УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ
НИЗКОЙ ЧАСТОТЬI -
ИНТЕГРАЛЬНЬIЕ
МИКРОСХЕМЬI
справочник
"

УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ
НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ -
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ
МИКРОСХЕМЫ
справочник
МОСКВА
«ПАТРИОТ»
1997

ББК 92+32.844
У-65
Усилители мощности низкой частоты - интег­
У-65 ральные микросхемы: справочник.- М.: Патриот,
1997.-
192 с.
Настоящий справочник является вторым изданием выпуска (<(Усилители мощности
низкой частоты - интегральные микросхемы». В справочнике приведены основные
электрические параметры, базовые и модифицированные схемы подключения ин­
тегральных микросхем - усилителей мощности НЧ. По сравнению с первым
изданием, значи1ельно расширена номенклатура описываемых микросхем, в част­
ности УНЧ послецнего поколения серии TDA фирм Philips и SGS-Thomsoп. Даны
более по,о,робные описания модификаций и функциональных возможностей подклю~
чения описываемых микросхем.
Для специалистов в области наладки и ремонта бытовой радиоаппаратуры {аудио,
видео, ТV), а также радиолюби1елей.
у 2302020400-007 Без объявл.
072(02)-97
ББК 92+32.844
ISBN 5-7030-0846-8
© Турута Е. Ф. (составитель), 1997
© Митрофанов А. А. (обложка), 1997
УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ
Справочник
Технический редактор И. Чиркова
ИБ No 5527
ЛР No 030172 от 02.12 .96 r.
Подписано в печать 12.05.97 Формат 60х84 '/,6 Бумага офсетная Ф. п. л. 12,0. Печать
офсетная Тираж 20 ООО зкз. Заказ 805. Изц. No i/e-272
Издательство «Патриот», 12911 О, Москва,
Олимпийский пр-т, 22
Ордена Трудового Красного Знамени Чеховский полиграфический ком­
бинат Государственного комитета Российской Федерации по печати
142300, г. Чехов Московской области
Тел. (272) 71-336. Факс (272) 62-536
scan & edit: newnick, 2006

СОДЕРЖАНИЕ
Введение
11
AN7133
27
ВА514
36
1468
15
AN7139
28
ВА515
37
3571
15
AN7142
29
ВА516
38
3572
15
AN7143
28
ВА518
38
3573
15
AN7145L
30
BA52l
36
8510
15
AN7145M
30
ВА524
39
8515
15
AN7145H
30
ВА526
38
8520
15
AN7146M
30
ВА527
38
8530
15
AN7146H
30
ВА512
36
Al034P
16
AN7147
28
ВА534
39
A2000V
17
AN7148
28
ВА535
40
A2005V
17
AN7149N
28
ВА536
40
А20ЗОН
18
AN7150
30
ВА546
38
A2030V
18
AN7151
30
ВА547
38
AN272
19
AN7154
30
ВА3304
40
AN274
20
AN7155
30
BA3304F
40
AN313
21
AN7156
31
BA3502F
41
AN315
22
AN7158N
32
ВА3503
41
АNЗ7~
20
AN7161
33
ВА3506
42
AN374P
20
AN7163
33
ВА3516
42
AN7102S
22
AN7166
32
BA5152F
43
AN7l06K
23
AN7168
28
ВА5204
44
AN7108
16
AN7169
28
BA5204F
44
AN7ll2
24
AN7170
34
ВА5206
44
AN7116
25
AN7171
34
BA5206F
44
AN7117
25
AN7176
28
BA5208AF
45
AN7118
26
AN7178
28
ВА5302А
46
AN7118S
26
ВА501
35
ВА5304
41)
AN7120
27
BASll
36
ВА5386
47
3

ВА5402
40
НА1314
55
НА1396
69
ВА5402А
40
НА1316
55
НА1397
69
ВА5404
47
НА1317V
55
НА1398
28
ВА5406
40
НА1322
56
НA12052GFP
70
ВА5408
40
НА1324
57
НА12052СМS
70
ВА5410
48
НА1325
57
НА13001
71
ВА5412
48
НА1338
58
НА1302
72
СА1131
49
НА1339.<\.
58
НА13104
72
СА3131
49
НА1339АR
58
НА13108
28
СА3132
49
НА1342А
58
НА13119
73
СХА1005Р
16
НА1342АR
58
IL277
114
СХА1034Р
16
НА1345V
59
К174УН14
74
DBL1032-D
17
НА1350
60
К174УН19
18
DBL1034-A
50
НА1366W
60
К174.УН22
74
ESM231N
51
НA1366WR
60
КЫ75УН1
28
ESM432C
52
НА1367
61
КА2201N
75
ESM432N
51
НА1368
62
КА2202
76
ESM532C
52
НА1368R
62
КА2203
76
ESM532N
51
НА1370
60
КА2204
77
ESM632C
52
НА1371
63
КА2205
77
ESM632N
51
НА1372
63
КА2206
50
ESM732C
52
НА1374
64
КА2207
76
ESM732N
51
НА1374А
64
КА2209
74
ESM1231C
53
НА1377
28
КА2210
78
ESM1432C
52
НА1377А
28
КА2211
79
ESM1532C
52
НА1384
65
КА2212
24
ESM1632C
52
НА1388
65
КА2213
80
ESM1732C
52
НА1389
65
КА2214
80
НА1306W
53
НА1389R
65
КА22061
50
НА1308
54
НА4392
66
КА22062
81
НА1309
54
НА1393
67
КА22101
82
НА1310
55
НА1394
67
КА22130
80
НА1313
55
НА1395
68
КА22131
41
4

КА22132
16
lA4180
50
lA4507
103
КА22134
82
lA4182
50
lA4510
103
КА22135
83
lA4183
50
lA4520
104
КА22136
84
lA4185
93
lA4530M
105
КА22136D
84
lA4185T
93
lA4530S
105
КD-28
85
lA4190
50
lA4533M
106
KIA.6283
81
lA4192
50
lA4535M
106
KIA.7299
79
lA4195
94
lA4537M
106
КР1064УН2
85
lA4195T
94
lA4540
106
Ll42
74
lA4260
95
lA4550
50
Ll65
18
lA4261
95
lA4555
50
L272
86
lA4270
95
lA4557
107
L272D
86
lA4275
95
lA4558
50
L272M
74
lA4280
96
lA4560M
108
L2720
86
lA4282
96
lA4575
108
L2722
74
lA4425
97
lA4575M
108
L2724
86
lA4440
98
lA4580M
109
L2726
86
lA4445
78
lA4700
110
L2750
87
lA4446
98
lАМ504
111
lA4050P
88
lA4460
99
lАМ505
112
lA4051P
88
lA4461
99
lАМ507
112
lA4108
88
lA4467
100
lАМ508
113
lA4120
89
lA4470
100
LM377N
114
lA4125
89
lA4471
100
LM378N
114
lA4125T
89
lA4475
100
LM383
74
lA4126
89
lA4476
100
LM383A
74
lA4126T
89
lA4480
101
LM820M
75
lA4140
24
lA4490
102
LM1875
18
lA4145
90
lA4491
102
LM1877
114
lA4146
90
lA4495
102
LM2002
74
lA4147
90
lA4496
102
LM2002
74
lA4160
90
lA4497
102
LM2005
17
lA4162
91
lA4498
102
LM2895
115
5

М5106Р
115
OPA502SM
15
РА26
134
М5112У
116
ОРА511АМ
15
РА73
15
M5118L
117
ОРА512ВМ
15
SIIOlOG
136
M5155L
117
OPA512SM
15
SI1020G
136
M5l60L
28
ОРА541АР
129
SП020GL
136
M51103L
118
ОРА541АМ
129
SI1020H
137
M51182L
118
ОРА541ВМ
129
SП030GL
136
M51501L
119
OPA541SM
129
SI1050G
138
M51512L
120
ОРА544
18
SI1050GL
138
M51513L
120
ОРА2541АМ
130
Slll25H
138
M51513R
120
ОРА2541ВМ
130
SI1125HD
139
M5l5l4AL
121
OPA2541SM
130
Sill30H
138
M51516L
121
ОРА2544ВМ
130
Sill35HD
139
M51518L
122
OPA2544SM
130
SI1340H
140
M51601L
28
PAOl
15
SI1261H
140
М51602Р
123
РА02
131
SN16975
76
МВ3705
123
РА02А
131
SN76003
49
МВ3712
124
РА02М
131
SN76013N
49
МВ3713
124
РА03
132
SN76023
49
МВ3714А
125
РА03А
132
STK0025
141
МВ3715А
125
РА04
133
STK0029
141
МВЗ722
125
РА04А
133
sткоозо
141
МВ3730
126
РА05
133
STK0039
141
МВ3730А
126
РА05А
133
STK0040
141
МВ3731
127
РА07
15
SТКОО40П
141
МВ3732
126
РА07А
15
STK0049
141
МВ3733
127
PAlO
15
STK0050
141
МВ3734
127
PAlOA
15
STK0050II
141
МС13500Т2
128
РА12
15
STK0059
141
MC34119D
'85
РА12А
15
STK0060
141
МС34119Р
85
PA2l
133
STK0060II
141
NJM2073
74
РА25
130
STK0070
141
ОРА502ВМ
15
РА25А
130
SТКОО70П
141
6

STK0080
141
STK084G
146
STKl050
l5l
sткооsоп
141
STK085
146
STK1050II
151
STKOll
142
STK086
145
STK1055
152
STK013
142
STK086G
146
STK1059
152
STK014
142
STKOlOO
147
STK1060
151
STKOl5
142
STK0105
141
SТК1060П
151
STK016
142
STK0292
148
STK1070
151
STK020
143
STK0352
148
STK1070II
151
STK021
144
STK0452
148
STK1080II
151
STK022
144
STK413
149
STKllOOII
151
STK024
144
STK415
149
STK2025
152
STK025
144
STK430
149
SТК2029
152
STK027
143
SТК430П
149
SТК2230
153
sткозо
145
STK430III
149
STK2240
153
STK031
144
STK433
149
STK2250
153
STK032
144
STK435
149
SТК2260
153
STK035
144
STK436
149
STK4017
154
STK036
144
STK437
149
STK4018II
155
STK050
146
STK439
149
STK4019
154
STK058
145
STK441
149
STK4020II
155
STK070
146
STK443
149
STK4021
154
STK075
145
STK457
150
SТК4022П
155
STK075G
146
STK459
150
STK4023
154
STK077
145
STK460
150
STK4024
155
STK077G
146
STK461
150
STK4024II
155
STK078
145
STK463
150
STK4024V
155
STK078G
146
STK465
150
STK4025
154
STK080
145
STK1030
151
STK4026
155
STK080G
146
STK1035
152
STK4026II
155
STK082
145
STK1039
152
STK4026V
155
STK082G
146
STK1040
151
STK4026X
155
STK083
145
STK1045
152
STK4028
155
STK084
145
STK1049
152
SТК4028П
155
7

STK4028V
155
STK4046X
155
STK4l82II
158
STK4028X
155
STK4046XI
1'55
STK419lII
158
STK4030II
155
STK4048II
155
STK4191V
158
STK4030V
155
STK4048V
155
STK419211
158
STK4030X
155
STK4048X
155
STK420lII
159
STK403211
155
STK4048XI
155
STK4201V
159
STK4032V
155
STK4065
157
STK421111
159
STK4032X
155
STK410111
158
STK42l1V
159
STK4034II
155
STK4101V
158
STK422111
159
STK4034V
155
STK4102II
158
STK4221V
159
STK4034X
155
STK4111II
158
STK423lII
159
STK40361I
155
STK4111V
158
STK423lV
159
STK4036V
155
STK41121I
158
STK4332
149
STK4036X
155
STK4121II
158
STK4352
149
STK4036XI
155
STK4121V
158
STK4362
149
STK4038II
155
STK4122II
158
STK4372
149
STK4038V
155
STK4131II
158
STK4392
149
STK4038X
155
STK413lV
158
STK4412
149
STK4038XI
155
STK4132II
158
STK4432
149
STK4040II
155
STK4141II
158
STK4773
160
STK4040V
155
STK414lV
158
STK4793
160
STK4040X
155
STK4l42II
158
STK4803
160
STK4040XI
155
STK4l511I
158
STK4813
160
STK4042II
155
STK4151V
158
STK4833
160
STK4042V
155
STK4152II
158
STK4843
160
STK4042X
155
STK4161II
158
STK4853
160
STK4042XI
155
STK416lV
158
STK4863
160
STK4044II
155
STK4l62II
158
STK4873
160
STK4044V
155
STK4171II
158
STK4893
160
STK4044X
155
STK417lV
158
STK4913
160
STK4044XI
155
STK417211
158
STK8250
161
STK4046II
155
STK418111
158
STK8250II
162
STK4046V
155
STK4181V
158
STK8260
161
8

STK8260II
162
ТА8207Р
169
TDA2006H
18
STl<8270
161
ТА8216Н
167
TDA2006V
18
STK8270II
162
ТВА790
51
TDA2007
174
STK8280
161
TBA790IA
51
TDA2008
74
STK8280II
162
TBA790LB
51
TDA2009
174
ТА7203Р
163
TBA790LC
51
TDA2009A
174
ТА7210Р
164
ТВА790КD
51
TDA2025
175
ТА7220Р
164
ТВА820
76
ТDА2030АН
18
ТА7233Р
81
ТВА820М
75
TDA2030AV
18
ТА7235Р
165
ТСА150КА
51
TDA2030H
18
ТА7237АР
166
ТСА150КВ
51
TDA2030V
18
ТА7240Р
79
TDA1042
51
TDA2040H
18
ТА7241Р
79
TDA1042B
51
TDA2040V
18
ТА7250ВР
82
TDA1103
53
TDA2050H
18
ТА7252Р
167
TDAllOЗSP
53
TDA2050V
18
ТА726ЗР
79
TDAllllSP
52
TDA2051H
18
ТА7264Р
79
ТDА1410Н
74
TDA2051V
18
ТА7268Р
164
ТDА1420Н
74
TDA2610
176
ТА7269Р
165
TDA1516BQ
179
TDA2610A
176
ТА7270Р
79
TDA1517
li@; TDA2612
176
ТА7271Р
79
TDA1518BQ
17f
TDA2822
177
ТА7273Р
167
TDA1519
l"JЗ TDA2822D
74
ТА7274Р
168
TDA1521
11~ TDA2822M
74
ТА7275Р
168
TDA1904
171
TDA2824
178
ТА7280Р
169
TDA1905
171
TDA2824S
178
ТА7281Р
169
TDA1908
172
TDA7231A
182
ТА7282АР
169
TDA1908A
172
TDA7235
182
ТА7283АР
81
TDA1910
173
U820
75
ТА7286Р
165
TDA2002
74
U2822B
74
TA729'.IP
79
TDA2003
74
U2823B
74
ТА7313АР
24
ТDА2004А
17
UL1482P
76
ТА7336Р
170
TDA2005S
17
UL1490N
51
ТА8200АН
128
ТDА2005М
17
UL1491R
51
9

UL1492R ................... 51
UL1493R ................... 51
ULN3701Z ................ 74
ULN3702Z ................ 74
ULN3703Z ................ 74
ULX2275 ................. 114
ULX2276 ................. 114
ULX2277 ................. 114
μРС1238 .................... 18
μРС1263 .................... 80
μРС2002 .................... 74
μРС2()05 .................... 17
10
ЭR.Pl436YНI ........ 85
Фирмею1ые знаки
производителей
микросхем .......... 189
Корпуса .............. 19 l

Введение
Усилители мошности низкой частоты являются неотъемлимым эле­
ментом аудиосистем любых классов сложности. К числу основных элек­
трических параметров и характеристик усилителей, характеризующих их
работу и эксплуатационные свойства, относятся: коэффициент усиления;
диапазен рабочих частот; динамическая, частотная, фазовая (частотно­
фазовая) и амплитудная характеристики; уровень линейных и нели­
нейных искажений; коэффициент полезного действия; входные пара­
метры (входные сопро'Iивление, напряжение, ток и мощность, сопротив­
ление источника сигнала); выходные данные (выходные мощность, ток,
напряжение, сопротивление нагрузки); динамический диапазон; соб­
ственный уровень шумов и предельно допустимые режимы.
Одним из основных параметров усилителей низкой частлты (УНЧ)
является коэффициент усиления (по мощности, по току или напряже­
нию в зависимости от назначения). Коэффициент усиления по напряже­
нию (Au) определяется как отношение между полезным выходным и при­
ложенным ко входу напряжением (током, мощностью). Он может быть
представлен как в прямом отношении (V/μV или V/mV), так и в децибе­
лах.
Коэффициент усиления зависит от параметров внешних элементов,
в частности от сопротивления внешней нагрузки R1 и входного сопро­
тивления Rin- Он зависит также от изменения напряжения питания Ucc,
частоты и температуры.
Рабочий диапазон частот (BW)- это интервал частот (Полоса пропус­
кания от нижней граничной частоты F1 до верхней Fh) в котором коэф­
фициент усиления остается неизменным в пределах ±3 dB относительно
коэффициента усиления измеренного на частоте 1 KHz. Например, уси­
литель звуковой частоты с хорошим качеством воспроизведения речи и
музыки имеет неизменным усиление в диапазоне от F1 16 Гц до Fh 30
KHz с допустимой неравномерностью усиления ±3 dB. В определенных
случаях, когда производитель хочет подчеркнуть расширенный диапазон
рабочих частот усцлителя при улучшеной неравномерности частотной
характеристики, приводится и сама величина неравномерности ( 1 dB,
0,5 dB и т.д.).
Вместе рабочего диапазона частот, иногда определяется диапазон час-
11

тот при единичном усилении или мощност:н:ьrй диапазон частот Ди­
апазон частот при единичном усилении- это интервал частот на грани­
цах которого коэффициент усиления усилителя становится равным
единице. Мощностный диапазон частот- это интервал частот в пределах
которого при определенном коэффициенте искажении k, выходная
мощность изменяется не более ±3 dB по отношению к выходной мощ­
ности на частоте в 1 KHz.
Динамическая :харах:теристих:а определяет зависимость выходного
напряжения от входного; в идеальном случае эта зависимость линейная.
Частотная харах:теристих:а выражает зависимость коэффициента уси­
ления от частоты, а фазовая- зависимость сдвига фазы между выходным
и входным напряжениями от частоты.
Частотно-фазовая харак1еристика связывает в одну обе эти харак­
теристики при изменении частоты от О до Fh. Эти характеристики и ам­
плитудная характеристика (зависимость выходного напряжения от вход­
ного) определяют частотные и фазовые, т.е. линейные и нелинейные
искажения по сравнению с идеальными характеристиками в пределах ди­
апазона рабочих частот. Как известно, частотные искажения (неравно­
мерность усиления) акустических сигналов вызывают изменение тембра
речи и музыки, а фазовые, вследствие физиологических свойств слуха,
обычно не сказываютс1{ при усилении акустических сигналов и поэтому
не учитываются при разработке усилителей звуковой частоты.
Нелинейные искажения в усилителях обусловлены нелинейностью
динамической характеристики; их полное отсутствие принципиально не­
возмо~о вследствие нелинейности реальных характеристик активных
элементов (обычно из-за нелинейных входной характеристики и за­
висимости коэффициентов усиления транзисторов от тока). На нели­
нейные искажения оказывает влияние схема построения и режим ра­
боты усилителя.
Количественно степень нелинейных искажений оценивается коэф­
фициентом гармоник (клирфактором) l<d, (в зарубежной литературе-ТНD­
Тоtаl Harmonic Distorsion или PHD- Procent Harmonic Distorsion), кото­
рый определяет относительную интенсивность гармоник. Допустимое
значение THD для различных усилителей различно: для измерительных­
сотые доли процента и менее; для акустических- десятые доли процента
(нелинейные искажения почти не ощущаются на слух, если THD 0,2-
0,3% для широкого диапазона частот).
12

При повышении уровня входного (Um) сигнала увеличиваются вы­
ходные мощность (Pout), ток (lout) и напряжение (Uout), но возрастает
уровень нелинейных искажений. Поэтому искажения, вносимые нели­
нейностью выходнъIХ характеристик, уменьшаются вследствие снижения
снимаемой выходной мощности по сравнению с той, которую можно
было бы получить от данного усилителя.
Искажения менее О, 1% для определенноj,i мощности на выходе
считаются небольшими и вполне допустимыми для качественного вос­
произведения звука. Требования к линейности, т. е. уменьшение нели­
нейных и частотных искажений, эффективно достигаются применением
1\{естной (в пределах одного каскада) или общей отрицательной об­
ратной связи, охватывающей весь усилитель.
Номинальное входное напря:ж:еltИе (Ui11) - напряжение, при котором
на выходе получается номинальная выходная мощность, напряжение
или ток. Следует отметить, что для получения большой выходной мощ­
ности (Pout), напряжения (Uout) или т0ка (lout) и высокого КПД, сопро­
тивление нагрузки R1 должно иметь определенное (оптимальное) зна­
чение. С ростом напряжения питания усилителя увеличиваются до оп­
ределенного предела Pout, КПД и значение оптимального сопротивле­
ния нагрузки, поэтому производители обычно приводят конкретные ре­
жимы, нри которых измерены эти величины.
Помимо линейных и нелинейных искажений, любому усилителю
низкой частоты свойственно генерация собственных внутренних шумов,
которые представляют собой непериодическое (случайно изменяемое)
переменное напряжение. Более точно, шум можно определить как сум­
му бесконечного количества частот, в том числе в звуковом диапазо­
не. Источником шумов в усилителях являются резисторы (термический
шум) и транзисторы (термический шум и дРОбный шум). Количес­
твенно уровень шумов усилителя оценивают эффективным значением
шума на его выходе (Uпо). С ростом частотного диапазона усилителя,
прямо пропорционально возрастает уровень собственнъrх шумов, по­
этому при указании значения уровня собственнъrх шумов, необходимо
указать диапазон частот в котором он измерен. Если дапазон частот не
указывается, собственные шумы измереннъr в пределах рабочего диа­
пазона частот усилителя.
Диапазон изменения выходного напря:ж:ения определяется разнос­
тью ме:жду максимальной и минимальной мгновенной величиной вы~
13

ходного напряжения. Этот параметр иазывают иногда пиковым выход­
ным напряжением и обозначают Up-p (peak-to-peak).
Динамический диапазон усилителя- это превышение (в децибелах)
номинального уровня выходного снгнала над его минимальным уров­
нем, еще различимым на фоне собственных шумов. Динамический ди­
апазон разговорной речи составляет около 15 dB, разговорного шума в
рабочем помещении около 30 dB, небольшого оркестра- 60 dB, боль­
шого оркестра- 75 dB. Верхний предел выходиого сигнала усилителя ог­
раничивается заданной нормой нелинейных искажений, нижний- уров­
нем внутренних шумов, ограничивающих чувствительность усилителя.
Обычно для акустических усилителей уровень минимального вы­
ходного напряжения должен быть на 6- 1О dB выше уровня помех, что­
бы были слышны слабые звуки.
Для мощных УНЧ в интегральном исполнении используются как
пластмассовые корпуса типа DIL, DIP, (в последнее время малогабарит­
ные корпуса типа SO для поверхностного монтажа (SMD)) или с основа­
нием из металлической пластины (SIP, TABS), а так же металлические
корпуса типа ТО-З, ТО-5, ТО-65.
К схеме усилителей низкой частоты предъявляются также требо­
вания хорошего сглаживания пульсаций напряжений, т. е. часто приво­
дится значение коэффициента подавления пульсаций.
Настоящий справочник продолжает серию выпусков издательства
"Патриот" и представляет новые или недостаточно подробно описаннь1е в
предыдущем издании микросхемы- усилители мощности НЧ, выпускае­
мые ведущими фирмами мира, а так же в странах СНГ. Читатель найдет в
справочнике базовые схемы, а в случае необходимости- варианты под­
ключения соответствующих микросхем, основные электрические пара­
метры
14

1468,3571,3572,3573,8510,8515,8520,8530,ОРА502,
ОРА511,ОРА512,РАО1,РАО7,РАО7А,РА 10,РА 10А,РА 12
РА12А,РА73
+VCC
150К
Интегральные микросхемы 1468
(Teledyne), 3571, 3572, 3573 (Burr-
Brown), 8510, 8515, 8520, 8530,
(lntersil), ОРА502, OPA5ll, ОРА512
(Burr-Brown), PAOI, РАО7, РАО7А,
RL PAIO, PAIOA, РА12, РА12А, РА73
(Арех) с идентичными схемами и
различными параметрами выполне­
ны в корпусах ТО-3 с 8 выводами. Представляют собой мощные опера-
ционные усилители и предназначены в частности для использования в
качестве усилителей мощности НЧ в звуковоспроизводящей аппаратуре
высокого класса с двухполярным питанием. Типовая схема подключения
приведена на fig. l. Некоторые из основных параметров микросхем еле-
дующие:
Uccmin Uccmax lccO
BW
R1 Pout
THD Au
1468
±lOV i45V 25П1А 20Нz-20КНz 40 120W 0,08% llOdB
3571
±lOV ±40V 2lmA 20Hz-20KHz 40 50W 0,06% 92dB
3572
±lOV ±45V 2lmA 20Нz-20КНz 4.Q 60W 0,08% SSdB
3573
±lOV ±50V 25mA 20Hz-20KHz 40 60W 0,08% 88dB
8510
±lOV ±25V 20mA 20Hz-20KHz 40 50W 0,08% 113dB
8515
±IOV ±30V 20mA 20Hz-20KHz 4Q 50W 0,08% 11ЗdВ
8520
±12V ±50V 18шА 20Hz-20KHz 40 60W 0,08% 98dB
8530
±12V
±50V 18111А 20Hz-20KHz 4Q 60W 0,08% 98dB
ОРА502
±lOV ±45V 40mA 20Hz-20KHz 4Q 60W 0,08% 103dB
ОРА511
±10\/ ±45V ЗОmА 20Hz-20KHz 40 60W 0,06% 102dB
ОРА512
±lOV ±45V 25mA 20Нz-20КНz 4Q 50W 0,06% llOdB
РАО!
±lOV ±28V 20mA 20Нz-20КНz 40 50W 0,05% 113dB
РА07
±12V ±50V 18mA 20Нz-20КНz 4Q 60W 0,06% 98dB
РА07А
±12V
±50V 181nA 20Hz-20KHz 4Q 60W 0,06% 98dB
PAlO
±lOV ±45V 15mA 20Hz-20KHz 4Q 60W 0,05% llOdB
PAlOA
±lOV ±50V 15mA 20Нz-20КНz 4Q 60W 0,05% llOdB
РА12
±lOV ±45V 25mA 20Hz-20KHz 4Q 120W 0,8% llOdB
РА12А
±IOV ±50V 25mA 20Hz-20KHz 4Q 120W 0,8% llOdB
РА73
±lOV ±30V 20mA 20Нz-20КНz 40 50W 0,8% 113dB
Микросхемы ОРА502, ОРА511 и ОРА512 выпускаются в двух_модифи-
кациях (с суффиксами ВМ и SM, например ОРА502ВМ и OPA502SM),
которые имеют идентичные параметры и отличаются температурным диа-
15

пазоном (-40°С-+85°С для ВМ и -55°С-+125°с для SM). В микросхемы
встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке, от повыше­
ния напряжения питания и термозащита (15О0С). Для получения макси­
мальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на со­
ответствующий теплоотвод (радиатор).
А 1034,AN7108,CXA1005Р,СХА 1034Р,КА22132
470R
RRL
6,8К
о
'];о.о
+
+ 220,о
32
1
10
4
9
14
s
12
+VCC
67
8
16
lS
1
+180К
+
+
+
_Еоо, о
l .,..--....
J:.7, oJ:o, о 220,~
-1
6"ВК
470R
О, 018
Fig.2
LRL
Интегральные микросхемы А1034 (NEC), AN7108 (Matsushita),
СХА1005Р и СХА1034Р (Sony), КА22132 (Samsung) с идентичными схема­
ми и параметрами выполнены в корпусах DIP с 16 выводами. Представ­
ляют собой двухканальные усилители воспроизведения, корректоры тона
и усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использова­
ния в малогабаритных кассетных магнитофонах (плэйерах) высокого
класса (fig.2) Контуры частотной коррекции обеспечивают при воспроиз­
ведении АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Микро­
схемы позволяют осуществлять электронную регулировку громкости пос­
редством переменного резистора VOLUME. Основные параметры микро­
схем (выходные параметры-для одного канала) следующие:
Uccmin
1,5 V
Uccmax
6V
Pout(4,5V/32Q) O,IW
IccO(Uш=O)
2mA
Au
68dB
BW
15Hz-20KHz
Uшmax
10 mV
THD(Pout=lOmW,
f=IKHz)
0,01%
U110
12μV
Rщom
320
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наг-
16

руJке и от повышения напряжения питания. Для получения максималь-
1юй выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе)
A200QV,A2005V,DBL1032-D,LM2005,TDA2004A,
'J'DA2005S,TDA2005M, μРС2005
+VCC
.lOR
1К
1001 о+
о.1
INR>-J
5
6
IN L >--1
1
0,1
100"0
1К
lOR
120К 101 о
10"О
1-C::J--.---c::::::J-l--+--l--,+~o.1
'3
в
7
11
10
Fi.g.Эa
·чо.1
+VCC
10R
1К
lR
100" о+
0,1
+
+~·оR RL IN R>--1
5
lR
+~2200,О
в.--........
RRL
22"О
100"0
6
+ 100"о
3·н
IN L>--1
1
о.1
· 19·0
1R
LRL
1оi--.----...-'1+19200"о
lR
L .....RL
_Е.1
RL
100,,,О
____ _.
lOR
Fig,Эb
_Е.1
Интегральные микросхемы A2000V
и A2005V (RFT), DBL1032-D (Gold
Stai·), LM2005 (Nationa1 Semiconduc-
tor), TDA2004A,TDA2005S,TDA2005M
(SGS-Thomson), μРС2005 (NEC) с
идентичными схемами и различными
параметрами выполнены в корпусах
SIPI с l l выводами. Представляют со­
бой двухканальные (стереофоничес-
кие) усилители мощности низкой час­
тоты и предназначены для использо­
вания в магнитофонах (в том числе
автомобильных), электрофонах, другой аудиоаппаратуре среднего и высо­
кого классов. Типовая схема подключения, рекомендованная производи­
телями ИС приведена на fig.Зa. Возможно так же подключение микросхем
без использования положительной обратной связи (fig.Зb), что позволяет
применить меньшее количество навесных элементов. Для получения уд­
военной выходной мощности на том же сопротивлении нагрузки, при
том же напряжении питания, микросхемы можно подключать по мосто­
вой схеме (fig.Зc). •микросхема TDA2005M разработа1П1а специально для
использования в мостовой схеме•. Некоторые из основных параметров
микросхем (выходные параметры- для одного канала; для TDA2005M- в
мостовой схеме) следующие·
17

Uccmin Uccmax lccO
BW
R1 Pout
THD Au
A2000V
4V
18V
ЗОmА 40Нz-20К.Нz 20 6,25W 0,25% 84dB
A2005V
4V
18V
75mA 40Нz-20К.Нz 20 6,SW 0,22% 85dB
DBL1032-D sv
18V
65mA 35Нz-20К.Нz 20 lOW 0,2% 90dB
LM2005
8V
18V
6SmA 35Нz-20К.Нz 2Q lOW 0,2% 90dB
TDA2004A 8V
18V
65mA 35Нz-20К.Нz 20 lOW 0,2% 90dB
TDA2005S 8V
18V
6SmA 40Нz-20К.Нz 20 lOW 0,2% 90dB
TDA2005M 8V
l8V
75mA 35Нz-20К.Нz 3,20 22W 1%
SOdB
~LPC2005 8V
!8V
6SmA 40Нz-20К.Нz 20 9,SW 0,2% 90dB
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наг-
рузке, от повышения напряжения питания и термозащита (14S°C). Для
получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо
установить на теплоотвод (радиатор).
A2030H,A2030V,K 174УН 19,L165,LM1875,ОРА544,
TDA2006H,TDA2QQ6V,TDA2030H,TDA2030V,
TDA2030AH,TDA2030AV,TDA2040H,TDA2040V,
TDA2050H,TDA2050Y,TDA2051 Н, TDA2051V,μPC 1238
100" о
+VCC
+ н Dl, D2=1N4001
D1
D,1
s
I N >--1 t----0>------11
1оок ...__зг~2~:::с~-J
F1.g .4a
1
- v : с о--<>-------iОЭ!--'
D2
F19.4b
s
+
lOOK
11~ 0__:._:_т
3~R
02
RL
Интегральные микросхемы А2030Н и A2030V (RFТ), К174УН19 (СНГ),
LM1875 (National Semiconductor),L165, TDA2006H, TDA2006V,TDA2030H,
TDA2030V, TDA2030AH, TDA2030AV, TDA2040H, TDA2040V, TDA2050H,
TDA20SOV,TDA2051H и TDA2051V(SGS-Thomson , ОРА544 (Burr-Brown),
μРС1238 (NEC) с идентичными схемами и различными параметрами вы­
полнены в корпусах ТО-220 с 5 выводами сформованными в два ряда, па­
раллельно плоскости корпуса. *У микросхем с суффиксом V выводы сог-
D1,D2,D3,D4=1N4001
н t---to-u+V С С
+------е---11с----~
100.0
s
01
D3
RL
s
о.1
INHt---t. . .. .. .. .. 1
IC1
41---<.. .....~-+-----14
1ООК ...__зг-~2~::с~~
D2
IC2
1 -~.
23
уоок
100.0
+
1оОК
11~ ~т
3~R
D4
т~001~оГ
1~
-v~ro--.0----------------~
Fig.4c
18
нуты перпен­
дикулярно
плоскости
корпуса*
Представля­
ют собой
усилители

мощности низкой частоты и предназначены для использования в магни­
тофонах, электрофонах, другой аудиоаппаратуре среднего и высокого
классов с двухполярным питанием. Типовая схема подключения, реко­
мендованная производителями ИС приведена на fig.4a. Диоды Dl и 02
защищают выходные транзисторы микросхем от бросков обратного нап­
ряжения, индуцированного холостым обратным ходом катушки громко­
говорителя. Возможно так же подключение микросхем в схеме с однопо­
лярным питанием (fig.4b). Для получения удвоенн.ой выходной мощности
на том же сопротивлении нагрузки, при том же напряжении питания, ми­
кросхемы можно подключать по мостовой схеме (fig.4c). Некоторые из
основных параметров микросхем следующие:
Uccmin Uccmax IccO
BW
R1 Pout
THD Au
А2030Н
±6V
±18V 60mA 30Нz-20К.Нz 40 16W 0,1% 84dB
A2030V
±6V
±18V 60mA 30Нz-20К.Нz 40 16W 0,25% 84dB
К174УН19 ±6V
±18V 56mA 30Нz-20К.Нz 40 15W 0,1% 84dB
Ll65
±6V
±18V 60mA 30Нz-20К.Нz 40 12W 0,1% 80dB
LM1875
±6V
±18V 60mA 30Нz-20К.Нz 40 16W 0,1% 84dB
ОРА544
±lOV ±35V 24mA 20Hz-140KHz 40 зоw 0,05% 90dB
TDA2006H ±6V
±15V 40mA 20Нz-20К.Нz 40 12W 0,2% 75dB
TDA2006V ±6V
±15V 40mA 20Нz-20К.Нz 40 12W 0,2% 75dB
TDA2030H ±6V
±18V 40mA 10Hz-20KHz 40 18W 0,2% 90dB
TDA2030V ±6V
±18V 40mA 10Нz-20К.Нz 40 18W 0,2% 90dB
ТDА2030АН ±6V
±22V 50mA 40Нz-20К.Нz 40 18W 0,2% 80dB
TDA2030AV ±6V
±22V 50mA 40Hz-20KHz 40 18W 0,2% 80dB
TDA2040H ±2,5V ±20V 45mA 40Нz-20К.Нz 40 22W 0,5% 80dB
'
TDA2040V ±2,5V ±20V 45mA 40Нz-20К.Нz 40 22W 0,5% 80dB
TDA2050H ±2,5V ±25V 55mA 40Нz-20К.Нz 40 35W 0,5% 80dB
TDA2050V ±2,5V ±25V 55mA 40Нz-20К.Нz 40 35W 0,5% 80dB
TDA2050H ±2,5V ±25V 55mA 40Нz-20К.Нz 40 40W 0,5% 80dB
TDA2050V ±2,5V ±25V 55mA 40Нz-20К.Нz 40 40W 0,5% 80dB
μРС1238 ±6V
±28V 60mA 30Нz-20К.Нz 40 16W 0,1% 84dB
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наг-
рузке и термозащита (15О0С). Для получения максимальной выходной
мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
AN272
Интегральная микросхема
AN272 фирмы Matsushita вы-
IN
6
полнена в корпусе SIP2 с 10
1.~"вы~одамииnродстамяетсо-
+
100.~
4.?R
бои усилитель мощности
Fig.5
330R
+33,О
19

низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, элек­
трофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре
среднего класса с двухполярным питанием. Типовая схема подключения,
рекомендованная производителем ИС приведена на fig.5 . Некоторые из
основных параметров микросхемы следующие:
Uc~min
±8У
Uccmax
Pouc(±lOV/8.Q)
lccO(Uш=O)
Rш
Аи
BW
THD(Poнt=0,5W,
f=lKHz)
R1nom
±17 у
sw
20 mA
180КП
80dB
40Hz-18KHz
0,13%
80
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему не­
обходимо установить на теплоотвод (радиатор).
AN274,AN374,AN374P
+VCC
10,0
н.
30К
2
IN
7
24k
9
Fig.6
220R
+VCC
10"0
н.
1
6
IN
2
4
F1.g.6a
220R
ров микросхем следующие:
Uccmi'n
Uccmax
1
s
Интегральные микросхемы
AN274, AN374 и AN374P фирмы
Matsushita выполнены в корпу­
+}?о,о
сах ТО-100 с 10 выводами
RL
(AN274 и AN374) и SIL с 7 вы-
]0.1
водами (AN374P). Представляют
собой усилители мощности
AN274
AN374
6V
6V
16у
16у
20

PautOOV/80)
1,3 w
lW
lccO(U in:=O)
8mA
8mA
Rin
150КО
150КО
Au
72dB
72dB
BW
50Hz-17KHz
THD(Pout=O, lW,
f=lKHz)
0,1%
0,15%
R1nom
80
80
В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы
нет необходимости устанавливать на теплоотвод (радиатор).
АN31З
н. S6R
+VCC
Интегральная микросхема
20К
]0,2
AN313 фирмы Matsushita вы-
47"О
l
полнена в корпусе TABS6 с 16
о.1
6
+~О
IN R>---j
2
7
RL выводами и представляет со-
2.21<
~>000' бой двухканальный (стерео)
4"7н+ 9" 16
усилитель мощности низкой
22К
IN L>---j
10
частоты. Предназначена для
о.l
1S
·~:
11
RL использования в магнитофо-
3"8 "14 "lS
~.2
47"О
20К
нах, электрофонах, телевизион-
Н+ SбR Fig.7
ных и радиоприемниках, дру-
гой аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема подклюtJ:ения приве­
дена на fig. 7 . Некоторые из основных параметров микросхемы (выход­
ные параметры- для одного канала) следующие:
Uccmin
12У
Uccmax
20У
Pout06V/80)
3W
lccO{Uin=O)
40 mA
Rrn
150КО
Ai1
76dB
BW
40Hz-l8KHz
THD(Pout=0,2W,
f=lKHz)
R1nom
о, 15%
80
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему не­
обходимо установить на теплоотвод (радиатор).
21

Интегральная микросхема
АNЗ 15 фирмы Matsushita вы­
+
470 , 0 полнена в корпусе SIP2 с 11
I N >-<11----1
____ ____ , ~
4 7к ~........,..._...,.__,,__...,__.
RL выводами и представляет со-
--~ .:!: 1
бой усилитель мощности низ­
Fig.8
кой частоты Предназначена
для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и ра­
диоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема
подключения приведена на fig.8 Некоторые из основных параметров ми­
кросхемы следующие:
Uccffilll
Uccmax
Pout(l3V/4Q)
IccO(Uш=O)
Rш
Au
BW
THD(Pout=0,5W,
f=lKHz)
Rinom
9V
18v
5,5 w
28 mA
120KQ
76dB
40Hz-18KHz
0,1%
4Q
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему не­
обходимо установить на теплоотвод (радиатор).
AN7102S
1.ООК 0,02:I' 1.500~
+VCC
68R
220,О
+ 10,о
+н
R 1,0
15 11
12
14
9
13
·~
4Jr01
RRL
L
1
1.7
4
6
·ъ
8
7
5
1.0 16
1,0
0,033
LRL
+
lOOK
.::Е,20, о
lCIOk 0"02-I_
Fig.9
68Р
Интегральная микросхема AN7102S (Matsushita) выполнена в корпусе
DIP с 16 выводами и представляет собой двухканальный усилитель вое-
22

