Маркировка радиодеталей отечественных и зарубежных. Справочное пособие - Садченков Д.А.

Author: Садченков Д.А.
Tags: радиотехника справочник
ISBN: 5-93455-039-X
Year: 2001
Similar
Маркировка радиодеталей отечественных и зарубежных. Справочное пособие. Том 1
Маркировка радиодетелей отечественных и зарубежных. Справочное пособие. (Том2)
Маркировка радиодеталей отечественных и зарубежных. Том 1. Серия Ремонт №57
Цветовая и кодовая маркировка радиоэлектронных компонентов отечественных и зарубежных
Text
                    сс СОЛОН-Р»
MAPKИeOBlf·A
'-"
РАДИОДЕIАllЕИ

Д. А. Садченков
Маркировка радиодеталей
отечественных и зарубежных
Справочное пособие
Серия "Ремонт", выпуск 40
При практической работе, связанной в первую очередь с ремонтом электронной техники,
возникает задача определить тип электронного компонента, его параметры, расположение
выводов, принять решение о его прямой замене или использовании аналога. В большинстве
существующих справочников приводится информация по отдельным типам радиокомпо
нентов (транзисторы, диоды и т.д.). Однако ее недостаточно, и необходимым дополнением
к таким справочникам служит данное справочное пособие по маркировке.
Представляемая читателям книга по маркировке электронных компонентов содержит в
отличие от издававшихся ранее подобных изданий больший объем информации. В ней
приведены данные по буквенной, цветовой и кодовой маркировке компонентов, по кодовой
маркировке зарубежных полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа (SMD),
приведены данные по маркировке некоторых ранее не освещавшихся типов зарубежных
компонентов, логотипы и буквенные сокращения при маркировке микросхем ведущих зару
бежных производителей, даны рекомендации по использованию и проверке исправности
электронных компонентов.
Издательство "СОЛОН - Р"
129337, г. Москва, а/я 5
Телефоны:
(095) 254-44 -10, (095) 252-36 -96
E-mail: Soloп.Pub@relcom.гu
Приглашаем к сотрvдничествv авторов. которые могут предоставить информацию
по ремонтv бытовой и офисной техники!
Ответственный за выпуск С. Иваное
Макет и верстка С. Тарасов
Обложка Е. Жбанов
ISBN 5-93455-039-Х
© "СОЛОН - Р", 2001
© Д. А. Садченков

Предисловие
3
Предисловие
Широкое распространение новых технологий при производстве радиоэлектронной
аппаратуры, обилие на рынке радиокомпонентов, производимых фирмами разных
стран, существование различных видов маркировки электронных приборов ставит
перед разработчиками, производителями, ремонтниками РЭА и просто радиолю
бителями ряд проблем, связанных с определением типов применяемых компонен
тов, их конструктивными особенностями и техническими характеристиками,
возможностями взаимозамены.
Предлагаемый вниманию читателя справочник окажет помощь при работе как с
отечественными, так и зарубежными радиоэлектронными компонентами. В книге
изложены принципы и особенности маркировки пассивных и активных радиоэлек
тронных элементов для навесного и поверхностного (SMD) монтажа, приведены
таблицы, позволяющие определить тип полупроводникового прибора по его
цветовой или кодовой маркировке, приведены таблицы основных параметров
полупроводниковых приборов широкого применения.
Внимание
Примеры по цветовой маркировке радиоэлектронных компонентов, изображенные
на цветной вкладке, расположены в следующем порядке:
• цветовая маркировка резисторов - полосы 1-2
(по тексту рис. 1.2);
• цветовая маркировка конденсаторов - полосы 3-8
(по тексту рис. 2.2, 2.3);
• цветовая маркировка дросселей - 9-я полоса
(по тексту рис. 3.1 );
• цветовая маркировка керамических фильтров - 1О-я полоса
(по тексту рис. 4.2);
• цветовая маркировка диодов и стабилитронов зарубежного производства -
полосы 11-13;
• цветовая маркировка транзисторов - полосы 14-15
(по тексту рис. 5.21, 5.22);
• цветовая маркировка катушек контуров радиоприемных устройств - 16-я полоса.

4
1. Резисторы
1. Резисторы
1.1. Общие сведения
Резисторы представляют собой радиоэлементы, обеспечивающие изменение та
ких параметров электрической цепи, как ток или напряжение на ее участке
Согласно типу их включения в цепи резисторы выполняют функции ограничения
тока, шунта, делителя напряжения
Существует деление резисторов на различные группы
• по типу используемого материала,
• по номинальному значению сопротивления
постоянные и переменные
Каждый резистор характеризуется целым рядом параметров, основными из кото
рых являются следующие
• номинальное значение сопротивления (Ом, кОм, МОм),
• допустимое отклонение сопротивления от номинального значения, обозначенно
го на корпусе (допуск), в процентах,
• номинальная мощность рассеяния (Вт),
• температурный коэффициент сопротивления (ТКС) - относительное изменение
сопротивления при изменении температуры окружающей среды на 1 °С,
• допустимое приложенное напряжение (В),
• диап-.~зон рабочих температур,
0
С
Электрические характеристики резистора в значительной мере определяются
типом материала, из которого он изготовлен, и его конструкцией
В табл 1 1 приведены характеристики резисторов, изготовленных из различных
материалов
Таблица 1 1 Характеристики постоянных резисторов
Параметр
Материал
Угольный композит Угольная пленка Металлическая пленка Окись металла
Диапазон
2,2 108
10 106
1 108
10 108
сопротивлений Ом
Допуск±%
10
5
1
2
Мощность рассеяния Вт
о125 1
о25 2
о125 05
о25 05
температурный коэф
фициент сопротивле
+1200
-250
+50 100
+250
ния 1·1o-Q1 ·с
Диапазон рабочих
-40 +105
- 45 +125
-55 +125
- 55 +125
температур ·с
В отдельную группу необходимо выделить проволочные резисторы, характеристи
ки которых приведены в табл 1 2

1. Резисторы
5
Таблица 1 2 Характеристики постоянных проволочных резисторов
Параметр
Тип корпуса
Керамический
Остеклованный
В алюминиевой оболочке
Диапазон сопротивлений, Ом
0,47 22 •10
3
0,1 22 •10
3
О, 1 22•10
3
Допуск,±%
5
5
5
Мощность рассеяния, Вт
417
24
25 50 (на радиаторе)
Температурный коэф_jРициент
сопротивления, 1•10 /'С
±250
±75
±50
Диапазон рабочих температур, 'С
-55 +200
-55 +200
-55 +200
Номинальные сопротивления резисторов отечественного и зарубежного производ
ства стандартизованы Для постоянных резисторов установлено шесть рядов
номинальных значений. Еб, Е12, Е24, Е48, Е96, El 92. Цифра после буквы Е
указывает число номинальных значений в каждом десятичном интервале (Ом,
кОм, МОм, ГОм) Наиболее широко применяются резисторы рядов Еб, Е12, Е24
(табл 1 3)
Таблица 1 3 Ряды номинальных сопротивлений резисторов
Ряд
Числовые коэффициенты
Погрешность, ±%
Е6
1, 1,5, 2,2, 3 3, 4,7, 6,8
20
Е12 1, 1,2, 1,5, 1,8, 2,2, 2,7, 3,3, 3,9, 4,7, 5,6, 6,8, 8,2
10
Е24 1, 1,1, 1,2, 1,3, 1,5, 1,6, 1,8, 2, 2,2, 2,4, 2,7, 3, 3 3,
5
3,6, 3,9, 4,3, 4,7, 5, 1, 5,6, 6,2, 6,8, 7,5, 8,2, 9, 1
Советы по практическому применению
Максимальная мощность, которую может рассеивать резистор, зависит от темпе
ратуры окружающей среды. С ростом этой температуры мощность рассеяния
снижается. Для увеличения надежности резисторов следует обеспечивать боль
ший запас их по мощности. Проволочные резисторы обладают значительной
индуктивностью, поэтому нецелесообразно применять их в высокочастотных и
импульсных цепях На высоких частотах (;:::ЗО МГц) пленочные угольные и метал
лопленочные резисторы могут иметь заметное индуктивное сопротивление за счет
длины своих выводов, которые следует максимально укорачивать.
В радиотехнических устройствах для снижения добротности параллельного коле
бательного контура и расширения его полосы пропускания применяют параллель
ное подключение к нему резистора. При выборе типа резистора следует выбирать
резисторы, обладающие только активным сопротивлением
Качество изоляции остеклованных резисторов ухудшается с ростом температуры.
Поэтому в режимах с максимально рассеиваемой мощностью следует избегать
контакта этих резисторов с любой проводящей поверхностью.

6
1. Резисторы
1.2. Обозначение и маркировка
резисторов
1.2.1 . Система обозначения
В табл. 1.4 приведены сведения о действующей отечественной системе обозначе
ния резисторов, а в табл. 1.5
-
о старой.
Таблица 1.4. Действующая система обозначения резисторов
Элемент обозначения
Пример
первый
второй
третий
обозначения
Р - резисторы постоянные
1 - непроволочные
Р1-26
РП - резисторы переменные
2- проволочные
РП2-12
ТР - терморезисторы с отрицательным ТКС
Порядковый номер
ТР-7
Полупроводниковые
разработки
ТРП - терморезисторы с положительным ТКС
ТРП-5
материалы
ВР - варисrоры постоянные
не обозначаются
ВР-14
ВРП - варисторы переменные
ВРП-11
Таблица 1.5. Старая система обозначения резисторов
Элемент обозначения
Пример
первый
второй
третий
обозначения
С - резисторы постоянные 1 - углеродистые и бороуглеродистые
С5-2
СП - резисторы
2 - металлодиэлектрические и металлоокисные
3 - композиционные пленочные
переменные
4 - композиционные объемные
...
СП1-3
5 - проволочные
Порядковый
номер
СТ - терморезисторы
1 - кобальто-марганцевые
разработки
2 - медно-марганцевые
СТ2-3
3 - медно-кобальто-марганцевые
4 - никель-кобальто-марганцевые
СН - варисторы
1 - карбидо-кремниевые
СН1-2
Единой системы обозначения резисторов зарубежного производства нет. Каждая
фирма-производитель имеет собственную систему обозначения резисторов. Но на
практике нет необходимости изучать такие системы, поскольку на корпусе
резистора имеется информация о его номинале и допуске, а по геометрическим
размерам можно судить о его рассеиваемой мощности.
В качестве примера приведем порядок обозначения широко применяемых посто
янных резисторов фирмы Philips.
Обозначение типа резистора, его конструктивных особенностей состоит из трех
элементов:
• буквенное обозначение типа резистора:
АС, ACL
мощные проволочные на керамической основе (корпус зеленого
цвета);
CR
углеродистые (корпус светло-коричневого цвета);
ER
мощные проволочные;

1. Резисторы
7
MR
металлопленочные (корпус зеленого цвета);
MPR
прецизионные металлопленочные;
NFR
предохранительные (корпус серого цвета);
PR
мощные металлопленочные (корпус красного цвета);
RC
бескорпусные или SМD-резисторы;
SFR
стандартные пленочные (корпус светло-зеленого цвета);
VR
высоковольтные (корпус светло-голубого цвета);
WR
мощные пленочные эмалированные (корпус коричневого цвета);
• цифровое
обозначение максимального диаметра корпуса, где первая цифра
обозначает целые, а вторая - десятые доли миллиметра. Исключение составляют
резисторы типа АС, ACL, ER для которых эти цифры обозначают мощность
рассеивания в Вт;
• буквенный код, обозначающий вариант исполнения выводов резистора и мате-
риал их покрытия.
Следует обратить внимание на предохранительные резисторы. Имеющие малое
сопротивление, они используются в качестве плавких предохранителей: при
токовой перегрузке выходят из строя.
1.2 .2 . Маркировка резисторов отечественного
производства
Номинальные сопротивления и допуска на резисторах обозначаются одним из
двух способов - с использованием буквенно-цифрового обозначения, или путем
нанесения цветовой маркировки.
Буквенно-цифровая маркировка
Обозначение резистора включает три элемента.
Первый элемент - цифры
-
номинал сопротивления в омах.
Второй элемент - буква латинского или русского алфавита
-
множитель
(табл. 1.6).
Таблица 1.6
Буква латинская (русская)
R (или Е)
К (или К)
М (или М)
G(илиГ) Т(илиТ)
Множитель
1
1•10
3
1•10
6
1•10
9
1·10
12
Третий элемент - буква латинского или русского алфавита
-
допуск (табл. 1. 7).
Таблица 1.7
Буква латинская
Е
L
R
р
u
в
с
D
F
G
J
к
м
N
(русская)
(Ж) (У) (Д) (Р) (Л) (И) (С) (В) (Ф)
Доnуск, ±%
0,001 0,002 0,005 0,01 0,02 0,1 0,25 0,5
1
2
5
10
20
30

8
1. Резисторы
Цветовая маркировка
Другим видом маркировки является нанесение на корпус резистора цветных
колец Маркировочные кольца сдвинуты к одному из выводов резистора и
располагаются слева направо Если размеры резистора не обеспечивают отступа,
то ширина первого кольца примерно в два раза шире остальных. Число колец
может быть от четырех до шести.
Рис. 1.1 . Внешний вид резисторов с цветовой маркировкой
На рис 1 2 цветной вкладки показано, как по цвету колец определить номинал и
допуск резистора.
1.2 .3 . Маркировка резисторов зарубежного
производства
Буквенно-цифровая маркировка
На корпус резистора наносится маркировка, состоящая из двух или трех цифр и
буквы Буква играет роль запятой и обозначает, в каких единицах измеряется
номинал резистора:
•R-вомах,
• К - в килоомах;
• М - в мегаомах.
Примеры обозначения приведены в табл. 1.8.
Таблица 1 8 Обозначение номиналов резисторов
Сопротивление
Обозначение
Сопротивление
Обозначение
0,1 Ом
R10
5,6 ком
5К6
0,33 Ом
R33
47 кОм
47К
6,8 Ом
6RB
150 ком
М15
22 Ом
22R
1 мом
1МО
150 Ом
150R
2,2 мом
2М2
1 ком
1К
Допуск резисторов по одной из наиболее распространенных систем обозначений
BS 1852 (Bпt1sh Staпdard 1852) обозначается буквой после обозначения номинала
резистора (табл 1 9).
Таблица 1 9
Буква
F
G
J
к
м
Допуск,±%
2
5
10
20
Например: 330RG означает 330 Ом ±2%. R22M означает 0,22 Ом ± 20%.

1. Резисторы
9
Цветовая маркировка резисторов
Цветовая маркировка резисторов зарубежного производства аналогична цветовой
маркировке резисторов отечественного производства (см. рис. 1.2).
1.3. Технические данные и маркировка
бескорпусных SMD резисторов
1.3.1 . Общие сведения
В настоящее время на передний план все более выдвигается наиболее прогрес
сивная сегодня технология производства электронной аппаратуры - технология
поверхностного монтажа или SМТ-технология (SMT - Surface Mouпt Technolo-
gy). Специально для такой технологии был разработан широкий спектр миниа
тюрных электронных компонентов, которые еще называют SMD (Surface Mount
Devices) компонентами. Использование SMD компонентов позволило автоматизи
ровать процесс монтажа печатных плат.
Основной ряд используемых SMD резисторов представлен зарубежными резисто
рами серии RМС, которые подробно описаны ниже. Из отечественных аналогов
можно назвать резисторы типа Pl-12, имеющие номинальную рассеиваемую
мощность О, 125 Вт, номинальные сопротивления ряда Е24 от 1 Ом до 6,8 МОм.
Резисторы Pl-12 полностью соответствуют SMD резисторам в корпусе типораз
мера 1206.
На рис. 1.3 представлен внешний вид SMD резисторов, а в табл. 1.1 О и 1.11
приведень1 их геометрические размеры и основные технические данные. Типораз
меры SMD резисторов стандартизованы. Они обозначаются четырехзначным
числом по стандарту IEA. Обозначения самих же SMD резисторов различных
производителей приведены в табл. 1.12 .
Рис. 1.3. Внешний вид SMD резисторов
Таблица 1.10. Габаритные размеры SMD резисторов
Типоразмер EIA
Размеры (мм)
L
w
н
D
т
0402
1,00
0,50
0,20
0,25
0,35
0603
1,60
0,85
0,30
0,30
0,45
0805
2,10
1,30
0,40
0,40
0,50
1206
3,10
1,60
0,50
0,50
0,55
1210
3,10
2,60
0,50
0,40
0,55
1218
3,10
4,50
0,50
0,40
0,55

10
1. Резисторы
Типоразмер EIA
Размеры (мм)
L
w
н
D
т
1806
4,50
1,60
1,60
0,40
0,55
1808
4,50
2,00
2,00
0,40
0,55
1812
4,50
3,20
2,00
0,40
0,55
2010
5,00
2,50
0,60
0,40
0,55
2220
5,70
5,00
1,70
0,40
0,55
2225
5,70
6,30
2,00
0,40
0,55
2512
6,35
3,20
0,60
0,40
0,55
2824
7,10
6,10
3,90
0,40
0,55
3225
8,00
6,30
3,20
0,40
0,55
4030
10,2
7,60
3,90
0,40
0,55
4032
10,2
8,00
3,20
0,40
0,55
5040
12,7
10,2
480
0,40
0,55
6054
152
13,7
4,80
0,40
0,55
Таблица 1 11 Технические данные SMD резисторов
Тип
0402
0603
0805
1206
1210
2010
2512
Номинальная мощность, Вт
1/16
1/10
1/8
1/4
1/3
3/4
1
Температурный диапазон, •с
-55
+125
Макс. рабочее напряжение, В
25
50
150
200
200
200
200
Макс. перегрузочное
50
100
300
400
400
400
400
напряжение, В
Диапазон сопротивлений
100 Ом
10 Ом
10 Ом
10 Ом
10 Ом
10 Ом
10 Ом
1%, Е·96
100 кОм
1МОм
1 МОм
1 МОм
1 МОм
1 мом
1 МОм
5%, Е-24
2Ом
1Ом
1Ом
1Ом
1Ом
1Ом
1Ом
5,6 МОм 10М0м 10МОм 10М0м 10М0м 10М0м 10МОм
Сопротивление перемычки, Ом
$0,05
Таблица 1 12 Обозначения SMD резисторов некоторых фирм-производителей
Типоразмер
Фирма-производитель
AVX
BECKMAN NEOHM PANASONIC PHILIPS ROHM SAMSUNG WELWYN
0603
CR10
BCR1/16 CRG0603
ERJ3
-
MCR03
RC1608 WCR0603
0805
CR21
BCR1/10 CRG0805
ERJ6
RC11/12 MCR10
RC2012 WCR0805
1206
CR32
BCR1/8 CRG1206
ERJ8
RC01/02 MCR18
RC3216 WCR11206
1.3.2 . Маркировка SMD резисторов
SMD резисторы маркируются различными способами. Способ маркировки зави-
• сит от типоразмера резистора и допуска. Резисторы типоразмера 0402 не марки·
руются. Резисторы с допуском 2, 5 и 10% всех типоразмеров маркируются тремя
цифрами, первые две из которых обозначают мантиссу (то есть номинал резистора
без множителя), а последняя - показатель степени по основанию 10 для
определения множителя. При необходимости к значащим цифрам может добав
ляться буква R для обозначения десятичной точки. Например, маркировка 513

· 1. t"езисторы
11
означает, что резистор имеет номинал 51х103 Ом = 51 кОм. Обозначение 100
означает, что номинал резистора равен 10 Ом.
Резисторы с допуском 1% типоразмеров от 0805 и выше маркируются четырьмя
цифрами, первые три из которых обозначают мантиссу, а последняя - показатель
степени по основанию 1О для задания номинала резистора в омах. Буква R также
служит для обозначения десятичной точки. Например, маркировка 7501 означает,
что резистор имеет номинал 750х10 1 Ом = 7,5 кОм.
Резисторы с допуском 1% типоразмера 0603 маркируются с использо~анием приве
денной ниже таблицы EIA-96 (табл. 1.13) двумя цифрами и одной буквой. Цифры
задают код, по которому из таблицы определяют мантиссу, а буква - показатель
степени по основанию 1О для определения номинала резистора в омах. Например,
маркировка 10С означает, что резистор имеет номинал 124х102 Ом= 12,4 кОм.
Таблица 1.13. Таблица маркировки SMD резисторов EIA-96
Код Знач. Код Знач. Код Знач. Код Знач. Код Знач. Код Знач. Код Знач. Код Знач
01
10013133251783723749316614227356285750
0210214137261823824350324624327457686768
0310515140271873924951
332634427559087787
0410716143281914025552340644537660488806
05110171472919641
261
53348654647761989825
0611318150302004226754357664757863490845
071151915431
2054327455365674877964991
866
0811820158322104428056374684998066592887
09 121
21
16233215452875738369511
81
681
93 909
101242216534221
4629458392705238269894931
11
127231693522647301
59 402 71
536 83 715 95 953
1213024174362324830960412725498473296976
5
10-2
R
10-1
А
10°
в
101
с
102
D
103
Е
104
F
105
SMD резисторы упаковываются в стандартной упаковке: на бумажной ленте или
на бобине. При этом наносится маркировка с указанием типа резистора, его
типоразмера, номинала, допуска. Например: RМС-18 (1206) 1002 FR, где
буквой после номинала обозначен допуск (F = ± 1%; J = ±5%; D = ±О,5%), а
буква R означает, что резисторы упакованы на бумажной ленте в бобине.
1.4. Особенности применения переменных
резисторов
Переменные резисторы применяются в качестве внешних устройств настройки и
регулировки сигналов: в качестве регуляторов громкости, тембра, уровней, на
стройки на частоту в радиоприемниках с перестройкой частоты при помощи
варикапов.
Подстроечные резисторы применяются в схемах радиоэлектронных устройств для
того, чтобы обеспечить их настройку во избежание многократных замен, связан
ных с необходимостью подбора постоянного резистора.

12
1. Резисторы
Переменные резисторы выпускаются в различном исполнении. По типам они
делятся на резисторы с угольной дорожкой, дорожкой из кермета (металлокера
мики), проволочные и многооборотные проволочные. По причине наличия по
движного контакта переменные резисторы являются источников шумов, и порой
напряжение создаваемых ими шумов может достигать десятков милливольт
(15 ...50 мВ) . Поэтому при применении переменных резисторов следует придержи
ваться следующих правил:
• и з бегайте использования переменных резисторов с угольной дорожкой: они
с ильно шумят и ненадежны;
• в регуляторах громкости аудиоаппаратуры применяйте потенциометры с лога
рифмическим законом регулирования сопротивления;
• не применяйте переменных резисторов с угольной дорожкой в устройствах
электропитания для регулировки выходного напряжения . Из-за несовершенства
дорожки возможно мгновенное появление полного выходного напряжения.
В современной зарубежной технике применяются подстроечные резисторы серии
POZ3, имеющие номинал от 200 Ом до 2 МОм. Средний вывод у них расположен
обособленно и имеет большую ширину, чем крайние выводы. Некоторые варианты
исполнения таких переменных резисторов показаны на рис. 1.4.
На приведенном рисунке крайнче выводы обозначены цифрами l и 3, а сред
ний - цифрой 2 (поворот - по часовой стрелке от выв. l к выв. 3).
2
\
CJз
,
~
-
По часовоИ стрелка
Рис. 1.4 . Внешний вид и расположение выводов переменных резисторов

1. Резисторы
13
1.5. Постоянные нелинейные резисторы
1.5 .1. Термисторы
Термисторы - полупроводниковые резисторы с нелинейной вольт-амперной
характеристикой, сопротивление которых резко зависит от температуры окружа
ющей среды .
Одним из основных параметров термисторов является температурный коэффици
ент сопротивления (ТКС), отражающий зависимость их сопротивления от изме
нения температуры окружающей среды.
Термисторы подразделяются на две группы : термисторы с отрицательным ТКС
(ОТК) и термисторы с положительным ТКС (позисторы, или сокращенно ПТК) .
ОТК термисторы в диапазоне температур от 25 до 100 °С изменяют свое
сопротивление от нескольких сот или тысяч ом до нескольких десятков или сот
ом, то есть с повышением температуры их сопротивление снижается . ПТК
термисторы обычно в диапазоне температур от О до 75 °С свое сопротивление
сохраняют примерно на уровне 100 Ом. Однако начиная с температуры 80 °С их
сопротивление начинает быстро расти до значений порядка 10 кОм при 120 °С .
Такие свойства термисторов обусловили их широкое применение в устройствах
термостабилизации и автоматики, устройствах защиты от перегрузок и пожарной
сигнализации. На корпусе термистора наносится значение его сопротивления при
температуре 20 °С (а для термисторов с рабочими температурами до 300 °С -
при 150 °С). Конкретные значения сопротивлений устанавливаются в основном
по ряду Еб или Е12.
1.5 .2 . Варисторы
Варисторы - полупроводниковые резисторы, сопротивление которых уменьшает
ся при возрастании напряжения . Их назначение - защита от бросков напряже
ния, возникающих. например, в телефонных линиях или при коммутации индук
тивной нагрузки . Могут они применяться и для стабилизации напряжения,
регулирования усиления в системах автоматики, в схемах размагничивания
кинескопов и т.д .
/
111'}'
Рис. 1.5 . Варисторы
На корпусе варистора наносится его рабочее напряжение. В табл. 1.14 и 1.15
приведены основные параметры распространенных варисторов отечественного и
зарубежного производства.

14
1. Резисторы
Таблица 1.14. Основные параметры варисторов отечественного производства
Номинальная
Классификационное
Допуск по клас- Коэффициент Классифика-
Тип
мощность,
напряжение,
сиф. напряжению, нелинейности, ционный ток,
Вт
в
±%
не менее
мА
560
3,5
СН-1-1
1
680, 820, 1000, 1200
10
4
10
1300, 1500
4,5
560
3,5
СН1-1-2
0,8
680
10
4
10
1300
4,5
СН1-2-1
1
56, 68 , 82, 100, 120, 150,
10,20
3,5
2
180, 220, 270
СН1-2-2
1
15, 18,22,27, 33,39,47, 56,
10, 20
3
3
68, 82, 100
3,5
СН1-6
2,5
33
10
4
20
СН1-8
2
20 ООО, 25 ООО
-
6
25 75
СН1-9
0,01
240, 270, 300 , 330, 360
5
5
0,05
СН1-10
3
15, 18
10
3,2
10
22,27, 33, 39 ,47
3,5
Таблица 1.15. Основные парвметры варисторов зарубежного производства
Uном1
Поглощае-
1пик 1
Напряжение покоя
Umax,
Ток изме- Емкость
Тип
в
мая энергия,
кА
в
рения, (f =1 МГц),
Дж
действующее постоянное
А
нФ
V22ZA1
22
0,9
0,25
14
18
47
5
1,6
V33ZA5
33
6
1
20
26
64
10
6
V100ZA3
100
5
12
60
81
165
10
400
V130LA5
200
20
2,5
130
175
340
25
450
V250LA4
390
21
1,2
250
330
650
10
90
V250LA10
390
40
2,5
250
330
650
25
220
V275LA4
430
23
1,2
275
369
710
10
80
V275LA10
430
45
2,5
275
369
710
25
200
V420LA10
680
45
2,5
420
560
1100
25
140

\'
2. Конденсаторы
15
2. Конденсаторы
2.1. Общие сведения
Электрические характеристики конденсатора определяются его конструкцией и
свойствами используемого диэлектрика.
Основными параметрами конденсатора являются:
• номинальное значение емкости (мкФ, нФ, пФ);
• рабочее
напряжение - максимальное значение напряжения, при котором
конденсатор может работать длительно без изменения своих свойств;
• допуск - возможный разброс значения емкости конденсатора;
• температурный коэффициент емкости (ТКЕ) - зависимость емкости конденса
тора от температуры окружающей среды.
В табл. 2.1 приведены основные характеристики конденсаторов различных типов.
Твблица 2.1 . Характеристики конденсаторов
Параметр
Диапазон емкостей
Допуск,±%
Рабочее
напряжение" В
ТКЕ
Диапазон рабочих
температур, 'С
Диэлектрик
Электро- Метал-
Поли- Поли- Поли-
Керамика
лит
лиз.
Слюда эстер
про пи- карбо-
пленка
лен
нат
2,2пФ". 100нФ ... 1мкФ .. 2,2пФ 10нФ". 1нФ". 10нФ".
10нФ
68000мкФ 16мкФ 10нФ
2,2мкФ 470нФ 1ОмкФ
10".20
- 10".+50
20
1
20
20
20
50-2500
6,3 -400 250-600
350
250
1000 63-630
+100.
+1000
+100
+50
+200
-200
+60
-4700
200
-85".
-40
-25".
-40
-4 0"
-55".
-55.
+85
+85
+85
+85
+100
+100
+100
2.2. Обозначение и маркировка
конденсаторов
Поли-
стирен
10пФ .
10мкФ
2,5
160
-150".
+80
-40.
+70
2.2.1 . Отечественная система обозначения
Тантал
100нФ.
10ОмкФ
20
6,3-35
+100".
+250
-55".
+85
Сокращенное обозначение состоит из букв и цифр, например, К53-4, где буква
указывает на тип конденсатора, первое число - на материал диэлектрика,
последнее число - на конструктивное исполнение.
В табл. 2.2 приведена система обозначения конденсаторов в зависимости от
материала диэлектрика.

16
2. Конденсаторы
Таблица 2.2. Система обозначения конденсаторов в зависимости от материала диэлектрика
Подкласс
Буквенное
Группа конденсаторов
Обозначение
конденсаторов
обозначение
группы
Керамические на напряжение ниже 1600 В
10
Керамические на напряжение 1600 В и выше
15
Стеклянные
21
Стеклокерамические
22
Тонкопленочные
26
Слюдяные малой мощности
31
Слюдяные большой мощности
32
Бумажные на напряжение до 2 кВ, фольговые
40
Бумажные на напряжение 2 кВ и выше, фольговые
41
Бумажные металлизированные
42
Конденсаторы
Оксидные алюминиевые
50
постоянной
к
Оксидные танталовые, ниобиевые и др.
51
емкости
Объемно-пористые
52
Оксидно-полупроводниковые
53
С воздушным диэлектриком
60
Вакуумные
61
Полистирольные
71(70)
Фторопластовые
72
Полизтилентерефталатные
73(74)
Комбинированные
75
Лакопленочные
76
Поликарбонатные
77
Полипропиленовые
78
Вакуумные
1
Подстроечные
кт
С воздушным диэлектриком
2
конденсаторы
С газообразным диэлектриком
3
С твердым диэлектриком
4
Конденсаторы
Вакуумные
1
переменной
кп
С воздушным диэлектриком
2
С газообразным диэлектриком
3
емкости
С твердым диэлектриком
4
В основу обозначений по старой системе брались различные признаки: конструк
тивные, технологические, эксплуатационные и другие (например КД - конденса
торы дисковые, ФТ - фторопластовые теплостойкие и т.д.).
Система обозначений конденсаторов зарубежных фирм-производителей не приво
дится, поскольку каждая их них имеет свою собственную систему.
Наиболее широко применяются конденсаторы следующих номинальных рядов
емкостей: ЕЗ, Еб, Е12, Е24 (табл. 2.3).
Таблица 2.3. Ряды номинальных емкостей конденсаторов
Ряд
Числовые коэффициенты
Е3
1; 2,2; 4,7
Е6
1; 1,5; 2,2; 3,3; 4,7; 6,8
Е12
1; 1,2; 1,5; 1,8; 2,2; 2,7; 3,3; 3,9; 4,7; 5,6; 6,8; 8,2
Е24
1; 1,1; 1,2; 1,3; 1,5; 1,8; 1,8; 2; 2,2; 2,4; 2,7; 3; 3,3; 3,6; 3,9; 4,3; 4,7; 5,1; 5,6; 6,2; 6,8; 7,5; 8,2; 9,1
2.2.2 . Маркировка конденсаторов
Маркировка конденсаторов может быть буквенно-цифровой, содержащей сокра
щенное обозначение конденсатора, его номинальные напряжение, емкость, до
пуск, группу ТКЕ и дату изготовления, либо цветовой. В зависимости от размеров
конденсаторов применяются полные или сокращенные (кодированные) обозначе-

2. Конденсаторы
17
ния номинальных емкостей и их допустимых отклонений. Бескорпусные конден
са т оры не маркируются, а их характеристики указываются на упаковке.
Полное обозначение номинальных емкостей состоит из цифрового обозначения
номинальной емкости и обозначения единицы измерения (пФ - пикофарады,
мкФ - микрофарады, Ф
-
фарады).
Кодированное обозначение номинальных емкостей состоит из трех или четырех
знаков, включающих две или три цифры и букву. Буква из русского или
латинского алфавита обозначает множитель:
•п (р) - пико =10-12
;
• Н (п) -нано=10-9;
• М(μилиm)- микро =10-6
•
Примеры : 2,2 пФ - 2П2 (2р2); 1500 пФ - 1Н5 (lп5); 0,1 мкФ - Ml (μ1);
10 мкФ - lOM (10μ).
На рис. 2. 1 показан внешний вид конденсаторов различных типов и исполнения.
Рис. 2.1. Конденсаторы
В табл. 2.4 приведены обозначения допусков . По новой системе они обозначаются
латинскими буквами и соответствуют принятой международной системе обозна
чений, по старой - буквами русского алфавита.
Таблица 2.4 . Допустимые отклонения емкостей конденсаторов
Допуск,%
Код
Цветовом код Допуск,%
Код
Цветовоti код Допуск,% Код
:t0,1 пФ
В(Ж)
-
:t20
М(В)
Черный
:t0,1
в
:t0,2 пФ
С(У)
Оранжевый
:1:30
N(Ф)
-
:t0,25
с
:t0,5 пФ
D(Д)
Желтый
-10+30
Q(O)
-
:t0,5
D
:1:1 пФ
F(P)
Коричневый
-10+50
Т(Э)
-
:1:1
F
:1:2
G(Л)
Крвсн~
- 10+100
У(Ю)
-
:t5
l(И)
Зеленый
- 20+50
S(Б)
Фиолетовый
:1:10
К(С)
Белый
-2 0+80
Z(A)
Серый

18
2. Конденсаторы
2.2.З. Кодовая цифровая маркировка
Кроме буквенно-цифровой маркировки применяется способ цифровой маркировки
тремя или четырьмя цифрами по стандартам IEC (табл. 2.5, 2.6).
При таком способе маркировки первые две или три цифры обозначают значение
емкости в пикофарадах (пФ), а последняя цифра - количество нулей. При
обозначении емкостей менее 10 пФ последней цифрой может быть «9»
(109 = 1 пФ), при обозначении емкостей 1 пФ и менее первой цифрой будет «0»
(010 = 1 пФ). В качестве разделительной запятой используется буква R (OR5 =
0,5 пФ).
При маркировке емкостей конденсаторов в микрофарадах применяется цифровая
маркировка: 1 - 1 мкФ, 10 - 10 мкФ, 100 - 100.мкФ. В случае необходимости
маркировки дробных значений емкости в качестве разделительной запятой ис
пользуется буква R: Rl - О, 1 мкФ, R22 - 0,22 мкФ, 3R3 - 3,3 мкФ (при
обозначении емкости в мкФ перед буквой R цифра О не ставится, а она ставится
только при обозначении емкостей менее 1 пФ).
После обозначения емкости может быть нанесен буквенный символ, обозначаю
щий допустимое отклонение емкости конденсатора в соответствии с табл. 2.4 .
Таблица 2 5 Кодировка номинальной емкости конденсаторов тремя цифрами
Код
Емкость
Пикофарады (nФ; pF)
Нанофарады (нФ; nF)
Микрофарады (мкФ; μF)
109
1,0
0,001
159
1,5
0,0015
229
2,2
0,0022
339
3,3
0,0033
479
4,7
0,0047
689
6,8
0,0068
100
10
0,01
150
15
0,015
220
22
0,022
330
33
0,033
470
47
0,047
680
68
0,068
101
100
0,1
151
150
0,15
221
220
0,22
331
330
0,33
471
470
0,47
681
680
0,68
102
1000
1,0
0,001
152
1500
1,5
0,0015
222
2200
2,2
0,0022
332
3300
3,3
0,0033
472
4700
4,7
0,0047
682
6800
6,8
0,0068

2. Конденсаторы
Емкость
Код
Пикофарады (пФ; pF)
Нанофарады (нФ; пF)
Микрофарады (мкФ; μF)
103
10000
10
0,01
153
15000
15
0,015
223
22000
22
0,022
333
33000
33
0,033
473
47000
47
0,047
683
68000
68
0,068
104
100000
100
0,1
154
150000
150
0,15
224
220000
220
0,22
334
330000
330
0,33
474
470000
470
0,47
684
680000
680
0,68
105
1000000
1000
1,0
Таблица 2.6 Кодировка номинальной емкости конденсаторов четырьмя цифрами
Емкость
Код
Пикофарадь1 (пФ; pF)
Нанофарады (нФ; пF)
Микрофарады (мкФ; μF)
1622
16200
16,2
0,0162
4753
475000
475
0,475
ТКЕ (температурный коэффициент емкости) - параметр конденсатора, который
характеризует относительное изменение емкости от номинального значения при
изменении температуры окружающей среды. Этот параметр принято выражать в
миллионных долях емкости конденсатора на градус (l0-6 / 0 С). ТКЕ может быть
положительным (обозначается буквой «П» или «Р»), отрицательным («М» или
«N»), близким к нулю («МП») или ненормированным («Н»).
Конденсаторы изготавливаются с различными по ТКЕ типами диэлектриков:
группы NPO, X7R, Z5U, Y5V и другие. Диэлектрик группы NPO(COG) обладает
низкой диэлектрической проницаемостью, но хорошей температурной стабильно
стью (ТКЕ близок к нулю). SMD конденсаторы больших номиналов, изготовлен
ные с применением этого диэлектрика, наиболее дорогостоящие. Диэлектрик
группы X7R имеет более высокую диэлектрическую проницаемость, но меньшую
температурную стабильность.
Диэлектрики групп Z5U и Y5V имеют очень высокую диэлектрическую проница
емость, что позволяет изготовить конденсаторы с большим значением емкости, но
имеющие значительный разброс параметров. SMD конденсаторы с диэлектриками
групп X7R и Z5U используются в цепях общего назначения.
Обозначение группы ТКЕ наносится на корпус конденсатора или в виде непосред
ственного обозначения, или буквенного кода, или цветовой маркировки. Цветовая
маркировка может быть выполнена в виде одной или двух цветовых полос (точек,
меток), причем второй цвет не обязательно наносится - он может быть представ
лен цветом корпуса конденсатора. В табл. 2.7, 2.8, 2.9 показан порядок обозначе
ния ТКЕ конденсаторов различных групп.

20
2. Конденсаторы
'Таблица 2. 7 . Керамические конденсаторы с ненормируемым ТКЕ
Допуск при
Цветовая маркировка
Группа ТКЕ т =-бО ..• +85 ·с, Буквен-
Старое обозначение
ПО ГОСТ
±%
ный код
Новое обозначение
Цвет корпуса Маркировочная точка
Н10
10
в
Оранжевый+черный
Оранжевый
Черная
Н20
20
z
Оранжевый+ красный
Оранжевый
Красная
Н30
30
D
Оранжевый+зеленый
Оранжевый
Зеленая
Н50
50
х
Оранжевый+ голубой
Оранжевый
Синяя
Н70
70
Е
Оранжевый+фиолетовый Оранжевый
-
Н90
90
F
Оранжевый +белый
Оранжевый
Белая
Таблица 2.8 . Керамические и металлостеклянные конденсаторы с линейной зависимостью
от температуры
Цветовая маркировка
Группа ТКЕ
ТКЕ,
Буквен-
Старое обозначение
Группа ТКЕ (международное 1•10-6/0С ный код
Новое обозначение
обозначение)
Цвет
Маркировоч-
корпуса
ная точка
П100
Р100
+100
А
Красный +фиолетовый
Синий
-
П60
+60
-
Синий
Черная
П33
+33
N
Серый
Серый
-
мпо
NPO
о
с
Черный
Голубой
Черная
М33
N030
-33
н
Коричневый
Голубой Коричневая
М47
-47
Голубой+ красный
Голубой
-
М75
N080
-75
L
Красный
Красный
Красная
М150
N150
-150
р
Оранжевый
Красный Оранжевая
М220
.N220
- 220
R
Желтый
Красный
Желтая
М330
N330
-330
s
Зеленый
Красный
Зеленая
М470
N470
-470
т
Голубой
Красный
Синяя
М750
N750
- 750
u
Фиолетовый
Красный
-
М1500
N1500
-1500
v
Оранжевый+оранжевый Зеленый
-
М2200
N2200
-2200
к
Желтый+оранжевый
Зеленый
-
Таблица 2.9. Конденсаторы с нелинейной зависимостью от температуры
Группа ТКЕ
Допуск,
Температура,
Буквенный код
Цветовая маркировка
по стандарту EIA
%
·с
Y5F
±7,5
-30 +85
У5Р
±10
-30. .+85
Серебристый
Y5R
-30...+85
R
Серый
Y5S
±22
-30...+85
s
Коричневый
Y5U
+22 ... -56
-30 ..+85
А
Y5V
+22" .-8 2
-30...+85
X5F
±7,5
-55 .. +85
Х5Р
±10
-55."+85
X5S
±22
-55...+85
X5U
+22 ... -56
-55...+85
Синий
X5V
+22 .. -82
-55...+85

2. Конденсаторы
21
Группа ТКЕ
Допуск,
Температура,
Буквенный код
Цветовая маркировка
по стандарту EIA
%
·с
X7R
±15
-55 +125
Z5F
±7,5
-10 +85
в
Z5P
±10
-10 +85
с
Z5S
±22
-10 +85
Z5U
+22 -56
-10 +85
Е
Z5V
+22 -82
-10 +85
F
Зеленый
Некоторые фирмы пользуются собственной системой обозначений, отличающейся
от приведенной в таблицах.
2.2 .4 . Цветовая маркировка
Вследствие того, что площадь поверхности корпуса конденсаторов зачастую
недостаточна для нанесения маркировки, широко применяется цветовая кодовая
маркировка либо в виде цветных полос, либо в виде цветных точек. Количество
маркировочных меток может составлять от трех до шести, а кодироваться могут
как основные параметры конденсатора (емкость и рабочее напряжение), так и
дополнительные (допуск и ТКЕ). Как правило, первые две или три метки
обозначают значение емкости, а следующие за ними соответственно множитель,
допуск и ТКЕ.
Определить рабочие параметры конденсаторов по цветовой маркировке можно,
пользуясь рис. 2.2, 2.3 (см. цветную вклейку).
2.3. Особенности маркировки некоторых
типов SMD конденсаторов
2.3 .1 . Керамические SMD конденсаторы
Таблица 210
Буква
Мантисса
Буква
Мантисса
Буква
Мантисса
А
1,0
L
2,7
т
5,1
в
1,1
м
З,О
u
5,6
с
1,2
N
З,З
m
6,0
D
1,З
ь
3,5
v
6,2
Е
1,5
р
3,6
w
6,8
F
1,6
а
З,9
n
7,0
G
1,8
d
4,0
х
7,5
н
2,0
R
4,З
t
8,0
J
2,2
е
4,5
у
8,2
к
2,4
s
4,7
у
9,0
а
2,5
f
5,0
z
9,1

22
2. Конденсаторы
Маркировку на керамические SMD конденсаторы иногда наносят кодом, состоя
щим из одной или двух букв и цифры. Первая буква (необязательно) - код
изготовителя (например, К для обозначения конденсаторов фирмы КЕМЕТ, и
т.д.), вторая буква - мантисса в соответствии с приведенной выше табл. 2.10 и,
наконец, последняя цифра - показатель степени для определения емкости в пФ.
Например, S3 - 4,7нФ (4,7х10 3 пФ) конденсатор неизвестного изготовителя, в то
время как КА2 - lООпФ (1,Ох102 пФ) конденсатор производства фирмы КЕМЕТ.
2.3 .2 . Оксидные SMD конденсаторы
Таблица 2.11
Буква
е
G
А
с
о
Е
v
н
Напряжение, В
2,5
4
6,3
10
16
20
25
35
50
Емкость и рабочее напряжение оксидных SMD конденсаторов часто обозначают
ся их прямой записью, например 10 6V - 10 мкФ х 6 В. Иногда вместо этого
используется код, который обычно состоит из буквы и трех цифр. Буква указыва
ет на рабочее напряжение в соответствии с табл. 2.11, а три цифры (2 цифры,
обозначающие номинал, и множитель) обозначают значение емкости в пикофара
дах. Полоса указывает на вывод положительной полярности.
Например, маркировка А475 обозначает конденсатор емкостью 4,7 мкФ с рабочим
напряжением 1О В.
475 = 47х105 пФ= 4,7х10 6 пФ= 4,7 мкФ
В некоторых случаях значение емкости кодируется буквой и цифрой. Буква (см.
табл. 2.12) обозначает номинал емкости, а цифра - множитель
-
количество
нулей, которые необходимо добавить к номиналу для определения значения
емкости конденсатора.
Таблица 2. 12
Буква
А
Е
J
N
s
w
Емкость, пФ
1,0
1,5
2,2
3,3
4,7
6,8
2.3 .3 . Танталовые SMD конденсаторы
Танталовые конденсаторы выпускаются пяти типоразмеров: А, В, С, D, Е (см.
табл. 2.13).
Таблица 2. 1З
Типоразмер
Типоразмер метрический
L, мм
W,мм
Н,мм
D,мм
А
3216
3,2
1,6
1,6
1,2
в
3528
3,5
2,8
1,9
2,2
с
6032
6,0
3,2
2,5
2,2
о
7343
7,3
4,3
2,9
2,4
Е
7343Н
7,3
4,3
4,1
2,4
-

2. Конденсаторы
Рабочее напряжен ие
~ Емкость
Множитель
Рабочее напряжение
Емкость. мкФ ----
Рабочее напряжение ----
Емкость. мкФ
Рабочее напряжение =:::::::::::--_
Рис. 2.4 . Буквенно-цифровая маркировка SMD конденсаторов
23
Маркировка танталовых конденсаторов типоразмеров А и В состоит из буквенно
го кода номинального напряжения в соответствии с табл. 2 . 14:
Таблица 2. 14
Буква
G
J
А
с
D
Е
v
т
Напряжение.В
4
6,3
10
16
20
25
35
50
За ним следует трехзначный код номинала емкости в пикофарадах, в котором
последняя цифра обозначает количество нулей в номинале .
Например. маркировка El05 обозначает конденсатор емкостью 1 ООО ООО пФ =
1.0 мкФ с рабочим напряжением 25 В .
Емкость и рабочее напряжение танталовых SMD конденсаторов типоразмеров С,
О, Е обозначаются их прямой записью. например 47 бV - 47 мкФхб В .
2.4. Подстроечные конденсаторы
зарубежных фирм
Основными поставщиками подстроечных конденсаторов (trimmer capasitors) яв
ляются фирмы PНILIPS и MURATA .
На рис. 2 .5 изображены подстроечные конденсаторы, производимые фирмой
PНILIPS .
Такие конденсаторы предназначены для работы в диапазоне температур от -40 °С
до +70 °С и при напряжении постоянного тока до 100 В .

24
2. Конденсаторы
а)
б)
Рис. 2.5. Подстроечные конденсаторы фирм ы PHILIPS :
а) миниатюрный подстроечный конденсатор; б ) подстроеч н ый конденсатор
диаметром 5 мм
В табл. 2 . 15 и 2 . 16 дана цветовая маркировка и ос новные параметры миниатюр
ных и с диаметром корпуса 5 мм подстроечн ых конде нсатров фирмы PHILIPS .
Таблица 2.15
Цвет корпуса
Емкость, пФ
Диаметр корпуса , мм
Желтый
2...10
7,7
Зеленый
2..22
7,7
Желтый
5,5 ...65
10,5
Таблица 2.16
Цвет кор пуса
Значение емкости, пФ Диаметр корпуса, мм
Желтый
1,4...10
5
Зеленый
З,5...20
5
Подст роечные конденсаторы фирмы M URA TA также маркируются окраской
корпуса. Ниже приводятся их рисунки и габарит ные разм еры .
2.4.1. Миниатюрные керамические подстроечные
конденсаторы (табл. 2.17)
Работают в диапазоне температур - 55 .. .+85 °С и рассчитаны на рабочие напря
жения 50 или 100 В.
Сопротивление изоляции lO ГОм (минимальн ое ) .
Метка
максимальной ~
емкости
~
Рис . 2 .6 . Миниатюрные 1<ерамические подст рое чные
конденсаторы фирмы MURATA

2. Конденсаторы
Таблица 2. 17
Цвет корпуса
Емкость, пФ
Рабочее напряжение В
Добротность на f=1 МГц
Синий
1,5 ...5
100
300
Белый
3...11
100
500
Красный
4,2...20
100
500
Зеленый
5,2...30
100
500
Оранжевый
6... 50
50
300
2.4.2 . Керамические подстроечные конденсаторы
для поверхностного монтажа с шириной корпуса 4 мм
(табл. 2.18)
Рис. 2.7. Подстроечный SMD конденсатор с шириной корпуса 4 мм
Таблица 2. 18
Цвет корпуса
Емкость , пФ
Рабочее напряжение, В
Добротность на f=1 МГц
Коричневый
1,4 ...3
100
300
Синий
2...6
100
500
Белый
3... 10
100
500
Крвсный
4,5 ...20
100
500
Зепеный
6,5...30
100
300
Желтый
8,5 ...40
100
300
Черный
4...25
50
300
Черный
7... 50
50
300
2.4 .3 . Керамические подстроечные конденсаторы
с шириной корпуса 3 мм (табл. 2.19)
Рис. 2.8. П одстрое ч н ый SMD конденсатор с ширин ой кор пуса 3 мм
Таблица 2. 19
Цвет статора
Емкость, пФ
Рабочее напряжение , В
Добротность на f=1 МГц
Коричневый
1,4 ...3
100
300
Синий
2...6
100
500
Белый
3..• 10
100
50
Красный
5...20
100
~nn
25
--

26
2. Конденсаторы
2.4.4. Керамические подстроечные конденсаторы
с шириной корпуса 2 мм (табл. 2.20)
Рис. 2.9 . Подстроечный SMD конденсатор с шириной корпуса 2 мм
Табл ица 2.20
Цвет статора
Емкость , пФ
Рабочее напряжение, В
Добротность на f=1 МГц
Белый
.
1,4..З
25
300
Светло-зеленый
2,5...6
25
500
Светло-зеленый
3...10
25
500
Коричневый
4.5 ...20
25
500
2.5. Другие типы конденсаторов
С целью миниатюризации радиоап п аратуры и снижения времени на ее производ
ство некоторые фирм ы предлагают гиб р идные устройства на ос н ове испо.1ьзова
ния конденсаторов. Среди них мож но выделить:
• Т-образные фильтры;
• конденсаторы-варисторы;
• помехоподавляющие конденсаторные сборки для коллекторных элек т родвигате-
лей переменного тока.
Т-образный фильтр представляет собой трехвыводный элемент, состоящий из
конденсатора и двух фер р итовых ячеек , включенных последовательно. Такие
фильтры предназначены для п одавления ВЧ помех в цепях постоянного тока ,
цифровых схемах с высоким входным сопротивлением и трактах УП ЧИ теле
визоров.
На рис . 2.10 изображен такой фильтр и п риведена его схема.
Конденсаторы-варисторы (рис. 2. 11) п редназ н ачен ы для защиты схем от воздей
ствия кратковременных в ы бросов нап ря жения частотой выше 50...60 Гц, а также
для защиты цифровых КМОП и ТТЛ микросхем от статического электричества.
~--
-
""
n ....... "rn.'1",,,n

2. Конденсаторы
27
Помехоподавляющие конденсаторные сборки (рис. 2.12) служат для подавления
помех, возникающих при работе коллекторных электродвигателей переменного
тока (электроинструмент, бытовая техника).
черный :
(0.1 мк)i СЕТЬ
черный i
Рис. 2.12 . Помехоnодавляющая конденсаторная сборка
2.6. Советы по практическому применению
Если задано постоянное рабочее напряжение конденсатора, то это относится к
максимальной температуре. Поэтому конденсаторы всегда работают с определен
ным запасом надежности . Тем не менее, нужно обеспечивать их реальное рабочее
напряжение на уровне 0,5 ... 0 .6 от допустимого значения.
Если для конденсатора определено предельное значение переменного напряже
ния, то это относится к частоте 50... 60 Гц. Для более высоких частот или же в
случае импульсных сигналов следует дополнительно снижать рабочие напряже
ния во избежание перегрева конденсаторов из-за потерь в диэлектрике
Конденсаторы большой емкости с малыми токами утечки способны довольно долго
сохранять накопленный заряд после выключения аппаратуры. Для обеспечения
большей безопасности следует подключить параллельно конденсатору цепь раз
ряда на корпус через резистор сопротивлением l МОм (0,5 Вт).
В высоковольтных цепях часто используется последовательное включение конден
саторов . Для выравнивания напряжений необходимо параллельно каждому из них
подключить резистор сопротивлением от 220 кОм до l МОм.
При использовании оксидного конденсатора в качестве разделительного необхо
димо правильно определить полярность его включения. Ток утечки такого конден
сатора может существенно влиять на режим работы усилительного каскада.

28
3. Индуктивности
3. Индуктивности
3.1. Общие сведения
Катушки индуктивности позволяют запасать электрическую энергию в магнит
ном поле. Типичное их применение - сглаживающие фильтры и различные
селективные цепи. Их электрические характеристики определяются конструк
цией, свойствами материала магнитопровода, его конфигурацией и числом
витков катушки.
При выборе катушки индуктивности следует учитывать следующие характе
ристики:
• требуемое значение индуктивности (Гн, мГн, мкГн, нГн);
• максимальный ток катушки;
• допуск индуктивности;
• температурный коэффициент индуктивности (ТКИ),
• активное сопротивление провода катушки;
• добротность катушки, которая определяется на рабочей частоте как отношение
индуктивного и активного сопротивлений;
• частотный диапазон катушки.
Катушки индуктивности подразделяются на катушки с постоянным значением
индуктивности и на катушки с подстраиваемым ферромагнитным сердечником
значением индуктивности.
Первый тип применяется, как правило, во входных цепях телефонных аппаратов,
в сглаживающих фильтрах, дросселях в цепях ВЧ. Второй тип катушек использу·
ется в резонансных цепях - ВЧ трактах приемных и передающих устройств.
3.2. Маркировка катушек индуктивности
Маркировка катушек индуктивности осуществляется путем нанесения на ю
корпус основных параметров - значения индуктивности и допустимого отклоне
ния индуктивности от номинального значения.
При кодовой маркировке на корпус катушки индуктивности наносится цифроваf
или буквенно-цифровая маркировка. Номинальное значение индуктивности коди
руется цифрами, после которых следует (или отсутствует вообще) буква, обозна
чающая величину допуска.
При определении величины индуктивности следует знать следующее:
• цифры обозначают значение индуктивности в микрогенри;
• если индуктивность обозначается в наногенри, то после цифр наносится букв~
N (?N? =? ? нГн)·

3. Индуктивности
29
• если величина индуктивности менее 1 мкГн или выражается дробным числом,
измеряемым в микрогенри, то применяется разделительная буква R (R47 =
0,47 мкГн; 1R5 = 1,5 мкГн);
• при маркировке значений индуктивности от 10 мкГн после двузначной цифры
проставляется множитель, указывающий на количество нулей после указанного
двузначного числа (150 = 15 мкГн; 151=150 мкГн; 122 = 1200 мкГн = 1,2 мГн);
• указанный
выше способ маркировки применяется и для маркировки SMD
катушек индуктивности (дросселей);
• в отдельных случаях применяется отличающееся от указанного выше обозначе
ние индуктивности - индуктивность в микрогенри просто обозначается одно-,
двух- или трехзначным числом без множителя, или дробным числом (560 =
560 мкГн; 3,3 = 3,3 мкГн).
Допуск катушек индуктивности обозначается одной из четырех букв:
±10%;
D
J
для допуска ±0,3 нГн;
±5%;
к
м
±20% (или не наносится вообще, что
соответствует допуску ±20% ).
В табл. 3.1 приведены основные данные SMD катушек индуктивности, произво
димых фирмами SAMSUNG и NIC.
Таблица З. 1. Основные данные катушек индуктивности фирм SAMSUNG и NIC
Код EIA
Диапазон значений Добротность Тестовая частота при Сопротивление по- Максимальный
индуктивности, мкГн
а
и_змерении Q, МГц стоянному току, Ом
ток, мА
-
Катушки с низкими значениями индуктивности
0603
0,047 - .. 0,82
15
25
0,30
50
0603
1,0...4,7
35
10
0,60
10
0603
5,6 ... 12,0
35
4
1,55
4
0603
15,0 ...33,0
20
1
1,70
1
0805
0,047 .. . 0,82
25
25
0,20
300
0805
1,0.. .4,7
45
10
0,40
50
0805
5,6 .. . 12,О
50
4
0,90
15
0805
15,0 ...33,0
30
1
0,80
5
1206
0,047 ...0,82
25
25
0,90
300
1206
1,0...4,7
45
10
0,40
100
1206
5,6. 12,0
50
4
0,70
25
1206
15,0 33,0
35
1
0,70
5
· КатуwкИ с высокими значениями индуктивности
0603
1,5 100
12
100
0,10
300
0805
1,58... 180
18
100
0,10
300
Цветовая маркировка наносится на корпус катушки индуктивности в виде трех
или четырех цветных колец или точек, которые обозначают следующее:
• первые два кольца - номинал индуктивности;
• третье кольцо - множитель;
•четвертое кольцо - допуск (или не наносится при величине допуска ±20%).
Пример цветовой маркировки катушек индуктивности изображен на рис. 3.1
(см. цветную вклейку).

30
4. Кварцевые резонаторы
4. Кварцевые резонаторы,
пьезоэлектрические фильтры и
фильтры на ПАВ
4.1. Общее назначение и маркировка
Кварцевые резонаторы служат для стабилизации частоты электрических колеба
ний на основе эффекта пьезоэлектрического резонанса. Так как кварцевые
резонаторы производятся многими фирмами и четкой системы их маркировки нет,
ограничимся рекомендациями по их подбору и замене.
Кварцевый резонатор - это двухэлектродный прибор, выполненный в герметич
ном металлическом или стеклянном корпусе. На корпусе наносится значение
резонансной частоты - основной характеристики кварцевого резонатора.
Пьезоэлектрические фильтры относятся к приборам селекции частоты. Благодаря
их применению удалось снизить габариты некоторых типов радиоэлектронных
устройств.
Отечественные пьезоэлектрические фильтры маркируются буквенно-цифровым
или цветовым кодом.
При буквенно-цифровой маркировке на корпус фильтра наносятся:
• буквы ФП - фильтр пьезоэлектрический;
• цифра, обозначающая материал фильтра:
1 - керамика;
2 - кварц;
3 - пьезокристаллы другого вида;
• буква, обозначающая функциональное назначение:
П - полосовой;
Р - режекторный;
Д - дискриминаторный;
Г - гребенчатый;
О - однополосный;
• цифра, обозначающая конструктивные особенности фильтра:
1 - дискретный;
2 - гибридный однослойный;
3 - гибридный пьезомеханический;
4 - гибридный монолитный;
5 - гибридный прочий;
6 - интегральный однослойный;
7 - интегральный пьезомеханический;
8 - интегральный монолитный;

4. Кварцевые резонаторы
9 - и нтегральный на ПАВ (поверхностно-акустических волнах ) ;
10 - интегральный прочий;
• двуз начное число - номер разработки;
• цифра. обозначающая номина л ьную частоту :
1- до60кГц;
2- 60...400кГц;
3 - 400 ... 1200 кГц;
4 - 1,2...3 МГц;
5 - 3...5МГц;
6 - 5...25 МГц;
7 - 25 ...35 МГц;
8 - 35 ...90 МГц;
9 - более 90 МГц.
31
К цифре может добавляться буква, указывающая на еди ни цу измерения ч а
стоты;
цифра, обозначающая ширину полосы частот (соотн ошение Лf/f):
1 - узкополосный (до 0.05%);
2 - узкополосный (0 ,05 ... О,2%);
3 - широкополосный (0,2 ... О.4% ) ;
4 - широкополосный (0,4 ... О,8%) ;
5 - широкополосный (более 0,8%);
• буква, обозначающая допустимые условия эксплуатации :
В - всеклиматические;
Т - тропические;
М - морские;
• буква, обо з начающая допустимый диапазон рабочих темпе р атур :
А - +1...+55 °С;
Б-
-1 0.. .+60 °С;
в-
-40...+70 °С;
д-
-40...+85 °С;
Е-
-60...+85 °С;
Ж- -80...+100 °С.
При недостатке места на корпусе применяют сокращенную маркировку, состоя
щую из первых пяти элементов .
Для маркировки керамических фильтров применяе тся и цв етова я м аркировка
(табл. 4.1).
Рис . 4.1 . Пьезоэлектрический фильтр

32
4. Кварцевые резонаторы
Таблица4 . 1
Цвет корпуса или цифра на корпусе Цмтныеметкм
Тип фильтра
Применяемость
70
Красная
ФП1П6-1 . 1
УПЧ радиоприемников УКВ/ФМ
70
Желтая
ФП1П6-1 .2
Тоже
64
Жеmая
ФП1П6-1 .З
-
.
-
67
Жептая
ФП1П6-1 .4
-
.
-
70
Белая
ФП1П6-1.5
-
.
-
Голубой
Желтая
ФП1П8-62 .01
УПЧЗ телевизоров
Голубой
Жвлтая+белая
ФП1QН2 . 02
Тоже
Бледно-зеленый
Нет
ФП1Р8-63 .01
-
.
-
Бледно-зеленый
Красная
ФП1РВ-б3 .02
-
.
-
Голубой
ФП1Р8-63.ОЗ
-
.
-
Голубой
Красная+белая
ФП1Р8-63.04
-
.
-
Цветовая маркировка керамических фильтров показана на рис. 4.2 (см. цветную
вклейку). На зарубежных пьезофильтрах наносится значение средней частоты
полосы пропускания и буквы, определяющие функциональное назначение
(табл. 4.2).
Таблица 4.2
Обоэначен11е
Т11п фильтроа
CFW, SFE, Е
Трехвыводные полосовые
т
Четырехвыводные полосовые
L,T ,W ,S
Трехвыводные режекторные
J,D
Двухвыводные дискриминаторные
СВР. CDA, CSA
Трехвыводные дискриминаторные
_.
n
•.fl - ------ --··..,.
............ ,,...~ n ..... •,"l"nr.111.0.l'll"UV ffiц ПJ...TIV\R. ~~nVfiPЖHnГO П00И38QЛСТВ3

5. Маркировка полупроводниковых приборов
33
5. Маркировка полупроводниковых
приборов
5.1. Отечественная и зарубежные
системы маркировки полупроводниковых
приборов
Маркировка полупроводниковых приборов - это информация на их корпусе,
которая позволяет определить тип полупроводникового прибора.
Вид маркировки зависит от типа корпуса полупроводникового прибора и в первую
очередь от его геометрических размеров, например, площадь корпуса транзистора
КТ825 позволяет нанести на нем полную маркировку, в то же время нанесение
маркировки обычным способом на небольших по габаритам транзисторах, особен
но в пластмассовых и SOT корпусах затруднительно. Поэтому маркировка может
представлять собой либо полное, либо сокращенное обозначение: буквенно-циф
ровое, символьную цветовую маркировку, маркировку условным кодом (применя
ется в основном для маркировки SMD компонентов), состоящим из одного или
более знаков. Каждый тип полупроводникового прибора имеет свое условное
обозначение.
Существует несколько систем обозначений полупроводниковых приборов.
Отечественная система обозначений полупроводниковых приборов состоит из
семи элементов:
1-й элемент
2-й элемент
3-й элемент
4-й, 5-й,
6-й элементы
7-й элемент
буква или цифра, обозначающая применяемый полупро
водниковый материал;
буква, обозначающая подкласс полупроводникового при
бора;
цифра, определяющая основные функциональные возмож
ности прибора;
цифры, обозначающие порядковый номер разработки, а
для стабилитронов и стабисторов - напряжение стабили-
зации;
буква, определяющая классификацию полупроводниково
го прибора по параметрам.
Например: КТ201Д, 2Т904А, КВ109Б.
В отсутствие справочника определить назначение и основные параметры полупро
водникового прибора можно по его маркировке, пользуясь приводимыми ниже
табл. 5.1 и 5.2.

34
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Таблица 5.1
-
~>
ПЕРВЫЙ ЭЛЕМЕНТ
'
Буква или
Применяемый материал
Буква или
Применяемый материал
цифра
цифра
гили 1 Германий
А или 3 Арсенид галлия
к или 2 Кремний
и или 4 Индий
ВТОРОЙ ЭЛЕМЕНТ
/1
Буква
Подгруппа приборов
Буква
Подгруппа приборов
т
Транзисторы биполярные
о
Оптопары
п
Транзисторы полевые
н
Динисторы
д
Диоды
у
Тиристоры
к
Стабилизаторы тока
и
Туннельные диоды
ц
Выпрямительные столбы и блоки
г
Генераторы шума
с
Стабилитроны, стабисторы и ограничители
Б
Диоды Ганна
в
Варикапы
А
Диоды СВЧ
л
Светодиоды
Таблица 5.2
",, ,~
' , :: ,< ~:,> ~~<, ,~ ;:~ ::jJ:,j~7,t~fE:;r::~t8,i:J!Jtr~#'~#~л':' ~«~~,,
..
;,>""''-::';_;;,:
"
'.
•'
Диоды
Цифра
Назначение прибора
Цифра
Назначение прибора
1
Выпрямительные с lnp $0,3 А
4
Туннельные обращенные
2
Выпрямительные с lnp 0,3" .1 О А
1
Стабилитроны, стабисторы и огр.
СUcr <10В(<0,3Вт)
3
Диоды прочие (термодиоды, магнитодиоды)
2
Стабилитроны, стабисторы и огр.
С Ucr 10 "100 В {<0,3 Вт)
1
Выпрямительные столбы с lnp s0,3 А
3
Стабилитроны, стабисторы и огр.
С Ucr >100 В {<0,3 Вт)
2
Выпрямительные столбы с lnp 3". 10 А
4
Стабилитроны, стабисторы и огр.
СUcr <1ОВ{0,3".5Вт)
3
Выпрямительные блоки с lпр. s0,3 А
5
Стабилитроны, стабисторы и огр.
С Ucr. 1О "100 В (0,3".5 Вт)
4
Выпрямительные блоки с lnp 0,3 "1 О А
6
Стабилитроны, стабисторы и огр.
С Ucr >100 В {0,3".5 Вт)
4
Импульсные с tвосст. ~500 нс
7
Стабилитроны, стабисторы и огр.
СUcr. <10В(5".10Вт)
5
Импульсные с tвосст 150" . 50 0 нс
8
Стабилитроны, стабисторы и orp.
С Ucr 10".100 В (5".10 Вт)
6
Импульсные с tвосст 30". 1 5 0 нс
9
Стабилитроны, стабисторы и огр.
С Ucr. >100 В (5".10 Вт)
7
Импульсные с !восст. 5" .30 нс
1
Варикапы подстроечные
8
Импульсные с tвосст 1" . 5 нс
2
Варикапы умножительные (варакторы)
9
Импульсные с tвосст. <1 нс
1
Излучающие ИК диоды
1
Диоды СВЧ смесительные
2
Излучающие ИК модули
2
диоды свЧ детекторные
3
Светодиоды
3
Диоды СВЧ усилительные
4
Знаковые индикаторы
4
Диоды СВЧ параметрические
5
Знаковые табло
5
Диоды СВЧ переключательные
и ограничительные
6
Шкалы

5. Маркировка полупроводниковых приборов
35
~~--~----
ТРЕТИЙ ЭЛЕМЕНТ
·:.~
Диоды
Цифра
Назначение прибора
Цифра
Назначение прибора
6
Диоды СВЧ умножительные и настроечные
7
Экраны
7
Диоды СВЧ генераторные
р
Оптопары резисторные
8
Диоды СВЧ прочие
д Оптопары диодные
1
Туннельные усилительные
у
Оптопары тиристорные
2
Туннельные генераторные
т Оптопары транзисторные
з
Туннельные переключательные
Транзисторы
Цифра
Назначение прибора
Цифра
Назначение прибора
1
Биполярные малой мощности НЧ. до ЗМГц
1
Полевые малой Fу1Ощности НЧ
2
Биполярные малой мощности СЧ: з .. ЗОМГц
2
Полевые малой мощности СЧ
з
Биполярные малой мощности ВЧ· более ЗОМГц з
Полевые малой мощности ВЧ и СВЧ
4
Биполярные средней мощности НЧ
4
Полевые средней мощности НЧ
5
Биполярные средней мощности СЧ
5
Полевые средней мощности СЧ
6
Биполярные средней мощности ВЧ и СВЧ
6
Полевые средней мощности ВЧ и СВЧ
7
Биполярные большой мощности НЧ
7
Полевые большой мощности НЧ
8
Биполярные большой мощности СЧ
8
Полевые большой мощности СЧ
9
Биполярные большой мощности ВЧ и СВЧ
9
Полевые большой мощности ВЧ и СВЧ
В типовых корпусах для микросхем выпускаются транзисторные сборки, которые
в составе обозначения имеют буквы НТ (набор транзисторов), например:
198НП Б, 125НТ1. Зарубежные фирмы-производители полупроводниковых прибо
ров применяют одну из трех распространенных систем маркировки - европей
скую PRO-ELECTRON, американскую JEDEC (Joint Electron Device Engineering
Council) или японскую JIS (Japanese Industrial Standard).
Европейская маркировка полупроводниковых приборов PRO-ELECTRON
(табл. 5.3) состоит из трех элементов - двух букв и трех- или четырехзнач
ного числа. Первая буква обозначает тип используемого при производстве
полупроводниковых приборов материала, вторая - тип полупроводникового
прибора (некоторые фирмы используют еще одну букву, так, фирма PHILIPS
при обозначении некоторых типов полупровод~иковых приборов, например,
транзисторов BLT50, BLT80 применяет три буквы), а цифры от 100 до 9999
обоз на чают его серийный номер (обозначения Z 1О" .А99 относятся к приборам
промышленного и специального назначения).
Иногда наносится и четвертый элемент - буква, обозначающая группу по
коэффициенту усиления: А - низкий коэффициент усиления; В
-
средний
коэффициент усиления; С - высокий коэффициент усиления.
Таблица 5.3
ПЕРВАЯ БУКВА - ТИП МАТЕРИАЛА
Буква
Материал
Буква
Материал
А Германий (Ge)
D Индий с примесью сурьмы (lпSb)
в Кремний (S1)
R Сульфид кадмия (материал для элементов
Холла и фотоэлементов)
с Арсенид галлия {GaAs)

36
5. Маркировка полупроводниковых приборов
-
-~
BTOf'A~.)~Y,KS.A - ВИД ПРИБОРА
.,
k
Буква
Вид прибора
Буква
Вид прибора
А Детекторные, переключательные или смеси-
тельные диоды
N Оптопары
в Варикапы
р
Фотодиоды оптического и ИК диапазона
с Маломощные биполярные НЧ транзисторы
Q Излучающие диоды оптического
или ИК диапазона
D Мощные биполярные НЧ транзисторы
R Маломощные переключательные ПП приборы
Е Туннельные диоды
s Маломощные биполярные ключевые
транзисторы
F Маломощные биполярные ВЧ транзисторы
т Динисторы, тиристоры, симисторы
G Сборки из ПП приборов различного назначения
u Мощные биполярные ключевые транзисторы
н Магнита-чувствительные диоды
х Умножительные диоды (варакторы и др.)
к Элементы Холла открытого типа для
у
Выпрямительные диоды, столбы, мосты
регистрации магнитных полей
L Мощные биполярные ВЧ транзисторы
z Стабилитроны и стабисторы
м Элементы Холла закрытого типа
Пример: ВС108 - кремниевый маломощный биполярный НЧ транзистор с
серийным номером 108.
По американской системе JEDEC транзисторы обозначаются буквенно-цифровым
кодом (табл. 5.4). Кроме того, система JEDEC предполагает цветовую маркировку
диодов, которая наносится на корпус в виде 3-5 цветных полос, смещенных к
катоду диода, при этом первая цифра и буква опускаются.
Так, номера из двух цифр (1N68... ) обозначаются одной черной полосой и двумя
цветными, из трех цифр (1 N256... )
-
тремя цветными полосами, из четырех
цифр - четырьмя цветными полосами. При наличии в обозначении буквы, она
обозначается дополнительной цветной полосой:
о
черный
5илиЕ
зеленый
1илиА
коричневый
6илиF
синий
2илив
красный
7илиG
фиолетовый
зилис
оранжевый
8илин
серый
4илиD
желтый
9или1
белый
Таблица 5.4
1-й элемент - цифра
2-й элемент - буква
3-й элемент - цифра
4-й элемент - буква
Число р-п переходов:
1 -диод
Серийный номер
2 - транзистор
N
Модификация прибора
З-тиристор
100 ... 9999
4-onтonapa
Пример: 2N2158 - обозначение транзистора.
Японская система маркировки транзисторов JIS состоит из следующих элементов:
1-й элемент
2-й элемент
цифра, обозначающая тип прибора;
две буквы, указывающие на функциональную принадлеж
ность полупроводникового прибора согласно табл. 5.5.

5. Маркировка полупроводниковых приборов
37
Таблица 5.5
1-й элемент - 2-й элемент -
3-й элемент - буква
4-й элемент - 5-й элемент
-
цифра
буква
цифра
буква (буквы)
Тип прибора:
А - ВЧ PNP транзистор
В - НЧ PNP транзистор
С - ВЧ NPN транзистор
D- НЧ NPN транзистор
Е - диод Есаки (4х слойный NPNP)
о - фотодиод.
F-тиристор
фототранзистор
G - диод Ганна
Серийный Одна или две бук-
Н - однопереходный транзистор
1-диод
s
номер
вы-модифика-
2 - транзистор
J - полевой транзистор с N-каналом
10 ... 9999
ция прибора
К - полевой транзистор с Р-каналом
З-тиристор
М - симметричный тиристор (симистор)
Q - светоизпучающий диод
R - выпрямительный диод
S - малосигнальный диод
Т - лавинный диод
V-варикап
Z - стабилитрон
Так как маркировочный код транзисторов всегда начинается с 2S, то
эти два символа при обозначениях на корпусах транзисторов опуска
ются: например, если на корпусе транзистора стоит маркировка
С/970, то полностью тип транзистора определяется как 2SC1970.
Помимо систем маркировки JEDEC, JIS, PRO-ELECTRON фирмы-производители
часто вводят собственную маркировку. Это делается либо по коммерческим
соображениям, либо при маркировке специальных типов приборов. Наиболее
распространены следующие обозначения:
MJ
MJE
RCA
RCS
ПР
ТIPL
ТIS
ZT
ZTX
мощный транзистор фирмы MOTOROLA в металлическом корпусе;
мощный транзистор фирмы MOTOROLA в пластмассовом корпусе;
приборы фирмы RCA;
приборы фирмы RCS;
мощный транзистор фирмы TEXAS INSTRUMENТS в пластмассовом
корпусе;
мощный планарный транзистор фирмы TEXAS INSTRUMENТS;
малосигнальный транзистор фирмы TEXAS INSTRUMENТS в пласт
массовом корпусе;
приборы фирмы FERRANТI;
приборы фирмы FERRANТI.
Например: ZTX302, ТIРЗlА, MJE3055, TIS43.
Свою систему маркировки имеют и полупроводниковые приборы японской фирмы
NEC (NIPPON ELECTRIC COMPANY). Маркировка состоит из двух элементов:
одной-двух букв, обозначающих тип полупроводникового прибора и цифр, обоз
начающих его регистрационный номер. Список буквенных сокращений приведен
в табл. 5.6 . Следует отметить, что фирмы-производители могут выпускать на
своих заводах по лицензии транзисторы, разработанные другими фирмами под их
фирменным названием, но со своим логотипом.

38
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Таблица 5.6
Сокращение
Тип полупроводникового прибора фирмы NEC
АО
Лавинно-пролетные диоды
GD
Диоды Ганна
GH
Смесительные Ge диоды
н
Фототранзисторы
PS
Оптопары
RD
Стабилитроны
SD
Малосигнальные диоды
SE
Инфракрасные диоды
SG
Светодиоды зеленого свечения
SH
Точечные S1 диоды
SM
AsGa диоды Шоттки
SR
Светодиоды красного свечения
SV
Варакторы
SY
Светодиоды желтого свечения
v
Новые полупроводниковые приборы
VD
Варисторы
Маркировка полупроводниковых приборов наносится на их корпус одним из
следующих способов:
• в виде полного (КТ920А) или сокращенного (Cl 970) наименования полупровод
никового прибора;
• цветовым выделением (окраска корпуса или его части,
нанесение условных
графических знаков и букв, цветных точек или полос);
• в виде условного буквенного, цифрового или смешанного буквенно-цифрового
кода (применяется для маркировки SMD компонентов);
• нанесением условных графических знаков и букв (при этом на часть корпуса
может быть помечена цветовой окраской).
5.2. Диоды общего назначения
5.2.1. Типы корпусов и расположение
выводов диодов
Диоды выпускаются в различных корпусах. Причем разновидностей корпусов
настолько много, что нет никакой возможности полностью привести их в данной
книге. Только стандартизованных отечественных корпусов диодов для навесного
монтажа насчитывается более ста типов, но кроме них выпускаются еще диоды
для поверхностного монтажа, а также специальные силовые диоды. То же можно
сказать и о диодах зарубежных производителей. Поэтому здесь показаны лишь
некоторые типы корпусов диодов для навесного монтажа (рис. 5.1) и для
поверхностного (SMD) монтажа (рис. 5.2).

ТО252
А1КА2
ТО247
Min1-melf
SOD6
SOD110
'1
5. Маркировка полупроводниковых приборов
-===-3 ==-
---==== - ~==-
ТО-263
к
КА
00220
D0-15
D0-201AE
Т0247АС
к
А
Т0218
Рис. 5.1 . Диоды различных типов
SOD 123
~~
SOD323
~~
n .•n
1:Q T"n"
" nnn"n n n <;:МГ'I ""nnnn
ТО220АС
SOT-23
КА
ТО251
~1310 E>I I l<J 02
SОТ143
·~,12
,<},
4
00214
~"- '
39

40
5. Маркировка полупроводниковых приборов
5.2.2 . Цветовая маркировка отечественных диодов
На диоды наносится буквенно-цифровая маркировка в соответствии с таблицами,
приведенными в разделе 5.1 . Полярность выводов обозначается либо символом
диода на его корпусе, либо отдельной маркировкой на корпусе, либо его конст
руктивными особенностями (выемка, например). Затруднения при определении
типа диода вызывает цветовая маркировка. В табл. 5. 7 приведены варианты
маркировки для наиболее широко распространенных точечных и выпрямительных
диодов .
ТаблицаБ. 7
Основные
Маркировка
Тип диода параметры
Цвет корпуса
Внешний вид
~-......---
или метка
корпуса
lпр.• А Uoap.• В
анод
катод
Д9Б
0,09
10
Красное кольцо
~
Д9В
0,01
30
Оранжевое кольцо
~
Д9Г
о.аз
30
Желтое кольцо
~
Д9Д
о.аз
30
Белое кольцо
~
Д9Е
0,05
50
Голубое кольцо
~
Д9Ж
0,01
100
Зеленое кольцо
--t·~
Д9И
0 ,03
за
Два желтых кольца
~ 1..-
-
Д9К
0,06
30
Два белых кольца
~
-
Д9Л
0,03
100
Два зеленых кольца
~
Д9М
0,03
30
Два голубых кольца
~
КД102А
0,1
250
Зеленая точка
~
2Д102А
0,1
250
Желтая точка
--Е.....-
КД102Б
0,1
300
Синяя точка
~
2Д102Б
0,1
300
Оранжевая точка
~
КД103А
0,1
50
Черный торец
Синяя точка
~~
КД10ЗБ
0,1
50
Зеленый торец
Желтая точка
~
КД105А , .
0,3
200
_....
Белое(желтое)кольцо
c:[J8=i
,
с:11:
КД105Б
0,3
400
Зеленая точка Белое (желтое) кольцо
1
КД105В
0,З
600
Красная точка
Белое(желтое)кольцо
c:Jl8 1
КД105Г
0,3
800
Белая или
Белое(желтое}кольцо
с:11: 1
желтая точка

5. Маркировка полупроводниковых приборов
41
Основные
Маркировка
Тип диода параметры
Цвет корпуса
Внешний вид
t----- -г-- ·~
или метка
корпуса
lnp.• A Uoi;p.• В
анод
катод
КД208А
1,0
100
Черная или
Белое(желтое)кольцо
--се-
зеленая точка
КД209А
0,7
400
Черная (зеленая, желтая)
--<:>--
точка
КД209А
0,7
400
Красное кольцо
-'ii iJ-
КД209Б
0,7
600
Белая точка Черная(зеленая,желтая)
-{•
точка
КД209Б
0,7
600
Белая точка
Красное кольцо
~
КД209В
0,5
800
Черная точка Черная(зеленая , желтая)
-(~
точка
КД209В
0,5
800
Черная точка
Красное кольцо
-~
-
КД209Г
0,2
1000 Зеленая точка Черная(зеленая.желтая)
-<:::>---
точка
КД209Г
0,2
1000 Зеленая точка
Красное кольцо
~
КД221А
0,7
100
Голубая точка
КД221Б
0,5
200
Белая точка
Голубая точка
•
КД221В
0,3
400
Черная точка
Голубая точка
~
КД221Г
0,3
600
Зеленая точка
Голубая точка
•
КД226А
2
100
Оранжевое кольцо
~l-
-
КД226Б
2
200
Красное кольцо
-
КД226В
2
400
Зеленое кольцо
~
-
КД228Г
2
600
Желтое кольцо
~
-
КД226Д
2
800
Белое кольцо
~
КД226Е
2
600
~--
Голубое кольцо
-
КД243А
1
50
Фиолетовое кольцо
.--..i
-
КД243Б
1
100
Оранжевое кольцо
~
-
---
КД243В
1
200
Красное кольцо
--Wi J-
КД243Г
1
400
Зеленое кольцо
1"'"'-!'1
---
КД243Д
1
600
Желтое кольцо
~
КД243Е
1
800
Белое кольцо
,.......
-
-
-
КД243Ж
1
1000
Голубое кольцо
-
-

42
'
Тип диода
j
1
КД247А
КД247Б
[ КД247В
1 КД247Г
11
1
1
1
1
i КД247Д
1 КД247Е
1
КД247Ж
КД410А
1
I КД410Б
КД509А
2Д509А
КД510А
2Д510А
КД521А
КД521Б
КД521В
КД521Г
КД522А
КД522Б
-
2Д522Б
КЦ422А
КЦ422Б
КЦ422В
КЦ422Г
-=~
1
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Основные
Маркировка
параметры
Цвет корпуса
или метка
lnp.,A Uoi;p.• В
анод
катод
50
Два фищ~етовых
1
~ольца
1
100
Два {)ранЖевых
кольца
1
200
Два красных кольца
1
400
Два зеленых
кольца
1
800
Два желтых кольца
1
800
Два белых кольца.
1
1000
Два голубых кольца
0,05
1000
Краснвя точка
0.05
600
Синяя точка
0,1
50
Синее кольцо
Широкое синее
кольцо
0,1
50
Широкое синее
кольцо
0,2
50
Два зеленых кольца
Широкое зеленое
кольцо
0.2
50
Зеленея точка
Широкое зеленое
кольцо
0,05
75
Два синих кольца
Широкое синее
кольцо
0,05
50
Два серых кольца
Широкое серое
кольцо
0,05
30
Два желтых кольца
Широкое желтое
кольцо
0,05
120
Два белых кольца
Широкое белое
кольцо
0,1
30
Широкое черное кольцо
Черное кольцо
0,1
50
Широкое черное кольцо Два черных кольца
0,1
50
Широкое черное кольцо
Черная точка
0,5
50
Черная точка
0,5
100
Белаs~точка
Черная точка
0,5
200
Черная точка
Черная точка
0.5
400
Зеленая точка
Черная точка
-
~·=-~~-~-~~
~
~
Внешний вид
корпуса
~
-
-
~-
~
-
-
-
r-'!!I
-·-
~
---
-
-
- --·-
r-m.
-
"
"
~
~
~
---.....-г--
----=--=-
-w::w-
~
~
~
__.._.и--
~
--
~
~
~t=--
+
-
3t=

5. Маркировка полупроводниковых приборов
43
5.2 .3 . Цветовая маркировка зарубежных диодов
Цветовая маркировка диодов по системе PRO-ELECTRON
По системе PRO-ELECTRON диоды маркируются четырьмя цветными полосами
(табл. 5.8), причем вывод катода расположен у широкой полосы.
Таблица 5.8
Тип диода
1-я широкая полоса 2-я широкая полоса 3-я узкая полоса 4-я узкая полоса
Черный
м
о
о
Коричневь1й
х
1
1
Красный
ВА
2
2
Оранжевый
s
3
з
-·
Желтый
т
4
4
Зеленый
v
5
5
-
Синий
w
6
6
г
Фиолетовый
7
7
Серый
у
8
8
Белый
z
9
9
До принятия системы PRO ELECTRON существовала старая европейская буквен
ная система обозначения. Маркировка состояла из первого элемента - буквы
"О", второго элемента, обозначающего тип прибора: А - диод; АР
-
фотодиод;
AZ - стабилитрон и третьего элемента
-
цифры, обозначающей серийный
номер.
Цветовая маркировка диодов по системе JEDEC
• в цветовой маркировке по системе JEDEC (табл. 5.9) первая цифра 1 и вторая
буква N не маркируются;
• номера из двух цифр обозначаются одной черной полосой и двумя цветными,
дополнительная четвертая полоса обозначает букву;
• номера из трех цифр обозначаются тремя цветными полосами, дополнительная
четвертая полоса обозначает букву;
• номера из четырех цифр обозначаются четырьмя цветными полосами и пятой
черной или цветной полосой, обозначающей букву;
• цветные полосы находятся ближе к катоду или первая полоса от катода -
широкая;
• тип диода читается от катода.
Таблица 5.9 . Цветовая маркировка диодов по систаме JEDEC
Цвет полосы Черный Коричн. Красный Оранж. Жепт1>1й Зеленый Синий Фиолет. Серый Белый
Цифра
о
1
2
з
4
5
6
7
8
9
Буква
-
А
в
с
D
Е
F
G
н
J

44
5. Маркировка полупроводниковых приборов
5.2 .4 . Цветовая маркировка отечественных
стабилитронов и стабисторов
(табл. 5.1 О)
Стабилитроны и стабисторы предназначены для стабилизации напряжения. Раз·
личие этих полупроводниковых приборов состоит в то~. что стабилизация напря·
жения происходит при его подаче на стабилитрон в обратном направлении. а на
стабистор - в прямом.
Таблица 5. 10 . Цветовая маркировка стабилитронов и стабисторов отечественного производства
Тип стаби· Основные параметры
Цветовая метка у вь1водов
Эскиз корпуса
,....__
литрона
Uст.• В lст.М111:с:.1 мА
катода
анода
Д814А1"
7
40
Белое кольцо
~
Д814А1
7
40
Черное широкое кольцо
~
Д814А2*
7
26
Черное кольцо
___,_.......___
Д814Б1*
8
36
Синее кольцо
__ _ __ ,._....,__
Д814Б1
8
36
Черное широкое +
~
черное узкое кольцо
Д814В1*
9
З2
Зеленое кольцо
~
Д814В1
9
32
Черное узкое кольцо
~
Д814Г1*
10
29
Желтое кольцо
~
Д814Г1
10
29
Три черных узких кольца
~
Д814Д1*
11,5
24
Серое кольцо
~
Д818А
9
зз
Белое кольцо +
__ _ _ .,.....,_
черная метка
Д818Б
9
З3
Желтое кольцо +
___,____
черная метка
Д818В
9
33
Голубое кольцо+
__ __ _ _...,_
черная метка
Д818Г
9
33
Зеленое кольцо +
.
.
черная метка
11 Д818Д
9
3З
Серое кольцо +
.у->--
~.
черная метка
~Д818Е 9 33
Оранжевое кольцо +
j
L
черная метка
1~
Красное кольцо +
1 КС107А
0,7
100
серая метка
~
КС126А
2,7
135
Красное широкое +
~
фиолетовое + белое кольца
КС126Б
3
125
Оранжеаое широкое +
___ ,_....,____
черное + белое кольца
КС126В
3,3
115
Оранжевое широкое +
~
оранжевое + белое кольца
КС126Г
3,9
95
Оранжеаое широкое +
~
два белых кольца

5. Маркировка полупроводниковых приборов
45
Тип стаби- .-О_с_~ные параметры
Цветовая метка у выводов
Эскиз корпуса
литрона
и••.. в
lс:т.ма~кс. мА
катода
анода
КС126Д
4,7
85
Желтое широкое +
~
фиолетовое + белое кольца
КС126Е
5.6
70
Зеленое широкое +
~
голубое + белое кольце
КС126Ж
6,2
64
Голубое широкое + красное
~
+ белое кольца
КС126И
6,8
58
Голубое широкое + серое +
~
белое кольца
КС126К
7,5
53
Фиолетовое широкое +
+L..J- -
зеленое + белое кольца
КС126Л
8,2
47
Серое широкое + красное +
~
белое кольца
КС126М
9,1
43
Белое широкое +
~
коричневое + белое кольца
-
КС133А 2,97 ... 3 ,63
81
Голубое кольцо
Белое кольцо
-
2С133А 2,97 ...3,63
81
голубое кольцо
Черное кольцо
~
-
2С133Б
3,0...3,7
30
Два белых кольца
.
-
2С133В
3,1...3 ,5
37,5
Оранжевое кольцо +
Желтая точка
1'Т:---=
1
желтая точка
-
1
Оранжевое кольцо +
___..
КС133Г
3,0 ...3,6
37,5
Желтая точка
серая точка
-
2С133Г
3,0 ...3,6
37,5
Оранжевое кольцо +
Желтая точка
~
серая точка
-
КС139А
3,3
70
Зеленое кольцо
Белое кольцо
~
-
2С139А
3,3
70
Зеленое кольцо
Черное кольцо
~
-
------........
2С139Б
3,9
70
Два черных кольца
-
КС147А
4,7
58
Серое (голубое) кольцо
Белое кольцо
-
2С147А
4,7
58
Серое (голубое) кольцо
Черное кольцо
....-----,...,
-
2С147Б
4,7
21
Два желтых кольца
-
2С147В
4,7
26
Зеленое кольцо +
желтая точка
Желтая точка
""---=-
2С147Г
4,7
26
Зеленое кольцо +
Желтая точка
серая точка
КС156А
5,6
55
Оранжевое кольцо
Белое кольцо
2С156А
5,6
55
Оранжевое кольцо
Черное кольцо
2С156Б
5,8
18
Два зеленых кольца
.
2С158В
5,6
23
Красное кольцо +
Желтое кольцо
желтая точка
2С156Г
5,6
23
Красное кольцо +
Желтое кольцо
серая точка
КС168А
6,8
45
Красное кольцо
Белое кольцо
,~.,...
'-=

46
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Тип стаби- Основные параметры
Цветовая метка у выводов
Эскиз корпуса
литрона
Uст_,В lст.м•t<с, мА
катода
анода
l 2C168A
6,8
45
Красное кольцо
Черное кольцо
,.-,.-..,
-
i2с168Б 6 ,8
15
Два голубых кольца
,.... ..- ...., ..
-
КС175Ж
7,5
17
Белое кольцо
----r--=-----
на сером корпусе
2С175Ж
7,5
20
Голубая точка +
с:'!-- ,
белое кольцо
-
2С175Ц
7,5
17
Белая точка + белое кольцо
Желтая точка
"'~
-
КС182Ж
8,2
15
Желтое кольцо
~
на сером корпусе
2С182Ж
8,2
18
Голубая точка +
1:е · ----
желтое кольцо
-
2С182Ц
8.2
15
Белая точка + желтое кольцо
Желтое кольцо
~·~-·
-
1
КС191Ж
9.1
14
Голубое кольцо
~
на сером корпусе
2С191Ж
9,1
16
Голубая точка +
~-
голубое кольцо
-
2С19Щ
9,1
14
Белая точка +
Желтая точка
:=!-·:-i
голубое кольцо
-
КС210Ж
10
13
Зеленое кольцо
~
на сером корпусе
11 2С210Ж
10
15
Голубая точка +
С!' ---,
1
зеленое кольцо
-
[ 2с21оц
10
13
Белая точка +
Желтое кольцо
~ -у,
зеленое кольцо
-
1
Синее кольцо
КС211Ж
11
12
----с-:'--
на сером корпусе
2С211Ж
11
14
Голубая точка+
~
синее кольцо
-
2С21Щ
11
11
Белая точка +
Желтое кольцо
~
зеленое кольцо
-
КС212Ж
12
11
Оранжевое кольцо
.= -:\__
на сером корпусе
[ 2с212ж
12
13
Голубая точка +
оранжевое кольцо
1
Белая точка +
2с212ц
12
11
Желтое кольцо
..... "
~L
оранжевое кольцо
1 КС21ЗЖ
13
10
Черное кольцо
~
на сером корпусе
2С213Ж
13
12
Голубая точка +
~·
черное кольцо
КС215Ж
15
8
Белое кольцо
~
!-
не черном корпусе
2С215Ж
15
10
Голубая точка +
Черное кольцо
L,,.---0: ,
белое кольцо
КС216Ж
16
7
Желтое кольцо
на черном корпусе
~
2С216Ж
16
9
Голубая точка+
Черное кольцо
"
желтое кольцо
-
1
КС218Ж
18
7
Красное кольцо
~
на черном корпусе

5. Маркировка полупроводниковых приборов
47
Тип стаби- 1 Основные параметры 1
Цветовая метка у выводов
Эскиз корпуса
-
·-
литрона
Uст., В lст.мв•t• мА
катода
анода
·-
-
2С21 8Ж
18
8
Голубая точка +
Черное кольцо
~
голубое кольцо
-
КС220Ж
20
6
Зеленое кольцо
~
на черном корпусе
2С220Ж
20
8
Голубая точка+
Черное кольцо
.
зеленое кольцо
-
КС222Ж
22
6
Син ее кольцо
~
на черном корпусе
2С222Ж
22
7
Голубая точка +
,,--.,....
Черное кольцо
синее кольцо
КС224Ж
24
5
Голубое кольцо
~
на черн ом корпусе
Голубая точка +
..,..__,
2С224Ж
24
6
Че рное кольцо
оранжевое кольцо
-
КС406А"
8,2
15
Серое кольцо
Бел ое кольцо
~
КС406Б"
10
13
Белое кольцо
Оранжевое кольцо
~
-
КС407А"
3,3
100
Красное кольцо
Голубое кол ьцо
-
КС407Б"
3,9
88
Красное кольцо
Оранжевое кол ьцо
-
-
КС407В "
4,7
68
Красное кольцо
Желтое кольцо
-
КС407Г"
5,1
59
Красное кольцо
Зел еное кольцо
.I~
-
КС407Д"
6,8
42
Красное кольцо
Серое кольцо
rУ"---т1
-
КС508А"
12
11
Оранжевое кольцо
Зеленое кол ьцо
~
,... ___. .
КС508Б*
15
9
Желтое кольцо
Белое кол ьцо
-
КС508В*
16
8
Красное кольцо
Зелен ое кольцо
~
-
КС508Г"
18
7
Голубое кольцо
Белое кол ьцо
1'Т---т"1
1
-
1
~
КС508Д"
24
5
Зеленое кольцо
Белое кольцо
-
КС510А
10
79
Оранжевое кольцо
Зеленое кольцо
rr---n
-
-
КС512А
12
67
Желтое кольцо
Зеленое кольцо
-
КС515А
15
53
Белое кольцо
Зеленое кольцо
ст-'Т",
-
КС518А
18
45
Голубое кольцо
Зеленое кольцо
~
КС522А
22
37
Серое кольцо
Зеленое кольцо
.~
-
КС527А
27
30
Черное кольцо
Зеленое кольцо
~
* - на корпусе имеется .nибо черное кольцо, либо его торцевая часть окрашена
в черный цвет .

