры указаны для /упр=60 мкА. 3 При /?н = 2 кОм. 4 При /<1 кГц; 1/ВЫх=±1 В- При f=0,2 МГц и 1/вых=0,3 В /Со =100. Серии 1408, КР1408 1408УД1, КР1408УД1 Высоковольтные операционные усилители. Конструктивно микросхемы 1408УД1 оформлены в корпусе типа 201.1440, а микросхемы КР1408УД1 —в корпусе 201.14-1. Назначение выводов: 3 — балансировка; 4 — вход инвертирующий; 5 — вход неинвертирующий; 6 — питание (— ия пг); 9 — балансировка; 10— выход; 11 — питание ( + t/Hni); 12 — контрольный. Микросхема U к П 1, В //и п2» В мА Uвык тех» В мВ //вх сф max /„, нА Д/вх. иА 1408УД1 27 ±2,7 — 27 ±2,7 <4 ±21 <5 23 <20 <3 КР1408УД1 27 ±2,7 -27 ±2,7 <5 ±19 <8 21 <40 <10 295 fcptt мГц К, и еф> ДБ В/max >0,8 >100 000’ >80 >2 >0,5 >70 0002 >70 >1,5 1 Прн 1/ВЫх= ±Ю В; /?„ = 10 кОм. 2 При £/вМх=±10 В; Яв = 100 кОм. Рис. 1.361. Принципиальная схема ИМС КР1408УД1 Рис. 1.362. Схема балансировки (а) и схема включения ИМС 1408УД1, КР14р8УД1 с одним источником питания (б) Серия К1409 К1409УД1А.Б Операционный усилитель. Конструктивно микросхема оформлена в корпусе типа 3101Ю.8-2.01. 296 Рис. 1.363. Принципиальная схейа ИМС К1409УД1А.Б Обозначение параметра Значение параметра Режим измерения К1409УД1А К14О9УД1Б и» Rn, кОм U* п!» В +15± 1,5 + 5 ±0,05 ___ £/ип2» В —15±1,5 0 — /пот» мА <6 <2,5 >10 t/aux/rta*» Bl не более — 14 + 0,3 0,1 ±0,002 2 ±0,02 ие менее 12 + 2,5 1/см, мВ <15 <15 —. 10 /вх» пА <50 <10 — 10 А/вх, пА <30 <7 — 10 Ку и >2х Ю4 >104 — 2 ±0,02 Серия 1413 1413УК1 Широкополосный дифференциальный усилитель с малым уровнем шумов и высоким .подавлением синфазного сигнала. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 301.8-2. Назначение выводов: 1, 2 — входы; 4 — питание (— t/ifn); 5, 6 — выход; 7 — питание (+ UK п). Рис. 1.364. Функциональная схема ИМС 1413УК1 1Л,„, в /пот, мА Ку и Rax, «Ом к?, % Кос сф« дБ П1«.мВ/Гц f., мГц — 9±0,9 40 50 0,9 ..1,3 5 54 14 20 1 При l/BX —1 мВ; Яи = 100 Ом; f=10 кГц. 2 При 1/вых=0,2 В; /?н=100 Ом; f=10 кГц. 3 При UBX сф = 100 мВ; —100 Ом; /=10 кГц. 4 При 1/вх = 1 мВ; /?н = 100 Ом; С„< 15 пФ. 297 ГИБРИДНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ Серия К224 Микросхемы предназначены для использования в радиовещательных приемниках, малогабаритных радиостанциях, телевизорах, магнитофонах, усилителях, измерительной и другой аппаратуре. Конструктивно оформлены в корпусе типа 115.9-1,422.12-1 (К224УН16, К224УН18, К224УНЗ) или типа 426.18-1 (К224УН17, К224УН19). К224АП Ждущий мультивибратор с переменным временем установления выходного напряжения. Назначение выводов микросхемы: 1 — вход; 2 — база; 3, 4 — подключение времязада-ющей емкости; 5 — коллектор; 6, 8 — питание (+ U„ п); 7 — общий (— ил.и); 9 — выход. 1,5...2 12±2,4 К224АГ2 Ждущий мультивибратор с постоянным временем установления выходного напряжения. Рис. 2.2. Принципиальная схема ИМС К224АГ2 и... в /цлтг мА fyet» МС U7t в и3, в 12±2,4 8 2 11 Ю;5 298 К224АГЗ Микросхема предназначена для использования в качестве формирователя импульсов. Рис. 2.3. Принципиальная схема ИМС К224АГЗ и,„ в /пот, мА и<, в t/б, в 1/т, в Ui, в 12±2,4 <50 >11,6 >11,6 >3,5... <5,5 >4... <6 К224ГГ1 Микросхема представляет собой универсальный мультивибратор. Рис. 2.4. Принципиальная схема ИМС К224ГГ1 Б /пот, мА V,, в 1я, таг Г, max Puoti мВт 9±1,8 <10 >7 95... 135 220...270 <100 К224ГГ2 Микросхема предназначена для использования в качестве генератора прямоугольных импульсов. Назначение выводов: 1, 2 — диоды; 3 — подключение емкости; 4 — база; 5 — питание (+ t/и.п); 6 — резистор; 7 — выход; 8 — общий (— £/„.„); 9 — коллектор. Рис. 2.5. Принципиальная схема ИМС К224ГГ2 и.., в /пот» мА t/э, В Ut, в Vi, в min max 12±2,4 <70 <0,2 >11 0,5—0,75 >11,6 299 К2ДС241, К2ДС242 Частотные детекторы, предназначенные для использования в УКВ-ЧМ приемниках. Рис. 2.6. Принципиальная схема ИМС К2ДС241 (а) и К2ДС242 (б) Рис. 2.7. Типовая схема включения ИМС К2ДС241 и К2ДС242 Параметры К2ДС241 К2ДС242 Диапазон рабочих частот, МГц Коэффициент передачи при Л» =20 кОм 6...20 5...20 >0,15 >0,15 К2ЖА241 Смеситель и гетеродин, предназначенные для использования в трактах УКВ-ЧМ сигналов. Смеситель собирается на транзисторе VI, гетеродин — иа транзисторе V2 по схеме генератора с емкостной обратной связью. Сигналы промежуточной частоты выделяются колебательным контуром, включаемым в коллекторную цепь транзистора VI. 300 Я1 RZ51 Рис. 2.8. Принципиальная схема ИМС К2ЖА241 (а) и типовая схема ее включения в преобразователе частоты (б) 1/«П, В /пот> мА Смеситель Гетеродин Рп,, мВт М МГц ft, МГц 3, мА/В ft, МГц МГц 4 3 10 ПО 71 6,5 120 30 Ом Knfa <150* >2* 1 На частоте 10 МГц. К2ЖА242 Смеситель и гетеродин, предназначенные для использования в трактах AM сигналов. Смеситель собирается на транзисторе VI, гетеродин — иа транзисторе V2. Сигналы промежуточной частоты выделяются колебательным контуром, включаемым в коллекторную цепь транзистора VI. <Г Рис. 2.9. Принципиальная схема ИМС К2ЖА242 (а) и типовая схема ее включения в преобразователе частоты (б) 301 Устройство U..,, в Уип2, В мА Sba, мА/B Г.. МГц МГц Яак, Ом мВт Смеситель 3,6.. .9 3 1,8 >18’ 0,15 30 >50 <402 Гетеродин 4 — 2 >14* 0,5 30 — — 1 На частоте 10 МГц. 2 Всей схемой. К2ЖА243 Детектор сигналов промежуточной частоты и усилитель напряжения АРУ, предназначенные для приемников AM сигналов. Детектирование сигнала осуществляется эмиттерным переходом транзистора VI и элементами /?3, j?4, Cl, С2. Коллекторный переход транзистора VI используется для детектора АРУ. Усилитель напряжения АРУ выполнен на транзисторе V2. Рис. 2.10. Принципиальная схема ИМС К2ЖА243 (а) и типовая схема ее включения (б) 1/ару, В Цип, В lam, мА Ом р„о„ мВт 1/.к = 1 В 1/„ = 0 3±0,15 1,2 >0,3* >5002 <3,5 1 1,8 10 1 При нагрузке 20 кОм. 2 На частоте 465 кГц. К2ЖА244 Усилитель-ограничитель, предназначенный для ограничения амплитуды сигналов при работе с частотным детектором блока цветности телевизоров. При использовании микросхемы в схемах детектирования выводы 6 и 7 соединяются. 302 Рис. 2.11. Принципиальная схема ИМС К2ЖА244 (а) и типовая схема ее включения (б) и... в /пот, мА f., МГц /в. МГц $ВА> мА/В КцрАЧХ, ДБ 12± 1,2 <10 3 6 >2* <3 1 На частоте 4,5 МГц. К2ЖА245 Усилитель АРУ, предназначенный для использования в системе автоматической регулировки усиления телевизоров. Напряжение АРУ вырабатывается при подаче на вывод 1 отрицательного сигнала с предварительного видеоусилителя, а на вывод 3 — отрицательных импульсов от трансформатора строчной развертки. Напряжение АРУ СКМ снимается с вывода 8, а напряжение АРУ УПЧИ — с вывода 9. сг гоничов +уи.а Рис. 2.12. Принципиальная схема ИМС К2ЖА245 fa) и типовая схема ее включения (б) и„. в /пот, мА Ку U, дБ Улрускм. В Уару УПЧИ, в мВт 24 ±2,4 <20 >30 2...Э 1...7 <500 303 К2ЖА246 Усилитель-ограничитель, предназначенный для использования в блоке цветности цветного телевизора. В качестве нагрузки используется £С-коитур. „ , вход t От каскада ——я- распознмаиия цвета -~-Ь-От регулятора —о-насыщенности. г Ct то Я/Ж ♦Ни г 6 тп о,огмк Uj=M 0,033т кг зэо Рис. 2.13. Принципиальная схема ИМС К2ЖА246 (а) и типовая схема ее включения (б) и,„ в /пот» мА М, МГц \ Ь, МГц $ВА, мА/В Рпот» мВт 12±1,2 <30 3 6 >500 <440 К2КТ241 Электронный ключ, предназначенный для разделения час-тотно-модулироваииых цветоразностных сигналов в блоке цветности телевизионных приемников. Рис. 2.14. Принципиальная схема ИМС К2КТ241 Ц»., В /лот» мА In, МГц f., МГц 12±1,2 <15 3 6 Ку и Клод, дБ t/ynp, В Рлот» мВт >0,8* >40 0..1.5 7... 12 <240 1 Для открытого ключа на частоте 4,5 МГц. 2 Коэффициент подавления соседнего канала закрытого ключа иа частоте 4,5 МГц. 304 К224НР1, К224НР2 Микросхемы представляют собой наборы резисторов. Рис. 2.15. Принципиальные схемы ИМС К224НР1 (а) и К224НР2 (б) Параметры К224НР1 К224НР2 Сопротивление, кОм: Минимальное максимальное Допустимый разброс сопротивлений, % 0,2 0,3 1,35 95 5 5 К224НТ1А, К224НТ1Б, К224НТ1В Микросхемы представляют собой набор транзисторов структуры типа п-р-п. Рис. 2.16. Принципиальная схема ИМС К224НТ1 Параметры Режим измерения К224НТ1А К224НТ1Б К224НТ1В Uкэ, Скв, В <15 <15 <15 /121Е Скэ=1 В 30 ..90 50... 150 70... 280 / к max, мА — 20 20 20 /кбо» мкА Скв=Ю В <0,5 <0,5 <0,5 /эбо, мкА Свэ=3,5 В <1 <1 <1 UКЭ нас» В — <0,7 <0,7 <0,7 /1219 1/кэ = 2 В; f= 100 МГц <3 <3 <3 Сэ, пФ f=10 МГц <6 <6 <6 Ск, пФ — <5 <5 <5 ичб Ск, нс Скэ = 2 В; f= 10 МГц 100 100 100 Кш, дБ Скэ = 2 В <6 <6 <6 К224ПН1 Микросхема используется в качестве преобразователя напряжения. 305 Рис. 2.17. Принципиальная схема ИМС К224ПН1 и.п. в /пот» мА Рпот» мВт Д(/1>, мВ 3,4 ±0,34 <35 <130 <100 1 Приращение входного напряжения, при котором уровни вы- ходного напряжения получают противоположное значение. К2ПП241 Стабилизатор напряжения. Предназначен для стабилизации напряжения базовых цепей транзисторов. Напряжение стабилизации определяется внешними опорными элементами, включаемыми между выводами / и 3 микросхемы. Рис. 2.18. Принципиальная схема ИМС К2ПП241 (а) и типовая схема ее включения (б) в /к тахг мА t/стаб» В Ко, Рвот» мВт 5,4... 12 <5 3,3...3,9 >5 20 306 К224САЗ Амплитудная схема сравнения. Назначение выводов микросхемы: 3 — общий ( —Уи.п); 4, 7 — подключение время-задающего конденсатора (вывод 7 через внешний резистор сопротивлением 240 кОм подключается к 6 — питание (+ (7и.п); 9 — выход. Рис. 2.19. Принципиальная схема ИМС К224САЗ и... в /пот, мА ut, в и,, в и,, в Ur, В min max min max 12 <20 <0,35 >9 >0,5 <0,5 >11,6 >11 К2СА241 Амплитудный селектор, предназначенный для выделения из полного видеосигнала синхронизирующих импульсов строчной и кадровой разверток телевизионных приемников. Рис. 2.20. Принципиальная схема ИМС К2СА241 (а) и типовая схема ее включения (б) 307 и,„, в и. „2. В /вот» мА Р«от, мВт и,, В Умыхй. В С/«ых9» В 12±1,2 24±2,4 <30 <800 3...9 >8* >82 1 При (7ВХ=1 В; f=10 кГц; /вх=10 мкс. 2 При £/вх=3 В; f=10 кГц; /Вх = 10 мкс. Примечание. Сигналы, снимаемые с выводов 8 и 9, используются для АПЧиФ строчной развертки и формирования импульсов синхронизаций кадровой развертки. К224ТК1 Триггер ждущий с пороговым устройством. Назначение выводов микросхемы: 3 — вход; 4 — подача сигналов положительной обратной связи; 5 — выход 1; 6—общий (— ии п); 8 — выход 2; 9— питание (+ U„ п) . К224 ТП1 Микросхема используется в качестве триггера коммутирующих сигналов. Назначение выводов: 1 — вход 1; 2 — вход 2; 3—вход 3; 4 — выход 1; 5 — питание (+ U„ п); 6 — выход 2; 7 — вход 4; 8 — вход 5; 9 — общий (— UM 308 К2ТС241 Триггер универсальный, предназначенный для управления электронными ключами при коммутации сигналов цветности и цветовой синхронизации, автоматическом выключении канала цветности и т. д. Назначение выводов микросхемы: 1 — выход 2; 2 — вход 1; 3 — питание (4- £/«.