произведения, корректор тона и усилитель мощности низкой частоты.
Предназначена для использования в малогабаритных кассе1ных магни10-
фонах (плэйерах) высокого класса (fig.9). Контуры частотной коррекции
обеспечивают при воспроизведении АЧХ согласно стандарту NAB для
магнитной ленты FeO. Основные параметры микросхемы (выходные па­
раметры-для одного канала) следующие:
Uccmin
Uccmax
Pout(3V/320)
lcco_(Uin==O)
Au
вw
Uinmax
THD(Pout=lmW,
f=lKHz)
UnO
R1nom
1,5 v
4,5 v
75 mW
2mA
68dB
15Hz-20KHz
10 mV
0,01%
14μV
320
В микросхему вс1роена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке и от повышения напряжения питания. Для получения максималь­
ной выходной мощности нет необходимости в теnлоотводе (радиаторе).
AN7106K
1
1.21 ----0+VCC
+
1614
24 22
2з
I220.o
+
+
2,71< 100К .Е I
rbl470,0
22
22"0
.ч10.о
+
150
+
+
330 о
47,0t
0,033 220R
•
47,0
LRL
;;J..
1ок
,о,01Т
Н+10.о
~.7R
L#-J
1.8 1.7
2"2 +
22DR
Fig.1 .0
Интегральная микросхема AN7106K (Matsushita) выполнена в корпусе
D IP с 24 выводами и представляет собой двухканальный усилитель вос­
произведения, корректор тона и усилитель мощности низкой частоты.
Предназначена для использования в малогабаритных кассетных магнито­
фонах (плэйерах) высокого класса (fig.10). Коюуры час1отной коррекции
23

обеспечивают при воспроизведении А ЧХ согласно стандарту NAB для
магнитной ленты FeO. Основные параметры микросхемы (выходные па­
раметры-для одного канала) следующие·
Uccmin
Uccmax
Pout(ЗV/320)
IccO(Uш=O)
Au
BW
1,5 у
4,5 у
140mW
6mA
62dB
15Hz-20KHz
Uшmax
10 mV
THD(Pout=lOmW,
f=lKHz)
0,01%
UnO
lOμV
R1nom
32Q
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке и от повышения напряжения питания Для получения максималь­
ной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе)
AN7112,КA2212,LA4140,TA7313AP
47,0
+
'",__"(
'
'
; ", ·1"~"
220+
9
3
4
RL
I +47,о + u·l
100,~100
Fig.1 .1 .
47R
1000
lOR
Интегральные микро-
схемы AN7112 (Matsushita),
КА2212 (Samsung), LA4140
(Sanyo) и ТА7313АР (Tosh1-
ba) с идентичными схема-
ми и параметрами выпол­
нены в корпусах SIL с 9 вы-
водами. Представляют собой усилители мощносrи низкой частот_ы и
предназначены для использования в кассетных магнитофонах, телевизи­
онных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре низкого класса (fig
11) Основные параметры микросхем следующие
Uccffilll
4У
Uccmax
14У
Pout(9V/16Q)
0,5 W
IccO(Uш=O)
12 mA
Аи
62dB
BW
40Hz-18KHz
THD(Poщ=20mW,
f=lKHz)
0,1%
R1nom
8Q
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наг-
24

рузке. Для получения максимальной выходной мощности нет необходи­
мости в теплоотводе (радиаторе).
AN7116
330,О 100.0
+
н1-<>- - -u+VC С
+
Интегральная микросхема
AN7116 фирмы Matsushita выпол­
нена в корпусе SIL с 9 выводами
и представляеt собой усилитель
мощности низкой частоты. Пред-
2
I N r--.1 --tS
8
9
1
·~:·о
.._.,__~..,.........~;-..~~
,..t:JRL
!·1
30К
Fig.12
~---~
назначена для использования в
магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой
аудиоаппаратуре низкого класса. Типовая схема подключения приведена
на fig.12 . Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:
Uccmin
3V
Uccmax
9V
Pout(6V/4Q)
0,77 W
IccO(Uin==O)
13 mA
Rm
lOOKQ
Au
42dB
BW
40Hz- l 7KHz
THD(Pout=O,lW,
f=lKHz)
0,2%
R1nom
40
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке. Для получения максимальной выходной мощности нет необходи­
мости в теплоотводе (радиаторе).
AN7117
330,О
н.
6
2
2,2
IN>-1+ s
3
4
33,of3.0+
Fig.1 .3
1I J.I1
+
9
8
+VCC
1
7
Интегральная микросхема
AN7 l l 7 фирмы Matsushita
выполнена в корпусе SIL с 9
выводами и представляет co-
• 1 10~.о
RLб "
120
ои усилитель мощности
3К
низкой частоты. Предназна-
39
чена для использования в
магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой
аудиоаппаратуре низкого класса. Типовая схема подключения приведена
на fig.13. Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:
Uccmin
3V
25

Uc~max
Pout(9V/40)
IccO(Uш=O)
Rш
Au
вw
THD(Pour=O, IW,
f=lKHz)
R1nom
9V
0,66 w
8mA
150KQ
66dB
40Hz-17KHz
0,15%
40
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке Для получения максимальной выходной мощности нет необходи­
мости в теплоотводе (радиаторе).
AN7118,AN7118S
22Но
22,0
____ ..,.__
~
Н+6
1,0
INRт---f+ 7
2
+ ~470,0
RRL
+47,о
3
1
14
220,О
нvcc68
~
22. о
- ."!!---6
.!---.
5!--.
н7
2
+~470,D
l.O
RRL
IN R>--1+ 8
+47,О
4
220,Он+ 18
IN L>--1+ 11
1.0
н. 12
22,0
13
Fig,l:i
68
4,7R
Интегральные микросхемы AN?l 18 и AN7l l8S фирмы Matsushita вы­
полнены в корпусах DIP с 16 выводами (AN7118) и mini-DIP с 18 вы­
водами (AN7118S) и представляют собой двухканальные (стерео) усилите­
ли мощности низкой частоты с идентичными параметрами и схемами, но
различными цоколевками Предназначены для использования в кассет­
ных магнитофонах низкого класса с батарейным питанием. Типовая схе­
ма подключения для AN7118 приведена на fig.14, для AN7118S- на fig.15
Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры­
для одного канала) следУющие:
Uccmin
Uccmax
Pout(3V/4Q)
lccO( U ш=О)
Rш
Au
26
1,5 у
4,5 у
0,13 w
8mA
120KQ
66dB

BW
30Hz-18KHz
THD(Pout=O,OlW,
f=lKHz)
0,2%
R1nom
40
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наг-
рузке. Для получения максимальной выходной мощности нет необходи­
мости в теплоотводе (радиаторе).
AN7120
100"0 100"0
Н+ Н+
l." о
3
INH+ 2
3
10
33"0
+
Fig.J.6
iOOR
-+-VC:.C:. 100R
s
Интегральная микросхема
AN7120 фирмы Matsushita
.:'"В. 0 выполн,на в корпусо TABS5
RL с 14 выводами и представляет
1---<> --J
собой усилитель мощности
о, 1s
низкой частоты. Предназна-
чена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и
радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схе­
ма подключения приведена на fig.16. Некоторые из основных параметров
микросхемы следующие:
Uccmin
Uccmax
Pout(9V/40)
IccO(Uш=O)
Rш
Аи
вw
THD(Pout=O,SW,
f=lKHz)
R1nom
бV
18у
2,1 w
27 mA
lSOKO
66dB
40Hz-18KHz
0,5%
40
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему не­
обходимо установить на теплоотвод (радиатор)
AN7133
Интегральная микросхема AN7133 фирмы Matsushita выполнена в
корпусе SDIP с 24 выводами и представляет собой двухканальный (сте­
реофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для
использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радио­
приемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема
27

100,О
~
Н+ +VCC
2
100,0
3,3Н+s
4
IN R>-j+
6
з
S1K
2
15
17
47К
9
SlK
10
INL"--1+
18
22
3,3 Н+ 19
1
21
100,0
13
47
F19.17
22К
для одного канала) следующие:
подключения приведена
на fig 17. В микросхему
встроена защита выхода
от короткого замыкания в
нагрузке Для получения
максимальной выходной
мощности микросхему
необходимо установить
на теплоотвод (радиатор).
Некоторые из основных
параметров микросхемы
(выходные параметры-
Uccmin
Uccmax
Рощmах
lccO(Uш=O)
Rш
Au
вw
THD(Poщ=0,2W,
10у
20у
2,1 w
22 mA
120КП
68dB
30Hz-18KHz
f=lKHz)
0,15%
R1nom
40
AN7139,AN7143,f\N7147,AN7148,AN7149N,AN7168,
AN7169, AN7176, AN7178, НА1377,НА1377А,НА1398,
НА13108, K1075YН1,M5160L,M51601L
100,О
н >-+--<>+VCC ,8_j
33,0
10
Jo~ 1
Цн. > Н •1"~RO
IN R)--j +
2
SlK
+ 47,0
12
---4·4
SlK
Интегральные микросхемы
AN7139,AN7143,AN7l47,AN7148,
AN7149N,AN7168, AN7169,
AN7176,AN7178 (Matsushita),
RLНАl377,НАl377А,НАl398,
НА13108 (Hitach1), К1075УН1
(СНГ), M5160L и M5160lL (Mit-
IN L)--j+
S
1,Он+ б
7 Q470,0
9
ляют собой двухканальные (сте-
33,о ..__,____.
LRL
о.1
реофонические) усилители мощ-
F•9· 18
1R
ности низкой частоты с идентич-
subhish1) выполнены в корпусах
SIPl с 12 выводами и представ-
ными схемами (цоколевками) и различными параметрами Предназначе-
28

ны для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и
радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего и высокого классов.
Типовая схема подключения микросхем приведена на fig 18. Некоторые
из основных параметров микросхем (выходные параметры- для одного
канала) следующие
Uccmin Uccmax IccO
вw
R1 Pout
THD Au
AN7139
9V
24V
ЗО1nА 40Hz-20KHz 40 3,5W 0,2% 62dB
AN7143
4,ЗV 24V
ЗОmА 40Нz-20КНz 40 2W 0,2% 62dB
AN7147
sv
24V
ЗОЦIА 40Нz-20КНz 30 5,SW 0,2% 62dB
AN7148
9V
24V
ЗОmА 40Нz-20КНz 40 3,SW 0,2% 62dB
AN7149N 9V
24V
ЗОmА 40Нz-20КНz 40 3,SW 0,2% 62dB
AN7168
sv
24V
ЗОmА 40Hz-20KHz 40 S,7W 0,2% 62dB
AN7169
12V
24V
ЗОmА 40Hz-20KHz 40 S,8W 0,2% 62dB
AN7176
12V
24V
ЗОтА 40Нz-20КНz 40 7,SW 0,2% 62dB
AN7178
9V
24V
ЗОmА 40Hz-20KHz 40 2,SW 0,2% 62dB
НА1377
8V
18V
ЗОmА 40Нz-20КНz 40 s,sw 0,2% 62dB
НА1377А 8V
lSV
30mA 40Hz-20KHz 40 7W
0,2% 62dB
НА1398
sv
lSV
ЗОmА 40Нz-20КНz 40 S,8W 0,2% 62dB
НА13108
9V
18V
ЗОmА 40Нz-20КНz 40 S,SW 0,2% 62dB
К1075УН1 9V
18V
SOmA 40Нz-20КНz 40 3,SW 0,23% 42dB
M5160L
12V
зоv
40tnA 30Hz-20KHz 40 7,SW 0,2% 62dB
M51601L sv
18V
25mA 30Hz-20KHz 40 4,SW 0,2% 62dB
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наг-
рузке, от повышения напряжения питания и термозащита. Для получе-
ния максимальной выходной мощности микросхемы необходимо
установить на теплоотвод (радиатор)
AN7142
+ 120R
47,0 +QR
1, О _. .., 1,. i,l-- -+ --- -,! ,o... ._
RRL
IN R>--1+ 3
S
·н 1000.0
16
22.0
100.0
н.
..f-VCC 100"0
Интегральная мик­
росхема AN7142 фир-
мы Matsushita выпол­
нена в корпусе TABS5
1,0
IN L>--1 +
1000,О
15 1;
0
с 16 выводами и пред-
-
.. ......... .........__. .. .,._ _
+
LRL
120R
47. о
ставляет собой двух-
2х О,047μ
1R
"
(
ф
Fi9 .i."
канальныи стерео о-
нический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для
использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радио­
приемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема
подключения приведена на fig.19. В микросхему встроена защита выхода
от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выход­
ной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиа-
29

тор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные пара­
метры- для одного канала) следующие:
Uccmin
Uccmax
Poutmax
IccO(Uш=O)
Rш
Au
BW
THD(Pout=0,2W,
10v
20v
2,1 w
22 mA
l20KQ
68dB
30Hz-18KHz
f=lKHz)
0,15%
Rinom
40
AN7145L,AN7145M.AN7145H,AN7146M,AN7146H
'470
100,О
~
Перечисленные интег-
н t--+-- --<>+VCC
100
\0~33(+0 ...
6
-"" '
1
__
_,.
5
__
]!·
22
мы Matsushita выполнены в
ральные микросхемы фир-
IN Rн:·
3
7
r---r=-i
2 .......____, +~
1000
• 0 корпусах SDIP с 18 выво-
51к
+
R RL дами и представляют собой
IN
33,0
47~0
н
4
двухканальные (стереофо-
. .._+ ----11 о
51К
L>--1+3,3
Р-=1+
lOOR 33, О
Fig.20
15
12
13
нические) усилители мощ-
ности низкой частоты с
+ 1000, о
17t-e--4t--~~ идентичными схемами (цо-
14
.......,..._........,...._....,.__.
.:@·
22
L RLколевками) и различными
330,о 4?о lOo
параметрами. Предназначе-
ны для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и
радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схе­
ма подключения приведена на fig.20. Некоторые из основных параметров
микросхем (выходные параметры- для одного канала) следующие:
Uccmin Uccmax IccO
BW
R1 Pout
THD Au
AN7145L 6V
20V
25mA 40Нz-18КНz 4Q lQ
0,2% 42dB
AN7145M 9V
20V
ЗОmА 40Hz-18KHz 4Q 2,4W 0,2% 42dB
AN7145H 12V
24V
40mA 40Нz-18КНz ЗQ 7,SW 0,2% 42dB
AN7146M 9V
20V
32mA 40Нz-18КНz 4Q 2,ЗW 0,2% 42dB
AN7146H 9V
20V
401nA 40Нz-18КНz 4Q 4,SW 0,2% 42dB
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наг-
рузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности
микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
AN7150,AN7151,AN7154,AN7155
Перечисленные интегральные микросхемы фирмы Matsushita выпол-
30

100.0
Н+
1,0
IN>-i>-+________.
ioooI
8
1
bl
nno.o
RL
1
иены в корпусах SIP1 с 11
выводами и представляют
собой усилители мощности
низкой частоты Нредназ­
начены для использования
lOR
в магнитофонах, электро­
фонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре сред-
него класса Типовая схема подключения приведена на fig 21 *Параметры
микросхем AN7150 и AN7151 (соотвутственно AN5154 и AN7155) иден­
тичны, но в отличии от AN7150 и AN7154, у которых расположение выво­
дов на корпусе нормальное (нумерация выводов слева направо), у AN7l5l
и AN7155 инверсная (зеркальная) нумерация выводов, т.е. справа налево*.
Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
AN7150
AN7154
Uccmiп
5V
9V
Ucc111aX
18v
24v
PoutOЗV/4!1)
5,7 w
5,5 w
IccO(Uш==O)
20 mA
28 mA
Rш
1зокn
1зокn
Ан
48dB
48dB
BW
30Hz-l8KHz
THD(Pout==0,2W,
f=IKHz)
0,15°0
О, 12%
Rщom
4!1
4~2
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности
микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
AN7156
100, о
о,1
Интегральная микросхема AN7156
100,0Н+
Н фирмы Matsusl1ita выполнена в корпу-
Н + "4_,..___
21---<._:_'·~~Р1000,о се SIP2 с 12 выводами и представляет
INP\--j+ S
1,0
3
FJg.22
собой двухканальный (стереофоничес-
+
R F-L
4с·о
кий) усилитель мощности низкой час-
тоты. Предназначена для использова-
ния в магнитофонах, электрофонах,
31

ведена на fig 22. В микросхему встроена защита выхода от короткого за­
мыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выход­
ной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиа­
тор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные пара­
метры- для одного канала) следующие:
IN
IN
Uccmin
Uccmax
Pout( 13V/4!1)
lccO(Uш=O)
Rш
Аи
BW
THD(Poнt=0,2W,
f=lKHz)
R111om
9V
24у
5,5 w
70 шА
1оокn
56dJ3
30Hz-18KHz
0,15%
4!1
AN7158,AN7166
100,0
100,О н +
н.s
1
R>-1+
1,о
4
3
1,0
L>-j+ 9
н. 812
100,0
+
Fig.23 100,0
+VCC
2
6
7
о.н
2,2R
Интегральные микросхемы AN7158
и AN7166 фирмы Matsushita выполне-
• ~1000,0
ны в корпусах SIP2 с 12 выводами и
представляют собой двухканальные
+
RRL
47,о
(стереофонические) усилители мощ-
47,0
+
ности низкой частоты Предназначены
для использования в магнитофонах,
1000,О
• ~..л
электрофонах, телевизионных и ра-
2, 2R _LJL RL диоприемниках, другой аудиоаппара-
о,1
туре среднего класса Типовая схема
подключения приведена на fig 23 В микросхемы встроена защита выхода
от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения мак­
симальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на
теплоотвод (радиатор) Некоторые из основных параметров микросхем
(выходные параметры- для одного канала) следующие
AN7158
AN7166
Uccmax
24у
24у
lccO( U in=O)
35 mA
30 mA
Poнtmax
7,5 w
5,5 w
Ан
56 dB
52 dB
BW
30Hz-l8KHz
THD
0,1%
0,15%
R1nom
4!1
4!1
32

AN7161
100~0 ~+'..'':с
47"0
Н+
INРl~O
___J
9
.--, +
IN L 1,,.0
~---1 + 10
1
Fig.24 Н+
100"0
H+82R
д2R
+JO-~R RL
3 .__.,__.____,+ i ооо ,,. о
11
Интегральная мик­
росхема AN7161 фир­
мы Matsнshita выпол­
нена в корпусе SIP2 с
11 выводами и пред­
ставляет собой двухка­
нальный (стереофони-
ческий) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для исполь­
зования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемни­
ках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. Типовая схема подключе­
ния приведена на fig.24 . В микросхему встроена защита выхода от корот­
кого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной.
выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод
(радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные
параметры- для одного канала) следующие:
UcLn1in
10V
Uccmax
26V
lcco(U111-=0)
65 mA
PoLit(l5V/4Q)
10W
Au
48 dB
BW
20Hz-20KHz
THD(Poнt=0,2W,
f=I KHz)
R1nom
0,05%
4Q
AN7163
CI~1
I N ,'>--1
1-
10# 1]
''-
.....
-1ь;. :•+"~_. -Ч7"С•
12
7
l. 11
о,1
Интегральная микросхема
--1Н AN7163 фирмы MatsL1s11ita вы­
полнена в корпусе SIP 1 с 12 вы-
водами и представляет собой
усилитель мощности низкой
частоты выполненый по мое-
товой схеме. Предназначена для
+
47,, о
о, is
.Jl2.o
JO· i
использования в автомобиль-
I .JO.. 15
F•<>· 25
ных магнитофонах, а так же
электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппарату­
ре высокого класса. Типовая схема подключения приведена на fig.25. В
микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и
33
2-805

термозащита. Для получения максимальной выходной мощности мик­
росхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из
основных параметров микросхемы следующие·
AN7170
100 О :)+1.'СС
н. н 100.0
+
+ 150R
Fig.26
Uccmi11
12У
Uccmax
16У
Icco(Uш=O)
60 mA
Poutmax
18W
Ан
52 dB
BW
20Hz-20KHz
THD(Pout=0,2W,
f=lKHz)
0,08%
40
R111om
Интегральная микросхема
AN7170 фирмы Matsнshita выпол­
нена в корпусе SIPl с 11 вывода­
ми и представляет собой усцли­
тель мощности низкой частоты
Предназначена для использования
в магнитофонах, электрофонах,
телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого
класса Типовая схема подключения приведена на fig.26. В микросхему
встроена защита выхода от короткого замыкаIШя в нагрузке и термозащи­
та. Для получеIШя максимальной выходной мощности микросхему необ­
ходимо установ:ить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных па­
раметров микросхемы следующие:
AN7171
Uccmi11
Uccmax
IccO( U ш=О)
Poнt(26V/40)
Ан
BW
THD(Pout=0,2W,
f=lKHz)
R111om
8V
35у
75 mA
18w
52 dB
20Hz-20KHz
0,08%
80
Интегральная микросхема AN7 l 71 фирмы Matsushita выполнена в
корпусе TABS6 с 16 выводами и представляет собой двухканальный (сте­
реофонический) усилитель мощности низкой частоты, оба канала которо-
34

1000,0
+\.'<::с ',______,+ Н
О, 1 220R
н
8
100"п
SlR
IN R'-----j ь
IN
100" о+
~.1 220R
Fig.27
1
2
2
151--------1
2,2R
J 41--.-CJ---I
о"1
LRL
16t--">-C::J---1 н
2,2Ro,l
300R
го выполнены по мостовой
схеме Предназначена для ис­
пользования в автомобиль­
ных магнитофонах, электро­
фонах, телевизионных и ра­
диоприемниках, другой ау­
ди оапп ар а туре высокого
класса Типовая схема под­
ключения приведена на f1g
27 В микросхему встроена
защита выхода от короткого
замыкания в нагрузке и тер­
м озащита Для получения
максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить
на теплоотвод (радиатор) Некоторые из основных параметров микросхе­
мы (выходные параметры- для одного канала) слt>дующие
ВА501
100,О 100, о
Н+ Н+
10,0
7
INЧ+ 6
5
Fig.28
5
u~cmш
9у
u~cmax
15у
Icco(Uш=O)
45 mA
Polltmax
12W
Rш
150 КП
All
48 dB
BW
20Hz-20KHz
THD(Pout=0,5W,
f=lKHz)
Rinom
+VCC
2
1
4
0,1%
4!1
1000 3 "gk.
Интегральная микро­
схема BASO l фирмы Rol1m
выполнена в корпусе SIP2
с 8 выводами и представ­
ляет собой усилитель
МОЩНО<ЛИ низкой часто-
ты Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах,
телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего
класса Типовая схема подключения приведена на fig 28 В микросхеме
отсутствует защита выхода от короткого замыкания в нагрузке Для полу­
чения максимальной выходной мощности микросхему необходимо уста-
35

новить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров ми­
кросхемы следующие:
u~cmin
Uccmax
Icco(Uш=O)
Pout03V/4П)
Au
вw
THD(Pout=0,2W,
f=lKHz)
R1nom
ВА511,ВА521,ВА532
lOO, о· lOO, о
Н+ Н+
+VCC
Fig.29
8V
18v
25 mA
4W
52 dB
30Hz-18KHz
0,23%
4!1
Интегральные микросхе­
мы ВА511, ВА521 и ВА532
тоты с идентичными схема­
ми и различными параметрами. Предназначены для использования в маг­
нитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой
аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема подключения приведена
на fig. 29 В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания
в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощ­
ности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
ВА511
ВА521
ВА532
Uccmin
6v
6V
9V
Uccmax
16v
18v
16v
Icco(Uщ=O)
15 mA
18 mA
12 mA
Pout( l 3V/4!1) 4,5 w
5,8 w
5,8 w
Аи
42 dB
42 dB
42 dB
вw
30Hz-18KHz
THD(Poщ=0,2W,
f=IKHz)
0,25%
0,23%
0,2%
Rinom
4!1
4Q
4!1
ВА514
Интегральная микросхема BA5 l 4 фирмы Rol1m выполнена в корпусе
SIPI с 8 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой час-
36

.100" о 100" о
тоты. Предназначена для исполь­
зования в магнитофонах, электро­
фонах, телевизионных и радиопри-
Н+ Н+
47"о +
47#0
+
емниках, другой аудиоаппаратуре
+~70,:L
68R
_ .,3"3
01l
Fig.зo t----<4=~.zi\--{:=r--.1.--1
среднего J(ласса. Типовая схема
3"3К
подключения приведена на fig.30 . В микросхему встроена защита выхода
от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выход­
ной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе). Некоторые
из основных параметров микросхемы
Uccmin
следующие:
ВА515
100"0
Н+
Uccmax
lcco(Uш=O)
Poнt(9V/40)
Ан
BW
THD(Poщ=0,2W,
f=lKHz)
Rtnom
9V
14v
15 mA
2W
48 dB
40Hz-18KHz
0,25%
40
н 100,0
1--to---o+'v'CC
+
Интегральная микросхема
ВА515 фирмы Rohm выполнена в
2"2
9
11
rN>---j + 4
12
+~:о корпусе SIL с 12 выводами и пред-
._.....
_ ,.. ..____,.3'--' .JЗ..
1
_tJ RL ставляет собой усилитель мощное-
~~.0 2?0R 1~.0 Fig. 31
ти низкой ч-астоты. Предназначена
для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и ра­
диоприемниках, другой аудиоаппаратуре низкого класса с батарейным
питанием. Типовая схема подключения приведена на fig. 31. В микросхе­
му встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для полу­
чения максимальной выходной мощности нет необходимости в теплоот­
воде (радиаторе). Некоторые из основных параметров микросхемы сле­
дующие:
Uccmin
Uccma:x
IccO( U in=O)
Poнt(3V/40)
Au
BW
THD(Poi1t=O, IW,
f=lKHz)
R1nom
37
3,5 v
9v
8mA
0,23 w
42 dB
40Hz-l7KHz
0,85%
40

ВА516,ВА526,ВА527,ВА546
2:2010
н
н 100"0
+
+
+VCC
з
4 ·1370"0
~~--~'f-.....~--;.7~-'
RL
+
Интегральные микросхемы
ВА516, ВА526, ВА527 и ВА546
фирмы Rohm выполнены в кор­
пусах SIL с 9 выводами и пред­
ставляют собой усилители мощ-
J.01о
F:ig.32
270R
ности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различ­
ными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах,
электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппарату­
ре среднего класса с батарейным питанием. Типовая схема подключения
приведена на fig.32. В микросхемы встроена защита выхода от короткого
замыкаIШя в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной вы­
ходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе). Некото­
рые из основных параметров микросхем следующие:
ВА516
ВА526
ВА527
ВА546
Uc~min
2V
Uccmax
9v
I~co(Uш=O)
5mA
Poutmax
0,35 w
Ан
42 dB
вw
THD(Po"r=O, IW,
f=lKHz)
0,5%
Rinom
8!1
ВА518,ВА547
Fig.33
2v
9V
16 mA
0,43 w
42 dB
2,8 v
9V
16 mA
0,8 w
42 dB
2V
12v
4,8 mA
0,35 w
42 tlB
40Hz-17KHz
0,23%
sn
0,2%
4!1
0,5%
sn
Интегральные мик­
росхемы ВА518 и ВА547
фирмы Rohm выполне­
ны в корпусах SIL с 8
выводами и представля­
ют собой усилители
мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и раз-
личными параметрами Предназначены для использования в магнитофо­
нах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоап­
паратуре низкого класса. Типовая схема подключения приведена на fig.
33. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности
38

нет необходимости в теплоотводе (радиаторе). Некоторые из основных
парамет]5ов микросхем следующие:
Uccmiп
Uccmax
lcco(Uш=O)
Рout( l 2V/80)
Аи
BW
THD ( Рощ=О, 2W,
f=lKHz)
R111om
ВА524,ВА534
220,О
10010
Н+ Н+
ВА518
2,5V
16v
15 шА
1,5 w
42 dB
ВА547
2,5 v
16v
12шА
1,5 w
42 dB
40Hz-17KHz
0,25%
80
0,23%
80
2"2
IN>--\+ S
7
i
+\47~0
..__,.Е_
_,.3 ___-"'--"
RL
н+
68F<
.=е: 1
Интегральные микросхе­
мы ВА524 и ВА534 фирмы
Rohm выполнены в корпусах
SIPl с 10 выводами и пред-
ставляют собой усилители
100,0
г.". з4
мощности низкой частоты с
идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Пред­
назначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизи­
онных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Ти­
повая схема подключения приведена на fig. 34. В микросхемы встроена
защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для
получения максимальной выход1;юй мощности микросхемы необходимо
установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров
микросхем следующие:
Uccmiп
Uccmax
Icco(Uш=O)
Poиtmax
Аи
BW
THD(Poиt=0,2W,
f=lKHz)
R111om
ВА524
ВА534
6V
6V
14v
16v
10 шА
12шА
3,8 w
2,3 w
42 dB
42 dB
40Hz-17KHz
0,20%
40
39
0,23%
40

ВА535,ВА536,ВА5402,ВА5402А,ВА5406,ВА5408
нес
Интегральные
100,0
10- о
н+
+ 100R
4~О
H uf-c -' -C::J--,
Q2 ZR
МИКрОСХеМЫ
r---!------"'!!-""3~',
+
R RL вА535' вА536'
1,0
1
4
IN R>------1 + 5
2
1000 о
ВА5402,ВА5402А,
'
•
~:;~· 0 ВА5406 и ВА5408
11
,
б
э10
J фирмы Rohm вы-
.__,,__ _-;-___
...,......r---о
LRL
0,22
INL/----1+ 8
1,0
Н+
полнены в кор-
2'2R
пусах SIP1 с 12
Fig.35
100,О
выводами и представляют собой двухканальные (стерео) усилители мощ­
ности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различ­
ными параметрами (микросхема ВА5402А отличается от ВА5402 меньшим
уровнем собственных шумов) Предназначены для использования в маг­
нитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой ау­
диоаппаратуре среднего класса. Типовая схема подключения приведена на
fig 35 В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощ­
ности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Не­
которые из основных параметров микросхем (выходные параметры- для
одного канала) следующие:
u<<nun Uccmax
IccO
Bw
R1 Pout
THD Au
БА535
9У
20V
15111А 40Hz-20KHz 4Q 4,8W 0,2% 62dB
ВА536
9V
18V
12шА 40Hz-20KHz 4Q 4,SW 0,2% 62dB
БА5402
9V
18У
12шА 40Hz-20KHz 4Q 4,2W 0,2% 62dB
БА5402А 9V
18V
12шА 40Hz-20KHz 4Q 4,2W 0,2% 62dB
ВА5406
9У
18V
lSmA 40Hz-20KHz 4Q 4,SW 0,2% 62dB
ВА5408
12V
28V
ЗОmА 40Нz-20КНz 4Q 7,SW 0,15% 62dB
BA3304,BA3304F
-+-v' (::с
.LOO~O
н + 1.00R
22"
Интегральные
микросхемы ВА3304
1.~О
4
R~L
IN,..
~--1+ s
2
iooo,o
И BA3304F фирмы
IN L::-------1 + ii
14 ~ооо,о Rohm выполнены в
i,о
е
i~
LRLкорпусахsrL
1.00R
F•g.Зб J-j,;_o
iOC,:o
~,~R
(ВА3304) или mi11i
DIP (BA3304F) с 16 выводами и представляют собой двухканальные (сте-
рео) усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоко­
левками) и параметрами Предназначены для использования в перенос­
ных кассетных магнитофонах (плэйер- ах) высокого класса Типовая схе-
40

ма подключения приведена на fig.36. В микросхемы встроена защита вы­
хода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения
максимальной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе
(радиаторе): Некоторые из основных параметров микросхем (выходные
параметры- для одного канала) следующие:
Uccmin
1,5 V
Uccmax
6V
Poutmax
О,1W
Icco(U;n=O)
2mA
Au
68 dB
BW
15Hz-20KHz
U;nmax
10 mV
THD(Poнt=lOmW,
f=IKHz)
0,01%
Uno
12 μV
R1nom
32Q
BA3502F,ВА3503,КА22131
100"О
19
23 181215
н24
+
131-<1>--< >+ 1.1 с с
+
1411011
_L 00,0
I+~:~ '•
122~. 01
(,··)
'-i.._J-I=-~ 22О"О LЕ[> S\.-' 2.
L::::..
0,022
+LRL
220R
4,l.
2
Fig.37
+VCC
Интегральные микросхемы BA3502F, ВА3503 (Rohm) и КА22131 (Sam-
sung) выполнены в корпусах SO (BA3502F) или DIP (ВА3503 и КА22131) с
24 выводами и представляют собой двухканальные (стерео) усилители
воспроизведения, корректоры тона и усилители мощности низкой часто­
ты с идентичными схемами (цоколевками) и параметрами. Предназначе­
ны для использования в переносных кассетных магнитофонах (плэйер-ах)
высокого класса с автореверсом Типовая схема подключения приведена
на fig.37. Переключатель SWI коммутирует магнитные головки в режиме
автореверса. Контуры частотной коррекции обеспечивают АЧХ согласно
стандарту NAB для магнитной ленты FeO или Cr02 (коммутируются пе-
41'

реключателем SW2) Светодиодные индикаторы LED l и LED2 индициру­
ют прямое (LEDl) или реверсное (LED2) движение магнитной ленты В
микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке
и термозащита Для получения максимальной выходной мощности нет
необходимости в теплоотводе (радиаторе) Некоторые из основных пара­
метров микросхем (выходные параметры- для одного канала) следующие
Uccllill1
1,5 V
Uccmax
4,5 V
Ронtшах
69 шW
IccO( U ш=О)
9шА
Ан
83 dB
BW
15Hz-25KHz
Uшmax
12 шV
THD(Poнt=IOmW,
f=lKHz)
0,5%
Uno
12 ~LV
Rщош
16!2
ВА3506А,ВА3516
р
-,
---'>
,_
33,О
1-j +
L-,
__.
~
Fig.38
220"0
10,О
т+
15
7
l+VCC
220,О
+н
\l +J.: RL
....,._____,_ __ _ _,....4___..,5___..,1_...а,.._.7 +1-:СО,1: RL
1500, +
H::J--,
lL
;:
'°
:2.20R
5,61->
+
10, о
4,7 lOk
Интегральные микросхемы ВАЗ506А и ВАЗ516 (Rol1m) выполнены в
корпусах D IP с 16 выводами и представляют собой двухканальные (сте­
рео) усилители воспроизведения, корректоры тона и усилители мощности
низкои частоты с идентичными схемами (цоколевками) и параметрами
Предназначены для использования в переносных кассетных магнитофо­
нах (плэйер- ах) высокого класса Типовая схема подключения приведе­
на на fig 38 Контуры частотной коррекции обеспечивают АЧХ согласно
стандарту NAB для магнитной ленты FeO В микросхемы встроена защита
выхода от короткого замыкания в нагрузке Для получения максимальной
выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе) Не­
которые из основных параметров микросхем (выходные параметры- для
одного канала) следующие
Uctm111
1,5 v
42

BA5152F
INf'
1.0 "
33,О
Н._+_---13
INL
Uccmax
4,5 v
Pot1tmax
ВА3506А
62 mW
ВА35!6
!00 mW
ltcO( U ш=О)
9mA
At1
83 dB
BW
!5Hz-25KHz
Uшmax
12 mV
THD(Pot1t=lOmW,
f=lKHz)
0,05%
Uпо
14 ~LV
Rщom
320.
F:ig 39
l--C::::J4~~~:!o ::О 1
LRL
SWl
13
~L--~+н
SW2
1110.11 о
Интегральная микросхема BA5 !52F фирмы Rohm выполнена в корпу­
се SO с 16 выводами и представляет собой двухканальный (стерео) уси­
литель мощности низкои частоты Предназначена для использования в
переносных кассетных магнитофонах (плэиер- ах) высокого класса Ти­
повая схема подключения приведена на fig 39 Переключатель SWl вы­
полняет функцию MUTE (ступеньчатое уменьшен)!lе усиления до О dB
при включении или выключении напряжения питания, для устранения
щелчков в звуковом тракте на время переходных процессов установления
режимов работы активных элементов схемы) Переключатель SW2 вклю­
чает режим STAND- ВУ (режим ожидания, с минимальным потреблением
тока, порядка 150 ~LA) В микросхему встроена защита выхода от коротко­
го замыкания в нагрузке и термозащита Для получения максимальной
выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе) Не­
которые из основных параметров микросхемы (выходные параметры- для
одного канала) следующие
Uccilll11
Uccmax
Poutmax
Icco(Uш=O)
At1
BW
43
1,5 v
1,8 v
12 mW
12 mA
62 dB
20Hz-20KHz

Uinmax
THD(l'tiit=lmW,
f=lKHz)
Uno
Rinom
12 mV
0,05%
10 μV
160
ВА5204,ВА5204 F
100" о
_..+ ....·~::-..:-
Интегральные микросхемы
т
68.;г н +
120R
ВА5204 и BA5204F фирмы Rohm
1]...о1
выполнены в корпусах DIP
+
1
10
2
·1"~: (ВА5204) или SO (BA5204F) с Hi
390
б
IN R>-1+ 3
RL выводами и представляют собой
+ 47"О
1,0
4
двухканальные (стерео) усилители
8
мощности низкой частоты. Пред-
1.0
14
47" о
IN L>-i+
+
назначены для использования в
15
390
12
•~О переносных кассетных магнита-
lE
фонах (плэйер-ах) высокого клас-
+
9
4,?R L RL
.:I.8· о
са. Типовая схема подключения
Fig.40
О" 01
приведена на fig.40. В микросхемы
встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащи­
та. Для получения максимальной выходной мощности нет необходимости
в теплоотводе (радиаторе). Некоторые из основных параметров микро­
схем (выходные параметры- для одного канала) следующие:
Utcn1iп
1,5 V
Uctmax
4,5 V
Poвt(3V/320)
35 mW
lcco(Uin=O)
13 mA
Ан
вw
U111111ax
THD(Poвt=5mW
f=IKHz)
Uпо
Rщош
BA5206,BA5206F
62 dB
20Hz-20KHz
15 шV
0,05%
12 μV
320
Интегральные микросхемы ВА5206 и BA5206F фирмы Rol1111 выпол-
нены в корпусах DIP (ВА5206) или SO (BA5206F) с 16 выводами и пред-
ставляют собой двухканальные (стерео) усилители мощности низкой час­
тоты с идентичными схемами (цоколевками) и параметрами. Предназ-
наqен:ы для использования в переносных кассетных магнитофонах (плэй-
44

IN
IN
1,0
р0-----j+1с:
4
1,0
Н+10,0
Fig.41
ер- ах) высокоrо клас­
са. Типовая схема под
ключения приведена на
fig.41. В микросхемы
встроена защита вы­
хода от короткоrо за­
мыкания в наrрузке и
термозащита. Для по-
лучения максимальной выходной мощности нет необходимости в тепло­
отводе (радиаторе). Некоторые из основных параметров микросхем (вы­
ходные параметры- для одного канала) следующие:
BA5208AF
IN RH
4"7
2
L>-1
lOK
IN
4,7 VOLL1t'1E
Fig.42
Uccmin
1,5 V
Uccmax
4,5 V
Poutn1aX
64 mW
Icco(Uin=O)
13 mA
Au
48 dB
BW
20Hz-20KHz
THD(Poнt=5mW,
f=IKHz)
R1nom
0,05%
160
Интегральная микросхема BA5208AF фирмы Rohm выполнена в
корпусе SО с 16 выводами и представляет собой двухканальный (стерео)
усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в
переносных кассетных магнитофонах (плэйер- ах) высокого класса. Ти­
повая схема подключения приведена на fig. 42 . Переключатель SWI вы­
полняет функцию "MUTE" (ступеньчатое уменьшение усиления до О dB
при включении или выключении напряжения питания, для устранения
щелчков в звуковом тракте на время переходных процессов установления
режимов работы активных элементов схемы). В микросхему встроена за­
щита выхода от короткого замыкания в наrрузке. Для получения макси-
45

мальной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиа­
торе) Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные пара­
метры- для одного канала) следующие
IN
IN
Uccilllll
Uccmax
Рошmах
Icco(Uш=O)
Au
вw
THD(Pout=5mW,
f=lKHz)
R111om
l,5 v
4,5 v
120 mW
14 mA
52 dB
20Hz-20KHz
0,05%
40
ВА5302А,ВА5304
100"0
+
с
33" u
Интегральные
Н+
н+ 120R
~
100"О +
R микросхемы ВА5302А
2,2
"
121
RL
и ВА5304 фирмы Ro-
F~+11
2
2, "'
9+н
1000"0
hm выполнены в кор-
LЧ+ 8
,"·~·1:0 пусах TABS7 с 12 вы-
10
76
12DR
+
О"1 RL
водами и представля-
н.
100"О
+
- ,2R
ют собой двухканаль-
100"D
33,О
Fig 43
ные усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоко­
левками) и раJличными параметрами Предназначены для использования
в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, дру­
гой аудиоаппаратуре среднего класса Типовая схема подключения приве­
дена на fig 43 Некоторые из основных параметров микросхем (выходные
параметры- для одного канала) следующие
Uctmш
Uccmax
lcce(Uш=O)
Poutmax
Au
BW
THD(Pout=0,2W,
f=lKHz)
R1nom
ВА5302А
6v
14v
35 mA
2,4 w
42 dB
ВА5304
6v
16v
38mA
3W
42 dB
30Hz-I7KHz
0,20%
40
0,23%
30
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке и термозащита Для получения максимальной выходной мощности
микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор)
46

