Author: Садченков Д.А.  

Tags: радиотехника   радиоэлектроника  

ISBN: 5-93455-141-8

Year: 2002

Similar

Маркировка радиодеталей отечественных и зарубежных. Справочное пособие

Маркировка радиодетелей отечественных и зарубежных. Справочное пособие. (Том2)

Блоки питания отечественных и зарубежных телевизоров. Справочное пособие

Аналоги отечественных и зарубежных диодов и тиристоров

Text
                    1
;
-
1
1
•
«РЕМОНТ» Ng57 1
----
---
- ---- --
1
Д.А. САДЧЕНКОВ
!
-
-
сс СОЛОН-Р»
А к РОВКА
том 1
f/ Резисторы. Цветовая мдРКИРОвка­
//-и;;;/fи~l; 2"' °' 11 З· й l: Мн ожиrелt> // Jlonycк
f:1 nолм:.,~ _j~~f >n<м•ю р
'Зo;;йl\1ri; о,01ом /·{
1
±5%
Серебряный 11 •
/
/i О, 10м ±10%
1',
1


Серия «Ремонт», выпуск 57
Садчеl!ков д. А.
Маркировка радиодеталей отечественных и зарубежных. Справочное посо­
бие. Том 1. -
М.: СОЛОН-Р, 2002. -
208 с.
ISBN 5-93455-141-8
При практической работе, связанной в первую очередь с ремонтом электронной техни­
ки, возникает задача определить тип электро"нного компонента, его параметры, расположе­
ние выводов, принять решение о прямой замене или использовании аналога. В большинстве
существующих справочников приводится информация по отдельным типам радиокомпонен­
тов (транзисторы, диоды и т. д.). Однако ее недостаточно, и необходимым дополнением к та­
ким книгам служит данное справочное пособие.
Представляемая читателю книга по маркировке электронных компонентов содержит в
отличие от издававшихся ранее подобных изданий, больший объем информации. В ней при­
ведены данные по буквенной, цветовой и кодовой маркировке компонентов, по кодовой мар­
кировке зарубежных полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа (SMD), при­
ведены данные по маркировке некоторых ранее не освещавшихся типов зарубежных компо­
нентов, даны рекомендации по использованию и проверке исправности электронных
компонентов.
Издательство ссСОЛОН-Р»
103001, г. Москва, а/я 82
Телефоны:
(095) 254-44-10, (095) 252-36 -96, (095) 252-2q-21
E-mail: Solon-R@coba.ru
Приглашаем к сотрудничеству авторов - специалистов
по ремонту бытовой и офисной техники!
E-mail: Solon-Avtor@coba.ru
САДЧЕНКОВ Дмитрий Андреевич
Маркировка радиодетелей отечественных и зарубежных.
ISBN 5-93455-141-8
Справочное пособие.
Том 1.
Ответственный за выпуск 8. Митин
Макет и верстка С. Тарасов
Обложка Е. Холмский
© Макет и обложка «СОЛОН-Р», 2002
© Д. А. Садченков, 2002


Предисловие
Широкое распространение новых технологий при производстве радиоэлек­
тронной аппаратуры, обилие на рынке радиокомпонентов, производимых фирма­
ми разных стран, существование различных видов маркировки ставит перед раз­
работчиками, производителями, ремонтниками РЭА и просто радиолюбителями
ряд проблем, связанных с определением типов применяемых радиодеталей, их
конструктивными особенностями и техническими характеристиками, возможно­
стями взаимозамены.
Предлагаемый вниманию читателей справочник окажет помощь при работе
как с отечественными, так и зарубежными радиоэлектронными компонентами.
В книге изложены принципы и особенности маркировки пассивных и активных
радиоэлектронных элементов для навесного и поверхностного (SMD) монтажа,
приведены таблицы, позволяющие определить тип полупроводникового прибора
по его цветовой или кодовой маркировке, приведена информация по взаимозаме­
няемости полупроводниковых приборов.
В связи с тем, что 2-е издание выходит в виде двухтомника, структура книги
была изменена. В частности, глава, посвященная маркировке микросхем, значи­
тельно дополненная, вошла во второй том. Первый же том содержит обновлен­
ную и дополненную информацию по маркировке пассивных и активных компонен­
тов: резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности, диодов, стабилизаторов,
транзисторов и многих других.
Краткое содержание 2-го тома
1. Микросхемы
2. Маркировка тиристоров
3. Маркировка радиаторов для полупроводниковых приборов
4. Маркировка излучающих светодиодов, индикаторов, ЖК модулей
5. Маркировка акустических приборов
6. Маркировка предохранителей
7. Маркировка реле
8. Маркировка соединителей
9. Маркировка коммутационных изделий
10. ВЧ разъемы и переходники
11. Маркировка проводов и кабелей
12. Маркировка панелек для микросхем
13. Маркировка вентиляторов
Приложения


4
1. Резисторы
1 . Резисторы
1 . 1 . Общие сведения
,Резисторы представляют собой радиоэлементы, обеспечивающие изменение
таких параметров электрической цепи, как ток или напряжение на ее участке.
В зависимости от вида включен:ия в цепи, они могут выполнять функции о_грани­
чения тока, шунта, делителя напряжения.
Существует деление резисторов на различные группы:
• по типу используемого материала;
• по номинальному значению сопротивления: постоянные и переменные.
Каждый резисто.р характеризуется целым рядом параметров, основными из
которых являются:
• номинальное сопротивление (Ом, кОм, МОм);
• допустимое отклонение сопротивления от значения, обозначенного на кор­
пусе (допуск), в процентах;
• номинальная мощность рассеяния (Вт);
• температурный коэффициент сопротивления (ТКС) - относительное изме-
нение сопротивления при изменении температуры на 1 °С;
• допустимое приложенное напряжение (В);
• максимальная рабочая частота (МГц);
• уровень шума (дБ);
• диапазон рабочих температур, 0С.
Электрические характеристики резистора в значительной мере определяются
типом материала, из которого он изготовлен, и его конструкцией.
В табл. 1.1 приведены характеристики резисторов, изготовленных на основе
различных материалов.
Таблица 1.1 . Характеристики постоянных резисторов
Поnонетр
Материал
Угольный композит Угольная пленка Металлическая пленка Окись металла
Диапазон
2,2".106
10". 1 06
1".106
10". 1 06
сопротивлений, Ом
Допуск,±%
10
5
1
2
Мощность рассеяния, Вт
О, 125". 1
0,25". 2
О, 125".0,5
0,25. "0,5
Температурный коэффи-
циент сопротивления,
+1200
-25 0
+50". 10 0
+250
1·1о-6/'С
Диапазон рабочих
j
температур, 0С
-4 0".+105
-4 5" .+125
-5 5".+125
-5 5".+125


1. Резисторы
5
В отдельную группу необходимо выделить проволочные резисторы, характе­
ристики которых приведены в табл. 1.2.
Таблица 1.2. Характеристики постоянных проволочных резисторов
Параметр
Тип корпуса
Керамический
Остеклованный
В алюминиевой оболочке
Диапазон сопротивлений, Ом
0,47 ... 22· 10 3
о,1...22·103
0,1 ...22.103
Допуск,±%
5
5
5
Мощность рассеяния, Вт
4... 17
2.. .4
25 ... 50 (на радиаторе)
Температурный к9эффициент со-
±250
±75
±50
противления, 1·1 о- 6 / 0 С
Диапазон рабочих температур, 0 С
-55 ...+200
-55 ...+200
Номинальные сопротивления резисторов отечественного и зарубежного про­
изводства стандартизованы. Для постоянных резисторов установлено шесть ря­
дов номинальных значений: Еб, Е12, Е24, Е48, Е96, Е192. Цифра после буквы Е
указывает число номинальных значений в каждом десятичном интервале (Ом,
кОм, МОм, ГОм). Наиболее широко применяются.резисторы рядов Еб, Е12, Е24,
реже - ряда Е48 (табл. 1.3). Каждому номинальному ряду сопротивлений соот­
ветствует свое значение допуска. Резисторы с наименьшими допусками рядов
Е96, El 92 применяются в основном в измерительных приборах и схемах.
Таблица 1.3. Ряды номинальных сопротивлений резисторов
Ряд
Числовые коэффициенты
Погрешность,
Е6 1; 1,5; 2,2; 3,3; 4,7; 6,8
20%
Е12 1; 1,2; 1,5; 1,8; 2,2; 2,7; 3,3; 3,9; 4,7; 5,6; 6,8; 8,2
10%
Е24 1; 1, 1; 1,2; 1,3; 1,5; 1,6; 1,8; 2; 2,2; 2,4; 2,7; 3; 3,3; 3,6; 3,9; 4,3; 4,7; 5, 1;
5%
5,6; 6,2; 6,8; 7,5; 8,2; 9, 1
1,00; 1,05; 1,07; 1,10; 1,13; 1,15; 1,18; 1,21; 1,24; 1,27; 1,30; 1,33; 1,37;
1,40; 1,43; 1,47; 1,50; 1,54; 1,58; 1,62; 1,65; 1,69; 1,74; 1,78; 1,82; 1,87;
1,91; 1,96; 2,00; 2,05; 2, 1О; 2, 15; 2,21; 2,26; 2,32; 2,43; 2,49; 2,55; 2,61;
Е48 2,67; 2,74; 2,80; 2,87; 2,94; 3,01; 3,09; 3, 16; 3,24; 3,32; 3,40; 3,48; 3,57; 3,65;
1%
3,74; 3,83; 3,92; 4,02; 4, 12; 4,22; 4,32; 4,42; 4,53; 4,64; 4,75; 4,87; 4,99; 5, 11;
5,23; 5,36; 5,49; 5,62; 5,76; 5,90; 6,04; 6, 19; 6,34; 6,49; 6,65; 6,81; 6,98; 7, 15;
7,32; 7,50; 7,68; 7,87; 8,06; 8,25; 8,45; 8,66; 8,87; 9,09; 9,31; 9,53; 9,76
Советы по практическому применению
Максимальная мощность, которую может рассеивать резистор, зависит от
температуры окружающей среды. С ростом этой температуры мощность рассея­
ния снижается. Для увеличения надежности резисторqв следует обеспечивать
больший запас их по мощности.
Проволочные резисторы обладают значительной индуктивностью, поэтому
нецелесообразно применять их в высокочастотных и импульсных цепях. На высо-


6
1. Резисторы
ких ча<!тотах (~30 МГц) П.(Iеночные угольные и металлопленочные резисторы мо­
гут иметь заметное индуктивное сопротивление за счет длины своих выводов, ко­
торые следует максимально укорачивать.
В радиотехнических устройствах для снижения добротности колебательного
контура и расширения его полосы пропускания параллельно ему подключают ре­
зистор. Для работы на высоких частотах выпускают специальные резисторы, ко­
торые для снижения индуктивности имеют особую конструкцию.
Качество изоляции остеклованных резисторов ухудшается с ростом темпера­
туры. Поэтому в режимах с максимально рассеиваемой мощностью следует избе­
гать контакта этих резисторов с любой проводящей поверхностью.
1.2 . Обозначение и маркировка резисторов
Система обозначения
В табл. 1.4 приведены сведения о действующей отечественной системе обо­
значения резисторов, а в табл. 1.5
-
о старой.
Таблица 1.4. Действующая система обозначения резисторов
Элемент обозначения
Пример
первый
второй
третий
обозначения
Р - резисторы постоянные
1 - непроволочные
Р1-26
РП - резисторы переменные
2 - проволочные
РП2-12
ТР - терморезисторы с отрицательным ТКС
Порядковый
ТР-7
Полупроводниковые
номер
ТРП - тер_морезисторы с положительным ТКС
разработки
ТРП-5
материалы
ВР - варисторы постоянные
не обозначаются
ВР-14
ВРП - варисторы переменные
ВРП-11
Таблица 1.5 . Старая система обозначения резисторов
1
Элемент обозначения
Пример
первый
второй
третий
обозначения
С - резисторы постоянные 1 - углеродистые и бороуглеродистые
С5-2
2 - металлодиэлектрические и металлоокисные
СП - резисторы
3 - композиционные пленочные
4 - композиционные объемные
СП1-3
переменные
5 - проволочные
Порядковый
1 - кобальта-марганцевые
номер
разработки
СТ - терморезисторы
2 - медно-марганцевые
СТ2-3
3 - медно-кобальта-марганцевые
4 - никель-кобальта-марганцевые
1
СН - варисторы
1 - карбида-кремниевые
СН1-2


1. Резисторы
7
Единой системы обозначения резисторов зарубежного производства нет. Ка­
ждая фирма-производитель имеет собственную систему обозначения резисторов.
Но на практике нет необходимости изучать такие системы, поскольку достаточ­
ная информация о номинале и допуске имеется на корпусе резистора, а по геомет­
рическим размерам можно судить о его рассеиваемой мощности. На рис. 1.1 и в
т~бл. 1.6 приведены данные о геометрических размерах резисторов различной
мощности. Для того, чтобы избежать путаницы при поставках резисторов зару­
бежного производства на отечественный рынок, большинство дилеров сопостав­
ляет их с резисторами российского производства, называя их, например, постоян­
ные углеродистые резисторы типа Cl-4 (импортные).
L
0,062 Вт, 0,125 Вт ==::::::;:===10ПIJ======
0,125 Вт, 0,25 Вт
(]Ir:()=====::::i
0,5 Вт
СПП)1=====
Рис. 1.1 . Размеры корпусов резисторов-различной мощности
Таблица 1.6 . Размеры резисторов
Размеры, мм
Мощность рассеивания, Вт
н
о
L
d
0,062
3,2
1,5
28
0,48
О, 125 mini
3,2
1,5
28
0,48
1
О, 125
6,0
2,3
28
0,60
0,25 mini
3,2
1,5
28
0,48
0,25
6.0
2,3
28
0,60
0,5
9,0
3,2
28
0,60
1,0
11,0
4,5
35
0,80
2,0
15,0
5,0
35
0,80
Маркировка резисторов отечественного производства
Номинальные сопротивления и допуска на резисторах обозначаются одним
из двух способов - с использованием буквенно-цифрового обозначения или пу­
тем нанесения цветовой маркировки.


8
1. Резисторы
Буквенно-цифровая. маркировка
Обозначение резистора включает три элемента.
Первый элемент - цифры
-
номинал сопротивления в омах.
Второй элемент - буква русского или латинского алфавита
-
множитель
(табл. 1.7).
Таблица 1.7
Буква латинская
R (или Е)
К (или К)
М (или М)
G (или Г)
Т (или Т)
(русская)
Множитель
1
1·10 3
1·10 6
1·109
1·10 12
Третий элемент - буква латинского или русского алфавита
-
допуск
(табл. 1.8).
Таблица 1.8
Буква латинская Е
L
R
р
uвсDFGJкмN
(русская)
(Ж) (У) (Д) (Р) (Л) (И) (С) (В) (Ф)
Допуск,±%
0,001 0,002 0,005 0,01 0,02 О,1 0,25 0,5 1 2 5 10 20 30
Цветовая маркировка
Другим видом маркировки является нанесение на корпус резистора цветных
ко.irец. Маркировочные кольца сдвинуты к одному из выводов рез]iстора и распо­
лагаются слева направо. Если размеры резистора не обеспечивают отступа, то
ширина· первого кольца примерно в два раза шире остальных. Число колец может
быть от четырех до шести.
На цветных вкладках 1, 2 показано, как по цвету колец определить номинал и
допуск резистора.
Маркировка резисторов зарубежного производства
Буквенно-цифровая маркировка
На корпус резистора наносится маркировка, состоящая из двух или трех
цифр и буквы. Буква играет роль запятой и одновременно обозначает, в каких
единицах измеряетсЯ номинал резистора: R - в омах; К
-
в килоомах; М - в
мегаомах. Примеры обозначения приведены в табл. 1.9.
Таблица 1.9 . Обозначение номиналов резисторов
Сопротивление
Обозначение
Сопротивление
Обозначение
0,33 Ом
R33
47 кОм
47К
6,8 Ом
6R8
150 кОм
М15
22 Ом
22R
1 МОм
1МО
150 Ом
150R
2,2 МОм
2М2
1 кОм
1К
10 МОм
10М
О,1Ом
R10
5,6 кОм
5К6


1. Резисторы
9
Допуск резисторов по одной из наиболее распространенных систем обозначе­
ний BS 1852 (British Standard 1852), обозначается буквой после обозначения но­
мин~ла резистора (табл. 1.10).
Таблица 1.10
Буква
FGJкм
Допуск,±%
1251020
Например: 330RG соответствует номиналу 330 Ом ±2%; R22M - 0,22 Ом
±20%.
Цветовая маркировка резисторов
Цветовая маркировка резисторов зарубежного производства аналогична цве­
товой маркировке резисторов отечественного производства (см. цветные вкладки
1, 2).
Маркировка резисторных сборок
Резисторные микросборки состоят из металла-пленочных резисторов. Они
изготавливаются на керамической подложке, покрываются специальным соста­
вом на основе эпоксидной смолы и имеют жесткие выводы.
Необходимую информацию о параметрах резисторной сборки можно полу­
чить по маркировке на ее корпусе:
9А102J
12з45
1. Количество выводов.
2. Схема соединения резисторов сборки (рис. 1.2).
3. Номинал, Ом.
4. Показатель степени множителя 10 (количество нулей, добавляемое к но­
миналу).
5. Допуск:
F- ±1%;
G- ±2%;
J- ±5%.
На корпусе резисторной сборки у первого вывода наносится .точка.
В приведенном выше примере маркировка 9A102J означает, что сборка со­
ставлена из резист,оров сопротивлением 1 кОм ± 5 %, имеет девять выводов, в ее
составе восемь резисторов, включеных по схеме А (см. рис. 1.2).


1О
1. Резисторы
L
2,5
9A102J
•
2,54
А
в
0,5
со
о
Lt)
0,25±0,05
с
D
нн ~ пn nmrrm
12З4n+1
12З42n+12n
2n+1 n+11234n+1
Е
Р
R
Т
mm~mn
2345nn+1 12345nn+1 1234
123n+1n+2
Рис. 1.2 . Схемы соединения резисторов в сборках
1.3. Технические данные и маркировка
бескорпусных SMD резисторов
Общие сведения
В настоящее время на передний план все более выдвигается наиболее про­
грессивная сегодня технология производства электронной аппаратуры - техно­
логия поверхностного монтажа или SМТ-технология (SMT - Surface Mount
Technology). Специально для такой технологии был разР,аботан широкий спектр
миниатюрных электронных компонентов, которые еще называют SMD (Surface
Mount Devices) компонентами. 'Использование SMD компонентов позволило ав­
томатизировать процесс монтажа печатных плат.
Основной ряд используемых SMD резисторов представлен зарубежными ре­
зисторами серии RMC, которые подробно описаны ниже. Из отечественных ана­
логов можно назвать резисторы типа Pl-12, имеющие номинальную рассеивае­
мую мощность 0,125 Вт, номинальные сопротивления ряда Е24 от 1 Ом до
6,8 МОм. Резисторы Pl-12 полностью соответствуют SMD резисторам в корпусе
типоразмера 1206.
На рис. 1.3 представлен внешний вид SMD резисторов, а в таблицах 1.11 и
1.12 приведены их геометрические размеры и основные технические данные. Ти­
поразмеры SMD резисторов стандартизованы. Они обозначаются четырехзнач­
ным числом по стандарту IEA. Обозначения самих же SMD резисторов различ­
ных производителей приведены в табл. 1.13 .


1. Резисторы
11
Рис. 1.3. Внешний вид SMD резисторов
Таблица 1.11 . Габаритные размеры SMD резисторов
Размеры (мм}
Типоразмер EIA
L
w
н
D
т
0402
1,00
0,50
0,20
0,25
0,35
0603
1,60
0,85
0,30
0,30
0,45
0805
2, 10
1,30
0,40
0,40
0,50
1206
3, 10
1,60
0,50
0,50
0,55
1210
3, 10
2,60
0,50
0,40
0,55
2010
5,00
2,50
0,60
0,40
0,55
2512
6,35
3,20
0,60
0,40
0,55
Таблица 1.12. Технические данные SMD резисторов
Тип
0402
0603
0805
1206
1210
2010
2512
Номинальная мощность, Вт
1/16
1/10
1/8 1 1/4
1/3
3/4
1
Температурный диапазон, ·с
-55 ". +125
Макс. рабочее напряжение, В
25
50
150
200
200
200
200
Макс. перегрузочное
50
100
300
400
400
400
400
напряжение, В
Диапазон сопротивлений
1%, Е-96 1000м". 10 Ом". 10 Ом". 10 Ом". 10 Ом". 10 Ом". 10 Ом."
100кОм 1МОм 1МОм 1МОм 1МОм 1МОм 1МОм
5%, Е-24 20м". 1Ом." 1Ом". 1Ом". 1Ом". 1Ом". 1Ом".
5,6МОм 10МОм 10МОм 10МОм 10МОм 10МОм 10МОм
Сопротивление перемычки, Ом
-
-
$0,05
-
-
-
-
Таблица 1.13. Обозначения SMD резисторов некоторых фирм-производителей
Фирма-производитель
Типоразмер
AVX BECKMAN NEOHM PANASONIC PHILIPS ROHM SAMSUNG WELWYN
0603
CR10 BCR1/16 CRG0603
ERJ3
-
MCR03 RC1608 WCR0603
0805
CR21 BCR1/10 CRG0805
ERJ6
RC11/12 MCR10 RC2012 WCR0805
1206
CR32
BCR1/8 CRG1206
ERJ8
RC01/02 MCR18 RC3216 WCR11206


12
1. Резисторы
Маркировка SMD резисторов
SMD резисторы маркируются различными способами. Способ маркировки за­
висит от типоразмера резистора и допуска. Резисторы типоразмера 0402 не мар­
кируются. Резисторы с допуском 2%, 5% и 10% всех типоразмеров маркируются
тремя цифрами, первые две из которых обозначают мантиссу (то есть номинал ре­
зистора без множителя), а последняя - показатель степени по основанию 10 для
определения множителя. При необходимости к значащим цифрам может добав­
ляться буква R для обозначения десятичной точки. Например, маркировка 513 оз­
начает, что резистор имеет номинал 51х103 Ом= 51 кОм. Обозначение 100 ука­
зывает, что номинал' резистора равен 10 Ом.
Резисторы с допуском 1% типоразмеров от 0805 и выше маркируются че­
тырьмя цифрами, первые три из которых обозначают мантиссу, а последняя -
показатель степени по основанию 1О для задания номинала резистора в омах. Бу­
ква R также служит для обозначения десятичной точки. Например, маркировка
7501 означает, что резистор имеет номинал 750х10 1 Ом= 7,5 кОм.
Резисторы с допуском 1% типоразмера 0603 маркируются с использованием
приведенной ниже таблицы EIA-96 (табл. 1.14) двумя цифрами и одной буквой.
Цифры задают код, по которому из таблицы определяют мантиссу, а буква - по­
казатель степени по основанию 10 для определения номинала резистора в омах.
Например, маркировка lOC означает, что резистор имеет номинал 124х102 Ом=
= 12,4 кОм.
Таблица 1.14. Таблица маркировки SMD резисторов Е/А-96
Код Знач. Код Знач. Код Знач. Код Знач. Код Знач. Код Знач. Код Знач. Код Знач.
0110013133251783723749316614227356285750
0210214131261823824350324624327457686768
0310515140271873924951332634427559087787
0410716143281914025552340644537660488806
0511017147291964126153348654647761989825
0611318150302004226754357664757863490845
0711519154312054327455365674877964991866
081182015832210442805637468499во66592887
0912121162332154528757383695118168193909
1012422165342214629458392705238269894931
1112723169352264730159402715368371595953
1213024174362324830960412725498473296976
s10-2R10-1А10°в1'01с102D1рзЕ104F105
Стандартная упаковка SMD резисторов - бумажная лента или бобина. На
упаковку наносится маркировка с ука~анием типа резистора, его типоразмера, но­
минала, допуска. Напр!:iмер: RMC-18 (1206) 1002 FR, где буквой после номина­
ла обозначен допуск (F = ±1 %; J = ±5%; D = ±0,5%), а буква R означает, что
резисторы упакованы на бумажной .(Iенте в бобине.


1. Резисторы
1 .4 . Особенности применения и маркировки
переменных резисторов
13
Переменные резисторы применяются для настройки и регулировки сигналов:
в качестве регуляторов громкости, тембра, уровней, настройки на частоту в ра­
диоприемниках с перестройкой частоты при помощи варикапов.
Подстроечные резисторы применяются в схемах радиоэлектронных уст­
ройств для того, чтобы обеспечить их настройку во избежание многократных за­
мен, связанных с необходимостью подбора постоянного резистора.
Переменные резисторы выпускаются в различном исполнении. По типам они
делятся на резисторы с угольной дорожкой, дорожкой из кермета (металлокера­
мики), проволочные и многооборотные проволочные.
По причине наличия подвижного контакта переменные резисторы являются
источников шумов, и порой напряжение создаваемых ими шумов может дости­
гать десятков милливольт (15".50 мВ). Поэтому при применении переменных ре­
зисторов следует придерживаться следующих правил:
• избегайте использования переменных резисторов с угольной дорожкой: они
сильно шумят и ненадежны;
• в регуляторах громкости аудиоаппаратуры применяйте потенциометры с
логарифмическим законом регулирования сопротивления;
• не применяйте переменных резисторов с угольной дорожкой в устройствах
электропитания для регулировки выходного напряжения. Из-за несовер­
шенства дорожки возможно мгновенное появление полного выходного на­
пряжения.
Кроме того, при использовании переменных и подстроечных резисторов в це­
пях питания следует учитывать их рассеиваемую мощность во избежание нагрева
и возможного выхода их из строя. Следует также помнить, что применение в этих
цепях таких резисторов с угольной дорожкой может быть причиной бросков на­
пряжения в процессе регулировки.
Переменные и подстроечные резисторы
фирмы BOURNS
На рис. 1.4 представлены переменные и подстроечные резисторы, выпускаю­
щиеся фирмой BOURNS, типов 3370, PTV09, PCW, PDV, 91, 93, 95, 96, PDB12.
Подстроечные резисторы фирмы BOURNS имеют различное конструктивное
исполнение. Они обозначаются кодом, состоящим из четырех цифр, обозначаю­
щих модель, буквы - обозначения типа, цифры, указывающей на особенности
конструкции и трех цифр, обозначающих номИ:нал. Например, 3214W-l-103.
Стандартный ряд номиналов подстроечных резисторов: 10, 20, 50, 100, 200, 500,
lK, 2К, SK, lOK, 20К, 25К, БОК, lООК, 200К, 250К, SOOK, lM.
Последняя цифра в обозначении номинала означает показатель степени чис­
ла 10, на которое следует умножить две первые цифры. Например, 103 = 1·103 Ом
или 1 кОм.


14
1. Резисторы
Серия 24S1
"'~12
<"i
"'
ооа5
М~хО 75 ~
20
2,5
Серия R-0901 N
25
~::}19,8
о
i---~_,..ISI 0
,f'
6~;~:п=.~ ::'; 5 08
2,4 7,0
7•8
Серия R-0904N
Серия RK-1111 N
~~98
~~~
3,2 7
5
Серия RK-1112N
Серия RK-1412G
Серия R1001G22B1
~Серия R1214G
-~~
~~т ~т
3,5
~i·
~ '·'
"·'
Серия RK-1411G
Серия R1001N12B1
Серия R1212N
Серия SL-101N
8
о~"~1012,4о
~
.
~
7,
5,0
12,5
Рис. 1.4. Переменные и подстроечные резисторы BOURNS


Серия SL-20V1
Серия SL-45V1
Серия HSL-1 OЗN-ho
Серия SH-083
Серия SH-655MCL
1. Резисторы
15
35
31
27
,1
/;
2-М2хРО.4
"
'1 1~
29,6
~3,6
...
"'~
'·'
"'"
;с 6,25
'
:
"'~4
2525
::::
-тоо
"'ttti
'
k21
.. ,. 0,6
Серия SL-ЗOV1
Серия NSL-205G
Серия SH-085
~~
Серия SH-625MC
"'
о
~ ~~lю!зt~
2,5
5
Серия SH-R114S
1012 "'Qef
N
15,5 ~
~~&
"'-
~ 7·5
410610
~
м12
•
1
Рис. 1.4. Переменные и подстроечные резисторы BOURNS (продолжение)


16
Серия SH-R115SR
Серия RK-1233G1
1. Резисторы
Серия RK-1233N1
iiiLh rr--
w~ Г~~i'fif:.- ~
3,75 1,2 2 ,5
"'
Серия R-12N2
с••~"·'··~:·н~!W4• ,,,. 1"1116 .; " '51\ =' <- -....
4,3
"'
1
~~~,c..r
9,5
"'
Серия R-17N1
Серия R-175~
Серия 16К1
Серия S16KN'1
Серия R-24N1
3,8 2
""i~17"'
====
~
Ц')
ОоN'
М7х0,75
~
55
L..J~~15_-=.i.._o_~IS1
12,5
"'
7
"'·о
М7хРО,75
5,8
12
{!;и;12,3
~-~~t1~
М7х0,75
~
0,5
55
Рис. 1.4 . Переменные и подстроечные резисторы BOURNS (продолжение)


1. Резисторы
17
На рис. 1.5 представлен внешний вид и габаритные размеры малогабаритных
подстроечных резисторов (триммеров) Bourns. Следует отметить, что некоторые
их типы являются полными аналогами отечественных подстроечных резисторов:
3329Н - СПЗ-19А; 3362Р
-
СПЗ-19А; 3329Н - СПЗ-19Б; 3296W -
СП5-2ВБ-О,5 Вт. Номинал на корпусе также обозначается цифровым ко.цом
(табл. 1.15).
3006
3314
3214
3266
3302
3926
3303
3329
~ ~}1
з
3306
3362
2,54
Fiit
~~
12з
6,60
m
2,54 2 ,54
Рис. 1.5 . Малогабаритные подстроечные резисторы (триммеры) BOURNS


18
1. Резисторы
Таблица 1.15
Код
Номинал
Код
Номинал
100
10 Ом
103
10 кОм
200
20 Ом
203
20 кОм
500
50 Ом
503
50 кОм
101
100 Ом
104
100 кОм
201
200 Ом
204
200 кОм
501
500 Ом
504
500 кОм
102
1 кОм
105
1 МОм
202
2 кОм
205
5 МОм
502
5 кОм
106
10 МОм
Полная маркировка переменных и подстроечных резисторов представляет со­
бой буквенно-цифровой код:
S16KN1 - В 2К2
-
КС 15
-------
1
23
45
1. Серия.
2. Функциональная характеристика (рис.- 1.6) - график зависимости сопро­
тивления от поворота движка.
3. Значение сопротивления в омах (2К2 = 2,2 кОм).
4. Тип движка (рис. 1.7, табл. 1.16).
о;
s:
:i:
Q)
'7
Q) ctl
s: :i:
:i: С')
Q) ci
а ffi
s: :::!:
ь1-
а.О
§~
(.) ID
100
90
80
70
60
50
40
30
20
1о f---if--+r+-'-7t""-~:...+--+-t--+--J
о
о1о2030405060708090100
Угол поворота движка
в % от макс. значения
Рис. 1.6 . График зависимости сопротивления от угла поворота движка
переменного резистора


L
ф
Ь=,,,!,L-.1"""'1.--.J.L_-----'1- !S1
Тип КС
L
Тип R
1. Резисторы
L
Тип F
А
ТипКQ
Рис. 1. 7. Типы движков переменных резисторов
Тип
Обозначение
Размеры,
мм
L
15
20
25
кс
в
7
12
14
L
15
20
25
F
F
8
12
12
RE
L
15
20
25
R
L
15
20
25
L
15
20
25
ка
А
6
7
7
5. Длина движка в мм.
19
L
Тип RE
о
Таблица 1.16
30
35
14
14
30
35
12
12
30
35
30
35
30
35
7
7
Отдельно следует выделить подстроечные резисторы фирмы Murata, исполь­
зуемые в микроэлектронике. Они обозначаются по внутрифирменной системе.
Маркировка состоит из кода модели - трех букв и цифры, типа
-
1-2 букв и
номинала, обозначенного цифровым кодом. Например, RVGЗ А8-103. На рис. 1.8
приведены изображения подстроечных резисторов фирмы Murata.