48
5. Маркировка полупроводниковых приборов
5.2 .5 . Цветовая маркировка отечественных варикапов
Варикапы представляют собой вид полупроводниковых приборов, в которых под
воздействием напряжения изменяется емкость PN перехода. Варикапы вседа
включаются в обратном направлении, и чем больше приложенное обратное
напряжения, тем меньше емкость варикапа.
Таблица 5 11
Тип варикапа
Основные параметры
Цвет
С,пФ
Q
Uобр, В
маркировочной точки
КВ102
14 40
40 100
45
Белая
28102
20 37
40 100
45
Оранжевая
К8104
90 192
100 150
45
Оранжевая
28104
90 192
100 150
45
Белая
К8109А
2 2,8
300
25
Белая
КВ109Б
2 2,3
300
25
Красная
К81098
816
160
25
Зеленая
КВ109Г
817
160
25
Нет
К8С111А
29,7 36,3
200
30
Белая
К8С111Б
29,7 36 3
150
30
Оранжевая
28113А
54.4 81,6
300
150
Белая
КВ113А
54,4 81 ,6
300
150
Желтая
28113Б
54,4 81,6
300
115
Оранжевая
КВ113Б
54,4 81,6
300
115
Зеленая
КВ121А
4,3 6
200
30
Синяя
К8121Б
4,3 6
150
30
Желтая
К8122А
2,3 2,8
450
30
Оранжевая
КВ122Б
2,0 2,3
450
30
Фиолетовая
КВ1228
1,9 3,1
300
30
Коричневая
28124А
27
Зеленая (у анода)
28124Б
10
Зеленая (у катода)
281248
8
Белая (У анода)
К8127А
230 280
140
32
Белая
КВ127Б
230 260
140
32
Красная
КВ1278
260 320
140
32
Желтая
КВ127Г
260 320
140
32
Зеленая
5.2 .6 . Буквенно-цифровая кодовая маркировка
SMD диодов зарубежного производства
Из-за недостатка места на корпусе SMD компоненты очень часто маркируются
буквенным, цифровым или смешанным - буквенно-цифровым кодом. Это спра
ведливо и для маркировки SMD диодов. Ниже приведены таблицы для определе
ния типа диода по маркировке на его корпусе. В этом разделе даны таблицы
только для диодов, имеющих двухвыводные корпуса: D0-214, D0-215, SOD-23,
SOD-91 . Для удобства пользования маркировка диодов и диодных сборок, имею-

5. Маркировка полупроводниковых приборов
49
щих одинаковые с транзисторами корпуса SOT-23, SOT-323 . SOT -346 и другие ,
приведены в одной таблице с транзисторами.
Вывод катода SMD диодов маркируется полосой, точкой или выемкой
на корпусе.
В табл. 5.12, 5.13, 5.14 дана расшифровка кодовой маркировки диодов в корпусах
D0-2 l4A. Внешне эти корпуса похожи, но отличаются размерами . в связи с че м
обозначаются соответственно D02 l 4AA, D02 l 4AB, D0214AC.
205
Рис. 5.3 . Внешний вид
и размеры корпуса
D0-214AA
Рис. 5.4 . Внешний вид
и размеры корпуса
D0-214AB
Таблица 5.12. Кодовая маркировка диодов в корпусах D0-214AA
Код
rиnдиода
Производитель
Назначение
AD
SMBJ5.0C
Vishay
Подавитель выбросов
АЕ
SMBJ5.0CA
Тоже
Тоже
l>F
SMBJ6.0C
-
.
-
-
.
-
AG
SMBJ6.0CA
-
.
-
-
.
-
АН
SMBJ6.5C
-
.
-
-
.
-
АК
SMBJ6.5CA
-
.
-
-
.
-
AL
SMBJ7.0C
-
.
-
-
.
-
АМ
SMBJ7.0CA
-
.
-
-
.
-
AN
SMBJ7.5C
-
.
-
-
.
-
АР
SMBJ7.5CA
-
.
-
-
.
-
да
SMBJ8.0C
-
.
-
-
.
-
AR
SMBJ8.0CA
-
.
-
-
.
-
AS
SMBJ8.5C
-
.
-
-
.
-
АТ
SMBJ8.5CA
-
.
-
-
.
-
AU
SMBJ9.0C
-
.
-
-
.
-
AV
SMBJ9.0CA
-
.
-
-
.
-
AW
SMBJ10C
-
.
-
-
.
-
АХ
SMBJ10CA
-
.
-
-
.
-
АУ
SMBJ11C
-
.
-
-
.
-
AZ.
SMBJ11CA
-
.
-
-
.
-
BD
SMBJ12C
-
.
-
-
.
-
ВЕ
SMBJ12CA
-
.
-
-
.
-
BF
SMBJ13C
-
.
-
-
.
-
Рис. 5.5 . Внешний вид
и размеры корпуса
D0-214AC
Основные параметры
Uвкn= 5 В
ln=62,5A
U..,,=5 В
ln=62,5A
u•.,,=6B
1n=52 ,6A
u•.,,=вв
1n=58, ЗА
u•.,,=6.5 в
ln=48 ,7 А
Uвкn=6.5 В
1п=53,6А
Uвкn=7 В
1п=45,1 А
U.""=7B
1п=50. ОА
u•. ,, =7,5B
1п=42 ,О А
u•.,, =7 ,5 в
1n=46,5A
u•.,, =8B
1п=40 ,ОА
u•.,, =8 в
1п=44.1 А
u•.,,=8.5 в
1п=З7.7 А
U.. ,, =8,5 В
ln=41 ,7 А
u•.,,=э в
1п=З5 , 5А
Uвкп=9 В
1n=З9 ,ОА
U..,,=10 В
1п=З1 ,9 А
u•.,,=10 в
1п=З5 , ЗА
u•.,,=11 в
ln=29,9A
u•.,, =11 в
ln=ЗЗ , ОА
U..,,=12 В
1п=27 ,ЗА
u•.,,=12 в
lп=ЗО,2 А
u•.,,=1з в
,. 1п=25 ,2А

50
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
BG
SMBJ1ЗCA
"-
-"
-
Uвкл=13 В
1п=27,9 А
вн
SMBJ14C
-"-
-"-
Uвкл=14 В
1п=23,З А
вк
SMBJ14CA
-"-
-
"-
Uвкл=14 В
1п=25,8 А
BL
SMBJ15C
-"
"
Uвкл=15 В
1п=22,З А
вм
SMBJ15CA
-"
-"-
Uвкл=15 В
1п=24,О А
BN
SMBJ16C
-"-
-"-
Uвкл=16 В
1п=20,8 А
ВР
SMBJ16CA
-"-
-"-
Uвкл=16 В
1п=2З, 1 А
BQ
SMBJ17C
-"-
-"-
Uвкл=17 В
1п=19,7 А
BR
SMBJ17CA
-"-
-"
Uвкл=17 В
1п=21,7 А
BS
SMBJ1BC
-"-
-"-
Uвкл=18 В
1п=18,6 А
вт
SMBJ18CA
-"-
-"-
Uвкл=18 В
1п=20,5 А
вu
SMBJ20C
-"-
-"-
Uвкл=20 В
1п=16,7 А
BV
SMBJ20CA
-"
-
-"-
Uакл=20 В
1п=18,5 А
BW
SMBJ22C
-"-
-
"-
Uвкл=22 В
1п=15,2 А
вх
SMBJ22CA
-"-
-"-
Uвкл=22 В
1п=16,9 А
ВУ
SMBJ24C
-"-
-
"-
Uвкл=24 В
1п=14,О А
вz
SMBJ24CA
-"-
-"-
Uвкл=24 В
1п=15,4 А
CD
SMBJ26C
-"-
-"-
Uвкл=26 В
1п=12,4 А
СЕ
SMBJ26CA
-"-
-"-
Uвкл=26 В
1п=14,2 А
CF
SMBJ28C
-"-
-"-
Uвкл=28 В
1п=12,О А
CG
SMBJ28CA
-"-
-"-
Uакл=28 В
1п=13,2 А
сн
SMBJЗDC
-"
-"-
Uвкл=ЗО В
1п=11,2 А
ск
SMBJЗOCA
-"
-
"-
Uакл=ЗО В
1п=12,4 А
CL
SМВJЗЗС
-
"-
-
"-
Uвкл=ЗЗ В
1п=10,2А
см
SМВJЗЗСА
"-
-"-
Uакл=ЗЗ В
1п=11,ЗА
CN
SMBJЗ6C
"-
-"-
Uакл=З6 В
1п=9,З А
СР
SMBJЗ6CA
-"-
-"-
Uвкл=З6 В
1п=10,З А
CQ
SMBJ40C
-"-
-"-
Uвкл=40 В
1п=В,4А
CR
SMBJ40CA
-"-
"
Uвкл=40 В
1п=9,ЗА
cs
SMBJ4ЗC
-"-
-"-
Uакл=4З В
1п=7,8 А
ст
SMBJ4ЗCA
-"-
-"-
Uвкл=4З В
lп=В,6 А
cu
SMBJ45C
-"-
-"-
Uвкл=45 В
1п=7,5 А
cv
SMBJ45CA
-"-
-"-
Uвкл=45 В
lп=В,З А
cw
SMBJ48C
-"-
-"-
Uвкл=48 В
1п=7,О А
сх
SMBJ48CA
-"-
-"-
Uакл=48 В
1п=7,7 А
СУ
SMBJ51C
-"-
-"-
Uакл=51 В
1п=6,6 А
cz
SMBJ51CA
-"-
-"-
Uвкл=51 В
1п=7,З А
DD
SMBJ54C
-"-
-"
Uвкл=54 В
1п=6,2 А
DE
SMBJ54CA
"-
-"-
Uакл=54 В
1п=6,9 А
DF
SMBJSBC
-"-
"
Uвкл=58 В
1п=5,8 А
DG
SMBJ58CA
-"-
"
Uакл=58 В
1п=6,4А
DH
SMBJ60C
-"
"-
Uвкл=60 В
1п=5,6 А
DK
SMBJ60CA
-"-
-"-
Uакл=60 В
1п=6,2 А
DL
SMBJ64C
"-
-"-
Uвкл=64 В
1п=5,З А
DM
SMBJ64CA
-"-
-"
Uакл= 64 В
1п=5,8 А

5. Маркировка полупроводниковых приборов
51
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
ON
SMBJ70C
.
"
.
.
".
Uвкл=70 В
1n=4,8 А
ОР
SMBJ70CA
.
"
.
.
"
.
Uвкл=70 В
1n=5,З А
OQ
SMBJ75C
.
"
.
.
"
.
Uвкл=75 В
1n=4,5 А
OR
SMBJ75CA
.
"
.
.
"
.
Uвкл=75 В
1n=4,9 А
OS
SMBJ78C
.
".
.
"
.
Uвкл=78 В
1n=4,З А
от
SMBJ78CA
.
"
.
.
"
.
Uвкл=78 В
1n=4,7 А
OU
SMBJ85C
.
"
.
.
"
.
Uвкл=85 В
ln=З,9 А
OV
SMBJ85CA
.
"
.
.
"
.
Uвкл=85 В
1n=4,4A
OW
SMBJ90C
.
"
.
"
.
Uвкл=90 В
ln=З,8 А
ох
SMBJ90CA
.
"
.
.
"
Uвкл=90 В
1n=41 А
ОУ
SMBJ100C
.
".
.
"
.
Uвкл=100 В
ln=З,4 А
OZ
SMBJ100CA
."
.
".
Uвкл=100 В ln=З,7 А
ЕА
ES2A
GenSem1
Быстродействующий Uo6μ=50 В
1nμ=2 А
ЕВ
ES2B
Тоже
Быстродействующий Uo6μ=100 В
1np=2 А
ЕС
ES2C
"
.
тоже
Uo6p=150 В
1nμ=2 А
ED
ES20
.
".
.
"
.
Uo6μ=200 В
1nμ=2 А
ED
SMBJ110C
V1shay
Подавитель выбросов Uвкл=110 В ln=З,OA
ЕЕ
SMBJ110CA
Тоже
тоже
Uвкл=110 В ln=З,4 А
EF
SMBJ120C
.
"
.
.
"
.
Uвкл=120 В 1n=2,8 А
EG
SMBJ120CA
.
"
.
.
".
Uвкл=120 В ln=З,1 А
ЕН
SMBJ1ЗOC
.
"
.
.
"
.
Uвкл=1ЗО В 1n=2,6A
ЕК
SMBJ1ЗOCA
.
"
.
.
"
.
Uвкл=1ЗО В 1n=2,9A
EL
SMBJ150C
.
"
.
.
"
Uвкл=150 В 1n=2,2 А
ЕМ
SMBJ150CA
"
.
.
"
.
Uвкл=150 В 1n=2,5 А
EN
SMBJ160C
"
.
.
".
Uвкл=160 В 1n=2,1 А
ЕР
SMBJ160CA
.
"
.
"
.
Uвкл=160 В
1n=2,З А
EQ
SMBJ170C
.
".
"
Uвкл=170 В 1n=2A
ER
SMBJ170CA
"
.
.
".
Uвкл=170 В 1n=2,2 А
ко
SMBJ5 О
".
.
"
.
Uвкл=5 В
1n=62,5 А
КОР
TPSMB6 8
GenSem1
.
"
.
Uвкл=6,8 В
1n=55,6 А
КЕ
SMBJ5 ОА
V1shay
"
Uвкл=5 В
1n=65,2 А
КЕР
TPSMB6 ВА
GenSem1
.
"
.
Uвкл=5,8 В
1n=57,1 А
KF
SMBJ6 О
V1shay
.
"
.
Uвкл=6 В
1n=52,6 А
КЕР
TPSMB7 5
GenSem1
.
"
.
Uвкл=7,05 В 1n=51,З А
KG
SMBJ6 ОА
V1shay
.
"
.
Uвкл=6 В
1n=58,З А
KGP
TPSMB7 5А
GenSem1
.
"
.
Uвкл=6,4 В
1n=5З,1 А
кн
SMBJ6 5
V1shay
.
"
.
Uвкл=6,5 В
1n=48,7 А
КНР
TPSMBB 2
GenSem1
.
"
Uвкл=б,63 В 1n=48 А
кк
SMBJ6 5А
V1shay
.
".
Uвкл=6,5 В
1n=5З,6 А
ККР
TPSMB82A
GenSem1
.
"
.
Uвкл=7,02 В 1n=49,6 А
KL
SMBJ7 О
V1shay
.
".
Uвкл=7 В
1n=45,1 А
KLP
TPSMB91
GenSem1
.
"
.
Uвкл=7,З7 В 1n=4З,5 А
км
SMBJ7 ОА
V1shay
.
"
.
Uвкл=7 В
1n=50 А
КМР
TPSMB91A
GenSem1
.
"
.
Uвкл=?,78 В 1n=44,8 А
KN
SMBJ7 5
V1shay
.
"
.
Uвкл=7,5 В
1n=42 А

52
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
KNP
TPSMB10
GenSem1
-"-
Uвкл=В, 1 В
1п=40 А
КР
SMBJ7 5А
V1shay
-"-
Uвкл=7,5 В
1п=46,5 А
КРР
TPSMB10A
GenSem1
-"-
Uвкл=В,55 В 1п=41,4А
ка
SMBJB О
V1shay
-"-
Uвкл=В В
1п=40 А
KQP
TPSMB11
GenSem1
-"-
Uвкл=В,92 В 1п=З7 А
KR
SMBJB ОА
V1shay
-"-
Uвкл=В В
1п=44,1 А
KRP
TPSMB11A
GenSem1
-"-
Uвкл=9,4 В
lп=ЗВ,5 А
KS
SMBJB 5
V1shay
-"-
Uвкл=В,5 В
1п=З7,7 А
KSP
TPSMB12
GenSem1
-"-
Uвкл=9,72 В 1п=З4,7 А
кт
SMBJB 5А
V1shay
-"-
Uвкл=В,5 В
1п=41,7 А
КТР
TPSMB12A
GenSem1
-
"-
Uвкл=10,2 В 1п=З5,9 А
KU
SMBJ9 О
V1shay
-"-
Uвкл=9 В
1п=З5,5 А
KUP
TPSMB13
GenSem1
-"-
Uвкл=10,5 В 1п=З1 ,6 А
кv
SMBJ9 ОА
V1shay
-"-
Uвкл=9 В
1п=З9 А
КVР
ТРSМВ1ЗА
GenSem1
-"-
Uвкл=11, 1 В lп=ЗЗ А
кw
SMBJ10
V1shay
-"-
Uвкл=10 В
1п=З1,9А
KWP
TPSMB15
GenSem1
-"-
Uвкл=12,1 В 1п=27,З А
кх
SMBJ10A
V1shay
-"-
Uвкл=10 В
1п=З5,З А
КХР
TPSMB15A
GenSem1
-"-
Uвкл=12,8 В 1п=28,З А
КУ
SMBJ11
V1shay
-"-
Uвкл=11 В
1п=29,9А
КУР
TPSMB16
GenSem1
-"-
Uвкл=12,9 В 1п=25,5 А
кz
SMBJ11A
V1shay
-"-
Uвкл=11 В
lп=ЗЗ А
КZР
TPSMB16A
GenSem1
-"-
Uвкл=13,6 В 1п=26,7 А
LD
SMBJ12
V1shay
-"-
Uвкл=12 В
1п=27,З А
LDP
TPSMB18
GenSem1
-"-
Uвкл=14,5 В 1п=22,6А
LE
SMBJ12A
V1shay
-"
Uвкл=12 В
lп=ЗО,З А
LEP
TPSMB1BA
GenSem1
-"-
Uвкл=15,З В 1п=23,В А
LF
SMBJ13
V1shay
-"-
Uвкл=13 В
1п=25,2 А
LFP
TPSMB20
GenSem1
-"-
Uвкл=16,2 В 1п=20,6 А
LG
SMBJ13A
V1shay
-"-
Uвкл=13 В
1п=27,9 А
LGP
TPSMB20A
GenSem1
-"-
Uвкл=17,1 В 1п=21,7 А
LH
SMBJ14
V1shay
-"-
Uвкл=14 В
1п=2З,2 А
LHP
TPSMB22
GenSem1
-"-
Uвкл=17,8 В 1п=18,ВА
LK
SMBJ14A
V1shay
-"-
Uвкл=14 В
1п=25,В А
LKP
TPSMB22A
GenSem1
-"-
Uвкл=18,8 В 1п=19,6А
LL
SMBJ15
V1shay
-"-
Uвкл=15 В
1п=22,З А
LLP
TPSMB24
GenSem1
-
"-
Uвкл=19,4 В 1п=17,З А
LM
SMBJ15A
V1shay
-"-
Uвкл=15 В
1п=24 А
LMP
TPSMB24A
GenSem1
-"-
Uвкл=20,5 В 1п=18,1 А
LN
SMBJ16
V1shay
-"
-
Uвкл=16 В
1п=20,8 А
LNP
TPSMB27
GenSem1
-"
-
Uвкл=21,8 В 1п=15,ЗА
LP
SMBJ16A
V1shay
-"-
Uвкл=16 В
1п=23,1 А
LPP
TPSMB27A
GenSem1
-"-
Uвкл=23 1 В 1п=16А
LQ
SMBJ17
V1shay
-
"-
Uвкл=17 В
1п=19,7 А
LQP
ТРSМВЗО
GenSem1
-"
-
Uвкл=24,З В 1п=13,ВА

5. Маркировка полупроводниковых приборов
53
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
LR
SMBJ17A
V1shay
"
Uвкл=17 В
1n=21,7 А
LRP
ТРSМВЗОА
GenSem1
-"-
Uвкл=25,6 В 1n=14,5 А
LS
SMBJ18
V1shay
-"-
Uвкл=18 В
1n=18,6 А
LSP
ТРSМВЗЗ
GenSem1
-"-
Uвкл=26,8 В 1n=12,6 А
LT
SMBJ18A
V1shay
-"-
Uокл=18 В
1n=20,5 А
LTP
ТРSМВЗЗА
GenSem1
-
-
Uвкл=28,2 В 1n=13,1 А
LU
SMBJ20
V1shay
-"-
Uвкл=20 В
1n=16,7 А
LUP
ТРSМВЗ6
GenSem1
"-
Uвкл=29, 1 В
1n=11,5 А
LV
SMBJ20A
V1shay
-"-
Uвкл=20 В
1n=18,5A
LVP
ТРSМВЗ6А
GenSem1
-
"-
Uвкл=ЗО,8 В 1n=12A
LW
SMBJ22
V1shay
-"-
Uвкл=22 В
1n=15,2 А
LWP
ТРSМВЗ9
GenSem1
-"-
Uвкл=З1,6 В 1n=10,6 А
LX
SMBJ22A
V1shay
-"-
Uвкл=22 В
1n=16,9 А
LXP
ТРSМВЗ9А
GenSem1
-"-
Uвкл=ЗЗ,З В 1n=11,1 А
LY
SMBJ24
V1shay
-"
-
Uвкл=24 В
1n=14A
LYP
TPSMB43
GenSem1
-"-
Uвкл=З4,8 В 1n=9,7 А
LZ
SMBJ24A
V1shay
-"-
Uвкл=24 В
1n=15,4 А
LZP
ТРSМВ4ЗА
GenSem1
-"-
Uвкл=З6,8 В 1n=10,1 А
MD
SMBJ26
V1shay
-"-
Uвкл=26 В
1n=12,4 А
МЕ
SMBJ26A
Тоже
-"
-
Uвкл=26 В
1п=14,2А
MF
SMBJ28
"-
-"
Uвкл=28 В
1n=12A
MG
SMBJ28 А
-"
-
-
"-
Uвкл=28 В
1n=13,2 А
мн
SMBJЗO
-"-
-"-
Uвкл=ЗО В
1n=11,2A
мк
SMBJЗOA
-
"-
-"-
Uвкл=ЗО В
1n=12,4 А
ML
SМВJЗЗ
-"
-
-"-
Uвкл=ЗЗ В
1n=10,2 А
мм
SМВJЗЗА
-"-
-
"-
Uвкл=ЗЗ В
1n=11,ЗА
MN
SMBJ36
-"-
-"-
Uвкл=З6 В
1п=9,З А
МР
SMBJ36A
-"-
-"-
Uвкл=З6 В
1n=10,ЗА
MQ
SMBJ40
-"-
-"-
Uвкл=40 В
ln=B,4 А
MR
SMBJ40A
-"-
-"-
Uвкл=40 В
1п=9,ЗА
MS
SMBJ43
-"-
-"-
Uвкл=43 В
1n=7,8 А
мт
SMBJ43 А
-"-
-"
Uвкл=43 В
ln=B,6 А
MU
SMBJ45
-"-
-"-
Uвкл=45 В
1n=7,5 А
MV
SMBJ45A
-"-
-"-
Uвкл=45 В
ln=B,3 А
MW
SMBJ48
-
"-
-"-
Uвкл=48 В
1n=7,0 А
МХ
SMBJ48 А
-"-
-"-
Uвкл=48 В
1n=7,7 А
МУ
SMBJ51
-"-
-"-
Uвкл=51 В
1n=6,0A
MZ
SMBJ51 А
-"-
-"-
Uвкл=51 В
1n=7,З А
ND
SMBJ54
-"-
-"-
Uвкл=54 В
1n=6,2 А
NE
SMBJ54 А
-"-
-"-
u.",=54 в
1п=6,9 А
NF
SMBJ58
-"-
-"-
Uвкл=58 В
1п=5,8 А
NG
SMBJ58A
-"-
-
"-
Uвкл=58 В
1п=6,4 А
NH
SMBJ60
-
"-
-"-
Uвкл=60 В
1п=5,6А
NK
SMBJ60A
-"-
-"-
Uвкл=60 В
1n=6,2 А
NL
SMBJ64
-"-
-"
-
Uвкл=64 В
1п=5,З А

54
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
NM
SMBJ64A
-
"-
-"-
Uвкл=64 В
1п=5,8 А
NN
SMBJ70
-"-
-"-
Uвкл=70 В
1п=4,8 А
NP
SMBJ70A
-"
-
-"-
Uвкл=70 В
1п=5,З А
NQ
SMBJ75
-"-
-"
-
Uвкл=75 В
1п=4,5 А
NR
SMBJ75 А
-"
-
-"-
Uвкл=75 В
1п=4,9 А
NS
SMBJ78
-"-
-
"-
Uвкл=78 В
1п=4,З А
NT
SMBJ78 А
-
"-
-"-
Uвкл=78 В
1п=4,7 А
NU
SMBJ85
-"-
-"-
Uвкл=85 В
1п=З,9А
NV
SMBJ85 А
-"-
-"-
Uвкл=85 В
1п=4,4А
NW
SMBJ90
-"-
-"-
Uвкл=90 В
lп=З,8 А
NX
SMBJ90A
-"-
-"-
Uвкл=90 В
1п=4,1 А
NY
SMBJ100
-"-
-"-
Uвкл=100 В lп=З,4 А
NZ
SMBJ100A
-"-
-"-
Uвкл=100 В
lп=З,7 А
PD
SMBJ110
-"-
-"-
Uвкл=110 В
lп=З А
РЕ
SMBJ110A
-"
-
"
Uвкл=110 В
lп=З,4 А
PF
SMBJ120
"-
-"
Uвкл=120 В
1п=2,8 А
PG
SMBJ120A
-"-
-"-
Uвкл=120 В
lп=З,1 А
РН
SMBJ130
-
"
-
-"-
Uвкл=130 В
1п=2,6 А
РК
SMBJ130A
-"-
-"-
Uвкл=1ЗО В 1п=2,9 А
PL
SMBJ150
-
"
-
"-
Uвкл=150 В 1п=2,2 А
РМ
SMBJ150A
-
"-
-
"-
Uвкл=150 В 1п=2,5 А
PN
SMBJ160
-"
-
-"
Uвкл=160 В 1п=2,1 А
рр
SMBJ160A
-"-
-"-
Uвкл=160 В 1п=2,З А
PQ
SMBJ170
-"-
-"-
Uвкл=170 В 1п=2А
PR
SMBJ170A
-"-
-"-
Uвкл=170 В 1п=2,2 А
WA
SMZJ3789A
GenSemi
Стабилитрон
Uст=10 В
1ст=З7,5 мА
WB
SMZJ3789B
Тоже
Тоже
Uст=10 В
1ст=З7,5 мА
wc
SMZJЗ790A
-"-
-"-
Uст=11 В
1ст=З4,1 мА
wo
SMZJЗ790B
-"-
-"-
Uст=11 В
1ст=З4,1 мА
WE
SMZJЗ791A
-"-
-
"-
Uст=12 В
1ст=З1,2 мА
WF
SMZJЗ791B
-"-
-"-
Uст=12 В
1ст=З1,2 мА
WG
SMZJЗ792A
-"-
-"-
Uст=13 В
1ст=28,8 мА
wн
SMZJ3792B
-"-
-"-
Uст=13 В
1ст=28,8 мА
WI
SMZJЗ793A
-"
-"-
Uст=15 В
1ст=25 мА
WJ
SMZJ3793B
"-
"
Uст=15 В
1ст=25 мА
WK
SMZJ3794A
"-
-"-
Uст=16 В
1ст=23,4 мА
WL
SMZJ3794B
-"-
-"-
Uст=16 В
1ст=23,4 мА
ХА
SMZJЗ796A
-"-
-"-
Uст=20 В
1ст=18,7 мА
хв
SMZJ3795B
-"-
-"-
Uст=18 В
1ст=20,8 мА
хе
SMZJ3795A
-"-
-
"-
Uст=18 В
1ст=20,8 мА
хо
SMZJЗ796B
-"-
-"-
Uст=20 В
1ст=18,7 мА
ХЕ
SMZJЗ797A
-"-
-"-
Uст=22 В
1ст=17 мА
XF
SMZJ3797B
-"-
-"-
Uст=22 В
1ст=17 мА
XG
SMZJ3798A
-"-
-
"-
Uст=24 В
1ст=15,6 мА
хн
SMZJЗ798B
-"-
-"-
Uст=24 В
1ст=15,6 мА

5. Маркировка полупроводниковых приборов
55
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
XI
SMZJЗ799A
-"
-"-
Uст=27 В
1ст=13,9 мА
XJ
SMZJЗ799B
-"
-
"-
Uст=27 В
1ст=13,9 мА
хк
SMZJЗBOOA
-"-
-"-
Uст=ЗО В
1ст=12,5 мА
XL
SMZJЗBOOB
-"-
-"-
Uст=ЗО В
1ст=12,5 мА
УА
SMZJЗB01A
-"-
-"-
Uст=ЗЗ В
1ст=11,4 мА
УВ
SMZJЗB01B
-"-
-"-
Uст=ЗЗ В
1ст=11,4 мА
УС
SMZJЗB02A
-"-
-"-
Uст=З6 В
1ст=10,4 мА
УО
SMZJЗB02B
-"-
-"-
Uст=З6 В
1ст=10,4 мА
УЕ
SMZJЗBOЗA
-"-
-"-
Uст=З9 В
1ст=9,6 мА
YF
SMZJЗBOЗB
-"-
-"-
Uст=З9 В
1ст=9,6 мА
YG
SMZJЗB04A
-"-
-"-
Uст=43 В
lст=В,7 мА
УН
SMZJЗB04B
-"-
-"
-
Uст=43 В
lст=В,7 мА
YI
SMZJЗB05A
-"
-"-
Uст=47 В
lст=В мА
YJ
SMZJ3805B
"-
-"
-
Uст=47 В
lст=В мА
УК
SMZJЗB06A
-"
-
"-
Uст=51 В
1ст=7,З мА
YL
SMZJ3806B
-"
-"-
Uст=51 В
1ст=7,З мА
ZA
SMZJЗB07A
"-
-"-
Uст=56 В
1ст=6,7 мА
ZB
SMZJЗB07B
"-
"
Uст=62 В
1ст=6 мА
zc
SMZJЗBOBA
-"-
-"
Uст=56 В
1ст=6,7 мА
ZO
SMZJЗBOBB
-"-
-"-
Uст=62 В
1ст=6 мА
ZE
SMZJЗB09A
-"
-
-"-
Uст=68 В
1ст=5,5 мА
ZF
SMZJ3809B
-"
-
-"
Uст=68 В
1ст=5,5 мА
Таблица 5.13. Кодовая маркировка диодов в корпусах D0-214AB
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
BDD
SMCJ5.0C
V1shay
Подавитель выбросов Uвкл=5 В
1n=156,2 А
ВОЕ
SMCJ5 ОСА
Тоже
тоже
Uвкл=5 В
1n=163 А
BOF
SMCJ6 ОС
"-
-"
-
Uвкл=6 В
1n=131,6A
BOG
SMCJ6 ОСА
-"-
-
"-
Uвкл=6 В
1n=145,6 А
вон
SMCJ6 5С
-"
-"-
Uвкл=6,5 В ln=122 А
ВОК
SMCJ6 5СА
-"
-
-"
-
Uвкл=6,5 В 1n=1ЗЗ,9А
BOL
SMCJ7 ОС
-"
-
"-
Uвкл=7 В
1n=112,B А
вом
SMCJ7 ОСА
-"
-"-
Uвкл=7 В
1n=125 А
BON
SMCJ7 5С
"-
-"-
Uвкл=7,5 В 1n=104,9 А
ВОР
SMCJ7 5СА
-"-
"-
Uвкл=7,5 В 1n=116,З А
BOQ
SMCJB ОС
-"
-"-
Uвкл=В В
1n=100 А
BOR
SMCJB ОСА
-"
-
-"
Uвкл=В В
1n=110,З А
BOS
SMCJB.5C
-"
-
-
"-
Uвкл=В,5 В 1n=94,З А
вот
SMCJB 5СА
-"
-
-"-
Uвкл=В,5 В 1n=104,2 А
BOU
SMCJ9 ОС
-"
-
-"-
Uвкл=9 В
ln=BB,7 А
BOV
SMCJ9 ОСА
-"
-
-
"-
Uвкл=9 В
1n=97,4A
BOW
SMCJ10C
-"-
-"-
Uвкл=10 В 1n=79,B А
ВОХ
SMCJ10CA
-"-
-
"-
Uвкл=10 В ln=BB,2 А
BDY
SMCJ11C
-"-
-"-
Uвкл=11 В 1n=74,6 А

56
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
BDZ
SMCJ11CA
-
"-
-
"-
Uвкл=11 В
1п=82,4 А
BED
SMCJ12C
-
"-
-
"-
Uвкп=12 В
1п=68,2 А
ВЕЕ
SMCJ12CA
-"-
-"-
Uвкл=12 В
1п=75,З А
BEF
SMCJ1ЗC
-"-
-"
-
Uвкл=13 В 1п=63 А
BEG
SMCJ1ЗCA
-"
-
-
"-
Uвкл=13 В
1п=69,7 А
ВЕН
SMCJ14C
-"-
-"-
Uвкл=14 В
1п=58, 1 А
ВЕК
SMCJ14CA
-"
-
-"-
Uвкл=14 В
1п=64,7 А
BEL
SMCJ15C
-"-
-"-
Uвкл=15 В
1п=55,8 А
ВЕМ
SMCJ15CA
-
"-
-"
Uвкл=15 В
1п=61,5 А
BEN
SMCJ16C
-"
-"-
Uвкл=16 В 1п=52,1 А
ВЕР
SMCJ16CA
-"-
-
"-
Uвкл=16 В
1п=57,7 А
BEQ
SMCJ17C
-"-
-"
-
Uвкл=17 В
1п=49,2 А
BER
SMCJ17CA
-
"-
-"-
Uвкл=17 В
1п=53,З А
BES
SMCJ18C
-
"-
"-
Uвкл=18 В 1п=46,6 А
ВЕТ
SMCJ18CA
-"-
-"-
Uвкл=18 В
1п=51.4 А
BEU
SMCJ20C
-
"-
-"-
Uвкл=20 В
1п=41,9А
BEV
SMCJ20CA
-"-
-"
-
Uвкл=20 В
1п=46,З А
BEW
SMCJ22C
-"-
-"
Uвкл=22 В
lп=ЗВ,1 А
ВЕХ
SMCJ22CA
-"
-
-"
-
Uвкл=22 В
1п=42,2 А
ВЕУ
SMCJ24C
-"-
-"-
Uвкл=24 В 1п=З4,9 А
BEZ
SMCJ24CA
-"-
-"-
Uвкл=24 В
1п=З8,6А
BFD
SMCJ26C
-"-
-"
-
Uвкл=26 В
1п=З2,2 А
BFE
SMCJ26CA
-"-
-"-
Uвкл=26 В 1п=З5,6 А
BFF
SMCJ28C
-"
-
-"-
Uвкл=28 В lп=ЗО А
BFG
SMCJ28CA
-"-
-
"-
Uвкл=28 В
lп=ЗЗ А
BFH
SMCJЗOC
-"-
-"
Uвкл=ЗО В
1п=28 А
BFK
SMCJЗOCA
-"-
-"-
Uвкл=ЗО В
1п=З1 А
BFL
SМСJЗЗС
-"-
-"-
Uвкл=ЗЗ В
1п=25,2 А
BFM
SМСJЗЗСА
-"-
-"-
Uвкл=ЗЗ В
lп= 28,1 А
BFN
SMCJЗ6C
-"-
-"-
Uвкл=З6 В
1п=23,З А
BFP
SMCJ36CA
"-
-"-
Uвкл=З6 В
1п=25,8 А
BFQ
SMCJ40C
-"-
-
"-
Uвкл=40 В
1п=21 А
BFR
SMCJ40CA
-"-
-"-
Uвкл=40 В
1п=23,2 А
'BFS
SMCJ43C
-"
-"-
Uвкл=43 В
1п=19,6 А
BFT
SMCJ43CA
-"-
-"-
Uвкл=43 В
1п=21,6А
BFU
SMCJ45C
-"-
-
"-
Uвкл=45 В
1п=18,7 А
BFV
SMCJ45CA
-"-
-"-
Uвкл=45 В
1п=20,6 А
BFW
SMCJ48C
"-
-"-
Uвкл=48 В
1п=17,5 А
BFX
SMCJ48CA
-"-
-"-
Uвкл=48 В
1п=19.4 А
BFY
SMCJ51C
-"
-
-"-
Uвкл=51 В 1п=16,5 А
BFZ
SMCJ51CA
-"-
-"-
Uвкл=51 В
1п=18,2 А
BGD
SMCJ54C
-"
-
-"-
Uвкл=54 В
1п=15,6 А
BGE
SMCJ54CA
-
"-
-"-
Uвкл=54 В
1п=17.2 А
BGF
SMCJ58C
-"-
-"-
Uвкл=58 В
1п=14,6 А
BGG
SMCJ58CA
-"
-
"-
Uвкл=58 В
1п=16А

5. Маркировка полупроводниковых приборов
57
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
BGH
SMCJ60C
-"-
-"-
Uвкл=60 В 1п=14А
BGK
SMCJ60CA
-"-
-
"-
Uвкл=60 В 1п=15,5 А
BGL
SMCJ64C
-"-
-
"-
Uвкл=64 В
1п=1З,2 А
BGM
SMCJ64CA
-
"-
-"-
Uвкл=64 В 1n=14,6 А
BGN
SMCJ70C
-"-
-"-
Uвкл=70 В
1п=12А
BGP
SMCJ70CA
-"-
-
"
-
Uвкл=70 В
1п=13,З А
BGQ
SMCJ75C
-"-
-"
-
Uвкл=75 В 1п=11,2А
BGR
SMCJ75CA
-"
-
-"-
Uвкл=75 В 1п=12,4 А
BGS
SMCJ78C
"-
"-
Uвкл=78 В
ln=10,8A
BGT
SMCJ78CA
-"
-
-
Uвкл=78 В 1п=11 4А
BGU
SMCJ85C
-"-
-"
-
Uвкл=85 В
1п=9,9А
BGV
SMCJ85CA
-"-
-"
-
Uвкл=85 В 1п=10,4А
BGW
SMCJ90C
-
"-
-"-
Uвкл=90 В 1п=9,4 А
BGX
SMCJ90CA
-"-
-"-
Uвкл=90 В 1n=10,З А
BGY
SMCJ100C
-"-
-"-
Uвкл=100 В ln=B,4 А
BGZ
SMCJ100CA
-"
-
-"-
Uвкл=100 В 1п=9,З А
вно
SMCJ110C
-"-
-"-
Uвкл=110 В 1n=7,7 А
ВНЕ
SMCJ110CA
-"-
-"
-
Uвкл=110 В ln=B,4 А
BHF
SMCJ120C
-"-
-
"
-
Uвкл=120 В 1п=7 А
BHG
SMCJ120CA
-"-
-"-
Uвкл=120 В 1п=7,9 А
внн
SMCJ130C
-"-
-
"-
Uвкл=130 В 1n=6,5 А
внк
SMCJ1ЗOCA
-"-
-"-
Uвкл=130 В 1n=7,2 А
BHL
SMCJ150C
-"
-"
Uвкл=150 В 1п=5,6А
внм
SMCJ150CA
-"-
-"-
Uвкл=150 В 1n=6,2 А
BHN
SMCJ160C
-
"-
-"-
Uвкл=160 В 1п=5,2 А
ВНР
SMCJ160CA
-"-
-"-
Uвкл=160 В ln=5,8 А
BHQ
SMCJ170C
-"-
-"-
Uвкл=170 В 1п=4,9 А
BHR
SMCJ170CA
-"-
-"-
Uвкл=170 В 1п=5,5 А
DDP
TPMSC6 8
GenSem1
-"-
Uвкл=5,5 В 1п=139 А
DEP
TPMSC68A
Тоже
-"
Uвкл=5,8 В 1п=143 А
DFP
TPMSC7 5
-"-
-"-
Uвкл=6,05 В 1n=128 А
DGP
TPMSC75A
-"-
"-
Uвкл=6,4 В 1п=133 А
DHP
TPMSCB 2
-"-
-"-
Uвкл=6,63 В 1п=120 А
ОКР
TPMSC82A
-"-
-"-
Uвкл=7,02 В 1п=124А
DLP
TPMSC91
-"-
-
"-
Uвкл=7,37 В 1п=109А
DMP
TPMSC91A
-"-
-
"-
Uвкл=7,78 В 1п=112А
DNP
TPMSC10
-"-
-"-
Uвкл=В, 1 В 1п=100 А
DOP
TPMSC11
-"-
-"-
Uвкл=В,92 В 1п=92,6А
DPP
TPMSC10A
-"-
-"-
Uвкл=В,55 В 1n=103 А
DRP
TPMSC11A
-"-
-"-
Uвкл=9,4 В 1n=96,2 А
DSP
TPMSC12
-"
-"-
Uвкл=9,72 В 1п=86,7 А
DTP
TPMSC12A
-"
-"
Uвкл=10,2 В 1п=89,8 А
DUP
TPMSC13
-"
-
-"-
Uвкл=10,5 В 1п=78,9А
DVP
ТРМSС1ЗА
"-
-"-
Uвкл=11, 1 В 1п=82,4 А
DWP
TPMSC15
-"-
-"-
Uвкл=12,1 В 1п=68,2 А

58
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
ОХР
TPMSC15A
-"-
-"-
Uвкл=12,8 В 1п=70,8 А
DYP
TPMSC16
-"-
-"-
Uвкл=12,9 В 1п=63,8 А
DZP
TPMSC16A
"-
-"-
Uвкл=13,6 В 1п=66,7 А
ЕА
ЕSЗА
-"
Выпрямительный
Uot5p=50 В lпμ=З А
ЕВ
ЕSЗВ
"-
Тоже
Uобμ=100 В lпμ=З А
ЕС
ЕSЗС
-"
-"-
Uобμ=150 В lпμ=З А
ED
ESЗD
"-
"-
Uot5p=200
lпμ=З А
EDP
TPMSC18
-"-
Подавитель выбросов Uвкл=14,5 В 1п=56,6 А
ЕЕР
TPMSC18A
-"-
Тоже
Uвкл=15,З В 1п=59,5 А
EFP
TPMSC20
"-
"-
Uвкл=16,2 В 1п=51,5 А
EGP
TPMSC20A
-
.
-
-"-
Uвкл=17,1 В 1п=54,2 А
ЕНР
TPMSC22
-"-
-"-
Uвкл=17,8 В 1п=47 А
ЕКР
TPMSC22A
-"-
-"-
Uвкл=18,8 В 1п=49А
ELP
TPMSC24
-"
-
-"-
Uвкл=19,4 В 1п=43,2 А
ЕМР
TPMSC24A
-"-
-"-
Uвкл=20,5 В 1п'"115,2 А
ENP
TPMSC27
-"-
-"-
Uвкл=21,8 В 1п=З8,4 А
ЕРР
TPMSC27A
-"
-
-"-
Uвкл=23,1 В 1п=40 А
EQP
ТРМSСЗО
-"-
-"-
Uвкл=24,З В 1п=З5,4 А
ERP
ТРМSСЗОА
-"-
-"-
Uвкл=25,6 В 1п=З6,2 А
ESP
ТРМSСЗЗ
-"-
"-
Uвкл=26,8 В 1п=З1 ,4 А
ЕТР
ТРМSСЗЗА
-"-
-"
Uвкл=28,2 В 1п=З2,8 А
EUP
ТРМSСЗ6
-"-
-"-
Uвкл=29, 1 В 1п=28,8 А
EVP
ТРМSСЗ6А
"-
-"-
Uвкл=ЗО,8 В lп=ЗО,1 А
EWP
ТРМSСЗ9
-
"-
-"-
Uвкл=З1 ,6 В 1п=26,6А
ЕХР
ТРМSСЗ9А
"-
-"-
Uвкл=ЗЗ,З В 1п=27,8
ЕУР
ТРМSСЗ4
-"-
-"
Uвкл=З4,8 В 1п=24,2 А
EZP
ТРМSС4ЗА
-"-
-"-
Uвкл=З6,8 В 1п=25,З А
GDD
SMCJ5.0
Vishay
-"-
Uвкл=5 В
1п=156,2А
GDE
SMCJ5.0A
Тоже
-
··:
Uвкл=5 В
1п=163 А
GDF
SMCJ6.0
-"-
-"-
Uвкл=6 В
1п=131,6А
GDG
SMCJ6.0A
-"-
-"-
Uвкл=6 В
1п=145,6 А
GDH
SMCJ6.5
-"-
"-
Uвкл=6,5 В 1п=122 А
GDK
SMCJ6.5A
-"-
-"-
Uвкл=6,5 В 1п=133,9 А
GDL
SMCJ7.0
-"-
-"-
Uвкл=7 В
1п=112,8 А
GDM
SMCJ?.OA
-"-
-"-
Uвкл=7 В
1п=125А
GDN
SMCJ7.5
-"-
-"-
Uвкл=7,5 В 1п=104,9 А
GDP
SMCJ7.5A
-"-
-"-
Uвкл=7,5 В 1п=116,З А
GDQ
SMCJB.O
-"-
-"-
Uвкл=В В
1п=100А
GDR
SMCJB.OA
-"
-
"
-
Uвкл=В В
1п=110,З А
GDS
SMCJB.5
"
-"
-
Uвкл=В,5 В 1п=94,З А
GDT
SMCJ8.5A
-"
-
-"
-
Uвкл=В,5 В 1п=104,2А
GDU
SMCJ9.0
-"
-"-
Uвкл=9 В
1п=88,7 А
GDV
SMCJ9.0A
-
"
-
-"-
Uвкл=9 В
1п=97,4 А
GDW
SMCJ10
-"
-
-"-
Uвкл=10 В
1п=79,8 А
r-.nv
SMCJ10A
-"-
"-
Uвкл=10 В
1п=88,2 А

5. Маркировка полупроводниковых приборов
59
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
--
GDY
SMCJ11
-"-
-
"
Uвкл=11 В
1п=74,6 А
GDZ
SMCJ11A
-"-
-"-
Uвкл=11 В
1п=82,4 А
GED
SMCJ12
-"
-
-"-
Uвкл=12 В
1п=68,2 А
GEE
SMCJ12A
-"-
-"-
Uвкл=12 В
1n=75,З А
GEF
SMCJ13
-"
-
-"-
Uвкл=13 В
1п=63 А
GEG
SMCJ13A
-"
-
-"-
Uвкл=13 В 1п=69,7 А
GEH
SMCJ14
-"-
-"
-
Uвкл=14 В
1п=58,1 А
GEK
SMCJ14A
-"
-
-"-
Uвкл=14 В
1п=64,7 А
GEL
SMCJ15
-"
-
-"
-
Uвкл=15 В 1п=55,8 А
GEM
SMCJ15A
-
"-
-
"-
Uвкл=15 В 1n=61,5 А
GEN
SMCJ16
-
"-
-"-
Uвкл=16 В 1n=52,1 А
GEP
SMCJ16A
-"
-
-"-
Uвкл=16 В
1п=57,7 А
GEQ
SMCJ17
-"-
-"-
Uвкл=17 В 1п=49,2 А
GER
SMCJ17A
-"-
-"-
Uвкп=17 В
1п=53,З А
GES
SMCJ18
-"-
-
"
Uвкл=18 В
1n=46,6A
"
GET
SMCJ18A
-"-
-"-
Uвкл=18 В 1п=51,4 А
GEU
SMCJ20
-
"-
-"-
Uвкл=20 В
1п=41,9А
GEV
SMCJ20A
-"
-"
Uвкл=20 В
1n=46,З А
GEW
SMCJ22
-"-
-"-
Uвкл=22 В
1л=З8,1 А
GEX
SMCJ22A
-"-
-"-
Uвкл=22
1п=42,2 А
GEY
SMCJ24
-"-
-"-
Uвкл=24
1n=З4,9 А
GEZ
SMCJ24A
"-
"-
Uвкл=24
lп=ЗВ,6 А
GFD
SMCJ26
-"-
-"-
Uвкл=26
1п=З2,2 А
GFE
SMCJ26A
-"
-"-
Uвкл=26
1п=З5,6 А
GFF
SMCJ28
-"-
-"-
Uвкл=28
lп=ЗО А
GFG
SMCJ28A
-"-
-"-
Uвкл=28
lп=ЗЗ А
GFH
SMCJЗO
-"-
-"-
Uвкл=ЗО
1п=28 А
GFK
SMCJЗOA
-"
-
-"-
Uвкл=ЗО
1п=З1 А
GFL
SМСJЗЗ
-"-
-"-
Uвкл=ЗЗ
1п=25,2 А
GFM
SМСJЗЗА
-"-
-
"-
Uвкл=ЗЗ
1п=28,1 А
GFN
SMCJ36
-
"-
-
"-
Uвкл=З6
1п=23,ЗА
GFP
SMCJ36A
-"-
-
"-
Uвкл=З6
1п=25,8 А
GFQ
SMCJ40
-"-
-"-
Uвкл=40
1n=21 А
GFR
SMCJ40A
-"
-"-
Uвкл=40
1п=23,2 А
GFS
SMCJ43
"-
-"-
Uвкл=43
1п=19,6 А
GFT
SMCJ43A
-
"-
-"-
Uвкл=43
1n=21,6A
GFU
SMCJ45
-"-
-"-
Uвкл=45
1n=18,7 А
GFV
SMCJ45A
-"-
-"-
Uвкл=45
1п=20,6 А
GFW
SMCJ48
-"-
-"-
Uвкл=48
1п=17,5 А
GFX
SMCJ48A
-"-
-"
-
Uвкл=48
1n=19,4 А
GFY
SMCJ51
-"-
-"
-
Uвкл=51
1п=16,5 А
GFZ
SMCJ51A
-"-
"-
Uвкл=51
1n=18,2 А
GGD
SMCJ54
-"-
-"-
Uвкл=54
1п=15,6 А
GGE
SMCJ54A
-"
-
-"-
Uвкл=54
1п=17,2А
GGF
SMCJ58
-"-
-
"-
Uвкл=58
1n=14,6 А

60
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
GGG
SMCJ58A
-"-
-"-
Uвкл=58
1п=16А
GGH
SMCJбO
-
"-
-"-
Uвкл:;бО В
1п=14 А
GGK
SMCJбOA
-"-
-"-
Uвкл=бО В
1п=15,5 А
GGL
SMCJ64
-
"-
-"-
Uвкл=б4 В 1п=13,2 А
GGM
SMCJ64A
-
"-
-"-
Uвкл=64 В
1п=14,6А
GGN
SMCJ70
-"-
-"-
Uвкл=70 В
1п=12 А
GGP
SMCJ70A
-"-
-"-
Uвкл=70 В 1п=13,3 А
GGQ
SMCJ75
-"-
-"-
Uвкл=75 В 1п=11,2 А
GGR
SMCJ75A
-"-
-"-
Uвкл=75 В
1п=12,4 А
GGS
SMCJ78
-"-
-"-
Uвкл=78 В 1п=10,8 А
GGT
SMCJ78A
-"
-
-
"-
Uвкл=78 В
1п=11,4А
GGU
SMCJ85
-"-
-
"-
Uвкл=85 В
1п=9,9 А
GGV
SMCJ85A
-
"-
-"-
Uвкл=85 В 1п=10,4 А
GGW
SMCJ90
-"-
-"-
Uвкл=90 В
1п=9,4 А
GGX
SMCJ90A
-"-
-"-
Uвкл=90 В
1п=10,ЗА
GGY
SMCJ100
-"-
-
"
-
Uвкл=100 В lп=В,4 А
GGZ
SMCJ100A
-"-
-"
-
Uвкл=100 В 1п=9,3 А
GHO
SMCJ110
"-
-"-
Uвкл=110В 1п=7,7 А
GHE
SMCJ110A
-"-
-"-
Uвкл=110 В lп=В,4 А
GHF
SMCJ120
-"-
-"-
Uвкл=120 В 1п=7 А
GHG
SMCJ120A
-"-
-"-
Uвкл=120 В 1п=7,9 А
GHH
SMCJ130
-"-
-"-
Uвкл= 130 В 1п=6,5А
GHK
SMCJ130A
-"-
-"-
Uвкл=130 В 1п=7,2 А
GHL
SMCJ150
-"-
-"-
Uвкл=150 В 1п=5,6А
GHM
SMCJ150A
-"-
-"-
Uвкл=150 В lп=б,2 А
GHN
SMCJ160
-"-
-"-
Uвкл=160 В 1п=5,2 А
GHP
SMCJ160A
-"-
-"-
Uвкл=160 В 1п=5,8 А
GHQ
SMCJ170
-
"-
-"-
Uвкл=170 В 1п=4,9А
GHR
SMCJ170A
-
"-
"-
Uвкл=170 В 1п=5,5 А
Таблица 5.14. Кодовая маркировка диодов в корпусах ОО-214АС
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
10
SML4740
GenSem1
Стабилитрон
Uст=10 В
1ст=25 мА
112
SML4741
Тоже
Тоже
Uст=11 В
1ст=23 мА
13
SML4742
-"-
-"-
Uст=12 В
1ст=21 мА
14
SML4743
"
-
-"-
Uст=13 В
1ст=19 мА
15
SML4744
-
"-
-"-
Uст=15 В
1ст=17 мА
16
SML4745
-"-
-"-
Uст=16 В
1ст=15,5 мА
18
SML4746
-"-
-"-
Uст=18 В
1ст=14 мА
20
SML4747
-"-
-"-
Uст=20 В
1ст=12,5 мА
22
SML4748
"-
-"-
Uст=22 В
1ст=11,5 мА
24
SML4749
-"-
-"-
Uст=24 В
1ст=10,5 мА
27
SML4750
-"-
-"-
Uст=27 В
1ст=9,5 мА
--
SML 751
-"-
-"-
Uст=ЗО В
1ст=8,5 мА

5. Маркировка полупроводниковых приборов
61
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
33
SML4752
-
"
-
-"
Uст=З3 В
1ст=7,5 мА
36
SML4753
-"-
-
"
Uст=З6 В
1ст=7 мА мА
39
SML4754
-"-
-"-
Uст=39 В
1ст=6,5 мА
43
SML4755
-"
-
-"-
Uст=43 В
1ст=6 мА
47
SML4756
-
"
-
-"-
Uст=47 В
1ст=5,5 мА
51
SML4757
-"
-
-"-
Uст=51 В
1ст=5 мА
56
SML4758
-"
-
-"-
Uст=56 В
1ст=4,5 мА
62
SML4759
-"-
"-
Uст=62 В
1ст=4 мА
68
SML4760
-"-
-"-
Uст=68 В
1ст=3,7 мА
6Р2
SML4735
-"
-
"-
Uст=6,2 В
1ст=41 мА
6Р8
SML4736
-
"
-
-"
Uст=6,8 В
1ст=З7 мА
75
SML4761
-"-
"
-
Uст=75 В
1ст=3,3 мА
7Р5
SML4737
-"
-
"-
Uст=7,5 В
1ст=34 мА
82
SML4762
"
-
"-
Uст=82 В
1ст=3 мА
8Р2
SML4738
"
-
-"
Uст=8,2 В
1ст=З1 мА
91
SML4763
-"
-"-
Uст=91 В
1ст=2 мА
9Р1
SML4739
-"
"-
Uст=9,1 В
1ст=28 мА
ADP
ТРSМА
-"
Подавитель выбросов Uвкл=5,5 В
1л=37А
АЕР
ТРSМА
"-
Тоже
Uакл=5,8 В
1n=38,1A
AFP
TPSMA
-"
-
-"-
Uакл=6,05 В 1n=34,2A
AGP
ТРSМА
-"-
-
"-
Uакл=6,4 В
1n=35,4A
АНР
ТРSМА
-"
-
-
"-
Uакл=6,63 В 1n=32A
АКР
ТРSМА
-"-
-"-
Uакл=7,02 В 1n=33,1A
ALP
TPSMA
-"
-
-"-
Uакл=7,37 В 1n=29A
АМР
TPSMA
-"
-"-
Uакл=7,78 В 1n=29,9A
ANP
ТРSМА
-"
-
"-
Uакл=8, 1 В
1n=26,7A
АРР
TPSMA
"-
-
"
Uакл=8,65 В 1n=27,6A
AQP
TPSMA
-
"
-
-"-
Uакл=8,92 В 1n=24,7A
ARP
TPSMA
-"
"
-
Uакл=9,4 В
1n=25,6A
ASP
ТРSМА
"
-
-"-
Uакл=9,72 В 1n=23 1А
АТР
TPSMA
-"-
-"-
Uакл=10,2 В 1n=24A
AUP
TPSMA
-"
"-
Uакл=10,5 В 1n=21,1A
AVP
ТРSМА
"
-
"
Uакл=11,1 В 1n=22A
AWP
TPSMA
-"-
-"
Uакл=12, 1 В
1n=18,2A
АХР
ТРSМА
-
"-
-"-
Uакл=12 8 В
1n=18,9A
АУР
ТРSМА
-
"
-"-
Uакл=12,9 В 1n=17A
AZP
ТРSМА
"-
-"-
Uакл=13,6 В 1n=17,8A
ВОР
ТРSМА
-
"-
-
"
-
Uакл=14,5 В 1n=15,1A
ВЕР
TPSMA
-"-
-"-
Uакл=15,3 В 1n=15,9A
BFP
TPSMA
-
"-
-"-
Uакл=16,2 В 1n=13,7A
BGP
ТРSМА
-
"-
-
"
-
Uакл=17,1 В 1n=14,4A
ВНР
TPSMA
-
"-
-"-
Uакл=17.8 В 1n=12,5A
ВКР
TPSMA
-
"
"
-
Uакл=18,8 В 1n=13,1A
BLP
ТРSМА
-
"-
-
"
-
Uакл=19,4 В 1n=11,5A
ВМР
TPSMA
-"
-
-
"
Uакл=20,5 В 1n=12A

62
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
BNP
TPSMA
-"-
-"
Uвкл=21,8 В 1n=10,2A
ВРР
TPSMA
-"-
-"-
Uвкл=24,З В 1n=9,2A
BQP
TPSMA
-
"-
-"
-
Uвкл=23, 1 В
1n=10,7A
BRP
TPSMA
-"-
-
"-
Uвкл=25,6 В 1n=9,7A
BSP
TPSMA
-"-
-"-
Uвкл=26,8 В 1n=8,4A
ВТР
TPSMA
-"-
-"-
Uвкл=28,2 В 1n=8,8A
BUP
TPSMA
-"-
-"
Uвкл=29.1 В 1n=7,7A
BVP
TPSMA
"-
-"-
Uвкл=ЗО,8 В 1n=8A
BWP
TPSMA
-"-
-"-
Uвкл=З1 ,6 В
1n=7,1A
ВХР
TPSMA
-"
"-
Uвкл=ЗЗ,З В 1n=7,4A
ВУР
TPSMA
-"
-
"
Uвкл=З4,В В 1n=6,5A
BZP
TPSMA
"
-"
Uвкл=Зб,8 В 1n=6,7A
ЕА
ES1A
"-
Быстродействующий Uобр=50 В
1np=1A
ЕВ
ES1B
"-
Тоже
Uобр=100 В 1np=1A
ЕС
ES1C
-"-
"-
Uобр=150 В 1np=1A
ED
ES1D
-"
"-
Uобр=200 В 1np=1A
но
SMAJ5.0
Vishay
Подавитель выбросов Uвкл=9,6 В
1n=З5,1А
НЕ
SMAJ5.0A
Тоже
Тоже
Uвкл=9,2 В
1n=38,8A
HF
SMAJ6.0
-"-
-"-
Uвкл=11,4 В 1n=32,5A
HG
SMAJ6.0A
-"-
-"
Uвкл=10,З В 1n=35,7A
нн
SMAJ6.5
-"-
-"-
Uвкл=12,З В 1n=ЗО,1А
нк
SMAJ6.5A
-"-
-
"-
Uвкл=11,2 В ln=ЗЗ,ЗА
HL
SMAJ7.0
-"-
-"-
Uвкл=13,З В 1n=2BA
нм
SМAJ7.0A
-"
-"-
Uвкл=12 В
1n=31A
HN
SMAJ7.5
-"-
-"
Uвкл=14,З В 1n=26.5A
НР
SMAJ7.5A
"-
-"-
Uвкл=12,9 В 1n=29,4A
на
SMAJ8.0
-"-
"-
Uвкл=15 В
1n=25,1A
HR
SMAJ8.0A
-"-
-"
-
Uвкл=13,6 В 1n=27,7A
HS
SMAJ8.5
-
"
-
"-
Uвкл=15,9 В 1n=23,6A
нт
SMAJ8.5A
-"
-
-"
Uвкл=14,4 В 1n=26A
HU
SMAJ9.0
"-
-
"
-
Uвкл=16,9 В 1n=21,2A
HV
SMAJ9.0A
-"-
"
Uвкл=15,4 В 1n=23,5A
HW
SMAJ10
-"-
-"-
Uвкл=18,6 В 1n=20A
нх
SMAJ10A
-"
-"-
Uвкл=17,О В 1n=22A
НУ
SMAJ11
"-
-
"
Uвкл=20,1 В 1n=1B,1A
HZ
SMAJ11A
-"-
-"-
Uвкл=1В,2 В 1n=20,1A
10
SMAJ12
-
-
"-
Uвкл=22 В
1n=16,8A
IE
SMAJ12A
-"-
-"-
Uвкл=19,9 В 1n=18,6A
IF
SMAJ13
-"-
-"
-
Uвкл=23,8 В 1n=15,5A
IG
SMAJ13A
-"
-"-
Uвкл=21,5 В 1n=17.2A
IH
SMAJ14
-"
-"
Uвкл=25,8 В 1n=14,8A
IK
SMAJ14A
"
-
-
"-
Uвкл=23.2 В 1n=16,4A
IL
SMAJ15
-"-
-"-
Uвкл=26,9 В 1n=13,8A
IM
SMAJ15A
-"-
"-
Uвкл=24,4 В 1n=15,ЗА
IN
SMAJ16
-"
-"-
Uвкл=28,В В 1n=13, 1А

5. Маркировка полупроводниковых приборов
63
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
IP
SМAJ16A
.
"-
-"-
Uвкл=26 В
1п=14,5А
IQ
SMAJ17
"-
-"-
Uвкл=ЗО,5 В 1п=12,4А
IR
SМAJ17A
-"
-"-
Uвкл=27,6 В 1п=13,7А
IS
SMAJ18
-
"-
-"
-
Uвкл=З2,2 В 1п=11,1А
IT
SMAJ18A
-"-
-"
Uвкл=29,2 В 1п=12,ЗА
IU
SMAJ20
-
"
-
-"-
Uвкл=З5,8 В 1п=10,1А
IV
SМAJ20A
-"-
-"-
Uвкл=З2,4 В 1п=11,2А
IW
SMAJ22
"-
-"-
Uвкл=З9,4 В 1п=9,ЗА
IX
SMAJ22A
"-
-"-
Uвкл=З5,5 В 1п=10,ЗА
IY
SMAJ24
-"
"-
Uвкл=43 В
1п=В,6А
IZ
SMAJ24A
-
"-
-
"-
Uвкп=ЗВ,9 В 1п=9,5А
JD
SMAJ26
-"-
-"
.
Uвкл=46,6 В lп=В,ОА
JE
SМAJ26A
-"
.
"-
Uвкл=42, 1 В lп=В,ВА
JF
SMAJ28
-"
-
-"
Uвкл=50 В
1п=7,5А
JG
SMAJ28A
-"-
-"-
Uвкл=45,4 В lп=В,ЗА
JH
SMAJЗO
-"-
-"-
Uвкл=53,5 В 1п=6,8А
JK
SMAJЗOA
-
"-
-"-
Uвкл=48,4 В 1п=7,5А
JL
SМАJЗЗ
-"-
-"-
Uвкл=59 В
1п=6,2А
JM
SМАJЗЗА
-"
-
-"-
Uвкл=53,З В 1п=6,9А
JN
SMAJ36
-
"
-
-
"
Uвкл=64,З В 1п=5,6А
JP
SMAJ36A
"
"-
Uвкл=58, 1 В 1п=6 2А
JQ
SMAJ40
-
"
-"
-
Uвкл=71,4 В 1п=5,2А
JR
SMAJ40A
-
"-
-"-
Uвкл=64,5 В 1п=5,7А
JS
SMAJ43
"-
-"-
Uвкл=76,7 В 1п=5А
JT
SMAJ43A
-
"
-"
-
Uвкл=69,4 В 1п=5,5А
JU
SMAJ45
-
"
-
"
Uвкл=ВО,З В 1п=4,7А
JV
SMAJ45A
-"-
-"
Uвкл=72,7 В 1п=5,2А
JW
SMAJ48
-
"-
-"-
Uвкл=85,5 В 1п=4,4А
JX
SMAJ48A
-
"
-
-"-
Uвкл=77,4 В 1п=4,9А
JY
SMAJ51
-"-
-"-
Uвкл=91, 1 В 1п=4,2А
JZ
SMAJ51A
"-
-"-
Uвкл=82,4 В 1п=4,6А
RD
SMAJ54
-"
-"-
Uвкл=96,З В 1п=З,9А
RE
SМAJ54A
-
"
-
-"-
Uвкл=87 1 В 1п=4 ЗА
RF
SMAJ5B
"-
-"-
Uвкл=103 В
1п=З,7А
RG
SMAJ58A
-"
-"-
Uвкл=93,6 В 1п=4,1А
RH
SMAJ60
-"-
-"-
Uвкл=107 В
1п=З,5А
RK
SМAJ60A
-"
-
-"-
Uвкл=96,8 В 1п=З,9А
RL
SMAJ64
-"
-
-
"-
Uвкп=114 В
1п=З,2А
RM
SMAJ64A
-
"-
-
"
-
Uвкп=103 В
1п=З,5А
RN
SMAJ70
-"-
-"
Uвкn=125 В
lп=ЗА
RP
SMAJ70A
-"-
"-
Uвкп=113 В
lп=З,ЗА
RQ
SMAJ75
-
"
-
-"-
Uвкп=134 В
1п=2,9А
RR
SМAJ75A
-"-
-"
Uвкп=121 В
1п=2,2А
RS
SMAJ78
-"-
-"-
Uвкл=139 В
1п=2,6А
RT
SMAJ78A
-
"
"-
Uвкп=126 В
1п=2,9А

64
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
RU
SMAJ85
"
-
-"
Uвкл=151 В
1п=2,5А
RV
SМAJ85A
"-
-"
Uвкл=137 В
1п=2,7А
RW
SMAJ90
-"-
-"-
Uвкл=160 В
ln=2,2A
RX
SMAJ90A
-"-
-"-
Uвкл=146 В 1n=2,5A
RY
SMAJ100
"-
-"-
Uвкл=179 В 1n=2A
RZ
SМAJ100A
-"-
-"
Uвкn=162 В
1n=2.ЗА
SD
SMAJ110
-"-
-"-
Uвкл=196 В 1n=1,9A
SE
SMAJ110A
-"-
-"-
Uвкл=177 В
ln=2A
SF
SMAJ120
-"-
-"-
Uвкл=214 В
ln=1,7A
SG
SМAJ120A
-"-
-"-
Uвкл=193 В
1n=1,9A
sн
SMAJ130
-"-
-"-
Uвкл=231 В
1п=1,5А
sк
SMAJ130A
-"-
-
"-
Uвкn=209 В
ln=1,6A
SL
SMAJ150
-
"-
-
"-
Uвкл=268 В
1п=1,4А
SM
SMAJ150A
-"-
-"
Uвкл=243 В ln=1,5A
SN
SMAJ160
"-
-"-
Uвкл=287 В
1n=1,ЗА
SP
SMAJ160A
-"-
-"-
Uвкл=259 В
1п=1,4А
SQ
SMAJ170
-"-
-"
Uвкл=ЗО4 В 1n=1,5A
SR
SMAJ170A
-"
-
"-
Uвкл=275 В
1n=1,ЗА
то
SMAJ5.0C
-"
"-
Uвкл=9,6 В
1n=41,6A
ТЕ
SMAJ5.0AC
-"-
-
"
-
Uвкл=9,2 В
1п=43,5А
TF
SMAJ6.0C
-"-
-"-
Uвкn=11,4 В 1п=З5, 1А
TG
SMAJ6.0AC
-"-
-"-
Uвкn=10,З В 1n=38,BA
тн
SMAJ6.5C
-"-
-"-
Uвкл=12,3 В 1п=З2,5А
тк
SMAJ6.5AC
-"-
-
"
-
Uвкn=11,2 В 1n=35,7A
TL
SMAJ7.0C
-
"-
-
"-
Uвкл=13,З В 1п=ЗО,1А
тм
SМAJ7.0AC
-"-
-"-
Uвкл=12 В
lп=ЗЗ,ЗА
TN
SМAJ7.5C
-"-
-"-
Uвкл=14,З В 1п=28А
ТР
SMAJ7.5AC
-"-
-"-
Uвкn=12,9 В 1n=31A
та
SMAJB.OC
-"-
-"
-
Uвкл=15 В
1n=26,5A
TR
SMAJB.OAC
-"-
-"-
Uвкл=13,6 В 1п=29,4А
TS
SMAJ8.5C
-
"-
-"
Uвкn=15,9 В 1n=25, 1А
тт
SMAJ8.5AC
"
-
-"-
Uвкл=14,4 В 1n=27,7A
TU
SMAJ9.0C
-"-
-"-
Uвкл=16,9 В 1n=23,6A
тv
SМAJ9.0AC
-"-
-"
Uвкл=15,4 В ln=26A
тw
SMAJ10C
"-
-"
Uвкл=18,8 В 1n=21,2A
тх
SMAJ10AC
-"-
-"-
Uвкл=17 В
1n=23,5A
ТУ
SMAJ11C
-"
"-
Uвкл=20, 1 В 1п=20А
TZ
SМAJ11AC
-
"-
-"-
Uвкл=18,2 В 1n=22A
UA
US1A
GenSemi
Быстродействующий Uобр=50 В
1пр=1А
UB
US1B
Тоже
Тоже
Uобр=100 В 1пр=1А
UD
SMAJ12C
Vishay
Подавитель выбросов Uвкл=22 В
1n=18,1A
UD
US1D
GenSemi
Быстродействующий Uобр=200 В 1пμ=1А
UE
SМAJ12AC
Vishay
Подавитель выбросов Uвкл=19,9 В ln=20,1A
UF
SMAJ13C
Тоже
Тоже
Uвкл=23,8 В 1п=16,8А
UG
SМАJ1ЗАС
-"-
-"-
Uвкл=21,5 В 1п=18,6А

5. Маркировка полупроводниковых приборов
65
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
UG
US1G
GenSem1
Быстродействующий Uобμ=400 В 1np=1A
uн
SMAJ14C
V1shay
Подавитель выбросов Uвкл=25,8 В 1n=15,5A
UJ
US1J
GenSem1
Быстродействующий Uобμ=600 В 1np=1A
uк
SMAJ14AC
V1shay
Подавитель выбросов Uвкл=23,2 В 1n=17,2A
UL
SMAJ15C
тоже
Тоже
Uвкл=26,9 В 1n=14,8A
uм
SМAJ15AC
-"-
-
"-
Uвкл=24,4 В 1n=16,4A
UN
SMAJ16C
-"-
"-
Uвкл=28,8 В 1n=13,8A
UP
SМAJ16AC
-"-
-"
Uвкл=26 В
1n=15,ЗА
UQ
SMAJ17C
-"-
"
-
Uвкл=ЗО,5 В ln=13,1A
UR
SМAJ17AC
-"-
-"
Uвкл=27,6 В 1n=14,5A
u~
SMAJ18C
-"-
-"-
Uвкл=З2,2 В 1n=12,4A
uт
SМAJ1BAC
-"-
-"-
Uвкл=29,2 В 1n=13,7A
uu
SMAJ20C
-"-
"-
Uвкл=З5,8 В 1n=11,1A
uv
SМAJ20AC
-"-
-"
Uвкл=З2,4 В 1n=12 ЗА
uw
SMAJ22C
-"-
"-
Uвкл=З9,4 В 1n=10,1A
их
SMAJ22AC
-"-
-
"
-
Uвкл=З5,5 В 1n=11,2A
UY
SMAJ24C
-"-
-"-
Uвкл=43 В
1n=9,ЗА
uz
SMAJ24AC
-
"
-
-
"-
Uвкл=З8,9 В 1n=10,ЗА
VD
SMAJ26C
-
"
-
-"-
Uвкл=46,6 В 1n=8,6A
VE
SMAJ26AC
"-
-
"
Uвкл=42, 1 В
1n=9,5A
VF
SMAJ2BC
-"
"-
Uвкл=50 В
ln=BA
VG
SMAJ28AC
-"-
-"-
Uвкл=45,4 В 1n=8,8 А
VH
SMAJЗOC
-"-
-"-
Uвкл=53,5 В 1n=7,5 А
VK
SMAJЗOAC
"-
-
"
Uвкл=48,4 В 1n=8,З А
VL
SМАJЗЗС
-"-
"-
Uвкл=59 В
1n=6,8 А
vм
SМАJЗЗАС
-"-
-"
Uвкл=53,З В 1n=7,5 А
VN
SMAJ36C
-"-
-
"
-
Uвкл=64,З В ln=6,2A
VP
SMAJ36AC
-
"
-
-
"-
Uвкл=58, 1 В
1n=6,9 А
VQ
SMAJ40C
-"-
-"
-
Uвкл=71,4 В 1n=5,6 А
VR
SMAJ40AC
-"-
-"-
Uвкл=64,5 В 1n=6,2 А
VS
SMAJ43C
-"-
"-
Uвкл=76,7 В 1n=5,2 А
vт
SMAJ43AC
"-
-"
Uвкл=69,4 В 1n=5,7 А
vu
SMAJ45C
-"-
"-
Uвкл=80,З В 1n=5A
w
SMAJ45AC
"-
-
"
Uвкл=72,7 В 1n=5,5 А
vw
SMAJ4BC
-
"
-
"-
Uвкл=85,5 В 1n=4,7 А
vx
SMAJ48AC
-"-
-"-
Uвкл=77,4 В 1n=5,2 А
VY
SMAJ51C
-"
-
"-
Uвкл=91, 1 В
1n=4,4A
vz
SMAJ51AC
-"-
-"
Uвкл=82,4 В 1n=4,9 А
WD
SMAJ54C
-"-
-"-
Uвкл=96,З В 1n=4,2 А
WE
SMAJ54AC
-"-
-"-
Uвкл=87, 1 В 1n=4,6 А
WF
SMAJ58C
-"-
-"-
Uвкл=103 В
ln=З9А
WG
SMAJ58AC
-"-
-"-
Uвкл=93,6 В 1n=4,3 А
wн
SMAJ60C
-"
-
"
u•.,,=107 в
ln=З,7 А
wк
SMAJ60AC
-"-
-"-
Uвкл=96,8 В 1n=4,1 А
WL
SMAJ64C
"
-
"-
Uвкл=114 В
ln=З,5 А

66
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Код
Тип диода
Производитель
Назначение
Основные параметры
wм
SMAJ64AC
-
"
-
-
"-
Uвкл=103 В 1n=3,9 А
WN
SMAJ70C
-"
-"-
Uвкл=125 В
1n=3,2 А
WP
SMAJ?OAC
-"-
-
"
-
Uвкл=113 В
1n=3,5 А
wa
SMAJ75C
"-
"-
Uвкл=134 В
1n=3A
WR
SMAJ75AC
"-
-"-
Uвкл=121 В
1n=3,3 А
ws
SMAJ?BC
-"
-"
Uвкл=139 В 1n=2,9 А
wт
SMAJ78AC
-
"
-
-
"
-
Uвкл=126 В
1n=2,2A
wu
SMAJ85C
"-
"-
Uвкл=151 В
1n=2,6 А
wv
SMAJ85AC
-
"
-
-
"
-
Uвкл=137 В 1n=2,9 А
l/WI/
SMAJ90C
-"
-"
Uвкл=160 В 1n=2,5 А
wx
SМAJ90AC
-"-
-"-
Uвкл=146 В 1n=2,7 А
WY
SMAJ100C
-"-
-
"
-
Uвкл=179 В 1n=2,2 А
Wl
SMAJ100AC
-
"
-
-"-
Uвкл=162 В 1n=2,5 А
хо
SMAJ110
-"-
-"
Uвкл=196 В
1n=2 А
ХЕ
SMAJ110A
-"-
-"-
Uвкл=177 В
1n=2,3 А
XF
SMAJ120
-
"-
-
"-
Uвкл=214 В 1n=1,9 А
XG
SМAJ120A
-
"
-
-"
Uвкл=193 В
1п=2А
хн
SMAJ130
"-
-"-
Uвкл=231 В
1п=1,7 А
хк
SMAJ130A
"-
"
-
Uвкл=209 В
1n=1,9A
XL
SMAJ150
-"-
-"-
Uвкл=268 В 1n=1,5A
хм
SMAJ150A
-"
-"
Uвкл=243 В
1п=1,6А
XN
SMAJ160
-
"
-
"
Uвкл=287 В
1п=1,4 А
ХР
SMAJ160A
-
"
-
-"-
Uвкл=259 В
1п=1,5 А
ха
SMAJ170
-
"-
-
"
-
Uвкл=304 В
1n=1,3 А
XR
SMAJ170A
"-
-
"-
Uвкл=275 В
1п=1,4А
zнк
SMAZ5V1
-"
Стабилитрон
Uст=5,1 В
1ст=100 мА
ZHL
SМAZ5V6
-
"-
Тоже
Uст=5,6 В
1ст=100 ма
ZHN
SMAZ6V2
-"-
-
"-
Uст=6,2 В
1ст=100 мА
zно
SMAZ6V8
-"-
-"-
Uст=б,8 В
1ст=100 мА
ZHQ
SMAZ7V5
-"-
-
"
-
Uст=7,5 В
1ст=100 мА
ZHR
SМAZ8V2
-"
-
-"-
Uст=В,2 В
1ст=100 мА
zнт
SMAZ9V1
"-
-"-
Uст=9,1 В
1ст=50 мА
ZHU
SMAZ10
-"-
-"-
Uст=10 В
1ст=50 мА
ZHW
SMAZ12
-"-
-"-
Uст=12 В
1ст=50 мА
ZHZ
SMAZ15
-"
-
"-
Uст=15 В
1ст=50 мА
ZJA
SMAZ16
-"-
"-
Uст=16 В
1ст=25 мА
ZJF
SMAZ18
-"-
-"
Uст=1В В
1ст=25 мА
ZJG
SMAZ20
-
"
-"-
Uст=20 В
1ст=25 мА
ZJК
SMAZ22
-"
-
"-
Uст=22 В
1ст=25 мА
ZJL
SMAZ24
-"
-"-
Uст=24 В
1ст=25 мА
ZJN
SMAZ27
-"-
"-
Uст=27 В
1ст=25 мА
ZJQ
SМAZ30
"-
-
"
-
Uст=30 В
1ст=25 мА
ZJR
SMAZ33
-"-
-"
Uст=33 В
1ст=25 мА
ZJS
SMAZ36
-
"
-
-"-
Uст=36 В
1ст=10 мА
ZJТ
SMAZ39
"-
"-
Uст=З9 В
1ст=10 мА

5. Маркировка полуп роводниковых при боров
67
к;;;;-т Т"пдж~да
Производитепь
Назначение
Ос новные параметры
-
ZJV
SMAZ47
-
.
-
-
.
-
U.,,=47 В
lст=10 мА
Zl<M
SMAZ68
-
.
-
-.-
Uст=68 В
lcr=1 0 мА
Zl<Q
SMAZ100
-
.
-
-
.
-
Uст =100 В
lст=5 мА
ZKR
SMAZ150
-
"-
-
.
-
Uст=150 В
1ст=5 мА
ZKW
SMAZ200
-
.
-
-
.
-
Uст =200 В
1ст=5 мА
Фир ма GENERAL SEMICONDUCTORS выпускает в корпусах D0-215AA (ри с.
5.6) серию стаб илитронов Расшифровка кодовой мар к ировки этой серии приве 
дена в табл. 5.15
Рис. 5.6. Внешний вид и размеры корпуса D0-2 15AA
Таблица 5. 15 . Кодовая маркировка стабилитронов GENSEMI в корпусах D0-215AA
Код
1 ип стабилитрона
Основ ные параметры
WA
SMZG3789A
U.,,=10 В
1ст=37,5 мА
WB
SMZG3789В
Uст=10 В
1ст=37 ,5 мА
wc
SMZG3790A
Uст=11 В
1ст=З4. 1 мА
wo
SМZG3790B
Uст=11 В
lст=З4.1 мА
WE
SMZG3791A
Uст= 12 В
1ст=31,2 мА
WF
SMZG3791B
Ucr=12 В
lст=31 , 2 мА
WG
SMZG3792A
Uст=13 В
lст=28,8мА
~-
WH
SMZG3792B
U.,,=13 В
1ст=28 , 8мА
-
WI
SMZG3793A
Uст=15 В
1ст=25 мА
WJ
SMZG3793B
U.,,= 15 В
1.,,.=25 мА
wк
SMZG3794A
U.,,= 16 В
1ст=23,4 мА
Wl
SMZG3794B
Uст=16 В
1ст=23 ,4 мА
ХА
SMZG3795A
Uст=18 В
lст=20 , 8мА
хв
SMZG3795В
Uст=18 В
lст=20,8 мА
хе
SMZG3796A
Uст=20 В
1ст=18,7 мА
хо
SMZG3796B
Uст=20 В
1ст=18,7 мА
ХЕ
SMZG3797A
Uст=22 В
1cr=17 мА
XF
SMZG3797B
Ucr=22 В
1ст=17 мА
XG
SMZG3798A
Uст=24 В
1ст=15 ,б мА
-
-
хн
SMZG3798B
Uст=24В
lст=15 , б мА
XI
SMZG3899A
Ucr=27 В
1ст=13,9 мА
XJ
SMZG3899В
Uст=27 В
1ст= 1 3,9 мА
хк
SMZG3800A
Uст=30 В
1ст=12 ,5 мА
XL
SMZG3800B
Uст=ЗО В
lст=12,5 мА
УА
SMZG3801A
Uст=33 В
lст=11,4 мА
1--
УВ
SMZG3801B
Uст=ЗЗ В
1ст=11 , 4 мА
УС
SMZG3802A
U.,.=36 В
1ст= 10,4 мА
УО
SMZG3802B
U.,.=36 В
1ст= 10.4 мА
з•

68
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Код
Тип стабилитрона
Основные параметры
УЕ
SMZG3803A
Uст=З9 В
1ст=9,6 мА
YF
SMZGЗBOЗB
Uст=З9 В
1ст=9,6 мА
YG
SMZG3804A
Uст=43 В
1ст=8,7 мА
УН
SMZG3804B
Uст=43 В
1ст=8,7 мА
YI
SMZGЗB05A
Uст=47 В
lст=В мА
YJ
SMZGЗ805B
Uст=47 В
1ст=8 мА
УК
SMZG3806A
Uст=51 В
1ст=7,З мА
YL
SMZGЗB06B
Uст=51 В
1ст=7"З мА
ZA
SMZG3807A
Uст=56 В
1ст=6,7 мА
ZB
SMZGЗB07B
Uст=56 В
1ст=6,7 мА
zc
SMZG3808A
Uст=62 В
1ст=6 мА
ZD
SMZG3808B
Uст=62 В
1ст=6 мА
ZE
SMZGЗB09A
Uст=68 В
1ст=5,5 мА
ZF
SMZG3809B
Uст=68 В
1ст=5,5 мА
5.2 .7. Цветовая маркировка SMD диодов в корпусах
SOD-80, D0-21 ЗАА, D0-21 ЗАВ
Диоды в корпусах SOD-80, D0-213AA, D0-213AB маркируются цветными коль
цами, причем ближнее к краю кольцо указывает на вывод катода диода (табл.
5.16).
Таблица 5. 16
Тип диода
1-е кольцо
2-е кольцо
Замена
ВА682
Красное
Нет
ВА482
ВА6ВЗ
Красное
Оранжевое
ВА483
BAS32
Черное
Нет
1N414B
BAV100
Зеле1-1ое
Черное
BAV1B
BAV101
Зеленое
Коричневое
BAV19
BAV102
Зеленое
Красное
BAV20
-
BAV103
Зеленое
Оранжевое
BAV21
ВВ215
Белое
Зеленое
ВВ405В
ВВ219
Белое
.Нет
ВВ909
5.2 .8. Маркировка излучающих светодиодов
Излучающие светодиоды можно разделить на две большие группы: светодиоды
видимого излучения и светодиоды инфракрасного (ИК) диапазона. Первые приме
няются в качестве индикаторов и источников подсветки, последние - в устрой
ствах дистанционного управления, приема-передающих устройствах ИК диапазо
на, датчиках.
Светоизлучающие диоды маркируются цветовым кодом (табл. 5.17). Сначала
необходимо определить тип светодиода по конструкции его корпуса (рис. 5.9), а
затем уточнить его по цветной маркировке по таблице.

5. Маркировка полупроводниковых приборов
69
оооо
оо
Рис. 5. 7 . Виды корпусов светодиодов
Таблица 5.17 . Маркировка светодиодов
Маркировка Тип светодиода Цвет свечения
Маркировка
Тип светодиода Цвет свечения
Красная полоса
АЛ112А(Г)
Красный
Черная точка
КИПДО2А-1К
Красный
Зеленая полоса
АЛ112Б(Д)
Красный
Черная точка
КИПДО2В-1Л
Зеленый
Синяя полоса
АЛ112В
Красный
Черная точка
КИПДО2Е-1Ж
Желтый
Красная точка
АЛ112Е(К)
Красный
Белая точка
АЛЗЗ6И
Зеленый
Красная точка
АЛЗО1А
Красный
Белая точка
АЛЗО7И
Оранжевый
Красная точка
АЛЗ10А
Красный
Желтая точка
АЛЗЗ6Д
Желтый
Красная точка
АЛЗ16А
Красный
Две красные точки
АЛЗО1Б
Красный
Красная точка
АЛЗЗ6А
Красный
Две красные точки
АЛЗЗ6Б
Красный
Красная точка
КИПМО2А-1К
Красный
Две красные точки
КИПМО2Б-1К
Красный
Зеленая точка
АЛ112Ж(Л)
Красный
Две зеленые точки
АЛЗЗ6Г
Зеленый
Зеленая точка
АЛЗО7Г
Красный
Две зеленые точки
КИПМО2Г-1Л
Зеленый
Зеленая точка
АЛЗЗ6В
Зеленый
Две черные точки
АЛЗО7Е
Желтый
Зеленая точка
КИПМО2В-1Л
Зеленый
Две черные точки
КИПДО2Б-1К
Красный
Синяя точка
АЛ112И(М)
Красный
Две черные точки
КИПДО2Г-1Л
Зеленый
Синяя точка
АЛЗ10Б
Красный
Две черные точки
КИПДО2Е-1Ж
Желтый
Синяя точка
АЛЗ16Б
Красный
Две белые точки
АЛЗО7Л
Оранжевый
Черная точка
АЛЗО7А
Красный
Две желтые точки
АЛЗЗ6Е
Желтый
Черная точка
АЛЗО7В
Красный
Три зеленые точки
КИПМО2Д-1Ж
Желтый
Черная точка
АЛЗО7Д
Желтый
Три желтые точки
АЛЗЗ6Ж
Желтый
Черная точка
АЛЗЗ6К
Красный
Нет
АЛЗО7Б
Красный

70
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Зарубежные фирмы выпускают широкий диапазон светодиодов различных типов.
----
Рис. 5.8. Одноuветные светодиоды
$~
-
2,
з
1
Зеленый о--+[)---1_,1,._, ..l<J-+- -<a Красный
2
Рис. 5.9 . Трехuветные светодиоды
~то~
~[J
КАТОД
~су
КАТОД
Рис. 5.10. Двухuветные диодные сборки
1 • Анод (красный)
2 - Анод (синий)
З • AнQQ (зеленый)
4 ·Анод (синий)
5 • общий катод
6 • общий катод
Рис. 5.11 . ПоJJноuветный RGВ-светодиод

5. Маркировка полупроводниковых приборов
МеТ"8"8ТОД8
') ссь(о[>("о
Мвrка катода
,,-т=-==,т
о [)1 "'"' о эелены~
о [)1 "'"' о краснь1й
2
з
~4
2
з
~4
Рис. 5.12. SМD-светодиоды :
а) одноцветный, б) трехцветные, в) RGВ-светодиод
5.2.9. Маркировка знакосинтезирующих
индикаторов
71
Знакосинтезирующие индикаторы маркируются нанесением на их корпус надпи
си, обозначающей тип прибора.
Некоторые группы индикаторов, например, АЛЗО5, АЛСЗl 7, имеют маркировку
цветными точками. Приводить ее нецелесообразно, поскольку тип такого индика
тора легко определить визуально, а основные параметры группы одинаковы Опр.
Uпр) . Различие имеет только яркость свечения . Поэтому при замене таких
приборов на однотипные или подобные следует обратить внимание в первую
очередь на следующее :
•приборы должны быть однотипны по внутреннему соединению (с общим анодом
или с общим катодом);
• параметры по постоянному току должны быть близкими;
• яркость свечения должна быть одинаковой при работе в группе индикаторов .
На рис . 5. 13 изображены светодиодные знакосинтезирующие индикаторы веду
щих зарубежных производителей.
На рис . 5. 14 изображены точечно-матричные светодиодные индикаторы .
В последнее время широкое применение нашли точечно-матричные индикаторы
со встроенными дешифраторами (SIEMENS, HEWLETT PACКARD, TEXAS INST-
RUMENТS) .

72
5. М ар кировка полупроводниковых приборов
Hew lett Packard
Ki ngbright
1
С общим Skодом
5
r-wi764з
2
9
10
6
g
_
1 С общим катодом 5
-;···;о utrouuъoo
Kingbright
1•
•14
.
.
• OfrD~
OO~D~
•DP1 DP2•
7.
•
в
1.
•14
•G Он{Ji
:{f пс:
•
оИЬ
DP1 DP2
т.
•8
С общим ВНQДОМ
tttt1t~f~t
113106
72119
с общим К8ТОДОN
~~f '1*~~~~
14136
6
9
Универсальные
~~~~~~~
6
61413
6
4
2
9
10
6
Kingbright
.
106
iifDь
[11 5
Н=25.4 мм
С общим анqQОм
6
4
g105
64
g105
Ри с. 5.13. Светодиодные знакосинтезирующие индикаторы зарубежных производитеJJей

5. Маркировка полупроводниковых приборов
"'
~ 1-Ч
g~
Быв1~ ~
Ряд 1 00000 Выв 12
00000
00000
00000
00000
00000
Ряд 7 00000 Выв 7
ВывВ 17.ЗЗмм
00000
00000
00000
00000
00000
00000
00000
29 ,5мм
50,Вмм
Рис. 5.14 . Точечно- матричные светодиодные индикаторы
5.2.1 О. Фотодиоды
73
Фотодиоды служат для преобразования световой энергии в электрический ток и
применяются в системах автоматики, дистанционного управления бытовой радио
аппаратурой .
Фотодиоды выпускаются в различном исполнении: металлических или пластмас
совых корпусах. для навесного и поверхностного монтажа, со встроенным усили
телем. гибридные и другие .
Фотодиоды в металлических корпусах имеют выступ у вывода анода.
На рис . 5.15 изображены некоторые типы фотодиодов с указанием назначения их
выводов .
На рис . 5. 16 изображен гибридный фотодиод. включающий как приемный фото
диод, так и излучающий светодиод.
Рис. 5.15 . Фотодиоды
10530GAL
катодf]/ - U пит_
о
корпус
о
'°' +U пит.
выход
10530HAL
08. корпус~ -u пит
оо
оо
+U пит.
выход
Рис. 5.16. Гибридный фотодиод
-Uц-'-о
+U
\
оо
выход
105ЗОКАL

74
5. Марки ров ка п олупроводниковых приборов
5.3. Транзисторы
Транзисторы для навесного монтажа выпускаются в корпусах различного типа.
На рис. 5.17 показана наиболее распространенная их часть.
E-linв
в12 з
ТО·З
1А2
\~
ТО218/ТО220
50Т9З/ТАВ
w;;~;
123
ISO ТОР/ 50Т227В
4з
0П5о
12
Т01
150221
w123
50Т103
ТО72
2
iЭз4
+
ТО247/5
ТОЗР/
---
з·
Т0247
(ТАВ)
ст.;~;
'"
1 1234~
ТО262/
ТО126/
Т0251
5ОТ32
4
4•
(ТАВ)
123
123
111
150218/
50Т166
220
~w•
111
123
12з
ТО921
Т02З7
Q12 з
103
2
4
50Т82
~~~
123
50Т199
~12з
Рис. 5.17. Корпуса транзисторов для навесного монтажа

5. Маркировка полупроводниковых приборов
75
Среди новых типов транзисторов следует отметить появление так называемых
«Цифровых» транзисторов. Они отличаются от обычных транзисторов наличием
встроенных одного или двух резисторов смещения, которые включаются или в
цепь базы, или в цепь базы и цепь база-эмиттер (рис. 5.18).
С(З)
8(1)~
Е(2)
тиn22
С(З)
8(1)-в
Е(2)
тиn23
С(З)
8(1)~
Е(2)
тиn24
Рис. 5.18. Виды цифровых транзисторов
5.3.1. Особенности кодовой и цветовой маркировки
отечественных транзисторов
Кодовая или цветовая маркировка наносится, как правило, на транзисторы в
корпусе КТ-26 (ТО-92) или КТ-27 (ТО-126) . В свою очередь кодовая и цветовая
маркировки подразделяются на стандартные и нестандартные.
Стандартная кодовая маркировка транзисторов
в корпусе КТ-26 (ТО-92)
Первый вариант маркировки
При стандартной кодовой маркировке на корпус транзистора наносится информа
ция о его типе, группе, дате выпуска.
Тип транзистора обозначается особым символом, группа - соответствующей
буквой русского алфавита, год выпуска - буквой латинского алфавита, месяц
выпуска - цифрой от 1 до 9 или буквой латинского алфавита (табл. 5.18).
Год выпуска
Месяц выпуска
1986-U
Ян8арь-1
А КТ203
1987-М
Фе8раль-2
КТ20В .----_.-....-
1988-W
Март-3
t иnи о КТ209
.а. КТЗ13
•
КТЗ26
•
КТЗЗ9
•
КТ342
•
КТ502
•
КТ50З
r КТ3102
.. ,.
КТЗ107
~ КТЗ157
т КТ3166
м КТ6127
r
КТ6ВО
•
КТ681
n КТ689
...
КП103
1989-Х
Апрель-4
1900-А
Май-5
Месяц выn ска
1991 -D
Июнь-6
Год вып скв
1992-С
Июль-7
1993-D
А8rуст-8
1994-Е
Сентябрь-9
1995-F
Октябрь-О
1996-Н
Ноябрь-N
1997-1
Декабрь-О
1998-К
1999-L
2000-М
Рис. 5.19 . Кодовая маркировка отечественных транзисторов
в корпусе КТ-26 0-й вариант)

76
5. Маркировка полупроводниковых приборов
Второй вариант маркировки
При втором варианте маркировки надписи на корпусе обозначают: верхняя - тип
транзистора, нижняя - его группу .
КТ208А1
КТЗО6АМ
КТЗ25БМ
КТЗЭ7А
КТЭ42Б
КТЭ50А
КТЗ7ЗБ
КТЗ75А
КТ645А
КТЗ75В
КТЗ99ГМ
КТЭ102Г
КТЗ102Е
КТЭ107Б
Рис. 5.20 . Кодовая маркировка отечественных транзисторов
в корпусе КТ-26 (2-й вариант)
Стандартная цветовая маркировка транзисторов
в корпусе КТ~2б (ТО-92)
При стандартной цветовой маркировке на корпус транзистора наносится инфор 
мация о его типе, группе, дате выпуска (см . рис . 5.21 на цветной вкладке).
Второй вариант цветовой маркировки можно назвать упрощенным : маркировка
состоит из двух точек, нанесенных на корпус транзистора . Одна из точек
обозначает тип транзистора, вторая - его группу (см . рис. 5.22 на цветной
вкладке) .
5.4. Рекомендации по замене диодов
и транзисторов
При замене выпрямительных диодов аналоги следует подбирать, исходя из того,
что прямой ток и допустимое обратное напряжение аналога должно быть не
меньше значений этих параметров оригинального диода . При работе диодов в
импульсных цепях, например в импульсных блоках питания, следует обращать
внимание на пиковые значения прямого тока и обратного напряжения.
При подборе замены точечных диодов, обеспечивающих выпрямление слабых
сигналов высокой частоты, необходимо обращать внимание на материал полупро 
водника из которого изготовлен оригинальный диод. Наибольшее значение вы
прямленного напряжения обеспечивают германиевые точечные диоды . Особенно
1<ритичен подбор таких диодов в тех цепях, где выпрямленный высокочастотный
сигнал является управляющим для какой-то схемы управления . Пример -
управление режимами прием/ передача внешнего дополнительного усилителя
мощности радиостанции Си-Би связи .

5. Маркировка полупроводниковых приборов
77
При подборе аналога заменяемого транзистора в первую очередь следует опреде
лить выполняемую им функцию в схеме радиоэлектронного устройства. В цепях
питания обращают внимание на такие параметры, как максимально допустимое
напряжение коллектор-эмиттер, максимальный ток коллектора, максимально до
пустимую мощность рассеивания на коллекторе. В схемах управления, ключевых
каскадах, схемах управления строчной разверткой, импульсных блоках питания
подбирают транзисторы по наиболее близким параметрам оригинального транзи
стора, поскольку при неправильном подборе транзистор может перейти к актив
ному режиму работы вместо ключевого, что вызовет его перегрев и выход из
строя. В последнее время в качестве ключевых используются так называемые
"цифровые транзисторы" - транзисторы, имеющие встроенные один или два
резистора смещения. Мощные ключевые транзисторы могут иметь встроенный
диод, включенный в обратной полярности параллельно переходу коллектор-эмит
тер. При замене высокочастотных транзисторов следует учитывать предельную
рабочую частоту транзистора.
Перед тем, как заменить неисправный транзистор и испытать работу устройства,
следует проанализировать причины, вызвавшие неисправность и возможный
выход из строя других элементов.

78
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
6. Маркировка полупроводниковых
SMD радиокомпонентов
Маркировка некоторых типов SMD диодов была описана выше. В данной главе
описана маркировка SMD радиокомпонентов в корпусах с числом выводов более
двух.
6.1. Идентификация SMD компонентов по
маркировке
SMD компоненты слишком малы, чтобы на них можно было нанести полную
информацию о типе прибора. Вместо этого производители компонентов использу
ют произвольную систему кодирования с простыми двух- или трехсимвольными
идентификационными кодами.
Идентификация типа SMD приборов различных производителей по их коду
достаточно трудоемкая задача, связанная с необходимостью просмотра большого
объема технической документации. Приводимая ниже система идентификации
позволяет значительно облегчить эту работу.
6.2. Типы корпусов SMD транзисторов
SMD транзисторы выпускаются в корпусах SOT23, SOT323, SOT223, SOT89,
SОТ143, SОТЗ43, SOT363, ТО-262, ТО-263, ТО-252, SC.63 (рис. 6.1)
SOT-223
SOT143
SOT-23
~·~,~'
1
1
1
ТО-263
ТО-262
ТО-252
~~а
SC.63
~~'
Q
1
Рис. 6.1 . Типы корпусов SMD транзисторов

6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
79
6.3. Как определить тип
полупроводникового прибора
Первое, что необходимо помнить при определении типа SMD полупроводникового
прибора по его кодировке - это то, что часто различные по типам и параметрам
полупроводниковые приборы имеют на корпусе одинаковую маркировку. Поэтому
при определении типа прибора следует учитывать следующее:
• к какой группе может принадлежать прибор (диод, транзистор, ИМС);
• всегда обращать внимание на то, с какими фирмами-производителями радио
электронных компонентов работает фирма-производитель ремонтируемой Вами
аппаратуры. Их может быть несколько и косвенно информацию можно полу
чить, проанализировав несколько образцов техники. Например, могут быть
использованы цифровые ИМС от фирмы TOSHIВA, транзисторы от фирмы
MOTOROLA, аналоговые микросхемы от фирмы ANALOG DEVICES. Соответ
ственно, при определении типа прибора для такой аппаратуры следует выбирать
полупроводниковые приборы именно этих фирм;
• обращать внимание на то, что некоторые фирмы-производители радиоэлектрон
ной аппаратуры имеют свои производства по всему миру. Поэтому круг постав
щиков радиокомпонентов для этих фирм может незначительно отличаться.
Чтобы идентифицировать тип SMD компонента, сначала определяют код, нане
сенный на прибор. Затем находят первый символ кода в алфавитно-цифровом
списке в левой части таблицы и по типу корпуса уточняют тип прибора.
Цоколевку прибора можно определить по рисунку с соответствующим кодом
цоколевки, указанным в таблице. К сожалению, код каждого прибора не обяза
тельно уникален. Например, код lA имеют транзисторы ВС846А и FMMT3904.
Даже один производитель может использовать один и тот же код для маркировки
различных приборов. В этом случае следует использовать дополнительную инфор
мацию для его правильной идентификации.
Некоторые производители используют дополнительные буквы, указывающие на
собственный код идентификации. Так, фирма PHILIPS обычно добавляет к коду
строчную букву р, а фирма SIEMENS - строчную букву s.
Например, если код прибора в корпусе SOT23 - lAp, то необходимо искать код
!А. Согласно табл. 6.2 имеются шесть вариантов с таким кодом (пример -
табл. 6.1).
Таблица 6.1
Код
Наименование
Фирма
Корпус
Цоколевка
Эквивалент/
краткое описание
1А
ВС846А
Phi IТТ Mot
SOT23
Т1а
Sl-N ВС546А
1А
BC846AW
Motorola
SОТЗ23
Т1а
SJ-N ВС546А
1А
FMMT3904
Zetex
SOT23
Т1а
Sl-N 2NЗ904
1А
SXT3904
lnfineon
SOT89
ТЗа
Sl-N 40V 200 мА 2N3904
1А
ММВТЗ904
Motorola
SOT23
Т1а
SJ-N 2N3904
1А
IRLML2402
IR
SOT23
Т1с
N-кан полевой 20 В О. 9 А

80
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Однако наличие суффикса «р» говорит о производителе - фирме PHILIPS, и
прибор в данном корпусе однозначно определяется как транзистор ВС846А.
Многие приборы фирмы ROHM, код которых начинается с буквы R или G, имеют
прямым эквивалентом код, найденный в оставшейся части. Например, код RA 1,
так же как и Al, обозначает диод BAW56, а код GбВ, так же как и бВ, обозначает
транзистор BCS 17-25. Код некоторых транзисторов этой фирмы имеет в конце
дополнительную букву, указывающую на коэффициет усиления h21Э.
Некоторые из новых устройств фирмы MOTOROLA имеют маленькую над
пись после кода устройства типа SAC, которая обозначает просто месяц
изготовления.
Дальнейшее уточнение может быть получено по типу корпуса прибора. Например, код
lK на корпусе SOT23 относится к транзистору ВС848В (250 мВт), а код lK на корпусе
SOT323 идентифицирует прибор как BC848BW (идентичный, но с Р=200 мВт).
Суффикс L обычно указывает на корпус с низким профилем, типа SOT323 или
SC70.
Устройства с обратным расположением выводов часто имеют суффикс R (reverse)
в обозначении типа. Например: 67 - код для BFP67 в корпусе SOT143, а 67R -
код для варианта с обратным расположением выводов BFP67R в корпусе
SOТ143R.
6.3.1 . Эквиваленты и дополнительная
информация
В таблице, где это возможно, дается соответствующий данному SMD компоненту
тип обычных приборов с эквивалентными характеристиками. Если такое устрой
ство достаточно известно, то подробная информация не дается, в противном
случае иногда приводится некоторая дополнительная информация.
Для приборов, не имеющих обычного эквивалента, часто дается краткое описа
ние, которое может быть полезно для его поиска и замены.
При описании характеристик устройства некоторые приводимые данные обозна
чают, исходя из основных параметров прибора. Например, напряжение, указанное
для диода, обычно обозначает максимальное обратное напряжение, а для стаби
литрона - напряжение стабилизации. Обычно в описании, где определены
напряжение, ток или мощность, задаются максимальные их значения.
Например, устройство, указанное как N-P-N 20В O,lA 1Вт - это NPN транзистор
с максимальным Uкэ=20 В, максимальным током коллектора 100 мА и максималь
ной мощностью 1 Вт.
Некоторые из транзисторов (цифровые транзисторы) имеют встроенные в их
корпус резисторы. В таблице резистор базы означает резистор, соединенный
последовательно с базой. Когда даны два значения резисторов, то первый соеди
нен последовательно с базой, а второй включен в цепь между базой и эмиттером.
Цоколевки SMD полупроводниковых приборов (транзисторов, диодов, микро
схем) приведены в приложении 4 на стр. 210.