ВА5386
IN~
100,О
н 1+\.('С
+
Интегральная микросхема ВА5386
фирмы Rohm выполнена в корпусе DIP с 8
5
+~zo.о
выводами и представляет собой усилитель
-------
RL мощности низкой частоты Предназначена
Fig.44
для использования в магнитофонах, элек-
Е
трофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре
низкого класса с батарейным питанием. Типовая схема подключения
приведена на f1g 44. В микросхему встроена защита выхода от короткого
замыкания в нагрузке Для получения максимальной выходной мощнос­
ти нет необходимости в теплоотводе (радиаторе). Некоторые из основных
параметров микросхемы следующие:
IN
ВА5404
+
U~cmi11
Uccmax
Icco(Uш=O)
Poнtmax
Ан
BW
THD(Poнt=O, IW,
f=lKHz)
R1nom
+V'CC
зv
12v
3mA
0,32 w
42 dB
4\УН z- \ 8KHz
0,25%
8Q
,________ -;,___ . . .
Интегральная микросхема
ВА5404 фирмы Rohm выполнена
в корпусе SIL с 9 выводами и
представляет собой усилитель
мощности низкой частоты.
Предназначена для использова­
ния в магнитофонах, электрофо-
47,О
F19.4:i
0,047
нах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре низкого
класса с батарейным питанием Типовая схема подключения приведена на
fig. 45 В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности нет необхо­
димости в теплоотводе (радиаторе). Некоторые из основных параметров
микросхемы следующие:
Uccmin
UccЦlaX
Icco( U ш=О)
Poнt02V/32Q)
47
3v
14v
12 mA
0,45 w

IN
IN
ВА5410
Au
BW
THD(Pout=O,lW,
f=lKHz)
Rinom
48 dB
30Hz-18KHz
0,35%
320
1000,О+~
Интегральная микросхема
ВА5410 фирмы Rohm выполне­
на в корпусе SIPl с 10 выводами
и представляет собой двухка-
9
8
3
71-----< .. ... .., + Н
нальный усилитель мощности
1000
•
0
низкой частоты. Предназначена
+
~
для использования в магнитофо-
F~g. 40 1000, о+~
нах, электрофонах, телевизион-
ных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Типо-
вая схема подключения приведена на fig.46. Некоторые из основных
параметров микросхемы (выходные параметры- для одного канала) сле­
дующие:
ВА5412
Uccmin
Uccmax
Icco(Uш=O)
Poнtmax
Ai1
BW
THD(Pщit=0,2,W,
f=lKHz)
Rщom
бV
14v
17 mA
2,9 w
48 dB
30Hz-20KHz
0,25%
3!1
100,,. О
+\/С(::
Н ,_+ _,._ __
о_,-2-2-~
Интегральная микросхема
ВА5412 фирмы Rohm выполне­
на в корпусе SIPI с 12 выводами
и представляет со-бой двухка­
нальный усилитель мощности
низкой частоты. Предназначена
для использования в магнитофо­
нах, электрофонах, телевизион­
ных и радиоприемниках, другой
аудиоаппаратуре среднего класса.
IN R>---1+ S
1,0
12
16
+ JJ~OOR,O
2>---+- -<
RL
3
47' о
10 47'о
111---------1
н9
+ 27DR
100 ... 0
__
7___
+1J200L,O
RL
Fig.4?
100.0+ н
Типовая схема подключения приведена на fig.47. Некоторые из основных
48

параметров микросхемы (выходные параметры- для одного канала) сле­
дующие:
Uccmin
Uccmax
lcco(Um=O)
Poutmax
Au
вw
THD(Pout=0,2W,
f=lKHz)
R1nom
бV
16v
25 mA
4,5 w
42 dB
30Hz-20KHz
0,2%
40
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности
микросхему необходимо установить на соответствующих размеров тепло­
отвод (радиатор).
СА 1131,CA31J1 ,CA3132,SN76003,SN76013,
SN76023
100,О
Н+ н 100,0
f--11>---n ·+V С С
+
Интегральные микросхе­
мы CAl 131, САЗ131, СА3132
10
14
6
. _ . , _ _ _,+ 470,0 (RCA), SN76003, SN76013 и
1,0
I Nч 1-+_ _.,__.1
16
270k
2
нн.t--CJ-'
4, 7 120k
Fig.48
RL SN76023 (Texas I11strument)
выполнены в корпусах
ТАВSб с 16 выводами и
представляют собой усилители мощности низкой частоты с идентичными
схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для
использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радио­
приемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема
подключения приведена на fig.48. Некоторые из основных параметров
микросхем следующие:
u,,min Uccmax IccO
Bw
R1 Pout
THD Au
СА1131
9V
26V
lOmA 40Нz-20КНz 80 4W 0,5% 62dB
СА3131
9V
28V
lOmA 40Hz-20KHz 80 5W
0,5% 62dB
СА3132
9V
30V
lOmA 40Нz-20КНz 80 5W
0,5% 62dB
SN76003
9V
35V
lOmA 40Hz-20KHz 80 8W
0,3% 62dB
SN76013
9V
38V
lOmA 40Нz-20КНz 80 lOW 0,3% 62dB
SN76023
9V
40V
lOmA 40Нz-20КНz 80 12W 0,15% 62dB
В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы
необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
49

DBL1034-A,КA2206,КA22061,LA4180,LA4182,
LA4183,LA4190,LA4192,LA4550,LA4555,LA4558
100,0
Интегральные микро-
н.
+68
""Т:' JJ схемы DBL1034-A (Gold
100,0 +_1!:?# 1
1,0 --1""2- ..1 .7 - -- -'9--'10
_
_,
•
R RL Star), КА2206 и КА22061
INR'--i+8
11,____ ... ._ .._ _ .
470,0
(Samsung), LA4180,
TABS
1,0
INLH+s
2
43
·~~о LA4182, LA4183, LA4190,
]~: 1 _fJL RL LA4192, LA4550, LA4555 и
F:ig.49a Н+
100 ... 0
100.0
Н.
+i,..•cc
68
+
100,0
~~
LA4558 (Sanyo) с идентич-
ными схемами и различ-
ными параметрами вы-
100,О +'J0,1
1.о --1
•
2--7
--
9---1
-
0-"
полнены в корпусах
rNЧ+ s
11
·~70 •
0
TABS7 с 12 выводами.
т Авs
RL Представляют собой двух-
s
2
+
470,0 канальные усилители
3
мощности низкой частоты
н+
+100 ... 0
100,0
Fi9.49ь
и предназначены для ис-
пользования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиопри
емниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема подк­
лючения приведена на fig 49а. Для получения удвоенной выходной мощ-
ности на том же сопротивлении нагрузки, при том же напяжении пита-
ния, микросхемы можно подключать по мостовой схеме (fig.49b).Heкo-
торые из основных параметров микросхем (выходные параметры- для од-
ного канала) следующие
Uccmin Uccmax
IccO
Bw
R1 Pout
THD Au
DBL1034-A 5V
15V
lOmA 30Hz-18KHz 40 2,ЗW 0,5% 62dB
КА2206
5V
15V
lOmA 30Hz-18KHz 40 2,ЗW 0,5% 62dB
КА22061 бV
14V
12mA 30Hz-18KHz 40 2,ЗW 0,5% 62dB
LA4180
4,5V 9V
lOmA 30Hz-18KHz 40 lW 0,3% 62dB
LA4182
4,SV 12V
15mA 30Hz-18KHz 40 2,ЗW 0,3% 62dB
LA4183
4,5V 12V
15mA 30Hz-18KHz 40 2,ЗW 0,15% 62dB
LA4190
4,5V 9V
lOmA 30Hz-18KHz 40 lW
0,5% 62dB
LA4192
4,5V llV
12mA 30Hz-18KHz 40 2,ЗW 0,5% 62dB
LA4550
4,5V 12V
lOmA 30Hz-18KHz 40 0,8W 0,5% 62dB
LA4555
бV
12V
15mA 30Hz-18KHz 40 2,4W 0,5% 62dB
LA4558
7,5V 12V
15тА 30Hz-18KHz 30 2,lW 0,5% 62dB
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наг-
рузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности
микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
50

ESM231 N,ТВА790, ТВА790LA,TBA790LB,
TBA790LC,TBA790KD,TCA 150КА,ТСА 150КВ,
TDA1042,TDA 1042В, UL1490N,UL1491 R, UL1492R,
UL1493R
IN
7
+VCC
47
14
1
39
100.0
+
Интегральные микро­
схемы ESM231N, ТВА790,
TBA790LA, TBA790LB,
TBA790LC, TBA790KD,
(Thomson), TCAl 50КА,
TCAI 50КВ, (Mullard),
TDA1042, TDA1042B,
(SGS), UL1490N,UL1491R, UL1492R,UL1493R (Unitra) выполнены в кор­
пусах DIP (кроме ESM231N, которая выполнена в корпусе TABS7) с 14
выводами и представляют собой усилители мощности низкой частоты с
идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Пред­
назначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизи­
онных. и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Ти­
повая схема подключения приведена на fig.50. *Обратите особое внимание
на микросхемы ТВА 790 и ТСА 150, так как они выпускаются в трех вариан­
тах (с различными цоколевками) и их мо.жно отличать только по суффиксу*
Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
Uccmin Uccmax lccO
Bw
R1 Pout
THD Au
ESM231N 9V
зоv
25mA 40Hz-20KHz 40 l8W 0,5% 48dB
ТВА790
бV
l2V бmА 40Hz-l5KHz 80 l,2W 0,5% 42dB
TBA790LA бV
12V
бmА 40Hz-15KHz 80 1,2W 2,5% 42dB
TBA790LB бV
15V 8mA 40Hz-15KHz 80 2,2W 2,5% 42dB
TBA790LC бV
12V
бmА 40Нz-15КНz 80 2,2W 2,5% 42dB
TBA790KD бV
l8V lOmA 40Нz-15КНz 80 3,45W 2,5% 62dB
ТСА150КА 9V
l5V 9шА 40Hz-l5KHz 40 4W 0,5% 62dB
ТСА150КВ 9V
l8V
llmA 40Нz-15КНz 40 5,5W 0,5% 62dB
TDA1042 9V
l8V
lOmA 40Hz-20KHz 20 lOW 0,2% 62dB
TDA1042B 9V
l8V
lOmA 40Hz-20KHz 20 lOW 0,2% 62dB
UL1490N бV
l2V lOmA 40Hz-l5KHz 150 0,65W 1,5% 46dB
UL1491R бV
l2V
lOmA 40Hz-l5KHz 80 l,2W 1,5% 46dB
UL1492R бV
l5V
lOmA 40Hz-l5KHz 80 2,lW 1,5% 46dB
UL1493R бV
l2V
lОшА 40Hz-15KHz 40 2,lW 1,5% 46dB
В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы
необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
51

ESM432N,ESM532N,ESM632N,ESM732N
IN'
100,О
.-
+\/(;С
1
100,0
+
._~~.....--.-~~~~3,__.
RL
12 1---еооо. о
1---'о--!
470
39
.-.R2
Ftg.5.1 .
1ООК
Перечисленные инте-
гральные микросхемы
фирмы Thomsoп выпол­
нены в корпусах SD IP с
14 выводами и представ­
ляют собой усилители
мощности низкой часто-
ты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами
Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, теле­
визионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре срецнего класса
Типовая схема подключения приведена на fig 51 Некоторые из основных
параметров микросхем следующие·
Uccmin Uccmax lccO
Bw
R1
Pout
THD Au
ESM432N 9V
28V
25mA 20Hz-20KHz 40 20W 0,5% 64dB
ESM532N 9V
зоv
251nA 20Hz-20KHz 80 IOW 0,5% 62dB
ESM632N 9V
24V
25mA 20Hz-20KHz 40 l4W 0,5% 62dB
ESM732N 9V
18V
25mA 20Hz-20KHz 20 8W
0,3% 62dB
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке Для получения максимальной выхоцной мощности микросхемы
необходимо установить на теплоотвод (радиатор)
ESM432C,ESM532C,ESM632C,ESM732C,
ESM 1432C,ESM1532C,ESM1632C.ESM 1732С,
TDA1111SP,
)+;·-·с
Перечисленные ин-
100"0
-\'•:с.с
100,0
тегральные микросхемы
+
фирмы Thomson выпол-
10
з
7
IN
2
а
иены в корпусах SIP2 с
100~
PL
14 выводами и представ-
470
39
2R2
ляют собой усилители
Ftg.52
lC!Of'.
мощности низкои час-
тоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами
Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, те­
левизионных и радиоприемниках, другой аудиоаnnаратуре высокого
класса с двухполярным питанием. Типовая схема подключения приведена
на fig 52 Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
Uccmln Uccmax lccO
Bw
R1
Рощ THD Au
ESM432C ±4,5V ±14V 25111А 20Hz-20KHz 40 20W 0,5% 64dB
52

ESM532C ±4,5V ±lSV 25mA 20Нz-20КНz 80 lOW 0,5% 62dB
ESM632C ±4,5V ±12V 25mA 20Нz-20КНz 40 14W 0,5% 62dB
ESM732C ±4,SV ±9V 25mA 20Нz-20КНz 20 8W
0,3% 62dB
ESM1432C ±4,5V ±lSV ЗОmА 20Нz-20КНz 40 20W 0,5% 64dB
ESM1532C ±4,5V ±lбV ЗОmА 20Нz-20КНz 40 20W 0,5% 62dB
ESM1632C ±4,5V ±!ЗУ ЗОmА 20Нz-20КНz 40 14W 0,5% 62dB
ESM1732C ±4,5V ±9V ЗОmА 20.Нz-20КНz 20 SW
0,3% 62dB
TDAllllSP ±бV
±15V 25mA 20Нz-20КНz 40 20W 0,3% 62dB
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы
необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
ESM1231C,TDA1103,TDA 1103SP
100.0
+
Интегральнаые микросхемы
ESMl23lC (Thomson), TDAll03 и
79wlOOO,O TDAll03SP (SGS) выполнены в
--------
RL корпусах SIPl с 11 выводами и
+н 0.1
представляют собой усилители
100.0
2.2
мощности низкой частоты. Пред-
назначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизи­
онных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. Ти­
повая схема подключения приведена на fig.53. Некоторые из основных
параметров микросхем следующие:
Uccmin
Uccmax
Icco(U1n=O)
Poutmax
Au
BW
THD(Pout=0,2W,
f=lKHz)
R1nom
12v
32v
30 тА
20w
52 dB
20Hz-20KHz
0,05%
40
В микросх~мы встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке.
HA1306W
100,О
Н+
+VCC
10. о
5
в
7
IN>-1 + 4
6
3
~г+----~г--~г---~
39R 100, О 220 220 Ч:::J---1
Fig.54
з"зк
47,О
+
Интегральная микросхема
HA1306W фирмы Hitachi вы-
+~70.о
полнена в корпусе SIP2 с 10
9,___,о--;
RL выводами и представляет со-
.Е· 1 бой усилитель мощности низ-
кой частоты. Предназначена
53
для испООтьзования в магнита-

фонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудио­
аппаратуре среднего класса. Типовая схема подключения приведена на fig.
54. Некоторые из основных параметров
Uccmiп
микросхемы следующие:
9V
Uccmax
Icco(Uin=O)
Pout03V/4Q)
Аи
вw
THD(Pout=0,2W,
f=lKHz)
R111om
18v
15 mA
3,5 w
46 dB
30Hz-18KHz
0,15%
40
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему
необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
НА 1308,НА 1309
+VCC
22•О lSOK
Н1с--+..-r=н
220К
Интегральные микросхе­
мы НА1308 и НА1309 фирмы
s,бк
Hitachi выполнены в корпу-
IN>--1 +
4,7
7
+~:о сах S IP2 с 10 выводами и
__
4_..,.._
__,.....,.._.....,. ~.
1
_ f:JRL представляю'т собой ~силите-
ли мощности низкои часто­
ты с идентичными схемами и
8
1
Fig.55
47
1К
различными параметрами. Предназначены для использования в магнито­
фонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудио­
аппаратуре среднего класса. Типовая схема подключения приведена на fig.
55. Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
НА1308
НА1309
Uccmiп
12v
12v
Uccmax
28v
33v
lcco(Uш=O)
20 mA
25 mA
Poutmax
5W
6W
Аи
48 dB
48 dB
BW
20Hz-20KHz
THD(Pout=0,2W,
f=lKHz)
0,1 %
0,08
R111om
sn
sn
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощ-
54

ности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
НА 1310,НА 1313,НА 1314,НА 1316
100,0
Н+
+VCC
910
100,0
+
Интегральные микро­
схемы HAIЗIO и НАIЗIЗ,
НА1314 и НА1316 фирмы
10,О
IN)--{ + 2
'
'1"~ 0
Hitaobl выполноны о кор-
5
12
RL пусах SIL с 12 выводами и
-,-----,--~~~
1-~=i--1 +
~ представляют собой усили~
Fig.56
62R 47,0 47
100 0 , 1 10R тел и мощности низкои
частоты с идентичными схемами и различ:ными параметрами. Предназна-
чены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и
радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре низкого класса. Типовая схема
подключения приведена на fig.56 Некоторые из основных параметров
микросхем следующие:
НА1310
НА1313
НА1314
НА1316
Uccmin
6V
9V
6V
6V
Uccmax
12v
20v
12v
lOV
IccO( Uш=О)
3mA
20 mA
12 mA
10 mA
Рощmах
0,5 w
2W
IW
0,7 w
Au
48 dB
48 dB
42 dB
42 dB
BW
40Hz-18KHz
ТНD(Рощ=О, lW,
f=lKHz)
0,1%
0,2%
0,2%
0,15%
R1nom
80
80
80
80
В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности нет необхо­
димости в теплоотводе (радиаторе).
l!A1317V
100, О
+VCC 10 О
,__...._. I '"!"" 1'
47OR
н+ I0,11 +
1,0
I N >--1 t-+ ---t4
lOOK
Hl--8-. ___.
100,0
8
10
6,8К
Fig.57
lOOK
+J70,0
91--<. ... .. .-;
RL
1--1~
15 0,068
Интегральная микро­
схема НАl3l7V фирмы
Hitachi выполнена в кор­
пусе SIPl с 10 выводами
и представляет собой
усилитель мощности низ­
кой частоты. Предназна-
чена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и
радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схе-
55

ма подключения приведена на fig.57. Некоторые из основных параметров
микросхемы следующие:
Uccmin
Uccmax
lcco(Uш=O)
Pout(26V/80)
Ан
BW
THD(Pout=0,2W,
f=lKHz)
R1nom
20v
36v
45 mA
8W
48 dB
20Hz-20KHz
0,1%
80
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для: получ~ния максимальной выходной мощности микросхему
необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
НА1322
22"0
Н+
4"7
s
8
IN>---1+ 4
7
47"О
+
9
-1-1970,О
"-~-'!'-...,..-+~-.;2r--~~~
RL
1-*-iн .~:1
Интегральная микро­
схем а НА1322 ф_ирмы
Hitachi выполнена в кор­
пусе SIPl с 10 выводами и
представляет собой
усилитель мощности низ-
2S
40
Fig.58
кой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, элек­
трофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре
среднего класса. Типовая схема подключения приведена на fig.58. Неко­
торые из основных параметров микросхемы следующие:
Uccmin
Uccmax
lcco(Uш=O)
Pout(lЗV/40)
Аи
BW
THD(Pout=0,2W,
f=lKHz)
R1nom
9v
18v
50 mA
5,5 w
52 dB
30Hz-18KHz
0,25%
40
В микросхему встроены защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке, термозащита и защита от повышения напряжения питания. Для
получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо
установить на теплоотвод (радиатор).
НА1324
Интегральная микросхема НА1324 фирмы Hitachi выполнена в кор-
56

1.0 ,0
IN>--j+ 4
F1.g .59
+VCC
7
пусе SIPl с lО выводами и
представляет собой усили­
+ ~?о. 0 тель мощности низкой час-
90-_ _,
RL тоты. Предназначена для
~.1
использования в магни-
тофонах, электрофонах, те-
левизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего клас­
са. Типовая схема подключения приведена на fig.59. Некоторые из основ­
ных параметров микросхемы следующие:
Uccmin
Uccmax
Icco(Uш=O)
Pout(IЗV/40)
Au
вw
THD(Pout=0,2W,
f=lKHz)
R1nom
9v
18v
40 mA
4,5 w
52 dB
ЗOHz-ISKHz
0,25%
40
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему
необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
НА1325
11010•• о
IN
6
22.0
+
Интеrральнап- микро­
схема НА1325 фирмы Hita-
chi выполнена в корпусе
ТАВSЗ с 12 выводами и
представляет собой уси­
литель мощности низкой
частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, элек­
трофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре
среднего класса. Типовая схема подключения приведена на fig.60. Неко­
торые из основных параметров микросхемы следующие:
Uccmin
8V
U~cmax
14V
Icco(Uш=O)
30 mA
Рощ(lЗV/80)
2W
Аи
46 dB
BW
30Hz-18KHz
57

THD(Pout=0,2W,
f=lKHz)
R1nom
0,35%
80
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке Для получения максимальной выходной мощности микросхему
необходимо установить на теплоотвод (рациатор).
НА1338
12/1-:-:-0.-r=н +VCC
.lK
]О,о47
220К
IN'~+
3,,.3
. ,.._.. .. ...__
__.s____...,.
7.__......._.+ 147~о
--;4--'!2----~3Fo--"
S.бК RL
ч::=::~-...--'-1· 1-----
Интегральная микро­
схема НА1338 фирмы Hi-
tachi выполнена в кор­
пусе SIP! с 10 выводами и
представляет собой уси­
лит ель мощности низ­
кой частоты. Предназна-
.12К
100. О
Fig.61.
68
330
чена для использования а магнитофонах, электрофонах, телевизионных и
радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схе­
ма подключения приведена на fig.61. Некоторые из основных параметров
микросхемы следующие:
Uccmin
Uccmax
Icco(U ш=О)
Рощ(24V/80)
Ан
вw
THD(Poщ=0,2W,
12v
32v
40 тА
6W
56 dB
20Hz-20KHz
f=IKHz)
0,15%
Rщom
80
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему
необходимо установить на теплоотвод (рациатор).
НА 1339А,НА 1339AR,HA1342А,НА 1342AR
н 2::о • о+ 1--И.:.::J-J
о.озз
Fig.62
47~0
...
Перечисленные интег-
ральные микросхемы фирмы
Hitachi выполнены в корпу­
с ах SIP4 с 10 выводами и
представляют собой усилите-
ли мощности низкой часто-
ты Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах,
телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего
58

класса. Типовая схема подключения приведена на fig.62. *Параметрь'I ми­
кросхем НА1339А и HA1339AR (соответственно НА1342А и HA1342AR)
идентичны, но в отличии от НА1339А и НА1342А, у которых расположе­
ние выводов на корпусе нормальное (нумерация выводов слева направо),
у HA1339AR и НА1342АR инверсная (зеркальная) нумерация выводов, т.е.
справа налево*. В микросхемы встроена защита выхода от короткого за­
мыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной вьrход­
ной мощности, микросхемы необходимо установить на теплоотвод (ради­
атор). Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
HA1345V
100,0
Н+
НА1339А
НА1342А
Uccmin
6V
6V
Uccmax
IccO( U ш=О)
Poнtmax
Rш
Ан
вw
THD(Poнt=0,2W,
f=lKHz)
Rinom
18v
50 mA
5,5 w
100 ко
42 dB
20V
20 mA
5,5 w
100 KQ
42 dB
30Hz-20KHz
0,15%
40
0,12%
40
Интегральная микро­
схема HA1345V фирмы Hi-
tachi выполнена в кор­
пусе SIPl с 10 выводами и
представляет собой уси­
литель мощности низкой
частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофо­
нах, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема подключе­
ния приведена на fig.63. Некоторые из основных параметров микросхемы
следующие:
Uccmin
Uccmax
Icco(Uin=O)
Poнt(26V/80)
Ан
BW
THD(Poнt=0,2W,
f=lKHz)
59
12v
26v
45 mA
8W
42 dB
20Hz-20KHz
0,08%

R1nom
8Q
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему
необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
но, .1
1,02,2К
4
I Nн f--C::J--. - >- -f7
120
Fig.64
S6K
-vcc
в0,1
Интеграль­
ные микро­
схемы НА1350
RL и НА1370 фир­
мы Hitachi вы-
полнены в кор­
пусах SIP4 с 10 выводами и представляют собой усилители мощности
низкой частоты. Предназначены для использования в магнитофонах,
электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппарату­
ре среднего класса с двухполярным (несимметричным) питанием. Типо­
вая схема подключения приведена на fig.64 Некоторые из основных па­
раметров микросхем следующие:
Uccnom
Ucc1nom
IccO( U ш=О)
Pout~25V/8Q)
Аи
вw
THD(Poi11=0,5W,
f=lKHz)
R1nom
±22 v
25v
50 mA
18w
52 dB
20Hz-20KHz
О, 15%
8Q
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы
необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
НА 1366W,HA1366WR
Интегральные микросхемы HA1366W и HA1366WR фирмы Hitaclii вы-
полнены в корпусах SIP4 с 1О выводами и представляют собой усилители
мощности низкой частоты Предназначены для использования в магии+
тофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой ау­
диоаппаратуре среднего класса. Типовая схема подключения приведена на
fig.65. *Параметры микросхем HA1366W и НА! 366WR идентичны, но в
отличии от HA1366W, у которой расположение выводов на корпусе нор-
60

н 100.0
+
~+\·'С(":
мальное (нумерация выводов
слева направо), у HA1366WR ин­
версная (зеркальная) нумерация
выводов, т.е. справа налево*. В
микросхемы встроена защита вы-
Fig.6:;
хода от короткого замыкания в
нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходНой мощно-
сти микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Неко-
торые из основных параметров микросхем
Uccmin
НА1367
7'5к нz >-----~
R
Uccmax
lccO( Uin=O)
Poнt03V/40)
Rш
Ан
BW
THD(Poщ=0,2W,
f=lKHz)
Rinom
следующие:
9V
18v
30 mA
5,5 w
100 кп
42 dB
30Hz-20KHz
0,25%
40
RL
I1нтеrральная микросхема НА 1367 фирмы Hitachi выполнена в кор­
пусе ТABS с 20 выводами и содержит предварительный усилитель записи/
воспроизведения для магнитной головки магнитофона, схему АРУ (ALC)
и оконечный усилитель мощности НЧ выnолненый по мостовой схеме.
Предназначена для использования в автомобильных кассетных магнито­
фонах среднего класса. Типовая схема подключения приведена на fig.66.
Переключатель SW! коммутирует микросхему в режимы записи или вос­
произведения (на схеме в режиме воспроизведения), а SW2 включает (вы­
ключает) схему АРУ. Некоторые из основных параметров микросхемы
61

следующие
Uccnom
Icco(Uш=O)
Pout(6V/40)
Аи
BW
THD(Pout=IW,
f=lKHz)
Rщom
6V
50 mA
2,2 w
32 dB
40Hz-17KHz
1%
4.0
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрvзке Для получения максимальной выходной мощности микросхему
необходимо установить на теплоотвод (радиатор)
НА 1368,НА 1368R
100.0
н
I N /,>-----о0--04
?3К
5
9
47 J'o
+
Интегральные микросхемы
НА1368 и HA1368R фирмы H1ta-
• :'°~. 0 oh• выполноны в корпуоох S!Р4
lDJ------1
RL с 10 выводами и представляют
12
.c=i-__ ...- -t
собой усилители мощности низ-
0•
1
кой частоты Предназначены для
использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радио­
приемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса Типовая схема
подключения приведена на flg 67 *Параметры микросхем НА1368 и
HAI368R идентичны, но в отличии от НА1368, у которой расположение
выводов на корпусе нормальное (нумераuия выводов слева направо), у
НА! 368R инверсная (зеркальная) нумерация выводов, те справа на­
лево* В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке и термозащита Для получения максимальной выходной мощ­
ности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор) Не­
которые из основных параметров микросхем следующие
UcLffi111
9V
U,cmax
18V
ILLO(Uш=O)
40 mA
Pout(l3V/4Q)
5,3 W
Rш
100 KQ
Аи
38 dB
BW
30Hz-20KHz
THD(Poщ=0,5W,
f=lKHz)
Rinom
62
0,25%
4.0

НА1371
100,О
Н+
1,0
IN '---1 +
10
+VCC 0,068
Интегральная микросхема НА1371
фирмы Hitachi выполнена в кор­
пусе TABS7 с 12 выводами и пред­
оJо..;s
s
ставляет собой усилитель мощности
низкой частоты спроектированный
по мостовой схеме. Предназначена
для использования в автомобильных
150 кассетных магнитофонах и электро­
фонах среднего класса. Типовая схе-
11--~
121-+-~'_L
220 22К
J.00~ ма подключения приведена на fig.68 .
Некоторые из основных параметров
микросхемы следующие:
Uccnom
lccO( U ш=О)
Pout(9V/4Q)
Au
вw
THD(Pot1t= ! W,
f=lKHz)
R111om
12v
40 mA
7,3 w
42 dB
30Hz-20KHz
0,3%
4.Q
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему
необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
НА1372
2
IN
3
Интегральная микросхема НА 1372
фирмы Hitachi выполнена в корпусе
SIP4 с 10 выводами и представляет собой
усилитель мощности низкой частоты.
Предназначена для использования в маг-
нитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой ау­
диоаппаратуре среднего класса. Типовая схема подключения приведена на
fig.69. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему
необходимо установить на теплоотвод (радиатор) . .fj:екоторые из основ­
ных параметров микросхемы следующие:
Uccmin
9V
63

IN
Uccmax
lccO( U ш==О)
Pout03V/40)
Au
BW
THD(Poiit==0,2W,
f=lKHz)
Rinom
18v
30 mA
5,5 w
38 dB
30Hz-20KHz
0,8%
40
НА1374,НА1374А
100,О
111~0. о
нС>9
+-
1
+VCC "'i:"
_10, 1
10
Интегральные микросхемы
НА1374 и НА1374А фирмы H1tach1
I N L ',_,ll--l>-f5
+ 1000.0
выполнены в корпусах SIP4 с 10 вы­
Р RL водами и представляют собой двух­
канальные (стереофонические) уси­
лители мощности низкой частоты
L RL Предназначены для использования в
220
? 1---<1>--+·Н-~
н6
1000.0
+ .._..,з____.
100. о
.::Е: 1
Fig 70
22,0+ н
магнитофонах, электрофонах, теле­
визионных и радиоприемниках. дру­
гой аудиоаппаратуре среднего клас-
са Типовая схема подключения приведена на fig 70 В микросхемы встро­
ена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита
Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необхо­
димо установить на теплоотвод (радиатор) Некоторые из основных пара­
метров микросхем (выходные параметры- для одного канала) следующие
UccffiШ
Uccmax
Icco(Uш=O)
Рощmах
Rш
Au
вw
THD(Pout=O,SW,
f=lKHz)
R1nom
НА 1384,НА 1388
llA1374
llA1374A
8V
8у
22у
25у
36 mA
36 mA
3W
4W
100 ко
100 ко
32 dB
32 dB
30Hz-20KHz
0,2%
80
О, 15%
80
Интегральные микросхемы НА1384 и НА1388 фирмы H1tachi
выполнены в корпусах SIPl с 12 выводами и представляют собой уси-
64

То.
1 лители мощности низкой частоты
10, о
+н
+ 1..'С С 0-----1
47,О
0.1
10
s
IN>--1
3
выполненные по мостовой схеме.
Предназначены для использования
в частности в автомобильных кac­
9
Н+5
47.о
.._.......................1.,.1__,
Fig.71 ~IT
3х100:о
RL сетных мапштофонах а так же элек­
трофонах, телевизионных и радио-
приемниках, другой аудиоаппарату­
ре среднего класса. Типовая схема
47. о
f
. :f:: 1 подключения приведена на ig. 71.
Некоторые из основных параметров
микросхем следующие:
Uccmin
Uccmax
ILco(Uш=O)
Pout(l3V/4Q)
Au
BW
THD(Pout=lW,
f=lKHz)
Rinom
НА1384
9V
26v
80 mA
20w
46 dB
НА1388
9V
18v
60 mA
18w
46 dB
20Hz-20KHz
0,15%
40
0,2%
4Q
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы
необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
НА 1389,НА 1389R
IN
+VCC
100R
~-+-C::J-"1~--..,4 7 • о
Интегральные микросхемы
НА1389 и HA1389R фирмы Hitachi
+
34
+
+~
70
• 0 выполнены в корпусах SIPl с 10 вы-
RL
бо
водами и представляют со ои уси-
.100~ о
лители мощности низкой частоты.
sбR isoo1T- -то, .i
F•".7г
~
Предназначены для использования в
магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой
аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема подключения приведена
на fig.72. *Параметры микросхем НА1389 и HA1389R идентичны, но в от­
личии от НА1389, у которой расположение выводов на корпусе нормаль­
ное (нумерация выводов слева направо), у HA1389R инверсная (зеркаль­
ная) нумерация вьщодов, т.е. справа налево*. В микросхемы встроена за-
~05
65

щита выхода от коротксго замыкания в нагрузке и термозащита. Для по­
лучения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо ус­
тановить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров
микросхем следующие:
НА1392
100,0
Н+
33, о
10
Н+1
IN R~,31+
2
51К
SlK
3,31
INL"
>--11>--1<;
-
Н+ь
33,0
12
Uccmin
Uccmax
Icco(Uш=O)
Poui(22V/8Q)
9v
30v
9mA
7W
Rш
8ко
Ан
BW
THD(Poнt=O,SW,
f=lKHz)
42 dB
30Hz-20KHz
0,15%
80
R1nom
Интегральная микросхема'
НА1392 фирмы Hitacl1i выполнена в
корпусе SIP7 с 12 выводами и пред­
ставляет собой двухканальный (cтe-
RL реофонический) усилитель мощнос­
ти низкой частоты. Предназначена
для использоваяия в магнитофонах,
электрофонах, телевизионных и ра-
LRL
7w4-o,o
0,1
1оок.__4_ _ .
диоприемниках, другой аудиоаппа-
ратуре среднего класса. Типовая
+V ,; С o---c::J- .
1R
sw1 Fiэ.?з
схема подключения приведена на
fig.73. Переключатель SWl выполняет функцию "MUTE". В микросхему
встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащи­
та Для получения максимальной- выходной мощности микросхему необ­
ходимо установить на теплоотвод (радиатор) Некоторые из основных па­
раметров микросхемы (выходные параметры- для одного канала) следую­
щие:
Ut.cmi11
Ut.cmax
Icco(Uш=O)
Pout(l2V/4Q)
Rш
Ан
BW
THD(Poнt=O,SW,
66
8v
18v
36 mA
4,3 w
120 ко
42 dB
30Hz-20KHz

НА1393
i.G. .а
f=lKHz)
Rinom
0,15%
4Q
+•..,се с
33R
3,3К
·н
Интегральная микросхема НА1393
Т фирмы Hitachi выполнена в корпусе
0
•
1
S IP l с 12 выводами и представляет
собой усилитель мощности низкой
частоты выполненый по мостовой
RL схеме. Предназначена для использо­
вания в автомобильных кассетных
магнитофонах среднего класса. Типо-
100. о+
11108
О,1
12
IN>-j
3
22К
9
4
7
100,0
3, :::к
6
+
39i:;:
_Еоа, о
Fig.74
.JS.· 1
вая схема подклюqения приведена на
fig. 74. Некоторые из основных пара-
метров микросхемы следующие:
Uccmin
Uccmax
Icco(Uш=O)
Poнt03V/4Q)
Ан
вw
THD(Poнt=lW,
f=lKHz)
R1nom
9V
26v
80 mA
20w
48 dB
20Hz-20KHz
0,15%
4Q
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему
необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
НА1394
о,1
I N R н l--il>--13
lOOK
нf-.---tl
100,0
lOOK
I N L ~'-11----1'4
0,1
10
+VCC
Интегральная микросхема
0,1 н
НА1394 фирмы Hitachi выпол-
12>--<.--;+ 170·0 нена в корпусе SIPl с 12 выво-
~
RRl
~
+
дами и представляет собои
11
100, о
двухканальный (стереофони-
9
ческий) усилитель мощности
8
100,0
низкой qастоты. Предназна-
+
~L RL qена для использования в маг-
6
7
+ r-J~o. о нитофонах, электрофонах, теле-
_ __ ,__"
Н
визионных и радиоприемниках,
о,1
Fig.75
другой аудиоаппаратуре средне-
го класса. Типовая схема подключения приведена на fig.75. В микросхему
67

встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащи­
та. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необ­
ходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных
параметров микросхемы (выходные параметры- для одного канала) сле­
дующие:
НА1395
100,0
Uccmin
Uccmax
Icco(Uш=O)
Pout(25V/8Q)
Rш
Au
BW
THD(Poнt=0,5W,
f=lKHz)
Rmom
9V
35v
80 mA
8,2 w
100 KQ
48 dB
20Hz-20KHz
0,1%
8Q
Нlг--+i--<:o+vcc Т - --
ll_,, ;,:::~
Интегральная микросхема
НА1395 фирмы Hitachi выпол­
нена в корпусе SIPl с 12 выво­
дами и представляет собой
двухканальный ( стереофони­
ческий) усилитель мощности
низкой частоты. Предназна­
чена для использования в маг­
нитофонах, электрофонах, те­
левизионных и радиоприемни­
ках, другой аудиоаппаратуре
100~0
Н+7
l,О 68R
IN R>---j+
8
среднего класса. Типовая схема подключения приведена на fig.76. В мик­
росхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и
термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микро­
схему необходимо установить на теп:лоотвод (радиатор). Некоторые из
основных параметров микросхемы (выходные параметры- для одного ка­
нала) следующие:
UcLmш
Uccmax
Icco(U ш=О)
Poutmax
Rш
Ан
68
9V
35v
80 mA
10w
100 KQ
48 dB

НА1396
IN~
68К
10
1
3
120
4
SWl
13~2V
2,7k
Fig.77
вw
THD(Pout=O,SW,
f=lKHz)
R1nom
10К
2
8
7
20Hz-20KHz
0,1%
80
+~200,О
RL
+
2200,0
Интегральная
+
Г:--С::~>-С~:~~-'-_:~о~,~
корпусе SIPl с 12
выводами и пред­
ставляет собой уси-
литель мощности низкой частоты выполненый по мостовой схеме. Пред­
назначена для использования в автомобильных кассетных магнитофонах
высокого класса. Типовая схема подключения приведена на fig.77 . Пере­
ключатель SWl выполняет функцию "MUTE" .Некоторые из основных
параметров микросхемы следующие:
Uccmin
Uccmax
Icco(Uin=O)
PoutOЗV/40)
Ан
BW
THD(Poщ=lW,
f=lKHz)
R1nom
8V
18v
140 mA
20w
42 dB
20Hz-20KHz
0,1%
40
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему
необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
НА1397
1,О .-..
2К
IN)---1Г-~~·=:J~--..--J9
3
120
12
10
Fig.78
Sб!<
-'·./СС .. _
--{ +
680R Sбt<
lCI, О 330, О
е0,1
RL
Интеграль­
на я микро­
схемы НА1397
фирмы Hitachi
выполнена в
корпусе SIP4 с
10 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой частоты.
Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, теле­
визионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса с
69

двухполярным (несимметричным) питанием. Типовая схема подключе­
ния приведена на fig.78. Некоторые из основных параметров микросхемы
следующие:
Uccnom
Ucc1nom
lcco(Uш=O)
Pout(±22V/80)
Ан
BW
THD(Pout=0,5W,
f=IKHz)
Rinom
±22 у
25у
50 mA
20w
52 dB
20Hz-20KHz
0,15%
80
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему
необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
НА 12052CMS,HA12052GFP
L,-,
-- t ~-................
~.... 2:-:..1000
--t
R
'-. /
Fig.79
1
12
+
J.O, О
3lE
154
5
HALL IN
+
~оо.о
0.22
Интегральные микросхемы HA12052CMS и HA12052GFP (Matsushita)
с идентичными схемами и параметрами выполн.ены в корпусах DIP
(HAI2052CMS) или SO (HAl2052GFP) с 16 выводами. Содержат двухка­
нальные усилители воспроизведения, корректоры тона, усилители мощ­
ности низкой частоты, регулятор скорости вращения двигателя магнито­
фона М и схему автостопа. Предназначены для использования в малога­
баритных кассетных магнитофонах (плэйерах) высокого класса (fig.79).
Контуры частотной коррекции обеспечивают при воспроизведении АЧХ
согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. На вход HALL IN по­
даются импульсы от датчика Холла сигнализирующе о движении магнит­
ной ленты. Переключатель SWI при включении напряжения питания од­
новременно запускает схему автостопа. Основные параметры микросхем
70

(выходные параметры- для одного канала) следующJilе:
Uccmin
1,5 У
Uccmax:
6У
Poutmax
0,1 W
Icco(Uin=O)
2mA
Au
68 dB
BW
15Hz-20KHz
Uшmax
10 mV
THD(Po11t=lOmW,
f=lKHz)
0,01%
Uno
12 μУ
R111om
320
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке и термозащита.
НА13001
INR
10QK
220
3
,_.,_
_,1
Интегральная микросхема НА 13001
]О, 1
фирмы Hitachi выполнена в корпусе SIPl
12 +fl:,o с ~2 выводами и представлю~'! собой двyx­
.fJR RL канальный (стереофонический) усили-
11 100, 0
тель мощности низкой частоты. Предназ-
91000
начена для использования в магнитофо-
1оок
в
'
rN L '~-+-1.4
+ J нах, электрофонах, телевизионных и ра-
220
LRL
Н+s
7
+
диоприемниках, дРУГой аудиоаппаратуре
100 , 0 ..__,б..__ __,
1000
•
0
среднего класса. Типовая схема подклю-
Fig.sо 22,о+Н 1·
1
чения приведена на fig.80. В микросхему
встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащи­
та. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необ­
ходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных па­
раметров микросхемы (выходные параметры- для одного канала) следую­
щие:
Uccmin
Uccmax
I"o( U iп=О)
Pout03V/4Q)
Rin
Au
BW
THD(Po11t=0,5W,
f=lKHz)
71
8у
18у
80 mA
5,5 w
120 кn
42 dB
20Hz-20KHz
0,25%

