Предварительные усилители низкой частоты - Турута Е.Ф.

Author: Турута Е.Ф.
Tags: полупроводниковые устройства электроника радиотехника
ISBN: 978-5-94074-435-1
Year: 2008
Similar
Усилители мощности низкой частоты - интегральные микросхемы
Усилители мощности низкой частоты - интегральные микросхемы. Справочник
Прецизионные усилители низкой частоты
Text
                    ТУ РУТА Е. Ф.

РЕГУЛЯТОРЫ ГРОМКОСТИ И ТЕМБРА ______ УСИЛИТЕЛИ ИНДИКАЦИИ

Турута Е. Ф.
ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЕ УСИЛИТЕЛИ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ

Москва, 2008
ББК 32.852
Т88
Ту рута Е. Ф.
Предварительные усилители низкой частоты. - М.: ДМК Пресс, 2008.
— 176 с.: ил. (В помощь радиолюбителю).
ISBN 978-5-94074-435-1
Настоящий справочник представляет основные электрические Параметры, цоколевку и подключение интегральных микросхем - предварительных усилителей низкой частоты, регуляторов громкости и тембра, усилителей индикации.
Для специалистов в области наладки и ремонта бытовой радиоаппаратуры (аудио, видео, ТО), а также радиолюбителей.
ББК 32.852
Все права защищены. Любая часть этой книги не .может быть воспроизведена в какой бы то ни было форме и какими бы то ни было средствами без письменного разрешения владельца авторских прав.
Материал, изложенный в данной книге, многократно проверен. Но, поскольку вероятность наличия технических ошибок все равно существует, издательство не можег гарантировать абсолютную точность и правильность приводимых сведений. В связи с этим издательство не несет ответственности за возможный ущерб любого вида, связанный с применением или неприменимостью любых материалов данной книги.
ISBN 978-5-94074-435-1
© Турута Е. Ф., 2008 © ДМК Пресс, 2008
Содержание
Введение...............................................9
Предварительные усилители низкой частоты..............12
AN127, ОМ200.ТАА131.................................12
AN262, КР1005УН1А, КР1005УН1Б.......................13
AN360, AN370........................................13
AN7310, AN7311, AN7315..............................14
AN7315S.............................................15
ВА301,ВА311,ВА312...................................15
ВА306...............................................16
ВА308, ТА7063Р	17
ВА313, ВА314, КА2220, LA3210, ТА7137Р	17
ВА328, ВА329, ВА3302, КА1222, КА2221, КА2222, КА22211, LA3160, LA3161, M5152L, M51521L, M51522L, МВ3105, МВ3106, ТА7375Р, mPC1032H,mPC1186H,mPC1228HA	18
ВАЗЗЗ...............................................19
ВА340, НА1406.......................................20
ВА343...............................................21
BA330R, КА22241.....................................21
BA3312N, KA22242N...................................22
ВА3402, BA3402F.....................................23
ВА3413..............................................24
ВА5101, ВА5104А.....................................24
ВА5102, BA5102F, КА2983.............................25
ВА5116..............................................26
BA7751LS, КА8401..................................  27
СА3000, МА3000......................................28
СА3007..............................................28
DBL1010,TA7325P.....................................29
DBL1027, GL5501, КА2224, LA3220.................... 30
DBL1045, ТА7405Р, TA7705F, ТА7705Р..................30
НА1451..............................................31
HA1452W.............................................3!
К118УН1А, К118УН1Б, К118УН1В, К118УН1Г, К118УН1Д, К122УН1 А, К122УН1Б, К122УН1В, К122УН1Г, К122УН1Д....3
К157УЛ1А, К157УЛ1Б..................................3;
К157УП1,К157УП2.....................................34
К167УНЗ.............................................3!
К174УНЗ.............................................31
К174УН13,ТОРА1002А..................................3(
К538УН1А, К538УН1Б..................................3'
К538УНЗ, КР538УНЗА, КР538УНЗБ.......................31
К548УН1А, К548УН1Б, К548УН1В, LM381A, LM381AA, LM381AN,
LM381N..............................................3J
К1075УЛ1.ТА7784Р....................................3J
КА2225, ТА7709, ТА7709Р.............................3<
КА2226, КА2227......................................4(
КА2228.ТА7417Р.......................;..............41
КА22261.ТА7668АР....................................41
КР123УН1А, КР123УН1Б, КР123УН1В.....................43
LA3115, LA3122, LA3133..............................43
LA3110, LA3120, LA3130..............................44
LA3150.............................................45
LA3155.............................................47
LA3180.............................................48
LA3201.............................................49
LA323OM............................................49
LA3510M............................................50
LC507..............................................51
LM170H, LM270H, LM370H..............................51
LM370N.............................................52
LM382A, LM382N......................................52
LM387AN, LM387N, LM387V, NE542V, SE542V.............53
LM1303N, MC1302L, MC1303L, MC1303N, SN76131N, ТВА231, mA739DC, mA749DC....................................53
LM1818N.............................................54
LM1837N.............................................55
LM1897N.............................................55
L341, TDA3410, ТРА3420, mPC341OC.....................56
М5130Р...............................................57
M5212L.TA7129AP......................................58
МАА115, MAA125, MAA145...............................58
MAA225, MAA245.......................................59
MAA325, MAA345.......................................59
MBA12, MBA145........................................61
MBA225, MBA245.......................................61
MC1339P, TCA490A, TCA490B, TCA490C, TPA2310..........62
MC1529G............................................  63
MFC8040..............................................63
NE515F, NE515N-14, SE515.............................64
NE515G, NE515K, SE515G, SE515K.......................64
NE540L, SE540L.......................................65
NE540V, SE540V.......................................66
NE541 PHA, SE541 PHA.................................66
NJM2067D, NJM3067M...................................67
OM7001C5.TAA121......................................68
PA230................................................68
PA239, ULN2126A, ULN2126N............................69
SL630................................................69
STK3041, STK3061, STK3081, STK3101...................69
STK3042II, STK3062II, STK3O82II, STK3102III, STK3122III, STK3152III...........................................70
STK3O44..............................................71
STK305, STK3076	72
STK3161.STK316B......................................72
TA7066P	73
TA7120P	74
TA7122BP	74
TA7312P	75
TA7330F, TA7330P	76
KA7226, TA7658P	76
TA7739F, TA7739P	77
TAA111	78
TAA141.TAA263........................................78
TAA151.TAA151S......................................„7S
ТАА201	’ 7S
ТАА202 ............................................  8С
ТАА293, ТАА293А......................................81
ТАА310.ТАА310А.......................................81
ТАА370А..............................................81
ТАА420...............................................82
ТАА480...............................................83
ТАА820А, ТАА820В.....................-...............83
ТАА970 ...........................................  84
ТАА3210.............................................85
ТВ A830G, TBA830R...................................86
ТВА880, ТСА980....................................  86
TDA1522.............................................86
TDA1602A...........................................87
TDA7284, TDA7284D..................................89
TDA7286, TDA7286D..................................90
TDA7334, TDA7334D..................................91
TDA7335............................................91
TDA7336............................................92
TDA7337D...........................................93
ТЕА0655..........................................  94
ТЕА0657...........................................  ,95
ТЕА0665, ТЕА0665Т..................................95
ТЕА0675............................................96
ТЕА0677Т.......................................    97
UL1321.............................................98
mA749D, mA749DHC.................................  99
mPC566C2, mPC592H, mPC1023H, mPC1024H..............99
mPC573H...........................  „.............100
ШРС1158Н...........................................101
mPC1281H..........................................101
Схемы обработки аудиосигнала - регуляторы громкости
и тембра..........................................    103
А273Р, К174УН12, ТСА730А............................103
A274D, К174УНЮА, К174УН10Б, ТСА740А.................104
A1524A,TDA1524A.....................................105
AN5836, KA2107......................................106
BA3822L, KA22234....................................107
BA3824LS............................................107
CA3259E, TCA5550P.................................  108
HA12022.............................................108
KA2223, LA3600, M5226P..............................109
KA2250..........................................    110
KA22233.............................................112
LA1362..........................................    112
LA2600..............................................112
LC7530...........................................    ИЗ
LM1035N, LM1036N.................  .................114
LM1040N...........................................  116
M51133P.............................................116
M51523L.............................................117
STK6325A..........................................  117
STK6325B..........................................  118
STK6325C..........................................  119
STK6327A............................................120
STK6327B............................................120
STK6328A............................................121
TC9153AP.....................,......................121
TDA1074A........................................    122
TDA1526 ..........................................  124
TDA3810.........................................    124
TDA4290-2...........................................125
TDA4292 ........................................    126
TDA8196.............................................126
TDA8198.............,.............................  127
TDA8199..........................................   128
TDA7312...........................................  128
TOA8425...........................................  130
TEA6300, TEA6300T...............................    132
TEA6310T............................................135
TEA6320, TEA6320T...............................    137
ТЕА6321Т.............................................139
ТЕА6330Т.............................................141
ТЕА6360..............................................143
ТК10581М.............................................144
ТК10586М.............................................145
тРС1892..............................................146
Усилители индикации.....................................148
A277D, UAA180, UL1890N...............................148
AN6884, ВА656, ВА6124, ВА6125, КА2284, КА2285, КА2286, КА2287, LB1403, LB1413, LB1423, LB1433, LB1493.......148
НА12010..............................................149
IR2E02, КА2288.......................................150
КА2281, КА2283, ТА7666, ТА7667.......................151
LB1405, LB1415.......................................151
LB1407, LB1417.......................................153
LB1408...............................................153
LB1410...............................................154
LB1411.............................................  154
LB1412...............................................155
LB1416, LB1426, LB 1436..............................156
LB1419...............................................157
LB1450...............................................157
LB1460...............................................157
LM3914, LM3915, LM3916...............................158
SL322................................................160
SL325A, SL325B, SL325C...............................160
U237B, U247B, U257B, U267R...........................161
U2068B...............................................161
U2069B...............................................162
Фирменные знаки производителей интегральных микросхем....164
Корпуса интегральных микросхем..........................174
Введение
V’-илители гармонических сигналов являются неотъемлемым элементом ।удиосистем любых классов сложности. К числу основных электрических по-азателей (параметров и характеристик) усилителей, характеризующих их работу и эксплуатационные свойства, относятся: коэффициент усиления; ди-I пазон рабочих частот; динамическая, частотная, фазовая (частотно-фазовая) н амплитудная характеристики; уровень линейных и нелинейных искажений; коэффициент полезного действия; входные параметры (входные сопротивление, напряжение, ток и мощность, сопротивление источника сигнала); выходные данные (выходные мощность, ток, напряжение, сопротивление на-। рузки); динамический диапазон; собственный уровень шумов и предельно допустимые режимы.
Одним из основных параметров усилителей является коэффициент усиления (по мощности, по току или напряжению - в зависимости от назначения). Коэффициент усиления по напряжению (Аи) определяется как отношение между полезным выходным и приложенным ко входу напряжением (током, мощностью). Он может быть представлен как в прямом отношении (V/pV или V/mV), так и в децибелах.
Коэффициент усиления зависит от параметров внешних элементов. В частности, от сопротивления внешней нагрузки R1 и входного сопротивления Rjn. Он зависит также от изменения напряжения питания Ucc, частоты и температуры.
Рабочий диапазон частот (BW) - это интервал частот (полоса пропускания от нижней граничной частоты до верхней Fh), в котором коэффициент усиления остается неизменным в пределах ±3 dB относительно коэффициента усиления, измеренного на частоте 1 KHz. Например, усилитель звуковой частоты с хорошим качеством воспроизведения речи и музыки имеет неизменным усиление в диапазоне от Ft = 16 Hz до Fh - 30 KHz с допустимой неравномерностью усиления ±3 dB. В определенных случаях, когда производитель хочет подчеркнуть расширенный диапазон рабочих частот усилителя при улучшенной неравномерности частотной характеристики, приводится и сама величина неравномерности (1 dB, 0,5 dB и т.д.).
Вместо рабочего диапазона частот, иногда определяется диапазон частот при единичном усилении или мощностный диапазон частот. Диапазон частот при единичном усилении- это интервал частот, на границах которого коэффициент усиления усилителя становится равным единице. Мощност-пый диапазон частот - это интервал частот, в пределах которого при определенном коэффициенте искажении к, выходная мощность изменяется не более, чем на ±3 dB по отношению к выходной мощности на частоте в 1 KHz.
Динамическая характеристика определяет зависимость выходного напряжения от входного; в идеальном случае эта зависимость линейная.
Частотная характеристика выражает зависимость коэффициента усилен ния от частоты, а фазовая - зависимость сдвига фазы между выходным и входным напряжениями от частоты,
Чаапотно-фазовая характеристика связывает в одну обе эти характеристики при изменении частоты от 0 до Fh, Эти характеристики и амплитудная характеристика (зависимость выходного напряжения от входного) опреде-. ляют частотные и фазовые, то есть линейные и нелинейные искажения по сравнению с идеальными характеристиками в пределах диапазона рабочих частот. Как известно, частотные искажения (неравномерность усиления) акустических сигналов вызывают изменение тембра речи и музыки, а фазовые, вследствие физиологических свойств слуха, обычно не сказываются при усилении акустических сигналов и поэтому не учитываются при разработке усилителей звуковой частоты,
Нелинейные искажения в усилителях обусловлены нелинейностью динамической характеристики; их полное отсутствие принципиально невозможно вследствие нелинейности реальных характеристик активных элементов (обычно из-за нелинейных входной характеристики и зависимости коэффициентов усиления транзисторов от тока). На нелинейные искажения оказывает влияние схема построения и режим работы усилителя.
Количественно степень нелинейных искажений оценивается коэффициентом гармоник (клирфактором) Kd, (в зарубежной литературе - THD - Total Harmonic Distortion или PHD - Procent Harmonic Distortion), который определяет относительную интенсивность гармоник. Допустимое значение THD для различных усилителей различно; для измерительных - сотые доли процента и менее; для акустических - десятые доли процента (нелинейные искажения почти не ощущаются на слух, если THD составляет 0,2-0,3% для широкого диапазона частот).
При повышении уровня входного (Цп) сигнала увеличиваются выходные мощность (Р^), ток (Iwt) и напряжение (и**), но возрастает также уровень нелинейных искажений. Поэтому искажения, вносимые нелинейностью выходных характеристик, уменьшаются вследствие снижения снимаемой выходной мощности по сравнению с той, которую можно было бы получить от данного усилителя.
Искажения менее 0,1% для определенной мощности на выходе считаются небольшими и вполне допустимыми для качественного воспроизведения звука. Требования к линейности, то есть уменьшение нелинейных и частотных искажений, эффективно достигаются применением местной (в пределах одного каскада) или общей отрицательной обратной связи, охватывающей весь усилитель.
Номинальное входное напряжение (U*)-" напряжение, при котором на выходе получается номинальная выходная мощность, напряжение или ток. Следует отметить, что для получения большой выходной мощности (Pout), напряжения (Uout) или тока (lout) и высокого КПД, сопротивление нагрузки RL должно иметь определенное (оптимальное) значение. С ростом напряжения питания усилителя увеличиваются до определенного предела Pout, КПД
значение оптимального сопротивления нагрузки; поэтому производители ооычно приводят конкретные режимы, при которых измерены эти величины.
Помимо линейных и нелинейных искажений, любому усилителю низкой частоты свойственна генерация собственных внутренних шумов, которые представляют собой непериодическое (случайно изменяемое) переменное напряжение. Более точно шум можно определить как сумму бесконечного ко-шчества частот, в том числе и в звуковом диапазоне. Источником шумов в усилителях являются резисторы (термический шум) и транзисторы (термический и дробный шум). Количественно уровень шумов усилителя оценивают эффективным значением шума на его выходе (Un0). С ростом частотно-। с > диапазона усилителя прямо пропорционально возрастает уровень собственных шумов, поэтому при указании значения уровня собственных шумов, необходимо указать диапазон частот, в котором он измерен. Если диапазон частот не указывается, собственные шумы измерены в пределах рабочего диапазона частот усилителя.
Диапазон изменения выходного напряжения определяется разностью меж-iy максимальной и минимальной мгновенной величиной выходного напряжения. Этот параметр называют иногда пиковым выходным напряжением и обозначают U (peak-to-peak).
Динамический диапазон усилителя - это превышение (в децибелах) номинального уровня выходного сигнала над его минимальным уровнем, еще ])<1зличимым на фоне собственных шумов. Динамический диапазон разговорной речи составляет около 15 dB, разговорного шума в рабочем помещении около 30 dB, небольшого оркестра - 60 dB, большого оркестра - 75 dB. Верхний предел выходного сигнала усилителя ограничивается заданной нормой нелинейных искажений, нижний - уровнем внутренних шумов, ограничивающих чувствительность усилителя.
Обычно для акустических усилителей уровень минимального выходного напряжения должен быть на 6-10 dB выше уровня помех, чтобы были слышны слабые звуки.
Для предварительных и корректирующих (обработки сигнала) усилителей НЧ используются пластмассовые корпуса типа DIL, DIP, а в последнее время малогабаритные корпуса типа SO для поверхностного монтажа (SMD), атакже металлические корпуса типа ТО-99, ТО-100.
К схеме усилителей низкой частоты предъявляются также требования хорошего сглаживания пульсации напряжений, то есть часто приводится значение коэффициента подавления пульсации.
Настоящий справочник продолжает серию выпусков издательства «ДМК» и представляет микросхемы, широко применяемые в аудиотехнике производства стран СНГ и ведущих фирм мира. Это прежде всего предварительные усилители, а также усилители/драйверы индикации и схемы обработки аудиосигнала (электронные регуляторы громкости, баланса и тембра, эквалайзеры). Читатель найдет в справочнике базовые схемы, а в случае необходимости - варианты подключения соответствующих микросхем, их основные электрические параметры.
Предварительные усилители низкой частоты
Первым каскадом, включаемым между источником сигнала и усилителем мощности, является предварительный усилитель низкой частоты. В предварительном усилителе низкой частоты (УНЧ) с входным сигналом производятся основные изменения, прежде всего по по напряжению (усиление) и спектру частот (коррекция частотной характеристики, регулировка тембра). Качество предварительного усилителя в большой степени зависит от построения схемы входного каскада. Он должен обеспечить адекватное согласование с сопротивлением источника сигнала в условиях минимального уровня шумов при соответствующем динамическом диапазоне. Поэтому входной каскад предварительных усилителей НЧ строится, как правило, по дифференциальной схеме.
Для уменьшения уровня собственных шумов, во входном каскаде применяют малошумящие транзисторы, работающие в режиме пониженных напряжений и токов.
Далее будут рассмотрены схемы подключения и основные параметры специализированных микросхем - предварительных усилителей НЧ, исключая операционные усилители, которые несмотря на то, что успешно применяются в аудиотехнике, в настоящей книге не анализируются.
Таблица 1 1
Uc<:min	1,3 V
Uccmax	5V
LO(u„=o|	1,2 mA
	3 KQ
А„	57 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
Uou.max	0,1 V
THD	1,80%
Rt	500 £1
AN127, ОМ200, ТАА131
Интегральные микросхемы AN127 (Matsushita), ОМ200 (Mullard) и ТАА131 (Siemens) с идентичными схемами и параметрами представляют собой предварительные УНЧ широкого применения (рис. 1.1). Выполнены в корпусах SIL с выводами и предназначены для использования в качестве универсальных (линейных, микрофонных) усилителей в аудиоаппаратуре среднего класса с батарейным питанием. Коэффициент усиления изменяется в пределах 20 dB с помощью подстроечного резистора R1 Микросхемы обладают высокой нагрузочной способностью и могут работать как на пассивную, так и на индуктивную нагрузку. Некоторые из основных параметров микросхем представлена в табл. 1.1.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений (THD) - при максимальном выходном напряжении.
AN262, КР1005УН1А, КР1005УН1Б
Интегральные микросхемы AN262 (Matsushita), КР1005УН1А и КР1005УН1Б (СНГ) с идентичными схемами и параметрами выполнены в корпусах DIP с 16 выводами и являются предварительными УНЧ специального применения. Предназначены для использования в качестве усилителей записи/воспроизве-дения канала звука в видеомагнитофонах. Типовая схема подключения приведена на рис. 1.2. Коммутация в режимы запись/воспроизведение осуществляется переключателем SW1 (на схеме установлен в режиме воспроизведения). Переключатель SW1.2 включает схему ALC (АРУ) в режиме записи. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.2.
Таблица 1.2
Рис. 1.2
	КР1005УН1А	КР1005УН1Б (AN262)
Uccnom	9.25 V	12 V
1 с0 (Uin = 0)	30 mA	38 mA
	120KS2	120 KQ
а.	42 dB	42 dB
BW	30 Hz - 20 KHz	30 Hz - 20 KHz
Uoutm<3X	2,8 V	2,8 V
THD (Uln= 0,35V, f = IKHz)	0,40%	0,40%
u„o	1,2 pV	1,2 pV
Rtmin	22 KQ	22 KQ
AN360,AN370
Интегральные микросхемы AN360 и AN370 (Matsushita) с идентичными схемами и различными параметрами выполнены в корпусах SIL с 7 выводами
и являются предварительными УНЧ широкого применения. Предназначены в частности для использования в качестве усилителей воспроизведения в кассетных магнитофонах среднего класса. Типовая схема подключения приведена на рис. 1.3. Контур частотной коррекции (Rl, С1) обеспечивает при воспроизведении АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.3.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при выходном напряжении 0,9 V.
Таблица 1.3
	AN360	AN370
Uccmin	1,5 V	1,5 V
Uccmax	9V	20 V
LO(uh-o)	1,3 mA	5 mA
	130 KQ	130 KQ
A.	80 dB	80 dB
BW	20 Hz - 20 KHz	20 Hz - 20 KHz
Uoutmax	1,2 V	2V
THD	0,07%	0,07%
UO n	0,8 pV	0,8 pV
RLmin	5,1 KQ	5,1 KQ
AN7310, AN7311, AN7315
Интегральные микросхемы AN7310, AN7311 и AN7315 (Matsushita) с идентичными схемами и различными параметрами выполнены в корпусах SIL с 9 выводами. Являются двухканальными (стерео) предварительными УНЧ широкого применения и предназначены для использования в качестве усилителей воспроизведения в кассетных магнитофонах среднего класса; микросхема AN7315 в кассетных магнитофонах с батарейным питанием (рис. 1.4а). Контуры частотной коррекции (Rl, R2, С1) обеспечивают при воспроизведении АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.4.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при максимальном выходном напряжении.
Таблица 1.4	Рис. 1.4а		
	AN7310	AN7311	AN7315
Uccmin	1,5 V	1,5 V	1,5 V
Uccmax	16 V	18V	4,5V
•K0(Uh-0)	13 mA	17mA	3 mA
	100 КД	100 КД	100 KD
А и	90 dB	90 dB	75 dB
BW	20 Hz - 20 KHz	20 Hz - 20 KHz	20 Hz - 20 KHz
Uoutmax	1,6 V	1,8 V	0,6 V
THD		1%	0,50%
	10 КД	10 КД	10 КД
и„о	1,3 pV	1,2 pV	1,1 pV
AN7315S
Интегральная микросхема AN7315S (Matsushita) является двухканальным (стерео) предварительным УНЧ широкого применения и предназначена для использования в качестве усилителя воспроизведения в кассетных магнитофонах среднего класса. Микросхема полностью эквивалентна по своим параметрам микросхеме AN7315, но выполнена в корпусе DIP с 14 выводами (соответственно с другой цоколевкой). Типовая схема включения приведена на рис. 1.4б.
ВА301,ВА311,ВА312
Интегральные микросхемы ВА301, ВА311 и ВА312 (Rohm) выполнены в корпусах SIL с 7 выводами и являются предварительными УНЧ широкого применения. Предназначены для использования в качестве усилителей воспроизведения с малыми нелинейными искажениями в кассетных магнитофонах среднего и высокого классов. Типовая схема подключения приведена на рис. 1.5. Контур частотной коррекции (Rl, R2, С1) обеспечивает АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Некоторые из
ВАЗОЛ
“I
Рис. 1.5
основных параметров микросхем приведены в табл. 1.5.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений при выходном напряжении 1,3 V.
ВА306
Интегральная микросхема ВА306 фирмы Rohm выполнена в корпусе SIL
с 7 выводами и является предварительным УНЧ широкого применения. Пред
назначена для использования в качестве усилителя записи в переносных магнитофонах среднего класса или усилителя/драйвера с мощным выходом дли работы на индуктивную нагрузку (рис. 1.6). Для изменения частотной харак теристики в области высоких частот служит переключатель SW1. Некоторые' из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.6.
Таблица 1.5
	BA301	В A311	ВАЗ 12
U^min	6 V	6V	6V
U^max	20 V	28 V	30 V
LO(uh-o)	1,5 mA	4 mA	6 mA
	120 KQ	120 Ш	120 KQ
A u	79 dB	82 dB	80 dB
BW	30 Hz - 20 KHz	30 Hz - 20 KHz	30 Hz - 20 KHz
Uov.max	2,6 V	3,5 V	4,0 V
THD	0,06%	0,04%	0,06%
u„o	60 pV	62 pV	60 pV
RLmin	500 Q.	500 Q	500 H 	r
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при вы-xt |дной мощности 0,25 mW.
ВА308, ТА7063Р
Интегральные микросхемы ВА308 । Rohm) и ТА7063Р (Toshiba) выполнены н корпусах SIL с 7 выводами и представ-1>пот собой предварительные УНЧ ши-|ижого применения. Предназначены для ш пользования в качестве усилителей воспроизведения с малым потреблением г< »ка в кассетных магнитофонах низкого и среднего классов (рис. 1.7). Контур час-ютной коррекции обеспечивает АЧХ со-iacHo стандарту NAB для магнитной |гнты FeO на скорости 4,75 см/с. Неко-юрые из основных параметров (идентичные для обеих микросхем) представлены и габл. 1.7.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при выходном напряжении 0,3 V, уровень шумов - при с опротивлении источника сигнала 2,2 KQ.
100 0	20К SW1
Рис. 1.6
Таблица 1.6
Uccmin	3 V
Uccmax	12 V
icm=o)	12,5 mA
Rln	1.5 KQ
Аи	66 dB
BW	30 Hz - 20 KHz
Uoutmax	1,6 V
THD	0,50%
и„о	250 pV
RLmin	1,5 KQ
Р out	250 mW
ВА313, ВА314, КА2220, LA3210, ТА7137Р
Интегральные микросхемы ВАЗ 13 и ВАЗ 14 (Rohm), КА2220 (Samsung), I А3210 (Sanyo) и TA7137 (Toshiba), отличающиеся незначительными модификациями схемной реализации, но с идентичными цоколевками, выполнены в корпусах SIL с 9 выводами и представляют собой предварительные УНЧ
10.0
С1 2200
Таблица 1.7	Таблица 1.8		
Uccmin	3 V	Uccmin	3 V
Uccmax	16V	Uccmax	15V
lcc0 (Uin = 0)	0,6 mA	lcc0 (Uin = 0)	1,1 mA
R	100КП		
in		Rln	130 KQ
A	68 dB		
u		A	70 dB	’
BW	30 Hz-20 KHz	u	
UoU,maX	0,9 V	BW	30 Hz - 20 KHz
THD	0,15%	Uou|max	1,0 V
uo	75 pV	THD	0,12%
RLmin	2,2 KQ		
специального применения. Предназначены для использования в качестве усилителей записи/воспроизведения в кассетных магнитофонах среднего класса (рис. 1.8). Контур частотной коррекции (Rl, R2, С1) обеспечивает АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Коммутация в режимы запись/воспроизведение осуществляется переключателем SW1 (на схеме установлен в режиме воспроизведения). Микросхемы используют внутреннюю схему АРУ (автоматического регулятора уровня - ALC (Automatic Level Control); вход ALC -вывод 4, выход-вывод 6). Режектор-ный фильтр LC, настроенный на частоту сигнала стирания/подмагничива-ния (75 KHz), предотвращает попадание последнего в цепи звуковой частоты в режиме воспроизведения. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.8.
ВА328,ВАЗ29,ВА3302,КА1222,КА2221,КА2222, КА22211, LA3160, LA3161, M5152L, M51521L, M51522L, МВ3105, МВ3106, ТА7375Р, gPC1032H, цРС1186Н, ЦРС1228НА
Интегральные микросхемы ВА328, ВА329 и ВА3302 (Rohm), КА1222, КА2221, К2222, КА22211 (Samsung), LA3160, LA3161 (Sanyo), M5152L, M51521L
100 0	S3, о
M51522L (Mitsubishi), МВ3105	Таблица 1.9	
и МВ3106 (Fujitsu), ТА7375Р (Toshiba), ЦРС1032Н, цРС1186, ЦРС1228НА	Uccmin	3V
(NEC), отличающиеся незначительны-	Uccmax	18 V
ми модификациями схемной реализа-	icco (Uin= °)	6,5 mA
ции, но с идентичными цоколевками,		
выполнены в корпусах SIL с 8 вывода-	R.n	100 KQ
ми (кроме ВА329 и ТА7375Р, которые	a	78 dB
выполнены в корпусах SIL с 9 выводами, но вывод 9 не подключен). Пред-	BW	30 Hz - 20 KHz
ставляют собой двухканальные (стерео)	Uou.max	1,3 V
предварительные УНЧ широкого при-	THD (U.,,-0,5V,	
менения и предназначены для использо-		0,05%
вания. В качестве усилителей воспро-	Rl= 10K£2)	
изведения в кассетных магнитофонах	u„o	1,2 pV
среднего класса (рис. 1.9). Основные	R.min	10 KO
параметры, которые незначительно от-	L		
		
