ФЕДЕРАЛЬНАЯ ЦЕЛЕВАЯ ПРОГРАММА
'ГОСУДАРСТВЕННАЯ ПОДДЕРЖКА ИНТЕГРАЦИИ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ
И ФУНДАМЕНТАЛЬНОЙ НАУКИ НА 1997-2000 ГОДЫ"
Е. В. ВЛАДИМИРСКАЯ, В.Э. ГАСУМЯНЦ
В.И.ИЛЬИН, Т. Л. МАКАРОВА
РУССКО -АНГЛИЙСКИЙ
СЛОВАРЬ И ФРАЗЕОЛОГИЯ
НОВЫХ РАЗДЕЛОВ
ФИЗИКИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ФЕДЕРАЛЬНАЯ ЦЕЛЕВАЯ ПРОГРАММА
■ГОСУДАРСТВЕННАЯ ПОДДЕРЖКА ИНТЕГРАЦИИ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ
И ФУНДАМЕНТАЛЬНОЙ НАУКИ НА 1997-2000 ГОДЫ
Новые разделы физики полупроводников
Е. В. ВЛАДИМИРСКАЯ, В.Э. ГАСУМЯНЦ
В. И. ИЛЬИН, Т. Л МАКАРОВА
РУССКО-АНГЛИЙСКИЙ
СЛОВАРЬ И ФРАЗЕОЛОГИЯ
НОВЫХ РАЗДЕЛОВ
ФИЗИКИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Под общей редакцией
В, И, Ильина и А. Я. Шика
Рекомендовано Министерством образования Российской Федерации
для использования в учебном процессе
студентами высших учебных заведений,
обучающихся по направлению «Техническая физика»
8
Санкт-Петербург
"Наука"
2000

УДК 001.816.53 (075.8)
ББК 22.379 я2
Р88
Владимирская Е. В., Гасумянц В. Э., Ильин В. И.,
Макарова Т. Л. Русско-английский словарь и фразеология новых разделов физики
полупроводников. СПб.: Наука, 2000. — 108 с. (Серия учебных пособий «Новые
разделы физики полупроводников»).
ISBN 5-02-026137-8
Пособие предназначено студентам, изучающим английский язык как
дисциплину гуманитарного цикла, и студентам, готовящим публикацию научной
работы на английском языке. Может быть полезно также аспирантам и
соискателям. Пособие ориентировано на образовательные программы бакалавров,
магистров и инженеров по направлениям 510400 Физика, 550700 Электроника
и микроэлектроника, 551500 Приборостроение, 551600 Материаловедение и
технология новых материалов, 553100 Техническая физика и по специальностям
010400 Физика, 010600 Физика твердого тела, 010300 Прикладные математика
и физика, 071700 Физика и техника оптической связи, 190700
Оптико-электронные приборы и системы, 071400 Физическая электроника, 200100 Материалы
и компоненты твердотельной электроники, 200200 Микроэлектроника и
полупроводниковые приборы.
Рецензенты:
Е. И. Волков, А. Н. Ковалев
Издание осуществлено при финансовой поддержке
Федеральной целевой программы
«Государственная поддержка интеграции высшего образования
и фундаментальной науки на 1997—2000 годы»
ISBN 5-02-026137-8
© Центр «Интеграция», 2000

ВВЕДЕНИЕ
В 30-х годах академик А. Ф. Иоффе предвидел, что
полупроводники определят развитие электроники. На основе физики
и технологии полупроводников в 50—60-х годах сформировалась
микроэлектроника, технические продукты которой широко и
повсеместно используются. Сегодня интенсивно развивается
новое направление — наноэлектроника, которая несомненно
станет технической базой информационных систем будущего.
В физике полупроводников развиваются и традиционные
разделы.
Новые термины и понятия, появившиеся за последние 20 лет
в научной литературе по физике полупроводников на русском
и английском языках, никак не отражены в словарях и пособиях
по научно-техническому переводу. Особенно ощутимо
отсутствие такого словаря-пособия в учебном процессе в последние
годы в связи с интенсивным развитием таких направлений, как
квантоворазмерные структуры, широкозонные полупроводники,
неупорядоченные системы, опто- и наноэлектроника,
диагностика полупроводниковых структур.
Первая часть пособия — русско-английский словарь новых
терминов и понятий, используемых в современной научной
литературе по физике полупроводников, физике твердого тела,
наноэлектронике (около 1000 терминов). При составлении
словаря использована лексика научных статей, а написание и
перевод слов сверены (когда это оказалось возможным) со
словарями [1—6].
Вторая часть пособия составлена как справочно-учебный
материал для желающих писать статьи на английском языке
по тематике новых разделов физики полупроводников и нано-
электроники. Структура этой части повторяет структуру научной
статьи (по основным элементам статьи: аннотация, введение,
описание методики и характеристика объекта исследования,
результаты исследования и их обсуждение, выводы, благодар-
3

ности). Идея такой компоновки заимствована из пособия [7]
и ранее апробирована при подготовке пособия [8] и работе на
этой основе в студенческой аудитории радиофизического
факультета СПбГТУ. В начале каждого раздела приводятся
ключевые слова, перевод которых дан в соответствии со словарями
[1—5] и с учетом рекомендаций А. Л. Пумпянского [9, 10] по
их употреблению в научной речи. В сложных случаях даются
примеры использования слов, а также модели для построения
стандартных фраз.
Примеры взяты из словарей и пособий [5—11]. В раде
случаев принятый в научной статье перевод слова с английского
языка на русский сопровождается переводом, свойственным
разговорной, бытовой речи. Эмоциональная окраска бытового
значения способствует, как показывает опыт работы со
студентами, запоминанию перевода слова в научной литературе.
Пояснительные замечания, касающиеся грамматики и
стилистики, включены на основе анализа типичных ошибок,
допускаемых студентами. При их составлении использованы
пособия [10—14]. Каждый раздел заканчивается упражнениями —
предложениями, взятыми из оригинальных научных текстов,
опубликованных в 1996—1998 гг. Рекомендации по
содержательной части научной статьи даны в соответствии с учебным
пособием [15].
В Приложении дан англо-русский словарь сокращений,
представляющий собой сводку сокращений, приведенных в первой
части пособия.
Первая часть пособия и Приложение составлены Е. В.
Владимирской, В. Э. Гасумянцем и В. И. Ильиным, вторая часть
пособия — Т. Л. Макаровой. Авторы признательны за советы
и помощь сотрудникам кафедры физики полупроводников и
наноэлектроники СПбГТУ С. А. Рыкову, Т. И. Зубковой.

ЧАСТЬ ПЕРВАЯ
РУССКО-АНГЛИЙСКИЙ СЛОВАРЬ
НОВЫХ ТЕРМИНОВ И ПОНЯТИЙ,
ИСПОЛЬЗУЕМЫХ
В СОВРЕМЕННОЙ НАУЧНОЙ ЛИТЕРАТУРЕ
ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Построение словаря. Словарь построен по алфавит-
но-гнездовой системе. В алфавитном порядке расположены
ведущие (заглавные) слова. Если ведущее слово входит в состав
термина как определяемое слово, то за ним приводится этот
составной термин. В случае нескольких составных терминов
каждый из них дается в гнезде при данном ведущем слове в
алфавитном порядке. Ведущее слово в гнезде заменяется тильдой
(~). Например:
зона band
запрещенная ~ forbidden band, energy gap, band
gap
~ легких дырок light hole band
Часть заглавного слова гнезда, повторяющаяся в его
производных, отделяется от остальной части слова двумя
вертикальными линиями (||). При переводе словосочетаний синонимы
отдельных слов приведены в квадратных скобках, а слова,
которые можно опустить, — в круглых. В Приложении дан
англо-русский словарь сокращений, часто используемых в
современной научной литературе по физике и технике
полупроводников. Кроме того, английские сокращения даны в переводе
составных терминов.
А
адгезия adhesion
адсорбция adsorption
аккумуляция accumulation
акцептор acceptor
глубокий ~ deep acceptor
мелкий - shallow acceptor
анализ analysis
люминесцентный ~ fluorescence analysis
5

рентгеноструктурный - X-ray diffraction analysis
электронно-зондовый микро- electron probe microanalysis
(EPMA)
анализатор analyzer
ангармонизм anharmonicity
анизотропия anisotropy
~ упругих свойств elastic anisotropy
кристаллическая ~ (crystalline) anisotropy
одноосная - uniaxial anisotropy
оптическая ~ optical anisotropy
аннигиляция annihilation
атом atom
~ замещения substitutional atom
- примеси impurity atom
возбужденный - excited atom
ионизированный - ionized atom
междоузельный ~ interstitial atom
Б
баз||а base
варизонный -овый слой graded-gap base
квазинейтральный -овый слой quasineutral base
базис basis, base
- кристаллической решетки basal plane
блок block
- кристаллический mosaic block, crystallite
бозе||-конденсация Bose condensation
—частица boson, Bose particle
быстродействие high-speed performance
В
вакансия vacancy, vacant site
кислородная ~ oxygen vacancy
валентность valence
переменная - mixed valence
величина quantity {physicalproperty), value, magnitude, size, amount
безразмерная - dimensionless value
случайная - random quantity, random variable
эффективная - root-mean-square [rms] value
вероятность probability
- перехода transition probability
вес weight
атомный - atomic weight
спектральный - spectral weight
удельный - specific gravity
6

взаимодействие interaction
- ближнего/дальнего порядка short/long-range interaction
кулоновское - Coulomb interaction
многодолинное - multivalley interaction
обменное - exchange interaction
спин-орбитальное - spin-orbit interaction
электрон-фононное ~ electron-phonon interaction
вихрЦь vortex
-евая нить vortex line, vortex filament
-еобразование vortex formation, vorticity
решетка -ей vortex lattice
возбуждени||е excitation, activation
одночастичные -я single-particle excitation
термическое - thermal excitation
возмущение perturbation, disturbance
волн||а wave
- зарядовой плотности charge density wave (CDW)
нелинейная - nonlinear wave
необыкновенная ~ extraordinal wave
обыкновенная - ordinal wave
огибающая -овой функции envelope wave function
спиновая - spin wave
уединенная - solitary wave, soliton
волновод waveguide
восприимчивость susceptibility
время time
- жизни lifetime
- распада decay time
- релаксации relaxation time
выход exit, outlet, output, yield
квантовый - quantum yield [efficiency]
работа -a work function
энергетический - energy efficiency
Г
газ gas
двумерный электронный - two dimensional electron gas
(2DEG)
идеальный - ideal [perfect] gas
Ферми - Fermi gas
генера||тор oscillator, generator
лазерная ~ция lasing
лазерная ~ция при комнатной температуре room temperature
(RT) lasing
оптический параметрический - optical parametric oscillator
(OPO)
гетеропереход heterojunction
7

гетероструктура heterostmcture
двойная ~ double (barrier) heterostmcture (DBHS)
гибридизация hybridization
глубина depth
~ диффузии diffusion depth
~ залегания р-п перехода junction depth
~ легирования doping depth
~ модуляции modulation percentage
~ проникновения penetration depth
граница boundary
- раздела (фаз) phase boundary, interface
- фотоэффекта photoelectric threshold
малоугловая ~ low angle boundary
межзеренная ~ grain boundary
Д
детектор detector
~ [приемник] ближнего инфракрасного диапазона near-
infrared detector
синхронный ~ lock-in-amplifler
дефект defect
антиструктурный ~ antisite defect
- внедрения interstitial defect
~ упаковки stacking fault
-ообразование defect formation
радиационный - radiation-induced [radiation-stimulated]
defect
скопление ~ов defect cluster
собственный ~ native, intrinsic, nonstoichiometric defect
точечный ~ point defect
деформация strain, deformation
абсолютная ~ absolute strain
~ сдвига shearing strain, shear deformation
~ сжатия compressive strain, compressive deformation
предельная ~ ultimate strain
упругая ~ elastic deformation
диаграмма diagram, plot
- направленности directional pattern
- растворимости solubility diagram
конфигурационная ~ configuration(al) diagram
фазовая ~ phase diagram
диод diode
инжекционный ~ injection diode
свето- light-emitting diode (LED)
туннельный ~ tunnel diode
дислокаци||я dislocation
винтовая ~ screw dislocation
краевая - edge dislocation
8

расщепление ~й dislocation splitting
скопление ~й dislocation pile-up
дисперсия dispersion
~ оптического вращения rotary dispersion
~ показателя преломления dispersivity quotient
пространственная ~ spatial dispersion
угловая - angular dispersion
дифракция diffraction
рентгеновская ~ X-ray diffraction (XRD)
диффузия diffusion
встречная ~ cross diffusion
- донорной/акцепторной примеси л-type/p-type diffusion
~ носителей заряда charge-carrier diffusion
- по междоузельным атомам kick-out mechanism
- по междоузлиям interstitial diffusion
- примеси impurity diffusion
обратная ~ back diffusion
объемная ~ bulk diffusion
термическая ~ thermal diffusion
длина length
- волны wavelength
~ когерентности coherence length
~ пробега range, track length
оптическая ~ пути optical path [length]
добротность quality factor, Q-value, Q-factor
~ колебательной системы vibratory [oscillatory] system
Q-factor
долина valley
домен domain
цилиндрический магнитный ~ bubble domain, magnetic bubble
донор donor
дрейф drift(ing)
дырка hole, vacancy
легкая ~ light hole (LH)
тяжелая - heavy hole (HH)
E
единица unit
безразмерная ~ dimensionless unit
емкость capacitance
Ж
жидкость liquid
квантовая ~ quantum liquid
сверхтекучая - superfluid (liquid)
Ферми ~ Fermi liquid

3
загрязнение contamination
задержк||а delay
время ~и time delay
зародыш nucleus, center
~ кристаллизации nucleation center
заряд charge
индуцированный - induced charge
пробный ~ trial charge, probe charge
свободный ~ free charge
связанный ~ bound charge
заселенность population
- энергетического уровня level population
инверсная ~ inverse population
плотная ~ dense population
предельная - threshold population
электронная - electron population
затвор gate
зон||а zone, band
валентная ~ valence band
заполнение ~ы band filling
запрещенная - forbidden band, energy gap, bandgap
~ Бриллюэна Brillouin zone
~ легких дырок light hole band
- проводимости conduction band
- тяжелых дырок heavy hole band
мини- miniband
примесная ~ impurity band
узкая ~ narrow band
зонд probe
И
игла (в сканирующем туннельном микроскопе — СТМ) tip
излучение emission, radiation, emission of radiation
вынужденное ~ induced [stimulated] radiation
- абсолютно черного тела blackbody radiation
индуцированное - stimulated radiation
инфракрасное - infrared (IR) emission
монохроматическое - monochromatic [monoenergetic]
radiation
рекомбинационное ~ recombination emission
изолятор insulator
инжекция injection
биполярная - bipolar injection, minority current carrier
injection
двойная - double injection
10

- горячих электронов hot-electron injection
- носителей заряда charge-carrier injection
- электронов/дырок electron/hole injection
контактная ~ contact injection
лавинная - avalanche injection (AI)
монополярная ~, ток, ограниченный пространственным
зарядом (ТОПЗ) monopolar injection, space-chaige limited
current (SCLC)
сильная/слабая - high-level/low-level injection
туннельная ~ tunnel injection
интенсивность intensity
~ излучения radiation intensity
- ионизации ionization rate
~ источника source strength
~ отраженного излучения reflected intensity
~ падающего излучения incident intensity
фоновая ~ background intensity
интерференция interference
квантовая - quantum interference
многолучевая - multipath [multibeam] interference
ион ion
многозарядный ~ multiply charged ion
однозарядный ~ singly charged ion
ионизация ionization
- примеси impurity ionization
лавинная ~ avalanche ionization
термическая - thermal ionization
ударная - impact ionization
испарение vaporization, evaporation
исток source
К
квазиимпульс quasi-momentum
квант quantum
- магнитного потока magnetic flux quantum, fluxon
квантование quantization
- магнитного потока magnetic flux quantization
размерное ~ size quantization
керамика ceramics
кластер cluster
когерентность coherence
фазовая - phase coherence
колебания oscillations, vibrations
акустические ~ acoustic vibrations
ангармонические - anharmonic oscillations
- кристаллической решетки (crystal) lattice modes
нулевые ~ zero-point oscillations
11

оптические - optical vibrations
плазменные - plasma oscillations
компенсация compensation
- заряда charge neutralization
недо- uderdoping
пере- overdoping
само- selfcompensation
контакт contact, junction
выпрямляющий - rectifying contact
джозефсоновский ~ Josephson junction
омический - ohmic contact
точечный - point contact
концентрация concentration
поверхностная - surface concentration
собственная ~ носителей тока intrinsic carrier concentration
коэффициент coefficient
кинетический ~ kinetic [transport] coefficient
~ диффузии diffusion coefficient, difiusivity
- отражения reflectance, reflectivity, reflection factor
- переноса transport coefficient
~ поглощения absorptance, absorptivity, absorption factor
- преломления index (of refraction)
~ рассеяния scattering factor
- рекомбинации recombination coefficient
- усиления gain
температурный - расширения (ТКР) thermal expansion
coefficient
температурный - сопротивления (ТКС) temperature
resistance coefficient
кремний silicon
аморфный - amorphous silicon
пористый - porous silicon
кристалл crystal
бездвойниковый моно- untwinned singlecrystal
MOHo- singlecrystal
нитевидный - wisker, whisker
кристаллизация crystallization
пере- recrystallization
Л
лавина avalanche
лазер laser
инжекционный - injection laser
- инфракрасного диапазона IR laser
- на основе гетероструктуры с квантовыми ямами quantum-
well heterostructure laser, QW laser
12

~ на основе двойной гетероструктуры double-heterostructure
injection laser, DH laser
~ на свободных электронах free electron laser, gyrotron
~, работающий в непрерывном режиме continuous wave
laser
- с модуляцией добротности Q-switched laser
- с оптической накачкой optically pumped laser
~ная генерация lasing
многомодовый ~ multimode [multimodal] laser
перестраиваемый - tunable laser
поверхностно излучающий ~ с вертикальным резонатором
vertical cavity surface emitting laser (VCSEL)
полосковый - strip laser
твердотельный ~ solid state laser
легирование doping
двойное ~ double doping
изовалентное ~ isovalent doping
- компенсирующей примесью counterdoping
~ примесью из раствора solute doping
слабое ~ slight doping
8-~ 5-doping
литография lithoigaphy
- сканированием луча beamwriter lithography
нано- nanolithoigaphy
обратная - lift-off lithography
рентгеновская - X-ray lithography
электронно-лучевая - electron (-beam) lithography (EBL)
ловушка trap
глубокая ~ deep trap
электронная - electron trap
локализация localization
андерсоновская ~ Anderson localization
индуцированная полем ~ волновых функций field-induced
wavefunction localization
- состояний state localization
луч beam
люминесценциЦя luminescence
возбуждение фото~и photoluminescence excitation (PLE)
фото- photoluminescence (PL)
электро- electroluminescence (EL)
M
магнон magnon
масса mass
поперечная - transverse mass
продольная ~ longitudinal mass
13

циклотронная - cyclotron mass
эффективная - effective mass
матри||ца matrix
диэлектрическая ~ insulator matrix
-чный фотоприемник matrix photodetector
-чный элемент перехода (transition) matrix element
междоузлие interstitial site
метод method
квантовый ~ Монте-Карло quantum Monte Carlo method
~ ван дер Пау van der Pauw method
четырехзондовый - four-probe method
микрорезонатор microcavity
микроскоп microscope
атомарно-силовой - atomic force microscope (AFM)
сканирующий туннельный ~ scanning tunneling microscope
(STM)
сканирующий трансмиссионный электронный - scanning
transmission electron microscope (STEM)
мишень target
~ напылительной установки spattering target
мода (vibration) mode
критическая ~ cut-off mode
основная ~ principal [fundamental] mode
собственная - natural mode, eigenmode
H
накачкЦа pumping
мощность ~и pump(ing) power
намагниченность magnetization
нанометр (1(Г9м) nanometer
нанотрубы nanotubes
наночастицы nanoparticles
насыщение saturation
оптическое ~ optical saturation
нить, проволока wire
квантовая ~ quantum wire (QWR)
носитель (заряда) carrier
избыточный ~ excess (-charge) carrier
локализованный ~ localized carrier
неосновной - minor [minority] carrier
несобственный ~ extrinsic carrier
- тока current carrier
основной ~ majority carrier
подвижный - mobile (-charge) carrier
равновесный/неравновесный ~ equilibrium/nonequilibrium
carrier
собственный - intrinsic carrier

о
обеднение depletion
- носителями заряда depletion with charge carrier
область region
~ объемного [пространственного] заряда (003, ОПЗ) space
charge region
обработка treatment, processing
тепловая - heat treatment
образец sample, specimen
нелегированный - undoped [pure] sample
ограничение confinement
однородность homogeneity
окисел oxide
естественный - native oxide
оптрон photocoupler
осаждение deposition
~ эпитаксиального слоя epitaxial deposition
химическое ~ из газовой фазы chemical vapor [vapour]
deposition (CVD)
химическое ~ из газовой фазы с использованием металл-
органических соединений metalorganic chemical vapor
[vapour] deposition (MOCVD)
осцилляции oscillations
квантовые - quantum oscillations
- де Гааза—ван Альфена de-Haas—van Alphen oscillations
~ Шубникова—де Гааза Shubnikov—de-Haas oscillations
ось axis
винтовая - screw axis
главная оптическая ~ principal optical axis
двойниковая ~ twin [twinning] axis
- вращения axis of rotation, spinaxis (of gyroscope)
отклонение deviation
отражател||ь reflector
распределенные брэгговские ~и distributed Bragg reflectors
(DBR)
отражение reflection
Андреевское - Andreev reflection
внутреннее полное ~ total internal reflection (TIR)
зеркальное ~ specular [mirror] reflection
многократное - multiple reflection
обратное - retroreflection
отталкивание repulsion
кулоновское ~ Coulomb repulsion
П
пара pair
куперовская - superconducting electron pair, Cooper pair
15