„)-; 4 — выход 1; 5 — импульс кадровый; 6 -- импульс строк; 7 вход 2; 8 — общий; 9 — вывод. Рис. 2.23. Принципиальная схема ИМС 2ТС241 , ц.., в /пот» мА кГц 7., кГц /фр вых» МКС ит, в Ряот> мбт 12±1,2 <10 10 20 5 >5* 150 1 На 1-ми 4-м выводах микросхемы. При переходе триггера из одного устойчивого состояния в другое иа выводах 5 и 7 микросхемы изменяются напряжения от 4-1,7 до 4-0,3 В. К2УБ241 Предварительный видеоусилитель, предназначенный для использования в телевизионных приемниках. Рис. 2.24. Принципиальная схема ИМС К2УБ241 (а) и типовая схема ее включения 1/«», в /пот» мА Ь, Гц Ь, МГц Ку и КкрАЧХ. ДБ Рпот» М Вт 12±1,2 <15 25 6,5 >1,5' <10* <220 1 При 17ВХЭф=10 мВ; f—6,5 МГц; /?н=4,7 кОм. 309 К2УБ242 Предварительный видеоусилитель, предназначенный для использования в телевизионных приемниках. Рис. 2.25. Принципиальная схема ИМС К2УБ242 (а) и типовая схема ее включения (б) 6 и.л. в /вот> мА Гц МГц КуЛ дБ Peart мВт 12±1,2 <10 25 6,5 >2* <10* <200 1 При 17Вх.эф=100 мВ; f = 4,5 МГц. К224УН1 Усилитель низкой частоты со специальной частотной характеристикой. Назначение выводов микросхемы: 1, 3, 4, 5 — подключение цепей обратной связи; 2 — вход, 6 — общий ( —i/ип); 7 — выход; 8, 9 — питание ( + £/„„). 9±1,8 <20 >12* 6 3 ‘ При f= 100 Гц. 2 Спад частотной характеристики в диапазоне частот 300... 3400 Гц. 3 При f = 1000 Гц; £/В]1=0,8 В. 310 К224УН2 Усилитель низкой частоты со специальной частотной характеристикой. Рис. 2.27. Принципиальная схема ИМС К224УН2 и.„ в /пот> мА Ку и КнрАЧХ, ДБ Ui, в к„ % 9-4- lf 8 <20 >5' 8,9... 10,92 >2 <з3 1 При С7вхэф= 100 мВ; f= 1000 Гц; /?„ = 300 Ом. 2 При нагрузке на телефон ТГ-7м и /=300 Гц. На частоте 1000 Гц ХВрАчх=0 дБ, а на частоте 3,4 кГц Кир ачх= — 9,1... -11.1 дБ. 3 На частоте 1000 Гц. К224УНЗ Усилитель с подъемом частотной характеристики. Назначение выводов микросхемы: 1 — вход; 2 — вывод базы; 3 — общий; 4 — вывод резистора; 5 — питание (4-{7ип); 6—выход; 7 — вывод диода 1; 8 — вывод диода 1 и 2; 9 — вывод диода 2. Основные параметры приведены ниже1. 4 8 Рис. 2.28. Принципиальная схема ИМС К224УНЗ Н.П, В /«от» мА Ky.V u&t в «А. В Кп % 9± 1,8 <5 5 2,7...6,3 0,4...0,6 6 1 При /?„=3300 Ом; /=1000 Гц. 311 К224УН16 Усилитель низкой частоты. Назначение выводов микросхемы: 1 — вход; 2, 3, 6 — установка режима; 4 — питание ( — ияя); 8 — общий ( + !/„?»); 10 — выход; И — подключение цепи обратной связи. 1/... в з„, в Гц ft, кГц % Р.их, Вт R.UX, кОм — 30±3 <1* 50 20 <2,5* >42 300 1 При £/„„=—-27 В; /?„=8 Ом; /=1000 Гц; £7ВЫХ=5,65 В. 2 На частоте 1000 Гц. К224УН17 Микросхема предназначена для использования в качестве усилителя низкой частоты. Назначение выводов: 1 — под- 18 8 9 <7 Рис. 2.30. Принципиальная схема ИМС К224УН17 312 ключение - цепи обратной связи; 2, 4, 10 — корпуса; 3 — вход; 5, 7, 17 — питание ( — Ua.„); 8, 9 — установка режима; 12 — выход; 18 — питание (+ U„.a). t/„, в U.4, В S.,, в А. Гц А, кГц Кг, % Рт, Вт Кп, кОм 24 ±2,4 '—24 ±2,4 <0,8' 50 20 <1,52 >20 >10 1 При ий.„= ±21,6 В; /?„=4 Ом; /=1000 Гц; (7ВЫХ=9 В. 2 При £/,„== ±21,6 В; Яв=4 Ом; {= 1000 Гц; £/ВЫ1=6,3 В. К224УН18 Микросхема используется в качестве усилителя кадровой развертки. Назначение выводов: 1 — вход 1; 2, 9, 12 — установка режима; 4 — подключение цепи обратной связи; 5 — вход 2; 7 —выход 2; 8 — корпус ( — Ua.n); 10 — выход 1; 11 — питание (+ UK.n). Рис. 2.31. Принципиальная схема ИМС К224УН18 и... в А Гц /откл» А Йбрх, мс и А> В Я.» кОм 12± 1,2 50 >0,4 <1 >25 >5 1 Ток отклонения. 2 Длительность обратного хода. 3 Амплитуда гасящих импульсов. К224УН19 Микросхема служит усилителем кадровой развертки. Назначение выводов: 1 — подключение цепи обратной связи; 3 — вход; 4, 11, 14 — контрольные; 5, 6,9 — установка режима; 7 — общий; 8 — вход формирователя импульсов гашения; 10 — выход 2; 12 — питание ( + 13, 16, 18 — выход 1. 313 Рис. 2.32. Принципиальная схема ИМС К224УН19 и..,, в и, .2, В f. Гц /откл» А /»бр х» МС ^гас и А. В Rex. кОм 24 ±2,4 40 50 >1,1 <1 >100 <5 1 Ток отклонения при t/„ni = 21,6 В; t/„п2 = 40 В; пилообразном напряжении 2,2 В; частоте 50 Гц. 2 Длительность обратного хода. 3 Амплитуда гасящих импульсов. К224УП1 Микросхема предназначена для использования в качестве усилителя сигналов цветности. Рис. 2.33. Принципиальная схема ИМС К224УП1 12±1,2 11 4...6,5 7,5-9,3 314 Ку Ul Ку VI /?аж. КОМ КпрЛЧХ, дБ 12...201 202 <32 <з3 1 При f/^эф—0,5 В; /=4,3 МГц. ПрИ f^BX-эф — 50 мВ; /=4,3 МГц. 3 При 17^ = 0,28 В; /=3...6 МГц. Примечание. Значения параметров приведены при (7„„ = = 12 В; /?н1 = 1 кОм; Т?н2 = 5,1 кОм; L„ = 40 мкГ. К224УП2 Микросхема служит усилителем-ограничителем сигналов цветности. U..i, в /пот» мА J/S, В Uit мВ U2, мВ Когр7 Ку и Кир.ЛЧХ, дБ /?ВХ. кОм 12±1,2 <10 4,8...6,5 370...530 <55 <0,15 12...20 <32 >3 1 Коэффициент ограничения, измеренный при t/BXS$=84...420 мВ. 2 При 1/ВХЭф = 280 мВ; / = 3...6 мГц. Примечание. Значения параметров приведены при £?„ „ = = 12 В; £„ = 40 мкГ; 17вх.эф = 0,42 В; f=4,3 МГц. К224УПЗ Микросхема используется как видеоусилитель. Назначение выводов: / — вход; 2— общий; 3, 5, 6, 8, 10 — установка режима; 4 — контрольный; 7 — питание ( —t/„ni); 9 — регулировка усиления; 11 — питание (+ (7„ п2); 12 — выход. Рис. 2.35. Принципиальная схема ИМС К224УПЗ 315 1/.«. В //пп2> В /йот» мА Ку V 12±1,2 200±20 <22 f.. Гц мГц Д», кОм К» кОм У.„, В >3 >100 120 Рис. 2.36. Принципиальная схема ИМС К224УР1 К224УР1 Усилитель каскрдиый. 12±1,2 мВ (вывод 9) и.., в 40* 1 При (7вхэф=Ю мВ; /?н = 100 Ом; f=35 МГц. К224УР2 Усилитель промежуточной частоты звука. Основные параметры приведены ниже. О... В /пот» мА и,мг, в Вывод 4 Вывод 7 хВывод 9 Вывод 8 12±1,2 <15 6...13 9...13 2...8 0,022 1 При /?( = 100 Ом. 2 При U„ >Ф=0,2 мВ; f=6,5 МГц. 316 К224УРЗ Усилитель промежуточной частоты изображения в схеме АПЧГ телевизоров. Основные парамеФры приведены ниже. Вис. 2.38. Принципиальная схема ИМС К224УРЗ . в 7аот1> мА Ку у Кир-АЧХ. ДВ мА в 12±1,2 <25 50... 155 <5 <6 5..8 1 При /?я = 100 Ом; /=35 МГц; <7вх»ф=2 мВ. 2 Прн 7?Й=100 Ом; /=35...46 МГц; U,x эф = 2 мВ. К224УР4 Усилитель промежуточной частоты звука. Основные параметры аналогичны параметрам микросхемы К224УР2. Рис. 2.39. Принципиальная схема ИМС К224УР4 К2УС241 Каскодный усилитель, предназначенный для использования в УВЧ и УПЧ, а также в качестве буферных каскадов в генераторах высокой частоты. Вместо источника t/CM можно Рис. 2.40. Принципиальная схема ИМС К2УС241 (а) и пример ее использования в усилителе высокой частоты (б) 317 использовать сигналы АРУ (ввод 2 или 3). Путем изменения сопротивления нижнего плеча делителя с помощью соответствующей коммутации выводов 5, 6 и 7 расширяются пределы изменений напряжения источника питания 1/и.П1. Нагрузка усилителя, включаемая между выводами 8 и 9, может быть резонансной или апериодической. t/.., в v„, в /пот> мА мВт ЗВА. мА/В /х. Гц Г» МГц Аир АЧХ, дВ R.., Ом 5,4...1,2 3±0,15 <2‘ <202 >253 150 НО <124 >150* 1 При /?ц = 100 Ом; 4/цп=9 В; (/См==3 В. Если /?„=100 Ом, £/вп=12 В и 1/см = 0, то потребляемый ток составляет не более 4 мА. 2 При 1/яп = 9 В. Если £7Ип = 12 В, то РпотСбО мВт. 3 При £7Ип=5,4 В; (7СИ = 3 В; 47Вхэф = Ю мВ; (=10 МГц; Я„=100 Ом. 4 Прн £7яп = 9 В; 1/см=3 В; 1/ВХэф=Ю мВ; f=10 МГц; /?н = = 100 Ом. 5 При £/см=3 В; 1/Вхэф = 10 мВ; f= 10 МГц; /?в= 100 Ом. Примечание. При подаче регулирующего напряжения ((/ару) иа вывод 6 диапазон регулировки крутизны вольт-амперной характеристики усилителя составляет ие меиее 40 дБ. К2УС242 Универсальный усилитель, предназначенный для использования в приемниках с AM и ЧМ в качестве усилителя с резонансной и апериодической нагрузками, эмиттериого повторителя, смесителя или гетеродина. Смещение на базу транзистора подается через вывод 2. Вместо источника смещения (/св можно использовать напряжение АРУ. Рис. 2.41. Принципиальная схема ИМС К2УС242 (а) и пример ее использования в УПЧ (б) 318 и.п, в (/«. в 1 пот» мА Р пот» мВт SbA. мА/B /», кГц Л, МГц Кир ЛЧХ, дВ Ом 3,6...9 3±0,I5 <1,8* <15 >252'3 150 30 <I22'4 > 15O2'4 1 При (/,n = 9 В; /?„ = 100 Ом. 2 При (Лиф = 10 мВ; f = 10 МГц; /?„=100 Ом. 3 При (Л.п=3,6 В. 4 При 1/ип=9 В. К2УС243 Универсальный усилитель высокой и промежуточной частоты УКВ-ЧМ приемников. По функциональному назначению аналогичен микросхеме К2УС242. Основные электрические параметры и режим работы микросхемы К2УС243 такие же, как у К2УС242, за исключением частот /н и /в, которые у К2УС243 соответственно равны 10 и ПО МГц. Рис. 2.42. Принципиальная схема ИМС К2УС243 (а) и пример ее использования в усилителе (б) К2УС244 Предварительный усилитель низкой частоты. Рассчитан на использование согласующего трансформатора Тр для связи с усилителем мощности. Требуемый режим работы обеспечивается подачей на вывод 5 напряжения смещения посредством подключения к нему внешнего делителя. В /лот» мА Куц ГЦ ft, кГц кОм Кг. % 5,4...9 <6' > 1002 80 20 >2О2 <52 1 При (/„ п = 9 В. 2 При 1/ип = 9 В; (ЛхЭф=0,3; f—i кГц. 319 Рис. 2.43. Принципиальная схема ИМС К2УС244 (а) и пример ее использования в предварительном УНЧ (б) Приведенные параметры соответствуют режиму использования согласующего трансформатора с коэффициентом трансформации и=2..,3, ко вторичной обмотке которого подключен резистор /?н=200 Ом. К2УС245 Предварительный усилитель напряжения низкой частоты. Предназначен для совместной работы с бестрансформатор-ным усилителем мощности. Для уменьшения нелинейных искажений иа вывод 3 микросхемы с Выхода усилителя рекомендуется подавать сигнал отрицательной обратной связи по постоянному и переменному токам, а на вывод 8 — только по переменному току. Рис. 2.44. Принципиальная схема ИМС К2УС245 fa) и пример ее использования в предварительном УНЧ (б) t/in, в /пот» мА Ку U кОм f.. Гц Ь, кГц Кг. % Рпот» мВт 5,4... 12 <5* >150'2 > I51,3 80 20 <3М <80 1 При 1/ап = 9 В. 2 При £7ВЫХЭф = 2 В; f=l кГц. 3 При 1/ВЫХэф=1,2 В; f=l кГц. 320 К2УС246 Регулируемый усилитель, предиазначеииый для использования в трактах промежуточной частоты телевизионных приемников. V» П» В У ару, В Aron мА Р ПОТ» мВт 12± 1,2 5...8 <8* <100 Sba> mA/В 1., МГц 1., МГц Кир АЧХ. дБ >25Ь2 30 45 <Г2 1 При 7?