личаются у перечисленных микросхем,		
представлены в табл. 1.9.		
ВАЗЗЗ
Интегральная микросхема ВАЗЗЗ (Rohm) выполнена в корпусе SIL с 9 выводами и является предварительным УНЧ специального применения. Предназначена для использования в качестве усилителя записи/воспроизведения с малыми искажениями и шумами в стационарных и переносных кассетных магнитофонах среднего и высокого классов (рис. 1.10). Контур частотной коррекции (R1, R2, С1) обеспечивает АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Коммутация в режимы запись/ воспроизведение осуществляется переключателем SW1 (на схеме установлен в режиме воспроизведение). Микросхема использует внутреннюю схему АРУ (автоматического регулятора уровня - ALC (Automatic Level Control); вход ALC - вывод 4, выход - вывод 6). Режекторный
R1
ю,о
Рис. 1.10
Таблица 1.10	фильтр LC, настроенный на частоту сигна-	
11 min	3V	ла стирания/подмагничивания (75KHz),
UccITlin		предотвращает попадание последнего
Uccmax	16V	в цепи звуковой частоты в режиме вос-
LO(ute-o)	2,7 mA	произведения. Некоторые из основных
R	130 КП	параметров микросхемы представлены
In		в табл. 1.10.
Au	70 dB	Параметра измерены на частоте
BW	30 Hz - 20 KHz	1 KHz при температуре +25 °C, коэффи-
Uoulmax	2,1 V	циент нелинейных искажений - при вы-
THD	0,09%	ходном напряжении 0,3 V.
u„o	1,3 pV	ВА340,НА1406
RLmin	820 Q	Интегральные микросхемы ВА340 (Rohm) и НА1406 (Hitachi) выполнены
в корпусах SIL с 8 выводами и представляют собой предварительные УНЧ широкого применения. Предназначены для использования в качестве усилителей воспроизведения с малыми нелинейными искажениями в стационарных и переносных магнитофонах среднего и высокого классов (рис. 1.11). Контур частотной коррекции (Rl, R2, С1) обеспечивает АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.11.
10.0	220.0
С1 2200
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при выходном напряжении 1,3 V.
ВА343
Интегральная микросхема ВА343 (Rohm) выполнена в корпусе DIP с 16 выводами и является двухканальным (стерео) предварительным УНЧ широкого применения. Предназначена для использования в качестве усилителя воспроизведения в кассетных магнитофонах среднего класса (рис. 1.12). Контуры частотной коррекции (R1,R2,C1) обеспечивают АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Микросхема позволяет включать цепи автоматической регулировки усиления (ALC), которые не указаны на схеме. Входы ALC - вывод 14 (левый канал), вывод 10 (правый канал); выходы ALC - вывод 15 (левый канал), вывод 9 (правый канал). Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.12.
BA330R,КА22241
Интегральные микросхемы ВА3308 (Rohm) и КА22241 (Samsung) с идентичными схемами (цоколевками) и параметрами выполнены в корпусах SIL,
Таблица 1 11
Uccmin	6 V
Uccmax	20 V
l«0(Ufc-0)	1,5 mA
	120 KQ
A.	79 dB
BW	30 Hz - 20 KHz
Uo..max	2,6 V
THD	0,06%
u„o	60 pV
RLmin	500 Q
Таблица 1.12	
Uccmln	1,5V
Uccmax	16 V
l«0(Uta=0)	13 mA
Rh	100 KQ
Ujnnom	3 mV
A„	90 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
uoulmax	1,6 V
THD (11^= 1,5V, RL =	10KW)
	10 KQ
u„o	1,3 pV
с 9 выводами и являются двухканальными (стереофоническими) предварительными УНЧ общего применения. Предназначены для использования в качестве усилителей записи/воспроизв'едения с АРУ в кассетных магнитофонах среднего класса. Типовая схема включения в качестве усилителя воспроизведения приведена на рис. 1.13. Контуры частотной коррекции обеспечивают при воспроизведении АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Переключатель SW1 выключает схему АРУ (ALC). В микросхемах имеется внутренняя схема MUTE, которая понижает до О dB коэффициент усиления при включении или выключении напряжения питания, позволяя тем самым устранить щелчки в звуковом тракте на время переходных процессов установления напряжения питания. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.13.
Таблица 1 13	BA3312N, KA22242N
Uccmin	4Z5 V Uccmax	14 V lcc0(U.n-0)	3,5 mA Rln	25 KQ Ao	80 dB BW	20 Hz - 20 KHz Uoutmax	1,2 V THD (Uou = 0,3 V, Rl=10KH)	0,3% rl	10 kq Un0	1,0 pV	Интегральные микросхемы BA3312N (Rohm) и KA22242N (Samsung) с идентичными схемами (цоколевками) и параметрами выполнены в корпусах SIL с 10 выводами и являются двухканальными (стереофоническими) предварительными УНЧ общего применения. Предназначены для использования в качестве усилителей записи/воспроизве-дения с АРУ в кассетных магнитофонах среднего класса. Типовая схема включения в качестве усилителя воспроизведения приведена на рис. 1.14. Контуры частотной коррекции обеспечивают при
воспроизведении АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Переключатель SW1 выключает схему АРУ (ALC). В микросхемах имеется внутренняя схема MUTE, которая понижает до 0 dB коэффициент усиления при включении или выключении напряжения питания, позволяя тем самым устранить щелчки в звуковом тракте на время
переходных процессов установления напряжения питания. Некоторые из основ-	Таблица 1.14	
ных параметров микросхем представле-	Uccmin	4,5 V
ны в табл. 1.14.	Uccmax	14 V
	lcc0(Ujn=0)	3,3 mA
ВА3402, BA3402F	R,	62 KQ
Интегральные микросхемы ВА3402	in A	85 dB
и BA3402F фирмы Rohm выполнены	и	
в корпусах DIP (ВА3402) и SO (BA3402F)	BW	20 Hz - 20 KHz
16 выводами. Являются двухканальны-	Uoutmax	2,2 V
ми (стерео) предварительными УНЧ спе-	THD(Uout=0,3 V,	
циального применения и предназначены	Rl= 10 KQ)	0,5%
для использования в качестве усилите-		
лей воспроизведения в кассетных магни-		10
тофонах среднего класса с автореверсом	uo		1,0 pV
(рис. 1.15). Контуры частотной коррек-
ции обеспечивают АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO Переключатель SW1 управляет внутренней логической схемой, которая коммутирует магнитные головки в режиме автореверса. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.15.
Таблица 1 15	
Uccmin	L5V
Uccmax	5V
iop(uln-0)	7 mA
R,.	100 K£2
A.	48 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
uo7"ax	1,2 V
THDfU^ = 1,2 V,	
f =. 1 KHz)	0,4%
4,0	0,8 pV
Таблица 1.16	
Uccmin	1,5 V
Uccmax	6 V
l«0(U„-0)	8 mA
	120 KQ
A„	48 dB
BW	20 Hz -20 KHz
Uoumax	1,1 v
THD (1^= 1.1 V,	
f = 1 KHz)	0,3%
4,0	0,6 pV
ВА3413
Интегральная микросхема ВА3413 фирмы Rohm выполнена в корпусе SO с 16 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) предварительный УНЧ специального применения. Предназначена для использования в качестве усилителя воспроизведения в кассетных магнитофонах среднего класса с автореверсом. Типовая схема подключения приведена на рис. 1.16. Переключатель SW1 управляет внутренней логической схемой, которая коммутирует магнитные головки в режиме автореверса. Контуры частотной коррекции, коммутируемые внутренними цепями, которые управляются переключателем SW2, обеспечивают АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO (постоянная времени-120 mS) или СгО2 (постоянная времени - 75 mS). На схеме переключатель SW2 находится в положении «FeO». Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.16.
ВА5101, ВА5104А
Интегральные микросхемы ВА5101 и ВА5104А фирмы Rohm выполнены
к корпусах SIL с 16 выводами. Являются предварительными УНЧ специального применения и предназначены для использования в качестве усилителей кшиси/воспроизведения в переносных кассетных магнитофонах среднего класса (рис. 1.17). Контур частотной коррекции обеспечивает АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты ЬеО. Переключатель SW1 управляет внутренней логической схемой, комму-j ирующей микросхемы в режимы записи или воспроизведения. В микросхемах имеется внутренний стабилизатор напряжения, вырабатывающий напряжение питания для генератора стирания/ подмагничивания (VCC GEN), которое отключается в режиме воспроизведения. I Текоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.17.
Таблица 1.17
Uccmin	1,5 V
11 max	
сс	
ВА5101	6V
ВА5104А	4,5 V
l«0(Uto-0)	6 mA
	110KQ
	46 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
Uou.max	1,2 V
THDfU^- 1,2 V,	
f= 1 KHz)	0,2%
HP	1,2 pV
ВА5102, BA5102F, КА2983
Интегральные микросхемы ВА5102, BA5102F (Rohm) и КА2983 (Samsung) выполнены в корпусах DIP (SO для BA5102F) с 18 выводами. Являются предварительными УНЧ специального применения и предназначены для использования в качестве усилителей записи/воспроизведения в кассетных магнитофонах среднего класса (рис. 1.18). Контур частотной коррекции обеспечивает АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Переключатель SW1 включает внутреннюю схему MUTE, которая понижает до 0 dB коэффициент усиления при включении или выключении напряжения питания, позволяя тем самым устранить щелчки в звуковом тракте на время переходных процессов
3300	10.0
Рис. 1.18
Таблица 1.18	L5V	установления напряжения питания. Переключатель SW2 управляет внут-
Uccmln		ренней логической схемой, коммути-
Uccmax	4,5 V	рующей микросхемы в режимы записи
l«0(Uh-0)	6 mA	или воспроизведения. Некоторые из основных параметров (идентичных для
*4,	110 K£2	перечисленных микросхем) представ-
А.	48 dB	лены в табл. 1.18.
BW	20 Hz - 20 KHz	
Uoutmax	0,8 V	ВА5116
THD (11^=0,54		Интегральная микросхема ВА5116 фирмы
f= IKHz)	0,1%	Rohm выполнена в корпусе DIP с 20 выводами. Является предварительным УНЧ
uo	1,8 pV	специальною применения и предназна-
чена для использования в качестве усилителя записи/воспроизведения в переносных кассетных магнитофонах среднего класса (рис. 1.19). Контур частотной коррекции обеспечивает АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Переключатель SW1 управляет внутренней логической схемой, коммутирующей микросхему в режимы
• •писи или воспроизведения. Переклю-i.i । иль SW2 включает внутреннюю схе-м> MUTE, которая понижает до 0 dB нмффициент усиления при включении п'ш выключении напряжения питания, попюляя тем самым устранить щелчки туковом тракте на время переходных процессов установления напряжения пн гания. Микросхема может работать внутренней схемой АРУ (ALC) при помпе положительного управляющего । и гнала на вывод 16. Некоторые из основных параметров микросхемы пред-авлены в табл. 1.19.
Таблица 1 19
Uccmin	1,5 V
Uccmax	4,5 V
l«0(U„-0)	4 mA
	120KQ
A„	46 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
Uo..max	0,9 V
THD (Uool = 0,5V,	
f = 1 KHz)	0,1%
u„°	1,8 pV
BA7751LS, КА8401
Интегральные микросхемы BA7751LS (Rohm) и КА8401 (Samsung) с идентичными схемами (цоколевками) и параметрами выполнены в корпусах SIL 24 выводами. Являются предварительными УНЧ специального применения и предназначены для использования в качестве усилителей записи/воспроиз-ш*дения с АРУ (ALC) в видеомагнитофонах высокого класса (рис. 1.20). Кон-। \ р частотной коррекции обеспечивает АЧХ согласно стандарту NAB для магии гной ленты FeO (постоянная времени 120 mS) или СгО2 (постоянная времени 75 mS) и коммутируется переключателем SW2. Переключатель SW1 включает внутреннюю схему MUTE, которая понижает до 0 dB коэффициент ус иления при включении или выключении напряжения питания, позволяя тем • .»мым устранить щелчки в звуковом тракте на время переходных процессов установления напряжения питания. Переключатель SW3 переводит схему и режим записи, a SW4 - в режим воспроизведения. Некоторые из основных ц.|раметров микросхем представлены в табл. 1.20.
Таблица 1.20
Uccmin	<5V
Uccmax	12 V
1^0(11^=01	5 mA
Rjn	30 KQ
Ao	79 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
Ц _	5 mV
In (mici
U^max	1,1 V
THDflJ^” l,f = 1 KHz) 0,2%
Un0	1,8 gV
RLnom	10 KQ
Рис. 1.21
Таблица 1.21
Uccmin	±3V
Uccmax	±10V
l«0(Ub=0)	25 mA
	8KQ
	37 dB
BW	30 Hz-650 KHz
Uov,max	±3V
THD	0,2%
RLmln	10 KQ
CA3000, MA3000
Интегральные микросхемы СА300( (RCA) и МА3000 (Tesla) которые пол ностью эквивалентны по электричес ким параметрам и схеме (цоколевке] выполнены в корпусах ТО-100 с 10 вы водами и являются предварительным® УНЧ широкого применения. Преднаэ начены для использовании в качестве универсальных малошумящих усилите лей с широким частотным диапазонов в аудиоаппаратуре среднего и высокой классов с двухполярным питанием (рис. 1.21). Подстроечный резистор R1 позволяет изменять коэффициент усиления в пределах 32 dB. Некоторые и; основных параметров микросхем пред-ставлены в табл. 1.21.
Параметры измерены на частот^ 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при максимальном выходном напряжении.
СА3007
Интегральная микросхема СА3007 фирмы RCA выполнена в корпусе ТО-101 с 12 выводами и является предварительным УНЧ широкого применения. Предназначена для использований в аудиоаппаратуре среднего и высокого классов с двухполярным питанием (рис. 1.22). У микросхемы имеется как прямой (out), так и инверсный (inverse out) выходы, что особенно удобно при построении выходного каскада (мощного УНЧ) по мостовой схеме. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.22.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при максимальном выходном напряжении.
Таблица 1.22
DBL1010,TA7325P
Интегральные микросхемы DBL1010	Uccmln	±3V
। Gold Star) и ТА7325Р (Toshiba) вы-	U max	±12 V
полнены в корпусах SIL с 9 выводами	сс	
и представляют собой двухканальные	im=o)	5 mA
(стерео) предварительные УНЧ ши-		4KQ
рокого применения. Предназначены	А	42 dB
(ля использования в качестве усили-	BW	30 Hz - 20 KHz
«глей воспроизведения в кассетных маг-		
нитофонах среднего класса (рис. 1.23).	Uoulmax	±3,5 V
Контуры частотной коррекции обес-	THD	0,28%
печивают АЧХ согласно стандарту NAB	R.min	10 KQ
для магнитной ленты FeO. Пере-	L		—
ключатель SW1 выполняет функцию		
MUTE (ступенчатое уменьшение усиления до 0 dB при замыкании). Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.23.
Таблица 1.23
Uccmin	6V
Uccmax	15 V
1«0(Ь.= 0).	7,5 mA
Rta	50 KQ
А.	70 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
Uoolmax	1,95 V
THD	0,5%
u„o	1,2 pV
RLmin	10 KQ
DBL1027, GL5501, КА2224, LA3220	I
Интегральные микросхемы DBL1027, GJL5501 (Gold Star), KA2224 (Samsung LA3220 (Sanyo) с идентичными схемами и параметрами выполнены в корп сах DIP с 14 выводами и являются двухканальными (стерео) предварител ными УНЧ специального применения. Предназначены для использован!
в качестве усилителей записи/воспрой ведения с АРУ в кассетных стереофон! ческих магнитофонах среднего клаа (рис. 1.24). Контуры частотной коррев ции обеспечивают при воспроизведен! АЧХ согласно стандарту NAB для магнии ной ленты FeO. Коммутация режиме запись/воспроизведение осуществляв ся переключателем SW1 (на схеме усп новлен. в режим воспроизведения). И рсключатель SW2 включает схему АР^ Некоторые из основных параметров ми1 росхем представлены в табл. 1.24. I Параметры измерены в полном часто» ном диапазоне, при температуре +25 коэффициент нелинейных искажений * при выходном напряжении 0,5 V.
DBL1045, ТА7405Р, TA7705F, ТА7705Р
Интегральные микросхемы DBL1045 (Gold Star), ТА7405Р, ТА7705Й и ТА7705Р (Toshiba) являются двухканальными (стерео) предварительным!
V114 специального применения и предназначены для использования в качестве \силителей воспроизведения в кас-(етных магнитофонах среднего класса с автореверсом (рис. 1.25). Выполнены в корпусах SIL (DBL1045, ТА7405Р), DIP (ТА7705Р) или SO (TA7705F) с 16 выводами. Переключатель SW1 комму-। ирует магнитные головки в режиме ав-юреверса. Контуры частотной коррекции обеспечивают АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты 1;еО или Сг02 (коммутируются переключателем SW2). Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.25.
НА1451
Интегральная микросхема НА1451 фирмы Hitachi выполнена в корпусе DIP с 14 выводами и представляет со-оой двухканальный (стереофонический) предварительный УНЧ широкого применения. Предназначена для использования в качестве малошумящего универсального (микрофонного, пьезоэлектрического звукоснимателя для проигрывателя, линейного) усилителя с низкими нелинейными искажениями в аудиоаппаратуре среднего и высокого
Таблица 1.24
Uccmin	5V
Uccmax	13V
	4,5 mA
	30 KQ
A u	58 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
Uou|max	1,2 V
THD	0,50%
u„o	1 pV
RLmin	680 Q.
Таблица 1.25
Uccmin	1.5V
Uccmax	16V
LO(u„-o)	7 mA
	500 KH
\	98 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
U^max	1,5 V
THD (IV-1,2 V,	
f = 1 KHz)	0,12%
u„o	l,7p,V
RLmin	10 KQ
классов, (рис. 1.26). Некоторые из основных параметров микросхемы пред ставлены в табл. 1.26.
.Vcc
Рис. 1.26
Таблица 1.26
Uccmin	3V
Uccmax	15V
LO(uh-o)	2,6 mA
	200 KH
	80 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
	Ы V
THD	0,5V,	
f= 1 KHz)	0,03%
u.o	0,9 pV
Rjnln	5,1 KQ
Таблица 1.27
Uccmin	6V
Uccmax	30 V
l«0(Ufc-0)	12 mA
Rm	100KQ
A.	95 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
	7,5 V
THD	0,02%
4.	50 pV
Rjnln	75 КП
HA1452W
Интегральная микросхема НА1452АУ фирмы Hitatchi выполнена в корпусе DIP с 14 выводами и является сдвоенным (стерео) предварительным УНЧ широкого применения. Предназначена для использования в качестве малошумящего усилителя воспроизведения в переносных магнитофонах среднего и высокого классов (рис. 1.27). Контуры I частотной коррекции (Rl, R2, С1) обес-, печивают АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты СгО2 на скорости 4,75 см/с. Некоторые из основных параметров микросхемы представленье в табл. 1.27.	’
К118УН1А,К118УН1Б, К118УН1В, К118УН1Г, К118УН1Д, К122УН1А, К122УН1Б,К122УН1В, К122УН1Г, К122УН1Д
Перечисленные микросхемы производства СНГ представляют собой предварительные УНЧ широкого применения. Выполнены на одинаковых кристаллах, но встроены в разные корпуса (DIP с 14 выводами для серии 118, ТО-101 с 12 выводами для серии 122). Предназначены
Рис. 1. 27
для использования в качестве универсальных малошумящих усилителей с широким частотным диапазоном, в частности в аудиоаппаратуре среднего класса. Типичная схема подключения для микросхем серии 118 приведена на рис. 1.28а, для серии 122 - на рис. 1.286. Некоторые из основных параметров микросхем, (которые идентичны для серий 118 и 122) представлены в табл. 1.28.
Параметры измерены на частоте 1 KHz, коэффициент нелинейных искажений - при максимальном выходном напряжении.
К157УЛ1А, К157УЛ1Б
Перечисленные микросхемы производства СНГ выполнены в корпусах DIP с 14 выводами и представляют собой двухканальные усилители воспроизведения для стереофонических магнито
фонов, обладающие низким уровнем шумов типа 1/f. Типовая схема включения приведена на рис. 1.29. Некоторые из основных параметров, полностью идентичные для обеих микросхем, (за исключением напряжения шумов, приведенных ко входу), представлены в табл. 1.29.
Таблица 1.28
	К118УН1А, Б	К118УН1В, Г, Д К122УН1А, Б	К122УН1В, Г, Д
Uccmin Uccmax >«0(Uta=0) А BW Uoutmax u„o THD RLmin	«I А А о -р	-Т~ р- , ~р § П 5	/1 5 П о~ По	оП is	GOGH-UGOGOGO — GOOGO ° 1	Т°	т;	-jz сл °	сл сл w < _±1_Д Л' 1	° < < ? & st < Н I-+—Qo)	QX)—t-LZl—i	।	> ^J_ J °	-L	о О	Q	I 5	* 1	11	C03)	J	11	1	GO СП	00	GO — <H — GO S I	1 S	7^	-с 'ro	43 сл з N < g	(SRT)	 g	ю	V <	g.	3 НГт	Ц	й
Рис. 1.29
К157УП1,К157УП2
Интегральные микросхемы К157УП1 и К157УП2 (СНГ) представляют собой две модификации двухканального микрофонного усилителя, совмещенного с двухканальным предварительным усилителем записи для магнитофона. Оба усилителя имеют малый уровень собственных шумов. Предназначены для применения в высококачественной аппаратуре магнитной записи. Микросхема К157УП1 (типовое подключение на рис. 1.30а) отличается от К157УП2 тем, что первая требует регулирующих элементов ALC (АРУ), управляемых положительным напряжением, а вторая - отрицательным (рис. 1.306). Микросхемы
• сличаются также и цоколевкой. Сигнал	Таблица 1.29	
<>г микрофона поступает на вход мик-	11 mln	fi 1 V
рофонных предусилителей (входы mic.	МссГП1П	O, 1 V
input). С выхода микрофонных предуси-	Uccmax	20 V
штелей (выводы 2 и 7), усиленный сиг-	LO(u,„=o)	5 mA
нал поступает на входы усилителей за-	R.	60 KQ
писи (выводы 1 и 8). Некоторые из	In A	52 dB
основных параметров микросхем, (кото-	u	
рые идентичны для обеих микросхем),	BW	20 Hz - 20 KHz
представлены в табл. 1.30.	u«u.max	7,5 V
	THDIU^,» IV,	
К167УНЗ	f = 400 Hz)	0,2%
Интегральная микросхема К167УНЗ	U 0-	
(СНГ) выполнена в корпусе ТО-99 с 8 вы-	n К157УЛ1А-	0,3 pV
водами и является предварительным		
УНЧ широкого применения. Предназ-	К157УЛ1Б-	1 pV
начена для использования в качестве	RLmin	300 Q.
универсального (микрофонного, линей-		
ного) усилителя в аудиоаппаратуре среднего класса (рис. 1.31). Некоторые		
из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.31.		
К174УНЗ
Интегральная микросхема К174УНЗ (СНГ) выполнена в корпусе DIP с 14 выводами и является предварительным УНЧ широкого применения.
Предназначена для использования в качестве универсального (микрофонного, линейного) усилителя в аудиоаппаратуре среднего класса (рис. 1.32). Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.32.
Рис. 1.306
Таблица 1.30
Uccmin	3V
Uccmax	15 V
LPIU.-O)	7,5 mA
	1,6 KQ
A u	42 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
Uoulmax	2,2,5 V
THD(U„,= 1,5V,	
f = 400 Hz)	0,2%
u„o	4,2 pV
RLmin	1 KO
K174YH13,TDPA1002A
Интегральные микросхемы К174УН13 (СНГ) и TDA1002A (Philips) с идентичными параметрами выполнены в корпусах DIP с 16 выводами и являются предварительными УНЧ специального применения. Предназначены для использования в качестве усилителей записи/воспроизведения с АРУ (ALC) в магнитофонах среднего класса (рис. 1.33). Контур частотной коррекции, коммутируемый переключателем SW1.3, обеспечивает при воспроизведении АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO на скорости 4,75 см/с. Коммутация в режимы
-Vcc
Рис. 1.31
Рис. 1.32
। шись/воспроизведение осуществляет- Таблица 1.31
< я переключателем SW1 (на схеме установлен в режим воспроизведения). Пе-	Uccmin	-6V
। включатель SW2 включает (при записи)	Uccrnax	-24 V
(хему ALC (АРУ), либо ручную регули-	1<0(Ц=0)	6 mA
|м)вку уровня записи. Некоторые из ос-	R,	2,5 KG
повных параметров микросхем представ-	In	
юны в табл. 1.33.	Аи	60 dB
	BW	30 Hz - 20 KHz
К538УН1А, К538УН1Б	Ulnnom	10 mV
Микросхемы К538УН1А и К538УН1Б	Uoutmax	4,0 V
производства СНГ выполнены в корпу-	THD(U = IV,	
 ах ТО-99 с 8 выводами и представля-		
ют собой предварительные УНЧ широ-	’f = 1 KHz)	1%
кого применения. Предназначены для	uo	10 pV
использования в качестве, универсальных	RLmin	2,5 KQ
(микрофонных, линейных) малошумя-		
щих усилителей, в частности в аудиоап-		
паратуре высокого класса. Типичная схе-	Таблица 1.32	
ма подключения приведена на рис. 1.34.	1 1 min	О V
Микросхемы отличаются низким значе-	uccmin	0 V
нием уровня внутренних шумов. Некото-	Uccmax	7V
рые из основных параметров микросхем	l„0(U„=0)	6 mA
представлены в табл. 1.34.	p	2.5 KQ
Параметры измерены в полном частот-	In	
ном диапазоне, при температуре +25 °C,	A.	62 dB
коэффициент нелинейных искажений -	BW	30 Hz - 20 KHz
при выходном напряжении 0,8 V.	Uou.max	1,2 V
К538УНЗ, КР538УНЗА,	THD(U ,= 0,5V, ' out	'	'	
КР538УНЗБ	= 1 KHz)	1,2%
Перечисленные микросхемы произ-	u„°	2 pV
водства СНГ выполнены в корпусах	Rjnin	10 KQ
ТО-99 с 8 выводами (К538УНЗ)		
и DIP с 14 выводами (КР538УНЗА		
и КР538УНЗБ). Представляют собой предварительные УНЧ широкого при-		
менения. Предназначены для использования в качестве универсальных (мик-
рофонных, линейных) малошумящих усилителей, в частности в аудиоаппаратуре высокого класса. Типовая схема подключения для ИС К538УНЗ приведена на рис. 1.35а, для КР538УНЗА и КР538УНЗБ - на рис. 1.356. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.35.
Параметры измерены на частоте 1 KHz, при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при выходном напряжении 0,2 V.
33K 4-7
Рис. 1.33
Таблица 1.33
Uccnom	12V
l«0(U„-0)	9 mA
R,.	130КП
А и	50 dB
BW	30 Hz - 20 KHz
Uoutmax	1,8 V
THD	0,4%
u„o	1,2 pV
Рис. 1.34
К548УН1А, К548УН1Б, К548УН1В, LM381A, LM381AA, LM381AN, LM381N
Интегральные микросхемы К548УН1 (СНГ) и LM381 (National Semiconductor) с идентичными схемами выполнены в корпусах DIP с 14 выводами и являются двухканальными (стерео) предварительными УНЧ широкого применения. Предназначены для использования в качестве универсальных (микрофонных, линейных) малошумящих усилителей, в частности в аудиоаппаратуре высокого класса. Типичная схема подключения приведена на рис. 1.36. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.36.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при вы ходном напряжении 3,5 V.
К1075УЛ1 ,ТА7784Р
Интегральные микросхемы К1075УЛ1 (СНГ) и ТА7784Р (Toshiba) с идеи тичными схемами и параметрами выполнены в корпусах DIP с 16 выводами. Являются двухканальными (стерео) предварительными УНЧ широко го применения и предназначены для использования в качестве усилителей воспроизведения в переносных кассетных магнитофонах среднего класса
автореверсом (рис. 1.37). Контуры час-ютной коррекции обеспечивают АЧХ • огласно стандарту NAB для магнитной 1снты FeO или Сг02 (в зависимости от положения переключателя SW2, который на схеме указан в положении СгО2). I [ереключатель SW1 коммутирует магнитные головки в режиме автореверса. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.37.
КА2225,ТА7709,ТА7709Р
Интегральные микросхемы КА2225 (Samsung), ТА7709 и TA7709F (Toshiba) идентичными схемами и параметрами ниполнены в корпусах DIP (TA7709F -SO) с 16 выводами и являются двухка-пальными (стерео) предварительными У НЧ широкого применения. Предназначены для использования в качестве мик-|юфонных (линейных) усилителей или усилителей воспроизведения в переписных магнитофонах среднего класса (рис. 1.38). Контуры частотной коррекции коммутируются переключателем S W1 и обеспечивают АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Сигнал MUTE, подаваемый на вывод 7 микросхемы переключателем SW2 понижает на 26 dB коэффициент усиления, позволяя тем самым исключить щелчки в звуковом тракте при подаче питания на микросхемы. Некоторые из основных араметров микросхем представлены и табл. 1.38.
Рис. 1.356
Таблица 1.34	
Uccnom	15V
l«0(U,„=0)	8 mA
	10 KQ
А.	62 dB
BW	20 Hz-100 KHz
Uoutmax	3V
THD	0,1%
uno-	
К538УН1А-	l,2pV
К538УЕ1Б-	0,85 pV
RLmin	10 KQ
Таблица 1.35	
Uccnom	6V
LO(4n=o)	5 mA
R.n	10 KQ
Au-	
К538УНЗ	42 dB
КР538УНЗА	42 dB
КР538УНЗБ	48 dB
BW	20 Hz-100 KHz
Uoutmax	0,5 V
THD	0,1%
u„0-	5 pV
Рис. 1.36
Таблица 1.36	KA2226, KA2227
Uccnom	12 V Uccmax	30 V lcc0(U, = 0)	15 mA Rln	250 KQ Av-	llOdB BW	20 Hz - 5 MHz Uoutmax	5 V THD	0.1%	Интегральные микросхемы KA2226 и KA2227 (Samsung) с идентичными схемами и параметрами выполнены в корпусах DIP с 16 выводами, являются двухканальными (стерео) предварительными УНЧ широкого применения, Предназначены для использования в качестве усилителей записи/воспроизве-дения с АРУ в кассетных магнитофонах среднего класса (рис. 1.39). Контуры ча-
U0: К548УН1А	0,7	pV К548УН1Б	IpV К548УН1В	1,6	pV LM381A	0,5	pV LM381AA	0,7	pV LM381AN	1 pV LM381N	1,5	pV RLmin	5 KQ	стотной коррекции обеспечивают при воспроизведении АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Коммутация в режимы запись/воспроизведе-ние осуществляется переключателем S W1 (на схеме установлен в режим воспроизведения). Переключатель ALC включает схему АРУ (на схеме - АРУ включена). Сигнал MUTE, подаваемый на вывод 7 микросхемы (>3,5V) переключателем SW2, понижает до 0 dB коэффициент усиления, позволяя тем
самым исключить щелчки в звуковом тракте на время переходных процессов установления режимов работы активных элементов схемы при включении или выключении напряжения питания. Микросхемы отличается тем, что КА2227 вырабатывает напряжение VCC GEN (вывод И) для питания генератора стирания/подмагни-чивания, а у КА2226 вывод 11 не используется. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.39.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при максимальном выходном напряжении.
KA2228,TA7417P
Интегральные микросхемы KA2228 i Samsung) и TA7417P (Toshiba) выполнены в корпусах SIL с 21 выводами. Явля-пгся двухканальными (стерео) предвари-юльными УНЧ специального применения и предназначены для использования в качестве усилителей записи/ воспроизведения в переносных радиомагнитофонах < 1>сднего класса (рис. 1.40). Контуры час-|отной коррекции обеспечивают АЧХ • огласно стандарту NAB для магнитной '1снты FeO. Переключатель SW1 коммутирует источник сигнала в режиме
Таблица 1.37
Uccmln	L5 V
Uccmax	8V
LO|ufc-o)	7 mA
R,.	120 KO
Au	48 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
U«v,maX	LI v
THD(UM=1,1V,	
f= 1 KHz)	0,4%
u„o	0,8 pV
Таблица 1.38
Uccmin	1,5 V
Uccmax	6V
	3 mA
Rh.	20 KH
Au	70 dB
BW	50 Hz - 20 KHz
UoumaX	0,5 V
THD(UOU1=:Q,3V,	
f= 1 KHz)	0,5%
	1,8 pV
RLmin	10 KD
записи - от микрофона (входы MIC IN или от радиоприемника (входы RADK IN). Переключатель SW2 коммутируе микросхемы в режимы записи или вое произведения (на схеме - в режим вое произведения). В микросхемах имеете схема АРУ (ALC). Генератор стирания< подмагничивания собран на внешни! компонентах. Некоторые из основные параметров микросхем представлена в табл. 1.40.
КА22261 ,ТА7668АР
Интегральные микросхемы КА2226 (Samsung) и ТА7668АР (Toshiba с идентичными схемами и параметрам!
выполнены в корпусах DIP с 16 выводами и являются двухканальными (сте рео) предварительными УНЧ широкого применения. Предназначены для ис пользования в качестве усилителей записи/воспроизведения в кассетны! магнитофонах среднего класса (рис. 1.41). Контуры частотной коррекцц! обеспечивают АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Сиг нал MUTE, подаваемый на вывод 15 микросхемы (>3,5V), понижает дс 0 dB коэффициент усиления, позволяя тем самым исключить щелчки в зву< ковом тракте на время переходных процессов установления режимов работа активных элементов схемы при включении или выключении напряжени! питания. Коммутация в режимы запись/воспрпчьоидение осуществляете! переключателем SW1 (на схеме установлен в режим воспроизведения)
Переключатель ALC включает (выключат) схему АРУ. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1. 41.
Параметры измерены на частоте I KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при выходном напряжении 1,5 V.
КР123УН1А, КР123УН1Б, КР123УН1В
Перечисленные микросхемы производна СНГ выполнены в корпусах DIP 14 выводами и представляют собой предварительные УНЧ широкого применения. Предназначены для использования в качестве универсальных (микрофонных, линейных) малошумящих усилителей, в частности в аудиоаппара-। уре среднего класса. Типичная схема подключения приведена на рис. 1.42. Коэффициент усиления во всей полосе частот можно регулировать включением резистора сопротивлением 100Q-15KQ между выводами 3 и 4 микросхемы. Ко-ффициент усиления практически не изменяется при уменьшении сопротив-н-ния нагрузки до 500 W. Микросхемы могут использоваться как усилители
АРУ (ALC). Некоторые из основных параметров микросхем представлены и табл. 1.42.
Параметры измерены на частоте I KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений при выходном напряжении 0,5 V.
LA3115,LA3122, LA3133
Перечисленные интегральные микросхемы фирмы Sanyo с идентичными схемами и различными параметрами выполнены в корпусах DIP с 14 выводами и являются двухканальными (стерео) предварительными УНЧ широкого
Таблица 1 39	
Uccmin	1,5 V
Uccmax	6 V
LO(u„=o)	3 mA
R,„	20 КП
A„	40 dB
BW	50 Hz - 20 KHz
Uoo.max	1,1 V
THD	1%
uo	2,8 pV
RLmin	10 KQ
Таблица 1.40	
Uccmin	3,5 V
Uccmax	7 V
LO(u^o)	13 mA
Rm	20 KQ
\	50 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
Uoutmax	1,3V
THD(U = 1,3V,	
f = IKHz)	1%
u„o	14 pV
Таблица 1.41	
Uccmln	6V
Uccmax	16V
LO(u,„=o)	8 mA
R,.	2,2 KQ
A.	78 dB
BW	30 Hz - 20 KHz
Uov.maX	2,5 V
THD	0,3%
u„o	1,0 pV
RLmin	10 KQ
Рис. 1.40
применения. Предназначены для использования в качестве микрофонных (линейных) усилителей или усилителей воспроизведения в переносных кассетных магнитофонах среднего класса (рис. 1.43). Контуры частотной коррекции, включаемые переключателем SW1, при использовании в качестве усилителя воспроизведения обеспечивают АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.43.
LA3110, LA3120, LA3130
Перечисленные микросхемы фирмы Sanyo с идентичными схемами и различными параметрами выполнены в корпусах SIL с 8 выводами и являются
Рис. 1.41
предварительными УНЧ широкого применения. Предназначены для использования в качестве усилителей воспроизведения в переносных кассетных магнитофонах среднего класса (рис. 1.44). Контуры частотной коррекции обеспечивают АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной 1енты FeO. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.44.
LA3150
Интегральная микросхема LA3150 фирмы Sanyo выполнена в корпусе SIL < 8 выводами и представляет собой предварительный УНЧ широкого применения. Предназначена для использования в качестве усилителя воспроизведения с малым потреблением тока в кассетных магнитофонах низкого и среднего классов (рис. 1.45). Контур частотной коррекции обеспечивает АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.45.
Таблица 1.42
Рис. 1.42
Uccnom	6,3 V
>cc0(Uin=0)	15 mA
R.n	10 KQ
Au-	
КР123УН1А	42 dB
КР123УН1Б	46 dB
КР123УН1В	48 dB
BW	20 Hz-100 KHz
Uoutmax	0,5 V
THD	2%
uo	3,0 pV
RLmin	500 Я
Рис. 1.43
Таблица 1.43
	LA3115	LA3122	LA3133
U^min	1,5V	1,5V	1,5V
U max со	15V	20 V	36 V
U>(uh=o)	13 mA	17 mA	20 mA
«и.	100 KQ	100 KQ	100 KQ
	90 dB	90 dB	75 dB
BW	20 Hz - 20 KHz	20 Hz - 20 KHz	20 Hz -20 KHz
иоштах	1,6V	1,8V	0,6 V
THD	1%	1%	0,5%
Rt	10 KQ	10KQ	10 KH
и„о	1,3 pV	1,2 pV	1,1 pV
10,0	220,0
С1 2200
Рис. 1.44
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэф(|м1 циент нелинейных искажений - при выходном напряжении 0,3 V, уроввг шумов - при сопротивлении источника сигнала 2,2 KQ.
Габлица 1.44			
	LA3110	LA.3120	LA3130
Uccm’n	1,5V	1,5V	1,5V
Uccmax	15V	20 V	36 V
lcc°<Ul„=°)	13 mA	17 mA	20 mA
Rlo	100 KQ	100 KQ	100 KQ
	90 dB	90 dB	75 dB
BW	20 Hz - 20 KHz	20 Hz - 20 KHz	20 Hz - 20 KHz
UoutmaX	1,6V	1,8V	0,6 V
THD	1%	1%	0,5%
Rt	10 KQ	10K£2	10 KQ
4,0	1,3 pV	1,2 pV	1,1 gV
С1 2200
Рис. 1.45
Таблица 1.45
Uccmin	3V
Uccmax	16V
LO(U,-O)	0,6 mA
	100 KQ
A.	68 dB
BW	30 Hz 20 KHz
Uoufmax	0,9 V
THD	0,15%
uno	75 pV
RLmin	2,2 KQ
LA3155
Интегральная микросхема LA3155 (Sanyo) выполнена в корпусе DIP 16 выводами и является двухканаль-ным (стерео) предварительным УНЧ широкого применения. Предназначена (ля использования в качестве микрофонного или усилителя воспроизведения в переносных магнитофонах средне-ю класса (рис. 1.46). Контуры частотной коррекции при использовании в каче-• । ве усилителя воспроизведения комму-шруются переключателем SW1 и обес-•гчивают АЧХ согласно стандарту NAB ня магнитной ленты FeO. Некоторые из
1КТЮВНЫХ параметров микросхемы представлены в табл. 1.46.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при выходном напряжении 0,5 V.
Рис. 1.46
Таблица 1.46	LA3180 _________ Интегральная микросхема LA3180 фир-	
U^min	6V	мы Sanyo выполнена в корпусе SO
U^max	15V	с 16 выводами и является двухканаль-
LO(Ub=o)	1,3mA	ным (стерео) предварительным УНЧ широкого применения. Предназначена
	80 K£2	для использования в качестве усилите-
Am	45 dB	ля воспроизведения в кассетных магни-
BW	30 Hz - 20 KHz	тофонах среднего класса (рис. 1.47).
	1,5V	Контуры частотной коррекции обеспе-
UoutmaX		чивают АЧХ согласно стандарту NAB
THD	0,1%	для магнитной ленты FeO. Сигнал
RLmin	600 П	MUTE, подаваемый через переключа-
тель SW1 на вывод 11 микросхемы по-
нижает на 28 dB коэффициент усиления, позволяя тем самым исключить щелчки в звуковом тракте при подаче представлены в табл. 1.47.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при входном напряжении 1 V.
LA3201	Таблица 1.47	
Интегральная микросхема LA3201	Uccmin	6V
(Sanyo) выполнена в корпусе DIP с 8 вы-	Uccmax	12V
водами и является предварительным УНЧ широкого применения. Предназ-	LO(Uin=o)	8 mA
начена для использования в качестве	Rm	2,2 KX2
микрофонного или усилителя воспро-	Au	60 dB
изведения в переносных кассетных маг-	BW	30 Hz - 20 KHz
нитофонах среднего класса (рис. 1.48). Контур частотной коррекции (при ис-	4xnmax	2,8 V
пользовании в качестве усилителя вос-	THD	0,05%
произведения) включается переключате-	Un0	1,0 pV
лем SW1 и обеспечивает АЧХ согласно	R.min	10 KQ
стандарту NAB для магнитной ленты —---------------
FeO. Микросхема может использоваться т , AR как усилитель с АРУ (ALC) (вход ALC- ,оЬлицо
8 вывод, выход - 1 вывод). Некоторые из	Uccmin	1,5V
основных параметров микросхемы пред-	U max	6V
ставлены в табл. 1.48.	сс	
Параметры измерены на частоте	,ес°(ЦО=0)	1,1mA
1 KHz при температуре +25 °C, коэффи-		20 KW
циент нелинейных искажений - при вы-	Au	45 dB
ходном напряжении 0,2 V.	BW	30 Hz - 20 KHz
LA323OM	иои,тах	1,2V
Интегральная микросхема LA3230M (Sanyo) выполнена в корпусе SO с 14 вы-	THD	1%
	uno	10 pV
водами и является предварительным	RLmin	10KI2
УНЧ широкого применения. Предназна-
чена для использования в качестве усилителя воспроизведения в кассетных магнитофонах среднего класса с батарейным питанием (рис. 1.49). Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.49.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при вы-	Таблица 1.49	
	Uccm'n	1,5V
ходном напряжении 0,2 V.	Uccmax	4,5 V
LA3510M	сс° (U|n=0) R.n	1,1mA 20 KU
Интегральная микросхема LA3510M	Au	78 dB
фирмы Sanyo выполнена в корпусе SO	BW	30 Hz - 20 KHz
с 20 выводами и является предварительным УНЧ специального примене-	UoutmaX	0,79 V
ния. Предназначена для использования	THD	0,1%
в качестве усилителя записи/воспроиз-	U 0	6pV
ведения с АРУ (ALC) в кассетных магнитофонах среднего класса с батарей-	n RLmin	10 KU
ным питанием (рис. 1.50). Коммутация
в режимы запись/воспроизведение осуществляется переключателем SW1 (на схеме установлен в режим воспроизведения). Светодиодный индикатор LED индицирует режим записи. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.50.
LC507
Интегральная микросхема LC507 фирмы Gennum Corporation представляет собой предварительный УНЧ широкого применения (рис. 1.51). Выполнена в корпусе SIL с 4 выводами и предназначена для использования в качестве универсального (линейного, микрофонного) усилителя в аудиоаппаратуре среднего класса с батарейным питанием. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.51.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений (THD) - при максимальном выходном напряжении.
LM170H, LM270H, LM370H
Перечисленные микросхемы фирмы National Semiconductor выполнены в корпусах ТО-ЮО с 10 выводами. Представляют собой предварительные УНЧ широкого применения. Предназначены для использования в качестве универсальных (микрофонных, линейных) малошумящих усилителей в аудиоаппаратуре высокого класса. Микросхемы могут использоваться как усилители с АРУ (ALC). Типичная схема подключения приведена на рис. 1.52. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1. 52.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент
Таблица 1.50
Uccnom	3V
U>(4,=o)	3 mA
R*	130 K£
Au	50 dB
BW	30 Hz - 20 KHz
Uo«max	1.8V
THD	0,4%
U„O	1,2 pV
RLmin	10 KQ
100,0 1QK	
Hb-o	-f—о *
i—( 1	Пз,зх
to	
	