разрушение пар pair-breaking effect, breakup of pairs
электронно-дырочная ~ electron-hole pair
параметр parameter
критический ~ critical parameter
~ порядка order parameter
- решетки crystal (lattice) parameter, identity parameter
перекрытие overlap
перенос transfer
междолинный ~ intervalley transfer
~ заряда charge transfer
явления ~а transport phenomena
переход junction, transition, transfer
безизлучательный ~ radiationless [nonradiative] transition
виртуальный ~ virtual transition
внутризонный ~ intraband transition, transfer
вынужденный ~ induced [stimulated] transition
джозефсоновский - Josephson junction
междолинный - intervalley transfer
межзонный ~ interband transition, transfer
межподзонный - inter-subband transition
~ Андерсона Anderson transition
- из орторомбической в тетрагональную фазу orthorombic-
to-tetragonal (O-T) transition
- металл-изолятор {фазовый) metal-insulator transition
- металл-полупроводник {металлург.) metal-semiconductor
junction
- Мотта Mott transition
~ы между локализованными состояниями bound-to-bound
transitions
~ы между локализованными состояниями и состояниями
сплошного спектра bound-to-continuum transitions
~ы со слабой связью weak-link junctions
резкий ~ abrupt junction
сверхпроводящий ~ superconducting transition
спонтанный ~ spontaneous transition
туннельный - tunnel transition
фазовый - phase transition
перовскит perovskite
пленка film
алмазоподобная - diamond-like film
аморфная ~ amorphous film
кристаллическая - crystalline film
текстурированная ~ textured film
тонкая - thin film
эпитаксиальная - epitaxial film
плоскость plane
кристаллографическая ~ crystal plane
- двойникования composition plane
16

~ (р-п) перехода junction plane
~ скольжения slip plane
плотность density
~ состояний density of states (DOS)
спектральная ~ spectral weight
поверхность surface
~ раздела interface
~ Ферми Fermi surface
поглощени||е аЬзофйоп
внутризонное ~ intraband absorption
двухфотонное ~ two photon absorption
межзонное ~ band-to-band [interband] absorption
~ без рассеяния true [proper] absoфtion
~ на свободных носителях заряда free-carrier absorption
~ с излучением radiative absorbtion
~ с образованием электронно-дырочных пар pair-production
absorption
полное ~ total absorption
полоса ~я absorption band
резонансное ~ resonance absoфtion
подвижность mobility
диффузионная ~ difilisive mobility
дрейфовая ~ drift mobility
~ носителей (заряда) carrier mobility
холловская ~ Hall mobility
подложка substrate
подрешетка sublattice
показатель indicator, factor
~ добротности Q-factor
~ поглощения absoфtion factor
~ преломления refractive index
покрытие coating
поле field
квазиэлектрическое ~ quasi-electric field
переменное (во времени) ~ AC (alternative current) field
постоянное (во времени) ~ DC (direct current) field
полупроводник semiconductor
варизонный ~ compositionally graded [graded-gap]
semiconductor
варизонный - с резким изменением ширины запрещенной
зоны strongly graded semiconductor
вырожденный ~ degenerate(d) semiconductor
компенсированный - compensated semiconductor
легированный - doped semiconductor
многодолинный ~ multi(many)valley semiconductor
~ я-типа electron [n-typz] semiconductor
~ /7-типа hole [p-type] semiconductor
примесный - extrinsic semiconductor
2 E. В. Владимирская и др.
17

прямозонный/непрямозонный - direct/indirect band-gap
semiconductor
собственный ~ intrinsic semiconductor
узкозонный - narrow-gap semiconductor
широкозонный ~ wide-gap semiconductor
поляризация polarization
поперечная магнитная - transverse magnetic (TM)
polarization
поперечная электрическая ~ transverse electric (ТЕ)
polarization
полярон polaron
би~ bi-polaron
~ малого радиуса small polaron
порог threshold
~ генерации oscillation [generation] threshold
- протекания percolation threshold
порошок powder, dust
порядок order
ближний ~ short-range order
дальний ~ long-range order
послесвечение afterglow
потенциал potential
деформационный - deformation potential
электрохимический -electrochemical potential
правил||о rule
~a отбора selection rules
преобразователь converter, transformer
прибор device
~ы с зарядовой связью (ПЗС) charge coupled devices (CCD)
приемник receiver
- излучения radiation detector
прилипание adhesion
примесь impurity
акцепторная - acceptor [p-type] impurity
донорная ~ donor [л-type] impurity
ионизованная ~ ionized impurity
нейтральная - neutral impurity
поверхностная - surface impurity
~ внедрения interstitial impurity
~ замещения substitutional impurity
~, создающая ловушки trap impurity
~, создающая мелкий уровень shallow-level impurity
стехиометрическая ~ stoichiometric impurity
принцип principle
~ неопределенности uncertainly principle
- Паули exclusion [Pauli's exclusion] principle
пробой breakdown
лавинный - avalanche breakdown
18

магнитный ~ magnetic breakdown
- Зинера Zener breakdown
световой ~ optical [laser induced] breakdown
туннельный - tunnel(ing) breakdown, Zener breakdown
проводимость 1. conduction (phenomena); 2. conductivity
(quantitative characteristic)
дырочная ~ /?-type [hole-type] conduction
примесная ~ impurity [extrinsic] conduction
прыжковая ~ hopping conductivity
прыжковая - с переменной длиной прыжка variable-range
hopping (VRH)
собственная ~ intrinsic conduction
проницаемость penetrability, permeability
диэлектрическая - (вакуума) permittivity of free space,
dielectric permittivity
диэлектрическая ~ dielectric constant
магнитная ~ (вакуума) permeability of free space
магнитная - magnetic permeability
~ потенциального барьера barrier penetrability, barrier
transparence
пропускание transmission
протекание percolation
пьезокерамика piezoelectric ceramics
размерность dimension
фрактальная - fractal dimension
разрешение resolution
пространственное - spatial resolution
разрыв discontinuity
~ валентной зоны valence band edge discontinuity
~ зоны band offset
~ зоны проводимости conduction band edge discontinuity
распределение distribution
вырожденное - degenerate distribution
невырожденное ~ nondegenerate distribution
- Гаусса Gaussian distribution
~ примеси dopant [doping] distribution
~ Ферми—Дирака Fermi distribution
распыление sputtering
рассеяние scattering
комбинационное [рамановское] - света combinational light
scattering (CLS), Raman scattering
кулоновское ~ Coulomb scattering
неупругое - unelastic scattering
примесное - impurity scattering
~ на акустических фононах scattering by acoustic lattice
vibrations (by acoustical phonons)
19

- на дислокациях dislocation scattering
- на ионизованных примесях scattering by ionized impurities
- на колебаниях решетки scattering by lattice vibrations
резонансное - resonant scattering
раствор solution
материал (на основе твердого -a) composition
непрямозонный варизонный материал indirect-band-gap-
graded composition
прямозонный варизонный материал direct-band-gap-graded
composition
твердый - solid solution
расширение broadening
расщепление splitting
дублетное - doubling (of spectral lines)
спин-орбитальное ~ spin-orbit splitting
режим regime
баллистический ~ (токопереноса) ballistic regime (of
transport), ballistic mode of transport
лавинный - avalanche mode
непрерывный - continuous wave (CW)
- генерации oscillating mode
- индуцированного излучения induced-emission regime
~ кулоновской блокады Coulomb blockage regime
- обеднения depletion mode
- обогащения enhancement mode
- подвижности mobility regime
резонанс resonance
двойной электронно-ядерный - electron nuclear double
resonance (ENDOR)
оптически детектируемый магнитный - optically detected
magnetic resonance (ODMR)
оптически детектируемый циклотронный - optically detected
cyclotron resonance (ODCR)
циклотронный ~ cyclotron resonance (CR)
электронный парамагнитный - (ЭПР) electron spin
resonance (ESR), electron paramagnetic resonance (EPR)
ядерный квадрупольный - (ЯКР) nuclear quadrupole
resonance (NQR)
ядерный магнитный ~ (ЯМР) nuclear magnetic resonance
(NMR)
рекомбинация recombination
излучательная - radiative recombination
ударная, Оже-~ impact, Auger recombination
релаксаци||я relaxation
время -и relaxation time
долговременная - long-term relaxation
~ объемного натяжения volume strain relaxation

~ поверхностного натяжения relaxation of surface stress
~ упругого напряжения elastic strain relaxation
спин-решеточная - spin-lattice relaxation
рефлекс reflex, reflection
решетка lattice
дифракционная - diffraction grating
кристаллическая - crystal lattice
обратная - reciprocal lattice
~ Браве Bravais lattice
сверх- superlattice
самовозбуждение self-excitation
самокомпенсация self-compensation
самоорганизация self-organization
самоподобие self-similarity
сверхпроводимость superconductivity
бесщелевая ~ gapless superconductivity
высокотемпературная - high temperature superconductivity
(HTSC)
сверхпроводник superconductor
~ второго рода hard [type II] superconductor
~ первого рода soft [type I] superconductor
сверхрешетка superlattice (SL)
квазипериодическая - quasiperiodic superlattice
- с пилообразным изменением ширины запрещенной зоны
sawtooth superlattice
~ со слабо перекрывающимися между потенциальными
ямами волновыми функциями tight-binding superlattice
связь bond, link, constraint, coupling
атомная ~ atomic bond
обратная ~ feedback
отрицательная обратная ~ negative feedback
паразитная - spurious coupling
поперечная ~ cross-linkage
пространственная - positional connection
распределенная обратная ~ distributed feedback (DFB)
сильная - strong coupling
слабая ~ weak coupling
сечение cross section
~ захвата capture cross section
сила force
электродвижущая ~ (ЭДС) elecromotive force (EMF)
сингулярность singularity
- ван-Хова van Hove singularity
синтез synthesis
твердофазный ~ solid state technique
21

система system
неупорядоченная электронная ~ disordered electron system
~ грубого подвода (в СТМ) coarse approach system
сканирование scan, scanning
построчное ~ line-by-line scan
растровое ~ raster scan
строчное - line scan [scanning]
скольжениЦе slip
линия ~я slip line
поперечное ~ cross slip
скорость velocity (vector), speed (value), rate (of process)
дрейфовая ~ drift velocity
слой layer
буферный ~ buffer layer
инверсный ~ inversion layer
смачивающий ~ (в структурах с квантовыми точками)
wetting layer
эпитаксиальный ~ epilayer
смесь mixture
однородная - homogenous mixture
собственный intrinsic
соединение compound
двойное ~ binary compound
многокомпонентное - multinary compound
тройное ~ ternary compound
сопротивление resistance
магнито- magnetoresistivity
остаточное ~ residual resistivity
отрицательное дифференциальное ~ negative differential
resistance (NDR)
поверхностное удельное ~ surface resistivity
удельное - resistivity
состояниЦе state
локализованные -я localized states
метастабильное ~ metastable state
нормальное [несверхпроводящее] ~ normal state
нуль-мерное ~ zero dimensional state
основное ~ ground state
равновесное - equilibrium state
сверхпроводящее ~ superconducting state
связанное - bound state
смешанное ~ mixed state
~я в запрещенной зоне midgap states
спектр spectrum
зонный - band spectrum
рентгеновский ~ X-ray spectrum
~ испускания emission spectrum
~ поглощения absorption spectrum
22

- пропускания transmission spectrum
туннельный - tunneling spectrum
спектроскопия spectroscopy
гамма-резонансная [мессбауровская] - Mossbauer
spectroscopy
емкостная - глубоких уровней deep level transient
spectroscopy (DLTS)
инфракрасная - infrared (IR) spectroscopy
инфракрасная Фурье— Fourier transform infrared
spectroscopy (FTIRS)
лазерная - laser spectroscopy
оптическая ~ optical spectroscopy
рентгеновская - X-ray spectroscopy
~ комбинационного рассеяния света combinational light
scattering (CLS) spectroscopy, Raman spectroscopy
~ электронного парамагнитного резонанса, ЭПР-- electron
paramagnetic resonance spectroscopy, electron spin resonance
spectroscopy, EPR spectroscopy
- энергетических потерь электронов electron energy loss
spectroscopy (EELS)
туннельная ~ tunneling spectroscopy
фотоэмиссионная ~ photoemission spectroscopy
Фурье— Fourier spectroscopy
электронная Оже— Auger electron spectroscopy (AES)
сплав alloy
легированный ~ doped alloy
эвтектический ~ eutectic alloy
сродство affinity
~ к электрону electron affinity
стехиометрия stoichiometry
сток drain
стриминг streaming
структура structure
варизонная - graded-gap structure
варизонная ~ с пилообразным изменением ширины
запрещенной зоны sawtooth graded-gap structure
гетероэпитаксиальная - heteroepitaxial structure
зонная - band structure
многослойная - multilayer structure
модулированно-легированная - modulation-doped structure
сверхтонкая ~ hyperfine structure
- лазерная с квантовой ямой quantum well (QW) laser
structure
- металл-диэлектрик-полупроводник (МДП)
metal-insulator-semiconductor (MIS) structure
~, содержащая несколько квантовых ям multi [multiple]
quantum wells (MQWs), MQW structure
- цинковой обманки zink-bleude structure
23

трехслойная ~ sandwich
фрактальная ~ fractal structure
Т
температура temperature, point
комнатная - room [indoor] temperature
критическая - critical temperature
~ Дебая Debye temperature
- кристаллизации crystallization temperature, solidification
point
~ Кюри Curie temperature
~ окружающей среды ambient temperature
~ перехода в твердое состояние solidus temperature
- спекания sintering temperature
тензор tensor
~ деформации tensor of strain
теплоемкость specific heat
теплопроводность thermal conductivity
термопара thermocouple
термоэдс thermoelectric power (ТЕР)
коэффициент ~ thermopower, Seebeck coefficient
точк||а dot
вертикально совмещенные квантовые ~и vertically-coupled
QD
квантовая ~ quantum dot (QD)
самоорганизованные квантовые ~и self-assembled quantum
dots, self-organized quantum dots
седловая - saddle point
упорядоченное множество квантовых точек ordered array
of QD
травление etch, etching
анизотропное ~ anisotropic etch(ing), crystal-orientation
dependent etch
селективное - selective etch(ing)
транзистор transistor
гетеропереходный биполярный ~ heterojunction bipolar
transistor (HBT)
полевой - field-effect transistor (FET)
полевой ~ на основе структуры
металл-окисел-полупроводник metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
(MOSFET)
полевой ~ с изолированным затвором insulated gate field-
effect transistor (IGFET)
тонкопленочный ~ thin-film transistor
транспорт transport
продольный ~ lateral transport
24

туннелирование tunneling
одноэлектронное ~ single-electron tunneling
резонансное - resonance tunneling
У
угол angle
~ Брюстера Brewster angle
- разориентации misorientation angle
узел unit, node, site
- кристаллической решетки lattice site
упорядочение ordering
уравнение equation
- переноса Больцмана Boltzmann transport equation
- Пуассона Poisson equation
~ Шредингера Schrodinger equation
уровень level
возбужденный ~ excited level
вырожденный - degenerate level
глубокий ~ deep level
дискретный ~ discrete (energy) level
квантовый ~ quantum level
локальный ~ local level
мелкий - shallow level
резонансный примесный - resonant impurity level
свободный ~ empty [unfilled, vacant] level
- захвата trapping level
- Ферми Fermi level
электронный квази- Ферми electron quasi-Fermi level
уширение broadening
доплеровское ~ doppler broadening
Ф
фаза phase
нормальная ~ normal phase
паровая ~ vapor phase
сверхпроводящая ~ superconducting phase
фемтосекунда (1015 c) femtosecond
флуктуации fluctuations
зарядовые - charge fluctuations
сверхпроводящие ~ superconducting fluctuations
спиновые ~ spin fluctuations
фонон phonon
акустический - acoustic phonon
оптический ~ optical phonon
полярный оптический ~ polar optical (PO) phonon
поперечный акустический ~ transverse acoustic (ТА) phonon
25

поперечный оптический ~ transverse optical (TO) phonon
продольный акустический - longitudinal acoustic (LA) phonon
продольный оптический ~ longitudinal optical (LO) phonon
сложенные ~ы folded phonons
~ное увлечение phonon drag
фотодиод photodiode
лавинный - avalanche photodiode
~ на гетеропереходе heterojunction photodiode
- с барьером Шоттки Shottky photodiode
- с обедненным слоем depletion-layer photodiode
фрактал fractal
фуллерен fulleren
X
характеристика characteristic
амплитудно-частотная ~ amplitude (-frequency) characteristic
вольт-амперная ~ voltage-current [volt-ampere] characteristic
вольт-фарадная ~ voltage-capacitance [volt-farad]
characteristic
люкс-амперная ~ lux-ampere characteristic [response]
частотная - frequency response
хвост tail
- плотности состояний band tail
хиральность chirality, handedness
Ц
центр center
глубокий примесный - deep impurity center
~ захвата trapping center
- окраски color center, F-center
~ пиннинга pinning center
- рекомбинации носителей заряда charge recombination
center
- с отрицательной корреляционной энергией negative
U-center
Ч
частица particle
виртуальная - virtual particle
квази- quasi-particle
частота frequency
несущая - carrier frequency
плазменная - plasma frequency
резонансная - resonance [resonant] frequency
собственная - natural frequency
26

циклическая - angular frequency
~ колебаний oscillation frequency, gyrofrequency
четность parity
Ш
ширина width
~ зоны bandwidth
~ интерференционной полосы interference bandwidth
~ полосы в режиме малых сигналов small-signal bandwidth
~ спектральной линии linewidth, full width at half maximum
(FWHM)
шихта mixture
шум noise
генерационно-рекомбинационный ~
generation-recombination (GR) noise
диффузионный ~ diffusion noise
дробовой ~ Schottky noise, shot effect
тепловой - thermal [Johnson] noise
эквивалентная мощность ~a noise-equivalent power (NEP)
Щ
щель gap, slit (optic)
кулоновская ~ Coulomb gap
псевдо- pseudogap
сверхпроводящая ~ superconducting gap
Э
экранирование screening
экситон exciton
эксперимент experiment
- с временным разрешением time-resolved experiment
электрон electron
валентный ~ valence electron
горячий - hot electron
- проводимости free [conduction] electron
эмиссиЦя emission
скорость -и emission rate
энергия energy
внутренняя ~ internal energy
пороговая - threshold energy
- активации activation energy
~ взаимодействия interaction energy
~ возбуждения excitation energy
~ ионизации ionization energy
~ Ферми Fermi energy
27

эпитаксия epitaxy
газофазная ~ gas phase epitaxy, vapour phase epitaxy (VPE)
жидкофазная ~ liquid phase epitaxy (LPE)
молекулярно-лучевая ~ molecular beam epitaxy (MBE)
~ при несоответствии параметров решеток lattice
mismatched epitaxy
эффект effect
(дробный) квантовый - Холла (fractional) quantum Hall effect
изотопический ~ isotopic effect
мезоскопический ~ mesoscopic effect
многочастичный ~ many-body effect
туннельный ~ Esaki [tunnel] effect
~ близости proximity effect
~ Джозефсона Josephson effect
~ Зеебека Seebeck effect
- Маджи—Риги—Ледюка Maggi—Righi—Leduc effect
- Мейсснера Meissner effect
~ Нернста—Эттингсгаузена Nernst—Ettingshausen effect
~ Пельтье Peltier effect
~ Фарадея Faraday effect
~ «фононного узкого горла» (phonon) bottleneck effect
эхо echo
спиновое ~ spin echo
Ю
юстировка alignment, adjustment, positioning
Я
ям||а well
квантовая ~ quantum well (QW)
множественные квантовые ~ы multiple quantum wells (MQW)
напряженные квантовые ~ы strained quantum wells
одиночная квантовая - single quantum well (SQW)
одномерная потенциальная ~ one-dimensional well (1DW)
потенциальная - potential [energy] well
резонансная квантовая - resonant quantum well
связанные квантовые ~ы coupled quantum wells
ячейка cell
кристаллическая ~ lattice cell
элементарная - unit cell

ЧАСТЬ ВТОРАЯ
ФРАЗЕОЛОГИЯ НОВЫХ РАЗДЕЛОВ
ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
1. АННОТАЦИЯ
1.1. Стиль аннотации
В аннотации сообщается 1) об объекте исследования; 2) с
какой целью он исследовался; 3) какие методы применялись;
4) какие результаты получены; 5) чему уделяется особое
внимание. На русском языке аннотации пишут безличными
предложениями: "вычислено, измерено..." (а не "мы измерили, я
вычислил")', в английском следует придерживаться следующих
правил.
1. В первую очередь рекомендуется использовать настоящее
время. В тех случаях, когда требуется подчеркнуть законченность
действия, употребляют Present Perfect. Прошедшее время
используют при описании эксперимента, исследования и т. д.,
которые послужили основой для каких-либо заключений.
2. Характерны конструкции в страдательном залоге
прошедшего или настоящего времени по формуле:
подлежащее + (дополнение) + is (are)/was (were) +
причастие И.
3. Возможно использование сказуемого в действительном
залоге. В качестве подлежащего выступают слова we, the author
(authors), study, investigation, paper, article, experiment, theory,
hypothesis.
4. Недопустимо употребление аббревиатур.
Удобной бывает замена глаголов на глагольно-именные
сочетания: to study — to make a study, to perfom a study, to undertake
a study; to investigate — to carry out an investigation; to analyze —
to perform an analysis; to examine — to make an examination; to
describe — to give a description; to consider — to give a consideration;
to measure — to make measurements; to calculate — to make
calculations; to evaluate — to make an evaluation; to estimate — to
make an estimation.
29