в = 100 Ом. 2 При (7Вхлф= 1 мВ; f = 35 МГц. Примечание. При подаче регулирующего напряжения (£7ару) иа вывод 6 диапазон регулировки крутизны вольт-амперной характеристики усилителя составляет не менее 40 дБ. Рис. 2.45. Принципиальная схема ИМС К2УС246 К2УС247 Усилитель, предназначенный для использования в выходных каскадах УПЧ каналов изображения телевизионных приемников. U,., в /ооъ мА Sba. mA/В 12±1,2 <28* f., МГц f„ МГц К”РД^ЧХ’ мВт 30 45 <3'-2 <300 * При Я„ = 100 Ом. 2 При £/,х,ф = 10 мВ; f== =35 МГц. Рис. 2.46. Принципиальная схема ИМС К2УС247 К2УС248 Усилитель, предназначенный для использования в качестве УПЧ в каналах звукового сопровождения телевизионных приемников. Входной сигнал подается на вход первого каска- 11—2044 321 да (вывод 2) или на вход эмиттерного повторителя (вывод 3). Нагрузкой усилителя служит резонансный контур частотного детектора. Рис. 2.47. Принципиальная схема ИМС К2УС248 (а) и пример ее использования в УПЧ (б) о«„ в /пот» мА Рвот, мВт SBA, мА/B МГц f., МГц КврАЧХ, дБ 12±1,2 <15* <150 >1000'2 4 10 <312 1 При Ра= 100 Ом. 2 При У,х9ф = 0,2 мВ; ( = 6,5 МГц. К2УС249 Универсальный усилитель, предназначенный для использования в УПЧИ, УПЧЗ, видеоусилителях, устройствах декодирования и для согласования отдельных каскадов телевизионных приемников. И.., в /пот, мА $ВА. мА/В 12±1,2 <4' >201Л МГц f., МГц КнрЛЧх, дБ Рпот, мВт 0,3 30 <6 <50 Рис. 2.48. Принципиальная схема ИМС К2УС249 1 При Ra= 100 Ом. 2 При <7ВХЗф = Ю мВ; (= =6,5 МГц. К2УС2410 Усилитель, предназначенный для использования в выходных каскадах устройства задержки сигнала в блоке цветности. 322 Рис. 2.49. Принципиальная схема ИМС К2УС2410 (а) и типовая схема ее включения (б) Уип, В /пот» мА Рдот* мВт и А.. МГц А>. МГц Кир АЧХ. дБ 12±1,2 <15 <270 >10' 3 6 <6' 1 При (7Вхэф=10 мВ; ( = 4,5 МГц. К2УС2411 Матрица RGB канала цветности, предназначенная для выделения цветоразностного «зеленого» сигнала. «Синий» и «красный» цветоразностные сигналы подаются через разделительные конденсаторы на входы (выводы 3 и 6) микросхемы. «Зеленый» цветоразностный сигнал снимается с выходного эмиттерного повторителя (вывод 9). Рис. 2.50. Принципиальная схема ИМС К2УС2411 (а) и типовая схема ее включения (б) и... в /пот, мА 1., Гц f„ МГц Ку U, раз Рвот, мВт 12±1,2 <25‘ 0 2 >212 <440 1 При /?н = 1,5 кОм. 2 При (7ВХЭф = 0,5 В; (=10 МГц. 323 К2УС2412 Усилитель, предназначенный для использования в выходных каскадах устройства задержки сигнала блока цветности телевизионных приемников. Микросхема имеет два канала усиления с общим входом (вывод 4) и раздельными выходами (выводы 1 и 9). Рис. 2.51. Принципиальная схема ИМС К2УС2412 (а)н типовая схема ее включения (б) и.„, в /пот, мА Рпот, МВТ Ку с/ МГц 1., МГц Кяр АЧХ, дБ 12±1,2 <30' <610 >10‘2 3 6 <г2 1 При Rh= 1 кОм. 2 При У,хэф=Ю мВ; (=4,5 МГц. К2УС2413 Усилитель радиочастоты, выполненный по каскодной схеме и предназначенный для использования в трактах изображения телевизионных приемников. и,., в Ипот, мА д, МГц Л, МГц Sba, mA/в Кяр АЧХ, ДБ 12±1,2 <8* 30 45 > 25‘2 <1''2 1 При 7?и= 100 Ом. 2 При U Вхэф=10 мВ; ( = 35 МГц. 324 Рис. 2.52. Принципиальней схема ИМС К2УС2413 (а) и типовая схема ее включения (б) К2УС2414 Усилитель промежуточной частоты, предназначенный для использования в трактах звукового сопровождения телевизионных приемников. Рис. 2.53. Принципиальная схема ИМС К2УС2414 (а) и типовая схема ее включения (б) и.., в /дот» мА Рпот» мВт Sb А, мА/В f. МГц 1.. МГц КнрАЧХ. ДБ 12±1,2 <20' <150 >200012 4 10 <з1,2 1 При R„= 100 Ом. 2 При Увх эФ = 0,1 мВ; f=6,5 МГц. 325 Рис. 2.54. Принципиальная схема ИМС К2УС2415 К2УС2415 Микросхема используется в качестве усилителя низкой частоты. В Ку.и к„ % 9± 1,8 <220 >12’ <3 >50 1 На частоте 1 кГц. К224ХП1 Устройство опознавания. Назначение выводов микросхемы: 1 — вход кадрового синхроимпульса; 2 — выход первой схемы совпадения; 3 — вход цветоразностного сигнала В—К; 4 — вход 1 триггера; 5 — питание (4-6 — питание ( — 7 — выход триггера; 8 — выход второй схемы сов- падения; 9 — вход цветоразностного сигнала. Основные параметры приведены ниже. СЛыхв (С/вых?), В Uи в» В Лют» мА При С/Из=1,5 Н </„9=1,5 В (/„2 = 12 В При С/.хз=1,5 В При С/а*9«=1,5 В <0,5 12±2,4 <12,5 >9,5(8,5) Рис. 2.55. Принципиальная схема ИМС К224ХП1 Серия 226 Микросхемы предназначены для использования в различной радиоэлектронной аппаратуре для усиления сигналов низкой частоты. Конструктивно оформлены в корпусе типа 151.15-2. 32b 226УН1А, 226УН1Б, 226УН1В, 226УН2А, 226УН2Б, 226УН2В, 226УНЗА, 226УНЗБ, 226УН4А, 226УН4Б, 226УН5А, 226УН5Б, 226УН5В Микросхемы используются как усилители низкой частоты. Назначение выводов: 1— общий ( — U„.„h 4-(7„п2); 2, 14— подключение конденсатора (между вторым и третьим выводами подключается резистор); 3 — вход; 7—питание (—-^и.пг); 10 — питание ( + (7ИП1); 12 — выход; /5 — корпус. Параметры1 226УН1А.Б.В 226УН2 226УНЗ 226УН4 226УН5 17ипь В 17ип2, В + 12,6± 1,26 + 12,6± 1,26 +6±о,6 +6±0,6 + 12,6± 1,26 -6,3±0,63 — 6,3±0,63 —9±0,9 - 9±0,9 — 6,3±0,63 Рпот| max. 601 2 502 152 102 602 мВт Рпот2 max. 553 453 453 253 553 мВт Кг.и-. группа А 276...3244 27,6...32,4* 270...330s 9...1 Is 92...1084 группа Б 250...310* 25...314 270..,330s 9... IIs 80...1054 группа В 290...3504 29...35* — — 95...1204 Кг, % <56 <56 <57 8 <56 <56 мкВ: группа А <5 <5 <5 <5 <5 группа Б <12 <12 <12 < 12 <12 группа В <12 < 12 — — — /и. Гц 20 20 20 20 20 кГц 100 200 100 200 100 Явх, МОм >109 >109 >109 > 109 >109 Я.ых, Ом С,х, пФ Uilmax, В Ramin, КОМ < 1ОО10 * 12 <100*° <зоо10 <30010 < юо10 <20" <20" <20" <20" <20" + 3,5; -1 + 2; -1 +2; -1 +3,5; — 1 + 2; —1 3' 3 3 3 3 1 При температуре 25±10°С. 2 По цепи (7ИП|. 3 По цепи „2. 4 При f=l кГц; (7,ых = 1,5 В. 8 При )=1 кГц; ивЫх=2,5 В. 8 При /?„ = 3 кОм; £/Вых = 1,5 В. 7 При Я„=3 кОм; £Лшх = 1 В. 8 Приведенное ко входу напряжение шумов в полосе частот 20 Гц...20 кГц при входе, закороченном'емкостью 4700 пФ. 9 При С.,=20 пФ; / = 100 Гц; (7ВЫХ = 1 В. 10 При (7ВЫх = 0,03 В. " При 1ЛЫх = 1 В. 12 Плюс — для входного напряжения положительной полярности, минус — отрицательной полярности. 327 Рис. 2.56. Типовые схемы включения. 226УН1 (а) и 226УН2, 226УНЗ, 226УН4 н 225УН5 (б) Серии 228, К228 Микросхемы предназначены для аналоговой и аналого-цифровой радиоэлектронной аппаратуры. В них в качестве активных компонентов используются транзисторы типа 2Т307. Конструктивно оформлены в корпусе типа 151.15-2. 228КН1, К228КН1 Диодные ключи, предназначенные для использования в коммутаторах сигналов. При напряжениях 2,5 В на выводе 1 и 0,5 В на выводе 2 ключ открыт, а при 0,5 В на выводе 1 и 2,5 В на выводе 2 — ключ закрыт. Рис. 2.57. Принципиальная схема ИМС 228КН1, К228КН1 (а) и типовая схема ее включения (б) l/.nl. В 1/.US, В С/вых откр, В Хоткр -Хопср , дВ Квакр Рт„ мВт + 6,3±0,63 — 6,3±0,63 0,15...0,17 0,8± 0,1' 302 <100 1 При Р№ = 300 Ом. 2 На частоте 15 МГц. 328 228НК1, К228НК1 Комбинированные матрицы, предназначенные для использования в смесителях и детекторах. Их электрические параметры следующие: Относительный разброс прямого падения напряжения иа диодах при токе 1 мА, %, ие более ... 15 Сопротивление резисторов, кОм................2 ±10 % Мощвость резисторов', мВт....................5 Максимальный прямой ток каждого диода, мА, не более...............5 Относительный разброс номинальных сопротивлений резисторов, %, ие более................0,8 Рис. 2.58. Принципиальная схема 228НК1, К228НК1 228НЕ1, К228НЕ1 Наборы конденсаторов, используемых В качестве переходных или развязывающих. Основные их электрические параметры приведены ниже. Емкость каждого конденсатора, мкФ, ие меиее...................0,012 Рабочее напряжение иа конденсаторах, В, ие более............15 Тангенс угла потерь во всем рабочем диапазоне температур, ие более ............................0,035 Рис. 2.59. Принципиальная схема ИМС 228НЕ1, К228НЕ1 228ПП1, К228ПП1, 228ПП2, К228ПП2 Декодирующие преобразователи, предназначенные для получения весовых токов шестиразрядного двоичного кода. Основные их электрические параметры: Напряжение источника питания 228ПП1, К228ПП1, В...........................-6,3±10 % Напряжение источника питания 228ПП2, К228ПП2, В...........................Ч-6,3± 10 % 329 Потребляемая мощность, мВт, не более . . 50 Соотношение весовых токов1..............Л=/з±2%; /з=/з±2 %; /з= 1,93 ..2,17 mA; /7 = —2 /б ~~^ = -1/ =±/ -8* 16/з =-^(А + /|) Уровни сигналов управления, В: 0................................0,5 1 2,5 1 Цифровой индекс у тока обозначает номер разряда. Рис. 2.60. Принципиальные схемы ИМС 228ПП1, К228ПП1 (а) и 228ПП2, К228ПП2 (б) 228СА1, К228СА1 Схемы сравнения токов, предназначенные для использования в качестве компаратора токов, линейного усилителя тока, ограничителя сигналов, импульсного усилителя. Рис 2 61. Принципиальная схема ИМС 228СА1, К228СА1 (а) и типовая схема ее включения (б) 330 t/. .1. в и. »2. В t/вх ВОСТ, В Utux min, В С/выд тал, В Рпот, мВт 4"€,3zt:0,63 -6,3 ±0,63 1,3... 1,4 —0,5* 2 >2,72 <65 1 Уровень постоянного напряжения иа входе (вывод 5 микросхемы). 2 Ток срабатывания при изменения выходного напряжения от —0,4 В до +2,3 В составляет 20 мкА. 228УВ1, К228УВ1 Универсальные однокаскадные усилители, предназначенные для использования в усилителях с резонансной или апериодической нагрузкой, эмиттерных повторителях, смесителях и гетеродинах. Рис. 2.62. Принципиальная схема ИМС 228УВ1, К228УВ1 (а) и примеры ее использования: б — в апериодическом усилителе, в — в резонансном усилителе, г — в смесителе £/.,, н и..г. н Iоот, мА Зва, мА/В Rsxt Ом Явых, кОм Роот» мНт 7В, мА + 6,3± —6,3± 3.2...4 9,5...10,5’ >400? <502 <70 3.2...4 ±0,63 ±0,63 ' При £7ВХЭф=0,2 В; = 100 Ом, [=5 МГц. Если f=60 МГц, то Sba = 7,5 mA/В. Значения крутизны указаны для случая соединения вывода 5 микросхемы с землей через конденсатор. При подключении конденсатора к выводу 6 микросхемы крутизна уменьшается вдвое. 2 При [=60 МГц. 331 228УВ2, К228УВ2 Дифференциальные, усилители со стабилизатором тока, предназначенные для использования в регулируемых усилителях, смесителях, генераторах, преобразователях частоты. Рис. 2.63. Принципиальная схема ИМС 228УВ2, К228УВ2 (а) и примеры ее использования: б —усилитель с плавной регулировкой усиления; в — дифференциальный усилитель; г — смеситель в и. Л Н /нот» мА SbA, mA/В Квх. ОМ #»ых, кОм Paoit мВт + 6,3±0,63 -6,3±0,63 3,1...4,6 9,5... 