6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
81
В табл. 6.2 приведена кодовая маркировка SMD транзисторов (биполярных и
полевых), диодов, диодных сборок, микросхем.
Таблица 6.2
-
Код Наименование Фирма
Корпус Цоколевка
Эквивал~нт/краткое описание
005 SSTPAD5
Silicoп1x SOT23
D1f
PAD-5 5пА - ток утечки диода
010 SSTPAD10
S1l1coпix SOT23
D1f
PAD-1010пА-токутечкидиода
02 BSTB2
Ph1lips
SOT23
T1d
N-кati. полевой МОП 80 В 175 мА
02 MRF5711L
Motorola SOT143
Т4а
Si NPN ВЧ MRF 571
02 DTCC114T
Rohm
SOT23
Т1а
Si NPN 5ОВ 10ОмА ключевой+ 10к0м
(резистор в цепи базы)
020 SSTPAD20
Silicoпix SOT23
D1f
PAD-20 2ОпА- ток утечки диода
03 DTC143TUA
Rohm
SОТЗ23
Т1а
Si цифровой NPN 5ОВ 100мА
2ООмВт f>250МГц +4,7к0м (резистор в цепи базы)
03 DТС143ТКА
Rohm
SОТЗ46
Т1а
Si цифровой NPN 50В 1ООмА
2оомвт f>25ОМГц + 4:Тк0м (резистор в цепи базы)
03 DTC143TE
Rohm
SOT416
Т1а
Si цифровой NPN 50В 1ООмА
15ОмВт f>25ОМГц + 4, 7к0м (резистор в цепи базы)
04 DТС114ТКА
Rohm
SОТЗ46
Т1а
Si цифровой NPN 50В 1ООмА 200мВт f>25ОМГц +
10к0м (резистор в цепи базы)
04 DTC114TUA
Rohm
SОТЗ23
Т1а
Si цифровой NPN 50В 100мА 2ООмВт f>25ОМГц +
1Ок0м (резистор в цепи базы)
04 DTC114TE
Rohm
SOT416
Т1а
Si цифровой NPN 50В 1ООмА 150мВт f>25ОМГц +
1О кОм (резистор в цепи базы)
04 MRF4427
Motorola SOT143
Т4а
Si N PN 40В 400мА 220мВт f=1600МГц
04 MRF5211L
Motorola SOT143
Т4а
Si PNP СВЧ MRF 521 20В 7ОмА ЗООмВт 4200МГц
047 FCX1047A
Zetex
SOT89
ТЗа
S1 NPN ключевой 1ОВ 4А
05 DТС14ЗТКА
Rohm
SОТЗ46
Т1а
Si цифровой NPN 50В 100мА 200мВт f>25ОМГц +
22к0м (резистор в цепи базы)
05 DTC124TUA
Rohm
SОТЗ23
Т1а
Si цифровой NPN 50В 1ООмА 200мВт f>25ОМГц +
22к0м (резистор в цепи базы)
05 DTC143TE
Rohm
SOT416
Т1а
Si цифровой NPN 50В 100мА 150мВт f>25ОМГц +
22к0м (резистор в цепи базы)
05 MRF 9331LT1
Motorola SOT143
Т4а
Si NPN 15В 2мА 50мВт 3500МГц
050 SSTPAD50
Silicoпix SOT23
D1f
PAD-50 50пА - ток утечки диода
051 FCX1051A
Zetex
SOT89
ТЗа
Si NPN ключевой 40В ЗА
06 DТС144ТКА
Rohm
SОТЗ46
Т1а
Si цифровой NPN 5ОВ 1оомА 2оомВт f>250МГц +
47к0м (резистор в цепи базы)
06 DTC144TUA
Rohm
SОТЗ23
Т1а
Si цифровой NPN 50В 1ООмА 2ООмВт f>25ОМГц +
47к0м (резистор в цепи базы)
06 DTC144TE
Rohm
SOT416
Т1а
Si цифровой NPN 50В 1ООмА 15ОмВт f>250МГц +
4 ?кОм (резистор в цепи базы)
09 DTC115TUA
Rohm
SОТЗ23
Т1а
S1 цифровой NPN 50В 100мА 200мВт f>25ОМГц +
1ООкОм (резистор в цепи базы)
09 DТС115ТКА
Rohm
SОТЗ46
Т1а
Si цифровой NPN 50В 100мА 20ОмВт f>25ОМГц +
1ООкОм (резистор в цепи базы)
09 DTC115TE
Rohm
SOT416
Т1а
Si цифровой NPN 50В 10ОмА
150мВт f>25ОМГц + 10Ок0м (резистор в цепи базы)
ОА MUN5111DW1
Motorola SОТЗ63
Т6с
2xSi PNP 1Ок0м+1Ок0м (резистор смещения)
ов MUN5112DW1
Motorola SОТЗ63
Т6с
2xSi PNP 22к0м+22к0м (резистор смещения)
ос MUN5113DW1
Motorola SОТЗ63
Т6с
2xSi PNP 47к0м+47к0м (резистор смещения)
OD MUN5114DW1
Motorola SОТЗ63
Т6с
2xSi PNP 1Ок0м+47к0м (резистор смещения)

82
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
ОЕ MUN5115DW1
Motorola SOT363
Тбс
2xS1PNP1Ок0м (резистор в цепи базы)
OF MUN5116DW1
Motorola SOT363
Тбс
2xS1PNP4,7к0м (резистор в цепи базы)
OG MUN5130DW1
Motorola SОТЗ63
Тбс
2xS1 PNP 1к0м+1 кОм (резистор смещения)
он MUN5131DW1
Motorola SOT363
Тбс
2xS1 PNP 2,2к0м+2,2к0м (резистор смещения)
OJ MUN5132DW1
Motorola SOT363
Тбс
2xS1 PNP 4 7к0м+4, ?кОм (резистор смещения)
ок MUN5133DW1
Motorola SОТЗ63
Тбс
2xS1 PNP 4,7к0м+47к0м (резистор смещения)
OL MUN5134DW1
Motorola SОТЗ63
Тбс
2xS1 PNP 22к0м+47к0м (резистор смещения)
ом MUN5135DW1
Motorola SOT363
Тбс
2xS1 PNP 2,2к0м+47к0м (резистор смещения)
10 MRF 9411LT1
Motorola SОТЗ23
Т4а
S1 NPN СВЧ ВГГц MRF 941 20В 50мА 250мВт
10 MRF 9411L
Motorola SOT143
Т4а
S1 NPN СВЧ ВГГц MRF 941 2ОВ 50мА 25ОмВт
100 SSTPAD100
S1\1соп1х SOT23
D1f
PAD-100100пА-токутечкидиода
10У BZV49-C10
Ph1l1ps
SOT89
DЗЬ
Стабилитрон 1Вт 1ОВ
11 MRF 9511L
Motorola SOT143
Т4а
S1 NPN ВЧ ВГГц MRF 951
11 MUN5311DW1
Motorola SОТЗ63
Т6с
S1NPN/PNP1Ок0м+10к0м (резистор смещения)
11 MMBD1501
Fa1rch1ld
SOT23
D1a
81 диод 200В 1ООмА
11У BZV49-C11
Ph1l1ps
SOT89
DЗЬ
стабилитрон 1Вт 11 В
12 MUN5312DW1
Motorola SОТЗ63
Т6с
S1 NPN/PNP 22к0м+22к0м (резистор смещения)
S1 цифровой NPN 50В 1ООмА 15ОмВт f>250МГц +
12 DТА12ЗЕЕ
Rohm
SOT416
Т1а
2,2к0м (резистор в цепи базы)+ 2,2к0м (резистор
в цепи Б-Э)
12Е ZC2812E
Zetex
SOT23
D11
Сдвоен диод Шоттки
12У BZV49-C12
Ph1l1ps
SOT89
DЗЬ
Стабилитрон 1Вт 12В
13 MUN5313DW1
Motorola SOT363
Т6с
S1 NPN/PNP 47к0м+47к0м (резистор смещения)
13 MMBD1503
Fa1rch1\d
SOT23
011
Сдвоен диод 18ОВ 20ОмА
S1 цифровой NPN 5ОВ 100мА 15ОмВт f>250МГц +
13 DТА14ЗЕЕ
Rohm
SOT416
Т1а
4,7к0м (резистор в цепи базы)+ 4,7к0м (резистор
в цепи Б-Э)
1ЗЕ ZC2813E
Zetex
SOT23
D1J
Сдвоен диод Шоттки
13S BAS125W
\пfiпеоп SОТЗ23
D1a
Диод Шоттки 25В 1ООмА
1ЗУ BZV49-C13
Ph1l1ps
SOT89
DЗЬ
Стабилитрон 1Вт 1ЗВ
14 MUN5314DW1
Motorola SОТЗ63
Т6с
S1NPN/PNP10к0м (резистор в цепи базы)
14 DTA114E
Rohm
SOT23
Т1а
S1 PNP ключевой 10к0м + 10к0м (резистор
смещения)
S1 цифровой NPN 50В 1оомА 15ОмВт f>250МГц +
14 ОТА114ЕЕ
Rohm
SOT416
Т1а
10к0м (резистор в цепи базы)+ 1Ок0м (резистор в
цепи Б-Э)
14 MMBD1504
Fa1rch1ld
SOT23
D1h
Сдвоен диод с общ катодом 18ОВ 2ООмА
147 FCX1147A
Zetex
SOT89
ТЗа
S1 PNP ключевой 10В 4А
14s BAS125-04W
lпfiпеоп SOT323
D11
Сдвоен диод Шоттки 25В 100мА
15 DTA124E
Rohm
SOT23
Т1а
S1 PNP ключевой ЗОВ 50мА + 22к0м (резистор в це-
пи базы)+ 22к0м (резистор в цепи Б-Э)
S1 цифровой NPN 50В 1ООмА15ОмВт f>250МГц +
15 DTA124EE
Rohm
SOT416
Т1а
22к0м (резистор в цепи базы) + 22к0м (резистор в
цепи Б-Э)
15 MUN5315DW1
Motorola SOT363
Т6с
S1 NPN/PNP 1О кОм (резистор в цепи базы)
15 ММВТЗ960
Motorola
SOT23
Т1а
2N3960
15 MMBD1505
Fa1rch1ld
SOT23
D1J
Сдвоен диод с общ анодом 180В 20ОмА
151 FCX1151A
Zetex
SOT89
тза
S1 PNP ключевой 40В ЗА
15s BAS125-05W
lnfiпeoп SОТЗ23
D1h
Сдвоен диод Шоттки 25В 1ООмА

6. Маркировка по.пупроводниковых SMD радиокомпонентов
83
Код Наименование Фирма
Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
15У BZV49-C15
Ph1l1ps
SOT89
DЗЬ
Стабилитрон 1Вт 15В
16 DTA144E
Rohm
SОТ2З
Т1а
S1 PNP ключевой ЗОВ 50мА + 47к0м (резистор в це-
пи базы)+ 47к0м (резистор в цепи Б-Э)
S1 цифровой NPN 50В 1ООмА 150мВт f>250МГц +
16 DTA144EE
Rohm
SOT416
Т1а
47к0м (резистор в цепи базы) + 47к0м (резистор
в цепи Б-Э)
16 MUN5З16DW1
Motorola SОТЗ6З
Т6с
S1 NPN/PNP 4,7к0м (резистор в цепи базы)
165 BAS125-06W
lпfiпеоп SОТЗ2З
D1J
Сдвоен диод Шоттки 25В 1ООмА
16У BZV49-C16
Ph1l1ps
SOT89
DЗЬ
Стабилитрон 1Вт 16В
17 BAS125-07
S1emeпs SОТ14З
D4d
Сдвоен диод Шоттки 25В 1ООмА
179 FMMT5179
Zetex
SОТ2З
Т1а
2N5179
18 MRF 9ЗЗ1LТ1
Motorola SОТ14З
Т4а
S1 NPN СВЧ f =8ГГц 15В 2мА
18 MRF9411BLT1
Motorola SОТ14З
Т4а
S1 NPN СВЧ f =8ГГц 20В 50мА
18 MRF 9411ВLТЗ
Motorola SОТ14З
Т4а
S1 NPN СВЧ f =8ГГц 20В 50мА
18 ВFР181Т
Telefuпkeп SОТ14З
Т4а
S1 NPN СВЧ f =7,8ГГц 1ОВ 20мА
18А MMBZ5221B
Motorola
SОТ2З
D1a
Стабилитрон О,225Вт 2В4
188 MMBZ5222B
Motorola
SОТ2З
D1a
Стабилитрон О,225Вт 2В5
18С ММВZ522ЗВ
Motorola
SОТ2З
D1a
Стабилитрон О,225Вт 2В7
180 MMBZ5224B
Motorola
SОТ2З
D1a
Стабилитрон О,225Вт 2В8
18Е MMBZ5225B
Motorola
SОТ2З
D1a
Стабилитрон О,225Вт ЗВО
18У BZV49-C18
Ph1l1ps
SOT89
DЗЬ
Стабилитрон 1Вт 18В
S1 цифровой NPN 50В 1ООмА 150мВт f>250МГц +
19 DTA115EE
Rohm
SOT416
Т1а
10Ок0м (резистор в цепи базы)+ 10Ок0м
(резистор в цепи Б-Э)
1А ВС846А
Ph1 IТТМоt SОТ2З
Т1а
S1 NPN ВС546А
1А BC846AW
Motorola SОТЗ2З
Т1а
81 NPN ВС546А
1А FММТЗ904
Zetex
SОТ2З
Т1а
S1 NPN 2NЗ904
1А SХТЗ904
lпfiпеоп
SOT89
ТЗа
S1 NPN 40В 200мА 2NЗ904
1А ТМРТЗ904
Alleg
SОТ2З
Т1а
S1 NPN 60В ЗООМГц
1А IRLML2402
IR
SОТ2З
Т1с
N-кан полевой МОП 20В О,9А
1АМ ММВТЗ904
Motorola
SОТ2З
Т1а
S1 NPN 2NЗ904
18 ВС846В
Ph1 IТТ
SОТ2З
Т1а
S1 NPN ВС546В
1В BC846BW
Motorola SОТЗ2З
Т1а
S1 NPN ВС546В
18 FMMT2222
Zetex
SОТ2З
Т1а
S1 NPN 2N2222
1В ММВТ2222
Motorola
SОТ2З
Т1а
S1 NPN 2N2222
18 IRLML280З
IR
SОТ2З
Т1с
Р-кан полевой МОП ЗОВ О,9А
1Вр ВС846В
Ph1 IТТ
SОТ2З
Т1а
S1 NPN ВС546В
18R BC846BR
Ph1 IТТ
SОТ2З
Т1а
S1 NPN ВС546В
1Bs ВС846В
Ph1 IТТ
SОТ2З
Т1а
S1 NPN ВС546В
1BZ FMMT2222
Zetex
SОТ2З
Т1а
S1 NPN 2N2222
1С FMMT-A20
Zetex
SОТ2З
Т1а
MPSA20
1С MMBTA20L
Motorola
SОТ2З
Т1а
МРSЗ904
1С IRLML6З02
IR
SОТ2З
Т1с
Р-кан полевой МОП 20В О,6А
1С KST20
Samsuпg SОТ2З
Т1а
S1 NPN ЗООВ 500мА
1Cs BC847S
lпfiпеоп SОТЗ6З
Т6с
2xS1 NPN ВС847
1D ВС846
Ph1J1ps
SОТ2З
Т1а
ВС456
1D ММВТА42
Motorola
SОТ2З
Т1а
S1 NPN MPSA42 ЗООВ

J4
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
1D IRLML510З
IR
SОТ2З
Т1с
Р-кан полевой МОП ЗОВ О,6А
1D ТМРТА42
Alleg
SОТ2З
Т1а
S1 NPN ЗООВ 50МГц
1DN 2SС408З
Rohm
SОТ2З
Т1а
S1 NPN 11 В З 2ГГц для ТВ тюнеров
1DR MSD1З2BR
Motorola
SC59
Т1а
S1 NPN 25В 50ОмА
1Ds BCB46S
\nfineon
SОТЗ6З
Тбс
2xS1 NPN ВС456
1Е ВСВ47А
Ph1 IТТ
SОТ2З
Т1а
S1 NPN ВС547А
1Е BC847AW
Motorola SОТЗ2З
Т1а
S1 NPN ВС547А
1Е FММТ-А4З
Zetex
SОТ2З
Т1а
МРSА4З
1Е ММВТА4З
Motorola
SОТ2З
Т1а
S1 NPN МРSА4З 2ООВ
1EN 2SC4084
Rohm
SОТ2З
Т1а
S1 NPN 2ОВ 2 ОГГц для ТВ тюнеров
1F ВС847В
Ph1 IТТ
SОТ2З
Т1а
S1 NPN ВС547В
1F BC847BW
Motorola SОТЗ2З
Т1а
S1 NPN ВС547В
1F ММВТ5550
Motorola
SОТ2З
Т1а
S1 NPN 2N5550 140В
1G ВС847С
Ph1 IТТ
SОТ2З
Т1а
S1 NPN ВС547С
1G BC847CW
Motorola SОТЗ2З
Т1а
S1 NPN ВС547С
1G FMMT-A06
Zetex
SОТ2З
Т1а
S1 NPN MPSA06
1GM ММВТАО6
Motorola
SОТ2З
Т1а
S1 NPN MPSA06
1GT SOA06
sтм
SОТ2З
Т1а
S1 NPN MPSA06
1Н ВСВ47
Ph1J1ps
SОТ2З
Т1а
ВС547
1Н FMMT-A05
Zetex
SОТ2З
Т1а
MPSA05
1Н ММВТАО5
Motorola
SОТ2З
Т1а
MPSA05
1НТ SOA05
sтм
SОТ2З
Т1а
MPSA05
1J ВС848А
Ph1 \ТТ
SОТ2З
Т1а
S1 NPN ВС548А
1J BC848AW
Motorola SОТЗ2З
Т1а
S1 NPN ВС548А
1J FММТ2З69
Zetex
sот2з
Т1а
2N2З69
1J ММВТ2З69
Motorola
SОТ2З
Т1а
МРS2З69
1JA ММВТ2З69А
Motorola
SОТ2З
Т1а
S1 NPN МРS2З69А
1Jp BCV61A
Ph1 IТТ
SОТ14З
Т41
S1 NPN ЗОВ 1ООмА
1Js BCV61A
lnf1neon
SОТ14З
Т41
S1 NPN токовое зеркало h21э 180
1К ВС84ВВ
Ph1 IТТ
SОТ2З
Т1а
S1 NPN ВС548В
1К BCB48BW
Motorola SОТЗ2З
Т1а
S1 NPN ВС548В
1К ММВТ6428
Motorola
SОТ2З
Т1а
MPSA18 50В
1К FMMT4400
Zetex
SОТ2З
Т1а
2N4400
1КМ ММВТ6428
Motorola
SОТ2З
Т1а
S1 NPN MPSA18 5ОВ
1Кр BCV61B
Ph1 IТТ
SОТ14З
Т41
S1 NPN ЗОВ 1ООмА
1Ks BCV61B
lnfineon
SОТ14З
Т41
S1 NPN токовое зеркало h21э 290
1L ВС848С
Ph1 IТТ
SОТ2З
Т1а
S1 NPN ВС548С
1L ВС848С
Motorola SОТЗ2З
Т1а
S1 NPN ВС548С
1L ММВТ6429
Motorola
SОТ2З
Т1а
S1 NPN MPSA18 45В
1L FMMT4401
Zetex
SОТ2З
Т1а
2N4401
1Lp BCV61C
Ph1 \ТТ SОТ14З
Т41
S1 NPN ЗОВ 100мА
1Ls BCV61C
lnfineon SОТ14З
Т41
S1 NPN токовое зеркало h21э 520
1М ММВТА1З
Motorola
SОТ2З
Т1а
S1 NPN МРSА1З схема Дарлингтона
(составной транзистор)
1М FММТ-А1З
Zetex
SОТ2З
Т1а
S1 NPN МРSА1З схема Дарлингтона
(составной транзистор)

6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
85
Код Наименование Фирма
Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
1Мр ВС848
Philips
SOT23
Т1а
ВС548
1N FMMT-A14
Zetex
SOT23
Т1а
Si NPN MPSA14 схема Дарлингтона
(составной транзистор)
1N ММВТА14
Motorola
SOT23
Т1а
Si NPN MPSA14 схема Дарлингтона
(составной транзистор)
юs BC846PN
lпfiпеоп SOT363
Т6с
PNP /Si NPN сборка НЧ
1Р FMMT2222A
Zetex
SOT23
Т1а
Si NPN 2N2222A
1Р ММВТ2222А
Motorola
SOT23
Т1а
Si NPN 2N2222A
1Р MMBT2222AW
Motorola SOT323
Т1а
Si NPN 2N2222A
1Ps BC847PN
lпfiпеоп SOT363
Т6с
PNP /Si NPN сборка НЧ
1Q ММВТ5088
Motorola
SOT23
Т1а
MPSA18 Uкэ30В
1R ММВТ5089
Motorola
SOT23
Т1а
Si NPN MPSA18 Uкэ 25В
1S ММВТ2369А
NatSemi
SOT23
Т1а
Si NPN 2N2369A 5ООМГц ключевой
1S MSC3130
Motorola
SC59
Т1а
Si NPN ВЧ f= 1,4ГГц 10В
1Т ММВТ3960А
Motorola
SOT23
Т1а
2N3960A
1U ММВТ2484
Motorola
SOT23
Т1а
Si NPN MPSA18
1V ММВТ6427
Motorola
SOT23
Т1Ь
51 NPN 2N6426/7 схема Дарлингтона
(составной транзистор)
1V BFB20
IТТ
SOT23
Т1а
Si NPN 3ООВ 30мА
1Вт FMMT3903
Zetex
SOT23
Т1а
2N3903
1Вт BF821
IТТ
SOT23
Т1а
Si PNP 300В 30мА
1Х MMBT930L
Motorola
SOT23
Т1а
MPS3904
1Х BFB22
IТТ
SOT23
Т1а
Si NPN 250В 30мА
-
1У ММВТ3903
Motorola
SOT23
Т1а
2N3903
1У BFB23
IТТ
SOT23
Т1а
Si PNP 250В 30мА
1Z BAS?0-06
Zetex
SOT23
D1j
Пара диодов Шоттки
1Z ММВТ6517
Motorola
SOT23
Т1а
Si NPN 2N6517 Uкэ 350В
20 MRF 5811
Motorola SOT143
Т4а
Si NPN СВЧ f'"' 5ГГц О,2А
20 MMBT2907AW
Motorola SOT323
Т1а
Si PNP MPS2907
200 SSTPAD200
Sil1coпix SOT23
D1f
PAD-200 2ООпА - ток утечки диода
20F TSDF1220
Telefuпkeп SOT143
Т4а
SiNPNf=12ГГц6В2ОмА
20У BZV49-C20
Philips
SOTB9
D3b
Стабилитрон 1Вт 20В ·
Si цифровой NPN 50В 100мА 15ОмВт f>250МГц +
22 DTC123EE
Rohm
SOT416
Т1а
2,2к0м (резистор в цепи базы)+ 2,2к0м
(резистор в цепи Б-Э)
22 ММВТ4209
NatSemi
SOT23
Т1а
Si NPN ключевой 85ОМГц 2N4209
22У BZV49-C22
Philips
SOTB9
D3b
Стабилитрон 1Вт 22В
23 ММВТ3646
NatSemi
SOT23
Т1а
Si NPN ключевой 350МГц 2N3646
23 DTC143E
Rohm
SOT23
Т1а
Si NPN ключевой 5ОВ 100мА + 4,7к0м
(резистор смещания)
Si цифровой NPN 50В 100мА 150мВт f>250МГц +
23 DTC143EE
Rohm
SOT416
Т1а
4,7к0м (резистор в цепи базы)+ 4,7к0м (резистор
в цепи Б-Э)
24 MMBD2101
NatSemi
SOT23
D1a
Si диод 1ООВ 200мА
24 DTC114E
Rohm
SOT23
Т1а
Si NPN ключевой 50В 1ООмА + 1О кОм
(резистор смещения)
Si цифровой NPN 5ОВ 100мА 150мВт f>250МГц +
24 DTC114EE
Rohm
SOT416
Т1а
10к0м (резистор в цепи базы) +10к0м
(резистор в цепи Б-Э)
-

86
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наиме11011ание Фирма
Корпус Цоколе11ка
Эк11и11алент/краткое описание
24У BZV49-C24
Ph1l1ps
50Т89
DЗЬ
Стабилитрон 1Вт 24В
25 MMBD2102
Nat5em1
50Т23
D1b
51 диод 1ООВ 200мА
25 DTC124E
Rohm
50Т23
Т1а
51 NPN ключевой 50В 1ООмА + 22к0м (резистор
в цепи базы) + 22к0м (резистор в цепи Б-Э)
51 цифровой NPN 50В 1ООмА150мВт f>250МГц +
25 DТС12ЗЕЕ
Rohm
50Т416
Т1а
22к0м (резистор в цепи базы) + 22к0м
(резистор в цепи Б-Э)
26 MMBD2103
Nat5em1
50Т23
011
Сдвоен диод MMBD1201
26 DTC144E
Rohm
50Т23
Т1а
51 NPN ключевой 5ОВ ЗОмА + 47к0м
(резистор смещения)
27 MMBD2104
Nat5em1
50Т23
D1h
Сдвоен диод MMBD1201
27У BZV49-C27
Ph1l1ps
50Т89
DЗЬ
Стабилитрон 1Вт 27В
28 BFP280T
Telefuпkeп 50Т143
T4d
51 NPN СВЧ f =7ГГц 8В 1ОмА
28 MMBD2105
Nat5em1
50Т23
D1J
Сдвоен диод MMBD1201
51 цифровой NPN 50В 1ООмА 15ОмВт f>250МГц +
29 DTC115EE
Rohm
50Т416
Т1а
1ООкОм (резистор в цепи базы) + 1ООкОм
(резистор в цепи Б-Э)
29 MMBD1401
Fa1rch1ld
50Т23
D1a
51диод175В 200мА
2А ММВТЗ906
Motorola 50Т23
Т1а
51 PNP 2N3906
2А 5ХТЗ906
lпfiпеоп
50Т89
тза
51 PNP ключевой 40В 2ООмА 2NЗ906
2А MMBT3906W
Motorola 50ТЗ23
Т1а
51 PNP 2N3906
2А FMMT3906
Zetex
50Т23
Т1а
51 PNP 2N3906
2В ВС849В
Ph1 IТТ
50Т23
Т1а
51 NPN ВС549В
2В FMMT2907
Zetex
50Т23
Т1а
2N2907
2С ВС849С
Ph1 IТТ
50Т23
Т1а
51 NPN ВС549С
2С ММВТА70
Motorola 50Т23
Т1а
МР5А70
2D ММВТА92
Motorola 50Т23
Т1а
51 PNP МР5А92 Uкэ зоов
2Е ММВТА93
Motorola 50Т23
Т1а
51 PNP МР5А93 Uкэ 200В
1 2Е FMMTA93
Zetex
50Т23
Т1а
МР5А93
2F ВС850В
Ph1 IТТ
50Т23
Т1а
51 NPN ВС550В
2F FMMT2907A
Zetex
50Т23
Т1а
51 PNP 2N2907A
2F 5ХТ2907А
lnfiпeoп
50Т89
тза
51 PNP ключевой 6ОВ 600мА
2F ММВТ2907А
Motorola 50Т23
Т1а
51 PNP МР52907А
2G ВС850С
Ph1 IТТ
50Т23
Т1а
51 NPN ВС550С
2G FMMTA56
Zetex
50Т23
Т1а
МР5А56
2GM ММВТА56
Motorola 50Т23
Т1а
51 PNP МР5А56
2GT 50А56
5G5
50Т23
Т1а
51 PNP МР5А56
2Н FMMT-A55
Zetex
50Т23
Т1а
МР5А55
2Н ММВТА55
Motorola 50Т23
Т1а
51 PNP МР5А55
2НТ 50А55
5G5
50Т23
Т1а
МР5А55
2J ММВТЗ640
Motorola
50Т23
Т1а
51 PNP МР53640 ключевой
2К FMMT4402
Zetex
50Т23
Т1а
2N4402
2К ММВТ8598
Motorola
SOT23
Т1а
51 PNP 2N4125 60В
2L ММВТ5401
Motorola 50Т23
Т1а
51 PNP 2N5401 150В
2L FMMT4403
Zetex
50Т23
Т1а
2N4403
2М FMMT5087
Zetex
50Т23
Т1а
2N5087
2М ММВТ404
Motorola 50Т23
Т1а
51 PNP ключевой 24В 15ОмА

6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
87
Код Наименование Фирма
Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
2N ММВТ404А
Motorola
50Т23
Т1а
51 PNP ключевой З5В 150мА
2Р ММВТ5086
Motorola
50Т23
Т1а
2N5086
2Р 5ХТ2222А
lпfiпеоп
50Т89
тза
51 NPN ключевой 40В бООмА
2Q ММВТ5087
Motorola
5ОТ23
Т1а
51 PNP 2N5087
2R Н5М5-8202
НР
50Т23
D1g
Диод Шоттки смесит пара 10-14ГГц
2Т 504403
5G5
50Т23
Т1а
51 PNP 2N4403
2Т ММВТ4403
Motorola
50Т23
Т1а
51 PNP 2N4403
2Т НТ2
Zetex
50Т23
Т1а
51 PNP 80В 1ООмА
2U ММВТА63
Motorola
50Т23
Т1Ь
МР5А63 схема Дарлингтона
(составной транзистор)
2V ММВТА64
Motorola
50Т23
Т1а
51 PNP МР5А64 схема Дарлингтона
(составной транзистор)
2W FММТЗ905
Zetex
50Т23
Т1а
2NЗ905
2W ММВТ8599
Motorola
50Т23
Т1а
51 PNP 2N4125 Uкэ вов
2Х 504401
5G5
50Т23
Т1а
51 NPN 2N4401
2Х ММВТ4401
Motorola
50Т23
Т1а
5i NPN 2N4401
2У4 BZV49-C2V4
Ph1f1ps
50Т89
DЗЬ
Стабилитрон 1Вт 2,4 В
2У7 BZV49-C2V7
Ph1f1ps
50Т89
DЗЬ
Стабилитрон 1Вт 2,7 В
2Z ВА57О-04
Zetex
50Т23
D1g
Пара диодов Шоттки
2Z ММВТ6520
Motorola
50Т23
Т1а
51 PNP 2N6520 Uкэ 350 в
2Z5 ВА57О-05
Zetex
50Т23
D1h
Пара диодов Шоттки
30 MUN5330DW1
Motorola 5ОТЗ63
Тбс
51 NPN/PNP 1кОм+1 кОм (резистор смещения)
301 FDVЗ01N
Fa1rch1fd
50Т23
T1d
N-кан цифровой полевой 25В О,22А
302 FDV302P
Fa1rch1fd
50Т23
T1d
Р-кан цифровой полевой 25В О, 12А
303 FDVЗOЗN
Fa1rch1fd
50Т23
T1d
N-кан цифровой полевой 25В О,68А
304 FDVЗ04P
Fa1rch1fd
50Т23
T1d
Р-кан цифровой полевой 25В О,46А
305 АТ-30511
НР
50Т143
ВЕСЕ
51NPN11В 8мА
30У BZV49-CЗO
Ph1f1ps
5ОТ89
DЗЬ
Стабилитрон 1Вт ЗОВ
31 MUN5331DW1
Motorola 50ТЗ63
Тбс
51 NPN/PNP 2,2к0м+2,2к0м (резистор смещения)
31 MMBD1402
Nat5em1
50Т23
D1b
51 диод 2оов 1оомА
310 АТ-31011
НР
50Т
ВЕСЕ
51NPN11В 16мА
32 MUN5332DW1
Motorola 5ОТЗ63
Тбс
51 NPN/PNP 4,7к0м+4,7к0м (резистор смещения)
32 MMBD1403
Fa1rch1fd
50Т23
011
Сдвоен 51 диод 175В 20ОмА
320 АТ-32011
НР
5ОТ143
ВЕСЕ
51NPN11В 32мА
33 MUN5333DW1
Motorola 50ТЗ63
Тбс
51 NPN/PNP 4,7к0м+47к0м (резистор смещения)
33 MMBD1404
Fa1rch1fd
5ОТ23
D1h
Сдвоен 51 диод 175В 2ООмА
51 цифровой NPN 50В 1ООмА 150мВт f>25ОМГц +
33 DТА14ЗХЕ
Rohm
5ОТ416
Т1а
4,7к0м (резистор в цепи базы)+ 1Ок0м
(резистор в цепи Б-Э)
331 ND5331N
Fa1rch1fd
50Т23
T1d
N-кан полевой МОП 1,ЗА 2ОВ
332 ND5332P
Fa1rch1fd
5от2з
T1d
Р-кан полевой МОП 1А 20В
335 ND5335N
Fa1rch1fd
50Т23
T1d
N-кан полевой МОП 1, 7А 2ОВ
336 ND5336P
Fa1rch1fd
5от2з
T1d
N-кан полевой МОП 1,2А 20В
33У ВZV49-СЗЗ
Ph1f1ps
50Т89
DЗЬ
Стабилитрон 1Вт ЗЗВ
34 MUN5334DW1
Motorola 50ТЗ63
Тбс
51 NPN/PNP 22кОм+47кОм (резистор смещения)
34 MMBD1405
Fa1rch1fd
50Т23
D1J
Сдвоен 51 диод 175В 200мА
35 MUN5335DW1
Motorola 50ТЗ63
Тбс
51 NPN/PNP 2,2к0м+47к0м (резистор смещения)

88
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
S1 цифровой NPN 50В 1ООмА 150мВт f>250МГц +
З5 DTA124XE
Rohm
SOT416
Т1а
22к0м (резистор в цепи базы) + 47к0м
(резистор в цепи Б-Э)
З51 NOSЗ51N
Fa1rch1ld
SОТ2З
T1d
N-кан полевой МОП 1, 1А ЗОВ
З51А NOSЗ51AN
Fa1rch1ld
SОТ2З
T1d
N-кан полевой МОП 1,2А ЗОВ
З52 NOSЗ52P
Fa1rch1ld
SОТ2З
T1d
Р-кан полевой МОП О,85А 20В
З52А NOSЗ52AP
Fa1rch1ld
SОТ2З
T1d
Р-кан полевой МОП О,9А ЗОВ
З55 NOSЗ55N
Fa1rch1ld
SОТ2З
T1d
N-кан полевой МОП 1,6А ЗОВ
З55А NOSЗ55AN
Fa1rch1ld
SОТ2З
T1d
N-кан полевой МОП 1,7А ЗОВ
З56 NOSЗ56P
Fa1rch1ld
sот2з
T1d
Р-кан полевой МОП 1, 1А 20В
З56А NOSЗ56AP
Fa1rch1ld
SОТ2З
T1d
Р-кан полевой МОП 1, 1А ЗОВ
З6У BZV49-CЗ6
Ph1l1ps
SOTB9
озь
Стабилитрон 1Вт З6В
З9У BZV49-CЗ9
Ph1l1ps
SOTB9
озь
Стабилитрон 1Вт З9В
ЗА ВСВ56А
Рh1IТТ
SОТ2З
Т1а
S1 PNP ВС556А
ЗА BCB56AW
Motorola SОТЗ2З
Т1а
S1 PNP ВС556А
ЗА ММВТН24
Motorola
SOT23
Т1а
S1 NPN ВЧ смесит f =600МГц
ЗВ ВСВ56В
Рh1IТТ
SОТ2З
Т1а
S1 PNP ВС556В
ЗВ BCB56BW
Motorola SОТЗ2З
Т1а
S1 PNP ВС556В
зв FMMT918
Zetex
SOT23
Т1а
2N91B
зв ММВТ918
Motorola
SOT23
Т1а
2N918
зсs BCB57S
lnfineon SОТЗ63
Т6с
2xs1 PNP сборка НЧ
30 ВСВ56
Ph1l1ps
SОТ23
Т1а
ВС556 hz1э 75 m1п
30 ММВТН81
Motorola
SОТ2З
Т1а
S1 PNP СВЧ f =6ООМГц
зоs BCB56S
lnfineon SОТЗбЗ
Тбс
2xs1 PNP сборка НЧ
ЗЕ ВС857А
Ph1l1ps
SOT23
Т1а
S1 PNP ВС557А
ЗЕ BCB57AW
Motorola SОТЗ2З
Т1а
S1 PNP ВС557А
ЗЕ ММВТН10
Motorola
SОТ2З
Т1а
МРSН10f=650МГц
ЗЕ FMMT-A42
Zе!IТТ
SOT23
Т1а
MPSA42
ЗЕМ ММВТН10
Motorola
SОТ2З
Т1а
ВЧ усилит f =65ОМГц
ЗЕZ FMMTH10
Zetex
SОТ2З
Т1а
S1 NPN f =650МГц
ЗF ВС857В
Рh1IТТ
SOT23
Т1а
S1 PNP ВС557В
ЗF BC857BW
Motorola SОТЗ2З
Т1а
S1 PNP ВС557В
ЗG ВС857С
Рh1IТТ
SОТ2З
Т1а
S1 PNP ВС557С
ЗG MGSF3454X
Motorola SОТЗбЗ
Тбg
N-кан полевой МОП 1,75А
ЗJ ММВТН69
Motorola
SOT23
Т1а
S1PNPСВЧf=2ГГц
ЗJ ВС858А
Ph1Mot
SOT23
Т1а
S1 PNP ВС558А
ЗJ BC858AW
Motorola sотз2з
Т1а
S1 PNP ВС558А
ЗJр BCV62A
Ph1
SОТ14З
Т41
S1 PNP ЗОВ 100мА
ЗJs BCV62A
lпfineon SOT143
Т41
S1 PNP токовое зеркало hz1э 180
зк ВСВ5ВВ
Рh1IТТ
SОТ2З
Т1а
S1 PNP ВС558В
зк BCB5BBW
Motorola SОТЗ2З
Т1а
S1 PNP ВС55ВВ
ЗКр BCV62B
Ph1
SОТ14З
Т41
S1 PNP ЗОВ 100мА
зкs BCV62B
lnfineon SОТ14З
Т41
S1 NPN токовое зеркало h21э 290
ЗL ВСВ5ВС
Рh1IТТ
SОТ2З
Т1а
S1 PNP ВС55ВС
ЗL BCB5BCW
Motorola SОТЗ2З
Т1а
S1 PNP ВС55ВС
Зlр BCV62C
Ph1
SOT143
Т41
S1 PNP ЗОВ 1ООмА

6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
89
Код Наименование Фирма
Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
3L5 BCV62C
lпfiпеоп SOT143
Т41
S1 PNP токовое зеркало h21э 520
3М ВС858
Ph1l1ps
SOT23
Т1а
S1 PNP ВС558
3Мр BCV62
Ph1
SOT143
Т41
S1 PNP ЗОВ 1ООмА
3N ММВТ4402
NatSem1
SOT23
Т1а
S1 PNP 2N4402
3R ММВТ5571
NatSem1
SOT23
Т1а
S1 PNP ключевой 850МГц
3S ММВТ5551
Fa1rch1ld
SOT23
Т1а
S1 NPN 160В 200мА
3Т нтз
Zetex
SOT23
Т1а
S1 NPN ВОВ 100мА
3W FMMT-A12
Zetex
sот2з
Т1а
MPSA12
3УЗ BZV49-CЗVЗ
Ph1l1ps
SOT89
DЗЬ
Стабилитрон 1Вт З,ЗВ
3У6 BZV49-CЗV6
Ph1l1ps
SOTB9
DЗЬ
Стабилитрон 1Вт З,6В
3У9 BZV49-CЗV9
Ph1l1ps
SOT89
DЗЬ
Стабилитрон 1Вт З,9В
414 АТ-41411
НР
SOT143
Т4а
S1 NPN 2ОВ 50мА
43 DТА14ЗЕЕ
Motorola
SOT23
Т1а
S1 PNP 4,7к0м +4,7к0м (резистор смещения)
S1 цифровой NPN 50В 100мА 150мВт f>25ОМГц +
43 DТС14ЗХЕ
Rohm
SOT416
Т1а
4,7к0м (резистор в цепи базы)+ 1Ок0м
(резистор в цепи Б-Э)
435 ВАS40
lпfiпеоп
SOT23
D1a
Диод Шоттки 40В 1ООмА
43У BZV49-C43
Ph1l1ps
SOT89
DЗЬ
Стабилитрон 1Вт 4ЗВ
445 BAS40-04
lпfiпеоп
SOT23
D11
Сдвоен BAS40
445 ВAS40-04W
lпfiпеоп SОТЗ23
D11
Сдвоен BAS40
S1 цифровой NPN 50В 1ООмА 15ОмВт f>25ОМГц +
45 DTC124XE
Rohm
SOT416
Т1а
22к0м (резистор в цепи базы)+ 47к0м
(резистор в цепи Б-Э)
455 ВАS40-05
lпfiпеоп
SOT23
D1h
Сдвоен BAS40
455 BAS40-05W
lпfiпеоп SОТЗ23
D1h
Сдвоен BAS40
46 MBT3946DW
Motorola SОТЗ63
T6d
2N3904/2N3906 пара
465 BAS40-06
lпfiпеоп
sот2з
D1J
Сдвоен BAS40
465 BAS40-06W
lпfiпеоп SОТЗ23
D1J
Сдвоен BAS40
475 ВАS4О-07
S1emeпs SOT143
D4d
Сдвоен диоды Шоттки 40В 120мА
47У BZV49-C47
Ph1l1ps
SOT89
DЗЬ
Стабилитрон 1Вт 47В
491 FMMT491
Zetex
SOT23
Т1а
zтх 450/451
493 FMMT493
Zetex
SOT23
Т1а
zтх 453
4А MMBV109
Motorola
SOT23
D1a
MV209 варикап
4А НDЗА
Zetex
SOT23
D1a
75В 1ООмА переключат диод
4А ВС859А
Ph1 IТТ
SOT23
Т1а
S1 PNP ВС559А
4As BCB59AW
lnfiпeoп SОТЗ23
Т1а
S1 PNP ВС559А
4В MMBV432
Motorola
SOT23
D1h
Сдвоен варикап 1,5-45пФ
4В ВС859В
Ph1 IТТ
SOT23
Т1а
S1 PNP ВС559В
4В5 BC859BW
lпfiпеоп SОТЗ23
Т1а
S1 PNP ВС559В
4С ВСВ59С
Ph1 IТТ
sот2з
Т1а
S1 PNP ВС559С
4С ММVВЗ102
Motorola
SOT23
D1a
Варикап 6-35пФ
4С5 BC859CW
lпfiпеоп SОТЗ23
Т1а
S1 PNP ВС559С
40 ММВVЗ401
Motorola
SOT23
D1a
ВЧ PIN диод
4D НDЗА
Zetex
SOT23
D1a
Переключат диод 75В 100мА
4Е ВСВ60А
Ph1l1ps
SOT23
Т1а
S1 PNP ВС560А
4Е FMMT-A92
Zetex
SOT23
Т1а
MPSA92
4Е MMBV105G
Motorola
SOT23
D1a
MV105 варикап

90
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
4F ММВОЗSЗ
Motorola 50Т23
01g
Сдвоен МВО101
4F ВС86ОВ
Ph1l1ps
50Т23
Т1а
51 PNP ВС560В
4Fs всввовw
lпfiпеоп 50ТЗ23
Т1а
51 PNP ВС560В
4G MMBV2101
Motorola 50Т23
01а
MV2101 варикап
4G ВСВ60С
Ph1l1ps
50Т23
Т1а
51 PNP ВС560С
4Gs BCB60CW
lпfiпеоп 50ТЗ23
Т1а
51 PNP ВС56ОС
4Н MMBV2103
Motorola 50Т23
01а
MV2103 варикап
4J FMMTЗSA
Zetex
50Т23
Т1а
всхзsд
4J MMBV2109
Motorola 50Т23
01а
MV2109 варикап
4К ММ501000
Motorola 500123
06
51 ДИОД 308 0,2д
4М ММВ0101
Motorola 50Т23
01в
МВО101 диод Шоттки
4М ММ50101
Motorola 500123
06
МВО101 диод Шоттки
4R ММВVЗ700
Motorola 50Т23
01а
PIN диод ВЧ 200В
45 ММВО201
Motorola 50Т23
01а
МВО201
4Т ММВОЗО1
Motorola 50Т23
01а
МВ0301 СВЧ диод Шоттки
4Т MMS0301
Motorola 500123
06
МВ0301 СВЧ диод Шоттки
4Т ММВО330
Motorola 50Т323
01а
СВЧ ДИОД Шоттки
4U MMBV2105
Motorola
SOT23
О1а
MV2105 варикап
4V MMBV2106
Motorola
SOT23
01а
MV2106 вариквп
4W MMBV2107
Motorola 50Т23
01а
MV2107 варикап
4Х MMBV2108
Motorola 50Т23
01а
MV2108 варикап
4У MMBV2102
Motorola 50Т23
01а
MV2102 варикап
4УЗ BZV49-C4V3
Ph1l1ps
50ТВ9
03Ь
Стабипитрон 1Вт4,3В
4У7 BZV49-C4V7
Phlllps
50ТВ9
03Ь
Стабилитрон 1Вт4,7В
4Z MMBV2104
Motorola 50Т23
01а
MV2104 варикап
500 S5TPA0500
51l1con1x
50Т23
01f
РАО-500 500nA- ток утечки диода
51У ВZV49-C51
Ph1l1ps
50ТВ9
озь
Стабилитрон 1Вт 518
51 цифровой NPN 50В 1ООмА 150мВт f>250МГц +
52 ОТА123УЕ
Rohm
50Т416
Т1а
2,2к0м (резистор в цепи базы)+ 1Ок0м
(резистор в цепи 6-Э)
53 ВАТ17
lпliпеоп 5ОТ23
01а
Диод Шоттки 4В 13ОмА
535 BAT17W
lпfiпеоп 50ТЗ23
О1а
Диод Шоттки 4В 13ОмА
54 ВАТ17-04
lпfiпеоп 50Т2З
011
Сдвоен ВАТ17
S1 цифровой NPN 50В 1ООмА 150мВт f>250МГц +
54 ОТА114УЕ
Rohm
SOT416
Т1а
10к0м (резистор в цепи базы)+ 47к0м
(резистор в цепи 6-Э)
545 BAT17-04W
lпfiпеоп 50ТЗ23
011
Сдвоен ВАТ17
55 ВАТ17-05
lпfiпеоп
50Т23
01h
Сдвоен ВАТ17
555 BAT17-05W
lпfiпеоп 50Т323
01h
Сдвоен ВАТ17
56 ВАТ17-06
lпfiпеоп
50Т23
01j
Сдвоен ВАТ17
565 BAT17-06W
lпfiпеоп 50Т323
01j
Сдвоен ВАТ17
56У BZV49-C56
Phlllp5
SOT89
03Ь
Стабилитрон 1Вт 56В
57 ВАТ17-07
51emeпs 50Т143
D4d
Сдвоен диоды Шоттки 40В 1ЗОмА
59 ОТА114УЕ
Motorola
5С90
Т1а
51PNP1Ок0м+47к0м (резистор смещения)
591 FMMT591
Zetex
50Т23
Т1а
ZТХ550/551
593 FMMT593
Zetвx
50Т23
Т1а
ZТХ553
SA ВС807-16
Ph15GS
SOT23
т1а
51 PNP ВС327-16

6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
91
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
5А ММВ06050
MotZet
50Т23
01а
Переключат. диод 70В О,2А
5В ММВТ4123
Motorola 5ОТ23
Т1а
2N4123
5В ВС807-25
Phi 5G5 50Т23
Т1а
5i PNP ВСЗ27-25
5В ММВ06100
Motorola 50Т23
01h
С общ. катодом сдвоен. диод 70В· О,2А
5В FMM06100
Zetex
5ОТ23
01h
С общ. катодом сдвоен. диод 70В О,2А
sвм ММВ06100
Motorola
50Т23
01h
С общ. катодом сдвоен. диод 70В О,2А
5С ВС807-40
Phi 5G5 50Т23
Т1а
5i PNP ВСЗ27-40
5С ММВ07000
Motorola 50Т23
01i
2 посл.диода 1ООВ О,2А
5С FMB07000
Zetex
50Т23
01i
2 посл.диода 1ООВ О,2А
50 MMBD914
Motorola 50Т23
01а
Диод 1N914
SD FMBD914
Zetex
50Т23
01а
Диод 1N914
SD MMSD914
Motorola 500123
06
Диод 1N914
SD НО2А
Zetex
50Т23
01h
Сдвоен. НО2 75В 1ООмА
SE ВС806-16
Phi 5GS
50Т23
Т1а
5i PNP ВС328-16
SF ВС808-25
Phi 5G5 50Т23
Т1а
5i PNP ВС328-25
SF ММВ0501
Motorola 50Т23
01а
МВ0501 - диод
SG ВС808-40
Phi 5G5 50Т23
Т1а
5i PNP ВС328-40
SG ММВО353
Motorola
50Т23
D1i
Сдвоен. MBD101
SH MMBD701
Motorola
SOT23
01а
MBD701 СВЧ диод Шоттки
5Н ММ50701
Motorola 500123
06
МВО701 СВЧ диод Шоттки
sн MMBD770
Motorola 500323
D1a
СВЧ диод Шоттки
5Н ММВО4148
Fairchild
50Т23
D1a
1N4148
5J FMMT38B
Zetex
50Т23
Т1а
ВСХ38В
5К MMBV809
Motorola 50Т23
D1a
Варикап
5L MMBV609
Motorola 50Т23
D1h
Сдвоен. с общ. катодом варикап
5N MMBD452L
Motorola 50Т23
01i
СВЧ диод Шоттки
5У1 BZV49-C5V1
Philips
50Т89
D3b
Стабилитрон 1Вт 5, 1В
5У6 BZV49-C5V6
Philips
50Т89
DЗЬ
Стабилитрон 1Вт 5,6В
60 BAR60
lпfiпеоп SOT143
D4b
3 PIN диода 100В 140мА
605 NDS0605
Fairchild
50Т23
T1d
Р-кан. ключевой полевой МОП 60В О, 18А
61 BAR61
lпfiпеоп SOT143
04е
3 PIN диода 1ООВ 140мА
610 NOS0610
Fairchild
SOT23
T1d
Р-кан. ключевой полевой МОП 60В О, 18А
617 FMMT617
Zetex
50Т23
Т1а
5i NPN ключевой 15В ЗА
618 FMMT618
Zetex
50Т23
Т1а
5i NPN ключевой 20В 2,5А
619 FMMT617
Zetex
50Т23
Т1а
5i NPN ключевой 50В 2А
61А MMBF4117
Nat5emi 50Т23
Т1с
Полевой с N-кан.
61А MMBF4119
Nat5emi 50Т23
Т1с
Полевой с N-кан.
61С MMBF4118
Nat5emi 50Т23
Т1с
Полевой с N-кан.
61J MMBF4091
Nat5emi 50Т23
Т1с
Полевой с N-кан. ключевой /коммутир.
61К MMBF4092
NatSemi 50Т23
Т1с
Полевой с N-кан. ключевой /коммутир.
61L MMBF4093
Nat5emi 50Т23
Т1с
Полевой с N-кан. ключевой /коммутир.
61М MMBF4859
Nat5emi
50Т23
Т1с
Полевой с N-кан. ключевой /коммутир.
61N MMBF5514
Nat5emi 50Т23
Т1с
Р-кан. полевой ключевой /коммутир.
61Р MMBF5115
Nat5emi 50Т23
Т1с
Р-кан. полевой ключевой /коммутир.
610 MMBF5516
NatSemi
50Т23
Т1с
Р-кан. полевой ключевой /коммутир.

92
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
61S MMBF5458
NatSem1
SOT23
Т1с
Полевой с N-кан 2N5458
61Т MMBF5459
NatSem1
SOT23
Т1с
Полевой с N-кан 2N5459
61U MMBF5461
NatSem1
SOT23
Т1с
Р-кан полевой 2N5461
61V MMBF5462
NatSem1
SOT23
Пс
Р-кан полевой 2N5462
62 ВАТ62
lпfiпеоп SOT143
04h
Диод Шоттки 40В 20мА
S1 цифровой NPN 50В 1ООмА 150мВт f>250МГц +
62 0ТС123УЕ
Rohm
SOT416
т1а
2,2кОМ (резистор в цепи базы) + 1оком
(резистор в цепи Б-Э)
62Р MMBFJ201
NatSem1
SOT23
Пс
Полевой с N-кан J201
62Q MMBFJ202
NatSem1
SOT23
Т1с
Полевой с N-кан J202
62R MMBFJ203
NatSem1
SOT23
Пс
Полевой с N-кан J203
62S MMBFJ270
NatSem1
SOT23
Пс
Р-кан полевой J270
62Т MMBFJ271
NatSem1
SOT23
Т1с
Р-кан полевой J271
62У ВZV49-C62
Ph1l1ps
SOT89
озь
Стабилитрон 1Вт 62В
63 ВАТ63
lпfiпеоп SOT143
T4h
Сдвоен диод Шапки 38 100мА
63Q MMBFJ304
NatSem1
SОТ23
Т1с
Полевой с N-кан ВЧ J304
635 ВАТ64
lпfiпeon SOT23
01а
Диод Шоттки 408 250мА
63s BAT64W
lпfiпеоп sотз2з
О1а
Диод Шоттки 40В 250мА
S1 цифровой NPN 50В 100мА 150мВт f>250МГц +
64 0ТС114УЕ
Rohm
SOT416
па
1оком (резистор в цепи базы) + 47к0м
(резистор в цепи Б-Э)
645 ВАТ64-04
lпfiпеоп
SOT23
011
Сдвоен диод Шоттки 40В 250мА
645 8AT64-04W
lпfiпеоп SOT323
011
Сдвоен диод Шоттки 40В 250мА
651 PZT651
Motorola SOT223
Т2а
S1NPN60B 1А
655 ВАТ64-05
lпfiпеоп
SOT23
D1h
Сдвоен диод Шоттки 40В 250мА
655 BAT64-05W
lпfiпеоп SОТ323
D1h
Сдвоен диод Шапки 40В 250мА
66s ВАТ64-06
lпfineon
SОТ23
D1d
Сдвоен диод Шоттки 40В 250мА
66s ВАТ64-06W
lпfiпeon SOT323
D1d
Сдвоен диод Шоттки 40В 250мА
67 BFP67
Telefuпkeп SOT143
Т4а
S1 NPN СВЧ f =7,5ГГц 108 50мА
67s ВАТ64-07
S1emeпs SOT143
04d
Сдвоен диод Шоттки 40В 250мА
68У ВZV49-C68
Ph1l1p5
SOT89
озь
Стабилитрон 1Вт 68В
69 0ТС115ТЕ
Rohm
SOT416
па
S1 цифровой NPN 50В 100мА 150мВт f>250МГц +
100к0м (резистор в цепи базы)
6А MMBF4416
Motorola
SOT23
Т1с
2N4416 N-кан ВЧ полевой
6А MUN2111
Motorola
SC59
т1а
S1PNP10к0м+10к0м (резистор смещения)
6А MUN5111
Motorola SOT323
т1а
S1PNP10к0м+10к0м {резистор смещения)
6А ВС817-16
Рh1IТТ
SОТ23
Т1а
S1 NPN ВС337-16
6В MM8F5484
Fairch1ld
SОТ23
T1f
Полевой с N-кан 2N5484
6В ВС817-25
Рh1IТТ
SOT23
Т1а
S1 NPN ВС337-25
6В MUN2112
Motorola
SC59
Т1а
S1 PNP 22к0м+22к0м {резистор смещения)
6В MUN5112
Motorola SOT323
Па
S1 PNP 22к0м+22к0м (резистор смещения)
6С ВС817-40
Рh1IТТ
SOT23
Па
S1 NPN ВС337-40
6С MMBFU310
Motorola
SOT23
Т1с
Полевой с N-кан U310
6С MUN2113
Motorola
SC59
Па
S1 PNP 47к0м+47к0м (резистор смещения)
6С MUN5113
Motorola SOT323
Па
S1 PNP 47к0м+47к0м (резистор смещения)
60 MMBF5457
Motorola
SOT23
Т1С
Полевой с N-кан 2N5457
60 MUN2114
Motorola
SC59
Т1а
S1PNP10к0м+47к0м (резистор смещения}

6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
93
Код Наименование Фирма
Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
60 MUN5114
Motorola 50Т323
Т1а
51PNP10к0м+47к0м (резистор смещения)
6Е MMBF5460
Motorola 50Т23
Т1с
Р-кан полевой 2N5460
6Е ВС818-16
Ph1 IТТ
50Т23
Т1а
51 NPN ВСЗ38-16
6Е MUN2115
Motorola
5С59
Т1а
51PNP10к0м (резистор в цепи базы)
6Е MUN5115
Motorola 50Т323
Т1а
51PNP10к0м (резистор в цепи базы)
6F MMBF4860
Motorola
50Т23
Т1с
Полевой с N-кан 2N4860
6F ВС818-25
Ph1 IТТ
50Т23
Т1а
51 NPN ВСЗ38-25
6F MUN2116
Motorola
5С59
Т1а
51 PNP 4,7к0м (резистор в цепи базы)
6F MUN5116
Motorola 50ТЗ23
Т1а
51 PNP 4,7к0м (резистор в цепи базы)
6G ВС818-40
Ph1 IТТ
50Т23
Т1а
51 NPN ВС338-40
6G MMBF4393
Motorola 50Т23
Т1с
Полевой с N-кан 2N4393
6G MUN2130
Motorola
5С59
Т1а
51PNP1к0м+1к0м (резистор смещения)
6G MUN5130
Motorola 50ТЗ23
Т1а
51PNP1к0м+1к0м (резистор смещения)
6Н MMBF5486
Motorola 50Т23
Т1с
Полевой с N-кан 2N5486
6Н MUN2131
Motorola
5С59
Т1а
51 PNP 2,2к0м+2,2к0м (резистор смещения)
6Н MUN5131
Motorola 50Т323
Т1а
51 PNP 2,2к0м+2,2к0м (резистор смещения)
6J MMBF4391
Motorola 50Т23
Т1с
Полевой с N-кан 2N4391
6J MUN2132
Motorola
5С59
Т1а
51PNP4,7к0м+4,7к0м (резистор смещения)
6J MUN5132
Motorola 50Т323
Т1а
51 PNP 4,7к0м+4,7к0м (резистор смещения)
6К MMBF4392
Motorola 50Т23
Т1с
Полевой с N-кан 2N4932
6К MUN2133
Motorola
5С59
Т1а
51 PNP 4,7к0м+47к0м (резистор смещения)
БК MUN5133
Motorola 50ТЗ23
Т1а
51 PNP 4,7к0м+47к0м (резистор смещения)
6L MMBF5459
Motorola 50Т23
Т1с
Полевой с N-кан 2N5459
6L MUN2134
Motorola
5С59
Т1а
51 PNP 22к0м+47к0м (резистор смещения)
6L MUN5134
Motorola 50Т323
Т1а
51 PNP 22к0м+47к0м (резистор смещения)
6М MMBF5485
Fa1rch1ld
50Т23
T1f
Полевой с N-кан ВЧ 2N5485
6N MMBF4861
Nat5em1
50Т23
Т1с
Полевой с N-кан ключевой /коммутир
6Р MMBFJ111
Fa1rch1ld
50Т23
тн
Полевой с N-кан J111 35В 50мА
6Q MMBFJ305
Nat5em1
50Т23
Т1с
Полевой с N-кан ВЧ J305
6R MMBFJ112
Fa1rch1ld
50Т23
T1f
Полевой с N-кан J112 35В 50мА
65 MMBFJ113
Fa1rch1ld
50Т23
T1f
Полевой с N-кан J113 35В 50мА
65 MM5D71RK
Motorola 500123
Dб
51диод
6Т MMBFJ310
Motorola 50Т23
Т1с
Полевой с N-кан СВЧ J310
6U MMBFJ309
Motorola
50Т23
Т1с
Полевой с N-кан СВЧ J309
6V MMBFJ174
Nat5em1
50Т23
Т1с
J174 Р-кан полевой ключевой /коммутир
6W MMBFJ175
Motorola 50Т23
Т1с
Р-кан полевой ключевой J175
6Х MMBFJ176
Fa1rch1ld
50Т23
Т11
J176 Р-кан полевой ключевой /коммутир
6У MMBFJ177
Motorola 50Т23
Т1с
Р-кан полевой ключевой J177
6У2 BZV49-C6V2
Ph1l1ps
50Т69
D3b
Стабилитрон 1Вт6,2В
6У8 BZV49-C6V8
Ph1l1ps
50Т89
D3b
Стабилитрон 1Вт6,8В
6Z MMBF170
Motorola
50Т23
T1d
N-кан полееой 6ОВ
702 2N7002
Motorola 50Т23
T1d
N-кан полевой 60В О,5А
717 FММТ717
Zetex
50Т23
Т1а
51 PNP ключевой 0,625W2 ,5A 12В
718 FММТ718
Zetex
50Т23
Т1а
51 PNP ключевой 0,625W 1,5А 20В
72 2N7002
51l1соп1х
50Т23
T1d
N-кан полевой МОП 60В 170мА

94
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма
Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
720 FММП20
Zetex
SОТ2Э
Т1а
Si PNP ключевой 0,625W 1,5А
735 8AS70
lпfiпеоп
SОТ2Э
01а
Диод Шоттки 708 50мА
Si цифровой NPN 50В 1ООмА 150мВт f>250МГц +
74 DTA114WE
Rohm
SOT416
Т1а
1оком (резистор в цепи базы) + 4,7к0м
(резистор в цепи Б-Э)
745 BAS70-04
lпfiпеоп
SОТ2Э
D1i
Сдвоен. BAS70
755 BAS70-05
lпfiпеоп
SOT23
D1j
Сдвоен. BAS70
75У BZV49-C75
Philips
SOT89
озь
Стабилитрон 1Вт 75В
Si цифровой NPN 508 100мА 150мВт f>250МГц +
76 DTA144WE
Rohm
SOT416
Т1а
47к0м (резистор в цепи базы) + 22к0м
(резистор в цепи Б-Э)
765 BAS70-06
lпfiпеоп
SOT23
01h
Сдвоен. BAS70
77 BAS70-07
lпfiпеоп SOT143
D4d
Сдвоен. BAS7o
77р ВАS70-07
Phi
SОТ14З
04d
Сдвоен. BAS70
77s BAS70-07
Siemeпs SОТ14З
04d
Сдвоен. BAS70
78 ММВТ4258
NatSemi
SOT23
Т1а
Si PNP ключевой f =700МГц
7А MMBR901
Motorola
SOT23
Т1а
Si NPN ВЧ MRF 901
7А MUN5211DW1
Motorola SОТЭ6З
Т6с
2xSi NPN 1Ок0м+1 О кОм (резистор смещения)
7В MMBR920
Motorola SОТ2Э
Т1а
Si NPN ВЧ MRF 920
7В MUN5212DW1
Motorola SOT363
Т6с
2xSi NPN 22к0м+22к0м (резистор смещения)
7С MMBR930
Motorola SОТ2Э
Т1а
Si NPN ВЧ MRF 930
7С MUN521ЗDW1
Motorola sотэвз
Т6с
2xSi NPN 47к0м+47к0м (резистор смещения)
70 MMBR931
Motorola
SOT23
Т1а
Si NPN ВЧ MRF 931
70 HD4A
Zetex
SOT23
D1j
С общ анодом сдвоен. НОЗА
70 MUN5214DW1
Motorola SОТЗ6З
Т6с
2xSi NPN 10к0м+47к0м (резистор смещения)
7Е MMBR2060
Motorola
SOT23
Т1а
St NPN ВЧ f =1ГГц U,3 ЗОВ 50мА
7Е MUN52150W1
Motorola SОТЗ63
Т6с
2xSi NPN 10к0м (резистор в цепи базы)
7F MMBR4957
Motorola
SОТ2З
Т1а
St NPN ВЧ f =1,2ГГц ЗОВ ЗОмА
7F MUN5211DW1
Motorola SОТЗ6З
Т6с
2xSi NPN 4,7к0м (резистор в цепи базы)
7G ММВR50З1
Motorola
SOT23
Т1а
Si NPN ВЧ f =1ГГц 10В 20мА
7G MUN52ЗOOW1
Motorola SОТЗ6Э
Т6с
2xSi NPN 1к0м+1к0м (резистор смещения)
7Н MMBR5179
Motorola SОТ2З
Т1а
Si NPN ВЧ 2N5179/BFY90
7Н MUN52З1DW1
Motorola SОТЗ6З
Т6с
2xSi NPN 2,2к0м+2,2к0м (резистор смещения)
7J FММТЗ6С
Zetex
SOT23
Т1а
всхэвс
7J MUN52З2DW1
Motorola SОТЗ6Э
Т6с
2xSi NPN 4,7к0м+4,7к0м (резистор смещения)
7К MMBR2857
Motorola SОТ2З
Т1а
Si NPN ВЧ f =1ГГц U,, 15В 40мА
7К MUN52ЗЗDW1
Motorola SОТЗ6З
Т6с
2xSi NPN 4,7к0м+47к0м (резистор смещения)
7L MUN5234DW1
Motorola SОТ36Э
Т6с
2xSi NPN 22к0м+47к0м (резистор смещения)
7М MUN52350W1
Motorola SОТЗ63
Т6с
2xSi NPN 2,2к0м+47к0м (резистор смещения)
7М MMBR521L
Motorola SОТ2З
Т1а
Si PNP ВЧ MRF 521
7N MMBR941BL
Motorola SОТ2З
Т1а
Si NPN СВЧ f =8ГГц MRF 941
7Р MMBR911L
Motorola SОТ2З
Т1а
Si NPN СВЧ f =6ГГц MRF 911
7R MMBR536
Motorola SОТ2З
Т1а
Si NPN ВЧ MRF 536
7500 NC7SOOM5
Fairchild
SОТ2З
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ
7S02 NC7S02M5
Fairchild
SОТ2Э
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
7804 NC7S04M5
Fairchild
SOT23
11Ь
Инвертор
"7Cng l\lr.7<;0BM5
Fairchild
SОТ2Э
11а
2-х входовая ячейка И

6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
95
Код Наименование Фирма
Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
7$14 NC7S14M5
Fairch1ld
SOT23
11Ь
Инвертирующий триггер Шмитта
7$32 NC7S32M5
Fairchild
SOT23
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ
7$86 NC7S86M5
Fairch1ld
SOT23
11а
2-х входовая ячейка ИСКЛ.ИЛИ
7SU4 NC7SU04M5
Fairchild
SOT23
11Ь
Инвертор
7Х MMBR571L
Motorola
SOT23
Т1а
SiNPNСВЧf=8ГГцMRF571
7У MMBR941L
Motorola
SOT23
Т1а
SiNPNСВЧf=8ГГцMRF941
7У5 BZV49-C7V5
Philips
SOTB9
озь
Стабилитрон 1Вт 7,5В
7Z MMBR951L
Motorola
SOT23
Т1а
Si NPN СВЧ f =7,5ГГц MRF 951
81А MMBZ5250B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон О,225Вт 20В
81В MMBZ5251B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон О,225Вт 22В
81С MMBZ5252B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон О,225Вт 24В
810 ММВZ525ЗВ
Motorola
SОТ2З
D1a
Стабилитрон О,225Вт 25В
81Е MMBZ5254B
Motoro\a
SOT23
D1a
Стабилитрон О,225Вт 27В
81F MMBZ5255B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон О,225Вт 28В
81G MMBZ5256B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон О,225Вт ЗОВ
81Н MMBZ5257B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон О,225Вт ЗЗВ
81J MMBZ5258B
Motorola
SОТ2З
D1a
Стабилитрон О,225Вт З6В
81К MMBZ5259B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон О,225Вт 39В
81L MMBZ5260B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон О,225Вт 4ЗВ
81М MMBZ5261B
Motorola
SОТ2З
D1a
Стабилитрон О,225Вт 47В
81N MMBZ5262B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон О,225Вт 51 В
81Р ММВZ526ЗВ
Motorola
SОТ2З
D1a
Стабилитрон О,225Вт 56В
810 MMBZ5264B
Motorola
SОТ2З
D1a
Стабилитрон О,225Вт бОВ
81R MMBZ5265B
Motorola
SОТ2З
D1a
Стабилитрон О,225Вт 62В
81S MMBZ5266B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон О,225Вт 68В
81Т MMBZ5267B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон О,225Вт 75В
81U MMBZ5268B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон О,225Вт 82В
81V MMBZ5269B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон О,225Вт В7В
81Вт MMBZ5270B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон О,225Вт 91 В
822 S822T
Telefuпkeп SОТ14З
Т4а
SiNPNСВЧf=5,2ГГцбВВмА
82Р BFP182T
Telefuпkeп SОТ14З
Т4а
Si NPN СВЧ f = 7,5ГГц 1ОВ 35мА
83 ММВТ4400
NatSemi
SОТ2З
Т1а
Si NPN 2N4400
83 ВАТ68
lпfiпеоп SOT23
D1a
Диод Шоттки 8В 1ЗОмА
83Р ВFР18ЗТ
Telefuпkeп SОТ14З
Т4а
Si NPN СВЧ f = 7,4ГГц 1ОВ 65мА
83s BAT68W
lпfiпеоп SОТЗ23
D1a
Диод Шоттки 8В 1ЗОмА
8372 MRF 8372
Motorola SОТ14З
Т4а
Si NPN ЗбВ 200мА
84 ВАТ68-04
lпfiпеоп
SОТ2З
D1i
Сдвоен. диод Шоттки 8В 1ЗОмА
Si цифровой NPN 50В 1ООмА 150мВт f>250МГц +
84 DTC114WE
Rohm
SOT416
Т1а
10к0м (резистор в цепи базы)+ 4,7к0м
(резистор в цепи Б-Э)
845 BAT68-04W
lпfiпеоп SОТЗ23
D1i
Сдвоен. диод Шоттки 8В 1ЗОмА
85 ВАТбВ-05
lпfiпеоп
SOT23
D1h
Сдвоен. диод Шоттки 8В 130мА
85 MMBD1701
NatSemi
SOT23
D1a
Быстродейств. Si диод ЗОВ 50мА
852 S852T
Telefuпkeп SOT23
Т1а
SiNPNСВЧf=5,2ГГцбВ8мА
85s BAT68-05W
lпfiпеоп SОТЗ2З
D1h
Сдвоен. диод Шоттки 8В 1ЗОмА
86 ВАТ68-06
lпfiпеоп
SOT23
D1j
Сдвоен. диод Шоттки 8В 1ЗОмА

96
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма Корпус Цокоnевка
Эквивалент/краткое описание
86 ММВО1702
NatSemi
sот2з
01Ь
Быстродейств. Si диод зов SОмА
Si цифровой NPN SOB 100мд 150мВт f>250МГц +
86 DTC144WE
Rohm
SOT416
Т1а
47к0м (резистор в цепи базы) + 22к0м
(резистор в цепи Б-Э)
86s BAT68-06W
lпfineoп sотз2з
D1j
Сдвоен. диод Шоттки 8В 13Омд
87 ВАТ68-07
lпfiпеоп SOT143
04d
Сдвоен. диод Шоттки 8В 130мА
87 MMBD1703
NatSemi
SОТ23
D1i
Сдвоен . MMBD1701
88 MMBD1704
NatSemi
SOT23
01h
Сдвоен . MMBD1701
888 S888T
Telefuпken SОТ14З
T4d
N-кан. цифровой СВЧ полевой МОП
89 MMBD1705
NatSemi
SOT23
D1j
Сдвоен. ММВD1701
8А MMBZ5226B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон О,225Вт 3,3В
8д MUN2211
Motorola
SC59
Т1а
Si NPN 10к0м+10к0м (резистор смещения)
8А MUN5211
Motorola SOT323
па
Si NPN 10к0м+10к0м (резистор смещения)
8В MMBZ5227B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон О,225Вт 3,6В
8В MUN2212
Motorola
SC59
Т1а
Si NPN 22к0м+22к0м (резистор смещения)
88 MUN5212
Motorola SОТЗ23
Т1а
Si NPN 22к0м+22к0м (резистор смещения)
8С MMBZ5228B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон О,225Вт З,9В
вс MUN221З
Motorola
SC59
Т1а
Si NPN 47к0м+47к0м (резистор смещения)
вс MUN5213
Motorola SОТ32З
Т1а
Si NPN 47к0м+47к0м (резистор смещения)
во MUN2214
Motorola
SC59
Т1а
Si NPN 10к0м+47к0м (резистор смещения)
80 MUN5214
Motorola SOT323
Т1а
Si NPN 10к0м+47к0м (резистор смещения)
80 MMBZ5229B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон О, 225Вт 4,ЗВ
8Е ММВZ52ЗОВ
Motorola
SOT23
. 01а
Стабилитрон О,225Вт 4,7В
8Е MUN2215
Motorola
SC59
Т1а
Si NPN 10к0м (резистор в цеnи базы)
ВЕ MUN5215
Motorola SОТЗ23
Т1а
Si NPN 10к0м (резистор в цепи базы)
8F MMBZ5231B
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон О,225Вт 5, 1В
8F MUN2216
Motorola
SC59
Т1а
Si NPN 4,7к0м (резистор в цеnи базы)
8F MUN5216
Motorola SОТЭ23
Т1а
Si NPN 4,7к0м (резистор в цеnи базы)
8G MMBZ5232B
Мotorola SОТ2З
D1a
Стабилитрон О,225Вт 5,6В
8G MUN22ЭO
Motorola
SC59
Па
Si NPN 1к0м+1к0м (резистор смещения)
8G MUN5230
Motorola SОТЗ2З
Т1а
Si NPN 1к0м+1к0м (резистор смещения)
8Н MMBZ5233B
Motorola
SОТ2З
01а
Стабилитрон О,225Вт 6,ОВ
8Н MUN2231
Motorola
SC59
Т1а
Si NPN 2,2к0м+2,2к0м (резистор смещения)
8Н MUN5231
Motoro\a SОТЗ23
Т1а
Si NPN 2,2к0м+2,2к0м (резистор смещения)
8J MMBZ5234B
Motoro\a
SOT23
01а
Стабилитрон О,225Вт 6,2В
8J MUN22З2
Motoro\a
SC59
Т1а
Si NPN 4,7к0м+4,7к0м (резистор смещения)
8J MUN52З2
Motoro\a SOT323
Т1а
Si NPN 4,7к0м+4,7к0м (резистор смещения)
8К ММВZ52З5В
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон О ,225Вт 6,8В
8К MUN2233
Motorola
SC59
Т1а
Si NPN 4,7к0м+47к0м (резистор смещения)
8К MUN5233
Motorola sотз2з
Па
Si NPN 4,7к0м+47к0м (резистор смещения)
8L ММВZ5236В
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон О,225Вт 7,5В
8L MUN2234
Motorola
SC59
Т1а
Si NPN 22к0м+47к0м (резистор смещения)
8L MUN5234
Motorola SOT323
Т1а
Si NPN 22к0м+47к0м (резистор смещения)
8М ММВZ52З7В
Motorola
SOT23
D1a
Стабилитрон О, 225Вт 8,2В
8N MMBZ5238B
Motorola
SOT23
01а
Стабилитрон О,225Вт 8,7В
8Р MMBZ5239B
Motorola
SOT23
01а
Стабилитрон О,225Вт 9, 1В

6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
97
Код наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
8Q MMBZ5240B
Motorola 50Т23
01а
Стабилитрон О,225Вт 1ОВ
8R MMBZ5241B
Motorola 50Т23
01а
Стабилитрон О,225Вт 11 В
85 MMBZ5242B
Motorola 50Т23
01а
Стабилитрон О,225Вт 128
8500 NC75TOOM5
Fa1rch1ld
50Т23
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ
8502 NC75T02M5
Fa1rch1ld
50Т23
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
8504 NC75T04M5
Fa1rch1Jd
50Т23
11Ь
Инвертор
8508 NC75T08M5
Fa1rch1ld
50Т23
11а
2-х входовая ячейка И
8514 NC75T14M5
Fa1rch1Jd
50Т23
11Ь
Инвертирующий триггер Шмитта
8532 NC75T32M5
Fa1rch1ld
50Т23
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ
8586 NC75T86M5
Fa1rch1Jd
50Т23
11а
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
8Т MMBZ5243B
Motorola 50Т23
01а
Стабилитрон О,225Вт 13В
8U MMBZ5244B
Motorola 50Т23
01а
Стабилитрон О,225Вт 14В
8V MMBZ5245B
Motorola 50Т23
01а
Стабилитрон О,225Вт 158
8W MMBZ5246B
Motorola 50Т23
01а
Стабилитрон О 225Вт 16В
8Х MMBZ5247B
Motorola 50Т23
01а
Стабилитрон О,225Вт 17В
8У MMBZ5248B
Motorola 50Т23
01а
Стабилитрон О,225Вт 18 В
8У2 BZV49-C8V2
Ph1J1ps
50Т89
03Ь
Стабилитрон 1Вт 8,2В
8Z MMBZ5249B
Motorola 50Т23
01а
Стабилитрон О,225Вт 19В
92V BFP92A
Telefunken 50Т143
T4d
51 NPN СВЧ 6ГГц 16В 30мА
93 ОТА143ТЕ
Rohm
50Т416
Т1а
51 цифровой NPN 508 1ООмА 150мВт f>250МГц +
4, ?кОм (резистор в цепи базы)
94 ОТА114Т
Rohm
50Т23
Т1а
51 PNP ключевой 50В 100мА +(резистор
в цепи базы)
94 ОТА114ТЕ
Rohm
5ОТ416
Т1а
51 цифровой NPN 50В 100мА 150мВт f>250МГц +
1О кОм (резистор в цеnи базы)
95 DTA124T
Rohm
50Т23
Т1а
51 PNP ключевой 508 1ООмА + 22к0м
(резистор в цеnи базы)
95 ОТА124ТЕ
Rohm
50Т416
Т1а
51 цифровой N PN 50В 1ООмА 150мВт f>250МГц +
22к0м (резистор в цеnи базы)
96 ОТА144ТЕ
Rohm
50Т416
Т1а
51 цифровой NPN 50В 100мА 150мВт f>250МГц +
47к0м (резистор в цеnи базы) 99
А 155355
Rohm
500323
06
Переключат диод 80В 1ООмА
А MRF 947
Motorola
50Т23
Т1а
51 NPN СВЧ 8 ГГц 50Т-323
АО Н5М5-2800
НР
50Т23
01а
НР2800 ДИОД Шоттки
АО Н5М5-280В
НР
50Т323
01а
НР2800 диод Шоттки
А1 BAW56
Ph1l1ps IТТ 50Т23
01J
Сдвоен с общ анодом BAW62 (1N4148)
А1 BAW56W
Motorola 50Т323
01)
Сдвоен с общ анодом BAW62 (1N4148)
А1 51230105
51l1con1x
50Т23
01d
Р-кан полевой МОП
А11 ММВО1501А
Fa1rch1ld
50Т23
01а
Диод 180В 200мА
А13 ММВ01503А
Fa1rch1ld
50Т23
011
Сдвоен диод 1808 200мА
А14 ММВ01504А
Fa1rch1Jd
50Т23
01h
Сдвоен диод с общ катодом 1808 200мА
А15 ММВ01505А
Fa1rch1ld
50Т23
01)
Сдвоен диод с общ анодом 1808 200мА
A1s BAW56
Jnfineon
50Т23
01J
Сдвоен с общ анодом BAW62 (1N4148)
A1s BAW56W
Jnfineon 50Т323
01J
Сдвоен с общ анодом BAW62 (1N4148)
А1Х MBAW56
Motorola 50Т23
01J
Тоже самое
А2 Н5М5-2802
НР
50Т23
011
Сдвоен НР2800
А2 Н5М5-280С
НР
50Т323
011
Сдвоен НР2800

98
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма
Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
А2 S12З020S
S1l1coп1x
SОТ2З
01d
N-кан полевой МОП
А2 ВАТ18
lпfiп10п
SОТ2З
01а
Переключат диод З5В 100мА ВА482
А2 ММВО28З6
Motorola SОТ2З
01J
Сдвоен переключат диод с общ анодом 75В
А2 FМВО28З6
Zetex
SОТ2З
01J
Сдвоен переключат диод с общ анодом 75В
А2 МВТЗ9060W1
Motorola sотзsз
Тбс
2xS1 PNP 2NЗ906
А2Х ММВО28З6
Motorola SОТ2З
01J
Сдвоен переключ 75В 100мА 15ns
АЗ HSMS-280З
НР
SОТ2З
01J
НР2800 последов включ пара
АЗ HSMS-2BOE
НР
SОТЗ2З
01J
НР2800 последов включ пара
АЗ ММВ01005
Motorola SОТ2З
01]
Сдвоен S1 диод с малым током утечки
АЗ ВАТ17
Ph1l1ps
SОТ2З
01а
ВА481
АЗ ММВО28З5
Motorola SОТ2З
01]
Сдвоен nереключ З5В 1ООмА 15нс
А4 HSMS-2804
НР
SОТ2З
01h
Сдвоен НР2800 диод Шоттки
А4 HSMS-280F
НР
SОТЗ2З
01h
Сдвоен НР2800 диод Шоттки
А4 BAV70
Ph1l1ps IТТ SОТ2З
01h
2xBAW62 (1N4148)
А4 BAV70W
Motorola SОТЗ2З
01h
2xBAW62 (1N4148)
А4 ВВ404А
IТТ
SОТ2З
01h
Сдвоен варикап
A4s BAV70
lnfineon
SОТ2З
01h
2xBAW62 (1N4148)
A4s BAV70W
lnfineon SОТЗ2З
01h
2xBAW62 (1 N4148)
А4Х MBAV70
Motorola
SОТ2З
01h
Тоже самое
А5 HSMS-2805
НР
SОТ14З
04d
Сдвоен НР2800 диод Шоттки
А5 ММВ01010
Motorola SОТ2З
01h
Сдвоен S1 диоды с общ катодом
А5 ММВ02ВЗ7
Motorola SОТ2З
01h
Сдвоен диоды с общ катодом ЗОВ 150мА
А5 HSMS-2805
НР
SОТ-14З
04d
Сдвоен диоды Шоттки
А5 FМВО28З7
Zetex
SОТ2З
01h
Сдвоен диоды с общ катодом ЗОВ 150мА
А6 BAS16
Zetex Mot SОТ2З
01а
S1 переключ 75В 1ООмА
А6 BAS16W
Motorola SОТЗ2З
01а
BAW62 (1N4148)
А61 BAS28
CENTS
SОТ14З
041
Два быстродейств имп диода 75В 250мА
А6А MMUN2111
Motorola SОТ2З
Т1а
S1PNP10к0м+10к0м (резистор смещения)
А6В MMUN2112
Motorola SОТ2З
Т1а
S1 PNP 22к0м+22к0м (резистор смещения)
АбС MMUN211З
Motorola SОТ2З
Т1а
S1 PNP 47к0м+47к0м (резистор смещения)
А60 MMUN2114
Motorola SОТ2З
Т1а
S1PNP10к0м+10к0м (резистор смещения)
АбЕ MMUN2115
Motorola SОТ2З
Т1а
S1PNP10к0м (резистор в цепи базы)
A6F MMUN2116
Motorola
SОТ2З
Т1а
S1PNP4,7к0м (резистор в цепи базы)
A6G MMUN21ЗO
Motorola SОТ2З
Т1а
S1PNP1ком+1к0м (резистор смещения)
АбН MMUN21З1
Motorola SОТ2З
Т1а
S1 PNP 2,2к0м+2,2к0м (резистор смещения)
АбJ MMUN21З2
Motorola SОТ2З
Т1а
S1 PNP 4,7к0м+4,7к0м (резистор смещения)
АбК ММUN21ЗЗ
Motorola SОТ2З
Т1а
S1PNP4,7к0м+47к0м (резистор смещения)
АбL MMUN21З4
Motorola SОТ2З
Т1а
S1PNP4,7к0м+47к0м (резистор смещения)
Абs BAS16
lпfiпеоп SОТ2З
01а
S1 переключ диод 75В 1ООмА
Абs BAS16W
lпfiпеоп SОТЗ2З
01а
BAW62 (1N4148)
Абs BAS16S
lпfiпеоп SОТЗбЗ
051
Три S1 переключ диода 75В 100мА
АбХ ММВО28З8
Motorola SОТ2З
01h
Сдвоен переключ диод 50В 1ООмА
А7 BAV99
Phll Zet
SОТ2З
011
Сдвоен диод BAW92
А7 HSMS-2807
НР
SОТ14З
04с
НР2800 кольцевое включ
A7s BAV99
lnfineon
SОТ2З
011
Сдвоен диод BAW92

6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
99
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
A7s BAV99W
lпfiпеоп SОТЗ23
011
Сдвоен диод BAW92
А8 HSMS-2808
НР
SOT143
D4a
НР2800 диодный мост
А8 BAS19
Ph1IZet
SOT23
D1a
BAV19
А81 BAS20
Ph1I Zet
SОТ2З
D1a
BAV20
А82 BAS21
Ph1I Zet
SOT23
D1a
BAV21
А8А MMUN2211
Motoгola SOT23
Т1а
S1NPN10к0м+1Ок0м (резистор смещения)
А8В MMUN2212
Motoгola SOT23
Т1а
S1 NPN 22к0м+22к0м (резистор смещения)
А8С MMUN2213
Motoгola SОТ2З
Т1а
S1 NPN 47к0м+47к0м (резистор смещения)
A8D MMUN2214
Motoгola SOT23
т1а
S1NPN10к0м+1Ок0м (резистор смещения)
А8Е MMUN2215
Motoгola SOT23
Т1а
S1NPN10к0м (резистор в цепи базы)
A8F MMUN2216
Motoгola SOT23
Т1а
S1 NPN 4,7к0м (резистор в цепи базы)
A8G MMUN2230
Motoгola SOT23
Т1а
S1NPN1к0м+1к0м (резистор смещения)
А8Н MMUN2231
Motoгola SOT23
Т1а
S1 NPN 2,2к0м+2,2к0м (резистор смещения)
A8J MMUN2232
Motoгola SOT23
Т1а
S1 NPN 4,7к0м+4,7к0м (резистор смещения)
А8К MMUN2233
Motoгola SOT23
Т1а
S1 NPN 4,7к0м+47к0м (резистор смещения)
A8L MMUN2234
Motoгola SOT23
Т1а
S1 NPN 22к0м+47к0м (резистор смещения)
А9 FMMD2835
Zetex
SOT23
D1J
Сдвоен быстродейств переключат диод
А91 BAS17
Ph1l1ps
SOT23
D1a
ВАЗ14
м 74AHC1GOO
Ph1l1ps
SОТЗ5З
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ
м BCW60A
Ph1 IТТ
SOT23
Т1а
S1 NPN ВС548А
м ВСХ51
lnfiпeoп
SOT89
тза
S1PNP45B1А
АМ MMBF4856
Motoгola SOT23
Т1с
Полевой с N-кан коммутир 2N4856
MG MMBR951AL
Motoгola SOT23
Т1а
S1 NPN СВЧ 8ГГц
АВ 74AHC1G02
Ph1l1ps
SОТЗ5З
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
АВ всwsов
Ph1 IТТ
SOT23
Т1а
S1 NPN ВС548В
АС 74AHC1G04
Ph1l1ps
SОТЗ53
11Ь
Инвертор
АС вcwsoc
Ph1 IТТ
SOT23
Т1а
S1 NPN ВС548С
АС ВСХ51-10
lnfiпeoп
SOTB9
тза
S1PNP45B1А
AD 74AHC1GU04
Ph1l1ps
SОТЗ5З
11Ь
Инвертор
AD BCW60D
Ph1 IТТ
SОТ2З
Т1а
S1 NPN BC54BD
AD ВСХ51-16
lпfiпеоп
SOT89
тза
S1PNP45В 1А
ADN 2sсзвзвк
Rohm
SOT23
Т1а
S1 NPN 11 В З,2ГГц для ТВ тюнеров
АЕ 74AHC1G08
Ph1l1ps
SОТЗ5З
11а
2-х входовая ячейка И
АЕ ВСХ52
lnfiпeoп
SOT89
тза
S1PNP60В 1А
AEN 2SСЗ839К
Rohm
SOT23
т1а
S1 NPN 20В 2,ОГГц для ТВ тюнеров
НЧ 74AHC1G14
Ph1l1ps
SОТЗ5З
11Ь
Инвертирующий триггер Шмитта
НЧ s BCW60FF
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
S1 NPN З2В 100мА
AG 74АНС1GЗ2
Ph1l1ps
SОТЗ5З
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ
AG BCX70G
Ph1 IТТ
SOT23
Т1а
S1 NPN ВС547А
AG ВСХ52-10
lпfineoп
SOT69
тза
S1PNP60В 1А
АН 74AHC1G86
Ph1l1ps
SОТЗ53
11а
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
АН ВСХ70Н
Ph1 IТТ
SOT23
Т1а
S1 NPN ВС547В
АН ВСХ53
lпfiпеоп
SOT89
тза
S1PNP80В 1А
АН ВСР56
Motoгola SOTB9
тза
S1 PNP усилит 80В 150мА
АНр ВСХ70Н
Ph1l1ps
SOT23
т1а
S1 NPN 45В 100мА

100
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма
Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
AHs ВСХ70Н
S1emeпs SOT23
Т1а
S1NPN45В 100мА
AJ BCX70J
Ph1 IТТ
SOT23
Т1а
S1 NPN ВС547С
AJp BCX70J
Ph1l1ps
SOT23
Т1а
S1 NPN 45В 200мА
AJs BCX70J
S1emeпs SOT23
Т1а
S1 NPN 45В 200мА
АК ВСХ70К
Ph1 IТТ
SOT23
Т1а
S1 NPN BC547D
АК ВСХ53-10
lпfiпеоп
SOT89
Т3а
S1PNP80В 1А
АКР ВСХ70К
Ph1l1ps
SOT23
Т1а
S1 NPN 45В 200мА
AKs ВСХ70К
S1emeпs SOT23
Т1а
S1 NPN 45В 100мА
AL 74AHC1G66
Ph1l1ps
SOT353
11d
Двунаправленный ключ
AL MMBTA55L
Motoгola SOT23
Т1а
S1 PNP 25В (MPSA55)
AL ВСХ53-16
lпfiпеоп
SOT89
Т3а
S1PNP80В 1А
АМ 74AHC1G125
Ph1l1ps
SOT353
11е
Драйвер шины буфера линии, 3-х уровнев
АМ MMBT3904W
Motoгola SOT323
Т1а
S1 NPN 2N3904
АМ ВСХ52-16
lпfiпеоп
SOT89
Т3а
S1 PNP бОВ 1А
АМ BSS64
Motoгola SOT23
Т1а
S1 NPN 80В 0,бА f =бОМГц
АМр BSS64
Ph1l1ps
SOT23
Т1а
S1 NPN 80В О,8А f =бОМГц
AMs BSS64
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
S1 NPN 80В О,8А f =бОМГц
AN 74AHC1G126
Ph1l1ps
SOT353
11е
Драйвер шины буфера линии, 3-х уровнев
ANs BCWSOFN
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
S1 NPN 32В 100мА
АР 74AHC1G79
Ph1l1ps
SOT353
11с
О-триггер
AR MSB709R
Motoгola
SC59
Т1а
S1 PNP 25В
AS MSB709S
Motoгola
SC59
т1а
S1PNP25В
AS ВАТ18-05
lпfiпеоп
SOT23
D1h
Сдвоен переключат диод 35В 1ООмА ВА482
ASG КТА1504
КЕС
SOT23
Т1а
S1 PNP 50В 150мА
ASO КТА1504
КЕС
SOT23
Т1а
S1 PNP 50В 150мА
ASY КТА1504
КЕС
SOT23
Т1а
S1PNP50В 150мА
AS3 BSP52
Motoгola SOT223
Т2а
S1 NPN схема Дарлингтона (составной транзистор)
О,5А h21э 2000
АТ ВАТ18-06
lпfiпеоп
SOT23
D1J
Сдвоен переключат диод 35В 100мА ВА482
AU ВАТ18-04
lпfiпеоп
SOT23
011
Сдвоен переключат диод 35В 1ООмА ВА482
AV DAN212K
Rohm
SOT23
D1a
80В 1ООмА переключ
AW BCX70GR
Zetex
SOT23
Т1а
S1 NPN 45В 200мА
АХ BCX70JR
Zetex
SOT23
Т1а
S1 NPN 45В 20ОмА
AZO КТА1505
КЕС
SOT23
Т1а
S1 PNP 35В 500мА
AZY КТА1505
КЕС
SOT23
Т1а
S1 PNP 35В 500мА
в MRF 957
Motoгola SOT23
Т1а
S1 NPN СВЧ f =9ГГц SOT323
во HSMS-2810
НР
SOT23
D1a
НР2810 диод Шоттки
во HSMS-281B
НР
SOT323
D1a
НР281 О диод Шоттки
во SST5460
S1l1coп1x SOT23
Т1с
Р-кан полевой 2N5460
В1 SST5461
S1l1coп1x SOT23
Т1с
Р-кан полевой 2N5461
В1 BAS40
Motoгola SOT23
D1a
Диод Шоттки переключат диод
В2 SST5462
S1l1coп1x SOT23
Т1с
Р-кан полевой 2N5462
В2 BSV52
Ph1I Mot
SOT23
Т1а
S1 NPN BSX20 12В f =400МГц переключ
В2 HSMS-2812
НР
SOT23
011
Сдвоен НР2810 диод Шоттки
В2 HSMS-281C
НР
SOT323
011
Сдвоен НР281 О диод Шоттки
В3 HSMS-281E
НР
SOT323
D1J
Сдвоен с общ анодом НР281 О диод Шоттки

6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
101
Код Наименование Фирма
Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
вз HSMS-2813
НР
SОТ2З
01J
Сдвоен с общ анодом НР281 О диод Шоттки
вз MMB0717L
Motorola SОТЗ2З
01J
Сдвоен с общ анодом диод Шоттки
В4 HSMS-2814
НР
SOT23
01h
Сдвоен НР2810 диод Шоттки
В4 HSMS-281F
НР
SОТЗ2З
01h
Сдвоен НР2810 диод Шоттки
В4 ВВ404В
IТТ
SOT23
01h
Сдвоен варикап
В5 HSMS-2815
НР
SOT143
04d
Сдвоен НР281 о диод Шоттки
В6 ВАТ54А
Motorola
SOT23
01]
Сдвоен с общ анодом ЗОВ диод Шоттки
В7 HSMS-2817
НР
SOT143
04с
НР2810 кольцевое включ
В8 HSMS-2818
НР
SOT143
04а
НР2810 диодный мост
В9 2SC4617
Motorola
SOT23
Т1а
S1 NPN корпус SC-90
ВА BCW61A
Ph1l lпfiп
SOT23
Т1а
S1 PNP ВС558А
ВА ВСХ54
lпfiпеоп
SOT89
тза
S1NPNНЧ45В1А
ВА OAN217
Rohm
SOT23
011
Сдвоен диод 80В 1ООмА
вв BCW61B
Ph1l lпfiп
SOT23
т1а
S1 PNP ВС558В
вс BCW61C
Ph1l lпfiп
SОТ2З
Т1а
S1 PNP ВС558С
вс ВСХ54-10
Jпfiпеоп SOT89
тза
S1NPNНЧ45В1А
во BCW610
Ph1l lпfiп
SОТ2З
Т1а
S1 PNP ВС5580
во ВСХ54-16
lпfiпеоп
SOT69
тза
S1NPNНЧ45В1А
ВЕ BAS70
Motorola
SОТ2З
01а
Диод Шоттки переключат
ВЕ BCXSS
lпfiпеоп
SOT89
тза
S1NPNНЧ60В1А
BFs BCW61FF
Ph1l lпfiп SОТ2З
Т1а
S1 PNP З2В 100мА
BG BCX71G
Ph1l lпfiп
SОТ2З
Т1а
S1 PNP ВС557А
BG ВСХ55-10
lпfiпеоп
SOT89
тза
S1NPNНЧ60В1А
вн ВСХ71Н
Ph1l lпfiп
SОТ2З
Т1а
S1 PNP ВС557В
вн ВСХ56
lпfiпеоп
SOT89
тза
S1 NPN НЧ усилит 80В 1А
вн ВСР56
Motorola SOT223
Т2а
S1 NPN усилит 80В 150мА
BJ BCX71J
Ph1l lпfiп
SОТ2З
Т1а
S1 PNP ВС557С
вк ВСР56-10
lпfiпеоп
SOT89
тза
S1 NPN усилит 80В 1А
вк ВСХ71К
Ph1l lпfiп
SОТ2З
Т1а
S1 PNP ВС5570
BL MB0540W
Motorola SОТЗ6З
05а
Сдвоен детекторн диоды Шоттки
BL ВСР56-16
lпfiпеоп
SOT89
тза
S1 NPN НЧ усилит 80В 1А
вм ВСХ55-16
lпfiпеоп
SOT89
тза
S1NPNНЧ60В1А
вмs BSS63
lпfiпеоп
SОТ2З
Т1а
S1 PNP НЧ переключ 100В 0,8А
BNs BCW61FN
Ph1J lпfiп
SОТ2З
Т1а
S1 PNP З2В 100мА
BR 2SC2412K
Rohm
SОТ2З
Т1а
S1 NPN 50В 150мА m1п h21э 180
BR 2SC4081
Rohm
SОТ2З
Т1а
как 2SC2412K, но в корпусе UMT
BR 2SC4617
Rohm
SОТ2З
Т1а
Как 2SC2412K, но в корпусе ЕМЗ
BR MSB1218A-R
Motorola SОТЗ2З
Т1а
S1PNP45В
ВSЗ BSP62
Motorola
SOT89
тза
S1 PN Р схема Дарлингтона (составной транзистор)
О,5А h21э 2000
вsз BSP62
Motorola SOT223
Т2а
S1 PNP схема Дарлингтона (составной транзистор)
O,SA h21э 2000
ВТ2 BSP16
Motorola
SOT89
тза
S1PNP- ЗООВ1А
с KV1832E
Toko
500123
06
СВЧ варикап 4-17пФ
со HSMS-2820
НР
SOT23
01а
НР2835 диод Шоттки
со HSMS-282B
НР
SОТЗ23
01а
НР2835 диод Шоттки

102
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма
Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
С1 TC4S11F
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ
С1 BCW29
Ph1l1ps
SOT23
Т1а
ВС178А
С11 SST111
S1l1coп1x SOT23
Т1с
J111 N-кан полевой
с12 SSТ112
S1l1coп1x SOT23
Т1с
J 112 N-кан полевой
С13 SST113
S1l1con1x
SOT23
Т1с
J113 N-кан полевой
С2 TC4S81F
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка И
С2 всwзо
Ph1l1ps
SOT23
Т1а
ВС17ВВ
С2 HSMS-2B22
НР
SOT23
011
Сдвоен НР2ВЗ5 диод Шоттки
С2 HSMS-2B2C
НР
SОТЗ23
011
Сдвоен НР2В35 диод Шоттки
С2 SST112
Tem1c
SOT23
Т1с
J112 - аналог ключевой полевой с N-кан
С3 TC4S01F
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
С3 HSMS-2B23
НР
SOT23
01J
Сдвоен НР2ВЗ5 диод Шоттки
С3 HSMS-2B2E
НР
SOT323
01J
Сдвоен НР2В35 диод Шоттки
сз ssт11з
Tem1c
SOT23
Т1с
J113 - аналог ключевой JПОлевой
сзв SST5638
S1l1coп1x SOT23
Т1с
2N563B
С39 SST5639
S1l1coп1x SOT23
Т1с
2N5639
С4 TC4S71F
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ
С4 HSMS-2824
НР
SOT23
01h
Сдвоен НР2835 диод Шоттки
С4 HSMS-2B2F
НР
SOT323
01h
Сдвоен НР2835 диод Шоттки
С4 ВВ404С
IТТ
SOT23
01h
Сдвоен варикап
С40 SST5640
S1l1coп1x SOT23
Т1с
2N5640
С41 SST4091
S1l1con1x
SOT23
Т1с
2N4091
С42 SST4092
S1l1coп1x SOT23
Т1с
2N4092
С43 SST4093
S1l1coп1x SOT23
Т1с
2N4093
С5 TC4S69F
Tosh1ba
SC59
11Ь
Инвертор
С5 ММВА811С5
Motoгola SOT23
Т1а
S1 PNP 2N50B6 h21э 135-270
С5 HSMS-2B25
НР
SOT143
04d
Сдвоен НР2В35 диод Шоттки
С56 SST4B56
S1l1coп1x SOT23
Т1с
2N4B56
С57 SST4857
S1l1coп1x SOT23
Т1с
2N4B57
С58 SSТ485B
S1l1coп1x SOT23
Т1с
2N4B5B
С59 SST4B59
S1l1con1x
SOT23
Т1с
2N4B59
Сб TC4SU69F
Tosh1ba
SC59
11Ь
Инвертор
св ММВА811С6
Motoгola SOT23
Т1а
S1 PNP 2N5086 h21э 200-400
СбО SSТ4860
S1l1conix
SOT23
Т1с
2N4B60
С61 SSТ4B61
S1l1coп1x SOT23
Т1с
2N4B61
С7 TC4SU11F
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ
С7 ММВАВ11С7
Motoгola
SOT23
Т1а
S1 PNP 2N5086 h21э 300-600
С7 HSMS-2827
НР
SOT143
04с
НР2835 кольцевое включ
св TC4S30F
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
св HSMS-282B
НР
SOT143
04а
НР2635 диодный мост
св BCF30
sтм
SOT23
Т1а
ВС559В
св ММВАВ11СВ
Motoгola SOT23
Т1а
S1 PNP 2N50B6 h21э 450-900
С9 HSMS-2B29
НР
SOT143
04с
4 диода Шоттки
С9 TC4S66F
Tosh1ba
SC59
11d
Двунаправленный ключ
СА 74AHCT1GOO
Ph1l1ps
SОТЗ53
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ

6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
103
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
СА TC4S584F
Tosh1ba
SC59
11Ь
Триггер Шмитта
СА SST4391
S1l1con1x
SOT23
Т1с
Полевой с N-кан 2N4391
СА ВСР68
Motoгola SOT223
Т2а
St NPN 20В 1А
св 74AHCT1G02
Phtltps
SOT353
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
св SST4392
S1l1coп1x
SOT23
Т1с
Полевой с N-кан 2N4392
св ВСХ68-10
lпfiпеоп SOT143
Т3а
S1NPNНЧ20В1А
се 74AHCT1G04
Ph1l1ps
SOT353
11Ь
Инвертор
се SST4393
S1l1coп1x
SOT23
Т1с
Полевой с N-кан 2N4393
се ВСХ68-16
lпfiпеоп SOT143
Т3а
StNPNНЧ20В1А
со 74AHCT1GU04
Phtltps
SOT353
11Ь
Инвертор
со ВСХ68-25
lпfiпеоп SOT143
Т3а
StNPNНЧ20В1А
COs BSS81B
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
St NPN НЧ переключ 40В О,8А h21э 40-120
СЕ 74AHCT1G08
Phtl1ps
SOT353
11а
2-х входовая ячейка И
СЕ ВСР69
Motorola SOT223
Т2а
St PNP 20В 1А
CEs BSS79B
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
S1NPN40В 0,8А h21э 40-120
CF 74AHCT1G14
Ph1l1ps
SOT353
11Ь
Инвертирующий триггер Шмиттаs
CF ВСХ69-10
lпfineon SOT143
Т3а
S1PNPНЧ20В1А
CFs BSS79C
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
St NPN 35В О,8А h21э 100 мин
CG 74AHCT1G32
Ph1l1ps
SOT353
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ
CG ВСХ69-16
lпfiпеоп SOT143
Т3а
StPNPНЧ20В1А
CGs BSS81C
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
St NPN НЧ переключ 35В О,8А
сн 74AHCT1G86
Ph1l1ps
SOT353
11а
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
сн ВСХ69-25
lnfiпeon SOT143
Т3а
StPNPНЧ20В1А
сн BSS82BL
Motorola
SOT23
Т1а
Si PNP60B
CHs BSS80B
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
S1PNP40В О,8А h21э 40-120
CJs BSS80C
lnfiпeoп
SOT23
Т1а
S1PNP40В О,8А h21э 100 m1п
CL 74AHCT1G66
Phtl1ps
SOT353
11d
Двунаправленный ключ
CLs BSS82B
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
S1 PNP 60В 0,8А h21э 40-120
см 74AHCT1G125
Ph1l1ps
SOT353
11е
Драйвер шины буфера линии, 3х уровнев
CMs BSS82C
lпfiпеоп SOT23
Т1а
S1 PNP 60В О,8А h21э 100 mtn
CN 74AHCT1G126
Ph1l1ps
SOT353
11е
Драйвер шины буфера линии, 3х уровнев
СР 74AHCT1G79
Ph1l1ps
SOT353
11с
О-триггер
CQ 2SC2411K
Rohm
SOT23
Т1а
St NPN схема Дарлингтона (составной транзистор)
CQ MS0710Q
Motorola
SC59
Т1а
S1PNP25В 15ОмА
CR MS0701R
Motoгola
SC59
Т1а
S1PNP25В 150мА
О 1SS376
Rohm
500323
06
Переключат диод 300В 100мА
О MRF 577
Motoгola SOT23
Т1а
St NPN СВЧ f =7ГГц
00 HSMP-3800
НР
SOT23
01а
НР3800 PIN аттенюаторн диод
01 ВСWЗ1
Ph1l1ps
SOT23
Т1а
ВС108А
01 SST211
S1l1coп1x SOT143
T4J
N-кан цифровой МОП полевой
02 ВСWЗ2
Phtl1ps
SOT23
Т1а
ВС108В
02 HSMP-3802
НР
SOT23
011
Сдвоен НР3800 PIN аттенюаторн диод
03 SST213
S1l1coп1x SOT143
T4J
N-кан цифровой МОП полевой
03 ВСWЗ3
Ph1l1ps
SOT23
Т1а
ВС108С
озв RB4200
Rohm
SOT23
01а
258 1ООмА диод Шоттки

104
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма
Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
ОЗЕ RB411D
Rohm
SОТ2З
01а
20В 500мА ДИОД Шоттки
ОЗJ RB4200
Rohm
SОТ2З
01а
25В 1ООмА диод Шоттки
ОЗL RB7060-40
Rohm
SОТ2З
01h
Сдвоен 45В ЗОмА диод Шоттки
04 НSМР-З804
НР
SОТ2З
01h
Сдвоен НРЗ800 PIN аттенюаторн диод
04 ВВ4040
IТТ
SОТ2З
01h
Сдвоен варикап
04 MMB04148SE
Fa1rch1ld
SОТ2З
011
Сдвоен диод 1N4148
05 SST215
S1l1con1x
SОТ14З
T4J
N-кан цифровой МОП полевой
05 ММВО4148СС
Fa1rch1ld
SОТ2З
01h
Сдвоен диод 1N4148
058 FLL0261
Zetex
SОТ2З
01h
С малым током утечки сдвоен S1 диод
06 ММВО4148СА
Fa1rch1ld
SОТ2З
01J
Сдвоен диод 1N4148
06 ММВС162206
Motorola
SОТ2З
Т1а
МРSЗ904 h21э 200-400
06З FLL026З
Zetex
SОТ2З
01J
С малым током утечки сдвоен S1диод
07 ММВС162207
Motorola
SОТ2З
Т1а
МРSЗ904 h21э ЗОО-600
076 BAR18
STM
SОТ2З
01а
Диод Шоттки 70В ЗОмА
07р ВСFЗ2
Ph1l1ps
SОТ2З
Т1а
S1 NPN З2В 100мА 25ОмВт
085 BAT170S
sтм
SОТ2З
011
2хВА481
08р ВСFЗЗ
Ph1l1ps
SОТ2З
Т1а
ВС146/ОЗ
094 BAR42
STM
SОТ2З
01а
Диод Шоттки ЗОВ 100мА
095 ВАR4З
STM
SОТ2З
01а
Диод Шоттки ЗОВ 100мА
096 BAS70-04
sтм
SОТ2З
011
2xBAR18
097 BAS70-05
sтм
SОТ2З
01h
2xBAR18
098 BAS70-06
sтм
SОТ2З
01J
2xBAR18
ОА BCW67A
STM
SОТ2З
Т1а
S1 PNP З2В О,8А h21э>100
ОА BF622
IТТ
SOT89
тза
S1 NPN 250В ЗОмА
ОА5 BAR4ЗS
sтм
SОТ2З
011
2хВАR4З
OAs BCW67A
lпfineon
SОТ2З
Т1а
S1 PNP З2В О,8А h21э>100
ОВ BCW67B
sтм
SОТ2З
Т1а
S1 PNP З2В О,8А h21э>160
ОВ ВF62З
IТТ
SOT89
тза
S1 PNP 250В ЗОмА
ОВ1 ВАRЗ4А
STM
SОТ2З
01J
2хВАR4З
ОВ2 ВАR4ЗС
STM
SОТ2З
01h
2хВАR4З
OBs BCW67B
lnfineon
SОТ2З
Т1а
S1 PNP З2В О,8А h21э>160
ОС BCW67C
sтм
SОТ2З
Т1а
S1 PNP З2В О 8А h21э>250
ОС BF720
Motorola
SOT89
тза
S1 NPN ЗООВ 1,5W
ОС BF620
IТТ
SOT89
тза
S1 NPN ЗООВ ЗОмА
OCs BCW67C
lnfineon
SОТ2З
Т1а
S1 PNP З2В О 8А h21э>250
OF BCW68F
sтм
SОТ2З
Т1а
S1 PNP 45В О,8А h21э>100
OF BF621
IТТ
SOT89
тза
S1 PNP ЗООВ ЗОмА
OF BF721
Motorola
SOT89
тза
S1PNP1,5WЗООВ
OFs BCW68F
lnfineon
SОТ2З
Т1а
S1PNP45В О,8А h21э>100
OG BCW68G
sтм
SОТ2З
Т1а
S1 PNP 45В О,8А h21э>160
OGs BCW68G
lnfineon
SОТ2З
Т1а
S1 PNP 45В 0,8А h21э>160
ОН BCW68H
STM
SОТ2З
Т1а
S1 PNP 45В О,8А h21э>250
ОН ММВО2000
Motorola SОТЗ2З
01а
S1 переключат диод 20В О,2А
OHs BCW68H
lnfineon
SОТ2З
Т1а
S1 PNP 45В О,8А h21э>250
01 ММВО2005
Motorola SОТЗ2З
01J
S1 переключат диод ЗОВ О,2А

6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
105
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
OKs ВСХ42
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
S1 PNP НЧ переключ 125В 0,ВА
ОР ММВ02010
Motoгola SOT323
01h
Сдвоен с общ катодом ММВО2000
Е 1SS3BO
Rohm
500323
06
Диод 40В 100мА с малым током утечки
Е IMBT3904
IТТ
SOT23
Т1а
S1 NPN 2N3904
Е IMBT3906
IТТ
SOT23
Т1а
S1 PNP 2N3906
ЕО HSMP-3B10
НР
SOT23
01а
НР3В10 PIN аттенюаторн диод
ЕО HSMP-381B
НР
SOT323
01а
НР3В10 PIN аттенюаторн диод
Е1 TC7SOOF
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ
Е1 TC7SOOFU
Tosh1ba
SOT353
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ
Е1 BFS17
sтм
SOT23
Т1а
BFY90 BFW92
Е2 TC7SOBF
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка И
Е2 TC7SOBFU
Tosh1ba
SOT353
11а
2-х входовая ячейка И
Е2 BFS17A
Ph1l1ps
SOT23
Т1а
S1 NPN СВЧ 3ГГц 25мА
Е2 BAL99
Zetex
SOT23
01d
Переключат диод 75В 100мА
Е2 HSMP-3812
НР
SOT23
011
Сдвоен НР3В10 PIN аттенюаторн диод
Е2 HSMP-3B1C
НР
SOT323
011
Сдвоен НР3В10 PIN аттенюаторн диод
Е3 TC7S02F
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
Е3 TC7S02FU
Tosh1ba
SOT353
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
Е3 BAR99
Zetex
SOT23
01с
Переключат диод 75В 100мА
Е3 HSMP-3B13
НР
SOT23
01J
Сдвоен НР3В10 PIN аттенюаторн диод
Е3 HSMP-381E
НР
SOT323
01J
Сдвоен НР3В10 PIN аттенюаторн диод
Е4 TC7S32F
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ
Е4 TC7S32FU
Tosh1ba
SOT353
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ
Е4 HSMP-3B14
НР
SOT23
01h
Сдвоен НР3810 PIN аттенюаторн диод
Е4 HSMP-381F
НР
SOT323
01h
Сдвоен НР3В10 PIN аттенюаторн диод
Е4 ВВ404Е
IТТ
SOT23
01h
Сдвоен варикап
Е5 TC7S04F
Tosh1ba
SC59
11Ь
Инвертор
Е5 TC7S04FU
Tosh1ba
SOT353
11Ь
Инвертор
Е6 TC7SU04F
Tosh1ba
SC59
11Ь
Инвертор
Е6 TC7SU04FU
Tosh1ba
SOT353
11Ь
Инвертор
Е6 ZC2BOOE
Zetex
SOT23
01а
НР2ВОО
ЕВ TC7SB6F
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
ЕВ TC7SB6FU
Tosh1ba
SOT353
11а
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
ЕВ ZC2811E
Zetex
SOT23
01а
НР2В11
Е9 TC7S66F
Tosh1ba
SC59
11d
Двунаправленный ключ
Е9 TC7S66FU
Tosh1ba
SOT353
11d
Двунаправленный ключ
Е9 ZC5BOOE
Zetex
SOT23
01а
НР5800
ЕА TC7S14F
Tosh1ba
SC59
11Ь
Инвертирующий триггер Шмитта
ЕА TC7S14FU
Tosh1ba
SOT353
11Ь
Инвертирующий триггер Шмитта
EAs BCW65A
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
S1 NPN 32В ВООмА h21э>100
ЕВ HSMP-4B10
НР
SOT23
ОН
О,5-3ГГц PIN сдвоен с общ катодом
ЕВ HSMP-4B1B
НР
SOT323
01f
О,5-3ГГц PIN сдвоен с общ катодом
ЕВ MSC1022-B
Motoгola
SC59
Т1а
S1 PNP ВЧ 150МГц f =20В
EBs BCW65B
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
S1 NPN 32В ВООмА h21э>160
ЕС MSC1022-C
Motoгola
SC59
Т1а
S1 PNP ВЧ 150МГц f =20В