20
1. Резисторы
РОZЗ
~~
РОТ2103
Е$
&9
~\СSГ
1
р
РОТЗ107
РОС6
~h1~
~11~
о
о
D
о
RVGЗ
RVG4
m
~~~
-25
1
1
1
1
POG5
~
Qо
Рис. 1.8 . Подстроечные резисторы фирмы Murata
1.5 . Резисторы с особыми свойствами
Термисторы
Термисторы представляют собой резисторы на основе полупроводника, сопро­
тивление которых резко зависит от температуры окружающей среды. Они подраз­
деляются на две группы: термисторы с отрицательным температурным коэффици­
ентом сопротивления (ТКС) и термисторы с положительным ТКС (позисторы).
ТКС - это один из основных параметров термисторв. Он характеризует зависи­
мость изменения сопротивления термистора от температуры окружающей среды.


1. Резисторы
21
При обозначении термисторов зарубежного ·производства применяют сокра­
щения: NTC - Negative Temperature Coefficient - отрицательный ТКС, РТС
-
Positive Temperature Coefficient - положительный ТКС.
NТС термисторы в диапазоне температур 25" .100 °С изменяют свое сопро­
тивление от нескольких сот или тысяч ом до нескольких десятков Или сот ом, то
есть с повышением температуры их сопротивлени.е снижается. РТС термисторы в
диапазоне темhератур О... 75 °С сохраняют сопротивление примерно на уровне
100 Ом. Однако, начиная с температуры 80 °С, оно начинает быстро расти до зна­
чений порядка 10 кОм при 120 °С. Такие свойства термисторов обусловили их
широкое применение в устройствах термостабилизации, автоматики, защиты от
перегрузок и пожариой сигнализации.
На корпус термистора наносится значение его сопротивления при температу­
ре 20 °С (а ДЛЯ термисторов С рабочими температурами ДО 30р 0С - при 150 °С).
Конкретные значения сопротивлений устанавливаются в основном по ряду номи­
налов Еб или Е12.
NТС термисторы по функциональному назначению подразделяются на:
• термисторы для термокомпенсации;
• термисторы для измерения температуры;
• термисторы для ограничения пускового тока.
РТС термисторы применяются в следующ1:1х типах электронных устройств:
• датчики температуры;
• схемы защиты от перегрузок;
• устройства раз_магничивания.
Также они используются J3 качестве нагревательных элементов.
В табл. 1.17 приведены'данные по NТС термисторам, а на рис. 1.9 показан их
внешний вид.
Данные и внешний вид РТС термисторов приведены в табл. 1.18 -1 .20 и на
рис. 1.1 О соответственно.
Таблица 1.17
Назначение
Параметры
Ограничение
Термокомnенсация
Измерение темnературы
nу~кового тока
R, кОм 2,2 ...680 0,015 ...470 1.. .470 3; 5; 10; 30 1...330 16, 33 10 2,5
0,001" .0 ,08
С619
К164
М891
586
·К45 М2020 М703 К220
5153
М820
С620
523
Тиn
С621
5364
5464
±5%
±5%
±5%
±1%
±10% ±1 кОм ±2%
,
±5%
;1:20%
Точность ±10%
±10%
±10%
±3%
±20%
±5%
1
--=- ==-=-=-
r:--_...:
-~


22
1. Резисторы
8865
Измерение температуры
М703
~ 8862
о К220
Qмв20
Термокомпенсация
Ограничение
пускового тока
С619 [J]
К164
8СК-102
С620 III
С621 [8]
Рис. 1.9 . NТС термисторы
Датчики
0401
Защита от перегрузки
С830
С8
А1701
А607
Р1201
Р1415
А707
[8]
Переключение, размагничивание
С111
А198
С1250
Т170
QJ200 LJJ506
Рис. 1.10. РТС термисторы


1. Резисторы
23
Таблица 1.18
РТС
датчики температуры
tраб., ·с
+1&0" .-30
130". 9 0
190".60
160".40
С8 (859008)
М35 (85935)
0401 (859401)
Тип (код)
С100 (859100)
А1701 (859701-А 1)
М55 (85955)
0801 (859801)
С101 (85901)
М100 (85900-М1)
0901 (859901)
UмАХ, 8
30; 265
25
30
20; 30
Rн, Ом
27".100к
<1000.
100" .7 50
80".130
Таблица 1.19
РТС термисторы защиты
от перегрузок
lн, А
2,9". 0,008
0,065."0,045
0,31 ". 0,04
87хх (8597хх)
А707 (В59707-А)
Р1х01 (В59х01-Р1)
Тип (код)
С8хх (В598хх)
А607 (859607-А)
Р1х15 (859х15-Р1)
С9 (В599хх)
tраб" ·с
80".160
120
80; 120
UмАХ, 8
20". 1 000
30; 80
30; 80
Размер
D=4".26 мм
1210
3225;4032
Таблица 1.20
Пусковые устройства, устройства
размагничивания
Rн, кОм
5" . 0,032
0,047".0,015
0,03" .0,005
J29; J28x; J290;J150; J290;
Т100; Т170; Т250;
Тип
А 19х; А50х; J50x
J200; J320; С111х
С1250".С1650
l,A
lн =0,07" .0, 15
lмАХ =4".8
lн =0,004."0,04
UмАХ, В
80". 265
325". 40 0
120; 230
Rco, кОм
-
-
3,5". 25
Перечисленнь~е выше терморезисторы являются продукцией фирм
Siemens+Matsushita, EPCOS.
TNC термисторы имеют код В57, а РТС - В59.


24
1. Резисторы
~ С1016
1,25±0,2
e11j Р1215
6,3max
~~А607 01 А1701 _ll _ 0404;
lJ.JI 0801
о
8,0; 10,О
~
т1
'·'""
'·'~·' ~~ 1210
RЬ ~"' 1,9max
'=il~ - ~ ~6,3,
8,0
~ 3225;
о
tt/ 4032
м
3,0
~i~2,54
1
J200
4,0,6,5 5,0max
tJ
ii~ С111 J508
26,0
0d
А С836
'r-Y
QТ2~ WC1250
Рис. 1.11. РТС термисторы фирмы Siemens+Matsushita
Варисторы
Варисторы - полупроводниковые резисторы, сопротивление которых умень­
шается при возрастании напряжения больше определенного (номинального) зна­
чения. Их назначение - защита от бросков напряжения, возникающих, напри­
мер, в телефонных линиях или при коммутации индуктивной нагрузки. Могут они
применяться и для стабилизации напряжения, регулирования усиления в систе­
мах а·втоматики, в схемах размагничивания кинескопов и т. д.
На корпусе варистора наносится его рабочее напряжение. В табл. 1.21, 1.22
приведены основные параметры распространенных варисторов отечественного и
зарубежного производства.
"S05
;f
S15
Рис. 1.12 . Варисторы


'
1. Резисторы
25
Таблица 1.21 . Основные параметры варисторов отечественного пf!оизводства
Номинальная
Классификационное
Допуск по клас- Коэффициент Классифика-
Тип
мощность,
напряжение,
сиф. напряжению, нелинейности, ЦИОННЫЙ ТОК,
Вт
в
±%
не менее
мА
560
3,5
сн1-1-1
1
680; 820; 1ООО; 1200
10
4
10
1300; 1500
4,5
560
3,5
СНН-2
0,8
680
10
4
10
1300
4,5
СН1-2-1
1
56; 68; 82; 100; 120; 150;
10; 20
3,5
2
180; 220; 270
сн 1-2 -2
1
15; 18; 22; 27; 33; 39; 47;
10; 20
3
3
56; 68; 82; 100
3,5
снн
2,5
33
10
4
20
СН1 -8
2
20 ООО; 25 ООО
-
6
25".75
СН1-9
0,01
240; 270; 300; 330; 360
5
5
0,05
сн1-1о
3
15; 18
10
_3,2
10
22; 27; 33; 39; 47
3,5
Таблица 1.22 . Основные параметры варисторов зарубежного производства
Uном, Поглощаемая
lпик1
Допустимое напряжение
Umax,
Ток
Емкость
Тип
в
энергия,
кА
в измерения, (f = 1 МГц),
Дж
действующее постоянное
А
нФ
V22ZA1
22
0,9
0,25
14
18
47
5
1,6
V33ZA5
33
6
1
20
26
64
10
6
V100ZA3
100
5
1,2
60
81
165
10
400
V130LA5
200
20
2,5
130
175
340
25
450
V250LA4
390
21
1,2
250
330
650
10
90
V250LA10 390
40
2,5
250
330
650
25
220
V275l.A4
430
23
1,2
275
369
710
10
80
V275LA10 430
45
2,5
275
369
710
25
200
V420LA 1О 680
45
2,5
420
560
1100
25
140
Оксид-цинковые варисторы зарубежного производства имеют индекс TVR.
При маркировке после него указывается диаметр дискового корпуса варистора и
классификационное напряжение при токе 1 мА. Например, TVR 05 271. Напряже­
ние обозначается кодом - первые две цифры обозначают значение в вольтах, а
последняя - множитель (показатель степени числа 10): 271 = 27·10 1 В= 270 В.


26
1. Резисторы
Фирма EPCOS производит металлоксидные варисторы серии SIOV типов
CN, CU - для поверхностного монтажа, S, SR - для объемного монтажа в дис­
ковых и прямоугольных корпусах соответственно (рис. 1.13). Те же типы вари­
сторов предназначены и для автоэлектроники. В этом случае на их корпус нано­
сится надпи,сь AUTO. Основное назначение металлооксидных варисторов - за­
щита электронного оборудования от повреждений при превышении входного
напряжения.
[8]
111]
[)11(]
CN
CN".AUTO
SMD
Дисковые
cu
Автомобильные
CU".AUTO
S".AUTO
SR" .AU TO
Блочные/монтируемые, мощные диски - для тяжелых условий
x[]37,5max. х
со
соо
Е
Ео
CD
m .,..
""'
м
625;630;640;LS40
71
100
660
СХ)
.....
.....
1
v
96
"
135
680
Разрядные блоки
HiCap
34,0
"
Е32
SHCV-SR1, SR2
36,5
PDBO
Рис. 1.13. Варисторы серии SIOV фирмы Siemens+Matsushita


2. Конденсаторы
27
2. Конденсаторы
2. 1. Общие сведения
Электрические характеристики конденсатора определяются его конструкци­
ей и свойствами используемого диэлектрика. Основными параметрами конденса­
торов являются:
• номинальная емкость (мкФ, нФ, пФ);
• рабочее напряжение - максимальное значение напряжения, при котором
конденсатор может работать длительно без изменения своих свойств;
• допуск - возможный разброс значения емкости конденсатора;
• температурный коэффициент емкости (ТКЕ) - зависимость изменения ем­
кости конденсатора от температуры окружающей среды.
В таблице 2.1 приведены основные характеристики конденсаторов различных
типов.
Таблица 2.1 . Характеристики конденсаторов
Типы конденсаторов
Параметр
Керами- Электро- Метал- Слюдя-
Поли- Поли- Поли- Поли- Тантала-
литиче- ло-пле-
эстер- пропи- карбо- стире-
ческие
ные
вые
с кие
ночные
ные леновые натные новые
Диапазон
2,2пФ". 100нФ". 1мкФ". 2,2пФ". 10нФ". 1нФ". 10нФ." 10пФ". 100нФ".
емкостей
10нФ 68000мкФ 16мкФ 10нФ 2,2мкФ 470нФ 10мкФ 10мкФ 100мкФ
Допуск,±%
10".2 0
-1 0".+50
20
1
20
20
20
2,5
20
Рабочее
50-2500 6,3-400 250 -600 350
250
1000 63-630 160 6,3-35
напряжение, В
ТКЕ
+100".
+1000
+100".
+50
+200
-200
+60
- 150".
+100."
-4700
200
+80
+250
Диапазон рабочих -85 ".
-4 0".
-2 5".
-4 0".
- 40".
-5 5".
-5 5".
- 40".
-5 5".
температур, ·с
+85
+85
+85
+85
+100
+100
+100
+70
+85
2.2. Обозначение и маркировка конденсаторов
Отечественная система обозначения
Сокращенное обозначение состоит из букв и цифр, например, К53-4, где бук­
ва указывает на тип конденсатора, первое число - на материал диэлектрика, по­
следнее число - на конструктивное исполнение. В табл. 2.2 приведена система
обозначения конденсаторов в зависимости от материала диэлектрика.


28
Подкласс
конденсаторов
Конденсаторы
постоянной
емкости
Подстроечные
конденсаторы
Конденсаторы
переменной
емкости
2. Конден~аторы
Таблица 2.2. Система обозначения конденсаторов в зависимости
от материала дuэлектрика
Буквенное
rруппа конденсаторов
Обозначение
обозначение
группы
Керамические на напряжение ниже 1600 В
10
Керамические на напряжение 1600 В и выше
15
Стеклянные
21
СтеклокерамиЧеские
22
Тонкопленочные
26
Слюдяные мадой мощности
31
Слюдяные большой мощности
32
Бумажные на напряжение до 2 кВ, фольговые
40
Бумажные на напряжение 2 кВ и выше, фольговые
41
Бумажные металлизированные
42
Оксидные алюминиевые
50
к
Оксидные танталовые, ниобиевые и др.
51
Объемно-пористые
52
Оксидно-полупроводниковые
53
С воздушным диэлектриком
60
Вакуумные
61
Полистирольные
71(70)
Фторопластовые
72
Полиэтилентерефталатные
73(74)
Комбинированные
75
Лакопленочные
76
Поликарбонатные
77
Полипропиленовые
78
Вакуумные
1
кт
С воздушным диэлектриком
2
С газообразным диэлектриком
3
С твердым диэлектриком
4
Вакуумные
1
С воздушным диэлектриком
2
кп
С газообразным диэлектриком
3
С твердым диэлектриком
4
В основу обозначений по старой системе брались различные признаки: конст­
руктивные, технологические, эксплуатационные и другие (например, КД - кон­
денсаторы дисковые, ФТ - фторопластовые теплостойкие и т. д.)
Обозначений конденсаторов зарубежных фирм-производителей не приводит­
ся, поскольку каждая их них имеет свою собственную систему маркировки.
Наиболее широко применяются конденсаторы следующих номинальных ря­
дов емкостей: ЕЗ, Еб, Е12, Е24 (табл. 2.3).
Таблица 2.3. Ряды номинальных емкостей конденсаторов
Ряд
Числовые коэффициенты
Е3 1; 2,2; 4,7
Е6 1; 1,5; 2,2; 3,3; 4,7; 6,8
Е12 1; 1,2; 1,5; 1,8; 2,2; 2,7; 3,3; 3,9; 4,7; 5,6; 6,8; 8,2
Е24 1; 1,1; 1,2; 1,3; 1,5; 1,6; 1,8; 2; 2,2; 2,4; 2,7; 3; 3,3; 3,6; 3,9; 4,3; 4,7; 5,1; 5,6; 6,2; 6,8; 7,5; 8,2; 9,1


2. Конденсаторы
2,9
Маркировка конденсаторов
Маркировка конденсаторов может быть буквенно-цифровой, содержащей со­
кращенное обозначение конденсатора, его номинальное напряжение, емкость, до­
пуск, группу ТКЕ и дату изготовления, либо цветовой .
В зависимости от размеров конденсаторов применяются полные или сокра­
щенные (кодированные) обозначения номинальных емкостей и их допустимых от­
клонений. Бескорпусные конденсаторы не маркируются, и их характеристики
указываются на упаковке.
Полное обозначение номинальных емкостей состоит из цифрового обозначе­
ния номинальной емкости и обозначения единицы измерения (пФ - пикофарады,
нФ - нанофарады; мкФ
-
микрофарады, Ф - фарады).
Кодированное обозначение -номинальных емкостей состоит из трех или четы ­
рех знаков, включающих две или три цифры и букву. Буква русского или латин­
ского алфавита обозначает множитель :
П(р)- пико =io-12 Ф;
Н(п)- нано =io-9 Ф;
М (μ или m) - микро = 1о-6 Ф (часто можно встретить, когда вместо буквы μ
греческого алфавита используется латинская буква u).
Примеры: 2,2 пФ - 2П2 (2р2); 1500 пФ - 1Н5 (ln5); 0,1 мкФ - Ml (μ1);
10 мкФ - IOM (10μ).
На рис. 2 .1 показан внешний вид конденсаторов различных типов и исполне­
ния .
В табл. 2.4 приведены обозначения допусков. По новой системе они обозна­
чаются латинскими буквами и соответствуют принятой международной системе,
по старой - буквами русского алфавита.
Рис. 2.1. Конденсаторы


30
2. Конденсаторы
Таблица 2.4. Допустимые отклонения емкостей конденсаторов
Допуск
Код Цветовой код Допуск,% Код Цветовой код Допуск,% Код Цветовой код
±0,1 пФ В(Ж)
-
±20
М (В)
Черный
±0,1
в
-
±0,2 пФ с (У) Оранжевый
±30
1\!(Ф)
-
±0,25
с
-
±0,5 пФ D(Д) Желтый
-10 +30 Q(О)
-
±0,5
D
-
±1пФ F (Р) Коричневый -10 +50 Т (Э)
-
±1
F
-
±2%
G (Л)
Красный -10 +100 У(Ю)
-
±5%
1(И)
Зеленый -20 +50 S (Б) Фиолетовый
±10%
К(С)
Белый
-20 +80 Z(А)
Серый
Кодовая цифровая маркировка
Кроме буквенно-цифровой маркировки применяется способ цифровой марки­
ровки тремя или четырьмя цифрами по стандартам IEC (табл. 2.5, 2.6).
При таком способе маркировки первые две или три цифры обозначают значе­
ние емкости в пикофарадах (пФ), а последняя цифра - показатель степени мно­
жителя 1О. При обозначении емкостей менее 1О пФ последней цифрой может
быть «9» (109 = 1 пФ), при обозначении емкостей 1 пФ и менее первой цифрой
будет «0» (010 = 1 пФ). В качестве разделительной запятой используется буква R
(OR5 = 0,5 пФ).
При маркиров~е емкостей конденсаторов в микрофарадах применяется циф­
ровая маркировка: 1 - 1 мкФ, 10 - 10 мкФ, 100 - 100 мкФ. В случае необходи­
мости маркировки дробных Зffачений емкости в качестве разделительной запятой
используется буква R: R1 - О, 1 мкФ, R22 - 0,22 мкФ, 3R3 - 3,3 мкФ (при обо­
значении емкости в мкФ перед буквой R цифра О не ставится, - она ставится
только при обозначении емкостей менее 1 пФ).
После обозначения емкости может быть нанесен буквенный символ, обозна­
чающий допустимое отклонение емкости конденсатора в соответствии с табл. 2.4.
Код
109
159
229
339
479
689
100
150
Таблица 2.5 . Примеры расшифровки кодировки номинальной емкости
конденсаторов тремя цифрами
Емкость
Пикофарады (пФ; pF)
Нанофарады (нФ; пF)
Микрофарады (мкФ; μF)
1,0
0,001
1,5
0,0015
2,2
0,0022
3,3
0,0033
4,7
0,0047
6,8
0,0068
10
0,01
15
0,015


Код
220
330
470
680
101
151
221
331
471
681
102
152
222
332
472
682
103
153
223
333
473
683
104
154
224
334
474
684
105
Код
1622
4753
2. Конденсаторы
31
Емкость
Пикофарады (nФ; pF)
Нанофарады (нФ; nF)
Микрофарады (мкФ; μF)
22
0,022
33
0,033
47
0,047
68
0,068
100
О,1
150
о, 15
220
0,22
330
0,33
470
0,47
680
0,68
1000
1,0
0,001
1500
1,5
0,0015
2200
2,2
0,0022
3300
3,3
0,0033
4700
4,7
0,0047
6800
6,8
0,0068
10000
10
0,01
15000
15
0,015
22000
22
0,022
33000
33
0,033
47000
47
0,047
68000
68
0,068
100000
100
О,1
150000
150
О, 15
220000
220
0,22
330000
330
0,33
470000
470
0,47
680000
680
0,68
1000000
1000
1,0
Таблица 2.6. Примеры расшифровки кодировки номинальной емкости
конденсаторов четырьмя цифрами
Емкость
Пикофарады (nФ; pF)
Нанофарады (нФ; nF)
Микрофарады (мкФ; μF)
16200
16,2
0,0162
475000
475
0,475


32
2. Конденсаторы
ТКЕ (температурный коэффициент емкости) - параметр конденсатора, кото­
рый характеризует относительное изменение емкости от номинального значения
при изменении температуры окружающей среды. Этот параметр принято выра­
жать в миллионных долях емкости конденсатора на градус ио-б / 0 С). ТКЕ может
быть положительным (обозначается буквой «П» или «Р» ), отрицательным («М»
или «N»), близким к нулю («МП») или ненормированным («Н»).
Конденсаторы изготавливаются с различными по ТКЕ типами диэлектриков:
группы NPO, X7R, ZSU, YSV и другие. Диэлектрик группы NPO (COG) обладает
низкой диэлектрической проницаемостью, но хорошей температурной стабильно­
стью (ТКЕ близок к нулю). SMD конденсаторы больших номиналов, изготовленные
на основе этого диэлектрика, наиболее дорогостоящие. ди?лектрик группы X7R
имеет более высокую диэлектрическую проницаемость, но меньшую температур­
ную стабильность. Диэлектрики групп ZSU и YSV имеют очень высокую диэлек­
трическую проницаемость, что позволяет изготовить конденсаторы с большим зна­
чением емкости, но имеющие значительный разброс параметров. SMD конденсато­
ры с диэлектрикам групп X7R и ZSU используются в цепях общего назначения.
Обозначение группы ТКЕ наносится на корпус конденсатора в виде непосред­
ственного обозначения (буквенного кода) или цветовой маркировки. Цветовая
маркировка может быть выполнена в виде одной или двух цветовых полос (точек,
меток), причем второй цвет не обязательно наносится, - он может быть пред­
ставлен цветом корпуса конденсатора. В табл. 2.7, 2.8 и 2.9 показан порядок обо­
значения ТКЕ конденсаторов различных групп.
Допуск при
Группа ТКЕ т = -60 ...+85 ·с,
ПО ГОСТ
±%
Н10
10
Н20
20
Н30
30
Н50
50
Н70
70
Н90
90
Группа ТКЕ
Группа ТКЕ (международное
обозначение)
П100
Р100
П60
П33
Таблица 2. 7. Керамические конденсаторы с ненормируемым ТКЕ
Цветовая маркировка
Буквен-
Старое обозначение
ный код Новое обозначение
Цвет корпуса Маркировочная точка
в
Оранжевый+черный
Оранжевый
Черная
z
Оранжевый+красный Оранжевый
Красная
D
Оранжевый+зеленый Оранжевый
Зеленая
х
Оранжевый+голубой Оранжевый
Синяя
Е
Оранжевый+фиолетовый Оранжевый
-
F
Оранжевый+белый
Оранжевый
Белая
Таблица 2.8. Керамические и металлостеклянные конденсаторы
с линейной зависимостью от температуры
Цветовая маркировка
ТКЕ,
Буквен-
Старое обозначение
1·1 о-вгс ный код
Новое обозначение
Цвет Маркировоч-
корпуса
ная точка
+100
А
Красный+фиолетовый
Синий
-
+60
-
Синий
Черная
+33
N
Серый
Серый
-


2. Конденсаторы
33
Цветовая маркировка
Группа ТКЕ
ТКЕ,
Буквен-
Старое обозначение
Группа ТКЕ (международное
обозначение)
1·1О-6(С ный код Новое обозначение
Цвет Маркировоч-
корпуса
ная точка
мпо
NPO
о
с
Черный
Голубой
Черная
М33
N030
-33
н
Коричневый
Голубой Коричневая
М47
-47
Голубой+красный
Голубой
-
М75
N080
-75
L
Красный
Красный
Красная
М150
N150
- 150
р
Оранжевый
Красный Оранжевая
М220
N220
-220
R
Желтый
Красный
Желтая
М330
N330
-330
s
Зеленый
Красный
Зеленая·
М470
N470
- 470
т
Голубой
Красный
Синяя
М750
N750
-750
u
Фиолетовый
Красный
-
М1500
N1500
- 1500
v
Оранжевый+оранжевый Зеленый
-
М2200
N2200
-2200
к
Желтый+оранжевый Зеленый
Желтая
Таблица 2.9. Конденсаторы с нелинейной зависимостью от температуры
Группа ТКЕ
Допуск,
Температура,
Буквенный код
Цвет корпуса
по стандарту EIA
%
·с
Y5F
±7,5
-зо:"+85
У5Р
±10
- 3 0".+85
Серебристый
Y5R
±15
- 3 0."+85
R
Серый
Y5S
±22
- 3 0".+85
s
Коричневый
Y5U
+22." -5 6
- 3 0".+85
А
Y5V
+22" .-8 2
- 3 0".+85
X5F
±7,5
- 5 5".+85
Х5Р
±10
- 5 5".+85
X5S
±22
- 5 5".+85
X?U
+22" .-5 6
- 5 5".+85
Синий
X5V
+22" .-8 2
- 5 5".+85
X7R
±15
- 55".+125
Z5F
±7,5
-1 0".+85
в
Z5P
±10
-1 0".+85
с
Z5S
±22
-1 0".+85
Z5U
+22" .-5 6
-1 0".+85
Е
Z5V
+22" .-8 2
-1 0".+85
F
Зеленый
Некоторые фирмы пользуются собственной системой обозначений, отличаю­
щейся от приведенной в таблицах.
2Зак4


34
2. Конденсаторы
Цветовая маркировка
Вследствие того)- что площадь поверхности корпуса конденсаторов зачастую
недостаточна для нанесения цифровых обозначений, широко применяется цвето­
вая кодовая маркировка либо в виде цветных полос, либо в виде цветных точек.
Количество маркировочных меток может составлять от трех до шести, а кодиро­
ваться могут как основные параметры конденсатора (емкость и рабочее напряже­
ние), так и дополнительные (допуск и ТКЕ). Как правило, первые две или три мет­
ки обозначают значение емкости, а следующие за ними, соответственно, множи­
тель, допуск и ТКЕ.
Определить рабочие параметры конденсаторов по цветовой маркировке мож­
но, пользуясь цветными вкладками 3-8.
2.3 . ОсQбенности маркировки некоторых типов
SMD конденсаторов
Буква
А
в
с
D
Е
F
G
н
J
к
а
Керамические SMD конденсаторы
Таблица 2.10. Расшифровка буквенного кода при обозначении емкости на корпусе
керамических SMD конденсаторов
Мантисса
Буква
Мантисса
Буква
Мантисса
1,0
L
2,7
т
5,1
1,1
м
3,0
u
5,6
1,2
N
3,3
m
6,0
1,3
ь
3,5
v
6,2
1,5
р
3,6
w
6,В
1,6
а
3,9
n
7,0
1,В
d
4,0
х
7,5
2,0
R
4,3
t
в.о
2,2
е
4,5
у
В,2
2,4
s
4,7
у
9,0
2,5
f
5,0
z
9,1
Маркировку на керамические SMD конденсаторы иногда наносят кодом, со­
стоящи\\1 из одной или двух букв и цифры. Первая буква (необязательно) - код
изготовителя (например, К для обозначения конденсаторов фирмы КЕМЕТ, и
т. д.), вторая буква - мантисса в соответствии с приведенной выше табл. 2.10 и,
наконец, последняя цифра - показатель степени для опр~щеления емкости в пФ.
Например, S3 - 4,7 нФ (4,7 х 103 пФ) конденсатор неизвестного изготовит~­
ля, в то время как КА2 - 100 пФ ( 1,0 х 102 пФ) конденсатор производства фир­
мы КЕМЕТ.


2. Конденсаторы
35
Оксидные SМD-конденсаторы
Емкость и рабочее напряжение оксидных SMD конденсаторов часто обозна­
чаются их прямой записью, например 10 6V - 10 мкФ х 6 В. Иногда вместо этого
используется код, который обычно состоит из буквы и трех цифр. Буква указыва­
ет на рабочее напряжение в соответствии с табл. 2.11, а три цифры (2 цифры, обо­
значающие номинал, и множитель) обозначают значение емкости в пикофарадах.
Полоса указывает на вывод положительной полярности. Например, маркировка
А475 обозначает конденсатор емкостью 4,7 мкФ с рабочим напряжением 10 В.
475=47х105пФ=4,7мкФ
Таблица 2.11 . Буквенные обозначения рабочего напряжения оксидных SMD конденсаторов
Буква
е
G
J
А
с
D
Е
v
н
1
Напряжение, В 2,5
4
6,3
10
16
20
25
35
50
В некоторых случаях значение емкости кодируется буквой и цифрой. Буква
(табл. 2.12) обозначает -номинал емкости, а цифра - множитель
-
количество
нулей, которые необходимо добавить к номиналу для определения величины ем­
кости конденсатора.
Таблица 2.12 . Буквенное обозначение емкостей оксидных SMD конденсаторов
Буква
А
Е
J
N
s
w
Емкость, пФ
1,0
1,5
2,2
3,3
4,7
6,8
Танталовые SМD-конденсаторы
Танталовые конденсаторы выпускаются пяти типоразмеров: А, В, С, D, Е
(см. табл. 2.13).
Таблица 2. 13 . Типоразмеры корпусов танталовых конденсаторов
Типоразмер
Типоразмер метрический
L, мм
W, мм
Н,мм
D, мм
А
3216
3,2
1,6
1,6
1,2
в
3528
3,5
2,8
1,9
2,2
с
6032
6,0
3,2
2,5
2,2
D
7343
7,3
4,3
2,9
2,4
Е
7343Н
7,3
4,3
4,1
2,4
Маркировка танталовых конденсаторов типоразмеров А и В состоит из бук­
венного кода номинального напряжения в соответствии с табл. 2.14 и цифрового
кода номинала.
Таблица 2.14 . Кодирование значения рабочего напряжения танталовых конденсаторов
Буква
G
J
А
с
D
Е
v
т
Напряжение, В
4
6,3
10
16
20
25
35
50


36
2. Конденсаторы
В трехзначном коде номинала емкости в пикофарадах две первые цифры обо­
значают номинал емкости в пикофарадах, а последняя - количество нулей, кото­
рые необходимо добавить к первым двум цифрам, чтобы получить значение емко­
сти конденсатора.
Например, маркировка Е105 соответствует емкости 1 ООО ООО пФ (1,0 мкФ)
с рабочим напряжением 25 В.
Емкость и рабочее напряжение танталовых SMD конденсаторов типоразме­
ров С, D, Е обозначаются их прямой записью, например 47 бV - 47мкФ х бВ.
Маркировка электролитических конденсаторов фирмы TREC
Электролитические конденсаторы фирмы TREC маркируются путем нанесе­
ния номинала и значения рабочего напряжения на корпус, но каждой серии соот­
ветствует свой цвет оболочки корпуса (табл. 2.15).
Таблица 2.15 . Маркировка электролитических конденсаторов фирмы TREC
Диапазон Диапазон Диапазон
Какие отечествен-
Серия
Назначение
Цвет
значения
рабочих рабочих
оболочки
емкости,
напряже- темпера-
ные конденсаторы
мкФ
НИЙ, В
тур, 0С
заменяют
К50-6, К50-16,
SR
Общего применения
Голубой
0,47-10000 6,3-450 -40 ... 85
К50-35, К50-38,
К50-40, К50-46,
К50-53
GR Высокотемпературные
Черный
0,47-10000 6,3-400 -40... 105
К50-12, К50-20,
К50-24, К50-27
SA
Общего. применения
Голубой
0,47-10000 6,3-450 -40 ... 85
-
GA Высокотемпературные Черный
0,47-10000 6,3-450 -40".105
-
ss
Микроминиатюрные
Сиреневый
О, 1-220
4-50
-40" .85
-
SSK Сверхминиатюрные
Желтый
О, 1-220
6,3-63
-40 ... 85
-
SL С малым током утечки Оранжевый О, 1-100
6,3-50
-40".85
-
NR
Неполярные
Фиолетовый 0,47-1 ООО 63-100
-40". 85
К50-51, К50-68А,
К50-15 неполярные
NA
Неполярные
Фиолетовый 0,47-470
63-100
-40" .85
К50-15
ВА
Биполярные
Темно-зеленый 1-100
63-100
-40". 85
-
KG
Общего применения
Синий
47-680РО 10-450
-40" .85 К50-35Б, К50-18
кн Высокотемпературные
Черный
47-15000
16-400 -40".105
-
Конденсаторы фирмы HITANO
Фирма НПANO выпускает электролитические конденсаторы нескольких се­
рий. На их корпус наносится маркировка с указанием наименования фирмы про­
изводителя и номиналы емкости и напряжения. Определить их принадлежность к
той или иной группе можно только по особенностям конструкции. на основании


2. Конденсаторы
37
справочных данных. В табл. 2.16 приведены особенности серий электролитиче­
ских конденсаторов фирмы HIТANO.
Таблица 2.16. Особенности электролитических конденсаторов фирмы HITANO
Серия
Применяемость
ECR
ЕСА
Общего применения
ENR
Промышленное коммуникационное оборудование, ключевые схемы
EGR
Серия EGR - с увеличенным сроком работы при макс. температуре
EMR
Сверхминиатюрная серия для видеокамер, автомагнитол, диктофонов и пр.
EMRL
E5R
Серия EMRL - с малым током утечки
EMN
Сверхминиатюрная серия для устройств с изменяющейся полярностью
EBR
Для работы на больших токах при повышенной частоте (блоки строчной развертки и др.}
ENR
ENA
Для устройств с изменяющейся полярностью
ELP
ЕНР
Для монтажа на r~ечатную плату без дополнительного крепежа. Взрывобезопасные
ELR
Серия с малым током утечки для предварительных усилителей
EXR
Серия с малым импедансом для импульсных блоков питания
Многослойные керамические конденсаторы HIТANO выпускаются двух типо­
размеров - R15 и R20. В них используется диэлектрик:
• NPO - в температурно-независимых конденсаторах, применяемых в радио­
частотных генераторах, точных таймерах, ультрастабильных устройствах;
• X7R - в конденсаторах, где температура незначительно влияет на измене­
ние емкости, применяемых в телевизорах, компьютерах, аудио- и видеотех­
нике;
• Z5U, Y5V в мнденсаторах, применяемых в фильтрующих цепях различных
устройств.
Другими словами, NPO / COG - ультрастабильная керамика с низкой ди­
электрической проницаемостью; X7R - керамика со средним значением потерь и
высокой диэлектрической проницаемостью; Z5U, Y5V - керамика с большим
разбросом параметров и очень высокой диэлектрической проницаемостью.
Советы по практическому применению
Если задано постоянное рабочее напряжение конденсатора, то это относится
к максимальной температуре. Поэтому конденсаторы всегда работают с опреде­
ленным запасом надежности. Тем не менее, нужно обеспечивать их реальное ра­
бочее напряжение на уровне 0,5 ... 0,6 от разрешенного значения.


38
2. Конденсаторы
Если для конденсатора оговорено предельное значение переменного напря­
жения, то это относится к частоте 50".60 Гц. Для более высоких частот или же в
случае импульсных сигналов следует дополнительно снижать рабочие напряже­
ния во избежание перегрева конденсаторов из-за потерь в диэлектрике.
Конденсаторы большой емкости с малыми токами утечки способны довольно
долго сохранять накопленный заряд после выключения аппаратуры. Для обеспе­
чения .большей безопасности следует подключить параллельно конденсатору цепь
разряда на корпус через резистор сопротивлением 1 МОм (0,5 Вт).
В высоковольтных цепях часто используется последовательное включение
конденсаторов. Для выравнивания напряжений нужно параллельно каждому из
них подключить резистор сопротивлением от 220 кОм до 1 МОм.
При использовании оксидного конденсатора в качестве разделительного не­
обходимо правильно определить полярность его включения. Ток утечки этого кон­
денсатора может существенно влиять на режим усилительного каскада.
2.4 . Подстроечные конденсаторы
зарубежных фирм
Основными поставщиками подстроечных конденсаторов (trimmer capacitors)
являются фирмы PHILIPS и MURATA.
На рис. 2.2 изображены подстроечные конденсаторы, производимые фирмой
PHILIPS.
Такие конденсаторы предназначены для работы в диапазоне температур от
- 40 до +70 °С при напряжении постоянного тока до 100 В.
В табл. 2.17 дана цветовая маркировка и основные параметры миниатюрных
и с диаметром корпуса 5 мм подстроечных конденсатров фирмы PHILIPS.
Таблица 2.17 . Маркировка корпуса подстроечных клнденсаторов PHILIPS
Цвет корпуса
Емкость, пФ
Диаметр корпуса, мм
Желтый
2".10
7,7
Зеленый
2."22
7,7
Желтый
5,5".65
10,5
Желтый
1,4."10
5
Зеленый
3,5."20
5
а)
6)
Рис. 2.2 . Подстроечные конденсаторы фирмы PHILIPS: а - миниатюрный подстроечный
конденсатор; б - подстроечный конденсатор диаметром 5 мм


2. Конденсаторы
39
Подстроечные конденсаторы фирмы MURATA также маркируются окраской
корпуса. Ниже приводятся их рисунки и габаритные размеры.
Миниатюрные керамические подстроечные конденсаторы фирмы MURATA
(табл. 2.18) работают в диапазоне температур -55 .. . +85 ·с и рассчитаны на рабо­
чие напряжения 50 В или 100 В. Сопротивление изоляции не менее 1О ГОм.
Таблица 2.18 . Маркировка корпусов миниатюрны?! подстроечных конденсаторов MURATA
Цвет корnуса
Емкость, nФ
Рабочее наnряжение, В Добротность на f = 1 МГц
Синий
1,5 ... 5
100
300
Белый
3... 11
100
500
Красный
4,2 ...20
100
500
Зеленый
5,2 ...30
100
500
Оранжевый
6... 50
50
300
Цветовую маркировку керамических подстроечных конденсаторов для по­
верхностного монтажа с шириной корпуса 4 мм, 3 мм и 2 мм поясняют соответст­
венно табл. 2.19-2 .21.
Цвет корnуса
Коричневый
Синий
Белый
Красный
Зеленый
Желтый
Черный
Черный
Таблица 2.19 . Маркировка корпусов подстроечных конденсаторов MURATA
(ширина корпуса 4 мм)
Емкость, n~
Рабочее наnряжение, В
1,4 ...3
2... 6
3... 10
4,5 ...20
6,5 ...30
8,5 .. .40
4... 25
7... 50
Метка
максимальной ~
емкости
~
ц,.,,.ой oropn~
100
100
100
100
100
100
50
50
Добротность на f = 1 МГц
300
500
500
50Q
300
300
300
300
•
Рис. 2.3. Миниатюрные керамические подстроеч­
ные конденсаторы фирмы MURATA
Рис. 2.4. Подстроечный SMD кон­
денсатор с шириной корпуса 4 мм


40
2. Конденсаторы
Рис. 2.5 . Подстроечный SMD конденсатор с шириной корпуса 3 мм
Цвет статора
Коричневый
Синий
Белый
Красный
Таблица 2.20 . Маркировка корпусов подстроечных конденсаторов MURATA
(ширина корпуса З мм)
Емкость, пФ
Рабочее напряжение, В
Добротность на f = 1 МГц
1,4 ... 3
100
300
2... 6
100
500
3... 1о
100
50
5".20
100
300
Рис~ 2.6 . Подстроечный SMD конденсатор с шириной корпуса 2 мм
Цвет статора
Белый
Светло-зеленый
Светло-зеленый
Коричневый
Таблица 2.21 . Маркировка корпусов подстроечных конденсаторов MURATA
(ширина корnуса 2 мм)
Емкость, пФ
Рабочее напряжение, В
Добротность на f = 1 МГц 11
1,4 ...3
25
300
2,5 ... 6
25
500
3... 1о
~5
500
4,5 ... 20
'25
500
2.5. Другие типы конденсаторов
С целью миниатюризации радиоаппаратуры и снижения времени на ее произ­
водство некоторые фирмы предлагают гибридные устройства на основе использо­
вания конденсаторов. Среди них можно выделить:
• Т-образные фильтры;
• конденсаторы-варисторы;
• помехоподавляющие конденсаторы и конденсаторные сборки для ,коллек­
торных электродвигателей переменного тока.


2. Конденсаторы
41
Т-образный фильтр представляет собой трехвыводный элемент, сос'Гоящий
из конденсатора и двух ферритовых ячеек, включенных последовательно. Та­
кие фильтры предназначены для подавления ВЧ помех в цепях постоянного
тока, цифровых схемах с высоким входным сопротивлением, трактах УПЧИ те­
левизоров.
На рис. 2. 7 изображен такой фильтр и приведена его схема.
J(онденсаторы-варисторы предназначены для защиты схем от воздействия
кратковременных выбросов напряжения частотой выше 50. "60 Гц, а также для за­
щиты цифровых КМОП и ТТЛ микросхем от статического электричества.
Помехоподавляющие конденсаторные сборки (рис. 2.9) служат для подавле­
ния помех, возникающих при работе коллекторных электродвигателей перемен­
ного тока (электроинструмент, бытовая техника).
Рис. 2.7. Трехвыводной фильтр
Рис. 2.8. Варистор
'
черный :
(О.1 мк)! СЕТЬ
1
черный !
Рис. 2.9. Помехоподавляющая конденсаторная сборка


~. Катушки индуктивности
З. Катушки индуктивности
З. 1. Общие сведения
Катушки индуктивности позволяют запасать электрическую энергию в магнит­
ном поле. Типичное их применение'- сглаживающие фильтры и различные селек­
тивные цепи. Их электрические характеристики определяются конструкцией, свой­
ствами материала магнитопровода, его конфигурацией и числом витков катуwки.
При выборе катушки индуктивности следует учитывать следующие характе-
ристики:
• требуемое значение индуктивности (Гн, мГн, мкГн, нГн);
• максимальный ток катушки;
• допуск индуктивности;
• температурный коэффициент индуктивности (ТКИ);
• активное сопротивление обмотки катушки;
• добротность катушки, которая определяется на рабочей частоте как отно­
шение индуктивного и активного сопротивлений;
• частотный диапазон катушки.
Катушки индуктивности подразделяются на имеющие постоянное значение
индуктивности, и с изменяемой индуктивностью, подстраиваемой ферромагнит­
ным сердечником.
Первый тип применяется, как правило, во входных цепях телефонных аппара­
тов, в сглаживающих фильтрах, дросселях в цепях ВЧ. Второй тип катушек исполь­
зуется в резонансных цепях - ВЧ трактах приемных и передающих устройств.
3.2. Маркировка катушек индуктивности
Маркировка катушек индуктивности осуществляется путем нанесения на их
корпус основных параметров - значения индуктивности и допустимого отклоне­
ния индуктивности от номинального значения.
При кодовой маркировке на корпус катушки индуктивности наносится циф­
ровая или буквенно-цифровая маркировка. Номинальное значение индуктивности
кодируется цифрами, после которых следует (или отсутствует вообще) буква,
обозначающая величину допуска.
При определении величины индуктивности следует знать следующее:
• цифры обозначают значение индуктивности в микрогенри;
• если индуктивность обозначается в наногенри, то после цифр наносится бу­
ква N (2N2 = 2,2 нГн);


3. Катушки индуктивности
43
• если величина индуктивности менее 1 мкГн или выражается дробным чис­
лом, измеряемым в микрогенри, то применяется разделительная буква R
(R47 = 0,47 мкГн; 1R5 = 1,5 мкГн);
• при маркировке значений индуктивности от 10 мкГн после двузначной циф­
ры проставляется множитель, указывающий на количество нулей после
указанного двузначного числа (150 = 15 мкГн; 151 = 150 мкГн; 122 =
= 1200 мкГн = 1,2 мГн);
• указанный выше способ маркировки применяется и для SMD катушек ин­
дуктивности (дросселей);
• в отдельных случаях применяется отличающееся от указанного выше обо­
значение индуктивности - индуктивность в микрогенри просто обознача­
ется одно-, двух- или трехзначным числом без множителя, или дробным
числом (560 = 560 мкГн; 3,3 = 3,3 мкГн).
Допуск катушек индуктивности обозначается одной из четырех букв: D -
для допуска ±0,3 нГн; J - ±5%; К - ± 10%; М - ±20% (или не наносится ни­
какой бкувы, что соответствует допуску ±20%).
В табл. 3.1 приведены основные данные SMD катушек индуктивности, произ­
водимых фирмами SAMSUNG и NIC.
Таблица 3.1. Основные данные катушек индуктивности фирм SAMSUNG и N/C
Диапазон значений
Добротность,
Тестовая частота при Сопротивление no-
Максимальный
Код EIA индуктивности,
Q
измерении Q,
стоянному току,
ток, мА
мкГн
МГц
Ом
Катушки с низкими значениями индуктивности
0603
0,047."0,82
15
25
0,30
50
0603
1,0".4,7
35
10
0,60
10
0603
5,6".12,0
35
4
1,55
4
0603
15,0".33,0
20
1
1,70
1
0805
0,047".0,82
25
25
0,20
300
0805
1,0."4,7
45
10
0,40
50
0805
5,6".12,0
50
4
0,90
15
0805
15,0".33,0
30
1
0,80
5
1206
0,047".0,82
25
25
0,90
300
1206
1,0.: .4,7
45
10
0,40
100
1206
5,6".12,0
50
4
0,70
25
1206
15,0".33,0
35
1
0,70
5
Катушки с высокими значениями индуктивности
0603
1,5".100
12
100
0, 10
300
0805
1,58".180
18
100
0,10
300


44
3. Катушки индуктивности
Цветовая маркировка наносится на корпус катушки индуктивности в виде
трех или четырех цветных колец или точек, которь!е обозначают следующее:
• первые два кольца - номинал индуктивности;
• третье кольцо - множитель;
• четвертое кольцо - допуск (или не наносится при величине допуска
±20%).
Пример цветовой маркировки катушек индуктивности изображен на цветной
вкладке 9.
Маркировка катушек индуктивности для поверхностного
монтажа
Мощные индуктивности для поверхностного монтажа выпускаются в цилинд­
рических корпусах типоразмеров 0604 и 0805 (рис. 3.1). На их корпусе наносится
маркировка, обозначающая значение индуктивности в микрогенри и допуск. На­
пример, 3R3M - индуктивность 3,3 мкГн с допуском ±20%; 820К - индуктив­
ность 82 мкГн с допуском ± 10%. Буква R играет роль десятичной запятой. Если
число, обозначающее номинал, трехзначное, то первые две цифры обозначают
собственно номинал, а последняя - показатель степени числа 10, на которое не­
обходимо этот номинал умножить. Допуск обозначается буквами: М - ±20%;
у- ±15%;к- ±10%.
Начало обмотки обозначается на корпусе индуктивности точкой (рис. 3.1).
ЧИП-индуктивности отличаются очень высокой надежностью. Они выпуска­
ются в прямоугольных корпусах типоразмеров 1812, 1210, 1008, 0805 (рис. 3.2).
Их маркировка аналогична маркировке мощных индуктивностей. Однако ряд
их номиналов начинается с индукт'ивностей величиной от 0,0039 мкГн. При обо­
значении малых значений индуктивности применяют букву N, которая играет, с
одной стороны, роль десятичной точки, а с другой - обозначает коэффициент
10-3
.
Например, 3N9M обозначает индуктивность 3,9·10-3 мкГн или О, 0039.мкГн
с допуском ±20%; lONK обозначает индуктивность 10·10-3 мкГн или 0,01 мкГн с
допуском ± 10%.
Начало
Конец
Рис. 3.1. Мощная катушка индуктивности


3. Катушки индуктивности
Ферритовый
сердечник
Герметичный
корпус
__,_ _
(новолак)
Облуженный
медный
______..,.,...__
вывод
Рис·. 3.2 . ЧИП-индуктивность
3.3. Дроссели серий Д, ДМ, ДП, ДПМ
45
Дроссели серий Д, ДМ, ДП, ДПМ используются в каскадах ВЧ. Чаще всего
их включают в цепи питания микросхем, коллекторные цепи транзисторов для
фильтрации токов ВЧ.
На корпус дросселей наносится буквенно-цифровая маркировка. Например,
ДМ-О, 1 500. Это означает, что данный дроссель относится к серии ДМ, имеет рас­
сеиваемую мощность О, 1 Вт и индуктивность 500 мкГн. Дополнительно может на­
носиться допуск в процентах.


46
4. Маркировка кварцевых резонаторов и пьезофильтров
4. Маркировка кварцевых резонаторов
и пьезофильтров
4. 1 . Маркировка резонаторов и фильтров
отечественного производства
Кварцевые резонаторы широко применяются в различных электронных уст­
ройствах для обеспечения высокой стабильности электрических колебаний. Их
маркировка состоит из буквенно-цифрового кода:
РК169МА-6ВС-38,4625М
-- ---- --
1
2
з45
6
1. Тип резонатора:
Тип резонатора
РГО5 РГО6 РГ07 РГО8 РК169 РК170 РК171 РК206 РК353 РК374 РПКО1
'="
::;
'="
::r
::r
::r
::r
::r
::r
L-
L-
::r
L-
L-
L-
L-
L-
L-
""с "" ::r
L-
""
""
::;:
::;:
L-
::;:
::r
""
::r
оL-
::;:
""
L-
оL-
g::;:
о::Е
о
о
о
о
о
о
о
о
о
о
""
о:;:
OQ
§50
Диапазон частот
о
о
о
о
о
о
о
се
~·осе-
~
се
се
о
о
се
о
<D
~"'
...,.о
OU")
1
1
1
~
~
1
1
,._
1 ..,;.
1"'
~"'
q
о
1
1
о
N
о'
1'
о
о
q
о
"'
q
"'
о~
оо_
оо
"'
"'
се
,._
о
ОN
gN
,._
~
се
"'
се
о
"'
се
~
о
N
Тип корпуса
МА
БА
БА
БА
МА
БА
БВ
м
МА
мд HC-49/U
2. Тип корпуса (рис. 4.1).
3. Класс точности настройки:
Обозначение
Точность, 1·1 О-6
Обозначение
Точность, 1·1 О-6
1
±0,5
11
±100
2
±0,1
12
±1,5
3
±3,0
13
±2,0
4
±5,0
14
±2,5
5
±1,5
15
±7,5
6
±15
1
16
±25
7
±20
17
±150
8
±30
18
±200
9
±50
19
±500
10
±75


4. Маркировка кварцевых резонаторов и пьезофильтров
47
4. Интервал рабочих температур:
Обозначение Интервал темпе- Обозначение Интервал темпе- Обозначение Интервал темпе-
ратур, ·с
ратур, ·с
ратур, ·с
А
-10...+60
Г1
-50...+70
н
о".+60
Б
-3 0 ".+60
д
- 60".+85
п
- 2 0".+70
в
- 4 0".+70
Е
- 6 0".+100
р
-25."+55
81
- 4 0".+55
л
о".+45
с
-40."+85
г
- 6 0".+70
м
о".+5о
т
- 6 0".+90
5. Стабильность в интервале температур:
Стабильность в ин-
Стабильность в ин-
Стабильность в ин-
Обозначение тервале темпера- Обозначение тервале темпера- Обозначение тервале темпера-
тур, ·1О-6
тур, ·1О-6
тур, · 1О-6
А
±0,1
и
±3,0
с
±30,0
Б
±0,2
к
±5,0
ф
±35,0
в
±0,5
Ji
±7,5
т
±40,0
г
±1,0
м
±10,0,
у
±50,0
д
±1,5
н
±15,0
ы
±75,0
Е
±2,0
п
±20,0
х
±100,0
ж
±2,5
р
±25,0
ц
±150,0
6. Условное обозначение номинальной частоты (в примере - 38,4625 МГц).
Корпус HC-49U
Корпус HC-49SM
5 max.
13,5 max. 13,4 min.
-Ш !~----------1 --:-: t-':1-
•• ro~
о .,[
~
Рис. 4.1. Типы корпусов кварцевых резонаторов


48
4. Маркировка кварцевых резонаторов и-пьезофильтров
4,7
ffi;
9
ffi-
Корпус МА
~
.,....
.,....
.,....
13,5
Корпус БА
19,7
6
6
Корпус БВ
19,7
4
Корпус МД(НС-49/U)
5,3 макс.
13,5 макс. 20 макс.
ш
Корпус HC49/S
4,65 макс. 4,2 макс. 6,35 макс.
Ш---~i-f-:E~}-65··~-
.
1,0'0,6
КорпусАА
/
,0' 2,03 макс. 6,8 макс. 6 макс.
---W-- ---------------- ________
0.-,-;о.1
,0'0,27 макс.
Рис. 4.1. Типы корпусов кварцевых резонаторов (продолжение)


4. Маркировка кварцевых резонаторов и пьезофипьтров
49
112,з 1
-
-(!)П[
~
Корпус Б (НС-33)
1.4.9,j
i
i
e~:l~-~ ~
Корпус ivl (НС-49)
Корпус ММ (НС-52)
Е .'":
2
.
Ь
CDl!)_I
-Q--~--~----
-
----:---:---;____
2,4
·-=-::·т--т--$-.
(1,5)
1,05~0.2
А
в
~ ~("")- ---------------
Корпус HC-49-SMD
о
N
с5 С')
+• с5
С1О +•
N' in
1!)
"!.
о
i
~5
Корпус ЧА
в
,. ._
С»
O"<f
-~-
~ Nt ---------------
-п- 29+
!1~0,4 '\!)
Корпус HC-52-SMD
Рис. 4.1. Типы корпусов кварцевых резонаторов (продолжение)


50
4. Маркировка кварцевых резонаторов и пьезофильтров
Отечественной промышленностью освоен также выпуск монолитных кварце­
вых генераторов, предназначенных для работы в аппаратуре сотовой, спутнико­
вой и дальней связи, в спутниковых навигационных системах. Их маркировка:
гкве-те
----
2
з
1. Тип прибора
-
генератор кварцевый.
2. Номер разработки.
3. Особенности конструкции:
те - термостабильный (прецизионный);
ТК - термокомпенсированный (высокоточный);
П - экономичный по потреблению (микротоковый);
УН - управляемый напряжением;
УНТС - управляемый напряжением, термостатированный.
Пьезоэлектрические фильтры относятся к приборам селекции частоты. Бла­
годаря их применению удалось снизить габариты некоторых типов радиоэлек­
тронных устройств.
Отечественные пьезоэлектрические фильтры маркируются буквенно-цифро-
вым или цветовым кодом.
При буквенно-цифровой маркировке на корпус фильтра наносятся (рис. 4.2):
1. Буквы ФП
-
фильтр пьезоэлектрический.
2. Цифра, обозначающая материал фильтра: 1 - керамика; 2 - кварц; 3 -
пьезокристаллы другого вида.
3. Буква, обозначающая функциональное назначение: П
-
полосовой; Р -
режекторный; Д - дискриминаторный; Г
-
гребенчатый; О - однополосный.
4. Цифра, обозначающая конструктивные особенности фильтра: 1 - дис­
кретный; 2 - гибридный однослойный; 3 - гибридный пьезомеханический; 4 -
гибридный монолитный; 5 - гибридный прочий; 6 - интегральный однослойный;
7 - интегральный пьезомеханический; 8 - интегральный монолитный; 9 - ин­
:гегральный на ПАВ (поверхностно-акустических волнах); 10 - интегральный
прочий.
5. Двузначное число
-
номер разработки.
6. Цифра, обозначающая номинальную частоту: 1 - до 60 кГц; 2 -
60".400 кГц; 3 - 400".1200 кГц; 4 - 1,2".3 МГц; 5 - 3".5 МГц; 6 - 5".25 МГц;
7 - 25".35 МГц; 8 - 35".90 МГц; 9 - более 90 МГц. К цифре может добавлять­
ся буква, указывающая на единицу измерения частоты.
7. Цифра, обозначающая ширину полосы частот (соотношение Лf /f): 1 - уз­
кополосный (до 0,05%); 2 - узкополосный (0,05".О,2%); 3 - широкополосный
(О,2".0,4%); 4 - широкополосный (0,4".О,8%); 5 - широкополосный (более
0,8%).
8. Буква, обозначающая допустимые условия эксплуатации: В - всеклимати­
ческие; Т - тропические; М
-
морские.


4. Маркировка кварцевых резонаторов и пьезофильтров
51
9. Буква, обозначающая допустимый диапазон рабочих температур: А
+1 ...+55 °С; Б - -10".+60 °С; В - -40".+70 °С; Д - -40".+85 °С; Е
-60". +85 °С; ж -
-80".+100 °С.
Рис. 4.2 . При~1ер маркировки пьезоэлектрического фильтра
При недостатке места на [<орпусе применяют сокращенную маркировку , со­
стоящую из первых пяти элементов.
Для маркировки керамических фильтров применяется и цветовая маркировка
(табл. 4.5).
Таблица4.5
Цвет корпуса или цифра на корпусе Цветные метки 1 Тип фильтра
Применяемость
70
1
Красная
ФП1П6·1.1 УПЧ радиоприемников УКВ/ФМ 1
1
70
Желтая
ФП1П6·1.2
То же
,1
'i
64
Желтая
ФП1П6·1.З
.".
67
Желтая
ФП1П6·1.4
.".
70
Белая
ФП1П6 - 1.5
.
".
Голубой
Желтая
ФП 1П8-62.О1
УПЧЗ телевизоров
Голубой
Жел тая+ белая ФП 1Р8-62.02
То же
Бледно-зеленый
Нет
ФП 1Р8-63 . 01
.".
Бледно-зеленый
Красная
ФП1Р8-63.02
.".
Голубой
L1/ 1~.
ФП 1Р8-63.ОЗ
.".
Голубой
Красная+белая ФП 1Р8-63.04
.
".
Цветовая маркировка пьезокерамических фильтров представлена на цветной
вкладке 1О .
4.2 . Особенности маркировки резонаторов и
фильтров зарубежного производства
На корпусе зарубежных пьезоэлектрических фильтров наносится значение
средней частоты полосы пропускания и буквы, определяющие функциональное
назначение (табл . 4.6).
1
1
1


52
4. Маркировка кварцевых резонаторов и пьезофильтров
Таблица 4.б
Обозначение
Тип фильтров
CFW, SFE, Е
Трехвыводные полосовые
т
Четырехвыводные полосовые
L,Т,W,S
Трехвыводные режекторные
J,D
Двухвыводные дискриминаторные
СВР, CDA,CSA
Трехвыводные дискриминаторные
Рис. 4.3. Маркировка пьезоэлектрических фильтров зарубежного П'рОизводства
В других случаях наноси'Гся номер серии прибора и частота. Например, ZTT
4,ООМ; LTE 5.5МВ.
4.3. Особенности маркировки фильтров
производства фирмы MURATA
В радиоаппаратуре различного назначения широко применяются фильтры
фирмы MURATA на различные номинальные частоты, с разными характеристика­
ми. На их корпусе наносится маркировка, обозначающая центральную частоту та­
кого фильтра. Она маркируется буквенно-цифровым кодом. Буква в нем уточняет
размерность частоты: К - килогерцы, М
-
мегагерцы, G - гигагерцы, а также
играет роль десятичной запятой. Например, 433М92 соответствует частоте
433,92 МГц. Кроме этой маркировки могут быть нанесены и другие буквы, уточ­
няющие тип фильтра:


4. Маркировка кварцевых резонаторов и пьезофильтров
53
• L - фильтр нижних частот;
• Н - фильтр верхних частот;
• В - полосовой фильтр;
• Т - фильтр-пробка.
Буквой R обозначаются резонаторы. В любом случае полные данные о приме­
няемом фильтре можно получить только из спецификации элементов схемы по их
полной маркировке, либо на основании паспорта на прибор (Datasheet Note).
Только одних резонаторов, к примеру, может быть несколько типов - кварцевые,
керамические, диэлектрические, на ПАВ и др.
В качестве примера в табл. 4. 7 приведены характеристики фильтров проме­
жуточной частоты тракта АМ бытовой радиоприемной аппаратуры на частоту
455 кГц.
Таблица 4.7
Характеристики
SFGCG45'5AX
SFGCG455DX
Частота, кГц
455±2
455±1
Полоса, кГц (6 дБ)
±17,5
±10
Полоса, кГц (40 дБ)
±40
±25
Ослабление при 455 ± 100 кГц, дБ
25
23
Потери, дБ
4
7
Неравномерность (±12кГц) дБ, макс
1,0
1,0
Резонансное сопротивление, Ом
15
20
Входной/выходной импенданс, Ом
1000
1500


54
5. Маркировка полупроводниковых приборов
5. М~ркировка полупроводниковых
приборов
5. 1 . Отечественная и зарубежные
системы маркировки полупроводниковых
приборов
Маркировка полупроводниковых приборов - это информация на их корпусе,
которая позволяет определить тип элемента.
Вид маркировки зависит от типа корпуса полупроводникового прибора. Она
может представлять собой либо полное, либо сокращенное обозначение: буквен­
но-цифровое, символьную цветовую маркировку, маркировку условным кодом
(применяется в основном для мар~ировки SMD компонентов), состоящим из од­
ного или более знаков. Каждый тип полупроводникового прибора имеет свое ус­
ловное обозначение. Существует несколько систем обозначений полупроводнико­
вых приборов.
Отечественная система обозначений полупроводниковых приборов состоит
из семи элементов:
1-й - буква или цифра, обозначающая применяемый полупроводниковый
материал;
2-й - буква, обозначающая подкласс полупроводникового прибора;
3-й - цифра, определяющая основные функциональные возможности
прибора;
4-й, 5-й, 6-й - цифры, обозначающие порядковый номер разработки, а для
стабилитронов и стабисторов - напряжение стабилизации;
7-й - буква, определяющая классификацию полупроводникового прибора по
параметрам.
Например, КТ201Д, 2Т904А, КВ109Б.
В отсутствие справочника назначение и основные параметры полупроводни­
кового прибора можно определить по его маркировке, пользуясь приводимыми
ниже табл. 5.1 и 5.2.
Таблица 5:1
ПЕРВЫЙ ЭЛЕМЕНТ
Буква или
Применяемый материал
Буква или
Применяемый материал
цифра
цифра
гили 1 Германий
А или 3 Арсенид галлия
к или 2 Кремнt-tй
и или 4 Индий


5. Маркировка полупроводниковых приборов
55
ВТОРОЙ ЭЛЕМЕНТ
Буква
Подгруnnа nриборов
Буква
Подгруnnа nриборов
т
Транзисторы биnолярные
о
Оnтоnары
п
Транзисторы nолевые
н
Динисторы
д
Диоды
у
Тиристоры
к
Стабилизаторы тока
и
Туннельные диоды
ц
Выnрямительные столбы и блоки
г
Генераторы шума
с
Стабилитроны, стабисторы
Б
Диоды Ганна
и ограничители
в
Варикаnы
А
Диоды СВЧ
л
Светодиоды
Таблица 5.2
ТРЕТИЙ ЭЛЕМЕНТ
Диоды
Цифра
Назначение nрибора
Цифра
Назначение nрибора
1
1 Выnрямительные с lпр :о;; 0,3 А
4 Туннельные обращенные
2 Выnрямительные с lпр 0,3 ... 1О А
1
Стабилитроны, стабисторы и огр.
сUст<10В(<0,3Вт)
3 Диоды nрочие (термодиоды, магнитодиоды)
2
Стабилитроны, стабисторы и огр.
С Uст 10...100 В (<0,3 Вт)
1 Выnрямительные столбы с lпр :о;; 0,3 А
3
Стабилитроны, стабисторы и огр.
с Uст. >100 В (<0,3 Вт)
2 Выnрямительные столбы с lпр 3... 10 А
4
Стабилитроны, стабисторы и огр.
СUст<10В(0,3...5Вт)
3 Выnрямительные блоки с lnp. :о;; 0,3 А
5
Стабилитроны, стабисторы и огр.
С Uст 10.".100 В (0,3 ...5 Вт)
4 Выnрямительные блоки с lпр 0,3 ... 1О А
6
Стабилитроны, стабисторы и огр.
С Uст >100 В (0,3 ...5Вт)
4 Имnульсные с tвосст ~ 500 нс
7
Стабилитроны, стабисторы и огр.
СUст.< 10 В(5...10 Вт)
5 Имnульсные с tвосст 150 ... 500 нс
8
Стабилитроны, стабисторы и огр.
С Uст. 10...100 В (5...1О Вт)
6 Имnульсные с tвосст 30 ... 150 нс
9
Стабилитроны, стабисторы и огр.
С Uст. >100 В (5..• 10 Вт)
7 Имnульсные с tво~ст 5... 30 нс
1 Варикаnы nодстроечные
8 Имnульсные с tвосст. 1... 5 нс
2 Варикаnы умножительные (варакторы)
9 Имnульсные с tвосст. < 1 нс
1 Излучающие ИК диоды
1 Диоды СВЧ смесительные
2 Излучающие ИК модули
2 Диоды СВЧ детекторные
3 Светодиоды
3 Диоды СВЧ усилительные
4 Знаковые индикаторы


56
5. Маркировка полупроводниковых приборов
ТРЕТИЙ ЭЛЕМЕНТ
Диоды
Цифра
Назначение прибора
Цифра
Назначение прибора
4 Диоды СВЧ параметрические
5 Знаковые табло
5 Диоды СВЧ переключательные и ограничительные
6 Шкалы
6 Диоды СВЧ умножительные и настроечные
7
Экраны
7 Диоды СВЧ генераторные
р
Оптопары резисторные
8 Диоды СВЧ прочие
д Оптопары диодные
1 Туннельные усилительные
у
Оптопары тиристорные
2 Туннельные генераторные
т Оптопары транзисторные
3 Туннельные переключательные
Транзисторы
Цифра
Назначение прибора
Цифра
Назначение прибора
1 Биполярные малой мощности НЧ: до 3 МГц
1 Полевые малой мощности НЧ
2 Биполярные малой мощности СЧ: 3... 30 МГц
2 Полевые малой мощности СЧ
3 Биполярные малой мощности ВЧ: более 30 МГц
3 Полевые малой мощности ВЧ и СВЧ
4 Биполярные средней мощности НЧ
4 Полевые средней мощности НЧ
5 Биполярные средней мощности СЧ
5
Полевые средней мощности СЧ
6 Биполярные средней мощности ВЧ и СВЧ
6 Полевые средней мощности ВЧ и СВЧ
7 Биполярные большой мощности НЧ
7
Полевые большой мощности НЧ
8 Биполярные большой мощности СЧ
8 Полевые большой мощности СЧ
9 Биполярные большой мощности ВЧ и СВЧ
9 Полевые большой МОЩНОСТИ ВЧ и СВЧ
Кроме дискретных элементов, в типовых корпусах для микросхем выпускают­
ся транзисторные сборки, которые в составе обозначения имеют буквы НТ (набор
транзисторов), например: 198НТ1Б, 125НТ1.
Зарубежные фирмы-производители полупроводниковых приборов применяют
одну из трех распространенных систем маркировки - европейскую
PRO-ELECTRON, JEDEC (Joint Electron Device Engineering Counci/) или япон­
скую JIS (Japanese Industгial Standard).
Европейская маркировка полупроводниковых приборов PRO-ELECTRON со­
стоит из трех элементов - двух букв и трех- или четырехзначного числа. Первая
буква обозначает тип используемого при производстве полупроводниковых при­
боров материала, вторая - тип полупроводникового прибора (некоторые фирмы
используют еще одну букву, так, фирма PHILIPS при обозначении некоторых ти­
пов полупроводниковых приборов, например, транзисторов BLT50, BLT80 приме­
няет три буквы), а цифры от 100 до 9999 обозначают серийный номер (обозначе­
ния Z10... A99 относятся к приборам промышленного и специального назначе­
ния). Иногда наносится и четвертый элемент - буква, указывающая группу по
коэффициенту усиления: А - низкий коэффициент усиления; В
-
средний коэф­
фициент усиления; С - высокий коэффициент усиления.


5. Маркировка полупроводниковых приборов
57
Таблица 5.3. Маркировка полупроводниковых приборов по системе PRO-ELECTRON
ПЕРВАЯ БУКВА - ТИП МАТЕРИАЛА
Буква
Материал
Буква
Материал
А Германий (Ge)
D Индий с примесью сурьмы (lпSb)
в Кремний (Si)
R
Сульфид кадмия (матщ~иал для элементов
Холла и фотоэлементов)
с Арсенид галлия (GaAs)
ВТОРАЯ БУКВА - ТИП ПРИБОРА
Буква
Тип прибора
Буква
Тип прибора
А Детекторные, переключательные
N Оптопары
или смесительные диоды
в Варикапы
р Фотодиоды оптического и ИК диапазона
с Маломощные биполярные НЧ транзисторы
Q Излучающие диоды оптического
или ИК диапазона
D Мощные биполярные НЧ транзисторы
R
Маломощные переключательные
ПП приборы
Е Туннельные диоды
s Маломощные биполярные ключевые
транзисторы
F Маломощные биполярные ВЧ транзисторы
т Динисторы, тиристоры, симисторы
G Сборки из ПП приборов различного назначения u Мощные биполярные ключевые транзисторы
н Магнито-чувствительные диоды
х Умножительные диоды (варакторы и др.)
к Элементы Холла открытого типа для
у Выпрямительные диоды, столбы, мосты
регистрации магнитных полей
L Мощные биполярные ВЧ транзисторы
z Стабилитроны и стабисторы
м Элементы Холла закрытого типа
Пример: ВС 108 - кремниевый маломощный биполярный НЧ транзистор с
серийным номером 108.
По американской системе JEDEC транзисторы обозначаются буквенно-циф­
ровым кодом (~;абл. 5.4).
Таблица 5.4. Маркировка полупроводниковых приборов по системе JEDEC
1-й элемент - цифра
2-й элемент - буква 3-й элемент - цифра 4-й элемент - буква
Число p-n переходов:
1- ДИОД
Серийный номер
2 - транзистор
N
100... 9999
Модификация прибора
3 - тиристор
4 - оптопара
Пример: 2N2158 - обозначение транзистора.
Японская система маркировки транзисторов JIS состоит из элементов:
1-й элемент - цифра, обозначающая тип прибора;
2-й - две буквы, указывающие на функциональную принадлежность полу­
проводникового прибора согласно табл. 5.5 .


58
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Таблица 5.5. Маркировка полупроводниковых приборов по системе JIS
1-й
2-й
4-й
5-й
элемент -
элемент -
3-й элемент - буква
элемент -
элемент - буква
цифра
буква
цифра
(буквы)
Тип прибора:
А - ВЧ PNP транзистор
В - НЧ PNP транзистор
1
С - ВЧ NPN транзистор
D - НЧ NPN транзистор
1
Е - диод Есаки (4х слойный NPNP)
о - фотодиод,
F - тиристор
фототранзистор
G - диод Ганна
Серийный
Одна или две
Н - однопереходный транзистор
1- ДИОД
s
J - полевой транзистор с N-каналом
номер
буквы - модифи-
2 - транзистор
10 ... 9999
кация прибора
К - полевой транзистор с Р-каналом
' 3 - тиристор
М - симметричный тиристор (симистор)
Q - светоизлучающий диод
R - выпрямительный диод
S - малосигнальный диод
Т - лавинный диод
V - варикап
Z - стабилитрон
Так как маркировочный код транзисторов всегда начинается с 2S, то эти два
символа при обозначениях на корпусах опускаются. Например, если на корпусе
стоит маркировка С 1970, то полностью тип транзистора определяется как
2SC1970.
Помимо систем маркировки JEDEC, JIS, PRO-ELECTRON фирмы-производи­
тели часто вводят собственную маркировку. Это делается либо по коммерческим
соображениям, либо при маркировке специальных типов приборов. Наиболее рас­
пространены следующие обозначения:
МJ - мощный транзистор фирмы Motorola в металлическом корпусе;
MJE - мощный транзистор фирмы Motorola в пластмассовом корпусе;
RCA - приборы фирмы RCA;
RCS - приборы фирмы RCS;
TIP - мощный транзистор фирмы Texas Instruments в пластмассовом корпусе;
TIPL - мощный планарный транзистор фирмы Texas Instruments;
TIS - малосигнальный транзистор фирмы Texas Instruments в пластмассо-
вом корпусе;
ZT - приборы фирмы Ferranti;
ZTX - приборы фирмы Ferranti.
Например: ZTX302, ТIРЗlА, MJE3055, ТIS43.
Свою систему маркироЕку имеют и полупроводниковые приборы японской
фирмы NEC (NIPPON ELECTRIC COMPANY). Маркировка состоит из двух эле­
ментов: одной-двух букв, обозначающих тип полупроводникового прибора и
цифр, обозначающих его регистрационный номер. Список буквенных сокращений
приведен в табл. 5.6 .


5. Маркировка полупроводниковых приборов
59
Таблица 5.6. Маркировка полупроводниковых приборов по системе NEC
Сокращение
Тип полупроводникового прибора фирмы NEC
AD
Лавинно-пролетные диоды
GD
Диоды Ганна
GH
Смесительные Ge диоды
н
Фототранзисторы
PS
Оnтоnары
RD
Стабилитроны
SD
Малосигнальные диоды
SE
Инфракрасные диоды
SG
Светодиоды зеленого свечения
SH
Точечные Si диоды
SM
AsGa диоды Шоттки
SR
Светодиоды красного свечения
sv
Варакторы
SY
Светодиоды желтого свечения
v
Новые полупроводниковые приборы
VD
Варисторы
Маркировка полупроводниковых приборов наносится на их корпус одним из
следующих способов:
• в виде полного (BLТ50) или сркращенного (С 1970) наименования;
• цветовым выделением (окраска корпуса или его части;
• нанесение условных графических знаков и букв, цветных точек или полос;
• в виде условного буквенного, цифрового или смешанного буквенно-цифро­
вого кода (применяется для маркировки SMD компонентов).
Маркировка R-МОП транзисторов Harris (lntersil)
RLР5N08LE
------
2з456
1. Тип прибора:
RF - стандартный МОП; RL - М'ОП транзистор с ограничением тока.
2. Тип корпуса:
Р - ТО-220АВ; V; ТО-247-5;
G - ТО-247; Н; ТО-218АС;
К - ТО-204АЕ; ТО-205АР;
М - ТО-204АА;
В - TS-001;
D - ТО-251; ТО-252.


60
5. Маркировка полупроводниковых приборов
3. Максимальный ток коллектора, А.
4. Тип канала, Рили N.
5. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, деленное на 1О.
6. Особенности:
L - управление логическим уровнем 5 В;
Е - с защитой от статического заряда;
D - встроенный диод, включенный в обратном направлении параллельно
uереходу К~Э;
R - с повышенной крутизной;
SM - для поверхностного монтажа;
В - со встроенным драйвером отключения;
С - с ограничением напряжения;
CS - чувствительный по току;
V - защелка по напряжению.
Маркировка IGBT транsисторов Harris (lntersil)
HGTG12N60D1D
1. Harris IGBT.
2. Тип корпуса:
Р - ТО-220;
G - ТО-247;
1 2345678
Н - ТО-218АС;
D - ТО-251.
3. Максимальный ток коллектора при t 0 = 90 °С.
4. Тип канала, Рили N.
5.. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, деленное на 10.
6. Максимальное время переключения при t 0 = 125 °С:
А- 100нс;
В- 200нс;
С- 500нс;
D- 750нс;
Е- 1мкс;
F- 2мкс;
G- 5мкс.
7. Поколение, 1, 2, 3.
8. Особенности:
L - управление логическим уровнем 5 В;
D - встроенный диод, включенный в обратном направлении параллельно
переходу К-Э;
S - для поверхностного монтажа;
С - чувствительный по току;
V - защелка по напряжению.


5. Маркировка полупроводниковых приборов
61
Маркировка транзисторов фирмы lnternational Rectifier
Транзисторы фирмы International Rectifier (IR) с успехом применяются во
многих отечественных и зарубежных электронных устройствах, благодаря своим
отличным характеристикам. Они маркируются буквенно-цифровым кодом:
IRF911О
------
123456
1. Обозначение фирмы-производителя - International Rectifier.
2. Тип прибора:
С - токовый сенсор;
F - стандартный транзистор;
G - ЮВТ-транзистор;
L - транзистор, управляемый логическим уровнем.
3. Тип канала:
9 - р-канал;
нет обозначения - n-канал.
4. Рабочее напряжение:
1".4 - 50-60 В;
5- 100В;
6- 200В;
7- 400В;
8- 500В;
С- 600В;
Е- 800В;
F- 900В;
G- 1000В.
5.-
Размер кристалла - внутрифирменная кодировка.
6. Модификация.
Необходимо отметить, что маркировка широко применяемых в силовой элек­
тронике IGВТ-транзисторов (биполярные транзисторы с изолированным затво­
ром), несколько отличается от приведенной выше:
IRGВС4ОFD
12345678
1. Обозначение фирмы-производителя - International Rectifier.
2. Тип прибора - ЮВТ-транзистор.
3. Тип корпуса:
А -ТО-3;
В - ТО-220;
Р - ТО-247.
4. Рабочее напряжение:
С- 600В;
G- 1000В;
Е- 800В;
Н- 1200В.
F- 900В;
5. Размер кристалла - внутрифирменная кодировка.
6. Модифи1<ация.


62
5. Маркировка полупроводниковых приборов
7. Быстродействие:
S - стандартное;
F - высокое;
U - сверхвысокое.
8. Буква D говорит о наличии защитного диода, включенного параллельно
переходу коллектор - эмиттер в обратноы направлении.
Маркировка полупроводниковых приборов
фирмы Motorola
Маркировка диодов
Диоды Motorola маркируются буквенно-цифровым кодом:
МBRВ2535СТL
------ -
234567
1. Обозначение производителя: М
-
Motorola.
2. Тип диода:
UR - сверхбыстрый;
BR - с барьером Шоттки;
R - стандартный с малым временем восстановления.
3. Тип корпуса:
F - полностью изолированный;
S - для поверхностного монтажа;
D - DPAK;
В -D2PAK;
Н - мегагерцовый.
4. Значение прямого тока в амперах (от одной до трех цифр). Если первая
цифра О, то вторая обозначает десятые доли ампера.
5. Значение обратного напряжения в вольтах (две или три цифры, умножен­
ные на 10).
6. Суффикс для обозначения конструктивных особенностей (СТ, РТ, WP).
7. Особенности диода:
R - обратный;
L - с низким прямым напряжением;
Е - силовой.
Маркировка силовых полевых транзисторов
Силовые MOSFET (МОП) транзисторы Motorola в корпусах S0-8, Micro-8 и
SOT-223 обозначаются двумя способами. Первый:
МТР75N06HD
123456 7
1. Обозначение производителя: М - Motorola.


5. Маркировка полупроводниковых приборов
2. Тип:
Х - МОП для промышленного применения;
Т-ТМОР;
L - быстродействующие приборы;
G - IGBT;
Р - несколько приборов в одном корпусе.
3. Т1щ корпуса:
Р - пластмассовый ТО-220;
D - DPAK;
А - изолированный ТО-220;
W -ТО-247;
4. Значение тока через транзистор.
5. Полярность канала, Р или N.
В - D2PAK;
У - ТО-264;
Е - ТО-227В;
v - D3РАК.
6. Номинальное напряжение, деленное на 10.
7. Особенности:
L - запуск логическим уровнем;
Е - мощный прибор;
Т4 - для ленточной упаковки (DPAK/D2PAK);
RL - для ленточной упаковки (DPAK/D3PAК);
HD - для приборов с высокой плотностью;
V- дляТМОРV.
Второй способ маркировки:
МMSF4Р01HD
-------
2з456
1. Обозначение производителя: М - Motorola.
2. Тип корпуса:
MDF - S0 -8 для двойного прибора;
MSF - S0 -8 для одинарного прибора;
MFT - SOT-223 для одинарного прибора;
TDF - Micro8 для двойного прибора;
TSF - Micro8 для одинарного прибора.
3. Значение тока.
4. Полярность канала, Р или N.
5. Номинальное напряжение, деленное на 10.
6. Особенности прибора:
L - запуск логическим уровнем;
Е - мощный прибор;
HD - для приборов с высокой плотностью;
Z - для приборов с защитой управляющего электрода.


64
5. Маркировка полупроводниковых приборов
5. 2. Диоды общего назначения
Типы корпусов и расположение выводов диодов
Диоды выпускаются в различных корпусах. Причем разновидностей корпусов
настолько много, что нет никакой возможности полностью привести их в данной
книге. Только стандартизованных отечественных корпусов диодов для навесного
монтажа насчитывается более ста типов, но кроме них выпускаются еще диоды
для поверхностч:ого монтажа, а также специальные силовые диоды. То же можно
сказать и о Д}fодах зарубежных производителей. Поэтому здесь показаны лишь
некоторые типы корпусов диодов для навесного (рис. 5.1) и дл,я поверхностного
(SMD) монтажа (рис. 5.2).
----=-==~lt==--
--"'==-=--
ТО220АС
D0-15
D0-201AE
кА2
ТО247
~~ТО252
nКА
D0220
ТО-263
к
~
А
ТО218
Рис. 5.1 . Диоды различных типов
SOD 123
SOD 323
SOT-23
1а C>I !l<J 02
D0214
~
~
SOD6
•Т0247АС
к
"
КА
ТО251
SOD110
SOT143
·~,1
Рис. 5.2 . Диоды различных типов для поверхностного монтажа


5. Маркировка полупроводниковых приборов
65
Цветовая маркировка отечественных диодов
На диоды наносится буквенно-цифровая маркировка в соответствии с табли­
цами, приведенными в разделе 5.1.
Полярность выводов обозначается либо символом диода на его корпусе, либо
отдельной маркировкой на корпусе, либо его конструктивными особенностями
(например, выемкой). Затруднения при определении типа диода вызывает цвето­
вая маркировJ<а.
В табл. 5. 7 приведены варианты цветовой кодовой маркировки для наиболее
широко распространенных точечных и выпрямительных диодов.
Таблица 5.7 . Цветовая кодовая маркирФвка диодов отечественного производства
Основные
Маркировка
Тип диода параметры Цвет корпуса
Внешниий вид
или метка
корпуса
lпр, А Uобр. В
анод
катод
Д9Б
0,09 10
Красное кольцо
_ ..r·-=--- ,___
Д9В
0,01 30
Оранжевое кольцо
__J w :::L
Д9Г
0,03 30
Желтое кольцо
~
Д9Д
0,03 30
Белое кольцо
~
Д9Е
0,05 50
Голубое кольцо
~
Д9Ж
0,01 100
Зеленое кольцо
~
Д9И
0,03 30
Два желтых кольца
~
Д9К
0,06 30
Два белых кольца
- i;: ::L...-
Д9Л
0,03 100
Два зеленых кольца
- t::===L...-
Д9М
0,03 30
Два голубых кольца
- t•::::;:L... -
КД102А 0,1 250
Зеленая точка
а
2Д102А 0,1 250
Желтая точка
а
КД102Б 0,1 300
Синяя точка
-а--
2Д102Б О, 1 300
Оранжевая точка
--е--
КД103А 0,1
50
Черный торец
Синяя точка
-<З--


66
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Основные
Маркировка ~-~
Тип диода параметры Цвет корпуса
Внешниий вид
или метка
корпуса
lпр, А Uобр, В
анод
катод
КД 103Б О, 1 50 Зеленый торец
Желтая точка
--@--
КД105А
0,3 200
Белое (желтое) кольцо
c=[8l=i
~
1
КД105Б
0,3 400 Зеленая точка Белое (желтое) кольцо
КД105В
0,3 600 Красная точка Белое (желтое) кольцо
~
КД105Г
0,3 800
Белая или
Белое (желтое) кольцо
91•
1
желтая точка
КД208А
1,0 100
Черная или
Белое (желтое) кольцо
-се-
зеленая точка
КД209А
0,7 400
Черная (зеленая, желтая)
~
точка
КД209А
0,7 400
Красное кольцо
~
КД209Б
0,7 600
Белая точка
Черная (зеленая, желтая)
~
точка
КД209Б
0,7 600
Белая точка
Красное кольцо
~
КД209В
0,5 800
Черная точка
Черная (зеленая, желтая)
~
точка
.
КД209В
0,5 800
Черная точка
Красное кольцо
~
КД209Г
0,2 1000 Зеленая точка
Черная (зеленая, желтая)
~
точка
.
КД209Г
0,2 1000 Зеленая точка
Красное кольцо
~
КД221А
0,7 100
Голубая точка
~
.
КД221Б
0,5 200
Белая точка
Голубая точка
~
КД221В
0,3 400
Черная точка
Голубая точка
~
КД221Г
0,3 600 Зеленая точка
Голубая точка
~
КД226А
2
100
Оранжевое кольцо
___._
КД226Б
2
200
Красное кольцо
___._
КД226В
2
400
Зеленое кольцо g-


5. Маркировка полупроводниковых приборов
67
Основные
Маркировка -~
Тип диода параметры Цвет корпуса
Внешниий вид
или метка
корпуса
lпр, ,А Uобр, В
анод
катод
КД226Г
2
600
Желтое кольцо -'8i-
КД226Д
2
800
Белое кольцо
-а
КД226Е
2
600
Голубое кольцо -а
КД243А
1
50
Фиолетовое кольцо 1iiiiii-
КД243Б
1
100
Оранжевое кольцо ~
КД243В
1
200
Красное кольцо ~
КД24ЗГ
1
400
Зеленое кольцо ~
КД243Д
1
600
Желтое кольцо
~
КД243Е
1
800
Белое кольцо
-1 :::;1-
КД243Ж
1 1000
Голубое кольцо 1iiiiii-
КД247А
1
50
Два фиолетовых -1:=ш-
кольца
КД247Б
1
100
Два оранжевых
~
кольца
КД247В
1
200
,Два красных
-C::m-
кольца
КД247Г
1
400
Два зеленых
---а-
кольца
КД247Д
1
600
Два желтых кольца -1iii-
КД247Е
1
800
Два белых кольца
-----
КД247Ж
1 1000
Два голубых кольца --8ii-
КД410А 0,05 1000
Красная точка
..._
КД410Б 0,05 600
Синяя точка
Q
КД509А
О,1 50
Синее кольцо
Широкое синее ~
кольцо
2Д509А
о,1 50
Широкое синее ~
кольцо


68
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Основные
тип диода параметры
Цвет корпуса
или метка
Маркировка
КД510А
2Д510А
КД521А
КД521Б
КД521В
КД521Г
КД522А
КД522Б
2Д522Б
КЦ422А
КЦ422Б
К~422В
КЦ422Г
lnp, А Uобр, В
0,2
50
0,2
50
0,05 75
0,05 50
0,05 30
0,05 120
О,1 30
О,1 50
О,1 50
0,5
50
0,5 100
Белая точка
0,5 200
Черная точка
0,5
. 400 Зеленая точка
анод
Два зеленых кольца
Зеленая точка
Два синих кольца
Два серых кольца
Два желтых кольца
Два белых кольца
Широкое черное кольцо
Широкое черное кольцо
Широкое черное кольцо
Черная точка
катод
Широкое зеленое
кольцо
Широкое зеленое
кольцо
Широкое синее
кольцо
Широкое серое
кольцо
Широкое желтое
кольцо
Широкое белое
кольцо
Черное кольцо
Два черных кольца
Черная точка
Черная точка
Черная точка
Черная точка
Цветовая маркировка зарубежных диодов
Цветовая маркировка диодов по системе PRO-ELECTRON
Внешниий вид
корпуса
По системе PRO-ELECTRON диоды маркируются четырьмя цветными полоса­
ми (табл. 5.8), причем вывод катода расположен у широкой полосы.
Таблица 5.8. Маркировка диодов по системе PRO-ELECTRON
Тип диода
Цвет полосы
1-я широкая полоса 2-я широкая полоса 3-я узкая полоса 4-я узкая полоса
Черный
Ад
о
о
Коричневый
х
1
1
Красный
ВА
2
2
Оранжевый
s
3
3


5. Маркировка полупроводниковых приборов
69
Тип диода
Цвет полосы
1-я широкая полоса 2-я широкая полоса 3-я узкая полоса 4-я узкая полоса
Желтый
т
4
4
Зеленый
v
5
5
Синий
w
6
6
Фиолетовый
7
7
Серый
у
8
8
Белый
z
9
9
Цветовая маркиро~ка диодов по системе JEDEC
• в цветовой маркировке по системе JEDEC (табл. 5.9) первая цифра 1 и вто­
рая буква N не маркируются;
• номера из двух цифр обозначаются одной черной полосой и двумя цветны­
ми, дополнительная четвертая полоса обозначает букву;
• номера из трех цифр обозначаются тремя nветными полосами, дополни­
тельная четвертая полоса обозначает букву;
• номера из четырех цифр обозначаются четырьмя цветными полосами и пя­
той черной или цветной полосой, обозначающей букву;
• цветные полосы находятся ближе к катоду или первая полоса от катода -
широкая;
• тип диода читается от катода.
Таблица 5.9. Цветовая маркировка диодов по системе JEDEC
Цвет полосы Черный Коричн. Красный Оранж. Желтый Зеленый Синий Фиолет. Серый Белый
Цифра
о
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Буква
-
А
в
с
D
Е
F
G
н
J
Цветовая маркировка отечественных стабилитронов
и стабисторов
Стабилитроны и стабисторы предназначены для стабилизации напряжения.
Отличие этих полупроводниковых приборов друг от друга состоит в том, что ста­
билизация напряжения происходит при его подаче на стабилитрон в обратном на­
правлении, а на стабистор - в прямом. В табл. 5.1 О приведены данные по цвето­
вой маркировке на корпусах этих приборов.
Тип ста-
билитрона
Д814А1*
Таблица 5.10 . Цветовая маркировка стабилитронов и стабисторов
отечественного производства
Основные параметры
Цветовая метка у выводов
Эскиз корпуса
Uст, В lст макс, мА
катода
анода
7
40
Белое кольцо
=-n...._


70
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Тип ста- Основные параметры
Цветовая метка у выводов
билитрона Uст, В lст макс, мА
Эскиз корпуса
катода
анода
Д814А1
7
40
Черное широкое кольцо ~
Д814А2*
7
26
Черное кольцо
~
Д814Б1*
8
36
Синее кольцо
~
Д814Б1
8
36
Черное широкое +
~
черное узкое кольцо
Д81481*
9
32
Зеленое кольцо
~
Д814В1
9
32
Черное узкое кольцо
~
Д814Г1 *
10
29
Желтое кольцо
~
Д814Г1
10
29
Три черных узких кольца ~
Д814Д1 *
11,5
24
Серое кольцо
~
Д818А
9
33
Белое кольцо+
~
черная метка
Д818Б
9
33
Желтое кольцо +
~
черная метка
Д818В
9
33
Голубое кольцо +
~
черная метка
Д818Г
9
33
Зеленое кольцо +
- - - a:;;;;;;r--
черная метка
Д818Д
9
33
Серое кольцо +
- -- a:;;;;;;r--
черная метка
Д818Е
9
33
Оранжевое кольцо +
~
черная метка
КС107А
0,7
100
Красное кольцо +
- -- a:;;;;;;r--
серая метка
КС126А
2,7
135
Красное широкое +
~
фиолетовое + белое кольца
КС126Б
3
125
Оранжевое широкое +
~
черное + белое кольца
КС126В
3,3
115
Оранжевое широкое +
~
оранжевое + белое кольца
КС126Г
3,9
95
Оранжевое широкое +
~
два белых кольца
КС126Д
4,7
85
Желтое широкое +
~
фиолетовое + белое кольца


5. Маркировка полупроводниковых приборов
71
Тип ста- Основные параметры
Цветовая метка у выводов
Эскиз корпуса
билитрона Uст, В lст макс, мА
катода
анода
КС126Е
5,6
70
Зеленое широкое +
- liii8I-
голубое + белое кольца
КС126Ж
6,2
64
Голубое широкое +
- liii8I-
красное + белое кольца
КС126И
6,8
58
Голубое широкое +
- liii8I-
серое + белое кольца
КС126К
7,5
53
Фиолетовое широкое +
~
зеленое + белое кольца
КС126Л
8,2
47
Серое широкое +
~
красное + белое кольца
КС126М
9,1
43
Белое широкое +
~
коричневое + белое кольца
КС133А 2,97 ... 3,63
81
Голубое кольцо
Белое кольцо
~
2С133А 2,97" . 3,63
81
ГолуБое кольцо
Черное кольцо
~
2С133Б 3,0". 3,7
30
Два белых кольца
~
2С133В 3, 1". 3,5
37,5
Оранжевое кольцо +
Желтая точка
~
желтая точка
КС133Г
3,0". 3,6
37,5
Оранжевое кольцо +
серая точка
Желтая точка
~
2С133Г
3,0". 3,6
37,5
Оранжевое кольцо +
Желтая точка
~
серая точка
~
1
КС139А
3,3
70
Зеленое кольцо
Белое кольцо
2С139А
3,3
70
Зеленое кольцо
Черное кольцо
~
2С139Б
3,9
70
Два черных кольца
~
КС147А
4,7
58
Серое (голубое) кольцо
Белое кольцо
~
2С147А
4,7
58
Серое (голубое) кольцо
Черное кольцо
~
2С147Б
4,7
21
Два желтых кольца
~
2С147В
4,7
26
Зеленое кольцо +
желтая точка
Желтая точка
~
2С147Г
4,7
26
Зеленое кольцо +
серая точка
Желтая точка
~
КС156А
5,6
55
Оранжевое кольцо
Белое кольцо
~


72
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Тип ста- Основные параметры
Цветовая метка у выводов
билитрона Uст, В lст макс, мА
Эскиз корпуса
катода
анода
2С156А
5,6
55
Оранжевое кольцо
Черное кольцо
~
2С156Б
5,6
18
Два зеленых кольца
~
2С156В
5,6
23
Красное кольцо +
Желтое кольцо
~
желтая точка
2С156Г
5,6
23
Красное кольцо +
Желтое кольцо
~
серая точка
КС168А
6,8
45
Красное кольцо
Белое кольцо
~
2С16ВА
6,8
45
Красное кольцо
Черное кольцо
~
2С168Б
6,8
15
Два голубых кольца
~
КС175Ж
7,5
17
Белое кольцо
~
на сером корпусе
2С175Ж
7,5
20
Голубая точка +
~
белое кольцо
2С175Ц
7,5
17
Белая точка +
Желтая точка
~
белое кольцо
КС182Ж
8.2
15
Желтое кольцо
~
на сером корпусе
2С182Ж
8.2
18
Голубая точка +
-11. L
желтое кольцо
2С182Ц
8.2
15
Белая точка +
Желтое кольцо
~
желтое кольцо
КС191Ж
9,1
14
Голубое кольцо
~
на сером корпусе
2С191Ж
9,1
16
Голубая точка +
_,,__ .L--
голубое кольцо
2С191Ц
9,1
14
Белая точка +
Желтая точка
~
голубое кольцо
КС210Ж
10
13
Зеленое кольцо
на сером корпусе
~
2С210Ж
10
15
Голубая точка +
-1а; ... ~;;;i....
зеленое кольцо
2С210Ц
10
13
Белая точка +
Желтое кольцо
- - liiiiill(-
зеленое кольцо
КС211Ж
11
12
Синее кольцо
на сером корпусе
~
2С211Ж
11
14
Голубая точка +
~
синее кольцо


5. Маркировка полупроводниковых приборов
73
Тип ста- Основные параметры
Цветовая метка у выводов
Эскиз корпуса
билитрона Uст. В lст макс. мА
катода
анода
2С211Ц
11
11
Белая точка +
Желтое кольцо
""L
11
зеленое кольцо
КС212Ж
12
11
Оранжевое кольцо
~
на сером корпусе
2С212Ж
12
13
Голубая точка +
-l i ,;4_
оранжевое кольцо
2С212Ц
12
11
Белая точка +
Желтое к9льцо
-!:=:1L
оранжевое кольцо
КС213Ж
13
10
Черное кольцо
---=---
на сером корпусе
2С213Ж
13
12
Голубая точка+
N'
черное кольцо
КС215Ж
15
8
Белое кольцо
____,,.,._,____
на черном корпусе
2С215Ж
15
10
Голубая точка +
Черное ~ольцо
_ft,,.1 1
белое кольцо
КС216Ж
16
7
Желтое кольцо
-""" """'- -
на черном корпусе
2С216Ж
16
9
Голубая ТОЧКр +
Черное кольцо
-11;;;ц_
желтое кольцо
КС218Ж
18
7
Красное кольцо
-"' """" ""
на черном корпусе
2С218Ж
18
8
Голубая точка +
Черное кольцо
_.liil
•~
голубое кольцо
КС220Ж
20
6
Зеленое кольцо
--""""""-
на черном корпусе
2С220Ж
20
в
Голубая точка +
Черное кольцо
- 11;;;.l:l-
зеленое кольцо
КС222Ж
22
6
Синее кольцо
~
на черном корпусе
2С222Ж
22
7
Голубая точка+
Черное кольцо
___ас: 11
синее кольцо
КС224Ж
24
5
Голубое кольцо
-""" """'- -
н~ черном корпусе
2С224Ж
24
6
Голубая точка +
Черное кольцо
-1ь;;н...
оранжевое кольцо
КС406А*
8,2
15
Серое кольцо
Белое кольцо
--Jif
•1
КС406Б*
10
13
Белое кольцо
Оранжевое кольцо
~
КС407А*
3,3
100
Красное кольцо
Голубое кольцо
~


74
5. Маркировка полупроводниковьlх приборов
Тип ста- Основные параметры-
Цветовая метка у выводов
Эскиз корпуса
билитрона Uст, В lст макс, мА
катода
анода
КС407Б*
3,9
88
Красное кольцо
Оранжевое к0льцо
~
КС407В*
4,7
68
Красное кольцо
Желтое кольцо
~
КС407Г*
5,1
59
Красное кольцо
Зеленое кольцо
~
КС407Д*
6,8
42
Красное кольцо
Серое кольцо
~
КС508А*
12
11
Оранжевое кольцо
Зеленое кольцо
~
КС508Б*
15
9
Желтое кольцо
Белое кольцо
~
КС508В*
16
8
Красное кольцо
Зеленое кольцо
~
КС508Г*
18
7
Голубое кольцо
Белое кольцо
~
КС508Д*
24
5
Зеленое кольцо
Белое кольцо
~
КС510А
10
79
Оранжевое кольцо
Зеленое кольцо
~
КС512А
12
67
Желтое кольцо
Зеленое кольцо
~
КС515А
15
53
Белое кольцо
Зеленое кольцо
~
КС518А
18
45
Голубое кольцо
Зеленое кольцо
~
КС522А
22
37
Серое кольцо
Зеленое кольцо
~
КС527А
27
30
Черное кольцо
Зеленое кольцо
~
* - на корпусе имеется либо черное кольцо, либо его торцевая часть окраше­
на в черный цвет.
Цветовая маркировка отечественных
варикапов
Варикапы представляют собой вид полупроводниковых приборов, в которых
под воздействием напряжения изменяется емкость PN перехода. Варикапы всегда
включаются в обратном направлении, и чем больше приложенное обратное на­
пряжения, тем меньше емкость варикапа.


5. Маркировка полупроводниковых приборов
75
Таблица 5.11 . Цветовая маркировка варикапов отечественного производства
Тип варикапа
Основные параметры
Цвет
С, пФ
Q
Uобр, 8
маркировочной точки
К8102
14 .. .40
40 ... 100
45
Белая
1
/28102
20" .37
40 ... 100
45
Оранжевая
'jK8104,
90" .192
100 ... 150
45
Оранжевая
i 28104
90" .192
100 ... 150
45
Белая
·К8109А
2... 2,В
300
25
Белая
К8109Б
2".2,3
300
25
Красная
К81098
в".16
160
25
Зеленая
К8109Г
в."11
160
25
Нет
К8С111А
29,7" . 3 6,3
200
30
Белая
К8С111Б
29,7" . 3 6,3
150
30
Оранжевая
28113А
54,4" .81,6
300
150
Белая
К8113А
54,4" .81,6
300
150
Желтая
28113Б
54,4" .81,6
300
115
Оранжевая
К8113Б
54,4." 81,6
300
115
Зеленая
К8121А
4,3".6
200
30
Синяя
К8121Б
4,3" .6
150
30
Желтая
К8122А
2,3".2,8
450
30
Оранжевая
КВ122Б
2,0". 2,3
450
30
Фиолетовая
КВ122В
1,9"3,1
300
30
Коричневая
28124А
27
300
30
Зеленая (у анода)
28124Б
10
300
30
Зеленая (у катода)
281248
8
300
30
Белая (у анода)
К8127А
230". 280
140
32
Белая
КВ127Б
230". 26 0
140
32
Красная
К81278
260". 320
140
32
Желтая
КВ127Г
260". 32 0
140
32
Зеленая
Буквенно-цифровая кодовая маркировка SMD диодов
зарубежного производства
Из-за недостатка места на корпусе SMD компоненты очень часто маркируют­
ся буквенным, цифровым или смешанным - буквенно-цифровым кодом. Это
справедливо и для маркировки SMD диодов. Ниже приведены таблицы для опре­
деления типа диода по маркировке на его корпусе. В этом разделе даны таблицы
только для диодов, имеющих двухвыводные корпуса: D0-214, D0-215, SOD-23,
SOD-91. Для удобства попьзования маркировка диодов и диодных сборок, имею-


76
5. Маркировка полупроводниковых приборов
щих одинаковые с транзисторами корпуса SOT-23, SOT-323, SOT-346 и другие,
приведены в одной таблице с транзисторами. Вывод катода SMD диодов мар­
кируется полосой, точкой или выемкой на корпусе.
В табл. 5.12, 5.13, 5.14 дана расшифровка кодовой маркировки диодов в кор­
пусах D0-214A . Внешне эти корпуса похожи, но отличаются размерами, в связи с
чем обозначаются соответственно D0-214AA, D0-214AB, D0-214AC . На
рис. 5.3
-
5.5 показан внешний вид и размеры корпусов SMD диодов типа
D0-214 .
Рис. 5.3. Внешний вид
и размеры корпуса
D0-214AA
Код
Тип диода
AD
SMBJ5.0C
АЕ
SMBJ5.0CA
AF
SMBJ6.0C
AG
SMBJ6.0Cдl
АН
SMBJ6.5C
АК
SMBJ6.5CA
AL
SMBJ7.0C
АМ
SMBJ7.0CA
AN
SMBJ7.5C
АР
SMBJ7.5CA
AQ
SMBJ8.0C
AR
SMBJ8.0CA
AS
SMBJ8.5C
АТ
SMBJ8.5CA
AU
SMBJ9.0C
AV
SMBJ9.0CA
AW
SMBJ10C
АХ
SMBJ10CA
АУ
SMBJ11C
Рис. 5.4. Внешний вид
и размеры корпуса
D0-214AB
Рис. 5.5 . Внешний вид
и размеры корпуса
D0-214AC
Таблица 5.12 . Кодовая маркировка диодов в корпусах D0-214AA
Производитель
Назначение
Основные параметры
Vishay
Подавитель выбросов Uвкл=5 В
1п=62,5 А
То же
То же
Uвкл=5 В
1п=62,5 А
-
"
-
-
..
-
Uвкл=6 В
1п=52,6 А
-
"
-
-
"
-
Uвкл=6 В
1п=58,3 А
-
"-
-
"
-
u.,л=Б,5 в 1п=48,7 А
-
"
-
-
"
-
Uвкл=6,5 В 1п=53,6 А
-
"
-
-
"
-
Uвкл=7 В
1п=45, 1 А
-
"
-
-
"
-
u., .=7 в
1п=50,О А
-
"
-
-
"
-
Uвкл=7,5 В lп= 42,0 А
-
"
-
-
"-
Uвкл=7,5 В 1п=46,5 А
-
"
-
-
"
-
Uвкл=8 В
1п=40,О А
-
"
-
-
"
-
Uвкл=8 В
1п=44, 1 А
-
"
-
-
"
-
Uвкл=8,5 В 1п=37,7 А
-
.,
-
-
"-
Uвкл=8,5 В 1п=41,7 А
-
"
-
-
"-
u., .=9 в
1п=35,5 А
-
"
"
-
-
-
-
Uвкл=9 В
1п=39,О А
-
"
-
-
"
-
u.,.=10 в 1п=31,9 А
-
"-
-
"
-
Uвкл=1 О В 1п=35,3 А
-
"
-
-
"
-
Uвкл=11 В 1п=29,9 А


5. Маркировка полупроводниковых приборов
77
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
f.l .
SMBJ11CA
-
"
-
-
"
-
u••• =11 в 1л=33,О А
BD
SMBJ12C
-
"-
-
".
u••• =12 в 1п=27,3 А
ВЕ
SMBJ12CA
-
"
-
-
"
-
u••• =12 в 1л=30,2 А
BF
SMBJ13C
-
"
-
-
"
-
u.,.=13 в 1п=25,2 А
BG
SMBJ13t:A
-
"
-
-
"
-
u••• =13 в 1п=27,9 А
вн
SMBJ14C
-
"
-
-
"-
u••• =14 в 1n=23,3 А
вк
SMBJ14CA
-
"-
-
"-
u••• =14 в 1.=25,8 А
BL
SMBJ15C
-
"
-
-
"
-
u••• =15 в 1л=22,3 А
вм
SMBJ15CA
-
"-
-
"
-
u.,.=15 в 1л=24,О А
BN
SMBJ16C
-
"
-
-
"-
u••• =16 в 1л=20,8 А
ВР
SMBJ16CA
-
"
-
-
"
-
u••• =16 в 1л=23, 1 А
BQ
SMBJ17C
-
"-
-
"
-
u••• =11 в 1.=19,7 А
BR
SMBJ17CA
-
"-
-
"-
u••• =11 в ln=21,7 А
BS
SMBJ18C
-
"
-
-
"-
u••• =18 в 1л=18,6 А
вт
SMBJ18CA
-
"-
-
"-
u••• =18 в 1л=20,5 А
BU
SMBJ20C
-
"
-
-
"
-
u., .=20 в 1п=16,7 А
BV
SMBJ20CA
-
"
-
."
-
u••• =20 в 1п=18,5 А
BW
SMBJ22C
-
".
.".
u••• =22 в 1п=15,2 А
вх
SMBJ22CA
-
"
-
-
".
u."=22 в 1п=16,9 А
ВУ
SMBJ24C
-
"-
.
"-
u••• =24 в 1п=14,О А
BZ
SMBJ24CA
.
".
.".
u••• =24 в 1п=15,4 А
CD
SMBJ26C
-
"
-
-
".
u••• =26 в 1п=12,4 А
СЕ
SMBJ26CA
-
"
-
-
"-
u••• =26 в 1п=14,2 А
CF
SMBJ28C
-
"
-
.".
u••• =28 в 1п=12,О А
CG
SMBJ28CA
-
"
-
-
"
-
u., .=28 в 1п=13,2 А
сн
SMBJ30C
-
"
-
-
"
-
Uвкл=30 В 1п=11,2 А
ск
SMBJ30CA
-
".
.
"-
u••• =30 в 1п=12,4 А
CL
SMBJ33C
-
"
-
-
"-
u••• =33 в 1п=10,2 А
см
SМВJЗЗСА
-
"
-
.
"
-
u••• =33 в 1n=11,3 А
CN
SMBJ36C
-
"
-
.
"-
u••• =36 в 1п=9,3 А
СР
SMBJ36CA
-
"
-
-
"
-
u••• =36 в 1п=10,3 А
CQ
SMBJ40C
-
"
-
.
"-
u••• =40 в 1п=8,4 А
CR
SMBJ40CA
-
"-
.
"-
u.,.=40 в 1п=9,3 А
cs
SMBJ43C
-
"
-
-
"-
u••• =43 в 1п=7,8 А
ст
SMBJ43CA
-
".
-
"-
u••• =43 в 1п=8,6 А
cu
SMBJ45C
-
".
-
".
u••• =45 в 1п=7,5 А


78
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
cv
SMBJ45CA
-
"-
-
"
-
Uвкл=45 В lп=В,3 А
cw
SMBJ48C
-
"
-
-
".
Uвкл'"48 В 1n=7,0 А
сх
SMBJ48CA
.".
-
".
Uвкл=48 В 1п=7,7 А
СУ
SMBJ51C
.".
.
..
.
Uвкл=51 В 1n=6,6 А
cz
SMBJ51CA
.
".
-
".
Uвкл=51 В 1n=7,3 А
DD
SMBJ54C
-
".
.".
Uвкл=54 В 1n=6,2 А
DE
SMBJ54CA
."
-
.
".
Uвкл=54 В 1n=6,9 А
DF
SMBJ58C
.".
.".
Uвкл=58 В 1п=5,8 А
DG
SMBJ58CA
-
".
-
".
Uвкл=58 В 1п=6,4 А
DH
SMBJ60C
.".
.".
Uвкл=60 В 1n=5,6 А
DK
SMBJ60CA
."
-
.".
Uвкл=60 В 1n=6,2 А
DL
SMBJ64C
.
".
.".
Uвкл=64 В 1n=5,3 А
DM
SMBJ64CA
.
".
-
".
Uвкл= 64 В 1n=5,8 А
DN
SMBJ70C
-
"
-
-
".
Uвкл=70 В 1n=4,8 А
DP
SMBJ70CA
-
".
-
".
Uвкл=70 В 1п=5,3 А
DQ
SMBJ75C
-
".
.".
Uвкл=75 В 1п=4,5 А
DR
SMBJ75CA
-
..
.
.".
Uвкл=75 В 1п=4,9 А
DS
SMBJ78C
.".
-
".
Uвкл=78 В 1n=4,3 А
DT
SMBJ78CA
."
-
.
"-
Uвкл=78 В 1n=4,7 А
DU
SMBJ85C
-
".
-
".
Uвкл=85 В lп=З,9 А
DV
SMBJ85CA
-
"-
-
".
Uвкл=85 В 1п=4,4 А
DW
SMBJ90C
.".
.".
Uвкл=90 В lп=З,8 А
DX
SMBJ90CA
.".
-
"-
Uвкл=90 В 1п=4, 1 А
DY
SMBJ100C
."
-
.".
Uвкл=100 В 1n=3,4 А
DZ
SMBJ100CA
.
".
.".
Uвкл=100 В 1n=3,7 А
Ед
ES2A
GenSemi
Быстродействующий Uобр=50 В 1np=2 А
ЕВ
ES2B
То же
Быстродействующий Uобр=100 В 1пр=2 А
ЕС
ES2C
-
".
То же
Uобр=150 В 1np=2 А
ED
ES2D
-
"
-
."
-
Uобр=200 В lnp=2 А
ED
SMBJ110C
Vishay
Подавитель выбросов Uвкл= 11 О В 1n=3,0 А
ЕЕ
SMBJ110CA
То же
То же
Uвкл=11 О В lп=З,4 А
EF
SMBJ120C
.".
.".
Uвкл=120 В 1n=2,8 А
EG
SMBJ120CA
.".
."
-
Uвкл=120 В 1n=3, 1 А
ЕН
SMBJ130C
.".
.".
Uвкл=130 В 1п=2,6 А
ЕК
SMBJ130CA
.
".
.
".
u.,.=130 в 1n=2,9 А
EL
SMBJ150C
."
-
.
".
u.,.=1 so в 1n=2,2 А


5. Маркировка полупроводниковых приборов
79
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
ЕМ
SMBJ150CA
-
"
-
-"
-
u."=1so в 1п=2,5 А
EN
SMBJ160C
-
"-
-
"-
Uвкп=160 В 1п=2, 1 А
ЕР
SMBJ160CA
-
"-
-
"
-
Uвкп=160 В 1п=2,З А
EQ
SMBJ170C
-
"
-
-
"
-
u."=110 в 1п:=2 А
ER
SMBJ170CA
-
"
-
-
"-
Uвкп=170 В 1п=2,2 А
KD
SMBJ5.0
-
"
-
-
"-
Uвкп=5 В
1п=62,5 А
KDP
TPSMB6.8
GenSemi
-
"-
Uвкп=6,8 В 1п=55,6 А
КЕ
SMBJ5.0A
Vishay
-"-
Uвкп=5 В
1п=65,2 А
КЕР
TPSMB6.8A
GenSemi
-
..
-
Uвкл=5,8 В 1п=57,1 А
KF
SMBJ6.0
Vishay
-
"
-
Uвкл=6 В
1п=52,6 А
КЕР
TPSMB7.5
GenSemi
-
..
-
Uвкл=7,05 В 1п=51,З А
KG
SMBJ6.0A
Vishay
-
"-
Uвкл=6 В
1п=58,З А
KGP
TPSMB7.5A
GenSemi
-
"
-
Uвкл=6,4 В 1п=53, 1 А
кн
SMBJ6.5
Vishay
-
"
-
Uвкл=6,5 В 1п=48,7 А
КНР
TPSMB8.2
GenSemi
-
"-
Uвкл=б,63 В 1п=48 А
кк
SMBJ6.5A
Vishay
-
"-
Uвкл=6,5 В 1п=53,6 А
ККР
TPSMB8.2A
GenSemi
-
"
-
Uвкл=7,02 В 1п=49,6 А
KL
SMBJ7.0
Vishay
-
"-
Uвкл=7 В
1п=45, 1 А
KLP
TPSMB9.1
GenSemi
-
"
-
Uвкл=7,37 В 1п=43,5 А
км
SMBJ7.0A
Vishay
-
"
-
u.,.=7 в
1п=50 А
КМР
TPSMB9.1A
GenSemi
-
"-
Uвкл=7,78 В 1п=44,8 А
KN
SMBJ7.5
Vishay
-
"
-
u."=7,5 в 1п=42 А
KNP
TPSMB10
GenSemi
-
"-
u."=в, 1 в 1п=40 А
КР
SMBJ7.5A
Vishay
-
"-
Uвкл=7,5 В 1п=46,5 А
КРР
TPSMB10A
GenSemi
-
"
-
Uвкл=В,55 В 1п=41,4 А
KQ
SMBJB.O
Vishay
-
"
-
Uвкл=8 В
1п=40 А
KQP
TPSMB11
GenSemi
-
"-
Uвкл=В,92 В 1п=З7 А
KR
SMBJB.OA
Vishay
-
"-
Uвкл=В В
1п=44, 1 А
КАР
TPSMB11A
GenSemi
-
"-
Uвкл=9,4 В 1п=З8,5 А
KS
SMBJ8.5
Vishay
-
"
-
Uвкл=8,5 В 1п=З7,7 А
KSP
TPSMB12
GenSemi
-
"-
Uвкл=9,72 В 1п=З4,7 А
кт
SMBJ8.5A
Vishay
-
"
-
Uвкл=8,5 В 1п=41,7 А
КТР
TPSMB12A
GenSemi
-
"-
Uвкл=10,2 В 1п=З5,9 А
KU
SMBJ9.0
Vishay
-
"
-
u.,.=9 в
1п=З5,5 А
KUP
TPSMB13
GenSemi
-
"-
Uвкл=10,5 В 1п=З1,6А
кv
SMBJ9.0A
Vishay
-
"
-
Uвкл=9 В
1п=З9 А


80
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
КVР
TPSMB13A
GenSemi
-
"-
Uвкл=11, 1 В 1п=33 А
кw
SMBJ10
Vishay
-
"
-
Uвкл=10 В ln-31,9 А
КWР
TPSMB15
GenSemi
-
"
-
Uвкп= 12, 113 1п=27,3 А
кх
SMBJ10A
Vishay
-
"
-
Uвкл=10 В 1п=35,3 А
КХР
TPSMB15A
GenSemi
-
"-
Uвкл=12,8 В 1п=28,3 А
КУ
SМBJ11
Vishay
-
"
-
Uвкл=11 В 1п=29,9 А
КУР
TPSMB16
GenSemi
-
"-
Uвкл=12,9 В 1п=25,5 А
кz
SMBJ11A
Vishay
-
"-
Uвкл=11 В 1п=33 А
КZР
TPSMB16A
GenSemi
-
"
-
Uвкл=13,6 В 1п=26,7 А
LD
SMBJ12
Vishay
-
"-
Uвкл=12 В 1п=27,3 А
LDP
TPSMB18
GenSemi
-
"
-
Uвкл=14,5 В 1п=22,6 А
LE
SMBJ12A
Vishay
-
"
-
Uвкп=12 В 1п=30,3 А
LEP
TPSMB18A
GenSemi
-
"-
Uвкл=15,3 В 1п=23,8 А
LF
SMBJ13
Vishay
-
"-
Uвкл=13 В 1п=25,2 А
LFP
TPSMB20
GenSemi
-
"-
Uвкл=16,2 В 1п=20,6А
LG
SMBJ13A
Vishay
-
"
-
Uвкл=13 В 1п=21,9 А
LGP
TPSMB20A
GenSemi
,"
-
Uвкл=17, 1 В 1п=21,Т А
LH
SMBJ14
Vishay
-
"
-
Uвкл=14 В 1п=23,2 А
LHP
TPSMB22
GenSemi
-
"
-
Uвкл=17,8 В 1п=18,8А
LK
SMBJ14A
Vishay
-
"-
Uвкл=14 В 1п=25,8 А
LKP
TPSMB22A
GenSemi
-
"-
Uвкл=18,8 В 1п=19,6 А
LL
SMBJ15
Vishay
-
"-
Uвкл=15 В 1п=22,3 А
LLP
TPSMB24
GenSemi
-
"-
Uвкп=19,4 В 1п=17,3 А
LM
SMBJ15A
Vishay
-
"-
Uвкл=15 В lпо:24 А
LMP
TPSMB24A
GenSemi
-
"-
Uвкл=20,5 В 1п=18,1 А
LN
SMBJ16
Vishay
-
"
-
Uвкл=16 В 1п=20,8 А
LNP
TPSMB27
GenSemi
-
"
-
Uвкл=21,8 В 1п=15,3 А
LP
SMBJ16A
Vishay
-
"-
Uвкл=16 В 1п=23, 1 А
LPP
TPSMB27A
GenSemi
-
"-
Uвкл=23, 1 В 1п=16 А
LQ
SMBJ17
Vishay
-
"-
Uвкл=17 В 1п=19,7 А
LQP
TPSMB30
GenSemi
-
"
-
Uвкл=24,3 В 1п=13,8А
LR
SMBJ17A
Vishay
-
"
-
Uвкл=17В 1п=21,7А
LRP
TPSMB30A
GenSemi
-
"-
Uвкл=25,6 В 1п=14,5 А
LS
SMBJ18
Vishay
-
"
-
Uвкл=18 В 1п=18,6 А
LSP
TPSMB33
GenSemi
-
"-
Uвкп=26,8 В 1п=12,6 А
LT
SMBJ18A
Vishay
-
"-
Uвкл=18 В 1п=20,5 А


5. Маркировка полупроводниковых приборов
81
Код
Тиn диода
Производитель
Назначение
Основные nараметры
LTP
TPSMB33A
GenSemi
-
"
-
Uвкn=28,2 В 1п=13, 1 А
LU
SMBJ20
Vishay
-
"
-
Uвкn=20 В 1п=16,7 А
LUP
TPSMB36
GenSemi
-
"
-
Uвкn=29, 1 В 1п=11,5 А
LV
SMBJ20A
Vishay
-
"
-
Uвкn=20 В 1п=18,5 А
LVP
TPSMB36A
GenSemi
-
"
-
Uвкn=30,8 В 1п=12 А
LW
SMBJ22
Vishay
-
"
-
Uвкn=22 В 1п=15,2 А
LWP
TPSMB39
GenSemi
-
"-
u., .=31 ,6 в 1п=10,6 А
LX
SMBJ22A
Vishay
-"-
Uвкn=22 В 1п=16,9 А
LXP
TPSMB39A
GenSemi
-
"
-
u.,.=33,3 в 1п=11,1 А
LY
SMBJ24
Vishay
-
n
-
u.,.=24 в 1п=14 А
LYP
TPSMB43
GenSemi
-
n
-
Uвкп=34,8 В 1п=9,7 А
LZ
SMBJ24A
Vishay
-
"-
u••• =24 в 1п=15,4 А
LZP
TPSMB43A
GenSemi
-
"
-
Uвкn=36,8 В 1п=1О,1 А
MD
SMBJ26
Vishay
-
"-
u.,.=26 в 1п=12,4 А
МЕ
SMBJ26A
То же
-
"-
u.,.=26 в 1п=14,2 А
MF
SMBJ28
-
"
-
-
"-
u.,.=28 в 1п=12 А
MG
SMBJ28 А
-
"
-
-
"-
Uвкп=28 В 1п=13,2А
мн
SMBJ30
-
"
-
-
"-
u., .=30 в 1п=11,2А
мк
SMBJ30 А
-"-
-
"-
Uвкn=30 В 1п=12,4 А
ML
SMBJ33
-
"
-
-
"-
u.,.=33 в 1п=10,2 А
мм
SMBJ33 А
-
"-
-
"-
Uвкn=33 В 1п=11,3 А
MN
SMBJ36
-
"
-
-
"-
Uвкn=36 В 1п=9,3 А
МР
SMBJ36 А
-
"
-
-
"-
Uвкn=36 В 1п=10,3 А
MQ
SMBJ40
-
"
-
-
"-
Uвкn=40 В 1п=8,4А
MR
SMBJ40 А
-
"
-
-
"-
u.,.=40 в 1п=9,3 А
MS
SMBJ43
-
"-
-
"-
u.,.=43 в 1п=7,8 А
мт
SMBJ43 А
-"-
-
"-
u.,.=43 в 1п=8,6 А
MU
SMBJ45
-
"
-
-
"-
u.,.=45 в 1п=7,5 А
MV
SMBJ45 А
-
"
-
-
"-
~.,.=45 в 1п=8,3 А
MW
SMBJ48
-
"
-
-
"
-
Uвкn=48 В 1п=7,О А
мх
SMBJ48 А
-
"
-
-
n
-
u.,.=48 в 1п=7,7 А
МУ
SMBJ51
-
"
-
-
"-
Uвкn=51 В 1п=6,О А
MZ
SMBJ51 А
-
"
-
-
"-
Uвкn=51 В 1п=7,3 А
ND
SMBJ54
-
"
-
-
"
-
Uвкn=54 В 1п=6,2 А
NE
SMBJ54 А
-
"
-
-
"-
Uвкn=54 В .1п=6,9 А
NF
SMBJ58
-
"
-
-
..
-
u.,.=58 в 1п=5,8 А


82
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
NG
SMBJ58 А
-
"-
-
"
-
u.,.=58 в 1л=6,4 А
NH
SMBJ60
-
..
-
-
"
-
u.,.=60 в 1л=5,6 А
NK
SMBJ60 А
-
"
-
-
"
-
u.,.=60 в 1л=6,2 А
NL
SMBJ64
-
"
-
-
"
-
u.,.=64 в 1п=5,3 А
NM
SMBJ64 А
-
n
-
-
"-
u.,.=64 в 1п=5,8 А
NN
SMBJ70
-
"
-
-
"-
u.,.=70 в 1п=4,8 А
NP
SMBJ70 А
-"
-
-
"-
u••• =10 в 1п=5,3 А
NQ
SMBJ75
-
"-
-
"
-
u••• =75 в 1п=4,5 А
NR
SMBJ75 А
-
"
-
-
"-
u.,.=75 в 1п=4,9 А
NS
SMBJ78
-
"
-
-
"-
u.,.=78 в 1п=4,3 А
NT
SMBJ78 А
-
"
-
-
"
-
u.,.=78 в 1п=4,7 А
NU
SMBJ85
-
"
-
-
"-
Uвкп=85 В 1п=3,9 А
NV
SMBJ85 А
-
"
-
-
"
-
u••• =85 в 1n=4,4 А
NW
SMBJ90
-
"
-
-
"
-
Uвкп=90 В 1n=3,8 А
NX
SMBJ90A
-
"
-
-
"
-
u.,.=90 в 1n=4,1 А
NY
SMBJ100
-
"-
-
"
-
u., .=100 в 1n=3,4A
NZ
SMBJ100A
-
"
-
-
"
-
Uвкп=100 В 1n=3,7 А
PD
SMBJ110
-
"-
-
"
-
u., .=110 в 1n=3 А
РЕ
SMBJ110A
-
"
-
-
"
-
Uвкn=110 В 1n=3,4 А
PF
SMBJ120
-
"
-
-
"-
u.,.=120 в 1n=2,8 А
PG
SMBJ120A
-
"-
-
"-
u., .=120 в 1л=3,1 А
РН
SMBJ130
-
"
-
-
"
-
u.,.=130 в 1n=2,6 А
РК
SMBJ130A
-
"
-
-
"-
u., .=130 в 1n=2,9 А
PL
SMBJ150
-
"-
-
"
-
u., .=150 в 1n=2,2 А
РМ
SMBJ150A
-
"
-
-
"
-
u., .=150 в 1п=2,5 А
PN
SMBJ160
-
"
-
-
"-
u••• =160 в 1п=2,1 А
рр
SMBJ160A
-
"-
-
"
-
u., .=160 в 1п=2,3 А
PQ
SMBJ170
-
"-
-
"-
u••• =110 в 1л=2А
PR
SMBJ170A
-
"
-
-
"-
u••• =110 в 1n=2,2 А
WA
SMZJ3789A
GenSemi
Стабилитрон
Uст=10 В 1ст=37,5 мА
WB
SMZJ3789B
То же
То же
Uст=10 В
1ст=37,5 мА
wc
SMZJ3790A
-
"
-
-
"
-
Uст=11 В 1ст=34, 1 мА
WD
SMZJ3790B
-
"-
-
"
-
Uст=11 В 1ст=34"1 мА
WE
SMZJ3791A
-"
-
-
"-
Uст=12 В 1ст=31,2 мА
WF
SMZJ3791B
-
"
-
-
"
-
Uст=12 В 1ст=31,2 мА
WG
SMZJ3792A
-
"
-
-
"-
Uст=13 В 1ст=28,8 мА


5. Маркировка полупроводниковых приборов
83
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
WH
SMZJ3792B
-
"
-
-
п
-
Uст=13 В 1ст=28,8 мА
WI
SMZJ3793A
-
..
-
-
п
-
Uст=15 В
1ст=25 мА
WJ
SMZJ3793B
-
"
-
-
"
-
Uст=15 В
1ст=25 мА
WK
SMZJ3794A
-
..
-
-
"
-
Uст=16 В 1ст=23,4 мА
Wf...
SMZJ3794B
-"
-
.
п
.
Uст=16 В 1ст=23,4 мА
ХА
SMZJ3796~
-
..
-
-
"
-
Uст=20 В
1ст=18,7 мА
хв
SMZJ3795B
-
"-
-
"
-
Uст=1 В В 1ст=20,8 мА
хе
SMZJ3795A
-
"
-
-
..
-
Uст=1 В В 1ст=20,8 мА
XD
SMZJ3796B
-
"
-
-
"
-
Uст=20 В 1ст=18,7 мА
ХЕ
SMZJ3797A
-
..
-
-
..
-
Uст=22 В
1ст=17 мА
XF
SMZJ3797B
-"
-
-
".
Uст=22 В 1ст=17 мА
XG
SMZJ3798A
.".
.".
Uст=24 В 1ст=15,6 мА
хн
SMZJ3798B
-
"-
.".
Uст=24 В 1ст=15,6 мА
XI
SMZJ3799A
.".
."
-
Uст=27 В 1ст=13,9 мА
XJ
SMZJ3799B
-
"
-
.
".
Uст=27 В 1ст=13,9 мА
хк
SMZJ3800A
-
".
-
".
Uст=ЗО В 1ст=12,5 мА
XL
SMZJ3800B
-"-
."
-
Uст=ЗО В 1ст=12,5 мА
УА
SMZJ3801A
.
..
.
-
"
-
Uст=ЗЗ В
1ст=11,4 мА
УВ
SMZJ3801B
-
".
.".
Uст=ЗЗ В 1ст=11,4 мА
УС
SMZJ3802A
."
-
.".
Uст=Зб В 1ст=10,4 мА
YD
SMZJ3802B
.".
."
.
Uст=Зб В 1ст=10,4 мА
УЕ
SMZJ3803A
."
..
-"
.
Uст=З9 В 1ст=9,6 мА
YF
SMZJЗBOЗB
-
..
-
-
".
Uст=З9 В 1ст=9,6 мА
YG
SMZJ3804A
.".
."-
Uст=43 В
lст=В,7 мА
УН
SMZJ3804B
."
-
-
"-
Uст=43 В 1ст=8,7 мА
Yf
SMZJ3805A
-
".
.".
Uст=47 В lст=В мА
YJ
SMZJ3805B
.".
.".
Uст=47 В 1ст=8 мА
УК
SMZJ3806A
.".
.".
Uст=51 В 1ст=7,З мА
YL
SMZJ3806B
.
..
.
.
"-
Uст=51 В
1ст=7,З мА
ZA
SMZJ3807A
-"
.
.
..
.
Uст=56 В
lст=б,7 мА
ZB
SMZJ3807B
.".
."
-
Uст=62 В
lст=б мА
zc
SMZJ3808A
.".
.
..
.
Uст=56 В
lст=б,7 мА
ZD
SMZJ3808B
.".
.".
Uст=62 В lст=б мА
ZE
SMZJ3809A
.".
.
".
Uст=68 В 1ст=5,5 мА
ZF
SMZJ3809B
-
".
-
"-
Uст=68 В 1ст=5,5 мА


84
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Таблица 5.13 . Кодовая маркировка диодов в корпусах D0-214AB
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
BDD
SMCJ5.0C
Vishay
Подавитель выбросов Uвкл=5 В 1п=156,2 А
BDE
SMCJ5.0CA
То же
То же
Uвкл=5 В 1п=163 А
BDF
SMCJ6.0C
-
"
-
-
"
-
Uвкл=6 В 1n=131,6A
BDG
SMCJ6.0CA
-
"-
-
"-
Uвкл=6 В 1n=145,6 А
BDH
SMCJ6.5C
-
"-
-
"
-
Uвкл=6,5 В 1n=122 А
BDK
SMCJ6.5CA
-
"-
-
"
-
u••• =6,5 в 1n=133,9 А
BDL
SMCJ7.0C
-"-
-
"-
Uвкл=7 В 1n=112,8A
BDM
SMCJ7.0CA
-
"-
-
"-
Uвкл=7 В 1n=125 А
BDN
SMCJ7.5C
-
"-
-
"-
u••• =7,5 в 1n=104,9 А
BDP
SMCJ7.5CA
-
"
-
-
"-
Uвкл=7,5 В 1п=116,З А
BDQ
SMCJ8.0C
-
"-
-
"-
Uвкл=8 В 1п=100 А
BDR
SMCJ8.0CA
-
"-
-
"-
Uвкл=8 В 1п=110,З А
BDS
SMCJ8.5C
-
"-
-
"-
u••• =8,5 в 1п=94,З А
BDT
SMCJ8.5CA
-
"-
-
"
-
Uвкл=8,5 В 1n=104,2 А
BDU
SMCJ9.0C
-
"-
-
"-
Uвкл=9 В 1п=88,7 А
BDV
SMCJ9.0CA
-
"-
-
"-
u••• =9 в 1п=97,4 А
BDW
SMCJ10C
-
"-
-
"-
u."=1 о в 1п=79,8 А
BDX
SMCJ10CA
-
"-
-
"-
u••• =10 в 1п=88,2 А
BDY
SMCJ11C
-
"-
-
"-
u••• =11 в 1п=74,6 А
BDZ
SMCJ11CA
-
"-
-
"-
u.,.=11 в 1п=82,4 А
BED
SMCJ12C
-
"
-
-
"-
Uвкл=12 В 1п=68,2 А
ВЕЕ
SMCJ12CA
-
"-
-
"-
Uвкл=12 В 1п=75,З А
BEF
SMCJ13C
-
"-
-
"-
Uвкл=13 В 1п=63 А
BEG
SMCJ13CA
-
"-
-
"-
Uвкл=13 В 1п=69,7 А
ВЕН
SMCJ14C
-
"
-
-
"-
u••• =14 в 1л=58, 1 А
ВЕК
SMCJ14CA
-
"
-
-
"-
Uвкл=14 В 1л=64,7 А
BEL
SMCJ15C
-
.
-
-
"-
Uвкл=15 В 1п=55,8 А
ВЕМ
SMCJ15CA
-
"-
-"-
u••• =15 в 1п=61,5 А
BEN
SMCJ16C
-
"-
-
"-
u••• =16 в 1п=52, 1 А
ВЕР
SMCJ16CA
-"-
-"-
Uвкл=16 В 1п=57,7 А
BEQ
SMCJ17C
-
"-
-
"-
u••• =11 в 1п=49,2 А
BER
SMCJ17CA
-
"
-
-
"-
Uвкл=17 В 1п=53,З А
BES
SMCJ18C
-
"-
-
"-
Uвкл=18 В 1п=46,6 А
ВЕГ
SMCJ18CA
-
"-
-
"-
u••• =1 в в 1п=51,4 А
BEU
SMCJ20C
-
"
-
-
"-
Uвкл=20 В 1п=41,9 А
BEV
SMCJ20CA
-
"
-
-
"-
Uвкл=20 В 1n=46,3 А


5. Маркировка полупроводниковых приборов
85
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
BEW
SMCJ22C
-
"
-
-
"-
Uвкл=22 В 1n=38, 1 А
ВЕХ
SMCJ22CA
-
"
-
-
"-
Uвкл=22 В 1n=42,2 А
ВЕУ
SMCJ24C
-
"
-
-
"
-
Uвкл=24 В 1n=34,9 А
BEZ
SMCJ24CA
-
"
-
-
"-
Uвкл=24 В ln=ЗB,6 А
BFD
SMCJ26C
-
"
-
-
"-
Uвкл=26 В 1п=З2,2 А
BFE
SMCJ26CA
-
"
-
-
"-
Uвкл=26 В 1n=35,6 А
BFF
SMCJ28C
-
"
-
-
"-
Uвкл=28 В lп=ЗО А
BFG
SMCJ28CA
-
"
-
-
"-
Uвкл=28 В ln=ЗЗ А
BFH
SMCJЗOC
-
"
-
-
..
-
Uвкл=ЗО В 1п=28 А
BFK
SMCJ30CA
-
"-
-
"-
u.,.=30 в 1п=З1 А
BFL
SMCJ33C
-
"
-
-
"
-
Uвкл=33 В 1n=25,2 А
BFM
SMCJ33CA
-
"
-
-
''
-
Uвкл=ЗЗ В ln= 28, 1 А
BFN
SMCJ36C
-
"-
-
"
-
u.,.=36 в 1п=23,3 А
BFP
SMCJ36CA
-
"
-
-
"-
Uвкл=36 В 1n=25,8 А
BFQ
SMCJ40C
-
"
-
-
"
-
Uвкл=40 В 1n=21 А
BFR
SMCJ40CA
-
"
-
-
"
-
u•••=40 в 1n=23,2 А
BFS
SMCJ43C
-
"-
-
"-
u., .=43 в 1п=19,6 А
ВFТ
SMCJ43CA
-
"
-
-
"
-
Uвкл=43 В 1п=21,6 А
BFU
SMCJ45C
-
"
-
-
"
-
u••• =45 в 1п=18,7А
BFV
SMCJ45CA
-
"
-
-
"-
u.,.=45 в 1n=20,6 А
BFW
SMCJ48C
-
"
-
."
-
Uвкл=48 В 1п=17,5 А
BFX
SMCJ48CA
-
"
-
-
"
-
Uвкл=48 В 1п=19,4 А
BFY
SMCJ51C
-
"-
-
"-
Uвкл=51 В 1n=16,5 А
BFZ
SMCJ51CA
-
"
-
-
"
-
u••• =51 в 1п=18,2 А
BGD
SMCJ54C
-
"
-
-
"
-
u••• =54 в 1п=15,6А
BGE
SMCJ54CA
-
"-
-
"-
Uвкл=54 В 1n=17,2 А
BGF
SMCJ58C
-
"-
-
"
-
u••• =58 в 1п=14,6 А
BGG
SMCJ58CA
-
"
-
-
"
-
Uвкл=58 В 1п=16 А
BGH
SMCJБOC
-
"-
-
"-
Uвкл=БО В 1п=14А
BGK
SMCJ60CA
-
"-
-
".
u.,.=60 в 1n=15,5 А
BGL
SMCJ64C
-
"
-
-
"
-
u., .=64 в 1n=13,2A
BGM
SMCJ64CA
-
"-
-
"
-
u••• =64 в 1n=14,6 А
BGN
SMCJ70C
-
"
-
."
-
u.,.=10 в 1n=12 А
BGP
SMCJ70CA
-
"
-
-
"
-
u••• =10 в 1п=13,3 А
BGQ
SMCJ75C
-
"-
-
"
-
Uвкл=75 В 1n=11,2 А
BGR
SMCJ75CA
-
"-
-
"
-
Uвкл=75 В 1n=12,4 А
BGS
SMCJ78C
-
"-
-
"
-
u••• =78 в 1п=10,8 А


86
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Код
Тиn J.IИОда
Производитель
Назначение
Основные параметры
BGT
SMCJ78CA
-
"
-
-
"-
Uвкл=78 В 1п=11,4А
BGU
SMCJ85C
-
"
-
-
"-
Uвкл=85 В 1п=9,9 А
BGV
SMCJ85CA
-
"
-
-
"
-
Uвкл=85 В 1n=10,4A
BGW
SMCJ90C
-
"
-
-
"
-
Uвкл=90 В 1n=9,4A
BGX
SMCJ90CA
-
"
-
-
"
-
Uвкл=90 В 1п=10,З А
BGY
SMCJ100C
-
"
-
-
"
-
Uвкл=100 В lп=В,4 А
BGZ
SMCJ100CA
-
"
-
-
"
-
Uвкл=100 В 1п=9,3 А
BHD
SMCJ110C
-
..
-
-
"-
Uвкл=110 В 1п=7,7 А
ВНЕ
SMCJ110CA
-
"
-
-
"-
Uвкл=11 О В lп=В,4 А
BHF
SMCJ120C
-
"
-
-
"-
Uвкл=120 В 1п=7 А
BHG
SMCJ120CA
-
"
.-
-
"-
Uвкл,;120 В 1п=7,9 А
внн
SMCJ130C
-
"
-
-
"
-
Uвкл=130 В 1n=6,5 А
внк
SMCJ130CA
-
n
-
-
"-
Uвкл=130 В 1п=7,2 А
BHL
SMCJ150C
-
"
-
-
"
-
Uвкл=150 В 1п=5,6 А
внм
SMCJ150CA
-
"
-
-
"
-
Uвкл=150 В lп=б,2 А
BHN
SMCJ160C
-
"
-
-
"
-
Uвкл=160 В 1п=5,2 А
ВНР
SMCJ160CA
-
"
-
-
"
-
Uвкл=160 В 1п=5,8 А
BHQ
~МСJПОС
-
"
-
-
"-
Uвкл=ПО В 1n=4,9 А
BHR
SMCJПOCA
-
"
-
-
"-
Uвкл=ПО В 1п=5,5 А
DDP
TPMSC6.8
GenSemi
-
"-
Uвкл=5,5 В 1п=139 А
DEP
TPMSC6.8A
То же
-
"
-
Uвкл=5,8 В 1n=143 А
DFP
TPMSC7.5
-
"
-
-
"-
Uвкл=б,05 В 1п=128 А
DGP
TPMSC7.5A
-
"
-
-
"
-
Uвкл=б,4 В 1п=133 А
DHP
TPMSCB.2
-
"-
-
"-
Uвкл=б,63 В 1п=120 А
DKP
TPMSC8.2A
-
"
-
-
"
-
Uвкл=7,02 В 1п=124 А
DLP
TPMSC9.1
-
"
-
-
"
-
Uвкл=7,37 В 1п=109 А
DMP
TPMSC9.1A
-
"
-
-
"-
Uвкл=7,78 В 1п=112 А
DNP
TPMSC10
-
"
-
-
n
-
Uвкл=В, 1 В 1п=100А
DOP
TPMSC11
-
"-
-
"-
Uвкл=В,92 В 1п=92,6 А
DPP
TPMSC10A
-
"
-
-
"
-
Uвкл=В,55 В 1п=103 А
DRP
TPMSC11A
-
"
-
-
"-
Uвкл=9,4 В 1п=96,2 А
DSP
·T PMSC12
-
"-
-
"-
Uвкл=9,72 В 1п=86,7 А
DTP
TPMSC12A
-
"
-
-
"
-
Uвкл=10,2 В 1п=89,8 А
DUP
TPMSC13
-
"
-
-
"
-
Uвкл=10,5 В 1n=78,9 А
DVP
TPMSC13A
-
"
-
-
"
-
Uвкл=11,1 В 1п=В2,4А
DWP
TPMSC15
-
"
-
-
"
-
Uвкл=12, 1 В 1п=68,2 А
DXP
TPMSC15A
-
"
-
-
"
-
u.,.=12,в в 1п=70,8 А


5. Маркировка полупроводниковых приборов
87
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
DYP
TPMSC16
-
"-
-
"
-
Uвкл=12,9 В 1n=63,8 А
DZP
TPMSC16A
-
"-
-
"
-
Uвкл=13,6 В 1n=66,7 А
Ед
ЕSЗА
-
"
-
Выпрямительный Uобр=50 В lпр=З А
ЕВ
ЕSЗВ
-
"-
То же
Uобр=100 В lпр=З А
ЕС
ЕSЗС
-
"
-
-
"
-
Uобр=150 В lпр=З А
ED
ESЗD
-
"-
-
"
-
Uобр=200 lпр=З А
EDP
TPMSC18
-
"
-
Подавитель выбросов Uвкл=14,5 В 1п=56,6 А
ЕЕР
TPMSC18A
-
"-
То же
Uвкл=15,3 В 1n=59,5 А
EFP
TPMSC20
-
"
-
-
"
-
Uвкл=16,2 В 1п=51,5 А
EGP
TPMSC20A
-
"
-
-
"
-
Uвкл=17, 1 В 1n=54,2 А
ЕНР
TPMSC22
-
"
-
-
"
-
Uвкл=17,8 В 1п=47 А
ЕКР
TPMSC22A
-
"
-
-
"-
Uвкл=18;8 В 1n=49 А
ELP
TPMSC24
-
"
-
-
"
-
Uвкл=J9,4 В 1п=43,2 А
ЕМР
TPMSC24A
-
"-
-
"
-
Uш=20,5 В 1n=45,2 А
ENP
TPMSC27
-
"
-
-
"-
Uш=2(8 В 1п=38,4 А
ЕРР
TPMSC27A
-
"-
-
"
-
Uвкл=23, 1 В 1n=40 А
EQP
ТРМSСЗО
-
"-
-
"
-
u••• =24,З в 1п=35,4 А
ERP
ТРМSСЗОА
-
"
-
-
"
-
Uвкл=25,6 В 1п=З6,2 А
ESP
ТРМSСЗЗ
-
"-
-
"-
Uвкл=26,8 В 1п=31,4 А
ЕТР
ТРМSСЗЗА
-
"
-
-
",-
u••• =28,2 в 1п=32,8 А
EUP
TPMSC36
-
"
-
-
"-
u••• =29, 1 в 1п=28,8 А
EVP
TPMSC36A
-
"
-
-
"-
u••• =30,8 в 1п=30,.1 А
EWP
TPMSC39
-
"
-
-
"-
Uвкл=31,6 В 1п=26,6 А
ЕХР
TPMSC39A
-
"
-
-
"-
Uвкп=33,3 В 1n=27,8
ЕУР
TPMSC34
-
"-
-
"
-
Uвкл=34,8 В 1п=24,2 А
EZP
TPMSC43A
-
"-
-
"
-
Uвкп=36,8 В 1n=25,3 А
GDD
SMCJ5.0
Vishay
-
"
-
Uвкл=5 В 1n=156,2 А
GDE
SMCJ5.0A
То же
-
"
-
Uвкл=5 В 1п=163 А
GDF
SMCJ6.0
-
"-
-
"
-
Увкл=6 В 1n=131,6A
GDG
SMCJ6.0A
-
"-
-
"
-
u••• =в в 1п=145,6 А
GDH
SMCJ6.5
-
"
-
-
"
-
Uвкл=б,5 В 1n=122 А
GDK
SMCJ6.5A
-
"
-
-
"
-
Uвкл=б,5 В 1п=133,9 А
GDL
SMCJ7.0
-
"-
-
"
-
Uвкп=7 В 1п=112,8 А
GDM
SMCJ7.0A
-"
-
-
"-
Uвкл=7 В 1n=125 А
GDN
SMCJ7.5
-
"-
-
"
-
Uькл=7,5 В 1п=104,9 А
GDP
SMCJ7.5A
-
"
-
-
n
-
Uвкп=7,5 В 1n=116,3 А
GDQ
SMCJ8.0
-
"
-
-
"
-
Uвкп=8 В 1n=100 А


88
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
GDR
SMCJ8.0A
-
"
-
-
"
-
Uвкл=8 В 1л=110,3 А
GDS
SMCJB.5
-
"
-
-
"
-
Uвкл=В,5 В 1п=94,3 А
GDT
SMCJ8.5A
-
n
-
-
"-
Uвкл=8,5 В 1п=104,2 А
GDU
SMCJ9.0
-
"-
-
"
-
Uвкл=9 В 1п=88,7 А
GDV
SMCJ9.0A
-
n
-
-
"
-
Uвкл=9 В 1п=97,4 А
GDW
SMCJ10
-
"
-
-
"-
Uвкл=1 О В 1п=79,8 А
GDX
SMCJ10A
-
"
-
-
"
-
Uвкл=10 В 1л=88,2 А
GDY
SMCJ11
-
"
-
-
"
-
Uвкл=11 В 1п=74,6 А
GDZ
SMCJ11A
-
"-
-
"-
Uвкл=11 В 1п=82,4 А
GED
SMCJ12
-
"
-
-
n
-
Uвкл=12 В 1п=68,2 А
GEE
SMCJ12A
-
"
-
-
"
-
Uвкл=12 В 1п=75,3 А
GEF
SMCJ13
-
"
-
-
"
-
Uвкл=13 В 1п=63 А
GEG
SMCJ13A
-
"
-
-
"
-
Uвкл=13 В 1п=69,7 А
GEH
SMCJ14
-
"-
-
"
-
Uвкл=14 В 1п;=58, 1 А
GEK
SMCJ14A
-
"
-
-
"-
Uвкл=14 В 1п=64,7 А
GEL
SMCJ15
-
"
-
-
"
-
Uвкл=15 В 1п=55,8 А
GEM
SMCJ15A
-
"
-
-"
-
Uвкл=15 В 1п=61,5 А
GEN
SMCJ16
-
"
-
-
..
-
Uвкл=16 В 1п=52, 1 А
GEP
SMCJ16A
-
"
-
-
"
-
Uвкл=16 В 1п=57,7 А
GEQ
SMCJ17
-
"
-
-
"
-
Uвкл=17 В 1п=49,2 А
GER
SMCJ17A
-
n
-
-
n
-
Uвкл=17 В 1п=53,3 А
GES
SMCJ18
-
"-
-
"-
Uвкл=18 В 1п=46,6 А
GЕТ
SMCJ1BA
-
"-
-
"
-
Uвкл=18 В 1п=51,4 А
GEU
SMCJ20
-
"
-
-
"-
Uвкл=20 В 1п=41,9 А
GEV
SMCJ20A
-
"-
-"
-
Uвкл=20 В 1п=46,3 А
GEW
SMCJ22
-
"
-
-
"
-
Uвкл=22 В lп=ЗВ, 1 А
GEX
SMCJ22A
-
"
-
-
"
-
Uвкл=22 В 1п=42,2 А
GEY
SMCJ24
-
"
-
-
"
-
Uвкл=24 В 1п=34,9 А
GEZ
SMCJ24A
-
"
-
-
"
-
Uвкл=24 В 1п=38,6 А
GFD
SMCJ26
-
"
-
-
"-
Uвкл=26 В 1n=32,2 А
GFE
SMCJ26A
-
"
-
-
"
-
Uвкл=26 В 1n=35,6 А
GFF
SMCJ28
-
"
-
-
"
-
Uвкл=28 В lп=ЗО А
GFG
SMCJ28A
-
"
-
-
"
-
Uвкл=28 В lп=ЗЗ А
GFH
SMCJЗO
-
"
-
-
"
-
Uвкл=ЗО В 1n=2B А
GFK
SMCJЗOA
-
"-
-
"
-
Uвкл=ЗО В 1n=31 А
GFL
SМСJЗЗ
-
"
-
-
"
-
Uвкл=ЗЗ В 1п=25,2 А
GFM
SМСJЗЗА
-
"
-
-
"-
Uвкл=ЗЗ В 1п=28, 1 А


5. Маркировка полупроводниковых приборов
89
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
GFN
SMCJ36
-
"
-
-
"
-
u".=36 в 1п=23,3 А
GFP
SMCJ36A
-
"-
-
"
-
u., .=36 в ln=25,8 А
GFQ
SMCJ40
-
"-
-
"-
u••• =40 в 1n=21 А
GFR
SMCJ40A
-
"-
-
"-
u.,.=40 в 1п=23,2 А
GFS
SMCJ43
-
"
-
-
"
-
u••• =43 в 1п=19,6 А
GFТ
SMCJ43A
-
"-
-
"-
u.,.=43 в 1п=21,6 А
GFU
SMCJ45
-
"-
-
"
-
u.,.=45 в 1п=18,7 А
GFV
SMCJ45A
-
"-
-
"
-
u.,.=45 в 1п=20,6 А
GFW
SMCJ48
-
"-
-
"
-
u.,.=48 в lп=П,5 А
GFX
SMCJ48A
-
"
-
-
"
-
u.,.=48 в 1п=19,4А
GFY
SMCJ51
-
"
-
-
"
-
u.,.=51 в 1п=16,5 А
GFZ
SMCJ51A-
-
".
-
".
u."=51 в 1п=18,2 А
GGD
SMCJ54
.
..
.
-
".
u., .=54 в 1п=15,6 А
GGE
SMCJ54A
.".
.
".
u••• =54 в lп=П,2 А
GGF
SMCJ58
.
".
.
".
u.,.=58 в 1п=14,6 А
GGG
SMCJ58A
.".
.
".
u.,.=58 в 1п=16 А
GGH
SMCJ60
.".
.
".
u., .=60 в 1п=14А
GGK
SMCJ60A
.".
.".
u., .=60 в 1п=15,5 А
GGL
SMCJ64
-
"-
.".
u., .=64 в 1п=13,2 А
GGM
SMCJ64A
.
".
.
".
u., .=64 в 1п=14,6 А
GGN
SMCJ70
.
".
.".
u.,.=10 в 1п=12 А
GGP
SMCJ70A
-
".
.".
u., .=10 в 1п=13,3 А
GGQ
SMCJ75
-
".
.".
u.,.=75 в 1п=11,2А
GGR
SMCJ75A
.
".
.
"-
u••• =75 в 1п=12,4 А
GGS
SMCJ78
.".
."
-
u., .=78 в 1п=10,8 А
GGT
SMCJ78A
.
".
.".
u.,.=78 в 1п=11,4 А
GGU
SMCJ85
.".
.
".
u.,.=85 в 1п=9,9 А
GGV
SMCJ85A
.".
-
".
u.,.=в5 в 1п=10,4А
GGW
SMCJ90
.
".
-
".
u., .=90 в 1п=9,4А
GGX
SMCJ90A
-"
.
.".
u.,.=90 в 1п=10,3 А
GGY
SMCJ100
.
".
-
".
u••• =100 в 1п=8,4А
G(,]Z
SMCJ100A
.
"-
."
-
u.,.=100 в 1п=9,3 А
GHD
SMCJ110
.
".
-
".
u••• =110 в 1п=7,7 А
GHE
SMCJ110A
.
"-
.
".
u.,.=11 о в 1п=8,4 А
GHF
SMCJ120
."
-
-
".
u.,.=120 в 1п=7 А
GHG
SMCJ120A
."
-
-
".
u••• =120 в 1п=7,9 А
GHH
SMCJ130
.".
-
".
u••• = 130 в 1п=6,5 А


90
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
GHK
SMCJ130A
-
"
-
-
"-
u."=130 в 1п=7,2 А
GHL
SMCJ150
-
"-
-
"-
Uвкп=150 В 1п=5,6 А
GHM
SMCJ150A
-
"
-
-
"-
u."=150 в 1п=6,2 А
GHN
SMCJ160
-
..
-
-
"-
Uвкп=160 В 1п=5,2 А
GHP
SMCJ160A
-
"-
-
"-
Uвкп=160 В 1п=5,8 А
GHQ
SMCJ170
-
"
-
-
"
-
Uакп=170 В 1п=4,9 А
GHR
SMCJ170A
-
"
-
-
"-
Uвкп=170 В 1п=5,5 А
Таблица 5.14 . Кодовая маркировка диодов в корпусах D0-214AC
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
10
SML4740
GeпSemi
Стабилитрон
Uст=10 В
1ст=~5 мА
112
SML4741
То же
То же
Uст=11 В
1ст=23 мА
13
SML4742
-"
-
-
"-
Uст=12 В
1ст=21 мА
14
SML4743
-"
-
-
"
-
Uст=13 В
1ст=19 мА
15
SML4744
-
n
-
-
"
-
Uст=15 В
1ст=17 мА
16
SML4745
-
"
-
-
"
-
Uст=16 В
1ст=15,5 мА
18
SML4746
-
"
-
-
"-
Uст=18 В
1ст=14 мА
20
SML4747
-
"
-
-
"
-
Uст=20 В
1ст=12,5 мА
-
22
SML4748
-
"-
-
"
-
Uст=22 В
1ст=11,5 мА
24
SML4749
-
"-
-
"
-
Uст=24 В
1ст=10,5 мА
27
SML4750
-"-
-
"-
Uст=27 В
1ст=9,5 мА
30
SML4751
-
n
-
-
"-
Uст=30 В
1ст=8,5 мА
33
SML4752
-
"
-
-
"
-
Uст=33 В
1ст=7,5 мА
36
SML4753
-
"
-
-
"-
Uст=36 В
1ст=7 мА мА
39
SML4754
-"
-
-
"
-
Uст=39 В
1ст=6,5 мА
43
SML4755
-
"-
-
"-
Uст=43 В
lcr=6 мА
47
SML4756
-
"
-
-
"
-
Uст=47 В
1ст=5,5 мА
51
SML4757
-
"
-
-
"
-
Uст=51 В
1ст=5 мА
56
SML4758
-
"
-
-
"
-
Uст=56 В
lcr=4,5 мА
62
SML4759·
-"
-
-
"
-
Uст=62 В
1ст=4 мА
68
SML4760
-
"
-
-
"-
Uст=68 В
lcr=З,7 мА
6Р2
SML4735
-
"-
-
"
-
Uст=6,2 В 1ст=41 мА
6Р8
SML4736
-
n
-
-
n
-
Uст=6,8 В 1ст=З7 мА
75
SML4761
-"
-
-
"-
Uст=75 В
lcr=З,3 мА
7Р5
SML4737
-
"-
-"
-
Uст=7,5 В 1ст=34 мА
82
SML4762
-
"
-
-
"-
Ucr=82 В
lст=З мА


5. Маркировка полупроводниковых приборов
91
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
8Р2
SML4738
-
"-
-
"-
Uст=В,2 В 1ст=З1 мА
91
SML4763
-
"-
-
"-
Uст=91 В
1ст=2 мА
9Р1
SML4739
-
..
-
-
"
-
Uст=9, 1 В 1ст=28 мА
ADP
TPSMA
-
"-
Подавитель выбросов Uвкл=5,5 В 1n=З7 А
АЕР
TPSMA
-
"
-
То же.
Uвкл=5,8 В 1n=38, 1 А
AFP
TPSMA
-"-
-
"-
Uвкл=6,05 В 1n=34,2 А
AGP
TPSMA
-
"-
-
"
-
Uвкл=6,4 В 1n=35,4A
АНР
TPSMA
-
"-
-
",
Uвкл=6,63 В 1n=32A'
АКР
TPSMA
-
"
-
-
"
-
Uвкл=7,02 В ln=ЗЗ, 1 А
ALP
TPSMA
-
"
-
-"
-
Uвкл=7,37 В 1n=29 А
АМР
TPSMA
-
"-
-
"
-
Uвкл=7,78 В 1n=29,9 А
ANP
TPSMA
-"-
-
"-
Uвкл=В, 1 В 1n=26,7 А
АРР
TPSMA
-
"-
-
"-
Uвкл=В,65 В 1n=27,6 А
AQP
TPSMA
-
"-
-
"-
Uвкл=В,92 В 1n=24,7 А
ARP
TPSMA
-
"
-
-
"
-
Uвкл=9,4 В 1n=25,6 А
ASP
TPSMA
-
"-
-
"
-
Uвкл=9,72 В 1n=23.1 А
АТР
TPSMA
-
"
-
-
"
-
Uвкл=10,2 В 1n=24A
AUP
TPSMA
-
"
-
-
"
-
Uвкл=10,5 В 1n=21, 1 А
AVP
TPSMA
-"
-
-
"
-
Uвкл=11, 1 В 1n=22 А
AWP
TPSMA
-
"-
-
"
-
u•• ~=12, 1 в 1n=18,2 А
РХ.Р
TPSMA
-
..
-
-
"
-
Uвкл=12.8 В 1n=18,9 А
АУР
TPSMA
-
"-
-
"-
Uвкл=12,9 В 1п=17 А
f.J .P
TPSMA
-
"
-
-
"
-
Uвкл=13,6 В 1п=17,8 А
BDP
TPSMA
-
..
-
-
"-
Uвкл=14,5 В 1n=15, 1 А
ВЕР
TPSMA
-
"
-
-
"-
Uвкл=15,З В 1п=15,9 А
BFP
TPSMA
-
"-
-
''
-
Uвкл=16,2 В 1п=13,7 А
BGP
TPSMA
-
"
-
-
"
-
Uвкл=17, 1 В 1п=14,4 А
ВНР
TPSMA
-
"
-
-
"-
Uвкл=17.8 В 1п=12,5 А
ВКР
TPSMA
-
"
-
-
"
-
Uвкл=18,8 В 1п=13,1 А
BLP
TPSMA
-
"
--
-
"
-
Uвкл=19,4 В 1п=11,5 А
ВМР
TPSMA
-
"
-
-
"
-
Uвкл=20,5 В 1п=12 А
BNP
TPSMA
-
"-
-
"-
Uвкл=21,8 В 1п=10,2 А
ВРР
TPSMA
-
"
-
-
"
-
Uвкл=24,З В 1п=9,2 А
ВОР
TPSMA
-
"
-
-
"-
Uвкn=23, 1 В 1п=10,7 А
E!.RP
TPSMA
-
"
-
-
"
-
Uвкл=25,6 В 1п=9,7 А
BSP
TPSMA
-
"-
-
"
-
Uвкл=26,8 В ln=B,4 А


92
5. Маркировка полупровод1:1иковых приборов
Код
Тип диода
Производитель
ttазначение
Основные параметры
ВТР
TPSMA
-
"
-
-
"-
Uвкл=28,2 В 1п=8,8 А
BUP
TPSMA
-
"-
-
"-
Uвкл=29, 1 В 1п=7,7 А
BVP
TPSMA
-
"-
-"-
Uвкл=30,8 В 1п=8 А
BWP
TPSMA
-
"-
-
"-
Uв~<л=31,6 В 1п=7, 1 А
ВХР
TPSMA
-
"-
-
"-
Uвкл=33,3 В 1п=7,4А
ВУР
TPSMA
-
"
-
-
"-
Uвкл=34,8 В lп=б,5 А
BZP
TPSMA
-
"-
-
"-
Uвкл=36,8 В lп=б,7 А
Ед
ES1A
-
"-
Быстродействующий Uобр=50 В 1пр=1 А
ЕВ
ES1B
-
"
-
Тоже
Uобр=100 В lпр=1 А
'
"
ЕС
ES1C
-
"-
-
-
Uобр=150 В 1пр=1 А
ЕЬ
ES1D
·-
"-
-
"-
Uобр=200 В 1пр=1 А
HD
SMAJ5.0
Vishay
Подавитель выбросов Uвкл=9,6 В 1п=35, 1 А
НЕ
SMAJ5.0A
То же
То же
Uвкл=9,2 В 1п=38,8 А
HF
SMAJ6.0
-
"-
-
"-
Uвкл=11,4 В 1п=32,5 А
HG
SMAJ6.0A
-
"-
-
"-
Uвкл=10,3 В 1п=35,7 А
нн
SMAJ6.5
-
"
-
-
"-
Uвкл=12,3 В 1п=30, 1 А
нк
SMAJ6.5A
-
"-
-
"
-
Uвкл=11,2 В 1п=33,3 А
HL
SMAJ7.0
-
"
-
-
"-
Uвкл=13,3 В 1п=28 А
нм
SMAJ7.0A
-
"-
-
"-
Uвкл=12 В 1п=31 А
HN
SMAJ7.5
-
n
-
-
"
-
Uвкл=14,3 В 1п=26.5 А
НР
SMAJ7.5A
-
"-
-
"
-
Uвкл=12,9 В 1п=29,4 А
на
SMAJ8.0
-
"-
-
"-
Uвкл=15 В 1п=25, 1 А
HR
SMAJ8.0A
-
"-
-
"
-
Uвкл=13,6 В 1п=27,7 А
HS
SMAJ8.5
-
"
-
-
"-
Uвкл=15,9 В 1п=23,6 А
нт
SMAJ8.5A
-
"
-
-
"
-
Uвкл';"14,4 В 1п=26 А
HU
SMAJ9.0
-
"
-
-
"-
Uвкл=16,9 В 1п=21,2 А
HV
SMAJ9.0A
-
"
-
-
"-
Uвкл=15,4 В 1п=23,5 А
HW
SMAJ10
-
"-
-
"-
Uвкл=18,6 В 1п=20 А
нх
SMAJ10A
-
n
-
-
"
-
Uвкл=17,О В 1п=22 А
НУ
SMAJ11
-
"
-
-
"-
Uвкл=20, 1 В 1п=18,1 А
HZ
SMAJ11A
-
"-
-
"
-
Uвкл=18,2 В 1п=20, 1 А
ID
SMAJ12
-
"
-
-
"-
Uвкл=22 В 1п=16,8 А
IE
SMAJ12A
-
"-
-
"
-
Uвкл=19,9 В 1п=18,6 А
IF
SMAJ13
-
"-
-
"-
Uвкл=2~,11 В 1п=15,5А
IG
SMAJ13A
-
"-
-
"
-
Uвкл=21,5 В 1п=r17,2 А
IH
SMAJ14
-
n
-
-
"-
Uвкл=25,8 В 1п=14,8 А


5. Маркировка полупроводниковых приборов
93
-
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
IK
SMAJ14A
-
"-
-
"-
Uвкл=23,2 В 1п=16,4 А
IL
SMAJ15
-
"
-
-
"
-
Uвкл=26,9 В 1п=13,8 А
IM
SMAJ15A
-
"-
-
"-
Uвкл=24,4 В 1п=15,З А
IN
SMAJ16
-
"
-
-
"-
Uвкл=28,8 В 1п=13,1А
IP
SMAJ16A
-
"-
-
"-
Uвкл=26 В 1п=14,5 А
IQ
SMAJ17
-
n
-
-
"
-
Uвкл=30,5 В 1п=12,4 А
IR
SMAJ17A
-
u
-
-
"
-
Uвкл=27,6 В 1п=13,7 А
IS
SMAJ18
-
"-
-
"-
u••• =32,2 в 1п=11, 1 А
IT
SMAJ18A
-
"
-
-
"-
u••• =29,2 в 1п=12,3 А
IU
SMAJ20
-
"-
-
"-
u••• =35,8 в 1п=10,1А
IV
SMAJ20A
-
"-
-
"-
u••• =32,4 в 1п=11;2 А
IW
SMAJ22·
-
"-
-
"
-
u••• =39,4 в 1п=9,3 А
IX
SMAJ22A
-
"
-
-
"
-
u••• =35,5 в 1п=10,З А
IY
SMAJ24
-
"-
-
"
-
u••• =43 в 1п=8,6 А
IZ
SMAJ24A
-
"
-
-
"-
u••• =38,9 в 1п=9,5 А
JD
SMAJ26
-
"-
-
"
-
u••• =46,6 в lп=В,О А
JE
SMAJ26A
-
"-
-
"-
u••• =42, 1 в 1п=8,8 А
JF
SMAJ28
-
"-
-
"
-
Uвкл=50 В 1п=7,5 А
.JG
SMAJ28A
-
"-
-
"-
u••• =45,4 в 1п=8,3 А
JH
SMAJ30
-
"-
."
-
u••• =53,5 в 1п=6,8 А
JK
SMAJ30A
-
"
-
-
"-
u••• =48,4 в 1п=7,5 А
JL
SMAJ33
-
"
-
-
"-
u••• =59 в 1п=6,2 А
-
JM
SMAJ33A
-
"-
."
-
Uвкп=53,3 В 1п=6,9 А
.JN
SMAJ36
-
"
-
-
"
-
u. "=64,3 в 1п=5,6А
JP
SMAJ36A
-
"-
-
"-
Uвкn=58, 1 В 1п=6,2 А
-
JQ
SMAJ40
-
"
-
-
"-
u••• =71.4 в 1п=5,2 А
JR
SMAJ40A
-
"
-
-
"
-
u••• =64,5 в 1п=5,7 А
JS
SMAJ43
-
"
-
-
"
-
u••• =76,7 в 1п=5А
JT
SMAJ43A
-
"
-
-
"
-
Uвкл'=69,4 В 1п=5,5 А
JU
SMAJ45
-
"-
-"-
u••• =80,3 в 1п=4,7 А
JV
SMAJ45A
-
"-
-
"-
1Jвкn=72,7 В 1п=5,2 А
JW
SMAJ48
-
"
-
-
"-
u••• =85,5 в 1п=4,4А
-
n
JX
SMAJ48A
-
-
-
"-
u••• =77,4 в 1п=4,9 А
JY
SMAJ51
-
"
-
-
"-
Uвкn=91, 1 В 1п=4"2 А
JZ
SMAJ51A
-
"
-
-
"-
u••• ;;:s2,4 в 1п=4,6 А
-
RD
SMAJ54
-
"-
-
"-
u••• ~96,3 в 1n=3,9 А


94
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
RE
SMAJ54A
-
"-
-
"
-
u."=81, 1 в 1п=4,3 А
RF
SMAJ58
-
"-
-
"
-
Uвкп=103 В 1п=3,7 А
RG
SMAJ58A
-
"
-
-
"-
Uвкп=93,6 В 1п=4, 1 А
RH
SMAJ60
-
n
-
-
"-
Uвкп=107 В 1п=3,5 А
RK
SMAJ60A
-
"-
-
"-
u••• =96,8 в 1п=3,9 А
RL
SMAJ64
-
"
-
-
"
-
u••• =114 в 1п=3,2 А
RM
SMAJ64A
-
"
-
-
"
-
Uвкn=103 В 1п=3,5 А
RN
SMAJ70
-
"-
-
"-
Uвкn=125 В 1п=3А
RP
SMAJ70A
-
"-
-
"-
u••• =113 в 1п=3,3 А
RQ
SMAJ75
-
,;
-
-
"-
u."=134 в 1п=2,9 А
RR
SMAJ75A
-
"-
-
"
-
u." =121 в 1п=2,2 А
RS
SMAJ78
-
"
-
-
"
-
u."=139 в 1п=2,6 А
RT
SMAJ78A
-
n
-
-
"
-
Uвкп=126 В 1п=2,9 А
RU
SMAJ85
-
n
-
-
n
-
Uвкп=151 В 1п=2,5 ~
RV
SMAJ85A
-
"-
-
n
-
Uвкп=137 В 1п=2,7 А
RW
SMAJ90
-
"-
-
"
-
Uвкп=160 В 1п=2,2 А
RX
SMAJ90A
-
"
-
-
"-
Uвкп=146 В 1п=2,5 А
RY
SMAJ100
-
n
-
-
"
-
Uвкп=179 В 11п=2А
RZ
SMAJ100A
-
"-
-
"
-
Uвкп=162 В 1п=2,3 А
SD
SMAJ110
-
"
-
-
"
-
u."=196 в 1~=1,9А
SE
SMAJ110A
-
"
-
-
"
-
u."=111 в 1п=2А
SF
SMAJ120
-
"
-
-
"
-
Uвкп=214 В 1п=1,7 А
SG
SMAJ120A
-
"
-
-
"-
Uвкп=193 В 1п=1,9 А
SH
SMAJ130
-
"
-
-
"
-
u."=231 в 1п=1,5 А
SK
SMAJ130A
-
"
-
-
"-
Uвкп=209 В '1п=1,6 А
SL.
SMAJ150
-
"-
-
"-
u••• =268 в 1п=1,4 А
sм
SMAJ150A
-
"
-
-
"
-
Uвкп=243 В 1п=1,5А
SN
SMAJ160
-
n
-
-
"
-
Uвкп=287 В 1п=1,3 А
SP
- SMAJ160A
-
".
-
"-
Uвкп=259 В lп=f,4 А
SQ
SMAJ170
-
".
-
"-
Uвкп=304 В 1п=1,5 А
SR
SMAJ170A
-
"-
-
"
-
Uвкп=275 В 1п=1,3 А
TD
SMAJ5.0C
-
"-
"
-
Uвкп=9,6 В ~п=41,6 А
"
ТЕ
SMAJ5.0AC
-
"-
."
-
Uвкп=9,2 В 1п=43,5 А
'FF
SMAJ6.0C
-
"
-
-
"
-
u••• =11,4 в 1п=35, 1 А
TG
SMAJ6.0AC
-
"
-
-
"
-
u••• =10,3 в 1п=38,8 А
тн
SMAJ6.5C
-
".
-
"-
Uвкп=12,3 В 1п=32,qА


5. Маркировка полупроводниковых приборов
95
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
тк
SMAJ6.5AC
-
"-
-
"-
u••• =11,2 8 1л=35,7 А
TL
SMAJ7.0C
-
"-
-
"
-
u••• =13,3 8 1п=30, 1 А
тм
SMAJ7.0AC
-
"
-
-
"
-
u••• =12 8 1п=33,3 А
TN
SMAJ7.5C
-
"
-
-
"
-
u••• =14,3 8 1п=28 А
ТР
SMAJ7.5AC
-
"
-
-
"
-
Uщ=12,9 8 1п=31 А
та
SMAJ8.0C
-
"
-
-
"
-
u.<.=15 8 1п=26,5 А
ТА
SMAJ8.0AC
-
"
-
-
"
-
Uвкл=13,6 8 1п=29,4А
TS
SMAJ8.5C
-
"
-
-"-
u••• =15,9 8 1п=25, 1.д
тт
SMAJ8.5AC
-"-
-
"
-
u."=14,4 8 1п=27,7 А
TU
SMAJ9.0C
-
"
-
-
"-
Uвкп=16,9 В 1п=23,6 А
1V
SMAJ9.0AC
-
"-
-
"
-
,Uвкл-= 15,4 В 1п=26 А
1W·
SMAJ10C
-
"-
-"
-
u••• =18,8 в 1п=21,2 А
тх
SMAJ10AC
-
"
-
-
"-
u••• =11 в 1п=23,5 А
1У
SMAJ1IO
-
"-
-"
-
u••• =20, 1 8 1п=20 А
тz
SMAJ11AC
-
"-
-"
-
u••• =18,2 в 1п=22 А
UA
US1A
GenSemi
·Быстродействующий Uобр=50 8 1пр=1 А
UB
US18
Тож~
Тоже
Uобр=100 В lпр=1 А
UD
SMAJ12C
Vishay
Подавитель выбросов u••• =22 8 1п=18, 1 А
UD
US1D
GenSemi
Быстродействующий Uобр=200 8 1пр=1 А
UE
SMAJ12AC
Vishay
Подавитель выбросов u••• =19,9 8 1п=20,1 А
UF
SMAJ13C
То же
То же
u••• =23,8 8 1п=16,8 А
UG
SMAJ13AC
-
"
-
-
"-
u••• =21,5_8 1п=18,6 А
UG
US1G
GenSemi
Быстродействующ111й Uобр=400 8 1пр=1 А
UH
SMAJ14C
Vishay
Подавитель выбросов u. "=25,8 8 1п=15,5 А
,UJ
US1J
GenSemi
Быстродействующий Uобр=600 В 1пр=1 А
UK
SMAJ14AC
Vishay
Подавитель выбросов u. "=23,2 8 lп=П,2 А
UL
SMAJ15C
То же
То же
u••• =26,9 в 1п=14,8 А
UM
SMAJ15AC
-
"
-
-
"-
u••• =;24,4 8 1п=16,4 А
UN
SMAJ16C
-
"
-
-
"-
u••• =28,8 8 1п=13,8 А
UP
SMAJ16AC
-
"-
-
"-
Uвкп=26 8 1п=15,3 А
UQ
SMAJ17C
-
"
-
-
"-
U'вкл=30"5 8 1п=13,1 А
:
UR
SMAJ17AC
-
"
-
-
"
-
Uвкл=27,6 8 1п=14,5 А·
us
· SMAJ18C
-
"
-
-
n
-
u••• =32,2 8 1п=12,4 А
UT
SMAJ18AC
-
"
-
-"-
u••• =29;2·8 1п=13,7 А
uu
SMAJ20C
-
"
-
-
"
-
u.~.=35,8 в 1п=11, 1 А
uv
SMAJ20AC
-
"
-
-
"-
u."=32.4 в 1п=12,3 А


96
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
uw
SMAJ22C
-
"-
-
"-
Uвкл=З9,4 В 1п=10, 1 А
ux
SMAJ22AC
-
"
-
-
"
-
Uвкл=З5,5 В 1п=11,2А
UY
SMAJ24C
-
"
-
-
"
-
Uвкл=43 В 1п=9,ЗА
uz
SMAJ24AC
-
n
-
-
"-
Uвкл=З8,9 В 1п=10,З А
VD
SMAJ26C
-
"-
-
"-
Uвкп=46,6 В 1п=8,6 А
VE
SMAJ26AC
-
"-
-
"
-
Uвкп=42, 1 В 1п=9,5.А
VF
SMAJ28C
"
-
-
"-
Uвкп=50 В lп=ВА
:
VG
SMAJ28AC
-
"
-
-
"-
Uвкп=45,4 В 1п=8,8 А
VH
SMAJЗOC
-
"
-
-
"-
Uвкп=53,5 В 1п=7,5 А
VK
SMAJЗOAC
."
-
-
"
-
Uвкл=48,4 В 1п=8,З А
VL
SМАJЗЗС
-
"
-
-
"-
Uвкп=59 В 1п=6,8 А
VM
·sмАJЗЗАС
-
·"
-
-
"-
Uвкп=53,З В 1п=7,5 А
VN
SMAJ36C
-
"
-
-
"-
Uвкп=64,З В 1п=6,2 А
-
n
"
1п=6,9 А
VP
SMAJ36AC
-
-
-
-
Uвкп=58, 1 В
VQ
SMAJ40C
-
"-
-.
"
-
Uвкп=71,4 В 1п=5,6 А
VR
SMAJ40AC
-
"
-
-
"-
Uвкп=64,5 В 1п=6,2 А
vs
SMAJ43C
-
"
-
-
"
-
Uвкп=76,7 В 1п=5,2 А
vт
SMAJ43AC
-
"
-
-
"-
Uвкп=69,4 В 1п=5,7 А
vu
SMAJ45C
-
"
-
-
"
-
Uвкп=ВО,З В 1п=5 А
w
SMAJ45AC
-
"
-
-
"
-
U""п=72,7 В 1п=5,5 А
vw
SMAJ48C
-
"
-
-"-
Uвкп=85,5 В 1п=4,7 А
vx
SMAJ48AC
-
n
-
-
"-
Uвкп=77,4 В 1п=5,2 А
--
VY
SMAJ51C
-
"
-
-
"-
Uвкп=91, 1 В 1п=4,4А
vz
SMAJ51AC
-
"
-
-
"-
Uвкп=82,4 В 1п=4,9 А
WD
SMAJ54C
-
"-
-
"
-
Uвкл=96,3 В 1п=4,2 А
WE
SMAJ54AC
-
"
-
-
"
-
Uвкп=87, 1 В 1п=4,6 А
WF
SMAJ58C
-
"-
-
"
-
Uвкп=103 В lп=З,9 А
WG
SMAJ58AC
-
"
-
-
"
-
Uвкп=93,6 В 1п=4,З А
WH
SMAJ60C
-
"-
-
"
-
Uвкп=107 В lп=З,7 А
WK
SMAJ60AC
-
"
-
·-
"
-
Uвкп=96,8 В 1п=4, 1 А
WL
SMAJ64C
-
"
-
-
"-
Uвкп=114В lп=З,5 А
WM
SMAJ64AC
-
n
-
-
"-
Uвкп=103 В lп=З,9 А
WN
SMAJ70C
-
"
-
-
"-
Uвкп=125 В lп=З,2 А
WP
SMAJ70AC
-
"
-
-
"
-
Uвкп=113 В lп=З,5 А
WQ
SMAJ75C
-"
-
-
"-
Uвкп=134 В lп=З А
WR
SMAJ75AC
-
"
-
-
"
-
Uвкп=121 В lп=З,З А


5. Маркировка полупроводниковых приборов
97
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
ws
SMAJ78C
-
"
-
-
"-
u••• =139 в 1п=2,9 А
wr
SMAJ78AC
-
n
-
-
"
-
u••• =126 в 1п=2,2 А
wu
SMAJ85C
-
"-
-
"-
u••• =151 в 1п=2,6 А
VN
SMAJ85AC
-
"
-
-
"-
u••• =137 в 1п=2,9 А
ww
SMAJ90C
-
"-
-
"-
u••• =160 в 1п=2,5 А
wx
SMAJ90AC
-
n
-
-
"
-
u••• =146 в 1п=2,7 А
WY
SMAJ100C
-
"-
-
"
-
u••• =179 в 1п=2,2 А
wz
SMAJ100AC
-
"-
-
"
-
u••• =162 в 1п=2,5 А
XD
SMAJ110
-
"-
-
"
-
Чвкл=196 В 1п=2А
ХЕ
SMAJ110A
-
"-
-
"-
u••• =111 в 1п=2,3 А
XF
SMAJ120
-
"
-
-
"
-
u."=214 в 1п=1,9 А
-
XG
SMAJ120A
-
..
-
-
"
-
Uвкл =193 В 1п=2А
хн
SMAJ130
-
"-
-
"-
Uвкл=231 В 1п=1,7 А
хк
SMAJ130A
-
"
-
-
"-
Uвкл=209 В 1п=1,9А
XL
SMAJ150
-
"
-
-
"
-
u••• =268 в 1п=1,5 А
хм
SMAJ150A
-
"-
-
"-
Uвкл=243 В 1п=1,6 Д
XN
SMAJ160
-
"-
-
"
-
Uвкл=287 В 1п=1,4 А
ХР
SMAJ160A
-
"
-
-
"
-
Uвкл=259 В 1п=1,5 А
ха
SMAJHO
-
"-
-
"
-
Uвкл=304 В lп =1,З А
XR
' SMAJ170A
-
"-
-
"-
Uвкл=275 В 1п=1,4А
ZHK
SMAZ5V1
-
"-
Стабилитрон
Uст=5, 1 В 1ст=100 мА
ZHL
~MAZ5V6
-
"-
То же
Uст=5,6 В 1ст=100 мА
ZHN
SMAZ6V2
-
"
-
-
"
-
Uст=6,2 В 1ст=100 мА
ZHO
SMAZ6V8
-
"
-
-
"-
Uст=6,8 В 1ст=100 мА
zна
SMAZ7V5
-
"
-
-
"-
Uст=7,5 В 1ст=100 мА
ZHR
SMAZ8V2
-
"-
-
"
-
Uст=8,2 В 1ст=100 мА
ZHT
SMAZ9V1
-
"-
-
"
-
Uст=9, 1 В 1ст=50 мА
ZHU
SMAZ10
-
"
-
-
"
-
Uст=10 В
1ст=50 мА
ZHW
SMAZ12
-
"-
-
"-
Uст=12 В
1ст=50 мА
ZHZ
SMAZ15
-
"
-
-
"
-
Uст=15 В
1ст=50 мА
ZJA
SMAZ16
-
"-
-
"
-
Uст=16 В
1ст=25 мА
ZJF
SMAZ18
-
"-
-
"
-
Uст=18 В
1ст=25 мА
ZJG
SMAZ20
-
"
-
-
"
-
Uст=20 В
1ст=25 мА
ZJK
SMAZ22
-
"-
-
"
-
Uст=22 В
1ст=25 мА
ZJL
SMAZ24
-
"-
-"
-
Uст=24 В
1ст=25 мА
ZJN
SMAZ27
-
"-
-
"-
Uст=27 В Jст=25 мА
4Зак.4


98
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
ZJQ
SMAZЗO
-
"
-
.
..
.
Uст=ЗО В
1ст=25 мА
ZJR
SМАZЗЗ
.
".
.
".
Uст=ЗЗ В
1ст=25 мА
ZJS
SMAZ36
.".
.
".
Uст=36 В
1ст=10 мА
ZJT·
SMAZ39
.
".
'
."
.
Uст=39 В
1ст=10 мА
ZJV
SMAZ47
.
".
.".
Uст=47 В
1ст=10 мА
ZKM
SMAZ68
.".
.
".
Uст=68 В
1ст=10 мА
ZKQ
SMAZ100
."
-
.".
Uст=100 В 1ст=5 мА
ZKR
SMAZ150
.".
.".
Uст=150 В 1ст=5 мА
z~
SMAZ200
.".
.".
Uст=200 В 1ст=5 мА
Фирма GENERAL SEMICONDUCTORS выпускает в корпусах D0-215AA
(рис. 5.6) серию стабилитронов. Расшифровка кодовой маркировки этой серии
приведена в табл. 5.15.
Рис. 5.6 . Внешний вид и размеры корпуса D0-215AA
Таблица 5.15 . Кодовая маркировка qтабипитронов GenSemi в корпусах D0-215AA
Код
Тип стабилитрона
Основные параметры
WA
SMZG3789A
Uст=10 В
1ст=37,5 мА
WB
SMZG3789B
Uст=10 В
1ст=37,5 мА
wc
SMZG3790A
Uст=11 В
1ст=34, 1 мА
WD
,SMZG3790B
Uст=11 В
1ст=34, 1 мА
WE
SMZG3791A
Uст=12 В
1ст=31,2 мА
WF
SMZG3791B
Uст=12 В
1ст=31,2 мА
WG
SMZG3792A
Uст=13 В
1ст=28,8 мА
WH
SMZG3792B
Uст=13 В
1ст=28,8 мА
WI
SMZG3793A
Uст=15 В
1ст=25 мА
WJ
SMZG3793B
Uст=15 В
1ст=25 мА
WK
SMZG3794A
Uст=16 В
1ст=23,4 мА
WL
SMZG3794B
Uст=16 В
1ст=23,4 мА
ХА
SMZG3795A
Uст=18 В
1ст=20,8 мА
хв
SMZG3795B
Uст=1 В В
1ст=20,8 мА
хе
SMZG3796A
Uст=20 В
1ст=18,7 мА
XD
SMZG3796B
Uст=20 В
1ст=1В,7·мА


ХЕ
XF
XG
хн
XI
XJ
хк
XL
УА
УВ
УС
YD
УЕ
YF
YG
УН
YI
YJ
УК
YL
ZA
ZB
zc
ZD
ZE
ZF
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Код
Тип стабилитрона
Основные параметры
SMZG3797A
Uст=22 В
1ст=17 мА
SMZG3797B
Uст=22 В
1ст=17 мА
SMZG3798A
Uст=24 В
1ст=15,6 мА
SMZG3798B
Uст=24 В
1ст=15,6 мА
SMZG3899A
Uст=27 В
1ст=13,9 мА
---
SMZG3899B
Uст=27 В
1ст=13,9 мА
SMZG3800A
Uст=ЗО В
1ст=12,5 мА
SMZGЗBOOB
Uст=ЗО В
1ст=12,5 мА
SMZG3801A
Uст=ЗЗ В
1ст=11,4 мА
SMZG3801B
Ост=ЗЗ В
1ст=11,4 мА
SMZGЗ802A
Uст=ЗБ В
1ст=10,4 мА
-
SMZG3802B
Uст=З6 В
1ст=10,4 мА
SMZG3803A
Uст=39 В
1ст=9,6 мА
SMZG3803B
Uст=З9 В
1ст=9,6 мА
SMZG3804A
Uст=43 В
1ст=8,7 мА
SMZG3804B
Uст=43 В
1ст=8,7 мА
SMZG3805A
Uст=47 В
1ст=8 мА
SMZG3805B
Uст=47 В
1ст=8 мА
SMZG3806A
Uc~=51 В
1ст=7,З мА
SMZG3806B
Uст=51 В
1ст=7,З мА
SMZG3807A
Uст=56 В
1ст=6,7 мА
SMZGЗB07B
Uст=56 В
1ст=6,7 мА
SMZGЗB08A
Uст=62 В
1ст=6 мА
SMZG380BB
Uст=62 В
lст=Б мА
SMZG3809A
Uст=БВ В
1ст=5,5 мА
SMZG3809B
Uст=68 В
1ст=5,5 мА
Цветовая маркировка SMD диодов в корпусах
SOD-80, DО-21ЗАА, DО-21ЗАВ
99
Диоды в корпусах SOD-80, D0-213AA, D0-213AB маркируются цветными
кольцами, причем ближнее к краю кольцо указывает на вывод катода диода
(табл. 5.16).
Таблица 5.16 . Цветовая маркирqвка SMD диодов в корпусах SOD-80 , D0-213AA, D0-213AB
Тип диода
1·е кольцо
2-е кольцо
Замена
ВА682
Красное
Нет
ВА482
ВА683
Красное
Оранжевое
ВА483
4*


100
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Тип диода
1-е кольцо
2-е кольцо
Замена
BAS32
Черное
Нет
1N4148
BAV100
Зеленое
Черное
BAV18
BAV10'1
Зеленое
Коричневое
BAV19
BAV102
Зеленое
Красное
BAV20
ВАV103
Зеленое
Оранжевое
BAV21
ВВ215
Белое
Зеленое
ВВ405В
ВВ219
Белое
Нет
ВВ909
Фотодиоды
Фотодиоды служат для преобразования световой энергии в электрический
ток и применяются в системах автоматики, дистанционного управления бытовой
радиоаппаратурой.
Светодиоды выпускаются в различном исполнении: металлических или пла­
стмассовых корпусах, для навесного и поверхностного монтажа, со встроенным
усилителем, гибридные и другие.
Светодиоды в металлических корпусах имеют выступ у вывода
анода.
На рис. 5. 7 изображены некоторые типы фотодиодов с указанием назначения
и;х: выводов.
На рис. 5.8 изображен гибридный фотодиод, включающий как приемный фо­
тодиод, так и излучающий светодиод.
11
11
D к~~
Рис. 5.7. Фотодиоды
10530GAL
к~~-Uпит.
о
корпус
о
вых~
+U пит.
10530HAL
ОВ, корпус у-о{ -U пит.
м
+U пит.
вых~
Рис. 5.8. Гибридный фотодиод
-·ц~
+U
.
105ЗОКАL
ан~~-Uпит.
корпус
вых~
+U пит.
вых~


5. Маркировка полупроводниковых приборов
101
Транзисторы
Транзисторы для навесного монтажа выпускаются в корпусах различного .
типа. На рис. 5.9 показана наиболее распространенная их часть.
E-Llne
в
123
ТО-3
1Д2
Vз
ТО218/ТО220
SОТОЗ/ТАВ
ISO ТОР/ SОТ227В
43
~12
ТО1
1$0221
w123
ТО262/
Т03Р/
ТО247
~·123
SOT186
~123
ТО72
2
1[Э34
ТО126/
SОТЗ2
rr--1
:о:' '
·----·
12з
ТО247/5
---
З*
Q (ТАВ)
12345
4*
(ТАВ)
1$0218/
220
ы12 з
ТО92/
ТО237
Q12 з
1$0126
~123SOT82
~~~
123
SOT199
~123
·Рис. 5.9. Корпуса транзисторов для навесного монтажа