10,5’ >4002 < 1002 <70 ' При f=5 МГц. Если f=60 МГц, Sba = 7,5 mA/В. Значения крутизны указаны для случая соединения вывода 4 микросхемы с землей через конденсатор. При подключении его к выводу 5 микросхемы крутизна уменьшается вдвое. Диапазон регулирования крутизны составляет ±50 дБ. При изменении регулирующего напряжения в пределах ±1,25 В диапазон регулировки крутизны составляет 40 дБ. 2 При f = 60 МГц. 228УВЗ, К228УВЗ Каскодные усилители, предназначенные для использования н усилителях с резонансной или апериодической нагрузкой. 332 Рис. 2.64. Принципиальная схема ИМС 228УВЗ, К228УВЗ (а) и типовая схема ее включения (б) У>>|, Н ^iT.n2i В Iлот, мА SBA, мА/В Ом Ruutt кОм Rttort м Вт + 6,3±0,63 -6,3±0,63 3...4.6 9,5...10,5' >4002 < 1002 <70 1 При <7вх.Эф=0,2 В; /?и = 100 Ом; f=5 МГц. Если /=60 МГц, то Sba = 7,5 mA/В. Значения крутизны указаны прн соединении вывода 5 микросхемы с землей через конденсатор. При подключении его к выводу 6 крутизна уменьшается вдвое. 4 При f=60 МГц. 228УВ4, К228УВ4 Балансные усилители, предназначенные для использования в усилителях параллельного баланса, смесителях и других устройствах. Рис. 2.65. Принципиальная схема ИМС 228УВ4, К228УВ4 (а) и пример ее использования в балансном усилителе (б) 333 4/..1. В и, „2, В /пот» мА Зва» мА/Н Ом Рвых» кОм Рвот, мВт + 6,3±0,63 -6,3±0,63 2...2.83 >5' >4002 <502 <85 ' При <7Вх.эф = 0,1 В; Я„= 100 Ом; f = 5 МГц. 2 При f=60 МГц. 3 Разбаланс выходных напряжений при С/ВХЭф=0,1 В; R„ = = 100 Ом; f = 5 МГц. Серия 235 Микросхемы предназначены для использования в КВ и УКВ радиоэлектронной аппаратуре. Конструктивно оформлены в корпусе типа «Акция». 235АП1 Формирователь импульсных сигналон, представляющий собой триггер Шмитта с выходным усилителем мощности. Назначение выводов микросхемы: 1 — вход спускового устройства; 2 — вход формирователя импульсов; 4 — корпус ( —{Ап); 5 — регулировка скважности; 6—питание (+ ия „); 8, 9 — подключение обратной снязи; 11 — выход. Рис. 2.66. Принципиальная схема ИМС 235АП1 (а) и примеры ее включения в пороговом спусковом устройстве с одним устойчивым состоянием и регулируемой величиной гистерезиса (б) и в формирователе импульсов с регулируемым порогом (в) и... в / поп мА кОм С^Срба МВ t/вых А. В fmait МГЦ RB, кОм 6,3±0,63 < 1,7' >52-5 <2252,3 >2,5 I4 >1 1 При £7вх = 300 мВ. 2 При fBX = 100 Гц. 3 При R„ = 1 кОм. 4 Максимальная частота запускания при £7вх = 320 мВ. 5 При <7Г—0,4 В. 334 235ДА1, 235ДА2 Детектор амплитудно-модулиронанных сигналов и АРУ с усилителем постоянного тока. Назначение вынодон микросхемы: / — вход ПЧ; 2 — открытый (потенциальный) нход; 3 — смещение; 4 — корпус (— U* п); 5 — вход УПТ; 6 — питание 7—выход АРУ; 8 — ввод задержки (выход УПТ); 9, 10 — вноды дополнительного конденсатора (для ИМС 235ДА1 вывод 9 — свободный); 11 — выход НЧ. Рис. 2.67. Принципиальные схемы ИМС 235ДА1 (а) и 235ДА2 (б) Рис. 2.68. Примеры использования ИМС 235ДА1 и 235ДА2 в качестве детектора AM сигналов и АРУ с УПТ (а) и детектора AM сигналов с постоянной времени, зависящей от емкости конденсатора С2 (6) Параметры1 Режим измерения Значения Уип, В 6,3 ±0,63 А»=5,11 кОм; {7вх = 18О мВ >0,42 Аару, дБ (7.x = 180 мВ >202 Я.х, кОм £7вх=5...10 мВ; f.x = l,6 МГц; Я» = = 5,11 кОм >3,5 Ui вых АРУ, В 1/вх = 50 мВ <0,82 (в АРУ, кГц Ян=5,11 кОм; (7вх = 180 мВ <3002 335 Параметры’ Режим -измерения Значения Кг, % /?„=5,11 кОм; 1/,х=180 мВ <52 t/вЫХ.АРУ т„, В 1/,х = 500 мВ >4 Кп.АРУ, дБ (7„ = 180...230 мВ; f»x=100 МГц; «=30 %; Fm = 1000 Гц >14 f., МГц £7,х = 18О мА; Яи=5,11 кОм; fm = = 1000 Гц; «=30% >1000 С„, пФ £7,х=5...1О мВ; /?и=5,11 кОм; f„x = = 1.6 МГц <20 Fl, кГц 1Л,х=180 мВ; /?ц=5,11 кОм; /„ = 10 МГц; «=30% >12 1 При температуре 25±5°С. 2 При <Лх = 1,6 МГц; /„=1000 Гц; «=30 %. 3 Начальное выходное напряжение АРУ. 4 Верхняя граничная частота модуляции. Примечание. Для ИМС 235ДА1 /и ару составляет < 300 кГ ц, а для 235ДА2 — < 30 кГц. 235ДС1 Частотный детектор с ограничителем. Коэффициент передачи усилителя ограничителя регулируется с помощью напряжения АРУ, подаваемого на вывод 5 микросхемы. Назна* чение выводов: 1 — вход; 2 — корпус (— ; 3 — выклю- чение ограничителя; 4, 1Q — подключение резонансного контура усилителя; 5 — напряжение АРУ резонансного усилителя; 6 — питание (-f- U„ „); 7 — выход резонансного усилителя; 8, 9 — подключение LC-контура в детекторе; 11 — выход детектора. +(/и.п 6 Рис. 2.69. Принципиальная схема ИМС 235ДС1 (а) и примеры ее использования в качестве регулируемого резонансного усилителя (б) и частотного детектора с ограничителем (в) 336 Параметры1 Режим измерения Значения в 6,3 ±0,63 /пот* мА — <3,52 /пот. АРУ, мкА (7.x = 100 мВ; fa,=1,6 МГц; Я„=10 кОм <100 *Snpox, мА/B Яи= 100 Ом >102 •Крег.АРУ, ДБ Г/,х = Ю...100 мВ; f,x=l,6 МГц; 7?и=10 кОм; /7ару=0...4 В >52 Уарузд, В Рое = 10 кОм 2,07...2,532 Я„х, кОм (7,х=5...1О мВ; fa=l,6 МГц >2 кОм Увмх=50...100 мВ; ^вх=1,6МГц >20 Свх, пФ U,x=5...1O мВ; fa = l,6 МГц <25 £вых> пФ Г',ых=5О...1ОО мВ; fBx ~ 1,6 МГц <12 t/выхотртвх» В /7вх=О,5 В; fa, = l,6 МГц; /?Ое= 10 кОм >2,5 fn, кГц <71ру, В Р„ = 0,1 кОм <100 U,x=1...100 мВ; fa = l,6 МГц; Ян = 10 кОм 2,25...2,75 £Ах пор» мВ //„ = 500 мВ; fa = l,6 МГц; Р.= = 100 Ом 60... 120 ' При температуре 25±5°С. 2 При £7Вх = 10 мВ; /в« = 1,6 МГц. 3 Крутизна проходной характеристики. На верхней частоте при /вх = 100МГц; £7,х = 10 мВ; Яое=100 0м; 5прОх>5 мА/В. 4 Напряжение АРУ, соответствующее глубине регулирования 40 дБ. 235КП1 Электронный коммутатор. Предназначен для коммутации трактов промежуточной или низкой частоты и многочастотных гетеродинов. Обеспечивает переключение одной цепи на три направления, и наоборот. Назначение выводов микросхемы: 1 — вход; 2 — подключение коммутатора; 3 — корпус (—-t/и.п); 5 — вход первого канала; 6 —- смещение (питание -j-i/ип); 7 — выход первого канала; 8— вход второго канала; 9 — выход второго канала; 10 — вход третьего канала; 11 — выход третьего канала. Переключение микросхемы осуществляется подачей на один нз управляющих выводов (5, 8 или 10) напряжения, которое уменьшает сопротивление р-п-перехода диодной матрицы. До подачи управляющего напряжения р-п-переходы смещены в обратном направлении напряжением, подаваемым на вывод 6. Рис. 2.70. Принципиальная схема ИМС 235КП1, 235КП2 337 Рис. 2.71. Примеры использования ИМС 235КШ и 235КП2 в качестве коммутатора ВЧ сигнала иа три линии (а) и коммутатора входной цепи с трансформатором иа три линии (б) и.,., в Iлот» мА КмТ.ОТИр» дБ Кмт.аакр. ДБ кГц 6,3 В 0,5’ <62 >342 <350 1 По цепи смещения; по цепи управления ие более 2,5 мА. 2 Коэффициент затухания между каналами не менее 34 дБ. 235 КП2 Электронный коммутатор, назначение, принципиальная схема и схемы включения которого аналогичны микросхеме 235КП1. Микросхемы 235К.П2 и 235К.П1 имеют одинаковые параметры, кроме нижней граничной частоты. У ИМС 235КП2 она ниже (75 кГц) вследствие увеличения емкостей внутренних конденсаторов. 235МП1, 235МП2 Кольцевые модуляторы. Назначение выводов микросхем: 1(3)—первый (второй) прямой емкостный вход-выход; 2(4) — пёрвый (второй) прямой С-вход-выход; 5(7) — первый (второй) поперечный вход-выход; 6 — вывод экрана; 8(10) — первый (второй) инверсный С-вход-выход; 9(11) — первый (второй) инверсный емкостный вход-выход. Рис. 2.72. Принципиальиаи схема ИМС 235МП1 (а) и типовая схема ее включения (6) 338 Кч.и Кпод.ВЧ, ДБ К.е, % Лм «> кОм Ra* mi кОм f..„ кГц Зд, мВ/град 0,2' 26' 10' >2,5 >3 10 >6,52 1 При £7вх.с== 1.6 В; С/„од=0,5 В; /мод=1 кГц; f,x — 200 кГц или при Lx =2,5 МГц; Ant/=O,1; Апод.вч=14 дБ; Аас=12 %. 5 В режиме фазового детектора. 235ПП1 Управляемый делитель напряжения, предназначенный для использования в системах АРУ. Регулируется путем изменения сопротивлений диодов, управляемых усилителем постоянного тока. Назначение выводов микросхемы; / — вход; 2, 7, 9, 10 — дополнительные; 3 — дополнительный вход; 4— корпус (— t/yn₽; — 6 — питание (-f-tA,.n); 8— до- полнительный вывод питания транзистора; 11 — выход. Основными электрическими параметрами1 являются следующие: Напряжение питания, В..........................6,3 ±0,63 Потребляемый ток цепи смещения, мА.........3,2' Потребляемый ток цепи управления, мА.........2,2' Начальное ослабление при £7упр = О,8 В, дБ . . . .8' Коэффициент ослабления, дБ....................46' ' При (Лх=200 мВ; fBX=0,5 МГц, /?„=2 кОм. Рис. 2.73. Принципиальная схема ИМС 235ПШ (а) и типовая схема ее включения (б) (перемычки между выводами 2—3, 9—10 устанавливают иа частоте выше 5 МГц) 235ПС1, 235ПС2 Микросхемы используются в качестве преобразователя частоты. Назначение выводов: 1 — сигнальный вход; 2 — корпус (— иИ.„); 3 — динамическая регулировка по сигнальному входу; 4, 5—гетеродинные входы; 6 — питание (+ С7и.п); 339 7 — выход собственного гетеродина; 8 — вход собственного гетеродина; 9 — дополнительный вывод цепи питания; 10(11) —выход первого (второго) канала ПЧ. 8 °+£/и.п J- g Рис. 2.74. Принципиальные схемы ИМС 235ПС1 (а), 235ПС2 (б) и примеры их использования в качестве преобразователя частоты с апериодической нагрузкой с выходом иа два независимых канала ПЧ (в) и преобразователя частоты с резонансной нагрузкой (г) Параметры1 /и. кГц Кпод* дБ Я». кОм С.х, пФ и.„ в , мА <S|>p6« мА/В Paoit мВт Сигнального входа 6002 Js 10 I4 254 Гетеродинного 6,3±0,63 4,5 4,5° 35 входа 502 10 1,5е 255 1 При температуре 25±5°С. 2 Для ИМС 235ПС1, 235ПС2 fBC<50 кГц; f,r<l кГц. 3 Коэффициент подавления частоты при Uail —10 мВ; fBX=l,6 МГц. 4 При £/вх=5...1О мВ; fBX = 10 МГц. 5 При (Угет —5...10 мВ; frBT=10 МГц? 6 Крутизна преобразования при 17вх=10 мВ; 17г=100 мВ; fBX = = 10 МГц; frBT = 8,4 МГц. Если (7вх = 10 мВ, 17г = 100 мВ, fBX = = 150 МГц, fr„= 148,4 МГц, то Snp«=2,5 мА/B. 235УВ1А, 235УВ1Б Усилители высокой частоты, позволяющие использовать систему АРУ для регулировки коэффициента усиления. На-340 значение выводов микросхем: 1 — вход усилителя; 2 — смещение по переменному току; 3 — корпус (— ия п); 4, 5 — изменение режима; 6 — питание (4-^ип); 7 — напряжение АРУ; 8, 11 — входы гетеродина; 9 — подключение нагрузки; 10 — подключение нагрузки (выход). Рис. 2.75. Принципиальная схема ИМС 235УВ1 (а) и примеры ее включения в усилителе ВЧ (б) и смесителе (в) Параметры1 Режим измерения 235УВ1А 235УВ1Б и„„, В — 6,3 ±0,63 6,3±0,63 /пот, мА — <1,8 <1,8 S„p„x, мА/B С,х=3 мВ; f= Ю МГц;/?„ = = 100 Ом >202 >202 Яш, дБ f=180 МГц; 7?н = 100Ом <7 <10 Крвг АРУ max (7аРУ = 4 В3 <46 <46 /?вх, Ом U»x = 5...1O мВ; f=10 МГц; 7?к=Ю0Ом >500 >500 /?