220КП ЦД/	10
Рис. 1.51	
Таблица 1.51	
Uccmin	1,3V
UTCmax	5V
U>(Uh=o)	1,2 mA
R.	3KQ
Au	57 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
uou,max	0,1 V
THD	10%
Rl	500 Q
100 0
t - ih * < *
Таблица 1.52
UTCnom	12 V
UTCmax	24 V
|»о(Ч„=о)	8 mA
R».	25 KU
Au=	
LM170H	40 dB
LM270H	48 dB
LM370H	52 dB
BW	20Hz- I.8
MHz	
U^max	2,5 V
THD	2,2%
Таблица 1.53	
U^nom	12V
Uccmax	24 V
Lo (Ц„=0)	8 mA
•4.	25 KU
Au	40 dB
BW	20 Hz-1,8
MHz	
Uou.max	2,5 V
THD	2,20%
начены для использования в качестве универсальных (микрофонных, линейных) малошумящих усилителей в аудиоаппаратуре высокого класса.
нелинейных искажений - при выходном напряжении 2 V.
LM370N
Микросхема LM370N фирмы National Semiconductor выполнена в корпусе DIP с 14 выводами. Представляет собой предварительный УНЧ широкого применения и отличается от LM370H типом корпуса (цоколевкой). Предназначена для использования в качестве универсального (микрофонного, линейного) малошумящего усилителя в аудиоаппаратуре высокого класса. Микросхема может использоваться как усилитель с АРУ (ALC). Типичная схема подключения приведена на рис. 1.53. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.53.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при выходном напряжении 2 V.
LM382A, LM382N
Перечисленные микросхемы фирмы National Semiconductor выполнены
в корпусах ТО-99 (LM382A) или DIP (LM382N) с 8 выводами. Представляют собой двухканальные предварительные УНЧ широкого применения. Предназ-
1 иловая схема подключения приведе-а на рис. 1.54. Некоторые из основных лраметров микросхем представлены в табл. 1.54.
Параметры измерены на частоте I KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при выгодном напряжении 2,5 V.
LM387AN, LM387N, LM387V, NE542V, SE542V
Микросхемы LM387AN, LM387N, I M387V (National Semiconductor) п NE542V, SE542V (Signetics) выполнены в корпусах DIP или ТО-99 (LM387V) •* 8 выводами. Представляют собой двухканальные предварительные УНЧ широкого применения. Предназначены для использования в качестве универсальных (микрофонных, линейных) малошумящих усилителей в аудиоаппаратуре высокого класса. Типовая схема подключения приведена на рис. 1.55. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.55.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при выходном напряжении 2,5 V.
Таблица 1.54
Uccnom	12V
U^max	40 V
cc0(4n=0)	10 mA
Rln	100 KQ
Au	40 dB
BW MHz	20 Hz -1,8
U^max	4,5 V
THD	0.1%
uno	0,8 pV
RLmin	10KI2
Таблица 1.55	
Uccnom	12V
UTCmax	30 V
•oc0(U,„=0)	10 mA
Rh	100 KH
Au	104dB
BW MHz	20 Hz -1,8
U«u,maX	3,5 V
THD	0.1%
uo	0,8 pV
LM1303N, MC1302L, MC1303L, MC1303N, SN76131N, ТВА231, ЦА739ОС, gA749DC
Микросхемы LM1303N (National Semiconductor), MC1302L, MC1303L (Motorola), SN76131N (Texas Instruments), TBA231 (Signetics), OA739DC,
Рис. 1.56
pA749DC (Fairchild) выполнены в корпусах DIP с 14 выводами. Представляют собой двухканальные предварительные УНЧ широкого применения. Предназначены для использования в качестве универсальных (микрофонных, линейных) малошумящих усилителей в аудиоаппаратуре высокого класса с двухполярным питанием. Типичная схема подключения приведена на рис. 1.56. Некоторые из ос
новных параметров микросхем представлены в табл. 1.56.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, THD -
при максимальном выходном напряжении.
LM1818N
Интегральная микросхема LM1818N (National Semiconductor) выполнена в корпусе DIP с 20 выводами и является предварительным УНЧ широкого применения. Предназначена для использования в качестве усилителя записи/воспроизведения в кассетных магнитофонах среднего класса (рис. 1.57). Контур частотной коррекции обеспечивают АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Коммутация в режимы запись/ воспроизведение осуществляется перек.7 атслем SW1 (на схеме установлен в режим воспроизведения). Микр‘н ма работает с АРУ (ALC). В схеме предусмотрен усилитель индикации, выходу которого (вывод 8) подключается стрелочный измерительный прибор (миллиамперметр) со шкалой 100 mA. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.57.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при выходном напряжении 1,5 V.
Таблица 1.56
	Uccnom	Uccmax	l«0	BW		и».	THD	
LM1303N	±12 V	±15 V	31 mA	20 Hz - 1,5 MHz	100 KU	±4 V	0,8%	80 dB
MC1302L	±8V	±15 V	31 mA	20 Hz - 1 MHz	100 KU	±4 V	0,6%	77 dB
MC1303L	±13 V	+ 15V	31 mA	20 Hz - 1,5 MHz	100 KU	+4 V	0,8%	80 dB
MC1303N	±12 V	±15V	31 mA	20 Hz - 1,5 MHz	100 KU	±4 V	0,8%	80 dB
SN76131N	±12 V	±15 V	31 mA	20 Hz - 1,5 MHz	100 KU	+4 V	0,8%	80 dB
ТВА231	±15 V	±18V	9 mA	20 Hz - 15 MHz	150 KU	±6 V	0,38%	60 dB
PA739DC	±15 V	±18V	9 mA	20 Hz - 15 MHz	150 KU	+6V	0,38%	86 dB
mA749DC	±15 V	±18V	9 mA	20 Hz - 15 MHz	150 KW	+6V	0,38%	94 dB
LM1837N
Интегральная микросхема LM1837N (National Semiconductor) выполнена в корпусе DIP с 18 выводами. Является двухканальным (стерео) предварительным УНЧ специального применения и предназначена для использования в качестве усилителя воспроизведения в переносных кассетных магнитофонах среднего класса с автореверсом (рис. 1.58). Контуры частотной коррекции обеспечивают АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Переключатель SW1 коммутирует магнитные головки в режиме автореверса. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.58.
Таблица 1.57
Uccmin	3,5 V
Uccmax	18 V
LO(Uin=o)	5 mA
Rta	50 KQ
Au	100 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
UootmaX	1,65 V
THD	0,05%
u„o	0,8 pV
RLmin	10 KQ
LM1897N
Интегральная микросхема LM1897N (National Semiconductor) выполнена в корпусе DIP с 18 выводами. Является двухканальным (стерео) предвари-тльным УНЧ специального применения и предназначена для использования в качестве усилителя воспроизведения в переносных кассетных магни-юфонах среднего класса (рис. 1.59). Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.59.
Рис. 1.58
Таблица 1.58
^сст’П	1,5V
Uccmax	12V
l«O(Uh=0)	7 mA
Rln	120КЙ
Au	48 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
u<x,tmax	1.1 v
THD (Uout= 1,1V,	
f = 1 KHz)	0,40%
Ч,0	0,8 pV
RLmin	10КП
L341, TDA3410, ТРА3420, ЦРС341ОС
Интегральные микросхемы L341, TDA3410 и TDA3420 (SGS-ATES), цРС3410С (NEC) выполнены в корпусах DIP с 16 выводами. Являются двухканальными (стерео) предварительными УНЧ специального применения и предназначены для использования в качестве усилителей воспроизведения в переносных кассетных магнитофонах среднего класса с автореверсом (рис. 1.60). Контуры частотной коррекции обеспечивают АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Переключатель SW1 коммутирует магнитные головки в режиме автореверса. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.60.
М5130Р	Таблица 1 59	
Интегральная микросхема М5130Р	U^min	1,5V
(Mitsubishi) выполнена в корпусе DIP	U^max	9V
16 выводами и является двухканальным (стерео) предварительным УНЧ	~0(U,„=0)	5 mA
широкого применения. Предназначена	Rta	100 КП
<ля использования в качестве усилите-	Au	46 dB
ля воспроизведения в переносных кас-	BW	20 Hz - 20 KHz 4 4 1/
। етных магнитофонах среднего класса		
(рис. 1.61). Микросхема позволяет ис-	Uou.max	1,1 V
пользовать цепи автоматической регу-	THD (Ц,= 1,1 V,	
лировки усиления (ALC) (вход ALC -	f = 1 KHz)	0,4%
16 вывод). Некоторые из основных	uo	0,8 pV
параметров микросхемы представлены	n	
в табл. 1. 61.	RLmin	10 KH
Рис. 1.60
Таблица 1.60
	L341	TDA3410 ЦРС3410	TDA3420
U^nom	16V	14V	20 V
L0 (um=°)	10 mA	8 mA	8 mA
Rln	120КП	80 KD	100 KQ
Au	48 dB	60 dB	100 dB
BW	20 Hz - 22 KHz	20 Hz - 22 KHz	20 Hz - 22 KHz
U^max	2,8 V	2,2 V	12V
THD(Uout=max,f=1 KHz)	0,03%	0,05%	0,05%
uno	2,8 pV	2,2 pV	2,6 pV
Рис. 1.61
M5212L,TA7129AP
Таблица 1.61
	1,5V
Uccmax	16V
1^0 (Uin = 0)	13 mA
	100 KU
Au	90 dB
BW	20 Hz-20 KHz
Uo„>maX	1,6V
THD (Uoul= 1,5 V,	
Rl= 10 КП)	1%
uo	1,3 pV
RLmin	10 KU
Интегральные микросхемы M5212L (Mitsubishi) и ТА7129АР (Toshiba) выполнены в корпусах SIL с 7 выводами и представляют собой предварительные УНЧ широкого применения. Предназначены для использования в качестве усилителей воспроизведения в кассетных магнитофонах низкого и среднего классов (рис. 1.62). Контур частотной коррекции обеспечивает АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.62.
МАА115, МАА125, МАА145
Перечисленные микросхемы фирмы Tesla представляют собой предварительные УНЧ широкого применения (рис. 1.63). Выполнены в корпусах Т05 с 4 выводами и предназначены для использования в качестве универсальных
10.0
( i инейных, микрофонных) усилителей аудиоаппаратуре среднего класса батарейным питанием. Коэффициент .силения изменяется в пределах 20 d В »• помощью подстроенного резистора R1. Микросхемы обладают высокой нагру-ючной способностью и могут работать ha индуктивную нагрузку Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.63.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - на частоте 1 KHz при максимальном выходном напряжении.
Таблица 1.62
Uccmin	9V
Uccmax	42 V
U>(u,„=o)	16 mA
Rh	100 KQ
A.	38 dB
BW	30 Hz - 20 KHz
Uovtmax	7V
THD (Uout= 6,5 V,	
f= 1 KHz)	0,15%
Un0	2,6 pV
RLmin	47 KQ
МАА225, МАА245
Перечисленные микросхемы фирмы Tesla представляют собой предварительные УНЧ широкого применения (рис. 1.64). Выполнены в корпусах ТО-5 с 6 выводами и предназначены для использования в качестве универсальных (линейных, микрофонных) усилителей в аудиоаппаратуре среднего класса с батарейным питанием. Коэффициент усиления изменяется в пределах 20 dB с помощью подстроенного резистора R1. Микросхемы обладают высокой нагрузочной способностью и могут работать на индуктивную нагрузку. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.64.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - на частоте 1 KHz при максимальном выходном напряжении.
МАА325, МАА345
Перечисленные микросхемы фирмы Tesla представляют собой предварительные УНЧ широкого применения (рис. 1.65). Выполнены в корпусах ТО-99 с 8 выводами и предназначены для использования в качестве универсальных (линейных, микрофонных, пьезоэлектрических звукоснимателей проигрывателей)
Таблица 1.63
	MAA115	MAA125	MAA145
U^nom	1,3V	7V	12V
U^max	4V	7V	12V
U>(4n=0)	50 mA	50 mA	50 mA
Rm	3KQ	3KQ	2KQ
Au	70 dB	75 dB	75 dB
BW	20 Hz - 20 KHz	20 Hz - 20 KHz	20 Hz - 20 KHz
U max out	0,3 V	2,1 V	3,6 V
THD	1,5%	1,5%	1,5%
	470 Q	470 Q	470 Q
u„o	5gV	2gV	2gV
Таблица 1.64
	MAA225	MAA245
Uccnom	4,5 V	7V
U^max	7V	12V
'„o(4n=o)	50 mA	50 mA
R.	3KQ	3KQ
Au	84 dB	90 dB
BW	20 Hz-160 KHz	20 Hz - 160 KHz
Uou,max	2,1 V	3,6 V
THD	1,5%	1,5%
rl	470 £2	470 Q
uo	5gV	2gV
усилителей в аудиоаппаратуре среднего класса с батарейным питанием. Коэффициент усиления изменяется в пределах 20 dB с помощью подстроечного резистора R1. Микросхемы обладают высокой нагрузочной способностью н могут работать на индуктивную нагрузку. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.65.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - на частоте 1 KHz при максимальном выходном напряжении.
Таблица 1.65
	MAA325	MAA345
Uccnom	4,5 V	7V
U^max	7V	12V
JMUh=0)	65 mA	65 mA
	3 K£2	3KQ
	70 dB	70 dB
BW	20 Hz - 160 KHz	20 Hz - 160 KHz
Uoutmax	2,1 V	3,6 V
THD	1,5%	1,5%
	470 Q	470 Q
u„o	8 pV	8 piV
МВА12,МВА145
Интегральные микросхемы МВА125 и МВА145 (Tesla) выполнены в корпусах Г0=9 с 8 выводами и представляют со-<юй предварительные УНЧ широкого применения. Отличаются между собой температурным диапазоном функционирования и предназначены для использования в качестве универсальных малошумящих усилителей с широким
частотным диапазоном в аудиоаппаратуре
среднего и высокого классов с двухполярным питанием (рис. 1.66). Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.66.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при максимальном выходном напряжении.
МВА225, МВА245
Интегральные микросхемы МВА225 и МВА245 (Tesla) выполнены в корпусах Т0=9 с 8 выводами и являются двухканальными предварительными УНЧ
Таблица 1.66
U^min	±3V
Uccmax	±10V
U>(4„=0)	25 mA
	8KQ
А.	37 dB
BW KHz	30 Hz-650
U^max	±3V
THD	0,2%
RLmin	10 KQ
22.0
22,0
Рис. 1.67
широкого применения. Предназначен для использования в качестве уш версальных малошумящих усилителе с широким частотным диапазоно в аудиоаппаратуре среднего и высоко! классов (рис. 1.67). Некоторые из о< новных параметров микросхем пpe^ ставлены в табл. 1.67.
Параметры измерены на частот 1 KHz при температуре +25 °C, коэфф! циент нелинейных искажений - на ча< тоте 1 KHz при максимальном выхо; ном напряжении.
МС1339Р, ТСА490А, ТСА490В, ТСА490С,ТРА2310
Интегральные микросхемы МС1339 (Motorola), ТСА490 (Valvo) и TDA231 (SGS-ATES) представляют собой двуз канальные (стереофонические) предвг рительные УНЧ широкого применени (рис. 1.68). Выполнены в корпусах DJ с 14 выводами и предназначены для и( пользования в качестве универсальны (линейных, микрофонных, пьезоэлею рических звукоснимателей проигрыв* телей) усилителей в аудиоаппаратур
Таблица 1 67
	MBA225	MBA245
Uccnom	4,5 V	7V
U^max	7V	12V
UO(uln=o)	50 mA	50 mA
Rm	3KQ	ЗКЙ
A	60 dB	60 dB
BW.	20 Hz-160 KHz	20 Hz - 160 KHz
U^max	2,1V	3,6 V
THD	1,5%	1,5%
A	470 Q	470 Q
u„o	5 pV	5pV
Рис. 1.68
с широким частотным диапазоном среднего и высокого классов. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.68.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, THD -при максимальном выходном напряжении.
Таблица 1.68
	U nom U max 1 0			BW	Rh	Uo„,	THD	A„
	сс	сс	сс					
МС1339Р	12 V	16 V	17 mA	20 Hz - 20 KHz	250 KQ	1,4 V	1,2%	66 dB
ТСА490А	18 V	30 V	8 mA	20 Hz - 10 MHz	100KQ	4 V	1,5%	77 dB
ТСА490В	20 V	32 V	8 mA	20 Hz - 10 MHz	1001Ш	5V	1,6%	80 dB
ТСА490С	24 V	36 V	8 mA	20 Hz - 10 MHz	100 KQ	8V	1,8%	80 dB
TDA2310	12V	28 V	8 mA	20 Hz - 20 KHz	100 KQ	4 V	1,5%	80 dB
MC1529G	Таблица 1.69	
Микросхема M.C1529G фирмы Motorola	Uccnom	12V
выполнена в корпусе ТО-100 с 10 выво-	Uccmax	24 V
дами. Представляет собой предваритель-	|сс°(Цп=о)	22 mA
ный УНЧ широкого применения и пред-	сс ' in	9	25 KQ
назначена для использования в качестве		
универсального (микрофонного, линей-	Аи	67 dB
ного) малошумящего усилителя в аудио-	BW	20 Hz-700
аппаратуре высокого класса. Типовая схе-	KHz	
ма подключения приведена на рис. 1.69.	UoutmaX	2,5V
Некоторые из основных параметров	THD	2,20%
микросхемы представлены в табл. 1.69.	RLmin	10 KQ
MFC8040
Микросхема MFC8040 фирмы Motorola выполнена в корпусе FP с 8 выводами и представляет собой предварительный УНЧ широкого применения.
Предназначена для использования в качестве универсального (микрофоннз го, линейного) малошумящего усилителя в аудиоаппаратуре среднего кла<£ са. Типовая схема подключения приведена на рис. 1.70. Некоторые из основ ных параметров микросхемы представлены в табл. 1.70.
Рис. 1.69
Таблица 1 70		NE515F, NE515N-14, SE515
Uccnom	30 V	Перечисленные микросхемы фирмы Sig*
U max	33 V	netics выполнены в корпусах SO или DIP*
сс		(NE515N-14) с 14 выводами. Представля»
L°(uk,= o)	8 mA	ют собой предварительные УНЧ широко^
Rjn	75 K£2	го применения и предназначены для ис-
Л,	80 dB	пользования в качестве универсальных
BW	20 Hz-500	(микрофонных, линейных) малошумя-
KHz		щих усилителей в аудиоаппаратуре высо-
Umax	7V	кого класса. Отличаются между собой
out ТИП	О 9%	температурным диапазоном функциони-
i пи	U,^ /0	рования. Типовая схема подключении
		приведена на рис. 1.71. Некоторые из ос-
Таблица 1 71		новных параметров микросхем представ-
		лены в табл. 1.71.
U^nom	7V	
Uccmax	12V	NE515G, NE515К, SE515G,
L<M4„=o)	3,5 mA	SE515K
Rm	1 KQ	Перечисленные микросхемы фирмы Sig-
A	65 dB	netics выполнены в корпусах FP (NE515G.
BW	20 Hz - 1 MHz	SE515G) или ТО-100 (NE515K, SE515K
U.max	2,2 V	с 10 выводами. Представляют собой
out THD	1 2%	предварительные УНЧ широкого при-
		менения и предназначены для исполь-
RLmin'	10KX2	зования в качестве универсальных
(микрофонных, линейных) малошумящих усилителей в аудиоаппаратуре высокого класса. Отличаются между собой температурным диапазоном функционирования. Типовая схема подключения
приведена на рис. 1.72. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.72.
NE540L, SE540L
Интегральные микросхемы NE540L и SE540L (Signetics) выполнены в корпу-ах ТО-100 с 10 выводами и представляют собой предварительные УНЧ широкого применения. Предназначены для использования в качестве универсальных малошумящих усилителей с широким частотным диапазоном в аудиоаппарату-1>е среднего и высокого классов с двухпо-чярным питанием (рис. 1.73). Некоторые из основных параметров микросхем пред-• гавлены в табл. 1.73.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при максимальном выходном напряжении.
Таблица 1 72
Uccnom	7V
Uccrnax	12V
JH’VO)	3,5 mA
Ru,	1 KQ
Au	65 dB
BW	20 Hz - 1 MHz
UoutmaX	2,2 V
THD	1,20%
RLmin	10KQ
[аблица 1.73
	NE540L	SE540L
U^min U^max I 0(Uin=0) nwi BW	±5 V	±5 V ±22 V	±27 V 16 mA	13 mA 20 KQ	20 KI2 40 dB	40 dB 20 Hz - 100 KHz 20 Hz - 100 KHz
THD	0,8%	0,8%
Rtmin	360 Q.	360 Q
NE540V, SE540V
Интегральные микросхемы NE540V и SE540V (Signetics) выполнены в корпусах DIP с 8 выводами и представляют собой предварительные УНЧ широкого применения. Предназначены для использования в качестве универсальных малошумящих усилителей с широким частотным диапазоном в аудиоаппаратуре среднего и высокого классов с двухполярным питанием (рис. 1.74). Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.74.
	NE540V	SE540V
^ccmin	±5V	±5V
Uccmax	±22 V	±27 V
L0(4„=o)	16 mA	13 mA
	20 KQ	20 KQ
Au	40 dB	40 dB
BW	20 Hz-100 KHz	20 Hz - 100 KHz
THD	0,8%	0,8%
RLmin	360 Q	360 Q
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при максимальном выходном напряжении.
NE541 РНА, SE541 РНА
Интегральные микросхемы NE541 РНА и SE541PHA (Signetics) выполнены в корпусах Т05 с 12 выводами и представляют собой предварительные УНЧ широкого применения. Предназначены для использования в качестве универсальных малошумящих усилителей с широким частотным диапазоном в аудиоаппаратуре среднего и высокого классов с двухполярным питанием (рис. 1.75). Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.75.
[аблица 1 75
	NE541PHA	SE541PHA
^ccmin	±5V	±5V
U max сс	±45 V	±47 V
L0(Uin=0)	16 mA	13 mA
	20 KH	20 KQ
Au	90 dB	90 dB
BW	20 Hz - 20 KHz	20 Hz - 20 KHz
THD	0,2%	0,2%
RLmin	600 Q	600 Q
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, THD -при максимальном выходном напряжении.
NJM2067D, NJM3067M
Интегральные микросхемы NJM2067D и NJM2067M фирмы New Japan Radio
выполнены в корпусах DIP (NJM2067D) или SO (NJM2067M) с 16 выводами. Являются двухканальными (стерео) предварительными УНЧ специального
применения и предназначены для использования в качестве усилителей воспроизведения в переносных кассетных магнитофонах среднего класса с автореверсом (рис. 1.76). Контуры частотной коррекции обеспечивают АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Переключатель SW1 коммутирует магнитные головки в режиме автореверса, а светодиоды LED1 и LED2 индицируют направление движения магнитной ленты (нормальное или реверсное). Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.76.
Таблица 1.76	
Uccmin	1,5V
U^max	4,5 V
LO(U„ = o)	4 mA
Цл	120KS2
Au	70 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
Uoo,maX	0,25 V
THD (Uout= 1,1V,	
f = 1 KHz)	0,15%
Un°	1,8 pV
RLmin	10KQ
Таблица 1.77	
U^min	4,5 V
Uccmax	7V
ccOOVO)	8 mA
R,n	3 K£2
Au	74 dB
BW	20 Hz-150
KHz	
U^max	1,0V
THD	1,2%
ОМ7001С5, ТАА121
Микросхемы ОМ7001С5 (Milliard) и ТАА121 (Siemens) с идентичными схемами и параметрами представляют собой предварительные УНЧ широкого применения (рис. 1.77). Выполнены в корпусах 5Н6 с 6 выводами и предназначены для использования в качестве универсальных (линейных, микрофонных) усилителей в аудиоаппаратуре среднего класса с батарейным питанием. Коэффициент усиления изменяется в пределах 18 dB с помощью подстроечного резистора. Микросхемы обладают высокой нагрузочной способностью и мо-iyr работать на индуктивную нагрузку. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.77.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений (THD) - при максимальном выходном напряжении.
РА230
Микросхема РА230 фирмы General Electric Company выполнена в корпусе FP с 10 выводами и представляет собой предварительный УНЧ широкого применения. Предназначена для использования в качестве универсального (микрофонного, линейного) малошумящего усилителя в аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема подключения приведена на рис. 1.78. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.78.
Рис. 1.78
РА239, ULN2126А, ULN2126N Таблица 1.78
Микросхемы РА239 (General Electric),	Uccnom	12V
ULN2126A и ULN2126N (Sprague) вы-	U max	15V
полнены в корпусах DIP РА239 и ULN2126A) или QUIL (ULN2126N)	сс <ссО(Цп=0)	12 mA
с 14 выводами и представляют собой	Rin	35 KQ
двухканальные предварительные УНЧ	Au	72 dB
широкого применения. Предназначены	BW	20 HZ-500
для использования в качестве универ-	KHz	
сальных (микрофонных, линейных) ма-	U jnax	4,5 V
лошумящих усилителей в аудиоап-	out	
паратуре среднего класса (рис. 1.79).	THD	3%
Включение переключателя SW1 (MUTE)	RLmin	10KH
уменьшает на 26 dB коэффициент усиле-
ния. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.79.
SL630
Микросхема SL630 фирмы Signetics выполнена в корпусе ТО-100 с 10 выводами и представляет собой предварительный УНЧ широкого применения. Предназначена для использования в качестве универсального (микрофонного, линейного) малошумящего усилителя в аудиоаппаратуре среднего класса. Типовая схема подключения приведена на рис. 1.80. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.80.
Таблица 1.79
U^nom	12V
U^max	16V
J>(Uln=0)	16 mA
Rm	250 KQ
A.	68 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
UootmaX	0,5 V
THD	0,5%
RLmin	ЗКЯ
STK3041, STK3061, STK3081, STK3101
Перечисленные микросхемы фирмы Sanyo выполнены по гибридной технологии в корпусах SIL с 16 выводами и представляют собой двухканальные предварительные УНЧ широкого применения. Предназначены для использования
100.0
3900
о
Коит
Рис. 1.80
Таблица 1.80
Uccnom	12V
U^max	18V
U>(u,„=o)	5 mA
*	1 KQ
А,	46 dB
BW	20 Hz-500
KHz	
Uou,maX	1,4V
THD	0,5%
Rjnin	460 Q
в качестве универсальных (микрофонных, линейных) малошумящих усилителей в аудиоаппаратуре высокого класса (рис. 1.81) с двухполярным питанием и малыми нелинейными искажениями (в частности с мощными УНЧ серии STK той же фирмы). Транзисторы T1I и Т2 обеспечивают защиту выходов от короткого замыкания в нагрузке. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.81.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений при максимальном выходном напряжении.
STK3042ll,STK3062ll, STK3O82II, STK3102111, STK3122III, STK3152III
Перечисленные микросхемы фирмы Sanyo выполнены по гибридной технологии в корпусах SIL с 15 выводами и пред
ставляют собой двухканальные предварительные УНЧ широкого применения. Предназначены для использования в качестве универсальных (микрофонных, линейных) малошумящих усилителей в аудиоаппаратуре высокого класса (рис. 1.82) с двухполярным питанием и малыми нелинейными искажениями (в частности с мощными УНЧ серии STK той же фирмы). Транзисторы Т1 и Т2 обеспечивают защиту выходов от короткого замыкания в нагрузке. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.82.
[аблица 1.81
	STK3041	STK3061	STK3081	STK3101
Uc<.nom	±41 V	±47 V	±50 V	±55 V
Uccmax	±55 V	±59V	±65 V	±75 V
locO (U^ = 0)	26 mA	28 mA	30 mA	30 mA
	33 KQ	33 KQ	33 KQ	33 KQ
Au	42 dB	42 dB	42 dB	42 dB
BW		20 Hz - 20 KHz		
THD	0,01%	0,01%	0,01%	0,01%
(аблица 1.82
	Uccnom	Uccmax	u>	BW		THD	
STK3042II	±48 V	±55 V	20 mA	20 Hz - 20 KHz	33 KQ	0,01%	80 dB
STK3062II	±55 V	±59 V	20 mA	20 Hz - 20 KHz	33 KQ	0,01%	80 dB
STK3082H	±58 V	±65 V	20 mA	20 Hz - 20 KHz	33 KQ	0,01%	80 dB
'TK3102II	±65 V	±75 V	30 mA	20 Hz - 20 KHz	33 KQ	0,01%	80 dB
5TK3122III	±70 V	±80 V	30 mA	20 Hz - 20 KHz	33 KQ	0,01%	80 dB
STK3152III	±80 V	±90 V	35 mA	20 Hz - 20 KHz	33 KQ	0,01%	80 dB
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при максимальном выходном напряжении.
STK3O44
Таблица 1.83
Интегральная микросхема STK3044	Uccnom	±32 V
фирмы Sanyo выполнена по гибридной । ихнологии в корпусе SIL с 15 вывода-	U^max	+48 V
ми и представляет собой двухканаль-	L0«4=0)	20 mA
пый предварительный УНЧ широкого	R,„	33 KQ
применения. Предназначен для исполь-	Ль	68 dB
вания в качестве универсального (микрофонного, линейного) малошумящего усилителя в аудиоаппаратуре вы-•»'кого класса (рис. 1.83) с двухполярным	BW KHz	20 Hz - 20
питанием и малыми нелинейными искажениями (в частности, с мощными
VH4 серии STK той же фирмы). Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.83.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при максимальном выходном напряжении,
Рис. 1.83
Рис. 1.84
STK305, STK3076
Перечисленные микросхемы фирмы Sanyo выполнены по гибридной технологии в корпусах SIL с 15 выводами и представляют собой двухканальные предварительные УНЧ широкого применения. Предназначены для использования в качестве универсальных (микрофонных, линейных) малошумящих усилителей в аудиоаппаратуре высокого класса (рис. 1.84) с двухполярным питанием и малыми нелинейными искажениями (в частности с мощными УНЧ серии STK той же фирмы). Некр-торые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.84.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений при максимальном выходном напряжении.
STK3161,STK316B
Перечисленные микросхемы фирмы Sanyo выполнены по гибридной технологии в корпусах DIP с 14 выводами (STK3161) или DIP с 16 выводами (STK3161 В) и представляют собой двухканальные предварительные УНЧ специального применения. Предназначены для использования в качестве усилителей воспроизведения в кассетных магнитофонах высокого класса (рис. 1.85). Переключатель SW1 выполняет функцию MUTE (ступенчатое уменьшение усиления на 22 dB при замыкании), a SW2 переключает контуры
Таблица 1.84
	STK3056	STK3076
Uccnom	±39V	+45 V
Uccmax	±56 V	+65 V
L° (Чп= °)	28 mA	28 mA
	33 KQ	33 КЯ
	42 dB	42 dB
BW	20 Hz-20 KHz	20 Hz-20 KHz
THD	0,01%	0,01%
Рис. 1.85
АЧХ для магнитной ленты различного типа (разомкнуто - нормальная, FeO,	Таблица 1.85	
постоянная времени 120 mS; замкнуто,	U^nom	9V
СгО2, постоянная времени 70 mS. Неко-	ЦМи.,-0)	16mA
торые из основных параметров микро-	R.	25 KQ
схем представлены в табл. 1.85. Параметры измерены на частоте	In Au	37 dB
1 KHz при - температуре +25 °C, коэффи-	BW	20 Hz - 20 KHz
циент нелинейных искажений - при мак-	U^max	0,9 V
симальном выходном напряжении.	THD	0,3%
ТА7066Р	RLmin	3KQ
Интегральная микросхема ТА7066Р
фирмы Toshiba выполнена в корпусе SIL с 7 выводами и является предварительным УНЧ широкого применения. Предназначена для использования и качестве усилителя записи/воспроизведения в кассетных магнитофонах среднего класса, микрофонного (линейного) усилителя или усилителя/драй-вера с мощным выходом для работы на индуктивную нагрузку (рис. 1.86). Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.86.
Таблица 1.86	Параметры измерены на частоте
Uccmin	8 V U^max	25 V cc0(4n = 0)	2,8 mA 25 KQ Au	60 dB BW	30 Hz - 20 KHz	1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при выходном напряжении 4,5 V. ТА7120Р Интегральная микросхема ТА7120Р (Toshiba) выполнена в корпусе SIL
U^max	6 V THD	0,4% Un0	200 pV RLmin	150П 150 mW	с 7 выводами и представляет собой предварительный УНЧ широкого применения. Предназначена для использования в качестве усилителя воспроизведения с малым потреблением тока в кассетных магнитофонах низкого и среднего классов (рис. 1.87). Контур частотной коррекции обеспечивает
Таблица 1.87	АЧХ согласно стандарту NAB для маг-
U^min	4,5 V U^max	15 V LO0V0)	1,5 mA Rta	100 Ш Au	78 dB BW	30 Hz - 20 KHz U^max	1V THD	1% UnO	2 pV RLmin	5,1 KH	нитной ленты FeO на скорости 9,8 см/с. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1. 87. Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений при выходном напряжении 1 V, уровень шумов - при сопротивлении источника сигнала 2,2 1Ш. ТА7122ВР Интегральная микросхема ТА7122ВР (Toshiba) выполнена в корпусе SIL с 7 выводами и представляет собой пред-
варительный УНЧ широкого применения. Предназначена для использования в качестве усилителя воспроизведения в кассетных магнитофонах низкого и среднего классов (рис. 1.88). Контур частотной коррекции обеспечивает АЧХ
100.0	1000
Рис. 1.86
Рис. 1.87
согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO на скорости 4,75 см/с. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.88. Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при выходном напряжении 1V, уровень шумов - при сопротивлении источника сигнала 2,2 К£2.	Таблица 1.88 Uccmin	9 V U^max	40 V ^0(^=0)	15 mA Rta	100 KQ in Au	38 dB BW	30 Hz - 20 KHz U^max	7 V
ТА7312Р Интегральная микросхема ТА7312Р (Toshiba) выполнена в корпусе SIL । 9 выводами и представляет собой двухканальный (стерео) предварительный	THD	1% UnO	2 pV RLmin	47 KQ
УНЧ широкого применения. Предназначена для использования в качестве уси-штеля воспроизведения в кассетных магнитофонах высокого класса (рис. 1.89). Контур частотной коррекции обеспечивает АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Некоторые из основных параметров микросхемы пред-। тавлены в табл. 1.89.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при выходном напряжении 1 V, уровень шумов - при сопротивлении источника сигнала 2,2 KQ.
Таблица 1.89	
U^min	6V
U^max	15V
U>(uh=o)	7,5 mA
Rm	50 KU
A.	70 dB
BW	15 Hz-30 KHz
UoutmaX	1,95 V
THD	0,5%
4.0	1,2 pV
RLmin	10 KQ
Таблица 1.90	
U^min	4,5 V
ll^max	8V
U>(4,=0)	3,5 mA
	50 КП
Au	78 dB
BW	30 Hz - 20 KHz
	0,9 V
THD	1%
4°	2 pV
RLmin	5,1 КЯ
TA7330F, ТА7330Р
Интегральные микросхемы TA7330F и ТА7330Р (Toshiba) выполнены в корпусах SO с 16 выводами (TA7330F) или SIL с 7 выводами (ТА7330Р) и представляют собой предварительные УНЧ широкого применения. Предназначены для использования в качестве усилителей воспроизведения в кассетных магнитофонах низкого и среднего классов. Типовая схема подключения для ТА7330Р приведена на рис. 1.90, для TA7330F - на рис. 1.91. Контур частотной коррекции обеспечивает АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.90.
Параметры измерены на частоте 1 КН1 при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при выходном напряжении 1 V, уровень шумов - при сопротивлении источника сигнала 2 КО.
КА7226, ТА7658Р
Интегральные микросхемы КА7226 (Samsung) и ТА7658Р (Matsushita) вы-
полнены в корпусах DIP с 14 выводами
и являются двухканальными (стерео)
предварительными УНЧ широкого
применения. Предназначены для ис-
пользования в качестве усилителей воспроизведения в переносных кассетных магнитофонах среднего класса (рис. 1.92). Микросхемы позволяют использовать цепи автоматической регулировки усиления (ALC) (вход ALC -7 вывод). Основные параметры микросхем представлены в табл. 1.91.
Рис. 1.90
Рис. 1.91
Рис. 1.92
TA7739F, ТА7739Р
Интегральные микросхемы TA7739F и ТА7739Р (Toshiba) являются двухканальными (стерео) предварительными УНЧ специального применения и предназначены для использования в качестве усилителей воспроизведения в переносных кассетных магнитофонах среднего класса с автореверсом (рис. 1.93). Выполнены в корпусах SO (ТА7739Р) или DIP (ТА7739Р) с 16 выводами. Переключатель SW1 коммутирует магнитные головки в режиме автореверса. Контуры частотной коррекции обеспечивают АЧХ согласно стандарту NAB
Таблица 1.91
Uccmin	1,5V
U^max	15V
ccOOVO)	13 mA
Rm	100 K£2
Au	90 dB
BW	20 Hz-20 KHz
U^max	1,2V
THixu^iv.	
f=1KHz)	0,6%
u„o	1,7 pV
RLmin	10КП
4 7
Таблица 1.92		для магнитной ленты FeO или CrO, (коммутируются переключателем SW2). Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.92. ТАА111
Uccmln U^max •»0(Uh=0)	1.5 V 6V 2,4 mA 120 KH	
A.	80 dB	Интегральная микросхема ТАА111
BW	20 Hz - 20 KHz	(Siemens) представляет собой предва-
	0,9 V	рительный УНЧ широкого применения
U«utmax		(рис. 1.94). Выполнена в корпусе 5Р6
THD(Uout=-0,8V,		с 6 выводами и предназначена для ис-
f = 1 KHz)	0,1%	пользования в качестве универсального
UO	1,8 mV	(линейного, микрофонного) усилителя
n		в аудиоаппаратуре среднего класса
RLmin	10 K£2	с батарейным питанием. Коэффициент усиления изменяется в пределах 20 dB
Таблица 1.93		
		с помощью подстроечного резистора. Основные параметры микросхемы представлены в табл. 1. 93.
U^min	4,5 V	
Uccmax	7 V	Параметры измерены на частоте
U>(uln=o)	10 mA	1 KHz при температуре +25 °C, коэф-
	3KQ	фициент нелинейных искажений
A	65 dB	(THD) - при максимальном выходном
		напряжении.
BW	20 Hz-150	
KHz		ТАА141, ТАА263
U„o,maX	1,0V	Интегральные микросхемы ТАА141
THD	1,0%	(Siemens) и ТАА263 (Valvo) с идентич-
ними схемами и различными параметрами выполнены в корпусах ТО-5 с 4 выводами и являются предварительными УНЧ широкого применения. Предназначены для использования в качестве универсальных (микрофонных) усилителей в аудиоаппаратуре среднего класса (рис. 1.95). Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.94.
Таблица 1 94
	ТАА141	TAA263
Uccmin	1,5V	1,5V
U^max	9V	20 V
•«0(^=0)	1,3 mA	5 mA
"к	130 KQ	130 KH
А„	80 dB	80 dB
BW	20 Hz - 20 KHz	20 Hz - 20 KHz
и«,.тах	1,2V	2V
THD	2,7%	2,7%
и„°	2,8 pV	2,8 pV
RLmin	470 Q	150 £2
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при выходном напряжении 1 V.
ТАА151, TAA151S
Интегральные микросхемы ТАА151 и TAA151S (Siemens) с идентичными схемами и различными параметрами выполнены в корпусах ТО-100 с 10 выводами и являются предварительными УНЧ широкого применения. Предназначены для использования в качестве универсальных (микрофонных) .силителей в аудиоаппаратуре среднего класса (рис. 1.96). Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.95.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при выходном напряжении 0,9 V.
ТАА201
Интегральная микросхема ТАА201 (Valvo) представляет собой предварительный УНЧ широкого применения (рис. 1.97). Выполнена в корпусе ТО-99
Таблица 1.95
	TAA151	TAA151S
U^min	4,5 V	4,5 V
U max	7V	12V
leeO(Ujn=0)	50 mA	50 mA
	13 KH	13 KH
А,	70 dB	70 dB
BW	20 Hz-20 KHz	20 Hz - 20 KHz
UoutmaX	1,1 v	1,2V
THD	0,8%	0,8%
Un0	6pV	6pV
RLmin	150 Q	150 Q
с 8 выводами и предназначена для использования в качестве универсального (линейного, микрофонного) усилителя в аудиоаппаратуре среднего класса с двухполярным питанием. Основные параметры микросхемы представлены в табл. 1.96.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений (THD) -при максимальном выходном напряжении.
Рис. 1.97
Таблица 1.96
U^min	±6V	TAA202
U^max	±14V	Интегральная микросхема TAA202
UMiVO)	12 mA	(Valvo) представляет собой предвари-
Яш	500 KO	тельный УНЧ широкого применения
Ац	50 dB	(рис. 1.98). Выполнена в корпусе FP
BW	20 Hz-150	с 14 выводами и предназначена для ис-
KHz		пользования в качестве универсального
		(линейного, микрофонного) усилителя
U^max	±□,1 V	в аудиоаппаратуре среднего класса
THD	1,0%	с двухполярным питанием. Основные
параметры микросхемы представлены в табл. 1.97.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений (THD) - при максимальном выходном напряжении.
ТАА293, ТАА293А
Интегральные микросхемы ТАА293 и ТАА293А (Siemens) с идентичными •’хемами и различными параметрами выполнены в корпусах ТО-100 с 10 выводами и являются предварительными УНЧ широкого применения. Предназначены для использования в качестве универсальных (микрофонных) усилителей в аудиоаппаратуре среднего класса (рис. 1.99). Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.98.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений при выходном напряжении 0,9 V.
ТАА310,ТАА310А
Интегральные микросхемы ТА АЗ 10 (Milliard) и ТАА310А (Valvo) с иден-1ичными схемами и параметрами выполнены в корпусах ТО-100 с 10 выво
Таблица 1.97
Uccmin	±6V
U^max	±14V
LO(uh=o)	12 mA
	500 KG
А.	50 dB
BW KHz	20 Hz-150
Uoo,maX	±5,1 V
THD	1,0%
дами и являются предварительными
УНЧ широкого применения. Предназ-
начены для использования в качестве универсальных (микрофонных, линейных) усилителей в аудиоаппаратуре низкого класса (рис. 1.100). Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.99.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при выходном напряжении 2 V.
ТАА370А
Интегральная микросхема ТАА370А (Valvo) представляет собой предварительный УНЧ широкого применения (рис. 1.101). Выполнена в корпусе FP
Таблица 1.98
	TAA293	TAA293A
Uccm>n	4,5 V	4,5 V
U^max	7V	9V
и>(Ч„=о)	13 mA	25 mA
	130 KQ	130 KQ
А	60 dB	60 dB
BW	20 Hz - 600 KHz	20 Hz - 600 KHz
U .max out	1,2V	2V
THD	1,7%	1,7%
Ut°	6pV	6pV
RLmin	150 Q	150 Q
ISO	I +ll 1 W.o		
Рис. 1.100
Таблица 1.99		c 10 выводами и предназначена для ис-
U^mln	7V	пользования в качестве микрофонного
		усилителя в аудиоаппаратуре низкого
U^max	9,5 V	и среднего классов с батарейным пита-
L0<4n=0)	23 mA	нием. Основные параметры микросхе-
R	20K£2	мы представлены в табл. 1.100.
"in		Параметры измерены на частоте
A«	100 dB	1 KHz при температуре +25 °C, коэффи-
BW	20 Hz-15 KHz	циент нелинейных искажений (THD) -
u«tmax	2V	при максимальном выходном напря-
THD	10%	жении.
4.0	2,5 mV	ТАА420
—Ь---------------------------- Интегральная микросхема ТАА420
(Siemens) представляет собой предварительный УНЧ широкого применения (рис. 1.102). Выполнена в корпусе ТО-99 с 8 выводами и предназначена для использования в качестве универсального (линейного, микрофонного) усилителя в аудиоаппаратуре среднего
класса. Основные параметры микросхемы представлены в табл. 1.101.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений (THD) -при максимальном выходном напряжении.
ТАА480
Интегральная микросхема ТАА480 (Valvo) представляет собой предварительный УНЧ широкого применения (рис. 1.103). Выполнена в корпусе ТО-100 с 10 выводами и предназначена для использования в качестве универсального (линейного, микрофонного) усилителя в аудиоаппаратуре среднего класса. Основные параметры микросхемы представлены в табл. 1.102.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений (THD) при максимальном выходном напряжении.
Рис. 1.101
Таблица 1 100
Uccrnin	1,3V
Uccmax	5V
UMiVO)	1,2 mA
Rh	50 KH
Au	73 dB
BW	20 Hz-15 KHz
U .max out	0,7 V
THD	10%
Rl	300 Q
ТАА820А,ТАА820В
Интегральные микросхемы ТАА820 и ТАА820В (Telefunken) с идентичными схемами и различными параметрами выполнены в корпусах DIP с 14 выводами и являются предварительными УНЧ широкого применения. Предназначены для использования в качестве универсальных (линейных, микрофонных) усилителей в аудиоаппаратуре низкого и среднего классов (рис. 1.104). Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.103.
Таблица 1.101
Uccmin	7,5 V
Uccmax	12 V
l«0(Ufc=0)	12 mA
R,„	40 KQ
A.	101 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
u<».max	2V
THD	4,0%
Rt	1 KI2
Таблица 1 102
Uccnom	20 V
Uccmax	25 V
LOI^-o)	5,2 mA
R.	40 K&
Au	75 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
Uo„,max	4 V
THD	1,0%
Rt	1 KQ