102
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Среди новых типов транзисторов следует отметить появление так называе­
мых «цифровых» транзисторов. Они отличаются от обычных транзисторов нали­
чием встроенных резистора или резисторов смещения, которые вклкiчаются или в
цепь базы, или в цепь базы и цепь база-эмиттер (рис. 5.10).
С(З)
С(З)
8(1)~ 8(1)-8
С(З)
8(1)~
~
Е(2)
тип 22
Е(2)
тип 23
Рис. 5.10. Виды цифровых транзисторов
Е(2)
тип 24
Особенности кодовой и цветовой маркировки
отечественных транзисторов
Кодовая или цветовая маркировка наносится, как правило, на транзисторы в
корпус~ КТ-26 (ТО-92) или КТ-27 (ТО-126). В свою очередь кодовая и цветовая
маркировки подразделяются на стандартные и нестандартные.
Стандартная кодовая маркировка транзисторов
в корпусе КТ-26 (ТО-92)
Первый вариант маркировки
При стандартной кодовой м,аркирqвке на корпус транзистора наносится ин­
формация о его типе, группе, дате выпуска. Тип транзист6ра обозначается осо­
бым символом, группа - соответствующей буквой русского алфавита, год выпус­
ка - буквой латинского алфавита, месяц выпуска
-
цифрой от 1 до 9 или буквой
латинского алфавита (рис. 5.11).
Год выпуска
Месяц выпуска
АБВГ
"'
КТ20З
•
КТ20В
• или <> КТ209
""
КТЗ13
•
КТЗ26
"'
КТ339
•
КТ342
•
КТ502
•
КТ503
"
КТЗ102
....
КТЗ107
"
КТ3157
т КТ3166
u КТ6127
r_ КТ6ВО
1
КТ6В1
n КТ619
...
КП103
1986-U
Янц_арь-1
1987-М
Фе0раль-2
1988-W
Март-3
1989-Х
Апрель-4
1990-А
Май-5
Меся вып ска
1991 -D
Июнь-6
Год вып ска
1992-С
Июль-7
1993-D
А0густ-8
1994-Е
·Сентябрь - 9
1995-F
Октябрь--0
1996-Н
Ноябрь-N
1997-1
Де_кабрь _- D
1998-К
1999-L
2000-М
Рис. 5.tl. Кодовая маркировка отечественных транзисторов
в корпусе КТ-26 ( 1-й вариант)


5. Маркировка полупроводниковых приборов
103
Второй вариант маркировки
При втором варианте маркировки; надписи на ко,рпусе обозначают: верх­
няя - тип транзистора, нижняя
-
его группу.
КТ208А1
КТЗ06АМ
КТЗ25БМ
КТЗЗ7д
КТЗ42Б
КТЗ50А
КТЗ7ЗБ
КТЗ75д
КТ645д
КТЗ75В
КТ399ГМ
КТЗ102Г
КТЗ102Е
КТЗ107Б
Рис. 5.12 . Кодовая маркировка отечественных транзисторов
в корпусе КТ-26 (2-й вариант)
Стандартная цветовая маркировка транзисторов
в корпусе КТ-26 (ТО-92)
Первый вариант маркировки
При стандартной цветовой маркировке на корпус транзистора наносится ин­
формация о его типе, группе, дате выпуска (цветная вкладка 14).
Второй вариант маркировки
~торой вариант цветовой маркировки можно назвать упрощенным: маркиров­
ка состоит из двух точек, нанесенных ,на корпус транзистора. Одна из точек обо­
значает тип транзистора, вторая - его, группу (цветная вкладка 15).


104
6. Маркировка полупроводниковых sмЬ радиокомпонентов
6. Маркировка полупроводниковых SMD
радиокомпонентов
Маркировка некоторых типов SMD диодов, имеющих два вывода, была при­
ведена выше (см. стр. 76). В данной главе описана маркировка SMD радиокомпо­
нентов в корпусах с числом выводов более двух.
6. 1 . Идентификация SMD компоненто~ по
маркировке
SMD компоненты слишком малы, чтобы на них можно было нанести полную
информацию о типе прибора ..Вместо этого производители компонентов использу­
ют произвольную систему кодирования с простыми двух- или трехсимвольными
идентификационными кодами.
Идентификация типа SMD приборов различных производителей по их коду
достаточно трудоемкая задача, связанная с необходимостью просмотра большого
объема технической документации. Приведенная ниже информация позволяет
значительно облегчить эту работу.
6.2 . Типы корпусов SMD транзисторов
SMD транзисторы выпускаются в корпусах, показанных на рис. 6.1.
SOT223
SOT143
SOT23
~·~,~'
1
1
1
ТО-263
ТО-262
ТО-252
~d'а
SC.63
&
SOT323
~
~'1
Рис. 6.1 . Типы корпусов SMD транзисторов


6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
105
6.3. Как пользоваться системой
Первое, что необходимо помнить при определении типа SMD полупроводни­
кового прибора по его кодировке - это то, что часто различн~1е по типам и пара­
метрам полупроводниковые приборы имеют на корпусе одинаковую маркировку.
Поэтому при определении типа прибора следует учитывать следующее:
• к какой группе может принадлежать. прибор (диод, транзистор, ИМС);
• всегда обращать внимание на то, с какИми фирмами-производителями ра­
диоэлектронных компонентов работает фирма-производитель ремонтируе­
мой вами аппаратуры. Их может быть несколько и косвенно информацию
можно получить, проанализировав несколько образцов техники. Например,
могут быть использованы цифровые ИМС от фирмы TOSHIВA, транзисто­
ры от фирмы MOTOROLA, аналоговые микросхемы от фирмы ANALOG
DEVICES. Соответственно, при определении- маркировки для этой аппара­
туры следует выбирать полупроводниковые приборы именно этих фирм;
• обращать внимание на то, что некоторые фирмы-производители радиоэлек­
тронной аппаратуры имеют свои производства по всему миру. Поэтому круг
поставщиков радиокомпонентов для этих фирм может незначительно отли­
чаться.
Чтобы идентифицировать тип SMD компонента, сначала определяют код,-на­
несенный на прибор. Затем находят первый символ кода в алфавитно-цифровом
списке в левой части таблицы.
Цоколевку прибора можно опреде.лить по рисунку с соответствующим кодом
цоколевки, указанным в таблице. К сожалению, код каждого прибора не обяза­
тельно уникален. Например, код lA имеют транзисторы ВС846А и FMMT3904.
Даже один производитель может использовать один и тот же код для маркировки
различных приборов. В этом случае следует использовать дополнительную ин­
формацию для его правильной идентификации. Так, некоторые производители ис­
пользуют дополнительные бу!}вы, указывающие на собственный код идентифика­
ции. Так, фирма PHILIPS обычно добавляет к коду строчную букву р, а фирма
SIEMENS - строчную букву s.
Например, если код прибора в корпусе SOT23 - lAp, то необходимо искать
код lA. Согласно табл. 6.1 имеется шесть вариантов с таким кодом.
Таблица б.1. Варианты маркировки одинаковым кодом
Код Наименование
Фирма
Kopnyc
Цоколевка
Эквивалент/
краткое оnисание
1А
ВС846А
Philips,_IТТ, Motorola SOT23
Т1а
Sl-N ВС546А
1А
BC846AW
Motorola
SOT323
Т1а
Sl-N ВС546А
1А
FMMT3904
Zetex
SOT23
Т1а
Sl-N 2NЗ904
1А
SXT3904
lnfineon
SOT89
тза
Sl-N 2N3904 408 200 mA
1А
ММВТЗ904
Motorola
SOT23
Т1а
Sl-N 2NЗ904
1А
IRLML2402
IR
SOT23
Т1с
N-кан. nолевой 20 В; 0,9 А
-


106
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Однако наличие суффикса «р» говорит о производителе - фирме PHILIPS, и
прибор в данном корпусе однозначно определяется как транзистор ВС846А.
Многие приборы фирмы ROHM, код которых начинаются с буквы R или G,
имеют прЯмым эквивалентом код, найденный в оставшейся части. Например, код
RAl, так же как и Al, обозначает диод ВАW56, а код G6B, так же как и 6В, обо­
значает транзистор ВС817-25. Код некоторых транзисторов этой фирмы имеет в
конце дополнительную букву, указывающую на коэффициет усиления h21Э.
Некоторые из нЬвых устройств фирмы MOTOROLA имеют маленькую над­
пись после кода устройства типа SAC, которая обозначает просто месяц изготов­
ления.
Дальнейшее уточнение может быть .получено по типу корпуса прибора. На­
пример, код 1К на корпусе SOT23 относится к транзистору ВС848В
(Р = 250 мВт), а код lK на корпусе SОТЗ23 идентифицирует прибор как
BC848BW (аналогичный, но с Р= 200 мВт).
Суффикс L обычно указывает на корпус с низким профилем, типа SOT323
.или SC70. Устройства с обратным расположением выводов часто имеют суффикс
R (reverse) в обозначении типа. Например: 67 - код для BFP67 в корпусе
SOТl 43, а 67R - код для варианта с обратным расположением выводов BFP67R
в корпусе SOТl 43R.
Эквиваленты и дополнительная информация
В таблице, где это возможно, дается соответству,ющий данному SMD ко)'vшо­
ненту тип обычнь!Х приборов с эквивалентными характеристиками. Если такое
устройство достаточно известно, то подробная информация не дается, в против­
ном случае иногда приводится некоторая дополнительная информация. Для при­
боров, не имеющих обычного эквивалента, часто дается краткое описание, кото~
рое может быть полезно для их поиска и замены .
.
При описании характеристик устройства некоторые приводимые данные обо­
значают, исходя из основных параметров прибо·ра. Например, напряжение, ука­
занное для диода, обычно обозначает максимальное обратное напряжение, а для
стабилитрона - напряжение стабилизации. Обычно в описании, где определены
напряжение, ток или мощность, задаются максимальные их значения.
Например, устройство, указанное как N-P -N 20В O,lA !Вт - это NPN тран­
зистор с максимальным Uкэ=20 В, максимальным током коллектора 100 мА и мак­
симальной мощностью 1 Вт.
Некоторые из транзисторов (цифровые транзисторы) имеют встроенные в их
корпус резисторы. В таблице резистор базы означает резистор, соединенный по­
следовательно с базой. Когда даны два зщ1чения р'езисторов, то первый соединен
последовательно с базой, а второй включен в цепь между базой и эмиттером.
Цоколевку SMD полупроводниковы'JС приборов (транзисторов, диодов, микро­
схем) можно определить по рис. 6.2-б.4 соответственно.
В табЛ. 6.2 приведена кодовая маркировк;а 'SMD транзисторов (биполярных и
полевых), диодов, диодных сборок, микросхем.