R1nom
40
НА13102
100,О
н~.~~+VСС ~
Интегральная микросхема НА13102
фирмы Hitachi выполнена в корпусе
SIPl с 12 выводами и представляет собой
33,0
10
_19~ 1
1"0Н+ 1
IN R)--j +
2
SlK
SlK
IN L)--j +
1,Он
33,О
5
6
1 1..- ., ....... ,• ~
470
·Р0 двухканальный (стереофонический)
RL усилитель мощности низкой частоты.
+ 47"о
12
Предназначена для использования в
8
47"0
+
магнитофонах, электрофонах, телевизи-
9
о,1 L RLcxeмa подключения приведена на fig.81
онных и радиоприемниках, другой ау-
7Q
47
o.o
диоаппаратуре среднего класса. Типовая
Fig.81
lR
В микросхему встроена защита выхода от
короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения макси­
мальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теп­
лоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (вы­
ходные параметры- для одного канала) следующие
НА13104
100,0
10"О
:IN>----1 + 11
Н.
10
Uccmiп
8V
Uccmax
18V
Icco(Uш=O)
80 mA
РонtОЗV/40)
5,5 W
Rш
120 КО
Ан
42 dB
BW
20Hz-20KHz
THD(Poнt=0,5W,
f=lKHz)
Rinom
0,25%
40
Интегральная микросхема НА13104
фирмы Hitachi выполнена в корпусе
61'---11 --1
2 с выводами и представляет со-
•19000.0 SIP 10
f-<,,_. _ _"
о, 1 RLбой усилитель мощности низкой часто-
ты. Предназначена для использования в
магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, цругой
аудиоаппаратуре среднего класса Типовая схема подключения приведена
на fig 82. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания
в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхе-
72

му необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из ос­
новных параметров микросхемы следующие:
НА13119
100,О
Uccillll1
8V
Uccmax
16У
lcco(Uш=O)
30 mA
Р0щ(13V/40)
5,5 W
Rш
120 ко
Ан
42 dB
BW
30Hz-20KHz
THD(Poвt=0,5W,
f=lKHz)
Rщom
0,15%
40
Н1-+---п+VСС ~
Интегральная микросхема
НА! 3119 фирмы Hitachi выпол­
нена в корпусе SIРЗ с l 5 выво­
дами и представляет собой двух-
33" о
13
J.o-:--1 1
н.1
IN R~,
3
lt-+---.2
51К
. -----1 4
51К
~,31
INL
+
5
н.6
33,0
s 1------.. ...,• 1"~:
+ 47"о
10
3
14
7" 9"
~J
RL канальный (стереофонический)
усилитель мощности низкой
частоты Предназначена для ис­
пользования в магнитофонах,
электрофонах, телевизионных и
15 Q470~:
._.. .
1..,1,.._12=-_ .
RL радиоприемниках, другой ау­
диоаппаратуре среднего класса
1R
Типовая схема подключения приведена на fig.83. В микросхему встроена
защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для
получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо
установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров
микросхемы (выходные параметры- для одного канала) следующие:
UcLmiп
8V
ULLmax
16V
Icco(Uш=O)
20 mA
Poвt(\3V/40)
2,2 W
Rш
100 КО
Ав
48 dB
BW
30Hz-18KHz
THD(Poвt=0,5W,
f=lKHz)
Rmom
73
0,35%
40

K174YН14,L142,LM383,LM383A,LM2002,LM2002A,
TDA1410Н,TDA1420Н,TDA2002,TDA2003.TDA2008,
ULN3701 Z,ULN3702Z,ULN3703Z,μPC2002
0,22
Интегральные микросхемы К174УН14
+vcco---+-J~
(СНГ), LM383 и LM2002 (National Semi-
IN ~ _ _,s,._
'
2
:
000 • 0 co11ductor), L142, TDA1410H, TDAl420H,
10'
•
1
4
+~ TDA2002, TDA2C03 и TDA2008 (SGS-
10"0
:.
2oR JRLThomson), ULN3701Z, ULN3702Z и
.__.,.._...
ULN3703Z (Spragнe), μРС2002 (NEC) вы-
2" 2R
полнены в корпусах ТО220 с 5 выводами
сформованными в два ряда параллельно плоскости корпуса. *У микросхем
с суффиксами А и V выводы согнуты перпендикулярно плоскости корпуса *
Представляют собой усилители мощности низкой частоты с идентичными
схемами (цоколевками) и различными параметрами Предназначены для
использования в магнитофонах, электрофонах, другой аудиоаппаратуре
среднего класса. Типовая схема подключения приведена на fig.84. В мик­
росхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и
термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микрос­
хемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из ос-
новных параметров микросхем следующие:
Uccmin Uccmax IccO
Bw
R1 Pout
THD Au
Kl 74УН14 8У
18У
45mA 40Hz-20KHz 40 4,SW 0,25% 48dB
Ll42
sv
40У
20шА 40Нz-20КНz 40 20W 0,2% 48dB
LМ38З
sv
22V
45111А 40Hz-20KHz 4.Q 7W 0,2% 48dB
LM2002
sv
20V
45mA 40Hz-20KHz 40 8W
0,2% 48dB
TDA1410H 8У
ЗбV
20mA 40Hz-20KHz 4П 16W 0,2% 48dB
TDA1420H sv
44У
20mA 40Hz-20KHz 4П зоw 0,2% 48dB
TDA2002 8У
18У
45mA 40Hz-20KHz 2n 8W
0,2% 48dB
TDA2003 sv
18У
44шА 40Hz-20KHz 2n IOW 0,2% 42dB
TDA2008 sv
18У
65тА 40Hz-20KHz 4П l2W 0,5% 48dB
ULN370tZ sv
18V
4SmA 35Hz-2uKHz 2Q lOW 0,1% 42dB
ULN3702Z SV
26V
80mA 35Hz-20KHz 40 12W 0,1% 42dB
ULN3703Z sv
18У
44mA 35Нz-20КНz 2n lOW 0,1% 42dB
μРС2002
sv
18V
5SmA 40Hz-20KHz 20 9W
0,2% 48dB
К 174УН22,КА2209,L272M,L2722,N JM2073,
TDA2822M,TDA2822D,U2822B,U2823B
Интегральные микросхемы К 174УН22 (СНГ), КА2209 (Samsung),
NJM2073 (New Japa11 Radio), L272M,L2722, TDA2822M и TDA2822D(SGS-
Tl1omso11), U2822B и U2823B (Telefunken) с идентичными схемами и па-
74

100.0
+VCC
о.1
раметрами выполнены в корпусах
Н+ н ~00,О
HR RL DIP с 8 выводами (TDA2822D- SO с
INR>--\+ 7 2
81.
+\47~01 8 выводами). Представляют собой
1.. о
INL>--\+ б
3
+147A°I двухканальные усилители мощности
1.о
низкой частоты и предназначены
Fig.85a
HL RL
о.1
для испольJования в малогабарит-
ных кассетных магнитофонах, другой ау­
диоаппаратуре с питанием от батарей (fig.
85а). Для получения удвоенной выходной
мощности на том же сопротивлении наг-
Н r+100" о
о.1 F"". вsь
рузки при том же напяжении питания, ми-
кросхемы можно подключать по мостовой схеме (fig.85b). Основные па­
раметры микросхем (выходные параметры-мя одного канала) следующие:
Uccmin
1,8 V
Uccmax:
9V
Pout(6V/4Q)
0,65 W
Icco(Um=O)
9mA
Ан
62 dB
BW
ЗOHz-18KHz
THD(Pout=IOmW,
f=lKHz)
0,05%
R1nom
4Q
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности
нет необходимости в теплоотводе (радиаторе).
IN
КА2201 N .LM820M.TBA820M,U820
0"1
+vc1:
н1--H=:J'-1>----, 100. о
1CIOR
+
б
Интегральные микросхемы
КА220 l N (Samsuпg), LM820M (Na-
tioпal Semicoпductor), ТВА820М
(SGS-Ates), и U820 (Telefu11ke11) с
идентичными схемами и парамет­
рами выполнены в корпусах D IP с 8
выводами. Представляют собой усилители мощности низкой частоты и
предназначены для использования в малогабаритных кассетных магнито­
фонах, другой аудиоаппаратуре с питанием от батарей (fig.86). Основные
параметры микросхем следующие:
Uccmin
Uccmax:
Pout( 1ЗУ/4Q)
75
зv
16v
2W

Icco(Uш=O)
4mA
Au
56 dB
BW
40Hz-18KHz
THD(Pout=lOOmW,
f=lKHz)
0,1%
R1nom
40
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности
нет необходимости в теплоотводе (радиаторе).
КА2202,КА2207
100,0
Н+
6
IN
7
+VCC
lOJJ. О
+
Интегральные микросхе­
мы КА2202 и КА2207 (Sam-
'
;1~'"} •ung) с ИДОНТИЧНЫМИ схом•-
121---
____
..,..._
__,_
RL ми и различными параметра-
о,1 lR
-1
ми выполнены в корпусах
TABS5 с 14 выводами. Пред-
ставляют собой усилители мощности низкой частоты и предназначены
для использования в кассетных магнитофонах, другой аудиоаппаратуре
низкого класса с питанием от батарей (fig.87). Основные параметры мик-
росхем следующие:
КА2202
КА2207
Uccmin
4V
Uccmax:
16v
Poutmax
lW
lcco(Uш=O)
7mA
Au
52 dB
BW
THD(Pout=lOOmW,
f=lKHz)
0,2%
R111om
40
5v
20v
2,3 w
9mA
52 dB
40Hz-18KHz
О, 1%
40
В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности нет необхо­
димости в теплоотводе (радиаторе).
КA2203,SN16975,TBA820,UL1482P
100"0
+VCC
Интегральные микросхемы
КА2203 (Samsung), SN16975 (Те-
12
~ъ7 о,о xas Inst1·ume11ts), ТВА820 (SGS-
RL ATES) и UL1482P (Unitra) с иден-
470
тичными схемами и параметра-
1
100k
F1g.88
76

ми выполнены в корпусах DIP с 14 выводами. Представляют собой уси­
лители мощности низкой частоты и предназначены для использования в
кассетных магнитофонах, другой аудиоаппаратуре низкого класса с пита­
нием от батарей (fig 88). Основные параметры микросхем следующие:
Оссmш
3V
U(,cmax.
16V
Pout(IЗV/40)
2W
Icco(Uш=O)
4шА
Au
48 dB
BW
40Hz-18KHz
THD(Pout=100mW,
f=1KHz)
0,22%
Rщош
40
В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности нет необхо­
димости в теплоотводе (радиаторе).
КА2204
2.2(1" о
Н+
+VCC
'3
10
100, о
+
Интегральная микросхема
КА2204 (Sашsнпg) выполнена в
_
' ] RL представляет с обои усилитель
1_1" 1
1---<, __,
мощности низкой частоты. Пред-
-'l~c корпу" SIPI ' 10 ~ЫВОДОМИ и
470
назначена для использования в
кассетных магнитофонах, электрофонах, другой аудиоаппаратуре среднего
класса (fig.~). Основные параметры микросхемы следующие:
Uccmiп
6V
Uссшах:
18V
PoutOЗV/40)
6W
I(,co(Uщ=O)
40 mA
Ан
48 dB
BW
30Hz-20KHz
THD(~out=500шW,
f=1KHz)
0,2%
RJПOffi
40
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в наг-
рузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему не­
обходимо установить на теплоотвод (радиатор).
КА220.5
Интегральная микросхема КА2205 (Samsнпg) выполнена в корпусе
SIPl с 10 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой
77

н lсю,о
частоты. Предназначена для использо-
г---<0.--.._~1.+\.1 ,- с
г---~
+
47~u
ф
+
вания в кассетных магнито онах, элек-
1,о
1
9
IN)--j + :о
+~
1000
• 0 трофонах, радиоприемниках, другой
8
7
Тn
RL аудиоаппаратуре среднего класса (fig .
..J:.' 1
Fig.9o
90). Основные параметры микросхемы
220,О
следующие:
Uccmin
6V
Uccmax:
Pout( l ЗV/40)
Icco(Uш=O)
Au
BW
18v
5,8 w
35 mA
42 dB
30Hz-20KHz
THD(Pout=500mW,
f=lKHz)
0,25%
Rtnom
40
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в наг-
рузке Для получения максимальной выходной мощности микросхему не­
обходимо установить на теплоотвод (радиатор).
КА2210,LА4445
100,О
+VCC
н.
(КА2210) или SIP2 (LA4445) с 12. выводами и представляют собой двухка­
нальные усилители мощности низкой частоты Предназначены для ис­
пользования в кассетных магнитофонах, электрофонах, радио и телевизи­
онных приемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса (fig.91). Не­
которые из основных параметров микросхем (выходные параметры- для
одного канала) следующие:
Uccmin
Uccmax:
PoutOЗV/40)
Icco(U111=0)
Au
BW
78
6V
18v
5,5 w
75 mA
52 dB
30Hz-20KHz

THD(Poi1t=500mW,
f=lKHz)
0,2%
R1nom
40
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наг-
рузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы
необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
КА_2211,КIА7299,ТА7240Р,ТА7241Р,ТА7263Р,
ТА7264Р,ТА7270Р,ТА7271Р,ТА7299Р
100,0
Интегральные микросхемы
Н+ -,+\1 сс ~
КА2211 и KIA7299 (Samsung),
0
•
22
ТА7240Р, ТА7241Р, ТА726ЗР,
47,0
н.s
10
1,0
INRЧ.6
1,о
Н+2
47,0
4
7
8
+~000,О
RRL
+100,о
9
11
100,0
+
12 t--tt----i
lRL
ТА7264Р, ТА7270Р, ТА7271Р и
ТА7299Р (Tosh1ba) с идентичными
схемами выполнены в корпусах
SIPl с 12 выводами и представляют
собой двухканальные усилители
мощности ffизкой частоты. Пред­
назначены для использования в кас­
сетных магнитофонах, электрофо-
+~000,О
.1:22
F19.92
нах, радио и телевизионных прием­
никах, другой аудиоаппаратуре среднего класса (fig.92). *Если у микро­
схем КА2211, KIA7299, ТА7240Р, ТА726ЗР, ТА7270Р и ТА7299 расположе-
ние выводов на корпусе нормальное (нумерация выводов слева направо),
у ТА724\Р, ТА7264Р и ТА7271Р инверсная (зеркальная) нумерация выво­
дов, т.е. справа налево*. Некоторые из основных параметров микросхем
(выходные параметры- для одного канала) следующие:
Uccmin
10V
Uccmax:
18V
Рощmах
5,8 W
IcLo(U111=0)
80 mA
Ав
52 dB
BW
30Hz-20KHz
THD(Poвt=500mW,
f=lKHz)
0,2%
R1nom
40
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке Для получения максимальной выходной мощности микросхемы
необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
79

КА2213,КА22130
14
2
13
117
+VCC
100.0
+
I ~~ 1.00,О
+
8
•
Интегральные ми­
кросхемы КА2213 и
КА22130 (Samsung) с
9
+~
70 0 идентичными схемами
---------10___
RL и параметрами выпол-
+~·1
5
не ны в корпус ах
Fig 9За
F:a.g 9ЗЬ
100
•
0
TABS5 с 14 выводами
+~се
(КА2213) или DIP с 16
100.0
+
выводами (КА22130)
Содержат предвари-
предназначены для
использования в малогабаритных кассетных магнитофонах среднего клас­
са Типовые схемы подключения в качестве усилителя воспроизведения
и усилителя мощности НЧ магнитофона приведены на fig 93а (для микро­
схемы КА2213), и на fig 93Ь (для КА22130) Контур частотной коррекции
обеспечивает АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO
Основные параметры микросхем следующие
Uccmш
6V
Uccmax
Рощmах
Icco(Uш=O)
Аи
BW
13v
1,2 w
8mA
68 dB
30Hz-I8KHz
Uшmax
10 mV
THD(Pout=50mW,
f=lKHz)
0,1%
R1nom
40
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наг-
рузке и термозащита Для получения максимальной выходной мощности
нет необходимости в теплоотводе (радиаторе)
КА2214,μРС1263
Интегральные микросхемы КА2214 (Samsung) и μРС1263 (NEC) с
идентичными схемами и параметрами выполнены в корпусах TABS6 с 10
выводами и представляют собой двухканальные усилители мощности низ­
кой частоты Предназначены для использования в кассетных магнитофо-
80

+VCC
47.о 68
104
Н+3
INR>-i
2
0,1
22К
14
22)<
о.1
INL>-1
i3
н. 12
47.о 68
111
F1g 94 н +47,О
6
s
9
8
нах, электрофонах, радио и телевизи­
онных приемниках, другой аудиоап­
паратуре низкого класса (fig 94) Не­
которые из основных параметров ми­
кросхем (выходные параметры- для
одного канала) следующие
Uccffiln
3V
Uccmax
14V
Pourmax
1W
lcco(Uш=O)
10 mA
Au
52 dB
BW
40Hz-18KHz
THD(Pout=50mW,
f=lKHz)
Rinom
0,12%
80
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке Для получения максимальной выходной мощности нет необходи­
мости в теплоотводе (радиаторе)
КА22062,КIА6283, ТА7233Р, ТА7283АР
+VCC
47'о 68
Н+
INRH
о.i
.. ... 2к
22~
о~ 1.
!'1 L '>-\
4
s
"
2
i
ii
1R 0,н
+ sou~о
Интегральные микросхемы
КА22062 и KIA6283 (Samsung),
ТА7233Р и ТА7283АР (Tosh1ba) с
идентичными схемами и параметрами
R LR выполнены в корпусах S IP4 с 12 вы-
водами и представляют собой двухка-
LLR
"
нальные усилители мощности низкои
частоты Предчвначены для исполь-
н'-.-' ---,_- -'tJ
47,об8 з9
зования в кассетных магнитофонах,
F.g 95Н+47,0
электрофонах, радио и телевизионных
приемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса (fig 95) Некоторые
из основных параметров микросхем (выходные параметры- для одного
канала) следующие
UccmШ
6V
Uccmax
15v
Poutmax
4,5 w
Icco(Uш=O)
19 mA
Ан
48 dB
BW
30Hz-18KHz
THD(Poor= 1OOmW,
f=l KHz)
0,2%
81

Rinom
40
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке Для получения максимальной выходной мощности микросхемы
необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
КА22101, ТА7250ВР, ТА7251 ВР
100.О
+VCC()-_______,+f--.__,--,..._~
10
30k.
I N ,,_, .__-<12
Интегральные мик­
росхемы КА22101 (Sa-
msung), ТА7250ВР и
ТА 7251 ВР (Toshiba) с
830
71------<Н идентичными схемами
.._....._ _..,_____;о-..,.___.
и параметрами выпол-
F19.9б
нены в корпусах SIPl с
12 выводами (у микросхемы TA725IBP инверсная нумерация выводов­
справа налево) и представляют собой усилители мощности низкой часто­
ты выполненные по мостовой схеме. Предназначены для использования в
автомобильных кассетных магнитофонах и электрофонах среднего класса.
Типовая схема подключения приведена на fig.96. Некоторые из основных
параметров микросхем следующие:
Uccmin
Uccmax
lcco(Uш=O)
Pot1tmax
At1
вw
THD(Pot1t=lW,
f=lKHz)
Rincim
9v
18v
120 mA
23w
46 dB
20Hz-20KHz
О,l%
40
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы
необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
КА22134
Fig.97
10,О
+ 220R
lS
+
10, [1
14
S,6K 1SOK
13
82
10К
220,О
4,7
т
+
+
12
116

Интегральная микросхема КА221J4 (Samsung) выполнена в корпусе
DIP с 16 выводами и представляет собой двухканальный (стерео) усили­
тель воспроизведения, корректор тона и усилитель мощности низкой час­
тоты. Предназначена для использования в переносных кассетных магни­
тофонах (плэйер- ах) высокого класса. Типовая схема подключения при­
ведена на fig.97. КоНТУр частотной коррекции обеспечивает АЧХ согласно
стандарту NAB для магнитной ленты FeO. В микросхему встроена защита
выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной
выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе). Не­
которые из основных параметров микросхемы (выходные параметры- для
одного канала) следующие:
КА22135
Fig.98
100,0
+
100,0
Uccmin
Uccmax
Poutmax:
lcco( U ш=О)
Au
BW
THD(Pout=lOmW,
2V
6V
28 mW
19 mA
62 dB
15Hz-25KHz
f=lKHz)
0,01"%
Uno
14 μV
R1nom
320
1,0
220,О
1000
1000
Интегральная микросхема КА22135 (Samsung) выполнена в корпусе
DIP с 22 выводами. Содержит двухканальный усилитель воспроизведе­
ния, корректор тона, усилитель мощности низкой частоты и регулятор
скорости вращения двигателя магнитофона. Предназначена для использо­
вания в малогабаритных кассетных магнитофонах (плэйерах) высокого
класса (fig.98). Контуры частотной коррекции обеспечивают при воспро­
изведении АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты• FeO. Ос­
новные параметры микросхемы (выходные параметры- для одного кана-
83

ла) следующие:
Uccmin
2V
Uccmax
7,5 V
Poutmax
0,028 W
lcco(Uш=O)
25 mA
Аи
62 dB
BW
15Hz-20KHz
Ummax
10 mV
THD(Pout=lOmW,
f=lKHz)
0,2%
R1nom
320
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке и термозащита
КА22136,КА22136D
SW4
~--"-'-"'--'--"""'0--------1,._...__~+vcc
33,0
0,022150
220,0
+~
+
10К
~ '>--+-----~.,....._,....._~_.,..,...._......._.,..,...,_..,...,._.,,...11.,...-....1,,...,.i,,...,..i..,...R RL
L-
----4
,_,
27 26
24 23
251617
131514182220
191--'"'--~
1
9
2
3
56
87112.28
21
11
LRL
12k
220.~ Но.1
+
30К
33,О
0.022
Интегральные микросхемы КА22136 и КА22136D (Samsung) выполне­
ны в корпусах DIP (КА22136) или SO (КА22136D с 28 выводами Содер­
жат двухканальные усилители записи/воспроизведения, корректоры тона,
усилители мощности низкой частоты и регулятор скорости вращения
двигателя магнитофона Предназначены для использования в малогаба­
ритных кассетных магнитофонах (плэйерах) высокого класса (fig.99).
Контуры частотной коррекции обеспечивают при воспроизведении АЧХ
согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Переключатель SWl
коммутирует двигатель для вращения вперед или назад, SW2- коммутиру­
ет режимы записи/воспроизведения, а SWЗ- включает (выключает) режим
работы двигателя на повышенной скорости Основные параметры микро­
схем (выходные параметры- для одного канала) следующие
u~cmш
2v
Uccmax
7,5 V
Poutmax
0,028 W
IccO( U ш=О)
25 mA
Au
62 dB
84

BW
15Hz-20KHz
Uшmax
10 mV
THD(Pout=lOmW,
f=lKHz)
0,2%
R1nom
160
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наг-
рузке и термозащита.
KD-28
Fig,J.00
о,Н
Интегральная микросхема KD-28
R RL (Samsung) вьшолнена в корпусе DIP с
+ 147.?'о 1 8 выводами. Представляет собой
+ 147Ао 1
двухканальный усилитель мощности
H
LRL
0•i
низкой частоты и предназначена для
использования в малогабаритных кассетных магнитофонах, другой ау­
диоаппаратуре с питанf!ем от батарей (fig.100). Основные параметры мик­
росхемы (выходные параметры-для одного канала) следующие·
Uccmin
3V
Uccmax:
15V
PoutOЗV/40)
1,8 W
Icco(Uш=O)
12 mA
Аи
58 dB
BW
30Hz-18KHz
THD(Pout=50mW,
f=lKHz)
0,3%
Rinom
40
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в наг-
рузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности
нет необходимости в теплоотводе (радиаторе).
КР1064УН2,МС34119Р,МС34119D,ЭКР1436УН1
h 10k
~1- lL.,~ ffit-+----v+VCC
47"О
о"1
12
65
I N>---j
3
4
3k 75k
Fig.101
о.1
Интегральные микросхемы
КР10642УН2 и ЭКР1436УН1 (СНГ),
МС34119Р и MC34119D (Motorola) с
PL идентичными схемами и парамет­
рами выполнены в корпусах DIP (SO
для MC34119D) с 8 выводами.
Представляют собой усилители
мощности низкой частоты с выходом выполненым по мостовой схеме и
предназначены для использования в кассетных магнитофонах, телефон­
ных аппаратах, другой аудиоаппаратуре низкого класса с питанием от ба-
85

тарей (fig.101) Переключатель SWI включает режим блокировки микро­
схем, при котором ток потребления снижается до 65 μА, а коэффици­
ент усиления становится равным О dB (микросхемы не усиливают вход­
ной сигнал).Основные параметры микросхем следующие:
Uccmin
2V
Uccmax:
16V
Poutmax
250 mW
lcco(Urn=O)
4mA
Au
48 dB
BW
50Hz-16KHz
THD(Pout=lOOmW,
f=lKHz)
0,22%
R1nom
80
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке. Для получения максимальной выходной мощности нет необходи­
мости в теплоотводе (радиаторе).
L272,L272D,L2720,L2724,L2726
+VCC
н;оо"о
143
F1.g.J.OЗ
+VCC
Н ;оо"о
Fig . .104
о,1
Интегральные микросхемы
+ ~R~ L272,L272D,L2720,L2724, и 2726
~ (SGS-Thomson) с идентичными схе-
0,1
HR RL
т 147Fo 1
+ 147Ао 1
HL RL
о,1
O,HJ.
RRL
+ 147J!O1
+ 147Ао 1
HL RL
о,1
мами и параметрами но различны­
ми цоколевками выполнены в кор­
пусах DIP с 16 выводами (L272 и
L2720), SO с 16 выводами (L272D),
SIPЗ с 9 выводами (L2724) и SO с
20 выводамй (L2726). Представляют
собой двухканальные усилители
мощности низкой частоты и пред­
назначены для использования в ма­
логабаритных кассетных магнито­
фонах, другой аудиоаппаратуре с
питанием от батарей. Типовые схе-
мы подключения приведены: для
L272 и L2720- на fig.102, для L272D-
о,1
HR RL на fig.103, для L2724- на fig.104 и
"f47Fo 1 для L2726- на fig.105. Основные па­
+ 147 :}:?;:0 1раметры микросхем (выходные па­
НL RL раметры- для одного канала) сле-
о,1
86

дующие:
Uccmin
1,8 V
Uccmax:
9V
Poutmax
0,65 W
Icco(Uш=O)
9mA
Au
62 dB
BW
30Hz-18KHz
tHD(Pout= lOmW,
f=IKHz)
0,05%
R1nom
40
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наг-
рузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощнос1и
нет необходимости в теплоотводе (радиаторе).
L2750
+VGC
н 3,3k
+
2,2
4_,.?k
о.1
INRH
47k
Н+
100.0
47k
INL)-j
о.1
4
s
7
1
2
100 ... 0
SWl +н
9
11
8
10
Интегральная микросхема
L2750 (SGS-Thomson) выполнена в
корпусе S IP l с 11 выводами и
представляет собой двухканальный
' 1 "~ • о усили"ль мощности ии"ой час­
R RL тоты. Предназначена для исполь­
зования в кассетных магнитофо-
J
нах, электрофонах, радио и телеви­
L RL зионных приемниках, другой ау­
+
2200
,
0 диоаппаратуре среднего класса (fig.
106). Переключатель SWl включает
микросхему в режим STAND-BY
Fig.106
Некоторые из основных парамет-
ров микросхемы (выходные параметры- для одного канала) следующие:
Uccmin
4V
Uccmax:
18V
Poutmax
12W
Icco(Uш=O)
30 mA
Аи
42 dB
BW
20Hz-20KHz
THD(Pout=lW,
f=lKHz)
0,2%
Rinom
40
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в наг-
рузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему
необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
87

LA4050P,LA4051 Р
2
8
1,о
Fig.1.07
Интегральные микросхемы
LA4050P и LA4051P (Sanyo)
выполнены в корпусах SIP2 с
8 выводами и представляют
собой усилители мощности
низкой частоты. Предназначе­
ны для использования в кассетных магнитофонах, электрофонах, другой
аудиоаппаратуре среднего класса (fig.107). Основные параметры микро-
схем следующие:
LA4050P
LA4051P
Uccmin
11у
11у
Uccmax:
17у
17у
Poutmax
lW
2,5 w
Icco(Uш=O)
15 mA
24 mA
Au
42 dB
42 dB
BW
THD(Pout=500mW,
f=lKHz)
0,8%
R1nom
80
30Hz-l8KHz
0,5%
80
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке. Для получения максимальной выходной мощности нет необходи­
мости в теплоотводе (радиаторе).
LA4108
100,0 _
_.1
__
_
1.оН+ 7
INR)--j +
8
3300
3300
2 ,____+- -_,+ ~4
70. о
RRL
4
47,0
19
47,О
IN L)-j~+---113
1,0Н+
17,_____,+ ~:о
100, О i...;;;,..-~...i
_fJLRL
Fig.108
1CIO, О
Интегральная микросхема
LA4108 фирмы Sanyo выполне­
на в корпусе SDIP с 20 выво­
дами и представляет собой
двухканальный (стереофони­
ческий) усилитель мощности
низкой частоты. Предназначе­
на для использования в магни­
тофонах, электрофонах, теле­
визионных и радиоприемни­
ках, другой аудиоаппаратуре
среднего класса. Типовая схема подключения приведена на fig.108. В ми­
кросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и
термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микро-
88

схему необходимо установить на теплоотвод (радиатор) Некоторые из
основных параметров микросхемы (выходные параметры- для одного ка­
нала) следующие
UccffiШ
Uцmax
I,,o(Uш=O)
Poнtmax
Rш
Ан
BW
THD(Pout=0,5W,
f=lKHz)
Rinom
9v
18v
45 mA
5,3 w
120 KQ
42 dB
30Hz-20KHz
0,15%
40
LA4120,LA4125,LA4125T,LA4126,LA4126T
100, 0
-+vcc
Интегральные микросхе-
Н+
100,0 .т ~
мы LA4120,LA4125,LA4125T,
1,0
1
s
е4
~- 1 RRLLA4126 и LA4126T фирмы
INRH+ 9
31---~
INL' --- 1+ 1211
1317~~
+}~~~:~ ~~:;;~~:::::~:~::;~
l,()
0,1
LRL
н
100, о• I
ставляют собой двухканаль-
F19.J.09
+
too.o
ные (стереофонические) уси-
лители мощности низкой частоты Предназначены для использования в
магнитофонах, электрофонах, телевизиоllliых и радиоприемниках, другой
аудиоаппаратуре среднего класса Типовая схема подключения приведена
на fig 109 В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания
в нагрvзке и термозащита Для получения максимальнои выходной мощ­
ности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор)
Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры­
для одного канала) следующие.
LA4120
LA4125
LA4125T
LA4126
LA4126T
Uccffiln
6V
6V
6V
Uccmax
llv
11v
11v
Icco(Uш=O)
35 mA
35 mA
35 mA
Poнtmax
lW
2,4 w
4,4 w
Rш
56 KQ
56 ка
56KQ
Ан
48 dB
48 dB
48 dB
вw
40Hz-17KHz
89

THD(Pout=O, 5W,
f==J ltHz)
Rinom
0,5%
4!2
0,2%
4!2
0,15%
2.0
LAi:145,LA4146,LA4147
1,n
I N Н 1--.--~2
331<
н J.00 ,0
._ _ ._ ..+vcc
+
--
7
8
100,О
+
Интегральные микросхемы
LA4145, LA4146 и LA4147 фирмы
_
Sanyo выполнены в корпусах SIL с
9 выводами и представляют собой
RL
""----"''"- --"+ ~7
L', О
a..- ;i:....- +-- . .; ;. .. . .1
усилители мощности низкой час-
F ><1 .1.1О
тоты. Предназначены для исполь-
зования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемни­
ках, другой аудиоаппаратуре низкого класса Типовая схема подключения
приведена на fig 11 О В микросхемы встроена защита выхода от короткого
замыкания в нагрузке Для получения максимальной выходной мощ­
ности нет необходимости 1:1 теплоотводе(радиаторе) Некоторые из основ­
ных параметров микросхем следующие
LЛ4160
LA4145
LA4146
LA4147
Uccllli11
6V
6V
6V
Uc~max
12v
Ic~o(Uш==O)
10 тА
РонtШаХ
0,9 w
Rщ
82 Kf.!
А11
42 dB
вw
THD(P1шt==0,5W,
12v
5тА
0,9 w
82 КО
42 dB
40Hz-17KHz
12v
зтА
0,9 w
82 к.о
42 dB
f=lKHz)
1,5%
1,5%
40
1,5%
20
Rmom
40
"I~
"
414
"
100,О
+
Интегральная
микросхема LA4161
(Sanyo) выполнена в
корпусе TABSS с 14
-
1
+~
70
•
0
выводами Содержит
_.....,._..,......,._...,;о;-,..3.,.__ __.
Rl.
~
+ ,-ii _То. 15
предварительныи
~
усилитель и усили-
100, о
::20" о 470~ о
тель мощности низ-
кой частоты и предназначена для использования в малогабаритных кас-
90

сетных магнитофонах низкого класса. Типовая схема подключения в ка­
честве усилителя воспроизведения и усилителя мощности НЧ магнито­
фона приведены на fig.111. Контур частотной коррекции обеспечивает
АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Основные па­
раметры микросхемы следующие:
Uccmin
Uccmax:
Poutmax
Icco(Um=O)
Аи
BW
6V
13v
1,2 w
8mA
68 dB
30Hz-18KHz
Umпrax
10 mV
THD(Pout=50mW,
f=lKHz)
0,1%
R1nom
40
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности
нет необходимости в теплоотводе (радиаторе)
LA4162
10" о
Fig.112
Интегральная
микросхема LA4 l 6 I
тель мощности низ-
кой частоты и предназначена для использования в малогабаритных кас­
сетных магнитофонах низкого класса. Типовая схема подключения в ка­
честве усилителя воспроизведения и усилителя мощности НЧ магнито­
фона приведены на fig.112 . Контур частотной коррекции обеспечивает
АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Основные па­
раметры микросхемы следующие:
Uccmin
Uccmax:
Pout(6V/8Q)
Icco(Uш=O)
Аи
BW
Uшmax
91
.з,6 v
6V
0,85 w
6mA
42 dB
30Hz-17KHz
10 mV

THD(Pout=50mW,
f=lKHz)
0,8%
R1nom
8!1
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в наг-
рузке и термозащита Для получения максимальной выходной мощности
нет необходимости в теплоотводе (радиаторе)
LA4170
IN
IN
Н+33,0
+VCC
Интегральная микро­
схема LA4 l 70 фирмы Sa-
nyo выполнена в корпусе
SIL с l 3 выводами и пред-
ставляет собой двухка­
RL нальный (стереофоничес­
кий) усилитель мощности
низкой частоты Предназначена для использования в магнитофонах, элек­
трофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре
низкого класса Типовая схема подключения приведена на fig l 13 В ми­
кросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и
термозащита Для получения максимальной выходной мощности нет не­
обдимости в теплоотводе (радиаторе) Некоторые из основных параметров
микросхемы (выходные параметры- для одного канала) следующие
Uccm1n
8V
Uccmax
22V
Icco(Uш=O)
8mA
Pout04V/4!1)
0,5 W
Rш
100 КП
Ав
42 dB
BW
40Hz- l 7KHz
THD(Pout=0,5W,
f=lKHz)
1,5%
Rinom
8!1
LA4175,LA4177,LA4178
100,О "l+./CC
н.
IN R'>--j +
IN
Fig.114 н.
220,О
22,О
+
2;2k.
s
+
JR RL и LA4l78 фирмы Sanyo
6
Интегральные мик­
]g, 0j
росхемы LA4 l 75, LA4 l 76
________ _,
9
10
22К
+22,0
92
220,0
выполнены в корпусах
SIL с 13 выводами и
RL представляют собой
двухканальные (стерео-

фонические) усилители мощности низкой частоты. Предназначены для
использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радио­
приемниках, другой аудиоаппаратуре низкого класса. Типовая схема под­
ключения приведена на fig.114. В микросхемы встроена защита выхода от
короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения макси­
мальной выходной мощности нет необдимости в теплоотводе (радиаторе).
Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры­
дJТЯ одного канала) следующие:
LA4175
ULcffilll
12v
UcLmax
22v
Icco(U111=0)
8mA
Pщ,tmax
0,1 w
Rш
LOO KJ2
Ан
42 dB
BW
THD(Poщ=0,5W,
f=lKHz)
1,5%
R111om
8!1
LA4185.LA4185T
100,0
Н+
1,0
IN f;
---1 1+ 10
1
IN L ,---1+13
111]
Fig.11:> н +
100,1]
)+'·/С•-
100,0
4
11
LA4177
LA4178
6v
4,5 v
14v
12v
5mA
5mA
0,1 w
0,1 w
100 кn
100 кn
42 dB
42 dB
40Hz-17KHz
2%
8!1
2,5%
8!1
Интегральные мик­
росхемы LA4185 и
LA4185T фирмы Sanyo
выполнены в корпусах
ТABS 5 с 14 выводами и
представляют собой
двухканальные (стерео­
фонические) усилители
мощности низкой частоты. Предназна,rены для использования в магни­
тофонах, элсктрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой ау­
диоаппаратуре среднего класса Типовая схема подключения приведена на
fig.115 В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке и термозащита Для получения максимальной выходной
мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры­
для одного канала) следующие·
Uцmiп
LA4185
8v
93
LA418ST
!ОV

ULcmax
Icco(Uш==O)
Poнtmax
Rш
All
вw
THD(Poнt==0,5W,
f==lKHz)
Rinom
LA4195,LA4195T
100" о +~!, -:: 100" [1
Н+
1"о
1
IN Р)---1+
1,о
11
Fig.116 Н+
!ОС)" О
16v
18v
40 тА
45 тА
2,4 w
4,2 w
120 КО
120 КО
48 dB
48 dB
30Hz-18KHz
0,5%
40
0,2%
40
Интегральные мик­
росхемы LA4195 и
кL LA4 l 95T фирмы Sanyo
выполнены в корпусах
SDIP с 20 выводами и
представляют собой
RL
двухканальные (стерео-
фонические) усилители
мощности низкой частоты Предназначены для использования в магни­
тофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой ау­
диоаппаратуре среднего класса. Типовая схема подключения приведена на
fig 115 R микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной
мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры-
для одного канала) следующие:
UcLillll1
Uccmax
ILcO(Uш==O)
PoщllJaX
Rш
Ан
BW
THD(Poщ==0,5W,
f==lKHz)
Rщom
LA4195
LA419ST
8v
8v
16v
18v
40 тА
45 тА
2,4 w
4,2 w
120 КО
120 КО
48 dB
48 dB
30Hz-18KHz
0,5%
40
94
0,2%
40

Интегральные микросхемы
LA4260, LA426 l и LA4270
фирмы Sanyo выполнены в
корпусах SIP2 с 10 выводами и
представляют собой двухка­
нальные (стереофонические)
усилители мощности низкой частоты Предназначены для использования
в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, дру­
гой аvдиоаппаратуре среднего класса Типовая схема подключения приве­
дена на fig 11 7 В микросхемы встроена защита выхода от короткого за­
мыкания в нагрузке и термозащита Для получения максимальной выход­
ной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиа­
тор) Некоторые из основных параметров микросхем (выходные парамет-
ры- для одного канала) следующие·
UccffilП
Uccmax
Icco(Uш=O)
Poнtmax
Rш
Ai1
вw
THD(Poнt=0,5W,
f=IKHz)
Rщош
1,,А4275
LA4260
LA4261
LA4270
14v
14v
10v
22v
24v
30v
45 mA
46 mA
45 mA
2,5 w
3,3 w
бW
120 кn
120 кn
120 кn
48 dB
48 dB
48 dB
30Hz-20KHz
О,25°Ь
0,2%
О, 1%
8!1
8!1
8!1
Интегральная микросхема
LA4275 фирмы Sапуо выполнена в
ч,7
сQ
1000 , 0 корпусе SlPl с 7 выводами и пред-
rN' 1+ l.
с:
1
ставляет собои усилитель мощности
.._...........=...,..s.._-;7__.
О' l 1F.L
'1 низкой частоты Предназначена для
Fig.118
100,0
+ioo,o 2,2R
использования в магнитофонах,
электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппарату­
ре среднего класса Типовая схема подключения приведена на fig 118 В
микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и
гермозащита Для получения максимальной выходной мощности микро­
<.хему необходимо установить на теплоотвод (радиатор) Некоторые из
95

основных параметров микросхемы следующие:
LA4280
Uccmin
10V
Uccmax
32V
Icco(Uш=O)
30 mA
Poнt(25V/8Q)
6W
Rш
At1
BW
THD(Poнt=0,5W,
f=lKHz)
R111om
10 KQ
48 dB
20Hz-20KHz
0,1%
8Q
для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и ра­
диоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема
подключения приведена на fig.119. В микросхему встроена защита выхода
от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения мак­
симальной выходной мощности микросхему необходимо установить на
теплоотвод (радиатор) Некоторые из основных параметров микросхемы
(выходные параметры- для одного канала) следующие:
LA4282
Uccmiп
10V
Uccmax
40V
Icco(Uш=O)
60 mA
Poнt(32V/8Q)
10W
Rш
150 KQ
Ан
48 dB
BW
20Hz-20KHz
THD(Poщ=O,SW,
f=lKHz)
Rmom
0,05%
8Q
Интегральная микросхема LA4282 фирмы Sa11yo выполнена в корпусе
SIP4 с 12 выводами и представляет собой двухканальный (стереофоничес­
кий) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использо­
вания в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемни-
96