330
8 6К 56К 8.6К
Рис. 1.103
22.0
Рис. 1.104
Рис. 1.105
ТАА970
Интегральная микросхема ТАА970 (Valvo) представляет собой предварительный УНЧ широкого применения (рис. 1.105). Выполнена в корпусе ТО-100 с 10 выводами и предназначена для использования в качестве универсального (линейного, микрофонного) усилителя в аудиоаппаратуре низкого и среднего классов с батарейным
Таблица ТЮЗ
	TAA820A	TAA820B
Uccnom	12 V	7,5 V
Uccmax	15V	9,5 V
'»0(U„=0)	12 mA	4 mA
R..	12 KQ	12 KQ
А.	76 dB	90 dB
BW	20 Hz - 600 KHz	20 Hz - 600 KHz
Uoutmax	2,2 V	1,1 v
THD	10%	10%
u.o	2 pV	0,6 pV
RLmin	860 Q	820 Q
питанием. Основные параметры микросхемы представлены в табл. 1.104.	Таблица 1.104	
Параметры измерены на частоте 1 KHz	Uccnom	4,5 V
при температуре +25 °C, коэффициент		3,2 mA
нелинейных искажений (THD) - при	R.n	6КП
максимальном выходном напряжении.	Ац	43 dB
ТАА3210	BW	20 Hz - 20 KHz
Интегральная микросхема ТАА3210 (Mill-	Uoulmax	0,4 V
iard) выполнена в корпусе DIP с 14 вы-	THD	1,0%
водами и представляет собой предвари-	Ri		200 Q
тельный УНЧ широкого применения.		
Предназначена для использования в качестве универсального (микрофонного, линейного) усилителя в аудиоаппаратуре низкого класса (рис. 1.106). Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.105.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при выходном напряжении 2 V.
TBA830G,TBA830R
Таблица 1 105
Uccmin	7V
U^max	9,5 V
LO(uto=o)	23 mA
	20 KQ
A и	100 dB
BW	20 Hz - 15 KHz
Uoutmax	2V
THD	10%
u„o	2,5 pV
RLmin	1 KQ
।		
		1 T
i )	(rH—\Wout
	kpGH 022
	Рис. 1.107
Таблица 1 106	
Uccmin	4.6 V
Uccmax	12 V
U0(U.==0)	18 mA
R.	23 КП
A„:	
TBA830G	37,5 dB
TBA830R	40 dB
BW	20 Hz - 18 KHz
u«..max	1,8 V
THD	10%
	400 Q.
Интегральные микросхемы TBA830G и TBA830R (Siemens) представляют собой предварительные УНЧ широкого применения (рис. 1.107). Выполнены в корпусах ТО-5 с 4 выводами и предназначены для использования в качестве микрофонных усилителей в аудиоаппаратуре низкого и среднего классов. Основные параметры микросхем представлены в табл. 1.106.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений (THD) - при максимальном выходном напряжении.
ТВА880, ТСА980
Интегральные микросхемы ТВА880 и ТСА980 (Valvo) представляют собой предварительные УНЧ широкого применения (рис. 1.108). Выполнены в корпусах ТО-5 с 4 выводами и предназначены для использования в качестве универсальных (линейных, микрофонных) усилителей в аудиоаппаратуре низкого и среднего классов с батарейным питанием. Основные параметры микросхем представлены в табл. 1.107.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений (THD) - при максимальном выходном напряжении.
TDA1522
Интегральная микросхема TDA1522 (SGS Ates) выполнена в корпусе SIL с 9 выводами и представляет собой двухканальный (стерео) предварительный УНЧ широкого применения. Предназ-
начена для использования в качестве усилителя воспроизведения в кассетных магнитофонах среднего класса (рис. 1.109). Контуры частотной коррекции обеспечивают АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Переключатель SW1 выполняет функцию MUTE (ступенчатое уменьшение усиления на 22 dB при замыкании). Некоторые из основных
		1	и ,	.	
параметров микросхемы представлены в табл. 1.108. Параметры измерены на частоте 1 KHz	IN при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при выходном напряжении 1 V.		1 ll+ f	I 100 0 1	Г г	MJ	n k CD	(D-* L	(7)	-Г Рис. 1.108	(J * ]/?L ЧКоит 0 22
Таблица 1.107			
	TBA880	TCA980	
Uccnom	4,6 V	4,6 V	
Uccmax	12 V	1,2 V	
LOK=o)	18 mA	18 mA	
	12 KQ	12 KQ	
А.	46 dB	47 dB	
BW	20 Hz - 20 KHz	20 Hz - 20 KHz	
Uo..maX	1 V	1,35 V	
THD	5%	5%	
u„o	6,2 pW	5,9 pV	
Rtmin	200 Q	300 Q	
Рис. 1.109
TDA1602A
Интегральная микросхема TDA1602A фирмы Philips выполнена в корпусе DIP с 40 выводами и содержит четырехканальные усилители записи и воспроизведения, схему АРУ, шумоподавитель DolbyB, детектор паузы звучания, генератор стирания/подмагничивания, а так же логические схемы переключения режимов работы микросхемы. Предназначена для использования
в двухкассетных магнитофонах высокого класса (рис. 1.110). Управление режимами работы микросхемы (воспроизведение, запись, запись на повышенной скорости) осуществляется посредством переключателей SW1-SW6, которые выполняют следующие функции:
SW1 - выбор типа ленты (FeO с постоянной времени 120 ms или СгО2 с постоянной времени 75 ms) для канала V;
SW2 - запись/воспроизведение;
SW3 - выбор типа ленты (FeO с постоянной времени 120 mS или СгО2 с постоянной времени 75 mS) для канала А;
SW4 - выбор канала (А или В);
SW5 - MUTE;
SW6 - запись на повышенной скорости.
В режиме воспроизведения (переключатель SW2 записи/воспроизведе-пия разомкнут), каналы выбираются переключателем SW4 (замкнуто - капал А, разомкнуто - канал В). Переключатель SW3 выбирает тип магнитной центы (замкнуто - FeO, разомкнуто -( гО2). Запись (SW2 замкнут) может производиться как на нормальной • корости (SW6 разомкнут), так и на повышенной скорости (SW6 замкнут). Запись может производиться н канале А либо канале В с линейного входа, а так же из канала А в канал В. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.109.
Таблица 1.108
Uccmln	7,5 V
Uccmax	23 V
UO(u„-oi	5 mA
R.	50 KQ
A.	62 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
UoVmaX	3,95 V
RLmin	10 KO
Таблица 1.109	
Uccmin	7V
Uccmax	18V
L0(U„-0)	30 mA
BW	20 Hz - 20 KHz
0,1%
1,8 pV 10Ш
THD (U^OJV, f = 1 KHz) uno RLmln
TDA7284, TDA7284D
Интегральные микросхемы TDA7284 n TDA7284D фирмы SGS-Thomson выполнены в корпусах DIP (TDA7284) или SO (TDA7284D) с 14 выводами и являются двухканальными (стереофоническими) предварительными УНЧ специального применения. Предназначены для использования в качестве усилителей записи/воспроизведения с АРУ в кассетных магнитофонах высокого класса. Типовая схема включения в качестве усилителя
Uccmin	3V
U^max	14 V
l«0(Uh-0)	4,5 mA
R,	50 KW
A.	78 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
Uoutmax	1,8 V
THD(U^=1V,	
RL=10K£2)	0,1%
u.o	1,2 pV
Rt	10 KQ
воспроизведения приведена на рис. 1.111. Контуры частотной коррекции обеспечивают при воспроизведении АЧХ согласно стандарту NAB для магнитно# ленты FeO или СгО2. (коммутируются переключателем SW1). Переключатель SW2 включает схему АРУ (ALC) в режиме воспроизведения. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.110.
TDA7286, TDA7286D
Интегральные микросхемы TDA7286 и TDA7286D фирмы SGS-Thomson выполнены в корпусах DIP (TDA7286) или SO (TDA7286D) с 20 выводами и содер-
жат четырехканальные усилители записи и воспроизведения, схему АРУ, а также логические схемы переключения режимов работы микросхемы. Предназначены для использования в двухкассетных магнитофонах высокого класса (рис. 1.112). Управление режимами работы микросхем (воспроизведение, запись, запись на повышенной скорости) осуществляется посредством переключателей SW1 - SW4, которые выполняют следующие функции: SW1 - запись/воспроизведение в канале А;
SW2 - запись/воспроизведение в канале В;
2
SW3 - выключение АРУ (ALC)	Таблица 1.111	
при воспроизведении,	1 1 m in	4 V
SW4 - выбор канала (А или В).	u^min	
Некоторые из основных параметров	Uccmax	12 V
микросхем представлены в табл. 1.111.	W=o)	7 mA
	R|n	50 KQ
TDA7334, TDA7334D	A	80 dB
Интегральные микросхемы TDA7334	u BW	20 Hz - 20 KHz
TDA7334D фирмы SGS-Thomson ныполнены в корпусах DIP с 16 выво-	Uou»max	1,5 V
дами (TDA7334) или SO с 16 вывода-	THD	0,1%
ми (TDA7334D) и представляют собой	RLmin	10 KQ
щухканальные (стереофонические) пред-нарительные УНЧ специального при-		
мснения. Предназначены для использования в качестве усилителей воспроизведения в кассетных магнитофонах среднего класса с автореверсом. Типовая схема подключения приведена на рис. 1.113. Переключатель SW2 оправляет внутренней логической схемой, которая коммутирует магнитные юловки в режиме автореверса. Контуры частотной коррекции, коммутируемые внутренними цепями, которые управляются переключателем SW1, обеспечивают АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO (постоянная времени 120 mS) или СгО2 (постоянная времени 75 mS). На схеме переключатель SW1 находится в положении «FeO». Переключатель SW3 пключает функцию MUTE. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.112.
TDA7335
Интегральная микросхема TDA7335 фирмы SGS-Thomson выполнена в корпусе DIP с 30 выводами и содержит двухканальный (стереофонический) уси-1итель воспроизведения, корректор тона, шумоподавитель Dolby В и детектор
Таблица 1.112		паузы звучания. Предназначена для ио
U^min	6 V	пользования в качестве усилителя вое* произведения в кассетных магнитофо»
Uccmax	14 V	нах высокого класса с автореверсом.
l«0(Ub-0)	7,5 mA	Типовая схема подключения привела»
Rln	100KQ	на на рис. 1.114. Переключатель SW|
А	32 dB	управляет внутренней логической схв> мой, которая коммутирует магнитны!
BW	20 Hz - 20 KHz	головки в режиме автореверса. Конту»
U^max	3,6 V	ры частотной коррекции коммутируем
THD(U =4,1 V,		мые внутренними цепями, которые
	0,02%	управляются переключателем SW4, обес-
f = 1 KHz)		печивают АЧХ согласно стандарту NAB
u.o	0,5 pV	для магнитной ленты FeO (постоянная
RLmin	1 Ш	времени 120 mS) или СгО2 (постоянна! времени 75 mS). На схеме переключател|
		