6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
107
Тиn корnуса
Код
Номер вывода
цоколевки
1
2
3
4
5
6
SOT23
SOT323/SC70/UMT3
Т1а
в
Е
с
нет
нет
нет
SC59, SC90
Т1Ь
Е
в
с
нет
нет
нет
).,
Т1с
О
s
G
нет
нет
нет
T1d
G
s
О
нет
нет
нет
11
11
Т1е
G
О
s
нет
нет
нет
~
~
Т1f
s
О
G
нет
нет
нет
1
2
SOT223
_L
Т2а
в
с
Е
с
нет
нет
Т2Ь
G
О
s
О
нет
нет
11
11
Т2с
s
О
G
О
нет.
нет
---
T2d
О
G
s
G
нет
нет
12з
SOT89/SC62/MPT3
тза
в
с
Е
с
нет
нет
тзь
Е
с
в
с
нет
нет
4
ТЗс
О
G
s
G
нет
нет
~ ТЗd
s
О
G
О
нет
нет
'
ТЗе
G
О
s
О
нет
нет
12з
ТЗ!
G
s
О
s
нет
нет
ТЗg
О
s
G
s
нет
нет
SOT143, SOT343
Т4а
с
Е
в
Е
нет
нет
Т4Ь
с
в
Е
Е
нет
нет
Т4с
s
О
s
G
нет
нет
T4d
s
О
G2
G1
нет
нет
...i.
.l.
Т4е
s
G
s
О
нет
нет
11
11
T4f
s
G
пс
О
нет
нет
T4g
О
пс
G
s
нет
нет
1
2
T4h
s
G1
О
G2
нет
нет
T4i
С1
С2
Е1
Е2
нет
нет
T4j
в
s
О
G
нет
нет
T4k
С1
В1, В2
С2
Е1, Е2
нет
нет
Т41
В1, С2
С1
Е1, Е2
В2
нет
нет
SOT363/SC88/UMT6
Т5а
В1
Е1
С1
В2
Е2
С2
Т5Ь
В1
Е1
С2
В2
Е2
С1
Т5с
Е2
В2
С1
Е1
В1
·С2
..о.. ,2, ..i.
T5d
В1
Е1
С2
В2
Е2
С1
11.
11
Т5е
В1
Е2
С2
В2
Е1
С1
T5f
Е1
Е2
С1
В1
В2
С2
~~~
T5g
О
О
G
s.
О
О
12з
T5h
S2
S1
G1
01
02
G2
T5i
S1
02.
G1
S'1
01
G2
Примечание. Обозначения выводов даны в их сокращениях на английском
языке. Соответственно, В - база; С
-
коллектор; Е - эмиттер; G - затвор;
S- исток;D- сток.
Рис. 6.2 . Цоколевка SMD транзисторов


108
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Тип корпуса
Код
Номер вывода
цоколевки
1
2
з
4
5
6
SОТ2З
D1a
А
nc
к
нет
нет
нет .
SОТЗ2З/SС70
D1b
nc
А
к
нет
нет
нет
SC-59
D1c
к
nc
А
нет
нет
нет
D1d
nc.
к
А
нет
нет
нет
D1e
А
А
к
нет
нет
нет
)..
D1f
к
к
А
нет
нет
нет
D1g
К1
А2
А1, К2
нет
нет
нет
11
11
D1h
А1
А2
К1, К2
нет
нет
нет·
-
-
D1i
А1
К2
К1, А2
нет
нет
нет
1
2
D1j
К1
К2
А1, А2
нет
нет
нет
D1k
к
А
nc
нет
нет
нет
D11
FB
к
А
нет
нет
нет
D1m
к
Ref
А
нет
нет
нет
SОТ22З
....L
D2a
А
к
к
11
11
nc
нет
нет
D2b
А1
К1
А2
к
нет
нет
---
12з
SOT89
....L
DЗа
А
к
nc
к
нет
нет
11~)11
DЗЬ
А
к
А
к
нет
нет
---
12з
SOT14З/SОТЗ4З
D4a
К1, К2
А2, КЗ
АЗ,А4
А1, К4
нет
нет
D4b
К1, К2, АЗ
кз
А2
А1
нет
нет
..i. 2.
D4c
К1,А2
К2,АЗ
КЗ,А4
А1, К4
нет
нет
11
11
D4d
К1
К2
А2
А1
нет
нет
D4e
К1, К2
АЗ
А2, КЗ
А1
нет
нет
1-
D4f
А1
А2
К2
К1
нет
нет
2
D4g
К1
А2
К2
А1
нет
нет
D4h
А1
К2
А2
К1
нет
нет
SОТЗБЗ
D5a
А1
nc
К2
А2
nc
К1
D5b
А1
nc
А2
К2
nc
К1
D5c
А2
nc
К1
А1
nc
К2
,.§,, ..§,, ,.i,
D5d
К2
К2
А1
К1
К1
А2
11.
11
D5e
А2
А2
К1
А1
А1
К2
D5f
А1
А1
АЗ
кз
К2
К1
---
D5g
А1
К1-К4
А2
АЗ
К1-К4
А4
12з
D5h
К1
А1-А4
К2
кз
А1-А4
К4
D5i
А1
К1, А2
К2
кз
АЗ, К4
А4
D5j
К1
А1, К2
А2
кз
АЗ, К4
А4
SOD 12З/SОDЗ2З/SОD52З
SOD106/SOD110
D6
А
к
ql1 2lp
нет
нет
нет
нет
SMA/SMB/SMC
$1 2Jp
D7
к
А
нет
нет
нет
нет
Примечание. Обозначения выводов: А - анод; К
-
катод; Ref - опорный
вывод; nc - вывод не подключен.
Рис. 6.3. Цоколевка SMD диодов


6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
109
Тип корпуса
Код
Номер вывода
цоколевки
1
2
3
4
5
6
SОТ2З-З[Т02З6АВ
..А.
11а
Vs
Out
GND
нет
нет
нет
11
11
11Ь
Out
lnp
GND
нет
нет
нет
11с
GND
Reset
Vcc
нет
нет
нет
~
~
11d
Reset
Vcc
GND
нет
нет
нет
1
2
SОТ22З/ТО261
.....L
12а
Adj
Out
lnp
Out
нет
нет
12Ь
Adj
lnp
Out
lnp
нет
нет
11
11
12с'
lnp
GND
Out
GND
нет
нет
~~~
12d
GND
Out
lnp
Out
нет
нет
-1
23
-
SОТ2З-5
!За
lnp1
lnp2
GND
Out
Vcc
нет
SОТЗ5З/SС70-5
IЗЬ
nc
lnp
GND
Out
Vcc
нет
SC59-5 , SC75-5
IЗс
D
СР
GND
Q
Vcc
нет
IЗd
1/0
1/0
GND
Е
Vcc
нет
IЗе
ОЕ
lnp
GND
Out
Vcc
нет
IЗf
lnp+
V-
lnp-
Out
V+
нет
IЗg
nc
nc
к
Ref
А
нет
IЗh
Out
V-
lnp+
lnp-
V+
.нет
...§..
..i.
IЗi
Ou1
V+
lnp+
inp-
V-
нет
11
11
IЗj
lnp
GND
On/Off
nc
Out
нет
IЗk
lnp
GND
On/Off
Вур
Out
нет
~~~
IЗI
SRT
GND
Vcc1
Vcc
Reset
нет
123
IЗm
Out
V+
Сар-
GND
Сар+
нет
IЗn
lnp+
GND
nc
Comp
Out
нет
IЗо
nc
GND
On/Off
lnp
Out
нет
IЗр
Vreg
GND
Ext
Vcc
Select
нет
IЗq
nc
GND
Out
V+
GND
нет
IЗr
lnp
GND
Вур
Adj
Out
нет
IЗs
lnp
GND
SHND
Adj
'
Out
нет
IЗt
lnp
GND
SHND
Вур
Out
нет
IЗu
Out
V+
lnp+
GND
lnp-
нет
SОТ2З-6
!Зu
Out
V+
lnp-
GND
lnp+
нет
..§..
...§.. ...!.
!За
V+
GND
Сар-
SD
Out
Сар+
11.
11
IЗЬ
GND
Out
Сар-
SD
V+
Сар+
IЗс
v+
GND
Сар-
GND
Out
Сар+
~~-
IЗd
V+
GND
lnp
CLK
DO
cs
123
!Зе
Out
v-
lnp+
lnp-
V+
DIS
Примечание. Обозначения выводов: Iпр - вход; Out - выход; V - вывод
питания; I/О - ввод/ вывод; GND - общий (земля); Adj - вывод регулировки;
Reset - вывод сброса; Select - вьшод выбора; Оп/ Off - вывод включения/ вы­
ключения; D, Q - выводы триггера; пс
-
вывод не подключен.
Рис. 6.4. Цоколевка SMD микросхем


110
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Таблица б.2
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
005 SSTPAD5
Siliconix SOT23
D1f PAD-5 5пд - ток утечки диода
010 SSTPAD10
Siliconix SOT23
D1f PAD-1 О 1OrA - ток утечки диода
02 BST82
PhiJips SOT23
T1d N-кан. полевой МОП 80 В 175 мА
02 MRF5711 L
Motorola SOT143 Т4а Si NPN ВЧ MRF 571
02 DTCC114T
Rohm SOT23
Т1а
Si NPN 508 100мА ключевой
(резистор в цепи базы 10к0м)
020 SSTPAD20
Siliconix SOT23
D1f ~AD-20 20пд - ток утечки диода
03 DTC143TUA
Rohm SOT323 Т1а
Si цифровой NPN 508 100мд
200мВт f>250МГц (резистор в цепи базы 4,7к0м)
03 DТС14ЗТКА
Rohm SOT346 Т1а
Si цифровой NPN 508 100мд
200мВт f>250МГц (резистор в цепи базы 4,7к0м)
03 DTC143TE
Rohm SOT416 Т1а
Si цифровой NPN' 508 1ООмА
150мВт f>250МГц (резистор в цепи базы 4,7к0м)
04 DТС114ТКА
Rohm SOT346 Т1а
Si цифровой NPN 508 1ООмА 200мВт f>250МГц
(резистор в цепи базы 1ОкОм)
04 DTC114TUA
Rohm SOT323 Т1а
Si цифровой NPN 508 1ООмА 200м8т f>250МГц
(резистор в цепи базы 1ОкОм)
04 DTC114TE
Rohm SOT416 Т1а
Si цифровой NPN 508 100мд 150мВт f>250МГц
(резистор в цепи базы 1ОкОм)
04 MRF4427
Motorola SOT143 Т4а Si NPN 408 400мА 220мВт f=1600МГц
04 MRF5211L
Motorola SOT143 Т4а Si PNP СВЧ MRF 521 208 70мРi 300м8т 4200МГц
047 FCX1047A
Zetex
SOT89
тза Si NPN ключевой 1ОБ 4А
05 DТС143ТКА
Rohm SOT346 Т1а
Si цифровой NPN -508 1ООмА 200м8т f>250МГц
(резистор в цепи базы 22к0м)
05 DTC124TUA
Rohm SOT323 Т1а
Si цифровой NPN 508 1ООмА 200м8т f>250МГц
(резистор в цепи базы 22к0м)
05 DTC143TE
Rohm SOT416 Т1а
Si цифровой NPN 508 100мд 150м8т f>250МГц
(резистор в цепи базы 22к0м)
05 MRF9331LT1 Motorola SOT143 Т4а Si NPN 158 2мд 50мВт 3!300МГц
050 SSTPAD50
Siliconix SOT23
D1f PAD-50 50пА - ток утечки диода
051 FCX10~1A
Zetex
SOT89
тза Si NPN ключевой 408 ЗА
06 DТС144ТКА
Rohm SOT346 Т1а Si цифровой NPN 508 100мд 200м8т f>250МГц
(резистор в цепи базы 47к0м)
06 DTC144ТUA
Rohm SOT323 Т1а
Si цифровой NPN 508 1ООмд 200м8т f>250МГц
'
(резистор в цепи базы 47к0м)
06 DTC144TE
Rohm SOT416 Т1а
Si цифровой NPN 508 1ООмд 150мВ'т f>250МГц
(резистор в цепи базы 47к0м)
09 DTC115TUA
Rohm SOT323 Т1а
Si цифровой NPN 508 100мд 200м8т f>250МГц
(резистор в цепи базы 100к0м)
09 DТС115ТКА
Rohm SOT346 Т1а . Si цифровой NPN 508· 1ООмА 200мВт f>250МГц
(резистор в цепи базы 100к0м)


б. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
111
Код Наименование Фирма Корпус Цqколевка
Эквивалент/краткое описание
09 DTC115TE
Rohm SOT416 Т1а
Si цифровой NPN 506 1ООмд
150мВтf>250МГц (резисторы в цепи базы 100к0м)
Од MUN5111DW1 Motorola SOT363 Т6с 2xSi PNP (резисторы смещения 10к0м+10к0м)
ов MUN5112DW1 Motorola SOT363 Т6с 2xSi PNP (резисторы'смещения 22к0м+22к0м)
ос MUN5113DW1 Motorola SOT363 Т6с 2xSi PNP (резисторы смещения 47к0м+47к0м)
OD MUN5114DW1 Motorola SOT363 Т6с 2xSi PNP (резисторы смещения 10jс0м+47к0м)
ОЕ MUN5115DW1 Motorola SOT363 Т6с 2xSi PNP (резистор в цепи базы 10к0м)
OF MUN5116DW1 Motorola SOT363 Тбс 2xSi PNP (резистор в цепи базьi 4,7к0м)
OG MUN5130DW1 Motorola SOT363 Т6с 2xSi PNP (резистор смещения 1к0м+1к0м)
он MUN5131DW1 Motorola SOT363 Т6с 2xSi PNP (резисторы смещения 2,2к0м+2,2к0м)
OJ MUN5132DW1 Motorola SOT363 Тбс 2xSi PNP (резисторы смещения 4,7к0м+4,7к0м)
ок MUN5133DW1 Motorola SOT363 Тбс 2xSi PNP (резисторы смещения 4,7к0м+47к0м)
OL MUN5134DW1 Motorola SOT363 Т6с 2xSi PNP (резиеторы смещения 22кО'м+47кОм)
ом MUN5135DW1 Motorola SOT363 Т6с 2xSi PNP (резисторы смещения 2,2к0м+47к0м)
10 MRF 9411LT1 Motorola SOT323 Т4а Si NPN СВЧ ВГГц MRF 941 20В 50мд 250мВт
10 MRF 9411L
Motorola SOT143 Т4а Si NPN СВЧ ВГГц MRF 941 20В 50мд 250мВт
100 SSTPAD100
Silicoпix SOT23
D1f PAD-100 1ООпА - ток утеч~и диода
10У BZV49-C10
Philips SOT89
D3Ь Стабилитрон 1Вт 1ОВ
11 MRF9511L
Motorola SOT143 Т4а Si NPN ВЧ ВГГц MRF 951
11 MUN5311DW1 Motorola SOT363 Т6с Si NPN/PNP (резисторы смещения 10к0м+10к0м)
11 MMBD1501
Fairchild SOT23
D1a Si диод 200В 1ООмА
11У BZV49-C11
Philips SOT89
D3Ь стабилитрон 1Вт 11 В
12 MUN5312DW1 Motorola SOT363 Т6с Si NPN/PNP (резисторы смещени.я 22к0м+22к0м)
Si цифровой NPN 50В 100мд 150мВт f>250МГц
12 DTA123EE
Rohm SOT416 Т1а (резистор в цепи базы 2,2к0м) + (резистор в цепи
Б-Э 2,2к0м)
12Е ZC2812E
Zetex
SOT23
D1i Сдвоен. диод Шоттки
12У BZV49-C12
Philips sотв9
D3Ь Стабилитрон 1Вт 12В
13 MUN5313DW1 Motorola SOT363 Тбс Si NPN/PNP (резисторы смещения 47к0м+47к0м)
13 MMBD1503
Fairchild SOT23
D1i Сдвоен. диод 1808 200мд
Si цифровой NPN 50В 100мд 150мВт f>250МГц +
13 DTA143E~
Rohm SOT416 Т1а (резистор в цепи базы 4,7к0м) + (реЗистор в цепи
Б-Э 4,7к0м)
13Е ZC2813E
Zetex
SOT23
D1j Сдвоен. диод Шоттки
13s BAS125W
Jпfineoп SOT323 D1a Диод Шоттки 25В ,1 ООмд
13У BZV49-C13
Philips 'SOT89
D3Ь Стабилитрон 1Вт 13В
14 MUN5314DW1 Motorola SOT363 Т6с Si NPN/PNP (резисторы в цепи базы 10к0м)
14 DTA114E
Rohm SOT23
Т1а
Si PNP ключевой (резисторы смещения 10к0м' +
10к0м)


112
6., Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание-
Si цифровой NPN 50В 1ООмА 150мВт f>250МГц
14 DTA114EE
Rohm SOT416 Т1а (резистор в_ цепи базы 1ОкОм) + (резистор в цепи
Б-Э 10к0м)
14 MMBD1504
Fairchild SОТ2З
D1h Сдвоен. диод с общ. катодом 1ВОВ 200мд
147 FCX1147A
Zetex
SOT89
тза Si PNP ключевой 10В 4А
14s BAS125-04W
lпfiпеоп SОТЗ2З D1i Сдвоен. диод Шоттки 25В 1ООмА
15 DTA124E
Rohm SОТ2З
Т1а Si PNP ключевой ЗОВ 50мА + (резистор в цепи базы
1
22к0м) + (резистор в цепи Б-Э 22к0м)
Si цифровой NPN 50В tООмА 150мВт f>250МГц
15 DTA124EE
Rohm SOT416 Т1а (резистор в цепи базы 22к0м) + (резистор в цепи
Б-Э 22к0м)
15 MUN5З15DW1 Motorola SОТЗ6З Т6с Si NPN/PNP (резистор в цепи базы 10к0м)
15 ММВТЗ960
Motorola SОТ2З
Т1а 2NЗ960
15 MMBD150,5
Fairchild SOT23
D1j Сдвоен. диод с общ. анодом 180В 200мд
151 FCX1151A
Zetex
$0Т89 тза Si PNP ключевой 40В ЗА
15s BAS125-05W
lnfineon SОТЗ2З D1h Сдвоен. диод Шоттки 25В 100мА
15У BZV49-C15
Philips SOT89
DЗЬ Стабилитрон 1Вт 15В
16 DTA144E
Rohm SОТ2З
Т1а Si PNP ключевой ЗОВ 50мА (резистор в цепи базы
47к0м) (резистор в цепи 5-Э 47к0м)
Si цифревой NPN 50В 1ООмА 150мВт f>250МГц
16 DTA144EE
Rohm SOT416 Т1а (резистор в цепи базы 47к0м) +(резистор
в цепи Б-Э 47к0м)
16 MUN5З16DW1 Motorola SОТЗ6З Т6с Si NPN/PNP (резистор в цепи базы 4,7к0м)
16s BAS125-06W
lnfineon SОТЗ2З
D1j Сдвоен. диод Шоттки 25В 1ООмА
'16У BZV49-C16
Philips SOT89
DЗЬ Стабилитрон 1Вт 16В
17 BAS125-07
Siemens SОТ14З D4d Сдвоен. диод Шоттки 25В 1ООмА
179 FMMT5179
Zetex
SОТ2З
Т1а 2N5179
18 MRF 9ЗЗ1LТ1 Motorola SОТ14З Т4а Si NPN СВЧ f = ВГГц 15В 2мА
18 MRF.9411 BLT1 Motorola SОТ14З Т4а Si NPN СВЧ f = 8,ГГц 20В 50мд
18 MRF9411BLTЗ Motorola SОТ14З Т4а Si NPN СВЧ f = ВГГц 20В 50мА
18 ВFР181Т
Telefunken SОТ14З Т4а Si NPN СВЧ f = 7,ВГГЦ 10В 20мА
'18А MMBZ5221B
Motorola SОТ2З
D1a Стабилитрон О,225Вт
18В MMBZ5222B
Motorola SОТ2З
D1a Стабилитрон 0,225Вт
18С ММВZ522ЗВ Motorola SОТ2З
D1a Стабилитрон О,225Вт
18D MMBZ5224B
Motorola SОТ2З
D1a Стабилитрон О,225Вт
18Е MMBZ5225B
Motorola SОТ2З
D1a Стабилитр't>н О,225Вт
18У BZV49-C18
Philips SOT89
DЗЬ Стабилитрон 1Вт 1ВВ
Si цифровой NPN 508 100мд 150мВт f>250МГц
19 DTA115EE
Rohm SOJ416 Т1а (резистор в цепи базы 1ООкОм) +
(резистор в. цепи Б-Э 1ООкОм)


6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпоне1;1тов
113
Код Наименование Фирма , Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое- описание
1А ВС846А
Phi IПMot SОТ2З
Т1а Si NPN ВС546А
1А BC846AW
Motorola SОТЗ2З Т1а Si NPN ВС546А
1А FММТЗ904
Zetex
SОТ2З
Т1а Si NPN 2NЗ904
1А SХТЗ904
lпfiпеоп SOT89
ТЗа Si NPN 40В 200мА 2NЗ904
1А ТМРТЗ904
Alleg
SОТ2З
Т1а Si NPN 60В ЗООМГц
1А. IRLML2402
IR
SОТ2З
Т1с N-кан. полевой МОП 20В О,9А'
1АМ ММВТЗ904
Motorola SОТ2З
Т1а Si NPN 2NЗ904
1В ВС846В
Phi IТТ SОТ2З
Т1а Si NPN ВС546В
1В BC846BW
Motorola SОТЗ2З Т1а Si NPN' ВС546В
1В FMMT2222
Zetex
SОТ2З
Т1а Si NPN 2N2222
1В ММВТ2222
Motorola SОТ2З
Т1а Si NPN 2N2222
1В IRLML280З
IR
SОТ2З
Т1с Р-кан. полевой МОП ЗОВ О,9А
1Вр ВС846В
Phi IТТ SОТ2З
Т1а Si NPN ВС546В
1BR BC846BR
Phi IТТ SОТ2З
Т1а Si NPN ВС546В
1Bs ВС846В
Phi IТТ SОТ2З
Т1а Si NPN ВС546В
1BZ FMMT2222
Zetex
SОТ2З ·Т1а Si NPN 2N2222
1С FMMT-A20
Zetex
SОТ2З Т1а MPSA20
1С MMBTA20L
- Motorola SОТ2З
Т1а МРSЗ904
1С IRLML6З02
IR
SОТ2З
Т1с Р-кан. полевой МОП 20В р;вд
1С KST20
Samsung SОТ2З
Т1а Si NPN ЗООВ 500мА
1Cs BC847S
lnfineon SОТЗ6З Т6с 2xSi NPN ВС847
10 ВС846
Philips SОТ2З
Т1а ВС456
10 ММВТА42
Motorola SОТ2З
Т1а Si NPN MPSM2 ЗООВ
.
1D IRLML510З
IR
SОТ2З
Т1с Р-кан. полевой МОП ЗОВ О,6А
10 ТМРТА42
Alleg
SОТ2З
Т1а Si NPN ЗООВ 50МГц
10N 2SС408З
Rohm SОТ2З
'И а Si NPN 11 В З,2ГГц для ТВ тюнеров
10R MS01З28R
Motorola SC59
Т1а Si NPN 25В 500мд
10s BC846S
lпfineon SОТЗ6З Т6с 2xSi NPN ВС456
1Е ВС847А
· Phi IТТ SОТ2З
Т1а Si NPN ВС547А
1Е BC847AW
Motorola SОТЗ2З Т1а Si NPN ВС547А
1Е FММТ-А4З
Zetex
SОТ2З
Т1а МРSА4З
1Е ММВТА4З
Motorola SОТ2З
Т1а Si NPN МРSА4З :ЮОВ
1EN 2SC4084
Rohm SОТ2З
Т1а Si NPN 20В 2,ОГГц для ТВ тюнеров
1F ВС847В
Phi IТТ SОТ2З
Т1а Si NPN ВС547В
1F BC847BW
-
Motorola SОТЗ2З Т1а Si NPN ВС547В
1F ММВТ5550
Motorola_ SОТ2З
Т1а Si NPN 2N5550 140В
, 1G ВС847С
Phi IТТ SОТ2З
Т1а Si NPN ВС547С


114
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма Корпус Цоколе в ка
Эквивалент/краткое описание
1G BC847CW'
Motorola SОТЗ2З Т1а Si NPN ВС547С
1G FMMT-A06
Zetex
SОТ2З
Т1а Щ NPN MPSA06
1GM ММВТАРб
Motorola ·sот2з· Т1а Si NPN MPSA06
1GT SOA06
STM
SОТ2З Т1а Si NPN MPSA06
1Н ВС847
Philips SОТ2З
Т1а ВС547
1Н FММТ-А05
Zetex
SОТ2З
Т1а MPSA05
1Н ММВТАО5
Motorola SОТ2З- Т1а MPSA05
1НТ SOA05
STM
SОТ2З Т1а MPSA05
1J ВС84ВА
Phi IТТ SОТ2З
Т1а Si NPN ВС548А
1J BCB48AW
Motorola SОТЗ2З Т1а Si NPN ВС548А
1J FММТ2З69
Zetex
SОТ2З
Т1а 2N2З69
1J ММ13Т2З69
Motorola SОТ2З
Т1а МРS2З69
1JA ММВТ2369А
Motorola SОТ2З
Т1а Si NPN МРS2З69А
1Jp BCV61A
Phi IТТ SОТ14З T4i Si NPN ЗОВ 100мА
1Js BCV61A
lпfiпeon SОТ14З T4i Si NPN токовое зеркало.h21э = 180
1К ВС848В
Phi IТТ SОТ2З
Т1а Si NPN ВС548В
1К ВС848ВW
Motorola SОТЗ2З Т1а Si NPN B(f548B
, 1К ММВТ6428
Motorola SОТ2З
Т1а MPSA18 50В
1К FMMT4400
Zetex
SОТ2З Т1а 2N4400
1КМ ММВТ6428
Motorola SОТ2З
Т1а Si NPN MPSA18 50В
1Кр BCV61B
Phi IТТ SОТ14З T4i Si NPN ЗОВ 1ООмА
1Кs BCV61B
lnfineon SOT143
T4i Si NPN токовое зеркало h21э = 290
1L ВС848С
Phi IТТ SОТ2З
Т1а Si NPN ВС548С
1L ВС848С
Motorola. SОТЗ2З Т1а Si NPN ВС548С
1L ММВТ6429
Motorola SОТ2З
Т1а Si NPN MPSA18 45В
1L FMMT4401
Zetex
SОТ2З
Т1а 2N4401
1Lp BCV61C
Phi IТТ SОТ14З T4i Si NPN ЗОВ 1ООмА
1Ls BCV61C
lnfineoп SОТ14З T4i Si NPN токовое зеркало h21э 520
1М ММВТА1З
Motorola SОТ2З
Т1а
Si NPN МРSА1З схема Дарлингтона
(составной транзистщ:~)
1М FMMT-A13
Zetex
SОТ2З
Т1а Si NPN МРSА1З схема Дарлингтона
(составной транзистор)
1Мр ВС848
Philips SОТ2З
Т1а ВС548
1N FMMT-A14
Zetex
SОТ2З
Т1а Si NPN MPSA14 схема Дарлингтона
(составной транзистор)
1N ММВТА14
Motorola SОТ2З
Т1а Si NPN MPSA 14 схема Дарлингтона
(составной транзистор)
1os BC846PN
lnfiпeon SОТЗ6З Т6с PNP /Si NPN сборка НЧ


6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
115
Код Наименование Фирма_ Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
1Р FMMT2222A
Zetex
80Т23
Т1а 8i NPN 2N2222A
1Р ММВТ2222А Motorola 80Т23
Т1а 8i NPN 2N2222A
1Р· MMBT2222AW Motorola 80Т323 Т1а Si NPN 2N2222A
1Ps BC847PN
lпfineon 80Т363 Т6с PNP /8i NPN сбор1tа НЧ
10 ММВТ5088
Motorola 80Т23
Т1а МР8А18 Uкэ =ЗОВ
1R ММВТ5089
Motorola 80Т23
Т1а 8i NPN .МР8А 18 Uкэ = 25В
18 ММВТ2369А
Nat8emi 80Т23
Т1а 8i NPN 2N2369A 500МГц ключевой
18 М8С3130
Motorola 8С59
Т1а 8iNPNВЧf=1,4ГГц10В
1Т ММВТ3960А Motorola 80Т23
Т1а 2N3960A
1U ММВТ2484
Motorqla 80Т23, Т1а 8i NPN МР8А 18
1V MMBJ6427
Motorola 80Т23
Т1Ь 8i NPN 2N6426/7 схема Дарлингтона
(составной транзистор)
1V BF820
IТТ
80Т23
Т1а 8i NPN ЗООВ ЗОмА
1Вт FMMT3903
Zetex
· 80Т23
Т1а 2N3903
1Вт BF821
IТТ ·8от2з
Т1а 8i PNP ЗООВ ЗОмА
1Х MMBT930L
Motorola 80Т23
Т1а МР83904
1Х BF822
пт
80Т23
Т1а 8i NPN 250В ЗОмА
/
1У ММВТ3903
Motorola 80Т23
Т1а 2N3903
1У BF823
пт
80Т23
Т1а 8i PNP 250В ЗОмА
1Z ВА870-06
Zetex
80Т23
D1j Пара диодов Шопки
1Z ММВТ6517
Motorola 80Т23
Т1а 8i NPN 2N6517 Uкэ 350В
20 MRF 5811
Motorola 80Т143 Т4а 8i NPN СВЧ f = 5ГГц О,2А
20 MMBT2907AW Motorola 80Т323 Т1а 8i PNP МР82907
200 88TPAD200
8iliconix 80Т23
D1f PAD-200 200пА - ток утечки диода
20F T8DF1220
Telefunken 80Т143 Т4а- 8i NPN f = 12ГГц 6В 20мА
20У BZV49-C20
Philips 80Т89
DЗЬ Стабилитрон 1Вт 20В
8i цифровой NPN 50В 1ООмА 150мВт f>250МГц
22 DTC123EE
Rohm 80Т416" Т1а (резистор в цепи базы 2,2к0м) :
(резистор в цепи Б-Э 2,2к0м)
22 ММВТ4209
'Nat8emi 80Т23
Т1а 8i NPN ключевой 850МГц 2N4209
22У BZV49-C22
Philips 80Т89
DЗЬ Стабилитрон 1Вт 22В
23 ММВТ3646
Nat8emi 80Т23
Т1а 8i NPN ключевой-350МГц 2N3646 •
23 DTC143E
RQhm 80Т23
Т1а 81 NPN ключевой 50В 100мА
(резистор смещения 4,7к0м)
8i цифровой NPN 506 1ООмА 150мВт f>250МГц
23 DTC143EE
Rohm 80Т416 Т1а (резистор в цепи базы 4,7к0м) +(резистор в цепи
Б-Э 4,7к0м)
24 MMBD2101
Nat8emi 80Т23
D1a Si диод 1ООВ 200мА


116
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
24 DTC114E
Rohm SOT23
Т1а Si NPN ключевой 508 1ООмА
(резистор смещения10к0м)
Si цифровой NPN 50В 1.ООмА 150мВт f>250МГц
24 DTC114EE
Rohm SOT416 Т1а (резистор в цепи базы 10к0м) +
(резистор в цепи Б-Э 1ОкОм)
24У BZV49-C24
Philips SOT89
DЗЬ Стабилитрон 1Вт 24В
25 MMBD2102
NatSemi SOT23
D1b Si диод 1ООВ 200мА
25 DTC124E
Rohm SOT23
Т1а
Si NPN ключевой 508 100мА (резистор
в цепи базы 22к0м) + (резистор в цепи Б-Э 22к0м)
Si цифровой NPN 508 100мА 150мВт f>250МГц
25 DTC123EE
Rohm SOT416 Т1а (резистор в цепи базы 22к0м) +
(резистор в цепи Б-Э 22к0м)
26 MMBD2103
NatSemi SOT23
D1i Сдвоен. диод MMBD1201
26 DTC144E
Rohm SOT23
Т1а Si NPN ключевой 50В ЗОмА
(резистор смещения 47,кОм)
27 MMBD2104
NatSemi SOT23
D1h Сдвоен. диод MMBD1201
27У BZV49-C27
Philips SOT89
DЗЬ Стабилитрон 1Вт 27В
28 BFP280T
Telefunken SOT143
T4d SiNPNСВЧf=7ГГц881ОмА
28 MMBD2105
NatSemi SOT23
D1j Сдвоен. диод MMBD1201
Si цифровой NPN 508 100мА 150мВт f>250МГц
29 DTC115EE
Rohm SOT416 Т1 а' (рез~стор в цепи базы 100к0м) +
(резистор в цепи Б-Э1 ООкОм)
29 MMBD1401
Fairchild SOT23
D1a Si диод 1758 200мА
2А ММВТЗ906
Motorola SOT23
Т1а Si PNP 2N3906
2А SХТЗ906
lnfineon SOT89
ТЗа Si PNP ключевой 408 200мА 2N3906
2А MMBT3906W Motorola SOT323 Т1а Si PNP 2N3906
2А FMMT3906
Zetex
SOT23
Т1а Si PNP 2N3906
2В ВС849В
Phi IТТ SOT23
Т1а Si NPN ВС549В
2В FMMT2907
Zetex
SOT23
Т1а 2N2907
2С ВС849С
PhilП SOT23
Т1а Si NPN ВС549С
2С ММВТА70
Motorola SOT23
Т1а MPSA70
2D ММВТА92
Motorola SOT23
Т1а Si PNP MPSA92 Uкэ = ЗООВ
2Е ММВТА93
Motorola SOT23
Т1а Si PNP MPSA93 Uкэ = 200В
2Е FMMTA93
Zetex
SOT23· Т1а MPSA93
2F 8С850В
Phi IТТ
,/
SOT23
Т1а Si NPN ВС5508
2F FMMT2907A
Zetex
SOT23
Т1а Si PNP 2N2907A
2F SХТ2907А
lnfineon SOT89
ТЗа Si PNP ключевой 60В 600мА
2F ММВТ2907А
Motorola SOT23
Т1а Si PNP MPS2907A
2G ВС850С
PhilTT SOT23
Т1а Si NPN ВС550С


6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
117
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквива11ент/краткое описание
2G FMMTA56
Zetex
SOT23
Т1а MPSA56
2GM ММВТА56
Motorola SOT23
Т1а Si PNP MPSA56
2GT SOA56
SGS
SOT23
Т1а Si PNP MPSA56
2Н FMMT-A55
Zetex
SOT23
Т1а MPSA55
2Н ММВТА55
Motorola ·sот23
Т1а SI PNP MPSA55
2НТ SOA55
SGS
SOT23
Т1а MPSA55
2J ММВТ3640
Motorola SOT23
Т1а Si PNP MPS3640 ключевой
2К FMMT4402
Zetex
SOT23
Т1а 2N4402
2К ММВТ8598
Motorola SOT23
Т1а Si PNP 2N4125 608
2L ММВТ5401
Motorola SOT23
Т1а Si PNP 2N5401 1-508
2L FMMT4403
Zetex
SOT23
Т1а 2N4403
2М FMMT5087
Zetex
SOT23
Т1а 2N5087
2М ММВТ404
Motorola SOT23
Т1а Si PNP ключевой 248 150мА
2N ММВТ404А
Motorola SOT23
Т1а Si PNP ключевой 358 150мА
2Р ММВТ5086
Motorola SOT23
Т1а 2N5086
2Р SХТ2222А
lпfiпеоп SOT89
Т3а Si NPN клЮчевой 408 600мА
20 ММВТ5087
Motorola ЭОТ23
Т1а Si PNP 2N5087
2R HSMS-8202
НР
SOT23' D1g Диод Шапки смесит. па·ра 10-14ГГц
2Т S04403
SGS
SOT23
Т1а Si PNP 2N4403
2Т ММВТ4403
Motorola SOT23
Т1а Si PNP 2N4403
2Т НТ2
Zetex
SOT23
Т1а Si PNP 808 1ООмА
2U ММВТА63
Motorola SOT23
Т1Ь MPSA63 схема дарлингтона
(составной транзистор)
2V ММВТА64
Motorola SOT23
Т1а Si PNP MPSA64 схема Дарлингтона
(составной транзистор)
2W FMMT3905
Zetex
SOT23
Т1а 2N3905
2W ММВТ8599
Motorola SOT23
Т1а Si PNP 2N4125 Uкэ = 808
2Х S04401
SGS
SOT23
Т1а Si NPN 2N4401
2Х ММВТ4401
Motorola SOT23
Т1а Si NPN 2N4401
2У4 BZV49-C2V4
Philips SOT89
D3b Стабилитрон 1Вт 2,4В
2У7 BZV49-C2V7
Philips SOT,li9
D3b Стабилитрон 1Вт 2,78
2Z BAS70-04
Zetex
SOT23
D1g Пара диодов Шоттки
2Z ММВТ6520
Motoi-ola SOT23
Т1а Si PNP 2N6520 Uкэ = 3508
2Z5 BAS70-05
Zetex
SOT23
D1h Пара диодов Шапки
30 MUN5330DW1 Motorola SOT363 Т6с Si NPN/PNP (резисторы смещения 1кОм+1кРмJ
301 FDV301N
Fairchild SOT23
T1d N-кан. цифровой полевой 258 О,22А
302 FDV302P
Fairchild SOT23
T1d Р-кан. цифровой полевой 258О,12А


118
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
··Код Наименозание Фирма Корпус Цоколевка
Эквивале1п/краткое описание
30З FDVЗOЗN
Fairchild SОТ2З
T1d N-кан. цифровой полевой 25В О,68А
ЗО4 FDVЗ04P
Fairchild SОТ2З
T1d Р-кан. цифровой полевой 25В О,46А
305 АТ-ЗО511
НР
SОТ14З ВЕСЕ Si NPN 11В Вмд
ЗОУ BZV49-CЗO
Philips SOT89
DЗЬ Стабилитрон 1Вт ЗОВ
З1 MUN53З1DW1 Motorola SOT363 Т6с Si NPN/PNP (резисторы смещения 2,2к0м+2,2к0м)
з~ MM8D1402'
NatSemi SОТ2З
D1b Si диод 200В 1ООмА
З10 АТ-З1011
НР
SOT
ВЕСЕ Si NPN 11 В 16мд
З2 MUN5332DW1 Motorola SОТЗ6З Т6с Si NPN/PNP (резисторьi смещения 4,7к0м+4,7к0м)
З2 ММВD140З
Fairchild SОТ2З
Q.1i Сдвоен. Si диод 175В 200мА
З20 АТ-З2011
НР
SОТ14З ВЕСЕ Si NPN 118 З2мА
зз MUN5З3ЗDW1 Motorola SОТЗ6З Т6с Si NPN/PNP (резисторы смещенИя 4,7к0м+~7к0м)
33 MMBD1404
Fairchild SОТ2З
D1h Сдвоен. Si диод 175В 200мА
Si цифровой NPN 508 100мА 150м~т f>250МГц
33 DTA143XE
Rohm SOT416 Т1а (резистор в цепи базы 4,7к0м) +
(резистор в цепи Б-Э 1ОкОм)
ЗЗ1 NDSЗЗ1N
Fairchild SОТ2З
T1d N-кан. полевой МОП 1,З~ 20В
ЗЗ2 NDSЗЗ2P
Fairchild SОТ2З
T1d Р-кан. полевой МОП 1А 20В
ЗЗ5 NDSЗЗ5N
Fairchild SOT23 • T1d N-кан. полевой МОП 1,7А 20В
З36 NDSЗ36P
Fairchild SОТ2З
T1d N-кан. полевой МОП 1,2А 20В,
ЗЗУ BZV49-C33
Philips SOT89
DЗЬ Стабилитрон 1Вт ЗЗВ
34 MUN5334DW1 Motorola SОТ36З Т6с Si NPN/PNP (резисторы смещения 22к0м+47к0м}
З4 MMBD1405
Fairchild SОТ2З
D1j Сдвоен. Si диод 175В 200мд
35 MUN5ЗЗ5DW1 Motorola SОТЗ6З Т6с Si NPN/PNP (резисторы смещения 2,2к0м+47к0м)
Si цифровой NPN 50В 100мд 150мВт f>250МГц
З5 DTA124XE
Rohm SOT416 Т1а (резистор в цепи базы 22к0м) +
(резистор в цепи Б-Э 47к0м)
351 NDS351N
Fairchild SОТ2З
T1d N-кан. полевой МОП 1, 1А ЗОВ
З51А NDSЗ51AN
Fairchild SОТ2З
T1d N-кан. полевой МОП 1,2А ЗОВ
352 NDS3б2P
Fairchild SОТ2З
T1d Р-кан. полевой МОП О,85А 20В
352д NDSЗ52AP
Fairchild SОТ2З
T1d Р-кан. полевой МОП О,9А ЗОВ
355 NDS355N
Fairchild SOT23
T1d N-кан. полевой'МОП 1)6А ЗОВ
355А NDSЗS5AN
Fairchild SOT23
T1d N-кан. полевой МОП 1,7А ЗОВ
356 NDS351>P
Fairchild SОТ2З
T1d Р-кан. полевой МОП 1, 1А 20В
356А NDS356AP
Fair-child SОТ2З
T1d Р-кан. полевой МОП 1, 1А ЗОВ
З6У BZV49-CЗ6
Philips SOT89
DЗЬ Стабилитрон 1Вт З6В
39У BZV49-CЗ9
Philips SOT89
DЗЬ Стабилитрон 1Вт З9В
ЗА ВС856А
PhilП SOT23
Т1а Si PNP ВС556А
ЗА. BC856AW
Motorola sотз~з Т1а Si PNP ВС556А


б. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
119
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
ЗА ММВТН24
Motorola SОТ2З
Т1а Si NPN ВЧ смесит. f =·600МГц
ЗВ ВС856В
Phi IТТ SОТ2З
Т1а Si PNP ВС556В
зв BC856BW
Motorola SОТЗ2З Т1а Si PNP ВС556В
зв FMMT918
Zetex
SОТ2З
Т1а 2N918,
зв ММВТ918
Motorola SОТ2З
Т1а 2N918
ЗСs BC857S
lпfiпеоп SОТЗ6З Т6с 2xSi PNP сборка НЧ
ЗD ВС856
Philips SОТ2З. Т1а ВС556 h21э = 75 miп
ЗD ' ММВТН81
Motorola SОТ2З
Т1а Si PNP СВЧ f = 600МГц
ЗDs BC856S
lпfiпеоп SОТ-36З Т6с 2xSi PNP сборка НЧ
ЗЕ ВС857А
Philips SОТ2З
Т1а Si PNP ВС557А
ЗЕ BC857AW
Motorola SОТЗ2З Т1а Si ~NP ВС557А
ЗЕ ММВТН10
Motorola SОТ2З 'Т1а MPSH10 f = 650МГц
ЗЕ FMMT-A42
Zet IТТ SОТ2З
Т1а MPSA42
ЗЕМ ММВТН10
Motorola 'SОТ2З
Т1а ВЧ усилит. f = 650МГц
ЗЕZ FMMTH10
Zetex
SОТ2З
Т1а Si NPN f "= 650МГц
ЗF ВС857В
Phi IТТ SОТ2З
Т1а Si PNP ВС557В
ЗF BC857BW
Motorola SОТЗ2З Т1а Si PNP ВС557В
ЗG ВС857С
Phi IТТ SОТ2З
Т1а Si PNP ВС557С
ЗG MGSFЗ454X
Motorola SОТЗ6З
T6g N-кан. полевоИ МОП 1,75А
ЗJ ММВТН69
Motorola SОТ2З
Т1а SiPNPСВЧf=2ГГц .
ЗJ ВС858А
Phi Mot SОТ2З
Т1а Si PNP ВС558А
ЗJ BC858AW
Motorola SОТЗ2З Т1а Si PNP ВС558А
ЗJр BCV62A
Phi
SОТ14З T4i Si PNP ЗОВ 1ООмА
ЗJs BCV62A
lпfiпеоп SОТ14З T4i Si PNP токовое зеркало h21э = 180
зк ВС858В
Phi IТТ SОТ2З
Т1а Si PNP ВС5р8В
зк BC858BW
Motorola SОТЗ2З Т1а Si PNP ВС558В
ЗКр BCV62B
Phi
SОТ14З T4i Si PNP ЗОВ 100мА
.ЗКs BCV62B
lnfineon SОТ14З
T4i Si NPN токовое зеркало.h21э = 290
ЗL ВС858С
PhilП SОТ2З · Т1а Si PNP ВС558С
ЗL BC858CW
Motorola SОТЗ2З Т1а Si PNP ВС558С
ЗLр BCV62C
Phi
SОТ14З T4i Si PNP ЗОВ 100мА
ЗLs BCV62C
lnfineon SОТ14З
T4i Si PNP токовое зеркало h21э = 520
зм ВС858
Philips SОТ2З
Т1а Si PNP ВС558
ЗМр BCV62
Phi
SОТ14З T4i Si РNР.ЗОВ 100мА
ЗN ММВТ4402
NatSemi SОТ2З
Т1а Si PNP 2N4402
ЗR ММВТ5571
NatSemi SОТ2З
Т1а Si PNP ключевоИ 850МГц
>
зs ММВТ5551
Fairchild SОТ2З
Т1а Si NPN 160В 200мА


120
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
3Т НТ3
Zetex
SOT23
Т1а Si NPN 80В 1ООмА
3W FMMT-A12
Zetex
SOT23
Т1а MPSA12
ЗУЗ BZV49-CЗV3
Philips SOT89
D3b Стабилитрон 1Вт 3,3В
3У6 BZV49-C3V6
Philips SOT89
D3b Стабилитрон 1Вт 3,6В
ЗУ9 BZV49-C3V9
Philips SOT89
D3b Ста~илитрон 1Вт 3,9В
414 АТ-41411
НР
SOT143 Т4а Si NPN 20В 50мА
43 DTA143EE
Motorola SOT23
Т1а Si PNP (резисторы смещения 4,7к0м +4,7к0м)
Si цифровой NPN 50В 1ООмА 150мВт f>250МГц
43 DTC143XE
Rohm SOT416 Т1а (резистор в цепи базы 4,7к0м) +
(резистор в цепи Б-Э 10к0м)
43s BAS40
lпfiпеоп SOT23
i;>1a Диод Шоттки 40В 1ООмА
43У BZV49-C43
Philips SOT89
D3b Стабилитрон 1Вт 43В
44s BAS40-04
lnfiпeon SOT23
D1i Сдвоен. BAS40
44s BAS40-04W
lпfiпеоп SOT323 D1i Сдвоен. BAS40
.
Si цифровой NPN 50В 1ООмА 150мВт f>250МГц
45 DTC124XE
- Rohm SOT416 Т1а (резистор в цепи базы 22к0м) +
(резистор в цепи Б-Э 47к0м)
45s BAS40-05
lпfiпеоп SOT23 D1h Сдвоен. BAS40
45s BAS40-05W
lпfiпеоп SOT323 D1h Сдвоен. BAS40
46 MBT3946DW
Motorola S01'363 T6d 2N3904/2N3906 пара
'
46s BAS40-06
lпfiпеоп SOT23
D1j Сдвоен. BAS40
46s BAS40-06W
lпfiпеоп SOT323 D1j Сдвоен. BAS40
47s BAS40-07
Siemeпs SOT143 D4d Сдвоен. диоды Шоттки ~ОВ 120мА
47У BZV49-C47
Philips SOT89
D3b Стабилитрон 1Вт 47В
491 FMMT491
Zetex
SOT23
Т1а ZТХ450/451
493 FMMT493
Zetex
SOT23
Т1а ZТХ453
4А MMBV109
Motorola SOT23
D1a МУ209 варикап
4А HD3A
Zetex
SOT23
D1a 75В 100мА переключат. диод
4А ВС859А
PhilП SOT23
Т1а Si PNP ВС559А
4As BC859AW
lпfiпеоп SOT323 Т1а Si PNP ВС559А
4В MMBV432
Motorola SQT23
D1h Сдвоен. варикап 1,5-45пФ
4В ВС859В
PhilП SOT23
Т1а Si PNP ВС559В
4Bs BC859BW
lпfiпеоп SOT323 Т1а Si PNP ВС559В
4С ВС859С
PhilП SOT23
Т1а Si PNP ВС559С
4С MMVB3102
Motorola SOT23
D1a Варикап 6-35пФ
4Cs BC859CW
lпfiпеоп SOT323 Т1а Si PNP ВС,:>:>9С
4D MMBV3401
Motorola. SOT23
D1a ВЧ PIN диод
4D HD3A
Zetex
SOT23
D1a Переключат. диод 75В 1ООмА


6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
121
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
4Е ВС860А
Philips SOT23
Т1а Si PNP ВС560А
4Е FMMT-A92
Zetex
SOT23
Т1а MPSA92
4Е MMBV105G
Motorola SOT23
D1a MV105 варикап
4F MMBD353
Motorola SOT23
D1g Сдвоен. MBD101
4F ВС860В
Philips SOT23
Т1а Si PNP ВС560В
4Fs BC860BW
lnfineon SOT323 Т1а Si PNP ВС560В
4G MMBV2101
Motorola SOT23
D1a MV2101 варикап
4G ВС860С
Philips SOT23
Т1а Si PNP ВС560С
4Gs BC860CW
lnfineon SOT323 Т1а Si PNP ВС560С
4Н MMBV2103
Motorola SOT23
D1a MV2103 варикап
4J FММТЗВА
Zetex
SOT23
Т1а ВСХЗВА
-
4J MMBV2109
Motorola SOT23
D1a MV2109 варикап
4К MMSD1000
Motoro/a SOD,123
D6
Si ДИОД зов О,2А
4М MMBD101
Motorola SOT23
D1a MBD101 диод Ц!опки
4М MMSD101
Motorola SOD123
D6
MBD101 диод Шопки
4R MMBV3700
Motorola SOT23
D1a PIN диод ВЧ 200В
4S MMBD201
Motorola SOT23
D1a MBD201
4Т MMBD301
Motorola SOT23
D1a MBD301 СВЧ диод Шопки
4Т MMSD301
Motorola SOD123
D6
MBD301 СВЧ диод Шопки
4Т ММВDЗЗО
Motorola SOT323
D1a СВЧ диод Шапки
4U MMBV2105
Motorola SOT23
D1a MV2105 варикап
4V MMBV2106
Motorola SOT23
D1a MV2106 варикап
4W MMBV2107
Motorola SOT23
D1a MV2107 варикап
4Х MMBV2108
Motorola SOT23
D1a MV21 08 варикап
4У MMBV2102
Motoro/a SOT23
D1a MV2102 варикап
4УЗ BZV49-C4V3
Philips SOT89
DЗЬ Стабилитрон 1Вт 4,ЗВ
4У7 BZV49-C4V7
Philips SOT89
DЗЬ Стабилитрон 1Вт 4, 7В
4Z MMBV2104
Motorola SOT23
D1a MV2104 варикап
500 SSTPAD500
Siliconix SOT23
D1f PAD-500 500пд - ток утечки диода
51У BZV49-C51
Philips SOT89
DЗЬ Стабил итрон 1Вт 51 В
Si цифровой NPN 50В 1ООмА 150мВт f>250МГц
52 DTA123YE
Rohm SOT416 Т1а (резистор в цепи базы 2,2к0м) +
(резистор в цепи Б-Э 10к0м)
53 ВАТ17
lnfineon SOT23
D1a Диод Шопки 4В 1ЗОмА
53s BAT17W
lnfiпeoп SOT323
D1a Диод Шапки 4В 1ЗОмА
54 ВАТ17-04
lnfineoп SOT23
D1i Сдвоен. ВАТ17
Si цифровой NPN 50В 100мд 150мВт f>250МГц
54 DTA114YE
Rohm SOT416 Т1а (резистор в цепи базы 10к0м) +
(резис:rор в цепи Б-Э 47к0м)


122
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонен.тов
Код Наименование Фирма Корпус Цоколе в ка
Эквивалент/краткое описание
545 BAT17-04W
!nfineon SOT323
D1i Сдвоен. ВАТ17
55 ВАТ17-05
lnfiпeoп SOT23
D1h Сдвоен. ВАТ17
55s ВАТ17-05W
lnfineon SOT323 D1h Сдвоен. ВАТ17
56 ВАТ17-06
lnfiпeon SOT23
D1j Сдвоен. ВАТ17
56s BAT17-06W
lnfineon SOT323
D1j Сдвоен. ВАТ17
56У BZV49-C56
Philips SOT89
D3b Стабилитрон 1Вт 56В
57 ВАТ17-07
Siemens SOT143 D4d Сдвоен. диод~ Шопки 408 130мА
59 DTA114YE
Motorola SC90
Т1а Si PN Р (резисторы смещения ,1Ок0м+47к0м)
591 FMMT591
Zetex
SOT23
Т1а ZТХ550/551
593 FMMT593
Zetex
SOT23
Т1а zтх 553
5А ВС807-16
Phi SGS SOT23
Т1а Si PNP ВС327-16
5А MMBD6050
Mot Zet SOT23
D1a Переключат. диод 70В О,2А
5В ММВТ4123
Motorola SOT23 .Т1а 2N4123
5В ВС807-25
Phi SGS SOT23
Т1а Si PNP ВС327-25
5В MMBD6100
Motorola scrr2З
D1h С общ. ка:годом сдвоен. диод 70В О,2А
5В FMMD6100
Zetex
SOT23
D1h С общ. катодом сдвоен. диод 70В О,2А
5ВМ MMBD6100
Motorola SOT23
D1h С общ. катодом сдвоен. диод 70В О,2А
5С ВС807-40
Phi SGS SOT23
Т~а Si PNP ВС327-40
5С MMBD7000
Motorola SOT23
D1i 2 посл. диода 1ООВ О,2А
5С FMBD7000
Zetex
SOT23
D1i 2 посл. диода 1ООВ О,2А
5D MMBD914
Motorola SOT?3
D1a Диод 1N914
5D FMBD914
Zetex
SOT23
D1a Диод 1N914
5D MMSD914
Motorola SOD123
D6 Диод 1N914
5D HD2A
Zetex
SOT23
D1h Сдвоен. HD2 75В 100мА
5Е ВСВОВ-16
Phi SGS SOT23
Т1а Si PNP ВС328-16
5F ВСВОВ-25
Phi SGS SOT23
Т1а Si PNP ВС328-25
5F MMBD501
Motorola SOT23
D1a MBD501 - диод
5G ВСВОВ-40
Phi SGS SOT23
Т1а Si PNP ВС328-40
5G MMBD353
Motorola SOT23
D1i Сдвоен. MBD101
5Н MMBD701
Motorola , SOT23
D1a MBD701 СВЧ Диод Шопки
5Н MMSD701
Motorola SOD123
D6 MBD701 СВЧ диод Шопки
5Н MMBD770
Motorola SOD323 D1a СВЧ ДИОД Шопки
5Н MMBD4148
Fairchild SOT23
D1a 1N4148
'5J
FMMT38B
Zetex
SOT23
Т1а ВСХ38В
5К MMBV809
Motorola SOT23
D1a Варикап
5L MMBV609
Motorola SOT23
D1h Сдвоен. с общ. катодом варикап
51i MMBD452L
Motorola SOT23
D.1 i СВЧ диод Шопки


6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
123
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
5У1 BZV49-C5V1
Philips SOT89
DЗЬ Стабилитрон 1Вт 5, 1В
5У6 BZV49-C5V6
Philips SOT89
DЗЬ Стабилитрон 1Вт 5,6В
60 BAR60
lпfiпeon SOT143
D4b 1 3 PIN диода 1~0В 140мА
605 NDS0605
Fairchild SOT23
T1d Р-ка,н. ключевой полевой МОП 60В'О, 1ВА
61 BAR61
lпfineon SOT143 D4e 3 PIN диода 100В 140мА
610 NDS0610
Fairchild SOT23
T1d Р-кан. ключевой полевой МОП 608 О, 1ВА
617 FMMT617
Zetex
SOT23
Т1а Si NPN ключевой 15В ЗА
618 FMMT618
Zetex
SOT23
Т1а Si NPN ключевой 20В 2,5А
619 FMMT617
Zetex
SOT23
Т1а Si NPN ключевой 50В 2А
61А MMBF4117
NatSemi SOT23
Т1с Полевой с N-кан.
61А MMBF4119
NatSemi SOT23 'Т1.с Полевой с N-кан.
61С MMBF4118
NatSemi SOT23
Т1с Полев~ с N-кан.
61J MMBF4091
NatSemi SOT23
Т1с Полевой с N-кан. ключевой /комм_утир.
61К MMBF4092
NatSemi SOT23
Т1с Полевой с N-кан. ключевой /коммутир,
61L MMBF4093
NatSemi SOT23
Т1с Полевой с N-кан. ключевой /коммутир.
61М MMBF4859
NatSemi SOT23
Т1с Лолевой с N-кан. ключевой /коммутир.
61N MMBF5514
NatSemi SOT23
Т1с Р-кан. полевой ключевой /коммути'р.
61Р MMBF5115
NatSemi SOT23
Т1с Р-кан. полевой ключевой /коммутир.
61Q MMBF5516
NatSemi SOT23
Т1с Р-кан. полевой ключевой /коммутир.
~
61S MMBF5458
NatSemi SOT23
Т1с Полевой с N-кан. 2N5458
61Т MMBF5459
NatSemi SOT23
Т1с Полевой с N-кан. 2N5459
61U MMBF5461
NatSemi SOT23
Т1с Р-кан. полевой 2N5461
61V MMBF5462
NatSeГ(Ji SOT23
Т1с Р-кан. полевой 2N5462
62 ВАТ62
lпfiпeon SOT143
DAh - Диод Шопки 40В 20мА
Si цифровой NPN 50В 100мА 150мВт f>250МГц
62 DTC123YE
Rohm SOT416 Т1а (резистор в цепи базы 2,2к0м) +
(резистор в цепи Б-Э 1ОкОм)
62Р MMBFJ201
NatSemi SOT23
Т1с Полевой с N-кан. J201
620 MMBFJ202
NatSemi SOT23
т1с Полевой с N-кан. J202
62R MMBFJ203
NatSemi SOT23
Т1с Полевой с N-кан. J203
62S MMBFJ270
NatSemi SOT23
Т1с Р-кан. полевой J270
62Т MMBFJ271
NatSemi SOT23
Т1с Р-кан. полевой J271
62У {3ZV49-C62
Philips SOT89
DЗЬ Стабилитрон 1Вт 62В
63 ВАТ63
lпfiпeon SOT143
T4h Сдвоен. диод Шопки ЗВ 100мА
63Q MMBFJ304
NatSemi SOT23
Т1с Полевой с N-кан. ВЧ J304
63s ВАТ64
lnfiпeon SOT23
D1a Диод Шопки 40В 250~А
63s BAT64W
lnfineon SOT323 D1a Диод Шопки 40В 250мА


124
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
Si цифровой NPN 50В 1ООмА 150мВт f>250М[ц
64 DTC114YE
Rohm SOT416 Т1а (резиqтор в цепи базы 1ОкОм ) +
(резистор в цепи Б-Э 47к0м)
64s ВАТ64-04
lnfineon SOT23
D1i Сдвоен. диод Шопки 40В 250мд
64s BAT64-04W
lnfineon SOT323
D1i Сдвоен. диод Шопки 4о"В 250мд
651 PZT651
Motorola SOT223 Т2а Si NPN 60В 1А
65s ВАТ64-05
lnfineon SOT23
D1h Сдвоен. диод Шоттки 40В 250мд
65s BAT64-05W
lnfineon SOT323 D1h Сдвоен. диод Шоттки 40В 250мд
66s ВАТ64-06
lnfineon SOT23
D1d Сдвоен. диод Шоттки 40В 250мд
66s BAT64-06W
lnfineon SOT323 D1d Сдвоен. диод Шопки 40В 250мд
67 BFP67
Telefunken SOT143 Т4а Si NPN СВЧ f = 7,5ГГц 10В 50мд
67s ВАТ64.О7
Siemens SOT143 D4d Сдвоен. диод Шоттки 40В 250мд
68У BZV49-C68
Philips SOT89
DЗЬ Стабилитрон 1Вт 68В
69 DTC115TE
Rohm SOT416 Т1а
Si цифровой NPN 50В 100мд 150мВт f>250МГц
(резистор в цепи базы 100к0м)
6д MMBF4416
Motorola SOT23
Т1с 2N4416 N-кан. ВЧ полевой
6д MUN2111
Motorola SC59
Т1а Si PNP (резисторы смещения 10к0м+10к0м)
6д MUN5111
Motorola SOT323 Т1а Si PNP (резисторы смещения 10к0м+10к0м)
6А ВСВП-16
Phi IТТ SOT23
Т1а Si NPN ВС337-16
6В MMBF5484
Fairchild SOT23
T1f Полевой с N-кан. 2N5484
6В ВСВП-25
Phi IТТ SOT23
На Si NPN ВС337-25
6В MUN2112
Motorola SC59
Т1а Si PNP (резисторы смещения 22к0м+22к0м)
6В MUN5112
Motorola SOT323 Т1а Si PNP (резисторы смещения 22к0м+22к0м)
6С ВСВП-40
Phi IТТ SOT23' Т1а Si NPN ВС337-40
6С MMBFU310
Motorola SOT23
Т1с Полевой с N-кан. U31 О
6С MUN2113
Motorola SC59
Т1а Si PN~ (резисторы смеЩения 47к0м+47к0м)
6С MUN5113
Motorola SOT323 Т1а Si PNP (резисторы смещения 47к0м+47к0м)
6D MMBF5457
MotorC>la SOT23
Т1с Полевой с N-кан. 2N5457
6D MUN2114
Motorola SC59
Т1а Si PNP (резисторы смещения 10к0м+47к0м)
6D MUN5114
Motorola SOT323 Т1а Si.PNP (резисторы смещения 10к0м+47к0м)
6Е MMBF5460
Motorola SOT23
Т1с Р-кан. полевой 2N5460
6Е ВС818-16
Phi IТТ SOT23
Т1а Si NPN ВСЗЗВ-16
6Е MUN2115
Motorola SC59
Т1а Si PNP (резистор в цепи базы 1ОкОм)
6Е MUN5115
Motorola SOT323 Т1а Si PNP (резистор в цепи базы 1ОкОм)
'
i
6F MMBF4860
Motorola SOT23
Т1с Полевой с N-кан. 2N4860
6F ВС818-25
Phi \ТТ sот2з· Т1а Si NPN ВСЗЗВ-25
6F MUN2116
Motorola SC59
Т1а Si PNP (резистор в цепи базы 4,7к0м)
6F MUN5116
Motorola SOT323 Т1а Si ~NP (резистор в цепи базы 4,7к0м)


6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
125
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
6G ВСВ18-40
Phi IТТ SOT23
Т1а Si NPN ВС338-40
6G MMBF4393
Motorola SOT23
Т1с Полевой с N-кан. 2N4393
6G MUN2130
Motorola SC59
Т1а Si PNP (резисторы смещения 1к0м+1к0м)
6G MUN5130
Motorola SOT323 Т1а Si PNP (резисторы смещени 1к0м+1к0мя)
6Н MMBF5486
Motorola SOT23
Т1с Полевой с N-кан. 2N5486
6Н MUN2131
Motorola SC59
- Т1 а Si PNP (резисторы смещения 2,2к0м+2,2к0м)
6Н MUN5131
Motorola SOT323 Т1а Si PNP (резисторы смещения 2,2к0м+2,2к0м)
6J MMBF4391
Motorola SOT2?
Т1с Полевой с N-кан. 12N4391
6J MUN2132
Motorola SC59
Т1а Si PNP (резисторы смещения 4,7к0м+4,7к0м)
6J MUN5132
Motorola SOT323 Т1а Si PNP (резисторы смещения 4,7к0м+4,7к0м)'
6К MMBF4392
Motorola SOT23
Т1с Полевой с N-кан. 2N4932
6К MUN2133
Motorola SC59
Т1а Si Pl;JP (резисторы смещения 4,7к0м+47к0м)
6К MUN5133
Motorola SOT323 Т1а Si PNP (резисторы смещения 4,7к0м+47к0м)
6L MMBF5459
Motorola SOT23
Т1с Полевой с N-кан. 2N5459
6L MUN2134
Motorola SC59
Т1а Si'PNP (резисторы смещенИя 22к0м+47к0м)
6L MUN5134
Motorola SOT323 Т1а Si PNP (резисторы смещения 22к0м+47к0м)
6М MMBF5485
Fairchild SOT23
T1f Полевой с N-к·ан. ВЧ 2N5485
6N MMBF4861
NatSemi SOT23
Т1с Полевой с N-кан. ключевой /коммутир.
6Р MMBFJ111
Fairchild SOT23
T1f Полевой с N-кан. J111 35В 50мд
69 MMBFJ305
NatSemi SOT23
Т1с Полевой с N-кан. ВЧ J305
6R MMBFJ112
Fairchild SOT23
T1f Полевой с_N-кан. J112 35В 50мд
68 MMBFJ113
Fairchild SOT23
T1f Полевой с N-кан. J113 35В 50мд
68 MMS071RK
Motorola 800123
06
Siдиод
6Т MMBFJ310
Motorola SOT?3
Т1с Полевой с N-кан. СВЧ J310
6U MMBFJ309
Motorola SOT23
Т1с Полевой с N-кан. СВЧ J309
6V MMBFJ174
NatSemi SOT23
Т1с J174 Р-кан. полевой ключевой /коммутир.
6W MMBFJ175
Motorola SOT23
Т1с Р-кан. полевой ключевой J175
6Х MMBFJ176
Fairchild SOT23
T1f J176 Р-кан. полевой клЮчевой /коммутир.
6У MMBFJ177
Motorola SOT23
Т1с Р-кан. полевой ключевой J177
6У2 BZV49-C6V2
Philips SOTB9
03Ь Стабилитрон 1Вт 6,2В
6УВ BZV49-C6VB
Philips SOT89
03Ь Стабилитрон 1Вт 6,ВВ
6Z MMBF170
Motorola SOT23
T1d N-кан. полевой 60В
702 2N7002
Motorola SOT23
T1d N-кан. полевой 60В О,5А
717 FММП17
Zetex
SOT23
Т1а Si PNP ключевой 0,625W 2,5д 12В
718 FММП18
Zetex
SOT23
Т1а Si PNP ключевой 0,625W 1,5А 20В
72 2N7002
Siliconix SOT23
T1d N-кан. полевой МОП 60В 170мд
720 FMMTT20
Zetex
SOT23
Т1а Si PNP ключевой 0,625W 1,5А


126
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
7Зs BAS70
lnfineon SОТ2З
D1a Диод Шапки 70В 50мА
Si цифровой NPN 50В 1ООмА 150мВт f>250МГц
74 DTA114WE
Rohm SOT416 Т1а (резистор в цепи базы 1ОкОм) +
(резистор в цепи Б-Э 4,7к0м)
74s BAS70-04
lnfiпeon SОТ2З
D1i Сдвоен. BAS70
75s BAS70-05
lnfineon SОТ2З
D1j Сдвоен. BAS70
75У BZV49-C75
Philips SOT89
DЗЬ Стабилитрон 1Вт 75В
Si цифровой NPN 50В 1ООмА 150мВт f>250МГц
76 DTA144WE
Rohm SOT416 Т1а (резистор в цепи базы 47к0м) +
(резистор в цеnи Б-Э 22к0м)
76s BAS70-06
lnfineon SОТ2З
D1h Сдвоен. BAS70
77 BAS70-07
lnfineon SОТ14З D4d Сдвоен. BASJO
77р BAS70-07
Phi
SOH43
D4d Сдвоен. BAS70
77s BAS70-07
Siemens SОТ14З D4d Сдвоен. BAS70
78 ММВТ4258
NatSemi SОТ2З
Т1а Si PNP ключевой f = 700МГц
7А MMBR901
Motorola SОТ2З
Т1а Si NPN ВЧ MRF 901
7А MUN5211DW1 Motorola SОТЗБЗ Т6с 2xSi NPN (резисторы смещения 1ОкОм+1 ОкОм)
7В MMBR920
Motorola SОТ2З
Т1а Si NPN ВЧ MRF 920
7В MUN5212DW1 Motorola SОТЗБЗ Т6с 2xSi NPN (резисторы смещения 22к0м+22к0м)
7С ММВR9ЗО
Motorola SОТ2З
Т1а Si NPN ВЧ MRF 9ЗО
7С MUN521ЗDW1 Motorola SОТЗБЗ Т6с 2xSi NPN (резисторы смещения 47к0м+47к0м)
70 ММВR9З1
Motorola SОТ2З
Т1а Si NPN ВЧ MRF 9З1
7D HD4A'
Zetex
SОТ2З
D1j С общ. анодом сдвоен. НDЗА
7D MUN5214DW1 Motorola SОТЗБЗ Т6с 2xSi NPN (резисторы смещения {Ок0м+47к0м)
7Е MMBR2060
· Motorola SОТ2З
Т1а SiNPN ВЧf=1,ГГцUкзЗОВ 50мА
7Е MUN5215DW1 Motorola SОТЗБЗ Т6с 2xSi NPN (резистор в цепи базы 1ОкОм)
7F MMBR4957
Motorola SОТ2З
Т1а Si NPN ВЧ f = 1,2ГГц ЗОВ ЗОмА
7F MUN5211DW1 Motorola SОТЗБЗ Т6с 2xSi NPN (резистор в цепи базы 4,7к0м)
7G ММВR50З1
Motorola SОТ2З
Т1а Si NPN ВЧf=1ГГц 10В20мА
7G MUN52ЗODW1 Motorola sотзвз Т6с 2xSi NPN (резисторы смещения 1кОм+.1 кОм)
7Н MMBR5179
Motofola SОТ2З
Т1а Si NPN ВЧ 2N5179/BFY90
7Н MUN52З1DW1 Motorola SОТЗБЗ Т6с ~xSi NPN (резисторы смещения 2,2к0м+2,2к0м)
7J FММТЗ8С
Zetex
SОТ2З
Т1а всхзас
7J MUN52З2DW1 Motorola SОТЗБЗ Т6с 2xSi NPN (резисторы смещения 4,7к0м+4,7к0м)
7К MMBR2857
Moto,rola SОТ2З
Т1а Si NPN ВЧ f=1ГГц Uкз 15В 40мА
7К MUN52ЗЗDW1 Motorola SОТЗБЗ Т6с 2xSi NPN (резисторы смещения 4,7к0м+47к0м)
7L MUN52З4DW1 Motorola SОТЗБЗ
'
Т6с 2xSi NPN (резисторы смещения 22к0м+47к0м)
7М MUN52З5DW1 Motorola SОТЗБЗ Т6с 2xSi NPN (резисторы смещения 2,2к0м+47к0м)


6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
127
Код Наименование Фирма Корпус· Цоколевка
Экв11Валент/краткое описание
7М MMBR521 L
Motorola 80Т23
Т1а 8i PNP ВЧ MRF 521
7N MMBR941BL Motorola 80Т23
Т1а 8iNPNСВЧf=8ГГцMRF941
7Р MMBR911L
Motorola 80Т23
Т1а 8iNPNСВЧf=6ГГцMRF911
7R MMBR536
Motorola 80Т23
Т1а 8i NPN ВЧ MRF 536
7800 NC7800M5
Fairchild 80Т23
11а 2-х входовая ячейка И-НЕ
7802 NC7802M5
Fairchild 80Т23
11а 2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
7804 NC7804M5
Fairchild . 80Т23
11Ь -Инвертор
7808 NC7808M5
Fairchild. 80Т23
11а 2-х входовая ячейка И
7814 NC7814M5
Fairchild 80Т23
11Ь Инвертирующий триггер Шм~тта
7832 NC7832M5
Fairchild 80Т23
11а 2-х входовая ячейка ИЛИ
7886 NC7886M5
Fairchild 80Т23
11а 2-х входовая ячейка ИСКЛ. ИЛИ
78U4 NC78U04M5
Fairchild 80Т23
11 ь Инвертор
7Х MMBR571L
Motorola 5от2з· Т1а 8i NPN СВЧ f = 8ГГц MRF 571
7У MMBR941L
Motorola 80Т23
Т1а 8iNPNСВЧf=8ГГцMRF941
7У5 BZV49-C7V5
Philips 80Т89
DЗЬ Стабилитрон 1Вт 7,5В
7Z MMBR951L
Motorola 80Т23
Т1а 8i NPN СВЧf =7,5ГГц MRF 951
81А MMBZ5250B Motorola 80Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 20В
81В MMBZ5251B Motorola 80Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 22В
81С MMBZ5252B Moto·rola 80Т23
D-1a Стабилитрон О,225Вт 24В
81D MMBZ5253B
Motorola SOT23
D1a Стабилитрон О,225Вт 25В
81Е MMBZ5254B Motorola 80Т23 · D1a Стабилитрон О,225Вт 27В
81F MMBZ5255B
Motorola 80Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 28В
81G- MMBZ5256B
Motorola SOT23
D1a Стабилитрон О,225Вт ЗОВ
81Н MMBZ5257B Motorola 80Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт ЗЗВ
81J MMBZ5258B
Motorola 80Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 36В
81К MMBZ5259B Motorola 80Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 39В
Q1L MMBZ5260B Motorola 80Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 43В
81М MMBZ5261B Motorola 80Т23
D1a ·стабилитрон О,225Вт 47В
81N MMBZ5262B
Motorola 80Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 51 В
81Р MMBZ5263B Motorola 80Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 56~
810 MMBZ5264B
Motorola 80Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 60В
81R MMBZ5265B
Motorola 80Т23, D1a Стабилитрон О,225Вт 62В
818 MMBZ5266B
Motorola 80Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 68В
81Т MMBZ5267B Motorola 80Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 75В
81U MMBZ5268B
Motorola 80Т23
D1a Стабилитрон 0,225Вт 82В
81V MMBZ5269B
Motorota 80Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 87В
81Вт MMBZ5270B Motorola 80Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 91 В


128
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/кра.ткое опиеание
822 S822T
Telefuпkeп SОТ14З Т4а Si NPN СВЧ f = 5,2ГГц 6В 8мд
82Р BFP182T
Telefuпkeп SОТ14З Т4а Si NPN СВЧ f = 7,5ГГц 10В З5мд
8З ММВТ4400
NatSemi SОТ2З
Т1а Si NPN 2N4400
8З ВАТ68
lпfiпеоп SОТ2З D1a Диод Шоттки 8В 1ЗОмд
8ЗР ВFР18ЗТ
Telefuпkeп SОТ14З Т4а Si NPN СВЧ f = 7,4ГГц 1ОВ 65мд
8Зs BAT68W
lпfiпеоп SОТЗ2З D1a Диод Шоттки 8В 1ЗОмд
8372 MRF 8З72
Motorola SОТ14З Т4а Si NPN З6В 200мд
84 ВАТ68-04
lпfiпеоп SОТ2З
D1i Сдвоен. диод Шоттки 8В 1ЗОмд
Si цифровой NPN 50В 1ООмд 150мВт f>250МГц
84 DTC114WE
Rohm SOT416 Т1а (резистор в цепи базы 1ОкОм) +
(резистор в цепи Б-Э 4,7к0м)
84s BAT68-04W
lпfiпеоп SОТЗ2З D1i Сдвоен. диод Шопки 8В 1ЗОмд
85 ВАТ68-05
1пfiпеоп SОТ2З
D1h Сдвоен. диод Шопки 8В 1ЗОмА
85 MMBD1701
NatSemi SОТ2З
D1a Быстродейств. Si диод ЗОВ 50мд
852 S852T
Telefuпkeп SОТ2З
Т1а Si NPN СВЧ f =5,2ГГц 6В 8мА
85s BAT68-05W
lпfiпеоп SОТЗ2З D1h Сдвоен. диод Шопки 8В 1ЗОмА
86 ВАТ68-06
lпfiпеоп SОТ2З
D1j Сдвоен. диод Шоттки 8В 1ЗОмА
86 MMBD1702
NatSemi SОТ2З
D1b Быстродейств. Si диод ЗОВ 50мд
Si цифровой NPN 50В 100мд 150мВт f>250МГц
86 DTC144WE
Rohm SOT416 Т1а (резистор в цепи базы 47к0м) +
(резистор в цепи Б-Э 22к0м)
86s BAT68-06W
lпfiпеоп SОТЗ2З D1j Сдвоен. диод Шоттки 8В 1ЗОмд
87 ВАТ68-07
lпfiпеоп SОТ14З D4d Сдвоен. диод Шоттки 8В 1З0мд
87 ММВDПОЗ
NatSemi SОТ2З
D1i Сдвоен. MMBD1701
88 MMBD1704
NatSemi SОТ2З
D1h Сдвоен. MMBD1701
888 S888T
·Telefuпkeп SОТ14З T4d N-кан. цифровой СВЧ полевой МОП
89 MMBD1705
NatSemi SОТ2З
D1j Сдвоен. MMBD1701
8А MMBZ5226B
Motorola SОТ2З
D1a Стабилитрон О,225Вт З,ЗВ
-
8А MUN2211
Motorola SC59
Т1а Si NPN (резисторы смещения 10к0м+10к0м)
8д MUN5211
Motorola SОТЗ2З Т1а Si NPN (резисторы смещения 10к0м+10к0м)
8В MMBZ5227B
Motorola SОТ2З
D1a Стабилмтрон О,225Вт З,6В
8В MUN2212
Motorola SC59
·т1а Si NPN (резисторы смещения 22к0м+22к0м)
8В MUN5212
Motorola SОТЗ2З Т1а Si NPN (резисторы смещения 22к0м+22к0м)
8С MMBZ5228B
Motorola SОТ2З
D1a Стабилитрон О,225Вт З,9В
8С MUN221З
Motorola SC59
Т1а Si NPN (резисторы смещения 47к0м+47к0м)
, 8С MUN521З
Motorola SОТЗ2З Т1а Si NPN (резисторы смещения 47к0м+47к0м)
8D MUN2214
Motorola SC59
Т1а Si NPN (резисторы смещения 10к0м+47к0м)
8D MUN5214
Motorola SОТЗ2З Т1а Si NPN (резисторы смещения 10к0м+47к0м)


б. Маркцровка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
129
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
8D MMBZ5229B .Motorola 50Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 4,ЗВ
ВЕ MMBZ52308 'Мotorola 50Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 4,78
8Е MUN2215
Motorola 5С59
Т1а 5i NPN tрезистор в цепи базы 10к0м)
8Е MUN5215
Motorola 50Т323 Т1а 5i NPN (резистор в цепи базы 10к0м)
8F MMBZ5231B Motorola 5·от2з
D1a Стабилитрон О,225Вт 5, 1В
8F MUN2216
Motorola 5С59
Т1а 5i NPN (резистор в цепи базы 4,7к0м)
8F MUN5216
Motorola 50Т323 Т1а 5i NPN (резистор в цепи базы 4,7к0м)
8G MMBZ5232B
Motorola 50Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 5,6В
8G MUN2230
Motorola 5С59
Т1а 5j NPN (резисторы смещения 1к0м+1 кОм)
BG MUN5230,
Motorola 80Т32.3 Т1а 5i NPN (резисторы смещениЯ 1к0м+1k0м)
8Н MM8Z52338 Motorola 50Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 6,08
8Н MUN2231
Motorola 5С59
Т1а 5i NPN (резисторы смещения 2,2к0м+2,2к0м)
8Н MUN5231
Motorola 50Т323 Т1а 5i NPN (резисторы смещения 2,2к0м+2,2к0м)
8J MMBZ52348
Motorola 50Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 6,2В
8J MUN2232
Motorola 5С59
Т1а 5i NPN (резисторы сме,щения 4,7к0м+4,7к0м)
8J MUN5232
Motorola 50Т323 Т1а 5i NPN (резисторы смещения 4,7к0м+4,7к0м)
8К MMBZ5235B Motorola 50Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 6,88
8К MUN2233
Motorola 5С59
Т1а 5i NPN (резисторы смещения 4,7к0м+47к0м)
8К МUN52ЗЗ
Motorola 50Т323 Т1а 5i NPN (резисторы смещения 4,7к0м+47к0м)
8L MMBZ5236B
Motorola 50Т23
D1a Стабилитрон О,2258т 7,5В
8L MUN2234
Motorola 5С59
Т1а 5i NPN (резисторы смещения 22к0м+47к0м)
8L MtlN5234
Motorola 50Т323 Т1а 5i NPN (резисторы смещения, 22к0м+47к0м)
8М MMBZ5237B Motorola 50Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 8,2В
8N MMBZ5238B
Motorola 50Т23
D1a Стабилитрон О,2258т 8,78
8Р MMBZ5239B Motorola 50Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 9, 1В
/
8Q MMBZ5240B
Motorola 50Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 1ОВ
8R MM8Z5241B Motorola 50Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 11 В
88 MMBZ52428
Motorola 50Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 128
8500 NC78TOOM5
Fairchild 50Т23
11а 2-х входовая ячейка И-НЕ
8802 NC75T02M5
Fairchild 50Т23
11а 2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
8504 NC78T04M5
Fairchild 50Т23, 11Ь Инвертор
8508 NC7SТ08M5
Fairchild 50Т23
11а 2-х вхоДовая ячейка И
8514 NС75Т14М5
Fairchild 50Т23
11 ь Инвертирующий триггер Шмитта
8832 NC75T32M5
Fairchild 50Т23
11а · 2-х входовая ячейка ИЛИ
8586 NC75T86M5
Fairchild · 50Т23
11а 2-х входовая ячейка искл. или_
вт MMBZ5243B Motorola 80Т23
D1a Стабилитрон О,2258т 13В
-
8U MMBZ52448
Motorola 50Т23
D1a Стабилитрон О,225Вт 14В
5Зак.4


130
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
8V MMBZ5245B
Motorola SOT23
D1a·
Стабилитрон О,225Вт 15В
8W MMBZ5246B
Motorola SOT23
D1a Стабилитрон О,225Вт 16В
8Х • MMBZ5247B
Motorola SOT23
D1a Стабилитрон О,225Вт 17В
8У MMBZ5248B Motorola SOT23
D1a Стабилитрон О,225Вт 18В
8У2 BZV49-C8V?
Philips SOT89
DЗЬ Стабилитрон 1Вт 8,2В
8Z MMBZ5249B
Motorola SOT23
D1a Стабилитрон О,225Вт 19В
92V BFP92A
Telefuпkeп SOT143 . T4d Si NPN СВЧ 6ГГц 16В ЗОмА
93 DTA143TE
Rohm SOT416
Т1а
Si цифровой NPN 50В 1ООмА 150мВт f>250МГц
(резистор в цепИ базы 4,7к0м)
94 DTA114T
Rohm
SOT23
Т1а Si PNP ключевой 50В 1ООмА
(резистор в цепи базы)
94 DTA114TE
Rohm SOT416
Т1а
Si цифровой NPN 50В 100мА 150мВт f>250МГц-
(резистор в цепи базы 1ОкОм)
95 DTA124T
Rohm
SOT23
Т1а
Si PNP ключевой 50В 1ООмА
(резистор в цепИ базы 22к0м)
95, DTA124TE
Rohm SOT416
Т1а Si цифровой NPN 50В 1ООмА 150мВт f>250МГц
(резистор в цепи базы 22к0м)
96 DTA144TE
Rohm SOT416
Т1а
Si цифровой NPN 50В 1ООмА 150мВт f>250МГц
1
(резистор в цепи базы 4'7к0м)
А 1SS355
Rohm SOD323
D6
Переключат. диод 80В 100мА
А MRF 947
Motorola SOT23
Т1а Si NPN СВЧ 8 ГГц SOT323
АО HSMS-2800
НР
SOT23
D1a НР2800 диод Шоттки
АО HSMS-2'80B
~р SOT323 D1a НР2800 диод Шоттки
А1 BAW56
Philips IТТ SOT23
D1j Сдвоен. с общ. анодом BAW62 (1N4148)
А1 BAW56W
Motorola SOT323
D1j Сдвоен. с общ. анодом BAW62 (1N4148)
А1 Si2301DS
SШсопiх SOT23 D1d Р-кан. полевой МОП
А11 MMBD1501A Fairchild SOT23
D1a Диод 180В 200мА
А13 MMBD1503A Fairchild SOT23
D1i Сдвоен. диод 180В 200мА
А14 MMBD1504A Fairchild SOT23
D1h Сдвоен. диод с общ. катодом 180В 200мА
А15 MMBD1505A Fairchild' SOT23
D1j Сдвоен. диод с общ. анодом 180В 200мА
A1s BAW56
lпfiпeon SOT23
~1j Сдвоен. с общ. анодом BAW62 (1N4148)
A1s BAW56W
lnfineon SOT323
D1j Сдвоен. с общ._ анодом BA'W62 (1 N4148)
А1Х MBAW56
Motorola SOT23
D1j То же самое
А2 HSMS-2802
НР
SOT23
D1i Сдвоен. НР2800
А2 HSMS-280C
НР
SOT323
D1i Сдвоен. Н~2800
А2 Si2302DS
Siliconix' SOT23
D1d N-кан. полевой МОП
А2 ВАТ18
lnfinion SOT23
D1a Переключат. диод 35В 100мА ВА482
А2 MMBD2836
Motorola SOT23
D1j Сдвоен. пере1<лючат. диод с общ. анодом 75В
А2 FMBD2836 ·
Zetex
SOT23
D1j Сдвоен. переключат. диод с общ. анодом 75В


6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
131
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
А2 MBTЗ906DW1 Motorola SОТЗ6З Т6с 2xSi PNP 2NЗ906
А2Х ММВD28З6
Motorola SОТ2З
D1j Сдвоен. переключ. 758 1ООмА 15нс
АЗ HSMS-280З
НР
SОТ2З
D1j НР2800 последов. включ. пара
АЗ HSMS-280E
НР
SОТЗ2З D1j НР2800 последов. включ. пара
АЗ MMBD1005
Motorola SОТ2З
D1j Сдвоен. Si диод с малым током утечки
АЗ ВАТ17
Philips SОТ2З
D1a ВА481
АЗ ММВD28З5
Motorola SОТ2З
D1j Сдво~н. переключ. З5В 1ООмА 15нс
А4 HSMS-2804
НР
SОТ2З D1h Сдвоен. НР2800 диод Шопки
А4 HSMS-280F
НР
SОТЗ2З D1h Сдвоен. НР2800 диод Шоттки
А4 BAV70
Philips IП SОТ2З
D1h 2xBAW62 (tN4148)
А4 BAV70W
Motorola SОТЗ2З D1h 2xBAW62 (1N4148)
А4 ВВ404А
IП
SОТ2З D1h Сдвоен. варикап
'
A4s BAV70
lnfineon SОТ2З
D1h 2xBAW62 (1N4148)
A4s BAV70W
lnfineoп SОТЗ2З D1h 2xBAW62 (1N4148)
А4Х MBAV70
Motorola SОТ2З
D1h То же самое
А5 HSMS-2805
НР
SОТ14З D4d Сдвоен. НР2800 диод Шопки
А5 MMBD1010
Motorola SОТ2З
D1h Сдвоен. Si диоды с общ. катодом
А5 ММВD28З7
Motoюla SОТ2З
D1h Сдвоен. диоды с общ. катодом ЗОВ 150мА
А5 HSMS-2805
НР SОТ-14З D4d Сдвоен. диоды Шопки
А5 FMBD28З7
Zetex
SОТ2З D1h Сдвоен. диоды с общ. катодом ЗОВ 150мА
А6 BAS16
Zetex Mot SОТ2З
D1a Si переключ. 758 100мА
А6 BAS16W
Motorola SОТ32З D1a BAW62 (1N4148)
А61 BAS28
CENTS SОТ14З
D4f Два быстродейств. имп. диода 758 250мА
А6А MMUN2111
Motorola SОТ2З
Т1а Si PNP (резисторы смещения 10i<Ом+10к0м)
А6В MMUN2112
Motorola SОТ2З
Т1а Si PNP (резисторы смещения 22к0м+22к0м)
'
А6С MMUN211З
Motorola SОТ2З
Т1а Si PNP (резисторы смещения 47к0м+47к0м)
A6D MMUN2114
Motorola SОТ2З
Т1а Si PNP (резисторы смещения 10к0м+10к0м)
А6Е MMUN2115
Motorola SОТ2З
Т1а Si PNP (резистор в цепи базы 10к0м)
A6F MMUN2116
Motorola SОТ2З
Т1а Si PNP (резистор в цепи базы 4,7к0м)
A6G MMUN21ЗO
Motorola SОТ2З
Т1а Si PNP (резисторы смещения 1кОм+.1 кОм)
А6Н MMUN21З1
Motorola SОТ2З
Т1а Si PNP (резисторы смещения 2,2к0м+2,2к0м)
A6J MMUN21З2
Motorola SОТ2З
Т1а Si PNP (резисторы смещения 4,7к0м+4,7к0м)
А6К ММUN21ЗЗ
Motorola SОТ2З
Т1а Si PNP (резисторы смещения 4,7к0м+47к0м)
A6L MMUN21З4
Motorola SОТ2З
Т1а Si PNP (резисторы смещения 4,7к0м+47к0м)
A6s BAS16
lnfineon SОТ2З
D1a Si переключ. диод 758 100мА
A6s BAS16W
lnfineon SОТЗ2З D1a BAW62 (1N4148)
A6s BAS16S
lnfineon SОТЗ6З
D5f Три Si переключ. диода 758 100мА


132
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма Kopnyc Цоколевка
Эквивалент/краткое оnисание
А6Х ММВО2838
Motorola SOT23
01 h Сдвоен. nереключ. диод 50В 1ООмА
А7 BAV99
Phil Zet. SOT23
01i Сдвоен. дио.ц BAW92
А7 HSMS-2807
НР
SOT143 04с НР2800 кольцевое включ.
-
A7s BAV99
lnfineon SOT23
01i Сдвоен. диод BAW92
A7s BAV99W
lnfineon SOT323
01i Сдвоен. диод BAW92
А8 HSMS-2808
НР
SOT143 04а НР2800 ДИОДНЫЙ мост
А8 BAS19
Phil Zet SOT23
01а BAV19
А81 BAS20
Phil Zet SOT23
01а BAV20
А82 BAS21
Phil Zet SOT23
01а BAV21
А8А MMUN2211
Motorola SOT23
Т1а Si NPN (резисторы смещения 10к0м+10к0м)
А8В MMUN2212
Motorola SOT23
Т1а Si NPN (резисторы смещения 22к0м+22к0м)
А8С MMUN2213
Motorola SOT23
Т1а Si NPN (резисторы смещения 47к0м+47к0м)
А80 MMUN2214
Motorola SOT23
Т1а Si NPN (резисторы смещения 1Оком+1 О кОм)
А8Е MMUN2215
Motorola SOT23
Т1а Si NPN (резистор в цеnи ба?Ы 1ОкОм)
A8F MMUN2216
Motorola SOT23
Т1а Si NPN (резистор в цепи базы 4,7к0м)
A8G MMUN2230
Motorola SOT23
Т1а Si NPN (резисторы смещения 1кОм+1 кОм)
-
. А 8Н MMUN2231
Motorola sot2з
Т1а Si NPN (резисторы смещения 2,2к0м+2,2к0м)
A8J MMUN2232
Motorola SOT23
Т1а Si NPN (резисторы смещения 4,7к0м+4,7к0м)
А8К MMUN2233
Motorola SOT23
Т1а Si NPN (резисторы смеЩения 4,7к0м+47к0м)
A8L MMUN2234
Motorola SOT23
Т1а Si NPN (резисторы смещения 22к0м+47к0м)
А9 FMM02835
Zetex
SOT23
01j Сдвоен. быстродейств. переключат. диод
А91 BAS17
Philips SOT23
01а ВА314
м 74AHC1GOO
Philips SOT353
11а 2-х входовая ячейка И-НЕ
м BCW60A
Phi IТТ SOT23
Т1а Si NPN ВС548А
м ВСХ51
lnfineon SOT89
ТЗа Si PNP 45В 1А
АМ MMBF4856
Motorola SOT23
Т1с Полевой с N-кан. коммутир. 2N4856
MG MMBR951AL
Motorola SOT23
Т1а Si NPN СВЧ 8ГГц
АВ 74AHC1G02
Philips 1 sотз5з
11а 2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
АВ BCW60B
Phi IТТ SOT23
Т1а Si NPN ВС548В
АС 74AHC1G04
Philips SOT353
11 ь Инвертор
АС BCW60C
Phi IТТ SOT23
Т1а Щ NPN ВС548С
АС ВСХ51-1 О
lnfineon SOT89
тза Si PNP 45В 1А
АО 74AHC1GU04
Philips SOT353
11 ь Инвертор
АО BCW600
Phi IТТ SOT23
Т1а Si NPN ВС5480
АО ВСХ51-16
lnfineon. SOT89
ТЗа Si PNP 45В 1А
AON 2SC3838K
Rohm
SOT23
Т1а Si NPN 11 В 3,2ГГц для ТВ тюнеров
АЕ 74AHC1G08
Philips . SOT353
11 а 2-х входовая ячейка И


б. Маркировка полуhроводниковых SMD радиокомпонентов
133
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
АЕ ВСХ52
lnfineon SOT89
Т3а SPPNP 608 1А
AEN 2SC3839K
Rohm SOT23
Т1а Si NPN 208 2,ОГГц для ТВ тюнеров
НЧ 74AHC1G14
Philips SОТ353