100,0
Н+
1,0
10
IN R>--1+2
IN L/>--j + 5
1,0
3
+VCC 100, О
4
7
11
6
4?R
ках, другой аудиоаппа-
ратуре среднего класса.
R RL Типовая схема подклю-
1ооо, 0 чения приведена на fig.
+
1000
'
0
120. В микросхему вс­
LRL
н
троена защита выхода от
Fig . .t.20
+
+
100,0
100,0
4,7
короткого замыкания в
нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощно­
сти микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Неко­
торые из основных параметров микросхемы (выходные параметры- для
одного канала) следующие:
LA4425
нь1000.о
--,'">+\/СС
+
Uccmin
Uccmax
Icco(Uш=О)
Рош(32V/8!1)
Rin
Аи
вw
THD(Poнt=0,5W,
f=lKHz)
Rщom
10v
40v
60 mA
10w
150 к.n
48 dB
20Hz-20KHz
0,05%
8!1
Интегральная микросхема LA4425
RL
фирмы Sanyo выполнена в корпусе ТО220
2,2
s
1ь1
rN)"-i + 1
ч + ~ с 5 выводами и представляет собой ycи-
.._.....,,___-iiii-_... 1000. о
"
п
Fi9 . 121
литель мощности низкои частоты. ред-
назначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизи­
онных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Ти­
повая схема подключения приведена на fig.121 . В микросхему встроена
защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для
получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо
установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров
микросхемы следующие:
4-805
Uccmin
Uccmax
Iсе О( Uin=O)
Ронt( l 2V/4!1)
Rш
Ан
97
5v
16v
65 mA
5W
120 кn
42 dB

LA4440
1.00"О ::.+'·/•.:::\:.
Н+
1"0
.11
IN р ,--j
-
1"0
INL,--j+б
5
BW
THD(Pout=0,5W,
f=lKHz)
R1nom
20Hz-20KHz
0,1 %
4!1
1С1О"О
.13
.12
Интегральная
.~:; j;J микросхем а
RRL
~,__ +
LA4440 фирмы
1000"0
.14
10
9
. 10 00,0
Sапуо выполнена
в корпусе SIP8 с
L RL 14 выводами и
F1.g .122H+
пес а
2 ::.о,о
4,7R
рдтвляетсо-
бой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой час­
тоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах,
телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего
класса. Типовая схема подключения приведена на fig. l 22. В микросхему
встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащи­
та. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необ­
ходимо установить на теплоотвод {радиатор). Некоторые из основных па­
раметров микросхемы (выходные параметры- для одного канала) следую-
щие:
LA4446
100"О
н.
1" [1
7
INR-1+l?
Fig..t.23 н +
220"0
Uccmiп
Uccmax
ILLO( U ш=О)
Poнt(IЗV/4!1)
Rш
Au
вw
THD(Pout==0,5W,
f== 1KHz)
Rщom
9
98
9у
25у
100 mA
6W
110 кn
42 dB
20Hz-20KHz
О, 1%
4!1
Интегральная

ный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназ­
начена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных
и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая
схема подключения приведена на fig.123. В микросхему встроена защита
выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения
максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить
на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микро­
схемы (выходные параметры- для одного канала) следующие:
LA4460,LA4461
10
4,7
IN,~+ 2
Fig.J.24
Uccmin
10V
Uccmax
25V
Icco(Uш=O)
75 mA
PoutOЗV/4Q)
5,5 W
Rш
120 KQ
Аи
42 dB
BW
20Hz-20KHz
THD(Pout=0,5W,
f=IKHz)
0,1%
R1nom
4Q
9
о, 013 f· 7r-1
RL
Интегральные микросхемы
LA4460 и LA446 l фирмы Saq.yo
выполнены в корпусах SIP2 с 10
выводами л представляют собой
усилители мощности низкой час-
тоты выполненые по мостовой
о, 01
схеме. Предназначены для ис-
пользования в автомобильных магнитофонах, электрофонах, телевизион­
ных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре средqего класса. Типо­
вая схема подключения приведена на fig.124 . *Параметры микросхем
LA4460 и LA4461 идентичны, но в отличии от LA4460, у которой распо-
ложение выводов на корпусе нормальное (нумерация выводов слева на­
право), у LA4461 инверсная (зеркальная) нумерация выводов, т.е. справа
налево*. Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
Uccmin
10У
Uccmax
25У
Icco(Uш=O)
65 mA
Poщ(l3V/4Q)
12W
Rш
120 KQ
Аи
48 dB
99

LA4467
BW
THD(Poнt=0,5W,
f=lKHz)
Rщom
20Hz-20KHz
0,05%
40
Интегральная микро­
схема LA4467 фирмы Sanyo
----.....-.----.о" 033 2 " 2
12 i1
f--б-1 выполнена в корпусе SJP2
4~7
IN --i+ :;:
RL
с 12 выводами и представ-
ляет собой усилитель
мощности низкой частоты
выполненый по мостовои
схеме Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах,
телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего
класса Типовая схема подключения приведена на fig.125 В микросхему
встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащи­
та Для получения максимальной выходной мощности микросхему необ­
ходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных па­
раметров микросхемы следующие:
U1,cmin
Uccmax
lcco(Uш=O)
РонtО ЗV/40)
Rш
Ан
BW
THD(Pot1t=0,5W,
9V
18у
65 mA
12w
100 ка
48 dB
20Hz-20KHz
f=IKHz)
0,1%
Rmom
40
LA4470,LA4471,LA4475,LA4476
1,0
IN R >----1+ 13
~+1CIO ~ О
Fig.126
)
1
~нн.+--J-4V
~~'
Интегральные
микросхемы
LA4470, LA447 l,
LA4475 и LA4476
фирмы Sапуо
выполнены в кор­
пусах SJPJ с 12 вы-
водами и представляют собой усилители мощности низкой частоты вы­
полненые по мостовой схеме Предназначеньr для использования в авто-
100

мобильных магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприем­
никах, другой аудиоаппаратуре среднего класса Типовая схема подклю­
чения приведена на fig.126. *Параметры микросхем LA4470 и LA4471 (со­
ответственно LA4475 и LA4476) идентичны, но в отличии от LA4470 и
LA4475, у которых расположение выводов на корпусе нормальное (нуме­
рация выводов слева направо), у LA4471 и LA4476 инверсная (зеркаль­
ная) нумерация выводов, те справа налево* Переключатель SWI вклю­
чает функцию "MUTE", а светодиод LED индицирует этот режим .Неко­
торые из основных параметров микросхем следующие:
UccШill
UссШаХ
IctO( U 111=0)
Poнt(32V/8Q)
Rш
Ан
BW
THD(Poнt=0,5W,
f=IKHz)
R111ош
LA4480
!OJ"O
Н+
LA4470
LA4475
LA4471
LA4476
6V
6V
18у
18у
80 шА
80 шА
20w
12w
100 KQ
150 KQ
48 dB
48 dB
20Hz-20KHz
0,05%
4Q
0,08%
4Q
Интегральная микро­
схема LA4480 фирмы Sа­
пуо выполнена в корпусе
S IP2 с 12 выводами и
представляет собой: двух­
канальныи (стереофони­
ческий) усилитель мощ-
ности низкои частоты. Предназначена для использования в магнитофо­
нах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой: аудиоап­
паратуре среднего класса. Типовая схема подключения приведена на fig.
127. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощно­
сти микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор) Перек­
лючатель SWI включает функцию "MUTE" Некоторые из основных па­
раметров микросхемы (выходные параметры- для одного канала) следую
щие·
101

U1,cmin
Uccmax
Icco(Uш=O)
Рош(lЗV/40)
Rш
Au
BW
THD(Pout=0,5W,
8у
18у
50 mA
4W
100 ко
48 dB
20Hz-20KHz
f=lKHz)
0,15%
R1nom
40
LA4490,LA4491,LA4495,LA4496,LA4497,LA4498
100,0
+vcc100• 0
Интегральные
Н+
+ ioo":20"0 +В
..-.......
3--;--....,..,,__~,...--8~~5--.
О" 1S
микросхемы
LA4490, LA449 I,
LA4495, LA4496
1,о
IN RH+ 1.3
RL
12
9
1
LA4497 и LA4498
LSWJ.
г---t___-j +
+
sw--Н
фирмы Sануо вы-
100"0
100"0
F•g.120
полнены в кор-
пусах S IP 1 с 12 выводами и представляют собой усилители мощности
ниJкои частоты выполненые по мостовой схеме Предназначены для ис­
пользования в автомобильных магнитофонах, электрофонах, телевизион­
ных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса Типо­
вая схема подключения приведена на fig.128. В отличии от LA4490,
LA4495 и LA4497, у которых расположение выводов на карпу~ нормаль­
ное (нумерация выводов слева направо), у LA4491, LA4496 и LA4498 ин­
версная (зеркальная) нумерация выводов, т.е. справа налево*. Переклю­
чатель SWI включает функцию "MUTE", а SW2 перевuдит микросхемы в
режим STAND-BY . Некоторые из основных параметров микросхем сле­
дующие:
LA4490
LA4495
LA4497
LA4491
LA4496
LA4498
Uccmin
бV
6V
бV
Uc1,max
18у
18у
18у
Icto(Uш=O)
80 mA
80 mA
80 mA
Poнt(32V/80) 20 w
12w
14w
Rш
100 ко
150 ко
!ООКО
Ан
48 dB
48 dB
48 dB
BW
20Hz-20KHz
THD(Poнt=0,5W,
102

f=lKHz)
Rщom
0,05%
40
0,0&%
40
0,06%
40
LA4507
IN
INL
100,0 +0
7
+RR
.-1~1~---*9--*s-:-1~4-,
13--
470,0
12
+VCC
Интеграль-
ная микросхема
RL LA4507 фирмы
Sanyo выпал-
'-\
1
L
SIP2 q 14 выво-
.. ..... ,___ __ ,__ _.,..... ..._~
+
LRL
ioo,o
о,1
да ми и пpeд-
3
~47о,о иена в корпусе
Fig.J.29
82
+47,о
4•7R
ставляет собой
двухкаw:альный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты.
Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, теле­
визионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса
Типовая схема подключения приведена на fig 129 В микросхему встроена
о
защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита (150 С)
Для получения максимальной выходной мощности микросхему необхо­
димо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных па­
раметров микросхемы (выходные параметры- для одного канала) следую-
щие:
Uccmi11
9V
Uc"max
24v
IccO( U ш=О)
30 mA
Pout( lбV/40)
4,5 w
Rш
120 ко
Аи
4& dB
вw
20Hz-20KHz
THD(Pout=0,5W,
f=lKHz)
0,1%
Rщom
40
LA4510
220"0
+
Интегральная микросхема
LA45 I О фирмы Sanyo выполне
rNН~ 2
9
7
8
,
5
,__. ._. • Jс а" корпусе SIL' 9 •ыоодами и
.._..,_+---..:;;....:,._.
'Ji;,L представляет собой усилитель
Н+
220
~>--1
мощности низкой частоты.
47.о
0•47
Предназначена для использо-
вания в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемни­
ках, другой аудиоаппаратуре низкого класса Типовая схема подключения
103

приведена на fig 130 В микросхему встроена защита выхода от короткого
замыкания в нагрузке и термозащита Для получения максимальной вы­
ходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе) Некото­
рые из основных параметров микросхемы следующие
UссШШ
2V
Uccmax
6V
Icco(U ш=О)
7mA
Pout(l2V/4Q)
0,24 W
Rш
82 КП
Ан
38 dB
BW
40Hz- l 6KHz
THD(Poнt=O, IW,
f=IKHz)
1%
R111om
4П
LA4520
3К
47,0
R
100R
----4
47К
3
4- ,0
Н+5
т :Е7,0
+
+
J-
RRL
4
12
18 + 220"0
16
+VCC
4-.
L
----4
Fi.g 131.
Интегральная микросхема LA4520 (Sапуо) выполнена в корпусе DIP с
20 выводами Представляет собой двухканальный усилитель воспроизве­
дения, корректор тона и усилитель мощности низкой частоты Предназ­
начена для использования в малогабаритных каlсетных магнитофонах
(плэиерах) высокого класса (fig 131) Контуры частотнои коррекции обес­
печивают при воспроиJведении АЧХ согласно стандарту NAB для маг­
нитнои ленты FeO Микросхема позволяет осуществлять электронную
регулировку rромкости Основные параметры микросхемы (выходные па­
раметры-для одного канала) следующие
Uc~m111
U~clllaX
Poнt(4,5V/32Q)
Ic~O(Uш=O)
Att
BW
104
4,5 v
10v
0,24W
10 mA
68 dB
l5Hz-20KHz

Uшmax
10 mV
THD(Poвt=lOmW,
f=lKHz)
0,01%
UпО
12μV
R111om
320
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в наг-;­
рузке и от повышения напряжения питания. Для получения максималь­
ной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе).
LA+530M,LA4530S
1Ci0i о
:)+'. .,/(.:
Интегральные
Н+
47"0
о
+
1
микросхемы
1iо
11
1716 15
RRL
LA4530M
р'--1 +
+
и
IN
lS
12
1000,0
LA4530S фирмы
1'Э
8
INL/'---1+ 3
9
м·' Sanyo выполнены
1,0
20
4
5
6
L RL в корпусахDIР с
Fig.J .32a Н+
1
+47"0
4,?R
20 выводами или
220,О
SIL с 16 выводами
100" о
J+\IC'(
Н+
47... о
о
+
и представляют
1
1,0
16
54
3
R RL собой двухка-
INР
--1+6
1
1000,0
нальные (стерео-
9
2
IN L '--i
10
15
~·'
фонические) уси-
,
+
1,0
8
1112 13
L RL лители мощности
Fig.J .32b н +
1
низкой частоты.
220"0
4,?R
Предназначены
для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и ра-
диоприемниках, другой аудиоаппаратуре низкого класса. Типовая схема
подключения для LA4530M приведена на fig.132a, для LA4530S- fig .132b. В
микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке.
Для получения максимальной выходной мощности нет необходимости в
теплоотводе (радиаторе). Некоторые из основных параметров микросхем
(выходные параметры- для одного канала) следующие:
U1,cmin
1,8 V
Uccmax
5V
Icco(Uш=O)
10 mA
Poвt(3V/320)
36mW
Rш
100 КО
Ав
42 dB
BW
40Hz-18KHz
THD(Poнt=lOmW,
105

f=lKHz)
О, 15%
Rmom
320
LA4533M,LA4535M,LA4537M
.;
1.0
s
INR
2
IN L°'
4
3
Fig . .133
4"-;-'
9
8
7
RL
Интегральные микросхемы lA4533M,
LA4535m и LA4537M фирмы Sanyo вы­
полнены в корпусах miniDIP с 10 вывода­
ми и представляют собой двухканальные
(стереофонические) усилители мощности
низкой частоты. Предназначены для ис-
пользования в магнитофонах, электрофо­
нах, телевизионных и радиоприемниках,
другой аудиоаппаратуре низкого класса.
Типовая схема подключения приведена на
fig.133 В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности нет необхо­
димости в теплоотводе (радиаторе). Переключатель SWl включает функ­
цию "MUTE", а SW2 переводит микросхемы в режим STAND-BY. Неко­
торые из основных параметров микросхем (выходные параметры- для од­
ного канала) следующие·
LA4540
1"о
IN>--i + 4
j_
3
5
Uccшin
Uc~mtlx
Icco(Uш=O)
Poвt(3V/160)
Rш
Ав
BW
0,8 у
4,~s v
60 mA
300mW
120 КО
48 dB
40Hz-18KHz
THD(Poнt=lOmW,
f=l KHz).
0,15%
Rmom
160
Интегральная микро­
схема LA4540 фирмы Sa-
nyo выполнена в корпусе
L RL SIPl с 18 выводами и
представляет собой уси­
~ литель мощности низкой
4" -; 'f;
частоты выполненый по
мостовой схеме Предназначена для использования в магнитофонах, элек­
трофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре
106

среднего класса Типовая схема подключеюrя приведена на fig 134 В ми­
кросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и
гермозащита Для получения максимальной выходной мощности микро­
схему необходимо установить на теплоотвод (радиатор) Некоторые из
основных параметров микросхемы следующие
LA4557
IN L'--1+ S
1...о
F1.g.1-35
Ucclli111
7V
Uccmax
24V
Icco(Uш=O)
56 mA
Poнt(l5V/4Q)
18W
Rш
120 KQ
Ан
52 dB
BW
20Hz-20KHz
THD(Poнt=0,5W,
f=lKHz)
0,15%
4Q
Интегральная микро­
схема LA4557 фирмы Sa-
nyo выполнена в корпусе
ТABS7 с 12 выводами и
представляет собой
двухканальный (стерео­
фонический) усилитель
мощности низкой частоты Предназначена для использования в магни­
тофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой ау­
диоаппаратуре среднего класса Типовая схема подключения приведена на
fig 13 5 В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкаюrя в
нагрузке и термозащита ( 150°С). Для получеюrя максимальной выходной
мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры­
для одного канала) следующие
UccffiШ
Uttl11aX
ltcO( U 111=0)
Poнt(9V/40)
Rш
Ан
BW
THD(Pot1t=0,5W,
f=IKHz)
107
6V
12v
15 mA
2,1 w
120 KQ
42 dB
30Hz-18KHz
0,5%

40
LA4560M
3, 31-,
17 1~
18
15
100" 1]
21
1-б 1-4
Н+2
13. _ .,1-0+VС С
+
7
24
11
11
. .. i.:_oo. о
+
+
+
+
47.~ I _Е?.о Т_2-~о~
22"О
~
1!
LRL
Fig.136
0,;;.J _
L
5
91
10
Интегральная микросхема LA4560M (Sanyo) выполнена в корпусе SO
с 24 выводами, Представляет собой двухканальный усилитель воспроизве­
дения, корректор тона и усилитель мощности ниJкой частоты. Предназ­
начена для использования в малогабаритных кассетных магнитофонах
(плэйерах) высокого класса с автореверсом (fig.136). Контуры частотной
коррекции обеспеqивают при воспроизведении АЧХ согласно стандарту
NAB для магнитной ленты FeO. Переключатель SWl переклюqает маг-
нитные головки в режиме автореверса. Основные параметры микросхемы
(выходные параметры-для одного канала) следующие:
Uccmiп
4,5 V
Uccmax
6V
Pout(4,5V/320) 0,12W
IccO(Uш=O)
10 mA
Аи
68 dB
BW
15Hz-20KHz
Uшmax
10 mV
THD(Poнt=lOmW,
f=lKH_z)
0,08%
UпО
lOμV
R111om
320
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в наг-
рузке и от повышения напряжения питания. Для получения максималь­
ной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе).
LA4575,LA4575М
Интегральные микросхемы LA4575M и LA4575M (Sапуо) выполнены в
корпусах DIP (LA4575) или SO (LA4575M) с 16 выводами. Представляют
собой двухканальные усилители воспроизведения, корректоры тона и
108

R
+
100"0
12К 1Ко"lS
Ht-C:::J-i
10К
20К
12'.---8
10.--~-
усилители мощности
низкой частоты. Пред­
назначены для исполь­
зования в малоrабарит­
ных кассетных магни­
тофонах (плэйерах)
высокого класса (fig.
137). Контуры частот­
ной коррекции обеспе-
Fig.1 .37
чивают при воспроиз­
ведении АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Основ-
ные параметры микросхем (выходные параметры-для одного канала) сле­
дующие:
Uc,min
Uc,max
Poнt(4,5V/32Q)
lctO(Uш=O)
Ан
BW
1,8 у
5,4 у
0,22W
10 mA
68 dB
15Hz-20KHz
Uшmax
10 mV
THD(Poнt=lOmW,
f=lKHz)
0,08%
UnO
lOμV
Rщom
32Q
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке и от повышения напряжения питания. Для получения максималь­
ной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе).
LA4580M
10К
1,оsw1
тт'
+
LED 200
)~
~220"о
+
100" 1]
li.5
2
1
1.2
н lS'
+
L
4,7
LRL
Fig.J.38
109

Интегральная микросхема LA4580M (Sanyo) выполнена в корпусе SO
с 20 выводами Представляет собой двухканальный усилитель воспроизве­
дения, корректор тона и усилитель мощности низкой частоты Предназ­
начена для использования в малогабаритных кассетных магнитофонах
(плэйерах) высокого класса с автореверсом (fig 138) Контуры частотной
коррекции обеспечивают при воспроизведении АЧХ согласно стандарту
NAB для магнитной ленты FeO Переключатель SWl переключает маг­
нитные головки в режиме автореверса Основные параметры микросхемы
(выходные параметры-для одного канала) следующие
Uccffil11
4,5 V
Uccmax
6V
Po11t(4,5V/32Q) 0,2W
IccO(Uш=O)
10 mA
Ан
68 dB
BW
1SHz-20KHz
Uшniax
10 mV
THD(Poнt=IOmW,
f=lKHz)
0,08%
UпО
lOμV
R1nom
320
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке и от повышения напряжения питания Для получения максималь­
ной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе)
LA4700
415
SW1
100
0.11 Ь.2~
0.1~
INL---i+ 11
] k•"-
l,U
LPL
н+
1::::
lбl-----~~
100, о 5 1 ._..,э.....1.,.4. .___. 1.,.0..., ..1,..3_
о,12•2
10К
+S\I~
SW3
10~
5W2
~
100.0
Fig.139
Интегральная микросхема
LA4 700 фирмы Sanyo выпол­
нена в корпусе SIP2 с 18 выво­
дами и представляет собой
двухканальный усилитель
мощности низкои частоты оба
канала которого выполнены
по мостовой схеме Предназ­
начена для использования в
магнитофонах, электрофонах,
телевизионных и радиоприем­
никах, другой аудиоаппарату­
ре среднего класса Типовая
схема подключения приведена на fig 139 В микросхему встроена защита
выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита Для получения
110

максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить
на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхе-
мы следующие:
Uccmin
9v
Uccmax
20v
lcco(Uш=O)
160 mA
Poщ(13V/4Q)
2х12 W
Rш
120 ко
Ан
48 dB
BW
20Hz-20KHz
THD(Poнt=0,5W,
f=lKHz)
0,1%
Rinom
40
LAM,504
100
2X100f<
RL
17 lS
20183
IN R>--j+
19
4
4, ';"
1" 2 ~.,;
5
)+\. ·::·~
IN L>--i+
12
;-
+~:'
4,7
1113 8
RL
.1:22
Fig.140
100 220,0
47k
Интегральная микросхема LAM504 фирмы Sanyo выполнена в корпусе
DIP с 20 выводами и представляет собой двухканальный усилитель мощ­
ности низкой частоты Предназначена для использования в малогабарит­
ных переносных магнитофонах (плэйерах) высокого класса. Типовая
схема подключения приведена на fig.140 В микросхему встроена защита
выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной
выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе) Неко­
торые из основных параметров микросхемы следующие:
Uccmin
2V
Uccmax
6V
ILcO( U ш=О)
3mA
Ронt(ЗV/40)
2х0,18 W
Rш
120 KQ
Au
48 dB
BW
20Hz-20KHz
111

THD(Pout=O,lW,
f=lKHz)
1,5%
R1nom
40
LAM505
lOK
47К
100~ 100 220.0
2Х100К
+J0~2jJR RL
11
8107
IN R>----1 +
9
6
470,0
4~7
5
+\/( ("
~ L>------1 +
16
3
+~О
4,7
14
13
1152
_+rJ~:22 L RL
33~0 56
Fig.141
+
100~ 100 ~20~0
47К
Интегральная микросхема LAM505 фирмы Sanyo выполнена в корпусе
DIP с 18 выводами и представляет собой двухканальный усилитель мощ­
ности низкой частоты Предназначена для использования в малогабарит­
ных переносных магнитофонах (плэйерах) высокого класса Типовая
схема подключения приведена на fig 141 В микросхему встроена защита
выхода от короткого замыкания в нагрузке Для получения максимальной
выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе) Неко­
торые из основных параметров микросхемы следующие
Uccffilll
2V
Uccmax
6V
Icco(Uш=O)
3mA
Ронt(ЗV/40)
2х0,18 W
Rш
120 КО
Ан
48 dB
BW
20Hz-20KHz
THD(Poнt=O, IW,
f=lKHz)
1,5%
Rщom
40
LAM507
Интегральная микросхема LAM507 фирмы Sanyo выполнена в корпусе
DIP с 20 выводами и представляет собой двухканальный усилитель мощ­
ности низкой частоты Предназначена для использования в малогабарит­
ных переносных магнитофонах (плэйерах) высокого класса Типовая схе-
112

2>' 100К
IN p'•-i
.
+
4"7
IN L'о-----1 +
4"7
100~
H:::J,
+56
33о
10
20183
47К
RL
схема подключения приведена на fig.142. В микросхему встроена защита
выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной
выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе). Неко­
торые из основных параметров микросхемы следующие:
LAM508
:2 1 101]1<
IN P'..- j
3
.
+
4"7
IN L'· --1
/+ 16
4.7
Fig.143
Uccmiп
2V
Uccmax
6V
lcco(Uin=O)
4mA
Poнt(ЗV/4Q)
2х35 mW
Riп
120 KQ
Ан
48 dB
BW
20Hz-20KHz
THD(Poнt=O, 1W,
f=lKHz)
1,5%
4Q
R111om
t 47V
100~
+
56
33о
11
12
810;'
6
5
3
14
13
11'02
33,О 56
+ 100~
22о"о
+J0~2:}1p
470,,о
~+·"1сс
+~:
",::..,с.
.L с,--,
220"О
RL
RL
Интегральная микросхема LAM508 фирмы Sапуо выполнена в корпусе
D IP с 16 выводами и представляет собой двухканальный усилитель мощ­
ности низкой частоты. Предназначена для использования в малогабарит-
113

ных переносных магнитофонах (плэйерах) высокого класса Типовая
схема подключения приведена на fig 143 В микросхему всТроена защита
выхода от короткого замыкания в нагрузке Для получения максимальной
выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе) Неко­
торые из основных параметров микроскемы следующие
UccffiШ
2У
Uccmax
6У
ILco(Uш=O)
3mA
Pour(ЗV/4Q)
2х0,18 W
Rш
120 KQ
Ан
48 dB
BW
20Hz-20KHz
THD(Pout=O, 1W,
f=IKHz)
1,5%
Rmom
4Q
IL277,LM377N,LM378N,LM1877,ULX2275,
ULX2276,ULX2277
-Т:-
+vCC
_Е_, 7
+
2К
14
Интегральные микросхемы IL277
(Mullard), LM377N, LM378N, и LM1877
2
+ 470, о (Nat1onal Sem1conductor), ULX2275,
ULX2276, и ULX2277 (Sprague) вы-
1,0
IN R>----j+ 6
IN L'>---J+ 9
1,0
+2К
R
RL полнены в корпусах DIP или TABS 1
(ULX2275, ULX2276, и ULX2277) с 14
L выводами и представляют собой двух­
RL канальные усилители мощности низкой
частоты Предназначены для использо-
вания в автомобильных магнитофонах,
1м
Fig.144 электрофонах, телевизионных и радио-
приемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса Типовая схема
подключения приведена на fig 144 Микросхемы LM1877 выпускаются в
10 модификациях с суффиксами от NJ до NJO, которые отличаются по
параметрам Некоторые из основных параметров микросхем (выходные
параметры- для одного канал.а) следующие
UccПlln Uccmax
IccO
BW
R1 Pout
THD Au
IL277
9V
18V
lSmA 20Нz-20КНz 8Q sw
0,2% 72dB
LM377N
IOV
20V
lSmA 20Нz-20КНz 8Q 2,SW 0,2% 90dB
LM378N
lOV
24V
lSmA 20Нz-20КНz 8Q 4W
0,2% 90dB
LM1877Nl бV
20V
25mA 20Нz-20КНz 4Q 2W
0,2% 90dB
LM1877N2 бV
20V
25mA 20Нz-20КНz 8Q lW
0,2% 90dB
LM1877N3 бV
20V
25mA 20Hz-20KHz 8Q l,SW 0,2% 90dB
1]4

LM1877N4 6V
LM1877NS 6V
LM1877N6 6V
LM1877N7 6V
LM1877N8 6V
LM1877N9 6V
LM1877Nl0 6V
ULX2275 8V
ULX2276 8V
ULX2277 8V
LM2895
24V
24V
24V
24V
24V
24V
24V
18V
34V
26V
15шА
15шА
15шА
15шА
15шА
15шА
15шА
15тА
25тА
lSшA
ЗОНz-20КНz
30Hz-20KHz
З0Hz-20KHz
30Hz-20KHz
30Hz-20KHz
30Hz-20KHz
З0Hz-20KHz
30Hz-20KHz
30Hz-20KHz
30Hz-20KHz
8Q 2W
8Q l,SW
8Q 2W
8Q 2,SW
8Q 3,SW
8Q 2W
8Q 4W
8Q l,SW
160 4W
8Q 2W
0,2%
0,2%
0,2%
0,2%
0,2%
0,2%
0,2%
0,2%
0,2%
0,2%
90dB
90dB
90dB
90dB
SOdB
90dB
90dB
72dB
72dB
72dB
47R
+vcco--- . -i=:::i-- .- - - - - ,220,0
+
0,1
1
3
Интегральная микросхема
LM2895 фирмы National Semi-
rN/--·~в
2~11--<+ ~:: 0 coпductor выполнена в корпусе
._ .. ,s_,,
5
_
......
9
;----"
J::1RL SIPl с 11 выводами и представ-
100'
+
,__..,__.
ляет собой усилитель мощности
100,0
10,0 +
о1
1 ок 19-f
низкой частоты. Предназначена
220R F•g.14:>
1R
для использования в магнито-
фонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудио­
аппаратуре среднего класса. Типовая схема подключения приведена на fig.
145. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке Для получения максимальной выходной мощности микросхему
необходимо установить на теплоотвод (радиатор) Некоторые из основ-
ных параметров микросхемы следующие·
Uцmш
М5106Р
Uccmax
lcco(Uш=O)
Pout02V/4Q)
Rш
Ан
BW
THD(Poнt=O,SW,
f=lKHz)
R111om
3v
15v
12 mA
4,3 w
100 KQ
48 dB
30Hz-20KHz
0,2%
4Q
Ивтеrралышя микросхема М5 !06Р фирмы l\[ilsl1Ьisl1i 11ы1юю1е1rа н
корпусе DIP с 14 выводами и представляет coбoii усиJ~итсл1, ыощ1юсти
низкой частоты. Предназначена для ис1юлr,зовшr1ш в мап1и·ю<\ю11ах,
элеК'гро<Iюнах, тслевизиош 1ых и радиоприемниках, нругой ау;(иш1111 ~аратуре
115

1,-1
11- .:
4
I N -1г--+----- . 1 -
;:..:_1~
F19.146
14
llJ
среднего класса Типовая
схема подключения при­
ведена на fig 146 В микро­
схему встроена защита вы­
хода от короткого замыка-
ния в нагрузке Для получения максимальной выходной мощности нет
необходимости в теплоотводе (радиаторе). Некоторые из основных пара­
метров микросхемы следующие
М5112У
Uccffi111
UcclllaЛ
IccO( U ш=О)
Рощ( l2V/SQ)
Rш
Ан
BW
THD(Poнt=0,5W,
f=I KHz)
Rщom
9v
15v
13 mA
JW
82 KQ
42 dB
40Hz-18KHz
LоО
SQ
з
Интегральная микросхема
М5112У фирмы Mitsub1sh1 выпол­
3
?,___,.......,+}-о' 0 нена в корпусе S IP6 с l О вывода-
..._~_.-............~.,_~
RL
б0
10
ми и представляет со ои усили-
,__. ,__~
Fig .1.47
1ооо
тель мощности низкои частоты
Предн,1значена для использования в магнитофонах, электрофонах, теле-
визионных и радиоприемниках, другои аудиоаппаратуре среднего класса
Типовая схема подключения приведена на fig 147 В микросхему встроена
защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения мак­
симальной выходной мощности микросхему необходимо установить на
теплоотвод (радиатор) Некоторые из основных параметров микросхемы
следующие·
Uцmш
Uccmax
Iсщ( U 111=0)
РонtО 2V/4Q)
Rш
Ан
BW
THD(Poщ=0,5W,
f=IKHz)
116
9v
18v
12 mЛ
5W
120 KQ
46 dB
30Hz-20KHz
0,15%

Rinom
40
M5118L
330, О 100, О +VCC
н + н г---.--Q+
0,033
н
I N~·~7-К...."2_,,:...о;бfо--8--:+-7"
' l'f::r'C
50
18R
+ioo,o
-:-,"R
Fig.148
~~
Интегральная микросхема
М 511 SL фирмы Mitsubishi
выполнена в корпусе SIL с 8
выводами и представляет со­
бой усилитель мощности
низкой частоты. Предназна-
чена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и
радиоприемниках, дРуrой аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схе­
ма. подключения приведена на fig.148. В микросхему встроена защита вы­
хода от короткого замыкания в нагрузке Для получения максимальной
выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе). Неко­
торые из основных параметров микросхемы следующие·
Uccmin
3V
M5155L
Uccmax
Icco(Um=O)
Pout(9V/16Q)
Rш
Аи
вw
THD(P0щ=0,5W,
f=lKHz)
R1nom
+VCC
47,О 220}0 100,О
н
н 0,5
•
f--.-+--н-----~ 100, о
4
6
3
+
2
l'-"<.... _ _. + ~~о
...._ __.., .. ___. .. ,. . _
__,
_ tlRL
• 47 ,о Fig.149
12v
9mA
0,38 w
100 ко
48 dB
40Hz-18KHz
1%
80
Интегральная микросхема
M5155L фирмы Mitsubishi вы­
полнена в корпусе SJL с 8 вы­
водами и представляет собой
усилитель мощности низкой
частоты. Предназначена для
использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радио­
приемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема
подключения приведена на fig.149. В микросхему встроена защита вы­
хода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной
выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе). Неко­
торые из основных параметров микросхемы следующие:
Uccmin
3,5 V
117

M51103L
Uccmax
lcco(Uш=O)
Pout(9V/8Q)
Rш
Ан
BW
THD(Pot1t=0,5W,
f=lKHz)
R1nom
12v
17 mA
IW
82 KQ
48 dB
40Hz-18KHz
1%
8Q
100.О 100" О ~ +\/СС
н 0,068
~+
Интегральная микросхема
M51103L фирмы Mitsubishi
выполнена в корпусе SIP6 с 9
выводами и представляет со­
бой усилитель мощности низ­
кой частоты. Предназначена
н.
1
4?, о
+
10, о
5
IN~+
._..\ _,,.3 _ _ __ _8i"--9 _:---i+ ~:~ R' OL
isoo.T ,-1--:-+_._-[1=к::J---:.,,,_ _,
.:f: is_t -J
М
SW1
~оп.о
Fig.150
для исполь -чия в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и ра­
диоnриемниках, д1 fГОЙ аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема
подключения nриведена на fig 150. Переключатель SW включает функuию
"MUTE" В микросхему встроена защита выхода О"' короткого замыка.ния
в нагрузке. Для получения максимальной выходнои мощности микросхе­
му необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из ос­
новных параметров микросхемы следующие·
M51182L
H+
l00,0
1--.- --o+VCC
IN
3
Uccmiп
10V
Uccmax
16V
lcco(Uш=O)
40 mA
Pot1t03V/4Q)
5,5 W
Rш
100 KQ
Ан
48 dB
BW
30Hz-20KHz
THD(Poнt=0,5W,
f=lKHz)
0,2%
Rщош
4!:1
v.;oo
Интегральная микросхема
М 511821 фирмы MitsнbisЪi
7
6
+~
20 , 0 выполнена в корпусе SIL с 8
_ . .,.__
_,.____..,. _
_.
выводами и представляет со-
-
I0,5
RL
бой усилитель мощности
низкой частоты. Предназна-
118 чена для использования в маг-

нитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой
аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема подключения приведена
на fig .1 51. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания
в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности нет необ­
ходимости в теплоотводе (радиаторе). Некоторые из основных параметров
микросхемы следующие:
M51501L
1,о
2
7
IN>--i+ 3
5
300R
Fig.152
Uccmin
Uccmax
lccO( U ш=О)
Pot11(9V/16Q)
Rш
Ан
BW
THD(Pot11===0,5W,
f=lKHz)
R1nom
8
3v
12v
9mA
0,38 w
100 KQ
48 dB
40Hz-18KHz
1%
8Q
Интегральная микросхема
M51501L фирмы MitsuЬishi
выполнена в корпусе S IL с 8
4
выводами и представляет co-
RL
бdй усилитель мощности
+q7.o 1001<
низкой частоты Предназна-
чена для использо!}ания в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и
радиоприемниках, дРуrой аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схе­
ма подключения приведена на fig. 152. В микросхему встроена защита вы­
хода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной
выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе). Неко­
торые из основных параметров микросхемы следующие:
Uccmiп
3V
Uc,max
Icco(Uш=O)
Poщ(9V/16Q)
Rш
At1
BW
THD(Pot1t===0,5W,
f===l KHz)
R111om
119
12v
4mA
0,4 w
100 KQ
48 dB
40Hz-18KHz
1%
8Q

M51512L
10Н
0 ·: +vcc
Ин:гегральная мик-
'!.7, oJO, 22 росхема M5 l5l2L фир-
10,0
Н+
22, о
7
3
2
+~
мы MitsuЬishi вьшолне-
1N>----j +
5
lt----i
"
_ ..,.....,._____..,6_470,о
RL на в корпусе SIP6 с 10
560.т ,
r-----1
____ _ _,fc --" c-э =RJ- -t, __ ___
100
выводами и представля-
1000
ет собой усилитель
мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнито­
фонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, 'Другой аудио­
аппаратуре среднего класса. Типовая схема подключения приведена на fig.
153. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выход;ной мощности микросхему
необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных
параметров микросхемы следующие:
Uccmin
Uccmax
Icco(U in=O)
Pout03V/4Q)
Rin
Аи
BW
THD(Pout=0,5W,
f=l KHz)
Rinom
M51513L,M51513R
1000
1000,0 +VCC
10v
16v
60 тА
4W
120 KQ
48 dB
30Hz-20KHz
0,2%
40
н33
,______,
н 0,068
~+
100,0
+
Интегральные мик­
росхемы M51512L и
M51513R фирмы Mitsu-
10, о
8
7
2
3,
н
1
+~70,0
1
N•
+
bishi выполнены в кор-
2200iT ' +
6
RL
М
.:Е: 2 7;_ пусах SIP6 с 10 вывода-
100, о
Fig.1 .54
ми и представляют со-
бой усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использо­
вания в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемни­
ках, другой аудиоаппар?туре среднего класса. Типовая схема подключе­
ния приведена на fig.154. *Параметры микросхем M51513L и M51513R
идентичны, но в отличии or M51513L, у которой расположение выводов
на корпусе нормальное (ну)1ерация выводов слева направо), у M51513R
инверсная (зеркальная) нумерация выводов, т.е. справа налево*. В мик­
росхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для
120

получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо
установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров
микросхем следующие:
Uccmin
Uccmax
Icco(Um=O)
Pout03V/4Q)
Rm
Au
BW
THD(Pout=0,5W,
f=lKHz)
Rinom
9V
16у
42 mA
5,8 w
120 ка
48 dB
30Hz-20KHz
0,2%
4Q
M51514AL
100,0
+VCC
н о,068
1--*---1+
47,0
+
Интегральная микросхема
M51514AL фирмы MitsuЬishi
выполнена в корпусе SIP8 с 10
выводами и представляет со­
бой усилитель мощности низ­
кой частоты. Предназначена
для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и ра­
диоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема
подключения приведена на fig.15 5. В микросхему встроена защита выхода
от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выход­
ной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиа­
тор). Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:
Uccmin
9У
Uccmax
16У
Icco(Uш=O)
45 mA
Pout(l3V/4Q)
5,5 W
Rm
120 KD.
Au
48 dB
BW
30Hz-20KHz
THD(Pout=0,5W,
f=lKHz)
0,2%
R1notn
40
M51516L
Интегральная микросхема M51516L фирмы MitsuЬisl1i выполнена в
корпусе SIP6 с 9 выводами и представляет собой усилитель мощности
низкой частоты выполненый по мостовой схеме. Предназначена для ис-
121