SW4 находится в положении FeO. Переключатель SW2 включает функцию MUTE, a SW3 включает схему шумоподавления. Детектор паузы звучания при* меняемый в магнитофонах с программированием очередности звучания музы* кальных произведений выключается переключателем SW5. Некоторые из основ* ных параметров микросхемы представлены в табл. 1.113.
TDA7336
Интегральная микросхема TDA7336 фирмы SGS-Thomson выполнена в кор» пусе SO с 28 выводами и содержит двухканальный (стереофонический) усилитель воспроизведения, корректор тона, шумоподавитель DolbyB и де* тектор паузы звучания. Предназначена для использования в качестве уси» лителя воспроизведения в кассетных магнитофонах высокого класса. Ти* новая схема подключения приведена на рис. 1.115. Контуры частотной коррекции.
i оммутируемые внутренними цепями, которые управляются переключате-« м SW1, обеспечивают АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной Ленин FeO (постоянная времени 120 mS) или СгО2 (постоянная времени » mS). На схеме переключатель SW1 находится в положении FeO. Пере-
। «початель SW2 включает функцию MUTE, a SW3 включает схему шумоподавления. Детектор паузы звучания применяемый в магнитофонах программированием очередности звучания музыкальных произведений пыключается переключателем SW4. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.114.
TDA7337D
Интегральная микросхема TDA7337D фирмы SGS-Thomson выполнена п корпусе SO с 28 выводами и содержит двухканальный (стереофонический)
1<>блица 1.113
U min •С	8 V
U стах	10,5V
IO(Uh-O)	18 mA
г In	50 KQ
А,	35,5 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
	1,35 V
IHD(U = 1,1 V, ’out	'	'	
1 KHz)	0,02%
4 0 n	0,5 pV
tjnin	1 KQ
Таблица 1 114
Uccmin	8V
Uccmax	10,5V
l«0(U,„-0)	18 mA
	50 KQ
A.	35,5 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
Uoutmax	1,35 V
THD (U^-l.lV,	
f = 1 KHz)	0,02%
u„o	0,5 pV
RLmin	IKfl
Таблица 1115		усилитель воспроизведения, коррекЩ
	ft V	тона, шумоподавитель Dolby В и детсж
		тор паузы звучания. Предназначена дЛ)
Uc<;max	10,5 V	использования в качестве усилите^
UO(ufc-o)	18 mA	воспроизведения в кассетных магнито
R,n	50 KG	фонах высокого класса с автореверсом
А	or r JD	Типовая схема подключения приведен»
Аи	ОЭ,Э dD	на рис. 1.116. Переключатель SW1 у пран
BW	20 Hz - 20 KHz	ляет внутренней логической схемой
Uoofmax	1,35 V	которая коммутирует магнитные головк»
THD (U = 1,1V,		в режиме автореверса. Контуры часто!
f = IKHz)	0,02%	ной коррекции, коммутируемые внутрси ними цепями, которые управляются 1»
u.o	0,5 pV	реключателем SW2, обеспечивают АЧ>
Rtmin	1 KQ	согласно стандарту NAB для магнитной
		ленты FeO (постоянная времени 120 mS
или СгО2 (постоянная времени 75 mS). На схеме переключатель SW2 находит ся в положении «FeO». Переключатель SW3 включает схему шумоподавлении Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.115г
ТЕА0655
Интегральная микросхема ТЕА0655 фирмы Philips выполнена в корпус DIP с 20 выводами и содержит двухканальный (стереофонический) усм литель воспроизведения, корректор тона и шумоподавитель DolbyB Предназначена для использования в качестве усилителя воспроизвел ния в кассетных магнитофонах высокого класса. Типовая схема подклю чения приведена на рис. 1.117. Контуры частотной коррекции, коммутп руемые внутренними цепями, которые управляются переключателе* SW2, обеспечивают АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленть
SW3
ГсО (постоянная времени 120 mS) или ГгО2 (постоянная времени 75 mS). На «чсме переключатель SW2 находится и положении «FeO». Переключатель	Таблица 1.116	
	Uccmln ll^max	6V 16V
lAV2 включает схему шумоподавления.	l«0(Ufc-0)	20 mA
Некоторые из основных параметров		50 Ш
микросхемы представлены в табл. 1.116.	A.	35,5 dB
TEAQ657	BW	20 Hz - 20 KHz
Интегральная микросхема ТЕА0657	Uoutmax	1,35 V
фирмы Philips выполнена в корпусе	THD (U^ 1,1V,	
1 ИР с 24 выводами и содержит двухка-	f = 1 KHz)	0,08%
пальный (стереофонический) усили-	Un0	0,8 pV
1сль записи, воспроизведения, коррек-iop тона и шумоподавитель Dolby В. Предназначена для использования	RLmin	10 KQ
в качестве усилителя записи/воспроизведения в кассетных магнитофонах высокого класса. Типовая схема подключения приведена на рис. 1.118. Переключатель SW1 коммутирует микросхему в режимы записи или воспроизведения (на схеме - в режиме воспроизведения), a SW2 включает схему шумоподавления: Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.117.
ТЕА0665,ТЕА0665Т
Интегральные микросхемы ТЕА0665 и ТЕА0665Т фирмы Philips выполнены в корпусах DIP (ТЕА0665) или SO (ТЕА0665Т) с 28 выводами и содержат усилители записи, воспроизведения, корректоры тона и шумоподавите-1И Dolby В/С. Предназначены для использования в качестве усилителей
Рис. 1.118
Таблица 1.117	зап иси/воспроиз ведения в кассетных маг-
Uccmin Uccmax	9V 15V	нитофонах высокого класса. Типовая схема подключения приведена на рис. 1.119. Переключатель SW1 коммутирует мик-
i<m»o)	19 mA	росхемы в режимы записи или воспроиз-
	50	ведения (на схеме - в режиме воспроиз-
А	35,5 dB 1 1	/">/4 l/l 1	ведения), а SW2 включает (выключает)
и		схему шумоподавления. Некоторые из
BW	20 Hz - 20 KHz	основных параметров микросхем пред-
U^max	1,35 V	ставлены в табл. 1.118.
THD(1^=1,! V, f» 1 KHz)	0,08%	ТЕА0675
UO	0,8 pV	Интегральная микросхема ТЕА0675 фир-
n RjTTiin	10 КП	мы Philips выполнена в корпусе DIP
		с 24 выводами и содержит двухканаль
ный (стереофонический) усилитель воспроизведения, корректор тона, шумоподавитель Dolby В и детектор паузы звучания. Предназначена для использования в качестве усилителя воспро изведения в кассетных магнитофонах высокого класса. Типовая схема подключения приведена на рис. 1.120. Переключатель SW1 коммутирует магнитныт головки в режиме автореверса, a SW4 включает схему шумоподавления. Контуры частотной коррекции, коммутируемые внутренними цепями, ко торые управляются переключателем SW3, обеспечивают АЧХ согласно стан дарту NAB для магнитной ленты FeO (постоянная времени 120 mS) или CrQ, (постоянная времени 75 mS). Переключатель SW2 включает схему детек тора паузы звучания, применяемую в магнитофонах с программированием
очередности звучания музыкальных произведений. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.119.
ТЕА0677Т
Интегральная микросхема ТЕА0677Т фирмы Philips выполнена в корпусе DIP с 24 выводами и содержит двухканальный (стереофонический) усилитель воспроизведения. Предназначена для использования в качестве усилителя воспроизведения в кассетных магнитофонах высокого класса. Типовая схема подключения приведена на рис. 1.121. Переключатель SW1 коммутирует магнитные головки в режиме автореверса. Контуры частотной коррекции, коммутируемые внутренними цепями, которые управляются переключателем SW2, обеспечивают АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной
Таблица 1.118
Uccmin	9V
Uccmax	15V
1 0(Uln=0)	19 mA
	50 Ш
A u	35,5 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
Uou<maX	1,35 V
FHD (1)^= 1,1 V,	
1 - 1 KHz)	0,08%
uo	0,8 pV
Rjnin	10 KQ
Таблица 1.119
Uccmin	7,6 V
Uccmax	12V
L°(Uin=o)	26 mA
	75 KQ
A.	57 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
II .max out	1,35 V
THD (U^-1,1V,	
f = 1 KHz)	0,08%
u„o	0,6 pV
RLmin	10 KQ
Рис. 1.120
Таблица 1 120
Uccmin	7.6 V
Uccmax	12 V
LO(u„-o)	26 mA
	75 K&
a.	57 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
Uoutmax	1,35V
THD (U^= 1,1 V,	
f = 1 KHz)	0,08%
u„o	0,6 pV
RLmIn	10 KQ
ленты FeO (постоянная времени 120 mS) или СгО2 (постоянная времени 75 mS). Некоторые из основных параметров мик-росхемы представлены в табл. 1.120.
UL1321
Интегральная микросхема UL1321 фирмы Unitra выполнена в корпусе DIP с 14 выводами. Представляет собой двух* канальный предварительный УНЧ широкого применения. Предназначена для использования в качестве универсального (микрофонного, линейного) малошумящего усилителя в аудиоаппаре* туре высокого класса. Типовая схе^Я подключения приведена на рис. 1.122,
ю
Рис. 1.122
Кроме предварительных усилителей, микросхема содержит транзистор прп, который может быть использован в схеме стабилизатора напряжения для питания микросхемы. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.121.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений при выходном напряжении 0,3 V.
|iA749D,gA749DHC
Микросхемы цА749С и pA749DHC фирмы Fairchild выполнены в корпусах DIP (pA749D) или ТО-99 (pA749DHC) с 8 выводами. Представляют собой двухканальные предварительные УНЧ широкого применения. Предназначены для использования в качестве универсальных (микрофонных, линейных) малошумящих усилителей в аудиоаппаратуре высокого класса. Типовая схема подключения в качестве микрофонного усилителя приведена на рис. 1,123. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 1.122.
Таблица 1.121
Uccnom	6V
Uccmax	25 V
LO(u.-o)	3,5 mA
R,„	90 KQ
a„	60 dB
BW	20 Hz - 400 KHz
	0,5 V
THD	0.1%
u„o	l,8pV
RLmin	400 П
150 0	15К
150 0
15К
Рис. 1.123
рРС566С2, ЦРС592Н, ЦРС1023Н, ЦРС1024Н
Интегральные микросхемы ЦРС566С2, цРС592Н, цРС1023Н, цРС1024Н фирмы NEC выполнены в корпусах SIL с 7 выводами и представляют собой предварительные УНЧ широкого применения. Предназначены для исполь-ювания в качестве усилителей воспроизведения с малым потреблением тока
Таблица 1.122		в кассетных магнитофонах низкого
	19 V	и среднего классов (рис. 1.124). Контур
Uccmin		частотной коррекции обеспечивает АЧХ
Uccmax	24 V	согласно стандарту NAB для магнитной
l«0|U,„=0)	3 mA	ленты FeO на скорости 4,75 см/с. Неко-
R_	150 KW	торые из основных параметров микро-
in A	oz zJR	схем представлены в табл. 1.123.
A и	oo do	Параметры измерены на частоте 1 KHz
BW	20 Hz - 20 KHz	при температуре +25 °C, коэффициент
Uoutmax	3,75 V	нелинейных искажений - при выходном
THD (U = 1,5 V,		напряжении 0,8 V, уровень шумов при со-
'out	' f = 1 KHz)	0,1%	противлении источника сигнала 2,2 KQ.
uo	l,8pV	ЦРС573Н
RLmin	10 KQ	Интегральная микросхема цРС573Н
		фирмы NEC выполнена в корпусе DIP
с 16 выводами и представляет собой предварительный УНЧ широкого применения. Предназначена для использования в качестве усилителя записи/ воспроизведения в кассетных магнитофонах низкого и среднего классов (рис. 1.125). Контур частотной коррекции обеспечивает АЧХ согласно стандарту
NAB для магнитной ленты FeO. Переключатель SW1 коммутирует микросхему в режимы записи или воспроизведения (на схеме в режиме воспроизведения). Микросхема содержит схему APV (ALC), которая выключается переключателем SW2. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.124.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений при выходном напряжении 0,5 В, уровень шумо - при сопротивлении источника сигнала 2,2 KQ.
ЦРС1158Н
Интегральная микросхема рРС1158Н фирмы NEC выполнена в корпусе SIL с 7 выводами и представляет собой предварительный УНЧ широкого применения. Предназначена для использования в качестве усилителя воспроизведения с малым потреблением тока в кассетных магнитофонах низкого и среднего классов (рис. 1.126). Контур частотной коррекции обеспечивает АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO на скорости 4,75 см/с. Микросхема содержит схему АРУ (ALC), которая выключается переключателем SW 1. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.125.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений при выходном напряжении 0,8 V, уровень шумов при сопротивлении источника сигнала 2,2 KI2.
ЦРС1281Н
Интегральная микросхема рРС1281Н фирмы NEC выполнена в корпусе DIP с 16 выводами и представляет собой двухканальный предварительный УНЧ специального применения. Предназначена
Таблица 1.123
Uccmin	3 V
Uccmax	15V
LO(u^o)	1,35 mA
R.n	120 KQ
a	68 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
Uovtma*	1,5 V
THD	0,15%
Un0:	
pPC566C2	12 pV
pPC592H	15 pV
pPC1023H	8 pV
pPC1024H	6pV
Rtmin	10 KQ
Таблица 1 124
Uccmin	3V
Uccmax	12V
l«0(U.= 0|	3 mA
	100 KQ
A„	56 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
	0,8 V
THD	0,15%
4.0	5 pV
RLmin	10 KQ
Рис. 1. 126
для использования в качестве усилителя записи/воспроизведения в кассетных магнитофонах среднего и высокого классов (рис. 1.127). Контуры частотной коррекции обеспечивают АЧХ согласно стандарту NAB для магнитной ленты FeO. Переключатель SW1 коммутирует микросхему в режимы записи или воспроизведения (на схеме - в режиме воспроизведения). Микросхема содержит схему АРУ (ALC), которая выключается переключателем SW2. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 1.126.
Параметры измерены на частоте 1 KHz при температуре +25 °C, коэффициент нелинейных искажений - при выходном напряжении 0,8 V, уровень шумов - при сопротивлении источника сигнала 2,2 KQ.
Рис. 1.127
Таблица 1.125
Uc<;min	3V
Uccmax	15V
l«0(U.»0)	1,5 mA
	100KQ
Au	70 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
Uou.maX	1,2 V
THD	0,15%
u„o	1,2 mV
RLmln	10 KQ
Таблица 1.126
Uccmin	3V
Uccmax	16 V
l«0(Uta=0)	3 mA
	100KQ
A„	56 dB
BW	20 Hz - 20 KHz
V®	1,8 V
THD	0,15%
uo	1,2 pV
RLmln	10 KQ
Схемы обработки аудиосигнала (регуляторы громкости и тембра)
Частотная характеристика усилительного тракта аудиоаппаратуры определяется в первую очередь предварительным усилителем-корректором тона, который должен компенсировать нелинейность АЧХ источника звукового сигнала (пьезоэлектрической или электродинамической головки электропроигрывателя, магнитной головки магнитофона). Однако очень часто бывает, что при совершенно плоской суммарной АЧХ звукового тракта, звуковоспроизведение оказывается недостаточно качественным, или даже неприемлемым для слушателя. Физиологический фактор, плохая акустика помещения, частотные искажения громкоговорителей, невысокое качество записи воспроизводимого аудиосигнала в конечном итоге влияют на восприятие слушателем соответствующей аудиопрограммы. Для компенсации подобного рода частотных искажений современная аудиоаппаратура комплектуется регуляторами тембра, которые позволяют осуществлять коррекцию АЧХ в зависимости от конкретных условий прослушивания аудиопрограмм или вкуса и наклонностей самого слушателя.
Наиболее простые регуляторы тембра позволяют изменять в пределах около ±20 dB (по сравнению с усилением в полной полосе частот) сигналы низких (20-200 Hz) и высоких (8-20 KHz) частот, обеспечивая тем самым более приемлемое качество звуковоспроизведения. Подобные регуляторы тембра можно использовать, например, при воспроизведении старых грампластинок, у которых значительно ослаблены низкие частоты, а уровень высоких частот завышен.
Подчеркивание или ослабление определенных компонент аудиосигнала во всей полосе частот осуществляется эквалайзерами, которые могут быть четырехполосными, пятиполосными, октавными, (десятиполосными, у которых частоты ячеек настроены по отношению друг к другу с интервалом в 1 октаву). В аудиоаппаратуре сверхвысокого класса могут использоваться даже 30-полосные (^-октавные) эквалайзеры.
Другая коррекция частотной характеристики необходима при низких уровнях звукового сигнала, когда в силу физиологических особенностей человеческого слуха, звуки в средней полосе частот кажутся звучащими громче их реальной интенсивности. Подобная коррекция осуществляется физиологическим регулятором громкости, называемым также компенсированным регулятором громкости, в котором при уменьшении громкости звука, обеспечивается спад усиления в средней полосе частот.
В настоящей главе рассматриваются схемы подключения и основные параметры микросхем - регуляторов громкости и тембра, а именно - эквалайзеров.
А273Р, К174УН12, ТСА730А
Интегральные микросхемы A273D (RFT), К174УН12 (СНГ) и ТСА730А (Philips) выполнены в корпусах DIP с 16 выводами и представляют собой
Таблица 2.1		двухканальные (стереофонические) регуляторы громкости и стереобаланса
	9V	
		с идентичными схемами (цоколевками)
Uccmax	18 V	и параметрами. Типовая схема подклю-
1и0 (Uin = 0)	40 mA	чения приведена на рис. 2.1. Компенси-
R.	75 KQ	рованная регулировка громкости в преде-
in BW	20 Hz - 20 KHz	лах от -70 dB до +20 dB осуществляется потенциометром R2 подачей постоян-
Uoutmax	1 V	ного напряжения (1 V - 9 V) на вывод
THD (U = 1 V,		13 микросхем. При отключении пере-
f = 1 KHz)	0,5%	ключателя SW1 отключается и частотная компенсация регулятора громкости.
Un°	50 dB	Потенциометр R1 регулирует баланс
RLmin	10 КЯ	(относительное усиление) между каналами в пределах +20 dB подачей посто-
янного напряжения (2 V - 9 V) на вывод 12 микросхем. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 2.1.
Рис. 2.1
A274D, К174УН10А, К174УН10Б, ТСА740А
Интегральные микросхемы A274D (RFT), К174УН10А и К174УН10Б (СНГ), ТСА740А (Philips) выполнены в корпусах DIP с 16 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) регуляторы тембра (низкие частоты - bass и высокие частоты - treble) с идентичными схемами (цоколевками) и параметрами. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.2. Регулировка тембра по низким частотам в пределах ±20 dB по сравнению с частотой в 1 KHz осуществляется потенциометром BASS подачей постоянного напряжения (1 V - 9 V) на вывод 4 микросхем, а по высоким частотам - потенциометром TREBLE. Входное напряжение нс должно превышать 1 V (обычно 0,1 V). Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 2.2.
Рис. 2.2
Таблица 2.2
A1524A.TDA1524A
Интегральные микросхемы А1524А (RFT), TDA1524A (Philips) выполнены в корпусах DIP с 18 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) регуляторы громкости, ба-1анса и тембра низких и высоких частот идентичными схемами (цоколевками) и параметрами. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.3. Регулировка тембра по низким частотам осуществляется потенциометром BASS подачей постоянного напряжения (1 V - 9 V) на вывод 9 микросхем, а по высоким частотам - потенциометром TREBLE. При отключении переключателя SW1
	9V
Uccmax	18V
L0(uh“0)	40 mA
	75 KD
BW	20 Hz - 20 KHz
Uoutmax	1 V
THD (U^- IV,	
f= IKHz)	0,5%
u„o	50 dB
Rtmln	10Ю2
отключается частотная компенсация регулятора громкости. Входное напряжение не должно превышать 2,5 V (обычно 0,1 V). Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 2.3.
AN5836,КА2107
Интегральные микросхемы AN5836 (Matsushita) и КА2107 (Samsung) выполнены в корпусах SIL с 12 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) регуляторы громкости, баланса и тембра низких и высоких частот с идентичными схемами (цоколевками) и параметрами. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.4. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 2.4.
Таблица 2.3
Uccmln	3V
Uccmax	18V
	35 mA
BW	20 Hz-20 KHz
VolcM	-80 dB - +21,5 dB
Bass^O Hz)	-9 dB-+17dB
Treble^ (16 KHz)	±15 dB
Uoutmax	3V
THD (U^ IV,	
f = 1 KHz)	0,3%
uno	310pV
Rjmin	10 KQ
Таблица 2.4	
Uccmin	8V
Uccmax	14,4V
LO(u„=o)	38 mA
BW	20 Hz-20 KHz
VoL	-80 dB-+21,5 dB
BasscfH (40 Hz)	-16dB-+12dB
Treble^ (16 KHz)	-18dB-+13dB
	16KQ
Uou,m®(	3V
THD(U^=1V.f =	1 KHz) 0,2%
4,0	80 pV
Rjnln	10 KQ
BA3822L, КА22234	Таблица 2.5	
Интегральные микросхемы BA3822L	Uccmin	3,5V
(Rohm) и КА22234 (Samsung) выполнены	Uccmax	14 V
к корпусах SIL с 24 выводами, располо-	1 П /1 I — ГЙ	7 mA
женными в два ряда и представляют собой	'сс	Ч	/ mA
двухканальные (стереофонические) пяти-	BW	20 Hz - 20 KHz
полосные эквалайзеры с идентичны-	Fctd	±lldB
ми параметрами и схемами (цоколев-	R.	16 KQ
ками). Типовая схема подключения	in	
приведена на рис. 2.5. Средняя резо-	UoUtmaX	0,6 V
нансная частота активных полос эква-	THD (IL = 0,3 V,	
1айзера определяется внешними ком-	f= IKHz)	0,1%
понентами (RC). Некоторые из основных	uo	20 pV
параметров микросхем представлены	n	
в табл. 2.5.	Rjnin	10 K£2
Рис. 2.5
BA3824LS
Интегральная микросхема BA3824LS фирмы Rohm выполнена в корпусе SIL 24 выводами, расположенными в два ряда, и представляет собой двухка-н<1льный (стереофонический) четырехполосный эквалайзер. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.6. Средняя резонансная частота активных полос эквалайзера определяется внешними компонентами (RC). Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 2.6.
Рис. 2.6
Таблица 2.6
Uccmin	3,5 V
U max	14 V
СС	
|<т=о)	7 mA
BW	20 Hz - 20 KHz
FcH	±lldB
	16 KQ
U^max	0,6 V
THD (1^= 0,3 V.	
f=lKHz)	0,1%
ио	20 pV
RLmln	10 KG
СА3259Е, ТСА5550Р
Интегральные микросхемы СА3529Е фирмы RCA и ТСА5550Р фирмы Moto-rola выполнены в корпусах DIP с 18 вы* водами и представляют собой двухканальные (стереофонические) регуляторы громкости, баланса и тембра низких и высоких частот. Типовая схема подключе* ния приведена на рис. 2.7. Регулировф тембра по низким частотам осуществляв* ся потенциометром BASS, а по высоким частотам - потенциометром TREBLE. Входное напряжение не должно превЫ» шать 2,5 V (обычно 0,2 V). Некоторые И основных параметров микросхем пред ставлены в табл. 2.7.
НА12022
Интегральная микросхема НА12022 фирмы Hitachi выполнена в корпусе Dlfr с 18 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) р* гулятор громкости и стереобаланса. Типовая схема подключения приведена ]| рис. 2.8. Регулировка громкости в пределах от -70 dB до +20 dB осуществлю ется потенциометром VOLUME подачей постоянного напряжения (1 V - 9 V) на вывод 13 микросхемы. Потенциометр BALANCE регулирует балаш
Рис. 2.7
Рис. 2.8
•	относительное усиление) между кана-мми в пределах +20 dB подачей посто-iiiiioro напряжения (2 V - 9 V) на вывод I микросхемы. Некоторые из основных лраметров микросхемы представлены
•	табл. 2.8.
КА2223, LA3600, М5226Р
Интегральные микросхемы КА2223 Samsung), LA3600 (Sanyo) и М5226Р Mitsubishi) выполнены в корпусах DIP '2 выводами и представляют собой •hi гиполосные эквалайзеры с идентичными параметрами и схемами (цоко-•гнками). Типовая схема подключения Iвведена на рис. 2.9а. Средняя резонансна i частота активных полос эквалайзера
Таблица 2.7
Uccmin Uccmax lcc0(Uin=0) BW
VoL
Bass^, (40 Hz)
Treble^ (16 KHz) Uoutmax THD (1^= IV, f = 1 KHz) u„o
RLmin
3V
18V
35 mA
20 Hz - 20 KHz
-80dB-+21,5dB
-19dB-+17dB
±15dB
3V
0,30%
310 pV
10 KQ
Таблица 2. 8
Uccmln	9 V
Uccmax	18 V
UO(uh-o)	40 mA
R.	75 1Ш
BW	20 Hz - 20 KHz
Uoutmax	1 V
THD(Uool=l V.	
f = 1 KHz)	0,5%
4.0	50 dB
RLmln	10 KQ
Таблица 2.9
Uccmln Uccmax l«O(U„-O) BW
Uoutmax
THD(U = 0,3V, 'out '	’
f = 1 KHz) uno RLmln
5 V
13V
5,2 mA
20 Hz - 20 KHz
±TldB
16 KQ
0,6 V
0,02%
7 pV
10 KQ
определяется внешними компонентами (RC). При включении последовательно двух микросхем, возможна релизация десятиполосного (октавного) эквалайзера (рис. 2.96). Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 2.9.
КА2250
Интегральная микросхема КА2250 фирмы Samsung выполнена в корпусе DIP с 16 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) цифроаналоговый регулятор громкости. Цифровая часть микросхемы содержит тактовый генератор, 13-разрядный реверсивный регистр сдвига и дешифратор состояния регистра сдвига. Выходы дешифратора управляют аналоговыми электронными ключами, которые в свою очередь пропускают входной сигнал через аттенюаторы, определяющие величину усиленна или ослабления сигнала. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.10 Увеличение громкости входного сигнала осуществляется нажатием кнопки (перс* ключателя) UP, а уменьшение - кнопки (переключателя) DOWN. ВключенФ переключателя INH аннулирует деЙ ствие кнопок UP и DOWN и переводш
Рис. 2.96
микросхему в режим работы с минимальным потреблением тока (10 мА). Этот режим используется при отключении напряжении питания, то есть в этом случае микросхема питается от конденсатора, подключенного параллельно ис-। очнику питания. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 2.|0.
KA22233
Интегральная микросхема КА22233 фирмы Samsung выполнена в корпусе DIP с 22 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) трехполосный эквалайзер. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.11. Средняя резонансная частота активных полос эквалайзера определяется внешними компонентами (RC). Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 2.11.
LA1362
Таблица 2.10
Uccmin	4 V
U^max	12V
U>(Ufc-0)	1 mA
	50 KQ
BW	20 Hz - 20 KHz
Uo^max	3V
THD(UM=1V,	
f- 1 KHz)	0,005%
u„o	50 dB
RLmin	10 KQ
Интегральная микросхема LA1362 фирмы Sanyo выполнена в корпусе SIL с 9 выводами и представляет собой электронный регулятор громкости. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.12. Регулировка громкости в пределах от -70 dB до +22 dB осуществляется потенциометром VOLUME. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 2.12.
LA2600
Интегральная микросхема LA2600 фирмы Sanyo выполнена в корпусе DIP с 14 выводами и представляет собой двухканальный электронный регулятор громкости. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.13. Регулировка
громкости в пределах от -70 dB до +22 dB по каждому каналу осуществляется потенциометрами VOLUME R и VOLUME L. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 2.13.
LC7530
Интегральная микросхема LC7530 фирмы Genium Corporation выполнена в корпусе DIP с 16 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) цифроаналоговый регулятор громкости. Цифровая часть микросхемы содержит тактовый генератор, 16-разрядный реверсивный регистр сдвига и дешифратор состояния регистра сдвига. Выходы дешифратора управляют аналоговыми электронными ключами, которые в свою очередь пропускают входной сигнал через аттенюаторы, определяющие величину усиления или ослабления сигнала. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.14. Увеличение громкости входного сигнала осуществляется нажатием кнопки (переключателя) UP, а уменьшение - кнопкой (переключателем) DOWN. Включение переключателя INIT аннулирует действие кнопок UP и DOWN и переводит микросхему в режим работы с минимальным потреблением тока (10 mA). Этот режим используется при отключении напряжении питания, то есть в этом случае микросхема питается от конденсатора, подключенного параллельно источнику питания. Выходы дешифратора состояния регистра сдвига подаются на усилители индикации, соединенные с линейкой светодиодных индикаторов, показывающих уровень выходного сигнала. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 2.14.
Таблица 2.11
Uccmin	3,5 V
Uccmax	14 V
UMU„-o)	7 mA
BW	20 Hz - 20 KHz
	±lldB
Rh	16 KQ
	0,6 V
THD(U ,-0,3V,	
f = 1 KHz)	0,1%
uno	20 pV
RLmin	10 KQ
Рис. 2.12
Таблица 2.12
Uc(;min	9V
Uccmax	18V
l«0(Uin=0)	40 mA
R	75 KQ
in	
BW	20 Hz - 20 KHz
U „max	L5V
THD (1)^,= IV.	
f = 1 KHz)	0,5%
u.o	50 dB
Rjnin	10 KQ
Рис. 213
Рис. 214
Таблица 2.13
Uc(;min	9V
Uccmax	18 V
l«0(U,„=0)	40 mA
R.	75 KQ
in	
BW	20 Hz - 20 KHz
u»umax	1 V
THD (U..,-IV.	
f = 1 KHz)	0,5%
u„o	50 dB
RLmin	10 KQ
Таблица 2 14
Uccmin	4 V
Uccmax	12 V
W*oi	1 mA
	50 KQ
BW	20 Hz - 20 KHz
Uov,max	L5V
THD	IV,	
f - 1 KHz)	0,05%
u„o	50 dB
RLmln	10 KQ
LM1035N, LM1036N
Интегральные микросхемы LM1035N и LM1036N фирмы National Semi conductor выполнены в корпусах DIP с 20 выводами и представляют собой
двухканальные (стереофонические) регуляторы громкости, баланса и тембра низких и высоких частот. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.15. Регулировка тембра по низким частотам осуществляется потенциометром BASS, а по высоким частотам - потенциометром TREBLE. Входное напряжение не должно превышать 2,5 V (обычно 0,3 V). Переключатель SW1 отключает регулировку тембра, a SW2 переводит регулятор громкости в режим некомпенсированной регулировки. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 2.15.
TREBLE BASS
BALANCE VOLUME
Рис. 2.15
Таблица 2.15
LM1035N	LM1036N
Uccmin	3V	3V
Uccmax	18 V	24 V
l«0(U=0)	15 mA	25 mA
BW	20 Hz-	- 20 KHz	20 Hz - 20 KHz
VoL		-80 dB-+21,5 dB
Bass^ (40 Hz)		-19 dB - +17 dB
Treble^ (16 KHz)		±15 dB
Uoo.max	3V	4 V
THD(U - 1 V, ' out	'		
1 KHz)	0,1%	0.08%
uno	10 pV	8pV
RLmin	10 KQ	10KX2
Таблица 2.16	LM1040N
Uc(;min	3 V Uccmax	18 V lcc0(U.= 0)	15 mA BW	20 Hz - 20	KHz Vol^	-80 dB -+21,5 dB BassctH(40Hz)	-19dB-+17dB Treble^ (16 KHz) ±15dB Uoutmax	3 V THD (U = 1 V, f=lKHz)	0,1% U0	10 mV RLmin	10 КП	Интегральная микросхема LM1040N фирмы National Semiconductor выполнена в корпусе DIP с 24 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) регулятор громкости, баланса и тембра низких и высоких частот. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.16. Регулировка тембра по низким частотам осуществляется потенциометром BASS, а по высоким частотам - потенциометром TREBLE. Входное напряжение не должно превышать 2,5 V (обычно 0,3 У). Переключатель SW1 отключает регулировку тембра, SW2 переводит регулятор громкости в режим некомпенсированной регулировки, a SW3 включает
псевдостереорежим работы микросхемы (формирование псевдостереосигнала из входного моносигнала). Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 2.16.
М51133Р
Интегральная микросхема М51133Р фирмы Mitsubishi выполнена в корпусе DIP с 14 выводами и представляет собой двухканальный электронный регулятор громкости и баланса с двухполярным питанием. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.17. Регулировка громкости в пределах от -70 до +22 dB
TREBLE BASS
BALANCE VOLUME
по обоим каналам осуществляется потенциометром VOLUME, а баланса - потен-	Таблица 2.17	
	1 1 m 2 п	±3V
циометром BALANCE. Некоторые из	U^rnin	
основных параметров микросхемы пред-	Uccmax	±9 V
ставлены в табл. 2.17.	|«°К=о)	18 mA
M51523L	•ч.	120 KQ
	BW	20 Hz - 20 KHz
Интегральная микросхема M51523L		±1,5 V
фирмы Mitsubishi выполнена в корпусе	Uoulmax	
SO с 14 выводами и представляет собой	THD (1)^= IV,	
двухканальный электронный регулятор	f = 1 KHz)	0,2%
громкости и баланса. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.18. Регули-		12 pV
ровка громкости в пределах от -70 до +22	Rjnln	10 KQ
dB по обоим каналам осуществляется по-
тенциометром VOLUME, а баланса - потенциометром BALANCE. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 2.18.
STK6325A
Интегральная микросхема STK6325A фирмы Sanyo выполнена в корпусе SIL с 16 выводами и представляет собой пятиполосный эквалайзер в гибридном
Таблица 2 18		исполнении. Предназначена для использования в звуковоспроизводящей аудио-
U min	6V	
		аппаратуре высокого класса, в частности
Uccmax	189 V	в комплексе с усилителями мощности
l«O(Uto-O) Rh BW	18 mA 120 КП 20 Hz - 20 KHz	серии STK той же фирмы. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.19. Средняя резонансная частота активных полос эквалайзера определяется внеш-
Uou.max	3 V	ними компонентами (RC). Некоторые
THD(Uwt= IV,		из основных параметров микросхемы
f = 1 KHz)	0,2%	представлены в табл. 2.19.
u„o	12 mA	STK6325B
Rjnin	10KJ2	
		Интегральная микросхема STK6325B
Таблица 2.19		фирмы Sanyo выполнена в корпусе SIL с 16 выводами и представляет собой мо-
Uccmin	±3,5 V	дуль активных элементов четырехполос-
U max	±7,5 V	ного эквалайзера в гибридном исполне-
		нии. Предназначена для использования
icm=o)	12 mA	в звуковоспроизводящей аудиоаппара-
BW	20 Hz - 20 KHz	туре высокого класса, в частности в ком-
F .	±12dB	плексе с усилителями мощности серии
Ctrl Rln	56 KQ	STK той же фирмы. Для реализации
	±1,6 V	схемы четырехполосного эквалайзера
Uoutmax		необходим внешний операционный уси-
THD(Uout=0,3 V,		литель IC1 общего применения (напри-
f = 1 KHz)	0,01%	мер, JA741TC, MC1456N, SN52771P,
u„o	12 pV	КР140УД708) и другие. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.20. Средняя резонансная частота активных
полос эквалайзера определяется внешними компонентами (RC). Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 2.20.		
16k Hz	4 kHz 1kHz 250Hz 63Hz 220
Рис. 2.20
Таблица 2.20
STK6325C
Интегральная микросхема STK6325C фирмы Sanyo выполнена в корпусе SIL с 16 выводами и представляет собой модуль активных элементов шестиполосного эквалайзера в гибридном исполнении. Предназначена для использования в звуковоспроизводящей аудиоаппаратуре высокого класса, в частности в комплексе с усилителями мощности серии STK той же фирмы. Для реализации схемы шестиполосного эквалайзера необходим внешний операционный усилитель IC1 общего применения (например, PJA741TC, MC1456N, SN52771P, КР140УД708) и др. Типовая схема
Uccmin	±3,5 V
Uccmax	±7,5 V
	12 mA
BW	20 Hz - 20 KHz
	±12dB
	56 KU
Uoutmax	±1.6 V
THD (U^-0,3 V,	
f = 1 KHz)	0,01%
4,0	12 pV
Таблица 2.21
Uccmin Uccmax
BW
F«d
THDfU^-OSv, f= 1 KHz) u„o 
±3,5 V
±7,5 V
12 mA
20 Hz - 20 KHz
±12dB
56 KQ ±1,6 V
0,01%
12 pV
подключения приведена на рис. 2.21. Средняя резонансная частота активных полос эквалайзера определяется внешними компонентами (RC). Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 2.21.
STK6327A
Интегральная микросхема STK6327A фирмы Sanyo выполнена в корпусе SIL с 16 выводами и представляет собой семиполосный эквалайзер в гибридном исполнении. Предназначена для использования в звуковоспроизводящей аудиоаппаратуре высокого класса, в частности
Таблица 2.22		в комплексе с усилителями мощности серии STK той же фирмы. Типовая схе-
Uccmin	±3,5 V	ма подключения приведена на рис. 2.22.
Uccmax	±7,5 V	Средняя резонансная частота активных
1 0 (U =0)	12 mA	полос эквалайзера определяется внеш-
'ccU 'Uin		ними компонентами (RC). Некоторые
BW	20 Hz - 20 KHz	из основных параметров микросхемы
	±12dB	представлены в табл. 2.22.
STK6327B
Uoutmax THD (Uw,= 0,3 V,	±1,6 V	Интегральная микросхема STK6327B фирмы Sanyo выполнена в корпусе SIL
f = 1 KHz)	0,01%	с 16 выводами и представляет собой
u„o	12 pV	модуль активных элементов восьмипо-
лосного эквалайзера с двухполярным		
питанием в гибридном исполнении. Предназначена для использования в звуковоспроизводящей аудиоаппаратуре высокого класса, в частности в комплексе с усилителями мощности серии STK той же фирмы. Для реализации
16kHz 6,3Hz 2,5kHz 1kHz 100Hz	160Hz 63Hz 220
• хемы восьмиполосного эквалайзера	Таблица 2.23	
необходим внешний операционный уси-штель IC1 общего применения (например, цА741ТС, MC1456N, SN52771P, КР140, УД708) и другие. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.23. ( редняя резонансная частота активных	Uccmln Uccmax LO(uh-o) BW	±3,5 V
		±7,5V 12 mA 20 Hz - 20 KHz
полос эквалайзера определяется внеш-	FdH	±12dB
ними компонентами (RC). Некоторые	Rh	56 КП
из основных параметров микросхемы	U .max	±1,6 V
представлены в табл. 2.23.	out	
	THD (U^» 0,3 V,	
STK6328A	f« 1 KHz)	0,01%
Интегральная микросхема STK6328A	u„o	12 mV
фирмы Sanyo выполнена в корпусе SIL	RLmln	10KQ
20 выводами и представляет собой
двухканальный (стереофонический) пятиполосный эквалайзер с двухполярным питанием в гибридном исполнении. Предназначена для использования в звуковоспроизводящей аудиоаппаратуре высокого класса, в частности »i комплексе с усилителями мощности серии STK той же фирмы. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.24. Средняя резонансная частота ак-। явных полос эквалайзера определяется внешними компонентами (RC). Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 2.24.
ТС9153АР
Интегральная микросхема ТС9153АР фирмы Toshiba выполнена в корпусе DIP с 16 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) цифроаналоговый регулятор громкости с двухполярным питанием.
Рис. 2.24
Цифровая часть микросхемы содержит тактовый генератор, 16-разрядный реверсивный регистр сдвига и дешифратор состояния регистра сдвига. Выходы дешифратора управляют аналоговыми электронными ключами, которые в свою очередь пропускают входной сигнал через аттенюаторы, определяющие величину усиления или ослабления сигнала. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.25. Увеличение громкости входного сигнала осуществляется нажатием кнопки (переключателя) UP, а уменьшение -кнопкой (переключателем) DOWN. У микросхемы имеется выход напряжения (пропорционального выходному сигналу), который можно подавать на стрелочный измерительный прибор. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 2.25.
TDA1074A
Интегральная микросхема TDA1074A фирмы Philips выполнена в корпусе DIP с 16 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический)
1аблица 2.24	Таблица 2 25	
Uc min	±3Z5 V	Uccmin	±1,5 V
Uccmax	±7,5 V	Uccmax	±4,5 V
l„O(Uto=O)	12 mA	l«0(U„=0)	10 mA
BW	20 Hz - 20 KHz		50 KQ
±1236	BW	20 Hz - 20 KHz
R)n	56 Ш	Uoutmax	±1,5 V
U .max	±1,6 V THD (11^ = 0,3 V,	THD(U_= 1 V, f = 1 KHz)	0,05%
= 1 KHz)	0,01%	u„o	50 dB
U0	12pV	RLmin	10 KQ
регулятор тембра (низкие частоты -BASS и высокие частоты - TREBLE). Типовая схема подключения приведена на	Таблица 2.26 Uccmin	9 V
рис. 2.26. Регулировка тембра по низким	Uccmax	18 V
частотам в пределах ±20 dB по сравнению	icco(uin=o)	35 mA
(’ частотой в 1 KHz осуществляется по-	R	75 KQ
1енциометром BASS подачей постоянно-ю напряжения (1 V - 9 V) на вывод 10	In BW	20 Hz - 20 KHz
микросхемы, а по высоким частотам - по-	Uou,maX	1 V
тенциометром TREBLE. Входное напряжение не должно превышать величины к 2,5 V (обычно 1 V). Некоторые из ос-	THD (Uout= 1 V, f = 1 KHz)	0,5%
новных параметров микросхемы пред-	uo	100 mV
ставлены в табл. 2.26.	RLmin	10 KQ
Таблица 2.27
TDA1526
Uccmln Uccmax lccO(U^O) BW
3V
18V
35 mA
20 Hz - 20 KHz
VoL 6(388^(40 Hz) Treble^ (Г6 KHz) U^max THD (U^ IV, f=1 KHz) u„o RLmln
-80dB-+21,5dB
19dB +17dB
±15dB
3V
0,3%
100 pV
10 KQ
Интегральная микросхема TDA1526 фирмы Philips выполнена в корпусе DIP с 18 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) регулятор громкости, баланса и тембра низких и высоких частот. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.27. Регулировка тембра по низким частотам осуществляется потенциометром BASS подачей постоянного напряжения (1 В - 9 В) на вывод 9 микросхемы, а по высоким частотам -потенциометром TREBLE. При отключении переключателя SW1 отключается частотная компенсация регуляторе громкости. Входное напряжение нс должно превышать величины в 2,5 V (обычно 0,1 V). Некоторые из основ ных параметров микросхемы пред ставлены в табл. 2.27.
TDA3810
Интегральная микросхема TDA3810 фирмы Siemens выполнена в корпусе DIP с 18 выводами и представляет собой двухканальную (стереофоническую) схем) обработки аудиосигнала. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.28 Переключатель SW1 включает функцию MUTE. В зависимости от положении переключателей SW1 и SW2 микросхема выполняет следующие функции:
SW1	SW2	Функция
OFF	OFF	нормальный стереорежим
ON	OFF	стереорежим с расширенной стереобазой
ON	ON	формирование псевдостереосигнала из моносигнала
Светодиодный индикатор LED1 индицирует стереорежим с расширенной сте-|)еобазой, a LED2 - режим формирования псевдостереосигнала из моносигнала. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 2.28.
TDA4290-2
Интегральная микросхема TDA4290-2 фирмы Siemens выполнена в корпусе DIP с 14 выводами и представляет собой регулятор громкости и тембра низких и высоких частот. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.29. Регулировка тембра по низким частотам осуществляется потенциометром подачей постоянного напряжения (1 V - 9 V) на вывод 14 микросхемы, а по
Рис. 2.28
Таблица 2.28		высоким частотам на вывод 8. При отключении переключателя SW1 oi
U min	9 V	
cc		ключается частотная компенсация рг
Uccmax	18 V	гулятора громкости. Входное напря
l«0(Uh-0)	40 mA	жение не должно превышать 2,5 \
Rh	75 КП	(обычно 0,27 V). Некоторые из основ
BW	20 Hz - 20 KHz	ных параметров микросхемы пред ставлены в табл. 2.29.
и«итах	1 V	
THDfU^ 1 V,		TDA4292
f= 1 KHz)	0,5%	Интегральная микросхема TDA429!'
u„o	50 dB	фирмы Philips выполнена в корпусе D1I1
RLmln	10 KQ	с 22 выводами и представляет собой двух
канальный (стереофонический) регул! тор громкости, баланса и тембра низких и высоких частот. Типовая схема пол ключения приведена на рис. 2.30. Регулировка тембра по низким частотам осуществляется потенциометром BASS, а по высоким частотам - потенциомет ром TREBLE. Входное напряжение не должно превышать величины в 2,5 V (обычно 0,3 V). Переключатель SW1 отключает регулировку тембра, a SW2 пг реводит регулятор громкости в режим некомпенсированной регулировки. Не которые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 2.30.
TDA8196
Интегральная микросхема TDA8196 фирмы SGS-Thomson выполнена в кор пусе DIP с 8 выводами и представляет собой двухвходовой электронный
Таблица 2 29
Таблица 230
Uccmln Uccmax LO(uin=o) BW
VoU
Bassctr1 (40 Hz)
Treble^ (16 KHz)
THD (1^= IV. f - 1 KHz) u„o
RLmin
3V
18V
35 mA
20 Hz - 20 KHz
- 80dB -+21,5dB
-19dB-+17dB
±15dB
3V
0.3%
310 pV
101Ш
Uccmin Uccmax W=o) BW
VoL
Bassctr1 (40 Hz)
Treble^ (16 KHz) Uoutmax
THD (0^=1 V.
f = 1 KHz) u„o
RLmin
3V
18 V
15 mA
20 Hz - 20 KHz
-80dB-+21,5rl
-19dB - + 17dB
±15dB
3 V
0,1%
10 pV
10 KQ
Рис, 2.30
регулятор громкости Предназначена 1ля применения в телевизионных приемниках с интерфейсом SCART, другой аудиоаппаратуре высокого класса. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.31. Регулировка громкости осуществляется потенциометром, подачей постоянного напряжения (1 V - 9 V) на вывод 6 микросхемы. Переключатель SW1 коммутирует входы микросхемы (IN1 или IN2), на которые могут подаваться сигналы от двух различных ис-। очников (например, от выхода канала щука телевизора и выхода канала звука видеомагнитофона). Входное напряжение не должно превышать величины в 2 V (обычно 0,8 V). Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в габл. 2.31.
TDA8198
Интегральная микросхема TDA8198 фирмы SGS-Thomson выполнена в корпусе DIP с 14 выводами и представляет •обой двухканальный (стереофонический) электронный регулятор громкое -। и, каждый канал которого имеет по два ••хода. Предназначена для применения
Таблица 2.31
Uccmin	3V
Uccmax	16 V
|«0(ии=0)	12 mA
	13 KU
VoI.h	-80 dB-+21,5dB