вых, кОм ^=10МГц >30 >30 СВх, пФ f=10 МГц; /7вх = 5...1О мВ <25 <25 Рпот, мВт — <20 <20 СВЫх, пФ ^=10МГц <9 <9 ' При температуре 25±5 °C. 2 При f=170 МГц; Snpox = 8 мА/B. 3 Напряжение задержки АРУ составляет 1,4 В. 235УН4 Усилитель, представляющий собой дифференциальный каскад со стабилизатором тока и выходными эмиттерными 341 повторителями. Предназначен для использования в широкополосных дифференциальных усилителях, УНЧ, инверторах, парофазиых усилителях, симметричных ограничителях, электронных ключах и т. д. Назначение выводов микросхемы: 1,2 — входы 1 дифференциального усилителя; 3 — корпус ( — (/и.и); 4 — регулировка усиления; 5, 7 — выходы эмиттерных повторителей; 6 — питание (+ Ue.n); 8 — вход эмиттерного повторителя; 10, 11 — входы 2 дифференциального усилителя. Рис. 2.76. Принципиальная схема ИМС 235УН4 (а) и примеры ее включения в усилителях дифференциальном и парафазиом с эмиттерным повторителем (б) и», в /пог» мА Ky.U К„. % h, МГц !.. кГц Уых «гр» В /Сос.еф» ДВ 6,3±0,63 <3,3’ >16' <10* >42 <2,5 > 1,23 >40 кОм (/вхлор» мВ Pttett мВт Каат max, дБ >4' 70... 150’ <23 >344 1 При £7Вх = 10 мВ; fBX=10 кГц. 2 При (7.x = Ю мВ по уровню 3 дБ; по уровню 7 дБ fB>7,5 МГц. 3 При £7вх=5ОО мВ; fBX= 10 МГц. 4 Максимальное затухание в ключевом режиме при {Увх=10 мВ н частоте 7,5 МГц. На частотах 1 МГц и 10 кГц Кап ты составляет соответственно 60 н 80 дБ. 342 235УН5 Усилитель низкой частоты с парофазным выходным каскадом. Назначение выводов микросхемы: 1 — вход; 2 — дополнительный вывод; 3 — корпус (— Un п); 4 — изменение режима первого каскада; 5 — изменение режима второго каскада; 6—питание (4- иип); 7—выход первого каскада; 8, 9 — входы второго каскада; 10, 11 — выходы. Рис. 2.77. Принципиальная схема ИМС 235УН5 (а) и примеры ее использования в качестве микрофонного усилителя (б) и выходного усилителя НЧ малой мощности (в) и.,, в I пог. мА В I/:., «о *t в Кос. % 1„ кГц 6,3 ±0,63 <2,2' >1,63 >13 >400 <15' f», Гц R,x, кОм Рпот. мВт <25 ’ При f„x= 1 кГц. 2 По несимметричному выходу при {7вх=10 мВ. 3 При С/Вх=2 мВ; fBX=l кГц. 4 С парофазиого выхода при Хг = 5 %. 5 При С/вх = 2 мВ. Верхнюю граничную частоту можно регулировать с помощью конденсатора, подключаемого между выводом 8 микросхемы и корпусом. 235УН10 Усилитель, схема которого, назначение, области применения и способы включения аналогичны микросхеме 235УН4. Увеличение емкости используемых в микросхеме 235УН10 конденсаторов привело к уменьшению нижней граничной частоты до 300 Гц. Остальные электрические параметры такие же, как и у микросхемы 235УН4. 343 235УР2 Микросхема используется в качестве усилителя промежуточной частоты. Назначение выводов: 1 — вход; 2, 5 — регулировка усиления; 3 — корпус (— U„ „); 4 — дополнительный межкаскадный вывод; 6—питание (+ U„ и); 7 — питание второго каскада усилителя; 8 — выход второго каскада усилителя; 9 — дополнительный вывод цепи питания; 10 — вход эмиттерного повторителя; 11 — выход. Рис. 2.78. Принципиальная схема ИМС 235УР2 (а) и примеры ее использования в качестве апериодического (б) и резонансного (в) усилителей ПЧ l/.п, В / пот» мА <$npoxi мА/В дБ Я.х, кОм fa. кГц С», пФ 6,3 ±0,63 <2,5 >75’ >18' >з3 <250 <353 огр> В I мВт >1,5 <17,5 1 При 17вх=3 мВ; fBX= 1,6 МГц; /?«=100 Ом. Если /вх = 25 МГц, то 5пРох>25 мА/В. 2 Регулировка осуществляется путем изменения сопротивления внешнего резистора, подключаемого к выводам 1 и 5 микросхемы, от 0 до оо. 3 Прн (7вх=5...1О мВ; fBX = 1,6 МГц. 235УРЗ Микросхема служит усилителем промежуточной частоты с глубокой АРУ. Назначение выводов: 1, 2 — входы; 3 — кор- 344 пус ( —t/ип); 4— обратная связь; 5 — напряжение АРУ; 6 — питание (+ UK п); 7, 8 — смещение; 9 — дополнительный вывод цепи питания; 10, 11 — выходы. Рис. 2.79. Принципиальная схема ИМС 235УРЗ (а) и примеры ее использования в качестве апериодического (б) и резонансного (в) усилителей и усилителей с пьезокерамическим фильтром иа входе (г) Вход . 1-------Ji 4+"ип s Выход R1 1/... В /дот. мА 5ирах> МА/В Крег» ДБ l/дых огр. В 1/АРУ эд. в 6,3±0,63 <3,3 <70’ >862 >2,33 1.7...2.34 Я„, кОм Rsmx. кОм С,„ пФ Свих, пФ t/вх пор» В 1/ару. в f«. кГц >2,5 >10 <20 <10 3...9 2.07...2.53 <100 1 Прн 17вж=1 мВ; f = 1,6 МГц. Если /=25 МГц, 7?«=0,1 кОм, то Зпрох^ЗО мА/В. 2 При 17ару=0; t/,K=l мВ; f=l,6 МГц или при 17ару—4 В; 100 мВ; /=1,6 МГц. 3 При l/M=50i0 мВ; f = 1,6 МГц; Яое=10 кОм. 4 При и» =10 мВ; f = 1,6 МГц. 235УР7 Усилитель промежуточной частоты с АРУ и эмиттерным повторителем. Назначение выводов микросхемы: 1,2 — входы; 3 — корпус (— U„ „); 4 — напряжение АРУ; 5 — дополнительный вывод цепи питания; 6 — питание ( + {/„„); 7 — питание второго каскада; 8 — выход усилителя; 9 — питание выходного эмиттерного повторителя; 10 — вход змиттерного повторителя; 11 — выход эмиттерного повторителя. 345 Рис. 2.80. Принципиальная схема ИМС 235УР7 (а) и примеры ее использования в качестве резонансного (б) н апериодического (в) усилителей с эмнттерными повторителями Выход у.п, в 1 пот» мА <$проп мА/В Kptr mat» ДБ Uвмх огр matt В Улру ад. в 6,3 ±0,63 <3,5 >2,53 1,87.. 2,53 /?а11 кОм , кОм С.1, пФ Си., пФ пор, мВ /пот АРУ мА кГц >2’ &10 <20’ <15' >60‘ <0,Г <100 ’ При £7ох — 10 мВ; /=1,6 МГц. 2 При £Лх = 1 или 100 мВ; /?„ = 10 кОм. 3 При и,х=500 мВ; /»= 1,6 МГц. 4 Прн {7Вх = Ю0 мВ; /=1,6 МГц; /?„ = 100 Ом. 235УР8 Усилитель, схема которого, назначение, области применения и способы включения аналогичны микросхеме 235УР2. Увеличение емкости используемых в ИМС 235УР8 конденсаторов привело к снижению нижней граничной частоты до 75 кГц. Остальные электрические параметры такие же, как и у микросхемы 235УР2. 235УР9 Усилитель, схема которого, назначение, области применения н способы включения аналогичны микросхеме 235УРЗ. Увеличение емкости используемых в ИМС 235УР9 конденсаторов привело к снижению нижней граничной частоты до 346 100 кГц. Остальные электрические параметры такие же, как и у микросхемы 2Э5УРЗ. 235УР11 Усилитель, схема которого, назначение, области применения и способы включения аналогичны микросхеме 235УР7. Увеличение емкости используемых в ИМС 235УР11 конденсаторов привело к снижению граничной частоты до 75 кГц. Остальные электрические параметры такие же, как и у микросхемы 235УР7. 235ХА6 Универсальный каскад, предназначенный для использования в качестве УПЧ, УВЧ, смесителя, гетеродина, ограничителя, преобразователя или умножителя частоты и т. д. Назначение выводов микросхемы: 1(7) — вход первого (второго) каскада; 2(8) — выход первого (второго) каскада; 3 — корпус ( —Уип); 4, 5(10, 11) — преобразовательные выходы первого (второго) каскада; 6—питание (+ UK п); 9 — изменение режима второго каскада. Рис. 2.81. Принципиальная схема ИМС 235ХА6 Рис. 2.82. Примеры использования ИМС 235ХА6 в качестве преобразователя частоты с кварцевым гетеродином (а), кварцевого гетеродина с удвоением частоты (б), резонансного усилителя по схеме ОК—ОБ (в) и каскодного усилителя (г) 347 1/.«, в /вот> мА Snpoit мА/B Vаы> огр тех» /?ах, КОМ 6,3 ±0,63 >122 >0,53 >1,24 кОм С„, пФ С.„>, пФ /«, кГц >15* <154 <94 <5005 ' При <Vex = 10 мВ; /=10 МГц. 2 При (7,х=10 мВ; /==10 МГц; /?н = 100 Ом. Если /=/в = = 200 МГц, то 5прох>5 мА/B. 3 При £Лх = 500 мВ; /=10 МГц. 4 При /=10 МГц; С/Вх=5...1О мВ. 5 При 1/,х = 10 мВ; /?и = 100 Ом. Серия К237 Микросхемы предназначены для использования в радиовещательных приемниках, телевизорах н магнитофонах. Конструктивно оформлены в корпусе типа 302ПЛ14. К237ГС1 Генератор стирания-подмагннчнвання со стабилизатором напряжения. Предназначен для использования в устройствах магнитной записи. Рис. 2. 83. Принципиальная схема ИМС К237ГС1 Рис. 2.84. Типовая схема включения ИМС К237ГС1 348 1/. в, В С^выхствО» В / пот. мА /кэо, мкА нас. В Рвот. мВт 9+1 3,5...6,О' 25...31 152 0,1...0,5 <300 ' При соединении выводов 5 н 7. Если соединяются выводы 6 Н 7, 1/вых.стаб— 3,5...4,5 В, 3 еСЛН 4 Н 7, ТО 0^вих.стаб“~5,3...6 В. 2 Одного транзистора. 3 Для транзисторов Т1 и Т2. К237УН1 Усилитель, предназначенный для использования в качестве предварительного УНЧ бестрансформаторных усилителей мощности магнитофонов, радиоприемников и др. Рис. 2.85. Основная схема включения ИМС К237УН1 и.., в /о. мА в (Ах, мВ Кг, % /в, Гц кГц Рвот. мВт 9±*3. 4 <5 1,8’ Г5...30 0,3 603 103 <50 ' При выходной мощности оконечного каскада 0,5 Вт; /?„ = = 6,5 Ом. 2 При f=l кГц. 3 При неравномерности АЧХ fB составляет 6 дБ. К237УН2 Усилитель, предназначенный для использования в качестве предварительного УНЧ бестрансформаторных усилителей мощности. По схеме и принципу действия аналогичен микросхеме К237УН1. Прн работе с выходным каскадом обеспечивает в нагрузке /?„ = 3,9 Ом мощность не менее 3 Вт. 349 Рис. 2.86. Основная схема включения ИМС К237УН2 и... в 1/.«. мВ К,. % Гц кГц Рвот, мВт 12±Ь 25...30 I1 30 15 225 1 При f—1 кГц; (7,ых=3,5 В. К237УНЗ Микросхема предназначена для использования в усилителях записи и воспроизведения магнитофонов. Выводы 1,2,3, 11 и 12 микросхемы позволяют осуществлять необходимую коррекцию АЧХ усилителя. В режиме записи целесообразно совместное применение микросхемы К237УНЗ и оконечного усилителя Записи 237XA3, а при воспроизведении записи с УНЧ на микросхемах — К237УН1 или К237УН2. На Зыход УЗ ★к ,7к Линейный Выход B1S Микрофон Збухесним Линия 510к Рег уровня записи Юг» <?13 Уамей . На Вход УЗ Подъем НЧ(боспр) На Вход УМ Г Ре г | громкости ? 150 к 1,5к *5бк* . • Подъем ВЧ L (Вослр и запись) С=г В18 к УЗ '470 Устройство подъема ВЧ (боспр) Рис. 2.87. Основная схема включения ИМС К237УНЗ 350 У.„ в /пот» мА Ку и мкВ f„ Гц Л, кГц к,. % Рпот» мВт 5 ±0,5 <2,5 >1800’ 1,1 зо2 152 0,73 20 1 При 1/.„=100 мВ; f«=400 Гц. 2 При неравномерности АЧХ /« составляет 3 дБ. 3 При 1/вых=0,8 В; f=400 Гц. К237УН5 Усилитель промежуточной частоты, предназначенный для использования в ЧМ трактах радиоприемников и других устройствах. Форму АЧХ усилителя можно изменять путем подбора емкости конденсаторов С1...С5. Уменьшение уровня шумов достигается при включении £С-контура между вводами 9...11 микросхемы при разъединенных вводах 9 и 10. При выходном напряжении более 180 мВ усилитель работает с односторонней отсечкой. Если включить LC-контур между выводами 8 и 11, можно получить симметричную форму выходного напряжения с одновременным сужением полосы пропускания. Рис. 2.88. Типовая схема включения ИМС К237УН5 и» п. в Ку и J? Ou мА Ом мВт 6+1.S >=150* <3 >300 <50 1 При f=10,7 МГц; 1/вх = 1 мВ. К237ХА1 Усилитель высокой частоты с преобразователем, предназначенный для использования в приемниках AM сигналов. 