+\/СС
10,О
IN>--1+ 1
3
RL
пользования в магнитофонах,
электрофонах, телевизионных и
радиоприемниках, другой аудио­
аппаратуре среднего класса. Ти­
повая схема подключения при­
ведена на fig.156. В микросхему
6
F19.15б
5
+
0,01 47,О
встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получе­
ния максимальной выходной мощности микросхему необходимо устано­
вить на теплоотвод (радиатор) Некоторые из основных параметров мик­
росхемы следующие:
M51518L
Uccmln
Uccmax
Icco(Uш=O)
Pout(lЗV/40)
Rш
Au
BW
THD(Pout=O, 5W,
f=lKHz)
R1nom
9v
16v
60 mA
12w
100 ко
52 dB
20Hz-20KHz
0,15%
40
470,0 100,0
+VCC
н н 0,068
Интегральная микросхема
M51518L фирмы Mitsubishi
+
1-.---н·-----, 4 7 , о
+
10,0
1
2
7
0
выполнена в корпусе SIP6 с 9
rNГ--l +
4
3
9
выводами и представляет собой
'------1
+ :}}00,о
1500iT '1.+...;;.5 ---';:...-,;;;;..--а
RL
М
.JS: 15
усилитель мощности низкой
100,0
Fig.157
частоты. Предназначена для
использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радио­
приемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема
подключения приведена на fig.157. В микросхему встроена защита выхода
от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выход­
ной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиа­
тор). Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:
Uccmin
9V
Uccmax
16V
Icco(Uш=O)
45 mA
PotitOЗV/40)
5,5 W
Rш
120 КО
Ан
52 dB
122

М51602Р
100,О
н.
16
F19.1.5B н.
47,0
BW
THD(Pout=0,5W,
f=lKHz)
Rinom
+ 300R
8
13
1о0--------------1
15
4
30Hz-20KHz
0,2%
4Q
Интегральная
микросхема
RL М51602Р фирмы
MitsuЬishI выполне­
на в корпусе DIP с
14 выводами и
представляет собой
усилитель мощное-
ти низкой частоты. Предназначена для использования в переносных кас­
сетных магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках,
другой аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема подключения
приведена на fig 158 В микросхему встроена защита выхода от короткого
замыкания в нагрузке Для получения максимальной выходной мощности
нет необходимости в теплоотводе (радиаторе). Некоторые из основных
параметров микросхемы (выходНЬrе параметры- для одного канала) следу­
ющие:
МВ3705
30К
10,0
IN>---j1-.---16
1000I
F19.1.59
lOK
1500
Uccmin
Uccmax
Icco(Uш=O)
Poi1t(ЗV/32Q)
Rш
Au
BW
THD(Pout=5mW,
f=lKHz)
Rщom
+VCC
1" 2К
123
1,8 v
4,5 v
7mA
32 mW
lOO кn
46 dB
20Hz-20KHz
0,2%
з2n
Интегральная ми­
кросхем а МВ3705
фирмы Fuj1tsu выпол­
нена в корпусе SIP8 с
RL 9 выводами и пред-
ставляет собой усили-

тель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в маг­
нитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой
аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема подключения приведена
на fig.159. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания
в нагрузке Для получения максимальной выходной мощности микросхе­
му необходимо установить на теплоотвод (радиатор) Некоторые из ос­
новных параметров микросхемы следующие:
Uccmin
6V
Uccmax
16V
Icco(Uш=O)
30 mA
Pout(l3V/4Q)
4,4 W
Rш
160 KQ
Ан
42 dB
BW
20Hz-20KHz
THD(Pонt=О, 5W,
f=lKHz)
Rщom
МВ3712,МВ3713
0,15%
4Q
3
2
IN '-
6
+'v'CC
Интегральные микросхемы МВ3712
и МВ3713 фирмы Fнjitsu выполнены в
корпусах SIPS с 8 выводами и пред­
ставляют собой усилители мощности
низкой частоты. Предназначены для
использощшия в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радио­
приемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса Типовая схема
подклюqения приведена на frg 160 *Параметры микросхем МВ3712 и
МВ3413 идентичны, но в отлиqии от МВ37!2, у которой расположение
выводов на корпусе нормальное (нумерация выводов слева направо), у
МВ3713 инверсная (зеркальная) нумерация выводов, т.е. справа налево*.
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагруз­
ке. Для получения максимальной выходной мощности миКросхемы необ­
ходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных па­
раметров микросхем следующие:
U~cmi11
U~cmax
1~~0( U ш=О)
рOllt( l ЗV/ 4!.1)
Rш
At1
124
9v
16v
13 mA
5,7 w
120 KQ
48 dB

BW
THD(Pot1t=O, 5W,
f;=I KHz)
R1nom
30Hz-20KHz
О, 15%
4Q
МВ3714А,МВ3715А
2
IN
6
Интегральные микросхемы
МВЗ714А и МВЗ715А фирмы Fujit-
su выполнены в корпусах SIPl с 8
выводами и представляют собой
усилители мощности низкой час­
тоты Преюпзначены для исполь-
зования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемни­
ках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема подключе­
ния приведена на fig.161. *Параметры микросхем МВЗ714А и МВЗ715А
идентичны, но в отличии от МВЗ714А, у которой расположение выводов
на корпусе нормальное (нумерация выводов слева направо), у МВЗ715А
инверсная (зеркальная) нумерация выводов, т.е. справа налево* В микро­
схемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке Для
получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо
установить на теплоотвод (радиатор) Некоторые из основных параметров
микросхем следующие:
МВ3722
!ОО~О )+·.'С.С
Н+
1,0
10
IN R >--1
,
+1
IN L>---1+ 5
1,о
3
6
Fig.162 Н+
10,О
+
Uccmin
Uc~max
lcco(Uш=O)
РонtО ЗV/4Q)
Rm
Ан
вw
THD(Poнt=0,5W,
f=lKHz)
Rщom
8v
16v
30 mA
6W
150 KQ
42 dB
20Hz-20KHz
0,15%
4Q
Интегральная
1R
микросхема МВЗ722
8
4
9
+
R RL фирмы Fujitsu выпол-
1000, 0 иена в корпусе SIPl с
Qooo, о
12 выводами и пред-
1L RL ставляет собой двух-
1
100,О
канальный усилитель
lR
125

мощности низкой частоты. Предназначена для использования в перенос­
ных кассетных магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиопри­
емниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса Типовая схема под­
ключения приведена на fig.162. В микросхему встроена защита выхода от
короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной
мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры­
для одного канала) следующие:
Uccmin
Uccmax
lcco(Uш=O)
PoutOЗV/40)
Rш
Ан
BW
THD(Pout=5mW,
f=lKHz)
8V
16у
80 mA
5,8 w
150 ко
42 dB
20Hz-20KHz
Rщom
МВ3730,МВ3730А,МВ3732
0,15%
40
100,О
Н+
4,7
INH+ 1
+VCC 22, О
0,15
"'о---е---<нRL
Интегральные микросхемы
МВЗ730, МВ3730А и МВ3731 фирмы
Fujitsu выполнены в корпусах SIP2 с 7
выводами и представляют собой уси-
51---*--{н
__
.,.
3____"
о, 15
лители мощности низкой частоты по
мостовой схеме. Предназначены для
Fig.163
220, о
использования в магнитофонах, элек-
трофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре
среднего класса. Типовая схема подключения приведена на fig.163. В ми­
кросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке.
Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необ­
ходимо установить на теплоотвод (радиатор) Некоторые из основных па-
раметров микросхем следующие:
МВЗ730 МВЗ7ЗОА МВЗ7ЗZ
Uccmin
8у
8у
8у
Uccmax
16v
16v
16v
l~co( U 111=0)
80 mA
80 mA
80mA
Pout(lЗV/40) 12 w
14w
14w
Rш
150 КО
150 ко
150КО
Аи
48 dB
48 dB
48 dB
126

BW
THD(Pout=O, 5W,
f=lKHz)
0,1%
R1nom
4Q
МВ3731,МВ3733
10,0 100,0
Н+ Н+
О" 15
30Hz-20KHz
0,1%
4Q
0,1%
4Q
4
10,0
н
Интегральные микросхемы
МВ3731 и МВ3733 фирмы Fujitsu
выполнены в корпусах SIPI с 12
выводами и представляют собой
усилители мощности низкой час­
тоты по мостовой схеме. Предназ-
IN)----j+
1
100К
5
н
0,15
Fig.164
220~0
начены для использования в маг­
нитофонах, электрофонах, телевизиою1ых и радиоприемниках, другой ау-
диоаппаратуре среднего класса. Типовая схема подключения приведена на
fig.164. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы
необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных
параметров микросхем следующие:
l\11..63734
Uccmin
Uccmax
lcco(Uш=O)
Pout(13V/4Q)
Rш
Au
BW
THD(Pout=0,5W,
f=lKHz)
Rinon1
10,О 100,О
R Ht---O+'v'CC
+
+
МВ3731
8v
16v
80 mA
18w
150 ка
48 dB
МВ3733
8v
16v
80 mA
20w
150 KQ
48 dB
30Hz-20KHz
0,1%
4Q
0,1%
4Q
О,15lR
8
~
Интегральная микросхема
МВ3734 фирмы Fujitsu выполнена
в корпусе SIP2 с 9 выводами и
представляет собой усилитель
мощности низкой частоты по мос­
товой схеме. Предназначена для
о.~
Fig.165
использовачия в магнитофонах,
электрофонах, телевизиоЮIЬrх и радиоприемниках, другой аудиоаппарату-
127

ре среднего класса. Типовая схема подключения приведена на fig.165. В
микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке.
Для получения максимальной выходной мощности микросхему необхо­
димо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных
параметров микросхемы следующие:
IN
IN
Uccmin
Uccmax
lcco(Um=O)
Poнt(l ЗV/4Q)
Rm
Ан
BW
THD(Poнt=0,5W,
f=lKHz)
R1nom
8V
16v
80 mA
14w
150 KQ
48 dB
30Hz-20KHz
0,1%
4Q
МС 13500Т2, ТА8200АН
100,0
+VCC
Н+
1,0
9
RH+ 2
10
~:l ~R
121---11 - - -1 w~
470"О
L>-1+ s
1.0
Н+
-~""""....."3,__ _,4,_7"
' 1"~:
.Е· 1
\SW1:_Н +22,О
22,0
~+VCC Fig.166
1К
Интегральные микро­
схемы МС13500Т2 (Motoro-
RL Ia) и ТА8200АН (Toshiba)
выполнены в корпусах S IP2
с 12 выводами и представ­
ляют собой двухканальные
RL
усилители мощности низ-
кой частоты с идентичными
параметрами и схемами (цо-
калевками). Предназначены для использования в магнитофонах, элек­
трофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре
высокого класса. Типовая схема подключения приведена на fig.166. В ми­
кросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и
термозащита. Переключатель SWl включает функцию "MUTE". Для полу­
чения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо уста­
новить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров ми­
кросхем (выходные параметры- мя одного канала) следующие:
Uccmiп
12V
u~cmax
40v
Icco(Uш=O)
28 mA
Poнt(ЗOV/4Q)
25W
Rm
160 KQ
All
30 dB
128

BW
20Hz-20KHz
THD(Pout=500mW,
f=lKHz)
0,02%
R1nom
4Q
OPA541AP,OPA541AM,OPA541BM,OPA541SM
1,0
н 8,2К
1,О lK
1,0 8,2К
+VCC
Fig.1б?a
+VCC
1SOV
RL
Интегральные микросхемы
ОРА541АР, ОРА541АМ, ОРА541ВМ
и OPA54lSM фирмы Buп-Brown
выполнены в корпусах SIPS с 11 вы­
водами (ОРА541АР) или ТО-3 с 8
выводами (ОРА541АМ, ОРА541ВМ
и OPA541SM). Представляют собой
мощные операционные усилители и
могут быть использованы в качестве
усилителей мощности низкой часто­
ты в магнитофонах, электрофонах,
телевизионных и радиоприемниках,
RL другой аудиоаппаратуре высокого
класса. Типовая схема подключения
Fig.1б?b
-vcc
для ОРА541АР приведена на fig.l67a,
для ОРА541АМ, ОРА541ВМ и OPA541SM- на fig.167b Параметры микро­
схем идентичны, оп1ичаясь между собой температурным диапазоном
функционирования В микросхемы встроена защита выхода от короткого
замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной
выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод
(радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
!Н\05
Uccmin
U~cmax
lcco(Uш=O)
Pout(±20V/8Q)
Ioutmax
Rш
Au
BW
THD(Pout=0,5W,
f=lKHz)
R1nom
129
±10 у
±40 у
20 mA
50w
5А
1TQ
97 dB
10Hz-l,6MHz
0,05%
8Q

lN
OPA2541AM,OPA2541BM,OPA2541SM,
OPA2544BM,OPA2544SM,PA25,PA25A
н 8,2k
1,0
+vcc
+VCC
о
100К
150К
Fig 168а
о'1
0,1
RL
RL
+VCC
RL
iSOK
-VCC
Fig 168Ь
Интегральные микросхемы
ОРА2541АМ, ОРА2541ВМ,
OPA2541BSM, ОРА2544ВМ и
OPA2544SM (Bнrr-Brown), РА25 и
РА25А (Арех) выполнены в корпу­
сах ТО-3 с 8 выводами Представ­
ляют собой мощные двухканальные
операционные усилители и могут
быть использованы в качестве уси­
лителей мощности низкой частоты в
Fig 168с
-vcc
стереофонических магнитофонах,
электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппарату­
ре высокого класса Типовая схема подключения приведена на fig 168а
Параметры микросхем ОРА2541АМ, ОРА2541ВМ и OPA2541SM (соответ­
ственно ОРА2544ВМ и OPA2544SM) идентичны, отличаясь между собой
температурным диапазоном функционирования Для получения удвоен­
ной выходной мощности на том же сопротивлении нагрузки, при том же
напряжении питания, микросхемы можно подключать по мостовом схеме
(fig 168Ь) или с паралельным выходом (fig l6Sc) В микросхемы встроена
защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита Для
получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо
установить на теплоотвод (радиатор) Некоторые из основных параметров
130

микросхем (выходные параметры- для каждого канала) следующие
ОРА2541
ОРА2544
РА25
РА25А
Uccmlll
±10 v
±10 v
±2,5 v
±2,5 v
Uccmax
±40 v
±35 v
±20 v
±25 v
Icco(Uш=O)
20 mA
20 mA
20 mA
20 mA
PQut(±20V/80) 50 W
40w
30w
40w
IQutmax
5А
6А
ЗА
4А
Rш
1то
1то
150 ко
150 ко
Ан
97 dB
90 dB
80 dB
80 dB
BW
lOHz-l,6MHz
20Hz-30kKHz
THD(PQнt=0,5W,
f=lKHz)
0,05%
Rinom
80
РА02,РА02А, РАО2М
+VCC
1ООК
Fig.l69a
+\"•.::С
100К
1К
F1g.169b
0,05%
80
0,05%
80
0,05%
80
RL
RL
Интегральные микросхемы РАО2,
РАО2А и РАО2М фирмы Арех выпол­
нены в корпусах ТО-3 с 8 выводами
Представляют собои мощные опера­
ционные усилители и могут быть иc-
пользованы в качестве усилителей
мощности низкой частоты в магни­
тофонах, электрофонах, телевизион­
ных и радиоприемниках, другой ау­
диоаппаратуре высокого класса Ти­
п о в ая схема подключения при­
ведена на flg 169а В микросхемы
встроена защита выхода от короткого
замыкания в нагрузке и термозащита
Для получения удвоенной выходной
мощности на том же сопротивлении
нагрузки, при том же напряжении
питания, две микросхемы РА02
(РА02А, РАО2М) можно подключать
по мостовой схеме (fig 169Ь) Для по­
лучения максимальной выходной
мощности микросхемы необходимо
установить на теплоотвод (радиатор)
131

Некоторые из основных параметров микросхем следующие
РА02
РА02А
РАО2М
Uccniin
±7v
±7v
±7v
Uccmax
±19 v
±21 v
±23 v
lcco(Uш=O)
27 mA
27 mA
27 mA
Poнt(±20V/8Q) 30 w
35w
40w
loнtmax
5А
5А
5А
Rш
1TQ
1TQ
1TQ
Ан
100 dB
100 dB
100 dB
BW
lOHz-IMHz
THD(Poщ=0,5W,
f=lKHz)
0,05%
0,05%
0,05%
Rщom
8Q
8Q
8Q
РА03,РА03А
+VCC
- VCC 100 Fig.1?0
Интегральные микросхемы
РА03 и РАО3А фирмы Арех выпол­
нены в корпусах CANspecial с 12
выводами. Представляют собой
сверхмощные операционные усили­
тели и могут быть использованы в
качестве уLилителей мощности
низкой частоты в звуковоспроизво-
дящей аудиоаппаратуре высокого класса. Типовая схема подключения
приведена на fig.170. В микросхемы встроена защита выхода от короткого
замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной вы­
ходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод
(радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
РАОЗ
РАОЗА
Uccniin
±12 v
±12 v
u~cmax
±75 v
±80 v
lcco(Uш=O)
125 mA
125 mA
Poiit(±75Vj4Q) 1000 w
1200 w
Ioщmax
50А
60А
Rш
lTQ
lTQ
Ан
102 dB
102 dB
BW
IOHz-lMHz
THD(Poнt=50W,
f=lKHz)
0,005%
0,005%
132

Rщom
4Q
4Q
РА04,РА04А,РА05,РАО5А
н 8,2К
1,0
+VCC
1SOK
- vc c100 Fig.171
Интегральные микросхемы
РА04, РАО4А, РАО5 и РАО5А
фирмы Арех выполнены в кор­
пусах CANspecial с 12 вывода­
ми. Представляют собой cвepx-
RL мощные операционные усили­
тели и могут быть использова­
ны в качестве усилителей мощ-
ности низкой частоты в ~вуковоспроизводящей аудиоаппаратуре высоко­
го класса. Типовая схема подключения приведена на fig.171. В микросхе­
мы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термо­
защита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы
необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных
параметров микросхем следующие:
РА04
РАО4А
РАО5
Uccmin
±12 v
Uccmax
±100 V
Icco(Uш=O) 70 mA
Pout(±50V/4Q) 200 W
Ioutmax
Rш
Au
BW
20А
1TQ
102 dB
THD(Pout=50W,
f=lKHz)
0,005%
Rщom
4Q
РА21
±12 v
±120 v
70 mA
200 w
25А
1TQ
102 dB
±12 v
±50 v
90 mA
300 w
30А
1TQ
102 dB
lOHz-lMHz
0,005%
4Q
0,005%
4Q
РАО5А
±12 v
±50 v
90 mA
300 w
35А
1TQ
102 dB
0,005%
4Q
Интегральная микросхема РА21 фирмы Арех выполнена в корпусе
ТО-3 с 8 выводами. Представляет собой мощный двухканальный опера­
ционный усилитель и может быть использована в качестве усилителя
мощности низкой частоты в стереофонических магнитофонах,
электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппарату­
ре высокого класса. Типовая схема подключения приведена на fig 172. В
микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и
133

+VCC
термозащита. Для получеIШя мак-
~о
11<
симальной выходной мощности
микросхему необходимо устано-
вить на теплоотвод (радиатор). Не
1,0
которые из основных параметров
IN R>--j
RRL
8"2К
микросхемы (выходные парамет-
ры-дnя одного канала) следующие:
~о
11<
101<
Uccnlin
±2,5 v
Uccmax
±20 v
8
Icco(Um=O)
45 mA
1,о
IN L>--j
Pout(±15V/4Q)
30w
8,21<
Rш
1TQ
-vc c Fig,J.7i!
Au
100 dB
BW
IOHz-IMHz
THD(Pout=0,5W,
f=lKHz)
0,1%
R1nom
4Q
РА26
+VCC
+VCC
н
1К
101<.
н
11<
101<
1,0
1,0
1,0
1.0
IN R>-1
RRL INR>-1
1К
8,2К
8,21<
RRL
н1,0
1К
101<
101<
1,0
IN L>-1
-VCC Fig.J.?За
- VCC
Fig.J.7Зb
Интегральная микросхема Р А26 фирмы Арех выполнена в корпусе
SIP7 с 12 выводами. Представляет собой мощный двухканальный опера­
ционный усилитель и может быть использована в каqестве усилителя
мощности низкой qастоты в стереофониqеских магнитофонах,
электрофонах, телевпзионных и радиоприемниках. ~угой аудиоаппарату­
ре высокого класса Типовая схема подклюqения приведена на fig.17'3a.
134

+\.СС
.. .. vcc
f--11---L1=к::!-<!>---+~~1cc='кJ---,
1,0
IN
1
1
8
lOK
-'.JCC
+VCC
1DK
2
5
1
iOK
1
Fig.1 -73d
-vcc
RRL
0,2
Fig.1-73c
-vcc
Для получения удвоенной выходной
мощности на том же сопротивлении
нагрузки, при том же напряжении
питания, микросхему можно под­
ключить по мостовой схеме (fig.
173Ь) или с паралельным выходом
(fig.173c). Две микросхемы РА26
можно так же подключить по пара­
лельно-мостовой схеме (fig.173d). В
этом случае выходная мощность
увеличивается в четыре раза. В мик­
росхему встроена защита выхода от
короткого замыкания в нагрузке и
термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микро­
схему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из
основных параметров микросхемы следУЮщие:
Uccmin
±2,5 V
Uccmax
±20 V
Icco(Um=O)
45 mA
Pot1t(±15V/4Q) 30 W
Rш
1TQ
Аи
100 dB
BW
IOHz-lMHz
THD(Pout=0,5W,
f=lKHz)
R1nom
135
0,1%
4Q

SI1010G,SI1020G
100,0
Н+
+VCC
2,2
7
I N >--1 f--+-+--Г
4
3
s
47~0
+
61----~
Интегральные микросхемы
SIIOlOG и Sll020G фирмы San-
ken выполнены в корпусах SIP9
с 8 выводами и представляют
100. о
• 4_7
_·_
0__+_~:~: ~Х~R
-vcc
~
RL собой усилители мощности
низкой частоты в гибридном
Fig 174
исполнении с идентичными
схемами (цоколевками). Предназначены для использования в магнитофо-
нах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоап­
паратуре высокого класса с двухполярным питанием. Типовая схема под­
ключения приведена на fig.174 . В микросхемы встроена защита выхода от
короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения макси­
мальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на те­
плоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем сле­
дующие:
SilOlOG
SI1020G
±17 v
±23 v
50 mA
72 mA
10w
20w
Uccnom
Icco(Uш=O)
Pout(±l7V/8Q)
Rш
56 KQ
56 KQ
Au
26 dB
вw
THD(Pout=500mW,
f=lKHz)
0,02%
R1nom
8Q
SI1020GL,SI1030GL
2,2
I N >---11-+-е---12
1001<
8
100,0
Н+
3
47"О
+VCC
s
4
+
47,0
+
71----~
:о,О lR
100,0
Fig.175
-1/СС
1
~-1
----~
26 dB
lOHz-ЗOKHz
0,01%
8Q
Интегральные микро­
схемы SI1020GL и
SllOЗOGL фирмы Sanken
выполнены в корпусах
RL SIP9 с 8 выводами и пред­
ставляют собой усилители
мощности низкой частоты
в гибридном исполнении с
идентичными схемами (цоколевками) Предназначены для использования
в магнитофонах, электрофонах, :rелевизионных и радиоприемниках, дру-
136

гой аудиоаппаратуре высокого класса с двухполярным питанием. Типовая
схема подключения приведена на fig .17 5. В микросхемы встроена защита
выхода от короткого замыкания в нагрузке и термоJащита. Для получения
максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить
на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем
следующие:
SI1020H
10"0
н.
2"2
I N >--j ,..+_
_.,,
1
Uccnom
lcco(Uш=O)
Рout(±23V/80)
Rin
Ац
SI1020GL
±23 v
50 mA
20w
56 ко
26 dB
SI1030GL
±27 v
72 тА
30w
56КО
26 dB
BW
lOHz-ЗOKHz
THD(Poнt=SOOmW,
f=lKHz)
0,02%
R1nom
80
100,О
н.
+\1 СС
7
91--._-~
0,01%
80
s83
6
4
Интегральная микросхе­
ма SI!020H фирмы Sапkеп
выполнена в корпусе SIP9 с
1О выводами и предtтавляет
RL
б~
со ои усилитель мощности
100,0
Fig.176
-VCC
низкой частоты в гибридном
исполнении. Предназначе-
на для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и
радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса с двухполяр­
ным питанием. Типовая схема подключения приведена на fig.176. В мик­
росхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и
термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микро­
схему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из
основных параметров микросхемы следующие:
Uccnom
±23 V
lcco(Uш=O)
45 mA
Pout(±23V/80) 20 W
Rш
56 КО
Ан
26 dB
BW
lOHz-ЗuKHz
137

THD(Poщ=:500mW,
f-=I KHz)
Rinom
0,02%
8Q
SI 1050G,SI 1050GL
22,0
+VCC
100,О
Интегральные микросхемы
Sll050G и Sil050GL фирмы San-
ken выполнены в корпусах SIP9 с 8
выводами и представляют собой
Н+
2~2
6
I N >--1 >--+ ---- -13
lOOK
- vcc
Fig . .177
+н
71---е--~
JiD, 1
j RL усилители мощности низкой часто­
ты в гибридном исполнении с
~lR
идентичными схемами (цоколевка­
ми) Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах,
телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого
класса с двухполярным питанием Типовая схема подключения приведена
на fig 177 В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания
в нагрузке и термот~щита Для полvчения максимальной выходной мощ­
ности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор) Не­
которые из основных параметров микросхем следующие
SI1050G
SI1050GL
Uccnom
Icco(Uш=O)
Pot1t(±25V/8Q)
Rш
At1
±25 v
50 mA
50w
56 KQ
26 dB
±33 v
72 mA
50w
56 кn
26 dB
вw
10Hz-30KHz
THD(Pout=500mW,
f=l KHz)
0,02%
Rinom
8Q
0,01%
8Q
SI1125H,SI1130H
6V8
58
+
+
47 ог
100"О
,;J...
Ftg.178
-\.СС
47,0
+
о,1
9t--e--e-~
138
Интегральные микросхемы
SJ1}25Н И SJ1130Н фИрМЫ
Sanken выполнены в корпусах
SIP9 с 10 выводами и пред-
RL ставляют собой усилители
мощности низкой частоты в
гибридном исполнении с

идентичными схемами (цоколевками). Предназначены для использования
в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, дру­
гой аудиоаппаратуре высокого класса с двухполярным питанием. Типовая
схема подключения приведена на fig.178. В микросхемы встроена защита
выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения
максимальной выходной мощности микросхемы необходимо устаf!овить
на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем
следующие:
SI1125H
SI1130H
Uccnom
±25 v
±23, v
lccO( U ш=О)
50 mA
45 mA
Pout(±23V/8Q)
25w
30w
Rш
56 KQ
56 KQ
Au
26 dB
26 dB
BW
10Hz-30KHz
THD(Pout=500mW,
f=lKHz)
0,02%
R1nom
8Q
SI1125HD,SI1135HD
0,01%
8Q
+~
Интегральные микро-
560R J_ -
схемы Sll 125HD и Sil 135
100,0
+vcc ()-< .. .. --;+ Н
__
s_,Gк 0,047 HD фирмы Sanken вы-
10,0 9
4,71К Н+14
I N R>---j l-: -+-[::::J-. ----. .. --t1 S
INL~~+
2
4,7 1К
Н+34"7
10,О 13
100,О
Fig.J .79
н
1
12
lOR
RRL
6
LRL
8
16s
10R
S6K
+
S6~R0,047
6V8 +
47"0
10" о
полнены в корпусах SIP9
с 16 выводами и пред­
ставляют собой двухка­
нальные усилители мощ­
ности низкой частоты в
гибридном исполнении с
идентичными схемами
(цоколевками). Предназ­
на~ены для использова­
ния в магнитофонах,
электрофонах, телевизи-
онных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса с
двухполярным питанием. Типовая схема подключения приведена на fig.
179. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощ-
139

ности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор) Не­
которые из основных параметров микросхем (выходные параметры- для
одного канала) следующие
Uccnom
lcco(Uш=O)
Pout(±25V/80)
Rш
Ан
SI1125HD
±25 v
50 mA
25w
56 ко
26 dB
SI1135HD
±30 v
72 mA
35w
56 ко
26 dB
BW
10Hz-30KHz
THD(Poнt""500mW,
f=lKHz)
0,02%
Rinom
80
SI1340H,SI1361H
10,0
820
2.2
I N>-1 f-+ -+--11S
0,1
31----~
100К
s879
+
100,0
47,0S6K
-VCC22,0
Fig.J .80
RL
0,01%
80
Интегральные микро
хемы Sll340H и Sll361H
фирмы Sanken выполне
ы в корпусах SIP9 с 16
выводами и представляют
собой усилители мощ-
ности низкой частоты в
гибридном исполнении с
идентичными схемами (цоколевками) Предназначены для использования
в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, дру­
гой аудиоаппаратуре высокого класса с двухnолярным питанием Типовая
схема подключения приведена на fig 180 В микросхемы встроена защита
выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита Для получения
максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить
на теплоотвод (радиатор) Некоторые из основных параметров микросхем
следующие
Ucc110m
lcco(Uш=O)
Pout(±31V/80)
Rш
Ан
BW
SI1340H
±31 v
60 mA
40w
56 ко
26 dB
Sl1361H
±37 v
80 mA
60w
56 ко
26 dB
lOHz-30KHz
140

THD(Pout=500mW,
f=lKHz)
0,02%
R1nom
8Q
0,01%
8Q
STK0025, STK0029, STK0030, STK0039, STK0040,
STK004011,STK0049,STK0050, STK005011, STK0050,
STK0059, STK0060,STKQQ6011,STK0070, STK007011,
STK0080, STK00801I,STK0105
н
100
~+--.-------<11-------<11--~~~:J-1г-iro+vcc
220.0
330
н>--+---__.,
220,О
Fig.1.81
<;;GK
9" 1\}
lK
+
110 .:Е_о.о
100"О
4,7
.:Е· 047
RL
Интегральные микросхемы STK0025, STK0029, SТКООЗО, STK0039,
STK0040, STK004011, STK0049, STK0050, STK0050IJ, STK0055, STK0059,
STK0060, STK006011, STK0070,STK0070IJ,STK0080,STK0080П и STKOI05
фирмы Sапуо выполнены в корпусах SIPIO с 10 вь;водами и представляют
собой выходные модули усилителей мощности низкой частоты в гибрид­
ном исполнении с идентичными схемами (цоколевками) и различными
параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, элек­
трофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре
высокого класс"· с двухполярным питанием. Типовая схема подключения
приведена на fif1 ! 81. В микросхемах отсутствует защита выхода от корот­
кого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной
мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
Uccnom Uccmax
IccO
BW
R1 Pout
THD Au
STK0025
±24V ±35V 45111А 30Hz-20KHz 8.Q 23W 0,02% 26dB
STK0029
±25V ±37V 45111А 30Нz-20КНz 8.Q 35W 0,02% 26dB
sткоозо ±28V ±40V 45111А 30Нz-20К.Нz 8.Q зоw 0,02% 26dB
141

STK0039
STK0040
STK004011
STK0049
STKOOSO
STKOOSOII
STK0055
STK0059
STK0060
STK0060II
STK0070
SТКОО70П
sткооsо
sткооsоп
STKOJOS
Uccnom Uccmax
±ЗlV ±45V
±ЗЗV ±48V
±36V ±48V
±ЗSV ±SOV
±36V ±53V
±39V ±53V
±ЗSV
±ЗSV
±40\1
±41 •
±42\.
±43V
±46V
±47V
±SOV
±53V
±52V
±55V
±55V
±55V
±60V
±65V
±65V
±75V
IccO
45mA
45mA
45mA
45mA
45mA
45mA
45mA
45mA
45mA
45mA
45mA
45mA
45mA
45mA
45mA
BW
30Нz-20:КНz
30Hz-20KHz
30Нz-20КНz
30Нz-20КНz
30Нz-20:КНz
30Нz-20КНz
30Нz-20КНz
30Hz-20KHz
30Hz-20KHz
30Hz-20KHz
30Hz-20KHz
30Hz-20KHz
30Нz-20КНz
ЗОНz-2ОКНz
30Hz-20KHz
STK011,STK015,STK016
+VCC
2,2
I N>-J!-+___,,6
lOOK
F1g.182
4
87
2~++
1
1
lI" ~"
0,1
._.,--,_..._-il-f---,~
lR
R1
sn
sn
sn
SC!
sn
sn
sn
sn
sn
sn
sn
sn
sn
sn
sn
Pout
35W
40W
40W
45W
sow
sow
sow
ssw
бОW
бОW
70W
70W
80W
sow
IOOW
THD
0,02%
0,02%
0,01%
0,02%
0,02%
0,01%
Au
26dB
26dB
26dB
26dB
26dB
26dB
0,01% 26dB
0,02% 26dB
0,02% 26dB
0,01% 26dB
0,02% 26dB
0,01% 26dB
0,02% 26dB
0,01% 26dB
0,01% 26dB
Интегральные мик­
росхемы STKOll, STKO
15 и STKOI6 фирмы Sa-
nyo выполнены в корпу­
С и Х SIPlO с 10 выводами
и представляют собои
усилители мощности
низкой частоты в гибридном исполнении с идентичными схемами (цоко­
левками) и различными параметрами Предназначены для использования
в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, дру­
гои аудиоаппаратуре высокого класса Типовая схема подключения при­
ведена на fig 182 В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого
замыкания в нагрузке Для получения максимальной выходной мощности
микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые
из основных параметров микросхем следующие:
Uccnom Uccmax
IccO
BW
R1
STKOll
25У 38V
60mA 30Нz-20:КНz SП
STK015
32V
48V
65тА 30Нz-20КНz SQ
STK016
ЗSV 54V
65mA 30Hz-20KHz SП
STK013,STKQ14
Pout
6,SW
lOW
lSW
THD Au
0,02% 26dB
0,02% 26dB
0,02% 26dB
Интегральные микросхемы STK013 и STK014 фирмы Sanyo выполне-
142

220,О
ны в корпусах SIP 1О с
22(Ж
h:Q+
·н 0,047
I 6 выводами и пред-
22ОК
+VCC
н
•
+
lOOR
ставляют собой двухка-
9
86
нальные усилители
Q,47
IN R>----j
100,0
R RL мощности низкой час-
+
5
тоты в гибридном ис-
3
4,7
+
2
полнении с идентичны-
RL
14
ми схемами (цоколев-
IN
1.0 ,
100,О
ками) и различными
0,47
+
11
параметрами. Предназ-
10
15
lR
начены для использова-
Fig.1-83
470,0
ния в магнитофонах,
.J2."' 047
электрофонах, телеви-
зионных и ращн. приемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса.
Типовая схема подключения приведена на fig.183. В микросхемах отсут­
ствует защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения
максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить
на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем
(выходные параметры-для одного канала) следующие:
Uccnom Uccmax IccO
BW
R1
Pout
THD Au
0,02% 26dB
0,02% 26dB
STKOlЗ
32V
SOV
SOmA 30Нz-20К.Нz 80 9,SW
lSW
STKOl4
зsv
55V
STK020,S:ГK027
100,О
Н+
2,Z
I N /---1 t--8--11 О
SSmA 30Hz-20KHz 80
6
Инrегральные микросхе-
100, о
мы STK020 и STK027 фирмы
+
Sануо выполнены в корпусах
41---~
~о о к .._~1_...3,._.....9.._~~7~__.
100,0
47R :00,00 , l~~R
j SIPlО с lО выводами и пред­
RL
ставляют собой усилители
мощности низкой qастоты в
-vcco--
~
'F ig.J .84
гибридном исполнении с
идентичными сх\·мами (цоколевками) и различными параметрами. Пред-
назначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизи­
онных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса с
двухnолкрным питанием. Типовак схема подключения приведена на fi.g.
184. В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы
необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных
143

параметров микросхем следующие
STK020
STK027
Uccnom Uccmax
±16V ±24V
±19V ±27V
IccO
45rnA
45rnA
BW
30Нz-20К.Нz
30Нz-20К.Нz
Pout
IOW
ISW
THD Au
0,02% 26dB
0,02% 26dB
STK021,STK024,STK031,STK035
2,,.2
10
I Nн 1-+____. ,S
7
8
Fig.185
+VCC
7
·1'I"~
91---<8--1
0, 1);"",
RL
l:1R
6
+
100,О
Интегральные мик­
росхемы STK021, STKO
24, STKOЗI и STK035
фирмы Sanyo выполне­
ны в корпусах SIPlO с
10 выводами и пред­
ставляют собой усили-
68,О 4?R
тели мощности низкой
частоты в гибридном исполнении с идентичными схемами (цоколевками)
и различными параметрами Предназначены для использования в магни­
тофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, цругой ау­
диоаппаратуре высокого класса Типовая схема подключения приведена
на fig 185 В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого замы­
кания в нагрутке Для получения максимальной выходной мощности
микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор) Некоторые
из основных параметров микросхем следующие:
Uccnom Uccmax IccO
BW
Ri Pout
THD Au
STK02!
зsv
54V
60rnA 30Нz-20К.Нz SQ ISW 0,02% 26dB
STK024
44V
60V
70mA 30Hz-20KHz SQ 20W 0,02% 26dB
SТКОЗ!
48V
66V
70rnA 30Hz-20KHz SQ 25W 0,02% 26dB
sткозs
54V
70V
70mA 30Hz-20KHz SQ зоw 0,02% 26dB
STK022,5_TK025.STK032,STK036
100,0
н.
2"2
3
IN '--1+
8
Интегральные микросхемы
+VCC
~~ 100 • 0 STK022, STK025, STK032 и STK
+
4
036 фирмы Sanyo выполнены в
19
..,
корпусах S IP 1О с 9 выводами и
RL
-vcco--
Fig.186
представляют собой усилители
мощности низкой частоты в
гибридном исполнении с
идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Пред­
назначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизи­
онных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса с
144

двухполярным питанием. Типовая схема подключения приведена на fig.
186. В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы
необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных
параметров микросхем следующие:
Uccnom Uccmax IccO
BW
R1 Pout
THD Au
STK022
±19V ±27V 45mA 30Нz-20КНz SQ lSW 0,02% 26dB
STK025
±22V ±ЗОV 45mA 30Hz-20KHz SQ 20W 0,02% 26dB
STK032
±24V ±ЗЗV 45mA 30Hz-20KHz SQ 25W 0,02% 26dB
SТКОЗб
±27V ±ЗSV 45mA 30Hz-20К.Hz SQ зоw 0,02% 26dB
STK030,STK058,STK075,STK077,STK078,STK080,
STK082,STK083,STK084,STK086
56К
11< 1,о
I N >---Dr:1 +
47':I -
Fig.J.87
2
1
4
н
lOOR
10,0
-vcc
65
3
56К
1800
47"О+~
Интегральные микро­
схемы SТКОЗО ,STK058,
STK075, STK077 ,STK078,
STK080,STK082,STK083,
RL STK084 и STK086 фирмы
Sanyo выполнены в кор­
пусах SIPlO с 10 вывода-
ми и представляют собой усилители мощности низкой частоты в гибрид­
ном исполнении с идентичными схемами (цоколевками) и различными
параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, элек­
трофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре
высокого класса с двухполярным питанием. Типовая схема подключения
приведена на fig.187. В микросхемах отсутствует защита выхода от корот­
кого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной
мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
Uccnom Uccmax IccO
BW
R1 Pout
THD Au
sткозо
±24V ±ЗSV 45mA 30Нz-20КНz SQ 2SW 0,02% 26dB
STKOSS
±24V ±35V 45mA 30Нz-20КНz SQ 24W 0,02% 26dB
SТК.075
±20V ±28V 45mA 30Нz-20КНz SQ lSW 0,02% 26dB
SТКО77
±22V ±32V 45mA 30Hz-20KHz SQ 20W 0,02% 26dB
STK078
±25V ±ЗSV 45mA 30Hz-20KHz 80 24W 0,02% 26dB
sткоsо
±27V ±39V 45mA 30Hz-20KHz SQ зоw 0,02% 26dB
STK082
±ЗОV ±43V 45mA 30Нz-20КНz SQ зsw 0,02% 26dB
sткоsз
±32V ±46V 45mA 30Hz-20KHz SQ 40W 0,02% 26dB
STK084
±35V ±SOV 45mA ЗОНz-20КНz SQ sow 0,02% 26dB
STK086
±42V ±SSV 45mA 30Hz-20KHz SQ 70W 0,02% 26dB
145

STK050,STK070
lOK 10,О
IN~+ 1
o,01'I,
Fig.J.88
220,0
+VCC
н
0,15
.............--,___---< ,________,,
0,4R
Интегральные микро­
схемы STK050 и STK070
фирмы Sanyo выполне­
ны в корпусах SIPlO с 16
16
14
7
4"7R
0"047
4
111--_.._~
0,4R
220,0
выводами и представля­
RL ют собой усилители
мощности низкой часто­
ты в гибридном испол-
1
- vcc
нении с идентичными
схемами (цокоrтевками) и различными параметрами. Предназначены для
использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радио­
приемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса с двухполярным
питанием. Типовая схема подключения приведена на fig.188. В микросхе­
мах отсутствует защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для
получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо
установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров
микросхем следующие:
sткоsо
STK070
U ccnom U ccmax
±ЗSV ±45V
±42V ±SSV
lccO
45mA
45mA
BW
30Hz-20KHz
ЗОНz-20КНz
Pout
sow
70W
THD Au
0,02% 26dB
0,02% 26dB
STK075G,STK077G,STK078G,STK080G,STK082G.
STK084G,STK085,STK086G
2
4,7R
8
1К 1,О
IN~" J
1н: ::::с ~oro.o
0,047
Интегральные микро­
схемы фирмы STK075G,
STK077G, STK078G,
STKOSOG, STK082G,
STK084G, SТКО85,и
4701
:...J.. . L +1
lOOR
П\-+\=н
6
Fig . .189
100,0
-\1сс.
1800
?>-----
~1,2К
RL STK086G фирмы Sanyo вы-
полнены в корпусах SIP 1О с
10 выводами и представля­
ют собой усилители мощ-
ности низкой частоты в гибридном исполнении с идентичными схемами
(цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использо­
вания в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемни­
ках, другой аудиоаппаратуре высокого класса с двухполярным питанием.
Типовая схема подключения приведен~ на fig 187. В микросхемах отсут-
146