106
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма
Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
ECs BCW65C
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
S1 NPN 32В 800мА h21э>250
EF BCV29
lпfiпеоп
SOT89
тза
S1 NPN ЗОВ О,5А
EFs BCW66F
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
S1 NPN 45В 800мА h21э>100
EG BCV49
lпfiпеоп
SOT89
тза
S1 PNP 60В О,5А
EGs BCW66G
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
S1 NPN 45В 800мА h21э>160
EHs BCW66H
lпfiпeon
SOT23
Т1а
S1 NPN 45В 800мА h21э>240
EKs ВСХ41
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
S1 NPN НЧ переключ 125В О,8А
F КV1831Е
Toko
500123
06
СВЧ варикап 2,5-22пФ
F MRF 927
Motoгola SОТЗ23
Т1а
S1NPNСВЧf=8ГГц
FO HSMP-3820
НР
SOT23
01а
35В ВЧ PIN переключат диод
F05 TSOF1205
Telefuпkeп SOT143
Т4а
f=12ГГцS1NPNСВЧ4В12мА
F1 BFS18
SGS Ph1
SOT23
Т1а
BF495
F1 MMBC1009F1
Motoгola SOT23
Т1а
S1 NPN ВЧ f = 150МГц h21э=ЗО-6О
F2 BFS19
SGS Ph1
SOT23
Т1а
BF184 BF494
F2 HSMP-3822
НР
SOT23
011
Сдвоен НРЗ820 PIN переключат диод
F20 TSOF1220
Telefuпkeп SOT143
Т4а
S1NPNf=12ГГц6В20мА
FЗ HSMP-3823
НР
SOT23
01J
35В ВЧ PIN переключат диод
F3 MMBC1009F3
Motoгola SOT23
Т1а
S1 NPN ВЧ f = 150МГц h21э=60-120
F4 HSMP-3824
НР
SOT23
01h
Сдвоен НРЗ820 PIN переключат диод
FA HSMP-4820
НР
SOT23
01е
0,5-ЗГГц PIN сдвоен с общ анодом
FA HSMP-482B
НР
SОТЗ23
01е
0,5-ЗГГц PIN сдвоен с общ анодом
FA BFQ17
Ph1l1ps
SOT89
тза
S1 NPN ВЧ 1 5ГГц ЗООмА
FAs BFP81
lпfiпеоп SOT143
Т4а
S1 NPN ВЧ 16В ЗОмА BFQ69
FO BCV26
sтм
SOT23
Т1а
S1 PNP схема Дарлингтона (составной транзистор)
FE BCV46
sтм
SOT23
Т1а
S1 PNP схема Дарлингтона (составной транзистор)
FEs ВFР9ЗА
lпfiпеоп SOT143
Т4а
S1 NPN ВЧ 12В 50мА BFR91A
FF BCV27
sтм
SOT23
Т1а
S1 NPN схема Дарлингтона (составной транзистор)
FG BCV47
sтм
SOT23
Т1а
S1 NPN схема Дарлингтона (составной транзистор)
FGs BFQ19S
lпfiпеоп
SOT89
тза
S1 NPN ВЧ 15В 75мА BFR96S
FR 2SA1037AK
Rohm
SOT23
Т1а
S1 PNP h21э усилит
FR 2SA1576A
Rohm
SOT23
Т1а
Аналог - 2SA 1037К
FR 2SA1774
Rohm
SOT23
Т1а
Аналог - 2SA 1037К
G KV1181E
Toko
500123
06
СВЧ варикап 2-16пФ
G MRF 947А
Motoгola SOT23
Т1а
S1 NPN СВЧ 8ГГц
GO HSMP-3890
НР
SOT23
01а
НРЗ890 PIN переключат диод
GO HSMP-389B
НР
SОТЗ23
01а
НРЗ890 PIN переключат диод
G1 BFS20
SGS Ph1
SOT23
Т1а
BF199
G1 ММВТ5551
Motoгola SOT23
Т1а
S1 NPN 2N5551 Uкэ 160В
G1 TC7SEТOOF
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ
G1 TC7SETOOFU
Tosh1ba
SОТЗ53
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ
G1E ВС847А
Rohm
SOT23
Т1а
S1 NPN ВС547А
G1F ВСВ47В
Rohm
SOT23
Т1а
S1 NPN ВС547В
G1G ВС847С
Rohm
SOT23
Т1а
S1 NPN ВС547С
G1J ВСВ48А
Rohm
SOT23
Т1а
S1 NPN ВС54ВА
G1K ВС848В
Rohm
SOT23
Т1а
S1 NPN ВС548В

6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
107
Код Наименование Фирма
Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
G1K BC848BW
Rohm
SOT323
Т1а
S1 NPN ВС548В
G1L ВС848С
Rohm
SOT23
Т1а
S1 NPN ВС548С
G2 HSMP-3892
НР
SOT23
011
Сдвоен НР3890 PIN переключат диод
G2 HSMP-389C
НР
SOT323
011
Сдвоен НР3890 PIN переключат диод
G2 TC7SET08F
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка И
G2 TC7SET08FU
Tosh1ba SOT353
11а
2-х входовая ячейка И
G3 HSMP-3893
НР
SOT23
01J
Сдвоен НР3890 PIN переключат диод
G3 HSMP-389E
НР
SOT323
01J
Сдвоен НР3890 PIN переключат диод
G3 BAR63
lпfiпеоп
SOT23
01а
PIN диод 1ООВ 50мА
G3 TC7SET02F
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
G3 TC7SET02FU
Tosh1ba SOT353
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
G3E ВС857А
Rohm
SOT23
Т1а
S1 PNP ВС557А
GЗF ВС857В
Rohm
SOT23
Т1а
S1 PNP ВС557В
GЗJ ВС858А
Rohm
SOT23
Т1а
S1 PNP ВС558А
GЗК ВС858В
Rohm
SOT23
Т1а
S1 PNP ВС558В
G3K BC858BW
Rohm
SOT323
Т1а
S1 PNP ВС558В
GЗL ВС858С
Rohm
SOT23
Т1а
S1 PNP ВС558С
G4 BAR63-04
lпfiпеоп
SOT23
011
Сдвоен PIN диод 1ООВ 50мА
G4 HSMP-3894
НР
SOT23
01h
Сдвоен НР3890 PIN переключат диод
G4 HSMP-389F
НР
SOT323
01h
Сдвоен НР3890 PIN переключат диод
G4 TC7SET32F
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ
G4 TC7SET32FU
Tosh1ba
SOT353
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ
G4s BAR63-04W
lпfiпеоп SOT323
011
Сдвоен PIN диод 100В 50мА
G5 BAR63-05
lпfiпеоп
SOT23
01h
Сдвоен PIN диод 1ООВ 50мА
G5 HSMP-3895
НР
SOT143
04d
Сдвоен НР3890 PIN переключат диод
G5 TC7SET04F
Tosh1ba
SC59
11Ь
Инвертор
G5 TC7SET04FU
Tosh1ba SOT353
11Ь
Инвертор
G5s BAR63-05W
lпfiпеоп SOT323
01h
Сдвоен PIN диод 1ООВ 50мА
G6 BAR63-06
lпfiпеоп
SOT23
01J
Сдвоен PIN диод 100В 50мА
G6A ВС817-16
Rohm
SOT23
Т1а
S1 NPN ВС337-16
G6B ВС817-25
Rohm
SOT23
Т1а
S1 NPN ВС337-25
G6s BAR63-06W
lпfiпеоп SOT323
01J
Сдвоен PIN диод 1ООВ 50мА
G7 BF579
Telefuпken SOT23
Т1а
S1 PNP BF979 СВЧ f =1,75ГГц
GB TC7SET86F
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
G8 TC7SET86FU
Tosh1ba
SOT353
11а
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
GA HSMP-4890
НР
SOT23
01е
О,5-3ГГц сдвоен PIN ограничительный диод
GA HSMP-489B
НР
SOT323
01е
О,5-3ГГц сдвоен PIN ограничительный диод
GC1 BCW29
Rohm
SOT23
Т1а
ВС178А
GC2 всwзо
Rohm
SOT23
Т1а
ВС178В
G01 ВСWЗ3
Rohm
SOT23
Т1а
ВС108С
G02 ВСWЗ2
Rohm
SOT23
Т1а
ВС108В
GEs BFR35AP
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
S1 NPN ВЧ 15В 30мА BFR34A
GFs BFR92P
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
S1 NPN ВЧ 15В 30мА BFR90
GH1 BCW69
Rohm
SOT23
Т1а
ВС177А
GH2 BCW70
Rohm
SOT23
Т1а
ВС177В

108
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
GK1 BCW71
Rohm
SОТ2З
т1а
ВС107А
GK2 BCW72
Rohm
SОТ2З
Т1а
ВС107В ZХТЗОО
GLP ММВТ1010
Motoгola SОТ2З
Т1а
S1PNP15В h21э ЗОО-600 100мА
GLP MSD1010
Motoгola
SC59
т1а
S1PNP15В h21э ЗОО-600 100мА
GT1 ВСХ17
Rohm
SОТ2З
Т1а
ВСЗ27
GT2 ВСХ18
Rohm
SОТ2З
т1а
ВСЗ28
GU1 ВСХ19
Rohm
SОТ2З
Т1а
ВСЗЗ7
GU2 ВСХ20
Rohm
SОТ2З
Т1а
всззв
н MRF 947В
Motoгola SОТЗ2З
Т1а
S1 NPN СВЧ ВГГц
Н1 TC7SHOOF
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ
Н1 TC7SHOOFU
Tosh1ba
SОТЗ5З
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ
Н1 BCW69
Ph1l1ps
SОТ2З
Т1а
ВС177А
Н1 SST4416
S1l1con1x
SОТ2З
Т1с
Полевой с N-кан 2N4416
Н11 UMH11ТN
Rohm
SОТЗ6З
Т6с
S1 NPN/PNP пара 1ОкОм+1ОкОм
(резистор смещения)
Н2 TC7SH08F
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка И
Н2 TC7SH08FU
Tosh1ba
SОТЗ5З
11а
2-х входовая ячейка И
Н2 BCW70
Ph1l1ps
SОТ2З
т1а
ВС177В
нз TC7SH02F
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
нз TC7SH02FU
Tosh1ba
SОТЗ5З
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
нз BCW89
Ph1l1ps
SОТ2З
Т1а
ВС556
Н4 TC7SHЗ2F
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ
Н4 TC7SHЗ2FU
Tosh1ba
SОТЗ5З
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ
Н4 SST5484
S1l1ccn1x
SОТ2З
Т1с
Полевой с N-кан 25В 10мА 2N5484
Н5 TC7SH04F
Tosh1ba
SC59
11Ь
Инвертор
Н5 TC7SH04FU
Tosh1ba
SОТЗ5З
11Ь
Инвертор
Н5 SST5485
S1l1ccn1x
SОТ2З
Т1С
Полевой с N-кан 25В 10мА 2N5485
Н5 MBD770DW
Motoгola SОТЗ6З
D5a
Сдвоенный СВЧ диод Шоттки
Н6 TC7SHU04F
Tosh1ba
SC59
11Ь
Инвертор
Н6 TC7SHU04FU
Tosh1ba
SОТЗ5З
11Ь
Инвертор
Н6 SST5486
S1l1ccn1x
SОТ2З
Т1с
Полевой с N-кан 25В 10мА 2N5486
нв TC7SH86F
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
нв TC7SH86FU
Tosh1ba
SОТЗ5З
11а
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
НА 74HC1GOO
Ph1l1ps
SОТЗ5З
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ
НА TC7SH14F
Tosh1ba
SC59
11Ь
Инвертирующий триггер Шмитта
НА TC7SH14FU
Tosh1ba
SОТЗ5З
11Ь
Инвертирующий триггер Шмитта
нв 74HC1G02
Ph1l1ps
SОТЗ5З
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
нв BFN22
STM
SOT89
тза
SI NPN Uкэ 250В
нс 74HC1G04
Ph1l1ps
SОТЗ5З
11Ь
Инвертор
нс BFN2З
STM
SOT89
тза
SI PNP Uкэ 250В
HD 74HC1GU04
Ph1l1ps
SОТЗ5З
11Ь
Инвертор
НЕ 74HC1G08
Ph1l1ps
SОТЗ5З
11а
2-х входовая ячейка И
HF 74HC1G14
Ph1l1ps
SОТЗ5З
11Ь
Инвертирующий триггер Шмитта
HG 74НС1GЗ2
Ph1l1ps
SОТЗ5З
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ
нн 74HC1G86
Ph1l1ps
SОТЗ5З
11а
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
HHs ВВУ51-07
lnfineon
SОТ14З
D4d
Сдвоен варикап, аналог ВВУ51

6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
109
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
HL 74HC1G66
Ph1l1ps
SOT353
11d
Двунаправленный ключ
нм 74HC1G125
Ph1l1ps
SOT353
11е
Драйвер шины буфера линии, 3-х уровнев
HN 74HC1G126
Ph1l1ps
SOT353
11е
Драйвер шины буфера линии, 3-х уровнев
на 2SA1036K
Rohm
SOT23
Т1а
S1PNP500мд
1О ssт110
S1l1coп1x SOT23
Т1с
Полевой с N-кан J110
18 SST108
S1l1coп1x SOT23
Т1С
Полевой с N-кан J108
19 SST109
S1l1coп1x SOT23
Т1с
Полевой с N-кан J 109
J01 S02906R
SOT23
Т1а
2N2906
J1 TC7SZOOF
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ
J1 TC7SZOOFU
Tosh1ba
SOT353
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ
J1 ZC830
Zetex
SOT23
D1a
ZC820 варикапы
J1 BSS138l
Motorola
SOT23
T1d
N-кан полевой
J2 TC7SZ08F
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка И
J2 TC7SZ08FU
Tosh1ba
SOT353
11а
2-х входовая ячейка И
J2 ZC833
Zetex
SOT23
D1a
ZC823
J3 TC7SZ02F
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
J3 TC7SZ02FU
Tosh1ba
SOT353
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
J3 ZC831
Zetex
SOT23
D1a
ZC821
J3D МSВ81Т1
Motorola SOT323
Т1а
S1 PNP ВЧ f =О,6ГГц
J4 TC7SZ32F
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ
J4 TC7SZ32FU
Tosh1ba
SOT353
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ
J4 ZC832
Zetex
SOT23
D1a
ZC823
J4A MBV109
Motorola
SOT23
D1a
29пФ ВЧ варикап диод
J5 TC7SZ04F
Tosh1ba
SC59
11Ь
Инвертор
J5 TC7SZ04FU
Tosh1ba
SOT353
11Ь
Инвертор
J5 ZC834
Zetex
SOT23
D1a
ZC824
J6 TC7SZU04F
Tosh1ba
SC59
11Ь
Инвертор
J6 TC7SZU04FU
Tosh1ba
SOT353
11Ь
Инвертор
J6 М1МА174
Motorola SOT323
D1a
S1диод 100В
J6 ZC835
Zetex
SOT23
D1a
ZC825
J7 ZC836
Zetex
SOT23
D1a
ZC826
JA BAV74
Zetex Mot SOT23
D1h
Сдвоен диод с общ катодом 50В О, 1А
JAX MBAV74
Motorola
SOT23
D1h
Переключат диоды
JB TC7SZ125F
Tosh1ba
SC59
11е
Драйвер шины буфера линии, 3-х уровнев
JB TC7SZ125FU
Tosh1ba
SOT353
11е
Драйвер шины буфера линии, 3-х уровнев
JB BAR74
Zetex
SOT23
D1a
Быстродейств переключат диод 50В О, 1А
JBs BAR74
lпfiпеоп
SOT23
D1a
Быстродейств переключат диод 50В О, 1А
JC TC7SZ126F
Tosh1ba
SC59
11е
Драйвер шины буфера линии, 3-х уровнев
JC TC7SZ126FU
Tosh1ba
SOT353
11е
Драйвер шинь1 буфера линии, 3-х уровнев
JC BAL74
Zetex
SOT23
D1b
Быстродейств переключат диод 50В О,1А
JCs BAL74
lпfiпеоп
SOT23
D1b
Быстродейств переключат диод 50В О,1А
JE TC7SZ05F
Tosh1ba
SC59
11Ь
Инвертор (откр исток)
JE TC7SZ05FU
Tosh1ba
SOT353
11Ь
Инвертор (откр исток)
JF BAL99
Motorola
SOT23
D1d
Диод 70В
JFs BAL99
lпfiпеоп
SOT23
D1d
Диод 70В

110
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомnонентов
Код Наименование Фирма
Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
JGs BAR99
lпfiпеоп
SOT23
01с
Диод 70В
JKs BF1009
lпfiпеоп SOT143
T4d
N-кан цифровой полевой МОП 1ГГц 9В
JL MRF 949
Motorola
SC90
Т1а
S1NPNСВЧf=9ГГц
Jls BF1009S
lпfiпеоп SOT143
T4d
N-кан цифровой полевой МОП 1ГГц 9В
JPs BAS19
lпfiпеоп
SOT23
01а
Диод 1ООВ 250мА
JPs BAW101
lпfiпеоп SOT143
T4d
Сдвоен переключат диод 300В 250мА
JRs BAS20
lпfiпеоп
SOT23
01а
Диод 150В 250мА
JS BAS21
lпfiп Mot
SOT23
01а
Диод 200В 250мА
JSs BAW100
lпfiпеоп SOT143
T4f
Сдвоен переключат диод 75В 200мА
JТр BAS28
Ph1l1ps
SOT143
T4d
Сдвоен переключат диод 75В 200мА
JТs BAS28
lпfiпеоп SOT143
T4d
Сдвоен переключат диод 75В 200мА
JV BAS116
lпfiп Mot
SOT23
01а
Диод 250В 75мА lобр 5нА
JX BAV170
Mot lпfiп
SOT23
01h
Сдвоен с общ катодом S1 диод с малым lобр
JY BAV199
Motlпfiп
SOT23
011
Сдвоен S1 диод с малым lобр
JZ BAW156
Motorola
SOT23
01j
Сдвоен с общ анодом S1 диод с малым lобр
к MRF 917
Motorola SOT323
т1а
S1NPNСВЧf=6ГГц
ко HSMP-3830
НР
SOT23
01а
PIN диод НР3830
К1 BCW71
Ph1l1ps
SOT23
Т1а
ВС107А
К14 OTA114G
Rohm
SOT23
Т1а
PNP переключ 50В 100мА с резистором
в цепи базы
К15 OTA124G
Rohm
SOT23
Т1а
PNP переключ 50В 50мА с резистором в цепи базы
К2 BCW72
Ph1l1ps
SOT23
т1а
ВС107В ZXT300
К2 HSMP-3832
НР
SOT23
011
Сдвоен НР3830 PIN диод
К24 OTC114G
Rohm
SOT23
т1а
S1 NPN ключевой 50В 1ООмА с резистором
в цепи базы
К25 OTA124G
Rohm
SOT23
т1а
PNP ключевой 50В 50мА с резистором в цепи базы
К3 HSMP-3833
НР
SOT23
01]
Сдвоен НР3830 PIN диод
К3 BCWB1
Ph1l1ps
SOT23
Т1а
S1 NPN 50В О, 1А О,2Вт h21э 420
К4 HSMP-3834
НР
SOT23
01h
Сдвоен НР3830 PIN диод
К7 BCV71
Ph1l1ps
SOT23
Т1а
ВС546А
кв BCV72
Ph1l1ps
SOT23
Т1а
ВС546В
кв MMBT8099L
Motorola
SOT23
Т1а
S1 NPN ВОВ
км вsтво
Ph1l1ps
SOT89
Т3е
VN10
KN BST84
Ph1l1ps
SOT89
Т3е
N-кан МОП 200В О,25А
ко BST86
Ph1l1ps
SOT89
Т3е
N-кан МОП 1ВОВ О,3А
LO HSMP-386B
НР
SOT323
01а
ВЧ PIN диод
LO HSMP-3860
НР
SOT23
01а
Сдвоен PIN диод
L1 TC7SLOOF
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ
L1 TC7SLOOFU
Tosh1ba
SOT353
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ
L1 BSS65
Zetex
SOT23
Т1а
S1PNP12В О, 1А 400МГц ключевой
L2 TC7SLOBF
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка И
L2 TC7SLOBFU
Tosh1ba
SOT353
11а
2-х входовая ячейка И
L2 HSMP-3862
НР
SOT23
011
Сдвоен ВЧ PIN диод
L2 HSMP-386C
НР
SOT323
011
Сдвоен ВЧ PIN диод
L2 BSS69
Zetex
SOT23
Т1а
S1 PNP 40В О, 1А 200МГц ключевой
L20 BAS29
NatSem1
SOT23
01а
S1 диод 120В 50мА

6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
111
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
L21 BAS31
NatSem1
SOT23
011
2xBAS29 диод
L22 BAS35
NatSem1
SOT23
01J
2хВАS29 диод
L3 TC7SL02F
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
L3 TC7SL02FU
Tosh1ba
SOT353
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
L3 BSS70
Zetex
SOT23
т1а
S1 PNP 40В О 1А 200МГц ключевой
L3 MMBC1623L3
Motorola
SOT23
Т1а
S1NPN40В
L3 HSMP-3863
НР
SOT23
01J
С общ анодом ВЧ PIN диод
L3 HSMP-386E
НР
SOT323
01]
С общ анодом ВЧ PIN диод
L30 BAV23
Ph1I
SOT143
04d
2 диода 200В 225мА
L4 TC7SL32F
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ
L4 TC7SL32FU
Tosh1ba
SOT353
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ
L4 HSMP-3864
НР
SOT23
01h
С общ катодом ВЧ PIN диод
L4 HSMP-386F
НР
SOT323
01h
С общ катодом ВЧ PIN диод
L4 ВАТ54
Ph1l1ps
SOT23
01а
ВАТ85 диод Шоттки
L4 MMBC1623L4
Motorola
SOT23
Т1а
S1NPN40В
L41 ВАТ74
Ph1l1ps
SOT143
04d
2хВАТ85
L42 ВАТ54А
Ph1IZet
SOT23
01]
Сдвоен с общ катодом диод Шоттки
L43 ВАТ54С
Ph1IZet
SOT23
01h
Сдвоен с общ катодом диод Шоттки
L44 BAT54S
Ph1IZet
SOT23
011
Сдвоен диоды Шоттки с посл вкл
L4Z ВАТ54
Zetex
SOT23
01а
ВАТ85 диод Шоттки
L5 BSS65R
Zetex
SOT23
Т1а
S1 PNP 12В 1ООмА 330мВт
L5 KST1623L5
Samsung
SOT23
Т1а
S1 NPN 50В 100мд 350мВт
L5 TC7SL04F
Tosh1ba
SC59
11Ь
Инвертор
L5 TC7SL04FU
Tosh1ba
SOT353
11Ь
Инвертор
L5 MMBC1623L5
Motorola
SOT23
Т1а
MPS3904 h21э 135-270
L51 BAS56
Cents
SOT143
04Ь
Два быстродейств имn диода 60В 200мА
L51 BAS56
Ph1I
SOT143
04Ь
Два быстродейств имп диода 60В 200мА
L6 TC7SLU04F
Tosh1ba
SC59
11Ь
Инвертор
L6 TC7SLU04FU
Tosh1ba
SOT353
11Ь
Инвертор
L6 BAR17
lnfineon
SOT23
01а
PIN диод 100В 140мА
L6 BSS69R
Zetex
SOT23
Т1а
S1 PNP 40В О, 1А 200МГц ключевой
L6 MMBC1623L6
Motorola
SOT23
Т1а
MPS3904 h21э 200-400
L7 BSS70R
Zetex
SOT23
т1а
S1 PNP 40В О, 1А 200МГц ключевой
L7 MMBC1623L7
Motorola
SOT23
Т1а
MPS3904 h21э 300-600
L7 BAR14-1
lnfineon
SOT23
011
Сдвоен PIN 100мд макс
L8 BAR15-1
lnfineon
SOT23
01h
Сдвоен PIN 100мА макс
L9 BAR16-1
lnfineon
SOT23
01]
Сдвоен PIN 100мА макс
LB S525T
Telefunken SOT23
Т1е
N-кан ВЧ полевой МОП 200МГц
LB BF999
lnfineon
SOT23
Т1е
N-кан ВЧ полевой МОП 300МГц
LDs BF543
lnfineon
SOT23
Т1е
N-кан ВЧ полевой МОП 300МГц
LEs BF660
lnfineon
SOT23
Т1а
S1 PNP BF606A ВЧ генераторный f =800МГц
LGs BF775A
lnfineon
SOT23
Т1а
S1 NPN ВЧ 16В 30мА
LHs BF569
lnfineon
SOT23
Т1а
S1 PNP ВЧ BF970
LK BF799
lnf1neon
SOT23
т1а
S1 NPN ВЧ 20В 35мА BF959
LK BF799W
lnf1neon
SOT323
т1а
S1 NPN ВЧ 20В 35мА BF959

1'f2
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
LM вsт120
Ph1l1ps
SOT89
ТЗе
Р-кан полевой МОП 60В О,ЗА
LN вsт122
Ph1l1ps
SOT89
ТЗе
Р-кан полевой МОП 50В О 25А
LOs BF775
lпfiпеоп
SОТ2З
Т1а
S1 NPN ВЧ 15В ЗОмА BFQ69
LOs BF775W
lпfiпеоп SОТЗ2З
Т1а
S1 NPN ВЧ 15В ЗОмА BFQ69
LRs BF517
lпfiпеоп
SОТ2З
Т1а
S1 NPN ВF76З 2,5 ГГц
LSs BF770A
lпfiпеоп
SОТ2З
т1а
S1 NPN ВЧ 12В 50мд
м BAR65-07
lпfiпеоп SОТ14З
D4d
Диод ВЧ переключат ЗОВ 100мА
М1 BFRЗO
Ph1 Mot
SОТ2З
Т1с
BFW11 BF245
М1В MMBT2222L
Motorola
SОТ2З
т1а
S1 NPN 2N2222
М1Е ММВТА4ЗL
Motorola
SОТ2З
Т1а
S1 NPN МРSА4З 200В Uкэ
M1F MMBT5550L
Motorola
SОТ2З
Т1а
2N5550 S1 NPN 140В
M1J ММВТ2З69
Motorola
SОТ2З
Т1а
S1 NPN 2N2З69А
М2 BFRЗ1
Ph1Mot
SОТ2З
Т1С
BFW12 BF245
М2В ММВТ2907
Motorola
SОТ2З
Т1а
S1PNP2N2907
М2С ММВТА70
Motorola
SОТ2З
Т1а
S1 PNP MPSA70
мз BFT46
Ph1l1ps
SОТ2З
Т1с
N-кан полевой малосигн усилит
мз ММВА812МЗ
Motorola
SОТ2З
Т1а
S1PNP2N5086 h21э 60-120
МЗ1 BSD20
Ph1l1ps
SОТ14З
T4J
N-кан ключевой полевой МОП 1ОВ
МЗ2 BSD22
Ph1l1ps
SОТ14З
T4J
N-кан ключевой полевой МОП 20В
МЗА ММВТН24
Motorola
SОТ2З
Т1а
S1 NPN ВЧ усилит 400МГц f = ЗОВ
мзв ММВТ918
Motorola
SОТ2З
Т1а
S1 NPN 2N918 СВЧ усилит
МЗJ ММВТНБ9
Motorola
SОТ2З
Т1а
S1 PNP СВЧ усилит 2ГГц f = 15В
М4 BSR56
Ph1 Mot
SОТ2З
Т1с
2N4856 N-кан полевой
М4 MBD110DW
Motorola SОТЗ6З
D5a
Сдвоен СВЧ диод Шоттки
М4А MMBV109
Motorola
SОТ2З
D1a
Варикап
М4А MMBV109
Motorola SОТЗ2З
D1a
Варикап
М4В ММВV4З2
Motorola
SОТ2З
D1h
Сдвоен с общ катодом варикап 45пФ/2В
М4С ММВVЗ102
Motorola
SОТ2З
D1a
Варикап
М4Е MMBV105G
Motorola
SОТ2З
D1a
Варикап
M4F ММВDЗ5З
Motorola
SОТ2З
D1g
Сдвоен MBD101 с послед вкл
M4G MMBV2101
Motorola
SОТ2З
D1a
Варикап 6,ВпФ MV2101
М5 BSR57
Ph1Mot
SОТ2З
Т1с
2N5457 N-кан полевой
М5 ММВА812М5
Motorola
SОТ2З
Т1а
S1PNP2N5086 h21э 1З5-270
М5С MMBD7000
Motorola
SОТ2З
011
2х переключат диодs 100В
M5G ММВDЗ52
Motorola
SОТ2З
D1g
2xMBD101 диод
МБ BSR58
Ph1Mot
SОТ2З
Т1с
2N4858 N-кан полевой
МБ ММВА812М6
Motorola
SОТ2З
Т1а
S1 PNP 2N5086 h21э 200-400
МБ BSS66
Zetex
SОТ2З
т1а
S1 NPN 40В О, 1А ключевой f = 250МГц
МБА ММВF441Б
Motorola
SОТ2З
Т1с
Полевой с N-кан ВЧ 2N4416
МБВ MMBF5484
Motorola
SОТ2З
Т1с
Полевой с N-кан ВЧ 2N5484
МБС MMBFUЗ10
Motorola
SОТ2З
Т1с
Полевой с N-кан ВЧ UЗ10
МБЕ MMBF5460
Motorola
SОТ2З
Т1с
Полевой с N-кан ВЧ 2N5460
МБН ММВDЗ54
Motorola
SОТ2З
D1h
Сдвоен MBD101 с общ катодом
М7 BSS67
Zetex
SОТ2З
Т1а
S1 NPN 40В О, 1А ключевой f = ЗООМГц
М7 ММВА812М7
Motorola
SОТ2З
Т1а
S1 PNP 2N5086 h21э ЗОО-600

6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
113
Код Наименование Фирма
Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
М74 BSS83
Ph1l1ps
SOT143
T4J
N-кан ключевой полевой МОП
М89 BF989
Ph1l1ps
SOT23
D1b
BF960
М90 BF990
Ph1l1ps
SOT143
T4d
BF980
М91 BF991
Ph1l1ps
SOT143
T4d
BF981
М92 BF992
Ph1l1ps
SOT143
T4d
BF982
М94 BF994
Ph1l1ps
SOT143
T4d
BF964
М96 BF996
Ph1l1ps
SOT143
T4d
BF966
МА М1МА151А
Motorola
SC59
D1c
40В 100мА переключат диод
МА MBT3904DW1
Motorola SОТЗ63
Т6с
2xs1 NPN 2N3904
МА М1МА152АТ
Motorola
SOT23
D1c
80В 1ООмА переключат диод
мв MBT3904DW9
Motorola SОТЗ63
Сдвоен 2N3904
мс ZVN3306F
Zetex
SOT23
T1d
N-кан полевой МОП ВОВ 150мА
MCs BFS17P
lпfiпеоп SOT23
Т1а
S1 NPN ВЧ 15В 25мА BFW92
MCs BFS17W
lпfiпеоп SОТЗ23
Т1а
S1 NPN ВЧ 15В 25мА BFW92
MCs BFS17S
lпfiпеоп SОТЗ63
Т6Ь
2xs1 NPN ВЧ 15В 25мА BFW92
MF ZVN3310F
Zetex
SOT23
T1d
N-кан полевой МОП 1ООВ 1ООмА
MG BF994S
Telefuпkeп SOT143
T4d
BF964 N-кан цифровой ВЧ полевой МОП
мн BF996S
Telefuпkeп SOT143
T4d
BF966 N-кан цифровой ВЧ полевой МОП
мн М1МА141К
Motorola SОТЗ23
D1a
Переключат диод 40В 100мА
мн М1МА151К
Motorola
SC59
D1a
Переключат диод 40В 100мА
MI М1МА142К
Motorola SОТЗ23
D1a
80В 1ООмА переключат диод
MI М1МА152К
Motorola
SC59
D1a
80В 1ООмА переключат диод
ML ZVP3306F
Zetex
SOT23
T1d
Р-кан полевой МОП 60В 9ОмА
MN М1МА141ВтА
Motorola SОТЗ23
D1J
Сдвоен диод с общ анодом 40В 100мА
MN М1МА151ВтА
Motorola
SC59
D1f
Сдвоен диод с общ анодом 40В 1оомА
мо M1MA142W
Motorola SОТЗ2З
D1J
Сдвоен диод с общ анодом 80В 1ООмА
мо М1МА152W
Motorola
SOT23
D1J
Диод с общ анодом 8ОВ 1ООмА SC59
мо BF998
lпfiп Tem1c SОТ14З
T4d
N-кан ВЧ цифровой полевой МОП BF988
MR ZVP3310F
Zetex
SОТ2З
T1d
Р-кан полевой МОП 100В 75мА
мs CF739
lпfiпеоп SOT143
T4d
Цифровой GaAs полевой 2ГГц
мт М1МА141ВтК
Motorola SОТЗ23
D1h
Сдвоен диод с общ катодом 40В 1ООмА
мт М1МА151ВтК
Motorola
SC59
D1e
Сдвоен диод с общ катодом 40В 100мА
MU М1МА142WК
Motorola SОТЗ23
D1h
Сдвоен диод с общ катодом 80В 1ООмА
MU М1МА152WК
Motorola
SC59
D1e
Сдвоен диод с общ катодом 80В 100мА
МУ VN10LF
Zetex
SOT23
T1d
N-кан полевой МОП 60В 150мА
MYs BF1012
lпfiпеоп SOT143
T4d
N-кан цифровой полевой МОП 1ГГц 12В
MZ ZVN4106F
Zetex
SOT23
T1d
N-кан полевой МОП 60В 200мА
MZs BF1005
lпfiпеоп SOT143
T4d
N-кан цифровой полевой МОП 1ГГц 5В
N DAN202K
Rohm
SOT23
D1h
Сдвоен диод 80В 100мА
NO BFG505W
Ph1l1ps
SОТЗ43
Т5Ь
S1 NPN СВЧ 9ГГц 15В 18мА
NO TN0200T
NatSem1
SOT23
T1d
N-кан полевой МОП О,6А ld
N05 S02484
sтм
SOT23
Т1а
2N2484
N08 S0930
sтм
SOT23
Т1а
2N930
N1 BFG505WX
Ph1l1ps
SОТЗ43
Т5а
S1 NPN СВЧ 9ГГц 15В 18мА
N1 ммвт100
NatSem1
SOT23
Т1а
S1 NPN ключевой 500мА

114
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
N1 MMBF0201N
Motorola
SOT23
T1d
N-кан полевой МОП 20В О,ЗА ld
N1 MMBF2201N
Motorola SОТЗ23
T1d
N-кан полевой МОП 20В О,ЗА ld
N1 ТNО201Т
Tem1c
SOT23
T1d
N-кан полевой МОП О,ЗА ld О,2Вт
N10 S0918
sтм
SOT23
Т1а
2N918
N11 S02369
sтм
SOT23
Т1а
2N2369
N12 S02221
sтм
SOT23
Т1а
2N2221
N13 S02222
sтм
SOT23
Т1а
S1 NPN 2N2222
N18 S01711
STM
SOT23
Т1а
2N1711
N2 MGSF1N02L
Motorola
SOT23
T1d
N-кан полевой МОП
N2 ммвт200
NatSem1
SOT23
т1а
S1 NPN ключевой 500мА
N2 MMBC1653N2
Motorola
SOT23
т1а
S1NPN1ЗОВ 50мА h21э 50-130
N20 S02222A
STM
SOT23
Т1а
S1 NPN 2N2222A
N27 S01893
sтм
SOT23
Т1а
2N1893
N28 BFR520
Ph1l1ps
SOT23
Т1а
S1 NPN СВЧ 9ГГц 70мА
N29 BFR540
Ph1l1ps
SOT23
т1а
S1 NPN СВЧ 9ГГц 120мА
NЗ ММВС165ЗNЗ
Motorola
SOT23
т1а
S1NPN130В 50мА h21э 100-220
NЗ MGSF1NOЗL
Motorola
SOT23
T1d
N-кан полевой МОП ЗОВ О,75А
NЗО
f--
BFR505
Ph1l1ps
SOT23
Т1а
S1 NPN СВЧ 9ГГц 15В 18мд
NЗЗ BFG505
Ph1l1ps
SOT143
Т4Ь
S1 NPN СВЧ 9ГГц 15В 18мА
N36 BFG520
Ph1l1ps
SOT143
Т4а
S1 NPN СВЧ 9ГГц 70мА
N37 BFG540
Ph1l1ps
SOT143
Т4а
S1 NPN СВЧ 9ГГц 120мА
N38 BFG590
Ph1l1ps
SOT143
Т4Ь
S1 NPN СВЧ 5ГГц 15В О,2А
N39 BFG505X
Ph1l1ps
SOT143
Т4а
S1 NPN СВЧ 9ГГц 15В 18мА
N4 MMBC1653N4
Motorola
SOT23
Т1а
S1NPN130В 50мА h21э 150-330
N44 BFG590X
Ph1l1ps
SOT143
Т4а
S1 NPN СВЧ 5ГГц 15В О,2А
N5 MMBC1654N5
Motorola
SOT23
т1а
S1 NPN 160В 5ОмА h21э 50-130
N54 S02221A
sтм
SOT23
т1а
2N2221A
N6 MMBC1653N6
Motorola
SOT23
т1а
S1 NPN 160В 5ОмА h21э 100-220
N7 MMBC1653N7
Motorola
SOT23
т1а
S1NPN160В 5ОмА h21э 150-330
N70 BFG10
Phllips
SОТ14З
Т4Ь
S1 NPN 8В 250мА 1,8ГГц для усилит мощн
N71 S03904
STM
SOT23
Т1а
2NЗ904
N71 BFG10X
Ph1l1ps
SOT143
Т4а
8В 250мА 1,8ГГц для усилит мощн
N72 BFG11
Ph1l1ps
SOT143
Т4Ь
8В 400мА 1,8ГГц для усилит мощн
N72 SОЗ903
STM
SOT23
Т1а
2N3903
N73 BFG11X
Ph1l1ps
SOT143
Т4а
8В 400мд 1,8ГГц для усилит мощн
N79 S05550
STM
SOT23
т1а
2N5550
NВО S05551
sтм
SOT23
Т1а
2N5551
N81 S02369A
sтм
SOT23
Т1а
2N2369A
N9 DAN222
Motorola
SOT23
D1h
Сдвоен с общ катодом S1 диод SOT416
N91 S0642
sтм
SOT23
Т1а
S1 NPN Uкэ зоов 0, 1А
N94 S0517
SOT23
Т1а
S1 NPN схема Дарлингтона (составной транзистор)
NC BF840
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
S1 NPN ВЧ 40В 35мд
ND BF841
lпfiпеоп
SOT23
т1а
S1 NPN ВЧ 40В 35мд
NYs BF1012S
lпfiпеоп SOT143
T4d
N-кан цифровой полевой МОП 1ГГц 12В
NZ MGSF1N02L
Motorola
SOT23
T1d
N-кан полевой МОП

6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
115
Код Наименование Фирма
Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
NZs BF10055
lпfiпеоп 50Т14З
T4d
N-кан полевой МОП двухзатворный
02 В5Т82
Ph1l1ps
50Т2З
T1d
N-кан полевой МОП 808 175мА
р
КV1841Е
Toko
50D12З
06
СВЧ варикап 7-15пФ
р DAP202K
Rohm
50Т2З
D1J
808 1ООмА сдвоен
РО ТРО101Т
Temrc
50Т2З
T1d
Р-кан полевой МОП О,5А 128
РО Н5М5-285В
НР
50ТЗ2З
D1a
С нулевым смещ -диод Шоттки
РО Н5М5-2850
НР
50Т2З
D1c
С нулевым смещ - диод Шоттки
РО1 502906
5ТМ
50Т2З
Т1а
2N2906
РО1 55Т201
511iсоп1х
50Т2З
Т1с
J201 N-кан полевой
РО2 55Т202
51l1соп1х
50Т2З
Т1с
J202 N-кан полевой
РОЗ 502907А
5ТМ
50Т2З
Т1а
2N2907A
РОЗ 55Т20З
51l1соп1х
50Т2З
Т1с
J20З N-кан полевой
РО4 55Т204
51l1соп1х
50Т2З
Т1с
J204 N-кан полевой
РО5 502907
5ТМ
50Т2З
т1а
2N2907
РО6 502894
5ТМ
50Т2З
Т1а
2N2894
Р1 55Т201
Tem1c
50Т2З
Т1с
J201 полевой с N-кан
Р1 BFR92
Ph1l1ps
50Т2З
Т1а
51 NPN 158 ЗОмА BFR90
Р12 502906А
5ТМ
50Т2З
т1а
2N2906A
P1D PZTA42
Motorola 50Т22З
Т2а
51 NPN МР5А42 1ОмА ЗООВ
P1F PZT2222A
Motorola 50Т22З
Т2а
51 NPN 2N2222A ключевой
P1N РZТА14
моtогоlа 50Т22З
Т2а
51 NPN схема Дарлингтона (составной транзистор)
MPSA14
P1s BFR92W
lпfiпеоп 50ТЗ2З
Т1а
51 NPN 158 ЗОмА BFR90
Р2 BFR92A
Ph1l1ps
50Т2З
Т1а
BFR90A
Р2 Н5М5М-285С
НР
50ТЗ2З
D1r
Сдвоен Н5М5-285В
Р2 Н5М5М-2852
НР
50Т2З
D1J
Сдвоен Н5М5-285В
Р25 50З906
5ТМ
50Т2З
Т1а
2NЗ906
Р26 50З905
STM
50Т2З
Т1а
2NЗ905
P2D РZТА92
Motorola 50Т89
ТЗа
51 PNP МР5А92 ЗООВ
P2F PZT2907A
Motorola 50Т89
тза
51 PNP 2N2907A ключевой
1
P2F PZT2907A
Motorola 50Т22З
Т2а
51 PNP 2N2907A ключевой
1
P2V PZTA64
Motorola 50Т89
тза
МР5А64 схема Дарлингтона
1
(составной транзистор)
P2V РZТА64
Motorola 50Т22З
Т2а
51 PNP МР5А64 схема Дарлингтона
(составной транзистор)
РЗ MMBF0202P
Motorola 50Т2З
T1d
Р-кан полевой МОП О,ЗА 208
РЗ MMBF2202P
Motorola 50ТЗ2З
T1d
Р-кан полевой МОП О,ЗА 208
РЗ ТРО202Т
Tem1c
50Т2З
T1d
Р-кан полевой МОП О,ЗА 208
РЗ2 505400
5ТМ
50Т2З
Т1а
2N5400
РЗЗ 505401
5ТМ
50Т2З
Т1а
51 PNP 2N5401
РЗ8 55Т4ЗЗ8
51l1соп1х
50Т2З
Т1с
2N4ЗЗ8
РЗ9 55Т4ЗЗ9
5111соп1х
50Т2З
Т1с
2N4ЗЗ9
РЗ9 50692
5ТМ
50Т2З
Т1а
51 PNP Uкэ=ЗООВ О,1А
Р40 55Т4З40
51l1соп1х
50Т2З
Т1с
2N4З40
Р41 55Т4З41
51l1соп1х
50Т2З
Т1с
2N4З41
Р5 FММТ2З69А
Zetex
5012З
Т1а
2N2З69А

116
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
Р5 HSMSM-2855
НР
SOT143
04f
Сборка HSMS-2850
Р57 SST5457
S1l1coп1X SOT23
Т1с
2N5457
Р58 SST5458
S1l1coп1x SOT23
Т1С
2N5458
Р59 SST5459
S1l1con1x
SOT23
Т1с
2N5459
Р60 SST5460
S1l1coп1x SOT23
Т1с
2N5460
Р61 SST5461
S1l1coп1x SOT23
Т1с
2N5461
Р62 SST5462
S1l1coп1x SOT23
Т1с
2N5462
Р63 SST5463
S1l1coп1x SOT23
Т1с
2N5463
Р64 SST5464
S1l1coп1x
SOT23
Т1с
2N5464
Р65 SST5465
S1l1coп1x SOT23
Т1с
2N5465
РВА FLLD258
Zetex
SOT23
01h
С малым током утечки сдвоен S1 диод
pg ОАР222
Motorola
SOT23
01J
Сдвоен с общ анодом переключат диод SOT416
РА ВА885
lпfiпеоп
SOT23
01а
PIN диод 50В 5ОмА
РС MGSF1P02l
Motorola
SOT23
T1d
Р-кан полевой МОП
РО BSS84l
Motorola
SOT23
T1d
Р-кан полевой МОП
РЕ MGSF1P02El
Motorola
SOT23
T1d
Р-кан полевой МОП
РН2 SST4302
S1l1coпlx SOT23
Т1С
2N4302
РНЗ SST4303
S1l1coпlx SOT23
Т1с
2N4303
РН4 SST4304
S1l1coп1x SOT23
Т1с
2N4304
PMs BAR66
lпfiпеоп
SOT23
011
Сдвоен PIN диод 150В 200мА
POs BAR64
lпfiпeon
SOT23
01а
PIN диод 200В 100мА
PPs BAR64-04
lпfiпеоп
SOT23
011
Сдвоен PIN диод 200В 100мА
PPs BAR64-04W
lпfiпеоп SOT323
011
Сдвоен PIN диод 200В 100мА
PRs BAR64-05
lпfiпеоп
SOT23
01h
Сдвоен PIN диод 200В 100мд
PRs BAR64-05W
/пfiпеоп SOT323
01h
Сдвоен PIN диод 200В 100мА
PSs BAR64-06
/пfiпеоп
SOT23
01)
Сдвоен PIN диод 200В 100мА
PSs BAR64-06W
/пfiпеоп SOT323
01J
Сдвоен P/N диод 200В 1ООмА
PTs BAR64-07
/пfiпеоп SOT143
04d
Сдвоен PIN диод 200В 100мА
аз ммвс1з21аз
Motorola
SOT23
т1а
S1 NPN ВЧ усилит f =О,6ГГц
Q4 MMBC1321Q4
Motorola
SOT23
Т1а
S1 NPN ВЧ усилит f =О,6ГГц
Q5 MMBC1321Q5
Motorola
SOT23
Т1а
S1 NPN ВЧ усилит f =О,6ГГц
R ВА585
lпfiпеоп S00123
06
PIN диод 50мА макс
R1 BFR93
sтм
SOT23
Т1а
BFR91
R1 HSMS-8101
НР
SOT23
01Ь
1О-14ГГц диод Шоттки смесит
R1 TC7SZOOHЧ Е
Tosh1ba
SC90
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ
R2 TC7SZ08HЧ Е
Tosh1ba
SC90
11а
2-х входовая ячейка И
R2s BFR93A
/пfiпеоп
SOT23
т1а
S1 NPN ВЧ 12В 50мА BFR91A
R2s BFR93AW
/пfiпеоп SOT323
Т1а
S1 NPN ВЧ 12В 50мА BFR91A
RЗ TC7SZ02HЧ Е
Tosh1ba
SC90
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
R4 TC7SZ32HЧ Е
Tosh1ba
SC90
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ
R5 HSMS-8205
НР
SOT143
04f
Сборка HSMS-8101
R5 TC7SZ04HЧ Е
Tosh1ba
SC90
11Ь
Инвертор
Rб TC7SZU04HЧ Е Tosh1ba
SC90
11Ь
Инвертор
R7 HSMS-8207
НР
SOT143
04с
HSMS-8101 кольцевое включ смесит
R7s BFR106
Ph1!1ps
SOT23
т1а
S1NPN15В 100мА BFR96S

6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
117
Код Наименование Фирма
Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
RAs BFQ81
lnfineon
SОТ2З
т1а
S1 NPN BFQ69 f =5,8ГГц
RAs BF772
lnfiпeon SОТ14З
Т4а
S1 NPN ВЧ для ТВ тюнеров
RB MSC1621
Motoгola SОТ2З
т1ь
S1 NPN ключевой 20В 200МГц
RBs BF771
lnfineon
SОТ2З
Т1а
S1 NPN СВЧ f =8ГГц
RBs ВF771Вт
lnfiпeon SОТЗ2З
Т1а
S1 NPN СВЧ f =8ГГц
RCs ВFР19З
lnfineon SОТ14З
Т4а
S1 NPN BFQ82 f =8ГГц
RCs BFQ193
lnfiпeon
SOT89
тза
S1 NPN BFQ82 f =8ГГц
RCs BFR19З
lnfineon
SОТ2З
Т1а
S1 NPN BFQ82 f =8ГГц
RCs BFR19ЗW
lnfineon SОТЗ2З
Т1а
S1 NPN BFQ82 f =8ГГц
RDs BFP180
lnfineon SОТ14З
Т4а
S1NPNВЧВВ4мА
RDs BFR180
lnfiпeon
SОТ2З
Т1а
S1NPNВЧ8В4мА
RDs BFR180W
lnfiпeon SОТЗ2З
Т1а
S1NPNВЧ8В4мА
REs BFR280
lnfineon
SОТ2З
Т1а
S1 NPN СВЧ усилит f =7,5ГГц
REs BFR280W
lnfineon SОТЗ2З
Т1а
S1 NPN СВЧ усилит f =7,5ГГц
REs BFP280
lnfineon SОТ14З
Т4а
S1 NPN СВЧ усилит f =7,5ГГц
REs BFS480
lnfineon SОТЗ6З
ТбЬ
2xS1 NPN СВЧ 8В 10мА
ВЧ s BFR181
lnfineoп
SОТ2З
Т1а
S1 NPN СВЧ усилит f =8ГГц
ВЧ s BFR181Bт
lnfineon SОТЗ2З
Т1а
S1 NPN СВЧ усилит f =8ГГц
ВЧ s BFP181
lnfiпeon SОТ14З
Т4а
S1 NPN СВЧ усилит f =8ГГц
ВЧ s BFS481
lnfineon sотзвз
ТбЬ
2xS1 NPN СВЧ 12В 20мА
RGs BFR182
lnfineon
SОТ2З
т1а
S1 NPN СВЧ усилит f =8ГГц
RGs BFR182W
lnfineon SОТЗ2З
т1а
S1 NPN СВЧ усилит f =8ГГц
RGs BFP182
lnfineon SОТ14З
Т4а
S1 NPN СВЧ усилит f =8ГГц
RGs BFS482
lnfineoп SОТЗ6З
ТбЬ
2xS1 NPN СВЧ 12В З5мА
RHs BFR183
lnfiпeon
SОТ2З
Т1а
S1 NPN СВЧ усилит f =8ГГц
RHs BFR18ЗW
lnfineon SОТЗ2З
Т1а
S1 NPN СВЧ усилит f =8ГГц
RHs ВFР18З
lnfineon SОТ14З
Т4а
S1 NPN СВЧ усилит f =8ГГц
RHs BFS48З
lnfineon SОТЗ6З
ТбЬ
2xS1 NPN СВЧ 12В 65мА
Rls BFP196
lnfineon SОТ14З
Т4а
S1 NPN ВЧ СВЧ 12В 100мА
RKs BFP194
lnfineoп SОТ14З
Т4а
S1 PNP ВЧ СВЧ 15В 100мА
RKs BFR194
lnfineon
SОТ2З
т1а
S1 PNP СВЧ усилит lc 20-80мА 1,5ГГц
so HSMP-3880
НР
SОТ2З
D1a
PIN переключат диод
so SST270
S1l1ccn1x
SОТ2З
Т1С
Р-кан полевой J270
soo NC7SOOP5
Fa1гch1ld SОТЗ5З
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ
S02 NC7S02P5
Fa1гch1ld SОТЗ5З
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
S04 NC7S04P5
Fa1гch1ld SОТЗ5З
11Ь
Инвертор
S08 NC7S08P5
Fa1гch1ld SОТЗ5З
11а
2-х входовая ячейка И
S1 ВВУЗ1
Ph1l1ps
SОТ2З
D1a
ВВ405
S1 SST271
S1l1con1x
SОТ2З
Т1с
Р-кан полевой J271
S12 ВВУЗ9
Ph1l1ps
SОТ2З
D1h
2хВВУЗ1
S14 NC7S14P5
Fa1гch1ld SОТЗ5З
11Ь
Инвертирующий триггер Шмитта
S14 SST5114
S1l1ccn1x
SОТ2З
Т1с
2N5114
S15 SST5115
S1l1con1x
SОТ2З
Т1С
2N5115
S16 SST5116
S1l1con1x
SОТ2З
Т1с
2N5116
s1A SMBTЗ904S
lnfineon SОТЗ6З
Тбс
2xS1 NPN 40В 200мА

118
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
s1A SМВТЗ904
lпfiпеоп
SOT23
т1а
S1 NPN 40В 200мА
s1A SMBT2222A
lпfiпеоп
SOT23
т1а
S1 NPN НЧ 40В 600мА
s1C SMBTA20
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
S1 NPN НЧ 40В 100мА
s1G SMBTA06
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
S1 NPN НЧ 80В О,5А
s1K SMBT6428
lпfiпеоп
SOT23
т1а
S1 NPN MPSA18 50В
s1L SMBT6429
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
S1 NPN MPSA18 45В
S2 ВВУ40
Ph1l1ps
SOT23
D1a
ВВ809
S2 BFQ31
Zetex
SOT23
Т1а
S1 NPN ВЧ 15В О,1А
s2A SMBT3906S
lпfiпеоп SОТЗ63
Т6с
2xS1 PNP 40В 200мА
s2C SMBTA70
lпfiпеоп
SOT23
т1а
S1 PNP НЧ 40В 100мА
s2F SMBT2907A
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
S1 PNP НЧ 60В 600мА
s2G SMBTA56
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
S1 PNP НЧ 1ООВ 500мА
s2Q SMBT5087
lпfiпеоп
SOT23
т1а
S1 PNP 2N5087
sз ВВУ51
lпfiпеоп
SOT23
D1h
Сдвоен с общ катодом варикап
1,
SЗ2 NC7S32P5
Fa1rch1ld sотзsз
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ
sЗР SMBT3904PN
lпfiпеоп SОТЗ63
Т6с
S1 NPN/PNP пара 40В 200мА
S4 ВВУ62
Ph1I
SOT143
Варикап 1,6 17 пФ К=8,З
S4 BFQ31A
Zetex
SOT23
Т1а
S1 NPN ВЧ 15В О,1А
S4 SST174
S1l1coп1x
SOT23
Т1с
Р-кан полевой J 174
S5 BAT15-099R
S1emeпs SOT143
S5 SST175
S1l1coп1x
SOT23
Т1с
Р-кан полевой J175
S5 ВАТ15-099
lпfiпеоп SOT143
D4g
Сдвоен диод Шоттки 4В 11 ОмА
S50 BS850
IТТ
SOT23
T1d
Р-кан полевой МОП 60В О,25А
s5A SMBD6050
lпfiпеоп
SOT23
D1a
Переключат диод 70В 250мА
s5B SMBD6100
lпfiпеоп
SOT23
D1h
Сдвоен переключат диод 70В 200мА
s5C SMBD7000
lпf1пеоп
SOT23
011
Сдвоен переключат диод 100В 200мА
s5D SMBD914
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
Переключат диод 70В 250мА
S5s ВВУ52
lпfiпеоп
SOT23
D1h
Сдвоен с общ катодом варикап
S6 BAT15-099R
S1emeпs SOT143
Сдвоен диод Шоттки 4В 11 ОмА
S6 BF510
Ph1l1ps
SOT23
Т1е
BF410A
S6 SST176
S1l1coп1x SOT23
Т1с
Р-кан полевой J 176
S7 ВАТ114-099
lпfiпеоп SOT143
D4g
Сдвоен диод Шоттки 4В 90мА
S7 BF511
Ph1l1ps
SOT23
т1е
BF410B
S7 SST177
Tem1c
SOT23
Т1с
J 177 Р-кан - аналог ключевой полевой
S7 SST177
S1l1coп1x SOT23
Т1с
Р-кан полевой J 177
S70 BS828
IТТ
SOT23
T1d
N-кан попевой МОП 200В О,2ЗА
S70 BS870
IТТ
SOT23
T1d
N-кан попевой МОП 60В О,25А
S70 2N7002
IТТ
SOT23
T1d
N-кан полевой МОП 60В О,25А
S7s ВВУ53
lпfiпеоп
SOT23
D1h
Сдвоен с общ катодом варикап
sв BAT14-099R
lпfiпеоп SOT143
D4g
Сдвоен диод Шоттки 4В 90мА
sв BF512
Phillps
SOT23
Т1е
BF410C
S86 NC7S86P5
Fa1rch1ld sотзsз
11а
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
S9 BF513
Ph1l1ps
SOT23
Т1е
BF410D
S9 ВАТ14-099
lпfiпеоп SOT143
D4g
Сдвоен диод Шоттки 4В 90мА
SA BSS123
lпfiп Mot
SOT23
T1d
N-кан попевой МОП 100В О,17А

6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
119
Код Наименование Фирма
Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
sA2 SМВО2ВЗ6
lпfiпеоп
SОТ2З
01J
Сдвоен переключат диод 50В 200мА
sАЗ SМВО2ВЗ5
lпfiпеоп SОТ2З
01J
Сдвоен переключат диод ЗОВ 200мА
sA4 SМВО2ВЗВ
lпfiпеоп
SОТ2З
01h
Сдвоен переключат диод 50В 200мА
sA5 SМВ02ВЗ7
lпfiпеоп
SОТ2З
01h
Сдвоен переключат диод ЗОВ 200мА
sСЗ SMBT4126
lпfiпеоп
SОТ2З
Т1а
S1 PNP ключевой 25В 200мА
SOs BSS2B4
lпfiпеоп
SОТ2З
T1d
Р-кан полевой МОП 50В О, 1ЗА
SMs ВВ914
lпfiпеоп
SОТ2З
01h
Сдвоен варикап для приемников FM
SPs BSSB4
lпfiпеоп
SОТ2З
T1d
Р-кан полевой МОП 50В О, 1ЗА
SRs BSS1З1
lпfiпеоп
SОТ2З
T1d
N-кан полевой МОП 240В О,1А
SSs BSS1ЗB
lпfiпеоп
SОТ2З
T1d
N-кан полевой МОП 50В О,22А
STs BSS1З9
lпfiпеоп
SОТ2З
T1d
N-кан полевой МОП 250В О,04А
SU4 NC7SU04P5
Fa1rch1ld SОТЗ5З
11Ь
Инвертор
sZC SMBT4124
lпfiпеоп
SОТ2З
Т1а
S1 NPN ключевой 25В 200мА
то ТРО601Т
Tem1c
SОТ2З
T1d
Р-кан полевой МОП 60В О, 12А
то HSMS-2B60
НР
SОТ2З
01а
С нулевым смещ - диод Шоттки
то HSMS-2B6B
НР
SОТЗ2З
01а
С нулевым смещ - диод Шоттки
тоо NC7STOOP5
Fa1rch1ld SОТЗ5З
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ
ТО2 NC7ST02P5
Fa1rch1ld SОТЗ5З
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ
ТО4 NC7ST04P5
Fa1rch1ld SОТЗ5З
11Ь
инвертор
тов NC7STOBP5
Fa1rch1ld SОТЗ5З
11а
2-х входовая ячейка И
Т1 ВСХ17
Ph1l1ps
SОТ2З
Т1а
ВСЗ27
Т1 IMT1A
Rohm
SОТЗ6З
ОА
2xS1 PNP 2SА10З7АК
Т1 BSS6З
Motorola
SОТ2З
Т1а
S1PNP100В О,1А
Т14 NC7ST14P5
Fa1rch1ld SОТЗ5З
11Ь
Инвертирующий триггер Шмитта
Т2 ВСХ1В
Ph1l1ps
SOT23
Т1а
ВСЗ2В
Т2 IMT2A
Rohm
SОТЗ6З
ОВ
S1PNP2х2SА10З7АК пара
Т2 HSMS-2B6C
НР
SОТЗ2З
011
Сдвоен HSMS-2B6B
Т2 HSMS-2B62
НР
SОТ2З
011
Сдвоен HSMS-2B6B
тз BSS6З
Ph1I STM SОТ2З
Т1а
S1 PNP BSS6B
тз HSMS-2B6E
НР
SОТЗ2З
01J
С общ анодом сдвоен диод HSMS-2B6B
тз HSMS-2B6З
НР
SОТ2З
01J
С общ анодом сдвоен диод HSMS-2B6B
ТЗ2 NC7STЗ2P5
Fa1rch1ld SОТЗ5З
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ
Т4 HSMS-2B6F
НР
SОТЗ2З
01h
С общ катодом сдвоен диод HSMS-2B6B
Т4 HSMS-2B64
НР
SОТ2З
01h
С общ катодом сдвоен диод HSMS-2B6B
Т4 МВОЗЗООW
Motorola SОТЗ6З
05а
Сдвоен СВЧ диод Шоттки
Т5 HSMS-2B65
НР
SОТ14З
04d
Сдвоен диод HSMS-2B6B
Т7 BSR15
sтм
SОТ2З
Т1а
2N2907
Т7 SST4117
S1l1coп1x
SОТ2З
Т1с
Полевой с N-кан
тв SST411B
S1l1coп1x
SОТ2З
Т1с
Полевой с N-кан
тв BSR16
sтм
SОТ2З
Т1а
2N2907A
ТВ6 NC7STB6P5
Fa1rch1ld SОТЗ5З
11а
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
Т9 SST4119
S1l1coп1x
SОТ2З
Т1с
Полевой с N-кан
Т92 BSR1BA
Ph1l1ps
SОТ2З
Т1а
2NЗ904
1
ТА 74HCT1GOO
Ph1l1ps
SОТЗ5З
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ
11
ltl 14Ht;l 1u02
Ph1l1ps
SОТЗ5З
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ-НЕ

120
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
те 74HCT1G04
Ph1l1ps
SОТЗ53
11Ь
Инвертор
TD 74HCT1GU04
Ph1l1ps
SОТЗ53
11Ь
Инвертор
ТЕ 74HCT1GOB
Ph1l1ps
SОТЗ53
11а
2-х входовая ячейка И
TF 74HCT1G14
Ph1l1ps
SOT353
11Ь
Инвертирующий триггер Шмитта
TG 74НСТ1GЗ2
Ph1l1ps
SOT353
11а
2-х входовая ячейка ИЛИ
тн 74HCT1G86
Ph1l1ps
SОТЗ53
11а
2-х входовая ячейка ИСКЛ ИЛИ
TL 74HCT1G66
Ph1l1ps
SОТЗ53
11d
Двунаправленный ключ
тм 74HCT1G125
Ph1l1ps
SOT353
11е
Драйвер шины буфера линии, Зх уровнев
TN 74HCT1G126
Ph1l1ps
SОТЗ53
11е
Драйвер шины буфера линии, Зх уровнев
1V MMBF112L
Motorola
SOT23
Т1с
ВЧ попевай
U1 ВСХ19
Ph1l1ps
SOT23
Т1а
ВСЗ37
U1s BGX50A
lпfiпеоп SOT143
D4a
Диодный мост 50В 140мА
U2 ВСХ20
Ph1l1ps
SOT23
Т1а
всззв
uз BSS64
Ph1l1ps
SOT23
Т1а
120В О,25А О,2Вт
U7 BSR13
STM
SOT23
Т1а
S1 NPN 2N2222
UB BSR14
sтм
SOT23
Т1а
S1 NPN 2N2222A
U92 BSR17A
Ph1/1ps
SOT23
Т1а
2NЗ904
UB 2SB852K
Rohm
SOT23
Т1а
S1 PNP схема Дарлингтона (составной транзистор)
comp 2SD1 звзк
uc MSC2404-C
Motorola
SC59
Т1а
S1 NPN ВЧ 450МГц 2ОВ
V01 VN50300T
S1/1соп1х SOT23
T1d
N-кан полевой МОП 500В 22мА
V02 VN0605T
S1/1соп1х SOT23
T1d
N-кан полевой МОП 60В/О, 1ВА
V04 VN45350T
S1l1coп1x
SOT23
T1d
N-кан полевой МОП 450В 20мА
V1 TC7SAOOF
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ
V1 TC7SAOOFU
Tosh1ba
SОТЗ53
11а
2-х входовая ячейка И-НЕ
V1 BFT25
Ph1l1ps
SOT23
Т1а
S1 NPN СВЧ 5В 6,5мА 2,ЗГГц
V1 MRF 959
Motorola
SC90
Т1а
S1 NPN СВЧ f =9ГГц
V2 TC7SAOBF
Tosh1ba
SC59
11а
2-х входовая ячейка И
V2 TC7SAOBFU
Tosh1ba
SOT353
11а
2-х входовая ячейка И
V2 BFQ67
Telefuпkeп SOT23
Т1а
S1 NPN СВЧ f =7,5 ГГц 50мА
vз BFG67
Ph1l1ps
SOT143
Т4а
S1 NPN СВЧ f =ВГГц 50мА
V5 BFG197
Ph1l1ps
SOT143
Т4а
S1 NPN СВЧ 7,5ГГц 100мА
V50 VP0610T
S1/1соп1х SOT23
T1d
Р-кан полевой МОП - 60В 120мА
VB МSСЗ930
Motorola SOT323
Т1а
S1 NPN 20В 150МГц
VB MSC2295-B
Motorola
SC59
Т1а
S1 NPN СВЧ 150МГц f =20В
vc MSC2295-C
Motorola
SC59
Т1а
S1 NPN СВЧ 150МГц f =20В
W18 BFP181ТW
Telefuпkeп SOT143
Т4а
S1 NPN СВЧ f =7,ВГГц 10В 20мА
W1s BFT92
lпfiпеоп
SOT23
Т1а
S1PNP15В 25мА BFQ51/BFQ76
W1s BFT92W
lпfiпеоп SOT323
Т1а
S1PNP15В 25мА BFQ51/BF076
W22 S822ТW
Telefuпkeп SOT143
Т4а
S1NPNСВЧf=5,2ГГц6ВВмА
W28 BFP280ТW
Telefuпkeп SOT143
Т4а
S1NPNСВЧf=7ГГцВВ10мА
W52 S852ТW
Telefuпkeп SOT143
Т4а
S1NPNСВЧf=5,2ГГц6ВВмА
W67 BFP67W
Telefuпkeп SOT143
Т4а
S1 NPN СВЧ f =7,5 ГГц 10В 50мА
W74 BAW74
Zetex
SOT23
D1J
Сдвоен быстродейств переключат диод 50В
О,15А
W82 BFP182ТW
Telefuпkeп SOT343
Т4а
S1 NPN СВЧ f =7,5 ГГц 1ОВ 35мА

6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
121
Код Наименование Фирма
Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
W83 BFP183T
Telefunken SOT143
Т4а
S1 NPN СВЧ f =7,4 ГГц 1ОВ 65мА
W92 BFP92AW
Telefunken SOT343
Т5а
S1NPNСВЧf=6ГГц15В30мА
wв 2SD13ВЗК
Rohm
SOT23
Т1а
S1 NPN схема дарлингтона (составной транзистор)
аналог - 2SB852K
WE1 BFS17W
Telefunken SOT23
Т1а
S1 NPN СВЧ f =2, 1ГГц SOT-323
WE2 BFS17AW
Telefunken SOT23
Т1а
S1 NPN СВЧ f =3,2ГГц SOT-323
WFO TSDF1205W
Telefunken SOT343
Т4а
12ГГц S1 NPN 5мА 4В
WF2 TSDF1220W
Telefunken SOT343
Т4а
12ГГц S1 NPN 6В 20мА
WFE BFP93A
Telefunken SOT143
Т4а
S1 NPN BFP93A (FE) 6ГГц
wo BZX284-B2V4
Ph1l1ps
SOD110
Dб
Стабилитрон О,4Вт 2,4В Е24 ±2%
WP BZX284-B2V7
Ph1l1ps
SOD110
Dб
Стабилитрон О,4Вт 2,7В Е24 ±2%
WP2 BFR92A
Telefunken SOT23
Т1а
BFR90A
WQ BZX284-B3VO
Ph1l1ps
SOD110
Dб
Стабилитрон О,4Вт 3,ОВ Е24 ±2%
WR MSD602R
Motorola
SC59
Т1а
S1 NPN 25В 150мА
WR BZX284-B3V3
Ph1l1ps
SOD110
Dб
Стабилитрон О,4Вт 3,3В Е24 ±2%
WR2 BFR93AW
Telefunken SOT23
Т1а
BFR91A
WRE BFR280TW
Telefunken SOT23
Т1а
S1 NPN СВЧ f =7,5ГГц
wвч BFR181ТW
Telefunken SOT23
Т1а
S1 NPN СВЧ f =7,ВГГц
WRG BFR182ТW
Telefunken SOT23
Т1а
S1 NPN СВЧ f =?ГГц
WRH BFR183ТW
Telefunken SOT23
Т1а
S1 NPN СВЧ f =7,4ГГц
ws BZX284-B3V6
Ph1l1ps
SOD110
Dб
Стабилитрон О,4Вт 3,6В Е24 ±2%
wт BZX284-B3V9
Ph1l1ps
SOD110
Dб
Стабилитрон О,4Вт 3,9В Е24 ±2%
wu BZX284-В4V3
Ph1l1ps
SOD110
Dб
Стабилитрон О,4Вт 4,3В Е24 ±2%
wu MRF 2947А
Motorola SOT363
Тбе
Сдвоен MRF 941 S1 NPN СВЧ 9ГГц
wv BZX284-В4V7
Ph1l1ps
SOD110
Dб
Стабилитрон О,4Вт 4,7В Е24 ±2%
WV2 BFQ67W
Telefunken SOT23
Т1а
S1 NPN СВЧ f =7,5ГГц
ww BZX284-B5V1
Ph1l1ps
SOD110
Dб
Стабилитрон О,4Вт 5, 1В Е24 ±2%
wx BZX284-B5V6
Ph1l1ps
SOD110
Dб
Стабилитрон О,4Вт 5,6В Е24 ±2%
VVY BZX284-B6V2
Ph1l1ps
SOD110
Dб
Стабилитрон О,4Вт 6,2В Е24 ±2%
wz BZX284-B6VB
Ph1l1ps
SOD110
Dб
Стабилитрон О,4Вт 6,ВВ Е24 ±2%
Х1 IMX1
Rohm
SOT363
DC
2xS1 NPN 2SC2412K
X1s BFT93
lnfineon
SOT23
Т1а
S1PNP12В 35мА BFQ23 BFQ75
Х2 IMX2
Rohm
SOT363
DD
2xS1 NPN 2SC2412K
Х5 MMBV409G
Motorola
SOT23
D1a
Варикап
ХА BZX284-B7V5
Ph1l1ps
SOD110
Dб
Стабилитрон О,4Вт 7,5В Е24 ±2%
хв BZX284-BBV2
Ph1l1ps
SOD110
Dб
Стабилитрон О,4Вт 8,2В Е24 ±2%
хе BZX284-B9V1
Ph1l1ps
SOD110
Dб
Стабилитрон О,4Вт 9, 1В Е24 ±2%
XD BZX284-B10
Ph1l1ps
SOD110
Dб
Стабилитрон О,4Вт 10В Е24 ±2%
ХЕ BZX284-B11
Ph1l1ps
SOD110
Dб
Стабилитрон О,4Вт 11 В Е24 ±2%
XF BZX284-B12
Ph1l1ps
SOD110
Dб
Стабилитрон О,4Вт 12В Е24 ±2%
XG BZX284-B13
Ph1l1ps
SOD110
Dб
Стабилитрон О,4Вт 13В Е24 ±2%
хн BZX284-B15
Ph1l1ps
SOD110
Dб
Стабилитрон О,4Вт 15В Е24 ±2%
XI BZX284-B16
Ph1l1ps
SOD110
Dб
Стабилитрон О,4Вт 16В Е24 ±2%
XJ BZX284-B18
Ph1l1ps
SOD110
Dб
Стабилитрон О,4Вт 1ВВ Е24 ±2%
хк BZX284-B20
Ph1l1ps
SOD110
Dб
Стабилитрон О,4Вт 20В Е24 ±2%
XL BZX284-B22
Ph1l1ps
SOD110
Dб
Стабилитрон О,4Вт 22В Е24 ±2%

122
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма
Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
хм BZX284-B24
Ph1l1ps
S00110
06
Стабипитрон О,4Вт 24В Е24 ±2%
XN BZX284-B27
Ph1l1ps
S00110
06
Стабипитрон О,4Вт 27В Е24 ±2%
хо ВZХ284-ВЗО
Ph1l1ps
S00110
06
Стабипитрон О,4Вт ЗОВ Е24 ±2%
ХР ММВОЗООО
Motorola
SC59
01а
Si диод ЗОВ О,2А
ХР ВZХ284-ВЗЗ
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт ЗЗВ Е24 ±2%
XQ ММВОЗО05
Motorola
SC59
01f
Сдвоен с общ анодом ММВОЗООО
XQ ВZХ284-ВЗ6
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт З6В Е24 ±2%
XR ВZХ284-ВЗ9
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт З9В Е24 ±2%
XR MRF 2947RA
Motorola SОТЗ6З
Т6Ь
2xS1 NPN MRF 941 СВЧ 9ГГц
xs ММВОЗО10
Motorola
SC59
01е
Сдвоен с общ катодом ММВОЗООО
xs ВZХ284-В4З
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 4ЗВ Е24 ±2%
хт BZX284-B47
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 47В Е24 ±2%
хт ММSОЗО1
Motorola S00110
06
МВОЗ01 S0012З
xu BZX284-B51
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О, 4Вт 51 В Е24 ±2%
xv BZX284-B56
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 56В Е24 ±2%
xw BZX284-B62
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 62В Е24 ±2%
хх BZX284-B68
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 68В Е24 ±2%
ХУ BZX284-B75
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 75В Е24 ±2%
У1 BZX84-C11
Ph1l1ps
SОТ2З
01а
Стабилитрон О,ЗВт 11 В
У10 BZX84-C27
Ph1l1ps
SОТ2З
01а
Стабилитрон О,ЗВт 27В
У11 ВZХ84-СЗО
Ph1l1ps
SОТ2З
01а
Стабилитрон О,ЗВт ЗОВ
У12 ВZХ84-СЗЗ
Ph1l1ps
SОТ2З
01а
Стабилитрон О,ЗВт ЗЗВ
У1З ВZХ84-СЗ6
Ph1l1ps
SОТ2З
01а
Стабилитрон О,ЗВт З6В
У14 ВZХ84-СЗ9
Ph1l1ps
SОТ2З
01а
Стабилитрон О,ЗВт З9В
У15 ВZХ84-С4З
Ph1l1ps
SОТ2З
01а
Стабилитрон О,ЗВт 4ЗВ
У16 BZX84-C47
Ph1l1ps
SОТ2З
01а
Стабилитрон О,ЗВт 47В
У17 BZX84-C51
Ph1l1ps
SОТ2З
01а
Стабилитрон О,ЗВт 51 В
У18 BZX84-C56
Ph1l1ps
SОТ2З
01а
Стабилитрон О,ЗВт 56В
У19 BZX84-C62
Ph1l1ps
SОТ2З
01а
Стабилитрон О,ЗВт 62В
У2 BZX84·C12
Ph1l1ps
SОТ2З
01а
Стабилитрон О,ЗВт 12В
У20 BZX84-C68
Ph1l1ps
SОТ2З
01а
Стабилитрон О,ЗВт 68В
У21 BZX84·C75
Ph1l1ps
SОТ2З
01а
Стабилитрон О,ЗВт 75В
УЗ ВZХ84-С1З
Ph1l1ps
SОТ2З
01а
Стабилитрон О,ЗВт 1ЗВ
У4 BZX84-C15
Ph1l1ps
SОТ2З
01а
Стабилитрон О,ЗВт 15В
У5 BZX84·C16
Ph1l1ps
SОТ2З
01а
Стабилитрон О,ЗВт 16В
У6 BZX84-C18
Ph1l1ps
SОТ2З
01а
Стабилитрон О,ЗВт 1ВВ
У7 BZX84-C20
Ph1l1ps
SОТ2З
01а
Стабилитрон О,ЗВт 20В
УВ BZX84-C22
Ph1l1ps
SОТ2З
01а
Стабилитрон О,ЗВт 22В
У9 BZX84-C24
Ph1l1ps
SОТ2З
01а
Стабилитрон О,ЗВт 24В
УО BZX284-C2V4
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 2,4В Е12 ±5%
УР BZX284-C2V7
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 2,7В Е12 ±5%
YQ BZX284-CЗVO
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О 4Вт З,ОВ Е12 ±5%
YR MS0601R
Motorola
SC59
Т1а
Si NPN 25В
YR ВZХ284-СЗVЗ
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт З,ЗВ Е12 ±5%
YS MS0601S
Motorola
SC59
Т1а
S1NPN25В

6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
123
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
YS BZX284-CЗV6
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт З,6В Е12 ±5%
УТ BZX284-CЗV9
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт З,9В Е12 ±5%
YU BZX284-C4VЗ
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 4,ЗВ Е12 ±5%
YV BZX284-C4V7
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт4,7В Е12 ±5%
YW BZX284-C5V1
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 5,1 В Е12 ±5%
УХ BZX284-C5V6
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 5,6В Е12 ±5%
уу BZX284-C6V2
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 6,2В Е12 ±5%
yz BZX284-C6V8
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 6,ВВ Е12 ±5%
zo SST310
S1l1con1x
SOT23
Т1с
Полевой с N-кан JЗ10
Z1 BZXB4-C4V7
Ph1l1ps
SOT23
01а
Стабилитрон О,ЗВт 4,7В
Z1 SSTJ211
S1l1con1x
SOT23
Т1с
Полевой с N-кан J211
Z11 BZX84-C2V4
Ph1l1ps
SOT23
01а
Стабилитрон О,ЗВт 2,4В
Z12 BZX84-C2V7
Ph1l1ps
SOT23
01а
Стабилитрон О,ЗВт 2,7В
Z13 BZX84-CЗVO
Ph1l1ps
SOT23
01а
Стабилитрон О,ЗВт З,ОВ
Z14 ВZХ84-СЗVЗ
Ph1l1ps
SOT23
01а
Стабилитрон О,ЗВт З,ЗВ
Z15 BZX84-CЗV6
Ph1l1ps
SOT23
01а
Стабилитрон О,ЗВт З 6В
Z16 BZX84-CЗV9
Ph1l1ps
SOT23
01а
Стабилитрон О,ЗВт З,9В
Z17 BZX84-C4VЗ
Ph1l1ps
SOT23
01а
Стабилитрон О,ЗВт 4,ЗВ
Z2 BZX84-C5V1
Ph1l1ps
SOT23
01а
Стабилитрон О,ЗВт 4,7В
Z2 SSTJ212
S111con1x
SOT23
Т1с
Полевой с N-кан J212
zз BZX84-C5V6
Ph1l1ps
SOT23
01а
Стабилитрон О,ЗВт 5,6В
Z4 BZX84-C6V2
Ph1l1ps
SOT23
01а
Стабилитрон О,ЗВт 6,2В
Z5 BZX84-C6VB
Ph1l1ps
SOT23
01а
Стабилитрон О,ЗВт 6,ВВ
1 Z6 BZXB4-C7V5
Phll1ps
SOT23
01а
Стабилитрон О,ЗВт 7,5В
1
Z7 BZX84-CBV2
Ph1l1ps
SOT23
01а
Стабилитрон О,ЗВт 8,2В
ZB ssтзов
S111con1x
SOT23
Т1с
Полевой с N-кан JЗОВ
ZB BZXB4-C9V1
Ph1l1ps
SOT23
01а
Стабилитрон О,ЗВт 9, 1В
Z9 SST309
S1l1conix
SOT23
Т1с
Полевой с N-кан JЗО9
Z9 BZXB4-C10
Ph1l1ps
SОТ2З
01а
Стабилитрон О,ЗВт 10В
ZA BZX284-C7V5
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 7,5В Е12 ±5%
ZA6 FMM02838
Zetex
SOT23
01h
Сдвоен переключат диод 75В О,2А
zв FMMT4123
Zetex
SOT23
Т1а
2N4123
zв BZX284-CBV2
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 8,2В Е12 ±5%
zc FMMT4124
Zetex
SOT23
Т1а
2N4124
zc BZX284-C9V1
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 9, 1В Е12 ±5%
ZO FMMT4125
zetex
SOT23
Т1а
2N4125
ZO ММВТ4125
Motorola SOT23
Т1а
2N4125
ZO BZX284-C10
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 10В Е12 ±5%
ZE FMMT4126
Zetex
SOT23
Т1а
2N4126
ZE ММВТ4123
NatSem1
SOT23
Т1а
2N4123
ZE BZX284-C11
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 11В Е12 ±5%
ZF BZX284-C12
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 12В Е12 ±5%
ZG BZX284-C13
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 1ЗВ Е12 ±5%
ZH BZX284-C15
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 15В Е12 ±5%
ZI BZX284-C16
Ph1l1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 16В Е12 ±5%

124
6. Маркировка полупроводниковых SMD радиокомпонентов
Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка
Эквивалент/краткое описание
ZJ BZX284-C18
Philips
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 1ВВ Е12 ±5%
ZK BZX284-C20
Phil1ps
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 20В Е12 ±5%
ZL BZX284-C22
Philips
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 22В Е12 ±5%
ZM BZX284-C24
Philips
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 24В Е12 ±5%
ZN BZX284-C27
Philips
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 27В Е12 ±5%
zo ВZХ284-СЗО
Philips
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт ЗОВ Е12 ±5%
ZP ВZХ284-СЗЗ
Philips
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт ЗЗВ Е12 ±5%
ZQ ВZХ284-СЗ6
Philips
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт З6В Е12 ±5%
ZR MS01819A
Motorola SОТЗ2З
Т1а
Si NPN 50В
ZR ВZХ284-СЗ9
Philips
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт З9В Е12 ±5%
zs ВZХ284-С4З
Philips
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 4ЗВ Е12 ±5%
ZS1 ZHCS1000
zetex
SОТ2З
О1а
Диод Шоттки 1А ЗОВ
ZS7 ZHCS750
zetex
SОТ2З
01а
Диод Шоттки О,75А ЗОВ
ZT BZX284-C47
Philips
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 47В Е12 ±5%
zu BZX284-C51
Philips
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 51В Е12 ±5%
zv BZX284-C56
Philips
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 56В Е12 ±5%
zw BZX284-C62
Philips
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 62В Е12 ±5%
zx BZX284-C68
Philips
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 6ВВ Е12 ±5%
zy BZX284-C75
Philips
S00110
06
Стабилитрон О,4Вт 75В Е12 ±5%

7. Микросхемы
125
7. Микросхемы
Микросхемы выполняют в радиоэлектронных устройствах самые разные функции.
Они подразделяются на две большие группы аналоговые микросхемы и цифровые
микросхемы.
При производстве микросхем ориентируются на выпуск серий микросхем опреде
ленного назначения, на основе которых возможна разработка устройств с задан
ными функциями, например, серия видеопроцессоров фирмы PHILIPS TDA8362
или отечественная ТТЛ-логика серии К155.
7.1. Маркировка отечественных микросхем
Отечественные микросхемы имеют буквенно-цифровую маркировку.
1 - буква (буквы)
-
К или сочетание КР обозначает микросхему. В отдель
ных сериях буква К присваивается микросхемам в металлокерамическом
корпусе, а сочетание КР - в пластмассовом корпусе. Имеют место
случаи, когда внутри одной серии первая буква (буквы) не присваиваются
для микросхем в металлокерамических корпусах;
2
трехзначное число, обозначающее номер серии;
3
две буквы обозначающие функциональное назначение микросхемы дан
ной серии, например, ЕН - стабилизатор напряжения, УД
-
дифферен
циальный усилитель, КН - аналоговый коммутатор, ИД
-
дешифратор
и т.д.;
4
цифра, обозначающая номер микросхемы в серии;
5
буква, обозначающая особенности применения микросхемы, например,
отличия по напряжению питания.
Некоторые заводы-изготовители на металлокерамические (табл. 7.1) или пласт
массовые корпуса КТ-26 (рис. 7 1) стабилизаторов напряжения наносят сокращен
ную маркировку.
Таблица 71
Маркировка Тип стабилизатора напряжения Маркировка Тип стабилизатора напряжения
КО6
К142ЕН1А
КЗ5
К142ЕНВГ
КО7
К142ЕН1Б
КЗ6
К142ЕНВД
ков
К142ЕН2А
КЗ7
К142ЕНВЕ
КО9
К142ЕН2Б
кзв
К142ЕН9Г
К10
К142ЕНЗА
КЗ9
К142ЕН9Д
К11
К142ЕН4А
К40
К142ЕН9Е
К12
К142ЕН5А
К47
К142ЕН12
К13
К142ЕН5Б
К48
К142ЕН6Д

126
7. Микросхемы
Маркировка Тип стабилизатора напряжения Маркировка Тип стабилизатора напряжения
К14
К142ЕН5В
К49
К142ЕН6Е
К15
К142ЕН5Г
10
142ЕН3
К16
К142ЕН6А
11
142ЕН4
К17
К142ЕН6Б
12
142ЕН5А
К18
К142ЕНВА
13
142ЕН5Б
К19
К142ЕНВБ
14
142ЕН5В
К20
К142ЕНВВ
15
142ЕН5Г
К21
К142ЕН9А
16
142ЕН6А
К22
К142ЕН9Б
17
142ЕН6Б
К23
К142ЕН9В
18
142ЕНВА
К24
К142ЕН10
19
142ЕН8Б
К25
К142ЕН11
20
142ЕН8В
К27
К142ЕН1В
21
142ЕН9А
К28
К142ЕН1Г
22
142ЕН9Б
К29
К142ЕН2В
23
142ЕН9В
К30
К142ЕН2Г
24
142ЕН10
К31
К142ЕН3Б
25
142ЕН11
К32
К142ЕН4Б
42
142ЕН6В
К33
К142ЕН6В
43
142ЕН6Г
К34
К142ЕН6Г
47
142ЕН12
Рис. 7.1 . Маркировка стабилизаторов наnряжения в корnусах КТ-26

7. Микросхемы
127
7.1 .1 . Маркировка зарубежных микросхем
Каждая фирма-изготовитель микросхем имеет свой способ обозначения. Обычно,
условное обозначение микросхемы состоит из префикса, указывающего на изго
товителя или тип прибора, цифробуквенного обозначения типа микросхемы и
суффикса, уточняющего модификацию прибора, условия эксплуатации и тип
корпуса. Многие фирмы, покупая лицензию на изготовление той или иной
микросхемы, либо оставляют ей прежнее условное обозначение, либо заменяют
префикс фирмы, разработавшей эту микросхему, на собственный, поэтому одно
значно определить тип микросхемы по ее условному обозначению довольно
трудно. Однако, зная систему условных обозначений микросхем различных фирм,
можно найти аналог микросхемы другой фирмы для имеющейся и косвенным
путем получить необходимую информацию.
Для получения необходимой информации по конкретным типам микросхем можно
рекомендовать следующий способ:
• по префиксу в обозначении микросхемы или логотипу на ее корпусе определить
ее производителя;
• с использованием поисковых систем в Internet или ссылок на сайты производи
телей, которые можно найти на www.chipinfo.ru или www.promelec.ru,
выйти на сайт производителя;
• с помощью поисковой системы на сайте производителя ввести тип необходимой
микросхемы, а затем «скачать» по ней информацию.
Большое количество информации по радиокомпонентам предлагают указанные
выше российские сайты.
В табл. 7.2 приведены префиксы микросхем различных фирм.
Таблица 7.2
Префикс
Фирма
Префикс
Фирма
А
RFT
с
NSC; Fujitsu; RFT
АО
АО
СА
RCA
АОВ
NSC
ССО
Fairchild
АОС
NSC;Oatel; ВВ; HS
со
NSC;RCA
АОО
NSC
СОА
Thomson
АОМ
NSC
сов
Baneasa SA
AOS
NSC
сом
RCA
АОХ
NSC
СОР
RCA
AF
NSC
CF
наггis
АН
NSC
CLB
Baneasa SA
АМ
AMO;NSC;OSI
см
Solitron; Mitel
AMPAL
АМО
сом
SMC
AN
Matsushita
СОР
NSC
ATF
вв
CRT
SMC
АУ
GI
csc
Crystal Semiconductors
в
Fujitsu; RFT
cs
Cherry Semiconductors
ВА
Rohm
cu
GI
Bt
Broktree Сор.
сх
Sony
BUF
PMI
СХА
Sony

128
7. Микросхемы
Префикс
Фирма
Префикс
Фирма
СУ
Cypress Sem1conductors
FDN
Valvo
D
RFT, lnters1I, S1l1con1x
FDR
Valvo
DA
NSC
FE
RTC
DAC
NSC. ВВ, HS, NSC
FEJ
Valvo
DAS
Datel
FEY
Valvo
DAX
NSC
FF
RTC
DC
DEC
FGC
Fa1rch1ld
DCJ
DEC
FGE
Fa1rch1ld
DE
SEEQ
FJ
Mullard, RTC
DF
S1l1con1x
FK
Mullard
DG
S1l1con1x
FL
S1emens
DGM
S1l1con1x
FLT
DSI
DH
NSC
FQ
GSI
DI
D1on1cs
FWA
Fa1rch1ld
DL
Щ RFT
FX
Consumer M1croc1rcшts Ltd
DM
NSC,SEEQ
FY
S1emens
DMPAL
NSC
FZ
S1emens
DMX
PMI
FZH
Valvo
DN
Matsush1ta
FZJ
Valvo
DP
NSC
FZK
Valvo
DQ
SEEQ
FZL
Valvo
DS
NSC,GI
G
S1l1con1x, lnters1I
Е
RFT. SGS
GA
Mostek
ECG
Sylvan1a
GAP
PMI
EF
Thomson
GB
Mostek
EFB
Thomson
GD
S1emens
EFD
Thomson
GE
GE
EFF
Thomson
GEIC
GE
EFG
Thomson
GF
RTC
EFH
Thomson
GL
Un1tra
EFY
Thomson
GML
Goldstar
EFZ
Thomson
GS
RTC
EL
Elcap
GX
S1emens. Valvo
ЕР
Altera
GXB
Valvo, Ph1l1ps, RTC
ER
GI
GZF
Valvo
ESM
Thomson
н
Hughes, SG
ЕТ
Thomson
НА
Нагпs, H1tach1
ЕТС
Thomson
НАВ
Нагг1s, Valvo
ЕТL
Thomson
НАL
MMI
F
Fa1rch1ld, ML
HAS
AD
FC
Mullard
HBS
SGS
FCH
Valvo
HBF
SGS
FCK
Valvo
нс
Harns,RCA, Honeywell
FCL
Valvo
HCF
SGS
FCM
Fa1rch1ld
НСМР
Hughes
FCY
Valvo
HD
Нагг1s. Нitach1
FD
RTC, S1emens
HDS
AD

7. Микросхемы
129
Префикс
Фирма
Префикс
Фирма
НЕ
Honeywell
L
SGS, S1l1con1x
HEF
Mullard, Ph1l1ps, RTC, Valvo
LA
Sanyo, GI
HI
Harr1s
LAS
Lambda
HLCD
Hughes
LB
Sanyo
нм
Harns, H1tach1
LC
Sanyo, GI
нмсs
H1tach1
LD
S1l1con1X
HN
H1tach1
LE
Sanyo, SEEQ
HNVМ
Hughes
LF
NSC
HPL
Нагпs
LFT
NSC
HPROM
Нагпs
LG
GI
HROM
Нагпs
LH
NSC, Sharp, S1l1con1X
HRAM
Нагпs
LLM
Lambda
HS
NSC, Нагпs
LM
NSC, Sanyo, S1l1con1x,SEEQ
HSG
SGS
LMC
Lambda
HSSR
Hughes
LNA
TRW
HSO
RTC
LP
NSC
нт
Нагг1s, Honeywell
LPD
Lambda
нх
Ph1l1ps
LQ
SEEQ
НХА
RTC
LR
Sharp
НУ
NSC
LS
SGS
IB
lntel
LT
L1near Technology Согр
IC
lntel
LТТ
L19nes Telegraph1ques Telefon1ques
ICL
lnters1I
LU
Sharp
ICM
lnters1I
LZ
Sharp
ID
lntel
м
Matsush1ta, M1tsub1sh1, SGS , Thomson
IDM
NSC
МА
M1tel, Ph1l1ps
IH
NSC, lnters1I
мм
IТТ, Tesla
IM
NSC lnters1I, lntel
МАВ
Tesla
IMI
IMI
МАС
Tesla
IMP
NSC
MAF
Ph1l1ps, Tesla
IMS
lnmos
MAS
Tesla
INS
NSC
МАТ
PMI
IP
lntel
Мах
Max1m
IPC
NSC
мв
FUJ1tsu, lntel, Ph1l1ps
IR
Sharp
МВА
Tesla
IRK
Sharp
MBL
FUJ1tsu
ISP
NSC
мвм
FuJ1tsu
IТТ
IТТ
мс
lntel, Motorola, NEC , Un1tra
IX
Sharp, lntel
МСА
NSC, Tesla
J
Matsush1ta
мсв
Motorola
JBP
TI
мсвс
Motorola
КА
Samsung
мес
Motorola
КIА
Samsung
MCCF
Motorola
кв
GI
МСЕ
Motorola, МСЕ
км
Samsung
мсм
Motorola
KR
sмс
мех
Un1tra
кs
Samsung, Gold Star
МСУ
Un1tra

130
7. Микросхемы
Префикс
Фирма
Префикс
Фирма
MD
lntel, M1tel, Ph1l1ps
МУА
Tesla
MDA
IТТ, Tesla
мzн
Tesla
МЕ
Ph1l1ps
MZJ
Tesla
МЕА
Mullard
мzк
Tesla
МЕВ
Ph1l1ps
N
S19net1cs
МЕМ
GI
NC
NSC
MEN
GI
NCR
NCR M1croelectron1cs
MF
NSC
NE
S1gnet1cs
MGB
МСЕ
NEC
NEC
MGC
МСЕ
NH
NSC
мн
NSC, M1tel, Tesla
NJ
Plessey
МНА
Tesla
NMC
NSC
мне
Tesla
NOM
Plessey
MHD
Tesla
NS
Nltron
МНЕ
Tesla
ОР
PMI
MHF
Tesla
ОРА
вв
MHG
Tesla
РА
RCA
мнw
Motorola
PAL
MMI, NSC
MIC
IТТ
РСА
Ph1l1ps, Valvo,
MJ
Plessey
РСВ
Ph1l1ps, Valvo, Mullard
MJA
Tesla
РСС
Ph1l1ps, Valvo
MJB
Tesla
PCD
Ph1l1ps, Valvo, Mullard
мк
Mostek
РСЕ
Ph1l1ps, Valvo
мкв
Mostek
PCF
Ph1l1ps, Valvo, Mullard
MKJ
Mostek
PIC
GI, Un1trode
ML
ML, M1tel, Plessey, Un1tra
PKD
PMI
MLA
ML
PLE
Monotron1c Memor1es
MLM
Motorola
РМ
PMI
мм
lntel, NSC
РМВ
TI
ммс
М 1croelectron1ca
PMJ
TI
MMN
М 1croelectron1ca
PNA
Ph1l1ps, Valvo
ММР
M1croelectron1ca
PMR
Lambda
ммs
Motorola
R
Raytheon, Rockwell
MN
Matsush1ta, Plessey
RA
GI, Ret1con
МР
lntel, MPS , Plessey
RC
Raytheon, Ret1con
МРС
ВВ, NEC
REF
PMI
МРОР
MPS
RH
Sharp
MPU
sмс
RL
Raytheon, Ret1con
МРУ
IMI
RM
Raytheon,
MPREF
MPS
RO
GIC, Ret1con
MSL
Ok1
ROB
CCSIT-CE
мsм
Ok1
RPT
PMI
мт
M1tel, Plesse
RV
Raytheon
MUX
GI, PMI
R5
Ret1con
мv
DSI, Plessey
R6
НуЬг1d Systems
мws
RCA
s
Ameпcan M1crosystems, S19net1cs, S1l1con1x
мх
Ameпcan M1crosystems, DSI, lntel
SA
S1gnet1cs

7. Микросхемы
131
Префикс
Фирма
Префикс
Фирма
sм
Mullard,RTC, Ph1l1ps, Telefunken, Valvo
SP
Amer1can M1crosystems
SAB
RTC, Ph1l1ps, Telefunken, Valvo
SPB
GI
SAD
Ph1l1ps, Ret1con
SPR
GI
SAF
RTC, Ph1l1ps, Valvo
SR
sмс
SAH
Muliard
SRM
Suwa
SAJ
IТТ, S1emens, Valvo
ss
GI, SSS
SAK
IТТ, Valvo
SSI
SSI
SAM
Ret1con
sss
PMI
SAS
S1emens, Ok1, Telefunken
sтк
Sanyo
SAY
IТТ
STR
Sanken, Sanyo
SBA
GI
su
S1gnet1cs
SBB
Ph1l1ps, Valvo
svм
Suwa
SBP
TI
sw
PMI
sc
N1tron
SY
Synertek
sсв
S1gnet1cs
SYE
Synertek
scc
S1gnet1cs
SYM
Synertek
SCL
sss
SYX
Synertek
sсм
sss
т
SGS, Tosh1ba
SCN
S1gnet1cs
ТА
RCA, Tosh1ba
scx
NSC
тм
IТТ, S1emens, SGS , Ph1l11ps, Telefunken,
SD
NSC
Valvo
SDA
S1emens, Ph1l1ps, Thomson
ТАВ
Mullard
SE
Sanken, S1gnet1cs
ТАС
TI
SF
Thomson
TAD
Mullard, Ret1con
SFC
Thomson
ТАЕ
S1emens
SFF
Thomson
TAF
S1emens
SG
S1i1con General
TAL
TI
SH
Fa1rch1ld
ТАТ
TI
SHC
вв
ТВА
IТТ, S1emens,RTC, SGS , Ph1l1ps, Mullard
sнм
DSI
твв
S1emens
SI
Sanken, S1l1con1x
твс
S1emens
SL
Gl,NSC, Plessey
ТВЕ
S1emens
SLE
S1emens
ТВР
TI
sм
NSC,SSS
те
Tosh1ba
sмв
TI
ТСА
IТТ, RTC, SGS , Ph1l1ps, S1emens,
Thomson
sмм
Suwa
TCD
Tosh1ba
SMP
PMI
ТСР
Tosh1ba
SN
TI, Monol1th1c Memoпes
TD
Tosh1ba, Thomson
SNA
TI
TDA
IТТ, RTC, SGS , Ph1l1ps, S1emens,
SNB
TI
Thomson
SNC
TI
TDB
RTC, S1emens, Thomson
SND
sss
TDC
TRW, S1emens, Thomson
SNH
TI
TDE
RTC,Thomson
SNJ
TI
TDF
Thomson
SNN
TI
TDP
Tosh1ba
SNS
TI
TDS
TRW
SNT
TI
ТЕ
Thomson

132
7. Микросхемы
Префикс
Фирма
Префикс
Фирма
ТЕА
RTC, Ph1l1ps, Mullard,Thomson
UCY
Un1tra
ТЕВ
Thomson
UDN
Sprague
ТЕС
Thomson
UDP
Sprague
ТЕЕ
Thomson
UDS
Sprague
TFA
S1emens
UGN
Sprague
TFF
Trans1tron
UHN
Spгague
TG
Trans1tron
UL
Un1tra, Amer1can M1crosystems
TIFLA
TI
ULN
Sprague
ТIL
TI
ULS
Spгague
TIBPAL
TI
UTN
Sprague
TL
TI
vc
VLCI Technology
TLC
TI
VF
VLCI Technology, DSI
TLE
S1emens
VFC
вв
тм
Tosh1ba, Telmos
VH
VLCI Technology
тмс
Trans1tron, TRW
VI
DSI
TMD
Telmos
VL
VLCI Technology
TMF
Telmos
VR
DSI
TML
Telmos
VS
VLCI Technology
тмм
Tosh1ba
vт
VLCI Technology
ТМР
Tosh1ba
vu
VLCI Technology
тмs
TI
w
S1l1con1x
TMZ
TRW
WD
Western D191tal
TNF
Trans1tron
х
Х1сог
ТОА
Trans1tron
XR
Ехаг
ТР
NSC, Teledyne
z
SGS, Z1log
та
TQSI
ZLD
Ferrant1
TRC
Trans1tron
ZN
Ferrant1
тsс
Teledyne
ZNA
Ferrant1
TSR
Trans1tron
ZNREF
Ferrant1
тт
DSI
zss
Ferrant1
ТVR
Trans1tron
ZST
Ferrant1
u
Telefunken, GI, RFT
zx
Zytrex
UA
GI
ZXCAL
Zytrex
UM
Telefunken, Thomson, Valvo
μА
Fa1rch1ld
UAB
Thomson
μAF
Fa1rch1ld
UAC
Thomson
μРА
NEC
uc
Un1tra, Un1trode, So11tron
UCN
Sprague
UCP
Sprague
μРВ
NEC
μРС
NEC
UCQ
Spгague
μPD
NEC
ucs
Spгague
13А
Baneasa SA
ucx
Un1tra
13М
Baneasa SA

8. Особенности тестирования электронных компонентов
133
8.Особенноститестирования
электронных компонентов
При ремонте любого электронного изделия приходится сталкиваться с проверкой
радиоэлементов. При кажущейся простоте этот процесс имеет свои особенности.
Возникают вопросы, касающиеся тестирования и тогда, когда радиолюбитель
решает заменить старенький тестер на новый, с цифровой индикацией, когда
появляются новые типы полупроводниковых приборов, таких как цифровые
транзисторы, и т.д. В этой главе приведены ответы на многие вопросы, связанные
с тестированием радиоэлементов.
В главе изложены основные вопросы их тестирования как с применением
стрелочных или аналоговых мультиметров (АММ), так и с применением цифро
вых мультиметров (ЦММ).
8.1. Тестирование конденсаторов
Тестирование кондесаторов при использовании мультиметров, имеющих режим
проверки конденсаторов, проблем не вызывает. Если же мультиметр такого
режима не имеет, то для проверки используется омметр (только при использова
нии АММ). Он позволяет определить пробой или утечку конденсатора. К оммет
ру, включенному на верхнем пределе измерения, подключают конденсатор. О про
бое свидетельствует низкое (несколько Ом) сопротивление конденсатора. Если
конденсатор исправен, то стрелка АММ сначала отклонится (если емкость
конденсатора примерно 0,47 мкФ и более), а затем вернется на нулевую отметку.
Величина и время отклонения стрелки зависит от емкости конденсатора по
принципу: чем больше, тем больше. При проверке электролитических конденса
торов следует соблюдать полярность подключения мультиметра. Если же стрелка
отклонилась на какую-то величину и АММ показывает какое-то сопротивления,
то это говорит об утечке конденсатора. ЦММ такие измерения производить не
позволяет. Этот способ проверки не обеспечивает 100%-й гарантии того, что если
отклонений при проверке не выявлено, то конденсатор исправен, и требует
обязательного выпаивания его из схемы. Главным критерием работы конденсато
ра является выполнение им своих функций в работающей схеме. Полученные в
результате такой проверки результаты могут говорить об исправности конденса
тора, однако он может быть неисправен и работать в схеме не будет.
Оптимальным способом быстрой проверки емкостей, без выпаивания их из схемы,
на работоспособность является следующий. Необходимо произвести внешний
осмотр схемы. Конденсаторы с раздутым корпусом, с потеками электролита,
коррозией у выводов, с греющимся во время работы корпусом необходимо
проверить заменой. Особенно критична такая проверка для импульсных блоков
питания. Дополнительной информацией о неисправностях конденсаторов фильт
ров питания является пониженное напряжение питания, специфические помехи

134
8. Особенности тестирования электронных компонентов
на изображении телевизора, повышенный уровень фона аудио тракта. Хороший
результат дает подключение параллельно проверяемому исправного конденсатора
(подключать следует при отключенном питании устройства). При неисправностях
конденсаторов в импульсных схемах, например в задающем генераторе кадровой
развертки телевизора, проверку конденсатора на работоспособность можно про
извести путем подключения заведомо исправного и по характеру изменений на
экране принимают решение о необходимости его замены.
Наиболее часто выходят из строя электролитические конденсаторы, иногда
полиэтилентерефталатные в высоковольтных цепях строчной развертки. Редко -
керамические, слюдяные конденсаторы.
Наилучшие результаты при тестировании конденсаторов дает использование
простого генератора импульсов, построенного на интегральном таймере типа
КР1006ВИ1 (зарубежные аналоги ~ таймеры серии 555). При проверке конден
сатор включают во времязадающую цепочку и по периоду следования импульсов
при известном значении R вычисляют значение емкости по формуле:
С= T/R
Следует быть очень осторожными при проверке конденсаторов в высоковольтных
схемах (схемы строчной развертки, импульсных блоков питания). После выклю
чения устройства с помощью разрядной цепи конденсаторы необходимо разря
дить. Для этого используют разрядную цепь из резистора сопротивлением
2 кОм ... 1 МОм, соединенного одним выводом с корпусом или общим проводом
схемы. Рекомедуемые значения сопротивления резистора:
• для низковольтных цепей с емкостями до 1ООО мкФ и рабочими напряжениями
до 400 В (блоки питания телевизоров и мониторов, электронные лампы-вспыш
ки) - 2 кОм (25 Вт). Время разряда составляет примерно 1 с на 100 мкФ
емкости;
• для цепей с емкостями до 2 мкФ и со средними рабочими напряжениями до
5000 В (высоковольтные конденсаторы микроволновых печей) - 100 кОм
(25 Вт). Время разряда составляет примерно 0,5 с на 1 мкФ емкости;
• для высоковольтных цепей с емкостями до 2 нФ и рабочими напряжениями до
50 кВ (цепи питания второго анода ЭЛТ) - 1 МОм (10 Вт). Время разряда
составляет примерно 0,01 с на 1 нФ емкости.
На рис. 8.1 приведена схема разрядника со светодиодной индикацией.
К пробнику
Рис. 8.1
В качестве включенных встречно-параллельно диодов применяются кремниевые
nu()n1-.1 ()nт Pr() ня"!няцРнин ПяттРнИР няттnнжРнин ня ттиппе я поям м апоа ле ии

8. Особенности тестирования электронных компонентов
135
составляет около О, 75 В, поэтому на сборке из четырех диодов оно составит около
2,8 ... 3 В. В пробнике применяется два светодиода для того, чтобы обеспечить
индикацию независимо от полярности его включения.
Говоря о проверке электролитических конденсаторов, следует упомянуть об их
так называемом эквивалентном последовательном сопротивлении (ЭПС). На его
величину влияет, а с течением времени не в лучшую сторону, состояние обкладок
конденсатора, внутренних контактов, состояние электролита. При соответствии
емкости номиналу иногда оказывается, что ЭПС возросло, а это приводит к тому,
что схема либо не работает, либо работает неправильно. За рубежом выпускаются
специальные приборы для проверки ЭПС, но на практике оценить ЭПС электро
литического кондесатора можно довольно просто с помощью осциллографа. Для
этого следует подать на осциллограф с генератора импульсов или звукового
генератора сигнал частотой около 100 кГц (некритично) и включить в разрыв
сигнального провода испытуемый конденсатор, если он используется в схеме как
разделительный, или замкнуть сигнальный провод через испытуемый конденсатор
на общий провод, если он используется как конденсатор фильтра. В первом
случае уровень сигнала не должен ни измениться, ни исказиться. Во втором
случае вместо меандра или синусоиды наблюдается прямая линия. Если этого не
происходит - конденсатор необходимо заменить.
8.2. Тестирование полупроводниковых диодов
При тестировании диодов с помощью АММ следует использовать нижние пре
делы измерений. При проверке исправного диода сопротивление в прямом направ
лении составит несколько сотен Ом, в обратном направлении - бесконечно
большое сопротивление. При неисправности диода АММ покажет в обоих направ
лениях сопротивление близкое к О или разрыв при пробое диода. Сопротивление
переходов в прямом и обратном направлениях для германиевых и кремниевых
диодов различно.
Проверка диодов с помощью ЦММ производится в режиме их тестирования. При
этом, если диод исправен, на дисплее отображается напряжение на p-n переходе при
измерении в прямом направлении или разрыв при измерении в обратном направле
нии. Величина прямого напряжения на переходе для кремниевых диодов составляет
0,5 ...0,8 В, для германиевых - 0,2 ...0,4 В. При проверке диода с помощью ЦММ в
режиме измерения сопротивления при проверке исправного диода обычно наблюда
ется разрыв как в прямом, так и в обратном направлении из-за того, что напряжение
на клеммах мультиметра недостаточно для того, чтобы переход открылся.
8.3. Тестирование транзисторов
В общем тестирование транзисторов аналогично тестированию диодов, так как
саму структуру транзистора p-n -p или n-p-n можно при проверке представить как
два диода (рис. 8.2), с соединенными вместе либо выводами катода, либо анода,
представляющими собой вывод базы транзистора. При тестировании ЦММ пря
мое напряжение на переходе исправного транзистора составит 0,45 ... 0,9 В.