351 Рис. 2.89. Основная схема включения ИМС К237ХА1 и... в /вот» мА Р„„, мВт и„, мВ Ку и К’». дВ К.. дБ 4...6,4 <3 <25 300.. ,450‘ 150...3002 <5 <64 1 На эквивалентном сопротивлении контура гетеродина R<x = =4 кОм (между выводами 5 и 8) на частоте 15 МГц. * При нагрузке смесителя иа эквивалентное сопротивление 10 кОм между выводами 10 и 12 на частоте сигнала 150 кГц. 3 Уменьшение усиления на частоте 15 МГц по отношению к усилению иа частоте 150 кГц. 4 На несущей частоте 150 кГц при включении режекторного фильтра. К237ХА2 Усилитель промежуточной частоты с детектором АРУ, предназначенный для использования в приемниках AM сигналов. 352 Рис. 2.90. Основная схема включения ИМС К237ХА2 и.„ в /пот, М А Лот, мВт С/1Х, мкВ А(/*ыхАет, ДВ к„ % Ом 4...6,4 <4 <25 12...251 <6 <з3 430... 1000 1 При f=465 кГц; /п = 0,3 и напряжении НЧ иа выходе детектора 30 мВ. 2 Изменение напряжения НЧ иа выходе детектора при изменении напряжения ВЧ иа входе усилителя ПЧ от 50 до 3000 мкВ. 3 На выходе детектора При /п=0,8; f=400 Гц; С/,х = 300 мкВ. K237XA3 Микросхема используется в качестве оконечного усилителя записи и усилителя с выпрямителем для индикатора уровня записи. Необходимая коррекция АЧХ осуществляется путем подключения внешних элементов. Рис. 2.91. Принципиальная схема ИМС K237XA3 12—2044 353 Рис. 2.92. Основная схема включения ИМС K237XA3 1/.Н, В /пот» мА /зал» мА f„ Гц кГц К,. % 5+о.з <4 0,3 4 О2 103 1 Ток записи при t/BX = 0,35 В; /=400 Гц. 2 Подъем нижних частот при основной схеме включения составляет 7 дБ. 3 Подъем верхних частот при основной схеме включения составляет 20 дБ, регулировка подъема верхних частот — 10 дБ. 4 Коэффициент нелинейных искажений по току при /зап=0,3 мА; /=400 Гц. К237ХА5 Усилитель высокой частоты с преобразователем, предназначенный для использования в приемниках УКВ диапазона. Эквивалентное сопротивление контура УВЧ, подключаемого к выводу 13 микросхемы, выбирается в зависимости от требуемого усиления, ориентировочное его значение — 300... 600 Ом. Эквивалентное сопротивление контура гетеродина, подключаемого к выводу 11 микросхемы, должно выбираться в пределах 180...250 Ом с учетом обеспечения нужной стабильности частоты. Эквивалентное сопротивление нагрузки смесителя должно составлять между выводами 8 и 9 микросхемы 2...10 кОм, исходя из необходимого усиления. 354 Рис. 2.93. Основная схема включения ИМС К237ХА5 £/« п» В /пот» мА Ку и t/гет» МВ Л, МГц Poor, мВт 6 ±0,6 <5,5 10...25' 120...180 108 <80 1 На частоте 10,7 МГц. Примечание. Германиевый диод VI применяется прн необходимости уменьшить влияние входного сигнала иа частоту гетеродина. К237ХА6 Усилитель промежуточной частоты и детектор ЧМ сигналов, предназначенный для использования в радиоприемниках и других устройствах. Контур L1C2, подключенный между выводами 4...10 микросхемы, обеспечивает симметричное и противофазное возбуждение нижней пары транзисторов детектора. Оптимальное согласование усилителя с детектором достигается путем частичного включения контура L1C2 во входную цепь детектора. Частотное детектирование имеет место в случае, если верхняя пара транзисторов детектора возбуждается сигналом, сдвинутым по фазе на 90° относительно сигнала в нижних транзисторах. Для получения необходимого опорного сдвига по фазе на резонансной частоте в схеме использованы контур L2C8 и конденсатор С5. Резонансные цепи детектора настраиваются на центральную промежуточную частоту, причем полоса про 355 пускания определяется прежде всего добротностью контура L2C8. Для уменьшения нелинейных искажений контур рекомендуется дополнительно шунтировать. Рис. 2.94. Основная схема включения ИМС К237ХА6 Ц«П, В ^пот, мА я.х, Ом Sjipe, мА/B К„ % Рп„, мВт 6±0,6 <6 >300 2...3.21 <2 <80 1 При Д/= ± 15 кГц. Серии 265, К265 Микросхемы предназначены для аналоговой н аналого-цифровой радиоэлектронной аппаратуры. Конструктивно оформлены в корпусе типа 151.15-4. 356 265КН1, К265КН1 Назначение, области применения, расположение выводов, способы включения и основные электрические параметры такие же, как у микросхем типа 228КН1, К228КН1. 265ПП1, К265ПП1, 265ПП2, К265ПП2 Назначение, области применения, расположение выводов, способы включения и основные электрические параметры такие же, как у микросхем типа 228ПП1, К228ПП1, 228ПП2, К228ПП2. 265УВ1, К265УВ1 Универсальные однокаскадные усилители. Предназначены для использования в усилителях с резонансной или апериодической нагрузкой в схемах с ОБ и ОЭ, эмиттерных повторителях, смесителях и гетеродинах. Рис. 2.95. Принципиальная схема ИМС 265УВ1, К265УВ1 (а) н схема их включения в апериодическом усилителе (б) Вход Рис. 2.96. Примеры использования ИМС 265УВ1, К265УВ1 в резонансном усилителе (а) н смесителе (б) 357 У.»., в и..», в /пот» мА SBA, мА/В /?вх. Ом Явых, кОм 6,3±0,63 -6,3±0,63 3,2...4,0 9,5...10,51 >4002 <50 Рпот» мВт /в. МГц <70 60 1 При f=5 МГц. Если f=60 МГц, то Sm = 7,5...1 1 мА/В. Значения крутизны указаны для случая соединения выводов 5 и 9 микросхемы. При соединении выводов 6 н 9 крутизна уменьшается вдвое. 2 При f=60 МГц. 265УВ2, К265УВ2 Дифференциальные усилители без стабилизатора тока. Предназначены для использования в регулируемых усилителях, смесителях, гетеродинах, преобразователях. Рис. 2.97. Принципиальная схема ИМС 265УВ2, К265УВ2 (а) и типовая схема ее включения (б) 1/..1, В 1/я п2| в Ипот» мА ЗвА, мА/В Явых, КОм Рпот, мВт 6,3 ±0,63 -6,3 ±0,63 2,4...3,6 >8* <10 <70 1 При f=5 МГц. Если f=60 МГц, то Sba>7 мА/В. 265УВЗ, К265УВЗ Каскодные усилители. Предназначены для использования в усилителях с резонансной или апериодической нагрузкой. 358 Рис. 2.98. Принципиальная схема ИМС 265УВЗ, К265УВЗ (а) и типовая схема ее включения (б) 1/..,. В V» ПЗ. В ^пот. мА Звл. мА/В Ом кОм МГц Р пот. мВт 6,3±0,63 — 6,3±0,63 3...4.6 9,5...10,5' 400 100 60 70 1 При /=5 МГц. Если f=60 МГц, то S = 7,5...12 мА/B. Значения крутизны указаны для случая соединения вводов 5 и 9. При соединении вводов 6 н 9 крутизна уменьшается вдвое. 265УВ4, К265УВ4 Балансные усилители. Предназначены для использования в усилителях параллельного баланса, смесителях й других устройствах. Микросхемы 265УВ4, К265УВ4 имеют такие же параметры, как и 228УВ4, К228УВ4. Рис. 2.99. Принципиальная схема ИМС 265УВ4, К265УВ4 fa) и пример ее использования в балансном усилителе (б) 359 265УВ5, К265УВ5 Схема, назначение, области применения, способы включения и основные электрические параметры аналогичны микросхемам 265УВ1, К265УВ1. Отличие состоит лишь в том, что для микросхем 265УВ5, К265УВ5 гарантировано выполнение условия Кш^5 дБ. 265УВ6, К265УВ6 Схема, назначение, области применения, способы включения и основные электрические параметры аналогичны микросхемам 265УВЗ, К265УВЗ. Отличие состоит в том, что для микросхем 265УВ6, К265УВ6 гарантировано выполнение условия дБ. 265УВ7, К265УВ7 Микросхемы представляют собой широкополосный усилитель. Рис. 2.100. Принципиальная схема ИМС 265УВ7, К265УВ7 (а) и типовая схема ее включения (б) t/.»., в U па, в /пог, мА Ку U КнрАЧХ, ДБ Рпп, мВт 12,6±1,2 —12,6±1,2 9...13 7,5... 11,5 <6‘ 206 1 Коэффициент неравномерности АЧХ в диапазоне частот 10...80 МГц. 265УД1, К265УД1 Дифференциальный усилитель без стабилизатора тока. 360 Рис. 2.101. Принципиальная схема ИМС 265УД1, К265УД1 н типовая схема ее включения ”%.n ffgblXl у8ых2 О,.„ В V* п2, В ЗвА. мА/В Ом Кое сф» ДБ Р„„, мВт + 6,3 ±0,63 -6,3 ±0,63 >10’ 100 >17 <50 1 При f=5 МГц. Если f = 60 МГц, то Sba>4 мА/В. Серии 284, К284 Микросхемы предназначены для использования в различной радиоэлектронной аппаратуре. Конструктивно оформлены в корпусе типа 151.15-4. 284КН1, К284КН1 Коммутаторы напряжения постоянного и переменного токов. Вход 1 Вход 2 Вход 3 Общий. — Выход 1 » -tr — уип — Рупр1 -S— Выход 2 if ^упр 2 -Z- Выход 3 JL-IU — ffynp3 Рис. 2.102. Функциональная схема ИМС К284КН1 (а) и принципиальная схема одного ключа (б) 361 Рис. 2.103. Зависимости времени включения и выключения ИМС К284КН1 от сопротивления (а), емкости нагрузки (б) и от напряжения источника питания (в) мА и,.,. в 1/„., в 1 кбм, мА нА Ом /к, МГц закр откр тт max —15±1,5 <12 0...0.35 2.3...2.5 —9 +10 <5 <10 <250 <1 284СС2А, 284СС2Б, К284СС2А, К284СС2Б Микросхемы содержат два сложных истоковых повторителя напряжения, инвертирующий усилитель, эмиттерный повторитель. Предназначены для активных /?С-фильтров, согласования сопротивлений, построения усилителей с высоким входным сопротивлением, автогенераторов и т. д. Рис. 2.104. Принципиальная схема ИМС 284СС2А.Б, Рис. 2 105. Использование ИМС 284СС2 в активных фильтрах нижних (а) и верхних (б) частот 362 Параметры Режим измерения Истоковые повторители Ииверти-рующий усилитель группы А группы Б £/nni, В £Л< п2» В Ку и Rix, МОм Сех, пФ Лвых, Ом ^вмх, В ^вых шах, В Кир АЧХ, дБ D3, дБ Рпот, мВт 4-6±0,6 +6±0,6 +6±0,6 — 6±0,6 —6±0,6 —6±0,6 f=40 Гц; ГОкр=—60... 85 °C >0,98 >0,98 >200 f=40 Гц >400 >400 >10 — <3 <3 —в — <75 <75 <350 £/.х==0 <-1 <-1 — f = l кГц; Кг=0,8 % 1 1 I2 f=1...200 кГц 0,5 0,5 0,52 ис/иш=з >86 >86 >802 — <100 <100 <100 1 При Лв=10 кОм; Си=40 пФ. 2 В режиме масштабного усиления с коэффициентом К= 1 в полосе частот 1 Гц... 100 кГц при Лн = 10 кОм, Сн=40 пФ. 3 Динамический диапазон. 284ПУ 1, К284ПУ1 Управляемые преобразователи уровня, представляющие собой функциональные узлы. Основным их назначением является реализация функции управляемого преобразователя уровня напряжения (ограничитель) или порогового устройства. Используется в системах автоматического регулирования и аналоговых вычислительных устройствах. Рис. 2.106. Принципиальная схема ИМС 284ПУ1 (а) и АЧХ усилителя К740УД1А.Б, используемого в ИМС Микросхемы включают усилитель, узел стабилитронов и диодный узел. Узел усилителя собран иа микросхеме К740УД1А, характеризуемой следующими параметрами. 363 и» п> в мкА Д/м, мкА t/см. мВ Ку У /Сое сф> дБ ЬУСМ/ДГ, мкВ/К ±15 <1,5 <0,5 < 7,5 12 000...80 000 >65 6 /?вх, кОм </сф вх тах> В U ах так, В >50 Узел стабилитронов содержит два встречно включенных стабилитрона 2С210К (2С211 К), имеющих приведенные ниже параметры. Стабилитрон и„, в f ст. Ом /ст тах> мА 2С210К 9,5... 10,5 220 2 2С211К 10,45... 