11Ь И.Цвертирующий триггер Шмипа
НЧ s BCW60FF
lnfineon SOT23
Т1а Si NPN 328 100мд
AG 74AHC1G32
Philips SOT353
11а 2-х входовая ячейка ИЛИ
AG BCX70G
Phi IТТ SOT23
Т1а Si NPN ВС547А
AG ВСХ52-10
lnfineon SOT89
Т3а Si PNP 608 1А
АН 74AHC1G86
Philips SOT353
11а 2-х входовая ячейка ИСКЛ. ИЛИ
АН ВСХ70Н
Phi IТТ SOT23
Т1а Si NPN ВС547В
АН ВСХ53
lnfineon SOT89
Т3а Si PNP 808 1А
АН ВСР56
Motorola SOT89
Т3а Si PNP усилит. ВОВ 150мд
АНр ВСХ70Н
Philips SOT23
Т1а Si NPN 458 100мд
AHs · ВСХ70Н
Siemens SOT23
Т1а Si NPN 458 100мд
AJ BCX70J
Phi IТТ SOT23
Па Si NPN ВС547С
AJp BCX70J
Philips SOT23
Па Si NP['J 458 200мд
AJs -ВСХ70J
Siemen& SOT23
Т1а Si NPN 458 200мд
АК ВСХ70К
Phi IТТ SOT23
Т1а Si NPN BC547D
дк ВСХ53-10
lnfirieon SOTB9
Т3а Si PNP 808 1А
АКр ВСХ70К
Philips SOT23
Т1а Si NPN 458 200мд
АКs ВСХ70К'
Siemens SOT23
Т1а Si NPN 458 1ООмА
AL 74АНЩG66
Philips SOT353
11d Двунаправленный ключ
AL MMBTA55L
Motorola SOT23
Т1а Si PNP 258 (MPSA55)
AL ВСХ53-16
lhfineon SOT89
13а Si PNP 808 1А
АМ 74AHC1G125
Philips SOT353
11е Драйвер шины буфера линии; 3-х уровнев.
АМ MMBT3904W
Motorola SOT323 Т1а Si NPN 2N3904
АМ ВСХ52-16
lnfineon SOT89
Т3а Si PNP 608 1А
АМ BSS64
Motorola SOT23
Т1а Si NPN 808 О,ВА f = 60МГц
АМр BSS64
Philips SOT23
Т1а Si NPN ВОВ О,ВА f = 60МГц
AMs BSS64
lnfineon SOT23
Т1а Si NPN 808 О,ВА f = 60МГц
AN 74AHC1G126
Philips SOT353
11е Драйвер шины буфера линии; 3-х уровнев.
ANs BCW60FN
lnfineon SOT23
Т1а Si NPN 328 100мА
АР 74AHC1G79
Philips SOT353
11с О-триггер
AR MSB709R
Motorola SC59
Т1а Si PNP 258
AS MSB709S
Motorola SC59
Т1а Si PNP 258
AS ВАТ18-05
lnfineon SOT23
D1h Сдвоен. переключат. диод 358 1ООмА ВА482
ASG КТА1504
КЕС
SOT23
'Т1а Si PNP 508 150мд
ASO КТА1504
КЕС
SOT23
Т1а Si PNP 508 150мд


134
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
"_
~
оА
" __ пус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
ASY КТА1504
КЕС
SOT23
Т1а Si PNP 50В 150мА
АSЗ BSP52
Motorola SOT223 Т2а
Si NPN схема Дарлингтона (составной транзистор)
О,5А h21э = 2000
АТ ВАТ18-06
lnfineon SOT23
D1j Сдвоен. переключат. диод 358 100мА ВА482
AU ВАТ18-04
lnfineon SOT23
D1i Сдвоен. переключат. диод 35В 1ООмА ВА482
AV DAN212K
Rohm
SOT23
D1a Переключ. 80В 1ООмА
AW BCX70GR
Zetex
SOT23
Т1а Si NPN 45В 200мА
АХ BCX70JR
Zetex
SOT23
Т1а Si NPN 45В 200мА
AZO КТА1505
КЕС
SOT23
Т1а Si PNP 35В 500мА
AZY КТА1505
КЕС
SOT23
Т1а Si PNP 35В 500мА
в MRF 957
Motorola SOT23
Т1а SiNPNСВЧf=9ГГц
во .HSMS-2810
НР
SOT23
D1a Hf'281 О диод Шапки
во HSMS-281 В
НР
SOT323
D1a НР2810 диод Шапки
во SST5460
Siliconix SOT23
Т1с Р-кан. полевой 2N5460
В1 SST5461
Siliconix SOT23
Т1с Р-кан. полевой 2N5461
В1 BAS40
Motorola SOT23
D1a Диод Шапки переключат. диод
В2 SST5462
Siliconix SOT23
Т1с Р-кан. полевой 2N5462
В2 BSV52
Phil Mot SQТ23
Т1а Si NPN BSX20 12В f = 400МГц переключ.
В2 HSMS-2812
НР
SOT23
D1i Сдвоен. НР2810 диод Шапки
В2 HSMS-281C
НР
SOT323
D1i Сдвоен. НР281 О диод Шапки
вз HSMS-281 Е
НР
SOT323
D1j Сдвоен. с общ. анодом НР2810 диод Шапки
вз HSMS-2813
НР
SOT23
D1j Сдвоен. с общ. анодом НР2810 диод Шопки
вз MMBD717L
Motorola SOT323
D1j Сдвоен. с общ. анодом диод Шапки
В4 HSMS-2814
НР
SOT23
D1h Сдвоен. НР281 О диод Шапки
В4 HSMS-281 F
НР
SOT323
D1h Сдвоен. НР2810 диод Шапки
В4 ВВ404В
IТТ
SOT23
D1h Сдвоен. варикап
В5 HSMS-2815
НР
SOT143
D4d Сдвоен. НР2810 диод Шапки
В6 ВАТ54А
Motorola SOT23
D1j Сдвоен. с общ. анодом ЗОВ диод Шапки
В7 HSMS-2817
НР
SOT143
D4c НР2810 ~ольцевое включ.
В8 HSMS-2818
НР
SOT143
D4a НР2810 диодный мост
В9 2SC4617
Motorola SOT23
Т1а Si NPN корпус SC-90
ВА BCW61A
Phil lnfin SOT23
Т1а Si PNP ВС558А
ВА ВСХ54
lnfineon SOT89
тза SiNPNНЧ4581А
ВА DAN217
Rohm
SOT23
D1i Сдвоен. диод 808 1ООмА
вв BCW61B
Phil lnfin SOT23
Т1а Si PNP ВС558В
вс BCW61C
Phil lnfin SOT23
Т1а Si PNP ВС558С
вс ВСХ54-10
lnfineon SOT89
тза SiNPNНЧ45В1А


6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
135
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
BD BCW61D
Phil lпfiп SOT23
Т1а Si PNP BC558D
BD ВСХ54-16
lnfineon SOT89
Т3а SiNPNНЧ4581А
ВЕ BAS70
Motorola SOT23
D1a Диод Шапки переключат.
ВЕ ВСХ55
lnfineon SOT89
Т3а SiNPNНЧ6081А
BFs BCW61FF
Phil lnfin SOT23
Т1а Si PNP 328 100мА
BG BCX71G
Phil lnfin SOT23
Т1а Si PNP ВС557А
BG ВСХ55-10
lnfineon SOT89
Т3а SiNPNНЧ6081А
вн ВСХ71Н
Phil lnfin SOT23
Т1а Si PNP ВС557В
вн ВСХ56
lnfineon SOT89
Т3а Si NPN НЧ усилит. 808 1А
вн ВСР56
Motorola SOT223 Т2а Si NPN усилит. 808 150мА
BJ BCX71J
Phil lnfin SОТ23
Т1а Si PNP ВС557С
вк ВСР56-10
lnfineon SOT89
Т3а Si NPN усилит. 808 1А
вк ВСХ71К
Phil lnfin SOT23
Т1а Si PNP BC557D
BL MBD54DW
Motorola SOT363
D5a Сдвоен. детекторн. диоды Шапки
BL ВСР56-16
lnfineon SOT89
Т3а Si NPN НЧ усилит. 808 1А
вм ВСХ55-16
lnfineon SOT89
Т3а SiNPNНЧ6081А
BMs BSS63
lnfineon SOT23
Т1а Si PNP НЧ переключ. 1008 О,8А
BNS BCW61FN
Phil lnfin SOT23
Т1а Si PNP 328 100мА
BR 2SC2412K
Rohm SOT23
Т1а Si NPN 508 150мА min h21з = 180
BR 2SC4081
Rohm SOT23
Т1а Как 2SC2412K, но в корпусе UMT
BR 2SC4617
Rohm
SOT23
Т1а Как 2SC2412K, но в корпусе ЕМ3
BR MSB1218A-R Motorola SOT323 Т1а Si PNP 458
вsз BSP62
Motorola SOT89
Т3а Si PNP схема Дарл~нгтона (составной транзистор)
О,5А h21з = 2000
BS3 BSP62
Motorola SOT223 Т2а
Si PNP схема Дарлингтона (составной транзистор)
О,5А h21з = 2000
ВТ2 BSP1-6
Motorola SOT89
Т3а SiPNP-30081А
с КV1~32Е
Toko SOD123
D6
СВЧ варикап 4-17пФ
со HSMS-2820
НР
SOT23
D1a НР2835 диод Шапки
со HSMS-2828
НР
SOT323
D1a НР2835 диод Шапки
С1 TC4S11F
Toshiba SC59
11а 2-х входовая ячейка И-НЕ
С1 - BCW29
P~ilips SOT23
Т1'а ВС178А
С11 SST111
Siliconix SOT23
Т1с J111 N-кан. полевой
С12 SST112
Siliconix SOT23
Т1с J112 N-кан. полевой
С13 SST113
Siliconix SOT23
Т1с J113 N-кан. полевой
С2 TC4S81F
Toshiba SC59
11а 2-1< входовая ячейка И
С2 BCW30
Philips SOT23
Т1а ВС178В
С2 HSMS-2822
НР
SOT23
D1i Сдвоен. НР2835 диод Шапки
С2 HSMS-282C
НР
SOT323
D1i Сдвоен. НР2835 !lиод Шапки
С2 SST112
Temic SOT23
Т1с J112 - аналог ключевой полевой с N-кан.
С3 TC4S01F
Toshiba SC59
11а 2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
С3 HSMS-2823
НР
SOT23
D1j Сдвоен. НР2835 диод Шапки


136
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое опирание
сз HSMS-282E
НР
SOT323
D1j Сдвоен. НР2835 диод Шоттки
сз SST113
Temic SOT23
Т1с J113 - аналог ключевой полевой
С38 SST563B
Silicoпix SOT23
Т1с 2N5638
С39 SST5639
Silicoпix SOT23
Т1с 2N5639
С4 TC4S71F
Toshiba SC59
11а 2-х входовая ячейка ИЛИ
С4 HSMS-2B24
НР
SOT23
D1h Сдвоен. НР2В35 диод Шот-тки
С4 HSMS-282F
НР
SOT323 D1h Сдвоен. НР2835 диод Шоттки
С4 ВВ404С
IТТ
SOT23
D1h Сдвоен. варикап
С40 SST5640
Silicoпix ЮГ23
Т1с 2N5640
С41 SST4091
Siliconix SOT23
Т1с 2N4091
С42 SST4092
Siliconix SOT23
Т1с 2N4092
С43 SST4093
Siliconix SOT23
Т1с 2N4093
С5 TC4S69F
Toshiba SC59
11 ь Инвертор
С5 ММВАВ11С5 Motorola SOT23
Т1а Si PNP 2N5086 h21э = 135-270
С5 HSMS-2B25
НР
SOT143 D4d Сдвоен. НР2В35 диод Шоттки
С56 SST4856
Siliconix SOT23
Т1с 2N4B56
С57 SST4857
Siliconix SOT23
Т1с 2N4B57
-
С5В SST4B58
Siliconix SOT23
Т1с 2N4B58
С59 SST4859
Siliconix .sот2з
Т1с 2N4859
Сб TC4SU69F
Toshiba SC59
11Ь Инвертор
Сб ММВА811С6 Motorola SOT23
Т1а Si PNP 2N5QB6 h21э = 200-400
СбО SST4860
Siliconix SOT23
Т1с 2N4B60
С61 SST4B61
Siliconix SOT23
Т1с 2N4861
С7 TC4SU11F
Toshiba SC59
11.а 2-х входовая ячейка И-НЕ
С7 ММВАВ11С7 Motorola SOT23
Т1а Si PNP 2N5086 h21э = 300-600
С7 HSMS-2B27
НР
SOT143 D4c НР2835 кольцевое включ.
св TC4SЗOF
Toshiba SC59
11а 2-х входовая ячейка ИСКЛ. ИЛИ
св HSMS-2828
НР
SOT143 D4a НР2В35 ДИОДНЫЙ мост
св ВСFЗО
STM
SOT23
Т1а ВС559В
св ММВАВ11СВ Motorola SOT23
Т1а Si PNP 2N50B6 h21э = 450-900
С9 HSMS-2B29
НР
SOT143 D4c 4 диода Шоттки
С9 TC4S66F
Toshiba SC59
11d Двунаправленный ключ
СА 74AHCT1GOO
Philips SOT353
11а 2-х входовая ячейка И-НЕ
СА TC4S5B4F
Toshiba SC59
11.Ь Триггер Шмитта
СА SST4391
Siliconix SOT23
Т1с Полевой с N-кан. 2N4391
СА ВСР68
Motorola SOT223 Т2а Si NPN 20В 1А
св 74АНСТ1GО2
Philips SOT353
11а 2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
-


б. МаркирDвка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
137
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
св SST4392
Silicoпix SOT23
Т1с Полевой с N-кан. 2N4392
св ВСХ68-10
lnfineon SOT143 Т3а 5i NPN НЧ 20В 1А
се 74AHCT1G04
Philips 50Т353
11Ь Инвертор
се 55Т4393
5ilicoпix SOT23
Т1с Полевой с N-кан. 2N4393
се ВСХ68-16
lпfineon 50Т143 Т3а 5i NPN НЧ 20В 1А
CD 74AHCT1GU04 Philips 50Т353
11Ь Инвертор
CD ВСХ68-25
lnfineon 50Т143 Т3а 5i NPN НЧ 20В 1А
CDs В5581В
lnfineon 50Т23
Т1а 5i NPN НЧ nереключ. 40В О,ВА h21э =40-120
СЕ 74AHCT1G08
Philips 50Т353
11а 2-х входовая ячейка И
СЕ ВСР69
Motorola 50Т223 Т2а 5i PNP 20В 1А
CEs В5579В
lnfineon 50Т23
Т1а 5i NPN 40В О,ВА h21э =40-120
CF 74АНСТ1G14
Philips 50Т353 11Ь Инвертирующий триггер Шмитта
CF ВСХ69-10
lnfineon 501'143 Т3а 5i PNP НЧ 20В 1А
CFs B5S79C
lnfineon 50Т23
Т1а 5i NPN 35В О,ВА h21э = 100 мин.
CG 74AHCT1G32
Philips 50ТЗ53
11а 2-х входовая ячейка ИЛИ
CG ВСХ69-16
lnfineon 50Т143 Т3а 5i PNP НЧ 20В 1А
CGs B5S81C
lnfineon 50Т23
Т1а Si NPN НЧ переключ. 358 О,ВА
сн 74АНСТ1G86
Philips 50Т353
11а 2-х входовая ячейка ИСКЛ. ИЛИ
сн ВСХ69-25
lnfineon 50Т143 Т3а 5i PNP НЧ 208 1А
сн B5582BL
Motorola 50Т23
Т1а 5i PNP 60В
CHs В5580В
lnfiпeon 50Т23
Т1а 5i PNP 408 О,ВА h21э =40-120
CJs В5580С
lnfineon 50Т23
Т1а 5i PNP 40В О,ВА h21э = 100 min
CL 74AHCT1G66
Philips 50Т353
11d Двунаправленный ключ
CLs В5582В
lnfineon 50Т13
Т1а 5i PNP 60В О,ВА h21э 40-120
см 74AHCT1G125 Philips 50Т353
11е Драйвер шины буфера линии; 3х уровнев.
CMs В5582С
lnfineon 50Т23
Т1а 5i PNP 60В О,ВА h21э = 100 min
CN 74AHCтtG126 Philips 50Т353
11е Драйвер шины буфера линии; 3х уровнев.
СР 74AHCT1G79
Philips 50Т353
11с D-триггер
CQ 25С2411К
Rohm 50Т23
Т1а 5i NPN схема Дарлингтона (составной транзистор)
CQ M5D710Q
Motorola 5С59
Т1а 5i PNP 25В 150мд
CR M5D701R
Motorola 5С59
Т1а 5i PNP 25В 150мА
D 155376
Rohm 50D323
D6
Переключат. диод 300В 100мА
D MRF5П
Motorola 50Т23
Т1а 5i NPN СВЧ f =7ГГц
DO HSMP-31100
НР
50Т23 D1a НР3800 PIN аттенюаторн. диод
D1 BCW31
Phitips 50Т23
Т1а 8С108А
01 S5T211
Siliconix 50Т143
T4j N-кан. цифровой МОП полевой
D2 BCW32
Philips 50Т23
Т1а ВС108В


138
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
02 HSMP-3802
НР
SOT23
D1i Сдвоен. НРЗ800 PIN аттенюаторн. диод
03 SST213
Siliconix SOT143
T4j N-кан. цифровой МОП полевой
03 8CW33
Philips SOT23
Т1а 8С108С
038 R84200
Rohm SOT23
01а 258 1ООмА диод Шоттки
ОЗЕ R84110
Rohm SOT23
01а 208 500мА диод Шоттки
03J R84200
Rohm SOT23
D1a 258 1ООмА диод Шоттки
03L R8706D-40
Rohm SOT23
01h Сдвоен. 458 30мА диод Шоттки
D4 HSMP-3804
НР·
SOT23
D1h Сдвоен. НР3800 PIN аттенюаторн. диод
D4 884040
IТТ
SOT23
01h Сдвоен. варикап
04 MM8D4148SE Fairchild SOT23
D1i Сдвоен. диод 1N4148
D5 SST215
Siliconix SOT143
T4j N-кан. цифровой МОП полевой
D5 ММ804148СС Fairchild SOT23
01h Сдвоен. диод 1N4148
D58 FLLD261
Zetex
SOT23
01h С малым током утечки сдвоен. Si диод
06 ММ804148СА Fairchild SOT23
D1j Сдвоен. диод 1N4148
06 MM8C1622D6 Motorola SOT23
Т1а MPS3904 h21з = 200-400
063 FLLD263
Zetex
SOT23
D1j С малым током утечки сдвоен. Si диод
07 MM8C1622D7 Motorola SOT23
Т1а MPS3904 h21з = 300-600
D76 8AR18
sтм SOT23' 01а Диод Шоттки 708 30мА
D7p 8CF32
Philips SOT23
Т1а Si NPN 328 1ООмА 250м8т
085 8AT170S
STM
SOT23
01i 2х8А481
D8p 8CF33
Philips SОТ23
Т1а 8С146/03


7. Особенности тестирования электронных компонентов
139
7. Особенности тестирования
электронных компонентов
При ремонте любого электронного изделия приходится сталкиваться с про­
веркой радиоэлементов. При кажущейся простоте этот процесс имеет свои осо­
бенности. Возникают .вопросы, касающиеся тестирования и тогда, когда радиолю­
битель решает заменить старенький тестер на новый, с цифровой индикацией, ко­
гда появляются новые типы полупроводниковых приборов, таких is:aк цифровые
транзисторы, и т. д. В этой главе приведены ответы на многие вопросы, связанные
с проверкой работоспособности радиоэлементов, изложены основные принципы
тестирования как с применением стрелочных (или аналоговых) мультиметров
(АММ), так и современных цифровых мультиметров (ЦММ).
7. 1 . Тестирование конденсаторов
Тестирование кондесаторов п_ри использовании мультиметров, имеющих ре­
жим проверки конденсаторов, проблем не вызывает. Если же мультиметр такого
режима не имеет, то для проверки используется омметр (только АММ). Он позво­
ляет определить пробой или утечку конденсатора. К омметру, включенному на
верхнем пределе измерения, подключают конденсатор. О пробое свидетельствует
низкое (несколько Ом) сопротивление конденсатора. Если конденсатор исцравен,
то стрелка АММ сначала отклонится (при емкости конденсатора от 0,47 мкФ и
более), а затем вернется на нулевую отметку. Величина и время отклонения
стрелки зависит от емкости конденсатора по принципу: чем больше, тем больше.
При проверке электролитических конденсаторов следует соблюдать полярность
подключения мультиметра. Если же стрелка отклонилась на какую-то величину и
АММ показывает какое-то сопротивления, то это говорит об утечке конденсато­
ра. ЦММ такие измерения производить не позволяет. Этот способ проверки не
обеспечивает 100%-й гарантии того, что если отклонений при проверке не выяв­
лено, то конденсатор исправен, и требует обязательного выпаивания его из схе­
мы. Главным критерием работы конденсатора является выпол'нение им своих
функций в работающей схеме. Полученные в результате такой проверки резуль­
таты могут говорить об исправности конденсатора, однако он может быть неис­
правен и работать в схеме не будет.
Оптимальным способом быстрой проверки емкостей, без выпаивания их из
схемы, на работоспособность является следующий. Необходимо произвести
внешний осмотр схемы. Конденсаторы с раздутым корпусом, с потеками электро­
лита, коррозией у выводов, с греющимся во время работы корпусом необходимо
проверить заменой. Особенно критична такая проверка для импульсных блоков
питания. Дополнительной информацией о неисправностях конденсаторов фильт­
ров питания является пониженное напряжение питания, специфические помехи


140
7. Особенности тестирования электронных компdнентов
на изображении телевизора, повышенный уровень фона аудио тракта. Хороший
результат дает подключение параллельно проверяемому исправного конденсатора
(подключать следует при отключенном питании устройства). При неисправностях
конденсаторов в импульсных схемах, например в задающем генераторе кадровой
развертки телевизора, проверку конденсатора на работоспособность можно про­
извести путем подключения заведомо исправного и по характеру изменений на
экране принимают решение о необходимости его замены.
Наиболее часто выходят из строя электролитические конденсаторы, иногда
полиэтилентерефталатные в высоковольтных цепях строчной развертки. Редко -
керамические и слюдяные конденсаторы.
Наилучшие результаты при тестировании конденсаторов дает использование
простого генератора импульсов, построенного на интегральном таймере типа
КР1006ВИ1 (зарубежные аналоги - таймеры серии 555). При проверке конден­
сатор включают во времязадающую цепочку и по периоду следования импульсов
при известном значении R вычисляют значение емкости по формул~:
т
С=----
0,693 · R
Следует быть очень осторожными при проверке конденсаторов в высоко­
вольтных схемах (схемы строчной раззертки, импульсных блоков питания). По­
сле выключения устройства с помощью разрядной цепи конденсаторы необходи­
мо разрядить. Для этого используют разрядную цепь из резистора сопротивлени­
ем 2 кОм" .1 МОм, соединенного одним выводом с корпусом или общим проводом
схемы. Рекомедуемые значения сопротивления резистора:
• для низковольтных цепей· с емкостями до 1ООО мкФ и рабочими наnр5tже­
ниями до 400 В (блоки питания телевизоров и мониторов, электронные лам­
пы-вспышки) - 2 кОм (25 Вт). Время разряда составляет примерно 1 с на
100 мкФ емкости;
• для цепей с емкостями до 2 мкФ и со средними рабочими напряжениями до
5000 В (высоковольтные конденсаторы микроволновых печей) - 100 кОм
(25 Вт). Время разряда составляет примерно 0,5 с на 1 мкФ емкости;
• для высоковольтных цепей с емкостями до 2 нФ и рабочими напряжениями
до 50 кВ (цепи питания второго анода ЭЛТ) - 1 МОм (10 Вт). Время разря­
да составляет примерно 0,01 с на 1 нФ емкости.
На рис. 7.1 приведена схема разрядника со светодиодной индикацией.
Рис. 7.1


7. Особенности тестирования электронных компонентов
141
В качестве включенных встречно-параллельно диодов применяются кремние­
вые диоды общего назначения. Падение напряжения на диоде в прямом направле­
нии сос.тавляет около О, 75 В, поэтому на сборке из четырех диодов оно составит
около 2,8 ... 3 В. В пробнике применяется два светодиода дЛЯ того, чтобы обеспе­
чить индикацию независимо от полярности его включения.
Говоря о проверке электролитических конденсаторов, следует упомянуть об
их так называемом эквивалентном последовательном сопротивлении (ЭПС). На
его величину влияет, а с течением времени не в лучшую сторону, состояние об­
кладок конденсатора, внутренних контактов, состояние электролита. При соот­
ветствии емкости номиналу иногда оказывается, что ЭПС возросло, а это приво­
дит к тому, что схема либо не работает, либо работает неправильно. За рубежом
выпускаются специальные приборы дЛя проверки ЭПС, но на практике оценить
ЭПС электролитического кондесатора можно довольно просто с помощью осцил­
лографа. Для этого следует подать на осциллограф с генератора импульсов или
звукового генератора сигнал частотой около 100 кГц (некритично) и включить в
разрыв сигнального провода испытуемый конденсатор, если он используется в
схеме как разделительный, или замкнуть сигнальный провод через испытуемый
конденсатор на общий провод, если он исполы~уется как конденсатор фильтра. В
первом случае уровень сигнала не должен ни измениться, ни исказиться. Во вто­
ром случае вместо меандра или синусоиды наблюдается прямая линия. Если это­
го не происходит - конденсатор необходимо заменить.
7 .2. Тестирование полупроводниковых диодов
При тестировании диодов с помощью АММ следует использовать нижние
пределы измерений. При проверке исправного диода сопротивление в прямом на­
правлении составит несколько сотен Ом, в обратном направлении - бесконечно
большое сопротивление. При неисправности диода АММ покажет в обоих на­
правлениях сопротивление близкое к О (при пробое диода) или разрыв цепи. Со­
противление переходов в прямом и обратном направлениях для германиевых и
кремниевых диодов различно.
Проверка диодов с помощью ЦММ производится в режиме их тестирования.
При этом, если диод исправен, на дисплее отображается напряжение на р-п переходе
при измерении в прямом направлении или разрыв при измерении в обратном направ­
лении. Величина прямого напряжения на переходе для кремниевых диодов составля­
ет 0,5 ... 0,8 В, дЛЯ германиевых - 0,2 ... 0,4 В. При проверке диода с помощью ЦММ в
режи1У1е измерения сопротивления при проверке исправного диода обычно наблюда­
ется разрыв как в прямом, так и в обратном направлении из-за того, что напряжение
на клеммах мультиметра недостаточно дЛЯ того, чтобы переход открылся.


142
7. Особенности тестирования электронных компонентов
7 .3. Тестирование транзисторов
Для наиболее распространенных биполярных транзисторов их проверка ана­
логична тестированию диодов, так как саму структуру транзистора p-n -p или n-p-n
можно представить как два диода (рис. 7.2), с соединенными вместе выводами ка­
тода, либо анода, представляющими собой вывод базы транзистора. При тестиро­
вании ЦММ прямое напряжение на перехрде исmравного транзистора составит
0,45 ...0,9 В. Дополнительно следует проверять сопротивление (падение .напряже­
ния) между коллектором и эмиттером, которое для исправного транзистора долж­
но быть определено как очень большое, за исключением описанных ниже случа­
ев. Однако есть свои особенности и при проверке транзисторов. На них мы и ос­
тановимся подробнее.
n-p -n транзистор
p-n -p транзистор
Рис. 7.2
Одной из особеннGJстей является наличие у некоторых типов мощных транзи­
сторов встроенного демпферного диода, который включен между коллектором и
эмиттером, а также резистора номиналом около 50 Ом между базой и эмиттером.
Это характерно в первую очередь для транзисторов выходных каскадов строчной
развертки. Из-за этих дополнительных элементов нарушается обычная картина
тестирования. При про~ерке таких транзисторов следует сравнивать проверяе­
мые параметры с такими же параметрами заведомо исправного однотипного тран­
зистора. При проверке ЦММ транзисторов с резистором в цепи база-эмиттер на­
пряжение на переходе Б-Э будет близким или равным О В.
Другими «особенными» транзисторами являются составные, включенные
по схеме Дарлингтона. Внешне они выглядят как обычные, но в одном корпусе
имеется два транзистора, соединенные по схеме, изображенной на рис. 7.3. От
обычных их отличает высокий коэффициент усиления - более 1000.
Тестиров-ание таких транзисторов особенностями не отличается, за исключе­
нием того, что прямое напряжение перехода Б-Э составляет 1,2 .. .1,4 В. Следует
отметить, что некоторые типьJ ЦММ в режиме тестирования имеют на клеммах
напряжение меньшее 1,2 В, что недостаточно для открывания p-n перехода, и в
этом случае прибор показывает разрыв.
Другими необычными транзисторами являются цифровые (транзисторы с внут­
ренними цепями смещения). На рис. 7.4 изображена схема такого цифрового транзи­
стора. Номиналы резисторов Rl и R2 одинаковы и могут составлять либо 1О кОм,
либо 22 кОм, либо 47 кОм, или же иметь смешанные номиналы.


7. Особенности тестирования электронных компонентов
143
к
к
Б
·~э
Рис. 7.3
Рис. 7.4
Тестирование цифровых транзисторов затруднено. И если с помощью АММ
можно наблюдать отличия в прямом и обратном сопротивлениях переходов, то про­
верка с помощью ЦММ результатов не дает. В этом случае лучший вариант при со­
мнениях в работоспособности - замена на заведомо исправный транзистор.
7 .4. Тестирование однопереходных
и программируемых однопереходных
транзисторов
Однопереходный транзистор (ОПТ) отличается наличием на его вольт-ампер­
ной характеристике участка с отрицательным сопротивлением. Наличие такого
участка говорит о том, что такой полупроводниковый прибор может использо­
ваться для генерирования колебаний (ОПТ, туннельные диоды и др.).
ОПТ используется в генераторных и переключательных схемах. В отечест­
венной литературе автор не встречал понятия «программируемый ОПТ», толь­
ко - ОПТ. Однако ввиду большой насыщенности рынка зарубежной электрон­
ной техникой и элементной базой следует научиться их отличать. Это несложно:
• общим для них является трехслойная структура (как у любого транзистора)
с двумя p-n переходами;
• ОПТ имеет выводы, называемые база 1 (Бl), база 2 (Б2), эмиттер. Он пере­
ходит в состояние проводимости, когда напряжение на эмиттере превышает
значение критического напряжения переключения, и находится в этом со­
стоянии до тех пор, пока ток эмиттера не снизится до некоторого значения,
называемого током запирания. Все это очень напоминает работу тиристора;
• программиру€мый ОПТ имеет выводы, называемые анод (А), катод (К) и
управляющий электрод (УЭ). По принципу работы он ближе к тиристору.
Переключение его происходит тогда, когда напряжение на управляющем
электроде превышает напряжение на аноде (на величину примерно 0,6 В -
прямое напряжение p-n перехода). Таким образом, изменяя с помощью де­
лителя напряжение на аноде, можно изменять напряжеюfе переключения
такого прибора («программировать» его).
Чтобы проверить исправность ОПТ и программируемого ОПТ следует изме­
рить омметром сопротивление между выводами Бl и Б2 или А и К для проверки
на пробой. Но наиболее точные результаты можно получить, собрав схему для
проверки ОПТ (для ОПТ - рис. 7.5, для программируемого ОПТ - рис. 7.6).


144
7. Особенности тестирования электронных компонентов
+5 в >------~
R1
100 к
С1
0,011\\К
Рис. 7.5
RЗ К осциллографу
1к илиУНЧ,1"1кГц
Рис. 7.6
R4 К осциллографу
1к илиУНЧ,1=1кГц
7 .5. Тестирование динисторов, тиристоров,
симисторов
Динисторы, тиристоры, симисторы представляют собой полупроводниковые
приборы четырехслойной структуры p-n-p-n. Часто при пояснении принципа ра­
боты их изображают в виде соединенных между собой, как показано на рис. 7.7,
транзисторов разной проводимости. Как видно из рисунка, тиристор имеет три
вывода: аRод (А), катод (К) и управляющий электрод (УЭ). Напряжение, прило­
женное к p-n переходу одного из транзисторов, обеспечивает отпираняе тири­
стора.
С помощью мультиметра динистор можно проверить только на пробой между
выводами А и К (при исправном тиристоре участок А-К не прозваниваются), а ти­
ристор и симистор, кроме того, и на исправность p-n перехода между УЭ и К.
Наилучшие результаты проверки тиристоров и симисторов обеспечивает ис­
пытательная схема, изображенная на рис. 7.8. Для питания схемы используется
источник постоянного тока напряжением 12 В с допустимым током нагрузки не
менее 200 мА. Резистор Rl ограничивает ток через испытуемый прибор, а рези­
стор R2 - через его управляющий электрод. Схема обеспечивает тестирование
тиристоров и симисторов малой и средней мощности. Для проверки прибора не­
обходимо:
1. Включить его в схему, как показано на рис. 7.8.
2. Кратковременно соединить его УЭ с резистором R2. Прибор должен от­
крыться, напряжение +Uтест станет близким к нулю. Прибор остается открытым и
при отключенном от R2 управляющем электроде.
3. Разорвать цепь питания анода (УЭ при этом соединен с К) и замкнуть ее
вновь. Прибор должен находиться в закрытом состоянии. +Uтест. при этом равно
12 в.
При тестировании симисторов следует повторить п.п. 2, 3, и R2 при этом дол­
жен быть запитан от отрицательного полюса источника питания.
Результат такого тестирования позволяет убедиться в исправности прибора.
Тем не менее окончательным результатом тестирования следует считать исправ­
ную работу полупроводникового прибора в том устройстве, где он установлен.
Динисторы (по другому их называют еще диаки и сидаки) не имеют выв1.ща
УЭ, и они открываются при превышении напряжения на аноде некоторого значе­
ния, указываемого в параметрах на данный тип прибора. Как было сказано выше,


7. Особенности тестирования электронных компонентов
145
проверка с использованием мультиметра достоверного результата не дает. Для
того чтобы точно знать исправен динистор или нет, его следует проверить, вклю­
чив в испытательную схему (рис. 7.9), которая питается от регулируемого источ­
ника напряжения переменного тока.
~VТ1 ~ УЭ
УЭ<i -U~
+Uynp.
КVТ2
R1 100
;i.. +Uтест
:~>----·..--...§1----~а--) u •• ст
Рис. 7.1
VD1
R1 47к
>--iЭ!----..---C:l---r-.;i.. +Uтест
С1
-о...140 в
:: 1мк
1tz VD2
3008
>---__,, ______. __. ., . - U тест
Рис. 7.9
Рис. 7.8
Диод D 1 представляет собой однополупериодный выпрямитель, конденсатор
Cl - сглаживающий, резистор Rl ограничивает ток 'через динистор. При провер­
ке следует плавно увеличивать напряжение на динисторе. При достижении неко­
торого порогового значения он откроется, при уменьшении напряжения по дости­
жении протекающего тока значения заданного тока удержания - закроется. По­
сле такой проверки необходимо ее повторить, изменив полярность приложенного
к динистору напряжения. При проверке в качестве источника напряжения пере­
менного тока во избежание опасности поражения следует использовать транс­
форматор.
7.6. Определение структуры и расположения
выводов транзисторов, тип которых
неизвестен
При определении структуры транзистора, тип которого неизвестен, следует
путем перебора (шесть вариантов) определить вывод базы, а затем измерить пря­
мое напряжение на переходах. Прямое напряжение на переходе Б-Э всегда
на несколько милливольт выше прямого напряжения на переходе Б-К
(при пользовании АММ сопротивление перехода Б-Э в прямом направлении не­
сколько выше сопротивления перехода Б-К). Это связано с технологией производ­
ства транзисторов, и правило применимо к обыкновенным биполярным транзи­
сторам, за исключением некоторых типов мощных транзисторов, имеющих встро­
енный демпферный диод. Полярность щупа мультиметра, подключенного при
измерениях на переходах в прямом направлении к базе транзистора укажет на
тип транзистора: если это «+» - транзистор структуры n-p-n, если «-»
-
струк­
туры p-n -p .


146
7. Особенности тестирования электронных компонентов
7.7. Тестирование полевых
МОП-транзисторов
Существует несколько разных способов тестирования полевых МОП-транзи­
сторов. Например такой:
1. Проверить сопротивление между затвором - истоком (3-И) и затвором
-
стоком (3-С). Оно должно быть бесконечно большим.
2. Соединить затвор с истоком. В этом случае переход исток - стQк (И-С)
должен прозваниваться как диод (исключение для МОП-транзисторов, имеющих
встроенную защиту от пробоя - стабилитрон с определенным напряжением от­
крывания).
Характерной неисправностью полевых МОП-транзисторов является короткое
замыкание 3-И и 3-С.
Другим способом является использование двух омметров. Первый включает­
ся для измерения между И-С, второй - между И-3. Второй омметр должен
иметь высокое входное сопротивление - около 20 МОм и напряжение на выво­
дах не менее 5 В. При подключении второго омметра в прямой полярности тран­
зистор откроется (первый омметр покажет сопротивление близкСJе к нулю), при из­
менении полярности на протю~оположную транзистор закроется. Недостаток этого
способа - требования к напряжению на выводах второго омметра. Естественно,
ЦММ для этих целей не подходит. Это ограничивает применение такого способа
тестирования.
Еще один способ похож на второй. Сначала кратковременно соединяют меж­
ду собой выводы 3-И для того, чтобы снять имеющийся на затворе заряд. Далее к
выводам И-С подключают омметр. Берут батарейку напряжением 9 В и кратко­
временно подключают ее плюсом к затвору, а минусом - к щтоку. Транзистор
откроется и будет открыт некоторое время после отключения батарейки за счет
сохранения заряда. Большинство полевых МОП-транзисторов о_ткрывается при
напряжении 3-И около 2 В.
При тестировании полевых МОП-транзисторов следует соблюдать особую ос­
торожность, чтобы не вывести его из строя статическим электричеством.
7 .8 . Тестирование светодиодов
Электрическая проверка исправности светодиодов видимого и инфракрасного
(ИК) излучения аналогична проверке обычных диодов. Отличие заключается в их
более высоком прямом напряжении при тестировании с использованием ЦММ.
Типовыми значениями прямого напряжения на переходе являются:
• для ИК диодов 1,2 В;
• для светодиодов красного свечения 1,85 В;
• для светодиодов желтого свечения 2 В;
• для светодиодов зеленого свечения 2, 15 В;
• для светодиодов синего свечения около 3 В.


7. Особенности тестирования электронных компонентов
147
Это средние_ значения, которые могут отличаться 1;-1а 0,5 ... 0,6 В, и способ
нельзя назвать надежным при определении цвета свечения св'етодиода по прямо­
му напряжению на его переходе.
7.9. Тестирование оптопар
Любая оптопара состоит из двух частей - источника излучения (обычно ИК
светодиод) и фотоприемника, который открывается при работе источника излуче­
ния, - фотодиода, фототранзистора, фототиристора. Для проверки исправности
оптопары можно использовать схему, изображенную на рис. 7.1 О.
+>----------~
+5в
R1
500
Рис. 7.10
--~Uтест
Оптопара
При подаче напряжения на вывод светодиода фотодиод открывается, и выход­
ное напряжение становится близким к О В. В закрытом состоянии фотодиода оно
равно напряжению источника питания.
7. 1О. Тестирование термисторов
Термисторы (терморезисторы) являются одним из видов полупроводниковых
приборов. Одной из главных характеристик термистора является температурный
коэффициент. сопротивления (ТКС).
Существуют термисторы двух видов - с положительным ТКС (сопротивле­
ние растет с увеличением температуры) и с отрицательным ТКС (сопротивление
с ростом температуры уменьшается). Для проверки следует подключить к выво­
дам термистора омметр и следить за изменением его сопротивления при нагреве.
Для этого можно подержать его над паяльником или использовать другой способ
нагрева. Если термистор неисправен, его сопротивление не будет изменяться,
либо будет равно нулю, либо - бесконечности.
7. 11 . Тестирование стабилитронов
Стабилитроны при их проверке с использованием АММ ведут себя как обыч­
ные диоды. Проверить их при помощи ЦММ можно только если напряжение ста­
билизации стабилитрона составляет доли вольта. В противном случае ЦММ по­
казывает разрыв цепи. Наиболее надежный способ - проверка напряжения ста­
билизации стабилитрона в схеме (рис. 7.11 ).


148
7. Особенности тестирования электронных компонентов
Рис. 7.11
Значение резистора R2 справедливо для стабилитронов с напряжением ста­
билизации до 20 В. В любом случае рассчитать его несложно, имея под рукой
справочник. /ст - справочное значение тока стабилизации:
R=(Иист -Ис)//ст•
Наиболее часто встречающейся неисправностью является пробой стабили­
трона.
7. 12 . Расположение выводов транзисторов
При тестировании транзисторов необходимо знать их расположение выводов.
Наиболее точную информацию дает справочник. Однако, если сузить вопрос наи­
более часто встречающимися неисправностями транзисторов, то можно сказать,
что чаще выходят из строя транзисторы выходных каскадов строчной развертки,
выходных каскадов усилителей мощности радиопередающих устройств и транзи­
сторы блоков питания.
Транзисторы для выходных каскадов строчной развертки выпускаются в ос­
новном в корпусах двух типов: металлическом ТО-3 и пластмассовом - ТО-3Р.
На рис. 7.12 изображено расположение выводов для корпуса ТО-3 (вид сни­
зу) и корпуса ТО-3Р (вид со стороны маркировки). Следует помнить, что у таких
транзисторов, имеющих встроенный демпферный диод й сопротивление между
Б-Э в обратном направлении будет около 50 Ом, - транзистор считается испраЕl­
ным, если измеренное значение сопротивления составляет не менее 10 Ом.
В оконечных каскадах усилителей мощности чаще всего применяются тран­
зисторы в металлокерамических корпусах с крестообразным расположением вы­
водов (рис. 7.13).
В некоторых радиоэлектронных приборах в оконечн:ых каскадах усилителей
мощности передающих устройств и устройствах электропитания используются
транзисторы в корпусах для поверхностного монтажа (SOT23, SOT323 и т.д.).
Чаще всего они имеют расположение выводов, изображенное на рис. 7.14. Оно
может быть либо нормальным (изображение слева), либо обратным (изображе­
ние справа).
0~
к
к
к
э?э ~~
э
к
Бэ
эБ
БКЭ
Б
а)
б)
Рис. 7.12
Рис. 7.13
Рис. 7.14


Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Приложение 1 .
Краткие справочные данные
по зарубежным диодам
GE
-
германиевый;
D - диод;
SI
-
кремниевый;
D-S
-
диод Шоттки.
GAAS - арсенид-галлиевый;
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1К60
GE·D 458 35мд/0,2А(пик.)
1N1062
Sl·D 3008,5А
1N1021
GE-D 3808 О,25А
1N1063
Sl·D 4008 5А
1N1022
GE·D 3808.О,3А
1N1064
Sl-D 508 5А
1N1023
GE-D 3808 О,35А
1N1065
Sl-D 1008 5А
1N1024
GE-D 3808 О,4А
1N1066
Sl-D 1508 5А
1N1028
Sl-D 508 О,5А
1N1067
Sl-D 2008 5А
1N1029
Sl-D 1008 О,5А
1N1068
Sl-D 3008 5А
1N1030
Sl-D 1508 О,5А
1N1069
Sl-D 4008 5А
1N1031
Sl-D 2008 Q,5A
1N1070
Sl-D 508 5А
1N1032
Sl-D 3008 О,5А
1N10'71
Sl-D 1008 5А
1N1033
Sl-D 4008 О,5А
1N1072
Sl-D 1508 5А
1N1034
Sl·D 508 1А
1N1073
Sl-D 2008 5А
1N1035
Sl-D 1008 1А
1N1074
Sl-D 3008 5А
1N1036
.Sl -D 1508 1А
1N1075
Sl-D 4008 5А
1N1037
Sl-D 2008 1А
1N1076
Sl-D 508 15А
1N1038
Sl·D 3008 1А
1N1077
Sl-D 1008 15А
1N1039
Sl-D 4008 1А
1N1078
Sl-D 1508 15А
1N1040
Sl-D 508 1А
1N1079
SJ-D 2008 15А
1N1041
Sl·D 1008 1А
1N1080
Sl·D 3008 15А
1N1042
Sl-D 1508 1А
1N1081(A)
Sl-D 1008 О,5".О,75А
1N1043
Sl·D 2008 1А
1N1082(A)
Sl-D 2008 О,5".О,75А
1N1044
Sl-D 3008 1А
1N1083{A\
Sl·D 3008 О,5."О,75А
1N1045
Sl-D 4008 1А
1N1084/A)
Sl-D 4008 О,5".О,75А
1N1046
Sl-D 508 1А
1N1085(A)
Sl·D 1008 1,5".2А
1N1047
Sl-D 1008 1А
1N10861A)
Sl-D 2008 1,5."2А
1N1048
Sl-D 1508 1А
1N10871A)
Sl-D 3006 1,5".2А
1N1049
Sl-D 2008 1А
1N1088/A)
Sl-D 4008 1,5 . .. 2А
1N1050
Sl-D 3008 1А
1N1089(A)
Sl-D 1008 5А
1N1051
Sl-D 4008 1А
1N1090{A\
Sl-D 2008 5А
1N1G52
Sl·D 508 1,5А
1N.1091/A)
Sl-D 3008 5А
1N1053
Sl-D 1008 1,5А
1N1092(AI
Sl-D 4008 5А
1N1054
Sl·D 1508 1,5А
1N1093
GE-D 158 500нс
1N1055
Sl·D 2008 1,5А
1N1095
Sl-D 5008 О,75А
1N1056
Sl·D 3008 1,5А
1N1096
Sl-D 6008 О,75А
1N1057
Sl·D 4008 1,5А
1N1100
Sl-D 1008 О,75А
1N1058
Sl·D 508 5А
1N1101
Sl-D 2008 О,75А
1N1059
Sl-D 1008-5А
1N1102
Sl-D 300В Q,75A
1N1060
Sl-D 1508 5А
1N1103
Sl-D 4008 О,75А
1N1061
Sl·D 2008 5А
1N1104
Sl-D 5008 О,75А
149


150
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N1105
Sl-D 600В О,75д
1N1175
Sl-D аналог 1N1161
1N1108
Sl-D 800В О,45А
1N1176
Sl-D аналог 1N1162
1N1109
Sl-D 1200В О,43А
1N1177
Sl-D аналог 1N1163
1N1110
Sl-D 1600В О,4А
1N1178
Sl-D аналог 1N1164
1N1111
Sl-D 2000В О,38А
1N1183
Sl-D 508 35N480А(nик.)
1N1112
Sl-D 2400В О,35А
1N1184
S!-D 1008 35д/480А(пик.)
1N1113
Sl-P 2800В О,33д
1N1185
Sl-D 1508-35А/480А(пик.J
1N1115
Sl-D 1ООВ 1,5А
1N1186
Sl-D 2008 35А/480А(пик.)
1N1116
Sl-D 2008 1,5А
1N1187
Sl-D 3008 35N480А(пик.)
1N1117
Sl-D 3008 1,5А
1N1188
Sl-D 4008 35д/480А(пик.)
1N1118
Sl-D 4008 1,5А
1N1189
Sl-D 5008 35А/480Аlnик.)
1N1119
Sl-D 5008 1,5А
1N1190
Sl-D 6008 35д/480А(nик.)
1N1120
Sl-D 6008 1,5А
1N1183A. "9 0A Sl-D аналог 1N1183".1 190 40А
1N1124(A)
Sl-D 2008 3".3,3А
1N1183R. "9 0R Sl-Dаналог 1N1183".1 190
1N1125/A)
Sl-D 3008 3" .3,3А
1N1183T." 90T Sl-Dаналог 1N1183" .1190
1N1126(A)
Sl-D 4008 3" .3,3А
1N1191(A)
Sl~D 508 20А
1N1127(A)
Sl-D 5008 3".3,3А
1N1192(A)
Sl-D 1ООВ 20А
1N1128(A)
Sl-D 6008 3".3,3А
1N11931AJ
Sl-D 1508 20д
1N1130
Sl-D 1500В О,3А
1N11941AI
Sl-D 2008 20А
1N1131
Sl-D 1500В О,3А
1N11·95(A)
Sl-D 3008 20А
1N1133
Sl-D 1,5к8 О,075А
1N1196(A)
Sl-D 4008 20А
1N1134
Sl-D 1,5к8О,1А
1N11971A)
Sl-D 5008 20А
1N1135
Sl-D 1,8к8 О,065д
1N1198(A)
Sl-D 6008 20д
1N1136
Sl-D 1,8к8 О,085А
1N1191R" . 98R Sl-D аналог 1N1191" .1 198
1N1137
Sl-D 2,4К8 О,05А
1N1199(А,В,С) Sl-D 508 12А
1N1138
Sl-D 2,4к8 О,06д
1N1200(A,8 ,CJ Sl-D 1008 12А
1N1139
Sl-D 3,6к8 О,065А
1N1201 (А,8,С) Sl-D 1508 12д
1N1140
Sl-D 3,6к8 О,065А
1N1202{A,8 ,C) Sl-D 2008 12А
1N1141
Sl-D 4,8к8 О,06А
1N1203(А,8,С) Sl-D 3008 12д
1N1142
Sl-D 4,8к8 О,05А
1N1204(A,8 ,G) Sl-D 4008 12А
1N1143
Sl-D 6к8 О,05д
1N1205{A,8,C) SI• D 5008 12А
1N1143A
Sl-D 6к8 О,065А
1N1206(A,8,C) Sl-D 6008 12д
1N1144
Sl-D 7,2к8 О,05А
1N1217
Sl-D 508 1,6д
1N1145
Sl-D 7,2к8 О,06д
1N1218
Sl-D 1008 1,6А
1N1146
Sl-D 8к8 О,045д
1N1219
Sl-D 1508 1,6А
1N1147
Sl-D 12к8 О,045А
1N1220
Sl-D 2008 1,6д
1N1148
Sl-D 14к8 О,05А
1N1221
Sl-D 3008 1,6А
1N1149
Sl-D 16к8 О,045А
1N1222
Sl-D 4008 1,6А
1N1150(A)
Sl-D 1,6к8 О,75А
1N1223
Sl-D 5008 1,6А
1N1157
Sl-D 508 20А
1N1224
Sl-D 6008 1,6А
1N1158
Sl-D 1008 20А
1N1225
Sl-D 700В 1,6д
1N1159
Sl-D 2008 20А
1N1226
Sl-D 8008 1,6А
1N1160
Sl-D 3008 20д
1N1227
Sl-D 508 1,6А
1N1161
Sl-D 508 35А
1N1228
Sl-D 1008 1,6д
1N1162
Sl-D 1008 35А
1N1229
Sl-D 1508 1,6А
1N1163
Sl-D 2008 35д
1N1230
Sl-D 2008 1,6А
1N1164
Sl-D 3008 35А
1N1231
Sl-D 3008 1,6А
1N11691AJ
Sl-D 4008 О,79д
1N1232
Sl-D 4008 1,6А
1N1170
GE-D 508
1N1233
Sl-D 5008 1,6А
1N1171
Sl-D аналог 1N1157
1N1234
Sl-D 6008 1,6А
1N1172
Sl-D аналог 1N1158
1NJ235
Sl-D 7008 1,6А
1N1173
Sl-D аналог 1N1159
1N1236
Sl-D 8008 1,6д
1N1174
Sl-D аналог 1N1160
1N1237
2xSl-D 16008 0,75А


Краткие справочные данные по зарубежным диодам
151
Тиn nрибора
Оnисание
Тиn nрибора
Оnисание
1N1238
2xSl-D 1БОО8 0,75А
1N1441
Sl-D 300В О,75А
1N1239
2xSl-D 28008 О,5А
1N1442
Sl-D 400В О,75А
1N1240." 1250 Sl-D аналог 1N1251 ... 12Б1
1N1443(A, 8) Sl-D 10008 0,95".1,БА
1N1251
Sl-D 508 О,5А
1N1444(A, В) Sl-D 10008 0,95".1,БА
1N1252
Sl-D 1008 О,5А
1N1445
Sl-D 3008 О,2А
1N1253
Sl-D 2008 О,5А
1N144Б
Sl-D 1008 1,5А
1N1254
Sl-D 3008 О,5А
1N1447
Sl-D 200В 1,5А
1N1255
Sl-D 4008 О,5А
1N1448
Sl-D 300В 1,5А
1N125Б
Sl-D 5008 О,32А
1N1449
Sl·D 4008 1,5А
1N1257
Sl-D БОО8 О,3А
1N1450
Sl-D 1008 1,5А
1N1258
Sl-D 7008 О,28А
1N1451
Sl-D 200В 1,5А
1N1259
Sl-D 8008 О,27А
1N1452
Sl-D 300.В 1,5А
1N12БО
Sl-D 9008 О,25А
1N1453
Sl-D 4008 1,5А
1N12Б1
Sl-D 10008 О,24А
1N1454
Sl-D 1008 25А
1N12Б2
Sl-D 4,5к8 О,25А
1N1455
Sl-D 200В 25А
1N1301
s1:0 508 37А
1N145Б
Sl-D 300В 25А
1N1302
Sl-D 1008 37А
1N1457
Sl-D 400В 25А
1N1304
Sl-D 2008 37А
1N1458
Sl-.D 1ООВ 35А
1N130Б
Sl-D 3008 37А
1N1459
Sl-D 2008 35А
1N1329
Sl-D 15008О,1А
1N14БО
Sl-D 300В 35А
1N1341 (A,8,G) Sl-D 508 БА
1N14Б1
Sl-D 400В 35А
1N1342(A,B ,G) Sl-D 100В БА
1N14Б2
Sl-D 1008 50А
1N1343(,A,B ,C) Sl-D 1508 БА
1N14Б3
Sl-D 200В 50А
1N1344(A,B,C) Sl-D 200В БА
1N14Б4
Sl-D 3008 50А
1N1345(A,B,G) Sl-D 300В БА
1N14Б5
Sl-D 4008 50А
1N134Б(A,B,G) Sl-D 400В БА
1N14ББ
Sl-D 1ООВ 75А
1N1347(A,B,C) Sl-D 500В БА
1N14Б7
Sl-D 200В 75А
1N1348(A,B ,G) Sl-D БОО8 БА
1N14Б8
Sl-D 3008 75А
1N139Б
Sl-D 50В 70А
1N14Б9
Sl-D 4008 75А
1N1397
Sl-D 1ООВ 70А
1N148Б
Sl-D 500В 0,78А
1N1398
s1:0 150В 70А
1N1487
Sl-D 1ООВ 0,75А
1N1399
Sl-D 200В 70А
1N1488
Sl-D 200В О,75А
1N1400
Sl-D 300В 70А
1N1489
Sl-D ЗООВ 0,75А
1N1401
Sl-D 400В 70А
1N1490
Sl-D 400В 0,75А
1N1402
Sl-D 500В 70А
1N1491
Sl-D 500В О, 75А
1N1403
Sl-D БООВ 70А
1N1492
Sl-D БООВ О,75А
1N140Б
Sl-D БООВ О, 125А
1N1537
Sl-D 50В 1,БА
1N1407
Sl-D 800В О, 125А
1N1538
Sl-D 1008 1,БА
1N1408
Sl-D 1ОООВ О, 125А
1N1539
Sl-D 150В 1,БА
1N1409
Sl-D 1200В О, 125А
1N1540
Sl-D 200В 1,БА
1N1410
Sl-D 1500В О, 125А
1N1541
Sl-D ЗООВ 1,БА
1N1411
Sl-D 18008 О, 125А
1N1542
Sl-D 4008 1,БА
1N1412
Sl-D 2000В О, 125А
1N1543
Sl-D 500В 1,БА
1N1413
Sl-D 24008 О, 125А
1N1544
Sl-D БООВ 1,БА
1N1414
Sl-D 400В 1Од
1N1551
Sl-D 100В 1А
1N1415
Sl-D 400В 1А
1N1552
Sl-D 200В 1А
1N1434
Sl-D 50В 30А
1N1553
Sl-D 3008 1А
1N1435
Sl-D 1ООВ 30А
1N1554
Sl-D 400В 1А
1N143Б
Sl-D 2008 30А
1N1555
Sl-D 500В 1А
1N1437
Sl-D 4008 30А
1N155Б
Sl-D 1ООВ 0,75А
1N1438
Sl-D БОО8 30А
1N1557
Sl-D 2008 О,75А
1N1439
Sl-D 1008 0,75А
1N1558
Sl-D ЗООВ О,75А
1N1440
Sl-D 200В 0,75А
1N1559
Sl-D 400В 0,75А


152
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N1560
Sl-D 500В О,75д
1N1684
Sl-D 400В 50д
1N1563(д\
Sl-D 1ООВ 1,5Д
1N1685
Sl-D 450В 50д
1N1564(д)
Sl-D 200В 1,5д
1N1686
Sl-D 500В 50д
1N1565(д)
Sl-D 300В 1,5д
1N1687
Sl-D 600В 50д
1N1566(д)
Sl-D 400В 1,5д
1N1688
Sl-D 700В 50д
1N1567(дl
Sl-D 500В 1,5д
1N1689
Sl-D ВООВ 50д
1N1568(д)
Sl-D 600В 1,5д
1N1690
Sl-D 900В 50д
1N1569
Sl-D 100В 1д
1N1691
Sl-D 1ОООВ 50д
1N1570
Sl-D 2008 1д
1N1692
Sl-D 100В О,75д
1N1571
Sl-D 300В 1д
1N1693
Sl-D 2008 О,75д
1N1572
Sl-D 400В 1д
1N1694
Sl-D 300В О,75д
1N1573
Sl-D 500В 1д
1N1695
Sl-D 400В 0,75д
1N1574
Sl-D 600В 1д
1N1696
Sl-D 500В 0,75д
1N1575
Sl-D 100В 3,5д
1N1697
Sl-D 600В 0,75д
1N1576
Sl-D 200В 3,5д
1N1698
Sl-D 6,6кВ О,062д
1N1577
Sl-D 300В 3,5д
1N1699
Sl-D 1Ок8 О,058д
1N1578
Sl-D 400В 3,5д
1N1700
, S l-D 12кВ 0;05д
1N1579
Sl-D 500В 3,5д
1N1701
Sl-D 50В О,3д
1N1580
Sl-D 600В 3,5д
1N1702
Sl-D 100В О,3д
1N1581
Sl-D 50В 10д
1N1703
Sl-D 200В О,3д
1N1582
Sl-D 100В 10д
1N1704
Sl-D 300В О,3д
1N1583
Sl-D 200В 1Од
1N1705
Sl-D 400В О,3д
1N1584
Sl-D 300В 10д
1N1706
Sl-D 500В О,3д
1N1585
Sl-D 400В 10д
1N1707
Sl-D 50В О,5д
1N1586
Sl-D 500В 10д
1N1708
Sl-D 1ООВ О,3д
1N1587
Sl-D 6008 10д
1N1709
Sl-D 200В О,3д
1N16121дl
Sl-D 50В 15д
1N1710
Sl-D 300В О,3д
1N1613(д)
Sl-D 1ООВ 15д
1N1711
Sl-D 400В О,3д
1N1614Cдl
Sl-D 200В 15д
1N1712
Sl-D 500В О,3д
1N1615(дl
Sl-D 400В 15А
1N1730
Sl-D 1кВ О,2д
1N1616(д)
Sl-D 600В 15д
1N1730д
Sl-D 1кВ О,35д
1N1617
Sl-D 100В 1,5д
1N1731
Sl-D 1,5кВ О,2д
1N1618
Sl-D 200В 1,5д
1N1731д
Sl-D 1,5кВ О,35д
1N1619
Sl-D 300В 1,5д
1N1732
Sl-D 2кВ О,2А
1N1620
Sl-D 400В 1,5д
1N1732A
Sl-D 2кВ О,35д
1N1621
Sl-D 1ООВ 1Од
1N1733
Sl-D 3кВ О,2А
1N1622
Sl-D 200В 1Од
1N1733д
Sl-D 3кВ О,35д
1N1623
Sl-D 300В 10д
1N1734
Sl-D 5кВ О,2А
1N1624
Sl-D 400В 10д
1N1734д
Sl-D 5кВ О,З5д
1N1644
Sl-D 50В О,75д
1N1745
Sl-D 1,5кВ О,38д
1N1645
Sl-D 100В 0,75д
1N1746
Sl-D 1,5кВ О,44д
1N1646
Sl-D 150В 0,75д
1N1747
Sl-D 1,ВкВ О,36д
1N1647
Sl-D 200В 0,75д
1N1748
Sl-D 1,ВкВ О,42А
1N1648
Sl-D 250В 0,75д
1N1749
Sl-D 2,4кВ 0,23д
1N1649
Sl-D 300В О,75д
1N1750
Sl-D 2,4кВ О,38д
1N1650
Sl-D 350В О,75д
1N1751
Sl-D 3,6кВ О,37д
1N1651
Sl-D 400В О,75д
1N1752
Sl-D 3,6к8 О,36д
1N1652
Sl-D 500В 0,75д
1N1753
Sl-D 4,ВкВ О,33д
1N1653
Sl-D 6008 0,75д
1N1754
Sl-D 4,ВкВ О,З2д
1N1680
Sl-D 150В 50д
1N1755
Sl-D 6к13 О,29д
1N1681
Sl-D 250В 50д
1N1756
Sl-D 6кВ О,З6А
1N1682
Sl-D 300В 50д
1N1757
Sl-D 7,2КВ ·О,29д
1N1683
Sl-D 350В 50д
1N1758
Sl-D 7,2кВ О,33д


Краткие сriравочные данные по зарубежным диодам
153
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N1759
Sl-D 8к8 О,25д
1N2077
Sl-D 3008 0,75д
1N1760
Sl-D 12к8 О,25д
1N2078
Sl-D 4008 О,75д
1N1761
Sl-D 14к8 О,3д
1N2079
Sl-D 5008 0,75д
1N1762
Sl-D 16к8 О,25д
1N2080
Sl-D 508 О,5А
1N1763
Sl-D 4008 О,5"1д
1N2081
Sl-D 1008 О,5д
1N1764
Sl-D 5008 О,5"1д
1N2082
Sl-D 2008 О,5д
1N1907
Sl-D 508 1,5д
1N2083
Sl-D 3008 О,5А
1N1908
Sl-D 1008 1,5д
1N2084
Sl-D 4008 О,5д
1N1909
Sl-D 2008 1,5д
1N2085
Sl-D 5008 0,5д
1N1910
Sl-D 3008 1,5д
1N2086
Sl-D 6008 О,5А
1N1911
Sl-D 4008 1,5д
1N2088
Sl-D 5008 О,75д
1N1912
Sl-D 5008 1,5д
1N2089
Sl-D 6008 0,75д
1N1913
Sl-D 6008 1,5д
1N2090
Sl-D 508 О,75д
1N1914
Sl-D 7008 1,5д
1N2091
Sl-D 1008 0,75д
1N1915
Sl-D 8008 1,5д
1N2092
Sl-D 2008 0,75д
1N1916
Sl-D 9008 1,5д
1N2093
Sl-D 3008 0,75д
1N1917
Sl-D 508 4А
1N2094
Sl-D 4008 0,75д
1N1918
Sl-D 1008 4д
1N2095
Sl-D 5008 0,75д
1N1919
Sl-D 2008 4д
1N2096
Sl-D 6008 0,75д
1N1920
Sl-D 3008 4д
1N2103
Sl-D 508 0,75А
1N1921
Sl-D 4008 4д
1N2104
Sl-D 1008 0,75А
1N1922
Sl-D 5008 4д
1N2105
Sl-D 2008 О,75А
1N1923
Sl-D 6008 4д
1N2106
Sl-D 3008 0,75д
1N1924
Sl-D 7008 4д
1N2107
Sl-D 4008 О,75д
1N1925
Sl-D 8008 4д
1N2108
Sl-D 5008 О,75д
1N1926
Sl-D 9008 4д
1N2109
Sl-D 508 2А
1N2013
Sl-D 508 О,2А
1N211{)
Sl-D 1008 2А
1N2014
Sl-D 1008 О,2А
1N2111
Sl-D 2008 2А
1N2015
Sl-D 1508 О,2д
1N2112
Sl-D 3008 2А
1N2016
Sl-D 2008 О,2А
1N2113
Sl-D 4008 2д
1N2017
Sl-D 2508 О,2А
1N2114
Sl-D 5008 2д
1N2018
Sl-D 3008 О,2А
1N2115
$1-D 3658 О,3д
1N2019
Sl-D 3508 О,2А
1N2116
Sl-D 4008 О,75д
1N2020
Sl-D 4008 0,2д
1N2117
Sl-D 7208 0,75д
1N2021
Sl-D 1508 10д
1N2128
Sl-D 508 60д
1N2022
Sl-D 2508 10д
1N2129
Sl-D 1008 60д
1N2023
Sl-D 3008 10д
1N2130
Sl-D 1508 60д
1N2024
Sl-D 3508 1Од
1N2131
Sl-D 2008 60д
1N2025
Sl-D 4008 1Од
1N2132
Sl-D 2508 60д
1N2026
Sl-D 508 1д
1N2133
Sl-D 3008 60А
1N2027
Sl-D 2008 1д
1N2.134
Sl-D 3508 60д
1N2028
Sl-D 3008 1д
1N2135
Sl-D 4008 60А
1-N2029
Sl-D 4008 1д
1N2136
Sl-D 4508 60д
1N2030
Sl-D 5008 1д
1N2137
Sl-D 5008 60д
1N2031
Sl-D 6008 1д
1N2138
Sl-D 6008 60д
1N2069(дl
Sl-D 2008 0,75д
1N2139
Sl-D 20к8 О,045д
1N207{)(д)
Sl-D 4008 О,75д
1N2146
Sl-D 1208 <50нс
1N2071(A)
Sl-D 6008 0,75А
1N2147(Д)
Sl-D 508 бд
1N2072
Sl-D 508 0,75д
1N2148(A)
Sl-D 1008 6д
1N2073
Sl-D 1008 О,75д
1N2149/AI
Sl-D 2008 бд
1N2074
Sl-D 150В 0,75д
1N2150/AI
Sl-D 3008 6д
1N2075
Sl-D 2008 О,75А
1N2151{A)
Sl-D 4008 6д
1N2076
Sl-D 2508 О,75д
1N2152(д)
Sl-D 5008 6д


154
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N215З(А)
Sl-D 6008 6А
1N2220(A)
Sl-D БОО8 1,5А
1N2154
Sl-D 508 25А
1N2221 (А)
Sl-D 6008 1,5А
1N2155
Sl-D 1008 25А
1N2222(A)
Sl-D 8008 1А
1N2156
Sl-D 2008 25А
1N222З(А)
Sl-D 8008 1А
1N2157
Sl-D ЗОО8 25А
1N2224(A)
Sl-D 10008 1А
1N2158
Sl-D 4008 25А
1N2225(A)
Sl-D 10008 1А
1N2159
Sl-D 5008 25А
1N222Б(А)
Sl-D 12008 1А
1N2160
Sl-D 6008 25А
1N2227(A)
Sl-D 12008 1А
1N2172
Sl-D 508 50А
1N2228(A)
Sl-D 508 5А
1N217З
Sl-D 1008 50А
1N2229(A)
Sl-D 508 5А
1N2174
Sl-D 2008 50А
1N22ЗО(А)
Sl-D 2008 5А
1N2176
Sl-D 508 ЗА
1N22З1 (А)
Sl-D 2008 5А
1N2177
Sl-D 1008 ЗА
1N22З2(А)
Sl-D ЗО08 5А
1N2178
Sl-D 2008 ЗА
1N22ЗЗ(А)
Sl-D З008 SA
1N2179
Sl-D ЗОО8 ЗА
1N22З4(А)
Sl-D 4008 5А
1N2180
Sl-D 4008 ЗА
1N22З5(А)
Sl-D 4008 5А
1N2181
Sl-D 5008 ЗА
1N22З6(А)
Sl-D 5008 5А
1N2182
Sl-D 6008 ЗА
1N22З7(А)
Sl-D 5008 5А
1N218З
Sl-D 1008 ЗА
1N22З8(А)
Sl-D 6008 5А
1N2184
Sl-D 508 ЗА
1N22З9!А)
Sl-D БОО8 5А
1N2185
Sl-D 1008 ЗА
1N2240(A)
Sl-D 8008 5А
1N2186
Sl-D 1508 ЗА
1N2241 (А)
Sl-D 8008 5А
1N2187
Sl-D 2008 ЗА
1N2242(A)
Sl-D 10008 5А
1N2188
Sl-D ЗОО8 ЗА
1N224З(А)
Sl-D 10008 5А
1N2189
Sl-D 4008 ЗА
1N2244(A)
Sl-D 12008 5А
1N2190
Sl-D 5008 ЗА
1N2245(A)
Sl-D 12008 5А
1N2191
Sl-D 6008 ЗА
1N22461AJ
Sl-D 508 10А
1N2192
Sl-D 8008 ЗА
1N2247(A)
Sl-D 508 10А
1N219З
Sl-D 10008 ЗА
1N2248(A)
Sl-D 1008 1Од
1N2194
Sl-D 508 6А
1N2249(A)
Sl-D 1008 1Од
1N2195
Sl-D 1008 6А
1N2250(A)
Sl-D 2008 1Од
1N219Б
Sl-D 1508 БА
1N2251 (А)
Sl-D 2008 1Од
1N2197
Sl-D 2008 БА
1N2252(A)
Sl-D ЗОО8 1Од
1N2198
Sl-D ЗОО8 БА
1N225З(А)
Sl-D ЗОО8 1Од
1N2199
Sl-D 4008 6А
1N2254(A)
Sl-D 4008 1Од
1N2200
Sl-D 5008 БА
1N2255(A)
Sl-D 4008 1Од
1N2201
Sl-D БООВ 6А
1N2256(A)
Sl-D 5008 1ОА
1N2202
Sl-D 8008 6А
1N2257(A)
Sl-D 5008 1Од
1N220З
Sl-D 10008 6А
1N2258(A)
Sl-D 6008 1Од
1N2204
Sl-D 508 12А
1N2259(A)
Sl-D 6008 1Од
1N2205
Sl-D 1008 12А
1N2260(A)
Sl-D 8008 1Од
1N220Б
Sl-D 1508 12А
1N2261 (А)
Sl-D 8008 1ОА
1N2207
Sl-D 2008 12А
1N2262(A)
Sl-D 10008 1ОА
1N2208
Sl-D ЗОО8 12А
1N226З(А)
Sl-D 10008 1Од
1N2209
Sl-D 4008 12А
1N2264(A)
Sl-D 12008 1Од
1N2210
Sl-D 5008 12А
1N2265(A)
Sl-D 12008 1Од
1N2211
Sl-D БОО8 12А
1N2266
Sl-D 508 1А
1N2212
Sl-D 8008 12А
1N2267
Sl-D 508 1А
1N221 З
Sl-D 10008 12А
1N2268
Sl-D 5008 1А
1N221 Б(А)
Sl-D 508 1,5А
1N2269
Sl-D 5008 1А
1N2217(A)
Sl-D 508 1,5А
1N2270
Sl-D 6008 tA
1N2218(A)
Sl-D 5008 1,5А
1N2271
Sl-D 6008 1А
1N2219(A')
Sl-D 5008 1,5А
1N2272
Sl-D 508 БА


Краткие справочные данные по зарубежным диодам
155
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N227З
Sl-D 1008 БА
1N2З25
Sl-D 400В З5А
1N2274
Sl-D 2.008 БА
1N2З27
Sl-D 11008 О,4А
1N2275
Sl-D З008 _БА
1N2З28
Sl-D 22008 О,4А
1N227Б
Sl-D 4008.БА
1N2З48
Sl-D 508 ЗА
1N2277
Sl-D 5008 БА
1N2З49
Sl-D 1008 ЗА
1N2278
Sl-D БО08 БА
1N2З50
Sl-D 1508 ЗА
1N2279
Sl-D 8008 БА
1N2З57
Sl-D 14008 0,4А
1N2280
Sl-D 10008 БА
1N2З58
Sl-D 15008 О,4А
1N2281
Sl-D 12008 БА
1N2З59
Sl-D 1БОО8 О,4А
1N2282
Sl-D З008 20А
1N2ЗБО
Sl-D 18008 О,4А
1N228З
Sl-D 4008 20А
1N2ЗБ1
Sl-D 20008 О,4А
1N2284
Sl-D 5008 20А
1N2ЗБ2
Sl-D 14008 1А
1N2285
Sl-D БОО8 20А
1N2ЗБЗ
Sl-D 14008 1А
1N228Б
S\-D 8008 20А
1N2ЗБ4
Sl-D 15008 1А
1N2287
Sl-D 10008 20А
1N2ЗБ5
Sl-D 15008 1А
1N2288
Sl-D 12008 20А
1N2ЗББ
Sl-D 1БОО8 1А
1N2289 ... 229З Sl-D аналог 1N2289A... 229ЗА
1N2ЗБ7
Sl-D 1БОО8 1А
1N2289A
Sl-D 1008 1,5А
1N2З68
Sl-D 18006 1А
1N2290A
Sl-D 1008 5А
1N2ЗБ9
Sl-D 18008 1А
1N2291A
S\-D 2008 1,5А
1N2З70
Sl-D 20008 1А
1N2292A
Sl-D ЗО08 1,5А
1N2З71
Sl-D 20008 1А
1N229ЗА
Sl-D 4008 1,5А
1N2ЗБ2А".71А Sl-D аналог 1N2ЗБ2."71 5А
1N2294
Sl-D 508 22А
1N2ЗБ28".718 Sl-Dаналог 1N23Б2."7110А
1N2295
Sl-D 1008 22А
1N2372
Sl-D 10008 О,2А
1N229Б
Sl-D 1508 22А
1N2З7З
Sl-D БОО8 О,25А
1N2297
Sl-D 2008 22А
1N2З74
SJ-D 10008 О,25А
1N2298
Sl-D 2508 22А
1N2З75
Sl-D 15008 О,2А
1N2299
Sl-D ЗОО8 22А
1N237Б
Sl-D 20008 О,2А
1N2ЗОО
Sl-D З508 22А
1N2З77
Sl-D 24008 О, 15А
1N2ЗО1
Sl-D 4008 22А
1N2378
Sl-D ЗООО8 О, 15А
1N2ЗО2
Sl-D 508 22А
1N2З79
Sl-D 40008О,15А
1N2ЗОЗ
Sl-D 1008 22А
1N2З80
Sl-D БООО8О,1А
1N2ЗО4
Sl-D 1508 22А
1N2З81
Sl-D 100008 О,075А
1N2З05
Sl-D 2008 22А
1N2З82
Sl-D 4к8 О,15А
1N2ЗОБ
Sl-D 2508 22А
1N2З82А
Sl-D 4к8 О,З5А
1N2З07
Sl-D ЗОО8 22А
1N2З8З
Sl-D Бк8 О, 1А
1N2ЗО8
Sl-D З508 22А
1N2З8ЗА
Sl-D Бк8 О,35А
1N2ЗО9
Sl-D 4008 22А
1N2З84
Sl-D 8к8 О,07А
1N2З10
Sl-D 508 З5А
1N2384A
Sl-D 8к8 О,275А
1N2З11
Sl-D 1008 35А
1N2З85
Sl-D 10кВ О,07А
1N2З12
Sl-D 1508 З5А
1N2З85А
Sl-D 10к8 О,2А
1N2З1З
SJ-D 2008 З5А
1N2З89
2xSl-D 1БОО8 О,БА
1N2З14
Sl-D 2508 З5А
1N2З90(А)
Sl-D 508 1,5А
1N2З15
Sl-D ЗОО8 З5А
1N2З91(А}
Sl-D 1008 1,5А
1N2З1Б
Sl-D З508 З5А
1N2З92(А)
Sl-D 2008 1,5А
1N2З17
Sl-D 4008 З5А
1N2З9З(А}
Sl-D З008 1,5А
1N2З18
Sl-D 508 З5А
1N2З94(А)
Sl-D 4008 1,5А
1N2З19
Sl-D 1008 З5А
1N2З95(А)
Sl-D 5008 1,5А
1N2З20
Sl-D 1508 З5А
1N2З9Б(А)
Sl-D БОО8 1,5А
1N2З21
Sl-D 2008 З5А
1N2З97(А)
Sl-D 7008 1,5А
1N2З22
Sl-D 2508 З5А
1N2398(A)
Sl-D 8008 1,5А
1N2З2З
Sl-D ЗООВ ЗSА
1N2З99(А}
Sl-D 508 1,5А
1N2З24
Sl-D З508 З5А
1N2400(A)
Sl-D 1008 1,5А


156
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N2401(A)
Sl-D 2008 1,5А
1N248Б
Sl-D 3008 О,75А
1N2.4021AI
Sl-D 3008 1,5А
1N2487
Sl-D 4008 О,75А
1N2403(A)
Sl-D 4008 1,5А
1N2488
Sl-D 5008 О,75А
1N2404{A)
Sl-D 5008 1,5д
1N2489
Sl-D БО08 О,75А
1N2405(A)
Sl-D БОО8 1,5А
1N2490
2xSl-D 1БОО8 О,5А
1N240БIA)
Sl-D 7008 1,5А
1N2491
Sl-D 508 БА
1N2407(A)
Sl-D 8008 1,5А
1N2492
Sl-D 1008 БА
1N2408{A)
Sl-D 508 1,5А
1N2493
Sl-D 2008 БА
1N2409(A)
Sl-D 1008 1,5А
1N2494
Sl-D 3008 БА
1N2410(A)
Sl-D 2008 1,5А
1N2495
Sl-D 4008 БА
1N2411(A)
Sl-D 3008 1,5А
1N249Б
Sl-D 5008 БА
1N2412{A)
Sl-D 4008 1,5А
1N2497
Sl-D БОО8 БА
1N24131AI
Sl-D 5008 1,5А
1N2501
Sl-D 8008О,15А
1N2414(AI
Sl-D БОО8 1,5А
1N2502
Sl-D 10008 О,15А
1N2415{A)
Sl-D 7008 1,5А
1N2503
Sl-D 12008О,15А
1N241Б(А)
Sl-D 8008 1,5А
1N2504
Sl-D 15008 О, 15А
1N24171AI
Sl-D 508 1,5А
1N2505
Sl-D 8008 О,3А
1N2418(A)
Sl-D 1008 1,5А
1N250Б
Sl-D 10008 О,3А
1N2419{A)
Sl-D 2008 1,5А
1N2507
Sl-D 12008 О,3А
1N2420{A)
Sl-D 3008 1,5А
1N2508
Sl-D 15008 О,3А
1N24211A)
Sl-D 4008 1,5А
1N2512
Sl-D 1008 4А
1N24221AI
Sl-D 5008 1,5А
1N2513
Sl-D 2008 4А
1N2423(A)
Sl-D БОО8 1,5А
1N2514
Sl-D 3008 4А
1N2424(A)
Sl-D 7008 1,5А
1N2515
Sl-D 4008 4А
1N24251AI
Sl-D 8008 1,5А
1N251Б
Sl-D 5008 4А
1N2446'
Sl-D 508 45А
1N2517
Sl-D БО08 4А
1N2447
Sl-D 1008 45А
1N2518
Sl-D 1008 4А
1N2448
Sl-D 1508 45А
1N2519
Sl-D 2008 4А
1N2449
Sl-D 2008 45А
1N2520
Sl-D 3008 4А
1N2450
Sl-D 2508 45А
1N2521
Sl-D 40084А
1N2451
Sl-D 3008 45А
1N2522
Sl-D 5008 4д
1N2452
Sl-D 3508 45А
1N2523
Sl-D БОО8 4А
1N2453
Sl-D 4008 45А
1N2524
Sl-D 508 2,5А
1N2454
Sl-D 5008 45А
1N2525
Sl-D 1008 2,5А
1N2455
Sl-D БОО8 45А
1N252Б
Sl-D 2008 2,5А
1N245Б
Sl-D 7008 45А
1N2527
Sl-D 3008 2,5А
1N2457
Sl-D 8008 45А
1N2528
Sl-D 4008 2,5д
1N2458
Sl-D 508 БОА
1N2529
Sl-D 5008 2,5А
1N2459
Sl-D 1008 БОА
1N2530
Sl-D БО08 2,5А
1N24БО
Sl-D 1508 БОА
1N2531
SJ-D 7008 2,5А
1N24Б1
Sl-D 2008 БОА
1N2532
Sl-D 8008 2,5А
1N24Б2
Sl-D 2508 БОА
1N2533
Sl-D 9008 2,5А
1N24Б3
Sl-D 3008 БОА
1N2534
Sl-D 10008 2,5А
1N24Б4
Sl-D 3508 БОА
1N2535
Sl-D 508 2,5А
1N24Б5
Sl-D 4008 БОА
1N253Б
Sl-D 1008 2,5А
1N24ББ
Sl·D 5008 БОА
1N2537
Sl-D 2008 2,5А
1N24Б7
Sl-D БОО8 БОА
1N2538
Sl-D 3008 2,5А
1N24Б8
Sl-D 7008 БОА
1N2539
Sl-D 4008 2,5А
1N24Б9
Sl-D 8008 БОА
1N2540
Sl-D 5008 2,5А
1N2482
Sl-D 2008 О,75А
1N2541
Sl-D БОО8 2,5д
1N2483
Sl-D 4008 О,75А
1N2542
Sl-D 7008 2,5А
1N2484
Sl-D БОО8 О,75А
1N2543
Sl-D 8008 2,5А
1N2485
Sl-D 2008 0,75А
1N2544
Sl-D 9008 2,5А


Кдаткие справочные данные по зарубежным диодам
157
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N2545
Sl-D 1ОООВ 2,5А
1N2598
Sl-D 50В 12А
1N2546
Sl-D 50В 2,5А
1N2599
Sl-D 100В 12А
1N2547
Sl-D 1ООВ 2,5А
1N2600
Sl-D 200В 12А
1N2548
Sl-D 200В 2,5А
1N2601
Sl-D 300В 12А
1N2549
Sl-D 300В 2,5А
1N2602
Sl-D 400В 12А
1N2550
Sl-D 400В 2,5А
1N2603
Sl-D 500В 12А
1N2551
Sl-D 500В 2,5А
1N2604
Sl-D 600В 12А
1N2552
Sl-D 600В 2,5А
1N2605
Sl-D 700В 12А
1N2553
Sl-D 700В 2,5А
1N2606
Sl-D 800В 12А
1N2554
Sl-D 800В 2,5А
1N2607
Sl-D 900В 12А
1N2555
Sl-D 900В 2,5А
1N2608
Sl-D 1ОООВ 12А
1N2556
Sl-D 1000В 2,5А
1N2609
Sl-D 50В О,75А
1N2557
Sl-D 700В 6А
1N2610
Sl-D 100В О,75А
1N2558
Sl-D 800В 6А
1N2611
Sl-D 200В О,75А
1N2559
Sl-D 900В 6А
1N2612
Sl-D 300В О,75А
1N2560
Sl-D 1000В 6А
1N2613
Sl-D 400В О,75А
1N2561
Sl-D 700В 6А
1N2614
Sl-0 500В О,75А