BW	20 Hz - 20 KHz
Uou|max	1,3 V
THDIU^l V.	
f=l KHz)	0,05%
u„o	40 pV
RLmih	10 KU
Рис. 2.32
Таблица 2.32
Uccmln	3V
Uccmax	16V
U>(Uh-0)	12 mA
	13 KO
Vol^	-80dB- +21,5dB
BW	20Hz-20KHz
и.итах	1,5 V
THD (U^-IV,	
f= 1 KHz)	0,05%
4.0	40 pV
Rjnln	10 KQ
w. о
Рис. 2.33
кий) регулятор громкости и тембра низких и высоких частот с микропроци
в телевизионных приемниках с интф фейсом SCART. Типовая схема подклю чения приведена на рис, 2.32. Регулиром ка громкости (раздельно по каждом} каналу) осуществляется потенциометра ми, подачей постоянного напряжении (1 V - 12 V) на вывод 11(12) микросхя мы. Переключатель SW1 коммутируй входы микросхемы (IN1 или IN2), на торые могут подаваться сигналы от дву> различных источников (например, oi выхода канала звука телевизора и вых» да канала звука видеомагнитофона) Входное напряжение не должно преви шать величины в 2 V (обычно 0,8 V). Н« которые из основных параметров микр» схемы представлены в табл. 2.32.
TDA8199
Интегральная микросхема TDA819!* фирмы SGS-Thomson выполнена в кор пусе DIP с 8 выводами и представлял собой двухканальный (стереофоничес кий) электронный регулятор громкое ти. Предназначена для примененИ» в телевизионных приемниках с интеф фейсом SCART. Типовая схема под ключения приведена на рис. 2.33. Регулировка громкости (по обоим каналах одновременно) осуществляется по тенциометром, подачей постоянное* напряжения (1 V - 12 V) на вывод микросхемы. Входное напряжение п< должно превышать 2 V (обычно 0,8 Vi Некоторые из основных параметров это! микросхемы представлены в табл. 2.33
TDA7312
Интегральная микросхема TDA731 фирмы SGS-Thomson выполнена в кор пусе DIP с 30 выводами и представляв собой двухканальный (стереофоничл
сорным управлением. Типовая схема подключения приведена на рис. 2 Л
Основные функции выполняемые микросхемой следующие:
•	выбор одного из четырех входов по каждому каналу;
•	регулировка громкости в пределах -66 ...+20 dB независимо по каждому каналу;
•	регулировка тембра (низкие частоты) в пределах -12...+15 dB ступенями по 3 dB для обоих каналов;
•	регулировка тембра (высокие частоты) в пределах -12...+15 dB ступенями по 3 dB для обоих каналов;
•	выбор выхода каждого канала (аналоговый выход (QLF и QRF) или цифровой выход (QLR или QRR));
•	режим MUTE.
Таблица 2.33
Uccmln	3 V
Uccmax	16 V
I„o (U„=0)	12 mA
	13 KQ
BW	20 Hz - 20 KHz
Uou|max	1 V
THD(U = 1 V,	
f = 1 KHz)	0,05%
uno	40 pV
RLmin	10 КП
Информация, управляющая работой микросхем, подается от микропроцессора по двум шинам: SCL (Serial Clock Input) и SDA (Serial Data Input/ Output). Шины данных построены по структуре I2L с тремя состояниями. По шинам SCL/SDA к микропроцессору можно подключить несколько микросхем, имеющих подобный интерфейс. По шине SCL от микропроцессора на микросхему поступают тактовые импульсы, синхронизирующие прием информации микросхемой от микропроцессора. По шине SDA микропроцессор
5.6К
5 6К
выдает микросхеме двоичное управляющее слово в последовательном коде, которое устанавливает в микросхеме соответствующий параметр. Управляющее слово содержит три байта и имеет следующий формат:
S SLAVE ADDRESS A SUBADDRESS A DATA А Р, где:
S - стартовый импульс;
SLAVE ADDRESS - 1000 0000 (управляющий адрес для микросхемы);
А - разделитель полей управляющего слова (высокий уровень, выдаваемый микросхемой в ответ на правильно принятую последовательность данных);
SUB ADDRESS - адрес регистра управления параметром (см, табл. 2.34);
DATA - данные установки величины параметра (см. табл. 2.34);
Р - столовый импульс.
Таблица 2.34
функция	subaddress	D7	D6	D5	data D4	D3	D2	DI	DO
volume Ctrl	00000000	0	0	B2	Bl	BO	A2	Al	A0
atten.left	00000001	1	0	0	Bl	BO	A2	Al	A0
attten. right	00000010	1	0	1	Bl	BO	A2	Al	A0
treble	00000011	0	1	1	0	C3	C2	Cl	CO
bass	00000100	0	1	1	1	C3	C2	Cl	CO
switch	00000101	0	1	0	D2	DI	S2	SI	SO
Функциональное назначение битов данных в управляющем слове еле дующее:
В0-В2 - громкость левого канала;
А0-А2 - громкость правого канала;
C0-C3 - регулировка низких частот;
C0-C3 - регулировка высоких частот;
D2-S0 - выбор входа.
Управляющее слово подается на микросхему каждый раз. когда необходимо изменить тот или другой параметр. Некоторые из основных электрических параметров микросхемы представлены в табл. 2.35.
ТОА8425
Интегральная микросхема TDA8425 фирмы Philips выполнена в корпусе DIP с 28 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) регулятор громкости и тембра низких и высоких частот с микропроцессорным управлением. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.35. Основньи функции, выполняемые микросхемой, следующие:
•	выбор одного из двух входов по каждому каналу;
•	регулировка громкости в пределах -66 ... +20 dB независимо по каждо му каналу;
Таблица 2.35
Uccmin	6 V
Uccmax	13,2 V
	26 mA
BW	35 Hz - 20 KHz
u»u,max	1 V
THD (1^= IV,	
f = 1 KHz)	0,01%
uo	10 pV
RLmin	10KJ2
•	регулировка тембра (низкие частоты) в пределах -12...+15 dB ступенями по 3 dB для обоих каналов;
•	регулировка тембра (высокие частоты) в пределах -12... +15 dB ступенями по 3 dB для обоих каналов;
•	определение функции, выполняемой выходом каждого канала (стереофонический режим, псевдоквад-рофонический режим, MUTE).
Информация, управляющая работой микросхем, подается от микропроцессора по двум шинам со структурой FL и с тремя состояниями: SCL (Serial Clock
Input) и SDA (Serial Data Input/Output). По шине SCL от микропроцессора па микросхему поступают тактовые импульсы, синхронизирующие прием информации микросхемой от микропроцессора. По шине SDA микропроцессор выдает микросхеме двоичное управляющее слово в последовательном коде, которое устанавливает в микросхеме соответствующий параметр. По шинам SCL/SDA к микропроцессору можно подключить несколько микросхем, имеющих подобный интерфейс. Формат управляющего слова имеет следующий вид:
S SLAVE ADDRESS A SUBADDRESS A DATA А Р, где:
S - стартовый импульс;
SLAVE ADDRESS - 1000 0000 (управляющий адрес для микросхемы);
A - разделитель полей управляющего слова (высокий уровень, выдаваемый микросхемой в ответ на Правильно принятую последовательность данных);
SUBADDRESS - адрес регистра управления параметром (см. табл. 2.36);
DATA - данные установки величины параметра (см. табл. 2.36);
Р - столовый импульс.
Таблица 2.36
функция	subaddress	D7	D6	D5	data D4	D3	D2	DI	DO
volume left	€0000000	X	X	VL5	VL4	VL3	VL2	VL1	VLO
volume right	00000001	X	X	VR5	VR4	VR3	VR2	VR1	VRO
bass	00000010	X	X	X	X	ВАЗ	BA2	BAI	BAO
treble	00000011	X	X	X	X	TR3	TR2	TRI	TRO
fader	00000100	X	X	MFN	FCH	FA3	PA2	FA1	FAO
switch	00000101	GMU	X	X	X	X	see	SCB	SCA
Функциональное назначение битов данных в управляющем слове следующее:
VL0-VL5 - громкость левого канала;
VR0-VR5 - громкость правого канала;
ВАО-ВАЗ - регулировка низких частот;
TR0-TR3 - регулировка высоких частот;
FA0-FA3 - уровень псевдоквадросигнала;
FCH - выбор выхода псевдоквадросигнала;
MFN - MUTE выбранного выхода псевдоквадросигнала;
SCA-SCS - выбор входа;
GMU - MUTE для всех каналов;
X - безразличное состояние (при тестировании микросхемы микропроцессором во время начальной инициализации, принимает значение «1»). Управляющее слово подается на микросхему каждый раз, когда необходимо изменить тот или другой параметр. Некоторые из основных электрических параметров микросхемы представлены в табл. 2.37.
ТЕА6300,ТЕА6300Т
Интегральные микросхемы ТЕА6300 и ТЕА6300Т фирмы Philips выполнены в корпусах DIP (ТЕА6300) или SO (ТЕА6300Т) с 28 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) регуляторы громкости и тембра низких и высоких частот с микропроцессорным управлением. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.36. Основные функции, выполняемые микросхемами, следующие:
•	выбор одного из трех входов по каждому каналу;
•	регулировка громкости в пределах -66...+20 dB независимо по каждому каналу;
• регулировка тембра (низкие часто-	Таблица 2.37	
ты) в пределах -12...+15 dB ступе-	U min	7 V
нями по 3 dB для обоих каналов;		
• регулировка тембра (высокие час-	Uccmax	13,2 V
тоты) в пределах -12...+15 dB сту-	l«0(Uh-0)	26 mA
пенями по 3 dB для обоих каналов;	BW	35 Hz - 20 KHz
• выбор одного из двух выходов (для	1 1 mnv	1 V
каждого канала) и определение	Uo«maX	1 V
функции, выполняемой соответ-		26 mA
ствующим выходом (стереофони-	BW	35Hz-20KHz
ческий режим, псевдоквадрофони-	U max	1 V
ческий режим, MUTE).	out THD(U = 1 V.	
Информация, управляющая работой микросхем, подается от микропро-	' out f= 1 KHz)	0,1%
цессора по двум шинам со структурой	uno	10 ptV
I2L и с тремя состояниями: SCL (Serial	RLmln	10 KQ
Clock Input) и SDA (Serial Data Input/		
Output). По шине SCLot микропроцессора на микросхемы поступают тактовые импульсы, синхронизирующие прием информации микросхемой от микропроцессора. По шине SDA микропроцессор выдает микросхеме двоичное управляющее слово в последовательном коде, которое устанавливает в микросхеме соответствующий параметр. По шинам SCL/SDA к микропроцессору можно подключить несколько микросхем, имеющих подобный интерфейс. Формат управляющего слова имеет следующий вид:
S SLAVE ADDRESS A SUBADDRESS A DATA A P, где:
S - стартовый импульс;
SLAVE ADDRESS - 1000 0000 (управляющий адрес для микросхемы);
А - разделитель полей управляющего слова (высокий уровень, выдаваемый микросхемой в ответ на правильно принятую последовательность данных); SUBADDRESS - адрес регистра управления параметром (см. табл. 2.38); DATA - данные установки величины параметра (см. табл. 2.38);
Р - столовый импульс.
Таблица 2.38
функция	subaddress	data							DO
		D7	D6	D5	D4	D3	D2	DI	
volume left	00000000	X	X	VL5	VL4	VL3	VL2	VL1	VLO
volume right	00000001	X	X	VR5	VR4	VR3	VR2	VR1	VRO
bass	00000010	X	X	X	X	ВАЗ	BA2	BAI	BAO
treble	00000011	X	X	X	X	TR3	TR2	TRI	TRO
fader	00000100	X	X	MFN	FCH	РАЗ	FA2	FA1	РАО
switch	00000101	GMU	X	X	X	X	see	SCB	SCA
Функциональное назначение битов данных в управляющем слове следующее:
VLO-VL5 - громкость левого канала;
VRO-VR5 - громкость правого канала;
В АО-ВАЗ - регулировка низких частот;
TRO-TR3 - регулировка высоких частот;
ЕАО-ЕАЗ - уровень псевдоквадросигнала;
FCH - выбор выхода псевдоквадросигнала;
MFN - MUTE выбранного выхода псевдоквадросигнала;
SCA-SCS - выбор входа;
GMU - MUTE для всех каналов;
X - безразличное состояние (при тестировании микросхемы микропроцессором во время начальной инициализации, принимает значение «1»).
Управляющее слово подается на микросхему каждый раз, когда необходимо изменить тот или другой параметр.-Некоторые из основных электрических параметров микросхем представлены в табл. 2.39.
Таблица 239
Uccmin	7 V
Uccmax	13,2 V
l«0(U,„=0)	26 mA
BW	35 Hz - 20 KHz
Uootmax	1 V
THD(U ,= 1 V,	
f = 1 KHz)	0 1%
uo	lOpiV
Rlmin	10 KQ
ТЕА6310Т
Интегральная микросхема ТЕА6310Т фирмы Philips выполнена в корпусе SO с 28 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) регулятор громкости и тембра низких и высоких частот с микропроцессорным управлением. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.37. Основные функции, выполняемые микросхемой, следующие:
•	регулировка громкости в пределах - 66...+20dB независимо по каждому каналу;
•	регулировка тембра (низкие частоты) в пределах - 12...+ 15dB ступенями по 3d В для обоих каналов;
•	регулировка тембра (высокие частоты) в пределах - 12...+ 15dB ступенями по 3dB для обоих каналов;
•	выбор одного из двух выходов (для каждого канала) и определение функции, выполняемой соответствующим выходом (стереофонический режим, псевдоквадрофонический режим, MUTE).
Информация, управляющая работой микросхемы, подается от микропроцессора по двум шинам со структурой I2L: SCL (Serial Clock Input) и SDA (Serial Data Input/Output). По шине SCL от микропроцессора на микросхему поступают тактовые импульсы, синхронизирующие работу микропроцессора и микросхемы. По шине SDA микропроцессор выдает в последовательном коде двоичное управляющее слово, которое устанавливает в микросхеме соответствующий параметр. Формат управляющего слова имеет следующий вид:
S SLAVE ADDRESS A SUBADDRESS A DATA A P, где:
S - стартовый импульс;
SLAVE ADDRESS - 1000 0000 (управляющий адрес для микросхемы);
А - разделитель полей управляющего слова (высокий уровень, выдаваемый микросхемой в ответ на правильно принятую последовательность данных);
SUBADDRESS - адрес регистра управления параметром (см. табл. 2.40);
DATA - данные установки величины параметра (см. табл. 2.40);
Р - столовый импульс.
Таблица 2.40
функция	subaddress	data							DO
		D7	D6	D5	D4	D3	D2	DI	
volume left	00000000	X	X	VL5	VL4	VL3	VL2	VL1	VLO
volume right	00000001	X	X	VR5	VR4	VR3	VR2	VR1	VRO
boss	00000010	X	X	X	X	ВАЗ	BA2	BAI	BAO
treble	00000011	X	X	X	X	TR3	TR2	TRI	TRO
fader	00000100	X	X	MFN	FCH	FA3	FA2	FA1	FAO
switch	00000101	GMU	X	X	X	X	X	X	X
Функциональное назначение битов данных в управляющем слове следующее:
VLO-VL5 - громкость левого канала;
VRO-VR5 громкость правого канала;
ВАО-ВАЗ - регулировка низких частот;
TRO-TR3 - регулировка высоких частот;
ЕАО-ЕАЗ - уровень псевдоквадросигнала;
FCH - выбор выхода псевдоквадросигнала;
MFN - MUTE выбранного выхода псевдоквадросигнала;
GMU - MUTE для всех каналов;
X - безразличное состояние (при тес-
тировании микросхемы микропроцес- Таблица 2.41
сором во время начальной инициализации, принимает значение «1»).	Uccmln	7V
Управляющее слово подается на мик-	Uc<;max	13,2 V
росхему каждый раз, когда необходимо	U>(uto=o)	26 mA
изменить тот или другой параметр. Кро-	BW	35 Hz - 20 KHz
ме информации по шине SDA, на микро-	1J гппу	1 V
схему можно подавать управляющий сиг-	outmax	
нал -FAF (низким уровнем), который	THD (U = 1 V,	
запрещает формирование псевдостерео-	f = 1 KHz)	0,1%
сигнала. Некоторые из основных элект-	UO	10 pV
рических параметров микросхемы пред-	П	
ставлены в табл. 2.41.	RLmin	10 K£2
ТЕА6320,ТЕА6320Т
Интегральные микросхемы ТЕА6300 и ТЕА6300Т фирмы Philips выполнены в корпусах DIP (ТЕА6300) или SO (ТЕА6300Т) с 32 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) регуляторы громкости и тембра низких и высоких частот с микропроцессорным управлением. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.38. Основные функции выполняемые микросхемами следующие:
•	выбор одного из четырех стереовходов или моновхода по каждому каналу;
•	регулировка громкости в пределах -66...+20 dB;
•	регулировка тембра (низкие частоты) в пределах -12...+15 dB ступенями по 3 dB для обоих каналов;
•	регулировка тембра (высокие частоты) в пределах -12...+15 dB ступенями по 3 dB для обоих каналов;
•	формирование псевдостереосигнала из входного моносигнала;
•	формирование псевдоквадросигнала из входного стереосигнала;
•	регулировка громкости в пределах -66...+20 dB для псевдоквадросигнала.
Информация, управляющая работой микросхем, подается от микропроцессора по двум шинам со структурой FL и с тремя состояниями: SCL (Serial ( lock Input) и SDA (Serial Data Input/Output). По шине SCL от микропроцессора на микросхемы поступают тактовые импульсы, синхронизирующие
8200 10N 5 (J 2.2 Г	 IN L	] Z2 JL 1		1	 in L IrvlX-oA 2.2 X^Xl IN L 2.2 X IN L 2.2 X 2.2 X IN R аУ~\\^{22)—I Z2 X L-> IN R 2.2 X^o> 1 >1 IN R CHlX^Zr-O 2.2 X		 IN R 0>4krU7)—1 6 о	о SCL SDA	_ 8200	20K	22K 2 2	-- W	Icxnn i1°u° —L —L ——	X 47 jKXXX—(линков [x^	XX °— 1 4,7 Й	-S	F*DER/ X	S§	/MUTE X4-7 jx.	IKXXx °— ux^ lx" —JL	JI—.—II	 X 4'7 чХ—{XX—— X 2zoii,oo-° 20K	2.2K Рис. 2.38
прием информации микросхемой от микропроцессора. По шине SDA микро процессор выдает микросхеме двоичное управляющее слово в последовательном коде, которое устанавливает в микросхеме соответствующий параметр По шинам SCL/SDA к микропроцессору можно подключить несколько миг росхем, имеющих подобный интерфейс. Формат управляющего слова имен следующий вид:
S SLAVE ADDRESS A SUBADDRESS A DATA А Р, где:
S - стартовый импульс;
SLAVE ADDRESS - 1000 0000 (управляющий адрес для микросхемы);
А - разделитель полей управляющего слова (высокий уровень, выдаваемый микросхемой в ответ на правильно принятую последовательность данных);
SUS ADDRESS - адрес регистра управления параметром (см. табл. 2.42), DATA - данные установки величины параметра (см. табл. 2.42);
Р - столовый импульс.
Таблица 2.42
функция	subaddress	data							DO
		D7	D6	D5	D4	D3	D2	DI	
volume	00000000	ZCM	LOF	FV5	V4	V3	V2	VI	VO
fader front right	00000001	LOFF	X	FFR5	FFR4	FFR3	FFR2	FFR1	FFRO
fader front left	00000010	X	X	FFL5	FFL4	FFL3	FFL2	FFL1	FFLO
fader rear right	00000011	X	X	FRR5	FRR4	FRR3	FRR2	FRR1	FRRO
fader rear left	00000100	X	X	FRL5	FRL4	FRL3	FRL2	FRL1	FRLO
bass	00000101	X	X	X	BA4	6a3	BA2	BAI	BAO
treble	00000110	X	X	X	TR4	TR3	TR2	TRI	TRO
switch	00000111	GMU	X	X	X	X	SC2	SCI	SCO
Функциональное назначение битов данных в управляющем слове следу ющее:
VO-V5 - громкость стереоканала;
FFRO-FFR5 - громкость фронтального правого псевдоквадроканала;
FPLO-FFL5 - громкость фронтального левого псевдоквадроканала;
FRRO-FRR5 - громкость тылового правого псевдоквадроканала;
FRLO-FRL5 - громкость тылового левого псевдоквадроканала;
ВАО-ВА4 - регулировка низких частот;
TRO-TR4 - регулировка высоких частот;
SC2-SCO - выбор входного сигнала;
GMU - MUTE для всех каналов;
X - безразличное состояние (при тестировании микросхемы микропроцес» сором во время начальной инициализации, принимает значение «1»).
Управляющее слово подается на микросхему каждый раз, когда необходимо	Таблица 2.43	
	U min	7V
и «менить тот или другой параметр. Не-	сс	13.2 V
которые из основных электрических па-	Uccmax	
раметров микросхем представлены	L°(u.„=o)	26 mA
и габл. 2.43.	BW	35 Hz - 20 KHz
ТЕА6321Т	и..,"10* THD(U = 1 V,	1 V
Интегральная микросхема ТЕА6321Т ||)ирмы Philips выполнена в корпусе SO	' out f = 1 KHz)	0,10%
32 выводами и представляет собой двух-	uo	10 pV
спальный (стереофонический) регуля-	Rtmin	10 KQ
1’ >р громкости и тембра низких и высоких		
астот с микропроцессорным управлением. Типовая схема подключения приветна на рис. 2.39. Основные функции, выполняемые микросхемой следующие:
•	регулировка громкости в пределах -66...+20 dB;
•	регулировка тембра (низкие частоты) в пределах -12...+15 dB ступенями по 3 dB для обоих каналов;
•	регулировка тембра (высокие частоты) в пределах -12...+15 dB ступе» нями по 3 dB для обоих каналов;
•	выбор одного из двух выходов (для каждого канала) и определение функции выполняемой соответствующим, выходом (стереофонический режим, псевдоквадрофонический режим, MUTE).
Информация, управляющая работой микросхемы, подается от микропроцессора по двум шинам со структурой I2L: SCL (Serial Clock Input) и SDA (Serial Data Input/Output). По шине SCL от микропроцессора на микросхему поступают тактовые импульсы, синхронизирующие работу микропроцессо» ра и микросхемы. По шине SDA микропроцессор выдает в последовательном коде двоичное управляющее слово, которое устанавливает в микросхеме со» ответствующий параметр. Формат управляющего слова имеет следующий ви>
S SLAVE ADDRESS A SUBADDRESS A DATA А Р, где:
S-стартовый импульс;
SLAVE ADDRESS - 1000 1000 (управляющий адрес для микросхемы);
А - разделитель полей управляющего слова (высокий уровень, выдавав мый микросхемой в ответ на правильно принятую последовательное^ данных);
SUB ADDRESS - адрес регистра управления параметром (см. табл. 2.44):
DATA - данные установки величины параметра (см. табл. 2.44);
Р - столовый импульс.
Таблица 2.44
функция	subaddress	D7	D6	data					
				D5	D4	D3	D2	DI	DO
volume	00000000	ZCM	LOFF	V5	V4	V3	V2	VI	VO
fader front right 00000001		LOFF	X	FFR5	FFR4	FFR3	FFR2	FPR1	FFRO
fader front left	00000010	X	X	FFL5	FFL4	FFL3	FFL2	FFL1	FFLO
fader rear right	00000011	X	X	FRR5	FRR4	FRR3	FRR2	FRR1	PRRC
fader rear left	00000100	X	X	FRL5	FRL4	FRL3	FRL2	FRL1	PRIC
bass	00000101	X	X	X	BA4	ВАЗ	BA2	BAI	В A0
treble	00000110	X	X	X	TR4	TR3	TR2	TRI	TRO
switch	00000111	GMU	X	X	X	X	SC2	SCI	SCO
Функциональное назначение битов данных в управляющем слове о дующее:
VO-V5 - громкость стереоканала;
FFRO-FFR5 - громкость фронтального правого псевдоквадроканала;
FFLO-FFL5 - громкость фронтальноголевого псевдоквадроканала;
FRRO-FRR5 - громкость тылового правого псевдоквадроканала;
FRLO-FRL5 - громкость тылового левого псевдоквадроканала;
ВАО-ВА4 - регулировка низких частот;
TRO-TR4 - регулировка высоких частот;
SC2-SCO - выбор входного сигнала;
GMU - MUTE для всех каналов;
X - безразличное состояние (при тестировании микросхемы микропроцессором во время начальной инициализации, принимает значение «1»).
Управляющее слово подается на микросхему каждый раз, когда необходимо изменить тот или другой параметр. Кроме информации, по шине SDA на микросхему можно подавать управляющий • игнал - FAF (низким уровнем), который запрещает формирование псевдо-гереосигнала. Некоторые из основных »юктрических параметров микросхемы представлены в табл. 2.45.	Таблица 2.45 Uccmin	7 V Uccmax	13,2 V lc0(U,= 0)	26 mA BW	35 Hz-20 KHz Uoutmax	1 V THD (11^= IV, f=lKHz)	0,1%
ТЕА6330Т Интегральная микросхема ТЕА6330Т фирмы Philips выполнена в корпусе SO	Un0	10pV Rpnln	10 КЙ
( 28 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) ре-|улятор громкости и тембра низких и высоких частот с микропроцессорным правлением. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.40. Основные функции выполняемые микросхемой следующие:
MUTE
•	регулировка громкости в пределах -66...+20 dB независимо по каждо му каналу;
•	регулировка тембра (низкие частоты) в пределах -12...+15 dB ступеня ми по 3 dB для обоих каналов;
•	регулировка тембра (высокие частоты) в пределах -12...+15 dB ступе нями по 3dB для обоих каналов;
•	выбор одного из двух выходов (для каждого канала) и определена функции выполняемой соответствующим выходом (стереофонически!! режим, псевдоквадрофонический режим, MUTE).
Информация, управляющая работой микросхемы, подается от микропро цессора по двум шинам со структурой I2L: SCL (Serial Clock Input) и SD/ (Serial Data Input/Output). По шине SCL от микропроцессора на микросхем;, поступают тактовые импульсы, синхронизирующие работу микропроцессо ра и микросхемы. По шине SDA микропроцессор выдает в последовательное коде двоичное управляющее слово, которое устанавливает в микросхеме со ответствующий параметр. Формат управляющего слова имеет следующий вид
S SLAVE ADDRESS A SUBADDRESS A DATA A R где:
S - стартовый импульс;
SLAVE ADDRESS - 1000 0000 (управляющий адрес для микросхемы);
А - разделитель полей управляющего слова (высокий уровень выдавав мый микросхемой в ответ на правильно принятую последовательное! • данных);
SUBADRESS - адрес регистра управления параметром (см. табл. 2.46);
DATA - данные установки величины параметра (см. табл. 2.46);
Р - столовый импульс.
Таблица 2.46
функция	subaddress	D7	data			D3	D2	DI	DO
			D6	D5	D4				
volume left	00000000	X	X	VL5	VL4	VL3	VL2	vui	vic
volume right	00000001	X	X	VR5	VR4	VR3	VR2	VR1	VRC
boss	00000010	X	X	X	X	ВАЗ	BA2	BAI	В Al
treble	00000011	X	X	X	X	TR3	TR2	TRI	TRT
fader	00000100	X	X	MFN	FCH	FA3	FA2	FA1	FAt
Функциональное назначение битов данных в управляющем слове с/п дующее:
VL0-VL5 - громкость левого канала;
VR0-VR5 - громкость правого канала;
В АО-ВАЗ - регулировка низких частот;
TR0-TR3 - регулировка высоких частот;
FA0-FA3 - уровень псевдоквадросигнала;
FCH - выбор выхода псевдоквадросигнала;
MFN - MUTE выбранного выхода псевдоквадросигнала;
GMU - MUTE для всех каналов;
X - безразличное состояние (при тестировании микросхемы микропроцессором во время начальной инициализации, принимает значение «1»).
Управляющее слово подается на микросхему каждый раз, когда необходимо	Таблица 2.47	
изменить тот или другой параметр. Кро-	Uccmin	7V
ме информации по шине SDA, на мик-	Uc<_max	13,2 V
росхему можно подавать управляющий	1 П /11 =гп	QZ —Д
игнал FAF (низким уровнем), который	*ccU lUin UJ	ZO IDA
запрещает формирование псевдостерео-	BW	35Hz-20KHz
сигнала. Некоторые из основных элект-	u«wmax	1 V
рических параметров микросхемы пред-	THD (U “IV,	
ставлены в табл. 2.47.		
	f=lKHz)	0,1%
ТЕА6360	uno	10 pV
Интегральная микросхема ТЕА6360Т	RLmin	10 KQ
фирмы Philips выполнена в корпусе SO
< 32 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) пя-1 иполосный эквалайзер с микропроцессорным управлением. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.41. Средняя резонансная частота активных полос эквалайзера определяется внешними компонентами (RC). Информация, управляющая работой микросхемы, подается от микропроцессора по щум шинам со структурой I2L: SCL (Serial Clock Input) и SDA (Serial Data Input/Output). По шипе SCL от микропроцессора на микросхему поступают тактовые импульсы, синхронизирующие работу микропроцессора и микросхемы. По шине SDA микропроцессор выдает в последовательном коде
двоичное управляющее слово, которое устанавливает в микросхеме соответ* ствующий параметр. Формат управляющего слова имеет следующий вид:
S SLAVE ADDRESS A SUBADDRESS A DATA А Р, где:
S - стартовый импульс;
SLAVE ADDRESS - 1000 0100 (управляющий адрес для микросхемы);
А - разделитель полей управляющего слова (высокий уровень, выдавав* мый микросхемой в ответ на правильно принятую последовательност| данных);
SUBADDRESS - адрес регистра управления параметром (см. табл. 2.48)> DATA - данные установки величины параметра (см. табл. 2.48);
Р - стоповый импульс.
Таблица 2.48
функция	subaddress	D7	data					DI	DO
			D6	D5	D4	D3	D2		
fllterl	00000000	DEF	1B2	1B1	1BO	0	1C2	1C1	icO
filter2	00000001	0	28.2	2B1	2BO	0	2C2	2C1	2Cd
fllter3	00000010	0	3B2	3B1	3BO	0	3C2	3C1	3C0
filter4	00000011	0	4B2	4B1	4BO	0	4C2	4C1	4C0
fllter5	00000100	0	5B2	5B1	5BO	0	5C2	5C1	5CQ
Функциональное назначение битов данных в управляющем слове следующее 1В0-1В2 - усиление или ослабление сигнала в первой полосе частот; 2В0-2В2 - усиление или ослабление сигнала во второй полосе частот; ЗВ0-ЗВ2 - усиление или ослабление сигнала в третьей полосе частот; 4В0-4В2 - усиление или ослабление сигнала в четвертой полосе частот; 5В0-5В2 - усиление или ослабление сигнала в пятой полосе частот;
DEF = «0» - микросхема выполняет функции эквалайзера;		
DEF = «t» - фильтры эквалайзера отключены, линейная частотная характеристика микросхемы.	Таблица 2.49	
	Uccmin	7V
Управляющее слово подается на мик-	Uccmax	13,2 V
росхему каждый раз, когда необходимо изменить тот или другой параметр. Не-	U>(Ub-0)	26 mA
которые из основных электрических па-	BW	35 Hz - 20 KHi
раметров микросхемы представлены	u^max	1 V
в табл. 2.49.	THD(U^=1V, f = 1 KHz)	0,1%
ТК10581М Интегральная микросхема ТК10581М	4.0 R|Tnin	10 pV 10 KQ
фирмы Toko America Inc. выполнена		
в корпусе DIP с 20 выводами и пред-	Таблица 2.50	
ставляет собой двухканальный (стерео-	U min	3,5 V
фонический) трехполосный эквалай-		
зер. Предназначена для коррекции	Uccmax	14 V
амплитудно-частотной характеристики	LO(ufc=o)	7 mA
звукового тракта в аудиоаппаратуре вы-	BW	20 Hz - 20 KHz
сокого класса. Типовая схема подклю-		
чения приведена на рис. 2.42. Средняя	^clrl	±lldB
резонансная частота активных полос эк-		16 KQ
валайзера определяется внешними ком-	UoutmaX	0,6 V
понентами (RC). Некоторые из основных	THD (U =0,3 V,	
параметров микросхемы представлены		
в табл. 2.50.	f = 1 KHz)	0,1%
	4,0	20 pV
ТК10586М	Rjnin	10 КП
Интегральная микросхема ТК10586М		
фирмы Toko America Inc. выполнена в корпусе DIP с 20 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) пятиполосный эквалайзер. Предназначена для коррекции амплитудно-частотной характеристики звукового тракта в аудиоаппаратуре высокого класса. Типовая схема подключения приведена на рис. 2.43. Средняя резонансная частота активных полос жвалайзера определяется внешними компонентами (RC). Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 2.51.
100Hz 1kHz 10kHz
ASOK ^,501 PY IN ~j~39A/ T50K T50I 100Hz 1kHz	К ^50K 68N^y	6800 =	Ф 1000	3 3 	*—	11	*11—< R out "~\39О —О + Усс Y i Ю00.0 	1—	II	*ll—<i our z	i 1000 68N IL 6800 < рок 10kHz
100Hz	500Hz 1kHz 5kHz 10kHz
100Hz	500Hz 1kHz 5kHz 10kHz
Рис 2.43
Таблица 2.52
Таблица 2 51
Uccmin	3,5V
Uccmax	14 V
	7 mA
BW	20 Hz - 20 KHz
L cm	+HdB
R. In	16 KQ
Uov.max	0.6 V
THD (Uou,= 0,3 V,	
f=l KHz)	0,10%
u.o	20 pV
RLmin	10 KQ
Uccmin Uccmax W=o) BW v°L
Bass^ (40Hz) Treble^ (16KHz) Uoutmax THD (U = 1 V. f = 1 KHz). uno RLmin
3V
18V
35 mA
20 Hz - 20 KHz
- 80dB -+21,5dB
-19dB - +17 dB
+ 15dB
3V
0,3%
100 gV
10 KQ
ЦРС1892
Интегральная микросхема цРС1892 фирмы NEC выполнена в корпусе DIP с 30 выводами, представляет собой двухканальный (стереофонический) регулятор громкости, баланса и тембра низких и высоких частот Типовая схема подключения приведена на рис. 2.44. Регулировка темб|й
Рис. 2.44
по низким частотам осуществляется потенциометром BASS, а по высоким частотам - потенциометром TREBLE. Микросхема формирует из входного стереосигнала псевдоквадрофонический сигнал, который поступает на выходы OUT С и OUT S. При включении переключателя SW1 отключается частотная компенсация регулятора громкости, а при включении SW2 отключается режим формирования псевдоквадрофонического сигнала. Входное напряжение не должно превышать 2,5 V (обычно 0,5 V). Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 2.52.
Усилители индикации
Одним из важных атрибутов современной 'звуковоспроизводящей аппаратуры является световой индикатор уровня входного или выходного сигнала, который помимо информационной, выполняет и чисто эстетическую функцию. Для управления шкалой люминесцентных индикаторов служат усилители индикации, которые представляют собой простейшие аналогово-цифровые преобразователи. Подобные микросхемы не являются усилителями в строгрм смысле этого слова, но мы будем называть их усилителями и далее.
Усилители индикации содержат, как правило, компараторы (по числу ячеек индикации) и резисторный делитель напряжения, в зависимости от характеристики которого определяется тип шкалы усилителя индикации - линейная или логарифмическая.
Измеряемый звуковой сигнал подается на один из входов компаратора, а на другой вход подается опорное напряжение, с которым будет сравниваться измеряемый сигнал.
В качестве люминесцентных индикаторов чаще всего применяются светодиодные индикаторы (LED - Lux Diode/ которые обладают довольно высокой яркостной характеристикой, отличаются небольшим потреблением тока и достаточно дешевы.
В продолжение рассмотрим схемы подключения и основные электрические параметры микросхем-усилителей индикации.
A277D, UAA180, UL1890N	Таблица 3.1	
Интегральные микросхемы A27.7D	Uccmin	11,5V
(RFT), UAA180 (Telefunken) и UL1890N	U max	12,5V
(Unitra) с идентичными схемами (цоко-	сс	
левками) и параметрами выполнены	U>iu,„=o)	30 mA
в корпусах DIP с 18 выводами и пред-	L	5 mA
ставляют собой двенадцатиразрядные
усилители индикации с линейной шкалой. Типовая схема подключения приведена на рис. 3.1. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 3.1.
AN6884,ВА656, ВА6124, ВА6125, КА2284,КА2285,КА2286, КА2287,LB1403,LB1413, LB1423, LB1433,LB1493
Интегральные микросхемы AN6884 (Matsushita), ВА656, ВА6124, ВА6125 (Rohm), КА2284, КА2285, КА2286, КА2287 (Samsung), LB1403, LB1413, LB1423. LB 1433 и LB1493 (Sanyo) с идентичными схемами (цоколевками) и различны ми параметрами выполнены в корпусах SIL с 9 выводами и представляют собой пятиразрядные усилители индикации с логарифмической шкалой. Типовая схема подключения приведена на рис. 3.2а. При включении последовательно
Рис. 3.1
двух микросхем (рис. 3.26), реализуется схема десятиразрядного логарифмического индикатора. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 3.2.
НА12010
Интегральная микросхема НА12010 фирмы Hitachi выполнена в корпусе DIP с 16 выводами и представляет собой двенадцатиразрядный усилитель индикации с линейной шкалой. Типовая схема подключения приведена на рис. 3.3. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 3.3.
Таблица 3.2
	Uccmin	Uccmax	l»0	l„out
AN6884	3,5 V	13 V	9 mA	7 mA
ВА656	9V	15V	3 mA	5 mA
ВА6124	3,5 V	13 V	12 mA	7 mA
ВА6125	3,5 V	13 V	12 mA	7 mA
КА2284	3.5 V	13 V	9 mA	15 mA
КА2285	3,5 V	13 V	9 mA	7 mA
КА2285	3,5 V	13 V	9 mA	7 mA
КА2287	3,5 V	13V	9 mA	7 mA
IB1403	3,5 V	13 V	30 mA	15 mA
1В1413	3,5 V	13 V	30 mA	15 mA
IB1423	3,5 V	13V	30 mA	7 mA
LB1433	3,5 V	13V	30 mA	7 mA
181493	3,5 V	13V	30 mA	15 mA
IR2E02, КА2288
Интегральные микросхемы IR2E02 (Sony) и КА2288 (Samsung) с идентичными схемами (цоколевками) и параметрами выполнены в корпусах DIP с 16 выводами и представляют собой семиразрядные усилители индикации с логарифмической шкалой. Типовая схема подключения приведена на рис. 3.4. В микросхемах возможно изменение (программирование) выходного тока посредством резисторов R1 и R2. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 3.4.
КА2281, КА2283,ТА7666,	Таблица 3 3	
ТА7667	Uccmin	4,4 V
Интегральные микросхемы КА2281,	Uccmax	12V
КА2283 (Samsung), ТА7666 и ТА7667	l«0(Uh- 0) I	8 mA
(Toshiba) с идентичными схемами (цо-		7 mA
колевками) и различными параметрами	'out I 1	14 mA
выполнены в корпусах DIP с 16 вывода-	out	
ми и представляют собой двухканаль-		200 KQ
ные (стереофонические) пятиразрядные усилители индикации с логарифмичес-		 Таблица 3.4	
кой шкалой. Типовая схема подключения приведена на рис. 3.5а. Микросхемы	Uccmln	5V
можно использовать и как одноканаль-	Uccmax	14 V
ные (монофонические) десятиразряд-	lK0(Uh-0)	4 mA
ные усилители, индикации (рис. 3.56).	1 ,(R1=1OKS2,	
Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 3.5.	out ’	' R2= 1KH	7,1 mA
	loJRM0KH,	
LB1405,LB1415	R2 - 22 KQ	10,6 mA
Интегральные микросхемы LB 1405 и LB 1415 фирмы Sanyo с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами выполнены в корпусах DIP 16 выводами и представляют собой пятиразрядные усилители индикации
Таблица 3.5
	Uccmin	Uccmax	'«0	(„out
KA2281	3,5 V	13V	9 mA	7 mA
KA2283	9V	15V	3 mA	11 mA
TA7666	3,5 V	13 V	12 mA	7 mA
ГА7667	3,5 V	13V	12mA	11 mA
LED1 LED2 LED5 LED4 LED5 LED6 LED7
с логарифмической шкалой. Типовая схема подключения приведена на рис. 3.6а. При включении последовательно двух микросхем (рис. 3.66), реализуется схема девятиразрядного логарифмического индикатора. Некоторые из главных параметров микросхем представлены в табл. 3.6.
Таблица 3.6
	LB1405	LB1415
Uccmin	4,4 V	4,4 V
Uccmax	12V	12 V
U>(ute-o)	8 mA	8 mA
L	7 mA	14 mA
	200 KQ	200 KQ
LB1407, LB1417
Интегральные микросхемы LB 1407 и LB 1417 фирмы Sanyo с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами выполнены в корпусах DIP с 14 выводами и представляют собой семиразрядные усилите-1и индикации с логарифмической шкалой. Типовая схема подключения приведена на рис. 3.7. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 3.7.
LB1408
Интегральная микросхема LB1408 фирмы Sanyo выполнена в корпусе DIP 14 выводами и представляет собой семиразрядный усилитель индикации шнейной шкалой. Типовая схема подключения приведена на рис. 3.8. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 3.8.
Рис. 3.7
Таблица 3.7
	LB1405	LB1415
Uccmln	4,4 V	4,4 V
Uccmax	12V	12V
l«0(U.= 0)	8 mA	8 mA
L	7 mA	14 mA
	200 KQ	200 KQ
Рис. 3.8
LB1410
Интегральная микросхема LB1410 фирмы Sanyo выполнена в корпусе DIP с 18 выводами и представляет собой десятиразрядный усилитель индикации с линейной шкалой. Типовая схема подключения приведена на рис. 3.9. Не которые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 3.9.
LB1411
Интегральная микросхема LB1411 фирмы Sanyo выполнена в корпусе DIP с 16 выводами и представляет собой десятиразрядный усилитель индикации
Рис. 3.9			
1 аблица 3.8	Таблица 3.9		
Uccmln	4,4 V	Uccmin	3 V
Uccmax	12 V	Uccmax	14 V
l..0(Uh-0)	8 mA	LO(u,„=o)	12 mA
L,	7 mA	'oul	7 mA
		200 KQ			120КП
логарифмической шкалой. Типовая схема подключения приведена на рис. 3.10. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены н табл. 3.10.
LB1412
Интегральная микросхема LB1412 фирмы Sanyo выполнена в корпусе DIP 22 выводами и представляет собой двенадцатиразрядный пиковый усилитель индикации с логарифмической шкалой и с запоминанием. Переключатель
Таблица 3.10
Uccmin	3,5 V
Uccmax	16V
UOIU.-O)	12 mA
U	7 mA
	100 КП
RESET сбрасывает состояние усилителя индикации. Он может быть заменен на электронный ключ, периодически сбрасывающий состояние усилителя индика ции. Типовая схема подключения приведена на рис. 3.11. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 3.11.
Таблица 3.11		LB1416,LB1426,LB 1436
U mln	4,5 V	Интегральные микросхемы LB 1416,
		LB1426 и LB1436 фирмы Sanyo с иден-
Uccmax	14 V	тичными схемами (цоколевками) и раз
Loiu.-o)	6 mA	личными параметрами выполнены
L	7 mA	в корпусах TABS5 с 14 выводами
R	100 KH	и представляют собой двухвходовыг
In		- пятиразрядные усилители динами-
		ческой индикации с логарифмической
шкалой. Типовая схема подключения приведена на рис. 3.12. Некоторые из ос новных параметров микросхем представлены в табл. 3.12.
Таблица 3.12
	Uccmin	Uccmax	l«0	l„out
LB1416	5V	16 V	12 mA	6 mA
LB1426	5V	16 V	12 mA	12 mA
LB1436	5V	16 V	12 mA	16 mA
LB1419
Интегральная микросхема LB1419 фирмы Sanyo выполнена в корпусе DIP 16 выводами и представляет собой девятиразрядный усилитель динамической индикации с линейной шкалой. Типовая схема подключения приведена на рис. 3.13. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 3.13.
LB1450
Интегральная микросхема LB1450 фирмы Sanyo выполнена в корпусе SIL 9 выводами и представляет собой трехразрядный усилитель индикации.
Предназначена для использования в качестве индикатора настройки радиоприемника. Типовая схема подключения приведена на рис. 3.14. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 3.14.
LB1460
Интегральная микросхема LB1460 фирмой Sanyo выполнена в корпусе DIP 14 выводами и представляет собой четырехразрядный усилитель индикации с логарифмической шкалой. Яркость свечения светодиодных индикаторов
Таблица 3.13
Uccmin	5,5 V
Uccmax	16 V
'«0(^=0)	12 mA
L	7 mA
в-	180КП
Таблица 3.14
Uccmln	3,5 V
Uccmax	16 V
lccO(U,= O)	10 mA
L	7 mA
R,n	100 КЙ
можно изменять, подавая прямоугольные импульсы различной скважности ш вход PW SW. Типовая схема подключения приведена на рис. 3.15. Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 3.15.
LM3914, LM3915, LM3916
Интегральные микросхемы LM3914,LM3915 и LM3916 фирмы National
Semiconductor выполнены в корпусах DIP с 18 выводами и представляют сг> бой десятиразрядные усилители индикации с линейной шкалой с идентичными
схемами (цоколевками) и различными	Таблица 3.15	
параметрами. Типовая схема подключе-	U min	4,5 у
ния приведена на рис. 3.16а. Возможно		
также подключение двух микросхем для	Ueemax	15 V
реализации схемы двадцатиразрядного		8 mA
усилителя индикации (рис. 3.166). Неко-	L	7-14 mA
торые из основных параметров микросхе-	p	1 AO I/O
мы представлены в табл. 3.16.		1 OU
Таблица 3.16
	LM39K	LM3915	LM3916
Uccmin	4,5V	4,5 V	4,5 V
Uccmax	15V	15V	15V
IO(U,„=O)	30 mA	30 mA	30 mA
Lut	7 mA	14 mA	20 mA
R. In	120КЯ	120 KQ	120 КП
Рис, 3.16а
Таблица 3.17
U^mln	3V
Ue€mox	14 V
LO(uto-o|	12 mA
L	7 mA
	120KQ
SL322
Интегральная микросхема SL322 фирмы Plessey выполнена в корпусе DIP с 18 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) пятиразрядный усилитель индикации с линейной шкалой. Типовая схема подключения приведена на
рис. 3.17а. Микросхему можно использовать и как одноканальный (монофонический) десятиразрядный усилитель индикации (рис. 3.176). Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 3.17.
Рис. 3.17а
SL325A, SL325B, SL325C
Интегральные микросхемы SL325A, SL32B и SL325C фирмы Plessey с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами выпол йены в корпусах DIP с 14 выводами и представляют собой пятиразрядные усилители с логарифмической шкадрй. Типовая схема подключения при ведена на рис. 3.18. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 3.18.
Таблица 3.18
	Ueemin	Ucemax		l^out
SL325A	5V	18 V	12 mA	6 mA
SL325B	5V	18V	12 mA	12 mA
SL325C	5V	18 V	12 mA	20 mA
U237B,U247B,U257B,U267R
Интегральные микросхемы U237B, U247B, U257B и U267B фирмы Tele-funken с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами выполнены в корпусах DIP с 8 выводами и представляют собой пятиразрядные усилители с логарифмической шкалой. Типовая схема подключения приведена на рис. 3.19. Некоторые из основных параметров микросхем представлены в табл. 3.19.
U2068B
Интегральная микросхема U2068B фирмы Telefunken выполнена в корпусе DIP с 20 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) пятиразрядный усилитель индикации с логарифмической шкалой. Типовая схема подключения приведена на рис. 3.20а. Микросхему можно использовать и как одноканальный (монофонический) десятиразрядный
Рис. 3.19
Таблица 3.19
	Ueemln	Uccmax	l«0	l„out
U237B	3V	18 V	12 mA	6 mA
U247B	3V	18V	12 mA	12 mA
U257B	3 V	18 V	12 mA	14 mA
U267B	3V	18V	12 mA	20 mA
усилитель индикации (рис. 3.206). Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 3.20.
U2069B
Интегральная микросхема U2069B фирмы Telefunken выполнена в корпусе DIP с 20 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) пятиразрядный усилитель индикации с логарифмической шкалой. Типовая схема подключения приведена на рис. 3.21а. Микросхему можно использовать и как одноканальный (монофонический) десятиразрядный усилитель индикации (рис. 3.216). Некоторые из основных параметров микросхемы представлены в табл. 3.21.
100,0
Рис, 3.206
Таблица 3.20		Таблица 3.21	
Uccmln	3 V	U^mln	3V
Uccmax	14 V	Ucemax	14 V
LO(uh-o)	12 mA	LO(uh-o)	12 mA
U	7 mA	L	7 mA
	120 KG			120 KG
Рис. 3.21а
Рис. 3.216
Фирменные знаки производителей интегральных микросхем