Сказуемое ставится или сразу за подлежащим, или в конце
предложения:
A short description of native oxide formation is given.
A short description is given of native oxide formation.
Упражнение 1
1. В рамках феноменологической модели исследована
температурная зависимость оптических констант композитных
материалов.
2. Методом рентгеновской дифракции высокого разрешения
исследована природа низкотемпературного изменения
симметрии.
3. В обзоре рассматриваются химические реакции фуллеренов,
причем особое внимание уделяется лабораторным
результатам, полученным авторами.
4. Приведены исследования структуры и динамики кристаллов
методом нейтронного рассеяния.
5. Впервые продемонстрированы электрофизические свойства
сильнолегированных квантовых ям на поверхности кремния.
6. Предложена модель зарядовых корреляций, стимулирующих
переход металл-диэлектрик в квазидвумерном вырожденном
дырочном газе.
7. Теоретически исследованы спектры оптического
поглощения твердых растворов AlGaAs.
8. В статье рассматриваются некоторые теоретические аспекты
перехода металл-диэлектрик.
9. Исследуется случай прыжковой проводимости по сильно-
локализованным примесным состояниям.
10. Исследовано влияние экситонов с переносом заряда на
спектры оптического поглощения.
1.2. Исследовать
Study — 1) изучение, исследование; 2) научные занятия,
приобретение знаний, обучение; 3) область науки, научная работа,
монография; 4) предмет, достойный изучения [his face was a
perfect study — на его лицо стоило посмотреть]', 5) цель усилий,
старание [her constant study was to work well — она всегда старалась
хорошо работать].
То study — исследовать, изучать; to study out — выяснить; to
study up — готовиться к экзамену; to make a study of— тщательно
изучать.
30

To investigate — исследовать, изучать всесторонне и тщательно.
То examine — исследовать, изучать, рассматривать, проверять.
То explore — исследовать, изучать, зондировать.
То analyze — исследовать, изучать, анализировать; analysis —
анализ; analyses — анализы.
То research (into) — исследовать; research (after, for) —
тщательные поиски; research work — научно-исследовательская
работа; to be engaged in research — заниматься научной работой;
basic research — фундаментальное исследование; applied
research — прикладное исследование.
To consider— 1) исследовать, изучать, принимая во внимание
разные параметры; 2) рассматривать, обсуждать; 3) обдумывать;
4) полагать, считать [he is considered a rich man (to be обычно
опускается) — его считают богатым]', 5) принимать во
внимание, учитывать [all things considered — приняв все во внимание];
to consider others — считаться с другими; considerate —
тактичный; under consideration — рассматриваемый; to take into
consideration — принимать во внимание; in consideration of —
принимая во внимание; on/under no consideration — ни под
каким видом; accept the assurance of my highest consideration —
примите уверение в моем совершенном уважении; considering —
учитывая, принимая во внимание.
То test — подвергать проверке, производить опыты.
Образцы исследованы на при- Samples are tested for the pre-
сутствие примесей. sence of impurities.
Исследована возможность лю- We explored the possibility of
минесценции в рентгенов- X-ray fluorescence,
ской области.
Упражнение 2
1. Исследованы фоточувствительные поликристаллические
пленки РЬТе, легированные избытком Те.
2. Исследованы оптические явления в системе селективно
легированных квантовых ям, образованных гетерограницами
GaAs—GaAlAs.
3. Обнаружено и исследовано длинноволновое инфракрасное
излучение горячих двумерных дырок в квантовых ямах.
4. Исследованы энергетические спектры серы и селена в
германии методом фотопроводимости.
5. Изучен спектр поглощения света двух поляризаций при
переходах электронов между минизонами зоны проводимости.
6. Был исследован случай отрицательного электронного
сродства.
7. Изучалась возможность электролюминесценции пористого
кремния.
31

8. Было исследовано несколько типов легирующей примеси.
9. Рассматриваются оптические явления при разогреве
электронов.
10. Исследование сверхрешеток Фибоначчи позволит
произвести экспериментальную проверку моделей Андерсона и Лиф-
шица для неупорядоченной среды.
1.3. Описывать
То describe — описывать, изображать, характеризоваться
(в т. ч. описывать круг); description — 1) описание [to answer
(to) the description — отвечать описанию; beyond description — не
поддается описанию]', 2) — вид, род, сорт [books of every
description — всевозможные книги].
То circumscribe — описывать (в т. ч. круг), обозначать
пределы [to circumscribe one's power — ограничивать права].
To discuss — 1) описывать с элементом полемики [the question
is under discussion — вопрос обсуждается]] 2) есть и пить с
удовольствием, смаковать.
То outline — описывать в общих чертах.
То consider — описывать, принимая во внимание разные
факторы (см. выше).
Упражнение 3
1. Обсуждается механизм изменения поглощения света при
разогреве электронов.
2. Кратко описаны преимущества метода «горячей стенки».
3. Рассмотрен вопрос о природе особенностей, обусловленных
нерегулярной структурой сверхрешетки.
4. Обсуждается, в какой степени дипольно-запрещенные
переходы одиночной молекулы становятся дипольно-разре-
шенными вследствие межмолекулярных взаимодействий.
1.4. Получать
То obtain — 1) получать (без указания способа), достигать,
добиваться, добывать, приобретать [to obtain a prize — получить
приз]; 2) существовать, быть в обычае [these views no longer
obtain —эти взгляды устарели; the same rule obtains regarding
metals — то же правило относится и к металлам].
То determine — определять, находить, устанавливать.
То establish — устанавливать, основывать, создавать,
учреждать, устраивать [established church — государственная церковь;
separate establishment — побочная семья].
То receive — получать, принимать (в т. ч. гостей).
32

To form — получать, создавать.
То take spectra — получать спектры.
То derive from the equation — получать из уравнения.
Естественный окисел на по- Native oxide on the semicon-
верхности полупроводника ductor surface may be formed
может быть получен электро- electrolytically.
литическим методом.
Упражнение 4
1. Впервые получены /?+-квантовые ямы на поверхности
кремния я-типа, энергетические характеристики которых зависят
от диффузии легирующей акцепторной примеси.
2. Получены фоторезистивные матричные инфракрасные
приемники с числом элементов 32 х 32 и размером элемента
50 х50 мкм.
3. Пленки получены вакуумным напылением в
модифицированном квазизамкнутом объеме из компенсированной шихты.
4. В результате были получены однородные
фотокристаллические пленки без высокотемпературного отжига на воздухе.
1.5. Обнаруживать
То show — показывать, проявлять, демонстрировать,
доказывать [to show a leg — встать с постели; to show the door —
попросить выйти; to show the teeth — огрызнуться; to have nothing
to show for it — не достичь результатов; as arrow A shows, in the
direction of arrow A — как показывает стрелка A\.
To find — 1) находить, встречать, признавать, обнаруживать;
2) вычислять [to find no sense — не видеть смысла; to find oneself —
найти свое призвание; Ifind it necessary — я считаю это необходимым;
how do you find yourself? — как вы себя чувствуете?; it has been found
to be the case — было найдено, что дело обстоит именно так].
То observe — 1) наблюдать, замечать, следить; 2) изучать с
помощью наблюдения; 3) соблюдать законы [to observe good
manners — быть утонченно вежливым; to observe silence — хранить
молчание; to observe time — быть очень пунктуальным]; 4)
заметить, сказать [allow me to observe — разрешите мне отметить; it
will be observed — надо отметить].
То reveal — выявлять; to reveal itself — появиться,
обнаружиться [to reveal a secret — выдать секрет].
To discover — узнавать, обнаруживать, раскрывать, делать
открытие.
То detect — открывать, обнаруживать, детектировать.
То recognize — узнавать, одобрять; to recognize as — признавать.
ЗЕВ Владимирская и др.
33

Упражнение 5
1. Показано, что пик большой амплитуды в спектрах
фотопроводимости вызван переходами в возбужденное состояние
ионов теллура.
2. Обнаружено спонтанное излучение света при разогреве
двумерных электронов электрическим полем, приложенным
вдоль квантово-размерных слоев.
3. Обнаружен электрооптический эффект при разогреве
электронов продольным электрическим полем.
4. Обнаружены переходы ионов халькогенов в возбужденные
состояния при энергиях вблизи 360 мэВ в виде трех близко
расположенных линий.
5. Исследования температурных зависимостей удельного
сопротивления позволили обнаружить энергетическую щель
в плотности состояний квазидвумерного дырочного газа.
6. Обнаружено снижение плотности тока при охлаждении
образца до ПО К.
7. Обнаружена нелинейность вольтамперной характеристики,
связанная с межзонным туннелированием в слоях сульфида
свинца.
8. Обнаружена линейная зависимость проводимости от
частоты, обусловленная локализацией носителей в сверхрешетке.
9. Показано, что оптимальная мощность ИК-излучения
достигается при наличии диэлектрических фаз в
квазидвумерном дырочном газе.
10. Исследование явлений переноса в твердых растворах
PbSnlnTe показало, что спектр энергий электронов вблизи
края зоны проводимости чрезвычайно сложен.
Часто применяется замена выражений // is shown that, it is
found that на инфинитивные обороты.
It is shown that (is shown to be) — показано.
It is found that (is found to be) — обнаружено.
Показано, что спин-волновое It is shown that the spin-wave
расстояние в кристаллах не- distance in crystals is nonaddi-
аддитивно. tive.
The spin-wave distance in
crystals is shown to be nonadditive.
Обнаружено, что фазовый пе- It is found that the phase tran-
реход относится к первому sition is of the first type,
типу. The phase transition is found
to be of the first type.
34

Особенно красиво выглядит двойная конструкция:
«...изучалось... и было показано, что...» —
«...was studied and shown to be...».
Рассмотрена модель
Максвелла—Гарнетта. Показано,
что она обеспечивает хорошее
согласие с экспериментом.
Определили, что квантовый
выход составляет 25%.
Определили, что время
задержки составляет 10 секунд.
The Maxwell—Garnett model is
considered and found to provide
a good fit to the experimental
data.
The quantum yield was
determined as 25%.
The time delay was estimated
as 10 seconds.
Упражнение 6
1. Обнаружено, что распад зарядовых корреляций в
электрическом поле индуцирует мощное инфракрасное излучение.
2. Наблюдалось распределение атомов висмута между подре-
шетками PbSe в зависимости от содержания РЬ и Se в составе
пара.
3. Были рассмотрены естественные окислы и было показано,
что они толще, чем на других твердых растворах.
4. Показано, что интеграл перекрытия мал.
5. Обнаружено, что сверхтонкая структура спектра существует
только при малых энергиях.
6. Обнаружено, что спектр рекомбинационного излучения
меняется под действием света.
7. Обнаружено, что фазовый переход в молекулярном кристалле
относится к первому типу.
8. Вычислена вольтамперная характеристика образца и
показано, что она имеет участок отрицательного сопротивления.
1.6. Определять
То measure — 1) измерять, мерить, отмерять; 2) иметь размеры
[the house measures 60 feet long].
To calculate — 1) вычислять, рассчитывать; 2) думать,
полагать.
То compute — подсчитывать.
То estimate — 1) оценивать; 2) составлять смету; 3) определять
глазомером; 4) вычислять.
То evaluate — 1) оценивать, определять количество; 2)
выражать в числах.
То refine— 1) очищать, усовершенствовать; 2) уточнять.
35

Классификация глаголов измерения
1. Определение путем сравнения с эталоном (собственно
измерение).
2. Нахождение величины путем вычисления.
3. Составление представления о некоторой величине на
основании имеющихся данных — без измерений, вычислений.
1. Сравнение с эталоном — to measure, to determine, to time,
to weigh. Кроме этого, to measure и to determine можно употреблять,
если отсутствует указание на способ проведения измерений.
Время измеряется
секундомером.
Нарисуйте треугольник и
измерьте его стороны.
Мы измеряем температурную
зависимость.
Ультрафиолетовый
спектрометр измеряет количество
различных газов в атмосфере.
We measure time with a stop-
clock.
Draw a triangle and measure its
sides.
We measure the temperature
dependence.
An ultraviolet spectrometer
determines amounts of various
gases in the atmosphere.
Измерять время - to time. Измерять вес - to weigh.
Здесь приведены результаты
четырех попыток измерить
время движения.
Перед обработкой образцы
были взвешены.
Here are the results of four
attempts to time the motion.
Before development the samples
were weighed.
2. Если величина определяется не непосредственным
измерением, а на основе других величин, то употребляются to estimate,
to evaluate, to calculate, to compute, to find, to obtain, to get.
Мы проводим измерения для
определения ускорения.
Эратосфен одним из первых
измерил диаметр Земли.
We make measurements to
estimate the acceleration.
Eratosthenes made one of the
first estimates of the Earth
diameter.
Когда необходимо произвести математические действия с
помощью техники или без нее — to calculate. To compute — только
с вычислительной техникой.
Вычислим длину свободного
пробега.
Вероятность данного
процесса может быть рассчитана.
Let us calculate the mean free
path.
The probability of this process
can be calculated.
36

Существует общее правило,
согласно которому число р
может быть рассчитано для
энергии п.
There is the general rule by
which the p number can be
computed for energy n.
To evaluate—- по употреблению близко к to calculate.
В качестве последней провер- As the final check we evaluate
ки посчитаем сумму в
уравнении.
the sum in the equation.
В тех же случаях можно использовать to find, to obtain, to
get.
Нужно определить
среднеквадратичное значение.
Мы получили среднее
поглощение 0.25.
При п = 1 получаем самую
низкую частоту.
We must find the mean square
value.
We obtained an average absor-
bance of 0.25.
The lowest frequency is got by
taking /i=l.
3. Приближенная оценка величины — to estimate, to evaluate,
to judge, to guess. В научной литературе глагол to estimate чаще
имеет значение вычислить, подсчитать, определить, а не
оценить.
Возраст шунгитов
оценивается в 109 лет.
При правильном
использовании прикидка с ее
приблизительными ответами —
неплохая наука.
Оценка этой суммы
сопряжена со значительными
трудностями.
Часто бывает необходимым
грубо прикинуть ответ, если
нет данных для точного
расчета.
The shungites are estimated to
be more than 109 years old.
Rightly used, judging, with its
rough answers is good science.
The evaluation of this sum
presents considerable
difficulties.
We often need to make a rough
guess at an answer when we
have not the data for an accurate
calculation.
Упражнение 7
1. Для сравнения расчетных спектров с экспериментальными
данными, полученными на растворах, было проведено
усреднение по ориентациям молекул.
2. В расчетах по методу сильной связи использовались данные
рентгеновской дифракции о кристаллической структуре.
3. Определены дисперсионные уравнения для зон,
примыкающих к энергии Ферми.
37

4. Ввиду трудностей измерений в газах пока не удалось измерить
температурный ход.
5. Цифра 1015 эВ"1 является разумной оценкой для плотности
состояний на уровне Ферми.
6. Из анализа зависимости электропроводности от
концентрации индия и температуры в области прыжковой
проводимости твердых растворов PbSnlnTe получены оценки энергии
активации и радиуса волновых функций примесных
состояний.
7. Изучение межзонного спектра возбуждения
фотолюминесценции позволило уточнить параметры сверхрешетки.
8. Для данных оценок мы используем формулы, выведенные
для слаболегированных полупроводников, и затем иссследуем
область применения этих формул.
9. Радиус волновой функции может быть определен из
зависимости проводимости от концентрации примеси.
1.7. Уделять внимание
То give attention to; to focus attention on; to pay attention to —
уделять внимание.
To draw (call) attention to — обращать внимание на.
To claim attention — требовать внимания к себе.
То concentrate upon; to centre (focus, fix) attention on —
сосредоточить внимание.
To emphasize; to give emphasis to; to place emphasis on (upon) —
подчеркивать.
To give little attention to — почти не обращать внимания.
То put more attention on; to give much prominence to — уцелять
большое внимание.
It is noteworthy (notable); it is worth notice (note); it is to be
noted; it will be noted; it deserves attention (consideration) —
заслуживает внимания.
Некоторое внимание в насто- Other mechanisms also have
ящее время уделяется и дру- now recieved some attention,
гим механизмам.
Упражнение 8
1. Изучена доменная структура, и особенное внимание
уделяется условиям возбуждения.
2. Особенное внимание уделено составу и степени
однородности кристаллов, выращенных методом горячей стенки.
3. Оптимальным условиям осаждения и легирования уделяется
особое внимание.
38

4. Описан фотокатод с отрицательным электронным сродством,
причем особое внимание обращается на его достоинства и
недостатки.
5. Обсуждаются данные, полученные на сверхпроводящих
образцах, и особо учитывается их практическое применение.
1.8. Употребление конструкции to be of
Часто используется для перевода глаголов «иметь» или
«представлять».
То be of importance — иметь значение.
То be of interest — представлять интерес.
То be of value — иметь ценность.
То be of service — быть полезным.
Полученные результаты име- The results presented are of
ют практическую ценность. practical use.
При необходимости сделать логическое ударение
используется инвертированный порядок слов:
His recent theory is of special interest. — Of special interest is
his recent theory.
Упражнение 9
1. Вырожденные квантовые ямы на поверхности кремния
представляют интерес в качестве модельных объектов для
изучения образования примесных зон.
2. Таким образом, эффект увлечения электронов имеет особое
значение для этого процесса.
3. Большой интерес для исследователей представляет явление
сверхпроводимости в фуллеренах.
4. Особую ценность имеет формирование полупроводниковых
островков в исходной подрешетке.
2. ВВЕДЕНИЕ. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Введение содержит описание существа проблемы, краткий
литературный обзор ее современного состояния и мотивацию
исследований, т. е. логически обоснованную постановку задачи.
39

2.1. Цели и задачи
Aim, object, purpose, task, target, end — цель, назначение,
задача.
Immediate objective — первоочередная цель; ultimate
objective — конечная цель.
According to this object in view — в соответствии с
поставленной целью.
Towards this end; with this end in view — с этой целью.
To this effect — для этой цели.
Типичные для этой части статьи предложения можно
построить следующим образом.
Целью
The aim
The chief
purpose
The main
task
The
primary
aim
The object
работы
of the
study
of the

investigation
of the
experiments
of the
paper
of the
experiment
являлось
is to
was to
has been
to
is to
was to
определение
determine
provide
examine
establish
estimate
параметров
the value, the
lattice constants, the
coefficients
evidence for,
explanation for the
fact
the difference in,
the regularities of
the mechanism,
the behavior, the
properties
the value, the
constants, the effect
of ... on
Упражнение 10
1. Главной задачей работы являлось описание
антиферромагнетизма в одномерных полимерах микроскопической
моделью.
2. Главной задачей работы являлось исследование легирующего
действия примеси висмута в тонких пленках селенвда свинца,
выращенных из газовой фазы.
3. Целью работы являлось установление структурных,
электрических и фотоэлектрических параметров
поликристаллических пленок компенсированного теллурида свинца.
4. Целью работы являлось изучение энергетического спектра
двумерных дырок при учете гофрировки изоэнергетических
поверхностей.
40

5. Основная задача данных опытов заключается в определении
роли примесей в проводимости.
6. Целью экспериментов являлось создание искусственной
непериодической среды.
2.2. Употребление глаголов to intend и to design
для выражения мотивации исследований
То intend: в действительном залоге — намереваться, в
страдательном залоге — предназначать.
То design: в действительном залоге — конструировать, в
страдательном залоге — конструировать, предназначать.
Эта работа не преследует цели This work is not intended to be
быть исчерпывающим изло- the exhaustive treatise of the
жением предмета. subject.
Упражнение И
1. Цель настоящей работы — обнаружение спонтанного
излучения двумерных дырок, разогретых электрических полем,
приложенным вдоль квантово-размерных слоев.
2. Спектрометр рассчитан на использование со специальным
оборудованием.
3. Работа была предпринята для изучения картины дефектооб-
разования в сложных химических соединениях.
4. Основная цель данной работы — выявление природы узкого
пика в спектре фотопроводимости.
3. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
После введения обычно описывается методика измерений
или теоретических расчетов, дается характеристика исследуемых
образцов и условий, при которых проводится исследование.
3.1. Условия эксперимента
Если измерения проводятся при условиях, когда какой-либо
параметр имеет конкретное числовое значение (например,
при температуре 20 °С), ставится определенный артикль.
at the temperature of — при температуре
at the pressure of — при давлении
41

at the voltage of — при напряжении
at the energy of — при энергии
at the concentration of — при концентрации
at the frequency of — на частоте
at the wavelength of — на длине волны
at the angle of — под углом
at the point of — в точке
Сочетание прилагательного с существительным, стоящим в
единственном числе, требует неопределенного артикля.
Исключение составляет только прилагательное the same.
at a definite energy
at a different speed
at a stable frequency
at a variable illumination
at an elevated temperature
at a design pressure
at a given pressure
at the same voltage
при определенной энергии
на другой скорости
при устойчивой частоте
при меняющемся освещении
при повышенной температуре
при заданном давлении
при данном давлении
при том же напряжении
Очень удобными конструкциями, не имеющими аналога в
русском языке, являются выражения as high as и as low as.
При напряжении,
достигающем 2000 вольт.
При напряжении,
достигающем 10 милливольт.
At the voltage as high as 2000
volts.
At the voltage as low as 10 mV.
Способы численного выражения величины
длиной 5 метров
полтора метра диаметром
10 герц
толщиной 3 см
шириной 20 мм
22 метра в окружности
планка длиной 5 м
скорость 3 м/с
круг радиусом 1
угол 30°
м
5 meters long
one point five meter in diameter
ten cycles per second
3 cm thick
20 mm wide
22 m in circumference
a 5 m plank; a plank 5 meters
long; a plank 5 meters in length
velocity 3 m/s: velocity of 3 m/s
a circle of radius 1 m
angle 30°; angle of 30°; angle
equal to 30°; angle as laige/as
small as 30°
42