1N2562
Sl-D 800В 6А
1N2615
Sl-D 600В О,75А
1N2563
Sl-D 900В 6А
1N2616
Sl-D 800В О,75А
1N2564
Sl-D 1ОООВ 6А
1N2617
Sl-D 1000В 0,75А
1N2565
Sl-D 50В 6А
1N2618
Sl-D 1200В О,75А
1N2566
Sl-D 100В 6А
1N2619
Sl-D 1500В 0,75А
1N2567
Sl-D 200В 6А
1N2627
GE-D насТDоечный СВЧ 5В
1N2568
Sl-D 300В 6А
1N2628
GE-D настроечный СВЧ 5В
1N2569
Sl-D 400В 6А
1N2629
GE-D настроечный СВЧ 5В
1N2570
Sl-D 500В 6А
1N2630
2xSl-D 1500В О,085А
1N2571
Sl-D 60UB 6А
1N2631
2xSl-D 1600В О,6А
1N2572
Sl-D 700В 6А
1N2632
2xSl-D 2800В О,2А
1N2573
Sl-D 800В 6А
1N2633
2xSl-D 1600В О,6А
1N2574
Sl-D 900В 6А
1N2634
2xS1-D 1600В О,бд
1N2575
Sl-D 1ОООВ 6А
1N2635
2xSl-D 1500В 0,085А
1N2576
Sl-D 50В 12А
1N2636
2xSl-D 1500В О,085А
1N2577
Sl-D 100В 12А
1N2637
2xSl-D 1ОкВ О,25А
1N2578
Sl-D 200В 12А
1N2638
Sl-D 1ООВ 1,5А
1N2579
Sl-D 300В 12А
1N2641
Sl-D 200В 1,5А
1N2580
Sl-D 4QOB 12А
1N2644
Sl-D 300В 1,5А
1N2581
Sl-D 500В 12А
fN2647
Sl-D 400В 1,5А
1N2582
Sl-0 600В 12А
1N2650
Sl-D 600В 1,5А
1N2583
Sl-D 700В 12А
1N2653
Sl-D 800В 1,5А
1N2584
Sl-D 800В 12А
1N2656
Sl-D 1200В 1,5А
1N2585
Sl-D 900В 12А
1N2659
Sl-D 1600В 1,5А
1N2586
Sl-D 1000В 12А
1N2662
Sl-D 2000В 1,5А
1N2587
Sl-D 50В 12А
1N2664
Sl-D 2400В 1,5А
1N2588
Sl-D 1ООВ 12А
1N2666
Sl-D 32008 1,5А
1N2589
Sl-D 200В 12А
1N2667
Sl-D 4000В 1,5А
1N2590
Sl-D 300В 12А
1N2668
Sl-D 4800В 1,5А
1N2591
Sl-D 400В 12А
1N2669
Sl-D 1ООВ 3,6А
1N2592
Sl-D 500В 12А
1N2673
Sl-D 200В 3,6А
1N2593
Sl-D 600В 12А
1N2677
Sl-D 300В 3,6А
1N2594
Sl-D 700В 12А
1N2681
Sl-D 400В 3,6А
1N2595
Sl-D 800В 12А
1N2685
Sl-D 600В 3,6А
1N2596
Sl-D 900В 12А
1N2687
Sl-D 800В 3,6А
1N2597
Sl-D 1000В 12А
1N2689
Sl-D 900В 3,6А


158
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N2690
Sl-D 12008 З,6А
1N2789
Sl-D 4008 50А
1N2691
Sl-D 16008 З,6А
1N2792(A, В) GE-D СВЧ 70ГГц
1N2692
Sl-D 1008 7,2А
1N279З
Sl-D 508 8,5А
1N2694
Sl-D 2008 7,2А
1N2794
Sl-D 1ООВ 8,5А
1N2696
Sl-D ЗООВ 7,2А
1N2795
Sl-D 1508 8,5А
1N2698
Sl-D 4008 7,2А
1N2796
Sl-D 2008 8,5А
1N2700
Sl-D 6008 7,2А
1N2797
Sl-D 2508 8,5А
1N2701
Sl-D ВООВ 7,2А
1N2798
Sl-D ЗООВ 8,5А
1N2702
Sl-D 1008 ЗА
1N2799
St-D З50В 8,5А
1N2705
Sl-D 2008 ЗА
1N2800
Sl-D 4008 8,5А
1N2708
Sl-D ЗООВ ЗА
1N2801
GE-D 2008 <500нс
·1 N2711
Sl-D 4008 ЗА
1N2847(A)
Sl-D 1008 1,5А
1N2714
Sl-D 6008 ЗА
1N2848(A)
Sl-D 2008 1,5А
1N2717
Sl-D 80DB ЗА
1N2849(A)
Sl-D ЗООВ 1,5А
1N2720
Sl-D 12008 ЗА
1N2850(A)
Sl-D 4008 1,5А
1N2722
Sl-D 16008 ЗА
1N2851!A)
Sl-D 5008 1,5А
1N272З
Sl-D 20008 ЗА
1N2852(A)
Sl-D 6008 1,5А
1N2724
Sl-D 24008 ЗА
1N2858(A)
Sl-D 508 0,75."1А
1N2725
Sl-D 1008 ЗА
1N2859(A)
Sl-D 1008 О,75 ... 1А
1N2728
Sl-D 2008 ЗА
1N2860(A)
Sl-D 2008 О,75 ... 1А
1N27З1
Sl-D ЗООВ ЗА
1N2861!A)
St-D ЗООВ О,75 ... 1А
1N27З4
Sl-D 4008 ЗА
1N2862(A)
Sl-D 4008 О,75 ... 1А
1N27З7
Sl-D 6008 ЗА
1N286З(А)
Sl-D 5008 О,75".1А
1N27З8
Sl-D 8008 ЗА
1N2864(A)
Sl-D 6008 О,75... 1А
1N27З9
Sl-D 12008 ЗА
1N2865
Sl-D 10008 О,7А
1N2740
Sl-D 1008 З,6А
1N2866
Sl-D 15008 О,7А
1N2742
Sl-D 2008 З,6А
1N2867
Sl-D 10008 0,7А
1N2744
Sl-D ЗООВ З,6А
1N2868
Sl-D 15008 О,7А
1N2746
Sl-D 4008 З,6А
1N2878
Sl-D 7008 0,25-д
1N2748
Sl-D 6008 З,6А
1N2879
Sl-D 1ОООВ О,25А
1N2749
Sl-D 8008 З,6А
1N2880
Sl-D 1ОООВ О,25А
1N2750
Sl-D 1008 ЗА
1N2881
Sl-D 1ОООВ О,25А
1N275З
Sl-D 2008 ЗА
1N2882
Sl-D 1ОООВ О,25А
1N2756
Sl-D ЗООВ ЗА
1N288З.
Sl-D 1ОООВ О,25А
1N2759
Sl-D 4008 ЗА
1N2884
Sl-D 14008 О,25А
1N2762
Sl-D 6008 ЗА
1N2885
Sl-D 14008 О,25А
1N276З
Sl-D 8008 ЗА
1N2B86
Sl-D 15008 О,25А
1N2764
Sl-D 12008 ЗА
1N2887
Sl-D 15008 О,25А
1N2772
Sl-D 700"В О,75А
1N2888
Sl-D 17008 О,25А
1N277З
Sl-D ВООВ О,75А
1N2889
Sl-D 17008 О,25А
1N2774
Sl-D 9008 О,75А
1N2890
Sl-D 20008 О,25А
1N2775
Sl-D 10008 О,75А
1N289-1
Sl-D 20008 О,25А
1N2776
Sl-D 11008 О,75А
1N2892
Sl-D 21008 О,25А
1N2777
Sl-D 12008 0,75А
1N289З
Sl-D 21 ООВ О,25А
1N2778
Sl-D 1ЗООВ О,75А
1N2894
Sl-D 24008 0,25А
1N2779
Sl-D 14008 О,75А
1N2895
Sl-D 24008 О,25А
1N2780
Sl-D 15008 О, 75А
1N2896
Sl-D 25008 О,25А
1N2781
51-D 16008 О,75А
1N2897
Sl-D 25008 О,25А
1N2784
Sl-D 2008 22А
1N2898
Sl-D 28008 О,25А
1N2785
Sl-D 4008 22А
1N2899
Sl-D 28008 О,25А
1N2786
Sl-D 2008 1Од
1N2900
Sl-D ЗОООВ О,25А
1N2787
Sl-D 4008 1Од
1N2901
Sl-D ЗОООВ О,25А
1N2788
Sl-D 2008 50А
1N2902
Sl-D З100В 0,25А


Краткие справочные данные по зарубежным диодам
159
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N2903
Sl-D 3100В 0,25А
1N3070
Sl-D 200В О, 15А <50нс
1N2904
Sl-D 3500В О,25А
1N3071
Sl-D 200В О,225А <50нс
1N2905
Sl-D 3500В О,25А
1NЗО72
Sl-D 50В О,2А
1N2906
Sl-D 3500В О,25А
1NЗО73
Sl-D 100В О,2А
1N2907
Sl-D 3500В О,25А
1NЗО74
Sl-D 150В О,2А
1N2908
Sl-D 3800В О,25А
1NЗ075
Sl-b 200В О,2А
1N2909
Sl-D 3800В О,25А
1NЗО76
Sl-D 250В О,2А
1N2910
Sl-D 4000В О,25А
1NЗО77
Sl-D ЗООВ О,2А
1N2911
Sl-D 4000В О,25А
1NЗ078
Sl-D З50В О,2А
1N2912
Sl-D 4200В О,25А
1NЗ079
Sl-D 400В О,2А
1N2913
Sl-D 4200В О,25А
1NЗОВО
Sl-D 500В О,2А
1N2914
Sl-D 4500В О,25А
1N3081
Sl-D 600В О,2А
1N2915
Sl-D 4500В 0,25А
1N3082
Sl-D 200В О,5А
1N2916
S1-D 4500В 0,25А
1N308З
Sl-D 400В О,5А
1N2917
Sl-D 4500В О,25А
1N3084
Sl-D 600В Q,5A
1N2918
Sl-D 5000В О,25А
1N3097
GE-D ЗОВ О,05А <500нс
1N2919
Sl-D 5000В О,25А
1NЗ106
Sl-D ВООВ 0,75А
1N2920
Sl-D 5500В О,25А
1NЗ107
Sl-D 1200В О,5А
1N2921
Sl-D 5500В О,25А
1NЗ108
Sl-D ВООВ 1,5А
1N2922
Sl-D 6000В О,25А
1N3109
Sl-D 1200В О,7А
1N2923
Sl-D 6000В О,25А
1N3110
GE-D 12В О,05А
1N2924
Sl-D 6500В О,25А
1N311З
GaAs-D туннельный диод
1N2925
Sl-D 6500В О,25А
1NЗ114
GaAs-D туннельный диод
1N2927{A)
Sl-D туннельный диод
1N3115
GaAs-D туннельный диод
1N2928{A)
Sl-D туннельный диод
1N3116
GaAs-D тvннельный диод
1N29291AI
Sl-D тvннельный диод
1NЗ117
GaAs-D туннельный диод
1N2930!AI
Sl-D туннельный диод
1NЗ118
GaAs-D тvннельный диод
1N29~1{A)
Sl-D тvннельный диод
1NЗ119
GaAs-D туннельный диод
1N2932(A)
Sl-D туннельный диод
1N3120
GaAs-D туннель.ный диод
1N29331AI
Sl-D туннельный д14од
1NЗ121
GE-D 50В О, 11А <500нс
1N2934{A)
Sl-D тvннельный диод
1NЗ122
GE-D 20В О, 1ВА <3500нс
1N2939(A)
GE-D туннельный диод
1N312З
Sl-D 40В О,05А <4нс
1N29401A)
GE-D тvннельный диод
1NЗ124
Sl-D 40В О,05А <4нс
1N2941{A)
GE-D тvннельный диод
1N3125
GE-D 55В ЗООнс
1N2969(A)
GE-D туннельный диод
1N3128
GE-D туннельный диод
1N3052
Sl-D 12кВ О, 1А
1NЗ129
GE-D туннельный диод
1N3053
Sl-D 14кВ О, 1А
1NЗ130
GE-D тvннельный диод
1N3054
Sl-D 16кВ О, 1А
1N31З8
GaAs-D тvннельный диод
1N3055
Sl~D 18кВ 0, 1А
1NЗ1З9
Sl-D 50В 70А
1N3056
Sl-D 20кВ О, 1А
1N3140
Sl-D 100В 70А
1N3057
Sl-D 22кВ О, 1А
1N3141
Sl-D 150В 70А
Hj3058
Sl-D 24кВ О, 1А
1NЗ142
Sl-D 200В 70А
1N3059
Sl-D 26кВ ,О, 1А
1NЗ144
GE-D 20В 500нс
1N3060
Sl-D·28кB О, 1А
1N3145
GE-D 65В
1N3061
Sl-D ЗОкВ О, 1А
1NЗ146
GE-D 25В <2нс
1NЗО62
Sl-D 50В О,075А <4нс
1NЗ149(А)
GEcD тvннельный диод
1NЗО6З
Sl-D 50В О,075А <4нс
1NЗ150
GE-D туннельный диод
1NЗО64
Sl-D 50В О,075А <4нс
1NЗ151
Sl-D 7,2кВ О, 1А
1NЗО65
Sl-D 50В О, 115А <4нс
1N3152
Sl-D СВЧ 36ГГц
1N3066
Sl-D 50В О, 115А <2нс
1N3153
Sl-D СВЧ 36ГГц
1NЗО67
Sl-D ЗОВ О, 115А <4нс
1N3159
GE-D 15В О,ОВА <ЗООнс
1NЗО68
Sl-D ЗОВ О,075А <50нс
1NЗ160
GE-D 60В О,ОЗА
1N3069
Sl-D 65В О,225А <50нс
1NЗ179
Sl-D 240В


160
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N3180
Sl-D 1ЗОВ
1NЗ251
Sl-D 800В 1А
1NЗ182
Sl-D настооечный УКВ
1NЗ252
Sl-D 1ОООВ 1А
1N3189
Sl-D 200В JA
iNЗ25З
Sl-D аналог 1NЗ19З
1NЗ190
Sl-D 400В 1А
1NЗ254
Sl-D аналог 1NЗ194
1NЗ191
Sl-D бООВ 1А
1NЗ255
Sl-D аналог 1NЗ195
1NЗ19З
Sl-D 200В 0,75А
1NЗ256
Sl-D аналог 1NЗ196
1NЗ194
Sl-D 400В О,75А
1NЗ257
Sl-D 80В <Знс
1NЗ195
Sl-D бООВ О,75А
1NЗ258
Sl-D 80В <4нс
1NЗ196
Sl-D 800В О,75А
1NЗ277
Sl-D 200В 0,75А
1NЗ197
GE-D ЗОВ О,08А <ЗООнс
1NЗ278
Sl-D 400В О,75А
1N3203
GE-D 25В О,ОбА ЗООнс
1NЗ279
Sl-D БООВ О ,75А
1 1NЗ204
GE-D бОВ О,ОбА ЗООнс
1N3280
Sl-D 800В О, 75А
1NЗ206
Si-D 1ООВ О,075А <4нс
1NЗ281
Sl-D 1ОООВ О,75А
1N3207
Sl-D бОВ <бнс
1NЗ282
Sl-D 1000В О, 1А
1N3208
Sl-D 50В 15А
1NЗ283
Sl-D 1500В О, 1А
1N3209
Sl-D 1ООВ 15А
1NЗ284
Sl-D 2000В О, 1А
1N3210
Sl-D 200В 15А
1N3285
Sl-D 2500В О, 1А
1N3211
Sl-D ЗООВ 15А
1NЗ286
Sl-D ЗОООВ О, 1А
1N3212
Sl-D 400В 15А
1NЗ298
Sl-D БОВ О,ЗА
1N3213
Sl-D 500В 15А
1NЗ298А
Sl-D 70В О,ЗА
1N3214
Sl-D бООВ 15А
1NЗЗ54
Sl-D 1ОВ ЗА
1NЗ215
Sl-D бОВ <250нс
1NЗЗ55
Sl-D 15В ЗА
1N3217
GE-D тvннельный диод
1NЗЗ56
Sl-D 25В ЗА
1NЗ218
GE-D туннельный диод
1NЗЗ57
Sl-D 50В ЗА
1N3219
GE-D туннельный диод
1NЗЗ58
Sl-D 75В ЗА
1N3220
GE-D туннельный диод
1NЗЗ59
Sl-D 100В ЗА
1NЗ221
GE-D тvннельный диод
1NЗЗБО
Sl-D 150В ЗА
1NЗ222
GE-D туннельный диод
1NЗ361
Sl-D 200В ЗА
1NЗ225
GE-D 40В 0,ОЗА <500нс
1NЗ362
Sl-D ЗООВ ЗА
1NЗ227
Sl-D 1ООВ О,5А
1NЗЗБЗ
Sl-D 400В ЗА
1NЗ228
Sl-D 200В О,5А
1NЗЗ64
Sl-D 500В ЗА
1NЗ229
Sl-D 400В О,5А
1NЗЗ65
Sl-D БООВ ЗА
1NЗ230
Sl-D бООВ О,5А
1NЗЗ66
Sl-D 700В ЗА
1NЗ231
Sl-D 800В О,5А
1NЗЗ67
Sl-D 800В ЗА
1NЗ2З2
Sl-D 1ОООВ О,5А
1NЗЗ68
Sl-D 900В ЗА
1NЗ2ЗЗ
Sl-D 1200В О,5А
1NЗЗ69
Sl-D 1ОООВ ЗА
1NЗ2З4
Sl-D 1500В О,5А
1NЗЗ70
Sl-D 1200В ЗА
1NЗ235
Sl-D 1800В О,5А
1NЗЗ71
Sl-D 1500В ЗА
1NЗ2З6
Sl-D 2000В О,5А
1NЗЗ72
Sl-D 10В 20А
1NЗ2З7
Sl-D 50В О,75А
1NЗЗ7З
Sl-D 25В 20А
1NЗ238
Sl-D 1ООВ О,75А
1NЗ374
Sl-D 50В 20А
1NЗ2З9
Sl-D 200В 0,75А
1NЗЗ75
Sl-D 1ООВ 20А
1N3240
Sl-D 400В О,75А
1NЗЗ76
Sl-D 150В 20А
1NЗ241
Sl-D бООВ 0,75А
1NЗЗ77
S1-D 200В 20А
1NЗ242
Sl-D 800В О,75А
1NЗЗ78
Sl-D ЗООВ 20А
1NЗ24З
Sl-D 1000В О,75А
1NЗЗ79
Sl-D 400В 20А
1NЗ244
Sl-D 1200В О,75А
1NЗЗ80
Sl-D 500В 20А
1N3245
Sl-D 1500В О,75А
1NЗ464
Sl-D 12кВ О,ОБА
1NЗ246
Sl-D 50В 1А
1NЗ465
GE-D БОВ 75мА
1NЗ247
Sl-D 1ООВ 1А
1NЗ466
GE-D 40В 75мА
1NЗ248
Sl-D 2ООВ 1А
1NЗ467
GE-D 18В <2нс
1NЗ249
Sl-D 400В 1А
1NЗ468
GE-D 18В <2нс
1NЗ250
Sl-D бООВ 1А
1NЗ469
GE-D 35В 85мА


Краткие справочные данные по зарубежным диодам
161
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1NЗ470
GE-D 35В 85мА
1N3603
Sl-D 45В О, 115А <5нс
1N3471
Sl-D 40В О,04А <2нс
1N3604
s1:0 аналог 1N4151
1N3485
Sl-D 175В <50нс
1N3605
Sl-D аналог 1N4152
1N3486
Sl-D 1ОООВ О,4А
1N3606
Sl-D аналог 1N4153
1N3487
Sl-D 1200В О,4А
1N3607
Sl-D аналог 1N4151
1N34BB
Sl-D настроечный УКВ
1N3608
Sl-D аналог 1N4152
1N3491
Sl-D 50В 25А
1N3609
Sl-D аналог 1N4153
1N3492
Sl-D 1ООВ 25А
1N3611 {GP)
Sl-D 200В 1А
1N3493
Sl-D 200В 25А
1N3612{GP)
Sl-D 400В 1А
1N3494
Sl-D ЗООВ 25А
1N3613{GP)
Sl-D 600В 1А
1N3495
Sl-D 408В 25А
1N3614(GP)
Sl-D ВООВ 1А
1N3544
Sl-D 1ООВ О,6А
1N3615
Sl-D 50В 16А
1N3545.
Sl-D 200В О,6А
1N3616
Sl-D 1ООВ 16А
1N3546
Sl-D ЗООВ О,6А
1N3617
Sl-D 150В 16А
1N3547
Sl-D 400В О,6А
1N361 В
Sl-D 200В 16А
1N3548
Sl-D 500В О,6А
1N3619
Sl-D ЗООВ 16А
1N3549
Sl-D 600В О,6А
1N3620
Sl-D 400В 16А
1N3550
Sl-D 1ВОВ О,ОВА < 1,5мкс
1N3621
Sl-D 500В 16А
1N3551
Sl-D настроечный УКВ
1N3622
Sl-D 600В 16А
1N3552{A)
Sl-D настроечный УКВ
1N3623
Sl-D ВООВ 16А
1N3554
Sl-D настроечный УКВ
1N3624
Sl-D 1ОООВ 16А
1N3555
Sl-D настроечный УКВ
1N3625
Sl-D 200В О, 15А _
1N3556
Sl-D настроечный УКВ
1N3626
GE-D 50В
1N3557
Sl-D настроечный УКВ
1N3627
Sl-D настроечный УКВ
1N3560
GE-D туннельный диод
1N3628
Sl-D настроечный УКВ
1N3561
GE-D туннельный диод
1N3629
Sl-D 100В О,75А
1N3562
GE-D туннельный диод
1N3630
Sl-D 200В 0,75А
1N3563
Sl-D 1ОООВ О,4А
1N3631
Sl-D ЗООВ О,75А
1N3566
Sl-D 800В 1А
1N3632
Sl-D 400В 0,75А
1N3567
Sl-D 75В О,06А <2нс
1N3633
Sl-D 500В 0,75А
1N3568
Sl-D 80В <4нс
1N3634
Sl-D 600В О,75А
1N3569
Sl-D 1ООВ 3,5А
1N3635
Sl-D 700В О,75А
1N35JO
Sl-D 200В 3,5А
1N3636
Sl-D ВООВ О,75А
1N3571
Sl-D ЗООВ 3,5А
1N3637
Sl-D 900В 0,75А
1N3572
Sl-D 400В 3,5А
1N3638
Sl-D 1000В 0,75А
1N3573
Sl-0 500В 3,5А
1N3639
Sl-D 200В 0,75А
1N3574
Sl-D 600В 3,5А
1N3640
Sl-D 400В 0,75А
1N3575
Sl-D 60В О, 15А
1N3641
Sl-D 600В 0,75А
1N3576
Sl-D 125В О, 15А
1N3642
Sl-D ВООВ О,75А
1N3577
Sl-D 175В О, 15А
1N3643
Sl-D 1ОООВ О,25А
1N3578
Sl-D 225В О, 15А
1N3644
Sl-D 1500В О,25А
1N3579
Sl-D 275В О, 15А
1N3645
Sl-D 2000В О,25А
1N3592
GE-D ЗОВ О,05А <70нс
1N3646
Sl-D 2500В О,25А
1N3593
Sl-D 40В О,05А 10нс
1N3647
Sl-D ЗОООВ О,25А
1NЗ594
Sl-D 60В 6нс
1N364B
Sl-D 1ОкВ О,35А
1N3595
Sl-D 150В О, 1А <Змкс
1N3649
Sl-D 800В 3,ЗА
1N3596
Sl-D 20В О,075А <4нс
1N3650
Sl-D 1ОООВ 3,ЗА
1N3597
Sl-D 200В О,275А <ЗООнс
1N3653
Sl-D 1ООВ <4нс
1N359B
Sl-D 50В О,075А <4нс
1N3654
Sl-D 1ООВ <4нс
1N3599
Sl-D 150В <50нс
1N3656
Sl-D 200В 0,75А
1N3600
Sl-D 50В О,2А <4нс
1N3657
Sl-D 400В 0,75А
1N3601
Sl-D 75В <5нс
1N3658
Sl-D 600В О,75А
1N3602
Sl-D 75В О, 115А <5нс
1N3659
Sl-D 50В ЗОА
бзак. 4


162
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N3660
Sl-D 100В ЗОА
1N3769
GE-D 90В
1N3661
Sl-D 200В ЗОА
1N3770
Sl-D настооечный СВЧ
1N3662
Sl-D ЗООВ ЗОА
1N3773
GE-D 25В <40нс
1N3663
Sl-D 400В ЗОА
1N3775
Sl-D 1500В 3,ЗА
1N3664
Sl-D 500В ЗОА
1N3777
Sl-D 800В 35А
1N3665
Sl-D 600В ЗОА
1N3847
GE:D туннельный диод
1N3666
GE-D 80В О,07д <ЗООнс
1N3848
GE-D тvннельный диод
1N3667
Sl-D 500В 1,5А
1N3849
GE-D туннельный диод
1N3668
Sl-D ЗОВ О,075д <150нс
1N3850
GE-D тvннельный диод
1N3669
Sl-D 70В О,4А <200нс
1N3851
GE-D тvннельный диод
1N3670(A)
Sl-D 700В 12А
1N3852
GE-D тvннельный диод
1N3671(A)
Sl-D 800В 12А
1N3853
GE-D тvннельный диод
1N3672(A)
Sl-D 900В 12А
1N3854
GE-D тvннельный диод
1N3673(A)
Sl-D 1ОООВ 12А
1N3855
GE-D тvннельный диод
1N3711
Sl-D 6кВ О,15А
1N3856
GE-D туннельный диод
1N3712
GE-D туннельный диод
1N3857
GE-D тvннельный диод
1N3713
GE-D туннельный диод
1N3858
GE-D туннельный диод
1N3714
GE-D тvннельный диод
1N3859
GE-D тvннельный диод
1N3715
GE-D туннельный диод
1N3860
GE-D тvннельный диод
1N3716
GE-D туннельный диод
1N3861
GE-D туннельный диод
1N3717
GE-D туннельный диод
1N3862
GE-D тvннельный диод
1N3718
GE-D тvннельный диод
1N3863
GE-D тvннельный диод
1N3719
GE-D туннельный диод
1N3864
Sl-D 125В <900нс
1N3720
GE-D туннельный дмод
1N3865
GE-D 808
1N3721
GE-D туннельный диод
1N3866
Sl-D 200В 1А
1N3723
Sl-D 1000В 0,75А
1N3867
Sl-D 400В 1А
1N3724
Sl-D 1200В О,75А
1N3868
Sl-D 600В 1А
1N3725
Sl-D 1400В 0,75А
1N3869
Sl-D 1ОООВ О,5А
1N3726
Sl-D 1600В О,75А
1N3870
Sl-D 1500В О,5А
1N3727
Sl-D 1800В О,75А
1N3871
Sl-D 2000В О,25А
1N3728
Sl-D 550В О,2А
1N3872
Sl-D 90В <15нс
1N3729
Sl-D 600В <500нс
1N3873
Sl-D 90В О, 15А <4нс
1N3730
Sl-D 80В <15нс
1N3874
Sl-D аналог 1N3879
1N3731
Sl-D 1ООВ О, 175А <Знс
1N3875
Sl-D аналог 1N3880
1N3748
Sl-D 200В О,5А
1N3876
Sl-D аналог 1N3881
1N3749
Sl-D 400В О,5д
1N3877
Sl-D аналог 1N3882
1N3750
Sl-D 600В О,5А
1N3878
SH> аналог 1N3883
1N3751
Sl-D 800В О,5А
1N3879(A)
Sl-D 50В 6д <200нс
1N3752
Sl-D 1000В О,5А
1N3880(A)
Sl-D 100В 6д <200нс
1N3754
Sl-D 100В О,125А
1N3881(д)
Sl-D 200В 6д <200нс
1N3755
Sl-D 200В О,125А
1N3882(A)
Sl-D ЗООВ 6А <200нс
1N3756
Sl-D 400В О, 125А
1N3883(A)
Sl-D 400В 6д <200нс
1N3757
Sl-D 200В 1А
1N3884
Sl-D аналог 1N3889
1N3758
Sl-D 400В 1А
1N3885
SJ-D аналог 1N3890
1N3759
Sl-D 600В 1А
1N3886
Sl-D аналог 1N3891
1N3760
Sl-D 800В 1А
1N3887
Sl-D аналог 1N3892
1N3761
Sl-D 1000В 1А
1N3888
Sl-D аналог 1N3893
1N3762
Sl-D 7,5кВ О,065А
,1N 38 89fA)
Sl-D 50В 12А <200нс
1N3764
Sl-D ЗкВ О,4д
1N3890(A)
Sl-D 100В 12А <200нс
1N3765
Sl-D 700В 35А
1N3891(A)
Sl-D 200В 12А <200нс
1N3766
Sl-D 800В 35д
1N3892fA)
Sl-D ЗООВ 1ZA <200нс
1N3767
Sl-D 900В 35А
1N3893(A)
Sl-D 400В 12А <200нс
1N3768
Sl-D 1000В 35А
1N3894
Sl-D 400В О,4д


Краткие справочные данные по зарубежным диодам
163
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1NЗ895
Sl-D З508 Q,4A
1NЗ958(С)
Sl-D 1ООВ З,5А
1NЗ899
Sl-D 508 20А <200нс
1NЗ9591С!
Sl-D 200В З,5А
1NЗ900
Sl-D 1008 20А <200нс
1NЗ960(С)
Sl-D ЗООВ З,5А
1NЗ901
Sl-1} 2008 20А <200нс
1NЗ961(С)
Sl-D 400В З,5А
1NЗ902
Sl-D ЗОО8 20А <200нс
1NЗ962(С)
Sl-D 500В З,5А
1NЗ90З
Sl-D 4008 20А <200нс
1NЗ96З(С)
Sl-D 600В З,5А
1NЗ904
Sl-D 508 20А <200нс
1NЗ964
Sl-D 200В 22А
1NЗ905
Sl-D 1008 20А <200нс
1NЗ965
Sl-D 400В 22А
1NЗ906
Sl-D 2008 20А <200нс
1NЗ966
Sl-D 600В 22А
1NЗ907
Sl-D ЗОО8 20А <200нс
1NЗ967
Sl-D 800В 22А
1N3908
Sl-D 4008 20А <200нс
1NЗ968
Sl-D 200В 50А
1NЗ909
Sl-D 508 ЗОА <200нс
1NЗ969
Sl-D 400В 50А
1NЗ910
Sl-D 1008 ЗОА <200нс
1N3970
Sl-D 600В 50А
1NЗ911
Sl-D 2008 ЗОА <200нс
1N3971
Sl-D 800В 50А
1NЗ912
Sl-D ЗОО8 ЗОА <200нс
1N3981
Sl-D 200В ЗА
1NЗ91З
Sl-D 4008 ЗОА <200нс
1N3982
Sl-D 400В ЗА
1N3914
Sl-D 508 ЗОА <200нс
1N398З
Sl-D 600В ЗА
1NЗ915
Sl-D 1008 ЗОА <200нс
1N3987
Sl-D 700В 6А
1N3916
Sl-D 2008 ЗОА <200нс
1N3988
Sl-D 800В 6А
1N3917
Sl-D ЗОО8 ЗОА <200нс
1N3989
Sl-D 900В 6А
1N3918
Sl-D 4008 ЗОА <200нс
1N3990
Sl-D 1ОООВ бА
1N3919
Sl-D 10008 5А
1N4001
Sl-D 50В 1А/50А(пик.)
1N3920
Sl-D 15008 5А
1N4002
Sl·D 100В 1А/50А(пик.)
1N3921
Sl-D 20008 5А
1N400З
Sl·D 200В 1А/50А(пик.)
1NЗ922
Sl-D 25008 5А
1N4004
Sl-D 400В 1А/50А(пик.)
1N392З
Sl-D ЗООО8 5А
1N4005
Sl·D 600В 1А/50А(пик.)
1N3924
Sl-D 10008 1Од
1N4006
Sl-D 800В 1А/50А(пик.)
1NЗ925
Sl-D 15008 10А
1N4007
Sl·D 1ОООВ 1А/50А(пик.)
1N3926
Sl-D 20008 10А
1N4008
GE-D 12В О, 1А <70нс
1N3927
Sl-D 25008 1Од
1N4009
Sl-D З5В О, 1А <4нс
1N3928
Sl-D ЗОО08 10А
1N4011
Sl·D 1000В О,5А
1N3929
Sl-D 10008 1А
1N4012
Sl-D 700В 12А
1N39ЗО
Sl-D 15008 1А
1N401З
Sl·D 800В 12А
1NЗ9З1
Sl-D 20008 1А
1N4014
Sl-D 900В 12А
1N39З2
Si-D 25008 1А
1N4015
Sl-D 1ОООВ 12А
1NЗ9ЗЗ
Sl-D З0008 1А
1N404З
Sl·D 25В <4нс
1NЗ9З4
Sl-D 12008 1ОА
1N4086
Sl·D 70В <200нс
1NЗ9З8
Sl-D 2008 2А
1N4087
Sl-D 50В <2,5нс
1NЗ9З9
Sl-D 4008 2А
1N4088
GE·D ЗОВ
1NЗ940
Sl-D 600В 2А
1N4089
Sl·D400B 1,1А
1NЗ941
Sl-D ВООВ 2А
1N4090
GE-D тvннельны~ диод
1NЗ942
Sl-D 100В 2А/ЗОА(пик.)
1N4091
Sl·D настроечный СВЧ
1NЗ944
GE-D 15В <12нс
1N4092
Sl·D 508
1NЗ945
Sl-D настооечный УКВ
1N409З
Sl-D 508
1NЗ946
Sl-D настроечный УКВ
1N41З9
Sl-D 508 ЗА
1NЗ947
Sl-D настроечный УКВ
1N4140
Sl-D 1008 ЗА
1NЗ948
Sl-D тvннельный диод
1N4141
Sl-D 2008 ЗА
1NЗ952
Sl-D 1ЗОВ О,2А
1N4142
Sl·D 400В ЗА
1NЗ95З
GE-D 40В <ЗООнс
1N414З
Sl-D 6008 ЗА
1NЗ954
Sl-D 50В <4нс
1N4144
Sl·D 8008 ЗА
1N3955
Sl-D 1ООВ 70А
1N4145
Sl·D 10008 ЗА
1NЗ956
Sl-D ЗОВ 2нс
1N4146
Sl·D 1200В ЗА
1NЗ957(GP)
Sl-D 1000В 1А
1N4148
Sl·D 1008 О,2А <4нс


164
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N4149
Sl-D 1ООВ О,2А <4нс
1N4З85(GP)
Sl-D 600В 1д
1N4150
Sl-D 50В О,2А <4нс
1N4З90
Sl-D 20В <О,5нс
1N4151
Sl-D 75В О,2А <4нс
1N4391
Sl-D '20В <О,5нс
1N4152
Sl-D 40В О,2А <4нс
1N4392
Sl-D 15В <О,5нс
1N415З
Sl-D 75В О,2А <4нс
1N439З
Sl-D тvннельный диод
1N4154
Sl-D З5В О,2А <4нс
1N4З94(д, В\ Sl-D тvннельный диод
1N4155
Sl-D 400В О,2А <10мкс
1N4395(д, В\ Sl-D тvннельный диод
1N4244
Sl-D 10В О,05А <О,75нс
1N4396{д, В) Sl-D тvннельный диод
1N4245(GPI
Sl-D 200В 1д
1N4З97(д, В) Sl-D тvннельный диод
1N4246(GP)
Sl-D 400В 1д
1N4398(д, В\ Sl-D тvннельный диод
1N4247(GPI
Sl-D 600В 1д
1N4399(д, В) Sl-D тvннельный диод
1N4248(GPI
Sl-D 800В 1д
1N44З6
Sl-D 200В 1Од
1N4249(GP\
Sl-D 1ОООВ 1д
1N44З7
Sl-D 400В 1Од
1N4250
Sl-D 800В О,5д
1N44З8
Sl-D 600В 10д
1N4251
Sl-D 10008 О,5д
1N44З9
Sl-D 800В 10д
1N4252
Sl-D 12008 О,5д
1N4440
Sl-D 1000В 10д
1N425З
Sl-D 1500В О,5д
1N4441
Sl-D 1500В 25мд <ЗООнс
1N4254
Sl-D 1500В О,25д
1N4442
Sl-D ЗОВ 1нс
1N4255
Sl-D 2000В О,25д
1N444З
Sl-D ЗОВ О,6нс
1N4256
Sl-D 2500В О,25д
1N4444
Sl-D 70В О,225д <7нс
1N4257
Sl-D ЗОООВ О,25д
1N4445
Sl-D 125В <4нс
1N4ЗО5
Sl-D 75В О, 1А <4нс
1N4446
Sl-D 100В О,2д <4нс
1N4ЗО8
Sl-D 1ООВ <2нс
1N4447
Sl-D 100В О,2А.<4нс
1N4ЗО9
Sl-D 50В <2нс
1N4448
Sl-D 100В О,2А <4нс
1N4З10
Sl-D 75В <2нс
1N4449
Sl-D 100В О,2д <4нс
1N4З11
Sl-D 1008 <2нс
1N4450
Sl-D ЗОВ О,2д <4нс
1N4З12
Sl-D 150В <2нс
1N4451
Sl-D ЗОВ О,2А <·10нс
1N4З1З
Sl-D 1ООВ <2нс
1N4454
Sl-D 50В О,2А <10нс
1N4З14
Sl-D 1ООВ <2нс
1N4456
Sl-D З5В < 1,5нс
1N4З15
Sl-D 50В <2нс
1N4457
Sl-D 50В <1,5нс
1N4З16
Sl-D 75В <2нс
1N4458
Sl-D 800В 5д
1N4З'17
Sl-D 1ООВ <2нс
1N4459
Sl-D 10008 5д
1N4З18
Sl-D 150В <2нс
1N4497
Sl-D 1,6кВ О,75А
1N4З19
Sl-D 100В <2нс
1N4498
Sl-D ЗкВ·О,75д
1N4З22
Sl-D 75В <6нс
1N4500
Sl-D ВОВ <4нс
1N4З61
Sl-D 900В О,5д
1N4502
GE-D 20В
1N4З6З
Sl-D 120В О, 1д <40нс
1N4505
Sl-D 6кВ О, 1д
1N4З64
Sl-D 100В О,75д
1N4506
Sl-D 200В 12д
1N4З65
Sl-D 200В О,75д
1'N4507
Sl-D 400В 12д
1N4З66
Sl-D ЗООВ 0,75д
1N4508
Sl-D 600В 12А
1N4З67
Sl-D 4008 О,75д
1N4509
Sl-D 800В 12А
1N4З68
Sl-D 500В О,75д
1N4510
Sl-D 1000В 12А
1N4З69
Sl-D 600В О,75д
1N4511
Sl-D 1200В 12А
1N4З7З
Sl-D 80В 4нс
1N451З
Sl-D 2000В О,25д
1N4З74
Sl-D 1500В О,75д
1N4514
Sl-D ВООВ 1, 1д
1N4З75
Sl-D 60В <6нс
1N4517
Sl-D 200В 2А
1N4З76
Sl-D 1ОВ О,05д <61щ
1N452З
GE-D 15В <Вне
1N4З77
Sl-D 2,5кВ О,75д
1N4524
GE-D 1ОВ <Знс
1N4380
Sl-D 50В О,05д <1,8нс
1N4525
Sl-D 2008 35д
1N4З81
GE-D 25В <100нс
1N4526
Sl-D 400В З5д
1N4З82
Sl-D 55В <5,5нс
1N4527
Sl-D 600В З5д
1N4З8З(GР\
Sl-D 200В 1д
1N4528
Sl-D 800В 35д
1N4З84(GP) Sl-D 400В 1д
1N4529
Sl·D 1000В 35д


Краткие справочные данные по зарубежным диодам
165
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N45ЗО
Sl-D 1200В З5А
1N4801 !A ... DI Sl-D настDоечный УКВ
1N45З1
Sl-D 75В О, 15А <4нс
1N4802(A... D) Sl-D настроечный УКВ
1N45З2
Sl-D 75В О, 15А <2нс
1N480З(A... D) Sl-D настроечный УКВ
1N45ЗЗ
Sl-D 40В О,075А <2нс
1N48041A ... DI Sl-D настРоеЧный УКВ
1N45З4
Sl-D 75В 0,о75А <2нс
1N4805!A ... D} Sl-D насrроечный УКВ
1N45З6
Sl-D 25В О,075А <2нс
1N4806(A... D) Sl-D настроечный ук;в
1N45З7
Sl-D 1800В ЗА
1N4807(A... D) Sl-D настроечный УКВ
1N45З8
Sl-D 2400В ЗА
1N4808(A... D) Sl-D настроечный УКВ
1N45З9
Sl-D ЗОООВ ЗА
1N48091A..• DI Sl-D настDоечный УКВ
1N4540
Sl-D З600В ЗА
1N48101A... DI Sl-D настDоечный УКВ
1N4541
Sl-D 225В О,4А
1N4811(A... D) Sl-D настроечный УКВ
1N4542
Sl-D 400В О,4А
1N4812(A... D) Sl-D настроечный УКВ
1N454З
Sl-D 600В О,4А
1N481ЗIA... D\ Sl-D настDоечный УКВ
1N4544
Sl-D ВООВ О,4А
1N4814!A... D} Sl-D настроечный УКВ
1N4545
Sl-D 1ОООВ О,4А
1N4815(A ... D) Sl-D настроечный УКВ
1N4546
Sl-D 25кВ 1А
1N4816
Sl-D 50В 1,5А
1N4547
Sl-D 25В <60нс
1N4817
Sl-D 1ООВ 1,5А
1N4548
Sl-D 25В <2нс
1N481 В
Sl-D 200В 1,SA
1N4585(GPJ
Sl-D 800В 1А
1N4819
Sl-D ЗООВ 1,5А
1N4586(GPI
Sl-D 1000В 1А
1N4820
Sl-D 400В 1,5А
1N459BIAI
Sl-D настDоечный УКВ 90В
1N4821
Sl-D 500В 1,5А
1N45991AI
Sl-D настDоечный УКВ 110В
1N4822
Sl-D 600В 1,5А
1N4606
Sl-D 85В О,З5А <6нс
1N482З
Sl-D 100В 1А<100нс
1N4607
Sl-D 85В О,З5А <15нс
1N4824
Sl-D 200В 1А <100нс
1N4608
Sl-D 85В О,З5А <15нс
1N4825
Sl-D 400В 1А <100нс
1N46091AI
Sl-0. настDоечный УКВ
1N4826
Sl-D БООВ 1А <100нс
1N4610
Sl-D 80В <4нс
1N4827
GE-D ЗОВ 200нс
1N4718
Sl-D 50В <180нс
1N4861
Sl-D 40В <1мкс
1N4719
Sl-D 50В ЗА
1N4862
Sl-D 70В <1мкс
1N4720
Sl-D 100В ЗА
1N486З
Sl-D 70В О,2А <7нс
1N4721
Sl-D 200В ЗА
1N4864
Sl-D 125В О,2А <4нс
1N4722
Sl-D 400В ЗА
1N4865
Sl-D 1,5кВ 1,25А
1N472З
Sl-D 600В ЗА
1N4866
Sl-D 2,5кВ 1,25А
1N4724
Sl-D 800В ЗА
1N4867
Sl-D ЗкВ 1,25А
1N4725
Sl-D 1000В ЗА
1N4868
Sl-D 5кВ 1,25А
1N4726
Sl-D 20В О 06А
1N4869
Sl-D 7,5кВ 1,25А
1N4727
Sl-D 20В О,075А
1N4870
Sl-D 1ОкВ 1,25А
1N4785
GE-D З20В 7А демпферный для ТВ
1N4871
Sl-D 12кВ 1,25А
1N4786(A. "D) Sl-D настDоечный УКВ
1N4872
Sl-D 15кВ 1,25А
1N47871A... DI Sl-D настроечный УКВ
1N487З
Sl-D 20кВ 1,25А
1N4788(A... D) Sl-D настроечный УКВ
1N4874
Sl-D 25кВ 1,25А
1N4789(A... DI Sl-D настDdечный УКВ
1N4875
Sl-D ЗОкВ 1,25А
1N47901A... D} Sl-D настроечный УКВ
1N4876
Sl-D 40кВ 1,25А
1N4791(A... D) Sl-D настроечный УКВ
1N4877
Sl-D 50кВ 1,25А
1N4792(A••.D) Sl-D настроечный УКВ
1N4887
Sl-D 75кВ 1,25А
1N4793(A... DI Sl-D настроечный УКВ
1N4888
Sl-D 12В <О,5нс
1N4794!A.• . DI Sl-D настDоечный УКВ
1N49ЗЗ(GР) Sl-D 50В 1А <200нс
1N4795!A... DI Sl-D настроечный УКВ
1N49341GPI
Sl-D 100В 1А <200нс
1N4796{A... D) Sl-D настроечный УКВ
1N49З51GPI Sl-D 200В 1А <200нс
1N4797(A... D) Sl-D настроечный УКВ
1N4936(GP)
Sl-D 400В 1А <200нс
1N4798!A ... DI Sl-D Н8СТD00ЧНЫЙ УКВ
1N49З71GPI
Sl-D бООВ 1А <200нс
1N4799{A..• D) Sl-D настроечный УКВ
1N49З8
Sl-D аналог 1NЗ070
1N4800(A ... D) Sl-D настроечный УКВ
1N4941
GAAS-D настроечный СВЧ


166
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N4942(GP)
Sl-D 200В 1А <150нс
1N5176
Sl-D 6008 2А
1N494З{GP)
Sl-D ЗООВ 1А <150нс
1N5177
Sl-D 800В 2А
1N4944(GP)
Sl-D 4009 1А <150нс
1N5178
Sl-D 10008 2А
1N4945(GP)
Sl-D 500В 1А <150нс
1N5180
Sl-D 1208 4А
1N4946(GP)
Sl-D 600В 1А <250нс
1N5181
Sl-D 4кВ О, 1А
1N4947/GP1
Sl-D 800В 1А <250нс
1N5182
Sl-D 5к8О,1А
1N4948/GP)
Sl-D 1000В 1А <500нс
1N518З
Sl-D 7,5к8О,1А
1N4949
Sl-D З5В <О,Знс
1N5184
Sl-D 1Ок8 О, 1А
1N4950
Sl-D ЗОВ <4нс
1N5185/A)
Sl-D 50В З ... 4А <250."400нс
1N4997{R)
Sl-D 50В ЗА
1N5186(A)
Sl-D 1008 З ... 4А <250".400нс
1N4998/R)
Sl-D 100В ЗА
1N5187(A)
Sl-D 2008 З ... 4А <250 ... 400нс
1N4999(RI
Sl-D 200В ЗА
1N5188{A)
Sl-D 4008 З ... 4А <250 ... 400нс
1N5000/R)
Sl-D 400В ЗА
1N5189{A)
Sl-D 5008 З.. .4А <250 ... 400нс
1N5001(R)
Sl-D 600В ЗА
1N5190(A)
Sl-D 6008 З ... 4А <250 ... 400нс
1N5002(R)
Sl-D 800В ЗА
1N5194
Sl-D 808 О,2А
1N500З(R)
Sl-D 1000В ЗА
1N5195
Sl-D 2008 О,2А
1N5004
Sl-D 100В 1А
1N5196
Sl-D 2508 О,2А
1N5005
Sl-D 200В 1А
1N5197
Sl-D 508 ЗА
1N5006
Sl-D 400В 1А
1N5198
Sl-D 1008 ЗА
1N5007
Sl-D 600В 1А
1N5199
Sl-D 2008 ЗА
1N5052(A)
Sl-D 700В 1,5А
1N5200
Sl-D 4008 ЗА
1N505З{А)
Sl-D 800В 1,5А
1N5201
Sl-D 6008 ЗА
1N5054{A)
Sl-D 1ОООВ 1,5А
1N5206
Sl-D 4408 2А
1N5055
Sl-D 100В 1А
1N5207
Sl-D 4408 4А
1N5056
Sl-D 200В 1А
1N5208
Sl-D 708 O,Q75A
1N5057
Sl-D ЗООВ О,8А
1N5209
Sl-D 1508 О,055А
1N5058
Sl-D 400В О,8А
1N5210
Sl-D 2008 О,04А
1N5059(GP)
Sl-D 200В 2А/50А(пик.) 6мкс
1N5211
Sl-D 2008 1А
1N5060fGPI
Sl-D 400В 2А/50Аfпик.) 6мкс
1N5212
Sl-D 4008 1А
1N5061(GP)
Sl-D 600В 2А/50А(пик.) 6мкс
1N521З
Sl-D 6008 1А
1N5062(GP)
Sl-D 800В 2А/50А(пи~.) 6мкс
1N5214
Sl-D 800В 1А
1N51З6(А)
Sl-D настроечный УКВ
1N5215
Sl-D 200В 1А
1N51З7(А\
Sl-D настооечный УКВ
1N5216
St-D 4008 1А
1N51З8{А)
Sl-D настроечный УКВ
1N5217
Sl-D 6008 1А
1N51З9(А)
Sl-D настроечный УКВ
1N5218
Sl-D 800В 1А
1N5140(A)
Sl-D настооечный УКВ
1N5219
Sl-D ЗОВ <2нс
1N5141(A)
Sl-D настроечный УКВ
1N5220
Sl-D ЗОВ <О,7нс
1N5142(A)
Sl-D настроечный УКВ
1N5282(A)
Sl-D 80В О,2А <4нс
1N514З(А)
Sl-D настооечный УКВ
1N5315
Sl-D 100В О,2А <4tк:
1N5144{A)
Sl-D настооечный УКВ
1N5З16
Sl-D 1008 О, 1З5А <4нс
1N5145(A)
Sl-D настроечный УКВ
1N5З17
Sl-D 80В О, 125А <4нс
1N5146(A)
Sl-D настроечный УКВ
1N5З18
Sl-D 75В О, 125А <4нс
1N5147{A)
Sl-D настооечный УКВ
1N5З19
Sl-D 408О,1А <4нс
1N5148{A)
Sl-D настооечный УКВ
1N5З20
Sl-D 120В 1А <250нс
1N5165(A)
Sl-D ЗОВ
1N5З21
Sl-D -S ЗОВ
1N5166(A)
Sl-D ЗОV
1N5З22
Sl-D-S ЗОВ
1N5167fAI
Sl-D 20В
1N5З2З
Sl-D -S 20В
1N5170
Sl-D 15В 2А
1N5З24
Sl-D 15кВ О,01А
1N5171
Sl-D 50В 2А
1N5З26
Sl-D 200В 12А
1N5172
Sl-D 1ООВ ·2А
1N5З29
Sl-D 6кВ О,1З5А
1N517З
Sl-D ЗООВ 2А
1N5ЗЗО
SJ-D 1500В О,54А
1N5174
Sl-D 400В 2А
1N5ЗЗ1
Sl-D 1200В 12А
1N5175
Sl-D 5008 2А
1N5ЗЗ2
Sl-D 1200В З5А


Краткие справочные данные по зарубежным диодам
167
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N5З89
Sl-D 40кВ
1N54551A" .D) Sl-D настооечный FM/YKB
1N5З90
Sl-D -S 5В
1N5456(A. "D) S/-D настроечный FM/YKB
1N5З91
S/-D 50В 1,5А
1N5461(A". D) S/-D настроечный FM/YKB
1N5З92
S/-D 1ООВ 1,5А
1N54621A" .D) Sl-D настооечный FM/YKB
1N5З9З
Sl-D 200В 1,5А
1N546ЗIA".D) Sl-D настооечный FM/YKB
1N5З94
Sl-D ЗООВ 1,5А
1N5464(A". D) Sl-D настооечный FM/YKB
1N5З95
Sl-D 400В 1,5А
1N5465(A". D) Sl-D настроечный FM/YKB
1N5З96
Sl-D 500В 1,5А
1N5466(A. "D) Sl-D настроечный FM/YKB
1N5З97
Sl-D 600В 1,5А
1N54671A" . DI
Sl-D настооечный FM/YKB
1N5З98
Sl-D 800В 1,5А
1N,:5468(A". D) Sl-D настроечный FM/YKB
1N5З99
S/-D 1ОООВ 1,5А/1 ОА(пик.)
1N5469(A" . Dj Sl-D настроечный FM/YKB
1N5400
S/-D 50В ЗА/200Аlпик.\
1N54701A "D) Sl-D настооечный FM/YKB
1N5401
Sl-D 1ООВ ЗА/200Аlпик. \
1N5471IA" . D) SJ-D настооечный FM/YKB
1N5402
Sl-D 200В ЗN200А(пик.)
1N5472(A". D) SJ-D · настроечный FM/YKB
1N540З
Sl-D ЗООВ ЗА/200А(пик.)
1N547З!A".D\ Sl-D настооечный FM/YKB
1N5404
Sl-D 400В ЗА/200Аlпик.\
1N54741A" . D\ S/-D настооечный FM/YKB
1N5405
Sl-D 500В ЗN200А(пик.)
1N5475(A". D) Sl-D настооечный FM/YKB
1N5406
S/-D 600В ЗN200А(пик.)
1N5476(A" .D) Sl-D настроечный FM/YKB
1N-5407
S/-D 800В ЗА/200А(пик.)
1N5477
Sl-D 6кВ О,6А
1N5408
Sl-D 1000В ЗА/200Аlпик.\
1N5478
S/-D 7,2кВ О,6А
1N5409
S/-D ЗООВ 40А
1N5479
Sl-D 8,4кВ О,6А
1N5410
Sl-D ЗООВ 12А
1N5480
Sl-D 9,6кВ О,БА
1N5412
S/-D 40В О,2А <2нс
1N5481
Sl-D 12кВ О,6А
1N541З
Sl-D 80В О,2А <2нс
1N5482
Sl-D 2,4кВ 1А
1N5414
Sl-D 100В О,2А <2нс
1N548З
S/-D 3,6кВ 1А
1N5415
S/-D 50В ЗА <150нс
1N5484
S/-D 4,8кВ 1А
1N5416
S/-D 100В ЗА <150нс
1N5485
Sl-D 6кВ 1А
1N5417
S/-D 200В ЗА <150нс
1N5550
Sl-D 200В ЗА
1N5418
S/-D 400В ЗА <150нс
1N5551
Sl-D 400В ЗА
1N5419
S/-D 500В ЗА <250нс
1N5552
S/-D 600В ЗА
1N5420
Sl-D 600В ЗА <400нс
1N555З
Sl-D 800В ЗА
1N5421
S/-D настооечный УКВ 200В
1N5554
S/-D 1ОООВ ЗА
1N5422
Sl-D настооечный УКВ 200В
1N5595
Sl-D 5кВ 1, 15А
1N542З
Sl-D настроечный УКВ 200В
1N5596
Sl-D 7,5кВ О,87А
1N5424
Sl-D настооечный УКВ 1ООВ
1N5597
Sl-D 1ОкВ О,7А
1N5425
Sl-D настооечный УКВ 1ООВ
1N5598
S/-D 15кВ О,47А
1N54ЗЗ
Sl-D 720В 2мА <400нс
1N5599
S/-D 2,5кВ 2, 1А
1N54З4
S/-D 720В 2мА <400нс
1N5600
S/-D 5кВ 1,4А
1N54З5
Sl-D 720В 12А
1N5601
S/-D 7,5кВ О,92А
1N5441 (A" .D) Sl-D настооечный FM/YKB
1N5602
S/-D 2,5кВ 4,6А
1N5442(A". D) S/-D настроечный FM/YKB
1N560З
Sl-D 5кВ З,5А
1N544З(A".D) Sl-D настооечный FM/YKB
1N5604
Sl-D 7,5кВ 2,ЗА
1N5444(A". D) Sl-D настооечный FM/YKB
1N5606
S/-D 150В О,1А
1N5445(A". D) Sl-D настроечный FM/YKB
1N5607
S/-D 200В О,15А
1N5446(A". D) Sl-D настроечный FM/YKB
1N5608
S/-D 120В О, 15А <ЗООнс
1N5447(A" .DI
Sl-D настооечный FM/YKB
1N5609
Sl-D 120В О, 15А <ЗООнс
1N5448(A". D) S/-D настооечный FM/YKB
1N5614
Sl-D 200В 1А
1N5449(A". D) S/-D настооечный FM/YKB
1N5615
S/-D 200В 1А <150нс
1N5450(A". D) Sl-D настроечный FM/YKB
1N5616
S/-D 400В lA
1N54511A".D\ Sl-D настооечный FM/YKB
1N5617
S/-D 400В 1А <150нс
1N5452(A" . DI
Sl-D настооечный FM/YKB
1N5618
S/-D 600В 1А
1N545З(A".D) Sl-D настроечный FM/YKB
1N5619
Sl-D 600В 1А <150нс
1N5454(A". D\ S/-D настроечный FMJYKB
1N5620
S/-D 800В 1А


168
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1NБ621
Sl-D ВООВ 1А <1Б0нс
1NБ766
Sl-D 110В <400нс
1NБ622
Sl-D 1000В 1А
1NБ794
Sl-D БО8 1А
1NБ623
Sl-D 1000В 1А <1БОнс
1N5795
Sl-D 100В 1А
1NБ624(GP\
Sl-D 200В БА
1N5796
Sl-D 200В 1А
1NБ62Б(GР\
Sl-D 400В БА
1NБ797
Sl-D 400В 1А
1NБ626(GP)
Sl-D 600В 5А
1N5798
Sl-D 600В 1А
1NБ6271GPI
Sl-D ВООВ БА
1NБ799
Sl-D 800В 1А
1NБ628
Sl-D ЗкВ О,БА
1NБ800
Sl-D 1ОООВ 1А
1NБ679
Sl-D БОВ 1А
1NБ802
Sl-D БОВ 2,БА <2Бнс
1NБ680
Sl-D 100В 1А
1NБ803
Sl-D 7БВ 2,5А <2Бнс
1NБ68t1A, В\ Sl-D настооечный УКВ
1NБ804
Sl-D 1ООВ 2,БА <2Бнс
1NБ6821А, В\ Sl-D настооечный УКВ
1N5805
Sl-D 12БВ 2,SA <2Бнс
1N5683(A, В) Sl-D настроечный УКВ
1N5806
Sl-D 1БО8 2,БА <2Бнс
1NБ6841А, В\ Sl-D насТDоечный УКВ
1N5807
Sl-D БОВ 6А <ЗОнс
1NБ68БIА, В) Sl-D настооечный УКВ
1NБ808
Sl-D 7БВ 6А <ЗОнс
1NБ686(А, В) Sl-D насТDоечный УКВ
1NБ809
Sl-D 1ООВ 6А <ЗОнс
1NБ687(А, В) Sl-D настроечный УКВ
1NБ810
Sl-D 12БВ 6А <ЗОнс
1N5688(A, В) Sl-D настроечный УКВ
1NБ811
Sl-D 1БОВ 6А <ЗОнс
1NБ6891А, В\ Sl-D настооечный УКВ
1NБ812
Sl-D БОВ БОА <25нс
1N5690{A, В\ Sl-D настооечный УКВ
1NБ813
Sl-D 7БВ БОА <2Бнс
1N5691(A, В\ Sl-D насТDоечный УКВ
1N5814
Sl-D 1ООВ БОА <2Бнс
1NБ692(А, В\ Sl-D настроечный УКВ
1NБ81Б
Sl-D 12БВ БОА <2Бнс
1N56931A, В) Sl-D настооечный УКВ
1NБ816
Sl-D 1БОВ БОА <2Бнс
1NБ694{А, В) Sl-D настроечный УКВ
1N5817
Sl-D -S 20В 1А/2БА!пик.J
1NБ69Б(А, В) Sl-D настроечный УКВ
1N5818
Sl-D-S ЗОВ 1А/2БА(пик. \
1NБ6961А, В\ Sl-D настооечный УКВ
1NБ819
Sl-D -S 40В 1А/25А(пик. 1
1N5697{A, В\ Sl-D настооечный УКВ
1NБ820
Sl-D-S 20В ЗА/80Аlпик.\
1N5698(A, В\ Sl-D настроечный УКВ
1NБ821
Sl-D -S ЗОВ ЗА/80А{пик.\
1N5699(A, В) Sl-D настроечный УКВ
1NБВ22
Sl-D -S 40В ЗА/80А(пик. \
1NБ700(А, В) Sl-D настроечный УКВ
1NБ823
Sl-D-S 20В БА
1N57011A, В\ Sl-D настооечный УКВ
1NБВ24
Sl-D -S 3013 БА
1NБ702(А, В\ Sl-D настроечный УКВ
1NБ82Б
Sl-D -S 40В БА
1NБ703(А, В) Sl-D настроечный УКВ
1NБ826
Sl-D-S 20В 1БА
1N57041A, В) Sl-D настооечный УКВ
1N5827
Sl-D -S ЗОВ 1БА
1N5705(A, В\ Sl-D настооечный УКВ
1N5828
Sl-D -S 40В 1БА
1NБ706(А, В) Sl-D настроечный УКВ
1NБВ29
Sl-D -S 20В 2БА
1NБ7071А, В\ Sl-D настооечный УКВ
1NБ830
Sl-D -S ЗОВ 2БА
1NБ708(А, В) Sl-D настроечный УКВ
1NБВЗ1
sr-D -S 40В 2БА
1NБ709(А, В) Sl-D настроечный УКВ
1NБ832
Sl-D -S 20В 40А
1NБ7101А, В\ Sl-D настооечный УКВ
1NБ833
sr-D -S зов 40А
1NБ711
Sl-D-S 70В 1БмА О, 1нс
1NБВ34
Sl-D -S 40В 40А
1NБ712
Sl-D-S 20В ЗБмА
1NБВЗБ
Sl-D ЗОВ ЗА <100нс
1NБ713
Sl-D-S 12В
1NБВЗ6
St-D БОВ ЗА <100нс
1N5714
Sl-D настооечный УКВ 200В
1NБВ9В
Sl-D БОВ ЗА
1N571Б
Sl-D настооечный УКВ 200В
1NБВ99
Sl-D 100В ЗА
.1NБ716
Sl-D настроечный УКВ 200В
1NБ900
Sl-D 200В ЗА
1NБ717
Sl-D настроечный УКВ 100В
1NБ901
Sl-D 400В ЗА
1NБ718
Sl-D настооечный УКВ 1ООВ
1N5902
Sl-D 600В ЗА
1N5719
Sl-D настооечный УКВ100В
1NБ903
sr-D воов ЗА
1NБ720
Sl-D ЗОВ <10нс
1N5904
Sl-D 1ОООВ ЗА
1NБ721
Sl-D 1БВ <10нс
1NБ90Б
Sl-D 12006 ЗА
1N5726
Sl-D 60В <10нс
1N60
GE-D БОВ БОмА
1NБ727
Sl-D БОВ <10нс
1N6073
Sl-D БОВ ЗА ЗОнс


Краткие справочные данные по зарубежным диодам
169
Тип прибора
Описание·
Тип прибора
Описание
1Nб074
Sl-D 100В ЗА ЗОнс
BA127D
Sl-D бОВ О,2А
1Nб075
Sl-D 150В ЗА ЗОнс
ВА128
Sl-D 75В О, 11А
1Nб07б
Sl-D 50В бА ЗОнс
ВА145
Sf-D З50В О,ЗА
1Nб077
Sl-D 1оов бА зоне
ВА147
Sl-D 25."ЗООВ О, 1SA
1Nб078
Sl-D 150В бА ЗОнс
ВА148
Sl-D З50В О,ЗА
1Nб079
Sl-D 50В 12А ЗОнс
ВА155
Sl-D 150В О, 1А
1Nб080
Sl-D 1ООВ 12А ЗОнс
ВА157
Sl-D 400В О,4А ЗООнс
1Nб081
Sl-D 150В 12А ЗОнс
ВА158
Sl-D бООВ О,4А ЗООнс
1Nб095
Sl-D-S ЗОВ 25А
ВА159
Sl-D 1ОООВ О,4А ЗООнс
1Nб09б
Sl-D-S 40В 25А
ВА182
Sl-D З5В 0,8 -2 , 1пФ УКВ
1Nб097
Sl-D-S ЗОВ 50А
ВА204
Sl-D бОВ О,2А <10нс
1Nб098
Sl-D-S 40В 50А
ВА220
Sl-D 1ОВ 0,2А/0,4А(пик.) 4нс
1Nб099
Sl-D аналог 1НЗ595
ВА24З
Sl-D 20В 1-ЗпФ О,1А
1Nб2б2
Sl-D 200В 85А
ВА24ЗG
Sl-D 208 1-ЗпФ О, 1А
1Nб2бЗ
Sl-D-S бОВ 15мА О, 1нс
ВА244
Sl-D З5В 1-ЗпФ О, 1А
1N645
Sl-D 225В О,4А
ВА282
Sl-D З5В О,9-2пФ О, 1А
1Nб47
Sl-D 400В О,4А/15А(пик.)
ВА2ВЗ
Sl-D З5В О,9-2пФ О, 1А
1Nб478
Sl-D 50В 1А
ВАЗ16
Sl-D 10В О, 1А/0,2А(пик.) 4нс
1N6479
Sl-D 100В 1А
ВАЗ17
Sl-D ЗОВ О, 1А/0,2А(пик.) 4нс
1Nб480
Sl-D 200В 1А
ВАЗ18
Sl-D 50В О, 1А/0,2Аfпик.) 4нс
1N6481
Sl-D 400В 1А
ВА479
Sl-D ЗОВ 50мА 100МГц
1Nб482
Sl-D бООВ 1А
ВА481
Sl-D -S 4В- ЗОмА 1, 1пФ
1Nб48З
Sl-D 800В 1А
ВА482
Sl-D З5В О, 1А 1,2пФ
1N6484
Sl-D 1000В 1А
ВАб82
Sl-D З5В О,9-2пФ О, 1А
1N914
Sl-D 100В 75мА О,5Вт 4нс
BAR10
Sl-D 20В З5мА/100мАlпик.)
1SS119
Sl-D З5В О, 15А <З,5нс
BAR43S
2XSl-D ЗОВ О, 1д/0,75А(nик.)
1SS1З1
Sl-D 90В О, 1ЗА <4нс
BAS11
Sl-D ЗООВ О,ЗА/4А(nик.) 1мкс
25F120
Sl-D 1200В 25Д/ЗООА(пик.)
ВАS1б
Sl-D 758 О,25А бис
40HF10
Sl-D 100В 40А/480А(пик.)
BAS19
Sl-D 120В О,2А <50нс
40HF20
Sl-D 200В 40А/480А(пик.)
BAS20
Sl-D 200В О,2А <50нс
40HF40
Sl-D 400В 40д/480А(пик.)
BAS21
Sl-D 25ОВ.О,2А <50нс
40HFR10
Sl-D 1ООВ 40А/480Аlпик.)
BASЗ2L
Sl-D 75В О,2А <4нс
40HFR20
Sl-D 200В 40А/480А(пик.)
ВАSЗЗ
Sl-D ЗОВ О,2А
40HFR40
Sl-D 400В 40А/480А(пик:)
ВАТ17
Sl-D -S 4В ЗОмА 1пФ
бF120
Sl-D 1200В бА/1З4Аlпик.!
ВАТ41
Sl-D -S 1ООВ О, 1А
бFR120
Sl-D 1200В бА/1З4А(пик.)
ВАТ42
Sl-D-S ЗОВ О,2А <5нс
70HF80
Sl-D 800В 70А/1000А{пик.)
ВАТ4З
Sl-D-S ЗОВ О,2А <5нс
АА112
GE-1} 20В ЗОмА
ВАТ4б
Sl-D -S 1008 О, 15А
АА114
GE-D ЗОВ 40мА
ВАТ47
Sl-D-S 20В О,З5А 1Онс
АА11б
GE-D ЗОВ ЗОмА
ВАТ48
Sl-D -S 408 О,З5А 1Онс
АА117
GE-D 115В 50мА/О,5А(пик.)
ВАТ49
Sl-D -S ВОВ О,5А
АА118
GE-D 115В 50мА/0,5А(пик.)
ВАТ54А
2xSl-D-S ЗОВ О,2А
АА119
GE·D 45В З5мА
ВАТВ2
Sl-D -S 508 ЗОмА <1нс
АА1З2
GE-D 11 ОВ 50мА < 1,ЗВ
ВАТВЗ
Sl-D -S бОВ ЗмА < 1нс
АА1ЗЗ
GE·D 1ЗОВ 50мА < 1,ЗВ
ВАТВ5
Sl-D·S ЗОВ О,2А 10пФ
АА1З4
GE-D 70В 50мА < 1,ЗВ
ВАТВб
Sl-D -S SOB О,2А 8пФ
АА1З7
GE·D 40В 20мА
BAV10
Sl-D бОВ О,ЗА/0,бА(nик.) бис
АА1З9
GE-D 25В 20мА
BAV100
Sl-D бОВ О,25А <50нс
АА14З
GE-D ЗОВ бОмА/0,2А(пик.) 80мВт
BAV101
Sl-D 1208 О,25А <50нс
АА144
GE-D 1ООВ 45мА/0, 15А{пик.) 80мВт
BAV102
Sl-D 2008 О,25А <50нс
AAZ.17
GE-D 75В О, 14А/О,25Аlпик.1 <З5нс
ВАV10З
Sl-D 2508 0,2А 5пФ 50нс
AAZ.18
GE-D 20В 0, 1ЗА/0,ЗА1пик.) <70нс
BAV17
Sl-D 25.В О,2А/0,05А(пик.) 50нс
ВА100
Sl-D бОВ 90мА
BAV18
Sl-D бОВ О,2д/О,05А(пик.) 50нс


170
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
BAV19
Sl-D 120В О,2д/,05Аfпик. 1 50нс
ВВ811
Sl-D настроечный для СТВ 2ГГц
BAV20
Sl-D 200В О,2д/,05А(пик.) 50нс
ВУ126
Sl-D 650В 1А
BAV21
Sl-D 250В О,2д/0,5А(пик.) 50нс
ВУ127
Sl-D 12508 1А
ВАV2З
2xSl-D 250В О,2А <50нс
ВУ1ЗЗ
Sl-D 1ЗООВ 1А/50А(пик.)
BAV70
2xSl-D 70В О,2А 6нс
ВУ1З4
Sl-D 6008 1А/50А(пик.)
BAV99
2xSl-D 70В О,2А 6нс
ВУ1З5
Sl-D 2008 1А/50Аfпик.)
BAW24
Sl-D 50В О,6А <6нс
8У157/".А
Sl-D 200" .1 0 00 8 О,ЗА <ЗООнс
BAW25
Sl-D 50В О,6А <6нс
ВУ157/".8
Sl-D 200" .1 0 00 8 О,4А <ЗООнс
BAW26
Sl-D 75В О,6А <6нс
8У157/".С
Sl-D 200" .10 00 8 О,6А <ЗООнс
BAW27
Sl-D 75В О,6А <6нс
8У176
Sl-D 15кВ 2,5мА
BAW56
2xSl-D 70В О,2А 6нс
ВУ184
Sl-D 1500/1800В 5мА
BAW62
Sl-D 75В О,2А/0,45А(пик.) 4нс
8У187
Sl-D 10кВ 2,5мА 250нс
BAW75
Sl-D З5В О, 15д/2Аfпик.) 2нс
8У188А
Sl-D 508 1,2А
BAW76
Sl-D 75В О, 15А/2А(пик.) 2нс
8У1888
Sl-D 508 1,2А
ВАХ12
Sl-D 90В О,4А/0,8А(пик.) 50нс
ВУ196
Sl-D 1ООВ 1,2А <500нс
ВАХ1З
Sl-D 50В О, 15А О,5Вт 4нс
8У197
Sl-D 200В 1,2А <500нс
ВАХ14
Sl-D 40В О,5А <ЗОнс
8У198
Sl-D 4008 1,2А <500нс
ВАХ16
Sl-D 150В О,2А <120нс
8У199
Sl-D 8008 1,2А <500нс
ВАХ17
Sl-D 200В О,2А <120нс
8У200
Sl-D 1200В 1,2А <500нс
ВАХ18
Sl-D 75В О,4д/2А(пик.)
BY2Q1/2". /6 Sl-D 250" .6 50 8 1А/ЗОА(пик.) 200 нс
ВАУ21
Sl-D З50В О,25А 1мкс
8У20З/12" ./25 Sl-D 1 ,2 ". 2 ,5kB О,25А ЗООнс
ВАУ46
Sl-D ЗООВ О,225А <15мкс
ВУ205
Sl-D 100 " .1 ОООВ ЗА <850нс
ВВ10З
Sl-D ЗОВ 11,З-ЗОпФ
ВУ206
Sl-D З50В 0,4А <ЗООнс
ВВ104
2xSl-D настроечный FM
ВУ207
Sl-D 6008 0,4А <ЗООнс
ВВ105В
Sl-D ЗОВ 2-18пФ СВЧ
ВУ208
Sl-D 600." 1 ОООВ О,75А <З50нс
BB105G
Sl-D ЗОВ 1,8-18пФ СВЧ
ВУ209
Sl-D 12,5кВ 2,5мд
ВВ106
Sl-D ЗОВ 4-20пФ УКВ
ВУ210
Sl-D 400".800В 1А
BB109G
Sl-D ЗОВ 4,З-З2пФ УКВ
ВУ214
Sl-D 50".1000В 6А/400А(пик.)
ВВ112
Sl-D 12В 17-560пФ настроечный АМ
ВУ218
Sl-D 100 . .. 8008 2А <200нс
ВВ119
Sl-D 1ОВ 15,З-19пФ
ВУ22З
Sl-D демпферный для ТВ 1500В 5А
ВВ121А
Sl-D ЗОВ 1,9-18пФ
ВУ226
Sl-D 6508 1,5А
ВВ122
Sl-D настроечный УКВ
ВУ227В
Sl-D 1250В 1,5А
ВВ1З9
Sl-D ЗОВ 4,З-29пФ
ВУ228
Sl-D 1000".1500ВЗА/50А(пик.)
ВВ142
Sl-D ЗОВ 12пФ FM/YKB
20 мкс
ВВ204В
2xSl-D настроечный FM
ВУ229
см. BY229/800-MBR
BB204G
2xSl-D ЗОВ 14-З9пФ
ВУ229
Sl-D 200".1000В 7А/60А(пик.) 150 нс
ВВ205В
Sl-D ЗОВ 11 пФ
BY229F
Sl-D аналог ВУ229 ISO
BB205G
Sl-D ЗОВ 1,8-17пФ СВЧ
ВУ2З9/200
Sl-D 200".1250В 1_0А
ВВ207
Sl-D настроечный
8У249
Sl-D ЗОО".600В 6,5А/60А(пик.)
ВВ209
Si-D ЗОВ 2,6-З1пФ
8У251
Sl-D 200В ЗА/100А(пик.)
ВВ212
2xSl-D настроечный АМ
ВУ252
Sl-D 400В ЗА/100А(пик.)
ВВ221
Sl-D 28В 1,8-17пФ
ВУ25З
Sl-D 600В ЗА/100Аfпик.)
ВВ222
Sl-D настроечный УКВ
ВУ254
Sl-D 800В ЗА/1 ООА{пик.)
ВВЗ04G
Si-D 2В 1,7-46пФ
ВУ255
Sl-D 1ЗООВ Зд/100А{пик.)
ВВЗ29
Sl-D настроечный УКВ
ВУ268
Sl-D 1400В О,8А <500нс
ВВ405В
Sl-D ЗОВ 1,8-18пФ
ВУ269
Sl-D 1600В О,8А <500нс
BB405G
Sl-D'настроечный УКВ
ВУ288
Sl-D 150" . 1 ОООВ О,З2А ЗООнс
ВВ409
Sl-D 28В 5-З2пФ настроечный УКВ
ВУ289
Sl-D 150".1000В О,52АЗООнс
ВВ505В
Sl-D настооечный УКВ
ВУ290
Sl-D 150 " .600В 150нс
BB505G
Sl-D настроечный УКВ
ВУ291
Sl-D 75".ЗООВ 1, 1А 150нс
ВВ529
Si-D 28В 2,5-12пФ Q = ЗОО
ВУ292
Sl-D 75."ЗООВ 1,ЗА 150нс
ВВ804
2xSl-D 18В 42-46,5пФ
8У29З
Sl-D 75."ЗООВ ЗА 150нс
ВВ809
Sl-D 28В 4-46пФ настроечный УКВ
ВУ294
Sl-D 75" .6008 2,5А 150нс


Краткие справочные данные по зарубежным диодам
171
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
8У295
Sl-D 150 ... 6008 1,05А 150нс
8YD77A ... G
Sl-D 50 ... 4008 1,75А <50нс
8У296
Sl-D 2008 2А <500нс
8УМ26А ... Е
Sl-D 200" . 10008 2,ЗА <75нс
8У297
Sl-D ЗОО8 2А <500нс
8YR29
Sl-D 500 ... 8008 7,8А/60А(nик.) 75 нс
8У298
Sl-D 4008 2А/70А(nик.) 150нс
8YR29F
Sl-D аналог 8YR29/...
8У299
Sl-D 8008 2А/70А(nик.) 500нс
8YS16
Sl-D -S 20 ". 408 15А
8УЗ28
Sl-D 14008 ЗА <500нс
8YS21
Sl,D -S 45 ... 908 1А
8УЗ29
Sl-D 800 ... 12008 7А/80А(nик.) 150нс
8YS22
ql-D -S 45 ... 908 2А
8УЗ59
Sl-D 1000 ... 15008 6,5А/60А(nик.) 600
8YS24
2xSl-D-S 45 ... 908 2,5А
8УЗ59F
Sl-D аналог 8УЗ59
8YS25
Sl-D-S 20 ...408 25А
8УЗ96
Sl-D 1008 ЗА <500нс
8YS26
Sl-D -S 45 ... 908 ЗА
8УЗ97
Sl-D 2008 ЗА <500нс
8YS27-45
Sl-D-S 458 5А/120А(nик.)
8УЗ98
Sl-D 4008 ЗА/200А(nик.) 500нс
8YS28
2xSl-D-S 45 ... 908 2, 15А
8УЗ99
Sl-D 8008 ЗА/1 ООА(nик.) 500нс
8УТО1
Sl-D 200" .4008 1А <50нс
8У406
Sl-D З508 О,8А <ЗООнс
8УТО3
Sl-D 200" .4008 ЗА/60А(nик.) <50 нс
8У409
Sl-D 12,5к8 2,5мА
8УтО8
Sl-D 200." 4008 8А/1ЗОА{nик.) З5 нс
8У438
Sl-D ТV-DAMPER 12008 5А
8УТО8Р- ... А
Sl-D 200 ... 10008 8А/1ЗОА{J1ИК.) 65нс
8У448
Sl-D 15008 2А/ЗОА(nик.) 20мкс
8УТ11
Sl-D 600 ... 10008 1А/35А(nик.) 100нс
8У458
Sl-D 12008 2А/ЗОА{nик.) 20мкс
8УТ1З
Sl-D 600 ... 10008 ЗА <150нс
8У459/1500
Sl-D 15008 1Од 600нс
8УТ30Р
Sl-D 200 ... 10008 ЗОА <70нс
8У476
Sl-D 18к8 2,5мА
8УТ51А... М
Sl-D 50 ... 10008 1,5А/20А(nик.) <4мкс
8У477
Sl-D 2Зк8 2мА
8УТ52А ... М
Sl-D 50 ... 10008 1,4А/20А(nик.)
8У478
Sl-D 27,5к8 2мА
<200 HG
8У500
Sl-D 100 ... 8008 5А/200А(Dик.) 200нс
8УТ5ЗА... G
Sl-D 50 .. .4008 1,5А <50нс
8У509
Sl-D 12,5к8 4мА
8УТ54А ... М
Sl-D 50 ... 10008 1,25А < 1ООнс
8У510
Sl-D 17к8 4мА
8УТ56А ... М
Sl-D 50".10008 ЗА< 1ООнс
8У520-10 ... -20 Sl-D 100 ... 8008 5А <200нс
8УТ60- ... М
Sl-D 200" .10008 60А <70нс
8У527
Sl-D 12508 О,8А
8УТ71
Sl-D 100 ... 8008 БА <ЗООнс
8У530
Sl-D 50 ... 10008 ЗА
8УТ71F
Sl-D 100 ... 8008 6А <ЗООнс
8У550
Sl-D 50 ... 8008 5А
8УТ77
Sl-D 8008 ЗА <ЗООнс
8У584
Sl-D 18008 85мА 200нс
8УТ78
Sl-D 10008 ЗА <ЗООнс
8У588
Sl-D 258 1,5А
8УТ79
Sl-D ЗОО" .5008 1Од <50нс
8У627
Sl-D 12508 2А
8У\110- ... (А)
Sl-D -S 20 . "6 0 8 1А/25А(nик.) ЗОнс
8У707
Sl-D 1Ок8 4мА 200нс
8У\112
Sl-D 1008 1,5А ЗООнс
8У708
Sl-D 12к8 4мА 200нс
8У\113
Sl-D 4008 1,5А ЗООнс
8У709
Sl-D 14к8 4мА 200нс
8У\11ЗЗ
2xSl-D -S З5."458 18А/200А(nик.)
8У710
Sl-D 17к8 ЗмА 200нс
8У\114
Sl-D 6008 1,5А ЗООнс
8У711
Sl-D 19к8 ЗмА 200нс
8У\115
Sl-D 8008 1,5А 300нс
8У712
Sl-D 22к8 Змд 200нс
8У\116
Sl-D 10008 1,5А ЗООнс
8У71З
Sl-D 24к8 3мА 200нс
8У\118
Sl-D -S ЗО."458 8,8А
8У714
Sl-D ЗОк8 ЗмА 200нс
8У\119
Sl-D-S 30 ...458 9А
8У8420
Sl-D 24к8 3мА 200нс
8У\120
Sl-D -S ЗО".458 12,5А
8YD11D ... M
Sl-D 200" . 10008 О,58А
8У\121
Sl-D-S ЗО ... 458 27А
8YD1ЗD ... M
Sl-D 200 ... 10008 1,4А
8У\122
Sl-D-S 30 ...4'58 50А
8YD14D ... M
Sl-D 200 ... 10008 2А 2,5мкс
8У\123
Sl-D -S ЗО."458 70А
8YD17D ... M
Sl-D 200 ... 10008 2А 2,5мкс
8YV26A ... E
Sl-D 200" .10008 1А/ЗОА(nик.) <75нс
8YDЗ1D ... M
Sl-D 200 ... 10008 О,4А <ЗООнс
8YV27
Sl-D 50". 20 08 2А/50А(nик.) <50нс
8YDЗ3D ... M
Sl-D 200 ... 10008 1,ЗА <ЗООнс
8У\128
Sl-D 50 ... 2008 З,5А/50А(nик.) <50нс
8YDЗ4D ... M
Sl-D 200 ... 10008 1,8А <ЗООнс
8У\129
Sl-D 300 ... 5008 7,4А <50нс
8YDЗ7D ... M
Sl-D 200 ... 10008 1,ЗА <ЗООнс
8YV29F
Sl-D ЗОО ... 5008 7,4А <50нс
8YD57D" . M
Sl-D 200 ... 10008 1А
8УVЗ2
2xSl-D 50 ... 2008 18N2ЗОА(nик.) 25нс
8YIJ71A ... G
Sl-D 50 ... 4008 О,5А <50нс
8УVЗЗ
2xSl-D-S ЗО ... 458 18А
8YD73A... G
Sl-D 50 .. .4008 1,75А <50нс
8УVЗ6А".Е
Sl-D 200" .10008 1,6А ЗОА(nик.)
8YD74A ... G
Sl-D 50 ... 4008 2А <50нс
150нс


172
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
8YV42
2xSl-D 50" .2 00 8 ЗОА <25нс
8УХ48
Sl-D ЗОО."12008 6А
8YV72
Sl-D 50" .2 00 8 ЗОА/160А(nик.) 28нс
8УХ49
Sl-D ЗОО."12008 6А
8YV79
Sl-D 50." 20 0 8 12А/420А(nик.) <З5нс
8УХ55
Sl-D З50".6008 1,2А 750нс
8YV95A" .C
Sl-D 200".60 08 1,5А/З5А(nик.) 250 нс
8УХ55/З50
см. 8УХ55/600
8YV96D" . E
Sl-D 800".10008 1,5д/З5А(nик.)
8УХ61
Sl-D 50" .4008 12А <100нс
зоо нс
8УХ71
Sl-D З50."6008 7А <450нс
8YW100
Sl-D 50" .2 00 8 1,5А <З5нс
8УХ72
Sl-D 150" .5008 10А
8YW14
Sl"D 1.00" .8 008 ЗА <750нс
ВУХ96
Sl-D ЗОО".16008 ЗОА
8YW15
Sl-D 100".8 0 0 8 ЗА <500нс
8УХ97
Sl-D ЗОО."16008 40А
8YW16
Sl-D 100. "8008 ЗА <200нс
8УХ98
Sl-D ЗОО" .12008 1Од
8YW178
Sl-D 8008 ЗА <60нс
8УХ99
Sl-D ЗОО ... 12008 15А
8YW19
Sl-D 800" .10008 7А <450нс
8УУЗ1
Sl-D 1508 1А
8YW27
Sl-D 50".10008 1А
8УУЗ2
Sl-D ЗОО8 1А
8YW29
Sl-D 50" .2 00 8 7,6А/ <25нс
8УУ3З
Sl-D 4508 1А
8YW29/100
см. 8YW29/200-M8R
8УУЗ4
Sl-D 6008 1А
8YW29/150
см. 8YW29/200-M8R
8УУ35
Sl-D 7508 1А
8YW29F
Sl-D 50" .2 00 8 7,6А/ <25нс
8УУЗ6
Sl-D 9008 1А
8УWЗ2
Sl-D 2008 2А <200нс
8УУЗ7
Sl-D 10508 1А
8УWЗЗ
Sl-D ЗОО8 2А <200нс
8YZ10
Sl-D 12008 6А
8УWЗ4
Sl-D 4008 2А <200нс
8VZ11
Sl-D 9008 6А
8УWЗ5
Sl-D 5008 2А <200нс
8VZ12
Sl-D 6008 6А
8УWЗ6
Sl-D 6008 2А <200нс
8УZ1З
Sl-D ЗО08 6А
8УWЗ7
Sl-D 508 1А
ЕМ502
Sl-D аналог 1N4003
8УWЗ8
Sl-D 1008 1А
ЕМ504
Sl-D аналог 1N4004
8УWЗ9
Sl-D 2008 1А
ЕМ506
Sl-D аналог 1N4005
8YW40
Sl-D 4008 1А
ЕМ508
Sl-D аналог 1N4006
8YW41
Sl-D 6008 1А
ЕМ510
Sl-D аналог 1N4007
8YW42
Sl-D 8008 1А
ЕМ51З
Sl-D 13008 1Д/50А(nик.)
8УW4З
Sl-D 10008 1А
ЕМ516
Sl-D 18008 1д/50А(nик.)
8YW52
Sl-D 2008 2А <4мкс
ERD29/06
Sl-D 6008 2,5д/70А(nикJ О,4мкс
8УW5З
Sl-D 4008 2А <4мкс
ERD29/08
Sl-D 8008 2,5дПОА(nи~.) О,4мкс
8YW54
Sl-D 6008 2А <4мкс
ES1F
Sl-D 15008 О,5А/20Аinик.) 1,5мкс
8YW55
Sl-D 8008 2А <4мкс
ESM765/200 Sl-D 2008 1Од ЗООнс
8YW56
Sl-D 1ООt>в 2А <4мкс
FE16A" . J
2xSl-D 50 ... 6008 16А <З5нс
8YW58
Sl-D 50." 6 00 8 1А <200нс
FEЗOA."J
2xSl-D 50" .6 0 08 ЗОА <35".50нс
8YW59
Sl-D 50" .6 00 8 ЗА <200но
FE8A" . J
Sl-D 50" .6 0 08 8А <35нс
8YW72
Sl-D 2008 ЗА/60А(nик.) 200нс
FR157
Sl-D 10008 1,5А/60А(nик.) 500нс
8YW73
Sl-D 3008 ЗА/60А(nик.) 200нс
FR207
Sl-D 10008 2АПОА(nик.) 500нс
8YW74
Sl-D 4008 ЗА/60А(nик.) 200нс
FRЗ07
Sl-D 10008 ЗА/200А(nик.) 500нс
8YW75
Sl-D 5008 ЗА/60Аfnик.1 200нс
FR604
Sl-D 4008 6д/ЗООА(nик.) 150нс
8YW76
Sl-D 6008 ЗА/60А(nик.) 200нс
FR605
Sl-D 6008 6д/ЗООА(nик.) 250нс
8YW80- .. .
Sl-D 50". 20 0 8 1Од <З5нс
FR607
Sl-D 10008 6А/З00А(пик.) 500нс
8YW80F-" .
Sl-D 50" .2 00 8 1Од <З5нс
GA5005
Sl-D 60008 О,2А
8YW95A" .C
Sl-D 200" .6 00 8 ЗАПОА!nик.) 250нс
GP08A" . J
Sl-D 50 ... 6008 О,8А
8YW96D" .E
Sl-D 800".10008 3дПОА(nик.) ЗООнс
GP10A" .M
51-050".100081А
8YW98
Sl-D 50" .2 00 8 Зд/70А(nик.) <50нс
GP10N".Y
Sl-D 1100" .16008 1А
8YW98/100
см. 8YW98/200-ST
GP15A" .M
Sl-D 50".10008 1,5А
8YW98/150
см. 8YW98/200-ST
GP20A" . M
Sl-D 50" . 10008 2А
8YW99
2xSl-D 50" .2 00 8 15А <50нс
GРЗОА".М
Sl-D 50." 10008 ЗА
8УХ10
Sl-D 8008 360мд/15А(nик.)
GP80A" . M
Sl-D 50".10008 8А
8УХ13
Sl-D 400" .16008 20А
GPP10A" . M
Sl-D 50".10008 1А
ВУХ38
Sl-D 300." 12008 6А
GPP15A. " M
Sl-D 50" . 10008 1,5А
8УХ42
Sl-DЗ00".1200810А
GPP20A" .M
Sl-D 50" . 10008 2А


Краткие справочные данные по зарубежным диодам
173
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
GРРЗОА."М Sl-D 50" . 10008 ЗА
MR500
Sl-D 508 ЗА
GPP60A". M
Sl-D 50. " 10008 6А
MR501
Sl-D 1008 ЗА
GSA15B" .G
Sl-D 100" .6 008 1,5А
MR502
Sl-D 200В ЗА
GSA17B" . E
Sl-D 100" . 4008 1,7А
MR504
Sl-D 400В ЗА
GSA26B" . E
Sl-D 100. " 4008 2,,6А
MR506
Sl-D 6008 ЗА
GSAЗOB".J
Sl-D 100".8008 ЗА
MR508
Sl-D 8008 ЗА
LL4148
Sl-D 75В О, 15А О,5Вт 4нс
MR510
Sl-D 1000В ЗА
МА178
Sl-D 40В О,2А <20нс
MR750
Sl-D 50В 6А/400А(пик.1
МА185
Sl-D 250В О,2А
MR751
Sl-D 1008 6А/400А(пик.)
МВRОЗО
Sl-D-S ЗОВ О,5А
MR752
Sl-D 2008 6А/400А(пик.)
MBR040
Sl-D-S 408 О,5А
MR754
Sl-D 4008 6А/400А(пик.)
MBR1020
Sl-D -S 208 1ОА/150А(пик.)
MR756
Sl-D 6008 6А/400А(пик.)
МВR10З5
Sl-D -S З5В 1ОА/150А(пик.)
MR758
Sl-D 8008 6д/400А(пик.)
MBR1045
Sl-D -S 45В 10А/150А(пик.)
MR760
Sl-D 10008 6д/400А(пик.)
MBR1060
Sl-D -S 608 1ОА/150А(пикJ
MR820
Sl-D 508 5А <200нс
MBR1070
Sl-D -S 70В 10А/150А(пик.)
MR821
Sl-D 1008 5А <200нс
MBR1080
Sl-D -S 808 10А/150А(nик.)
MR822
Sl-D 2008 5ll <200нс
MBR1090
Sl-D -S 90В 10А/150Аlпик.1
MR824
Sl-D 4008 5А <200нс
MBR150
Sl-D -S 508 1А
MR826
Sl-D 6008 5А/ЗООА(пик.) ЗООнс
MBR1520
Sl-D -S 20В 15А/150А(пик.)
MR828
Sl-D 800В 5А/ЗООА(пик.) ЗООнс
МВR15ЗО
Sl-D -S ЗОВ 15А/150А( пик.)
МR8ЗО
Sl-D 508 ЗА <200нс
МВR15З5
Sl-D-S З5В 15А/150Аlпик. 1
МR8З1
Sl-D 1ООВ ЗА <200нс
МВR15З5СТ 2xSl-D-S З5В 15А/150А(пик.)
МR8З2
Sl-D 200В ЗА <200нс
MBR1540
Sl-D -S 408 15А/150А(пик.)
МR8З4
Sl-b 400В ЗА <200нс
MBR1545CT
2xSl-D -S 458 15А/150А(пик.)
МR8З6
Sl-D 600В ЗА <200нс
MBR160
Sl-D -S 60В 1А
MR840". 46
Sl-D аналог МR8ЗО" .З6 < 1мкс
МВR16З5
Sl-D -S З5В 16А/150Аlпик.)
MR850
Sl-D 508 ЗА <20.0нс
MBR1645
Sl-D -S 45В 16А/150А(пик.)
MR851
Sl-D 1008 ЗА <200нс
МВR20З5
Sl-D -S З5В 20А
MR852
Sl-D 2008 ЗА <200нс
МВR20З5СТ 2xSl-D-S З5В 20А
MR854
Sl-D 4008 ЗА <200нс
MBR2045
Sl-D -S 458 20А
MR856
Sl-D 600В·ЗА <200нс
MBR2045CT
2xSl-D-S 458 20А
MR880
Sl-D 50В 12А <1мкс
MBR2060CT
2xSl-D-S 608 1ОА
MR880
Sl-D 2008 12А <1мкс
MBR2070CT
2xSl-D-S 708 1ОА
MR881
Sl-D 100В 12А <1мкс
MBR2080CT
2xSl-D-S 80В 1ОА
MR882
Sl-D 2008 12А <1мкс
MBR2090CT
2xSl-D-S 908 1Од
MR884
Sl-D 4008 12А < 1мкс
MBR2520
Sl-D -S 208 25А
MR886
Sl-D 600В 12А <1мкс
MBR2520CT
2xSl-D-S 208 25А
MR910
Sl-D 508 ЗА <750нс
МВR25ЗО
Sl-D -S ЗОВ 25А
MR911
Sl-D 1008 ЗА <750нс
МВR25ЗОСТ 2xSl-D-S ЗОВ 25А
MR912
Sl-D 2008 ЗА <750нс
МВR25З5
Sl-D -S 358 25А
MR914
Sl-D 4008 ЗА <750нс
МВR25З5СТ
2xSl-D-S З5В 25А
MR916
Sl-D 6008 ЗА <750нс
МВRЗО20СТ 2xSl-D-S 208 ЗОА
MUR105" .1 100 Sl-D 50".1000В 1А/З5А(пик.) 75нс
МВRЗО20РТ
2xSl-D-S 20В ЗОА/1 ООАlпик.)
MUR1505" .1 560 Sl-D 50" .6 0 08 15А <60нс
МВRЗОЗ5СТ
2xSl-D-S З5В ЗОА
MUR405". 4100 Sl-D 50" .1 ОООВ 4А/З5А(пик.) 75нс
МВRЗОЗ5РТ 2xSl-D-S З5В ЗОА/1 ООА(пик.)
MUR605CT
2xSl-D 508 ЗА <З5нс
МВRЗО45СТ 2xSl-D-S 45В ЗОА
MUR610CT
2xSl-D 1008 ЗА <З5нс
МВRЗО45РТ 2xSl-D-S 45В ЗОА/100А(пик.)
MUR620CT
2xSl-D 2008 ЗА <З5нс
МВR4045РТ
Sl-D -S 45В 40А
MUR805". 8100 Sl-D 50" . 10008 ВА <25".75нс
МВR7З5
Sl-D -S 35В 7,5А/150А(ПИК.)
MURDЗ05".З20 Sl-D 50" .2 0 08 ЗА <З5нс
MBR745
Sl-D -S 45В 7,5А/150А(пик.)
MURD605CT 2xSl-D 508 ЗА <З5нс
MBR750
Sl-D-S 50В 7,5А/150А(пик.)
MURD610CT 2xSl-D 1008 ЗА <35нс
MBR760
Sl-D-S 60В 7,5А/150Аlпик.1
MURD620CT 2xSl-D 2008 ЗА <З5нс


174
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
MV102
настроечный УКВ
5ВЗЗО
81-D-5 ЗОВ ЗА/100А(пик.)
МV10З
настроечный УКВ
5ВЗ40
51-D-5 40В ЗА/100А(пик.)
MV104
настроечный УКВ
5ВЗ50
51-D-8 50В ЗА/100А(пик)
ОА200
81-D 50В О, 16А З,5мкс
5ВЗ60
51-D-5 6°ОВ ЗА/100А(пик.)
ОА202
81-D 150В О, 16А З,5мкс
5ВЗ80
51-D-5 80В Зд/100А(пик.)
ОА210
81-D 400В О,5А
5ВЗ90
51-D-8 90В ЗА/100А(пик.)
ОА211
81-D 800В О,5А
5В5100
51-D-5 1ООВ 5А/85А(пик.)
ОА47
GE-D 25В 110мА <70нс
5В520
51-D -5 20В 5А
ОА90
GE-D 20В 8мд/45mА(пик.) <З,2В
5В5ЗО
81-D-5 ЗОВ 5А
ОА91
GE-D 115В 5ОмА/0, 15А(пик.) <ЗВ
5В540
51-D-5 40В 5А
ОА95
GE-D 115В 50мА/0, 15А(пик.) <2В
5В550
51-D-5 50В 5А/85А(пик.)
РЗООА."М
81-D 50. "1 ОООВ 5А 5мкс
5В560
51-D-5 60В 5А/85А(пик.)
Р600А".М
81-D 50. "1 ОООВ 6А/400А(пик.)
5В580
51-D-8 80В 5д/85А(пик.)
PBYR1040
81-D-8 40В 10А/125А(пик.)
8В590
81-D-8 90В 5д/85А(пик.)
РВУRЗО40WТ 81-D-8 40В ЗОА/ЗООА(пик.)
5КЗ/16
51-D 1600В 1,8д/180А(пик.)
R2KN
81-D 140В 1А
5KЗGL04
51-D 400В З,8А/175А(пик.) ЗООнс
R2КУ
81-D 160В 1А
5KE4F1/01. "1 0
51-D 100".1000В 1,2А<400нс
RB100A
81-D -8 40В 1А
5KE4F2/01 " . 1 О 51-D 100. " 1 ОООВ 2А <400нс
RGP01-10 ". 2 0
81-D 1ООО".2000В О, 1А ЗООнс
5К51/01".16 51-D 120".1600В 1,4А
RGP10A" .M
81-D 50,"1000В 1А <150".500нс
8LA1012
51-D матрица 120В О,4А/2А(пик.)
RGP15A" .M
81-D 50".1000В 1,5А <150".500нс
5R5040
51-D-5 40В 50А/400А(пик.)
RGPЗOM
81-D 1000В ЗА/125А(пик.) 500нс
5R840
51-D-5 40В 8д/90А(пик.)
8В1100
81-D-5 100В 1А/25А(пик.)
5RP100A".K
51-D 50".800В 1А <100".200нс
5В120
51-D-5 20В 1А/25А(пик.)
5RРЗООА".К 51-D 50".800В ЗА <100".200нс
5В1ЗО
51-D-5 ЗОВ 1А/25А(пик.)
5RP600A" .K
51-D 50".800В 6А <100".200нс
5В140
51-D-5 40В 1д/25А(пик.)
UF4001
51-D 50В 1А/50А(пик.) 50нс
5В150
51-D-8 50В 1А/25А(пик.)
UF4002
51-D 100В 1А/50А(пик.) 50нс
5В160
51-D-5 60В 1А/25А(пик.)
UF400З
51-D 200В 1А/50А(nик.) 50нс
8В180
51-D-8 80В 1А/25А(пик.)
UF4004
51-D 400В 1А/50А(пик.) 50нс
5В190
51-D-5 90В 1А/25А(пик.)
UF4005
81-D бООВ 1А/50А(пик.) 50нс
8В2100
81-D -8 1ООВ 2А
UF4006
51-D 800В 1д/50А(пик.) 50нс
5В220
51-D -5 20В 2А
UF4007
51-D 1000В 1А/50А(пик.) 75нс
8В2ЗО
81-D -5 ЗОВ 2А
UF5401
81-D 100В Зд/150А(пик.) 50нс
5В240
51-D-5 40В 2А
UF5402
51-D 200В ЗА/150Аlпик.) 50нс
5В250
51-D-5 50В 2А
UF540З
51-D ЗООВ ЗА/150А(пик.) 50нс
8В260
51-D-5 60В 2А
UF5404
51-D 400В Зд/150А(пик.) 50нс
5В280
51-D-5 80В 2А
UFS-406
81-D 600В Зд/150А(пик.) 50нс
5В290
51-D-5 90В 2А
UF5407
51-D 800В Зд/150А(пик.) 50нс
8ВЗ100
51-D-8 1ООВ ЗА/1 ООАР
UF5408
51-D 1ОООВ Зд/150А(пик.) 75нс
8ВЗ20
51-D-8 20В ЗА/100А(пик.)


Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
175
GE
SI
р
N
DARL
D
FET
IGBT
R
Тип прибора
2N109
2N1304
2N1ЗО5
2N1307
2N161З
2N1711
2N189З
2N2102
2N214B
2N2165
2N2166
2N2219A
2N2222A
2N222З
2N222ЗА
2N224ЗА
2N2З69А
2N2857
2N2894
2N2905A
2N2906A
2N2907A
2N2917
2N2926
2N2955
2NЗО19
2NЗО5З
2N3054
2NЗО55
2NЗО55
2NЗО55Н
Приложение 2.
Краткие справочные данные
по зарубежным транзисторам
-
германий;
-
кремний;
-
P-N -P
-
N-P-N;
-
составной транзистор (схема Дарлингтона);
-
цифровой;
-
полевой;
-
биполярный с изолированным затвором;
-
номинал встроенного сопротивления цифрового транзистора:
одно значение - сопротивление резистора, включенного в цепь
базы; два значения через дробь: первое - включенное в цепь
базы, второе - включенное в цепь база-эмиттер.
Описание
Тип прибора
Описание
GE-P 35В О, 15А О, 165Вт
2N3251
Sl-P 50В О,2А О,36Вт
GE-N 25В О,ЗА О, 15Вт 1ОМ Гц
2NЗЗ75
Sl-N 40В О,5А 11,6Вт 500МГц
GE-P ЗОВ О,ЗА О, 15Вт 5МГц
2N34З9
Sl-N 450В 1А 10Вт 15МГц
GE-P ЗОВ 0,ЗА О, 15Вт В>60
2NЗ440
Sl-N ЗООВ 1А 10Вт 15МГц
Sl-N 75В 1А О,ВВт 60.МГц
2N3441
Sl-N 1tIOB ЗА 25Вт
Sl-N 75В 1А О,ВВт 70МГц
2N3442
Sl-N 160В 1Од.117Вт О,ВМГц
Sl-N 120В О,5А О,ВВт
2N3495
Sl-P 120В О,1АО,6Вт >150МГц
Sl-N 120В 1А 1Вт <120МГц
2NЗ502
Sl-P 45В О,бд О,7Вт 200МГц
GE-P бОВ 5А 12,5Вт
2NЗ55З
Sl-N 65В О,35А 7Вт 500МГц
Sl-P ЗОВ 50мА О, 15Вт 1ВМГц
2NЗ571
Sl-N ЗОВ О,05А О,2Вт 1,4ГГц
Sl-P 15В 50мА О, 15Вт 1ОМ Гц
2NЗ5ВЗ
Sl-N 250/175В 2А 35Вт >10МГц
Sl-N 40В О,ВА О,ВВт 250МГц
2N36З2
Sl-N 40В О,25А 2ЗВт 400МГц
Sl-N 40В О,ВА О,5Вт ЗООМГц
2NЗ646
Sl-N 40В О,2А О,2Вт
2xSl-N 100В О,5А О,6Вт [3>50
2NЗ700
Sl-N 140В 1А О,5Вт 200МГц
2xSl-N 100В О,5А О,6Вт В>50
2NЗ707
Sl-N ЗОВ О,ОЗА О,ЗбВт 100МГц
Sl-N 120В 1А О,ВВт 50МГц
2NЗ70В
Sl-N ЗОВ О,ОЗА О,ЗбВт ВОМГц
Sl-N 40В О,2А О,З6Вт 12/1 Вне
2NЗ716
Sl-N 100В 10А 150Вт·4МГц
Sl-N ЗОВ 40мА О,2Вт >1 ГГц
2NЗ725
Sl-N ВОВ О,5А 1Вт 35/бОнс
Sl-P 12В О,2А 1,2Вт 60/90нс
2N3740
Sl-P бОВ 4А 25Вт >4МГц
Sl-P 60В О,6А О,6Вт 45/100
2N3741
Sl-N ВОВ 4А 25Вт >4МГц
Sl-P 60В О,6А О,4Вт 45/100
2N3742
Sl-N ЗООВ О,05А 1Вт >ЗОМГц
Sl-P 60В О,6А D,4Вт 45/100
2N3767
Sl-N 100В 4А 20Вт >10МГц
Sl-N 45В О,ОЗА >60МГц
2N3771
Sl-N 50В ЗОА 150Вт
Sl-N 25В О, 1А О,2Вт ЗООМГц
2N3772
Sl-N 1ООВ 20А 150Вт
GE-P 40В О, 1А О, 15Вт 200МГц
2N3773
Sl-N 1бОВ 1бд 150Вт
Sl-N 140В 1А О,ВВт 100МГц
2N3792
Sl-P ВОВ 10А 150Вт 4МГц
Sl-N 60В 0,7А 5Вт 100МГц
2NЗВ19
N-FEТ 25В 20мА О,ЗбВт
Sl-N 90В 4А 25Вт ЗМГц
2NЗВ20
Р-f.'ЕТ 20В 15мА О,36Вт
Sl-N 100В 15А 115Вт ВО0кГц
2NЗВ21
N-FEТ 50В 2,5мА О,ЗВт
Sl-N 1ООВ 15А 115Вт ВООкГц
2NЗВ24
N-FEТ 50В 10мА О,ЗВт
Sl-N 1ООВ 15А 115Вт ВООкГц
2NЗВ66
Sl-N 55В О,4А 1Вт 175МГц


176
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип ·прибора
Описание
2NЗ904
Sl-N 60В О,2А О,З5Вт ЗООМГц
2.N5484
N-FEТ 25В 5мд О,З1 Вт
2NЗ906
Sl-P 40В О,2А О,З5Вт 250МГц
2NMB5
Р-FЕТ 25В 4мд Up<4B
2NЗ909
Р-FЕТ 20В 1ОмА О,ЗВт
2N5551
Sl-N 180В О,6А О,З 1Вт
2NЗ958
N-FEТ 50В 5мд О,25Вт
2N5589
Sl-N З6В О,6А ЗВт 175МГц
2NЗ96З
Sl-P 806 0,2А О,З6Вт >40МГц
2N56З9
N-FEТ ЗОВ 10мАЗ10мВт
2NЗ972
N-FEТ 40В 50мА 1,8Вт
2N5672
Sl-N 150В ЗОА 140Вт О,5мкс
2N4001
Sl-N 100В 1А 15Вт 40МГц
2N5680
Sl-P 120В 1А 1Вт
2N40ЗЗ
Sl-P вов 1А о.авт 150МГц
2N5682
Sl-N 120В 1А 1Вт >ЗОМГц
2N40З6
Sl-P 90В 1А 1Вт 60МГц
2N5684
Sl-P 80В 50А 200Вт
2N409
GE-P ~зв 15мА 80мВт 6,ВМГц
2N5686
Sl-N ВОВ 50А ЗООВт >2МГц
2N4126
Sl-P 25В 200мд СВЧ
2N5770
Sl-N ЗОВ О,05А 0,7Вт >900МГц
2N4220
N-FEТ ЗОВ О,2А
2N5771
Sl-P 15В 50мд 625мВт >850МГц
2N42З6
Sl-P ВОВ ЗА 1Вт >ЗМГц
2N5876
Sl-P 80В 10А 150Вт >4МГц
2N427
GE-P ЗОВ О,4А О, 15Вт В>40
2N5878
Sl-N ВОВ 10А 1508т >4МГц
2N428
GE-P ЗОВ О,4А О, 15Вт B>6Q
2N5879
Sl-N 60В 1Од 150Вт >4МГц
2N4286
Sl-N ЗОВ О,05А О,25Вт
2N5884