136
8. Особенности тестирования электронных компонентов
Дополнительно следует проверять сопротивление (падение напряжения) между
коллектором и эмиттером, которое для исправного транзистора должно быть
определено как очень большое, за исключением описанных ниже особенностей.
Однако есть свои особенности и при проверке транзисторов. На них мы и
остановимся подробнее.
n-p -n транзистор
p-n-p транзистор
Рис. 8.2
Одной из особенностей является наличие у некоторых типов мощных транзисто
ров встроенного демпферного диода, который включен между коллектором и
эмиттером, а также резистора номиналом около 50 Ом между базой и эмиттером.
Это характерно в первую очередь для транзисторов выходных каскадов строчной
развертки. Из-за этих дополнительных элементов нарушается обычная картина
тестирования транзисторов. При проверке таких транзисторов следует сравнивать
проверяемые параметры с такими же параметрами заведомо исправного однотип
ного транзистора. При проверке ЦММ транзисторов с резистором в цепи база
эмиттер напряжение на переходе Б-Э будет близким или равным О В.
Другими "особенными" транзисторами являются транзисторы, включенные
по схеме Дарлингтона (составные транзисторы). Внешне они выглядят как
обычные, но в одном корпусе имеется два транзистора, соединенные по схеме,
изображенной на рис. 8.3 . От обычных их отличает очень высокий коэффициент
усиления - более 1000.
Тестирование таких транзисторов особенностями не отличается, за исключением
того, что прямое напряжение перехода Б-Э составляет 1,2 ... 1,4 В. Следует
отметить, что некоторые типы ЦММ в режиме тестирования имеют на клеммах
напряжение меньшее 1,2 В, что недостаточно для открывания p-n перехода, и в
этом случае наблюдается разрыв.
Другими необычными транзисторами являются цифровые транзисторы (транзисторы
с внутренними цепями смещения). На рис. 8.4 изображена схема такого цифрового
транзистора. Номиналы резисторов Rl и R2 одинаковы и могут составлять либо
1О кОм, либо 22 кОм, либо 4 7 кОм, либо иметь смешанные номиналы.
к
к
Б
·~R2
э
э
Рис. 8.3
Рис. 8.4
Тестирование цифровых транзисторов затруднено. И если с помощью АММ можно
наблюдать отличия в прямом и обратном сопротивлениях переходов, то проверка
с помощью ЦММ результатов не дает. В этом случае лучший вариант при
сомнениях в работоспособности - замена на заведомо исправный транзистор.

8. Особенности тестирования электронных компонентов
137
8.4. Тестирование однопереходных
и программируемых однопереходных
транзисторов
Однопереходный транзистор (ОПТ) отличается наличием на его вольт-амперной
характеристике участка с отрицательным сопротивлением. Наличие такого участ
ка говорит о том, что такой полупроводниковый прибор может использоваться для
генерирования колебаний (ОПТ, туннельные диоды и др.).
ОПТ используется в генераторных и переключательных схемах. В отечественной
литературе автор не встречал понятия "программируемый ОПТ", только - ОПТ.
Однако ввиду большой насыщенности рынка зарубежной электронной техникой
и элементной базой следует научиться их отличать. Это несложно:
• общим для них является трехслойная структура (как у любого транзистора) с
двумя p-n переходами;
• ОПТ имеет выводы, называемые база 1 (Б 1), база 2 (Б2), эмиттер. Он переходит
в состояние проводимости, когда напряжение на эмиттере превышает значение
критического напряжения переключения, и находится в этом состоянии до тех
пор, пока ток эмиттера не снизится до некоторого значения, называемого током
запирания. Все это очень напоминает работу тиристора;
• прогаммируемый ОПТ имеет выводы, называемые анод (А), катод (К) и управ
ляющий электрод (УЭ). По принципу работы он ближе к тиристору. Переклю
чение его происходит тогда, когда напряжение на управляющем электроде
превышает напряжение на аноде (на величину примерно 0,6 В - прямое
напряжение p-n перехода). Таким образом, изменяя с помощью делителя
напряжение на аноде, можно изменять напряжение переключения ("программи
ровать" его) такого прибора.
Чтобы проверить исправность ОПТ и программируемого ОПТ следует измерить
омметром сопротивление между выводами Бl и Б2 или А и К для проверки на
пробой. Но наиболее точные результаты можно получить, собрав схему для
проверки ОПТ (для ОПТ - рис. 8.5, для программируемого ОПТ - рис. 8.6).
АЗ К осцимографу
1к илиУНЧ,1•1кГц
Рис. 8.5
+5 в.>--.----.
R1
100 к
R2
1к
R4 К осцимографу
1к илиУНЧ,1•1кГц
Рис. 8.6

138
8. Особенности тестирования электронных компонентов
8.5. Тестирование динисторов, тиристоров,
симисторов
Динисторы, тиристоры, симисторы представляют собой полупроводниковые при
боры четырехслойной структуры p-n -p -n . Часто при пояснении принципа работы
их изображают в виде соединенных между собой, как показано на рис. 8. 7,
транзисторов разной проводимости. Как видно из рисунка, тиристор имеет три
вывода: анод (А), катод (К) и управляющий электрод (УЭ). Напряжение,
приложенное к p-n переходу одного из транзисторов, обеспечивает отпирание
тиристора.
С помощью мультиметра динистор можно проверить только на пробой между
выводами А и К (при исправном тиристоре участок А-К не прозваниваются), а
тиристор и симистор, кроме того, и на исправность p-n перехода между УЭ и К.
Наилучшие результаты проверки тиристоров и симисторов обеспечивает испыта
тельная схема, изображенная на рис. 8.8.
В качестве источника питания используется источник постоянного тока напряже
нием 12 В с допустимым током нагрузки не менее 200 мА. Резистор Rl
ограничивает ток через испытуемый прибор, а резистор R2 - через его управля
ющий электрод. Схема обеспечивает тестирование тиристоров и симисторов
малой и средней мощности. Для проверки прибора необходимо:
1. Включить его в схему, как показано на рис. 8.8.
2. Кратковременно соединить его УЭ с резистором R2. Прибор должен открыться,
напряжение +Uтест. станет равным нулю. Прибор остается открытым и при
отключенном от R2 управляющем электроде.
3. Разорвать цепь питания анода (УЭ при этом соединен с К) и замкнуть ее вновь.
Прибор должен находиться в закрытом состоянии. +Uтест. при этом равно 12 В.
При тестировании симисторов следует повторить п.п. 2, 3, и R2 при этом должен
быть запитан от отрицательного полюса источника питания.
Результат такого тестирования позволяет убедиться в исправности прибора. Тем
не менее окончательным результатом тестирования следует считать исправную
работу полупроводникового прибора в том устройстве, где он установлен.
Динисторы (по другому их называют еще диаки и сидаки) не имеют вывода УЭ,
и они открываются при превышении напряжения на аноде некоторого значения,
указываемого в параметрах на данный тип прибора. Как было сказано выше,
проверка с использованием мультиметра достоверного результата не дает. Для
того, чтобы точно знать исправен динистор или нет, его следует проверить,
включив в испытательную схему (рис. 8.9), которая питается от регулируемого
источника напряжения переменного тока.
R,А
R1 100
VD1
R147к
~·~ Уз :1(~ '-~э"•.
~:в ~
: +u,~
+Uтест
С1
-0...140в
1мк
VD2
зоов
+Uynp.
КVТ2
-u,..,,
-u_,,.
Рис. 8.7
Рис. 8.8
Рис. 8.9

8. Особенности тестирования электронных компонентов
139
Диод D 1 представляет собой однополупериодный выпрямитель, конденсатор
Cl - сглаживающий, резистор Rl ограничивает ток через динистор. При провер
ке следует плавно увеличивать напряжение на динисторе. При достижении
некоторого порогового значения он откроется, при уменьшении напряжения по
достижении протекающего тока значения заданного тока удержания - за!<роется.
После такой проверки необходимо ее повторить, изменив полярность приложен
ного к динистору напряжения. При проверке в качестве источника напряжения
переменного тока во избежание опасности поражения следует использовать
трансформатор.
8.6. Определение структуры и расположения
выводов транзисторов, тип которых
неизвестен
При определении структуры транзистора, тип которого неизвестен, следует путем
перебора (шесть вариантов) определить вывод базы, а затем измерить прямое
напряжение на переходах. Прямое напряжение на переходе Б-Э всегда на
несколько милливольт выше прямого напряжения на переходе Б-К (при
пользовании АММ сопротивление перехода Б-Э в прямом направлении несколько
выше сопротивления перехода Б-К). Это связано с технологией производства
транзисторов, и правило применимо к обыкновенным биполярным транзисторам,
за исключением некоторых типов мощных транзисторов, имеющих встроенный
демпферный диод. Полярность щупа мультиметра, подключенного при измерени
ях на переходах в прямом направлении к базе транзистора укажет на тип
транзистора: если это "+" -
транзистор структуры n-p-n, если "-"
-
структуры
p-n-p.
8.7. Тестирование полевых
МОП-транзисторов
Существует несколько разных способов тестирования полевых МОП-транзисто
ров. Например такой:
1. Проверить сопротивление между затвором
-
истоком (3-И) и затвором -
стоком (3-С). Оно должно быть бесконечно большим.
2. Соединить затвор с истоком. В этом случае переход исток - сток (И-С) должен
прозваниваться как диод (исключение для МОП-транзисторов, имеющих встроен
ную защиту от пробоя - стабилитрон с определенным напряжением пробоя).
Характерной неисправностью полевых МОП-транзисторов является короткое
замыкание 3-И и 3-С.
Другим способом является использование двух омметров. Первый включается для
измерения между И-С, второй - между И-3. Второй омметр должен иметь
высокое входное сопротивление - около 20 МОм и напряжение на выводах не
менее 5 В. При подключении второго омметра в прямой полярности транзистор

140
8. Особенности тестирования электронных компонентов
откроется (первый омметр покажет сопротивление близкое к нулю), при изменении
полярности на противоположную транзистор закроется. Недостаток этого способа -
требования к напряжению на выводах второго омметра. Естественно, ЦММ для этих
целей не подходит. Это ограничивает применение такого способа тестирования.
Еще один способ похож на второй. Сначала кратковременно соединяют между
собой выводы 3-И дл_я того, чтобы снять имеющийся на затворе заряд. Далее к
выводам И-С подключают омметр. Берут батарейку напряжением 9 В и кратко
временно подключают ее плюсом к затвору, а минусом - к истоку. Транзистор
откроется и будет открыт некоторое время после отключения батарейки за счет
сохранения заряда. Большинство полевых МОП-транзисторов открывается при
напряжении 3-И около 2 В.
При тестировании полевых МОП-транзисторов следует соблюдать особую осто
рожность, чтобы не вывести его из строя статическим электричеством.
8.8. Тестирование светодиодов
Электрическая проверка исправности светодиодов видимого и инфракрасного
(ИК) излучения аналогична проверке обычных диодов. Отличие заключается в их
более высоком прямом напряжении при тестировании с использованием ЦММ.
Типовыми значениями прямого напряжения на переходе являются:
• для ИК диодов 1,2 В;
• для светодиодов красного свечения 1,85 В;
• для светодиодов желтого свечения 2 В;
• для светодиодов зеленого свечения 2, 15 В;
• для светодиодов синего свечения около 3 В.
Это средние значения, которые могут отличаться на 0,5 ... 0,6 В, и способ нельзя
назвать надежным при определении цвета свечения светодиода по прямому
напряжению на его переходе.
8.9. Тестирование оптопар
Любая оптопара состоит из двух частей - источника излучения (обычно ИК
светодиод) и фотоприемника, который открывается при работе источника излуче
ния, - фотодиода, фототранзистора, фототиристора. Для проверки исправности
оптопары можно использовать схему, изображенную на рис. 8.1 О.
Рис. 8.10
При подаче напряжения на вывод светодиода фотодиод открывается, и выходное
напряжение становится равным О В. В закрытом состоянии фотодиода оно равно
напряжению источника питания.

8. Особенности тестирования электронных компонентов
141
8.1 О. Тестирование термисторов
Термисторы (терморезисторы) являются одним из видов полупроводниковых
приборов. Одной из главных характеристик термистора является температурный
коэффициент сопротивления (ТКС).
Существуют термисторы двух видов - с положительным ТКС (сопротивление
термистора растет с увеличением температуры) и с отрицательным ТКС (сопро
тивление термистора с ростом температуры уменьшается). Для проверки следует
подключить к выводам термистора омметр и следить за изменением его сопротив
ления при нагреве. Для этого можно подержать его над паяльником или исполь
зовать другой способ нагрева. Если термистор неисправен, его сопротивление
либо не будет изменяться, либо будет равно нулю, либо - бесконечности. Тем
не менее, при проверке термисторов следует учитывать их функциональное
назначение в тех схемах, где они работают.
8.11. Тестирование стабилитронов
Стабилитроны при их проверке с использованием АММ ведут себя как обычные
диоды. Проверить их при помощи ЦММ можно только если напряжение стабили
зации стабилитрона составляет доли вольта. В противном случае ЦММ показы
вает разрыв цепи. Наиболее надежный способ - проверка напряжения стабили
зации стабилитрона в схеме (рис. 8.11).
Рис. 8.11
Значение резистора R2 справедливо для стабилитронов с напряжением стабили
зации до 20 В. В любом случае рассчитать его несложно, имея под рукой
справочник. Iст - справочное значение тока стабилизации:
R=Uист/Iст.
Наиболее часто встречающейся неисправностью является пробой стабилитрона.
8.12. Расположение выводов транзисторов
При тестировании транзисторов необходимо знать их расположение выводов.
Наиболее точную информацию дает справочник. Однако, если сузить вопрос
наиболее часто встречающимися неисправностями транзисторов, то можно ска
зать, что наиболее часто выходят из строя транзисторы выходных каскадов
строчной развертки, выходных каскадов усилителей мощности радиопередающих
устройств и транзисторы блоков питания.
Транзисторы для выходных каскадов строчной развертки выпускаются в основном
в корпусах двух типов: металлическом ТО-3 и пластмассовом - ТО-ЗР.

142
8. Особенности тестирования электронных компонентов
На рис. 8.12 изображено расположение выводов для корпуса ТО-3 (вид снизу) и
корпуса ТО-3Р (вид со стороны маркировки). Следует помнить, что у таких
транзисторов, имеющих встроенный демпферный диод сопротивление между Б-Э
в обратном направлении будет около 50 Ом, и транзистор считается исправным,
если измеренное значение сопротивления составляет не менее 10 Ом.
В оконечных каскадах усилителей мощности чаще всего применяются транзисто
ры в металлокерамических корпусах с крестообразным расположением выводов
(рис. 8.13).
В некоторых радиоэлектронных приборах в оконечных каскадах усилителей
мощности передающих устройств и устройствах электропитания используются
транзисторы в корпусах для поверхностного монтажа (SOT23, SOT323 и т.д.).
Чаще всего они имеют расположение выводов, изображенное на рис. 8.14. Оно
может быть либо нормальным (изображение слева), либо обратным (изображение
справа).
е~,?,
к
к
~·~
э
к
Бэ
эБ
БКЭ
•)
б)
Б
Рис. 8.12
Рис. 8.13
Рис. 8.14

~
~
...
~
~
1•=1=11
И]
~
1:•
m
JillS!·!~~
~ч
li
(!!]
[Н.1
rы
~
~
[И1]
в
l1~1l1~11i!
~
[lj
[а]
Логотипы фирм-производителей
143
Приложение 1
Логотипы фирм-производителей
Acer
1.!1
Асег Laboratories
ri1IJ
Acer Laboratories
Advanced Micro
'11
Alliance
~ Altera
Devices
Analog Devices
fi1li
ARK Logic
~ ATI Technologies
Atmel
'8
АТ&Т
111 Austin Semiconductor
Benchmarq
~ 81 Technologies
Ш1
Brooktree
M1croelectronics
(вошла в Rockwell)
Burr Brown
Jj
Catalyst Semiconducto1 r;J
Chrontel
Cirrus Logic
f;I/:. j.'J.'ft.~ Crystal (Cirrus Logic)
Е21 Cypress
Semiconductor
Cyr1x Corporation
f!1
Dallas Semiconductor
~ Dallas Semiconductor
Davicom
00 Diamond Technologies
•
DTC Data Technology
Semiconductor
DTC Data Technology 11!
EG&G
[3~~-~~lt•] Ensoniq Corp
Ericsson
~ ESS Technology
~ Exar
Exel Microelectronics
r:1
Fa1rchild Semiconducto fj
Fщitsu
(вошла в Rohm)
~ 1!11
Fujitsu
~ Galvantech
11 General Electric
(Harris)
General lnstrument
11 General
~ Gould (вошла в AMI)
(General Semiconductor)
Semiconductor
Harris
~ Harr1s
cm Hewlett Packard
HFO (VEB HalЫe1terwerk
8 H1tachi
~ Holtek Microelectronics
FrankfurUOder ГДР)
Hyundai
~ Hyundai
а iC-Haus
ICWorks
11 lnmos (часть
~
lntegrated Circuit
STM1croelectronics)
Designs
lntegrated Circuit
Jj
lntegrated Device
~
lntel
Systems
Technology
lntel
·~;~ lnternatюnal Rectifier
ш lntersil
(вошла в Harris)
lnters1I
~ IMP
~~ IXYS
(вошла в Harris)
Lattice Semiconductor
е Lattice Semiconductor 1ИЧ
LG Semicon
Linear Technology
м Matsushita Panasonic l!':.l~r:.itШ!''J~I Maxim
Media Vision
111 Media Vision
~ M1croch1p Technology

144
~
ю
•В111
~l~
[.i]П
l•l•l:lнl
m
~
m
ш
в
~
[;1!1~11
~
[А)
~"~
1
-
11
ВВ'1i13
вm аы:
rI.IJilll;.1
ra1
Логотипы фирм-производителей
Логотипы фирм-производителей
(продолжение)
Micro Linear
~ Mitel Semiconductor
м Mitsublsh1
Monolithic Memories
rJJ
Motorola
11 Motorola
(вошла в Vantis)
Mosel Vitelec
11 MoSys
ШШt~ Murata
mwave (Ьу IBM)
~ National
r:J
National
Semiconductor
Semiconductor
NEC (Nippon
l~l::l:!i
111
NEC
Oak Technology
Electric Company)
Opti
1 Philips
~:шт RCA Solid State
(вошла в Harris)
Rohm
~ Rockwell
'3J 83
Samsung Electronics
~ Samsung
~r~ Sanken
Semiconductor
Sanyo
~ Seiko Epson Corp.
~ Seiko Epson Corp.
Siemens
~11и~нш~1 Siemens
~ Signetics
(стала lnfineon)
(стала lnfineon)
(вошла в Philips)
Lf11М• Silicon Magic
~ Silicon Storage
Siliconix
Technology
Silicon Systems
~ Sipex
~ SGS
(Texas lnstruments)
(STMicroelectronics)
SGS
[#! 1 @m;I Sharp
g
sмс
(STMicroelectronics)
Sony
1iШ9 Standard Microsystems rsrJ
STMicroelectronics
TelCom Semiconductor
и Telefunken
~ Texas lnstruments
(вошла в Vishay)
Thomson-CSF
11!!1
Toshiba
11
Toshiba
Toshiba
иt Trident
[) TriQuint
Semiconductor
Tseng Labs
~ Tundra
~ UMC, United
Microelectronics Согр
Unitrode
в VЗ Semiconductor
.",
Vadem
'
'
Vantis
~ Via Technologies
8J VLSI Technology
We1tek
1
(вошла в Rockwell) imD Western Digital
~
Western Digital
Winbond
~ Xicor
E~lll!~ Xilinx
Yamaha
~ Zilog
2!Е
Zilog
Zilog
~ Zilog

Краткие справочные данные по зарубежным диодам
GE
SI
GAAS
Тип прибора
1Кба
1N1a21
1N1a22
1N1а2З
1N1a24
1N1a2B
1N1a29
1N1аза
1N1аЗ1
1N1a32
1N1a33
1N1аЗ4
1N1a35
1N1a36
1N1a37
1N1аЗВ
1N1аЗ9
1N1a4a
1N1a41
1N1a42
1N1a43
1N1a44
1N1a45
1N1a46
1N1a47
1N1a4B
1N1a49
1N1a5a
1N1a51
1N1a52
1N1a53
1N1a54
1N1a55
Приложение 2
Краткие справочные данные
по зарубежным диодам
германиевый;
кремниевый;
арсенид-галлиевый;
Описание
GE-D 45В З5мNа,2А(пик)
GE-D звав а,25А
GE-D звав а,зд
GE-D звав а,З5А
GE-D звав а,4А
Sl-D 5аВ а,5А
Sl-D 1аав а,5А
Sl-D 15аВ а,5А
Sl-D 2аав а,5А
Sl-D 3аав а,5А
Sl-D 4аав а,5А
Sl-D 5аВ 1А
Sl-D 1аав 1А
Sl-D 15аВ 1А
Sl-D 2аав 1А
Sl-D заав 1А
Sl-D 4аав 1А
Sl-D 5аВ 1А
Sl-D 1аав 1А
Sl-D 15аВ 1А
Sl-D 2аав 1А
Sl-D заав 1А
Sl-D 4аав 1А
Sl-D 5аВ 1А
Sl-D 1аав 1А
Sl-D 15аВ 1А
Sl-D 2аав 1А
Sl-D 3аав 1А
Sl-D 4аав 1А
Sl-D 5ав 1,5А
Sl-D 1аав 1,5А
Sl-D 15аВ 1,5А
Sl-D 2аав 1,5А
D
D-S
Тип прибора
1N1a56
1N1a57
1N1a5B
1N1a59
1N1аба
1N1a61
1N1a62
1N1a63
1N1a64
1N1a65
1N1a66
1N1a67
1N1a6B
1N1a69
1N1a7a
1N1a71
1N1a72
1N1a73
1N1a74
1N1a75
1N1a76
1N1a77
1N1a7B
1N1a79
1N1aBa
1N1aB1(A)
1N1aB2(A)
1N1aB3(A)
1N1aB4(A)
1N1aB5(A)
1N1aB6(A)
1N1aB7(A)
1N1aBB(A)
диод;
диод Шоттки.
Описание
Sl-D заав 1,5А
Sl-D 4аав 1,5А
Sl-D 5аВ 5А
Sl-D 1аав 5А
Sl-D 15аВ 5А
Sl-D 2аав 5А
Sl-D заав 5А
Sl-D 4аав 5А
Sl-D 5аВ 5А
Sl-D 1аав 5А
Sl-D 15аВ 5А
Sl-D 2аав 5А
Sl-D 3аав 5А
Sl-D 4аав 5А
Sl-D 5аВ 5А
Si-D 1аав 5А
Sl-D 15аВ 5А
Sl-D 2аав 5А
Sl-D 3аав 5А
Sl-D 4аав 5А
Sl-D 5аВ 15А
Sl-D 1ааВ 15А
Sl-D 15аВ 15А
Si-D 2аав 15А
Sl-D заав 15А
Sl-D 1аав а,5 а,75А
Sl-D 2аав а,5 а,75А
Sl-D 3аав а,5 а,75А
Sl-D 4аав а,5 а,75А
Sl-D 1аав 1,5 2А
Sl-D 2аав 1,5 2А
Sl-D заав 1,5 2А
Sl-D 4аав 1,5 2А
145

146
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N1069(A)
Sl-D 1008 5А
1N1145
Sl-D 7,2к8 О,06А
1N1090(A)
Sl-D 2008 5А
1N1146
Sl-D 6к8 О,045А
1N1091(A)
Sl-D 3008 5А
1N1147
Sl-D 12к8 О,045А
1N1092(A)
Sl-D 4008 5А
1N1146
Sl-D 14к8 О,05А
1N1093
GE-D 158 500нс
1N1149
Sl-D 16к8 О,045А
1N1095
Sl-D 5008 О,75А
1N1150(A)
Sl-D 1,6к8 О,75А
1N1096
Sl-D 6008 О,75А
1N1157
Sl-D 508 20А
1N1100
Sl-D 1008 О,75А
1N1156
Sl-D 1008 20А
1N1101
Sl-D 2008 О,75А
1N1159
Sl-D 2008 20А
1N1102
Sl-D 3008 О,75А
1N1160
Sl-D 3008 20А
1N1103
Sl-D 4008 О,75А
1N1161
Sl-D 508 35А
1N1104
Sl-D 5008 О,75А
1N1162
Sl-D 1008 35А
1N1105
Sl-D 6008 О,75А
1N1163
Sl-D 2008 35А
1N1106
Sl-D 6008 О,45А
1N1164
Sl-D 3008 35А
1N1109
Sl-D 12008 О,43А
1N1169(A)
Sl-D 4008 О,79А
1N1110
Sl-D 16008 0,4А
1N1170
GE-D 508
1N1111
Sl-D 20008 О,36А
1N1171
Sl-D аналог 1N1157
1N1112
Sl-D 24008 О,35А
1N1172
Sl-D аналог 1N1156
1N1113
Sl-D 26008 О,33А
1N1173
Sl-D аналог 1N1159
1N1115
Sl-D 1008 1,5А
1N1174
Sl-D аналог 1N1160
1N1116
Sl-D 2008 1,5А
1N1175
Sl-D аналог 1N1161
1N1117
Sl-D 3008 1,5А
1N1176
Sl-D аналог 1N1162
1N1116
Sl-D 4008 1,5А
1N1177
Sl-D аналог 1N1163
1N1119
Sl-D 5008 1,5А
1N1176
Sl-D аналог 1N1164
1N1120
Sl-D 6008 1,5А
1N1163
Sl-D 508 35N460А(nик )
1N1124(A)
Sl-D 2008 3 .. 3,3А
1N1164
Sl-D 1008 35N460А(пик)
1N1125(A)
Sl-D 3008 3 .3,3А
1N1165
Sl-D 1508 35А/460А(nик )
1N1126(A)
Sl-D 4008 3 .3,3А
1N1166
Sl-D 2008 35N460А(nик )
1N1127(A)
Sl-D 5008 3"3,3А
1N1167
Sl-D 3008 35N460А(nик )
1N1126(A)
Sl-D 6008 3 3,3А
1N1166
Sl-D 4008 35N460А(пик.)
1N1130
Sl-D 15008 О,3А
1N1169
Sl-D 5008 35N460А(пик )
1N1131
Sl-D 15008 О,3А
1N1190
Sl-D 6008 35А/460А(пик )
1N1133
Sl-D 1,5к8 О,075А
1N1163A 90А
Sl-D аналог 1N1163 119040А
1N1134
Sl-D 1,5к8О,1А
1N1163R 90R
Sl-D аналог 1N1163 1190
1N1135
Sl-D 1,6кВ О,065А
1N1163Т. 90Т
Sl-D аналог 1N1163 1190
1N1136
Sl-D 1,6к8 О,065А
1N1191(A)
Sl-D 508 2ОА
1N1137
Sl-D 2,4к8 О,05А
1N1192(A)
Sl-D 1008 20А
1N1136
Sl-D 2,4к8 О,06А
1N1193(A)
Sl-D 1508 20А
1N1139
Sl-D 3,6к8 О,065А
1N1194(A)
Sl-D 2008 20А
1N1140
Sl-D 3,6к8 О,065А
1N1195(A)
Sl-D 3008 20А
1N1141
Sl-D 4,6к8 О,06А
1N1196(A)
Sl-D 4008 20А
1N1142
Sl-D 4,6к8 О,05А
1N1197(A)
Sl-D 5008 20А
1N1143
Sl-D 6к8 О,05А
1N1196(A)
Sl-D 6008 20А
1N1143A
Sl-D 6к8 О,065А
1N1191R"96R
Sl-D аналог 1N1191"1198
1N1144
Sl-D 7,2к8 О,05А
1N1199(А.В. С)
Sl-D 508 12А

Краткие справочные данные по зарубежным диодам
147
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N1200(А,8,С)
Sl-D 1008 12А
1N1304
Sl-D 2008 37А
1N1201(A,8,C)
Sl-D 1508 12А
1N1306
Sl-D 3008 37 А
1N1202(A,8,G)
Sl-D 2008 12А
1N1329
Sl-D 15008 О,1А
1N1203(A,8,C)
Sl-D 3008 12А
1N1341(A,8,C)
Sl-D 508 6А
1N1204(A,8,C)
Sl-D 4008 12А
1N1342(A,8,C)
Sl-D 1008 6А
1N1205(A,8,C)
Sl-D 5008 12А
1N1343(A,8,G)
Sl-D 1508 6А
1N1206(A,8 ,C)
Sl-D 6008 12А
1N1344(A,8,C)
Sl-D 2008 6А
1N1217
Sl-D 508 1,6А
1N1345(А,8,С)
Sl-D 3008 6А
1N1218
Sl-D 1008 1,6А
1N1346(A,8,G)
Sl-D 4008 6А
1N1219
Sl-D 1508 1,6А
1N1347(A,8,C)
Sl-D 5008 6А
1N1220
Sl-D 2008 1,6А
1N1348(A,8,G)
Sl-D 6008 6А
1N1221
Sl-D 3008 1,6А
1N1396
Sl-D 508 70А
1N1222
Sl-D 4008 1,6А
1N1397
Sl-D 1008 70А
1N1223
Sl-D 5008 1,6А
1N1398
Sl-D 1508 70А
1N1224
Sl-D 6008 1,6А
1N1399
Sl-D 2008 70А
1N1225
Sl-D 7008 1,6А
1N1400
Sl-D 3008 70А
1N1226
Sl-D 8008 1,6А
1N1401
Sl-D 4008 70А
1N1227
Sl-D 508 1,6А
1N1402
Sl-D 5008 70А
1N1228
Sl-D 1008 1,6А
1N1403
Sl-D 6008 70А
1N1229
Sl-D 1508 1,6А
1N1406
Sl-D 6008 О,125А
1N1230
Sl-D 2008 1,6А
1N1407
Sl-D 8008 О,125А
1N1231
Sl-D 3008 1,6А
1N1408
Sl-D 10008 О, 125А
1N1232
Sl-D 4008 1,6А
1N1409
Sl-D 12008 О, 125А
1N1233
Sl-D 5008 1,6А
1N1410
Sl-D 15008 0,125А
1N1234
Sl-D 6008 1,6А
1N1411
Sl-D 18008 О, 125А
1N1235
Sl-D 7008 1,6А
1N1412
Sl-D 20008 О, 125А
1N1236
Sl-D 8008 1,6А
1N1413
Sl-D 24008 О, 125А
1N1237
2xSl-D 16008 О,75А
1N1414
Sl-D 4008 1Од
1N1238
2xSl-D 16008 О,75А
1N1415
Sl-D 4008 1А
1N1239
2xSl-D 28008 О,5А
1N1434
Sl-D 508 30А
1N1240.. 1250
Sl-D аналог 1N1251 .. 1261
1N1435
Sl-D 1008 30А
1N1251
Sl-D 508 О,5А
1N1436
Sl-D 2008 30А
1N1252
Sl-D 1008 О,5А
1N1437
Sl-D 4008 30А
1N1253
Sl-D 2008 О,5А
1N1438
Sl-D 6008 30А
1N1254
Sl-D 3008 О,5А
1N1439
Sl-D 1008 О,75А
1N1255
Sl-D 4008 О,5А
1N1440
Sl-D 2008 О,75А
1N1256
Sl-D 5008 О,32А
1N1441
Sl-D 3008 О,75А
1N1257
Sl-D 6008 О,3А
1N1442
Sl-D 4008 О,75А
1N1258
Sl-D 7008 О,28А
1N1443(A,8)
Sl-D 10008 О,95 .. 1,6А
1N1259
Sl-D 8008 О,27А
1N1444(A,8)
Sl-D 10008 О,95 .. 1,6А
1N1260
Sl-D 9008·0,25А
1N1445
Sl-D 3008 О,2А
1N1261
Sl-D 10008 О,24А
1N1446
Sl-D 1008 1,5А
1N1262
Sl-D 4,5к8 О,25А
1N1447
Sl-D 2008 1,5А
1N1301
Sl-D 508 37А
1N1448
Sl-D 3008 1,5А
1N1302
Sl-D 1008 37А
1N1449
Sl-D 4008 1,5А

148
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N1450
Sl-D 1008 1,5д
1N156З(д)
Sl-D 1008 1,5д
1N1451
Sl-D 2008 1,5д
1N1564(д)
Sl-D 2008 1 ,5д
1N1452
Sl-D 3008 1,5д
1N1565(д)
Sl-D 3008 1,5д
1N1453
Sl-D 4008 1,5д
1N1566(д)
Sl-D 4008 1,5д
1N1454
Sl-D 1008 25д
1N1567(д)
Sl-D 5008 1,5д
1N1455
Sl-D 2008 25д
1N1568(д)
Sl-D 6008 1,5д
1N1456
Sl-D 3008 25д
1N1569
Sl-D 1008 1д
1N1457
Sl-D 4008 25д
1N1570
Sl-D 2008 1д
1N1458
Sl-D 1008 35д
1N1571
Sl-D 3008 1д
1N1459
Sl-D 2008 35д
1N1572
Sl-04008 1д
1N1460
Sl-D 3008 35д
1N1573
Sl-D 5008 1д
1N1461
Sl-D 4008 35д
1N1574
Sl-D 6008 1д
1N1462
Sl-D 1008 50д
1N1575
Sl-D 1008 З,5д
1N1463
Sl-D 2008 50д
1N1576
Sl-D 2008 З,5д
1N1464
Sl-D 3008 50д
1N1577
Sl-D 3008 З,5д
1N1465
Sl-D 4008 50д
1N1578
Sl-D 4008 З,5д
1N1466
Sl-D 1008 75д
1N1579
Sl-D 5008 З,5д
1N1467
Sl-D 2008 75д
1N1580
Sl-D 6008 З,5д
1N1468
Sl-D 3008 75д
1N1581
Sl-D 508 10д
1N1469
Sl-D 4008 75А
1N1582
Sl-D 1008 10д
1N1486
Sl-D 5008 О,78д
1N1583
Sl-D 2008 10д
1N1487
Sl-D 1008 О,75д
1N1584
Sl-D 3008 1Од
1N1488
Sl-D 2008 О,75д
1N1585
Sl-D 4008 1Од
1N1489
Sl-D 3008 О,75д
1N1586
Sl-D 5008 10д
1N1490
Sl-D 4008 О,75д
1N1587
Sl-D 6008 10д
1N1491
Sl-D 5008 О,75д
1N1612(д)
Si-D 508 15д
1N1492
Sl-D 6008 О,75д
1N161З(д)
Sl-D 1008 15д
1N1537
Sl-D 508 1,6д
1N1614(д)
Sl-D 2008 15д
1N1538
Sl-D 1008 1,6д
1N1615(д)
Sl-D 4008 15д
1N1539
Sl-D 1508 1,6д
1N1616(д)
Si-D 6008 15д
1N1540
Sl-D 2008 1,6д
1N1617
Sl-D 1008 1,5д
1N1541
Sl-D 3008 1,6д
1N1618
Sl-D 2008 1,5д
1N1542
Sl-D 4008 1,6д
1N1619
Sl-D 3008 1,5д
1N1543
Sl-D 5008 1,6д
1N1620
Sl-D 4008 1,5д
1N1544
Sl-D 6008 1,6д
1N1621
Sl-D 1008 10д
1N1551
Sl-D 1008 1д
1N1622
Sl-D 2008 1Од
1N1552
Sl-D 2008 1д
1N1623
Sl-D 3008 1Од
1N1553
Sl-D 3008 1д
1N1624
Sl-D 4008 10д
1N1554
Sl-D 4008 1д
1N1644
Sl-D 508 О,75д
1N1555
Sl-D 5008 1д
1N1645
Sl-D 1008 О,75д
1N1556
Sl-D 1008 О,75д
1N1646
Sl-D 1508 О,75д
1N1557
Sl-D 2008 О,75д
1N1647
Sl-D 2008 О,75д
1N1558
Sl-D 3008 О,75д
1N1648
Sl-D 2508 О,75д
1N1559
Sl-D 4008 О,75д
1N1649
Sl-D 3008 О,75д
1N1560
Sl-D 5008 О,75д
1N1650
Sl-D 3508 О,75д

Краткие справочные данные по зарубежным диодам
149
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N1651
Sl-D 400В О,75А
1N1734A
Sl-D 5кВ О,35А
1N1652
Sl-D 500В О,75А
1N1745
Sl-D 1,5кВ О,38А
1N1653
Sl-D 600В О,75А
1N1746
Sl-D 1,5кВ О,44А
1N1680
Sl-D 150В 50А
1N1747
Sl-D 1,8кВ О,36А
1N1681
Sl-D 250В 50А
1N1748
Sl-D 1,8кВ О,42А
1N1682
Sl-D ЗООВ 50А
1N1749
Sl-D 2,4кВ О,2ЗА
1N1683
Sl-D 350В 50А
1N1750
Sl-D 2,4кВ О,38А
1N1684
Sl-D 400В 50А
1N1751
Sl-D З,6кВ О,37А
1N1685
Sl-D 450В 50А
1N1752
Sl-D З,6кВ О,36А
1N1686
Sl-D 500В 50А
1N1753
Sl-D 4,8кВ О,ЗЗА
1N1687
Sl-D 600В 50А
1N1754
Sl-D 4,8кВ О,32А
1N1688
Sl-D 700В 50А
1N1755
Sl-D 6кВ О,29А
1N1689
Sl-D 800В 50А
1N1756
Sl-D 6кВ О,36А
1N1690
Sl-D 900В 50А
1N1757
Sl-D 7,2кВ О,29А
1N1691
Sl-D 1ОООВ 50А
1N1758
Sl-D 7,2кВ О,ЗЗА
1N1692
Sl-D 100В О,75А
1N1759
Sl-D 8кВ 0,25А
1N1693
Sl-D 200В О,75А
1N1760
Sl-D 12кВ О,25А
1N1694
Sl-D ЗООВ О,75А
1N1761
Sl-D 14кВ О,ЗА
1N1695
Sl-D 400В О,75А
1N1762
Sl-D 16кВ О,25А
1N1696
Sl-D 500В О, 75А
1N1763
Sl-D 400В О,5.. 1А
1N1697
Sl-D 600В О,75А
1N1764
Sl-D 500В О,5"1А
1N1698
Sl-D 6,6кВ О,062А
1N1907
Sl-D 50В 1,5А
1N1699
Sl-D 10кВ О,058А
1N1908
Sl-D 1ООВ 1,5А
1N1700
Sl-D 12кВ О,05А
1N1909
Sl-D 200В 1,5А
1N1701
Sl-D 50В О,ЗА
1N1910
Sl-D ЗООВ 1,5А
1N1702
Sl-D 100В О,ЗА
1N1911
Sl-D 400В 1,5А
1N1703
Sl-D 200В О,ЗА
1N1912
Sl-D 500В 1,5А
1N1704
Sl-D ЗООВ О,ЗА
1N1913
Sl-D 600В 1,5А
1N1705
Sl-D 400В О,ЗА
1N1914
Sl-D 700В 1,5А
1N1706
Sl-D 500В О,ЗА
1N1915
Sl-D 800В 1,5А
1N1707
Sl-D 50В О,5А
1N1916
Sl-D 900В 1,5А
1N1708
Sl-D 1ООВ О,ЗА
1N1917
Sl-D 50В 4А
1N1709
Sl-D 200В О,ЗА
1N1918
Sl-D 100В4А
1N1710
Sl-D ЗООВ О,ЗА
1N1919
Sl-D 200В4А
1N1711
Sl-D 400В О,ЗА
1N1920
Sl-D ЗООВ4А
1N1712
Sl-D 500В О,ЗА
1N1921
Sl-D 400В4А
1N1730
Sl-D 1кВ О,2А
1N1922
Sl-D 500В4А
1N17ЗОА
Sl-D 1кВ 0,35А
1N1923
Sl-D 600В4А
1N1731
Sl-D 1,5кВ О,2А
1N1924
Sl-D 700В 4А
1N1731A
Sl-D 1,5кВ О,35А
1N1925
Sl-D 800В 4А
1N1732
Sl-D 2кВ О,2А
1N1926
Sl-D 900В 4А
1N1732A
Sl-D 2кВ О,35А
1N2013
Sl-D 50В О,2А
1N1733
Sl-D ЗкВ О,2А
1N2014
Sl-D 100В О,2А
1N173ЗА
Sl-D ЗкВ 0,35А
1N2015
Sl-D 150В О,2А
1N1734
Sl-D 5кВ 0,2А
1N2016
Sl-D 200В О,2А

150
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N2017
Sl-0 2508 О,2А
1N2106
Sl-0 ЗО08 О,75А
1N2018
Sl-0 З008 О,2А
1N2107
Sl-0 4008 О,75А
1N2019
Sl-0 З508 О,2А
1N2108
Sl-0 5008 О,75А
1N2020
Sl-0 4008 О,2А
1N2109
Sl-0 508 2А
1N2021
Sl-0 1508 1Од
1N2110
Sl-0 1008 2А
1N2022
Sl-0 2508 1Од
1N2111
Sl-0 2008 2А
1N202З
Sl-0 З008 1Од
1N2112
Sl-0 ЗО08 2А
1N2024
Sl-0 З508 1Од
1N211З
Sl-0 4008 2А
1N2025
Sl-0 4008 1Од
1N2114
Sl-0 5008 2А
1N2026
Sl-0 508 1А
1N2115
Sl-0 З658 О,ЗА
1N2027
Sl-0 2008 1А
1N2116
Sl-0 4008 О,75А
1N2028
Sl-0 З008 1А
1N2117
Sl-0 7208 О,75А
1N2029
Sl-04008 1А
1N2128
Sl-0 508 60А
1N20ЗО
Sl-0 5008 1А
1N2129
Sl-0 1008 60А
1N20З1
Sl-0 6008 1А
1N21ЗО
Sl-0 1508 60А
1N2069(A)
Sl-0 2008 О,75А
1N21З1
Sl-0 2008 60А
1N2070(A)
Sl-0 4008 О,75А
1N21З2
Sl-0 2508 60А
1N2071(A)
Sl-0 6008 О,75А
1N21ЗЗ
Sl-0 ЗО08 60А
1N2072
Sl-0 508 О,75А
1N21З4
Sl-0 З508 60А
1N207З
Sl-0 1008 О,75А
1N21З5
Sl-0 4008 60А
1N2074
Sl-0 1508 О,75А
1N21Зб
Sl-0 4508 60А
1N2075
Sl-0 2008 О,75А
1N21З7
Sl-0 5008 60А
1N2076
Sl-0 2508 О,75А
1N21З8
Sl-0 6008 60А
1N2077
Sl-0 З008 О,75А
1N21З9
Sl-0 20к8 О,045А
1N2078
Sl-0 4008 О,75А
1N2146
Sl-O 1208 <5Онс
1N2079
Sl-0 5008 О,75А
1N2147(A)
Sl-0 508 6А
1N2080
Sl-0 508 О,5А
1N2148(A)
Sl-0 1008 6А
1N2081
Sl-0 1008 О,5А
1N2149(A)
Sl-0 2008 6А
1N2082
Sl-0 2008 О,5А
1N2150(A)
Sl-0 ЗО08 6А
1N208З
Sl-0 З008 О,5А
1N2151(A)
Sl-04008 6А
1N2084
Sl-0 4008 О,5А
1N2152(A)
Sl-0 5008 6А
1N2085
Sl-0 5008 О,5А
1N215З(А)
Sl-0 6008 6А
1N2086
Sl-0 6008 О,5А
1N2154
Sl-0 508 25А
1N2088
Sl-0 5008 О,75А
1N2155
Sl-0 1008 25А
1N2089
Sl-0 6008 О,75А
1N2156
Sl-0 2008 25А
1N2090
Sl-0 508 О,75А
1N2157
Sl-0 ЗОО8 25А
1N2091
Sl-0 1008 О,75А
1N2158
Sl-0 4008 25А
1N2092
Sl-0 2008 О,75А
1N2159
Sl-0 5008 25А
1N209З
Sl-0 З008 О,75А
1N2160
Sl-0 6008 25А
1N2094
Sl-0 4008 О,75А
1N2172
Sl-0 508 50А
1N2095
Sl-0 5008 О,75А
1N217З
Sl-0 1008 50А
1N2096
Sl-0 6008 О,75А
1N2174
Sl-0 2008 50А
1N210З
Sl-0 508 О,75А
1N2176
Sl-0 508 ЗА
1N2104
Sl-0 1008 О,75А
1N2177
Si-0 1008 ЗА
1N2105
Sl-0 2008 О,75А
1N2178
Sl-0 2008 ЗА

Краткие справочные данные по зарубежным диодам
151
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N2179
Sl-0 ЗОО8 ЗА
1N2226(A)
Sl-0 12008 1А
1N2180
Sl-04008 ЗА
1N2227(A)
Sl-0 12008 1А
1N2181
Sl-0 5008 ЗА
1N222B(A)
Sl-0 508 5А
1N2182
Sl-0 6008 ЗА
1N2229(A)
Sl-0 508 5А
1N218З
Sl-0 1008 ЗА
1N22ЗО(А)
Sl-0 2008 5А
1N2184
Sl-0 508 ЗА
1N22З1(А)
Sl-0 2008 5А
1N2185
Sl-0 1008 ЗА
1N22З2(А)
Sl-0 ЗО08 5А
1N2186
Sl-0 1508 ЗА
1N22ЗЗ(А)
Sl-0 ЗОО8 5А
1N2187
Sl-0 2008 ЗА
1N22З4(А)
Sl-0 4008 5А
1N2188
Sl-0 ЗОО8 ЗА
1N22З5(А)
Sl-04008 5А
1N2189
Sl-0 4008 ЗА
1N22З6(А)
Sl-0 5008 5А
1N2190
Sl-0 5008 ЗА
1N22З7(А)
Sl-0 5008 5А
1N2191
Sl-0 6008 ЗА
1N22ЗВ(А)
Sl-0 6008 5А
1N2192
Sl-0 8008 ЗА
1N22З9(А)
Sl-0 6008 5А
1N219З
Si-0 10008 ЗА
1N2240(A)
Sl-0 8008 5А
1N2194
Sl-0 508 6А
1N2241(A)
Sl-0 8008 5А
1N2195
Sl-0 1008 6А
1N2242(A)
Sl-0 10008 5А
1N2196
Sl-0 1508 6А
1N224З(А)
Sl-0 10008 5А
1N2197
Sl-0 2008 6А
1N2244(A)
Sl-0 12008 5А
1N2198
Sl-0 З008 6А
1N2245(A)
Sl-0 12008 5А
1N2199
Sl-0 4008 6А
1N2246(A)
Sl-0 508 10А
1N2200
Sl-0 5008 6А
1N2247(A)
Si-0 508 10А
1N2201
Sl-0 6008 6А
1N2248(A)
Sl-0 1008 10А
1N2202
Sl-0 8008 6А
1N2249(A)
Sl-0 1008 10А
1N220З
Sl-0 10008 6А
1N2250(A)
Sl-0 2008 1Од
1N2204
Sl-0 508 12А
1N2251(A)
Sl-0 2008 1Од
1 "J2205
Si-0 1008 12А
1N2252(A)
Sl-0 ЗО08 1Од
1
1N2206
Sl-0 1508 12А
1N225З(А)
Sl-0 ЗО08 1Од
1N2207
Sl-0 2008 12А
1N2254(A)
Sl-0 4008 1Од
1
1N2208
Sl-0 ЗОО8 12А
1N2255(A)
Sl-0 4008 1Од
1N2209
Sl-0 4008 12А
1N2256(A)
Sl-0 5008 1Од
1N2210
Sl-0 5008 12А
1N2257(A)
Sl-0 5008 1Од
1N2211
Sl-0 6008 12А
1N225B(A)
Sl-0 6008 1Од
1N2212
Sl-0 8008 12А
1N2259(A)
Sl-0 6008 1Од
1N221З
Sl-0 10008 12А
1N2260(A)
Sl-0 8008 10А
1N2216(A)
Sl-0 508 1,5А
1N2261(A)
Sl-0 8008 1Од
1N2217(A)
Sl-0 508 1,5А
1N2262(A)
Sl-0 10008 1Од
1N221B(A)
Sl-0 5008 1,5А
1N226З(А)
Sl-0 10008 1Од
1N2219(A)
Sl-0 5008 1,5А
1N2264(A)
Sl-0 12008 1Од
1N2220(A)
Sl-0 6008 1,5А
1N2265(A)
Sl-0 12008 10А
1N2221(A)
Sl-0 6008 1,5А
1N2266
Sl-0 508 1А
1N2222(A)
Sl-0 8008 1А
1N2267
Sl-0 508 1А
1N222З(А)
Sl-0 8008 1А
1N2268
Sl-0 5008 1А
1N2224(A)
Sl-0 10008 1А
1N2269
Sl-0 5008 1А
1N2225(A)
Sl-0 10008 1А
1N2270
Sl-0 6008 1А

152
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N2271
Sl-D 6008 1А
1N2З15
Sl-D ЗОО8 З5А
1N2272
Sl-D 508 6А
1N2З16
Sl-D З508 З5А
1N227З
Sl-D 1008 6А
1N2З17
Sl-D 4008 З5А
1N2274
Sl-D 2008 6А
1N2З18
Sl-D 508 З5А
1N2275
Sl-D ЗОО8 6А
1N2З19
Sl-D 1008 З5А
1N2276
Sl-D 4008 6А
1N2З20
Sl-D 15Q8 З5А
1N2277
Sl-D 5008 6А
1N2З21
Sl-D 2008 З5А
1N2278
Sl-D 6008 6А
1N2З22
Sl-D 2508 З5А
1N2279
Sl-D 8008 6А
1N2З2З
Sl-D ЗОО8 З5А
1N2280
Sl-D 10008 6А
1N2З24
Sl-D З508 З5А
1N2281
Sl-D 12008 6А
1N2З25
Sl-D 4008 З5А
1N2282
Sl-D ЗОО8 20А
1N2З27
Sl-D 11008 О,4А
1N228З
Sl-D 4008 20А
1N2З28
Sl-D 22008 О,4А
1N2284
Sl-D 5008 20А
1N2З48
Sl-D 508 ЗА
1N2285
Sl-D 6008 20А
1N2З49
Sl-D 1008 ЗА
1N2286
Sl-D 8008 20А
1N2З50
Sl-D 1508 ЗА
1N2287
Sl-D 10008 20А
1N2З57
Sl-D 14008 О,4А
1N2288
Sl-D 12008 20А
1N2З58
Sl-D 15008 О,4А
1N2289"229З
Sl-D аналог 1N2289А"229ЗА
1N2З59
Sl-D 16008 О,4А
1N2289A
s1-o 1008 1,5д
1N2З60
Sl-D 18008 О,4А
1N2290A
Sl-D 1008 5А
1N2З61
Sl-D 20008 О,4А
1N2291A
Sl-D 2008 1,5А
1N2З62
Sl-D 14008 1А
1N2292A
Sl-D З008 1,5А
1N2З6З
Sl-D 14008 1А
1N229ЗА
Sl-D 4008 1,5А
1N2З64
Sl-D 15008 1А
1N2294
Sl-D 508 22А
1N2З65
Sl-D 15008 1А
1N2295
Sl-D 1008 22А
1N2З66
Sl-D 16008 1А
1N2296
Sl-D 1508 22А
1N2З67
Sl-D 16008 1А
1N2297
Sl-D 2008 22А
1N2З68
Sl-D 18008 1А
1N2298
Sl-D 2508 22А
1N2З69
Sl-D 18008 1А
1N2299
Sl-D З008 22А
1N2З70
Sl-D 20008 1А
1N2ЗОО
Sl-D З508 22А
1N2З71
Sl-D 20008 1А
1N2ЗО1
Sl-D 4008 22А
1N2З62А.. 71А
Sl-D аналог 1N2З62 .. 71 5А
1N2ЗО2
Sl-D 508 22А
1N2З628.. 71 8
Sl-D аналог 1N2З62 .. 71 1Од
1N2ЗОЗ
Sl-D 1008 22А
1N2З72
Sl-D 10008 О,2А
1N2ЗО4
Sl-D 1508 22А
1N2З7З
Sl-D 6008 О,25А
1N2ЗО5
Sl-D 2008 22А
1N2З74
Sl-D 10008 О,25А
1N2ЗО6
Sl-D 2508 22А
1N2З75
Sl-D 15008 О,2А
1N2ЗО7
Sl-D ЗОО8 22А
1N2З76
Sl-D 20008 О,2А
1N2ЗО8
Sl-D З508 22А
1N2З77
Sl-D 24008 О,15А
1N2ЗО9
Sl-D 4008 22А
1N2З78
Sl-D ЗООО8 О, 15А
1N2З10
Sl-D 508 З5А
1N2З79
Sl-D 40008 О, 15А
1N2З11
Sl-D 1008 З5А
1N2З80
Sl-D 60008О,1А
1N2З12
Sl-D 1508 З5А
1N2З81
Sl-D 100008 О,075А
1N2З1З
Sl-D 2008 З5А
1N2З82
Sl-D 4к8 О, 15А
1N2З14
Sl-D 2508 З5А
1N2З82А
Sl-D 4к8 О,З5А

Краткие справочные данные по зарубежным диодам
153
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N2383
Sl-D 6к8О,1А
1N2448
Sl-D 1508 45А
1N2383A
Sl-D 6к8 О,35А
1N2449
Sl-D 2008 45А
1N2384
Sl-D 8к8 О,07А
1N2450
Sl-D 2508 45А
1N2384A
Sl-D 8к8 О,275А
1N2451
Sl-D 3008 45А
1N2385
Sl-D 10к8 О,07А
1N2452
Sl-D 3508 45А
1N2385A
Sl-D 10к8 О,2А
1N2453
Sl-D 4008 45А
1N2389
2xSl-D 16008 О,6А
1N2454
Sl-D 5008 45А
1N2390(A)
Sl-D 508 1,5А
1N2455
Sl-D 6008 45А
1N2391(A)
Sl-D 1008 1,5А
1N2456
Sl-D 7008 45А
1N2392(A)
Sl-D 2008 1 ,5А
1N2457
Sl-D 8008 45А
1N2393(A)
Sl-D 3008 1,5А
1N2458
Sl-D 508 60А
1N2394(A)
Sl-D 4008 1,5А
1N2459
Sl-D 1008 60А
1N2395(A)
Sl-D 5008 1,5А
1N2460
Sl-D 1508 60А
1N2396(A)
Sl-D 6008 1,5А
1N2461
Sl-D 2008 60А
1N2397(A)
Sl-D 7008 1,5А
1N2462
Sl-D 2508 60А
1N2398(A)
Sl-D 8008 1,5А
1N2463
Sl-D 3008 60А
1N2399(A)
Sl-D 508 1,5А
1N2464
Sl-D 3508 60А
1N2400(A)
Sl-D 1008 1,5А
1N2465
Sl-D 4008 60А
1N2401(A)
Sl-D 2008 1,5А
1N2466
Sl-D 5008 60А
1N2402(A)
Sl-D 3008 1,5А
1N2467
Sl-D 6008 60А
1N2403(A)
Sl-D 4008 1,5А
1N2468
Sl-D 7008 60А
1N2404(A)
Sl-D 5008 1,5А
1N2469
Sl-D 8008 60А
1N2405(A)
Sl-D 6008 1,5А
1N2482
Sl-D 2008 О,75А
1N2406(A)
Sl-D 7008 1,5А
1N2483
Sl-D 4008 О,75А
1N2407(A)
Sl-D 8008 1,5А
1N2484
Sl-D 6008 О,75А
1N2408(A)
Sl-D 508 1,5А
1N2485
Sl-D 2008 О,75А
1N2409(A)
Sl-D 1008 1,5А
1N2486
Sl-D 3008 О,75А
1N2410(A)
Sl-D 2008 1,5А
1N2487
Sl-D 4008 О,75А
1N2411(A)
Sl-D 3008 1,5А
1N2488
Sl-D 5008 О,75А
1N2412(A)
Sl-D 4008 1,5А
1N2489
Sl-D 6008 О,75А
1N2413(A)
Sl-D 5008 1,5А
1N2490
2xSl-D 16008 О,5А
1N2414(A)
Sl-D 6008 1,5А
1N2491
Sl-D 508 6А
1N2415(A)
Sl-D 7008 1,5А
1N2492
Sl-D 1008 6А
1N2416(A)
Sl-D 8008 1,5А
1N2493
Sl-D 2008 6А
1N2417(A)
Sl-D 508 1,5А
1N2494
Sl-D 3008 6А
1N2418(A)
Sl-D 1008 1,5А
1N2495
Sl-04008 6А
1N2419(A)
Sl-D 2008 1,5А
1N2496
Sl-D 5008 6А
1N2420(A)
Sl-D 3008 1,5А
1N2497
Sl-D 6008 6А
1N2421(A)
Sl-D 4008 1,5А
1N2501
Sl-D 8008 О, 15А
1N2422(A)
Sl-D 5008 1,5А
1N2502
Sl-D 10008 0,15А
1N2423(A)
Sl-D 6008 1,5А
1N2503
Sl-D 12008 О,15А
1N2424(A)
Sl-D 7008 1,5А
1N2504
Sl-D 150080,15А
1N2425(A)
Sl-D 8008 1,5А
1N2505
Sl-D 8008 О,3А
1N2446
Sl-D 508 45А
1N2506
Sl-D 10008 О,ЗА
1N2447
Sl-D 1008 45А
1N2507
Sl-D 12008 О,3А

154
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N2508
Sl-D 15006 О,ЗА
1N2556
Sl-D 10008 2,5А
1N2512
Sl-D 1008 4А
1N2557
Sl-D 7008 6А
1N2513
Sl-D 2008 4А
1N2558
Sl-D 80066А
1N2514
Sl-D 30064А
1N2559
Sl-D 90066А
1N2515
Sl-D40064A
1N2560
Sl-D 10006 6А
1N2516
Sl-D 50064А
1N2561
Sl-07008 6А
1N2517
Sl-D 60064А
1N2562
Sl-D 80086А
1N2518
Sl-D 1008 4А
1N2563
Sl-D 9008 6А
1N2519
Sl-D 2008 4А
1N2564
Sl-D 10008 6А
1N2520
Sl-D 30064А
1N2565
Sl-D 5086А
1N2521
Sl-D 40064А
1N2566
Sl-D 10066А
1N2522
Sl-D 50084А
1N2567
Sl-D 20066А
1N2523
Sl-D60084A
1N2568
S/-D 30066А
1N2524
Sl-D 506 2,5А
1N2569
Sl-D40066A
1N2525
Sl-D 1006 2,5А
1N2570
Sl-D 5006 6А
1N2526
Sl-D 2006 2,5А
1N2571
Sl-06008 6А
1N2527
Sl-D 3008 2,5А
1N2572
Sl-D 7008 6А
1N2528
Sl-D 4006 2,5А
1N2573
Sl-D 8008 6А
1N2529
Sl-D 5006 2,5А
1N2574
Sl-D 9008 6А
1N2530
Sl-D 6008 2,5А
1N2575
Sl-D 10006 6А
1N2531
Sl-D 7008 2,5А
1N2576
Sl-D 50612А
1N2532
Sl-D 8008 2,5А
1N2577
Sl-D 1006 12А
1N2533
Sl-D 9008 2,5А
1N2578
Sl-D 2006 12А
1N2534
Sl-D 10008 2,5А
1N2579
Sl-D 3006 12А
1N2535
Sl-D 508 2,5А
1N2580
Sl-D 4008 12А
1N2536
Sl-D 1008 2,5А
1N2581
Sl-D 5008 12А
1N2537
Sl-D 2006 2,5А
1N2582
Sl-D 6006 12А
1N2538
Sl-D 3006 2,5А
1N2583
Sl-D 7006 12А
1N2539
Sl-D 4008 2,5А
1N2584
Sl-D 8006 12А
1N2540
Sl-D 5006 2,5А
1N2585
Sl-D 9006 12А
1N2541
Sl-D 6008 2,5А
1N2586
Sl-D 10006 12А
1N2542
Sl-D 7006 2,5А
1N2587
Sl-D 50612А
1N2543
Sl-D 8006 2,5А
1N2588
Sl-D 1006 12А
1N2544
Sl-D 9006 2,5А
1N2589
Sl-D 2006 12А
1N2545
Sl-D 10006 2,5А
1N2590
Sl-D 3006 12А
1N2546
Sl-D 506 2,5А
1N2591
Sl-D 4006 12А
1N2547
Sl-D 1006 2,5А
1N2592
Sl-D 5006 12А
1N2548
Sl-D 2006 2,5А
1N2593
Sl-D 6006 12А
1N2549
Sl-D 3008 2,5А
1N2594
Sl-D 7006 12А
1N2550
Sl-D 4008 2,5А
1N2595
&1-D 8006 12А
1N2551
Sl-D 5006 2,5А
1N2596
Sl-D 9008 12А
1N2552
Sl-D 6006 2,5А
1N2597
Sl-D 10006 12А
1N2553
Sl-D 7006 2,5А
1N2598
Sl-D 508 12А
1N2554
Sl-D 8006 2,5А
1N2599
Sl-D 1008 12А
1N?'i'i 'i
Sl-D 9006 2.5А
1N2600
Sl-D 2006 12А

Краткие справочные данные по зарубежным диодам
155
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N2601
Sl-0 ЗООВ 12А
1N2677
Sl-0 ЗООВ З,6А
1N2602
Sl-0 400В 12А
1N2681
Sl-0 400В З,6А
1N260З
Sl-0 500В 12А
1N2685
Sl-0 600В З,6А
1N2604
Sl-0 600В 12А
1N2687
Sl-0 800В З,6А
1N2605
Si-0 700В 12А
1N2689
Sl-0 900В З,6А
1N2606
Sl-0 800В 12А
1N2690
Sl-0 1200В З,6А
1N2607
Sl-0 900В 12А
1N2691
Sl-0 1600В З,6А
1N2608
Sl-0 1000В 12А
1N2692
Sl-0 100В 7,2А
1N2609
Sl-0 50В О,75А
1N2694
Sl-0 200В 7,2А
1N2610
Sl-0 100В О,75А
1N2696
Sl-0 ЗООВ 7,2А
1N2611
Si-0 200В О,75А
1N2698
Sl-0 400В 7,2А
1N2612
Sl-0 ЗООВ О,75А
1N2700
Sl-0 600В 7,2А
1N261З
Sl-0 400В О,75А
1N2701
Sl-0 800В 7,2А
1N2614
Sl-0 500В О,75А
1N2702
Sl-0 100В ЗА
1N2615
Sl-0 600В О,75А
1N2705
Sl-0 200В ЗА
1N2616
Sl-0 800В О,75А
1N2708
Sl-0 ЗООВ ЗА
1N2617
Sl-0 1000В О,75А
1N2711
Sl-0 400В ЗА
1N2618
Sl-0 1200В О,75А
1N2714
Sl-0 600В ЗА
1N2619
Si-0 1500В О,75А
1N2717
Sl-0 800В ЗА
1N2627
GE-0 настроечный СВЧ 5В
1N2720
Sl-0 1200В ЗА
1N2628
GE-0 настроечный СВЧ 5В
1N2722
Sl-0 1600В ЗА
1N2629
GE-0 настроечный СВЧ 5В
1N272З
Sl-0 2000В ЗА
1N26ЗО
2xSl-O 1500В О,085А
1N2724
Sl-0 2400В ЗА
1N26З1
2xSl-O 1600В О,6А
1N2725
Sl-0 100В ЗА
1N26З2
2xSl-O 2800В О,2А
1N2728
Sl-0 200В ЗА
1N26ЗЗ
2xSl-O 1600В О,6А
1N27З1
Sl-0 ЗООВ ЗА
1N26З4
2xSl-O 1600В 0,6А
1N27З4
Sl-0400B ЗА
1N26З5
2xSl-O 1500В О,085А
1N27З7
Sl-0 600В ЗА
1N26З6
2xSl-O 1500В О,085А
1N27З8
Sl-0 800В ЗА
1N26З7
2xSl-O 1окв О,25А
1N27З9
Sl-0 1200В ЗА
1N26З8
Sl-0 1ООВ 1,5А
1N2740
Sl-0 100В З,6А
1N2641
Sl-0 200В 1,5А
1N2742
Sl-0 2ООВ З,6А
1N2644
Sl-0 ЗООВ 1,5А
1N2744
Sl-0 ЗООВ З,6А
1N2647
Sl-0 400В 1,5А
1N2746
Sl-0 400В З,6А
1N2650
Sl-0 600В 1,5А
1N2748
Sl-0 600В З,6А
1N265З
Sl-0 800В 1,5А
1N2749
Sl-0 ВООВ З,6А
1N2656
Sl-0 1200В 1,5А
1N2750
Sl-0 100В ЗА
1N2659
Sl-0 1600В 1,5А
1N275З
Sl-0 200В ЗА
1N2662
Si-0 2ОООВ 1,5А
1N2756
Sl-0 ЗООВ ЗА
1N2664
Sl-0 2400В 1,5А
1N2759
Sl-0400B ЗА
1N2666
Si-0 З200В 1,5А
1N2762
Sl-0 600В ЗА
1N2667
Sl-0 4000В 1,5А
1N276З
Sl-0 800В ЗА
1N2668
Sl-0 4800В 1,5А
1N2764
Sl-0 1200В ЗА
1N2669
Sl-0 1ООВ З,6А
1N2772
Sl-0 700В О,75А
1N267З
Sl-0 200В З,6А
1N277З
Sl-0 ВООВ О,75А

156
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N2774
Sl-D 9008 О,75А
1N2882
Sl-D 1ОООВ О,25А
1N2775
Sl-D 10008 О,75А
1N2883
Sl-D 1ОООВ О,25А
1N2776
Sl-D 11008 О,75А
1N2884
Sl-D 14008 О,25А
1N2777
Sl-D 12008 О,75А
1N2885
Sl-D 14008 О,25А
1N2778
Sl-D 13008 О,75А
1N2886
Sl-D 15008 О,25А
1N2779
Sl-D 14008 О,75А
1N2887
Sl-D 15008 О,25А
1N2780
Sl-D 15008 О,75А
1N2888
Sl-D 17008 О,25А
1N2781
Sl-D 16008 О,75А
1N2889
Sl-D 17008 О,25А
1N2784
Sl-D 2008 22А
1N2890
Sl-D 20008 О,25А
1N2785
Sl-D 4008 22А
1N2891
Sl-D 20008 О,25А
1N2786
Sl-D 2008 1Од
1N2892
Sl-D 21008 О,25А
1N2787
Sl-D 4008 10А
1N2893
Sl-D 21008 О,25А
1N2788
Sl-D 2008 50А
1N2894
Sl-D 24008 О,25А
1N2789
Sl-D 4008 50А
1N2895
Sl-D 24008 О,25А
1N2792(A, В)
GE-D СВЧ 70ГГц
1N2896
Sl-D 25008 О,25А
1N2793
Sl-D 508 8,5А
1N2897
Sl-D 25008 О,25А
1N2794
Sl-D 1ООВ 8,5А
1N2898
Sl-D 28008 О,25А
1N2795
Sl-D 1508 8,5А
1N2899
Sl-D 28008 0,25А
1N2796
Sl-D 2008 8,5А
1N2900
Sl-D 30008 О,25А
1N2797
Sl-D 2508 8,5А
1N2901
Sl-D 30008 О,25А
1N2798
Sl-D 3008 8,5А
1N2902
Sl-D 31008 О,25А
1N2799
Sl-D 3508 8,5А
1N2903
Sl-D 31008 0,25А
1N2800
Sl-D 4008 8,5А
1N2904
Sl-D 35008 О,25А
1N2801
GE-D 208 <500нс
1N2905
Sl-D 35008 О,25А
1N2847(A)
Sl-D 1008 1,5А
1N2906
Sl-D 35008 О,25А
1N2848(A)
Sl-D 2008 1,5А
1N2907
Sl-D 35008 О,25А
1N2849(A)
Sl-D 3008 1,5А
1N2908
Sl-D 38008 О,25А
1N2850(A)
Sl-D 4008 1,5А
1N2909
Sl-D 38008 О,25А
1N2851(A)
Sl-D 5008 1,5А
1N2910
Sl-D 40008 О,25А
1N2852(A)
Sl-D 6008 1,5А
1N2911
Sl-D 40008 О,25А
1N2858(A)
Sl-D 508 О,75 .. 1А
1N2912
Sl-D 42008 О,25А
1N2859(A)
Sl-D 1008 О,75"1А
1N2913
Sl-D 42008 О,25А
1N2860(A)
Sl-D 2008 О,75"1А
1N2914
Sl-D 45008 О,25А
1N2861(A)
Sl-D 3008 О,75"1А
1N2915
Sl-D 45008 О,25А
1N2862(A)
Sl-D 4008 О,75"1А
1N2916
Sl-D 45008 О,25А
1N2863(A)
Sl-D 5008 О,75"1А
1N2917
Sl-D 45008 О,25А
1N2864(A)
Sl-D 6008 О,75"1А
1N2918
Sl-D 50008 О,25А
1N2865
Sl-D 10008 О,7А
1N2919
Sl-D 50008 О,25А
1N2866
Sl-D 15008 О,7А
1N2920
Sl-D 55008 О,25А
1N2867
Sl-D 10008 О,7А
1N2921
Sl-D 55008 О,25А
1N2868
Sl-D 15008 О,7А
1N2922
Sl-D 60008 О,25А
1N2878
Sl-D 7008 О,25А
1N2923
Sl-D 60008 О,25А
1N2879
Sl-D 10008 О,25А
1N2924
Sl-D 65008 О,25А
1N2880
Sl-D 10008 О,25А
1N2925
Sl-D 65008 О,25А
"a.11'\nб<t
c::1_n nnnR n ?'iд
1N2927(A
Sl-D туннельный диод

Краткие справочные данные по зарубежным диодам
157
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N2928(д)
Sl-D туннельный диод
1NЗ106
Sl-D 800В О,75д
1N2929(д)
Sl-D туннельный диод
1NЗ107
Sl-D 1200В О,5д
1N29ЗО(д)
Sl-D туннельный диод
1NЗ108
Sl-D 800В 1,5д
1N29З1(д)
Sl-D туннельный диод
1NЗ109
Sl-D 1200В О,7д
1N29З2(д)
Sl-D туннельный диод
1NЗ110
GE-D 12В О,05д
1N29ЗЗ(д)
Sl-D туннельный диод
1NЗ11З
GaAs-D туннельный диод
1N29З4(д)
Sl-D туннельный диод
1NЗ114
GaAs-D туннельный диод
1N29З9(д)
GE-D туннельный диод
1NЗ115
GaAs-D туннельный диод
1N2940(д)
GE-D туннельный диод
1NЗ116
GaAs-D туннельный диод
1N2941(д)
GE-D туннельный диод
1NЗ117
GaAs-D туннельный диод
1N2969(д)
GE-D туннельный диод
1NЗ118
GaAs-D туннельный диод
1NЗО52
Sl-D 12кВ О, 1д
1NЗ119
GaAs-D туннельный диод
1NЗО5З
Sl-D 14кВ О,1д
1NЗ120
GaAs-D туннельный диод
1NЗО54
Sl-D 16кВ О, 1д
1NЗ121
GE-D 50В О, 11д <500нс
1NЗО55
Sl-D 1ВкВ О, 1д
1NЗ122
GE-D 20В О, 18д <З500нс
1NЗО56
Sl-D 20кВ О, 1д
1NЗ12З
Sl-D 40В О,05д <4нс
1NЗО57
Sl-D 22кВ О, 1д
1NЗ124
Sl-D 40В О,05д <4нс
1NЗО58
Sl-D 24кВ О,1д
1NЗ125
GE-D 55В ЗООнс
1NЗО59
Sl-D 26кВ О, 1д
1NЗ128
GE-D туннельный диод
1NЗО60
Sl-D 28кВ О, 1д
1NЗ129
GE-D туннельный диод
1NЗО61
Sl-D ЗОкВ О,1д
1NЗ1ЗО
GE-D туннельный диод
1NЗО62
Sl-D 50В О,075д <4нс
1NЗ1З8
GaAs-D туннельный диод
1NЗО6З
Sl-D 50В О,075д <4нс
1NЗ1З9
Sl-D 50В ?Од
1NЗО64
Sl-D 50В О,075д <4нс
1NЗ140
Sl-D 1ООВ ?Од
1NЗО65
Sl-D 50В О, 115д <4нс
1NЗ141
Sl-D 150В ?Од
1NЗО66
Sl-D 50В О, 115д <2нс
1NЗ142
Sl-D 200В ?Од
1NЗ067
Sl-D ЗОВ О, 115д <4нс
1NЗ144
GE-D 20В 500нс
1NЗ068
Sl-D ЗОВ О,075д <50нс
1NЗ145
GE-D 65В
1NЗ069
Sl-D 65В О,225д <50нс
1NЗ146
GE-D 25В <2нс
1NЗ070
Sl-D 200В О, 15д <50нс
1NЗ149(д)
GE-D туннельный диод
1NЗ071
Sl-D 200В О,225д <50нс
1NЗ150
GE-D туннельный диод
1NЗО72
Sl-D 50В О,2А
1NЗ151
Sl-D 7,2кВ О, 1д
1NЗ07З
Sl-D 100В О,2А
1NЗ152
Sl-D СВЧ З6ГГц
1NЗ074
Sl-D 150В О,2А
1NЗ15З
Sl-D СВЧ З6ГГц
1NЗО75
Sl-D 200В О,2А
1NЗ159
GE-D 15В О,08д <ЗООнс
1NЗО76
Sl-D 250В О,2А
1NЗ160
GE-D 60В О,ОЗд
1NЗО77
Sl-D ЗООВ О,2А
1NЗ179
Sl-D 240В
1NЗ078
Sl-D З50В О,2А
1NЗ180
Sl-D 1ЗОВ
1NЗО79
Sl-D 400В О,2А
1NЗ182
Sl-D настроечный УКВ
1NЗ080
Sl-D 500В О,2А
1NЗ189
Sl-D 2ООВ 1д
1NЗ081
Sl-D 600В О,2А
1NЗ190
Sl-D 400В 1д
1NЗ082
Sl-D 200В О,5д
1NЗ191
Sl-D 600В 1д
1NЗ08З
Sl-D 400В О,5д
1NЗ19З
Sl-D 200В О,75д
1NЗО84
Sl-D 600В О,5д
1NЗ194
Sl-D 400В О,75д
1NЗ097
GE-D ЗОВ О,05д <500нс
1NЗ195
Sl-D 600В О,75д

158
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1NЗ196
Sl-D 8008 О,75А
1NЗ251
S\-D 8008 1А
1NЗ197
GE-D зов О,08А <ЗООнс
1NЗ252
S\-D 10008 1А
1NЗ20З
GE-D 258 О,06А ЗООнс
1NЗ25З
S\-D аналог 1NЗ19З
1NЗ204
GE-D 608 О,06А ЗООнс
1NЗ254
Sl-D аналог 1NЗ194
1NЗ206
S\-D 1008 О,075А <4нс
1NЗ255
S\-D аналог 1NЗ195
1NЗ207
Sl-D 608 <6нс
1NЗ256
S\-D аналог 1NЗ196
1NЗ208
Sl-D 508 15А
1NЗ257
S\-D 808 <Знс
1NЗ209
S\-D 1008 15А
1NЗ258
S\-D 808 <4нс
1NЗ210
S\-D 2008 15А
1NЗ277
S\-D 2008 О,75А
1NЗ211
Sl-D ЗООВ 15А
1NЗ278
S\-D 4008 О,75А
1NЗ212
Sl-D 4008 15А
1NЗ279
S\-D 6008 О,75А
1NЗ21З
Sl-D 5008 15А
1NЗ280
S\-D 8008 О,75А
1NЗ214
S\-D 6008 15А
1NЗ281
S\-D 10008 О,75А
1NЗ215
S\-D 608 <250нс
1NЗ282
S\-D 10008 О,1А
1NЗ217
GE-D туннельный диод
1NЗ28З
Sl-D 15008 О, 1А
1NЗ218
GE-D туннельный диод
1NЗ284
S\-D 20008 О,1А
1NЗ219
GE-D туннельный диод
1NЗ285
S\-D 25008 О; 1А
1NЗ220
GE-D туннельный диод
1NЗ286
S\-D ЗОООВ О, 1А
1NЗ221
GE-D туннельный диод
1NЗ298
S\-D 608 О,ЗА
1NЗ222
GE-D туннельный диод
1NЗ298А
S\-D 708 О,ЗА
1NЗ225
GE-D 408 О,ОЗА <500нс
1NЗЗ54
S\-D 108 ЗА
1NЗ227
S\-D 1008 О,5А
1NЗЗ55
S\-D 158 ЗА
1NЗ228
Sl-D 2008 О,5А
1NЗЗ56
S\-D 258 ЗА
1NЗ229
Sl-D 4008 О,5А
1NЗЗ57
Si-D 508 ЗА
1NЗ2ЗО
Sl-D 6008 О,5А
1NЗЗ58
S\-D 758 ЗА
1NЗ2З1
Sl-D 8008 О,5А
1NЗЗ59
S\-D 1008 ЗА
1NЗ2З2
Sl-D 10008 О,5А
1NЗЗ60
Sl-D 1508 ЗА
1NЗ2ЗЗ
Sl-D 12008 О, 5А
1NЗЗ61
S\-D 2008 ЗА
1NЗ2З4
Sl-D 15008 О,5А
1NЗЗ62
Sl-D ЗООВ ЗА
1NЗ2З5
S\-D 18008 О,5А
1NЗЗ6З
S\-D 4008 ЗА
1NЗ2З6
S\-D 20008 О,5А
1NЗЗ64
Sl-D 5008 ЗА
1NЗ237
Sl-D 508 О,75А
1NЗЗ65
S\-D 6008 ЗА
1NЗ2З8
Sl-D 1008 О,75А
1NЗЗ66
Sl-D 7008 ЗА
1NЗ2З9
Sl-D 2008 О,75А
1NЗЗ67
Sl-D 8008 ЗА
1NЗ240
S\-D 4008 О,75А
1NЗЗ68
S\-D 9008 ЗА
1NЗ241
Sl-D 6008 О,75А
1NЗЗ69
Sl-D 1ОООВ ЗА
1NЗ242
S\-D 8008 О,75А
1NЗЗ70
Sl-D 12008 ЗА
1NЗ24З
Sl-D 10008 О,75А
1NЗЗ71
Sl-D 15008 ЗА
1NЗ244
Sl-D 12008 О,75А
1NЗЗ72
S\-D 108 20А
1NЗ245
Sl-D 15008 О,75А
1NЗЗ7З
S\-D 258 20А
1NЗ246
Sl-D 508 1А
1NЗЗ74
Sl-D 508 20А
1NЗ247
S\-D 1008 1А
1NЗЗ75
Sl-D 1ООВ 20А
1NЗ248
S\-D 2008 1А
1NЗЗ76
Sl-D 1508 20А
1NЗ249
Sl-D 40081А
1NЗЗ77
Sl-D 2008 20А
1NЗ250
Sl-D 6008 1А
1NЗЗ78
Sl-D ЗООВ 20А

Краткие справочные данные по зарубежным диодам
159
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1NЗЗ79
Sl-D 400В 20А
1NЗ575
Sl-D 60В О, 15А
1NЗЗ80
Sl-D 500В 20А
1NЗ576
Sl-D 125ВО,15А
1NЗ464
Sl-D 12кВ О,06А
1NЗ577
Si-D 175В О,15А
1NЗ465
GE-D 60В 75мА
1NЗ578
Sl-D 225В О, 15А
1NЗ466
GE-D 40В 75мА
1NЗ579
Sl-D 275В О, 15А
1NЗ467
GE-D 18В <2нс
1NЗ592
GE-D ЗОВ О,05А <70нс
1NЗ468
GE-D 18В <2нс
1NЗ593
Sl-D 40В О,05А 10нс
1NЗ469
GE-D 35В 85мА
1NЗ594
Sl-D 60В 6нс
1NЗ470
GE-D 35В 85мА
1NЗ595
Sl-D 150В О, 1А <Змкс
1NЗ471
Sl-D 40В О 04А <2нс
1NЗ596
Sl-D 20В О,075А <4нс
1NЗ485
Sl-D 175В <5Онс
1N3597
Sl-D 200В О,275А <ЗООнс
1NЗ486
Sl-D 1ОООВ О,4А
1NЗ598
Sl-D 50В О,075А <4нс
1NЗ487
Sl-D 1200В О,4А
1NЗ599
Sl-D 150В <50нс
1NЗ488
Sl-D настроечный УКВ
1NЗ600
Sl-D 50В О,2А <4нс
1NЗ491
Sl-D 50В 25А
1NЗ601
Sl-D 75В <5нс
1NЗ492
Sl-D 100В 25А
1NЗ602
Sl-D 75В О, 115А <5нс
1NЗ493
Sl-D 200В 25А
1NЗ603
Sl-D 45В О, 115А <5нс
1NЗ494
Sl-D ЗООВ 25А
1NЗ604
Sl-D аналог 1N4151
1NЗ495
Si-D 400В 25А
1NЗ605
Sl-D аналог 1N4152
1NЗ544
Sl-D 100В О,6А
1NЗ606
Sl-D аналог 1N4153
1NЗ545
Sl-D 200В О,6А
1NЗ607
Sl-D аналог 1N4151
1NЗ546
Sl-D ЗООВ О,6А
1NЗ608
Sl-D аналог 1N4152
1NЗ547
Sl-D 400В О,6А
1NЗ609
Sl-D аналог 1N4153
1NЗ548
Sl-D 500В О,6А
1N3611(GP)
Si-D 200В 1А
1NЗ549
Si-D 600В О,6А
1N3612(GP)
Sl-D 400В 1А
1NЗ550
Sl-D 180В О,08А <1,5мкс
1N3613(GP)
Si-D 600В 1А
1NЗ551
Si-D настроечный УКВ
1N3614(GP)
Sl-D 800В 1А
1NЗ552(А)
Sl-D настроечный УКВ
1NЗ615
Sl-D 50В 16А
1NЗ554
Sl-D настроечный УКВ
1NЗ616
Sl-D 100В 16А
1NЗ555
Sl-D настроечный УКВ
1NЗ617
Sl-D 150В 16А
1NЗ556
Sl-D настроечный УКВ
1NЗ618
Sl-D 200В 16А
1NЗ557
Sl-D настроечный УКВ
1NЗ619
Sl-D ЗООВ 16А
1NЗ560
GE-D туннельный диод
1NЗ620
Sl-D 400В 16А
1NЗ561
GE-D туннельный диод
1NЗ621
Sl-D 500В 16А
1NЗ562
GE-D туннельный диод
1NЗ622
Sl-D 600В 16А
1NЗ563
Sl-D 1000В О,4А
1NЗ623
Si-D 800В 16А
1NЗ566
Sl-D 800В 1А
1N3624
Sl-D 1ОООВ 16А
1NЗ567
Sl-D 75В О,06А <2нс
1NЗ625
Sl-D 2ООВ О,15А
1NЗ568
Sl-D 80В <4нс
1NЗ626
GE-D 50В
1NЗ569
Sl-D 100В З,5А
1NЗ627
Sl-D настроечный УКВ
1NЗ570
Sl-D 200В З,5А
1NЗ628
Sl-D настроечный УКВ
1NЗ571
Sl-D ЗООВ З,5А
1NЗ629
Sl-D 100В О,75А
1NЗ572
Si-D 400В З,5А
1NЗ630
Si-D 2ООВ О,75А
1NЗ573
Sl-D 500В З,5А
1NЗ631
Sl-D ЗООВ О,75А
1NЗ574
Sl-D 600В З,5А
1NЗ632
Sl-D 400В О,75А

160
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1NЗ6ЗЗ
Sl-D 500В О,75А
1NЗ718
GE-D туннельный диод
1NЗ634
Sl-D 600В О,75А
1N3719
GE-D туннельный диод
1NЗ635
Sl-D 7ООВ О,75А
1NЗ720
GE-D туннельный диод
1NЗ636
Sl-D ВООВ О,75А
1NЗ721
GE-D туннельный диод
1NЗ637
Sl-D 900В О,75А
1NЗ723
Sl-D 1000В О,75А
1NЗ638
Sl-D 1000В О,75А
1NЗ724
Sl-D 1200В О,75А
1NЗ639
Sl-D 200В О,75А
1NЗ725
Sl-D 1400В О,75А
1NЗ640
Sl-D 400В О,75А
1NЗ726
Sl-D 1600В О,75А
1NЗ641
Sl-D 600В О,75А
1NЗ727
Sl-D 1800В О,75А
1NЗ642
Sl-D ВООВ О,75А
1NЗ728
Sl-D 550В О,2А
1NЗ643
Sl-D 1000В О,25А
1NЗ729
Si-D 600В <500нс
1NЗ644
Sl-D 1500В О,25А
1NЗ7ЗО
Sl-D ВОВ <15нс
1NЗ645
Sl-D 2000В О,25А
1NЗ731
Sl-D 100В О,175А <Знс
1NЗ646
Sl-D 2500В О,25А
1NЗ748
Sl-D 200В О,5А
1NЗ647
Sl-D ЗОООВ О,25А
1NЗ749
Sl-D 400В О,5А
1NЗ648
Sl-D 1ОкВ О,35А
1NЗ750
Si-D 600В О,5А
1NЗ649
Sl-D ВООВ З,ЗА
1NЗ751
Sl-D ВООВ О,5А
1NЗ650
Sl-D 1ОООВ З,ЗА
1NЗ752
Sl-D 1000В О,5А
1NЗ653
Sl-D 1ООВ <4нс
1NЗ754
Sl-D 100В О,125А
1NЗ654
Sl-D 1оов <4нс
1NЗ755
Sl-D 200В О, 125А
1NЗ656
Sl-D 2ООВ О,75А
1NЗ756
Sl-D 400В О, 125А
1NЗ657
Sl-D 400В О,75А
1NЗ757
Sl-D 200В 1А
1NЗ658
Sl-D 6ООВ О,75А
1NЗ758
Sl-D 400В 1А
1NЗ659
Sl-D 50В ЗОА
1NЗ759
Sl-D 600В 1А
1NЗ660
Sl-D 1ООВ ЗОА
1NЗ760
Sl-D ВООВ 1А
1NЗ661
Sl-D 200В ЗОА
1NЗ761
Sl-D 1000В 1А
1NЗ662
Sl-D ЗООВ ЗОА
1NЗ762
Sl-D 7,5кВ О,065А
1NЗ663
Sl-D 400В ЗОА
1NЗ764
Sl-D ЗкВ О,4А
1NЗ664
Sl-D 500В ЗОА
1NЗ765
Sl-D 7ООВ 35А
1NЗ665
Sl-D 600В ЗОА
1NЗ766
Sl-D ВООВ 35А
1NЗ666
GE-D ВОВ О,07А <ЗООнс
1NЗ767
Sl-D 900В 35А
1NЗ667
Sl-D 5ООВ 1,5А
1NЗ768
Sl-D 1000В 35А
1NЗ668
Sl-D зов О,075А <150нс
1NЗ769
GE-D 90В
1NЗ669
Sl-D 70В О,4А <200нс
1NЗ770
Sl-D настроечный СВЧ
1NЗ670(А)
Sl-D 7ООВ 12А
1NЗ773
GE-D 25В <40нс
1NЗ671(А)
Sl-D ВООВ 12А
1NЗ775
Sl-D 1500В З,ЗА
1NЗ672(А)
Sl-D 900В 12А
1NЗ777
Sl-D ВООВ 35А
1NЗ67З(А)
Sl-D 1ОООВ 12А
1NЗ847
GE-D туннельный диод
1NЗ711
Sl-D 6кВ О, 15А
1NЗ848
GE-D туннельный диод
1NЗ712
GE-D туннельный диод
1NЗ849
GE-D туннельный диод
1NЗ713
GE-D туннельный диод
1NЗ850
GE-D туннельный диод
1NЗ714
GE-D туннельный диод
1NЗ851
GE-D туннельный диод
1NЗ715
GE-D туннельный диод
1NЗ852
GE-D туннельный диод
1NЗ716
GE-D туннельный диод
1NЗ853
GE-D туннельный диод
1NЗ717
GE-D туннельный диод
1NЗ854
GE-D туннельный диод

Краткие справочные данные по зарубежным диодам
161
Тип прибора
Описание
тип прибора
Описание
1NЗ855
GE-0 туннельный диод
1NЗ903
Sl-0 400В 20д <200нс
1NЗ856
GE-0 туннельный диод
1NЗ904
Sl-0 50В 20д <200нс
1NЗ857
GE-0 туннельный диод
1NЗ905
Sl-0 100В 20д <200нс
1NЗ858
GE-0 туннельный диод
1NЗ906
Sl-0 200В 20д <200нс
1NЗ859
GE-0 туннельный диод
1NЗ907
Sl-0 ЗООВ 20д <200нс
1NЗ860
GE-0 туннельный диод
1NЗ908
Sl-0 400В 20д <200нс
1NЗ861
GE-0 туннельный диод
1NЗ909
Sl-0 50В ЗОд <200нс
1N3862
GE-0 туннельный диод
1NЗ910
Sl-0 100В ЗОд <200нс
1NЗ863
GE-0 туннельный диод
1NЗ911
Sl-0 200В ЗОд <200нс
1NЗ864
Sl-0 125В <900нс
1NЗ912
Sl-0 зоов ЗОд <200нс
1NЗ865
GE-0 ВОВ
1NЗ913
Sl-0 400В ЗОд <200нс
1NЗ866
Sl-0 2ООВ 1д
1NЗ914
Sl-0 50В ЗОд <200нс
1NЗ867
Sl-0400B 1д
1NЗ915
Sl-0 1ООВ ЗОд <200нс
1NЗ868
Sl-0600В1д
1NЗ916
Sl-0 200В ЗОд <200нс
1NЗ869
Sl-0 1ОООВ О,5д
1NЗ917
Si-0 зоов ЗОд <200нс
1NЗ870
Sl-0 1500В О,5д
1NЗ918
Si-0 400В ЗОд <200нс
1NЗ871
Si-0 2ОООВ О,25д
1NЗ919
Sl-0 1000В 5д
1NЗ872
Sl-0 90В <15нс
1NЗ920
Sl-0 1500В 5д
1NЗ873
Sl-0 90В О,15д <4нс
1NЗ921
Sl-0 2000В 5д
1NЗ874
Sl-0 аналог 1NЗ879
1NЗ922
Si-0 2500В 5д
1NЗ875
Sl-0 аналог 1NЗВВО
1NЗ923
Sl-0 ЗОООВ 5д
1NЗ876
Sl-0аналог1NЗ881
1NЗ924
Sl-0 1000В 10д
1NЗ877
Sl-0 аналог 1NЗ882
1NЗ925
Sl-0 1500В 1Од
1NЗ878
Sl-0 аналог 1NЗВВЗ
1NЗ926
Sl-0 2000В 1Од
1NЗ879(д)
Sl-0 50В 6д <200нс
1NЗ927
Sl-0 2500В 1Од
1NЗ880(д)
Sl-0 1ООВ 6д <200нс
1NЗ928
Sl-0 ЗОООВ 1Од
1NЗ881(д)
Sl-0 200В 6д <200нс
1NЗ929
Sl-0 1ОООВ 1д
1NЗ882(д)
Si-0 ЗООВ 6д <200нс
1NЗ930
Sl-0 1500В 1д
1NЗ88З(д)
Sl-0 400В 6д <200нс
1NЗ931
Sl-0 2ОООВ 1д
1NЗ884
Sl-0 аналог 1NЗ889
1NЗ932
Sl-0 2500В 1д
1NЗ885
Sl-0 аналог 1NЗ890
1NЗ933
Sl-0 ЗОООВ 1д
1NЗ886
Sl-0 аналог 1NЗ891
1NЗ934
Sl-0 1200В 1Од
1NЗ887
Sl-0 аналог 1NЗ892
1NЗ938
Sl-0 200В 2А
1NЗ888
Sl-0 аналог 1NЗ893
1NЗ939
Sl-0400B 2А
1NЗ889(д)
Sl-0 50В 12А <200нс
1N3940
Sl-0 600В 2А
1NЗ890(д)
Sl-0 1ООВ 12А <200нс
1NЗ941
Sl-0 ВООВ 2А
1NЗ891(д)
Si-0 2ООВ 12А <200нс
1NЗ942
Sl-0 1ООВ 2NЗОд(пик.)
1NЗ892(д)
Sl-0 ЗООВ 12А <200нс
1NЗ944
GE-0 15В <12нс
1NЗ89З(д)
Sl-0 400В 12А <200нс
1NЗ945
Sl-0 настроечный УКВ
1NЗ894
Sl-0 400В О,4д
1NЗ946
Sl-0 настроечный УКВ
1NЗ895
Sl-0 350В О,4д
1NЗ947
Sl-0 настроечный УКВ
1NЗ899
Sl-0 50В 20д <200нс
1NЗ948
Sl-0 туннельный диод
1NЗ900
Sl-0 1ООВ 20д <200нс
1NЗ952
Sl-0 1ЗОВ О,2А
1NЗ901
Sl-0 200В 20д <200нс
1NЗ953
GE-0 40В <ЗООнс
1NЗ902
Sl-0 ЗООВ 20д <200нс
1NЗ954
Sl-0 50В <4нс

162
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1NЗ955
Sl-D 100В 70А
1N4092
Sl-D 50В
1NЗ956
Sl-D зов 2нс
1N409З
Sl-D 50В
1NЗ957(GP)
Sl-D 1000В 1А
1N41З9
Sl-D 50В ЗА
1NЗ958(С)
Sl-D 100В З,5А
1N4140
Sl-D 100В ЗА
1NЗ959(С)
Sl-D 200В З,5А
1N4141
Sl-D 200В ЗА
1NЗ960(С)
Sl-D ЗООВ З,5А
1N4142
Sl-D400B ЗА
1NЗ961(С)
Sl-D 400В З,5А
1N414З
Sl-D 600В ЗА
1NЗ962(С)
Sl-D 500В З,5А
1N4144
Sl-D ВООВ ЗА
1NЗ96З(С)
Sl-D 600В З,5А
1N4145
Sl-D 1ОООВ ЗА
1NЗ964
Sl-D 200В 22А
1N4146
Sl-D 1200В ЗА
1NЗ965
Sl-D 400В 22А
1N4148
Sl-D 100В О,2А <4нс
1NЗ966
Sl-D 600В 22А
1N4149
Sl-D 1ООВ О,2А <4нс
1NЗ967
Sl-D ВООВ 22А
1N4150
Sl-D 50В О,2А <4нс
1NЗ968
Sl-D 2ООВ 50А
1N4151
Sl-D 75В О,2А <4нс
1NЗ969
Sl-D 400В 50А
1N4152
Sl-D 40В О,2А <4нс
1NЗ970
Sl-D 600В 50А
1N415З
Sl-D 75В О,2А <4нс
1NЗ971
Sl-D ВООВ 50А
1N4154
Sl-D З5В О,2А <4нс
1NЗ981
Sl-D 200В ЗА
1N4155
Si-D 400В О,2А <10мкс
1NЗ982
Sl-D 400В ЗА
1N4244
Sl-D 10В О,05А <О,75нс
1NЗ98З
Sl-D 600В ЗА
1N4245(GP)
Sl-D 200В 1А
1NЗ987
Sl-D 700В 6А
1N4246(GP)
SJ-D 400В 1А
1NЗ988
Sl-D ВООВ 6А
1N4247(GP)
Sl-D 600В 1А
1NЗ989
Sl-D 900В 6А
1N4248(GP)
Sl-D ВООВ 1А
1NЗ990
Sl-D 1000В 6А
1N4249(GP)
Si-D 1000В 1А
1N4001
Sl-D 50В 1N50А(пик)
1N4250
Sl-D ВООВ О,5А
1N4002
Sl-D 100В 1N50А(пик)
1N4251
Sl-D 1000В О,5А
1N400З
Sl-D 200В 1N50А(пик)
1N4252
Sl-D 1200В О,5А
1N4004
Sl-D 400В 1N50А(пик)
1N425З
SJ-D 1500В О,5А
1N4005
Sl-D 600В 1N50А(пик)
1N4254
SJ-D 1500В О,25А
1N4006
Sl-D ВООВ 1N50А(пик)
1N4255
Sl-D 2ОООВ О,25А
1N4007
Sl-D 1000В 1N50А(пик)
1N4256
Sl-D 2500В О,25А
1N4008
GE-D 12В О,1А <70нс
1N4257
Sl-D ЗОООВ О,25А
1N4009
Sl-D З5В О, 1А <4нс
1N4ЗО5
SJ-D 75В О, 1А <4нс
1N4011
Sl-D 1000В О,5А
1N4ЗО8
Sl-D 1оов <2нс
1N4012
Sl-D 7ООВ 12А
1N4ЗО9
Sl-D 5ОВ <2нс
1N401З
Sl-D ВООВ 12А
1N4З10
Sl-D 75В <2нс
1N4014
Sl-D 900В 12А
1N4З11
Sl-D 100В <2нс
1N4015
Sl-D 1000В 12А
1N4З12
Sl-D 15ОВ <2нс
1N4043
Sl-D 25В <4нс
1N4З1З
SJ-D 1ООВ <2нс
1N4086
Sl-D 70В <200нс
1N4З14
Sl-D 100В <2нс
1N4087
Sl-D 50В <2,5нс
1N4З15
SJ-D 50В <2нс
1N4088
GE-D ЗОВ
1N4З16
Sl-D 75В <2нс
1N4089
Sl-D 400В 1, 1А
1N4З17
Sl-D 1оов <2нс
1N4090
GE-D туннельный диод
1N4З18
Sl-D 150В <2нс
1N4091
Sl-D настроечный СВЧ
1N4З19
Sl-D 1ООВ <2нс

Краткие справочные данные по зарубежным диодам
163
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N4З22
Sl-D 75В <6нс
1N4451
Sl-D ЗОВ О,2А <10нс
1N4З61
Sl-D 900В О,5А
1N4454
Sl-D 50В О,2А <10нс
1N4З6З
Sl-D 120В О, 1А <40нс
1N4456
Sl-D З5В <1,5нс
1N4З64
Sl-D 100В О,75А
1N4457
Sl-D 50В <1,5нс
1N4З65
Sl-D 200В О,75А
1N4458
Sl-D 800В 5А
1N4З66
Sl-D ЗООВ О,75А
1N4459
Sl-D 1ОООВ 5А
1N4З67
Sl-D 400В О,75А
1N4497
Sl-D 1,6кВ О,75А
1N4368
Sl-D 500В О,75А
1N4498
Sl-D ЗкВ О,75А
1N4369
Sl-D 600В О,75А
1N4500
Sl-D ВОВ <4нс
1N4З7З
Sl-D 80В 4нс
1N4502
GE-D 20В
1N4374
Sl-D 1500В О,75А
1N4505
Sl-D 6кВ О, 1А
1N4З75
Sl-D 60В <6нс
1N4506
Sl-D 200В 12А
1N4З76
Sl-D 1ОВ О,05А <6нс
1N4507
Sl-D 400В 12А
1N4З77
Sl-D 2,5кВ О,75А
1N4508
Sl-D 600В 12А
1N4З80
Sl-D 50В О,05А <1,8нс
1N4509
Sl-D 800В 12А
1N4З81
GE-D 25В <1 ООнс
1N4510
Sl-D 1ОООВ 12А
1N4З82
Sl-D 55В <5,5нс
1N4511
Sl-D 1200В 12А
1N4З8З(GР)
Sl-D 2ООВ 1А
1N451З
Sl-D 2000В О,25А
1N4З84(GP)
Sl-D 400В 1А
1N4514
Sl-D 800В 1, 1А
1N4З85(GP)
Sl-D 600В 1А
1N4517
Sl-D 200В 2А
1N4З90
Sl-D 20В <О,5нс
1N452З
GE-D 15В <Вне
1N4391
Sl-D 20В <О,5нс
1N4524
GE-D 10В <Знс
1N4З92
Sl-D 15В <О,5нс
1N4525
Sl-D 200В З5А
1N439З
Sl-D туннельный диод
1N4526
Sl-D 400В З5А
1N4394(A, В)
Sl-D туннельный диод
1N4527
Sl-D 600В З5А
1N4395(A, В)
Sl-D туннельный диод
1N4528
Sl-D 800В З5А
1 N4З96(А, В)
Sl-D туннельный диод
1N4529
Sl-D 1000В З5А
1N4397 (А, В)
Sl-D туннельный диод
1N45ЗО
Sl-D 1200В 35А
1N4398(A, В)
Sl-D туннельный диод
1N45З1
Sl-D 75В О, 15А <4нс
1N4З99(А, В)
Sl-D туннельный диод
1N45З2
Sl-D 75В О, 15А <2нс
1N44З6
Si-D 200В 10А
1N45ЗЗ
Sl-D 40В О,075А <2нс
1N44З7
Sl-D 400В 10А
1N45З4
Sl-D 75В О,075А <2нс
1N44З8
Sl-D 600В 1Од
1N45З6
Sl-D 25В О,075А <2нс
1N44З9
Sl-D ВООВ 10А
1N45З7
Sl-D 1ВООВ ЗА
1N4440
Sl-D 1000В 10А
1N45З8
Sl-D 2400В ЗА
1N4441
Sl-D 1500В 25мд <ЗООнс
1N45З9
Sl-D ЗОООВ ЗА
1N4442
Sl-D ЗОВ 1нс
1N4540
Sl-D З600В ЗА
1N444З
Sl-D ЗОВ О,6нс
1N4541
Sl-D 225В О,4А
1N4444
Sl-D 70В О,225А <7нс
1N4542
Sl-D 400В О,4А
1N4445
Sl-D 125В <4нс
1N454З
Sl-D 600В О,4А
1N4446
Sl-D 100В О,2А <4нс
1N4544
Sl-D 800В О,4А
1N4447
Sl-D 100В О,2А <4нс
1N4545
Sl-D 1000В О,4А
1N4448
Sl-D 100В О,2А <4нс
1N4546
Sl-D 25кВ 1А
1N4449
Sl-D 1ООВ О,2А <4нс
1N4547
Sl-D 25В <60нс
1N4450
Sl-D ЗОВ О,2А <4нс
1N4548
Sl-D 25В <2нс