Составлять величину/иметь размер
Длина планки составляет 5 м. The length of the plank is 5 m;
the plank length is equal to 5 m.
Расстояние составляет 5 м. The distance measures 5 m.
Напряжение составляет 10 В. The voltage is 10 V.
Ячейка имеет высоту 15 см. The cell is 15 cm high; the cell
is 15 cm in height.
Молекула имеет ширину в The molecule is 3 atoms wide.
3 атома.
Цилиндр имеет диаметр 3 см. The roller is 3 cm in diameter.
Упражнение 12
1. Образцы были получены диффузией халькогена в германий
в вакуумированных камерах при температуре 870 °С в течение
примерно 10 часов.
2. Пленки подвергали термическому отжигу на воздухе в течение
2 часов при температуре 300 °С.
3. Постоянная фотоответа измерялась на длине волны 0.93 мкм.
4. Инфракрасное поглощение исследовалось при разных
температурах.
5. Измерения, проводившиеся в точке солидуса, дали другие
результаты.
6. Путем расчета показана возможность колебаний на частоте
до 3000 МГц.
7. Высота ступеней уменьшается при увеличении энергии, и
кривая становится более сглаженной при энергиях более 0.5 эВ.
3.2. Измерения под влиянием различных факторов
Условия эксперимента, употребляющиеся с предлогом under
under the influence of — под влиянием
under the action of — под действием
under certain conditions — при некоторых условиях
under excitation — при возбуждении
under irradiation — под действием облучения
under illumination — при освещении
under vacuum, in vacuum — в вакууме
Условия эксперимента, употребляющиеся с предлогом
in/within
in/under conditions — при условиях
in a magnetic field — в магнитном поле
in an electric field — в электрическом поле
in the presence of — в присутствии
in the absence of —в отсутствие
43

in/with some approximation — в некотором приближении
in vacuum — в вакууме
in the region — в области
in the visible — в видимой части спектра
in the infrared — в ИК-области спектра
in the ultraviolet — в УФ-области спектра
within the range of — в пределах
В диапазоне от ... до
in the 0—100 eC range — в интервале 0-100 °С
in/over the range of — в диапазоне
over all pressure ranges — во всех диапазонах давления
over a wide range 01 — в широком диапазоне
within the range from ... to — в пределах от ... до
Образец имеет аномальную The sample shows anomalous
дисперсию в видимой обла- dispersion in the visible,
сти спектра.
Формирование эпоксидов в Epoxide formation under ambi-
условиях окружающей ере- ent conditions is not novel,
ды — не новое явление.
Упражнение 13
1. Температурная зависимость проводимости в условиях
подсветки фоном при комнатной температуре носит активаци-
онный характер.
2. Проведенные исследования позволили выявить оптимальный
режим конденсации, при котором на аморфных подложках
растут пленки с размером кристаллитов 0.5 мкм.
3. Переход квантовой ямы в режим индуцированного излучения
достигается в условиях лавинного умножения
квазидвумерных дырок.
4. Все измерения были проведены при облучении с
длительностью импульсов 0.2 мкс.
5. Образцы исследовались при освещении и показано, что они
меняют проводимость.
6. Проводимость измерялась при тщательно контролируемых
условиях.
7. В сильном электрическом поле из-за разного изменения
коэффициента поглощения света с поляризациями р и s
меняется оптическая индикатриса структуры.
8. Исследованы спектры оптического пропускания
сверхрешеток в УФ-, видимой и ИК-областях при комнатной
температуре.
9. Показано, что в магнитном поле спектральная линия
расширяется.
44

10. Измерения в ИК-области спектра показали наличие пиков
поглощения.
11. Энергии рассчитывались в дипольном приближении.
12. Исследования проводились при Т = 90 К во внешнем
магнитном поле.
13. В изотропном приближении найдено, что упругое
взаимодействие приводит к увеличению полной концентрации
точечных дефектов.
14. Были исследованы спектры поглощения в области 470—
4000 см"1.
15. В соответствующем температурном интервале это вещество
обладает большой плотностью.
3.3. Способы и методы
метод — method, process, procedure, approach, technique
способ — technique, method, procedure, approach
прием — procedure, technique
методика — procedure, technique, techniques, approach
подход — way, procedure, approach
процедура — technique, techniques, way
дифференциальный метод — differential method
изотопный метод — isotopic technique
метод проб и ошибок — trial-and-error procedure
метод научного тыка — hit-or-miss method
четырехзондовый метод — four-probe method
компенсационный метод —balance method
метод нарушенного полного внутреннего отражения — frustrated
total internal reflection method
Все слова, означающие метод, способ, подход и т. д., в
английском варианте по мере возможности следует опускать.
метод рентгеноструктурного анализа — X-ray diffraction analysis
метод электронного парамагнитного резонанса — electron spin
resonance
метод резерфордовского обратного рассеяния — Rutherford back-
scattering
Статистический метод дает The statistical approach gives
цифровые значения для кон- numerical values for constants
стант, которые не могут быть that cannot be evaluated by the
вычислены кинетическим ме- kinetic method,
тодом.
45

Упражнение 14
1. Производство фуллеренов в макроскопических количествах
путем дугового разряда в гелии между графитовыми
электродами привлекает своей простотой.
2. Очевидно, этот подход дает точные значения лондоновской
длины проникновения в случае однородных образцов.
3. Преимущество метода выращивания из газовой фазы состоит
в том, что кристаллы имеют обычно меньшую концентрацию
дефектов и примесей, чем выращенные из растворов.
4. Методы испарения в квазизамкнутом объеме и горячей
стенки позволяют удовлетворительно воспроизводить состав
шихты на подложках различных типов.
5. В данной работе объектом исследования являлись
изготовленные методом импульсного лазерного напыления
сверхрешетки из PbS и алмазоподобной пленки углерода.
6. Импульсным методом были изучены механизмы релаксации
в монокристалле.
7. Методом эталонной задачи построены в аналитическом виде
волновые функции кулоновской частицы в однородном
электрическом поле.
8. Электронная теплопроводность определена с использованием
максвелловского распределения для электронов проводимости.
3.4. Метод состоит в том, что
Для перевода выражений заключаться в том, что; состоять в
используются глаголы to be to; to consist in; to involve; to include.
Предлагается следующая схема.
Метод
The method
состоит
consists in
consists in
involves
involves
is to
в измерении
measuring
the measurement of
measuring
the measurement of
measure
фазового сдвига
the phase shift
Упражнение 15
1. Традиционные вакуумные способы получения
фоточувствительных пленок включают процесс собирательной
рекристаллизации.
2. Другой подход заключается в наблюдении поверхности
кристаллов.
46

3. Процесс включал нагревание с последующим быстрым
охлаждением.
4. Предлагаемый метод измерения плотности включает
взвешивание точно известного объема.
3.5. Экспериментальные установки
прибор — device, apparatus, instrument
аппарат(ура) — apparatus, instrument, equipment
инструмент — tool
приспособление — equipment, facility
устройство — design, equipment, facility, installation, set
оборудование — set, apparatus, equipment, facility
установка — set up, setup, set, facility, installation
конструкция — construction, design
блок — tool, unit
Творительный падеж часто передается предлогами
by, with, by means of, using.
Система изучается эллипсо- The system is studied by (using,
метрическим методом. by means of) ellipsometry.
Проводимость измерялась Conductivity was measured with
амперметром. (by means of, using) an
ammeter.
Упражнение 16
1. Спектральные измерения проводились на установке МДР-4.
2. Спектры фотопроводимости регистрировались на установке,
состоящей из монохроматора с дифракционными решетками
200 штрихов/мм и криостата, поддерживающего температуру
образцов 77 К.
3. Блок электроники содержал избирательный усилитель,
синхронный детектор и двухкоординатный самописец.
4. Эксперименты на пропускание проводились на специально
сконструированной высоковакуумной установке.
5. В установке использовался вращающийся полукруглый
анализатор энергии электронов.
6. Установка состоит из вакуумной камеры, катодных и анодных
конструкций и держателей с водяным охлаждением.
7. Установка состоит из шумового генератора и приемника.
47

З.б. Описание объекта исследований
Часто при описании объекта исследования используются
слова являться, представлять собой. Их удобно переводить
следующими конструкциями: to be, to represent, to be known
as, to be called as, to be considered as.
Выражение представлять собой, подразумевающее состоит
из, можно переводить следующими способами: to consist of,
to consist in, to contain, to include, to be comprised of (to comprise),
to be formed by, to be made up of some structural elements.
Элемент состоит из равного The element is composed (is
числа протонов и нейтронов. made up, consists) of equal
number of protons and
neutrons.
Электрический ток представ- An electric current consists in
лет собой поток свободных the flow of free electrons,
электронов.
Упражнение 17
1. Спектр состоит из трех компонент.
2. Спектр содержит резонансную линию.
3. Образцы представляли собой слои GaAs и GaAlAs с
толщинами 100 А.
4. Исследованные образцы представляли собой селективно
легированные квантово-размерные слои на полуизолирующей
подложке.
5. Даже в отсутствие электрического поля образец с квантовыми
ямами представляет собой анизотропную среду с оптической
осью, направленной вдоль оси роста структуры.
6. Сверхрешетка состоит из определенной последовательности
квантовых ям и барьеров, чередующихся непериодическим
образом.
3.7. Достоинства и недостатки
Merit, advantage — достоинство, преимущество.
Dignity — достоинство [beneath my dignity —ниже моего до-
стоинства].
Limitation, disadvantage, drawback —- недостаток, недочет,
ограничение.
Merits and demerits, the pros and cons, strengths and weaknesses,
pro and con — за и против.
48

To have, to offer, to present advantage over — иметь
преимущество.
To have, to suffer from limitations — иметь недостаток.
To put/place/impose/set limitation/restriction on — накладывать
ограничение на.
For want of, in default of, for lack of— из-за недостатка.
To be short of—ощущать недостаток в чем-то.
То have the advantage of/over somebody — иметь преимущество
перед кем-нибудь.
То take the advantage of somebody — перехитрить кого-нибудь.
To take the advantage of something — воспользоваться чем-
нибудь.
Можно использовать следующую схему.
Преимущество
(недостаток)
The advantage
The limitations
нового
метода
of the new
method
of the
method
состоит в
is
is in
is due to
is due to the fact
that
is that it permits
can be related to
простоте
the simplicity
its simplicity
the simplicity
it is simple
easy calculations
costly
measurements
Упражнение 18
1. Преимущество кремния перед германием в том, что он
дешевле.
2. Преимущество золота состоит в химической стойкости.
3. Преимущество анодного окисления в том, что толщину
окисла можно регулировать.
4. Эти соображения использованы в конструкции закрытого
тигля большого диаметра, сочетающего преимущества
методов квазизамкнутого объема и горячей стенки.
5. Делается заключение, что в опытах по рассеянию мезоны в
качестве бомбардирующих частиц имеют ряд преимуществ
по сравнению с электронами.
6. Недостаток метода состоит в том, что высокие температуры
конденсации плохо совместимы с технологией получения
матриц.
4 £. В. Владимирская и др.
49

3.8. Возможности метода, свойства объекта исследования
При употреблении модальных глаголов необходимо помнить,
что инфинитив после них употребляется без /о.
Из рис. 1 видно.
Можно показать, что
энергетические уровни близко
расположены.
Частоту можно получить из
следующего уравнения.
Можно сказать и обратное.
One can see in Fig.l that; from
Fig.l it can be seen that; it is
seen in Fig.l that; this can be
seen grafically.
It can be shown that the energy
levels are closely packed; the
energy levels can be shown to
be closely packed.
We can obtain the frequency
from the following equation; the
frequency can be obtained from
the following equation; the
frequency is obtainable from the
following equation.
The reverse statement can also
be made; we can also make the
reverse statement.
Конструкция to be capable of+ герундий или существительное.
Эта система способна к поляризации. — This system is capable
of polarization (this system is polarizable).
capable of improvement — поддающийся усовершенствованию
capable of explanation — объяснимый
Похожий глагол — to be liable to.
Очень возможно, что ветре- Difficulties are liable to occur,
тятся затруднения.
Ваша статья может быть
превратно истолкована.
Your paper is liable to
misconstruction.
Упражнение 19
1. Метод дискретного испарения не позволяет получать
однородные пленки на большой площади.
2. Прибор может работать при низких температурах.
3. Экситоны практически не возбуждают ионы индия.
4. Система позволяет изменять и регулировать условия
напыления.
50

3.9. Позволять, давать возможность
То allow, to permit, to enable — позволять, давать возможность.
Эти глаголы требуют дополнения — что позволять или кому
позволять.
Распространенные в русском языке конструкции типа
«позволять что-то делать» переводятся с помощью нескольких
стандартных приемов.
Инфинитив в действительном залоге:
The method enables/allows/permits us/one to measure high
temperatures.
Инфинитив в страдательном залоге:
The method allows/permits/enables high temperatures to be
measured.
Отглагольное существительное:
The method allows/permits/enables measurements at high
temperatures.
Вместо существительного можно употреблять герундий:
The method allows/permits/enables measuring high temperatures.
Эта кривая
This curve
позволяет
allows
оценить
us to estimate
estimating
the
estimation of
the energy
barrier
энергетический барьер
the energy barrier
to be estimated
Те же выражения можно перевести конструкциями to make
it possible + инфинитив; to make possible + герундий или
существительное.
Наши результаты позволяют Our results make it possible to
применить компьютерное мо- apply computer simulation; our
делирование. results make possible the
application of computer simulation.
51

Упражнение 20
1. Эти формулы позволяют на основании экспериментальных
результатов определить основные параметры.
2. Это позволило снизить температуру конденсации и
соответственно увеличить пересыщение пара.
3. Настоящая работа дает возможность сравнить имеющиеся
данные.
4. Исследование дало возможность лучше понять механизм
реакции.
5. Экспериментальные данные дают возможность определить
природу перехода Мотта.
6. Создание таких решеток позволяет произвести
экспериментальную проверку модели Андерсона для неупорядоченной
среды.
7. Использование PbS в качестве материала, образующего
квантовую яму, удобно, поскольку позволяет изучить
энергетический спектр сверхрешетки при нормальном падении света.
8. Достигнуто относительное разрешение 0.5%, что позволяет
разрешить и исследовать электронные колебательные
уровни в атомах и молекулах.
9. Последовательное введение примесей бора и фосфора делает
возможной реализацию квантово-размерных транзисторных
структур.
10. Анализ энергетического спектра ионов Не с энергией
1.8 МэВ позволяет определить состав пленки.
11. Сравнение спектров позволило определить природу
аномальных резонансов в спектральном диапазоне 1000—
3200 cm"1.
12. Это позволило по температурной зависимости определить
положение уровня мелких ловушек в зонной схеме кристалла.
3.10. Ошибки и погрешности
Error — ошибка, погрешность; reading error — ошибка
отсчета; random error — случайная ошибка; human error —
субъективная ошибка.
Root-mean-square deviation, standard deviation —
среднеквадратичная ошибка.
Mistake — недоразумение, заблуждение; by mistake — по
ошибке.
Fallacy — заблуждение, ложный вывод, ложный довод,
софизм.
Artefactum (от лат.) — артефакт, искусственно сделанное.
Процесс или эффект, несвойственный объекту исследований и
вызванный самим методом его исследования.
52

within the (limits of the) experimental error — в пределах ошибки
эксперимента
to introduce an error — вносить ошибку, погрешность
to minimize the/an error — минимизировать погрешность
in error — ошибочный
Ошибка данных рассуждений
в том, что кластеры
предполагаются сферическими.
В вашем доказательстве где-
то есть ошибка.
The fallacy in these calculations
is that each cluster is taken to
be spherical.
You have a fallacy (error,
mistake) in your proof somewhere.
Варианты перевода выражения с точностью до
Толщина измеряется с
точностью до 1 мкм.
Угол измеряется с точностью
до 1 минуты.
Показания могут быть
получены с точностью до 1
микрона.
Время измеряется с
точностью до 10 мс.
Вольтметры откалиброваны с
точностью до 1%.
Параметры известны с
точностью до 5%.
Численный ответ можно
получить с точностью до 25%.
Thicknesses are measured
accurate to 1 цт.
Angle may be read to Г (1
minute of arc).
Readings can be obtained to an
accuracy of 1 micron.
The time scale can be read to
(with) an accuracy (precision)
of 10 ms.
Voltmeters were calibrated to
within 1%.
These parameters are known
with an accuracy of 5%.
It is possible to obtain a
numerical answer ±25%.
С точностью до ... десятичных знаков
Данные будут представлены с
точностью до 5-го знака.
Вычисления с точностью до
3-го знака после запятой.
The data will be displayed to
the fifth decimal place.
Calculations to three-place
accuracy.
С точностью до ... значащих цифр
Расчет проведен с точностью
до 10 значащих цифр.
The calculation is done with a
precision of 10 significant
figures.
С точностью до ... порядка
с точностью до 1-го порядка — correct to the first order
53

С точностью до ... раз
с точностью до 3—4 раз — within a factor of 3 or 4
Упражнение 21
1. В пределах погрешности результаты не зависели от
расстояния от контакта.
2. Случайные погрешности, связанные с флуктуациями, легко
устранимы.
3. В пределах экспериментальных ошибок сигналы изменяются
в соответствии с расчетом.
4. При измерении скорости результаты согласуются с
расчетными значениями в пределах экспериментальной ошибки.
5. Пренебрежение этим фактом может внести большие ошибки
в измерения.
4. РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ
Основная часть работы, в которой излагаются оригинальные
результаты, наиболее индивидуальна. Она содержит полученные
авторами экспериментальные или теоретические данные,
зависимости, факты.
4.1. Данные
results (on, of) — результат
findings (on) — данные, находка
data (on, of, for, concerning, as to) — данные, сведения
evidence (for, of, on, concerning, that) — факт, свидетельства
fact — факт
information (for, about) — данные, информация
X-ray evidence — данные
рентгеновского анализа
estimated, predicted data — расчетные данные
contributing evidence — вспомогательные
данные
reliable information — достоверные данные
He было найдено данных, No evidence was found for the
указывающих на химическую chemical reaction,
реакцию.
54

Упражнение 22
Представлены результаты исследования магнитно-зависимого
микроволнового поглощения в ультрадисперсном алмазе.
Получены новые данные о поведении этого нового
кластерного вещества.
Приводятся результаты по влиянию давления на фазовый
переход.
Нет данных относительно того, как именно ведет себя эта
примесь.
По данным акустического парамагнитного резонанса
установлена структура кристалла.
Приводятся и обсуждаются данные по циклотронному
резонансу легких дырок в германии.
Приведены результаты экспериментального исследования
магнетосопротивления.
Получены сходные результаты для подложек как /ьтипа, так
и л-типа.
4.2. Данные показывают
to show, to indicate, to demonstrate — показывать
to indicate — указывать, означать
to confirm, to verify — подтверждать
to support — поддерживать
to favour — говорить в пользу
to contradict — противоречить
to prove —доказывать
to provide evidence for — свидетельствовать в пользу
to give strong evidence of — убедительно доказывать
Данные рентгеноструктурно- X-ray data indicated the crystal
го анализа показали, что ре- lattice to be highly uniform,
шетка кристалла чрезвычайно
однородная.
Упражнение 23
1. Большое число ступенек в спектре пропускания подтверждает
тезис о самоподобии энергетического спектра сверхрешеток
Фибоначчи.
2. В пользу такой связи свидетельствует также и синглетный
характер линии возбужденного состояния.
3. Малая ширина пика и большой уровень сигнала
фотопроводимости свидетельствуют о переходах в возбужденное
состояние.
55

4. Точные результаты по электронному парамагнитному
резонансу свидетельствуют о правильности нашей гипотезы.
5. По данным рентгенодифрактометрических исследований
пленки являются аморфными.
6. Этот механизм дает объяснение явления излучения
электромагнитных волн из кристаллов теллура.
4.3. Зависимость
dependence of ... on (upon) —
to depend on —
to be dependent on —
to be independent of —
depending on —
as a function of —
to depend on ... for —
to depend on whether —
the z-dependence —
Этот процесс зависит от
температуры.
зависимость ... от
зависеть от
зависеть от
не зависеть от
в зависимости от
в зависимости от
зависеть ... в отношении
зависеть от того, является ли он
зависимость в направлении z
This process is dependent on
temperature; this process is
temperature dependent; this
process depends on
temperature.
Note: This process is independent of temperature!
Успех процесса заложен в
правильном выборе
параметров.
Свойства полупроводников
зависят от того, относятся ли
они к р- или я-типу.
This process depends for its
success on the proper choice of
parameters.
The properties of
semiconductors depend on whether they
are /?- or я-type.
Зависеть: определяться чем-либо — to be dictated by,
to be governed by, to be controlled by, to be determined by,
to be conditioned by
Выбор подложки
определяется значением постоянной
решетки.
Скорость реакции
определяется концентрацией анионов.
Свойства пленок зависят от
многих факторов.
Поведение жидкости
определяется ее вязкостью.
The choice of substrate is
dictated by the values of lattice
parameter.
Reaction rate is governed by the
concentration of anions.
The properties of films are
controlled by many factors.
The behaviour of liquid is
conditioned by its viscosity.
56

Давление газа определяется The gas pressure is determined
температурой. by its temperature.
Изменяться в зависимости от — to change (vary) with
Кристаллы изменяют цвет в The crystals vary in colour ас-
зависимости от типа центров cording to the type of colour
окраски. centres.
Изменяться прямо (обратно) пропорционально
Эта величина меняется прямо This quantity varies directly as
пропорционально времени. time.
Потенциал меняется обратно The potential varies inversely as
пропорционально расстоя- the distance from the object,
нию от объекта.
В зависимости от
Поверхностная энергия пока- The surface energy is plotted
зана в зависимости от разме- against (versus, vs., as a function
pa кластера. of) cluster dimension.
Упражнение 24
1. Состав исходного материала выбран в диапазоне, где
концентрация носителей тока слабо зависит от изменения
содержания легирующей примеси.
2. Порог оптического поглощения зависит от природы
примеси и не зависит от концентрации.
3. Структура пленки зависит от того, является ли подложка
аморфной или кристаллической.
4. На рис. 6 представлены изменения значения коэффициента
поглощения света в зависимости от продольного
электрического поля.
5. Характер распределения висмута между подрешетками
зависит от присутствия избыточных свинца и селена в паре.
6. Исследовались изменения концентрации носителей тока в
пленках в зависимости от температуры конденсации.
7. В данном случае подвижность носителей зависит от
температуры.
8. Многие свойства молекул зависят от того, являются ли они
полярными или неполярными.
9. Коэффициент пропорциональности не зависит от геометрии
образца.
10. Наблюдалась слабая зависимость эффективной массы от
температуры.
57