Sl-P ВОВ 25А 200Вт
2N4287
Sl-N 45В О, 1А О,25Вт 40МГц
2N5886
Sl-N 80В 25А 200Вт >4МГц
2N4291
Sl-P 40В О,2А О,25Вт 150МГц
2N60З1
Sl-P 140В 16А 200Вт 1МГц
2N4ЗО2
N-FEТ ЗОВ О,5мд О,ЗВт
2N6050
P-DARL+D 60В 12А 100Вт
2N4З47
Sl-N 140В 5А 100Вт О,ВМГц
2N6059
Sl-N 100В 12А 150Вт
2N4З48
Sl-N 140В 10А 120Вт >О,2МГц
2N608З
Sl-N З6В 5А ЗОВт 175МГц
2N4З51
N-FEТ ЗОВ ЗОмА О,ЗВт 140кГц
2N6098
Sl-N 70В 10А 75Вт ключевой
2N4З91
N-FEТ 40В 50мд ЗОЕ Up<10B
2N6099
Sl-N 70В 10А 75Вт ключевой
2N4З92
N-FEТ 40В 25мд 60Е Up<5B
2N6109
Sl-P 60В 7А 40Вт 1ОМ Гц
2N4З9З
N-FEТ 40В 5мА 1ООЕ Uр<ЗВ
2N6124
Sl-P 45В 4А 40Вт
2N4401
Sl-N 60В О,6А 200МГц
2N6211
Sl-P 275В 2А 20Вт 20МГц
2N440З
Sl-P 40В О,6А 200МГц
2N621З
Sl-P 400В 2А З5Вт >20МГц
2N4416
N-FEТ ЗОВ 15мА СВЧ
2N6248
Sl-P 110В 15А 125Вт >6МГц
2N4420
Sl-N 40В О,2А О,З6Вт
2N6284
N-DARL 100В 20А 160Вт В>75
2N4427
Sl-N 40В О,4А 1Вт 175МГц
2N6287
P-DARL 100В 20А 160Вт
2N4906
Sl-P 80В 5А 87,5Вт >4МГц
2N6292
Sl-N ВОВ 7А 40Вт
2N4920
Sl-P ВОВ 1А ЗОВт
2N6З56
N-DARL50B 20А 150Вт 13>150
2N492З
Sl-N 80В 1А ЗОВт
2N6422
Sl-P 500В 2А З5Вт >1 ОМ Гц
2N50З8
Sl-N 150В 20/1: 140Вт О,5мкс
2N6427
N-DARL 40В О,5А О,625Вт
2N5090
Sl-.N 55В О,4А 4Вт Бмд
2N6476
Sl-P 1ЗОВ 4А 16Вт 5МГц
2N5109
Sl-N 40В О,5А 2,5Вт 1,5ГГц
2N6488
Sl-N 90В 1·5А 75Вт
2N5116
Р-FЕТ ЗОВ Бмд Up<4B
2N6491
Sl-P 90В 15А ЗОВт
2N5154
Sl-N 100В 2А 10Вт
2N6517
Sl-N З50В О,5А О,625Вт 13>40
2N5179
Sl-N 20В 50мд О,2Вт >1 ГГц
2N6520
Sl-P З50В О,5А О,625Вт В>40
2N5192
Sl-N 80В 4А 40Вт 2МГц
2N6547
Sl-N 850/400В 15А 175Вт
2N5240
Sl-N З75В 5А 100Вт >2МГц
2N6556
Sl-P 100В 1А 10Вт >75МГц
2N5298
Sl-N 80В 4А З6Вт >О,8МГц
2N6609
Sl-P 160В 16А 150Вт 2МГц
2N5ЗО8
N-DARL 40В О,ЗА D,4Вт 13>7000
2N6660
N-FEТ 60В 2А 6,25Вт
2N5З20
Sl-N 1ООВ 2А 1ОВт аvдио ключ
2N6661
N-FEТ 90В 2А 6,2Вт
2N5З22
Sl-P 1ООВ 2А 1ОВт аvдио ключ
2N6675
Sl-N 400В 15А
2N5401
Sl-P 160В О,6А О,З1 Вт
2N6678
Sl-N 400В 15А
2N5416
Sl-P З50В 1А 10Вт 15МГц
2N6716
Sl-N 608 2А 2Вт 50МГц
2N54ЗЗ
N-FEТ 25В О,4А О,ЗВт
2N6718
Sl-N 1ООВ 2А 2Вт 50МГц
2N5457
N-FEТ 25В 1мА Up<6B
2N6725
N-DARL60B 2А 1Вт 6>15000
2N5458
N-FEТ 25В 2,9мА
2N6728
Sl-P 608 2А 2Вт >50МГц
2N5460
Р-FЕТ 40В 5мд UP<6B
2N697
Sl-N 60В 1А О,6Вт <50МГц
2N5461
Р-FЕТ 40В 9мд О,З1Вт
2N7002
N-FEТ 608О,115А О,2Вт
2N5462
Р-FЕТ 40В 16мд Up<9B
2N914
Sl-N 40В О,5А <40/40нс ключевой


Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
177
Т.ип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2N918
Sl-N ЗОВ 50мА О,2Вт 600МГц
2SA1227A
Sl-P '140В 12А 120Вт 60МГц
2SА1006В
Sl-P 250В 1,5А 25Вт 80МГц
2SА12З2
Sl-P 1ЗОВ 10А 100Вт 60МГц
2SA1069
Sl-P З50В 2А 15Вт
2SA1241
Sl-P 50В 2А 10Вт 100МГц
2SA1011
Sl-P 160В 1,5А 25Вт 120МГц
2SA1242
Sl-P З5В 5А 1Вт 170МГц
2SА101З
Sl-P 1608 1А.О,9Вт 50МГц
2SA1244
Sl-P 60В 5А 20Вт 60МГц
2SA1015
Sl-P 50В О, 15А D,4Вт 80МГц
2SA1249
Sl-P 180В 1,5А 1ОЕiт 120МГц
2SA1016
Sl-P 100В О,05А О,4Вт 110МГц
2SA1261
Sl-P 1ООВ 1ОА 60Вт
2SA1017
Sl-P 120В 50мд О,5Вт 11 ОМ Гц
2SA1262
Sl-P 60В 4А ЗОВт 15МГц
2SA1018
51-Р 250В"70мА О,75Вт >50МГц
2SA1264N
Sl-P 120В 8А 80Вт ЗОМГц.
2SA1020
Sl-P 50В 2А О,9Вт 1ООМГц
2SA1265N
Sl-P 1408 10А 100Вт ЗОМГц
2SA1027
Sl-P 50В О,2А О,25Вт 1ООМГц
2SA1266
Sl-P 50В О, 15А Q,4Вт
2SA1029
Sl-P ЗОВ О, 1А О',2В'Г 280МГц
2SA1268
Sl-N 120В О, 1А О,ЗВт 1ООМГц
2SА10З4
Sl-P З5В 50мА О,2Вт 200МГц
2SA1270
Sl-P З5В О,5А О,5Вт 200МГц
2SА10З7
Sl-P 50В О,4А 140МГц
2SA1271
Sl-P ЗОВ О,8А О,6Вт 120МГц
2SA1048
Sl-P 50В О, 15А О,2Вт 80МГц
2SA1275
Sl-P 1608 1А О,9Вт 20МГц
2SA1049
Sl-P 120В О, 1А О,2Вт 1ООМГц
2SA1282
Sl-P 20В 2А О,9Вт ВОМГц
2SA1061
Sl-P 1008 6А 70Вт 15МГц
2SА128З
Sl-P 60В 1А О,9Вт 85МГц
2SA1062
Sl-N 120В 7А 80Вт 15МГц
2SA1286
Sl-P ЗОВ 1,5А О,9Вт 90МГц
2SA1065
Sl-P 150В 1ОА 120Вт 50МГц
2SA1287
Sl-P 50В 1А О,9Вт 90МГц
2SA1084
Sl-P 9ОВ О, 1А О,4Вт 90МГц
2SA1292
Sl-P 80В 15А 70Вт 100МГц
2SА110З
Sl-P 100В 7А 70Вт 20МГц
2SА129З
Sl-P 100В 5А ЗОВт О,емкс
2SA1106
Sl-P 140В 10А 100Вт 20МГц
2SA1294
Sl-P 2ЗОВ 15А 1ЗОВт
2SA1110
Sl-P 120В О,5А 5Вт 250МГц
2SA1295
Sl-P 230В 17А 200Вт З5МГц
2SA1111
Sl-P 150В 1А 20Вт 200МГц
2SA1296
Sl-P 20В 2А 0,75Вт 120МГц
2SA1112
Sl-P 180В 1А 20Вт 200МГц
2SA1298
Sl-P ЗОВ О,8А О,2Вт '120МГц
2SA1115
Sl-P 50В О,2А 200МГц
2SА1ЗОО
Sl-P 10В 2АО,75Вт 140МГц
2SA1120
Sl-P З5В 5А 170МГц
2SА1ЗО2
Sl·P 2008 15А 150Вт 25МГ1.1
2SА112З
Sl-P 150В 50мА 0,75Вт 200МГц
2SА1ЗОЗ
Sl-P 150В 14А 125Вт 50МГц
2SA1124
Sl-P 150В 5QмА 1Вт 200МГц
2SA1306
Sl-P 160В 1,5А20Вт
2SA1127
Sl-P 60В Q, 1A D,4Вт 200МГц
2Sд1ЗО6А
Sl-P 180В 1,5А 20Вт 1ООМГц
2SA1141
Sl-P 115В 1ОА 1ОQВт 90МГц
2SА1ЗО7
Sl-P 60В 5А 20Вт О, 1мкс
2SA1142
Sl-P 1808 О, 1А 8Вт 180МГц
2SА1ЗО9
Sl-P ЗОВ О, 1А О,ЗВт SОМГц
2SA1145
Sl-P 150В 50мА О,8Вт 200МГц
2Sд1З10
Sl-P 60В О, 1А 0,ЗВт 200МГц
2SA1150
Sl-P З5В О,8А О,ЗВт 120МГц
2SА1З15
Sl-P 808 2А О,QВт О,2мкс
2SA1156
Sl-P 400В О,5А 1ОВт
2SА1З16
Sl-P 808 О, 1А О,4Вт 50МГц
2SA1160
Sl-P 20В 2А О,9Вт 150МГц
2SА1З17
Sl-P 60В О,2А О,ЗВт 200МГц
2SА116З
Sl-P 120В О,1А 100МГц
2SА1З18
Sl-P 60В О,2А О,5Вт 200МГц
2SA1170
Sl-P 200В 17А 200Вт 20МГц
2SА1З19
Sl-P 180В О,7А О,7Вт 120МГц
2SA1185
Sl-P 50В 7А 60Вт 100МГц
2SА1З21
Sl-P 250В 50мА О,9Вт 100МГц
2SA1186
Sl-P 150В 10А 100Вт
2SА1З28
Sl-P 60В 12А 40Вт О,Змкс
2SA12QO
Sl-P 150В 50мА О,5Вт 120МГц
2SА1З29
Sl-P 808 12А 40Вт О,Змкс
2SA1201
Sl-P 120В О,8А О,5Вт 120МГц
2SА1З45
Sl-N 50В О, 1А 0,ЗВт 250МГц
2SA1206
Sl-P 15В О,05А О,6Вт
·2SА1З46
Sl-P 50В О, 1А 200МГц
2SA1207
Sl-P 180В 70мд О,6Вт 150МГц
2SА1З48
Sl-P 50В О, 1А 200МГц
2SA1208
Sl-P 180В О,07А О,9Вт
2SА1З49
Sl-P ВОВ 0, 1А О,4Вт 170 МГц
2SA1209
Sl-P 180В О, 14А 1ОВт
2SА1З52
Sl-P 20060,1А 5Вт 70МГц
2SA12.10
Sl-P 200В О, 14А 10Вт
2SА1З57
Sl-P З5В 5А 10Вт 170МГц
2SА121З
Sl-P 50В 2А О,5Вт 120МГц
2SА1З58
Sl-P 120В 1А 10Вт 120МГц
2SA1215
Sl-P 160В 15А 150Вт 50МГц
2SА1З59
Sl-P 40В ЗА 10Вт 100МГц
2SA1216
Sl-P 180В 17А 200Вт 40МГц
2SА1З60
Sl-P 150В 50мА 5Вт 200МГц
2SA1220A
Sl-P 120В 1,2А 20Вт 160МГц
2SА1З61
Sl-P 2508 50мА 80МГц
2SAj221
Sl-P 160В О,5А 1Вт 45МГц
2SА1З70
Sl-P 200В О, 1А 1Вт 150МГц
2SA1225
Sl-P 160В 1,5А 15Вт 1ООМГц
2SА1З71Е
Sl-P ЗООВ О, 1А 1Вт 150МГц


178
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2SА1З76
Sl-P 200В О, 1д О,75Вт 120МГц
2SА16ЗЗ
Sl-P 1508 10А 1008т 20МГц
2Sд1З80
Sl-P 200В О, 1д 1,2Вт
2Sд164З
Sl-P 50В 7А 25Вт 75МГц
2-Sд1З81
Sl-P ЗООВ О, 1д 150МГц
2Sд1667
Sl-P 150В 2А 258т 20МГц
2Sд1З82
Sl-P 120В 2А О,9Вт О,2мкс
2SA166B
Sl-P 200В 2А 25Вт 20МГц
2SА1З8З
Sl-P 180В О, 1д 10Вт 180МГц
2SA1670
Sl-P 80В 6А 60Вт 20МГц
2Sд1З86
Sl-P 160В 15д 1ЗОВт 40МГц
2SA1671
Sl-P 120/120В 8А 75Вт 20МГц
2Sд1З87
Sl-P 60В 5д 25Вт 80МГц
2SA1672
Sl-P 1408 10А 80Вт 20МГц
2SА1З92
Sl-P 60В О,2д О,4Вт 200МГц
2SА167З
Sl-P 180В 15А 85Вт 20МГц
2SА1З96
Sl-P 1ООВ 1Од ЗОВт
2SA1680
Sl-P бОВ 2д О,9Вт 100/400нс
2SА1З99
Sl-P 55В О,4д О,9Вт 150МГц
2SA1684
Sl-P 120В 1,5д 20Вт 150МГц
2Sд1400
Sl-P 400В О,5д 1ОВт
2Sд1694
Sl-P 120/120В 8А 80Вт 20МГц
2Sд140З
Sl-P 80В О,5д 10Вт 800МГц
2Sд1695
Sl-P 140В 10А 80Вт 20МГц
2Sд1405
Sl-P 120В О,Зд 8Вт 500МГц
2Sд170З
Sl-P ЗОВ 1,5д 1Вт 180МГц
2Sд1406
Sl-P 200В О, 1д 7Вт 400МГц
2Sд1706
Sl-P 60В 2А 1Вт
2Sд1407
Sl-P 150В О, 1А 7Вт 400МГц
2SA1708
Sl-P 120В 1А 1Вт 120МГц
2Sд141З
Sl-P 600В 1д 10Вт 26МГц
2SA1726
Sl-P 80В 6А 50Вт 20МГц
2Sд1428
Sl-P 50В 2д 1Вт 1ООМГц
2SA1776
Sl-P 400В 1А 1Вт
2Sд14З1
Sl-P З5В 5д 1Вт 170МГц
2SА1ВОЗ
Sl-P 80В 6А 55Вт ЗОМГц
2Sд1441
Sl-P 1ООВ 5д 25Вт <ЗООнс
2SА18З7
Sl-P 2ЗОВ 1А 20Вт 70МГц
2SА144З
Sl-P 1ООВ 1Од ЗОВт
2SА19ЗО
Sl-P 180В 2А 20Вт 200МГц
2SA1450
Sl-P 100В О,5д О,6Вт 120МГц
2SA1962
Sl-P 2ЗОВ 15А 1ЗОВт 25МГц
2Sд1451
Sl-P 60В 12д ЗОВт 70МГц
2SАЗ29
(>Е-Р 15В 1ОмА О,05Вт
2Sд1460
Sl-P 60В 1д 1Вт <40нс
2SA467
Sl-P 40В О,4А О,ЗВт
2Sд1470
Sl-P 80В 7д 25Вт 100МГц
2SА47З
Sl-P ЗОВ ЗА 108т 100МГц
2Sд1475
Sl-P 120В О,4д 15Вт 500МГц
2SА48З
Sl-P 150В 1А 20Вт 9МГц
2Sд1476
Sl-P 200В О,2д 15Вт 400МГц
2SА49З
Sl-P 50В О,05А О,2Вт 80МГц
2Sд1477
Sl-P 180В О, 14д 10Вт 150МГц
2SA495
Sl-P З5В О, 1А 0,2Вт 200МГц
2Sд1488
Sl-P 60В 4д 25Вт 15МГц
2SA562
Sl-P ЗОВ О,5А О,5Вт 200МГц
2SA1489
Sl-P 80В 6д 60Вт 20МГц
2SA566
Sl-P 100В 0,7А 10Вт 100МГц
2Sд1490
Sl-P 120В .ад 80Вт 20МГц
2SA608
Sl-N 40В О, 1А О, 1Вт 180МГц
2Sд1491
Sl-P 140В 10д 100Вт 20МГц
2SA614
Sl-P 80В 1А 15Вт ЗОМГц
2SA1494
Sl-P 200В 17д 200Вт 20МГц
2SA620
Sl-P ЗОВ О,05А О,2Вт 120МГц
2Sд1507
Sl-P 180В 1,5д 1ОВт 120МГц
2Sд626
Sl-P 80В 5А'608т 15МГц
2Sд1515
Sl-P 40В 1д О,ЗВт 150МГц
2Sд628
Sl-P ЗОВ О, 1А 100МГц
2Sд1516
Sl-P 180В 12д 1ЗО8т 25МГц
2SА6З9
Sl-P 180В 50мА О,25Вт
2Sд1519
Sl-P 50В О,5д О,ЗВт 200МГц
2SA642
Sl-P ЗОВ О,2А О,25Вт 200МГц
2Sд15З5д
Sl-P 180В 1д 40Вт 200МГц
2SА64З
Sl-P 40В О,5А О,5Вт 180МГц
2Sд15З8
Sl-P 120В О,2д 8Вт 400МГц
2SА65З
SJ' -P 150В 1А 15Вт 5МГц
2SА15З9
Sl-P 120В О,ЗА ВВт 400МГц
2SA684
Sl-P 6ОВ 1А 1Вт 200МГц
2SA1540
Sl-P 200В О, 1д 7Вт ЗООМГц
2SA699
Sl-P 40В 2А 10Вт 150МГц
2Sд1541
Sl-P 200В О,2д 7Вт ЗООМГц
2SA708A
Sl-P 100В О,7А О,8Вт 50МГц
2Sд155З
Sl-P 2ЗОВ 15д 150Вт 25МГц
2SA720
Sl-P 60В О,5А О,6Вт 200МГц
2SA1566
Sl-N 120В О, 1А О, 15Вт 1ЗОМГц
2Sд725
Sl-P З5В О, 1АО,15Вт 1ООМГц
2Sд1567
Sl-P 50В 12А З5Вт 40МГц
2SА7ЗЗ
Sl-P 608 О, 15А О,25Вт 50МГц
2Sд1568
Sl-P 60В 12А 40Вт
2SА7З8
Sl-P 25В 1,5А 8Вт 160МГц
2Sд1577
Sl-P З2В О,5А О,2Вт 200МГц
2SA747
Sl-P 120В 10А 100Вт 15МГц
2SА159З
Sl-P 120В 2д 15Вт 120МГц
2SA756
Sl-P 1ООВ 6А 50Вт 20МГц
2SA1601
Sl-P 60В 15д 45Вт
2SA762
Sl-P 110В 2А 2ЗВт 80МГц
2Sд1606
Sl-P 180В 1,5д 158т 100МГц
2SA765
Sl-P ВОВ 6д 40Вт 1ОМ Гц
2SA1615
Sl-P ЗОВ 1Од 15Вт 180МГц
2SA768
Sl-P 60В 4А ЗОВт 10МГц
2Sд1624
Sl-P ЗООВ О, 1А О,5Вт 70МГц
2SA769
Sl-P 80В 4А З08т 10МГц
2Sд1625
Sl-P 400В О,5А О,75Вт
2SA770
Sl-P 60В 6А 40Вт 10МГц
2Sд1626
Sl-P 400В 2А 1Вт О',5/2,7мкс
2SA771
Sl-P 80В 6А 40Вт 2МГц


Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
179
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
28А777
81-Р 80В О,5А О,75Вт 120МГц
28В102З
P-DARL+D бОВ.ЗА 20Вт 6=5000
28А778А
81-Р 180В О,05А О,2Вт 60МГц
28В10З5
81-Р ЗОВ 1А О,9Вт 100МГц
28А781
81-Р 20В О,2А О,2Вт
28В10З9
81-Р 1ООВ 4А 40Вт 20МГц
28А794
81-Р 1ООВ О,5А 5Вт 120МГц
28В1050
81-Р ЗОВ 5А 1Вт 120МГц
28А794А
81-Р 120В О,5А 5Вт 120МГц
28В1055
81-Р 120В 6А 70Вт 20МГц
28А812
81-Р 50В О, 1А О, 15Вт
28В1065
81-Р 60В ЗА 1ОВт
28А814
81-Р 120В 1А 15~т ЗОМГц
28В1066
81-Р 50В ЗА 1Вт70МГц
28А816
81-Р 80В 0,75А 1,5Вт 100МГц
28В1068
81-Р 20В 2А 0,75Вт 180МГц
28А817
81-Р 80В О,ЗА О,6Вт 1ООМГц
28В1071
81-Р 40В 4А 25Вт 150МГц
28А817А
81-Р 80В О,4А О,8Вт 1ООМГц
28В1077
P-DARL 60В 4А 40Вт 6>1000
28А8З6
81-Р 55В О, 1А О,2Вт 1ООМГц
28В1086
81-Р 1бОВ 1,5А 20Вт 50МГц
28А8З8
81-Р ЗОВ ЗОмА О,25Вт ЗООМГц
28В1098
P-DARL+D 100В 5А 20Вт 13=80
28А8З9
81-Р 150В 1,5А 25Вт 6МГц
28В1099
P-DARL+D 100В 8А 25Вт 6=6000
28А841
81-Р 60В О,05А О,2Вт 140МГц
28В1100
P-DARL+D 1ООВ 1ОА ЗОВт 6=6000
28А858
81-Р 150В 50мА О,5Вт 100МГц
28В1109
81-Р 160В О, 1А 1,25Вт
28А872
81-Р 90В О,05А О,2Вт 120МГц
28В11098
81-Р 160В О,1А 1,25Вт
28А872А
81-Р 120В 50мА О,ЗВт 120МГц
28В1117
81-Р ЗОВ ЗА 1Вт 280МГц
28А884
81-Р 65В О,2А О,27Вт 140МГц
28В1120
81-Р 20В 2,5А О,5Вт 250МГц
28А885
81-Р 45В 1А 5Вт 200Мfц
28В1121Т
Sl-P ЗОВ 2А 150МГц
28А886
81-Р 50В 1,5А 1,2Вт
28В112З
81-Р 60В 2А О,5Вт 150МГц
28А89З
81-Р 90В 50мА О,ЗВт
2SВ11З2.
81-Р 40В 1А О,5Вт 150МГц
28А900
81-Р 18В .1А 1,2Вт
28В11ЗЗ
81-Р 60В ЗА 25Вт 40МГц
28А914
81-Р 150В О,05А 200МГц
28В11З4
81-Р 60В 5А 25Вт ЗОВт
2SA915
81-Р 120В О,05А О,8Вт 80МГц
28В11З5
81-Р 60В 7А ЗОВт 10МГц
28А916
81-Р 160В О,05А 1Вт 80МГц
28В11З6
81-Р 60В 12А ЗОВт 1ОМ Гц
28А921
81-Р 120В 20мА О,25Вт 200МГц
28В1140
81-Р 25В 5А 1ОВт З20МГц
28А9ЗЗ
81-Р 50В О, 1А О,ЗВт
28В1141
81-Р 20В 1,2А 1ОВт 150МГц
28А9З4
81-Р 40В О,7А 0,75Вт
28В-114З
81-Р 60В 4А 10Вт 140МГц
28А9З5
81-Р 80В О,7А О,75Вт 150МГц
28В1146
P-DARL 120В 6А 25Вт
28А9З7
81-Р 50В О, 1А О,ЗВт 140МГц
28В1149
P-DARL 100В ЗА 15Вт 6=10000
28А940
Sl·P 150В 1,5А 25Вт 4МГц
28В1151
81-Р 60В 5А 20Вт
28А941
81-Р 120В О,05А О,ЗВт 150МГц
25в11·54
81-Р 1ЗОВ 1Од 70Вт ЗОМГц
28А949
81-Р 15DB 50мА О,8Вт 120МГц
28В1156
81-Р 1ЗОВ 20А 1ООВт
28А965
81-Р 120В О,8А О,9Вт 120МГц
28В1162
81-Р 160В 12А 120Вт
28А966
81-Р ЗОВ 1,5А О,9Вт 120МГц
28В116З
81-Р 170В 15А 150Вт
28А968
81-Р 160В 1,5А 25Вт 1ООМГц
28В1166
81-Р 60В 8А 20Вт 1ЗОМГц
28А970
81-Р 120В О,1А 100МГц
28В1168
81-Р 120В 4А 20Вт 1ЗОМГц
28А982
81-Р 140В 8А ВОВт 20МГц
28В1182
81-Р 40В 2А 1ОВт 1ООМГц
28А984
81-Р 60В О,5А О,5Вт 120МГц
28В1184
81-Р 60В ЗА 15Вт 70МГц
28А985
81-Р 120В 1,5А 25Вт 180МГц
28В1185
81-Р 50В ЗА 25Вт 70МГц
28А988
81-Р 120В О,05А О,5Вт
28В1186
81-Р 120В 1,5А 20Вт 50МГц
28А991
81-Р 60.В О, 1А О,SВт 90МГц
28В1187
81-Р 80В ЗА З5Вт
28А992
81-Р 100В О,05А О,2Вт
28В1188
Sl-P 40В 2А 1ООМГц
28А995
81-Р 1ООВ О,05А О,4Вт 1ООМГц
2SB1202
Sl-P 60В ЗА 15Вт 150МГц
28В1009
81-Р 40В 2А 10Вт 100МГц
2SB120З
Sl-P 60В 5А 20Вт 1ЗОМГц
28В1010
81-Р 40В 2А О,75Вт 100МГц
2SB1204
Sl-P 60В ВА 20Вт 1ЗОМГц
28В1012К
P-DARL 120В 1,5А 8Вт
2SB1205
Sl-P 25В 5А 10Вт З20МГц
28В101З
81-Р 20В 2А 0,7Вт
2SB1212
Sl-P 160В 1,5А О,9Вт 50МГц
28В1015
81-Р 60В ЗА 25Вт О,4мкс
28В122З
P-DARL +D 70В 4А 20Вт 20МГц
28В1016
81-Р 1ООВ 5А ЗОВт 5МГц
28В12З6
Sl-P 120В 1,5А 1Вт 50МГц
28В1017
81-Р 80В 4А 25Вт 9МГц
2SВ12З7
Sl-P 40В 1А 1Вт 150МГц
2881018
Sl-P 100В 7А ЗОВт О,4мкс
2SВ12ЗВ
Sl-P ВОВ О,7А 1Вт 1ООМГц
28В1020
P-DARL+D 1ООВ 7А ЗОВт О,Вмкс
2SB1240
81-Р 40В 2А 1Вт 1ООМГц


180
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
25В124З
51-Р 60В ЗА 1Вт
25В560
51-Р 100В О,7А О,9Вт 100МГц
25В1254
P-DARL 160В 7А 70Вт
25В561
51-Р 25В О,7А О,5Вт
25В1255
P-DARL 160В аА 100Вт В>5000
25В564
51-Р ЗОВ 1А О,авт
25В125а
P-DARL+D 100В 6А ЗОВт В>1000
25В59а
51-Р 25В 1А D,5Вт 1аОМГц
25В1274
51-Р 60В ЗА ЗОВт 1.ООМГц
258600
51-Р 200В 15А 200Вт·4Мrц
25В12а2
P-DARL+D 1ООВ 4А 25Вт 50МГц
25В601
P-DARL 1ООВ 5А ЗОВт
25В1292
51-Р 80В 5А ЗОВт
25В605
51-Р 60В О,7А о.авт 120МГц
25В1ЗО2
51-Р 25В 5А З20МГц
25В621
51-N 25В 1,5А о,6Вт 200МГц
25В1З1а
P-DARL +D 1ООВ ЗА 1Вт В>200
25В621А
51-N 50В 1А О,75Вт 200МГц
25В1З26
51-Р ЗОВ 5А 0,ЗВт 120МГц
25В6З1
51-Р 100В 1А авт
25В1З29
51-Р 40В 1А 1,2Вт 150МГц
25В6З2
51-Р 25В 2А 1ОВт 1ООМГц
25В1ЗЗО
51-Р З2В О,7А 1,2Вт 100МГц
25В6ЗЗ
51-Р 100В 6А 40Вт 15МГц
25В1ЗЗ1
51-Р З2В 2А 1,2Вт 1ООМГц
25В6З7
51-Р 50В О, 1А О,ЗВт 200МГц
25В1З5ЗЕ
51-Р 120В 1,5А 1,авт 50МГц
25В641
51-Р ЗОВ О, 1А 120МГц
25В1З61
51-Р 1508 9А 100Вт 15МГц
25В647
51-Р 120В 1А О,9Вт 140МГц
25В1З70
51-Р 60В ЗА ЗОВт 15МГц
25В649А
51-Р 160В 1,5А 1Вт 140МГц
25В1З7З
51-Р 160В 12А 2,5Вт 15МГц
2SB656
51-Р 160В 12А 125Вт 20МГц
2581З75
51-Р. 60В ЗА 25Вт 9МГц
25В67З
P-DARL +D 100В 7А 40Вт О,амкс
25В1З82
P-DARL+D 120В 16А 75Вт В>2000
2SB676
P-DARL 1ООВ 4А ЗОВт О, 15мкс
25В1З9З
51-Р ЗОВ ЗА 2Вт ЗОМГц
25В6а1
51-N 150В 12А 100Вт 1ЗМГц
25В1420
51-Р 120В 16А аОВт 50МГц
25В6аа
51-Р 120В аА аОВт 1ОМ Гц
25В1425
51-Р 20В 2А 1Вт 90МГц
25В700
51-Р 160В 12А 100Вт
25В1429
51-Р 1аОВ 15А 150Вт 1ОМ Гц
25В70З
Sl-P 1ООВ 4А 40Вт 1аМГц
25В14З4
51-Р 50В 2А1Вт 11ОМГц
25В705
5i-P 140В 10А 120Вт 17МГц
25В146а
51-Р 60/ЗОВ 12А 25Вт
2SB707
SJ-P аОВ 7А 40Вт
25В1470
P-DARL 160В аА 150Вт В>5000
25В709
51-Р 45В О, 1А О,2Вт аОМГц
25В1490
P-DARL 160В 7А 90Вт В>5000
25В716
51-Р 120В О,05А О,75Вт
25В149З
P-DARL 160/140В 7А 708т
25В720
51-Р 200В 2А 25Вт 1ООМГц
25В150З
P-DARL 160В аА 120Вт 13>5000
25В727
P-DARL+D 120В 6А50Вт В>1000
25В1556
P-DARL 140В аА 120Вт 6>5000
25В731
51-Р 60В 1А 10Вт 75МГц
25В1557
P-DARL 140В 7А 100Вт В>5000
25В7ЗЗ
51-Р 20В 2А 1Вт >50МГц
25В1559
P-DARL 160В аА аОВт 13>5000
25В7З4
51-Р 60В 1А 1Вт аОМГц
25В1560
P-DARL 160В 10А 100Вт 50МГц
25В7З9
51-Р 20/16В 2А О,9Вт аОМГц
25В1565
51-Р аов ЗА 25Вт 15МГц
25В740
51-Р 70В 1А О,9Вт
25В15а7
P-DARL+D 160В аА 70Вт В>5000
25В744
51-Р 70В ЗА 10Вт 45МГц
25В1624
P-DARL 11 ОВ 6А 60Вт В>5000
25В750
P-DARL+D 60В 2А З5Вт В> 1ООО
25В206
GE-P ВОВ ЗОА аовт
25В75З
51-Р 100В 7А 40Вт О,4мкс
25ВЗ24
GE-P З2В 1А О,25Вт
25В764
51-Р 60В 1А О,9А 150МГц
25ВЗЗ7
GE-P 50В 7А ЗОВт
25В765
P-DARL+D 120В ЗА ЗОВт 13>1000
25В407
GE-P ЗОВ 7А ЗОВт
2SB766
51-Р ЗОВ 1А 200МГц
25В4а1
GE-P З2В 1А 6Вт 15кГц
25В772
51-Р 40В ЗА 1ОВт аОМГц
25В492
GE-P 25В 2А 6Вт
25В774
51-Р ЗОВ О, 1А D,4Вт 150МГц
25В511Е
51-Р З5В 1,5А 1ОВт аМГц
25В775
51-Р 100В 6А 60Вт 1ЗМГц
25В524
51-Р 60В 1,5А 1ОВт70МГц
25В776
51-Р 120В 7А 70Вт 15МГц
25В527
51-Р 11 ОВ О,аА 1ОВт 70МГц
25В7аа-
51-Р 120В О,02А D,4Вт 150МГц
2SB5~1
51-Р 90В 6А 50Вт аМГц
25В791
P-DARL+D 120В ад 40Вт 13>1 ООО
25В5З6
51-Р 1ЗОВ 1,5А 20Вт 40МГц
25В794
P-DARL+D 60В 1,5А 1ОВт В=7000
25В5З7
51-Р 1ЗОВ 1,5А 20Вт 60МГц
25В795
P-DARL+D аов 1,5А 10Вт В<ЗООО
25В541
51-Р 11 ОВ аА аовт 9МГц
25Ваоа
51-Р 20В О,7А 0,25Вт 250МГц
25В544
51-Р 25В 1А О,9Вт 1аОМГц
25Ва1О
51-Р ЗОВ О, 7А О,З5Вт 160МГц
25В546А
51-Р 200В 2А 25Вт 5МГц
25Ва15
51-Р 20В О,7А О,25Вт 250МГц
25В549
51-Р 120В О,аА 10Вт аОМГц
25Ва16
51-Р 150В аА аовт 15МГц
258557
51-Р 120В аА 80Вт
25Ва17
51-Р 1608 12А 1ООВт


Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
181
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
25B817F
51-Р 160В 12А 90Вт 15МГц
25С1096
51-N 40В ЗА 1ОВт 60МГц
25В819
51-Р 50В 1,5А 1Вт 150МГц
25С1106
51-N З50В 2А 80Вт
25В822
51-Р 40В 2А О,75Вт' 1ООМГц
25С1114
51-N ЗООВ 4А 100Вт 10МГц
25ВВ24
51-Р 60В 5А ЗОВт ЗО МГц
25С1115
51-N 140В 10А 100Вт 10МГц
25В825
51-Р 60В 7А 40Вт 10МГц
25С1'116
51-N 180В 10А 100Вт 10МГц
25В826
51-Р 60В 12А 40Вт 1ОМ Гц
25С1161
51-Р 160В 12А 120Вт
25В827
51-Р 60В 7А 80Вт 10МГц
25С1162
51-N З5В 1,5А 1ОВт 180МГц
25В828
51-Р 60В 12А 80Вт 1ОМ Гц
25С1172
51-N 1500В 5А 50Вт
25В829
51-Р 60В 15А 90Вт 20МГц
25С1195
51-N 200В 2,5А 1ООВт
25В857
51-Р 50В 4А 40Вт
25С121ЗС
51-N 50В О,5А D,4Вт
25В861
51-Р 200В 2А ЗОВт
25С1214
51-N 50В 0,5А О,6Вт 50МГц
25В86З
51-Р 140В 10А 100Вт 15МГц
25С1215
51-N ЗОВ 50мд D,4Вт 1,2ГГц
25В865
P-DARL 80В 1,5А О,9Вт
25С1216
51-N 40В О,2А О,3Вт
25В87З
51-Р ЗОВ 5А 1Вт 120МГц
25С1226
51-N 40/50В 2А 1ОВт 150МГц
25В882
P-DARL+D 70В 1Од 40Вт 13>5000
25С12З8
51-N З5В О, 15А 5Вт 1, 7ГГц
25В88З
P-DARL -i -D 70В 15А 70Вт 6=5000
25С1247А
51-N 50В О,5А О,4Вт 60МГц
25В884
P-DARL 11 ОВ ЗА ЗОВт 6=4000
25С1З08
51-N 1500В 7А 50Вт
25В885
P-DARL+D 11 ОВ ЗА З5Вт 13=4000
25С1З12
51-N З5В О, 1А О, 15Вт 1ООМГц
25В891
51-Р 40В 2А 5Вт 1ООМГц
25С1З18
51-N 60В О,5А О,6Вт 200МГц
25В892
51-Р 60В 2А 1Вт
25С1З4З
51-N 150В 10А 100Вт 14МГц
25В895А
P-DARL 60В 1А В=8000
2SС1З45
51-N 55В О, 1А О, 1Вт 2ЗОМГц
25В897
P-DARL+D 100В 10А 80Вт 13>1000.
25С1З59
51-N ЗОВ ЗОмА О,4Вт 250МГц
25В908
P-DARL+D 80В 4А 15Вт О, 15мкс
25С1З60
51-N 50В О,05А 1Вт >300МГц
25В909
51-Р40В 1А 1Вт 150МГц
25С1З62
51-N 50В О,2А О,25Вт 140МГц
25В922
51-Р 120В 12А 80Вт 20МГц
25С1З68
51-N 25В 1,5А 8Вт 1ВОМГц
25В92р
51-Р ЗОВ 2А О,75Вт
25С1З82
51-N 80В О,75А 5Вт 100МГц
25В9З8А
P-DARL+D 60В 4А 40Вт 13>1 ООО
25С1З84
51-N 60В 1А 1Вт 200МГц
2SB940
51-Р 200В 2А 35Вт ЗОМГц
25С1З9З
51-N ЗОВ 20мд 250 мВт 700МГц
25В941
51-Р 60В ЗА З5Вт
25С1З98
51-N 70В 2А 15Вт
25В945
51-Р 130В 5А 40Вт ЗОМГц
25С141ЗА
51-N 1200В 5А 50Вт
25В946
51-Р 130В 7А 40Вт ЗОМГц
25С1419
51-N 50В 2А 20Вт 5МГц
25В950А
P-DARL+D 80В.4А40Вт 6>1000
25С1426
51-N З5В О,2А 2,7ГГц
25В95ЗА
51-Р 50В 7А ЗОВт 150МГц
25С14З1
51-N 110В 2А 23Вт 80МГц
25В955
P-DARL+D 120В 1Од 50Вт 6=4000
25С1432
N-DARL ЗОВ О ЗА 0,ЗВт .6=400
25В975
P-DARL+D 1ООВ 8А 40Вт 6>6000
25С1439
51-N 15ОВ 5Омд О,5Вт 1зомrц
25В976
51-Р 27В 5А О,75Вт 120МГц
25С1445
51-N 1ООВ 6А 40Вт 1ОМ Гц
25В985
51-Р 60В ЗА 1Вт 150МГц
25С1446
Sl-N ЗООВ О, 1А 10Вт .55МГц
25В986
51-Р 60В 4А 1ОВт 150МГц
25С1447
51-N ЗООВ О, 15А 20Вт 80МГц
25В988
51-Р 60В ЗА ЗОВт <400/2200
2SC1448
51-N 150В 1,fJA 25Вт ЗМГц
25С1000
51-N 55В О, 1А О,2Вт 80МГц
25С1449
51-N 40В 2А 5Вт 60МГц
25С1008
51-N 80В 0,7А 0,8Вт 75МГц
25С1450
51-N 150В О,4А 20Вт
25С1012А
51-N 250В 60мд О,75Вт >80МГц
25С1454
51-N ЗООВ 4А 50Вт 1ОМ Гц
25С1014
51-N 50В 1,5А 7Вт
25С1474-4
51-N 20В 2А О,75Вт 80МГц
25С1017
51-N 75В 1д60мВт 120МГц
25С1501
51-N ЗООВ О, 1А 1ОВт 55МГц
25С10ЗО
51-N 150В 6А 50Вт
25С1505
51-N ЗООВ О,2А 15Вт
25С1046
51-N 1ОООВ ЗА 25Вт
25С1507
Sl-N ЗООВ О,2А 15Вт ВОМГц
25С1047
51-N ЗОВ 20мд D,4Вт 650МГц
25С1509
51-N 80В О,5А 1Вт 120МГц
25С1050
51-N ЗООВ 1А 40Вт
25С1515
Sl-N 200В О,05А О,2Вт 110МГц
25С1051
51-N 150В 7А 60Вт 8МГц
25С1520
51-N ЗООВ 0,2А 12,5Вт
25С1061
51-N 50В ЗА 25Вт 8МГц
25С1545
N-DARL 40В О,ЗА О,ЗВт 6=1000
25С1070
51-N ЗОВ 20мд 900МГц
2SC1567
Sl-N 1ООВ О,5А 5Вт 120МГц
25С1080
51-N 11 ОВ 12А 1ООВт 4МГц
2SC1570
51-N 55В 0,1АО,2Вт 100МГц
25С109
51-N 50В О,6А 0,6Вт
25С1571
51-N 40В О, 1А 0,2Вт 1ООМГц


182
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2SС157З
Sl-N 200В О, 1А 1Вт ВОМГц
2SC1967
Sl-N З5В 2А ВВт 470МГц
2SC1577
Sl-N 500В 8А 80Вт 7МГц
2SC1968
Sl-N З5В 5А ЗВт 470МГц
2SС158З
Sl-N 50В О, 1А о,4Вт 100МГц
2SC1969
Sl-N 60В 6А 20Вт
2SC1619
Sl-N 100В 6А 50Вт 10МГц
2SC1970
Sl-N 40В О,6А 5Вт
2SС162З
Sl-N 60В О, 1А 0,2Вт 250МГц
2SC1971
Sl-N З5В 2А 12,5Вт
2SC1624
Sl-N 120В 1А 15Вт ЗОМГц
2SC1972
Sl-N З5В З,5А 25Вт
2SC1627
Sl-N ВОВ О,4А О,8Вт 1ООМГц
2SC1975
Sl-N 1208 2А З,ВВт 50МГц
2SC1674
Sl-N ЗОВ О,02А 600МГц
2SC1980
Sl-N 120В 20мА О,25Вт 200МГц
2SC1675
Sl-N 50В О,ОЗА О,25Вт
2SC1984
Sl-N 1ООВ ЗА ЗОВт В=700
2SC1678
Sl-N 65В ЗА ЗВт
2SC1985
Sl-N ВОВ 6А 40Вт 10МГц
2SC1685
Sl-N 60В О, 1А 150МГц
2SС202З
Sl-N ЗООВ 2А 40Вт 1ОМ Гц
2SC1688
Sl-N 50В ЗОмА Q,4Вт 550МГц
2SC2026
Sl-N ЗОВ О,05А О,25Вт
2SC1708A
Sl-N 120В 50мА О,2Вт 150МГц
2SC2027
Sl-N 1500/800В 5А 50Вт
2SC1729
Sl-N З5В З,5А 16Вт 500МГц
2SС20З6
Sl-N 80В 1А 4Вт
2SС17ЗО
Sl-N ЗОВ О,05А 1, 1ГГц СВЧ
2SС205З
Sl-N 40В О,ЗА О,6Вт 500МГц
2SC1740
Sl-N 40В 1ООмА О,ЗВт
2SC2055
Sl-N 18В 0,ЗА О,5Вт
2SC1741
Sl-N 40В О,5А О,ЗВт 250МГц
2SC2058
Sl-N 40В О,05А О,25Вт
2SC1756
Sl-N ЗООВ О,2А >50МГц
2SC2060
Sl-N 40В О, 7А О, 75Вт 150МГц
2SC1760
Sl-N 100В 1А 7,9Вт 80МГц
2SC2061
Sl-N 80В 1А О,75Вт 120МГц
2SC1775A
Sl-N 120В О,05А О,2Вт
2SC2068
Sl-N ЗООВ О,05А 95МГц
2SC1781
Sl-N 50В О,5А О,З5Вт
2SС207З
Sl-N 150В 1,5А 25Вт 4МГц
2SC1815
Sl-N 50В О, 15А О,4Вт 80МГц
2SC2078
Sl-N 80В ЗА 1О Вт 150МГц
2SC1815BL
Sl-N 60В О, 15А о,4Вт В>З50
2SC2086
Sl-N 75В 1А О,45Вт 27МГц
2SC1815GR
Sl-N 60В О, 15А О,4Вт JЗ>200
2SC2092
Sl-N 75В ЗА 5Вт 27Мrц
2SC1815Y
Sl-N 60В О, 15А Q,4Вт В> 120
2SC2094
Sl-N 40В З,5А 15Вт 175МГц
2SC1827
Sl-N 1ООВ 4А ЗОВт 1ОМ Гц
2SC2097
Sl-N 50В 15А 85Вт
2SС18З2
N-DARL500B 15А 150Вт В>100
2SC2120
Sl-N ЗОВ О,8А О,6Вт 120МГц
2SC1841
Sl-N 120В О,05А О,5Вт
2SC2122
Sl-N ВООВ 1ОА 50Вт
2SC1844
Sl-N 60В О, 1А О,5Вт 100МГц
2SC2166
Sl-N 75В 4А 12,5Вт ВЧ
2SC1845
Sl-N 120В О,05А О,5Вт
2SC2168
Sl-N 200В 2А ЗОВт 1ОМ Гц
2SC1846
Sl-N 120В О,05А О,SВт
2SC2200
Sl-N 500В 7А40Вт 1мкс
2SC1847
Sl-N 50В 1,5А 1,2Вт
2SC2209
Sl-N 50В 1,5А 1ОВт 150МГц
2SC1855
Sl-N 20В 20мА 0,25Вт 550МГц
2SC2216
Sl-N 45В 50мА О,ЗВт ЗООМГц
2SC1871
Sl-N 450В 15А 150Вт <1/Змкс
2SC2228
Sl-N 160В О,05А О,75Вт В>50
2SC1879
N-DARL+D 120В 2А О,ВВт В>100
2SC2229
Sl-N 200В 50мА О,8Вт 120МГц
2SC1890
Sl-N 90В О,05А О,ЗВт 200МГц
2SС22ЗО
Sl-N 200В О, 1А О,ВВт 50МГц
2SC1895
Sl-N 1500В 6А 50Вт 2МГц
2SС22ЗЗ
Sl-N 200В 4А 40Вт ВМГц
2SC1906
Sl-N 19В О,05А 0,ЗВт
2SС22З5
Sl-N 120В О,ВА О,9Вт 120МГц
2SC1907
Sl-N ЗОВ О,05А 1100МГц
2SС22З6"
Sl-N ЗОВ 1,5А О,9Вт 120МГц
2SС191З
Sl-N 150В 1А 15Вт 120МГц
2SС22З7
Sl- 'N З5В 2А 7,5Вт 175МГц
2SC1914
Sl-N 90В 50мА 0,2Вт 150МГц
2SС22ЗВ
Sl-N 160В 1,5А 25Вт 1ООМГц
2SC1921
Sl-N 250В О,05А О,6Вт
2SC2240
Sl-N 120В 50мА О,ЗВт 1ООМГц
2SC1922
Sl-N 1500В 2,5А 50Вт
2SC2261
Sl-N 1ВОВ 8А 80Вт 15МГц
2SС192З
Sl-N ЗОВ 20мА 10мВт 550МГц
2SC2267
Sl-N 400/З60В О, 1А о,4Вт
2SC1929
Sl-N ЗООВ О,4А 25Вт ВОМГц.
2SC2270
Sl-N 50В 5А 10Вт 100МГц
2SC1941
Sl-N 160В 50мА О,ВВт
2SC2271
Sl-N ЗООВ О, 1А О,9Вт 50МГц
2SC1944
Sl-N 80В 6А 16Вт
2SC2275
Sl-N 120В 1,5А 25Вт 200МГц
2SC1945
Sl-N 80В 6А 20Вт
2SС228З
Sl-N З8В О,75А 2;8Вт 500МГц
2SC1946A
Sl-N.З5B 7А 50Вт
2SC2287
Sl-N З8В 1,5А 7, 1Вт175МГц
2SC1947
Sl-N З5В 1А 4Вт 175МГц
2SC2295
Sl·N ЗОВ О,ОЗА О,2Вт 250МГц
2SС195З
Sl-N 150В О,05А 1,2Вт 70МГц
2SС2ЗО7
Sl-N 5ООВ' 12А 1ООВт 1ВМГц
2SC1957
Sl-N 40В 1А 1,8Вт 27МГц
2SC2308
Sl-N 55В О, 1А О,2Вт 230МГц
2SC1959
Sl-N ЗОВ О,5А О,5Вт 200МГц
2SC2310
Sl-N 55В О, 1А О,2Вт 2ЗОМГц


Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
183
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2SС2З12
Sl-N 60В БА 18,5Вт 27МГц
2SС26ЗО
Sl-N З5В 14А 100Вт
2SС2З14
Sl-N 45В 1А 5Вт
2SС26З1
Sl-N 150В 50мА О,75Вт 160МГц
2SС2З20
Sl-N 50В О,2А О,ЗВт
2SС26З2
Sl-N 150В 50мд 1Вт 160МГц
2SС2З29
Sl-N ЗВВ О,75А 2Вт t75МГц
2SС26З4
Sl-N вов о, 1д·о,4вт 2оомrц
2SС2ЗЗ1
Sl-N 150В 2А 15Вт
2SС265З
Sl-N З50В О,2А 15Вт >50МГц
2SС2ЗЗЗ
Sl-N 500/400В 2А 40Вт
2SС2Б54
Sl-N 40В 7А 40Вт
2SС2ЗЗ4
Sl-N 150В 7А 40Вт
2SС2Б55
Sl-N 50В 2А О,9Вт О, 1мкс
2SС2ЗЗ5
Sl-N 500В 7А 40Вт
2SС2Б5Б
Sl-N 450В 7А ВОВт <1,5/4,5
2SС2ЗЗБВ
Sl-N 250В 1,5А 25Вт 95МГц
2SС2ББО
Sl-N 200В 2А ЗОВт ЗОМГц
2SС2З44
Sl-N 180В 1,5А 25Вт 120МГц
2SС2ББ8
Sl-N ЗОВ 20мА О, 1Вт 550МГц
2SС2З47
Sl-N 15В 50мА 250мВт Б50МГц
2SC2671
Sl-N 15В 80мА О,БВт 5,5ГГц
2SС2ЗБ2
Sl-N 120В 50мА D,4Вт 1ЗОМГц
2SС2Б82
Sl-N 180В О, 1А 8Вт 180МГц
2SС2ЗБЗ
Sl-N 120В 50мАО,5Вт 1ЗОМГц
2SC2690
Sl-N 120В 1,2А 20Вт 160МГц
2SС2З65
Sl-N 600В БА 50Вт
2SС2Б94
Sl-N З5В 20А 140Вт
2SС2ЗБ9
Sl-N 25В 70мА О,25Вт 4,5ГГц
2SC2705
Sl-N 150В 50мА О,8Вт 200МГц
2SС2З8З
Sl-N 1БОВ 1АО,9Вт 100МГц
2SС270Б
Sl-N 140В 10А 100Вт 90МГц
2SС2З89
Sl-N 120В 50мд О,ЗВт 140МГц
2SC2712
Sl-N 50В О, 15А О, 15Вт 80МГц
2SC2407
Sl-N З5В О, 15А О, 16Вт 500МГц
2SC2714
Sl-N ЗОВ 20мА О, 1Вт 550МГц
2SC2412
Sl-N 50В О, 1А 180МГц
2SC2717
Sl-N ЗОВ 50мА О,ЗВт ЗООМГц
2SС24ЗЗ
Sl-N 120В ЗОА 150Вт ВОМГц
2SC2724
Sl-N ЗОВ ЗОмА 200МГц
2SC2440
Sl-N 450В 5А 40Вт
2SC2749
Sl-N 5008 1Од 1ООВт 50МГц
2SC2458
Sl-N 50В О, 15А О,2Вт 80МГц
2SC2750
Sl-N 150В 15А 1ООВт
2SС24ББ
Sl-N ЗОВ О,05А 2,2ГГц
2SC2751
Sl-N 500В 15А 120Вт 50МГц
2SC2482
Sl-N ЗООВ О, 1А О,9Вт 50МГц
2SC2752
Sl-N 500В О,5А 1ОВт
2SC2485
Sl-N 1ООВ БА 70Вт 15МГц
2SC2753
Sl-N 17В О,07А О,ЗВт 5ГГц
2SС248Б
Sl-N 120В 7А 80Вт 15МГц
2SC2759
Sl-N ЗОВ 50мА 0,2Вт 2,ЗГГц
2SC2491
Sl-N 1ООВ БА 40Вт 15МГц
2SС278Б
Sl-N 20В 20мА БООМГц
2SC2497
Sl-N 70В 1,5А 5Вт 150МГц
2SC2787
Sl-N 50В ЗОмА О,ЗВт 250МГц
2SC2498
Sl-N ЗОВ О,05А О,ЗВт З,5ГГц
2SC2791
Sl-N 900В 5А 1ООВт
2SC2508
Sl-N 40В БА 50Вт 175МГц
2SC2792
Sl-N 850В 2А ВОВт
2SC2510
Sl-N 55В 20А 250Вт 28МГц
2SС279З
Sl-N 900В 5А 1ООВт
2SC2512
Sl-N ЗОВ 50мд 900МГц
2SC2802
Sl-N ЗООВ О,2А 10Вт 80МГц
2SС251Б
Sl-N 150В 5А ЗОВт <0,5/2мкс
2SC2808
Sl-N 100В 50мА О,5Вт 140МГц
2SC2517
Sl-N 150В 5А ЗОВт <0,5/2мкс
2SC2810
Sl-N 500В 7А 50Вт 1ВМГц
2SС25З8
Sl-N 40В О,4А 0,7Вт
2SC2812
Sl-N 55В О, 15А О,2Вт 1ООМГц
2SС25З9
Sl-N З5В 4А 17Вт 175МГц
2SC2814
Sl-N ЗОВ О,ОЗА 320МГц
2SC2542
Sl-N 450В 5А 40Вт
2SC2825
Sl-N 80В БА 70Вт В>500
2SC2547
Sl-N 12iOB О, 1А О,4Вт
2SС28З7
Sl-N 150В 10А 100Вт 70МГц
2SC2551
Sl-N ЗООВ О, 1А О,4Вт 80МГц
2SС28З9
Sl-N 20В ЗОмА О, 15Вт З20МГц
2SC2552
Sl-N 500В 2А 20Вт
2SC2851
Sl-N З6В О,ЗА 1Вт 1,5ГГц
2SС255З
Sl-N 500В 5А 40Вт 1мкс
2SС287З
Sl-N 50В 2А О,5Вт 120МГц
2SC2562
Sl-N 608 5А 258т О, 1мкс
2SC2878
Sl-N 20В О,ЗА О,4Вт ЗОМГц
2SС256З
Sl-N 120В ВА 808т 90МГц
2SC2879
Sl-N 45В 25А 1ООВт 28МГц
2SC2570A
Sl-N 25В 70мд О,БВт
2SC2882
Sl-N 90В О,4А О,5Вт 1ООМГц
2SC2579
Sl-N 160В ВА 80Вт 20МГц
2SC288A
Sl-N З5В 20мА О, 15Вт
2SC2581
Sl-N 200В 10А 100Вт
2SC2898
Sl-N 500В ВА 50Вт
2SC2590
Sl-N 120В О,5А 5Вт 250МГц
2SC2901
Sl-N 40В 0,2А О,6Вт
2SC2592
Sl-N 180В 1А 20Вт 250МГц
2SC2908
Sl-N 200В 5А 50Вт 50МГц
2SС2БОЗ
Sl-N 50В О,2А О,ЗВт
2SC2910
Sl-N 1БОВ 70мА О,9Вт 150МГц
2SC2610
Sl-N ЗООВ О, 1А О,8Вт 80МГц
2SC2911
Sl-N 180В 140мд 10Вт 150МГц
2SС2Б11
Sl-N зоов о, 1А о.авт 80МГц
2SC2912
Sl-N 200В 140мА 10Вт 150МГц
2SС2Б21Е
Sl-N ЗООВ О,2А 1ОВт >50МГц
2SC2922
Sl-N 180В 17А 200Вт 50МГц
2SС2Б25
Sl-N 450В 1Од 80Вт
2SС292З
Sl-N ЗООВ О, 1А 140МГц


184
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2SC292B
Sl-N 1500В 5А 50Вт
2SСЗ225
Sl-N 40В 2А О,9Вт 1мкс
2SС29З9
Sl-N 500В 1Од 1ООВт 2,5мкс
2SСЗ231
Sl-N 200В 4А 40Вт ВМГц
2SC295B
Sl-N 1БОВ О,5А 1Вт
2SСЗ240
Sl-N 50В 25А 11 ОВт ЗОМГц
2SC2979
Sl-N ВООВ ЗА 40Вт
2SСЗ242
Sl-N 20В 2А О,9Вт 80МГц
2SC29B7
Sl-N 140В 12А 120Вт 60МГц
2SСЗ244Е
Sl-N 1ООВ О,5А О,9Вт 1ЗОМГц
2SC29BB
Sl-N ЗБВ О,5А 175МГц
2SСЗ245А
Sl-N 150В О, 1А О,9Вт 200МГц
2SC2999
Sl-N 20В ЗОмА 750МГц
2SСЗ246
Sl-N ЗОВ 1,5А О,9Вт 1ЗОМГц
2SСЗ001
Sl-N 20В ЗА 7Вт 175МГц
2SСЗ247
,Sl-N 50В 1А О,9Вт 1ЗОМГц
2SСЗО19
Sl-N З5В О,4А О,6Вт 520МГц
2SСЗ257
Sl-N 250В 10А 40Вт 1/З,5мкс
2SСЗ020
Sl-N З5В 1А 10Вт
2SСЗ25В
Sl-N 1ООВ 5А ЗОВт 120МГц
2SСЗ022
Sl-N З5В 7А 50Вт
2SСЗ260
N-DARL 800В ЗА 50Вт /3>100
2SСЗО26
Sl-N 1700В 5А 50Вт
2SC3262
N-DARL 800В 1Од 1ООВт
2SСЗОЗО
N-DARL 900В 7А ВОВт
2SСЗ26З
Sl-N 2ЗОВ 15А 1ЗОВт
2SСЗОЗ9
Sl-N 500В 7А 52Вт
2SC3264
Sl-N 2ЗОВ 17А 200Вт БОМГц
2SСЗ042
Sl-N 500/400В 12А 1ООВт
2SC3271
Sl-N ЗООВ 1А 5Вт 80МГц
2SCЗ052F
Sl-N 50В О,2А О, 15Вт 200МГц
2SC3277
Sl-N 5008 1Од 90Вт 20МГц
2SСЗО6З
Sl-N ЗООВ О, 1А 1,2Вт 140МГц
2SC3279
Sl-N 10В 2АО,75Вт 150МГц
2SСЗО67
2xSl-N 1ЗОВ 50мА О,5Вт 160
2SСЗ280
Sl-N 160В 12А 120Вт ЗОМГц
2SСЗО6В
Sl-N ЗОВ О,ЗА Uэб=15В В>В
2SСЗ281
Sl-N 200В 15А 150Вт ЗОМГц
2SСЗ071
Sl-N 120В О,2А Uэб=15В 13>10
2SСЗ284
Sl-N 150В 14А 125Вт БОМГц
2SСЗО7З
Sl-N ЗОВ ЗА 15Вт 1ООМГц
2SСЗ293
N-DARL+D 50В 1,2А20Вт /3>180
2SСЗО74
Sl-N БОВ 5А 20Вт 120МГц
2SСЗ297
Sl-N ЗОВ ЗА 15Вт 1ООМГц
2SСЗО75
Sl-N 500В О,ВА 10Вт 1/1,5мкс
2SСЗ299
Sl-N 60В 5А 20Вт О, 1мкс
2SСЗО89
Sl-N 800В 7А 80Вт
2SСЗЗОО
Sl-N 1ООВ 15А 1ООВт
2SСЗ101
Sl-N 250В ЗОА 200Вт 25МГц
2SСЗЗОЗ
Sl-N 1ООВ 5А 20Вт О,2мкс
2SСЗ102
Sl-N З5В 18А 170Вт 520МГц
2SСЗЗО6
Sl-N 500В 1Од 1ООВт 1мкс
2SСЗ112
Sl-N 50В О, 15А О,4Вт 1ООМГц
2SСЗЗ07
Sl-N 900В 1Од 150Вт 1мкс
2SСЗ116
Sl-N 1ВОВ О,7А 10Вт 120МГц
2SСЗЗО9
Sl-N 500В 2А 20Вт 1мкс
2SСЗ117
Sl-N 180В 1,5А 1О Вт 120МГц
2SСЗЗ10
Sl-N 500В 5А ЗОВт 1мкс
2SСЗ1ЗЗ
Sl-N 60В 6А 1,5Вт 27МГц
2SC3311
Sl-N БОВ О,1АО,3Вт 150МГц
2SСЗ148
Sl-N 900В ЗА 40Вт 1мкс
2SСЗЗ20
Sl-N 500В 15А 80Вт
2SСЗ150
Sl-N 900В ЗА 50Вт 15МГц
2SСЗЗ26
Sl-N 20В О,ЗА О, 15Вт ЗОМГц
2SС315З
Sl-N 900В БА 1ООВт
2SСЗЗ27
Sl-N 50В О,ЗА О,2Вт ЗОМГц
2SСЗ157
Sl-N 150В 1Од 60Вт
2SСЗЗ28
Sl-N 80В 2А О,9Вт 100МГц
2SC3158
Sl-N 500В 7А 60Вт
2SСЗЗЗО
Sl-N БОВ О,2А 0,ЗВт 200МГц
2SСЗ164
Sl-N 500В 1Од 1ООВт
2SСЗЗЗ1
Sl-N БОВ О,2А О,5Вт 200МГц
2SC3169
Sl-N 500В 2А 25Вт >8МГц
2SСЗЗЗ2
Sl-N 180В О,7А О,7Вт 120МГц
2SСЗ175
Sl-N 400В 7А 50Вт 40МГц
2SСЗЗЗ4
Sl-N 250В 50мА 0,9Вт 1ООМГц
2SСЗ178
Sl-N 1200В 2А 60Вт
2SСЗЗ45
Sl-N БОВ 12А 40Вт 90МГц
2SСЗ179
Sl-N 60В 4А ЗОВт 15МГц
2SСЗЗ46
Sl-N 80В 12А 40Вт О,2мкс
2SCЗ180N
Sl-N 80В 6А 60Вт ЗОМГц
2SC3355
Sl-N ·20В О, 1А,0,6Вт 6,5ГГц
2SC3181N
Sl-N 120В 8А 80Вт ЗОМГц
2SСЗЗ56
Sl-N 20В О, 1А О,2Вт 7ГГц
2SC3182N
Sl-N 140В 10А 100Вт ЗОМГц
2SСЗЗ77
Sl-N 40В 1А О,6Вт 150МГц
2SC3195
Sl-N ЗОВ 20мА О, 1Вт550МГц
2SСЗ378
Sl-N 120В О, 1А О,2Вт 1ООМГц
2SСЗ199
Sl-N 60В О, 15А О,2Вт 130МГц
2SСЗЗ79
Sl-N 20В 1,5А ЗВт
2SC3200
Sl-N 120В О, 1А О,ЗВт 1ООМГц
2SСЗЗ81
2xSl-N ВОВ О, 1А О,4Вт 170МГц
2SСЗ202
Sl-N З5В О,5А О,5Вт ЗООМГц
2SСЗЗ8З
Sl-N 60В О,2А О,5Вт 250МГц
2SСЗ203
Sl. -N 35В О,8А О,6Вт 120МГц
2SСЗЗ97
Sl-N 50В О, 1А 250МГц R=46к0м
2SC3205
Sl-N ЗОВ 2А 1Вт 120МГц
2SСЗЗ99
Sl-N 50В О, 1А 250МГц
2SСЗ206
Sl-N 150В О,5А О,8Вт 120МГц
2SСЗ400
Sl-N 50В О, 1А 250МГц R=22к0м
2SСЗ210
Sl-N 500В 1Од 1ООВт 1мкс
2SСЗ401
Sl-N 508 О, 1А R=46к0м_L2Зк0м
2SСЗ211
Sl-N ВООВ 5А 70Вт >ЗМГц
2SC3402
Sl-N 50В О, 1А 250МГц R=10к0м
2SСЗ212
Sl-N 800В 7А ЗВт З,5МГц
2SСЗ405
Sl-N 900В О,ВА 20Вт 1мкс


Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
185
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
25СЗ409
51-N 900В 2А 80Вт О,Вмкс
25СЗБ5Б
51-N 50В О, 1А О,4Вт
2SСЗ41Б
51-N 200В О, 1А 5Вт 70МГц
R= 1ОкОм/1 О кОм
25СЗ419
51-N 40В 0,ВА 5В.т 1ООМГц
25СЗБ59
51-N+D 1700/ВООВ 5А 50Вт
25СЗ420
Sl-N 50В 5А 10Вт 100МГц
25СЗББ8
51-N 50В 2А 1Вт 1ООМГц
25СЗ4210
51-N 120В 1А 1,5Вт
25СЗББ9
51-N 808 2А 1Вт 0,2мкс
25СЗ421У
51-N 120В 1А 1ОВт 120МГц
25СЗБ75
51-N 1500/900В О, 1А 10Вт
25СЗ422У
51-N 40В ЗА 1ОВт 1ООМГц
25СЗБ78
51-N 9ЬОВ ЗА 80Вт
25СЗ42З
51-N 150В 50мА 5Вт 200МГц
25СЗБ79
51-N 900/ВООВ 5А 1ООВт
25СЗ425
51-N 500В О,ВА 1ОВт
25СЗБ80
51-N 900/ВООВ 7А 120Вт БМГц
25СЗ44Б
51-N ВООВ 7А 40Вт 1ВМГц
25СЗБ84
51-N+D 1500В 1Од 150Вт
25СЗ447
51-N ВООВ 5А 50Вт 1ВМГц
25СЗБ88
51-N 1500В 1Од 150Вт О,2мкс
25СЗ45Б
51-N 1100/ВООВ 1,5А 40Вт
25СЗБ92
51-N 1ООВ 7А ЗОВт В<ЗОО/180
25СЗ457
51-N 11 ООВ ЗА 50Вт
25СЗ7З
51-N З5В О, 1А О,2Вт В>200
25СЗ4БО
51-N 11 ООВ БА 1ООВт
25СЗ74Б
51-N ВОВ 5А 20Вт 1ООМГц
25СЗ4Б1
51-N 1100/ВООВ ВА 120Вт
25СЗ748
51-N ВОВ 1Од ЗОВт 100/БООнс
25СЗ4ББ
51-N 1200/Б50В ВА 120Вт
25СЗ752
51-N 1100/ВООВ ЗА ЗОВт
25СЗ4Б7
51-N 200В О, 1А 1Вт 150МГц
25СЗ781
51-N 120В О,4А 15Вт 500МГц
2SСЗ4Б8
51-N ЗООВ О, 1А 1Вт 150МГц
25СЗ782
51-N 200В О,2А 15Вт 400МГц
25СЗ48Б
51-N 1500В БА 120Вт
25СЗ78З
51-N ВООВ 5А 1ООВт
25СЗ502
51-N 200В О, 1А 1,2Вт
25СЗ787
51-N 180В О,14А 10Вт 150МГц
25СЗ50З
51-N ЗООВ О, 1А 7Вт 150МГц
25СЗ788
51-N 200В О, 1А 5Вт 150МГц
25СЗ504
51-N 70В О,05А О,9Вт 500МГц
25СЗ789
51-N ЗООВ О, 1А 7Вт 70МГц
25СЗ505
51-N 900В БА 80Вт
25СЗ790
51-N ЗООВ О, 1А 7Вт 150МГ'Ц
25СЗ507
51-N 1000/ВООВ 5А 80Вт
25СЗ792
51-N 50В О,5А О,5Вт 250МГц
25СЗ509
N-DARL+D 900В 10А 100Вт
25СЗ795А
51-N 900В 5А 40Вт
25СЗ514
51-N 180В О, 1А 10Вт 200МГц
25СЗ807
51-N ЗОВ 2А 15Вт 2БОМГц
25СЗ518
51-N БОВ 5А 1ОВт
25СЗ808
N-DARL ВОВ 2А 170МГц В>ВО
25СЗ520,
51-N 500В 1ВА 1ЗОВт 1ВМГц
25СЗВОТМ
51-N ЗОВ 50мА О,ЗВт 1ООМГц
25СЗ52Б
51-N 11 ОВ О, 15А 7А ЗОВт 1мкс
25СЗ811
51-N 40В О, 1А о,4Вт 450МГц
2SСЗ528
51-N 500В 20А 125Вт
25СЗВЗ1
51-N 500В 1Од 1ООВт
25СЗ549
51-N 900В ЗА 40Вт
25СЗВЗЗ
51-N 500/400В 12А 1ООВт
25СЗ552
51-N 11 ООВ 12А 1506т 15МГц
25СЗ842
51-N БООВ 1Од 70Вт З2МГц
25СЗ5Б8
51-N 150В 1Од ЗОВт
25СЗ844
51-N БООВ 15А 75Вт ЗОМГц
25СЗ571
51-N 500В 7А ЗОВт
25СЗ851
51-N ВОВ 4А 25Вт 15МГц
25СЗ577
51-N 850В 5А 80Вт БМГц
25СЗ852
51-N ВОВ ЗА 25Вт 15МГц
25СЗ581
51-N 55В 0,4А О,9Вт 150МГц
25СЗ855
51-N 200В 1Од 1ООВт 20МГц
25СЗ591
51,N 400В 7А 50Вт
25СЗ857
51-N 200В 15А 150Вт 20МГц
25СЗ595
51-N ЗОВ О,5А 5Вт 2ГГц
25СЗ858
51-N 200В 17А 200Вт 20МГц
25СЗ59Б
51-N ВОВ О,ЗА 8Вт 700МГц
25СЗВББ
51-N 900В ЗА 40Вт
25СЗ597
51-N ВОВ О,5А 1ОВт ВООМГц
25СЗВБВ
51-N 500В 1,5А 25Вт О, 7мкс
25СЗ599
51-N 120В О,ЗА авт 500МГц
25СЗВВЗ
51-N+D 1500В БА 50Вт
25СЗБОО
51-N 200В О, 1А 7Вт 400МГц
25СЗ884А
51-N 1500В БА 50Вт
25СЗБ01
51-N 200В О, 15А 7Вт 400МГц
25СЗВВБА
51-N 1500В ВА 50Вт О, 1мкс
25СЗБО8
51-N 20В О,ОВА Б,5ГГц
25СЗ88А
51-N 25В 50мА О,ЗВт ЗООМГц
25СЗБ11
51-N 50В О, 15А 4Вт ЗООМГц
25СЗ890
51-N 500В 7А ЗОВт 500нс
25СЗБ1Б
51-N 25В О,7А 250МГц
25СЗ892А
51-N+D 1500В 7А 50Вт О,4мкс
25СЗБ21
51-N 150В 1,5А 1ОВт 1ООМГц
25СЗ89ЗА
51-N+D 1500В ВА 50Вт
25СЗБ2З
51-N БОВ О, 15А О,25Вт В=1 ООО
25СЗ895
51-N 1500/ВООВ ВА- 70Вт
25СЗБЗ2
51-N БООВ 1А 10Вт ЗОМГц
25СЗ89Б
51-N 1500] ВА 70Вт
25СЗБЗБ
51-N 900/500В 7А 80Вт
25СЗ897
51-N 15008 10А 70Вт
25СЗБ42
51-N 1200В БА 1ООВт 200нс
25СЗ902
51-N 180В 1,5А 10Вт 120МГц
25СЗБ55
51-N 50В О, 1А о,4Вт
25СЗ907
51-N 1ВОВ 12А 1ЗОВт ЗОМГц
R=4Бк0м/2Зк0м
25СЗ927
51-' N 900В 1Од 120Вт


186
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2SСЗ94
Sl-N 25В О, 1А 200МГц
2SC4289A
Sl-N 1500В 16А 200Вт
2SСЗ940
Sl-N ЗОВ 1А 1Вт 200МГц
2SC4290A
Sl-N 1500В 20А 200Вт
2SСЗ94З
Sl-N 11 ОВ О, 15А 2Вт ЗООМГц
2SC4297
Sl-N 500В 12А 75Вт 1ОМ Гц
2SСЗ944
Sl-N 150В 1А40ВтЗООМГц
2SC4298
Sl-N 500В 15А 80Вт 10МГц
2SСЗ948
Sl-N 850В 10А 75Вт 20МГц
2SC4300
Sl-N 900В 5А 75Вт 1/6мкс
2SСЗ950
Sl-N ЗОВ О,5А 5Вт
2SС4З04
Sl-N 8008 ЗА З5Вт
'2SСЗ952
Sl-N 80В О,5А 10Вт 700МГц
2SС4ЗО8
Sl-N ЗОВ О,ЗА О,6Вт 2,5ГГц
2SСЗ95З
Sl-N 120В О,2А 8Вт 400МГц
2SС4З1З
Sl-N 900В 1Од 1ООВт О,5мкс
2SСЗ954
Sl-N 120В О,ЗА 8Вт 400МГц
2SС4З81
Sl-N 150В 2А25Вт 15МГц
2SСЗ955
Sl-N 200В О, 1А 7Вт ЗООМГц
2SС4З82
Sl-N 200В 2А 25Вт 15МГц
2SСЗ956
Sl-N 200В 0,2А 7Вт 70МГц
2SС4З86
Sl-N 160/120В 8А 75Вт 20МГц
2SСЗ964
Sl-N 40В 2А 1,5Вт 1мкс
2SС4З87
Sl-N 200В 1Од 80Вт 20МГц
2SСЗ972
Sl-,N 800/500В 5А 40Вт
2SС4З88
Sl-N 200В-15А 85Вт 20МГц
2SСЗ973А
Sl-N 900В 7А 45Вт
2SC4408
Sl-N 80В 2А О,9Вт 100/600нс
2SC3979A
Sl-N 800В ЗА 2Вт 1ОМ Гц
2SC4429
Sl-N 11 ОО/800В 8А БОВт
2SСЗ987
N-DARL+D 50В ЗА 15Вт
2SС44ЗО
Sl-N 1100В 12АБ5Вт 15МГц
2SСЗ996
Sl-N 1500/800В 15А 180Вт
2SС44З1
Sl-N 120В 1,5А 20Вт 150МГц
2SСЗ998
Sl-N 1500В 25А 250Вт
2SС44З9
Sl-N 1.ВОВ О,ЗА 8Вт 400МГц
2SСЗ999
Sl-N ЗООВ О, 1А О,75Вт ЗООМГц
2SС44Б7
Sl-N 160/120В 8А 80Вт 20МГц
2SC4004
Sl-N 900/800В 1А ЗОВт
2SС44Б8
Sl-N 200В 1Од 80Вт 20МГц
2SC4020
Sl-N 900В ЗА 50Вт 1мкс
2SC4484
Sl-N ЗОВ 2,5А 1Вт 250МГц
2SC4024
Sl-N 1ООВ 1Од З5Вт 6>ЗОО
2SC4488
Sl-N 120В 1А 1Вт 120МГц
2SC4029
Sl-N 2ЗОВ 15А 150Вт ЗОМГц
2SC4511
Sl-N 120В БА ЗОВт 20МГц
2SС404З
Sl-N 20В 50мА О, 15Вт З,2ГГц
2SC4512
Sl-N 120В БА 50Вт 20МГц
2SC4046
Sl-N 120В О,2А 8Вт З50МГц
2SC4517
Sl-N 900В ЗА ЗОВт БМГц
2SC4052
Sl-N 600В ЗА 40Вт 20МГц
2SC4517A
Sl-N 1000В ЗА ЗОВт О,5мкс
2SC4056
Sl-N 600В 8А 45Вт
2SС45З1
Sl-N+D 1500В 1Од 50Вт
2SC4059
Sl-N 600/450В 15А 1ЗОВт
2SС45З2
Sl-N 1700В 1Од 200Вт 2мкс
2SC4064
Sl-N 50В 12А З5Вт 40МГц
2SС45З8
Sl-N 900В 5А 80Вт
2SC4107
Sl-N 500/400В 1Оk60Вт
2SC454
Sl-N ЗОВ О, tA 2ЗОМГц
2SC4119
N-DARL+D 1500В 15А 250Вт
2SC4542
Sl-N 1500В 1ОА 50Вт
2SС412З
Sl-N+D 1500В 7А 60Вт
2SC4547
N-DARL+D 85В ЗА ЗОВт 6>2000
2SC4125
Sl-N+D 1500/800В 10А 70Вт
2SC4557
Sl-N 900В 10А 80Вт <1/5,5мкс
2SС41З1
Sl-N 1ООВ 15А 60Вт 18МГц
2SС45БО
Sl-N 1500В 1Од 80Вт
2SС41З5
Sl-N 120В 2А 15Вт 200МГц
2SC458
Sl-N ЗОВ О, 1А 2ЗОМГц
2SС41З7
Sl-N 25В О, 1А ЗООМГц
2SC4582
Sl-N БООВ 100А 65Вт 20МГц
2SС41З8
Sl-N 500В 10А 80Вт <1/З,5мкс
2SС4БО
Sl-N ЗОВ О, 1А О,2Вт 2ЗОМГц
2SС415З
Sl-N 200В 7А ЗОВт О,5мкс
2SC461
Sl-N ЗОВ О, 1А 0,2Вт 2ЗОМГц
2SC4157
Sl-N 600В 1Од 1ООВт
2SC4744
Sl-N 1500В БА
2SC4159
Sl-N 180В 1,5А 15Вт 1ООМГц
2SC4745
Sl-N 1500В 6А
2SC4161
Sl-N 500В 7А ЗОВт
2SC4747
Sl-N 1500В 10А50Вт0,Змкс
2SC4169
N-DARL+D 50В 1,2А 1Вт 6=4000
2SC4758
Sl-N 1500В 8А 50Вт
2SC4199
Sl-N 1400В 10А 100Вт
2SС47Б9
Sl-N+D 1500В 7А БОВт
2SC4200
Sl-N 20В О,6А 5Вт 2,5ГГц
2SC4770
Sl-N 1500/800В 7А БОВт
2SC4204
Sl-N ЗОВ О, 7А О,6Вт
2SС479З
Sl-N 230В 1А 2Вт 1ООМГц
2SС42З1
Sl-N 1200/800В 2А ЗОВт
2SC4804
Sl-N 900В ЗА ЗОВт О,Змкс
2SС42З5
Sl-N 1200/800В ЗА 80Вт
2SC4820
Sl-N 450В БА ЗОВт 12МГц
2SС42З6
Sl-N 1200/800В 6А 1ООВт
2SС482Б
Sl-N 200В ЗА 1,ЗВт ЗООМГц
2SС42З7
Sl-N 1200/800В 1Од 150Вт
2SС48З4
Sl-N 500В 8А 45Вт <0,З/1,4мкс
2SC4242
Sl-N 450/400В VA 40Вт
2SС488ЗА
Sl-N 180В 2А 20Вт 120МГц
2SC4256
Sl-N 1500В 10А 175Вт 6МГц
2SC4891
Sl-N 1500В 15А 75Br
2SC4278
Sl-N 150В 1Од 1ООВт ЗОМГц
2SC4908
Sl-N 900!3 ЗА З5Вт 1мкс
2SC4288A
Sl-N 1600/600В 12А 200Вт
2SC4924
Sl-N 800В 10А 70Вт


Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
187
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2SC4977
Sl-N 450В 7А 40Вт
2SD1010
Sl-N 50В 50мд О,ЗВт 200МГц
2SC5002
Sl-N 1500В 7А 80Вт
2SD1012
Sl-N.20B О,7А О,25Вт 250МГц
2SС500З
Sl-N+D 1500В.7А 80Вт
2SD1018
Sl-N 250В 4А ВОВт В>250
2SC5027
Sl-N 11 ООВ ЗА 50Вт О,Змкс
2SD1027
N-DARL+D 20В 15А 100Вт 13>100
2SС50ЗО
Sl-N 50В 5А 1,ЗВт 150МГц
2SD10ЗЗ
Sl-N 200В 2А 20Вт 10МГц
2SC5045
Sl-N 1600В 15А 75Вт
2SD10З6
Sl-N 150/120В 15А 150Вт
2SC5047
Sl-N 1600В 25А 250Вт
2SD1047
Sl-N 160В 12А 100Вт 15МГц
2SC5048
Sl-N 1500В 12А 50Вт О,Змкс
2SD1048
Sl-N 20В О,7А О,25Вт 250МГц
2SC5070
Sl-N ЗОВ 2А 1,5Вт В>ЗОО
2SD1049
Sl-N 120В 25А 1ООВт
2SC5086
Sl-N 20В ЗОМА 7ГГц
2SD1051
Sl-N 50В 1,5А 1Вт 150МГц
2SC509
Sl-N З5В О,5А О,6Вт 60МГц
2SD1055"
Sl-N 40В 2А О,75Вт 1ООМГц
2SC5144
Sl-N 1700В 20А 200Вт
2SD1062
Sl-N 60В 12А 40Вт 1ОМ Гц
2SC5148
Sl-N 1500В ЗА 50Вт О,2мкс
2SD1064
Sl-N 60В 12А ВОВт
2SC5149
Sl-N+D 1500В ВА 50Вт О,2мкс
2SD1065
Sl-N 60В 15А 90Вт
2SC5150
Sl-N 1700В 1Од 50Вт О,Змкс
2SD107З
N-DARL ЗООВ 4А 40Вт 13> 1ООО
2SC5171
Sl-N 180В 2А 20Вт 200МГц
2SD1088
N-DARL ЗООВ 6А ЗОВт 13>2000
2SC5198
Sl-N 140В 10А 100Вт ЗОМГц
2SD111ЗK
N-DARL+D ЗООВ 6А 40Вт
2SC5207
Sl-N 1500В 1Од 50Вт О,4мкс
2SD1128
N-DARL 150В 5А ЗОВт
2SC5242
Sl-N 2ЗОВ 15А 1ЗОВт ЗОМГц
2SD11З5
Sl-N ВОВ 4А 40Вт
2SC5244A
Sl-N 1600В ЗОА 200Вт
2SD11ЗB
Sl-N 200В 2А ЗОВт
2SC5296
Sl-N+D 1500В ВА 60Вт
2SD1140
N-DARL ЗОВ 1,5А О,9Вт
2SC5297
Sl-N 1500В ВА 60Вт
2SD1145
Sl-N 60В 5А О,9Вт 120МГц
2SC5299
Sl-N 1500В 1Од 70Вт О,2мкс
2SD1148
Sl-N 140В 10А 100Вт 20МГц
2SС5З5
Sl-N 20В 20мА О, 1Вт
2SD115З
Sl-N ВОВ 1,5А 0,9B:r
2SС5З6
Sl-N 40В О, 1А 1ЗQМГц
2SD116ЗA
Sl-N ЗООВ 7А 40Вт
2SC620
Sl-N 50В О,2А О,25Вт
2SD1164
N-DARL+D 150В 1,5А 10Вт
2SС64З
Sl-N 11 ООВ 2,5А 50Вт
2SD117З
Sl-N+D 1500В 5А 70Вт
2SC644
Sl-N ЗОВ 50мА О,25Вт
2SD1187
Sl-N 100В 10А ВОВт 10МГц
2SC645
Sl-N ЗОВ ЗОмА О, 14Вт 200МГц
2SD1189
Sl-N 40В 2А5Вт 100МГц
2SC710
Sl-N ЗОВ О,ОЗА 200МГц
2SD1192
N-DARL+D 70В 1Од40Вт В=5000
2SC711
Sl-N ЗОВ О,05А 150МГц
2SD1196
N-DARL+D 11 ОВ SA 40Вт 13=400
2SC712
Sl-N ЗОВ О,5А 150МГц
2SD1198
N-DARLЗOB 1А 1Вт 150МГц
2SC717
Sl-N ЗОВ 50мА О,2Вт 600МГц
2SD1207
Sl-N 60В 2А 1Вт
2SС7ЗО
Sl-N 40В О,4А 1,5Вт
2SD1210
N-DARL+D 150В 1ОА ВОВт 13=500
2SС7З2
Sl-N 50В О, 15А Q,4Вт 150МГц
2SD121З
Sl-N 60В 20А 50Вт
2SС7З5
Sl-N З5В О,4А О,ЗВт
2SD1225
Sl-N 40В 1А 1Вт 150МГц
2SC752
Sl-N 15В 1ООмА О, 1Вт
2SD12ЗB
Sl-N 120В 12А ВОВт 20МГц
2SC756
Sl-N 40В 4А 10Вт 65МГц
2SD1244
Sl-N+D 2500/900В 1А 50Вт
2SC784
Sl-N 40В О,02А 500МГц
2SD1246
Sl-N ЗОВ 2А О,75Вт
2SC815
Sl-N 60В 0,2А 0,25Вт 200МГц
2SD1247
Sl-N ЗОВ 2,5А 1Вт
2SC828
Sl-N ЗОВ О,05А 0,25Вт
2SD1254
Sl-N 1ЗОВ ЗА ЗОВт
2SC829
Sl-N ЗОВ ЗОмА Q,4Вт 2ЗОМГЦ
2SD1255
Sl-N 1ЗОВ 4А З5Вт ЗОМГц
2SС8З9
SJ-N 50В О,ОЗА 250МГц
2SD126ЗА
Sl-N 400В О,75А З5Вт ЗОМГц
2SC867
Sl-N 400В 1А 2ЗВr ВМГц
2SD1264
Sl-N 200В 2А ЗОВт
2SC869
Sl-N 160В ЗОмА О,2Вт 150МГц
2SD1265
Sl-N 60В 4А ЗОВт 25кГц
2SC898A
Sl-N 150В 7А ВОВт 15МГц
2SD1,266
Sl-N 60В ЗА 35Вт
2SC900
Sl-N ЗОВ О,ОЗА 100МГц
2SD1267
Sl-N 60В 4А 40Вт 20МГц
2SС9ЗО
Sl-N 15В О,ОЗА ЗООМГц
2SD1270
Sl-N 1ЗОВ 5А 2Вт ЗОМГц
2SС9З6
Sl-N 1000В 1А 22Вт
2SD1271
Sl-N 1ЗОВ 7А 40Вт ЗОМГц
2SC941
Sl-N З5В 20мА 0,2Вт 120МГц
2SD1272
Sl-N 200В 1А 40Вт 25МГц
2SС94З
Sl-N 60В О,2А О,ЗВт 220МГц
2SD127З
Sl-N ВОВ ЗА 40Вт 50МГц
2SC945
Sl-N 50В О, 1А 250МС
2SD1274
Sl-N 150В 5А 40Вт 40МГц
2SC982
N-DARL 40В О,ЗА О,4Вт
2SD1276
N-DARL 60В 4А 40Вт


188
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2501286
N-OARL+О 60В 1А 8Вт 13=1 ООО
2501509
N-OARL+O 808 2А 10Вт О,4мкс
2501288
51-N 120В 7А 70Вт
2501511
N-OARL 1008 1А 1Вт 150МГц
2501289
51-N 120В 8А 80Вт
2501521
N-OARL+О 50В 1,5А 2Вт 13>2000
2501292
51-N 120В 1А О,9Вт 100МГц
2501525
N-OARL+O 100В ЗОА 150Вт
250129З
51-N 120В 1А 1Вт 100МГц
2501526
51-N 1ЗОВ 1А 1Вт 200МГц
2501297
N-OARL+О 150В 25А 1ООВт
2501541
51-N 1500В ЗА 508т
2501ЗО2
51-N 25В О,5А О,6Вт 200МГц
250155
51-N 80В ЗА 25Вт
2501ЗО6
51-N ЗОВ 0,7А 150мВт 250МГц
2501554
51-N+O 15008 З,5А 40Вт 1мкс
2501З08
N-OARL +О 150В 8А 40Вт
2501555
51-N+O 15008 5А 408т 1мкс
2501З1З
51-N 800В 25А 200Вт 6МГц
2501556
51-N+O 1500В 6А 50Вт 1мкс
2501З14
N-OARL+O 600В 15А 150Вт
250156ЗА
51-N 160В 1,5А 108т 80МГц
2501ЗЗО
51-N 25В О,5А О,6Вт 200МГц
2501565
N-OARL+О 1ООВ 5А ЗО8т
2501З47
51-N 60В ЗА 1Вт 150МГц
2501576
51-N 15008 2,5А 48Вт
2501З48
51-N 60В 4А 1ОВт 150МГц
2501577
51-N 1500В 5А 808т
2501З50А
51-N 600В О,5А 1Вт 55МГц
2501579
N-OARL+O 15081,5А18т
2501З76К
N-01,\RL+О 120В 1,5А 40Вт
2501589
N-OARL+О 1008 5А 208т
2501З78
51-N 80В О,7А 10Вт 120МГц
2501590
N-OARL+О 1508 8А 25Вт
2501З79
N-OARL 40В 2А 1ОВт 150МГц
2501595
N-OARL+O 60В 5А 208т 6=6000
2501З80
51-N 40В 2А 10Вт 100МГц
2501609
51-N 160В О, 1А
2501З82
51-N 120В 1А 10Вт 100МГц
2501610
51-N 2008О,1А 1,З8т 140МГц
2501З84
51-N 408 2А О,75Вт 100МГц
2501624
51-N 60В ЗА О,5Вт 150МГц
2501З91
51-N 1500В 5А 80Вт
25016З2
N-OARL+О 15008 4А 808т
2501З92
N-OARL+О 60В 5А ЗОВт 13=800
2501647
N-OARL+О 508 2А 258т
2501З97
51-N+O 1500В З,5А 50Вт
2501649
51-N+O 1500/8008 2,5А 50Вт
2501З98
51-N+O 1500В 5А 50Вт
2501050
51-N+O 1500/800В З,5А 508т
2501З99
51-N+O 1500В 6А 80Вт
2501651
51-N+O 1500/800В 5А 60Вт
250140З
51-N 1500В 6А 120Вт
2501652
51-N+O 1500В 6А 60Вт ЗМГц
2501404
51-N+D ЗООВ 7А 25Вт 1мкс
2501656
51-N 1500В 6А 50Вт ЗМГц
2501405
- Sl-N 50В ЗА 25Вт 2мкс
250166З
51-N 1500В 5А 80Вт О,5мкс
2501406
51-N 60В ЗА 25Вт О,8мкс
2501664
51-N 40В 1А О,5Вт 150МГц
2501407
51-N 1ООВ 5А ЗОВт 12МГц
2501666
51-N 60В ЗА 208т
2501408
51-N 808 4А ЗОВт 8МГц
2501667
51-N 608 5А 258т ЗОМГц
2501409
N-OARL+О 600В 6А 25Вт 1мкс
2501668R
51-N 60В 7А ЗО8т
2501411
51-N 1008 7д ЗО8т 1ОМ Гц
2501669
51-N 60В 12А ЗОВт
250141З
N-OARL+О 608 ЗА 20Вт 0,01 мкс
2501677
51-N 1500В 5А 1.ООВт О,5мкс
2501415
N-OARL +О 1ООВ 7А ЗОВт О,8мкс
2501680
51-N ЗЗО/2008 7А 70Вт
2501426
51-N+O 1500В З,5А
2501681
51-N 20В 1,2А 1ОВт 150МГц
2501427
51-N+O 1500В 5А 80Вт
250168З
51-N 608 4А 108т 150МГц
2501428
Sl-N+O 1500В 6А 80Вт
2501684
51-N 120В 1,2А 1ОВт 150МГц
25014З2
51-N 1500В 6А 80Вт
2501706
51-N 1ЗО/808 15А 808т 20МГц
25014З9
51-N+O 1500В ЗА 50Вт
2501707
51-N 1ЗО/808 20А 1008т
2501441
51-N+O 1500В 4А 80Вт
2501710
51-N 1500/8008 5А 1008т
2501446
N-OARL+О 500В 6А 40Вт 6>500
2501725
, 51 -N 120В 4А 20Вт 180МГц
250145З
51-N 1500В ЗА 50Вт
2501729
51-N+O 1500ПООВ З,5А 608т
2501457
N-OARL+O 140В 6А 60Вт
25017ЗО
51-N+O 1500/700В 5А 1ООВт
2501458
51-N 20В О,7А 1Вт
25017З9
51-N 1500ПОО8 6А 1ООВт
2501468
51-N ЗОВ 1А О,4Вт 150-
2501740
N-OARL 150В 5А 258т 6=5000
2501491
N-OARL+О 70В 2А 1ОВт 13>2000
2501758
51-N 408 2А 10Вт 100МГц
2501496
Sl-N 15008. 5А 50Вт
2501760
51-N 608 ЗА 158т 90МГц
2501497-02
51-N 15008 6А 50Вт
2501761
51-N 808 ЗА 358т
2501504
51-N ЗОВ О,5А О,ЗВт ЗООМГц
25017.62
51-N 608 ЗА 25Вт 70МГц
2501506
51-N 60В ЗА 1ОВт 90МГц
2501763А
51-N 1208 1,5А 208т 80МГц
2501508
N-Oi\RL ЗОВ 1,5А 1ОВт 13>400
2501764
N-OARL+O 608 2А 20Вт 6>100


Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
189
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2SD1765
N-DARL+D 100В 2А20Вт 13>1000
2SD2012
Sl-N БОВ ЗА 25Вт ЗМГц
2SD1769
N-DARL+D 120В 6А 50Вт
2SD2018
N-DARL+D 60В 1А 5Вт В>6500
2SD1776
Sl-N ЗОВ 2А 25Вт 40МГц
2SD2052
Sl-N 150В 9А 100Вт 20МГц
2SD178З
N-DARL+D 60В 5А ЗОВт 13=2000
2SD2061
Sl-N ВОВ ЗА ЗОВт 6МГц
2SD1785
N-DARL+D 120В БА ЗОВт 1ООМГц
2SD206Б
Sl-N 1БОВ 12А 120Вт
2SD1790
N-DARL+D 200В 4А 25Вт 6=1000
2SD2088
N-DARL+D 60В 2А О,9Вт В>2000
2SD1'791
N-DARL 1ООВ 7А ЗОВт 50МГц
2SD2125
Sl-N+D 15008 5А 50Вт О,2мкс
2SD179Б
N-DARL+D БОВ 4А 25Вт
2SD21З
Sl-N 110В 10А 100Вт
2SD1802
Sl-N БОВ ЗА 15Вт 150МГц
2SD21З6
Sl-N 60В ЗА 1,5Вт ЗОМГц
2SD1806
Sl-N+D 40В 2А 15Вт 150МГц
2SD21З7A
Sl-N ВОВ ЗА 15Вт ЗОМГц
2SD1809
N-DARL 60В 1А О,9Вт В>2000
2SD2141
N-DARL+D ЗВОВ 6А З5Вт 13>150
2SD1812
Sl-N 160В 1,5А О,9Вт
2SD2144
Sl-N 25В О,5А 13>560
2SD1815
Sl-N 120В ЗА 20Вт 1ВОМГц
2SD2151
Sl-N 1ЗО/ВОВ 1Од ЗОВт 20МГц
2SD1817
Sl-D ВОВ ЗА 15Вт В>2000
2SD2159
Sl-N ЗОВ 2А 1Вт 11ОМГц
2SD1825
N-DARL+D 70В 4А 20Вт
2SD2250
N-DARL 160В 7А 90Вт 13>5000
2SD1827
N-DARL+D 70В 1ОА ЗОВт 20МГц
2SD225З
Sl-N+D 1700В 6А 50Вт
2SD18ЗO
N-DARL+D 11 ОВ 8А ЗОВт В=4000
2SD2255
N-DARL 160В 7А 70Вт 20МГц
2SD18З5
Sl-N 60В 2А 150МГц 60/580
2SD2276
N-DARL 160В ВА 120Вт В>5000
2SD184З
N-DARL+D БОВ 1А 1Вт 13>2000
2SD2ЗЗ1
N-DARL+D 1500В ЗА
2SD1847
Sl-N+D 1500ЛООВ 5А 100Вт
2SD2З4
Sl-N 60В ЗА 25Вт
2SD1849
Sl-N+D 1500ПООВ 7А 120Вт
2SD2З40
Sl-N 1ЗОВ БА 50Вт
2SD185З
N-DARL+D ВОВ 1,5А 0,7Вт
2SD2З75
Sl-N ВОВ ЗА 25Вт В>500
2SD1856
N-DARL+D 60В 5А 25Вт
2SD2З86
N-DARL 140В 7А 70Вт 6>5000
2SD1857
Sl-N 120В 1,5А 1Вт ВОМГц
2SD2З89
N-DARL 160В 1Од 1ООВт 13>5000
2SD1858
Sl-N 40В 1А iвт 150МГц
2SD2З90
N-DARL 160В 10А 100Вт 55МГц
2SD1859
Sl-N ВОВ О, 7А 1Вт 120МГц
2SD2З94
Sl-N 60В ЗА ЗОВт
2SD1862
Sl-N 40В 2А 1Вт100МГц
2SD2З95
Sl-N 50В ЗА 25Вт
2SD186З
Sl-N 120В 1А 1Вт 100МГц
2SD2З99
N-DARL+D 808 4А ЗОВт 13=1 ООО
2SD1864
Sl-N 60В ЗА 1Вт 90МГц
2SD24ЗB
N-DARL+D 1БОВ ВА 70Вт В>5000
2SD1877
Sl-N+D 1500/ВООВ 4А 50Вт
2SD249З
N-DARL 11 ОВ БА 60Вт 60МГц
2SD1878
Sl-N+D 1500В 5А 60Вт О,Змкс
2SD2498
Sl-N 1500В БА 50Вт
2SD1880
Sl-N+D 1500В ВА 70Вт
2SD2499
Sl-N+D 1500В 6д 50Вт
2SD1881
Sl-N+D 15008 10А 70Вт
251;>287
Sl-N 200В 1Од 1ООВт В МГц
2SD1887
Sl-N 1500/ВООВ 1ОА 70Вт
2SDЗ1З
Sl-N бОВ ЗА ЗОВт ВМГц
2SD1894
Sl-N 1БОВ 7А 70Вт 20МГц
2SDЗ25
Sl-N З5В 1,5д 1О Вт ВМГц
2SD1895
N-DARL 160В ВА 1ООВт 20МГц
2SDЗ50
Sl-N 1500В 5д 22Вт
2SD191З
Sl-N 60В ЗА 20Вт 1ООМГц
2SDЗ50A
Sl-N 1500В 5А 22Вт
2SD1929
N-DARL+D 60В 2А 1,2Вт
2SDЗ59
Sl-N 40В 2А 1ОВт НЧ
2SD19ЗO
N-DARL 1ООВ 2А 1,2Вт В=500
2SDЗБ1
Sl-N бОВ 1,5А 1ОВт 70МГц
2SD19ЗЗ
N-DARL+D ВОВ 4А ЗОВт
'2SDЗ81
Sl-N 1ЗОВ 1,5д-20Вт бОМГц
2SD1944
Sl-N ВОВ ЗА ЗОВт 50МГц
2SDЗ82
Sl-N 1ЗОВ 1,5д 20Вт БОМГц
2SD1958
Sl-N 200В 4,5А ЗОВт 1ОМ Гц
2SDЗB6
Sl-N 200В ЗА 25Вт ВМГц
2SD1959
Sl-N 1400В 10А 50Вт
2SD400
Sl-N 25В 1А О,9Вт
2SD1978
N-DARL+D 120В 1,5А О,9Вт
2SD401
Sl-N 200В 2А 20Вт 1ОМ Гц
2SD198
Sl-N ЗООВ 1А 25Вт 45МГц
2SD414
Sl-N 120/ВОВ О,ВА 1ОВт
2SD1991
Sl-N 60В О, 1А Q,4Вт 150МГц
2SD415
Sl-N 120/100В О,ВА 10Вт
2SD1992
Sl-N ЗОВ О,5А О,6Вт 200МГц
2SD424
Sl-N" 1БОВ 15А 150Вт
2SD1994
Sl-N 60В 1А 1Вт 200МГц
2SD4З8
Sl-N 100В О,7д 0,9Вт 100МГц
2SD1996
Sl-N '25в О,5А О,БВт 200МГц
2SD4Б7
Sl-N 25В О,7д О,5Вт 280МГц
2SD200
Sl-N 1500В 2,5А 1ОВт
2SD468
Sl-N 25В 1А Q,9Вт 280МГц
2SD2006
Sl-N ВОВ О,7А 1,2Вт 120МГц
2SD471
sr-N зов 1д о.авт
2SD2007
Sl-N 40В 2А 1,2Вт 1ООМГц
2SD476
Sl-N 70В 4А 40Вт 7МГц
2SD2010
N-DARL 60В 2А 1,2Вт В> 1ООО
2SD478
Sl-N 200В 2А ЗОВт


190
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тиn прибора
Описание
25D545
51-N 25В 1,5А О,5Вт
250850
51-N 1500В ЗА 25Вт
25D549
N-DARL ЗОВ 1,5А 15Вт В>4000
25D85Б
51-N БОВ ЗА З5Вт
25D552
51-N 220В 15А 150Вт 4МГц
25DВБЗ
51-N 50В 1А О,9Вт
25D55З
51-N 70В 7А 40Вт 1ОМ Гц
25DВБ4К
N-DARL+D 120В ЗАЗОВт
25D555
51-N 400В 15А 200Вт 7МГц
25DВБ7
51-N 1ЗОВ 1Од 1ООВт ЗМГц
25D55Б
51-N 120В 15А 120Вт ВМГц
25D871
51-N+D 1500В 5А 50Вт
25D5БО
N-DARL 100В 5А ЗОВт
25D879
51-N ЗОВ ЗА О,75Вт 200МГц
25D571
51-N 6.ОВ 700мА 1Вт 11 ОМ Гц
25DBBO
51-N БОВ ЗА 30Вт О,Вмкс
25D592
51-N ЗОВ 1А О,75Вт 200МГц
25D882
51-N ЗОВ ЗА 1ОВт
25D59Б
51-N ЗОВ 0,7А 170МГц
25D889
51-N+D 1500В 4А 50Вт
25DБООК
51-N 120В 1А ВВт
25D892A
N-DARL БОВ О,5А О,4Вт В>2000
25DБО2А
51-N БОВ О,5А 0,2Вт 200МГц
25D894
N-DARL ЗОВ 1,5А 1ОВт 120МГц
25DБ12
51-N 25В 2А 1ОВт 1ООМГц
25"895
51-N 100В БА БОВт 10МГц
25DБ1З
51-N 1ООВ БА 40Вт 15МГц
25D917
51-N ЗЗОВ 7А 70Вт
25DБ17
N-DARL 120В ВА 100Вт
25D92
51-N 1ООВ ЗА 20Вт
25DБЗ7
51-N БОВ О, 1А D,4Вт 150МГц
25D921
N-DARL 200В 5А ВОВт 13>700
25DББ1
51-N З5В О, 1А D,4Вт 200МГц
25D94Б
N-DARL ЗОВ 1А
25DББ2
51-N 250В О, 1А D,6Вт 50МГц
25D947
N-DARL 40В 2А 5Вт 150МГц
25DБББ
51-N 120В О,05А 140МГц
25D951
51-N 1500В ЗА Б5Вт
25DББ7
51-N 120В 1А 140МГц
25D958
51-N 120В О,02А D,4Вт 200МГц
25DББ9А
51-N 1БОВ 1,5А 1Вт 140МГц
25D9Б5
51-N 40В 5А 0,75Вт 150МГц
25DБ7Б
51-N 1БОВ 12А 125Вт ВМГц
25D9ББ
51-N 40В 5А 1Вт 150МГц
25D712
51-N 100В 4А ЗОВт вмrц
25D9БВА
51-N 120В О,5А 1Вт 120МГц
25D717
51-N 70В 10А ВОВт 0,Змкс
25D970
N-DARL+D 120В 8А40Вт 13>1000
25D718
51-N 120В ВА ВОВт 12МГц
250972
N-DARL 50В 4А ЗОВт 13=ЗООО
25D725
51-N 1500В БА 50Вт
25D982
N-DARL 200В 5А 40Вт В=ЗООО
25D72Б
51-N 1ООВ 4А 40Вт 1ОМ Гц
25D98Б
N-DARL 150/ВОВ 1,5А 1ОВт
25D7З1
51-N 170В 7А ВОВт 7МГц
25D998
N-DARL 100В 1,5А 10Вт 13=7000
25D7З2
51-N 150В ВА ВОВт 15МГц
25J10З
Р-FЕТ 50В 2,БмА Up<2B
25D7З4
51-N 25В О,7А О,БВт 250МГц
25J109
Р-FЕТ DUAL ЗОВ
25D7Б2
51-N БОВ ЗА 25Вт 25кГц
25J11З
Р-FЕТ 100В 10А 100Вт
25D7БЗ
51-N 120В 1АО,9Вт
25J117
Р-FЕТ 400В 2А 40Вт З5нс
25D7БВ
N-DARL+D 120В БА40Вт В>1000
25J162
Р-FЕТ 1БОВ 7А 1ООВт
25D77З
51-N 20В 2А 1Вт 11ОМГц
25J174
Р-FЕТ БОВ 20А 75Вт 2З5нс
25D774
51-N 1ООВ 1А 1Вт 95МГц
25J175
Р-FЕТ БОВ 1ОА 25Вт
25D781
51-N 150В 2А 1Вт О,Бмкс
25J177
Р-FЕТ БОВ 20А 75Вт
25D78Б
51-N 40В О,ЗА 0,25Вт
25J182
Р-FЕТ БОВ ЗА 20Вт
25D787
51-N 20В 2А О,9Вт ВОМГц
25J200
Р-FЕТ 1ВОВ 1Од 120Вт
25D788
51-N 20/20В 2А О,9Вт 1ООМГц
25J201
Р-FЕТ 200В 12А 150Вт
2SD789
51-N 100/50В 1А О,9Вт ВОМГц
25JЗОБ
Р-FЕТ 250В ЗА 25Вт
25D794
51-N 70В ЗА 1ОВт БОМ Гц
25JЗО7
Р-FЕТ 250В БА 2Вт
25D795
51-N 40В ЗА 20Вт 95МГц
25JЗ5З
Р-FЕТ 60В 1,5А 1Вт
25D798
N-DARL БООВ БА ЗОВт В>1500
25J449
Р-FЕТ 250В БА З5Вт
25D799
N-DARL+D 400В БА ЗОВт
25J72
Р-FЕТ 25В ЗОМА О,БВт Uo<2B
25DBOO
51-N 750В 4А ЗОВт ВМГц
25J74
Р-FЕТ 25В 1мА Up<2B
25D809
51-N 100В 1А 10Вт 85МГц
25J77
Р-FЕТ 1БОВ О,5А ЗОВт
25D819
51-N 1500В З,5А 50Вт
25J79
Р-FЕТ 200В О,5А ЗОВт
25D820
51-N 1500В 5А 50Вт
25К1010
N-FEТ 500В БА ВОВт
25D822
51-N 1500/БООВ 7А 50Вт
25К10ЗБ
N-FEТ 250В 1А 2Вт ВОнс
25D82Б
51-N БОВ 5А 1ОВт 120МГц
25К1057
N-FEТ 140В 7А 100Вт
25D829
N-DARL+D 150В 15А 100Вт
25К1058
N-FEТ 1БОВ 7А 100Вт
25DВЗ7
N-DARL БОВ 4А 40Вт
25К107
N-FEТ 9В 20мА 250мВт
25D844
51-N 50В 7АБОВт 15МГц
25К108
N-FEТ 50В 20мА О,ЗВт


Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
191
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2SK1081
N-FEf ВООВ 7А 125Вт З80нс
2SК15ЗО
N-FEf 200В 12А 150Вт
2SK1082
N-FEf 900В 6А 125Вт
2SК15З1
N-FEf 500В 15А 150Вт
2SK1101
N-FEf 450В 1Од 50Вт
2SК15З7
N-FEf 900В 5А 100Вт 290нс
2SK1102
N-FEf 500В 1Од 50Вт 240нс
2SK1544
N-FEf 500В 25А 200Вт
2SК111З
N-FEf 120В ЗА 20Вт
2SК1Б1
N-FEf 18В О,01А О,2Вт
2SK1117
N-FEf 600В 6А 1ООВт
2SK1612
N-FEf 900В ЗА 50Вт 40/140нс
2SK1118
N-FEf 600В 6А 45Вт
2SК1БЗ
N-FEf 50В О,ОЗА D,4Вт
2SK1119
N-FEТ 1ООВ 4А 1ООВт
2SК1БЗ7
N-FEf БООВ 4А З5Вт
2SK1120
N-FEТ 1ОООВ ВА 150Вт
2SК1Б4З
N-FEf 900В 5А 125Вт
2SK117
N-FEf 50В 5мА
2SК1Б5З
N-FEТ БОВ 45А 45Вт
2SK1170
N-FEf 500В 20А 120Вт
2SК1Б8
N-FEf ЗОВ 20мА О,2Вт
2SK118
N-FEf 50В О,ЗмА О, 1Вт
2SK170
N-FEf 40В 20мА О,4Вт
2SK1181
N-FEf 500В 1ЗА 85Вт
2SК172З
N-FEf БООВ 12А 150Вт
2SK1190
N-FEf 60В 22А З5Вт
2SК18ЗЗ
N-FEf 5008 2,5А 40Вт
2SK1191
N-FEf 60В ЗОА 40Вт
2SK184
N-FEf 50В О,БмА Uo<1,5B
2SK1198
N-FEf 700В 2А З5Вт
2SK1917M
N-FEf 250В 1Од 50Вт
2SК121З
N-FEf БООВ БА 125Вт 40/85нс
2SK192
N-FEf 1ВВ ldss>ЗмA Uр<ЗВ
2SK1217
N-FEf 900В 8А 1ООВт
'2SK1924
N-FEf БООВ 6А 1,75Вт
2SK1221
N-FEf 250В 10А 80Вт
2SК19З
N-FEf-DG 15В СВЧ
2SK125
N-FEf 25В О, 1А О,ЗВт
2SK1940
N-FEf БООВ 12д.125Вт
2SK1257
N-FEf БОВ 40А 45Вт
2SK1941
N-FEf 600В 1БА 100Вт
2SK1271
N-FEf 1400В 5А 240Вт
2SK1943
N-FEf 900В 5А 80Вт
'2SK1275
N-FEf 900В 2А ЗОВт
2SK1953
N-FEf БООВ 2А 25Вт
2SК129Б
N-FEf БОВ ЗОА
2SK2038
N-FEf ВООВ 5А 125Вт
2SK1299
N-FEf 100В ЗА 20Вт
2SK2039
N-FEf 900В 5А 150Вт
2SК1З17
N-FEf 1500В 2,5А 100Вт
2SK2043
N-FEf БООВ 2А 2Вт
2SК1ЗЗ8
N-FEf 900В 2А 50Вт
2SК205Б
N-FEf ВООВ 4А 40Вт
2SК1З41
N-FEf 900В БА 100Вт
2SK2078
N-FEf ВООВ 9А 150Вт
2SК-1З42
N-FEf 900В ВА 100Вт
2SK2083
N-FEf 900В 5А 70Вт
2SК1З45
N-FEf БОВ 20А 40Вт
2SK212
N-FEf 20В О,БмА О,2Вт
2SК1З50
N-FEf 200В 15А 45Вт
2SК21З4
N-FEf 200В 1ЗА 70Вт
2SК1З51
N-FEf 500В 5А 40Вт
2SК21ЗБ
N-FEf 200В 20А 75Вт
2SК1З56
N-FEf 900В ЗА 40Вт
2SK214
N-FEf 1БОВ О,5А ЗОВт
2SК1З57
N-FEf 900В 5А 125Вт
2SK2141
N-FEf БООВ БА З5Вт
2SК1З58
N-FEf 900В 9А 150Вт
2SК21Б
. N-FEf 200В О,5А ЗОВт
2SК1ЗБЗ
N-FEf 900В ВА 90Вт
2SК21Б1
N-FEf 200В 9А 25Вт
2SК1З77
N-FEf 500В 5,5А 40Вт
2SК22З
N-FEf 80В 1,2мА О,4Вт
2SК1З78
N-FEf 400В 10А 125Вт
2SК2ЗЗЗ
N-FEf 700В БА 50Вт
2SК1З79
N-FEf 60В 50А 150Вт
2SК2З52
N-FEf БООВ БА45Вт
2SК1З88
N-FEf ЗОВ З5А БОВт
2SK240
N-FEf 40В 2,бмА Uo<1,5B
2SK1400
N-FEf ЗООВ 7А 50Вт
2SK241
N-FEf 20В FM/YKB
2SK1404
N-FEf БООВ 5А З5Вт
2SK246
N-FEf 50В 1,2мА Uр<БВ
2SK1419
N-FEf БОВ 15А 25Вт
2SK2485
N-FEf 900В БА 100Вт
2SK1420
N-FEf БОВ 25А ЗОВт
2SK2545
N-FEf бООВ БА 40Вт
2SK1444
N-FEf 450В ЗА 25Вт
2SК25Б1
N-FEf бООВ 9А 80Вт
2SK1447
N-FEf 450В 9А 40Вт
2SK2605
N~FEf ВООВ 5А 45Вт
2SК14БО
N-FEf 900В З,5А 40Вт
2SK2БЗ2LS
N-FEf 8008 2,5А ЗОВт
2SК14Б1
N-FEf 900В 5А 120Вт
2SКЗО1
N-FEf 558 20мА О,25Вт
2SК14Б2
N-FEf 900В ВА 150Вт
2SКЗОЗ
N-FEf зов О,бмА Uo<4B
2SK1502
N-FEf 900В 7А 120Вт
2SКЗО4
N-FEf ЗОВ О,БмА Uo<4B
2SK1507
N-FEf БООВ 9А 50Вт 240нс
2SКЗОАТМ
N-FEf 508 6,5МА
2SK152
N-FEf 15В 9,5мА Uo<2B
2SK315
N-FEf 208 2,5мА О,2Вт
2SK1529
N-FEf 180В 10А 120Вт
2SK320
N·FEf 4508 5А 50Вт


192