11,55 220 1,8 Диодный узел содержит два сдвоенных n-канальных полевых транзистора типа КП202Г, включенных как диоды. Назначение выводов микросхем: 1 — цепь управления 1; 2 — цепь управления 2; 3 — подключение отрицательного источника управляющего тока ( — 7уПрз); 4— подключение отрицательного источника управляющего напряжения ( —t/ynpa); 5— обратная связь (режим ограничителя); 6 — подключение положительного источника питания ( + U„ щ); 7 — выход ОУ; 8 — подключение отрицательного источника питания (— ия п2); 9 — дополнительный инвертирующий вход ОУ; 10 — инвертирующий вход ОУ; 11 — неинвертирующий вход ОУ; 12 — дополнительный неинвертирующий вход ОУ; 13 — подключение положительного источника управляющего напряжения ( + £/ynpi); 14— подключение положительного источника управляющего тока (/ynpi); 15— корпус микросхемы. Основными электрическими параметрами микросхем 284ПУ1, К284ПУ1 являются: 1/..,, в Utt п2. В t/ynpl. В i/ynp2, В /.X, мА 'ж не менее гр, В не более + 15± 1,5 — 15± 1,5 <±15 <1-151 <1 <1 ±0,97 ±1,03 > I ± 101 <1±50| <|±6|' ’ Режим порогового устройства. 364 К284УД1А, К284УД1Б, К284УД1В Дифференциальные .операционные усилители с входным каскадом на подобранной паре полевых транзисторов. Предназначены для использования в медицинской, биологической, вычислительной и измерительной технике, автоматике, телемеханике. Микросхемы выдерживают длительное короткое замыкание. Рис. 2.107. Принципиальная схема ИМС К284УД1А,Б,В (а) и ее амплитудная характеристика (б) Рис. 2.108. Частотные характеристики при различных значениях корректирующей емкости (а) и элементов цепи ОС (б) ИМС К284УД1 Параметры К284УД1А К284УД1Б К284УД1В С7Ип1, В UanZi В 1 пот, мА Ку U UCM, мВ ДУсм/АГ, мкВ/К и'ш, мкВ Хосеф, дБ /пх, А + 9±0,9 - 9±0,9 2,5 >20-000 <10 <50 <6 >70 <10-9 + 9±0,9 - 9±0,9 2,5 >20 000 < 10 <50 <18 >70 <10“9 + 9±0,9 — 9±0,9 2,5 > 20 000 <10 < 100 < 18 >60 < 10“9 365 Параметры К284УД1А К284УД1В К284УД1В Ягп, МОм >5 >5 >5 /?вых, Ом <200 <200 <200 С/сф вх max* В >±5 >±5 >±5 t-^вмх max* В >5 >5 >5 f1, МГц 4 4 4 Рпот, мВт 45 45 45 1 Междупиковое напряжение шума в полосе частот 0,1...10 Гц. 2 При f=l кГц. На постоянном токе ЛВх=150 МОм. 284УД2, К284УД2 Дифференциальные операционные усилители с входным каскадом на подобранной паре полевых транзисторов, предназначенные для активных фильтров и различных усилителей систем автоматического управления средней точности. Рис. 2.109. Принципиальная схема ИМС К284УД2 (а) и типовая схема ее включения (б) и. П1. в £/»> В Ку и Uсм, мВ ДС/с./ЛГ, мВ/К Кас сф, ДБ /х, иА +6±0,6 —6±0,6 > 5000 <20 < 300 >40 <10 Яаых, Ом Л»х, МОм С/*ых max, В А/7. кГц D\ дБ Лот, мВт < 10' >200 >2 >51 2 3 * * >60 45 1 Низкоомиый выход. У высокоомного выхода Лвых = 300 кОм. 2 По уровню 3 дБ. 3 Динамический диапазон при £/с/1/ш=3. Примечание. Значения параметров приведены при Rn = = 10 кОм; С„ = 40 пФ. 366 284УЕ1А, 284УЕ1Б, К284УЕ1А, К284УЕ1Б Истоковые повторители напряжения, представляющие собой двухкаскадные усилители с общей 100 % последовательной обратной связью по напряжению. Предназначены для использования во входных каскадах усилителей, работающих от пьезо- и фотоемкостных датчиков, низкочастотных фильтров и времязадающих цепей. __________*1 з Рис. 2.110. Принципиальная схема ИМС К284УЕ1 (а) н основная схема ее включения (б) В V» п2, В Ку и иш, мкВ 1/.»„ В Свх, пФ Rat, МОм Р пот» мВт + 6±0,6 -6±0,6 >0,97 <10‘ >12 <12 >100 <18 ’ Для 284УЕ1А, К284УЕ1А в полосе частот 20 Гц...20 кГц; для 284УЕ1Б и К284УЕ1Б (7ш<20 мкВ. 2 При R„= 10 кОм; Хг<2 %. 284УН1А, 284УН1Б Микросхемы предназначены для использования в качестве малошумящего усилителя низкой частоты. Рис. 2 111. Принципиальная схема “O'*- ИМС К284УН1 1» 367 иг.ь в 14» ns. В Ку и t/ш норма НВ/^ГЦ Клич кОм + 12±1,2 —12±1,2 100 200’ 1 1 Для 284УН1А; для 284УН1Б 1/ш норм=500- иВ/-\/гц. ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ Серии 249, К249 Микросхемы предназначены для использования в качестве оптоэлектронных ключей в схемах импульсного управления тиристорами средней мощности, а также в качестве развязывающих элементов в радиоэлектронной аппаратуре. 249КН1А-Е, К249КН1А-Е Оптоэлектронные ключи-коммутаторы аналоговых сигналов. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 151.15-4. Рис. 3.1. Принципиальные схемы ИМС 249КН1А, К249КН1А, 249КН1Г, К249КН1Г Рис. 3.2. Принципиальные схемы ИМС: 249КН1Б.Д, К249КН1Б.Д (а) и 249КН1В.Е, К249КН1В.Е (б) Ukok, В и... в t/<JCTa ыВ /ут выХа нА /вкла МКС /в МКЛ а МКС Кош, Ом МОм Свр, ПФ <30 <3,5 <0,21 <502 <103 < 10’ <2004 >10005 <56 1 /„=20 мА; £/«Ом=0. 2 t/ком = 30 В; /„=0. 3 Для 249КН1А.Б.В и К249КН1А.Б.В: 1/к„„=30 В; /вх = 20 мА; /кои—0,5 мА. Для 249КН1Г,Д,Е и К249КН1Г,Д,Е: 1/КОм=30 В; /„ = 20 мА; /ком = 0,1 мА. 4 /„=20 мА, /Ком=0,5 мА для 249КН1А,Б,В и /„=20 мА, /ком = 0,1 мА для К249КНА,Б,В. 5 1/ЯЗмеР=100 В. ^измер—0. 368 249КП 1, К249КП1, К249КП2 Оптоэлектронные ключи: 249КП1 и К249КП1 — двухка-нальиые, К249КП2 — одноканальный. Конструктивно микросхемы оформлены в корпусе 401.14-4 (249КП1) и-401.14-1 (К249КП1, К249КП2). Назначение выводов: 2, 3; 9, 10 — входы; 4, 6, 11, 13 — выходы. Коммутируемое напряжение Un — (10...30) В. а * Рис. 3.3. Принципиальные схемы ИМС: К249КП1, 1 249КП1 (а) и К249КП2 (б) Микросхема В I'm мВ /утаых> ИА мкс /выкл» мкс МОм СпР, пФ 249КП 1 <1,5' <4002 <10003 /А/А ОО сл * г#4 СЧ V/V/ >500’ <5 К249КП1 <1.5’ <4002 <10003 <44 <85 <44 <255 >500’ <5 К249КП2 <1,5' <4002 с10003 С44 <85 <44 <255 >500’ <5 1 /„=10 мА. /Вх = 10 мА; /ком —2 мА. 3 1/ком = 30 В. 4 /„ = 10 мА; /„.= 10 В; //„ = 100 Ом; /„я=5 мкс; f=10 кГц. 5 /ком = 2 мА; /„= 10 мА; /?я = 1000 Ом; /„ и = 10 мкс; f=10 кГц. 6 £/„„ = 100 В. 249КПЗ Бесконтактный ключевой элемент. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 401.14-4. Назначение выводов: 3, 12 — вход; 5, 10 — выход. Рис. 3.4. Принципиальная схема ИМС 249КПЗ 369 U„, в /вх» мА 1/.С в /ут, мкА /вкл, МКС /выкл, МКС /?„3, мОм /удерж, мА < 1,6 <1,5 < 1,6* <202 <53 <504 <505 <15 ’ При /,ых =100 мА. При 1/выхзакр = 50 В. 3 При /7выхзакр = 50 В; /вых = 100 мА; /вх=50 мА. * При /7Выхзакр = 50 В; /Вмх==100 мА; СВвешн=Ю00 пФ. 5 При /7„зМСр = 500 В. К249КТ1А, К249КТ1Б, К249КТ1В Оптоэлектронные ключи переменного тока. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 401.14-4. Рис. 3.5. Принципиальная схема ИМС К249КТ1А,Б,В и„, в мА Уос, в I/.- В {/«э пик» В />«„ мА /уг вых, мкА 0,8... 1,8 15 <2’ >1500 >5500 < 15 <о,12 ’ При /Вых= ЮО мА. 2 Для К249КТ1А /7ВЫх захр = 50 В; К249КТ1Б t/вых эакр — 200 В; К249КТ1В //вых закр = 400 В. 249ЛП1А.Б.В; К249Л П1 А,Б,В,Г Оптоэлектронные переключатели-инверторы. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 401.14-3. Рис. 3.6. Принципиальная схема ИМС 249ЛП1А,Б,В, К249ЛП1А,Б,В,Г 370 и. „, в и», в /вх, мА /»х срб» мА 11. ИС /&, мОм Спр, пФ в в 249ЛП1А 5±0,5 1,1..1,5 <10 К249ЛП1А 5 ±0,25 249ЛП1Б 5 ±0,5 К249ЛП1Б 5±0,25 1,1...1,5 <10 249ЛП1В 5 ±0,5 К249ЛП1В 5±0,25 1,1...1,5 <10 К249ЛП1Г 5±0,25 1,1...1,5 <12 <5 <500 > 1000 <2 <0,3 >2,3 <8 <300 >1000 <2 <0,3 >2,3 <8 <1000 >1000 <2 <0,3 >2,3 <12 <1000 >1000 <2 <0,3 >2,3 1 Прн /вхи = Ю мА. 2 Прн С/нэмер — 100 В 3 При £/„„ = 5 В; /вх = Ю мА для 249ЛША,Б,В н U„a = 5,25 В; /вх=Ю мА для К249ЛП1А,Б,В,Г. 4 Прн (7Я.П=5 В; /вх=1 мА для 249ЛП1А,Б,В н С7ИП = 4,75 В; /вх = 1 мА для К249ЛП1А,Б,В,Г. 249ЛП4, 249ЛП5 Оптоэлектронные переключатели-инверторы. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 401.14-3. Назначение выводов: 6, 8 — вход; 2 — выход; 4 — питание (+ £7И.П); 11 — общий. Рис. 3.7. Структурная схема ИМС 249ЛП4, 249ЛП5 Микросхема и.„, в и„, в /я» мА (з, ИС Я»., мОм HU В (при мА) В (при мА) 249ЛП4 5±0,5 <1,7 15 < 10001 > 1000 <0,4 (15) >2,4 249ЛП5 5±0,5 <1,7 15 < 3002 >1000 <0,4 (0,25) (0,1) >2,4 (12) 1 При /вх.и = 20 мА. 2 При /ахв=15 мА; С„ = 40 пФ. Серия К262 К262КП1А.Б Оптоэлектронный ключ с усилителем. Конструктивно микросхема оформлена в корпусе типа 302.8-1. Назначение выводов: 1, 2 — вход; 3 — питание (+ Ua.n); 7 — общий ( —£/«.п); 8 — выход. 371 (/н.п, В 5 ±0,5 5±0,5 > — (/вх, В 0,8... 1,4 0,8...1,4 — — > — 10 (/2нх, в <0,3 <0,3 5,5 10 —. 1 (/Lx, в >2,3 >2,3 4,5 1 10 ^вкл» /выкл» НС 7?ИЗ, мОм, при <700 <350 5 10 1 10 >100 >100 — — — — (/«,„= 100 в Серия К293 К293ЛП1А.Б Оптоэлектронный переключатель-инвертор. Микросхемы конструктивно оформлены в корпусе типа 201.14-1. Назначение выводов: 1, 2 — входы; 4 — вывод; 7 — корпус (— ии п); 8 — выход; 14 — питание (+ (7И п) 372 Серия 415 415КТ1А.Б Оптоэлектронный ключ для управления тиристорами средней мощности, конструктивно микросхемы оформлены в корпусе типа 302.4-1. Рис. 3.10. Принципиальная схема ИМС 415КТА.Б Обозначение параметров Значение параметров Режим измерения и»,, в /х» мА а, мА /»х и» мА и„, в 0,7..-1,8 15 15 (/вмх.срб* В 6,5... 12 —- 15 — —— l/octf В <3,5 — — 200 ±200 — /вх.срб» мА <15 15 — —— —— /ут вмх> МКА <5 50-грА — — — 100-грБ — а—• — /уд ВЫХ» мА <15 —— 0 « — — /вмхсрб» мА <5 — 15 —— tti„ мкс <10 50 — 200 30 £выкл> МКС <140 50 — 50 /?из» Ом >108 £/изол = 500 В — — —— Спрох» пФ <10 — — — — СПИСОК ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, ПОМЕЩЕННЫХ В СПРАВОЧНИКЕ Условное обозначение ИМС Страница Условное обозначение ИМС Страница ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ 119УИ1 54 ИМС КР119УИ1 54 101КТ1А, Б, В, Г 37 119УН1 55 К101КТ1А,Б,В,Г 37 КРИ9УН1 55 КЮ1УТ1А.Б 38 119УН2 56 КИ8ТЛ1А,Б,В>Г,Д 39 КР119УН2 56 КИ8УД1А.Б.В 40 119УТ1 57 КН8УН1А,Б,В,Г,Д 41 КР119УТ1 57 К118УН2А.Б.В 43 К122ТЛ1А,Б,В,Г,Д 58 К118УП1А.Б.В.Г 45 122УД1А,Б,В 58 119АГ1 46 К122УД1А,Б,В 58 КРН9АГ1 46 122УН1А,Б,В,Г,Д 59 119ГГ1А,Б,В 47 К122УН1А,Б,В,Г,Д 59 КР119ГГ1 47 122УН2А.Б.В 59 119ДА1А.Б 47 К122УН2А,Б,В 59 КР119ДА1 47 К122УП1А,Б,В,Г 59 119КП1 48 123УН1 60 КР119КП1 48 КР123УН1 60 119МА1А.Б 49 124КТ1 62 КР119МА1 49 К124КТ1 62 119ПП1 50 140УД1 63 КР119ПП1 50 К140УД1 63 119СВ1А.Б 50 КР140УД1 66 КРП9СВ1 50 140УД2 66 119СС1А.Б 51 К140УД2А.Б 66 КР119СС1А.Б 51 140УД5А.Б 68 119СС2 52 К140УД5А.Б 68 КР119СС2 52 140УД6А.Б 71 119ТЛ1 53 К140УД6 71 КР119ТЛ1 53 140УД7 71 119УЕ1 54 К140УД7 71 КР119УЕ1 54 140УД8А.Б 73 374 Цродолжвнив Условное обозначение ИМС Страница Условное обозначение ИМС Стремит К140УД8А.Б.В 73 153УД1 104 140УД9 75 К153УД1 104 140УД10 76 153УД2 105 К140УД11 76 К153УД2 105 140УД12 77 153УДЗ 106 К140УД12 77 153УД4 107 140УД13 79 153УД5А.Б 108 140УД14А.Б.В 80 К153УД5 108 140УД17А.Б 80 153УД6 109 140УД20А.Б 81 154УД1 НО 140МА1А.Б 82 154УД2 ПО К140МА1 82 154УДЗА.Б ПО КР140МА1А 82 154УД4А.Б ПО 140ХА1 85 К157ДА1 112 К142НД1 86 К157УД1 112 К142НД2 86 К157УД2 114 К142НДЗ 86 К157УЛ1А.Б 115 К142НД4 86 К157УН1А.Б 116 К142НД5 86 К157УП1А.Б 117 142ЕН1А.Б 88 К157УП2А.