11. Измерения коэффициента Холла и сопротивления в
зависимости от температуры и магнитного поля выявили различия
в поведении германия р- и л-типа.
12. Проведен расчет вероятности захвата экситона
неподвижными ловушками в зависимости от концентрации,
диффузионной длины и других кинетических параметров экситона.
4.4. Изменение, увеличение и уменьшение
Изменяться — to change, to vary, to alter.
В значении «быть непостоянным» употребляются to change,
to vary, to alter.
Изменяться в зависимости от другой величины — to change,
to vary with.
Изменяться в пределах — to vary.
Если произошло однократное изменение — to change.
При указании, какой именно параметр увеличивается,
уточняющее слово вводится предлогом in.
При указании, до какой именно величины параметр
увеличивается, уточняющее слово вводится предлогом to.
При указании цифровых пределов увеличения величины
употребляются предлоги from ... to.
При указании количественной оценки увеличения или
уменьшения используется предлог by.
Изменяться
однократно
с ... до
То change
from ... to
Изменяться
на
То change
by
Быть
непостоянным
То change,
to vary
Меняться в
пределах
от ... до
То vary
from ... to
Колебаться
То vary
Когда необходимо подчеркнуть отсутствие изменения
величины, используется отрицательная форма соответствующих
глаголов. Когда надо сделать акцент на сохранении данной
величины, употребляются глаголы, имеющие значение
сохранения: to maintain, to conserve, to hold, to keep, to keep
constant.
58

Упражнение 25
1. Интенсивность меняется во всем спектральном диапазоне.
2. Напряжение смещения меняется прямо пропорционально
времени.
3. Сила осциллятора медленно меняется с временем.
4. Потенциал меняется обратно пропорционально расстоянию.
5. Температура не меняется в течение эксперимента.
6. Подвижность меняется приблизительно от 10 до 15 см2/В • с.
7. Толщина пленки меняется приблизительно от 20 до 40 нм.
8. Сохранение означает, что величина не изменяется.
9. Интенсивность поля сохранилась неизменной.
Схема глаголов увеличения и уменьшения величины
Увеличиваться
(резко)
Повышать
Возрастать
(о скорости)
(об объеме)
(о
протяженности во
времени и
пространстве)
(о сигнале)
(о микроскопе)
То increase
То grow
То gain
То jump
То enhance
То raise
То rise
То build up
То speed up
То accelerate
То expand
То extend
То lengthen
То stretch
То enlarge
То amplify
То magnify
Уменьшаться
(резко)
Понижать
Убывать
(ослаблять)
Сокращать
дробь
Сокращать по
начальным
буквам
То decrease
То lessen
То minimize
То fall
То reduce
То cut down
То lower
То slow
То contract
То shorten
То diminish
То reduce
То cancel
То abbreviate
59

Схема употребления предлогов
для глаголов изменения, увеличения,
уменьшения
чего
до какой величины
с ... до
на какую величину
во сколько раз
в зависимости от
in
to
from ... to
by
by
with
Сочетание «в Q раз» при глаголах и существительных
со значением изменения величины
Возрастание
в Q раз
Увеличиваться
вдвое
Уменьшение
в Q раз
Уменьшаться
вдвое
(?-кратный
б-times
A factor (of) Q
Q + fold
To double
A factor (of) Q
To + G-fraction
To halve
(2-fold
These samples show 100 times
higher conductivity.
The fluorescence intensity
increases by a factor of about 5.
Then the factor к increases a
thousand fold.
The output will be doubled.
The device has been reduced in
size by a factor of 6.
The pressure dropped to one-
third.
The electron density decreases to
such an extent that the critical
frequency may be more than
halved.
The increase in average distance
between atoms by 20 per cent
leads to tenfold increase in
resistivity.
60

Модели для перевода выражения
«с увеличением А увеличивается В»
A increases with В
\А increases with increasing В
A increases as В increases
With increasing В A becomes
more (attributive)
The higher the В the more
the A
Higher A is due to higher В
This difference increases with
temperature.
This difference increases with
increasing temperature.
This difference increases as the
temperature increases.
With increasing temperature this
difference becomes more
noticeable.
The higher the temperature the
more the difference.
Greater difference is due to
higher temperature.
Упражнение 26
1. При понижении температуры от комнатной до азотной
полосы увеличивают, а не уменьшают, свою интенсивность.
2. Скорость электрона возрастает равномерно на одну и ту
же величину за равные промежутки времени.
3. Выброс электронов из ямы уменьшает величину
коэффициента поглощения, однако смещение пика достаточно,
чтобы вызвать рост поглощения.
4. Число неравновесных оптических фононов растет с ростом
электрического поля, поэтому растет и коэффициент
поглощения света.
5. Мощность электролюминесценции квантовых ям
значительно снижается при уменьшении температуры ниже
комнатной.
6. При повышении температуры отжига наблюдаются
увеличение высоты барьеров и соответствующий рост темнового
сопротивления.
7. Чем выше концентрация, тем короче длина прыжка и
меньше размытие энергии между соседними примесными атомами.
8. Этот процесс может повысить квантовый выход.
9. Величины наблюдаемых скачков в значениях вторых
производных лежат в пределах ошибки.
10. Десятикратное увеличение давления приводит к большому
числу нарушений, увеличивающихся с повышением
температуры.
61

11. Температура стеклования Tg может быть понижена при
уменьшении скорости охлаждения.
12. При внезапном понижении температуры кристалла дырки
и дислоцированные атомы образуют своего рода
пересыщенный раствор.
13. При этих условиях ионизация падает до очень малой
величины.
4.5. Влияние
То influence — воздействовать на, влиять на.
То effect — производить [to effect a change in a plan —
произвести изменение в плане].
То affect — влиять, вызывая изменение свойств;
воздействовать на.
То act on (upon) — воздействовать на.
То have a detrimental/adverse effect; to affect adversely —
оказывать отрицательное влияние.
Глаголы to influence, to effect, to affect требуют прямого
дополнения, т. е. существительного без предлога.
Механическое присутствие The mechanic presence of im-
примесей не влияет на точку purities does not affect the Curie
Кюри. point.
Резкие изменения температу- The samples are adversely af-
ры неблагоприятно влияют fected by wide temperature
на образцы. changes.
Упражнение 27
1. Неизбежные малые технологические отклонения практически
не влияют на электрофизические свойства вещества.
2. Вводимый в пленку свинец не влияет на положение висмута
в решетке PbSe, поскольку переходит в междоузельное
положение.
3. Примеси влияют на динамические свойства электронов.
4. Делается вывод, что молекулярные силы не влияют на
внутреннее давление.
5. Термическое расширение образцов не оказывает
существенного влияния на положение уровня Ферми.
6. Поверхностный слой с аномальным типом проводимости
может сказываться на экспериментальных результатах.
7. Пленка меняет сопротивление под действием света.
62

4.6. Давать, производить, создавать
То give — давать; to give a chance — давать возможность; to
give the flavour of, to give somebody some inside into — давать
некоторое представление; gives grounds to expect — дает
основания ожидать.
To produce — давать, производить, создавать; to produce an
effect — оказывать влияние; to produce voltage — создавать
напряжение; to produce a change — вызывать изменение; to produce
an increase in — приводить к увеличению.
To provide — снабжать; to provide data/evidence for —
приводить данные в пользу; to provide explanation/interpretation for —
объяснять; to provide information on — давать информацию о;
to provide an estimate of—оценивать; to provide a basis for —
давать основу для; to provide excitation — возбуждать.
To yield — давать (узкая сочетаемость); to yield results —
приводить к результатам; to yield precision — обеспечивать точность;
to yield energy — выделять энергию.
To create — создавать; to create a theory — создавать теорию;
to create charged particles — создавать заряженные частицы.
To generate — производить; to generate energy — генерировать
энергию; to generate a problem — порождать проблему; to generate
a plasma — создавать плазму.
To offer —давать, предлагать.
To sum up — давать в сумме.
Эта теория дает
существенную информацию об
энергетических потерях.
Окисление арсенида галлия
приводит к смеси оксидов.
Интегрирование дает
значение JC = 1.
В больших кристаллах
дислокации взаимодействуют с
образованием новых.
Мы попытаемся дать
теоретическую основу.
Водород и хлор соединяются
с образованием хлористого
водорода.
Этот метод дает
минимальные потери.
Ни одна теория не дает
удовлетворительного объяснения
наблюдаемого факта.
63
The theory provides a great deal
of information on energy losses.
Oxidation of GaAs yields (gives)
a mixture of oxides.
The integration yields (gives)
x = 1.
In large crystals the dislocations
interact to generate new ones.
We will attempt to provide some
grounding in theory.
Chlorine and hydrogen combine
to form hydrogen chlorine.
This method offers minimum
losses.
No theory offers a satisfactory
explanation of the observed fact.

Термодинамика много дает в Thermodynamics has much to
этом отношении. offer in this respect.
Сумма чисел 1, 2 и 3 равна 6. The number 1, 2, and 3 sum
up to 6.
Упражнение 28
1. Наши измерения на образцах с примесью селена дали
аналогичные результаты.
2. Германий создает летучие соединения с халькогенами.
3. Легирование цезием и рубидием, которые, как оказалось, слегка
расширяют решетку, привело к увеличению Тс до 33 К.
4. Среди высших фуллеренов могут быть такие, легирование
которых создаст сверхпроводники с более высокими Тс.
5. Конденсация протекает обычным путем, давая
соответствующие соединения.
6. Потенциальные ямы, сформированные слоями PbS двух
различных толщин, и потенциальные барьеры постоянной
ширины, образованные слоями алмазоподобного углерода,
создают достаточно сложную картину энергетических уровней.
4.7. Характеристика предмета исследования
Feature, trait, line, characteristics, peculiarity — характерная
черта, особенность.
То be characterized by; to have some feature/property — обладать
чертой, характеризоваться.
To be typical of, to be characteristic of— быть типичным для.
To have one point (feature) in common; to share a common
trait — иметь общую черту.
In general terms; roughly — в общих чертах.
Flow conditions — характеристики потока.
Thermal value — тепловые характеристики.
Technical data — технические характеристики.
Frequensy response — частотные характеристики.
Упражнение 29
1. Особенности энергетического спектра двумерных дырок
могут проявиться в спектральной зависимости эмиссии.
2. Основные особенности процесса эмиссии могут быть выяснены
из спектральной зависимости коэффициента поглощения.
3. Смешивание состояний тяжелых и легких дырок и
антипересечение подзон приводят к появлению особенностей в
приведенной плотности состояний для большого числа
квантово-двумерных слоев.
64

4. Отмеченные особенности экспериментальных данных, по-
видимому, связаны с наличием значительного
потенциального рельефа.
5. Установлены особенности развития микроструктуры
поликристаллических вакуумных конденсатов теллурида свинца
в условиях термоотжига.
6. Характерные проявления, присущие решетке Фибоначчи,
хорошо заметны в спектре пропускания решетки,
выращенной на аморфной подложке.
7. Особенности в спектре пропускания являются следствием
внутризонных и межзонных переходов в сверхрешетке.
8. При 0.3 эВ видна ступенька, что характерно для вольт-
фарадных характеристик сверхрешеток.
9. Главная характерная черта фуллереновых молекул — то, что
они могут рассматриваться как нуль-мерные квантовые ямы.
10. Фуллерены имеют общую черту — замкнутую молекулярную
оболочку.
4.8. Проявлять особенности
То display, to manifest, to show, to reveal, to exhibit —
проявлять.
To manifest oneself, to be reflected — проявляться.
To show absorption — поглощать.
To show/exhibit deviation — отклоняться.
To exhibit a behaviour — вести себя.
To show a tendency to increase — увеличиваться.
У полученного образца еле- The sample obtained has
дующие особенности. (shows, exhibits) the following
peculiarities.
Кривая заметно отклоняется The curve shows marked
при низких температурах. deviation at low temperatures.
Упражнение 30
1. У полученного полимера наблюдается полупроводниковое
поведение.
2. Образцы поглощают в видимой области спектра.
3. Проводимость медленно уменьшается с увеличением
температуры, но обнаруживает тенденцию к увеличению при
освещении.
4. Обнаружен эффект самоподобия спектра пропускания
структур и однозначно связанной с ним плотности состояний.
5. Конфигурация доменов носила менее регулярный характер.
6. Кривая поглощения в ультрафиолете имеет максимум
поглощения при 260 мкм.
5 Е. В. Владимирская и др.
65

7. Повышение абсорбции не имело отношения к числу
добавленных примесей.
8. Пористый кремний флюоресцировал под действием
излучения с длиной волны 0.4 мкм.
5. ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ
Обсуждение результатов включает сравнение полученных
данных с теоретическими расчетами, а также с ранее имевшейся
информацией. Большое место занимает сопоставление
результатов, полное совпадение с моделью или совпадение, возможное
при учете некоторых обстоятельств, в каком-либо
предположении. Вскрываются взаимосвязи и причины наблюдаемых
явлений, обосновывается достоверность результатов.
5.1. Интерпретация
То explain — объяснять, делать ясным, толковать,
оправдывать [to explain oneself— представить объяснения в свое
оправдание].
То interpret — объяснять, проникать в суть, считать [также —
устно переводить].
То account for — объяснять причину события [this accounts
for his behaviour — вот нем объясняется его поведение; how do you
account for the fact that..?— как вы объясняете, что..?]\ to account
for также переводится как отвечать за что-либо или
отчитываться в чем-либо.
То give, to provide an/the explanation (interpretation) for —
давать объяснение.
To offer, to suggest an/the explanation — предлагать
объяснение.
Это объясняется тем, что ре- This is accounted for by the re-
акция пошла по другому пу- action taking a different course,
ти.
Упражнение 31
1. Такая зависимость подвижности дырок объясняется
температурной зависимостью комбинации рассеяния на примесях
и колебаниях решетки.
2. Полученные результаты трудно интерпретировать на основе
теории свободных носителей.
66

3. На основе данной модели можно объяснить положение пика
поглощения.
4. Это явление лучше всего объяснить на примере.
5. Это явление трудно объяснить чем-либо, кроме структурного
разупорядочения.
6. Причина этого расхождения может объясняться частичным
распадом слоев.
7. Предлагается объяснение процесса, связанного со
вторичными электронами.
5.2. Сопоставление
То correlate (with or to) — находиться в определенном
соотношении, связи.
То compare (with) — сравнивать, сличать. (As) compared (with
or to); in (by) comparison with (to) — по сравнению с; even by
comparison with ...—даже по сравнению с; not to be compared
to — не может сравниться с; to compare favourably with
something — успешно выдерживать сравнение; to make/give (a)
comparison of... with; to make/give (a) comparison between ... and
... — проводить сравнение.
Comparison studies — сравнительное изучение.
Against, as against, over, vs., vers., versus — по сравнению с.
Толщина естественного
окисла даже меньше, чем у
кремния.
По сравнению с медью этот
полимер плохой проводник.
Нитрид бора сравним по
твердости с алмазом.
Эта методика оказалась
значительно улучшенной по
сравнению с прежней.
The thickness of the native
oxide is even smaller as compared
to silicon.
When compared to copper, this
polymer is a poor conductor.
Boron nitride compares with
diamond in hardness.
Boron nitride is comparable
with diamond in hardness.
This procedure proved to be
greatly improved over the
previous one.
В приведенных ниже конструкциях рекомендуется
употребление слов-заменителей
that, those.
Полученные данные
сравнивались с рассчитанными
теоретически.
The values obtained were
compared with those predicted from
the theory.
67

Упражнение 32
1. Спектр излучения следует сравнивать с рассчитанным
спектром поглощения с учетом особенностей в плотности
состояний.
2. Сравнение экспериментального спектра и рассчитанных
энергий переходов позволяет идентифицировать пики вблизи
края поглощения как экситоны с тяжелыми дырками.
3. Мы пока не имеем возможности сопоставить полученные
значения п со значениями, полученными согласно
соотношению Крамерса—Кронига.
4. Для идентификации переходов полученные значения энергии
сравнивались с данными, рассчитанными в приближении
эффективной массы с учетом многодолинности зоны
проводимости.
5.3. Соответствие
То agree — соглашаться, согласовывать, гармонировать,
соответствовать [the wine doesn 't agree with me — вино мне вредно;
we agree to differ —мы отказались от попыток убедить друг
друга].
Agreement, correlation — согласие, соответствие.
Disagreement, discrepancy — расхождение, разногласие.
То (dis)agree with — (не) находиться в соответствии.
То be in agreement with; to give agreement with; to show
agreement with; to find an agreement with — обнаруживать
соответствие.
Едва ли хорошее соответствие The close agreement of the
между спектрами и ожидае- spectra with the expected ab-
мой картиной поглощения sorption pattern is unlikely to
является совпадением. be a coincidence.
Упражнение 33
1. Хорошее соответствие экспериментально определенного
положения края поглощения с полученным из расчетов не
является неожиданным.
2. Изменение структуры пленок обнаруживает соответствие с
величиной фоточувствительности образцов.
3. Расхождение связано, вероятно, с отклонением потенциала
селективно легированных структур от прямоугольного.
4. Расхождение, составляющее около 10 мэВ, обусловлено
искажением электростатического потенциала в барьерах
валентной зоны.
68

5. На основании электрических измерений получено значение
1.9—2.1 эВ, что находится в соответствии с оптическими
данными.
6. Указанные значения хорошо совпадают с теми величинами,
которые ранее были получены для монокристаллов.
5.4. Согласование. Fit and match
Fit — согласование, совпадение, подгонка, соответствие;
годный, подходящий, подобающий.
То be fit — годиться, подходить [/ am not fit to be seen— я
не могу показаться; it is not fit — не подобает; do as you think
fit — делайте, как считаете нужным].
То fit — точно соответствовать [fits like a glove — сидит, как
перчатка; fitting-room — примерочная; to fit the bill — отвечать
всем требованиям].
Fitness — пригодность, соответствие.
Fitter — тот, кто производит подгонку: портной на примерке
или слесарь, монтер, сборщик.
Match — согласование, согласие, соответствие [he is a good
match — он хорошая партия; to make a match — жениться, выйти
замуж; he has not his match — ему нет равного; he is more than
a match for me — он искуснее меня (сильнее)].
То match — соответствовать, подбирать под пару или под
стиль [these colours don't match —эти цвета не сочетаются].
Matchless — непревзойденный.
Несмотря на то что глаголы to fit и to match переводятся
как соответствовать, между ними существует различие. То
fit имеет смысл подгонки; to match обязательно предполагает
наличие парного элемента.
То make the theory fit the data — подгонять теорию к данным.
Lattice matching — согласование параметров решеток.
Упражнение 34
1. Параметры сверхрешетки определялись из подгонки
рассчитанных и наблюдаемых в эксперименте положений
особенностей в спектре.
2. Достоверность модели определяется тем, насколько
совпадают расчетные частоты с положениями пиков поглощения.
3. Этот эффект наблюдается, когда разница энергий между
двумя уровнями соответствует энергии фотона.
4. Экспериментальные точки хорошо ложатся на прямую в
координатах логарифма проводимости от обратной температуры.
5. Эти кривые обычно не подчиняются общепринятым
уравнениям.
69

5.5. Сходство и различие
То differ from — отличаться от; to differ in — различаться по
признакам; to differ by — отличаться на величину; to be different
(from, in, by) — отличаться от, по, на.
То be similar in — походить по признакам; to be very much
like — сильно напоминать; to be like, to be alike, to be similar
to, to be analogous to, to be identical with, to be the same as, to
resemble — быть подобным.
To have something in common with — иметь что-то общее.
The same {parameter) with — тот же (параметр), что и.
By analogy with; on the analogy of—по аналогии с.
The same, identical — тот же, одинаковый. Употребляются
также, чтобы подчеркнуть постоянство, повторяемость.
То distinguish between — проводить различие.
In a variety of ways — различными способами.
As opposed to, in contrast to, unlike — в отличие от.
Два отрезка линии, неравные
по длине, содержат
одинаковое число точек.
Электрический вектор
вращается с одной и той же частотой
и постоянной амплитудой.
Приращение d/ величины /
для данного слоя является
одним и тем же для всех
значений / и а, для которых
f2cosa одинаково.
Two unequal line-segments
contain the same number of
points.
The electric vector rotates at
the same frequency, with
constant amplitude.
The increment d/ of t for the
particular stratum considered, is
identical for any values of/and
a for which f2cosa is the same.
Упражнение 35
1. При равных концентрациях теллура и галлия спектры
фотопроводимости аналогичны предыдущему случаю.
2. Их вклад в спектр поглощения должен быть примерно
одинаков.
3. Квазипериодическая сверхрешетка Фибоначчи является
одномерным аналогом квазикристалла.
4. То же относится к связи Si—Si — понижение барьера, по-
видимому, определяется увеличением межатомных расстояний.
5. Подвижность у отрицательного иона была бы приблизительно
того же порядка, что и у положительных ионов.
6. Результаты эксперимента не зависели от способа получения
кристаллов.
7. Изменением степени компенсации донора теллура были
получены образцы с различными преимущественными
зарядовыми состояниями халькогена.
70

8. Этого можно было ожидать, если бы вклады электронов и
дырок были бы равны по величине.
9. Из таблицы видно, что энергия активации на
высокотемпературных участках примерно постоянна.
10. Фотоэмиссионные спектры легированных и нелегированных
пленок по форме отличаются друг от друга.
11. Оптимальные параметры сверхрешетки, приведенные в
подписи к рис. 1, несколько отличаются от исходных
технологических значений.
12. Приводящиеся в различных публикациях значения энергии
ионизации существенно различаются.
13. Зависимость концентрации носителей тока от температуры
конденсации для легированных висмутом пленок
существенно отличается от аналогичной зависимости для
нелегированных пленок.
5.6. Взаимосвязь
relation of ... and (between ... and) — связь между
relationship to (between) — отношение к (между)
connection with (between) — связь с (между)
interrelation, interconnection, interdependence, interplay —
взаимосвязь
Глаголы, имеющие значение связывать
to associate with — соединять, присоединять
to bind — привязывать, ограничивать
to combine — сочетать
to communicate — сообщаться
to link, to connect — устанавливать сообщение, зависимость
to relate — относиться
to tie, to knot — скреплять концы
to unite — соединять, объединять
Существительные, имеющие значение связь
atomic bond — атомная связь
cross-linkage — поперечная связь
spurious coupling — паразитная связь
negative feedback — отрицательная обратная связь
positional connection — пространственная связь
long-range communication — связь на больших расстояниях
coupling agent, connecting link — связующее звено
71