Actel Corporation
955 East Arques Avenue Sunnuvale, CA 94086, USA
Adaptec, Inc.
691 S.Milpitas Blvd.
MUpitas, CA 95035, USA
Advanced Analog A Div. of Intech
2270, Martin Avenue
Santa Clara, CA 95050, USA
Advanced Linear Device
1180F Miraloma Way Suiunmie, CA 94086-4606, USA
Advanced Micro Devices, Inc.
P.O. Box 3453
901 Thompson Place MS 113, Sunnyvale, CA 94088, USA
□ ANALOG DEVICES
Analog Devices, INC.
P.O. Box 280
Norwood, MA 02062, USA
§
ANALOG SYSTEMS
Analog Systems
P.O. Box 17389, Tucson, AZ 85740, USA
ПРЕХ
I Iptech
Apex Microtechnology Corporation,
5980 North Shannon Road, Tucson, AR 5980, USA
AEG-Telefunken Serienprodukte AG
Geschaftsbereich Halbleiter 7100 Heilbronn, Germany
Burr-Brown Corporation
P.O. Box 11400,6730 S.Tucon Blvd.
Tucson, AZ, 85706, USA
Cherry Semiconductor Corporation, 200, South Countri Trail,
Greenwich, England
Dionics Inc,
65, Rushmore Street, Westbury, NY 11590, USA
Exar Semiconductor Corporation, Sunnyvale, CA, USA
FAGOR
Fagor ElectrcrKunica,
S.Coop, Blvd. San Andres, E-Mondragon, Spain
FAIRCHILD
Fairchild Semiconductor Corporation,
450, National Avenue, Montain View, CA 94042, USA
T1FERRANT11
¥ SEMICONDUCTORS
Ferranti Ltd,
Oldham, Lancaster, England
Fujitsu Ltd,
Furukawa Sogo Bid,
G-l, Marunoushi 2-chome Chyoda-ku, Tokyo, Japan