ствует защита выхода от короткого замыкания в нагрузке Для получения
максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить
на теплоотвод (радиатор) Некоторые из основных параметров микросхем
1..ледующие·
UссПОШ Uccmax IccO
BW
R1 Pout
THD Au
STK075G ±20V ±28V 45тА 30Hz-20KHz 80 lSW 0,02% 26dB
STK077G ±22V ±32V 45mA 30Нz-20КНz 80 20W 0,02% 26dB
STK078G ±25V ±ЗSV 45mA 30Нz-20КНz 80 24W 0,02% 26dB
STKOSOG ±27V ±39V 45mA 30Нz-20КНz 80 зоw 0,02% 26dB
STK082G ±ЗОV ±43V 45mA 30Нz-20КНz 80 зsw 0,02% 26dB
<;TK084G ±ЗSV ±SOV 45mA 30Hz-20KHz 80 sow 0,02% 26dB
STK085
±38V ±55V 45mA 30Hz-20KHz 80 бОW 0,02% 26dB
STK086G ±42V ±55V 45mA 30Hz-20KHz 80 70W 0,02% 26dB
STK0100
Н+
100
220.0
9"11/
110
330
+
_Ео.о
!К
3К
47"О
+
S61
RL
Fig.190
о;~
1-'Н--
Н+
33
2..- L)" о
100
4?, о
lSK
Интегральная микросхема STKOlOO фирмы Sanyo выполнена в корпу­
се SIPlO с 10 выводами и представлкет собой выходной модуль усилите­
ля мощности низкой частоты в гибридном исполнении. Предназначена
для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и ра­
диоnриемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса с двухполярным
питанием. Типовая схема подключения приведена на fig.190. В микро­
схеме отсутствует защита выхода от короткого замыканик в нагрузке Для
получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо
установить на теплоотвод (радиатор) Некоторые из основных параметров
микросхемы следующие:
Uccnom
Uccmax
147
±50 v
±75 v

Icco(Uш=O)
Pout(±50V/4Q)
Rш
Ан
BW
THD(Pout=5W,
f=lKHz)
Rinom
STK0292,STK0352,STK0452
45 mA
110 w
56 KQ
100 dB
20Hz-20KHz
0,01%
8Q
н
100
/::+~_,,_--,_---~-C:J-"t"---.---.-o+VCC
56
\-1
220.0
330
Sь
22(1, о
Н.4-. 1J
2,7К
9,1V
110
33
1se
100
100
+
,Ео. о
J,5· 1
~о
Интегральные микросхемы STK0292, STK0352 и STK0452 фирмы Sa-
nyo выполнены в корпусах SIPIO с 10 выводами и представляют собой
выходные модули усилителей мощности низкой частоты в гибридном ис­
полнении с идентичными схемами (цоколевками) и раз91чными
параметрами Предназначены для использования в магнитофонах, элек­
трофонах, телевизионных и радиоприемниках, другои аудиоаппаратуре
высокого класса с двухполярным питанием Типовая схема подключения
приведена на fig 191 В микросхемах отсутствует защита выхода от корот­
кого замыкания в нагрузке Для получения максимальной выходиой
мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор)
Некоторые из основных параметров микросхем следующие
Uccnom Uccmax lccO
BW
Ri Pout
THD Au
STK0292
±26V ±43V 45111А 30Hz-20KHz sn 25W 0,01% 26dB
STK0352
±ЗОV ±48V 45111А 30Hz-20KHz sn зоw 0,02% 26dB
SГКО452
±34V ±54V 45111А 30Hz-20KHz sn зоw 0,01% 26dB
148

STK413, STK415, STK430, STK43011, STK430III,
STK433, STK435,STK436,STK437,STK439,STK441,
STK443, STK4332, STK4352, STK4362, STK4372,
SТК43~2,STK4412,STK4432
н 100,0 ~20.О
lOO •О
+
220К +
+VCC
н+
100,О
220К
+н
22 О,О
12К lOOR
~~+-+-+--.--1==1--+-~-+-~~ О, 1
н
9
7
4" 7R
2Х330К
4,7
I N R>--c::J-11- -+-
. .+--1
lK 22К
2
s
1
6
'1'°~· сR RL
47,О
Перечислен­
ные микросхемы
фирмы Sanyo вы­
полнены в кор­
пусах SIPlO с 16
выводами и пред­
ставляют собой
двухканальные
усилители мощ­
ности низкой час­
тоты в гибридном
исполнении с
идентичными
схемами (цоко­
левками) и раз-
I N L )----c:J-j 1--+-- --1
1k 4"7
3
lS
14
Fig . .192
47,0
10+
'}'"L RL
11
13
личными параметрами. Предназначены для использования в магнитофо­
нах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиодп­
паратуре высокого класса. Типовая схема подключения приведена на fig.
192. В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке Для получения максимальной выходной мощности микросхемы
необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных
параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следую­
щие:
Uccnom Uccmax IccO
BW
R1 Pout
THD Au
STK413
ISV
29V
бОmА 30Нz-20КНz sn ЗW
0,02% 26dB
STK415
24V
32V
60mA 30Hz-20KHz SQ. 6,SW 0,02% 26dB
STK430
2SV
41V
60mA 30Hz-20KHz SQ lOW 0,02% 26dB
SТК430П 26V
4ЗV
бОmА 30Hz-20KHz SQ. !SW 0,02% 26dB
STK430III ЗIV
sov
бОmА 30Hz-20KHz sn 20W 0,02% 26dB
STK433
2ЗV
32V
бОmА 30Нz-20КНz SQ. sw
0,02% 26dB
STK435
27V
39V
60mA 30Нz-20КНz SQ. 7W
0,02% 26dB
STK436
32V
sov
бОmА 30Hz-20KHz SQ IOW 0,02% 26dB
STK437
ззv
sov
бОmА 30Hz-20KHz SQ IOW 0,02% 26dB
STK439
39V
56V
бОmА 30Hz-20KHz so.·
15W 0,02% 26dB
STK441
44V
бЗV
60тА 30Hz-20KHz SQ. 20W 0,02% 26dB
149

STK443
STK4332
STK4352
STK4362
STK4372
STK4392
STK4412
STK4432
49V
23V
27V
ззv
зsv
39V
44V
49V
70V
32V
39V
SOV
54V
56V
63V
70V
60mA ЗОНz-20КНz 8Q 25W
60mA 30Hz-20KHz 8Q SW
60mA 30Нz-20КНz 8Q 7W
бОmА 30Нz-20КНz 8Q lOW
60mA 30Нz-20КНz 8Q l2W
60mA 30Hz-20KHz 8Q lSW
бОmА 30Hz-20KHz 8Q 20W
60mA 30Hz-20KHz 8Q 25W
0,02% 26dB
0,02% 26dB
0,02% 26dB
0,02% 26dB
0,02% 26dB
0,02% 26dB
0,02% 26dB
0,02% 26dB
STK457,STK459,STK460,STK461,STK463,STK465
100.0
Перечисленные
+н
loo. о +vcc o-- .- -{10=0:::iR--. -- --'-1
Т
микросхемы фирмы
~
0.1
330R +
33К
.---"!!9~-~в-"'6
n,1
2
I N R/~-1.__.,___.l
I N L >---! 1---11>--<116
о.1
15
7-----
10. -----+ -+-- '8
51211
4,?R
LRL
4,?R
~~+-ft---[3=3JK--+--+---'lK
100,0 100,0
1-1 f-+- -- - - --i:__:]--'
_Е.1
F19.19З
Sa11yo выполнены в
корпусах SIP!O с 16
выводами и представ­
ляют собой .цвухка­
нальные (стереофо­
нические) усилители
мощности низкой
qастоты в гибр:rщном
исполнении с иден­
тичным и схемами
(цоколевками) и раз-
личными параметрами Предназначены для использования в магнитофо­
нах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоап­
паратуре высокого класса. Типовая схема подключения приведена на fig.
193 В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке Для получения максимальной выходной мощности микросхемы
необходимо установить на теплоотвод (радиатор) Некоторые из основных
параметров микросхем (выходные параметры- для одного канала) следую­
щие·
Uccnom Uccmax lccO
BW
Ri
Pout THD Au
STK457
±l8V ±26V 45mA 30Hz-20KHz 8.Q lOW 0,01% 26dB
STK459
±21V ±ЗlV 45mA 30Hz-20KHz 8Q 15W 0,01% 26dB
STK460
±23V ±32V 45111А 30Hz-20KHz 8Q 20W 0,02% 26dB
STK461
±23V ±ЗЗV 45mA 30Hz-20KHz 8Q 20W 0,01% 26dB
STK463
±26V ±38V 45mA 30Hz-20KHz 8Q 25W 0,01 % 26dB
STK465
±29V ±41V 45mA 30Hz-20KHz 8Q зоw 0,01% 26dB
150

STK1030,STK1040,STK1050,STK105011,STKi06Q,
STK106011,STK1Q7Q,STK1Q70II,STK1080II.STK1100II
н
100
~+-.-~..-~-.-~~--<\t-C=:J---.--.--<~+VCC
330
9.,,. lV
+
_Ео.о
220,О
lK
3К
47"0
+
4,7
RL
Fig.J.94
.:Е.: 047
56
J:io.o
н~--
220,О
100"О
Интегральные микросхемы STKIOЗO, STKI040, STKI050, STKI050II,
STKI060, STK1060II, STK1070, SТК1070П, STK108011 и STKl IООП фирмы
Sanyo выполнены в корпусах SIP 10 с 10 выводами и представляют собой
:выходные модули усилителей мощности низкой частоты в гибридном ис­
полнении с идентичными схемами (цоколевками) и различными
параметрами. Предназнаqены для использования в магнитофонах, элек-
трофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре
высокого класса с двухполярным питанием. Типовая схема подключения
приведена на fig.194. В микросхемах отсутствует защита выхода от корот-
кого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной
мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
Uccnom Uccmax IccO
BW
R1 Pout
THD Au
SТК!ОЗО
±28V ±40V 45mA 30Hz-20KHz 8[2 зоw 0,01% 26dB
STK1040 ±ЗЗV ±48V 45mA 30Hz-20KHz 8[2 40W 0,01% 26dB
STK1050 ±36V ±53V 45mA 30Hz-20KHz 8П sow 0,01% 26dB
STK1050ll ±38V ±55V 45mA 30Hz-20KHz 8П sow 0,01 % 26dB
STK1060 ±40V ±56V 45mA 30Hz-20KHz 8[2 60W 0,01% 26dB
STK1060II ±40V ±56V 45mA 30Hz-20KHz 8[2 60W 0,01% 26dB
STK1070 ±40V ±56V 45mA 30Hz-20KHz 8П 60W 0,01% 26dB
STK1070Il ±43V ±63V 45mA 30Hz-20KHz 8П 70W 0,01% 26dB
STK108011 ±45V ±65V 45mA 30Hz-20KHz 8П 80W 0,01% 26dB
STKllOOII ±SOV ±68V 45тА 30Hz-20KHz 8П 1oow 0,01% 26dB
151

STK1035,STK1039,STK1045,STK1049,S:.ГK1055,
STK1059
220"О
330
2,2 lK
I N>--1 f-:-+-C::::J--<-- -1:"
470
Fig.1 .')5
Э, lV
+
110 .]!.о.о
100,О
4,7
RL
.:f.· 04 7
Интегральные микросхемы STK1035, STK1039, STK1045, STK1049,
STK1055 и STK1059 фирмы Sanyo выполнены в корпусах SIPlO с 10 вы­
водами и представляют собой выходные модули усилителей мощности
низкой частоты в гибридном исполнении с идентичными схемами (цоко­
левками) и различными параметрами. Предназначены для использования
в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, дРУ­
гой аудиоаппаратуре высокого класса с двухполярным питанием. Типовая
схема подключения приведена на fig.195. В микросхемах отсутствует за­
щита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения макси­
мальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на
теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем
следующие:
Uccnom Uccmax IccO
BW
R1 Pout
THD Au
STK1035 ±28V ±40V 65mA 20Нz-20КНz 80 зоw 0,01% 26dB
STK1039
±ЗОV ±46V 65mA 20Нz-20КНz 8Q зsw 0,01% 26dB
STK1045 ±ЗЗV ±48V 65mA 20Нz-20КНz 8Q 40W 0,01% 26dB
STK1049
±34V ±SOV 65mA 20Hz-20KHz 80 4SW 0,01% 26dB
STKlOSS
±ЗSV ±51V 6SmA 20Нz-20КНz 8Q sow 0,01% 26dB
STK1059
±38V ±5ЗV 65mA 20Нz-20КНz 8Q ssw 0,01% 26dB
STK2025,STK2029
Интегральные микросхемы STK2025 и STK2029 фирмы Sanyo выпол-
нены в корпусах SIPIO с 7 выводами и представляют собой выходные
152

100
н '-1,__~--.----f"{:::::J--4'"--~--~+VCC
г+
220,0
9, 1V
330
lK
3К
47.о
+
S61
Fig . .196
110
100
lk
33
100
+
3МН
4,7
~-1
~о
RL
модули усилителей мощности низкой частоты в гибридном исполнении с
идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Пред­
назначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизи­
онных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса с
двухполярным питанием. Типовая схема подключения приведена на fig.
196. В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке. Для получения максимальной выходной ~,ющности микросхемы
необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных
параметров микросхем следующие:
U ccnom. U ccmax.
STK2025
±24V ±40V
STK2029
±25,SV ±43V
lccO
65mA
65mA
BW
20Hz-20KHz
20Нz-20КНz
Pout
20W
25W
STK2230,STK2240,STK2250,STK2260
THD Au
0,005% 26dB
0,005% 26dB
Интегральные микросхемы STK2203, STK2240, STK2250 и STK2260
фирмы Sanyo выполнены в корпусах SIPlO с 16 выводами и представляют
собой двухканальные (стереофонические) выходные модули усилителей
мощности низкой частоты в гибридном исполнении с идентичными схе­
мами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для ис­
пользования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиопри­
емниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса с двухполярным пита­
нием. Типовая схема подключения приведена на fig.197. В микросхемах
отсутствует защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для полу­
чения максимальной выходной мощности микросvемы необходимо уста­
новить на теплоотвод (радиатор). Некот~рые из основных параметров
153

н.
100
+VCC
220"0
+
9" lV
110
.:Е_о" о
330
2,2 lK
IN>--j +
3МН
470
4,7
RL
Q,1
10
lK
S6
н
н
220"0
100
47,~
151<
Fig 197
н.
100
220"0
330
56
Sб
н220.0
н.
2,7К
47"0
9, 1V
110
lSK
3МН
4,7
J:'10,0
-v cc
J,6· 1
_!lo
RL.
микросхем (выходные параметры-для одного каанала) следующие
Uccnom Uccmax IccO
BW
Ri Pout
THD Au
STK2230
±ЗОV ±48V 55mA 20Нz-20КНz 8Q зоw 0,01% 26dB
STK2240
±ЗЗV ±54V 55mA 20Hz-20KHz 80 40W 0,01% 26dB
STK2250
±37V ±59V 55mA 20Нz-20КНz sn sow 0,01% 26dB
STK2260 ±41V ±65V 55mA 20Hz-20KHz 8Q 60W 0,01% 26dB
STK4017,STK4019,ST·K4021,STK4023,STK4025
100.0
Н+
100.0
Н+
100,О
+
22, о-------­
I N /'>---<о--< + S 2
lOOK
91---1+ ъооо. о
-----
3814
б
RL
.._..,.......,_..,_--'..._"
+
+ 47"О
+2"7К
330,О
100,О 2{R
154
Интегральные микросхе­
мы STK4017., STK4019,
ТК4021, STK4023 и STK4025
фирмы Sa11yo выполнены в
корпу. ах SIPIO с 10 вывода­
ми и представляют собой
усилители мощности низкой
частоты в гибридном испол-

нении с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметра­
ми. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах,
телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого
класса. Типовая схема подключения приведена на fig.198. В микросхемах
отсутствует защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для полу­
чения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо уста­
новить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров
микросхем следующие:
Uccnom Uccmax 1•• 0
вw
RJ Pout
THD
STK4017
26V
45V
60mA 30Hr:-20KHz 8Q 6,SW 0,02%
STK4019
32V
54V
65mA 30Hz-20KHz 8Q lOW 0,02%
STK4021
38V
65V
65mA 30Нz-20КНz 8Q lSW 0,02%
STK4023
44V
73V
65mA 30Нz-20К.Нz 8Q 20W 0,02%
STK4025
48V
80V
65mA 30Нz-20КНz 8Q 25W 0,02%
STK401811,S ТК402011, STK402211, STK4024,
STK402411.STK4024V,STK4026,STK402611,
STK4026V,STK4026X,STK4028,STK402811,
STK4028V,STK4028X,STK403011,STK4030V,
STK4030X,STK403211,STK4032V,STK4032X,
STK403411,STK4034V,STK4034X,STK403611,
STK4036V,STK4036X,STK4036Xl,STK403811,
STK4038V,STK4038X,STK4038Xl,STK404011,
STK4040V,STK4040X,STK4040Xl,STK404211,
STK4042V,STK4042X,STK4042Xl,STK404411,
STK4044V,STK4044X,STK4044Xl,SТ'К404611,
STK4046V,STK4046X,STK4046Xl,STK404811,
STK4048V,STK4048X,STK4048XI
Au
26dB
26dB
26dB
26dB
26dB
100,0 lOOR
14
1К 4"7
I N ~1-+----1.1
4
2
15
во' 1
7
Перечис­
ленные инте­
гральные ми-
470
.__..........,.._.....,.....,......,..___.,.._.
I;бк .._ _, --- L_J
_,,-1ок
56К
RL Кр0СХеМЫ
фирмы Sanyo
+
~·о
1000 100
выполнены в
S60R +н +
LJ
корпусах s IP
-vcc Г+1
10 15
Fig.199
100,'о
10,О
С
ВЫВО-
даМИ (кроме STK4046II, STK4046V, STK4046X, STK4046XI, STK404811,
STK4048V, STK4048X и STK4048XI, которые выполнены в корпусах SIPlO
с 18 выводами, но выводы 16, 17 и 18 не используются) и представляют
155

собой усилители мощности низкой частоты в гибридном исполнении с
идентичными схемами
(цоколевками) и различными параметрами.
Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах,
тР.левизионных и радиоприемниках, дРуrой аудиоаппаратуре высокого
класса. Типовая схема подключения приведена на fig.199. В микросхемах
отсутствует
защита
выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для
получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо
установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров
микросхем следующие:
Uccnom Uccmax IccO
BW
R1 Pout
THD Au
STK4018Il ±20V ±20V SOmA 20Hz-50KHz 8Q 6W
0,2% 26dB
STK4020Il ±26V ±17V SOmA 20Нz-50КНz 8Q lOW 0,2% 26dB
STK4022II ±20V ±ЗОV 50п1А 20Нz-50КНz 8Q 15W 0,2% 26dB
STK4024
±23V ±34V SOmA 20Нz-50КНz 80 ISW 0,3% 26dB
STK4024Il ±23V ±34V SOmA 20Нz-50КНz 8Q lSW 0,2% 26dB
STK4024V ±24V ±34V 120mA 20Нz-50КНz 8Q lSW 0,08% 26dB
STK4026
±26V ±38V SOmA 20Нz-50КНz 8r: 25W 0,3% 26dB
SТК4026П ±26V ±38V SOmA 20Нz-50КНz 80 25W 0,2% 26dB
STK4026V ±26V ±38V 120mA 20Нz-50КНz 8Q 25W 0,08% 26dB
STK4026X ±26V ±38V 120mA 20Hz-50KHz 8Q 25W 0,008% 26dB
STK4028
±27V ±42V 50тА 20Hz-50KHz 8Q 30W 0,3% 26dB
STK4028Il ±27V ±42V SOmA 20Hz-50KHz 8Q зоw 0,2% 26dB
STK4028V ±27V ±42V 120mA 20Hz-50KHz 8Q зоw 0,08% 26dB
STK4028X ±29V ±42V 120mA 20Hz-50KHz SQ зоw 0,008% 26dB
STK4030Il ±ЗОV ±45V SOmA 20Нz-50КНz 8Q зsw 0,2% 26dB
STK4030V ±ЗОV ±46V 120mA 20Hz-50KHz 8Q зsw 0,08% 26dB
SТК40ЗОХ ±32V ±45V 120mA 20Hz-50KHz 8Q зsw 0,008% 26dB
STK4032II ±32V ±48V SOmA 20Нz-50КНz 8Q 40W 0,2% 26dB
STK4032V ±32V ±48V 120mA 20Hz-50KHz 8Q 40W 0,08% 26dB
STK4032X ±33V ±49V 120mA 20Hz-50KHz 8Q 40W 0,008% 26dB
STK403411 ±ЗЗV ±SOV SOmA 20Hz-50KHz 8Q 45W 0,2% 26dB
STK4034V ±ЗЗV ±SOV 12t>mA 20Нz-50КНz 8Q 45W 0,08% 26dB
STK4034X ±ЗSV ±SOV 120mA 20Нz-50КНz 8Q 45W 0,008% 26dB
STK4036II ±35V ±52V SOmA 20Нz-50КНz 8Q sow 0,2% 26dB
STK4036V ±35V ±52V 120mA 20Нz-50КНz 8Q sow 0,08% 26dB
STK4036X ±36V ±52V 120mA 20Нz-50КНz 80 sow 0,008% 26dB
STK4036XI ±37V ±53V 120mA 20Нz-50КНz 8[! sow 0,002% 26dB
STK4038II ±38V ±57V SOmA 20Hz-50KHz 8Q бОW 0,2% 26dB
STK4038V ±38V ±57V 120mA 20Hz-50KHz 8Q бОW 0,08% 26dB
STK4038X ±39V ±57V 120mA 20Hz-50KHz 8Q бОW 0,008% 26dB
STK4038XI ±40V ±58V 120mA 20Hz-50KHz 8Q бОW 0,002% 26dB
STK4040II ±42V ±60V SOmA 20Hz-50KHz 8Q 70W 0,2% 26dB
156

Uccnom
STK4040V ±42V
STK4040X ±42V
STK4040XI ±42V
SТК4042П ±45V
STK4042V ±45V
STK4042X ±46V
STK4042XI ±46V
SТК4044П ±51V
STK4044V ±51V
STK4044X ±SlV
STK4044XI ±51 У
STK4046Il ±SSV
STK4046V ±55V
STK4046X ±55V
STK4046XI ±55V
SТК4048П ±60V
STK4048V ±60V
STK4048X ±60V
STK40~8Xl ±60V
STK4065
Uccmax lccO
BW
±62V 120mA 20Hz-50KHz
±62V 120mA 20Hz-50KHz
±62V 120mA 20Hz-50KHz
±658V 120mA 20Нz-50КНz
±65V 120mA 20Нz-50КНz
±67V 120mA 20Hz-50KHz
±67V 120mA 20Нz-50КНz
±73V 120mA 20Hz-SOKHz
±73V 120mA 20Нz-50КНz
±74V 120mA 20Hz-50KHz
±74V 120mA 20Hz-50KHz
±80V 120mA 20Нz-50КНz
±80V l 20mA 20Нz-50КНz
±80V l20mA 20Нz-50КНz
±80V 120mA 20Hz-50KHz
±86V 120mA 20Hz-50KHz
±86V 120mA 20Нz-50КНz
±87V 120п1А 20Hz-50KHz
±87V 120mA 20Нz-50КНz
220,0
Н+
10
11
100,0 +
100,0
0,,.47
2,2R
220, о 33
21--i...._,+ 1--1~
31----"
RL
!So----"
220, о 33
R1
SQ
SQ
SQ
SQ
SQ
SQ
SQ
SQ
SQ
8Q
8Q
8Q
8Q
8Q
8Q
8Q
8Q
8Q
jl,Q
Pout
70W
70W
70W
80W
80W
80W
80W
lOOW
lOOW
lOOW
lOOW
120W
120W
120W
120W
lSOW
lSOW
lSOW
lSOW
THD Au
0,08% 26dB
0,008% 26dB
0,002% 26dB
0,2% 26dB
0,08% 26dB
0,008% 26dB
0,002% 26dB
0,2% 26dB
0,08% 26dB
0,008% 26dB
0,002% 26dB
0,2% 26dB
0,08% 26dB
0,008% 26dB
0,002% 26dB
0,2% 26dB
0,08% 26dB
0,008% 26dB
0,002% 26dB
Интегральная микро­
схем а STK4065 фирмы
Sanyo выполнена в кор­
пусе SIPIO с 16 вывода­
ми и представляет собой
усилитель мощности
низкой частоты в гиб­
ридном исполнении ре­
ализованный по мосто­
вой схеме. Предназначе­
на для использования в
F ig. 200
магнитофонах, электро-
фонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высо­
кого класса. Типовая схема подключения приведена на fig.200. В микро­
схеме отсутствует защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для
получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо
установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров
микросхемы следующие:
157

Uccmin
Uccmax
Icco(Um=O)
Pout(l3V/2Q)
Rш
Au
вw
THD(Pout=lOW,
f=lKHz)
R1nom
8v
16v
140 mA
25w
150 кn
42 dB
lОНz-ЗОКНz
0,1%
2,2!1
STK4101II,STK4101V,STK4102II.STK4111II,
STK4111V,STK4112II,STK4121Il,STK4121V,
STK412211,STK413111,STK4131V,STK413211,
•
STK414111,STK4141V,STK414211,STK4151II,
STK4151V,STK415211,STK416111,STK4161V,
STK416211,STK417111,STK4171V,STK417211,
STK4181II,STK4181V,STK418211,STK419111,
STK4191V,STK4192II
100R 100,О
100, О +VCC 0---Г::::Н~+ н
~6dR l~+-.-csG=кJ----t~~-1-~,
11
1
Перечисленные мик­
Т
росхемы фирмы Sanyo
о, 1 выполнены в корпусах
4,7R SIPlO с 18 выводами и
0,1
2
I N Р)-j1--<1.-. --11
10------
представляют собой двух­
канальные (стереофони-
sГ"L_,-.,.---, 1-<1,_,,."- -1
)
ческие усилители мощ-
1 SН::::=r-Н1,__.,,_,_~
13-----+-+--е
I N L н f--<lt----118
О,1
17
914874
~60~ lr+-+-~S=бYK-t---+--+~--'
1оо,о
tк
.__-с2=к:J--'
Fig.201
100,О lK
н f---<Н:::::::J-" lOOR
- vcc ,:[,
100.0
уоо,о
4,7R
ности низкой частоты в
гибридном исполнении с
идентичными схемами
(цоколевками) и различ-
ными параметрами.
Предназначены для ис­
пользования в магнито­
фонах, электрофонах,
телевизионных и радио­
приемниках, другой ау-
диоаппаратуре высокого класса. Типовая схема подключения приведена
на fig.201. В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого за'lfъr­
кания в нагрузке Для получения максимальной выходной мощности
158

микросхемы необходим:о установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые
из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного
канала) следующие:
Uccnom Uccmax IccO
BW
R1 Pout
THD Au
SТК4101П ±lЗV ±20V lOOmA 20Hz-SOКНz 8Q 6W
0,2% 26dB
STK4IOIV ±IЗV ±20V IOOmA 20Hz-50KHz 80 6W
0,08% 26dB
STK410211 ±lЗV ±20V IOOmA 20Hz-50KHz 8Q 6W
0,2% 26dB
STK4lllll ±l7V ±26V lOOmA 20Hz-SOKHz 8Q lOW 0,2% 26dB
STK4111V ±17V ±26V lOOmA 20Нz-50КНz 80 lOW 0,08% 26dB
STK4112II ±l 7V ±26V lOOmA 20Hz-SOKHz 8Q lOW 0,2% 26dB
STK4l21Il ±20V ±ЗОV lOOmA 20Hz-SOКНz 8Q ISW 0,2% 26dB
STK4121V ±20V ±ЗОV lOOmA 20Нz-50КНz 8Q 15W 0,08% 26dB
STK4122II ±20V .tЗOV lOOmA 20Hz-50KHz 80 ISW 0,2% 26dB
STK413lll ±24V
±34V lOOmA 20Нz-50КНz 8Q 20W 0,2% 26dB
STK4131V ±24V
±34V lOOmA 20Hz-50KHz 80 20W 0,08% 26dB
STK4132II ±24V
±34V lOOmA 20Hz-SOKHz 8q 20W 0,2% 26dB
STK4141II ±27V
±40V lOOmA 20Hz-50KHz 8Q 25W 0,2% 26dB
STK4141V ±27V ±40V lOOmA 20Нz-50КНz 8Q 25W 0,08% 26dB
STK4142II ±27V
±40V lOOmA 20Hz-50KHz 8Q 25W 0,2% 26dB
STK415IП ±28V ±42V IOOmA 20Hz-50KHz 80 зоw 0,2% 26dB
STK4151V ±28V ±42V IOOmA 20Hz-50KHz 80 зоw 0,08% 26dB
STK4152Il ±28V ±42V IOOmA 20Hz-50KHz 8Q ЗОW 0,2% 26dB
STK416lll ±ЗОV ±46V lOOmA 20Hz-SOKHz 8Q зsw 0,2% 26dB
STK4l6IV ±ЗОV ±46V IOOmA 20Hz-50KHz 8Q 35W 0,08% 26dB
STK4162II ±ЗОV ±46V IOOmA 20Hz-SOKHz 8Q ЗSW 0,2% 26dB
STK4171II ±32V ±49V IOOmA 20Нz-50КНz 80 40W 0,2% 26dB
STK4171V ±32V ±49V lOOmA 20Hz-SOКНz 8Q 40W 0,08% 26dB
STK4172Il ±32V ±49V IOOmA 20Hz-SOKHz 8Q 40W 0,2% 26dB
STK418III ±ЗЗV ±SlV lOOmA 20Hz-SOKHz 80 45W 0,2% 26dB
STK4181V ±ЗЗV ±SlV lOOmA 20Нz-50КНz 8Q 4SW 0,08% 26dB
STK4182II ±ЗЗV ±SlV lOOmA 20Hz-SOКНz 8Q 4SW 0,2% 26dB
STK4l9lll ±ЗSV ±55V lOOrnA 20Нz-50КНz 8Q sow 0,2% 26dБ
STK4191V ±ЗSV ±55V lOOmA 20Hz-SOKHz 8Q sow 0,08% 26dB
STK4192II ±ЗSV ±SSV lOOmA 20Hz-SOKHz 8Q SOW 0,2% 26dB
STK4201II,STK4201V,STK4211II,STK4211V,
STK4221II,STK4221V,STK4231II,STK4231V
Перечисленные микросхемы фирмы Sanyo выполнены в корпусах
SIPlO с 20 выводами и представляют собой двухканальные (стереофони-
ческие) усилители мощности низкой частоты в гибридном исполнении с
идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами.
Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах,
159

lOOR 100,О
1 О О, О +VC С 0---С::Но--'1+ н
~6dR 1+ S6K
телевизионных и радио­
Т
приемниках, другой ау­
о, 1 диоаппаратуре высокого
,__.,.13__,.,.._
148
~ 4. ?R класса Типовая схема
t11J;El
4
о,1
I N R '~ f---l>---13
12
2,,. 21 -,
7
t--... ..--ilS
2,2К
17
47,О
8
N
1
подключения приведена
на fig.202. В микросхе-
+ ,__,.-~.....
мах реализованна функ-
t--11. . .. .,. . .. -- 1 ция "MUTE" В микро-
47.11'0
+
18
IN L н~-----20
0,1
19
8 ом схемах отсутствует защи-
1s---+--,___
16109 6
S6K
100,О lk
н J--Н::=J-. lOOR
2k
Fig.202
- v'tc .:С .:Е_оо,о
100,0
4"?R
.:Е· l
та выхода от короткого
замыкания в нагрузке.
Для получения макси­
мальной выходной мощ­
ности микросхемы необ­
ходимо установить на
теплоотвод (радиатор).
Некоторые из основных
параметров микросхем (выходные параметры- для одного канала) следу-
ющие:
Uccnom Uccmax lccO
BW
R1 Pout
TFJD Au
STK420III ±38V ±55V JOOmA 20Hz-50KHz 8.Q бОW 0,2% 26dB
STK4201V ±39V ±55V lOOmA 20Hz-50KHz 8.Q бОW 0,08% 26dB
STK42llll ±42V
±60V lOOmA 20Hz-SOКНz 8.Q 70W 0,2% 26dB
STK4211V ±43V ±60V lOOmA 20Hz-50KHz 8.Q 70W 0,08% 26dB
STK422lll ±45У ±65V lOOmA 20Hz-50KHz 8.Q 80W 0,2% 26dB
STK4221V ±45У ±65V lOOmA 20Нz-50КНz 8.Q 80W 0,08% 26dB
STK4231II ±SlV ±75V lOOmA 20Hz-50KHz 8.Q lOOW 0,2% 26dB
STK4231V ±51V ±75V lOOmA 20Hz-50KHz 8.Q lOOW 0,08% 26dB
STK4773,STK4793,STK4803,STK4813,STK4833,
'
STK4843,STK4853,STK4863,STK4873,STK4893,
STK4913
Перечисленные микросхемы фирмы Sanyo выполнены в корпусах
SJPIO с 20 выводами и представляют собой двухканальные (стереофони-
ческие) усилители мощности низкой частоты в гибридном исполнении с
идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами.
Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, теле­
визионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса.
Типовая схема подключения приведена на fig.203. В.микросхемах отсут-
160

100R 100' О
47, О +VCC o--. -C J-<H+ н
~+ 100К--о,!'3,.....,.....1,..0,....."
~70R0,01
ствует защита
выхода от ко­
роткого замыка-
3
ния в нагрузке
82
1К 4'7
2
IN R~l-+---11
39 _J_ ~ Для получения
5
4, 7R максимальной
3,3К 47,0
+
,
470
22К
4
выходной мощ-
1-------1:8
ности микро-
.
470 т2~К
I N L )---C:J-+ -j >-+-4 -- -016
1К
12
1е
14
на теплоотвод
1
]:'·"'
(радиатор). Не-
~+ 100К
470R
которые из ос-
1К
47
•
0+
560R
Fig.203
l-1100,0 t----{=f-'
новных пара-
-vcc 1К
метров микро-
схем (выходные параметры- для одного канала) следующие
Uccnom Uccmax lccO
BW
R1
Pout
STK4773
±19У ±26V 120mA 20Hz-lOOKHz 8.Q lOW
STK4793
±22У ±31V 120шА 20Hz-lOOKHz 8.Q 15W
STK4803
±24V ±35V 120mA 20Hz-lOOKHz 8.Q 20W
STK4813
±24V ±35V l20mA 20Hz-lOOКНz 8.Q 20W
STK4833
±25V ±39V 120mA 20Нz-100КНz 8.Q 25W
STK4843
±26V ±43V 120mA 20Hz-lOOKHz 8.Q ЗОW
STK4853
±27У ±43V 120mA 20Hz-lOOKHz 8.Q ЗОW
STK4863
±ЗОV ±47V 120mA 20Hz-lOOKHz 8.Q 35W
STK4873
±ЗОV ±47V 120mA 20Hz-lOOKHz 8.Q 35W
STK4893 ±32У ±46V 120mA 20Hz-lOOKHz 8!:1 ~ow
STK4913
±35V ±50V 120mA 20Hz-lOOKHz 8.Q SOW
STK8250,STK8260,STK8270,STK8280
Fig 2:04
6-805
н.
220.0
330
н,_..._----
220.0
н+
47,0
9,1V
!К
100
110
3300
33
100
161
2200
+
.:Е_о.о
];10,О
-vcc
THD
0,02%
0,02%
0,02%
0,02%
0,02%
0,02%
0,02%
0,02%
0,02%
0,02%
0,02%
Au
26dB
26dB
26dB
26dB
26dB
26dB
26dB
26dB
26dB
26dB
26dB
RL

Интегральные микросхемы STK8250, STK8260, STK8270 и STK8280
фирмы Sanyo выполнены в корпусах SIPlO с 9 выводами и представляют
собой выходные модули усилителей мощности низкой частоты в гибрид­
ном исполнении с идентичными схемами (цоколевками) и различными
параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, элек­
трофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре
высокого класса с двухполярным питанием Типовая схема подключения
приведена на fig.204. В микросхемах отсутствует защита выхода от корот­
кого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной
мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
Uccnom Uccmax IccO
BW
Ri Pout
THD
STK8250
±38V ±56V 80шА 20Hz-20KHz 8Q sow 0,01%
STK8260
±42V ±59V 8ОшА 20Hz-20KHz 8Q бОW 0,01%
STK8270
±44V i:бOV 8ОшА 20Hz-20KHz 8Q 70W 0,01%
STK8280
±47V ±65V 80шА 20Нz.-20КНz 8Q 80W 0,01%
STK825011,STK826011,STK827011,STK828011
Fig.2:0:J
+VCC1
Нг-• .-- ...-- -. -- -- i
220,О
9. 1\1
330
110
-VGC1
3МН
4,7
~10,О
J·l
~о
Au
26dB
26dB
26dB
26dB
RL
Интегральные микросхемы STK825011, STK8260II, STK8270II и
STK8280II фирмы Sanyo выполнены в корпусах SIPIO с 12 выводами и
представляют собой выходные модули усилителей мощности низкой час­
тоты в гибридном исполнении с идентичными схемами (цоколевками) и
различными параметрами. Предназначены для использования в магнито­
фонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудио­
аппаратуре высокого класса с двухполярным питанием. Типовая схема
162

подключения приведена на fig.205. В микросхемах отсутствует защита вы­
хода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной
выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод
(радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем следующие·
Uccnom Uccma:x
lccO
BW
R1
Pout
THD Au
STK8250Il ±38V ±56V 70mA 20Hz-20KHz 8.Q 50W 0,005% 26dB
SТК826ОП ±42V ±59V 70mA 20Нz-20КНz 8.Q бОW 0,005% 26dB
STK8270II ±44У ±60V 70mA 20Нz-20КНz 8.Q 70W 0,005% 26dB
STK8280Il ±47V ±65V 70mA 20Нz-20КНz 8.Q 80W 0,005% 26dB
ТА7203Р
0,02
н
1.,. о
10
RL
IN R>--1+
13
3
lOOK
330,0 н +
2
8
+н
lOOK
100,О
IN L ..>---1 +
3
7
1,0
1
4
RL
Н+н
lOOK
Fig.206
100,0 0,02
2200
10
Интегральная микросхема ТА7203Р фирмы Toshiba выполнена в кор­
пусе TABSS с 14 выводами и представляет собой двухканальный (стерео­
фонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для
использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радио­
приемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса Типовая схема
подключения приведена на fig.206 В микросхему встроена защита выхода
от короткого замыкания в нагрузке и термозащита Для получения мак­
симальной выходной мощности микросхему необходимо установить на
теплоотвод (радиатор) Некоторые из основных параметров микросхемы
(:выходные параметры- для одного канала) следующие·
Uccmiп
8У
Uccmax
20У
Icco(Uш=O)
37 mA
Pout(14V/8Q)
2W
Rш
120 КО
Au
42 dB
BW
3'0Hz-18KHz
163

THD(Pout=0,5W,
f=lKHz)
R1nom
ТА7210Р,ТА7268Р
68{)0 L___, - -,_j
100,0 100,О +VCC
1 -.L'ё;o"Rl
Н+ Н+
~
0,25%
8Q
0,SR
Интеграль­
ные микросхе­
мы ТА7210Р и
ТА7268Р фир­
мы Tosh1ba
выполнены в
корпусах SIP 1
с 12 выводами
и представляют собой усилители мощности низкой частоты с идентичны­
ми схемами (цоколевками) и различными параметрами Предназначены
для использования в магнитофонах, электрофонал, телевизионных и ра­
диоприемниках, другой аvдиоаппаратуре среднего класса Типовая схема
подключения приведена на fig 207 В микросхемы встроена защита выхода
от короткого замыкания в нагрузке и термозащита Для получения мак­
симальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на
теплоотвод (радиатор) Некоторые из основных параметров микросхем
следующие
ТА7210Р
ТА7268Р
U~cm1n
20v
20v
Uccmax
40v
45v
Icco(Um=O)
25 mA
25 mA
Pout(34V/8Q)
llW
11w
Rm
120 КQ
120 KQ
Аи
42 dB
42 dB
BW
20Hz-20KHz
THD(Poнt=0,5W,
f=lKHz)
0,1%
0,1%
R1nom
8Q
8Q
ТА7220Р
Интегральная микросхема ТА7220Р фирмы Тоьh1Ьа выполнеf!а в
корпvсе SIL с 1О выводами и представляет собой усилитель мощности
:низкой частоты Предназначена для использования в магнитофонах, элек-
164