Эти параметры связаны еле- These parameters are related by
дующим уравнением. the following equation.
Энергия и длина волны свя- Energy and wavelength are
заны обратной зависимостью. inversely related.
Эта теорема связывает про- This theorem links derivatives
изводные и интегралы. and integrals.
Что связывает атомы в моле- What binds atoms together into
кулы? molecules?
Упражнение 36
1. Штриховая линия на рисунке демонстрирует характерный
спектр фотолюминесценции, измеренный при возбуждении
светом с длиной волны, соответствующей области сильного
поглощения в сверхрешетке.
2. Между спектром пропускания и функцией плотности
состояний имеется непосредственная связь.
3. Вследствие анизотропии зонного спектра дырок
сингулярность в приведенной плотности состояний отвечает широкой
области энергий.
4. Выявлена тесная связь между характеристиками
энергетического распределения и структурой поверхности Ферми.
5. Целый набор особенностей, как показывают результаты,
может быть связан с аморфной структурой пленки.
6. Существование низкой критической температуры связано с
размытием Ферми-распределения.
7. Была установлена связь между условиями возбуждения и
доменной структурой.
8. Излучение можно связать с переходами, показанными
стрелками на рис. 1.
5.7. Причинность
to arise from, to result from, to stem from, to be due to — возникать
в результате, вытекать
to cause — вызывать, быть причиной
to produce, to induce, to generate, to result in — производить
to lead to, to give rise to, to arise — приводить к
due to, as a result of, because of— из-за
because, due to the fact that — потому что
Перевод выражения приводить к
1. То cause + существительное + инфинитив.
Это приводит к снятию вырождения. — This causes the
degeneracy to be lifted.
2. To result in (to lead to, to give rise to) + герундиальный оборот.
Окисление привело к тому, что реакция пошла по другому
пути. — Oxidation led to the reaction taking another course.
72

Упражнение 37
1. По-видимому, аномальное поведение является следствием
неоднородности кристаллов.
2. Появление избыточного свинца в паре ведет к накоплению
в пленке донорных центров.
3. При селективном легировании электроны в квантовой яме и
ионы донорной примеси пространственно разделены, что
приводит к образованию потенциальной ямы в области барьера.
4. Подавление андерсоновской локализации ликвидирует
систему квантовых ящиков и соответственно приводит к
уменьшению мощности ИК-излучения.
5. Настоящее наблюдение подтверждает представление о том,
что зона при 3 эВ обусловлена переходом в точке Г.
6. Показано, что сильное резонансное поглощение связано с
переходами между возбужденными триплетными уровнями.
7. Понижение температуры приводит к резкому возрастанию
экситонных эффектов.
8. Показано, что в таких кристаллах возникают локальные и
квазилокальные уровни поляризационных колебаний.
5.8. Корреляция
to ascribe to — приписывать, считать причиной
to attribute to — относить на счет
to associate with — связывать с
to relate to — соотносить
to be due to — быть обусловленным
to put down to — относить на счет
Причиной этого явления мо- We attribute this phenomenon
жет быть формирование эпо- to the formation of epoxigroups.
ксигрупп. This phenomenon may be
attributed (ascribed) to the
formation of epoxigroups.
This phenomenon is attributable
to the formation of epoxigroups.
This phenomenon can be put
down to the formation of
epoxigroups.
Перевод выражения объясняется тем, что
{То be accounted for by, to be due to, to result from, to stem from, \
to be attributed to) + герундиальный оборот.
Это обусловлено тем, что реакция протекает при низкой
температуре. — This is due to the reaction running at a low
temperature.
73

Упражнение 38
1. Примесная фотопроводимость вызвана переходами электронов
из валентной зоны на пустой нижний уровень иона теллура.
2. Это объясняется расщеплением как основных, так и
возбужденных состояний в многодолинных полупроводниках.
3. Слабый перегиб на вольтамперной характеристике около
300 мВ можно связать со снятием вырождения и забросом
дырок в вышележащие зоны.
4. Широкий слабый пик, очевидно, определяется
люминесценцией из нелегированных буферных слоев объемного
GaAs, тогда как относительно узкий и интенсивный пик
соответствует переходу между низшими уровнями размерного
квантования электронов и тяжелых дырок в сверхрешетке.
5. При сканировании длины волны возбуждающего света
интенсивность фотолюминесценции отражает особенности
спектра коэффициента поглощения света, связанного с
переходами электронов из подзон валентной зоны в подзоны
зоны проводимости.
6. Такие эффекты, как сдвиг Бурштейна—Мосса и
перенормировка запрещенной зоны, могут обусловливать некоторое
изменение энергии уровней.
7. Форму спектра люминесценции можно объяснить наличием
ионов Fe3+.
8. Различие между типами связи в кристаллах объясняется
количественными различиями в характере распределения
электронов.
9. Это излучение можно связать с переходами дырок между
подзонами размерного квантования.
10. В результате исследования обнаружены три типа центров,
обусловленных ионами кислорода в различных
кристаллографических позициях.
5.9. Предположение
to assume — допускать
to believe — думать, полагать
to expect — ожидать, полагать, думать
to presume — допускать, считать доказанным
to suggest — предлагать, считать
to suppose — полагать, допускать, думать
to make an assumption — делать допущение, предположение
assuming, by assuming, under the assumption that— исходя из
предположения
on this assumption — исходя из этого предположения
arbitrary assumption — произвольное предположение
on the hypothesis — исходя из гипотезы
74

Перевод выражения предполагается, что
Подлежащее + is assumed/expected/presumed + инфинитив.
Предполагается, что процесс протекает при постоянной
температуре. — The process is assumed to occur at a constant
temperature (it is assumed that the process occurs at a constant
temperature).
Упражнение 39
1. Положение пика излучения было приблизительно
одинаковым для обеих поляризаций, поэтому можно считать, что
деполяризационный сдвиг незначителен.
2. Можно предположить, что благодаря столкновениям
устанавливается больцмановская функция распределения с одной
температурой дырок для всех подзон.
3. Очевидно, результаты эксперимента можно трактовать в
предположении, что висмут перераспределяется между ка-
тионной и анионной решетками.
4. Если следовать представлениям о перераспределении висмута
в подрешетках, то в предположении о том, что избыток
свинца увеличивает число вакантных мест в подрешетке
селена, ожидаемым результатом должно быть нарастание
концентрации дырок.
5. Данная задача рассматривается для двух спинов в
предположении однофононного механизма спин-решеточной
релаксации.
6. Мы интерпретировали результаты, предполагая, что уровни
ловушек действуют независимо.
7. Проводимость может быть рассчитана в предположении, что
K=NP.
8. Связывания двух электронов на один переход оказывается
недостаточно для объяснения экспериментальных данных и
заставляет предположить более высокие степени ионизации
примеси самария.
9. Такой неожиданный результат наводит на мысль о
существовании уровней захвата.
5.10. Учитывать, принимать во внимание
То consider, to take into consideration, to take into account,
to allow for, to make allowance for — учитывать.
Considering, taking into consideration, taking into account,
bearing into account, allowing for, making allowance for, with
75

the allowance for, when allowance is made for — учитывая, при
учете.
To leave out of account, to overlook, to ignore, to set aside, to
neglect — не учитывать.
Leaving out of account, without regard for, without taking into
consideration — не учитывая.
При учете всех обстоятельств All things considered, the equa-
уравнение принимает еле- tion takes the following form,
дующий вид.
Упражнение 40
1. Для структур типа использованных нами необходимо принять
во внимание снятие вырождения двумерных дырок,
изменение массы дырок и переход дырок в вышележащие зоны
при повышении температуры.
2. Такие квантовые ямы уже учитывались при объяснении
зависимости времени межподзонной релаксации от уровня
легирования.
3. При расчете положения пика межподзонного поглощения
следовало бы учесть уменьшение значений энергии из-за
образования ям в барьерах.
4. Представлены формулы с учетом статистики масс-спект-
рометрических измерений.
5. Наблюдается хорошее согласие при учете корреляционных
эффектов.
6. Получены выражения для сверхтонкого взаимодействия с
учетом как линейных, так и квадратичных эффектов.
7. Коэффициент диффузии определяется с учетом того, что
диффузия происходит из тонкого слоя.
8. Была разработана более сложная теория, которая учитывает
влияние изменений диэлектрических постоянных.
9. Теория дает выражения, полученные для трехфононных
процессов с учетом размытия дельта-функции.
5.11. На основании
foundation, basis, base, motive, ground, reason — основание
on the basis (ground) of, on account of, base on — на основании
for reasons given — на основании этого
from given considerations — на основании этих соображений
according to — согласно
in terms of—из, исходя из, если исходить из, в терминах
there are good reasons (grounds) to believe — имеются все
основания считать
76

Данные интерпретируются на
основании новой модели.
При условии, что а«R,
можно написать следующее
выражение.
The data are interpreted on the
basis of a new model.
The data are interpreted from
a new model.
The data are interpreted
according to a new model.
The data are interpreted in
terms of a new model.
The data are interpreted in view
of a new model.
With a«R the following
equation can be written.
Упражнение 41
1. Введение теллура, по нашим измерениям, не сильно влияет
на тепловые свойства образца.
2. В соответствии с соотношением Крамерса—Кронига следует
ожидать разного изменения показателей преломления света
для двух поляризаций.
3. Согласно нашим оценкам, обменное взаимодействие
понижает энергию первого уровня приблизительно на 10 мэВ.
4. Увеличение поглощения света можно было бы объяснить
также увеличением концентрации электронов.
5. На основании измерений теплопроводности делается
заключение о подавлении фазового перехода.
6. На основании функции распределения изучены два
различных вида корреляционного эффекта.
7. Вычисления основаны на методе ортогонализованных
плоских волн.
5.12. При условии
in case of, in the event of, on condition — при условии
provided, provided that, providing, granted, given, given that — при
условии, что
given suitable conditions — при наличии соответствующих условий
При условии может также выражаться через when, with, once.
11

Упражнение 42
1. В металлической фазе приближение Ферми жидкости также
должно быть справедливо.
2. Полученные формулы справедливы при условии, что
плотность состояний на уровне Ферми нулевая.
3. В условиях слабой флуктуации величины энергетической
щели реконструкция мелкого акцептора может не
сопровождаться генерацией кремниевой оборванной связи.
4. Оптимальная мощность ИК-излучения достигается при
условии присутствия диэлектрических фаз в квазцдвумерном
дырочном газе.
5. Симметрийная классификация фононных мод позволяет
простым способом оценивать частоты всех рамановских и
инфракрасных колебаний при условии, что известны фононные
дисперсионные зависимости.
6. Изучены изменения зонной структуры проводящих
полимеров, вызванные изменением параметров сопряжения.
6. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Заключение содержит сжатую формулировку основных
результатов. Оно напоминает аннотацию, но пишется более
конкретно, содержит все качественные и численные результаты.
В нем может быть внесено предложение относительно
продолжения данной работы или практического применения
описанного эффекта или предложенного метода. Необходимым
элементом является благодарность всем людям, помогавшим в
данной работе, а также научным фондам, при чьем содействии
работа была выполнена. Если поддержка была оказана не всем
авторам, используются формулировки типа: «Один из авторов
(Н. Н.) благодарит...*
6.1. Выводы
conclusion — результат, умозаключение, вывод
deduction — логическое заключение
inference — заключение
to conclude, to infer, to assign — выводить
to make (draw) a conclusion (conclusions), to arrive at a conclusion,
to draw inferences — сделать вывод
to come to a conclusion that — приходить к заключению
it is concluded that — приходить к выводу, что
the result is that — отсюда вывод, что
78

it may be noted that — можно отметить, что
it may be stated that — можно утверждать, что
thus — таким образом
therefore — следовательно, таким образом
consequently — следовательно
as a result — в результате
Сделан вывод, что по своему The reactions were concluded
поведению реакции анало- to be similar in their behaviour,
гичны.
Упражнение 43
1. Этот вывод справедлив, если зависимости матричного элемента
перехода от энергии для обеих поляризаций одинаковы.
2. Таким образом, мы пришли к выводу, что причиной появления
этой линии поглощения является формирование двойных связей.
3. Таким образом, можно сделать вывод, что барьеры для тока
в структуре пленки не изменяются при отжиге.
4. Из результатов делается вывод, что прыжковая проводимость
возникает вследствие кластерной структуры материала.
5. Таким образом, можно сделать вывод, что изовалентное
легирование уменьшает концентрацию носителей.
6. В заключение делается вывод, что использование
эмпирически определенных параметров обеспечивает широкие
возможности для работы с моделями.
7. Можно заключить, что амплитуда и фаза волны заключают
в себе информацию о структуре объекта.
8. Делается вывод, что модель вполне соответствует всем
экспериментальным данным.
9. Сделан вывод, что изменение спектра зависит от термической
обработки образцов.
6.2. Рекомендации
to propose, to suggest, to recommend — предлагать
to make a suggestion as to how — делать предложение
относительно того, как
То suggest не употребляется с инфинитивными конструкциями.
Возможно употребление герундия или придаточных
предложений.
Предлагается (что-либо) сделать. — It is suggested that
(something) should be done; it is suggested that (something) is
done; we suggest doing (something).
That в данных примерах может опускаться.
79

Упражнение 44
1. Для уточнения механизма изменения поглощения в сильном
поле предполагается провести исследования спектральной
зависимости модуляции поглощения поляризованного света
в сильных электрических полях.
2. Предлагается использование таких пленок в качестве
чувствительного элемента твердотельных матричных источников
ИК-излучения.
3. Полученные в работе результаты свидетельствуют о том, что
введение амфотерных примесей может быть использовано
для изучения картины дефектообразования сложных
химических соединений.
4. Опыт говорит в пользу того, что для обработки поверхности
следует предпочесть термическое окисление.
5. В заключение делается предложение относительно того, как
сохранить качество поверхности.
6.3. Применение
application — применение
to use, to make use of, to employ, to apply to, to utilize —
использовать
to be used, to be employed, to be applied to, to be utilized, to find
use, to find application, to have application, to be applicable —
использоваться
possible application — возможность применения
Best употребляется только в сочетании best suited — наиболее
подходит. Valid, adequate сами выражают высшую степень
качества и не нуждаются в усилении.
Теория молекулярных орби- The molecular orbital theory is
талей особенно применима best suited for treatment of
для рассмотрения кратных multiple bonds.
связей.
Для разделения применяются For the separation use is made
две фазы. of two phases.
Упражнение 45
1. Метод может быть в равной степени применен для изучения
фононных мод в углеродных нанотрубах.
2. Этот подход применим только к чистым образцам.
3. Этот метод был применен в случае слабо поглощающих
пленок.
80

4. Сконструирован и изготовлен анализатор спектра магнитного
поля, в котором используется эффект Холла в антимонвде
индия.
6.4. Личные благодарности
to be grateful, to acknowledge gratefully, to take pleasure in
thanking — быть очень благодарным
to be indebted — быть признательным
Упражнение 46
1. Благодарим д-ра А за рентгеновское исследование образцов,
д-ров Б и В за полезные обсуждения и предоставление
относящихся к данному вопросу статей до их публикации.
2. Благодарим д-ра Н за предоставление образцов и постоянную
поддержку.
3. Наше исследование стимулировано ценными дискуссиями с
проф. А. Д-р Л предоставил в наше распоряжение свое
программное обеспечение.
4. Я признателен д-ру М за стимулирующие обсуждения и
критику.
5. Автору очень приятно поблагодарить проф. Ф за
предоставление рисунков и данных, которые были включены в
статью. Он также благодарен д-ру Б за гостеприимство,
проявленное его лабораторией.
6.5. Благодарности фондам, организациям,
программам, фирмам
to support — поддерживать
to be funded — быть обеспеченным материально
Упражнение 47
1. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных
исследований.
2. Один из авторов благодарен центру НАСА за поддержку.
3. Работа в университете Сассекса обеспечена фондом
Королевского общества.
4. Работа частично поддержана контрактом ЦНР.
5. Работа частично обеспечена грантом ННФ 001
Национального научного фонда.
6. Работа была проделана во время пребывания одного из
авторов (Е. Ф.) в качестве приглашенного ученого в
Институте молекулярных наук, что было организовано
Министерством науки Японии, и Е. Ф. благодарен за это.
6 Е. В. Владимирская и др.

ОТВЕТЫ К УПРАЖНЕНИЯМ
1
1. The optical constants of composite materials are studied as a
function of temperature via a phenomenological model.
2. High-resolution X-ray diffraction has been used to investigate
the origin of the low temperature symmetry change.
3. This account discusses the chemical reactivity of fullerenes with
emphasis on results derived from the author's laboratory.
4. We describe neutron scattering studies of the structure and
dynamics of crystals.
5. We have demonstrated for the first time the electrical properties
of strongly doped quantum wells on the silicon surface.
6. A model is proposed for charge correlations which stimulate a
metal-insulator transition in a quasi-two-dimensional degenerate
hole gas.
7. We theoretically investigate optical absorption spectra of AlGaAs
solid solutions.
8. The paper studies some theoretical aspects of metal-insulator
transition.
9. The case of hopping conduction via highly localized impurity
states is analyzed.
10. Charge-transfer exciton effects are investigated for the optical
absorption spectra.
2
1. Photosensitive polycrystalline films of PbTe doped with an excess
of Те are studied.
2. Optical phenomena are considered in a system of selectively-
doped quantum wells formed by GaAs—GaAlAs heterojunctions.
3. Long-wavelength infrared emission from hot two-dimensional
holes in quantum wells has been observed and investigated.
4. The energy spectra of sulfur and selenium in germanium have
been studied by a photoconductivity method.
82

5. The absorption spectrum is studied for light of two polarizations
during electron transitions between minibands of the conduction
band.
6. The case of the negative electron affinity has been analyzed.
7. Possibility of electroluminescence of porous silicon has been
examined.
8. Several dopants were analyzed.
9. Optical phenomena accompanying electron heating are considered.
10. Studies of Fibonacci superlattices would make possible an
experimental test of the Anderson and Lifshits models for a
disordered medium.
3
1. The mechanism for the change in optical absorption
accompanying electron heating is discussed.
2. The advantages of the hot-wall method are outlined.
3. The nature of the features which stem from the irregular structure
of the superlattice has been considered.
4. We discuss to what extent the dipole forbidden transitions of a
single molecule become dipole allowed by intermolecular
interactions.
4
1. The first p* quantum wells, situated on a л-type silicon surface,
whose energy characteristics depend on the diffusion of the
acceptor dopant, have been obtained.
2. Photoresistive matrix IR detectors with 32x32 elements and
an element size of 50 x 50 fxm have been fabricated.
3. The films are grown by vacuum deposition in a modified
quasiclosed volume from the compensated starting material.
4. Uniform polycrystalline films without a high-temperature
annealing in air have been produced as a result.
5
1. A large peak in the photoconductivity spectra is shown to result
from transitions of tellurium ions to an excited state.
2. Spontaneous emission of light has been observed during heating
of 2D electrons by an electric field applied along the quantum-
well layers.
3. An electrooptic effect has been observed during electron heating
by a longitudinal electric field.
4. Transition of chalcogen ions to excited states are observed at
energies near 360 meV, in the form of three closely spaced
lines.
83

5. Studies of the temperature dependences of the resistivity reveal
an energy gap that appears in the density of states of a quasi-
two-dimensional hole gas.
6. We have observed a lowering of the current density when the
sample is cooled to 110 K.
7. We have observed a nonlinearity of the current-voltage
characteristic due to interband tunnelling in the lead sulfide layers.
8. We have observed a linear frequency dependence of the
conductivity, due to a localization of carriers in the superlattice.
9. It was shown that the optimal power of infrared emission is
reached when the quasi-two-dimensional hole gas contains
insulating phases.
10. An investigation of the transport phenomena in the solid solutions
PbSnlnTe has shown that the electron energy spectrum near
the conduction band edge is quite complicated.
6
1. The decay of charge correlations in an electric field is found
to induce the powerful infrared emission. It is shown that the
decay of charge correlations in an electric field induces the
powerful infrared emission.
2. The distribution of Bi atoms between the superlattices of PbSe is
found to depend on the content of Pb and Se in the vapour. It
is found that the distribution of Bi atoms between the superlattices
of PbSe depends on the content of Pb and Se in the vapour.
3. Natural oxides are examined and shown to be thicker than those
in other solid solutions. Natural oxides were examined and it
is shown that they are thicker than those in other solid solutions.
4. It is shown that the overlap integral is small. The overlap integral
is shown to be small.
5. It is found that the spectrum superfine structure exists only for
small energies. The spectrum superfine structure is found to
exist only for small energies.
6. It is found that the illumination can alter the spectrum of the
recombination. The recombination spectrum is found to change
under illumination.
7. It is found that the phase transition in the molecular crystal is
of the first type. The phase transition in the molecular crystal
is found to be of the first type.
8. The current-voltage characteristic of a sample is calculated and
it is shown that it has a negative resistance region.
7
1. We have averaged, over orientations of molecules, to compare the
calculated spectra with experimental data taken from solutions.
84

2. A tight-binding calculation has been performed by using the
crystal structure obtained from X-ray diffraction.
3. The dispersion relations of the bands closest to Fermi energy are
determined.
4. Owing to difficulties of measurement in gases, it has not been
possible to measure the temperature dependence.
5. The density of states at the Fermi level is estimated to be about
1015 eV"1.
6. Estimates of the activation energy and of the radius of the wave
functions of the impurity states have been obtained by analyzing
the dependence of electrical conductivity on the temperature and
the indium concentration in the region of hopping conduction
in PbSnlnTe.
7. A study of the interband spectrum of photoluminescence excitation
has made it possible to refine the superlattice parameters.
8. To make these estimates we use formulae derived for slightly
doped semiconductors, and then we examine the region of
applicability of these formulae.
9. The wave ftinction radius can be estimated from the dependence
of conductivity on the impurity concentration.
8
1. The domain structure has been studied and attention is given to
the excitation conditions.
2. Attention is focused on the composition and degree of uniformity
of the crystals grown by the hot wall method.
3. Special emphasis is given to the optimal deposition and doping
conditions.
4. A negative electron affinity photocathod is described with particular
emphasis on its advantages and limitations.
5. The findings on superconducting samples are discussed with special
account on their application.
9
1. Degenerate quantum wells on a silicon surface are of interest as
model objects for studying the formation of impurity bands.
2. Thus the drag effect of electrons is of special importance for the
process.
3. Of great interest for the researchers is fullerene superconductivity.
4. Of great value is the formation of semiconductor islands in the
host sublattice.
10
1. The primary aim of the paper was to describe a microscopic
model for the antiferromagnetism in one-dimensional polymers.
85