164
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N4585(GP)
Sl-D 800В 1А
1N4810(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N4586(GP)
Sl-D 1000В 1А
1N4811(A О)
Sl-D настроечный УКВ
1N4598(A)
Sl-D настроечный УКВ 90В
1N4812(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N4599(A)
Sl-D настроечный УКВ 11 ОВ
1N481З(А D)
Sl-D настроечный УКВ
1N4606
Sl-D 85В О,З5А <6нс
1N4814(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N4607
Sl-D 85В О,З5А <15нс
1N4815(A О)
Sl-D настроечный УКВ
1N4608
Sl-D 85В О,З5А <15нс
1N4816
Sl-D 50В 1,5А
1N4609(A)
Sl-D настроечный УКВ
1N4817
Sl-D 100В 1,5А
1N4610
Sl-D 80В <4нс
1N4818
Sl-D 200В 1,5А
1N4718
Sl-D 50В <180нс
1N4819
Sl-D ЗООВ 1,5А
1N4719
Sl-D 50В ЗА
1N4820
Sl-D 400В 1,5А
1N4720
Sl-D 100В ЗА
1N4821
Sl-D 500В 1,5А
1N4721
Sl-D 200В ЗА
1N4822
Sl-D 6ООВ 1,5А
1N4722
Sl-D400B ЗА
1N482З
Sl-D 1ООВ 1А <100нс
1N472З
Sl-D 600В ЗА
1N4824
Sl-D 200В 1А <100нс
1N4724
Sl-D 800В ЗА
1N4825
Sl-D 400В 1А <100нс
1N4725
Sl-D 1ОООВ ЗА
1N4826
Sl-D 600В 1А <100нс
1N4726
Sl-D 20В О,06А
1N4827
GE-D ЗОВ 200нс
1N4727
Sl-D 20В О,075А
1N4861
Sl-D 40В <1мкс
1N4785
GE-D З20В 7А демпферный
1N4862
Sl-D 70В <1мкс
для тв
1N486З
Sl-D 70В О,2А <7нс
1N4786(A О)
Sl-D настроечный УКВ
1N4864
Sl-D 125В О,2А <4нс
1N4787(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N4865
Sl-D 1,5кВ 1,25А
1N4788(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N4866
Sl-D 2,5кВ 1,25А
1N4789(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N4867
Sl-D ЗкВ 1,25А
1N4790(A О)
Sl-D настроечный УКВ
1N4868
Sl-D 5кВ 1,25А
1N4791(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N4869
Sl-D 7,5кВ 1,25А
1N4792(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N4870
Sl-D 1ОкВ 1,25А
1N479З(А О)
Sl-D настроечный УКВ
1N4871
Sl-D 12кВ 1,25А
1N4794(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N4872
Sl-D 15кВ 1,25А
1N4795(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N487З
Sl-D 20кВ 1,25А
1N4796(A О)
Sl-D настроечный УКВ
1N4874
Sl-D 25кВ 1,25А
1N4797(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N4875
Sl-D ЗОкВ 1,25А
1N4798(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N4876
Sl-D 40кВ 1,25А
1N4799(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N4877
Sl-D 50кВ 1,25А
1N4800(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N4887
Sl-D 75кВ 1,25А
1N4801(A О)
Sl-D настроечный УКВ
1N4888
Sl-D 12В <О,5нс
1N4802(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N49ЗЗ(GР)
Sl-D 50В 1А <200нс
1N480З(А D)
Sl-D настроечный УКВ
1N49З4(GP)
Sl-D 100В 1А <200нс
1N4804(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N49З5(GP)
Sl-D 200В 1А <200нс
1N4805(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N49З6(GP)
Sl-D 400В 1А <200нс
1N4806(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N49З7(GP)
Sl-D 600В 1А <200нс
1N4807(A О)
Sl-D настроечный УКВ
1N49З8
Sl-D аналог 1NЗО70
1N4808(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N4941
GMS-D настроечный СВЧ
1N4809(A D)
Sl-D настроечный УКВ
1N4942(GP)
SJ-D 200В 1А <150нс

Краткие справочные данные по зарубежным диодам
165
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N494З(GP)
Sl-D ЗООВ 1А <150нс
1N5167(A)
S\-D 20В
1N4944(GP)
S\-D 400В 1А <150нс
1N5170
Sl-D 15В 2А
1N4945(GP)
S\-D 500В 1А <150нс
1N5171
S\-D 50В 2А
1N4946(GP)
Sl-D 600В 1А <250нс
1N5172
Sl-D 100В 2А
1N4947(GP)
Sl-D ВООВ 1А <250нс
1N5173
Sl-D ЗООВ 2А
1N4948(GP)
S\-D 1000В 1А <500нс
1N5174
S\-D 400В 2А
1N4949
Sl-D З5В <О,Знс
1N5175
S\-D 500В 2А
1N4950
Sl-D ЗОВ <4нс
1N5176
Sl-D 600В 2А
1N4997(R)
Sl-D 50В ЗА
1N5177
S\-D ВООВ 2А
1N4998(R)
Sl-D 100В ЗА
1N5178
Sl-D 1ОООВ 2А
1N4999(R)
Sl-D 200В ЗА
1N5180
Sl-D 120В4А
1N5000(R)
Sl-D 400В ЗА
1N5181
Sl-D 4кВ О, 1А
1N5001(R)
S\-D 600В ЗА
1N5182
Sl-D 5кВ О, 1А
1N5002(R)
Sl-D ВООВ ЗА
1N518З
Sl-D 7,5кВ О,1А
1N500З(R)
Sl-D 1000В ЗА
1N5184
Sl-D 1ОкВ О, 1А
1N5004
Sl-D 100В 1А
1N5185(A)
Sl-D 50В З ..4А <250..400нс
1N5005
Sl-D 200В 1А
1N5186(A)
Sl-D 1оов З ..4А <250..400нс
1N5006
Sl-D 400В 1А
1N5187(A)
Sl-D 200В З ..4А <250. .400нс
1N5007
Sl-D 600В 1А
1N5188(A)
Sl-D 400В З ..4А <250..400нс
1N5052(A)
Sl-D 7ООВ 1,5А
1N5189(A)
Sl-D 500В З ..4А <250..400нс
1N505З(А)
S\-D ВООВ 1,5А
1N5190(A)
Sl-D 600В З ..4А <250..400нс
1N5054(A)
Sl-D 1000В 1,5А
1N5194
S\-D ВОВ О,2А
1N5055
Sl-D 100В 1А
1N5195
Si-D 200В О,2А
1N5056
Sl-D 2ООВ 1А
1N5196
Sl-D 250В О,2А
1N5057
S\-D ЗООВ О,ВА
1N5197
S\-D 50В ЗА
1N5058
Sl-D 400В О,ВА
1N5198
Sl-D 100В ЗА
1N5059(GP)
S\-D 20ОВ 2N50А(пик.) 6мкс
1N5199
S\-D 200В ЗА
1N5060(GP)
Sl-D 400В 2N50А(пик.) 6мкс
1N5200
Sl-D 400В ЗА
1N5061(GP)
Sl-D 600В 2N50А(пик.) 6мкс
1N5201
Sl-D 600В ЗА
1N5062(GP)
Sl-D ВООВ 2N50А(пик.) 6мкс
1N5206
Sl-D 440В 2А
1N5136(A)
Sl-D настроечный УКВ
1N5207
S\-D 440В4А
1N51З7(А)
Sl-D настроечный УКВ
1N5208
Sl-D 70В О,075А
1N51ЗВ(А)
S\-D настроечный УКВ
1N5209
S\-D 150В О,055А
1N51З9(А)
Sl-D настроечный УКВ
1N5210
Sl-D 200В О,04А
1N5140(A)
S\-D настроечный УКВ
1N5211
S\-D 2ООВ 1А
1N5141(A)
Sl-D настроечный УКВ
1N5212
Sl-D400B 1А
1N5142(A)
S\-D настроечный УКВ
1N521З
Si-D 600В 1А
1N514З(А)
Sl-D настроечный УКВ
1N5214
Sl-D ВООВ 1А
1N5144(A)
Sl-D настроечный УКВ
1N5215
S\-D 200В 1А
1N5145(A)
Sl-D настроечный УКВ
1N5216
Sl-D 400В 1А
1N5146(A)
Sl-D настроечный УКВ
1N5217
Sl-D 600В 1А
1N5147(A)
Sl-D настроечный УКВ
1N5218
Sl-D ВООВ 1А
1N5148(A)
Sl-D настроечный УКВ
1N5219
S\-D ЗОВ <2нс
1N5165(A)
Sl-D ЗОВ
1N5220
S\-D ЗОВ <О,7нс
1N5166(A)
Sl-D ЗОV
1N5282(A)
S\-D ВОВ О,2А <4нс

166
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N5З15
Sl-D 100В О,2А <4нс
1N5420
Sl-D 600В ЗА <400нс
1N5З16
Sl-D 100В О,1З5А <4нс
1N5421
Sl-D настроечный УКВ 200В
1N5З17
Sl-D 80В О, 125А <4нс
1N5422
Sl-D настроечный УКВ 200В
1N5З18
Sl-D 75В О, 125А <4нс
1N542З
Sl-D настроечный УКВ 200В
1N5319
Sl-D 40В О, 1А <4нс
1N5424
Sl-D настроечный УКВ 100В
1N5320
Sl-D 120В 1А <250нс
1N5425
Sl-D настроечный УКВ 100В
1N5З21
Sl-D-S ЗОВ
1N54ЗЗ
Sl-D 720В 2мА <400нс
1N5З22
Sl-D -S ЗОВ
1N54З4
Sl-D 720В 2мА <400нс
1N5З2З
Sl-D-S 20В
1N54З5
Sl-D 720В 12А
1N5З24
Sl-D 15кВ О,01А
1N5441(A D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5З26
Sl-D 2ООВ 12А
1N5442(A D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5З29
Sl-D 6кВ О, 1З5А
1N544З(А D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5ЗЗО
Sl-D 1500В О,54А
1N5444(A D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5ЗЗ1
Sl-D 1200В 12А
1N5445(A D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5ЗЗ2
Sl-D 1200В З5А
1N5446(A D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5З89
Sl-D 40кВ
1N5447(A D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5390
Sl-D -S 5В
1N5448(A О)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5З91
Sl-D 50В 1,5А
1N5449(A D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5392
Sl-D 100В 1,5А
1N5450(A D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N539З
Sl-D 200В 1,5А
1N5451(A D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5394
Sl-D ЗООВ 1,5А
1N5452(A D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5З95
Sl-D 400В 1,5А
1N545З(А D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5З96
Sl-D 500В 1,5А
1N5454(A D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5З97
Sl-D 600В 1,5А
1N5455(A D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5З98
Sl-D 800В 1,5А
1N5456(A О)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5З99
Sl-D 1000В 1,5N10А(nик)
1N5461(A О)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5400
Sl-D 50В ЗN200А(nик)
1N5462(A D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5401
Sl-D 100В ЗN200А(nик)
1N546З(А О)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5402
Sl-D 2ООВ ЗN200А(nик)
1N5464(A D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N540З
Sl-D ЗООВ ЗN200А(nик)
1N5465(A D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5404
Sl-D 400В ЗN200А(nик)
1N5466(A D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5405
Sl-D 500В ЗN200А(nик)
1N5467(A О)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5406
Sl-D 600В ЗN200А(nик)
1N5468(A D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5407
Sl-D 800В ЗN200А(nик)
1N5469(A D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5408
Sl-D 1ОООВ ЗN200А(nик)
1N5470(A D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5409
Sl-D ЗООВ 40А
1N5471(A D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5410
Sl-D ЗООВ 12А
1N5472(A D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5412
Sl-D 40В О,2А <2нс
1N547З(А D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N541З
Sl-D 80В О,2А <2нс
1N5474(A D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5414
Sl-D 1ООВ О,2А <2нс
1N5475(A D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5415
Sl-D 50В ЗА < 150нс
1N5476(A D)
Sl-D настроечный FM/YKB
1N5416
Sl-D 1оов ЗА < 150нс
1N5477
Sl-D 6кВ О,6А
1N5417
Sl-D 200В ЗА <150нс
1N5478
Sl-D 7,2кВ О,6А
1N5418
Sl-D 400В ЗА <150нс
1N5479
Sl-D 8,4кВ О,6А
1N5419
Sl-D 500В ЗА <250нс
1N5480
Sl-D 9,6кВ О,6А

Краткие справочные данные по зарубежным диодам
167
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N5481
Sl-D 12ке О,6А
1N5685(A,B)
Si-D настроечный УКВ
1N5482
Sl-D 2,4кВ 1А
1N5686(A,B)
Si-D настроечный УКВ
1N548З
Sl-D З,6кВ 1А
1N5687(A,B)
Sl-D настроечный УКВ
1N5484
Sl-D 4,ВкВ 1А
1N5688(A,B)
Sl-D настроечный УКВ
1N5485
Sl-D 6кВ 1А
1N5689(A,B)
Sl-D настроечный УКВ
1N5550
Sl-D 2ООВ ЗА
1N5690(A,B)
S\-D настроечный УКВ
1N5551
Sl-D 400В ЗА
1N5691 (А,В)
S\-D настроечный УКВ
1N5552
Si-D 600В ЗА
1N5692(A,B)
S\-D настроечный УКВ
1N555З
Sl-D ВООВ ЗА
1N569З(А,В)
S\-D настроечный УКВ
1N5554
Sl-D 1000В ЗА
1N5694(A, В)
S\-D настроечный УКВ
1N5595
Sl-D 5кВ 1,15А
1N5695(A,B)
Si-D настроечный УКВ
1N5596
Si-D 7,5кВ О,87А
1N5696(A, В)
Sl-D настроечный УКВ
1N5597
Sl-D 10кВ О,7А
1N5697(A, В)
Si-D настроечный УКВ
1N5598
Sl-D 15кВ О,47А
1N5698(A, В)
Sl-D настроечный УКВ
1N5599
Sl-D 2,5кВ 2,1А
1N5699(A, В)
Si-D настроечный УКВ
1N5600
Sl-D 5кВ 1,4А
1N5700(A, В)
Si-D настроечный УКВ
1N5601
Sl-D 7,5кВ О,92А
1N5701(A,B)
S\-D настроечный УКВ
1N5602
Sl-D 2,5кВ 4,6А
1N5702(A, В)
Sl-D настроечный УКВ
1N560З
Sl-D 5кВ З,5А
1N570З(А,В)
S\-D настроечный УКВ
1N5604
Sl-D 7,5кВ 2,ЗА
1N5704(A, В)
S\-D настроечный УКВ
1N5606
Sl-D 150В О,1А
1N5705(A,B)
Sl-D настроечный УКВ
1N5607
Sl-D 200В О, 15А
1N5706(A,B)
Si-D настроечный УКВ
1N5608
Sl-D 120В О, 15А <ЗООнс
1N5707(A,B)
S\-D настроечный УКВ
1N5609
Sl-D 120В О,15А <ЗООнс
1N5708(A,B)
Si-D настроечный УКВ
1N5614
Sl-D 200В 1А
1N5709(A, В)
Si-D настроечный УКВ
1N5615
Sl-D 2ООВ 1А <150нс
1N5710(A,B)
S\-D настроечный УКВ
1N5616
Sl-D 400В 1А
1N5711
S\-D -S 70В 15мА О, 1нс
1N5617
Sl-D 400В 1А <150нс
1N5712
Sl-D-S 20В З5мА
1N5618
Sl-D 6ООВ 1А
1N571З
S\-D -S 12В
1N5619
Sl-D 600В 1А <150нс
1N5714
S\-D настроечный УКВ 2ООВ
1N5620
Sl-D ВООВ 1А
1N5715
S\-D настроечный УКВ 2ООВ
1N5621
Sl-D ВООВ 1А <150нс
1N5716
S\-D настроечный УКВ 2ООВ
1N5622
Sl-D 1000В 1А
1N5717
S\-D настроечный УКВ 100В
1N562З
Si-D 1000В 1А <150нс
1N5718
Sl-D настроечный УКВ 100В
1N5624(GP)
Sl-D 2ООВ 5А
1N5719
S\-D настроечный УКВ100В
1N5625(GP)
Sl-D 400В 5А
1N5720
Sl-D ЗОВ <1Онс
1N5626(GP)
Sl-D 600В 5А
1N5721
Sl-D 15В <1 Онс
1N5627(GP)
Sl-D ВООВ 5А
1N5726
Sl-D 60В <1 Онс
1N5628
Sl-D ЗкВ О,5А
1N5727
S\-D 50В <1Онс
1N5679
Sl-D 50В 1А
1N5766
Sl-D 110В <400нс
1N5680
Sl-D 100В 1А
1N5794
S\-D 50В 1А
1N5681 (А, В)
Sl-D настроечный УКВ
1N5795
S\-D 100В 1А
1N5682(A,B)
Sl-D настроечный УКВ
1N5796
Sl-D 2ООВ 1А
1N568З(А,В)
Si-D настроечный УКВ
1N5797
S\-D 400В 1А
1N5684(A,B)
Sl-D настроечный УКВ
1N5798
S\-D 600В 1А

168
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
1N5799
Sl-D 800В 1А
1N60
GE-D 50В 50мА
1N5800
Sl-D 1000В 1А
1N607З
Sl-D 5ОВ ЗА зоне
1N5802
Sl-D 50В 2,5А <25нс
1N6074
Sl-D 1оов ЗА зоне
1N580З
Sl-D 75В 2,5А <25нс
1N6075
Sl-D 15ОВ ЗА зоне
1N5804
Sl-D 100В 2,5А <25нс
1N6076
Sl-D 5ОВ 6А зоне
1N5805
Sl-D 125В 2,5А <25нс
1N6077
Sl-D 1оов 6А зоне
1N5806
Sl-D 150В 2,5А <25нс
1N6078
Sl-D 15ОВ 6А зоне
1N5807
Sl-D 50В 6А <ЗОнс
1N6079
Sl-D 5ОВ 12А зоне
1N5808
Sl-D 75В 6А <ЗОнс
1N6080
Sl-D 1оов 12А зоне
1N5809
Sl-D 100В 6А <ЗОнс
1N6081
Sl-D 15ОВ 12А зоне
1N5810
Sl-D 125В 6А <ЗОнс
1N6095
Sl-D-S ЗОВ 25А
1N5811
Sl-D 150В 6А <ЗОнс
1N6096
Sl-D -S 40В 25А
1N5812
Sl-D 50В 50А <25нс
1N6097
Sl-D-S ЗОВ 50А
1N581З
Sl-D 75В 50А <25нс
1N6098
Sl-D -S 40В 50А
1N5814
Sl-D 1ООВ 50А <25нс
1N6099
Sl-D аналог 1NЗ595
1N5815
Sl-D 125В 50А <25нс
1N6262
Sl-D 200В 85А
1N5816
Sl-D 150В 50А <25нс
1N626З
Sl-D -S 60В 15мА О, 1нс
1N5817
Si-D-S 20В 1N25А(пик )
1N645
Sl-D 225В О,4А
1N5818
Sl-D-S ЗОВ 1N25А(пик)
1N647
Sl-D 400В 0,4N15А(пик)
1N5819
Sl-D-S 40В 1N25А(пик )
1N6478
Sl-D 50В 1А
1N5820
Sl-D-S 20В ЗN80А(пик )
1N6479
Sl-D 100В 1А
1N5821
Sl-D-S ЗОВ ЗN80А(пик)
1N6480
Sl-D200B 1А
1N5822
Sl-D -S 40В ЗN80А(пик )
1N6481
Sl-D400B 1А
1N582З
Sl-D-S 20В 5А
1N6482
Sl-D 600В 1А
1N5824
Sl-D-S ЗОВ 5А
1N648З
Sl-D 800В 1А
1N5825
Sl-D-S 40В 5А
1N6484
Sl-D 1ОООВ 1А
1N5826
Sl-D-S 20В 15А
1N914
Sl-D 100В 75мА О,5Вт 4нс
1N5827
Sl-D-S ЗОВ 15А
1SS119
Sl-D З5В О, 15А <З,5нс
1N5828
Sl-D -S 40В 15А
1SS1З1
Sl-D 90В О, 1ЗА <4нс
1N5829
Sl-D -S 20В 25А
25F120
Sl-D 1200В 25NЗООА(пик)
1N58ЗО
Sl-D-S ЗОВ 25А
40HF10
Sl-D 1ООВ 40N480А(пик)
1N58З1
Sl-D -S 40В 25А
40HF20
Sl-D 200В 40N480А(пик )
1N58З2
Sl-D-S 20В 40А
40HF40
Sl-D 400В 40N480А(пик)
1N58ЗЗ
Sl-D-S ЗОВ 40А
40HFR10
Sl-D 100В 40N480А(пик)
1N58З4
Sl-D -S 40В 40А
40HFR20
Sl-D 200В 40N480А(пик )
1N58З5
Sl-D ЗОВ ЗА <100нс
40HFR40
Sl-D 400В 40N480А(пик)
1N58З6
Sl-D 50В ЗА <1 ООнс
6F120
Sl-D 1200В 6N1 З4А(пик )
1N5898
Sl-D 50В ЗА
6FR120
Sl-D 1200В 6N1З4А(пик)
1N5899
Sl-D 100В ЗА
70HF80
Sl-D 800В 70N1 ОООА(пик)
1N5900
Sl-D200B ЗА
М112
GE-D 20В ЗОмА
1N5901
Sl-D400B ЗА
М114
GE-D ЗОВ 40мА
1N5902
Sl-D 600В ЗА
М116
GE-D ЗОВ ЗОмА
1N590З
Sl-D 800В ЗА
М117
GE-D 115В 50мNО,5А(пик)
1N5904
Sl-D 1000В ЗА
М118
GE-D 115В 50мNО,5А(пик)
1N5905
Sl-D 1200В ЗА
М119
GE-D 45В З5мА

Краткие справочные данные по зарубежным диодам
169
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
М1З2
GE-D 110В 50мА <1,ЗВ
ВАТ17
Sl-D-S 4В ЗОмА 1пФ
М1ЗЗ
GE-D 1ЗОВ 50мА <1,ЗВ
ВАТ41
Sl-D-S 100В О,1А
М1З4
GE-D 70В 5ОмА <1,ЗВ
ВАТ42
Sl-D-S ЗОВ О,2А <5нс
М1З7
GE-D 40В 20мА
ВАТ4З
Si-D-S ЗОВ О,2А <5нс
М1З9
GE-D 25В 20мА
ВАТ46
Sl-D-S 1ООВ О, 15А
М14З
GE-D ЗОВ 60мNО,2А(пик.)
ВАТ47
Sl-D-S 20В О,З5А 1Онс
8ОмВт
ВАТ48
Sl-D-S 40В О,З5А 1Онс
М144
GE-D 100В 45мNО,15А(пик.)
8ОмВт
ВАТ49
Sl-D-S 80В О,5А
AAZ17
GE-D 75В О, 14NО,25А(пик)
ВАТ54А
2xSl-D-S ЗОВ О,2А
<З5нс
ВАТ82
Sl-D-S 50В ЗОмА <1 нс
AAZ18
GE-D 20В О, 1ЗNО,ЗА(пик.) <70нс
ВАТ8З
Sl-D-S 60В ЗмА <1 нс
ВА100
Sl-D 60В 90мА
ВАТ85
Sl-D-S ЗОВ О,2А 10пФ
BA127D
Sl-D 60В О,2А
ВАТ86
Sl-D-S 50В О,2А 8пФ
ВА128
Sl-D 75В О, 11А
ВАV10
Sl-D 60В О,ЗNО,6А(пик.) 6нс
ВА145
Sl-D З50В О,ЗА
BAV100
Sl-D 60В О,25А <50нс
ВА147/..
Sl-D 25 .. ЗООВ О, 15А
ВАV101
Sl-D 120В О,25А <50нс
ВА148
Sl-D З50В О,ЗА
ВАV102
Sl-D 200В О,25А <50нс
ВА155
Sl-D 150В О,1А
ВАV10З
Sl-D 250В О,2А 5пФ 50нс
ВА157
Sl-D 400В О,4А ЗООнс
ВАV17
Sl-D 25В О,2N,05А(пик) 50нс
ВА158
Sl-D 600В О,4А ЗООнс
BAV18
Sl-D 60В О,2N,05А(пик) 50нс
ВА159
Sl-D 1ОООВ О,4А ЗООнс
BAV19
Sl-D 120В О,2N,05А(пик.) 5Онс
ВА182
Sl-D З5В 0,8-2, 1пФ УКВ
ВАV20
Sl-D 200В О,2N,05А(пик.) 50нс
ВА204
Sl-D 60В О,2А <1 Онс
BAV21
Sl-D 250В О,2NО,5А(пик.) 50нс
ВА220
Sl-D 10В О,2NО,4А(пик.) 4нс
ВАV2З
2xSl-D 250В О,2А <5Онс
ВА24З
Sl-D 20В 1-ЗпФ О,1А
ВАV70
2xSl-D 70В О,2А 6нс
ВА24ЗG
Sl-D 20В 1-ЗпФ О, 1А
ВАV99
2xSl-D 70В О,2А 6нс
ВА244
Sl-D З5В 1-ЗпФ О, 1А
ВАW24
Sl-D 50В О,6А <6нс
ВА282
Sl-D З5В О,9-2пФ О, 1А
BAW25
Sl-D 50В О,6А <6нс
ВА28З
Sl-D З5В О,9-2пФ О, 1А
ВАW26
Sl-D 75В О,6А <6нс
ВАЗ16
Sl-D 10В О,1NО,2А(пик.) 4нс
BAW27
Sl-D 75В О,6А <6нс
ВАЗ17
Sl-D ЗОВ О,1NО,2А(пик.) 4нс
BAW56
2xSl-D 70В О,2А 6нс
ВАЗ18
Sl-D 50В О,1NО,2А(пик.) 4нс
BAW62
Sl-D 75В О,2NО,45А(пик.) 4нс
ВА479
Sl-D ЗОВ 50мА 100МГц
ВАW75
Sl-D З5В О,15N2А(пик.) 2нс
ВА481
Sl-D-S 4В ЗОмА 1, 1пФ
ВАW76
Sl-D 75В О, 15N2А(пик) 2нс
ВА482
Sl-D З5В О, 1А 1,2пФ
ВАХ12
Sl-D 90В О,4NО,8А(пик.) 50нс
ВА682
Si-D З5В О,9-2пФ О,1А
ВАХ1З
Sl-D 50В О, 15А О,5Вт 4нс
BAR10
Sl-D 20В З5мN1 ООмА(пик.)
ВАХ14
Sl-D 40В О,5А <ЗОнс
BAR4ЗS
2xSl-D ЗОВ О, 1NО,75А(пик.)
ВАХ16
Sl-D 150В О,2А <120нс
BAS11
Sl-D ЗООВ О,ЗN4А(пик.) 1мкс
ВАХ17
Sl-D 200В О,2А <120нс
BAS16
Sl-D 75В О,25А 6нс
ВАХ18
Si-D 75В О,4N2А(пик)
BAS19
Sl-D 120В О,2А <50нс
ВАУ21
Sl-D З50В О,25А 1мкс
BAS20
Sl-D 200В О,2А <50нс
ВАУ46
Sl-D ЗООВ О,225А <15мкс
BAS21
Sl-D 250В О,2А <50нс
ВВ10З
Si-D ЗОВ 11,З-ЗОпФ
BASЗ2L
Sl-D 75В О,2А <4нс
ВВ104
2xSl-D настроечный FM
ВАSЗЗ
Sl-D ЗОВ О,2А
ВВ105В
Sl-D ЗОВ 2-18пФ СВЧ

170
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
BB105G
SJ-D ЗОВ 1,8-18пФ СВЧ
ВУ197
Sl-D 200В 1,2А <500нс
ВВ106
Sl-D ЗОВ 4-20пФ УКВ
ВУ198
Sl-D 400В 1,2А <500нс
BB109G
SJ-D ЗОВ 4,З-З2пФ УКВ
ВУ199
Sl-D 800В 1,2А <500нс
ВВ112
Sl-D 12В 17-560пФ настроеч-
ВУ200
Sl-D 12оов 1,2А <50Онс
ныйАМ
ВУ201/2 /6
Sl-D 250 650В 1NЗОА(пик)
ВВ119
Sl-D 10В 15 З-19пФ
200 НС
ВВ121А
SJ-D ЗОВ 1,9-18пФ
ВУ20З/12 /25
SJ-D 1,2 2,5kB О,25А ЗООнс
ВВ122
SJ-D настроечный УКВ
ВУ205/
SJ-D 100 1000В ЗА <850нс
ВВ1З9
SJ-D ЗОВ 4 З-29пФ
ВУ206
SJ-D З50В О,4А <ЗООнс
ВВ142
Sl-D ЗОВ 12пФ FM/YKB
ВУ207
Sl-D 600В О,4А <ЗООнс
ВВ204В
2xSl-D настроечный FM
ВУ208/
Sl-D 600 1ОООВ О 75А <З50нс
BB204G
2xSl-D ЗОВ 14-З9пФ
ВУ209
SI D 12 5кВ 2,5мА
ВВ205В
SJ-D ЗОВ 11 пФ
ВУ210/
Sl-D 400 800В 1А
BB205G
SJ-D ЗОВ 1,8-17пФ СВЧ
ВУ214/
Sl-D 50 1000В 6А/400А(пик)
ВВ207
SJ-D настроечный
ВУ218/
SJ-D 100 800В 2А <200нс
ВВ209
SJ-D ЗОВ 2,6-З1пФ
ВУ22З
SJ-D демпферный для ТВ
ВВ212
2xSJ-D настроечный АМ
1500В 5А
ВВ221
Sl-D 28В 1,8-17пФ
ВУ226
Sl-D 650В 1,5А
ВВ222
Sl-D настроечный УКВ
ВУ227В
Sl-D 1250В 1,5А
ВВЗО4G
Sl-D2B 1,7-46пФ
ВУ228/
SJ-D 1ООО 1500В ЗА/50А(пик)
20 мкс
ВУ229
см BY229/800-MBR
ВУ229/
Sl-D 200 1000В 7А/60А(пик)
150 нс
ВВЗ29
SJ-D настроечный УКВ
ВВ405В
Sl-D ЗОВ 1,8-18пФ
BB405G
Sl-D настроечный УКВ
BY229F/
SJ-D аналог ВУ229 ISO
ВВ409
Sl-D 28В 5-З2пФ настроечный
УКВ
ВВ505В
Sl-D настроечный УКВ
ВУ2З9/200
Sl-D 200 1250В 1Од
BB505G
Sl-D настроечный УКВ
ВУ249/
SJ-D ЗОО 600В 6 5А/60А(пик)
ВВ529
Sl-D 28В 2,5-12пФ ЗОО
ВУ251
SJ-D 200В ЗА/100А(пик)
ВВ804
2xSl-D 18В 42-46,5пФ
ВУ252
SJ-D 400В ЗА/1 ООА(пик )
ВВ809
SJ-D 28В 4-46пФ настроечный
ВУ25З
Sl-D 600В ЗА/1 ООА(пик)
УКВ
ВУ254
Sl-D 800В ЗА/1 ООА(пик)
ВВ811
Sl-D настроечный для СТВ 2ГГц
ВУ255
Sl-D 1ЗООВ ЗА/1 ООА(пик)
ВУ126
Sl-D650B 1А
ВУ268
SJ-D 1400В О,8А <500нс
ВУ127
SJ-D 1250В 1А
ВУ269
SJ-D 1600В О,8А <500нс
ВУ1ЗЗ
Sl-D 1ЗООВ 1А/50А(пик)
ВУ288/
Sl-D 150 1000В 0,З2А ЗООнс
ВУ1З4
Sl-D 6ООВ 1А/50А(пик)
ВУ289/
SJ-D 150 1000В О,52А ЗООнс
ВУ1З5
Sl-D 200В 1А/50А(пик)
ВУ290/
SJ-D 150 600В 150нс
ВУ157/ А
Sl-D 200 1000В О,ЗА <ЗООнс
ВУ291/
SJ-D 75 ЗООВ 1, 1А 150нс
ВУ157/ В
Sl-D 200 1000В О,4А <ЗООнс
ВУ292/
Sl-D 75 ЗООВ 1 ЗА 150нс
ВУ157/ С
Sl-D 200 1000В О,6А <ЗООнс
ВУ29З/
Sl-D 75 ЗООВ ЗА 150нс
ВУ176
SJ-D 15кВ 2,5мА
ВУ294/
SJ-D 75 6ООВ 2,5А 150нс
ВУ184
Sl-D 1500/18ООВ 5мА
ВУ295/
Sl-D 150 600В 1,05А 150нс
ВУ187
Sl-D 1ОкВ 2,5мА 250нс
ВУ296
SJ-D 2ООВ 2А <50Онс
ВУ188А
Sl-D 50В 1,2А
ВУ297
Sl-D ЗООВ 2А <500нс
ВУ188В
Sl-D 50В 1,2А
ВУ298
SJ-D 400В 2А/70А(пик ) 15Онс
ВУ196
Sl-D 1оов 1,2А <500нс
ВУ299
Sl-D 800В 2А/70А(пик ) 50Онс

Краткие справочные данные по зарубежным диодам
171
Тип прибора
Описание
тип прибора
Описание
8УЗ28
Sl-D 14008 ЗА <500нс
8YDЗ7D М
Sl-D 200 10008 1,ЗА <ЗООнс
8УЗ29/
Sl-D 800 12008 7N80А(пик)
8YD57D М
Sl-D 200 10008 1А
15Онс
8YD71A G
Sl-D 50 4008 О,5А <50нс
8УЗ59/
Sl-D 1ООО 15008 6,5N60А(пик)
600
8УD7ЗА G
Sl-D 50 4008 1 , 75А <50нс
8УЗ59F/
Sl-D аналог 8УЗ59
8YD74A G
Sl-D 50 4008 2А <50НС
8УЗ96
Sl-D 1008 ЗА <500нс
8YD77A G
Sl-D 50 4008 1 , 75А <50нс
8УЗ97
Sl-D 2008 ЗА <500нс
8УМ26А Е
Sl-D 200 10008 2,ЗА <75нс
8УЗ98
Sl-D 4008 ЗN200А(пик) 500нс
8YR29/
Sl-D 500 8008 7,8N60А(пик)
75 НС
8УЗ99
Sl-D 8008 ЗN1 ООА(пик) 500нс
8YR29F/
Sl-D аналог 8YR29/
8У406
Sl-D З508 О,8А <ЗООнс
8YS16-
Sl-D-S 20 408 15А
8У409
Sl-D 12,5к8 2,5мА
8YS21-
Sl-D-S 45 908 1А
8У4З8
Sl-D ТV-DAMPER 12008 5А
8YS22-
Sl-D -S 45 908 2А
8У448
Sl-D 15008 2NЗОА(пик) 20мкс
8YS24-
2xSl-D -S 45 908 2,5А
8У458
Sl-D 12008 2NЗОА(пик) 2омкс
8YS25-
Sl-D -S 20 408 25А
8У459/1500
Sl-D 15008 10А600нс
8YS26-
Sl-D-S 45 908 ЗА
8У476
Sl-D 18к8 2,5мА
8У477
Sl-D 2Зк8 2мА
8YS27-45
Sl-D-S 458 5N120А(пик)
8YS28-
2xSl-D -S 45 908 2, 15А
8У478
Sl-D 27,5к8 2мА
8УТ01-
Sl-D 200 4008 1А <50нс
8У500/
Sl-D 100 8008 5N200А(пик)
20Онс
8УТОЗ-
Sl-D 200 4008 ЗN60А(пик)
<50 НС
8У509
Sl-D 12,5к8 4мА
8У510
Sl-D 17к8 4мА
8УТО8-
Sl-D 200 4008 8N1 ЗОА(пик )
З5 нс
8У520-10 -20
Sl-D 100 8008 5А <200нс
8УТ08Р- А
Sl-D 200 10008 8N1 ЗОА(пик)
8У527
Sl-D 12508 О,8А
65нс
8У5ЗО-
Sl-D 50 10008 ЗА
8УТ11-
Sl-D 600 10008 1NЗ5А(пик)
8У550-
Sl-D 50 8008 5А
1оонс
8У584
Sl-D 18008 85мА 20Онс
8УТ1З-
Sl-D 600 10008 ЗА <150нс
8У588
Sl-D 258 1,5А
8У627
Sl-D 12508 2А
8УТЗОР-
Sl-D 200 10008 ЗОА <70нс
8УТ51А М
Sl-D 50 10008 1,5N20А(пик )
<4МКС
8У707
Sl-D 1Ок8 4мА 200нс
8УТ52А М
Sl-D 50 10008 1,4N20А(пик)
8У708
Sl-D 12к8 4мА 200нс
<200 нс
8У709
Sl-D 14к8 4МА 200нс
8УТ5ЗА G
Sl-D 50 4008 1 ,5А <50нс
8У710
Sl-D 17к8 ЗмА 200нс
8УТ54А М
Sl-D 50 10008 1,25А <1 ООнс
8У711
Sl-D 19к8 ЗмА 200нс
8УТ56А М
Sl-D 50 10008 ЗА <100нс
8У712
Sl-D 22к8 ЗмА 20Онс
8УТ60- М
Sl-D 200 10008 60А <70нс
8У71З
Sl-D 24К8 ЗмА 200нс
8УТ71-
Sl-D 100 8008 6А <ЗООнс
8У714
Sl-D ЗОк8 ЗМА 200нс
8УТ71F-
Sl-D 100 8008 6А <ЗООнс
8У8420
Sl-D 24к8 ЗмА 200нс
8УТ77
Sl-D 8008 ЗА <ЗООнс
8YD11D М
Sl-D 200 10008 О,58А
8УТ78
Sl-D 10008 ЗА <ЗООнс
8YD1ЗD М
Sl-D 200 10008 1,4А
8УТ79-
Sl-D зоо 5008 1Од <50нс
8YD14D М
Sl-D 200 10008 2А 2,5мкс
8YV10- (А)
Sl-D-S 20 608 1N25А(пик) ЗОнс
8YD17D М
Sl-D 200 10008 2А 2,5мкс
8YV12
Sl-D 1008 1,5А ЗООнс
8YDЗ1D М
Sl-D 200 10008 О,4А <ЗООнс
8УV1З
Sl-D 4008 1,5А ЗООнс
8УDЗЗD М
Sl-D 200 10008 1, ЗА <ЗООнс
8УV1ЗЗ-
2xSl-D -S З5 458 18N200А(пик)
8YDЗ4D М
Sl-D 200 10008 1,8А <ЗООнс
8YV14
Sl-D 6008 1,5А ЗООнс

172
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
8YV15
Sl-D 8008 1,5А ЗООнс
8УWЗ9
Sl-D 2008 1А
8YV16
Sl-D 10008 1,5А ЗООнс
8YW40
Sl-D 4008 1А
8YV18/
Sl-D-S ЗО 458 8,8А
8YW41
Sl-06008 1А
8YV19/
Sl-D-S ЗО 458 9А
8YW42
Sl-D 8008 1А
8YV20/
Sl-D-S ЗО 458 12,5А
8УW4З
Sl-D 10008 1А
8YV21/
Sl-D-S ЗО 458 27А
8YW52
Sl-D 2008 2А <4мкс
8YV22/
Sl-D -S ЗО 458 50А
8УW5З
Sl-D 4008 2А <4мкс
8УV2З/
Sl-D-S ЗО 458 ?Од
8YW54
Sl-D 6008 2А <4мкс
8YV26A Е
Sl-D 200 10008 1NЗОА(пик)
8YW55
Si-D 8008 2А <4мкс
<75нс
8YW56
Sl-D 10008 2А <4мкс
8YV27/
Sl-D 50 2008 2N50А(пик)
<50нс
8YW58/
Sl-D 50 6008 1А <200нс
8YV28/
Sl-D 50 2008 З,5N50А(пик)
8YW59/
Sl-D 50 6008 ЗА <200нс
<50нс
8YW72
Sl-D 2008 ЗN60А(пик) 200нс
8YV29/
Sl-D ЗОО 5008 7,4А <50нс
8УW7З
Si-D ЗОО8 ЗN60А(пик ) 20Онс
8YV29F/
Sl-D ЗОО 5008 7,4А <50нс
8YW74
Sl-D 4008 ЗN60А(пик ) 200нс
8УVЗ2/
2xSl-D 50 2008 18N2ЗОА(пик)
8YW75
Sl-D 5008 ЗN60А(пик) 200нс
25нс
8YW76
Sl-D 6008 ЗN60А(пик) 200нс
8УVЗЗ/
2xSl-D-S ЗО 458 18А
8YW80-
Sl-D 50 2008 10А <З5нс
8УVЗ6А Е
Sl-D 200 10008 1,6А ЗОА(пик)
150нс
8YW80F-
Sl-D 50 2008 1Од <З5нс
8YV42/
2xSl-D 50 2008 ЗОА <25нс
8YW95A С
Sl-D 200 6008 ЗАПОА(пик )
250нс
8YV72/
Si-D 50 2008 ЗОN160А(пик)
28нс
8YW96D Е
Si-D 800 10008 ЗАПОА(пик )
зоонс
8YV79/
Sl-D 50 2008 12N420А(пик)
<З5нс
8YW98/
Sl-D 50 2008 ЗАПОА(пик)
<50нс
8YV95A С
Sl-D 200 6008 1,5NЗ5А(пик)
250 нс
8YW98/100
см 8YW98/200-ST
8YV96D Е
Sl-D 800 10008 1,5NЗ5А(пик)
8YW98/150
см 8YW98/200-ST
ЗОО НС
8YW99/
2xSl-D 50 2008 15А <50нс
8YW100/
Sl-D 50 2008 1,5А <З5нс
8УХ10
Sl-D 8008 З60мN15А(пик )
8YW14/
Sl-D 100 8008 ЗА <750нс
8УХ1З/
Sl-D 400 16008 20А
8YW15/
Sl-D 100 8008 ЗА <500нс
8УХЗ8/
Sl-D ЗОО 12008 6А
8YW16/
Sl-D 100 8008 ЗА <200нс
8УХ42/
Si-D ЗОО 12008 1ОА
8YW178
Sl-D 8008 ЗА <60нс
8УХ48/
Sl-D ЗОО 12008 6А
8YW19/
Sl-D 800 10008 ?А <45Онс
8УХ49/
Sl-D ЗОО 12008 6А
8YW27/
Sl-D 50 10008 1А
8УХ55/
Si-D З50 6008 1,2А 750нс
8YW29/
Sl-D 50 2008 7 ,6N <25нс
8УХ55/З50
см 8УХ55/600
8YW29/100
см 8YW29/200-M8R
8УХ61/
Sl-D 50 4008 12А <100НС
8YW29/150
см 8YW29/200-M8R
8УХ71/
Sl-D З50 6008 ?А <450нс
8YW29F/
Sl-D 50 2008 7 ,6N <25нс
8УХ72/
Sl-D 150 5008 1Од
8YW32
Sl-D 2008 2А <200нс
8УХ96/
Sl-D ЗОО 16008 ЗОА
8УWЗЗ
Sl-D ЗОО8 2А <200нс
8УХ97/
Sl-D ЗОО 16008 40А
8УWЗ4
Sl-D 4008 2А <200нс
8УХ98/
Sl-D ЗОО 12008 10А
8YW35
Sl-D 5008 2А <200нс
8УХ99/
Sl-D ЗОО 12008 15А
8YW36
Sl-D 6008 2А <200нс
8УУЗ1
Sl-D 1508 1А
8YW37
Sl-D 508 1А
8УУЗ2
Sl-D ЗОО8 1А
8YW38
Sl-D 1008 1А
8УУЗЗ
Sl-04508 1А

Краткие справочные данные по зарубежным диодам
173
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
ВУУЗ4
Sl-D 600В 1А
LL4148
Sl-D 75В О, 15А О,5Вт 4нс
ВУУЗ5
Sl-D750B 1А
МА176
Si-D 40В О,2А <20нс
ВУУЗ6
Sl-D 900В 1А
МА185
Sl-D 250В О,2А
ВУУЗ7
Sl-D 1050В 1А
МВRОЗО
Sl-D-S ЗОВ О,5А
BYZ10
Sl-D 1200В 6А
MBR040
Sl-D -S 40В О,5А
BYZ11
Sl-D 900В 6А
MBR1020
Sl-D -S 20В 1ОМ50А(пик)
BYZ12
Sl-D 600В 6А
МВR10З5
Sl-D-S З5В 10М50А(пик)
ВУZ1З
Sl-D ЗООВ 6А
MBR1045
Si-D -S 45В 1ОМ50А(пик)
ЕМ502
Sl-D аналог 1N400З
MBR1060
Sl-D -S 60В 1ОМ50А(пик)
ЕМ504
Sl-D аналог 1N4004
MBR1070
Sl-D -S 70В 1ОМ50А(пик )
ЕМ506
Sl-D аналог 1N4005
MBR1080
Sl-D -S 80В 1ОМ50А(пик)
ЕМ508
Sl-D аналог 1N4006
MBR1090
Sl-D -S 90В 1ОМ50А(пик)
ЕМ510
Sl-D аналог 1N4007
MBR150
Sl-D -S 50В 1А
ЕМ51З
Sl-D 1ЗООВ 1N50А(пик)
MBR1520
Sl-D -S 20В 15М 50А(пик)
ЕМ516
Sl-D 1800В 1N50А(пик)
МВR15ЗО
Sl-D -S ЗОВ 15М 50А(пик)
ERD29/06
Sl-D 600В 2,5N70А(пик) О,4мкс
МВR15З5
Sl-D-S З5В 15М 50А(пик )
ERD29/08
Sl-D 800В 2,5N70А(пик) О,4мкс
МВR15З5СТ
2xSl-D-S З5В 15М 50А(пик)
ES1F
Si-D 1500В О,5N20А(пик) 1,5мкс
MBR1540
Sl-D -S 40В 15М 50А(пик)
ESM765/200
Sl-D 200В 1Од ЗООнс
MBR1545CT
2xSl-D-S 45В 15М 50А(пик )
FE16A J
2xSl-D 50 600В 16А <З5нс
MBR160
Sl-D -S 60В 1А
FЕЗОА J
2xSl-D 50 600В ЗОА <З5 50нс
МВR16З5
Sl-D -S З5В 16М 50А(пик)
FE8A J
Sl-D 50 600В 8А <З5нс
MBR1645
Sl-D -S 45В 16М 50А(пик)
FR157
Si-D 1000В 1,5N60А(пик) 500нс
МВR20З5
Sl-D -S З5В 20А
FR207
Sl-D 1ОООВ 2N70А(пик) 500нс
МВR20З5СТ
2xSl-D-S З5В 20А
FRЗ07
Sl-D 1000В ЗN200А(пик) 500нс
MBR2045
Sl-D -S 45В 20А
FR604
Sl-D 400В 6NЗООА(пик) 150нс
MBR2045CT
2xSl-D-S 45В 20А
FR605
Sl-D 600В 6NЗООА(пик) 250нс
MBR2060CT
2xSl-D-S 60В 1Од
FR607
Sl-D 1ОООВ 6NЗООА(пик) 500нс
MBR2070CT
2xSl-D-S 70В 10А
GA5005
Sl-D 6000В О,2А
MBR2080CT
2xSl-D-S 80В 10А
GP08A J
Sl-D 50 600В О,8А
MBR2090CT
2xSl-D-S 90В 1Од
GP10A М
Sl-D 50 1000В 1А
MBR2520
Sl-D -S 20В 25А
GP10N У
Sl-D 1100 16ООВ 1А
MBR2520CT
2xSl-D -S 20В 25А
GP15A М
Sl-D 50 1ОООВ 1,5А
МВR25ЗО
Sl-D -S ЗОВ 25А
GP20A М
Sl-D 50 1ОООВ 2А
МВR25ЗОСТ
2xSl-D-S ЗОВ 25А
GРЗОА М
Sl-D 50 1ОООВ ЗА
МВR25З5
Sl-D -S З5В 25А
GP80A М
Si-D 50 1ОООВ 8А
МВR25З5СТ
2xSl-D -S З5В 25А
GPP10A М
Sl-D 50 1000В 1А
МВRЗО20СТ
2xSl-D-S 20В ЗОА
GPP15A М
Sl-D 50 1000В 1,5А
МВRЗО20РТ
2xSl-D-S 20В ЗОМ ООА(пик)
GPP20A М
Sl-D 50 1ОООВ 2А
МВRЗОЗ5СТ
2xSl-D-S З5В ЗОА
GРРЗОА М
Si-D 50 1ОООВ ЗА
МВRЗОЗ5РТ
2xSl-D -S З5В ЗОМ ООА(пик)
GPP60A М
Sl-D 50 1ОООВ 6А
МВRЗО45СТ
2xSl-D-S 45В ЗОА
GSA15B G
Sl-D 100 600В 1,5А
МВRЗО45РТ
2xSl-D-S 45В ЗОМООА(пик)
GSA17B Е
Sl-D 100 400В 1,7А
MBR4045PT
Sl-D-S 45В 40А
GSA26B Е
Sl-D 100 400В 2,6А
МВR7З5
Sl-D -S З5В 7 ,5М 50А(пик)
GSAЗOB J
Si-D 100 800В ЗА
MBR745
Sl-D -S 45В 7,5М 50А(пик)

174
Краткие справочные данные по зарубежным диодам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
MBR750
Sl-D-S 50В 7,5А/1 SОА(пик)
MUR1505 1560
Sl-D 50 600В 15А <60нс
MBR760
Sl-D-S 60В 7,5А/150А(пик)
MUR405 4100
Sl-D 50 1000В 4А/35А(пик)
MR500
Sl-D 50В ЗА
75НС
MR501
Sl-D 100В ЗА
MUR605CT
2xSl-D 50В ЗА <З5нс
MR502
Sl-D200B ЗА
MUR610CT
2xSl-D 1ООВ ЗА <З5нс
MR504
Sl-D400B ЗА
MUR620CT
2xSl-D 200В ЗА <З5нс
MR506
Sl-D600B ЗА
MUR805 8100
Sl-D 50 1ОООВ 8А <25 75нс
MR508
Sl-D 800В ЗА
MURDЗOS З20
Sl-D 50 200В ЗА <З5нс
MR510
Sl-D 1ОООВ ЗА
MURD605CT
2xSl-D 50В ЗА <З5нс
MR750
Sl-D 50В 6А/400А(пик)
MURD610CT
2xSl-D 1ООВ ЗА <З5нс
MR751
Sl-D 100В 6А/400А(пик)
MURD620CT
2xSl-D 200В ЗА <З5нс
MR752
Sl-D 200В 6А/400А(пик)
MV102
настроечный УКВ
MR754
Sl-D 400В 6А/400А(пик)
мv1оз
настроечный УКВ
MR756
Sl-D 6ООВ 6А/400А(пик)
MV104
настроечный УКВ
MR758
Sl-D 800В 6А/400А(пик)
ОА200
Sl-D 50В О,16А З,5мкс
MR760
Sl-D 1000В 6А/400А(пик)
ОА202
Sl-D 150В О, 16А З 5мкс
MR820
Sl-D 50В 5А <200нс
ОА210
Sl-D 400В О,5А
MR821
Sl-D 100В 5А <200нс
0А211
Sl-D 800В О,5А
MR822
Sl-D 200В 5А <200нс
ОА47
GE-D 25В 11 ОмА <70нс
MR824
Sl-D 400В 5А <200нс
ОА90
GE-D 20В 8мА/45гпА(пик) <З,2В
MR826
Sl-D 6ООВ 5А/ЗООА(пик) ЗООнс
ОА91
GE-D 115В 50мА/О, 15А(пик )
<ЗВ
MR828
Sl-D 800В 5А/ЗООА(пик) ЗООнс
ОА95
GE-D 115В 50мА/О, 15А(пик )
МR8ЗО
Sl-D 50В ЗА <200нс
<2В
МR8З1
Sl-D 1ООВ ЗА <200нс
РЗООА М
Sl-D 50 1ОООВ 5А 5мкс
МR8З2
Sl-D 200В ЗА <200нс
Р600А М
Sl-D 50 1ОООВ 6А/400А(пик )
МR8З4
Sl-D 400В ЗА <200нс
PBYR1040
Sl-D-S 40В 1ОА/125А(пик)
МR8З6
Sl-D 600В ЗА <200нс
РВУRЗО40WТ
Sl-D-S 40В ЗОА/ЗООА(пик)
MR840 46
Sl-D аналог МR8ЗО З6 <1 мкс
R2KN
Sl-D 140В 1А
MR850
Sl-D 50В ЗА <200нс
R2КУ
Sl-D 160В 1А
MR851
Sl-D 100В ЗА <200нс
RB100A
Sl-D -S 40В 1А
MR852
Sl-D 200В ЗА <200нс
RGP01-10 20
Sl-D 1000 2000В 0,1А ЗООнс
MR854
Sl-D 400В ЗА <200нс
RGP10A М
Sl-D 50 1000В 1А <150 500нс
MR856
Sl-D 600В ЗА <200нс
RGP15A М
Sl-D50 1000В1,5А<150 500нс
MR880
Sl-D 50В 12А < 1мкс
RGPЗOM
Sl-D 1000В ЗА/125А(пик) 500нс
MR880
Sl-D 200В 12А <1 мкс
sв1100
Sl-D-S 100В 1А/25А(пик)
MR881
Sl-D 100В 12А <1мкс
SB120
Sl-D -S 20В 1А/25А(пик)
MR882
Sl-D 200В 12А <1мкс
SВ1ЗО
Sl-D -S ЗОВ 1А/25А(пик)
MR884
Sl-D 400В 12А <1мкс
SB140
Sl-D -S 40В 1А/25А(пик)
MR886
Sl-D 6ООВ 12А <1 мкс
SB150
Sl-D -S SOB 1А/25А(пик)
MR910
Sl-D 50В ЗА <750нс
SB160
Sl-D-S 60В 1А/25А(пик)
MR911
Sl-D 1ООВ ЗА <750нс
SB180
Sl-D -S 80В 1А/25А(пик)
MR912
Sl-D 200В ЗА <750нс
SB190
Sl-D -S 90В 1А/25А(пик)
MR914
Sl-D 400В ЗА <750нс
sв2100
Sl-D -S 1ООВ 2А
MR916
Sl-D 600В ЗА <750нс
sв220
Sl-D -S 20В 2А
MUR105 1100
Sl-D 50 1ОООВ 1А/35А(пик) 75нс
SВ2ЗО
Sl-D -S ЗОВ 2А

Краткие справочные данные по зарубежным диодам
175
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
SB240
SJ-D -S 40В 2А
SKE4F1/01" 10
SJ-D 1оо"1 ооов 1,2А <40Онс
SB250
SJ-D -S 50В 2А
SKE4F2/01" 10
SJ-D 1оо"1 ооов 2А <40Онс
SB260
SJ-D -S 60В 2А
SKS1/01"16
SJ-D 120"1600В 1,4А
SB280
Sl-D-S 80В 2А
SLA1012
SJ-D матрица 120В О,4А/2А(пик.)
SB290
SJ-D -S 90В 2А
SR5040
SJ-D -S 40В 50А/400А(пик.)
SВЗ100
Sl-D-S 1ООВ ЗА/1 ООАР
SR840
Sl-D-S 40В 8А/90А(пик.)
SВЗ20
SJ-D -S 20В ЗА/100А(пик.)
SRP100A"K
Sl-D 50"800В 1А <100"200нс
sвззо
SJ-D -S ЗОВ ЗА/100А(пик.)
SRPЗOOA"K
SJ-D 50"800В ЗА <100"200нс
SВЗ40
SJ-D -S 40В ЗА/1 ООА(пик.)
SRP600A"K
SJ-D 50"800В 6А <100"200нс
SВЗ50
SJ-D -S 50В ЗА/1 ООА(пик.)
UF4001
SJ-D 50В 1А/50А(пик.) 50нс
SВЗ60
SJ-D -S 60В ЗА/1 ООА(пик.)
UF4002
Sl-D 100В 1А/50А(пик.) 50нс
SВЗ80
Sl-D-S 80В ЗА/1 ООА(пик.)
UF400З
SJ-D 200В 1А/50А(пик.) 50нс
SВЗ90
SJ-D -S 90В ЗА/1 ООА(пик.)
UF4004
SJ-D 400В 1А/50А(пик.) 50нс
SB5100
Sl-D-S 100В 5А/85А(пик.)
UF4005
Sl-D 600В 1А/50А(пик.) 50нс
SB520
SJ-D -S 20В 5А
UF4006
Sl-D 800В 1А/50А(пик.) 50нс
sвsзо
SJ-D -S ЗОВ 5А
UF4007
SJ-D 1000В 1А/50А(пик.) 75нс
SB540
SJ-D-S 40В 5А
UF5401
SJ-D 100В ЗА/150А(пик.) 50нс
SB550
SJ-D-S 50В 5А/85А(пик.)
UF5402
SJ-D 200В ЗА/150А(пик.) 50нс
SB560
SJ-D -S 60В 5А/85А(пик.)
UF540З
SJ-D ЗООВ ЗА/150А(пик.) 50нс
SB580
Sl-D-S 80В 5А/85А(пик.)
UF5404
Sl-D 400В ЗА/150А(пик.) 50нс
SB590
Sl-D-S 90В 5А/85А(пик.)
UF5406
SJ-D 600В ЗА/150А(пик.) 50нс
SКЗ/16
Si-D 16ООВ 1,8А/180А(пик.)
UF5407
Sl-D 800В ЗА/150А(пик.) 50нс
SKЗGL04
Sl-D 400В З,8А/175А(пик.) ЗООнс
UF5408
Sl-D 1ОООВ ЗА/150А(пик.) 75нс

176
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
GE
р
N
DARL
D
FET
IGBT
R
Тип прибора
2N109
2N1ЗО4
2N1З05
2N1ЗО7
2N161З
2N1711
2N189З
2N2102
2N2148
2N2165
2N2166
2N2219A
2N2222A
2N222З
2N222ЗА
2N224ЗА
2N2З69А
2N2857
2N2894
2N2905A
2N2906A
2N2907A
2N2917
2N2926
Приложение З
Краткие справочные данные
по зарубежным транзисторам
германий;
кремний;
P-N -P;
составной транзистор (схема Дарлингтона);
цифровой;
полевой;
биполярный с изолированным затвором;
номинал встроенного сопротивления цифрового транзистора: одно
значение - сопротивление резистора, включенного в цепь базы;
два значения через дробь: первое - включенное в цепь базы,
второе - включеннное в цепь база-эмиттер.
Описание
Тип прибора
Описание
GE-P З5В О, 15А О, 165Вт
2N2955
GE-P 40В О, 1А О, 15Вт 200МГц
GE-N 25В О,ЗА О, 15Вт 10МГц
2NЗО19
Sl-N 140В 1А О,8Вт 100МГц
GE-P ЗОВ О,ЗА О, 15Вт 5МГц
2NЗО5З
Sl-N 60В О,7А 5Вт 100МГц
GE-P ЗОВ О,ЗА О, 15Вт В>60
2NЗО54
Sl-N 90В 4А 25Вт ЗМГц
Sl-N 75В 1А О,8Вт 60МГц
2NЗО55
Sl-N 1ООВ 15А 115Вт 80ОкГц
Sl-N 75В 1А О,8Вт 70МГц
2NЗО55
Sl-N 1ООВ 15А 115Вт 800кГц
Sl-N 120В О,5А О,8Вт
2NЗО55Н
Sl-N 1ООВ 15А 115Вт 800кГц
Sl-N 120В 1А 1Вт <120МГц
2NЗ251
Sl-P 50В О,2А О,З6Вт
GE-P 60В 5А 12,5Вт
2NЗЗ75
Sl-N 40В О,5А 11,6Вт 500МГц
Sl-P ЗОВ 50мА О,15Вт 18МГц
2NЗ4З9
Sl-N 450В 1А 10Вт 15МГц
Sl-P 15В 50мА О,15Вт 10МГц
2NЗ440
Sl-N ЗООВ 1А 10Вт 15МГц
Sl-N 40В О,8А О,8Вт 250МГц
2NЗ441
Sl-N 160В ЗА 25Вт
Sl-N 40В О,8А О,5Вт ЗООМГц
2NЗ442
Sl-N 160В 1Од 117Вт О,8МГц
2xSl-N 100В О,5А О,6Вт В>50
2NЗ495
Sl-P 120В О, 1А О,6Вт >150МГц
2xSl-N 100В О,5А О,6Вт В>50
2NЗ502
Sl-P 45В О,6А О,7Вт 200МГц
Sl-N 120В 1А О,8Вт 50МГц
2NЗ55З
Sl-N 65В О,З5А 7Вт 500МГц
Sl-N 40В О,2А О,З6Вт 1211 Внс
2NЗ571
Sl-N ЗОВ О,05А 0,2Вт 1,4ГГц
Sl-N ЗОВ 40мА 0,2Вт >1 ГГц
2NЗ58З
Sl-N 250/175В 2А З5Вт >1 ОМ Гц
Sl-P 12В О,2А 1,2Вт 60/90нс
2NЗ6З2
Sl-N 40В О,25А 2ЗВт 400МГц
Sl-P 60В О,6А О,6Вт 45/100
2NЗ646
Sl-N 40В О,2А О,2Вт
Sl-P 60В О,6А О,4Вт 45/100
2NЗ700
Sl-N 140В 1А О,5Вт 200МГц
Sl-P 60В О,6А О,4Вт 45/100
2NЗ707
Sl-N ЗОВ О,ОЗА О,З6Вт 100МГц
Sl-N 45В О,ОЗА >60МГц
2NЗ708
Sl-N ЗОВ О,ОЗА О,З6Вт 80МГц
Sl-N 25В О, 1А О,2Вт ЗООМГц
2NЗ716
Sl-N 100В 10А 150Вт 4МГц

Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
177
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2NЗ725
Sl-N 80В О,5А 1Вт З5/60нс
2N4920
Sl-P 80В 1А ЗОВт
2NЗ740
Sl-P 60В 4А 25Вт >4МГц
2N492З
Sl-N 80В 1А ЗОВт
2NЗ741
Sl-N 80В 4А 25Вт >4МГц
2N50З8
Sl-N 150В 20А 140Вт О,5мкс
2NЗ742
Sl-N зоов О,05А iвт >ЗОМГц
2N5090
Sl-N 55В О,4А 4Вт 5мА
2NЗ767
Sl-N 100В 4А 20Вт >10МГц
2N5109
Sl-N 40В О,5А 2,5Вт 1,5ГГц
2NЗ771
Sl-N 50В ЗОА 150Вт
2N5116
P-FET ЗОВ 5мА 150Е Up<4B
2NЗ772
Sl-N 1ООВ 20А 150Вт
2N5154
Sl-N 100В 2А 10Вт
2NЗ77З
Sl-N 160В 16А 150Вт
2N5179
Sl-N 20В 50мА О,2Вт >1 ГГц
2NЗ792
Sl-P 80В 10А 150Вт4МГц
2N5192
Sl-N 80В 4А 40Вт 2МГц
2NЗ819
N-FET 25В 20мА О,З6Вт
2N5240
Sl-N З75В 5А 100Вт >2МГц
2NЗ820
P-FET 20В 15мА О,З6Вт
2N5298
Sl-N 80В 4А З6Вт >О,8МГц
2NЗ821
N-FET 50В 2,5мА О,ЗВт
2N5ЗО8
N-DARL 40В О,ЗА О,4Вт В>7000
2NЗ824
N-FET 50В 10мА О,ЗВт
2N5З20
Sl-N 1оов 2А 1авт аудио ключ
2NЗ866
Sl-N 55В О,4А 1Вт 175МГц
2N5З22
Sl-P 1ООВ 2А 10Вт аудио ключ
2NЗ904
Sl-N 60В О,2А О,З5Вт ЗООМГц
2N5401
Sl-P 160В О,6А О,З1Вт
2NЗ906
Sl-P 40В О,2А О,З5Вт 250МГц
2N5416
Sl-P З50В 1А 1авт 15МГц
2NЗ909
P-FET 20В 1ОмА О,ЗВт
2N54ЗЗ
N-FET 25В О,4А О,ЗВт
2NЗ958
N-FET 50В 5мА О,25Вт
2N5457
N-FET 25В 1мА Up<6B
2NЗ96З
Sl-P 80В О,2А О,З6Вт >40МГц
2N5458
N-FET 25В 2,9мА
2NЗ972
N-FET 40В 50мА 1,8Вт
2N5460
P-FET 40В 5мА Up<6B
2N4001
Sl-N 100В 1А 15Вт 40МГц
2N5461
P-FET 40В 9мА О,З1 Вт
2N40ЗЗ
Sl-P 80В 1А О,8Вт 150МГц
2N5462
P-FET 40В 16мА Up<9B
2N40З6
Sl-P 90В 1А 1Вт 60МГц
2N5484
N-FET 25В 5мА О,З1 Вт
2N409
GE-P 1ЗВ 15мА 80мВт 6,8МГц
2N5485
P-FET 25В 4мА Up<4B
2N4126
Sl-P 25В 200мА СВЧ
2N5551
Sl-N 180В О,6А О,З1Вт
2N4220
N-FET ЗОВ О,2А
2N5589
Sl-N З6В О,6А ЗВт 175МГц
2N42З6
Sl-P 80В ЗА 1Вт >ЗМГц
2N56З9
N-FET ЗОВ 10мА З10мВт
2N427
GE-P ЗОВ О,4А О, 15Вт В>40
2N5672
Sl-N 150В ЗОА 140Вт О,5мкс
2N428
GE-P ЗОВ О,4А О, 15Вт В>60
2N5680
Sl-P 120В 1А 1Вт
2N4286
Sl-N ЗОВ О,05А О,25Вт
2N5682
Sl-N 120В 1А 1Вт >ЗОМГц
2N4287
Sl-N 45В О, 1А О,25Вт 40МГц
2N5684
Sl-P 80В 50А 200Вт
2N4291
Sl-P 40В О,2А О,25Вт 150МГц
2N5686
Sl-N 80В 50А ЗООВт >2МГц
2N4ЗО2
N-FET ЗОВ О,5мА О,ЗВт
2N5770
Sl-N ЗОВ О,05А О,7Вт >900МГц
2N4З47
Sl-N 140В 5А 100Вт О,8МГц
2N5771
Sl-P 15В 50мА 625мВт >850МГц
2N4З48
Sl-N 140В 10А 120Вт >О,2МГц
2N5876
Sl-P 80В 10А 150Вт >4МГц
2N4З51
N-FET ЗОВ ЗОмА О,ЗВт 140кГц
2N5878
Sl-N 80В 1Од 150Вт >4МГц
2N4З91
N-FET 40В 50мА ЗОЕ Up<10B
2N5879
Sl-N 60В 10А 150Вт >4МГц
2N4З92
N-FET 40В 25мА 60Е Up<5B
2N5884
Sl-P 80В 25А 200Вт
2N4З9З
N-FET 40В 5мА 1ООЕ Uр<ЗВ
2N5886
Sl-N 80В 25А 200Вт >4МГц
2N4401
Sl-N 60В О,6А 200МГц
2N60З1
Sl-P 140В 16А 200Вт 1МГц
2N440З
Sl-P 40В О,6А 200МГц
2N6050
P-DARL+D 60В 12А 100Вт
2N4416
N-FET ЗОВ 15мА СВЧ
2N6059
Sl-N 1ООВ 12А 150Вт
2N4420
Sl-N 40В О,2А О,З6Вт
2N608З
Sl-N З6В 5А ЗОВт 175МГц
2N4427
Sl-N 40В О,4А 1Вт 175МГц
2N6098
Sl-N 70В 1Од 75Вт ключевой
2N4906
Sl-P 80В 5А 87,5Вт >4МГц
2N6099
Sl-N 70В 10А 75Вт ключевой

Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
тип прибора
Описание
2N6109
Sl-P 60В 7А 40Вт 10МГц
2SA1049
Sl-P 120В О,1А О,2Вт 100МГц
2N6124
Sl-P 45В 4А 40Вт
2SA1061
Sl-P 100В 6А 70Вт 15МГц
2N6211
Sl-P 275В 2А 20Вт 20МГц
2SA1062
Sl-N 120В 7А 80Вт 15МГц
2N621З
Sl-P 400В 2А З5Вт >20МГц
2SA1065
Sl-P 150В 10А 120Вт 50МГц
2N6248
Sl-P 110В 15А 125Вт >6МГц
2SA1084
Sl-P 90В О, 1А О,4Вт 90МГц
2N6284
N-DARL 100В 20А 160Вт В>75
2SА110З
Sl-P 100В 7А 70Вт 20МГц
2N6287
P-DARL 100В 20А 160Вт
2SA1106
Sl-P 140В 10А 100Вт 20МГц
2N6292
Sl-N 80В 7А 40Вт
2SA1110
Sl-P 120В О,5А 5Вт 250МГц
2N6З56
N-DARL 50В 20А 150Вт В>150
2SA1111
Si-P 150В 1А 20Вт 200МГц
2N6422
Sl-P 500В 2А З5Вт >1 ОМ Гц
2SA1112
Sl-P 180В 1А 20Вт 200МГц
2N6427
N-DARL 40В О,5А О,625Вт
2SA1115
Sl-P 50В О,2А 2ООМГц
2N6476
Sl-P 1ЗОВ 4А 16Вт 5МГц
2SA1120
Sl-P З5В 5А 170МГц
2N6488
Sl-N 90В 15А 75Вт
2SА112З
Sl-P 150В 50мА О,75Вт 200МГц
2N6491
Sl-P 90В 15А ЗОВт
2SA1124
Sl-P 150В 50мА 1Вт 200МГц
2N6517
Sl-N З50В О,5А О,625Вт В>40
2SA1127
Sl-P 60В О,1А О,4Вт 200МГц
2N6520
Sl-P З50В О,5А 0,625Вт В>40
2SA1141
Sl-P 115В 10А 100Вт90МГц
2N6547
Sl-N 850/400В 15А 175Вт
2SA1142
Sl-P 180В О, 1А 8Вт 180МГц
2N6556
Si-P 100В 1А 10Вт>75МГц
2SA1145
Sl-P 150В 50мА О,8Вт 200МГц
2N6609
Sl-P 160В 16А 150Вт 2МГц
2SA1150
Sl-P З5В О,8А О,ЗВт 120МГц
2N6660
N-FET 60В 2А 6,25Вт
2SA1156
Sl-P 400В О,5А 1О Вт
2N6661
N-FET 90В 2А 6,2Вт
2SA1160
Sl-P 20В 2А О,9Вт 150МГц
2N6675
Sl-N 400В 15А
2SА116З
Sl-P 120В О,1А 100МГц
2N6678
Sl-N 400В 15А
2SA1170
Sl-P 200В 17А 200Вт 20МГц
2N6716
Sl-N 60В 2А 2Вт 50МГц
2SA1185
Sl-P 50В 7А 60Вт 100МГц
2N6718
Sl-N 100В 2А 2Вт 50МГц
2SA1186
Sl-P 150В 10А 100Вт
2N6725
N-DARL 60В 2А 1Вт В>15000
2SA1200
Sl-P 150В 50мА О,5Вт 120МГц
2N6728
Sl-P 60В 2А 2Вт >50МГц
2SA1201
Si-P 120В О,8А О,5Вт 120МГц
2N697
Sl-N 60В 1А О,6Вт <50МГц
2SA1206
Sl-P 15В О,05А О,6Вт
2N7002
N-FET 60В О, 115А О,2Вт
2SA1207
Sl-P 180В 70мА О,6Вт 150МГц
2N914
Sl-N 40В О,5А <40/40нс кпючевой
2SA1208
Sl-P 180В О,07А О,9Вт
2N918
Sl-N ЗОВ 50мА О,2Вт 600МГц
2SA1209
Sl-P 180В О,14А 10Вт
2SA1006B
Sl-P 250В 1,5А 25Вт 80МГц
2SA1210
Sl-P 200В О, 14А 10Вт
2SA1009
Sl-P З50В 2А 15Вт
2SА121З
Sl-P 50В 2А О,5Вт 120МГц
2SA1011
Sl-P 160В 1,5А 25Вт 120МГц
2SA1215
Sl-P 160В 15А 150Вт 50МГц
2SА101З
Sl-P 160В 1А О,9Вт 50МГц
2SA1216
Sl-P 180В 17А 200Вт 40МГц
2SA1015
Sl-P 50В О, 15А О,4Вт 80МГц
2SA1220A
Sl-P 120В 1,2А 20Вт 160МГц
2SA1016
Sl-P 100В О,05А О,4Вт 110МГц
2SA1221
Sl-P 160В О,5А 1Вт 45МГц
2SA1017
Sl-P 120В 50мА О,5Вт 11 ОМ Гц
2SA1225
Sl-P 160В 1,5А 15Вт 100МГц
2SA1018
Sl-P 250В 70мА О,75Вт >50МГц
2SA1227A
Sl-P 140В 12А 120Вт60МГц
2SA1020
Sl-P 50В 2А О,9Вт 100МГц
2SА12З2
Sl-P 1ЗОВ 10А 100Вт 60МГц
2SA1027
Sl-P 50В О,2А О,25Вт 100МГц
2SA1241
Sl-P 50В 2А 1ОВт 1ООМГц
2SA1029
Sl-P ЗОВ О, 1А О,2Вт 280МГц
2SA1242
Sl-P З5В 5А 1Вт 170МГц
2SА10З4
Sl-P З5В 50мА О,2Вт 200МГц
2SA1244
Sl-P 60В 5А 20Вт 60МГц
2SА10З7
Sl-P 50В О,4А 140МГц
2SA1249
Sl-P 180В 1,5А 1авт 120МГц
2SA1048
Sl-P 50В О, 15А О,2Вт 80МГц
2SA1261
Sl-P 1ООВ 1ОА 60 Вт

Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
179
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2SA1262
Sl-P 60В 4А ЗОВт 15МГц
2SА1З71Е
Sl-P ЗООВ О,1А 1Вт 150МГц
2SA1264N
Sl-P 120В 8А 80Вт ЗОМГц
2SА1З76
Sl-P 200В О, 1А О,75Вт 120МГц
2SA1265N
Sl-P 140В 1ОА1 ООВт ЗОМГц
2SА1З80
Sl-P 200В О, 1А 1,2Вт
2SA1266
Sl-P 50В О, 15А О,4Вт
2SА1З81
Sl-P ЗООВ О,1А 150МГц
2SA1268
Sl-N 120В О,1А 0,ЗВт 100МГц
2SА1З82
Sl-P 120В 2А О,9Вт О,2мкс
2SA1270
Sl-P З5В О,5А О,5Вт 200МГц
2SА1З8З
Sl-P 180В О,1А 10Вт 180МГц
2SA1271
Sl-P ЗОВ О,8А О,6Вт 120МГц
2SА1З86
Sl-P 160В 15А 1ЗОВт40МГц
2SA1275
Sl-P 160В 1А О,9Вт 20МГц
2SА1З87
Sl-P 60В 5А 25Вт 80МГц
2SA1282
Sl-P 20В 2А О,9Вт 8ОМГц
2SА1З92
Sl-P 60В О,2А О,4Вт 200МГц
2SА128З
Sl-P 60В 1А О,9Вт 85МГц
2SА1З96
Sl-P 1ООВ 1ОА ЗОВт
2SA1286
Sl-P ЗОВ 1,5А О,9Вт 90МГц
2SА1З99
Sl-P 55В О,4А О,9Вт 150МГц
2SA1287
Sl-P 5ОВ 1А О,9Вт 90МГц
2SA1400
Sl-P 400В О,5А 1О Вт
2SA1292
Sl-P 80В 15А 70Вт 100МГц
2SА140З
Sl-P 80В О,5А 1О Вт 800МГц
2SА129З
Sl-P 100В 5А ЗОВт О,2мкс
2SA1405
Sl-P 120 В О,ЗА 8Вт 500МГц
2SA1294
Sl-P 2ЗОВ 15А 1ЗОВт
2SA1406
Sl-P 200В О, 1А ?Вт 400МГц
2SA1295
Sl-P 2ЗОВ 17А 200Вт З5МГц
2SA1407
Sl-P 150В О, 1А ?Вт 400МГц
2SA1296
Sl-P 20В 2А О,75Вт 120МГц
2SА141З
Sl-P 600В 1А 10Вт 26МГц
2SA1298
Sl-P ЗОВ О,8А О,2Вт 120МГц
2SA1428
Sl-P 50В 2А 1Вт 1ООМГц
2SА1ЗОО
Sl-P 10В 2А О,75Вт 140МГц
2SА14З1
Sl-P З5В 5А 1Вт170МГц
2SА1З02
Sl-P 200В 15А 150Вт 25МГц
2SA1441
Sl-P 1ООВ 5А 25Вт <ЗООнс
2SА1ЗОЗ
Sl-P 150В 14А 125Вт 50МГц
2SА144З
Sl-P 100В 10А ЗОВт
2SА1ЗО6
Sl-P 160В 1,5А 20Вт
2SA1450
Sl-P 1оов О,5А О,6Вт 120МГц
2SА1ЗО6А
Sl-P 180В 1,5А 20Вт 1ООМГц
2SA1451
Sl-P 60В 12А ЗОВт 70МГц
2SА1ЗО7
Sl-P 60В 5А 20Вт О, 1мкс
2SA1460
Sl-P 60В 1А 1Вт <40нс
2SА1ЗО9
Sl-P ЗОВ О, 1А О,ЗВт 80МГц
2SA1470
Sl-P 80В 7А 25Вт 100МГц
2SА1З10
Sl-P 60В О, 1А О,ЗВт 200МГц
2SA1475
Sl-P 120В О,4А 15Вт 5ООМГц
2SА1З15
Sl-P 80В 2А О,9Вт О,2мкс
2SA1476
Sl-P 200В О,2А 15Вт 400МГц
2SА1З16
Sl-P 80В О, 1А О,4Вт 50МГц
2SA1477
Sl-P 180В 0,14А 10Вт 150МГц
2SА1З17
Sl-P 60В О,2А 0,ЗВт 200МГц
2SA1488
Sl-P 60В 4А 25Вт 15МГц
2SА1З18
Sl-P 60В О,2А О,5Вт 2ООМГц
2SA1489
Sl-P 80В 6А 60Вт 20МГц
2SА1З19
Sl-P 180В О,7А О,7Вт 120МГц
2SA1490
Sl-P 120В 8А 80Вт 20МГц
2SА1З21
Sl-P 250В 50мА 0,9Вт 1ООМГц
2SA1491
Sl-P 140В 10А 100Вт 20МГц
2SА1З28
Sl-P 60В 12А 40Вт О,Змкс
2SA1494
Sl-P 200В 17А 200Вт 20МГц
2SА1З29
Sl-P 80В 12А 40Вт О,Змкс
2SA1507
Sl-P 180В 1,5А 1авт 120МГц
2SА1З45
Sl-N 50В О, 1А О,ЗВт 250МГц
2SA1515
Sl-P 40В 1А О,ЗВт 150МГц
2SА1З46
Sl-P 50В О,1А 200МГц
2SA1516
Sl-P 180В 12А 1ЗОВт 25МГц
2SА1З48
Sl-P 50В О, 1А 200МГц
2SA1519
Sl-P 50В О,5А О,ЗВт 200МГц
2SА1З49
Sl-P 80В О,1А О,4Вт 170 матрица
2SА15З5А
Sl-P 180В 1А 40Вт 200МГц
2SА1З52
Sl-P 200В О, 1А 5Вт ?ОМ Гц
2SА15З8
Sl-P 120В О,2А 8Вт 400МГц
2SА1З57
Sl-P З5В 5А 10Вт 170МГц
2SА15З9
Sl-P 120В О,ЗА 8Вт 400МГц
2SА1З58
Sl-P 120В 1А 10Вт 120МГц
2SA1540
Sl-P 200В О, 1А ?Вт ЗООМГц
2SА1З59
Sl-P 40В ЗА 1авт1 ООМГц
2SA1541
Sl-P 200В О,2А ?Вт ЗООМГц
2SА1З60
Sl-P 150В 50мА 5Вт 200МГц
2SА155З
Sl-P 230В 15А 150Вт 25МГц
2SА1З61
Sl-P 250В 50мА 80МГц
2SA1566
Sl-N 120В О, 1А О, 15Вт 1ЗОМГц
2SА1З70
Sl-P 200В О, 1А 1Вт 150МГц
2SA1567
Sl-P 50В 12А З5Вт 40МГц

180
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2SA1568
Sl-P 60В 12А 40Вт
2SА64З
Sl-P 40В О,5А О,5Вт 180МГц
2SA1577
Sl-P З2В О,5А О,2Вт 200МГц
2SА65З
Sl-P 150В 1А 15Вт 5МГц
2SА159З
Sl-P 120В 2А 15Вт 120МГц
2SA684
Sl-P 60В 1А 1Вт 200МГц
2SA1601
Sl-P 61JB 15А 45Вт
2SA699
Sl-P 40В 2А 10Вт 150МГц
2SA1606
Sl-P 180В 1,5А 15Вт 100МГц
2SA708A
Sl-P 1ООВ 0,7А О,8Вт 50МГц
2SA1615
Sl-P ЗОВ 10А 15Вт 180МГц
2SA720
Sl-P 60В О,5А О,6Вт 200МГц
2SA1624
Sl-P ЗООВ О, 1А О,5Вт 70МГц
2SA725
Sl-P З5В О, 1А О, 15Вт 1ООМГц
2SA1625
Sl-P 400В О,5А О,75Вт
2SА7ЗЗ
Sl-P 60В О, 15А О,25Вт 50МГц
2SA1f,26
Sl-P 400В 2А 1Вт О,5/2,7мкс
2SА7ЗВ
Sl-P 25В 1,5А ВВт 160МГц
2SА16ЗЗ
Sl-P 150В 10А 100Вт20МГц
2SA747
Sl-P 120В 10А 100Вт 15МГц
2SА164З
Sl-P 50В 7А 25Вт 75МГц
2SA756
Sl-P 100В 6А 50Вт 20МГц
2SA1667
Sl-P 150В 2А 25Вт 20МГц
2SA762
Sl-P 11 ОВ 2А 2ЗВт 80МГц
2SA1668
Sl-P 200В 2А 25Вт 20МГц
2SA765
Sl-P 80В 6А 40Вт 1ОМ Гц
2SA1670
Sl-P 80В 6А 60Вт 20МГц
2SA768
Sl-P 60В 4А ЗОВт 10МГц
2SA1671
Sl-P 120/120В 8А 75Вт 20МГц
2SA769
Sl-P 80В 4А ЗОВт 1ОМ Гц
2SA1672
Sl-P 140В 10А 80Вт 20МГц
2SA770
Sl-P 60В 6А 40Вт 1ОМ Гц
2SА167З
Sl-P 180В 15А 85Вт 20МГц
2SA771
Sl-P 80В 6А 40Вт 2МГц
2SA1680
Sl-P 60В 2А О,9Вт 100/400нс
2SA777
Sl-P 80В О,5А О,75Вт 120МГц
2SA1684
Sl-P 120В 1,5А 20Вт 150МГц
2SA778A
Sl-P 180В О,05А О,2Вт 60МГц
2SA1694
Sl-P 120/120В 8А 80Вт 20МГц
2SA781
Sl-P 20В О,2А О,2Вт
2SA1695
Sl-P 140В 10А 80Вт 20МГц
2SA794
Sl-P 100В О,5А 5Вт 120МГц
2SА170З
Sl-P ЗОВ 1,5А 1Вт 180МГц
2SA794A
Sl-P 120В О,5А 5Вт 120МГц
2SA1706
Sl-P 60В 2А 1Вт
2SA812
Sl-P 50В О, 1А О, 15Вт
2SA1708
Sl-P 120В 1А 1Вт120МГц
2SA814
Sl-P 120В 1А 15Вт ЗОМГц
2SA1726
Sl-P ВОВ 6А 50Вт 20МГц
2SA816
Sl-P 80В О,75А 1,5Вт 100МГц
2SA1776
Sl-P 400В 1А 1Вт
2SA817
Sl-P 80В О,ЗА О,6Вт 1ООМГц
2SА180З
Sl-P 80В 6А 55Вт ЗОМГц
2SA817A
Sl-P 80В О,4А О,8Вт 100МГц
2SА18З7
Sl-P 2ЗОВ 1А 20Вт 70МГц
2SА8З6
Sl-P 55В О, 1А О,2Вт 1ООМГц
2SА19ЗО
Sl-P 180В 2А 20Вт 200МГц
2SА8З8
Sl-P ЗОВ ЗОмА О,25Вт ЗООМГц
2SA1962
Sl-P 2ЗОВ 15А 1ЗОВт 25МГц
2SА8З9
Sl-P 150В 1,5А 25Вт 6МГц
2SАЗ29
GE-P 15В 1ОмА О,05Вт
2SA841
Sl-P 60В О,05А О,2Вт 140МГц
2SA467
Sl-P 40В О,4А О,ЗВт
2SA858
Sl-P 150В 50мА О,5Вт 1ООМГц
2SА47З
Sl-P ЗОВ ЗА 10Вт 100МГц
2SAB72
Sl-P 90В О,05А О,2Вт 120МГц
2SА48З
Sl-P 150В 1А 20Вт 9МГц
2SA872A
Sl-P 120В 50мА О,ЗВт 120МГц
2SА49З
Sl-P 50В О,05А О,2Вт 80МГц
2SA884
Sl-P 65В О,2А О,27Вт 140МГц
2SA495
Sl-P З5В О, 1А О,2Вт 200МГц
2SA885
Sl-P 45В 1А 5Вт 200МГц
2SA562
Sl-P ЗОВ О,5А О,5Вт 200МГц
2SA886
Sl-P 50В 1,5А 1,2Вт
2SA566
Sl-P 100В О,7А 10Вт 100МГц
2SА89З
Sl-P 90В 50мА 0,ЗВт
2SA608
Sl-N 40В О, 1А О, 1Вт 180МГц
2SA900
Sl-P 18В 1А 1,2Вт
2SA614
Sl-P 80В 1А 15Вт ЗОМГц
2SA914
Sl-P 150В О,05А 200МГц
2SA620
Sl-P ЗОВ О,05А О,2Вт 120МГц
2SA915
Sl-P 120В О,05А О,ВВт 80МГц
2SA626
Sl-P 80В 5А 60Вт 15МГц
2SA916
Sl-P 160В О,05А 1Вт 80МГц
2SA628
Sl-P ЗОВ О, 1А 1ООМГц
2SA921
Sl-P 120В 20мА О,25Вт 200МГц
2SА6З9
Sl-P 180В 50мА О,25Вт
2SА9ЗЗ
Sl-P 50В О, 1А 0,ЗВт
2SA642
Sl-P ЗОВ О,2А О,25Вт 200МГц
2SА9З4
Sl-P 40В О,7А О,75Вт

Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
181
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2SА9З5
51-Р ВОВ О,7А О,75Вт 150МГц
2SВ11З2
Sl-P 40В 1А О,5Вт 150МГц
2SА9З7
Sl-P 50В О, 1А О,ЗВт 140МГц
2SВ113З
Sl-P 60В ЗА 25Вт 40МГц
2SA940
Sl-P 150В 1,5А 25Вт 4МГц
2SВ11З4
Sl-P 60В 5А 25Вт ЗОВт
2SA941
Sl-P 120В О,05А 0,ЗВт 150МГц
2SВ11З5
Sl-P 60В 7А ЗОВт 1ОМ Гц
2SA949
Sl-P 150В 50мА О,ВВт 120МГц
2SВ11З6
Sl-P 60В 12А ЗОВт 10МГц
2SA965
Sl-P 120В О,ВА О,9Вт 120МГц
25В1140
51-Р 25В 5А 10Вт 320МГц
2SA966
Sl-P ЗОВ 1,5А О,9Вт 120МГц
2SB1141
Sl-P 20В 1,2А 10Вт 150МГц
2SA968
Sl-P 160В 1,5А 25Вт 1ООМГц
2SВ114З
Sl-P 60В 4А 10Вт 140МГц
2SA970
Sl-P 120В О, 1А 100МГц
2SB1146
P-DARL 120 В 6А 25Вт
2SA982
Sl-P 140В ВА ВОВт 20МГц
2SB1149
P-DARL 100В ЗА 15Вт В=10000
2SA984
Sl-P 60В О,5А О,5Вт 120МГц
2SB1151
Sl-P 60В 5А 20Вт
2SA985
Sl-P 120В 1,5А 25Вт 1ВОМГц
2SB1154
Sl-P 1ЗОВ 10А 70Вт ЗОМГц
2SA988
Sl-P 120В О,05А О,5Вт
2SB1156
Sl-P 1ЗОВ 20А 100Вт
2SA991
Sl-P 60В О, 1А О,5Вт 90МГц
2SB1162
Sl-P 160В 12А 120Вт
2SA992
Sl-P 100В О,05А О,2Вт
2SВ116З
Sl-P 170В 15А 150Вт
2SA995
Sl-P 100В О,05А О,4Вт 100МГц
2SB1166
51-Р 60В ВА 20Вт 1ЗОМГц
2SB1009
Sl-P 40В 2А 10Вт 1ООМГц
25В1168
Sl-P 120В 4А 20Вт 1ЗОМГц
2SB1010
Sl-P 40В 2А О,75Вт 1ООМГц
2SB1182
Sl-P 40В 2А 10Вт 100МГц
2SВ1012К
P-DARL 120В 1,5А ВВт
2SB1184
Sl-P 60В ЗА 15Вт 70МГц
2SВ101З
Sl-P 20В 2А О,7Вт
2SB1185
Sl-P 50В ЗА 25Вт 70МГц
2SB1015
Sl-P 60В ЗА 25Вт О,4мкс
25В1186
51-Р 120В 1,5А 20Вт 50МГц
2SB1016
51-Р 1ООВ 5А ЗОВт 5МГц
2SB1187
Sl-P ВОВ ЗА 35Вт
2SB1017
Sl-P ВОВ 4А 25Вт 9МГц
2SB11BB
Sl-P 40В 2А 1ООМГц
2SB1018
Sl-P 1ООВ 7А ЗОВт О,4мкс
2SB1202
Sl-P 60В ЗА 15Вт 150МГц
2SB1020
P-DARL+D 1оов 7А зовт О,Вмкс
2SВ120З
51-Р 60В 5А 20Вт 1ЗОМГц
2SВ102З
P-DARL+D 60В ЗА 20Вт В=5000
2SB1204
51-Р 60В ВА 20Вт 130МГц
2SВ10З5
Sl-P ЗОВ 1А О,9Вт 100МГц
2SB1205
Sl-P 25В 5А 10Вт З20МГц
2SВ10З9
Sl-P 100В 4А 40Вт 20МГц
2sв1212
Sl-P 160В 1,5А О,9Вт 50МГц
2SB1050
Sl-P ЗОВ 5А 1Вт 120МГц
2SВ122З
P-DARL+D 70В 4А 20Вт 20МГц
2SB1055
Sl-P 120В 6А 70Вт 20МГц
2SВ12З6
Sl-P 120В 1,5А 1Вт 50МГц
2SB1065
Sl-P 60В ЗА 10Вт
2SВ12З7
Sl-P 40В 1А 1Вт 150МГц
2SB1066
Sl-P 50В ЗА 1Вт 70МГц
2SВ12ЗВ
Sl-P ВОВ О,7А 1Вт 100МГц
2SB1068
Sl-P 20В 2А О,75Вт 1ВОМГц
2SB1240
Sl-P 40В 2А 1Вт1 ООМГц
2SB1071
Sl-P 40В 4А 25Вт 150МГц
2SВ124З
Sl-P 60В ЗА 1Вт
2SB1077
P-DARL 60В 4А 40Вт В>1 ООО
2SB1254
P-DARL 160В 7А 70Вт
2SB1086
Sl-P 160В 1,5А 20Вт 50МГц
2SB1255
P-DARL 160В ВА 100Вт В>5000
2SB1098
P-DARL+D 100В 5А 20Вт В=ВО
2SB1258
P-DARL+D 100В 6А ЗОВт В>1000
2SB1099
P-DARL+D 100В ВА 25Вт В=6000
2SB1274
Sl-P 60В ЗА ЗОВт 100МГц
2SB1100
P-DARL+D 100В 10А ЗОВт В=6000
2SB1282
P-DARL+D 100В 4А 25Вт 50МГц
2SB1109
Sl-P 160В О,1А 1,25Вт
2SB1292
Sl-P ВОВ 5А ЗОВт
25B1109S
Sl-P 160В О,1А 1,25Вт
2SВ1ЗО2
51-Р 25В 5А З20МГц
2SB1117
Sl-P ЗОВ ЗА 1Вт 2ВОМГц
2SВ1З18
P-DARL+D 1ООВ ЗА 1Вт В>200
2SB1120
Sl-P 20В 2,5А О,5Вт 250МГц
25В1З26
51-Р ЗОВ 5А 0,ЗВт 120МГц
2SВ1121Т
Sl-P ЗОВ 2А 150МГц
2SB1329
51-Р 40В 1А 1,2Вт 150МГц
2SВ112З
Sl-P 60В 2А О,5Вт 150МГц
25В1ЗЗО
Sl-P 32В О,7А 1,2Вт 1оомгц

182
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2SВ1ЗЗ1
Sl-P З2В 2А 1,2Вт 100МГц
2SB600
Sl-P 200В 15А 200Вт 4МГц
2SВ1З5ЗЕ
Sl-P 120В 1,5А 1,8Вт 50МГц
2SB601
P-DARL 100В 5А ЗОВт
2SВ1З61
Sl-P 150В 9А 100Вт 15МГц
2SB605
Sl-P 60В О,7А О,8Вт 120МГц
2SB1370
Sl-P 60В ЗА ЗОВт 15МГц
2SB621
Sl-N 25В 1,5А О,6Вт 200МГц
2SВ1З7З
Sl-P 160В 12А 2,5Вт 15МГц
2SB621A
Sl-N 50В 1А О,75Вт 200МГц
2SВ1З75
Sl-P 60В ЗА 25Вт 9МГц
2SВ6З1
Sl-P 100В 1А 8Вт
2SВ1З82
P-DARL+D 120В 16А 75Вт В>2000
2SВ6З2
Sl-P 25В 2А 1авт 1ООМГц
2SВ1З9З
Sl-P ЗОВ ЗА 2Вт ЗОМГц
2SВ6ЗЗ
Sl-P 1ООВ 6А 40Вт 15МГц
2SB1420
Sl-P 120В 16А 80Вт 50МГц
2SВ6З7
Sl-P 50В О, 1А О,ЗВт 200МГц
2SB1425
Sl-P 20В 2А 1Вт 90МГц
2SB641
Sl-P ЗОВ О, 1А 120МГц
2SB1429
Sl-P 180В 15А 150Вт 10МГц
2SB647
Sl-P 120В 1А О,9Вт 140МГц
2SВ14З4
Sl-P 50В 2А 1Вт11 ОМ Гц
2SB649A
Sl-P 160В 1,5А 1Вт 140МГц
2SB1468
Sl-P 60/ЗОВ 12А 25Вт
2SB656
Sl-P 160В 12А 125Вт 20МГц
2SB1470
P-DARL 160В 8А 150Вт В>5000
2SВ67З
P-DARL+D 1ООВ 7А 40Вт О,8мкс
2SB1490
P-DARL 160В 7А 90Вт В>5000
2SB676
P-DARL 1ООВ 4А ЗОВт О, 15мкс
2SВ149З
P-DARL 160/140В 7А 70Вт
2SB681
Sl-N 150В 12А 100Вт 1ЗМГц
2SВ150З
P-DARL 160В 8А 120Вт В>5000
2SB688
Sl-P 120В 8А 80Вт 10МГц
2SB1556
P-DARL 140В 8А 120Вт В>5000
2SB700
Sl-P 160В 12А 100Вт
2SB1557
P-DARL 140В 7А 100Вт В>5000
2SВ70З
Sl-P 1ООВ 4А 40Вт 18МГц
2SB1559
P-DARL 160В 8А 80Вт В>5000
2SB705
Sl-P 140В 10А 120Вт 17МГц
2SB1560
P-DARL 160В 10А 100Вт50МГц
2SB707
Sl-P 80В 7А 40Вт
2SB1565
Sl-P 80В ЗА 25Вт 15МГц
2SB709
Sl-P 45В О, 1А О,2Вт 80МГц
2SB1587
P-DARL+D 160В 8А 70Вт В>5000
2SB716
Sl-P 120В О,05А О,75Вт
2SB1624
P-DARL 11 ОВ 6А 60Вт В>5000
2SB720
Sl-P 200В 2А 25Вт 100МГц
2SB206
GE-P 80В ЗОА 80Вт
2SB727
P-DARL+D 120В 6А 50Вт В>1000
2SВЗ24
GE-P З2В 1А О,25Вт
2SВ7З1
Sl-P 60В 1А 1авт 75МГц
2SВЗЗ7
GE-P 50В 7А ЗОВт
2SВ7ЗЗ
Sl-P 20В 2А 1Вт >50МГц
2SB407
GE-P ЗОВ 7А ЗОВт
2SВ7З4
Sl-P 60В 1А 1Вт 80МГц
2SB481
GE-P З2В 1А 6Вт 15кГц
2SВ7З9
Sl-P 20/16В 2А О,9Вт 80МГц
2SB492
GE-P 25В 2А 6Вт
2SB740
Sl-P 70В 1А О,9Вт
2SB511E
Sl-P З5В 1,5А 10Вт 8МГц
2SB744
Sl-P 70В ЗА 1авт 45МГц
2SB524
Sl-P 60В 1,5А 1авт 70МГц
2SB750
P-DARL+D 60В 2А З5Вт В>1000
2SB527
Sl-P 110В О,8А 10Вт 70МГц
2SВ75З
Sl-P 100В 7А 40Вт О,4мкс
2SВ5З1
Sl-P 90В 6А 50Вт 8МГц
2SB764
Sl-P 60В 1А О,9А 150МГц
2SВ5З6
Sl-P 1ЗОВ 1,5А 20Вт 40МГц
2SB765
P-DARL+D 120В ЗА ЗОВт В>1000
2SВ5З7
Sl-P 1ЗОВ 1,5А 20Вт 60МГц
2SB766
Sl-P ЗОВ 1А 200МГц
2SB541
Sl-P 11 ОВ 8А 80Вт 9МГц
2SB772
Sl-P 40В ЗА 1авт 80МГц
2SB544
Sl-P 25В 1А О,9Вт 180МГц
2SB774
Sl-P ЗОВ 0,1А О,4Вт 150МГц
2SB546A
Sl-P 200В 2А 25Вт 5МГц
2SB775
Sl-P 1ООВ 6А 60Вт 1ЗМГц
2SB549
Sl-P 120В О,8А 1авт 80МГц
2SB776
Sl-P 120В 7А 70Вт 15МГц
2SB557
Sl-P 120В 8А 80Вт
2SB788
Sl-P 120В О,02А О,4Вт 150МГц
2SB560
Sl-P 1ООВ О,7А О,9Вт 1ООМГц
2SB791
P-DARL+D 120В 8А 40Вт В>1 ООО
2SB561
Sl-P 25В О,7А О,5Вт
2SB794
P-DARL+D 60В 1,5А 10Вт В=7000
2SB564
Sl-P ЗОВ 1А О,6Вт
2SB795
P-DARL+D 80В 1,5А 10Вт В<ЗООО
2SB598
Sl-P 25В 1А О,5Вт 180МГц
2SB808
Sl-P 20В О,7А 0,25Вт 250МГц

Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
183
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2SB810
Sl-P ЗОВ О,7А О,З5Вт 160МГц
2SC1012A
Sl-N 250В 60мА О,75Вт >80МГц
2SB815
Sl-P 20В О,7А 0,25Вт 250МГц
2SC1014
Sl-N 50В 1,5А 7Вт
2SB816
Sl-P 150В ВА 80Вт 15МГц
2SC1017
Sl-N 75В 1А 60мВт 120МГц
2SB817
Sl-P 160В 12А 100Вт
2SС10ЗО
Sl-N 150В 6А 50Вт
2SB817F
Sl-P 160В 12А 90Вт 15МГц
2SC1046
Sl-N 1ОООВ ЗА 25Вт
2SB819
Sl-P 50В 1,5А 1Вт150МГц
2SC1047
Sl-N ЗОВ 20мА О,4Вт 650МГц
2SB822
Sl-P 40В 2А О,75Вт 100МГц
2SC1050
Sl-N ЗООВ 1А 40Вт
2SBB24
Sl-P 60В 5А ЗОВт ЗО МГц
2SC1051
Sl-N 150В 7А 60Вт 8МГц
2SB825
Sl-P 60В 7А 40Вт 10МГц
2SC1061
Sl-N 50В ЗА 25Вт 8МГц
2SB826
Sl-P 60В 12А 40Вт 10МГц
2SC1070
Sl-N ЗОВ 20мА 900МГц
2SBB27
Sl-P 60В 7А 80Вт 10МГц
2SC1080
Sl-N 110В 12А 100Вт4МГц
2SB828
Sl-P 60В 12А 80Вт 10МГц
2SC109
Sl-N 50В О,6А О,6Вт
2SB829
Sl-P 60В 15А 90Вт 20МГц
2SC1096
Sl-N 40В ЗА 1авт60МГц
2SBB57
Sl-P 50В 4А 40Вт
2SC1106
Sl-N З50В 2А ВОВт
2SB861
Sl-P 200В 2А ЗОВт
2SC1114
Sl-N ЗООВ 4А 100Вт 10МГц
2SВ86З
Sl-P 140В 10А 100Вт 15МГц
2SC1115
Sl-N 140В 10А 100Вт 10МГц
2SB865
P-DARL 80В 1,5А О,9Вт
2SC1116
Sl-N 180В 10А 100Вт 10МГц
1
1 2SВ87З
Sl-P ЗОВ 5А 1Вт 120МГц
2SC1161
Sl-P 160В 12А 120Вт
2SB882
P-DARL+D 70В 1ОА 40Вт В>5000
2SC1162
Sl-N З5В 1,5А 10Вт 180МГц
2SВ88З
P-DARL+D 70В 15А 70Вт В=5000
2SC1172
Sl-N 1500В 5А 50Вт
2SB884
P-DARL 11 ОВ ЗА ЗОВт В=4000
2SC1195
Sl-N 200В 2,5А 100Вт
2SB885
P-DARL+D 11 ОВ ЗА З5Вт В=4000
2SС121ЗС
Sl-N 50В О,5А О,4Вт
2SB891
Sl-P 40В 2А 5Вт 100МГц
2SC1214
Sl-N 50В О,5А О,6Вт 50МГц
,: 2SB892
Sl-P 60В 2А 1Вт
2SC1215
Sl-N ЗОВ 50мА О,4Вт 1,2ГГц
2SB895A
P-DARL 60В 1А В=8000
2SC1216
Sl-N 40В О,2А О,ЗВт
// 2SB897
P-DARL+D 100В 10А ВОВт В>1000
2SC1226
Sl-N 40/50В 2А 10Вт 150МГц
2SB908
P-DARL+D 80В 4А 15Вт О, 15мкс
2SС12З8
Sl-N З5В О, 15А 5Вт 1,7ГГц
l' 2SB909
Sl-P40B 1А 1Вт 150МГц
// 2SB922
Sl-P 120В 12А 80Вт 20МГц
2SC1247A
Sl-N 50В О,5А О,4Вт 60МГц
2SС1З08
Sl-N 1500В 7А 50Вт
11
2SB926
Sl-P ЗОВ 2А О,75Вт
2SС1З12
Sl-N З5В О, 1А О, 15Вт 1ООМГц
2SВ9З8А
P-DARL+D 60В 4А 40Вт В>1 ООО
2SС1З18
Sl-N 60В О,5А О,6Вт 200МГц
~ 2SB940
Sl-P 200В 2А З5Вт ЗОМГц
2SС1З4З
Sl-N 150В 10А 100Вт 14МГц
2SB941
Sl-P 60В ЗА З5Вт
2SС1З45
Sl-N 55В О, 1А О, 1Вт 2ЗОМГц
2SB945
Sl-P 1ЗОВ 5А 40Вт ЗОМГц
2SС1З59
Sl-N ЗОВ ЗОмА О,4Вт 250МГц
I 2SB946
Sl-P 1ЗОВ 7А 40Вт ЗОМГц
2SС1З60
Sl-N 50В О,05А 1Вт >ЗООМГц
2SB950A
P-DARL+D 80В 4А 40Вт В>1000
2SС1З62
Sl-N 50В О,2А О,25Вт 140МГц
2SВ95ЗА
Sl-P 50В 7А ЗОВт 150МГц
2SС1З68
Sl-N 25В 1,5А 8Вт 180МГц
2SB955
P-DARL+D 120В 1ОА 50Вт В=4000
2SС1З82
Sl-N 80В О,75А 5Вт 1ООМГц
2SB975
P-DARL+D 1ООВ 8А 40Вт В>6000
2SС1З84
Sl-N 60В 1А 1Вт 200МГц
2SB976
Sl-P 27В 5А О,75Вт 120МГц
2SС1З9З
Sl-N ЗОВ 20мА 250 мВт 700МГц
2SB985
Sl-P 60В ЗА 1Вт150МГц
2SС1З98
Sl-N 70В 2А 15Вт
2SB986
Sl-P 60В 4А 10Вт 150МГц
2SС141ЗА
Sl-N 1200В 5А 50Вт
2SB988
Sl-P 60В ЗА ЗОВт <400/2200
2SC1419
Sl-N 50В 2А 20Вт 5МГц
2SC1000
Sl-N 55В О, 1А О,2Вт 80МГц
2SC1426
Sl-N З5В О,2А 2,7ГГц
2SC1008
Sl-N 80В О,7А О,8Вт 75МГц
2SС14З1
Sl-N 11 ОВ 2А 2ЗВт 80МГц