Краткие справочные д(Jнные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2SКЗЗ
N-FEТ 20В 20мА О, 15Вт
2SK792
N-FEТ 900В ЗА 1ООВт
2SКЗЗО
N-FEТ 50В 14мА О,2Вт
2SК79З
N-FEТ 850В 5А 150Вт
2SКЗЗ2
N-FEТ 40В 12мА Up=0,5B
2SК794
N-Р:ЕТ 900В 5А 150Вт
2SКЗ57
N-FEТ 150В 5А40Вт
2SK796
N-FEТ 800В ЗА 90Вт
2SКЗ59
N-FEТ 20В ЗОмА О,4Вт
2SK806
t-НЕТ 600В ЗА 50Вт
2SКЗ6З
N-FEТ 40В 5мА Up<1,2B
2SKB17
N-FEТ 60В 26А З5Вт
2SКЗ64
N-FEТ 40В 2,6мА Up<1,5B
2SК8З
N-FEТ 25В 1ОмА О, 1Вт- Up<2B
2SКЗ67
N-FEТ 1ООВ О,6мА
2SKB51
N-FEТ 200В ЗОА 150Вт
2SКЗ69
N-FEТ 40В 5мА Uo<1,2B
2SKB56
N-FEТ 60В 45А 125Вт
2SКЗ7З
N-FEТ 100В О,6мА
2SK872
N-FEТ 900В БА 150Вт
2SКЗ74
N-FEТ 55В 1мА Up<5B
2SKB75
N-FEТ 450В 12А 120Вт
2SКЗ81
N-FEТ 50В О,ЗмА О,ЗВт
2SK890
N-FEТ 200В 1Од 75Вт
2SКЗ86
N-FEТ 450В 1ОА 120Вт
2SK891
N-FEТ 1ООВ 1ВА 125Вт
2SКЗ89
2xN-FEТ 50В
2SKB99
N-F.EТ 500В 18А 125Вт
2SK40
N-FEТ 50В 6,5мА
2SK902
N-FEТ 250В ЗОА 150Вт
2SK400
N-FEТ 200В 8А 100Вт
2SК90З
N-FEТ 800В ЗА 40Вт
2SK404
N-FEТ 20В 1,2мА О,2Вт
2SK904
N-FEТ ВООВ ЗА 80Вт
2SK415
N-FEТ 8GOB ЗА 100Вт
2SK940
N-FEТ 60В О,8А О,9Вт
2SК42З
N-FEТ 1ООВ О,5А О,9Вт 25нс
2SК94З
N-FEТ 60В 25А 40Вт
2SK427
N-FEТ 15В 2,5мд Uo<1,5B
2SK951
N-FEТ ВООВ 2,5д 40Вт
2SК4ЗО
N-FEТ 150В ЗА 20Вт
2SK952
N-FEТ ВООВ О,5мА
2SК4З9
N-FEТ 20В ЗОмА О,ЗВт
2SK955
N-FEТ ВООВ 5д 125Вт
2SK511
N-FEТ 250В О,Зд 8Вт
2SK956
N-FEТ 800В 9А 150Вт
2SК51З
N-FEТ 800В ЗА 60Вт 50/120нс
2SK962
N-FEТ 900В О,5мА Up>2,5B
2SK526
N-FEТ 250В 1Од40Вт
ЗSК1З1
N-FEТ-DG 20В 25мА О,2Вт
2SК5З7
N-FEТ 900В 1А 60Вт
ЗSК60
N-FEТ-DG 15В ЗЗмд
2SК5З8
N-FEТ 9ООВ ЗА 100Вт
ЗSК7З
N-FEТ-DG 20В ЗмА
2SK544
N-FEТ 20В ЗОмА О,ЗВт
ЗSК74
N-FEТ-DG 20В 25мА О,2Вт
2SK55
N-FEТ 18В 14мА СВЧ
АС121
GE-P 20В О,ЗА О,9Вт
2SК55З
N-FEТ 500В 5А 50Вт
АС122
GE-P ЗОВ О,2А О,225Вт
2SK555
N-FEТ 500В 7А 60Вт
АС125
GE-P З2В О,2А
2SK557
N-FEТ 500В 12А 1ООВт
АС126
GE-P З2В О,2А О,SВт
2SK559
N-FEТ 450В 15А 100Вт
АС127
GE-N З2В О,5А
2SК58З
N-FEТ 50В О,2А О,6Вт
АС12В
GE-P З2В 1А 1Вт
2SK606
N-FEТ ЗОВ 20мА Uр<ЗВ
АС128/176К
GE N/P сбоока
2SK611
N-FEТ 100В 1А 100т
АС12ВК
GE-P З2В 1А 1Вт
2SK612
N-FEТ 1ООВ 2А 20Вт
АС1З1
GE-P ЗОВ 1А О,75Вт
2SK68
N-FEТ 50В О,5мА Up< 1,5В
АС1З2
GE-P З2В О,2д О,SВт
2SK685
N-FEТ 1ОООВ 5А 1ООВт
АС1З8
GE-P З2В 1,2А О,22Вт 1,5МГц
2SK701
N-FEТ 60В 2А 15Вт
АС141К
GE-N З2В 1,2А 1Вт
2SК70З
N-FEТ 1ООВ 5А З5Вт
АС151
GE-P З2В О,2А О,9Вт
2SK719
N-FEТ 900В 5д 120Вт
АС15З
GE-P З2В 2А 1Вт
2SK725
N-FEТ500B 15А 125Вт
АС15ЗК
GE-P З2В 2д 1Вт
2SK727
N-FEТ 900В 5А 125Вт
АС176К
GE-N З2В 1А 1·вт
2SК7З
N-FEТ 200В О, 1А 5Вт
дС180
GE-P З2В 1,5А О,ЗВт 1МГц
2SК7З5
N-FEТ 450В 10д 100Вт
АС187
GE-N 25В 1А 1Вт
2SК754
N-FEТ 160В 1Од 50Вт
дС187/188К
GE N/P сбоока
2SК758
N-FEТ 250В 5А 40Вт
АС187К
GE-N 25В 1А 1Вт
2SK769
N-FEТ 500В ~Од 1·00Вт
АС188
GE-P 25В 1д 1Вт
2SK786
N-FEТ 20В ЗА 50Вт
AC188k
GE-P 25В 1д 1Вт
2SK787
.N-FEТ 900В 8А 120Вт
дD1ЗЗ
GE-P 508 15А З6Вт
2SК790
N-FEТ 500В 15д 150Вт
АD1З6
GE-P 40В 10А 11Вт
2SK791
N-FEТ В50В ЗА 1ООВт
АD1З9
GE-P 32В З,5д 1ЗВт


Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
193
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
AD148
GE-P З2В З,5А 1З,5Вт
ВС327-16
Sl-P 50В О,ВА 625мВт 100МГц
AD149
GE-P 50В З,5д 27Вт
ВСЗ27-25
Sl-P 508 О,ВА 625мВт 1ООМГц
AD161
GE-N З2В 1А 6Вт
ВСЗ27-40
Sl-P 50В О,8д 625мВт 1ООМГц
AD161/162
GE N/P З2В 1А 6Вт сборка
8СЗЗ6
Sl-P 25В 50мд 0,31 Вт 50МГц
AD162
GE-P З2В 1А 6Вт
ВС337-16
Sl-N 50В О,8А 625мВт 150МГц
AD165
GE-N 25В 1А 6Вт
ВСЗЗ7-25
Sl-N 508 О,ВА 625м8т 150МГц
AD166
GE-P 60В 5А 27,5Вт
ВСЗЗ7-40
Sl-N 50В О,8А О,625Вт 150МГ't\
AF106
GE-P 25В 10мд 220МГц СВЧ
ВС368
Sl-N 20В 1А О 88т 100МГц
AF109R
GE-P 20В 12мд 260МГц СВЧ
8С369
Sl-P 20В 1А О,88т
AF118
GE-P iов ЗОмд З75мВт 125МГц
ВС376
Sl-P 25В 1А О,625Вт 150МГц
AF121
GE-P 25В 10мд 270МГц
ВС393
Sl-P 180В 1Омд40м8т
AF125
GE-P З2В 1Омд 75МГц
ВС441
Sl-N 75В 2А 1Вт
AF127
GE-P З2В 10мд 75МГц
ВС448
Sl-P 80В О,Зд 0,625Br В>100
АF1З9
GE-P 20В 1Омд 550МГц
ВС449
Sl-N 100В О,ЗА О,625Вт
AF200
GE-P 25В 10мд О, 145Вт
ВС450
Sl-P 100В О,Зд О,625Вт
AF201
GE-P 25В 10мд О, 145Вт
ВС451
Sl-N 508 О,1А О,ЗВт >150МГц
AF2З9S
GE-P 15В 1Омд 700МГц
8С461
Sl-P 758 2А 1Вт
AF279
GE-P 15В 1Омд60мВт 780МГц
8С485
Sl-N 45В 1А О,625Вт 200МГц
AF279S
GE-P 20В 10мд О,6Вт
8С487В
Sl-N 60В 1А О,6258т 200МГц
AF280
GE-P 550МГц смесит, СВЧ
ВС488
Sl-P 60В О, 1А 625м8т >135МГц
АFЗО6
GE-P 25В 15мд 60мВт 500МГц
ВС489
Sl-N 808 1А О,625Вт 200МГц
АFЗ67
GE-P 15ЗВ 1Омд ВООМГц
ВС490
Sl-P ВОВ 1А О,625Вт 200МГц
АFЗ79
GE·P 1250МГц
ВС516
P-DARL 40В О,4А О,625Вт
AL102
GE-P 1ЗОВ 6А ЗОВт
8С517
N-DARL 408 О,4А О,625Вт
AL112
GE•P 1ЗОВ 6А 1ОВт
ВС538
Sl-N ВОВ 1А О,625Вт 100МГц
ASY27
GE-P 25В О,2А О, 15Вт
8С546д
Sl-N ВОВ О,2А О,5Вт
ASY77
GE-P 60В 1А О,26Вт 500кГц
ВС5468
Sl-N ВОВ О,2А О,5Вт
ASZ15
GE-~ 1ООВ ВА ЗОВт
8С546С
Sl-N 808О,1д О,5Вт
ASZ18
GE-P 1ООВ ВА ЗОВт
8С547А
Sl-N 50В О,2А О,58т
ВС107В
Sl-N 50В О,2А о;звт 250МГц
8С547В
Sl-N 508 О,2д О,5Вт ЗООМГц
ВС107С
Sl-N 50В О,2д О,ЗВт 2_50МГц
ВС547С
Sl-N 50В О,2д 0,58т ЗООМГц
ВС109В
Sl-N ЗОВ О,2д О,ЗВт ЗООМГц
8С550В
Sl-N 50В О,2А Q,5Вт
ВС109С
SJ-N ЗОВ О,2А О,ЗВт 150МГц
ВС550С
Sl-N 508 О,2А О,5Вт
ВС117
Sl·N 120В 50мд О,ЗВт >60МГц
ВС556А
Sl-P 60В О,2АО,5Вт
ВС119
Sl-N 60В 1А О,ВВт 1ОМ Гц
ВС5568
Sl-P ВОВ О,2А О,5Вт
ВС1З5
Sl-N 45В О,2Вт >200МГц
ВС557А
Sl-P 50В О,2А О,5Вт
ВС1З6
Sl-N 60В О,5д О,ЗВт >60МГц
8С5578
Sl-P 50В О,2А О,5Вт
ВС1З9
Sl-P 40В О,5А О,7Вт
ВС557С
Sl-P 50В О,2А Q,5Вт
ВС141-10
Sl·N 100В 1А О,75Вт 50МГц
8С560В
Sl-P 50В О,2А О,58т
ВС141-16
Sl-N 100В 1А 0,75Вт 50МГц
ВС560С
Sl-P 50В О,2д О,58т
ВС142
Sl·N вов 1д о;ввт
8С618
N-DARL ВОВ 1А О,6258т В> 100
ВС14З
Sl-P 60В 1А О,7Вт
ВС6З9
Sl-N 808 1А О,ВВт 100МГц
ВС146
Sl-N 20В 50мд 50мВт 150МГц
ВС640
Sl-P ВОВ 1А О,ВВт 1ЗОМГц
ВС161-16
Sl-P 60В 1А 0,75Вт 50МГц
8СВ07-25
Sl-P 508 О,5А О,258т 58
ВС177А
Sl-P 50В О, 1д О,ЗВт 1ЗОМГц
ВС807-40
Sl-P 45В О,5А О,ЗВт 100МГц
ВС177В
Sl-P 50В 0, 1А О,ЗВт 1ЗОМГц
8С817-16
Sl-N 508 О,5А 0,25Вт
ВС177С
Sl-P 50В О, 1д О,ЗВт 1ЗОМГц
8С817-25
Sl-N 50В О,5А 0,25Вт
ВС190
Sl-N 70В О, 1д О,ЗВт 250МГц
8СВ17-40
Sl-N 50В О,5д 0,25Вт
ВС285
Sl-N 12ов·о, 1д О,Зб'Вт ВОМГц
8СВ28
Sl-P,508 О,ВА О,ВВт 1ООМГц
всзоо
Sl-N 120В О,5А 6Вт 120МГц
ВС8468
Sl-N ВОВ 0, 1А О,25Вт
всзоз
Sl-P 85В 1А 6Вт 75МГц
8С847А
Sl-N 508 О, 1д 0,28т
ВСЗ1З
Sl-P 60В 1А 4Вт 50МГц
ВС847В
51-N 50В О, 1А О,258т
ВСЗ2З
Sl-N 100В 5А О,ВВт 100МГц
8C847BR
Sl-N 50В О, 1А О,25Вт


194
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
ВС847С
Sl-N 50В О, 1А О,25Вт
ВО239С
Sl-N 1ООВ 2А ЗОВт ЗМГц
ВС849С
Sl-N ЗОВ О, 1А О,25Вт
ВО240
Sl-P 45В 2А ЗОВт
ВС850С
Sl-N 45В О, 1А О,25Вт
ВО240С
Sl-P 1008 2А ЗОВт ЗМГц
ВС85БА
Sl-P Б5В О,1А 150МГц
ВО241С
Sl-N 1ООВ ЗА 40Вт ЗМГц
ВС85БВ
Sl-P Б5В О, 1А 150МГц
ВО241 О
Sl-N 120В ЗА 40Вт ЗМГц
ВС857А
Sl-P 50В О, 1А 150МГц
ВО242С
Sl-P 1ООВ ЗА 40Вт ЗМГц
ВС857В
Sl-P 45В О, 1А О,2Вт
ВО24ЗС
Sl-N 1ООВ БА Б58т ЗМГц
BC857BR
Sl-P 45В О, 1А О,2Вт
ВО24ЗF
Sl-N 200В БА Б5Вт ЗМГц
ВС857С
Sl-P 45В О, 1А О,25Вт
ВО244С
Sl-P 1008 БА Б5Вт ЗМГц
ВС859В
Sl-P ЗОВ О, 1А О,25Вт
B0244F
Sl-P 2008 БА Б58т ЗМГц
ВС8БОВ
Sl-P 50В О, 1А
80250С
Sl-P 1008 25А 125Вт ЗМГц
ВС8БОС
Sl-P 50В О, 1А
ВО277
Sl-P 45В 7А 708т >10МГц
ВС8Б8
Sl-N 25В 1А БОМГц
ВОЗО2
Sl-P БОВ 8А 55Вт >ЗМГц
ВС8Б9
Sl-P 25В 1А 1Вт БОМ Гц
ВОЗОЗ
Sl-N БОВ 8А 558т >ЗМГц
ВС879
N-OARL 100В 1А О,8Вт
ВОЗ14
Sl-P 80В 1Од 1508т
ВС880
P-OARL 1ООВ 1А О,8Вт
ВОЗ17
Sl-N 1ООВ 1БА 2008т 1МГц
ВСРБ8
Sl-N 20В 1А 1,5Вт БОМГц
ВОЗ18
Sl-P 1008 1БА 200Вт
BCV27
N-OARL 40В О,5А О,25Вт В>100
80З29
Sl-N З2В ЗА 158т 1ЗОМГц
ВСХ17
Sl-P 50В О,5А 1ООМГц
80ЗЗО
Sl-P З2В ЗА 15Вт
BCX17R
Sl-P 50В О,5А 1ООМГц
ВОЗЗ5
N-OARL 1ООВ БА БОВт
ВСХ19
Sl-N 50В О,5А ЗООмВт 200МГц
ВОЗЗБ
P-OARL 1ООВ БА БОВт
ВСХЗ8В
N-OARL 80В О,8А 1Вт В>4000
ВОЗЗ7
N-OARL+O 1208 БА БО8т >10МГц
ВСХ5З
Sl-P 1ООВ 1А 50МГц
ВОЗБ2
Sl-P З2В ЗА 15Вт
ВСХ5Б
Sl-N 100В 1А 1ЗОМГц
ВОЗ71 в
Sl-N БО8 1,5А 2,5Вт
ВСУ59
Sl-N 45В О,2А 1Вт 250МГц
ВОЗ85
Sl-N БОВ 1А 1ОВт >250МГц
ВСУ71
Sl-P 45В О,2А О,35Вт
ВОЗ87
Sl-N 80В 1А 1ОВт >250МГц
ВСУ72
Sl-P ЗОВ О,2А О,З5Вт
ВО410
Sl-N 500В 1А 208т
ВСУ79
Sl-P 45В О,2А 1Вт 180МГц
ВО411
N-OARL 50В 2А 1О Вт 13>25000
ВС'(85
Sl-N 1ООВ О,2А О,ЗВт
ВО441
Sl-N 80В 4А ЗБ8т ЗМГц
ВО109
Sl-N БОВ ЗА 15Вт
ВО442
Sl-P 808 4А ЗБВт ЗМГц
ВО115
SJ-N 245В О, 15А О,8Вт
ВО515
Sl-N 45В 2А 1ОВт 1БОМГц
80129
Sl-N 400В О,5А 17,58т
ВО5З7
Sl-N 80В 8А 50Вт
801З1
Sl-N 70В ЗА 15Вт >БОМГц
ВО5З8
Sl-P 80В 4А 50Вт >ЗМГц
ВО1З2
Sl-P 45В ЗА 15Вт >БОМГц
ВО5З9
Sl-N 40В 5А 45Вт
ВО1З9
Sl-N 80В 1,5А 12,5Вт 50МГц
ВО54ЗС
Sl-N 1ООВ 8А 70Вт ЗМГц
ВО1З9-1Б
Sl-N 80В 1,5А 12,5Вт 50МГц
ВО545
Sl-N 40В 15А 85Вт ЗМГц
ВО140
Sl-P 80В 1,5А 12,5Вт 50МГц
ВОБЗ7
Sl-N 1ООВ 2А ЗОВт >ЗМГц
ВО140-1Б
Sl-P 80В 1,5А 12,5Вт 50МГц
ВОБЗ8
Sl-P 1ООВ 2А ЗОВт >ЗМГц
ВО141
Sl-N 140В 8А 117Вт
ВОБ48
P-OARL 808 8А Б2,58т
ВО142
Sl-N 50В 15А117Вт
ВОБ51
N-OARL 120В 8А Б2,5Вт
80159
Sl-N З75В О,5А 208т
ВОБ52
P~OARL 120В 8А Б2,5Вт
ВО1БО
Sl-N 250В 5А 25Вт
ВОБ79А
N-OARL+O 80В 4А 40Вт
ВО179
Sl-N 80В ЗА ЗОВт
ВОБ~ОА
P-OARL+О 80В 4А 40Вт
ВО180
Sl-P 80В ЗА ЗОВт >2МГц
ВОБ81
N-OARL+O 100В 4А40Вт В>75
ВО18З
Sl-N 85В 15А 117Вт
ВОБ82
P-OARL+О 1ООВ 4А 40Вт
ВО201
Sl-N БОВ 8А 55Вт
80Б8З
N-OARL 120В 4А 40Вт
ВО201 F
Sl-N БО8 8А З2Вт
ВОБ84
P-OARL 120В 4А 40Вт
B0204F
Sl-P БО/БОВ 8А БОВт > 7МГц
ВО711
Sl-N 1ООВ 12А 75Вт
ВО2ЗО
Sl-N 1008 1,5А 12,5Вт
ВО712
Sl-P 1ООВ 12А 75Вт
ВО2З1
Sl-P 1ООВ 1,5А 12,5Вт
ВО722
Sl--'P 80В 4А ЗБВт >ЗМГц
ВО2З2
Sl-N ЗООВ О,25А 7Вт
ВО74ЗС
Sl-N 11 ОВ 15А 908т >5МГц
ВО2З7
Sl-N 1ООВ 2А 25Вт ЗМГц
ВО744С
Sl-P 11 ОВ 15А 90Вт 5МГц
ВО2З8
Sl-P 100В 2А 25Вт ЗМГц
ВО750
Sl-P 1ООВ 20А 200Sт


Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
195
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
ВО751
Sl-N 1ООВ 20А 200Вт
80Х16А
Sl-P 1408 ЗА 258т 800кГц
ВО791
Sl-N 1ООВ 4А 15Вт
ВОХ20
Sl-P 1608 1Од 117Вт >4МГц
ВО792
Sl-P 100В 4А 15Вт
ВОХЗ2
Sl-N 17008 4А 408т
ВОВО1
bl-N 1ООВ ВА 65Вт >ЗМГц
80ХЗЗС
N-OARL 1008 10А 708т
ВОВ29
Sl-N 100В 1А ВВт
80ХЗ4С
P-OARL 100В 10А 70Вт
ВОВЗО
Sl-P 1ООВ 1А В Вт 75МГц
ВОХЗ7
Sl-N ВОВ 5А 15Вт З50нс
ВОВЗ9
Sl-N 458 1,5А 1ОВт 125МГц
80Х44
N-OARL+О 908 1А 5Вт 1,5мкс
ВОВ43
Sl-N 100В 1,5А 10Вт >150МГц
ВОХ47
P-OARL 908 1А 5Вт
ВОВ77
N-OARL ВОВ 1А 9Вт 200МГц
ВОХ50
Sl-N 160В 16А 150Вт >ВООкГц
ВО879
N-OARL 100В 1А 98т 200МГц
ВОХ5ЗС
N-OARL 1008 6А 60Вт 13=500
ВО8ВО
P-OARL 100В 1А 200МГц
ВОХ5ЗF
N-OARL 160В 6А 60Вт 13=500
ВО901
N-OARL+O 100В 8А 70Вт
ВОХ54С
P-OARL 1ООВ 6А 60B;r 13=500
ВО902
P-OARL 100В 8А 70Вт
80X54F
P-OARL 1608 6А 60Вт 13=500
ВО911
Sl-N 1оов 15д 9овт
80Х62С
P-OARL 120В 8А 90Вт
ВО912
Sl-P 100В 15А 90Вт
80Х6ЗС
N-OARL 140В ВА 90Вт
809З9F
Sl-N 120В ЗА 19Вт ЗМГц
ВОХ64С
P-OARL 120В 12А 117Вт 13> 1ООО
ВО941
Sl-N 140В ЗА ЗОВт ЗМГц
ВОХ65С
N-OARL 120В 12А 117Вт
ВО942
Sl-P 1408 ЗА ЗОВт ЗМГц
ВОХ66С
P-OARL 120В 16А 150Вт
ВО94З
Sl-N 22В 5А 40Вт ЗМГц
ВОХ66С
P-OARL 120В 16А 150Вт
ВО948
Sl-P 45В 5А 40Вт ЗМГц
ВОХ67С
N-OARL 120В 16А 150Вт
ВО951
Sl-N 80В 5А 40Вт >ЗМГц
ВОХ71
Sl-N 70В 10А 75Вт >О,ВМГц
ВО956
Sl-P 1208 5А 40Вт ЗМГц
ВОХ75
Sl-N 45В 16А 75Вт >О,ВМГц
ВОТ61
N-OARL+O 60В 4А 50Вт >10МГц
ВОХ77
Sl-N 100В 8А 60Вт >7МГц
ВОТ61С
N-OARL+О 120В 4А 50Вт >1 ОМ Гц
ВОХВ7С
N-OARL 1ООВ 12А 120Вт
ВОТ61 F
N-OARL+О 60В 4А
ВОХВВС
P-OARL 100В 12А 120Вт
ВОТ62С
P-OARL 1208 10А 908т 13>1000
ВОХ94
Sl-P ВОВ 8А 90Вт >4МГц
ВОТ6ЗС
N-OARL 120В 10А 90Вт 13>1000
ВОХ95
Sl-N 1ООВ ВА 90Вт >4МГц
ВОТ64С
P-OARL 1208 12А 125Вт 13>1000
ВОХ96
Sl-P 1008 8А 90Вт >4МГц
ВОТ65С
N-DARL 1208 12А 125Вт 13>1000
ВОУ20
Sl-N 1ООВ 15А 117Вт 1МГц
ВОТ85А
Sl-N 1008 15А 125Вт 20МГц
80У29
Sl-N 1ООВ ЗОА 220Вт
ВОТ86А
Sl-P 1008 15А 125Вт 20МГц
ВОУ56
Sl-N 1ВОВ 15А 115Вт >10МГц
ВОТ87
Sl-N 120В 15А 125Вт 10МГц
ВОУ5В
Sl-N 160В 25А 175Вт
ВОТ8В
Sl-P 1208 12А 1178т
80У7З
Sl-N 100В 15А 115Вт >ВкГц
ВОТ95А
Sl-N 100В 10А 908т 4МГц
80У8ЗВ
Sl-P 50В 4А З6Вт ЗМГц
ВОТ96А
Sl-P 100В 10А 90Вт 4МГц
80У90
Sl-N 120В 10А 60Вт О,З5мкс
BOV64C
P-OARL+О 120В 20А 125Вт
BF115
Sl-N - 50В ЗОмА О, 15Вт
BOV65B
N-OARL+O 100В 20А 125Вт
BF120
Sl-N 220В 50мд О,ЗВт
BOV65C
N-OARL+O 120В 20А 125Вт
BF125
Sl-N AM/FM 450МГц
BOV66C
P-OARL+О 120В 16А 2008т 7МГц
BF152
Sl-N ЗОВ О,2Вт ВООМГц
BOV660
P-OARL+O 160В 16А 200Вт
BF155
Sl-N 40В 20мд 600МГц
BOW22C
Sl-P 100В 10А 908т >ЗМГц
8F161
Sl-N 50В 20мд 550МГц
ВОW2ЗС
N-OARL+O 100В 6А 50Вт
ВF16З
Sl-N 408 20мВт 600МГц
BOW42
N-OARL 1008 15А В5Вт 13>1000
BF164
Sl-N 408 0;2Вт 600МГц
BOW46
P-OARL ВОВ 15А 85Вт 13>1000
BF166
Sl-N 408 20МА О, 1758т 500МГц
80W47
P-OARL 1008 15А 85Вт 13>1000
ВF17З
Sl-N 40В 25мд О,2ЗВт 600МГц
80W51C
Sl-N 1008 15А 125Вт >ЗМГц
BF180
SJ,N ЗОВ 20мА О, 15Вт 675МГц
ВОWВЗС
N-OARL 1008 15А 1508т
BF1B2
Sl-N 258 20мА 650МГц
80WВЗО
N-OARL+О 1208 15А 1508т
BF1B4
Sl-N 20В ЗОмА 260МГц
BOWB4C
P-OARL 1ООВ 15А 150Вт
8F1B6
Sl-N 190В О,06А О,ВВт 120МГц
BOW840
P-OARL+O 1208 15А 1508т 13>100
BF189
Sl-N ЗОВ 25мд 270МГц
BOW9ЗCF
N-OARL 1008 12А 408т
BF195
Sl-N ЗОВ ЗОмА О,22Вт 200МГц
80W94C
P-OARL 1008 12А 80Вт
BF199
Sl-N 40В 25мд О,ЗВт 550МГц
80Х11
Sl-N 1608 10А 117Вт >О,ВМГц
BF200
Sl-N ЗОВ 20мА О, 15Вт 500МГц


196
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание-
BF224
Sl-N 45В 50мд О,25Вт 450МГц
BF506
Sl-P 40В ЗОмА О,ЗВт 550МГц
BF240
Sl-N 40В 25мА О,25Вт 400МГц
BF507
Sl-N ЗОВ 20мА 0;5Вт >750МГц
BF244A
N-FEТ ЗОВ 25мд О,ЗВт
BF509
Sl-P 40В ЗОмА О,ЗВт 756МГц
BF244C
N-FEТ ЗОВ 25мА О,ЗВт
BF516
Sl-P З5В 20мд 850МГц
BF245A
N-FEТ ЗОВ 25мд О,ЗВт
BF569
Sl-P 40В ЗОмА 280мВт 850МГц
BF245B
N-FEТ ЗОВ 25мА О,ЗВт
BF585
Sl-N З50В (},05А 5Вт 70МГц
BF245C
N-FEТ ЗОВ О, 1А О,ЗВт 170МГц
BF587
Sl-N 400В О,05А 5Вт >70МГц
BF246C
N-FEТ 25В 25мд О,25Вт
BF622
Sl-N 250В О, 1А 2Вт
BF247B
N-FEТ 25В 25мд 0,25Вт
BF679
Sl-P 40В ЗОмА О, 16Вт ВВОМГц
BF247C
N-FEТ 25В 25мА О,25Вт
BF680
Sl-P 40В ЗОмА О, 16Вт 750МГц
ВF25З
Sl-N ЗОВ ЗОмА 150МГц
BF689
Sl-N 158 25мд О,2Вт 1ГГц
BF254
Sl-N ЗОВ ЗОмА О,22Вт 260МГц
BF689K
Sl-N 258 25мд О,З6Вт О,2ГГц
BF255
Sl-N 20В ЗОмА О,22Вт 200МГц
BF758
Sl-N ЗООВ О,5А 2Вт
BF256A
N-FEТ ЗОВ 7мд Vas<7,5
BF759
Sl-N З50В О,5А 10Вт
BF256B
N-FEТ ЗОВ 1ЗмА
ВF76З
Sl-N 15В 25мА О,З6Вт 1,ВГГц
BF256C
N-FEТ ЗОВ 10мд О,25Вт
BF770A
Sl-N 15В О,05А 5,5ГГц
BF259
Sl-N ЗООВ О, 1А О,8Вт 90МГц
BF791
Sl-P ЗООВ О, 1А 5Вт
BF259S
Sl-N ЗОО8О,1А О,8Вт 90МГц
BF799
SI-~ ЗОВ З5мА 280мВт ВООМГц
BF271
Sl-N 40В ЗОмА 240мВт 1ГГц
BF819
Sl-N 250В о, 1А 1',2вт
BF299
Sl-N ЗООВ О, 1А О,625Вт
BF820
Sl-N ЗООВ 25мд >бОМГц
ВFЗ16
Sl-P 550 .• . 660МГц
BF821
Sl-P ЗООВ 25мд О,З1Вт
ВFЗ24
Sl-P ЗОВ 25мА 0,25Вт 450МГц
BF840
Sl-N 40В 25мА О,28Вт ЗВОМГц
ВFЗЗ9
Sl-P 500МГц
BF844
Sl-N 450В О,ЗА 625мВт >50МГц
ВFЗ4З
Sl-P З5В З5мд О,258т >80МГц
BF859
Sl-N ЗООВ О, 1А 2,5Вт
ВFЗ57
Sl-N ЗОВ О,05А 1,6ГГц
BF871
Sl-N ЗООВ О, 1А 1,ВВт
ВFЗ62
Sl-N ВООМГц
BF872
Sl-P ЗООВ О, 1А 1,6Вт 60МГц
ВFЗ70
Sl-N 40В О, 1А О,5Вт >500Мfц
BF881
Sl-N 400В О,ОЗА >60МГц
ВFЗ77
Sl-N 15В·25мА 1,ЗГГц
BFBBЗS
Sl-N 275В О,05А 7Вт >60МГц
ВF39З
Sl-N ЗООВ О,5А О,65Вт
BF891
Sl-P 400В ЗОмА <бОМГц
BF410B
N-FEТ 20В О,7мА
BF910
N-FEТ-DG 20В 50мд О,ЗЗВт
BF410C
N-FEТ 20В 12мА УСИЛИТ
BF926
Sl-P 208 25мА З50МГц 17дБ
BF411
Sl-N 11 ОВ О,05А О,ЗВт
ВF9З9
Sl-P ЗОВ 220мА 750МГц
BF417
Sl-N ЗООВ О,2А 6Вт 50МГц
BF959
Sl-N 20В О, 1А 1, 1ГГц
BF418
Sl-P ЗООВ О,2А 6Вт 50МГц
BF960
N-FEТ-D 20В 25мА 0,ВГГц
BF419
Sl-N ЗООВ О, 1А 6Вт
BF961
N-FEТ-D 20В ЗОмА О,2ГГц
BF420
Sl-N ЗООВ О, 1А О,8ЗВт
BF964
N-FEТ-D 20В ЗОмА О,2ГГц
BF421
Sl-P ЗООВ О, 1А О,8ЗВт
BF966
N-FEТ-D 20В ЗОмА О,ВГГц
BF424
Sl-P ЗОВ 25мд ЗООМГц
BF966S
N-FEТ-D 20В ЗОмА О,2Вт О,ВГГц
ВF4З5
'S l-P 1608 О,2А О,625Вт 80МГц
BF967
Sl-P ЗОВ 20мд (}, 16Вт 9ООМГц
BF440
Sl-P 40В 25мд 250МГц
BF968
Sl-P 11 ООМГц
BF441B
Sl-P 40В 25мА 250МГц
BF970
Sl-P З5В ЗОмА О,ЗВт 1ГГц
BF450
Sl-P 40В 25мА З75МГц О 25Вт
BF979
Sl-P 20В 50мд О,ЗВт 1, 75ГГц
BF455
AM/FM 400МГц
BF980A
N-FEТ-D 18В ЗОмАСВЧ
BF459
Sl-N ЗООВ О, 1А 10Вт 90МГц
BF981
N-FEТ-D 20В 20мА СВЧ
BF462
Sl-N З50В О,5А 1ОВт 45МГц
BF982
N-FEТ-D 20В 40мд 200МГц
BF471
Sl-N ЗООВ О, 1·А 2Вт 60МГц
BF989
N-FEТ 20В ЗОмА О,2Вт
BF472
Sl-P ЗООВ ЗОмА 2Вт 60МГц
BF990A
N-FEТ-D 1ВВ ЗОмА О,2Вт
BF479
Sl-P ЗОВ 50мА О, 16Вт 1,4ГГц
BF991
N-FEТ-D 20В 20мА СВЧ
BF487
Sl-N 400В О,05А О,ВЗВт
BF992
N-FEТ 20В 40мд 0,2Вт
ВF49З
Sl-P ЗООВ О,5А О,625Вт
BF994S
N-FEТ-D 208 ЗОмА 200МГц
BF494
Sl-N 20В ЗОмА 260МГц
BF996S
N-FEТ-D 208.ЗОмА ВООМГц
BF495C
Sl-N ЗОВ ЗОмА О,ЗВт 200МГц
BF998
N-FEТ-D 12В ЗОмА 800МГц
BF496
Sl-N ЗОВ 20мд О,ЗВт 550МГц
BF999
N-FEТ 20В ЗОмА 0-,2Вт ЗООМГц


Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
197
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
BFG1З5
51-N 25В О, 15А 1Вт
BFW10
N-FEТ ЗОВ 20мА усилит
BFG198
Sl-N 20В О, 1А 1Вт ВГГц
BFW11
t-НЕТ ЗОВ 1ОмА усилит
BFG65
Sl-N 10В 50мА О,ЗВт ВГГц
BFW12
N-FEТ зов 5мА усилит
BFG94
Sl-N 15В 60мА О,7Вт
BFW16A
Sl-N 25В О,ЗА 1,5Вт 1,2ГГц
BFG96
Sl-N 20В 75мА О,7Вт ВООМГц
BFW17A
Sl-N 25В 0,ЗА 1,5Вт 1, 1ГГц
BFG97
Sl-N 20В О, 1А Q,5Вт
BFWЗO
Sl-N 1ОВ О, 1А О,25Вт 1,6ГГц
BFQ10
N-FEТ ЗОВ ЗОмА 250мВт
BFW43
Sl-P 150В О, 1А Q,4Вт 150МГц
BFQ162
Sl-N 20В О,5А ЗВт 1ГГц
BFW44
Sl-P 150В О, 1А О,7Вт 50МГц
BFQ232
Sl-N 1ООВ 0,ЗА 1ГГц
BFW92
Sl-N 15В 50мА 0,ЗВт 1,6ГГц
BFQ2З2A
Sl-N 115В О,ЗА ВООМГц
BFW92A
Sl-N 15В 25мА З,2ГГц Кw=1 ЗдБ
BFQ2З5A
Sl-N 11 SB О,ЗА ЗВт ВООМГц
BFX34
Sl-N 60В 5А О,87Вт
BFQ252
Sl-P 1ООВ О,ЗА ЗВт
BFX37
Sl-P 90В О, 1А О,36Вт 70МГц
BFQ252A
Sl-P 11 SB О,ЗА ВООМГц
ВFХЗВ
Sl-P 55В 1А.О,8Вт В>В5
BFQ255
Sl-P 1ООВ О,ЗА ЗВт 1ГГц
BFX40
Sl-P 75В 1А О,ВВт В>В5
BFQ255A
Sl-P 11 SB О,ЗА ЗВт ВООМГц
BFX48
Sl-P ЗОВ О, 1А О,36Вт
BFQ262
Sl-P 1ООВ 0,4А 5Вт 1ГГц
BFX55
Sl-N 60В О,4А 2,2Вт 700МГц
BFQ262A
Sl-P 1158 0,4А 5Вт ВООМГц
BFXB5'
Sl-N 100В 1А О,ВВт
ВFQЗЗС·
Sl,N 7В 20мА О, 14Вт 12,SГГц
BFXB9
Sl-N 15В 50мА 0,2Вт 1,ЗГГц
BFQ34
Sl-N 18В О, 15А 2,7Вт 4ГГц
BFY39
Sl-N 45В 0, 1А О,ЗВт 150МГц
BFQ4З
Sl-N 1ВВ 1,2А 4Вт 175МГц
BFY50
Sl-N ВОВ 1А О,7Вт 55/175нс
BFQ65
Sl-N 1ОВ 50мА О,ЗВт ВГГц
BFY51
Sl-N 60В 1А О,7Вт
BFQ68
Sl-N 1ВВ О,ЗА 4,5Вт 4ГГц
BFY52
Sl-N 40В 1А О,8Вт 1ООМГц
BFR29
N-FEТ ЗОВ 10мА Up<4B
BFY56
Sl-N 60В 1А.О,8Вт
BFRЗ5AP
Sl-N 12В ЗОм1\ 4,9ГГц К..=14дБ
BFY64
Sl-P 40В О,6А О,1Вт
BFRЗ6
Sl-N 40В 200мА О,8Вт 1,ЗГГц
BFYBB
Sl-N 25В 25мА 850МГц
BFRЗ7
Sl-N ЗОВ 50мА О,25Вт 1,4ГГц
BFY90
Sl-N 15В 25мА 2ГГц Кw=ВдБ
BFRЗB
Sl-P 40В 20мА О,2Вт 1ГГц
BGXBB5N
ВбОМГц 17дБ УСИЛИТ, для КАТВ
BFRЗ9
Sl-N 90В 1А О,ВВт >100МГц
BGYBB
450МГц 35дБ усилит, для КАТВ
BFR40
Sl-N 708 1А О,ВВт >100МГц
BGYB9
450МГц ЗВдБ УСИЛИТ, для КАТВ
BFR79
Sl-P 90В 1А О,ВВт >100МГц
BLW32
Sl-N 50В О,65А 1ОВт З,5ГГц
BFR84
N-FEТ-D 20В 50мА О,ЗВт
BLW60C
Sl-N 1ВВ 9А 100Вт 650МГц
BFR90
Sl-H 15В ЗОмА 5ГГц К..=19,5дБ
BLX15
Sl-N 11 ОВ 6,5А 195Вт 275МГц
BFR90A
Sl-N 15В ЗОмА 5,5ГГц Кш=16дБ
BLYB7C
Sl-N 36В 1,53А 20Вт 175МГц
BFR91
Sl-N 12В 50мА5ГГц К..=1ВдБ
BLYBBC
SJ-N 1ВВ ЗА 36Вт 850МГц
BFR91A
Sl-N 12В 50мА 6ГГц Кш=14дБ
BLYB9C
Sl-N 18В 6А 73Вт ВООМГц
BFR92
Sl-N 15В ЗОмА 5ГГц Кш=19,5дБ
BLY93C
Sl-N 65В 2А 25Вт 175МГц
BFR92A
Sl-N 15В ЗОмА 5,5ГГц Кw=16дБ
BLY94
Sl-N 658 6А 50Вт 175МГц
BFR92R
Sl-N 15В ЗОмА 5ГГц
BS107
N-FEТ 200В О, 13А О,ВВт
BFR9ЗA
Sl-N 15В 50мА 6ГГц Кш=14дБ
BS108
N-FEТ 200В О,23А О,ВВт
BFR95
Sl-N 25В О, 15А 1,5Вт 3,5ГГц
BS170
N-FEТ 60В О,ЗА О,ВВт
BFR96
Sl-N 15В 75мА 5ГГц К..=16дБ
BS208
Р-FЕТ 200В О,2А О,ВВт
BFR96S
Sl-N 15В О, 1А 5,5ГГц Кш=11дБ
BS250
P-FE 'F 45В 0, 1ВА О,83Вт
BFS17
Sl-N 15В 25мА 1ГГц
BSN254A
N-FП 250В О,ЗА 1Вт
BFS19
Sl-N ЗОВ ЗОмА 260МГц
BSN274
N-FEТ 270В О,25А 1Вт
BFS20
Sl-N ЗОВ 25мА 450МГц
BSN304
N-FEТ ЗООВ О,25А 1Вт
BFS22A
Sl-N ЗВ О, 75А 4Вт 175МГц
BSR1<t
SJ-N 75В О,ВА <35/285нс
BFS23A
Sl-N З6В О,5А 4,5Вт 500МГц
BSR31
Sl-P 7 .QB 1А В>100
ВFТ25
Sl-N ВВ 6,5мА 50мВт 500МГц
BSR50
N-DARL 60В 2А·О,8Вт 350МГц
ВFТ4З
Sl-N ·125/1 ООВ 1А 0,8Вт
BSR60
P-DARL 45В 1А О,ВВт
ВFТ45
Sl-P 250В О,5А О,75Вт 70МГц
BSS123
N-FEТ 100В О ПА 13/29нс
ВFТ66
Sl-N 15В ЗОмА 4,5ГГц Кш=12дБ
вssзв
Sl-N 120В О, 1А О,2Вт
вmg
Sl•P 90В 1А О,ВВт >100МГц
BSS44
Sl-P 65В SA 5Вт
ВFТ95
Sl,P 15В 25мА З,6-5ГГц
BSS52
N_-DARL ~gов ~1~.О&~т ---- ·-= -- = == "


198
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
8SS6B
Sl-P 60/40В О,ВА <50/11 Онс
BU2525AX
Sl-N 1500В 12А 45Вт О,2мкс
8SSB9
N-FEf 240В О,ЗА 1Вт
BU2525D
Sl-N+D 1500В 12А О,2мкс
BSS91
N-FEf 200В О,35А 1,5Вт
BU2527AF
Sl-N 1500В 12А 45Вт О,2мкс
BSS92
P-FEf 200В О, 15А 1Вт
BU2527AX
Sl-N 1500В 12А 45Вт О,2мкс
BSV52
Sl-N 20В О, 1А 225мВт 400МГц
BU2722AF
Sl-N 1700В 1Од 45Вт
BSVBO
N-FEf 40В 10мд О,З5Вт
ВUЗ12
Sl-N 2ВО/150В 6А 25Вт
BSVB1
N-FEf ЗОВ 50мд О,2Вт
ВUЗ25
Sl-N 200/200В ЗА 25Вт
BSW43
Sl-N 60В О,2А О,ЗВr 13>180
ВUЗ26А
Sl-N 900В 6А 75Вт
BSW6BA
Sl-N 150В 2А 5Вт 1ЗОМГц
BU326S-RFТ
Sl-N 800/4008 6А 60Вт
BSWB5
Sl-N 75В О,5А О,5Вт 250МГц
BU406
Sl-N 400В 7А 65Вт О,75мкс
BSX20
Sl-N 40В О,5А ,36Вт 7/1 Вне
BU406D
Sl-~+D 400В 7А 65Вт О,75мкс
BSX26
Sl-N 40В О,5А 0,З6Вт
BU407
Sl-N 3ЗОВ 7А 65Вт 0,75мкс
BSX29
Si-P . 12В О,2А О,З6Вт 25/З5
BU407D
Sl-N+D З30В 7А 65Вт 0,75мкс
ВSХЗ2
Sl-N 65В 1А О,ВВт З5/40нс
BU409D
Sl-N+D 250В 7А 60Вт
BSX47
Sl-N 120В 1А 5Br
BU412
Sl-N+D 2ВОВ ВА
BSX52
Sl-N 258 О,2А О,ЗВт 13>180
BU413
Sl-N ЗЗОВ 1Од 60Вт
BSX59
Sl-N 45В 1А О,8Вт
BU414B
Sl-N+D 900В ВА 60Вт
вsхвв
Sl-N 40В О,5А О,36Вт
BU415A
Sl-N ВООВ 12А 120Вт
BSY56
Sl-N 120В О,5А О,ВВт 100МГц
BU415B
Sl,N+D ВООВ 12А 120Вт
BTS121A
N-FEf 1ООВ 22А 95Вт
BU426A
Sl-N 900В 6А 114Вт
BU106
Sl-N З25В 10А 50Вт
BU426E
Sl-N ВООВ 6А 70Вт
BU107
Sl-N 300В 1Од 50Вт
BU426V
Sl-N ВОО/З75В 6А 70Вт
BU109
Sl-N 330В 1Од 85Вт
ВU4ЗЗ
Sl-N 375В 6А 70Вт
BU110
Sl-N 150В 1Од 30Вт 15МГц
BU500
Sl-N 15008 6А 75Вт
BU124A
Sl-N 400В 1Од 50Вт 6МГц
BU500D
Sl-N+D 1500/700В 6А 758т
8U125
Sl-N 1ЗО/60В 5А О,8Вт 1ООМГц
BU505
SJ-N 150QB,2,5A 75Вт О,9мкс
8U12B
Sl-N ЗОО/200В 1Од 62Вт
BU505D
Sl-N+D 1500В 2,5А 75Вт
ВU1ЗЗ
Sl-N 750/250В ЗА 30Вт
BU505DF
Sl-N+D 1500В 2,5А 20Вт
BU1506DX
Sl-N+D 1500В 5А 32Вт О,5мкс
BU506
Sl-N 700В 5А 100Вт
BU150BAX
Sl-N 1500В ВА 35Вт О,6мкс
B0506D
Sl-N+D 700В 5А 1ООВт
BU150BDX
Sl-N+D 1500В ВА З5Вт О,6мкс
BU506DF
Sl-N+D 1500!3 5А 20Вт
BU180A
Sl-N+D 400В 10А
BU50BA
Sl-N 1500В ВА 125Вт 0,7мкс
BU1BOE
N-DARL 1500В 5А 12Вт
BU508A
Sl-N 1500В ВА 1258т О,7мкс
BU189
N-DARL 330В ВА 60Вт
BU50BA
Sl-N 1500В ВА 125Вт 0,7мкс
BU208A
Sl-N 1500В ВА 150Вт
BU50BAF
Sl-N 1500В ВА 34Вт О,7мкс
BU208B
Sl-N 700В 5А 80Вт 7МГц
BU50BAF
Sl-N 1500В ВА З4Вт О,7мкс
BU208D
Sl-N+D 1500В ВА 150Вт
8U50BAF
Sl-N 1500В ВА 34Вт 0,7мкс
BU209
St-N 1700В 4А 12,5Вт
BU50BD
Sl-N+D 1500В ВА 125Вт О,7мкс
BU226
Sl-N 2ооов 1,5д 1авт
BU50BD
Sl-N+D 1500В ВА 125Вт О,7мкс
BU2506DF
Sl-N+D 1500В 5А 45Вт О,4мкс
BU50BDF
Sl-N+D 1500В ВА З4Вт О,7мкс
BU2506DX
Sl-N+D 1500В 5А 45Вт О,4мкс
BU50BDF
Sl-N+D 1500В ВА 34Вт О, 7мкс
BU2508A
Sl-N 15008 ВА 125Вт 0;4мкс
BU50BDR
Sl-N+D 1500В ВА 125Вт
BU2508AF
Sl-N 15ООВ _ВА 45Вт О,4мкс
8U522
N-DARL 400/З75В 7А 75Вт
BU2508AX
Sl-N 1500В ВА 45Вт О,4мкс
BU526
Sl-N ВООВ ВА В6Вт
BU2508D
Sl-N+D 1500В ВА 125Вт О,4мкс
ВU5З6
Sl-N 1100В ВА 62Вт
BU2508DF
Sl-N+D 1500В ВА 45Вт О,4мкс
BU546
Sl-N 1350В 6А 100Вт
8U250BDX
Sl-N+D 15008 ВА 45Вт О,4мкс
BU603
Sl-N 1350В 5А 100Вт О,7мкс
BU2520AF
Sl-N 1500В 1Од45Вт О,2мкс
BU606D
Sl-N+D 400В 7А 90Вт
BU2520AX
Sl-N 1500В 1Од45Вт О,2мкс
BU60B
Sl-N 400В 6А 908т
BU2520DF
Sl-N+D 1500В 1Од 45Вт О,35мкс
BU608D
Sl-N+D 400В 7А 90Вт
BU2520DX
Sl-N+D 1500В 1Од 45Вт 0,З5мкс
BU626A
Sl-N 1ОООВ 1Од 1ООВт
BU2525A
Sl-N 1500В 12А О,2мкс
BU705
Sl-N 1500В 2,5А 75Вт О, 7мкс
BU2525AF
Sl-N 1500В 12А45Вт0,2мкс
BU706DF
Sl-N+D 1500В 5А 32Вт 0,7мкс


Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
199
'
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
8U706F
Sl-N 15008 5А 328т О,7мкс
8US4aд
Sl-N 10008 15А 1758т
8Ua01
Sl-N+D 6008 ЗА 408т
8US4aдP
SI-N 10008 15А 1258т
8Ua06
N-DARL+D 4008 ад 608т О 35мкс
8US9aд
Sl-N 4508 ЗОА 2508т
8Ua06FI
Sl-N+D 4008 ад
8UT11A
Sl-N 10008 5А 1008т О,амкс
8UaOaDF
N-DARL+D 1500/7008 5А 508т
8UT11A
SI-N 10008 5А 1008т О,амкс
8Ua10
N-DARL+D 6008 7А 758т
8UT11AF
SI-N 15008 5А 208т О,амкс
8Ua24
N-DARL+D 6508 О,5А
8UT12A
Sl-N 10008ад1258тО,амкс
8Ua26
N-DARL+D аОО8 6А 1258т О,2мкс
8UT12AF
Sl-N 10008 ад 238т О,амкс
8Ua26A
N-DARL+D 9008 БА 1258т О,2мкс
8UT13
N-DARL+D 4008 2ад 1758т
8U920P
N-DARL350810А1208т
8UТ1ад
Sl-N 1000/4508 6А 1108т
8U921P
Sl-N. 400/4508 1Од 1208т
8UT1aдF
SI-N 10008 6А 338т О,амкс
8U931
Sl-N 5008 15А 1758т
8UTЗOV
Sl-N 200/1258 1ООА 2508т
8U931Т
Sl-N 4508 1Од 1258т
8UT34
N-DARL+D а508 50А 2508т
8U932
N-DARL 5008 15А 1758т
8UТ5БА
SI-N 10008 ад 1008т
8U932P
N-DARL 5008 15А 1258т
8UT57
N-DARL +D 4008 15А 1108т
8U941P
N-DARL5008 15А 1508т
8UТ70
Sl-N 2008 40А 2008т
8U941ZP
N-DARL 3508 15А 1508т
8UТ72
Sl-N 4008 40А 2008т
8UF405A
Sl-N 1000/4508 7,5А аО8т
8UТ7БА
Sl-N 10008 1Од 1008т О,амкс
8UF405AF
SI-N 10008 7,5А
8UT90
Sl-N 2008 50А 2508т
8UF410
Sl-N а508 15А 1258т
8UT92
SI-N 350/2508 50А 2508т
.8U H1015
Sl-N 1500814А1608т0,11мкс
8UT93
Sl-N БОО8 4А 558т 9МГц
8UH1015HI
Sl-N 15008 14А 708т О, 11 мкс
8UV1a
SI-N 1208 47А 2508т 1,5мкс
8UH1215
Sl-N 15008 19А2008т0,11мкс
8UV20
Sl-N 1608 50А 2508т 1,5мкс
8UH315
SI-N 15008 5А 508т
8UV21
SI-N 250/2008 40А 2508т
8UH315D
Sl-N+D 1500/7008 5А 508т
8UV23
SI-N 3258 40А 2508т
8UH515
Sl-N 15008 ад БО8т З,9мкс
8UV24
Sl-N 4008 ЗОА 2508т
8UH515D
Sl-N+D 1500ПОО8 ад 608т
8UV25
SI-N 5008 20А 2508т
8UH517
Sl-N 17008 ад 608т З,9мкс
8UV26
SI-N 1аО814да58т 1,амкс
8UH517D
Sl-N+D 17ООПОО8 ад 608т
8UV2M
Sl-N 2008 20А а58т
8UH715
SI-N 15008 1Од 608т
8UV27
Sl-N 2408 12А 658т 40нс
8UК4ЗБ/аОО8 N-FEТ аОО8 4А 1258т
8UV2a
SI-N 4008 10А 658т 40нс
8UK437/4008 N-FEТ 4008 14А 1аО8т
8UV2aд
SI-N 4508 1Од Б5Вт 40нс
8UК437/Б008 N-FEТ 600В 9А 1ао8т
8UV46A
SI-N 1000/4508 6А а58т
8UK43a/a008 N-FEТ аОО8 7,БА 2208т
8UV4aд
Sl-N 10008 15А 1508т О,амкс
8UK443/608
N-FEТ 608 1ЗА 258т
BUV4aAF
SI-N 10008 15А Б58т
8UK444/a008 N-FEТ аОО8 1,2А З08т
8UV4aC
SI-N 1200ПОО8 15А 1508т
8UК445/Б008 N-FEТ БОО8 2,2А 308т
8UV48CF
SI-N 12008 15А 658т
8UK446/a008 N-FEТ аОО8 2А 308т
8UV50
SI-N 2508 25А 1508т
8UK454taOOA
N-FEТ аОО8 2А 758т
8UV5БA
Sl-N 10008 1Од 708т
8UК455/Б008 N-FEТ 6008 4А 1008т
8UV61
SI-N 3008 50А 2508т
8UК45Б/2008 N-FEТ 2008 19А 1508т
8UV70
Sl-N 1300/5508 1Од 1408т
8UK456/60A
N-FEТ БО8 52А 1508т
8UV90
N-DARL+D 6508 10А 1258т
8UК45Б/аООА N-FEТ аОО8 4А 1258т
8UV93
Sl-N 600/3508 2А 158т 12МГц
8UК555/Б08
N-FEТ 608 35А 1258т
8UV96A
Sl-N 10008 30А 1508т 5МГЦ
8UL310
SI-N 10008 5А 758т ,О,4мкс
BUW11A
SI-N 10008 5А 1008т О,8мкс
8UL310PI
SI-N 10008 5А 358т О,4мкс
8UW11AF
SI-N 10008 5А 32Вт О,8мкс
8UL45
' s1-N 4008 5А 758т 12МГц
8UW12
Sl-N а5О8 8А 1258т О,амкс
8UL54A
SI-N 10008 4А 658т 20МГц
BUW12A
Sl-N 10008 ад 1258т О,амкс
8ULa10
Sl-N 1000815А1258т
8UW12F
Sl-N а508 8А 348т О,амкс
8UR51
Sl-N 300/2008 60А 3508т
8UW13
Sl-N 8508 15А 1758т О,8мкс
8UR52
Sl-N 350/2508 БОА 3508т
BUW13A
Sl-N 10008 15А 1758т О,амкс
8US14A
SI-N 1000/4508 ЗОА 2508т
8UW23
Sl-P 4508 10А 1258т <300нс
8US23
Sl-N 3008 15А 1758т
8UW26
Sl-N 8008 1Од 125Вт 20МГц


200
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тиn nрибора
Оnисание
Тиn nрибора
Оnисание
8UW42
Sl-P 4008 15А 1508т
8UZ14
N-FEГ 508 39А 1258т
8UW4B
Sl-N 1208 ЗОА 1508т 1,5мкс
8UZ15
N-F~ 508 45А 1258т
8UW49
Sl-N 1608 ЗОА 1508т
8UZ171
Р-FЕГ 508 8А 408т
8UW50
Sl-N 2508 25А 1508т
8UZ21
N-FEГ 1008 21А
8UW72
Sl-N 4508 1Од 1008т
8UZ215
N-FEГ 5008 5А 758т
8UW81A
N-DARL 8008 10А ВОВт
8UZ22
N-FEГ 1008 34А 1258т
8UWB4
Sl-N 8008 2А 508т О,4мкс
8UZЗOA
N-FEГ 2008 7А 758т
8UWB5
Sl-N 10008 2А 508т О,4мкс
8UZ310
N-FEГ 10008 2,5А 758т
8UX10
Sl-N 1608 25А 150Вт 1,5мкс
8UZ325
N-FEТ 4008 12,5А 1258т
8UX12
Sl-N 3008 20А 1508т
8UZ326
N-FEГ 4008 1О,5А 1258т
8UX13
Sl-N 4008 15А 1508т >ВМГц
8UZ330
N-FEГ 5008 9,5А 1258т
8UX20
Sl-N 1608 50А 3508т 1,5мкс
8UZ332
N-FEГ 6008 8,5А 1508т
8UX22
Sl-N 3008 40А 2508т
8UZ332A
N-FEГ 6008 8А 1508т
8UX23
Sl-N 400/3258 ЗОА 3508т
8UZ338
N-FEГ 5008 1З,5А 1808т
8UX24
Sl-N 450/4008 20А 3508т
8UZ341
N-FEГ 2008 ЗЗА 1708т
8UX328
Sl-N 10008 ВА 1508т
8UZ345
N-FEГ 1008 41А 1508т
8UX37
N-DARL4008 15АЗ58т
8UZ349
N-FEГ 1008 32А 1258т
8UX39
Sl-N 120/908 ЗОА 1208т ВМГц
8UZ380
N-FEГ 10008 5,5А 1258т
8UX40
Sl-N 1608 20А 1208т 1,2мкс
8UZ384
N-FEГ 5008 1О,5А 1258т
8UX41
Sl-N 2508 15А 1208т
8UZ50A
N-FEГ 10008 2,5А 758т
8UX41N
Sl-N 220/1608 1ВА 1208т
8UZ71
N-FEГ 508 1ВА 808т
8UX42
Sl-N 3008 12А 1208т
8UZ71AF
N-FEГ 508 11А 358т
8UX4BA
Sl-N 1OQ08 15А 1758т О,Вмкс
8UZ72A
N-FEГ 1008 11А
8UX51
Sl-N 300/2008 З,5А 108т
8UZ72AF
N-FEГ 1008 10А 408т
8UX54
Sl-N 4508 2А 108т >8МГц
8UZ73
N-FEГ 2008 7А 408т
8UX55
Sl-N 4508 2А 108т 8МГц
8UZ73A
N-FEГ 2008 5,ВА 408т
8UX66
Sl-P 200/1508 2А 358т >20МГц
8UZ90
N-FEГ 6008 4,5А 708т
8UX77
St-N 1008 5А 408т >2,5МГц
8UZ900
N-FEГ 1608 8А 1258т
8UX80
Sl'N 8008 10А 1008т
8UZ901
N-FEГ 2008 ВА 1258т
8UX81
Sl-N 10008 10А 1008т
8UZ905
Р-FЕГ 1608 ВА 1258т
8UX82
Sl-N 8008 6А 608т
8UZ906
Р-FЕГ 2008 8А 1258т
8UX84
Sl-N 8008 2А 408т О,4мкс
8UZ90A
N-FEГ 6008 4А 758т
8UX85
Sl-N 10008 2А 408т О,4мкс
8UZ90AF
N-FEГ 6008 4,ЗА 758т
8UX85F
Sl-N 10008 2А 188т О,4мкс
8UZ91A
N-FEГ 6008 8А 1508т
8UX86P
Sl-N 8008 О,5А 208т О,4мкс
8UZ93
N-FEГ 6008 З,6А 808т
8UX87
Sl-N 10008 О,5А 208т О,4мкс
D44H11
Sl-N 808 10А 508т 50МГц
8UX87P
Sl-N 10008 О,5А 208т О,4мкс
D44H8
Sl-N 608 10А 508т
8UX88
Sl-N 15008 12А 1608т 7МГц
D45H11
Sl-N 808 10А 508т О,5мкс
8UX98A
Sl-N 4508 ЗОА 2508т
DTA114EK
Sl-P 508О,1А О,28т
8UX98C
Sl-N 12008 ЗОА 2508т 5МГц
R= 1ОкОм/1 ОкОм
8UY18S
Sl-N 80/408 1ОА 208т
DTA114ES
Sl-P 508О,1А R=10к0м/10к0м
8UY47
Sl-N 150/1208 7А 108т 90МГц
DTA114TL
Sl-P 508О,1А R=10к0м
8UY49P
Sl-N 2508 ЗА 108т
DTA114YL
Sl-P 508 О, 1А R= 1Ок0м/47к0м
8UY49S
Sl-N 2508 ЗА 108т 50МГц
DTA124ES
Sl-P 508Q,1А R=22к0м/22к0м
8UY69A
Sl-N 10008 10А 1008т 1мкс
DTA124XS
Sl-P 508О,1А R=22к0м/47к0м
8UY70A
Sl-N 1000/4008 10А 758т
DTA143EK
Sl-P 508О,1А О,28т
8UY71
Sl-N 22008 2А 408т
R=47к0м/47к0м
8UY72
Sl-N 280/2008 1Од 608т
DTA143ES
Sl-P 508О,1А R=4,7к0м/4,7к0м
8UY89
St-N 15008 6А 808т
DTA144EK
Sl-P 508О,1А О,28т
8UZ10
N-FEГ 508 20А 808т
R=47к0м/47кОм
8UZ100
N-FEГ 508 60А 2508т
DTA144ES
Sl-P 508О,1А R=47к0м/47к0м
8UZ11
N-FEГ 508 36А
DTA144TS
Sl-P 508О,1А О,38т R=47к0м
8UZ11A
N-FEГ 508 27А 908т
DTC114ES
Sl-N 508О,1А R=10к0м/10к0м


Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
201
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
DTC114TS
Sl-N 50В О, 1А R=tОкОм
IRF9620
Р-FЕТ 200В З,5А 40Вт
DTC114YS
Sl-N 50В О, 1А R=10к0м/47к0м
IRF96ЗO
Р-fЕТ 200В 6,5А 75Вт
DTC124EK
Sl-N 50В О, 1А О,2Вт R=22к0м/22к0м
IRF9640
Р-FЕТ 200В 11 А 125ЕП
DTC124ES
Sl-N 50В О, 1А R=22к0м/22к0м
IRFBCЗO
N-FEТ 600В З,9А 100Вт
DTC143EK
SH( 50В О, 1А О,2Вт R=4,7к0м/4,7к0м
IRFBC40
N-FEТ 600В 6,2А 125Вт
DTC143ES
Sl-N 50В О, 1А R=4, 7к0м/4,7к0м
IRFBEЗO
N-FEТ 800В 4, 1А 125Вт
DTC14ЗTS
Sl-N 50В О, 1А R=4,7к0м
IRFD120
N-FEТ 1ООВ 1,ЗА 1,ЗВт
DT'C14ЗXS
Sl-N 50В О, 1А О,ЗВт R=4,7к0м/1к0м
IRFD9120
Р-FЕТ 100В 1А 1,ЗВт
DTC144EK
Sl-N 50В О, 1А 0,2Вт R=47к0м/47к0м
IRFD9220
Р-FЕТ 200В О,6А 1Вт
DTC144ES
Sl-N 50В О, 1А R=47к0м/47к0м
IRFF120
N-FEТ 1ООВ 6А 20Вт
DTC144EU
Sl-N 50В О, 1А О,2Вт R=47к0м/47к0м
IRFP054
N-FEТ 60В 70А 2ЗОВт
DTC144TS
Sl-N 50В О, 1А О,ЗВт R=47к0м
IRFP064
N-FEТ 60В 70А ЗООВт
DTC144WS
Sl-N 50В О, 1А О,2Вт R=47к0м/22к0м
IRFP140
N-FEТ 1ООВ З1А 180Вт
ESM6045DV
N-DARL+D 450В 84А 250Вт
IRFP150
N-FEТ 100В 40А 180Вт
FТ5754М
DARL, матрица
IRFP240
N-.FEТ 200В 20А 150Вт
FТ5764М
DARL, матрица
IRFP250
N-FEТ 200В ЗЗА 180Вт
GD24З
GE-P 65В ЗА 1ОВт
IRFPЗ40
N-FEТ 400В 11А 150Вт
GT20D101
N-IGBT 250В 20А 180Вт
IRFPЗ50
N-FEТ 400В 18А 250Вт
GT20D201
P-IGBT 250В 20А 250Вт
IRFPЗ60
N-FEТ 400В 28А410Вт
H6N80
N-FEТ 800В 4,2А 170Вт
IRFP450
N-FEТ 500В 14А 180Вт
HPA100R
Sl-N+D 1500В 1Од 150Вт 0,2
IRFP460
N-FEТ500B 25А410Вт
HPA150R
Sl-N+D 1500В 15А 180Вт 0,2
IRFP9140
Р-FЕТ 1ООВ 19А 150Вт
IR240З
.DA RL , матрица, 7х45В О,4А
IRFP9240
Р-FЕТ 200В 12А 150Вт
IR2422
DARL, матрица
IRFPC40
N-FEТ 600В 6,8А 150Вт
IRF120
N-FEТ 100В 9,2А 60Вт
IRFPC50
N-FEТ 600В 1ЗА 250Вт
IRF140
N-FEТ 100В 28А 150Вт
IRFPE40
. N-FEТ 800В 5,4А 150Вт
IRF2ЗO
N-FEТ 200В 9А 75Вт
IRFPE50
N-FEТ 900В 7,8А 190Вт
IRF240
N-FEТ 200В 18А 125Вт
IRFPF40
tИЕТ 900В 4,7А 150Вт
IRF250
. N-FEТ 200В ЗОА 150Вт
IRFPF50
N-FEТ 900В 6,7А 190Вт
IRFЗЗO
N-FEТ 400В 5,5А 75Вт
IRFR9024
Р-FЕТ 60В 9,6А 50Вт О,28Вт
IRFЗ40
N.-FEТ 400В 1Од 125Вт
IRFZ20
N-FEТ 50В 15А 40Вт
IRFЗ50
N-FEТ 400В 1ЗА 150Вт
IRFZ44
N-FEТ 60В 46А 250Вт
IRF440
N-FEТ 500В 8А 125Вт
IRFZ48
N-FEТ 60В 50А 250Вт
IRF450
N-FEТ 500В 1ЗА 150Вт
IП901ЗG
Sl-N ЗОВ О,5А 100МГц
IRF520
N-FEТ 100В 10А 70Вт
J111
N-FEТ 40В 50мд Q,4Вт
IRF5ЗO
N-FEТ 1ООВ 16А 90Вт
JЗОО
N-FEТ 25В 6мА О,З5Вт
IRF540
N-FEТ 1ООВ 28А 150Вт
JЗО9
N·FEТ 25В ЗОмА Up<4B СВЧ
IRF6ЗO
N-FEТ 200В 9А 75Вт
JЗ10
N-FEТ 25В 60мА Up<6,5B СВЧ
IRF640
N-FEТ 200В 18А 125Вт
KSA708
Sl-N 80В О,7А О,8Вт 50МГц
IRF644
N-FEТ 250В 14А 125Вт
КSА7ЗЗ
Sl-P 60В О, 15А О,25Вт 50МГц
IRF7ЗO
N-FEТ 400В 5,5А 1ООВт
КSС2З16
Sl-N 120В О,8А О,9Вт 120МГц
IRF740
N-FEТ 400В 10А 125Вт
КSС2З28А
Sl-N ЗОВ 2А 1Вт 120МГц
IRF740F
N-FEТ 400В 5,5А 40Вт
КSС2ЗЗО
Sl-N ЗООВ О, 1А 50МГц
IRF820
N-FEТ 500В ЗА 75Вт
КSС2ЗЗ1
Sl-N 80В 0,7А 1Вт ЗОМГц
IRF830
N-FEТ 500В 4,5А 100Вт
КТА1273
Sl-P ЗОВ 2А 1Вт 120МГц
IRF830F
N-FEТ 500В ЗА 35Вт
КТСЗ198
Sl-N 60В О, 15А D,4Вт 1ЗОМГц
IRF840
N-FEТ 500В 4,5А 40Вт
КТС9012
Sl-P ЗОВ О,5А О,625Вт
IRF840F
N-FEТ 5008 4,5А 40Вт
IRF9140
P-FEr'1ООВ 19А 125Вт
КТС901З
Sl-N ЗОВ О,5А О,625Вт
КТС9014
Sl-N 50В О, 15А О,6.25Вт
IRF9240
Р-FЕТ 200В 11А 125Вт
КТС9015
Sl-P 50В·О, 15А О,625Вт
IRF9530
Р-FЕТ. 1ООВ 12А 88Вт
КТС9018
Sl-N ЗОВ 20мд О,2Вт 500МГц
IRF9540
Р-FП 100В 19,Од.150Вт
КТD1351
Sl-N 60В ЗА ЗОВт ЗМГц
IRF9610
Р-FЕТ 200В 1, 75А 20Вт
М54661Р
4х транз., матрица+диод 1 5А


202
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
МдТО2FН
2x81-N 40В 20мд О,5Вт 450МГц
MJW16018
81-Р 800В 10д 150Вт ЗМГц
MGF1З02
N-FEТ 6В О, 1д О,ЗВт 4ГГц
MJW16206
81-N 1200В 12А 150Вт ЗМГц
MJ10001
N-DдRL+D 500В 20д 175Вт
MJW16212
81-N 650В 10д 150Вт
MJ10005
N-DдRL+D 500/400В 20д 175Вт
MPF102
N-FEТ 25В 2мд Up<8B
MJ1001
N-DдRL 80В 8д 90Вт
МР8З640
81-Р 12В 80мд 6З5мВт 500МГц
MJ10012
N-DдRL+D 600В 1Од 175Вт
МР8д06
81-N 80В О,5д О,625Вт
MJ10016
N-DдRL+D 500В 50д 250Вт 1мкс
МР8д10
81-N 40В О, 1д 0,21 Вт 50МГц
MJ11015
P-DдRL 120В ЗОд 200Вт
МР8д12
N-DдRL 20В О,5д О,625Вт
-
MJ11016
N-DдRL 120В ЗОд 200Вт
МР8д14
81-N ЗОВ О,5д О,625Вт
МJ110З2
N-DдRL 120В 50д ЗООВт
МР8д18
81-N 45В О,2А 625мВт 100МГц
МJ110ЗЗ
P-DдRL 120В 50д ЗООВт
MPSA42
81-N ЗООВ О,5д О,625Вт
МJ1500З
81-N 140В 20д 250Вт ЗМГц
МР8д44
81-N 500В О,Зд 625мВт 20МГц
MJ15004
81-Р 140В 20д 250Вт ЗМГц
МР8д56
81-Р 80В О,5д О,625Вт
MJ15015
81-N 120В 15д 180Вт О,8МГц
МР8д70
81-Р 40В О, 1д О,З5Вт >125МГц
MJ15016
81-Р 120В 15д 180Вт О,8МГц
МР8д92
81-Р ЗООВ О,5д О,625Вт
MJ15022
81-N З50/200В 16д 250Вт
МР8Н10
81-N 25В 40мд О,З5Вт 650МГц
МJ1502З
81-Р З50В 16д 250Вт 4МГц
MRF2З7
81-N З6В О,6д 4Вт 174МГц
MJ15024
81-N 250В 16д 250Вт
MRF455
81-N З6В 15д 60Вт ЗОМГц
MJ15025
81-Р 400В 16д 250Вт 4МГц
MRF475
81-N 20В 4д 4Вт 50МГц
MJ16018
81-N 1500В 1Од 175Вт
ОN4З59
N-DдRL+D 120В 4д 40Вт >10МГц
MJ2501
P-DдRL 80В 1Од 150Вт
P6N60
N-FEТ 600В 6д 125Вт
MJ2955
81-Р 100В 15д 150Вт4МГц
РН2222А
81-N 75В О,8д О,5Вт
МJЗОО1
N-DдRL 80В 1Од 150Вт
РН2З69
81-N 15В О,5д О,5Вт 12/1 Внс
МJ40З2
P-DдRL 100В 10д 150Вт
PN2222A
81-N 75В О,8д О,5Вт
МJ40З5
N-DдRL 1ООВ 16д 150Вт
PN2907
81-Р 40В О,6д О,4Вт
МJ41З
81-N 400В 1Од 125Вт > 2,5МГц
РN2907д
81-Р 60В О,6д D,4Вт
MJ4502
81-Р 1ООВ ЗОд 200Вт
РNЗ56З
81-N ЗОВ 50мд О,2Вт 600МГц
MJ802
81-N 90В ЗОд 200Вт
РNЗ6З8
81-Р 258 О,5д О,625Вт 1ООМГц
МJЕ1ЗОО4
81-N ЗООВ 4д 75Вт
R1004
81-N 50В О, 1д R=47к0м/47к0м
МJЕ1ЗО05
81-N ЗООВ 8д 75Вт
RFP40N10
N-FEТ 1ООВ 40д 160Вт
МJЕ1ЗОО5
81-N ЗООВ 8д 75Вт
8175
ВЧ усилит. мощности
МJЕ1ЗО07
81-N 400В 8д 80Вт
82000дF
81-N 1500В 8д 50Вт О,7мкс
МJЕ1ЗОО9
81-N 400В 12А 1ООВт
82000N
81-N 1500В 8д 50Вт 0,7мкс
МJЕ150ЗО
81-N 150В 8д 50Вт ЗОМГц
82055N
81-N+D 1500В 8д 50Вт О,Змкс
MJE150З1
81-Р 150В 8д 50Вт ЗОМГц
825ЗОд
81-N 1000В 10д 100Вт
MJE18004
81-N 450В 5д 100Вт..:fЗМГц
8G8FЗ1З
81-N 450В 7д 70Вт О,Змкс
MJE18006
81-N 450В 6д 100Вт 14МГц
8G8FЗ1ЗXI
81-N 1000В 5д 25Вт О,Змкс
MJE18008
81-N 450В 8д 125Вт О,Змкс
8G8FЗ44
81-N 600В 7д 85Вт
MJE210
81-Р 40В 5д 15Вт >65МГц
8G8F445
81-N 600В 7д 95Вт
МJЕ24З
81-N 100В 4д 15Вт >40МГц
8G8F464
81-N 600В 10д 140Вт
МJЕ25З
81-Р 1ООВ 4д 15Вт >40МГц
8G81FЗ44
81-N 600В 7д З5Вт
MJE270
N-DдRL 100В 2д 15Вт >16МГц
8G81F444
81-N 600В 7д 55Вт
MJE271
P-DдRL 100В 2д 15Вт 13>1500
8LA4061
N-DдRL 120В 5д 25Вт
MJE2955T
81-Р 70В 1Од 90Вт НЧ
8LA4390
DдRL матоица
МJЕЗО55Т
81-N 70В 1Од 90Вт НЧ
888050
81-N 40В 1,5д 1Вт 1ООМГц
МJЕЗ40
81-N ЗООВ О,5д 20Вт
888550
81-Р 40В 1,5д 1Вт 1ООМГц
МJЕЗ50
81-Р ЗООВ О,5д 20Вт
88М2210Р
2x81-N 40В 20мд О,5Вт 200МГц
MJE5850
81-Р З50/ЗООВ 8д 80Вт
88М2220Р
2х81-Р З6В 20мд О,5Вт 190МГц
MJE800
N-DдRL+D 60В 4д 40Вт 6>750
8ТАЗО1д
N-матрица Зх60В 4д 6>1000
MJE8502
81-N 700В 5д 80Вт 13> 750
8ТдЗ41М
Р/N-матрица ЗОВ 1д 6>100
MJF18004
81-N 450В 5д З5Вт 1ЗМГц
8ТА401д
N-матоица 4х60В 4А 13>1000
MJF18008
81-N 450В 8д 45Bt О,Змкс
8ТА402д
Р-матрица 4х50В 4А 6> 1ООО
MJF18204
81-N 600В 5д З5Вт 1ЗМГц
8Тд40Зд
N-матрица 4х100В 4д 6>1000


Краткие справочнь1е данные по зарубежным транзисторам
203
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
STA434A
Р/N-матрица 2х60В 4А 20Вт
TJP3055
Sl-N 100В 15А90Вт
STA441C
N-матоица 4х160В 1,5А В>40
ТIРЗЗС
Sl-N 115В 10А80Вт
STA451C
Р/N-матрица 2х60В ЗА В>40
TIP34C
Sl-P 100В 10А80ВтЗМГц
STA471A
N-матрица 4х60В 2А [3>2000
TIP35C
Sl-N 1ООВ 25А 125Вт ЗМГц
STA8012
матрица
ТIРЗБС
Sl-P 100В 25А 125Вт ЗМГц
STA901M
матрица
TIP41C
Sl-N 100В БА 65Вт ЗМГц
STPЗNA60
N-FEТ 600В 2,9А 80Вт
TIP42C
Sl-P 140В БА Б5Вт
STPЗNA60F
N-FEТ БООВ 2, 1А 40Вт
TIP50
Sl-N 400В 1А40Вт 2мкс
STP4NA60
N-FEТ 600В 4,ЗА 100Вт
TIP54
Sl-N 500В ЗА 1ООВт >2,5МГц
STP4NA60F
N-FEТ 600В 2,7А 40Вт
TIPL760
Sl-N 850/400В 4А 75Вт
STP4NA80
N-FEТ 800В 4А 11 О Вт
TIPL760A
Sl-N 100В 4А 80Вт 12МГц
STP4NA80F
N-FEТ 800В 2,5А 45Вт
TIPL761A
Sl'- N 1000В 4А 100Вт
SТW15NA50
N-FEТ 500В 14,БА 190Вт
TIPL762A
Sl-N 800В БА 120Вт
SUP70N06-14 N-FEТ 60В 70А 142Вт
ТIРL7БЗА
Sl-N 1000В 8А 120Вт 8МГц
THD200FI
Sl-N 1500В 1Од 60Вт
TIPL790A
Sl-N 150В 10А 70Вт 10МГц
TIP102
N-DARL 1ООВ 8А 80Вт
TIPL791A
Sl-N 450В 4А 75Вт
TIP107
P-DARL 1ООВ 15А 80Вт
U440
2xN-FEТ 25В ЗОмА О,35Вт
TIP112
N-DARL 1ООВ 2А 50Вт
UPA63H
2xN-FEТ 60В ldss>20мA
TIP117
P-DARL 1ООВ 2А 50Вт
UPA81C
N-матрица 8х40В О,4А 13>1000
TIP122
N-DARL 1ООВ 5А 65Вт
VN10KM
N-FEТ 60В О,31А Up<2,5B
TIP127
P-DARL 1ООВ 5А 65Вт
VN66AFD
N-FEТ 60В 2А 12Вт Up<2B
TIP132
N-DARL 1ООВ 8А 70Вт
VN88AFD
N-FEТ 80В 1,ЗА 20Вт Uo<2,5B
TIP137
P-DARL 1ООВ 8А 70Вт
ZТХ213
Sl-P 45В О,2А О,ЗВт 350МГц
TIP142
N-DABL 100В 10А 125Вт
ZТХ342
Sl-N 120В О, 1А О,ЗВт
TIP142T
N-DARL 1ООВ 1Од 80Вт
ZТХ450
Sl-N 60В 1А 1Вт 150МГц
TIP147
P-DARL +D 1ООВ 1ОА 125Вт
Z1X550
Sl-P 60В 1А 1Вт >150МГц
TIP152
N-DARL +D 400/400В 7А 80Вт
ZТХ653
Sl-N 120В 2А 1Вт >140МГц
TIP162
N-DARL 380В 1Од ЗВт
Z1X753
Sl-P 120В 2А 1Вт
TIP2955
Sl-P 100В 15А 90Вт
ZТХ753М1ТА
Sl-P 120В 2А 1Вт
TIP29E
Sl-N 180В 2А ЗОВт >ЗМГц


204
Типы корпусов СВЧ транзисторов
Приложение 3.
Типы корпусов СВЧ транзисторов
Н50
45±1
42±1
2
0,45±0,2
5±1
GD2
1,85
4MIN -0,2 4MIN
'-'-"""""".. .1-·~='-'.1.. .1
~-~t
.... 1'-+---'------<;7
z
5Е
v
Lt')
....
о1Lt')
о
1 первый затвор; 2 второй затвор;
З сток; 4.исток
GD9
4MIN
2
з
n
1,8 -0 ,2
1 затвор; 2 исток; З сток
18±1
(36,5)
?-R1,5
±0,З
1 вход
2 Vcc
3 VDD
4 выход
5 GND
8,5±1
-
GD4
1,85
4MIN -0 ,2 4MIN
-
z
5Е
'Ч"
Lt') Ni
~9
z
~
v
1 затвор; 2 исток; З сток
0,5 -0 15
GD10
2,5-0,2 · 1
1 затвор; 2 исток; З сток


Типы корпусов СВЧ транзисторов
0,5-015
GD11
1,8-0,2
~--··_с:========::г~:========~
j
~~-о
1 затвор; 2 исток; 3 сток
;J
.. ..
9Lt)
2
·о
.. ..
о
10,6-0,3
GF2
0,6- ,2
z
~
01,6
N
м"!"Т---;--,:;::::!:::!:::::;;~::::;::;;~
~мz-1 - - - -- -1 - -11- -111 -'""'l!--t -. .,.. ..,
~
N~---+--tt--
__м_
•
6,7-0,2.
~!t! ,
0,75-0,2
0,05
ф~
1
.ь
·-
GD16 ,_____
4_-0_._2 ___,
ф
е:
--,----+------+->-~ 1,85
- 0,2
__._ ___
_.__. 3
1 затвор; 2 исток; 3 сток
(0,6)
С!.
(R0, 1)
G)
о
е:
.. ..
о
GF7
z
~N
С')
9о
-.i:.
..,.
z
2
2
~N
0,6-0,2
....
о
5
Lt)
~
14
205
N
9....
N
~C'i


UIV1~L~~ VIL:~
c_:()/11/~f\IY Ll/i1!7l:::!_7
Прямые поставки импортных
комплектующих к орг•, аудио-, видеотехнике
-- Центр
Ленинградский проспект
м
"Динамо"
. Стадион
"ДИНАМО"
~
=
'С
"'
"'о
""
,g ул. В. Масловка
"'
sо
"'
без перерыва на обед
Широкий выбор -" ~~::::ь;;~о-1в.оо
суббота 1О.00-14. 00
умеренные цены!
Рады сотрудничеству! Ждем Вас по адресу:
125083 г. Москва, ул. Мишина, д. 38/40
т/ф: (095) 214-34-74
E-mail: unisvs@dol.ru
URL: www.uniservice"!msk.ru


Содержание
207
Содержание
Предисловие ............................................................................................................3
1. Резисторы ..................... ...................... , ................................ .................................4
1.1. Общие сведения ............ ............... .............. ............... .............. ............... ............... ... .4
Советы по практическому применению ···············~···················································5
1.2. Обо·значение и маркировка резисторов .................... ........................ ........................ 6
Система обозначения ............................................................................................... 6
Маркировка резисторов отечественного производства ........................................... 7
Маркировка резисторов зарубежного производства ............................................... 8
Маркировка резисторных сборок .............................................................................9
1.3. Технические данные и маркировка бескорпусных SMD резисторов ..................... 1О
Общие сведения ..................................................................................................... 1О
Маркировка SMD резисторов ......... · · ·· · ' ........................... ................................... ... 12
1.4. Особенности применения и маркировки переменных резисторов ........................ .13
Переменные и подстроечные резисторы фирмы BOURNS .................................... 13
1.5. Резисторы с особыми свойствами ............... ................... ................... ................... ..20
Термисторы ................................................................................................... , .. . . .. . . . 20
Варисторы ......................................................................... '· . .. . . . . . . .. . . . . . . , . .. . . . . . . .. . . . . . . . 24
2. Конденсаторы .....................................................................................................27
2.1. Общие сведения ........... ............. ............. ............. ............. ............. ............. .............27
2.2. Обозначение и маркировка конденсаторов ................. .................... ..................... ..27
Отечественная система обозначения..................•..................................................27
Маркировка конденсаторов ....................................................................................29
Кодовая цифровая маркировка ........... , .................. ...................... ....................... .... 30
Цветовая маркировка ........................................................ " ................................ ... 34
2.3 . Особенности маркировки некоторых типов SMD конденсаторов .. , .. . .. . . " .. . . .. . . . " .. 34
Керамические SMD конденсаторы .........................................................................84
Оксидные SМD-конденсаторы ................................................................................35
Танталовые SМD-конденсаторы .............................................................................35
Маркировка электролитических конденсаторов 'фирмы TREC ........... " . . .. . . . . . . . . . . . . 36
Конденсаторы фирмы НIТANO ..............................................................................36
Советы по практическому применению .................................................................37
2.4 . Подстроечные конденсаторы зарубежных фирм .............................................. ......38
2.5 . Другие типы конденсаторов ................. .................... ..................... .................... .... .40
3. Катушки индуктивности ..................... .......................................... ....................42
3.1. Общие сведения .............. ................ ................. ................ ................ ................. ..... .42
3.2 . Маркировка катушек индуктивности .............. .................. .................. ................. . .42
Маркировка катушек индуктивности для поверхностного монтажа .................... .44
3.3 . Дроссели серий Д, ДМ, ДП, ДПМ .................... ........................ ........................ .... .45
4. Маркировка кварцевых резонаторов и пьезофильтров ................................46
4.1. Маркировка резонаторов и фильтров отечественного производства . . . .. . . . . . . . . . . . . . . .46
4.2. Особенности маркировки резонаторов и фильтров зарубежного производства .. . 51
4.3. Особенности маркировки фильтров производства фирмы Murata ........" . .. . . . . . .. . . . . . 52
5. Маркировка полупроводниковых приборов .......................... .........................54
5.1 . Отечественная и зарубежные системы маркировки
полупроводниковых приборов ........................................................................................54
Маркировка R-МОП транзисторов Harris (lпtersil) ............................................... 59


208
Содержание
Маркировка IGBT транзисторов Harris (Iпtersi\)."" ........................ """" . .. . . . . . .. " .. 60
Маркировка транзисторов фирмы Iпternatioпal Rectifier .......................................61
Маркировка полупроводниковых приборов фирмы Motorola .......................• . . . . . .. . 62
5.2. Диоды общего назначения ............. .............. ............... ............... ............... ..............64
Типы корпусов и расположение выводов диодов ..................................................64
Цветовая маркировка отечественных диодов ........................................................65
Цветовая маркировка зарубежных диодов ............................................................ 68
Цветовая маркировка отечественных стабилитронов и стабисторов ............. " . .. "69
Цветовая маркировка отечественных варикапов............... " .................................. 74
Буквенно-цифровая кодовая маркировка SMD диодов Зарубежного
производства ............................................................................................................ 75
Цветовая маркировка SMD диодов в корпусах
SOD-80, D0-213AA, D0-213AB ............... ................ ................. ................. ............99
Фотодиоды ................................ " . .. . . . . . . .. . . . . . .. . " ............... .................. ................ , . .. 100
Транзисторы .......................................................................................................... 1О1
Особенности кодовой и цветовой маркировки отечественных транзисторов " .. .102
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов .. """""""""" .. 104
6.1. Идентификация SMD компонентов по маркировке ." ... "." ....... " .............. " ... " .... 104
6.2. Типы корпусов SMD транзисторов .......................... " .. .. .. " .. . .. . .. " ... """"""." ."."104
6.3. Как пользоваться системой."" ...... "."" .. " ... """ .... " .. """ .. " ............. """" ... ""."".105
Эквиваленты и дополнительная информация "".""" ."""""""""" .. """ .. "" . .. "".106
7. Особенности тестирования электронных компонентов"""""" .. """"""."."139
7.1. Тестирование конденсаторов """" ..... ""."." .. """ .. " ... "" ..... "."" .. " ... """"."""" .. 139
7 .2. Тестирование полупроводниковых диодов""""""""""." .. """ .. " .. """."" .. """ . " .141
7.3. Тестирование транзисторов " ........... " ..... " ...... " .. " ................ " ........................... ".142
7.4. Тестирование однопереходных и программируемых однопереходных
транзисторов .................................................................................................. " . .. . . . . . . . .. 143
7.5. Тестирование динисторов, ц1ристоров, симисторов . . .. . . . . . . . . . . . . .. . , ........................ 144
7.6 . Определение структуры и расположения выводов транзистороs,
тип которых неизвестен............................................ "." ................. " ........................... 145
7.7. Тестирование полевых МОП-транзисторов" ........ "" ................. " .. """""." .. " .. ""146
7.8. Тестирование светодиодов ....................... " ........... " ....... " ................ " ................... 146
7.9. Тестирование оптопар .... " ......................... " .......... " .. " ................ " ........................ 147
7.10. Тестирование термисторов."""""""."""" .. """"."".""." .. """ . .. . . . . . . . . .. . " .. ... " .. "147
7.11. Тестирование стабилитронов" ... ""."".... """." ... "".".""".".""" ... " ....... " ... "" ... 14 7
7.12 . Расположение выводов транзисторов".""" .. """"".""" .. . .. .. """ . .. . " ..... "" """."148
Приложение 1. Краткие справочные данные по зарубежным диодам """"".149
Приложение 2. Краткие справочные данные по.зарубежным транзисторам"."175
Приложение 3. ТИ:пы корпусов СВЧ транзисторов """".".""" .""""""""""".204
ISBN 5-93455-141 -8
9 785934 551415
ООО Издательство «СОЛОН·Р»
ЛР No 066584от14.05.99
Москва, ул. Тверская, д. 10, стр. 1, офис 522
Формат 70х100/16. Объем 13 п. л. Тираж 5000
АООТ «Политех-4»
Москва, Б. Переяславская, 46
Заказ No 1-


~~-
Резисторы. Цв~т_о_в_ая_м_а_р_к_и_р_о_в_к_а__ ~I
lr
ц-вет lг -1:й---,12.:-й 1 г- з~й -----, 1
11
ткс ,1
1
Множител ь
Допуск
1
1
1
rюлосы (то_чки_)_ ___.
элемент ~лемент j ЭЛеМе_!iТ _
%о/0 С
Золотой
Серебряный
Черный
Красный
Желтый
Белый
Г Пример
обозначения
г
2 кОм ±1%_J
1О кОм +2°/о
100 о/оо/0С
2 кОм +5о/о
100 Ом +10%1
_
.=__J
4
4
6
6
•
•
•
•
4
•
•
1
0 ,01Q
0,1Q
1000
10kQ
+ 5о/о
+ 10°/о
±20%
.
±2%
•
•
1
t
1
)'f
t
с"Ct"."t
3•'
251
1


0
Резисторы проволочные.
L
Цветовая маркировка
С по~~~] ]
1-Jг2-
-и
-и
L_ элемент L-эл е мент
Золотой
Серебряный
1
Черный
1
11r".......... -
.........
~
. ... ...
""
"
1' Красный
""
~~ ~---
-
1
Желтый
Белый
Пример
обозначения
.
100 Ом ± 20%]
l__2,2Ом±10% ]
,,
5 1 Ом ± 20°~У_о____.
'
--
-
•.
.,
2
4
4
•
•
•
•
9
9
---
j Термоустойчив
1
(голубая полоса)
100'1
10kQ
Допус к
1
±2% ,1
1
j
+4°/о
.,.:
2rn
'j'
rn
:i:::
м
о
rn
.....
Ф_
с:а rn
:::r ш
оQJ
L.. к:;
о (..)
~]
\О :I:
:s: QJ
к:; ;Е
:s: ~
о\О
L.. о
ом
:I: :s:
о:: •
а. (..)
\О :s:
QJ а.
а. rn
ф :I:
(..) -
-
>:S:
~-
(..) ..а
о :J:
~7
оо
t: к:;
QJо
шш
1:[ g_
:s: t:
~1
rn а.
:I: о
С{ J-
0 (.)
Q) :s:
-
м
..а ф
ша.
а.о
QJ .....
r=7


-
-
----
_к__о
__
нд-ен=-са_торь_1~~_эл_ектролитически~е _ ]
-
-
Цвет
пол осы (точки)
Золотой
1 Серебряный
--
Черный
Желтый
1
-----
1
Голубой
1
Белый
1~
- ____
--
Пример
1
1
обозначения
4,7 мкФ
+10°/о , 6,3 В
* 20Ви30В- старое
1
обозначение
1*25Ви32В- новое
обозначение
1
1
1,2 мкФ
1
+10°/о, 16 В
\__ -~
--
'
Номинал
Множител ь
8,2
6,8
, ....-
---- ---
...
___
-
:-~ . t,5
1
•
2,2
1
1μF
1
_
-
.-..
.
1 "-т ....
..,,
-
'
,· ~:OOμF 1
10mF
11
Допус~ Напряжение,
8
±20%
1,6
2,5
40
1
--
'
1
1---
__
-1
1
j .~;
1-
--1
1
'
3,3
1F
5,6 ~l ~O~F_J: + 10°/о _ __ 63
_
F"%
--J


Конденсаторы электролитические
-
~
._______
Ц_ве_т_ _ ~.
1
Номинал \ 1
Множитель
_
полосы (точки)
._
_.
Золотой
1 Серебряный
Черный
Желтый
Голубой
Белый
Пример
обозначения
1мкФ,16В
1мкФ,16В
1
1
'
82
68- -
10
'
~
'
15.
22
33
56
i· 100pF
'
10nF
1μF
О,1pF
!
1
Напряжение ,
в
1,6
2,5
40
-
-------
---~--
--
-
-
-
30/32
63
1
1


-
1
Конденсаторы. Электролитические танталовые 1
'
Золотой
Серебряный
Черный
[i кРасный " ·
-
:1
Желтый
---------
Голубой
Белый
Пример
обозначен ~
6,8 мкФ
-20... +80о/о , 16 В
,L
4,7 мкФ, 10 В
1,6
2,5
1
•
i" 10-
1
11
'
1
40
, -~--.
~"·
1:
J
30/32
63
82
68
," ~-------
:.1 1.s 1~
22
33
56
Допуск ]
±20%
11 ......
~
.~:•
1~1
1.
•
lili
~· ...~---=- ~-
1
1
1
1μF
0 ,1pF +10о/о


Конденсаторы высоковольтные =1
Цвет
полосы (точки)
... .__ __
Золотой
, Серебряны й
1
-
-
Черный
-
i
Красный
11
1
11
Желтый
Голубой
Белый
Пример
обоз начения
47 нФ + 1Оо/о
400 в
560 ПФ + 10°/о
1-й
элемент
4
6
•
•
9
2-й
Множитель Допуск Напряжение.
элемент
В
1
'
il
t ~2-~1
•
4
-----
:
·1
6
е
•
9
10nF
1
±20%
.
~
1
,·
-
-
,j
4008 ,
-
.
-
_
--
-
_-
-
±1 Оо/о


Конденсаторы. Цветовая маркировка
_]
-:-:::::::::::----:::::::::::::::::::::::::::::-=~
· г-ц
1-й1г 2-йIГ 3-й1 1м onL I Г
Допуск ir
-
•ткЕ 1
вет полосы ~лемент . элемент 1 1 элемент 1 ~_:н0жит~ -' ----~~
_I
'
Золотой
Серебряны й
Черный
:.Красный
·,
Желтый
Белый
Пример
обозначе н ия
Г2-пФ+2%, МЗЗ
1
18 пФ+5°/о,
мпо
22 нФ, Н90
:[_ 0,1мкФJ
4
4
4
0,01 pF 1
О,1pF
; 1pF
· 1 ~00pF
1
10nF
+5%
+10°/о
+ 20%
+2%
1
1
-
-
.......
.
""
.
---
.....
.. ,.
Корпус


-
-===================================:==================================~
Конденсаторы. Цветовая маркировка ТКЕ
'------------~.
Цвет полосы
ТКЕ
П ример обозначения
пзз
Черный
мпо .
27Р
i1 11
-
.
.. MZ5"- ·•
10 нФ, МЗЗО ]
Желтый
М220
.-
П10
4р7
Голубой
М470
~1
11 :!
Оранжевый + оранжевый М 1 500
1
Желтый + оранжевый
М2200 Г100 пФ, М1500
4,7 пФ, М75 j
'-'----
_....


Дроссели. Цветовая маркировка
'1
Цвет
,
1-й
2-йl М ножитель Допуск
nолосы (точки)
элемен т J элемент
-
Золотой
0!01μН + 5°/о
Серебряный
О,1μН +10°/о
Черный
±20%
-
.
Красный
~11
1
21
1
1
Желтый
4
4
•
"
lt
•
!_Белый _
9
9
_J
.1
_J,_
-
-
,--..
Пример!
обозначения
~
__J
~--.
33 мкГ+10% l
\
39 мкг+ 20°/о
L-- .
--
5,1 МГ+ 5о/о
1г-
~
~1,5 мГ±2~I
-
-


Фильтры пьезокерамические
Цвет корпуса
Цвет метки
~______.,.....-~~ [ Бледн~-зеленый ;! Бледно-голубой
Желтый
Желтый
белый +
=--
~
------====-~-
,- К1 ~асны-й
~ .:.
белы и
r
J Белый
ФП1 П8-62 . 01 (5,5)
ФП1 П8-62 . 02 (6 ,5)
ФП1 РВ-63 . 04 (6 ,5)
ФП1 РВ-63 . 03 (5 ,5)
ФП 1Р8-63 . 02 (6 ,5)
/ Нет
ФП1 РВ-63.01 (5 ,5)
@ ----~-------J"--~------===-----'.........,__ ____ _
г
Примеры обозначения
•
ФП1 РВ-63 . 02
ФП1 П8-62 . 02


Диоды. Цветовая маgкировка по
европейской системе PRO ELECTRON
полосы (точки)
1
11
1Серебряный
w
6
6
.
•
Белый
z
9
9
Пример 1
1 обозначения
ВАТ85
l
11
@


@
Стабилитроны. Цветовая маркировка
по системе JIS-C-7012 (Япония)
Цвет
_
_
полосы (точки)
Золотой
Пример
обозначения
10в
Двой н ой второй
элемент указы­
в а ет на запятую
между цифрами
7,5 в
3,9 в
1-й
элемент
.
•
9
2-й
элемент
.
•
9


Диоды и стабилитроны. Цветовая
маркировка по системе JEDEC (США)
Цвет
1-й 2-й
4-~1 s-й 1
лолосы (точки)
элемент элемент
Золотой
Пример
обозначения
1N66
1N237A
1N1420G
9
--г


il Транзисторы. Цветовая маркировка
@ Электрик
1 Белый
Желтый
Голубой
Розовый
Пример
обозначения ·
КТЗ107Л
1977г., июль
ж
1
Е
КТ645
1978
1980
1982
май
сен
акт
ноя


Транзисторы. Цветовая маркировка
Цвет
Серебряный
Оранжевый
Пример
обозначения
КТ502А
Тип элемента
КТ632
КТЗ13, КТЗ68
* для транзисто р ов выпуска до 90-ro года.
Буква группы
и
к
**буквы в скобка х ( И , К) используются друг им и производ ител ями .
@


@
Катушки контуров радиоприемных
Желты й
Пример
обозначения
Контур тракта
ПЧ 10,7 МГц
*-цвет
мат е риала
сердеч ника
** - при налич ии
д иапазона SW2
ко нтур дете ктора
10,7 МГц имеет
фи олетовы й код
устройств
Назначение
Контур гетеродина диапазона LW
Контур гетеродина диапазона MW
-
.
-
-
-
--
-
-
Контур гетеродина диапазона SW2 **
Контур тракта ПЧ 455 кГц
Контур детектора 10,7 МГц