GENNUM
COHF>OR«TI ON
General Electric Company,
Syracuse, NY, USA
Gennum Corporation
PO Box 489, Station A
Birlington, Ontario, Canada L7R3Y3
Cl
General Instrument Corp,
600 West John Street, Hickville, NY 11802, USA
^GoldStar
Lgsj
GoldStar Co, Ltd,
Youdo, PO Box 335 Seoul, Korea
(Q>
HITACHI
Harris Semiconductor, PO Box 883, Melbourne FL 32901, USA
Hitachi Ltd,
6-2 Otemachi, 2-chome, Chyoda-ky, Tokyo 100, Japan
ПИЛЮ»
Intersil Inc,
Cupertino, CA, USA
ITT
ITT Semiconductors,
55, Merrimack Street Lawrence, MA 01843, USA

Lambda Semiconductor, 121 International Boul.
Corpus Christi, TX 78406, USA
The Krueger ^^Сотрапу
МСЕИЙ®
SEMICONDUCTOR INC
The Krueger Company,
1544 W mineral Rd., Tempe, AZ 85283, USA
Lansdale Semiconductor, Inc
2929 S. 48th St., Ste2 Tempe, AZ 85282, USA
Matsushita Electronics Corp.
1 Kotari-Yakemashi, Nagaokakyo, Kyoto 617, Japan
MCE Electronics Ltd,
38 Hung To Road, Kwung Tong, Kowloon, Hong Kong
Mitsubishi Electric Corp.,
Mitsubishi Denki Building, Marunoushi, Tokyo, 100, Japan
Motorola Semiconductor
PO Box 20912, Phoeijix,
AZ 85036, USA
Milliard,
London, United Kingdom
NEC
National Semiconductor Corporation, 2900 Semiconductor Drive, PO Box 58090, Santa Clara, CA 95051, SUA
Nippon Electric Company, 33-1 Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 108, Japan
NO R
NCR Corporation,
2001, Danfiel Court,
Fort Collins, Colorado 80525-2998, USA
JRC
PHILIPS
New Japan Radio Co.,
Ltd. 340-B East Middlefield Road, Mountain View, CA 94043, USA
Philips Gloeilampenfabrieken
Box 523 5600 AM,
Eindhoven, Neetherlands
Qplessey
Plessey Semiconductors Ltd,
I Uniti, Crompton Rd.Grounwell md.
Est. Swindon, Wilts. SN25AY, England

Precision Monolithics Inc.,
1500 Space Park Dr., Santa Clara, CA 95050, USA
Rayttieon
Raytheon Company,
350 Ellis Street,
Mountain View, CA 94040, USA

Radio Corporation of America,
Route 202, Sommerville, NJ 08876, USA
Reticon EG&G,
345, Portero Avenue, Sunnyvale, CA 94086, USA
RDHIYI
Rohm Co. Ltd,
21 Saiin Misosaki-cho, Ukuo-ku, Kyoto615, Japan
RTC-Compelec,
130 Avenue Ledru-Rollin, 75540, Paris, Cedex 11, France
<8
•SANYO
Samsung Electronics,
8/10 FL, Samsung Main Bidg., 250,
2-KA Taepyung-Ro, Shung-Ku, Seoul, Korea
Sanyo (Tokyo) Electric Co. Ltd.,
Oizumimashi,
Oragun Gumma, Japan
SGS-ATES, Italia
SGS-Thomson
SHARP
SIEMENS
Sharp,
Japan
Siemens AG,
Balanstrasse 73, D-8000 Munich 80, Germany
Silicon Corporation,
Katrina Road,
Chelmsford. MA 01824, USA
Siliconix,
2201 Laurelwood Road, Santa Clara, CA 94054-1516, USA
Silicon General, USA
Standard Microsystem Corporation,
USA
@МГГЕ1_
SifjnntiCS
SPRAGUE
<O>SPRAGUE SOLID STATE
Mitel Semiconductor,
Canada
Signetics Corporation,
USA
Sprague Electric Company,
Concord, NH, USA
Spague Solid State,
USA
Cypress Semiconductor Inc.,
USA.
Solid State Scientific,
USA.
Simtec Inc.,
USA
Beckman
Allegro Inc.,
USA
Bcnchmarq Corporation,
USA
Beckman Inc.,
USA
^EDI
Electronic Design Incorporated,
USA
Brtjoktree
/////crthlyst l| DALLAS Ж SEMICONDUCTOR
Broktree Corp., USA
Catalyst Semiconductor Inc.,
USA
Dallas Semiconductor Inc.,
TEX, USA
SONY kS elantec
Sony Corporation, 10-18 Takanava, 4-chome Munato-ku, Tokyo 108 Japan
Baneasa SA, Romania
Elantec Corporation,
USA
seeo SEEQTechnology, Inc.
Jolltnm
Solitron Inc.,
1177 Blue Heron Blvd., Riviera Beach, FL 33404, USA
<6»
Synertek, USA
.Teledyne Semiconductor Inc., 174 Slier-man Street, Cambridge, MA02140, USA

Telmos Corp.,
USA
zkixixiyki
Maxim Integrated Products,
USA
/77^ №
Micro Networks, USA
Micro Power Systems, USA
Master Logic,
USA
HUGHES
Hughes Aircraft,
USA
ttJbdd Systems
Hybrid Systems Corp.,
USA
Thomson CSF (Sescosem),
Paris; France
Texas Instruments Inc.,
PO Box 401560, Tallas,
TX 75240, USA
Toshiba Corporation,
Shibaura 1-chome, Minato-ku,
Tokyo 105, Japan
TRW RF Device Division,
USA
UNITRODE
Unitrode Corporation,
5 Forbes Road, Lexington, MA02173, USA
TESLA
Tesia Roznov,
Roznov pod Radhostem, Cehia
USAR systems
Usar Systems Corp., USA
UTMC Microsystems Corp.,
USA
Valvo GmbH.,
PO Box 993, Valvo Haus, Burchardstrasse
19, Hamburg 1, Germany
Vitelic Corporation,
USA
IVitrohm Inc.,
USA
Western Digital,
USA
Xicor Corp., USA
XiLix Corp., USA
Zilog
YAMAHA
Zilog,
USA
Yamaha Corporation,
5-1 Shibaura 5-chome, Minato-ku, Tokyo 105, Japan
Корпуса интегральных микросхем

Книги издательства «ДМК Пресс» можно заказать в торгово-издательском холдинге «АЛЬЯНС-КНИГА» наложенным платежом, выслав открытку или письмо по почтовому адресу: 123242, Москва, а/я 20 или по электронному адресу: orders@alians-kniga.ru.
При оформлении заказа следует указать адрес (полностью), по которому должны быть высланы книги; фамилию, имя и отчество получателя. Желательно также указать свой телефон и электронный адрес.
Эти книга вы можете заказать и в Internet-магазине: www.alians-kniga.ru.
Оптовые закупки: тел. (495) 258-91-94, 258-91-95; электронный адрес books@alians-kniga.ru.
Турута Евгений Филиппович
Предварительные усилители низкой частоты
Главный редактор Мовчан Д. А. dm@dmk-press.ru Литературный редактор Ишков М. Н. Технический редактор Прока С. В.
Верстка Головко Л. В.
Графика Бахарев А. А.
Дизайн обложки Антонов А. И.
Подписано в печать 12.02.2008. Формат 60х80’/16 Гарнитура «Петербург». Печать офсетная.
Усл. печ. л. 11. Тираж 1000 экз.
Издательство «ДМК Пресс» Сайт издательства www.dmk-press.ru Интернет-магазин www.alians-kniga.ru

ТУРУТА Е. Ф.


низко: hLh^GiTlOiTi Bl
Настоящий справочник представляет основные электрические параметры, цоколевку и подключение интегральных микросхем -предварительных усилителей низкой частоты, регуляторов громкости и тембра, усилителей индикации.
Книга будет полезна специалистам в области наладки, ремонта и технического обслуживания бытовой радиоаппаратуры, а также радиолюбителям.
Книга - почтой:
Россия, 123242, Москва, а/я 20 e-mail: books@alians-kniga.ru
Оптовая продажа:
«Альянс-книга» Тел./факс: (495) 258-9195 e-mail: books@alians-kniga.ru