2. The chief purpose of the paper was to describe the dopant effect
of a bismuth impurity in thin films of lead selenide grown from
the vapor phase.
3. The aim of the study is to determine some structural, electrical
and photoelectrical parameters of polycrystalline films of
compensated lead tellurite.
4. The aim was to study the energy spectrum of 2D holes taking into
account the warping of the isoeneigetic surfaces of these holes.
5. The main task of the experiments has been to describe doping
effects in conductivity.
6. The aim of the experiments was the fabrication of a synthetic
aperiodic medium.
11
1. The study was intended to observe the spontaneous emission by
two-dimensional holes heated by an electric field directed along
the quantum-size layers.
2. The spectrometer was designed for use with a special facility.
3. The work was designed to study the picture of defect formation
in complex chemical compounds.
4. The study was intended to determine the nature of the narrow
peak in the photoconductivity spectrum.
12
1. Samples were prepared by diffusion of chalcogens into germanium
in evacuated cells at 870 eC for about 20 h.
2. The films were annealed in air for 2 h at 300 eC.
3. The photoresponse constant was measured at the wavelength of
0.93 цт.
4. Infrared absorption has been investigated at different temperatures.
5. Measurements at the point of solidus have led to different results.
6. Calculations indicate that oscillations at frequencies as high as
3000 MHz may be possible.
7. The heights of the steps decrease with increasing energy, and the
curve becomes smoother at energies above 0.5 eV.
13
1. The temperature dependence of conductivity under background
illumination has an activated behavior.
2. The study carried out revealed the optimum condensation
conditions, under which films with a crystalline size of 0.5 \im are
grown on amorphous substrates.
3. The transition of a quantum well into an induced-emission regime
is achieved under conditions of avalanche multiplication of quasi-
two-dimensional holes.
86

4. All the measurements were made under irradiation with pulse
durations of 0.2 mks.
5. The samples were examined under illumination and were shown
to change conductivity.
6. Conductivity was measured under carefully controlled conditions.
7. In a strong electric field, the index ellipsoid of the structure
changes because of the different changes in the absorption
coefficients for p- and ^-polarizations.
8. We studied spectra of optical transmission of the superlattices
in the UV, visible and IR regions at room temperature.
9. It is shown that the line of the spectrum broadens in the
magnetic field.
10. Studies in the infrared showed absorption peaks.
11. Energies were calculated under dipole approximation.
12. Investigations were performed at the temperature of 90 К in
the external magnetic field.
13. In the isotropic approximation elastic interaction is found to
increase the total concentration of point defects.
14. Absorption spectra has been investigated in the 470—4000 cm"1
range.
15. In an appropriate temperature range the substance exhibits high
density.
14
1. The production of macroscopic quantities of fullerenes by
discharging an arc between graphite rods in an atmosphere of
helium is an amazingly simple method.
2. This way seems to give accurate estimates for London penetration
depth in the case of homogeneous samples.
3. The advantage of the vapor growth technique is that the crystals
tend to have a low concentration of defects and impurities
compared to crystals from grown solvents.
4. The method of evaporation in a quasiclosed volume and the
hot-wall method do make it possible to reproduce satisfactorily
the composition of starting material on substrates of various types.
5. The test samples in this study were superlattices of PbS and a
diamond-like carbon film fabricated by pulse laser deposition.
6. A pulse method was used in a study of the mechanism of
relaxation in a single crystal.
7. The standard-problem method is used to construct the wave
function for Coulomb particles in a uniform electric field in an
analytical form.
8. The electron thermal conductivity is evaluated using a Maxwellian
distribution for the conduction electrons.
87

15
1. The standard vacuum methods for growing photosensitive films
include a step of a collective recrystallization of the film.
2. An alternative approach is to observe the crystal surfaces.
3. The process involved heating followed by quenching.
4. The method of density determination used in the study involves
weighing of accurately known volume.
16
1. The spectral measurements were performed on MDR-4 apparatus.
2. Photoconductivity spectra were measured on an apparatus
consisting of a monochromator with diffraction gratings with 200
lines/mm, along with a cryostat which maintained sample
temperature of 77 K.
3. The electronic unit contained a tuned amplifier, a lock-in detector
and a x, у chart recorder.
4. The experiments were performed in transmission in a purpose-built
ultra high vacuum equipment.
5. A rotatable hemispherical electron-energy analyzer was used in
the installation.
6. A setup consists of a vacuum chamber, cathode and anode
assemblies and water-cooled holders.
7. The set includes a noise generator and a receiver.
17
1. The spectrum consists of three types of components.
2. The spectrum contains a resonance line.
3. The samples consisted of layers of GaAs and GaAJLAs with
thicknesses 100 A.
4. The test samples were selectively doped quantum-well layers on
a semiinsulating substrate.
5. Even in the absence of an electric field, a sample with quantum
wells is known to constitute an anisotropic medium with optical
axis directed along the growth axis of the structure.
6. The superlattice consists of a certain sequence of quantum wells
and barriers which alternate in an aperiodic fashion.
18
1. The advantage of silicon over germanium is in lower cost.
2. Gold offers the advantage of being chemically stable.
3. Anodic oxidation offers the advantage of the controlled oxide
thickness.
88

4. These considerations went into the design of large-diameter
closed crucible which combines the advantages of quasiclosed
volume and hot-wall methods.
5. The conclusion is made that mesons have several advantages
over electrons as projectiles in scattering experiments.
6. The limitation of the method is due to the fact that high
condensation temperatures are poorly suited with the technology
for fabricating matrices.
19
1. The discrete-evaporation method is incapable of producing
uniform films over a large area.
2. A device is capable of operating at low temperatures.
3. Excitons are practically incapable of exciting In ions.
4. The system is capable of varying and controlling deposition
parameters.
20
1. The equations enable the fundamental parameters to be
determined from experimental results.
2. This allowed us to lower the condensation temperature and,
correspondingly, to raise the supersaturation of the vapor.
3. The present investigation enables us to compare available data.
4. The study has enabled a better understanding of the mechanism
of the reaction.
5. The experimental data enable us to determine the nature of the
Mott transition.
6. Fabricating such superlattices would make possible an
experimental test of the Anderson model for a disordered medium.
7. Lead sulfide is a convenient material for forming quantum wells
because it makes it possible to study the energy spectrum of
the superlattice at normal incidence.
8. The resolution achieved is 0.5%, making it possible to resolve
and study electronic vibrational levels in atoms and molecules.
9. Doping with boron and phosphorus successively makes it possible
to obtain quantum-well transistor structures.
10. An analysis of the energetic spectrum of He ions of 1.8 MeV
energy makes it possible to determine the film composition.
11. A comparison of the spectra made it possible to determine the
nature of the anomalous resonances in the spectral range 1000—
3200 cm"1.
12. This made it possible to use temperature dependence to determine
the position of the shallow trap level in the energy-band scheme.
89

21
1. The results were found to be independent of the distance from
the contact, within the errors.
2. Random errors due to fluctuations are easily reduced.
3. Within the experimental error the signals vary as predicted.
4. The results agree with the values predicted to within the
experimental error of the velocity measurement.
5. Neglect of this may introduce large errors into the measurements.
22
1. The results on magneto-dependent microwave absorption in ultra
dispersed diamond are presented.
2. New data on the behavior of this new cluster material were
obtained.
3. Results are given for the effects of pressure on phase transition.
4. There is no evidence as to the exact behavior of the impurity.
5. From the acoustic paramagnetic resonance data the crystal
structure was determined.
6. The data on the cyclotron resonance of the light holes in Ge
are reported and discussed.
7. Results have been given of an experimental study of the mag-
netoresistance.
8. Similar results have been observed both for p-type and л-type
substrates.
23
1. A large number of steps in the transmission spectrum supports
the proposition that the energy spectrum of Fibonacci superlattices
is self-similar.
2. Further evidence in favour of this connection comes from the
singlet nature of the line of the excited state.
3. The small width of the peak and the high level of the
photoconductivity signal indicate transitions to an excited state.
4. Accurate results on the electron paramagnetic resonance provide
some evidence for the correctness of the hypothesis.
5. The results of an X-ray diffraction study indicate that the films
are amorphous.
6. This mechanism provides an explanation for the emission of
electromagnetic waves from tellurium crystals.
24
1. The composition of the starting material is chosen in a range in
which the carrier density depends only negligibly on the
concentrations of the dopant.
90

2. The optical threshold depends upon the dopant nature and is
independent of its concentration.
3. The film structure depends on whether the substrate is amorphous
or crystalline.
4. Fig. 6 shows the change in the absorption coefficient with the
strength of the longitudinal electric field.
5. The nature of the distribution of bismuth between superlattices depends
on the presence of excess of lead and selenium in the vapor.
6. We studied the changes in the carrier density in the film as a
function of a condensation temperature.
7. Here the carrier mobility is temperature dependent.
8. Many properties of molecules depend on whether they are polar
or nonpolar.
9. The constant of proportionality is independent of the geometry
of the sample.
10. Little dependence of the effective mass on the temperature was
observed.
11. Studies of the Hall coefficients and resistivities as functions of
temperature and of magnetic field reveal differences in the
behavior of /Mype and л-type Ge.
12. Calculations are made to the probability of exciton capture by
immobile traps considered as a function of the concentration,
diffusion length and other transport parameters of excitation.
25
1. The intensity varies over the whole spectral range.
2. The bias voltage varies directly as time.
3. The oscillator strength varies slowly with the time.
4. The potential varies inversely as the distance.
5. Temparature does not change during the experiment.
6. The mobility varies roughly from 10 to 15 cm2/V-s.
7. The film varies in thickness from about 20 to 40 nm.
8. Conservation means that the quantity does not change.
9. Field intensity was kept constant.
26
1. The bands increase in intensity instead of decreasing when the
temperature is lowered from room to liquid nitrogen temperature.
2. An electron gains speed steadily, gaining equal amounts of speed
in equal stretches of time.
3. The ejection of electrons from a well reduces the absorption
coefficient, but the shift of the peak is sufficient to cause the
increase in absorption.
91

4. The number of nonequilibrium optical phonons increases with
increasing electric field, so the optical absorption coefficient
also increases.
5. The intensity of the electroluminescence of quantum wells
decreases substantially when the temperature drops to below room
temperature.
6. At higher annealing temperatures, we observe an increase in the
height of the barriers and a corresponding increase in the dark
resistance.
7. The higher the concentration, the shorter the hopping length and
the smaller the energy spread between the adjacent impurity atoms.
8 This process can raise the quantum efficiency.
9. The magnitudes of the observed jumps in the values of the
second derivatives are within the error.
10. A tenfold increase in pressure results in a number of distortions
increasing with the rise of temperature.
11. The glass temperature Tg can be lowered by decreasing the rate
of cooling.
12. If the temperature of the crystal is suddenly lowered, the holes
and the dislocated atoms form a kind of a supersaturated solution.
13. Under these conditions the ionization falls to a very low value.
27
1. Unavoidable small technological deviations have essentially no
effect on the electrical properties of the material.
2. Lead introduced in the film does not affect the position of the
bismuth in the PbSe lattice since it occupies interstitial positions.
3. Impurities effect the dynamic properties of the electrons.
4. It is concluded that the internal pressure is not affected by the
intermolecular forces.
5. Thermal expansion of the samples has no significant effect on
the Fermi level position.
6. A surface layer of anomalous conductivity type may influence
experimental results.
7. The film changes resistance under the effect of light.
28
1. Our measurements on samples with selenium impurity yielded
similar results.
2. Germanium forms volatile compounds with chalcogens.
3. Doping with cesium and rubidium, which were found to slightly
expand the lattice, produced Tc up to 33 K.
4. Among higher fullerenes, there may be ones that can be doped
to produce superconductors with higher Tc.
92

5. Condensation proceeds as usual to give the corresponding
compounds.
6. The potential wells, formed by PbS layers of two different
thicknesses, and the potential barriers of constant width, formed
by the layers of diamond-like carbon, give rise to a rather
complex energy-level diagram.
29
1. The peculiarities of the energy spectrum of 2D holes can be
reflected in the spectral dependence of the emission.
2. The basic features of the process of the light emission can be
determined by analyzing the spectral dependence of the
absorption coefficient.
3. The mixing of the light- and heavy-hole states and anticrossing
of the subbands lead to the appearance of singularities in the
reduced density of states for a large number of quantum-size
layers.
4. These features of the experimental data apparently stem from
the presence of a significant potential relief.
5. Certain features of the development of the microstructure of
polycrystalline vacuum condensates of lead telluride under
annealing conditions were established.
6. Some characteristic features of a Fibonacci lattice are quite
visible in the transmission spectrum of a lattice grown on an
amorphous substrate.
7. Structural features in the transmission spectrum result from
intraband and interband transitions in the superlattice.
8. At 0.3 eV we see a step, which is characteristic of the capacitance-
voltage characteristics of superlattices.
9. The principal characteristic property of fullerene molecules is
that they can be considered as zero-dimensional quantum wells.
10. The fullerenes share a common trait, that is of having a close-shell
molecular structure.
30
1. The polymer obtained exhibits the semiconductor behavior.
2. The samples show absorption in the visible.
3. Conductivity exhibits a slow decrease as the temperature increases
but shows a tendency to increase under illumination.
4. The study has revealed a self-similarity of theJransition spectrum
of the structures and of the density of state function, which is
unambiguously related to it.
5. The domain configuration revealed a less regular character.
6. Ultraviolet absorption curve shows the absorption maximum at
260 цт.
93

7. The rise in absorption showed no relation to the number of
foreign impurities.
8. Porous silicon revealed fluorescence under 0.4 цт radiation.
31
1. This dependence for the hole mobility is explained by the
temperature dependence of the combination of impurity scattering
and scattering by lattice vibrations.
2. The results obtained are difficult to interpret in the free-carrier
theory.
3. The model offers the explanation for the position of the absorption
peak.
4. This phenomenon is best explained in terms of an example.
5. This phenomenon is difficult to interpret in any other way except
by structural disorder.
6. This discrepancy can be accounted for by the partial degradation
of the layers.
7. Explanation for the process involving secondary electrons is given.
32
1. We should compare the emission spectrum with the light absorption
spectrum, taking into account features in the density of states.
2. Comparing the experimental spectrum with the calculated
transition energies, we can identify the peaks near the absorption
edge as corresponding to excitons with heavy holes.
3. So far, we have not be able to correlate the values found for n
with the values found from the Kramers—Kronig relation.
4. To identify the transitions, we compared the energies with the
data, calculated in the effective-mass approximation, with
allowance for the multiple valleys of the conduction band.
33
1. A good agreement between the experimental position of the absorption
edge and the position found from calculations would not be unexpected.
2. The change in the film structure finds an agreement with the
magnitude of the photosensitivity of the sample.
3. The probable reason for this discrepancy is a deviation of the
potential of the selectively doped structure from an ideally
rectangular potential.
4. The discrepancy of about 10 meV is probably due to a distortion
of the electrostatic potential in the valence-band barriers.
5. Electrical measurements give figures 1.9—2.1 eV in agreement
with optical data (which is in agreement with optical data).
6. The values in question agree closely with the quantities obtained
earlier for the single crystals.
94

34
1. The superlattice parameters were determined by fitting the
theoretical results to the structural features in the experimental
spectrum.
2. The validity of the model is determined by the match between
the calculated frequences and the positions of absorption bands.
3. The effect is observed when the energy difference between the
two levels is matched by the energy of the photons.
4. The experimental points fit well on the straight line in the
coordinates of conductivity logarithm versus reciprocal
temperature.
5. These curves commonly do not fit the standard equations.
35
1. At equal concentrations of tellurium and gallium, the conductivity
spectra are similar to those in the previous case.
2. Their contributions to the absorption spectrum should be
approximately the same.
3. A Fibonacci quasiperiodic superlattice is a ID analog of a
quasicrystal.
4. The same applies to the Si—Si bond; it seems that the lowering
of the barrier is a result of the increase of the interatomic
distances.
5. The mobility of the negative ion would be about the same order
of magnitude as that of positive ions.
6. The experimental results did not vary with different methods of
crystal preparation.
7. By varying the degree of compensation of the tellurium donor,
we produced samples differing in the predominant charge state
of the chalcogen.
8. This would be expected if the contributions from electrons and
holes were equal.
9. It can be seen from this table that the activation energy in the
high-temperature regions is approximately constant.
10. The photoemission spectra of the doped and undoped films are
different in shape.
11. The optimum superlattice parameter values listed in the Fig. 1
caption, differ slightly from the initial technological values.
12. The values reported for the ionization energies in the various
papers differ significantly.
13. The dependence of carrier density on the condensation
temperature for the bismuth-doped films is quite different from the
corresponding dependence for the undoped films.
95

36
1. The dashed line shows a typical photoluminescence spectrum
measured during excitation by light with a wavelength
corresponding to the region of strong absorption in a superlattice.
2. There is a direct relationship between the transmission spectrum
and the density of states function.
3. Because of the anisotropy of the band spectrum of holes, a
singularity in the reduced density of states corresponds to a broad
energy region.
4. A close relationship between the characteristics of the energy
distribution and the structure of the Fermi surface is elucidated.
5. A whole series of properties as shown by the results can be
associated with the amorphous structure of the film.
6. The existence of a lower critical temperature is related to the
smearing of the Fermi distribution.
7. A relationship between the excitation conditions and the domain
structure has been established.
8. The emission can be connected with the transitions marked by
arrows in Fig. 1.
37
1. Obviously the anomalous behavior is due to the nonuniformity
of the crystals.
2. Excess lead in the vapor leads to an accumulation of donor
centers in the film.
3. In the case of selective doping, the electrons in a quantum well
and the dopant ions are spatially separated. This separation gives
rise to a potential well near the barrier.
4. The suppression of Anderson localization eliminates the system
of quantum boxes and correspondingly results in a decrease in
the power of the infrared emission.
5. The present observation supports the interpretation that the 3 eV
band arises from the transition at Г point.
6. It is shown that the strong resonance absorption is due to the
transitions between excited triplet levels.
7. A reduction of the temperature causes a sharp increase in the
exitonic effects.
8. It is shown that local and quasilocal levels of polarized vibrations
arise in such crystals.
38
1. The impurity photoconductivity is due to the transitions of
electrons from the valence band to an empty lower level of the
tellurium atom.
96

2. This is attributed to splitting both the ground and excited states
of impurities in multivalley semiconductors.
3. The weak kink in the current-voltage characteristics in the
vicinity of V= 300 mV can be related to the lifting of the
degeneracy and ejection of holes into higher-lying bands.
4. The small broad peak is evidently due to luminescence from the
undoped buffer layers of bulk GaAs, while the relatively narrow
and high peak corresponds to a transition between the lowest
quantum-well levels of electrons and heavy holes in the superlattice.
5. As the exciting wavelength is scanned, the photoluminescence
intensity reflects the features of the spectrum of the absorption
associated with transitions of electrons from subbands of the
valence band to subbands of the conduction band.
6. Such effects as a Burstein—Moss shift and a renormalization of
the band gap may cause some change in the energies of the levels.
7. The luminescent spectrum can be ascribed to Fe3*.
8. The difference between the types of bonds in crystals is attributed
to the qualitative differentiation of electron distribution.
9. This emission is attributable to hole transitions between quantum-
size subbands.
10. A detailed study revealed three types of centers associated with
oxygen ions in different crystallographic positions.
39
1. The position of the emission peak was approximately the same
for both polarizations; therefore, we may assume that the
depolarization shift for the samples was insignificant.
2. We may assume that the collisions establish a Boltzmann distribution
function with all the temperature for all the holes in all the subbands.
3. The experimental results can evidently be interpreted under the
assumption that the Bi becomes redistributed between the cation
and anion sublattices.
4. If we accept the proposition that there is a redistribution of bismuth
between the sublattices and if we also assume that an excess of
lead increases the number of vacant sites in the selenium sublattice,
then we would expect an increase in the hole density.
5. We consider such a problem for two spins assuming a
single-photon spin-lattice relaxation mechanism.
6. The results were interpreted under the assumption that the trap
levels act independently.
7. The conductivity can be calculated assuming Ne = Np.
8. Binding of two electrons in one transition is inadequate to
explain the experimental data and we are forced to assume
higher degrees of ionization of the Sm impurity.
9. The unexpected result suggests the existence of trapping levels.
7 E В Владимирская и др
97

40
1. For structures of the kind used by us it is necessary to take into
account the lifting of the degeneracy of 2D holes, the change
in mass of the holes and the transfer of holes to higher-lying
bands with increasing temperature.
2. Such quantum wells have already been taken into consideration
in an explanation of the behavior of the intersubband relaxation
time as a function of the doping level.
3. A calculation of the position of intersubband absorption peak
should incorporate the decrease in the energy values due to the
formation of wells in the barriers.
4. Formulae are presented considering the statistics of mass-spect-
rometric measurements.
5. Good agreement is obtained when correlation effects are taken
into consideration.
6. Expressions for the hyperfine interaction are derived allowing for
linear and quadratic effects.
7. The diffusion coefficient was determined with allowance for the
fact that diffusion occurs from a thin layer.
8. A more complicated theory has been developed in which allowance
is made for the effects of dielectric constant changes.
9. The present theory yields the expressions obtained for the three-
phonon effects with the allowance for the smearing of the
delta-function.
41
1. According to our measurements, the introduction of tellurium does
not have strong effect on the thermal properties of the sample.
2. On the basis of the Kramers—Kronig relation we would expect
different changes in the refractive indices for light with the two
polarizations.
3. According to our estimates, the exchange interaction lowers the
energy of the first level by about 10 meV.
4. An increase in the absorption of light might also be explained
in terms of an increase in the electron concentration.
5. From thermal conductivity measurements a conclusion is made
that the phase transition is suppressed.
6. Two distinct types of correlation effects are investigated in terms
of distribution function.
7. Calculations are based on the ortogonalized planewave method.
42
1. In the case of metallic phase, the Fermi liquid approach should
still be valid.
98