н,_47~
4,7
2
(10+, о
>----r .+vcc
трофонах, телевизl!онных и
радиоприемниках, другой ау-
10
диоаппаратуре низкого клас-
s
8
._..&...-"'• 1"~
са. Тиnо8'я охема nодключе-
._ .. ..,...._1_к_ __..1.""о"'ок
RL ния приведена на fig.208. В
Н+47, о
+io,о
микросхему встроена защита
IN>---j+
3
1ООК
Fig.208
выхода от короткого замыка-
ния в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной
мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе). Некоторь!е из
основНЬ!Х параметров микросхемы следующие:
Uccmin
ЗУ
Uccmax
12У
Icco(Uш=O)
5mA
Pout(9V/32Q)
О, 15W
Rш
160 KQ
Аи
48 dB
BW
20Hz-20KHz
THD(Pout=O, lW,
f=lKHz)
О, 1%
R1nom
32Q
ТА7225Р
MIC
~о' 1
ц
s4
RL
10МН
о'1
5Gt'
18-t
Интегральная микросхема ТА7250Р (Toshiba) выполнена в корпусе
DIP с 20 выводами. Представляет собой усилитель воспроизведения и
усилитель мощнос1и низкой час1оты выполненый по мостовой схеме.
Предназначена для использования в кассетных магнитофонах среднего
класса (fig.209). Основные параметры микросхемы следующие:
Uccmin
4,5 У
Uccmax
10У
Рщн(4,5V/32Q) 0,24W
165

IccO(Um=O)
10 mA
Аи
68 dB
BW
30Hz-18KHz
Rmom
32Q
В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в наг­
рузке и от повышения напряжения питания. Для получения максималь­
ной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе).
ТА7235Р,ТА7269Р,ТА7286Р
+VCC
Интегральные
100.0 н.
47,0
микросхемы
.]9.~
100,0
ТА7235Р, ТА7269Р
1,0
1.1
RRL
INRH+s
10
•
и ТА7286Р фирмы
1.000. о
INLH+7
1.
+~.о Toshiba выполнены
1,0
3
82
L RL в корпусах SIP2 с
+
~,'lS
н.
100,О
12 выводами и
F19.ZJ.O
220,0
представляют
собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой
частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными парамет­
рами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах,
телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего
класса. Типовая схема подключения приведена на fig.210. В микросхемы
встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащи­
та. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необ­
ходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных па­
раметров микросхем (выходные параметры- для одного канала) следую-
щие:
ТА7235Р ТА7269Р
ТА7286Р
Uccmin
6v
6v
6v
Uccmax
22v
20v
20v
Icco(Um=O)
25 mA
35 mA
19 mA
Pout(l5V/ЗQ)
9W
8W
8W
Rm
120 КQ
120 к.о
120КQ
Ан
42 dB
42 dB
42 dB
BW
20Hz-20KHz
THD(Pout=O,SW,
t'=lKHz)
0,08%
0,08%
0,08%
R1nom
ЗQ
ЗQ
ЗQ
166

ТА7237АР
IN >-<t--, ..,
Интегральная микро­
схема ТА7237АР фирмы
0.01 Tosh1ba выполнена в
z1---<~н корпусе SIP2 с 12 выво­
RL
1000I .._....____, ___...._~1~1...1_0_:-------1Н
дами и представляет со­
бой усилитель мощности
низкой частоты выпол-
неный по мостовой схе­
ме Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, те-
левизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего клас­
са Типовая схема подключения приведена на fig 211 В микросхему
встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащи­
та Для получения максимальной выходной мощности микросхему необ­
ходимо установить на теплоотвод (радиатор) Некоторые из основных па­
раметров микросхемы следующие
ТА7252Р
100,О
н +VCC
+
1.0
IN;--j+ 1
7
Uccmin
Uccmax
Icco(Um=O)
PoutOЗV/40)
Rm
Аи
BW
THD(Pout=0,5W,
f=lKHz)
R1nom
8v
18v
90 mA
17w
150 КQ
52 dB
20Hz-20KHz
0,05%
40
100,0
+
Интегральная микросхема
ТА7252Р фирмы To~h1ba выпол-
+
1000 • 0 не на в корпусе SIP2 с 7 вывода-
st---е----1} ми и представляет собой усили-
. .... .._
_...,....._...,......
RL
.:Е: 1
тель мощности низкой частоты
Предназначена для использова-
ния в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках,
другой аудиоаппаратуре высокого класса Типовая схема подключения
приведена на t1g 212 В микросхему встроена защита выхода от короткого
замыкания в нагрузке и термозащита Для получения максимальной вы-
167

ходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (ра­
диатор). Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:
Uccmin
9V
Uccmax
25V
Icco(Um=O)
35 mA
Poщ(l3V/20)
9,бW
Rш
100 К.О
Аи
42 dB
BW
20Hz-2DKHz
THD(Pout=lW,
f=lKHz)
О, 1%
Rmom
20
ТА7273Р,ТА8216Н
J.00,0
Н+
+~1сс
Интегральные мик­
росхемы ТА7273Р и
ТА8216Н фирмы Toshiba
выполнены в корпусах
SIP 1 с 12 выводами и
представляют собой
двухканальные (стерео­
фонические) усилители
мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и раз­
личными параметрами Предназначены для использования в магнитофо­
нах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоап­
паратуре среднего класса. Типовая схема подключения приведена на fig.
213 В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощ­
ности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Не­
которые из основных параметров микросхем (выходные параметры для
одного канала) следующие:
ТА727ЗР
ТА8216Н
Uccmin
6v
6v
Uccmax
37v
37v
Icco(U ш=О)
35 mA
45 mA
Рощ(28V/80)
l3W
14w
Rш
100 к.о
120 КQ
Ан
48 dB
48 dB
BW
20Hz-20KHz
168

THD(Pout=0,5W,
f=lKHz)
R1nom
0,08%
80
0,08%
80
ТА7274Р,ТА7275Р
100. ()
Н+
1, ()
IN R>---1 + 1
Н+2
4,7
+vcc
47,CJ
7
3
6
s
Интегральные микросхемы
""i.':'
ТА7274Р и ТА7275Р фирмы Toshi-
-19· 15 Ьа выполнены в корпусах SIP2 с 7
выводами и представляют собой
RL усилители мощности низкой час­
тоты выполненые по мостовой
.=f: 15 схеме. Предназначены для ис­
пользования в автомобильных
магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой
Fig.21 .4
аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема подключения приведена
на f1g 214 *Параметры микросхем ТА7274Р и ТА7275Р идентичны, но в
отличии от ТА7274Р, у которой расположение выводов на корпусе нор­
мальное (нумерация выводов слева направо), у ТА7275Р инверсная (зер­
кальная) нумерация выводов, те справа налево*. Некоторые из основных
параметров микросхем следующие:
Uccmш
Uccmax
Icco(Um=O)
РонtОЗV/40)
Rш
Ан
BW
THD(Pout=0,5W,
f=lKHz)
R1nom
ТА7280Р,ТА7281Р
+vcc
Н+
1,0
10
INRН+1
1,0
INLН+S
169
10v
25v
80 тА
12w
120 ко
48 dB
20Hz-20KHz
0,05%
40
Интегральные
микросхемы ТА 7280Р и
ТА7281Р фирмы Tosh1ba
выполнены в корпусах
SIP2 с 12 выводами и

использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радио­
приемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса Типовая схема
подключения приведена на f1g 215 *Параметры микросхем ТА7280Р и
ТА7281Р идентичны, но в отличии от ТА7280Р, у которой расположение
выводов на корпусе нормальное (нумерация выводов слева направо), у
ТА7281Р инверсная (зеркальная) нумерация выводов, т.е справа н:щево*
Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры-для
одного канала) следующие
UccffiШ
Uccmax
Icco(Um=O)
Pout(13V/4Q)
Rm
Аи
BW
THD(Pout=O,SW,
f=lKHz)
Rinom
10у
25у
55 mA
5,8 w
100 KQ
48 dB
20Hz-20KHz
0,1%
40
ТА7282АР,ТА8207Р
+VCC
100.оН+ sw
1.0 12
IN R >-1.,
.
INLH+7
1.0
Fig 216 Н+
220.0
47,0
Н+ 82R
s
8
82R
+
47 "о
1
11
2
10
Интегральные
микросхемы
ТА7282АР и
ТА8207Р фирмы
Tosh1ba выполне­
ны в корпусах
SIP2 с 12 вывода­
ми и представля­
ют собой двухканальные (стереофонические)\усилители мощности низкой
частоты Предназначены для использования в магнитофонах, электро­
фонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре сред­
него класса Типовая схема подключения приведена на fig.216 Переклю­
чатель SW включает функцию "MUTE" Некоторые из основных парамет­
ров микросхем (выходные параметры-для одного канала) следующие·
ТА7282АР
ТА8207Р
UссШШ
9У
10V
Uccmax
16у
18у
lcco(Um=O)
19 mA
45 mA
Pout(l2V/40)
4,6 w
5,8 w
Rm
150 КQ
lOOKQ
170

Au
BW
THD(Pout=0,5W,
f=lKHz)
Rinom
7
IN
4
42 dB
0,1%
4Q
46 dB
20Hz-20KHz
0,08%
4Q
Интегральная микросхема
ТА7336Р фирмы Tosh1ba вы­
полнена в корпусе SIL с 9 вы­
водами и представляет собой
усилитель мощности низкой
частоты Предназначена для
использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и
радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре низкого класса Типовая схема
подключения приведена на fig 217 В микросхему встроена защита выхода
от короткого замыкания в нагрузке и термозащита Для получения мак­
симальной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиа­
торе) Некоторые из основных параметров микросхемы следующие
ТА7376Р
100,0
-t-VCC
Н+
1,0
4
IN R'-j+ 1
INL,>---j+9
1,0
7
UссШШ
1,5 V
Uccmax
12V
lcco(Um=O)
6mA
Pout(бV/8Q)
0,34W
Rm
100 КQ
Au
42 dB
BW
20Hz-20KHz
THD(Pout=O,lW,
f=lKHz)
0,3%
Rinom
8Q
22,О
Интегральная микросхема
ТА7376Р фирмы Tosh1ba вы­
RL полнена в корпусе SIL с 9 вы­
водами и представляет собой
двухканальный (стереофони-
+
JO~~R
2
3
470,0
RL
")
ческии усилитель мощности
6
·~:
_Е.1
низкой частоты Предназначе­
на для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и
Fig.21.8 Н+
н +22.0
22,О
171

радиоnриемниках, другой аудиоапnаратуре среднего класса. Типовая схе­
ма подключения приведена на fig.218. В микросхему встроена защита вы­
хода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения
максимальной выхощюй мощности микросхему необходимо установить
на теплоотвод (радиатор) Некоторые из основных параметров микросхе­
мы (выходные параметры- для одного канала) следующие:
UссП1111
1,5 V
UссП18Х
8V
Icco(Uш=O)
5,3 mA
Poнt(4,5V/4Q) 0,3 W
Rш
100 KQ
Ан
48 dB
BW
30Hz-18KHz
ТНD(Рош=О, lW,
f=lKHz)
R1nom
0,25%
4Q
TDA1516BQ,TDA1516CQ,TDA1518BQ
!N
!N
Интегральные микросхемы
2200.() +н
S Т -B,_Y:.../"---41- --< -- -0+VCC
TDA1516BQ, TDA1516CQ и
TDA1518BQ фирмы Philips
выполнены в корпусах SIP2 с
13 выводами и представляют
собой двухканальные (стерео­
фонические) усилители мощ­
ности низкой частоты. Пред-
0,22 11
б8
RH1
7
L>---j 13
0,22
2200. о+ н
5 т -]Э_y:c../~t--iJ---0
г-
+VCC
11
б810
0,22
назначена дnя использования в магни­
тофонах, электрофонах, телевизион­
ных и радиоприемниках, другой аудио­
апnаратуре высокого кпасса Типовая
IN>---j
13
RL схема подключения приведена на fig.
219а. Для получения удвоенной вы­
ходной мощности на том же сопротив­
лении нагрузки nри том же напряже-
нии питания, микросхемы можно подключить по мостовой схеме (fig.219
Ь) *Микросхему TDA1516CQ рекомендуется использовать топько в мос­
товом включении*. В микросхемы встроена защита выхода от короткого
замыкания в нагрузке и термозащита. Для поnучения максимальной вы­
ходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод
172

(радиа1ор). Некоторые из основных параметров микросхем (:выходные
nараметры- для одного канала, в скобках- для мосто:воrо включения) сле­
дующие:
IN
IN
TDA1516BQ TDA1516CQ TDA1518BQ
Uccmin
Ucctllax
lcco(Uш=O)
Icco(ST-BY-ON)
Pout02V/20)
Ioutmax
Rш
Au
BW
THD(Pout=O,SW,
f=lKHz)
Rmom
бV
бV
бV
18v
30 mA
0,1 μА
11W(22W)
4А
50 КО
20 dB
0,1%
40
18v
40 mA
0,1 μА
(24W)
4А
50 КО
20 dЬ
20R2-2r1кнz
0,1%
40
18v
30 mA
0,1 μА
11W(22W)
4А
50КQ
40 dB
0,1%
40
TDA1517,TDA1519,TDA1519A,TDA15198,TDA1519Q
0.22
7
RRL
RH1
4
·~
1000,0
ш~
LH
.,,
б+
0.22
LRL
2200.0 + н
ST-8Y
+VCC
в
7
4
0"22
Интегральные микросхемы
TDA1517, TDA1519, TDA1519A,
ТDА1519Ви TDA1519Q фирмы Phi-
lips выполнены в корпусах SIP2 с 9
выводами и предс1авляют собой
двухканальные (стереофонические)
IN>--J
1
RL
усипители мощности низкой часто­
ты. Предназначены для использования в
магнитофонах, электрофонах, телевизи­
онных и радиоприемниках, другой аудио­
апnаратуре высur~ого класса Типовая
схема подКJlючения приведена на fig.220a.
6
В микросхемы встроена защита въrхода от
короткого замыкания в нагрузке и термо­
защита. Для nолучения удвоенной выходной мощности на 1ом же сопро­
тивлении нагрузки при том же напряжении питания, микросхемы можно
подключи1ь no мостовой схеме (fig.220b). *Микросхему TDA1519Q реко­
мендуе1ся использовать только в мостовом включении*. Для получения
максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить
173

на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем
(выходные параметры- для одного канала, в скобках- для мостового
включения) следующие·
TDA1517
TDA1519
TDA1519A TDA1519B
TDA1519Q
Uccmin
6v
6v
(,v
6v
Uccmax
18v
18v
17,5 у
18v
lout max
2,5 А
2,5А
4А
2,5 А
Icco(Um=O)
40 111А
40 шА
40 шА
40 шА
lcco( ST- ВУ=О N)=
100 μА
100 μА
100 μА
100 μА
Pour(12V/20) 6W
6W
11w
6 W(l2W)
Rш
50 КО
50 КО
50 КQ
50 КО
Аи
20 dB
40 dB
40 dB
40 dB
BW
20Hz- 20KHz
THD(Pout=0,5W,
f=lKHz)
0,1%
0,1%
0,1%
0,1%
Rinom
40
40
20
4(8)0
TDA 1521,TDA1521A,TDA1521Q
100,0
o,R
100,0
O,R
Н+ +\'СС
Н+ +\/СС
1,0
2,2R
1,0
2~2R
IN RH+
7
RH+
7
9
.},о IN
'Э
+}.о
6
6
1000
2
RRL
RRL
5
1000
8
IN LH+
12
, ·FF·" .
IN
сН 'IfГ
3в
+1
5
1,0
1,0 н
-VCC 2,2R L RL
2,2R L RL
+
100"0
Fi.g.221.a
100,О I
0,22
Fig. 221.Ь
0,22
Интегральные микросхемы TDA1521, TDA1521QA и TDA1521Q фирмы
Philips выполнены в корпусах SIPl (TDA1521Q- в корпусе ZIP) с 9 выво­
дами и представляют собой двухканальные (стереофонические) усилите­
ли мощности низкой частоты. Предназначены для использования в маг­
нитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой ау­
диоаппаратуре среднего класса. Типовая схема подключения приведена на
fig 221а. Микросхемы можно питать и от двухполярного источника пита­
ния (Пg.221Ь). Для получения удвоенной выходной мощности на том же
174

шо.о
о.н
Н+ -t-VCC
1. [1
2,2R
IN>--i +
7
1
6
1000
RL
834
Fig,221-c
+
+
2"2R
100,О
I
н
сопротивлении нагрузки при том же на­
пряжении питания, микросхемы можно
подключить по мостовой схеме (fig.22lc).
В микросхемы встроена защита выхода
от короткого замыкания в нагрузке и
термозащита. Для получения максималь­
ной выходной мощности микросхемы
необходимо установить на теплоотвод
(радиатор) Некоторые из основных па-
н
0.22
О,0<17 100,0
раметров.микросхем (выходные параметры- для одного канала) следу-
ющие:
TDA1521
TDA1521A
TDA1521Q
Uccmin
±7,5 v
±7,5 v
Uccmax
±21 v
±21 v
Ioutmax
4А
4А
lcco(Um=O)
40 тnА
40 тnА
Рout(32V/8Q)
15w
8W
Rш
20 KQ
20 КQ
Au
40 dB
40 dB
вw
20Hz-20KHz
THD(Pout=6W,
f=lKHz)
0,2%
0,3%
Rinom
8Q
8Q
TDA 1552Q,TDA1553CQ,TDA1553Q,TDA1557Q
мuтЕ/sт-ву
Интегральные микросхемы TDA1552Q,
11
,., __,
3
,__
1
"
0
-u+vcc
TDA1553CQ, TDA1553Q и TDA1557Q фирмы
0,22
IN R>--1
1
0,22
IN LH
13
258
Phil1ps выполнены в корпусах SIP2 с 13 выво-
RRL
дами и представляют собой двухканальные
(стереофонические) усилители мощности
L RL низкой частоты, каждый канал которых вы­
полнен по мостовой схеме Предназначены
F,". 222
для использования в автомобильных магни-
тофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой ау­
диоаппаратуре высокого класса. Типовая схема подключения приведена
на f1g 222 Выключение переключателя "MUTE/ST-BY' переводит микро­
схемы в режим работы с нулевым усилением и минимальным потребле-
175

нием В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходРюй мощно­
сти микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Неко-
торые из основных параметров микросхем (выходные параметры- для од-
ного канала) следующие:
TDA1552Q TDA155ЗCQ TDA155ЗQ TDA1557Q
Uccmlll
6v
6v
6v
6v
Uccmax
18v
18v
18v
18v
lout max
4А
4А
4А
4А
lcco(Uщ=O) 80 mA
80 mA
80 mA
80 mA
lcco(ST-BY=ON)=
100 μА
100 μА
100 μА
100 μА
Pout06V/4.Q) 22W
22W
22w
22w
Rщ
60 КQ
60 КQ
60 КQ
60 K.Q
Ан
26 dB
26 dB
26 dB
46 dB
BW
25Hz- 20KHz
THD(Pout= l 7W,
1'=lKHz)
0,5%
0,5%
0,5%
0,5%
Rinom
4.Q
4.Q
4.Q
4.Q
TDA1554Q,TDA1555Q,TDA1558Q
MUTE/ST-ВY
Интегральные микросхемы TDA1554Q,
1
.--- ·--
1
.--o+i,cc
TDA1555Q и TDA1558Q фирмы Philips вы-
0,22
IN R>-j
полнены в корпусах SIP2 с 17 выводами и
представляют собой двухканальные (стерео­
фонические) усилители мощности низкой
Fig.22Эai
L RL частоты, каждый канал котороых выполнен
по мостовой схеме Предназначены для ис­
пользования в магнитофонах, электрофонах,
телевизионных и радиоприемниках, дру-
MUTE/ST-BY
/--e -<:>-f .VCC
100 •О ,....,..__.,.,....,.i,.....
R1
н.
6·~
0,22
С1 R2
INl>--1
1
~
IN2>--1
2
8
+С2
О, 22
l~ +С3
0.22
IN3>--1
R3
IN4>--1
10 +~
0,22 .._...,._,7~1,..1__, С4 R 4
Fig. 223 b
С1-С4=1000,О
гой аудиоаппаратуре высокого класса.
Типовая схема подключения приведена
на f1g 223а Выключение переключателя
"MUTE/ST-BY" переводит микросхемы в
режим работы с нулевым усилением и
минимальным потреблением. *У микро­
схемы TDA1555Q вывод 15 выполняет
функцию выхода детектора уровня нели-
176

нейных искажений. При необходимости реализации двухполосного сте­
реофонического усилителя с частотным разделением полос, микросхемы
можно подключатьпо схеме приведенной на fig.223b.B микросхемы встро­
ена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита.
Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необхо­
димо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных пара­
метров микросхем (выходные параметры- для одного канала) следующие:
TDA1554Q
TDA1555Q
TDA1558Q
Uccffill1
6V
6V
бV
Uccmax
18V
18v
18v
lout max
4А
IA
4А
Icco(Um=O)
80 mA
80 mA
80 mA
Icco(ST-BY=ON)=
100 μА
Pout(16V/4Q) 22W(4xllW)
100 μА
22W(4xl1W)
100 μА
22 W(4x11W)
Rш
30 KQ
60 КQ
60 КQ
Ан
BW
20 dB
20 dB
26 dB
25Hz- 20КНz
THD(Puttt=lW,
f=lKHz)
0,1%
0,1%
4[2
0,1%
4Q
Rmom
4Q
TDA1551Q
M!JT Е./ ST -ВУ
0122
9
IN R>--j
Интегральная микросхема TDA1551Q
фирмы Philips выполнена в корпусе SIP2 с 17
выводами и представляет собой двухканаль­
RRL
ный (стереофонический) усилитель мощнос-
ти низкой частоты, каждый канал которого
L~L
~
п
выполнен по мостовои схеме. редназначена
для использования в магнитофонах, электро-
Fig.224
фонах, телевизионных и радиоприемниках,
другой аудиоаппаратуре высокого класса с микропроцессорным управле-
нием. Типовая схема подключения приведена на fig. 224 . Помимо пере­
ключателя "MUTE/ST-BY', выключение которого переводит микросхему
в режим работы с нулевым усилением и минимальным потреблением,
имеются выводы управляющие работой микросхемы с помощью микро­
процессора. Информация, управляющая работой микросхем подается от
или к микропроцессору по двум шинам со структурой I2L и с тремя
177

состояниями шине SCL (Seпal Clock lnput) и SDA (Serial Data lnput/
Output) По шине SCL от микропроцессора на микросхему поступают
тактовые импульсы, синхронизируюшие прием или передачу информации
микросхемой от (к) микропроцессору. По шине SDA микропроцессор
выдает или принимает двоичное управляющее слово в последовательном
коде, которое устанавливает в микросхеме соответствующий параметр. По
шинам SCL/SDA к микропроцессору можно подключить несколько мик­
росхем, имеющие подобный интерфейс. Формат управляющего слова
имеет следующий вид:
S SLAVE ADRESS EJ}Y АСК DATA АСК Р, где:
S-стартовый импульс;
-SLAVE ADRESS- 1101100 (управляющий адрес для микросхемы);
R/W- чтение или заплсь (высокий уровень- запись в микросхему,
низкий уровень- чтение из микросхемы);
АСК- подтверждение готовности к приему данных микросхемой;
DAT А- данные установки величины параметра или условия (см. таб­
лицу 1);
р- стоповый импульс
Таблица 1
функция
data
при зюшси в микросхему:
D7
Dб D5
D4 DЗ
D2
Dl DO
sleep condition
о
о
о
о
о
о
о
о
mute cond1tion
о
о
о
о
о
о
о
1
поt allowed
о
о
о
о
о
о
1
о
О N co11dit1011
о
о
о
о
о
о
1
1
при чтении из микросхемы:
все выходные транзисторы в
нормальном режиме
о
о
о
о
о
о
о
о
неисправность на 6 выводе
микросхемы
о
о
о
о
о
о
о
1
неисправность на 8 выводе
микросхемы
о
о
о
о
о
о
1
о
неисправность на 10 выводе
микросхемы
о
о
о
о
о
1
о
о
неисправность на 12 выводе
микросхемы
о
о
о
о
1
о
о
о
один из выходных каналов
осциллирует
о
о
о
1о
о
о
о
температура кристалла
178

D7
микросхемы выше 15о0с:
о
D6 D5
D4 DЗ
о
1
о
о
D2
Dl DO
о
о
о
Управляющее слово подается или принимается каждый раз, когда не­
обходимо изменить тот или другой параметр. При необходимости реали­
зации двухполосного стереофонического усилителя с частотным разделе­
нием полос, микросхему можно подключать по схеме подобной для мик­
росхемы TDA1554Q (fig.223b). Некоторые из основных параметров мик­
росхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:
TDA1556Q
MUTE/ST-BY
417
14
н. 15
Os22
IN1A>---j 1
INlВ>---j 2
о" 22
0"22
!N2A>---j 17
IN2B>---j
16
s1
+VCC
6
Rl
8
12
R2
10
о" 22 ...._....,___......
Uccmin
6V
Uccmax
18V
lcco(Uш=O)
80 тА
Pout03,2V/4Q) 22 W
Rm
100 КQ
Аи
26 dB
BW
25Hz-20KHz
THD(Pout= 1W,
f=lKHz)
Rтош
0,05%
40
Интегральная микросхема TDA1556Q
фирмы Philips выполнена в корпусе SIP2 с 17
выводами и представляет собой двухканаль­
ный (стереофонический) усилитель мощности
низкой частоты, каждый канал которого вы­
полнен по мостовой схеме. Предназначена
для использования в автомобильных магии-
Fig. 225 °00
тофонах, электрофонах, телевизионных и ра-
диоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. Типовая схема
подключения приведена на fig.225. Выключение переключателя "MUTE/
ST- ВУ" переводит микросхему в режим работы с нулевым усилением и
минимальным потреблением. Входы обеих каналов микросхемы постро­
енны по дифференциальной схеме. У микросхемы имеется выход DDD (4
вывод), который выполняет функцию выхода детектора уровня нелиней-
ных искажении. В микросхему встроена защита выхода от короткого за­
мыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выход­
ной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиа­
тор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные пара­
метры для одного канала) следующие:
179

TDA1560Q
Uccn1in
бV
Uccn1ax
18V
Iош шах
4А
Icco(U111=0)
80 mA
Icco(ST-BY=ON)=
Р oнt(l 6V/ 40.)
Rm
Ан
100 μА
22W
50 ко
26 dB
вw
25Hz- 20KHz
THD(Pout=I2W,
t=lKHz)
0,5%
Rinon1
40
о.~
Fig.226
Интегральная микросхема TDA1560Q фирмы Philips выполнена в кор­
пусе SIP2 с 17 выводами и представляет собой усилитель мощности
низкой частоты. с выходом выполненным по мостовой схеме. Предназна­
чена для использования в автомобильных магнитофонах, электрофонах,
телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого
класса. Типовая схема подключения приведена на fig.226. Переключатели
SWl-SWЗ выполняют следующие функции:
SWl- включает детектор низкого сопротивления (короткого замыка­
ния) в нагрузке;
SW2- переводит микросхему в режим работы с нулевым усилением и
минимальным потреблением ("MUTE/ST-ВУ');
SWЗ- переводит микросхему в режимы работы класса В или класса Н.
У микросхемы имеется выход DO (diagnostic output- 14 вывод), который
выдает сигнал низкого уровня nри температуре кристалла выше 1so0c
или замыкании одного выходноrо вывода на корпус или +Усе. В микро-
180

схему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и тер­
мозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхе­
му необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из ос-
новных параметров микросхемы следующие:
Uccmin
8V
Uccmax
18V
Icco(U111=0)
100 mA
Ioutmax
4А
Рош(14V/80) 40 W
Rш
180 КQ
Аи
30 dB
BW
20Hz-20KHz
THD(Pout=ЗOW,
f=lKHz)
Rinom
0,5%
80
TDA1904,TDA1905
c~----O--i,f2
1
+Усе~
Г1
3
47,О
+
Интегральные микросхемы
TDA1904 и TDA1905 фирмы
Pbilips выполнены в корпусах
SDIP с 16 выводами и пред­
ставляют собой усилители
I/li~ 101 ,о
~окг~ s
9-16
+ 1000,D
it---<f-----<11--'1
мощнос1и низкой частоты с
Fig.22?
lOK
lOOR
1к идентичными схемами (цоко­
левками) и различными пара­
метрами. Предназначены для
использования в магнитофонах, электрофоЕ:ах, телевизионных и радио­
приемниках, друrой аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема
подключения приведена на fig.227. В микросхемы встроена :~ащита выхода
от короткого замь1кания в нагрузке и термозащита. Для получения мак­
симальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на
теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем
следующие:
TDA1904
TDA1905
Uccmin
4v
4V
Uccmax
20v
30v
Icco(Uill=O)
10 mA
17 mA
РoutO ЗV/80)
4W
5W
Rш
150 кп
150 ко
181

Au
48 dB
48 dB
BW
THD(Pout=0,5W,
f=lKHz)
Rinom
ТDЛ 1908,TDA1908А
IN~ 1~,О
1
1окг· е9.10
Fig,228
7
о, 1%
40
RL
30Hz-20KHz
0,1%
80
Интегральные микросхемы
TDA1908 и TDA1908A фирмы
PhI11ps выполнены в корпусах
SIPl с 12 выводами и пред­
ставляют собой усилители
мощности низкой частоты с
+
22. о
идентичными схемами (цоко-
левками) *Параметры микросхем TDA1908 и TDA1908A идентичны, но в
отличии от TDA1908, у которой расположение выводов на корпусе нор­
мальное (нумерация выводов слева направо), у TDA1908A инверсная
(зеркальная) нумерация выводов, т е справа налево* Предназначены для
использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радио­
приемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса Типовая схема
подключения приведена на fig 228 В микросхемы встроена защита выхода
от короткого замыкания в нагрузке и термозащита Для получения мак­
симальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на
теплоотвод (радиатор) Некоторые из основных параметров микросхем
следующие
TDA1910
Uccm1n
Uccmax
Icco(Um=O)
Pout(24V/80)
Rm
Au
BW
THD(Pout=O, lW,
f=lKHz)
Rinom
4V
30v
17 mA
8W
150 КО
48 dB
30Hz-20KHz
0,1%
80
Интегральная микросхема TDA1910 фирмы Ph1!1ps выполнена в кор-
пусе SIP 1 с 11 выводами и представляет собой усилитель мощности
182

+VCC о------О~,н
низкой частоты. Предназна­
чена для использования в маг­
нитофонах, электрофонах, те­
левизионных и радиоприем­
никах, другой аудиоаппаратуре
IN~ 10"0
1окг· s
6,7
Flg.229
9
+ 1000,О
Bt----. .- 1
RL
среднего класса. Типовая
схема подключения приведена
на fig.229. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания
в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощ­
ности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Не-
которые из основных параметров микросхемы следующие:
TDA2007
100,О
н.
2,2
INR>--1+5
Fig.230 Н+
22.0
Uccmin
8V
Uccmax
30V
Icco(Uш=O)
17 mA
Pout(24V/4Q.)
17W
Rт
150 КQ
Au
48 dB
BW
30Hz-20KHz
THD(Pout=O, lW,
f=lKHz)
Rinom
0,01%
8Q.
Интегральная микро­
схема TDA2007 фирмы
Philips выполнена в кор­
пусе SIPl с 9 выводами и
представляет собой двух­
канальный (стереофони­
ческий усилитель мощно-
сти низкой частоты.
Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, теле­
визионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса.
Типовая схема подключения приведена на fig.230. В микросхему встроена
защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для
получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо
установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров
микросхемы (выходные параметры-для одного канала), следующие:
Uccmin
8V
183

IN
IN
Uccmax
lcco(Um=O)
Pout(24V/8Q)
Rm
Au
вw
THD(Pout=O,lW,
f=lKHz)
Rinom
TDA2009,TDA2009A
100 о
220, о г-С::Н
26v
48 mA
6W
150 КQ
48 dB
30Hz-20KHz
0,01%
8Q
н'+
+VCC + 18R eR
RRL
2200,0
2,2
4
RH+ 5
8
Интегральные микро­
схемы TDA2009 и
TDA2009A фирмы Siemens
выполнены в корпусах
SIP 1 с 11 выводами и пред-
LH+ 1
10
2200,0
362
+
Fig.231 н.
220,О
L RL ставляют собой двухка­
нальные (стереофоничес-
22"0
1R
'-С::Н
кие усилители мощности
низкой частоты. Предназначены для использования в магнитофонах,
электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппарату­
ре среднего класса. Типовая схема подключения приведена на fig.231. В
микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в наrрузк-е
и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности мик­
росхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из
основных параметров микросхем (выходные параметры-для одного кана­
ла), следующие:
Uccmin
Uccmax
Icco(Uш=O):
TDA2009
TDA2009A
Iout111aX
Pout04V/4Q)
Rin
Au
BW
THD(Pout=O, lW,
f=lKHz)
R1nom
184
8v
28v
80 mA
60 mA
ЗА
10w
150 KQ
48 dB
30Hz-20KHz
0,01%
4Q

TDA2025
+VCC
100,0
+н
1,0
lR
Интегральная микросхема
. 6-1 TDA2025 фирмы Philips выполнена в
_L0~2~ корпусе SIP 1 с 7 выводами и пред-
IN >-1+ 2
RL
ставляет собой усилитель мощности
низкой частоты выполненый по мос­
товой схеме. Предназначена для ис-
пользования в магнитофонах, элек­
трофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре
среднего класса. Типовая схема подключения приведена на fig.232. В
микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в наrрузке и
термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микро­
схему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из
основных параметров микросхемы следующие:
Uccmin
12V
Uccmax
40V
Icco(Uш=O)
70 тА
Pout(24V/4Q)
50W
Rm
100 ко
Аи
42 dB
BW
20Hz-20KHz
THD(Pout=lW,
f=lKHz)
Rinom
0,01%
40
TDA261 О, TDA261 ОА
0,1
IN>--j
Fig,233
100,0
Интегральные микросхемы
TDA2610 и TDA2610A фирмы
+ 100, о Philips выполнены в корпусах
SDIP с 16 выводами и представ-
н г.---++-е_:Н---
1
RL
10
311144
+100 о
I ' ляют собой усилители мощности
~==!-:tl~+2;;;s,o
низкой частоты с идентичными
схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для
использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радио­
приемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема
подключения приведена на fig.233. В микросхемы встроена защита выхода
от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения мак­
симальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на
теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем
185

следующие
ТDЛ2612
0,68
IN >--1
16
20К
414
Ht---+- -'+
150,О
Uccmiri
Uccl111Х
lcco(Um=O)
Pout(25V/10.Q)
Rm
Аи
BW
THD(Pout=0,5W,
f=lKHz)
R1nom
TDA2610
TDA2610A
15v
15v
35v
36v
20 тА
35 тА
7W
4W
150 КQ
150 KQ
48 dB
48 dB
30Hz-20KHz
0,1%
10.Q
0,1%
15.Q
Интегральная микросхема
TDA2612 фирмы Siemens вы-
полнена в корпусе SDIP с 16
+
2
"
00
•
0
выводами и представляет co-
RL бой усилитель мощности низ-
3_ 3R
кой частоты Предназначена
для использования в магни­
тофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой ау­
диоаппаратуре среднего класса Типовая схема подключения приведена на
t'ig.234. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в
нагрузке и т.ермозащита. Для получения максимальной выходной мощ­
ности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор) Не­
которые из основных параметров микросхемы следующие
TDA2822
UccffiШ
10V
Uccmax
35У
lcco(Um=O)
70 тА
Pout(24V/4.Q)
10W
Rm
100 KQ
Au
42 dB
BW
20Hz-20KHz
THD(Pout=O,lW,
t'=lKHz)
R111om
0,01 %
4.Q
Интегральная микросхема TDA2822 фирмы Philips выполнена в кор-
186

INR
INL
Fig.235
100 ... о
пусе DIP с 16 выводами и пред­
ставляет собой двухканальный
(стереофонический) усилитель
мощности низкой частоты. Пред­
назначена для использования в
магнитофонах, электрофонах, те­
левизионных и радиоприемни-
ках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема подключе­
ния приведена на fig.235 В микросхему встроена защита выхода от корот­
кого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной
выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод
(радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные
параметры- для одного канала) следующие:
TDA2824
22"0 Н+
INR
1
IN L'-
16
Uccmin
Uccmax
Icco(Um=O)
Pout(9V/4.Q)
Rm
Au
3V
15v
6mA
1,8 w
100 KQ
BW
THD(Pout=O, lW,
f=lKHz)
48 dB
30Hz-18KHz
0,25%
4.Q
Rinom
Интегральная микросхема
TDA2824 фирмы Ph1lips выпол­
нена в корпусе DIP с 16 вывода­
ми и представляет собой двух­
канальный (стереофонический)
усилитель мощности низкой час­
тоты. Предназначена для исполь-
зования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемни­
ках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема подключе­
ния приведена на fig.236. В микросхему встроена защита выхода от корот­
кого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной
выходной мощности микросхему необходимо уста'Новить на теплоотвод
(радиатор). Неко:горые из основных параметров микросхемы (выходные
параметры- для одного канала) следующие.
Uccill111
3v
187

TDA2824S
Uccmax
Icco(Uш=O)
P(Jut(9V/4Q)
Rш
Au
16v
6mA
1,8 w
100 к.о.
BW
THD(Poщ=O,lW,
t'=lKHz)
48 dB
30Hz-18KHz
0,25%
40
R1nom
Интегральная микросхема
TDA2824S фирмы Philips выпол­
нена в корпусе SIL с 9 выводами и
представляет собой двухканальный
(стереофонический) усилитель
мощности низкой частоты. Пред-
назначена для использования в
магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой
аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема подЮiючения приведена
на fig.237. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания
в нагрузке и термозащита. Для получения максималь»ой выход»ой мощ­
ности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Не­
которые из основных параметров микросхемы (выходные параметры- для
од»оrо ка»ала) следующие:
Uccmin
Uccmax
Icco(Uш=O)
Р out(9V/ 40)
Rit1
Au
BW
THD(Pout=O, lW,
f=lKHz)
R1nom
188
3v
16v
6mA
1,8 w
100 к.о.
48 dB
30Hz-18KHz
0,25%
40

ПриложеЮJе 1
ФирмеRНЫе знаки производителей интегральных микросхем.
r.дNALOG
"DEVICES
l:Jr.tNr.ILOG
~SVSTEMS
Actel Corporatio11
955 East Arques Avenue
Sun11uvale, СА 94086, USA
Adaptec, Inc.
691 S.Milpitas Blvd.
Milpitas, СА 95035, USA
Advanced Analog
А Div. of Intech
2270, Martin Avenнe
Sa11ta Clara, СА 95050, USA
Advanced Linear Devices
l l 80F Miraloma Way
Su1111uvale, СА 94086-4606, USA
Advaпced Micro Devices, Inc.
Р.О. Вох 3453
901 Thompsoп Place MS113,
Sнnnyvale, СА 94088, USA
Analog Devices, INC.
Р.О. Вох 280
NoIWood, МА 02062, USA
Analog Systems,
Р.О. Вох 17389,
Tucson, AZ 85740, USЛ
Лрех Microtechnology Corporation,
5980 Nortl1 Shannoп Road,
Tucson, AR 5980, USA
189

AEG-Tlefunken Serienproducte AG
Geschaftsbereich HalЫeiter
7100 Heilbronn, Gennany
Burr-Brown Corporation
Р.О. Вох 11400, 6730 S.Tucon Blvd.
Tucson, AZ, 85706, USA
Cherry Semiconductor Corporation,
..._.CИER.ltY•
...,. SEМICONDIJCТOR 200, South Countri Trail,
о
r
FAGOR it
FAIRCHILD
Greenwich, England
Dionics Inc,
65, Rushrnore Street, Westbury,
NY 11590, USA
Exar Semiconductor Corporation,
Sunnyvale, СА, USA
Fagor Electrotecnica, S.Coop,
Blvd. San Andres,
E-Mondragon, Sparn
Fairshild Semiconductor Corporation,
450, National Avenue,
Montain Viev, СА 94042, USA
Ferranti Ltd,
[l]l~~l~~!!I Oldham, Lancaster,
England
F
Fujrtsu Ltd,
Furukawa Sogo Bld,
G- l, Marunoushi 2-chome
Chyoda-ku, Tckyo, Japan
190

Корпуса интегральных микросхем
~ mxw 11AJWiUW wmm
О t::::::~ 1Е:::::::1 t::::::::~
DIP-8
DIP-14
DIP-16
DIP-18
wwwww wwvwwvw mJW1
E:::::::::i t~~~~~~~~~~] Eii!!i41
D!P-20
SDIP-14
D!P24
SDIP-16
SDIP-18
SDIP-20
TABS2
ТА854
TABSS
TABS6
~::::::11
TABS7
ТА859
TABS8
191

SIP2
TABSlO
SIPl
о
оо
о
о
mSIP3
SIP4
SIPS
о
о
о
о
SIP6
SIP7
о
о
о
S!L
SIP9
ТО-220
==CJ<=
л._
,
.\
ru·"
.
.
.
л_
(j)
Т089 CFPJO)
TV84 <FP14)
ТО92
ТО100
Xt118
192

..
.,
Издательство -патриот• продол­
жает выпуск серии справочников,
содержащих информацию об ин­
тересных микросхемах широкого
применения:
-
усилители мощности низкой
частоты;
-
операционные усилители и
,
компакторы; .
-
предварительные усилители
низкой частоты и усилители инди-
кации;
·
-
интегральные стабилизаторы
напряжения;
-
микросхемы для телевидения
и видеотехники.
Справочники содержат инфор­
мацию о микросхемах, выпускае­
мых как в странах СНГ, так и из­
вестными фирмами мира.