184
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2SС14З2
N-DARL ЗОВ О,ЗА О,ЗВт В=400
2SC1827
Sl-N 100В 4А ЗОВт 10МГц
2SС14З9
Sl-N 1508 50мА О,5Вт 1ЗОМГц
2SС18З2
N-DARl 5ООВ 15А 1508т 8>100
2SC1445
Sl-N 1008 6А 40Вт 1ОМ Гц
2SC1841
Sl-N 120В О,05А О,5Вт
2SC1446
Sl-N ЗООВ О, 1А 10Вт 55МГц
2SC1844
Sl-N 60В О, 1А О,5Вт 100МГц
2SC1447
Sl-N ЗООВ О, 15А 20Вт 80МГц
2SC1845
Sl-N 120В О,05А О,5Вт
2SC1448
Sl-N 150В 1,5А 25Вт ЗМГц
2SC1846
Sl-N 120В О,05А О,5Вт
2SC1449
Sl-N 40В 2А 5Вт 60МГц
2SC1847
Sl-N 508 1,5А 1,2Вт
2SC1450
Sl-N 150В О,4А 20Вт
2SC1855
Sl-N 20В 20мА О,25Вт 550МГц
2SC1454
Sl-N ЗООВ 4А 50Вт 1ОМГц
2SC1871
Sl-N 450В 15А 150Вт <1/Змкс
2SC1474-4
Sl-N 20В 2А О,75Вт 80МГц
2SC1879
N-DARL+D 120В 2А О,ВВт В>100
2SC1501
Sl-N ЗООВ О, 1А 1ОВт 55МГц
2SC1890
Sl-N 90В О,05А О,ЗВт 200МГц
2SC1505
Sl-N ЗООВ О,2А 15Вт
2SC1895
Sl-N 1500В 6А 50Вт 2МГц
2SC1507
Sl-N ЗООВ О,2А 15Вт 80МГц
2SC1906
Sl-N 19В О,05А О,ЗВт
2SC1509
Sl-N 80В О,5А 1Вт 120МГц
2SC1907
Sl-N ЗОВ О,05А 1100МГц
2SC1515
Sl-N 200В О,05А О,2Вт 11 ОМГц
2SС191З
Sl-N 150В 1А 15Вт 120МГц
2SC1520
Sl-N ЗООВ О,2А 12,5Вт
2SC1914
Sl-N 90В 50мА О,2Вт 150МГц
2SC1545
N-DARL 40В О,ЗА О,ЗВт В=1 ООО
2SC1921
Sl-N 250В О,05А О,6Вт
2SC1567
Sl-N 100В О,5А 5Вт 120МГц
2SC1922
Sl-N 1500В 2,5А 50Вт
2SC1570
Sl-N 558О,1А О,2Вт 100МГц
2SС192З
SJ-N ЗОВ 20мА 10мВт 550МГц
2SC1571
Sl-N 40В О, 1А О,2Вт 100МГц
2SC1929
Sl-N ЗООВ О,4А 25Вт 80МГц
2SС157З
Sl-N 200В О, 1А 1Вт 80МГц
2SC1941
Sl-N 160В 5ОмА О,ВВт
2SC1577
Sl-N 500В ВА ВОВт 7МГц
2SC1944
Sl-N 80В 6А 16Вт
2SС158З
Sl-N 50В О, 1А О,4Вт 100МГц
2SC1945
Sl-N 80В 6А 20Вт
2SC1619
Sl-N 1ООВ 6А 50Вт 1ОМ Гц
2SC1946A
Sl-N З5В 7А 50Вт
2SС162З
Sl-N 60В О, 1А О,2Вт 250МГц
2SC1947
Sl-N З5В 1А4Вт 175МГц
2SC1624
Sl-N 120В 1А 15Вт ЗОМГц
2SС195З
Sl-N 150В О,05А 1,2Вт 70МГц
2SC1627
Sl-N 80В О,4А О,8Вт 100МГц
2SC1957
Sl-N 40В 1А 1,8Вт 27МГц
2SC1674
Sl-N ЗОВ О,02А 600МГц
2SC1959
Sl-N ЗОВ О,5А О,5Вт 200МГц
2SC1675
Sl-N 50В О,ОЗА 0,25Вт
2SC1967
Sl-N З5В 2А ВВт 470МГц
2SC1678
Sl-N 65В ЗА ЗВт
2SC1968
Sl-N З5В 5А ЗВт 470МГц
2SC1685
Sl-N 60В О, 1А 150МГц
2SC1969
Sl-N 60В 6А 20Вт
2SC1688
Sl-N 50В ЗОмА О,4Вт 550МГц
2SC1970
Sl-N 40В О,6А 5Вт
2SC1708A
Sl-N 120В 50мА О,2Вт 150МГц
2SC1971
Sl-N З5В 2А 12,5Вт
2SC1729
Sl-N З5В З,5А 16Вт 500МГц
2SC1972
Sl-N З5В З,5А 25Вт
2SС17ЗО
Sl-N ЗОВ О,05А 1, 1ГГц СВЧ
2SC1975
Sl-N 120В 2А З,8Вт 50МГц
2SC1740
Sl-N 40В 1ООмА О,ЗВт
2SC1980
Sl-N 120В 20мА О,25Вт 200МГц
2SC1741
Sl-N 40В О,5А О,ЗВт 250МГц
2SC1984
Sl-N 100В ЗА ЗОВт В=700
2SC1756
Sl-N ЗООВ О,2А >50МГц
2SC1985
Sl-N ВОВ 6А40Вт 10МГц
2SC1760
Sl-N 100В 1А 7,9Вт 80МГц
2SС202З
Sl-N ЗООВ 2А 40Вт 1ОМГц
2SC1775A
Sl-N 120В О,05А О,2Вт
2SC2026
Sl-N ЗОВ О,05А О,25Вт
2SC1781
Sl-N 50В О,5А О,З5Вт
2SC2027
Sl-N 1500/800В 5А 50Вт
2SC1815
Sl-N 50В О, 15А О,4Вт 80МГц
2SС20З6
Sl-N 80В 1А 4Вт
2SC1815BL
Sl-N 60В О, 15А О,4Вт В>З50
2SС205З
Sl-N 40В О,ЗА О,6Вт 500МГц
2SC1815GR
Sl-N 60В О, 15А О,4Вт В>200
2SC2055
Sl-N 18В О,ЗА О,5Вт
2SC1815Y
Sl-N 60В О,15А О,4Вт В>120
2SC2058
Sl-N 40В О,05А О,25Вт

Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
185
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2SC2060
Sl-N 40В О,7А О,75Вт 150МГц
2SС2З44
Sl-N 180В 1,5А 25Вт 120МГц
2SC2061
Sl-N 80В 1А О,75Вт 120МГц
2SС2З47
Sl-N 15В 50мА 250мВт 650МГц
2SC2068
Sl-N ЗООВ О,05А 95МГц
2SС2З62
Sl-N 12ОВ 50мА О,4Вт 1ЗОМГц
2SС207З
Sl-N 150В 1,5А 25Вт 4МГц
2SС2З6З
Sl-N 120В 50мА О,5Вт 1ЗОМГц
2SC2078
Sl-N ВОВ ЗА 10Вт 150МГц
2SС2З65
Sl-N 6ООВ 6А 50Вт
2SC2086
Sl-N 75В 1А О,45Вт 27МГц
2SС2З69
SJ-N 25В 70мА О,25Вт 4,5ГГц
2SC2092
Sl-N 75В ЗА 5Вт 27МГц
2SС2З8З
Sl-N 160В 1А О,9Вт 100МГц
2SC2094
Sl-N 40В З,5А 15Вт 175МГц
2SС2З89
Sl-N 120В 50мА О,ЗВт 140МГц
2SC2097
Sl-N 50В 15А 85Вт
2SC2407
Sl-N З5В О, 15А О, 16Вт 500МГц
2sc2120
Sl-N ЗОВ О,8А О,6Вт 120МГц
2SC2412
SJ-N 50В О,1А 180МГц
2SC2122
Sl-N 8ООВ 10А 50Вт
2SС24ЗЗ
Sl-N 120В ЗОА 150Вт ВОМГц
2SC2166
Sl-N 75В 4А 12,5Вт ВЧ
2SC2440
Sl-N 450В 5А 40Вт
2SC2168
Sl-N 200В 2А ЗОВт 10МГц
2SC2458
Sl-N 50В О, 15А О,2Вт 80МГц
2sc2200
Sl-N 500В 7А 40Вт 1мкс
2SC2466
Sl-N ЗОВ О,05А 2,2ГГц
2SC2209
Sl-N 50В 1,5А 1О Вт 150МГц
2SC24B2
Sl-N ЗООВ О, 1А О,9Вт 50МГц
2SC2216
Sl-N 45В 50мА О,ЗВт ЗООМГц
2SC2485
Sl-N 100В 6А 70Вт 15МГц
2SC2228
Sl-N 160В О,05А О,75Вт В>50
2SC24B6
Sl-N 120В 7А ВОВт 15МГц
2SC2229
Sl-N 200В 50мА О,8Вт 120МГц
2SC2491
Sl-N 1ООВ 6А 40Вт 15МГц
2sс22зо
Sl-N 200В О, 1А О,8Вт 50МГц
2SC2497
Sl-N 70В 1,5А 5Вт 150МГц
2sс22зз
Sl-N 200В 4А 40Вт 8МГц
2SC249B
SJ-N ЗОВ О,05А О,ЗВт З,5ГГц
I 2SС22З5
Sl-N 120В О,ВА О,9Вт 120МГц
2SC2508
Sl-N 40В 6А 50Вт 175МГц
2SС22З6
Sl-N ЗОВ 1,5А О,9Вт 120МГц
2SC2510
SJ-N 55В 20А 250Вт 2ВМГц
2SС22З7
Sl-N З5В 2А 7,5Вт 175МГц
2SC2512
Sl-N ЗОВ 50мА 900МГц
2SС22З8
Sl-N 160В 1,5А 25Вт 100МГц
2SC2516
Sl-N 150В 5А ЗОВт <О,5/2мкс
2SC2240
Sl-N 120В 50мА 0,ЗВт 100МГц
2SC2517
SJ-N 150В 5А ЗОВт <О,5/2мкс
2SC2261
Sl-N 180В 8А 80Вт 15МГц
2SС25З8
Sl-N 40В О,4А О,7Вт
2SC2267
SJ-N 400/З60В О, 1А О,4Вт
2SС25З9
Sl-N З5В 4А 17Вт 175МГц
2SC2270
Sl-N 50В 5А 10Вт 100МГц
2SC2542
SJ-N 450В 5А 40Вт
2SC2271
Sl-N ЗООВ О, 1А О,9Вт 50МГц
2SC2547
Sl-N 120В О, 1А О,4Вт
2SC2275
Sl-N 120В 1,5А 25Вт 200МГц
2SC2551
Sl-N ЗООВ О, 1А О,4Вт 80МГц
2SС228З
Sl-N З8В О,75А 2,8Вт 500МГц
2SC2552
Sl-N 500В 2А 20Вт
2SC2287
SJ-N З8В 1,5А 7,1Вт 175МГц
2SС255З
SJ-N 500В 5А 40Вт 1мкс
2SC2295
Sl-N ЗОВ О,ОЗА О,2Вт 250МГц
2SC2562
Sl-N 60В 5А 25Вт О, 1мкс
2SС2ЗО7
Sl-N 500В 12А 100Вт 18МГц
2SС256З
Sl-N 12ОВ ВА 80Вт 90МГц
2SС2ЗО8
Sl-N 55В О, 1А О,2Вт 2ЗОМГц
2SC2570A
Sl-N 25В 70мА О,6Вт
2SС2З10
Sl-N 55В О, 1А О,2Вт 2ЗОМГц
2SC2579
Sl-N 160В ВА 80Вт 20МГц
2sс2з12
Sl-N 60В 6А 18,5Вт 27МГц
2SC2581
SJ-N 200В 1ОА 1О О Вт
2SС2З14
Sl-N 45В 1А 5Вт
2SC2590
Sl-N 120В О,5А 5Вт 250МГц
2SС2З20
Sl-N 50В О,2А О,ЗВт
2SC2592
Sl-N 1ВОВ 1А 20Вт 250МГц
2SС2З29
Sl-N ЗВВ О,75А 2Вт 175МГц
2SС260З
Sl-N 50В О,2А О,ЗВт
2SС2ЗЗ1
Sl-N 150В 2А 15Вт
2SC2610
Sl-N ЗООВ О, 1А О,8Вт ВОМГц
2SС2ЗЗЗ
SГ-N 500/400В 2А 40Вт
2SC2611
Sl-N ЗООВ О, 1А О,8Вт 80МГц
2SС2ЗЗ4
SJ-N 150В 7А 40Вт
2SC2621E
Sl-N ЗООВ О,2А 10Вт >50МГц
2SС2ЗЗ5
Sl-N 500В 7А 40Вт
2SC2625
Sl-N 450В 10А 80Вт
2SС2ЗЗ6В
Sl-N 250В 1,5А 25Вт 95МГц
2SС26ЗО
SJ-N З5В 14А 100Вт

186
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2SС26З1
Sl-N 150В 50мА О,75Вт 160МГц
2SC2901
Sl-N 40В О,2А О,6Вт
2SС26З2
Sl-N 150В 50мА 1 Вт 160МГц
2SC2908
Sl-N 200В 5А 50Вт 50МГц
2SС26З4
Sl-N 60В О, 1А О,4Вт 200МГц
2SC2910
Sl-N 160В 70мА О,9Вт 150МГц
2SС265З
Sl-N З50В О,2А 15Вт >50МГц
2SC2911
Sl-N 180В 140мА 10Вт 15ОМГц
2SC2654
Sl-N 40В 7А 40Вт
2SC2912
'
Sl-N 2ООВ 140мА 10Вт 15ОМГц
2SC2655
Sl-N 50В 2А О,9Вт О, 1мкс
2SC2922
Sl-N 180В 17А 200Вт 50МГц
2SC2656
Sl-N 45ОВ 7А 80Вт <1,514,5
2SС292З
Sl-N ЗООВ О, 1А 140МГц
2SC2660
Sl-N 200В 2А ЗОВт ЗОМГц
2SC2928
Sl-N 1500В 5А 50Вт
2SC2668
Sl-N ЗОВ 20мА О, 1Вт 55ОМГц
2SС29З9
Sl-N 5ООВ 1ОА 100Вт2,5мкс
2SC2671
Sl-N 15В 80мА О,6Вт 5,5ГГц
2SC2958
Sl-N 160В О,5А 1Вт
2SC2682
Sl-N 180В О, 1А 8Вт 180МГц
2SC2979
Sl-N 800В ЗА 40Вт
2SC2690
Sl-N 120В 1,2А 20Вт 16ОМГц
2SC2987
Sl-N 140В 12А 120Вт 60МГц
2SC2694
Sl-N З5В 20А 140Вт
2SC2988
Sl-N З6В О,5А 175МГц
2SC2705
Sl-N 150В 50мА О,8Вт 200МГц
2SC2999
Sl-N 20В ЗОмА 750МГц
2SC2706
Sl-N 140В 10А 100Вт 90МГц
2SСЗОО1
Sl-N 20В ЗА 7Вт 175МГц
2SC2712
Sl-N 50В О,15А О,15Вт 80МГц
2SСЗО19
Sl-N З5В О,4А 0,6Вт 520МГц
2SC2714
Sl-N ЗОВ 20мА О, 1Вт 550МГц
2SСЗО20
Sl-N З5В 1А 10Вт
2SC2717
Sl-N ЗОВ 50мА О,ЗВт ЗООМГц
2SСЗО22
Sl-N З5В 7А 50Вт
2SC2724
Sl-N ЗОВ ЗОмА 200МГц
2SСЗО26
Sl-N 1700В 5А 50Вт
2SC2749
Sl-N 500В 10А 100Вт 50МГц
2SСЗОЗО
N-DARL 900В 7А 80Вт
2SC2750
Sl-N 150В 15А 100Вт
2SСЗОЗ9
Sl-N 5ООВ 7А 52Вт
2SC2751
Sl-N 50ОВ 15А 120Вт 50МГц
2SСЗО42
Sl-N 500/400В 12А 1ооВт
2SC2752
Sl-N 5ООВ О,5А 10Вт
2SCЗ052F
Sl-N 50В О,2А О,15Вт 200МГц
2SС275З
Sl-N 17В О,07А О,ЗВт 5ГГц
2SСЗ06З
Sl-N ЗООВ О,1А 1,2Вт 140МГц
2SC2759
Sl-N ЗОВ 50мА О,2Вт 2,ЗГГц
2SСЗ067
2xSl-N 1ЗОВ 50мА О,5Вт 160
2SC2786
Sl-N 20В 20мА 60ОМГц
2SСЗО68
Sl-N ЗОВ О,ЗА Uэб=15В В>8
2SC2787
Sl-N 50В ЗОмА О,ЗВт 250МГц
2SСЗО71
Sl-N 120В О,2А Uэб=15В В>10
2SC2791
Sl-N 900В 5А 100Вт
2SСЗ07З
Sl-N ЗОВ ЗА 15Вт 100МГц
2SC2792
Sl-N 850В 2А 80Вт
2SСЗО74
Sl-N 60В 5А 20Вт 12ОМГц
2SС279З
Sl-N 900В 5А 100Вт
2SСЗО75
Sl-N 500В О,8А 10Вт 1/1,5мкс
2SC2802
Sl-N ЗООВ О,2А 10Вт 80МГц
2SСЗО89
Sl-N 8ООВ 7А 80Вт
2SC2808
Sl-N 100В 50мА О,5Вт 140МГц
2SСЗ101
Sl-N 250В ЗОА 200Вт 25МГц
2SC2810
Sl-N 50ОВ 7А 50Вт 18МГц
2SСЗ102
Sl-N З5В 18А 170Вт 520МГц
2SC2812
Sl-N 55В О, 15А О,2Вт 100МГц
2SСЗ112
Sl-N 50В О, 15А О,4Вт 1О ОМ Гц
2SC2814
Sl-N ЗОВ О,ОЗА З20МГц
2SСЗ116
Sl-N 180В О,7А 10Вт 120МГц
2SC2825
Sl-N 80В 6А 70Вт В>500
2SСЗ117
Sl-N 180В 1,5А 10Вт 120МГц
2SС28З7
Sl-N 15ОВ 1ОА 1ООВт 70МГц
2SСЗ1ЗЗ
Sl-N 60В 6А 1,5Вт 27МГц
2SС28З9
Sl-N 20В ЗОмА О, 15Вт З20МГц
2SСЗ148
Sl-N 900В ЗА 40Вт 1мкс
2SC2851
Sl-N З6В О,ЗА 1Вт1,5ГГц
2SСЗ150
Sl-N 900В ЗА 50Вт 15МГц
2SС287З
Sl-N 50В 2А О,5Вт 120МГц
2SСЗ15З
Sl-N 900В 6А 1ООВт
2SC2878
Sl-N 20В О,ЗА О,4Вт ЗОМГц
2SСЗ157
Sl-N 150В 1ОА 60Вт
2SC2879
Sl-N 45В 25А 100Вт 28МГц
2SСЗ158
Sl-N 500В 7А 60Вт
2SC2882
Sl-N 90В О,4А О,5Вт 100МГц
2SСЗ164
Sl-N 500В 10А 100Вт
2SC288A
Sl-N З5В 20мА О, 15Вт
2SСЗ169
Sl-N 500В 2А 25Вт >8МГц
2SC2898
Sl-N 500В 8А 50Вт
2SСЗ175
Sl-N 400В 7А 50Вт 40МГц

Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
187
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2SСЗ178
Sl-N 1200В 2А 60Вт
2SСЗЗ20
Sl-N 500В 15А ВОВт
2SСЗ179
Sl-N 60В 4А ЗОВт 15МГц
2SСЗЗ26
Sl-N 20В О,ЗА О, 15Вт ЗОМГц
2SCЗ180N
Sl-N 80В 6А 60Вт ЗОМГц
2SСЗЗ27
Sl-N 50В О,ЗА О,2Вт ЗОМГц
2SCЗ181N
Sl-N 120В 8А 80Вт ЗОМГц
2SСЗЗ28
Sl-N 80В 2А О,9Вт 1О ОМ Гц
2SCЗ182N
Sl-N 140В 10А 100Вт ЗОМГц
2SСЗЗЗО
Sl-N 60В О,2А О,ЗВт 200МГц
2SСЗ195
Sl-N ЗОВ 20мА О, 1Вт 550МГц
2SСЗЗЗ1
Sl-N 60В О,2А О,5Вт 200МГц
--
2SСЗ199
Sl-N 60В О, 15А 0,2Вт 1ЗОМГц
2SСЗЗЗ2
Sl-N 1ВОВ О,7А О,7Вт 120МГц
2SСЗ200
Sl-N 120В О, 1А О,ЗВт 1ООМГц
2SСЗЗЗ4
Sl-N 250В 50мА О,9Вт 100МГц
2sсз202
Sl-N З5В О,5А О,5Вт ЗООМГц
2SСЗЗ45
Sl-N 60В 12А 40Вт 90МГц
2SСЗ20З
Sl-N З5В О,8А О,6Вт 120МГц
2SСЗЗ46
Sl-N 80В 12А 40Вт О,2мкс
2SСЗ205
Sl-N ЗОВ 2А 1Вт 12ОМГц
2SСЗЗ55
Sl-N 20В О, 1А О,6Вт 6,5ГГц
2SСЗ206
Sl-N 150В О,5А О,8Вт 120МГц
2SСЗЗ56
Sl-N 20В О, 1А О,2Вт ?ГГц
2sсз210
Sl-N 5ООВ 10А 100Вт 1мкс
2SСЗЗ77
Sl-N 40В 1А О,6Вт 150МГц
2SСЗ211
Sl-N 8ООВ 5А 70Вт >ЗМГц
2SСЗЗ78
Sl-N 120В О, 1А О,2Вт 100МГц
2SСЗ212
Sl-N 800В 7А ЗВт З,5МГц
2SСЗЗ79
Sl-N 20В 1,5А ЗВт
2SСЗ225
Sl-N 40В 2А О,9Вт 1мкс
2SСЗЗ81
2xSl-N 80В О, 1А О,4Вт 170МГц
2sсз2з1
Sl-N 200В 4А 40Вт ВМГц
2SСЗЗВЗ
Sl-N 60В О,2А О,5Вт 250МГц
2SСЗ240
Sl-N 50В 25А 110Вт ЗОМГц
2SСЗЗ97
Sl-N 50В О, 1А 250МГц R=46к0м
2SСЗ242
Sl-N 20В 2А О,9Вт ВОМГц
2SСЗЗ99
Sl-N 50В О, 1А 250МГц
2SСЗ244Е
Sl-N 100В О,5А О,9Вт 1ЗОМГц
2SСЗ400
Sl-N 50В О,1А 250МГц R=22к0м
2SСЗ245А
Sl-N 150В О, 1А О,9Вт 200МГц
2SСЗ401
Si-N 50В ,1А R=46к0м/2Зк0м
2SСЗ246
Sl-N ЗОВ 1,5А О,9Вт 1ЗОМГц
2SСЗ402
Sl-N 50В О, 1А 250МГц R=1 О кОм
2SСЗ247
Sl-N 50В 1А О,9Вт 1ЗОМГц
2SСЗ405
Sl-N 900В О,ВА 20Вт 1мкс
2SСЗ257
Sl-N 250В 1ОА 40Вт 1/З,5мкс
2SСЗ409
Sl-N 900В 2А ВОВт О,Вмкс
2SСЗ258
Sl-N 1ООВ 5А ЗОВт 120МГц
2SСЗ416
Sl-N 200В О,1А 5Вт 70МГц
2SСЗ260
N-DARL ВООВ ЗА 50Вт В>100
2SСЗ419
Sl-N 40В О,ВА 5Вт 100МГц
2SСЗ262
N-DARL 800В 10А 100Вт
2SСЗ420
Sl-N 50В 5А 10Вт 100МГц
2SСЗ26З
Sl-N 2ЗОВ 15А 130Вт
2SСЗ4210
Sl-N 120В 1А 1,5Вт
2SСЗ264
Sl-N 2ЗОВ 17А 200Вт 60МГц
2SC3421Y
Sl-N 120В 1А 10Вт 120МГц
2SСЗ271
Sl-N ЗООВ 1А 5Вт 80МГц
2SСЗ422У
Sl-N 40В ЗА 10Вт 1ООМГц
2SСЗ277
Sl-N 500В 10А 90Вт 20МГц
2SСЗ42З
Sl-N 150В 50мА 5Вт 200МГц
2SСЗ279
Sl-N 10В 2А О,75Вт 150МГц
2SСЗ425
Sl-N 500В О,8А 10Вт
2SСЗ280
Sl-N 160В 12А 120ВтЗОМГц
2SСЗ446
Sl-N 8оов 7А 4ОВт 1вмгц
2sсз2в1
Sl-N 200В 15А 150Вт ЗОМГц
2SСЗ447
Sl-N ВООВ 5А 50Вт 18МГц
2SСЗ284
Sl-N 150В 14А 125Вт 60МГц
2SСЗ456
Sl-N 11 ОО/800В 1,5А 40Вт
2SСЗ29З
N-DARL+D 50В 1,2А 20Вт В>1ВО
2SСЗ457
Sl-N 11 ООВ ЗА 50Вт
2SСЗ297
Sl-N ЗОВ ЗА 15Вт 100МГц
2SСЗ460
Sl-N 1100В 6А 100Вт
2SСЗ299
Sl-N 60В 5А 20Вт О, 1мкс
2SСЗ461
Sl-N 1100/ВООВ 8А 120Вт
2SСЗЗОО
Sl-N 100В 15А 100Вт
2SСЗ466
Sl-N 12001650В 8А 120Вт
1
2sсззоз
Sl-N 100В 5А 20Вт О,2мкс
2SСЗ467
Sl-N 200В О, 1А 1Вт150МГц
1
12SСЗЗО6
Sl-N 500В 10А 100Вт 1мкс
' 2SСЗЗО7
Sl-N 900В 1ОА 150Вт 1мкс
2SСЗ468
Sl-N ЗООВ О, 1А 1Вт150МГц
2SСЗ486
Sl-N 1500В 6А 120Вт
2SСЗЗО9
Sl-N 500В 2А 20Вт 1мкс
2SСЗ502
Sl-N 200В О, 1А 1,2Вт
2SСЗЗ10
Sl-N 500В 5А ЗОВт 1мкс
2SСЗ503
Sl-N ЗООВ О, 1А ?Вт 150МГц
jl 2SСЗЗ11
Sl-N 60В О, 1А О,ЗВт 150МГц
2SСЗ504
Sl-N 70В О,05А О,9Вт 500МГц

188
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2SСЗ505
Sl-N 900В 6А 80Вт
2SСЗ752
Sl-N 1100/ВООВ ЗА ЗОВт
2SСЗ507
Sl-N 1000/ВООВ 5А ВО Вт
2SСЗ781
Sl-N 120В О,4А 15Вт 500МГц
2SСЗ509
N-DARL+D 900В 10А 100Вт
2SСЗ782
Sl-N 200В О,2А 15Вт 400МГц
2SСЗ514
Sl-N 1ВОВ О, 1А 1О Вт 200МГц
2SСЗ78З
Sl-N ВООВ 5А 100Вт
2SСЗ518
Sl-N 60В 5А 10Вт
2SСЗ787
Sl-N 180В О,14А 10Вт 150МГц
2SСЗ520
Sl-N 500В 18А 1ЗОВт 18МГц
2SСЗ788
Sl-N 200В О, 1А 5Вт 150МГц
2SСЗ526
Sl-N 110ВО,15А7АЗОВт1мкс
2SСЗ789
Sl-N ЗООВ О, 1А 7Вт 70МГц
2SСЗ528
Sl-N 500В 20А 125Вт
2SСЗ790
Sl-N ЗООВ О, 1А 7Вт 150МГц
2SСЗ549
Sl-N 900В ЗА 40Вт
2SСЗ792
Sl-N 50В О,5А О,5Вт 250МГц
2SСЗ552
Sl-N 1100В 12А 150Вт 15МГц
2SСЗ795А
Sl-N 900В 5А 40Вт
2SСЗ568
Sl-N 150В 10А ЗОВт
2SСЗ807
Sl-N ЗОВ 2А 15Вт 260МГц
2SСЗ571
Sl-N 500В 7А ЗОВт
2SСЗ808
N-DARL ВОВ 2А 170МГц В>ВО
2SСЗ577
Sl-N 850В 5А ВОВт 6МГц
2SСЗ80ТМ
Sl-N ЗОВ 50мА О,ЗВт 100МГц
2SСЗ581
Sl-N 55В О,4А 0,9Вт 150МГц
2SСЗ811
Sl-N 40В О, 1А О,4Вт 450МГц
2SСЗ591
Sl-N 400В 7А 50Вт
2SСЗ8З1
Sl-N 500В 1Од 1О О Вт
2SСЗ595
Sl-N ЗОВ О,5А 5Вт 2ГГц
2SСЗ8ЗЗ
Sl-N 500/400В 12А 100Вт
2SСЗ596
Sl-N ВОВ О, ЗА В Вт 700МГц
2SСЗ842
Sl-N 600В 1Од 70Вт З2МГц
2SСЗ597
Sl-N ВОВ О,5А 1О Вт ВООМГц
2SСЗ844
Sl-N 600В 15А 75Вт ЗОМГц
2SСЗ599
Sl-N 120В О,ЗА 8Вт 500МГц
2SСЗ851
Sl-N ВОВ 4А 25Вт 15МГц
2SСЗ600
Sl-N 200В О, 1А 7Вт 400МГц
2SСЗ852
Sl-N ВОВ ЗА 25Вт 15МГц
2SСЗ601
Sl-N 200В О, 15А 7Вт 400МГц
2SСЗ855
Sl-N 200В 1Од1 ООВт 20МГц
2SСЗ608
Sl-N 20В О,ОВА 6,5ГГц
2SСЗ857
Sl-N 200В 15А 150Вт 20МГц
2SСЗ611
Sl-N 50В О, 15А 4Вт ЗООМГц
2SСЗ858
Sl-N 200В 17А 200Вт 20МГц
2SСЗ616
Sl-N 25В О,7А 250МГц
2SСЗ866
Sl-N 900В ЗА 40Вт
2SСЗ621
Sl-N 150В 1,5А 10Вт 100МГц
2SСЗ868
Sl-N 500В 1,5А 25Вт О, 7мкс
2SСЗ62З
Sl-N 60В О, 15А О,25Вт В=1 ООО
2SСЗ88З
Sl-N+D 1500В 6А 50Вт
2SСЗ6З2
Sl-N 600В 1А 10Вт ЗОМГц
2SСЗ884А
Sl-N 1500В 6А 50Вт
2SСЗ6З6
Sl-N 900/500В 7А 80Вт
2SСЗ886А
Sl-N 1500В ВА 50Вт О, 1мкс
2SСЗ642
Sl-N 1200В 6А 1О О Вт 200нс
2SСЗ88А
Sl-N 25В 50мА О,ЗВт ЗООМГц
2SСЗ655
Sl-N 50В О, 1А О,4Вт
R=46к0м/2Зк0м
2SСЗ890
Sl-N 500В 7А ЗОВт 500нс
2SСЗ656
Sl-N 50В О,1А 0,4Вт
2SСЗ892А
Si-N+D 1500В 7А 50Вт О,4мкс
R=1 ОкОм/1 ОкОм
2SСЗ89ЗА
Sl-N+D 1500В ВА 50Вт
2SСЗ659
Sl-N+D 1700/ВООВ 5А 50Вт
2SСЗ895
Sl-N 1500/ВООВ ВА 70Вт
2SСЗ668
Si-N 50В 2А 1Вт 1ООМГц
2SСЗ896
Sl-N 1500В ВА 70Вт
2SСЗ669
Sl-N ВОВ 2А 1Вт О,2мкс
2SСЗ897
Sl-N 1500В 1Од 70Вт
2SСЗ675
Sl-N 1500/900В О,1А 10Вт
2SСЗ902
Sl-N 1ВОВ 1,5А 1О Вт 120МГц
2SСЗ678
Sl-N 900В ЗА ВОВт
2SСЗ907
Sl-N 180В 12А 1ЗОВт ЗОМГц
2SСЗ679
Sl-N 900/ВООВ 5А 1ООВт
2SСЗ927
Sl-N 900В 10А 120Вт
2SСЗ680
Sl-N 900/ВООВ 7А 120Вт 6МГц
2SСЗ94
Sl-N 25В О, 1А 200МГц
2SСЗ684
Si-N+D 1500В 1Од 150Вт
2SСЗ940
Sl-N ЗОВ 1А 1Вт 200МГц
2SСЗ688
Sl-N 1500В 10А 150Вт О,2мкс
2SСЗ94З
Sl-N 11 ОВ О, 15А 2Вт ЗООМГц
2SСЗ692
Si-N 1ООВ 7А ЗОВт В<ЗОО/180
2SСЗ944
Sl-N 150В 1А 40Вт ЗООМГц
2SСЗ7З
Sl-N З5В О, 1А 0,2Вт В>200
2SСЗ948
Sl-N 850В 1Од 75Вт 20МГц
2SСЗ746
Sl-N ВОВ 5А 20Вт 100МГц
2SСЗ950
Sl-N ЗОВ О,5А 5Вт
2SСЗ748
Sl-N ВОВ 10А ЗОВт 100/600нс
2SСЗ952
Sl-N ВОВ О,5А 1О Вт 700МГц

Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
189
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2SСЗ95З
Sl-N 120В О,2А В Вт 400МГц
2SC428BA
Sl-N 1600/бООВ 12А 200Вт
2SСЗ954
Sl-N 120В О,ЗА ВВт 400МГц
2SC4289A
Sl-N 1500В 16А 200Вт
2SСЗ955
Sl-N 200В О,1А 7Вт ЗООМГц
2SC4290A
Sl-N 1500В 20А 200Вт
2SСЗ956
Sl-N 2оов О,2А 7Вт 70МГц
2SC4297
SJ-N 500В 12А 75Вт 10МГц
2SСЗ964
Sl-N 40В 2А 1,5Вт 1мкс
2SC4298
Sl-N 500В 15А ВОВт 10МГц
2SСЗ972
Sl-N 800/500В 5А 40Вт
2SС4ЗОО
Sl-N 900В 5А 75Вт 1/6мкс
2SСЗ97ЗА
Sl-N 900В 7А 45Вт
2SС4ЗО4
Sl-N ВООВ ЗА З5Вт
2SСЗ979А
Sl-N ВООВ ЗА 2Вт 1ОМ Гц
2SС4ЗОВ
Sl-N ЗОВ О,ЗА О,6Вт 2,5ГГц
2SСЗ987
N-DARL+D 50В ЗА 15Вт
2SС4З1З
Sl-N 900В 1Од 1ООВт О,5мкс
2SСЗ996
Sl-N 1500/ВООВ 15А 180Вт
2SС4З81
Sl-N 150В 2А 25Вт 15МГц
2SСЗ998
Sl-N 1500В 25А 250Вт
2SС4З82
Sl-N 200В 2А 25Вт 15МГц
2SСЗ999
Sl-N ЗООВ О, 1АО,75Вт ЗООМГц
2SС4З86
Sl-N 160/120В ВА 75Вт 20МГц
2SC4004
Sl-N 900/ВООВ 1А ЗОВт
2SС4З87
Sl-N 200В 1Од ВО Вт 20МГц
2SC4020
Sl-N 900В ЗА 50Вт 1мкс
2SС4З88
Sl-N 200В 15А 85Вт 20МГц
2SC4024
Sl-N 1ООВ 1Од З5Вт В>ЗОО
2SC4408
Sl-N ВОВ 2А О,9Вт 1ОО/600нс
2SC4029
Sl-N 2ЗОВ 15А 150Вт ЗОМГц
2SC4429
Sl-N 1100/ВООВ ВА 60Вт
2SС404З
Sl-N 20В 50мА О, 15Вт З,2ГГц
2SС44ЗО
Sl-N 1100В 12А 65Вт 15МГц
2SC4046
Sl-N 120В О,2А авт З50МГц
2SС44З1
Sl-N 120В 1,5А 20Вт 150МГц
2SC4052
Sl-N 600В ЗА 40Вт 20МГц
2SС44З9
Sl-N 1ВОВ О,ЗА ВВт 400МГц
2SC4056
Sl-N 600В ВА 45Вт
2SC4467
Sl-N 160/120В ВА ВОВт 20МГц
2SC4059
Sl-N 600/450В 15А 1ЗОВт
2SC4468
Sl-N 200В 1Од ВО Вт 20МГц
2SC4064
Sl-N 50В 12А З5Вт 40МГц
2SC4484
Sl-N ЗОВ 2,5А 1Вт 250МГц
2SC4107
Sl-N 500/400В 1Од 60Вт
2SC4488
Sl-N 120В 1А 1Вт 120МГц
2SC4119
N-DARL+D 1500В 15А 250Вт
2SC4511
Sl-N 120В 6А ЗОВт 20МГц
2SС412З
Sl-N+D 1500В 7А 60Вт
2SC4512
Sl-N 120В 6А 50Вт 20МГц
2SC4125
Sl-N+D 1500/ВООВ 1Од 70Вт
2SC4517
Sl-N 900В ЗА ЗОВт 6МГц
2SС41З1
Sl-N 1ООВ 15А 60Вт 1ВМГц
2SC4517A
Sl-N 1000В ЗА ЗОВт О,5мкс
2SС41З5
Sl-N 120В 2А 15Вт200МГц
2SС45З1
Sl-N+D 1500В 1Од 50Вт
2SC41ЗJ'
Sl-N 25В О,1А ЗООМГц
2SС45З2
Sl-N 1700В 10А 200Вт 2мкс
2SС41ЗВ
Sl-N 500В 1Од ВО Вт <1/З,5мкс
2SС45ЗВ
Sl-N 900В 5А ВОВт
2SС415З
Sl-N 200В 7А ЗОВт О,5мкс
2SC454
Sl-N ЗОВ О, 1А 2ЗОМГц
2SC4157
Sl-N 600В 1Од 1ООВт
2SC4542
Sl-N 1500В 1Од 50Вт
2SC4159
Sl-N 1ВОВ 1,5А 15Вт 1ООМГц
2SC4547
N-DARL+D 85В ЗА ЗОВт В>2000
2SC4161
Sl-N 500В 7А ЗОВт
2SC4557
Sl-N 900В 10А ВОВт <1/5,5мкс
2SC4169
N-DARL+D 50В 1,2А 1Вт В=4000
2SC4560
Sl-N 1500В 1Од ВО Вт
2SC4199
Sl-N 1400В 10А 100Вт
2SC458
Sl-N ЗОВ О, 1А 2ЗОМГц
2SC4200
Sl-N 20В О,6А 5Вт 2,5ГГц
2SC4582
Sl-N 600В 1ООА 65Вт 20МГц
2SC4204
Sl-N ЗОВ О,7А О,6Вт
2SC460
Sl-N ЗОВ О, 1А О,2Вт 2ЗОМГц
2SС42З1
Sl-N 1200/ВООВ 2А ЗОВт
2SC461
Sl-N ЗОВ О, 1А О,2Вт 2ЗОМГц
2SС42З5
Sl-N 1200/ВООВ ЗА ВОВт
2SC4744
Sl-N 1500В 6А
2SС42З6
Sl-N 1200/ВООВ 6А 1ООВт
2SC4745
Sl-N 1500В 6А
2SС42З7
Sl-N 1200/ВООВ 10А 150Вт
2SC4747
Sl-N 1500В 1Од 50Вт О,Змкс
2SC4242
Sl-N 450/400В 7А 40Вт
2SC4758
Sl-N 1500В ВА 50Вт
2SC4256
Sl-N 1500В 10А 175Вт 6МГц
2SC4769
Sl-N+D 1500В 7А 60Вт
2SC4278
Sl-N 150В 10А 100Вт ЗОМГц
2SC4770
Sl-N 1500/~ПО8 7А 60Вт

190
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
25С479З
51-N 2ЗОВ 1А 2Вт 1ООМГц
25С752
51-N 15В 1ООмА О, 1Вт
25С4804
51-N 900В ЗА ЗОВт О,Змкс
25С756
51-N 40В 4А 1авт 65МГц
25С4820
51-N 450В 6А ЗОВт 12МГц
25С784
51-N 40В О,02А 500МГц
25С4826
51-N 200В ЗА 1,ЗВт ЗООМГц
25С815
51-N 60В О,2А О,25Вт 200МГц
25С48З4
51-N 500В 8А 45Вт <0,З/1,4мкс
25С828
51-N ЗОВ О,05А О,25Вт
25С488ЗА
51-N 180В 2А 20Вт 12омгц
25С829
51-N ЗОВ ЗОмА О,4Вт 2ЗОМГц
25С4891
51-N 15ООВ 15А 75Вт
25С8З9
51-N 50В О,ОЗА 250МГц
25С4908
51-N 9DOB ЗА З5Вт 1мкс
25С867
51-N 400В 1А 2ЗВт 8МГц
25С4924
51-N 800В 1Од 70Вт
25С869
51-N 160В ЗОмА О,2Вт 150МГц
25С4977
51-N 450В 7А 40Вт
25С898А
51-N 150В 7А 80Вт 15МГц
25С5002
51-N 15ООВ 7А 80Вт
25С900
51-N ЗОВ О,ОЗА 100МГц
25С5ООЗ
51-N+O 1500В 7А 80Вт
25С9ЗО
51-N 15В О,ОЗА ЗООМГц
25С5027
51-N 11 ООВ ЗА 50Вт О,Змкс
25С9З6
51-N 1ОООВ 1А 22Вт
25С50ЗО
51-N 50В 5А 1,ЗВт 150МГц
25С941
51-N З5В 20мА О,2Вт 120МГц
25С5045
51-N 1600В 15А 75Вт
25С94З
51-N 60В О,2А О,ЗВт 220МГц
25С5047
51-N 16ООВ 25А 250Вт
25С945
51-N 50В О, 1А 250МС
25С5048
51-N 1500В 12А 50Вт 0,Змкс
25С982
N-OARL 40В 0,ЗА О,4Вт
25С5070
51-N ЗОВ 2А 1,5Вт В>800
2501010
51-N 50В 50мА О,ЗВт 200МГц
25С5086
51-N 20В 80МА 7ГГц
2501012
51-N 20В О,7А О,25Вт 250МГц
25С509
51-N З5В О,5А О,6Вт 60МГц
2501018
51-N 250В 4А 80Вт В>250
25С5144
51-N 17DOB 20А 200Вт
2501027
N-OARL+О 20В 15А 1ООВт В>100
25С5148
51-N 1500В 8А 50Вт 0,2мкс
25010ЗЗ
51-N 200В 2А 20Вт 10МГц
25С5149
51-N+O 1500В 8А 50Вт О,2мкс
25010З6
51-N 150/120В 15А 150Вт
25С5150
51-N 17DOB 10А 50Вт 0,Змкс
2501047
51-N 160В 12А 100Вт 15МГц
25С5171
51-N 180В 2А 20Вт 200МГц
2501048
51-N 20В О,7А О,25Вт 250МГц
25С5198
51-N 140В 10А 100Вт ЗОМГц
2501049
51-N 120В 25А 100Вт
25С5207
51-N 15DOB 1Од 50Вт 0,4мкс
2501051
51-N 50В 1,5А 1Вт150МГц
25С5242
51-N 2ЗОВ 15А 1ЗОВт ЗОМГц
2501055
51-N 40В 2А О,75Вт 100МГц
25С5244А
51-N 1600В ЗОА 200Вт
2501062
51-N 60В 12А 40Вт 10МГц
25С5296
51-N+O 1500В 8А 60Вт
2501064
51-N 60В 12А 80Вт
25С5297
51-N 15DOB 8А 60Вт
2501065
51-N 60В 15А 90Вт
25С5299
51-N 15DOB 1Од 70Вт 0,2мкс
250107З
N-OARL ЗООВ 4А 40Вт В>1 ООО
25С5З5
51-N 20В 20мА О, 1Вт
2501088
N-OARL ЗООВ 6А ЗОВт В>2000
25С5З6
51-N 40В О,1А 180МГц
250111ЗК
N-OARL+O ЗООВ 6А 40Вт
25С620
51-N 50В О,2А 0,25Вт
2501128
N-OARL 150В 5А ЗОВт
25С64З
51-N 11 DOB 2,5А 50Вт
25011З5
51-N 80В 4А 40Вт
25С644
51-N ЗОВ 50мА О,25Вт
25011З8
51-N 200В 2А ЗОВт
25С645
51-N ЗОВ ЗОмА О, 14Вт 200МГц
2501140
N-OARL ЗОВ 1,5А О, 9Вт
25С710
51-N ЗОВ О,ОЗА 200МГц
2501145
51-N 60В 5А О,9Вт 120МГц
25С711
51-N ЗОВ О,05А 150МГц
2501148
51-N 140В 10А 1ООВт 20МГц
25С712
51-N ЗОВ О,5А 150МГц
250115З
51-N 80В 1,5А О,9Вт
25С717
51-N ЗОВ 50мА О,2Вт 600МГц
250116ЗА
51-N ЗООВ 7 А 40Вт
25С7ЗО
51-N 40В О,4А 1,5Вт
2501164
N-OARL+O 150В 1,5А 10Вт
25С7З2
51-N 50В О,15А О,4Вт 150МГц
250117З
51-N+O 1500В 5А 70Вт
25С7З5
51-N З5В О,4А 0,ЗВт
2501187
51-N 100В 1DA 80Вт 10МГц

Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
191
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2501189
51-N 40В 2А 5Вт 100МГц
2501З84
51-N 40В 2А О,75Вт 100МГц
2501192
N-OARL+O 70В 10А 40Вт В=5000
2501З91
51-N 15DDB 5А 80Вт
2501196
N-OARL+O 11 ОВ 8А 40Вт В=400
2501З92
N-OARL+O 60В 5А 30Вт В=800
2501198
N-OARL ЗОВ 1А 1Вт 150МГц
2501З97
51-N+O 1500В З,5А 50Вт
2501207
51-N 60В 2А 1Вт
2501З98
51-N+O 1500В 5А 50Вт
2501210
N-OARL+O 150В 10А 80Вт В=500
2501З99
51-N+O 15DOB 6А 80Вт
250121З
51-N 6DB 20А 50Вт
2501403
51-N 15DOB 6А 120Вт
2501225
51-N 40В 1А 1Вт 150МГц
2501404
51-N+O ЗООВ 7А 25Вт 1мкс
25012З8
51-N 120В 12А 80Вт 2DМГц
2501405
51-N 50В ЗА 25Вт 2мкс
2501244
51-N+O 2500/9DOB 1А 50Вт
2501406
51-N 60В ЗА 25Вт О,8мкс
2501246
51-N ЗОВ 2А О,75Вт
2501407
51-N 1оов 5А зовт 12МГц
2501247
51-N ЗОВ 2,5А 1Вт
2501408
51-N 80В 4А ЗОВт 8МГц
2501254
51-N 1ЗОВ ЗА ЗОВт
2501409
N-OARL+O 6008 6А 25Вт 1мкс
2501255
51-N 1ЗОВ 4А З5Вт ЗОМГц
2501411
51-N 100В 7А ЗОВт 10МГц
250126ЗА
51-N 400В О,75А З5Вт ЗОМГц
250141З
N-OARL+O 60В ЗА 20Вт О,01мкс
2501264
51-N 200В 2А ЗОВт
2501415
N-OARL+O 1DOB 7А 30Вт О,8мкс
2501265
51-N 60В 4А ЗОВт 25кГц
2501426
51-N+O 1500В З,5А
2501266
51-N 60В ЗА З5Вт
2501427
51-N+O 1500В 5А 80Вт
--
2501267
51-N 60В 4А 40Вт 20МГц
2501428
51-N+O 1500В 6А 80Вт
2501270
51-N 1ЗОВ 5А 2Вт ЗОМГц
2501432
51-N 15DDB 6А 80Вт
2501271
51-N 1ЗОВ 7А 40Вт ЗОМГц
25014З9
51-N+O 1500В ЗА 50Вт
2501272
51-N 200В 1А 40Вт 25МГц
2501441
51-N+O 1500В 4А 80Вт
250127З
51-N 80В ЗА 40Вт 50МГц
2501446
N-OARL+O 500В 6А 40Вт В>500
2501274
51-N 150В 5А 40Вт 40МГц
250145З
51-N 1500В ЗА 50Вт
2501276
N-OARL 60В 4А 40Вт
2501457
N-OARL+O 140В 6А 60Вт
2501286
N-OARL+O 60В 1А 8Вт В=1000
2501458
51-N 20В О,7А 1Вт
2501288
51-N 120В 7А 70Вт
2501468
51-N ЗОВ 1А О,4Вт 150
2501289
51-N 12DB 8А 80Вт
2501491
N-OARL+O 70В 2А 10Вт В>2000
2501292
51-N 120В 1А О,9Вт 100МГц
2501496
51-N 15DDB 5А 50Вт
250129З
51-N 120В 1А 1Вт 100МГц
2501497-02
51-N 15DDB 6А 50Вт
2501297
N-OARL+O 150В 25А 100Вт
2501504
51-N ЗОВ О,5А О,ЗВт ЗООМГц
2501ЗО2
51-N 25В О,5А О,6Вт 200МГц
2501506
51-N 60В ЗА 1авт 90МГц
2501ЗО6
51-N ЗОВ О,7А 150мВт 250МГц
2501508
N-OARL ЗОВ 1,5А 10Вт В>400
2501ЗО8
N-OARL+О 150В 8А 40Вт
2501509
N-OARL+O 80В 2А 10Вт 0,4мкс
2501З1З
51-N 800В 25А 200Вт 6МГц
2501511
N-OARL 100В 1А 1Вт 150МГц
2501З14
N-OARL+O 600В 15А 150Вт
2501521
N-OARL+O 50В 1,5А 2Br В>2000
2501ЗЗО
51-N 25В О,5А О,6Вт 200МГц
2501525
N-OARL+O 100В 30А 150Вт
2501З47
51-N 60В ЗА 1Вт 150МГц
2501526
51-N 1ЗОВ 1А 1Вт 200МГц
2501З48
51-N 60В 4А 10Вт 150МГц
2501541
51-N 15DDB ЗА 50Вт
2501350А
51-N 600В О,5А 1Вт 55МГц
250155
51-N 80В ЗА 25Вт
2501З76К
N-OARL+О 120В 1,5А 40Вт
2501554
51-N+O 1500В 3,5А 40Вт 1мкс
2501378
51-N 80В О,7А 10Вт 120МГц
2501555
51-N+O 1500В 5А 40Вт 1мкс
2501З79
N-OARL 40В 2А 1О Вт 150МГц
2501556
51-N+O 1500В 6А 50Вт 1мкс
2501З80
51-N 40В 2А 10Вт 1DОМГц
250156ЗА
51-N 160В 1,5А 10Вт 80МГц
2501З82
51-N 120В 1А 10Вт 100МГц
2501565
N-OARL+O 100В 5А 30Вт

192
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2501576
51-N 1500В 2,5А 48Вт
2501785
N-OARL+O 120В 6А ЗОВт 100МГц
2501577
51-N 15DDB 5А 80Вт
2501790
N-OARL+О 200В 4А 25Вт В=1 ООО
2501579
N-OARL+O 150В 1,5А 1Вт
2501791
N-OARL 1ООВ 7А ЗОВт 50МГц
2501589
N-OARL+O 1DDB 5А 20Вт
2501796
N-OARL+O 60В 4А 25Вт
2501590
N-OARL+O 150В 8А 25Вт
2501802
51-N 60В ЗА 15Вт 150МГц
2501595
N-OARL+O 60В 5А 20Вт В=6000
2501806
51-N+O 40В 2А 15Вт 150МГц
2501609
51-N 160В О,1А
2501809
N-OARL 60В 1А О,9Вт В>2000
2501610
51-N 2DDB О, 1А 1,ЗВт 140МГц
2501812
51-N 160В 1,5А О,9Вт
2501624
51-N 60В ЗА О,5Вт 150МГц
2501815
51-N 120В ЗА 20Вт 180МГц
25016З2
N-OARL+O 1500В 4А 80Вт
2501817
51-0 80В ЗА 15Вт В>2000
2501647
N-OARL+O 50В 2А 25Вт
2501825
N-OARL+O 70В 4А 20Вт
2501649
51-N+O 1500/800В 2,5А 50Вт
2501827
N-OARL+О 70В 1Од ЗОВт 20МГц
2501650
51-N+O 1500/800В З,5А 50Вт
25018ЗО
N-OARL+O 11 ОВ 8А ЗОВт В=4000
2501651
51-N+O 1500/800В 5А 60Вт
25018З5
51-N 60В 2А 150МГц 60/580
2501652
51-N+O 1500В 6А 60Вт ЗМГц
250184З
N-OARL+O 60В 1А 1Вт В>2000
2501656
51-N 15DDB 6А 50Вт ЗМГц
2501847
51-N+O 1500ПООВ 5А 1ООВт
250166З
51-N 1500В 5А 80Вт О,5мкс
2501849
51-N+O 1500ПООВ 7А 120Вт
2501664
51-N 40В 1А О,5Вт 150МГц
250185З
N-OARL+O 80В 1,5А О,7Вт
2501666
51-N 60В ЗА 20Вт
2501856
N-OARL +О 60В 5А 25Вт
2501667
51-N 60В 5А 25Вт ЗОМГц
2501857
51-N 120В 1,5А 1Вт 80МГц
2501668R
51-N 60В 7А ЗОВт
2501858
51-N 40В 1А 1Вт150МГц
2501669
51-N 60В 12А ЗОВт
2501859
51-N 80В О,7А 1Вт120МГц
2501677
51-N 1500В 5А 1ООВт О,5мкс
2501862
51-N 40В 2А 1Вт1ООМГц
2501680
51-N ЗЗО/200В 7А 70Вт
250186З
51-N 120В 1А 1Вт 100МГц
2501681
51-N 20В 1,2А 1авт 150МГц
2501864
51-N 60В ЗА 1Вт 90МГц
250168З
51-N 60В 4А 1авт 150МГц
2501877
51-N+O 1500/800В 4А 50Вт
2501684
51-N 12DB 1,2А 10Вт 150МГц
2501878
51-N+O 1500В 5А 60Вт О,Змкс
2501706
51-N 1ЗО/80В 15А 80Вт 20МГц
2501880
51-N+O 1500В 8А 70Вт
2501707
51-N 1ЗО/80В 20А 1О О Вт
2501881
51-N+O 1500В 10А 70Вт
2501710
51-N 1500/800В 5А 1ООВт
2501887
51-N 1500/800В 1Од 70Вт
2501725
51-N 120В 4А 20Вт 180МГц
2501894
51-N 160В 7А 70Вт 2DМГц
2501729
51-N+O 1500ПООВ З,5А 60Вт
2501895
N-OARL 160В 8А 100Вт 20МГц
25017ЗО
51-N+O 1500ПООВ 5А 100Вт
250191З
51-N 60В ЗА 20Вт 1ООМГц
25017З9
51-N 1500ПООВ 6А 1ООВт
2501929
N-OARL+O 60В 2А 1,2Вт
2501740
N-OARL 150В 5А 25Вт В=5000
25019ЗО
N-OARL 1ООВ 2А 1,2Вт В=500
2501758
51-N 40В 2А 10Вт 100МГц
25019ЗЗ
N-OARL+O 80В 4А ЗОВт
2501760
51-N 60В ЗА 15Вт 90МГц
2501944
51-N 80В ЗА ЗОВт 50МГц
2501761
51-N 80В ЗА З5Вт
2501958
51-N 200В 4,5А ЗОВт 1ОМ Гц
2501762
51-N 60В ЗА 25Вт 70МГц
2501959
51-N 14DDB 10А 50Вт
250176ЗА
51-N 120В 1,5А 20Вт 80МГц
2501978
N-OARL+О 120В 1,5А О,9Вт
2501764
N-OARL+O 60В 2А 20Вт В>100
250198
51-N ЗООВ 1А 25Вт 45МГц
2501765
N-OARL+О 1ООВ 2А 20Вт В>1 ООО
2501991
51-N 60В О, 1А О,4Вт 150МГц
2501769
N-OARL+O 120В 6А 50Вт
2501992
51-N ЗОВ О,5А О,6Вт 200МГц
2501776
51-N 80В 2А 25Вт 40МГц
2501994
51-N 60В 1А 1Вт 200МГц
250178З
N-OARL+O 60В 5А ЗОВт В=2000
2501996
51-N 25В О,5А О,6Вт 200МГц

Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
193
Тип прибора
Описание
тип прибора
Описание
250200
51-N 1500В 2,5А 1авт
250З86
51-N 200В ЗА 25Вт ВМГц
2502006
51-N ВОВ О,7А 1,2Вт 120МГц
250400
51-N 25В 1А О,9Вт
2502007
51-N 40В 2А 1,2Вт 100МГц
250401
51-N 200В 2А 20Вт 10МГц
2502010
N-OARL 60В 2А 1,2Вт В>1000
250414
51-N 120/ВОВ О,ВА 10Вт
2502012
51-N 60В ЗА 25Вт ЗМГц
250415
51-N 120/100В О,ВА 10Вт
2502018
N-OARL+O 60В 1А 5Вт В>6500
250424
51-N 160В 15А 150Вт
2502052
51-N 150В 9А 1ООВт 20МГц
2504З8
51-N 100В О,7А О,9Вт 1оомгц
2502061
51-N ВОВ ЗА ЗОВт ВМГц
250467
51-N 25В О,7А О,5Вт 280МГц
2502066
51-N 160В 12А 120Вт
250468
51-N 25В 1А О,9Вт 280МГц
2502088
N-OARL+O 60В 2А О,9Вт В>2000
250471
51-N ЗОВ 1А О,ВВт
2502125
51-N+O 1500В 5А 50Вт О,2мкс
250476
51-N 70В 4А 40Вт ?МГц
25021З
51-N 110В 10А 100Вт
250478
51-N 200В 2А ЗОВт
25021З6
51-N 60В ЗА 1,5Вт ЗОМГц
250545
51-N 25В 1,5А О,5Вт
25021З7А
51-N ВОВ ЗА 15Вт ЗОМГц
250549
N-OARL ЗОВ 1,5А 15Вт В>4000
2502141
N-OARL+О звав 6А З5Вт В>150
250552
51-N 220В 15А 150Вт 4МГц
2502144
51-N 25В О,5А В>560
25055З
51-N 70В 7А40Вт 10МГц
2502151
51-N 1ЗО/80В 10А ЗОВт 20МГц
250555
51-N 400В 15А 200Вт 7МГц
2502159
51-N ЗОВ 2А 1Вт 11ОМГц
250556
51-N 120В 15А 120Вт ВМГц
2502250
N-OARL 160В 7А 90Вт В>5000
250560
N-OARL 1DDB 5А ЗОВт
250225З
51-N+O 1700В 6А 50Вт
250571
51-N 60В 700мА 1Вт 11DМГц
2502255
N-OARL 160В 7А 70Вт 20МГц
250592
51-N ЗОВ 1А О,75Вт 20DМГц
2502276
N-OARL 160В ВА 120Вт В>5000
250596
51-N ЗОВ О,7А 170МГц
2502ЗЗ1
N-OARL+O 1500В ЗА
250600К
51-N 120В 1А 8Вт
2502З4
51-N 60В ЗА 25Вт
250602А
51-N 60В О,5А О,2Вт 200МГц
2502З40
51-N 1ЗОВ 6А 50Вт
250612
51-N 25В 2А 1авт 1ООМГц
2502З75
51-N ВОВ ЗА 25Вт В>500
25061З
51-N 100В 6А 40Вт 15МГц
2502З86
N-OARL 140В 7А 70Вт В>5000
250617
N-OARL 120В ВА 1ООВт
2502З89
N-OARL 160В 10А 100Вт В>5000
2506З7
51-N 60В О, 1А О,4Вт 150МГц
2502З90
N-OARL 160В 10А 100Вт 55МГц
250661
51-N З5В О, 1А О,4Вт 20DМГц
2502З94
51-N 60В ЗА ЗОВт
250662
51-N 250В О, 1А О,6Вт 50МГц
2502З95
51-N 50В ЗА 25Вт
250666
51-N 120В О,05А 140МГц
2502З99
N-OARL+O ВОВ 4А ЗОВт В=1000
250667
51-N 120В 1А 140МГц
25024З8
N-OARL+O 160В 8А 70Вт В>5000
250669А
51-N 160В 1,5А 1Вт 140МГц
250249З
N-OARL 11 ОВ 6А 60Вт 60МГц
250676
51-N 160В 12А 125Вт ВМГц
2502498
51-N 1500В 6А 50Вт
250712
51-N 1DDB 4А ЗОВт вмгц
2502499
51-N+O 1500В 6А 50Вт
250717
51-N 70В 10А 80Вт О,Змкс
250287
51-N 200В 10А 100Вт ВМГц
250718
51-N 120В ВА 80Вт 12МГц
250З1З
51-N 60В ЗА ЗОВт ВМГц
250725
51-N 1500В 6А 50Вт
250З25
51-N З5В 1,5А 10Вт ВМГц
250726
51-N 100В 4А 40Вт 1омгц
250З50
51-N 1500В 5А 22Вт
2507З1
51-N 170В 7А 80Вт ?МГц
250З50А
51-N 1500В 5А 22Вт
2507З2
51-N 150В ВА 80Вт 15МГц
250З59
51-N 40В 2А 10Вт НЧ
2507З4
51-N 25В О,7А О,6Вт 250МГц
250З61
51-N 60В 1,5А 1О Вт 70МГц
250762
51-N 6DB ЗА 25Вт 25кГц
250З81
51-N 1ЗОВ 1,5А 20Вт 60МГц
25076З
51-N 120В 1А О,9Вт
250З82
51-N 1ЗОВ 1,5А20Вт60МГц
250768
N-OARL+O 120В 6А 40Вт В>1000

194
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
25077З
51-N 20В 2А 1Вт 11ОМГц
250982
N-OARL 200В 5А 40Вт В=ЗООО
250774
51-N 100В 1А 1Вт 95МГц
250986
N-OARL 150/80В 1,5А 1ОВт
250781
51-N 150В 2А 1Вт О,6мкс
250998
N-OARL 100В 1,5А 10Вт В=7000
250786
51-N 40В 0,ЗА О,25Вт
25J10З
P-FET 50В 2,6мА Up<2B
250787
51-N 20В 2А О,9Вт 80МГ~
25J109
P-FET OUAL ЗОВ
250788
51-N 20/20В 2А О,9Вт 1ООМГц
25J11З
P-FET 1ООВ 1Од 1ООВт
250789
51-N 100/50В 1А О,9Вт 80МГц
25J117
P-FET 400В 2А 40Вт З5нс
250794
51-N 70В ЗА 1О Вт 60МГц
25J162
P-FET 160В 7А 100Вт
250795
51-N 40В ЗА 20Вт 95МГц
25J174
P-FET 60В 20А 75Вт 2З5нс
250798
N-OARL 600В 6А ЗОВт В>1500
25J175
P-FET 60В 1Од 25Вт
250799
N-OARL+O 400В 6А ЗОВт
25J177
P-FET 60В 20А 75Вт
250800
51-N 750В 4А ЗОВт 8МГц
25J182
P-FET 60В ЗА 20Вт
250809
51-N 100В 1А 10Вт 85МГц
25J200
P-FET 180В 10А 120Вт
250819
51-N 1500В З,5А 50Вт
25J201
P-FET 200В 12А 150Вт
250820
51-N 1500В 5А 50Вт
25JЗО6
P-FET 250В ЗА 25Вт
250822
51-N 1500/600В 7А 50Вт
25JЗО7
P-FET 250В 6А 2Вт
250826
51-N 60В 5А 10Вт 120МГц
25JЗ5З
P-FET 60В 1,5А 1Вт
250829
N-OARL+O 150В 15А 100Вт
25J449
P-FET 250В 6А З5Вт
2508З7
N-OARL 60В 4А 40Вт
25J72
P-FET 25В ЗОМА О,6Вт Up<2B
250844
51-N 50В 7А 60Вт 15МГц
25J74
P-FET 25В 1мА Up<2B
250850
51-N 1500В ЗА 25Вт
25J77
P-FET 160В О,5А ЗОВт
250856
51-N 60В ЗА З5Вт
25J79
P-FET 200В О,5А ЗОВт
25086З
51-N 50В 1А О,9Вт
25К1010
N-FET 500В 6А ВОВт
250864К
N-OARL+O 120В ЗА ЗОВт
25К10З6
N-FET 250В 1А 2Вт 80нс
250867
51-N 1ЗОВ 1Од 1ООВт ЗМГц
25К1057
N-FET 140В 7А 100Вт
250871
51-N+O 1500В 5А 50Вт
25К1058
N-FET 160В 7А 100Вт
250879
51-N ЗОВ ЗА О,75Вт 200МГц
25К107
N-FET 9В 20мА 250мВт
250880
51-N 60В ЗА ЗОВт О,Вмкс
25К108
N-FET 50В 20мА О,ЗВт
250882
51-N ЗОВ ЗА 1О Вт
25К1081
N-FET 0оов 7А 125Вт звоне
250889
51-N+O 1500В 4А 50Вт
25К1082
N-FET 900В 6А 125Вт
250892А
N-OARL 60В О,5А 0,4Вт В>2000
25К1101
N-FET 450В 1Од 50Вт
250894
N-OARL ЗОВ 1,5А 10Вт 120МГц
25К1102
N-FET 500В 1Од 50Вт 240нс
250895
51-N 1ООВ 6А 60Вт 1ОМ Гц
25К111З
N-FET 120В ЗА 20Вт
250917
51-N ЗЗОВ 7А 70Вт
25К1117
N-FET 600В 6А 1ООВт
25092
51-N 100В ЗА 20Вт
25К1118
N-FET 600В 6А 45Вт
250921
N-OARL 200В 5А 80Вт В>700
25К1119
N-FET 1ООВ 4А 1ООВт
250946
N-OARL ЗОВ 1А
25К1120
N-FET 1000В ВА 150Вт
250947
N-OARL 40В 2А 5Вт 150МГц
25К117
N-FET 50В 5мА
250951
51-N 1500В ЗА 65Вт
25К1170
N-FET 500В 20А 120Вт
250958
51-N 120В О,02А О,4Вт 200МГц
25К118
N-FET 50В О,ЗмА О, 1Вт
250965
51-N 40В 5А О,75Вт 150МГц
25К1181
N-FET 500В 1ЗА 85Вт
250966
51-N 40В 5А 1Вт 150МГц
25К1190
N-FET 60В 22А З5Вт
250968А
51-N 120В О,5А 1Вт 120МГц
25К1191
N-FET 60В ЗОА 40Вт
250970
N-OARL+O 120В ВА40Вт В>1000
25К1198
N-FET 700В 2А З5Вт
250972
N-OARL 50В 4А ЗОВт В=ЗООО
25К121З
N-FET 600В 6А 125Вт 40/85нс

Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
195
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2SK1217
N-FET 900В ВА 1ООВт
2SК165З
N-FET 60В 45А 45Вт
2SK1221
N-FET 250В 1ОА ВО Вт
2SK168
N-FET ЗОВ 20мА О,2Вт
2SK125
N-FET 25В О, 1А О,ЗВт
2SK170
N-FET 40В 20мА О,4Вт
2SK1257
N-FET 60В 40А 45Вт
2SК172З
N-FET 600В 12А 150Вт
2SK1271
N-FET 1400В 5А 240Вт
2SК18ЗЗ
N-FET 500В 2,5А 40Вт
2SK1275
N-FET 900В 2А ЗОВт
2SK184
N-FET 50В О,6мА Up<1,5B
2SK1296
N-FET 60В ЗОА
2SK1917M
N-FET 250В 1Од 50Вт
2SK1299
N-FET 100В ЗА 20Вт
2SK192
N-FET 18В ldss>ЗмA Uр<ЗВ
2SК1З17
N-FET 1500В 2,5А 100Вт
2SK1924
N-FET 600В 6А 1, 75Вт
2SК1ЗЗ8
N-FET 900В 2А 50Вт
2SК19З
N-FET -DG 15В СВЧ
2SК1З41
N-FET 900В 6А 100Вт
2SK1940
N-FET 600В 12А 125Вт
2SК1З42
N-FET 900В ВА 100Вт
2SK1941
N-FET 600В 16А 1ООВт
2SК1З45
N-FET 60В 20А 40Вт
2SК194З
N-FET 900В 5А 80Вт
2SК1З50
N-FET 200В 15А 45Вт
2SК195З
N-FET 600В 2А 25Вт
2SК1З51
N-FET 500В 5А 40Вт
2SК20З8
N-FET ВООВ 5А 125Вт
2SК1З56
N-FET 900В ЗА 40Вт
2SК20З9
N-FET 900В 5А 150Вт
2SК1З57
N-FET 900В 5А 125Вт
2SК204З
N-FET 600В 2А 2Вт
2SК1З58
N-FET 900В 9А 150Вт
2SK2056
N-FET ВООВ 4А 40Вт
2SК1З6З
N-FET 900В ВА 90Вт
2SK2078
N-FET ВООВ 9А 150Вт
2SК1З77
N-FET 500В 5,5А 40Вт
2SК208З
N-FET 900В 5А 70Вт
2SК1З78
N-FET 400В 10А 125Вт
2SK212
N-FET 20В 0,6мА О,2Вт
2SК1З79
N-FET 60В 50А 150Вт
2SК21З4
N-FET 200В 1ЗА 70Вт
2SК1З88
N-FET ЗОВ З5А 60Вт
2SК21З6
N-FET 200В 20А 75Вт
2SK1400
N-FET ЗООВ 7А 50Вт
2SK214
N-FET 160В О,5А ЗОВт
2SK1404
N-FET 600В 5А З5Вт
2SK2141
N-FET 600В 6А З5Вт
2SK1419
N-FET 60В 15А 25Вт
2SK216
N-FET 200В О,5А ЗОВт
2SK1420
N-FET 60В 25А ЗОВт
2SK2161
N-FET 200В 9А 25Вт
2SK1444
N-FET 450В ЗА 25Вт
2SК22З
N-FET ВОВ 1,2мА 0,4Вт
2SK1447
N-FET 450В 9А 40Вт
2SК2ЗЗЗ
N-FET 700В 6А 50Вт
2SK1460
N-FET 900В З,5А 40Вт
2SК2З52
N-FET 600В 6А 45Вт
2SK1461
N-FET 900В 5А 120Вт
2SK240
N-FET 40В 2,6мА Up<1,5B
2SK1462
N-FET 900В ВА 150Вт
2SK241
N-FET 20В FM/YKB
2SK1502
N-FET 900В 7А 120Вт
2SK246
N-FET 50В 1,2мА Up<6B
-
2SK1507
N-FET 600В 9А 50Вт 240нс
2SK2485
N-FET 900В 6А 1ООВт
2SK152
N-FET 15В 9,5мА Up<2B
2SK2545
N-FET 600В 6А 40Вт
2SK1529
N-FET 1ВОВ 1Од 120Вт
2SK2561
N-FET 600В 9А 80Вт
2SК15ЗО
N-FET 200В 12А 150Вт
2SK2605
N-FET ВООВ 5А 45Вт
2SК15З1
N-FET 500В 15А 150Вт
2SK26З2LS
N-FET ВООВ 2,5А ЗОВт
2SК15З7
N-FET 900В 5А 100Вт 290нс
2sкзо1
N-FET 55В 20мА О,25Вт
2SK1544
N-FET 500В 25А 200Вт
2SКЗОЗ
N-FET ЗОВ О,6мА Up<4B
2SK161
N-FET 18В 0,01А О,2Вт
2SКЗО4
N-FET ЗОВ О,6мА Up<4B
2SK1612
N-FET 900В ЗА 50Вт 40/140нс
2SКЗОАТМ
N-FET 50В 6,5мА
2SК16З
N-FET 50В 0,ОЗА О,4Вт
2SКЗ15
N-FET 20В 2,5мА О,2Вт
2SК16З7
N-FET 600В 4А З5Вт
2SКЗ20
N-FET 450В 5А 50Вт
2SК164З
N-FET 900В 5А 125Вт
2SКЗЗ
N-FET 20В 20мА О, 15Вт

196
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
2SКЗЗО
N-FET 50В 14МА О,2Вт
2SK754
N-FET 160В 1Од 50Вт
2SКЗЗ2
N-FET 40В 12мА Up=0,5B
2SK758
N-FET 250В 5А 40Вт
2SКЗ57
N-FET 150В 5А 40Вт
2SK769
N-FET 500В 10А 100Вт
2SКЗ59
N-FET 20В ЗОмА О,4Вт
2SK786
N-FET 20В ЗА 50Вт
2SКЗ6З
N-FET 40В 5мА Up<1,2B
2SK7B7
N-FET 900В ВА 120Вт
2SКЗ64
N-FET 40В 2,6мА Up<1,5B
2SK790
N-FET 500В 15А 150Вт
2SКЗ67
N-FET 100В О,6мА
2SK791
N-FET 850В ЗА 100Вт
2SКЗ69
N-FET 40В 5мА Up<1,2B
2SK792
N-FET 900В ЗА 100Вт
2SКЗ7З
N-FET 100В О,6мА
2SК79З
N-FET 850В 5А 150Вт
2SКЗ74
N-FET 55В 1мА Up<5B
2SK794
N-FET 900В 5А 150Вт
2SКЗ81
N-FET 50В О,ЗмА О,ЗВт
2SK796
N-FET ВООВ ЗА 90Вт
2SКЗ86
N-FET 450В 10А 120Вт
2SK806
N-FET 600В ЗА 50Вт
2SКЗ89
2xN-FET 50В
2SK817
N-FET 60В 26А З5Вт
2SK40
N-FET 50В 6,5мА
2SКВЗ
N-FET 25В 1ОМА О, 1Вт Up<2B
2SK400
N-FET 200В ВА 100Вт
2SK851
N-FET 200В ЗОА 150Вт
2SK404
N-FET 20В 1,2мА О,2Вт
2SK856
N-FET 60В 45А 125Вт
2SK415
N-FET ВООВ ЗА 1ООВт
2SK872
N-FET 900В 6А 150Вт
2SК42З
N-FET 1ООВ О,5А О,9Вт 25нс
2SK875
N-FET 450В 12А 120Вт
2SK427
N-FET 15В 2,5мА Up<1,5B
2SK890
N-FET 200В 1Од 75Вт
2SК4ЗО
N-FET 150В ЗА20Вт
2SKB91
N-FET 100В 18А 125Вт
2SК4З9
N-FET 20В ЗОмА О,ЗВт
2SK899
N-FET 500В 18А 125Вт
2SK511
N-FET 250В О,ЗА ВВт
2SK902
N-FET 250В ЗОА 150Вт
2SК51З
N-FET ВООВ ЗА 60Вт 50/120нс
2SК90З
N-FET ВООВ ЗА 40Вт 4Е
2SK526
N-FET 250В 1Од 40Вт
2SK904
N-FET ВООВ ЗА ВОВт
2SК5З7
N-FET 900В 1А 60Вт
2SK940
N-FET 60В О,ВА О,9Вт
2SК5ЗВ
N-FET 900В ЗА 100Вт
2SК94З
N-FET 60В 25А 40Вт
2SK544
N-FET 20В ЗОмА О,ЗВт
2SK951
N-FET ВООВ 2,5А 40Вт
2SK55
N-FET 18В 14мА СВЧ
2SK952
N-FET ВООВ О,5мА
2SК55З
N-FET 500В 5А 50Вт
2SK955
N-FET ВООВ 5А 125Вт
2SK555
N-FET 500В 7А 60Вт
2SK956
N-FET ВООВ 9А 150Вт
2SK557
N-FET 500В 12А 100Вт
2SK962
N-FET 900В О,5мА Up>2,5B
2SK559
N-FET 450В 15А 100Вт
ЗSК1З1
N-FET -DG 20В 25мА О,2Вт
2SК58З
N-FET 50В О,2А О,6Вт
ЗSК60
N-FET -DG 15В ЗЗмА
2SK606
N-FET ЗОВ 20мА Uр<ЗВ
ЗSК7З
N-FET -DG 20В ЗмА
2SK611
N-FET 100В 1А 10Вт
ЗSК74
N-FET -DG 20В 25мА О,2Вт
2SK612
N-FET 1ООВ 2А 20Вт
АС121
GE-P 20В О,ЗА О,9Вт
2SK68
N-FET 50В О,5мА Up<1,5B
АС122
GE-P ЗОВ О,2А О,225Вт
2SK685
N-FET 1000В 5А 100Вт
АС125
GE-P З2В О,2А
2SK701
N-FET 60В 2А 15Вт
АС126
GE-P З2В О,2А О,5Вт
2SК70З
N-FET 100В 5А З5Вт
АС127
GE-N З2В О,5А
2SK719
N-FET 900В 5А 120Вт
АС128
GE-P З2В 1А 1Вт
2SK725
N-FET 500В 15А 125Вт
АС128/176К
GE N/P сборка
2SK727
N-FET 900В 5А 125Вт
АС128К
GE-P З2В 1А 1Вт
2SК7З
N-FET 200В О,1А 5Вт
АС1З1
GE-P ЗОВ 1А О,75Вт
2SК7З5
N-FET 450В 10А 100Вт
АС1З2
GE-P З2В О,2А О,5Вт

Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
197
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
АС1З8
GE-P З2В 1,2А О,22Вт 1,5МГц
ВС107С
Sl-N 50В 0,2А О,ЗВт 250МГц
АС141К
GE-N З2В 1,2А 1Вт
ВС109В
Sl-N ЗОВ 0,2А О,ЗВт ЗООМГц
АС151
GE-P З2В О,2А О,9Вт
ВС109С
Sl-N ЗОВ 0,2А О,ЗВт 150МГц
АС15З
GE-P З2В 2А 1Вт
ВС117
Sl-N 120В 50мА О,ЗВт >60МГц
АС15ЗК
GE-P 32В 2А 1Вт
ВС119
Sl-N 60В 1А О,ВВт 10МГц
АС176К
GE-N 32В 1А 1Вт
ВС1З5
Sl-N 45В 0,2Вт >200МГц
АС180
GE-P 32В 1,5А О,ЗВт 1МГц
ВС1З6
Sl-N 60В О,5А О,ЗВт >60МГц
АС187
GE-N 25В 1А 1Вт
ВС139
Sl-P 40В О,5А О,7Вт
АС187/188К
GE N/P сборка
ВС141-10
Sl-N 100В 1А О,75Вт 50МГц
АС187К
GE-N 25В 1А 1Вт
ВС141-16
Sl-N 1ООВ 1А О,75Вт 50МГц
АС188
GE-P 25В 1А 1Вт
ВС142
Sl-N ВОВ 1А О,ВВт
АС188К
GF.- P 25В 1А 1Вт
ВС14З
Sl-P 60В 1А О, ?Вт
АD1ЗЗ
GE-P 50В 15А З6Вт
ВС146
Sl-N 20В 50мА 50мВт 150МГц
АD1З6
GE-P 40В 10А 11 Вт
ВС161-16
Sl-P 60В 1А О,75Вт 50МГц
АD1З9
GE-P З2В З,5А 1ЗВт
ВС177А
Sl-P 50В 0,1А О,ЗВт 1ЗОМГц
AD148
GE-P З2В З,5А 1З,5Вт
ВС177В
Sl-P 50В 0,1А О,ЗВт 1ЗОМГц
AD149
GE-P 50В З,5А 27Вт
ВС177С
Sl-P 50В 0,1А О,ЗВт 1зомгц
AD161
GE-N З2В 1А 6Вт
ВС190
Sl-N 70В О, 1А О,ЗВт 250МГц
AD161/162
GE N/P З2В 1А 6Вт сборка
ВС285
Sl-N 120В 0,1А О,З6Вт ВОМГц
AD162
GE-P З2В 1А 6Вт
всзоо
Sl-N 120В О,5А 6Вт 120МГц
AD165
GE-N 25В 1А 6Вт
всзоз
Sl-P 85В 1А 6Вт 75МГц
AD166
GE-P 60В 5А 27,5Вт
ВСЗ1З
Sl-P 60В 1А 4Вт 50МГц
AF106
GE-P 25В 1ОмА220МГц СВЧ
ВСЗ2З
Sl-N 1ООВ 5А О,ВВт 1ООМГц
AF109R
GE-P 2ов 12мА 260МГц СВЧ
ВСЗ27-16
Sl-P 50В 0,ВА 625мВт 100МГц
AF118
GE-P 70В ЗОмА З75мВт 125МГц
ВСЗ27-25
Sl-P 50В 0,ВА 625мВт 100МГц
AF121
GE-P 25В 10мА 270МГц
ВСЗ27-40
Sl-P 50В О,ВА 625мВт 100МГц
AF125
GE-P 32В 1ОмА 75МГц
ВСЗЗ6
Sl-P 25В 50мА О,З1 Вт 50МГц
AF127
GE-P З2В 10мА 75МГц
ВСЗЗ?-16
Sl-N 50В О,ВА 625мВт 150МГц
АF1З9
GE-P 2ов 10мА 550МГц
ВСЗЗ?-25
Sl-N 50В 0,ВА 625мВт 150МГц
AF200
GE-P 25В 1ОмА О, 145Вт
ВСЗЗ?-40
Sl-N 50В О,ВА 0,625Вт 150МГц
AF201
GE-P 25В 10мА О,145Вт
ВСЗ68
Sl-N 20В 1А О,8Вт 100МГц
AF2З9S
GE-P 15В 10мА 700МГц
ВСЗ69
Sl-P 20В 1А О,8Вт
AF279
GE-P 15В 1ОмА 60мВт 780МГц
ВСЗ76
Sl-P 25В 1А О,625Вт 150МГц
AF279S
GE-P 20В 10мА О,6Вт
ВСЗ9З
Sl-P 1ВОВ 1ОмА 40мВт
AF280
GE-P 550МГц смесит, СВЧ
ВС441
Sl-N 75В 2А 1Вт
АFЗО6
GE-P 25В 15мА 60мВт 500МГц
ВС448
Sl-P ВОВ О,ЗА О,625Вт >100
АFЗ67
GE-P 15ЗВ 10мА800МГц
ВС449
Sl-N 100В О,ЗА О,625Вт
АFЗ79
GE-P 1250МГц
ВС450
Sl-P 1ООВ 0,ЗА О,625Вт
AL102
GE-P 1ЗОВ 6А ЗОВт
ВС451
Sl-N 50В 0,1А О,ЗВт >150МГц
AL112
GE-P 1ЗОВ 6А 10Вт
ВС461
Sl-P 75В 2А 1Вт
ASY27
GE-P 25В 0,2А О, 15Вт
ВС485
Sl-N 45В 1А О,625Вт 200МГц
ASY77
GE-P 60В 1А О,26Вт 500кГц
ВС487В
Sl-N 60В 1А О,625Вт 200МГц
ASZ15
GE-P 1ООВ ВА ЗОВт
ВС488
Sl-P 60В О,1А 625мВт >135МГц
ASZ18
GE-P 100В ВА ЗОВт
ВС489
Sl-N ВОВ 1А О,625Вт 200МГц
ВС107В
Sl-N 50В 0,2А О,ЗВт 250МГц
ВС490
Sl-P ВОВ 1А О,625Вт 200МГц

198
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
ВС516
P-OARL 40В О,4А О,625Вт
ВСВ79
N-OARL 1ООВ 1А О,ВВт
ВС517
N-OARL 40В О,4А О,625Вт
всвво
P-OARL 100В 1А О,ВВт
ВС5ЗВ
Sl-N ВОВ 1А О,625Вт 100МГц
ВСР68
Sl-N 20В 1А 1,5Вт 60МГц
ВС546А
Sl-N ВОВ О,2А О,5Вт
BCV27
N-OARL 40В О,5А О,25Вт В>100
ВС546В
Sl-N ВОВ О,2А О,5Вт
ВСХ17
Sl-P 50В О,5А 100МГц
ВС546С
Sl-N ВОВ О, 1А О,5Вт
BCX17R
Sl-P 50В О,5А 100МГц
ВС547А
Sl-N 50В О,2А О,5Вт
ВСХ19
Sl-N 50В О,5А ЗООмВт 200МГц
ВС547В
Sl-N 50В О,2А О,5Вт ЗООМГц
всхзвв
N-OARL ВОВ О,ВА 1Вт В>4000
ВС547С
Sl-N 50В 0,2А О,5Вт ЗООМГц
ВСХ5З
Sl-P 100В 1А 50МГц
ВС550В
Sl-N 50В 0,2А О,5Вт
ВСХ56
Sl-N 100В 1А 1ЗОМГц
ВС550С
Sl-N 50В 0,2А О,5Вт
ВСУ59
Sl-N 45В О,2А 1Вт 250МГц
ВС556А
Sl-P 60В О,2А О,5Вт
ВСУ71
Sl-P 45В О,2А 0,З5Вт
ВС556В
Sl-P ВОВ 0,2А О,5Вт
ВСУ72
Sl-P ЗОВ О,2А 0,З5Вт
ВС557А
Sl-P 50В О,2А О,5Вт
ВСУ79
Sl-P 45В О,2А 1Вт 1ВОМГц
ВС557В
Sl-P 50В 0,2А О,5Вт
ВСУ85
Sl-N 100В О,2А О,ЗВт
ВС557С
Sl-P 50В О,2А О,5Вт
ВО109
Sl-N 60В ЗА 15Вт
ВС560В
Sl-P 50В О,2А О,5Вт
ВО115
Sl-N 245В О, 15А О,ВВт
ВС560С
Sl-P 50В О,2А О,5Вт
ВО129
Sl-N 400В О,5А 17,5Вт
ВС618
N-OARL ВОВ 1А 0,625Вт В>100
В01З1
Sl-N 70В ЗА 15Вт >60МГц
ВС6З9
Sl-N ВОВ 1А О,ВВт 100МГц
В01З2
Sl-P 45В ЗА 15Вт >60МГц
ВС640
Sl-P ВОВ 1А О,ВВт 1ЗОМГц
В01З9
Sl-N ВОВ 1,5А 12,5Вт 50МГц
ВС807-25
Sl-P 50В О,5А О,25Вт 5В
В01З9-16
Sl-N ВОВ 1,5А 12,5Вт 50МГц
ВСВО7-40
Sl-P 45В О,5А 0,ЗВт 100МГц
ВО140
Sl-P ВОВ 1,5А 12,5Вт 50МГц
ВСВ17-16
Sl-N 50В О,5А 0,25Вт
ВО140-16
Sl-P ВОВ 1,5А 12,5Вт 50МГц
ВСВ17-25
Sl-N 50В О,5А О,25Вт
ВО141
Sl-N 140В ВА 117Вт
ВСВ17-40
Sl-N 50В О,5А О,25Вт
ВО142
Sl-N 50В 15А 117Вт
ВСВ28
Sl-P 50В О,ВА О,ВВт 1ООМГц
ВО159
Sl-N З75В О,5А 20Вт
ВСВ46В
Sl-N ВОВ О, 1А О,25Вт
В0160
Sl-N 250В 5А 25Вт
ВСВ47А
Sl-N 50В О, 1А О,2Вт
В0179
Sl-N ВОВ ЗА ЗОВт
ВС847В
Sl-N 50ВО,1АО,25Вт
ВО180
Sl-P ВОВ ЗА ЗОВт >2МГц
BCB47BR
Sl-N 50В О, 1А О,25Вт
ВО18З
Sl-N 85В 15А 11 ?Вт
ВС847С
Sl-N 50В О, 1А О,25Вт
ВО201
Sl-N 60В ВА 55Вт
ВСВ49С
Sl-N ЗОВ О, 1А О,25Вт
B0201F
Sl-N 60В ВА З2Вт
ВС850С
Sl-N 45В 0,1А О,25Вт
B0204F
Sl-P 60/60В ВА 60Вт >?МГц
ВСВ56А
Sl-P 65В 0,1А 150МГц
В02ЗО
Sl-N 100В 1,5А 12,5Вт
ВСВ56В
Sl-P 65В 0,1А 150МГц
В02З1
Sl-P 100В 1,5А 12,5Вт
ВСВ57А
Sl-P 50В 0,1А 150МГц
В02З2
Sl-N ЗООВ О,25А ?Вт
ВС857В
Sl-P 45В О, 1А О,2Вт
В02З7
Sl-N 100В 2А 25Вт ЗМГц
BCB57BR
Sl-P 45В О, 1А О,2Вт
В02ЗВ
Sl-P 100В 2А 25Вт ЗМГц
ВСВ57С
Sl-P 45В О, 1А 0,25Вт
В02З9С
Sl-N 100В 2А ЗОВт ЗМГц
ВСВ59В
Sl-P ЗОВ О, 1А О,25Вт
ВО240
Sl-P 45В 2А ЗОВт
ВСВ60В
Sl-P 50В О,1А
В0240С
Sl-P 100В 2А ЗОВт ЗМГц
ВСВ60С
Sl-P 50В О, 1А
ВО241С
Sl-N 100В ЗА 40Вт ЗМГц
ВСВбВ
Sl-N 25В 1А бОМГц
B0241D
Sl-N 120В ЗА 40Вт ЗМГц
ВС869
Sl-P 25В 1А 1Вт 60МГц
ВО242С
Sl-P 100В ЗА 40Вт ЗМГц

Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
199
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
8024ЗС
Sl-N 1008 6А 658т ЗМГц
80744С
Sl-P 1108 15А 908т 5МГц
8024ЗF
Sl-N 2008 6А 658т ЗМГц
80750
Sl-P 1008 20А 2008т
80244С
Sl-P 1008 6А 658т ЗМГц
80751
Sl-N 1008 20А 2008т
80244F
Sl-P 2008 6А 658т ЗМГц
80791
Sl-N 1008 4А 158т
80250С
Sl-P 1008 25А 1258т ЗМГц
80792
Sl-P 10084А 158т
80277
Sl-P 458 7А 708т >10МГц
80801
Sl-N 1008 8А 658т >ЗМГц
80ЗО2
Sl-P 608 8А 558т >ЗМГц
80829
Sl-N 1008 1А 88т
80ЗОЗ
Sl-N 608 8А 558т >ЗМГц
808ЗО
Sl-P 1008 1А 88т 75МГц
80З14
Sl-P 808 10А 1508т
808З9
Sl-N 458 1,5А 108т 125МГц
80З17
Sl-N 1008 16А 2008т 1МГц
8084З
Sl-N 10081,5А 108т>150МГц
80З18
Sl-P 100816А 2008т
80877
N-OARL 808 1А 98т 200МГц
80З29
Sl-N З28 ЗА 158т 1ЗОМГц
80879
N-OARL 1008 1А 98т 2ООМГц
80ЗЗО
Sl-P З28 ЗА 158т
80880
P-OARL 1008 1А 200МГц
80ЗЗ5
N-OARL 1008 6А 608т
80901
N-OARL+O 1008 8А 708т
80ЗЗ6
P-OARL 1008 6А 608т
80902
P-OARL 1008 8А 708т
80ЗЗ7
N-OARL+O 1208 6А 608т >10МГц
80911
Sl-N 1008 15А 908т
80З62
Sl-P З28 ЗА 158т
80912
Sl-P 1008 15А 908т
80З718
Sl-N 608 1,5А 2,58т
809З9F
Sl-N 1208 ЗА 198т ЗМГц
80З85
Sl-N 608 1А 108т >250МГц
80941
Sl-N 1408 ЗА ЗО8т ЗМГц
80З87
Sl-N 808 1А 108т >250МГц
80942
Sl-P 1408 ЗА З08т ЗМГц
80410
Sl-N 5008 1А 208т
8094З
Sl-N 228 5А 408т ЗМГц
80411
N-OARL 508 2А 108т 8>25000
80948
Sl-P 458 5А 408т ЗМГц
80441
Sl-N 808 4А З68т ЗМГц
80951
Sl-N 808 5А 408т >ЗМГц
80442
Sl-P 808 4А З68т ЗМГц
80956
Sl-P 1208 5А 408т ЗМГц
80515
Sl-N 458 2А 108т 160МГц
80Т61
N-OARL+O 608 4А 508т >10МГц
805З7
Sl-N 808 8А 508т
80Т61С
N-OARL+O 1208 4А 508т >10МГц
805З8
Sl-P 808 4А 508т >ЗМГц
80T61F
N-OARL+О 608 4А
805З9
Sl-N 408 5А 458т
80Т62С
P-OARL 1208 10А 908т 8>1000
8054ЗС
Sl-N 1008 8А 708т ЗМГц
80Т6ЗС
N-OARL 1208 10А 908т 8>1000
80545
Sl-N 408 15А 858т ЗМГц
80Т64С
P-OARL 1208 12А 1258т 8>1000
806З7
Sl-N 1008 2А З08т >ЗМГц
80Т65С
N-OARL 1208 12А 1258т 8>1000
806З8
Sl-P 1008 2А ЗО8т >ЗМГц
80Т85А
Sl-N 1008 15А 1258т 20МГц
80648
P-OARL 808 8А 62,58т
80Т86А
Sl-P 1008 15А 1258т 20МГц
80651
N-OARL 1208 8А 62,58т
80Т87
Sl-N 120815А 1258т 10МГц
80652
P-OARL 1208 8А 62,58т
80Т88
Sl-P 1208 12А 1178т
80679А
N-OARL+О 808 4А 408т
80Т95А
Sl-N 1008 10А 908т 4МГц
80680А
P-OARL+О 808 4А 408т
80Т96А
Sl-P 1008 10А 908т 4МГц
80681
N-OARL+О 1008 4А 408т 8>75
80V64C
P-OARL+O 1208 20А 1258т
80682
P-OARL+O 10084А408т
80V658
N-OARL+O 100820А1258т
8068З
N-OARL 1208 4А 408т
80V65C
N-OARL+O 1208 20А 1258т
80684
P-OARL 1208 4А 408т
80V66C
P-OARL+O 120816А 2008т 7МГц
80711
Sl-N 1008 12А 758т
80V660
P-OARL+O 1608 16А 2008т
80712
Sl-P 1008 12А 758т
80W22C
Sl-P 1008 10А 908т >ЗМГц
80722
Sl-P 808 4А З68т >ЗМГц
80W2ЗС
N-OARL+O 1008 6А 50W
8074ЗС
Sl-N 1108 15А 908т >5МГц
80W42
N-OARL 1008 15А 858т 8>1000

200
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
BDW46
P-DARL ВОВ 15А 85Вт В>1000
BF115
S/-N 50В ЗОмА О, 15Вт
BDW47
P-DARL 100В 15А 85Вт В>1000
BF120
Sl-N 220В 50мА 0,ЗВт
BDW51C
Sl-N 100В 15А 125Вт >ЗМГц
BF125
Sl-N AM/FM 450МГц
BDWBЗC
N-DARL 100В 15А 150Вт
BF152
S/-N ЗОВ О,2Вт ВООМГц
BDWBЗD
N-DARL+D 120В 15А 150Вт
BF155
S/-N 40В 20мА 600МГц
BDW84C
P-DARL 100В 15А 150Вт
BF161
S/-N 50В 20мА 550МГц
BDWB4D
P-DARL+D 120В 15А 150Вт В>100
ВF16З
Sl-N 40В 20мВт 600МГц
BDW9ЗCF
N-DARL 1ООВ 12А 40Вт
BF164
S/-N 40В 0,2Вт 600МГц
BDW94C
P-DARL 100В 12А ВОВт
BF166
Sl-N 40В 20МА О, 175Вт 5ООМГц
BDX11
Sl-N 160В 10А 117Вт >О,ВМГц
ВF17З
S/-N 40В 25мА О,2ЗВт 600МГц
BDX16A
Sl-P 140В ЗА 25Вт ВООкГц
BF180
Sl-N ЗОВ 20мА 675МГц О, 15Вт
BDX20
Sl-P 160В 1Од 117Вт >4МГц
BF182
Sl-N 25В 20мА 650МГц
ВDХЗ2
Sl-N 1700В 4А 40Вт
BF184
S/-N 20В ЗОмА 260МГц
вохззс
N-DARL 100В 10А 70Вт
BF186
S/-N 190В О,06А О,ВВт 120МГц
ВDХЗ4С
P-DARL 100В 10А 70Вт
BF189
Sl-N ЗОВ 25мА 270МГц
ВDХЗ7
Sl-N ВОВ 5А 15Вт З50нс
BF195
Sl-N ЗОВ ЗОмА 200МГц О,22Вт
BDX44
N-DARL+D 90В 1А 5Вт 1,5мкс
BF199
S/-N 40В 25мА 0,ЗВт 550МГц
BDX47
P-DARL 90В 1А 5Вт
BF200
Sl-N ЗОВ2DмА О, 15Вт 500МГц
BDX50
S 1-N 160В 16А 150Вт >ВООкГц
BF224
SJ-N 45В 50мА О,25Вт 450МГц
ВDХ5ЗС
N-DARL 100В 6А 60Вт В=500
BF240
S/-N 40В 25мА О,25Вт 400МГц
BDX5ЗF
N-DARL 160В 6А 60Вт В=500
BF244A
N-FET ЗОВ 25мА 0,ЗВт
BDX54C
P-DARL 100В 6А 60Вт В=500
BF244C
N-FET ЗОВ 25мА О,ЗВт
BDX54F
P-DARL 160В 6А 60Вт В=500
BF245A
N-FET ЗОВ 25мА О,ЗВт
BDX62C
P-DARL 120В ВА 90Вт
BF245B
N-FET ЗОВ 25мА 0,ЗВт
ВDХ6ЗС
N-DARL 140В ВА 90Вт
BF245C
N-FET ЗОВ О, 1А О,ЗВт 170МГц
BDX64C
P-DARL 120В 12А 117Вт В>1000
BF246C
N-FET 25В 25мА О,25Вт
BDX65C
N-DARL 120В 12А 117Вт
BF247B
N-FET 25В 25мА О,25Вт
BDX66C
P-DARL 120В 16А 150Вт
BF247C
N-FET 25В 25мА О,25Вт
BDX66C
P-DARL 120В 16А 150Вт
ВF25З
S/-N ЗОВ ЗОмА 150МГц
BDX67C
N-DARL 120В 16А 150Вт
BF254
Sl-N ЗОВ ЗОмА 260МГц О,22Вт
BDX71
Sl-N 70В 10А 75Вт >О,ВМГц
BF255
S/-N 20В ЗОмА 200МГц О,22Вт
BDX75
S/-N 45В 16А 75Вт >О,ВМГц
BF256A
N-FET ЗОВ ?мА Vgs<7,5
BDX77
S/-N 100В ВА 60Вт >?МГц
BF256B
N-FET ЗОВ 1ЗмА
BDXB7C
N-DARL 100В 12А 120Вт
BF256C
N-FET ЗОВ 10мА О,25Вт
BDXBBC
P-DARL 100В 12А 120Вт
BF259
Sl-N ЗООВ О,1А О,ВВт 90МГц
BDX94
Sl-P ВОВ ВА 90Вт >4МГц
BF259S
Sl-N ЗООВ О, 1А О,ВВт 90МГц
BDX95
S/-N 100В ВА 90Вт >4МГц
BF271
S/-N 40В ЗОмА 240мВт 1ГГц
BDX96
Sl-P 100В ВА 90Вт >4МГц
BF299
Sl-N ЗООВ О, 1А О,625Вт
BDY20
Sl-N 100В 15А 117Вт 1МГц
ВFЗ16
Sl-P 550 .. 660МГц
BDY29
Sl-N 1ООВ ЗОА 220Вт
ВFЗ24
Sl-P ЗОВ 25мА 450МГц О,25Вт
BDY56
Sl-N 1ВОВ 15А 115Вт >1 ОМГц
ВFЗЗ9
Sl-P 500МГц
BDY58
Sl-N 160В 25А 175Вт
ВFЗ43
Sl-P З5В 35мА >ВОМГц О,25Вт
ВDУ7З
Sl-N 100В 15А 115Вт >ВкГц
ВFЗ57
Sl-N ЗОВ О,05А 1,6ГГц
ВDУВЗВ
S/-P 50В 4А З6Вт ЗМГц
ВFЗ62
Sl-N ВООМГц
BDY90
Sl-N 120В 10А 60Вт О,З5мкс
ВFЗ70
Sl-N 40В О, 1А О,5Вт >500МГц

Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
201
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
ВFЗ77
Sl-N 15В 25мА 1,ЗГГц
BF820
Sl-N ЗООВ 25мА >бОМГц
ВFЗ9З
Sl-N ЗООВ О,5А О,65Вт
BF821
Sl-P ЗООВ 25мА О,З1 Вт
BF410B
N-FET 20В О,7мА
BF840
Sl-N 40В 25мА О,28Вт З80МГц
BF410C
N-FET 20В 12мА усилит,
BF844
Sl-N 450В 0,ЗА 625мВт >50МГц
BF411
Sl-N 110В О,05А 0,ЗВт
BF859
Sl-N ЗООВ О, 1А 2,5Вт
BF417
Sl-N ЗООВ О,2А 6Вт 50МГц
BF871
Sl-N ЗООВ О, 1А 1,8Вт
BF418
Sl-P ЗООВ О,2А 6Вт 50МГц
BF872
Sl-P ЗООВ О, 1А 1,6Вт 60МГц
BF419
Sl-N ЗООВ О, 1А 6Вт
BF881
Sl-N 400В О,ОЗА >бОМГц
BF420
Sl-N ЗООВ О, 1А О,8ЗВт
BF88ЗS
Sl-N 275В О,05А ?Вт >бОМГц
BF421
Sl-P ЗООВ О, 1А О,8ЗВт
BF891
Sl-P 400В ЗОмА <60МГц
BF424
Sl-P ЗОВ 25мА ЗООМГц
BF910
N-FET -DG 20В 50мА 0,ЗЗВт
ВF4З5
Sl-P 160В О,2А О,625Вт 80МГц
BF926
Sl-P 20В 25мА З50МГц 17дБ
BF440
Sl-P 40В 25мА 250МГц
ВF9З9
Sl-P ЗОВ 220мА 750МГц
BF441B
Sl-P 40В 25мА 250МГц
BF959
Sl-N 20В О, 1А 1,1ГГц
BF450
Sl-P 40В 25мА З75МГц О,25Вт
BF960
N-FET-D 20В 25мА О,8ГГц 1
BF455
AM/FM 400МГц
BF961
N-FET-D 20В ЗОмА О,2ГГц 2
BF459
Sl-N ЗООВ О,1А 10Вт 90МГц
BF964
N-FET -D 20В ЗОмА О,2ГГц 2
BF462
Sl-N З50В О,5А 1О Вт 45МГц
BF966
N-FET -D 20В ЗОмА О,8ГГц 1
BF471
Sl-N ЗООВ О, 1А 2Вт 60МГц
BF966S
N-FET -D 20В ЗОмА О,2Вт О,8ГГц
BF472
Sl-P ЗООВ ЗОмА 2Вт 60МГц
BF967
Sl-P ЗОВ 20мА 900МГц О,16Вт
BF479
SJ-P ЗОВ 50мА О, 16Вт 1,4ГГц
BF968
Sl-P 1100МГц
BF487
Sl-N 400В О,05А О,8ЗВт
BF970
Sl-P З5В ЗОмА 0,ЗВт 1ГГц
ВF49З
Sl-P ЗООВ О,5А О,625Вт
BF979
Sl-P 20В 50мА О,ЗВт 1,75ГГц
BF494
Sl-N 20В ЗОмА 260МГц
BF980A
N-FET -D 18В ЗОмА СВЧ
BF495C
Sl-N ЗОВ ЗОмА 200МГц О,ЗВт
BF981
N-FET -D 20В 20мА СВЧ
BF496
Sl-N ЗОВ 20мА О,ЗВт 550МГц
BF982
N-FET -D 20В 40мА 200МГц
BF506
Sl-P 40В ЗОмА О,ЗВт 550МГц
BF989
N-FET 20В ЗОмА О,2Вт
BF507
Sl-N ЗОВ 20мА О,5Вт >750МГц
BF990A
N-FET -D 18В ЗОмА О,2Вт
BF509
Sl-P 40В ЗОмА 0,ЗВт 750МГц
BF991
N-FET -D 20В 20мА СВЧ
BF516
Sl-P З5В 20мА 850МГц
BF992
N-FET 20В 40мА О,2Вт
BF569
Sl-P 40В ЗОмА 280мВт 850МГц
BF994S
N-FET-D 20В ЗОмА 200МГц
BF585
SJ-N З50В О,05А 5Вт 70МГц
BF996S
N-FET-D 20В ЗОмА 800МГц
BF587
Sl-N 400В О,05А 5Вт >70МГц
BF998
N-FET -D 12В ЗОмА 800МГц
BF622
Sl-N 250В О, 1А 2Вт
BF999
N-FET 20В ЗОМА О,2Вт ЗООМГц
BF679
Sl-P 40В ЗОмА О, 16Вт 880МГц
BFG1З5
SJ-N 25В О, 15А 1Вт
BF680
Sl-P 40В ЗОмА О, 16Вт 750МГц
BFG198
SJ-N 20В О,1А 1Вт 8ГГц
BF689
Sl-N 15В 25мА О,2Вт 1ГГц
BFG65
SJ-N 10В 50мА О,ЗВт 8ГГц
BF689K
Sl-N 25В 25мА О,З6Вт О,2ГГц
BFG94
Sl-N 15В 60мА О,7Вт
BF758
Sl-N ЗООВ О,5А 2Вт
BFG96
Sl-N 20В 75мА О,7Вт 800МГц
BF759
Sl-N З50В О,5А 10Вт
BFG97
Sl-N 20В О, 1А О,5Вт
ВF76З
SJ-N 15В 25мА 0,З6Вт 1,8ГГц
BFQ10
N-FET ЗОВ ЗОмА 250мВт
BF770A
Sl-N 15В О,05А 5,5ГГц
BFQ162
Sl-N 20В О,5А ЗВт 1ГГц
BF791
Sl-P ЗООВ О, 1А 5Вт
BFQ2З2
Sl-N 100В О,ЗА 1ГГц
BF799
Sl-N ЗОВ З5мА 280мВт 800МГц
BFQ2З2A
Sl-N 115В 0,ЗА 800МГц
BF819
Sl-N 250В О,1А 1,2Вт
BFQ2З5A
Sl-N 115В 0,ЗА ЗВт 800МГц

202
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
BFQ252
Sl-P 100В 0,ЗА ЗВт
BFW16A
S/-N 25В 0,ЗА 1,5Вт 1,2ГГц
BFQ252A
Sl-P 115В О,ЗА 800МГц
BFW17A
S/-N 25В 0,ЗА 1,5Вт·1,1ГГц
BFQ255
Sl-P 100В 0,ЗА ЗВт 1ГГц
BFWЗO
Sl-N 1ОВ О, 1А 0,25Вт 1,6ГГц
BFQ255A
Sl-P 115В О,ЗА ЗВт 800МГц
BFW4З
Sl-P 150В О,1А О,4Вт 150МГц
BFQ262
Sl-P 100В О,4А 5Вт 1ГГц
BFW44
Sl-P 150В О,1А О,7Вт 50МГц
BFQ262A
Si-P 115В О,4А 5Вт 800МГц
BFW92
Sl-N 15В 50мА О,ЗВт 1,6ГГц
ВFQЗЗС
S/-N 7В 20мА О, 14Вт 12,5ГГц
BFW92A
Sl-N 15В 25мА З,2ГГц 1ЗдБ
BFQЗ4
Sl-N 18В 0,15А 2,7Вт 4ГГц
ВFХЗ4
Sl-N 60В 5А О,87Вт
BFQ4З
Sl-N 18В 1,2А 4Вт 175МГц
ВFХЗ7
Sl-P 90В О, 1А О,З6Вт 70МГц
BFQ65
Si-N 1ОВ 50мА О,ЗВт 8ГГц
ВFХЗ8
Sl-P 55В 1А О,8Вт В>85
BFQ68
Sl-N 18В 0,ЗА 4,5Вт 4ГГц
BFX40
Sl-P 75В 1А О,8Вт В>85
BFR29
N-FET ЗОВ 10мА Up<4B
BFX48
Sl-P ЗОВ О,1А О,З6Вт
BFRЗ5AP
Si-N 12В ЗОмА 4,9ГГц 14дБ
BFX55
Sl-N 60В О,4А 2,2Вт 700МГц
BFRЗ6
Sl-N 40В 200мА О,8Вт 1,ЗГГц
BFX85
S/-N 100В 1А О,8Вт
BFRЗ7
Sl-N ЗОВ 50мА 0,25Вт 1,4ГГц
BFX89
Sl-N 15В 50мА О,2Вт 1,ЗГГц
BFRЗ8
Sl-P 40В 20мА О,2Вт 1ГГц
ВFУЗ9
Sl-N 45В О, 1А О,ЗВт 150МГц
BFRЗ9
S/-N 90В 1А О,8Вт >100МГц
BFY50
S/-N 80В 1А О,7Вт 55/175нс
BFR40
Sl-N 70В 1А О,8Вт >100МГц
BFY51
S/-N 60В 1А О,7Вт
BFR79
S/-P 90В 1А О,8Вт >100МГц
BFY52
Sl-N 40В 1А О,8Вт 100МГц
BFR84
N-FET -D 20В 50мА 0,ЗВт
BFY56
Sl-N 60В 1А О,8Вт
BFR90
Sl-N 15В ЗОмА 5ГГц 19,5дБ
BFY64
Sl-P 40В О,6А О,7Вт
BFR90A
Sl-N 15В ЗОмА 5,5ГГц 16дБ
BFY88
Sl-N 25В 25мА 850МГц
BFR91
Sl-N 12В 50мА 5ГГц 18дБ
BFY90
Sl-N 15В 25мА 2ГГц 8dB
BFR91A
S/-N 12В 50мА 6ГГц 14дБ
BGX885N
860МГц 17дБ усилит, для КАТВ
BFR92
S/-N 15В ЗОмА 5ГГц 19,5дБ
BGY88
450МГц З5дБ усилит, для КАТВ
BFR92A
Sl-N 15В ЗОмА 5,5ГГц 16дБ
BGY89
450МГц З8дБ усилит, для КАТВ
BFR92R
Sl-N 15В ЗОмА 5ГГц
BLW32
S/-N 50В О,65А 10Вт З,5ГГц
BFR9ЗA
S/-N 15В 50мА 6ГГц 14дБ
BLW60C
S/-N 18В 9А 100Вт 650МГц
BFR95
Sl-N 25В О,15А 1,5Вт З,5ГГц
BLX15
S/-N 110В 6,5А 195Вт 275МГц
BFR96
S/-N 15В 75мА 5ГГц 16дБ
BLY87C
Sl-N З6В 1,5ЗА 20Вт 175МГц
BFR96S
Sl-N 15В 0, 1А 5,5ГГц 11дБ
'BLY88C
Sl-N 18В ЗА З6Вт 850МГц
BFS17
Sl-N 15В 25мА 1ГГц
BLY89C
Sl-N 18В 6А 7ЗВт 800МГц
BFS19
S/-N ЗОВ ЗОмА 260МГц
ВLУ9ЗС
Sl-N 65В 2А 25Вт 175МГц
BFS20
Sl-N ЗОВ 25мА 450МГц
BLY94
Sl-N 65В 6А 50Вт 175МГц
BFS22A
S/-N ЗВ О,75А 4Вт 175МГц
BS107
N-FET 200В О, 1ЗА О,8Вт
BFS2ЗA
Sl-N З6В О,5А 4,5Вт 500МГц
BS108
N-FET 200В О,2ЗА О,8Вт
BFT25
S/-N 8В 6,5мА 50мВт 500МГц
BS170
N-FET 60В О,ЗА О,8Вт
ВFТ4З
S/-N 125/100В 1А О,8Вт
BS208
P-FET 200В О,2А О,8Вт
BFT45
Sl-P 250В О,5А О,75Вт 70МГц
BS250
P-FET 45В О, 18А О,8ЗВт
BFT66
Sl-N 15В ЗОмА 4,5ГГц 12дБ
BSN254A
N-FET 250В О,ЗА 1Вт
ВFТ79
Sl-P 90В 1А О,8Вт >100МГц
BSN274
N-FET 270В О,25А 1Вт
BFT95
Sl-P 15В 25мА З,6-5ГГц
BSNЗ04
N-FET ЗООВ О,25А 1Вт
BFW10
N-FET ЗОВ 20мА усилит.
BSR14
Sl-N 75В О,8А <З5/285нс
BFW11
N-FET ЗОВ 10мА усилит,
BSRЗ1
Sl-P 70В 1А В>100
BFW12
N-FET ЗОВ 5мА усилит,
BSR50
N-DARL 60В 2А О,8Вт З50МГц
-

Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
203
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
BSR60
P-DARL 45В 1А О,8Вт
BU2506DX
Sl-N+D 1500В 5А 45Вт О,4мкс
BSS12З
N-FET 100В О,17А 1З/29нс
BU2508A
Sl-N 1500В 8А 125Вт О,4мкс
BSSЗ8
Sl-N 120В О, 1А О,2Вт
BU2508AF
Sl-N 1500В 8А 45Вт О,4мкс
BSS44
Sl-P 65В 5А 5Вт
BU2508AX
Sl-N 1500В 8А 45Вт О,4мкс
BSS52
N-DARL 100В 1А О,8Вт
BU2508D
Sl-N+D 1500В 8А 125Вт О,4мкс
BSS68
Sl-P 60/40В О,8А <50/110нс
BU2508DF
Sl-N+D 1500В 8А 45Вт О,4мкс
BSS89
N-FET 240В 0,ЗА 1Вт6R
BU2508DX
Sl-N+D 1500В 8А 45Вт О,4мкс
BSS91
N-FET 200В 0,З5А 1,5Вт
BU2520AF
Sl-N 1500В 10А 45Вт О,2мкс
BSS92
P-FET 200В О,15А 1Вт
BU2520AX
Sl-N 1500В 10А 45Вт О,2мкс
BSV52
Sl-N 20В О, 1А 225мВт 400МГц
BU2520DF
Sl-N+D 1500В 10А 45Вт 0,З5мкс
BSV80
N-FET 40В 10мА 0,З5Вт
BU2520DX
Sl-N+D 1500В 10А 45Вт О,З5мкс
BSV81
N-FET ЗОВ 50мА О,2Вт
BU2525A
Sl-N 1500В 12АО,2мкс
BSW4З
Sl-N 60В О,2А 0,ЗВт В>180
BU2525AF
Sl-N 1500В 12А 45Вт О,2мкс
BSW68A
Sl-N 150В 2А 5Вт 1ЗОМГц
BU2525AX
Sl-N 1500В 12А45ВтО,2мкс
BSW85
Sl-N 75В О,5А О,5Вт 250МГц
BU2525D
Sl-N+D 1500В 12А О,2мкс
BSX20
Sl-N 40В О,5А ,З6Вт 7/18нс
BU2527AF
Sl-N 1500В 12А 45Вт О,2мкс
BSX26
Sl-N 40В О,5А 0,З6Вт
BU2527AX
Sl-N 1500В 12А 45Вт О,2мкс
BSX29
Sl-P 12В О,2А 0,З6Вт 25/З5
BU2722AF
Sl-N 1700В 10А45Вт
ВSХЗ2
Sl-N 65В 1А 0,8Вт З5/40нс
ВUЗ12
Sl-N 280/150В 6А 25Вт
BSX47
Sl-N 120В 1А 5Вт
ВUЗ25
Sl-N 200/200В ЗА 25Вт
BSX52
Sl-N 25В О,2А 0,ЗВт В>180
ВUЗ26А
Sl-N 900В 6А 75Вт
BSX59
Sl-N 45В 1А О,8Вт
BUЗ26S-RFT
Sl-N 800/400В 6А 60Вт
BSX88
Sl-N 40В О,5А 0,З6Вт
BU406
Sl-N 400В 7А 65Вт О,75мкс
BSY56
Sl-N 120В О,5А О,8Вт 100МГц
BU406D
Sl-N+D 400В 7А 65Вт О,75мкс
BTS121A
N-FET 100В 22А 95Вт
BU407
Sl-N ЗЗОВ 7А 65Вт О,75мкс
BU106
Sl-N З25В 10А 50Вт
BU407D
Sl-N+D ЗЗОВ 7А 65Вт О,75мкс
BU107
Sl-N ЗООВ 1Од 50Вт
BU409D
Sl-N+D 250В 7А 60Вт
BU109
Sl-N ЗЗОВ 10А 85Вт
BU412
Sl-N+D 280В 8А
BU110
Sl-N 150В 10А ЗОВт 15МГц
ВU41З
Sl-N ЗЗОВ 1Од 60Вт
BU124A
Sl-N 400В 10А 50Вт 6МГц
BU414B
Sl-N+D 900В 8А 60Вт
BU125
Sl-N 1ЗО/60В 5А О,8Вт 100МГц
BU415A
Sl-N 800В 12А 120Вт
BU128
Sl-N ЗОО/200В 10А 62Вт
BU415B
Sl-N+D 800В 12А 120Вт
ВU1ЗЗ
Sl-N 750/250В ЗА ЗОВт
BU426A
Sl-N 900В 6А 114Вт
BU1506DX
Sl-N+D 1500В 5А З2Вт О,5мкс
BU426E
Sl-N 800В 6А 70Вт
BU1508AX
Sl-N 1500В 8А З5Вт О,6мкс
BU426V
Sl-N 800/З75В 6А 70Вт
BU1508DX
Sl-N+D 1500В 8А З5Вт 0,6мкс
ВU4ЗЗ
Sl-N З75В 6А 70Вт
BU180A
Sl-N+D 400В 10А
BU500
Sl-N 1500В 6А 75Вт
BU180E
N-DARL 1500В 5А 12Вт
BU500D
Sl-N+D 1500ПООВ 6А 75Вт
BU189
N-DARL ЗЗОВ 8А 60Вт
BU505
Sl-N 1500В 2,5А 75Вт О,9мкс
BU208A
Sl-N 1500В 8А 150Вт
BU505D
Sl-N+D 1500В 2,5А 75Вт
BU208B
Sl-N 700В 5А 80Вт ?МГц
BU505DF
Sl-N+D 1500В 2,5А 20Вт
BU208D
Sl-N+D 1500В 8А 150Вт
BU506
Sl-N 7ООВ 5А 100Вт
BU209
Sl-N 1700В 4А 12,5Вт
BU506D
Sl-N+D 700В 5А 100Вт
BU226
Sl-N 2000В 1,5А 10Вт
BU506DF
Sl-N+D 1500В 5А 20Вт
BU2506DF
Sl-N+D 1500В 5А 45Вт О,4мкс
BU508A
Sl-N 1500В 8А 125Вт О,7мкс

204
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
8U508A
Si-N 15008 8А 1258т О,7мкс
8UHЗ15D
Sl-N+D 1500/7008 5А 508т
-
-
8U508A
Sl-N 15008 8А 1258т О,7мкс
8UH515
S/-N 15008 8А 608т З,9мкс
---
8U508AF
Sl-N 15008 8А 348т О,7мкс
8UH515D
Sl-N+D 1500/7008 8А 608т
8U508AF
Sl-N 15008 8А 348т О,7мкс
8UH517
Sl-N 17008 8А 608т 3,9мкс
-
8U508AF
Si-N 15008 8А 348т О,7мкс
8UH517D
S/-N+D 1700ПОО8 8А 608т
8U508D
Sl-N+D 15008 8А 1258т О,7мкс
8UH715
S/-N 15008 1Од 608т
8U508D
Sl-N+D 15008 8А 1258т О,7мкс
8UK436/8008
N-FET 8008 4А 1258т
-
-
8U508DF
Sl-N+D 15008 8А 348т О,7мкс
8UK437/4008
N-FET 4008 14А 1808т
8U508DF
Sl-N+D 15008 8А 348т О,7мкс
8UK437/6008
N-FET 6008 9А 1808т
8U508DR
Si-N+D 15008 8А 1258т
8UK438/8008
N-FET 8008 7,6А 2208т
8U522
N-DARL 400/3758 7А 758т
8UK443/608
N-FET 608 13А 258т
8U526
Sl-N 8008 8А 868т
8UK444/8008
N-FET 8008 1,2А 308т
8U536
Sl-N 11008 8А 628т
8UK445/6008
N-FET 6008 2,2А 308т
8U546
Sl-N 13508 6А 1008т
8UK446/8008
N-FET 8008 2А 308т
8U603
Sl-N 13508 5А 1008т О,7мкс
8UK454/800A
N-FET 8008 2А 758т
8U606D
Sl-N+D 4008 7А 908т
8UK455/6008
N-FET 6008 4А 1008т
8U608
Si-N 4008 6А 908т
8UK456/2008
N-FET 2008 19А 1508т
8U608D
Sl-N+D 4008 7А 908т
8UK456/60A
N-FET 608 52А 1508т
8U626A
Sl-N 10008 10А 1008т
8UK456/800A
N-FET 8008 4А 1258т
8U705
Sl-N 15008 2,5А 758т О,7мкс
8UK555/608
N-FET 608 35А 1258т
8U706DF
Sl-N+D 15008 5А 328т О,7мкс
8UL310
S/-N 10008 5А 758т О,4мкс
8U706F
Sl-N 15008 5А 328т О,7мкс
8ULЗ10PI
S/-N 10008 5А 358т О,4мкс
8U801
Si-N+D 6008 ЗА 408т
8UL45
Sl-N 4008 5А 758т 12МГц
8U806
N-DARL+D 4008 8А 608т О,35мкс
8UL54A
Sl-N 10008 4А 658т 20МГц
8U806FI
Sl-N+D 4008 8А
8UL810
Sl-N 10008 15А 1258т
8U808DF
N-DARL+D 1500ПОО8 5А 508т
8UR51
S/-N 300/2008 60А 3508т
8U810
N-DARL+D 6008 7А 758т
8UR52
S/-N 350/2508 60А 3508т
8U824
N-DARL+D 6508 О,5А
8US14A
Sl-N 1000/4508 ЗОА 2508т
8U826
N-DARL+D 80086А1258т О,2мкс
8US23
Sl-N 3008 15А 1758т
8U826A
N-DARL+D 9008 6А 1258т О,2мкс
8US48A
S/-N 10008 15А 1758т
8U920P
N-DARL 3508 10А 1208т
8US48AP
S/-N 10008 15А 1258т
8U921P
Sl-N 400/4508 10А 1208т
8US98A
Sl-N 4508 ЗОА 2508т
8U931
Sl-N 5008 15А 1758т
8UT11A
Sl-N 10008 5А 1008т О,8мкс
8U931Т
S/-N 4508 10А 1258т
8UT11A
Sl-N 10008 5А 1008т О,8мкс
8U932
N-DARL 5008 15А 1758т
8UT11AF
Sl-N 15008 5А 208т О,8мкс
8U932P
N-DARL 5008 15А 1258т
8UT12A
S/-N 10008 8А 1258т О,8мкс
8U941P
N-DARL 5008 15А 1508т
8UT12AF
S/-N 10008 8А 238т О,8мкс
8U941ZP
N-DARL 3508 15А 1508т
8UT13
N-DARL+D 4008 28А 1758т
8UF405A
S/-N 1000/4508 7,5А 808т
8UT18A
Si-N 1000/4508 6А 1108т
8UF405AF
S/-N 10008 7,5А
8UT18AF
S/-N 10008 6А 338т О,8мкс
8UF410
SJ-N 8508 15А 1258т
8UTЗOV
S/-N 200/1258 100А 2508т
8UH1015
S/-N 15008 14А 1608т О, 11мкс
8UT34
N-DARL+D 8508 50А 2508т
8UH1015HI
Sl-N 15008 14А 708т О, 11мкс
8UT56A
S/-N 10008 8А 1008т
8UH1215
Si-N 1500819А 2008т О,11мкс
8UT57
N-DARL+D 4008 15А 1108т
8UНЗ15
Si-N 15008 5А 508т
8UТ70
S/-N 2008 40А 2008т

Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
205
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
ВUТ72
Sl-N 400В 40А 200Вт
BUX10
Sl-N 160В 25А 150Вт 1,5мкс
ВUТ76А
Sl-N 1000В 10А 100Вт О,Вмкс
BUX12
Sl-N ЗООВ 20А 150Вт
BUT90
Sl-N 200В 50А 250Вт
BUX13
Sl-N 400В 15А 150Вт >ВМГц
BUT92
Sl-N 350/250В 50А 250Вт
BUX20
Sl-N 160В 50А 350Вт 1,5мкс
BUT93
Sl-N 600В 4А 55Вт 9МГц
BUX22
Sl-N ЗООВ 40А 250Вт
BUV18
Sl-N 120В 47А 250Вт 1,5мкс
BUX23
Sl-N 400/325В ЗОА 350Вт
BUV20
Sl-N 160В 50А 250Вт 1,5мкс
BUX24
Sl-N 450/400В 20А 350Вт
BUV21
Sl-N 250/200В 40А 250Вт
ВUХЗ2В
Sl-N 1ОООВ ВА 150Вт
BUV23
Sl-N 325В 40А 250Вт
ВUХЗ7
N-DARL 400В 15А 35Вт
BUV24
Sl-N 400В ЗОА 250Вт
ВUХЗ9
Sl-N 120/90В ЗОА 120Вт ВМГц
BUV25
Sl-N 500В 20А 250Вт
BUX40
Sl-N 160В 20А 120Вт 1,2мкс
BUV26
Sl-N 1ВОВ 14А 85Вт 1,Вмкс
BUX41
Sl-N 250В 15А 120Вт
BUV26A
Sl-N 200В 20А 85Вт
BUX41N
Sl-N 220/160В 1ВА 120Вт
BUV27
Sl-N 240В 12А 65Вт 40нс
BUX42
Sl-N ЗООВ 12А 120Вт
BUV28
Sl-N 400В 10А 65Вт 40нс
BUX4BA
Sl-N 1000В 15А 175Вт О,Вмкс
BUV28A
Sl-N 450В 10А 65Вт 40нс
BUX51
Sl-N 300/200В 3,5А 10Вт
BUV46A
Sl-N 1000/450В 6А 85Вт
BUX54
Sl-N 450В 2А 10Вт >ВМГц
BUV48A
Sl-N 1ОООВ 15А 150Вт О,Вмкс
BUX55
Sl-N 450В 2А 10Вт ВМГц
BUV48AF
Sl-N 1DООВ15А65Вт
BUX66
Sl-P 200/150В 2А 35Вт >20МГц
BUV48C
Sl-N 1200ПООВ 15А 150Вт
BUX77
Sl-N 100В 5А 40Вт >2,5МГц
BUV48CF
Sl-N 1200В 15А 65Вт
вuхво
Sl-N ВООВ 10А 100Вт
BUV50
Sl-N 250В 25А 150Вт
BUX81
Sl-N 1000В 10А 100Вт
BUV56A
Sl-N 1000В 10А 70Вт
BLJX82
Sl-N ВООВ 6А 60Вт
BUV61
Sl-N ЗООВ 50А 250Вт
BUX84
Sl-N ВООВ 2А 40Вт О,4мкс
BUV70
Sl-N 1ЗОО/550В 1Од 140Вт
BUX85
Sl-N 1000В 2А 40Вт О,4мкс
BUV90
N-DARL+D 650В 10А 125Вт
BUX85F
Sl-N 1000В 2А 18Вт О,4мкс
BUV93
Sl-N 600/350В 2А 15Вт 12МГц
BUX86P
Sl-N ВООВ О,5А 20Вт О,4мкс
BUV9BA
Sl-N 1000В ЗОА 150Вт 5МГц
BUX87
Sl-N 1000В О,5А 20Вт О,4мкс
BUW11A
Sl-N 1000В 5А 100Вт О,Вмкс
BUXB7P
Sl-N 1000В О,5А 20Вт О,4мкс
BUW11AF
Sl-N 1000В 5А 32Вт О,Вмкс
вuхвв
Sl-N 1500В 12А 160Вт 7МГц
BUW12
Sl-N 850В ВА 125Вт О,Вмкс
BUX9BA
Sl-N 450В ЗОА 250Вт
BUW12A
Sl-N 1000В ВА 125Вт О,Вмкс
BUX98C
Sl-N 1200В ЗОА 250Вт 5МГц
BUW12F
Sl-N 850В ВА 34Вт О,Вмкс
BUY1BS
Sl-N ВО/40В 10А 20Вт
BUW13
Sl-N 850В 15А 175Вт О,Вмкс
BUY47
Sl-N 150/12DB 7А 10Вт 90МГц
BUW13A
Sl-N 1000В 15А 175Вт О,Вмкс
BUY49P
Sl-N 250В ЗА 10Вт
BUW23
Sl-P 450В 10А 125Вт <ЗООнс
BUY49S
Sl-N 250В ЗА 10Вт 50МГц
BUW26
Sl-N ВООВ 10А 125Вт 20МГц
BUY69A
Sl-N 1000В 10А 100Вт 1мкс
BUW42
Sl-P 400В 15А 150Вт
BUY70A
Sl-N 1000/400В 10А 75Вт
BUW48
Sl-N 120В ЗОА 150Вт 1,5мкс
BUY71
Sl-N 2200В 2А 40Вт
BUW49
Sl-N 160В ЗОА 150Вт
BUY72
Sl-N 280/2DOB 10А 60Вт
BUW50
Sl-N 250В 25А 150Вт
BUY89
Sl-N 1500В 6А ВОВт
BUW72
Sl-N 450В 10А 100Вт
BUZ10
N-FET 50В 20А ВОВт
BUWB1A
N-DARL ВООВ 10А ВОВт
BUZ100
N-FET 50В 60А 250Вт
BUW84
Sl-N ВООВ 2А 50Вт О,4мкс
BUZ11
N-FET 50В 36А
BUWB5
Sl-N 1000В 2А 50Вт О,4мкс
BUZ11A
N-FET 50В 27А 90Вт

206
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
8UZ14
N-FET 508 39А 1258т
DТА14ЗЕК
Sl-P 508 О, 1А О,28т
8UZ15
N-FET 508 45А 1258т
R=47к0м/47к0м
8UZ171
P-FET 508 ВА 408т
DTA143ES
Sl-P 508 О, 1А R=4, 7к0м/4, ?кОм
8UZ21
N-FET 1008 21А
DTA144EK
Si-P 508О,1А О,28т
R=47к0м/47к0м
8UZ215
N-FET 5008 5А 758т
DTA144ES
Sl-P 508О,1А R=47к0м/47к0м
8UZ22
N-FET 1008 34А 1258т
DTA144TS
Sl-P 508О,1А О,38т R=47к0м
8UZЗOA
N-FET 2008 7А 758т
DTC114ES
Sl-N 508 О,1А R=10к0м/10к0м
8UZ310
N-FET 10008 2,5А 758т
DTC114TS
Sl-N 508 О, 1А R=1 ОкОм
8UZЗ25
N-FET 4008 12,5А 1258т
DTC114YS
Sl-N 508О,1А R=10к0м/47к0м
8UZЗ26
N-FET 4008 10,5А 1258т
DTC124EK
Sl-N 508О,1А О,28т
8UZЗЗО
N-FET 50089,5А1258т
R=22к0м/22к0м
8UZЗЗ2
N-FET 6008 8,5А 1508т
DTC124ES
Sl-N 508О,1А R=22к0м/22к0м
8UZЗЗ2А
N-FET 6008 ВА 1508т
DТС14ЗЕК
Sl-N 508 О,1А О,28т
8UZ338
N-FET 5008 13,5А 1808т
R=4,7к0м/4,7к0м
8UZ341
N-FET 2008 ЗЗА 1708т
DTC143ES
Sl-N 508 О,1А R=4,7к0м/4,7к0м
8UZ345
N-FET 1008 41А 1508т
DTC143TS
Sl-N 508 О,1А R=4,7к0м
8UZ349
N-FET 1008 32А 1258т
DTC143XS
Sl-N 508О,1А 0,З8т
R=4, 7к0м/1 кОм
8UZЗBO
N-FET 10008 5,5А 1258т
DTC144EK
Sl-N 508О,1А О,28т
8UZ384
N-FET 5008 10,5А 1258т
R=47к0м/47к0м
8UZ50A
N-FET 10008 2,5А 758т
DTC144ES
Sl-N 508О,1А R=47к0м/47к0м
8UZ71
N-FET 508 1ВА 808т
DTC144EU
Sl-N 508 О,1А О,28т
8UZ71AF
N-FET 508 11А З58т
R=47к0м/47к0м
8UZ72A
N-FET 1008 11А
DTC144TS
Si-N 508О,1А 0,З8т R=47к0м
8UZ72AF
N-FET 1008 10А 408т
DTC144WS
Sl-N 508О,1А О,28т
R=47к0м/22к0м
8UZ73
N-FET 2008 7А 408т
ESM6045DV
N-DARL+D 4508 84А 2508т
8UZ73A
N-FET 2008 5,ВА 408т
FT5754M
DARL, матрица
8UZ90
N-FET 6008 4,5А 708т
FT5764M
DARL, матрица
8UZ900
N-FET 1608 ВА 1258т
GD243
GE-P 658 ЗА 108т
8UZ901
N-FET 2008 ВА 1258т
GT20D101
N-IG8T 2508 20А 1808т
8UZ905
P-FET 1608ВА1258т
GT20D201
P-IG8T 2508 20А 2508т
8UZ906
P-FET 2008 ВА 1258т
H6NBO
N-FET 8008 4,2А 1708т 1Е9
8UZ90A
N-FET 6008 4А 758т
HPA100R
Sl-N+D 15008 10А 1508т 0,2
8UZ90AF
N-FET 6008 4,ЗА 758т
HPA150R
Sl-N+D 15008 15А 1808т 0,2
8UZ91A
N-FET 6008 ВА 1508т
IR2403
DARL, матрица, 7х458 О,4А
8UZ93
N-FET 6008 З,6А 808т
IR2422
DARL, матрица, 7х
D44H11
Sl-N 808 10А 508т 50МГц
IRF120
N-FET 1008 9,2А 608т
D44HB
Sl-N 608 10А 508т
IRF140
N-FET 1008 2ВА 1508т
D45H11
Sl-N 808 10А 508т О,5мкс
IRF230
N-FET 2008 9А 758т
DTA114EK
Sl-P 508О,1А О,28т
IRF240
N-FET 2008 1ВА1258т
R=10к0м/10к0м
IRF250
N-FET 2008 ЗОА 1508т
DTA114ES
Sl-P 508 О, 1А R=1 ОкОм/1 О кОм
IRFЗЗO
N-FET 4008 5,5А 758т
DTA114TL
Sl-P 508 О,1А R=10к0м
IRF340
N-FET 4008 10А 1258т
DTA114YL
Sl-P 508 О,1А R=10к0м/47к0м
IRF350
N-FET 4008 1ЗА 1508т
DTA124ES
Sl-P 508 О, 1А R=22к0м/22к0м
IRF440
N-FET 5008 ВА 1258т
DTA124XS
Sl-P 508 О,1А R=22к0м/47к0м
IRF450
N-FET 5008 1ЗА 1508т

Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
207
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
IRF520
N-FET 100В 10А 70Вт
IRFPE50
N-FET 900В 7,ВА 190Вт
IRF5ЗO
N-FET 100В 16А 90Вт
IRFPF40
N-FET 900В 4,7А 150Вт
IRF540
N-FET 100В 28А 150Вт
IRFPF50
N-FET 900В 6,7А 190Вт
IRF6ЗO
N-FET 200В 9А 75Вт
IRFR9024
P-FET 60В 9,6А 50Вт О,28Вт
IRF640
N-FET 200В 18А 125Вт
IRFZ20
N-FET 50В 15А 40Вт
IRF644
N-FET 250В 14А 125Вт
IRFZ44
N-FET 60В 46А 250Вт
IRF7ЗO
N-FET 400В 5,5А 100Вт
IRFZ48
N-FET 60В 50А 250Вт
IRF740
N-FET 400В 10А 125Вт
IТТ901ЗG
Sl-N ЗОВ О,5А 100МГц
IRF740F
N-FET 400В 5,5А 40Вт
J111
N-FET 40В 50мА О,4Вт
IRF820
N-FET 500В ЗА 75Вт
JЗОО
N-FET 25В бмА 0,З5Вт
IRFBЗO
N-FET 500В 4,5А 100Вт
JЗО9
N-FET 25В ЗОмА Up<4B СВЧ
IRFBЗOF
N-FET 500В ЗА З5Вт
JЗ10
N-FET 25В 60мА Up<6,5B СВЧ
IRFB40
N-FET 500В 4,5А 40Вт
KSA708
Sl-N ВОВ О,7А О,ВВт 50МГц
IRFB40F
N-FET 500В 4,5А 40Вт
КSА7ЗЗ
Sl-P 60В О,15А О,25Вт 50МГц
IRF9140
P-FET 1ООВ 19А 125Вт
КSС2З16
Sl-N 120В О,ВА 0,9Вт 120МГц
IRF9240
P-FET 200В 11А 125Вт
КSС2З2ВА
Sl-N ЗОВ 2А 1 Вт 120МГц
IRF95ЗO
P-FET 100В 12А ВВВт
КSС2ЗЗО
Sl-N ЗООВ О, 1А 50МГц
IRF9540
P-FET 100В 19,ОА 150Вт
КSС2ЗЗ1
Sl-N ВОВ О,7А 1Вт ЗОМГц
IRF9610
P-FET 200В 1,75А 20Вт
КТА127З
Sl-P ЗОВ 2А 1Вт 120МГц
IRF9620
P-FET 200В З,5А 40Вт
КТСЗ198
Sl-N 60В О,15А О,4Вт 1ЗОМГц
IRF96ЗO
P-FET 200В 6,5А 75Вт
КТС9012
Sl-P ЗОВ О,5А О,625Вт
IRF9640
P-FET 200В 11А 125Вт
КТС901З
Sl-N ЗОВ О,5А О,625Вт
IRFBCЗO
N-FET 600В З,9А 100Вт
КТС9014
Sl-N 50В 0,15А О,625Вт
IRFBC40
N-FET 600В 6,2А 125Вт
КТС9015
Sl-P 50В 0, 15А О,625Вт
IRFBEЗO
N-FET ВООВ 4, 1А 125Вт
КТС9018
Sl-N ЗОВ 20мА 0,2Вт 500МГц
IRFD120
N-FET 100В 1,ЗА 1,ЗВт
КТD1З51
Sl-N 60В ЗА ЗОВт ЗМГц
IRFD9120
P-FET 100В 1А 1,ЗВт
М54661Р
4х транз,матрица+диод 1,5А
IRFD9220
P-FET 200В О,6А 1Е5 1Вт
MAT02FH
2xSl-N 40В 20мА О,5Вт 450МГц
IRFF120
N-FEТ 100В 6А 20Вт
MGF1З02
N-FET 6В О, 1А О,ЗВт 4ГГц
IRFP054
N-FET 60В 70А 2ЗОВт
MJ10001
N-DARL+D 500В 20А 175Вт
IRFP064
N-FET 60В 70А ЗООВт
MJ10005
N-DARL+D 500/4DOB 20А 175Вт
IRFP140
N-FET 100В З1А 180Вт
MJ1001
N-DARL ВОВ ВА 90Вт
IRFP150
N-FET 100В 40А 180Вт
MJ10012
N-DARL+D 600В 10А 175Вт
IRFP240
N-FET 200В 20А 150Вт
MJ10016
N-DARL+D 500В 50А 250Вт 1мкс
IRFP250
N-FET 200В ЗЗА 180Вт
MJ11015
P-DARL 120В ЗОА 200Вт
IRFPЗ40
N-FET 400В 11А 150Вт
MJ11016
N-DARL 120В ЗОА 200Вт
IRFPЗ50
N-F ЕТ 400В 1ВА 250Вт
МJ110З2
N-DARL 120В 50А ЗООВт
IRFPЗ60
N-FET 400В 2ВА 410Вт
МJ110ЗЗ
P-DARL 120В 50А ЗООВт
IRFP450
N-FET 500В 14А 1ВОВт
МJ1500З
Sl-N 140В 20А 250Вт ЗМГц
IRFP460
N-FET 500В 25А 410Вт
MJ15004
Sl-P 140В 20А 250Вт ЗМГц
IRFP9140
P-FET 100В 19А 150Вт
MJ15015
Sl-N 120В 15А 180Вт О,ВМГц
IRFP9240
P-FET 200В 12А 150Вт
MJ15016
Sl-P 120В 15А 180Вт О,8МГц
IRFPC40
N-FET 600В 6,ВА 150Вт
MJ15022
Sl-N З50/200В 16А 250Вт
IRFPC50
N-FET 600В 1ЗА 250Вт
МJ1502З
Sl-P З50В 16А 250Вт 4МГц
IRFPE40
N-FET ВООВ 5,4А 150Вт
MJ15024
Sl-N 250В 16А 250Вт

208
Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
MJ15025
Sl-P 400В 16А 250Вт 4МГц
MPSA42
Sl-N ЗООВ О,5А О,625Вт
MJ16018
Sl-N 1500В 10А 175Вт
MPSA44
Sl-N 5ООВ О,ЗА 625мВт 2ОМГц
MJ2501
P-DARL 80В 10А 150Вт
MPSA56
Sl-P 80В О,5А О,625Вт
MJ2955
Sl-P 100В 15А 150Вт 4МГц
MPSA70
Sl-P 4ОВ О, 1А О,З5Вт >125МГц
МJЗОО1
N-DARL 80В 10А 150Вт
MPSA92
Sl-P ЗООВ О,5А О,625Вт
МJ40З2
P-DARL 100В 10А 150Вт
MPSH10
Sl-N 25В 40мА О,З5Вт 65ОМГц
МJ40З5
N-DARL 100В 16А 150Вт
MRF2З7
Sl-N З6В О,6А 4Вт 174МГц
МJ41З
Sl-N 400В 10А 125Вт > 2,5МГц
MRF455
Sl-N З6В 15А 60Вт ЗОМГц
MJ4502
Sl-P 1ООВ ЗОА 200Вт
MRF475
Sl-N 20В 4А 4Вт 50МГц
MJ802
Sl-N 90В зад 200Вт
ОN4З59
N-DARL+D 120В 4А 40Вт >1ОМГц
МJЕ1ЗОО4
Sl-N ЗООВ 4А 75Вт
P6N60
N-FET 600В 6А 125Вт
МJЕ1ЗОО5
Sl-N ЗООВ 8А 75Вт
РН2222А
Sl-N 75В О,8А О,5Вт
МJЕ1ЗОО5
Sl-N ЗООВ 8А 75Вт
РН2З69
Sl-N 15В О,5А О,5Вт 12/18нс
МJЕ1ЗОО7
Sl-N 400В 8А 80Вт
PN2222A
Sl-N 75В О,8А О,5Вт
МJЕ1ЗОО9
Sl-N 400В 12А 100Вт
PN2907
Sl-P 40В О,6А О,4Вт
МJЕ150ЗО
Sl-N 150В 8А 50Вт ЗОМГц
PN2907A
Sl-P 6ОВ О,6А О,4Вт
МJЕ150З1
Sl-P 15ОВ 8А 50Вт ЗОМГц
РNЗ56З
Sl-N ЗОВ 50мА О,2Вт 600МГц
MJE18004
Sl-N 450В 5А 100Вт 1ЗМГц
РNЗ6З8
Sl-P 25В О,5А О,625Вт 100МГц
MJE18006
Sl-N 450В 6А 100Вт 14МГц
R1004
Sl-N 50В О,1А R=47к0м/47к0м
MJE18008
Sl-N 450В 8А 125Вт О,Змкс
RFP40N10
N-FET 100В 40А 160Вт
MJE210
Sl-P 40В 5А 15Вт >65МГц
S175
ВЧ усилит. мощности
МJЕ24З
Sl-N 100В 4А 15Вт >40МГц
S2DOOAF
Sl-N 1500В 8А 50Вт О,7мкс
МJЕ25З
Sl-P 100В 4А 15Вт >4ОМГц
S2000N
Sl-N 1500В 8А 50Вт О,7мкс
MJE270
N-DARL 100В 2А 15Вт >16МГц
S2055N
Sl-N+D 1500В 8А 50Вт О,Змкс
MJE271
P-DARL 100В 2А 15Вт В>1500
S25ЗОА
Sl-N 1ОООВ 10А 100Вт
MJE2955T
Sl-P 70В 10А 90Вт НЧ
SGSFЗ1З
Sl-N 450В 7А 70Вт О,Змкс
МJЕЗО55Т
Sl-N 70В 10А 90Вт НЧ
SGSFЗ1ЗXI
Sl-N 1ОООВ 5А 25Вт О,Змкс
МJЕЗ40
Sl-N ЗООВ О,5А 20Вт
SGSFЗ44
Sl-N 6ООВ 7А 85Вт
МJЕЗ50
Sl-P ЗООВ О,5А 20Вт
SGSF445
Sl-N 6ООВ 7А 95Вт
MJE5850
Sl-P З50/ЗООВ 8А 80Вт
SGSF464
Sl-N 600В 10А 140Вт
MJE800
N-DARL+D 60В 4А 40Вт В>750
SGSIFЗ44
Sl-N 6ООВ 7А З5Вт
MJE8502
Sl-N 700В 5А 80Вт В>750
SGSIF444
Sl-N 600В 7А 55Вт
MJF18004
Sl-N 45ОВ 5А З5Вт 1ЗМГц
SLA4061
N-DARL 120В 5А 25Вт
MJF18008
Sl-N 450В 8А 45Вт О,Змкс
SLA4З90
DARL матрица
MJF18204
Sl-N 600В 5А З5Вт 1ЗМГц
SS8050
Sl-N 4ОВ 1,5А 1Вт 100МГц
MJW16018
Sl-P 800В 10А 150Вт ЗМГц
SS8550
Sl-P 4ОВ 1,5А 1Вт 100МГц
MJW16206
Sl-N 1200В 12А 150Вт ЗМГц
SSM2210P
2xSl-N 40В 20мА О,5Вт 2ООМГц
MJW16212
Sl-N 650В 1ОА 150Вт
SSM2220P
2xSl-P З6В 20мА О,5Вт 190МГц
MPF102
N-FET 25В 2мА Up<8B
SТАЗО1А
N-матрица Зх60В 4А В>1ООО
МРSЗ640
Sl-P 12В 80мА 6З5мВт 500МГц
SТАЗ41М
Р/N-матрица ЗОВ 1А В>1ОО
MPSA06
Sl-N 80В О,5А О,625Вт
STA401A
N-матрица 4х60В 4А В>1000
MPSA10
Sl-N 40В О, 1А 0,21 Вт 50МГц
STA402A
Р-матрица 4х50В 4А В>1000
MPSA12
N-DARL 20В О,5А О,625Вт
SТА40ЗА
N-матрица 4х10ОВ 4А В>1000
MPSA14
Sl-N ЗОВ О,5А О,625Вт
SТА4З4А
Р/N-матрица 2*60В 4А 20Вт В>
MPSA18
Sl-N 45В О,2А 625мВт 100МГц
STA441C
N-матрица 4х16ОВ 1,5А В>40

Краткие справочные данные по зарубежным транзисторам
209
Тип прибора
Описание
Тип прибора
Описание
STA451C
Р/N-матрица 2х6ОВ ЗА В>40
ТIРЗЗС
Sl-N 115В 1Од ВО Вт
STA471A
N-матрица 4х60В 2А В>20ОО
ТIРЗ4С
Sl-P 100В 10А ВОВт змrц
STAB012
матрица
ТIРЗ5С
Sl-N 100В 25А 125Вт ЗМГц
STA901M
матрица
ТIРЗ6С
Sl-P 1ООВ 25А 125Вт ЗМГц
STPЗNA60
N-FET 600В 2,9А ВОВт
TIP41C
Sl-N 100В 6А 65Вт змrц
STPЗNA60F
N-FET 6ООВ 2, 1А 40Вт
TIP42C
Sl-P 140В 6А 65Вт
STP4NA60
N-FET 6ООВ 4,ЗА 100Вт
TIPSO
Sl-N 400В 1А 40Вт 2мкс
STP4NA60F
N-FET 6ООВ 2,7А 40Вт
TIP54
Sl-N 500В ЗА 100Вт >2,5МГц
STP4NABO
N-FET ВООВ 4А 11 О Вт
TIPL760
Sl-N 850/40ОВ 4А 75Вт
STP4NABOF
N-FET ВООВ 2,5А 45Вт
TIPL760A
Sl-N 100В 4А ВОВт 12МГц
SТW15NA50
N-FET 500В 14,6А 190Вт
TIPL761A
Sl-N 1ОООВ 4А 1ООВт
SUP70N06-14
N-FET 60В 70А 142Вт
TIPL762A
Sl-N ВООВ 6А 120Вт
THD200FI
Sl-N 15ООВ 1Од 60Вт
TIPL76ЗA
Sl-N 1000В ВА 120Вт ВМГц
TIP102
N-DARL 100В ВА ВОВт
TIPL790A
Sl-N 150В 10А 70Вт 10МГц
TIP107
P-DARL 100В 15А ВОВт
TIPL791A
Sl-N 450В 4А 75Вт
TIP112
N-DARL 100В 2А 50Вт
U440
2xN-FET 25В ЗОмА 0,З5Вт
TIP117
P-DARL 100В 2А 50Вт
UРА6ЗН
2xN-FET 60В ldss>20мA
TIP122
N-DARL 100В 5А 65Вт
UPAB1C
N-матрица Вх40В О,4А В>1 ООО
TIP127
P-DARL 100В 5А 65Вт
VN10KM
N-FET 60В О,З1А Up<2,5B
ТIР1З2
N-DARL 100В 6А 70Вт
VN66AFD
N-FET 60В 2А 12Вт ЗЕ Up<2B
ТIР1З7
P-DARL 100В ВА 70Вт
VNВBAFD
N-FET ВОВ 1,ЗА 20Вт Up<2,5B
TIP142
N-DARL 100В 10А 125Вт
ZТХ21З
Sl-P 45В О,2А О,ЗВт З50МГц
ТIР142Т
N-DARL 100В 10А ВОВт
ZТХЗ42
Sl-N 120В 0,1А О,ЗВт
ТIР147
P-DARL+D 1ООВ 10А 125Вт
ZTX450
Sl-N 60В 1А 1Вт150МГц
ТIР152
N-DARL+D 400/400В 7А ВОВт
ZTX550
Sl-P 60В 1А 1Вт >150МГц
TIP162
N-DARL звав 10А ЗВт
ZТХ65З
Sl-N 120В 2А 1Вт >140МГц
TIP2955
Sl-P 100В 15А 90Вт
ZТХ75З
Sl-P 120В 2А 1Вт Т092
TIP29E
Sl-N 180В 2А ЗОВт >ЗМГц
ZТХ75ЗМ1ТА Sl-P 120В 2А 1Вт
ТIРЗО55
Sl-N 100В 15А 90Вт

210
Цоколевки SMD транзисторов
Приложение 4
Цоколевки SMD полупроводниковых приборов
Цоколевки SMD транзисторов
Тип корпуса
Код
Номер вывода
цоколевки
1
2
з
4
5
6
SOT23
Т1а
8
Е
с
нет
нет
нет
SOT323/SC70/UMTЗ
в'
1.
Т1Ь
Е
с
нет
нет
нет
SC59, SC90
Т1С
D
s
G
нет
нет
нет
з
T1d
G
s
D
нет
нет
нет
Т1е
G
D
s
нет
нет
нет
T1f
s
D
G
нет
нет
нет
Т2а
8
с
Е
с
нет
нет
Т2Ь
G
D
s
D
нет
нет
Т2с
s
D
G
D
нет
нет
T2d
D
G
s
G
нет
нет
тза
8
с
Е
с
нет
нет
SOT89/SC62/MPTЗ
тзь
Е
с
8
с
нет
нет
4
ТЗс
D
G
s
G
нет
нет
~ ТЗd
s
D
G
D
нет
нет
тзе
G
D
s
D
нет
нет
'
з
ТЗf
G
s
D
s
нет
нет
ТЗg
D
s
G
s
нет
нет
Т4а
с
Е
8
Е
нет
нет
Т4Ь
с
8
Е
Е
нет
нет
Т4с
s
D
s
G
нет
нет
SOT143
T4d
s
D
G2
G1
нет
нет
SОТЗ43
Т4е
s
G
s
D
нет
нет
4
3
T4f
s
G
пс
D
нет
нет
q T4g
D
пс
G
s
нет
нет
T4h
s
G1
D
G2
нет
нет
Т41
С1
С2
Е1
Е2
нет
нет
T4j
8
s
D
G
нет
нет
T4k
С1
81,82
С2
Е1,Е2
нет
нет
Т41
81,С2
С1
Е1,Е2
82
нет
нет
Т5а
81
Е1
С1
82
Е2
С2
Т5Ь
81
Е1
С2
82
Е2
С1
SOT363/SC88/UMT6
Т5с
Е2
82
С1
Е1
81
С2
654
T5d
81
Е1
С2
82
Е2
С1
о Т5е
81
Е2
С2
82
Е1
С1
T5f
Е1
Е2
С1
81
82
С2
T5g
D
D
G
s
D
D
T5h
S2
S1
G1
D1
D2
G2
T5i
S1
D2
G1
51
D1
G2

Тип корпуса
SОТ2З
SОТЗ2З/SС70
SC-59
SОТ22З
оSOT89
=
SOT14З / SОТЗ4З
d12
SОТЗ6З
о12 з
SOD12З / SОDЗ2З / SOD52З
SOD106 / SOD11 О
о
Цоколевки SMD диодов
Цоколевки SMD диодов
Код
цоколевки
D1a
D1b
D1c
D1d
D1e
D1f
D1g
D1h
011
D1j
D1k
011
D1m
D2a
D2b
оза
D3b
D4a
D4b
D4c
D4d
D4e
D4f
D4g
D4h
Оба
D5b
D5c
D5d
D5e
D5f
D5g
D5h
051
D5j
06
1
А
пс
к
пс
А
к
К1
А1
А1
К1
к
FB
к
А
А1
А
А
К1,К2
К1,К2,АЗ
К1,А2
К1
К1,К2
А1
К1
А1
А1
А1
А2
К2
А2
А1
А1
К1
А1
К1
А
2
пс
А
ПС
к
А
к
А2
А2
К2
К2
А
к
Ref
к
к
к
к
А2,КЗ
кз
К2,АЗ
К2
АЗ
А2
А2
К2
пс
пс
пс
К2
А2
А2
К1-К4
А1-А4
К1,А2
А1,К2
к
Номер вывода
3
4
К
нет
К
нет
А
нет
А
нет
К
нет
А
нет
А1, К2
нет
К1, К2
нет
К1, А2
нет
А1, А2
нет
пс
нет
А
нет
А
нет
пс
А2
пс
А
АЗ,А4
А2
КЗ,А4
А2
А2,КЗ
К2
К2
А2
К2
А2
К1
А1
К1
АЗ
А2
К2
К2
А2
нет
к
к
к
к
А1,К4
А1
А1,К4
А1
А1
К1
А1
К1
А2
К2
А1
К1
А1
кз
АЗ
кз
кз
кз
нет
~~s=м~А1sмв1s=м~с~~~~~~~~~~~~~
в
07
к
А
нет
нет
5
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
пс
пс
пс
К1
А1
К2
К1-К4
А1-А4
АЗ,К4
АЗ,К4
нет
нет
211
6
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
нет
К1
К1
К2
А2
К2
К1
А4
К4
А4
А4
нет
нет

212
Цоколевки SMD микросхем
Цоколевки SMD микросхем
Тип корпуса
Код
Номер вывода
цоколевки
2
3
4
5
6
SОТ23-З / ТО236АВ
11а
Vs
Out
GND
нет
нет
нет
q 11Ь
Out
lnp
GND
нет
нет
нет
11с
GND
Reset
Vcc
нет
нет
нет
11d
Reset
Vcc
GND
нет
нет
нет
SOT2231 ТО261
12а
AdJ
Out
lпр
Out
нет
нет
q 12Ь
Adj
lпр
Out
lпр
нет
нет
12с
lпр
GND
Out
GND
нет
нет
12d
GND
Out
lпр
Out
нет
нет
13а
lпр1
lпр2
GND
Out
Vcc
нет
13Ь
пс
lпр
GND
Out
Vcc
нет
13с
D
СР
GND
Q
Vcc
нет
13d
1/0
1/0
GND
Е
Vcc
нет
13е
ОЕ
lпр
GND
Out
Vcc
нет
13f
lпр+
V-
lпр-
Out
V+
нет
13g
пс
ПС
к
Ref
А
нет
SOT23-5
13h
Out
v-
lпр+
lпр-
V+
нет
SOT353/SC70-5
131
Out
V+
lnp+
iпр-
V-
нет
SC59-5, SC75-5
13j
lпр
GND
Oп/Off
пс
Out
нет
13k
lпр
GND
On/Off
Bypass
Out
нет
5
4
131
SRT
GND
Vcc1
Vcc
Reset
нет
q 13m
Out
V+
Сар-
GND
Сар+
нет
13n
lпр+
GND
ПС
Сотр
Out
нет
130
пс
GND
Oп/Off
lnp
Out
нет
13р
Vreg
GND
Ext
Vcc
Select
нет
13q
пс
GND
Out
V+
GND
нет
13r
lпр
GND
Вур
Adj
Out
нет
13s
lпр
GND
SHND
Adj
Out
нет
13t
lпр
GND
SHND
Вур
Out
нет
13u
Out
V+
lпр+
GND
lпр-
нет
13u
Out
V+
lпр-
GND
lпр+
нет
SOT23-6
14а
V+
GND
Сар-
SD
Out
Сар+
о
14Ь
GND
Out
Сар-
SD
V+
Сар+
14с
V+
GND
Сар-
GND
Out
Сар+
14d
V+
GND
lпр
CLK
DO
cs
14е
Out
V-
lпр+
lпр-
V+
DIS

Содержание
213
Содержание
ПРЕДИСЛОВИЕ ................................................................................................ 3
1. РЕЗИСТОРЫ .................................................................................................. 4
1 1 Общие сведения
4
Советы по практическому применению
5
1 2 Обозначение и маркировка резисторов
6
1 2 1 Система обозначения
6
1 2 2 Маркировка резисторов отечественного производства
7
1 2 3 Маркировка резисторов зарубежного производства
8
1 3 Технические данные и маркировка бескорпусных SMD резисторов
9
1 3 1 Общие сведения
9
1 3 2 Маркировка SMD резисторов
1О
1 4 Особенности применения переменных резисторов
11
1 5 Постоянные нелинейные резисторы
13
1 5 1 Термисторы
13
1 5 2 Варисторы
13
2. КОНДЕНСАТОРЫ ........................................................................................ 15
2 1 Общие сведения
15
2 2 Обозначение и маркировка конденсаторов
15
2 2 1 Отечественная система обозначения
15
2 2 2 Маркировка конденсаторов
16
2 2 3 Кодовая цифровая маркировка
18
2 2 4 Цветовая маркировка
21
2 3 Особенности маркировки некоторых типов SMD конденсаторов
21
2 3 1 Керамические SMD конденсаторы
21
2 3 2 Оксидные SMD конденсаторы
22
2 3 3 Танталовые SMD конденсаторы
22
2 4 Подстроечные конденсаторы зарубежных фирм
23
2 4 1 Миниатюрные керамические подстроечные конденсаторы
24
2 4 2 Керамические подстроечные конденсаторы для поверхностного
монтажа с шириной корпуса 4 мм
25
2 4 3 Керамические подстроечные конденсаторы с шириной корпуса 3 мм 25
2 4 4 Керамические подстроечные конденсаторы с шириной корпуса 2 мм 26
2 5 Другие типы конденсаторов
26
2 6 Советы по практическому применению
27
3. ИНДУКТИВНОСТИ ......................................................................................28
3 1 Общие сведения
28
3 2 Маркировка катушек индуктивности
28

214
Содержание
4. КВАРЦЕВЫЕ РЕЗОНАТОРЫ, ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ
ФИЛЬТРЫ И ФИЛЬТРЫ НА ПАВ ........................................................... 30
4 1 Общее назначение и маркировка
30
5. МАРКИРОВКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ .. . .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. 33
5 1 Отечественная и зарубежные системы маркировки
полупроводниковых приборов
33
5 2 Диоды общего назначения
38
5 2 1 Типы корпусов и расположение выводов диодов
38
5 2 2 Цветовая маркировка отечественных диодов
40
5 2 3 Цветовая маркировка зарубежных диодов
43
Цветовая маркировка диодов по системе PRO-ELECTRON
43
Цветовая маркировка диодов по системе JEDEC
43
5 2 4 Цветовая маркировка отечественных стабилитронов и стабисторов
44
5 2 5 Цветовая маркировка отечественных варикапов
48
5 2 6 Буквенно-цифровая кодовая маркировка SMD диодов
зарубежного производства
48
5 2 7 Цветовая маркировка SMD диодов в корпусах SOD-80,
D0-213AA, D0-213AB
68
5 2 8 Маркировка излучающих светодиодов
68
5 2 9 Маркировка знакосинтезирующих индикаторов
71
5 2 1О Фотодиоды
73
5 3 Транзисторы
74
5 3 1 Особенности кодовой и цветовой маркировки
отечественных транзисторов
75
Стандартная кодовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26 (ТО-92) 75
Стандартная цветовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26 (ТО-92) 76
5 4 Рекомендации по замене диодов и транзисторов
76
6. МАРКИРОВКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
SMD РАДИОКОМПОНЕНТОВ .................................................................... 78
6 1 Идентификация SMD компонентов по маркировке
78
6 2 Типы корпусов SMD транзисторов
78
6 3 Как определить тип полупроводникового прибора
6 3 1 Эквиваленты и дополнительная информация
79
80
7. МИКРОСХЕМЫ .......................................................................................... 125
7 1 Маркировка отечественных микросхем
125
7 1 1 Маркировка зарубежных микросхем
127
8. ОСОБЕННОСТИ ТЕСТИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ
КОМПОНЕНТОВ ........................................................................................ 133
8 1 Тестирование конденсаторов
133
8 2 Тестирование полупроводниковых диодов
8 3 Тестирование транзисторов
8 4 Тестирование однопереходных и программируемых
однопереходных транзисторов
135
135
137

Содержание
8 5 Тестирование динисторов, тиристоров, симисторов
8 6 Определение структуры и расположения выводов транзисторов,
тип которых неизвестен
8 7 Тестирование полевых МОП-транзисторов
8 8 Тестирование светодиодов
8 9 Тестирование оптопар
8 10 Тестирование термисторов
8 11 Тестирование стабилитронов
8 12 Расположение выводов транзисторов
215
138
139
139
140
140
141
141
141
Приложение 1. Логотипы фирм-производителей ... .. .. .. ... .. . " ... .. . " .. .. . .. . .. .. . . 143
Приложение 2. Краткие справочные данные
по зарубежным диодам .... ".".""""." ...."."""."""" ..." .. "".145
Приложение 3. Краткие справочные данные
по зарубежным транзисторам"""""" .. """"""""" .. "." ."" 176
Приложение 4. Цоколевки SMD полупроводниковых приборов:
SMD транзисторы ........................................... " .. .. .. . " ... . " .. " 210
SMD диоды .......................................... " .. .. .. .. .. .. . " .. " .. . .. . .. . .. . . 211
SMD микросхемы ."." ......... """"""" .... " ....""""""" ........... 212
ООО Издательство "СОЛОН-Р"
ЛРNo066584от140599
Москва ул Тверская д 1О стр 1 ком 522
Формат 70х100/16 Объем 14 п л Тираж 10000
АООТ "ПОЛИТЕХ-4"
Москва Б Переяславская 46
Заказ No 182

ОСНОВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ, ОПУБЛИКОВАННЫЕ
В ЖУРНАЛЕ "РЕМОНТ&СЕРВИС"
Подписной индекс:
по каталогу Роспечати 79249, стр. 269
по объединенному каталогу прессы России 38472, стр. 204
Первое число после названия материала указывает на номер журнала, еторое - год
выпуска, третье - страницу начала материала
Будни сервиса
Проблемы ремонта и сервиса бытовой техники в Москве ...........................1 -98
3
Технически сложные товары бытового назначения и потребитель ....................1 -98
5
Дилерский сервис - успехи, проблемы, перспективы
..............................1-98
8
Приветствие журналу .......................................................1 -98 11
Технически сложные товары бытового назначения и потребитель ....................2 -98
2
О современном состоянии российского рынка товаров бытового назначения ...........2 -98
4
Сертификат соответствия - гарантия качества и безопасности
.. ... ... ... ... ... ... ..3 -98
2
Ассоциация Добросовестных Предпринимателей отвечает на Ваши вопросы ...........3-98
4
.........................................................................1-99
4
Авторизованный сервис. Проблемы, перспективы .................................2 -99
2
Продолжаем разговор о цивилизованном сервисе ................................2 -99
3
Ассоциация Добросовестных Предпринимателей "БББ" продолжает отвечать
на вопросы читателей журнала "Ремонт&Сервис" .................................3-99
2
Потребитель или предприниматель: кто выигрывает? ..............................4 -99
4
Ответственность потребителя? .................................................6 -99
4
Концепции сервиса: самостоятельный или дилерский сервис - что лучше? . . . . .. . . . . . .7 -99
8
Срок службы, что это? ......................................................8 -99
4
Экономика сервисного центра: как выжить на рынке услуг ..........................9 -99
4
О государственном контроле: новые идеи, старые проблемы .......................10-99
4
О теоретической и практической сложности использования термина
"технически сложный товар" в Законе о защите прав потребителей РФ ...............1 -00
4
Федеральный закон. О внесении изменений и дополнений в Закон Российской
Федерации "О защите прав потребителей" ......................................2 -00
6
.........................................................................3-00
3
Информация для потребителя ............................................... .4-00
4
Сервис на Западе и в России - это "две большие разницы"
.. ... ... ... .. ... ... ... ..5-00
7
Законы надо читать внимательно ..............................................6-00
5
Сервис в суде .............................................................7-00
7
Посредничество как способ разрешения споров и конфликтов .......................8-00
2
Телевизионная техника
Состав моделей телевизоров фирмы SAMSUNG .................................1 -98 16
Ремонт и доработка источников питания телевизоров с размером экрана
по диагонали 20 дюймов .....................................................1 -98 21
Ремонт телевизоров SONY KV-M2540 В, D, Е, К и SONY KV-M2541 А, D, Е, К, L, U ......2 -98
8
.....
. ..................................................................3-98
8
Новое поколение микросхем для телевизора фирмы TOSHIBA ......................2 -98 14
Регулировка телевизоров FUNAI 2000 МК10 в сервисном режиме ....................2 -98 19
Передача сигналов дистанционного управления в коде RC-5 фирмы PHILIPS ..........2 -98 20
Передача сигналов дистанционного управления в коде IR-60 фирмы SIEMENS .........3 -98 13
Передатчик сигналов дистанционного управления на микросхеме МЗО04LАВ1
фирмы SGS-THOMSON
.....................................................1-99
5
Телевизоры фирмы SONY ...................................................2 -99 14
Неисправности источников питания зарубежных цветных телевизоров ................3 -99
6
Повышение четкости по горизонтали в системе SECAM ............................3 -99 11
Передатчик команд ДУ на микросхеме SAA1250 фирмы IТТ ....................... .4 -99
7

Обнаружение и устранение неисправностей телевизоров SONY,
собранных на шасси ВЕ-4А
Продление срока службы кинескопа
Регулировка телевизоров SONY собранных на шасси ВЕ-4А
Особенности применения фильтров ПАВ
Сравнительный анализ телевизионных моношасси МХ-3 и МХ-5 производства фирмы
MATSUSHITA ELECTRONIC СО (PANASONIC)
Еще раз о продлении срока службы кинескопа
Вхождение в сервисный режим и регулировка зарубежных телевизоров
Процессоры микротекста для современных телевизоров
Поиск и устранение неисправностей в телевизорах PANASONIC на шасси МХ-3
Термосигнализатор
Устранение неисправностеи в телевизорах SONY, собранных на шасси ВЕ-4В,
по результатам самодиагностики
Устранение неисправностей в пультах дистанционного управления (ПДУ) телевизоров
Еще раз о телевизорах SONY, собранных на шасси ВЕ-4А Устранение
неисправностей по результатам самодиагностики
Телевизор начинается с антенны
Черно-белый переносный телевизор Юность 3 ПБ-41 ОДА" Особенности ремонта
Телевизоры AIWA1402, 2002, 2102 Особенности сервисного режима
Телевизоры SONY КV-29C3R на шасси АЕ-4 Восстановление работоспособности
после очистки памяти или замены микросхемы памяти
Устройства для качественного приема телевизионного сигнала
Характерные неисправности источников питания зарубежных телевизоров
Цветной телевизор "Юность 42 ТЦ-408Д Устройство и ремонт
Особенности ремонта телевизоров SHARP 14B-SC/14D-SC/20B-SC
Телевизоры BANGA и ТЕМП Особенности ремонта источников питания
Неисправности различных моделей телевизоров
Телевизоры PHILIPS на шасси MD 1 2Е(АА) Критические неисправности,
ремонт и сервисные регулировки
Еще раз о качественном приеме телевизионного сигнала
Особенности новых поколений микросхем кадр в кадре
Обмен опытом
Доработка источников питания телевизоров PHILIPS (RECOR SHERION) моделей
4020/4021
Ремонт источников питания телевизоров FUNAI
Защита от перенапряжения бытовых приборов с импульсными источниками питания
Неисправности видеопроцессоров зарубежных цветных телевизоров
О неисправностях телевизоров связанных с дежурным режимом работы
Об одной неисправности телевизора PHILIPS 29РТ5302/58
Телевизоры FUNAI ТV-2000А МКВ МЮ и SONY KV-M14000K Некоторые
неисправности в цепях питания
Видеодвойки SONY KV-14V5 КV-14V6 Функция самодиагностики и сброс ошибок
Некоторые неисправности телевизоров RECOR-4021, выявленные в практике ремонта
Об одном недостатке телевизоров PANASONIC
Причина - копеечный конденсатор, последствия
-
более серьезные
Видеотехника
Ремонт программного переключателя видеомагнитофонов
Состав моделеи видеомагнитофонов фирмы SHARP
DVD - новое поколение носителей информации
Особенности схемотехники усилителей блоков видеоголовок
Ремонт видеомагнитофонов
Ремонт источников питания видеомагнитофонов
Типовые неисправности блока питания видеокамеры PANASONIC NV-R11 Е
5-99
4
6-99
8
5-99 13
7-99 10
7-99 12
8-99
7
8-99
8
9-99
6
10-99 12
10-99
7
11-99
6
12-99
4
11-99 13
1-00
7
1-00
8
2-00
8
2-00 10
3-00
6
3-00 11
4-00
9
4-00 11
4-00 14
5-00
9
6-00 10
5-00 12
5-00 13
6-00
7
7-00 10
7-00 20
8-00
5
1-99
9
4-99 10
6-99 14
7-99 15
9-99 11
10-99 18
1-00 10
1-00 11
2-00 14
2-00 16
6-00 15
1-98 24
2-98 24
2-98 26
3-98 17
1-99 10
2-99
9
3-99 16
2-99 12

Особенности схемотехники привода трансфокатора диафрагмы
и фокусировки видеокамер
Структурная схема видеокамеры NV-R33E/B/A ( NV-R330EN ) фирмы PANASONIC
Ремонт лентопротяжных механизмов видеомагнитофонов
Схема управления и электропривода видеокамеры PANASONIC NV-R330EN
Ремонт электронной части видеомагнитофонов
Регулировка видеомагнитофонов
Типичные неисправности видеоплейера FUNAI VIP-5000LR и их устранение
Особенности диагностики и ремонта видеомагнитофонов SANYO VHR-670/680
Некоторые характерные неисправности видеоплейера ORION-N3000E -V
Видеоплейер SHIWAKI SVP-710 Некоторые неисправности
Видеокамера PANASONIC NV-R11E Типичные неисправности аудиотракта
Видеоплейер GRUNOIG GVP500R Возможные неисправности Юстировка ЛПМ
Видеокамера PANASONIC NV-R330EN Электрические регулировки
Источник питания - зарядное устройство VW-AS4E\B\A Принцип работы Возможные
неисправности
Диагностика видеомагнитофона PANASONIC NV-80750 с помощью кодов ошибок
и сервисных режимов
Обмен опытом
FUNAI - воспроизводит но не перематывает
Видеомагнитофон АКАI VS-23EK отсутствует цвет в режимах записи и воспроизведения
изображения
Защита видеомагнитофонов и телевизоров от коммутационных токов
Неисправности видеомагнитофонов 'Электроника ВМ-12
Основные неисправности электромеханических узлов видеомагнитофонов
и видеоплейеров фирмы PANASONIC (шасси механической части серии К)
Ремонт механизма загрузки/выгрузки кассеты в видеомагнитофоне SHARP VC-MA443
Восстановление схемы управления шаговым двигателем видеокамер
Аудиотехника
Улучшение звука проигрывателей грампластинок
Несколько практических советов по улучшению звучания акустических систем
Чем богат рынок импортных радиоприемников?
Типовые неисправности источников питания лазерного звукового проигрывателя
компакт-дисков СОР-101 фирмы SONY
Усилитель и качество звучания H1-F1 аудиокомплекса
Если вы собираетесь приобрести импортную автомагнитолу
Домашний театр Часть 1 Общие сведения из теории и практики систем
домашнего театра
Часть 2 ОVО-домашний театр - технология XXI века
Часть 3 Средства отображения кинескопные и проекционные телевизоры,
3-99
4-99
5-99
6-99
6-99
7-99
9-99
10-99
11-99
12-99
1-00
2-00
4-00
5-00
6-00
8-00
3-98
1-99
4-99
5-99
7-99
9-99
6-00
2-98
3-98
1-99
2-99
2-99
3-99
3-99
4-99
14
12
15
17
20
16
12
20
15
12
12
17
16
14
17
9
22
12
14
19
19
14
19
28
23
13
21
24
21
18
16
телевизионные проекторы, плазменные панели
5-99 20
Часть 4 Многоканальный объемный звук - правдивая ложь"
6-99 25
Часть 5 Рекомендации по выбору акустических систем
8-99 13
Часть 6 В устройстве домашнего театра мелочей не бывает
10-99 24
Бытовая радиоаппаратура Неисправности и способы их обнаружения Советы
начинающему ремонтнику
4-99 19
Если Вы приобрели импортную автомагнитолу
4-99 21
Если вы собрались купить аудиоплейер
6-99 27
Ваш кассетный плейер звучит громче и чище
7-99 20
Как улучшить звук переносной СО-магнитолы
9-99 15
Устройство и ремонт автомагнитол PIONEER КЕ-1700/2700/2730
11-99 18
12-99 17
Магнитола PANASONIC RX-FS430 Устройство, настройка и ремонт
1-00 17
Музыкальныи центр SHARP SYSTEM C0-555H(GY) Устройство и ремонт основных узлов 2-00 20
Трехпрограммныи приемник Электроника-203 Устройство и ремонт
2-00 26
Музыкальныи центр SHARP SYSTEM C0-555H(GY) Устройство и ремонт блока
СО-проигрывателя
3-00 13
Аятом гнитола PANASONIC CQ-050LEEP Некоторые рекомендации по ремонту
4-00 20

Об одной неисправности музыкального центра AIWA NSX-V400
......... " ...........4-00 25
Двухкассетная дека TECHNICS RS-TR575 . Обслуживание и ремонт
......•.•..•.•..••.5-00 16
Автомагнитола SONY XR-1850/1853. Устройство, настройка и ремонт
.......... .......6-00 20
Переносной аудиоцентр SANYO MCD-S730F. . . .
. ...............................7-00 22
Переносная магнитола SHARP WQ-283 . Характерные неисправности и особенности
ремонта ..................................................................8 -00 11
Обмен опытом
Об одной неисправности автомагнитол с цифровой настройкой ........•. . . .•. . . .. . . .3-00 20
Телефония
Диагностика и настройка радиотелефонов диапазона 46" .49 МГц ...... , . . . . .. . . . . . . .1 -98 26
Радиотелефоны: наиболее распространенные дефекты и практические советы
по их устранению ..........................................................2 -98 32
Концепция построения телефонного аппарата с автоматическим секретарем
на микросхемах фирмы SANYO ...............................................2 -98 35
Способы устранения неисправностей АОН на базе микропроцессора Z80 .............2 -98 38
Радиотелефоны с многоканальным доступом ....................................3 -98 26
Радиотелефоны VOYAGER CL-1000XP , VOYAGER CL -1000UP
... ... .... ... .... ... ...2 -99 26
Ремонт автоматического определителя номера, построенного на основе
микропроцессора Z80 .......................................................3-99 25
Ремонт радиотелефонов SANYO CLТ-85КМ .....................................4 -99 24
Ремонт автоматического определителя номера на основе однокристальной
микро-ЭВМ 80С31 ..........................................................5 -99 23
Устройство, программирование и тестирование радиотелефонов SENAO SN-258
.... ...6-99 31
Устройство, регулировка и ремонт радиотелефона PANASONIC КХ-Т9500 .............7-99 24
.........................................................................8-99 17
О замене источников питания бесшнуровых телефонов ............................8 -99 22
Радиотелефон SANYO CLT-536 (RU) ...........................................9-99 18
Типовые электронные неисправности телефонной трубки радиотелефона
PANASONIC КХ-Т3730R .....................................................9-99 28
Увеличение радиуса действия радиотелефонов .................... , . . .. . . . .. . . . 1 0-99 27
Радиотелефон HARVEST НТ-3 и его недокументированные возможности .............11 -99 25
Устройство и ремонт АОН-приставки к телефону на однокристальной микро-ЭВМ 80С31 .1-00 23
Периферийные интерфейсные РIС-контроллеры фирмы MICROCHIP и их применение ..2 -00 28
Повышение эксплуатационной надежности одноканальных бесшнуровых телефонов ....2 -00 32
Монтаж, подключение и обслуживание мини-АТС PANASONIC КХ-Т206 ...............3-00 22
Радиотелефон SENAO SN-868R . Передающее устройство базы
... .... ... .... .... .. .4 -00 26
Учрежденческаая автоматическая телефонная станция ERICSSON MD-11 О ... , •• .• ... .5 -00 19
Радиотелефоны PANASONIC КХ-ТС 1000B/1040B/1005RUC. Особенности
и характерные неисправности ....................................•.. .. " ' . •. . .6-00 26
Программирование учрежденческой автоматической телефонной
станции ERICSSON MD-110
.............................•••..• , , ", .... , .....6-00 29
Ваш сотовый телефон отказал. Что делать? .....................................7-00 27
Телефонный аппарат GENERAL ELECTRIC FS-9169. Устройство и ремонт
.............8-00 15
Обмен опытом
Характерные неисправности модемов ...........•....••.......•.••.. " .••.......7-00 28
Оргтехника
Ремонт пишущих машинок фирм OLIVEПI, OPTIMA, SMITH CORONA ..... ........ ...1 -99 30
Поиск и устранение неисправностей источников питания факсимильных аппаратов . . . . 1 -98 32
Копировальные аппараты CANON FC-2 . Устройство, ремонт, техническое обслуживание
.2-98 39
.........................................................................3-98 30
Устройство и ремонт источников питания персональных компьютеров ................1 -99 16
Ремонт пишущих машинок зарубежных фирм ..................................1 -99 22
Профилактическое обслуживание факсимильного аппарата PANAFAX UF-150
..........1-99 24
Профилактическое обслуживание копировального аппарата CANON NP-1215
..........2-99 32
Методика поиска неисправностей в тракте передачи факсимильного аппарата
PANAFAX UF-150
.... ..... ..... ...... ..... ..... ..... ...... ..... ..... ..... .2 -99 34
Обслуживание лазерных принтеров фирмы HEWLETT-PACКARD ................... .4 -99 35

Видеомонитор SAMSUNG SyпcMasteг 3 Ne (СОВ 4147, СОВ 4157, СОВ 4153-L).
Принцип работы, регулировка, ремонт ......................................... .4 -99 38
Копировальный аппарат "FT 3415 " фирмы RICOH. Схема привода механических
узлов. Временная диаграмма работы .......................................... .4-99 45
Диагностика неисправностей лазерных принтеров серии LaseгJet 11, 111 и IV ............5-99 31
Служебные коды копировального аппарата "FT2012/2212" фирмы RICOH ..............5 -99 32
Что делать? Некоторые рекомендации для пользователей по реанимации компьютера ...5-99 36
Диагностические коды ошибок копировальных аппаратов PANASONIC FP-1780/2680 .....6-99 38
.........................................................................7-99 35
Заправка тонером и восстановление картриджей НР С3906 А, используемых
в лазерных принтерах фирмы HEWLETT PACКARD LaseгJet 5L, 6L .. ... ... ... .... ... .7-99 36
О временной диаграмме работы копировального аппарата PANASONIC FP-1780/FP-2680
.8 -99 24
Тестовые режимы работы факсимильного аппарата PANAFAX UF-150
.... ..... ..... ..8 -99 26
Аппаратные неисправности лазерных принтеров серии LaseгJet 11, 111 и IV
фирмы HEWLEП-PACКARD .................................................8 -99 32
Коды ошибок копировального аппарата KONICA U-BIX 3042/4012 ....................9 -99 29
Световая индикация типовых неисправностей принтеров ...........................9-99 31
Особенности механических регулировок пишущих машинок зарубежного производства ...9-99 32
Источники бесперебойного питания фирмы АРС .................................10 -99 30
Коды ошибок и устранение неисправностей копировального аппарата MINOLTA Di30 ....11 -99 32
........................................................................12-99 30
О типовых неисправностях источника питания и высоковольтного блока принтера
PANASONIC КХ-Р4400 .....................................................12 -99 27
О разрешающей способности лазерного принтера ...............................12-99 31
Факсимильный аппарат PANAFAX UF-150. Типовые неисправности источников питания
..1-00 27
Заправка тонером, восстановление и ремонт картриджей НР С3930А, используемых в
лазерных принтерах LaseгJet 5Р/5МР, 6Р/6МР фирмы HEWLETT PACКARD ............1 -00 29
Восстановление и заправка картриджей НР51625А, НР51626А, НР51633М для
струйных принтеров фирмы НЕWLЕТТ PACКARD .................................1 -00 29
Факсимильный аппарат PANASONIC КХ-F130. Профилактические работы,
программирование и коды проверки работоспособности ...........................2 -00 34
Копировальный аппарат KONICA U-BIX 3042/4012. Техническое обслуживание
.........2-00 37
Неисправности видеомониторов, вызываемые отказами микросхем ..................3-00 28
Регулировки копировального аппарата KONICA U-BIX 3042/4012 .....................3-00 29
Неисправности схем защиты источников питания персональных компьютеров ......... .4 -00 29
Лазерный принтер BROTHER HL-630. Характерные неисправности источника питания
...4-00 31
Копировальный аппарат CANON NP1215. Устранение неисправностей механизма
подачи бумаги ............................................................ .4 -00 32
Неисправности преобразователя источника питания персонального компьютера ........5-00 21
Копировальный аппарат CANON NP1215. Регулировка автоматической экспозиции
...... 5 -00 22
Факсимильный аппарат PANASONIC KX-F130 . Критические неисправности
и их устранение ................................... , .. .. .. ... .. .. .. ... .. .. ..5 -00 23
Копировальный аппарат RICOH FT2012/1212. Электрические регулировки
в сервисном режиме ........................................................6-00 32
Факсимильный аппарат Multipass 800 фирмы CANON. Возможные неисправности
источника питания ..........................................................6-00 33
Коды состояния копировальных аппаратов RX-5017/5316/5317 фирмы RANK XEROX ....6-00 34
Струйный принтер Stylus 820 фирмы EPSON. Характерные аппаратные неисправности
..6-00 35
Неисправности цепей запуска источников питания компьютеров .....................7-00 29
Факсимильный аппарат CANON Faxphoпe В70. Таблица кодов ошибок ................7-00 30
Характерные неисправности источника бесперебойного питания AF-400T-50
...........7-00 35
Лазерный принтер НР LJll. Локализация гнеисправностей
..........................8-00 18
Доработка источника питания факсимильного аппарата PANASONIC КХ-FР101 .........8 -00 20
Шредер - помощник в современном делопроизводстве
...........................8-00 22
Обмен опытом
Еще раз о ремонте факсимильного аппарата PANASONIC KX-F130
.. ... ... ... .... ... .2-99 36
Характерные неисправности принтеров STAR LC15 (NX-1500) .......................6 -99 40
Заправка картриджей струйных принтеров EPSON Stylus Соlог ......................9-99 34
О неисправности "белая страница" копировального аппарата CANON NP-1215
........10-99 25
Неисправности видеомониторов, вызываемые дефектами конденсаторов ............11 -99 34

Ремонт видеомониторов, связанный с отказами полупроводниковых диодов ...• ... .. ..1 -00 36
Некоторые неисправности приводов CD-ROM и способы их устранения ..............5 -00 26
О некоторых неисправностях копировального аппарата SHARP SF 2114 ...............7-00 37
Об одной неисправности лазерного принтера SIEMENS/NIXDORT HIGH PRINT 4820 .....8 -00 24
Диагностика копировального аппарата RICOH FT2012/2212 .........................8 -00 26
Бытовая техника
Покупка, доставка и подключение крупной бытовой техники .........................1 -98 36
Устройство и характерные неисправности холодильников ВЕКО NRF 5050Х ...........1 -98 40
Бытовые стиральные машины: нормы отклонения фактических характеристик
от номинальных ............................................................2 -98 44
Эволюция и основные принципы стирки: как работает стиральная машина
и от чего зависит ее работа ..................................................2 -98 46
Сервисное обслуживание плит фирмы ВЕКО ....................................2 -98 47
...................................................................•.•...1·99 34
Устройство и ремонт фотоаппаратов SAMSUNG F-111
.............................3-98 35
Нетрадиционные стиральные машины ..........................................3-98 39
Ремонт автоматических стиральных машин ARISTON AS 1047 СТХ
.
и INDESIT WDS 1040 ТХ .....................................................3 -98 41
Бытовые электроплиты: некоторые характерные проблемы подключения и технического
обслуживания .............................................................1 -99 27
Устройство и ремонт фотоаппаратов SAMSUNG FF-222
............................1-99 29
Стиральная машина ARISTON Dialogic. Функциональные характеристики и ремонт.
Часть 1 ..................................................................2 -99 38
Часть 2 ..................................................................3-99 51
Часть 3 ................................................................. .4-99 32
Часть 4 .......................................................... : .. ... ..5-99 43
Бытовые холодильники. Нормы отклонения фактических характеристик от номинальных .3-99 54
Стиральная машина EURONOVA ЕUЗ51. Устройство и характерные неисправности .....5 -99 40
Современная швейная машина: Ваш правильный выбор - залог успеха!
.............6-99 42
Сервисное обслуживание плит фирмы ВЕКО ....................................2 -98 47
Установка бытовых приборов. Интервью с директором ООО "БСХ Бытовая техника"
Клаусом-Гюнтером Цобелем ....................................................7 -99 38
Бытовые электропылесосы. Устройство и ремонт .................................7-99 39
.........................................................................8-99 38
.........................................................................9-99 35
Установка и подключение сложной бытовой техники ...............................8 -99 41
.........................................................................9-99 37
........................................................................12-99 37
Концепция построения современной бытовой техники фирмы TOSHIBA ...............8-99 45
Беспомеховый регулятор мощности для электроплиты .............................9 -99 39
Техническое обслуживание посудомоечных машин ARISTON серии 2000 .............10-99 38
Система соединения трубок холодильного оборудования LOKRING ............ , . ... 1 0-99 41
Программа самодиагностики бытовой швейной машины Cгeative 7570 фирмы PFAFF ...10-99 43
Устройство, диагностика и ремонт холодильников "No frost" торговых марок
ARISTON и GOLD STAR ....................................................11-99 36
........................................................................12-99 32
Электрические утюги .......................................................11 -99 41
........................................................................12-99 34
Регулятор-стабилизатор оборотов электродвигателя ..............................1 -00 38
Системы принудительной циркуляции воздуха в холодильном аппарате ...............1 -00 42
Защита бытовой техники от бросков напряжения в сети ............................2 -00 39
Машинки для стрижки волос ..................................................2 -00 42
Энергопотребление современных электробытовых приборов ........................2 -00 46
Диагностика кондиционеров PANASONIC .......................................3 -00 35
Стиральные машины фирмы GENERAL ELECTRIC. Особенности подключения,
эксплуатации и ремонта .....................................................3 -00 37
Защита бытовой техники от бросков напряжения в сети ............................3-00 39
Электробритвы с вибрационным приводом . . . . .................................3 -00 42
Капельные кофеварки. Устройство и ремонт .................................... .4 -00 35

Электробритвы с вращательным движением ножей .............................. .4-00 40
Устройство и ремонт стиральных машин фирмы GENERAL ELECTRIC ...............5-00 27
О некоторых неисправностях микроволновой печи DAEWOO КОС-961С ...............5 -00 30
Стиральная машина 8iпgleпova 1000 ...........................................6-00 37
Микроволновые печи ЕМ-8101/8102/8301 фирмы 8ANYO. Устройство и ремонт
........6-00 40
Стиральные машины фирмы GENERAL ELECTRIC. Устройство и ремонт
.......... ....7-00 38
Электрокофемолки .........................................................7-00 42
Фотоаппарат POLAROID-3000AF. Устройство и устранение дефектов
.... ..... ...... ..8-00 27
Электрорадиаторы .........................................................8 -00 32
Обмен опытом
"Фумитокс" по-русски .......................................................11 -99 24
Ремонт датчика-реле температуры Т-130 холодильника "Бирюса-21/21С" ..............4 -00 44
Автоэлектроника
Автомобильный электробензонасос: устройство, принцип действия и ремонт ...........2 -98 51
Электростартер современного легкового автомобиля: особенности конструкции,
принцип действия, диагностика неисправностей, ремонт ...........................3-98 50
Автомобильная аккумуляторная батарея ........................................1 -99 39
..................................... ·....................................2-99 44
Ремонт электронных коммутаторов зажигания ....................................1 -99 43
Блок управления электромагнитным клапаном карбюратора. Основные неисправности
и ремонт .................................................................2 -99 42
Параметры и характеристики автомобильных аккумуляторных батарей ................2 -99 46
Сервисное обслуживание автомобильных аккумуляторных батарей ..................3-99 36
Современные автомобильные электрогенераторы ............................... .4-99 47
.........................................................................5-99 44
Регуляторы напряжения автомобильных генераторов ..............................6-99 44
Автомобильные свечи зажигания ..............................................7 -99 44
.........................................................................8-99 47
Повышение эффективности противоугонной системы автомобиля ....................8 -99 52
Автомобильные катушки зажигания ............................................9-99 46
Модернизация зарядных устройств автомобильных аккумуляторов ..................10-99 45
Современные автомобильные системы зажигания ...............................10-99 47
........................................................................11-99 46
Фары современных легковых автомобилей .....................................12-99 40
Ремонт системы зажигания автомобилей BMW ..................................12-99 44
Электролампы для автомобильных фар ........................................1 -00 46
Автомобильные стробоскопические приборы СТБ-1 и "Авто-Искра" ...................1 -00 48
Системы впрыска топлива для бензиновых двигателей ............................2 -00 49
Диагностирование основных систем электрооборудования автомобиля ГАЗ-3110
"Волга" с двигателем ЗМЗ-402.1 О ..............................................2 -00 55
.........................................................................3-00 48
........................................................................ .4-00 45
Системы впрыска топлива "Moпo-Motroпic" ......................................3-00 47
........................................................................ .4-00 51
Комплексная система управления двигателем ЭСАУ-ВАЗ ...........................5-00 36
Системы впрыска бензина группы "L" ...........................................6-00 45
Фотоэлектрическое устройство для определения загрязнения автомобильных фар ......6-00 49
Модификации систем впрыска группы "L"
.......................................7-00 45
Микас - комплексная система управления автомобильным двигателем
.......... .....7-00 50
Форсунки впрыска топлива для бензиновых двигателей ............................8-00 36
МИКАС - комплексная система управления автомобильным двигателем
.......... ....8 -00 41
Обмен опытом
Подготовка автомобиля к длительной зимней поездке .............................3 -98 58
Основные неисправности электрогенераторов автомобилей ВАЗ ....................5-00 42
Диагностика пуска-зарядного устройства Artoп-02 .................................6-00 51
Установка газобалонного оборудования фирмы LANDI на автомобиль
VOLK8WAGEN-PA88AT с системой впрыска "DIGIFANT "
...........................8-00 44

Радиосвязь
Устранение неисправностей в автомобильной радиостанции СВ диапазона
МАУСОМ ЕМ-27 ...........................................................3 -98 59
Улучшение характеристик трансивера FT 840 фирмы YAE8U ........................1 -99 48
Настройка основных параметров ра1-1иостанции ALINCO DJ-191
.....................1-99 50
Радиосети в глубинке России .................................................1 -99 52
Регулировка характеристик трансивера FT-1 ОООМР фирмы YEA8U ...................2 -99 18
Портативная радиостанция гражданского диапазона МАУСОМ АН-27 .................3 -99 47
Проверяем фидерный тракт ..................................................4 -99 54
Портативная радиостанция гражданского диапазона МАУСОМ 8Н-27 . . . . . . . . . . . . . . . .5 -99 51
Регулировка характеристик радиолюбительского трансивера FT-920 фирмы YAE8U .....6 -99 50
РадиомаяквСИ-БИ ................................................. ......7-99 52
Портативная радиостанция гражданского диапазона с режимом 88В DRAGON 88-201
...8-99 35
АМ, FM, 88В-автомобильная радиостанция гражданского диапазона Dгаgоп 88485 ......9 -99 54
Регулировка некоторых характеристик трансивера FT-920 фирмы YAE8U .............10 -99 50
Устанавливаем антенну на автомобиль ........................................11-99 52
Современные цифровые беспроводные радиотелефонные системы .................12-99 48
Автомобильная УКВ радиостанция DRAGON 8У-550 ..............................1 -00 51
Программируем трансивер VERTEX VX-500
.....................................2-00 58
Зарядный "универсал" для аккумуляторных блоков питания портативных радиостщщий , . ,2-00 , 60
Стационарная гарнитура для радиостанции Y08AN-2204
..........................2-00 62
Принципы конструктивного выполнения эквивалентных нагрузок. Методы определения
выходной мощности передатчиков .•.• ... , .• .. .. .. .. ... .. .. ... .. .. ... .. .. ... .. .3-00 52
........................................................................ .4-00 53
Усилители мощности Си-Би диапазона .........................................4 -00 55
Стационарная радиостанция гражданского диапазона DRAGON 88-497
..... ........ ..5 -00 44
Доработка стационарных штыревых антенн УКВ радиостанций диапазона 33-46 МГц ·....5 -00 50
Пеленгационная головка к Си-Би радиостанции ..................................6-00 52
Применение аттенюатора в антенно-фидерном тракте приемопередающей аппаратуры ..6-00 53
Регулировка основных характеристик трансивера FT-2400H фирмы YAE8U ............7 -00 53
Радиостанция гражданского диапазона ALAN 100 PLU8 ............................8 -00 46
Обмен опытом
Простое зарядное устройство для двух портативных радиостанций .....• . .. . .. .•• . .. .1 -00 54
Измерительная техника
Диагностический прибор фирмы 80NY .........................................2 -98 57
Измерительная техника фирмы FLUKE .........................................1 -99 53
Особенности современных мультиметров для ремонтных и наладочных работ .........2 -99 54
Измерительные приборы для ремонта ..........................................3 -99 44
Миниатюрные осциллографы фирмы FLUKE .................................... .4-99 56
Импортные аналоговые осциллографы на отечественном рынке .....................5 -99 54
Измерительные приборы FLUKE специального назначения .........................7 -99 54
"Виртуальные" приборы для реальных ремонтных работ ...........................8 -99 54
Портативный анализатор спектра PROTEK 3200 ..................................9 -99 58
Сервис-монитор IFR-7550
..................................................11-99 55
Измерительная техника для ремонтной диагностики и испытаний ...................12-99 51
Практическое использование специальных шкал децибел ..........................1 -00 55
Секреты универсального анализатора антенн MFJ-259 .. .. .. . .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. ..3 -00 54
Измеритель мощности передатчика ............................................5 -00 52
Осциллограф С1-65. Устройство и работа составных частей ........................7 -00 56
Осциллограф С1-65. Ремонт ...................................• .. .. .. .. .. ...8-00 53
Элементная база и измерительная техника
Семейство универсальных телевизионных процессоров TDA837x фирмы PHILIP8 .......1 -98 47
Универсальные телевизионные процессоры TDA8376/A/AH фирмы PHILIP8 ...........2 -98 55
Многофункциональный видеопроцессор ТВ1226DN фирмы T08HIBA .................1 -99 57
Выбор и эксплуатация малогабаритных аккумуляторов ............................2 -99 57
Современные методы монтажа и замены электронных компонентов ..................3-99 57
Многофункциональный видеопроцессор фирмы 8G8-TOM80N 8TV2112B
.............3-99 59

Высоковольтные транзисторы фирмы PHILIPS .................................. .4-99 58
Микросхемы для источников питания по технологии GREENCHIP ....................5 -99 56
.........................................................................6-99 53
Резисторы в бытовой аппаратуре ..............................................6-99 57
.........................................................................7-99 57
.........................................................................9-99 60
........................................................................10-99 55
Новый широкополосный малошумящий монолитный усилитель INA50311 фирмы
НЕWLЕТТ PACКARD ........................................................7-99 56
Паяльно-ремонтный инструмент для любого бюджета .............................8 -99 56
Технические данные и маркировка бескорпусных SМD-резисторов ...................8-99 60
Выбор материалов при проведении паяльных работ ...............................9-99 61
Счетчики Гейгера для бытовых дозиметров .....................................10-99 52
Особенности ремонта узлов радиоэлектронной аппаратуры на МДП-транзисторах ......11 -99 57
Микросхемы фирмы MITSUBISHI в декодере цветности ..........................12-99 54
Микропроцессоры и БИС накануне 111-тысячелетия ................................1 -00 57
Транзисторы для усилителей мощности радиопередающих устройств .................3 -00 56
Тестирование радиоэлементов ................................................3 -00 59
........................................................................ .4-00 58
Интеллектуальные десятистраничные декодеры телетекста SAA 5261/5262/5263 ........4 -00 60
Новые типы тиристоров . . . . . ...............................................4 -00 63
Телевизионный микроконтроллер и декодер телетекста SAA 5Х9Х ...................5-00 55
Интегральные микросхемы ПЗУ с электрическим перепрограммированием ............5 -00 57
Оксидные конденсаторы в электронной аппаратуре ...............................6 -00 58
Ремонт и восстановление аккумуляторных батарей, используемых в современных
портативных аппаратах ................................................ , . . . . .6-00 56
Микросхемы выходных каскадов кадровой развертки ..............................7 -00 61
.........................................................................8-00 56
Высоковольтные оптоэлектронные реле фирмы COSMO ELECTRONICS ..............8 -00 60
Справочный раздел
Сеть авторизованных сервисных центров фирмы MERLONI ELETTRODOMESTICI S.P .A .
..1-98 54
.........................................................................2-98 61
Распределение вещательных и кабельных каналов и частот в ряде стран мира ........1 -98 58
Стиральные машины. Словарь используемых терминов ...........................2 -98 58
Конфигурация шлицов и головок, используемых в импортном оборудовании ...........1 -99 63
Краткий англо-русский словарь терминов и обозначений по карманным и переносным
радиоприемникам ..........................................................1 -99 63
Аббревиатуры по бытовой аудио- и видеотехнике .................................2 -99 60
.........................................................................4-99 61
.........................................................................5-99 62
.........................................................................7-99 62
.................................................................... ·'· ..10-99 61
Маркировка импортных дискретных полупроводниковых приборов ...................2 -99 62
Краткий англо-русский словарь терминов, условных сокращений и обозначений
по зарубежным автомагнитолам ...............................................3-99 62
Краткий англо-русский словарь терминов, условных сокращений и обозначений
по зарубежным аудиоплейерам ...............................................6-99 62
Термины и аббревиатуры по телефонии ........................................8 -99 62
Пиктограммы по фототехнике ................................................10-99 61
........................................................................11-99 61
Таблицы совместимости и ресурсы съемных изделий лазерных принтеров, струйных
принтеров и факсов .......................................................10-99 63
........................................................................11-99 61
Таблица 5. Совместимость картриджей, модулей памяти и шрифтов фирмы
НЕWLЕТТ PACКARD (DJ - DESK JЕТ; DW - DESK WRITER) .......................1 -00 61
Термины и аббревиатуры по технике связи, телефонии и телекоммуникациям ..........1 -00 62
.........................................................................3-00 62
.........................................................................5-00 5:;
.........................................................................6-00 5:;

~·~--
Золотой
Белы и
Приме р
обоз наче ния
2к0м ±1 %
10к0м ± 2%
100 %ofC
2 к0м ±5%
100 0м ±10%
Рези стор ы. Цветовая марки ровка
Допуск
О,ОШ
±5%
0,1 Q
:!:1 0%
9
9
9
~.~ ~
ткс.
%ol"C
~~
~~/
/
~)

Резисторы nроволочные .
Цветовая маркировка
Цв<;~..
Золотой
Серебряны й
Желты й
Белый
Пример
обозначения
100Ом+20%
2.20м + 10%
51 Ом+20%
Тврмоустоичив
,_.
Множипmь Допус к
L5%
О.Ш ±1Оо/.
4
4
10k!1
4%
9
9
~{
~v
~~(голубаяполоса)
~
~8
~
.
:!Jr;-
,,-Ш
~~
ou
~:в
"'ж
~1о"'
LO
ом
ж.
g,u
"'.
ша.
D.rn
~ .!..
~ ·ъо.
о,
~1~8.• о
~ 1rna.
жо
:З:t;
!!~
~ш
ша.
g.~
i:::,

Конденсатор ы электролитические
Зол отой
Се ребряный
Белы й
Пример
обозначения
4,7 мкФ
±10%, 6,З В
· 20 В и ЗОВ-старое
обозначение
·2s ви 32 8-1-ювое
обозначе ние
1,2 мкФ
±10%, 16 в
Но"lинаn
Mtt OJll ИTeль
Доnуск
8,2
6,8
5,6
100nF ± 10%
1,6
2,5
63

'4
Конденсаторы электролитические
Цвет
---·-
Золотой
Серебряный
Белый
Пример
обоз начен ия
1мкФ,16В
1мкФ, 16 В
82
68
22
10nF
Напряжение.
в
1,6
2,5
40

Конденсаторы . Электролитические танталовые
Цвет
напря*ение,
д~ск
ГQJ'IOC..(10'!•~)
8
Золотой
Серебряный
Белый
П ример
обозна ч ения
6,8 мкФ
-20.. .+80%,16в
47мкФ,10В
1,6
2,5
63
82
68
56
0.1pF ± 10%
(s

!
Конденсаторы высоковольтные
~У~~~)
Золотой
Желтый
Голубой
Белы й
Пример
обозначения
47нФ±10%
400 в
5б0nФ ± 10%
."
4
4
9
9
\.
10nF
±1 0%
-··
в
4008
1

Белый
Пример
обознач ени я
2 пФ ±2%, МЗЗ
18 пФ±5%,
мпо
22 нФ. Н90
О1мкФ
Конденсаторы . Цветовая маркировка
7,

Ко нде н саторы . Цветовая ма рк ировка ТКЕ
Ц вет полосы
ТКЕ
~ обоз начени я
Чарный
Кj>8а!ыИ
Желтый
1'
М220
27Р
27 пФ, П100
(;
100пФ, М1500
-
1on
10 нФ МЗЗО
-
4р1
4.7 пФ, М75

Дроссели. Цветовая маркировка
-Lt~.~
Золотой
Серебря ный
Белый
П ример
обозначени я
ЗЗ мкГ±10%
39 мкГ±20%
5,1 мГ±5%
1 ,5 мГ±20%
1-М
2-й
Множител ь. Долус к
О.01μН ± 5%
О,1μН t10%

Фильтры пьезокерамические
Цвет метки
Цвет корnуса
Бледно-зеленый
Бледно-голубой
желт ый
ФП1П8-62.01 (5,5)
Желтый
ФП1П8-62 .02 (6,5 )
белый +
IL.Щ~Ы(
IФП1Р8-6З.04 (6 ,5)
белыи
1 Белый
ФП1Р8-6З.03 (5 ,5)
1- ФП1Р8-63.02(6,5) 1
Нет
ФП1Р8-63.01 (5,5)
10
Примеры обозначения
•
,,.
1 ФП1Р8-63.02
,
1 ФП1ПВ-62.02

Диоды . Цветовая маркировка по
европейской системе PRO ELECTRON
Цвет
~DПОС-'ПОЧIИ)
Золотой
Серебряны й
Белый
Пример
обозначения
ВАТ85
'""
2-й
4-й
z
9
9
~//

{!_2 .1
Стабилитроны . Цветовая маркировка
по системе JIS-C -7012 (Япония)
Цвет
·-
Золотои
Серебряный
Бел ый
Пример
обозначения
108
Дво йной втор ой
элемент указы-
вает на запятую
между цифрами
7,5 в
3,9 в
1-й
2-й
9
9
~./
~.('{
~ /-f<1-

Диоды и стабилитроны. Цветовая
ма ркировка по системе JEDEC (США)
!-1~"2.,
Золотой
С"З рtебl JЯНЫЙ
Белый
Пример
обоз нач ения
1N66
1N237A
1N1420 G
,"
3-И
."
5-й
9
9
9
9
~j
~~
~!~--

Транзисторы . Цветовая маркировка
~~;.:.. тип ~~у~~,а , [~~"' t;'1"i;~~ц
Бежевый
КТ345
г
1977 ян в
(14· ,
Электрик
Е
1980 сен
Белый
КТ645
1982 окт
Желтый
КТ354
Б
ноя
г~
l(Т3107
1986 дек
Розовый
А
-
П ример
/
обозначения
-
КТ3107Л
1977г ., июль

Транзистор ы . Цветовая маркировка
Цвет
Белый
Пример
обозначения
КТ502А
Тип элемента
КТ503
• для транзисторов выnуска до 90-го года
Буква групп ы
Е
• • бу квы в ско бк ах ( И . KJ используются другим и производителями

Катушки контуров радиоприемных
устройств
Цвет
~-·
Блы
Розовый
Розовы й
Пример
обозначения
Контур тракта
ПЧ 10,7 МГц
•- цвет
материале
сердечни1<а
** - nри наличии
Диапазоt<В SW2
контур детектора
10,7 МГ4 имеет
фиолетовый 1юд
Назначение
Вход ной контур ди апазо н а MW
Входной контур диапа:юна SW1
;;
контур диапа:юна ....
1
Контур гетеродина диапазона LW
Кон ~ гете ,.......,.на ~ пазо на MW
конт ур гетероди на диапазона SW2 **
Кон тур тракта ПЧ 455 кГц
Ко нтур детектора 1 О,7 МГ......