2. The obtained equations are valid provided that density of states
at the Fermi level is equal to zero.
3. When the fluctuations in the magnitude of the energy gap are
small, the reconstruction of the shallow acceptor may not be
accompanied by the formation of the dangling silicon bond.
4. The optimal power of the infrared emission is reached when the
quasi-two-dimensional hole gas contains insulating phases.
5. The symmetry classification of the phonon modes makes it possible
to evaluate in a simple way the frequencies of all the Raman- and
infrared-active modes, once the phonon dispersion curves are
known.
6. Variations in the band structure of conductive polymers are
studied, when conjugation parameters are changed.
43
1. This conclusion is valid if the dependences of the transition
matrix element on energy are the same for both polarizations.
2. We have therefore assigned the double bond formation as being
the origin of this absorption band.
3. It can thus be concluded that the barriers for the current in the
film structure do not change in the course of annealing.
4. From the results it is concluded that hopping conductivity is due
to the cluster structure of the material.
5. Thus a conclusion can be made that isovalent doping reduces
the carrier concentration.
6. As a consequence a conclusion is made that the use of empirically
determined parameters allows much room for manipulation of
the models.
7. It may be stated that the amplitude and phase of the wave
embody information on the structure of the object.
8. The model is concluded to provide a good fit to the experimental
data.
9. It was concluded that the change in the spectrum depends on
the thermal treatment of the samples.
44
1. In order to refine the mechanism for the change in absorption
in a strong field studying the spectrum of the modulation of
polarized-light absorption in strong electric fields is suggested.
2. It is suggested that the films should be used as the sensitive
elements of solid-state matrix IR detectors.
3. The results of the study suggest that the introduction of an
amphoteric impurity can be utilized to study the picture of defect
formation in complex chemical compounds.
99

4. Our experience suggests that thermal oxidation should be a
preferred surface treatment.
5. In conclusion suggestion is made as to how to maintain surface
quality.
45
1. The method can be equally applied to study the phonon modes
in carbon nanotubes.
2. This approach is applicable to pure samples only.
3. This method was applied to slightly absorbing films.
4. A magnetic-field spectrum analyzer has been designed and
constructed which utilizes the Hall effect in indium antimonide.
46
1. We acknowledge gratefully Dr. A for the X-ray characterization
of the samples, Drs. В and С for usefull discussions and providing
the relevant papers prior the publication.
2. We take the pleasure in thanking Dr. N for supplying samples
and constant support.
3. Our research was stimulated by valuable discussions with Prof.
A. Dr. L placed his software to our disposal.
4. I am indebted to Dr. M for stimulating discussions and criticism.
5. The author takes pleasure in thanking Prof. F for providing figures
and data which were incorporated into this paper. He is also
grateful to Dr. В for hospitality, extended to him at his laboratory.
47
1. The work is supported by the Russian foundation for basic
research.
2. One of the authors is grateful to NASA centre for the support.
3. The work in Sussex University is funded by the Royal Society.
4. The work is supported in part by the CNR contract.
5. The work is partly supported by the National Scientific
Foundation, grant NSF 001.
6. The work was done during the EF stay in the Institute for
Molecular Science as a visitor scientist granted by the Japanese
Ministry of Science, and EF is indebted for this.

Приложение
АНГЛО-РУССКИЙ СЛОВАРЬ СОКРАЩЕНИЙ
AC [alternative current] переменный ток
ACAR [angular correlation of annihilation radiation (method)]
измерение угловых корреляций при аннигиляции позитронов
AES [Auger electron spectroscopy] электронная Оже-спектро-
скопия
AFM [atomic force microscope] атомарно-силовой микроскоп
AI [avalanche injection] лавинная инжекция
ARIPES [angle-resolved inverse photoemission spectroscopy]
обратная фотоэмиссионная спектроскопия с угловым разрешением
ARPES [angle-resolved photoemission spectroscopy]
фотоэмиссионная спектроскопия с угловым разрешением
BCS [Bardeen—Cooper—Schriffer] theory теория Бардина-
Купера—Шриффера (БКШ)
CCD [charge coupled devices] приборы с зарядовой связью (ПЗС)
CDW [charge density wave] волна зарядовой плотности
CIS [conductor-insulator-semiconductor] структура
проводник-диэлектрик-полупроводник
CLS [combinational light scattering] комбинационное рассеяние
света (КРС)
CMIS [complementary metal-insulator-semiconductor]
комплементарная МДП-структура
CMOS [complementary metal-oxide-semiconductor]
комплементарная МОП-структура, КМОП-структура
CR [cyclotron resonance] циклотронный резонанс
CVD [chemical vapor deposition] химическое осаждение из газовой
фазы
CW [continuous wave] непрерывный режим
DBHS [double (barrier) heterostructure] двойная гетероструктура
DBR [distributed Bragg reflectors] распределенные брэгговские
отражатели
DC [direct current] постоянный ток
DC-SQUID [direct-current superconducting quantum interference
device] сквид на постоянном токе
101

DFB [distributed feedback] распределенная обратная связь
DH laser [double heterostructure injection laser] лазер на основе
двойной гетероструктуры
DLTS [deep level transient spectroscopy] емкостная спектроскопия
глубоких уровней
DOS [density of states] плотность состояний
EBL [electron-beam lithography] электронно-лучевая
литография
EELS [electron energy loss spectroscopy] спектроскопия
энергетических потерь электронов
EL [electroluminescence] электролюминесценция
EMF [elecromotive force] электродвижущая сила (ЭДС)
ENDOR [electron nuclear double resonance] двойной электронно-
ядерный резонанс
EPI [epitaxial] 1. эпитаксиальный слой; 2. эпитаксиальный
ЕРМА [electron probe microanalysis] электронно-зовдовый
микроанализ
EPR [electron paramagnetic resonance] электронный
парамагнитный резонанс
ESR [electron spin resonance] электронный парамагнитный
резонанс (ЭПР)
EXAFS [extended X-ray absorption fine structure] протяженная
тонкая структура рентгеновских спектров поглощения
FET [field-effect transistor] полевой транзистор
FIR [far-infrared (range)] дальний инфракрасный диапазон
FTIRS [Fourier transform infrared spectroscopy] инфракрасная
Фурье-спектроскопия
FWHM [full width at half maximum] ширина спектральной линии
GR [generation-recombination] noise генерационно-рекомбина-
ционный шум
HBT [heterojunction bipolar transistor] гетеропереходный
биполярный транзистор
HEMT [high-electron-mobility-transistor] полевой транзистор с
высокой подвижностью носителей
НН [heavy hole] тяжелая дырка
HREM [high resolution electron microscopy] электронная
микроскопия высокого разрешения
HTSC [high temperature superconductivity/superconductor] высоко-
температурная/ый сверхпроводимость/сверхпроводник
IGFET [insulated gate field-effect transistor] полевой транзистор
с изолированным затвором
II [(single-) ion implantation] однократная ионная имплантация
211 [double-ion implantation] двойная ионная имплантация
IR [infrared (range)] инфракрасный диапазон
LA [longitudinal acoustic] phonon продольный акустический фонон
LAPV [linear augmented plane-wave (method)] метод
линеаризованных присоединенных плоских волн
LED [light-emitting diode] светодиод
102

LEED [low energy electron diffraction] дифракция электронов
низкой энергии
LH [light hole] легкая дырка
LO [longitudinal optical] phonon продольный оптический фонон
LPE [liquid phase epitaxy] жцдкофазная эпитаксия
LP-MOCVD [low-pressure metaloiganic chemical vapor deposition]
химическое осаждение из газовой фазы при низком давлении
с использованием металл-органических соединений
МВЕ [molecular beam epitaxy] молекулярно-лучевая эпитаксия
MEMS [microelectromechanical systems]
микроэлектромеханические системы
MIM [metal-insulator-metal] структура
металл-диэлектрик-металл, МДМ-структура
MIR [middle infrared (range)] средний инфракрасный диапазон
MIS [metal-insulator-semiconductor] структура
металл-диэлектрик-полупроводник, МДП-структура
ML [monolayer] монослой
MOCVD [metalorganic chemical vapor deposition] химическое
осаждение из газовой фазы с использованием
металл-органических соединений
MOS [metal-oxide-semiconductor] структура
металл-окисел-полупроводник
MOSFET [metal-oxide-semiconductor field-effect transistor]
полевой транзистор на основе структуры
металл-окисел-полупроводник
MOVPE [metalorganic vapor phase epitaxy] газофазная эпитаксия
с использованием металл-органических соединений
MPL [magnetophotoluminescence] магнитофотолюминесценция
MQW [multiple quantum wells] множественные квантовые ямы
MTJ [multiple tunnel junction] множественные туннельные
переходы
NDR [negative differential resistance] отрицательное
дифференциальное сопротивление
NEMAG [negative mass amplifier and generator] усилитель и
генератор на отрицательной массе
NEP [ noise-equivalent power] эквивалентная мощность шума
NERFET [negative resistance field-effect transistor] полевой
транзистор с отрицательным дифференциальным сопротивлением
NMR [nuclear magnetic resonance] ядерный магнитный резонанс
(ЯМР)
NQR [nuclear quadrupole resonance] ядерный квадрупольный
резонанс (ЯКР)
ODCR [optically detected cyclotron resonance] оптически
детектируемый циклотронный резонанс
ODMR [optically detected magnetic resonance] оптически
детектируемый магнитный резонанс
ОРО [optical parametric oscillator] оптический параметрический
генератор
юз

0-T [orthorombic-to-tetragonal] transition переход из ортором-
бической в тетрагональную фазу
PL [photoluminescence] фотолюминесценция
PLE [photoluminescence excitation] возбуждение
фотолюминесценции
РО [polar optical] phonon полярный оптический фонон
QD [quantum dot] квантовая точка
QDT [quantum dot transistor] транзистор на основе квантовой
точки
QPC [quantum point contact] квантовый точечный контакт
QW [quantum well] квантовая яма
QW laser [quantum-well heterostructure laser] лазер на основе
гетероструктуры с квантовыми ямами
QWR [quantum wire] квантовая нить
RE [rare-earth (elements)] редкоземельные элементы
RHET [resonant tunneling hot electron transition] транзистор на
горячих электронах с резонансным туннелированием
RT [room temperature] lasing лазерная генерация при комнатной
температуре
SCLC [space-charge limited current] ток, ограниченный
пространственным зарядом (ТОПЗ)
SEM [scanning electron microscope] сканирующий электронный
микроскоп
SET [single electron transistor] одноэлектронный транзистор
SIMS [secondary ion mass spectroscopy] вторичная масс-спект-
роскопия
SIS [superconductor-insulator-superconductor] junction переход
сверхпроводник-диэлектрик-сверхпроводник
SL [superlattice] сверхрешетка
SLAM [scanning local-acceleration microscope] сканирующий
микроскоп локальных ускорений (разновидность АРМ)
SPM [scanning probe microscope] сканирующий зондовый
микроскоп
SPT [structural phase transition] структурный фазовый переход
SQW [single quantum well] одиночная квантовая яма
SREELS [spatially resolved electron energy loss spectroscopy]
спектроскопия энергетических потерь электронов с
пространственным разрешением
STEM [scanning transmission electron microscope] сканирующий
трансмиссионный электронный микроскоп
STM [scanning tunneling microscope] сканирующий туннельный
микроскоп
ТА [transverse acoustic] phonon поперечный акустический фонон
ТЕ [transverse electric] polarization поперечная электрическая
поляризация
ТЕМ [transmission electron microscopy] электронная микроскопия
ТЕР [thermoelectric power] термоэдс
TIR [total internal reflection] полное внутреннее отражение
104

TM [transverse magnetic] polarization поперечная магнитная
поляризация
ТО [transverse optical] phonon поперечный оптический фонон
UHV [ultrahigh vacuum] сверхвысокий вакуум
UPS [ultraviolet photoemission spectroscopy] ультрафиолетовая
фотоэмиссионная спектроскопия
VCSEL [vertical cavity surface emitting laser] поверхностно
излучающий лазер с вертикальным резонатором
VPE [vapor phase epitaxy] газофазная эпитаксия
VRH [variable-range hopping] прыжковая проводимость с
переменной длиной прыжка
XAFS [X-ray absorption fine structure] тонкая структура
рентгеновских спектров поглощения
XANES [X-ray absorption near-edge structure] структура
рентгеновского края поглощения
XES [X-ray emission spectroscopy] рентгеноэмиссионная
спектроскопия
XPS [X-ray photoemission spectroscopy] рентгенофотоэмиссион-
ная спектроскопия
XRD [X-ray diffraction] рентгеновская дифракция
YAG [yttrium-aluminum garnet] иттрий-алюминиевый гранат
1DEG (2DEG, 3DEG) [1-dimensional electron gas (2-, 3-)] одно-
(дву-, трех-) мерный электронный газ
1DW [one-dimensional well] одномерная потенциальная яма

ЛИТЕРАТУРА
1. Мюллер В. К. Англо-русский словарь. М: Гос. изд-во иностр. и нац.
словарей, 1961. 1192 с.
2. Смирницкий А. И. Русско-английский словарь. М.: Гос. изд-во иностр.
и нац. словарей, 1962. 952 с.
3. Англо-русский политехнический словарь / Под ред. А. Е. Чернухина.
М: Сов. энцикл., 1971. 672 с.
4. Англо-русский физический словарь / Сост. Д. М. Толстой, В. И. Рыд-
ник, А. 3. Слоним, М. Л. Смолянский. М: Сов. энцикл., 1968. 848 с.
5. Циммерман М. Г., Веденеева К. 3. Русско-английский
научно-технический словарь переводчика. М: Наука, 1991. 738 с.
6. Прохоров К. Я. Англо-русский словарь по микроэлектронике. М.: Рус.
яз., 1985. 455 с.
7. Успенская Н. В., Михельсон Т. Н. Как писать по-английски научные
статьи, рецензии и рефераты. СПб.: Специальная литература, 1995. 174 с.
8. Макарова Т. Л. Представление результатов научной работы в форме
статьи на английском языке: Сб. упражнений / Под ред В. И. Ильина. СПб.:
Изд-во СПбГТУ, 1997. 51 с.
9. Пумпянский А. Л. Пособие по переводу научной и технической
литературы на английский язык. М.: Наука, 1965. 543 с.
10. Пумпянский А. Л. Чтение и перевод английской научной и технической
литературы. М.: Наука, 1968. 488 с.
11. Ковальницкая О. В., Лихачева И. К., Труевцева О. Н. Русско-английские
эквиваленты выражения величины. Л.: Наука, 1977. 220 с.
12. Смирнова Л. Н. Английский язык для научных работников. Курс для
начинающих. Л.: Наука, 1980. 247 с.
13. Смирнова Л. Н. Курс английского языка для научных работников. Л.:
Наука, 1990. 340 с.
14. Murphy R. English grammar in use. Cambridge: Cambridge Univ. Press,
1985. 328 p.
15. Бакуева Л. Г., Ильин В. И., Шик А. Я. Подготовка научных докладов и
статей к публикации в России и за рубежом: Учеб. пособие. СПб.: Изд-во
СПбГТУ, 1997. 32 с.
106

СОДЕРЖАНИЕ
Введение 3
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ
Русско-английский словарь новых терминов и понятий,
используемых в современной научной литературе по физике
полупроводников 5
ЧАСТЬ ВТОРАЯ
Фразеология новых разделов физики полупроводников .... 29
1. Аннотация 29
1.1. Стиль аннотации 29
1.2. Исследовать 30
1.3. Описывать 32
1.4. Получать 32
1.5. Обнаруживать 33
1.6. Определять 35
1.7. Уделять внимание 38
1.8. Употребление конструкции to be of 39
2. Введение. Цель работы 39
2.1. Цели и задачи 40
2.2. Употребление глаголов to intend и to design для
выражения мотивации исследований 41
3. Методика эксперимента 41
3.1. Условия эксперимента 41
3.2. Измерения под влиянием различных факторов .... 43
3.3. Способы и методы 45
3.4. Метод состоит в том, что 46
3.5. Экспериментальные установки 47
3.6. Описание объекта исследований 48
3.7. Достоинства и недостатки" 48
3.8. Возможности метода, свойства объекта исследования . 50
3.9. Позволять, давать возможность 51
3.10. Ошибки и погрешности 52
107

4. Результаты работы 54
4.1. Данные 54
4.2. Данные показывают 55
4.3. Зависимость 56
4.4. Изменение, увеличение и уменьшение 58
4.5. Влияние 62
4.6. Давать, производить, создавать 63
4.7. Характеристика предмета исследования 64
4.8. Проявлять особенности 65
5. Обсуждение результатов 66
5.1. Интерпретация 66
5.2. Сопоставление 67
5.3. Соответствие 68
5.4. Согласование. Fit and match 69
5.5. Сходство и различие 70
5.6. Взаимосвязь 71
5.7. Причинность 72
5.8. Корреляция 73
5.9. Предположение 74
5.10. Учитывать, принимать во внимание 75
5.11. На основании 76
5.12. При условии 77
6. Заключение 78
6.1. Выводы 78
6.2. Рекомендации 79
6.3. Применение 80
6.4. Личные благодарности 81
6.5. Благодарности фондам, организациям, программам,
фирмам 81
Ответы к упражнениям 82
Приложение. Англо-русский словарь сокращений 101
Литература 106

Научное издание
Е. В. Владимирская, В. Э. Гасумянц,
В. И. Ильин, Т. Л. Макарова
РУССКО-АНГЛИЙСКИЙ СЛОВАРЬ
И ФРАЗЕОЛОГИЯ НОВЫХ РАЗДЕЛОВ
ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Утверждено к печати
Санкт-Петербургским государственным университетом
Редактор издательства Е. Л. Тахтаджян
Художник Е. В. Кудина
Технический редактор Е И. Егорова
Корректоры И. А. Крайнева и Е. В. Шестакова
Лицензия № 020297 от 23 июня 1997 г.
Сдано в набор 18.01.2000. Подписано к печати 25.02.2000.
Формат 60 х 90/i6. Бумага офсетная. Гарнитура тайме.
Печать офсетная. Усл. печ. л. 7,0. Уч.-изд. л. 6,6.
Тираж 1000. Тип. зак. № 3021. С 25
Санкт-Петербургская издательская фирма «Наука» РАН
199034, Санкт-Петербург, Менделеевская лин., 1
Санкт-Петербургская типография «Наука» РАН
199034, Санкт-Петербург, 9 лин., 12

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКАЯ
ИЗДАТЕЛЬСКАЯ ФИРМА
«НАУКА» РАН
в рамках реализации
Федеральной целевой программы
«Интеграция»,
программное мероприятие 4.1,
проект № 830-02
«Новые разделы
физики полупроводников»,
готовит к выпуску
серию учебных пособий для вузов
под общей редакцией
В. И. Ильина и А. Я. Шика:
1. Ильин В. Я., Мусихин С. Ф., Шик А. Я. Вари-
зонные полупроводники и гетероструктуры.
2. Забродский А. Г., Немое С. А., Равин Ю. Я.
Электронные свойства неупорядоченных систем.
3. Шик А. Я., БакуеваЛ.Г., Мусихин С. Ф.,
Рыков С. А. Физика низкоразмерных систем.
4. Воробьев Л. Е., Данилов С. Я, Дмитриев А, Я,
Зегря Г. Г., Фирсов Д. А.у Шалыгин В. А., Яссие-
вин Я. Я. Фотоэлектрические явления в
полупроводниках и размерно-квантованных
структурах.
5. Воробьев Л. Е.у Данилов С. Я, Ивченко Е. Л.,
Левинштейн М. Е.у Фирсов Д. А., Шалыгин В. А.
Кинетические и оптические явления в сильных
электрических полях в полупроводниках и
наноструктурах. Под ред. Л. Е. Воробьева.

6. Воробьев Л. Е., Ивченко Е. Л., Фирсов Д. А.,
Шалыгин В. А. Оптические свойства
наноструктур. Под ред. Л. Е. Воробьева и Е. Л. Ивченко.
7. Шретер Ю. Г., Ребане Ю. Г., Зыков В. А,
Сидоров В. Г, Широкозонные полупроводники.
8. Макарова Т. Л., Захарова И. Б. Электронная
структура фуллеренов и фуллеритов.
9. Рыков С. А. Сканирующая зондовая
микроскопия полупроводниковых материалов и
наноструктур. Под ред. А. Я. Шика.
10. Лыков С. Н. Сверхпроводимость
полупроводников. Под ред. И. П. Ипатовой.

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКАЯ ИЗДАТЕЛЬСКАЯ
ФИРМА «НАУКА» РАН
в серии «НОВЫЕ РАЗДЕЛЫ
ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ»
готовит к выпуску:
ИЛЬИН В. И., МУСИХИН С. Ф., ШИК А. Я.
ВАРИЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
И ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ.
УЧЕБНОЕ ПОСОБИЕ ДЛЯ ВУЗОВ
В книге изложены основы теории варизонных
полупроводников и гетероструктур и принципы работы
приборов на их основе. Первая глава посвящена энергетическим
диаграммам полупроводников с изменяющимся по
координате химическим составом. Проведен расчет хода
потенциала в резком переходе в приближении Шотки для ани-
зотипного и изотипного переходов с зарядом границы
раздела и для идеального анизотипного гетероперехода.
Рассмотрено влияние диполя на интерфейсе на диаграмму
гетероструктуры. Вторая глава посвящена токам в
структурах с р-п гетеропереходом. Рассмотрены вольт-амперная
и вольт-фарадная характеристики идеального
гетероперехода (по теории Р. Андерсона). Дан краткий анализ
особенностей токопротекания в структурах с неидеальным
гетеропереходом. В третьей главе рассмотрены токи в
контакте металл-полупроводник. Четвертая глава посвящена
приборам, содержащим варизонные слои и
гетероструктуры. Дается представление и о приборных структурах с
элементами размерного квантования.