Б 117 К142ЕН1А,Б,В,Г 88 К157ХА1А.Б 119 142ЕН2А.Б 88 К157ХА2 120 К142ЕН2А,Б,В,Г 88 К157ХП1 122 К142ЕНЗ 90 К157ХП2 123 К142ЕН4 90 К157ХПЗ 124 142ЕН5А.Б 92 159НТ1А,Б,В,Г,Д,Е,Ж 126 К142ЕН5А.Б.В.Г 92 К159НТ1А,Б,В,Г,Д,Е 126 142ЕН6А.Б 93 162КТ1А.Б 128 К142ЕН8А,Б,В,Г,Д,Е 93 К162КТ1 128 КР142ЕН8А,Б,В,Г,Д,Е 93 К167УН1 128 К142ЕН9А,Б,В,Г,Д,Е 95 К167УНЗ 128 142ЕП1 96 168КТ2А.Б.В 129 К142ЕП1А.Б 96 171УВ1А.Б 130 143КТ1 98 171УВ2 131 КР143КТ1 98 171УР1 132 148УН1 99 К174АФ1А 133 К148УН1 99 К174АФ4А 134 148УН2 101 К174АФ5 135 К148УН2 101 К174ГЛ1.1А 136 149КТ1А.Б.В 102 К174ГЛ2 137 К149КТ1А.Б.В 102 К174ГФ1 138 375 Продолжение Условное обозначение ИМС Страница Условное обозначение ИМС Страница К174КП1 138 К174ХА16 181 174ПС1 139 К174ХА17 184 К174ПС1 139 К174ХА19 187 К174УК1 140 К174ХА20 188 К174УНЗ 141 К174ХА26 191 К174УН4А.Б 141 175ДА1 192 К174УН5 142 К175ДА1 192 К174УН7 144 175УВ1А.Б 193 К174УН8 145 К175УВ1А.Б 193 К174УН9А.Б.В 146 175УВ2А.Б 194 К174УН10А.Б 147 К175УВ2А.Б 194 К174УН11 148 175УВЗА.Б 195 К174УН12 149 К175УВЗА.Б 195 К174УН13 150 175УВ4 196 К174УН14 151 К175УВ4 196 К174УН15 152 190КТ1 197 КФ174УН17 153 К190КТ1 197 К174УН18 154 190КТ2 197 К174УП1.1М 155 К190КТ2 197 174УП2 157 198УН1А,Б,В 198 К174УР1ДМ 157 К198УН1А,Б,В 198 К174УР2А.Б 159 КР198УН1А,Б,В 198 К174УРЗ 160 198УТ1А.Б 199 К174УР4 162 К198УТ1А,Б 199 К174УР5 163 КР198УТ1А.Б 199 К174УР7 164 198НТ1А.Б 200 К174УР10 165 К198НТ1А.Б 200 К174ХА1.1М 166 КР198НТ1А.Б 200 К174ХА2 167 198НТ2А.Б 200 К174ХАЗА.Б 168 К198НТ2А.Б 200 174ХА4 169 КР198НТ2А.Б 200 174ХА5 170 198НТЗ 200 К174ХА6 172 К198НТЗА.Б 200 174ХА7 173 КР198НТЗА.Б 200 174ХА8 174 К198НТ4А.Б 200 К174ХА9 175 КР198НТ4А.Б 200 К174ХА10 176 198НТ5А.Б 202 К174ХА11 177 К198НТ5А.Б 202 К174ХА12 178 КР198НТ5А.Б 202 К174ХА14 178 198НТ6А 202 К174ХА15 180 К198НТ6А.Б 202 376 Продолжение Условное Стра- Условное. Стра- обозначение ИМС кица обозначение ИМС Ннца КР198НТ6А.Б 202 542НД4 220 198НТ7А.Б 202 К542НД4 220 К198НТ7А.Б 202 542НД5 К542НД5 220 220 КР198НТ7А.Б 202 544УД1А,Б,В 220 198НТ8А.Б 202 К544УД1А,Б,В 220 К198НТ8А.Б 202 544УД2А.Б 222 КР198НТ8А.Б 202 К544УД2А.Б.В К547КП1 222 225 504УН1А,Б,В 203 К548УН1А.Б 226 К504УН1А,Б,В 203 К548УН2 228 504УН2А.Б.В 203 К548УНЗ 229 К504УН2А,Б,В 203 КФ548ХА1 230 504НТ1А,Б,В 204 КФ548ХА2 КМ551УД1А.Б 231 232 К504НТ1А.Б.В 204 КМ551УД2А.Б 233 504НТ2А,Б,В 204 К553УД1А.Б 234 К504НТ2А,Б,В 204 К553УД2 234 504НТЗА,Б,В 205 К554СА1 К554СА2 237 237 К504НТЗА.Б.В 205 К554САЗА.Б 237 504НТ4А,Б,В 205 574УД1А,Б,В 239 К504НТ4А,Б,В 205 КР574УД1А.Б.В 239 К513УЕ1А,Б,В 206 574УД2А,Б,В 240 515ХП1 207 КР574УД2А.Б 240 521СА1 208 597СА1 241 521СА2 209 КМ597СА1 241 521САЗ 209 КР597СА1 241 521СА4 210 597СА2 242 КР521СА4 210 КМ597СА2 242 521СА5 211 КР597СА2 242 522КН1А.Б 212 597САЗ 242 522КН2А.Б 213 КМ597САЗ 242 526ПС1 214 КР597САЗ 242 526УР1 214 К1003КН1А.Б 244 529УП1 215 К1003КН2А.Б 244 538УН1А.Б 216 КЮ03ПП1 245 К538УН2 216 КМ1003ПП2 245 КР538УН2 216 КЮОЗППЗ 248 К538УНЗ 218 КР1005ПС1 249 542НД1 219 КР1005ПЦ1 250 К542НД1 542НД2 К542НД2 219 219 219 КР1005ПЦ2 КР1005УЛ1А.Б 252 252 542НДЗ 219 КР1005ХА1 254 К542НДЗ 219 КРЮ05ХА2 255 377 Продолжение Условное обозначение ИМС Страница Условное обозначение ИМС Страница КРЮ05ХА4 256 ГИБРИДНЫЕ ИМС КР1005ХА5 258 К224АГ1 298 КР1005ХА6 261 К224АГ2 298 КР1005ХА7 262 К224АГЗ 299 КР1005ХА8А.Б 264 К224ГГ1 299 КР1006ВИ1 268 К224ГГ2 299 М1006ВИ1 270 К2ДС241 300 КЮ09ЕН1А,Б,В 271 К2ДС242 300 КР1021УР1 272 К2ЖА241 300 КР1021ХА2 273 К2ЖА242 301 КР1021ХАЗ 276 К2ЖА243 302 КР1021ХА4 276 К2ЖА244 302 КЮЗЗЕУ1 280 К2ЖА245 303 КН14ЕУ1 280 К2ЖА246 304 KI 109КН2 282 К2КТ241 304 К1109КТ1А.Б 283 К224НР1 305 К1109КТ2 284 К224НР2 305 KI 109КТ21 285 К224НТ1А 305 КН09КТ22 285 К224НТ1Б 305 К1109КТ23 285 К224НТ1В 305 К1109КТ24 285 К224ПН1 305 К1109КТ62 287 К2ПП241 306 КН09КТ63 287 К224САЗ 307 К1109КТ64 287 К2СА241 307 KI 109КТ65 287 К224ТК1 308 К1121СА1 288 К224ТП1 308 К1400УН1 289 К2ТС241 309 1401СА1 290 К2УБ241 309 К1401СА1 290 К2УБ242 310 К1401УД1 290 К224УН1 310 1401УД2 290 К224УН2 311 К1401УД2А.Б 290 К224УНЗ 311 К1401УДЗ 291 К224УН16 312 1407УД1А.Б 292 К224УН17 312 КР1407УД1 292 К224УН18 313 КР1407УД2 294 К224УН19 313 1407УДЗ 294 К224УП1 314 1408УД1 295 К224УП2 315 КР1408УД1 295 К224УПЗ 315 К1409УД1А.Б 296 К224УР1 316 1413УК1 297 К224УР2 316 378 Продолжение Условное обозначение ИМС Страница Условное обозначение ИМС Страница К224УРЗ 317 К228УВЗ 332 К224УР4 317 228УВ4 333 К2УС241 317 К228УВ4 333 К2УС242 318 235АП1 334 К2УС243 319 235ДА 1 335 К2УС244 319 235ДА2 335 К2УС245 320 235ДС1 336 К2УС246 321 235КП 1 337 К2УС247 321 235КП2 338 К2УС248 321 235МП1 338 К2УС249 322 235МП2 338 К2УС2410 322 235ПП1 339 К2УС2411 323 235ПС1 339 К2УС2412 324 235ПС2 339 К2УС2413 324 235УВ1А.Б 340 К2УС2414 325 235УН4 341 К2УС2415 326 235УН5 343 К224ХШ 326 235УН10 343 226УН1А.Б.В 327 235УР2 344 226УН2А,Б,В 327 235УРЗ 344 226УНЗА.Б 327 235УР7 345 226УН4А.Б 327 235УР8 346 226УН5А,Б,В 327 235УР9 346 228КН1 328 235УР11 347 К228КН1 328 235ХА6 347 228НК1 329 К237ГС1 348 К228НК1 329 К237УН1 349 228НЕ1 329 К237УН2 349 К228НЕ1 329 К237УНЗ 350 228ПП1 329 К237УН5 351 К228ПП1 329 К237ХА1 351 228ПП2 329 К237ХА2 352 К228ПП2 329 K237XA3 353 228СА1 330 К237ХА5 354 К228СА1 330 К237ХА6 355 228УВ1 331 265КН1 357 К228УВ1 331 К265КН1 357 228УВ2 332 265ПП1 357 К228УВ2 332 К265ПП1 357 228УВЗ 332 265ПП2 357 379 Продолжение Условное обозначение ИМС Страница Условное обозначение ИМС Страница К265ПП2 357 К284ПУ1 363 265УВ1 357 К284УД1А,Б,В 365 К265УД1 357 284УД2 366 265УВ2 358 К284УД2 366 К265УВ2 358 284УЕ1А.Б 367 265УВЗ 358 К284УЕ1А.Б 367 К265УВЗ 358 284УН1А.Б 367 265УВ4 359 249КН1А-Е 368 К265УВ4 359 К249КН1А-Е 368 265УВ5 360 249КП1 369 К265УВ5 360 К249КП1 369 265УВ6 360 К249КП2 369 К265УВ6 360 249КПЗ 369 265УВ7 360 К249КТ1А,Б.В 370 К265УВ7 360 249ЛП1А.Б.В 370 265УД1 360 К249ЛП1А,Б,В,Г 370 К265УД1 360 249ЛП4 371 284КН1 361 249ЛП5 371 К284КН1 361 К262КП1А.Б 371 284СС2А.Б 362 К293ЛП1А,Б 372 К284СС2А.Б 362 415КТ1А.Б 373 284ПУ1 363 СОДЕРЖАНИЕ Введение............................................3 Классификация и система условных обозначений интегральных микросхем..................................4 Корпуса интегральных микросхем................8 Рекомендации по применению и эксплуатации интегральных микросхем................................-30 Условные обозначения электрических параметров интегральных микросхем, помещенных в справочнике . . 31 Полупроводниковые интегральные микросхемы ... 37 Серии 101, КЮ1................................37 Серия К! 18...................................39 Серии 119, КР119..............................45 Серии 122, К122.......................... . 58 Серии 123, КР123..............................60 Серии 124, К124...............................62 Серин 140, К140, КР140.................... . 63 Серин 142, К142............................86 Серии 143, КР143...............................98 Серни 148, К148............................99 Серии 149, К149...........................102 Серии 153, К! 53...........................104 Серия 154................................... 110 Серия К 157...................................111 Серии 159, К159............................125 Серии 162, К162, КР162........................127 Серия К167....................................128 Серия 168.....................................129 Серия 171.....................................130 Серии 174, К! 74...........................133 Серии 175, К! 75...........................192 Серии 190, К190............................197 Серии 198, К198, КР198........................198 Серии 504, К504 .......................... 203 Серия К513....................................206 Серия 515.....................................207 Серии 521, КР521 ............................ 208 Серия 522 ............................. 212 Серия 526 ............................. 213 Серия 529.................................... 215 381 Серии 538, К538 ........................ 216 Серни 542, К542 ......................... 219 Серин 544, К544, КР544 .................. 220 Серия К547 ............................. 225 Серия К548 ............................. 226 Серия КФ548 .............................. 229 Серии КМ551 .............................. 232 Серия К553 234 Серия К554 237 Серни 574, КР574 ......................... 238 Сернн 597, КМ597, КР597 .................. 241 Серни К1003, КМ1003 ...................... 243 Серия КР1005 ............................. 249 Серии КР1006, М1006 ...................... 268 Серия К1009 .............................. 271 Серия КР1021 ............................. 272 Серии К1033, К! 114........................280 Серия К1109 .............................. 282 Серия К1121................................288 Серия К1400............................... 289 Сернн 1401 ............................... 290 Сернн 1407, КР1407 ....................... 292 Серин 1408, КР1408 ....................... 295 Серия 1409 ............................... 296 Серни 1413.................................297 Гибридные интегральные микросхемы.............298 Серия К224 ............................... 298 Серия 226................................. 326 Сернн 228, К228 .......................... 328 Серия 235 ................................ 334 Серия К237 ............................... 348 Сернн 265, К265 .......................... 356 Сернн 284, К284 .......................... 361 Оптоэлектронные интегральные микросхемы .... 368 Сернн 249, К249 .......................... 368 Серия К262 ............................... 371 Серия К293 ............................... 372 Серни 415..................................373 Список интегральных микросхем, помещенных в справочнике ....................................... 374 Булычев А. Л. и др. Б 90 Аналоговые интегральные схемы: Справоч-ник/А. Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко.— 2-е изд., перераб. и доп.—Мн.: Беларусь, 1993.—382 с.: черт. ISBN5-338-00858-0. Приведены система обозначений, электрические параметры, характе* ристики, принципиальные, структурные схемы и схемы включения иаи* более распространенных н перспективных аналоговых микросхем. Даны примеры практического использования многих ИМС в различных устрой* ствах РЭА. Первое издание вышло в 1985 году. Для специалистов, занимающихся разработкой, эксплуатацией и обслуживанием РЭА, радиолюбителей. 2302030700—019 Б------------------БЗ 136-92 ББК 32.844.1Я 2 М 301 (03)—93